INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque tronçon gradué 33 comprend alors un secteur du segment principal 75 éventuel et des graduations 80. Deux tronçons gradués 33 successifs peuvent avoir une graduation commune, une telle graduation commune étant dès lors à l’interface entre ces deux tronçons gradués.
En outre, l’échelle de hauteur 30 est une échelle linéaire par morceaux 31. Par suite, chaque tronçon gradué 33 présente sa propre échelle linéaire, qui diffère de l’échelle linéaire d’au moins un voire de chaque autre tronçon gradué 33.
Par conséquent, chaque tronçon gradué 33 a un facteur d’échelle différent d’un facteur d’échelle de chaque autre tronçon gradué 33. L’expression « facteur d’échelle » représente pour un tronçon gradué 33 le quotient entre une distance sur le tronçon gradué 33 selon ledit axe AX et une hauteur réelle associée. Par exemple, le facteur d’échelle correspond au quotient de la distance sur le tronçon gradué 33 concerné et une hauteur réelle de un pied, à savoir de 0,31 mètre par exemple.
Par ailleurs, l’échelle de hauteur 30 peut comprendre un tronçon gradué 33 de type « tronçon à basses hauteurs 40 ».
Le tronçon à basses hauteurs 40 couvre un segment de hauteurs allant d’une hauteur de référence H0, par exemple égale à zéro à une première hauteur H1, par exemple de l’ordre de 20 pieds soit environ 6.1 mètres. Le tronçon à basses hauteurs 40 présente un premier facteur d’échelle. Par exemple, une hauteur réelle de 1 pied équivaut à une distance de 8.5 millimètres sur l’afficheur 15 ce qui induit un premier facteur d’échelle égal sensiblement à 8.5 millimètres divisées par un pied.
Le tronçon à basses hauteurs 40 comporte de multiples graduations 80. Un intervalle bas INT1 entre deux graduations 80 successives du tronçon à basses hauteurs 40 représente une hauteur réelle basse, par exemple d’une valeur d’un pied, soit environ 0.31 mètre.
Par exemple, le tronçon à basses hauteurs 40 comporte des graduations 80, notamment des graduations de grandes et petites dimensions à savoir respectivement des jalons majeurs 82 et des jalons mineurs 81. Chaque jalon majeur 82 présente un segment ayant une longueur supérieure à une longueur de segments des jalons mineurs 81. Par exemple, le tronçon à basses hauteurs 40 comporte un jalon majeur 82 tous les 10 pieds, soit par exemple aux niveaux de la hauteur de référence H0 ainsi que d’une hauteur de 10 pieds et une hauteur de 20 pieds selon l’illustration, et un jalon mineur 81 tous les pieds entre deux jalons majeurs 82.
Par ailleurs, l’échelle de hauteur 30 peut comprendre un tronçon gradué 33 de type « tronçon à hauteurs intermédiaires 50 » faisant suite au tronçon à basses hauteurs 40.
Le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 couvre un segment de hauteurs allant de la première hauteur H1 à une deuxième hauteur H2, par exemple de l’ordre de 100 pieds soit environ 30.5 mètres. Le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 présente un deuxième facteur d’échelle. Le deuxième facteur d’échelle est par exemple inférieur au premier facteur d’échelle, le premier facteur d’échelle étant par exemple de l’ordre du double du premier facteur d’échelle.
Dès lors, le tronçon à basses hauteurs 40 s’avère plus dilaté que le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 pour apporter plus de précision aux basses hauteurs. Le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 est moins précis à la fois en raison de la précision de la ou des senseurs de hauteur 2 dans l’intervalle de hauteurs concerné et dans la mesure où la sécurité du vol ne nécessite pas une précision très importante.
Par exemple, une hauteur réelle de 1 pied équivaut à une distance de 3.5 millimètres sur l’afficheur 15 dans le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 ce qui induit un premier facteur d’échelle égal sensiblement à 3.5 millimètres divisés par un pied.
