INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape de recuit par laser nanoseconde peut être effectuée en éclairant par l’impulsion laser la face supérieure de la couche semiconductrice où se situe la jonction semiconductrice PIN.
Le procédé de fabrication peut comporter, préalablement à l’étape de recuit par laser nanoseconde, une étape d’amorphisation d’au moins la région intrinsèque par implantation ionique d’élément chimiques non dopants de type n ou p, sur une profondeur au moins égale à la profondeur des régions dopées.
Seule la région intrinsèque peut être amorphisée lors de l’étape d’amorphisation, avant l’étape de recuit par laser nanoseconde.
L’étape de réalisation des régions dopées peut être effectuée de manière à amorphiser les régions dopées.
D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation ; La illustre des exemples d’évolution de la proportion atomique d’étain dans le dispositif optoélectronique de la , suivant la ligne de coupe A-A (graphe de gauche) et suivant la ligne de coupe B-B (graphe de droite) ; La illustre des exemples de structure de bandes d'énergie dans le dispositif optoélectronique de la , suivant la ligne de coupe A-A (graphe de gauche) et suivant la ligne de coupe B-B (graphe de droite) ; La illustre des vues en coupe, obtenues par microscopie électronique en transmission à balayage, d’un exemple d’empilement du dispositif optoélectronique de la , formé du substrat support en silicium, de la couche de nucléation en germanium, et de la couche semiconductrice en GeSn, mettant en évidence la portion de base, la portion intermédiaire, et la portion supérieure ; La illustre une vue de dessus, obtenue par microscopie électronique, d’un exemple de la surface de la portion supérieure de la couche semiconductrice du dispositif optoélectronique de la , mettant en évidence le milieu homogène et les structures verticales de la portion supérieure ; Les figures 3A à 3H illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation similaire à celui de la ; Les figures 4A et 4B sont des vues schématiques et partielles, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique selon des variantes de réalisation. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
L’invention porte sur un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, par exemple une diode laser, une diode électroluminescente, ou une photodiode. Le rayonnement infrarouge émis ou reçu est situé dans la gamme spectrale infrarouge, et plus précisément dans la gamme spectrale du moyen infrarouge (longueur d’onde centrale λ comprise de préférence entre 2µm et 6µm environ).
Le dispositif optoélectronique comporte une couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn qui comporte plusieurs zones ou portions qui se distinguent les unes des autres notamment par la proportion atomique d’étain. Elle comporte en particulier une portion supérieure contrainte en tension et où la proportion atomique d’étain x est suffisante pour que, compte tenu des contraintes en tension, la structure de bandes d’énergie y soit directe.
Par couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn, on entend une couche réalisée en un composé semiconducteur comprenant au moins du germanium Ge et de l’étain Sn. Le composé semiconducteur à base de GeSn peut être un composé binaire Ge 1-x Sn x , un composé ternaire, par exemple Si y Ge 1-x-y Sn x , voire un composé quaternaire ou plus. On note x la proportion atomique locale ou moyenne d’étain contenu dans le composé semiconducteur.
Par portion contrainte, on entend une portion de la couche semiconductrice présentant une contrainte mécanique en tension ou en compression, entraînant une déformation des mailles de son réseau cristallin. La portion est contrainte en tension lorsqu’elle subit une contrainte mécanique qui tend à étirer les mailles du réseau dans un plan. Dans le cadre de l’invention, la portion supérieure de la couche semiconductrice est contrainte en tension dans le plan principal de la couche, ce qui se traduit par le fait que son paramètre de maille présente une valeur effective supérieure à sa valeur naturelle lorsque le composé semiconducteur est relaxé (i.e. non contraint). Dans la suite de la description, la contrainte considérée est orientée dans le plan principal de la couche semiconductrice.
Le composé à base de GeSn de la couche semiconductrice présente une structure de bandes d’énergie indirecte en l’absence de contraintes en tension suffisantes et/ou d’une proportion atomique d’étain suffisante. Les contraintes en tension subies dans la portion supérieure et la proportion atomique d’étain y sont suffisantes pour que sa structure de bandes d’énergie soit directe. D’une manière générale, le GeSn présente une structure de bandes d’énergie directe lorsque le minimum d’énergie de la vallée L (ou vallée indirecte) est supérieur ou égal au minimum d’énergie de la vallée Γ (ou vallée directe) de la bande de conduction, autrement dit : ΔE = E min,L -E min, Γ ≥ 0. Par égal, on entend ici que cette différence d’énergie ΔE est de l’ordre de grandeur ou inférieure à kT, où k est la constante de Boltzmann et T la température du matériau. Comme l’a montré Wirths et al. 2014 mentionné précédemment, la proportion atomique minimale d’étain x min pour rendre directe la structure de bandes d’énergie diminue à mesure qu’augmentent les contraintes mécaniques en tension subies par la couche semiconductrice.
