INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus particulièrement, le MMSE permet de dépister les personnes souffrant d’une atteinte neurocognitive majeure (démence) sans la rattacher à une pathologie particulière. Le MMSE sert également à assurer les suivis de l’état cognitif des personnes et à mesurer le déclin des fonctions cognitives chez les personnes qui souffrent d’atteintes neurocognitives. Ce test évalue l’orientation, l’enregistrement, l’attention et le calcul, la rétention mnésique, le langage et praxie de construction. Le CERAD (dans sa dénomination en langue anglaise Consortium to Establish a Registry for Alzheimer's Disease ou Consortium pour établir un registre de la maladie d'Alzheimer) a établi une échelle de sévérité de la démence associée aux scores obtenus dans le MMSE. Un score entre 19 et 24 est associé à une démence légère, entre 10 et 18, une démence modérée, et un score inférieur à 10 correspond à une démence sévère, le score maximal étant de 30. Une variation de 2 points du score est généralement considérée comme cliniquement relevante.
L’ADAS-Cog est une sous-échelle cognitive de l'échelle d'évaluation de la maladie d'Alzheimer et ne concerne donc que les aspects de la démence liés à la cognition. Ainsi il peut être utilisé pour évaluer ( i.e. scorer) et suivre l’évolution de tout type de démence. L’ADAS-Cog évalue l'orientation, la mémoire, la fonction exécutive, la capacité visuospatiale, le langage ou la pratique, avec une plage de scores de 0 à 70, un score plus élevé indiquant une plus grande déficience. L’ADAS-Cog est considéré comme plus sensible que le MMSE. C’est un des tests les plus communément utilisés pour l’évaluation clinique des composés candidats à l’obtention d’une Autorisation de Mise sur le Marché dans le cadre de traitements anti-démence et également dans la mesure de l’évolution des atteintes cognitives.
Ainsi une combinaison avec un effet bénéfique de la combinaison sur les capacités cognitives du sujet montrera un ralentissement, ou une stabilisation de la détérioration des capacités cognitives du sujet au regard de l’évolution usuelle établie chez des sujets non traités au même stade de la maladie pour une période de temps donnée. En d’autres termes, par exemple, dans le cas de l’ADAS-Cog, un effet bénéfique sur les capacités cognitives du sujet correspondra à une diminution, une stabilisation ou une augmentation de plus faible intensité de du score de l’ADAS-Cog comparée à l’aggravation usuelle du score observée chez des sujets non traités à un stade équivalent et d’un âge équivalents. Bien que l’aggravation du score dépende du stade de la pathologie et de l’âge du sujet, une augmentation annuelle de 5,82 points du score de l’ADAS-Cog est globalement observée chez les sujets souffrant de la maladie d’Alzheimer non traités (Zhang et al. , 2020). Concernant le MMSE, par exemple, un effet bénéfique sur les capacités cognitives du sujet correspondra à une augmentation, une stabilisation ou une diminution de plus faible intensité du score MMSE comparée à l’aggravation usuelle du score MMSE observée chez des sujets non traités. Une diminution annuelle de 2,28 points du score du MMSE est globalement observée chez les sujets souffrant de la maladie d’Alzheimer non traités (Rossetti et al . 2010).
De manière surprenante, la synergie entre la FENM et l’au moins un inhibiteur de l’acétylcholinestérase est observée pour un ratio molaire FENM/inhibiteur de l’acétylcholinestérase très faible. En effet, le ratio molaire testé pour la mémantine et le donépézil dans l’état de l’art est supérieur à 4, si l’on considère les combinaisons à base de 20 mg de mémantine et de 10 mg de donépézil) c’est notamment le ratio contenu dans NAMZARIC ® autorisé par la FDA, à base de chlorhydrate de donépézil et de chlorhydrate de mémantine. A noter que les valeurs de Tmax chez l’homme concernant le donépézil et la mémantine quand administrés oralement sont comparables : entre 3 et 8 heures pour la mémantine (Maekawa et al., 2019) et de 4,1±1,5 heures pour le donépézil (Rogers & Friedoff, 1998). Les données expérimentales montrent que l’effet synergique découvert pour la combinaison de l’invention est obtenu à un ratio molaire bien inférieur, pouvant même être inversé, signant la spécificité des combinaisons synergiques à base de FENM.