Le tronçon à hauteurs intermédiaires 50 comporte de multiples graduations 80. Un intervalle intermédiaire INT2 entre deux graduations 80 successives du tronçon à hauteurs intermédiaires 50 représente une hauteur réelle intermédiaire. La hauteur réelle intermédiaire est supérieure à la hauteur réelle basse, par exemple de l’ordre de cinq fois la hauteur réelle basse et donc selon l‘exemple d’une valeur de cinq pieds, soit environ 1.5 mètres.
Pour caractériser des défauts dans un matériau semiconducteur, une technique connue est la technique de mesure de photo-tension de surface (SPV) décrite plus avant. Le paramètre SPV peut être mesuré par la technique dite "KPFM" pour "Kelvin Probe Force Microscopy" en anglais, ou microscopie à sonde de Kelvin.
La représente schématiquement un exemple de système de caractérisation 100 d’un matériau semiconducteur par une technique KPFM. Dans le système représenté, une pointe conductrice 102 est montée sur une poutre (cantilever) 104. La pointe est disposée au droit d’un échantillon 10 de semiconducteur, et la poutre est reliée électriquement à l’échantillon de semiconducteur par un circuit électrique 108. L’extrémité libre de la pointe peut présenter une taille nanométrique, de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres. Le système pointe/échantillon forme une capacité.
Deux polarisations sont appliquées entre la pointe et la surface de l’échantillon au niveau du circuit électrique 108 : une polarisation continue V DC et une polarisation sinusoïdale V AC . La polarisation sinusoïdale V AC induit une différence de potentiel électrostatique ΔV entre la pointe et la surface de l’échantillon donnée par : où CPD désigne la différence de potentiel de contact (Contact Potential Difference). La différence de potentiel de contact peut être définie, dans cette configuration, comme étant la différence de potentiel électrostatique entre la surface de l'échantillon et la pointe à l'équilibre.
La différence de potentiel électrostatique ΔV couplée à la capacité du système pointe/échantillon induit une force électrostatique qui cause un déplacement sous forme d’oscillation à la pointe (et/ou de modulation du décalage de la fréquence d’oscillation) selon une direction perpendiculaire à la surface de l’échantillon 10. L’amplitude d’oscillation de la pointe (ou le décalage en fréquence) est notamment lié(e) à la valeur de différence de potentiel de contact (CPD) qui existe entre la pointe et l’échantillon, et à la différence (V DC – CPD) lorsqu’une polarisation continue V DC est appliquée. Ainsi, la valeur d’amplitude de l’oscillation (ou le décalage en fréquence) peut être utilisé(e) pour réaliser la mesure de CPD. Plus précisément, il est possible de déterminer la valeur de CPD en déterminant une valeur de la polarisation continue V DC permettant d’annuler l’amplitude de l’oscillation (ou la modulation du décalage en fréquence). Cette valeur de polarisation, qui peut être désignée "tension de compensation" (du CPD), est généralement déterminée par une boucle de rétroaction, avec en entrée l’amplitude d’oscillation (ou le décalage en fréquence). La boucle de rétroaction peut être par exemple en modulation d’amplitude ou en modulation de fréquence. La tension de compensation générée par la boucle de rétroaction peut être désignée V KPFM . La tension sinusoïdale permettant d’induire une force électrostatique entre la pointe et l’échantillon peut être désignée V MOD . La boucle de rétroaction peut être intégrée dans une unité KPFM 106 adaptée à déterminer la valeur de tension de compensation V KPFM , et ainsi le CPD.
La boucle de rétroaction (ou l’unité KPFM 106) peut comprendre un amplificateur à détection synchrone (en anglais Lock-In Amplifier, LIA), et/ou une boucle à verrouillage de phase (en anglais Phase-Locked Loop, PLL), en mode modulation d’amplitude et/ou de fréquence respectivement. Le LIA permet de détecter l’amplitude d’oscillation du levier induit par la tension sinusoïdale dans le mode modulation d’amplitude. La PLL permet de détecter le décalage en fréquence dans le mode modulation de fréquence.
