INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme pour la majorité des produits cosmétiques ou ménagers, les émulsions sont constituées à environ 80% d’eau. Ainsi, une alternative pour réduire la quantité de plastique par emballage par rapport à un produit standard équivalent, serait d’éliminer l’eau des produits et de conserver uniquement la phase grasse contenant les matières premières actives. En effet, les produits au format concentré ou de recharge, moins lourds et moins encombrants, permettent non seulement de diminuer les quantités de plastique mais aussi de diminuer l’empreinte carbone globale sur le cycle de vie complet du produit et répondent donc aux nouvelles attentes des consommateurs.
Un autre inconvénient majeur des émulsions vient de leur procédé de fabrication souvent énergivore, la phase aqueuse et la phase grasse étant chauffées vers 70 – 80°C puis émulsionnées sous un fort cisaillement durant un temps assez long, souvent supérieur à 10 minutes, et à chaud, afin d’obtenir une émulsion assez fine pour éviter tout problème de stabilité.
Pour pallier ces inconvénients et dans le but de réduire l’impact environnemental lié à la fabrication, au conditionnement et au transport de ce type de produit, des concentrés émulsionnables à froid ont été développés.
On connaît par exemple le brevet FR2838653 portant sur un procédé de préparation d’une émulsion par dilution dans une phase aqueuse d’un concentré émulsionnable comprenant un copolymère amphiphile, afin de conduire à des émulsions, notamment utilisable dans le domaine phytosanitaire. Cependant, l'opération de dilution selon le brevet FR2838653 nécessite une agitation au moyen d'une pâle cadre (agitation à 200tr/min pendant 5 min).
On connaît également le brevet US6989149 portant sur un concentré émulsionnable comprenant un actif cosmétique, notamment un actif capillaire à diluer dans une composition aqueuse comprenant des ingrédients supplémentaires. Cependant, le concentré émulsionnable selon le brevet US6989149 est à diluer soit directement avant, soit pendant l’application sur le substrat à traiter, laissant présager une faible stabilité de l’émulsion obtenue.
On connaît encore la demande WO03/043725 portant sur un concentré d’émulsionnants à diluer à froid dans une composition cosmétique afin de reconstituer une émulsion ayant des propriétés de renforcement et d'épaississement de la couche lipidique. Cependant, le concentré selon la demande WO03/043725 n’est pas satisfaisant dans le sens où l’ajout d’ingrédients supplémentaires est nécessaire, ceci n’allant pas dans le sens d’une réduction de l’impact environnemental.
Ainsi, les concentrés émulsionnables à froid connus de l’art antérieur ne sont pas totalement satisfaisants dans le sens où une agitation mécanique ou bien l’ajout d’ingrédients supplémentaires sont souvent nécessaires, rendant ainsi difficile l’opération de reconstitution du produit final par un utilisateur.
Il existe donc un besoin pour une composition cosmétique concentrée émulsionnable, à diluer chez soi dans un volume d’eau prédéfini, afin de reconstituer une émulsion stable et prête à l’emploi, appropriée pour le soin cosmétique de la peau du corps et/ou du visage, ou des cheveux.
La présente invention vise donc à fournir une composition cosmétique concentrée émulsionnable à froid, liquide, comprenant au moins un corps gras ; une association d’au moins un agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse et d’au moins un agent émulsionnant ; et au moins un agent conservateur.
Avantageusement, la composition cosmétique concentrée selon la présente invention est liquide et permet après dilution dans un volume d’eau prédéfini, la reconstitution d’une émulsion stable, c’est-à-dire ne présentant pas de phénomène de déphasage, coalescence, coagulation ou sédimentation des gouttelettes d’huile sur une période suffisante pour pouvoir être conservée avant et/ou pendant l’utilisation, sans altération des propriétés obtenues après la dilution, en terme de pH, viscosité ou propriétés organoleptiques et permettant le bon respect du mode d’utilisation du produit reconstitué.
