INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
la deuxième méthode d’estimation du second angle de tangage du capteur consiste à : - analyser au moins une image acquise par le capteur à un instant t pour reconnaître des lignes de marquage au sol de la route dans ladite image, et sélectionner une pluralité de points qui appartiennent aux lignes de marquage au sol, - définir un point de fuite à la croisée desdites lignes de marquage, et - comparer la position dudit point de fuite avec la position du centre optique du capteur pour estimer le second angle de tangage du capteur ; - la qualité de l’estimation du second angle de tangage dépend du nombre de points sélectionnés appartenant aux lignes de marquage au sol et de la longueur desdites lignes de marquage visibles dans l’image acquise ; - le premier angle de tangage du capteur est un angle de tangage qui correspond à un mouvement angulaire du capteur autour d’un axe transversal globalement perpendiculaire à la trajectoire longitudinale du véhicule automobile.
Plusieurs solutions ont été mises en œuvre pour répondre à ce problème technique mais ne sont pas entièrement satisfaisantes.
La présente invention propose une solution simple, efficace et économique à ce problème.
L’invention concerne un dispositif d’étanchéité du type à labyrinthe pour une turbomachine d’aéronef, ce dispositif comportant :
- un rotor ayant un axe de rotation et comprenant au moins une léchette annulaire externe s’étendant autour dudit axe, et
- un stator s’étendant autour de l’axe, ce stator comprenant un revêtement annulaire en matériau abradable qui s’étend autour de la léchette et qui est configuré pour coopérer en fonctionnement avec la léchette pour former une étanchéité du type à labyrinthe par rapport à un flux de gaz qui est destiné à s’écouler axialement d’amont en aval à travers le rotor, le revêtement comportant une surface cylindrique interne s’étendant autour de la léchette et apte à venir au contact de la léchette pour former par frottement une rainure annulaire s’étendant autour de l’axe,
caractérisé en ce que ladite surface comporte, en amont de la léchette, une gorge annulaire préformée qui s’étend autour de l’axe et qui est apte à recevoir ladite léchette en cas de déplacement axial vers l’amont du rotor vis-à-vis du stator.
Dans la présente demande, il y a une distinction entre une rainure qui est formée par frottement d’une léchette contre le revêtement au cours du fonctionnement de la turbomachine, et une gorge qui est préformée dans le revêtement lors de sa fabrication. Autrement dit, dans le cas où le dispositif comprendrait un revêtement neuf (jamais utilisé dans une turbomachine), ce revêtement ne comprendrait qu’une ou plusieurs gorges. Dans le cas d’un dispositif déjà utilisé dans une turbomachine, le revêtement de ce dispositif comprendrait au moins une gorge et au moins une rainure.
La rainure qui est formée par une léchette est, en position normale de fonctionnement du rotor vis-à-vis du stator, située au droit de la léchette ou de sa périphérie externe. C’est-à-dire que la rainure et la léchette (ou sa périphérie) sont situées dans un même plan perpendiculaire à l’axe. Au contraire, la gorge est située en amont de la rainure et de la léchette et est de préférence située à une distance axiale prédéterminée de façon à éviter ou limiter le phénomène de louvoiement précité.
Dans le cas précité où le rotor ou une partie du rotor se déplacerait axialement vers l’amont, la léchette se retrouverait logée dans la gorge préformée. Cette gorge interromprait ainsi le contact entre la léchette et le revêtement et freinerait ou stopperait cette course axiale, ce qui permettrait de limiter le phénomène de louvoiement. Ainsi, le risque de dégradation du rotor et de contact rotor-stator serait évité.
