Système (200) de caractérisation d’un semiconducteur par mesure de photo-tension de surface, le système comprenant : - une sonde de Kelvin (210) comprenant à une première extrémité une plaque (212) électriquement conductrice adaptée à être disposée en regard d’une première surface d’un échantillon (10) de semiconducteur ; - un circuit électrique (202) relié à une autre extrémité de la sonde et adapté à relier électriquement ladite sonde à l’échantillon ; - un générateur (230) de signal d’excitation (P) adapté à exciter le semiconducteur ; - un générateur de vibration (240) adapté à appliquer à la plaque un mouvement d’oscillation selon une direction sensiblement orthogonale à la première surface de l’échantillon ; - une unité de commande (224) du générateur de vibration adaptée à générer un signal de commande (V OSC ) de vibration ; - un générateur (230) de signal de modulation (S) adapté à moduler le signal de commande (V OSC ) de manière à former un signal de commande modulé (V MOD ) destiné à être envoyé au générateur de vibration (240) ; le signal de modulation étant déphasé, d’une valeur de déphasage, par rapport au signal d’excitation ; et - un moyen de détermination d’une valeur (V KP ) de tension de polarisation (V DC ) entre la sonde de Kelvin et l’échantillon, ladite valeur étant déterminée sur la base d’un courant (I KP ) généré dans le circuit électrique (202) par l’oscillation de la plaque (212), et ladite valeur permettant de déterminer une valeur de photo-tension de surface (SPV) du semiconducteur, pour la valeur de déphasage. Système (200) selon la revendication 1, comprenant un générateur de tension (226) adapté à générer la tension de polarisation (V DC ) entre la sonde de Kelvin et l’échantillon. Système (200) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le moyen de détermination comprend une boucle de rétroaction (222) avec en entrée le courant (I KP ), et en sortie la valeur (V KP ) de tension de polarisation qui permet de réduire le courant (I KP ), par exemple d’annuler ledit courant. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant un multiplicateur de tension (250) configuré pour multiplier le signal de commande (V OSC ) de vibration par le signal de modulation (S). Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant un moyen de réglage du déphasage du signal de modulation (S) par rapport au signal d’excitation (P), configuré pour appliquer plusieurs valeurs de déphasage entre ledit signal de modulation et ledit signal d’excitation ; le moyen de détermination étant adapté à déterminer, pour chaque valeur de déphasage, une valeur (V KP ) de tension de polarisation (V DC ) sur la base du courant (I KP ) généré dans le circuit électrique (202) par l’oscillation de la plaque (212), chaque valeur de tension de polarisation déterminée permettant de déterminer une valeur de photo-tension de surface (SPV) du semiconducteur. Système selon la revendication 5, dans lequel le moyen de réglage du déphasage du signal de modulation (S) par rapport au signal d’excitation (P) comprend un retardateur. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la plaque (212) s’étend selon un plan principal destiné à être disposé en regard de la première surface de l’échantillon (10), les dimensions de la plaque dans ledit plan principal étant supérieures ou égales à 15 micromètres. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la tension de polarisation (V DC ) est une tension continue. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le signal de commande (V OSC ) de vibration est une tension alternative. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le signal de modulation (S) comprend des impulsions, par exemple des impulsions de tension. Système (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le signal d’excitation (P) est un signal Laser, un signal électrique ou un signal magnétique, par exemple sous forme d’impulsions. Procédé de caractérisation d’un semiconducteur par mesure de photo-tension de surface, le procédé mettant en œuvre un système de caractérisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, et comprenant : - disposer la plaque (212) électriquement conductrice en regard d’une première surface d’un échantillon (10) de semiconducteur, et relier l’autre extrémité de la sonde à l’échantillon par le circuit électrique (202) ; - générer un signal d’excitation (P) à l’aide du générateur (230) de signal d’excitation, de manière à exciter le matériau semiconducteur ; - générer un signal de commande (V OSC ) de vibration à l’aide de l’unité de commande (224) ; - générer un signal de modulation (S) à l’aide du générateur (230) de signal de modulation, et moduler le signal de commande (V OSC ) de vibration par le signal de modulation (S) de manière à générer un signal de commande modulé (V MOD ) ; le signal de modulation étant déphasé d’une valeur de déphasage par rapport au signal d’excitation ; - générer, à l’aide du générateur de vibration (240) commandé par le signal de commande modulé (V MOD ), un mouvement d’oscillation de la plaque (212) selon une direction sensiblement orthogonale à la première surface de l’échantillon ; - déterminer une valeur (V KP ) de tension de polarisation (V DC ) entre la sonde de Kelvin et l’échantillon sur la base d’un courant (I KP ) généré dans le circuit électrique (202) par l’oscillation de la plaque (212) ; et - déterminer une valeur de photo-tension de surface (SPV) sur la base de la valeur (V KP ) déterminée de tension de polarisation, pour la valeur de déphasage. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre : - générer la tension de polarisation (V DC ) entre la sonde de Kelvin et l’échantillon, pour la détermination de la valeur (V KP ) de tension de polarisation. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel la valeur (V KP ) de tension de polarisation est déterminée à l’aide d’une boucle de rétroaction (222) avec en entrée le courant (I KP ), ladite valeur de tension de polarisation étant sélectionnée pour réduire le courant (I KP ), par exemple annuler ledit courant. Procédé selon l’une des revendications 12 à 14, comprenant : - régler plusieurs valeurs de déphasage du signal de modulation (S) par rapport au signal d’excitation (P) ; - déterminer, pour chaque valeur de déphasage, une valeur (V KP ) de tension de polarisation sur la base du courant (I KP ) généré dans le circuit électrique (202) par l’oscillation de la plaque (212) ; et - déterminer une valeur de photo-tension de surface (SPV) sur la base de chaque valeur (V KP ) déterminée de tension de polarisation ; le nombre de valeurs de déphasages étant par exemple adapté à déterminer une dynamique de photo-tension de surface dans le temps. Procédé selon l’une des revendications 12 à 15, comprenant en outre : - déposer préalablement sur la première surface de l’échantillon (10) du semiconducteur des charges négatives ou positives ; la valeur de photo-tension de surface (SPV) étant déterminée en fonction du dépôt de charges réalisé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 16, dans lequel la tension de polarisation (V DC ) est une tension continue. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 17, dans lequel le signal de commande (V OSC ) de vibration est une tension alternative. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 18, dans lequel le signal de modulation (S) comprend des impulsions, par exemple des impulsions de tension. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 19, dans lequel le signal d’excitation (P) est un signal Laser, un signal électrique ou un signal magnétique, par exemple sous forme d’impulsions.