Un autre avantage est que l’émulsion obtenue par la dilution du concentré émulsionnable selon l’invention est prête à l’emploi, c’est-à-dire qu’elle ne nécessite pas l’ajout d’ingrédients autres que le volume d’eau nécessaire à la dilution du concentré émulsionnable.
Encore un autre avantage, est que la composition cosmétique prête à l’emploi selon l’invention peut être conservée et utilisée tout comme un produit cosmétique classique avec une date limite d’utilisation supérieure à un mois, de préférence supérieure à 12 mois.
L’invention concerne également un caisson de porte de véhicule automobile, constitué d’un panneau extérieur et d’une doublure, comportant un renfort choc latéral logé dedans tel que défini ci-dessus.
L’invention a également pour objet un véhicule comportant au moins un caisson de ce type.
Par ailleurs, l’invention a également pour objet un ensemble d’éléments pour constituer des renforts choc latéral, destinés à être utilisés dans les portes de véhicules appartenant à un programme de véhicules présentant des profils de panneaux extérieurs de porte différents, caractérisé en ce qu’il comprend deux catégories d’éléments, - la première catégorie comprenant des éléments dimensionnés pour former l’élément de renforcement, pouvant être monté dans la porte d’un véhicule indépendamment du profil du panneau extérieur de la porte, constituant une partie dite commune du renfort choc latéral pouvant être utilisée dans des véhicules de silhouettes différentes, - la seconde catégorie comprenant des éléments destinés à être interposé entre l’élément de renforcement et le panneau extérieur de la porte, lesdits éléments étant adaptés respectivement à des profils de panneau extérieur différents, constituant une partie dite modulable du renfort choc, un élément de la première catégorie étant associé à un élément de seconde catégorie choisi selon le profil du panneau extérieur de la porte dans laquelle le renfort choc latéral ainsi constitué est destiné à être implanté.
On décrira maintenant l’invention plus en détails en référence aux figures qui représentent : une vue en coupe d’un renfort choc latéral dans un caisson de porte selon l’état de la technique ; une vue en coupe d’un renfort choc latéral et du panneau extérieur de porte selon une variante d’un premier mode de réalisation de l’invention ; une vue en coupe d’un renfort choc latéral de porte selon une autre variante du premier mode de réalisation ; une vue en perspective d’un élément de renforcement selon l’invention ; une vue en coupe d’un renfort choc latéral de porte selon une variante d’un second mode de réalisation de l’invention ; une vue en coupe d’un renfort choc latéral de porte selon une autre variante du second mode de réalisation de l’invention.
Comme représenté aux figures 2 et 3, le caisson de porte est défini par une doublure de porte et un panneau extérieur 21, 22, caisson à l’intérieur duquel est logé un renfort choc latéral 30, 30’ qui s’étend le long du panneau extérieur 21, 22, généralement entre l’avant et l’arrière du caisson de porte, selon l’axe X (s’étendant entre l’avant et l’arrière) d’un véhicule. Comme on peut le voir, le profil du panneau extérieur 21 (plutôt continu) visible aux figures 2, 5 est différent du profil du panneau extérieur 22 (plutôt discontinu avec des lignes brisées) visible aux figures 3 et 6.
Le renfort choc latéral 30, 30’ est constitué d’un élément de renforcement 31 commun et d’un élément modulable, cet élément modulable étant interposé entre cet élément de renforcement commun 31 et le panneau extérieur 21, 22.
De manière classique, le renfort choc latéral 30, 30’ présente une forme de bandeau allongé, fixé entre la partie avant et la partie arrière du caisson de la porte. La hauteur du renfort est inférieure à la hauteur du caisson.
Ainsi, l’élément de renforcement 31 est constitué un élément de panneau allongé en tôle, par exemple, présentant une forme de bandeau. L’élément de renforcement commun 31 présente en outre une section transversale qui, sur l'une de ses faces, présente au moins une nervure 32 formant sur sa face opposée une bosse ou saillie 33 (cf. ). La section transversale de l’élément de panneau de base 31 présente ainsi au moins une forme de U, de V ou d'oméga.
