INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La couche semiconductrice 10 est une couche épaisse, dans le sens où son épaisseur est supérieure à son épaisseur critique de relaxation plastique des contraintes mécaniques, de sorte qu’elle présente la zone inférieure z inf contrainte en compression située au contact de la couche de nucléation 3 en germanium, et la zone supérieure z sup qui ne comporte sensiblement pas de défauts structuraux. La couche semiconductrice 10 de GeSn présente ici une épaisseur égale à 480nm environ. Par ailleurs, la proportion atomique d’étain x ici de 8% de la couche semiconductrice 10 présente une valeur au moins égale à une valeur minimale x min , laquelle est prédéfinie et dépend de la valeur x ps2 que l’on souhaite obtenir dans les structures verticales 13.2, compte tenu de la contrainte en tension ε ps qui sera générée dans la portion supérieure 13. Cette valeur inférieure x min peut être définie préalablement au moyen d’essais expérimentaux. Enfin, la couche semiconductrice 10 présente ici une épaisseur constante, et comporte deux faces sensiblement planes, une face inférieure au contact de la couche de nucléation 3, et la face supérieure 10a opposée.
En référence à la , on réalise ici une structuration en épaisseur de la couche de nucléation 3 et de la couche semiconductrice 10, par des opérations de photolithographie et gravure. Il s’agit ici de graver la couche de nucléation 3 et la couche semiconductrice 10, pour former des portions de couche, selon une forme dans le plan XY qui dépend de la fonction optique de ces portions de couche. Par ailleurs, on peut également réaliser au moins une échancrure 20 au niveau de la face supérieure de manière à délimiter ce qui sera la région intrinsèque 15 de la jonction PIN. Par ailleurs, le ou les réflecteurs de Bragg (non représentés) peuvent être réalisés dans la couche de nucléation 3 en germanium ou dans la couche semiconductrice 10 en GeSn.
En référence à la qui est une vue de dessus de l’empilement de la , le substrat support 2 peut comporter un guide d’onde intégré (non représenté), et la couche de nucléation 3 et la couche semiconductrice 10 peuvent former des guides d’onde supérieurs couplés optiquement au guide d’onde intégré. Plus précisément, le guide d’onde de la couche semiconductrice 10 est couplé optiquement au guide d’onde intégré par le biais du guide d’onde 21 de la couche de nucléation 3. D’autres structurations sont bien sûr possibles.
En référence à la , on réalise l’une des régions dopées de la jonction PIN, ici la région 14 dopée n+. Le dopage est réalisé ici par implantation ionique d’espèces dopantes de type n, par exemple de phosphore, de manière localisée. La région 14 dopée n+ présente ici une profondeur de 135nm environ.
En référence à la , on réalise l’autre des régions dopées de la jonction PIN, ici la région 16 dopée p+. Le dopage est réalisé ici par implantation ionique d’espèces dopantes de type p, par exemple de bore, de manière localisée. Les régions 14, 16 dopées n+ et p+ sont espacées l’une de l’autre dans le plan XY par la région intrinsèque 15 (non intentionnellement dopée). La région 14 dopée p+ présente ici aussi une épaisseur de 135nm environ. Un recuit de courte durée ( laser annealing en anglais) peut être effectué pour activer les dopants des régions 14, 16 dopées n+ et p+.
En référence à la , on réalise une amorphisation localisée d’une partie de la couche semiconductrice 10, ici dans la région intrinsèque 15. Cette étape est facultative et peut donc être omise. Cette amorphisation localisée est effectuée par implantation ionique d’éléments chimiques non dopants, par exemple ici du germanium ou du silicium. La profondeur d’amorphisation est de préférence au moins égale à la profondeur des régions 14, 16 dopées n+ et p+, et donc ici à 135nm environ.
