INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, quelle que soit la forme de réalisation du support 40, ce dernier délimite une face d’appui 41. A l’état monté de l’arbre 30 sur le support 40, cette face d’appui 41 est agencée transversalement à l’axe X30 et la partie longitudinale terminale 30.1 de l’arbre 30 émerge axialement de cette face d’appui 41, comme bien visible sur les figures 1 à 3. Ainsi, la surface hélicoïdale 31 s’étend depuis la face d’appui 41, en étant agencée en saillie de cette dernière, ce qui fait que l’instrument 20 peut être qualifié d’élément mâle.
La face d’appui 41 est complémentaire de la face d’appui 12 de l’implant 10. Dès lors, lorsque les surfaces hélicoïdales 31 et 13 s’engrènent l’une avec l’autre de manière que leur déplacement axial, induit par leur engrènement, rapproche axialement l’un de l’autre l’implant 10 et l’instrument 20, les faces d’appui 41 et 12 se rapprochent axialement l’une de l’autre jusqu’à coopérer l’une avec l’autre par complémentarité de formes : le rapprochement axial précité entre les faces d’appui 41 et 12 aboutit à ce que ces faces d’appui 41 et 12 se retrouvent juxtaposées l’une contre l’autre comme sur la , puis sont pressées axialement l’une contre l’autre, comme sur la , en étant alors appuyées fermement l’une contre l’autre, ce qui induit notamment un effet de solidarisation rigide entre le support 40 et l’implant 10, par contact frottant entre les faces d’appui 41 et 12, et ce qui tend à supprimer tout jeu résiduel entre ces faces d’appui.
Suivant une disposition avantageuse, le support 40 comporte également un ou plusieurs reliefs en saillie 42, ici au nombre de deux. Ces reliefs en saillie 42 sont complémentaires des reliefs en creux 15 de l’implant 10 de sorte que, lorsque les surfaces hélicoïdales 31 et 13 s’engrènent l’une avec l’autre de manière à rapprocher l’une de l’autre les faces d’appui 41 et 12, les reliefs en saillie 42 coopèrent par complémentarité de formes avec les reliefs en creux 15 de sorte à bloquer en rotation autour de l’axe X30 le support 40 et l’implant 10 l’un par rapport à l’autre. Cette coopération par complémentarité de formes, entre les reliefs en saillie 42 et les reliefs en creux 15 consiste, ici, à ce que les reliefs en saillie 42 soient axialement reçus à l’intérieur des reliefs en creux 15 de manière ajustée entre eux, comme illustré schématiquement sur les figures 4 et 5. On comprend que les spécificités géométriques des reliefs en saillie 42 et des reliefs en creux 15 ne sont pas limitatives du moment que ces reliefs en saillie 42 et ces reliefs en creux 15 sont façonnés pour coopérer par complémentarité de formes aux fins du blocage en rotation autour de l’axe X30 du support 40 et de l’implant 10 l’un par rapport à l’autre. Suivant une forme de réalisation pratique, qui est mise en œuvre dans l’exemple illustré aux figures, les reliefs en saillie 42 s’étendent depuis la face d’appui 41.
L’instrument 20 comporte en outre un mécanisme 50 permettant de commander la connexion réversible entre l’implant 10 et l’instrument 20. Le mécanisme 50 est conçu pour agir sur la liaison hélicoïdale entre l’implant 10 et l’instrument 20, formée par les surfaces hélicoïdales 13 et 31, comme expliqué ci-après.
Dans le mode de réalisation envisagé sur les figures, le mécanisme 50 comporte une bague d’actionnement 60 et un tiroir d’entraînement 70.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication du fil électrode ci-dessus, dans lequel ce procédé comporte la réalisation, sur une âme métallique, d'une couche d'alliage cuivre-zinc en phase gamma qui, à une température ambiante de 25°C: - est située à moins de 1 µm de la face extérieure du fil électrode, et - dans laquelle la concentration en zinc est supérieure à un seuil S 16 , ce seuil S 16 étant supérieur ou égal à 65,4 % atomiques.