La mesure de photo-tension de surface par la technique KPFM peut être réalisée en déterminant et en comparant des valeurs de CPD obtenues à l’obscurité et sous illumination, toutes autres conditions similaires.
Un inconvénient d’un tel système est que l’électronique de mesure KPFM, notamment la mise en œuvre d’une boucle de rétroaction, rend la mesure relativement lente, par exemple de quelques centaines de millisecondes. Ce délai de mesure ne permet généralement pas de mesurer des dynamiques de SPV, celles-ci étant généralement trop rapides par rapport aux constantes de temps de l’électronique de mesure KPFM.
La représente sous forme de blocs un exemple de système de caractérisation 110 d’un matériau semiconducteur par une technique dite pompe-sonde-KPFM (en anglais pump-probe-KPFM, pp-KPMF), combinant une technique pompe-sonde avec une technique KPFM . Le principe d’un système pompe-sonde est d’exciter un semiconducteur (pompe), puis de mesurer une réponse à cette excitation suivant une fenêtre temporelle (sonde). Une résolution temporelle de la mesure peut être obtenue par réglage du décalage temporel entre l'excitation et la mesure, c’est-à-dire entre la pompe et la sonde. Un système de caractérisation basé sur la technique pp-KPFM peut permettre de déterminer une dynamique de SPV.
Le système 110 représenté comprend deux blocs principaux : - un bloc microscopie à sonde de Kelvin (bloc KPFM) 112 comprenant les éléments permettant d’effectuer une mesure KPFM, similaires aux éléments décrits en lien avec le système 100 de la figure 1A ; une tension de modulation sinusoïdale est générée en sortie de ce bloc, correspondant à la somme (V MOD + V KPFM ) en reprenant les termes donnés en relation avec la figure 1A ; - un bloc de génération de signal (bloc SG) 114 adapté à générer des signaux de tension : un premier signal de tension S pour la sonde, et un deuxième signal de tension P pour la pompe, les deux signaux étant représentés sous forme d’impulsions (pulses), par exemple en créneaux.
La multiplication, en utilisant par exemple un multiplicateur de tension 116, du premier signal de tension S du bloc SG 114 par la tension de modulation sinusoïdale (V MOD + V KPFM ) du bloc KPFM 112 donne une tension de modulation de sonde V MOD_SONDE qui correspond à une tension constituée d'impulsions avec la même enveloppe sinusoïdale que la tension de modulation sinusoïdale (V MOD + V KPFM ). La tension de modulation de sonde envoyée à la pointe est celle qui est utilisée dans la boucle de rétroaction du KPFM. Ainsi, la boucle de rétroaction du KPFM ne compense que la différence de potentiel de contact (CPD) entre la pointe et l’échantillon qui existe pendant chaque impulsion.
Le deuxième signal de tension P du bloc SG 114 permet l’excitation de l’échantillon 10, par exemple l’illumination de l’échantillon. Le signal de tension P de la pompe et le signal de tension S de la sonde (et ainsi la tension de modulation de sonde) sont synchronisés, par exemple via le générateur de signal dans le bloc SG 114, et différents déphasages entre les impulsions de la sonde et de la pompe sont appliqués. L'évolution temporelle de la CPD est surveillée en enregistrant la tension (V KPFM ) à la sortie de la boucle de rétroaction du KPFM en fonction des déphasages entre les impulsions de la sonde et celles de la pompe.
La technique pompe-sonde combinée avec la technique KPFM permet ainsi de déterminer la différence de potentiel de surface (CPD) en fonction du déphasage entre la pompe et la sonde, et ce, selon différents déphasages de la sonde par rapport à la pompe. Dit autrement, cela permet de mesurer la CPD à différents instants après (les déphasages sont alors des retards), voire avant (les déphasages sont alors des avances de phase), l’excitation du semiconducteur par la pompe. Cela permet de générer des mesures de photo-tension de surface (SPV) résolues dans le temps, c’est à dire une dynamique SPV. La dynamique SPV peut par exemple être représentée sous forme de spectre ou de courbe.
Plusieurs inconvénients découlent toutefois de cette technique pp-KPFM.