Ainsi dans un mode de réalisation particulier de la combinaison synergique de la FENM et d’au moins un inhibiteur de l’acétylcholinestérase selon l’invention, le ratio molaire FENM/inhibiteur de l’acétylcholinestérase est inférieur ou égal à 4, inférieur ou égal à 3, inférieur ou égal à 2, de préférence inférieur ou égal à 1, inférieur ou égal à 0,8, voire inférieur ou égal à 0,5. Ledit ratio molaire FENM/inhibiteur de l’acétylcholinestérase étant supérieur ou égal à 0,1. De manière particulièrement préférée, ledit ratio molaire FENM/inhibiteur de l’acétylcholinestérase est inférieur à 1 et supérieur ou égal à 0,1. Dans un autre mode de réalisation particulier ledit inhibiteur de l’acétylcholinestérase est le donépézil et le ratio molaire FENM/donépézil est inférieur ou égal à 4, est inférieur ou égal à 3, inférieur ou égal à 2, de préférence inférieur ou égal à 1, inférieur ou égal à 0,8, voire inférieur ou égal à 0,5. Ledit ratio molaire FENM/donépézil étant supérieur ou égal à 0,1. De manière particulièrement préférée, ledit ratio molaire FENM/ donépézil est inférieur à 1 supérieur ou égal à 0,1.
Composition selon l’invention comprenant une combinaison synergique de FENM et d’au moins un inhibiteur de l’acétylcholinestérase.
Dans un autre aspect, l’invention se rapporte à une composition comprenant une combinaison synergique telle que décrite ci-dessus.
Dans cette composition, la FENM ou l’un quelconque de ses sels pharmaceutiquement acceptable et l’au moins un inhibiteur de l’acétylcholinestérase ou l’un quelconque de ses sels pharmaceutiquement acceptable sont formulés ensemble ou séparément.
Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes x, y, z est représenté en . Ce repère est applicable par extension aux autres figures.
Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche, et la hauteur est prise perpendiculairement au plan de base XY. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon z, lorsqu’elle s’étend principalement le long d’un plan XY, et un élément en saillie, par exemple une tranchée d’isolation, présente une hauteur selon z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction z.
Un exemple de procédé de réalisation va maintenant être décrit en référence aux figures 1 à 10. Ce procédé permet d’obtenir la structure illustrée en , et qui comprend une couche 120 en matériau III-V présentant une forte épaisseur selon la direction Z du repère orthogonal XYZ illustré en .
La illustre un empilement 1 comprenant une couche cristalline d’un matériau III-V dite couche de germination 100 et une première couche de masquage 210 surmontant la couche de germination 100.
La couche de germination 100 est par exemple faite ou est à base de GaN. Elle présente une face supérieure 101 qui s’étend principalement dans un plan XY du repère orthogonal XYZ.
La première couche de masquage 210 peut par exemple être réalisée en SiN. Elle peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur CVD (acronyme de « Chemical Vapor Deposition »).
Avantageusement, l’empilement 1 comprend également un substrat 10 pour supporter mécaniquement la couche de germination 100. Ce substrat 10 peut également être désigné support ou substrat de support. Ce substrat 10 est par exemple à base de silicium ou est fait de silicium pour réduire les coûts et pour faciliter la compatibilité du procédé avec les équipements et technologies usuels de l’industrie microélectronique. Dans ce dernier cas, il peut se présenter sous forme d’une plaquette également désignée wafer, dont le diamètre est par exemple de 200 mm ou 300 mm. Le substrat 10 peut également être en saphir ou encore en SiC.
Dans certains cas, on peut prévoir de disposer, entre le substrat 10 et la couche de germination 100 une couche tampon 20, également désignée couche de nucléation. Cette couche tampon 20 peut être n’importe quelle couche connue de l’homme du métier permettant la nucléation et la croissance du matériau constituant la couche de germination 100. La couche tampon 20 est de préférence à base d’AlN. Elle peut être alternativement à base d’autres nitrures métalliques de type III-N, par exemple à base d’AlGaN. En outre, cette couche tampon 20 peut servir à éviter des réactions non souhaitées entre le substrat 10 et la couche de germination 100. Par exemple, si le substrat 10 est en Si et la couche de germination 100 est en GaN, il est nécessaire de prévoir une couche tampon 20, par exemple une couche d’AlN, afin d’éviter l’apparition du phénomène gravure par fusion, dit de « meltback etching » en langue anglaise qui apparaît du fait de la haute réactivité entre le silicium et le gallium à haute température.
Comme illustré en , une étape comprend la réalisation d’au moins une première ouverture traversante 310, réalisée dans la couche de masquage 210 de sorte à exposer une partie 102 de la face supérieure 101 de la couche de germination 100.
Cette première ouverture 310 peut être formée en procédant tout d’abord à une étape de lithographie UV (ultra-violet) ou DUV (acronyme de Deep UV en anglais, soit UV lointain), de lithographie par faisceau électronique, ou de NIL (acronyme de « Nanoimprint lithography » signifiant lithographie par nanoimpression), puis par exemple à une étape de gravure anisotrope, cette gravure pouvant être une gravure sèche ou humide. Par exemple, il peut s’agir d’une étape de gravure sèche en chimie chlorée ou fluorocarbonée.
Comme illustré en également, on prévoit ensuite le dépôt d’une couche sacrificielle 30 qui recouvre la face supérieure 211 de la couche de masquage 210 et qui emplit l’ouverture 310, de préférence qui remplit entièrement l’ouverture 310. De préférence, cette couche sacrificielle 30 vient au contact de la face supérieure 101 de la couche de germination 100.
La couche sacrificielle 30 peut être réalisée en SiO 2 , SiN, poly Si, SiGe, TiN ou à base d’au moins l’un de ces matériaux. Le dépôt de cette couche sacrificielle 30 peut dans un premier temps se faire pleine plaque, par dépôt chimique en phase vapeur, connu sous le terme anglais de « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » (LPCVD), ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, connu sous le terme anglais de « Plasma-enhanced chemical vapor deposition » (PECVD).
Comme illustré en , la couche sacrificielle 30 est ensuite gravée de sorte à ce que cette couche s’étende sur une partie seulement de la première couche de masquage 210, et ce à partir de l’ouverture 310.
Plus précisément, sur une même plaque correspondant à la structure illustrée en , après sa gravure, la couche sacrificielle 30 forme des ilots disjoints, chaque îlot s’étendant depuis au moins une ouverture 310 formée dans la première couche de masquage 210.
Selon un mode de réalisation alternatif, chaque îlot formé par la couche sacrificielle 30 s’étend depuis plusieurs ouvertures 310 formées par la première couche de masquage 210.
Selon un mode de mise en œuvre, la bobine principale comprend des condensateurs, dits condensateurs de segmentation principales.
Selon un mode de mise en œuvre, la bobine secondaire comprend des condensateurs, dits condensateurs de segmentation secondaires.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit dispositif radiofréquence comprend en outre des moyens de génération d’impulsions radiofréquences, les moyens de génération d’impulsions radiofréquences étant adaptés pour imposer la circulation d’une impulsion de courant dans la bobine principale.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit dispositif radiofréquence comprend des moyens de traitement radiofréquence, les moyens de traitement radiofréquence étant adaptés pour traiter un signal radiofréquence susceptible d’être reçu par la bobine principale.
Selon un mode de réalisation, la bobine secondaire forme un chaussette souple destinée à être enfilée sur un corps ou une section d’un corps en vue de l’exécution d’une imagerie dudit corps par résonance magnétique.
L’invention concerne également système d’imagerie par résonance magnétique pourvu du dispositif radiofréquence selon la présente invention.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit système d’imagerie par résonance magnétique comprend un aimant définissant un espace à l’intérieur duquel le dispositif radiofréquence est disposé.
Selon un mode de mise en œuvre, l’aimant est un aimant permanent, avantageusement, l’aimant permanent est susceptible de générer un champ magnétique statique inférieur à 100 mT, encore plus avantageusement inférieur à 50 mT.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit système d’imagerie par résonance magnétique comprend également des bobines à gradient.
La est une représentation schématique selon une vue éclatée d’un système d’imagerie par résonnance magnétique ;
La est une représentation schématique d’un dispositif radiofréquence selon les termes de la présente invention, le dispositif radiofréquence est notamment représenté en perspective ;
La est une cartographie du champ magnétique dans le volume intérieur d’une bobine prise seule et pour laquelle une puissance de 0,5 W est injectée à ces bornes, dans la configuration considérée, la bobine comprend 57 spires faites avec un fil de 1 mm de diamètre, afin de former un cylindre de 250 mm de diamètre ;
La est une cartographie du champ magnétique dans le volume intérieur d’une bobine prise seule et pour laquelle une puissance de 0,5 W est injectée à ces bornes, dans la configuration considérée, la bobine comprend 47 spires faites avec un fil de 1 mm de diamètre, afin de former un cylindre de 180 mm de diamètre ;
La est une cartographie du champ magnétique dans le volume intérieur de deux bobines agencées selon les principes de la présente invention, plus particulièrement, les deux bobines comprennent une bobine principale et une bobine secondaire, la bobine secondaire étant agencée intérieurement et coaxialement à la bobine principale, la bobine principale comprend 57 spires faites avec un fil de 1 mm de diamètre, afin de former un cylindre de 250 mm de diamètre, tandis que la bobine secondaire comprend 47 spires faite avec un fil de 1 mm de diamètre, afin de former un cylindre de 180 mm de diamètre, dans cette configuration, une puissance de 0,5 W est injectée aux bornes de la bobine principale ;
La est une photographie d’une bobine secondaire formée par une chaussette et enfilée sur une tête de mannequin.
Les directions des axes des repères r10, r20 sont indifférentes et peuvent être modifiées.
Le nombre de centrales inertielles, le nombre de premiers cœurs inertiels et le nombre de deuxièmes cœurs inertiels peuvent être différents et par exemple supérieurs à trois.
Plusieurs séquences sont possibles, avec et sans limitation du nombre de tours par rapport au porteur. Si on limite le nombre de tours, en autorisant par exemple la plage de -180° à +180°, cela permet d’éviter l’utilisation de collecteurs tournants, qui sont coûteux et parfois peu fiables, mais a contrario cela ne permet pas de moyenner les erreurs dans le repère géographique, à cause des mouvements en cap du porteur. En effet, un cycle de moyennage consiste par exemple à enchainer les positions angulaires suivantes : 0° +180° 0° -180° 0°… idéalement dans le repère géographique (dans ce cas 0° correspondant par exemple au pointage vers le Nord et 180° correspondant au pointage vers le sud), mais cet asservissement dans le repère géographique doit être fait indépendamment des rotations en cap du porteur, qui peuvent contrecarrer cette séquence. Ainsi, si le porteur effectue trois tours en cap, il faut que l’axe de rotation tourne de trois tours en sens inverse, pour que l’UMI pointe toujours dans la même direction, d’où la nécessité d’un collecteur tournant permettant d’obtenir un nombre illimité de tours si besoin. L’alternative consiste à enchainer la séquence présentée plus haut par rapport au porteur et non par rapport au repère géographie. Cela permet ainsi de limiter le débattement angulaire et d’utiliser des câbles pouvant par exemple s’enrouler pour autoriser le débattement souhaité mais limité. En revanche, la qualité du moyennage temporel dans le repère géographique sera fonction des mouvements en cap du porteur, qui ne pourront plus être compensés parfaitement par des rotations de l’axe de sens opposé.
