INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
où P3 kl,m est la valeur courante du poids liant le nœud NC2 k de la deuxième couche cachée CC2 au nœud NS l,m de la couche de sortie CS, LR est une constante égale à 0.01 représentatif d’un taux d’apprentissage (en anglais « learning rate »), et EP l,m est la différence EP entre le score de prédiction et la valeur attendue du nœud NS l,m de la couche de sortie CS.
Afin de calculer les poids P2 liants les nœuds NC2 de la deuxième couche cachée CC2 aux nœuds NC1 de la première couche cachée CC1, la contribution totale de chaque nœud NC2 de la deuxième couche cachée CC2 aux erreurs associées aux nœuds NS de la couche de sortie CS est calculée.
La contribution totale CT2 k du nœud NC2 k aux erreurs associées aux nœuds NS de la couche de sortie CS est typiquement calculée au moyen de la formule suivante :
où ct2 kl,m est la contribution du nœud NC2 k de la deuxième couche cachée CC2 à l’erreur associée au nœud NS l,m de la couche de sortie CS, typiquement calculé selon la formule suivante :
où P3 kl,m est le poids P3 liant le nœud NC2 k de la deuxième couche cachée CC2 au nœud NS l,m de la couche de sortie CS et EP l,m est la différence EP entre le score de prédiction et la valeur attendue du nœud NS l,m de la couche de sortie CS.
La formule suivante pour calculer la nouvelle valeur du poids P2 jk +1 liant le nœud NC1 j de la première couche cachée CC1 au nœud NC2 k de la deuxième couche cachée CC2 peut alors être utilisée :
où P2 jk est la valeur courante du liant le nœud NC1 j de la première couche cachée CC1 au nœud NC2 k de la deuxième couche cachée CC2, LR est une constante correspondant à un taux d’apprentissage égale à 0.01, et CT2 k est la contribution totale du nœud NC2 k aux erreurs associées aux nœuds NS de la couche de sortie.
Les poids P1 liants les nœuds NC1 de la première couche cachée CC1 aux nœuds NE de la couche d’entrée CE sont calculés de la même manière que les poids P2 liants les nœuds NC2 de la deuxième couche cachée CC2 aux nœuds NC1 de la première couche cachée CC1.
L’entraînement primaire utilise ainsi typiquement un apprentissage multitâche avec un réseau de neurones RN délivrant un score de prédiction pour chaque valeur de chaque propriété et l’utilisation de la méthode de rétropropagation du gradient.
La mise en œuvre des étapes d’obtention S311 d’obtention du premier sous-ensemble du premier ensemble de données d’entraînement primaire EDEP1 E , d’application S330 et de modification S340 correspondent à une itération de l’entraînement primaire du réseau de neurones NR artificiels. Ces étapes d’obtention S311, d’application S330 et de modification S340 sont typiquement réitérées une ou plusieurs fois, chaque itération de ces étapes S330 et S340 utilisant le réseau de neurones RN comprenant les poids modifiés à l’étape S340 de modification de l’itération précédente.
Au cours de cet entraînement primaire, le réseau de neurones NR est entraîné dans le but que pour chaque propriété, il associe un score de prédiction associé à la valeur cible de la propriété (du premier ensemble de valeurs cibles de propriétés) supérieur au score de prédiction des autres valeurs de la même propriété.
Au cours de cet entraînement primaire, les étapes d’obtention S311 d’obtention d’un premier sous-ensemble du premier ensemble de données d’entraînement primaire EDEP1 E , d’application S330 de ces données d’entraînement primaire et de modification S340 d’au moins un poids peuvent être réitérées une ou plusieurs fois pour le premier usage numérique cible UNC1. Plusieurs traces réseau peuvent ainsi être obtenues pour le premier usage numérique cible UNC1 puis être utilisées pour entraîner le réseau de neurones NR artificiels.
De plus, au cours de cet entraînement primaire, les étapes d’obtention S311 d’un premier sous-ensemble de données d’entraînement primaire EDEP1 E , d’application S330 de ces données d’entraînement et de modification S340 d’au moins un poids peuvent être réitérées une ou plusieurs fois pour chaque usage numérique de l’ensemble d’usages numériques, le premier module d’obtention 110 obtenant alors un nième sous-ensemble de données d’entraînement primaires EDEPn E qui est appliqué par le premier module d’application 120 à l’entrée CE du réseau de neurones RN artificiels, et le module de modification 130 modifiant un ou plusieurs poids du réseau de neurones RN en fonction du nième ensemble de valeurs cibles de propriétés correspondant au nième usage numérique et des scores de prédictions obtenus à cette itération de l’étape S330.
