INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La chaleur produite par les réactions de fusion est transportée par le matériau conducteur de chaleur 7 dans les réacteurs 51, 52, 53 dont les températures internes sont respectivement maintenues à 830 °C, 650 °C et 120 °C. Les réacteurs 51 et 52 d’une part et 52 et 53 d’autre part partagent respectivement une paroi, les autres parois des réacteurs étant formées par le matériau conducteur de chaleur 7.
En fonctionnement, de l’eau H 2 O est introduite dans le réacteur 53. Mélangée à du gaz iode I 2 et à du dioxyde de soufre SO 2 , l’eau réagit pour produire de l’iodure d’hydrogène HI et d’acide sulfurique H 2 SO 6 qui sont ensuite séparés dans le séparateur 63.
Après séparation, l’iodure d’hydrogène est injecté dans le réacteur 52 et l’acide sulfurique dans le réacteur 51.
la puissance consommée par le système pour la configuration considérée.
Selon un mode de réalisation particulier, les modèles paramétriques appliqués d’une part à l’inverse du temps d’entrainement et d’autre part à la précision de calcul sont des fonctions affines d’un nombre d’unités de calcul du système distribué mis en œuvre dans la configuration considérée, et la détermination du modèle paramétrique comporte la détermination des paramètres de la fonction affine associée à chaque indicateur de performance.
Selon un mode de réalisation particulier, la puissance consommée est une fonction affine du carré du nombre d’unités de calcul du système distribué à utiliser dans la configuration envisagée.
Selon un mode de réalisation particulier, l’algorithme de décision classe les configurations filtrées en fonction d’un score fonction du ou des indicateurs de performance et de coefficients de pondération de ces derniers.
Selon un mode de réalisation particulier, la méthode comprend en outre l’obtention d’au moins une contrainte sur une caractéristique intrinsèque de configuration matérielle, ladite contrainte étant prise en compte dans le cadre du filtrage des configurations.
Selon un mode de réalisation particulier, ledit algorithme à apprentissage profond met en œuvre un réseau de neurones convolutif.
Selon un mode de réalisation particulier, la méthode ci-dessus est appliquée dans le cadre de la segmentation d’images.
Un exemple de réalisation concerne un dispositif comprenant un processeur et une mémoire, ladite mémoire comportant des instructions qui, quand elles sont exécutées par le processeur, conduisent le dispositif à mettre en œuvre les étapes de l’une des méthodes décrites.
Produit programme d’ordinateur comprenant des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un dispositif comprenant un processeur, conduit le dispositif à mettre en œuvre les étapes de l’une des méthodes décrites.
– la est un diagramme d’un réseau neuronal pouvant être utilisé pour la mise en œuvre d’un algorithme à apprentissage profond selon l’état de l’art;
– la est un diagramme bloc d’un système dans lequel un dispositif selon un mode de réalisation est mis en œuvre ;
– la est un algorigramme d’un recommandeur basé sur un modèle de connaissances selon un exemple de réalisation ;
– la est un graphique représentant l’accélération du temps d’entraînement en fonction du nombre d’unités de calcul ;
– la est un exemple d’interface graphique permettant à un utilisateur d’interagir avec le recommandeur selon un exemple de réalisation ;
– la est une vue agrandie d’une première partie de l’interface utilisateur de la proposant une fonctionnalité de choix de contraintes et de coefficients de pondération de ces contraintes ;
Selon un mode de réalisation, le au moins un dispositif à commande hydraulique comporte un dispositif de direction hydraulique.
Selon un mode de réalisation, le véhicule de travail comporte en outre au moins un capteur de vitesse d’avancement configuré pour mesurer une vitesse d’avancement du véhicule de travail et un capteur de direction configuré pour mesurer un besoin de direction, et l’unité de commande contrôle le débit de fluide hydraulique refoulé par la pompe hydraulique et contrôle le boîtier de distribution hydraulique de manière à alimenter le dispositif de direction hydraulique lorsqu’il existe un besoin de direction ou lorsque la vitesse d’avancement dudit véhicule de travail est non nulle.
Selon un mode de réalisation, le boîtier de distribution hydraulique est configuré pour alimenter en fluide hydraulique le dispositif de direction hydraulique prioritairement par rapport au moteur hydraulique et, le cas échéant, à un autre dit dispositif à commande hydraulique, lorsque la somme des besoins en débit de fluide hydraulique du moteur hydraulique, du dispositif de direction hydraulique et, le cas échéant, de l’autre ou de chacun des autres dispositifs à commande hydraulique est supérieure au débit de fluide hydraulique maximal de la pompe hydraulique.
