INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lorsqu’aucune ficelle de tirage n’est préalablement installée dans la structure, une technique classique pour y insérer un câble est d'y introduire une aiguille, suffisamment rigide pour pouvoir être poussée dans la structure, sur laquelle le câble à déployer pourra être fixé une fois celle-ci installée dans la structure. Toutefois, cette technique ne fonctionne que dans le cas d’un fourreau ou d’une conduite enterrée ou de raccordement en bon état, c’est-à-dire sans obstacle ou sans contrainte particulière.
Or, il est relativement fréquent que la structure présente des obstacles, comme illustré sur les figures 1 et 2.
La illustre schématiquement un des problèmes les plus fréquents rencontrés par les opérateurs de déploiement de câbles, lors de nouveaux raccordements de locaux au réseau enterré, et notamment au réseau de fibre optique. En effet, ce problème est la source de milliers d’échecs de déploiement de câbles par an, uniquement pour la France.
Plus précisément, la illustre une structure 9 comprenant une façade 92 d’un local. Une conduite de raccordement 94, s’étendant sous la surface du sol 91, débouche à proximité du pied de la façade 92. Dans l‘exemple illustré sur la , la conduite 94 est endommagée et présente donc un obstacle 95 (ici un coin/renfoncement).
Si l’on essaie d’insérer classiquement une aiguille 2 dans la conduite de raccordement 94, l’extrémité 22 de cette dernière va buter dans l’obstacle 95 et l’aiguille 2 va donc se retrouver bloquée par ce dernier.
Un autre problème récurrent peut être rencontré, comme illustré schématiquement sur la , lorsque l’on souhaite déployer un câble dans une structure 9 se présentant sous la forme d’un réseau de conduites enterrées 94 dans lequel un regard 93b est immergé/recouvert, suite à des interventions de voiries par exemple, et donc inaccessible. Il est à noter qu’en zone urbaine, les regards sont espacés de 30 à 50m, tandis qu’en zone rurale, cette distance peut aller jusqu’à 300m. Un regard non accessible 93b peut donc s’avérer un obstacle important au déploiement d’un câble.
En effet, lorsque l’on souhaite faire passer une aiguille 2 entre deux regards émergés 93a, mais séparé par un regard non accessible 93b, l’opérateur est contraint de faire passer l’aiguille 2 à l’aveugle, ce qui peut être relativement complexe étant donné les distances à parcourir. De plus, les risques que l’aiguille 2 bute contre un obstacle sont très importants.
En effet, du fait de sa flexibilité lui permettant notamment de passer les coudes des conduites, l’aiguille 2 peut fléchir au niveau du regard non accessible 93b, notamment. Il est alors fréquent que l’extrémité 22 de l’aiguille 2 bute contre une paroi du regard non accessible 93b, ou contre un autre obstacle.
On voit donc que le déploiement de câbles dans ce type de structure peut parfois être très complexe, voire même impossible.
Ainsi, les opérations de déploiement des câbles peuvent être largement ralenties par ce genre de problèmes, qui sont d’ailleurs relativement fréquents/nombreux. À ce jour, la seule solution proposée pour répondre à ces problèmes consiste à effectuer des travaux importants visant à rechercher, puis déterrer, et ensuite réparer puis ré-enterrer la conduite 94 dans le cas de la ou, dans le cas de la , à rechercher puis dégager l’ouverture du regard non accessible 93b pour permettre l’accès à un opérateur avant de rehausser le regard, si cela est possible, afin de faciliter les prochaines opérations.
Par exemple, T2 est approximativement égal à une minute.
De préférence, la récupération d’énergie lors des freinages récupératifs est inhibée lors de l’étape de protection.
Le moyen de gestion 5 du pack batteries 1a demande une autorisation à l’unité de supervision du véhicule d’ouvrir les premiers et deuxième contacteurs principaux K1, K2.
Si le moyen de gestion 5 ne reçoit pas l’autorisation par l’unité de supervision du véhicule d’ouvrir les premiers et deuxième contacteurs principaux K1, K2 en moins d’un temps T3, alors que la tension U1 reste supérieure à la tension S2, le moyen de gestion 5 transmet un signal pour ouvrir les premier et deuxième contacteurs principaux K1, K2.
Par exemple, T3 est approximativement égal à 90 secondes et la tension S2 est approximativement de 216V.
