INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple présenté sur les figures 1 et 2, les cellules 112 et 132 des structures multicellulaires supérieure et inférieure 110 et 130 présentent une section hexagonale, formant ainsi une structure dite en « nid d’abeille ». On ne sort bien entendu pas du cadre de l’invention si les structures multicellulaires supérieure et/ou inférieure présentent une section carrée, rectangulaire, ronde ou autre.
Les structures multicellulaires supérieure et inférieure 110 et 130 peuvent être réalisées en matériau polymère, composite ou métallique, par fabrication additive ou selon les moyens conventionnels.
Le composant acoustique 150 comprend une pluralité d’éléments acoustiques creux complexes 151 ayant chacun une forme se rétrécissant progressivement entre une base 151a et un sommet 151b. Les éléments acoustiques creux 151 sont reliés les uns aux autres par un ou plusieurs bords adjacents 152. Les bords 152 comprennent une face supérieure 152a, située sur le même plan que les bases 151a des éléments acoustiques creux 151, et une face inférieure 152b opposée à la face supérieure 152a. Les bases 151a des éléments acoustiques creux 151 et la face supérieure 152a des bords 152 définissent une face d’assemblage 150a du composant acoustique 150.
Dans l’exemple présenté sur les figures 1 et 2, les éléments acoustiques creux 151 présentent une forme pyramidale. On ne sort cependant pas du cadre de l’invention si les éléments acoustiques creux présentent par exemple une forme conique, en spirale ou en entonnoir. Dans l’exemple présenté sur les figures 1 et 2, les éléments acoustiques creux 151 présentent une symétrie de révolution. On ne sort cependant pas du cadre de l’invention si les éléments acoustiques creux sont asymétriques.
De préférence, les éléments acoustiques creux 151 ont une épaisseur inférieure à 1 mm, par exemple comprise entre 0,3 mm et 0,5 mm. De préférence, la base 151a des éléments acoustiques creux 151 est incluse dans un cercle dont le diamètre est compris entre 5 mm et 50 mm. Par exemple, la base 151a des éléments acoustiques creux 151 est incluse dans un cercle de 20 mm de diamètre.
De préférence, la hauteur H 150 des éléments acoustiques creux 151 est comprise entre 5 mm et 100 mm. Par exemple, la hauteur H 150 des éléments acoustiques creux 151 est de 20 mm.
Le composant acoustique 150 peut comprendre en outre une pluralité de protubérances 153, appelées pions de centrage, situées sur la face d’assemblage 150a du composant acoustique 150, sur la face supérieure 152a des bords 152 des éléments acoustiques creux 151. La hauteur des protubérances 153 peut être inférieure ou égale à 2 mm.
Le composant acoustique 150 peut être fabriqué de manière bien connue par fabrication additive polymère, composite ou métallique.
Le composant acoustique 150 peut également être réalisé de manière bien connue en matériau thermoplastique par injection ou par estampage. Le matériau thermoplastique peut être chargé avec des fibres courtes ou avec des fibres continues. Le matériau thermoplastique peut ne pas être chargé.
Avantageusement, l’objet de prévisualisation est un objet de prévisualisation parmi les suivants : - un plan, - un plan incurvé, - un volume.
Avantageusement, la transition comporte, pendant une première période de la première phase de reproduction du deuxième environnement, une prévisualisation et, pendant une deuxième période de la première phase de reproduction du deuxième environnement, un morphing , la première phase de reproduction du deuxième environnement étant composé successivement de la première période et de la deuxième période.
Avantageusement, le morphing est déclenché dès qu’un objet de prévisualisation inséré dans le premier environnement dans lequel la prévisualisation reproduit le deuxième environnement atteint une dimension maximale.
Avantageusement, selon une implémentation de l'invention, les différentes étapes du procédé selon l'invention sont mises en œuvre par un logiciel ou programme d'ordinateur, ce logiciel comprenant des instructions logicielles destinées à être exécutées par un processeur de données d'un dispositif de reproduction d’environnements et étant conçus pour commander l'exécution des différentes étapes de ce procédé.
L'invention vise donc aussi un programme comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de reproduction d’environnements lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.
Un objet de l’invention est également un dispositif de reproduction d’environnements, le dispositif de reproduction comportant un détecteur de paramètres de reproduction du premier environnement relatifs à un avatar déclenchée par une commande de déplacement de l’avatar vers un deuxième environnement lors de la reproduction d’un premier environnement,, les paramètres de reproduction détectés étant aptes à être utilisé lors d’une première phase de reproduction du deuxième environnement.