Selon le premier mode de réalisation décrit aux figures 2 et 3, l’élément formant la partie modulable est constitué d’un élément de panneau d’adaptation 51, 52 dont la section transversale est similaire à celle de l’élément de renforcement 31 et qui présente sur l'une de ses faces au moins une nervure 511, 521 formant sur sa face opposée une bosse ou saillie 512, 522. Les deux éléments de panneau de renforcement et d’adaptation sont assemblés en symétrie miroir comme on peut le voir sur les figures 2 et 3. L’assemblage est réalisé par soudure au niveau des bosses 33 de l’élément de renforcement 31 qui en en appui contre les bosses de l’élément d’adaptation 51, 52 lors de l’assemblage des deux éléments 31, 51, 52.
Le profil de cet élément d’adaptation 51, 52 est en outre conformé pour s‘adapter à la forme du profil du panneau extérieur 21, 22 comme cela est visible sur ces figures 2 et 3. Le panneau extérieur 21 présente un profil continu et le profil de l’élément d’adaptation 51 au niveau des bosses 511 est continu en correspondance.
Le profil du panneau extérieur 22 est discontinu avec des lignes brisées et l’élément de panneau d’adaptation 52 présente des bosses ou saillies 522 dont le profil suit le profil discontinu en correspondance, éventuellement avec des lignes brisées.
Ainsi comme on peut le voir aux figures 2 et 3, le renfort choc latéral 30, 30’ selon l’invention comporte un élément de renforcement commun 31 qui est utilisable pour tous les modèles de véhicule et qui s’assemble avec l’élément d’adaptation 51, 52 approprié en fonction du profil du véhicule et donc du panneau extérieur 21, 22 du caisson de porte.
Le renfort choc latéral 30, 30’ selon l’invention est ensuite monté dans le caisson de manière classique.
Aux figures 5 et 6 est représenté un second mode de réalisation de l’invention dans lequel le renfort choc latéral 30a, 30b est constitué de l’élément de renforcement 31 et d’une partie modulable constituée d’au moins une bande de matériau du type calage dont l’épaisseur est dimensionnée pour s’interposer entre l’élément de renforcement 31 et le panneau extérieur 21, 22 et ce quelle que soit le profil du panneau extérieur.
Une telle bande de matériau est obtenue par dépôt d’une bande de matériau qui présente un pouvoir d’expansion sous l’effet de la chaleur, notamment lors de la phase de cataphorèse, l’épaisseur de bande déposée étant choisie pour réaliser une interface entre l’élément de renforcement commun 31 et le panneau extérieur 21, 22, conférant également une rigidité locale et ce, quel que soit le profil du panneau extérieur 21, 22 comme cela est visible aux figures 5 et 6. En fonction du profil du panneau extérieur, l’épaisseur de la bande de matériau déposée sera modulée pour s’adapter aux variations de ce profil.
Ainsi, une bande de matériau 6 permet de relier l’élément de renforcement 31 au panneau extérieur 21, 22 par dépôt de ce matériau dont l’épaisseur est dimensionnée pour permettre de combler l’espace entre le panneau 21, 22 et l’élément de renforcement 31, permettant ainsi l’utilisation de l’élément de panneau de base 31 avec différents profils de panneau extérieur.
La représente, de manière schématique, un exemple d’un circuit d’alimentation 10 à boucle fermée alimentant une matrice de pixels 20 (PIXEL ARRAY). De manière générale, dans les figures de la présente description, la matrice de pixels 20 est représentée par une source de courant correspondant au courant de polarisation utilisé pour la lecture des pixels. Cette source de courant est agencée en parallèle avec une capacité Cvrtsf, qui est la somme des capacités des pixels.
