INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
illustre schématiquement, dans une vue en coupe dans un plan vertical et longitudinal, une partie d’un exemple de réalisation d’un bloc optique comprenant un exemple de réalisation d’un dispositif d’éclairage selon l’invention,
illustre schématiquement, dans une vue en perspective, une partie du dispositif d’éclairage de la ,
illustre schématiquement, dans une vue en perspective du côté de la seconde face, le premier guide de lumière du dispositif d’éclairage des figures 1 et 2, avant le logement de la pièce de protection, et
illustre schématiquement, dans une vue en perspective du côté de la seconde face, le premier guide de lumière du dispositif d’éclairage des figures 1 et 2, après le logement de la pièce de protection.
La détection et/ou caractérisation des défauts dans un matériau semiconducteur peut s’effectuer suivant différentes techniques. On s’intéresse dans la présente description à la technique dite de mesure de photo-tension de surface, également connue sous le terme "surface photovoltage" en anglais (SPV). La méthode SPV consiste à déterminer la variation du potentiel de surface d’un matériau semiconducteur dans une configuration sous illumination par rapport à une configuration dans l’obscurité, et inversement. Cette variation de potentiel de surface, que l’on peut désigner par "paramètre SPV", dépend notamment des défauts de surface du matériau semiconducteur. Ainsi, la détermination du paramètre SPV peut renseigner sur les défauts du matériau semiconducteur mesuré.
Il est en particulier recherché la détermination de la dynamique de variation du paramètre SPV, ou dynamique de photo-tension de surface, que l’on peut désigner par "dynamique de SPV" ou "dynamique SPV", notamment la dynamique de photo-tension de surface entre la configuration sous illumination et la configuration dans l’obscurité, et inversement, pour mieux détecter et caractériser des défauts dans un matériau semiconducteur.
Il existe un besoin d’une technique de caractérisation adapté à déterminer une dynamique de photo-tension de surface.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des techniques de caractérisation par mesure de photo-tension de surface connues.
Un mode de réalisation prévoit un système de caractérisation d’un semiconducteur par mesure de photo-tension de surface, le système comprenant : - une sonde de Kelvin comprenant à une première extrémité une plaque électriquement conductrice adaptée à être disposée en regard d’une première surface d’un échantillon de semiconducteur ; - un circuit électrique relié à une autre extrémité de la sonde et adapté à relier électriquement ladite sonde à l’échantillon ; - un générateur de signal d’excitation adapté à exciter le semiconducteur ; - un générateur de vibration adapté à appliquer à la plaque un mouvement d’oscillation selon une direction sensiblement orthogonale à la première surface de l’échantillon ; - une unité de commande du générateur de vibration adaptée à générer un signal de commande de vibration ; - un générateur de signal de modulation adapté à moduler le signal de commande de vibration de manière à former un signal de commande modulé destiné à être envoyé au générateur de vibration ; le signal de modulation étant déphasé, d’une valeur de déphasage, par rapport au signal d’excitation ; et - un moyen de détermination d’une valeur de tension de polarisation entre la sonde de Kelvin et l’échantillon, ladite valeur étant déterminée sur la base d’un courant généré dans le circuit électrique par l’oscillation de la plaque, et ladite valeur permettant de déterminer une valeur de photo-tension de surface du semiconducteur, pour la valeur de déphasage.
Selon un mode de réalisation, le système comprend un générateur de tension adapté à générer la tension de polarisation entre la sonde de Kelvin et l’échantillon.
Selon un mode de réalisation, le moyen de détermination comprend une boucle de rétroaction avec en entrée le courant, et en sortie la valeur de tension de polarisation qui permet de réduire le courant, par exemple d’annuler ledit courant.
Selon un mode de réalisation, le système comprend un multiplicateur de tension configuré pour multiplier le signal de commande de vibration par le signal de modulation.
Selon un mode de réalisation, le système comprend un moyen de réglage du déphasage du signal de modulation par rapport au signal d’excitation, configuré pour appliquer plusieurs valeurs de déphasage entre ledit signal de modulation et ledit signal d’excitation ; le moyen de détermination étant adapté à déterminer, pour chaque valeur de déphasage, une valeur de tension de polarisation sur la base du courant généré dans le circuit électrique par l’oscillation de la plaque, chaque valeur de tension de polarisation déterminée permettant de déterminer une valeur de photo-tension de surface du semiconducteur.
Selon un mode de réalisation, le moyen de réglage du déphasage du signal de modulation par rapport au signal d’excitation comprend un retardateur.
