INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Composés hydroxylés non polymériques Selon un mode de réalisation de l’invention, les composés hydroxylés sont non polymériques de formule (II) : Formule (II) dans laquelle : q représente un nombre entier supérieur ou égal à 2, de préférence allant de 2 à 10, plus préférentiellement allant de 2 à 5 ; L désigne un groupe multivalent (au moins divalent), en particulier comprenant de 1 à 500 atomes de carbone et/ou de silicium, plus particulièrement de 2 à 40 atomes de carbone et/ou de silicium, encore plus particulièrement de 3 à 30 atomes de carbone et/ou de silicium, de préférence de 6 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ou (hétéro)cyclique, saturé ou insaturé ; L étant éventuellement interrompu et/ou terminé par un ou plusieurs hétéroatomes ou groupes choisis parmi O, S, N, Si, C(X), et leurs associations telles que –O-, –O-C(X)-, -N(R)-C(X)-, -Si(R c )(R d )-O- avec R représentant un atome d’hydrogène ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle tel que méthyle ; et/ou L étant éventuellement substitué par un ou plusieurs atomes d’halogène, ou un groupe choisi parmi R a (R b )N-, -(X’) a -C(X)-(X’’) b -R a , - X , X’ et X’’ , identiques ou différents, représentent un atome d’oxygène, de soufre, ou un groupe N(R b ) ; - a et b valant 0 ou 1, de préférence la somme a + b vaut 1, - R a et R b , identiques ou différents, représentent un atome d’hydrogène, ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, ou aryl(C 1 -C 4 )alkyle tel que benzyle, de préférence R a et R b représentent un atome d’hydrogène ; - R c et R d , identiques ou différents, représentent un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, aryl(C 1 -C 4 )alkyle ou (C 1 -C 6 )alcoxy.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention , les composés hydroxylés sont de formule (II) dans laquelle : q représente un nombre entier supérieur ou égal à 2, de préférence allant de 2 à 10, plus préférentiellement allant de 2 à 5 ; L désigne un radical multivalent (au moins divalent) comprenant de 8 à 30 atomes de carbone et/ou de silicium, de préférence de 10 à 20 atomes de carbone et/ou de silicium, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ou (hétéro)cyclique, saturé ou insaturé, L pouvant en outre être interrompu par un ou plusieurs atomes d’oxygène, et/ou comprendre une ou plusieurs fonctions choisies parmi les fonctions amino, éther, thioéther, ester, thioester, cétone, thiocétone, amide et thioamide.
Selon ce mode de réalisation particulier, le composé polyol est de préférence un composé diol.
Selon ce mode de réalisation particulier, L désigne de préférence un radical multivalent en C 8 -C 18 , notamment linéaire.
Préférentiellement, le polyol est un diol en C 8 -C 18 , notamment linéaire, en particulier liposoluble. Avantageusement, la chaîne en C 8 -C 18 est une chaîne hydrocarbonée i.e. formée de carbone et d’hydrogène.
En particulier, le polyol est un diol linéaire en C 8 -C 16 , notamment en C 10 -C 14 .
Comme polyol selon ce mode particulier de l’invention, on peut citer le 1,8-octanediol, le 1,10-décanediol, le 1,12-dodécanediol, le 1,14-tétradécanediol, le 1,16-hexadécanediol, le 1,18-octadécanediol.
De préférence, on utilise le 1,10-décanediol, le 1,12-dodécanediol, le 1,14-tétradécanediol. Préférentiellement, on utilise le 1,12-dodécanediol.
Composés hydroxylés polymériques Selon un mode de réalisation de l’invention, les composés hydroxylés sont polymériques. Les composés hydroxylés polymériques de l’invention peuvent être des homopolymères, copolymères, étoile, combe, brosse et dendritiques à motifs hydroxy. Les polymères peuvent être d’origine naturelle tels que les polysaccharides, les polypeptides, ou synthétique tels que les polymères (méth)acryliques, les polyesters, les polyglycols. Les motifs hydroxy peuvent être présents en tant que groupements terminaux ou pendants.
