Procédé de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie d’un courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant un point de coefficient de température nul ZCP qui est indépendant de la température, le procédé utilisant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec lesdits capteurs, le procédé comprenant : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension électrique V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial » ; b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Procédé de mesure suivant la revendication 1, dans lequel aucun capteur de température n’est mis en œuvre ni aucune estimation de température n’est nécessaire pour les étapes a, b et c, l’indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique étant indépendant de la température. Procédé de mesure suivant l’une des revendications 1 à 2, dans lequel le procédé de mesure comprenant avant l’étape a : i- une étape comprenant au moins deux séries de mesures de l’intensité de courant électrique I par le capteur d’intensité de courant électrique et de la tension électrique V par le capteur de tension électrique, les séries de mesures (I,V) étant prises à des températures différentes ; ii - une étape de calcul par le processeur, d’une valeur de tension électrique V,ZCP0 et d’une valeur de courant électrique I,ZCP0 au point de coefficient de température nul ZCP, à partir des mesures de l’étape i, le point de coefficient de température nul ZCP étant le point de croisement des deux séries de mesures (I, V) de l’étape i , l’intensité I,ZCP(t0) et la tension V,ZCP(t0) à l’instant initial étant égales respectivement à I,ZCP0 et V,ZCP0. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, est embarqué ou installé dans un système électrique en fonctionnement , le procédé de mesure de l’état de santé du composant étant réalisé en exploitation du système électrique. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la mesure de la tension électrique V,ZCP est effectuée à l’étape b avec une précision relative qui dépend du type du composant électronique de puissance, cette précision relative ayant une valeur inférieure à 5%. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le procédé de mesure de l’état de santé du composant pour déterminer l’évolution de son vieillissement et de sa dégradation est mis en œuvre de manière itérative au cours du temps par différentes mesures d’intensité I,ZCP(ti) à différents instants ti, ces intensités I,ZCP(ti) étant mesurées lorsque la tension V à ces différents instants ti est égale à la tension V,ZCP0, et étant comparées à l’intensité I,ZCP(t0) à l’instant initial t0. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la dégradation concerne la dégradation des interconnexions électriques des composants. Dispositif de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie du courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant un point de coefficient de température nul ZCP indépendant de la température, le dispositif comprenant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec lesdits capteurs, configurés pour la mise en œuvre des étapes suivantes : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial » ; b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Dispositif de mesure selon la revendication 8, caractérisé en ce que l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs est bipolaire ou mixte. Module électronique de puissance intégrant un dispositif de mesure selon l’une des revendications 8 à 9 pour au moins deux composants électroniques en parallèle et/ou série. Système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon la revendication 10, le dispositif de mesure de l’état de santé d’au moins un composant électronique de puissance intégré dans chaque module fournissant un indicateur quantitatif de dégradation. Système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon la revendication 11, le système étant un système de gestion de l’énergie électrique et/ou de conversion d'énergie électrique pour les énergies renouvelables ou un système de transports à traction électrique ou un système stationnaire. Programme de calcul comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de mesure de l’état de santé d’un composant électronique de puissance à semi-conducteurs selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 lorsque ledit programme est exécuté par un processeur. Programme de calcul selon la revendication 13, dans lequel le procédé de mesure de l’état de santé est appliqué au système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon l’une quelconque des revendications 11 à 12, dans lequel si le procédé de mesure renvoie un indicateur quantitatif de dégradation supérieur à une valeur seuil prédéterminée, le programme de calcul applique le procédé de mesure à chaque composant électronique de puissance à semi-conducteurs du système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance.