INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En particulier, les processeurs pourront être configurés pour que la composition d’oxydes métalliques calcinée représente de 20 % à 70 % en poids sec du mélange de matrice argileuse crue et de composition d’activation ; de façon préférée, de 30 % à 45 % ; de façon plus préférée, de 55 % à 70 % en poids sec du mélange de matrice argileuse crue et de composition d’activation.
En outre, les processeurs 60 pourront être configurés pour que la composition d’activation soit présente à une teneur d’au moins 0,1 % en poids sec dans une gâchée, de préférence d’au moins 0,2 % en poids sec d’une gâchée.
Le ou les processeurs pourront être configurés pour que la composition d’activation représente de 0,2 % à 50 % en poids sec du mélange de matrice argileuse crue et de la composition d’oxydes métalliques calcinée, de préférence de 20 % à 40 % en poids sec, de façon plus préférée de 2 % à 40 % en poids sec et de façon encore plus préférée de 10 % à 25 % en poids sec.
Avantageusement, le ou les processeurs pourront être configurés pour que qu’une gâchée comporte entre 2 et 10 % en poids sec d’une composition d’activation.
Les dispositifs électroniques peuvent comprendre au moins une diode électroluminescente (LED). Les dispositifs électroniques peuvent également comprendre au moins un circuit électronique de commande dédié au pilotage de ladite diode électroluminescente. Les dispositifs électroniques forment dès lors des « smart » LEDs, selon la terminologie anglo-saxonne usuelle.
la illustre schématiquement un dispositif optoélectronique de type smart LED.
les figures 2 à 6 illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de test et de transfert selon un mode de réalisation de la présente invention.
les figures 7 à 12 illustrent schématiquement des étapes de fabrication d’une structure de test et de transfert selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différentes parties des structures de test et de transfert et des LED ne sont pas forcément représentatives de la réalité.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, il est rappelé que l’invention selon son premier aspect comprend notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement :
Selon un exemple, la partie de contact comprend une couche de collage au niveau de la face de contact, en bordure de l’au moins un plot de contact, de sorte que la face de contact soit formée par une surface du plot de contact et une surface de la couche de collage. Cela permet d’améliorer la mise en contact de la structure de test et de transfert avec le dispositif électronique. Le dispositif électronique peut ainsi être assemblé à la structure de test et de transfert par adhésion au niveau de la surface de la couche de collage. Indépendamment ou en combinaison, le plot de contact de la structure de test et de transfert peut être assemblé à la zone de contact du dispositif électronique. Le collage est de préférence effectué par collage direct, par exemple selon un collage hydrophile assisté par Plasma, ou selon un collage sous ultra-vide de type SAB, pour « Surface Activated Bonding », ou encore par thermocompression.
Selon un exemple, l’au moins un plot de contact comprend une première couche à base d’un matériau pris parmi Au, Sn, SnAg ou SnAgCu, de préférence une couche intercalaire de Ni, et une deuxième couche de Cu en empilement selon une direction z perpendiculaire à la face de contact, la deuxième couche de Cu étant située du côté de la face de contact, et la première couche étant située du côté opposé, en regard de la partie de test. L’empilement de couches métalliques du contact est ainsi typiquement inversé par rapport à celui d’un contact standard. Cela permet de former ensuite un contact présentant un empilement de couches métalliques standard, après report dudit contact sur le dispositif électronique.
Selon un exemple, la portion sacrificielle électriquement conductrice borde l’au moins un plot de contact sur un côté opposé à la face de contact et en partie sur des flancs latéraux de l’au moins un plot de contact. Cela permet de minimiser la résistance électrique entre la portion sacrificielle et le plot de contact. Cela permet en outre, après retrait de la portion sacrificielle, de dégager une majeure partie du plot de contact.
Selon un exemple, la portion sacrificielle électriquement conductrice est en silicium polycristallin dopé n++. Ce matériau présente une bonne conductivité électrique. Il peut en outre être facilement gravé, par exemple par un procédé de gravure sèche à base de XeF2.
Selon un exemple, la partie de contact comprend au moins une première portion sacrificielle électriquement conductrice et une deuxième portion sacrificielle électriquement conductrice, et au moins une tranchée d’isolation à base de matériau diélectrique configurée pour isoler entre elles lesdites première et deuxième portions sacrificielles électriquement conductrices. La structure de test et de transfert permet ainsi de contacter indépendamment deux dispositifs électroniques ou deux zones de contacts distinctes d’un même dispositif électronique.