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la est une illustration schématique de la section transversale d’un fil électrode, - la est un organigramme d’un procédé de fabrication du fil électrode de la , et - la est une photo, en noir et blanc, d'une portion d'une section transversale du fil fabriqué selon le procédé de la avant l'étape de tréfilage, et - la est une image d'une portion d'une section transversale du fil électrode fabriqué selon le procédé de la après l'étape de tréfilage.
Une "phase" de l’alliage cuivre-zinc désigne une phase solide de l'alliage cuivre-zinc qui présente une structure cristallographique particulière. Plus précisément, les phases du système cuivre-zinc se distinguent les unes des autres par leur composition et par leur structure cristallographique particulière. Cette structure cristallographique particulière permet de distinguer une phase de l'alliage cuivre-zinc vis-à-vis d’un simple mélange de grains fins en cuivre et en zinc, lequel mélange aurait la même composition globale. Typiquement, des phases connues de l'alliage cuivre-zinc sont la phase alpha, la phase bêta, la phase gamma, la phase delta, la phase epsilon et la phase êta. La structure cristallographique particulière d'une phase est identifiable par différents moyens. Par exemple, les microphotographies optiques ou métallographie d’échantillons polis montrent des nuances de couleurs différentes pour chaque phase, pour peu que l’échantillon ait été attaqué convenablement. Ainsi, pour distinguer la phase gamma de la phase epsilon, une attaque au « Nital », qui est une solution de 3% d’acide nitrique dilué dans de l’éthanol, est réalisée. La phase gamma apparaît alors en gris lorsqu'elle est pauvre en zinc et en grisé avec des nuances de marron lorsqu'elle est riche en zinc. La phase epsilon apparaît en marron plus foncé. Il est aussi possible de distinguer la phase gamma de la phase epsilon, en observant l’échantillon sous un microscope électronique à balayage, en utilisant un détecteur d’électrons rétrodiffusés. Il est aussi possible d'identifier la phase d'un échantillon par diffraction de rayons X. Dans ce dernier cas, l'échantillon de fil est placé sous un faisceau incident de rayons X de longueur d’onde précise. On utilise par exemple la raie Kα du cuivre, de longueur d’onde moyenne 0,1541 nm. L’intensité des rayons diffractés est évaluée pour chaque angle de diffraction. La phase gamma a un spectre de diffraction X connu, et différent de celui des autres phases du système cuivre-zinc, et de l’oxyde de zinc ZnO qui se trouve souvent à la surface des fils. Si l’alliage cuivre-zinc n’est pas cristallisé sous la forme d’au moins une des phases alpha, bêta, gamma, delta, epsilon, ou êta, il est amorphe, et le spectre de diffraction des rayons X montre alors des bosses aplaties plutôt que de pics saillants.
A une température donnée, les différentes phases de l'alliage cuivre-zinc correspondent chacune à une plage spécifique de concentration en zinc. L'étendue de chacune de ces plages spécifiques de concentration en zinc varie en fonction de la température. La concentration en zinc d'une phase d'un échantillon peut être obtenue par microanalyse de composition. Une microanalyse de composition est réalisée, avec un microscope électronique à balayage équipé d'une sonde de spectrométrie. Un faisceau d'électrons, accéléré par exemple dans un champ électrique de 20 kV, impacte la surface de l'échantillon et provoque une émission de rayon X. Ces rayons X ont un spectre d'énergie caractéristique de la composition de la surface de l'échantillon qui a été impactée par le faisceau d'électrons. Avec une sonde d’analyse spectrométrique par dispersion d’énergie (EDS) ou par sélection de longueur d’onde (WDS), le spectre des rayons X émis par la surface de l’échantillon est mesuré. Des algorithmes permettent de sélectionner les éléments analysés (donc d’éliminer l’effet des impuretés), et de calculer la composition de l’échantillon impacté par le faisceau d’électrons, à partir des spectres mesurés. Il faut noter qu’en raison des interactions entre les rayons X et la matière, le volume analysé par EDS (ou WDS) est généralement d’environ un micromètre cube. A la frontière entre deux phases, une concentration moyenne, qui n’existe en réalité dans aucune des deux phases, peut être mesurée. Les concentrations indiquées ici concernent des phases pures dans leur volume d’analyse. Les zones dans lesquelles une concentration est mesurée sont plus grandes que des cubes d’un micromètre de côté.
