INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
une transition étant tirée lorsque la valeur du compteur incrément est au moins égale à la valeur de temporisation associée à ladite transition, lorsque ladite valeur de temporisation est retardable ;
ledit réseau de Petri étant en outre associé à un événement de réinitialisation, aussi appelé reset , remettant à zéro ledit compteur incrémental lorsqu’il est déclenché ; ledit événement de réinitialisation pouvant être déclenché dans un intervalle de temps prédéterminé,
Une étape d’exploration du réseau de Petri, conformée pour déterminer une configuration optimisée, par exploration de différentes exécutions du réseau de Petri, correspondant chacune à une combinaison de différents instants de déclenchements possibles de l’événement de réinitialisation et des différents instants de tirage possibles pour chaque transition retardable; et
Une étape de sélection d’une exécution de réseau de Petri pour lequel les instants de tirage des transitions retardables permettent la minimisation d’une fonction coût prédéterminée, chaque événement de réinitialisation déclenché définissant la position des registres sur le circuit cible en fonction de la position des jetons à l’instant de déclenchement.
Avant la mise en œuvre de l’étape d’exploration, on définit des portions à plier dudit pipeline cible ; et l’étape d’exploration est guidée par des conditions logiques : d’une part l’exclusion mutuelle de données dans des places à plier, et un même positionnement des registres pour les portions à plier.
Avantageusement, la condition logique vérifiant le positionnement des registres pour les portions à plier est fonction du nombre de jetons cumulés dans chaque place de portion à plier lors de chaque déclenchement d’événement de réinitialisation.
Avantageusement, l’étape d’exploration est guidée par les conditions logiques exprimées selon des propriétés de logique temporelle arborescente, fréquemment appelées propriétés CTL .
Avantageusement, l’étape d’exploration est réalisée par parcours de branches et d’embranchements d’exploration successifs d’états du réseau de Petri, chaque branche d’un embranchement étant supprimée lorsque ladite branche ne remplit pas lesdites conditions logiques.
L’invention concerne aussi un programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé décrit précédemment lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur.
On entend par matériau III-V, un alliage comprenant des éléments des colonnes IIIB et VB du tableau périodique des éléments (bloc p ).
De façon non limitative, les matériaux III-V mis en œuvre dans le procédé et le système d’intégration comprennent : l’InP, l’AlN, de l’InGaAs, de l’AlInGaAs.
Les figures 1A à 1N illustrent un mode de réalisation d’une architecture permettant l’hétérointégration d’un composant III-V couplé à un guide d’onde en silicium, avec une dissipation thermique améliorée.
Comme illustré en , un premier substrat 1 de type silicium sur isolant SOI (acronyme de Silicon On Insulator) est typiquement fourni. Ce substrat 1 comprend typiquement en empilement selon z une partie 10 massive en silicium dite bulk, une couche d’oxyde enterrée 11 dite BOX, et une couche superficielle 12 également dénommée top Si.
L’épaisseur e 11 du BOX 11 est typiquement de l’ordre de 1 µm à 2 µm. L’épaisseur e 12 du top Si 12 est typiquement de l’ordre de 300nm à 600nm, par exemple environ 500nm. Cette épaisseur e 12 de 500nm peut être obtenue par recroissance de silicium à partir d’une couche mince de silicium d’un substrat SOI présentant une épaisseur de top Si standard de 100 nm ou 200 nm.
Comme illustré en , la couche 12 de top Si est gravée sur une profondeur e 120 typiquement comprise entre 200nm et 300 nm, de manière à former une structure de guide d’onde 120 en arête.
Comme illustré en , la structure obtenue est ensuite recouverte par une couche d’encapsulation 121 à base d’oxyde de silicium, avant d’être planarisée de façon connue par polissage mécano-chimique (CMP). Cela permet d’obtenir un état de surface compatible avec le collage d'une autre plaquette ou substrat également dénommés wafer. La couche d’encapsulation 121 et la partie restante du top Si 12 comprenant le guide d’onde 120 forment une couche optique 122. La couche optique 122 présente ainsi une surface 212c à base d’oxyde de silicium SiO2. Le guide d’onde 120 est typiquement enterré sous la surface 212c à une profondeur de l’ordre de 10 nm à 150 nm.