Autrement dit, le boîtier de distribution hydraulique est configuré de sorte que le dispositif de direction hydraulique soit toujours pleinement alimentée en débit de fluide hydraulique, peu importe, d’une part, le besoin en débit de fluide hydraulique du ou des autres dispositifs à commande hydraulique et peu importe, d’autre part, le besoin en débit du moteur hydraulique, par exemple entraîné en débit lorsque le système de traction à transmission hydraulique assiste le système de traction à transmission hydrostatique pour l’entraînement en déplacement du véhicule de travail.
Selon un mode de réalisation, le au moins un dispositif à commande hydraulique comporte un dispositif de freinage hydraulique.
Selon un mode de réalisation, le véhicule de travail comporte au moins un capteur de vitesse d’avancement configuré pour mesurer une vitesse d’avancement du véhicule de travail et un capteur de freinage configuré pour mesurer un besoin de freinage, et l’unité de commande contrôle le débit du fluide hydraulique refoulé par la pompe hydraulique et contrôle le boîtier de distribution hydraulique de manière à alimenter le dispositif de freinage hydraulique lorsqu’il existe un besoin de freinage ou lorsque la vitesse d’avancement dudit véhicule de travail est non nulle.
Selon un mode de réalisation, le boîtier de distribution hydraulique est configuré pour alimenter en fluide hydraulique le dispositif de freinage hydraulique prioritairement par rapport au moteur hydraulique et, le cas échéant, à un autre dit dispositif à commande hydraulique, lorsque la somme des besoins de débit de fluide hydraulique du moteur hydraulique, du dispositif de freinage hydraulique et, le cas échéant, de l’autre ou de chacun des autres dispositifs à commande hydraulique est supérieure au débit de fluide hydraulique maximal de la pompe hydraulique.
Autrement dit, l’unité de commande pilote le boîtier de distribution afin que le dispositif de freinage hydraulique soit toujours pleinement alimentée en débit de fluide hydraulique, peu importe, d’une part, le besoin en débit de fluide hydraulique du ou des autres dispositifs à commande hydraulique et peu importe, d’autre part, le besoin en débit du moteur hydraulique, par exemple entraîné en débit lorsque le système de traction à transmission hydraulique assiste le système de traction à transmission hydrostatique pour l’entraînement en déplacement du véhicule de travail.
Selon un mode de réalisation, le véhicule de travail comporte en outre un dispositif de manutention de charge, et le au moins un dispositif à commande hydraulique comporte au moins un actionneur hydraulique pour actionner le dispositif de manutention de charge.
Selon un mode de réalisation, l’unité de commande est configurée pour piloter le boîtier de commande hydraulique afin de ne pas alimenter en débit de fluide hydraulique le ou les actionneurs hydrauliques du dispositif de manutention de charge lorsqu’un besoin de déplacement dudit véhicule de travail est supérieur à une troisième valeur seuil de besoin de déplacement, et pour alimenter en débit de fluide hydraulique ledit ou lesdits actionneurs hydrauliques lorsqu’un besoin de déplacement dudit véhicule de travail est inférieur à une quatrième valeur seuil de besoin de déplacement, la troisième valeur seuil de besoin de déplacement étant supérieure ou égale à la quatrième valeur seuil de besoin de déplacement.
Lorsque la puissance dédiée à l’entraînement en déplacement du véhicule de travail est insuffisante en dépit de l’assistance à la traction du moteur hydraulique, le système hydraulique peut être délesté en puissance en désactivant le ou les actionneurs du système de manutention de charge, et la puissance économisée est redirigée vers le système de traction à transmission hydraulique.
L’unité de commande arbitre ainsi entre le besoin en débit de fluide hydraulique pour l’entraînement en déplacement du véhicule de travail et le besoin de débit de fluide hydraulique nécessaire à l’actionnement des organes de manutention de charge.
Selon un mode de réalisation, le véhicule de travail comporte en outre un organe de commande destiné à être actionné par un opérateur pour piloter le dispositif de manutention de charge, au moins un capteur configuré pour mesurer une position de l’organe de commande, et l’unité de commande dudit véhicule de travail est configurée pour déterminer un besoin en débit de fluide hydraulique du ou de chaque actionneur hydraulique du dispositif de manutention de charge à partir de la mesure de position de l’organe de commande.
