INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif 100 comprend en outre des premières tranchées 220 et des deuxièmes tranchées 221 intercalées entre la tranchée de composant 202 et les tranchées de transistor 170, et appelées tranchées de protection 220, 221 par la suite, les tranchées de protection 220 étant plus proches de la tranchée de composant 202 que les tranchées de protection 221. Les tranchées 220 et 221 peuvent avoir la même structure. Chaque tranchée de protection 220, 221 s'étend dans le substrat 102 à partir de la face avant 104 du substrat 102. Pour chaque tranchée de protection 220, 221, le dispositif 100 comprend un élément électriquement conducteur 222, tel que par exemple un métal et/ou du silicium polycristallin dopé, situé dans la tranchée de protection 220 et une couche isolante 224 qui sépare l'élément conducteur 222 du substrat 102 et un élément électriquement conducteur 223, tel que par exemple un métal et/ou du silicium polycristallin dopé, situé dans la tranchée de protection 221 et une couche isolante 225 qui sépare l'élément conducteur 223 du substrat 102. A titre d'exemple, la couche isolante 224, 225 est en oxyde de silicium. Le dispositif 100 comprend au moins la tranchée de protection 220, de préférence au moins la tranchée de protection 220 et la tranchée de protection 221 entre la tranchée de composant 202 et la tranchée de transistor 170 la plus proche. La profondeur de chaque tranchée de protection 220, 221 peut être comprise entre 1,8 µm et 2,2 µm, par exemple égale à environ 2 µm. De préférence, la profondeur de chaque tranchée de protection 220, 221 est égale à la profondeur de la tranchée de transistor 170. On appelle WT la largeur de la tranchée de protection 220, 221. De préférence, la largeur WT est sensiblement égale à la largeur W. La largeur WTP est supérieure ou égale à la largeur WT. De préférence, la largeur WTP est supérieure strictement à la largeur WT. La largeur de l'élément conducteur 222, 223 peut être comprise entre 0,15 µm et 0,2 µm.
Le dispositif 100 comprendre en outre des pistes conductrices et des vias conducteurs, non représentés, d'au moins un niveau de métallisation formé sur la face avant 104 du substrat 102 pour la connexions des sources et des caissons des transistors T et la connexion du composant 200.
De préférence, la tranchée de protection 221 entoure complètement la zone du substrat 102 contenant les tranchées de transistor 170. De préférence, la tranchée de protection 220 entoure complètement la zone du substrat 102 contenant le composant électronique 200. Dans le mode de réalisation du dispositif 100 représenté sur les figures 2A à 2D et 3, les transistors T sont présents de part et d'autre du composant électronique 200. A titre de variante, les transistors T peuvent n'être présents que d'un côté de la tranchée de composant 202.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, analogue à la illustrant un mode de réalisation des connexions des éléments du dispositif 100. Les connexions peuvent être réalisées par les pistes métalliques des niveaux de métallisation du dispositif 100 qui sont représentées de façon schématique par des traits et disques noirs sur la .
Selon un mode de réalisation, l'élément conducteur 222 présent dans chaque tranchée de protection 220 est connecté électriquement à l'élément conducteur 204 présent dans la tranchée de composant 202. Selon un mode de réalisation, l'élément conducteur 204 présent dans la tranchée de composant 202 est connecté à la source du potentiel de référence bas du dispositif 100, par exemple la masse GND. Selon un mode de réalisation, l'élément conducteur 222 présent dans chaque tranchée de protection 220 est également connecté électriquement à la source du potentiel de référence bas GND du dispositif 100. A titre de variante, l'élément conducteur 222 présent dans chaque tranchée de protection 220 peut être connecté électriquement à une borne de source S commune des transistors T, notamment dans le cas où le composant électronique 200 n’est pas entouré par les tranchées de transistor 170. Selon une autre variante, lorsque le composant électronique 200 est une diode, l'élément conducteur 222 présent dans chaque tranchée de protection 220 peut être connecté électriquement à la cathode 214 de la diode 200 et à la l'élément conducteur 204, notamment lorsque la diode 200 et sa tranchée de protection 220 sont entourées par les tranchées de transistor 170. Selon un mode de réalisation, lorsque les tranchées de protection 221 sont présentes entre la tranchée de composant 202 et la tranchée de transistor 170 la plus proche, l'élément conducteur 223 présent dans la tranchée de protection 221 est connecté électriquement à une borne de source S commune des transistors T. Les éléments conducteurs 180 des transistors T peuvent également être connecté électriquement à la borne de source S. Le potentiel de référence bas GND et le potentiel à la source S peuvent être différents.
