INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On note que l’exemple envisagé ici, l’entête DNS_RESOLVER est inséré dans une réponse à une requête d’accès HTTP POST au service envoyée après l’établissement de la connexion sous-jacente au service S entre l’équipement client 2 et le serveur autoritaire 3. On peut toutefois envisager en variante qu’un tel entête soit inséré dans une réponse à une requête HTTP POST envoyée durant la procédure d’établissement de la connexion sous-jacente au service S. Une telle requête HTTP POST peut par exemple être envoyée dans un message SYN et ClientHello TLS si les mécanismes TCP Fast Open et 0-RTT TLS décrits respectivement dans les documents IETF RFC 7413 et RFC 8446 sont activés.
Dans une autre variante, les indications précédemment citées, portées par l’entête DNS_RESOLVER, sont insérées dans une option TCP et/ou TLS en réponse à une requête d’accès au service ou à une demande d’établissement de la connexion sous-jacente au service S.
Sur réception de la réponse HTTP 200 OK du serveur autoritaire 3 et détection de l’entête DNS_RESOLVER inclus dans la réponse, le module 2B de modification de l’équipement client 2 modifie la configuration DNS appliquée par l’équipement client 2 (qui correspond ici à celle qui est mémorisée dans le module 2A de stockage en l’absence de configuration DNS associée au service S mémorisée dans le cache local 2D). Plus spécifiquement, il mémorise dans le cache local 2D les adresses @IP8-1, …, @IP8-K des dispositifs DNS 8 compris dans l’entête DNS_RESOLVER à utiliser lors de l’accès au service S ainsi que les règles de sélection permettant à l’équipement client 2 d’identifier les requêtes DNS concernées par ces dispositifs DNS (étape H50).
De la sorte, le module 2C de transmission de l’équipement client 2 adresse les futures requêtes DNS (QUERY(X)) envoyées dans le cadre du service S (par exemple, toutes les requêtes portant sur les sous-domaines « *.example.com » en fonction des règles de sélection définies par l’entité 6 de confiance) à l’un des dispositifs DNS 8 identifiés dans la nouvelle configuration DNS mémorisée dans le cache local 2D (et non plus à son serveur DNS nominal 4 comme lors de l’étape H10, qui peut toutefois continuer d’être sollicité pour des requêtes DNS envoyées dans le cadre d’autres services que le service S et non concernées par la configuration DNS mémorisée dans le cache local 2D) (ex. étapes 60, H70).
On note que ces requêtes DNS peuvent viser un nom de domaine public, mais également un nom de domaine privé que les dispositifs DNS 8 sont adaptés à résoudre, ou un nom de domaine généré dans le cadre du service S pour l’équipement client 2, ou un nom de domaine éphémère généré dans le cadre du service S, etc., ou encore un nom de domaine vérifiant plusieurs de ces caractéristiques. En adaptant la configuration DNS de l’équipement client 2 en fonction du service S, une grande flexibilité est offerte au fournisseur du service S en matière de résolution DNS.
En outre, il convient également de noter que si, avant l’étape H10, le cache local 2D comprend déjà une configuration DNS à appliquer pour le service S différente de la configuration DNS nominale, et que cette configuration DNS est associée dans le cache local 2D à une durée de validité non expirée, alors lors de l’étape H10, l’équipement client 2 applique cette configuration DNS enregistrée dans le cache local 2D et s’adresse directement à l’un des dispositifs DNS 8 pour résoudre sa requête DNS. Ledit dispositif fournit l’adresse @IP3 du serveur autoritaire 3 en réponse à la requête DNS envoyée par l’équipement client 2 lors de l’étape H20. Les étapes H30 et H40 sont maintenues et permettent le cas échéant de prolonger la durée de validité de la configuration DNS déjà mémorisée dans le cache local 2D pour le service S, ou si la configuration DNS s’appliquant au service S a été modifiée par l’entité 6 de confiance, de modifier cette configuration DNS.
