INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
de 50% à 95%, de préférence de 80% à 95% en poids par rapport au poids total de la composition cosmétique prête à l’emploi, d’eau.
Dans un mode de réalisation, la composition cosmétique prête à l’emploi selon l’invention est obtenue par le mélange d’une composition cosmétique concentrée selon l’invention avec de l’eau.
Le terme "mélanger", et toutes les variantes de ce terme, concerne la dilution, la mise en contact, la combinaison, la reconstitution, la dissolution, la dispersion, le mélange ou l'agitation de la composition cosmétique concentrée avec de l’eau. Il peut également signifier l'introduction de la composition cosmétique concentrée dans l’eau et vice-versa. Cela peut également signifier placer la composition cosmétique concentrée dans le même récipient ou contenant que l’eau et vice-versa. Au sens de l’invention, l'agitation de la composition cosmétique concentrée avec de l’eau est réalisée manuellement par un utilisateur et ne nécessite pas l’utilisation d’un mélangeur motorisé.
Dans un mode de réalisation préféré, la composition cosmétique prête à l’emploi selon l’invention est obtenue par dilution dans de l’eau de la composition cosmétique concentrée selon l’invention.
Dans un mode de réalisation, la composition cosmétique prête à l’emploi selon l’invention est obtenue par dilution dans de l’eau d’une composition cosmétique concentrée selon l’invention, en un ratio de la composition cosmétique concentrée sur l’eau allant de 1 :2 à 1 :20, préférentiellement en un ratio allant de 1:2 à 1:15.
Selon un mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon la présente invention comprend au moins agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la viscosité de la composition cosmétique prête à l’emploi obtenue par dilution de la composition cosmétique concentrée est supérieure à la viscosité de la composition concentrée avant dilution.
Dans un mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon l’invention comprend au moins un agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la composition cosmétique prête à l’emploi présente une viscosité supérieure à 1300 mPas.s ; dans un mode de réalisation, une viscosité allant de 1300 mPa.s à 50000 mPa.s ; dans un mode de réalisation, une viscosité allant de 1300 mPa.s à 20000 mPa.s ; dans un mode de réalisation préféré, une viscosité allant de 1300 mPa.s à 15000 mPa.s.
Dans un mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon l’invention comprend au moins un agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la composition cosmétique prête à l’emploi obtenue par dilution de la composition cosmétique concentrée est sous la forme d’un gel aqueux.
Selon un autre mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon l’invention ne comprend pas d’agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la viscosité de la composition cosmétique prête à l’emploi obtenue par dilution de la composition cosmétique concentrée est inchangée par rapport à la viscosité de la composition cosmétique concentrée avant dilution.
Dans un mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon l’invention ne comprend pas d’agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la composition cosmétique prête à l’emploi présente une viscosité inférieure à 1300 mPa.s ; dans un mode de réalisation, une viscosité allant de 0,5 mPa.s à 1300 mPa.s ; dans un mode de réalisation préféré, une viscosité allant de 100 mPa.s à 1000 mPa.s.
Dans un mode de réalisation, lorsque la composition cosmétique concentrée selon l’invention ne comprend pas d’agent épaississant et/ou gélifiant de phase aqueuse, alors la composition cosmétique prête à l’emploi obtenue par dilution de la composition cosmétique concentrée est sous la forme d’un fluide aqueux.
Avantageusement, la composition cosmétique prête à l’emploi selon la présente invention est sous la forme d’un gel ou d’un fluide aqueux transparent et homogène.
Les figures 13 et 14 illustrent un mode de réalisation alternatif, permettant de réduire les risques de dopage parasite de la couche épitaxiée de matériau III-V.
Les figures 15 et 16 illustrent des situations défavorables pour la conduction électrique verticale et le confinement des défauts pouvant se produire lors de la croissance de la première et de la deuxième couche épitaxiée respectivement, lorsque le procédé n’est pas mis en œuvre.
Les figures 17 et 21 illustrent différents exemples de formes de couches sacrificielles pouvant être adoptées dans le cadre de la mise en œuvre du procédé, ces formes permettant d’obtenir des formes variées de couche épitaxiée de matériau III-V.
Les figures 22 à 27 illustrent plusieurs modes de réalisation pour confectionner des composants micro-électroniques de puissance tels que des diodes p-n, ou des LEDs.
Les figures 22 à 24 illustrent des étapes de réalisation d’une diode p-n.
