INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans une seconde alternative GEN_DRCT, la phase de compilation CMPL comprend une identification, dans le code source CDSRC, des contextes d’exécution NPriv, Sec et des portions correspondant aux phases de traitements (Trtmt_S), auxquels sont destinées les instructions correspondant à l’exécution du code source CDSRC. Et, la phase de compilation CMPL comprend une génération GEN_DRCT des instructions en langage machine ayant directement le niveau de droit d’accès correspondant aux contextes d’exécution auxquels ces instructions sont destinées à être exécutés.
En particulier, cette seconde alternative prévoit avantageusement l’identification dans le code source CDSRC d’une sélection de fonctions présentant une déclaration, permettant (par exemple à un programmeur) de communiquer que les instructions relatives à la compilation desdites fonctions déclarées, doivent être directement générée GEN_DRCT avec le niveau de permission (par exemple communiqué par le bit 9) correspondant au contexte d’exécution auquel lesdites instructions sont destinées à être exécutées.
La illustre schématiquement un flux d’exécution d’un programme logiciel par une unité de traitement ayant des contextes d’exécution hiérarchisés (privilégié Priv et non-privilégié NPriv), de la même manière que décrit précédemment en relation avec la , mais dans le cas où l’exécution de programme logiciel est mise en œuvre par le procédé décrit ci-avant en relation avec les figures 2 et 3.
Les éléments communs avec les figures précédentes 1A, 2 et 3, supportent les mêmes références et ne seront pas tous détaillés à nouveau.
Le mappage de la mémoire MEM, correspondant à la configuration des niveaux de droits d’accès par exemple définis par une unité de gestion de mémoire « MMU » ou « MPU » (acronymes des termes anglais usuels « Memory Management Unit » et, respectivement, « Memory Protection Unit ») associées ou non à un pare-feu de mémoire, est en outre représenté.
La mémoire MEM comporte ainsi une zone mémoire BIN contenant les données binaires, générées à la compilation, codant les instructions de langage machine, pour le contexte d’exécution privilégié Priv et pour le contexte d’exécution non-privilégié NPriv. En outre, la mémoire MEM contient des zones mémoires DAT contenant des données relatives à la mise en œuvre et aux résultats obtenus par les exécutions dans le contexte privilégié Priv et dans le contexte non-privilégié NPriv.
On notera que dans un état « naturel » du mappage de la mémoire MEM, les zones mémoires de niveau de droits d’accès inférieur NPriv sont accessibles à la fois par le niveau de droits d’accès inférieur et le niveau de droits d’accès supérieur « Priv/NPriv ».
Ainsi, et en particulier, la phase de compilation CMPL a généré au moins certaines des instructions en langage machine inst_sub destinées à être exécutées dans le contexte d’exécution de niveau de droits d’accès inférieur NPriv, avec un niveau de droits d’accès inférieur inst_sub.
Cela n’a pas d’incidence particulière sur les exécutions normales Norm.
Par contre, dans le cas d’une erreur, et/ou éventuellement une injection de faute, Err+ Flt_inj empêchant la transition de contexte cxt_swtch de l’unité de traitement, de sorte que l’unité de traitement est restée dans le contexte privilégié CPU_Priv, alors les instructions prévues pour être exécutées dans le mode non-privilégié NPriv et commandant un accès à des données DAT_ACCS de niveau privilégié Dat_Priv, ne sont pas interdites par le contexte d’exécution CPU_PRIV.
Or, les instruction inst_sub exécutées dans le mode non-privilégié NPriv, sont par construction incapable d’accéder à des données DAT_ACCS de niveau privilégié Dat_Priv.
En effet, les instructions en langage machine générées par la phase de compilation CMPL du procédé sont intrinsèquement incapables de produire un accès illicite vers des données de niveau de droit d’accès supérieur, et même si l’unité de traitement est forcée dans le contexte d’exécution ayant le niveau de droits d’accès le plus permissif, c’est -à-dire le niveau supérieur.