Les tranchées de protection 220, 221 autour du composant 200 permettent, de façon avantageuse, de maintenir un potentiel électrostatique bas sensiblement constant à proximité du composant électronique 200, en particulier un potentiel électrostatique qui ne varie pas avec le potentiel des sources, des grilles, des drains et des caissons des transistors T.
A titre d'exemple, le drain des transistors T peut être amenés en fonctionnement à un potentiel de 40 V à 45 V. Lorsque les transistors T sont à l'état passant, la tension entre la grille et la source de chaque transistor T est d'environ 10 V et le potentiel à la source est d'environ 40 V-45 V. Les éléments conducteurs 222 des tranchées de protection 220 et l'élément conducteur 204 de la tranchée de composant 202 sont mis à environ 40 V-45 V. Lorsque les transistors T sont à l'état non passant, la tension entre la grille et la source de chaque transistor T est d'environ 0 V et le potentiel à la source est d'environ 0 V. Les éléments conducteurs 222 des tranchées de protection 220 et l'élément conducteur 204 de la tranchée de composant 202 sont à environ 0 V.
Les figures 5 et 6 sont des vues de dessus, partielles et schématiques, de modes de réalisation de structures aux extrémités longitudinales de la tranchée de composant 202 du dispositif 100 représenté sur les figures 2A à 2D et 3. Sur les figures 5 et 6, la largeur WTP de la tranchée de composant 202 est égale à la largeur WT de chaque tranchée de protection 220 et 221. Les tranchées de protection 221 les plus éloignées de la tranchée de composant 202 se rejoignent aux extrémités de façon à entourer complètement la tranchée de composant 202. Ceci signifie que les éléments conducteurs 223 des tranchées de protection 221 sont connectés ensemble aux extrémités.
Dans le mode de réalisation de la , les tranchées de protection 220 les plus proches de la tranchée de composant 202 se rejoignent aux extrémités de façon à entourer complètement la tranchée de composant 202, la tranchée de composant 202 rejoignant également aux extrémités les tranchées de protection 220. Ceci signifie que les éléments conducteurs 222 dans les tranchées de protection 220 sont connectés ensemble aux extrémités et également connectés aux extrémités de l'élément conducteur 204 contenu dans la tranchée de composant 202. Dans le mode de réalisation de la , les tranchées de protection 220 les plus proches de la tranchée de composant 202 sont disjointes et s'étendent parallèlement à la tranchée de composant 202.
La est une vue de dessus, partielle et schématique, d'une variante du dispositif électronique 100. Selon cette variante, le dispositif 100 comprend N tranchées de composant 202, N étant un nombre entier supérieur à 2, par exemple pouvant varier de 2 à 4. Les N tranchées de composant 202 peuvent s'étendre de façon parallèle. Chaque tranchée de composant 202 contient l'élément électriquement conducteur 204 situé dans la tranchée de composant 202, la couche isolante 206 qui sépare l'élément conducteur 204 du substrat 102, la région semiconductrice 210 dopée du premier type de conductivité qui s'étend dans l'élément conducteur 204 depuis la face avant 104 du substrat 102 et qui est isolée électriquement de l'élément conducteur 204 par une couche isolante 212. Le composant électronique 200 comprend en outre, pour chaque tranchée de composant 202, M régions semiconductrices 214 dopées du premier type de conductivité et plus fortement dopées que la région semiconductrice 210 et M régions semiconductrices 216 dopées du deuxième type de conductivité et plus fortement dopées que la région semiconductrice 210, M étant un nombre entier supérieur à 2, par exemple variant de 2 à 60. Les régions 214 et 216 sont alternées selon la direction longitudinale de la tranchée de composant 202 et s'étendent chacune dans la région semiconductrice 210 depuis la face avant 104. De préférence, les régions semiconductrices 214, 216 situées aux deux extrémités longitudinales de la région semiconductrice 210 sont de types de conductivité opposées. Les alternances des régions semiconductrices 214, 216 entre deux tranchée de composant 202 adjacentes peuvent être inversées. Les connexions des régions semiconductrices 214 et des régions semiconductrices 216 dépendent des propriétés souhaitées du composant électronique 200.
Les figures 8 et 9 sont chacune une vue en coupe latérale, partielle et schématique, analogue à la illustrant un mode de réalisation des connexions des éléments du dispositif 100 représenté sur la dans le cas où le dispositif 100 comprend des première et deuxième tranchées de composant 202, chacune comprenant une alternance de trois régions semiconductrice 214 dopées de type P et trois régions semiconductrice 216 dopées de type N. Les connexions peuvent être réalisées par les pistes métalliques des niveaux de métallisation du dispositif 100 qui sont représentées de façon schématique par des traits et disques noirs sur les figures 8 et 9.
