INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A cet effet, l'invention propose un nouveau support destiné à la fixation d'un module télématique à un élément de structure d'un véhicule automobile, module télématique comprenant - un boîtier comprenant au moins un élément d’ancrage et au moins un élément d'assemblage, et - logés dans le boîtier, des moyens pour recevoir des signaux et au moins un composant électronique pour traiter lesdits signaux, support comprenant : - une face principale de forme générale adaptée à une face de dessous du boîtier, - au moins un élément d’ancrage s’étendant depuis un premier côté de la face principale du support et au moins un élément d'assemblage s’étendant depuis un deuxième côté de la face principale du support opposé au premier côté du support, l’élément d’ancrage du support étant configuré pour coopérer avec l’élément d’ancrage correspondant du boîtier pour engager le boîtier sur le support selon un mécanisme d’empiochage, et l’élément d'assemblage du support étant configuré pour coopérer avec l’élément d'assemblage correspondant du boîtier pour empêcher un mouvement de translation du boîtier par rapport au support selon une direction sensiblement parallèle à la face principale du support.
Comme dans D1, le support selon l'invention a une fonction mécanique d'assemblage uniquement, il n'intègre ainsi aucune fonction électrique ou électronique. L'assemblage entre le module télématique et le support est ainsi purement mécanique, plus simple donc qu'un assemblage combinant une partie mécanique et une partie électrique.
L’élément d’ancrage du support selon l’invention est configuré pour permettre l'assemblage du module télématique sur le support par un simple mouvement de rotation du module sur le support, au surplus un mouvement parfaitement guidé par empiochage du module dans l’élément d’ancrage du support ; le montage du module sur le support est ainsi différent de celui de D1 tout en étant au moins aussi simple à mettre en œuvre que celui de D1. L’élément d'assemblage du support selon la présente invention permet en complément d’empêcher un glissement du boîtier du module le long du support.
de telle sorte que le faisceau de lumière, émis par la source de lumière, se propage, à travers la portion d’illumination, entre la face proximale et la face distale, avant d’être réfléchi, par la face distale, vers la cavité.
Selon une possibilité, la face distale comporte une couche réfléchissante, formant le réflecteur.
Selon une possibilité, une couche anti-reflet est déposée sur la face proximale.
la face proximale s’étend perpendiculairement à un axe normal proximal ; l’axe d’illumination est incliné par rapport à l’axe normal proximal.
L’axe d’illumination peut être incliné par rapport à l’axe normal proximal, d’un angle d’inclinaison compris entre 50° et 60° ou compris entre 3° et 10°.
la face distale s’étend perpendiculairement à un axe normal distal; l’axe normal distal est sécant de l’axe normal proximal.
la tranchée s’étend jusqu’à un fond ; l’axe d’illumination est parallèle, ou sensiblement parallèle, au fond de la tranchée.
Selon un mode de réalisation, la face distale d’étend parallèlement, ou sensiblement parallèlement, à l’axe d’illumination.
le substrat comporte une tranchée auxiliaire, délimitée par la face supérieure; la face distale délimite la tranchée auxiliaire ; la portion d’illumination s’étend entre la tranchée et la tranchée auxiliaire.
La tranchée et la tranchée auxiliaire sont alors décalées l’une par rapport à l’autre selon l’axe d’illumination.
Selon une possibilité :
la cavité est délimitée par une face interne ; la face interne comporte une portion d’admission, destinée à une admission du faisceau de lumière se propageant vers la cavité à partir de la face distale ; la face interne comporte une couche réfléchissante , en dehors de la portion d’admission.
La portion d’admission peut correspondre à une intersection entre le faisceau de lumière et la face interne.
Le détecteur est de préférence disposé en contact fluidique avec la cavité, entre la face inférieure et la face supérieure.
La cavité peut être reliée à au moins un canal fluidique, s’étendant à travers le substrat, pour permettre le remplissage de la cavité par le gaz, et/ou l’évacuation du gaz.
De préférence, la source de lumière émet dans une bande spectrale d’émission, dans le domaine infra-rouge, le substrat étant formé d’un matériau présentant une transmittance dans la bande spectrale d’émission, telle qu’au moins 10% de la puissance lumineuse du faisceau de lumière, émis par la source, atteint la cavité après s’être propagée de la face proximale vers la face distale puis de la face distale vers la cavité.
