INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du coeur 66 peut être comprise entre 2 µm et 1 mm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la gaine supérieure 64 peut être comprise entre 1 µm et 150 µm, de préférence entre 30 µm et 80 µm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la gaine inférieure 68 peut être comprise entre 1 µm et 150 µm. La hauteur maximale de chaque motif 70, mesurée par rapport à la face 74 peut être comprise entre 0,5 µm et 100 µm, de préférence entre 1 µm et 10 µm. Les motifs 70 peuvent avoir chacun une largeur inférieure à 20 µm, de préférence inférieure à 12 µm, plus préférentiellement entre 2 µm et 6 µm.
Selon un mode de réalisation, le coeur 66 peut être réalisé en polycarbonate (PC), polyméthacrylate de méthyle (PMMA), polytéréphtalate d'éthylène (PET), ou polymère d’oléfine cyclique (COP). Selon un mode de réalisation, la gaine supérieure 64, la gaine inférieure 68, et/ou les motifs 70 peuvent être réalisés à partir d’un adhésif optiquement transparent (Optically Clear Adhesive - OCA), notamment un adhésif optiquement transparent liquide (Liquid Optically Clear Adhesive - LOCA), ou d’un matériau à bas indice de réfraction, ou d’une colle epoxy/acrylate, ou d’un film d'un gaz ou d'un mélange gazeux. Selon un mode de réalisation, l'indice de réfraction du coeur 66 est compris entre 1,45 et 1,7, et l'indice de réfraction de la gaine supérieure 64, de la gaine inférieure 66, et des motifs 70 est compris entre 1 et 1,55. La différence entre l'indice de réfraction du coeur 66 et l'indice de réfraction de la gaine supérieure 64, de la gaine inférieure 66, et des motifs 70 est supérieure à 0,07, de préférence supérieure à 0,1. Le guide d'ondes 52 peut être réalisé selon une procédure feuille à feuille, ou une procédure rouleau à rouleau. Les motifs 70 peuvent être réalisés par moulage sous pression ou par impression par jet d'encre.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation de la structure diffusante 52 ayant en partie une structure du guide d'ondes ayant une structure analogue à celle représentée en , à la différence que les motifs 70 sont prévus à l'interface entre le coeur 66 et la gaine supérieure 64. En outre, en , la face d'émission 54 présente une texturation améliorant la diffusion de la lumière émise. A titre d'exemple, la texturation comprend la formation d'empreintes dans la face supérieure 54 formant des lentilles de taille micrométrique.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation de la structure diffusante 52 ayant en partie une structure de guide d'ondes ayant une structure analogue à celle représentée en à la différence que les motifs 70 favorisent la diffusion de la lumière guidée par le guide d'ondes. A titre de variante, les motifs 70 ne sont pas présents. Dans ce cas, l'interface entre la gaine inférieure 68 et le coeur 66 est inclinée par rapport à l'interface entre la gaine supérieure 64 68 et le coeur 66 et par rapport à la face d'émission 54.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation de la structure diffusante 52 ayant une structure analogue à celle représentée en à la différence que les motifs 70 qui favorisent la dispersion de la lumière guidée par le guide d'ondes sont situés sur la face supérieure 54.
La densité surfacique des motifs 70 de la structure diffusante 52 peut ne pas être constante. En particulier, la densité surfacique des motifs 70 peut augmenter lorsqu'on s'éloigne de la zone d'injection du rayonnement dans la structure diffusante 52. A titre d'exemple, lorsque le rayonnement est injecté dans la structure diffusante 52 sur un bord de la structure diffusante 52, la densité surfacique des motifs 70 augmente en s'éloignant de ce bord. La variation de la densité surfacique de motifs permet de conserver une uniformité de la densité spectrale du flux du rayonnement avant émis par la face d'émission 54 alors que la densité spectrale du flux du rayonnement se propageant dans la structure diffusante 52 diminue au fur et à mesure que l'on s'éloigne de la zone d'injection de rayonnement dans la structure diffusante 52.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé d'un pixel d'affichage du groupe de pixels 26 comprenant trois sous-pixels d'affichage.
