INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
une vingtième sortie 191 du deuxième compresseur 190 de laquelle est refoulé le fluide 181 avec une vingtième entrée 251 de l’unité de refroidissement 250 ; une vingt-et-unième sortie 252 de l’unité de refroidissement 250 avec une vingt-et-unième entrée 231 d’un canal chaud 232 de l’échangeur 230; une vingt-deuxième sortie 233 du canal chaud 232 avec une vingt-deuxième entrée 241 d’un canal chaud 242 de l’échangeur 240; une vingt-troisième sortie 243 du canal chaud 242 avec une vingt-troisième entrée 201 du cinquième détendeur 200; une vingt-quatrième sortie 202 du cinquième détendeur 200 avec une vingt-quatrième entrée 211 du cinquième réservoir 210; une vingt-cinquième sortie 212 du cinquième réservoir 210 avec une vingt-cinquième entrée 244 d’un canal froid 245 de l’échangeur 240 ; une vingt-sixième sortie 246 du canal froid 245 avec une vingt-septième entrée 221 de la troisième pompe 220; une vingt-septième sortie 222 de la troisième pompe 220 avec une vingt-septième entrée 234 d’un canal froid 235 de l’échangeur 230 ; une vingt-huitième sortie 236 du canal froid 235 avec une vingt-huitième entrée 253 de l’unité de refroidissement 250; une vingt-neuvième sortie 254 de l’unité de refroidissement 250 avec une vingt-neuvième entrée 192 du deuxième compresseur 190.
Tous les effecteurs du circuit 180 à l’exception du deuxième compresseur 190 sont situés à l’intérieur de l’enceinte 5.
Comme visible en , le réseau 260 comprend une première portion 261 de conduite qui s’étend dans le premier réservoir 50, une deuxième portion 262 de conduite qui s’étend dans le deuxième réservoir 100 et une troisième portion 263 de conduite qui s’étend dans le troisième réservoir 120. Les portions 261, 262 et 263 peuvent être pourvues d’ailettes radiales afin d’améliorer les échanges thermiques respectivement avec le fluide contenu dans le premier réservoir 50, le deuxième réservoir 100 et le troisième réservoir 120.
Les portions 261, 262 et 263 se situent entre la sortie 191 du deuxième compresseur 190 et l’entrée 201 du cinquième détendeur 200 et contribuent à refroidir le fluide 181 avant sa détente dans le cinquième détendeur 200.
Le refroidissement, à l’aide du circuit 10, du fluide 181 présent dans le circuit 180 et qui subit lui-même une détente isenthalpique dans le cinquième détendeur 200, permet de baisser encore la température du canal froid en lien avec le canal chaud 61. L’ensemble constitué par le cinquième détendeur 200 et le cinquième réservoir 210 réalise une baisse de température supplémentaire du fluide 181 qui sera alors, après passage dans le cinquième détendeur 200, à une température de l’ordre de 0.3 Kelvin ou inférieure dans le cinquième réservoir 210.
Mode 1 : Composition de caoutchouc qui comprend : - un élastomère diénique fortement saturé qui est un copolymère d’éthylène et d’un 1,3-diène qui comprend des unités éthylène qui représentent plus de 50% en moles des unités monomères du copolymère, - un système de vulcanisation, - et une charge renforçante qui contient une silice préhydrophobée avant son utilisation dans la composition de caoutchouc par traitement avec un mercaptosilane, bloqué ou non.
Mode 12 : Composition de caoutchouc selon l’un quelconque des modes 1 à 11 dans laquelle l’élastomère diénique fortement saturé comprend des unités de formule (I) selon un taux molaire supérieur à 0% et inférieur à 15%.
Mode 13 : Composition de caoutchouc selon l’un quelconque des modes 1 à 12 dans laquelle le taux de l’élastomère diénique fortement saturé est d’au moins 50 parties en poids pour cent parties d’élastomère, pce, de la composition de caoutchouc.
Mode 15 : Composition de caoutchouc selon l’un quelconque des modes 1 à 14 dans laquelle la silice préhydrophobée représente plus de 50% en masse de la charge renforçante.
Mode 16 : Composition de caoutchouc selon l’un quelconque des modes 1 à 15 dans laquelle la silice préhydrophobée représente plus de 85% en masse de la charge renforçante.
Grâce à la présente invention, en effet, il a été possible de mettre au point un camion qui est doté d’un dispositif de fixation pour empêcher le déplacement indésirable de la benne basculante de la position de transport vers la position de déchargement, et qui est moins coûteux, avec une sécurité égale, que les solutions présentes dans la technique connue.
