INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Composition (% m sec) P700 P740 P2 P640 P3 P4 Dispersion PTFE 63,60 21,40 67,80 68,80 63,67 61,12 Dispersion PFA 21,10 - 15,50 15,80 14,64 14,06 Dispersion FEP - 13,00 - - - - Derussol 3,10 4,10 3,60 3,60 - - PPTiO 2 - - - - 13,50 12,96 Silice colloïdale 12,20 20,80 3,00 3,00 2,83 2,71 Monopropylène glycol - - - - - - Additif - - - - - - Épaississant - - - - - - Gluconate de cuivre* - - 1,40 - - 1,46 Eau déminéralisée - - - - - - PP650 - 14,80 5,70 5,80 5,36 5,14 Pigment - 3,40 - - - - Charge - 22,50 3,00 3,00 - - Ammoniaque 10,25 % - - - - - 2,55 Total 100,00 100,00 100,00 100,00 100,00 100,00
* % cuit calculé sur la base de la formation de CuO
Formulation de la couche de finition (F8) : F8 Composition % m Dispersion PTFE 62,31 Dispersion FEP 30,55 Dispersion PFA 0,60 Monopropylène glycol 2,02 Base 2,02 Additif 0,86 Épaississant 1,34 Paillettes 0,20 Base 0,10 Total 100,00
Formulation des pâtes tampographiques avec le vanadate de bismuth
PT1 : pâte tampographique sans cuivre
PT1 Composition % m humide % m sec Broyage BiVO 4 36,20 69,70 Eau 16,70 - Additif 3,00 - Antimousse 0,50 - Base 0,10 - Épaississant 0,20 - Liant 3,60 3,50 Post addition Dispersion PTFE 23,20 26,80 Solvant 8,00 - Antimousse 2,00 - Épaississant 2,00 - Eau 3,50 - Base 1,00 - Total 100,00 100,00
PT2 : pâte tampographique avec post-ajout d’une solution d’acétate de cuivre
PT3 : pâte tampographique avec post-ajout d’une solution de gluconate de cuivre
PT4 : pâte tampographique avec post-ajout d’oxyde de cuivre (CuO)
Composition (% m humide) PT2 PT3 PT4 PT1 85,40 83,00 99,50 Acétate de cuivre à 20 % 3,80 - - Gluconate de cuivre à 20 % - 7,50 - Oxyde de cuivre - - 0,50 Épaississant 3,80 2,50 - Additif 6,00 6,00 - Base 1,00 1,00 - Total 100,00 100,00 100,0
Composition (% m sec) PT2 PT3 PT4 PT1 99,26 99,24 99,04 Acétate de cuivre* 0,74 - - Gluconate de cuivre* - 0,76 - Oxyde de cuivre - - 0,96 Épaississant - - - Additif - - - Base - - - Total 100,00 100,00 100,0
PT5 : pâte tampographique avec co-broyage du pigment et d’acétate de cuivre
PT6 : pâte tampographique avec co-broyage du pigment et de gluconate de cuivre
PT7 : pâte tampographique avec co-broyage du pigment et d’oxyde de cuivre
Composition (% m humide) PT5 PT6 PT7 Broyage BiVO 4 36,20 36,20 36,20 Acétate de cuivre 0,60 - - Gluconate de cuivre - 1,50 - Oxyde de cuivre - - 0,50 Eau 12,80 12,50 16,20 Additif 3,00 3,00 3,00 Antimousse 0,50 0,50 0,50 Base 2,40 1,80 0,10 Épaississant 1,20 1,20 0,20 Liant 3,60 3,60 3,60 Post addition Dispersion PTFE 23,20 23,20 23,20 Solvant 8,00 8,00 8,00 Antimousse 2,00 2,00 2,00 Épaississant 2,00 2,00 2,00 Eau 3,50 3,50 3,50 Base 1,00 1,00 1,00 Total 100,00 100,00 100,00
Dans l’ajustement d’écart d’itinéraire comme décrit ci-dessus, si la configuration des itinéraires est connue, les itinéraires peuvent être sélectionnés tout en ajustant le biais, au lieu de sélectionner quatre itinéraires au hasard au moment de la première sélection. En variante, le biais est vérifié après que quatre itinéraires ont été sélectionnés au hasard, et si les itinéraires sont concentrés sur une branche, un des itinéraires peut être changé en un autre itinéraire (direction).
