INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Suivant l’un des modes préférés de l’invention, les polymères thiolés sont tels que décrits dans le document FR 2 853 533, il s’agit de poly N-α- et N-ε- lysine et ornithine de formule I, à fonction thiol, qui peuvent être obtenues à partir de poly N-α- et N-ε- lysine et ornithine par réaction avec une thiolactone telle que, par exemple la thiobutyrolactone (dihydrothiophèn-2(3H)-one).
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention les polymères hyperbranchés et les dendrimères utiles à l’invention comportent des groupements fonctionnels répondant à la formule (XII) : Formule (XII) dans laquelle: p différent de p’ et p , p’ valent 0 ou 1 ; n vaut 3 ou 4 ; si p’ vaut 0, alors le NH voisin est engagé dans une polymérisation N-ε; si p vaut 0, alors le NH voisin est engagé dans une polymérisation N-α ; si p ou p’ vaut 1, alors R ou R’ représente -B-SH, avec B représentant une chaîne hydrocarbonée en C 1 -C 30 , saturée ou non, linéaire ou ramifiée pouvant être interrompue par un ou plusieurs hétéroatomes ou groupes, seuls ou en combinaisons, tels que : -N(R 1 )-, -O-, -S(O) r -, -C(O)-, -C(S)-, -C(NR 1 )-, avec r valant 0, 1 ou 2, ou/et par un ou plusieurs aryle, hétéroaryle, cycloalkyle ou hétérocycloalkyle à 5, 6 ou 7 chaînons et pouvant être substituée par un ou plusieurs atome d’halogène ou groupements : hydroxy, amino, carboxy, (di)(C 1 -C 8 )alkylamino, (C 1 -C 8 )acylamino, (C 1 -C 8 )acyloxy, (C 1 -C 8 )alkyloxycarbonylamino, (C 1 -C 8 )alkylamino-carbonyloxy, (C 1 -C 8 )alkyl amino-carbonyle ; sachant que R ou R’ peuvent, en partie seulement, également représenter un atome d’hydrogène, et/ou –C(NH)- et ses sels et/ou –C(NH)-N(H)-C(NH)-NH 2 et ses sels R 1 représente un atome d’hydrogène ou un groupement (C 1 -C 8 )alkyle, (C 1 -C 8 )acyle, (C 1 -C 8 )alkyloxycarbonyle, (C 1 -C 8 )alkyl amino-carbonyle, halogéno ; B peut également représenter un groupement aryle, hétéroaryle, cycloalkyle, ou hétérocycloalkyle à 5, 6 ou 7 chaînons, éventuellement substitués ; m représente un entier allant de 3 à 10000.
De préférence, le taux de greffage de fonction thiol sera supérieur ou égal à 1%.
Avantageusement, les poly N-α- et N-ε- lysine et ornithine répondant à la formule (XII) présentent: 5<m<1000.
Le "taux théorique de greffage de fonction thiol" représente le pourcentage théorique en unité lysine ou ornithine porteuse de la fonction thiol dans le composé de formule (XII) .
- au moins un moyen de récupération de l’électricité produite.
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le produit caloporteur est isolé de l’extérieur.
De manière préférée, le produit caloporteur est placé dans un compartiment préférentiellement hermétique.
De manière préférée, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le produit caloporteur est placé dans un compartiment dont l’humidité est contrôlée par exemple par un clapet de pression permettant l’introduction d’un gaz inerte tel que l’azote.
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce que les parois dudit dispositif sont fabriqués en un matériau anticorrosif.
De manière préférée, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le matériau anticorrosif comprend du verre.
De manière préférée, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce qu’il comprend une cage de verre.
Par « cage de verre », il est compris dans le contexte de la présente invention une loge vitrée (donc en verre).
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce qu’au moins une partie des parois comprends un matériau permettant une diffusion facilitée de la chaleur, tel que le graphène, préférentiellement la cellule thermoélectrique à effet Seebeck est en contact avec le matériau permettant une diffusion facilitée de la chaleur.