Les figures 25 à 27 illustrent des étapes spécifiques à la réalisation d’une LED.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions et épaisseurs des différentes couches ne sont pas représentatives de la réalité.
Selon un exemple particulier, selon une coupe parallèle au plan XY, la première ouverture présente une dimension L 310 et la face supérieure de la première couche épitaxiée présente une dimension L 111 , avec L 111 >5*L 310 , de préférence L 111 >10*L 310 et de préférence L 111 >20*L 310 . Avantageusement, selon une coupe parallèle au plan XY, la première ouverture s’étend sur une surface S 310 et la face supérieure de la première couche épitaxiée sur une surface S 111 , avec S 111 >5*S 310 , de préférence S 111 >10*S 310 et de préférence S 111 >20*S 310 . Ainsi, la dimension de la première ouverture est très inférieure à la dimension de la première couche épitaxiée. Cela permet d’éviter la propagation des dislocations depuis la face supérieure de la couche de germination jusque dans la première couche épitaxiée.
Préférentiellement, la première couche épitaxiée présente une épaisseur H 110 et la deuxième couche épitaxiée présente une épaisseur H 120 , avec de préférence H 120 >2*H 110 , de préférence H 120 >3*H 110 et de préférence H 120 >5*H 110 , les épaisseurs H 120 et H 110 étant prises selon une direction Z perpendiculaire au plan XY. Ainsi, l’épaisseur de la deuxième couche épitaxiée est très supérieure à l’épaisseur de la première couche épitaxiée. Cela permet d’éviter la propagation des dislocations dans la première couche épitaxiée, puis d’obtenir une épaisseur important de matériau III-V grâce à la deuxième couche épitaxiée.
Selon un exemple, le plan XY est parallèle à la face supérieure de la couche de germination et à une face supérieure du substrat.
Selon un exemple particulier, le procédé comprend, après la formation de la première couche épitaxiée et avant le retrait de la deuxième couche de masquage, un dépôt d’une troisième couche de masquage sur la deuxième couche de masquage, et une formation dans la troisième couche de masquage d’au moins une quatrième ouverture présentant des flancs et configurée pour exposer une partie de la deuxième couche de masquage, les flancs de la troisième couche de masquage étant conservés lors de la croissance de la deuxième couche épitaxiée à partir de la première couche épitaxiée. Cela permet de confiner la croissance du matériau III-V lors de la réalisation de la deuxième couche épitaxiée.
Avantageusement, les flancs de la troisième couche de masquage présentent une hauteur H 231 et la deuxième couche épitaxiée présente une épaisseur H 120 , telle que H 231 ≥H 120 , les épaisseurs H 231 et H 120 étant prises selon une direction Z perpendiculaire au plan XY.
Selon un mode de réalisation, une couche de protection est déposée au moins sur les flancs de la troisième couche de masquage, et de préférence sur des flancs définissant la troisième ouverture de la deuxième couche de masquage, avant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée, cette couche de protection recouvrant les flancs de la troisième couche de masquage, et de préférence les flancs de la deuxième couche de masquage, durant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée. Cela permet d’éviter la diffusion involontaire d’éléments de la troisième couche de masquage jusque dans la deuxième couche épitaxiée. On évite ainsi un dopage involontaire de la deuxième couche épitaxiée.
Selon un exemple particulier, la cavité présente une portion de section triangulaire selon une coupe parallèle au plan XY, ladite portion s’étendant depuis l’aplomb de la première ouverture.
Selon un autre mode de réalisation, la croissance de la première couche épitaxiée se fait dans toutes les directions du plan XY. Selon un mode de réalisation, la première ouverture est située à l’aplomb d’un centre de la cavité. Selon un exemple particulier, la cavité est de forme hexagonale.
* des mors mobiles par rapport à l’axe,
** à mouvement commandé par un système de came activé par la rotation du rotor d’étiquetage,
** les mors ayant des rouleaux d’axe parallèle à l’axe pour s’appuyer contre la surface de l’objet et rouler sur celle-ci,
B. un dispositif d’alimentation en étiquettes,
* porté par le rotor d’étiquetage,
* fournissant l’étiquette à poser au rouleau d’appui de l’un des mors, au voisinage de l’objet positionné sur l’axe,
C. un mécanisme d’entraînement commandé, arrêtant le rotor (dans la position d’arrêt dans laquelle) la fente d’introduction du mandrin transversal coïncide avec celle du châssis.