Par exemple, l’unité d’extraction de destination candidate 12 lit dans la mémoire les données de branche indiquant une gare d’arrêt qui est une branche pour chaque itinéraire, et identifie les gares d’arrêt qui sont des branches dans les quatre itinéraires sélectionnés respectifs. L’unité d’extraction de destination candidate 12 compare les gares d’arrêt identifiées et détermine que les branches sont déviées dans le cas où les gares d’arrêt identifiées se chevauchent en un nombre prédéterminé d’itinéraires parmi les quatre itinéraires. Dans le cas où le nombre prédéterminé est défini à quatre, l’unité d’extraction de destination candidate 12 détermine que les branches sont déviées dans le cas où quatre itinéraires sont déviés vers une branche, par exemple. L’unité d’extraction de destination candidate 12, dans le cas où elle détermine que les branches sont déviées pour les quatre itinéraires sélectionnés, change l’un des itinéraires sélectionnés de manière aléatoire en un autre itinéraire (direction), par exemple.
Il convient de noter que, par exemple, dans le cas où la gare de départ est une gare de départ, et où l’itinéraire est une voie unique, comme le Shinkansen Tokaido/Sanyo en utilisant la gare de Tokyo comme gare de départ, en fonction de la configuration d’itinéraires, il peut être impossible de réaliser un ajustement en changeant un itinéraire en un autre itinéraire, comme décrit ci-dessus, de sorte que les itinéraires ne soient pas concentrés sur une branche. Dans ce cas, l’ajustement est réalisé par un procédé qui sera décrit ultérieurement de sorte qu’une gare d’arrêt à mi-chemin certaine n’apparaisse pas sur une base de train sur le voyage aller et le voyage retour.
Pour revenir à la , ensuite, dans chacun des quatre itinéraires candidats sélectionnés à l’étape S30, une gare à présenter à l’utilisateur comme site candidat est sélectionnée parmi les gares d’arrêt incluses dans la liste de gares d’arrêt applicables créée à l’étape S22, créant ainsi une liste de gares candidates (étape S40). Plus spécifiquement, dans chacun des quatre itinéraires candidats par exemple, une gare est sélectionnée parmi les gares d’arrêt des gares d’arrêt incluses dans la liste de gares d’arrêt applicables par tirage au sort aléatoire sur la base d’une probabilité de tirage au sort défini conformément à un score défini à l’avance pour chaque gare.
En ce qui concerne le score, pour chaque gare par exemple, une pondération est définie pour chaque paramètre prédéterminé afin d’ajouter la pondération, et les pondérations sont multipliées pour calculer un score. Le paramètre servant de base est le nombre de sièges en stock sur le voyage aller et le voyage retour entre la gare de départ et chaque gare. La pondération est définie de sorte que plus le nombre de sièges en stock dans une gare est grand, plus le score est élevé. Une pondération par un autre paramètre peut être prise en compte. Par exemple, en tant que paramètre pour chaque gare, une pondération peut être définie selon que la gare est populaire (une gare où le nombre d’utilisateurs ou le nombre de trains est grand), ou que la gare est la cible d’une campagne d’une compagnie ferroviaire ou similaire. La pondération peut être définie à zéro pour empêcher une gare concernée d’être sélectionnée comme gare candidate.