Lorsqu’une ou plusieurs traces réseau associées à un usage numérique pour lequel la propriété d’état d’interaction indique que l’utilisateur n’interagit pas sont obtenues à une ou plusieurs itérations de l’étape S314, chaque trace réseau peut aussi être utilisée dans une nouvelle itération des étapes d’application S330 et de modification S340.
La représente la structure obtenue après une étape de fixation de la plaque de pixels d'affichage 130 à une poignée 134 du côté de la plaque optoélectronique 120.
La représente la structure obtenue après une étape d'amincissement de la plaque logique 122, une étape de formation de TSV 37 au travers de la plaque logique 122 amincie, et la formation de plots conducteurs 36, du côté de la face inférieure de la plaque de pixels d'affichage 130, connectés électriquement aux TSV 37.
La représente la structure obtenue après une étape de découpe de la plaque de pixels d'affichage 130 pour séparer les groupes de pixels 26. Cette étape peut être réalisée par sciage. Chaque groupe de pixels 26 ainsi délimité comprend un circuit global d'affichage 32 comprenant les diodes électroluminescentes LED d'au moins deux pixels d'affichage, de préférence de quatre pixels d'affichage, et un circuit global 30 de commande des diodes électroluminescentes des pixels d'affichage du groupe de pixels 26.
La représente la structure obtenue après une étape de transfert d'au moins un groupe de pixels 26 de la poignée 134 vers une poignée 136, le groupe de pixels 26 étant fixé à la poignée 136 du côté du circuit global d'affichage 32. Selon un mode de réalisation, cette étape de transfert peut comprendre un premier transfert du groupe de pixels 26 de la poignée 134 vers une poignée intermédiaire, non représentée, le groupe de pixels 26 étant fixé à la poignée intermédiaire du côté du circuit global de commande 30 et le transfert du groupe de pixels 26 de la poignée intermédiaire vers la poignée 136.
La représente la structure obtenue après une étape de formation d'une couche diélectrique sur la poignée 136 et sur le bloc de pixels d'affichage, une étape de planarisation pour exposer le circuit global de commande 30 du groupe de pixels 26 et délimiter ainsi la gaine 40 entourant le groupe de pixels 26, et une étape de formation des pistes 48 et des plots de contact 50, les piste 48 s'étendant sur le circuit global de commande 30 du groupe de pixels 26 et sur la gaine 40, les plots de contact 50 reposant sur la gaine 40. L'étape de planarisation peut comprendre une étape de CMP. Le bloc de pixels 28 est alors partiellement formé. Pour chaque bloc de pixels 28, le groupe de pixels 26 du bloc de pixels 28 comprend les diodes électroluminescentes associées à plusieurs pixels d'affichage qui sont commandés par le même circuit de global de commande 30. Ceci permet de façon avantageuse de réduire le nombre de plots conducteurs 36 nécessaire pour l'alimentation/la commande de ces pixels d'affichage. Le nombre réduit de plots conducteurs 36 par pixels d'affichage, et la formation des plots de contact 50 permet d'augmenter l'écart entre les plots de contact 50. Ceci facilite la pose ultérieure, décrite par la suite, des blocs de pixels 28 sur une dalle, en diminuant les contraintes quant à la précision du positionnement des blocs de pixels 28 au moment du transfert sur la dalle.
La représente la structure obtenue après une étape de transfert du bloc de pixels 28 partiellement formé de la poignée 136 vers une autre poignée 137 du côté du circuit global de commande 30 du groupe de pixels 26, par exemple par l'intermédiaire d'une couche de colle 138.
La représente la structure obtenue après une étape de formation d'une couche diffusante 139 sur la gaine 40 et le groupe de pixels 26. Selon un mode de réalisation, la formation de la couche diffusante 139 comprend la formation sur la face émissive du bloc de pixels d'affichage d'une couche d'un matériau diffusant. Selon un mode de réalisation, la formation de la couche diffusante comprend la formation sur la face émissive du bloc de pixels d'affichage d'une couche d'un matériau transparent et la formation d'une texturation sur la surface de la couche.