Un autre objet de l’invention est un procédé d’analyse d’un gaz à l’aide d’un dispositif selon le premier objet de l’invention, le procédé comportant :
admission du gaz dans la cavité ; activation de la source de lumière, de telle sorte que la source de lumière émet un faisceau de lumière périodiquement modulé en amplitude ; détection, par le détecteur, d’une variation périodique d’une pression, générée dans la cavité par effet photoacoustique ;
le procédé étant tel que le faisceau de lumière, émis par la source de lumière, se propage, à travers le substrat :
de la face proximale vers la face distale de la portion d’illumination ; puis de la face distale vers la cavité.
FIGURES La est une vue en coupe d’un premier exemple de dispositif, dans un plan transversal P ZX , parallèle à un axe transversal Z et à un axe longitudinal X.
La est une vue de dessus du dispositif schématisé sur la , parallèlement à un plan P YX , perpendiculaire à l’axe transversal Z.
La est une vue de détail d’une portion du substrat, dite portion d’illumination, à travers laquelle la lumière émise par la source se propage. La est une vue en coupe selon le plan transversal P ZX .
La est une vue en coupe de la cavité, selon le plan transversal P ZX .
La est une vue en coupe, selon le plan transversal P ZX , de la portion d’illumination.
Les figures 2A et 2B représentent les indices optiques réels (courbes a) et imaginaires (courbes b) du silicium monocristallin et du nitrure de silicium respectivement.
Le fait que les valeurs des résistances R1, R2, (1-k x )R x , k x R x , (1-k y )R y et k y R y vérifient les conditions (3.1), (4.1), (5) et (6) permet de déterminer simplement un jeu de valeurs pour ces résistances qui permet d'obtenir les valeurs cibles C 1c et C 2c malgré les écarts dα et dR/R 60N .
Le fait que les valeurs de ces résistances R1 x , R2 y , R x et R y sont en plus proches de leurs limites supérieures permet d'éviter l'obtention de très petites valeurs pour ces résistances. Cela simplifie la réalisation de ces résistances.
Le fait d’utiliser des résistances précises pour la réalisation de ces résistances permet d’obtenir des coefficients C 1 et C 2 qui s’écartent d’au maximum 1 % ou 2% des valeurs cibles C 1c et C 2c .
Procédé de passivation L’invention se rapporte au domaine technique de la passivation de surfaces d’un substrat à base de silicium cristallin.
L’invention trouve notamment son application dans la fabrication de cellules photovoltaïques, et en particulier de cellules photovoltaïques à base de silicium. La passivation des surfaces est un enjeu majeur du secteur photovoltaïque. Elle permet de limiter les recombinaisons entre les porteurs minoritaires et majoritaires, et donc d’augmenter le nombre de porteurs collectés, ce qui se traduit par une amélioration significative de l’efficacité.
État de l’art Une cellule photovoltaïque connue de l’état de la technique comporte : - un substrat à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second films d’oxyde, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; - des première et seconde couches de polysilicium, formées respectivement sur les premier et second films d’oxyde, et comprenant respectivement des atomes de phosphore et des atomes de bore.
L’empilement « couche de polysilicium sur film d’oxyde » permet d’obtenir une bonne passivation des surfaces du substrat. En effet, les films d’oxyde permettent de combler les liaisons pendantes aux surfaces du substrat, ce qui permet d’obtenir une passivation chimique des surfaces. Les films d’oxyde assurent également un rôle de barrière contre la diffusion des atomes de phosphore et des atomes de bore de la couche de polysilicium correspondante vers le substrat. Les films d’oxyde permettent donc de conserver un dopage suffisant des couches de polysilicium en atomes de phosphore et de bore afin d’obtenir un contact électrique de bonne qualité.
Cependant, la passivation des surfaces du substrat requiert une activation électrique des atomes de phosphore et des atomes de bore. Or, la température d’activation électrique optimale des atomes de bore est strictement supérieure à la température d’activation électrique des atomes de phosphore. A titre d'exemple illustratif, la température d’activation électrique optimale des atomes de bore peut être de l’ordre de 950°C, et la température d’activation électrique des atomes de phosphore peut être de l’ordre de 875°C lorsque les couches de polysilicium présentent une épaisseur de 15 nm, les films d’oxyde présentent une épaisseur de 1,5 nm et les atomes de bore/phosphore sont implantés par une technique d’implantation ionique par immersion plasma. L’application d’un traitement thermique à une température supérieure ou égale à la température d’activation électrique des atomes de bore peut conduire alors à une diffusion excessive des atomes de phosphore hors de la couche de polysilicium, pouvant entraîner une dégradation importante des performances de la cellule photovoltaïque.