Même dans la même gare, la pondération peut être changée selon le mois, le jour de la semaine, le créneau horaire, ou une combination de ceux-ci. Par exemple, même pour les trains qui partent de la même gare, une circonstance, comme par exemple une demande élevée pour un train le vendredi soir et la facilité de vente du stock par rapport aux trains dans un autre créneau horaire les jours de semaine, peut être prise en compte. En outre, comme pondération spécifique à l’individu pour chaque utilisateur, une pondération peut par exemple être définie de sorte qu’une destination tirée au sort/décidée dans le passé en utilisant ce service ou la même gare que la destination que l’utilisateur a visitée dans le passé soit difficilement sélectionnée à nouveau. Il convient de noter que les informations de réglage concernant la valeur qui doit être prise par la pondération si chaque paramètre se trouve dans une condition donnée peuvent être inscrites à l’avance dans un fichier de réglage ou un tableau (aucun n’est montré) à l’extérieur et modifiées selon les besoins.
La est une vue montrant un exemple dans lequel une liste de gares candidates est créée selon le mode de réalisation de la présente invention. Ici, pour les gares d’arrêt incluses dans la liste de gares d’arrêt applicables d’un certain itinéraire comme le montre l’exemple de la , des pondérations sont définies pour les paramètres spécifiques à la gare, au mois, au jour de la semaine et à l’individu comme décrit ci-dessus, et le résultat de la multiplication des pondérations est montré à la ligne la plus basse. Un tirage au sort est réalisé sur la base d’une probabilité de tirage au sort définie conformément à la magnitude de chaque valeur, sélectionnant ainsi des gares candidates dans l’itinéraire concerné. Dans l’exemple que montre la , la probabilité de tirage au sort de la gare W est définie comme la plus élevée.
Comme décrit ci-dessus, dans ce mode de réalisation, à la sélection de quatre gares candidates de destination, quatre itinéraires candidats sont sélectionnés par tirage au sort, et une gare candidate est sélectionnée par tirage au sort parmi les gares d’arrêt applicables de chaque itinéraire candidat. À ce stade, étant donné que la probabilité de tirage au sort est définie sur la base de la pondération de chaque paramètre, si une recherche est réalisée une pluralité de fois pour le même utilisateur à des intervalles de temps rapprochés, un cas où une gare spécifique est sélectionnée facilement comme une gare candidate peut se produire à moins que le nombre de sièges en stock ne change largement. Cependant, le contenu des gares candidates présentées à chaque fois que la recherche est réalisée peut changer. À ce stade, si l’utilisateur est autorisé à répéter la recherche de nombreuses fois jusqu’à ce qu’une bonne combinaison de gares candidates apparaisse, une charge excessive est appliquée au système.
En conséquence, dans ce mode de réalisation, en enregistrant les détails d’une condition qu’un utilisateur a entrée, un identifiant d’un utilisateur et les gares candidates d’un résultat de recherche dans un témoin de connexion, dans le cas où la même condition est entrée à nouveau par le même utilisateur, les gares candidates avec les mêmes détails que les gares candidates sorties la première fois sont sorties tant qu’il y a du stock. Si les gares candidates du premier résultat de recherche ne peuvent pas être sélectionnées parce qu’il y a par exemple un stock insuffisant de sièges en raison d’une variation de stock, une réponse "aucune gare n’est disponible" est renvoyée. Ceci peut supprimer une recherche répétitive de la part de l’utilisateur. Par exemple, une limite peut être définie pour le nombre de fois où un traitement de recherche est réalisé, et l’utilisateur peut être autorisé à effectuer le traitement de recherche seulement un nombre prédéterminé de fois, au lieu de toujours utiliser le premier résultat de recherche dans le cas où les mêmes conditions sont désignées. De plus, après l’écoulement d’une période prédéterminée, par exemple, après plusieurs jours, le traitement peut être réinitialisé, et une nouvelle recherche peut être réalisée à nouveau.
Pour revenir à la , si les quatre gares candidates sont décidées, une série de processus, pour décider des trains à vendre réellement à l’utilisateur dans la combinaison de trains aller/retour entre la gare de départ et chaque gare candidate et la gare de destination, est ensuite réalisée (étape S50). Ici, une pondération selon le nombre de sièges en stock est définie pour réaliser une évaluation par score de chaque train, et les trains aller/retour finaux sont décidés par tirage au sort sur la base de la probabilité de tirage au sort selon le score.