, un schéma simplifié du procédé de reproduction d’environnements selon l’invention,
, un schéma simplifié de la reproduction du deuxième environnement mis en œuvre par le procédé de reproduction d’environnements selon l’invention,
, un schéma simplifié du dispositif de reproduction d’environnements selon l’invention,
, un schéma simplifié montrant une reproduction d’un premier environnement et d’un deuxième environnement,
, un schéma simplifié d’une première variante de reproduction d’environnements lors du déplacement d’un avatar du premier environnement au deuxième environnement de la selon l’invention,
, un schéma simplifié d’une deuxième variante de reproduction d’environnements à l’instant de demande de déplacement lors du déplacement d’un avatar d’un premier environnement à un deuxième environnement selon l’invention,
, un schéma simplifié d’une deuxième variante de reproduction d’environnements à l’instant suivant une demande de déplacement lors du déplacement de l’avatar de la du premier environnement au deuxième environnement, la reproduction d’environnements comportant une prévisualisation du deuxième environnement, selon l’invention,
, un schéma simplifié d’une deuxième variante de reproduction d’environnements à l’instant d’une première interaction avec l’objet de prévisualisation du deuxième environnement lors du déplacement de l’avatar de la du premier environnement au deuxième environnement selon l’invention,
Le composant acoustique 150 peut également être réalisé de manière bien connue par injection-compression d’un matériau thermoplastique chargé ou non. L’injection-compression consiste à injecter la matière dans un moule entrouvert. Ainsi, même si la matière se fige, les canaux s’obstruent moins. Lorsque la matière est répartie dans l’ensemble du moule, celui-ci est complètement fermé par un effort de fermeture pour revenir à la bonne cote. Cela permet d’obtenir des épaisseurs de parois pour les composants acoustiques plus fines qu’avec un procédé d’injection classique.
Le composant acoustique 150 peut également être réalisé de manière bien connue par injection avec pilotage de la température de l’outillage d’un matériau thermoplastique chargé ou non. L’injection avec pilotage de la température de l’outillage consiste à contrôler la température de l’outillage ou du moule au moyen d’un système d’asservissement de la température de l’outillage, par exemple avec un fluide caloporteur ou avec de l’air.
Les matériaux thermoplastiques qui peuvent être utilisés pour fabriquer le composant acoustique 150 sont notamment les polyaryléthercétones (PAEK) tels que le polyétheréthercétone (PEEK) et le polyéthercétonecétone (PEKK), les polyétherimides (PEI), le polysulfure de phénylène (PPS) et le polysulfone (PSU).
La structure d’atténuation acoustique 100 est réalisée en fixant la peau acoustique supérieure 101, par exemple par soudage ou par collage, sur la première face d’assemblage 110a de la structure multicellulaire supérieure 110. La peau de fermeture 103 est fixée, par exemple par soudage ou par collage, sur la deuxième face d’assemblage 130b de la structure multicellulaire inférieure 130. Selon un mode particulier de réalisation de l’invention, la peau de fermeture 103 et la structure multicellulaire inférieure 130 peuvent être formées en une seule pièce.
Le composant acoustique 150 est assemblé avec la structure multicellulaire inférieure 130, les bords supérieurs 131a des cloisons 151 étant fixés, par exemple par soudage ou par collage, sur la face inférieure 152b des bords 152 des éléments acoustiques creux 151. Dans l’exemple présenté sur les figures 1 et 2, l’axe de symétrie des éléments acoustiques creux 151 est confondu avec l’axe de symétrie des cellules 132 de la structure multicellulaire inférieure 130. On ne sort bien entendu pas du cadre de l’invention si les éléments acoustiques creux 151 sont désaxés par rapport aux cellules 132.
Selon un mode particulier de réalisation de l’invention, le composant acoustique 150 et la structure multicellulaire inférieure 130 peuvent être formés en une seule pièce. Selon un autre mode particulier de réalisation de l’invention, le composant acoustique 150 et la structure multicellulaire supérieure 110 peuvent être formés en une seule pièce. Par exemple, dans le cas où la structure multicellulaire supérieure 110 présente une hauteur H110 inférieure à 25 mm, il est particulièrement souhaitable de réaliser le composant acoustique 150 et la structure multicellulaire supérieure 110 lors d’une même opération d’estampage ou d’injection.
La structure multicellulaire inférieure 130, le composant acoustique 150 et la structure multicellulaire supérieure 110 sont assemblés en fixant, par collage ou par soudage, la deuxième face d’assemblage 110b de la structure multicellulaire supérieure 110 sur la face d’assemblage 150a du composant acoustique 150.