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce qu’il comprend une enceinte métallique dans laquelle est disposé un compartiment, préférentiellement en verre, comprenant le produit caloporteur.
De manière préférée, le dispositif selon la présente invention peut être caractérisé en ce que l’enceinte métallique et le compartiment, préférentiellement en verre, comprenant le produit caloporteur sont séparés par un espace pouvant être rempli par un gaz tel que de l’air.
L’objet de la présente invention concerne également une utilisation d’un élément optique, tel qu’une lentille de Fresnel ou un miroir, pour concentrer un flux d’au moins une onde électromagnétique avec une cellule thermoélectrique à effet Seebeck comprenant un corps froid, dans laquelle l’élément optique est orienté de manière à chauffer un produit caloporteur.
Comme précédemment décrit, l’élément optique peut être une lentille (comme une lentille de Fresnel) ou un miroir, comme décrit ci-dessus.
Dans un mode de réalisation particulier, l’utilisation selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le produit caloporteur est un sel fondu ou susceptible d’être fondu lorsqu’il est soumis au flux concentré par un moyen optique, dans le but de stocker de l’énergie thermique, dans ledit sel fondu afin d’être utilisé comme une pile thermique.
De manière préférée, l’utilisation selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le sel fondu est choisi dans la liste consistant en du nitrate de lithium, nitrate de calcium, nitrate de sodium et nitrate de potassium.
L’objet de la présente invention concerne également une utilisation d’un dispositif de production d’électricité tel que décrit ci-dessus pour fournir de l’électricité à un réseau électrique public, fournir de l’électricité domestique ou industrielle.
Selon une autre possibilité, la couche supraconductrice 20 est à base de silicium rendu supraconducteur par incorporation de bore. À partir d’un substrat 10 à base de silicium, une méthode consiste à implanter du bore B via un implanteur, puis à effectuer un recuit laser au niveau de la couche de silicium implantée B, de façon à sursaturer le silicium en bore Si:B++. Une telle méthode est connue sous l’acronyme PLIE signifiant « Pulsed Laser Induced Epitaxy ». Le silicium supraconducteur sursaturé en bore Si:B++ comprend typiquement quelques 10 16 cm - 2 .
Une autre méthode consiste à immerger le substrat 10 à base de silicium dans un gaz BClx, et à effectuer une pluralité de tirs laser pour incorporer le bore dans le silicium. Entre 100 et 200 tirs laser sont typiquement requis pour incorporer le bore dans le silicium de façon à le rendre supraconducteur Si:B++. Une telle méthode est connue sous l’acronyme GILD signifiant « gas immersion laser doping ». De plus amples détails concernant cette méthode GILD peuvent être trouvés dans la référence « C. Marcenat et al., Phys. Rev. B 81, 020501 (2010) ». Cette méthode peut être mise en œuvre sur bulk Si ou sur SOI. Les épaisseurs de silicium supraconducteur atteignables par cette méthode sont de l’ordre de 20 à 80 nm. Une telle méthode est avantageusement très reproductible et industrialisable.
Après avoir formé la couche supraconductrice 20 sur le substrat 10, un masque comprenant des motifs de masquage et des ouvertures est formé sur la couche supraconductrice. Ce masque peut être typiquement formé par photolithographie.
Comme illustré à la , une couche 40 en un matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium SiN ou en oxyde de silicium SiO2, est déposée sur la couche supraconductrice 20. La couche 40 présente une épaisseur e40 typiquement comprise entre 30 nm et 90 nm. Selon une possibilité cette couche 40 comprend au moins deux sous-couches, par exemple une couche en SiN sur une couche en SiO2, ou inversement une couche en SiO2 sur une couche en SiN. D’autres types de couche 40 de masquage sont également envisageables.
