INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, les auteurs du document "On-line Health Monitoring of Wire-Bonded IGBT Power Modules using On-State Voltage at Zero-Temperature-Coefficient" font l’hypothèse a priori que l’intensité du courant de collecteur I,ZCP est indépendante de l’état de santé du composant alors que la tension V,ZCP augmente au fur-et-à-mesure de son vieillissement. Ils proposent sur la base de cette hypothèse de réaliser de manière répétée des mesures de la tension V,ZCP à I,ZCP fixée à une valeur déterminée par un étalonnage initial du composant, au début de son utilisation.
Toutefois, cette hypothèse semble incorrecte à la lumière de la publication "Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics", A. Arya, A. Chanekar, P. Deshmukh, A. Verma and S. Anand, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 9, pp. 9826-9836, Sept. 2021 . Cette publication propose un capteur de température pour un composant électronique par mesure indirecte de bonne précision.
Ce document suggère par la même occasion la possibilité d’un suivi de l’état de santé d’un tel composant au moyen d’une mesure de résistance. Cette proposition est elle aussi basée sur l’hypothèse que l’intensité du courant de collecteur I,ZCP (notée dans cet article Ic,inf) est indépendante de l’état de santé du composant. Cette hypothèse est notamment rappelée au paragraphe III.A.2) : « the value of Ic,inf is assumed to be same for HIVC [healthy charachteristic] and DIVC [degraded characteristic] ».
Dans ce cas, lorsque le disjoncteur est ouvert, le câble entre le compteur et le disjoncteur ramène aux bornes du compteur une impédance équivalente, qui dépend de la longueur et de la nature du câble, et qui peut aller jusqu’à 1200kΩ.
Lorsque le disjoncteur est fermé, en plus de ces 1200kΩ, on a en parallèle une impédance Z(abonné) pouvant atteindre 210kΩ.
Dans cette configuration « de type Espagne », afin d’améliorer la différence entre le niveau de tension intermédiaire mesuré au point Pm lorsque le disjoncteur est ouvert (niveau haut Vh) et lorsque le disjoncteur est fermé (niveau bas Vb), on modifie la valeur de R et de C1 (C2 reste inchangée à 47nF).
On choisit par exemple R = 22kΩ et C1 = 2,2nF.
Ainsi, dans cette configuration « de type Espagne », on obtient les niveaux de tension intermédiaires suivants, que l’on soit en monophasé ou en triphasé (en utilisant les formules précédentes) :
disjoncteur ouvert : Vh = 3,24V ; disjoncteur fermé : Vb = 2,94V,
ce qui donne un seuil prédéterminé Sp « idéal » :
Sp = 3,09V.
Par ailleurs, ces « nouvelles » valeurs de R et de C1 sont tout à fait applicables à la configuration « standard » décrite précédemment (pas d’impédance ramenée de 1200kΩ et Z(abonné) << R).
Dans la configuration « standard », les calculs avec les nouvelles valeurs de composants donnent :
disjoncteur ouvert : Vh = 3,3V ; disjoncteur fermé : Vb = 1,03V.
Le seuil prédéterminé Sp « idéal » est donc tel que :
Sp = 2,17V.
On note en outre qu’un seuil prédéterminé Sp égal à 3,09V, au lieu de 2,17V, est compatible à la fois avec la configuration « de type Espagne » et avec la configuration « standard ».
On note aussi que la fréquence de coupure à 3dB du filtre Passe-Haut R-C1 reste quasiment inchangée à 3% près, en utilisant les valeurs utilisées pour la configuration « standard » ou la configuration « de type Espagne », puisqu’elle passe de 3386Hz à 3288Hz.
Au moins une donnée du jeu géométrique estimé, et en particulier le jeu géométrique estimé, peut être comparé(e) au moins une valeur seuil, ou une fourchette de valeurs, prédéterminée, pour obtenir une indication sur la qualité fonctionnelle ou la performance fonctionnelle de l’objectif optique cible.
Cette indication peut être une classification de l’objectif optique cible telle que « bon » ou « pas bon ». Alternativement, ou en plus, cette indication peut être tout autre type de données.