Comme évoqué précédemment, si plusieurs dispositifs DNS 8 sont identifiés dans la nouvelle configuration DNS mémorisée par le cache local 2D, pour chaque requête DNS QUERY(X) devant être émise par l’équipement client 2, le module 2C de transmission sélectionne l’un des dispositifs DNS 8 en fonction d’un critère donné. Un tel critère est par exemple ici les capacités fonctionnelles des dispositifs DNS 8.
Ainsi, à titre illustratif, pour K=2, supposons que l’entête DNS_RESOLVER reçu par l’équipement client 2 indique une liste de méthodes supportées par chacun des dispositifs DNS 8-1, 8-2, et plus particulièrement pour le dispositif DNS 8-1 les méthodes HTTP {GET, POST, FETCH}, et pour le dispositif DNS 8-2 les méthodes HTTP {GET, POST}. Alors le module 2C de transmission peut sélectionner indifféremment le dispositif DNS 8-1 ou le dispositif 8-2 pour l’envoi de requêtes DNS GET et POST, et sélectionner le dispositif 8-1 uniquement pour l’envoi de requêtes DNS FETCH.
Selon un autre exemple illustratif pour K=2 toujours, supposons que l’entête DNS_RESOLVER reçu par l’équipement client 2 indique une liste d’enregistrements RR supportés par chacun des dispositifs DNS 8-1, 8-2, et plus particulièrement pour le dispositif DNS 8-1 un enregistrement de type SVCB (« SerViCe Binding », en anglais) tandis que pour le dispositif DNS 8-2 un enregistrement de type MX (« Mail eXchange », en anglais). Alors le module 2C de transmission sélectionne le dispositif DNS 8-1 pour résoudre les requêtes DNS portant sur un enregistrement SVCB.
Selon un autre exemple illustratif encore pour K=2, supposons que l’entête DNS_RESOLVER reçu par l’équipement client 2 indique une liste de protocoles supportés par chacun des dispositifs DNS 8-1, 8-2, et plus particulièrement pour le dispositif DNS 8-1 les protocoles Do53 et DoQ, tandis que pour le dispositif DNS 8-2 les protocoles DoH (DNS over HTTPS) et DoC (DNS over CoAP), le protocole DoT (DNS over TLS), les protocoles Do53, DoQ (DNS over QUIC), DoH et DoC étant connus de l’homme du métier et non détaillés ici. Alors le module 2C de transmission supportant le protocole DoH peut décider de ne sélectionner que le dispositif DNS 8-1 pour résoudre ses requêtes DNS.
De même, on pourra prévoir des rails horizontaux 41, de préférence perpendiculaires aux axes centraux X15, X5, X6, X30, X31, pour modifier la position horizontale des électrodes 5, 6, 30, 31, de préférence indépendamment les unes des autres, de sorte à pouvoir notamment ajuster et modifier au besoin les entraxes de chaque paire d’électrodes 5, 6, respectivement 30, 31, et ou la distance de l’une et/ou l’autre des électrodes par rapport à l’aplomb vertical du tribochargeur (ici donc la distance par rapport au plan de référence P0).
De préférence, la surface, préférentiellement cylindrique, des électrodes 5, 6, 30, 31 est recouverte d’une couche réalisée dans un matériau électriquement isolant pour empêcher un échange de charges de l’électrode 5, 6, 30, 31 avec les composants 2, 3 qui adhèrent à sa surface.
Par « matériau électriquement isolant », on désigne ici un matériau qui présente une résistivité égale ou supérieure à 10 10 Ω.m à une température de 300 Kelvin.
Cette couche isolante pourra par exemple prendre la forme d’un revêtement, par exemple en PTFE ou PET, de préférence d’épaisseur comprise entre 10 µm et 100 µm, qui sera déposé sur l’âme de l’électrode, elle-même réalisée en métal, par exemple en alliage de cuivre, en alliage d’aluminium ou en acier inoxydable.
