Procédé de réalisation d’une zone d’individualisation (1) d’une puce microélectronique, ladite puce comprenant au moins : un premier (10A) et un deuxième (20A) niveaux de pistes électriques (10, 20), un niveau (30A) d’interconnexions situées entre les premiers (10A) et deuxième (20A) niveaux de pistes électriques (10, 20) et comportant des vias (30) destinés à connecter électriquement des pistes électriques (10) du premier niveau (10A) avec des pistes électriques (20) du deuxième niveau (20A), la puce présentant au moins une autre zone, distincte de la zone d’individualisation, destinée à former une zone fonctionnelle de la puce, le procédé comprenant au moins les étapes suivantes effectuées au niveau de la zone d’individualisation (1) de la puce : fournir au moins le premier niveau (10A) de pistes électriques (10), former au moins une couche diélectrique (200) sur le premier niveau (10A), ladite couche diélectrique étant à base d’un matériau diélectrique comprenant une concentration d’azote non nulle, former sur l’au moins une couche diélectrique (200) un masque de gravure (300) présentant des ouvertures de masque (301) situées au moins en partie au droit des pistes électriques (10) et rendant accessible l’au moins une couche diélectrique (200), graver l’au moins une couche diélectrique (200) au travers des ouvertures de masque (301) par au moins une gravure à base d’acide fluorhydrique en phase vapeur, de façon à former : des ouvertures (320, 320R) débouchant sur le premier niveau (10A) des pistes électriques (10), des résidus (R) azotés aléatoirement répartis au niveau de certaines ouvertures (320 R ), les ouvertures (320, 320 R ) comprenant alors des ouvertures (320 R ) avec résidus azotés et des ouvertures (320) sans résidus, remplir les ouvertures (320, 320 R ) avec un matériau électriquement conducteur de sorte à former au moins les vias (30) du niveau (30A) d’interconnexions, lesdits vias (30) comprenant des vias fonctionnels (30 OK ) au niveau des ouvertures sans résidus (320) et des vias inactifs (30 KO ) au niveau des ouvertures avec résidus azotés (320 R ), ledit procédé comprenant en outre, préalablement à la formation des résidus (R) azotés dans la zone d’individualisation (1), une formation d’un masque de protection sur la zone destinée à former la zone fonctionnelle de la puce. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de l’au moins une couche diélectrique à base d’un matériau diélectrique comprenant une concentration d’azote non nulle est effectuée par dépôt chimique en phase vapeur à partir d’un précurseur gazeux comprenant du silicium et une source de composés azotés. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le précurseur gazeux est pris parmi le silane (SiH4), le tétraéthoxysilane (TEOS), le tétramethoxysilane (TMOS), et dans lequel la source de composés azotés est un gaz N2O ou N2. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’au moins une couche diélectrique (200) est à base de SiO x N y ou de Si x N y ou de SiO x C y N z avec x, y, z des nombres rationnels positifs non nuls. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après formation de l’au moins une couche diélectrique (200), un recuit thermique effectué sous flux d’azote (N2). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la concentration atomique d’azote du matériau diélectrique de l’au moins une couche diélectrique est supérieure à 1%at. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le masque de gravure (300) est formé à base d’un matériau A, de sorte que la gravure présente une sélectivité de gravure S diélec:A entre le matériau diélectrique et le matériau A supérieure ou égale à 10:1. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau A est choisi parmi le TiN, le SiN, le Si. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l’au moins une couche diélectrique (200) est configurée de sorte à ce que la concentration d’azote soit inhomogène au sein de l’au moins une couche diélectrique (200). Procédé selon la revendication précédente en combinaison avec la revendication 2 dans lequel la puce est inclinée vis-à-vis de la source de composés azotés lors de la formation de l’au moins une couche diélectrique (200). Procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique comportant au moins un circuit intégré, le circuit intégré comportant au moins: un premier (10A) et un deuxième (20A) niveaux de pistes électriques (10, 20), un niveau (30A) d’interconnexions situé entre les premiers (10A) et deuxième (20A) niveaux de pistes électriques et comportant des vias (30) destinés à connecter électriquement des pistes (10) du premier niveau (10A) avec des pistes (20) du deuxième niveau (20A), une zone d’individualisation (1) réalisée en mettant en œuvre le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes sur une partie seulement du circuit intégré.