INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour ce faire, l’invention a notamment pour objet un procédé de co-fabrication d’une mémoire ferroélectrique comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode et d’une mémoire résistive OxRAM comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium HfO 2 disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, le procédé de co-fabrication comportant les étapes suivantes : Une étape de dépôt d’une couche de première électrode réalisée de manière identique pour la zone destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt d’une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium réalisée de manière identique pour la zone destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt d’une première couche conductrice réalisée de manière identique pour la zone destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de réalisation d’un masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique en laissant libre la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM ; Une étape de retrait de la première couche conductrice au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM, la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique étant protégée par le masque ; Une étape de retrait du masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique ; Une étape de dépôt d’une seconde couche conductrice, ladite seconde couche conductrice étant en contact avec la première couche conductrice au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique et en contact avec la couche de matériau actif au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM, le matériau de la seconde couche conductrice étant choisi pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche active de l’OxRAM lorsque la seconde couche conductrice est en contact avec la couche active de l’OxRAM ; Une étape de dépôt d’une troisième couche conductrice réalisée de manière identique pour la zone destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone destinée à former la mémoire ferroélectrique, ladite troisième couche conductrice étant en contact avec la seconde couche conductrice.
Grâce à l’invention, on s’affranchit, contrairement au cas de la demande de brevet FR3090196, d’un masquage supplémentaire permettant d’obtenir des dopages différents dans les couches actives respectives de la mémoire FeRAM et de la mémoire OxRAM. De façon surprenante, les inventeurs se sont en effet rendu compte qu’une couche active identique pour les deux mémoires permettait d’obtenir à la fois l’effet ferroélectrique dans la FeRAM et l’effet mémoire résistive dans l’OxRAM (versus la demande FR3090196 où la couche active de la mémoire OxRAM était beaucoup plus dopée que celle de la mémoire ferroélectrique). Ainsi, le dopage de la couche active en dioxyde d’hafnium nécessaire à la FeRAM, est également suffisant pour le fonctionnement résistif de l’OxRAM. Le même raisonnement vaut pour une couche active formée par un alliage à base de dioxyde d'hafnium, comme par exemple du HfZrO2 : dans le cas du HfZrO 2 , l’alliage ternaire HfZrO 2 ne nécessite nécessairement pas de dopage de la couche active mais cette dernière est identique pour l’OxRAM et la FeRAM. De façon générale, on entend par couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium soit une couche d’HfO 2 dopée soit un alliage à base de dioxyde d’hafnium tel que du HfZrO 2 non nécessairement dopé.
Pour ce faire, le procédé selon l’invention utilise avantageusement une modification de l’électrode supérieure qui sera différente pour l’OxRAM et pour la FeRAM. En effet, selon le procédé de l’invention, l’électrode supérieure sera formée respectivement : Par une bicouche formée par la seconde couche conductrice et la troisième couche conductrice pour l’OxRAM Par une tri-couche formée par la première couche conductrice, la deuxième couche conductrice et la troisième couche conductrice pour la FeRAM.
La seconde couche conductrice est en contact direct avec la couche active à base de dioxyde d’hafnium pour l’OxRAM et présente la particularité d’être une couche de type « Oxygen scavening layer », c’est-à-dire une couche pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche active à base de dioxyde d’hafnium de l’OxRAM lorsque cette seconde couche conductrice est en contact avec la couche active de l’OxRAM. Il peut par exemple s’agir d’une couche en titane Ti ou en hafnium Hf. A l’inverse, la couche active côté FeRAM est en contact avec la première couche conductrice qui n’est pas une couche créant des lacunes d’oxygène, par exemple, une couche en TiN, sur laquelle est déposée la seconde couche conductrice. En procédant de la sorte, on crée des lacunes d’oxygène dans la couche à base de dioxyde d’hafnium de l’OxRAM sans en créer dans la couche à base de dioxyde d’hafnium de la FeRAM, assurant ainsi un fonctionnement résistif efficace de l’OxRAM, en dépit du dopage identique dans les couches actives pour l’OxRAM et la FeRAM.