Selon un exemple, la partie de test comprend un circuit électronique intégré relié au réseau d’interconnexions électriques et configuré pour communiquer avec le dispositif électronique. La partie de test permet ainsi de réaliser des séquences de test plus complexes qu’un simple test de continuité électrique. Des tests fonctionnels du dispositif sont ainsi possibles.
Selon un exemple, les dispositifs électroniques sont des diodes électroluminescentes ou des diodes électroluminescentes comprenant chacune une électronique de pilotage intégrée.
Selon un exemple, la portion sacrificielle électriquement conductrice est à base de polySi n++ et le retrait est effectué par une solution de gravure à base de XeF2. Une telle solution de gravure peut-être avantageusement sélective vis-à-vis des métaux formant le plot de contact et/ou du matériau diélectrique formant la tranchée d’isolation. Ainsi, seule la portion sacrificielle est retirée lors de l’étape de retrait.
Selon un exemple, l’au moins un dispositif électronique comprend un premier dispositif électronique et un deuxième dispositif électronique solidaires l’un de l’autre et comprenant des faces de connexion dans un même plan, le procédé comprenant en outre, après assemblage de la structure de test auxdits premier et deuxième dispositifs électroniques, et avant retrait de l’au moins une portion sacrificielle électriquement conductrice, une étape d’individualisation configurée pour séparer les premier et deuxième dispositifs électroniques par une tranchée de séparation débouchant dans l’au moins une portion sacrificielle électriquement conductrice. La tranchée de séparation permet d’individualiser les dispositifs électroniques entre eux. La tranchée de séparation permet en outre de faciliter l’accès aux portions sacrificielles, typiquement lors du retrait desdites portions sacrificielles.
En , l'intérieur de la seconde cuve 6 peut être en verre avec un fond de cuve 7 en graphène hermétique et présentant une pression d'une atmosphère à 0 M au niveau de la mer. Une telle pression peut ainsi être considérée comme satisfaisante.
En , une valve de pression 9 (pouvant aussi être appelé clapet de pression) traverse la première cuve 5 et la seconde cuve 6 percée pour accueillir la valve de pression 9 prévue à cet effet.
En , la valve de pression 9 est située sur au moins l’un des côtés de la première cuve 5 et de la seconde cuve 6, cette dernière pouvant être en verre. L'utilité de cette valve de pression 9 est d’aspirer l’air ambiant de l’ensemble comprenant la première cuve 5, la seconde cuve 6, la première plaque supérieure 11 et le fond de cuve 7. Le but est ainsi d'enlever l'oxygène et le maximum d'humidité de l'air à l'intérieur de celle-ci, et de remplir l’ensemble comprenant la première cuve 5, la seconde cuve 6, la première plaque supérieure 11 et le fond de cuve 7 par un gaz inerte tel que l'azote, a une pression d'une atmosphère.
En et dans le cas de l’utilisation du nitrate de lithium, celui-ci étant corrosif et oxydant, le fait d’ajouter des parois en verre permet de réduire fortement le problème de corrosion et d'oxydation. De plus, le fait d’ajouter des parois en verre permet de réduire le remplacement fréquent des constituant du dispositif selon la présente invention et en particulier la première cuve 5, la seconde cuve 6, la première plaque supérieure 11 et le fond de cuve 7.
De plus en , le fait d'avoir un espace 8 pouvant être un espace d’air entre les parois latérales de verre de la seconde cuve 6 et la première cuve 5 apporte une solution pour minimiser la perte thermique (par les côtés de la première cuve 5 et de la seconde cuve 6).
En outre en , la valve de pression 9 permet de vider l'air ambiant trouvé en dessous de la première plaque supérieure 11, la seconde cuve 6 et le fond de cuve 7 et de le remplacer par un gaz inerte tel que l'azote. Ceci permet d’éviter qu’un produit caloporteur sensible à l’oxydation ou à l’humidité, tel que le nitrate de lithium, puisse absorber de l'humidité de l'air ambiant. Le produit caloporteur, tel que du nitrate de lithium, peut être injecté ensuite par la valve de pression 9 seulement au moment où l’air ambiant a été aspiré et a été remplacé par un gaz inerte tel que l’azote à une atmosphère par exemple.
