Structure multicouche (100) destinée à former une cellule photovoltaïque tandem, la structure multicouche (100) comprenant : une sous-cellule inférieure (10) à base de silicium, une sous-cellule supérieure (20) à base de pérovskite, une jonction à effet tunnel (30) comportant du silicium dopé disposé à l’interface de la sous-cellule inférieure (10) et de la sous-cellule supérieure (20), la sous-cellule supérieure (20) comprenant une couche inférieure de transport de charges (4) composée par une mono-couche de molécules auto-assemblées. Structure multicouche (100) selon la revendication 1, dans laquelle le silicium de la jonction à effet tunnel (30) est choisi parmi du silicium amorphe hydrogéné et dopé, du silicium polycristallin hydrogéné et dopé, du silicium microcristallin hydrogéné et dopé, du silicium nanocristallin hydrogéné et dopé, du silicium nanocristallin oxygéné hydrogéné et dopé ou du silicium nanocristallin carboné hydrogéné et dopé. Structure multicouche (100) selon l’une des revendications 1 à 2, dans laquelle la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) est greffée avec le silicium de la jonction à effet tunnel (30) par des liaisons covalentes. Structure multicouche (100) selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) est constituée de premiers fragments de formule I ou de formule II reliés par des liaisons covalentes au silicium, de sorte à former une couche de transport de trous. Structure multicouche (100) selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) est constituée de deuxièmes fragments de formule III à VI reliés par des liaisons covalentes au silicium, de sorte à former une couche de transport d’électrons. Structure multicouche (100) selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle la jonction à effet tunnel (30) comprend une couche inférieure et une couche supérieure, au moins l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure est une couche de type n (3n) ou une couche de type p (3p). Structure multicouche (100) selon la revendication 6, dans laquelle la couche inférieure de la jonction à effet tunnel (30) est une couche de type n (3n) ou une couche de type p (3p) et la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) forme au moins en partie la couche supérieure. Structure multicouche (100) selon l’une des revendications 6 à 7, dans laquelle la couche inférieure de la jonction à effet tunnel (30) forme une couche de sélection des charges (9n, 9p) de la sous-cellule inférieure (10) de silicium. Procédé de fabrication de la structure multicouche (100) selon la revendication 1 à 8, le procédé comprenant les étapes de : a) founiture de la sous-cellule inférieure (10) à base de silicium, b) dépôt d’au moins la couche de silicium dopé et hydrogéné pour former au moins la couche inférieure ou la couche supérieure (3n, 3p) de la jonction à effet tunnel (30), c) formation de la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) de sorte à former la couche de transport de charges, d) dépôt de la couche de pérovskite (2) sur la mono-couche de molécules auto-assemblées (4). Procédé de fabrication de la structure multicouche (100) selon la revendication 9 comprenant, avant la formation de la mono-couche de molécules auto-assemblées (4) de l’étape c), une étape i) d’application d’un traitement de la surface de silicium par une solution aqueuse d’un mélange de HF à 2% et HCl à 1%, de sorte à retirer l’oxyde natif.