La résolution temporelle du SPV est limitée par le rapport signal sur bruit qui tend à augmenter avec la présence d’une couche d’isolant (par exemple, couche d’oxyde ou couche de passivation) sur la couche de semiconducteur (par exemple, couche de silicium) dont on recherche la présence de défaut(s), un défaut pouvant être entre la couche de semiconducteur et la couche d’isolant. La détermination d’une dynamique de SPV par la technique pp-KPFM peut être difficile, voire impossible, lorsque la couche d’isolant est supérieure à une épaisseur donnée, par exemple supérieure à environ 50 nm.
En outre, avec la technique pp-KPFM, il n'est pas possible de modifier le régime électrique en surface de l’échantillon de semiconducteur, par exemple en accumulation ou en déplétion. Or, ce point est important pour la caractérisation du semiconducteur dans la mesure où les défauts peuvent être répartis sur toute la bande interdite du semiconducteur. Par conséquent, la technique pp-KPFM ne permet généralement pas d’évaluer la dynamique de SPV par rapport à la position énergétique des défauts.
La technique pp-KPFM reste une technique relativement lente. Par exemple, une mesure de dynamique de SPV comprenant un dizaine de mesures (c’est à dire une dizaine de déphasages entre la pompe et la sonde) nécessite environ une dizaine de minutes d’acquisition, et ce, pour un seul point de mesure qui correspond sensiblement à la taille de l’extrémité libre de la pointe, qui peut être de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres. Si l’on souhaite caractériser une surface importante de semiconducteur, par exemple une plaquette (wafer) entière de 200 mm ou de 300 mm, cela demande de réaliser un nombre important de mesures de dynamique de SPV, en déplaçant à chaque fois la pointe pour couvrir une telle surface, augmentant d’autant le temps de mesure. Dit autrement, avec un temps de mesure total raisonnable industriellement (typiquement inférieur à une heure), la technique pp-KPFM ne permet de couvrir qu’une partie très limitée d’un wafer.
Alternativement, la barrière dans sa totalité, à savoir le déflecteur et l’épaulement, peut couvrir en totalité la périphérie du corps autour de l’axe géométrique AX, à savoir un angle de 360° autour de l’axe géométrique AX. La barrière est ainsi de forme annulaire. En conséquence, le déflecteur et l’épaulement sont également de formes annulaires.
Selon un autre exemple, le plan d’appui est perpendiculaire à l’axe géométrique AX. L’axe géométrique AX est par exemple un axe de symétrie d’au moins une partie du corps creux lorsqu’il est par exemple au moins en partie cylindrique à base circulaire.
Selon un autre exemple, le déflecteur peut être parallèle au plan d’appui. Le déflecteur comporte notamment une face en regard du plan d’appui et parallèle à ce plan d’appui.
Alternativement, le déflecteur peut être non parallèle au plan d’appui et comporter ainsi une face inclinée par rapport à la face d’appui. De préférence, l’angle de déflection entre le plan d’appui et le déflecteur peut être compris entre 15° et 45° afin de limiter l’encombrement de la barrière.
Cependant, cet angle de déflection peut être supérieur à 45°, voire être supérieur ou égal à 90° lorsque l’espace disponible au-dessus du maneton le permet.
Selon un autre exemple, l’espace de déviation peut être limité selon une direction parallèle à l’axe géométrique AX d’une part par le déflecteur et d’autre part par le plan d’appui et radialement, par rapport à l’axe géométrique AX, par l’épaulement en direction de l’axe géométrique AX. L’espace de déviation est ouvert radialement vers l’extérieur en s’éloignant de l’axe géométrique AX.
Alternativement, l’espace de déviation peut être limité selon une direction parallèle à l’axe géométrique AX d’une part par le déflecteur et d’autre part par le plan d’appui et radialement, par rapport à l’axe géométrique AX, par l’épaulement et le corps en direction de l’axe géométrique AX. L’espace de déviation est ouvert radialement vers l’extérieur en s’éloignant de l’axe géométrique AX.
