INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce mode de réalisation, le revêtement 12 est formé de trois couches 14, 16 et 18 successivement et directement empilées les unes sur les autres en allant de l’axe 10 vers la face extérieure 6. L’épaisseur de la couche 18 est typiquement supérieure à 1 % ou 2 % du diamètre D 2 . Par exemple, l’épaisseur de la couche 18 est au moins supérieure à 2 µm ou 5 µm ou 10 µm. De préférence, l'épaisseur des autres couches 14 et 16 est inférieure à l'épaisseur de la couche 18. Par exemple, ici, les épaisseurs des couches 14 et 16 sont inférieures, respectivement, à 5 µm et à 10 µm.
La couche 14 est une couche homogène et uniforme réalisée en alliage cuivre-zinc en phase bêta. La concentration en zinc est donc typiquement comprise entre 45 % atomiques et 50 % atomiques, le reste étant du cuivre et les impuretés inévitables.
La couche 16 est une couche homogène réalisée en alliage cuivre-zinc en phase gamma. La concentration en zinc est typiquement comprise entre 62 % atomiques et 71 % atomiques, le reste étant du cuivre et les impuretés inévitables. Par exemple, ici, la concentration en zinc est de 64 % atomiques.
Il découle du diagramme d’équilibre de phase du système cuivre-zinc tel que récemment mis à jour que, dans un état stable, l’alliage cuivre-zinc en phase gamma présente une concentration en zinc qui est comprise entre 60 % atomiques et 62 % atomiques à la température ambiante, le reste étant du cuivre. Un diagramme d’équilibre de phase du système cuivre-zinc récemment mis à jour a, par exemple, été publié dans l’article suivant : Liang et al. : « Thermodynamic assessment of the Al-Cu-Zn system, part I : Cu-Zn binary system », CALPHAD, volume 51, 2015, page 224 à 232.
Ainsi, avec une concentration de 64 % en zinc, l’alliage cuivre-zinc en phase gamma de la couche 16 n’est pas dans un état stable à la température ambiante. Ici, il est dans un état métastable. Dans un état métastable, la transformation de l’alliage cuivre-zinc en phase gamma vers son état stable, et donc la diminution de sa concentration en zinc, est très lente à la température ambiante. Autrement dit, cette transformation de la phase gamma vers son état stable à température ambiante est pratiquement imperceptible par un être humain. Ainsi, la composition de cette phase gamma dans son état métastable ne varie pratiquement pas depuis sa fabrication jusqu’à son amenée dans une zone d’usinage d’une machine d’électroérosion lorsque ce fil 2 est stocké et transporté dans des conditions normales et donc maintenu à température ambiante. Un procédé de fabrication d'une telle couche d'alliage cuivre-zinc métastable est décrit plus loin.
Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur 15 est adapté à détecter tout ou partie du rayonnement visible et/ou du rayonnement proche-infrarouge.
Le filtre angulaire 13 comprend, de bas en haut : - un réseau 31 de microlentilles 41 ; - un réseau 33 de régions transparentes 43 entourées latéralement par une couche de résine opaque ou absorbante 45 ; et - un réseau 35 de régions transparentes 47 entourées latéralement par une couche de résine opaque ou absorbante 49.
Les microlentilles 41 sont par exemple de taille micrométrique, par exemple plan-convexe, la face plane des microlentilles étant tournée vers le capteur d'images 11.
Dans l'exemple représenté, les microlentilles 41 sont disposées sur un substrat de support transparent 51. Plus particulièrement, dans cet exemple, les microlentilles 41 sont disposées sur et en contact avec la face inférieure du substrat de support 51. La face supérieure, sensiblement plane, des microlentilles 41 est en contact avec la face inférieure, sensiblement plane, du substrat de support 51.
