INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La connexion entre la batterie haute tension 2 et le réseau haute tension 3 peut ensuite être effectuée par fermeture du relais 5 dont la commande est réalisée par le dispositif de commande 8, et plus particulièrement dans l’exemple illustré, par la première unité de contrôle électronique maître 9.
Tant que des consommateurs 4 connectés au réseau haute tension 3 demandent de l’énergie, le relais 5 reste fermé.
Lorsque plus aucun des consommateurs 4 ne demande à consommer de l’énergie, ou pour des raisons de sécurité du réseau haute tension 3, le dispositif de commande 8, et plus particulièrement dans l’exemple illustré, la première unité de contrôle électronique maître 9 ordonne l’ouverture du relais 5 pour la déconnexion du réseau haute tension 3 de la batterie haute tension 2.
Lorsque tout consommateur ou producteur d’énergie connecté au réseau haute tension 3 est arrêté, le courant de la batterie haute tension 2 devient nul. Tous les éléments connectés au réseau haute tension 3 étant connectés en parallèle, la tension de la batterie haute tension 2 et la tension du réseau haute tension 3 sont physiquement les mêmes.
Lorsque la batterie haute tension 2 et le réseau haute tension 3 sont connectés et que le courant de la batterie haute tension 2 est nul, l’écart entre la tension de la batterie haute tension 2 et la tension du réseau haute tension 3 est mesuré.
La deuxième unité de contrôle électronique 10 envoie la mesure de tension de la batterie haute tension relevée par le capteur de tension de la batterie haute tension à la première unité de contrôle électronique maître 9. La troisième unité de contrôle électronique 11 envoie la mesure de tension du réseau haute tension 3 relevée par le capteur de tension du réseau haute tension à la première unité de contrôle électronique maître 9.
La mesure de l’écart de tension est réalisée par le dispositif de commande 8, et en particulier dans l’exemple illustré, par la première unité de contrôle électronique maître 9. Si, à ce moment, il existe un écart entre la mesure de tension par le capteur de tension de la batterie haute tension 2 et la mesure de tension par le capteur de tension du réseau haute tension 3, cet écart est enregistré par le dispositif de commande 8, en particulier dans cet exemple, la première unité de contrôle électronique maître 9, afin de corriger la consigne de tension de précharge envoyée vers le dispositif de commande 8, dans cet exemple la troisième unité de contrôle électronique 11 du convertisseur élévateur CC/CC 7, pour une prochaine connexion entre le réseau haute tension 3 et la batterie haute tension 2.
Une consigne de précharge corrigée est alors établie par le dispositif de commande 8, avantageusement par la première unité de contrôle électronique maître 9, en fonction de l’écart mesuré entre la batterie haute tension 2 et le réseau haute tension 3, pour une prochaine connexion.
L’apprentissage de l’écart de tension et la correction de la consigne de précharge permet de corriger les imprécisions de mesure des capteurs de tension de la batterie haute tension et du réseau haute tension dues à leur déviation de production, leur vieillissement, le niveau de tension de la batterie haute tension 2 ainsi que leur conception électrique et électronique.
Un fois que l’apprentissage est réalisé, le dispositif de commande 8, en particulier dans cet exemple la première unité de contrôle électronique maître 9, commande l’ouverture du relais 5 pour déconnecter le réseau haute tension 3 de la batterie haute tension 2.
Lors du cycle de connexion suivant, la consigne de précharge envoyée par la première unité de contrôle électronique maître 9 vers la troisième unité de contrôle électronique 11 associée au convertisseur élévateur CC/CC 7 correspond à la consigne de précharge corrigée en fonction de l’écart de tension mesuré lors du cycle de connexion précédent.
La correction des imprécisions des capteurs de tension permet de supprimer le courant d’appel au moment de la fermeture du relais 5, de sorte qu’aucun arc électrique ne se forme.
De préférence, la consigne de tension de précharge corrigée calculée par la première unité de contrôle électronique maître 9 est la somme de la mesure de tension relevée par le capteur de tension de la batterie haute tension 2 et de l’écart des mesures de tension des capteurs de tension de la batterie haute tension et du réseau haute tension à courant nul appris lors d’un cycle de connexion précédent entre la batterie haute tension 2 et le réseau haute tension 3.