L'expression "la concentration en zinc à l'intérieur d'une zone en alliage cuivre-zinc est supérieure à X % atomiques" signifie que la concentration moyenne en zinc à l'intérieur de cette zone est supérieure à X % atomiques. Une concentration moyenne est par exemple obtenue en mesurant la concentration en zinc à différents endroits à l'intérieur de cette zone puis en moyennant ces mesures de concentration. Les endroits où les mesures sont réalisées sont situés à la fois aux endroits où la concentration a des chances d’être la plus faible, aux endroits où la concentration a des chances d’être proche de la moyenne, et aux endroits où la concentration a des chances d’être maximale. Pour cela, typiquement, les endroits où les mesures sont réalisées sont répartis le long d'un axe passant par l'axe du fil électrode.
L’expression « couche du fil électrode » désigne une couche annulaire du fil électrode qui est située, dans chaque coupe transversale du fil électrode, entre une limite circulaire intérieure et une limite circulaire extérieure. En réalité, ces limites ne sont pas nécessairement des cercles parfaits. Toutefois, en première approximation, dans ce texte, ces limites sont assimilées à des cercles. Ces limites circulaires sont toutes les deux centrées sur l’axe longitudinal du fil électrode. La limite circulaire intérieure est la limite de la couche qui est la plus proche de l’axe longitudinal du fil électrode. A l’inverse, la limite circulaire extérieure est la limite de la couche qui est la plus éloignée de l’axe longitudinal du fil électrode. Entre ces limites circulaires intérieure et extérieure, la phase de l'alliage cuivre-zinc est homogène ou formée d'un enchevêtrement non régulier de différentes phases de l'alliage cuivre-zinc. A l’inverse, au niveau des limites circulaires intérieure et extérieure, la composition chimique et/ou la forme cristallographique changent brusquement.
La illustre les interfaces entre les fonctions réseau virtualisées CU, DU et RU.
L’interface F1 entre les fonctions CU et DU, également appelée HLS (en anglais « Higher Layer Split »), est spécifiée en partie par le 3GPP. L’alliance de normalisation O-RAN a notamment défini des scenarii de déploiement dans lesquels l’interface F1 est entièrement interopérable.
L’interface F2 entre les fonctions DU et RU, également appelée LLS (en anglais « Lower Layer Split ») ou « Open FrontHaul », est une interface ouverte (à la différence d’une interface de type CPRI (en anglais « Common Public Radio Interface ») classiquement utilisée entre une station de base et ses antennes). Elle est aussi spécifiée par le 3GGP notamment pour la variante 7.2.
En parallèle, et afin notamment d’améliorer la couverture radio dans certaines zones géographiques, des architectures de réseau 5G basées sur l’utilisation d’équipements non-terrestres pour l’accès radio (en anglais « Non Terrestrial Network »), comme des satellites, des avions ou encore des ballons, ont été proposées.
La illustre un exemple de RAN satellitaire, mettant en œuvre deux satellites SAT1 et SAT2. Chacun de ces satellites génère au moins un faisceau radio, également appelé spot. La zone géographique terrestre couverte par ce faisceau radio correspond à une cellule radio, bénéficiant d’une couverture radio. On peut donc considérer qu’un satellite émule une cellule radio. Une telle cellule radio est appelée RaF par la suite, pour RAN terrestre fixe émulé. En particulier, une telle cellule radio peut être associée à au moins un identifiant de cellule.