Le substrat de support 51 est par exemple en un polymère transparent, par exemple un poly(téréphtalate d’éthylène) PET, un poly(métacrylate de méthyle) PMMA, un polymère d’oléfinecyclique (COP), un polyimide (PI), ou un polycarbonate (PC). L’épaisseur du substrat 51 est par exemple comprise entre entre 1 µm et 100 μm, par exemple entre 10 µm et 100 μm, par exemple entre 10 µm et 50 µm, par exemple de l'ordre de 23 µm ou de l'ordre de 19 µm. Le substrat de support 51 forme par exemple une couche continue s'étendant sur toute la surface d'éclairement du capteur d'images 11.
Les microlentilles 41 sont par exemple réalisées en silice, en PMMA, en une résine photosensible positive, en PET, en poly(naphtalate d'éthylène) (PEN), en COP, en polydiméthylsiloxane (PDMS)/silicone, en résine époxy ou en résine acrylate. Les microlentilles 41 peuvent être formées par fluage de blocs d'une résine photosensible. Les microlentilles 41 peuvent, en outre, être formées par moulage sur une couche de PET, PEN, COP, PDMS/silicone, de résine époxy ou de résine acrylate. Les microlentilles 41 sont des lentilles convergentes ayant chacune une distance focale f, par exemple comprise entre 1 μm et 100 μm, de préférence entre 1 μm et 70 μm. A titre d'exemple toutes les microlentilles 41 sont sensiblement identiques.
A titre d'exemple, les microlentilles 41, sont organisées sous forme d'un quadrillage (ou matrice) de lignes et de colonnes. Les microlentilles 41, sont, par exemple, alignées. Le motif élémentaire de répétition des microlentilles 41, est, par exemple, un carré dans lequel les microlentilles 41, sont situées aux quatre coins du carré.
A titre de variante, les microlentilles 41, sont organisées sous forme d'un quadrillage de lignes et de colonnes en quinconce. En d'autres termes, le motif élémentaire de répétition des microlentilles 41, est, par exemple, un carré dans lequel les microlentilles 41, sont situées aux quatre coins et au centre du carré. Les microlentilles 41 sont par exemple organisées sous la forme d'un réseau hexagonal.
A titre d'exemple, le réseau 31 de microlentilles forme une couche continue de microlentilles 41 jointives revêtant sensiblement toute la surface d'exposition du capteur d'images 11.
Les microlentilles 41 sont par exemple recouvertes, du côté opposé au substrat de support 51, par une couche transparente de planarisation 53. La couche 53 est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure, convexe dans cet exemple, des microlentilles 41. La face inférieure de la couche de planarisation est sensiblement plane. La couche de planarisation 53 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface d'éclairement du capteur d'images 11.
Le réseau 33 de régions transparentes 43 entourées latéralement par la couche opaque 45 est disposé sur la face supérieure du substrat de support 51, par exemple en contact avec la face supérieure du substrat de support.
Dans le mode de réalisation de la , les régions transparentes 43 sont des piliers de résine transparente entourés latéralement par une couche 45 de résine opaque. Dans l'exemple représenté, les piliers transparents 43 ont une forme tronconique, par exemple à section horizontale circulaire. Plus particulièrement, dans cet exemple, les piliers 43 ont une section de surface décroissante entre leur face inférieure, située du côté du substrat de support 51, par exemple en contact avec la face supérieure du substrat de support 51, et leur face supérieure, située du côté du capteur 11. Les piliers 43 sont par exemple tous identiques, aux dispersions de fabrication près.
Dans cet exemple les piliers transparents 43 sont agencés selon un quadrillage régulier de lignes et de colonnes de même pas que le réseau 31 de microlentilles 41. Les piliers transparents 43 du réseau 33 sont alignés verticalement respectivement avec les microlentilles 41 du réseau 31. A titre d'exemple, chaque pilier transparent 43 a un axe central de révolution sensiblement orthogonal au support 51 et confondu avec l'axe optique de la microlentille 41 sous-jacente. Le pas des microlentilles et des piliers transparents est par exemple inférieur au pas des photodétecteurs 15 du capteur. A titre d'exemple, le pas des microlentilles et des piliers transparents est un sous-multiple du pas des photodétecteurs. Par exemple, le pas des microlentilles et des piliers transparents est égal à la moitié du pas des photodétecteurs 15 du capteur. Ainsi, le filtre optique angulaire comprend plusieurs microlentilles 41 et plusieurs piliers transparents 43 en vis-à-vis de chaque photodétecteur 15.
