INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, la bague intermédiaire 28 comporte des arêtes 42 dépouillées et arrondies selon un profil étudié pour limiter les surpressions de bords . Les arêtes 42 présentent par exemple, la forme d’un profil logarithmique ou d’un profil en clothoïde. De préférence également, la bague intermédiaire 28 comporte au moins une gorge 44 formée sur au moins une face parmi la face circulaire extérieure 34 et la face circulaire intérieure 36. Dans le mode de réalisation représenté sur la , deux gorges 44 sont formées sur la face circulaire extérieure 34 et deux gorges 44 sont formées sur la face circulaire intérieure 36. Ces gorges s’étendent dans un plan perpendiculaire à la direction axiale A. En particulier, une gorge est disposée dans la partie supérieure et une autre gorge est aménagée dans la partie inférieure de chaque face circulaire 34, 36 de la bague intermédiaire. Ces gorges permettent d’éviter le coincement de la bague intermédiaire contre la bague interne 26 ou contre la bague externe 24.
Avantageusement, les gorges 44 renferment un matériau ayant une raideur inférieure au matériau utilisé pour la fabrication de la bague intermédiaire. Par exemple, les gorges 44 contiennent du polytétrafluoroéthylène. Ce matériau permet également d’éviter les coincements de la bague intermédiaire contre la bague interne 26 ou contre la bague externe 24. En variante, selon un mode de réalisation non représenté, les gorges 44 comportent des lames ressorts.
En référence à la , l’ensemble pour roulement 2 comporte en outre un support 48 portant la bague intermédiaire 28 et un élément élastique 50 fixé entre le support et la bague intermédiaire. L’élément élastique est configuré pour maintenir la bague intermédiaire à une position définie selon la direction axiale A de manière que la bague intermédiaire soit disposée à distance de la bague interne 26 et de la bague externe 24. Ainsi, un jeu 46 est aménagé entre, d’une part, la bague intermédiaire 28 et la bague interne 26, et d’autre part, la bague intermédiaire 28 et la bague externe 24.
Le support 48 est fixé à l’arbre ou au moyeu. Le support 48 est par exemple constitué par un écrou muni d’une collerette 52 s’étendant en porte à faux entre l’arbre et le moyeu.
Avantageusement, dans le mode de réalisation représenté, l’écrou interne 22 est muni de la collerette. L’écrou interne 22 porte ainsi chaque segment de bague 38. L’écrou interne 22 assure à la fois la fixation de la bague interne et de la bague de roulement interne, et la fonction de support pour la collerette.
En variante, la collerette 52 est solidaire de l’écrou externe 21. Selon une autre variante, un élément différent de l’écrou interne ou de l’écrou externe assure la fonction de fixation de la collerette à l’arbre ou au moyeu.
L’élément élastique 50 est par exemple constitué par un ressort.
En fonctionnement, lorsqu’une charge inférieure à une charge seuil est appliquée à l’ensemble 2, la bague intermédiaire 28 est disposée entre et à distance de la bague interne 26 et de la bague externe 24. Il existe alors un jeu 46 entre la bague intermédiaire et la bague interne, et un jeu 46 entre la bague intermédiaire et la bague interne, comme représenté sur la . Lorsque la charge appliquée à l’ensemble 2 augmente, les éléments roulants 14 ou les bagues de roulement interne et externe se déforment dans leur domaine de déformation élastique pour supporter la charge qui est appliquée à l’ensemble. Si la charge appliquée est supérieure à la charge seuil, la bague intermédiaire 28 vient au contact d’au moins une partie de la bague interne 26 et/ou de la bague externe 24. Le dispositif de protection 20 supporte alors la charge appliquée à l’ensemble 2. Comme la bague externe 24, la bague interne 26 et la bague intermédiaire 28 sont réalisées dans un matériau ayant une raideur supérieure à la raideur de la bague externe 10, la bague interne 12 et des éléments roulants 14, ils supportent mieux la surcharge qui leur est appliquée ponctuellement.
