INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le traitement de surface peut consister en un trempage du multi-filament 20 dans un bain d’acide fumarique. La concentration d’acide fumarique est par exemple entre 0,5 et 3% en masse dans de l’éthanol et le trempage se fait pendant une durée entre 3 et 30 secondes. La concentration maximale est principalement due à la limite de solubilité de l’acide fumarique dans l’éthanol (l’acide fumarique pur étant sous forme de poudre). Selon un exemple, le multi-filament 20 est trempé pendant 9s dans de l’acide fumarique concentré à 2% en masse. Selon un autre exemple, le multi-filament 20 est trempé pendant 18s dans de l’acide fumarique concentré à 2% en masse. De façon générale, on choisira un temps d’autant plus court que la concentration d’acide fumarique est forte. D’autres produits chimiques peuvent avoir le même effet que l’acide fumarique dans le traitement visant à améliorer une adhésion entre le multi-filament 20 en matière synthétique ou artificielle et une couche de pâte de cellulose qui va le recouvrir dans une étape subséquente. Parmi ces autres produits chimiques, on trouve les vinylsilanes, les agents de couplage epoxy silane à base mélamine, et le 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)-benzene.
Le traitement de surface peut aussi être un traitement par plasma afin de préparer le multi-filament 20 à l’étape suivante de recouvrement de pâte de cellulose. D’autres exemples de traitement de surface incluent : l’irradiation sous UV, le traitement gazeux, la lithographie, ou la pulvérisation.
Dans une deuxième étape 104 , le multi-filament 20 ainsi prétraité est recouvert de pâte de cellulose 24 . Pour ce, selon un exemple, le multi-flament 20 est passé dans une filière de recouvrement. Le passage dans la filière de recouvrement peut se faire sous pression et/ou sous chaleur (par exemple pour le cas du Lyocell). La pâte de cellulose 24 recouvre alors le multi-filament 20 et s’insère aussi dans les espaces 28 présents entre les filaments 22. Un multi-filament 20’ est ainsi obtenu.
La pâte de cellulose 24 peut être une pâte de viscose, modal ou lyocell. La pâte de cellulose 24 peut être vierge ou recyclée.
Selon un exemple, la pâte de cellulose est recyclée et obtenue par le procédé suivant : (S1) le broyage de déchets textiles comprenant des fibres de cellulose dans une proportion massique supérieure à 50 % afin d’obtenir un premier mélange de fibres et de résidus broyés, (S2) la séparation d’au moins une partie des composants non-cellulosiques du premier mélange afin d’obtenir un deuxième mélange dont la proportion massique de fibres de cellulose est supérieure à la proportion massique de fibres de cellulose du premier mélange, (S3) la filtration du deuxième mélange afin de récupérer une phase solide comprenant les fibres de cellulose, (S4) la dissolution des fibres de cellulose de la phase solide pour obtenir une pâte de cellulose comprenant des particules non dissoutes et, (S5) la filtration de la pâte de cellulose afin d’obtenir une pâte de cellulose séparée des particules non dissoutes.
Dans une troisième étape 106 , le multi-filament 20’ recouvert de pâte de cellulose 24 est trempé dans un bain de régénération afin de regénérer la cellulose pendant un court instant, entre 0,5s et 3s, préférentiellement 1,5s. Le type de bain de régénération peut dépendre de la façon dont la pâte de cellulose 24 a été obtenue. Selon un exemple, le bain de régénération est un bain d’acide sulfurique (par exemple dilué en concentration de 10% dans le l’eau) si du disulfure a été utilisé pour réaliser la pâte (cas où la pâte de cellulose 24 est faite de viscose ou modal). Selon un exemple, une composition du bain de régénération est de 3-20% en masse d’acide sulfurique, 0-40% en masse de sulfate de sodium, 0-15% en masse de sulfate de zinc. Selon un exemple, le bain de régénération est un bain d’eau si du NMMO a été utilisé pour réaliser la pâte (cas où la pâte de cellulose 24 est faite de lyocell). Le bain d’acide sulfurique peut, selon un mode de réalisation, contenir des additifs, comme par exemple du sulfate de sodium ou du sulfate de zinc.