Les composés hydroxylés polymériques sont de préférence organiques ou siliconés, plus préférentiellement de formule (V) : Formule (V) dans laquelle : p représente un nombre entier supérieure ou égal à 2 ; POLY désigne un radical polymérique de préférence carboné ou siliconé ; POLY étant éventuellement interrompu par un ou plusieurs hétéroatomes ou groupes choisis parmi O, S, N, Si, C(X), et leurs associations telles que –O-, –O-C(X)-, -N(R)-C(X)-, -Si(R c )(R d )-O- avec R représentant un atome d’hydrogène ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle tel que méthyle ; et/ou POLY étant éventuellement substitué par un ou plusieurs atomes d’halogène, ou un groupe choisi parmi R a (R b )N-, -(X’) a -C(X)-(X’’) b -R a , - X , X’ et X’’ , identiques ou différents, représentent un atome d’oxygène, de soufre, ou un groupe N(R b ) ; - a et b valant 0 ou 1, de préférence la somme a + b vaut 1 ; - R a et R b , identiques ou différents, représentent un atome d’hydrogène, ou un groupe (C 1 -C 10 )alkyle, ou aryl(C 1 -C 4 )alkyle tel que benzyle, de préférence R a et R b représentent un atome d’hydrogène ; et - R c et R d , identiques ou différents, représentent un groupe (C 1 -C 10 )alkyle, aryl(C 1 -C 4 )alkyle ou (C 1 -C 10 )alkoxy.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, les composés hydroxylés polymériques sont de formule (V) dans laquelle : p représente un nombre entier supérieure ou égal à 2 ; POLY désigne un radical polymérique carboné ou siliconé, POLY pouvant en outre renfermer un ou plusieurs hétéroatomes tels que O, N, S, et/ou une ou plusieurs fonctions choisies parmi les fonctions amino, (thio)esters, (thio)cétones, (thio)amides, (thio)urées, (thio)carbamates, et/ou être substitué par un ou plusieurs groupements (C 1 -C 10 )alkyle, linéaires ou ramifiés, (C 1 -C 10 )alcoxy, linéaires ou ramifiés, étant entendu que lorsque POLY est substitué, les fonctions hydroxy peuvent être portées par le/les substituant(s).
Le poids moléculaire moyen en poids molaire des composés polymère polyol, tels que ceux de formule (V) , est généralement comprise entre 500 et 400000, de préférence entre 500 et 150000.
De préférence, les composés hydroxylés polymériques peuvent être des polymères (poly)ols, notamment des polyoléfines (poly)ols, des polydi(C 1 -C 6 )alkylsiloxane (poly)ols, des polyesters (poly)ols.
De préférence, les (poly)ols sont diols.
Les polyoléfine (poly)ols peuvent être des polydiènes à extrémités hydroxy, comme par exemples ceux décrits dans FR-A-2782723. Ils peuvent être choisis parmi les (poly)ols issus des homopolymères et des copolymères de polybutadiène, de polyisoprène et de poly(1,3-pentadiène). De préférence, ils ont une masse moléculaire moyenne en nombre (Mn) inférieure à 7000, de préférence comprise entre 1000 à 5000. On citera en particulier les polybutadiènes hydroxylés commercialisés par la société CRAY VALLEY sous les marques POLY BD R45HTLO, POLY BD R45V, et POLY BD R-20 LM, qui seront utilisés de préférence hydrogénés; ainsi que les (1,2-polybutadiènes) hydrogénés (poly)hydroxylés, tels que le GI3000 de Mn=3100, le GI2000 (Mn=2100) et le GI1000 (Mn=1500) commercialisés par la société Nisso.
301 première enceinte
302 deuxième enceinte
320 Premier ensemble de filtre à air
330 Dispositif de photocatalyse
340 Source UV
350 Photocatalyseur
360 deuxième ensemble de filtre à air
370 Orifice de sortie
380 circuit électronique
390 module de communication sans fil
Système de déploiement d’un rideau comportant un dispositif anti-croisement, procédé d’installation d’un dispositif anti-croisement dans un système de déploiement de rideau et dispositif anti-croisement La présente invention concerne notamment le domaine technique des dispositifs anti-incendie. En particulier, la présente invention concerne un système de déploiement d’un rideau multi-lés comprenant un dispositif anti-croisement.