Une solution pourrait consister à appliquer deux traitements thermiques successifs pour activer électriquement séparément les atomes de phosphore et les atomes de bore de manière optimale. Cette solution n’est pas satisfaisante d’un point de vue industriel en raison d’une augmentation significative du temps d’opération.
L’homme du métier recherche donc l’application d’un unique traitement thermique pour activer électriquement les atomes de bore et les atomes de phosphore simultanément, tout en évitant une diffusion excessive des atomes de phosphore dégradant les performances de la cellule photovoltaïque.
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de passivation, comportant les étapes successives : a) prévoir une structure comportant : - un substrat à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second films d’oxyde, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; b) appliquer un rayonnement ultraviolet à la structure, sous une atmosphère d’ozone, de sorte que le premier film d’oxyde présente : - une épaisseur strictement supérieure à celle du second film d’oxyde, et/ou - une composition plus proche du composé stœchiométrique ; c) former des première et seconde couches de polysilicium, respectivement sur les premier et second films d’oxyde, et comprenant respectivement des atomes de phosphore et des atomes de bore possédant respectivement des première et seconde températures d’activation électrique, la seconde température d’activation électrique étant strictement supérieure à la première température d’activation électrique ; d) appliquer un traitement thermique à l’ensemble comportant la structure et les première et seconde couches de polysilicium, le traitement thermique étant appliqué à une température supérieure ou égale à la seconde température d’activation électrique de manière à activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore de façon concomitante.
Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet, grâce à l’étape b), d’activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore simultanément lors de l’étape d), tout en empêchant une diffusion excessive des atomes de phosphore hors de la première couche de polysilicium lors de l’étape d). En effet, le traitement UV-ozone appliqué lors de l’état b) permet, en augmentant l’épaisseur et/ou en modifiant la composition (plus proche d’une composition stœchiométrique par rapport à la composition de l’étape a)) du premier film d’oxyde, d’améliorer le blocage de la diffusion des atomes de phosphore de la première couche de polysilicium vers le substrat lors de l’étape d). En effet, l’augmentation de l’épaisseur et/ou la modification de la composition du premier film d’oxyde (grâce à une composition plus proche du composé stœchiométrique, voire tendant vers le composé stœchiométrique) améliorent sa qualité de barrière de diffusion pour les atomes de phosphore, cette barrière de diffusion pouvant alors résister à une température supérieure ou égale à la température d’activation électrique des atomes de bore.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) comporte les étapes : a 1 ) prévoir un substrat à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; a 2 ) traiter chimiquement les première et seconde surfaces du substrat à l’aide d’un agent oxydant de manière à former les premier et second films d’oxyde.
Ainsi, un avantage procuré est de profiter d’un traitement chimique (par exemple pour un nettoyage des première et seconde surfaces) pour former les premier et second films d’oxyde.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) comporte les étapes : a 1 ’ ) prévoir un substrat à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; a 2 ’ ) traiter thermiquement les première et seconde surfaces du substrat de manière à former les premier et second films d’oxyde de type oxyde thermique.
Selon une possibilité, le procédé comprend les étapes suivantes : a- échange thermique entre le premier fluide caloporteur et la source chaude 2 dans le premier échangeur thermique 12, de sorte que le fluide caloporteur ressorte à une température de sortie supérieure à sa température en entrée d'échangeur 12, b- circulation du premier fluide caloporteur dans le premier circuit fluidique 13, c- entrée du premier fluide caloporteur à une première température dans le premier volume de stockage 11, d- sortie du premier fluide caloporteur hors du premier volume de stockage 11 à une deuxième température inférieure à la première température, e - circulation du premier fluide caloporteur dans le premier circuit fluidique, f- entrée du premier fluide caloporteur à une température d'entrée dans le premier échangeur thermique 12, puis à nouveau l'étape a et suivantes.
Avantageusement en simultanée, le procédé comprend le transfert d'énergie thermique du premier volume de stockage 11 vers le deuxième volume de stockage 21. Préférentiellement par un troisième échangeur thermique 1 par exemple par conduction.