Dans une quatrième étape 108 optionnelle, si la régénération est longue (de l’ordre de plusieurs minutes), le multi-filament 20’ peut être stocké temporairement, par exemple, sous forme de bobine, pendant un temps au moins aussi long que le temps de régénération requis. Si le temps de régénération est court, par exemple, quelques secondes, cette étape de stockage peut être omise. La durée du temps de régénération peut être liée à la quantité de pâte de cellulose 24 déposée sur le multi-filament 20’. Par exemple, pour une couche fine de pâte de cellulose, par exemple, 10 % en masse finale du multi-filament, la régénération peut durer 15s, et sera considéré comme une régénération rapide ou courte. Selon un autre exemple, pour une couche épaisse de pâte de cellulose, par exemple, 50 % en masse finale du multi-filament, la régénération peut durer quelques minutes, et sera considérée comme une régénération lente ou longue.
Pendant le temps de régénération, le multi-filament 20’ n’est pas nécessairement trempé constamment dans le bain de régénération afin d’obtenir la régénération. Il peut par exemple être trempé pendant quelques secondes et séché à l’air libre avec le résidu de bain de régénération présent sur le multi-filament 20’. Ce temps de séchage fera partie du temps de régénération.
Dans une cinquième étape 110 , lorsque le bain de bain de régénération est un bain d’acide sulfurique, le multi-filament 20’ (en fil ou en bobine) après le temps de régénération, est lavé à l’eau, préférentiellement distillé, préférentiellement à température ambiante. Le lavage à l’eau permet de stopper l’effet de l’acide sulfurique et donc d’éviter un endommagement du multi-filament 20’. Une vaste majorité de la régénération se fait en plongeant le multi-filament 20 dans le bain de régénération, et une minorité de la régénération se fait pendant la période de repos lorsque le multi-filament 20’ sèche mais n’est pas neutralisé. Le lavage permet de stopper une possible dégradation du multi-filament 20’ s’il est soumis à des conditions acides trop fortes ou pendant trop longtemps qui pourraient lui faire perdre en résistance mécanique de manière très significative. Enfin, une minorité de régénération se produit après lavage et pendant le séchage du multi-filament 20’ (étape suivante).
Dans une sixième étape 112 , le multi-filament 20’ (à la continue ou sur bobine) est séché. Le séchage peut par exemple constituer à une exposition de quelques secondes à une température de 120-130 degrés Celsius. Le séchage permet de réaliser sans frottements indus l’étape à venir de séparation mécanique lorsque le multi-filament est encore mouillé, comme par exemple lorsqu’il sort du lavage à l’eau de la cinquième étape. Le multi-filament 20’ peut tout aussi bien être séché à l’air libre, sans ajout de chaleur.
Dans une septième étape 114 de séparation, le multi-filament 20’ recouvert de cellulose 24 est sectionné puis séparé de manière à obtenir une pluralité de fibres 22 chacune recouverte de cellulose 24. L’étape de séparation 114 comprend les étapes 118-120-122 suivantes :
Une première étape 118 de séparation mécanique de manière à détacher du multi-filament 20’ des excédents de cellulose 24 ;
Une deuxième étape 120 de découpe du multi-filament 20’ en sections de longueur plus courte de manière à obtenir des paquets de fibres 22; et
Selon un mode de réalisation non représentée, l’étape 103 de dopage peut également être réalisée en même temps que le dépôt de la couche active à l’aide d’un précurseur de dopage. Par exemple, le précurseur de dopage est utilisé pendant le dépôt ALD en alternant les cycles de dépôt de dioxyde d’hafnium HfO 2 et d’éléments dopants et le nombre de cycles (i.e. on parle de super-cycles ALD). Le précurseur de dopage est par exemple du dioxyde de silicium SiO 2 .
Selon un autre mode de réalisation non représenté, le dopage peut également être réalisé en même temps que la couche active par co-sputtering via un dépôt en phase vapeur PVD (« Phase Vapor Deposition ») ou via un dépôt par ablation laser à impulsions PLD (« Pulse Laser Deposition »).
A l’issue de l’étape 103 de dopage représentée à l’étape 104 de la , la couche de matériau actif 202 est devenue une couche 203 de matériau actif en HfO2 dopée, par exemple au Si.
Le procédé 100 selon l’invention comporte alors une étape 105 ( ) de dépôt d’une première couche conductrice 204 sur la couche de matériau actif HfO 2 dopée 203. Ce dépôt est réalisé de façon identique pour la zone Z1 destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone Z2 destinée à former la mémoire ferroélectrique FeRAM.
L’épaisseur de la première couche conductrice 204 est de l’ordre de 10nm ou plus.