De préférence, l’écart de tension entre la batterie haute tension 2 et le réseau haute tension 3 est mesuré, à courant de la batterie haute tension 2 nul, après que les consommateurs 4 aient terminés de consommer de l’énergie de la batterie haute tension, avant de déconnecter la batterie haute tension du réseau haute tension.
La contrainte d’exclusion mutuelle peut-être exprimée simplement par une contrainte de marquage vérifiée dans tous les états de l’exécution.
Pour rappel le marquage M correspond au nombre de jetons dans une place p
Le reset est explicité dans le modèle de l’invention de sorte que les propriétés CTL peuvent compter les reset s effectués dans chaque place.
En raison de la densité du temps le reset peut être tiré depuis une infinité d’états ayant le même marquage et l’état successeur sera toujours le même.
Ainsi, les seuls temps pertinents de tir du reset sont sur les bornes de son intervalle ( et ) et en même temps qu’un tir de transitions (dans la sémantique juste après le tir de transitions).
C’est pourquoi le reset peut être considéré comme une transition retardable possédant une borne supérieure temporelle, et cela préserve les exécutions discrètes.
On peut définit une propriété reset(S x ) qui correspond au nombre cumulé de jetons dans la place S x après chaque reset.
Ceci permet d’implémenter les contraintes CTL pour la vérification des propriétés énoncées précédemment.
Une première propriété atomique assure l’exclusion mutuelle des données dans les places jumelées, par exemple dans l’exemple de la :
En effet, dans le modèle les jetons représentent à la fois les positions des registres, et les données propagées lorsque le circuit sera pipeliné.
La propriété φmutex vérifie donc que les deux signaux s5 (respectivement s6 ; s6a ; s6b) et s8 (respectivement s10) ne contiendront jamais des données en même temps.
Une seconde propriété atomique assure la cohérence du placement des registres entre les places jumelées dans le marquage final :
Cette propriété vérifie en effet que dans l’état final M(s11) = 1 les places jumelées auront reçu le même nombre de reset.
Enfin, la propriété CTL finale assure que φmutex est maintenue jusqu’à ce qu’elle soit vérifiée en même temps que φconsist (lorsque l’état final est atteint) :
Ainsi, pour résoudre le problème de pliage, l’approche de l’invention consiste à mettre en œuvre une étape d’exploration recherchant tous les états du réseau qui vérifient la propriété φfold, mais lorsqu’un état invalidant la propriété est atteint la branche d’exploration est élaguée.
Il ne s’agit donc pas de vérification à proprement parler, mais d’une synthèse de pipeline guidée par une propriété CTL.
- en provenance du dispositif de contrôle DCF 4 , les données relatives au déroulement du service de transfert d’argent dans la technologie Web sous la forme d’une page Web par exemple du type : « {LOGO}
Echec du {Type service} : transfert d’argent d e {Montant} : 1000 FCFA vers {MSISDN 2 },
Veuillez renouveler l’opération ».
Ces différents messages sont reçus par le dispositif de supervision DSU, à la suite de quoi la structure de données STD est extraite par le module ACC dans l’étape S3. Dans l’exemple représenté, la structure de données STD est configurée pour contenir les identifiants de valeurs/paramètres de fonctionnement suivants :
- Horodatage,
- MSISDN1, qui désigne le numéro d’appel de l’utilisateur qui envoie l’argent,
- MSISDN2, qui désigne le numéro d’appel de l’utilisateur qui reçoit l’argent,
- Montant (en FCFA), où FCFA est le franc CFA qui est la devise utilisée en Côte d’Ivoire,
- Logo,
- Frais,
- Nouveau solde,
- Etat,
- Id Transaction qui désigne un identifiant de la transaction.