Si le composant acoustique 150 comprend des pions de centrage 153, comme illustré sur les figures 1 et 2, les pions de centrage 153 peuvent s’insérer dans des orifices présents sur les bords inférieurs 111b des cloisons 111 de la structure multicellulaire supérieure 110. Ces orifices présents sur les bords inférieurs 111b sont de préférence situés aux intersections de plusieurs cloisons 111.
Les pions de centrage peuvent également présenter des rainures correspondant aux bords inférieurs 111b des cloisons 111 de la structure multicellulaire supérieure 110, et de préférence correspondant à une intersection de plusieurs cloisons 111. Dans cette configuration, il n’est donc pas nécessaire de réaliser des orifices dans les bords inférieurs des cloisons de la structure multicellulaire supérieure.
Enfin, les pions de centrage peuvent être placés au niveau de plusieurs angles formés entre deux cloisons de la structure multicellulaire supérieure, les pions de centrage étant placés au niveau de plusieurs angles d’orientations différentes appartenant à des cellules différentes de la structure multicellulaire supérieure, de sorte à assurer positionnement unique entre le composant acoustique et la structure multicellulaire. Dans cette configuration, il n’est pas non plus nécessaire de réaliser des orifices dans les bords inférieurs des cloisons de la structure multicellulaire supérieure.
Ainsi, les pions de centrage 153 facilitent la mise en position de la structure multicellulaire supérieure 110 sur le composant acoustique 150.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la structure multicellulaire supérieure 110, la structure multicellulaire inférieure 130 et les éléments acoustiques creux 151 peuvent être réalisés simultanément en une seule pièce, par exemple par fabrication additive. La présence des bords 152 n’est alors pas nécessaire.
La présente les fréquences traitées par la structure d’atténuation acoustique 100 selon l’invention décrite précédemment, en comparaison avec deux autres structures d’atténuation acoustique. Par exemple, dans le cas d’une soufflante de moteur, on cherche à traiter les basses fréquences f 1 , ainsi que les harmoniques f 2 et f 3 . On constate que la structure d’atténuation acoustique 100 selon l’invention, représentée par la courbe avec les étoiles, présente un coefficient d’absorption élevé pour les fréquences f 1 , f 2 et f 3 à atténuer.
Au contraire, la structure d’atténuation acoustique dont la base de l’élément acoustique creux est située à l’extrémité de la structure d’atténuation acoustique et non à une hauteur intermédiaire, représentée par la courbe avec les carrés, présente un coefficient d’absorption moins élevé pour chacune des fréquences que l’on cherche à traiter. On constate que si l’on ajustait les dimensions de la structure acoustique représentée par la courbe avec les carrés pour faire coïncider le pic dans les basses fréquences avec la fréquence f 1 , le coefficient d’absorption de la fréquence f 2 serait extrêmement faible.
De même, la structure d’atténuation acoustique comprenant deux éléments acoustiques creux superposés l’un à l’autre, représentée par la courbe avec les cercles, présente un coefficient d’absorption moins élevé pour chacune des fréquences que l’on cherche à traiter. On constate que si l’on ajustait les dimensions de la structure acoustique représentée par la courbe avec les cercles pour faire coïncider le pic dans les basses fréquences avec f 1 et le pic dans les moyennes fréquences avec f 2 , le coefficient d’absorption de la fréquence f 3 serait extrêmement faible.
Dans l’exemple présenté sur la , les axes de symétrie des cellules 112 et 132 des structures multicellulaires supérieure et inférieure 110 et 130 sont confondus. Ainsi, les cloisons 111 de la structure multicellulaire supérieure 110 sont superposées aux cloisons 131 de la structure multicellulaire inférieure 130.
Selon une possibilité de mise en œuvre, le premier amplificateur et le deuxième amplificateur peuvent être formés d’un transistor montés en source de courant et respectivement d’un premier transistor d’amplification et d’un deuxième transistor d’amplification, le circuit de de commutation étant configuré en outre pour :
- lors de ladite phase de réinitialisation, coupler la source de courant commune à la capacité d’intégration tout en isolant le photo-détecteur de ladite source de courant commune,
- lors de ladite phase d’intégration, coupler la source courant commune à la photodiode tout en isolant la capacité d’intégration de ladite source de courant commune. Ceci peut notamment permettre de réduire la consommation en courant nécessaire pour effectuer les différentes phases de fonctionnement.
Selon une possibilité de mise en œuvre, le transistor monté en source de courant reçoit sur sa grille une tension de polarisation v bias modulable entre ladite phase de réinitialisation et ladite phase d’intégration, de sorte que lors de ladite phase de réinitialisation, la tension de polarisation v bias a une première valeur de manière à ce que la source de courant commune produise un premier courant I 1 , et de sorte que lors de la phase d’intégration, la tension de polarisation a une deuxième valeur, de manière à ce que la source de courant commune produise un deuxième courant I 2 différent dudit premier courant.
