INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation préféré, le ou les agent(s) stabilisant(s) ii) sont choisis parmi les polymères de (méth)acrylate d’isobornyle, de préférence parmi l’homopolymère de (méth)acrylate d’isobornyle et les copolymères statistiques de (méth)acrylate d’isobornyle et de (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 4 de préférence présents selon un rapport pondéral (méth)acrylate d’isobornyle / (méth)acrylate d’alkyle en C 1 -C 4 supérieur à 4. Avantageusement, ledit rapport pondéral va de 4,5 à 19.
Avantageusement, l’agent stabilisant ii) est choisi parmi : - les homopolymères d’acrylate d’isobornyle ; - les copolymères statistiques d’acrylate d’isobornyle/acrylate de méthyle ; - les copolymères statistiques d’acrylate d’isobornyle/acrylate d’éthyle ; et - les copolymères statistiques d’acrylate d’isobornyle/acrylate de méthyle/acrylate, d’éthyle selon le rapport pondéral décrit précédemment.
Avantageusement, l’ensemble particule(s) de polymère(s) i) + agent(s) stabilisant(s) ii) présents dans la dispersion huileuse (A’) comprend de 10 à 50 % en poids de copolymères d) et de 50 à 90 % en poids de copolymères a) + b), par rapport au poids total de l’ensemble particule(s) de polymère(s) i) + agent(s) stabilisant(s) ii).
Préférentiellement, l’ensemble particule(s) de polymère(s) i) + agent(s) stabilisant(s) ii) présents dans la dispersion huileuse (A’) comprend de 15 à 30 % en poids de copolymères d) et de 70 à 85 % en poids de polymères a) + b), par rapport au poids total de l’ensemble particule(s) de polymère(s) i) + agent(s) stabilisant(s) ii).
La composition (A) comprend de préférence une teneur totale en particule(s) i) + agent(s) stabilisant(s) ii) allant de 1 à 50 % en poids, de préférence allant de 2 à 30 % en poids, par rapport au poids total de la composition (A) .
iii) Huile(s) hydrocarbonée(s) La dispersion huileuse (A’) comprend une ou plusieurs huiles hydrocarbonée(s).
Par "huile", on entend un corps gras liquide à température ambiante à température ambiante (25 °C) et pression atmosphérique.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la ou les huiles hydrocarbonée(s) sont volatiles.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la ou les huiles hydrocarbonées sont un mélange d’une huile volatile et d’une huile non volatile.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre les étapes suivantes : former dans la zone d’individualisation un masque de protection sur la couche de transfert préalablement à la formation des premiers motifs de ligne, graver la couche de transfert dans la zone fonctionnelle, en dehors de la zone d’individualisation, de sorte que la couche de transfert dans la zone fonctionnelle présente une épaisseur h f c , retirer le masque de protection avant de former les premiers motifs de lignes dans la zone d’individualisation.
Selon un exemple, les motifs de lignes sont formés successivement dans la zone fonctionnelle et dans la zone d’individualisation.
Un niveau de « début de ligne », dit FEOL (acronyme de « Front End Of Line ») correspond typiquement à un niveau portant des composants élémentaires, par exemple des transistors, réalisé sur le substrat de base. Un niveau de « fin de ligne », dit BEOL (acronyme de Back End Of Line), correspondant correspond typiquement à un niveau portant des interconnections électriques, réalisé après le niveau FEOL et/ou après d’autres niveaux BEOL.
La réalisation de grilles ou de pistes électriques présentant des oscillations aléatoires est effectuée uniquement dans l’au moins une zone d’individualisation. Le circuit intégré présente au moins une autre zone, distincte de la zone d’individualisation, de préférence destinée à former une zone fonctionnelle pour le circuit intégré. Cette autre zone présente typiquement une surface plus grande que la surface de la zone d’individualisation. Les grilles ou les niveaux de pistes électriques s’étendent dans ladite au moins une autre zone. De manière classique, la zone fonctionnelle du circuit intégré comprend des entrées et des sorties logiques. Cette zone fonctionnelle est destinée à assurer des fonctions logiques pour le fonctionnement attendu du circuit intégré. Outre des pistes électriques ou des transistors, cette zone fonctionnelle peut éventuellement comprendre d’autres structures microélectroniques, telles que des diodes, des MEMS etc.
La zone d’individualisation a quant à elle pour fonction de rendre unique chaque circuit intégré.