Le procédé selon l’invention comporte ensuite une étape 106 de réalisation d’un masque 205 au niveau de la zone Z2 de la première couche conductrice 204 destinée à former la mémoire ferroélectrique en laissant libre la zone Z1 de la première couche conductrice 204 destinée à former la mémoire résistive OxRAM. Le masque 205 est par exemple réalisé en nitrure de silicium SiN, en oxyde de silicium SiO 2 ou en résine. Le masque 205 recouvre donc la partie de la première couche conductrice 204 située dans la zone Z2. De façon connue, la réalisation du masque 205 peut se faire par exemple via : le dépôt conforme d’un masque dur recouvrant la première couche conductrice à la fois dans la zone Z1 et dans la zone Z2 ; le retrait de la partie du masque dur au niveau de la zone Z1 avec arrêt sur la première couche conductrice 204. L’étape de retrait est par exemple réalisée par lithographie et gravure.
Ainsi, à l’issue de l’étape 106, la zone Z1 de la première couche conductrice 204 est seule directement accessible en surface.
Le procédé 100 comporte une étape 107 de retrait de la première couche conductrice 204 au niveau de la zone Z1 de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM, la zone Z2 de la première couche conductrice 204 destinée à former la mémoire ferroélectrique étant protégée par le masque 205. Cette opération de retrait est réalisée par exemple par une gravure plasma de la première couche conductrice 204, par exemple en TiN, la gravure plasma du TiN étant très sélective par rapport au matériau HfO 2 de la couche active 203 de sorte que la gravure s’arrête sur la couche active 203 d’HfO 2 dans la zone Z1.
Le procédé 100 comporte ensuite une étape 108 de retrait du masque 205 au niveau de la zone Z2 destinée à former la mémoire ferroélectrique avec arrêt sur la première couche conductrice 204. A l’issue de cette étape 108, la couche active 203 est nue dans la zone Z1 et recouverte par la première couche conductrice 204 dans la zone Z2. L’opération de retrait du masque 205 est par exemple réalisée via un plasma Oxygène (« oxygen stripping » selon la terminologie anglaise) dans le cas où le masque 205 est en résine.
Le procédé 100 comporte alors une étape 109 de dépôt conforme d’une seconde couche conductrice 206, ladite seconde couche conductrice 206 étant en contact avec la première couche conductrice 204 au niveau de la zone Z2 destinée à former la mémoire ferroélectrique et en contact avec la couche 203 de matériau actif au niveau de la zone Z1 destinée à former la mémoire résistive OxRAM puis de dépôt conforme d’une troisième couche conductrice 207 réalisée de manière identique pour la zone Z1 destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone Z2 destinée à former la mémoire ferroélectrique, ladite troisième couche conductrice 207 étant en contact avec la seconde couche conductrice 206.
Le dépôt des couches 206 et 207 est par exemple un dépôt physique en phase vapeur ou PVD pour « Physical Vapor Deposition ».
Le matériau conducteur de la troisième couche conductrice 207 est par exemple du nitrure de titane TiN. Le TiN est un exemple non limitatif mais d’autres matériaux conducteurs, tels que le TaN, pourraient également être utilisés. On notera que le matériau choisi pour la troisième couche conductrice 207 peut être différent du matériau choisi pour la première couche conductrice 204.
L’épaisseur de la troisième couche conductrice 207 est par exemple comprise entre 20 nm et 200 nm.
Le matériau conducteur de la deuxième couche conductrice 206 est choisi pour être un matériau adapté pour pomper l’oxygène (« oxygen scavening layer » selon la terminologie anglaise) présent dans la couche active 203 située dans la zone Z1 sur laquelle la deuxième couche conductrice 206 est déposée. En pompant l’oxygène dans la couche active 206, la deuxième couche conductrice 206 va créer des lacunes d’oxygène dans la partie de la couche active 203 dédiée à la réalisation de l’OxRAM, les lacunes d’oxygène étant nécessaires au bon fonctionnement de l’OxRAM. La deuxième couche conductrice 206 étant en revanche déposée sur la première couche conductrice 204 dans la zone Z2 dédiée à la FeRAM, elle n’est donc pas en contact avec la couche active 203 dans la zone Z2 et ne créera donc pas de lacune dans la couche active 203 côté Z2. Le matériau de la deuxième couche conductrice 206 est par exemple du titane Ti ou de l’Hafnium lorsque le matériau de la troisième couche conductrice 207 est du TiN. Il peut également s’agir de Tantale Ta l’Hafnium lorsque le matériau de la troisième couche conductrice 207 est du TaN. On notera que le Ti (respectivement le Ta) est un bon matériau d’accroche pour la couche supérieure en TiN (respectivement en TaN).