Dans le mode de réalisation illustré en , les régions semiconductrices 214 des première et deuxième tranchées de composant 202 sont connectées en parallèle et les régions semiconductrices 216 première et deuxième tranchées de composant 202 sont connectées en parallèle. Les région semiconductrice 214 sont connectées à la première borne N1 du composant 200 et les régions semiconductrices 216 sont connectées à la deuxième borne N2 du composant 200. Dans le cas où, en fonctionnement, les régions semiconductrices 214 sont destinées à être connectées à la source du potentiel de référence bas du dispositif 100, les régions semiconductrices 214 peuvent en outre être connectées à l'élément conducteur 222 des tranchées de protection 220 les plus proches des tranchées de composant 202.
Dans le mode de réalisation illustré en , les régions semiconductrices 214 et les régions semiconductrices 216 sont connectées en série. Ceci signifie que chaque région semiconductrice 214 est connectée électriquement en série à une région semiconductrice 214. Pour chaque tranchée de composant 202, à l'exception des régions semiconductrices 214 et 216 situées aux extrémités de la tranchée de composant 202 chaque région semiconductrice 214 de la tranchée de composant 202 est connectée en série à la région semiconductrice 216 la plus proche de la même tranchée de composant 202. La région semiconductrice 216 située à une première extrémité de la première tranchée de composant 202 est connectée en série à la région semiconductrice 214 située à une première extrémité de la deuxième tranchée de composant 202. La région semiconductrice 214 située à la deuxième extrémité de la première tranchée de composant 202 est connectée à la première borne N1 du composant 200 et la région semiconductrice 216 située à la deuxième extrémité de la deuxième tranchée de composant 202 est connectée à la deuxième borne N2 du composant 200. L'élément conducteur 222 des tranchées de protection 220 les plus proches des tranchées de composant 202 peut être connecté à la source du potentiel de référence bas du dispositif 100.
Les figures 10A à 10H sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif 100 des figures 2A à 2D.
- la première extrémité du système à bascule est articulée sur la ligne intermédiaire maître, et la seconde extrémité du système à bascule est articulée sur la ligne intermédiaire esclave,
- la première extrémité du système à bascule est engrenée sur la ligne intermédiaire maître, et la seconde extrémité du système à bascule est engrenée sur la ligne intermédiaire esclave,
- le système à bascule comprend un palonnier monobloc, ledit pivot étant situé à égale distance desdites première et seconde extrémités de ce palonnier,
- le palonnier comprend à chacune de ses extrémités une portion de couronne dentée qui est engrenée avec une portion rectiligne crantée de la ligne intermédiaire correspondante,
- chacune des lignes intermédiaires comprend deux surfaces cylindriques de guidage en rotation et en translation, qui sont alignées sur ledit axe,
- le second pignon de chacune des lignes intermédiaires est à denture hélicoïdale et coopère avec une denture hélicoïdale du pignon de sortie, et
- le réducteur comprend un carter dans lequel sont montées les lignes d’entrée, de sortie et intermédiaires, ainsi que le système à bascule, ce carter comportant des surfaces ou organes de guidage de ces lignes et du pivot intermédiaire du système à bascule.
La présente invention concerne également une turbomachine comportant un réducteur tel que décrit ci-dessus.
la est une vue très schématique d’un réducteur de vitesse à deux lignes intermédiaires de transmission, vu de côté,
la est une vue schématique d’un réducteur de vitesse à deux lignes intermédiaires de transmission, vu de dessus,
la est une vue schématique d’un réducteur de vitesse à deux lignes intermédiaires de transmission selon un mode de réalisation de l’invention, vu de dessus,
la est une vue similaire à celle de la et illustre une première position du réducteur lors d’une première phase de fonctionnement,
la est une vue similaire à celle de la et illustre une deuxième position du réducteur lors d’une deuxième phase de fonctionnement,
la est une vue schématique en perspective d’un réducteur de vitesse à deux lignes intermédiaires de transmission selon une variante de réalisation de l’invention, et
Autrement dit, la première ouverture 46 et la deuxième ouverture 48 sont disposées à proximité de la même face latérale 40du composant 12.
Avantageusement, comme illustré sur la , la première ouverture 46 et la deuxième ouverture 48 sont disposées à proximité de la première face latérale 40 du composant 12 située à proximité de l’un des bords longitudinaux 21 droite ou gauche du bas de caisse 20, respectivement du toit 19.
Une telle disposition des ouvertures (première ouverture 46 et deuxième ouverture 48) adjacentes à un bord longitudinal 21 offre l’avantage de permettre une entrée d’un volume d’air plus important que si les ouvertures étaient décalées vers le milieu de la caisse 18.
Avantageusement, une première grille 52 est disposée en travers de la première ouverture 46.
Avantageusement, une deuxième grille 53 est également disposée en travers de la deuxième ouverture 48.
Chaque grille (première grille 52 ou deuxième grille 53) est configurée pour permettre l’entrée d’air et la sortie d’air à travers l’ouverture correspondante (première ouverture 46 ou deuxième ouverture 48) tout en filtrant des impuretés, telles que des projections importantes de ballast et autres déchets de surface . De tels impuretés pourraient endommager le composant 12 et/ou boucher les ouvertures 46, 48 .
L’ensemble de déflecteur 50 est configuré de sorte à guider le flux d’air F1, F2 entrant par l’une de la première ouverture 46 et de la deuxième ouverture 48 et sortant par l’autre en le faisant passer à travers les canaux de refroidissement 44 du composant 12.
L’ensemble de déflecteurs 50 est ainsi configuré pour dévier horizontalement le flux d’air F1, F2.
Par exemple si le véhicule circule dans le premier sens S1 comme illustré sur la , le flux d’air F1 entre par la première ouverture 46 suivant la direction longitudinale L-L’ et orienté vers l’arrière dans le deuxième sens S2. L’ensemble de déflecteurs 50 dévie le flux d’air F1 pour le faire circuler suivant la direction transversale T-T’ à travers les canaux de refroidissement 44 du composant 12.
L’ensemble de déflecteurs 50 est également configuré pour dévier le flux d’air F1 sortant des canaux de refroidissement 44 suivant la direction transversale T-T’ de telle sorte que le flux d’air F1 puisse sortir par la deuxième ouverture 48, ici suivant la direction longitudinale L-L’.
L’ensemble de déflecteur 50 comprend par exemple un premier déflecteur 54 agencé pour dévier horizontalement un flux d’air F1, F2 entrant ou sortant par la première ouverture 46 et un deuxième déflecteur 56 agencé pour dévier horizontalement un flux d’air F1, F2 entrant ou sortant par la deuxième ouverture 48.
Comme illustré sur la , chacun du premier et du deuxième déflecteurs 54, 56 est par exemple coudé, en particulier en forme de quart de cercle, et s’étend entre la première face latérale 40 du composant 12 et l’ouverture correspondante parmi la première ouverture 46 et la deuxième ouverture 48, de telle sorte à dévier le flux d’air F1, F2 d’un angle de 90°.
Le premier déflecteur 54 et le deuxième déflecteur 56 forment chacun une écope pour récupérer le flux d’air F1, F2 généré du fait du déplacement du véhicule et le guider vers les canaux de refroidissement 44 du composant 12.
Dans le mode de réalisation de l’invention illustré sur la , l’ensemble de déflecteurs 50 est configuré de telle manière à, au cours du déplacement du véhicule 10 selon le premier sens S1, guider le flux d’air F1 à travers le composant 12 transversalement dans un premier sens transversal T1 en passant par un premier groupe 58 de canaux de refroidissement 44, puis dans un deuxième sens transversal T2 opposé en passant par un deuxième groupe 60 de canaux de refroidissement 44. Le premier groupe 58 et le deuxième groupe 60 sont distincts.
Plus particulièrement, la première ouverture 46 et la deuxième ouverture 48 étant disposées à proximité de la première face latérale 40 du composant 12, l’ensemble de déflecteurs 50 est configuré de telle manière à guider le flux d’air F1 à travers le composant 12 dans un premier sens transversal T1 allant de la première face latérale 40 à la deuxième face latérale 42 puis dans un deuxième sens transversal T2 opposé allant de la deuxième face latérale 42 à la première face latérale 40. Comme illustré sur la , de manière inverse, au cours du déplacement du véhicule 10 selon le deuxième sens S2, l’ensemble de déflecteurs 50 est configuré de telle manière à guider le flux d’air F2 à travers le composant 12 transversalement dans le deuxième sens transversal T2 en passant par le deuxième groupe 60 de canaux de refroidissement, puis dans le premier sens transversal T1 opposé en passant par le premier groupe 58 de canaux de refroidissement 44.
Le premier groupe 58 comprend le canal ou les canaux de refroidissement 44 le(s) plus proche(s) de la face avant 38 du composant 12 et le deuxième groupe 60 comprend le canal ou les canaux de refroidissement 44 le(s) plus proche(s) de la face arrière 36 du composant 12.