Enfin, il convient de noter que la présente invention est relativement facile à réaliser et que le coût lié à sa mise en œuvre n’est pas très élevé.
L’invention ainsi conçue est susceptible de nombreuses modifications et variantes, entrant toutes dans le domaine du concept inventif qui la caractérise.
Tous les détails peuvent être remplacés par d’autres détails techniquement équivalents et les matériaux utilisés, ainsi que les formes et les dimensions des différents composants, pourront être modifiés en fonction des exigences.
Carrosserie frigorifique de véhicule routier de transport de marchandises équipée d’une cloison de compartimentage La présente invention concerne le domaine des carrosseries frigorifiques destinées à être montées par exemple sur les châssis de véhicules routiers de transport de marchandises tels que des camions, des semi-remorques, des remorques ou des porteurs.
Pour réaliser ce compartimentage, il est généralement utilisé au moins une cloison articulée à rotation sous le pavillon de la carrosserie et mobile entre une position de stockage le long dudit pavillon et une position rabattue d’utilisation dans laquelle elle s’étend verticalement jusqu’au plancher. La cloison de compartimentage est également montée coulissante à l’intérieur de l’espace de chargement de la carrosserie de sorte à pouvoir être positionnée à la position longitudinale souhaitée.
Pour assurer le montage coulissant et rotatif de la cloison, il est prévu un mécanisme de guidage et d’articulation reliant cette cloison au pavillon de la carrosserie. Ce mécanisme comprend un rail de guidage fixé sur le pavillon de la carrosserie, et un chariot monté de façon coulissante à l’intérieur du rail et supportant la cloison.
Lors du chargement et du déchargement de la carrosserie, la cloison de compartimentage peut subir des chocs répétés sur sa face arrière lorsqu’elle est en position verticale d’utilisation, notamment des chocs avec les palettes de marchandises ou encore avec les fourches du chariot élévateur ou du tire-palettes utilisé.
De tels chocs sur la face arrière de la cloison de compartimentage dans sa position rabattue d’utilisation verticale peuvent également se produire lors d’un freinage si les marchandises transportées n’ont pas été correctement arrimées.
Ces chocs sont susceptibles d’endommager principalement le mécanisme de guidage et d’articulation de la cloison au pavillon de la carrosserie, mais aussi la cloison elle-même.
Ceci engendre des frais de réparation ou de changement du mécanisme de guidage et d’articulation voire de la cloison, mais surtout l’immobilisation du véhicule équipé de la carrosserie qui entraîne une perte d’exploitation et un coût particulièrement important.
L’invention a pour objet une carrosserie frigorifique de véhicule routier de transport de marchandises comprenant deux flancs verticaux, un pavillon, un plancher et une face avant assemblés entre eux et délimitant un espace de chargement intérieur.
Le dispositif 200 est par exemple réalisé par un procédé analogue au procédé de fabrication du dispositif 100 précédemment décrit en relation avec les figures 1A à 1E. À titre d'exemple, les transducteurs piézoélectriques sont d'abord réalisés du côté de la face 101B, puis le substrat 101 est collé sur un substrat de support temporaire, ou poignée, du côté de la face 101B. On réalise par exemple ensuite le réseau d'interconnexion 115 du côté de la face 101T du substrat de report 101, puis on effectue le report des diodes électroluminescentes D sur les plots de connexion 117 surmontant le réseau d'interconnexion 115. On peut alors par exemple dissocier le substrat de support temporaire du reste de la structure.
On a représenté en un exemple dans lequel les transducteurs piézoélectriques T sont dépourvus de couche de passivation. On pourrait toutefois prévoir le dépôt d'une couche de passivation, par exemple une couche analogue à la couche 109 du dispositif 100, du côté de la face inférieure 101B du substrat 101 après fabrication ou report des transducteurs piézoélectriques T.
Les figures 3A à 3I sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un procédé de fabrication et de report des diodes électroluminescentes D du dispositif 100, 200 dans le cas où chaque diode électroluminescente D correspond à une puce élémentaire de pixel d'affichage du dispositif 100, 200.
La comprend une vue (a) représentant de façon schématique une structure de contrôle comprenant un premier substrat 301 dans et sur lequel ont été formés une pluralité de circuits intégrés élémentaires de contrôle 303, par exemple identiques ou similaires, correspondant respectivement aux circuits intégrés de contrôle des futures puces élémentaires de pixel du dispositif 100, 200.
