INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- Les bords supérieur et inférieur coopèrent par recouvrement de l’un par-dessus l’autre.
- Chaque connecteur électrique comporte une poignée de préhension.
Selon une variante additionnelle, la vitesse courante du premier véhicule est régulée à la vitesse de consigne lorsqu’aucun véhicule n’est détecté devant le premier véhicule.
Selon une autre variante, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’une limitation de vitesse sur la portion de route, le contrôle du système de changement de voie automatique et/ou le contrôle du système ACC étant en outre fonction de la limitation de vitesse.
Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne un dispositif de contrôle d’un premier véhicule, le dispositif comprenant une mémoire associée à un processeur configuré pour la mise en œuvre des étapes du procédé selon le premier aspect de la présente invention.
illustre schématiquement le premier véhicule de la après un changement de voie de circulation sur la portion de route de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
Le procédé comprend ensuite une étape de fixation d’un second capteur allongé 21 sur la deuxième couche 19, en regard de la surface interne 11 de la préforme 9.
Le second capteur allongé 21 est sensiblement identique au premier capteur allongé 17 et s’étend sensiblement parallèlement à lui. Il est de plus décalé latéralement par rapport au premier capteur allongé 17, selon une direction perpendiculaire à leur étendue.
Le second capteur allongé 21 est notamment une fibre optique, qui présente avantageusement le même diamètre D que la fibre optique du premier capteur allongé 17.
Une troisième couche 23 du deuxième métal est ensuite déposée par-dessus la deuxième couche 19 et le second capteur allongé 21, par électrodéposition.
La troisième couche présente une épaisseur e3 sensiblement constante, inférieure ou égale à 50 micromètres, et notamment inférieure ou égale à 20 micromètres. L’épaisseur e3 de la première couche 15 est par exemple sensiblement égale à 10 micromètres.
La troisième couche 23 recouvre entièrement la deuxième couche et le second capteur allongé 21. Le second capteur allongé 21 est recouvert par la troisième couche 23, ce qui lui assure un bon contact thermique avec l’inducteur, ainsi qu’une fixation durable.
Le résultat des étapes de mise en place du second capteur allongé 21 et de dépôt de la troisième couche 23 est schématisé sur la .
Le procédé comprend alors une étape de destruction de la préforme 9, par dissolution chimique et/ou thermique, et d’obtention d’un inducteur 25.
L’inducteur 25 est représenté schématiquement sur la , au cours d’une opération de durcissement d’un contour externe 3 de la pièce 1, en regard duquel il est disposé.
La destruction de la préforme 9 libère un canal interne 27 dans l’inducteur 25, destiné à accueillir un flux de liquide de refroidissement 29 lors du fonctionnement de l’inducteur 25.
Lors du fonctionnement de l’inducteur 25, le premier capteur allongé 17 et le second capteur allongé 21 sont reliés à des modules de commande 31, 33 respectifs, afin de fournir des informations de température au cours du procédé de durcissement thermique par induction.
Plus précisément, le premier capteur allongé 17 est situé au voisinage du canal interne 27, et fournit des informations relatives à l’efficacité du refroidissement de l’inducteur 25.
Le second capteur allongé 21 est situé au voisinage d’une surface interne 35 de l’inducteur 25, qui fait face à la pièce 1.
Le second capteur allongé 21 recueille donc des informations relatives au flux de chaleur 37 émis par radiation par la pièce 1, et permet ainsi de suivre les évolutions de la température de surface de la pièce 1.
Les informations relatives à la température de la pièce 1 collectées par les premier et second capteurs 17, 21 permettent un suivi en temps réel des distributions de température de la pièce 1 au cours du fonctionnement de l’inducteur 25, qui est ainsi un inducteur connecté. Cela permet d’ajuster le traitement thermique en temps réel afin de réduire les risques de surchauffe et d’obtenir un résultat amélioré.
Le procédé décrit permet ainsi de fabriquer de manière simple un inducteur de forme complexe, ne présentant pas de point de fragilité venant réduire son efficacité, et dans lequel sont intégrés des capteurs de température permettant un suivi détaillé et localisé du processus de durcissement.