Arrière-plan technologique Les dispositifs frein fumée (DFF), en particulier sous la forme de rideaux, sont employés pour éviter la propagation de fumées d’incendie dans les différentes sections d’un bâtiment en en cloisonnant les voies de passage (notamment les portes et les couloirs). Par exemple, les dispositifs frein fumée sont connectés à un système de détection de feu ou de fumée et sont configurés pour se déployer, par exemple par gravité depuis un caisson situé en hauteur, en cas de détection de feu ou de fumée.
Dans de tels cas, il convient de ne pas entraver la circulation des personnes présentes dans le bâtiment afin de garantir leur évacuation. Ainsi, certains rideaux dits « franchissables » comportent deux rangées de lés, ou bandes, qui se recouvre partiellement deux à deux, en particulier au niveau des bords, et qui peuvent être écartés pour former un passage.
Cependant, il est possible qu’après avoir été écartés, en particulier lors d’un passage précipité de nombreuses personnes comme ce peut être le cas lors de l’évacuation d’un bâtiment lors d’un essai, les lés du rideau ne soient pas remis convenablement en place, et qu’un lé d’une rangée croise un lé de l’autre rangée.
Ce croisement de lés est particulièrement gênant puisqu’il peut entraver le reploiement des lés dans le caisson après l’essai et donc nécessiter une intervention humaine.
Afin de remédier aux inconvénients précités de l’état de la technique, il est proposé un système de déploiement d’un rideau, notamment un rideau frein fumée, qui évite les problèmes de croisement de lès.
Les générations de branches sont constituées d’unités structurelles, qui sont identiques pour une même génération de branches et qui peuvent être identiques ou différentes pour des générations de branches différentes. L'ensemble des points de jonction des branches de mêmes génération sont situés à une égale distance du coeur correspond à une génération.
Dans les cas où le procédé selon l’invention met en œuvre un ou plusieurs composé(s) E choisi(s) parmi les composés hydroxylés tels que définis précédemment, le procédé pourra avantageusement mettre en œuvre un ou plusieurs catalyseurs aminés, le ou les catalyseurs aminés étant de préférence présent(s) dans la ou les composition(s) comprenant le ou les composé(s) hydroxylés E .
L’un des systèmes de guidage couramment utilisés est l’autodirecteur (ou « tête chercheuse » dans le langage courant) qui comprend un capteur agencé pour détecter un signal provenant de la cible et un circuit de traitement qui interprète les données de détection provenant du capteur en commandes pour les gouvernes.
Il existe des munitions qui sont équipées d’autodirecteur à laser semi-actif permettant de détecter la réflexion sur la cible d’impulsions laser projetées par un désignateur laser. Le désignateur laser peut être embarqué sur le véhicule ayant tiré la munition ou sur un autre véhicule ; il peut également être manipulé par un soldat débarqué se trouvant à quelque distance de la cible. En outre, un observateur peut être amené à observer la cible visée afin de confirmer que c’est bien la bonne cible. Les caractéristiques principales du désignateur laser sont :
La réussite du guidage repose en grande partie sur la capacité à visualiser l’impact des impulsions laser sur la cible (on parle couramment de « tache laser » pour désigner cet impact) et à mesurer la PRI car cette dernière est une caractéristique qui permet de discriminer l’origine des différentes taches laser qui peuvent être simultanément présentes sur un champ de bataille.
Les capteurs CMOS à arséniure d’indium-gallium (InGaAs) sont utilisés pour visualiser cette tache sans toutefois permettre de déterminer la PRI. Pour détecter la PRI, il faut adjoindre, au capteur CMOS, un détecteur de type « laser spot tracker » à base de photodiodes à avalanche, ce qui augmente la complexité, l’encombrement, la consommation et le coût du dispositif de visualisation.