Alternativement, l’espace de déviation peut être limité selon une direction parallèle à l’axe géométrique AX d’une part par le déflecteur et d’autre part par l’épaulement et/ou le plan d’appui et radialement, par rapport à l’axe géométrique AX, par le corps en direction de l’axe géométrique AX. L’espace de déviation est ouvert radialement vers l’extérieur en s’éloignant de l’axe géométrique AX.
Selon un autre exemple, le collecteur peut comporter une paroi anti-refoulement pour maintenir un volume de liquide de lubrification dans le corps creux. La paroi anti-refoulement permet de bloquer une partie du liquide de lubrification et de maintenir ainsi un volume minimum de liquide de lubrification dans le corps creux en fonction des mouvements et/ou des accélérations subis par le collecteur. En conséquence, l’organe à lubrifier et/ou à refroidir peut être alimenté constamment en liquide de lubrification.
La paroi anti-refoulement est liée au corps creux. La paroi anti-refoulement peut par exemple être agencée à l’intérieur du corps creux et liée à une paroi intérieure du corps creux.
La paroi anti-refoulement peut être de forme annulaire et centrée sur l’axe géométrique AX. L’orifice d’entrée est alors formé par une ouverture au centre de la paroi anti-refoulement.
La paroi anti-refoulement peut être liée à une paroi intérieure du corps creux et l’orifice d’entrée est alors formé par une ouverture entre la paroi anti-refoulement et une paroi du corps creux. La paroi anti-refoulement est ainsi asymétrique autour de l’axe géométrique AX. La position du collecteur peut alors être indexée par rapport au maneton pour maintenir efficacement le volume minimum de liquide de lubrification dans le corps creux en fonction des mouvements et/ou des accélérations subis par le collecteur. Le collecteur et le maneton peuvent comporter un dispositif d’indexage, tel que précédemment évoqué, permettant d’orienter précisément le collecteur dans le maneton.
Selon un autre exemple, le corps creux peut comporter des ouvertures de déformation en forme de fentes agencées sur une paroi du corps creux entre l’orifice d’entrée et l’orifice de sortie, le collecteur comportant au moins un support de fixation configuré pour fixer le collecteur au maneton à l’aide d’au moins un dispositif de fixation. Ledit au moins un support de fixation est lié au corps creux. Le collecteur est dimensionné de sorte qu’en fixant le collecteur au maneton à l’aide d’au moins un support de fixation et d’au moins un dispositif de fixation, le corps creux se déforme et s’allonge grâce aux ouvertures de déformation afin que la face d’appui de l’épaulement de la barrière exerce une pression sur une face externe du maneton ou une face externe d’un support portant le maneton. Cette pression permet d’assurer une étanchéité entre d’une part le collecteur, et en particulier sa barrière, et d’autre part le maneton ou le support portant le maneton afin d’empêcher au minimum que des particules étrangères contenues dans le second flux du liquide de lubrification pénètrent dans le maneton, voire que ce second flux pénètre dans le maneton.
Les ouvertures de déformation doivent être non parallèles à l'axe géométrique AX pour contribuer à la déformation en traction selon l'axe géométrique AX du corps creux. Les fentes peuvent par exemple être agencées dans des plans perpendiculaires à l'axe géométrique AX.
Selon un autre exemple, un collecteur de liquide de lubrification selon l’invention peut être rapporté sur le porte-satellites au niveau de chaque maneton.
Alternativement, un collecteur de liquide de lubrification selon l’invention peut être intégré au porte-satellites au niveau de chaque maneton et formé à ce titre une seule et même pièce.
la illustre schématiquement, en vue de face, une piste d’un système de verrouillage d’un dispositif d’accrochage selon l’invention.
la est une vue en coupe transversale de la partie supérieure d’un dispositif d’accrochage selon l’invention.
la est une autre vue en coupe transversale de la partie supérieure d’un dispositif d’accrochage selon l’invention.
la est une vue en perspective de la partie supérieure d’un dispositif d’accrochage fixé à un embout d’un moyen de treuillage.
