INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un autre objet de l’invention est un procédé de contrôle non destructif de la pièce réelle P, ayant été fabriquée par voie de fonderie. Par exemple, ce procédé de contrôle non destructif comporte la première étape E1 décrite ci-dessus, dans laquelle on acquiert par le dispositif 11 de mesure l’image I, X tomo , ayant été mesurée sur la pièce réelle P. L’étape E1 est suivie des étapes E2 à E8 ou E9 décrites ci-dessus du procédé de traitement de l’image X CAO de consigne de la pièce réelle P, en référence à la figure 9. L’étape E8 ou E9 est suivie d’une étape E10, dans on détermine à partir du troisième maillage Q déformé de troisièmes nœuds Q CAO de la pièce dans l’image X CAO de consigne, obtenu par l’étape E8, et/ou à partir du quatrième maillage déformé R dans le volume de la pièce réelle P dans l’image X CAO de consigne, obtenu par l’étape E9, si la pièce réelle P est en bon état ou en mauvais état. L'étape E10 est une étape de sanction ou de validation, permettant d’examiner le troisième maillage Q et/ou le quatrième maillage déformé R, afin soit de sanctionner la pièce réelle P comme étant non valide car ayant trop de défauts, soit de valider la pièce réelle P comme étant valide car n’ayant pas trop de défauts. Ce procédé de contrôle non destructif peut être utilisé dans une chaîne de simulation industrielle et permet une sanction de la dérogation sur l’acceptabilité de la pièce réelle P. Le procédé de contrôle non destructif se distingue de la préparation des données (installation de la pièce P dans le tomographe puis numérisation, reconstruction et segmentation de la pièce lors des étapes E1 et E2) et se distingue de la partie utilisation industrielle (étape E10 d’aide à la sanction de dérogation sur l’acceptabilité de la pièce) par les étapes E3 à E8 et/ou E9 décrites ci-dessus.
L’invention permet une approche non-paramétrique pour identifier les variations morphologiques et pouvoir de façon plus rapide, voire automatique, traiter des dérogations. Cette méthode permet non seulement d’accéder à une sanction rapide, mais également de prendre en compte l’ensemble des pièces acceptées afin de toujours améliorer la base de données. L’application continue de cette méthode permet de la renforcer par convergence statistique (robustesse et stabilité du calcul des modes). Enfin, la force de cette méthode est qu’elle se transpose à tout type de pièces et de type de traitement basée sur la décomposition sous réserve d’en obtenir au moins un maillage surfacique. Les modes locaux à faible portée sont filtrés par la troncature de la base des modes, ce qui se traduit par une réduction de la dimensionnalité de l’objet. Cette approche permet de fournir les coefficients des variations géométriques observés sur un grand nombre de pièces. Les coefficients peuvent ensuite être associés aux dérogations afin de construire une base de données sur laquelle une statistique de dérogation pourrait être développée. L’utilisation de méthodes statistiques pour la classification est adaptée au processus de dérogation par nature.
Le maillage déformé Q et/ou R peut être utilisé directement dans une chaîne de simulation industrielle, puisque la mise en données (application des conditions aux limites, entités de calculs etc.) est conservée. On peut alors obtenir des résultats correspondant à la géométrie de la pièce réelle P.
Les différentes grandeurs calculées ci-dessus, notamment les maillages, les matrices, les vecteurs propres, les valeurs propres et les coordonnées, ainsi que V, F, G, U, Q, R peuvent être stockées dans une mémoire 13 ou une base 13 de données du dispositif 1 et/ou être affichées sur un écran 14 du dispositif 1 et/ou envoyées à une sortie physique 15 vers l’extérieur (par exemple un port de communication vers l’extérieur).
Selon une autre caractéristique, le capteur de mesure d’une distance est configuré pour transmettre un deuxième signal à l’alimentation de commande de manière continue dès que la différence entre la distance mesurée et la distance donnée est supérieure au seuil de distance donné et jusqu’à ce que la différence entre la distance mesurée et la distance donnée redevienne inférieure ou égale au seuil de distance donné.