En outre, le procédé selon l’invention permet de s’affranchir d’un recuit laser sub-microseconde localisé. En effet, la cristallisation adéquate du dioxyde d’hafnium dans la forme orthorhombique lui conférant des propriétés ferroélectriques est obtenue directement via le budget thermique des différentes étapes de fabrication, notamment en intégration « back end » compatible avec la technologie CMOS. Par ailleurs, le fait d’utiliser une couche active à base d’HfO 2 cristallisé dans sa phase orthorhombique ne nuit pas au fonctionnement de la mémoire OxRAM pour laquelle l’homme du métier utilise habituellement du HfO 2 amorphe ou monoclinique.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé selon un aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : l’étape de réalisation du masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique en laissant libre la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM comporte les étapes suivantes : Une étape de dépôt d’un masque sur la première couche conductrice au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique et de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM ; Une étape de retrait du masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire résistive OxRAM en laissant le masque au niveau de la zone de la première couche conductrice destinée à former la mémoire ferroélectrique. Le procédé selon l’invention comporte, à la suite de l’étape de dépôt de la couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium, une étape de dopage de la couche de matériau actif réalisée de manière identique pour la zone destinée à former la mémoire résistive OxRAM et la zone destinée à former la mémoire ferroélectrique l’étape de dopage est réalisée par implantation ionique ou à l’aide d’un précurseur de dopage ou par co-sputtering. l’élément dopant utilisé pour l’étape de dopage est choisi parmi l’un des éléments suivants : Si, Al, Zr, Gd, Ge, Y ou N ; l’élément dopant est le Si (l’étape de dopage étant réalisée de préférence par implantation ionique et préférentiellement avec une épaisseur de couche de matériau actif de l’ordre de 10nm) et la couche de matériau actif est exposée à une dose de dopant comprise entre 10 14 ions/cm 2 et 5.10 14 ions/cm 2 ; le procédé selon l’invention comporte une étape de traitement thermique pour cristalliser la couche de matériau actif dans une phase orthorhombique.
La présente invention a également pour objet un dispositif comportant une mémoire résistive OxRAM agencée dans une première zone dédiée et une mémoire ferroélectrique agencée dans une deuxième zone dédiée, la mémoire ferroélectrique comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à bas de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, la mémoire résistive OxRAM comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, les électrodes inférieures des mémoires ferroélectrique et résistive OxRAM étant formées par une même couche de première électrode présente sur les première et deuxième zones dédiées, les couches de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium HfO 2 des mémoires ferroélectrique et résistive OxRAM étant formées par une même couche de matériau actif à base de dioxyde d’hafnium présente sur les première et deuxième zones dédiées, la deuxième électrode de la mémoire ferroélectrique étant formée par un tri-couche comportant dans la deuxième zone dédiée, une première couche conductrice en contact avec la couche active, une deuxième couche conductrice sur la première couche conductrice et une troisième couche conductrice sur la deuxième couche conductrice, la deuxième électrode de la mémoire résistive OxRAM étant formée par un bicouche comportant dans la première zone dédiée, la deuxième couche conductrice en contact avec la couche active et la troisième couche conductrice sur la première couche conductrice, le matériau de la seconde couche conductrice étant choisi pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche active de la mémoire résistive OxRAM lorsque la seconde couche conductrice est en contact avec la couche active de la mémoire résistive OxRAM.
Comme représenté plus en détails à la , dans l'exemple de réalisation représenté aux figures, la base 14 comporte, à titre non limitatif, plusieurs composants assemblés.
La base 14 comporte ici un socle 24, un récipient 26 et une bague 28 de fixation du récipient 26 dans le socle 24. Cette configuration permet de remplacer le récipient 26 lorsqu'il est vide ou lorsqu'on souhaite changer de produit cosmétique de manière propre et rapide, tout en conservant le reste du boîtier 10. Cette configuration est donc à la fois économique et écologique.
A cet effet, le socle 24 comporte un logement 29. Le logement 29 est divisé en deux tronçons. Un tronçon inférieur 30 du logement 29 est destiné à recevoir le récipient 26, tandis que le tronçon supérieur du logement 29 est destiné à rester libre pour recevoir la cuvette 20 permettant de prélever du produit cosmétique pulvérulent présent le tamis 22 à l'aide d'un applicateur sans risque d'en répandre partout.