Dans le cadre de la présente invention, une zone d’individualisation dite PUF est parfaitement différenciée d’une zone fonctionnelle destinée par exemple à effectuer des opérations logiques. La zone d’individualisation quant à elle a principalement et de préférence uniquement comme fonction de permettre l’identification unique de la puce et donc son authentification de la puce. La zone d’individualisation est accessible distinctement de la zone fonctionnelle. La zone d’individualisation est localisée sur une zone bien délimitée de la puce. La zone d’individualisation est par exemple de forme polygonale, par exemple rectangulaire. Ainsi, n’importe quelle zone défectueuse ne peut pas être assimilable à une zone d’individualisation PUF. De même, n’importe quelle zone non défectueuse ne peut pas être assimilable à une zone fonctionnelle.
La zone fonctionnelle présente typiquement une surface au moins deux fois supérieure à celle de la zone d’individualisation. La zone d’individualisation s’étend sur au moins 5% et de préférence sur au moins 10% de la surface du circuit intégré.
Dans la présente demande, les termes « oscillations » et « ondulations » sont employés en synonymes. Ces termes désignent une forme sinueuse, faite de courbes alternativement concaves et convexes. Les oscillations ne sont pas nécessairement périodiques. Elles se superposent au motif de lignes initialement prévu par le plan d’agencement du circuit ou « layout », qui est le terme couramment employé pour désigner ce plan d’agencement. Les expressions « plan d’agencement » et « agencement » sont équivalentes et peuvent être substituées l’une à l’autre.
Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le terme via regroupe toutes les connexions électriques tels que les plots, lignes et structures conductrices qui s’étendent, de préférence perpendiculairement, entre deux couches, successives ou non, du circuit intégré, soit entre deux niveaux de pistes électriques, soit entre un niveau de pistes électriques et un niveau de grilles par exemple. De préférence les vias forment chacun un plot, de section sensiblement circulaire.
On entend par un substrat, un film, une couche, une structure « à base » d’un matériau A, un substrat, un film, une couche, une structure comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments dopants.
La notion de contention s’entend ici comme la mise en compression des faces latérales d’un module d’accumulateur électrochimique.
Un tel dispositif de contention bénéficie d’un encombrement réduit, ce qui lui permet d’être appliqué à des accumulateurs électrochimiques de forte tension même à proximité des bornes de connexion. Les accumulateurs électrochimiques utilisés dans les véhicules électriques, par exemple, présentent à la fois des bornes de connexion délivrant un niveau de tension qui représente un danger, et une configuration confinée avec peu d’espace pour la disposition des moyens de contention.
Des accumulateurs électrochimiques de forte tension et de forte densité d’énergie peuvent ainsi être mis en œuvre avec une force de contention élevée, et ce de manière flexible et modulaire en permettant de plus un démontage aisé qui augmente la réparabilité de l’ensemble.
La mise en place du mécanisme de serrage ne requiert aucun outil ni aucun réglage particulier, ce qui contraste fortement avec les dispositifs de l’art antérieur qui nécessitent au moins des outils standards voire des outils spécialisés destinés à un personnel formé. Le réglage de la force de serrage appliquée est réalisée automatiquement par la libération d’un élément élastique calibré qui applique seul la force de serrage. La facilité de mise en place des éléments de contention (sans outils) se combine donc avec une sureté de montage élevée, car le calibrage de la force de serrage ne dépend pas de l’opérateur qui met en place le mécanisme de serrage.
Le dispositif de contention selon l’invention procure de plus une fonction supplémentaire dite de « respirabilité ». Dans l’art antérieur cette fonction, lorsqu’elle existe, est réalisée par des éléments proéminents augmentant l’encombrement du module d’accumulateur, et non dans un tel mécanisme de serrage compact. Cette fonction de respirabilité permet au module d’accumulateur, tout en subissant une force de contention permanente, de pouvoir néanmoins se dilater et se contracter lors des cycles de charge et de décharge. En effet, la contention appliquée sur le module d’accumulateur permet, sur un temps long correspondant à la durée de vie de l’accumulateur, d’empêcher un enflement des parois latérales. Cependant, les cycles de charge et de décharge du module d’accumulateur entrainent un échauffement et un refroidissement cyclique qui tendent, de manière indésirable, à augmenter la force de contention durant la dilatation liée à l’échauffement, et à diminuer cette force de contention durant la contraction liée au refroidissement. L’invention permet d’appliquer une force de contention constante, en autorisant la faible variation de dimension liées aux cycles de charge et de décharge.
