Photodiode planaire (1), comportant : une couche principale (22) présentant une première face (22a) et une deuxième face (22b) opposées l’une à l’autre et parallèles à un plan principal, réalisée en un premier matériau semiconducteur cristallin à base de germanium, comportant une portion de détection (10) formée de : une première région (11) dopée de type n et affleurant la première face (22a), destinée à être polarisée électriquement ; une deuxième région (12) dopée de type p et affleurant la deuxième face (22b) ; une région intermédiaire (13), située entre la première région dopée (11) et la deuxième région dopée (12) et entourant la première région dopée (11) dans le plan principal ; une portion latérale périphérique (25), réalisée en un deuxième matériau semiconducteur dopé de type p, entourant la portion de détection (10) dans le plan principal, et venant au contact de la deuxième région dopée (12), et destinée à être polarisée électriquement ; caractérisé en ce qu’elle comporte : une portion intermédiaire périphérique (27), réalisée en une alternance de couches minces monocristallines de silicium germanium (27.1) et de germanium (27.2), située au contact de la portion de détection (10) au niveau de la première face (22a), et s’étendant entre et à une distance non nulle de la première région dopée (11) et de la portion latérale périphérique (25) de manière à entourer la première région dopée (11) dans le plan principal. Photodiode planaire (1) selon la revendication 1, dans laquelle les couches minces monocristallines de silicium germanium (27.1) comportent une proportion atomique de silicium au moins égale à 70%. Photodiode planaire (1) selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle les couches minces monocristallines de silicium germanium (27.1) et de germanium (27.2) présentent chacune une épaisseur inférieure ou égale à 4nm. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la portion intermédiaire périphérique (27) s’étend dans une échancrure dite intermédiaire périphérique (26) de la portion de détection (10) située au niveau de la première face (22a). Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comportant une portion centrale (29) réalisée en un second matériau semiconducteur cristallin dopé de type n, identique au premier matériau semiconducteur cristallin, située au contact de la portion de détection (10) au niveau de la première face (22a), et participant à former la première région dopée (11). Photodiode planaire (1) selon la revendication 5, comportant une couche supérieure isolante (23) recouvrant la portion de détection (10) au niveau de la première face (22a) ainsi que la portion intermédiaire périphérique (27), et entourant latéralement une partie de la portion centrale (29) qui fait saillie hors de la portion de détection (10). Photodiode planaire (1) selon la revendication 5 ou 6, comportant une portion supérieure (32) située sur et au contact de la portion centrale (29), réalisée en un matériau semiconducteur cristallin dopé de type n. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comportant une portion supérieure (32) située sur et au contact de la portion de détection (10), réalisée en un matériau semiconducteur cristallin dopé de type n. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comportant des contacts métalliques (31.1, 31.2) destinés à assurer la polarisation électrique de la photodiode (1), dont au moins un contact métallique central (31.1) assurant la polarisation électrique de la première région dopée (11) et au moins un contact métallique latéral (31.2) venant au contact de la portion latérale périphérique (25). Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle la portion de détection (10) est réalisée en germanium, et la portion latérale périphérique (25) est réalisée à base de silicium. Procédé de fabrication d’au moins une photodiode (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation d’un empilement comportant une première sous-couche (22.1) destinée à former la deuxième région (12) et une deuxième sous-couche (22.2) destinée à former la région intermédiaire (13), recouvertes par une couche isolante supérieure (23) ; réalisation de la portion latérale périphérique (25) au travers de l’empilement pour déboucher sur la première sous-couche (22.1) ; réalisation d’une échancrure intermédiaire périphérique (26) dans la portion de détection (10) au travers de la couche isolante supérieure (23) et d’une partie de la deuxième sous-couche (22.2), entourant une zone destinée à former la première région dopée (11) ; réalisation de la portion intermédiaire périphérique (27), dans l’échancrure intermédiaire périphérique (26), par épitaxie à partir de la deuxième sous-couche (22.2). Procédé de fabrication selon la revendication 11, comportant l’étape suivante, postérieure à la réalisation de la portion intermédiaire périphérique (27) : réalisation d’une échancrure centrale (28) dans la portion de détection (10) au travers de la couche isolante supérieure (23), entourée dans le plan principal par la portion intermédiaire périphérique (27) ; réalisation d’une portion centrale (29) réalisée en un second matériau semiconducteur cristallin identique au premier matériau semiconducteur cristallin, dans l’échancrure centrale (28), par épitaxie à partir de la deuxième sous-couche (22.2), et dopage de type n de la portion centrale (29) à la croissance, la portion centrale (29) participant ainsi à former la première région dopée (11). Procédé de fabrication selon la revendication 12, dans laquelle l’échancrure centrale (28) présente une profondeur par rapport à un plan passant par la première face (22a) au plus égale à celle de l’échancrure intermédiaire périphérique (26). Procédé de fabrication selon la revendication 11, comportant les étapes suivantes : réalisation d’une échancrure centrale (28) dans la portion de détection (10) au travers de la couche isolante supérieure (23) et d’une partie de la deuxième sous-couche (22.2), entourée dans le plan principal par la portion intermédiaire périphérique (27) ; réalisation d’une portion centrale (29) réalisée en un second matériau semiconducteur cristallin identique au premier matériau semiconducteur cristallin, dans l’échancrure centrale (28), par épitaxie à partir de la deuxième sous-couche (22.2), le second matériau semiconducteur cristallin étant non intentionnellement dopé ; réalisation d’une portion supérieure (32) sur et au contact de la portion centrale (29), en un matériau semiconducteur cristallin dopé de type n ; recuit de diffusion, de sorte que les dopants contenus dans la portion supérieure (32) diffusent au travers de la portion centrale (29) et dans une partie de la deuxième sous-couche (22.2) pour participer à former la première région dopée (11). Procédé de fabrication selon la revendication 11, comportant les étapes suivantes : réalisation d’une portion supérieure (32) sur et au contact de la portion de détection (10), en un matériau semiconducteur cristallin dopé de type n ; recuit de diffusion, de sorte que les dopants contenus dans la portion supérieure (32) diffusent dans une partie de la deuxième sous-couche (22.2) pour former la première région dopée (11).