Comme illustré en , un deuxième substrat 2 est amené en regard de la couche optique 122. Ce substrat 2 comprend typiquement en empilement selon z une fine couche de germination 22 à base d'InP, une couche sacrificielle 21 à base d'InGaAs, et une partie 20 massive à base d’InP.
L’épaisseur e 22 de la couche de germination 22 est typiquement de l’ordre de 100nm à 300 nm. L’épaisseur e 21 de la couche sacrificielle 21 est typiquement de l’ordre de 200nm à 400nm. L’épaisseur e 20 de la partie 20 massive peut être de l’ordre de quelques microns à quelques dizaines de microns, voire à quelques centaines de microns.
Cet empilement de couches à base de matériau III-V est tourné de façon à présenter la couche de germination 22 en regard de la couche optique 122, puis collé, par exemple par collage direct hydrophile. Pour ce type de collage, les surfaces 220c, 212c sont rendues hydrophiles par des traitements de surface adaptés. La surface 220c de la couche de germination 22 à base INP est typiquement préalablement nettoyée par une solution à base d’acide fluorhydrique, puis exposée à un plasma d’oxygène et/ou d’ozone. La surface 212c à base de SiO2 de la couche optique 122 est typiquement exposée à un plasma d’oxygène et/ou d’ozone. Après assemblage des surfaces 220c, 212c ainsi préparées, un recuit thermique de l’ordre de 300° est effectué de façon à finaliser ce collage direct hydrophile.
Comme illustré en , après collage, la partie 20 massive à base d’InP est d’abord retirée, puis la couche sacrificielle 21 est retirée sélectivement à la couche de germination 22. Le retrait de la partie 20 massive peut se faire par rognage mécanique et/ou par gravure chimique. Le retrait de la couche sacrificielle 21 se fait de préférence par gravure sélective de l’InGaAs vis-à-vis de l’InP, par exemple par gravure humide à base d’un mélange d’acide sulfurique (H2SO4), d’eau oxygénée (H2O2) et d’eau (H2O), par exemple dans des proportions H2SO4:H2O2:H2O de 1:1:20.
La couche de germination 22 ainsi exposée permet d’effectuer une recroissance par épitaxie d’un matériau III-V d’excellente qualité cristalline.
Comme illustré en , une croissance d’une structure de composant laser III-V peut être avantageusement effectuée sur cette couche de germination 22. De façon préférée, une croissance d’InP dopé N est effectuée de manière à obtenir la couche de base 221b. Des puits quantiques à base d’AlInGaAs sont ensuite épitaxiés sur cette couche de base 221b, de façon à former la région active 222. La région active 222 peut typiquement comprendre un nombre de puits quantiques compris entre 3 et 20, par exemple 8. Une couche 223 à base d’InP dopé P est ensuite épitaxiée. D’autres couches, par exemple une couche de contact P à base d’InGaAs, peuvent également être crues sur ou au sein de cet empilement, de façon à améliorer l’injection des porteurs de charge par exemple.
Ces étapes de croissance de matériau III-V sont typiquement effectuées par Epitaxie en Phase Vapeur à partir de précurseurs Organo-Métalliques (MOVPE) à des températures de croissance supérieures ou égales à 600°C. Les précurseurs organo-métalliques pouvant être utilisés sont par exemple le Triméthylaluminium (TMAl), le Triméthylgallium (TMGa), le Triméthylindium (TMIn). Les sources d’éléments V peuvent être des hydrures (AsH3, PH3). Ces croissances sont de préférence effectuées de façon localisées sur le premier substrat 1, par des techniques dites SAG (acronyme de « Selective Area Growth », soit « croissance localisée » en français).