En , du nitrate de lithium peut être contenu dans la seconde cuve 6, la première plaque supérieure 11 et du fond de cuve 7.
Lorsque le produit caloporteur est un sel susceptible d’être fondu, tel que le nitrate de lithium, celui-ci peut ensuite être fondu grâce à la lentille de Fresnel 1 réglée de manière à atteindre la température nécessaire à travers la première plaque supérieure 11. Le réglage de ma lentille de Fresnel peut se faire par exemple en réglant le point focal du point chaud sur le produit caloporteur. Il est donc possible d’utiliser le produit caloporteur sous forme de sel susceptible d’être fondu, tel que le nitrate de lithium comme source de chaleur par conduction thermique à travers le fond de cuve 7 en graphène en remplacement d'une flamme ou résistance.
En référence à la , il peut être vu une première cuve 5 (extérieure) dans laquelle une seconde cuve 6 (intérieure) est positionnée. La première cuve présente une valve de pression 9. La seconde cuve 6 comprend quatre premiers rivets 10. L’ensemble première cuve 5 et seconde cuve est coiffé par une première plaque supérieure 11.
En , il peut être vu que la seconde plaque supérieure 15 transmet de la chaleur la vers face supérieure de la cellule thermoélectrique 17.
En référence à la , un système refroidissement par liquide est classique. Ainsi, un liquide froid circule à l'aide d'une pompe à eau, passant à l'intérieur du réservoir 14 par une entrée 14A en le remplissant complètement, et en ressortant sur le côté opposé au niveau de la sortie 14B. Dans un mode de réalisation, le liquide peut être de l'eau froide, provenant d'un bassin ou autre, retournant dans le bassin pour y être refroidi naturellement par déperdition thermique. Ensuite, le liquide est pompé à nouveau du bassin dans le réservoir 14 circulant de la même manière que précédemment en passant par l’entrée 14A et évacué par la sortie 14B.
En est illustré un dispositif selon la présente invention comprenant deux parties distinctes, nommées partie haute A1 et partie basse A2.
La partie haute A1 comprend une première cuve 5, un fond de cuve 7, une valve de pression 9, et une première plaque supérieure 11.
La partie basse A2 comprends un réservoir 14, une entrée 14A, une sortie 14B, une seconde plaque supérieure 15, une cellule thermoélectrique 17, une troisième plaque supérieure 18, une deuxième plaque médiane 19, des seconds rivets 20 et des troisièmes rivets 20A.
Pour une bonne mise en contact de la partie haute A1 avec la partie basse A2 également référencée comme « sandwich » dans le contexte de la présente invention, la seconde plaque supérieure 15 en graphène, a de préférence un diamètre et/ou une forme géométrique proche ou identique aux diamètre et/ou forme géométrique de la plaque de graphène du fond de cuve 7. En effet, le but étant de pouvoir mettre en contact la plaque de graphène du fond de cuve 7 avec la seconde plaque supérieure 15 en graphène pour assurer une conduction thermique entre le fond de cuve 7, et la seconde plaque supérieure 15, à travers les plaques de graphène.
Ainsi en permettant le transfert de chaleur du produit caloporteur sous forme de sel susceptible d’être fondu, tel que le nitrate de lithium, à travers le fond de cuve 7 en graphène, à la seconde plaque supérieure 15, par conduction thermique à la seconde plaque supérieure 15, il est réalisé une différence de température entre les faces supérieures et inférieures de la cellule thermoélectrique 17.
La présence d’une agent gélifiant lipophile est avantageuse en ce qu’elle permet de rehausser la résistance mécanique des gouttes. Elle permet également de limiter, voire prévenir, les phénomènes de migration des filtres UV vers la phase aqueuse continue, notamment lorsque cette dernière comprend de l’alcool(s).
En particulier, un objet de la présente invention est de proposer une structure de test et de transfert permettant de tester individuellement un dispositif électronique parmi une pluralité de dispositifs électroniques unitaires. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de test et de transfert de dispositifs électroniques.
Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. En particulier, certaines caractéristiques et certains avantages du procédé de test et/ou de transfert peuvent s’appliquer mutatis mutandis à la structure ou au système de test et/ou de transfert, et réciproquement.
RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un aspect concerne une structure de test et de transfert de plots de contact destinée à tester au moins un dispositif électronique et à transférer au moins un plot de contact sur ledit au moins un dispositif électronique.