Selon un mode de réalisation, le circuit global de commande 30 comprend de bas en haut en : - un substrat semiconducteur 80, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 82 délimitant la face inférieure 34 et les plots conducteurs 36 exposés sur la face inférieure 34 ; - des transistors MOS 84 ou d’autres types classiquement utilisés dans les circuits intégrés, par exemple des transistors bipolaires (BJT, sigle anglais pour Bipolar Junction Transistor), formés dans et sur le substrat 80. Ces transistors pourraient être aussi être des transistors en couches minces (TFT, sigle anglais pour Thin-Film Transistor) déposé sur un substrat d’une autre nature que le silicium, par exemple un substrat en polymère, ou même déposés directement sur la face arrière des diodes électroluminescentes LED. Dans ce cas les diodes électroluminescentes LED forment le substrat et le procédé de fabrication est fait en ordre inverse par rapport à ce qui a été décrit précédemment, c’est-à-dire les niveaux de métallisation d’abord (empilement 85) et les composants passifs et actifs en dernier ; - un empilement 85 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 80 et les pistes conductrices 86 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 85 dont notamment des plots 88 exposés sur la face supérieure 35 du circuit global de commande 30, les pistes conductrices 86 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 82 et les pistes conductrices 86 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - les vias 37 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 80 et reliant les plots 36 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l'empilement 85.
Selon un mode de réalisation, le circuit global d'affichage 32 comprend de bas en haut en : - un support 91 formant la face inférieure 38 du circuit global d'affichage 32 au contact de la face supérieure 35 du circuit global de commande 30 et comprenant des plots conducteurs 92 exposés sur la face inférieure 38, au contact des plots 90, et une structure isolante multicouches 93, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 92 et recouvrant les plots 92 et comprenant des ouvertures 94 exposant des portions des plots 92 ; - des microfils ou nanofils 95, appelés fils par la suite (six fils étant représentés), chaque fil 95 étant en contact avec l'un des plots 92 au travers de l'une des ouvertures 94 ; - une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 95 et s'étendant sur la couche isolante 93 entre les fils 95 ; - une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 95 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 95, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche conductrice 100 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 95 ; - une couche conductrice 102 transparente formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 95, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 95 ; - des blocs photoluminescents 104 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes LED ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émis par les diodes électroluminescentes LED associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes LED associées ; - une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 104, la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106, les faces latérales des blocs 104 et la couche d'électrode 102 entre les blocs 104 ; - des murs 110 entre les blocs 104, chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d'un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 104 et/ou les diodes électroluminescentes LED ; - un filtre coloré 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 104 ; et - une couche d'encapsulation 118 recouvrant l'ensemble de la structure.
Les éléments de séparation 55 décrits précédemment ne sont pas représentés en et peuvent entourer l'ensemble des sous-pixels d'affichage.
Chaque fil 95 peut avoir une structure semiconductrice allongée. Chaque fil 95 peut avoir une forme générale cylindrique avec une section droite pouvant avoir différentes formes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Chaque fil 95 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 95, compris entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les fils 95 comprennent au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés.
La couche conductrice 102 est adaptée à polariser les couches actives des coques 98 et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes. Le matériau formant la couche conductrice 102 peut être un matériau transparent et conducteur tel que du graphène, ou de l'argent, ou un oxyde transparent et conducteur (ou TCO, sigle anglais pour Transparent Conducting Oxide), notamment l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, sigle anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé ou non à l'aluminium, ou au gallium ou au bore. A titre d'exemple, la couche conductrice 102 a une épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm, de préférence entre 20 nm et 100 nm.
La couche conductrice 100, les pistes conductrices 86 et les plots conducteurs 36, 88, 92 peuvent être en métal, par exemple en aluminium, en argent, en platine, en nickel, en cuivre, en or ou en ruthénium ou en un alliage comprenant au moins deux de ces composés, notamment l'alliage PdAgNiAu ou l'alliage PtAgNiAu.