Selon cet exemple, un équipement utilisateur UE peut se connecter à un serveur S, par exemple un serveur web, par l’intermédiaire du réseau radio RAN comprenant le satellite SAT1 qui embarque les fonctions RU et DU selon l’architecture illustrée, et une station terrestre GW1 (en anglais « terrestrial gateway ») qui embarque la fonction CU, gérée par exemple par un centre d’opérations du réseau NoC (en anglais « Network Operations Center ») qui regroupe l’opérateur du réseau mobile MNO (en anglais « Mobile Network Operator ») et l’opérateur du réseau satellite SNO (en anglais « Satellite Network Operator »). Les routeurs entre différents réseaux de communication (réseau régional, réseau national par exemple) entre la station terrestre GW1 et le serveur S sont illustrés par un « X ».
Différentes architectures de RAN satellitaire peuvent être mises en œuvre :
« Nothing onboard », i.e. les différentes fonctions sont mises en œuvre par des équipements terrestres : la fonction DU et la fonction RU sont co-localisées dans la station terrestre, et la fonction CU dans un centre de données (« data center ») distant du MNO, la fonction DU et la fonction CU sont co-localisées dans un centre de données distant du MNO, et la fonction RU co-localisée avec la station terrestre, « RU onboard » : i.e. la fonction RU est mise en œuvre par le satellite : la fonction DU et la fonction CU sont distantes, et la fonction RU localisée dans le satellite, la fonction DU est co-localisée avec la station terrestre, la fonction CU est distante, et la fonction RU localisée dans le satellite, « RU+DU onboard », i.e. les fonctions RU et DU sont mises en œuvre par le satellite : les fonctions RU et DU sont localisées dans le satellite, la fonction CU est distante, les fonctions RU et DU sont localisées dans le satellite, la fonction CU est co-localisée avec la station terrestre, « RU+DU+CU onboard » i.e. les fonctions RU, DU et CU sont mises en œuvre par le satellite : les fonctions RU, DU et CU sont localisées dans le satellite, les fonctions RU, DU, CU et UPF (en anglais « User Plane Function ») sont localisées dans le satellite.
Plus généralement, tout ou partie des fonctions virtualisées (RU, DU, CU) du RAN satellitaire peuvent être réparties sur un ou plusieurs satellites d’une constellation et une ou plusieurs stations terrestres. Comparé à un réseau d’accès radio RAN terrestre, le RAN satellitaire implique au moins une connexion radio supplémentaire, par exemple de type e-CPRI, afin de relier le satellite à la station terrestre puis au cœur de réseau mobile, voire plus lorsque les fonctions virtualisées sont réparties sur plusieurs satellites, avec l’usage de liens ISL (pour « Inter Satellite Link », en anglais) entre satellites.
Quelle que soit la configuration choisie, la distance entre ces fonctions virtualisées (et par conséquence la latence) doit être minimisée pour tenir les délais établis pour la 5G. Notamment, la latence entre la fonction RU et la fonction DU doit être inférieure à une milliseconde. Autrement dit, lorsque la fonction DU est elle aussi localisée dans l’espace (comme la fonction RU), le système est moins sensible à la latence entre le satellite et la station terrestre au moins en ce qui concerne le traitement radio mobile.
De même, la fonction CU peut aussi être placée dans la constellation de satellites, dans la station terrestre ou même dans un équipement d’un centre de données (pour « data center », en anglais) distant.
On note par ailleurs que la capacité d’un satellite à émuler une cellule 5G terrestre est limitée. En effet, du fait de la distance entre le satellite et l’équipement utilisateur (par exemple 500 km pour un RAN satellitaire au lieu de 5km pour un RAN terrestre) et/ou de l’angle du faisceau radio émulant la cellule radio, la taille de la cellule émulée est très grande (par exemple 50km de diamètre pour une cellule radio RaF émulée par un RAN satellitaire au lieu de 5km de diamètre pour une cellule terrestre associée à une antenne terrestre).
Or certaines applications, par exemple les applications Web commerciales, nécessitent de télécharger et traiter un volume important de données à l’initialisation de la connexion entre l’équipement utilisateur et le serveur de données. De la même façon, l’échange de certificats (par exemple lors des « handshake » des protocoles TLS ou QUIC) nécessite un débit important lors de l’initialisation de la connexion.
