Structure (SI) d’intégration destinée à connecter une pluralité de dispositifs semi-conducteurs (DS), la structure d’intégration comprenant un substrat (SB), une première face (S1) et une deuxième face (S2) destinées à recevoir les dispositifs semi-conducteurs (DS), la structure (SI) d’intégration comprenant, au niveau de la première surface (S1), au moins un niveau (S1NR1) de routage, le ou les niveaux (S1NR1) de routage comprenant : au moins une piste de routage conductrice (PC) non supraconductrice dans un matériau conducteur non supraconducteur ; et au moins une piste de routage supraconductrice (PS) dans un matériau supraconducteur ; la structure (SI) d’intégration comprenant, au niveau de la deuxième surface (S2), au moins un niveau de routage (S2NR1), le ou les niveaux de routage (S2NR1) comprenant : au moins une piste de routage conductrice (PC) non supraconductrice dans un matériau conducteur non supraconducteur ; et au moins une piste de routage supraconductrice (PS) dans un matériau supraconducteur ; la structure (SI) d’intégration comprenant au moins un via conducteur (VC) non supraconducteur reliant une piste de routage conductrice (PC) non supraconductrice de la première face (S1) à une piste conductrice (PC) non supraconductrice de la seconde face (S2) et/ou au moins un via supraconducteur (VS) reliant une piste de routage supraconductrice (PS) de la première face (S1) à une piste supraconductrice (PS) de la seconde face (S2). Structure (SI) d’intégration selon la revendication précédente comprenant une pluralité de niveaux de routage au niveau de la première face (S1) et/ou de la deuxième face (S2), les niveaux de routage de la pluralité de niveaux de routage étant connectés, entre pistes de routage de même type, au moyen de vias inter-niveaux (VIS/VIC) de même type. Structure (SI) d’intégration selon la revendication précédente dans laquelle le niveau de routage (S1NR1/S2NR1) le plus proche de la première surface (S1) et/ou de la deuxième surface (S2) ne comprend qu’une ou plusieurs pistes de routage supraconductrices (PS). Structure d’intégration (SI) selon l’une des revendications précédentes comprenant, sur la première face S1 et/ou sur la deuxième face S2, au moins un composant passif. Procédé de fabrication d’une structure d’intégration (SI) à partir d’un substrat (SB) comprenant une première face (S1) et une deuxième face (S2), le procédé comprenant : une étape de formation, dans le substrat (SB), d’au moins un via non traversant conducteur (VC) non supraconducteur et d’au moins un via non traversant supraconducteur (VS), les vias (VC/VS) comprenant une extrémité exposée au niveau de la première face (S1) ; une étape de formation d’au moins un niveau de routage (S1NR1) au niveau de la première face (S1), le niveau de routage (S1NR1) comprenant au moins une piste conductrice (PC) non supraconductrice reliée à un via conducteur (VC) non supraconducteur et au moins une piste supraconductrice (PS) reliée à un via supraconducteur (VS) ; une étape de collage temporaire du substrat (SB) à une poignée de manipulation (PM) au niveau de sa première face (S1) ; une étape d’amincissement du substrat (SB) au niveau de sa deuxième face (S2) de sorte à exposer les vias conducteurs (VC) non supraconducteurs et les vias supraconducteurs (VS) les rendant traversants ; une étape de formation d’au moins un niveau de routage (S2NR1) au niveau de la deuxième face (S2), le niveau de routage (S2NR1) comprenant au moins une piste conductrice (PC) non supraconductrice reliée à un via conducteur (VC) non supraconducteur et au moins une piste supraconductrice (PS) reliée à un via supraconducteur (VS) ; une étape de retrait de la poignée de manipulation (PM). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape de formation, dans le substrat (SB), d’au moins un via non traversant conducteur (VC) non supraconducteur et d’au moins un via non traversant supraconducteur (VS) comprend : une étape de formation, dans le substrat (SB), d’au moins un via non traversant conducteur (VC) non supraconducteur, le ou les vias (VC) comprenant une extrémité exposée au niveau de la première face (S1) ; une étape de formation, dans le substrat (SB), d’au moins un via non traversant supraconducteur (VS), le ou les vias (VS) comprenant une extrémité exposée au niveau de la première face (S1). Procédé selon la revendication 5 dans lequel, lors de l’étape de formation d’au moins un via non traversant conducteur (VC) non supraconducteur et d’au moins un via non traversant supraconducteur (VS), les deux types de vias sont formés simultanément. Procédé de fabrication d’une structure d’intégration (SI) à partir d’un substrat (SB) comprenant une première face (S1) et une deuxième face (S2) et comprenant : une étape de formation, dans le substrat (SB), d’au moins un via non traversant supraconducteur (VS) ou d’au moins un via non traversant conducteur (VC) non supraconducteur, le ou les vias (VS/VC) comprenant une extrémité exposée au niveau de la première face (S1) ; une étape de