Le tronçon supérieur du logement 29 est délimité radialement par une paroi cylindrique 32. La paroi cylindrique 32 comporte sur sa face externe le filetage 34 pour le vissage du couvercle 12. La paroi cylindrique 32 comporte un bord 35 d'extrémité supérieure libre.
Le tronçon supérieur du logement 29 est délimité du tronçon 30 inférieur par une face 36 de portée annulaire qui est tournée axialement vers le haut.
Le récipient 26 comporte ici la cavité 16 qui est délimitée radialement par une paroi 38 périphérique et axialement vers le bas par un fond 40, visible par exemple à la . Le tamis 22 est destiné à être fixé sur un bord 42 d'extrémité supérieure de la paroi 38 périphérique.
Dans le mode de réalisation représenté aux figures, au moins l'une parmi la paroi 38 périphérique et le fond 40 est réalisée en un matériau suffisamment souple pour qu'un utilisateur puisse soulever le fond 40 afin de l'amener jusqu'au contact du tamis 22 par simple pression sur le fond 40 avec un doigt de la main. A cet effet, le logement 29 du socle 24 est fermé vers le bas par un fond 41 qui est ajouré d'une fenêtre 43 d'accès au fond 40 du récipient 26.
Un tel agencement permet ainsi de faire passer du produit cosmétique au-dessus du tamis 22 en soulevant le fond 40, sans avoir à renverser le récipient 26 pour faire tomber le produit cosmétique.
Pour permettre de conserver le tamis 22 tendu en travers de l'ouverture 18, le tamis 22 est porté par un cadre 44 de forme complémentaire de celle du contour de l'ouverture 18, ici de forme circulaire, centré sur l'axe O principal. Le cadre 44 est réalisé dans un matériau beaucoup plus rigide que la paroi 38 périphérique et/ou le fond 40 du récipient 26.
Le cadre 44 est monté par emboîtement élastique sur le bord 42 supérieur du récipient 26. Ainsi, le récipient 26 et le tamis 22 sont fixés l'un à l'autre pour former un unique composant facile à loger dans le socle 24 et à remplacer. Le cadre 44 permet de conférer à l'extrémité supérieure de la paroi 38 périphérique une plus grande rigidité. Le récipient 26 conserve ainsi une ouverture 18 de même forme, ici circulaire, en permanence durant l'utilisation du boîtier 10.
Le récipient 26 comporte en outre un rebord 46 qui entoure l'ouverture 18. Le rebord 46 s'étend en saillie radialement vers l'extérieur depuis la paroi 38 périphérique. Lorsque le récipient 26 est positionné dans son logement 29, il repose par l'intermédiaire de son rebord 46 qui repose sur la face 36 de portée du socle 24, comme représenté à la .
Le récipient 26 présentant une structure très souple, il serait compliqué de l'extraire par le haut du logement 29 en exerçant une pression par la fenêtre 43 sans répandre le reste de poudre qu'il contient à l'extérieur. Il est donc préférable de pouvoir le saisir par une partie plus rigide, à savoir par le rebord 46, rendu plus rigide par le cadre 44. Pour permettre de saisir facilement le récipient 26 par le cadre 44 et/ou le rebord 46, la paroi 32 cylindrique du socle 24 comporte au moins deux échancrures 48 radialement opposées qui donnent accès au moins au rebord 46 du récipient 26. Les échancrures 48 sont réalisées dans le bord 35 supérieur de la paroi 32 cylindrique. Elles s'étendent vers le bas jusqu'à la face 36 de portée. Chaque échancrure 48 permet à un utilisateur de saisir le rebord 46 par la pulpe de deux doigts.
La bague 28 de fixation du récipient 26 est fixée par des moyens de fixation démontable dans le logement 29 en serrant le rebord 46 du récipient 26 contre la face 36 de portée. La bague 28 va ainsi maintenir fermement le récipient 26 dans son logement 29.
La bague 28 de fixation comporte une paroi 50 périphérique qui présente un diamètre externe légèrement inférieur au diamètre interne de la paroi 32 cylindrique du socle 24 de manière que la bague 28 soit reçue dans le tronçon supérieur du logement 29 avec un jeu radial permettant le montage et le démontage.