Selon un mode de réalisation, la plaque s’étend selon un plan principal destiné à être disposé en regard de la première surface de l’échantillon, les dimensions de la plaque dans ledit plan principal étant supérieures ou égales à 15 micromètres.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de caractérisation d’un semiconducteur par mesure de photo-tension de surface, le procédé mettant en œuvre un système de caractérisation selon un mode de réalisation, et comprenant : - disposer la plaque électriquement conductrice en regard d’une première surface d’un échantillon de semiconducteur, et relier l’autre extrémité de la sonde à l’échantillon par le circuit électrique ; - générer un signal d’excitation à l’aide du générateur de signal d’excitation, de manière à exciter le matériau semiconducteur ; - générer un signal de commande de vibration à l’aide de l’unité de commande ; - générer un signal de modulation à l’aide du générateur de signal de modulation, et moduler le signal de commande de vibration par le signal de modulation de manière à générer un signal de commande modulé ; le signal de modulation étant déphasé d’une valeur de déphasage par rapport au signal d’excitation ; - générer, à l’aide du générateur de vibration commandé par le signal de commande modulé, un mouvement d’oscillation de la plaque selon une direction sensiblement orthogonale à la première surface de l’échantillon ; - déterminer une valeur de tension de polarisation entre la sonde de Kelvin et l’échantillon sur la base d’un courant généré dans le circuit électrique par l’oscillation de la plaque ; et - déterminer une valeur de photo-tension de surface sur la base de la valeur déterminée de tension de polarisation, pour la valeur de déphasage.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : - générer la tension de polarisation entre la sonde de Kelvin et l’échantillon, pour la détermination de la valeur de tension de polarisation.
Selon un mode de réalisation, la valeur de tension de polarisation est déterminée à l’aide d’une boucle de rétroaction avec en entrée le courant, ladite valeur de tension de polarisation étant sélectionnée pour réduire le courant, par exemple annuler ledit courant.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : - régler plusieurs valeurs de déphasage du signal de modulation par rapport au signal d’excitation ; - déterminer, pour chaque valeur de déphasage, une valeur de tension de polarisation sur la base du courant généré dans le circuit électrique par l’oscillation de la plaque ; et - déterminer une valeur de photo-tension de surface sur la base de chaque valeur déterminée de tension de polarisation ; le nombre de valeurs de déphasages étant par exemple adapté à déterminer une dynamique de photo-tension de surface dans le temps.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : - déposer préalablement sur la première surface de l’échantillon du semiconducteur des charges négatives ou positives ; la valeur de photo-tension de surface étant déterminée en fonction du dépôt de charges réalisé.
La formulation des mélanges comparatif MT1 à MT4 et ceux de l’invention MI1 et MI2 sont présentés dans les tableaux n°2 et n°3 ; les proportions sont exprimées en pce c’est-à-dire en partie en poids pour 100 parties en poids des élastomères du mélange.
MT1 MT2 Elastomère (1A) 60,0 60,0 Elastomère (1B) 40,0 40,0 Silice (3) 55,0 55,0 Silane (4) 5,5 5,5 DPG (5) 1,2 1,2 Plastifiant (6) 18,4 18,4 ZnO (9) 5,0 5,0 Acide stéarique (10) 2,0 2,0 Cire anti-ozone (7) 2,0 2,0 Anti-Oxydant (8) 1,0 1,0 Soufre 0,5 0,5 CBS 2,0 (-) TBzTD (-) 5,0
MT3 MT4 MI1 MI2 Elastomère (1A) 60,0 60,0 60,0 60,0 Elastomère diénique (1C) 40,0 40,0 40,0 40,0 Silice (2) 55,0 55,0 55,0 55,0 Silane (3) 5,5 5,5 5,5 5,5 DPG (4) 1,2 1,2 1,2 1,2 Plastifiant (5) 18,4 18,4 18,4 18,4 ZnO (6) 5,0 5,0 5,0 5,0 Acide stéarique (7) 2,0 2,0 2,0 2,0 Cire anti-ozone (8) 2,0 2,0 2,0 2,0 Anti-Oxydant (9) 1,0 1,0 1,0 1,0 Soufre 0,5 0,5 0,5 0,5 CBS 2,0 (-) (-) (-) MBTS (-) 2,0 (-) (-) ZBEC (-) (-) (-) 2,0 TBzTD (-) (-) 2,0 (-)
Le mélange comparatif MT1 est obtenu de la manière suivante :
Etape A : On introduit, dans un mélangeur interne « Polylab » de 414 cm 3 , rempli à 70 % en volume et dont la température initiale de cuve est de 90°C, en une ou plusieurs fois tous les ingrédients du tableau 4. On conduit, pendant 6 min, un travail thermomécanique jusqu’à atteindre une température maximale de tombée de 165°C. On récupère la composition ainsi obtenue, appelée composition C1.