La représente la structure obtenue après la formation des deuxièmes éléments de séparation 56 dans la couche diffusante 139 pour obtenir les structures diffusantes 52. Les deuxièmes éléments de séparation 56 sont formés de façon alignée avec les premiers éléments de séparation 55 du groupe de pixels 26, et, lorsqu'ils sont présents, avec les troisièmes éléments de séparation présents dans la gaine 40. Selon un mode de réalisation, la formation des premiers éléments de séparation 56 comprend la formation de tranchées dans la structure diffusante 52. Selon un autre mode de réalisation, la formation des deuxièmes éléments de séparation 56 comprend la formation, dans la structure diffusante 52, de murs réfléchissants sur la totalité de l'épaisseur la structure diffusante 52. L'alignement des deuxièmes éléments de séparation 56 avec les premiers éléments de séparation 55 est, de façon avantageuse, plus facile et précis à réaliser par la formation des deuxièmes éléments de séparation 56 dans la structure diffusante 52 reposant sur le groupe de pixels 26 et la gaine 40 par rapport au cas où il serait obtenu en déposant le groupe de pixel 26, contenant les premiers éléments de séparation 55, sur la structure diffusante 52 contenant les deuxièmes éléments de séparation 56. Le bloc de pixels 28 est alors obtenu.
La représente la structure obtenue après une étape de transfert de blocs de pixels 28 sur une dalle 140 d'écran d'affichage. La dalle 140 peut comprendre un support 142 sur lequel s'étendent des pistes conductrices 144. Chaque plot de contact 50 de chaque bloc de pixels 28 est au contact de l'une des pistes conductrices 144. Le transfert peut être effectué par blocs de pixels 28 individuels ou par groupes de blocs de pixels 28. L’agrandissement et l’écartement respectif des plots de contact 50 par rapport aux plots conducteurs 36 permet, de façon avantageuse, de diminuer les contraintes de précision et permet un positionnement plus rapide et moins onéreux des blocs de pixels 28 sur la dalle 140.
Des essais ont été réalisés comprenant l'affichage de l'image de la sur différents écrans d'affichage. Pour ces essais, les groupes de pixels comprennent chacun quatre pixels d'affichage. Les figures 28, 29, 30, 31, et 32 ont été obtenues par simulations.
Les figures 28 et 29 représentent chacune l'image telle qu'elle apparaît à un observateur lorsque l'écran d'affichage a la structure représentée en , la surface occupée par les groupes de pixels en vue de dessus correspondant à 1 % de la surface de l'écran d'affichage en et à 1 % de la surface de l'écran d'affichage en . Les pixels d'image des quatre pixels d'affichage d'un même groupe sont difficilement distinguables par un observateur.
Les figures 30, 31, et 32 représentent chacune l'image telle qu'elle apparaît à un observateur lorsque l'écran d'affichage a la structure représentée en , la surface occupée par les blocs de pixels en vue de dessus correspondant à 100 % de la surface de l'écran d'affichage en , à 80 % de la surface de l'écran d'affichage en , et à 64 % de la surface de l'écran d'affichage en . Les pixels d'image des quatre pixels d'affichage d'un même groupe sont distinguables par un observateur.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, dans les modes de réalisation décrits précédemment, le groupe de pixels 26 du bloc de pixels 28 comprend plusieurs pixels d'affichage Pix. Toutefois, il est clair que le groupe de pixels 26 peut correspondre à un circuit optoélectronique comprenant un seul pixel d'affichage. En outre, dans les modes de réalisation décrits précédemment, le bloc de pixels 28 comprend des structures diffusantes 52. Toutefois, il est clair que les structures diffusantes 52 peuvent ne pas être présentes. De plus, la structure diffusante peut comprendre une partie formant un guide d'ondes tel que représenté sur les figures 10 à 13 et une partie en un matériau diffusant. En outre bien que dans les modes de réalisation décrits précédemment le groupe de pixels 26 comprenne deux puces fixées l'une à l'autre, il est clair que le groupe de pixels peut comprendre une puce unique, le circuit global de commande des diodes électroluminescents étant réalisé de façon intégrée avec les diodes électroluminescentes ou n'étant pas intégré au groupe de pixels. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.
Structure d’intégration destinée à connecter une pluralité de dispositifs semi-conducteurs, procédés, assemblage et système associés DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des micro et nano systèmes et de leur assemblage dans le cadre de l’informatique quantique.
La présente invention concerne une structure d’intégration destinée à accueillir des puces de contrôle et des puces fonctionnelles et en particulier une structure d’intégration comprenant un routage bifonctionnel : thermique et électrique.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour les applications relatives à l’informatique quantique, les micro ou nano systèmes fonctionnent généralement à des très basses températures (de l’ordre de quelques Kelvin (K) voire quelques mK) qui sont obtenues grâce à des cryostats à dilution. La gestion thermique des éléments qui composent ces systèmes ou bien encore leur packaging diffère complétement de ce qui se fait à température ambiante, c’est-à-dire aux alentours de 300 K. En effet, la contribution des phonons à la conduction thermique s’atténuant en T 3 où T est la température considérée, la thermalisation à ces très basses températures se fait majoritairement par la conductivité thermique électronique. De manière générale, les structures d’intégration de l’état de la technique ne tirent pas avantage de cette particularité afin d’isoler thermiquement les différents éléments d’un assemblage.