L’étage de couplage précité peut être formé d’un premier transistor de couplage et d’un deuxième transistor de couplage. Parmi les signaux de contrôle figure un premier signal de commande vc 1 de couplage appliqué sur une grille du premier transistor de couplage et un deuxième signal vc 2 de commande de couplage appliqué sur une grille du deuxième transistor de couplage.
Avantageusement, le circuit de commutation peut être formé en outre d’un premier élément interrupteur et d’un deuxième élément interrupteur appartenant à un bloc de polarisation externe au circuit de lecture.
Le premier élément interrupteur peut être configuré pour alternativement, coupler lors de la phase d’intégration, une électrode d’un transistor d’amplification du premier amplificateur à un élément de circuit mis à un premier potentiel de polarisation VBDI et découpler lors de ladite phase de réinitialisation ledit élément de circuit de ladite électrode dudit transistor dudit premier amplificateur.
Le deuxième élément interrupteur peut être configuré pour alternativement, découpler lors de ladite phase d’intégration, une électrode d’un transistor d’amplification du deuxième amplificateur à une portion de circuit mise à un deuxième potentiel Vref de polarisation et coupler lors de ladite phase de réinitialisation, l’électrode dudit transistor d’amplification dudit deuxième amplificateur de ladite portion de circuit.
Selon une possibilité de mise en œuvre, l’étage de réinitialisation active de la capacité d’intégration C int est doté d’un transistor de réinitialisation ayant une électrode mise à un potentiel de réinitialisation et couplé à la capacité d’intégration, le premier transistor de couplage étant agencé entre une grille du transistor de réinitialisation et ledit premier amplificateur.
Selon une possibilité de mise en œuvre, l’étage de polarisation à injection directe à contre-réaction comprend un transistor dit d’injection directe agencé entre le photo-détecteur et la capacité capacitive d’intégration, le deuxième transistor de couplage étant agencé entre une grille du transistor d’injection directe et ledit deuxième amplificateur.
Avantageusement, le premier amplificateur de courant peut être constitué de deux transistors ayant une électrode commune. Avantageusement, le deuxième amplificateur de courant peut être constitué uniquement de deux transistors ayant une électrode commune. Ainsi le premier amplificateur et/ou le deuxième amplificateur peut être constitué de deux transistors ayant une électrode commune.
Selon un aspect particulier, l’invention concerne un imageur infrarouge comprenant un dispositif imageur tel que défini plus haut.
sert à illustrer, dans un imageur infrarouge, un exemple de pixel de lecture avec une structure de polarisation de type BDI (pour « Buffered Direct Injection ») de la photodiode°;
sert à illustrer un premier mode de réinitialisation d’un pixel de lecture d’un imageur°;
sert à illustrer un deuxième mode de réinitialisation d’un pixel de lecture d’un imageur°;
En référence à la , la peau extérieure 33 est fixée à la couche intermédiaire isolante 32.
En particulier, dans l’exemple illustrée, la peau extérieure 33 s’étend sur la face de la couche intermédiaire isolante 32 opposée à la face de ladite couche 32 liée à la peau intérieure 31. En outre, la peau extérieure 33 est liée à la couche intermédiaire isolante 32 par le deuxième liant. En d’autres termes, la face interne 33A de la peau extérieure 33 s’étend sur la face externe 32B de la couche intermédiaire isolante 32 et est reliée à la face externe 32B de la couche intermédiaire isolante 32 par le deuxième liant.
Par exemple, la peau extérieure 33 est directement fixée sur la couche intermédiaire isolante 32 par le deuxième liant. En d’autres termes, seul le deuxième liant s’étend entre la peau extérieure 33 et la couche intermédiaire isolante 32. Lorsque le deuxième liant est une couche de matériau adhésif, seule la couche de matériau adhésif s’étend entre la peau extérieure 33 et la couche intermédiaire isolante 32.
Dans l’exemple illustré, la peau extérieure 33 est une peau mixte. La peau extérieure 33 comprend depuis sa face interne 33A vers sa face externe 33B deux couches, nommées ci-après « première couche C33 1 » et « deuxième couche C33 2 ».
La première couche C33 1 délimite la face interne 33A de la peau extérieure 33.
La première couche C33 1 comprend une surface interne liée à la couche intermédiaire isolante 32 par le deuxième liant et délimitant la face interne 33A de la peau extérieure 33, et une surface externe, opposée à la surface interne, liée à la deuxième couche C33 2 .
