Dispositif électronique (100) comprenant un substrat semiconducteur (102), des transistors (T) dont les grilles (120) sont contenues dans des premières tranchées (170) s'étendant dans le substrat et au moins un composant électronique (200), différent d'un transistor, formé au moins en partie dans une première région semiconductrice (210) contenue dans une deuxième tranchée (202) s'étendant dans le substrat semiconducteur parallèlement aux premières tranchées. Dispositif électronique selon la revendication 1, comprenant, en outre : - un premier élément conducteur électriquement (204) situé dans la deuxième tranchée (202), la première région semiconductrice (210) s'étendant dans le premier élément conducteur électriquement ; - une première couche isolante électriquement (206) entre le premier élément conducteur électriquement et le substrat semiconducteur (202) ; et - une deuxième couche isolante électriquement (212) entre la première région semiconductrice et le premier élément conducteur électriquement. Dispositif électronique selon la revendication 2, comprenant, en outre : - au moins une troisième tranchée (220) s'étendant dans le substrat semiconducteur (102) au moins sur une partie le long de la deuxième tranchée (202), entre la deuxième tranchée et l'une des premières tranchées (170) ; - un deuxième élément conducteur électriquement (222) contenu dans la troisième tranchée ; et - une troisième couche isolante électriquement (224) entre le deuxième élément conducteur électriquement et le substrat semiconducteur. Dispositif électronique selon la revendication 3, comprenant deux troisièmes tranchées (220) s'étendant dans le substrat semiconducteur (102) de part et d'autre de la deuxième tranchée (202). Dispositif électronique selon la revendication 3 ou 4, dans lequel chaque troisième tranchée (220) est totalement disjointe de la deuxième tranchée (202). Dispositif électronique selon la revendication 3 ou 4, dans lequel chaque troisième tranchée (220) rejoint à chaque extrémité la deuxième tranchée (202), le deuxième élément conducteur électriquement (222) étant jointif avec le premier élément conducteur électriquement (204). Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, comprenant, en outre : - une quatrième tranchée (221) s'étendant dans le substrat semiconducteur (102) et entourant complétement la deuxième tranchée (202) et chaque troisième tranchée (220), les premières tranchées étant du côté de la quatrième tranchée opposé à la deuxième tranchée ; - un troisième élément conducteur électriquement (223) contenu dans la quatrième tranchée ; et - une quatrième couche isolante électriquement (225) entre le troisième élément conducteur électriquement et le substrat semiconducteur. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque transistor (T) comprend : - une cinquième couche isolante électriquement (124) entre la grille (120) du transistor et le substrat semiconducteur (102) et formant l'isolant de grille du transistor ; - un quatrième élément conducteur électriquement (180) situé dans la première tranchée (170) ; - une sixième couche isolante électriquement (184) entre le quatrième élément conducteur électriquement et le substrat semiconducteur ; - une septième couche isolante électriquement (186) entre le quatrième élément conducteur électriquement et la grille ; - une deuxième région semiconductrice (150) du substrat semiconducteur (102), délimitée par la première tranchée (170) contenant la grille ; et - un caisson semiconducteur (130) en contact avec la deuxième région semiconductrice et l'isolant de grille, et dans lequel est situé le canal du transistor. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la première région semiconductrice (210) est dopée d'un premier type de conductivité, le dispositif électronique comprenant, en outre, au moins des troisième et quatrième régions semiconductrices (214, 216) s'étendant dans la première région semiconductrice et plus fortement dopées que la première région semiconductrice. Dispositif électronique selon la revendication 9, comprenant des deuxièmes tranchées (202) s'étendant dans le substrat semiconducteur (102) et des premières régions semiconductrice (210) contenues chacune dans l'une des deuxièmes tranchées, chaque première région semiconductrice (210) étant dopée d'un premier type de conductivité, le dispositif électronique comprenant, en outre, des troisième et quatrième régions semiconductrices (214, 216) s'étendant dans chaque première région semiconductrice et plus fortement dopées que les premières régions semiconductrices. Dispositif électronique selon la revendication 9, comprenant des troisièmes et quatrièmes régions semiconductrices (214, 216) s'étendant dans la première région semiconductrice et plus fortement dopées que la première région semiconductrice. Dispositif électronique selon la revendication 11, dans lequel les troisièmes régions semiconductrices (214) sont connectées électriquement en parallèle et dans lequel les quatrièmes régions semiconductrices (216) sont connectées électriquement en parallèle. Dispositif électronique selon la revendication 11, dans lequel au moins l'une des troisièmes régions semiconductrices (214) est connectée électriquement en série à l'une des quatrièmes régions semiconductrices (216). Dispositif électronique selon la revendication 9, dans lequel le composant électronique (200) est une diode, la troisième région semiconductrice (214) étant dopée du premier type de conductivité et la quatrième région semiconductrice (216) étant dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Dispositif électronique selon la revendication 9, dans lequel le composant électronique (200) est une résistance, les troisième et quatrième régions semiconductrices (214, 216) étant dopées du premier type de conductivité. Procédé de fabrication du dispositif électronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel les premières tranchées (170) et la deuxième tranchée (202) sont formées simultanément. Utilisation du dispositif électronique (100) selon la revendication 7, dans lequel, en fonctionnement, le premier élément conducteur électriquement (204) et le deuxième élément conducteur électriquement (222) sont connectés électriquement à une source d'un potentiel de référence (GND). Utilisation selon la revendication 13, le dispositif électronique (100) étant en outre selon la revendication 8 dans son rattachement à la revendication 6, dans lequel, en fonctionnement, le troisième élément conducteur électriquement (223) est connecté électriquement aux quatrièmes éléments conducteurs électriquement (180).