Etape B : Dans un autre mélangeur interne « Polylab » de 414 cm 3 , rempli à 70 % en volume et dont la température initiale de cuve est de 90°C, on introduit en une ou plusieurs fois tous les ingrédients du tableau 5. On conduit, pendant 6 min, un travail thermomécanique jusqu’à atteindre une température maximale de tombée de 165°C. On récupère la composition ainsi obtenue, appelée composition C2.
Etape C : On introduit ensuite dans un mélangeur interne « Polylab » de 414 cm 3 , rempli à 70 % en volume la composition C1 obtenue précédemment et la composition C2 précédente et on fournit un travail thermomécanique pendant une durée de 5 min jusqu’à atteindre une température maximale de tombée de 150°C.
Etape D : On introduit ensuite le mélange de l’étape précédente dans un mélangeur externe, tel qu’un mélangeur à cylindre, de manière à refroidir ce mélange jusqu’à une température de 40°C. On incorpore alors le système de vulcanisation (0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C » et on mélange pendant 20 min. Le mélange ainsi obtenu est ensuite calandré sous la forme de plaques pour effectuer les mesures de ses propriétés physiques ou mécaniques. Sauf indications contraires, les propriétés de caoutchouterie du mélange de caoutchouc sont mesurées après cuisson à 170°C pendant 20 min.
Composition 1 Elastomère (1A) 60,0 Silice (2) 15,3 Silane (3) 2,2 DPG (4) 0,6 Plastifiant (5) 11,0 ZnO (6) 2,5 Acide stéarique (7) 1,00 Cire anti-ozone (8) 1,0 Anti-Oxydant (9) 0,5
Composition 2 Elastomère (1B) 40,0 Silice (2) 39,7 Silane (3) 3,3 DPG (4) 0,6 Plastifiant (5) 7,4 ZnO (6) 2,5 Acide stéarique (7) 1,0 Cire anti-ozone (8) 1,0 Anti-Oxydant (9) 0,5
Le mélange MT2 est obtenu en reproduisant les étapes A à C du procédé décrit pour le mélange comparatif MT1 ci-dessus avec les compositions C1 et C2 des tableaux respectifs n°4 et n°5. L’étape D décrite précédemment est également reproduite à l’exception que le système de vulcanisation du mélange MT1 (0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C » est remplacé par le système de vulcanisation suivant : 0,5 pce de soufre et 2,0 pce de disulfure de tetrabenzylthiurame (TBzTD) commercialisé par la société Harwick sous la référence « Ekaland TBZTD C ».
Le mélange comparatif MT3 est obtenu en reproduisant les étapes A à C du procédé décrit pour le mélange comparatif MT1 avec les compositions C1 et C3 des tableaux respectifs n°4 et n°6. L’étape D décrite précédemment est également reproduite avec le système de vulcanisation du mélange MT1 (i.e. 0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C ».
Composition 3 Elastomère (1C) 40,0 Silice (3) 39,7 Silane (4) 3,3 DPG (5) 0,6 Plastifiant (6) 7,4 Cire anti-ozone (7) 1,0 Anti-Oxydant (8) 0,5 ZnO (9) 2,5 Acide stéarique (10) 1,0
Le mélange MT4 est obtenu en reproduisant les étapes A à C du procédé décrit pour le mélange comparatif MT1 ci-dessus avec les compositions C1 et C3 des tableaux respectif n°4 et n°6. L’étape D décrite précédemment est également reproduite à l’exception que le système de vulcanisation du mélange MT1 (0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C » est remplacé par le système de vulcanisation suivant : 0,5 pce de soufre et 2,0 pce de disulfure de 2-mercaptobenzothiazyle (MBTS) commercialisé par la société Quimica sous la référence « Rubator MBTS ».
Le mélange MI1 selon l’invention est obtenu en reproduisant les étapes A à C du procédé décrit pour le mélange comparatif MT1 ci-dessus avec les compositions C1 et C3 des tableaux respectif n°4 et n°6. L’étape D décrite précédemment est également reproduite à l’exception que le système de vulcanisation du mélange MT1 (0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C » est remplacé par le système de vulcanisation suivant : 0,5 pce de soufre et 2,0 pce de disulfure de tetrabenzylthiurame (TBzTD) commercialisé par la société Harwick sous la référence « Ekaland TBZTD C ».