Le pas du réseau de piliers transparents 43, c'est-à-dire la distance centre à centre entre deux piliers voisins, est par exemple compris entre 5 et 50 µm. La hauteur des piliers 43 est par exemple comprise entre 1 µm et 1 mm, de préférence entre 2 µm et 20 µm. La largeur à mi-hauteur des piliers 43 est par exemple comprise entre 0,5 et 25 µm. Dans cet exemple, la largeur maximale des piliers 43 est inférieure à la largeur de microlentilles 41.
Dans cet exemple, la couche de résine opaque 45 recouvre toute la surface du substrat de support 51 entre les piliers 43. La couche de résine opaque 45 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du substrat de support 51.
Dans le mode de réalisation de la , la couche de résine opaque 45 recouvre une partie inférieure seulement des flancs des piliers transparents 43. La partie inférieure des flancs des piliers 43 est entièrement entourée latéralement par la couche de résine opaque 45. La partie inférieure des flancs des piliers 43 est par exemple en contact avec la couche de résine opaque 43. Une partie supérieure de chaque pilier transparent n'est pas entourée latéralement par la résine opaque 45.
Après l'opération 203, le procédé se poursuit avec l'opération de vérification 204, également décrite en relation avec la figure 2. Selon un exemple, si le critère d'arrêt n'est pas atteint (branche N), une autre vérification (bloc 405, ?) est effectuée, par exemple par le coprocesseur cryptographique 104. Si la valeur courante i est inférieure ou égale à la valeur l-2 (branche Y), alors la valeur courante i est fixée à la valeur i+1 dans une opération 407 (i=i+1). Si la valeur courante i est supérieure à la valeur l-1 (branche N), la valeur courante i est fixée à la valeur i+1-m dans une opération 407' (i=i+1-m), et une boucle suivante est amorcée. Après l'opération 407, le procédé revient par exemple à l'opération 201.
Après l'opération 407', une opération 408 ( ) est exécutée. L'opération 408 modifie de façon conditionnelle les c-1 éléments de directement avant l'index l', en fonction de la valeur de . Cela consiste à acquérir en entrée dans une fonction CORRECT, décrite ci-après, et à écrire le vecteur qui est fourni en sortie par la fonction dans . Cette correction optionnelle est par exemple utilisée lorsqu'un prédicat doit être vérifié par tous les groupes de c éléments consécutifs. Après l'opération 408, le procédé revient par exemple à l'opération 201.
La fonction CORRECT respecte les trois propriétés suivantes : (1) la valeur est maintenue inchangée par l'application de la fonction ; (2) les éléments fournis en sortie par la fonction appartiennent tous à l'ensemble ; (3) les éléments et la nouvelle valeur de fournie en sortie par la fonction sont tels que l'exécution suivante des opérations 201 à 203 génère un élément valide , de sorte à conserver le prédicat .
Selon un exemple, la sortie de l'algorithme est attendue devoir être dans la représentation NAF, ce qui correspond à , et pour tous les index i. Dans ce cas, la fonction CORRECT renvoie par exemple inchangé lorsque soit , soit , et renvoie sinon.
Une fois le critère d'arrêt atteint, le processus prend fin par exemple à l'opération 206 (END). A ce stade, les valeurs des n derniers coefficients de l'accumulateur sont toujours les valeurs initiales, par exemple zéro. Pendant l'opération 206, les n derniers coefficients (d l ,…, d l+n-1 ) de l'accumulateur sont par exemple fixés à la valeur courante , comme cela a déjà été décrit en relation avec la figure 2. La donnée de sortie du procédé est l'accumulateur (d l ,…, d l+n-1 ), avec des coefficients d 0 à d l+n-1 représentant les éléments de la forme réduite et convertie -adique de la valeur : .