La largeur de la machine 100 étant faible car limitée à la longueur habituelle de la région de l’objet à étiqueter O et à son maintien pendant l’étiquetage, le rotor d’étiquetage 3 se limite, pour son soutien et son entraînement, à des moyens situés seulement du côté 11b du châssis ; cela a aussi l’avantage d’éviter une structure symétrique complexe avec deux paliers des deux côtés qui devraient en tenir compte de l’ouverture transversale dans la tête d’étiquetage, nécessaire pour placer l’objet à étiqueter O sur ou au voisinage de l’axe d’étiquetage XX.
Le rotor d’étiquetage 3 est porté par un disque de support 31 muni d’une fente radiale 311 pour introduire l’objet et le mettre en position d’étiquetage. Le disque de support 31 située au-delà de la paroi latérale 13 est porté par une couronne dentée 41, ouverte également par une fente radiale 412 selon la forme de cette fente d’entrée 311 et la fente 12 de la paroi 13 faisant partie du châssis ; ces fentes et ouvertures coïncident lorsque le disque de support 31 et la couronne dentée 41 sont en position d’arrêt correspondant à l’introduction de l’objet ou à son enlèvement une fois étiqueté. Une courroie crantée 43 engrène avec la couronne dentée 41 sur un segment d’entraînement 42 défini par deux pignons 421 portés par la paroi 13 ; il constitue le berceau sur lequel s’appuie la couronne dentée 41 du rotor. La courroie crantée 43 est une courroie à double face passant sur les pignons 421 ainsi que sur le pignon 422 du moteur 423.
La montre, au-delà de la paroi 13, un disque de came 33 associé au disque de support 31 pour commander le mouvement des mors du mandrin transversal 32. Pour cela le disque de came 33 a trois coulisses de guidage 332 courbes, inclinées par rapport à la direction radiale et permettant d’entraîner les mors du mandrin transversal 32 entre une position ouverte et une position refermée sur l’objet. Par définition, la direction radiale est une direction quelconque issue du centre constitué par l’axe XX.
De façon plus détaillée, après enlèvement de la plaque de guidage 14 ( ) fixée au châssis 1, la montre le mécanisme d’entraînement 4 couvert par un écran pivotant 15 protégeant l’accès à la fente d’entrée 12 du côté 11b du châssis.
L’écran 15 est un secteur monté pivotant sur le châssis 1 par son sommet 151 ; le côté opposé à ce sommet est un secteur de cercle, partiellement denté 152 coopérant avec un pignon 153 d’un dispositif d’entraînement commandé pour pivoter l’écran 15 en position de protection active ou en retrait pour permettre l’accès à la fente 12. L’écran 15 est guidé par le galet 154 logé dans une coulisse 155 en arc de cercle centrée sur le pivot 151.
L’écran pivotant 15 est retenu dans la direction transversale de l’axe XX en position de condamnation de l’entrée 12 (du côté 11b) par des vis.
L’écran 15 ayant été enlevé, la montre le mécanisme d’entraînement 4 en position d’arrêt ou d’attente, laissant dégagée la fente d’entrée 131 ; la vue éclatée ( ) montre les composants du mécanisme 4 installés de part et d’autre de la paroi 13.
Le mécanisme d’entraînement 4 se compose d’une partie d’entraînement, côté extérieur de la paroi 13 et d’une partie intérieure associée au rotor d’étiquetage 3, l’ensemble étant porté à rotation par une couronne de galets fixés à la paroi 13.
Selon les figures 3B et 3C, le mécanisme d’entraînement 4 se compose de la couronne dentée 41 roulant par sa surface intérieure sur un palier de la paroi 13, formé par une couronne circulaire de galets 441 montés sur des pivots 442 entourant l’ouverture 131 de la paroi 13. La couronne dentée 41 est retenue dans la direction transversale (axe XX) sur le palier formé par les galets 41, la surface intérieure de la couronne 41 étant munie d’un rebord.
La couronne dentée 41 a une face en forme de disque 411 munie d’une fente d’entrée 412 et de trous circulaires 413 correspondant aux pivots 442 des galets 441 pour accéder à ceux-ci pour leur fixation à travers le disque 411 pour installer et retenir la couronne dentée 41, la surface intérieure de la couronne 41 étant munie d’un rebord. Les galets 441 sont d’abord positionnés et retenus provisoirement dans ou à travers les trous circulaires 413 et la couronne 41 ; la couronne 41 est ainsi mise en place par les galets 441 sur les pivots 442 ; les galets sont ensuite vissés à ces pivots 442 et retiennent la couronne 41 qui sera également associée solidairement au moyeu 312 du disque de support 31 à travers le logement en arc de cercle 131 formant un palier.