La simplification de la structure permet non seulement un gain de fabrication mais aussi une meilleure efficacité de la pose de l’étiquette du point de vue de la précision de celle-ci notamment l’adaptation très souple aux paramètres des étiquettes successives qui peuvent être quelconques et varier considérablement d’une étiquette à l’étiquette suivante pour le même objet ou un objet différent. Cela est d’autant plus intéressant que la simplification de la structure de la machine réduit son inertie et permet un fonctionnement variable, adapté, plus rapide de cette machine combinée à une imprimante d’étiquettes.
La simplicité de la structure de la machine évite les problèmes entrainés par la complexité des machines de l’état de la technique tant pour les interventions sur la machine que l’intégration de la machine dans une ligne de production.
Le caractère modulaire des composants de la machine tels que les pinces, le rotor d’étiquetage, le dispositif d’alimentation en étiquette ou d’entrainement simplifie l’entretien et les éventuelles interventions sur la machine. Cela est d’autant plus important que les interventions en cas d’incidents survenus en cours de production sont très simples et rapides. Cela réduit ainsi le temps d’intervention et d’arrêt d’une ligne de production.
La compacité de la machine facilite et simplifie son intégration dans des lignes de production ou dans des postes de travail, quel que soit l’orientation des objets à étiqueter, orientation qui peut être imposée par une ligne de production.
Suivant une autre caractéristique le mandrin transversal comprend :
- un disque de support portant les mors,
- une couronne dentée portée par un disque,
- les disques étant situés de part et d’autre de la paroi du châssis et reliés par leurs moyeux traversés par l’axe formant un équipage solidaire en rotation,
- un palier formé de galets portés par la paroi et répartis sur un cercle centré sur l’axe et sur lesquels roule la couronne dentée par sa surface intérieure.
Cela permet de faciliter le soulèvement du véhicule pour l’utilisateur qui n’a alors pas à manipuler chaque cric manuellement pour soulever le véhicule à déplacer.
Selon un autre aspect, chaque dispositif de soulèvement comprend une batterie électrique.
La présence d’une batterie électrique sur chaque dispositif de soulèvement permet de faciliter l’utilisation du système puisqu’il n’est pas nécessaire de relier chaque dispositif de soulèvement à une source d’énergie.
En outre, chaque dispositif de soulèvement est indépendant des autres, ce qui en facilite son utilisation.
L’invention concerne également un procédé de déplacement d’un véhicule au moyen d’un système tel que précédemment décrit, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes successives suivantes : - positionner les dispositifs de soulèvement sous un châssis du véhicule à déplacer, - déployer les moyens de levage pour soulever le véhicule par coopération avec le châssis, et - déplacer les dispositifs de soulèvement via les moyens de pilotage à distance.
Un tel procédé permet de déplacer rapidement et simplement un véhicule par un utilisateur seul.
En outre, la mise en œuvre de ce dispositif ne demande pas un apprentissage particulier et est intuitive pour un utilisateur.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description suivante d’un mode de réalisation préférentiel de l’invention, donné à titre d’exemple illustratif et non limitatif, et des dessins annexés parmi lesquels : la est une représentation schématique en perspective de dessus d’un système de déplacement de véhicules, selon l’invention ; la est une représentation schématique en vue de dessus d’un dispositif de soulèvement du système de déplacement de la ; la est une représentation schématique en vue de dessous d’un dispositif de soulèvement du système de déplacement de la .
En référence à la , un système 1 de déplacement de véhicules V est représenté.
Ce système 1 comprend au moins trois dispositifs de soulèvement 2 destinés à être positionnés sous le véhicule V à déplacer.
En référence aux figures 2 et 3, un dispositif de soulèvement 2 est décrit.
Bien qu’un seul dispositif de soulèvement 2 est décrit, chaque dispositif de soulèvement 2 est identique aux autres.
Le dispositif de soulèvement 2 comprend : - un support 21 ; - des moyens de roulement 22, et - des moyens de levage 23 destinés à lever le véhicule V.
Le support 21 comprend un cadre 211 et une croix 214 de renfort à l’intérieur du cadre 211.
Le cadre 211 est de forme parallélépipédique.
A cet effet, le cadre est formé au moins par deux longerons 212 parallèles et deux traverses 213 s’étendant entre les longerons 212.