Dans ce mode de réalisation, les coefficients d 0 à d l’-c sont par exemple pris seulement une seule fois en tant que valeurs de données d'entrée et traités. En effet, une fois que chacun des coefficients d 0 à d l-1 a été fourni en tant que valeur de donnée d'entrée une fois, seuls les m+c-1 derniers coefficients (d l’-c+1 ,…,d l-1 ) de l'accumulateur sont pris en tant que valeurs de données d'entrée, l'un après l'autre, dans chaque nouvelle boucle de l'algorithme, jusqu'à ce que le critère d'arrêt soit atteint.
Les modes de réalisation décrits en relation avec les figures 2 et 4 permettent de réduire et de convertir le scalaire k ou un équivalent du scalaire k en une représentation -adique, un élément après l'autre, en utilisant une même séquence d'opérations, sur la base de l'équivalence de et modulo .
Le résultat du procédé de la et/ou de la peut par exemple être utilisé dans la multiplication scalaire d'un point sur une courbe de Koblitz, comme cela sera décrit maintenant plus en détail en relation avec la . Une telle multiplication scalaire peut par exemple être utilisée comme partie d'opérations de cryptographie à courbe elliptique.
La est un organigramme représentant un exemple d'une multiplication scalaire selon un mode de réalisation de la présente description.
Par exemple, le procédé représenté dans l'organigramme de la est mis en œuvre par le dispositif électronique 100 de la .
Par exemple, dans une opération 600 (RECEIPT OF k AND P), le dispositif électronique 100 reçoit, par exemple par l'interface de communication 110, des valeurs de données correspondant à un entier ou un entier -adique k et à des données codées ou un message en clair à coder. Dans un autre exemple, le scalaire k est déjà stocké dans la mémoire 106 et seul le point est reçu par l'intermédiaire de l'interface de communication 110. La clef cryptographique k et le point sont ensuite envoyés par exemple au coprocesseur cryptographique 104.
Dans une opération 601 (REDUCTION AND -ADIC CONVERSION), après l'opération 600, le coprocesseur cryptographique 104 effectue la réduction et la conversion du scalaire k selon le mode de réalisation décrit en relation avec la ou selon le mode de réalisation décrit en relation avec la , afin de générer une représentation plus appropriée du scalaire k.
Dans une opération 602 (SCALAR MULTIPLICATION OF P), après l'opération 601, le coprocesseur cryptographique 104 effectue par exemple la multiplication du scalaire modifié k avec le point P. Le résultat de l'opération est ensuite utilisé, par exemple dans une opération cryptographique, conformément aux protocoles pertinents. Dans certains cas, la multiplication est effectuée selon le procédé décrit dans la demande de brevet "Protection d’une opération cryptographique sur une courbe elliptique", au nom du même demandeur, déposée le 31 août 2021 et ayant le numéro de demande FR2109096 (référence du mandataire B20909).
Un avantage des modes de réalisation décrits est que la conversion -adique est effectuée à la volée, un élément après l'autre, pendant la réduction scalaire. De plus, la longueur du scalaire converti ne dépend pas de la taille du scalaire d'entrée.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils rendent difficile d'utiliser une analyse de puissance différentielle et les attaques afférentes. En effet, ajouter un multiple aléatoire de au scalaire k à chaque opération cryptographique impliquant le scalaire k modifie le fonctionnement visible du dispositif. Toutefois, dans certaines représentations -adiques telles que NAF et ses variantes, la génération de multiples aléatoires de consiste seulement à générer un nombre l' de nombres aléatoires.
Cette deuxième température T 2 correspond à la température en surface des cavités de moulage 111 de la première partie 110 du moule 100 et en surface des dents 121 de la deuxième partie 120 du moule 100 lors du compactage du matériau thermoplastique.