L’invention a notamment pour but de permettre la visualisation d’impacts d’impulsion laser et d’estimer la PRI de manière simple, fiable et relativement peu coûteuse.
A cet effet, on prévoit, selon l’invention un procédé de visualisation d’impacts d’impulsions laser émises par un désignateur laser, selon une période de répétition prédéterminée, sur une cible présente dans une scène, au moyen d’un dispositif comprenant : un capteur optronique de type CMOS sur silicium ayant un nombre prédéterminé de lignes, un circuit de lecture de type « Rolling Shutter », et un circuit électronique de traitement d’image.
Le procédé comprend les étapes de :
exposer chaque ligne du capteur pendant un temps d’exposition (t EXPOSITION ) et lire chaque ligne pendant un temps de lecture (t READOUT ) tels que le temps d’exposition est supérieur ou égal au temps de lecture de chaque ligne mais inférieur ou égal au produit du temps de lecture de chaque ligne et du nombre de lignes, détecter dans chaque trame image fournie par le circuit de lecture une transition entre des lignes du capteur exposées à un signal résultant d’une réflexion d’une des impulsions laser et des lignes non exposées audit signal, estimer à partir de cette transition un instant de datation d’impulsion dans au moins deux images et en déduire la période de répétition des impulsions.
Ainsi, l’invention exploite un inconvénient des capteurs CMOS associés à un circuit de lecture « rolling shutter », à savoir l’existence d’un déphasage de lecture d’une ligne à l’autre (inconvénient qui se traduit par des artéfacts et des déformations géométriques sur certaines images de scène en mouvement). En effet, avec un tel agencement, les détecteurs élémentaires (couramment dénommés « pixels » ou « photosites ») sont dépourvus de mémoire : l’exposition du capteur (temps d’exposition t EXPOSITION ) est effectuée séquentiellement, ligne de détecteurs élémentaires après ligne de détecteurs élémentaires, et chaque ligne est lue (temps de lecture t READOUT ) dès la fin de son exposition, comme cela est illustré sur la . C’est grâce à ce déphasage temporel (égal au temps de lecture) que dans les images vont exister une zone exposée à la réflexion des impulsions et une zone non exposée, du fait que, le flux lumineux lié à la réflexion d’une impulsion laser étant bref, il sera interrompu avant que toutes les lignes n’aient été exposées. La détection de la transition est donc relativement aisée et, connaissant le déphasage temporel entre les lignes, il est possible d’estimer la PRI.
L’invention concerne également un dispositif pour la mise en œuvre de ce procédé.
la est un schéma temporel illustrant le mode de fonctionnement d’un circuit de lecture « rolling shutter » avec une représentation du temps d’exposition et du temps de lecture de chaque ligne, mettant en évidence le décalage temporel existant pour l’exposition d’une ligne à la suivante ;
la est un schéma temporel, analogue à celui de la , illustrant la détection d’une impulsion laser ;
La couche semiconductrice 10 comporte une jonction semiconductrice PIN située dans la zone supérieure z sup , et plus précisément une région 14 dopée de type n et une région 16 dopée de type p qui affleurent la face supérieure 10a, entre lesquelles s’étend une région intrinsèque 15 (non intentionnellement dopée par des éléments dopants). Le niveau de dopage des régions dopées 14, 16 peut être par exemple compris entre 5×10 18 cm -3 et 1×10 20 cm -3 , et peut ici être égal à 3×10 19 cm -3 environ. Dans cet exemple, la région 14 dopée n+ et la région 16 dopée p+ sont situées dans la portion de base 11, de part et d’autre de la portion supérieure 13. La région intrinsèque 15 est située dans la portion supérieure 13, c’est-à-dire dans le milieu homogène 13.1 et dans les structures verticales 13.2.
Enfin, le dispositif optoélectronique 1 comporte des contacts métalliques 4 qui reposent sur la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10, l’un au contact de la région 14 dopée n+ et l’autre au contact de la région 16 dopée p+. Elles assurent la polarisation électrique de la jonction semiconductrice PIN.