Le dispositif selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises indépendamment les unes des autres ou en combinaison les unes avec les autres :
- le rotor comprend au moins une léchette amont et une léchette aval, les léchettes amont et aval étant entourées par une même surface cylindrique du revêtement ou par deux surfaces cylindriques distinctes, respectivement amont et aval, du revêtement ;
- la surface cylindrique qui s’étend autour des léchettes amont et aval comprend une gorge préformée en amont de la léchette amont, et/ou une gorge préformée en amont de la léchette aval ;
- la surface cylindrique amont comprend une gorge préformée en amont de la léchette amont, et/ou la surface cylindrique aval comprend une gorge préformée en amont de la léchette aval ;
- les surfaces cylindriques amont et aval sont étagées et comprennent des diamètres différents ;
- la gorge est intercalée axialement entre les deux surfaces cylindriques ;
- la ou chaque gorge est située à une distance axiale en amont de la léchette correspondante, qui est inférieure ou égale à la moitié de la distance axiale entre les deux léchettes ;
Selon un mode de réalisation, la cathode contient en outre au moins un composé choisi parmi le difluorophosphate de lithium (LiPO 2 F 2 ), le sulfate d’éthylène (ESA) et l’oxalate de lithium (Li 2 C 2 O 4 ).
Selon un mode de réalisation, a) la matière active fonctionnant à un potentiel d’au moins 4,7 V par rapport au couple Li + /Li a pour formule LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ; b) l’oxyde de titane et de niobium (TNO) a pour formule TiNb 2 O 7 ; c) l’électrolyte comprend : - un mélange de 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-méthoxypropane (HFMP) et/ou de 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(fluorométhoxy)propane (HFMFP), de monofluorocarbonate d’éthylène (F1EC) et d’acétate de 2,2,2-trifluoroéthyle (F3EA) ; - de l’hexafluorophosphate de lithium LiPF 6 ; - du difluorophosphate de lithium LiPO 2 F 2 .
Selon un mode de réalisation, - le 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-méthoxypropane (HFMP) et/ou le 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(fluorométhoxy)propane (HFMFP) représente de 20 à 30 % du volume de solvant, - le monofluorocarbonate d’éthylène (F1EC) représente de 25 à 35 % du volume de solvant, - l’acétate de 2,2,2-trifluoroéthyle (F3EA) représente de 40 à 50 % du volume de solvant, la somme des pourcentages des différents composés étant égale à 100.
Selon un mode de réalisation, le pourcentage de difluorophosphate de lithium LiPO 2 F 2 représente de 0,1 à 0,5% de la masse de l’ensemble constitué par le solvant et l’hexafluorophosphate de lithium LiPF 6 .
représente la variation de la tension des éléments A et B au cours du premier cycle de formation à 25°C au régime de charge et de décharge de C/10, D/10.
représente la variation du pourcentage de rétention de la capacité des éléments A et B et la variation du rendement coulombique de ces éléments au cours du cyclage à 25°C.
représente la variation de la capacité de l’élément C au cours du cyclage aux régimes de C/5 D/5, C/5 D/2, C/5 D, C/5 2D à 25°C.
représente la variation des rendements coulombiques des éléments A, B, D et E au cours d’un cyclage en C/5, D/5 à 25°C. D escription des modes de réalisation de l'invention
Matière active anodique : La demanderesse a découvert que le solvant selon l’invention associé à un oxyde de titane et de niobium comme matière active anodique permettait d’obtenir à la surface de l’anode une couche de passivation dont la structure était favorable à un cyclage de longue durée de l’élément. L’association de l’oxyde de titane et de niobium avec l’électrolyte permet de réduire la capacité irréversiblement perdue à chaque cycle effectué. La capacité irréversible est la différence entre la capacité chargée et la capacité déchargée. Comme la capacité irréversiblement perdue à chaque cycle est réduite, il est possible d’augmenter la durée de vie de l’élément en cyclage.
La matière active anodique est constituée d’au moins un oxyde de titane et de niobium lithié ou d’au moins un oxyde de titane et de niobium capable d’être lithié de formule Li x Ti a - y M y Nb b - z M’ z O ((x+4a+5b)/2)-c- d X c où 0 ≤ x ≤ 5 ; 0 ≤ y ≤ 1 ; 0 ≤ z ≤ 2 ; 1 ≤ a ≤ 5 ; 1 ≤ b ≤ 25 ; 0,25 ≤ a/b ≤ 2 ; 0 ≤ c ≤ 2 et 0 ≤ d ≤ 2 ; 0 M et M’ représentent chacun au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Li, Na, K, Mg, Ca, B, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Ag, Sn, Sb, Ta, W, Bi, La, Pr, Eu, Nd et Sm. De préférence, M et M’ représentent chacun au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Ti, V, Nb, Mo, Ta et W. X représente au moins un élément choisi dans le groupe constitué de S, F, Cl et Br, de préférence F ou S.