Ainsi, selon la présente invention, le premier angle de tangage estimé par la première méthode basée sur le tangage relatif de la caméra vidéo 12 est affiné avec un paramétrage plus conservatif, dans le cas où le premier angle de tangage est considéré trop éloigné du second angle de tangage estimé par la seconde méthode basée sur les lignes de marquage 22, 24 au sol, laquelle se révèle plus fiable en cas de changement de pente de la route 21 notamment.
Selon un deuxième mode de mise en œuvre du procédé selon l’invention, la troisième étape E3 de comparaison consiste à examiner une deuxième condition C2 qui est validée si la qualité de l’estimation du premier angle de tangage calculée au cours de la première étape E1 d’estimation, et si la qualité de l’estimation du second angle de tangage calculée au cours de la deuxième étape E2 d’estimation, sont supérieures chacune à un second seuil prédéfini.
Si la deuxième condition C2 est validée, ainsi que la première condition C1, autrement dit si les deux conditions C1, C2 sont remplies, alors la quatrième étape E4 décrite précédemment est exécutée.
A l’inverse, si l’une de la première condition C1 et de la deuxième condition C2 n’est pas remplie, alors la cinquième étape E5 décrite précédemment est exécutée à la place de la quatrième étape E4.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la qualité de l’estimation du premier angle de tangage dépend de la qualité de l’angle relatif et de la qualité de l’angle de calibrage .
Plus particulièrement, la qualité de l’estimation du premier angle de tangage comprend une première phase de calcul de la qualité de l’angle de la caméra vidéo 12 estimé par intégration du mouvement relatif de la caméra par l’équation suivante : avec la qualité du premier angle de tangage de la caméra vidéo 12 à un instant précédent t-1, calculée à un cycle précédent, et la qualité de l’angle relatif de la caméra vidéo 12 à l’instant t courant.
La qualité de l’angle relatif ) est obtenu par l’équation suivante : avec
La qualité de Sampson peut être obtenue par l’équation suivante : avec une valeur fixe qui définit la valeur maximale de Sampson, une valeur fixe qui définit la valeur minimale de Sampson et la distance de Sampson calculée sur la base du modèle sélectionné pour fournir l’angle de sortie.
La qualité image peut être obtenue par l’équation suivante : avec le nombre de segments formés entre un point identifié sur une première image à instant précédent t-1 et le même point identifié sur une seconde image à instant t suivant, les images étant capturées par la caméra vidéo 12, et le nombre de segments qui présentent une cohérence entre eux et qui sont jugés fidèles au mouvement de la caméra vidéo 12, à l’inverse des segments discordants qui sont jugés incohérents.
Aussi, le terme correspond à la qualité de répartition normalisée pour être comparable au terme .
Pour calculer la qualité de répartition, l’image courante est divisée en parties égales, par exemple vingt parties égales, puis le nombre de segments est compté dans chacune des parties. On calcule le nombre de segments qu’il faudrait pour une répartition uniforme des segments avec le rapport suivant : .
Ensuite, on calcule l’erreur normalisée par rapport à une répartition uniforme pour chacune des parties par l’équation suivante :
La qualité de répartition est la moyenne des erreurs pour toutes les parties de l’image, tel que :
En s’appuyant sur les calculs précédents, il est possible de calculer la qualité de l’estimation du premier angle de tangage avec l’équation suivante : avec le coefficient d’anti-divergence tel que défini précédemment.
La qualité de l’estimation du second angle de tangage , qui pour rappel est une estimation basée sur l’analyse des lignes de marquage 22, 24 au sol, dépend du nombre de points P sélectionnés appartenant aux lignes de marquage 22, 24 et de la longueur des lignes de marquage au 22, 24, par exemple.
Plus particulièrement, la qualité de l’estimation du second angle de tangage , peut être calculée par l’équation suivante : avec avec le nombre de points P utilisés pour l'approximation des lignes de marquage 22, 24, par exemple trois points P pour la ligne de marquage gauche 22 et quatre point P pour la ligne de marquage droite selon l’exemple illustré à la figure 5, et le nombre de points P minimum pour l'approximation des lignes de marquage 22, 24, qui est un nombre prédéfini.
La illustre le schéma d’un circulateur triplaque constitué de 4 principaux éléments : - le ferrite 10, à l’origine de la non-réciprocité du circulateur sous l’effet d’un champ magnétique. Il peut avantageusement s’agir d’un grenat pour des applications entre 1 et 12 GHz ; - les lignes conductrices 11, pouvant être en or ou en argent ; - des plans de masse 12 ; - l’aimant permanent 13.
