INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, par exemple, si la densité de micro-ampoule dans l’élément de contrôle est au moins égale à une densité-seuil, alors au moins une partie du laminé est considérée comme de mauvaise qualité.
Selon un exemple de mise en œuvre, l’étape de détection d’au moins une micro-ampoule comporte une étape d’analyse d’image de l’élément de contrôle.
Les étapes susmentionnées sont alors mises en œuvre par analyse d’image.
Pour cela, le procédé comporte par exemple une étape de positionnement de l’élément de contrôle sous une source de rayonnement configurée pour contraster l’au moins une micro-ampoule.
Une telle source de rayonnement comporte par exemple une source de lumière visible, ou de rayonnement invisible, par exemple une source de rayons X.
Dans un exemple de mise en œuvre particulier, le procédé comporte une étape de formation de l’élément de contrôle.
Pour cela, le procédé comporte par exemple :
- une étape de fourniture des au moins deux couches laminées ensemble, au moins la première des deux couches étant lasérisable ; et
- une étape de gravure laser de l’image en niveaux de gris à travers la première des deux couches.
Les niveaux de gris incluent par exemple le noir, le blanc, et tout gris intermédiaire.
Dans un exemple de réalisation, l’image comporte une série de lignes, notamment de lignes parallèles.
De préférence, les lignes de la série de lignes sont espacées les unes des autres d’un espace prédéterminé, l’espace étant sans gravure.
Dans un exemple de mise en œuvre, l’étape de gravure est paramétrée pour fournir une intensité de noir sensiblement égale à une intensité maximale prédéterminée.
Par exemple, le procédé comporte une étape d’étalonnage de l’intensité maximale prédéterminée.
Cette étape est par exemple mise en œuvre avec un densitomètre.
Une telle étape de gravure pour la réalisation de l’élément de contrôle peut facilement être mise en œuvre dans un dispositif de personnalisation qui est habituellement utilisé pour la personnalisation d’un document d’identité.
154 Galet de guidage
155 Coulisse
156 Vis
2 Pince de centrage
21 Platine
211 Coulisse
212 Vis
213 Point de fixation de la platine 21 au châssis 1
214 Point de fixation de la plaque 14 à la platine 21
22 Bras
22a Extrémité avant du bras
22b Extrémité arrière du bras
22c Coude
221 Butée
23 Main
231 Découpe d’entrée
Le manchon thermo rétractable 11 est réalisé de toute manière appropriée. Par exemple, le manchon thermo rétractable 11 est réalisé à partir d’un film thermo rétractable dont les deux extrémités sont fixées par une soudure 11a pour former une boucle. Le film thermo rétractable utilisé est par exemple du polyéthylène téréphtalate (PET) ou polychlorure de vinyle (PVC). Par exemple, le manchon thermo rétractable 11 possède une hauteur comprise entre 2 et 6 cm. Cette hauteur est limitée autorisant ainsi un chauffage localisé n’impactant pas l’environnement du manchon thermo rétractable.
Selon une caractéristique avantageuse de réalisation, le dispositif de protection 1 comporte un système de fixation 20 du manchon thermo rétractable 11 sur le sac 10 pour maintenir le manchon thermo rétractable 11 à distance de l’ouverture d’accès 16 et sensiblement parallèlement à l’ouverture d’accès. Ce système de fixation 20 assure la fixation du manchon thermo rétractable 11 sur le sac 10 dans une position telle que lorsque le sac 10 est emmanché autour du chapeau 2, le manchon thermo rétractable 11 est situé au niveau du col 3a de la bouteille de gaz. L’assemblage du manchon thermo rétractable 11 avec le sac 10 permet également de faciliter les opérations de manipulation et de mise en place du dispositif de protection 1 sur le chapeau 2.
Il ressort de la description que l’assemblage du manchon thermo rétractable 11 avec le sac 10 permet un pré-positionnement du manchon thermo rétractable 11 dans sa position définitive lorsque le sac 3 est enfilé sur le chapeau 2. Il est à noter qu’en l’absence du système de fixation 20, le sac 10 est d’abord enfilé autour du chapeau 2 puis le manchon thermo rétractable 11 est enfilé autour du sac 10 et maintenu dans sa position définitive, par tous moyens appropriés lors de l’opération de thermo rétraction. Par exemple, le manchon thermo rétractable 11 peut être maintenu en place, grâce à son frottement avec le sac 10 ou à l’aide d’un outillage de maintien.