Le dispositif de contention selon l’invention peut comporter les caractéristiques additionnelles suivantes, seules ou en combinaison :
– le support de coulissement comporte au moins un profilé cylindrique s’étendant selon la direction de coulissement, et le charriot de serrage comporte au moins un coulisseau en liaison glissière avec ce profilé cylindrique ;
– le support de coulissement comporte au moins un barreau qui s’étend transversalement à la direction de coulissement et qui forme le premier terminal de fixation, la sangle de cerclage formant une boucle autour du barreau ;
– le charriot de serrage comporte au moins une barre qui s’étend transversalement à la direction de serrage, et qui forme le deuxième terminal de fixation, la sangle de cerclage formant une boucle autour de la barre ;
– le charriot de serrage comporte au moins une surface d’appui qui est sensiblement perpendiculaire à la direction de serrage, le verrou retenant le charriot de serrage par cette surface d’appui lorsqu’il est dans sa position de rétention ;
– le dispositif comporte une glissière s’étendant dans la direction de serrage, le charriot de serrage étant mobile suivant cette glissière lorsque le verrou est dans sa position de libération ;
– la glissière comporte une extrémité d’appui adaptée à limiter la course du charriot de serrage dans le sens d’un éloignement entre le premier terminal de fixation et le deuxième terminal de fixation, lorsque le verrou est dans sa position de libération ;
– la glissière comporte une extrémité d’appui adaptée à limiter la course du charriot de serrage dans le sens d’un rapprochement entre le premier terminal de fixation et le deuxième terminal de fixation, lorsque le verrou est dans sa position de libération ;
– le charriot de serrage comporte au moins une flasque comportant une rainure définissant la surface d’appui et la glissière ;
– le verrou comporte un taquet qui est appuyé contre la surface d’appui lorsque le verrou est dans sa position de rétention, et qui est positionné dans la glissière lorsque le verrou est dans sa position de libération ;
– le verrou est monté pivotant par rapport au support de coulissement, le passage de la position de rétention à la position de libération du verrou étant réalisée par pivotement ;
Ainsi, selon une possibilité, les formations des premier et deuxième niveaux peuvent être interverties et le deuxième niveau peut être formé avant le premier niveau. La désignation « premier » et « deuxième » niveaux est arbitraire. Le procédé couvre également le cas où la formation du « deuxième » niveau est configurée de manière à ce que les pistes électriques du « deuxième » niveau soient fonction des oscillations aléatoires générées par la mise en œuvre du procédé.
Des couches et/ou des revêtements antireflets peuvent être associés aux résines. Cela permet notamment d’améliorer la résolution de lithographie. Dans la suite, les différents masques à base de résine sont de préférence associés à de telles couches antireflets.
Selon un exemple, la couche de masque peut être qualifiée de masque dur après structuration. Ce masque est notamment qualifié de « dur » par souci de distinction vis-à-vis des masques à base de résine. Il résiste aux gravures habituellement utilisées pour graver des masques de résine.
Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de profondeur pour une gravure. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche, et la profondeur est prise perpendiculairement au plan basal xy du substrat. Ainsi, une couche s’étendant parallèlement au plan basal présente typiquement une épaisseur selon z, et une gravure présente une profondeur selon z également. Les termes relatifs « sur », « surmonte », « sous », « sous-jacent » se réfèrent à des positions prises selon la direction z.
Les figures 1A et 1B représentent de manière schématique en vue de dessus une grille 211 d’un transistor d’un circuit intégré et un plot de contact 21de grille, respectivement dans une zone fonctionnelle 2 du circuit intégré ( ), et dans une zone d’individualisation 1 du circuit intégré ( ), au niveau FEOL.
Comme illustré à la , dans la zone fonctionnelle 2 du circuit intégré, la ou les grilles 211 OK sont sensiblement rectilignes et le ou les plots de contact 21 OK sont sensiblement centrés vis-à-vis de la ou des grilles 211 OK . Le plot de contact 21 OK connecte électriquement la grille 211 OK de façon nominale.
Comme illustré à la , dans la zone d’individualisation 1 du circuit intégré, la ou les grilles 211 KO présentent des oscillations et le ou les plots de contact 21 KO sont désalignés vis-à-vis de la ou des grilles 211 KO . Le plot de contact 21 KO est ici électriquement mal connecté ou non connecté à la grille 211 KO . Dans cet exemple, les plots de contact 21 KO sont correctement disposés selon le plan d’agencement du circuit intégré, et le désalignement provient de la morphologie ondulée de la grille 211 KO . Ainsi, certains vias ou plot de contact 21 KO situés normalement à l’aplomb de la grille 211 sont partiellement connectés voire déconnectés. La résistance de contact connectant le transistor au niveau du plot de contact 21 KO est alors variable de manière aléatoire. Plus le plot de contact 21 KO est désaligné plus la résistance de contact est importante (inversement proportionnel à la surface de contact sur la grille). Le temps de réponse du transistor sera alors augmenté en fonction de la surface de connexion entre le plot de contact 21 KO et la grille du transistor. Cela permet de réaliser une fonction physique non clonable (PUF) composée de transistors ayant une géométrie aléatoire et une résistance de contact aléatoire.