La couronne dentée 41 est entraînée par la courroie 43 crantée sur ses deux faces, passant sur les pignons 421 montés sur des axes portés par la paroi 13.
La denture de la courroie 43 et celle de la couronne 41 sont calculées pour tenir compte de la répartition des dents sur la couronne 41 et le nombre de dents du segment de la courroie chevauchant la fente 412 ; ce segment à une forme droite de corde de cercle et non pas courbe d’arc de cercle lorsque la fente 412 est sur le segment d’entraînement 42.
La courroie 43 passe sur le pignon de sortie 422 du moteur 423 fixé au côté intérieur de la paroi 13 pour éviter le relief que ferait le moteur 423 sur le côté extérieur. Le moteur 423 est commandé pour une commande précise du mouvement de la couronne dentée 41.
Le disque 411 de la couronne 41 est relié par son moyeu incomplet 413, coupé par la fente 412, au moyeu incomplet 312 du disque de support 31 du rotor d’étiquetage 3, de façon que leurs fentes 412, 311 coïncident. Ainsi, l’ensemble formé par la couronne dentée 41 solidaire du disque 411 et le disque de support 31 avec leurs moyeux combinés est monté à rotation à cheval sur la paroi 13 par le palier 44. L’assemblage est fait par des vis 415.
Le moyeu incomplet 312 du disque de support 31 forme le palier de rotation du disque de came 33 associé au disque de support 31.
Selon la , le disque de came 33 comporte trois coulisses de guidage 332 inclinées par rapport à une direction radiale ; est sont identiques et réparties de façon équiangulaire autour de l’axe de rotation XX et qui ont chacune une extension angulaire autour de cet axe XX entre une extrémité intérieure 332a tournée vers l’axe XX et une extrémité extérieure 332b du côté du bord du disque.
Le composant 23 peut typiquement comprendre la couche d’injection 221, la région active 222, la couche 223, et éventuellement une partie du guide d’onde 120.
Comme illustré à la , une structure 24 à base d’InP:Fe est formée à partir de la couche 221, en bordure du composant 23. La structure 24 est typiquement formée par MOVPE à une température supérieure ou égale à 600°C. Cette structure 24 est de préférence directement au contact des flancs 224 du composant 23. Selon une autre possibilité une fine couche, également appelée liner, peut être intercalée entre la structure 24 et les flancs 224. Cette structure 24 forme avantageusement une structure de dissipation thermique SIBH pour le composant 23. Après croissance de l’InP:Fe sur la couche 221, une planarisation, par exemple par polissage mécano-chimique, est de préférence effectuée de façon à exposer le sommet 230 du composant 23. Une surface plane 230, 225 est ainsi obtenue.
Selon une possibilité alternative, le composant 23 est formé séparément, avec ou sans la structure de dissipation thermique SIBH, et directement reporté sur la couche optique 122. Le nombre d’étapes de croissance à haute température de matériaux III-V peut ainsi être limité. Après report, le guide d’onde 120 peut être en partie structuré, par exemple selon la direction y.
Comme illustré à la , de façon optionnelle, une couche d’encapsulation 25a à base de SiO2 peut être déposée sur la surface plane 230, 225 du niveau III-V, puis planarisée. Des contacts N et P sont ensuite formés sur le composant 23. La partie 223 dopée P du composant 23 est ainsi contactée électriquement à un contact P 251, par l’intermédiaire d’un via métallique 251v. La couche 221 dopée N reliant le composant 23 est ainsi contactée électriquement à un contact N 252, par l’intermédiaire d’un via métallique 252v. Le via 252v traverse la structure de dissipation thermique 24 et optionnellement la couche d’encapsulation 25a.
Comme illustré à la , après formation des vias 251v, 252v et des contacts P et N 251, 252, une deuxième couche d’encapsulation 25b à base de SiO2 est déposée puis planarisée. Une couche 250 comprenant un premier niveau de contacts électriques est ainsi formée.