Le système de fixation 20 du manchon thermo rétractable 11 sur le sac 10 est réalisé de toute manière appropriée. Selon l’exemple illustré sur les dessins, le système de fixation 20 est un système de fixation adhésif réalisé par des pastilles adhésives. Le système de fixation 20 peut être réalisé différemment comme par exemple, par des agrafes, par une ou plusieurs ailettes présentées par le sac et servant de blocage au manchon thermo rétractable 11 ou par le frottement entre le sac 10 et le manchon thermo rétractable 11.
Le montage du dispositif de protection 1 selon l’invention sur le chapeau 2 d’une bouteille de gaz 3 découle directement de la description qui précède.
Bien entendu, le dispositif de protection 1 présente des dimensions adaptées aux dimensions du chapeau 2 à couvrir. Le sac 10 du dispositif de protection est enfilé autour du chapeau 2 à partir de son ouverture 16 ( ). Le manchon thermo rétractable 11 est également enfilé autour du chapeau 2 en entourant le sac 10. Le manchon thermo rétractable 11 est positionné pour être situé au-dessous du chapeau 2 c’est-à-dire au niveau du col 3a entre le chapeau 2 et le récipient 3.
Bien entendu, dans le cas où le manchon thermo rétractable 11 est assemblé au sac 10 par le système de fixation 20, l'emmanchement du sac 10 sur le chapeau 2 conduit automatiquement au positionnement correct du manchon thermo rétractable 11 au niveau du col 3a ( ). En effet, le sac 10 est enfilé sur le chapeau 2 jusqu’à venir en butée sur l’extrémité supérieure du chapeau 2, par son fond fermé 14 ou sa soudure transversale 15a. Dans cette position de butée, le manchon thermo rétractable 11 entoure le col 3a.
Le procédé consiste ensuite à assurer le chauffage du manchon rétractable 11 pour assurer l’étranglement du sac 10 afin que sa section soit inférieure à la section du chapeau 2. Lors de sa rétraction, le manchon rétractable 11 resserre le sac 10 en créant des plis P. Dans son état rétracté ( ), le manchon rétractable 11 présente une section d’étranglement inférieure à la section du chapeau 2 assurant le blocage du sac 10 sur le chapeau 2.
Il est à noter que le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est réalisé localement sur tout ou partie de la périphérie du manchon thermo rétractable. Le chauffage localisé du manchon thermo rétractable 11 permet au sac de conserver notamment sa souplesse tout en n’impactant pas l’environnement du manchon thermo rétractable.
Le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est réalisé pour assurer une rétraction du manchon rétractable selon un taux de rétraction compris entre 50 % et 85%. Le chauffage est ainsi réalisé afin que le sac 10 se trouve fixé au chapeau 2. Il est à noter que seule la partie du sac 10 située à l’intérieur du manchon thermo rétractable 11 est resserrée. Le sac 10 recouvre ainsi le chapeau 2 sans être thermo rétracté.
Le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est assuré de toute manière appropriée. Selon un exemple de mise en œuvre, le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est assuré par un outil de chauffage manuel. Par exemple, le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est assuré par un pistolet à air chaud.
Selon un autre exemple de mise en œuvre, le dispositif de protection 1 est fixé de manière automatique sur les bouteilles de gaz 3. Selon cet exemple de mise en œuvre, le chauffage du manchon thermo rétractable 11 est assuré par un poste de chauffage jusqu’auquel est déplacé par un système de convoyage, la bouteille de gaz 3 dont le chapeau 2 est pourvu du dispositif de protection 1 conforme à l’invention. A cet effet, les bouteilles de gaz 3 sont déplacées de l’amont à l’aval du poste de chauffage, par un système de convoyage tel qu’un convoyeur linéaire. Le poste de chauffage est réalisé par exemple sous la forme d’un tunnel pourvu de sources de chauffage localisées et situées de part et d’autre de la trajectoire de déplacement des bouteilles de gaz. Lors du passage dans le poste de chauffage des bouteilles de gaz équipées chacune d’un dispositif de protection 1, chaque manchon thermo rétractable 11 se rétracte sous l’effet du chauffage permettant d’obtenir une fixation automatique des sacs en sortie du poste de chauffage. Il est à noter qu’il peut être prévu, en amont du poste de chauffage, d’automatiser également l’opération d’emmanchement du sac 10 sur le chapeau 2.
L’objet de l’invention permet ainsi d’obtenir un récipient 3 dont l’équipement 2 est couvert par un sac 10 d’un dispositif de protection 1 conforme à l’invention. Le manchon thermo rétractable 11 entourant le sac 10 est rétracté de manière que le sac présente une section d’étranglement inférieure à la section de l’équipement 2.