De préférence, les électrodes 5, 6, 30, 31 qui définissent le champ électrique séparateur occupent, dans leur ensemble, une plage d’altitude H7 dite « plage d’altitude de l’entrefer » H7 qui s’étend depuis l’altitude du point le plus bas de toute lesdites électrodes, ici la ligne basse de la troisième ou de la quatrième électrode 30, 31, jusqu’au point le plus haut de toutes lesdites électrodes, ici la ligne de crête de la première ou de la seconde électrode 5, 6, et le tribochargeur 4, dit « premier tribochargeur » 4, se situe dans une partie haute de l’installation 100 de sorte qu’au moins une partie, de préférence au moins la moitié, et plus préférentiellement la totalité, de la plage d’altitude de l’entrefer H7 s’étend en-dessous de l’altitude H12 du point le plus bas de l’enceinte 12 recevant le mélange 1, c’est-à-dire en-dessous de l’altitude de largage H12 mentionnée plus haut.
Ainsi, l’enceinte 12, et plus particulièrement la grille 14, se trouve en partie haute de l’entrefer 7, de sorte que les composants 2, 3 qui sortent de l’enceinte 12, à l’altitude de largage H12, bénéficient d’une importante hauteur de chute, qui laisse de l’espace et du temps aux électrodes 5, 6, 30, 31 pour dévier la trajectoire desdits composants vers les collecteurs 10, 11, 33, 34.
Dans tous les cas, bien entendu, le tribochargeur 4, et plus particulièrement l’enceinte 12 et sa grille 14, restent cependant placés dans la zone d’influence du champ électrique séparateur, de sorte que les composants 2, 3 soient happés par ledit champ électrique séparateur et arrachés hors de l’enceinte 12, à travers la grille 14, aussitôt chargés.
Selon une caractéristique particulièrement préférentielle qui peut constituer une invention à part entière, notamment quelle que soit la nature du premier tribochargeur 4, l’installation 100 peut alors comprendre également, dans une partie basse, à l’aplomb du premier tribochargeur 4 et à une altitude H45 strictement inférieure à l’altitude dudit premier tribochargeur 4, ici donc strictement inférieure à l’altitude de largage H12, un lit fluidisé 45, schématisé en pointillés sur la , qui forme un second tribochargeur 45 apte à recharger électriquement et à renvoyer en suspension dans l’entrefer 7 les composants 2, 3 du mélange 1 qui seraient tombés du premier tribochargeur 4 et auraient traversé verticalement l’entrefer 7 sans être capturés par les collecteurs 10, 11, 33, 34.
Avantageusement, on améliore ainsi encore davantage l’efficacité de l’installation 100, en réduisant les pertes qui correspondraient à un résidu qui serait formé par les composants tombés de l’enceinte mais non capturés et donc non triés après leur passage dans l’installation 100.
Selon une caractéristique préférentielle qui peut constituer une invention à part entière, l’installation 100 comprend, à une altitude intermédiaire située entre le premier étage de capture 35, supérieur, formé par la première électrode 5 et la seconde électrode 6 et le second étage de capture 36, inférieur, formé par la troisième électrode 30 et la quatrième électrode 31, une chicane anti-retour 46 qui est agencée pour autoriser le passage vers le second étage de capture 36 des composants 2, 3 non capturés par le premier étage de capture 35, tout en empêchant les composants 2, 3 remis en suspension dans le second étage de capture 36 par le lit fluidisé 45 de remonter au-delà de ladite chicane anti-retour 46, et en particulier de remonter jusqu’au premier étage de capture 35.
Ladite chicane anti-retour 46 comprend de préférence tout d’abord, tel que cela est visible sur la , une trémie 47 aux parois convergentes qui est apte à recueillir les composants 2, 3 chutant du premier étage de capture 35 et à diriger lesdits composants 2, 3, à travers une ouverture inférieure 48, vers le second étage de capture 36, puis un déflecteur 49 divergent, qui est placé sous la trémie 47 à l’aplomb de l’ouverture inférieure 48 de sorte à autoriser la chute dans le second étage de capture 36 des composants 2, 3 en provenance de la trémie 47, tout en empêchant les composants 2, 3 remis en suspension dans le second étage de capture 36 par le lit fluidisé 45 de remonter par l’ouverture inférieure 48 en direction du premier étage de capture 35, et donc de remonter au-delà de ladite chicane anti-retour 46, et en particulier de remonter jusqu’au premier étage de capture 35.