Dans la présente demande, le modèle de caractérisation géométrique, également appelé modèle de caractérisation dans la suite, fournit des données relatives à la géométrie des interfaces optiques de l’objectif, également appelé « paramètre géométrique » de l’interface optique, dans la présente demande.
Par « paramètre géométrique d’une interface optique », on entend, par exemple, et sans perte de généralité : une position de l’interface optique au sein de l’objectif, dans l’axe Z ; une position d’un APEX de l’interface optique, en particulier dans le plan X-Y et/ou une position d’un APEX de l’interface optique, en particulier selon l’axe Z, une inclinaison (TIP et/ou TILT) de ladite interface optique par rapport à l’axe Z, un décentrement d’une interface optique, ou d’un élément optique, par rapport à l’axe Z, dans le plan X-Y.
Le jeu géométrique estimé peut comprendre des données relatives à au moins un paramètre géométrique d’au moins une interface enterrée dudit empilement.
Le jeu géométrique estimé peut comprendre des données relatives à au moins un paramètre géométrique d’au moins une interface non enterrée dudit empilement.
Les courbes en traits plein et pointillées correspondant à chacune des courbes précédentes ont été obtenues par la simulation décrite aux paragraphes suivants. Le bon accord entre les courbes réelles et les courbes simulées permet de valider à posteriori la simulation.
On remarque sur la que le point ZCP évolue presque verticalement, et non horizontalement comme supposé dans l’art antérieur.
Autrement dit, V,ZCP dépend peu de l’état de santé du composant alors que I,ZCP diminue de manière observable au fur-et-à-mesure que le composant de puissance se dégrade.
Ces observations expérimentales ont été confirmées par des simulations basées sur des modèles électrothermiques de la puce et de ses connexions. Un résultat de simulation est présenté sur la .
La simulation a été réalisée en modélisant la caractéristique courant-tension (Ic, Vce) à l'état passant du composant IGBT comme la somme de celle d'une diode PIN, d'un transistor MOS et de l'interconnexion due au fils de "bonding". Ce modèle est typique de ce que l'on peut rencontrer dans l'état de l'art. Le modèle utilisé est un modèle physique permettant la prise en compte de l'effet de la température ainsi que l'endommagement de l'interconnexion en introduisant une résistance de contact image du taux de dégradation.
Comme pour la , l’indicateur D est un indicateur quantitatif du niveau de dégradation du module IGBT simulé. En l’occurrence, D=0 correspond à un module neuf (ou équivalemment sain). D =1 correspond à une augmentation relative de 5% de l’indicateur de dégradation de référence issu de l’art antérieur. Dans ce cas, l’indicateur de référence est la tension V mesurée entre les bornes collecteur et émetteur à une température égale à 35°C et pour un courant traversant la borne collecteur d’intensité égale à 60 A.
Pour faciliter la lecture du graphique, seules les courbes correspondant à D = 1 et D = 0 ont été représentées mais les points ZCP correspondant à des valeurs de D intermédiaires ont été obtenus de la même façon.
On constate bien sur le graphique que, comme observé expérimentalement, la tension V,ZCP obtenue par la simulation est indépendante du vieillissement à la précision de la simulation. Elle est dans ce cas de l’ordre de 1,14 V.
En revanche, I,ZCP décroît significativement avec le vieillissement, d’une valeur de l’ordre de 36 A pour D = 0 à une valeur de l’ordre de 28 A pour D = 1, soit une variation relative de 22% par rapport à sa valeur initiale.
De ce fait, si V,ZCP est connu au début de la vie du composant de puissance, il est possible de proposer un procédé de suivi de l’état de santé de ce composant basé uniquement sur la connaissance de cette tension et la mesure de I,ZCP, qui ne nécessite à aucun moment de mesure de température.
Le composant électronique de puissance à semi-conducteurs est soumis à une fatigue thermique entrainant sa dégradation lors de son utilisation. L’utilisation du composant peut être usuelle ou intensive.