Contenant de fluide sous pression La présente invention se situe dans le domaine du stockage des fluides sous pression. Elle concerne plus particulièrement un contenant de fluide sous pression.
Les gaz sous pression sont habituellement stockés dans des contenants en partie cylindriques fermés par des bouchons. Afin de limiter la force exercée sur le bouchon, les contenants ont souvent un rétrécissement à proximité du bouchon, le bouchon n’ayant alors pas à couvrir toute la largeur du contenant. Le problème de ce rétrécissement est qu’il augmente le coût de fabrication du contenant. De plus, le rétrecissement rend impossible l’insertion d’un échangeur de chaleur dans le contenant par son ouverture fermée par le bouchon, ou limite fortement les dimensions d’un tel échangeur et donc son efficacité.
Afin de résoudre ce problème, il existe des bouchons faits de brides couvrant la largeur entière du contenant. Ces brides sont fixées par des vis. Pour supporter les forces exercées par le fluide sous pression, il est nécessaire d’utiliser un grand nombre de vis, ce qui augmente les coûts du contenant. De plus la bride occupe souvent un diamètre bien plus important que le reste du contenant, ce qui augmente l’encombrement du contenant.
Un autre aspect de l’invention concerne des composants pouvant être obtenus par le procédé objet de l’invention ainsi que d’autres étapes de fabrication usuelles en microélectronique. Les figures 22 à 27 illustrent ces composants ainsi que des étapes qui permettent réalisation.
Les figures 22 à 24 illustrent un exemple pour réaliser un premier composant. Ce composant comporte une couche de germination 100 en un matériau III-V, une première couche épitaxiée 110 du même matériau présentant une forme de coude dans un plan normal au plan XY et une deuxième couche épitaxiée 120 présentant une forte épaisseur selon la direction z du repère orthogonal XYZ illustré en , la couche de germination 100 et la première couche épitaxiée 110 d’une part, et la première couche épitaxiée 110 et la deuxième couche épitaxiée 120 d’autre part, étant en contact. La couche de germination 100, la première couche épitaxiée 110 et la deuxième couche épitaxiée 120 forment un ensemble 130 constitué du même matériau III-V.
Selon un mode de réalisation, le composant présente une première zone dopée 1001, de dopage de type N ou de type P. Cette zone dopée 1001 s’étend dans une partie au moins de la première couche épitaxiée 110, de préférence, depuis la face de la première couche épitaxiée au contact de la première couche masquage 210. Cette zone dopée 1001 peut s’étendre sur une partie seulement ou sur l’intégralité de l’épaisseur de la première couche épitaxiée 110. On peut également prévoir que cette zone dopée 1001 s’étende également dans une partie de la deuxième couche épitaxiée 120 qui s’étend depuis la première couche épitaxiée 110.
La deuxième couche épitaxiée 120 présente une deuxième zone dopée 1002, de dopage de l’autre type parmi le type N ou le type P. La deuxième zone dopée 1002 est située à une extrémité supérieure de la deuxième couche épitaxiée 120 opposée à une extrémité inférieure qui est au contact de la première couche épitaxiée 110. La deuxième zone dopée 1002 s’étend de préférence depuis la surface 121 de la deuxième couche épitaxiée 120. Préférentiellement, la première zone dopée 1001 et la deuxième zone dopée 1002 présentent des épaisseurs dans la direction Z comprises entre 2 µm et 20 µm, de préférence entre 5 et 15 µm, et entre 50 nm et 2 µm, de préférence entre 100 nm et 500 nm, respectivement.
Le composant comporte une première électrode 2001 à la surface de la deuxième zone dopée 1002. De manière parfaitement classique, cette première électrode 2001 peut être formée en déposant un métal sur la surface 121 de la deuxième couche épitaxiée 120. Ce dépôt peut être conforme. On effectue ensuite un aplanissement de cette couche, par exemple par polissage mécanochimique (CMP). Avantageusement, on prévoit que cet aplanissement forme une surface plane formée par la première électrode 2001 et par une quatrième couche de masquage 240 entourant la deuxième couche épitaxiée 120. La quatrième couche de masquage 240 peut éventuellement être constituée de plusieurs couches de masquage, comme indiqué ci-dessus en référence à la , où la quatrième couche de masquage 240 est constituée de la deuxième couche de masquage 220 et de la troisième couche de masquage 230. Le résultat de ces étapes est illustré en .