La vitesse de refroidissement v 2 du moule durant l’étape de compactage est pilotée, et typiquement comprise entre 30°C par minute et 100°C par minute. Ainsi, la durée de compactage t comp du matériau thermoplastique correspond au rapport de la différence entre la première température T 1 et la deuxième température T 2 par la vitesse de refroidissement v 2 , soit :
Par exemple, si le matériau thermoplastique est un polyétherimide (PEI), la deuxième température T 2 sera typiquement comprise entre 190°C et 250°C, car la température de figeage du polyétherimide (PEI) est d’environ 240°C.
Selon un autre exemple, si le matériau thermoplastique est un polyaryléthercétone (PAEK), la deuxième température T 2 sera typiquement comprise entre 300°C et 320°C, car la température de figeage du polyaryléthercétone (PAEK) est d’environ 300°C.
L’étape de compactage pilotée décrite précédemment permet de maîtriser l’épaisseur finale de la pièce, en compensant les retraits de matière. On améliore ainsi la géométrie finale et on diminue les porosités dans la pièce obtenue. L’application d’une pression de maintien tout en contrôlant la vitesse de refroidissement permet d’améliorer la microstructure de la pièce finale, par exemple en assurant un taux de cristallinité proche de l’optimal, même dans le cas de pièces très fines.
Lorsque l’étape de compactage est terminée, c’est-à-dire lorsque la deuxième température T 2 est atteinte à la surface des cavités de moulage et à la surface des dents, on peut réaliser une étape de refroidissement supplémentaire. Lors de cette étape de refroidissement, il n’y a plus de pression de maintien exercée sur le matériau thermoplastique.
Lors de cette étape de refroidissement, le moule est refroidi de la deuxième température T 2 à une troisième température T 3 , qui est de préférence suffisamment faible pour permettre l’éjection du matériau thermoplastique. Cette étape de refroidissement supplémentaire peut également permettre d’atteindre une température du matériau thermoplastique suffisamment basse pour faciliter le retrait du moule et la manipulation de la pièce moulée.
Cette troisième température T 3 correspond à la température en surface des cavités de moulage 111 de la première partie 110 du moule 100 et en surface des dents 121 de la deuxième partie 120 du moule 100 lors de l’étape de refroidissement supplémentaire du matériau thermoplastique.
La vitesse de refroidissement v 3 du moule durant l’étape de refroidissement supplémentaire est typiquement comprise entre 30°C par minute et 100°C par minute. Ainsi, la durée de refroidissement supplémentaire t refr du matériau thermoplastique correspond au rapport de la différence entre la deuxième température T 2 et la troisième température T 3 par la vitesse de refroidissement v 3 , soit :
Par exemple, si le matériau thermoplastique est un polyétherimide (PEI), la troisième température T 3 sera typiquement inférieure à 190°C, car la température d’éjection souhaitée pour le polyétherimide (PEI) est d’environ 180°C.
Selon un autre exemple, si le matériau thermoplastique est un polyaryléthercétone (PAEK), la troisième température T 3 sera typiquement inférieure à 300°C, car la température d’éjection souhaitée pour le polyaryléthercétone (PAEK) est d’environ 300°C.
La vitesse de refroidissement v 3 du moule durant l’étape de refroidissement supplémentaire peut être identique à la vitesse de refroidissement v 2 du moule lors de l’étape précédente. Les vitesses de refroidissement v 2 et v 3 peuvent ne pas être constantes.
L’étape de refroidissement supplémentaire est optionnelle. En effet, la deuxième température T 2 peut dans certains cas être déjà suffisamment faible pour permettre l’éjection du matériau thermoplastique. Cette configuration peut par exemple se présenter si le matériau thermoplastique est un polyaryléthercétone (PAEK), car la température de figeage du polyaryléthercétone (PAEK) est proche voire identique de la température d’éjection souhaitée. Toutefois, cette étape de refroidissement supplémentaire reste souhaitable pour obtenir une température du matériau thermoplastique suffisamment basse pour pouvoir manipuler aisément la pièce moulée une fois retirée du moule.
Cette étape de refroidissement supplémentaire permet d’améliorer encore la microstructure du matériau dans la pièce finale, en permettant une meilleure maîtrise de la cristallisation du matériau. Ce refroidissement supplémentaire est choisi de sorte à assurer une cristallisation la plus satisfaisante possible, tout en limitant le temps de cycle.
