Procédé de passivation, comportant les étapes successives : a) prévoir une structure comportant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; - des premier et second films d’oxyde (2, 3), formés respectivement sur les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) ; b) appliquer un rayonnement ultraviolet à la structure, sous une atmosphère d’ozone, de sorte que le premier film d’oxyde (2’) présente : - une épaisseur strictement supérieure à celle du second film d’oxyde (3, 3’), et/ou - une composition plus proche du composé stœchiométrique ; c) former des première et seconde couches de polysilicium (4, 5), respectivement sur les premier et second films d’oxyde (2’, 3 ; 2’, 3’), et comprenant respectivement des atomes de phosphore et des atomes de bore possédant respectivement des première et seconde températures d’activation électrique, la seconde température d’activation électrique étant strictement supérieure à la première température d’activation électrique ; d) appliquer un traitement thermique à l’ensemble comportant la structure et les première et seconde couches de polysilicium (4, 5), le traitement thermique étant appliqué à une température supérieure ou égale à la seconde température d’activation électrique de manière à activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore de façon concomitante. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) comporte les étapes : a 1 ) prévoir un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; a 2 ) traiter chimiquement les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) à l’aide d’un agent oxydant de manière à former les premier et second films d’oxyde (2, 3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) comporte les étapes : a 1 ’ ) prévoir un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; a 2 ’ ) traiter thermiquement les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) de manière à former les premier et second films d’oxyde (2, 3) de type oxyde thermique. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) comporte les étapes : a 1’’ ) prévoir un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; a 2’’ ) traiter chimiquement les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) à l’aide d’un agent oxydant de manière à former une première partie (2a, 3a) des premier et second films d’oxyde (2, 3) ; a 3’’ ) traiter thermiquement les première et seconde surfaces (10, 11) oxydées du substrat (1) de manière à former une deuxième partie (2b, 3b) des premier et second films d’oxyde (2, 3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde (2, 3) sont de type oxyde tunnel. Procédé de passivation, comportant les étapes successives : a’) prévoir un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; b) appliquer un rayonnement ultraviolet au substrat (1), sous une atmosphère d’ozone, de manière à former des premier et second films d’oxyde (2’, 3’), respectivement sur les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) ; le premier film d’oxyde (2’) présentant : - une épaisseur strictement supérieure à celle du second film d’oxyde (3’), et/ou - une composition tendant vers le composé stœchiométrique ; c) former des première et seconde couches de polysilicium (4, 5), respectivement sur les premier et second films d’oxyde (2’, 3’), et comprenant respectivement des atomes de phosphore et des atomes de bore possédant respectivement des première et seconde températures d’activation électrique, la seconde température d’activation électrique étant strictement supérieure à la première température d’activation électrique ; d) appliquer un traitement thermique à l’ensemble comportant le substrat (1), les premier et second films d’oxyde (2’, 3’), et les première et seconde couches de polysilicium (4, 5), le traitement thermique étant appliqué à une température supérieure ou égale à la seconde température d’activation électrique de manière à activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore de façon concomitante. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde (2’, 3’) sont de type oxyde tunnel. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le rayonnement ultraviolet appliqué lors de l’étape b), sous l’atmosphère d’ozone, est adapté pour que l’épaisseur et/ou la composition du premier film d’oxyde (2’) obtenues à l’issue de l’étape b) limitent la diffusion des atomes de phosphore dans le substrat lors de l’étape d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le rayonnement ultraviolet est appliqué lors de l’étape b), sous l’atmosphère d’ozone, selon une densité de puissance surfacique comprise entre 28 W/cm 2 et 32 W/cm 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le rayonnement ultraviolet est appliqué lors de l’étape b), sous l’atmosphère d’ozone, à une longueur d’onde comprise dans la bande d’absorption de l’ozone, de préférence comprise entre 250 nm et 255 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la température à laquelle est appliqué le traitement thermique lors de l’étape d) est comprise entre 950°C et 1050°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel l’étape c) comporte les étapes : c 1 ) former les première et seconde couches de polysilicium (4, 5), respectivement sur les premier et second films d’oxyde (2’, 3 ; 2’, 3’) ; c 2 ) implanter les atomes de phosphore et les atomes de bore, respectivement dans les première et seconde couches de polysilicium, (4, 5) de préférence par une technique d’implantation ionique par immersion plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel l’étape c) est exécutée de sorte que les atomes de phosphore et les atomes de bore présentent une densité volumique supérieure à 10 20 at./cm 3 à l’issue de l’étape d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comportant une étape e) consistant à former des première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur (6, 7), respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium (4, 5), l’étape e) étant exécutée après l’étape d). Procédé selon la revendication 14, comportant une étape f) consistant à former des électrodes (E) sur les première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur (6, 7).