Un enjeu lors de la réalisation de tels dispositifs, notamment utilisés dans les antennes électroniques à balayage actif, est la réduction de leur coût et de leur taille sans dégradation de leurs performances.
Pour cela, ces dispositifs peuvent avantageusement être réalisés par cofrittage. Cette technique permet : - de réduire le nombre d’étapes lors de la réalisation des assemblages (en effet, les différents éléments constituant un circulateur sont assemblés avant un frittage global) et ainsi de simplifier la réalisation d’un circulateur en technologie triplaque ou ligne microruban « microstrip » ; - de s’affranchir de l’utilisation de colle qui altère les performances des dispositifs ainsi que leur durée de vie.
Les figures 2a et 2b illustrent à cet effet des schémas respectivement des technologies triplaque et ligne microruban « microstrip » . La met en évidence un aimant 13, un ferrite central 10 une Jonction Y 11 et un plan de masse 12. La met en évidence un plan de masse 12, un ferrite 10 et une jonction Y 11.
Le processus de réalisation de ces dispositifs est long et coûteux et l’assemblage mécanique des différents éléments est complexe. Afin de simplifier ce processus, l’adaptation des différents matériaux à un procédé de cofrittage peut être une solution.
Dans le but de cofritter avec de l’or ou de l’argent, il est indispensable d’adapter le matériau central, le ferrite, responsable de l’effet non-réciproque du circulateur lorsqu’il est soumis à un champ magnétique.
Un matériau ferrite particulièrement bien adapté aux applications visées dans la présente invention et notamment pour des applications dans le domaine de fréquence [1GHz, 12GHz] est un grenat ferrimagnétique d’yttrium fer (YIG).
Les métaux envisagés pour la réalisation des pistes métalliques cofrittées étant généralement l’or et l’argent, les températures de fusion de ces métaux étant respectivement 1064 et 962 °C, il est donc primordial d’adapter la température de frittage du ferrite. Le grenat d’yttrium fer (YIG) présente une température de frittage élevée de 1450-1500°C. Il ne peut donc être envisagé de le coffriter avec de l’or ou de l’argent.
Des études publiées dans les demandes de brevet EP1829061A1, EP2622613A1, la thèse de L. Pinier (Nouveaux grenats ferrimagnétiques à basse température de frittage pour applications micro-ondes. Thèse de doctorat de l’Ecole Polytechnique, 2006) et la thèse de L. Qassym (Etude et mise au point de ferrites de structure grenat à basse température de frittage pour intégration dans les circulateurs hyperfréquences. Thèse de doctorat de l'Université Paris Saclay, 2017) ont montré qu’il est possible de fritter les ferrites grenats dérivés du YIG en dessous de leurs températures de frittage initiales. Plus précisément : - le YIG substitué Cu présente une température de frittage abaissée à 1050°C; - le YIG substitué Cu et Bi présente une température de frittage abaissée à 950°C; - le YIG substitué Cu, Bi, V présente une température de frittage abaissée à 900°C.
Ces résultats sont résumés dans le tableau suivant : Substitution Température de frittage (°C) Publication Compatibilité cofrittage Commentaire Au Ag Grenat d’yttrium fer (YIG) 1450 – 1500 Non Non Température de frittage trop élevée YIG substitué Cu 1050 EP1829061A1 EP2622613A1 Th. L. Pinier Non Non YIG substitué Cu et Bi 950 Oui Non YIG substitué Cu, Bi et V Thèse L. Qassym Oui Non Problème de compatibilité chimique
Ces premiers résultats montrent que même avec des températures de frittage suffisamment éloignées de la température de fusion de l’argent, le cofrittage avec l’argent reste compliqué. Le document FR 3105217, divulguant les résultats d’une étude menée par le Demandeur, montre qu’il est possible d’obtenir des matériaux à basse température de frittage permettant un cofrittage avec de l’argent en utilisant comme fondant le carbonate de lithium. Sur la base de la formulation présentée ci-dessus, est ajouté, après calcination (phase grenat déjà formée), un carbonate ou un oxyde de lithium servant de fondant. Cet ajout permet de diminuer la température de frittage aux alentours de 900 °C et les tests de cofrittage montrent une compatibilité de ce matériau avec l’argent.
L’ajout de carbonate de lithium comme fondant permet donc d’abaisser la température de frittage.
Par ailleurs, pour certaines applications, comme des applications à plus hautes fréquences par exemple, il est nécessaire d’avoir des aimantations à saturation supérieures à 180 mT.