Un dispositif électronique 2 peut être un objet connecté (ou objet communicant), ou faire partie d’un objet connecté. Dans la description ci-dessous, il est considéré que le dispositif électronique est un objet connecté.
Les objets connectés 2 peuvent être de type divers et être utilisés pour de nombreuses applications. Des exemples d’objets connectés sont un terminal de téléphonie mobile, un ordinateur portable, une tablette, une passerelle, une imprimante, une enceinte audio, un décodeur de télévision, un téléviseur, une console de jeux, un appareil électroménager, un capteur, une caméra, une montre, des lunettes etc. Les objets connectés 2 sont utilisés dans de nombreux contextes et pour des nombreuses applications.
Un dispositif d’accès 3, tel qu’une passerelle d’accès, permettant l’accès à un deuxième réseau de communications 20 est aussi relié au réseau de communications 10. Par exemple, le premier réseau de communications 10 est un réseau de type LAN (pour « Local Area Network »), tel qu’un réseau résidentiel ou un réseau d’entreprise, et le deuxième réseau de communications 20 est un réseau de communications étendu 20 ou réseau de type WAN (pour « Wide Area Network »), tel qu’Internet.
Les objets connectés 2 et la passerelle d’accès 3 sont configurés pour échanger des données entre eux, au moins selon des communications sans fils, par exemple conformément à un protocole Wi-Fi (pour « Wireless FIdelity », marque déposée). De manière classique, la passerelle d’accès 3 permet la communication des objets connectés 2 avec des équipements faisant partie du deuxième réseau de communications 20, par exemple des serveurs 30.
En outre, les objets connectés 2 peuvent communiquer entre eux pair-à-pair (ou « peer-to-peer » en anglais), ou autrement dit sans passer par la passerelle d’accès 3. Les communications pair-à-pair peuvent être mises en œuvre selon de nombreuses technologies, tel que Bluetooth (marque déposée), WiFI, WiFI Direct, LTE (Long Term Evolution), etc.
Le dispositif électronique 2 sera décrit plus en détail en référence aux figures 4a et 4b. Il est configuré pour mettre en œuvre le procédé de configuration et/ou le procédé d’émission proposé. Les procédés de configuration et d’émissions seront décrits en détail en référence aux figures 2a, 2b et 3.
Les objets connectés peuvent être préconfigurés en usine ou une fois installés sur le terrain. Grâce à l’invention proposée, les objets connectés peuvent être configurés et reconfigurés sur le terrain, autant de fois que nécessaire et en temps réel, tenant compte des variations dans l’environnement de l’objet connecté, telles que le créneau horaire, les conditions ambiantes (température, humidité, etc.), le déplacement, l’ajout ou la suppression d’un objet dans l’environnement.
Les figure s 2 a et 2b représentent des étapes du procédé de configuration selon un premier mode de réalisation et un deuxième mode de réalisation respectivement.
Le procédé de configuration peut être mis en œuvre à des moments différents, par exemple lors de la première installation de l’objet connecté, lors de sa mise sous tension, périodiquement (par exemple toutes les heures), à des instants préprogrammés etc. Selon d’autres modes de réalisation, le procédé peut être mise en œuvre à la réception d’un message spécifique, ce message pouvant provenir d’un autre objet ou de l’objet lui-même. Ce message spécifique peut par exemple indiquer un changement dans l’environnement et/ou contenir une information contextuelle, une reconfiguration de l’objet s’avérant utile. Selon les modes de réalisation, ce message spécifique peut être généré par un autre objet (par exemple un autre capteur) ou par l’objet lui-même (par exemple lorsqu’il détecte un changement dans l’environnement). Dans un autre mode de réalisation, le message spécifique peut comporter une requête de configuration destinée à déclencher la mise en œuvre du procédé de configuration.
Le procédé de configuration est mis en œuvre par un objet connecté et comporte l’obtention E1, E1’ d’au moins une information contextuelle I relative à l’environnement de l’objet 2.