Selon une possibilité, les couches d’encapsulation 25a, 25b peuvent être à base d’un matériau électriquement isolant et bon conducteur thermique, par exemple le nitrure d’aluminium AlN.
De façon optionnelle, comme illustré à la , une couche de conduction thermique 253 peut être déposée sur la couche de contacts 250. Cette couche de conduction thermique 253 présente typiquement une conduction thermique élevée. Elle peut être électriquement conductrice, par exemple à base d’un métal compatible avec la technologie CMOS. Une telle couche de conduction thermique 253, par exemple à base d’or, peut également faciliter l’assemblage avec un autre wafer.
Comme illustré à la , un troisième substrat 3, typiquement à base de silicium, est assemblé en regard de la couche de contacts 250, éventuellement par l’intermédiaire de la couche de conduction thermique 253.
À ce stade, la structure ainsi formée comprend en empilement selon z : le premier substrat 1 comprenant la couche optique 122 à base de silicium, un niveau III-V comprenant le composant 23 et la structure de dissipation thermique 24, et possiblement un ou plusieurs vias traversants, une couche de contacts 250, de façon optionnelle, une couche de conduction thermique 253, un troisième substrat 3 à base de silicium.
Comme illustré à la , le substrat 1 est alors en partie retiré. En particulier, la partie bulk et le BOX sont retirés par rognage et gravure chimique, de façon à exposer la partie restante du top Si de la couche optique 122.
Cette partie du top Si peut être avantageusement de nouveau structurée par lithographie/gravure de façon à former un composant à base de silicium 123. De façon avantageuse, une implantation d’espèces dopantes peut être effectuée au niveau d’une zone d’implantation I. Une activation des espèces dopantes par recuit thermique est alors typiquement réalisée. Le retrait préalable du BOX permet notamment de réaliser une telle implantation. Cela permet également de réaliser un dopage par diffusion, selon une possibilité alternative. Un composant 123 présentant des zones implantées et dopées est ainsi avantageusement obtenu. Un tel composant 123 à base de silicium peut être par exemple un modulateur de phase à jonction PN, un autre guide d’onde. Selon une autre possibilité, le BOX est partiellement retiré et aminci de façon à permettre une implantation d’espèces dopantes dans la zone d’implantation I au travers du BOX aminci. Le dopage localisé du top Si est ainsi avantageusement effectué après l’étape d’épitaxie d’InP:Fe nécessitant un grand budget thermique. La ou les étapes d’épitaxie haute température (SAG, SIBH) ne perturbent donc pas le dopage du top Si. Cela permet de mieux contrôler les profils de dopage dans le top Si.
Comme illustré à la , un ou plusieurs niveaux d’interconnexions 4 peuvent être formés sur la couche optique 122, par des procédés conventionnels de fin de ligne BEOL (acronyme de « Back End Of Line »). Dans l’exemple illustré les vias traversants 451v, 452v connectent le composant 23 à base de matériaux III-V. D’autres vias 453v, 454v connectent le composant 123 à base de silicium. Selon une possibilité, le ou les niveaux d’interconnexions peuvent être rapportés sur la couche optique 122 par l’intermédiaire d’un interposeur à base de silice. Ce niveau d’interconnexions est typiquement faiblement conducteur thermique.
Le procédé permet ainsi de former une architecture optimisée pour la dissipation thermique, comprenant en empilement selon z : le substrat 3 massif à base de silicium permettant d’évacuer la chaleur produite par le composant 23, une éventuelle couche de conduction thermique 253, une couche de contacts 250, un niveau III-V comprenant le composant 23 et la structure de dissipation thermique 24, la couche optique 122 comprenant le guide d’onde 120 couplé optiquement au composant 23, un niveau d’interconnexion 4.
Le procédé selon l’invention permet ainsi d’intégrer verticalement des structures photoniques en silicium obtenues par des procédés standards, avec des composants III-V obtenus par des techniques avancées de recroissance épitaxiale de matériaux III-V. Avantageusement, la ou les croissances épitaxiales nécessitant de hautes températures supérieures à 600°C sont d’abord effectuées, puis l’empilement est retourné de façon à effectuer les étapes standard de la technologie silicium.