Il convient de noter que dans ce mode de réalisation, comme décrit ci-dessus, la décision de la destination finale et des trains aller/retour et le réglage du moment de l’inscription d’une réservation réelle peuvent être réalisés de manière flexible. Pour cette raison, en fonction du réglage, un train peut déjà être absent du stock au moment de l’inscription de la réservation réelle dans le système de compagnie ferroviaire 20, et les billets peuvent être invendables.
Par conséquent, dans ce mode de réalisation, pour éviter le risque décrit ci-dessus, lors de la décision des trains aller/retour finaux par tirage au sort, l’ordre des trains aller/retour autres qu’un train aller/retour décidé peut être décidé à l’avance par tirage au sort pour former une liste d’ordres de priorité. Même si le train cible est absent du stock au moment de l’inscription de la réservation, le train candidat suivant dans l’ordre peut rapidement être défini comme cible, et la réservation peut être inscrite. S’il n’y a pas de stock même pour le train candidat suivant dans l’ordre, le train candidat suivant dans l’ordre est défini comme cible. De cette façon, la réservation peut être tentée en extrayant séquentiellement un train candidat alternatif de la liste d’ordres de priorité jusqu’à ce que la réservation puisse être inscrite.
Par exemple, l’unité d’extraction de destination candidate 12 définit une liste d’ordres de priorité conformément à un score sur la base d’une pondération selon le nombre de sièges en stock calculé à l’étape S50. En conséquence, il est possible de sélectionner un train candidat pour lequel il est très probable que le stock existe. En conséquence, il est possible de supprimer les coûts de traitement de tentatives répétées de réservation.
De plus, dans ce mode de réalisation, même si la réservation est inscrite, les informations de la destination finale et des trains aller/retour peuvent ne pas être notifiées à l’utilisateur jusqu’à juste avant le départ, comme décrit ci-dessus. Par conséquent, le processus de décision du train aller/retour comme décrit ci-dessus peut également être tenu secret pour l’utilisateur. Il convient de noter que les ordres de priorité peuvent être décidés pour tous les trains aller/retour candidats, ou que les ordres de priorité peuvent être décidés seulement pour les trains d’un rang supérieur jusqu’à un ordre prédéterminé, et le traitement peut être omis après cela, augmentant ainsi l’efficacité.
Dans la série de processus de l’étape S50, il y a d’abord une liste de trains candidats formés par des trains aller/retour entre la gare de départ désignée à l’étape S10 et les quatre gares candidates inclues dans la liste de gares candidates créée à l’étape S40 (étape S51). Plus spécifiquement, pour chaque gare candidate, un train qui s’arrête à la gare candidate cible est extrait de la liste de trains applicables du voyage aller créée à l’étape S21, créant ainsi la liste de trains candidats du voyage aller. De même, un train qui s’arrête à la gare candidate cible est extrait de la liste de trains applicables du voyage retour créée à l’étape S21, créant ainsi la liste de trains candidats du voyage retour. Sur la base des listes de trains candidats du voyage aller et du voyage retour, une liste de trains aller/retour candidats formée par toutes les combinaisons des trains qui peuvent faire un voyage aller-retour vers la gare candidate est créée.
Les et 12B et les et 13B sont des vues montrant des exemples détaillés de la liste de trains candidats selon le mode de réalisation de la présente invention. Les et 12B montrent des exemples des listes de trains candidats du voyage aller et du voyage retour, qui sont formées en extrayant – concernant quatre gares candidates (gare de Sendai, gare de Morioka, gare de Niigata et gare de Nagano dans les exemples montrés dans les et 12B) inclues dans la liste de gares candidates sélectionnées à l’étape S40 – les trains qui s’arrêtent aux gares des listes de trains applicables du voyage aller et du voyage retour que montrent les et 8B décrites ci-dessus. De plus, les et 13B montrent un exemple de la liste de trains aller/retour candidats formée en combinant tous les trains dans les listes de trains candidats du voyage aller et du voyage retour que montrent les et 12B comme trains qui font un voyage aller-retour vers les gares candidates. Les et 13B montrent chaque gare candidate entourée d’un cadre épais pour des raisons de commodité.