Comme illustré en , la couche 223 dopée P et la région active 222 sont typiquement gravées de manière à former un composant 23 présentant une structure en arête de largeur w 23 selon x. La largeur w 23 est typiquement comprise entre 500 nm et 3 µm. Ce composant 23 est par exemple un laser à base de matériau III-V. Ce laser peut être de type Fabry-Pérot, ou à miroirs de Bragg distribués, ou avec une cavité en anneaux. La gravure est configurée de manière à ce que le composant 23 soit optiquement couplé avec le guide d’onde 120. Le composant 23 peut être ainsi sensiblement centré vis-à-vis du guide d’onde 120 selon x. Selon un exemple, le composant 23 et le guide d’onde 120 sont à l’aplomb l’un de l’autre. Selon une possibilité, le composant III-V peut être un modulateur de phase électro-optique.
Après gravure, une couche 221 issue de la couche de base 221b s’étend typiquement de part et d’autre de la structure en mésa 222, 223 du composant 23. Cette couche 221 est typiquement destinée à former une couche d’injection pour le contact de type N. Elle présente une surface 220 exposée. Avantageusement, cette couche 221 permet d’effectuer une épitaxie d’InP:Fe de part et d’autre du composant 23.
L’assemblage radiofréquence comprend également un circuit accordable, associé à la bobine radiofréquence, et configuré pour permettre l’ajustement de l’impédance équivalente de l’assemblage radiofréquence dans une gamme d’impédance donnée, l’ajustement de l’impédance équivalente permettant d’ajuster la fréquence de résonnance, dite fréquence ajustée, dans une gamme de fréquences, dite gamme de travail, de l’assemblage radiofréquence. L’étendue de la gamme de travail est, à cet égard, supérieure à l’étendue de bande passante intrinsèque.
L’assemblage radiofréquence comprend en outre des moyens d’ajustement configurés pour commander l’ajustement, de manière dynamique, de l’impédance équivalente par le circuit accordable, lors de l’acquisition d’une image par le dispositif d’imagerie.
L’association du circuit accordable et des moyens d’ajustement permet de considérer une bobine radiofréquence qui présente une bande passante d’une étendue inférieure à la gamme de travail. Cette dernière considération permet plus particulièrement de mettre en œuvre une bobine radiofréquence dont le facteur de qualité est supérieur à celui des bobines usuellement considérées et pour lesquelles il est généralement requis qu’elles présentent une bande passante couvrant au moins la gamme de travail. Les principes de la présente invention permettent ainsi d’améliorer la qualité des images obtenues par le dispositif d’imagerie par résonnance magnétique, et envisager la mise en œuvre d’un champ magnétique principale de faible amplitude, et notamment inférieure à 100 mTesla, voire inférieure à 50 mTesla.
Ainsi, la est une représentation schématique d’un dispositif d’imagerie 1 par résonnance magnétique selon la présente invention.
Le dispositif d’imagerie 1 comprend un aimant, et notamment un aimant permanent 2. L’aimant permanent 2 peut notamment s’étendre selon un axe d’élongation z.
A cet égard, l’aimant permanent 2 est agencé pour permettre l’insertion d’un corps, et plus particulièrement d’un corps humain, dans le logement 3 par la première ouverture 4 selon l’axe d’élongation z.
Ainsi, les effets combinés des champ magnétiques imposés par les bobines à gradient 6 permettent de coder spatialement les signaux provenant d’un corps présent dans le logement 3 et destiné à être sondé. L’encodage spatial se manifeste notamment par une variation de l’énergie de résonnance des spins nucléaires des noyaux d’hydrogène compris dans le corps destiné à être sondé et présent dans la zone d’analyse. En d’autres termes, les spins nucléaires des noyaux d’hydrogène sont soumis à un champ magnétique qui diffère d’une position à l’autre.
Le système d’imagerie 1 comprend en outre un assemblage radiofréquence 7.
Tel qu’illustré à la , l’assemblage radiofréquence 7 comprend une bobine radiofréquence 8. La bobine radiofréquence 8 est notamment disposée dans le logement 3 et délimitant, au moins en partie, la zone d’analyse. La bobine radiofréquence 8 est par ailleurs configurée pour loger le corps destiné à être sondé.