La correspond à une image de Microscopie Electronique à Balayage (MEB) sur laquelle de telles grilles 211 KO oscillantes ont été réalisées.
Les figures 3A à 3C illustrent schématiquement des étapes de formation des grilles 211 KO oscillantes, selon un mode de réalisation du procédé au niveau FEOL. Dans la suite, un seul motif de ligne est illustré par souci de clarté. Le procédé peut être typiquement mis en œuvre pour une pluralité de motifs de ligne.
Un substrat 100 portant un empilement de grille 201 est d’abord fourni. Le substrat 100 peut être un substrat massif à base de silicium dit bulk, ou un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple silicium sur isolant SOI (acronyme de « Silicon On Insulator ») ou germanium sur isolant GeOI (acronyme de « Germanium On Insulator »). La partie supérieure du substrat 100 peut également avoir été préalablement structurée sous l’empilement de grille 201, de façon à former un substrat dit 3D, comprenant par exemple un empilement de nanofils semi-conducteurs ou des structures en ailette destinées à former des transistors de type FinFET.
60 Rainure de fixation
Balai d'essuie-glace comportant un canal de distribution de liquide DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte à un balai d'essuie-glace pour un véhicule automobile comprenant une lame d’essuyage avec un canal pour distribuer du liquide lave-glace ou liquide de lavage ou de nettoyage.
ETAT DE LA TECHNIQUE On connaît déjà de nombreux balais d’essuie-glace comportant une lame d’essuyage avec un canal pour distribuer du liquide de nettoyage ou liquide lave-glace. A titre d’exemple, le document DE 10 2019 212238 A1 décrit un tel balai d'essuie-glace.
La présente invention a pour but de développer un balai d'essuie-glace du type défini ci-dessus améliorant l’essuyage et augmentant l’efficacité du nettoyage.
A cet effet, l’invention a pour objet un balai d'essuie-glace notamment pour un véhicule automobile comprenant une lame d’essuyage avec un canal pour distribuer du liquide lave-glace, ce balai d'essuie-glace étant caractérisé en ce que le canal comprend un élément réducteur de volume.
Le balai d'essuie-glace selon l’invention a l’avantage de réduire le volume de liquide dans le canal ce qui améliore l’essuyage.
De façon avantageuse, l’élément réducteur de volume est un élément allongé, notamment de forme cylindrique qui se fabrique simplement et se place facilement dans le canal.
Selon une forme de réalisation simple, économique et ainsi avantageuse, l’élément réducteur de volume est réalisé en matière plastique.
Le montage de l’élément réducteur de volume est avantageusement simplifié en ce que l’élément réducteur de volume est prévu pour se positionner dans le canal notamment avec l’élément de guidage qui assure le positionnement centré.
De façon particulièrement simple et économique, il est avantageux que l’élément réducteur de volume soit réalisé en une seule pièce avec l’élément de guidage.
La mise en place de l’élément réducteur de volume est avantageusement simplifiée grâce à une aide à la mise en place, notamment une boucle enlevée après la mise en place du réducteur de volume.
Suivant une autre caractéristique avantageuse, l’élément réducteur de volume comporte un moyen d’obturation pour fermer le canal au montage de sorte que le montage du balai d'essuie-glace est simple.
De façon avantageuse, l’élément d’obturation est sous la forme d’un cône ou d’une boule qui se positionnent simplement dans le canal.
L’empilement de grille 201 peut typiquement comprendre plusieurs couches ou sous-couches, par exemple une couche de diélectrique de grille à base d’oxyde de silicium ou d’un matériau à haute constante diélectrique, surmontée par une couche de grille à base de silicium polycristallin ou d’un matériau métallique.
L’empilement de grille 201 est surmonté par une couche 300 de masque dur, désignée également masque dur 300 ou simplement masque 300. Ce masque 300 peut être à base d’oxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium SiN ou d’oxy-nitrure de silicium SiON. Selon possibilité le masque 300 comprend plusieurs couches, par exemple une couche de SiO2 et une couche de SiN. Il peut être formé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Une couche de transfert 400 est formée sur le masque dur 300. Cette couche de transfert est à base d’un matériau carboné hydrogéné. Elle peut être formée par dépôt CVD de carbone amorphe. Selon une autre possibilité elle peut être formée par centrifugation d’un polymère, par exemple selon un procédé connu sous la dénomination « spin on carbon » (SOC). La couche de transfert 400 présent une épaisseur h c selon z par exemple comprise entre 100 nm et 300 nm, par exemple de l’ordre de 150 nm.
