INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une réalisation de l'invention, l'actionneur motorisé comporte un corps de moteur fixé sur l'un des éléments parmi: la structure d'assise et la structure basse ainsi qu'une tige de guidage ayant une extrémité fixée sur l'autre des éléments parmi: la structure d'assise et la structure basse.
Selon une réalisation de l'invention, ledit siège comporte une glissière apte à assurer un guidage d'une partie avant de la structure d'assise.
Selon une réalisation de l'invention, la glissière comporte un rail fixé sur la structure d'assise apte à coulisser suivant un guide monté rotatif par rapport à une extrémité avant de l'élément de guidage.
Selon une réalisation de l'invention, la glissière est configurée de telle façon que la structure d'assise forme un angle non nul par rapport à un plan horizontal lorsque le siège se trouve dans une position de confort.
Selon une réalisation de l'invention, la structure basse comporte deux crosses disposées de part et d'autre de la structure d'assise, l'élément de guidage étant fixé sur une crosse correspondante.
La représente des chronogrammes de tensions utilisées pour mettre en oeuvre la lecture du photosite, et plus particulièrement du photodétecteur PDi du pixel Pi décrit en relation avec la .
La représente plus particulièrement l'évolution temporelle des signaux et tensions suivants : - le signal de sélection de ligne CMD-RSi appliqué aux grilles des transistors RSi de la ligne Li ; - la tension V-NWELLi appliquée à la portion de substrat dans laquelle est formée le photosite du pixel Pi, c'est-à-dire la tension appliquée au substrat de la photodiode PDi et au transistor TGi ; - la tension V-NWELLi-1 appliquée aux caissons des transistors des circuits de lecture de la ligne Li, ces transistors étant disposés dans le caisson NWELLi-1 du pixel Pi-1 ; - le signal de commande CMD_RSTi appliqué aux grilles des transistors RSTi de la ligne Li, le transistor RSTi étant formé dans le caisson NWELLi-1 du pixel Pi-1 ; - le signal de sélection de ligne CMD-TGi appliqué sur la grille des transistors TGi de la ligne Li ; et - une tension S&H correspondant à la tension présente sur la source du transistor SFi, le transistor SFi étant formé dans le caisson NWELLi-1 du pixel Pi-1.
Il est à noter que l'on considère ici que la lecture du photodétecteur PDi-1 du pixel Pi-1 a été réalisée avant un instant initial t0, et qu'à partir de l'instant t0, on commence la lecture du photodétecteur PDi du pixel Pi. De plus, on considère que le photodétecteur PDi du pixel a terminé sa phase d'intégration.
Entre l'instant initial t0 et un instant t1 postérieur à l'instant t0, le photodétecteur PDi et son circuit de commande ne sont pas sollicités. Ainsi : - le signal CMD-RSi est à un premier niveau de tension V1 haut, par exemple, à titre indicatif, à une tension de l'ordre de 2,5 V ; - la tension V-NWELLi est à un deuxième niveau de tension V2 haut inférieur au premier niveau de tension V1 haut, par exemple, à titre indicatif, à une tension de l'ordre de 2 V ; - la tension V-NWELLi-1 est au deuxième niveau de tension V2 haut ; - le signal CMD_RSTi est au premier niveau de tension V1 haut ; - le signal CMD-TGi est au premier niveau de tension V1 haut ; et - la tension S&H est à un niveau de tension V0 défini par un circuit de lecture associé à la colonne Cj des pixels Pi-1 et Pi, par exemple à titre indicatif à une tension de l'ordre de 0 V, ou à la masse.
A l'instant t1, l'utilisation du circuit de commande démarre, et la tension V-NWELLi-1 est augmentée jusqu'au premier niveau de tension V3 haut. Autrement dit, la tension du caisson NWELLi-1, dans lequel les transistors du circuit de lecture du pixel Pi-1 sont formés, est augmentée. Les caissons d'une même ligne sont polarisés par une même tension V-NWELLi-1 comme on le verra en relation avec la . La différence entre les tensions V3 et V2 est comprise entre 0,25 et 1 V.