Comme illustré à la , des ouvertures 41, 42, 4i (i=1…n1) sont formées dans la couche 40. Ces ouvertures 4i débouchent sur la surface 200 de la couche supraconductrice 20. Les ouvertures 4i séparent des motifs de masquage 5S, 51, 52, 5i (i=1…n), 5D. Dans ce mode de réalisation, les ouvertures 4i sont directement à l’aplomb des futures barrières 3i. Les ouvertures 4i présentent donc la ou les largeurs di (i=1…n+1) selon x. Les motifs de masquage 5i sont directement à l’aplomb des futures régions supraconductrices 2i. Ils présentent donc la ou les largeurs pi (i=1…n) selon x. Les ouvertures 4i et les motifs de masquage 5i sont typiquement formés par photolithographie/gravure selon les procédés de la microélectronique bien connus pour ces matériaux et ces dimensions. Le masque ainsi formé est référencé 40’ sur les figures.
Comme illustré à la , une modification du matériau supraconducteur de la couche supraconductrice 20 est effectuée au travers des ouvertures 4i. Cette modification a pour objectif de rendre le matériau non supraconducteur à l’aplomb des ouvertures 4i. Cette modification permet donc de créer les barrières 3i entre les régions supraconductrices 2i.
Selon un exemple, cette modification se fait par implantation d’espèces, par exemple dans un implanteur ou à partir d’un plasma à couplage inductif ICP (acronyme de « Inductively Coupled Plasma ») au sein d’un réacteur de gravure. Cette implantation est de préférence dirigée selon z. L’implantation se fait de préférence selon toute l’épaisseur e20 de la couche supraconductrice 20. Selon un exemple particulier, pour une couche supraconductrice en TiN, on pourra procéder à une implantation d’azote N. Cela induit un changement de stœchiométrie dans le TiN. Le matériau n’est dès lors plus supraconducteur, de façon localisée sous les ouvertures 4i. On obtient ainsi une jonction Josephson dite SNS (supraconducteur-normal-supraconducteur) entre deux régions supraconductrices 2i.
Selon un autre exemple, la modification est effectuée par amorphisation de la couche supraconductrice 20 à l’aplomb des ouvertures 4i. Cette amorphisation peut se faire de façon classique par implantation d’ions suffisamment lourds, tels que le germanium ou le gallium au sein de la couche supraconductrice 20. L’amorphisation se fait de préférence selon toute l’épaisseur e20 de la couche supraconductrice 20. Selon un exemple particulier, pour une couche supraconductrice à base de Si, cette amorphisation peut se faire par implantation de germanium à une dose comprise entre 10 15 et 10 20 cm -2 . Cela permet de rompre la continuité de structure cristalline entre les régions supraconductrices 2i. On obtient là encore une jonction Josephson SNS entre deux régions supraconductrices 2i. Une telle barrière 3i par amorphisation peut supporter un budget thermique ultérieur d’environ 500°C. Cela est parfaitement compatible avec les étapes classiques de microélectronique dites de début de ligne ou FEOL (acronyme de « Front End Of Line »). Cela est également compatible avec les étapes classiques de microélectronique dites de fin de ligne ou BEOL (acronyme de « Back End Of Line »).
Les figures 3A à 3C illustrent un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention. Dans ce mode de réalisation, les motifs de masquage 5S, 5i, 5D et les ouvertures 4i sont formés en deux étapes. Une première étape consiste à former des motifs préparatoires 5S’, 5i’, 5D’ séparés par des ouvertures préparatoires de largeur di0 supérieure à la largeur di des ouvertures 4i finales. Cette première étape peut être effectuée de façon identique au mode de réalisation décrit précédemment et illustré à la . Une deuxième étape illustrée à la consiste ensuite à former un ou des espaceurs 6i (i=1…n+1) sur au moins un flanc 50i (i=1…n+1), et de préférence sur les deux flancs 50i transverses à la direction x de chaque ouverture préparatoire. La formation des espaceurs permet de réduire la largeur de l’ouverture préparatoire, de façon à obtenir la largeur de l’ouverture finale.