En référence à la , on réalise la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13, par recuit localisé par laser nanoseconde (NLA pour Nanoseconde Laser Annealing en anglais) d’une partie de la couche semiconductrice 10, et plus précisément de la partie rendue amorphe. Pour cela, la surface supérieure de la partie amorphe de la couche semiconductrice 10 est soumise à une impulsion laser présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie minimale et une durée minimale prédéfinies de manière à provoquer la fusion totale de la partie amorphe sur toute sa profondeur et sur toute sa largeur, ainsi que la fusion totale d’une partie du GeSn monocristallin sous-jacent. L’impulsion laser présente une longueur d’onde adaptée à ce que l’impulsion laser soit absorbée au moins en partie par la couche semiconductrice 10, par exemple une longueur d’onde dans l’ultra-violet, par exemple égale à 308nm. Notons ici que la durée d’une impulsion laser est définie comme la largeur à mi-hauteur de l’évolution temporelle de l’intensité optique.
Par ailleurs, par fusion totale, on entend que le GeSn est entièrement fondu, et qu’il ne reste pas localement sous forme cristalline. Dans cet exemple, la fusion du GeSn est effectuée sur une profondeur supérieure à 135nm, par exemple sur une profondeur au moins égale à 150nm environ. A titre d’exemple, l’impulsion laser peut durer au moins quelques dizaines ou centaines de nanosecondes, par exemple au moins égale à 145ns (largeur à mi-hauteur de l’impulsion laser) et présenter une densité d’énergie au moins égale à une valeur qui dépend du matériau éclairé (composition chimique, état cristallin, état de surface et contraintes mécaniques, notamment). Ainsi, dans le cas où on souhaite appliquer l’impulsion laser sur la région 14 ayant été dopée n+ et amorphisée par implantation ionique de phosphore avec une dose de 3×10 15 at/cm 2 avec une énergie égale à 50keV ou égale à 70keV, la densité d’énergie de l’impulsion laser peut être respectivement au moins égale à 0.7J/cm 2 ou à 0.8J/cm 2 pour obtenir une fusion totale du GeSn sur une profondeur d’au moins 150nm. Dans la variante où la portion supérieure 13 n’a pas été amorphisée par implantation ionique, la densité d’énergie de l’impulsion laser peut être au supérieure à 0,8 J/cm 2 . Ces valeurs peuvent ainsi être adaptées pour obtenir une fusion totale de la portion de GeSn sur la profondeur voulue.
Lorsque le recuit par laser nanoseconde est terminé, une recristallisation du GeSn a lieu, avec un front de cristallisation qui se déplace à partir du GeSn monocristallin non fondu en direction de la face supérieure 10a. Il apparaît alors, d’une manière surprenante, que cela se traduit par la formation de la portion intermédiaire 12 où la proportion atomique d’étain chute jusqu’à la valeur minimale x pi1 , ici égale à 2% environ, et à la formation de la portion supérieure 13 qui est formée du milieu homogène 13.1 avec une proportion atomique d’étain x ps1 ici égale à 7% environ, sensiblement homogène et supérieure à x pi1 , dans lequel se trouve des structures verticales 13.2 avec une proportion atomique d’étain x ps2 ici égale à 16% environ, supérieure à x ps1 . De plus, il apparaît que la portion supérieure 13 est monocristalline malgré la présence des structures verticales 13.2, et qu’elle présente une contrainte en tension d’une valeur ε ps ici égale à -0.4% environ. Ainsi, dans la portion supérieure 13, la contrainte en tension ε ps et la proportion atomique d’étain x ps1 sont telles que la structure de bandes d’énergie est directe, dans le milieu homogène 13.1 et a fortiori dans les structures verticales 13.2. De plus, la structure de bandes d’énergie dans la portion supérieure 13 (et donc dans la région intrinsèque 15) montre que les structures verticales 13.2 forment des puits quantiques adaptés à la génération du rayonnement infrarouge. Enfin, comme indiqué précédemment, dans la portion intermédiaire 12, la zone appauvrie en étain où la proportion atomique d’étain x pi1 (ici 2% environ) est inférieure à x ps1 (ici 7% environ), forme une zone barrière qui s’étend sous toute la portion supérieure 13 et tend à confiner les porteurs de charge dans la portion supérieure 13 et donc dans la région intrinsèque 15.
En référence à la , on réalise enfin les contacts métalliques 4, qui reposent sur la face supérieure de la couche semiconductrice 10, l’un au contact de la région 14 dopée n+ et l’autre au contact de la région 16 dopée p+. Ces contacts métalliques sont raccordés à une source électrique et permettent de polariser la diode laser.