Chacune des couches isolantes 85, 93, 96, 106, 108, 118 est en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium (SiO 2 ), le nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), l'oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), l'oxyde d'hafnium (HfO 2 ), l'oxyde de titane (TiO 2 ), ou l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ).
Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes d'un pixel d'affichage Pix émettent un rayonnement lumineux à la même longueur d'onde. La structure diffusante 52 recouvrant ce pixel d'affichage Pix peut alors contenir des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émis par le pixel d'affichage, à émettre de la lumière à la couleur souhaitée. Ceci permet de réaliser la conversion de la longueur d'onde du rayonnement au niveau de la structure diffusante 52 et non au niveau du pixel d'affichage. De ce fait, par rapport à la structure de pixel d'affichage décrite précédemment en relation avec la , les blocs photoluminescents 104 et les filtres colorés 116 peuvent ne pas être présents. En outre, la densité de puissance reçue par les luminophores présents dans les structures diffusantes 52 est inférieure à la densité de puissance reçue par les luminophores lorsqu'ils sont intégrés directement dans les pixels d'affichage. Ceci est avantageux notamment lorsque les luminophores comprennent des boîtes quantiques dont les propriétés de conversion peuvent se dégrader dans le temps d'autant plus vite que la densité de puissance reçue par ces boîtes quantiques est élevée.
L’étape S310 comprend, pour chaque paquet réseau d’un sous ensemble de paquets réseau de la trace réseau TR obtenue à l’étape S312, une étape S316 d’obtention d’un ensemble de données du paquet réseau DPR, ces données DPR étant ensuite destinées à être divisées (à l’étape S311) en deux sous-parties utilisées respectivement pour fournir les entrées du réseau de neurones RN artificiels lors de l’entraînement primaire et lors de l’entraînement secondaire.
Le sous ensemble de paquets réseau comprend typiquement un nombre P de premiers paquets réseau reçus et/ou envoyés de la trace réseau TR, et éventuellement n’ayant pas été filtrés à l’étape S314, typiquement les deux cents premiers paquets réseau PR, les données de cent paquets étant destinées à être utilisées pour l’entraînement primaire et les données de cent autres paquets étant destinées à être utilisées pour l’entraînement secondaire. Cette valeur de cent paquets réseau permettant un bon compromis entre temps de calcul et précision de l’identification.
Les données DPR de l’ensemble de données du paquet réseau DPR sont typiquement sélectionnées de sorte à améliorer la fiabilité et la précision de l’identification de l’usage numérique (par exemple parce qu’elles ne dépendent pas de la localisation ou du moment de l’usage) et/ou protéger la vie privée des utilisateurs.
L’ensemble de données du paquet réseau DPR comprend plusieurs données DPR parmi les données suivantes, typiquement les toutes les données suivantes : - la taille du paquet, - une durée entre la réception ou l’envoi du paquet et la réception ou l’envoi d’un paquet précédent d’une même session ou d’un même protocole que ledit paquet, - un port source du paquet, - un port destination du paquet, - une direction du paquet, i.e. si le paquet est reçu ou envoyé, et - un protocole d’une couche de plus haut niveau dans le paquet.
Le paquet comprend les données de taille, port source, port destination et de protocole de plus haut niveau, et ces données peuvent ainsi être directement extraites du paquet.
La donnée de direction du paquet est typiquement obtenue à partir de l’adresse MAC de source ou de destination. En effet, lorsque le paquet est reçu (paquet entrant), l’adresse MAC de destination est l’adresse MAC du dispositif utilisé, et lorsque le paquet est envoyé (paquet sortant), l’adresse MAC source du paquet est l’adresse MAC du dispositif utilisé.
La donnée de durée est typiquement calculée en fonction de la donnée temporelle d’envoi ou de réception du paquet. Lorsque le paquet appartient à une session (typiquement une session TCP ou UDP), le paquet précédent de la même session est identifié est la donnée de durée du paquet est soustraite à la donnée de durée du paquet précédent. Lorsque le paquet n’appartient pas à une session, le paquet précédent de même protocole et n’appartenant pas à une session est identifié, et la donnée de durée du paquet est soustraite à la donnée de durée de ce paquet précédent.