Avantageusement, on confine ainsi dans le second étage de capture 36, dans l’entrefer délimité par la troisième et la quatrième électrode 30, 31, les composants 2, 3 qui n’ont pas été capturés lors de leur première chute et qui se trouvent remis en suspension, par le lit fluidisé 45, dans la partie basse l’entrefer 7. On améliore ainsi l’efficacité de l’installation, en évitant que le lit fluidisé 45 ne disperse les composants 2, 3 hors de l’entrefer 7.
La largeur couverte horizontalement par le déflecteur 49 représente de préférence au moins 50%, au moins 75%, au moins 85%, voire au moins 95% de la distance qui sépare horizontalement la troisième électrode 30 de la quatrième électrode 31. Ainsi, le déflecteur 49 forme une sorte de chapeau qui couvre la majorité, voire la totalité, de la zone basse de l’entrefer 7 qui est comprise entre les troisième et quatrième électrodes 30, 31, et constitue un obstacle qui empêche les composants 2, 3 présents dans cette zone basse de l’entrefer 7 de sortir de ladite zone basse de l’entrefer.
Le déflecteur 49 est de préférence agencé de manière à chevaucher et recouvrir entièrement, en projection dans un plan horizontal, l’ouverture inférieure 48 de la trémie 47, et même à déborder au-delà de l’ouverture inférieure 48, de sorte que les composants 2, 3 présents dans la zone basse de l’entrefer, sous le déflecteur 49, ne peuvent pas remonter verticalement à travers ladite ouverture inférieure 48.
Avantageusement, la chicane anti-retour 46 permet en outre d’empêcher le flux gazeux, ici ascendant, émis par le lit fluidisé 45 de perturber le fonctionnement du premier étage de capture 35, en partie haute de l’entrefer 7.
Les parois de la trémie 47, respectivement les parois du déflecteur 49, pourront être formées par des plaques inclinées qui s’étendent en longueur parallèlement aux axes X5, X6, X30, X31 des électrodes 30, 31.
Le nœud intermédiaire 11 intercepte ce deuxième paquet de données, et horodate et mémorise la première valeur PL1 du paramètre de latence extraite de ce deuxième paquet de données avant de transférer le paquet de données à destination du premier équipement de communication 10 dans une étape E4.
Dans une étape E5, à réception du deuxième paquet de données, le premier équipement de communication 10 émet un troisième comprenant en entête une deuxième valeur PL2 du paramètre de latence distincte de la première valeur PL1. Dans un exemple, la deuxième valeur PL2 du paramètre de latence est 1.
Le nœud intermédiaire 11 intercepte ce troisième paquet de données, et horodate et mémorise la deuxième valeur PL2 du paramètre de latence avant de transférer le paquet de données à destination du deuxième équipement de communication 20 dans une étape E6. L’équipement de communication 10 et l’équipement de communication 20 peuvent grâce à cet échange de paquets de données, déterminer une durée de propagation aller-retour RTT entre le premier équipement de communication 10 et le deuxième équipement de communication 20, si ce n’est pas fait à l’aide de paquets d’acquittement.
Dans une étape E7, le nœud intermédiaire 11 détermine une première durée de propagation aller-retour RTT1011 entre le premier équipement de communication 10 et le nœud intermédiaire 11, et une deuxième durée de propagation aller-retour RTT1120 entre le nœud intermédiaire 11 et le deuxième équipement de communication 20, au moyen des données d’horodatage associées au différentes valeurs du paramètre de latence PL1 et PL2 mémorisées.
Par exemple la durée de propagation aller-retour RTT1120 entre le nœud intermédiaire 11 et le deuxième équipement de communication 20 est obtenue grâce aux horodatages de la sortie du premier paquet de données et de l’arrivée du deuxième paquet de donnée dans l’équipement intermédiaire 11.
La durée de propagation aller-retour RTT1011 entre le premier équipement de communication 10 et le nœud intermédiaire 11 est quant à elle obtenue grâce aux horodatages de l’entrée du deuxième paquet de données et de la sortie du troisième paquet de donnée dans l’équipement intermédiaire 11.