Lors de cette étape, la structure de la vue (b) de la est rapportée sur la face supérieure de la structure de la vue (a) de la , en utilisant le substrat 311 comme poignée. La face inférieure (dans l'orientation de la , correspondant à la face supérieure dans l'orientation de la ) de la couche métallique 321 est fixée sur la face supérieure de la couche métallique 307. La fixation est par exemple obtenue par collage direct ou collage moléculaire de la face inférieure de la couche 321 sur la face supérieure de la couche 307, c'est-à-dire sans apport de matière entre les deux couches.
Le substrat 311 est ensuite retiré, par exemple par meulage et/ou gravure chimique, de façon à libérer l'accès à la face supérieure de l'empilement actif de LED 313, c'est-à-dire, dans cet exemple, la face supérieure de la couche semiconductrice de cathode 315 de l'empilement actif de LED 313.
La illustre une étape de formation de tranchées 323 s'étendant verticalement dans l'empilement actif de LED 313 depuis sa face supérieure et délimitant latéralement, dans l'empilement 313, une pluralité d'ilots 325 correspondant aux LED individuelles des futures puces élémentaires du dispositif. Les tranchées 323 sont par exemple formées par gravure plasma. En vue de dessus (non représentée), les tranchées 323 forment une grille séparant latéralement les diodes élémentaires 325 les unes des autres.
La illustre en outre une étape ultérieure de prolongement vertical des tranchées 323 à travers les couches métalliques 321 et 307, par exemple en utilisant le même masque de gravure (non représenté) que celui utilisé à l'étape précédente. À l'issue de cette étape, les tranchées 323 débouchent sur la face supérieure de l'empilement d'interconnexion revêtant la face supérieure du substrat 301.
La portion de l'empilement des couches 321 et 307 subsistant sous chaque LED 325 à l'issue de cette étape constitue une électrode d'anode de la LED. Ladite électrode d'anode est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure d'un plot métallique de connexion 305a du circuit élémentaire de contrôle 303 sous-jacent. Ainsi, chaque LED a son électrode d'anode connectée individuellement à un plot métallique de connexion 305a d'un circuit élémentaire de contrôle 303.
Dans cet exemple, une tranchée 323 est en outre formée en vis-à-vis de chaque plot métallique de connexion 305b de façon à libérer l'accès à la face supérieure des plots 305b.
La illustre en outre une étape ultérieure de passivation des flancs des LED 325. Pour cela, une couche 327 en un matériau électriquement isolant, par exemple de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium, est déposée par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure de la structure. La couche 327 revêt alors la face supérieure et les flancs des LED 325, ainsi que les flancs des portions des couches métalliques 307 et 321 situées sous les LED 325, et, au fond des tranchées 323, la face supérieure de l'empilement d'interconnexion revêtant le substrat 301. Une étape de gravure anisotrope verticale est ensuite mise en œuvre pour retirer les portions horizontales de la couche 327, et conserver uniquement les portions verticales de cette couche, revêtant les flancs des LED 325 et les flancs des portions des couches métalliques 307 et 321 situées sous les LED 325.
La illustre une étape ultérieure de remplissage des tranchées 323 par du métal 329. À titre d'exemple, le métal 329 est initialement déposé sur toute la surface supérieure de la structure avec une épaisseur supérieure à la profondeur des tranchées 323, de façon à combler entièrement les tranchées 323. Une étape de planarisation, par exemple par polissage mécano-chimique, est ensuite mise en œuvre pour libérer l'accès à la face supérieure des LED 325. On obtient ainsi une surface supérieure sensiblement plane sur laquelle affleurent les régions semiconductrices de cathode 315 des LED 325, les régions verticales d'isolation 327 des LED, et les régions métalliques 329 remplissant les tranchées 323. En vue de dessus (non représentée), les régions métalliques 329 forment une grille conductrice séparant latéralement les LED 325 les unes des autres. Les régions métalliques 329 sont connectées électriquement aux plots métalliques 305b au fond des tranchées 323, et définissent une métallisation de contact de cathode commune à l'ensemble des LED 325 de la structure.