La dégradation du composant électronique de puissance concerne la dégradation des interconnexions électriques des composants, par exemple fils de connexion supérieure et/ou brasure de puce.
Le composant électronique de puissance à semi-conducteurs comporte au moins une borne d'entrée et une borne de sortie du courant et présente, dans ses caractéristiques directes courant I et tension V, un point de coefficient de température nul ZCP à l’instant t.
Suivant le type de composant électronique, les notations génériques I et V de la présente demande peuvent correspondre à différentes notations utilisées dans l’art antérieur. Notamment, dans le cas où la borne d’entrée est une borne collecteur C et la borne de sortie une borne émetteur E, l’intensité du courant pourra être notée Ic et la tension entre ces bornes Vce.
Pour un composant tel qu’une diode, présentant une anode et une cathode, la tension entre la borne d’entrée anode A et la borne de sortie cathode K, la tension pourrait être notée Vak.
Le ou les composant(s) électronique(s) de puissance peut (peuvent) être installé(s) ou embarqué(s) dans un système électrique en fonctionnement.
Les compositions obtenues après calandrage peuvent aussi être transformées directement en semelle. Comme pour les plaques, la réticulation se fait dans des moules à l’aide de presses à compression.
III-3 Essais Les exemples présentés ci-dessous ont pour objet de comparer le compromis de performances entre la résistance à l’abrasion, la résistance au déchirement et l’adhérence sur sol mouillé de compositions conformes à la présente invention (C1 à C7) avec des compositions témoin (T1 et T2).
La composition témoin T1 diffère des compositions conformes à l’invention en ce qu’elle ne comprend pas une huile végétale. La composition témoin T2 diffère des compositions conformes à l’invention en ce qu’elle comprend plus de 95 pce de silice.
Les résultats de performance de résistance à l’abrasion sont présentés en valeur absolue (en mm 3 ) et en en base 100 par rapport à la composition témoin T1. Une valeur supérieure à 100 indique une meilleure résistance à l’abrasion.
Les résultats de performance de résistance à la déchirure et d’adhérence sur sol mouillé sont présentés en base 100 par rapport à la composition témoin T1. Une valeur supérieure à 100 indique respectivement une meilleure résistance au déchirement et une meilleure adhérence sur sol mouillé.
Le compromis des trois performances que sont la résistance à l’abrasion, la résistance à la déchirure et l’adhérence sur sol mouillé peut être obtenu en calculant la moyenne arithmétique de résultats présentés en base 100.
Ingrédients T1 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 T2 NR (1) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 Silice (2) 56 56 56 53 53 61 75 75 100 Agent de couplage (3) 5,2 5,2 5,2 4,2 4,2 4,9 6 6 8 Plastifiant liquide 1 (4) 35 Plastifiant liquide 2 (5) 35 12 12 12,5 20 Plastifiant liquide 3 (6) 35 Résine 1 (7) 12 Résine 2 (8) 25 12,5 20 Silice - plastifiant 21 21 21 41 41 49 50 50 60 BPH (9) 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 TMQ (10) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Cire (11) 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 DPG (12) 1 1 1 Acide stéarique (13) 2 2 2 2 2 2 2 2 2 ZnO (14) 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1 1 TBzTD (15) 2 2 2 2 2 2 0,8 0,8 0,8 CBS (16) 1,6 1,6 1,6 0,5 0,5 0,5 1,6 1,6 1,6 Soufre 1,8 1,8 1,8 1,8 1,8 1,8 1,8 1,8 1,8 Performances Abrasion NF EN 12770 : 1999 (mm 3 ) 128 106 111 105 116 90 110 113 191 Abrasion NF EN 12770 : 1999 (base 100) 100 121 115 122 110 142 116 113 67 Résistance au déchirement (base 100) 100 102 139 157 173 204 196 242 192 Adhérence sur sol mouillé (base 100) 100 90 84 145 116 177 152 165 110