Le nœud intermédiaire 11 détermine ensuite, au cours d’une étape E8, une valeur d’un paramètre de performance intermédiaire PPI. Le paramètre de performance intermédiaire PPI est le rapport entre la première durée de propagation aller-retour RTT1011 et la deuxième durée de propagation aller-retour RTT1120 :
Une fréquence de transmission d’une valeur du paramètre de performance intermédiaire PPI est déterminée par le nœud intermédiaire 11 en fonction d’au moins une première règle de transmission RT1.
Une telle règle de transmission RT1 appartient au groupe comprenant :
- transmission unique d’une unique valeur du paramètre de performance intermédiaire PPI,
- transmission à chaque détection d’une modification d’une valeur du paramètre de latence d’une nouvelle valeur du paramètre de performance intermédiaire,
- transmission d’une valeur courante du paramètre de performance intermédiaire lorsqu’elle diffère d’une valeur du paramètre de performance intermédiaire précédemment calculée.
Ainsi dans un premier exemple, le nœud intermédiaire 11 peut avoir comme consigne de ne calculer et de ne transmettre qu’une seule valeur du paramètre de performance intermédiaire PPI.
Dans un deuxième exemple, le nœud intermédiaire 11 peut avoir comme consigne de transmettre au cours du temps plusieurs valeurs PPI 1 à PPP N du paramètre de performance intermédiaire. La transmission de ces différentes valeurs PPI 1 à PPP N du paramètre de performance intermédiaire étant déclenchée par différents évènements.
De même, l’équipement de communication à destination duquel une valeur du paramètre de performance intermédiaire PPI doit être transmise est identifié en fonction d’au moins une deuxième règle de transmission RT2.
Une telle règle de transmission RT2 appartient au groupe comprenant :
Les bandes de résistivité inférieure 2 sont réalisées au moyen d’un accroissement localisé 1’ de la couche d’oxyde transparent conducteur constitué par le dépôt d’une couche secondaire TCO déposée par exemple par un procédé de pulvérisation cathodique sur une couche TCO de base. La couche TCO de base réalise pour sa part les bandes de résistivité supérieure 11.
Un exemple de réalisation fabriquée en laboratoire utilise l’IZO pour réaliser une électrode à couche transparente conductrice comportant une couche de base de 47 nm avec une résistivité de 90 Ohm/carré et des bandes d’épaisseur accrue d’épaisseur totale 307 nm avec une résistivité de 11 Ohm/carré. L’IZO est un matériau absorbant dans la partie UV du spectre solaire mais absorbant peu dans la partie Infrarouge ce qui est favorable pour des cellules silicium dans une utilisation en tandem par exemple.
Dans un premier temps, la montre que l’électrode réalisée avec une couche d’oxyde transparent conducteur IZO composée d’un dépôt de 47nm sur la totalité de la surface de l’électrode, associé à une surépaisseur localisée de 307nm, permet de réduire la résistance surfacique de la couche de 90 à 51 ohm/carré pour un taux de recouvrement d’environ 12% de la surface totale de la couche. Ceci permet de démontrer l’amélioration du caractère électrique de l’invention.
Ces mesures et calculs ont été réalisés avec la méthode connue sous l’appellation anglaise Transfert Length Measurements (TLM).
Les courbes obtenues donnent la résistance mesurée en fonction de la distance à un point d’origine pour une première couche 23 de 307 nm, une deuxième couche 24 de 47 nm et une troisième couche 25 à bandes alternées 47/307.
La qui correspond à une modélisation optique de transmission et de réponse spectrale d’une cellule silicium pour différentes épaisseurs d’IZO pour les couches mesurées précédemment montre que la troisième couche d’épaisseur 47/307 nm testée permet d’avoir une courbe de transmission 20 très proche d’une couche simple de 47 nm d’épaisseur, courbe de transmission 22 tandis que la courbe de transmission 21 d’une couche de 307 nm d’épaisseur est inférieure.
Finalement, l’ensemble des données ont été combinées pour réaliser un bilan électro-optique d’une couche selon la présente divulgation pour une cellule tandem 4 terminaux avec une cellule supérieure Pérovskite à absorption dans l’UV et une cellule inférieure à base de Silicium dans le tableau ci-dessous :
307 nm 47 nm 47/307 nm Efficacité pérovskite 12.5% 14% 14.4% Efficacité Silicium 8% 8.4% 8.4% Efficacité Tandem 20.5% 22.4% 22.8%
Dans ce tableau les valeurs sont données à 0,2% près.