Le composant comporte une deuxième électrode 2002 au contact de la première zone dopée 1001. Pour cela, on peut effectuer les étapes suivantes: fixation d'un substrat poignée 5000 sur la face comportant la première électrode 2001, retournement de l’empilement de sorte à ce que le substrat 10 soit orienté vers le haut, retrait du substrat 10, de la couche tampon 20 optionnelle et de la couche de germination 100. Ces retraits peuvent être par exemple opérés par CMP, par amincissement mécanique ou meulage (technique connue sous le terme anglais de « grinding ») ou encore par gravure sèche ou humide. dépôt d’une électrode métallique 2002 sur la première zone dopée 1001.
Le résultat obtenu à l’issue de ces étapes est illustré en . Il permet par exemple la réalisation d’une diode P-N.
La illustre un autre composant, typiquement une LED. Selon ce mode de réalisation, le composant comporte une zone active 3000. Cette zone active 3000 comprend typiquement une pluralité de puits quantiques. Classiquement, dans ces couches, un électron va se recombiner avec un trou en émettant un photon d’énergie donnée. Ces photons forment le rayonnement lumineux de longueur d’onde λ. La zone active 3000 comprend par exemple ou est constituée par un empilement d'une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puits quantique, par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AIN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlInAs, ou d'une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux. De préférence le matériau de la deuxième couche épitaxiée 120 est à base du matériau de la première couche épitaxiée 110. , i.e., cela signifie que le matériau de la deuxième couche épitaxiée 120 est identique au matériau de la première couche épitaxiée 110 à l’exception des dopants incorporés au niveau de la zone active 3000 comprenant les puits quantiques. A titre de variante, la zone active 3000 peut être une couche de nitrure de gallium intrinsèque, c'est-à-dire non intentionnellement dopée, par exemple de concentration en donneurs résiduels comprise entre 10 15 et 10 18 atomes/cm 3 , par exemple de l'ordre de 10 17 atomes/cm 3 .
La zone active 3000 peut être formée lors de la croissance épitaxiale de la deuxième couche épitaxiée 120. À l’exception de ce dopage, les étapes de réalisation de ce composant sont alors identiques à celles décrites en référence aux figures 22 à 24. Le composant obtenu forme ainsi une LED.
Selon un autre exemple illustré en figures 26 et 27. Dans ce mode de réalisation, la première zone dopée 1001 présente une forme telle qu’elle permet une reprise de contact à son aplomb. Plus précisément, dans ce mode de réalisation, la deuxième électrode 2002 a été réalisée dans une ouverture 350 elle-même fabriquée dans une quatrième couche de masquage 240 entourant la deuxième couche épitaxiée 120. Il est parfaitement envisageable qu’en lieu et place de la quatrième couche de masquage 240, le confinement de la deuxième couche épitaxiée 120 soit assuré par une deuxième 220 et une troisième couches de masquage 230 comme décrit ci-dessus en référence aux figures 12 et 14. Cette ouverture 350 forme ainsi un via qui rend accessible la première zone dopée 1001 depuis la face opposée de la structure, par exemple depuis une face supérieure 232 de la quatrième couche de masquage 240. Cette reprise de contact s’effectue dans une zone 113 de la première couche épitaxiée 110 qui forme saillie par rapport aux flancs de la deuxième couche épitaxiée 120, selon une projection de ces deux couches sur un plan XY. Cette zone 113 est illustrée en . La dimension de cette zone 113, prise dans le plan XY est suffisante pour permettre une reprise de contact tout en conservant une portion du matériau électriquement isolant de la couche de masquage 240/230, ceci afin d’assurer une bonne isolation entre l’électrode 2002 et la deuxième couche épitaxiée 120. Une telle reprise de contact permet que les deux électrodes du dispositif se trouvent du même côté du dispositif. Cela peut être utile dans certaines architectures et facilite le traitement des plaques sur lesquelles se trouvent le dispositif.
Selon un autre mode de réalisation non illustré, le composant comprend une unique zone dopée, de dopage de type N ou de type P, s’étendant dans une partie ou l’intégralité de la deuxième couche épitaxiée 120, depuis la surface 121 de la deuxième couche épitaxiée. On peut également prévoir que cette unique zone dopée s’étende également dans une partie de la première couche épitaxiée 110 qui s’étend depuis la deuxième couche épitaxiée 120. Le composant ainsi obtenu peut être destiné à la fabrication d’une diode Schottky, d’une diode n-i-n, p-i-n ou p-i-p ou encore d’un transistor MOSFET.
À travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose une solution efficace pour faire croître verticalement une couche épaisse de matériau III-V.
L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par son esprit.
Procédé de traitement de surface L’invention se rapporte au domaine technique des procédés de traitement de surface.