Ainsi, le procédé permet de fabriquer un dispositif optoélectronique 1, ici une diode laser, où la couche semiconductrice 10 comporte une portion de base 11, une portion intermédiaire 12 dont une zone forme une zone barrière, et une portion supérieure 13 où se situe la région intrinsèque 15 et qui comporte des structures verticales 13.2 formant des puits quantiques. La portion supérieure 13 est monocristalline, contrainte en tension et présente une structure de bandes directe. On obtient donc un dispositif optoélectronique 1 présentant de bonnes performances pour l’émission ou la détection de lumière. Cette couche semiconductrice 10 à base de GeSn, avec ces portions intermédiaire 12 et supérieure 13, n’est donc pas réalisée par des techniques d’ingénierie des contraintes mécaniques ou par une technique de membrane suspendue et mise en tension et ensuite effondrée, comme dans les exemples de l’art antérieur mentionnés précédemment.
Notons que l’application d’un recuit par laser nanoseconde à une couche semiconductrice 10 à base de GeSn est décrit dans l’article de Gallucio et al. intitulé Cell formation on stanogermanides using pulsed laser thermal anneal on Ge 0.91 Sn 0.09 , Materials Science in Semiconductor Processing 121 (2021) 105399. Cependant, dans cet article, l’impulsion laser éclaire une couche de nickel qui recouvre la couche semiconductrice 10 de GeSn, et non pas directement cette dernière. Elle présente une densité d’énergie comprise entre 100 et 500 mJ/cm 2 . Cette couche de nickel absorbe le rayonnement laser et assure une conversion thermique provoquant une fusion du GeSn sous-jacent. Si la formation de colonnes verticales riches en étain est observée, il n’y a pas décrit que la couche semiconductrice 10 est mise en tension de manière suffisante pour que la structure de bandes soit directe, ni qu’une portion intermédiaire sous-jacente appauvrie en étain ait été réalisée.
Selon un autre mode de réalisation, l’étape d’amorphisation ( ) d’une partie de la couche semiconductrice 10, étant facultative, est omise. Aussi, après les étapes de réalisation des régions 14, 16 dopées n+ et p+, on peut procéder directement à l’étape de recuit par laser nanoseconde. Ce recuit peut être localisé et permet d’obtenir la structure globale illustrée sur la . En variante, il peut être global, dans le sens où il est appliqué à l’ensemble de la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10, et permet d’obtenir une structure similaire à celle de la . La densité d’énergie de l’impulsion laser de longueur d’onde à 308nm est alors adaptée, et peut être supérieure à 0,8/cm 2 environ, avec une durée d’au moins 145ns, pour obtenir une fusion totale du GeSn sur une profondeur au moins égale à 150nm environ.
A ce titre, la est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon une variante de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 se distingue ici de celui de la essentiellement en ce que le recuit par laser nanoseconde n’a pas été effectué de manière localisée, i.e. sur une surface précise de la face supérieure 10a, mais qu’il a été effectué sur toute la face supérieure 10a (les structures verticales 13.2 sont donc également présentes dans les régions dopées 14, 16). Ainsi, la portion intermédiaire 12 s’étend sur toute la largeur de la couche semiconductrice 10, et sépare verticalement la portion de base 11 de la portion supérieure 13. Les régions 14, 16 dopées n+ et p+ sont donc situées dans la portion supérieure 13 et non plus dans la portion de base 11. La zone barrière (appauvrie en étain) de la portion intermédiaire 12 s’étend donc sous la région 14 dopée n+, la région intrinsèque 15 et la région 16 dopée p+. Le dispositif optoélectronique 1 selon cette variante peut être réalisé par un procédé similaire à celui décrit en référence aux à 3H (et qui s’en distingue par le fait que le recuit par laser nanoseconde a été fait sur toute la face supérieure 10a), le recuit par laser nanoseconde étant précédé ou non par une étape d’amorphisation.
