Structure (2) de test et de transfert de plots de contact (223) destinée à tester au moins un dispositif électronique (1) et à transférer au moins un plot de contact (223) sur ledit au moins un dispositif électronique (1), ladite structure (2) comprenant une partie de test (21), et une partie de contact (22), la partie de test (21) comprenant au moins un réseau d’interconnexions électriques (211, 213), la partie de contact (22) comprenant au moins un plot de contact (223) au niveau d’une face de contact (200), ledit au moins un plot de contact étant destiné à être mis en contact avec au moins une zone de contact (123) au niveau d’une face de connexion (100) du dispositif électronique (1), la structure étant caractérisée en ce que la partie de contact (22) comprend en outre au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice reliant électriquement l’au moins un plot de contact (223) au réseau d’interconnexions électriques (211, 213). Structure selon la revendication précédente dans laquelle la partie de contact (22) comprend une couche (224) de collage au niveau de la face de contact (200), en bordure de l’au moins un plot de contact (223, 223b), de sorte que la face de contact (200) soit formée par une surface (200b) du plot de contact (223, 223b) et une surface (200a) de la couche (224) de collage. Structure selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l’au moins un plot de contact (223) comprend une première couche à base d’un matériau pris parmi Au, Sn, SnAg ou SnAgCu, de préférence une couche intercalaire de Ni, et une deuxième couche de Cu en empilement selon une direction (z) perpendiculaire à la face de contact (200), la deuxième couche de Cu étant située du côté de la face de contact (200), et la première couche étant située du côté opposé, en regard de la partie de test (21). Structure selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la portion (225) sacrificielle électriquement conductrice borde l’au moins un plot de contact (223) sur un côté (231) opposé à la face de contact (200) et en partie sur des flancs (232) latéraux de l’au moins un plot de contact (223). Structure selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la portion (225) sacrificielle électriquement conductrice est en silicium polycristallin dopé n++. Structure selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la partie de contact (22) comprend au moins une première portion (225) sacrificielle électriquement conductrice et une deuxième portion (225) sacrificielle électriquement conductrice, et au moins une tranchée d’isolation (226) à base de matériau diélectrique configurée pour isoler entre elles lesdites première et deuxième portions (225) sacrificielles électriquement conductrices. Structure selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la partie de test (21) comprend un circuit électronique intégré (212) relié au réseau d’interconnexions électriques (211, 213) et configuré pour communiquer avec le dispositif électronique (1). Système comprenant une structure (2) de test et de transfert d’au moins un plot de contact (223) selon l’une quelconque des revendications précédentes, et une pluralité de dispositifs électroniques (1) présentant chacun une face de connexion (100) et comprenant chacun au moins une zone de contact (123), ladite structure (2) comprenant une pluralité de plots de contact (223), lesdits plots de contact (223) étant configurés pour être assemblés aux zones de contact (123) des dispositifs électroniques (1). Système selon la revendication précédente dans lequel les dispositifs électroniques sont des diodes électroluminescentes ou des diodes électroluminescentes comprenant chacune une électronique de pilotage intégrée. Procédé de test et de transfert d’au moins un plot de contact, destiné à tester au moins un dispositif électronique, et à transférer au moins un plot de contact depuis une structure (2) de test et de transfert selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, sur ledit au moins un dispositif électronique, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : fournir l’au moins un dispositif électronique (1), ledit au moins un dispositif électronique présentant une face de connexion (100) comprenant au moins une zone de contact (123), aligner l’au moins un plot de contact (223) de la structure (2) de test avec l’au moins une zone de contact (123) du dispositif électronique, assembler la structure (2) de test au dispositif électronique (1), retirer l’au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice, sélectivement à l’au moins un plot de contact (223), désolidariser la structure de test du dispositif électronique, en laissant l’au moins un plot de contact (223) sur l’au moins une zone de contact (123) du dispositif électronique. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, après assemblage de la structure de test à l’au moins un dispositif électronique, et avant retrait de l’au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice, une étape de test du dispositif électronique prise parmi un test électrique ou un test de fonctionnement, ladite étape de test étant effectuée via la partie de test (21) de la structure (2). Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 11 dans lequel la portion (225) sacrificielle électriquement conductrice est à base de polySi n++ et le retrait est effectué par une solution de gravure à base de XeF2. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12 dans lequel l’au moins un dispositif électronique comprend un premier dispositif électronique et un deuxième dispositif électronique solidaires l’un de l’autre et comprenant des faces de connexion (100) dans un même plan, ledit procédé comprenant en outre, après assemblage de la structure de test auxdits premier et deuxième dispositifs électroniques, et avant retrait de l’au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice, une étape d’individualisation configurée pour séparer les premier et deuxième dispositifs électroniques par une tranchée de séparation débouchant dans l’au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13 dans lequel la partie de contact (22) de la structure de test comprend au moins une première portion (225) sacrificielle électriquement conductrice et une deuxième portion (225) sacrificielle électriquement conductrice, et au moins une tranchée d’isolation (226) à base de matériau diélectrique configurée pour isoler entre elles lesdites première et deuxième portions (225) sacrificielles électriquement conductrices, ladite au moins une tranchée d’isolation maintenant l’au moins un dispositif électronique sur la structure de test après retrait desdites première et deuxième portions (225) sacrificielles électriquement conductrices, et dans lequel la désolidarisation de l’au moins un dispositif électronique est effectuée en fixant un tampon sur une face (101) de l’au moins un dispositif électronique opposée à la face de connexion (100), et en exerçant une traction mécanique de sorte à rompre ladite au moins une tranchée d’isolation (226). Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 14, comprenant en outre, si l’au moins un dispositif électronique est repéré comme étant défectueux après l’étape de test, une étape d’élimination de ce dispositif défectueux, par exemple par écrasement après retrait de l’au moins une portion (225) sacrificielle électriquement conductrice.