Si l’ouverture préparatoire présente un contour fermé, un seul espaceur 6i peut border le contour fermé de l’ouverture préparatoire. En projection selon z, l’espaceur forme ainsi une bague contre le contour fermé de l’ouverture préparatoire. En coupe transverse selon un plan xz, l’espaceur présente deux parties 6i en vis-à-vis sur chacun des flancs 50i de l’ouverture préparatoire. Ces deux parties sont généralement désignées comme étant les espaceurs, même si celles-ci peuvent être considérées comme appartenant à un seul et même espaceur. Si le motif préparatoire présente un contour fermé, un seul espaceur peut border le contour fermé du motif préparatoire. En projection selon z, l’espaceur forme ainsi une bague autour du motif préparatoire. En coupe transverse selon un plan xz, l’espaceur présente deux parties 6i, 6i+1 en vis-à-vis sur chacun des flancs 50i, 50i+1 du motif préparatoire. Ces deux parties sont généralement désignées comme étant les espaceurs, même si celles-ci peuvent être considérées comme appartenant à un seul et même espaceur.
Selon une possibilité seul l’un des flancs 50i est couvert par un espaceur 6i. Selon une autre possibilité, deux espaceurs distincts couvrent ou bordent chacun des flancs 50i, sans qu’ils forment une bague en projection selon z. Différentes configurations d’espaceurs sont envisageables au sein des ouvertures préparatoires. Après formation du ou des espaceurs, le motif de masquage comprend typiquement le motif préparatoire et le ou les espaceurs.
Ce ou ces espaceurs 6i présentent une largeur s6i selon x, sur le flanc considéré. Ce ou ces espaceurs 6i permettent avantageusement de réduire la largeur di0 de façon à obtenir la largeur di pour l’ouverture 4i correspondante, avec un bon contrôle dimensionnel. Le contrôle dimensionnel sur la largeur di de l’ouverture 4i est amélioré. On obtient ainsi des motifs de masquage 5S, 5i, 5D élargis et des ouvertures 4i dont la largeur di est réduite. La largeur s6i des espaceurs peut être comprise entre 5 nm et 20 nm, de préférence entre 5 nm et 10 nm.
Comme illustré à la , après formation des espaceurs 61, 62, 6i, la modification des portions exposées de la couche supraconductrice 20 peut être effectuée, comme précédemment, par implantation et/ou par amorphisation.
Comme illustré à la , après création des barrières, les motifs de masquage peuvent être retirés, de façon à exposer la surface 200 de la couche supraconductrice 20. La source S et le drain D et/ou les régions supraconductrices 2i sont ainsi accessibles, par exemple pour la formation d’électrodes ou de contacts électriques. Selon une possibilité non illustrée, des contacts électriques sont formés sur les source et drain. Selon une autre possibilité, une électrode est formée sur au moins certaines régions supraconductrices 2i.
Les figures 4A à 4B illustrent un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention. Dans ce mode de réalisation, la formation des barrières est effectuée en deux étapes. Une première étape consiste à graver la couche supraconductrice 20 sur au moins une partie de la hauteur des portions exposées. Selon un exemple, la couche 20 est gravée partiellement selon z, sur une profondeur dp20 inférieure à une épaisseur e20 de la couche supraconductrice, de sorte à former une constriction selon z dans la couche supraconductrice 20. Ce type de jonction Josephson est appelé jonction constriction SCS (supraconducteur-constriction-supraconducteur).
Dans l’exemple illustré à la , les portions exposées de la couche supraconductrice 20 sont gravées selon z sur toute leur hauteur e20, de sorte à exposer des parties 100b de la surface 100 du substrat 10. Des surfaces ou facettes 200b de la couche supraconductrice 20 sont également créées et exposées.
La illustre un exemple du rotor 8 selon l’invention déterminé à partir du rotor 1 connu de l’état de la technique et illustré à la .
Le rotor 8 comprend la culasse 2 entourée d’un anneau 9 multipolaire à flux orienté formé par des sous-aimants 10 segmentés à flux orienté selon une topologie de Halbach.
On suppose que les sous-aimants 10 sont de mêmes dimensions.