Ainsi, comme indiqué ci-dessous l’obtention E1, E1’ d’une information contextuelle I peut être mise en œuvre à des instants différents, par exemple régulièrement ou dès qu’un changement dans l’environnement est détecté par l’objet lui-même ou par un autre objet, etc.
Dans un premier mode de réalisation ( ), l’objet connecté 2 est configuré pour obtenir l’information contextuelle par lui-même. Dans ce mode de réalisation, l’objet connecté met en œuvre sa configuration en autonomie, sans nécessiter d’aucune information en provenance d’autres équipements.
Comme indiqué ci-dessus les informations contextuelles sont variées et peuvent donner tout type d’indication sur le contexte dans lequel se situe l’objet connecté. Ainsi, l’objet connecté peut obtenir, selon le mode de réalisation, une ou plusieurs informations contextuelles. À cet effet, l’objet connecté peut comporter un capteur ou plusieurs capteurs, par exemple de température, de mouvement, de lumière, d’humidité etc., et être configuré pour obtenir une information contextuelle au moins en utilisant l’un de ces capteurs. L’objet connecté peut aussi comporter un dispositif d’horloge interne.
Des exemples d’informations contextuelles sont une valeur de température, d’humidité, de niveau de luminosité, une valeur indiquant la présence ou l’absence d’une personne à proximité, l’heure courante, etc.
Dans un mode de réalisation, l’objet connecté peut être configuré pour déterminer le niveau de puissance d’un signal reçu, ce niveau étant représentatif de la distance entre l’objet connecté et l’objet émettant le signal.
Dans un autre mode de réalisation, tel que celui représenté à la , l’obtention E1’ d’au moins une information contextuelle I comporte la réception E10 d’un message M comportant l’information contextuelle suivie d’une extraction E11 de l’information contextuelle I du message M reçu.
Par exemple, la température intermédiaire (Tbb) sur le bout du nez doit être corrigée avec une valeur de distance mesurée sur le bout du nez. En effet, lorsque le premier capteur est relativement proche du visage, une distance mesurée sur le bout du nez et la distance mesurée sur un autre point du visage, par exemple sur la pommette, peuvent différer fortement, en proportion.
Après cette étape d'assemblage, on réduit l’épaisseur du substrat donneur afin de former le film mince 6. Cette étape de réduction peut être effectuée par amincissement mécanique ou chimique. Elle peut aussi être exécutée par fracture au niveau d'une zone fragile préalablement introduite dans le substrat donneur, par exemple conformément aux principes de la technologie Smart Cut™.
Des étapes de finition du film mince 6, telles qu'une étape de polissage, un traitement thermique sous atmosphère réductrice ou neutre ou une oxydation sacrificielle peuvent être enchaînées avec l'étape de réduction d'épaisseur.
On note que le substrat donneur peut être un simple substrat, c'est-à-dire ne comportant pas de dispositifs intégrés, ou alternativement le substrat donneur peut avoir été préalablement traité afin de réaliser des dispositifs intégrés sur sa surface.
On expose maintenant le procédé de préparation du substrat support 1 qui a fait l’objet de la section précédente de la présente description.
On introduit le substrat de base 2 en silicium monocristallin dans une chambre d’un équipement de dépôt.