Dans le cadre de l’invention, la couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn comporte une portion de base, une portion intermédiaire et une portion supérieure, où ces deux dernières sont agencées verticalement l’une au-dessus de l’autre suivant l’axe d’épaisseur de la couche semiconductrice. La portion supérieure présente une structure de bandes d’énergie directe. De plus, elle est monocristalline et est formée d’un milieu homogène dans lequel s’étendent des structures verticales formant des puits quantiques (zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge). Par ailleurs, la portion intermédiaire, située sous la portion supérieure, forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la portion supérieure.
La est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon un mode de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 est ici adapté à émettre un rayonnement lumineux cohérent (diode laser), et peut être de type à rétroaction distribuée (DFB pour Distributed Feedback , en anglais) ou de type à réflecteur de Bragg distribué (DBR pour Distributed Bragg Reflector, en anglais).
On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle au plan principal d’un substrat support 2 sur lequel repose la couche semiconductrice 10, et où l’axe Z est orienté suivant l’épaisseur des couches. Dans la suite de la description, les termes « vertical » et « verticalement » s’entendent comme étant relatifs à une orientation sensiblement parallèle à l’axe Z. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat support 2 suivant la direction +Z.
Le dispositif optoélectronique 1 comporte une couche semiconductrice 10 à base de GeSn épitaxiée à partir d’une couche de nucléation 3, laquelle repose sur un substrat support 2. La couche semiconductrice 10 présente une face supérieure 10a opposée à la couche de nucléation 3, où affleure au moins une région dopée 14 de type n et une région 16 dopée de type p d’une jonction semiconductrice PIN.
Selon ce mode de réalisation, L désigne de préférence un radical multivalent en C 8 -C 18 , notamment linéaire. Préférentiellement, le polythiol est un dithiol en C 8 -C 18 , notamment linéaire. Avantageusement, la chaîne en C 8 -C 18 est une chaîne hydrocarbonée i.e. formée de carbone et d’hydrogène. En particulier, le polythiol liposoluble est un dithiol linéaire en C 8 -C 16 , notamment en C 10 -C 14 .
Comme polythiol de formule (IIA) , on peut citer le 1,8-octanedithiol, le 1,10-décanedithiol, le 1,12-dodécanedithiol, le 1,14-tétradécanedithiol, le 1,16-hexadécanedithiol, le 1,18-octadécanedithiol.
De préférence, on utilise le 1,10-décanedithiol, le 1,12-dodécanedithiol, le 1,14-tétradécanedithiol. Préférentiellement, on utilise le 1,12-dodécanedithiol.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, les composés thiolés, sont non polymériques de formule (IB) : Formule (IB) dans laquelle : n désigne un entier supérieur ou égal à 2, de préférence allant de 2 à 10, de préférence allant de 2 à 5 et W désigne un radical multivalent (au moins divalent) C 2 -C 80 linéaire ou ramifié ou (hétéro)cyclique, saturé, un radical aromatique, un radical cyclique hétéroaromatique, W pouvant en outre contenir un ou plusieurs hétéroatomes tels que O, N, S, et/ou une ou plusieurs fonctions choisies parmi les fonctions esters, cétones, amides, urées, de préférence esters , cétones et/ou être substitué par un ou plusieurs groupements alkyles C 1 -C 10 linéaires ou ramifiés, alcoxy C 1 -C 10 linéaires ou ramifié, étant entendu que lorsque le radical W est substitué, les fonctions thiols peuvent être portées par le/les substituant(s).
Par radical cyclique on entend un radical monocyclique saturé, hydrocarboné ou hétérocyclique, un radical polycyclique saturé ou aromatique par exemple biphényl ou des cycles condensés comme par exemple le radical naphtyl.
La masse molaire des composés de formule (IB) va généralement de 90 à 1500.
Selon un premier mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés de formule (IB) sont tels que n=2 et W désigne un radical divalent saturé hydrocarboné C 2 -C 20 linéaire ou ramifié, de préférence C 2 -C 12 linéaire ou ramifié.