Selon une autre caractéristique, le circuit électrique de puissance comprend un système de limitation de courant configuré pour agir en fonction de la position de la palette déterminée par le système de détection.
est un schéma d’un dispositif de commutation d’un circuit électrique de puissance illustrant un mode de réalisation de l’art antérieur,
est un schéma d’un dispositif de commutation d’un circuit électrique de puissance illustrant un mode de réalisation de l’invention,
est un schéma d’un système de détection de l’état de la palette d’un contacteur illustrant un premier mode de réalisation, la palette étant en position en contact,
est un schéma du système de détection visible sur la , la palette étant en position écartée,
est un schéma d’un système de détection de l’état de la palette d’un contacteur illustrant un deuxième mode de réalisation, la palette étant en position en contact,
est un schéma d’un système de détection de l’état de la palette d’un contacteur illustrant un troisième mode de réalisation, la palette étant en position en contact,
est un schéma du système de détection visible sur la , la palette étant en position écartée.
Sur la , un dispositif de commutation 30 d’un circuit électrique de puissance 32 comprend au moins un contacteur principal 34 ainsi qu’un tronçon amont 32.1 et un tronçon aval 32.2 du circuit électrique de puissance 32 positionnés de part et d’autre du contacteur principal 34. Le contacteur principal 34 est configuré pour occuper un état ouvert (visible en pointillés), dans lequel il isole le tronçon amont 32.1 du tronçon aval 32.2 et interdit le passage d’un courant, ainsi qu’un état fermé dans lequel il relie les tronçons amont et aval 32.1, 32.2 et autorise le passage d’un courant. Selon une application non limitative, le contacteur principal 34 est utilisé pour relier ou isoler au moins une source électrique 36 et au moins une charge électrique 38 dans un circuit électrique de puissance d’un aéronef. Le contacteur principal 34 est configuré pour fonctionner à des tensions élevées, supérieures à 300 V, de l’ordre de 1000 V. Bien entendu, il pourrait fonctionner à des tensions inférieures de l’ordre de 115 V.
Le dispositif de commutation 30 comprend : un actionneur 40 configuré pour provoquer la fermeture du contacteur principal 34 et son maintien à l’état fermé lorsque l’actionneur est alimenté, un ressort 42 configuré pour provoquer l’ouverture du contacteur principal 34 et son maintien à l’état ouvert lorsque l’actionneur 40 n’est plus alimenté, une alimentation de commande 44 configurée pour appliquer un signal de commande Sc à l’actionneur 40 à réception d’un premier signal 46 et maintenir ce signal de commande Sc tant que le contacteur principal 34 doit rester à l’état fermé.
Le signal de commande Sc peut être une énergie, une tension, une intensité ou toute autre grandeur physique.
Selon un mode de réalisation, l’actionneur 40 est une bobine comportant des première et deuxième bornes d’extrémité auxquelles est appliqué le signal de commande Sc.
Quel que soit le mode de réalisation, l’actionneur 40 est configuré pour provoquer un changement de l’état ouvert vers l’état fermé du contacteur principal 34 à l’encontre d’un effort généré par le ressort 42 lorsque l’actionneur 40 est alimenté par un signal de commande Sc à un premier niveau, le ressort 42 provoquant un changement de l’état fermé vers l’état ouvert du contacteur principal 34 lorsque l’actionneur 40 n’est pas alimenté.
A ce titre, la illustre un exemple d’évolution du pas Λ r du réseau de diffraction 8 en fonction de la largeur w c du guide d’onde 5, pour la configuration structurelle de référence Cs ref définie précédemment, et pour laquelle l’angle d’émission θ de l’antenne optique simulée est égale à une valeur cible θ c , ici égale à 8°. Les simulations sont réalisées pour balayer une gamme de valeurs de la largeur w c , entre une valeur minimale ici égale à 350nm et une valeur maximale ici égale à 600nm.