La tension S2 est une valeur calibrable pendant la phase de mise au point du véhicule. Elle correspond à la tension en dessous de laquelle, la tension du pack batteries 1a ne peut pas descendre dans des conditions normales de fonctionnement et quelle que soit la température du pack batteries 1a.
La tension S2 dépend de l’architecture électrique du pack batteries 1a, c’est-à-dire du nombre de cellules ou modules d’énergie 2 du pack de batterie 1a, la capacité électrique de chaque module d’énergie 2 et de la température de fonctionnement du pack de batterie 1a.
Le procédé de détection comprend une étape de rétablissement en condition normale du véhicule durant laquelle une autorisation de roulage est transmise par le moyen de gestion 5 à l’unité de supervision du véhicule lorsque la différence absolue entre la première tension U1 et la deuxième tension U2 est inférieure à la tension seuil S1, après un arrêt / remise du véhicule sous tension par la clef de contact et un nouveau roulage, les premiers et deuxième contacteurs principaux K1, K2 étant fermés.
En effet, si un circuit ouvert est initialement détecté, le rétablissement du véhicule en condition normale est réalisé après arrêt du véhicule (clé tournée en position arrêt) et une nouvelle mise sous contact (clé tournée en position marche).
Cependant, si un circuit est effectivement ouvert sur le réseau de puissance 9, lors d’une nouvelle mise sous contact, ce circuit ouvert est de nouveau détecté au roulage et la procédure précédente de protection est de nouveau appliquée par le moyen de gestion 5.
Si aucun circuit ouvert n’est détecté lors d’une nouvelle mise sous contact, c’est-à-dire lorsque le moyen de gestion 5 détermine que la différence absolue entre la première tension U1 et la deuxième tension U2 n’est pas supérieure ou égale à la valeur de tension seuil S1 pendant un temps T1 au roulage suivant, les contacteurs K1 et K2 étant fermés, le véhicule peut reprendre la route.
Pour autant, un code défaut est mémorisé dans la mémoire du moyen de gestion 5 en état fugitif si le problème ne se reproduit pas. Ceci permet au service après-vente de récupérer l’historique des défauts détectés par les différents calculateurs et en particulier par le moyen de gestion 5.
Et si le défaut se reproduit, l’utilisateur est obligé de contacter le service après-vente pour identifier la position du circuit ouvert et le réparer afin de réhabiliter le fonctionnement de son véhicule.
Identification d’anomalie dans un système électrochimique La présente divulgation relève du domaine des dispositifs électrochimiques de stockage d’énergie, et plus particulièrement du diagnostic de batteries, ou accumulateurs.
Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore simultanément.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) comporte les étapes : c 1 ) former les première et seconde couches de polysilicium, respectivement sur les premier et second films d’oxyde ; c 2 ) implanter les atomes de phosphore et les atomes de bore, respectivement dans les première et seconde couches de polysilicium, de préférence par une technique d’implantation ionique par immersion plasma.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) est exécutée de sorte que les atomes de phosphore et les atomes de bore présentent une densité volumique supérieure à 10 20 at./cm 3 à l’issue de l’étape d).
Ainsi, un avantage procuré est de créer un fort effet de champ propice à une bonne passivation des surfaces du substrat, ainsi que de former une zone de contact électrique de bonne qualité.
Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comporte une étape e) consistant à former des première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur, respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium, l’étape e) étant exécutée après l’étape d).
Ainsi, un avantage procuré par les couches d’oxyde transparent conducteur est notamment d’assurer le contact électrique entre une électrode (par exemple métallique) et le substrat. Les couches d’oxyde transparent conducteur, avec une épaisseur adaptée, peuvent également assurer un rôle de couche antireflet. La couche antireflet permet de réduire les pertes optiques liées aux réflexions du rayonnement lumineux, et donc d’optimiser l’absorption du rayonnement lumineux par le substrat.
Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comporte une étape f) consistant à former des électrodes sur les première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur.
- Par « passivation », on entend la neutralisation de défauts électriquement actifs aux surfaces du substrat. En effet, une surface d’un substrat en silicium cristallin présente une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuité du cristal etc.) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs dans le cas d’une application photovoltaïque.
- Par « substrat », on entend le support mécanique, autoporté, destiné à la fabrication d’une cellule photovoltaïque. Le substrat peut être une tranche (« wafer » en langue anglaise) découpée dans un lingot de silicium cristallin.
