Cellule photovoltaïque (101, 102) comportant au moins une jonction semiconductrice (4) de conversion photo-électrique recouverte sur au moins une de ses faces par au moins une couche transparente conductrice (1, 5) d’extraction de charges électriques de la jonction, caractérisée en ce que ladite couche transparente conductrice comporte une alternance de bandes de résistivité supérieure à un premier seuil, dites bandes de résistivité supérieure (11, 11, 53) , et de bandes de résistivité inférieure à un deuxième seuil, dites bandes de résistivité inférieure (2, 3, 7) adaptées pour faciliter un transports desdites charges électriques. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, pour laquelle ledit deuxième seuil est inférieur ou égal audit premier seuil. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1 ou 2, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure sont constituées par un accroissement localisé (1’) d’une épaisseur d’un matériau transparent conducteur de ladite couche transparente conductrice par rapport à l’épaisseur des bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon la revendication 3, pour laquelle l’épaisseur desdites bandes de résistivité inférieure (2) ont une épaisseur de 2 à 10 fois l’épaisseur desdites bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon la revendication 3 ou 4, pour laquelle les bandes de résistivité inférieure sont constituées par une couche secondaire du matériau transparent conducteur, d’une seconde épaisseur formant ledit accroissement localisé (1’), déposées sur une couche primaire (1) du matériau transparent conducteur pour former avec ladite couche primaire sous ledit accroissement localisé lesdites bandes de résistivité inférieure (2). Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle ladite couche transparente conductrice est une couche d’oxyde transparent conducteur. Cellule photovoltaïque selon la revendication 6, pour laquelle ledit oxyde transparent conducteur est un oxyde d’indium dopé étain (ITO), un oxyde d’indium dopé zinc (IZO) ou un oxyde d’aluminium dopé zinc (AZO). Cellule photovoltaïque selon la revendication 7, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure (3) comportent un surdopage localisé (31) de ladite couche d’oxyde transparent conducteur (1) avec un dopant conducteur par rapport aux bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure (2, 3) occupent une surface de 5 à 20% de la surface totale de ladite couche transparente conductrice. Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure sont orientées dans une direction de transport du courant de ladite cellule vers une cellule adjacente. Procédé de réalisation d’un module photovoltaïque à une ou plusieurs cellules selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte : le dépôt d’une première couche primaire (1) de matériau transparent conducteur sur un substrat (6) tel qu’une lame de verre par pulvérisation cathodique et, soit le dépôt d’une première couche secondaire d’oxyde transparent conducteur sur ladite première couche primaire au moyen d’un masque (70) de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue, soit un surdopage localisé de bandes de ladite première couche primaire avec un dopant conducteur par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque (71) pendant une croissance épitaxiale de ladite première couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser une première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure, une gravure de ladite première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure pour former des premières électrodes de liaison entre lesdites cellules ; un dépôt d’une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque sur lesdites premières électrodes de liaison ; une gravure de ladite une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque pour former les jonctions desdites cellules sur lesdites premières électrodes ; le dépôt d’au moins une deuxième couche primaire transparente conductrice ou d’une couche en matériau conducteur opaque sur lesdites jonctions et une gravure de ladite deuxième couche pour réaliser des deuxièmes électrodes de liaison entre cellules. Procédé selon la revendication 11, comportant, avant la gravure de ladite deuxième couche primaire, soit le dépôt d’une deuxième couche secondaire transparente conductrice sur ladite deuxième couche primaire au moyen d’un masque de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue soit un surdopage localisé de bandes de la deuxième couche primaire par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque pendant une croissance épitaxiale de ladite deuxième couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser des bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure. Procédé de réalisation d’une cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comportant: la fabrication d’une première jonction photovoltaïque (60) sans électrodes supérieure et inférieure ; un dépôt par pulvérisation cathodique d’au moins une couche transparente conductrice supérieure (61) sur une face supérieure de ladite cellule et d’au moins une couche transparente conductrice inférieure (62) sur une face inférieure de ladite cellule ; un dépôt localisé de premières bandes parallèles transparentes conductrices (63, 64) d’épaisseur accrue, sur une face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice inférieure et couche transparente conductrice supérieure par pulvérisation cathodique, en utilisant un masque (72); Procédé selon la revendication 13 comportant un dépôt d’une grille métallique (65, 66) par pulvérisation cathodique au travers d’un masque (73), perpendiculairement auxdites bandes parallèles transparentes conductrices sur au moins ladite face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice supérieure (61) et couche transparente conductrice inférieure (62). Procédé selon la revendication 13 ou 14 pour la réalisation d’une cellule photovoltaïque tandem comportant : un dépôt d’une deuxième jonction photovoltaïque (67) sur une face avant formée par la première couche transparente conductrice (61) ; un dépôt d’une troisième couche transparente conductrice (68) par pulvérisation cathodique sur une face libre de ladite deuxième jonction photovoltaïque; un dépôt localisé de deuxièmes bandes parallèles transparentes conductrices (69) d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. un dépôt d’une deuxième grille métallique (70) par pulvérisation cathodique, perpendiculaire aux bandes transparentes conductrices d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 15 pour lequel les couches transparentes conductrices sont des couches d’oxyde transparent conducteur.