Procédé (100, 100’) de co-fabrication d’une mémoire ferroélectrique comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode et d’une mémoire résistive OxRAM comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, le procédé de co-fabrication comportant les étapes suivantes : Une étape de dépôt (101, 101’) d’une couche de première électrode (201, 201’) réalisée de manière identique pour la zone (Z1) destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone (Z2) destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt (102, 102’) d’une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium (202, 202’) réalisée de manière identique pour la zone (Z1) destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone (Z2) destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt (105, 105’) d’une première couche conductrice (204, 204’) réalisée de manière identique pour la zone (Z1) destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone (Z2) destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de réalisation (106, 106’) d’un masque (205, 205’) au niveau de la zone (Z2) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique en laissant libre la zone (Z1) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM ; Une étape de retrait (107, 107’) de la première couche conductrice (204, 204’) au niveau de la zone (Z1) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM, la zone (Z2) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique étant protégée par le masque (205, 205’) ; Une étape de retrait (108, 108’) du masque (205, 205’) au niveau de la zone (Z2) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt (109, 109’) d’une seconde couche conductrice (206, 206’), ladite seconde couche conductrice (206, 206’) étant en contact avec la première couche conductrice (204, 204’) au niveau de la zone (Z2) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique et en contact avec la couche de matériau actif (203, 203’) au niveau de la zone (Z1) de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM, le matériau de la seconde couche conductrice (206, 206’) étant choisi pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche active de la mémoire résistive OxRAM lorsque la seconde couche conductrice est en contact avec la couche active (203, 203’) de la mémoire résistive OxRAM ; Une étape de dépôt (109, 109’) d’une troisième couche conductrice (207, 207’) réalisée de manière identique pour la zone (Z1) destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone (Z2) destinée à former la mémoire ferroélectrique, ladite troisième couche conductrice (207, 207’) étant en contact avec la seconde couche conductrice (206, 206’). Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l’étape de réalisation du masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique en laissant libre la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM comporte les étapes suivantes : Une étape de dépôt d’un masque sur la première couche conductrice au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique et de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM; Une étape de retrait du masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM en laissant le masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte, à la suite de l’étape de dépôt (102, 102’) de la couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium (202, 202’), une étape de dopage (103, 103’) de la couche de matériau actif (202, 202’) réalisée de manière identique pour la zone (Z1) destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone (Z2) destinée à former la mémoire ferroélectrique. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que l’étape de dopage est réalisée par implantation ionique ou à l’aide d’un précurseur de dopage ou par co-sputtering. Procédé selon l’une des revendications 3 ou 4 caractérisé en ce que l’élément dopant utilisé pour l’étape de dopage est choisi parmi l’un des éléments suivants : Si, Al, Zr, Gd, Ge, Y ou N. Procédé selon l’une des revendications 3 à 5 caractérisé en ce que l’élément dopant est du Si et, durant l’étape de dopage, la couche de matériau actif est exposée à une dose de dopant comprise entre 10 14 ions/cm 2 et 5.10 14 ions/cm 2 . Dispositif comportant une mémoire résistive OxRAM agencée dans une première zone dédiée et une mémoire ferroélectrique agencée dans une deuxième zone dédiée, la mémoire ferroélectrique comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, la mémoire résistive OxRAM comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, les électrodes inférieures des mémoires ferroélectrique et résistive OxRAM étant formées par une même couche de première électrode présente sur les première et deuxième zones dédiées, les couches de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium des mémoires ferroélectrique et résistive OxRAM étant formées par une même couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium présente sur les première et deuxième zones dédiées, la deuxième électrode de la mémoire ferroélectrique étant formée par un tri-couche comportant dans la deuxième zone dédiée, une première couche conductrice en contact avec la couche active, une deuxième couche conductrice sur la première couche conductrice et une troisième couche conductrice sur la deuxième couche conductrice, la deuxième électrode de la mémoire résistive OxRAM étant formée par un bi-couche comportant dans la première zone dédiée, la deuxième couche conductrice en contact avec la couche active et la troisième couche conductrice sur la première couche conductrice, le matériau de la seconde couche conductrice étant choisi pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche active de la mémoire résistive OxRAM lorsque la seconde couche conductrice est en contact avec la couche active de la mémoire résistive OxRAM. Dispositif selon la revendication 7 caractérisé en ce que l’épaisseur de la couche active et/ou l’épaisseur de la deuxième couche conductrice est comprise entre 3nm et 15nm. Dispositif selon l’une des revendications 7 à 8 caractérisé en ce que l’épaisseur de la troisième couche conductrice est comprise entre 20nm et 200nm. Dispositif selon l’une des revendications 7 à 9 caractérisé en ce que la mémoire ferroélectrique comporte une cuvette présentant une paroi interne sur laquelle sont successivement agencée la couche de première électrode, la couches de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium, le tri-couche comportant la première couche conductrice, la deuxième couche conductrice et la troisième couche conductrice sur la deuxième couche conductrice. Procédé d’entrainement et d’inférence d’un système d’intelligence artificielle comportant un dispositif selon l’une des revendications 7 à 10 caractérisé en ce que la mémoire ferroélectrique est utilisée lors des phases d’entraînement et la mémoire résistive OxRAM est utilisée lors des phases d’inférence.