Procédé de préparation d’un substrat support (1) muni d’une couche de piégeage de charges (4), le procédé comprenant l’introduction d’un substrat de base (2) en silicium monocristallin présentant une résistivité inférieure ou égale à 500 ohm.cm dans une chambre d’un équipement de dépôt et, sans extraire le substrat de base (2) de la chambre et tout en balayant la chambre à l’aide d’un gaz porteur, les étapes successives suivantes : former une couche épitaxiale en silicium intrinsèque (5) sur le substrat de base (2), en introduisant dans la chambre un gaz précurseur contenant du silicium pendant une période de temps déterminée ; former une couche diélectrique (3) sur la couche épitaxiale en silicium intrinsèque (5) en introduisant dans la chambre un gaz réactif au cours d’une première période de temps ; former une couche de piégeage de charges (4) en silicium polycristallin directement sur la couche diélectrique (3) en introduisant dans la chambre un gaz précurseur contenant du silicium au cours d’une deuxième période de temps postérieure à la première ; le procédé étant caractérisé en ce que la durée pendant laquelle la couche diélectrique (3) est exposée uniquement au gaz porteur, entre la première période de temps et la deuxième période de temps, est inférieure à 30 secondes et en ce que l’étape de formation de la couche de piégeage de charges (4) est conduite à une température strictement comprise entre 1010°C et 1200°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le gaz porteur comprend, ou est constitué, d’hydrogène. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel le gaz précurseur contenant du silicium est choisi dans la liste formée du silane, disiliane, trichlorosilane, dicholorosilane et tétrachlorure de silicium. Procédé selon l’une des revendications précédentes comprenant, avant l’étape de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque (5), une étape de recuit du substrat de base (2) dans une atmosphère neutre ou réductrice, à une température comprise entre 900°C et 1200°C, pour éliminer un oxyde natif éventuellement présent superficiellement. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque (5) sur le substrat de base (2) est réalisée à une température d’épitaxie comprise entre 900°C et 1200°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque (5) conduit à former une couche (5) dont l’épaisseur est comprise entre 5 et 20 microns. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (3) est en oxyde de silicium et le gaz réactif comprend entre 0,1% et 10% d’oxygène dans un gaz neutre tel que de l’argon. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation de la couche diélectrique (3) est conduite à une température comprise entre 900°C et 1150°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (3) présente une épaisseur supérieure à 0,5 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation de la couche de piégeage de charges (4) est conduite à une température supérieure à 1050°C ou à 1100°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage de charges (4) et la couche diélectrique (3) sont formées à des températures respectives identiques à 50°C près. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la durée pendant laquelle la couche diélectrique (3) est exposée uniquement au gaz porteur est inférieure à 20 secondes ou à 15 secondes. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage de charges (4) présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 microns.