La première couche C33 1 comprend par exemple exclusivement au moins une nappe de fibres tissées 35 et une résine 37 dans laquelle la nappe de fibres tissées 35 est incluse.
La ou chaque nappe de fibres tissées 35 de la peau extérieure 33 présente une masse surfacique strictement inférieure à la masse surfacique de la nappe de fibres tissées 34 de la peau intérieure 31.
La masse surfacique de la ou chaque nappe de fibres tissées 35 est strictement inférieure à 400 g.m -2 et avantageusement égale à 300 g.m -2 .
Une telle masse surfacique permet de conférer à la peau extérieure 33 une résistance mécanique adaptée à l’utilisation faite de la peau extérieure 33, à savoir adaptée aux contraintes mécaniques appliquées sur la peau extérieure 33, tout en limitant la masse de la peau extérieure 33.
Dans le présent exemple illustré sur la , la première couche C33 1 comprend une seule nappe de fibres tissées 35. En variante, la première couche C33 1 comprend au moins deux nappes de fibres tissées 35.
La ou chaque nappe de fibres tissées 35 comprend un assemblage de fibres 39 entrelacées sous la forme d’une nappe. En d’autres termes, la ou chaque nappe de fibres tissées 35 est un tissu sous la forme d’une nappe. La ou chaque nappe de fibres tissées 35 est par exemple obtenue par l’entrecroisement de fils de trame et de fils de chaîne.
Les fibres 39 de la nappe de fibres tissés 34 sont par exemple des fibres de verre.
En variante, les fibres 39 de la nappe de fibres tissés 35 sont des fibres naturelles, telles que des fibres de coton, de lin, de chanvre, etc.
La résine 37 est par exemple de même nature que la résine 36 de la peau intérieure 31.
La deuxième couche C33 2 délimite la face externe 33B de la peau extérieure 33. Ainsi, la deuxième couche C33 2 délimite la face extérieure 30B du panneau sandwich latéral 30.
Un deuxième mode de réinitialisation appelé « soft reset » est utilisé dans les imageurs fonctionnant dans le domaine du visible. Dans ce cas, le transistor 6 est polarisé en régime de saturation avec son drain et sa grille mis au potentiel d’alimentation haut VDD et le courant qui le traverse est faible. Le transistor 6 est alors en mode de faible inversion.
On connecte le drain et la grille du transistor 6 à une tension d’alimentation VDD, et la capacité Cint vient se polariser en fin de réintialisation à une tension VDD-Vgs, avec vgs la tension grille source du transistor.
Une réduction du bruit quadratique d’un facteur 2 peut être obtenue dans le deuxième mode de réinitialisation (soft reset) :
On peut chercher à vouloir réduire davantage ce bruit pour certaines applications.
Le document « Low noise readout using Active reset for CMOS APS”, Boyd Fowler, Michael D. Godfrey, Janusz Balicki, and John Canfield. Pixel Devices International Inc. Proceedings of SPIE, the international society for optical engineering, May 2000, présente une technique alternative de réinitialisation dite de réinitialisation active (« active reset ») permettant de réduire davantage le bruit de réinitialisation.
Cette méthode, est appliquée dans cet article à un imageur fonctionnant dans le domaine du visible. Elle utilise un amplificateur qui sert d’élément actif et qui permet d’effectuer une mesure précise du bruit et de rétroagir sur le transistor de réinitialisation par l’intermédiaire d’une boucle de contre-réaction. Dans ce cas, selon l’article, le bruit quadratique peut être réduit en théorie d’un facteur A, A étant le gain de l’étage amplificateur.
Il se pose le problème de réaliser un imageur avec un bruit quadratique réduit lors de la phase de réinitialisation tout en conservant une impédance d’entrée faible lors des phases de lecture.
Un but de l’invention est de mettre en œuvre un dispositif imageur dans lequel chaque élément de détection est pourvu d’un circuit de lecture muni à la fois d’un étage de polarisation à injection directe à contre réaction (BDI) et d’un étage de réinitialisation active.
Ainsi, selon un aspect la présente invention concerne un dispositif imageur comportant une pluralité d’éléments de détection chaque élément de détection étant formé d’un photo-détecteur associé et connecté à un circuit de lecture d’un signal généré par le photo-détecteur, le circuit de lecture étant doté d’une capacité d’intégration pour stocker des charges provenant du photo-détecteur, le circuit de lecture comprenant en outre:
- un étage de réinitialisation active de la capacité d’intégration doté de transistors formant un premier amplificateur de courant d’une première source de courant,