- Par « cristallin », on entend la forme multicristalline ou la forme monocristalline du silicium, excluant donc le silicium amorphe.
- Par « à base de », on entend que le silicium cristallin est le matériau principal et majoritaire composant le substrat.
- Par « appliqué à la structure », on entend que le rayonnement ultraviolet peut être appliqué sur tout ou partie de la structure, c'est-à-dire : soit d’un seul côté de la structure (le côté défini par la première surface du substrat), le côté défini par la seconde surface du substrat n’étant pas exposé au rayonnement ultraviolet ; soit successivement des deux côtés de la structure.
- Par « épaisseur », on entend la dimension s’étendant suivant la normale à la première surface (ou à la seconde surface) du substrat.
- Par « composition », on entend la composition atomique d’un film d’oxyde.
- Par « composé stœchiométrique », on entend un composé possédant une composition atomique présentant des proportions stœchiométriques. Par exemple, lorsqu’un film d’oxyde est réalisé dans un oxyde de silicium SiO 2-x , le dioxyde de silicium SiO 2 est un composé stœchiométrique, possédant une composition atomique présentant des proportions stœchiométriques, tandis que l’oxyde de silicium SiO 2-x est un composé non-stœchiométrique, possédant une composition atomique présentant des proportions non-stœchiométriques, « x » étant l’écart à la stœchiométrie avec x>0 ou x<0.
Comme illustré aux figures 1 à 4, un objet de l’invention est un procédé de passivation, comportant les étapes successives : a) prévoir une structure comportant : - un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; - des premier et second films d’oxyde 2, 3, formés respectivement sur les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 ; la situation à l’issue de l’étape a) est illustrée aux figures 1 (1c), 2 (2b), 3 (3b), 4 (4b) ; b) appliquer un rayonnement ultraviolet à la structure, sous une atmosphère d’ozone, de sorte que le premier film d’oxyde 2’ présente : - une épaisseur strictement supérieure à celle du second film d’oxyde 3, 3’ ; et/ou - une composition plus proche du composé stœchiométrique ; la situation à l’issue de l’étape b) est illustrée aux figures 1 (1d), 2 (2d), 3 (3c), 4 (4c) ; c) former des première et seconde couches de polysilicium 4, 5, respectivement sur les premier et second films d’oxyde 2’, 3 ; 2’, 3’, et comprenant respectivement des atomes de phosphore et des atomes de bore possédant respectivement des première et seconde températures d’activation électrique, la seconde température d’activation électrique étant strictement supérieure à la première température d’activation électrique ; la situation à l’issue de l’étape c) est illustrée aux figures 1 (1e), 2 (2e), 3 (3d), 4 (4d), 5 (5d) ; d) appliquer un traitement thermique à l’ensemble comportant la structure et les première et seconde couches de polysilicium 4, 5, le traitement thermique étant appliqué à une température supérieure ou égale à la seconde température d’activation électrique de manière à activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore de façon concomitante.
Le substrat 1 de la structure prévue lors de l’étape a) est avantageusement dopé de type n. Les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 peuvent être destinées à être exposées à un rayonnement lumineux de manière à former une architecture bifaciale.
L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 sont texturées afin de réduire le coefficient de réflexion et les pertes optiques dans la cellule photovoltaïque. Les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 comportent préférentiellement des motifs en pyramide inversée, agencés pour créer une rugosité de surface. La texturation est préférentiellement exécutée par une attaque chimique à base d’hydroxyde de potassium KOH.
À titre d’exemple non limitatif, le substrat 1 peut présenter une épaisseur de l’ordre de 150 µm.
L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde 2, 3 sont de type oxyde tunnel. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde 2, 3 tunnel présentent une épaisseur inférieure ou égale à 3 nm, de préférence inférieure ou égale à 2 nm.
Les premier et second films d’oxyde 2, 3 sont avantageusement des oxydes de silicium. Par « oxyde de silicium », on entend un composé de formule SiO 2-x .
Selon un mode de mise en en œuvre illustré aux figures 2 et 3, l’étape a) comporte les étapes : a 1 ) prévoir un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; l’étape a 1 ) est illustrée aux figures 2a et 3a ; a 2 ) traiter chimiquement les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 à l’aide d’un agent oxydant de manière à former les premier et second films d’oxyde 2, 3 ; l’étape a 2 ) est illustrée aux figures 2 (2b) et 3 (3b).