L’étape S310 comprend en outre une étape S318 de traitement des ensembles de données de paquets réseau DPR obtenus à l’étape S316, de sorte à obtenir le premier ensemble de données d’entraînement EDE1.
L’étape S318 comprend, pour chaque donnée DPR de chaque ensemble de données du paquet réseau DPR ayant pour valeur un nom (i.e. prenant la forme d’une variable catégorielle), une conversion de la valeur de ladite donnée DPR en un vecteur de valeurs binaires (variables binaires).
Une variable catégorielle prend typiquement la forme d’une chaîne de caractères comprenant des lettres et/ou des chiffres, dont la valeur est un nom. Par exemple, le numéro d’un port est une variable catégorielle, le numéro nommant (référençant) le port mais n’impliquant pas une relation de supériorité par rapport à un numéro de port plus petit.
Le vecteur comprend un nombre de valeurs binaire égal au nombre de valeurs que peut prendre ladite donnée DPR, chaque valeur binaire correspondant à une des valeurs de nom, et étant mise à 1 pour la valeur de nom effectivement prise par la donnée, et à 0 pour les autres (technique dite d’encodage « one-hot »). Cette conversion est typiquement mise en œuvre pour les données de port source, port destination et protocole de plus haut niveau.
En variante, une autre méthode de binarisation peut être utilisée, telle que par exemple une des méthodes appelées « simple coding », « deviation coding », « orthogonal polynomial coding », « Helmert coding », « reverse Helmert coding », forward difference coding » ,« backward difference coding » et « user-defined coding », en terminologie anglo-saxonne, par exemple décrites sur la page web https://stats.idre.ucla.edu/r/library/r-library-contrast-coding-systems-for-categorical-variables/.
En outre, l’étape S318 comprend, par exemple, pour chaque donnée DPR de chaque ensemble de données du paquet réseau DPR ayant une valeur numérique définie dans un intervalle différent de l’intervalle compris entre 0 et 1, normalisation de la valeur de sorte qu’elle soit définie dans l’intervalle compris entre 0 et 1. Toutes les données DPR sont alors à la même échelle, ce qui permet d’accélérer l’entraînement du réseau de neurones RN artificiels. La normalisation est typiquement mise en œuvre pour les données de taille et de durée.
La méthode appelée « min-max normalisation » est par exemple utilisée pour la normalisation, la formule utilisée étant alors :
où x représente la valeur à normaliser, x’ représente la valeur normalisée, max(x) représente la valeur maximale que peut prendre la valeur à normaliser et min(x) représente la valeur minimale que peut prendre la valeur à normaliser.
Dans le mode de réalisation décrit ici, le premier ensemble de données d’entraînement EDE1 est divisé en deux ensembles, à l’étape S311, à savoir un premier ensemble de données d’entraînement primaire EDEP1 et un premier ensemble de données d’entraînement secondaire (ou post-entraînement) EDES1. Chacun de ces premiers ensembles représente par exemple 50% du premier ensemble de données d’entraînement EDE1.
- une première sous-étape (SE1) de fourniture de deux solutions de référence présentant des concentrations différentes en acide nucléique cible,
- une deuxième sous-étape (SE2) de mesure pour chaque solution de référence d’une intensité de référence entre l’électrode de travail et la contre-électrode, les électrodes étant mises en contact avec la solution de référence, les électrodes étant mises sous tension électrique de sorte à maintenir la tension de travail entre elles, - une troisième sous étape (SE3) de détermination d’une correspondance d’intensités de courant entre l’électrode de travail et la contre-électrode en fonction et de concentrations en acide nucléique cible dans une solution à analyser,
le procédé comprenant une étape de détermination d’une concentration en acide nucléique cible dans la solution à analyser à partir de l’intensité mesurée utilisant la correspondance ;
- l’acide nucléique cible est un fragment d'acide nucléique d'un agent pathogène.
