Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (100), b) former une électrode transparente conductrice (200) sur le substrat (100), c) former une zone active (500) émissive ou réceptive en un matériau semi-conducteur sur la première électrode transparente conductrice (200), d) former une électrode supérieure (600) sur la zone active (500), caractérisé en ce que l’électrode transparente conductrice (200) est formée en réalisant par ALD ou par PVD N fois le cycle formé des sous-étapes b1) et b2), avec N un entier supérieur ou égal à 1 : b1) réaliser m1 fois une séquence de dépôt des précurseurs d’un premier oxyde transparent conducteur, avec m1 un entier supérieur ou égal à 2, pour former un premier oxyde transparent conducteur, b2) réaliser m2 fois une séquence de dépôt des précurseurs d’un deuxième oxyde transparent conducteur, avec m2 un entier supérieur ou égal à 2, pour former une deuxième oxyde transparent conducteur. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape b) est réalisée par ALD. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier oxyde transparent conducteur est SnO 2 et en ce que le deuxième oxyde transparent conducteur est de l’oxyde de zinc, éventuellement dopé à l’aluminium. Procédé selon les revendications 2 et 3, caractérisé en ce que la séquence de dépôt du premier oxyde transparent conducteur est la suivante : - pulse d’eau, - pulse de diéthylZinc, et en ce que la séquence de dépôt du deuxième oxyde transparent conducteur est la suivante : - pulse de H 2 O 2 , - pulse de tétrakis(diméthylamino) d’étain. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que m2 est de 1 à 5 fois supérieur à m1, par exemple m2 est 1,5 fois supérieur à m1. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que m1 = 2, m2 = 3 et de préférence N = 80 ou en ce que m1 = 4, m2 = 6 et de préférence N = 40. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier oxyde transparent conducteur a une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 nm et/ou en ce que le deuxième oxyde transparent conducteur a une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif optoélectronique est un micro-afficheur OLED. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le micro-afficheur OLED comprend au moins deux électrodes transparentes conductrices (200a, 200b) et en ce que le procédé comporte les étapes suivantes : a) fournir un substrat (100) comprenant une première zone (120a), une deuxième zone (120b), une troisième zone (120c), - former un film (120) de SnO 2 sur le substrat, le film de SnO 2 recouvrant la première zone (120a), et éventuellement la deuxième zone (120b) et la troisième zone (120c), moyennant quoi on forme une première électrode transparente (200a) sur la première zone (120a), b) former une deuxième électrode transparente conductrice (200b) sur la deuxième zone (120b) selon les sous-étapes suivantes : - déposer sur le substrat (100) un premier empilement d’oxyde transparent conducteur ou un premier mélange d’oxyde transparent conducteur par ALD en réalisant N fois le cycle formé des sous-étapes b1) et b2), avec N un entier supérieur ou égal à 1: b1) réaliser m1 fois une séquence de dépôt de SnO 2 , b2) réaliser m2 fois une séquence de dépôt de ZnO, - graver le premier empilement ou le premier mélange d’oxyde transparent conducteur, à travers un masque, de préférence avec une solution de HF diluée, moyennant quoi on obtient une deuxième électrode transparente (200b) en regard de la deuxième zone (102b). Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape b’) ultérieure à l’étape b) au cours de laquelle on forme une troisième électrode transparente conductrice (200c) sur la troisième zone (120c) selon les sous-étapes suivantes : - déposer sur le substrat (100) un deuxième empilement d’oxyde transparent conducteur ou un deuxième mélange d’oxyde transparent conducteur par ALD en réalisant N’ fois le cycle formé des sous-étapes b1) et b2), avec N’ un entier supérieur ou égal à 1: b1’) réaliser m1’ fois une séquence de dépôt de SnO 2 , avec m1’ inférieur à m1, b2’) réaliser m2’ fois une séquence de dépôt de ZnO, avec m2’ inférieur à m2, - graver le deuxième empilement, à travers un masque, de préférence avec une solution de HF diluée, moyennant quoi on obtient une troisième électrode transparente (200c) en regard de la troisième zone (120c), le procédé pouvant, en outre, comprendre une étape ultérieure à l’étape b’), au cours de laquelle on dépose un film de SnO 2 pleine plaque. Dispositif optoélectronique obtenu selon le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant successivement: - un substrat (100), - une électrode transparente conductrice (200), - une zone active (500) émissive ou réceptive en un matériau semi-conducteur, - une électrode supérieure (600), caractérisé en ce que l’électrode transparente conductrice (200) est formée d’une alternance de films en un premier oxyde transparent conducteur et de films en un deuxième oxyde transparent conducteur ou d’un mélange du premier oxyde transparent conducteur et du deuxième oxyde transparent conducteur. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le premier oxyde transparent conducteur est SnO 2 et en ce que le deuxième oxyde transparent conducteur est de l’oxyde de zinc, éventuellement dopé à l’aluminium. Dispositif selon l’une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que le premier oxyde transparent conducteur a une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 nm et/ou en ce que le deuxième oxyde transparent conducteur a une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 nm. Dispositif selon l’une des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que le dispositif optoélectronique est un micro-afficheur OLED. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que le dispositif comprend : - le substrat (100) comprenant une première zone (120a), une deuxième zone (120b), une troisième zone (120c), - une première électrode transparente conductrice (200a) en SnO 2 recouvrant la première zone (120a), - une deuxième électrode transparente conductrice (200b) formée d’un premier empilement comprenant une alternance de films de SnO 2 et de films de ZnO, disposée en regard de la deuxième zone (120b), - une troisième électrode conductrice (200c), disposée en regard de la troisième zone (120c), et formée d’un deuxième empilement comprenant une alternance de films de SnO 2 et de films de ZnO, l’épaisseur des films de SnO 2 du deuxième empilement étant inférieur à l’épaisseur des films de SnO 2 du premier empilement, l’épaisseur des films ZnO du deuxième empilement étant inférieure à l’épaisseur des films de ZnO du premier empilement, ou formée d’un mélange de ZnO et de SnO 2 , - éventuellement, un film de SnO 2 recouvrant la première électrode, la deuxième électrode et la troisième électrode, - la zone active (500), - l’électrode supérieure (600), l’électrode supérieure (600) étant commune à la première électrode (200a), à la deuxième électrode (200b) et à la troisième électrode (200c). Dispositif selon l’une des revendications 11 à 12 et 14, caractérisé en ce que le dispositif comprend : - le substrat (100) comprenant une première zone (120a), une deuxième zone (120b), une troisième zone (120c), - une première électrode transparente conductrice (200a) en SnO 2 recouvrant la première zone (120a), - une deuxième électrode transparente conductrice (200b) formée d’un premier mélange de SnO 2 et de ZnO, disposée en regard de la deuxième zone (120b), - une troisième électrode conductrice (200c) formée d’un deuxième mélange de SnO 2 et de ZnO, disposée en regard de la troisième zone (120c), - éventuellement, un film de SnO 2 recouvrant la première électrode (200a), la deuxième électrode (200b) et la troisième électrode (200c), - la zone active (500), - l’électrode supérieure (600), l’électrode supérieure (600) étant commune à la première électrode (200a), à la deuxième électrode (200b) et à la troisième électrode (200c).