L’étape a 2 ) peut comporter les étapes : a 20 ) appliquer une solution d’acide fluorhydrique HF sur les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 afin de les désoxyder ; a 21 ) rincer les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 avec de l’eau déionisée pour les réoxyder.
Selon un mode de mise en œuvre illustré à la , l’étape a) comporte les étapes : a 1 ’ ) prévoir un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; l’étape a 1’ ) est illustrée à la (4a) ; a 2 ’ ) traiter thermiquement les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 de manière à former les premier et second films d’oxyde 2, 3 de type oxyde thermique ; l’étape a 2 ’ ) est illustrée à la (4b).
À titre d’exemple non limitatif, l’étape a 2’ ) peut être exécutée à une température de 580°C.
Selon un mode de mise en œuvre illustré à la , l’étape a) comporte les étapes : a 1’’ ) prévoir un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; l’étape a 1’’ ) est illustrée à la (1a) ; a 2’’ ) traiter chimiquement les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 à l’aide d’un agent oxydant de manière à former une première partie 2a, 3a des premier et second films d’oxyde 2, 3 ; l’étape a 2 ’’ ) est illustrée à la (1b) ; a 3’’ ) traiter thermiquement les première et seconde surfaces 10, 11 oxydées du substrat 1 de manière à former une deuxième partie 2b, 3b des premier et second films d’oxyde 2, 3 ; l’étape a 3 ’’ ) est illustrée à la (1c).
L’étape a 2 ’’ ) peut comporter les étapes : a 20 ’’ ) appliquer une solution d’acide fluorhydrique HF sur les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 afin de les désoxyder ; a 21 ’’ ) rincer les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 avec de l’eau déionisée pour les réoxyder.
À titre d’exemple non limitatif, l’étape a 3 ’ ’ ) peut être exécutée à une température de 580°C.
Selon un mode de mise en œuvre illustré aux figures 1, 3, 4, l’étape b) consiste à appliquer le rayonnement ultraviolet, sous l’atmosphère d’ozone, d’un seul côté de la structure, en l’occurrence le côté défini par la première surface 10 du substrat 1 où seront présents les atomes de phosphore lors de l’étape c). Le premier film d’oxyde 2 obtenu à l’issue de l’étape b) est référencé « 2’ ». Le rayonnement ultraviolet est appliqué sous l’atmosphère d’ozone, de sorte que le premier film d’oxyde 2’ présente, à l’issue de l’étape b) : - une épaisseur strictement supérieure à celle du second film d’oxyde 3 ; et/ou - une composition plus proche du composé stœchiométrique.
Chaque banque physique est divisée en secteurs. Ces secteurs correspondent à une unité minimale effaçable de la mémoire. En effet, un effacement dans la mémoire ne peut pas être effectué par bit mais est effectué par secteur du fait de contraintes physiques de la mémoire.
Les secteurs d’une mémoire qui sont destinés à contenir au moins un code compilé ont généralement une même taille, et leur nombre dans une banque physique est une puissance de deux.
L’application stockée est compilée pour fonctionner à partir d’une adresse de démarrage (appelée également « adresse de boot ») dans la mémoire. Au démarrage d’une application enregistrée en mémoire, le processeur cherche le code compilé de l’application à exécuter à l’adresse de démarrage. S’il n’y a pas de code exécutable à cette adresse, le processeur se bloque et le système sur puce devient généralement inutilisable.
En outre, il peut être important de préserver une partie de la mémoire à un adresse fixe de tout effacement pour garantir une racine de confiance (en anglais « root of trust ») et pouvoir certifier de l’origine et de l’authenticité de chaque code installé.
Par ailleurs, il est avantageux d’avoir une mémoire configurée pour permettre la mise à jour d’un code compilé d’une application par une nouvelle version de ce code sans avoir à interrompre l’exécution de l’application. En outre, il est important que le système sur puce puisse reprendre une mise à jour du code compilé de l’application après un redémarrage du système sur puce suite à une interruption de son alimentation lors de la mise à jour.
Néanmoins, l’organisation des banques physiques de mémoire définies lors de la conception de la mémoire ne permet pas toujours de répondre à l’ensemble de ces points. En outre, l’organisation des banques physiques n’est pas toujours adaptée aux besoins d’un utilisateur.