La illustre schématiquement un flux d’exécution d’un programme logiciel par une unité de traitement ayant des contextes d’exécution hiérarchisés (sécurisé Sec et non-sécurisé NSec), ainsi que des phases de traitements Trtmt_S, NS->S cpy, S->NS cpy relatives auxdits contextes, de la même manière que décrit précédemment en relation avec la , mais dans le cas où l’exécution de programme logiciel est mise en œuvre par le procédé décrit ci-avant en relation avec les figures 2 et 3.
Les éléments communs avec les figures précédentes 1B, 2 et 3, supportent les mêmes références et ne seront pas tous détaillées à nouveau.
Le mappage de la mémoire MEM, correspondant à la configuration des niveaux de droits d’accès par exemple définis par un pare-feu de mémoire et une unité de gestion de mémoire « MMU » ou « SAU » (acronymes des termes anglais usuels « Memory Management Unit » et, respectivement, « Security Attribution Unit »), est en outre représenté.
La mémoire MEM comporte ainsi une zone mémoire BIN contenant les données binaires, générées à la compilation, codant les instructions de langage machine, pour le contexte d’exécution sécurisé Sec et pour le contexte d’exécution non-sécurisé NSec. En outre, la mémoire MEM contient des zones mémoires DAT contenant des données relatives à la mise en œuvre et aux résultats obtenus par les exécutions dans le contexte sécurisé Sec et dans le contexte non-sécurisé NSec. Les zones mémoire contenant les codes d’instructions destinées à être exécutées dans une phase de traitement donnée Trtmt_S, peuvent également être identifiées dans la mémoire MEM.
On notera que dans un état « naturel » du mappage de la mémoire MEM, les zones mémoires contenant les données DAT de niveau de droits d’accès inférieur NSec sont accessibles à la fois par le niveau de droits d’accès inférieur et le niveau de droits d’accès supérieur « Sec/NSec ».
Ainsi, et en particulier, la phase de compilation CMPL a généré au moins certaines des instructions en langage machine inst_sub_sup destinées à être exécutées dans le contexte d’exécution de niveau de droits d’accès supérieur Sec, avec un niveau de droits d’accès exclusivement supérieur inst_sub_sup. Lesdites au moins certaines instructions inst_sub_sup sont par exemple les instructions destinées à être exécutées dans la phase de traitement particulière Trtmt_S.
Comme forme particulière de polymère filmogène polycondensat, on utilisera un polyester-polyuréthane en dispersion aqueuse de nom INCI : Polurethane-35 comme le produit commercial BAYCUSAN C 1010/1® et ou celui de nom INCI : Polyurethane-48 comme le produit commercial « BAYCUSAN C 1008/1® » vendus par la société Covestro.
Polymère d’origine naturelle On peut utiliser dans la présente invention des polymères d’origine naturelle, éventuellement modifiés, comme la résine shellac, la gomme de sandaraque, les dammars, les élémis, les copals, les polymères cellulosiques insolubles dans l’eau tels que la nitrocellulose, les esters de cellulose modifiés dont notamment des esters de carboxyalkyl cellulose comme ceux décrits dans la demande de brevet US2003/185774, et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, ledit au moins un polymère filmogène à l’état dispersé est choisi parmi les dispersions de polymères acryliques, les dispersions de polyuréthanne, les dispersions de sulfopolyesters, les dispersions vinyliques, les dispersions de polyvinyl acétate, les dispersions de terpolymère vinyl pyrrolidone, diméthylaminopropyl méthacrylamide et chlorure de lauryldiméthylpropylméthacrylamidoammonium, les dispersions de polymère hybrides polyuréthane/polyacryliques, les dispersions de particules de type cœur-écorce et leurs mélanges.
1/ Ainsi, selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la dispersion aqueuse de particules de polymère est une dispersion aqueuse de polymère acrylique.
Le polymère acrylique peut être un copolymère styrène/acrylate, et notamment un polymère choisi parmi les copolymères issus de la polymérisation d’au moins un monomère styrénique et au moins un monomère (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 18 . Comme monomère styrénique utilisable dans l’invention, on peut citer par exemple le styrène ou l’alpha-méthylstyrène, et en particulier le styrène.