En fonctionnement, le dispositif optoélectronique 1 est polarisé en direct par les contacts métalliques 4. Les porteurs de charge sont introduits dans la région 14 dopée n+ et dans la région 16 dopée p+, rejoignent la région intrinsèque 15, traversent le milieu homogène 13.1 et se recombinent dans les structures verticales 13.2. En effet, il apparaît que les structures verticales 13.2 dont la proportion atomique d’étain est x ps2 (ici par ex. 16%) entourées par le milieu homogène 13.1 à x ps1 (ici égale à 7% environ) inférieure à x ps2 forment des puits quantiques entourés par une barrière de potentiel, dans une portion supérieure 13 où la structure de bandes est directe. De plus, le taux de recombinaisons radiatives dans la région intrinsèque 15 est amélioré par le fait que la portion intermédiaire 12 avec sa proportion atomique d’étain à x pi1 (ici égale à 2% environ) inférieure à x ps1 (ici égale à 7% environ) forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la région intrinsèque 15. Par ailleurs, les performances du dispositif optoélectronique 1 sont améliorées par le fait que la région intrinsèque 15 avec ses structures verticales 13.2 est située dans une portion supérieure 13 monocristalline déformée en tension.
La illustre un exemple d’évolutions de la proportion atomique d’étain dans la couche semiconductrice 10, et la illustre un exemple de structures de bandes d’énergie dans la couche semiconductrice 10, selon les lignes de coupe A-A (graphes de gauche) et B-B (graphes de droite) représentées sur la .
Considérons tout d’abord la ligne de coupe B-B (graphes de droite des et 1C). La proportion atomique d’étain passe de la valeur moyenne x pb dans la portion de base 11, ici égale à 8% environ, à la valeur x ps1 dans le milieu homogène 13.1 de la portion supérieure 13, ici égale à 7% environ, et à la valeur x ps2 supérieure à x ps1 dans les structures verticales 13.2, ici égale à 16% environ.
Par ailleurs, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension dans la portion supérieure 13, par exemple ici égale à -0.4% environ, associée à la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain dans le milieu homogène 13.1, conduisent à ce que la structure de bandes d’énergie est directe. Ainsi, le minimum d’énergie E min,L de la bande de conduction de la vallée L (trait en pointillé) est supérieur au minimum d’énergie E min,Γ de la bande de conduction de la vallée Γ (trait continu). De plus, les structures verticales 13.2 de proportion atomique d’étain x px2 entourées du milieu homogène 13.1 de proportion atomique d’étain x ps1 inférieure à x ps2 conduisent à ce que la structure de bandes d’énergie associée forme des puits quantiques entourés d’une barrière de potentiel. Aussi, les structures verticales 13.2 sont des zones de recombinaison radiatives des porteurs de charges injectés par les contacts métalliques, générant ainsi le rayonnement infrarouge.
Considérons maintenant la ligne de coupe A-A (graphes de gauche des et 1C). Dans la portion de base 11, la proportion atomique d’étain présente une valeur égale à x pb , ici égale à 8% environ, qui reste sensiblement constante suivant l’axe Z. Dans la portion intermédiaire 12, la proportion atomique d’étain x chute de la valeur x pb jusqu’à une valeur minimale x pi1 , ici égale à 2% environ, puis, dans cet exemple, remonte jusqu’à une valeur maximale x pi2 , ici égale à 10% environ. Enfin, la proportion atomique d’étain diminue jusqu’à la valeur x ps , ici égale à 7% environ, qui reste sensiblement constante suivant l’axe Z dans la portion supérieure 13.
Dans le graphe du bas, par souci de clarté, la structure de bandes ne tient pas compte de la zone de la portion intermédiaire 12 à 10% d’étain. Le fait que la portion intermédiaire 12 présente une proportion atomique d’étain x pi1 inférieure à x ps (ici x pi1 =2% inférieure à x ps =7%), se traduit par le fait que cette zone appauvrie en étain de la portion intermédiaire 12 forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la portion supérieure 13, et donc circulant uniquement dans la région intrinsèque 15 de la jonction semiconductrice PIN. Il en résulte une amélioration du taux de recombinaison radiative dans la région intrinsèque 15, et donc une amélioration des performances du dispositif optoélectronique 1.