La couche de transfert 400 est typiquement structurée par lithographie par l’intermédiaire d’un masque 500. Différentes techniques de lithographie peuvent être utilisées, par exemple la lithographie optique, la lithographie électronique par faisceau d’électrons (ebeam), la lithographie par nanoimpression. En fonction de la technique de lithographie mise en œuvre, le masque 500 peut être formé d’une ou plusieurs couches 501, 502. Il peut comprendre une couche 502 à base de résine, par exemple de résine photosensible, par exemple à tonalité positive. Un revêtement antireflets sous-jacent 501 de type BARC (Bottom Anti Reflective Coating signifiant revêtement anti-reflexion de fond) ou SiARC (silicon anti reflective coating signifiant revêtement anti réflexion à base de silicium) est de préférence utilisé. La couche 502 à base de résine 500 peut présenter une épaisseur comprise entre 100 nm et 500 nm. Le revêtement antireflets 501 peut présenter une épaisseur comprise entre 20 nm et 80 nm. De préférence, la ou les couches de masque 500 sont déposés par une méthode classique de spin coating (à la tournette).
La illustre une première étape de lithographie visant à former un motif de ligne dans la couche 502 à base de résine. Ce motif de ligne est destiné à présenter une largeur l selon y avant gravure de la couche de transfert 400. La largeur l est typiquement comprise entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres, par exemple entre 5 nm et 50 nm, par exemple de l’ordre de 25 nm. Pour y parvenir, différentes techniques sont envisageables. La lithographie peut être configurée de façon à obtenir directement la largeur l souhaitée. Optionnellement une étape de réduction dimensionnelle dite « trimming » peut être effectuée après la première lithographie. Une telle étape de trimming est typiquement réalisée par gravure plasma en utilisant une chimie à base de bromure d’hydrogène et d’oxygène (HBr/O2) ou de chlore et d’oxygène (Cl2/O2). Le débit d’oxygène permet de contrôler la vitesse de trimming c’est-à-dire la consommation latérale de résine.
Comme illustré à la , après formation du motif de ligne de largeur l dans la couche 502 à base de résine, le revêtement antireflets 501 peut être gravé par plasma, à l’aide d’une chimie de gravure à base de fluor, par exemple CH 2 F 2 /CF 4 . Ce type de plasma permet d’utiliser un masque 500 à base de résine présentant une fine épaisseur, par exemple inférieure à 200 nm. La couche de transfert 400 est gravée selon z par une gravure plasma anisotrope à base d’oxygène ou hydrogène, connue de l’homme du métier. Un motif de ligne 410a de largeur l et de hauteur h c est ainsi obtenu dans la couche de transfert 400. Le masque 500 est ensuite retiré. Le motif de ligne 410a est destiné à être transféré dans l’empilement de couches 300, 201 sous-jacent. Avantageusement, en choisissant un rapport h c /l supérieur à 6 entre la hauteur h c et la largeur l du motif de ligne 410a, un phénomène de flambage survient et génère des oscillations le long du motif de ligne 410a selon x.
Comme illustré à la , le masque 300 est ensuite gravé de façon anisotrope selon z, par exemple par plasma à base d’une chimie fluorocarbonnée connue de l’homme du métier. Le motif de ligne 410a est ainsi transféré dans le masque 300 de façon à former un motif de ligne 310 KO présentant des oscillations selon x.
L’empilement de grille 201 est ensuite gravé de façon anisotrope selon z par exemple par plasma à base d’une chimie CH2F2 / SF6 / N2 / He ou HBr / O2 / He connue de l’homme du métier. Le motif de ligne 310 KO est ainsi transféré dans l’empilement de grille 201 de façon à former une grille 211 KO présentant des oscillations selon x.
Les figures 4A et 4B représentent de manière schématique en vue de dessus des pistes électriques 10 et des vias 30 d’un niveau d’interconnexions, respectivement dans une zone fonctionnelle 2 du circuit intégré ( ), et dans une zone d’individualisation 1 du circuit intégré ( ), au niveau BEOL.
Comme illustré à la , dans la zone fonctionnelle 2 du circuit intégré, les pistes électriques 10OK sont sensiblement rectilignes et les vias 30OK sont sensiblement centrés vis-à-vis des pistes électriques 10OK. Les vias 30OK connectent électriquement les pistes électriques 10OK de façon nominale.