Le monomère de (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 18 est en particulier un (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 12 et plus particulièrement un (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 10 . Le monomère (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 18 peut être choisi parmi l’acrylate de méthyle, le méthacrylate de méthyle, l’acrylate d’éthyle, l’acrylate de propyle, l’acrylate de butyle, le méthacrylate de butyle, l’acrylate d’hexyle, l’acrylate d’octyle, l’acrylate de 2-éthyl hexyle, le (méth)acrylate de lauryle et le (méth)acrylate de stéaryle.
Comme polymère acrylique en dispersion aqueuse, on peut utiliser selon l’invention : - les dispersions aqueuses de polymère acrylique vendues sous les dénominations «Acronal DS-6250®» par la société BASF, «Neocryl A-45Ò», «Neocryl XK-90Ò», «Neocryl A-1070Ò», «Neocryl A-1090Ò», «Neocryl BT-62Ò», «Neocryl A-1079Ò» et «Neocryl A-523Ò» par la société DSM, Joncryl 95®, Joncryl 8211® par la société BASF, «Daitosol 5000 ADÒ» (Nom INCI : ACRYLATES COPOLYMER) ou «Daitosol 5000 SJ®» (nom INCI : ACRYLATES/ETHYLHEXYL ACRYLATE COPOLYMER) par la société DAITO KASEY KOGYO ;Syntran 5760 CG®(nom INCI : Styrene/Acrylates/Ammonium Methacrylate Copolymer) par la société Interpolymer.
2/ selon une variante de réalisation de l’invention, la dispersion aqueuse de particules de polymère est une dispersion aqueuse de particules de polyester-polyuréthanne et/ou de polyéther-polyuréthanne en particulier anionique.
Le caractère anionique des polyester-polyuréthannes et des polyéther-polyuréthannes utilisés selon l’invention est dû à la présence dans leurs motifs constitutifs de groupements à fonction acide carboxylique ou acide sulfonique.
Les particules de polyester-polyuréthanne ou de polyéther-polyuréthanne utilisées selon l’invention sont généralement commercialisées sous forme de dispersions aqueuses.
En outre, de façon avantageuse, la pièce secondaire est rendue solidaire de la pièce principale par l’intermédiaire de boulons liés uniquement auxdites pièces secondaire et principale.
Par ailleurs, avantageusement, le bouclier thermique comporte au moins une trappe d’accès.
La présente invention concerne également une partie d’aéronef, en particulier une partie du fuselage de l’aéronef, notamment au niveau d’un réservoir de carburant de l’aéronef, qui comporte au moins un bouclier thermique tel que celui décrit ci-dessus, qui est collé sur ladite partie de l’aéronef. La protection assurée à la partie protégée, par le bouclier thermique, n’est pas réduite par la fixation du bouclier par collage, le collage ne créant en effet pas d’ouvertures traversantes susceptibles d’atténuer l’efficacité de ladite protection.
En outre, avantageusement, ladite partie d’aéronef comprend au moins une zone à protéger et le bouclier thermique présente une surface et est collé sur ladite partie d’aéronef de manière à complètement couvrir et à déborder ladite zone à protéger.
Dans un mode de réalisation particulier, le bouclier thermique est également fixé, autour de sa périphérie, à ladite partie d’aéronef en dehors de la zone à protéger, par l’intermédiaire d’éléments de fixation traversants, réalisant une fixation supplémentaire.
La présente invention concerne également un aéronef, en particulier un avion de transport. Selon l’invention, ledit aéronef comporte au moins un bouclier thermique tel que celui décrit ci-dessus, et/ou au moins une partie d’aéronef telle que celle décrite ci-dessus.
La est une vue partielle, schématique, agrandie et en perspective, d’une partie de l’aéronef de la , qui est pourvue du bouclier thermique.
La est une vue schématique, en plan, d’un premier mode de réalisation d’un bouclier thermique.