Cet équipement peut correspondre à un équipement de dépôt par épitaxie. Il comprend un suscepteur disposé dans la chambre pour recevoir le substrat de base et exposer l’une de ces faces à l’atmosphère et aux flux de gaz circulant dans la chambre. Le suscepteur peut être mobile, et avoir notamment un mouvement de rotation pour uniformiser angulairement l’exposition de la face libre du substrat de base 2 au flux de gaz. Pour permettre l’introduction de ces flux et la maitrise de l’atmosphère contenue dans la chambre, celle-ci est munie d’une pluralité de ports d’entrée, et d’au moins un port d’évacuation. La chambre est également équipée d’un dispositif de chauffage du substrat, des gaz et/ou des parois de la chambre, par exemple des lampes émettant un rayonnement apte échauffer la surface libre du substrat de base. Une pluralité de conduits reliée fluidiquement aux ports d’entrée de la chambre permet d’introduire avec un débit maitrisé les gaz permettant le traitement du substrat de base 2. Il s’agit notamment d’un gaz réactif, oxydant ou nitrurant, d’un gaz porteur par exemple un mélange d’argon et d’hydrogène, ou de l’hydrogène, et d’un gaz précurseur contenant du silicium. Ce gaz précurseur peut être, à titre d’exemple, du silane, disiliane, trichlorosilane, dicholorosilane et tétrachlorure de silicium. L’équipement peut naturellement être muni d’autre conduit pour introduire d’autre gaz dans la chambre. L’équipement est également pourvu d’un dispositif de commande configuré pour piloter l’ensemble des paramètres (débits des différents gaz, température, pression…) du procédé de préparation mis en œuvre.
Le procédé de préparation du substrat support conforme à la section précédente de la présente description comprend une séquence d’étapes, qui sont conduites sans extraire le substrat de base 2 de la chambre de l’équipement. En conséquence, le substrat de base n’est pas exposé à d’autres gaz ou atmosphère que ceux qui sont introduits ou présents dans la chambre pendant toute la durée du procédé de préparation.
Comme cela est bien connu en soi, le gaz porteur GPo est introduit dans la chambre dans un débit déterminé par l’intermédiaire d’un port d’entrée pour la balayer pendant toute la durée du procédé de préparation du substrat support 1, et notamment pendant les deux étapes principales de ce procédé.
Le procédé de traitement comprend tout d’abord, avant la première étape de formation de la couche diélectrique 3, une étape préliminaire de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque 5 sur le substrat de base 2, à une température d’épitaxie typiquement comprise entre 900°C et 1200°C, pendant une période de temps déterminée T0. A cet effet, on peut faire circuler simultanément dans la chambre les gaz porteur et précurseur contenant du silicium. De manière optionnelle, cette étape préliminaire de formation de la couche épitaxiale en silicium intrinsèque 5 peut être précédée d’un recuit de désoxydation du substrat de base dans une atmosphère réductrice ou faiblement réductrice, à une température comprise entre 900°C et 1200°C, pour éliminer un oxyde natif éventuellement présent superficiellement sur le substrat de base 2. Ce recuit peut être conduit alors que seul le gaz porteur circule dans la chambre, pendant une durée de plusieurs secondes à plusieurs minutes, selon la température choisie, afin d’éliminer cet oxyde natif.
Bien entendu, ces étapes de recuit de désoxydation et/ou de formation d’une couche épitaxiale sont réalisées « in situ », c’est-à-dire sans extraire le substrat de base 2 de la chambre de l’équipement et sans exposer la surface libre du support 1 en cours de préparation à d’autres gaz ou atmosphère que ceux qui sont introduits ou présents dans la chambre pendant toute la durée du procédé.
Puis, dans une première étape, et comme cela est illustré sur la on forme la couche diélectrique 3 sur la face exposée de la couche épitaxiale 5 en introduisant dans la chambre, et avec un débit choisi, un gaz réactif GR, au cours d’une première période de temps T1. Le dispositif de chauffage est piloté pour que la couche diélectrique soit formée à une température typiquement comprise entre 900°C et 1150°C, et préférentiellement entre 950°C et 1100°C. Selon la nature de la couche diélectrique que l’on souhaite former, dioxyde de silicium ou nitrure de silicium par exemple, ce gaz réactif peut être formé d’un gaz oxydant ou d’un gaz nitrurant. De manière préférée, la couche diélectrique est en oxyde de silicium, et dans ce cas le gaz réactif peut par exemple comprendre entre 0,1% et 10% d’oxygène dans un gaz neutre tel que de l’argon. L’atmosphère oxydante de la chambre est maintenue pendant une durée choisie (la première période de temps) selon l’épaisseur voulue de la couche diélectrique 3. Préférentiellement, la couche diélectrique 3 présente une épaisseur supérieure à 0,5 nm.