formation d’au moins un niveau de routage (S1NR1) au niveau de la première face (S1), le niveau de routage (S1NR1) comprenant au moins une piste conductrice (PC) non supraconductrice reliée à un via conducteur (VC) lorsqu’un tel via a été formé lors de l’étape précédente et au moins une piste supraconductrice reliée à un via supraconducteur (VS) lorsqu’un tel via a été formé lors de l’étape précédente ; une étape de collage temporaire du substrat (SB) à une poignée de manipulation (PM) au niveau de sa première face (S1) ; une étape d’amincissement du substrat (SB) au niveau de sa deuxième face (S2) de sorte à exposer les vias traversants conducteurs non supraconducteurs ou les vias traversants supraconducteurs (VS) formés lors de la première ; une étape de formation, dans le substrat (SB) au niveau de la deuxième face (S2), d’au moins un via traversant conducteur (VC) non supraconducteur si au moins un via supraconducteur (VS) a été formé précédemment ou au moins un via traversant supraconducteur (VS) si au moins un via conducteur (VC) non supraconducteur a été formé précédemment, le ou les vias (VC/VS) comprenant une extrémité au niveau de la première face (S1) en contact avec au moins une piste du même type (PC/PS) de cette première face (S1), et une extrémité exposée au niveau de la deuxième face (S2) ; une étape de formation d’au moins un niveau de routage (S2NR1) au niveau de la deuxième face (S2), le niveau de routage (S2NR1) comprenant au moins une piste conductrice (PC) non supraconductrice reliée à un via conducteur (VC) non supraconducteur et au moins une piste supraconductrice (PS) reliée à un via supraconducteur (VS) ; une étape de retrait de la poignée de manipulation (PM). Procédé selon l’une des revendications 5 à 8 comprenant, après l’étape de formation d’au moins un niveau de routage (S1NR1) au niveau de la première face (S1) : une étape de formation, au niveau de la première face (S1), de métallisations sous billes conductrices (UBMC) au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices (PC) et de métallisations sous billes supraconductrices (UBMS) au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices (PS) ; une étape de formation de billes d’un type choisi parmi les billes supraconductrices (BIS) et les billes conductrices (BIC) non supraconductrices, les billes (BIS/BIC) d’un type donné étant formées au niveau des métallisations sous billes (UMBS/UBMC) du même type au niveau de la première face (S1). Procédé selon l’une des revendications 5 à 9 comprenant, après l’étape de formation d’au moins un niveau de routage (S2NR1) au niveau de la deuxième face (S2) : une étape de formation, au niveau de la deuxième face (S2), de métallisations sous billes conductrices (UBMC) au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices (PC) et de métallisations sous billes supraconductrices (UBMS) au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices (PS) ; une étape de formation de billes d’un type choisi parmi les billes supraconductrices (BIS) et les billes conductrices (BIC) non supraconductrices, les billes (BIS/BIC) d’un type donné étant formées au niveau des métallisation sous billes (UBMS/UBMC) du même type au niveau de la deuxième face (S2). Assemblage comprenant une structure d’intégration (SI) selon l’une des revendications 1 à 4, un premier dispositif semi-conducteur, dit puce fonctionnelle (PF) et un deuxième dispositif semi-conducteur, dit puce de contrôle (PC), la puce fonctionnelle (PF) étant connectée à la structure d’intégration (SI) au niveau de la première face (S1) et la puce de contrôle (PC) étant connectée à la structure d’intégration (SI) au niveau de la deuxième face (S2). Système (SYS) comprenant un support de packaging (SP) et un assemblage selon la revendication précédente connecté électriquement au support de packaging (SP). Système (SYS) selon la revendication précédente dans lequel la puce de contrôle (PC) comprend une première face et une deuxième face et dans lequel l’assemblage est connecté thermiquement au support de packaging (SP) par l’intermédiaire de la deuxième face de la puce de contrôle (PC), ladite puce de contrôle (PC) étant connectée électriquement par sa première face à la deuxième face (S2) de la structure d’intégration (SI). Système (SYS) selon la revendication 12 dans lequel l’assemblage est connecté électriquement au support de packaging (SP) par l’intermédiaire de la deuxième face (S2) de la structure d’intégration (SI). Système (SYS) selon l’une des revendications 12 à 14 comprenant une structure d’intégration (SI) selon la revendication 4 et dans lequel les composant passifs comprennent une inductance et/ou une capacité et/ou une résonateur et/ou une résistance, ladite inductance et/ou ladite capacitance et/ou ledit résonateur étant connectés électriquement, à l’aide d’une ou plusieurs pistes de routage à la puce de contrôle (PC) et/ou à la puce fonctionnelle (PF), et ladite résistance étant connectée par une liaison conductrice non supraconductrice au support de packaging (SP).