La est une vue schématique, en plan, d’une pièce principale du bouclier thermique de la .
La est une vue schématique, en plan, d’un second mode de réalisation d’un bouclier thermique.
Description détaillée Le bouclier thermique 1 représenté schématiquement dans un mode de réalisation particulier sur les figures 2 à 4 et permettant d’illustrer l'invention est destiné à être monté sur une partie 2 de structure à protéger au moins partiellement comme précisé ci-dessus. De préférence, cette partie 2 est une partie d’un aéronef AC, en particulier d’un avion de transport, comme représenté sur la .
La partie de l’aéronef AC destinée à recevoir le bouclier thermique 1 peut correspondre à toute partie de l’aéronef AC devant être particulièrement protégée contre le feu et la chaleur, tout en permettant un accès. Le bouclier thermique 1 peut également être appliqué à une partie de structure d’un système ou d’un engin (notamment mobile) autre qu’un aéronef.
Pour illustrer ce point, la est une coupe dans l’axe est-ouest d’un faisceau obtenu par une architecture antennes avec sous-réseaux entrelacés (regroupement de sous-réseaux décalés d’une demi-période) et du diagramme de rayonnement d’un sous-réseau, avec une amplitude uniforme du sous-réseau. Le premier lobe de réseau (110) a été filtré par le principe évoqué ci-dessus. Le second lobe de réseau (111) ainsi que tous les lobes de réseau d’ordre pair du facteur de réseau correspondent à des directions correspondants aux lobes secondaires des diagrammes de rayonnement des sous-réseaux (également faisceaux régionaux). Ces lobes de réseaux sont donc atténués par l’atténuation du filtrage spatial réalisé par le faisceau régional. C’est la raison pour laquelle ce faisceau régional a été superposé au diagramme des faisceaux directifs. La est une coupe dans l’axe est-ouest d’un faisceau obtenu par une architecture antennes avec sous-réseaux entrelacés (regroupement de sous-réseaux décalés d’une demi-période) et du diagramme de rayonnement d’un sous-réseau, avec une amplitude apodisée du sous-réseau. Le faisceau régional d’un sous-réseau avec une loi d’alimentation apodisée est caractérisé par des lobes secondaires (121) plus bas, et donc par un plus fort filtrage spatial en dehors du lobe principal (120). Les lobes de réseau pairs sont donc minimisés.
Cette propriété intéressante peut également s’interpréter en considérant la loi d’amplitude et de phase équivalente résultant de la somme des deux lois de distribution de phases réalisées sur les deux regroupements de sous-réseaux.
Considérons dans le cas d’un faisceau régional pointant au Nadir, et le cas d’un faisceau directif orienté dans une direction choisie à l’intérieur de ce faisceau régional, réalisé par une pondération de phase réalisé par l’étage numérique du formateur de faisceau hybride. La loi de phase équivalente obtenue sur le réseau indique une progression par paliers pour chacun des deux regroupements de sous-réseaux.
Dans le cas de la , une loi d’amplitude uniforme est appliquée à chaque sous-réseau. La loi d’amplitude équivalente résultant de la sommation de deux lois d’alimentation des sous-réseaux entrelacés est alors uniforme, et la loi de phase indique sur l’ouverture rayonnante une progression par paliers, qui sont en surface quatre fois plus petits que pour la loi de phase d’un seul regroupement de sous-réseaux.
Dans le cas de la , une loi d’amplitude apodisée est appliquée à chaque sous-réseau. Comme les sous-réseaux sont décalés d’une demi-période, l’amplitude maximale obtenue sur les sous-réseaux du premier regroupement correspond à l’amplitude minimum obtenue sur les sous-réseaux du second regroupement. L’amplitude résultant de la sommation est alors approximativement constante. La loi de phase résultant de la sommation des deux lois d’alimentation des sous-réseaux entrelacés indique maintenant une progression plus continue, plus proche de la progression continue de la phase idéale qu’il faudrait réaliser pour orienter le faisceau directif dans la direction souhaitée. Il en résulte donc une moindre erreur de phase entre la loi équivalente réalisée et la loi idéale, résultant en une moindre excitation du second lobe de réseaux.