De préférence, d ≤ 0,5.
Un composé préféré a pour formule Ti 1 - y M y Nb 2 - z M’ z O 7 - c X c . M peut être Zr ou V ou Zr associé à V. M’ peut être V. M’ peut être V associé à Sb ou V associé à Ta ou V associé à Sb et à Ta. y peut aller de 0,01 à 0,10. z peut aller de 0,01 à 1 ou de 0,1 à 0,5.
Des exemples d’oxydes de titane et de niobium sont : TiNb 2 O 7 , c’est-à-dire x=y=z=c=d=0 ; a=1 et b=2 ; Ti 2 Nb 2 O 9 , c’est-à-dire x=y=z=c=d=0 ; a=2 et b=2 ; Ti 2 Nb 10 O 2 9 , c’est-à-dire x=y=z=c=d=0 ; a=2 et b=10.
Le potentiel de fonctionnement de l’oxyde de titane et de niobium lithié ou de l’oxyde de titane et de niobium capable d’être lithié est de 1,5 V vs. Li + /Li.
De la sorte, un composant 2, 3 qui sort de l’enceinte 12 à travers la paroi de confinement 13 et qui tombe sous l’effet de la gravité peut, si nécessaire, traverser successivement le premier étage de capture 35 puis le second étage de capture 36, et donc en particulier le premier pic d’intensité 50, en passant à travers le premier resserrement 24, puis le second pic d’intensité 52, en passant à travers le second resserrement 32, si bien que, si ledit composant 2, 3 est trop lourd et/ou insuffisamment chargé, par rapport à son poids où par rapport à la distance qui sépare initialement ledit composant du collecteur 10, 11 qui lui correspond, pour être capturé par le premier étage de capture 35 supérieur, alors il est possible que ledit composant 2, 3 soit capturé, en rattrapage, par le second étage de capture 36 inférieur. Ainsi, on assurera un taux élevé de récupération des composants 2, 3.
De préférence, la troisième électrode 30 sera située du même côté du plan sagittal de référence P0 que la première électrode 5, ici à gauche sur les figures 1 et 2, et présentera la même polarité que la première électrode 5.
La troisième électrode 30 sera de préférence associée à un troisième collecteur 33, distinct du premier et du second collecteur 10, 11, est destiné à recueillir les composants 2 de la première famille. Plus préférentiellement, la troisième électrode 30 fera partie dudit troisième collecteur 33, en étant agencée de manière à pouvoir capturer les composants 2 à sa surface.
De même, la quatrième électrode 31 sera de préférence située du même côté du plan sagittal de référence P0 que la seconde électrode 6, ici à droite sur les figures 1 et 2, et présentera la même polarité que la seconde électrode 6.
La quatrième électrode 31 sera de préférence associée à un quatrième collecteur 34, distinct des premier, second et troisième collecteurs 10, 11, 33, et destiné à recueillir les composants 3 de la seconde famille. Plus préférentiellement, la quatrième électrode 31 fera partie dudit quatrième collecteur 34, en étant agencée de manière à pouvoir capturer les composants 3 à sa surface.
De préférence, les troisième et quatrième électrodes 30, 31 sont, tout comme les première et seconde électrodes 5, 6, formées chacune par une électrode 30, 31 cylindrique, de préférence de base circulaire, montée en rotation R30, R31 autour de son axe central X30, X31 horizontal.
Les caractéristiques décrites en référence à la première paire d’électrode 5, 6, notamment sur l’orientation des axes et les sens de rotation R30, R31, peuvent bien entendu s’appliquer mutatis mutandis à la seconde paire d’électrodes 30, 31.