Puis, dans une deuxième étape qui suit la première, on forme une couche de piégeage de charges 4 en silicium polycristallin directement sur la couche diélectrique 3 en introduisant dans la chambre, et avec un débit choisi, le gaz précurseur GPr contenant du silicium, au cours d’une deuxième période de temps T2 postérieure à la première période de temps T1. La nature amorphe de la couche diélectrique prévient la cristallisation de la couche de piégeage qui se forme au cours de cette deuxième étape, ce qui pourrait se produire si cette couche diélectrique n’était pas présente.
L’enchainement de la première et la deuxième étape est réalisé de manière maitrisée, afin d’éviter notamment qu’un mélange des gaz réactif et précurseur ne se produise, ce qui pourrait provoquer des réactions chimiques non voulues dans la chambre et prévenir le dépôt d’une couche de piégeage de qualité visée. Dit autrement, et comme cela est très visible sur la , la première étape au cours de laquelle le gaz réactif forme l’atmosphère de la chambre ne chevauche pas la deuxième étape au cours de laquelle le gaz précurseur forme l’atmosphère de la chambre.
A l’issue de la première étape, et pendant la période de transition Tt qui sépare la fin de la première période de temps du début de la deuxième période de temps, le gaz porteur, qui balaye de manière constante la chambre pendant toute la durée du procédé de préparation, chasse le gaz réactif de la chambre. On exploite également cette période de transition pour ajuster la température de la chambre et/ou du substrat, dans le cas où la température de la première étape est différente de la température de la deuxième étape. Dans un second temps, et après cette période de transition Tt, le gaz précurseur est introduit dans la chambre. Lorsque ce gaz est introduit dans la chambre, l’atmosphère et la température de cette chambre sont donc parfaitement adaptées à la formation d’une couche de piégeage de charges 4 de qualité. Le gaz porteur et le gaz précurseur circulent simultanément dans la chambre pendant le reste de cette deuxième étape de procédé.
Conventionnellement, et comme cela a été rapporté dans l’introduction de la présente demande, la croissance de la couche de piégeage est réalisée, au moins sur une portion germe en contact avec la couche diélectrique, à une température relativement faible de 1010°C ou moins afin d’obtenir une couche de qualité satisfaisante. Cette qualité se mesure notamment par la mesure de distorsion de seconde harmonique. Elle se mesure également par la contrainte dans la couche de piégeage de charges 4 qui peut tendre à déformer le substrat si elle est trop importante. On cherche généralement à limiter cette déformation (typiquement une courbure désignée par le terme anglais "bow" dans la technologie des semi-conducteurs), pour un substrat de 300 mm de diamètre, à moins de 200 microns voire même inférieure à 100 microns.
Or, et de manière surprenante, les inventeurs de la présente demande ont observé qu’il était possible d’obtenir une couche de piégeage 4 de qualité tout à fait similaire à celle de l’état de la technique, en réalisant cette deuxième étape à une température relativement plus élevée, strictement supérieure à 1010°C, dès lors que la durée de la période de transition Tt n’excédait pas 30 secondes. Dit autrement, lorsque la durée pendant laquelle la couche diélectrique 3 est exposée uniquement au gaz porteur est inférieure à 30 secondes, la formation de la couche de piégeage de charges 4 peut être conduite à une température supérieure à 1010°C, et typiquement comprise entre 1010°C et 1200°C, tout en présentant une qualité acceptable de cette couche, tant en déformation qu’en mesure de distorsion de seconde harmonique.
Dans le cas où le matériau à transition isolant-métal est un autre matériau que le matériau VO 2 où selon l’énergie du signal RF pour laquelle on souhaite déclencher la transition, il est possible d’accroitre ou de réduire la surface couverte par l’élément suscepteur.
