Procédé d’intégration sur silicium d’un composant (23) à base de matériau III-V, dit composant III-V, comprenant au moins les étapes suivantes : Fournir un premier substrat (1) comprenant une couche optique (122) à base de silicium, ladite couche optique (122) comprenant au moins un guide d’onde (120), Reporter un deuxième substrat (2) à base de matériau III-V sur la couche optique (122), Former le composant III-V (23) à partir dudit deuxième substrat (2), à proximité du guide d’onde (120) de sorte à permettre un couplage entre le guide d’onde (120) et ledit composant III-V (23), et en conservant une couche (221) à base de matériau III-V s’étendant latéralement depuis le composant III-V (23), Former par épitaxie à partir de ladite couche (221) à base de matériau III-V, une structure (24) à base d’InP:Fe bordant latéralement le composant III-V (23), Former une couche (250) comprenant des contacts (251, 252), dits contacts III-V, destinés à contacter électriquement le composant III-V (23), sur une face (230) du composant III-V opposée à la couche optique (122), Reporter un troisième substrat (3) à base de silicium sur ladite couche (250) comprenant les contacts III-V. Procédé d’intégration selon la revendication précédente comprenant en outre, après report du troisième substrat (3) à base de silicium, les étapes suivantes : Retirer le premier substrat (1) en conservant la couche optique (122), Former au moins un niveau (4) d’interconnexions sur la couche optique (122), ledit niveau (4) d’interconnexions comprenant des interconnexions (451v, 452v) connectant électriquement les contacts III-V (251, 252). Procédé d’intégration selon la revendication précédente dans lequel le retrait du premier substrat (1) est effectué de façon à exposer la couche optique (122), le procédé comprenant en outre, après retrait du premier substrat (1), un dopage d’une zone (I) à base de silicium de la couche optique (122), par exemple par implantation d’espèces dopantes. Procédé d’intégration selon la revendication précédente comprenant en outre, avant implantation d’espèces dopantes, au moins une autre étape effectuée à une température supérieure ou égale à 600°C. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications 2 à 4 dans lequel le premier substrat (1) est un substrat du type semiconducteur sur isolant, comprenant une couche (11) d’oxyde enterrée entre une première partie (10) massive en silicium et une deuxième partie (12) mince à base d’un semiconducteur, et dans lequel le retrait du premier substrat (1) est configuré pour retirer la première partie (10) massive et la couche (11) d’oxyde enterrée. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation du composant III-V (23) comprend : Un amincissement du deuxième substrat (2) à base de matériau III-V de sorte à conserver une couche (22) de germination à base de matériau III-V, Une formation du composant III-V (23) par épitaxie localisée sur une partie seulement de la couche (22) de germination. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 dans lequel la formation du composant III-V (23) comprend : Un amincissement du deuxième substrat (2) à base de matériau III-V de sorte à conserver une couche (22) de germination à base de matériau III-V, Une formation par épitaxie d’un empilement de couches (221b, 222, 223) fonctionnelles à base de matériau III-V, sur la couche (22) de germination, Une gravure d’une partie de l’empilement de sorte à former le composant III-V (23) et la couche (221) à base de matériau III-V s’étendant latéralement depuis le composant III-V (23). Procédé d’intégration selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le deuxième substrat (2) à base de matériau III-V comprend une couche (21) sacrificielle intercalée entre une partie (20) dite massive du deuxième substrat (2) et une partie (22) destinée à former la couche de germination, et dans lequel l’amincissement comprend : Au moins l’un parmi un rognage mécanique de la partie massive (20) du deuxième substrat (2) et/ou une gravure chimique sélective de la partie massive (20) du deuxième substrat (2) vis-à-vis de la couche (21) sacrificielle, Une gravure sélective de la couche (21) sacrificielle vis-à-vis de la couche (22) destinée à former la couche de germination. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation du composant III-V (23) comprend une formation de puits quantiques (222) à base d’un alliage AlInGaAs ou GaInAsP. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant report du troisième substrat (3), une formation d’une couche (253) de conduction thermique sur l’un au moins parmi la couche (250) comprenant les contacts III-V et le troisième substrat (3), de façon à intercaler ladite couche (253) de conduction thermique entre le troisième substrat (3) et la couche (250) comprenant les contacts III-V. Procédé d’intégration selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche (221) à base de matériau III-V s’étendant latéralement depuis le composant III-V est à base d’InP dopé N. Système d’intégration comprenant, en empilement selon une direction z : Un substrat à base de silicium, Une couche comprenant des contacts, dits contacts III-V, destinés à contacter électriquement un composant à base de matériau III-V, dit composant III-V, Le composant III-V bordé latéralement par une structure à base d’InP:Fe, Une couche à base de matériau III-V couvrant le composant III-V et la structure à base d’InP:Fe, Une couche optique à base de silicium comprenant un guide d’onde couplé au composant III-V. Système d’intégration selon la revendication précédente comprenant en outre, sur la couche optique à base de silicium, Un niveau d’interconnexions comprenant une première partie d’interconnexions connectant électriquement les contacts III-V, et une deuxième partie d’interconnexions destinée à connecter des composants à base de silicium disposés sur ledit niveau d’interconnexions. Système d’intégration selon l’une quelconque des revendications 12 à 13 dans lequel la couche optique comprend en outre au moins un autre composant à base de silicium, par exemple un modulateur de phase à jonction PN, connecté au niveau d’interconnexions. Système d’intégration selon l’une quelconque des revendications 12 à 14 dans lequel la couche à base de matériau III-V couvrant le composant III-V est à base d’InP dopé N, et dans lequel le composant III-V comprend une partie à base d’InP dopé P, et des puits quantiques à base d’un alliage AlInGaAs ou GaInAsP intercalés entre la partie à base d’InP dopé P et la couche à base d’InP dopé N.