A un instant t2, postérieur à l'instant t1, la ligne du pixel Pi-1 est sélectionnée. Pour cela le signal de sélection de colonne CMD-RSi est passé au niveau de tension V4 bas, par exemple à titre indicatif à une tension de l'ordre de 0 V.
D'un instant t3, postérieur à l'instant t2, jusqu'à un instant t4, postérieur à l'instant t3, la tension au niveau du noeud de détection SNi est réinitialisée en utilisant le transistor RSTi. Pour cela, le signal de commande CMD-RSTi est passé au niveau de tension V4 bas entre les instants t3 et t4, puis est remis au niveau de tension V1 haut.
D'un instant t5, postérieur à l'instant t4, jusqu'à un instant t6, postérieur à l'instant t5, un premier échantillon de tension au niveau du noeud de détection SNi est lu sur la source du transistor SFi. Ainsi, la tension S&H est à un niveau correspondant à un niveau de référence, ou niveau de réinitialisation.
D'un instant t7, postérieur à l'instant t6, jusqu'à un instant t8, postérieur à l'instant t7, le noeud de détection SNi est couplé à la sortie du photodétecteur PDi pour que les charges accumulées par le photosite du pixel Pi soient transférées au noeud de détection SNi en appliquant un signal de commande sur la grille du transistor TGi, c'est la phase de transfert de charge. Pour cela, le signal de commande CMD-TGi est passé au niveau de tension V4 bas entre les instants t7 et t8, puis est remis au niveau de tension V1 haut.
D'un instant t9, postérieur à l'instant t8, jusqu'à un instant t10, postérieur à l'instant t9, un deuxième échantillon de tension au niveau du noeud de détection SNi est lu sur la source du transistor SFi-1, c'est la phase de lecture. Ainsi, la tension S&H est à un niveau de tension représentatif du rayonnement capté par le photodétecteur PDi pendant la phase de transfert de charges. La comparaison des deux échantillons permet de déterminer la quantité de rayonnement capté par le photodétecteur PDi.
La lecture du photodétecteur PDi est terminée, et à un instant t11, postérieur à l'instant t10, la colonne du pixel Pi est désélectionnée. Ainsi, le signal de sélection de colonne CMD-RSi est passé au premier niveau de tension V1 haut. De plus, à un instant t12, postérieur à l'instant t11, la tension V-NWELLi-1 est diminuée jusqu'au deuxième niveau de tension V2 haut. Le procédé de lecture du photodétecteur du pixel suivant peut démarrer.
Un avantage de ce mode de réalisation est qu'il permet de protéger le photodétecteur PDi d'une augmentation de la tension de polarisation des caissons dans lequel les transistors du circuit de lecture sont formés.
La représente schématiquement et partiellement un capteur d'image 500 du type du capteur d'image comprenant les pixels Pi-1 et Pi décrits en relation avec la , ou le pixel Px décrit en relation avec les figures 2 et 3. La représente, plus particulièrement, un circuit 505 d'application d'une tension aux caissons des pixels du capteur d'image 500 dans lesquels sont formés les transistors des circuits de lecture.
Comme décrit précédemment, le capteur d'image 500 comprend une matrice 501 de pixels 503 agencés en n lignes L1 à Ln, et en m colonnes C1 à Cm.
Comme décrit en relation avec la , pendant la lecture d'un photodétecteur d'un pixel 503, la polarisation du caisson dans lequel sont formés les transistors du circuit de lecture qui lui est associé est modifiée. Pour cela, les caissons des circuits de lecture d'une même ligne sont interconnectés et polarisés par une ligne de polarisation LPi. Pour rappel, le circuit de lecture associé à un photodétecteur d'un pixel 503 est le circuit de lecture compris dans le pixel de la ligne précédente dans la même colonne. Le capteur d'image comprend également des circuits de sélection de lignes et de colonne, non représentés en .