Lors d’une étape 30, on détermine une relation α r =g(w c ) exprimant une évolution d’un taux d’extraction α r du réseau de diffraction 8 en fonction de la largeur w c du guide d’onde 5, compte tenu de la configuration structurelle de référence Cs ref et de la relation Λ r =f(w c ) déterminée précédemment (donc pour laquelle l’angle d’émission θ(x) est égal à la valeur cible θ c ).
Pour cela, on réalise ici plusieurs simulations tridimensionnelles d’une antenne optique 7 par différences finies dans le domaine temporel (FDTD). A chaque simulation, l’antenne optique 7 présente la configuration structurelle de référence Cs ref et une valeur constante de largeur w c , et on en déduit la valeur du pas Λ r correspondant à partir de la relation Λ r =f(w c ). Aussi, l’antenne optique 7 ne présente pas de variation longitudinale de sa largeur w c ni de son pas Λ r (elle n’est pas apodisée), et on sait que l’angle d’émission correspondant est égal à la valeur cible θ c . Pour chaque simulation, on détermine la valeur du taux d’extraction α r,sim de l’antenne optique 7 simulée, c’est-à-dire le rapport de la valeur de l’intensité du mode optique diffracté sur la valeur de l’intensité du mode optique introduit dans le guide d’onde 5.
On obtient ainsi la relation α r =g(w c ) entre le taux d’extraction α r de l’antenne optique 7 simulée en fonction de la largeur w c , pour laquelle le pas Λ r respecte la relation Λ r =f(w c ) pour laquelle l’antenne optique 7 émet le rayonnement émis à l’angle d’émission cible θ c .
A ce titre, la illustre un exemple d’évolution du taux d’extraction α r (ici de 1-α r ) du réseau de diffraction 8 en fonction de la largeur w c du guide d’onde 5, pour la configuration structurelle de référence Cs ref définie précédemment, et pour laquelle l’angle d’émission θ de l’antenne optique simulée est égal à une valeur cible θ c égale à 8°. Les simulations sont réalisées pour la gamme de largeur w c allant de 350nm à 600nm.
Lors d’une étape 40, on détermine une variation longitudinale w c (x) de la largeur w c du guide d’onde 5, se traduisant par une variation longitudinale α r (x) du taux d’extraction α r pour laquelle le profil d’émission S(x) est égal au profil d’émission cible S c (x).
Pour cela, selon une approche dite théorique, on commence par déterminer la variation longitudinale α r,c (x) du taux d’extraction cible α r,c pour laquelle le profil d’émission S(x) est égal au profil d’émission cible S c (x). On peut utiliser la relation théorique identique ou similaire à celle décrite dans l’article de Zhao 2020 mentionné précédemment, à savoir :
Ensuite, connaissant la variation longitudinale α r,c (x) du taux d’extraction cible α r,c , on détermine la variation longitudinale w c,c =p(x) de la largeur w c du guide d’onde 5 correspondante, à partir de la relation α r =g(w c ) déterminée précédemment, ainsi que la variation longitudinale Λ r =q(x) à partir de la relation Λ r =f(w c ) déterminée précédemment. Cependant, bien que cette approche ‘théorique’ puisse être utilisée dans le cadre de l’invention, il y a un risque que la variation longitudinale w c,c (x) de la largeur w c obtenue ne corresponde pas tout à fait aux contraintes technologiques, et/ou aux valeurs w c,in , w c,out de largeur du guide d’onde 5 en amont et en aval de la partie apodisée (par exemple ici 350nm et 600nm).