Le substrat 301 peut présenter une structure monobloc, ou peut correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 301 est par exemple en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. À titre d'exemple, le substrat 301 est une plaquette ou un morceau de plaquette en silicium monocristallin, la face supérieure du substrat 301 présentant par exemple une orientation cristalline . Le substrat 301 peut présenter une structure multicouche de type silicium sur isolant, également appelée SOI (de l'anglais "Semiconductor On Insulator" - semiconducteur sur isolant), comportant un substrat semiconducteur de support, par exemple en silicium, une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, disposée sur et en contact avec la face supérieure du substrat de support, et une couche semiconductrice supérieure, par exemple en silicium monocristallin, disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche isolante.
Dans le cas où le substrat 301 est de type SOI, les circuits élémentaires de contrôle 303 sont par exemple formés dans et sur la couche semiconductrice supérieure du substrat 301. Chaque circuit élémentaire de contrôle 303 comprend par exemple une pluralité de transistors MOS (non détaillés sur les figures 3A à 3I). Les circuits élémentaires de contrôle 303 sont par exemple réalisés en technologie CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxyde Semiconductor" - métal oxyde semiconducteur complémentaire). Chaque circuit élémentaire de contrôle 303 peut comprendre un circuit adapté à contrôler l'émission de lumière par la ou les LED de la future puce élémentaire de pixel du dispositif 100, 200.
Dans cet exemple, chaque circuit élémentaire de contrôle 303 comprend, du côté de sa face supérieure, un ou plusieurs plots de connexion métalliques 305a, 305b. À titre d'exemple, les plots 305a, 305b affleurent du côté de la face supérieure d'une couche isolante supérieure, par exemple en oxyde de silicium, d'un empilement d'interconnexion (non détaillé sur les figures) revêtant la face supérieure de la couche semiconductrice supérieure du substrat 301. Ainsi, dans cet exemple, la surface supérieure de la structure de contrôle de la vue (a) est une surface plane comportant une alternance de régions métalliques (les plots 305a, 305b) et de régions isolantes.
À titre d'exemple, chaque circuit élémentaire de contrôle 303 comprend un plot métallique 305a spécifique pour chaque LED de la future puce élémentaire de pixel du dispositif, destiné à être connecté à une région d'anode de la LED et permettant de commander individuellement l'émission de lumière par ladite LED. Chaque circuit élémentaire de contrôle 303 peut en outre comprendre un plot métallique 305b destiné à être connecté à une région de cathode de chaque LED de la future puce élémentaire de pixel du dispositif. Dans le cas où la puce élémentaire comporte plusieurs LED, le contact de cathode peut être commun à toutes les LED de la puce. Ainsi, le circuit élémentaire de contrôle 303 peut comprendre un unique plot métallique 305b.
À titre d'exemple, chaque puce élémentaire de pixel du dispositif comprend trois LED commandables individuellement adaptées à émettre respectivement de la lumière bleue, de la lumière verte et de la lumière rouge. Dans ce cas, chaque circuit élémentaire de contrôle 303 peut comprendre trois plots métalliques 305a distincts destinés à être connectés respectivement aux régions d'anode des trois LED, et un unique plot métallique 305b destiné à être connecté collectivement aux régions de cathode des trois LED. Sur la vue en coupe de la , seuls deux plots métalliques 305a et un plot métallique 305b par circuit électronique ont été représentés.
Dans l'exemple illustré, la surface supérieure de la structure de contrôle de la vue (a) est revêtue d'une couche métallique 307. Dans cet exemple, la couche 307 s'étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de l'empilement d'interconnexion de la structure de contrôle. Ainsi, la couche 307 connecte les uns aux autres tous les plots métalliques 305a, 305b de la structure de contrôle.
La comprend en outre une vue (b) représentant de façon très schématique une structure comprenant un deuxième substrat 311, sur la face supérieure duquel repose un empilement actif de LED 313. L'empilement actif de LED 313 est par exemple un empilement de LED inorganique, par exemple à base d'un ou plusieurs matériaux semiconducteurs de type III-V, par exemple à base de nitrure de gallium. Le substrat 311 est par exemple en saphir ou en silicium.
L'empilement actif de LED 313 comprend par exemple, dans l'ordre en partant de la face supérieure du substrat 311, une couche semiconductrice 315 dopée de type N formant une couche de cathode, une couche active 317, et une couche semiconductrice 319 dopée de type P formant une couche d'anode. La couche active 317 comporte par exemple une alternance de couches de puits quantiques en un premier matériau semiconducteur et de couches barrières en un deuxième matériau semiconducteur définissant un empilement de puits quantiques multiples. Bien que cela n'ait pas été détaillé en , l'empilement actif de LED 313 peut en outre comporter une ou plusieurs autres couches, par exemple choisies parmi des couches d'injection, de transport ou de blocage de charges (électrons ou trous).