Selon l’exemple de la , le circuit d’alimentation 10 comprend un transistor 102 alimentant la matrice de pixels 20. La grille du transistor 102 est reliée à la sortie d’un amplificateur opérationnel 106. Le drain du transistor 102 est connecté à un rail d’alimentation d’une tension VDD. La source du transistor 102 est connectée à la matrice de pixels 20. La source est en outre reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel 106 pour former une boucle fermée. L’amplificateur opérationnel 106 est configuré pour recevoir sur son entrée non-inverseuse une tension de référence VREF fournie par un générateur de tension 112. La tension VREF est une tension de consigne et correspond à la valeur recherchée pour l’alimentation des pixels. En particulier, la tension de référence VREF peut être considérée comme non bruyante et peut être découplée de l’alimentation par exemple en l’échantillonnant sur une capacité. La tension de référence VREF est par exemple positive et comprise entre 1,4V et 2,8V.
En fonctionnement, la boucle formée par l’amplificateur opérationnel 106 impose une tension à la grille du transistor 102 de sorte que la tension VRTSF fournie à la matrice de pixel 20 tende vers VREF.
Bien que cet exemple de circuit d’alimentation permette de réguler de façon active la tension d’alimentation VRTSF, il comporte certains inconvénients. Par exemple, la correction active, tout comme le PSRR, peuvent être limités en fréquence pour assurer la stabilité en raison de la forte capacité Cvrtsf des pixels. Du bruit venant de l’amplificateur opérationnel 106 peut en outre apparaître à sa sortie, et donc sur la tension d’alimentation VRTSF. Cela peut causer du bruit de ligne dans la matrice de pixel 20 dans le cas où l’obturation et/ou la lecture de la matrice sont réalisées ligne par ligne. Un tel circuit d’alimentation peut en outre nécessiter de fournir une capacité de découplage externe au circuit d’alimentation. Cette capacité de découplage externe augmente les constantes de temps et pourrait impliquer une désolidarisation des masses internes et externes, ce qui est mauvais pour le découplage. Elle provoque également des effets inductifs de par son implantation.
La représente de manière schématique, un exemple du circuit d’alimentation 200 à boucle ouverte alimentant la matrice de pixels 20. Le circuit d’alimentation 200 est passif au sens où il ne permet pas de correction en boucle fermée.
Le circuit d’alimentation 200 de la comporte le transistor 102 et le générateur de tension 112 similaires au circuit d’alimentation 10. Dans le circuit d’alimentation 200, la grille du transistor 102 est reliée d’une part à une électrode d’un condensateur d’échantillonnage Csmp référencé à la masse et d’autre part à la sortie d’un amplificateur opérationnel 203 par l’intermédiaire d’un interrupteur 202 commandé par un signal de commutation SMP. La sortie de l’amplificateur opérationnel 203 est en outre reliée à la grille d’un transistor 206. Le drain du transistor 206 est connecté au rail d’alimentation de la tension VDD. La source du transistor 206 est reliée à la fois à une source de courant 212 et à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel 106 de façon à former une boucle fermée. L’amplificateur opérationnel 203 reçoit sur son entrée non-inverseuse la tension de référence VREF.
Lorsque l’interrupteur 202 est mis à l’état ouvert, la tension présente au niveau de la grille du transistor 206 est échantillonnée, et conservée par le condensateur Csmp sur la grille du transistor 102. La source du transistor 102 suit la tension présente au niveau de sa grille pour fournir la tension d’alimentation VRTSF à la matrice de pixels 20.