En particulier, si la composition comprend de telles charges, ces dernières peuvent être présentes dans une teneur allant de 0,3 à moins de 10 % en poids, en particulier de 1 à 7 %, poids, par rapport au poids total de la composition.
De préférence, l’alimentation en énergie de l’extrudeuse peut alors être fournie par le robot manipulateur 11, au moyen d’un accouplement mécanique, tel qu’un crabot, qui engage la pompe à gomme lorsque le robot manipulateur 11 saisit ladite pompe à gomme.
Ici encore, cela permettra d’améliorer la compacité et la légèreté des compas 20 concernés, en utilisant une même source d’énergie mécanique, disponible via le robot manipulateur 11, pour alimenter séparément, les unes après les autres, les différentes pompes à gomme de l’installation 1.
On notera que, de manière générale, l’interface d’amarrage 12 qui permet l’accouplement du robot 11 avec l’outil de pose 10 pourra être avantageusement multi-énergies, c’est-à-dire capable de transmettre à la fois une énergie mécanique (par transmission solide ou par système pneumatique ou hydraulique) et une énergie électrique et/ou des signaux électriques (pour des capteurs, par exemple).
L’installation 1 pourra par ailleurs comprendre d’autre postes, notamment des postes de stockage ou de préparation qui permettront de stocker ou préparer des composants 4 qui seront ensuite acheminés jusqu’au compas 20 et aux outils de pose 10.
Bien entendu, l’invention n’est nullement limitée aux seuls exemples de réalisation décrits dans ce qui précède, l’homme du métier étant notamment à même d’isoler ou de combiner librement entre elles l’une ou l’autre des caractéristiques susmentionnées, ou de leur substituer des équivalents.
Machine et Procédé de fabrication d’un conditionnement La présente invention concerne le domaine des conditionnements. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des machines et des procédés de fabrication de conditionnements.
ETAT DE LA TECHNIQUE Il existe plusieurs types de conditionnement. Chaque type de conditionnement nécessite généralement son propre procédé de fabrication. Il en découle généralement la nécessité de créer une machine propre audit procédé.
Une des principales problématiques rencontrées dans le domaine du conditionnement repose sur l’optimisation d’une série d’étapes, optimisation du procédé en tant que tel autant que de la ou des machines nécessaires pour la conception du conditionnement.
Par exemple, de plus en plus de procédés de fabrication de conditionnements font appel à diverses machines parfois même délocalisées les unes des autres pour des questions de coût. Cette démarche n’est ni la plus optimisée qui soit ni la plus écologique.
Un objet de la présente invention est donc de proposer une solution à l’une au moins de ces diverses problématiques.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation, on prévoit une machine de fabrication, de préférence automatisée, d’un conditionnement comprenant une poche destinée à contenir un produit et à en permettre la restitution, ledit conditionnement comprenant une enveloppe formant un tronc, une embase et un dispositif de fermeture disposé à une extrémité du tronc, la machine comprenant, de préférence successivement, au moins : un poste de formation et de scellage d’un tronc à partir d’un patron à base d’un premier film, ledit poste comprenant un support d’enroulement configuré pour être entouré au moins partiellement du patron de sorte à permettre la mise en forme du tronc, le tronc s’étendant selon un axe d’extension principal depuis une première extrémité jusqu’à une deuxième extrémité, le tronc présentant en coupe, selon un plan perpendiculaire à l’axe d’extension principal, une section qui se rétrécit depuis la deuxième extrémité jusqu’à la première extrémité, ledit poste comprend un dispositif de chauffage apte à chauffer la surface intérieure et la surface extérieure de l’enveloppe formant le tronc de sorte à permettre le scellage dudit tronc de préférence peau contre chair, un premier poste de scellage d’un embout avec le tronc destiné à former en partie au moins le dispositif de fermeture, le premier poste de scellage comprenant au moins un dispositif de chauffage additionnel, configuré pour permettre le scellage par chauffe d’un pourtour de la première extrémité du tronc en contact avec une portion de l’embout un premier poste de scellage d’une embase avec le tronc de sorte à former un pourtour scellé, le premier poste de scellage comprenant au moins un deuxième dispositif de chauffage additionnel configuré pour permettre le scellage par chauffe d’un pourtour de la deuxième extrémité du tronc en contact avec une portion d’un pourtour de l’embase, l’embase étant en partie au moins située à l’intérieure du tronc; un poste de découpe d’au moins une partie du pourtour scellé, le poste de découpe comprenant : une pièce étalon destinée à être disposée contre l’embase et à être insérée dans le tronc, la pièce étalon comprenant : une surface de contact présentant une forme géométrique configurée pour s’appliquer sur une face extérieur de l’embase accessible depuis l’extérieur du conditionnement, une épaisseur prédéterminée prise selon l’axe d’extension principal; un dispositif de découpe mobile configuré pour, lorsque la pièce étalon est disposée contre l’embase, découper une partie du pourtour scellé afin de réduire sa hauteur selon l’axe d’extension principal, et ainsi permettre que la portion du pourtour de l’embase et qu’une partie au moins du pourtour de la deuxième extrémité du tronc soient découpées simultanément.
