Procédé (100) de détermination de la position d’au moins une défectivité sur des substrats semi-conducteurs (SB) dans une chaine de production (CP), le procédé (100) étant mis en œuvre à l’aide d’au moins un substrat témoin (SBT) comportant une première face (FA) et une deuxième face (FR), le procédé (100) comprenant, pour chaque substrat témoin (SBT) : une étape (E1) de caractérisation par photoluminescence de chaque face du substrat témoin (SBT) en au moins un point de la chaine de production (CP), cette étape (E1) de caractérisation comprenant, pour au moins un défaut (DE) présent sur le substrat témoin (SBT) ; une sous-étape (E11) de mesure du signal photoluminescent du défaut (DE) lorsque la première face (FA) du substrat témoin (SBT) est illuminée de sorte à déterminer une première amplitude (A FA ) associée au défaut (DE) mesurée; une sous-étape (E12) de mesure du signal photoluminescent du défaut (DE) lorsque la deuxième face (FR) du substrat témoin (SBT) est illuminée de sorte à déterminer une deuxième amplitude (A FR ) associé au défaut (DE) mesurée ; l’amplitude étant le rapport entre le signal mesuré sur une région sans défaut et le signal mesuré sur le défaut, la durée de vie des porteurs de charge lors de la caractérisation et/ou la longueur d’onde utilisée lors de la caractérisation étant ajustées de sorte que le rapport entre l’amplitude la plus élevée et l’amplitude la plus faible, dit contraste de mesure (C AV/AR ), est supérieur à une valeur seuil, elle-même supérieure ou égale à 1 ; à partir de la valeur des amplitudes déterminées précédemment, une étape (E2) de détermination de la position, sur chaque substrat témoin (SBT), de chaque défaut (DE) considérée lors de l’étape (E1) de caractérisation ; à partir de la position associée à chaque défaut (DE) présents sur chaque substrat témoin (SBT), une étape (E3) de détermination de la position associées à chaque défectivité. Procédé (100) selon la revendication précédente dans lequel une intensité lumineuse supérieure à 20 équivalents soleils est utilisée lors de l’étape (E1) de caractérisation de sorte à induire, lors de cette étape (E1), une baisse de la durée de vie des porteurs de charge dans le substrat témoin (SBT) par augmentation du taux de recombinaison par effet Augier. Procédé (100) selon l’une des revendications précédentes dans lequel le substrat témoin (SBT) est un substrat ayant une faible durée de porteur de charge. Procédé (100) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la longueur de diffusion des porteurs de charge du substrat témoin (SBT) lors de l’étape (E1) de caractérisation est inférieure à l’épaisseur du substrat témoin (SBT). Procédé (100) selon l’une des revendications précédentes dans lequel, lors de l’étape (E1) de caractérisation, l’ajustement de la durée de vie des porteurs de charge et de la longueur d’onde utilisée est effectué en deux phases : une première phase lors de laquelle l’ajustement n’est effectué que sur la durée de vie des porteurs de charge ; et lorsque l’ajustement de la durée de vie des porteurs de charge n’est plus possible et que le contraste est inférieur à la valeur seuil, une deuxième phase durant laquelle l’ajustement est effectué sur la longueur d’onde utilisée. Procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur à l’aide d’une chaine de fabrication (CP), le procédé de fabrication comprenant, en au moins un point de la chaine de fabrication (CP), une étape de mise en œuvre du procédé (100) de détermination de la position d’au moins une défectivité selon l’une des revendications précédentes. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le dispositif semi-conducteur est fabriqué à partir d’un substrat à grande durée de vie des porteurs de charge et dans lequel l’étape de mise en œuvre du procédé (100) selon l’une des revendications 1 à 5 est précédée d’une étape d’introduction, dans la chaine de fabrication, d’au moins un substrat témoin à faible durée de vie des porteurs de charge. Procédé selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel le dispositif semi-conducteur est un dispositif photovoltaïque. Dispositif (DI) de détermination par photoluminescence de la position d’au moins une défectivité sur des substrats semi-conducteurs d’une chaine de fabrication (CP) comprenant au moins un moyen d’illumination (MI/MI1/MI2), au moins un moyen d’acquisition (MA/MA1/MA2) et des moyens configurés pour mettre en œuvre un procédé (100) selon l’une des revendications 1 à 6. Programme d'ordinateur comprenant des instructions qui conduisent le dispositif (DI) selon la revendication précédente à exécuter les étapes du procédé (100) selon l’une des revendications 1 à 6. Support lisible par ordinateur, sur lequel est enregistré le programme d'ordinateur selon la revendication précédente.