Avantageusement, le procédé comprend les étapes suivantes : 1- Échange thermique entre le deuxième fluide caloporteur et la source à chauffer 3 dans le deuxième échangeur thermique 22, de sorte que le fluide caloporteur ressorte à une température de sortie inférieure à sa température en entrée d'échangeur 22, 2- circulation du deuxième fluide caloporteur dans le deuxième circuit fluidique 23, 3-entrée du deuxième fluide caloporteur à une première température dans le deuxième volume de stockage 21, 4- sortie du deuxième fluide caloporteur hors du deuxième volume de stockage 21 à une deuxième température supérieure à la première température, 4-circulation du deuxième fluide caloporteur dans le deuxième circuit fluidique 23, 6- entrée du deuxième fluide caloporteur à une température d'entrée dans le deuxième échangeur thermique 22, puis à nouveau l'étape 1 et suivantes.
Préférentiellement, les étapes a à f et les étapes 1 à 6 se déroulent simultanément ainsi que l'étape de transfert entre les volumes de stockage 11, 21.
Selon une possibilité, le procédé comprend : c'- échange d'énergie thermique avec le premier module de stockage 14. Selon un premier mode de réalisation, cette étape c' est réalisée après l'étape c et avant l'étape d, le premier module de stockage 14 étant agencé dans le premier volume de stockage 11. Selon un deuxième de réalisation, cette étape c' est réalisée avant l'étape c et après l'étape b, le premier module de stockage 14 étant agencé en amont du premier volume de stockage 11.
Selon une possibilité, le procédé comprend : 3'- échange d'énergie thermique avec le deuxième module de stockage 24. Selon un premier mode de réalisation, cette étape 3' est réalisée après l'étape 3 et avant l'étape 4, le deuxième module de stockage 24 étant agencé dans le deuxième volume de stockage 21. Selon un deuxième de réalisation, cette étape 3' est réalisée avant l'étape 3 et après l'étape 2, le deuxième module de stockage 24 étant agencé en amont du deuxième volume de stockage 21.
L'invention concerne également l'utilisation d'un système tel que décrit ci-dessus pour le stockage à très hautes températures par exemple de l'ordre de 500 à 850°C.
Liste des références 1. Troisième échangeur thermique 2. Source chaude 3. Sortie d'énergie thermique 4. Vanne 5. Vanne 6. Vanne 7. Vanne 8. Vanne 9. Vanne 10. Premier ensemble de stockage 11. Premier volume de stockage 12. Premier échangeur thermique 13. Premier circuit fluidique 14. Premier module de stockage 15. Entrée de fluide caloporteur 16. Sortie de fluide caloporteur 17. Échangeur thermique 111. Partie supérieure du premier volume 112. Partie inférieure du premier volume 131. Connexion fluidique entre la sortie du premier volume et le premier échangeur 132. Connexion fluidique entre la sortie du premier échangeur et l'entrée du premier volume 133. Connexion fluidique entre la sortie du premier échangeur et une vanne 4 134. Connexion fluidique entre la vanne 4 et le premier module de stockage 14 135. Connexion fluidique entre le premier module de stockage et l'entrée du premier volume 136. Connexion fluidique entre la vanne 4 et le premier module de stockage 137. Connexion fluidique entre le premier module de stockage et l'entrée du premier volume 171. Première connectique 172. Deuxième connectique 20. Deuxième ensemble de stockage 21. Deuxième volume de stockage 22. Deuxième échangeur thermique 23. Deuxième circuit fluidique 24. Deuxième module de stockage 25. Entrée de fluide caloporteur 26. Sortie de fluide caloporteur 27. Échangeur thermique. 211. Partie supérieure du Deuxième volume 212. Partie inférieure du Deuxième volume 231. Connexion fluidique entre la sortie du Deuxième volume et le Deuxième échangeur 232. Connexion fluidique entre la sortie du Deuxième échangeur et l'entrée du Deuxième volume 233. Connexion fluidique entre la sortie du Deuxième échangeur et une vanne 7 234. Connexion fluidique entre la vanne 7 et le Deuxième module de stockage 24 235. Connexion fluidique entre le Deuxième module de stockage et l'entrée du Deuxième volume 236. Connexion fluidique entre la vanne 7 et le Deuxième module de stockage 237. Connexion fluidique entre le Deuxième module de stockage et l'entrée du Deuxième volume 271. Première connectique 272. Deuxième connectique
SYSTEME DE GESTION THERMIQUE L'invention concerne un échangeur de chaleur d’un système de gestion thermique d’éléments électriques et/ou électroniques à l'aide d'un fluide diélectrique. L’invention est en particulier destinée à équiper des véhicules automobiles, en particulier des véhicules automobiles à motorisation électrique ou hybride. Les éléments électriques et/ou électroniques sont par exemple des cellules de batteries, ou de l’électronique de puissance, destiné à des véhicules électriques. La part de marché des véhicules électriques étant de plus en plus importante, les problématiques de refroidissement/chauffage des packs batterie qui les équipent deviennent des enjeux stratégiques. Les éléments électriques et/ou électroniques pourraient également être, par exemple, des dispositifs de stockage d’énergie électrique, des serveurs informatiques ou de l’électronique de puissance.