La illustre des vues en coupe d’un exemple expérimental d’une couche semiconductrice 10 en GeSn reposant sur une couche de nucléation 3 en germanium d’un dispositif optoélectronique 1 selon un mode de réalisation.
On représente ici plus précisément la couche de nucléation 3 en germanium, puis la portion de base 11, la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13 de la couche semiconductrice 10 de GeSn, ainsi que deux vues localisées d’une structure verticale 13.2, au niveau de sa racine et de son sommet. Les vues sont réalisées par microscopie électronique en transmission à balayage (STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy en anglais).
Dans cet exemple, la portion de base 11 est réalisée en GeSn avec une proportion atomique d’étain x pb homogène de 8% environ. La portion intermédiaire 12 présente une proportion d’étain x pi qui passe de la valeur x pb de 8% à une valeur minimale x pi1 de 2% environ pour remonter jusqu’à une valeur maximale x pi2 de 10% environ, et enfin redescendre à la valeur x ps1 de 7% environ. La portion supérieure 13 est formée du milieu homogène 13.1 où la proportion d’étain x ps1 est homogène et égale à 7% environ, et de structures verticales 13.2 où la proportion d’étain x ps2 est égale à 16% environ.
La est une vue de dessus d’un exemple expérimental de portion supérieure 13 formée du milieu homogène 13.1 et des structures verticales 13.2. Cette vue de la surface est réalisée par microscopie électronique à balayage, et présente les structures verticales 13.2 dans la milieu homogène 13.1.
Il apparaît des et 2B que les structures verticales 13.2 présentent ici une racine ayant des dimensions transversales (dans le plan XY) plus grandes que dans sa partie supérieure. De plus, la partie supérieure présente ici des dimensions transversales qui restent sensiblement constantes suivant l’axe Z. Enfin, les structures verticales 13.2 ont ici une forme de mur, dans le sens où elles présentent, dans le plan XY, une longueur plus importante que sa largeur, et s’étendent de manière à entourer au moins en partie une zone ou cellule du milieu homogène 13.1.
Les figures 3A à 3G illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1 de la , selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, le dispositif optoélectronique 1 est une diode laser. Le procédé met en œuvre une étape de recuit par laser nanoseconde permettant de réaliser les portions intermédiaire 12 et supérieure 13, l’impulsion laser étant ici localisée sur une partie seulement de la face supérieure 10a. En variante, comme indiqué plus loin, elle peut éclairer toute la face supérieure 10a.
En référence à la , on réalise un empilement formé du substrat support 2, de la couche de nucléation 3, et de la couche semiconductrice 10 à base de GeSn. Le substrat support 2 est ici une plaque ( wafer en anglais) en silicium, et la couche de nucléation 3 est réalisée en germanium par épitaxie à partir du substrat support 2. La couche de nucléation 3 présente une épaisseur supérieure à son épaisseur critique, de sorte qu’elle est monocristalline au niveau de sa face supérieure.
La couche semiconductrice 10 est réalisée ici en Ge 1-x Sn x avec ici x homogène et égal à ce qui sera la proportion atomique moyenne d’étain x pb de la portion de base 11, ici égal à 8% environ. Elle peut être formée par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, pour Chemical Vapor Deposition en anglais), telles que le dépôt chimique à basse pression (RPCVD, pour Reduce Pressure Chemical Vapor Deposition ), le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD, pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ), l’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, pour Hydride Vapor Phase Epitaxy ), voire également la pulvérisation cathodique réactive ( sputtering en anglais). Des techniques telles que l’épitaxie par jets moléculaires (MBE, pour Molecular-Beam Epitaxy ) ou l’épitaxie en phase liquide (LPE, pour Liquid Phase Epitaxy ) peuvent également être utilisées.
Le système de supervision comprend également un système de calcul central 6, comportant un ou plusieurs dispositifs électroniques programmables (e.g. des ordinateurs) adaptés à communiquer entre eux.