La est une vue en perspective représentant une extrémité de sortie d'une soupape de régulation de pression variable conformément aux principes de la présente divulgation.
La est une vue en perspective représentant une extrémité d'entrée de la soupape de régulation de pression variable de la .
La est une vue d'extrémité de sortie de la soupape de régulation de pression variable de la .
La est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne 4 - 4 de la .
La est une vue en coupe transversale de la soupape de régulation de pression variable de la avec un compensateur réglé à une première position de réglage de pression et de la soupape de régulation de pression variable en position ouverte.
La est une vue en coupe transversale de la soupape de régulation de pression variable de la avec le compensateur réglé à la première position de réglage de pression et de la soupape de régulation de pression variable en position fermée.[0025] La est une vue agrandie d’une partie de la .
La est une vue en perspective représentant une vue d'extrémité d'entrée d'un capuchon et d'un dispositif compensateur selon les principes de la présente divulgation.
La est une vue en perspective représentant une vue d'extrémité de sortie du capot et du dispositif compensateur de la .
La illustre une vue éclatée montrant le dispositif compensateur des et 7 éclatés depuis le capuchon.
La illustre le dispositif compensateur des et 7 depuis la perspective de l'extrémité d'entrée de la soupape.
La illustre le dispositif compensateur des et 7 depuis la perspective de l'extrémité de sortie de la soupape.
La est une vue en coupe transversale de la soupape de régulation de pression variable de la montrant la soupape en position ouverte avec le compensateur réglé à une deuxième position de réglage de pression.
La est une vue en coupe transversale de la soupape de régulation de pression variable de la montrant la soupape en position fermée avec le compensateur réglé à la deuxième position de réglage de pression.
La est une vue en perspective d'un autre exemple de soupape de régulation de pression variable conformément aux principes de la présente invention, l'exemple inclut deux pièces de logement.
La est une vue éclatée de la soupape de régulation de pression variable de la .
La est une vue en coupe transversale de la soupape de régulation de pression variable de la montrant un capuchon, un dispositif compensateur, un ressort et un piston conformément aux principes de la présente divulgation.
Le ressort 80 pour un récipient de type à pompe comprend une plaque de support supérieure 81 ayant un trou débouchant supérieur circulaire 81a s’étendant à travers cette dernière, une plaque de support inférieure 82 disposée au-dessous de la plaque de support supérieure 81, et une première partie hélicoïdale 83 et une seconde partie hélicoïdale 84 installées entre la plaque de support supérieure 81 et la plaque de support inférieure 82, de sorte que l’extrémité supérieure de chacune est fixée sur la surface inférieure de la plaque de support supérieure 81, et l’extrémité inférieure de chacune est fixée sur la surface supérieure de la plaque de support inférieure 82.
La plaque de support inférieure 82 a un trou débouchant inférieur 82a s’étendant à travers cette dernière.
La plaque de support inférieure 82 est disposée au-dessous de la plaque de support supérieure 81 de sorte que le trou débouchant inférieur 82a est aligné avec le trou débouchant supérieur 81a.
La première partie hélicoïdale 83 a une forme hélicoïdale à gauche.
La première partie hélicoïdale 83 a une trajectoire hélicoïdale, dont l’angle de rotation est (180 + 360 x N) degrés (N égale 2) c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 900 degrés.
La première partie hélicoïdale 83 est raccordée à la surface supérieure de la seconde partie hélicoïdale 84 par le biais de la surface inférieure de points à laquelle un angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale à partir de son extrémité supérieure est de (360 x M – 180) degrés (M est un nombre entier positif N, c'est-à-dire que M est égal à 1 et 2), c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 180 et 540 degrés et est raccordé à la surface inférieure de la seconde partie hélicoïdale 84 par le biais de la surface supérieure de points à laquelle un angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale à partir de l’extrémité supérieure est de (360 x M) degrés, c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 360 et de 720 degrés.
Dans la première partie hélicoïdale 83, une section descendant d’un premier point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 83a jusqu’à un premier point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 83b a un angle d’hélice (α1 de la ) inférieur à celui (α2 de la ) de l’autre partie de la première partie hélicoïdale. Le premier point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 83a fait référence à un point raccordé à la surface supérieure de la seconde partie hélicoïdale 84 par le biais de la surface inférieure de la première partie hélicoïdale 83, et le premier point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 83b fait référence à un point raccordé à la surface inférieure de la seconde partie hélicoïdale 84 par le biais de la surface supérieure de la première partie hélicoïdale 83.