Selon une caractéristique particulièrement préférentielle, quel que soit l’agencement des électrodes 5, 6, 30, 31 et quel que soit le diagramme d’intensité du champ électrique séparateur qui est généré par lesdites électrodes 5, 6, 30, 31, et en particulier lorsque les première, seconde, troisième et quatrième électrodes 5, 6, 30, 31 sont formées chacune par un cylindre rotatif comme indiqué plus haut, chacune des première, seconde, troisième et quatrième électrodes 5, 6, 30, 31 est associé à, ou plus préférentiellement appartient à, un collecteur 10, 11, 33, 34 distinct, de sorte que chacune desdites première, seconde, troisième et quatrième électrodes 5, 6, 30, 31 peut évacuer hors de l’entrefer 7, indépendamment des autres électrodes 5, 6, 30, 31, les composants 2, 3 capturés à sa surface.
L’installation 100 présente ainsi une structure simple et peu coûteuse, qui assure une évacuation distincte, par étage de capture 35, 36 et par polarité, des différents composants 2, 3. On peut ainsi obtenir une facilité et une bonne fiabilité du tri, et ce avec un débit élevé.
Les collecteurs 10, 11, 33, 34 pourront être pourvus de racloirs 38, situés hors de l’entrefer 7, qui viennent frotter contre l’électrode 5, 6, 30, 31 correspondante pour en détacher les composants 2, 3 capturés par ladite électrode, lesquels composants 2, 3 pourront être alors soit stockés temporairement dans un bac prévu à cet effet, soit évacués au moyen d’un convoyeur adapté.
Par « hors de l’entrefer 7 », on pourra ici désigner par convention la région de l’espace qui est située du côté opposé au centre de l’entrefer 7, et donc orientée vers l’extérieur de l’installation 100, par rapport à un plan de référence vertical qui est parallèle au plan sagittal de référence P0 et qui contient l’axe central X5, X6, X30, X31 de l’électrode considérée 5, 6, 30, 31.
Selon une possibilité de mise en œuvre particulièrement simple, la différence de potentiel appliquée entre la troisième électrode 30 et la quatrième électrode 31 pourra être identique à la différence de potentielle appliquée entre la première et la seconde électrode 5, 6. A cet effet, on pourra notamment raccorder la première et la troisième électrode 5, 30 toutes les deux à une même borne du générateur 8, tandis que la seconde et la quatrième électrode 6, 31 sont raccordées toutes les deux à la même autre borne du générateur 8.
En variante, on pourrait toutefois appliquer des différences de potentiel différentes à chaque paire d’électrodes.
A titre indicatif, on pourra mettre en œuvre une installation présentant les caractéristiques dimensionnelles suivantes : - des électrodes supérieures, c’est-à-dire les première et second électrodes 5, 6, présentant chacune un diamètre, de préférence égal, compris entre 250 mm et 400 mm ; - des électrodes inférieures, c’est-à-dire les troisième et quatrième électrodes 30, 31, présentant chacune un diamètre, de préférence égal, compris entre 250 mm et 500 mm ; - un tambour de confinement 15 présentant un diamètre interne compris entre 200 mm et 300 mm ; - une plus petite distance entre les électrodes supérieures 5, 6, c’est-à-dire un premier resserrement 24, égale au diamètre interne du tambour de confinement 15 majoré de 200 mm ; - une plus petite distance entre les électrodes inférieures 30, 31, c’est-à-dire un deuxième resserrement 32, égale à 300 mm ; - et chaque électrode d’une même paire (paire supérieure, respectivement paire inférieure) se trouvant à la même altitude que l’autre électrode de la même paire.
De préférence, l’installation 100 pourra comprendre des organes 40, 41 de réglage de position permettant de modifier la position de l’un et/ou l’autre des axes centraux X15 du tambour de confinement et/ou X5, X6, X30, X31 de l’une ou l’autre des électrodes 5, 6, 30, 31.
En particulier, tel que cela est visible sur la , on pourra prévoir un système de rails verticaux 40 permettant de modifier, de préférence indépendamment les unes des autres, l’altitude du tambour de confinement 15, respectivement l’une et/ou l’autre des altitudes des électrodes 5, 6, 30, 31.
En outre, le court-circuit peut également être présent avant la mise en conduction du transistor de puissance 4 dans le cas d’un court-circuit de type 2.