La présente invention permet de fabriquer un conditionnement à la fois aisément déformable mais également apte à se supporter lui-même, c’est-à-dire pouvant être autoportant dans une configuration où par exemple le conditionnement est disposé à la verticale c’est-à-dire, lorsque le dispositif de fermeture comme par exemple l’embout, est disposé vers le haut.
La présente invention permet en outre une maintenance aisée puisque chaque poste peut être décorrélé des autres et ainsi facilement remplacé.
Selon un mode de réalisation, l’invention comprend un procédé de fabrication d’un conditionnement comprenant une poche destinée à contenir un produit et à en permettre la restitution, ledit conditionnement comprenant une enveloppe formant un tronc, une embase et un dispositif de fermeture disposé à une extrémité du tronc, la machine comprenant au moins les étapes suivantes : formation d’un tronc à partir d’un patron à base d’un premier film, ledit poste comprenant un support d’enroulement configuré pour être entouré au moins partiellement du patron de sorte à permettre la mise en forme du tronc, le tronc s’étendant selon un axe d’extension principal depuis une première extrémité jusqu’à une deuxième extrémité, le tronc présentant en coupe, selon un plan perpendiculaire à l’axe d’extension principal, une section qui se rétrécit depuis la deuxième extrémité jusqu’à la première extrémité, scellage dudit tronc, de préférence peau contre chair, avantageusement à l’aide d’un dispositif de chauffage, apte à chauffer la surface intérieure et la surface extérieure de l’enveloppe formant le tronc premier scellage d’un embout avec le tronc destiné à former en partie au moins le dispositif de fermeture, le premier scellage étant réalisé par application d’un dispositif de chauffage additionnel sur un pourtour de la première extrémité du tronc en contact avec une portion de l’embout premier scellage d’une embase avec le tronc de sorte à former un pourtour scellé, le scellage étant réalisé par chauffe d’un pourtour de la deuxième extrémité du tronc en contact avec une portion d’un pourtour de l’embase, l’embase étant en partie au moins située à l’intérieure du tronc; découpe d’au moins une partie du pourtour scellé, la découpe étant réalisé par disposition d’une pièce étalon insérée dans le tronc contre l’embase, de sorte à ce qu’un dispositif de découpe mobile découpe une partie du pourtour scellé afin de réduire sa hauteur selon l’axe d’extension principal, et ainsi permettre que la portion du pourtour de l’embase et qu’une partie au moins du pourtour de la deuxième extrémité du tronc soient découpées simultanément.
La représente schématiquement un patron selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue en coupe d’un poste de formation et de scellage d’un tronc selon un mode de réalisation de la présente invention.
La représente une vue en perspective et schématique du poste de formation et de scellage d’un tronc de la selon un mode de réalisation de la présente invention.
La représente une vue en perspective et schématique du support d’enroulement selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue en coupe d’un premier poste de scellage d’un embout selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue de dessus du premier poste de scellage d’un embout de la et d’un deuxième poste de scellage de l’embout selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue en coupe d’un premier poste de scellage d’une embase selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue de dessus du premier poste de scellage d’une embase de la et d’un deuxième poste de scellage de l’embase selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 8A à 8B illustrent schématiquement une vue en coupe d’un poste de découpe d’une portion de la hauteur d’un pourtour scellé selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une vue de profil d’un poste de remplissage d’un conditionnement selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement une machine selon un mode de réalisation de la présente invention.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour se prémunir ou limiter le phénomène de couplage électromagnétique qui peut se produire entre un dispositif électronique et le substrat support d’un substrat de silicium sur isolant (SOI) sur lequel ce dispositif est formé, il est connu d'insérer entre la couche diélectrique enterrée et le support du SOI, directement sous la couche diélectrique, une couche de piégeage de charges. Cette couche peut être constituée par exemple d’une couche de 0,1 à 10 microns de silicium polycristallin formée sur un substrat de base en silicium monocristallin qui est souvent choisi pour être hautement résistif (c’est-à-dire présentant une résistivité supérieure à 500 ohms.cm, voire même supérieure à 1000 ohms.cm). Les joints des grains formant le polycristal constituent alors des pièges pour les porteurs de charges, ceux-ci pouvant provenir de la couche de piégeage elle-même ou du substrat sous-jacent. De la sorte, on prévient l’apparition d’un plan conducteur sous l’isolant. La fabrication de ce type de substrat SOI bien connu est par exemple décrite dans les documents FR2860341, FR2933233, FR2953640, US2015115480, US7268060, US6544656 ou WO2020008116.