Lorsque le système de traction à transmission hydrostatique comporte un ensemble motoréducteur, une autre idée à la base de certains aspects de l’invention est de compenser la perte de couple liée à un changement de rapport du réducteur mécanique par une assistance hydraulique à la traction. La baisse de vitesse ou d’accélération du véhicule de travail liée au débrayage lors d’un changement de rapport n’est pas seulement inconfortable pour l’opérateur, mais peut aussi présenter des risques pour la sécurité, par exemple lorsque le véhicule de travail est entraîné en déplacement sur une pente raide.
Selon un mode de réalisation, le système de traction à transmission hydrostatique comporte en outre un réducteur mécanique à pluralité de rapports couplé audit pont de transmission, et dans lequel l’unité de commande est configurée pour activer le moteur électrique d’entraînement hydraulique du système de traction à transmission hydraulique en réponse à un changement de rapport du réducteur mécanique.
- (iv) propulsion électrique par la deuxième machine électrique à travers le deuxième réducteur ou à travers le troisième réducteur, lorsque le premier et le troisième moyen de couplage sélectifs sont ouverts et lorsque le deuxième moyen de couplage sélectif est fermé,
- (v) propulsion électrique par la première machine électrique à travers le premier réducteur combinée à une propulsion électrique par la deuxième machine électrique à travers le deuxième réducteur ou à travers le troisième réducteur, lorsque le premier et le deuxième moyen de couplage sélectif sont fermés et lorsque le troisième moyen de couplage sélectif est ouvert,
- (vii) propulsion hybride parallèle par le moteur thermique et la deuxième machine électrique tournante à travers le deuxième réducteur ou à travers le troisième réducteur, lorsque le premier moyen de couplage sélectif est ouvert et lorsque le deuxième et troisième moyen de couplage sélectif sont fermés,
- (viii) propulsion hybride parallèle par le moteur thermique et la deuxième machine électrique tournante à travers le deuxième réducteur ou à travers le troisième réducteur, ainsi que par la première machine électrique à travers le premier réducteur, lorsque le premier, deuxième et troisième moyen de couplage sélectif sont fermés,
Cette pluralité de configurations permet d’améliorer la gestion énergétique du véhicule. En particulier, la possibilité d’utiliser simultanément les deux machines électriques pour la propulsion du véhicule, qu’il s’agisse d’une propulsion électrique ou hybride, permet de bénéficier d’une puissance adaptée à la propulsion hybride ou électrique du véhicule sans avoir besoin de recourir à des machines électriques alimentées par de la haute tension, ce qui réduit leur coût de fabrication et celle de leur électronique associée.
Ainsi, la photodiode 1 présente un courant d’obscurité réduit par la présence de la portion intermédiaire périphérique 27 à base de SiGe et de Ge monocristallins qui limite la diffusion latérale des dopants de type n dans le plan XY à partir de la première région 11 dopée n+. De plus, dans la mesure où la première région 11 dopée n+ est avantageusement formée notamment de la portion centrale 29 en germanium qui est épitaxié à partir de la portion de détection 10 et qui est dopé n+ à la croissance, on améliore la qualité cristalline de cette région (absence de désaccord du paramètre de maille entre le matériau de la portion de détection 10 et celui de la portion centrale 29 dopée n+) et on limite alors le courant d’obscurité. Enfin, on limite également la diffusion non contrôlée des dopants de type n, ce qui contribue encore à réduire le courant d’obscurité.
Notons que des essais comparatifs ont été effectués pour comparer la qualité cristalline d’une portion centrale en germanium dopé de type n par implantation ionique, et celle de la portion centrale 29 en germanium dopé de type n à la croissance. Pour cela, des spectres Raman ont été obtenus, qui correspondent à l’évolution de l’intensité lumineuse d’un signal laser de 532nm de longueur d’onde diffusé par chaque portion centrale. Dans le premier cas, la portion centrale en germanium est dopée par implantation ionique de phosphore avec une dose de 3×10 15 cm -2 à 40keV suivie d’un recuit thermique rapide (RTA pour Rapid Thermal Annealing , en anglais) à 600°C pendant 60s sous azote. Le spectre Raman montre une position du pic de diffusion à 297.00 cm -1 et une largeur à mi-hauteur de 5.97 cm -1 . En revanche, dans le second cas, la portion centrale en germanium est dopée à la croissance et n’est pas suivi d’un recuit. Le spectre Raman indique que le pic de diffusion se trouve à 300.56 cm -1 avec une largeur à mi-hauteur de 3.15 cm -1 .