L’avantage de l’utilisation de l’interrupteur 202 est qu’il permet de rendre le circuit passif du côté de l’alimentation des pixels. Par opposition à l’exemple de la , l’interrupteur 202 permet en outre de ne plus inclure la forte capacité des pixels Cvrstf dans la boucle fermée, et il permet d’éviter la limitation en fréquence due à cette capacité. L’interrupteur 202 permet en outre de désolidariser la fourniture de la tension VRTSF par rapport à la boucle d’asservissement fermée 230 constituée de l’amplificateur 203, de la source de courant 212 et du transistor 206. Toutefois, le circuit d’alimentation 200 comporte certains inconvénients. Par exemple, dans certains cas où la tension VDD est relativement faible, le transistor 102 pourrait ne pas être suffisamment saturé, ce qui limiterait le PSRR. Pour mieux saturer le transistor, il conviendrait d’augmenter sa largeur. Dans ce cas, le diviseur capacitif formé par la capacité grille-drain du transistor 102 et la capacité d’échantillonnage Csmp pourrait limiter l’atténuation du bruit d’alimentation. L’effet Early du transistor 102 est également une limitation de l’exemple de la car la source subit une modulation proportionnelle à la modulation du drain. Afin d’obtenir une meilleure saturation du transistor 102, sa tension VDD pourrait être augmentée par une pompe de charge, mais cela résulterait en une augmentation de la consommation d’énergie. De plus, la tension à la grille du transistor 102 étant fixe lorsque l’interrupteur 202 est à l’état ouvert, l’isolation de l’alimentation VDD est passive et donc moins efficace qu’une boucle fermée. Un tel circuit d’alimentation peut en outre nécessiter de fournir une capacité de découplage externe au circuit d’alimentation.
La représente de manière schématique un capteur d’image 350 comprenant un circuit d’alimentation 300 selon un mode de réalisation de la présente description. Le circuit d’alimentation 300 alimente par exemple la matrice de pixels 20 décrite ci-dessus.
Le circuit d’alimentation 300 de la comporte une boucle fermée de rétroaction REGULATION LOOP associée à une boucle fermée de polarisation BIAS LOOP. La boucle BIAS LOOP permet de définir le point de fonctionnement de la boucle de rétroaction REGULATION LOOP en fournissant par exemple des tensions de polarisation VGVRT et de consigne VREF1. La boucle de rétroaction REGULATION LOOP corrige les perturbations de faibles amplitudes qui sont dues en particulier au bruit d’alimentation.
La boucle fermée de rétroaction REGULATION LOOP agit par exemple sur un transistor MVRT dont la source est reliée, de préférence connectée, à la matrice de pixels 20. Le drain du transistor MVRT est relié, de préférence connecté, au rail d’alimentation VDD. Le transistor MVRT comprend une grille avant 302 et une grille arrière 304.
De façon générale, les termes « grille arrière » et « grille avant » signifient que les grilles arrière et avant peuvent agir de façon séparée, et avec une transconductance associée différente, sur un même canal du transistor. Les grilles arrière et avant peuvent correspondre, par exemple, à la technologie utilisant un substrat semiconducteur déplété, de préférence complètement déplété, sur isolant (Fully Depleted Silicon on Insulator en anglais, FDSOI).
La boucle de rétroaction REGULATION LOOP comprend un transistor MLOOP dont une grille avant 308 est reliée, de préférence connectée, à la grille avant 302 du transistor MVRT, et une grille arrière 310 est reliée, de préférence connectée, à la grille arrière 304 du transistor MVRT et à la sortie de l’amplificateur opérationnel 106, similaire à celui de la . La illustre un mode de réalisation particulier de cet amplificateur opérationnel 106.
Selon un exemple de réalisation, la grille arrière 304 est agencée complètement dans un substrat du circuit d’alimentation 300, et le canal du transistor MVRT est formé dans une couche de silicium isolée du substrat par une couche isolante. La grille arrière 304 est donc isolée électriquement du canal du transistor MVRT. De plus, la grille avant 302 est par exemple agencée en surface du substrat et isolée électriquement du canal du transistor avec une couche isolante d’épaisseur plus faible que la couche d’isolant séparant les grilles arrière du canal du transistor. Par appariement, la grille arrière 310 et la grille avant 308 du transistor MLOOP peuvent être respectivement agencées de manière similaire à la grille arrière 304 et à la grille avant 302 du transistor MVRT.
La illustre, selon une vue en coupe de face dans le même plan de coupe vertical que celui de la , une variante d’agencement de l’installation de la , dit « agencement en quinconce », et selon lequel le tambour de confinement est positionné à une altitude intermédiaire entre les deux paires d’électrodes.
La illustre, selon le même graphique schématique que celui de la , l’intensité du champ électrique séparateur en fonction de l’altitude, à l’aplomb vertical de l’axe de rotation du tribochargeur de l’installation de la , dans le plan sagittal de ladite installation.
On note D’112 une droite passant par l’axe A112 et le point P’112 dans le plan de l’insert C). On note D’’112 une droite passant par l’axe A112 et le point P’’112 dans ce plan. On note β’112 un angle entre la droite D’112 et la projection de l’axe X20 dans le plan de l’insert C). On note β’’112 un angle entre la droite D’’112 et la projection de l’axe X20 dans ce plan. Ici les angles β’112 et β’’112 sont égaux et ont une valeur qui varie entre 90° et 0° au cours de la rotation de l’anneau par rapport à la barre entre la configuration des inserts A) et B) et la configuration des inserts C) et D). Les efforts de réaction R’ qui s’exercent aux points P’112 et P’’112 selon les droites D’112 et D’’112 doivent avoir une intensité telle que leurs projections sur la droite D compensent le poids P. Compte tenu de la valeur des angles β’112 et β’’112, l’intensité des efforts de réaction R’ est bien supérieure à celle de l’effort de réaction R dans la première configuration, d’où une augmentation de l’effort de frottement à l’interface entre l’anneau 112 et la tringle 20.
Le passage de la première configuration des inserts A) et B) à la deuxième configuration des inserts C) et D) a donc pour effet d’augmenter sensiblement le frottement entre les pièces 20 et 112.
Le fait que le contact entre l’anneau 112 et la tringle 20 a lieu au niveau des points P’112 et P’’112, dans la deuxième configuration des inserts C) et D), a pour conséquence que l’anneau 112 est remonté par rapport à l’axe X20, dans cette deuxième configuration, par rapport à la première configuration des inserts A) et B), comme cela ressort de l’écart en hauteur Δ visible à la .
Le phénomène de double contact, au niveau des points P’112 et P’’112, a pour effet une augmentation brusque de l’effort de frottement de l’anneau 112 sur la barre 20, lorsque ces points entrent en contact avec la tringle 20, ce qui peut aller jusqu’à bloquer un fonctionnement correct du chariot motorisé 100 dont la roue 160 risque de patiner contre un bord inférieur de la tringle 20.
L’anneau 12 représenté à la est conforme à l’invention et appartient à l’installation d’occultation des figures 1 et 2.
L’anneau 12 de ce premier mode de réalisation est constitué de deux pièces 12P1 et 12P2, parfois appelées « demi-œillets », qui sont chacune monoblocs et annulaires. En pratique, les pièces 12P1 et 12P2 sont avantageusement assemblées le long d’un plan médian π12 de l’anneau 12, en emprisonnant entre elle la toile 11 qui est découpée dans la zone correspondant à l’intérieur de l’anneau 12. Avantageusement, les pièces 12P1 et 12P2 sont symétriques par rapport au plan médian π12. Cette construction est également applicable aux anneaux 12 des autres modes de réalisation de l’invention.
Chaque pièce 12P1 ou 12P2, donc l’anneau 12, forme une boucle fermée définie entre un contour interne 12A et un contour externe 12B de l’anneau 12. L’épaisseur radiale e12 de l’anneau 12 est mesurée perpendiculairement à l’axe A12 entre ses contours interne 12A et externe 12B.
L’anneau 12 est centré sur un axe A12 qui est parallèle à, dans l’exemple superposé avec, l’axe longitudinal X20 de la tringle 20 dans la première configuration des inserts A) et B). Cette superposition des axes A12 et A20 dans cette configuration résulte notamment de l’épaisseur verticale de l’anneau 12 au niveau de la droite D.
Le contour externe 12B est circulaire et centré sur l’axe A12.
Le contour interne 12A comprend une partie circulaire 12C centrée sur l’axe A12 et une partie 12D qui forme une corde par rapport à la partie 12C. Cette corde est rectiligne.