Le mélange MI2 selon l’invention est obtenu en reproduisant les étapes A à C du procédé décrit pour le mélange comparatif MT1 ci-dessus avec les compositions C1 et C3 des tableaux respectif n°4 et n°6. L’étape D décrite précédemment est également reproduite à l’exception que le système de vulcanisation du mélange MT1 (0,5 pce de soufre et 2,0 pce de N-cyclohexyl-2-benzothiazyl-sulfénamide (CBS) commercialisée par Quimica sous la référence « Rubenamid-C » est remplacé par le système de vulcanisation suivant : 0,5 pce de soufre et 2,0 pce de dibenzyldithiocabamate de zinc (ZBEC) commercialisé par la société Performance additives sous la réference « Perkacit ZBEC C ».
Selon un mode de réalisation, la tension de polarisation est une tension continue.
Selon un mode de réalisation, le signal de commande de vibration est une tension alternative.
Selon un mode de réalisation, le signal de modulation comprend des impulsions, par exemple des impulsions de tension.
Selon un mode de réalisation, le signal d’excitation est un signal Laser, un signal électrique ou un signal magnétique, par exemple sous forme d’impulsions.
la représente schématiquement un exemple de système de caractérisation d’un matériau semiconducteur par une technique dite "KPFM" ;
la représente schématiquement un exemple de système de caractérisation d’un matériau semiconducteur par une technique dite "pp-KPFM" ;
la représente schématiquement un système de caractérisation d’un matériau semiconducteur selon un mode de réalisation ;
la représente schématiquement sous forme de blocs le système de caractérisation de la ;
la illustre un procédé de caractérisation d’un matériau semiconducteur selon un mode de réalisation ; et
la illustre un procédé de caractérisation d’un matériau semiconducteur selon un autre mode de réalisation.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, tous les composants des systèmes et blocs décrits ne sont pas détaillés. Par exemple, les composants de la boucle de rétroaction, de l’unité de commande, des générateurs de signaux ou du générateur de vibration ne sont pas détaillés, étant à la portée de la personne du métier.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un système de caractérisation d’un échantillon de semiconducteur lorsque ledit échantillon s’étend selon une direction horizontale, étant entendu que l’échantillon peut être orienté selon une autre direction, par exemple une direction verticale ou une direction oblique.
Bien évidemment, le conducteur du premier véhicule 10 peut également, selon le niveau d’autonomie du premier véhicule 10, cibler manuellement une file donnée, par exemple par interaction avec le système IHM embarqué du premier véhicule 10 pour transmettre une information représentative d’une sélection manuelle d’une file cible, ou encore par contrôle de la direction du premier véhicule 10 pour le positionner sur la file cible, le système LPA se calibrant sur la file sélectionnée par le conducteur.
Selon une variante, le BSI détermine une file de circulation du deuxième véhicule 11 en fonction de la donnée, la troisième opération s’effectuant en fonction d’un résultat de la détermination. La donnée comprend par exemple une information représentative d’une position du deuxième véhicule 11, laquelle est mise en relation avec les files de circulation 1001, 1002 détectées pour associer le deuxième véhicule 11 à une file de circulation. La file cible est alors par exemple sélectionnée de manière à permettre le suivi du deuxième véhicule 11 en reproduisant son choix de file de circulation, ou encore de manière à répartir le premier véhicule 10 et le deuxième véhicule 11 sur des files de circulation différentes, afin de fluidifier le trafic routier.
Selon une autre variante, la donnée comprend une information représentative d’une deuxième vitesse du deuxième véhicule 11, par exemple issue d’une pluralité de positions du deuxième véhicule 11 dans le temps. Le BSI effectue alors une première comparaison d’une première vitesse du premier véhicule 10 avec une valeur seuil obtenue à partir de la deuxième vitesse, la sélection étant effectuée en fonction d’un résultat de la première comparaison. La première vitesse correspond par exemple à une mesure de vitesse reçue d’au moins un capteur de vitesse embarqué dans le premier véhicule 10 et en communication avec le BSI, ou encore à une consigne de vitesse issue d’un système IHM ou d’un système ADAS en communication dans le réseau multiplexé.
La valeur seuil correspond par exemple directement à la deuxième vitesse ou à une valeur issue de la deuxième vitesse et d’un offset permettant d’éviter un comportement inattendu du premier véhicule 10 lorsque la première vitesse et la deuxième vitesse sont sensiblement égales, l’offset correspondant à une valeur enregistrée dans une mémoire du BSI, par exemple une valeur paramétrable. Selon une conception particulière, la valeur seuil correspond à la deuxième vitesse majorée de 15 km/h, le résultat de la sélection variant donc si le premier véhicule 10 circule à une première vitesse au moins supérieure à 15 km/h au-dessus de la deuxième vitesse du deuxième véhicule 11, de manière à permettre le dépassement du deuxième véhicule 11 par le premier véhicule 10 dès la subdivision 1003.