L'empilement actif 313 peut être formé par épitaxie sur la face supérieure du substrat 311. À titre de variante, l'empilement actif 313 est formé par épitaxie sur un substrat de croissance, non représenté, puis reporté sur la face supérieure du substrat 311.
À ce stade, l'empilement 313 n'est pas encore structuré en LED individuelles. Autrement dit, les couches de l'empilement 313 s'étendent chacune de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure du substrat 311.
Dans l'exemple illustré, la surface supérieure de la structure de la vue (b) est revêtue d'une couche métallique 321 sur et en contact avec la face supérieure de l'empilement actif de LED 313. La couche métallique 321 peut être une couche unique ou un empilement de plusieurs couches métalliques. De préférence, la couche métallique 321 comprend, du côté de sa face supérieure, une couche en le même matériau que la couche 307.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape ultérieure de report et de fixation de l'empilement actif de LED 313 et de la couche métallique 321 sur la structure de la vue (a) de la .
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , le dispositif de réfrigération selon l’invention, et généralement désigné 1, comprend un premier circuit de travail 10 pour faire circuler un premier fluide 11 de travail - ici un fluide comprenant une proportion volumique d’isotope 4 d’Hélium égale à 99,9 %. Le circuit 10 comprend également les effecteurs thermodynamiques suivants : un premier compresseur 20 du fluide 11, une première unité de refroidissement 300 comprenant un premier échangeur thermique 310- ici un échangeur à contre-courant comprenant un premier canal chaud 311 et un premier canal froid 312. L’unité de refroidissement 300 comprend également un deuxième échangeur thermique 320 comprenant un deuxième canal chaud 321 et un deuxième canal froid 322. Le circuit 10 comprend également un troisième échangeur thermique 30, ici un échangeur à contre-courant comprenant un troisième canal chaud 31 et un troisième canal froid 32, un premier détendeur 40 de type Joule-Thompson et un premier réservoir 50 de séparation de phases. Le dispositif 1 comporte également un quatrième échangeur thermique 60 qui comprend un quatrième canal chaud 61 en échange thermique avec le premier réservoir 50.
Comme visible en , le canal froid 322 est relié à une source froide externe 330 selon des modalités connues. Par exemple, la source froide externe refroidit un fluide de travail à la température souhaitée et ce fluide refroidi circule ensuite dans le canal 322.
Le dispositif 1 comprend également un premier réseau 70 de conduites reliant les effecteurs thermodynamiques au circuit de travail 10 pour mettre en communication fluidique :
une première sortie 21 du compresseur 20, de laquelle est refoulé le fluide 11, avec une première entrée 313 du canal chaud 311 ; une deuxième sortie 314 du canal chaud 311 avec une deuxième entrée 323 du canal chaud 321 ; une troisième sortie 324 du canal chaud 321 à une troisième entrée 33 du canal chaud 31 ; une quatrième sortie 34 du canal chaud 31 avec une quatrième entrée 41 du détendeur 40 ; une cinquième sortie 42 du détendeur 40 avec une cinquième entrée 51 du réservoir 50 ; une sixième sortie 52 du réservoir 50 avec une sixième entrée 35 du canal froid 32; une septième sortie 36 du canal froid 32 avec une septième entrée 315 du canal froid 312 ; une huitième sortie 316 du canal froid 312 avec une huitième entrée 22 du compresseur 20.
Le dispositif 1 comprend également une première pompe cryogénique 80 située dans le circuit 10 entre la sixième sortie 52 et la huitième entrée 22. Plus précisément, la neuvième entrée 81 de la pompe 80 est reliée à la sortie 36 et la neuvième sortie 82 de la pompe 80 est reliée à la septième entrée 315. La pompe 80 est alors en aval de la sortie 36 et en amont de l’entrée 22.
Enfin, le dispositif 1 comprend une enceinte 5 isolée thermiquement et à l’intérieur de laquelle se trouvent le circuit 10 et tous les effecteurs listés ci-avant du dispositif 1 à l’exception du compresseur 20.