Pour la cellule pérovskite, l’augmentation de 12.5 à 14% des performances de la cellule pérovskite munie d’une électrode supérieure à couche TCO IZO d’épaisseur de 47 nm par rapport à une électrode avec une couche TCO IZO de 307 nm est due à la réduction de l’épaisseur de la couche TCO IZO qui réduit l’absorption parasite dans l’UV, malgré l’augmentation de la résistivité de l’électrode. En utilisant le dispositif de bandes alternées 47 nm / 307 nm pour réaliser la couche TCO IZO, l’augmentation des performances de 14 à 14.4%, est due à la diminution de la résistivité de l’électrode, tout en gardant une transparence similaire.
Pour la cellule silicium, le gain de performances, de 8 à 8.4%, est dû à l’augmentation de la transparence de la cellule supérieure pérovskite du fait de la réduction d‘épaisseur de l’électrode d’IZO vue ci-dessus. La performance de la cellule silicium reste ensuite constante car la transparence des couches transparentes conductrice reste pratiquement inchangée lors de l’ajout des bandes d’épaisseur accrue.
Pour la cellule Tandem 4T, dont les performances correspondent à l’addition des performances des cellules qui la composent, les performances obtenues sont maximales avec la configuration de couche TCO supérieure et couche TCO inférieure à bandes alternées.
L’invention est généralisable à d’autres couples épaisseur réduite / épaisseur accrue pour les couches TCO et, dans l’exemple de la , la couche d’oxyde transparent conducteur de base 1 qui réalise l’extraction de charges électriques d’une jonction photovoltaïque peut avoir une épaisseur réduite de l’ordre de 40 à 50 nanomètres et les bandes d’épaisseur accrue 2 peuvent avantageusement avoir une épaisseur de deux à dix fois supérieure à l’épaisseur de la couche de base selon le ratio gain électrique / gain transparence recherché. La largeur des bandes de résistivité inférieure peut notamment être prévue entre 10% à 20% de la surface de la couche TCO d’une électrode en fonction du compromis transparence optique / conductivité que l’on souhaite obtenir.
L’exemple de la correspond à un deuxième mode de réalisation pour lequel des bandes de résistivité inférieure 3 sont réalisées par un surdopage localisé 31 d’une couche de base 1 d’oxyde transparent conducteur avec un dopant conducteur. Ainsi, les bandes dopées forment les bandes de résistivité inférieure et les bandes de résistivité supérieure sont réalisées par les parties moins dopée de la couche de base.
Dans ce mode de réalisation, la couche d’oxyde transparent conducteur 1 peut, comme pour le mode de réalisation de la , être une couche indium étain oxyde (ITO), indium zinc oxyde (IZO) ou peut être une couche aluminium zinc oxyde (AZO).
Dans le cas où la couche d’oxyde transparent conducteur est une couche indium étain oxyde (ITO) ou indium zinc oxyde (IZO), le dopant conducteur réalisant les bandes 3 de résistivité inférieure est à base d’étain ou de zinc dans une proportion supérieure à celle de la couche de base de dopage traditionnel réalisant les bandes de résistivité inférieure.
Le collimateur 310.4 se distingue du collimateur 210.3 du troisième mode de réalisation essentiellement en ce que la face de sortie n’est pas plane mais bien du type de Fresnel, similairement à la face d’entrée, de manière à dévier les rayons lumineux sortant vers un foyer situé au foyer du profil parabolique de la surface réfléchissante de renvoi 308.4. Similairement à la face d’entrée, la face de sortie comprend un partie centrale convexe de manière à dévier par réfraction une partie centrale des rayons lumineux transmis par le collimateur 310.4, vers le foyer. La partie annulaire extérieure de la face de sortie, quant à elle, est configurée pour dévier par réflexion totale sur la face extérieure du collimateur et ensuite par réfraction une partie annulaire extérieure des rayons lumineux transmis par le collimateur 310.4, vers le foyer.