Selon encore une variante, le BSI effectue dans la première opération une deuxième comparaison d’une position du premier véhicule 10 avec une position de la subdivision 1003, la troisième opération étant effectuée en fonction d’un résultat de la deuxième comparaison. On comprend ici que la position relative de la subdivision 1003 par rapport au premier véhicule 10 est par exemple issue des données ayant permis de repérer et/ou de caractériser la subdivision 1003 et/ou les files de circulation 1001, 1002. Les positions du premier véhicule 10 et de la subdivision 1003 sont par exemple issues d’une information représentative de cartographie de l’environnement routier 1 telle que décrite ci-avant et tenant compte du sens de circulation du premier véhicule 10 sur la voie de circulation 1000. Selon un autre exemple, la position relative de la subdivision 1003 par rapport au premier véhicule 10 est issue de données reçues de capteurs embarqués associés à des systèmes ADAS du premier véhicule 10.
La sélection est ainsi par exemple effectuée lorsque la subdivision 1003 est détectée à une distance donnée du premier véhicule 10 permettant à celui-ci d’effectuer la sélection de files lors de la subdivision, indépendamment de manœuvres ultérieures et permettant de déclencher le déplacement latéral du premier véhicule 10 lorsque celui-ci peut effectivement s’engager sur l’une des files 1001, 1002.
Selon une variante particulière, la troisième opération s’effectue en fonction des résultats d’une pluralité des opérations optionnelles énoncées ci-avant. On prévoit ainsi selon un exemple de réalisation en accord avec la une sélection de la file de gauche 1002 lorsque le premier véhicule 10 détecte la subdivision 1003 en amont de celui-ci à une distance donnée, la présence du deuxième véhicule 11 dans la file de droite 1001 et une première vitesse du premier véhicule 10 significativement supérieure à une deuxième vitesse du deuxième véhicule 11.
Optionnellement, la sélection de la file cible déclenche une variété d’actions complémentaires selon la file sélectionnée et les fonctionnalités embarquées du premier véhicule 10, par exemple les fonctionnalités des systèmes ADAS du premier véhicule 10 et contrôlées par un ou plusieurs calculateurs du premier véhicule 10, par exemple par le BSI ou encore par une pluralité de calculateurs périphériques. La sélection de la file cible déclenche par exemple une activation d’un système de régulation adaptative de vitesse, dit système ACC, du premier véhicule 10 en fonction de la sélection, ainsi qu’un ciblage du deuxième véhicule 11 comme objet cible du système ACC. Une telle activation se fait ainsi par exemple lorsque la file ciblée correspond à la file associée au deuxième véhicule 11, ou encore lorsque le BSI ne détecte que le deuxième véhicule 11 situé directement devant le premier véhicule 10 et que la sélection consiste en un maintien du premier véhicule 10 sur la file initiale. Bien évidemment, on conçoit également des conceptions alternatives, par exemple une sélection d’une file différente de celle associée au deuxième véhicule 11 associée à une perte du ciblage du deuxième véhicule 11 par le système ACC.
Ainsi, le procédé selon l’invention permet d’assurer un comportement plus réactif du premier véhicule équipé d’un système LPA, permettant de tenir compte de la présence de subdivisions d’une voie de circulation et de sélectionner une file parmi les différentes files possibles lors de la subdivision en fonction des conditions de circulation dans l’environnement du premier véhicule. Le confort et la sécurité des occupant du premier véhicule, ainsi que des autres usagers de la route, s’en trouve augmenté.
illustre schématiquement un dispositif 2 configuré pour contrôler un système d’aide au positionnement d’un véhicule dans une file de circulation, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 2 correspond par exemple à un dispositif embarqué dans le premier véhicule 10, par exemple un calculateur du système ADAS ou un BSI. Le dispositif 2 est par exemple configuré pour recevoir des données de la part de capteurs embarqués du premier véhicule 10 et/ou d’autres calculateurs, et contrôler un système LPA du premier véhicule 10.
L’invention a également pour objet un procédé de fonctionnement d’un dispositif de nettoyage d’un ensemble de propulsion d’aéronef caractérisé en ce que le dispositif de nettoyage est activé au moins deux secondes durant lesquelles la motorisation génère une poussée maximale préalablement à un décollage.
Selon une autre caractéristique, le dispositif de nettoyage est activé pendant une durée d’activation comprise entre 5 et 15 secondes.
est une vue en perspective d’une entrée d’air illustrant un mode de réalisation de l’art antérieur,