Selon ce premier mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés peuvent être choisi(s) parmi : le 1,2-ethanedithiol, le 1,2-propanedithiol, le 1,3-propanedithiol, le 1,4-butanedithiol, le 1,6-hexanedithiol, le 1,7-heptanedithiol, le 1,8-octanedithiol, le 1,9-nonanedithiol, le 1,10-decanedithiol, le 1,12-dodecanedithiol, le 2,2-dimethyl-1,3-propanedithiol, le 3-methyl-1,5-pentanedithiol, le 2-methyl-1,8-octanedithiol.
Selon un deuxième mode de réalisation plus particulier, les composé thiolés de formule (IB) est(sont) tel(s) que n = 3 et W désigne un radical trivalent hydrocarboné saturé C 3 -C 20 linéaire ou ramifié, de préférence C 2 -C 12 linéaire ou ramifié.
Selon ce deuxième mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés peuvent être choisis parmi le 1,1,1-tris(mercaptomethyl)ethane, le 2-ethyl-2-mercaptomethyl-1,3-propanedithiol, le 1,2,3-propanetrithiol.
Selon un troisième mode de réalisation plus particulier, les composé thiolés de formule (IB) sont tels que n = 2 ou 3 et W désigne un radical divalent ou trivalent saturé hydrocarboné C 3 -C 20 linéaire ou ramifié, de préférence C 2 -C 12 linéaire ou ramifié, ledit radical renfermant un ou plusieurs hétéroatome(s) non adjacents choisis parmi O, S.
Selon ce troisième mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés peuvent être choisis parmi :
les éthers et sulfures de bis mercaptoalkyle en C 2 -C 12 tels que le bis(2-mercaptoethyl)ether, le bis(2-mercaptoethyl)sulfure , bis-(2-mercaptoethylthio-3-mercaptopropane)sulfide ;
les alcanes (C 1 -C 5 ) bis (2-mercapto alkyl (C 1 -C 3 )thio) ou mercaptoalcanes (C 1 -C 5 ) bis (2-mercapto alkyl (C 1 -C 3 )thio) comme par exemple le bis(2-mercaptoethylthio)methane, le 1,2-bis(2-mercaptoethylthio)ethane, le 1,3-bis(2-mercaptoethylthio)propane, le 1,2-bis(2-mercaptoethylthio)propanethiol, le 1,2-bis(2-mercaptoethyl)thio-3-mercaptopropane, le 1,2,3-tris(2-mercapto ethylthio) propane.
De préférence, selon ce troisième mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés sont choisis parmi le 1,2-bis(2-mercaptoethylthio)propanethiol, le 1,2,3-tris(2-mercapto ethylthio) propane , le tetrakis(2-mercaptoethylthiométhyl) méthane.
Selon un quatrième mode de réalisation plus particulier, les composés thiolés de formule (IB) sont tels que n désigne un entier supérieur ou égal à 2 et W désigne un radical multivalent (au moins divalent) hydrocarboné saturé C 3 -C 20 linéaire ou ramifié, de préférence C 2 -C 12 linéaire ou ramifié, ledit radical renfermant au moins une fonction ester.
La variante de réalisation illustrée sur les figures 9A et 9B présente un outil de coupe 10 dont les semelles 11, 12 possèdent des spatules 31 « quasi-plates » et qui présentent donc avantageusement une faible emprise en hauteur H11, H12. Une telle variante sera particulièrement adaptée à la découpe d’un tissu tridimensionnel 1 dont les haubans présentent une grande longueur, typiquement de l’ordre de 55 mm à 65 mm, et dont les couloirs longitudinaux 27 présentent une faible largeur (considérée à la racine des haubans 4 formés par deux fils de renfort 20 voisins), typiquement entre 15 mm et 25 mm, notamment de l’ordre de 20 mm.
Avantageusement, la mise en œuvre de couloirs longitudinaux 27 relativement étroits permettra de maximiser la largeur utile de la bande centrale 28, et donc de réduire les chutes que représentent les bandes latérales 29, 30.
Par ailleurs, de préférence, et en particulier dans le cas où l’on opère une coupe longitudinale, le mouvement de coupe est généré en déplaçant le tissu tridimensionnel 1, selon la direction d’introduction D10, par rapport à l’outil de coupe 10 qui est maintenu fixe.
Une telle option permet notamment de gérer un flux continu de tissu tridimensionnel 1, dans le cas d’une découpe longitudinale.
Le tissu tridimensionnel 1, et plus particulièrement la bande centrale 28 et les bandes latérales 29, 30 qui en sont issues, pourront être tractées par des bobines motorisées situées en aval de l’outil de coupe 10 et sur lesquelles lesdites bandes 28, 29, 30 s’enroulent, au fur et à mesure de leur découpe.
Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux seules variantes de réalisation décrites dans ce qui précède, l’homme du métier étant notamment à même d’isoler ou de combiner librement entre elles l’une ou l’autre des caractéristiques susmentionnées ou de leur substituer des équivalents.
Elément tissé pour l’obtention d’un vêtement par découpes L’invention concerne l’habillement, et en particulier les vêtements obtenus suite à des interventions manuelles d’un utilisateur.
La plupart des vêtements disponibles dans le commerce sont fabriqués en usine, sur la base de coutures entre des pièces de tissu et de découpe de ces pièces de tissu. Les vêtements sont alors distribués et sont directement prêts à l’usage pour l’acheteur. Le coût de confection pour de tels vêtements s’avère trop élevé pour des productions dans des pays développés. Par conséquent, l’essentiel de la fabrication est réalisé en Asie, induisant des distances de transport très importantes jusqu’au lieu de commercialisation. Il existe donc un besoin pour des modes de fabrication de vêtements réduisant la quantité de main d’œuvre nécessaire à la confection.
Par ailleurs, pour des utilisateurs ayant des aptitudes manuelles ou souhaitant personnaliser leurs vêtements, il est possible d’acheter des tissus, de les couper aux bonnes dimensions et de les assembler par coutures pour former le vêtement. Cependant, de telles fabrications demandent une certaine expérience et de l’outillage, en particulier pour la réalisation de robes, de hauts ou de robes à jupons.
Devant le développement de la tendance des habits à réaliser soi-même, il existe un besoin pour faciliter la vie des usagers et leur proposer des éléments de départ facilitant l’obtention du vêtement.
L’invention vise à résoudre un ou plusieurs de ces inconvénients. L’invention porte ainsi sur un élément tissé pour la préparation d’un vêtement par un utilisateur, comprenant : -un tissage de fils dits de chaine orientés selon une première direction et de fils dits de trame orientés selon une deuxième direction, le tissage de fils comprenant : -une partie médiane comportant des première et deuxième nappes superposées de façon à délimiter un volume interne, la première nappe comportant un premier groupe de fils de trame tissés avec des fils de chaine, la deuxième nappe comportant un deuxième groupe de fils de trame tissés avec des fils de chaine; -des première à quatrième bandes obturant le volume interne par tissage de fils de trame des premier et deuxième groupes avec des fils de chaine, la superposition des première et deuxième nappes comportant des premier à quatrième prolongements, le premier prolongement étant positionné entre les première et deuxième bandes et partageant les mêmes fils de trame avec ces première et deuxième bandes, le deuxième prolongement étant positionné entre les troisième et quatrième bandes et partageant les mêmes fils de trame avec ces troisième et quatrième bandes, le troisième prolongement étant positionné entre les première et quatrième bandes et partageant les mêmes fils de chaine avec ces première et quatrième bandes, le quatrième prolongement étant positionné entre les deuxième et troisième bandes et partagent les mêmes fils de chaine avec ces deuxième et troisième bandes ; -un motif de découpe s’étendant dans ou en bordure des première à quatrième bandes.
Selon une variante, l’élément tissé : -comportant en outre une partie périphérique, ceinturant la partie médiane et reliant les première à quatrième bandes, cette partie périphérique obturant les premier à quatrième prolongements par tissage de fils de trame avec des fils de chaine ; -ledit motif de découpe s’étendant également dans les premier à quatrième prolongements.
Selon encore une variante, la partie médiane délimite une forme de maillot de corps ou de robe.
Selon une autre variante, la partie médiane comporte des troisième et quatrième nappes superposées aux première et deuxième nappes sur une partie inférieure, la troisième nappe comportant un troisième groupe de fils de trame tissés avec des fils de chaine, la quatrième nappe comportant un quatrième groupe de fils de trame tissés avec des fils de chaine, les fils de chaine des troisième et quatrième nappes étant tissés dans les troisième et quatrième bandes de sorte qu’une découpe selon le motif de découpe sépare les troisième et quatrième nappes des première et deuxième nappes.
(EQ9)
Dans le mode de réalisation des figures 6A et 6B, la propriété optique ajustable PA était donnée en entrée du procédé (étapes E0 ou E0’). Dans un autre mode de réalisation, la propriété optique ajustable PA, par exemple la distance implant-cornée effective est déduite des autres propriétés optiques PO.