Dès lors, la variation de la tension au niveau de la grille g n’est pas assez significative afin de mettre en évidence un courant de court-circuit cc présent lors de cette phase de transition . Afin de mettre en évidence ce type de court-circuit, le dispositif de détection 8 comprend un dispositif de stockage d’énergie 84 configuré pour délivrer une tension supplémentaire à la grille g si la capacité équivalente de la grille Cge , entre la grille g et le canal de conduction, est déchargée, c’est-à-dire si la capacité équivalente de la grille Cge est inférieure à une valeur de capacité prédéfinie. En effet, dans un fonctionnement nominal du transistor de puissance 4, c’est-à-dire aux instants de commutation, la capacité équivalente de la grille Cge est transitoirement de valeur élevée, c’est-à-dire par exemple supérieure à 1 µF. A l’inverse, lorsque la conduction du transistor de puissance 4 est établie, la capacité équivalente de la grille Cge est de valeur faible, c’est-à-dire par exemple environ 100 nF. A titre d’exemple indicatif, la valeur de capacité prédéfinie peut être une valeur de capacité de 100 nF.
Le dispositif de stockage d’énergie 84 est positionné entre le pilote 6 et la grille g du transistor de puissance 4 de sorte à pouvoir délivrer la tension supplémentaire à la grille g.
A titre d’exemple indicatif, le dispositif de stockage d’énergie 84 est une inductance, d’une valeur d’inductance d’environ 100 nH, positionnée entre le pilote 6 et la grille g du transistor de puissance 4. L’inductance présente l’avantage d’être un composant passif permettant de répondre directement à un signal en créneau fourni par le pilote 6 et de permettre le stockage et la restitution de l’énergie suffisante pour induire une surtension, lorsque la capacité équivalente vue de la grille du transistor de puissance 4 est faible et déchargée.
En variante, le dispositif de stockage 84 est un générateur actif permettant de générer une tension supplémentaire à la grille et piloté par une information du pilote 6.
Dans la suite de la description, le dispositif de stockage 84 est assimilé à une inductance 84. Ainsi, comme dit précédemment, l’inductance 84 est positionnée en série entre le pilote 6 et la grille g de sorte à réaliser un circuit résonant RLC entre le pilote 6, par l’intermédiaire d’une résistance comprise dans la pilote 6, l’inductance 84 et la capacité de la grille g et donc connaître l’amortissement du système. Or, la relation suivante permet de mettre en évidence un sous-amortissement du circuit résonant RLC permettant à l’inductance 84 d’injecter la tension supplémentaire à la grille g selon la condition :
Où représente la résistance du pilote 6 dans le circuit résonant RLC, représente la capacité équivalente de la grille g lorsque le transistor de puissance 4 subit un court-circuit et L représente la valeur d’inductance de l’inductance 84.
Dès lors, l’inductance 84 présente l’avantage de permettre un apport supplémentaire de tension au niveau de la grille g du transistor de puissance de sorte à mettre en évidence le fait que la valeur de la tension Vg de la grille g n’est pas comprise dans la plage de tension et donc la présence d’un courant de court-circuit cc pendant cette phase de transition du transistor de puissance 4.
De plus, l’étage de puissance 2 comprend un réducteur de tension 86 apte à diminuer la tension Vg à la grille g jusqu’à une tension seuil, lorsqu’un courant de court-circuit cc est détecté entre le collecteur c et l’émetteur e par l’intermédiaire du capteur de tension 82. Plus précisément, lorsque la tension Vg à la grille g détectée par le capteur de tension 82 n’est pas comprise dans la plage de tension prédéfinie, le réducteur de tension 86 permet de réduire cette tension Vg à la grille g afin d’être comprise dans la plage de tension. A titre d’exemple, la tension seuil peut être une tension inférieure à 20 Volts et/ou supérieure à la tension à laquelle le transistor de puissance entre en conduction, nommée Vgsth, et est préférentiellement une tension de 10 Volts. Le réducteur de tension 86 présente l’avantage de pouvoir diminuer le courant de court-circuit selon la relation , avant d’ouvrir le transistor de puissance 4.