Selon un mode de réalisation, le moyen de tension de la chaîne de liaison est situé au niveau de la deuxième extrémité de la chaîne de guidage comprend au moins un rouleau commandé par un moteur.
Selon un mode de réalisation, la tête d’inspection comprend une portion saillante d’un côté arrière de la tête d’inspection configurée pour coopérer par emmanchement avec une bouche de maintien portée par la deuxième extrémité de la chaîne de guidage.
Selon un mode de réalisation, la chaîne de guidage comprend une succession de maillons articulés entre eux, la chaîne de guidage étant de préférence configurée pour être autoportante lorsqu’elle est dressée verticalement.
Selon un mode de réalisation, les enrouleurs des chaînes de guidage et de liaison sont configurés de sorte que des portions de sortie desdites chaînes de guidage et de liaison en sortie des enrouleurs sont orientées verticalement.
Selon un mode de réalisation, les enrouleurs des chaînes de guidage et de liaison sont intégrés à un bloc enrouleur mobile de manière amovible, et de préférence réversible, à un bloc support de l’instrument d’inspection. De préférence encore le bloc support présente la forme d’un chariot configuré pour rouler sur un chemin de guidage. Dans un mode de réalisation l’instrument d’inspection comprend un chariot moteur configuré pour venir s’accoupler avec le chariot bloc support sur lequel repose le bloc enrouleur.
Selon un autre aspect de l’invention, celle-ci a trait à une installation d’inspection caractérisée en ce qu’elle comprend un instrument d’inspection tel que décrit ci-avant.
brÈve description des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description qui suit, en référence aux figures annexées, qui illustrent : : une vue d’un tronçon d’une installation d’inspection dans un couloir de stockage de colis contenant des déchets radioactifs ou des éléments contaminés et comportant un instrument d’inspection selon un mode de réalisation ; : une vue d’un instrument d’inspection selon ce mode de réalisation ; : un détail de la ; : une vue de côté d’un bloc enrouleur de l’instrument d’inspection selon ce mode de réalisation ; : une vue en coupe A-A de la ; : une vue en coupe B-B de la ; : une vue de côté d’un chariot formant bloc support selon un mode de réalisation représenté sans bloc enrouleur ; : une vue en perspective isométrique de l’instrument d’inspection dans une position repliée d’un bloc enrouleur par rapport au bloc support selon ce mode de réalisation ; : une vue en perspective isométrique de l’instrument d’inspection dans une position avancée d’un bloc enrouleur par rapport à un bloc support selon ce mode de réalisation ; : une vue en perspective isométrique de l’instrument d’inspection dans une position déployée d’une chaîne de guidage vers le bas selon ce mode de réalisation ; : une vue en perspective isométrique de l’instrument d’inspection dans une position déployée de la chaîne de guidage vers le haut selon ce mode de réalisation ; : une vue en perspective isométrique d’un moyen de tension dans une chaine de guidage d’un ombilic de l’instrument d’inspection selon ce mode de réalisation ; : une vue en perspective isométrique d’une tête d’inspection de l’instrument d’inspection selon ce mode de réalisation ; : une vue de dessus d’une portion du couloir de stockage dans lequel sont stockés des colis contenant des déchets radioactifs ou des éléments contaminés et comportant un instrument d’inspection dans une position déployée de la tête d’inspection selon ce mode de réalisation ; : un détail de la ; : une vue en coupe de l’installation d’inspection dans le couloir de stockage dans lequel sont stockés des colis contenant des déchets radioactifs ou des éléments contaminés dans une position déployée de la chaîne de guidage selon ce mode de réalisation ; : un détail de la ; : une vue en coupe similaire à la , dans une position déployée de la chaîne de guidage et d’une chaîne de liaison selon ce mode de réalisation ; : un détail de la ; : une vue de côté de la tête d’inspection dans une position circulant sur une surface extérieure d’un colis selon ce mode de réalisation ; : une vue de côté de la tête d’inspection articulée pour s’insérer dans un espace inter-colis vertical selon ce mode de réalisation ; : une vue d’une extrémité de la chaîne de guidage dans une position déployée selon ce mode de réalisation ; : une vue en coupe similaire à la , dans laquelle les colis ne remplissent pas tout l’espace intérieur du couloir et dans une position déployée de la chaîne de guidage et d’une chaîne de liaison selon ce mode de réalisation ; : une vue détaillée de la tête d’inspection dans une position où ladite tête d’inspection se pose sur un toit d’un colis.