(1) Caoutchouc naturel (2) silice « Ultrasil VN3-G » de la société Evonik (3) silane liquide TESPT « Si69 » de la société Degussa à titre d’agent de couplage de la silice à l’élastomère (4) Huile MES « PLAXOLENE MS 132 » commercialisée par la société Total à titre de plastifiant liquide à 20°C (5) Trioléate de glycérol (huile de tournesol à 85% en poids d'acide oléique) « Lubrirob Tod 1880 » de la société Novance, à titre de plastifiant liquide à 20°C (6) Huile de colza de qualité alimentaire commercialisée sous la marque « Lesieur » à titre de plastifiant liquide à 20°C (7) Résine polyterpénique « Dercolyte M115 » de la société DRT à titre de résine plastifiante (8) Résine polylimonène « Dercolyte L120 » de la société DRT à titre de résine plastifiante (9) 2,2'-methylene-bis(4-methyl-6-tert-butylphenol) « BPH » de la société Sigma-Aldrich (10) 2,2,4-triméthyl-1,2-dihydroquinoline « Pilnox TMQ » de la société Nocil (11) cire anti-ozone « VARAZON 4959 » de la société Sasol Wax (12) Diphénylguanidine « Denax DPG » de la société Lucebni Zavody Draslovka (13) Acide stéarique « Pristerene 4931 » de la société Uniqema (14) Oxyde de zinc de grade industriel de la société Umicore (15) disulfure de tetrabenzylthiurame « TBzTD » de la société Akrochem, à titre d’ultra-accélérateur de vulcanisation (16) N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide « Santocure CBS » de la société Flexsys à titre d’accélérateur de vulcanisation
La comparaison des compositions C1 et C2 avec la composition Témoin T1 montre que les huiles végétales permettent d’améliorer la résistance à l’abrasion, voir également la résistance au déchirement avec un faible impact sur l’adhérence sur sol mouillé. Les résultats des compositions C3 à C5 montrent que l’effet technique peut être obtenu à différents taux de silice et de plastifiant conformes à l’invention, le plastifiant étant indifféremment une huile végétale, une résine terpène ou un de leurs mélanges. Le témoin T2 montre que l’effet technique de résistance à l’abrasion n’est pas obtenu pour des taux de silice supérieur à 95 pce. Enfin, les compositions conformes à l’invention et présentant une différence entre le taux de silice et le taux de l’au moins un agent plastifiant comprise dans un domaine allant de 35 à 65 pce, présentent un compromis des trois performances amélioré tout en améliorant la résistance à l’abrasion.
PROCEDE ET SYSTEME DE RECHARGE EN LIQUIDE D’UN FLACON La présente invention se rapporte au domaine de la recharge en liquide d’un flacon à recharger à partir d’un flacon source appelé recharge. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé de recharge en liquide d’au moins un flacon à recharger à partir d’une recharge par l'intermédiaire d'un dispositif de transfert de liquide et, également, un système comprenant un tel dispositif de transfert de liquide pour permettre le remplissage dudit au moins un flacon à recharger par la recharge.
On connaît du brevet EP 2 500 277 un dispositif de transvasement de liquide d’un premier contenant appelé source ou recharge vers un deuxième contenant appelé flacon à recharger et placé en dessous de la recharge. Le dispositif est fixé à chacune de ses deux extrémités opposées à l'un des deux contenants. Le dispositif comporte deux pièces montées rotatives l’une par rapport à l’autre et comprenant chacune deux conduits, à savoir un conduit de liquide et un conduit d’air. Par un mouvement de rotation d’une pièce par rapport à l’autre, les conduits de liquide et d’air respectifs des deux pièces peuvent être alignés l’un avec l’autre et ainsi permettre le passage de liquide de la recharge vers le flacon à recharger à travers les conduits respectifs de liquide des deux pièces alignés l’un avec l’autre, tandis que l’air passe du flacon à recharger vers la recharge à travers les conduits respectifs d’air des deux pièces alignés l’un avec l’autre. Un mouvement de rotation inverse de l’une des pièces par rapport à l’autre a pour effet de désaligner entre eux les conduits respectifs, d’une part, de liquide et, d’autre part, d’air, empêchant ainsi tout transvasement de liquide.
