Procédé de croissance d’un matériau III-V comprenant : Une fourniture d’un empilement (1) comprenant une couche cristalline en matériau III-V dite couche de germination (100), une première couche de masquage (210) surmontant la couche de germination (100), la première couche de masquage (210) présentant au moins une première ouverture (310) exposant une partie (102) d’une face supérieure (101) de la couche de germination (100), Une formation d’au moins une couche sacrificielle (30) remplissant la première ouverture (310) et s’étendant depuis la première ouverture (310) sur au moins une première région (213) d’une face supérieure (211) de la première couche de masquage (210), Un dépôt d’une deuxième couche de masquage (220) recouvrant une face supérieure (31) de la couche sacrificielle (30) et recouvrant au moins une deuxième région (214) de la face supérieure (211) de la première couche de masquage (210), la deuxième région (214) étant non recouverte par la couche sacrificielle (30), Une formation d’au moins une deuxième ouverture (320) dans la deuxième couche de masquage (220) de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de la couche sacrificielle (30), Un retrait de la couche sacrificielle (30) sélectivement par rapport à la première couche de masquage (210) et à la deuxième couche de masquage (220), de sorte à former au moins une cavité (40), Une croissance par épitaxie d’un matériau à base du matériau III-V à partir de la couche de germination (100) dans la première ouverture (310) et dans la cavité (40), de sorte à former au moins une première couche épitaxiée (110) s’étendant dans la première ouverture (310) et dans la cavité (40) et présentant une face supérieure (111) s’étendant principalement dans un plan XY, Une formation d’au moins une troisième ouverture (330) dans la deuxième couche de masquage (220) sur une portion permettant d’exposer une partie (112) de la face supérieure (111) l’au moins une première couche épitaxiée (110), Une croissance par épitaxie d’au moins un matériau à base du matériau III-V à partir de la première couche épitaxiée (110), la direction privilégiée de la croissance étant normale au plan XY, de sorte à former au moins une deuxième couche épitaxiée (120) s’étendant depuis l’au moins une première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel selon une coupe parallèle au plan XY, la première ouverture (310) présente une dimension L 310 et la face supérieure (111) de la première couche épitaxiée (110) présente une dimension L 111 , avec L 111 >5*L 310 , de préférence L 111 >10*L 310 et de préférence L 111 >20*L 310 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche épitaxiée (110) présente une épaisseur H 110 et la deuxième couche épitaxiée (120) présente une épaisseur H 120 , avec H 120 >2*H 110 , de préférence H 120 >3*H 110 et de préférence H 120 >5*H 110 , les épaisseurs H 120 et H 110 étant prises selon une direction Z perpendiculaire au plan XY. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant, après la formation de la première couche épitaxiée (110) et avant la formation de la troisième ouverture (330) dans la deuxième couche de masquage (220), un dépôt d’une troisième couche de masquage (230) sur la deuxième couche de masquage (220), et une formation dans la troisième couche de masquage (230) d’au moins une quatrième ouverture (340) présentant des flancs (231) et configurée pour exposer une partie de la deuxième couche de masquage (220), les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230) étant conservés lors de la croissance de la deuxième couche épitaxiée (120) à partir de la première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel une couche de protection (50) est déposée au moins sur les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230), et de préférence sur des flancs (223) définissant la troisième ouverture (330) de la deuxième couche de masquage (220), avant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée (120), cette couche de protection (50) recouvrant les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230), et de préférence les flancs (223) de la deuxième couche de masquage (220), durant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la cavité (40) présente une portion de section triangulaire selon une coupe parallèle au plan XY, ladite portion s’étendant depuis l’aplomb de la première ouverture (310). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la croissance de la première couche épitaxiée (110) se fait dans toutes les directions du plan XY. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première ouverture (310) est située à l’aplomb d’un centre de la cavité (40). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la cavité (40) est de forme hexagonale. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : un dopage parmi un dopage de type N ou de type P de la première couche épitaxiée (110), un dopage de l’autre type parmi un dopage de type N ou de type P d’une deuxième zone dopée (1002) de la deuxième couche épitaxiée (120), la deuxième zone dopée s’étendant depuis face supérieure (121) de la deuxième couche épitaxiée (120). Procédé selon la revendication précédente, comprenant en outre : une réalisation d’une première électrode (2001) en contact électrique avec la deuxième couche épitaxiée (120), une réalisation d’une deuxième électrode (2002) en contact électrique avec la première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l’empilement forme une jonction PN. Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre une formation de puits quantiques au sein de la deuxième couche épitaxiée (120), de sorte à fabriquer une LED. Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes prises en combinaison avec l’une quelconque des revendications 4 à 5, dans lequel la première électrode (2001) est déposée dans une cinquième ouverture (350) préalablement réalisée dans la troisième couche de masquage (230) et dans la deuxième couche de masquage (220) de sorte à exposer une partie de la face supérieure (111) de la première couche épitaxiée (110) et la rendre accessible depuis une face supérieure (232) la troisième couche de masquage (230). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau III-V de la première couche épitaxiée (110) et le matériau III-V de la deuxième couche épitaxiée (120) sont des matériaux III-N, et de préférence sont des matériaux à base de nitrure de gallium et de préférence sont faits de nitrure de gallium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : la première couche de masquage (210) présente une pluralité de premières ouvertures (310) exposant chacune une partie (102) de la face supérieure (101) de la couche de germination (100), l’étape de formation d’au moins une couche sacrificielle (30) est effectuée de sorte à former une pluralité de couches sacrificielles (30), disjointes les unes des autres, remplissant chacune au moins une première ouverture (310), la deuxième couche de masquage (220) recouvre la pluralité de couches sacrificielles (30), l’étape de formation d’au moins une deuxième ouverture (320) est effectuée de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de chacune des couches sacrificielles (30), l’étape de formation d’au moins une deuxième ouverture (320) est effectuée de sorte à former une pluralité de deuxièmes ouvertures (320), de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de chaque couche sacrificielle (30), l’étape de retrait de chaque couche sacrificielle (30) sélectivement à la première couche de masquage (210) et à la deuxième couche de masquage (220), est effectuée de sorte à former au moins une pluralité de cavités (40), l’étape de croissance par épitaxie du matériau III-V à partir de la couche de germination (100) est effectuée de sorte à former une pluralité de premières couches épitaxiées (110), chaque première couche épitaxiée (110) étant située dans une cavité (40), la formation d’au moins une troisième ouverture (330) est effectuée de sorte à exposer une partie (112) de la face supérieure (111) de chaque première couche épitaxiée (110), l’étape de croissance par épitaxie du matériau III-V à partir de l’au moins une première couche épitaxiée (110) est effectuée de sorte à former une deuxième couche épitaxiée (120) s’étendant depuis chaque première couche épitaxiée (110). Dispositif microélectronique, comprenant un empilement de couches selon une direction verticale (z), ledit empilement comprenant, à partir d’une surface inférieure (500) dudit empilement, une couche de germination (100) cristalline en un matériau III-V, une première couche (110) cristalline à base de ce même matériau et une deuxième couche (120) cristalline à base de ce même matériau, comprenant de plus une première couche de masquage (210) et une deuxième couche de masquage (220), caractérisé en ce que la première couche (110) présente une zone (113) qui forme saillie, en projection dans un plan XY normal à la direction verticale (z), par rapport à la deuxième couche (120), la couche de germination (100) et la première couche épitaxiée (110) d’une part, et la première couche épitaxiée (110) et la deuxième couche épitaxiée (120) d’autre part, sont en contact. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la première couche (110) s’étend selon la direction verticale (z) sur une épaisseur H 110 et la deuxième couche (120) s’étend selon la direction verticale (z) sur une épaisseur H 120 , avec H 120 >2*H 110 et de préférence H 120 >3*H 110 . Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la première couche (110) présente une première zone dopée (1001), de dopage de type N ou de type P, et la deuxième couche (120) présente à sa surface une deuxième zone dopée (1002), de dopage de l’autre type parmi le type N ou le type P. Dispositif selon la revendication précédente, comportant une première électrode (2001) en contact avec la deuxième zone dopée (1002), et une deuxième électrode (2002) en contact avec la première zone dopée (1001) et dans lequel, de préférence la deuxième couche épitaxiée (120) est entourée d’une quatrième couche de masquage (240), et la deuxième électrode (2002) s’étend au travers de la quatrième couche de masquage (240, 230) et depuis une face supérieure (2342) de la quatrième couche de masquage (240, 230) jusqu’à la première zone dopée (1001).