Aussi, une autre approche avantageuse, plus ‘pragmatique’, peut être utilisée. On définit tout d’abord une équation représentative d’une variation longitudinale w c (x) de la largeur w c du guide d’onde 5 entre deux valeurs prédéfinies amont w c,in et aval w c,out . On souhaite que cette équation comprenne peu de paramètres à ajuster (peu de degrés de liberté) mais couvre une large gamme de formes de guide d’onde 5 pour que le profil d’émission correspondant soit égal au profil d’émission cible S c (x). De préférence, on choisit la fonction puissance d’exposant n, exprimée ici dans une forme continue et dans une forme discrétisée : où x est l’abscisse qui varie entre x 0 =0, i.e. le début de la partie apodisée de l’antenne optique 7 où la largeur est w c,in et L a , i.e. la fin de la partie apodisée où la largeur est w c,out , et où i est le numéro de la période considérée du réseau de diffraction 8, et M le nombre total de périodes de la partie apodisée, et où enfin n est un paramètre libre à déterminer.
On réalise ensuite une étude paramétrique en faisant varier ici le paramètre n. Dans cet exemple, on considère que la partie apodisée de l’antenne optique 7 est formée de M=1000 périodes, suivie d’une partie de 1000 périodes supplémentaires où la largeur w c et le pas Λ r restent constants (largeur égale à la valeur w c,out ). On réalise N simulations FDTD de l’antenne optique 7, où le paramètre n prend une valeur n (m) , où m est ici un indice variant de 1 à N associé à la simulation réalisée. Ainsi, pour chaque simulation d’indice m, on obtient une variation longitudinale w c(m) =p (m) (x) de la largeur w c(m) à partir de l’équation précédente où le paramètre n prend une valeur n (m) . On en déduit également la variation longitudinale Λ r(m) =q (m) (x) à partir de la relation Λ r =f(w c ) déterminée précédemment.
On détermine ensuite la variation longitudinale α r(m) (x) du taux d’extraction à partir de la relation α r =g(w c ), compte tenu des variations longitudinales w c(m) =p (m) (x) et Λ r(m) =q (m) (x), et on alors déterminer le profil d’émission S (m) (x) correspondant. On détermine ensuite un paramètre de similitude du profil d’émission S (m) (x) avec le profil d’émission cible S c (x), autrement dit un paramètre d’écart entre ces deux profils, par exemple à partir d’une intégrale de recouvrement. On choisit enfin la valeur optimale n (mopt) du paramètre n qui donne la meilleure valeur du paramètre de similitude, i.e. qui minimise l’écart entre ces deux profils. On obtient ainsi la variation longitudinale optimale w c =p (mopt) (x) de la largeur w c du guide d’onde 5, ainsi que la variation longitudinale correspondante Λ r =q (mopt) (x) du pas Λ r du réseau de diffraction 8, pour lesquelles le profil d’émission S(x) correspondant est égal au profil d’émission cible S c (x) (au sens de la meilleure similitude) avec un angle d’émission θ(x) égal à la valeur cible θ c constante pour tout x. Ainsi, selon cette approche ‘pragmatique’, on est assuré que les valeurs locales de la largeur w c , associées aux valeurs locales du pas Λ r , respectent effectivement les contraintes technologiques ainsi que les valeurs souhaitées w c,in , w c,out de largeur du guide d’onde 5 en amont et en aval de la partie apodisée.
Enfin, lors d’une étape 50, on fabrique l’émetteur optoélectronique 1 pour lequel les antennes optiques 7 présentent toute la même configuration structurelle Cs ref , celle-ci étant donc complétée par la variation longitudinale w c =p(x) de la largeur w c du guide d’onde 5 et par la variation longitudinale Λ r =q(x) du pas du réseau de diffraction 8 qui viennent d’être déterminées.
La illustre le profil d’émission S(x) d’une telle antenne optique 7, ainsi que le profil d’émission cible S c (x). Dans cet exemple, l’antenne optique 7 comporte une partie apodisée de M=1000 périodes (longueur L a de 750µm environ) suivie d’une partie non apodisée de 1000 périodes supplémentaires (d’une longueur de 850µm), avec la configuration structurelle de référence indiquée précédemment. Dans la partie apodisée, la largeur w c varie entre la valeur amont w c,in égale à 600nm et une valeur aval w c,out de 350nm. Le facteur de remplissage ff r reste égal à 0.5 suivant l’axe longitudinal X, et le paramètre n est égale à 0.3. De plus, l’angle d’émission cible est ici égal à 8°. Dans la partie amont apodisée allant ici de x=0 à x=L a =750nm environ, le profil d’émission S(x) est gaussien et présente une bonne similitude avec le profil gaussien cible S c (x). Dans la partie aval non apodisée, le profil d’émission présente une décroissance exponentielle, qui correspond ici également avec le profil cible. On représente par une ligne verticale en pointillé le passage dans l’antenne optique 7 entre la partie apodisée et la partie non apodisée.