En fonctionnement, le compresseur 20 aspire le fluide 11 par la huitième entrée 22 et le refoule par la première sortie 21 après lui avoir fait subir une compression de préférence isotherme (le fluide 11 comprimé est à la même température que le fluide 11 avant compression). A des fins d’exemple, des valeurs illustratives vont être utilisées. Le fluide 11 entre donc par la huitième entrée 22 à une température proche de la température ambiante (c’est à dire environ de trois-cent Kelvins) et une pression proche de la pression atmosphérique (c’est à dire environ un bar). Le fluide 11 ressort du compresseur 20 à une pression comprise entre dix et vingt-cinq bars, de préférence entre quinze et vingt bars, et une température proche de la température ambiante (c’est à dire environ trois-cent Kelvins). Le fluide 11 comprimé pénètre ensuite dans l’unité de refroidissement 300 et en ressort à une température d’environ quinze Kelvins.
Le fluide 11 pénètre ensuite dans le canal chaud 31 dans lequel il est refroidi par échange thermique avec le flux circulant dans le canal froid 32. Le fluide 11 subit ensuite une détente isenthalpique dans le détendeur 40 avant d’entrer dans le réservoir 50. Le réservoir 50 comprend alors deux phases à très basse température du fluide 11 : une première phase liquide 12 et une deuxième phase gazeuse 13. La température du fluide 11 présent dans le réservoir 50 est comprise entre 1,8 et 4,5 Kelvins pour une pression d’aspiration de la pompe 80 comprise entre quinze millibars et un bar respectivement. Le réservoir 50 constitue le quatrième canal froid du quatrième échangeur 60 qui peut être mis à profit pour le refroidissement direct ou indirect, par exemple, d’un ordinateur quantique ou de composants électroniques supraconducteurs.
Après avoir cédé des frigories au canal chaud 61 de l’échangeur 60, le fluide 11 ressort du réservoir 50 pour entrer dans le canal froid 32. En sortie du canal froid 32, le fluide 11 est pompé par la pompe cryogénique 80 avant d’être aspiré par le compresseur 20. La pompe cryogénique 80 agit alors sur le fluide 11 lorsque celui-ci a une densité volumique élevée d’Hélium isotope 4 (correspondante aux températures et pressions de travail) et augmente ainsi considérablement le débit total d’Hélium isotope 4 dans le circuit 10 ce qui permet d’offrir une puissance frigorifique importante pour refroidir le canal chaud 61. La pompe 80 est dite « cryogénique » car elle opère à des températures inférieures à cinquante Kelvins.
A cet effet, l’enceinte 5 isolée thermiquement est configurée pour contenir tous les éléments du dispositif à une température inférieure à la température ambiante lorsque le dispositif est en fonctionnement.
Les éléments similaires ou analogues à ceux précédemment décrits porteront une référence numérique identique à ceux-ci dans la description qui suit des deuxième, troisième, quatrième, cinquième et sixième modes de réalisation de l’invention.
Selon un deuxième mode de réalisation représenté en , le dispositif 1 comprend, en plus des éléments précédemment décrits en relation avec le premier mode de réalisation, un deuxième détendeur 90 de type Joule-Thompson et un deuxième réservoir 100 de séparation de phases qui sont tous deux reliés au circuit 10 par le réseau 70. Comme illustré, les deux réservoirs 100, 50 sont disposés en série dans le circuit. De même, les deux détendeurs 90, 40 sont disposés en série dans le circuit. Le détendeur 90 comprend une dixième entrée 91 en communication fluidique avec le circuit 10 en aval de la première sortie 21 et une dixième sortie 92 en communication fluidique avec une onzième entrée 101 du deuxième réservoir 100. Une onzième sortie 102 du deuxième réservoir 100 est en communication fluidique avec la huitième entrée 22. Le deuxième réservoir 100 comprend, ici, un premier soutirage 103 de fluide 11 en phase liquide qui est en communication fluidique avec le premier circuit 10 en amont de l’entrée 33 de l’échangeur 30. Le détendeur 90 et le deuxième réservoir 100 sont tous deux situés à l’intérieur de l’enceinte 5.
L’ensemble constitué par le deuxième détendeur 90 et le deuxième réservoir 100 permet au dispositif 1 de réaliser une première baisse de température du fluide 11 qui sera alors, après passage dans le détendeur 40, à une température de l’ordre de 1.8 Kelvins dans le premier réservoir 50. C'est-à-dire que, par rapport au mode de réalisation précédent, l'exemple de la prévoit deux réservoirs 100, 50 de séparation en série, la pompe 80 cryogénique étant configurée pour maintenir une pression comprise entre 10 mbar et 20 mbar, typiquement 15 mbar, dans la phase vapeur du premier réservoir 50 afin d’obtenir une température de la phase liquide dans le premier réservoir 50 qui est inférieure à la température du deuxième réservoir 100 et typiquement cette température de la phase liquide dans le premier réservoir 50 est comprise entre 1,6 K et 3 K, typiquement 1,8 K.