La bobine radiofréquence 8 peut également comprendre des capacités, dites capacités de segmentation principales.
De préférence, le dispositif de verrouillage 16 comprend plusieurs aimants, deux par exemple ; de même, le dispositif 16 comprend de préférence plusieurs capteurs à effet Hall, de préférence trois. Ceci permet de détecter les différentes configurations du dispositif de verrouillage 16.
Les aimants 421, 422 sont par exemple portés par le barillet 36 et les capteurs 401, 402, 403 sont portés par une carte électronique 44 visible sur la . Seuls les capteurs 401, 402, 403 sont représentés sur les figures 4-6 (la carte électronique 44 n’est pas visible sur les figures 4-6 pour plus de lisibilité). La carte électronique 44 est placée au plus près de aimants 421, 422, sans pour autant entraver la rotation du barillet 36.
Les aimants 421, 422 peuvent occuper des positions radiales différentes autour de l’axe de rotation du barillet 36. Ceci est en particulier visible sur la qui est une vue de côté du dispositif de verrouillage dans des configurations verrouillée (partie de gauche) et déverrouillée (partie de droite). L’aimant 422 est par exemple plus proche de l’axe de rotation du barillet 36 que l’aimant 421. Il en va de même pour les capteurs 401, 402, 403. Le capteur 401 est positionné sur la carte électronique 44 de manière plus proche de l’axe de rotation du barillet 36 que les deux autres capteurs 403, 402.
Selon la configuration verrouillée de gauche de la , l’aimant 422 est en regard du capteur 401 (l’aimant 422 est masqué par le capteur 401) et l’aimant 421 n’est pas en regard d’un capteur, permettant d’identifier la configuration verrouillée du dispositif de verrouillage 16. Pour passer à la configuration déverrouillée de droite de la , le barillet 36 tourne dans le sens anti-horaire. Le capteur 421 passe en regard du capteur 402, puis du capteur 403 permettant alors d’identifier la configuration intermédiaire du dispositif de verrouillage 16. En continuant la rotation anti-horaire du barillet 16, l’aimant 422 dépasse le capteur 401 et l’aimant 421 est en regard du capteur 402, permettant alors d’identifier la configuration déverrouillée du dispositif de verrouillage 16. Le barillet 16 a tourné d’un angle légèrement supérieur à 360° pour convenablement identifier les configurations verrouillée et déverrouillée du dispositif de verrouillage 16. Une logique d’enchaînement de la détection des aimants par les capteurs permet d’identifier les différentes configurations du dispositif de verrouillage 16. La rotation dans le sens inverse permet de passer de la configuration déverrouillée de droite sur la à la position verrouillée de gauche sur la (via la configuration intermédiaire) – avec la logique d’enchaînement correspondante de la détection des aimants par les capteurs.
Une communication a lieu entre le véhicule et la station de stockage, via la carte électronique 22 et l’organe de détection (de type RFID par exemple). Par exemple, lorsque le véhicule a été engagé dans une borne de stockage 14, une information est envoyée à la carte 22 pour changer le dispositif de verrouillage 16 de la configuration intermédiaire à la configuration de verrouillage. Le moteur 38 est activé pour tourner le barillet 36 jusqu’à ce que les capteurs à effet Hall détecte la position angulaire appropriée du barillet 36. Lorsqu’un utilisateur valide son abonnement pour prendre un véhicule, une information est envoyée à la carte 22 pour changer le dispositif de verrouillage 16 de la configuration verrouillée à la configuration déverrouillée. Le moteur 38 est activé pour tourner le barillet 36 jusqu’à ce que les capteurs à effet Hall détectent la position angulaire appropriée du barillet 36. Pendant l’utilisation du véhicule, le moteur 38 peut ensuite être activé pour tourner le barillet 36 et placer le dispositif de verrouillage 16 en position intermédiaire – la position du barillet 36 étant détectée pour arrêter le moteur.