Ainsi, le procédé de fabrication permet de réaliser un émetteur optoélectronique 1 dont chaque antenne optique 7, par les variations longitudinales de la largeur w c du guide d’onde 5 et du pas Λ r du réseau de diffraction 8 sur au moins une partie de la longueur de l’antenne optique 7, émettent un rayonnement lumineux ayant le profil d’émission en champ proche et l’angle d’émission voulus. Le diagramme d’émission en champ lointain correspond ainsi au diagramme souhaité, et est peu divergeant au moins dans le plan XZ. De plus, on évite d’avoir à réaliser un réseau de diffraction ayant des dimensions pas ou peu compatibles avec les contraintes des procédés de fabrication usuels des plateformes de photonique.
Ainsi, le procédé de fabrication peut également comporter une phase d’ajustement du facteur de remplissage ff, voire de détermination d’une variation longitudinale ff(x), une phase d’ajustement de la longueur de la partie d’apodisation, ou d’autres paramètres physiques Comme indiqué précédemment, le profil d’émission peut être de différents types, par exemple gaussien ou constant. Par ailleurs, le réseau de diffraction 8 peut comporter comme ici des plots 13 de haut indice, voire, entre autres, être formé par des échancrures pratiquées à la surface de la couche de la gaine.
Elle comprend également une sous-étape de dépôt du ou des matériaux formant le via conducteur VC non supraconducteur. Les sous-étapes sont identiques dans le cas où les vias formés sont de vias supraconducteurs VS.
Dans un exemple illustré à la , cette sous-étape comprend tout d’abord le dépôt conforme d’une couche de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD), puis d’une couche de nitrure de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD), suivi du dépôt d’une couche de cuivre (par exemple, par un dépôt PVD puis ECD), l’épaisseur de la couche de cuivre étant choisie de sorte à combler, partiellement ou complètement, la tranchée gravée lors de la sous-étape précédente. Lorsque la tranchée n’est comblée que partiellement par la couche de cuivre, alors l’épaisseur de la couche de cuivre est de préférence supérieure ou égale à 500 nm de sorte à induire par effet de proximité l’état conducteur dans les couches supraconductrices du via. L’un des avantages de ce procédé selon un troisième aspect de l’invention réside dans la réalisation des vias conducteurs VC non supraconducteurs en fin de procédé, ce qui permet de réaliser des vias conducteurs VC non supraconducteur plus larges qui peuvent être remplis par électrolyse (ECD) (même pour les couches de titane et de nitrure de titane). On notera ici que l’épaisseur de cuivre étant largement supérieure à l’épaisseur de nitrure de titane ou de titane, le cuivre et l’ensemble du via restent conducteurs (et non supraconducteurs) même à très basses températures.
Formation d’au moins un niveau de routage au niveau de la deuxième face S2
Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape de formation d’au moins un niveau de routage S2NR1 au niveau de la deuxième face S2, le niveau de routage comprenant au moins une piste conductrice PC non supraconductrice reliée à un via conducteur VC non supraconducteur et au moins une piste supraconductrice PS reliée à un via supraconducteur VS.
Plus particulièrement, si un seul niveau de routage est présent, alors ce niveau de routage comporte au moins une piste conductrice PC non supraconductrice et au moins une piste supraconductrice PS. En revanche, si plusieurs niveaux de routage sont présents au niveau de la deuxième face S2, alors un niveau de routage donné peut ne comporter qu’une ou plusieurs pistes conductrices PC non supraconductrices ou une ou plusieurs pistes supraconductrices PS.