Dispositif de variation d’un taux de dilution d’un turboréacteur à aubes de longueur variable La présente invention concerne les turboréacteurs d’aéronefs.
La présente invention concerne plus particulièrement la soufflante d’un turboréacteur d’aéronef et notamment les paramètres des aubes de la soufflante pouvant influer sur le taux de dilution du turboréacteur.
Techniques antérieures Un turboréacteur est un système de propulsion comprenant généralement et de manière schématique une soufflante, un compresseur, une chambre de combustion et une turbine.
La soufflante comprend des aubes et accélère l’air en entrée du turboréacteur. La soufflante dirige une partie de l’air vers un flux primaire passant par le compresseur, la chambre de combustion puis la turbine, et une autre partie vers un flux secondaire qui est éjecté sans passer par le compresseur, la chambre de combustion et la turbine.
On a représenté sur la une vue schématique de l’entrée d’air d’un turboréacteur 1 comprenant un carter 2 et une soufflante 3 comprenant un anneau abradable 4, des aubes 5 et un cône 6. En sortie de la soufflante 3, l’air est scindé en un flux primaire 7 et un flux secondaire 8.
Le compresseur compresse l’air du flux primaire 7.
La chambre de combustion permet de mélanger l’air comprimé et du kérosène enflammé pour effectuer la combustion permettant la propulsion de l’aéronef.
La turbine détend le gaz mélangé pour récupérer de l’énergie et entrainer le compresseur, le flux d’air primaire 7 ressortant par une tuyère.
Le taux de dilution d’un turboréacteur est le rapport entre le flux 8 secondaire et le flux primaire 7. Lorsque le taux de dilution est élevé, la consommation de carburant est diminuée, ce qui permet de réduire l’impact environnemental du turboréacteur. Actuellement, des taux de dilution supérieurs à 10/1 existent et nécessitent une entrée d’air très large afin qu’un flux secondaire important soit créé dans le turboréacteur.
Cependant, une entrée d’air plus grande implique des problématiques aérodynamiques différentes et mène à une vitesse de rotation de la soufflante et de la turbine plus faible, ce qui impacte les performances du turboréacteur. Or, certaines phases de vol, notamment au décollage, nécessitent une pleine puissance du turboréacteur.
Les solutions existantes utilisent par exemple des réducteurs afin de garantir une rotation rapide de la turbine pendant que la soufflante tourne plus lentement.
La présente invention a donc pour but de pallier l’inconvénient précité en proposant une architecture de turboréacteur alternative pouvant proposer un taux de dilution variable.
La présente invention a pour objet un dispositif de variation d’un taux de dilution d’un turboréacteur comprenant une soufflante comprenant des aubes de longueur variable et un anneau abradable, les aubes comprenant chacune un pied et une extrémité mobile radialement, l’anneau abradable comprenant un élément de réglage du périmètre de l’anneau abradable de sorte que le diamètre de l’anneau abradable est variable.
Ainsi, le taux de dilution du turboréacteur est rendu variable par la possibilité d’agrandir l’arrivée d’air par l’augmentation du diamètre de l’anneau abradable et de la longueur des aubes. En particulier, le diamètre est réduit lors du décollage et élargi lors d’une phase de vol de croisière afin d’augmenter le taux de dilution.
Dans un mode de réalisation, l’anneau abradable comprend un anneau comprenant une fente radiale, l’élément de réglage comprenant un trapèze déplaçable radialement dans la fente de sorte que la largeur de la fente varie en fonction de la position de l’élément de réglage.
Dans un autre mode de réalisation, l’anneau abradable comprend un anneau comprenant une fente radiale et un logement interne apte à accueillir l’élément de réglage, l’élément de réglage comprenant un arceau apte à être déployé en dehors du logement interne de sorte que la largeur de la fente varie en fonction du déploiement de l’élément de réglage.
Préférentiellement, l’étape de mesure 103 d’une activité radiologique globale et l’étape de filtrage 102 d’effluents sont simultanées.
Dans des modes de réalisation, lors de l’étape de mesure 103 d’une activité radiologique globale, un débit de dose de la cartouche fonction de l’activité radiologique globale est également mesuré. On note qu’un débit de dose est une grandeur physique représentative d’une activité radiologique.
Lors de l’étape de mesure 104 d’une activité radiologique individuelle, telle qu’illustrée en , le deuxième capteur mesure l’activité radiologique individuelle d’une pluralité de radioéléments potentiellement présents dans la cartouche. On note, en figures 6 et 7, que le capteur de mesure d’une activité radiologique individuelle est présent dans le module de mesure, d’analyse et de communication 313 du dispositif 300.