Avantageusement, la structure comprend une partie de test, et une partie de contact. La partie de test comprend au moins un réseau d’interconnexions électriques.
La partie de contact comprend au moins un plot de contact au niveau d’une face de contact, ledit au moins un plot de contact étant destiné à être mis en contact avec au moins une zone de contact au niveau d’une face de connexion du dispositif électronique.
Avantageusement, la partie de contact comprend en outre au moins une portion sacrificielle électriquement conductrice, reliant électriquement l’au moins un plot de contact au réseau d’interconnexions électriques de la partie de test.
La portion sacrificielle est typiquement configurée de façon à libérer l’au moins un plot de contact après que celui-ci ait été mis en contact avec l’au moins une zone de contact du dispositif électronique. Cette portion sacrificielle permet de réaliser une liaison électrique entre le réseau d’interconnexions électriques de la partie de test et l’au moins un plot de contact destiné à venir au contact du dispositif électronique. Ainsi, la structure de test et de transfert permet typiquement d’effectuer un test électrique d’un dispositif électronique, par mise en contact de l’au moins un plot de contact avec la zone de contact dudit dispositif électronique, puis d’effectuer un transfert de ce plot de contact sur ledit dispositif électronique, par exemple en retirant la portion sacrificielle électriquement conductrice sélectivement au plot de contact.
Une telle structure permet avantageusement de réaliser deux opérations technologiques, à savoir le test électrique d’un dispositif électronique et le transfert d’un plot de contact sur un dispositif électronique, de façon efficace. Ces deux opérations technologiques peuvent être dissociées. La structure de test et de transfert peut ainsi être utilisée uniquement pour effectuer un test électrique d’un dispositif électronique ou pour effectuer uniquement un transfert de plot de contact sur un dispositif électronique, ou pour effectuer un test électrique et un transfert de plot de contact sur un dispositif électronique.
Une telle structure de test et de transfert peut donc être avantageusement utilisée de façon versatile pour le test et/ou le transfert de plot de contact.
Le test électrique du dispositif électronique peut en outre être réalisé préalablement au report de ce dispositif électronique sur un substrat receveur, à la fin du procédé de fabrication de ce dispositif électronique sur le substrat donneur. Ainsi, la capacité à détecter des défauts survenus tardivement lors de la fabrication des dispositifs électroniques est significativement améliorée.
L’au moins un plot de contact intégré à la structure de test et de transfert est en outre facilement transférable au dispositif électronique. Cela simplifie la conception et le design des dispositifs électroniques. De façon avantageuse, la structure de test et de transfert prévoit au moins un plot de contact pour chaque dispositif électronique à tester. Cela permet de tester individuellement les dispositifs électroniques.
Un autre aspect concerne un système comprenant une telle structure de test et de transfert comprenant une pluralité de plots de contact, le système comprenant en outre une pluralité de dispositifs électroniques présentant chacun une face de connexion et comprenant chacun au moins une zone de contact. Les plots de contact de la structure de test et de transfert sont avantageusement configurés pour être assemblés aux zones de contact des dispositifs électroniques.
Dans ce système, la structure de test et de transfert permet de tester individuellement chacun des dispositifs et/ou de transférer collectivement des plots de contact aux dispositifs électroniques.
Un autre aspect concerne un procédé de test et de transfert d’au moins un plot de contact, destiné à tester au moins un dispositif électronique, et à transférer au moins un plot de contact depuis une structure de test et de transfert telle que décrite ci-dessus, sur ledit au moins un dispositif électronique.
Avantageusement, le procédé comprend au moins les étapes suivantes : fournir l’au moins un dispositif électronique, ledit au moins un dispositif électronique présentant une face de connexion comprenant au moins une zone de contact, aligner l’au moins un plot de contact de la structure de test avec l’au moins une zone de contact du dispositif électronique, assembler la structure de test au dispositif électronique, retirer l’au moins une portion sacrificielle électriquement conductrice, sélectivement à l’au moins un plot de contact, désolidariser la structure de test du dispositif électronique, en laissant l’au moins un plot de contact sur l’au moins une zone de contact du dispositif électronique.