Cependant, la géométrie des noyaux magnétiques limite le refroidissement desdits noyaux magnétiques avec des solutions mettant en œuvre des dissipateurs thermiques classiques.
Les noyaux magnétiques toriques sont particulièrement difficiles à refroidir car leur surface est généralement recouverte d’un bobinage qui limite alors le transfert et la dissipation de chaleur vers le milieu ambiant.
Les noyaux magnétiques en « E », « EE » ou « EI » disposent généralement d’une surface d’échange au contact de laquelle peut être placé un dissipateur thermique, par exemple à ailettes. Cependant, le positionnement d’un dissipateur thermique externe à proximité d’un noyau magnétique pénalise la densité de puissance du système électromagnétique ainsi que le rendement global lorsqu’une convection forcée est mise en place, par exemple sous forme de ventilation.
La présente invention a donc pour but de pallier les inconvénients précités et de fournir un dispositif de refroidissement d’un noyau magnétique efficace et sans perturbation du fonctionnement dudit noyau magnétique.
La présente invention a pour objet un dispositif de refroidissement d’un noyau magnétique d’une électronique de puissance, le dispositif de refroidissement comprenant un canal de refroidissement étanche réalisé dans la géométrie du noyau magnétique, et un dissipateur thermique positionné en dehors de la géométrie du noyau magnétique et relié au canal de refroidissement, le canal de refroidissement comprenant un fluide comprenant des particules magnétocaloriques.
Ainsi, l’utilisation d’un canal de refroidissement dans le noyau magnétique permet un accès facilité sans diminuer les performances du noyau. De plus, l’utilisation de particules magnétocaloriques dans le fluide permet de mettre en mouvement le fluide sans pompe, par simple application d’un champ magnétique sur les particules magnétocaloriques.
Avantageusement, la fréquence du champ magnétique généré dans le noyau magnétique correspond à la fréquence d’excitation des particules magnétocaloriques.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de refroidissement comprend en outre un générateur de champ magnétique dont la fréquence correspond à la fréquence d’excitation des particules magnétocaloriques.
Avantageusement, les particules magnétocaloriques sont des nanoparticules métalliques.
Dans un mode de réalisation particulier, les particules magnétocaloriques sont des particules de gadolinium.
Avantageusement, le dissipateur thermique est commun à d’autres systèmes de refroidissement de composants électroniques.
L’invention a également pour objet une électronique de puissance comprenant un noyau magnétique et un dispositif de refroidissement tel que défini précédemment.
L’invention a encore pour objet un procédé de refroidissement d’un noyau magnétique comprenant une étape de mise en mouvement du fluide du dispositif de refroidissement tel que défini précédemment et/ou de l’électronique de puissance telle que définie précédemment par génération d’un champ magnétique de fréquence correspondant à la fréquence d’excitation des particules magnétocaloriques.
illustre une coupe schématique d’un dispositif de refroidissement d’un noyau magnétique selon l’invention dans un premier mode de réalisation ;
illustre une coupe schématique d’un dispositif de refroidissement d’un noyau magnétique selon l’invention dans un second mode de réalisation ; et
Pour les étapes de caractérisation d’électrode décrites précédemment en rapport avec le procédé de fixation, une contre-électrode peut être placée proche de l’électrode de platine. Cette contre-électrode peut être fabriquée simultanément avec l’électrode platine par dépôt sur le substrat en verre par lithographie en salle blanche.
Les dimensions de la contre-électrode sont choisies plus importantes que les dimensions de l’électrode de travail, par exemple de 2 000 µm en largeur et 300 µm en longueur. De telles dimensions font alors de la contre-électrode une micro-électrode.
Une telle micro-électrode peut être placée au moins en partie dans un canal micro-fluidique.
Un canal micro-fluidique est un canal permettant l’écoulement de fluides et présentant des dimensions dans un plan transverse à la direction d’écoulement général des fluides qui sont supérieures ou égales à 100 µm et inférieures ou égales à 500 µm.
Le canal présente dans un plan transverse à la direction d’écoulement général des fluides, une largeur dans le plan de l’électrode et une hauteur perpendiculaire au plan de l’électrode.
Il est possible de mettre en œuvre toutes les étapes du procédé de fixation d’un acide nucléique sur une micro-électrode placée au moins en partie dans un canal micro-fluidique.