Lorsque l’étape de refroidissement supplémentaire est terminée, la pièce ainsi moulée est suffisamment froide pour pouvoir être démoulée, en séparant la première partie 110 du moule 100 de la deuxième partie 120 du moule 100.
On obtient ainsi un composant multiéléments acoustiques complexes comprenant une pluralité d’éléments acoustiques complexes creux, dont la largeur et/ou la longueur peuvent excéder 200 mm. L’épaisseur des parois des éléments acoustiques complexes creux, et/ou des bords séparant les éléments acoustiques creux, peut être inférieure à 0,5 mm.
On décrit maintenant un procédé de commande de la liaison de transmission électrique 30 entre les premier et deuxième bus de tension alternative 411 et 421 selon un mode de réalisation de l'invention. [La ] est une vue schématique d’une gestion de l’énergie électrique réalisée selon un mode de réalisation de l’invention.
Les fréquences respectives f1 et f2 des première et seconde zones de tension alternative 1, 2 sont mesurées à distance des premier et second convertisseurs CA/CC 311 et 321 respectivement. Ces fréquences respectives peuvent également être mesurées ou exprimées en tant que fréquences angulaires électriques ω1 et ω2. La différence entre les fréquences ou les fréquences angulaires mesurées ω1 et ω2 des première et seconde zones de tension alternative 1 et 2 est calculée ou déterminée.
Lorsque ladite différence de fréquence (ω1 - ω2) franchit soit un premier seuil non nul Δω1, soit un deuxième seuil non nul Δω2, le paramètre de correction suivant est ajouté à la puissance de consigne Phvdcref du convertisseur 411 et 421, de manière à imposer une nouvelle dynamique au réseau incluant les première et deuxième zones de tension alternative 1 et 2 :
avec λω un gain d'amplification (Cette règle garantit que le paramètre de correction fournit une correction proportionnelle à l'amplitude de la différence de fréquence). Pour une différence de fréquence significative, un tel paramètre de correction fournit un amortissement significatif de la première oscillation. La consigne de puissance réelle appliquée aux convertisseurs AC DC 311 et 321 correspond à Phvdc0, avec Phvdc0= Phvdcref+ ΔPdca.
En mesurant les fréquences à distance des premier et deuxième convertisseurs AC / DC 311 et 321, des différences de fréquence importantes peuvent être mesurées, ce qui permet d'utiliser une valeur plus faible pour le gain λω, et donc à la fois une correction plus fiable et l'évitement d'éventuelles oscillations à haute fréquence. Des simulations ont notamment été réalisées avec des valeurs de gain comprises entre 3 et 5 GW/Hz. De tels gains sont suffisamment importants, tout en évitant l'excitation des fréquences qui sont également mesurées.
De plus, les fréquences mesurées sont très représentatives de leurs zones respectives de tension alternative 1 et 2. Par conséquent, le paramètre de correction ΔPdca permet de corriger de manière fiable le déséquilibre entre ces zones de tension 1 et 2. Cette correction étant fiable, elle peut avoir une amplitude importante sans risquer de créer accidentellement un déséquilibre supplémentaire inattendu.
Lorsque ladite différence de fréquence (ω1 - ω2) est comprise entre le premier et le deuxième seuil non nul, ΔPdca = 0. Dans l'exemple illustré à la , ΔPdca = 0 si Δω1 < (ω1 - ω2)<Δω2 (des limites de fréquence équivalentes Δf1 et Δf2 peuvent être utilisées). Cette règle garantit une zone morte pour le paramètre de correction lorsque la différence de fréquence est faible. Ainsi, les mesures de fréquence à distance n'interfèrent pas avec la gestion de la liaison électrique sans risque d'introduire un déséquilibre supplémentaire. Il convient de noter qu'un homme du métier ne peut pas introduire une bande morte dans une correction, car cela ne permettrait pas de gérer les petites oscillations auxquelles un réseau étendu pourrait être confronté.