Ainsi, le procédé permet avantageusement de transférer au moins un plot de contact sur au moins une zone de contact d’un dispositif électronique. De préférence, le procédé comprend en outre, après assemblage de la structure de test à l’au moins un dispositif électronique, et avant retrait de l’au moins une portion sacrificielle électriquement conductrice, une étape de test du dispositif électronique prise parmi un test électrique ou un test de fonctionnement, ladite étape de test étant effectuée via la partie de test de la structure de test et de transfert.
Dans une troisième étape 43, un usager du véhicule peut exécuter une action sur l’IHM 1. Si cette action est en relation avec la première information I 1 affichée par l’IHM 1, le moyen d’interfaçage 21 émet alors une information représentative de l’action à destination du dispositif de communication 20.
Dans une quatrième étape 44, le dispositif de communication 20 détermine alors une deuxième information I 2 représentative d’une zone du véhicule dans laquelle se situe l’élément présentant le dysfonctionnement détecté.
Dans une cinquième étape 45, le dispositif de communication 20 transmet la deuxième information I 2 à destination du moyen d’interfaçage 22 qui affiche une représentation de la deuxième information I 2 .
Dans une sixième étape 46, un usager du véhicule peut exécuter une action sur l’IHM 1. Si cette action est en relation avec la deuxième information I 2 affichée par l’IHM 1, le deuxième moyen d’interfaçage 22 émet alors une information représentative de l’action à destination du dispositif de communication 20.
Dans une septième étape 47, le dispositif de communication 20 évalue la gravité du dysfonctionnement détecté en relation avec la deuxième information I 2 .
Si le dysfonctionnement détecté peut être corrigé par l’usager, dans une huitième étape 48, le dispositif de communication 20 obtient une troisième information I 3 représentative d’une solution pour corriger le dysfonctionnement détecté.
Dans une neuvième étape 49, le dispositif de communication 20 transmet la troisième information I 3 à destination du deuxième moyen d’interfaçage 22 qui affiche une représentation de la troisième information I 3 .
Bien entendu, la présente invention ne se limite pas aux exemples de réalisation décrits ci-avant mais s’étend à un procédé de communication dans un véhicule d’informations relatives à des dysfonctionnements d’éléments du véhicule qui inclurait des étapes secondaires sans pour cela sortir de la portée de la présente invention. Il en serait de même d’un dispositif configuré pour la mise en œuvre d’un tel procédé.
L’invention concerne également un véhicule, par exemple automobile ou plus généralement un véhicule autonome à moteur terrestre, comprenant le système 2 de la et/ou le dispositif 3 de la .
Gestion dynamique d’un pare-feu de mémoire Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les systèmes intégrant un ou plusieurs processeurs ou cœurs de processeurs, communiquant avec une mémoire, notamment les systèmes sur puce, et en particulier la gestion dynamique d’un dispositif de pare-feu associé à cette mémoire.
Dans les systèmes sur puce actuels, il y a généralement plusieurs contextes d’exécution, basés sur un ou plusieurs microprocesseurs, qui peuvent avoir des niveaux dits sécurisés ou des niveaux dits non sécurisés.
Un contexte d’exécution, ou environnement d’exécution, met en œuvre un microprogramme (« firmware ») et des registres.
Lorsque le contexte ou environnement d’exécution est sécurisé, le firmware est sécurisé ainsi que les registres du microprocesseur associé au contexte d’exécution. A titre d’exemple non limitatif un firmware sécurisé peut être un firmware signé dont la signature a été vérifiée avant son chargement dans la mémoire programme correspondante. Lorsque le contexte ou environnement d’exécution n’est pas sécurisé, le firmware correspondant et les registres correspondants ne sont pas sécurisés.
Par exemple, un système d’exploitation peut prévoir un contexte d’exécution de niveau sécurisé et un contexte d’exécution applicatif, par exemple pour une application multimédias, de niveau non sécurisé.
Dans certains cas, il peut s’avérer avantageux qu’une mémoire ou une zone mémoire puisse être partagée entre des contextes d’exécution sécurisé et non sécurisé.
L’invention concerne également un système de refroidissement et de chauffage combinés dans un aéronef, l’aéronef comportant un moteur utilisant du dihydrogène comme combustible, le dihydrogène étant stocké sous forme liquide dans un réservoir et étant utilisé sous forme gazeuse dans le moteur, le moteur étant un turbopropulseur. Le dihydrogène est acheminé depuis le réservoir jusqu’au moteur par le biais d’une conduite dite conduite principale, et le système comporte :