Le circuit 505 est, plus particulièrement, adapté à polariser les caissons de pixels 503 d'une même ligne de pixels pendant la mise en oeuvre d'un procédé de lecture. Le circuit 505 comprend, par exemple, une entrée de commande CMD, et au moins une sortie reliée, de préférence connectée, aux lignes de polarisation de caissons LP1 à LPn. Le circuit 505 de polarisation de caisson comprend, par exemple, un registre à décalage.
la fonction de quantification vérifiant de préférence l’équation suivante :
round une opération arrondi ;
- le nombre prédéfini B de bits est inférieur ou égal à 8 ;
le nombre prédéfini B de bits étant de préférence compris entre 3 et 5 ;
- le réseau de neurones artificiels est configuré pour traiter, notamment pour classifier, des données ;
le réseau de neurones artificiels étant de préférence configuré pour être mis en œuvre par un calculateur électronique connecté à un capteur, pour le traitement d’au moins un objet issu du capteur.
L’invention a également pour objet un procédé de traitement de données, notamment de classification de données, le procédé étant mis en œuvre par un calculateur électronique implémentant un réseau de neurones artificiels, le procédé comprenant :
- une phase d’apprentissage du réseau de neurones artificiels, et
- une phase d’inférence du réseau de neurones artificiels, lors de laquelle des données, reçues en entrée du calculateur électronique, sont traitées, notamment classées, via le réseau de neurones artificiels, préalablement entraîné lors de la phase d’apprentissage,
la phase d’apprentissage est effectuée en mettant en œuvre un procédé d’apprentissage tel que défini ci-dessus.
L’invention a aussi pour objet un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un procédé d’apprentissage tel que défini ci-dessus.
L’invention a également pour objet un calculateur électronique de traitement de données, notamment de classification de données, via la mise en œuvre d’un réseau de neurones artificiels, chaque neurone artificiel d’une couche respective du réseau de neurones étant apte à effectuer une somme pondérée de valeur(s) d’entrée, puis à appliquer une fonction d’activation à la somme pondérée pour délivrer une valeur de sortie, chaque valeur d’entrée étant reçue de la part d’un élément respectif connecté en entrée dudit neurone et multipliée par un poids synaptique associé à la connexion entre ledit neurone et l’élément respectif, l’élément respectif étant une variable d’entrée du réseau de neurones ou un neurone d’une couche précédente du réseau de neurones, le calculateur comprenant :
- un module d’inférence configuré pour inférer le réseau de neurones artificiels préalablement entraîné, pour le traitement, notamment la classification, de données reçues en entrée du calculateur électronique, le réseau de neurones artificiels préalablement entraîné étant issu d’un programme d’ordinateur tel que défini ci-dessus.
Nom INCI Nom commercial Fournisseur Lactic acid L(+)-LACTIC ACID 90% HEAT STABLE PERSONAL CARE GRADE JUNGBUNZLAUER Salicylic acid SALICYLIC ACID USP ALTA LABORATORIES Triethanolamine TRIETANOLAMINA 99 OXITENO Hydroxypropyl guar hydroxypropyltrimonium chloride JAGUAR C 162 SGI RHODIA (SOLVAY) Sodium laureth sulfate GALAXY LES 170-MB GALAXY SURFACTANTS
Exemples d'invention 1 à 4 et exemples comparatifs 1 à 4
Les shampooings selon les exemples d'invention (EI.) 1 à 4 et les exemples comparatifs (EC.) 1 à 4 ont été préparés avec les ingrédients énumérés dans le tableau 2 (les teneurs sont exprimées en pourcentages en poids de matière active par rapport au poids total de chaque shampooing, sauf indication contraire).
Ingrédients EI. 1 EI. 2 EI.3 EI. 4 EC.1 EC. 2 EC. 3 EC. 4 Laureth sulfate de sodium 15 15 15 15 15 15 15 15 Acide lactique 6 6 6 6 - 0,20 7,5 - Acide salicylique 1,5 1,5 1,5 1,5 0,2 - - 3,5 Triéthanolamine 2,2 1,1 - 2,2 - - 2,2 2,2 Chlorure d’hydroxypropyl-hydroxypropyltrimonium de guar 0,35 0,35 0,35 - 0,35 0,35 0,35 0,35 Hydroxyde de sodium 0,38 0,38 1,27 1,27 0,14 0,10 1,52 0,76 eau 74,6 75,7 75,9 74,0 84,3 84,4 74,43 78,19 pH 3,8 3,8 3,8 3,8 4,3 4,5 3,8 3,8
Les shampooings des exemples d'invention (EI.) 1 à 4 sont des compositions selon la présente invention.