Pour favoriser la création et éviter la recristallisation de la couche de piégeage de charges formée sur le substrat de base en silicium monocristallin, il est connu de former sur ce substrat de base, et avant la formation par dépôt de la couche de piégeage, une couche de diélectrique amorphe, typiquement une couche de dioxyde de silicium. La couche de diélectrique amorphe permet de préserver le caractère polycristallin de la couche de piégeage en évitant sa recristallisation lorsque l’empilement est porté en température.
Le document EP3136421 propose ainsi de former une couche de piégeage en silicium polycristallin sur un substrat de base présentant une résistivité de 700 Ohms-cm. Le substrat de base est oxydé par simple nettoyage ou par oxydation sèche. Puis la couche de piégeage est formée en deux étapes successives de dépôt à l’aide d’un gaz précurseur de trichlorosilane. La première étape vise à former une couche germe à relativement basse température, inférieure à 1010°C, directement sur la couche d’oxyde de silicium, et la seconde étape est conduite à une température supérieure à la première. Selon ce document, cette approche permet de former la couche de piégeage rapidement, et sans déformer excessivement le substrat de base, ce qui pourrait prévenir l’assemblage par adhésion moléculaire de ce substrat lorsqu’il est destiné à former un substrat support d’un substrat de silicium sur isolant.
Le document EP2503592 prévoit quant à lui de réaliser une telle couche de piégeage « in situ ». Dans ce document, on forme la couche de piégeage sur une couche diélectrique d’un substrat de base en silicium sans sortir le substrat de base de l’équipement utilisé pour former cet empilement. Il peut s’agir d’une chambre d’un bâti d’épitaxie.
Dans cette approche, on dispose le substrat de base dans la chambre de l’équipement, et on fait circuler dans cette chambre un gaz oxydant pour former superficiellement la couche diélectrique au cours d’une étape d’oxydation conduite à une température de l’ordre de 1100°C. Puis, sans extraire le substrat de base de la chambre, on fait circuler un gaz porteur pour évacuer le gaz oxydant et on porte la température de la chambre et/ou du substrat à une température de dépôt relativement réduite, de l’ordre de 900°C ou moins.
Lorsque l’atmosphère oxydante a été évacuée par le gaz porteur et la température de dépôt établie, on introduit le gaz précurseur contenant du silicium pour progressivement former, par dépôt, la couche polycristalline en silicium sur la couche diélectrique. En séquençant ainsi l’introduction des gaz dans la chambre, on évite d’introduire le gaz précurseur avant l’évacuation du gaz oxydant et avant que la température ne soit bien établie à la température cible d’environ 900°C ou moins, et on prévient le dépôt prématuré de silicium polycristallin qui n’aurait pas les qualités requises.
Toutefois, la formation d’une couche de silicium polycristallin à une température de dépôt relativement basse est particulièrement lente, de l’ordre de 0,3 micron par minute à 900°C. Il est en effet bien connu que la vitesse de dépôt est généralement croissante avec la température. Pour améliorer cette vitesse de dépôt, et donc le temps de fabrication du support muni de la couche de piégeage, il peut être envisagé, comme cela a été proposé par le document EP3136421, de seulement former une portion germe de la couche de piégeage à faible température, le reste de la couche pouvant alors être formé à une température relativement plus élevée, et donc plus rapidement.
D’une manière plus générale, on cherche à préparer plus simplement un substrat support comprenant une couche de piégeage de charges, à l’aide de procédé plus simple à mettre en œuvre et à l’aide de matériaux plus disponibles.
OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges adressant au moins en partie ces problèmes. Plus spécifiquement, un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges dont le temps de mise en œuvre, à qualité comparable, est réduit en comparaison avec les procédés de l’état de la technique. Plus précisément encore, un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges ne nécessitant pas de portion germe formée à relativement basse température d’environ 1010°C ou moins.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges. Le procédé comprend l’introduction d’un substrat de base en silicium monocristallin présentant une résistivité inférieure ou égale à 500 ohm.cm dans une chambre d’un équipement de dépôt et, sans extraire le substrat de base de la chambre et tout en balayant la chambre à l’aide d’un gaz précurseur, les étapes successives suivantes :
former une couche épitaxiale en silicium intrinsèque sur le substrat de base, en introduisant dans la chambre un gaz précurseur contenant du silicium pendant une période de temps déterminée ; former une couche diélectrique sur une face exposée de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque en introduisant dans la chambre un gaz réactif au cours d’une première période de temps ; former une couche de piégeage de charges en silicium polycristallin directement sur la couche diélectrique en introduisant dans la chambre un gaz précurseur contenant du silicium au cours d’une deuxième période de temps, postérieure à la première.