La présente invention a été décrite en relation avec des modes de réalisations spécifiques, qui ont une valeur purement illustrative et ne doivent pas être considérés comme limitatifs. D’une manière générale, il apparaîtra évident pour un homme du métier que la présente invention n’est pas limitée aux exemples illustrés et/ou décrits ci-dessus.
DISPOSITIF DE COMMUNICATION COMPRENANT UN EMBOUT BUCCAL Domaine de l’invention L’invention concerne un embout buccal, notamment un embout buccal pour détendeur de plongée, adapté pour la communication sous-marine.
État de la technique La communication entre deux plongeurs est rendue difficile par le fait que le milieu aquatique est plus mauvais conducteur d’onde que l’air.
On connait le document US2012/0213034 décrivant un embout buccal de détendeur à mettre dans la bouche et comprenant un microphone ainsi qu’un écouteur à conduction osseuse faisant vibrer un plateau de conduction acoustique pour faire passer le signal par les dents de l’utilisateur.
Un premier défaut est que la conduction osseuse du signal acoustique n’est pas optimale. Un second défaut est que le signal capté est peu intelligible du fait de la partie labiale de l’embout buccal empêchant l’utilisateur de bouger les lèvres de manière suffisante.
L’invention propose un embout buccal permettant de résoudre les inconvénients de l’art antérieur précités.
Selon un aspect, l’invention concerne un dispositif de communication comprenant un embout buccal destiné à être porté dans la bouche d’un sujet comprenant un plateau de conduction acoustique destinée à être mordu par l’utilisateur ; et un élément vibrant configuré pour convertir une entrée audio en une sortie acoustique, l’élément vibrant étant couplé au plateau de conduction acoustique de manière à transmettre ladite sortie acoustique audit plateau.
L’avantage est de conduire le signal acoustique à travers les dents du plongeur pour créer un écouteur à conduction osseuse.
Dans un mode de réalisation, le plateau de conduction acoustique destiné à être mordu par le sujet comprend une pluralité de crêtes. Un avantage est de combler la cavité du sommet de la dent par les crêtes du plateau.
Dans un mode de réalisation, le plateau de conduction comprend un revêtement élastique et l’épaisseur du revêtement élastique au niveau d’un sommet d’une crête est inférieure à l’épaisseur du revêtement élastique entre deux crêtes. Un avantage est de procurer un compromis idéal entre la conduction osseuse et le confort de l’utilisateur.
Dans un mode de réalisation, l’élément vibrant est agencé pour vibrer dans une direction ; et ledit élément vibrant est encapsulé entre au moins une ou au moins deux parois de butée agencées pour transmettre les vibrations de l’élément vibrant au plateau de conduction acoustique selon ladite direction. La direction de vibration est préférentiellement sensiblement parallèle au plan du plateau de conduction acoustique. Un avantage est d’améliorer la transmission du signal acoustique jusqu’aux dents du plongeur tout en évitant les chocs de l’élément vibrant contre le plateau de conduction.
Selon un mode de réalisation le susbtrat nontissé comprend des fibres naturelles.
Typiquement les fibres naturelles peuvent représenter entre 70% et 99%, en particulier entre 80% et 98%, tout particulièrement entre 85% et 98% en poids de matière sèche dudit substrat nontissé.
Au sens de la présente demande, "fibre naturelle" désigne une fibre d'origine naturelle ayant, éventuellement, subi un traitement chimique, un traitement physique ou les deux pour en optimiser les caractéristiques physiques.
Par exemple, les fibres naturelles du substrat nontissé peuvent être choisies parmi les fibres de bois, les fibres de feuilles, les fibres de fruits, les fibres de graine, les fibres libériennes, les fibres de tiges, les fibres de roseaux et leurs mélanges, en particulier les fibres de bois, les fibres de feuilles, fibres de graines, les fibres libériennes et leurs mélanges, plus particulièrement les fibres de bois, les fibres libériennes et leur mélange.