Il existe donc un besoin de proposer une solution permettant de simplifier la gestion d’une mémoire, et permettant de répondre aux différents points susmentionnés.
Selon un aspect, il est proposé un système sur puce comprenant : - une mémoire divisée en une succession de secteurs, chaque secteur présentant une taille égale à la plus petite taille effaçable de la mémoire, les secteurs étant associés à au moins une banque physique de mémoire, - une interface de mémoire adaptée pour contrôler les accès à ladite mémoire et comprenant au moins un registre de configuration adapté pour pouvoir définir au moins une banque logique de mémoire en assignant les secteurs de la mémoire à ladite au moins une banque logique, chaque secteur de la mémoire étant assigné à une seule banque logique, et - un processeur connecté à ladite interface de mémoire et adapté pour configurer ledit registre de configuration.
Un tel système sur puce permet de configurer des banques logiques (c’est-à-dire des banques virtuelles) pour pouvoir s’abstraire de la configuration des banques physiques définie lors de la conception de la mémoire. Ainsi, le stockage du code compilé de l’application peut se faire indépendamment de l’organisation des banques physiques de la mémoire. En particulier, le code compilé peut être enregistré dans les secteurs assignés à une banque logique de mémoire. Chaque banque logique est accessible à une adresse fixe. Le code de l’application peut ainsi être développé puis compilé sans avoir à prendre en compte l’organisation des banques physiques de mémoire. Un utilisateur du système sur puce bénéficie donc de la totalité de la mémoire.
De préférence, les secteurs de mémoire assignés à une même banque sont des secteurs successifs. Cela permet de simplifier la gestion de la mémoire.
Dans un mode de réalisation ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir une seule banque logique de mémoire, l’ensemble des secteurs de la mémoire étant alors assigné à cette banque logique.
En particulier, ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir une unique banque logique de mémoire servant à stocker un code compilé servant de racine de confiance. Un tel code compilé peut être utilisé pour démarrer une application. En variante, ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir une unique banque logique de mémoire servant à stocker un code compilé d’une application.
Ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir plusieurs banques logiques de mémoire, de sorte que l’interface de mémoire définit lesdites banques logiques à des adresses différentes.
Par exemple, ledit au moins un registre de configuration peut être adapté pour définir une première banque logique servant à stocker un code compilé servant de racine de confiance et d’une deuxième banque logique servant à stocker un code compilé d’une application.
Ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir une première banque logique servant à stocker un code compilé d’une application et d’une deuxième banque logique servant à stocker une version mise à jour du code compilé de l’application, ces deux banques logiques ayant un même nombre de secteurs de mémoire qui leur sont assignés, et pouvant être interchangées. La définition de deux banques logiques permet de faciliter une mise à jour d’une application enregistrée dans la mémoire sans nécessiter de solution logicielle complexe et de manière indépendante de l’organisation des banques physiques de la mémoire.
Ledit au moins un registre de configuration peut également être adapté pour définir une première banque logique servant à stocker un code compilé servant de racine de confiance, d’une deuxième banque logique servant à stocker un code compilé d’une application et d’une troisième banque logique servant à stocker une version mise à jour du code compilé de l’application, la deuxième banque logique et la troisième banque logique ayant un même nombre de secteurs de mémoire qui leur sont assignés, et pouvant être interchangées.
- Par « plus proche », on entend que les proportions atomiques du film d’oxyde obtenu à l’issue de l’étape b) sont plus proches des proportions stœchiométriques du composé stœchiométrique au regard des proportions atomiques initiales du film d’oxyde prévu lors de l’étape a). Les proportions atomiques du film d’oxyde obtenu à l’issue de l’étape b) peuvent tendre vers les proportions stœchiométriques du composé stœchiométrique.
- Par « tendant vers » ou « tendre vers », on entend que les proportions atomiques du film d’oxyde obtenu à l’issue de l’étape b) sont suffisamment proches des proportions stœchiométriques du composé stœchiométrique (i.e. diminution de la valeur absolue de l’écart « x » à la stœchiométrie) pour considérer que le film d’oxyde se comporte comme un film d’oxyde stœchiométrique.
- Le terme « polysilicium » désigne également le silicium polycristallin.
- Par « film d’oxyde tunnel », on entend un film d’oxyde suffisamment fin pour autoriser la circulation d’un courant électrique en son sein avantageusement par effet tunnel.