La comparaison des valeurs de largeur à mi-hauteur montre que le germanium dopé à la croissance présente une très bonne qualité cristalline comparée à celle du germanium dopé par implantation ionique. De plus, la comparaison des valeurs de position du pic montre que le germanium dopé par implantation ionique suivie du recuit est très fortement déformé en tension, contrairement au germanium dopé in situ, cette déformation en tension ayant un impact défavorable sur les performances de la photodiode 1 dans la mesure où cela provoque une diminution de l’énergie de bandes interdites du germanium, ce qui participe à augmenter le courant d’obscurité. Ainsi, la photodiode 1 avec la portion centrale 29 en germanium dopé à la croissance présente donc un courant d’obscurité réduit et donc de meilleures performances par rapport au cas du germanium dopé par implantation ionique.
Les figures 2A à 2I sont des vues schématiques et partielles, en coupe transversale, de différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une photodiode selon l’exemple des et 1B, comportant la portion intermédiaire périphérique 27 à base de SiGe et Ge monocristallins. Dans cet exemple, la première région 11 dopée n+ est réalisée à partir de la portion centrale 29 en germanium épitaxié et dopé n+ à la croissance.
Dans cet exemple, les photodiodes 1 sont réalisées en germanium et comportent une jonction PIN, et sont adaptées à détecter un rayonnement infrarouge dans la gamme SWIR. Les photodiodes 1 sont planaires et passivées, et sont polarisées en inverse à partir du côté de la première face 22a, et ici au moyen d’une puce de commande 40 hybridée à la matrice de photodiode 1.
En référence à la , on réalise une première sous-couche semiconductrice 22.1 de germanium monocristallin. La première sous-couche semiconductrice 22.1 est solidarisée à une couche support 20, ici en silicium, par l’intermédiaire d’une couche isolante inférieure 21, ici en un oxyde de silicium. Cet empilement prend la forme d’un substrat GeOI (pour Germanium On Insulator , en anglais). Cet empilement est de préférence réalisé au moyen du procédé décrit dans la publication de Reboud et al. intitulée Structural and optical properties of 200mm germanium-on-insulator (GeOI) substrates for silicon photonics applications, Proc. SPIE 9367, Silicon Photonics X, 936714 (February 27, 2015). Un tel procédé présente l’avantage de réaliser une sous-couche semiconductrice de germanium 22.1 présentant une absence totale ou un faible taux de défauts structuraux tels que les dislocations. Le germanium peut être non intentionnellement dopé ou être dopé, par exemple de type p. La sous-couche semiconductrice 22.1 peut présenter une épaisseur comprise entre 100nm et 600nm environ, par exemple égale à 300nm environ, et peut être recouverte d’une couche de protection (non représentée) en un oxyde de silicium. La couche isolante inférieure 21 (BOX, pour Buried Oxide, en anglais) peut présenter une épaisseur comprise entre 50nm et 1µm, par exemple comprise entre 100nm et 500nm, et assure avantageusement une fonction d’antireflet. En variante, la structure initiale peut être de type Ge/Si formée d’une première sous-couche semiconductrice 22.1 de germanium épitaxié à partir de la couche support 20 en silicium, ou collé sur la couche support 20.
On réalise ensuite un dopage de la première sous-couche 22.1 en germanium dopé p+, par implantation ionique d’un dopant tel que le bore ou le gallium, lorsque la première sous-couche 22.1 était initialement en germanium intrinsèque. La couche de protection, le cas échéant, a été préalablement retirée par un nettoyage de surface, et la première sous-couche 22.1 de germanium peut être revêtue d’une couche d’oxyde de préimplantation (non représentée) d’une épaisseur de quelques dizaines de nanomètres, par exemple égale à 20nm. La sous-couche 22.1 de germanium présente alors un niveau de dopage compris entre 10 18 et 10 19 at/cm 3 environ. Un recuit de diffusion du dopant peut ensuite être effectué sous azote, pendant quelques minutes à quelques heures, par exemple 1h, à une température pouvant être comprise entre 600°C et 800°C, par exemple égale à 800°C. Ce recuit peut ne pas être effectué lorsque la sous-couche 22.1 était dopée à la croissance. Une autre manière de fabriquer cette couche 22.1 dopée p+ est par épitaxie d’une couche de germanium dopé en bore in situ entre 10 18 et 10 19 at/cm 3 environ sur une sous-couche de germanium intrinsèque. Cette épitaxie peut se faire entre 400 et 800°C mais préférentiellement à 400°C.