Selon l’invention, la durée pendant laquelle la couche diélectrique est exposée uniquement au gaz porteur, entre la première période de temps et la deuxième période de temps, est inférieure à 30 secondes. Selon l’invention également, l’étape de formation de la couche de piégeage de charges est conduite à une température strictement comprise entre 1010°C et 1200°C.
le gaz porteur comprend, ou est constitué, d’hydrogène ; le gaz précurseur contenant du silicium est choisi dans la liste formée du silane, disiliane, trichlorosilane, dicholorosilane et tétrachlorure de silicium ; le procédé comprend, avant l’étape de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque, une étape de recuit du substrat de base dans une atmosphère neutre ou réductrice, à une température comprise entre 900°C et 1200°C, pour éliminer un oxyde natif éventuellement présent superficiellement ; la formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque sur le substrat de base est réalisée à une température d’épitaxie comprise entre 900°C et 1200°C ; l’étape de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque conduit à former une couche dont l’épaisseur est comprise entre 5 et 20 microns ; la couche diélectrique est en oxyde de silicium et le gaz réactif comprend entre 0,1% et 10% d’oxygène dans un gaz neutre tel que de l’argon ; l’étape de formation de la couche diélectrique est conduite à une température comprise entre 900°C et 1150°C ; la couche diélectrique présente une épaisseur supérieure à 0,5 nm ; l’étape de formation de la couche de piégeage de charges est conduite à une température supérieure à 1050°C ou à 1100°C ; la couche de piégeage de charges et la couche diélectrique sont formées à des températures respectives identiques à 50°C près ; la durée pendant laquelle la couche diélectrique est exposée uniquement au gaz porteur est inférieure à 20 secondes ou à 15 secondes ; la couche de piégeage de charges présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 microns.
Il a été décrit une méthode d'atténuation de la dégradation de Qbv due à l'inaccessibilité du GM principal. Cependant, la méthode peut être appliquée à d'autres scénarios, tel que par exemple, elle peut être mise en œuvre pour un réseau TSN qui a un lien fréquemment encombrée.
Procédés de contrôle, de vérification et de configuration, et entités configurées pour mettre en œuvre ces procédés L’invention appartient au domaine général des télécommunications.
Elle concerne plus particulièrement la gestion de données sensibles véhiculées sur un réseau de communication (ex. réseau IP (pour « Internet Protocol » en anglais)) lors d’un accès par un premier dispositif, tel qu’un équipement client (ex. un terminal d’un utilisateur ou un CPE (pour « Customer Premises Equipment » en anglais)), à un service fourni par un deuxième dispositif, tel qu’un serveur ou une plateforme de service.
Les données sensibles auxquelles s’intéresse l’invention sont plus spécifiquement des informations qui contribuent à l’identification d’un individu, désignées ici par « informations d’identification », telles que définies notamment en section 5.2.2 du document RFC 6973 édité par l’IETF et intitulé « Privacy Considerations for Internet Protocols », juillet 2013. De telles informations d’identification peuvent être liées à un individu particulier et être utilisées, seules ou en combinaison avec d’autres éléments, pour déduire ou reconnaître l’identité de cet individu. Elles peuvent être de natures diverses et variées ; il peut s’agir notamment d’identifiants à proprement parler de l’utilisateur ou de l’équipement utilisé par ce dernier, mais également d’autres données comme sa localisation ou la localisation de voisins d’un équipement (ex. terminal) de cet utilisateur, de logs de l’utilisateur sur un ou plusieurs sites web, de champs particuliers de messages caractéristiques de protocoles de communication, etc. De nombreuses informations sont en effet susceptibles d’apporter des indications sur l’identité de l’utilisateur, seules ou en combinaison avec d’autres informations.
Comme le souligne le document RFC 6973, dans certains contextes, il est parfaitement légitime d’identifier des individus (auteurs d’attaques par déni de service ou DDoS (pour « Distributed Denial of Service » en anglais), par exemple). Toutefois, dans d’autres contextes, une telle identification peut être problématique, par exemple parce qu’elle empêche l’individu de bénéficier d’un anonymat nécessaire à son activité ou à une opération à laquelle il participe, ou parce qu’elle divulgue des éléments pouvant porter atteinte à la vie privée de l’individu ou à celle d’autres individus, ou encore parce qu’elle donne la possibilité d’exercer un contrôle sur l’individu en question ou un traitement différencié, etc.
Aujourd’hui, l’utilisation massive des moyens de communication, la prolifération des applications logicielles installées sur les terminaux des utilisateurs (ex. téléphones intelligents ou « smartphones » en anglais, ordinateurs portables, tablettes) et la sophistication des briques technologiques sous-jacentes, conduisent à une collecte toujours plus importante de données qui peuvent être partagées avec diverses plateformes, telles que des plateformes de service ou d’autres infrastructures sollicitées lors de l’accès à des services (ex. plateforme de publicité ou de traçage web (aussi connu sous le nom de « web tracking » en anglais)), et ce généralement à l’insu des utilisateurs. On désigne dans la suite de façon générale par « données de télémétrie », ces données ainsi collectées et partagées.
La collecte de données de télémétrie ne se restreint pas aux données utiles pour le bon fonctionnement d’une application ou d’un service mais peut comprendre également des informations d’identification divulguant des éléments sensibles relevant de la vie privée des utilisateurs. De même, elle ne se limite pas à certaines applications mais concerne également la plupart des systèmes d’exploitation (ou OS pour « Operating System », en anglais) installés sur les terminaux des utilisateurs. Par exemple, les systèmes d’exploitation installés sur les terminaux mobiles envoient les données de télémétrie suivantes vers des infrastructures gérées par les fournisseurs des systèmes d’exploitation en question : identifiant IMEI (pour « International Mobile Equipment Identity » en anglais), numéro de série, numéro de série de la carte SIM (pour « Subscriber Identity Module » en anglais), numéro de téléphone public, adresse IP locale, adresse MAC (pour « Medium Access Control » en anglais) du terminal, adresses MAC des terminaux disponibles à proximité, ainsi que d’autres identifiants uniques. Ces pratiques ne sont toutefois pas spécifiques aux terminaux mobiles.
Les données de télémétrie remontées par le ou les systèmes d’exploitation d’un terminal, corrélées avec des données d’accès à certains services, peuvent permettre de reconnaître l’identité de l’utilisateur du terminal, voire divulguer des informations qui portent atteinte à sa vie privée ou à celle d’autres individus qui n’utilisent même pas lesdits services.
Par exemple, la collecte des adresses MAC des terminaux à proximité du terminal d’un utilisateur permet de construire dans le temps une sorte de réseau qui donne des indications sur les relations sociales, les centres d’intérêt, ainsi que d’autres informations sensibles et caractéristiques de l’utilisateur.
En effet, les données de télémétrie remontées par un terminal donné peuvent être utilisées pour tracer d’autres terminaux même s’ils ne supportent pas un système d’exploitation donné. A titre illustratif, supposons un terminal H, connecté à un réseau local, et ayant un système d’exploitation OS#1 configuré pour informer par exemple une infrastructure OSCloud située dans le cloud de la présence d’un terminal vH voisin du terminal H, supportant un autre système d’exploitation OS#2. Le terminal H peut ainsi révéler l’adresse MAC (mac@1) de vH, transmettre des données relatives à sa localisation, etc. Lorsque le terminal vH se connecte à un autre réseau, les terminaux connectés à cet autre réseau et équipés du même système d’exploitation OS#1, informent à leur tour l’infrastructure OSCloud de la présence du terminal vH et son adresse MAC (@mac1), transmettent des données relatives à sa localisation, etc. L’identification du terminal vH peut alors se faire aisément par l’infrastructure OSCloud en corrélant l’ensemble des informations reçues : adresses MAC et/ou toute(s) autre(s) donnée(s) de télémétrie rapportée(s) par les terminaux équipés du système d’exploitation OS#1.