Le shampooing de l'exemple comparatif (EC.) 1 ne comprend pas d'acide alpha-hydroxy.
Le shampooing de l'exemple comparatif (EC.) 2 ne comprend pas d’acide bêta-hydroxy.
Le shampooing de l'exemple comparatif (EC.) 3 ne comprend pas d’acide bêta-hydroxy.
Le shampooing de l'exemple comparatif (EC.) 4 ne comprend pas d'acide alpha-hydroxy.
Procédure de préparation Chaque shampooing a été préparé comme suit, en prenant le shampooing de l'exemple d'invention 1 pour illustration :
1) ajouter du chlorure d'hydroxypropyl-hydroxypropyltrimonium de guar dans de l'eau sous agitation pour former une base transparente à température ambiante ;
2) ajouter du laureth sulfate de sodium dans la base transparente sous agitation ;
3) ajouter de l'acide lactique, de l'acide salicylique, de la triéthanolamine et de l'hydroxyde de sodium pour obtenir le shampooing.
Évaluation L'effet conditionnant de chaque shampooing a été évalué comme suit :
I) Traitement des cheveux avec le shampooing testé
Une botte de cheveux endommagés a été sélectionnée. Les cheveux ont été peignés et mouillés sous l'eau courante, le shampooing testé a été appliqué uniformément sur les cheveux endommagés de la racine à la pointe, le shampooing a été appliqué doucement par massage dans les cheveux avec deux doigts de la racine à la pointe (sans faire de nœuds) pour faire mousser le shampooing. Le shampooing a été éliminé par rinçage à l'eau du robinet jusqu'à ce que toute la mousse soit éliminée.
Ce dispositif optoélectronique comporte donc une couche semiconductrice à base de GeSn, dans laquelle se situe une jonction semiconductrice PIN affleurant la face supérieure. Des contacts métalliques de polarisation reposent sur et au contact d’une région dopée de type n et d’une région dopée de type p. La région intrinsèque est située dans une portion de la couche semiconductrice présentant une contrainte en tension, et où la proportion atomique moyenne d’étain est suffisante pour que, compte tenu de la valeur de la contrainte en tension, la structure de bandes d’énergie y soit directe.
Cependant, il existe un besoin de disposer d’un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant une couche semiconductrice à base de GeSn contrainte en tension et ayant une proportion atomique d’étain suffisante pour que la structure de bandes y soit directe, pouvant être fabriqué sans avoir recours au procédé de mise en tension par réalisation d’une membrane suspendue suivie de son effondrement, ni à des techniques d’ingénierie de la contrainte mécanique par réalisation d’un empilement de couches minces.
L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant une couche semiconductrice à base de GeSn contrainte en tension et ayant une proportion atomique d’étain suffisante pour que la structure de bandes y soit directe, qui présente de bonnes performances, et qui puisse être réalisé sans avoir recours aux procédés cités précédemment, en particulier au procédé décrit dans la demande internationale WO2018/037189A1.
Pour cela, l’objet de l’invention est un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant : une couche de nucléation ; une couche semiconductrice cristalline à base de GeSn ; et des contacts métalliques de polarisation, situés sur et au contact de régions dopées. La couche semiconductrice s’étend suivant un plan principal, présente une face supérieure opposée à la couche de nucléation, et comporte : une portion de base, s’étendant sur et au contact de la couche de nucléation ; une portion supérieure, s’étendant sur la portion de base, monocristalline, et contrainte en tension d’une valeur moyenne ε ps dans le plan principal, formée d’un milieu homogène, présentant une valeur homogène x ps1 de proportion atomique d’étain, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension et la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain étant telles que la portion supérieure présente une structure de bandes interdites directe ; une jonction semiconductrice PIN, comportant une région dopée de type n, et une région dopée de type p, affleurant la face supérieure, et une région intrinsèque, située dans la portion supérieure, et s’étendant entre les régions dopées.