L’étage de puissance 2 comprend également un enregistreur 88 apte à enregistrer le court-circuit du transistor de puissance 4. A titre d’exemple, l’enregistreur 88 est un condensateur qui se décharge à la suite du court-circuit afin de mettre en évidence un défaut de fonctionnement du transistor de puissance 4.
Il est également proposé un procédé de détection 100, représenté en , d’un courant de court-circuit cc entre un collecteur c et un émetteur e d’un transistor de puissance 4, comprenant une grille g. Le procédé de détection 100 comprend les étapes suivantes : Détection (étape 120) de la tension Vg à la grille g du transistor de puissance 4 hors de la plage de tension prédéfinie. A titre d’exemple la plage de tension prédéfinie dans laquelle la tension Vg de la grille g est comprise est une plage de tension comprise entre 0 Volts et +20 Volts.. La détection 120 de la tension Vg est effectuée par l’intermédiaire du capteur de tension 84. Réduction de la tension (étape 130) à la grille g du transistor de puissance 4 à une tension prédéfinie. A titre d’exemple préférentiel, la tension prédéfinie de réduction peut être de 10 Volts. Ouverture (étape 140) du transistor de puissance 4.
La réduction de la tension (étape 130) à la grille g du transistor de puissance 4 peut induire une ouverture (étape 140) automatique du transistor de puissance 4. En variante, cette ouverture (étape 140) peut être commandée. Néanmoins, la commande de l’ouverture 140 du transistor de puissance 4 doit être prompte.
Le procédé de détection 100 peut également comprendre une étape de restitution (étape 110) d’une énergie supplémentaire en amont de l’étape de détection 120 s i la capacité équivalente de la grille Cge est déchargée et inférieure à la capacité prédéfinie c’est-à-dire par exemple une capacité d’environ 100 nF.
L’étape de restitution 110 de l’énergie stockée à la grille g permet d’apporter l’énergie supplémentaire mettant en évidence un court-circuit lors de la mise en commutation du transistor de puissance 4.
Le procédé de détection 100 peut également comprendre, à la suite de l’étape de détection 120, une étape d’enregistrement du défaut (étape 128) du transistor de puissance 4.
Le procédé de détection 100 peut également être interprété selon le chronogramme représenté en . En effet, un courant de court-circuit au niveau du transistor de puissance 4 peut être interprété comme une forte augmentation du courant Ip traversant le transistor de puissance 4. Or, dans le cas d’un court-circuit de type 1, cette augmentation du courant est accompagnée d’une augmentation de la tension Vg à la grille g du transistor de puissance 4. Dès lors, la détection 120 se fait lorsque la tension Vg est supérieure à 20 Volts par exemple. S’en suit alors, afin de ne pas endommager le transistor de puissance 4, la réduction de la tension Vg (étape 130) à la grille g du transistor de puissance 4 à la tension prédéfinie, comme par exemple 10 Volts et l’ouverture 140 du transistor de puissance 4. Dans le cas d’un court-circuit de type 2, la restitution 110 l’énergie suffisante pour induire la surtension, s i la capacité équivalente de la grille Cge est déchargée et inférieure à la capacité prédéfinie c’est-à-dire par exemple une capacité d’environ 100 nF, permet de générer la détection 120 cette surtension à la grille. De plus, l’étape d’enregistrement du défaut 128 permet, dès la détection 120 du défaut de fonctionnement du transistor de puissance 4, de mémoriser le défaut en temps réel.
Dans l’exemple illustré, la précharge est réalisée à l’aide du convertisseur élévateur CC/CC 7 et de la batterie basse tension 6. Le convertisseur élévateur CC/CC 7 utilise l’énergie de la batterie basse tension 6 pour faire monter en tension le réseau haute tension 3 jusqu’à la consigne de précharge préétablie. La consigne de précharge établie peut être calculée à partir d’un cycle de connexion précédent.
Il est alors possible de réaliser la précharge sans qu’il soit nécessaire d’ajouter un circuit spécifique comportant une résistance et un relais supplémentaire de précharge.