A ce titre, la est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon une variante de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 est ici une diode laser, qui se distingue de celui de la essentiellement en ce que l'une des régions dopées, ici la région 16 dopée p+ est située dans la portion supérieure 13, au-dessus de la région intrinsèque 15. Dans cet exemple, la région 14 dopée n+ est située de part et d’autre, dans le plan XY, de la région intrinsèque 15 et de la région 16 dopée p+. Elle est située dans la portion de base 11 (configuration de la ), mais en variante, elle pourrait être située dans la portion supérieure 13 (configuration de la ). La région 16 dopée p+ est formée d’une zone supérieure de la portion supérieure 13 qui affleure la face supérieure 10a. Un contact métallique 4 repose donc sur et au contact de la région 16 dopée p+ de la portion supérieure 13. Par ailleurs, dans cet exemple, la couche semiconductrice 10 ne comporte pas nécessairement d’échancrure délimitant dans le plan XY la portion supérieure 13 et ici la région intrinsèque 15 et la région 16 dopée p+.
22 Lamelle déflectrice
24 Surface supérieure du déflecteur
26 Rail de fixation
28 Canal pour le liquide de nettoyage
30 Logement du ruban chauffant
34 Relief
38 Matrice semi-conductrice
40 Enveloppe de fluoro-polymère
42 Tressage
44 Enveloppe extérieure
50 Segment de fixation
52 Segment d’amortissement
54 Entretoise pendulaire
56 Segment de contact
Le ou les catalyseurs aminés peuvent être choisis parmi les catalyseurs à fonction amine tertiaire ou à fonction aminidine ou à fonction guanidine.
Les catalyseurs à fonction amine tertiaire,peuvent être choisis parmi la triéthylamine, la diisopropyléthylamine, la tri-n-propylamine, la tri-n-butylamine, la méthyldibutylamine, la N-méthyldicyclohexylamine, la N,N-diméthylcyclohexylamine, l'éthyldiisopropylamine, la N,N-diéthylcyclohexylamine, la pyridine, la diméthylamino-4 pyridine, la N-méthylpipéridine, la N-éthylpipéridine, la N-n-butylpipéridine, la 1,2-diméthylpipéridine, la N-méthylpyrrolidine, la 1,2-diméthylpyrrolidine, la diméthylaniline, la picoline, la N,N-diméthylbenzylamine, l'éther bis-2-diméthylaminoéthylique, la N,N,N',N',N"-pentaméthyldiéthylène-triamine, , la N,N,N',N'-tétraméthyléthylène-diamine, la N-méthyl morpholine, la N-éthyl morpholine, le 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane et leurs mélanges.
On utilise de préférence la diisopropyléthylamine.
Les catalyseurs à fonction amidine sont par exemple le 1,5-Diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene (ou DBN), le 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undéc-7-ène (ou DBU).
Les catalyseurs à fonction guanidine peuvent être choisis parmi les composés de formule (Ia) suivante : dans laquelle R1, R2, R3, R4, R5 représentent, indépendamment, un atome d’hydrogène ou un radical alkyle ou alcényl inférieur en C1-C4, linéaire ou ramifié, lorsque R1, R2 et R3 et R4 représentent un atome d’hydrogène, R5 peut également désigner un radical acétyl ;; carboxamide ; méthoxy ; éthoxy ; 1,2,4-triazolyl ; cyclopentyl ; méthoxycarbonyle ; éthoxycarbonyle ;; phényle; benzyle ; thiazolidone ; benzimidazole ; benzoxazole ; benzothiazole ; ou C(=NH)-NR6R7 dans lequel R6 et R7 désignent, indépendamment l’un de l’autre, un atome d’hydrogène ou un radical alkyle inférieur en C1-C4, linéaire ou ramifié,; ou encore un radical phényle, lorsque R1=R2=R3=H, R4 et R5 peuvent également former, avec l’atome d’azote qui les porte, un cycle pyrrolidine, pipéridine, pyrazole ou 1,2,4-triazole, lorsque R1=R2=H, et R4=H ou méthyle, R3 et R5 peuvent également former ensemble un cycle à 5 chainons contenant éventuellement un groupe oxo, et leurs sels organiques ou minéraux.
Comme sels, on peut citer les sels de chlohydrate, sulfate, sulfamate, carbonate, bicarbonate, phosphate, acétate.