La seconde partie hélicoïdale 84 a une forme hélicoïdale à gauche.
L’extrémité supérieure de la seconde partie hélicoïdale 84 est fixée à un point de la surface inférieure de la plaque de support supérieure 81 qui est linéairement symétrique par rapport à un point auquel l’extrémité supérieure de la première partie hélicoïdale 83 est fixée, en référence à la ligne centrale (voir « C » de la ) du trou débouchant supérieur 81a. En outre, l’extrémité inférieure de la seconde partie hélicoïdale 84 est fixée à un point de la surface supérieure de la plaque de support inférieure 82, qui est linéairement symétrique par rapport à un point auquel l’extrémité inférieure de la première partie hélicoïdale 83 est fixée, en référence à la ligne centrale (voir « C » de la ) du trou débouchant inférieur 82a.
La seconde partie hélicoïdale 84 a une trajectoire hélicoïdale, dont l’angle de rotation est de (180 + 360 x 2) degrés, c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 900 degrés.
La seconde partie hélicoïdale 84 est raccordée à la surface supérieure de la première partie hélicoïdale 83 par le biais de la surface inférieure de points à laquelle un angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale à partir de son extrémité supérieure est de (360 x M – 180) degrés, c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 180 et 540 degrés, et est raccordée à la surface inférieure de la première partie hélicoïdale 83 par le biais de la surface supérieure de points à laquelle un angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale à partir de son extrémité supérieure est de (360 x M) degrés, c'est-à-dire que l’angle de rotation de la trajectoire hélicoïdale est de 360 et 720 degrés.
Dans la seconde partie hélicoïdale 84, une section descendant d’un second point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 84a à un point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 84b a un angle d’hélice (voir α1 de la ) inférieur à celui (voir α2 de la ) de l’autre partie de la seconde partie hélicoïdale. Le second point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 84a fait référence à un point raccordé à la surface supérieure de la première partie hélicoïdale 83 par le biais de la surface inférieure de la seconde partie hélicoïdale 84, et le second point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 84b fait référence à un point raccordé à la surface inférieure de la première partie hélicoïdale 83 par le biais de la surface supérieure de la seconde partie hélicoïdale 84.
De plus, afin d’augmenter une force élastique accumulée dans la première partie hélicoïdale 83 et la seconde partie hélicoïdale 84 pendant l’opération de pression du bouton 40, la première partie hélicoïdale 83 et la seconde partie hélicoïdale 84 sont configurée comme suit.
C'est-à-dire que dans la première partie hélicoïdale 83, une section descendant de son extrémité supérieure au premier point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 83a et une section descendant du premier point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 83b à son extrémité inférieure ont des surfaces de section transversale supérieures à celle d’une section descendant d’un premier point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 83a au premier point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 83b.
En outre, dans la seconde partie hélicoïdale 84, une section descendant de son extrémité supérieure au second point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 84a et une section descendant du second point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 84b à son extrémité inférieure ont des surfaces de section transversale supérieures à celle d’une section descendant du second point de raccordement de surface inférieure hélicoïdale 84a au second point de raccordement de surface supérieure hélicoïdale 84b.
Le ressort 80 est installé de sorte que la plaque de support supérieure 81 est supportée sur la saillie de support d’élément de pression 72 et la plaque de support inférieure 82 est supportée sur la saillie de support d’élément de support 52.
L’aspirateur robot 2 est plus particulièrement configuré de telle sorte qu’un changement de configuration du tube d’aspiration 15 de la première configuration de tube à la deuxième configuration de tube entraîne un déplacement de la tête d’aspiration 5 de la configuration rétractée à la configuration déployée, et de telle sorte qu’un changement de configuration du tube d’aspiration 15 de la deuxième configuration de tube à la première configuration de tube entraîne un déplacement de la tête d’aspiration 5 de la configuration déployée à la configuration rétractée.
A cet effet, l’aspirateur robot 2 comporte également un mécanisme de déplacement de tête 25 configuré pour déplacer la tête de nettoyage 5 entre la position déployée et la position rétractée, et par exemple pour déplacer le tube d’aspiration 15 entre les première et deuxième configurations de tube. Un tel mécanisme de déplacement de tête 25 peut être réalisé de nombreuses manières différentes, et ne fait pas partie de l’objet de la présente invention. Ainsi, le mécanisme de déplacement de tête 25 n’est pas décrit en détails dans le présent document.