Les fibres de bois présentes dans le substrat en papier et dans le substrat nontissé de l'invention peuvent être choisies parmi la pâte de feuillus ( hardwood pulp en anglais), la pâte de feuillus blanchie, la pâte de résineux ( softwood pulp en anglais), la pâte de résineux blanchie, la pâte de résineux défibrée ( softwood fluff pulp en anglais), les fibres lyocell (fibres de cellulose broyées et dissoutes dans du monohydrate de N-oxyde de N-méthylmorpholine, dans le but d’obtenir des fibres à section de forme variable (section ronde, ovale, en croix, en cercle, en lamelle) à masse linéique et longueur calibrées, que l’homme du métier peut choisir en fonction de ses besoins), les fibres de viscose (fibres obtenues par dissolution de la cellulose grâce à la modification de ses groupements hydroxyles par le disulfure de carbone (CS 2 ), puis sur sa précipitation en présence d’acide sulfurique (H 2 SO 4 ) dans le but d’obtenir des fibres à section de forme variable (section ronde, ovale, en croix, en cercle, en lamelle) à masse linéique et longueur calibrées, que l’homme du métier peut choisir en fonction de ses besoins) et leurs mélanges, en particulier la pâte de feuillus, la pâte de résineux, la pâte de résineux défibrée, les fibres lyocell, les fibres de viscose et leurs mélanges, plus particulièrement la pâte de résineux, la pâte de résineux défibrée, les fibres lyocell et leurs mélanges.
Au sens de la présente demande, "fibre libérienne" désigne une fibre végétale contenue dans le liber des plantes.
Les fibres libériennes peuvent être choisies parmi la fibre de chanvre, la fibre de chanvre indien, la fibre de jute, la fibre de kénaf, la fibre de kudzu, la fibre de liane à barriques, la fibre de lin, la fibre d'okra, la fibre d'ortie, la fibre de papyrus, la fibre de ramie, la fibre de sisal, la fibre de sparte ou leurs mélanges, en particulier la fibre de chanvre, la fibre de lin et leur mélange, plus particulièrement la fibre de lin.
Typiquement, les fibres libériennes peuvent avoir subies un traitement préalable. Ainsi les fibres libériennes peuvent être des fibres libériennes cotonisées, des fibres libériennes individualisées, des fibres libériennes ayant subi un rouissage, des fibres libériennes blanchies et leurs mélanges, en particulier être des fibres libériennes cotonisées, des fibres libériennes individualisées et leur mélange.
Au sens de la présente demande, "fibre de graine" désigne une fibre issue de graines d'une plante. Les fibres de graine peuvent être choisies parmi la fibre de coton, la fibre de kapok, la fibre de luffa, la fibre d'asclépiade et leurs mélanges, en particulier être la fibre de kapok.
Selon un premier mode de réalisation particulier, les fibres naturelles sont des fibres de bois choisies parmi la pâte de résineux, la pâte de résineux défibrée, en particulier la pâte de résineux défibrée.
Selon un deuxième mode de réalisation particulier, les fibres naturelles sont choisies parmi la fibre lyocell, la fibre de lin, la fibre de lin cotonisée, la fibre de coton et leurs mélanges, en particulier un mélange de fibres de lin cotonisées et de fibres lyocell.
Selon un troisième mode de réalisation particulier, les fibres naturelles du substrat nontissé sont un mélange de fibres naturelles comprenant des fibres de lin cotonisées et des fibres lyocell, les fibres de lin cotonisées représentent plus de 50%, en particulier entre 70% et 98%, plus particulièrement entre 85% et 95% en poids de matière sèche dudit mélange de fibres, et les fibres lyocell représentent moins de 50%, en particulier entre 2% et 30%, plus particulièrement entre 5% et 15% en poids de matière sèche dudit mélange de fibres.
Typiquement, les fibres de bois du substrat en papier peuvent présenter une longueur comprise entre 1 mm et 3 mm, en particulier entre 1.5 mm et 2.7 mm, plus particulièrement entre 2 mm et 2.7 mm.
Typiquement, les fibres naturelles du substrat nontissé peuvent présenter une longueur comprise entre 1 mm et 150 mm, en particulier entre 1,5 mm et 100 mm, tout particulièrement entre 2 mm et 60 mm.