Parmi les composés de formule (Ia), on peut notamment citer les composés suivants : la guanidine, l’aminoguanidine, la 1-acétylguanidine, la guanylurée, la phénylguanidine, la 1,1-diméthylguanidine, la 1-éthylguanidine, la 1,1-diéthylguanidine, la créatine, l’agmatine, le biguanide, le N-méthyl biguanide, le N-éthyl biguanide, le N-propyl biguanide, le N-butylbiguanide, le 1,1-diméthylbiguanide, le 1-phénylbiguanide, la 1,1,3,3-tétraméthylguanidine, la 2-tert-butyl-1,1,3,3- tétraméthylguanidine, la 1H-pyrazole-1-carboxamidine, le 5-hydroxy-3-méthyl-1H-pyrazole-1-carboximidamide, le 3,5-diamino-1H-1,2,4-triazole-1-carboximidamide, la 2-guanidone-4-thiazolidone, le 2-guanidinobenzimidazole, le 2-guanidinobenzoxazole, le 2-guanidinobenzothiazole, la 1,1,3,3-Tetramethylguanidine (ou TMG), le 1,5,7-Triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene (ou TBD), le 7-Methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene (ou MTBD).
Composés thiolés Le ou les composé(s) E peuvent être choisis parmi c) les composés thiolés, organiques ou inorganiques, polymériques ou non, de préférence organiques ou siliconés, choisis parmi les composés polythiolés ayant au moins deux groupes thiols.
Les composés thiolés de l’invention peuvent être organiques ou inorganiques, de préférence organiques.
Selon une variante avantageuse, les composés thiolés sont siliconés, c’est-à-dire qu’ils comportent au moins deux groupes thiols et au moins une chaine siloxane.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, le ou les composé(s) thiolé(s) sont inorganiques. On peut citer par exemple les silicones polythiols et les silices polythiols.
Les composés thiolés de l’invention peuvent être liposolubles ou non.
Par composé "liposoluble", on entend un composé soluble ou miscible à au moins 1 % en poids dans l’isododécane à 25 °C.
Composés thiolés non polymériques Selon un mode de réalisation de l’invention, les composés thiolés, sont non polymériques de formule (IIA) : Formule (IIA) dans laquelle : q représente un nombre entier supérieure ou égal à 2, de préférence allant de 2 à 10, plus préférentiellement allant de 2 à 5 ; L désigne un groupe multivalent (au moins divalent), en particulier comprenant de 1 à 500 atomes de carbone et/ou de silicium, plus particulièrement de 2 à 40 atomes de carbone et/ou de silicium, encore plus particulièrement de 3 à 30 atomes de carbone et/ou de silicium, de préférence de 6 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ou (hétéro)cyclique, saturé ou insaturé ; L étant éventuellement interrompu et/ou terminé par un ou plusieurs hétéroatomes ou groupes choisis parmi O, S, N, Si, C(X), et leurs associations telles que –O-, –O-C(X)-, -N(R)-C(X)-, -Si(R c )(R d )-O- avec R représentant un atome d’hydrogène ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle tel que méthyle ; et/ou L étant éventuellement substitué par un ou plusieurs atomes d’halogène, ou un groupe choisi parmi R a (R b )N-, -(X’) a -C(X)-(X’’) b -R a , - X , X’ et X’’ , identiques ou différents, représentent un atome d’oxygène, de soufre, ou un groupe N(R b ) ; - a et b valant 0 ou 1, de préférence la somme a + b vaut 1, - R a et R b , identiques ou différents, représentent un atome d’hydrogène, ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, ou aryl(C 1 -C 4 )alkyle tel que benzyle, de préférence R a et R b représentent un atome d’hydrogène ; - R c et R d , identiques ou différents, représentent un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, aryl(C 1 -C 4 )alkyle ou (C 1 -C 6 )alcoxy.
Selon ce mode de réalisation, le composé polythiol est de préférence un composé dithiol.
Dans les exemples, la compatibilité peut également être déterminée par l’inclusion d’un symbole sur les substrats à code couleur. Par exemple, les substrats à code couleur 102, 104, 106, 108, et 110 ont un petit carré 122 pour signifier la compatibilité entre les substrats ayant de petits carrés. Les substrats à code couleur 112, 114, 116, 118, et 120 ont un petit triangle 124 pour signifier la compatibilité avec les substrats ayant de petits triangles.