Bien qu'un tel dispositif soit particulièrement satisfaisant, il s’avère néanmoins difficile à utiliser lorsque le liquide à transvaser est du type liquide pour la vaisselle, gel douche ou huile. En effet, les conduits sont d’un diamètre relativement faible puisqu’ils doivent pouvoir être introduits dans le col du flacon à recharger et la viscosité du liquide rend difficile, voire impossible, l’écoulement à travers les conduits de liquide. En outre, lorsque le flacon à recharger est en fin de remplissage, du liquide est susceptible de remonter dans les conduits d’air et de les obstruer, perturbant, voire bloquant, le redémarrage de l’écoulement lors de l’utilisation suivante.
Il existe donc un besoin de recharger de manière simple et efficace un flacon à recharger avec un liquide, par exemple du type gel douche, liquide vaisselle ou huile, à partir d’une recharge en liquide par l’intermédiaire d’un dispositif de transfert de liquide adapté.
L’invention a ainsi pour objet un procédé de recharge en liquide d'au moins un flacon dans un système comprenant, suivant un agencement vertical du système selon un axe Z : -une recharge contenant du liquide, -au moins un flacon à recharger disposé en dessous de la recharge, ledit au moins un flacon à recharger et/ou la recharge étant réalisé(s) sous la forme d'un contenant déformable manuellement, -un dispositif de transfert de liquide disposé entre la recharge et ledit au moins un flacon à recharger, le dispositif de transfert de liquide comprenant au moins deux pièces qui sont, d'une part, montées rotatives l'une par rapport à l'autre autour de l'axe Z et, d'autre part, solidaires en translation axiale suivant l’axe Z, une première des deux pièces étant fixée à la recharge , le procédé comprenant les étapes suivantes : -faire tourner l’une des deux pièces par rapport à l’autre pièce afin d’amener les deux pièces dans une première position relative de rotation dans laquelle les deux pièces définissent conjointement au moins un passage pour le liquide de la recharge audit au moins un flacon à recharger, -exercer une pression externe sur le contenant déformable manuellement ou sur l’un des deux contenants déformables manuellement en vue de provoquer un transfert de liquide de la recharge audit au moins un flacon à recharger à travers ledit au moins un passage de liquide du dispositif de transfert, -faire tourner l’une des deux pièces par rapport à l’autre pièce afin d’amener les deux pièces dans une deuxième position relative de rotation dans laquelle ledit au moins un passage de liquide est obstrué
Le procédé précité permet de transférer de manière simple et efficace du liquide du type gel douche, liquide vaisselle ou huile, c’est-à-dire du liquide généralement plus visqueux que du parfum, d’une recharge en liquide vers un ou plusieurs flacons à recharger disposé(s) en dessous en facilitant le transfert d’un tel liquide et en évitant d’obstruer le passage pour le transfert du liquide. Le transfert du liquide plus visqueux que du parfum est effectué à partir d’une simple pression exercée depuis l’extérieur sur l’un des deux contenants (celui qui est déformable manuellement ou l’un des deux lorsqu’ils sont tous les deux déformables manuellement). La pression externe exercée sur le contenant (compression du contenant) a pour effet d’augmenter la pression à l’intérieur du contenant. Lorsque le contenant sur lequel la pression est exercée est la recharge, l’augmentation de pression interne a pour conséquence de provoquer directement le transfert de liquide, par le passage, dans le ou les flacons à recharger par simple poussée hydrostatique interne à la recharge. Lorsque le contenant sur lequel la pression est exercée est le flacon à recharger, ce dernier est à mémoire de forme et l’action d’exercer une pression externe sur ce flacon (cette action a pour conséquence directe de faire monter de l’air présent dans le flacon dans la recharge) est suivie d’un relâchement de la pression exercée afin d’aspirer (par dépression) du liquide qui est présent dans la recharge pour le transférer dans le flacon. L’ensemble des deux actions consécutives (pression et relâchement) réalise en quelque sorte une action de pompage et permet ainsi, d’une part, au liquide présent dans la recharge, de s’écouler dans le flacon à recharger sous l’effet de la variation de pression interne, par le passage et, d’autre part, à l’air présent dans le flacon à recharger de remonter dans la recharge par le même passage. Pour pouvoir exercer cette double action le contenant doit avoir une enveloppe externe qui peut être déformée manuellement de manière élastique sous l’effet d’une pression externe (par exemple par un utilisateur), tendant à comprimer le contenant et donc à réduire le volume interne de son enveloppe externe (augmentation de la pression interne au contenant). Lorsque la pression cesse d’être exercée sur l’enveloppe externe, ses propriétés élastiques (mémoire de forme) lui permettent de reprendre sa forme initiale non déformée (le volume interne de l’enveloppe reprend sa valeur initiale) et ce, de manière répétée au cours du temps. Les gestes à effectuer par l’utilisateur (appui et relâchement) sont particulièrement simples et intuitifs lorsqu’il est question de distribuer un produit liquide d’un premier contenant supérieur à un deuxième contenant inférieur sans reprise d’air extérieur.