Description détaillée Dans l’ensemble de la demande, les termes «bas», « haut », «au-dessus », « au-dessous », « inférieur » et « supérieur » sont à comprendre en référence à un dispositif d’accrochage selon l’invention dans une configuration verticale d’utilisation pour le soulèvement d’un conteneur.
Les termes « distal » et « proximal » sont utilisés par référence avec le corps du dispositif d’accrochage. Ainsi, l’extrémité distale d’une pièce assemblée dans le dispositif est celle la plus éloignée du corps.
On a illustré aux figures 1 et 1A un dispositif d’accrochage 1 selon la présente invention. Le dispositif d’accrochage 1 comprend principalement un corps 2, une structure 3, et trois pênes 4. Le corps 2 est monté mobile en translation, selon son axe longitudinal X entre une première position et une deuxième position, par rapport à la structure 3 et aux pênes 4 comme détaillé par la suite.
Le corps 2 comprend une partie basse sous la forme d’un cylindre creux avec des encoches 22 s’étendant le long de l’axe longitudinal X. La partie haute du corps 2 comprend une interface de fixation 20 comprenant une collerette dentelée 21 centrée sur l’axe longitudinal X.
La structure 3 comprend un tronc 30 et des branches creuses 31 chacune sensiblement en forme tube rectangulaire. Chaque branche creuse 31 est fixée ou formée intégralement avec le tronc 30 et s’étend selon un axe orthogonal à l’axe longitudinal X. Le tronc 30 est agencé dans le cylindre creux du corps 2. Les branches 31 sont régulièrement réparties angulairement autour de l’axe longitudinal X. Dans l’exemple illustré, trois branches creuses 31 sont réparties à 120° les unes des autres.
Chaque branche 31 comprend deux rainures 32 en regard l’une de l’autre et réalisées chacune sur une des branches tubulaires. Chaque rainure 32 s’étend parallèlement à l’axe longitudinal X.
Chacune des branches creuse 31 loge un pêne 4.
Chaque pêne 4 est mobile en translation, selon un axe normal à l’axe longitudinal X entre une position dite de décrochage et une position d’accrochage, par rapport au corps 2 et à la structure 3. Dans les figures 1 et 1A, le dispositif d’accrochage 1 est représenté avec le corps 2 dans sa deuxième position et chacun des pênes 4 dans leur position d’accrochage.
Comme montré à la , chaque pêne 4 comprend à son extrémité distale, une butée 40, et un évidement 41 dans le prolongement intérieur de la butée 40, et à son extrémité proximale, une rainure coudée 42.
La butée 40 peut être une protubérance faisant saillie vers le haut.
Le pêne 4 comprend en outre dans sa partie centrale deux coulisses 43 s’étendant longitudinalement selon l’axe de translation du pêne 4.
Un galet 8 est fixé dans des trous débouchants de chaque branche 31 en étant monté dans chacune des coulisses 43 du pêne 4 logé dans la branche 31. Les coulissements des deux galets 8 dans les coulisses 43 permettent de guider la translation du pêne 4 et permet également de transmettre le poids s’exerçant sur ledit pêne 4 à la branche 31 correspondante.
Grâce à l’invention, au moins le premier guide de lumière ne parasite pas le second guide de lumière (et possiblement réciproquement), et le volume technique disponible est au minimum très peu (et possiblement pas du tout) réduit du fait du logement au moins partiel de la pièce de protection dans le logement.
- le logement peut loger intégralement la pièce de protection ;
- la pièce de protection peut être maintenue dans le logement par le second guide de lumière ;
- en présence de la dernière option, le second guide de lumière peut comprendre au moins une protubérance saillant vers la pièce de protection et au contact de cette dernière afin de la maintenir dans le logement ;
- la pièce de protection peut être réalisée dans un matériau qui est opaque au moins aux photons générés par la source ;
- l’un au moins des premier et second guides de lumière peut être de type dit plat.
Par exemple, les photons sortant par la face d’extrémité du premier guide de lumière peuvent participer à une fonction photométrique de signalisation.
Egalement par exemple, ce bloc optique peut être un feu arrière.