La formation hybride entrelacée peut être illustrée pour deux solutions différentes d’accès multiples, dans le temps et en fréquence.
Dans le cas d’un accès multiple dans le temps (TDMA), il est possible d’affecter séquentiellement un même accès faisceau régional à différentes directions, comme il est illustré à la . Le formateur de faisceau analogique est alors reconfigurable à chaque intervalle de temps. Il peut s’agir d’un formateur de faisceau comme il est illustré à la . Sur cette figure, le formateur de faisceau analogique opère sur les signaux radiofréquence. Il effectue des opérations de division, déphasage atténuation et combinaison. Son implémentation est difficile lorsque le nombre d’éléments rayonnants et de faisceaux est élevé. Ainsi à titre d’exemple, la génération de 20 faisceaux à partir de 500 éléments rayonnants conduit à devoir implémenter dans le formateur de faisceaux analogique 20 diviseurs 1 vers 500, 10 000 points de contrôles amplitude/phase et 500 combineurs 20 vers 1. Il est précisé que chaque point de contrôle amplitude/phase intègre des déphaseurs ou lignes de retard variables et peut également intégrer des atténuateurs ou amplificateurs variables. L’implémentation physique de ces éléments se heurte non seulement à leur grand nombre mais également à la complexité des routages à effectuer entre ces différents éléments et à la difficulté de maitriser les dispersions de phase de cette multitude de chemins radiofréquences. Ceci est d’autant plus vrai que la fréquence de fonctionnement est élevée.
En variante, il peut s’agir d’un formateur de faisceau analogique reconfigurable avec sélection de faisceaux parmi une grille bidimensionnelle préformée. Un tel formateur est illustré à la . Ce formateur de faisceau reconfigurable est obtenu en couplant une matrice de sélection avec un formateur de faisceaux quasi-optiques, tels que des lentilles de Rotman ou des lentilles à retard continu, pour réaliser simultanément plusieurs faisceaux à partir d’un réseau linéaire d’éléments rayonnants.
En variante, il peut s’agir d’un formateur de faisceaux analogique de complexité réduite, associant formateurs de faisceaux quasi-optiques et formation de faisceaux analogiques reconfigurables. Un tel formateur est illustré à la . Ce formateur correspond à un couplage des formateurs de faisceaux quasi-optiques avec des formateurs de faisceaux analogiques reconfigurables afin de réaliser un formateur analogique multifaisceaux bidimensionnel. Un tel formateur de faisceau réalise des faisceaux multiples reconfigurable selon un axe.
L’accès TDMA est particulièrement avantageux d’un point de vue matériel, car il permet de réduire le nombre d’accès faisceaux de l’antenne. Il résulte également en des réductions de puissance consommée liée à la numérisation.
Cette technique permet de pointer les faisceaux régionaux de sorte à s’adapter à la répartition spatiale du trafic. Le pointage est ajusté pour couvrir à chaque intervalle de temps un trafic identique.
Dans le cas d’une formation de faisceaux hybride sans entrelacement, représentée par la , on évite de réaliser sur le même intervalle de temps des faisceaux régionaux adjacents, afin de se prémunir de l’émergence de lobes de réseaux parasites et donc d’interférences résultant de l’affectation d’une même ressource temporelle à un utilisateur situé dans le lobe parasite du faisceau directif réalisé en direction de l’utilisateur principal. Dans le cas de la formation de faisceaux hybride entrelacée, la perturbation par des lobes réseaux n’est plus une menace.
Grâce à la formation de faisceaux hybride entrelacée, il devient possible d’accroître le nombre de faisceaux directifs par faisceau régional d’un facteur 4, pour une augmentation de la puissance consommée par la numérisation accrue uniquement d’un facteur 2. Il est également possible de réaliser des faisceaux régionaux adjacents et d’accroitre ainsi le nombre de faisceaux partageant une même ressource temporelle qu’il est possible de produire avec une antenne réseau.