Les positions angulaires peuvent être écartées de 120° (équi-réparties sur un tour) ou non pour la calibration à quai. La table peut également être pilotée pour avoir moins ou plus de trois positions. On note que, à quai, on veut pouvoir observer plus de termes d’erreurs (biais + calages) qu’à la mer, il faut donc trois positions ; en mer, on veut juste moyenner les erreurs les plus instables, à savoir surtout les trois dérives des gyromètres de sorte que deux positions suffisent. On ne peut plus observer les autres erreurs à la mer car on n’a pas de référence de position précise et en continu.
La table peut être pilotée pour avoir plus de deux positions en phase de navigation.
Tout moyen mécanique peut être utilisé pour bloquer la table en rotation lors de la navigation s’il est prévu que le véhicule subisse des chocs importants entre deux rotations. L’invention peut aussi être réalisée sans aucun moyen de blocage en rotation de la table.
Le cœur inertiel porté par la table peut être relié à l’unité électronique de commande par des câbles ou des nappes souples, ou par des collecteurs tournants.
En variante, on peut aussi avoir un filtre de Kalman recevant les informations d’une partie seulement des premiers cœurs inertiels et les informations de tous les deuxièmes cœurs inertiels.
L’invention est applicable à d’autres types de navires (surface ou sous-marins) qui ont besoin de connaitre la position de manière précise et autonome sur de longues durées (contexte « GNSS denied » par exemple, c’est-à-dire dans un contexte de guerre où les systèmes de navigation par satellites sont brouillés ou leurrés).
L’invention est applicable à tout type de véhicule et notamment à des navires de surface mais également à des véhicules terrestres ou aéronautiques.
dispositif d’imagerie par résonance magnétique DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte au domaine de l’imagerie par résonance magnétique. Plus particulièrement, la présente invention concerne un dispositif d’imagerie par résonance magnétique, et notamment un dispositif d’imagerie par résonance magnétique doté d’un assemblage radiofréquence pourvu d’une bobine radiofréquence d’émission/réception. Plus particulièrement, l’assemblage radiofréquence selon la présente invention est également pourvu d’une bobine radiofréquence qui présente une bande passante étroite et de moyens permettant d’ajuster la fréquence de résonnance de l’assemblage radiofréquence dans une gamme de fréquences de travail d’une étendue supérieure à la bande passante de ladite bobine. L’agencement ainsi proposé, permet d’améliorer la qualité des images dès qu’un champ magnétique statique relativement faible doit être considéré.
La présente invention trouve notamment son intérêt dès lors qu’il s’agit de considérer un dispositif d’imagerie par résonance magnétique portable.
- deux lignes intermédiaires 16 parallèles configurées pour transmettre un couple de la ligne d’entrée 12 et la ligne de sortie 14, chacune de ces lignes intermédiaires 16 comportant un premier pignon 26, de préférence à denture hélicoïdale 26, 26b, engrené avec le pignon d’entrée 20, et un second pignon 28 engrené avec le pignon de sortie 24. Lorsque le pignon de sortie 24 a une denture hélicoïdale, les dentures des seconds pignons 28 sont également à denture hélicoïdale.
Une des particularités du réducteur 10 réside dans le fait que chacune des lignes intermédiaires 16 est mobile en translation le long de son axe de rotation C. Chacune des lignes intermédiaires 16 est donc mobile en rotation et en translation autour de son axe C.
Une autre des particularités du réducteur 10 réside dans le fait que les jeux d’engrènement entre les dentures des pignons 26 et la denture du pignon 20 sont maîtrisés et différents. Ces jeux s’étendent par exemple en direction circonférentielle, c’est à dire autour des axes C.