La présente invention permet préférentiellement de calibrer avec précision la hauteur du pourtour scellé du conditionnement, c’est en partie au moins ce pourtour et sa calibration qui permettent au conditionnement de tenir droit en reposant sur ledit pourtour scellé.
De plus, la machine de la présente invention permet un alignement à fleur de l’embase et du tronc ce qui permet une intégration précise de l’embase.
Sans la présente invention il faudrait prévoir des étapes supplémentaires qui nécessairement engendreraient des coûts additionnels en énergie et en matériaux.
Ainsi, la présente invention permet de limiter les coûts de production d’un contenant souple et plus particulièrement d’un conditionnement comprenant une poche déformable, cette poche étant produite à partir d’un film suffisamment souple pour ployer sous l’action de son propre poids.
Le guide optique peut être constitué par un bloc en verre ou par un faisceau de fibres optiques collées entre elles.
Selon un premier mode de réalisation, l’afficheur est réalisé par dépôt d’un film sur au moins une partie de la face de sortie, plane ou planarisée, le dépôt étant réalisé par une technique de dépôt de couches atomiques (ALD).
Le film mince comprend avantageusement une première couche diélectrique, un film électroluminescent et une seconde couche diélectrique, l’ensemble constitué par la première couche diélectrique, le film électroluminescent et la seconde couche diélectrique étant pris en sandwich entre un premier réseau d’électrodes arrangées sous forme de colonnes et un second réseau d’électrodes transparentes organisées en lignes, orthogonal au premier.
Les éléments électroluminescents peuvent typiquement se présenter sous forme de segments.
Selon un second mode de réalisation, l’afficheur est réalisé par collage d’une lame de verre sur au moins une partie de la face de sortie, des segments en phosphore étant déposés sur la lame mince et adressables individuellement par des pistes conductrices.
Quel que soit le mode de réalisation, selon une première variante, le module d’alimentation et de contrôle se présente sous la forme de deux unités distinctes, une première unité ayant pour fonction de fournir les hautes tensions de polarisation respectives de la photocathode, de la galette de micro-canaux et de l’écran phosphore et une seconde unité ayant pour fonction de contrôler l’afficheur.
Le dispositif de vision nocturne peut comprendre en outre un module de communication relié à la seconde unité au moyen d’un bus, ledit module de communication présentant une interface radio sans fil, et fournissant des informations à afficher à la seconde unité via ledit bus, ladite première unité transmettant à la seconde unité un signal (D) de commande de la luminance des éléments électroluminescents à afficher.
Dans la première variante, le dispositif de vision nocturne peut comprendre en outre un module d’alimentation alimentant en basse tension les première et seconde unités, la première unité comprenant un multiplicateur de tension pour générer lesdites hautes tensions de polarisation à partir de ladite basse tension.
Dans ce cas, la première unité mesure le courant d’anode de l’écran phosphore et fournit cette mesure à la seconde unité, la seconde unité contrôlant la tension et/ou le rapport cyclique d’un signal de polarisation des éléments électroluminescents, de manière à limiter le rapport entre la luminance des éléments ainsi affichés et la luminance de l’image de vision nocturne à un niveau dans une fourchette de valeurs prédéterminées.