L’invention trouve notamment son application dans la suppression de cristallites pouvant apparaître lors d’une épitaxie sélective sur un substrat (SAG pour « Selective Area Growth » en langue anglaise).
État de l’art Un procédé de traitement de surface connu de l’état de la technique, appelé « Etch back » en langue anglaise, consiste à déposer une couche d’aplanissement, réalisée en polymère, sur un substrat présentant une forte topographie de surface (i.e. non plane), telle qu’une surface structurée formant des motifs (relief). Les zones de la couche d’aplanissement, faisant face aux parties supérieures des motifs, sont retirées par amincissement de la couche d’aplanissement (e.g. gravure) de manière à exposer les parties supérieures des motifs. Puis les motifs sont retirés par une gravure plasma.
Selon un aspect de l’invention, la pluralité de paires de points est issue d’une pluralité d’images acquises par le dispositif de prise de vue, le nombre d’images correspondant à une période de temps d’enregistrement prédéfinie d’images par le dispositif de prise de vue.
Selon un aspect de l’invention, chaque image de la pluralité d’images est issue d’une sélection d’images du dispositif de prise de vue par le calculateur correspondant à une période supérieure à 100 ms.
L’invention porte également sur un produit programme d’ordinateur comprenant les instructions de programme mettant en œuvre les étapes du procédé de détermination de paramètres de calibration, lorsque les instructions de programme sont exécutées par un ordinateur.
représente un modèle géométrique de référentiel image et d’environnement réel.
représente un modèle en points de squelette d’une personne sur une image.
représente un exemple de système pour la mise en œuvre du procédé de détermination des paramètres de calibration selon l’invention.
représente les étapes du procédé de détermination des paramètres de calibration selon l’invention.
représente un mode de réalisation particulier d’une étape de minimisation du procédé de détermination des paramètres de calibration selon l’invention.
illustre une superposition de plusieurs images découpées en une pluralité de zones, avant une sélection de points par un calculateur de l’invention.
illustre la même superposition de plusieurs images de la , après une sélection de points par le calculateur de l’invention
représente une superposition de cinq images sur lesquelles de déplacent trois personnes.
représente une image comprenant une multitude de personnes.
En référence à la , par paramètres de calibration du dispositif de prise de vue, on entend des paramètres permettant de mettre en correspondance les cordonnées spatiales d’un point dans le champ du dispositif de prise de vue, dites coordonnées « réelles » car exprimées dans un référentiel terrestre, avec les coordonnées planes de la représentation de ce point dans l’image acquise par le dispositif de prise de vue, dites coordonnées « image », c’est à dire sa projection.
Les paramètres de calibration sont représentés sur la et sont : - un angle θ d’inclinaison transverse du dispositif de prise de vue 10, c’est à dire l’angle de tangage définit par l’angle entre l’axe principal de la caméra A et une direction horizontale, - une distance focale f du dispositif de prise de vue 10, - une hauteur c à laquelle est disposée le dispositif de prise de vue 10.
Le procédé de l’invention comprend la détermination de chacun de ces trois paramètres de calibration. A noter qu’il reste tout à fait possible que l’un ou l’autre de ces trois paramètres soit connu, directement ou indirectement, par exemple un dispositif de prise de vue peut avoir une distance focale f calibrée, ou bien la hauteur c peut avoir été expressément choisie à la pose de la caméra.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , la cartouche 311 comporte un cylindre d’introduction 340 du flux d’effluents contaminés. Le cylindre d’introduction 340 comporte des orifices traversants en contact avec un milieu filtrant.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , la cartouche comporte un milieu filtrant 339. On note que le choix du milieu filtrant 339 compris dans la cartouche est effectué, par exemple, en fonction de la nature du flux d’effluents contaminés à traiter. Préférentiellement, le milieu filtrant comporte, de plus, des absorbants minéraux.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en figures 15 et 16, la cartouche 311 comporte un joint 329. Le joint 329 est configuré, lors la filtration, pour maintenir une l’étanchéité au niveau de la jonction entre l’entrée 324 et le cylindre de filtration 340, tel que représenté en . Préférentiellement, le joint 329 est plat.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en figures 15 et 16, la cartouche 311 comporte un couvercle amovible 341. Le couvercle amovible 341 est configuré pour fermer la partie basse de la cartouche 311, permettant ainsi son remplissage lors de la filtration d’effluents contaminés.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en figures 6 et 7, dans une configuration où l’introduction totale de la cartouche 311 dans la chambre de filtration 310 est complète, un système de retenue maintient immobile la cartouche. Préférentiellement, le système de retenue comporte un joint gonflable 330.