les figures 1 à 3 sont des représentation schématiques d’étapes d’un procédé de fixation d’un acide nucléique sur une électrode selon un mode de réalisation de l’invention ;
la est une représentation schématique d’une réaction d’hybridation d’un acide nucléique cible ;
la est une représentation schématique de mesures électrochimiques pour la détection d’un acide nucléique cible ;
la est une représentation schématique d’un appareil de détection d’un acide nucléique ;
la est un détail de l’appareil représenté en ;
les figures 8 à 9 sont des représentations schématiques de mesures électrochimiques pour la détection d’un acide nucléique cible;
la est une représentation schématique d’un système de détection d’acides nucléiques cibles selon un mode de réalisation de l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Procédé de fixation d’acide nucléique sur une électrode de platine
En rapport avec les figures 1, 2 et 3 il est présenté un procédé selon un mode de réalisation de l’invention pour fixer un acide nucléique sur une électrode en platine.
Une électrode 20 en platine est initialement fournie. Elle est désignée également « électrode de travail » dans le texte de la description. Dans une étape préliminaire optionnelle, cette électrode peut être caractérisée pour évaluer son état de surface et ses propriétés électrochimiques.
A cette fin, deux mesures peuvent notamment être mises en œuvre : une mesure de voltammétrie cyclique et une mesure de chronoampérométrie.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : calculer, à partir de ladite au moins une mesure dimensionnelle in-situ et de la définition géométrique de la première paroi de cuve, une longueur à découper dans l’élément de pontage ; et découper l’élément de pontage de la longueur à découper ainsi calculée.
Selon un mode de réalisation, la première paroi de cuve présente en outre une membrane d’étanchéité secondaire disposée entre la barrière thermiquement isolante secondaire et la barrière thermiquement isolante primaire.
Selon un mode de réalisation, la membrane d’étanchéité secondaire est réalisée en un composite comportant une feuille d’aluminium et des fibres de verre, la membrane d’étanchéité secondaire étant collée à la barrière thermiquement isolante secondaire et à la barrière thermiquement isolante primaire.
Par « médiane », on entend que la ligne médiane partage la première paroi porteuse en deux demi-parois qui présentent des surfaces égales.
Grâce au dimensionnement de la tôle métallique ondulée à partir de ladite au moins une deuxième mesure dimensionnelle in-situ, on parvient à rattraper les éventuels écarts dimensionnels de la structure porteuse avec sa forme polyédrique idéalement prévue, précisément au niveau de la tôle métallique qui est la plus proche de l’arête. On peut ainsi choisir l’ébauche de tôle métallique ondulée parmi un ensemble d’ébauches présentant des dimensions prédéfinies selon la direction orthogonale à l’arête. Ceci permet de limiter le nombre de dimensions de tôles métalliques ondulées à réaliser, ce qui diminue les coûts de fabrication de la cuve.
Selon un mode de réalisation, dimensionner ladite tôle métallique ondulée comprend : - fournir une ébauche de tôle métallique ondulée présentant une dimension initiale selon la direction orthogonale à l’arête ; - calculer une longueur à découper dans l’ébauche de tôle métallique ondulée à partir de ladite au moins une deuxième mesure dimensionnelle in-situ et de la dimension initiale ; et - découper l’ébauche de tôle métallique ondulée de ladite longueur à découper pour obtenir ladite tôle métallique ondulée.
Selon un mode de réalisation, la dimension initiale de l’ébauche de tôle métallique est définie en fonction de la position de la tôle métallique ondulée sur la première paroi de cuve.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre remplir un interstice entre le premier panneau isolant et le deuxième panneau isolant d’au moins un élément thermiquement isolant.
Selon un mode de réalisation, la tôle métallique ondulée présente au moins un bord joggliné permettant un soudage par recouvrement avec une autre tôle métallique ondulée appartenant à ladite membrane d’étanchéité de la première paroi de cuve.