Dispositif imageur comportant une pluralité d’éléments de détection chaque élément de détection étant formé d’un photo-détecteur (120) associé et connecté à un circuit de lecture (140) d’un signal généré par le photo-détecteur (120), le circuit de lecture (140) étant doté d’une capacité d’intégration (C int ) pour stocker des charges provenant du photo-détecteur (120), le circuit de lecture (140) comprenant en outre: - un étage de réinitialisation active de la capacité d’intégration doté de transistors (M1, M5) formant un premier amplificateur de courant d’une première source de courant (145), - un étage de polarisation à injection directe contre-réactionnée (BDI) du photo-détecteur (120) doté de transistors (M1, M2) formant un deuxième amplificateur de courant d’une deuxième source de courant (145), - un circuit de commutation (142, 41, 42) comprenant un étage (142) de couplage intégré au circuit de lecture (140), le circuit de commutation étant commandé par des signaux (vc1, vc2) de contrôle et étant configuré pour : - lors d’une phase de réinitialisation de la capacité d’intégration (C int ) correspondant à un premier état desdits signaux de contrôle (vc1, vc2) : coupler ladite première source de courant à la capacité d’intégration (C int ) et activer le premier amplificateur de courant tout en découplant ladite deuxième source de courant du photo-détecteur et en désactivant le deuxième amplificateur, - lors d’une phase d’intégration (C int ) d’un courant issu du photodétecteur et correspondant à un deuxième état desdits signaux de contrôle (vc1, vc2), coupler ladite deuxième source de courant au photo-détecteur et activer le deuxième amplificateur de courant tout en découplant ladite première source de courant de la capacité d’intégration et en désactivant le premier amplificateur. Dispositif imageur selon la revendication 1, dans lequel la première source de courant et la deuxième source de courant sont une même source de courant commune au premier amplificateur (M1-M2) et au deuxième amplificateur (M1-M5) de courant. Dispositif imageur selon la revendication 2, dans lequel le premier amplificateur et le deuxième amplificateur sont formés d’un transistor (M1) monté en source de courant et respectivement d’un premier transistor (M2) d’amplification et d’un deuxième transistor (M5) d’amplification, le circuit de de commutation étant configuré en outre pour : - lors de ladite phase de réinitialisation, coupler la source de courant commune à la capacité d’intégration (C int ) tout en isolant le photo-détecteur de ladite source de courant commune, - lors de ladite phase d’intégration (C int ), coupler la source courant commune à la photodiode tout en isolant la capacité d’intégration de ladite source de courant commune. Dispositif imageur selon la revendication 3, dans lequel le transistor (M1) monté en source de courant reçoit sur sa grille une tension de polarisation (v bias ) modulable entre ladite phase de réinitialisation et ladite phase d’intégration, de sorte que lors de ladite phase de réinitialisation, la tension de polarisation (v bias ) a une première valeur de manière à ce que la source de courant commune produise un premier courant (I 1 ), et de sorte que lors de la phase d’intégration, la tension de polarisation a une deuxième valeur, de manière à ce que la source de courant commune produise un deuxième courant (I 2 ) différent dudit premier courant. Dispositif imageur selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étage de couplage est formé d’un premier transistor de couplage (M 3 ) et dans lequel l’étage de couplage est formé également d’un deuxième transistor de couplage (M 4 ), et dans lequel parmi les signaux de contrôle figure un premier signal de commande (vc 1 ) de couplage appliqué sur une grille du premier transistor de couplage (M 3 ) et un deuxième signal (vc 2 ) de commande de couplage appliqué sur une grille du deuxième transistor de couplage (M 4 ). Dispositif imageur selon la revendication 5, dans lequel le circuit de commutation est formé en outre d’un premier élément interrupteur (41) et d’un deuxième élément interrupteur (42) appartenant à un bloc de polarisation externe au circuit de lecture (140), le premier élément interrupteur (41) étant configuré pour alternativement, coupler lors de la phase d’intégration, une électrode d’un transistor d’amplification (M2) du premier amplificateur à un élément de circuit mis à un premier potentiel de polarisation (VBDI) et découpler lors de ladite phase de réinitialisation ledit élément de circuit de ladite électrode dudit transistor dudit premier amplificateur, le deuxième élément interrupteur (42) étant configuré pour alternativement, découpler lors de ladite phase d’intégration, une électrode d’un transistor d’amplification du deuxième amplificateur à une portion de circuit mise à un deuxième potentiel (V ref ) de polarisation et coupler lors de ladite phase de réinitialisation, l’électrode dudit transistor (M5) d’amplification dudit deuxième amplificateur de ladite portion de circuit. Dispositif imageur selon l’une revendications 5 ou 6, dans lequel l’étage de réinitialisation active de la capacité d’intégration (C int ) est doté d’un transistor de réinitialisation (M 6 ) ayant une électrode mise à un potentiel de réinitialisation (Vreset) et couplé à la capacité d’intégration (C int ), le premier transistor de couplage (M 3 ) étant agencé entre une grille du transistor de réinitialisation (M 6 ) et ledit premier amplificateur. Dispositif imageur selon l’une des revendications 5 à 7, dans lequel l’étage de polarisation à injection directe contre-réactionnée comprend un transistor (M 7 ) dit d’injection directe agencé entre le photo-détecteur (120) et la capacité d’intégration (C int ), le deuxième transistor de couplage (M 4 ) étant agencé entre une grille du transistor d’injection directe (M 7 ) et ledit deuxième amplificateur. Dispositif imageur selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le premier amplificateur (M 1- M 2 ) de courant est constitué de deux transistors ayant une électrode commune et/ou dans lequel le deuxième amplificateur (M 1- M 5 ) de courant est constitué de deux transistors ayant une électrode commune. Imageur infrarouge comprenant un dispositif selon l’une des revendications 1 à 10.