Procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) comportant une surface (10) présentant : - des zones d’épitaxie sélective (100) d’un premier matériau, - des amas de matière (101) du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective (100) ; b) former une couche de protection (2), réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface (10) du substrat (1) de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective (100) et les amas de matière (101) ; c) former une couche d’aplanissement (3) sur la couche de protection (2) ; d) retirer des zones (3a) de la couche d’aplanissement (3) faisant face aux amas de matière (101) de manière à exposer des zones supérieures (2a) de la couche de protection (2) s’étendant sur les amas de matière (101) ; e) graver, par une gravure chimique humide, les zones supérieures (2a) exposées de la couche de protection (2) ainsi que des zones latérales (2b) de la couche de protection (2) s’étendant en bordure des amas de matière (101), la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement (3) ; g) graver les amas de matière (101), la couche de protection (2) étant adaptée pour former un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective (100) ; h) retirer la couche de protection (2). Procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) comportant une surface (10) présentant : - des zones d’épitaxie sélective (100) d’un premier matériau, - des amas de matière (101) du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective (100) ; b) former une couche de protection (2), réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface (10) du substrat (1) de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective (100) et les amas de matière (101) ; c) former une couche d’aplanissement (3) sur la couche de protection (2) ; d’) retirer des zones (3a) de la couche d’aplanissement (3) faisant face aux amas de matière (101) ainsi que des zones supérieures (2a) de la couche de protection (2) s’étendant sur les amas de matière (101), de manière à exposer les amas de matière (101) ; e') graver, par une gravure chimique humide, des zones latérales (2b) de la couche de protection (2) s’étendant en bordure des amas de matière (101) exposés, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement (3) ; g) graver les amas de matière (101), la couche de protection (2) formant un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective (100) ; h) retirer la couche de protection (2). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d’aplanissement (3) est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d) est exécutée par une gravure sélective du troisième matériau par rapport au deuxième matériau, la gravure étant de préférence une gravure plasma. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche d’aplanissement (3) est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d’) est exécutée par une gravure : - non-sélective entre le troisième matériau et le deuxième matériau ; - sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; la gravure étant de préférence une gravure plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que les zones d’épitaxie sélective (100) comportent des nanofils (N). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que le premier matériau est un matériau semiconducteur, de préférence un matériau III-V. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - le premier matériau est un matériau cristallin ; - les amas de matière (101) sont des cristallites du premier matériau. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - les zones d’épitaxie sélective (100) présentent une hauteur, notée h 1 ; - les amas de matière (101) présentent chacun une hauteur supérieure à 2 h 1 , de préférence comprise entre 8 h 1 et 12 h 1 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est un matériau solide, de préférence choisi parmi un matériau diélectrique et un matériau métallique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (1) prévu lors de l’étape a) est réalisé en silicium ; et l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est le dioxyde de silicium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche de protection (2) est formée lors de l’étape b) par un dépôt conforme. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche d’aplanissement (3) formée lors de l’étape c) est réalisée dans un polymère, de préférence un polymère photosensible. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l’étape c) est exécutée par un dépôt à la tournette. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel l’étape g) est exécutée par une gravure plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel l’étape h) est exécutée par une gravure chimique humide.