Dans le calcul où la propriété optique ajustable PA est une distance implant-cornée, celle-ci peut être calculée par une grande variété de formules, généralement déduites d’un apprentissage statistique. Une telle formule peut par exemple découler d’une régression linéaire, dont un exemple est :
(EQ10)
où a 0 -a 3 sont des coefficients de régression, K, AL et WTW des propriétés de l’œil considéré (K : courbure de la cornée, AL : longueur de l’œil, WTW : largeur de la cornée) et qui constituent un exemple de propriétés optiques (PO). Soulignons qu’une telle formule peut être complexifiée en prenant en entrée d’autres propriétés optiques et des coefficients supplémentaires, et/ou en utilisant des fonctions non linéaires. Rappelons également que cette formule peut être secrète.
La représente un dispositif D0 de caractérisation d’un système cible conforme à un mode particulier de réalisation de l’invention.
Ce dispositif D0 comporte un module D5 d’obtention : - d’un type T du système cible, - d’une performance optique CP de ce système cible ou d’une puissance P de l’implant cible de ce système cible, - d’une ou plusieurs propriétés optiques PO de ce système cible dont une propriété optique ajustable PA.
Ce dispositif D0 comporte en outre : -un module D10 d’obtention d’une valeur d’ajustement C1 de propriété optique, -un module D20 d’obtention d’une valeur d’ajustement C2 de performance optique, -un module D30 de détermination d’une correspondance entre une puissance de l’implant cible et une performance optique du système cible, lui-même comportant trois sous modules : (i) un sous-module d’ajustement D30A d’une propriété optique ajustable, (ii) un sous-module d’ajustement D30B d’une performance optique ; et (iii) un sous-module D300 de calcul d’une correspondance entre la performance optique CP et la puissance P.
Selon sa configuration, ce dispositif D0 est configuré pour mettre en œuvre le procédé de caractérisation du système cible décrit précédemment en référence à la figure 6A ou 6B.
La représente un mode de réalisation dans lequel les procédés de prédiction et de détermination tels que décrits ci-avant sont mis en place dans un système D200A comportant un biomètre BIO et un ordinateur EI.
Le biomètre BIO comprend un dispositif D0 qui met en œuvre le procédé de caractérisation d’un système cible en déterminant une puissance P de l’implant cible et une performance optique CP du système cible, par exemple sa correction réfractive.
Pour chaque œil cible, le biomètre BIO effectue des mesures biométriques dont découlent des propriétés optiques PO de cette œil. Le biomètre fournit également une propriété optique ajustable PA, par exemple la distance implant-cornée prédite à partir des propriétés optiques PO, par exemple en utilisant la formule de HofferQ.
Selon le procédé de prédiction décrit ci-avant et mis en place sur le dispositif D10, la performance optique CP, par exemple la correction réfractive, est obtenue à partir d’une ou plusieurs propriétés optiques PO dont une propriété optique ajustable PA, par exemple la distance implant-cornée PA et des valeurs d’ajustement C1 et C2 adaptées au type T de l’implant cible et fournies par l’ordinateur EI.
Cet ordinateur EI comprend un dispositif D99 mettant en place un procédé de détermination des valeurs d’ajustement C1 et C2 tel que décrit ci-avant. L’historique H comportant les données H n de systèmes œil-implant de référence SR n permettant de déterminer les valeurs d’ajustement C1 et C2, est enregistré sur un disque dur de l’ordinateur EI.
Dans un mode de réalisation particulier, cet historique est construit avec le biomètre BIO du même système. Dans ce cas, le biomètre BIO peut, en plus d’effectuer les mesures biomètriques sur des yeux de référence, effectuer des mesures de correction réfractive des systèmes œil-implant de référence après la pose et la stabilisation de l’implant.
Ce cas de figure peut par exemple correspondre à l’utilisation, par un chirurgien, du système D200A d’une part pour caractériser des systèmes œil-implant cibles et ainsi préparer des opérations chirurgicales de pose d’implant, d’autre part pour récolter des données pré- et postopératoires pour déterminer de nouvelles valeurs d’ajustement, dans l’objectif d’améliorer les futures caractérisations de systèmes œil-implant, donc d’améliorer de futures opérations de pose d’implant.
Dans certains modes de réalisation, ladite butée forme une deuxième butée et le dispositif de conditionnement comprend en outre une première butée prévue de façon à limiter le déplacement du support sous l’effet du système de rappel lorsque le support est dans la position escamotée. Dans ces modes de réalisation, dans la position escamotée, la première butée limite le déplacement du support sous l’effet du système de rappel, de sorte que le support demeure dans la position escamotée. En déplaçant l’actionneur selon sa course nominale, il est possible d’effacer la première butée de façon à ne plus bloquer le système de rappel ; le système de rappel peut alors entraîner le support vers la position de dégagement. Grâce à la première butée, le support est efficacement retenu dans la position escamotée.