On réalise une deuxième sous-couche semiconductrice 22.2 de germanium par épitaxie à partir de la première sous-couche 22.1. Les deux sous-couches 22.1, 22.2 sont destinées à former les portions de détection 10 coplanaires en germanium de la matrice de photodiodes 1. La deuxième sous-couche 22.2 est formée par épitaxie, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, pour Chemical Vapor Deposition , en anglais) et de précédence en pression réduite (RPCVD, pour Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition ) ou par toute autre technique d’épitaxie. Des recuits peuvent être effectués pour diminuer le taux de dislocations dans la sous-couche 22.2. La couche d’oxyde de pré-implémentation, le cas échéant, a été préalablement retirée par un nettoyage de surface. La deuxième sous-couche 22.2 de germanium est ici intrinsèque, c’est-à-dire non intentionnellement dopée dans la mesure où l’on souhaite réaliser une jonction PIN. Elle est destinée à former la zone d’absorption lumineuse des photodiodes 1. Son épaisseur dépend de la gamme de longueurs d’onde du rayonnement lumineux à détecter dans le cas d’une photodiode 1. Dans le cadre de photodiodes SWIR, la sous-couche 22.2 de germanium intrinsèque présente une épaisseur par exemple comprise entre 0,5µm et 3µm, de préférence égale à 1µm.
On dépose ensuite une couche isolante supérieure 23 de manière à recouvrir continûment la face supérieure de la deuxième sous-couche 22.2, c’est-à-dire de manière à recouvrir les portions de détection 10 des photodiodes 1. La couche isolante supérieure 23 est réalisée en un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure de silicium. Un nettoyage de la face supérieure de la deuxième sous-couche 22.2 peut avoir été effectué au préalable. La couche isolante supérieure 23 peut présenter une épaisseur comprise entre 10nm et 600nm.
En référence à la , on réalise une tranchée latérale périphérique 24 destinée à pixelliser les photodiodes 1 et à participer à les polariser électriquement en inverse (au moyen des portions latérales périphériques 25 qui seront ensuite réalisées) à partir de la première face 22a. On réalise ainsi, par photolithographie et gravure, une gravure localisée de la couche isolante supérieure 23, de la sous-couche 22.2 de germanium intrinsèque, et de la sous-couche 22.1 de germanium dopé p+, jusqu’à déboucher ici sur la face supérieure de la couche isolante inférieure 21 (mais les tranchées latérales 24 peuvent déboucher sur la sous-couche 22.1 sans la traverser). Chaque tranchée latérale 24 s’étend ainsi de préférence continûment autour d’une photodiode 1. On obtient ainsi une pluralité de portions de détection 10 séparées les unes des autres par une tranchée latérale 24 continue. Elles sont obtenues de préférence par une technique de gravure anisotrope, de manière à obtenir une bordure latérale 10c sensiblement verticale suivant l’axe Z. Les tranchées latérales 24 présentent une dimension transversale (largeur) dans le plan XY pouvant être comprise entre 300nm et 2µm, par exemple égale à 1µm. Les portions de détection 10 peuvent ainsi présenter une forme dans le plan XY par exemple circulaire, ovale, polygonale, par exemple carrée, ou toute autre forme.
En référence à la , on réalise ensuite les portions latérales périphériques 25 dopées de type p. Pour cela, on dépose un matériau semiconducteur dopé de manière à remplir chaque tranchée latérale 24. Le matériau semiconducteur est de préférence un matériau à base de silicium, par exemple du silicium amorphe, du silicium polycristallin, de silicium germanium, voire du germanium amorphe, déposé par épitaxie à une température comprise entre 500°C et 700°C par exemple. Le matériau semiconducteur est dopé p+ au bore ou au gallium, avec une concentration de dopants de l’ordre de 10 19 à 10 20 at/cm 3 environ. Ainsi, le matériau semiconducteur dopé vient au contact de la bordure latérale 10c par la tranchée latérale 24. Une étape de polissage mécanochimique (CMP) est ensuite effectuée, avec arrêt sur la face supérieure de la couche isolante supérieure 23, pour éliminer le matériau semiconducteur en excès et planariser la face supérieure formée par la couche isolante supérieure 23 et le matériau semiconducteur de la portion latérale périphérique 25. On obtient ainsi une portion latérale périphérique 25 dopée p+ dans chaque tranchée latérale 24. Un recuit est ensuite effectué pour assurer une passivation de la bordure latérale 10c de la portion de détection 10. Ce recuit assure une diffusion des dopants de type p à partir de la portion latérale périphérique 25 dans le germanium de la portion de détection 10, formant ainsi une région latérale 14 dopée p+. Ce recuit assure également une inter-diffusion du silicium de la portion latérale périphérique 25 dans la portion de détection 10, formant ainsi une zone latérale 15 de SiGe assurant une ouverture de gap. Ce recuit peut être effectué sous azote à une température comprise entre par exemple 600°C et 750°C, pendant une durée allant par exemple de 10min à 60min.