Selon l’invention, la portion supérieure monocristalline comporte, outre le milieu homogène, des structures verticales s’étendant dans le milieu homogène suivant un axe orthogonal au plan principal sur toute l’épaisseur de la portion supérieure, et présentant une valeur moyenne x ps2 de proportion atomique d’étain supérieure à x ps1 , formant ainsi des zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge.
De plus, la couche semiconductrice comporte en outre une portion intermédiaire, située entre et au contact de la portion de base et la portion supérieure suivant un axe orthogonal au plan principal, monocristalline, et comportant une zone s’étendant dans le plan principal sur toute sa largeur et présentant une valeur moyenne x pi1 de proportion atomique d’étain inférieure à x ps1 , formant ainsi une zone barrière vis-à-vis de porteurs de charge circulant dans la portion supérieure.
Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce dispositif optoélectronique sont les suivants.
La portion de base peut présenter une valeur moyenne x pb supérieure à la valeur moyenne x pi1 de la proportion atomique d’étain dans la portion intermédiaire et inférieure à la valeur moyenne x ps2 de la proportion atomique d’étain dans les structures verticales.
La valeur moyenne x pb de la proportion atomique d’étain dans la portion de base peut être comprise entre 4% et 10%.
La portion de base peut s’étendre jusqu’à une surface de la face supérieure (10a), et entourer la portion intermédiaire et la portion supérieure dans le plan principal, au moins l’une des régions dopées étant situées dans la portion de base.
La portion intermédiaire peut recouvrir entièrement la portion de base, les régions dopées étant situées dans la portion supérieure.
La couche semiconductrice peut être formée, à partir de la couche de nucléation, d’une zone inférieure et d’une zone supérieure monocristalline, la portion supérieure étant située dans la zone supérieure.
La couche de nucléation peut être réalisée en germanium, et peut reposer sur un substrat support de préférence à base de silicium.
Le dispositif optoélectronique peut être une diode laser ou une diode électroluminescente adaptée à générer le rayonnement infrarouge, ou une photodiode adaptée à détecter le rayonnement infrarouge.
Le dispositif optoélectronique peut former une diode laser, et comporter un guide d’onde dit inférieur réalisé dans la couche de nucléation à base de germanium, un guide d’onde dit actif couplé au guide d’onde inférieur, comportant le milieu à gain et réalisé dans la couche semiconductrice, et au moins un réflecteur de Bragg situé dans le guide d’onde inférieur ou dans le guide d’onde actif.
L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation de la couche semiconductrice présentant une valeur initiale homogène de la proportion atomique d’étain, égale à la valeur moyenne x pb de la portion de base, par épitaxie à partir de la couche de nucléation ; réalisation des régions dopées dans la couche semiconductrice, espacées l’une de l’autre par la région intrinsèque ; réalisation de la portion intermédiaire et de la portion supérieure, par recuit par laser nanoseconde, en appliquant une impulsion laser sur au moins une surface de la face supérieure où affleure la région intrinsèque, présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie et une durée prédéfinies de manière à faire fondre entièrement une partie du composé de la couche semiconductrice sur une profondeur prédéfinie de celle-ci, de préférence au moins égale à 150nm.
Parmi les perfluorocycloalcanes et les perfluoro(alkylcycloalcanes), on peut citer la perfluorodécaline vendue sous la dénomination de FLUTEC PP5 GMP par la Société RHODIA, la perfluoro(méthyldécaline), les perfluoro(C 3 -C 5 )alkyl-cyclohexanes) tels que le perfluoro(butylcyclohexane).
Parmi les perfluoroarènes, on peut citer les dérivés perfluorés du naphtalène comme le perfluoronaphtalène et le perfluorométhyl-1-napthtalène.