Chaque sous-aimant 10 a une longueur axiale lz 1 , une hauteur l R1 et une longueur circonférentielle l θ définie par un secteur angulaire θ par rapport au centre de l’anneau 6.
La hauteur l R1 des sous-aimants 10 est égale à la hauteur l R de l’aimant formant l’anneau 6 du rotor 1 connu de l’état de la technique.
Les sous-aimants 10 sont segmentés selon une direction axiale.
La somme de la longueur axiale lz 1 des sous-aimants 10 est égale à la longueur axiale lz de l’aimant 7.
Le rayon du rotor 8 est égal à la somme R du rayon lc de la culasse 2 et de la hauteur l R1 des sous-aimants 10.
Chaque sous-aimant 10 comprend 1/n H pôle, n H étant le nombre de sous-aimants 10 pour former un pôle.
La longueur circonférentielle l θ ou orthogonale est égale à :
Lorsque les sous-aimants 10 segmentés ne sont pas tous de même taille au sein d’un même pôle de l’anneau 9, il convient de sélectionner la longueur orthogonale du plus petit sous-aimant du pôle.
Par exemple, il est connu, pour une topologie de Halbach comportant deux sous-aimants par pôle, de décomposer les sous-aimants de sorte que la longueur orthogonale d’un premier sous-aimant soit égale à la moitié de la longueur orthogonale du deuxième sous-aimant.
Dans ce cas la longueur circonférentielle l θ ou orthogonale est égale à :
Les dimensions des sous-aimants 10 sont déterminées de sorte que les pertes par courant de Foucault sont minimisées dans l’anneau 9 formé par les sous-aimants 10, et de sorte que le nombre de sous-aimants 10 à fabriquer et coller sur la culasse 2 soit réduit pour réduire la durée et la complexité de fabrication du rotor 8 par un dispositif de dimensionnement pour dimensionner les sous-aimants 10 afin de minimiser les pertes par courant de Foucault dans lesdits sous-aimants 10 et afin de minimiser le nombre de sous-aimants 10 formant l’anneau 9.
Avantageusement, comme représenté sur la , le système de gouverne 1 peut comprendre en outre au moins un axe auxiliaire 15. Le ou les axes auxiliaires 15 sont parallèles à l’axe ou aux axes d’actionneur 9. Le ou les axes auxiliaires 15 présentent une extrémité 16 fixée au longeron arrière 12 et une extrémité 18 libre dirigée vers le bord de fuite 7 du système de gouverne 1. Le système de gouverne 1 comporte en outre au moins une douille auxiliaire 17 fixée sur la surface interne 61 de la peau souple inférieure 6. L’extrémité 18 libre est apte à coulisser dans la douille auxiliaire 17. La ou les douilles auxiliaires 17 servent de guide du ou des axes auxiliaires 15. La ou les douilles auxiliaires peuvent être fixées à la surface interne 61 à l’aide de support d’axe. Le support d’axe peut comprend une surface 21 fixée sur la surface interne 61 de la peau souple inférieure 6 et une bride 22 sur laquelle la douille auxiliaire est montée ( ). Ainsi, lorsque le ou les actionneurs 8 sont actionnés, le ou les axes d’actionneur 9 entraînent la peau souple inférieure 6. L’entraînement de la peau souple inférieure 6 permet de générer un déplacement de la peau souple inférieure 6. Le déplacement de la peau souple inférieure 6 entraîne la ou les douilles auxiliaires 17 qui se déplacent alors autour du ou des axes auxiliaires 15. Par ailleurs, le ou les axes auxiliaires 15 contribuent à maintenir la liaison plan-plan entre la peau souple inférieure 6 et le plan inférieur 4.
Le ou les actionneurs 8 ainsi que les axes auxiliaires 15 présentent des dimensions permettant leur intégration dans une aile 2.
De plus, le système de gouverne 1 à géométrie variable permet de réduire la course nécessaire de l’axe d’actionneur 9 et la charge nécessaire fournie par le ou les actionneurs 8 par rapport la course nécessaire et la charge nécessaire d’un système de gouverne rigide pour un même coefficient de portance.