, et sont d’autres variantes avec un maillage conducteur électrique à pas micrométrique 32a intégralement en matériau à transition isolant-métal en face arrière du substrat de saphir 1 entouré par un cadre 31a de connexion à l’entourage électriquement conducteur 11 de la lui-même en matériau à transition isolant-métal, par exemple VO 2 ou autre matériau à transition isolant-métal comme énoncé précédemment. Une efficacité de blindage assez faible est obtenue lorsque le matériau VO 2 est dans l’état électriquement conducteur, environ 10 dB dans la bande 2 GHz - 18 GHz, car sa conductivité électrique (σ = 3×10 5 S/m environ) est plus faible que celle de l’argent (σ = 6,1×10 7 S/m). Néanmoins, le procédé de fabrication est simplifié en raison de l’absence de la bicouche Ti/Ag maillée à pas micrométrique. Pour la face externe, la prévoit un cadre 51a formé par une couche ultramince d’or d’épaisseur 4 à 6 nanomètres et une partie interne au cadre formée par une couche ultramince d’or maillée 52a. Dans le cas d’un hublot 1 de petite surface, la couche ultramince d’or maillée 52a pourra être supprimée, le cadre 51a étant suffisant pour apporter la quantité de chaleur nécessaire à la transition isolant-métal du maillage 32a et du cadre 31a en matériau VO 2 . La prévoit de recouvrir la totalité de la face externe du hublot 1 d’une couche ultramince continue d’or 52b qui assure une meilleure élévation de la température du hublot 1 au détriment toutefois de sa transparence optique.
L’exemple de réalisation des et substitue le maillage en bicouche Ti/Ag par un maillage 52 à pas micrométrique ultramince en or d’environ 5 nanomètres d’épaisseur. Le cadre conducteur électrique entourant le cadre en matériau VO 2 3 est remplacé par un cadre en or réalisant un matériau suscepteur directement en contact électrique avec le cadre VO 2 . Ceci simplifie la fabrication de l’écran et laisse la face externe du hublot 1 nue. Néanmoins l’efficacité de blindage d’une telle couche ultramince d’or, 30 dB environ dans la bande 2 GHz - 18 GHz, est plus faible que celle de la couche Ti/Ag d’épaisseur 5 nm/2 µm maillée à pas micrométrique qui est de l’ordre de 30 à 40 dB environ dans la bande 2 GHz - 18 GHz.
et sont des variantes où seule la face externe du hublot 1 est structurée. Ces réalisations reposent sur un empilement en face externe du hublot d’un premier cadre comportant un matériau suscepteur 5c, 5d, d’un cadre de matériau électrique isolant 6a, 6b tel que TiO 2 ou Al 2 O 3 d’une centaine de nanomètres d’épaisseur et d’un cadre de matériau à transition isolant-métal 3a, 31 autour d’un maillage conducteur 2a, ou à transition isolant-métal 32. Dans le cas de la où le maillage est un maillage Ti/Ag comme en figure 1, les performances en efficacité de blindage et en transparence optique de l’écran sont conservées avec, en sus, une amélioration de la vitesse de commutation entre les états ON et OFF, car la quantité de chaleur générée par la couche de matériau suscepteur lors de l’agression EM externe doit seulement traverser la couche mince de TiO 2 ou de Al 2 O 3 , et non plus le hublot, qui est beaucoup plus épais.
La fabrication de ces variantes est néanmoins plus complexe en raison de la nécessité d’utiliser une nouvelle couche tampon diélectrique 6a, 6b dotée d’une conductivité thermique élevée, par exemple en matériau TiO 2 ou Al 2 O 3 d’une épaisseur de l’ordre de 100 nanomètres par exemple. Cette couche diélectrique tampon de TiO 2 ou de Al 2 O 3 doit être intercalée entre la couche ultramince d’or et la couche de VO 2 . Lorsque la couche ultramince d’or convertit l’énergie de l’onde électromagnétique en quantité de chaleur, cette dernière est transférée à la couche mince de VO 2 au travers de la couche tampon et provoque la transition isolant/métal du matériau VO 2 . Néanmoins, cette couche d’or doit rester électriquement isolée de la couche de VO 2 , afin qu’elle conserve toutes ses capacités de suscepteur.