On appelle ligne intermédiaire « maître » 16a, l’une des lignes intermédiaires 16 pour laquelle la denture 26a de son pignon 26 est engrenée sans jeu avec la denture du pignon d’entrée 20. Sans jeu signifie que ces dentures sont au contact l’une de l’autre comme illustré à droite de la .
On appelle ligne intermédiaire « esclave » 16b, l’autre des lignes intermédiaires 16 pour laquelle la denture de son pignon 26 est engrenée avec un jeu δ positif avec la denture 26b du pignon d’entrée 20. Avec jeu ou avec jeu positif signifie qu’il n’y pas de contact entre ces dentures, comme illustré à la , en particulier dans une position d’arrêt ou de repos du réducteur 10.
Enfin, une autre particularité du réducteur selon l’invention est qu’il comprend en outre un système à bascule 30 qui s’étend transversalement entre les lignes intermédiaires 16 et qui est configuré pour transmettre un effort axial depuis la ligne intermédiaire maître 16a jusqu’à la ligne intermédiaire esclave 16b, et inversement.
Le système à bascule 30 comprend :
- une première extrémité 32 reliée à la ligne intermédiaire maître 16a,
- une seconde extrémité 34 reliée à la ligne intermédiaire esclave 16b, et
- un pivot intermédiaire 36 situé entre les première et seconde extrémités 32, 34 et définissant un axe D de bascule du système 30 qui est perpendiculaire au plan P précité.
Dans le mode de réalisation de la , la première extrémité 32 du système à bascule 30 est articulée sur la ligne intermédiaire maître 16a, et la seconde extrémité 34 du système à bascule 30 est articulée sur la ligne intermédiaire esclave 16b.
Le pivot intermédiaire 36 est de préférence situé à égale distance des lignes intermédiaires 16a, 16b.
Les figures 4 à 6 illustrent le fonctionnement du réducteur 10 qui peut être découpé en trois phases.
La première phase de fonctionnement est illustrée à la et montre une première position de repos ou de démarrage du réducteur. Dans cette position, la denture 26a du pignon 26 est en contact avec la denture du pignon 20 et la rotation de la ligne d’entrée 12 génère un effort axial F1 sur la ligne intermédiaire maître 16a du fait qu’au moins certaines de ces dentures sont hélicoïdales.
Lors de la deuxième phase de fonctionnement illustrée à la , l’effort axial F1 provoque un déplacement en translation axiale de la ligne intermédiaire maître 16a. Ce déplacement est transmis par le système à bascule 30 à la ligne intermédiaire esclave 16b, qui subit un effort axial F2 et un déplacement axial en direction opposée. Lors de la transmission de l’effort, le système 30 bascule autour du pivot intermédiaire 36.
La dernière phase de fonctionnement est illustrée à la . Lors de cette phase, le déplacement de la ligne intermédiaire esclave 16b provoque la suppression des jeux δ entre la denture 26b du pignon 26 et la denture du pignon 20. La denture 26b de la ligne intermédiaire esclave 16b vient donc au contact avec la denture du pignon d’entrée 20. A son tour, cet appui génère, du fait des dentures hélicoïdales 12, 26 un contre effort F3 en direction opposée à l’effort F2. Ce contre effort est transmis à son tour par le système à bascule 30 à la ligne intermédiaire maître 16a qui est soumis à un contre effort F4 dans la direction opposée à l’effort F1. Le réducteur 10 adopte alors une position d’équilibre dans laquelle les efforts F3, F4 compensent les efforts F1, F2.
Le guide de lumière peut comporter une pluralité d’organes de diffusion sur l’ensemble du dioptre dudit guide de lumière. Ainsi, les organes de diffusion sont prévus ou formés sur tout ou partie du pourtour dudit dioptre du guide de lumière, permettant une diffusion des rayons lumineux circulant dans le guide de lumière à 360° dans toutes les directions.