Procédé de réalisation de lignes (114, 126, 126’) en matériau supraconducteur et de vias (108) en contact avec ces lignes, comportant : a) la formation, sur un premier substrat (S), d’une première couche supraconductrice (104) en au moins un matériau supraconducteur, d'une épaisseur au moins égale à l'épaisseur d'une première ligne (114) et d'un premier via (108); b) la gravure de ladite couche supraconductrice (104) pour former d’abord au moins un premier via (108); c) puis la gravure de ladite couche pour former au moins une première ligne (114) entre ledit premier substrat (S) et ledit premier via (108), d) la formation d’au moins une deuxième ligne (126, 126’) au-dessus dudit premier via et en contact avec celui-ci. Procédé selon la revendication 1, le matériau supra-conducteur étant choisi parmi le V 3 Si, le CoSi 2 , le Nb 3 Ge, le TiN, le NbN, le Al, le TaN. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, la première couche supraconductrice comportant une première sous-couche (204 1 ) en un premier matériau supraconducteur, dans laquelle ladite première ligne (114) est réalisée et une deuxième sous-couche (204 2 ) en un deuxième matériau supraconducteur, différent du premier matériau supraconducteur, dans laquelle ledit via (108) est réalisé. Procédé selon la revendication 3, la gravure de la première couche supraconductrice pour former ledit via (108) étant arrêtée sur la surface supérieure de la première sous-couche (204 1 ) en un premier matériau supraconducteur. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, l’étape d) de formation d’au moins une deuxième ligne (126, 126’) comportant la formation préalable d’au moins un deuxième via (128, 128’), puis de la deuxième ligne (126, 126’). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, comportant en outre, entre l’étape c) et d), une étape d’enrobage de ladite première ligne (114) et dudit premier via (108) avec un matériau diélectrique (124), formant un deuxième substrat (120). Procédé selon la revendication 6, le matériau diélectrique (124) étant à constante diélectrique relative k Procédé selon l’une des revendications 6 ou 7, le matériau diélectrique (124) étant choisi parmi la liste suivante : SiN, SiCN, SiO 2 , SiCOH ou SiCOH poreux. Procédé selon l’une des revendications 6 à 8, l’étape d) comportant : - le dépôt sur le deuxième substrat (120) d’une deuxième couche supraconductrice (116) en au moins un matériau supraconducteur, d'une épaisseur au moins égale à l'épaisseur d'une deuxième ligne (126, 126’), et éventuellement d'un deuxième via (128, 128’); - la gravure de la deuxième couche supraconductrice (116) pour éventuellement former le deuxième via (128, 128’), et pour former au moins ladite deuxième ligne (116), en contact avec ledit premier via (108). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comportant la formation de plusieurs premières lignes, selon un pas inférieur à 500 nm, de préférence compris entre 56 nm et 500nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, comportant la formation d'au moins une première ligne (114) d’épaisseur H 1 comprise entre 40 nm et 300 nm. Procédé selon la revendication 11, comportant la formation d'au moins un via (108), en contact avec ladite première ligne (114), d’épaisseur comprise entre H 1 et H 1 /2. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, l’étape b) étant réalisée par gravure partielle de ladite couche supraconductrice, laissant intacte une partie de celle-ci. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, l’étape c) étant réalisée par lithographie avec gravure totale des parties exposées de ladite couche supraconductrice jusqu’au substrat. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, ledit premier substrat (S) comportant au moins une partie d’un circuit, par exemple au moins un plot (102) de contact, avec laquelle ladite première ligne (114) est en contact.