Le composant électronique de puissance à semi-conducteurs comporte au moins une borne d’entrée et une borne de sortie d’un courant électrique dont l’intensité est notée I. Entre ces bornes d’entrée et de sortie s’établit une tension électrique notée V.
Le point, noté ZCP (pour « Zero Coefficient Point ») dans toute la suite, est le point d’intersection de toutes les caractéristiques statiques (I,V) à l’état passant (ou état « ON ») obtenues aux différentes températures de fonctionnement nominales pour un état de santé donné du composant. On peut observer le point ZCP sur la . Le point ZCP est défini par ses coordonnées, à savoir l’intensité du courant électrique I,ZCP et la tension V,ZCP, qui peuvent notamment être mesurées en mode continu (ou mode DC).
Le point ZCP dépend de l’état de santé du composant mais pas de la température puisque quel que soit la température dans laquelle le composant électronique de puissance se trouve, sa caractéristique statique passe par ce point.
L’état de santé du composant électronique peut ne pas varier entre deux instants successifs, ce qui signifie que le composant électronique ne s’est pas dégradé. Cet état de santé peut aussi varier entre deux instants successifs si le composant électronique a été soumis à des conditions entraînant sa dégradation.
Si l’état de santé du composant électronique est le même à deux instants ta et tb mais que la température varie, les coordonnées du point ZCP sont inchangées entre ta et tb car ce point ZCP est indépendant de la température pour un état de santé donné du composant électronique de puissance.
Pour un état de dégradation repéré par l’indicateur quantitatif D donné, le point ZCP peut être mathématiquement défini comme le point pour lequel la dérivée partielle de la fonction I (V, T, dégradation) ou équivalemment de la fonction V (I, T, dégradation) par rapport à la température est nulle :
Si l’existence du point ZCP est bien connue de l’homme du métier, son évolution au fur-et-à-mesure de l’utilisation du composant électronique de puissance n’est en revanche pas documentée. A ce jour, on observe que l’homme du métier avait plutôt tendance à considérer que I,ZCP était indépendant de la dégradation alors que V,ZCP augmentait au cours du temps.
L’invention repose sur une étude détaillée et sans préjugé de l’évolution de la position du point ZCP au cours du temps.
Cette étude a permis de montrer qu’au contraire du préjugé courant, l’intensité du courant électrique I,ZCP varie de manière significative alors que la tension V,ZCP évolue peu avec la dégradation de l’état du composant électronique de puissance.
L’étude se base à la fois sur des mesures expérimentales, pour lesquels le composant Mitsubishi, portant la référence CMT150TX, a été soumis à 107 000 cycles d'amplitudes 90°C avec une température minimale de 35°C, au cours duquel la position du point ZCP a été régulièrement suivie en même temps que l’état de santé du composant, mesuré avec une technique conventionnelle. Dans ce cas, l’état de santé du composant a été suivi au moyen du procédé de mesure de V,ZCP0, cette grandeur étant utilisée comme indicateur de référence.