Il existe donc un besoin pour fournir un débit minimum aux équipements utilisateurs en début de connexion, notamment lorsqu’ils sont présents dans une cellule émulée par un RAN satellitaire, ou plus généralement émulée par un équipement intermédiaire mobile (i.e. distinct d’une station fixe terrestre) entre l’équipement utilisateur et un serveur de données.
L’invention propose une solution ne présentant pas l’ensemble des inconvénients de l’art antérieur, sous la forme d’un procédé de gestion des communications dans un réseau de communication mettant en œuvre au moins un équipement intermédiaire mobile générant au moins un faisceau radio couvrant une zone géographique terrestre, dite cellule radio.
On connaît par ailleurs des techniques de réalisation d'interconnexions entre des lignes de matériaux métalliques classiques (en matériaux non supra-conducteurs).
Un 1 er exemple d'une telle technique, de type « damascène », est illustré sur les figures 1A- 1E, pour des lignes en cuivre.
Cette technique comporte : -la réalisation, sur un substrat 2 par exemple en matériau diélectrique tel que du SiO 2 , et pouvant comporter par exemple des plots 4, d'un niveau inférieur de pistes métalliques 6, 6’ séparées par des zones 8 en matériau diélectrique ( ) ; - le dépôt, sur l'ensemble précédemment obtenu, d'une couche d'arrêt de gravure 10 (p.ex. en SiCN/SiN), puis d’une couche diélectrique 12, dont l'épaisseur est égale à celle d'une ligne supérieure (à former) de pistes métalliques et d'un via (à former également) qui relie une de ces lignes supérieures et une des pistes 6, 6’ ; éventuellement une couche d'oxyde SiO 2 14 est déposée sur la couche diélectrique 12 et enfin une couche 16 de masque dur en TiN est déposée ( ); - la réalisation d'une étape de lithographie dans la couche 16 ( ), suivie de la gravure, dans la couche 12, des lignes du niveau métallique supérieur puis des vias (figure 1D) ; - le dépôt d'une couche 18, 18’ de barrière (en Ta ou TaN) d’anti diffusion du cuivre sur les surfaces libres des zones gravées, puis le remplissage de ces zones gravées par dépôt du cuivre pour former les pistes métalliques 20, 20’ et les vias 22, 22’ proprement dits; l'ensemble peut être planarisé par polissage mécanochimique (technique dite « CMP ») (figure 1E).
Le problème de cette technique est que la présence de la couche 18, 18’ dans les zones de contact entre vias 22, 22’ et pistes 6, 6’ du niveau inférieur, augmente la résistivité ainsi que la constante de temps RC du système. Le contact du via avec les lignes inférieures 6, 6’ n'est donc pas bon.
Par ailleurs, si le matériau diélectrique 12 est de type « low k », les propriétés de ce matériau peuvent être modifiées lors des étapes de gravure ; en particulier, il peut y avoir transformation d'une partie de ce matériau en SiO 2 , donc augmentation du coefficient k, ce qui entraîne une augmentation de la constante de temps RC du système final.
Un 2 ème exemple d'une technique connue est illustré sur les figures 2A- 2C.
Cette technique comporte : -la réalisation, sur un substrat 2 par exemple en matériau diélectrique tel que du SiO 2 , et pouvant comporter par exemple des plots 4, d'une 1 ère couche métallique 30 dans laquelle une ou des lignes métalliques 32 sont gravées, et de part et d'autre desquelles un matériau diélectrique 34 est déposé ( ); -la réalisation, sur l'ensemble précédemment obtenu, d'une 2 ème couche métallique 36 ( ) dans laquelle un ou des vias 38 sont réalisés (figure 2D); -la réalisation, sur l'ensemble précédemment obtenu, d'une 3 ème couche métallique 40 ( ) dans laquelle une ou des lignes métalliques 42 sont gravées, et de part et d'autre desquelles un matériau diélectrique 44 est déposé (figure 2F).
Cette deuxième technique comporte un nombre plus important d'étapes que la première technique présentée ci-dessus, et un nombre plus important d’étapes de polissage, ce qui entraîne une dispersion des épaisseurs des différentes couches.