A titre d’exemple de références commerciales de pigments traités avec un composé fluoré, on peut citer : - l’oxyde de fer jaune/phosphate de perfluoroalkyle vendu sous la référence PF 5 Yellow 601® par la société Daito Kasei ; - l’oxyde de fer rouge/phosphate de perfluoroalkyle vendu sous la référence PF 5 Red R 516L® par la société Daito Kasei ; -l’oxyde de fer noir/phosphate de perfluoroalkyle vendu sous la référence PF 5 Black BL 100® par la société Daito Kasei ; - le dioxyde de titane/phosphate de perfluoroalkyle vendu sous la référence PF 5 TiO2 CR 50® par la société Daito Kasei ; -l’oxyde de fer jaune/perfluoropolymethylisopropylether vendu sous la référence Iron Oxyde Yellow BF-25-3® par la société Toshiki ; - le DC Red 7/perfluoropolymethylisopropylether vendu sous la référence D&C Red 7 FHC® par la société Cardre Inc. ; et - le DC Red 6/PTFE vendu sous la référence T 9506® par la société Warner-Jenkinson.
Le composé fluoro-siliconé peut être choisi parmi les perfluoroalkyl diméthicones, les perfluoroalkyl silanes et les perfluoroalkyltrialcoxysilanes. On peut citer comme perfluoroalkyl silanes, les produits LP-IT® et LP-4T® commercialisés par Shin-Etsu Silicone. Les perfluoroalkyl diméthicones peuvent être représentés par la formule suivante : [Chem 12] dans lequel : - R représente un groupement divalent alkyle linéaire ou ramifié, ayant 1 à 6 atomes de carbone, de préférence un groupement divalent méthyle, éthyle, propyle ou butyle ; - Rf représente un radical perfluoroalkyle, ayant 1 à 9 atomes de carbone, de préférence 1 à 4 atomes de carbone ; -m est choisi entre 0 à 150, de préférence entre 20 à 100 ; et -n est choisi entre 1 à 300, de préférence entre 1 à 100.
la est une vue de l’image correspondant à cette détection avec la représentation des lignes du capteur ;
la est un schéma temporel, analogue à celui de la , illustrant une autre détection d’une impulsion laser ;
la est une vue de l’image correspondant à cette autre détection avec la représentation des lignes du capteur ;
la est une représentation temporelle de la succession des trames images et des instants de détection des impulsions laser ;
la est une illustration de la manière dont est détectée la zone d’impact des impulsions dans la scène ;
la est un logigramme d’un dispositif de visualisation selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé et un dispositif pour la visualisation d’une scène et la visualisation d’impacts d’impulsions laser émises par un désignateur laser sur une cible présente dans la scène. Les caractéristiques principales des impulsions émises par le désignateur laser sont :
la longueur d’onde d’émission (typiquement 1064 nm), l’énergie émise par impulsion (typiquement quelques dizaines à quelques centaines de millijoules), la durée d’une impulsion (typiquement quelques dizaines de nanosecondes), la période de répétition des impulsions ou PRI (typiquement de 50 à 120 ms).
Dans le mode de réalisation décrit, les données qui précèdent sont connues par l’utilisateur du dispositif : l’utilisateur est par exemple face à une scène dans laquelle se trouvent plusieurs cibles sur chacune desquelles est dirigé un désignateur laser projetant des impulsions lasers formant une tache laser et l’utilisateur met en œuvre le dispositif et le procédé de l’invention pour visualiser la tache laser mais aussi déterminer la période de répétition des impulsions aux fins de s’assurer que la tache laser visualisée correspond bien à celle que l’utilisateur recherche. On notera que l’invention trouve son intérêt même pour un utilisateur se trouvant en présence d’une seule cible illuminée par un seul désignateur. Le dispositif de l’invention peut ainsi être utilisé à la fois par l’opérateur du désignateur laser, un observateur distinct, mais aussi dans une munition guidée par ladite tache laser.
En référence à la , le dispositif de l’invention comprend :