Dans le cas d’un accès multiple en fréquence (FDMA), il est nécessaire de couvrir la zone géographique d’intérêt par une grille de faisceaux régionaux, comme il est illustré à la . Chaque sous-réseau doit alors être associé à un formateur de faisceau analogique, fixe ou reconfigurable, réalisant cette couverture multifaisceaux.
Cette contrainte limite le nombre de faisceaux régionaux qu’il est possible de réaliser.
Un formateur de faisceau quasi-optique bidimensionnel, tel qu’illustré à la , est une solution intéressante de moindre complexité dans le cas d’un formateur de faisceaux fixe.
Dans le sens de la présente invention, les différents modes de réalisation présentés peuvent être utilisés seuls ou en combinaison les uns avec les autres, sans limitation de combinaison.
De préférence, le catalyseur selon l’invention comprend une phase active comprenant, de préférence constitué de, au moins un métal du groupe VIB et d’au moins un métal du groupe VIII.
De manière préférée, le catalyseur mis en œuvre selon l’invention peut également contenir un élément promoteur choisi parmi le phosphore, bore, silicium, de manière très préférée du phosphore. Lorsque le catalyseur contient du phosphore, la teneur en phosphore est avantageusement comprise entre 0,5 et 10% en poids d'oxyde P 2 O 5 par rapport au poids total dudit catalyseur, de manière préférée comprise entre 1 et 6% en poids d’oxyde P 2 O 5 et de manière plus préférée entre 1 et 4% en poids d’oxyde P 2 O 5 .
Le catalyseur selon l’invention comprend un support qui comprend et est de préférence constitué par au moins une matrice minérale poreuse, une zéolithe Y présentant un paramètre cristallin initial a 0 de la maille élémentaire supérieur à 24,50 Å et de préférence strictement supérieur à 24,50 Å, et une zéolithe Beta.
De préférence, ledit support comprend de 15 à 60%poids de liant, de manière préférée de 15% à 40% en poids, et de manière très préférée entre 20% et 40% en poids, par rapport au poids total dudit support.
Selon l’invention, le support comprend une zéolithe Y présentant un paramètre cristallin initial a0 de la maille élémentaire strictement supérieur à 24,50 Å.
De préférence, le paramètre cristallin initial a0 de la maille élémentaire de la zéolithe Y utilisée est compris entre 24,52 et 24,70, de préférence compris entre 24,52 Å et 24,65 Å, et de manière préférée compris entre 24,52 Å et 24,60 Å et de manière très préférée compris entre 24,52 Å et 24,58 Å.
Ainsi, la gestion des accès à cette première zone mémoire partagée est prévue au niveau du pare feu lui-même qui est configurable par la deuxième unité de traitement.
Selon un mode de réalisation, la mémoire comporte une région mémoire allouée à la deuxième unité de traitement et contenant la première zone mémoire. Et, la deuxième unité de traitement est configurée pour définir ladite première zone mémoire au sein de ladite région mémoire.
En d’autres termes, le contexte non sécurisé (deuxième unité de traitement) à qui est allouée la région mémoire peut décider quelle partie de cette région mémoire il souhaite partager avec le contexte sécurisé.
Selon un mode de réalisation, la mémoire comporte par ailleurs une deuxième zone mémoire allouée à la première unité de traitement et ladite région de mémoire comporte une troisième zone mémoire réservée à la deuxième unité de traitement.
Le dispositif de pare feu comporte alors des deuxièmes moyens de pare feu associés à la deuxième zone mémoire et configurés pour autoriser l’accès à la deuxième zone mémoire uniquement en présence de requêtes de niveau sécurisé, et des troisièmes moyens de pare feu associés à la troisième zone mémoire et configurés pour autoriser l’accès à la troisième zone mémoire uniquement en présence de requêtes de niveau non sécurisé.
Selon un mode de réalisation, les requêtes d’accès mémoire peuvent comporter des indications représentatives du niveau sécurisé ou non sécurisé de ces requêtes.