Grâce à l’utilisation d’une particularité de forme ou d’un symbole sur les substrats à code couleur, il peut être possible pour un processeur d’image d’effectuer une analyse d’une image et d’identifier les formes des substrats à code couleur ou de reconnaître les symboles pour déterminer la compatibilité.
Bien qu’il puisse être préférable de sélectionner l’utilisation de substrats à code couleur à partir de l’ensemble des substrats dont les agents actifs sont compatibles, dans certains exemples, il est possible de combiner des substrats à code couleur d’un ensemble compatible avec un autre substrat à code couleur d’un ensemble compatible différent. Par exemple, les deux substrats à code couleur dont les agents actifs ne sont pas compatibles peuvent être utilisés à des distances où les agents actifs n’interfèrent pas entre eux. Un processeur d’image peut analyser une image pour déterminer si un substrat à code couleur d’un ensemble compatible est à une distance appropriée d’un substrat à code couleur d’un ensemble compatible différent.
Les substrats à code couleur peuvent être pré-emballés selon la compatibilité des agents actifs. Les substrats à code couleur peuvent également se présenter avec des dosages différents d’agents actifs. Dans un exemple, une couleur couvrant une bande d’ondes détermine le problème de peau, et la nuance de couleur particulière détermine le niveau de dosage. Une couleur claire peut indiquer un dosage plus faible d’un agent actif, et une couleur foncée dans la même bande d’ondes peut indiquer un dosage plus élevé du même agent actif.
Dans un exemple, pour chaque problème de peau pouvant être traité, les substrats à code couleur peuvent se présenter sous des formes différentes. Par exemple, les substrats à code couleur pour le problème de peau « acné » peuvent se présenter sous toutes les formes de substrats spécifiques à une zone. Par exemple, les substrats à code couleur pour le traitement de l’acné peuvent se présenter sous la forme d’un carré ou d’un cercle pour le front, d’un triangle pour la glabelle, d’un chevron pour le coin des yeux ou des lèvres, d’un croissant pour la zone sous les yeux ou sur la pommette, et d’un parallélogramme pour la joue ou la mâchoire. Par conséquent, les substrats destinés à traiter chaque problème de peau se présentent sous de multiples formes spécifiques à une zone, ainsi que sous de multiples dosages et dans de multiples ensembles compatibles.
Dans un exemple, la couleur bleue peut désigner un substrat pour traiter les taches sombres ou la pigmentation, la couleur violette ou pourpre peut désigner un substrat pour traiter l’hyperpigmentation post-inflammatoire, et la couleur rouge pour traiter l’acné. La couleur verte peut traiter les rides ou les ridules de vieillesse. Il n’y a pas de limite au nombre de couleurs différentes que les substrats à code couleur peuvent présenter et aux problèmes de peau à traiter.
Des compositions utiles dans le traitement des taches sombres, de l’acné, de la pigmentation, de l’hyperpigmentation post-inflammatoire, des rides et des ridules sont connues et peuvent être incorporées dans le substrat 100.
Dans un mode de réalisation, les substrats 102, 104, 106, 108, 110, 112, 114, 116, 118, et 120 comportent une structure comportant une ou plusieurs couches qui peuvent être appliquées sur la peau et/ou retirées de celle-ci. Dans un mode de réalisation, les substrats à code couleur 102, 104, 106, 108, 110, 112, 114, 116, 118, et 120 comportent une composition comportant un système gélifiant hydrophile qui forme une couche pouvant être appliquée sur la peau et/ou retirée de celle-ci. La composition comporte au moins un agent actif pour le problème de peau particulier, l’agent actif étant configuré pour interagir avec la peau, que ce soit par diffusion dans la peau (à travers le derme) ou par contact de surface. Les agents actifs de la composition peuvent s’échapper du substrat 100 pendant l’application ou l’adhérence du substrat à la peau. En fonction du type d’interaction entre le substrat et la peau, le temps d’application peut varier d’environ quelques secondes à environ quelques heures, voire environ quelques jours.