La chaleur produite par le composant III-V est typiquement évacuée via la structure de dissipation 24 et le substrat 3, à l’opposé du guide d’onde 120 et/ou du niveau d’interconnexions. Les propriétés optiques du guide d’onde 120 ne sont ainsi pas affectées par le flux de chaleur. Le niveau d’interconnexions forme en outre une barrière thermique isolant les niveaux supérieurs, par exemple un niveau comprenant une électronique de commande. Le composant 23 et son électronique de commande peuvent ainsi être isolés thermiquement l’un de l’autre par le niveau d’interconnexions.
La illustre un autre exemple d’architecture obtenue par ce procédé. Dans cet exemple, la couche 221 s’étend latéralement depuis le composant 23 de façon dissymétrique par rapport aux flancs du composant 23. Cela permet par exemple de faciliter la formation du via 451v.
Une fois corrigée du facteur de dilution approprié, la croissance des souches bactériennes concurrentes a été calculée comme un facteur de variation par rapport à la charge bactérienne de l'inoculum initial (t = 0h).
Toutes les analyses statistiques ont été effectuées avec le logiciel OriginLab. Pour déterminer si des différences statistiquement significatives entre les traitements étaient présentes, une analyse de test t a été réalisée. Toutes les données sont présentées sous forme de moyenne ± écart-type (ET) de 3 expériences indépendantes. Les différences entre les groupes ont été considérées comme significatives à p <0,05.
Résultats Impact des scFOS sur la croissance bactérienne et la survie
Avant d'étudier l'effet potentiel des scFOS en tant que prébiotique sur leur croissance, leur impact sur la croissance et la survie de S. epidermidis, C. acnes et S. aureus a été testé. Les expériences ont été réalisées en milieu de croissance bactérienne spécifique de chaque souche bactérienne (TSB pour S. aureus et S. epidermidis et BTSB pour C. acnes ).
Comme le montre le tableau 1, aucun effet bactériostatique ou bactéricide du scFOS n'a été observé sur S. epidermidis , C. acnes et S. aureus , puisqu'une croissance significative par rapport à la charge bactérienne initiale a été mise en évidence à toutes les concentrations testées de scFOS. Une diminution des populations de S. epidermidis et de S. aureus , entre 8 et 24h à la même concentration a été observée, probablement due à l'épuisement progressif des nutriments, limitant la survie des bactéries. Une réduction significative de la croissance de C. acnes et S. aureus a été observée aux concentrations de scFOS les plus élevées (10 et 15% de scFOS).
S. epidermidis C. acnes S. aureus scFOS (%) 0h 8h 24h 0h 8h 24h 0h 8h 24h 0 1.0 ± 0.1 26.7 ± 0.5 23.7 ± 6.3 1.0 ± 0.1 11.7 ± 1.0 0.3 ± 0.5 1.0 ± 0.2 262.9 ± 11.5 141.5 ± 30.1 1 1.0 ± 0.1 46.6 ± 4.6 15.2 ± 0.3 1.0 ± 0.1 10.5 ± 0.3 2.6 ± 0.2 1.0 ± 0.2 293.2 ± 36.2 196.4 ± 25.9 5 1.0 ± 0.1 45.2 ± 4.4 9.2 ± 0.2 1.0 ± 0.1 9.6 ± 1.3 1.0 ± 0.5 1.0 ± 0.2 227.6 ± 35.0 154.3 ± 32.5 10 1.0 ± 0.1 54.1 ± 9.3 3.4 ± 0.2 1.0 ± 0.1 2.9 ± 0.7 2.9 ± 2.2 1.0 ± 0.2 116.3 ± 22.3 82.7 ± 9.6 15 1.0 ± 0.1 63.5 ± 19.0 3.4 ± 0.6 1.0 ± 0.1 1.6 ± 0.1 0.3 ± 0.1 1.0 ± 0.2 130.4 ± 4.8 28.1 ± 19.3
Activité prébiotique du scFOS sur des souches bactériennes