Comme représenté sur la , le système de gouverne peut comprendre en outre une ossature interne 14 entre la peau souple supérieure 5 et la peau souple inférieure 6. L’ossature interne 14 présente une rigidité en compression et en traction selon un axe sensiblement perpendiculaire à la peau souple supérieure 5 ou la peau souple inférieure 6 supérieure à une rigidité de l’ossature interne 14 en cisaillement selon un axe sensiblement parallèle à la peau souple supérieure 5 ou la peau souple inférieure 6.
SYSTÈME DE FIXATION DE CEINTURE POUR UN SIÈGE À ASSISE MOBILE La présente invention porte sur un système de fixation de ceinture pour un siège à assise mobile. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse, mais non exclusive, avec les sièges d'avion de classe économique.
De façon connue en soi, un siège de classe économique comporte généralement plusieurs places formées chacune par une assise et un dossier inclinable. Certains sièges de classe économique prémium sont conçus de façon à autoriser un déplacement en translation vers l’avant de l'assise par rapport à la structure du siège. La cinématique peut être motorisée au moyen d'un actionneur linéaire muni d'un corps de moteur solidaire de la structure d'assise et d'une tige solidaire de la structure de siège.
Afin de préserver le confort du passager, l’attache de ceinture est disposée directement sur l’assise pour éviter que le bassin du passager soit compressé lors d’un déplacement vers l’avant de l’assise. Suivant une telle configuration, le chemin d’effort observable lors d’un test de certification passe directement dans l’assise et donc à travers le corps de moteur de l'actionneur. Cela est susceptible d’entraîner un déplacement non maîtrisé du corps de moteur posant des problèmes de sécurité.
L'invention vise notamment à remédier efficacement à cet inconvénient en proposant un siège, notamment pour un avion, comportant: - au moins une structure d'assise, et - une structure basse, caractérisé en ce que la structure basse comporte au moins un élément de guidage s'étendant suivant une direction générale d'extension longitudinale et comprenant une rainure de guidage, - ladite rainure de guidage comportant une première portion et une deuxième portion, dite portion inclinée, formant un angle non nul par rapport à la direction générale d'extension longitudinale, - ledit siège comportant en outre au moins une attache de ceinture et au moins un support d'attache, - ladite attache de ceinture étant montée rotative par rapport au support d'attache par l'intermédiaire d'un axe d'attache muni d'une tête coopérant avec la rainure de guidage, - ledit support d'attache étant monté rotatif par rapport à la structure d'assise par l'intermédiaire d'un axe de support muni d'une tête coopérant avec la rainure de guidage, - la tête de l'axe d'attache étant disposée à l'intérieur de la portion inclinée de la rainure de guidage lorsque le siège se trouve dans une position relevée.
L’invention permet ainsi à l'attache de ceinture de suivre la cinématique de l’assise en mouvement de façon à garantir le confort du passager. En outre, l'axe de l’attache de ceinture étant en contact permanent avec la structure basse, l’effort passant par l’attache de ceinture lors d'un test de certification est repris majoritairement par la structure basse du siège. L'invention évite ainsi un déplacement non maîtrisé du corps de moteur d'un actionneur motorisé.
Selon une réalisation de l'invention, un écart mesuré entre l'axe d'attache et l'axe de support est inférieur à une longueur de la portion inclinée de la rainure de guidage. On garantit ainsi un jeu entre l’axe d’attache et l'extrémité de la rainure de guidage afin que les positions relevée et de confort de la cinématique soient gérées électriquement par l'actionneur sans risque d'interférence mécanique. Le jeu est obtenu en ajoutant, à l'extrémité de la rainure de guidage, une surcourse de quelques millimètres par rapport à la variation maximale de la position de la structure d'assise lorsque le siège est en position relevée.
Selon une réalisation de l'invention, ledit siège comporte un actionneur motorisé de façon à permettre un déplacement automatique dudit siège de la position relevée vers une position de repos.