Il se pose donc le problème de trouver un nouveau procédé permettant la réalisation de lignes en matériau supraconducteur, ces lignes étant situées à différents niveaux d’un empilement formant un circuit et étant reliée entre elles par des vias en même matériau supraconducteur que les lignes.
L’invention a d’abord pour objet un procédé de réalisation de lignes en matériau supraconducteur et de via(s) reliant ces lignes.
Selon un premier aspect de l’invention, un tel procédé comporte : a) la formation, sur un premier substrat, d’une première couche supraconductrice en au moins un matériau supraconducteur, d'une épaisseur au moins égale à l'épaisseur d'une première ligne et d'un premier via; b) la gravure de ladite couche supraconductrice pour former d’abord au moins un premier via; cette étape est par exemple réalisée par gravure partielle de ladite couche supraconductrice, laissant intacte une partie de celle-ci ; c) puis la gravure de ladite couche pour former au moins une première ligne entre ledit premier substrat et ledit premier via ; cette étape est par exemple réalisée par lithographie avec gravure totale des parties exposées de ladite couche supraconductrice jusqu’au substrat ;d) la formation d’au moins une deuxième ligne au-dessus dudit premier via et en contact avec celui-ci.
Le via vertical est donc en contact avec deux lignes situées à deux niveaux différents.
Le premier substrat (S) peut comporter au moins une partie d’un circuit, par exemple au moins un plot de contact, avec laquelle la première ligne peut être en contact.
Le matériau supra-conducteur peut être choisi parmi le V 3 Si, le CoSi 2 , le Nb 3 Ge, le TiN, le NbN, le Al, le TaN. Il peut être déposé par exemple par PVD ou CVD.
La première couche supraconductrice peut comporter une première sous-couche en un premier matériau supraconducteur, dans laquelle ladite première ligne est réalisée et une deuxième sous-couche en un deuxième matériau supraconducteur, dans laquelle ledit via est réalisé. La gravure de la deuxième sous-couche supraconductrice pour former le via est de préférence arrêtée sur la surface supérieure de la première sous-couche.
L’étape d) de formation d’au moins une deuxième ligne peut comporter la formation préalable d’au moins un deuxième via, puis de la deuxième ligne.
La représente les étapes nécessaires à la définition du profil 12 du mandrin, à partir de la projection 10 d’une pièce axisymétrique, dans un plan Δ comprenant l’axe de rotation R.
La projection 10 de la pièce comprend un point de rebroussement 101.
Pour obtenir le profil 12 du mandrin, une première étape est l’obtention du profil intermédiaire 11 en réalisant au point de rebroussement 101 une symétrie de la partie de la projection 10 au-delà du point de rebroussement 101 par rapport à la perpendiculaire à l’axe de révolution R passant par le point de rebroussement 101.
Le profil 10’ illustre la trace initiale du profil 10, et permet d’identifier la partie au-delà du point de rebroussement 101 ayant subi une symétrie.
Le profil intermédiaire 11, rappelé par la trace 11’ subit ensuite une réduction proportionnelle, ici d’un facteur 2, de toutes les distances dans la direction perpendiculaire à l’axe de rotation R, et l’on obtient ainsi le profil final 12 du mandrin nécessaire pour obtenir la préforme fibreuse d’une pièce dont la projection est la courbe initiale 10.
La illustre l’obtention du profil 22 d’un mandrin nécessaire pour tisser la préforme d’une pièce dont la projection 20 présente deux points de rebroussement 201 et 202.
Dans le cas de la , le profil intermédiaire 21 correspond à une forme étagée qui diffère de la trace 20’ de la projection initiale 20. Cette dernière subit deux symétries assurant l’obtention d’un profil ne présentant plus de point de rebroussement.
Le profil final du mandrin 22 correspond au profil intermédiaire 21, rappelé par la trace 21’ ayant subi une réduction proportionnelle, ici d’un facteur 2, de toutes les distances perpendiculaires à l’axe de révolution R.