La illustre en outre une étape ultérieure de dépôt d'une couche conductrice 331, transparente aux longueurs d'onde d'émission des LED du dispositif d'affichage, sur la face supérieure de la structure. La couche 331 s'étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure. La couche 331 est par exemple en un oxyde conducteur transparent, par exemple en oxyde d'indium-étain (ITO). À titre de variante, la couche 331 peut être une couche métallique suffisamment mince pour être transparente, par exemple une couche d'argent d'épaisseur inférieure à 80 nm.
La couche 331 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure des régions semiconductrices de cathode 315 des LED 325, et définit une électrode commune de cathode des LED 325. La couche 331 est en outre en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la région métallique 329. Ainsi, la couche 331 connecte électriquement la région semiconductrice de cathode 315 de chaque LED 325 à la métallisation de contact de cathode commune 329 de la structure.
La est une vue en coupe illustrant de façon très schématique une structure du type de celle obtenue à l'issue des étapes précédemment décrites en relation avec la . Dans l'exemple représenté, la structure comprend plus précisément le substrat 301, dans et sur lequel ont été formés les circuits intégrés élémentaires de contrôle 303, surmonté d'un étage d'émission 351. L'étage d'émission 351 comprend une pluralité de LED (par exemple les LED 325 de la , non détaillées sur les figures 3E à 3I) commandables individuellement par les circuits 303. Afin de ne pas surcharger le dessin, seuls les plots 305a et 305b des circuits intégrés de contrôle 303, situés du côté de la face supérieure du substrat 301, ont été détaillés sur les figures 3E à 3I.
La illustre une étape de collage de la structure de la sur un substrat de support temporaire 353, par exemple en silicium. La structure de la est fixée au substrat de support 353 par sa face opposée aux circuits intégrés de contrôle 303, c'est-à-dire par sa face inférieure dans l'orientation de la , correspondant à sa face supérieure dans l'orientation de la .
La illustre en outre une étape optionnelle d'amincissement du substrat semiconducteur 301, par sa face opposée à l'étage 351. Dans le cas où les circuits intégrés de contrôle 303 sont initialement formés dans et sur un substrat de type SOI, l'étape d'amincissement de la peut consister à retirer le substrat de support du substrat SOI, de façon à ne conserver que la couche de silicium monocristallin et la couche isolante du substrat SOI.
À titre de variante, dans un cas où les circuits intégrés 303 sont formés dans et sur un substrat massif de silicium, l'étape d'amincissement peut consister à réduire l'épaisseur du substrat 301, par exemple par meulage, à partir de sa face supérieure (dans l'orientation de la ). Une couche isolante de passivation (non détaillée sur la figure) peut ensuite être déposée sur la face supérieure du substrat 301 aminci.
La illustre une étape de formation, du côté de la face supérieure du substrat 301 (dans l'orientation de la ), de plots métalliques de connexion 355 reliés aux plots de connexion 305a et 305b et/ou à des bornes de connexion de composants électroniques, par exemple des transistors MOS, des circuits intégrés 303, par l'intermédiaire de vias conducteurs non détaillés sur la figure, traversant le substrat semiconducteur 301 des circuits intégrés 303. Les plots 355 étant pour l'essentiel reliés à des bornes de connexion à l'intérieur du circuit, leur nombre est en pratique supérieur au nombre de plots 355.
La illustre en outre une étape de formation, à partir de la face supérieure du substrat 301, de tranchées 357 traversant verticalement les circuits intégrés 303 et l'étage 351 d'émission et débouchant sur la face supérieure du substrat de support temporaire 353. Les tranchées 357 délimitent latéralement une pluralité de puces semiconductrices 359 correspondant aux puces élémentaires de pixel du dispositif d'affichage. Les tranchées 357 peuvent être formées par gravure plasma, par sciage, ou par toute autre méthode de découpe adaptée.