L'objectif est de concevoir un système de gestion thermique d’éléments électriques et/ou électroniques le plus performant, efficace et économique possible. Souvent, pour répondre au besoin de refroidissement/chauffage d’éléments électriques et/ou électroniques, sont utilisés des échangeurs de chaleur consistant en une plaque froide avec circulation d'un liquide de refroidissement, la plaque étant au contact des éléments à refroidir.
Ce genre de techniques conduit à un refroidissement non homogène, ce qui a pour conséquence de limiter la durée de vie et la performance des composants. Ces dispositifs présentent en outre une résistance thermique élevée en raison des épaisseurs de matière présentes entre le liquide de refroidissement et les éléments à refroidir, ainsi que des résistances thermiques, dites résistances de contact, entre les différents composants.
Une solution proposée pour répondre à cette problématique consiste en une immersion des éléments électriques et/ou électroniques dans un fluide caloporteur diélectrique. Cette immersion peut être réalisée avec une circulation fluide ou en condition statique avec changement de phase.
Dans les deux cas, le dispositif comprend un système de gestion thermique pour maintenir en température le fluide diélectrique. Dans le cas de la seconde technique, plus performante en raison du brassage du fluide, le fluide diélectrique circule au moyen d’une pompe au travers d’un échangeur de chaleur.
L’échangeur de chaleur en question est généralement un échangeur à plaques, à la fois compact et performant, mais source d’importantes pertes de charge. Or, la pompe de circulation est consommatrice d’énergie électrique, consommation directement liée aux pertes de charges générées par l’échangeur de chaleur.
Les pertes de charge générées par l’échangeur à plaques peuvent être divisées en pertes de charges singulières, liées aux singularités, en particulier au niveau des collecteurs de distribution, et régulières, au niveau des conduits formés par chaque couple de plaques. Or, si les pertes de charges régulières sont “utiles”, car liées aux perturbations de l’écoulement indispensables aux excellentes performances thermiques de l’échangeur, les pertes de charge singulières ne sont que contraintes, liées à la géométrie de l’échangeur. De plus, les collecteurs génèrent des hétérogénéités de distribution du fluide dans l’échangeur. Ces hétérogénéités impactent les performances thermiques de l’échangeur.
Dispositif d'assistance à l’aiguillage pour la pose d’une fibre optique dans une structure Domaine de l’invention Le domaine de l'invention est celui du câblage électrique ou optique, et plus particulièrement celui du déploiement de la fibre optique.
Art antérieur Des câbles de branchement pour l'électricité, la télévision, le téléphone, ou l'Internet, que ce soit des branchements électriques ou optiques, sont utilisés à grande échelle, par exemple pour former des réseaux auxquels sont raccordés des locaux, domestiques ou d'entreprise.
Pour déployer ces réseaux de câbles, on utilise depuis de nombreuses années des conduites enterrées. Ces conduites enterrées sont reliées entre elles par des regards enterrés espacés qui émergent généralement à la surface des routes ou des trottoirs afin de faciliter le déploiement des câbles et les opérations de maintenance des réseaux, par exemple.
Par ailleurs, des locaux, domestique ou d'entreprise, peuvent être raccordé à ces réseaux enterrés. Il existe donc des conduites de raccordement qui relient les conduites enterrées à ces locaux et qui émergent par exemple au pied des façades de ces locaux.
En outre, une fois les locaux raccordés à ces réseaux, des câbles formant le réseau interne des locaux sont généralement dissimulés, pour des raisons esthétiques par exemple, dans des fourreaux à l'intérieur des cloisons.
De manière générale, les conduites enterrées, les conduites de raccordement et les fourreaux, ci-après regroupés sous le terme général de structure, peuvent être pré-équipés soit d'un câble, soit d'une ficelle/filin de tirage destinée à être retirée depuis une extrémité de la structure, un câble étant attaché à l'autre extrémité et étant inséré dans la structure par traction.