Formation des métallisations sous billes sur la deuxième face S2
Dans un mode de réalisation illustré aux et , cette étape comprend une sous-étape de dépôt d’une couche d’un matériau diélectrique DI, suivie d’une sous-étape de gravure de ladite couche DI de sorte à aménager des ouvertures OU destinées à recevoir la métallisation sous billes UBMS/UBMC. Cette étape comprend ensuite la réalisation, dans les ouvertures OU obtenues lors de la sous-étape précédente, de la ou des métallisations sous billes conductrices UBMC non supraconductrices au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices PC non supraconductrices et de la ou des métallisations sous billes supraconductrices UBMS au niveau d’une partie au moins des pistes de routages supraconductrices PS. Bien entendu, ces sous-étapes sont répétées pour chaque type de métallisations sous billes, autrement dit une première fois pour les métallisations sous billes conductrices UBMC ou supraconductrices UBMS et une deuxième fois pour les métallisations sous billes supraconductrices UBMS ou conductrices UBMC.
Formation des billes conductrices ou supraconductrice s sur la deuxième face S2
Dans un mode de réalisation, comme illustré à la figure , le procédé comprend également une étape de formation des billes BIC/BIS d’un type choisi parmi les billes supraconductrices BIS et les billes conductrices BIC non supraconductrices, les billes BIC/BIS d’un type donné étant formées au niveau des métallisations sous billes UBMC/UBMS du même type au niveau de la deuxième face S2.
Dans l’exemple de la , seules les billes conductrices BIC non supraconductrices sont déposées lors de cette étape, ces dernières BIC étant déposées au niveau des métallisations sous billes conductrices UBMC non supraconductrices.
Formation de plots pour collage direct sur la deuxième face S2
Dans un mode de réalisation alternatif, les métallisations sous billes UBMS/UBMC et les billes conductrices BIC non supraconductrices ou les billes supraconductrices BIS au niveau de la deuxième face S2 sont remplacées par des plots permettant une connexion par collage direct. Plus particulièrement, le procédé comprend, après l’étape de formation d’au moins un niveau de routage au niveau de la deuxième face : une étape de formation, au niveau de la deuxième face, de plots conducteurs non supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices non supraconductrices, chaque plot conducteur non supraconducteur comprenant de préférence une couche conductrice en contact avec une piste conductrice non supraconductrice et une couche supraconductrice sur la couche conductrice ; une étape de formation, au niveau de la deuxième face, de plots supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices, chaque plot supraconducteur comprenant de préférence une couche supraconductrice.
Retrait de la poignée de manipulation
Cette troncature peut se calculer par différentes approches. Une première approche décrite ci-dessus est le filtrage suivant la longueur caractéristique (valeur propre λ k ) des modes Φ k . Une autre approche pourrait être le calcul de l’erreur de reconstruction par projection du premier maillage M CAO sur les modes Φ k et de calculer n modes (λ k , Φ k ) pour k allant de 1 à n, jusqu’à ce que l’erreur de reconstruction devienne inférieure à un seuil prescrit d’erreur. La troncature peut être effectuée en utilisant par exemple la distance euclidienne moyenne ou la distance de Hausdorff.
Les figures 7 et 8A montrent un exemple de sélection du sous-ensemble F des M premiers nœuds N CAO de l’objet X CAO de consigne parmi tous les premiers nœuds N CAO sur le maillage M CAO , ainsi que par des rectangles les deuxièmes nœuds N tomo correspondants du sous-ensemble G.
Les figures 8B et 8C montrent par des rectangles un exemple de sélection du sous-ensemble G des M deuxièmes nœuds N tomo de l’image mesurée I ou X tomo parmi tous les deuxièmes nœuds N tomo sur le maillage M tomo .
La montre que certains deuxièmes nœuds N tomo du sous-ensemble G peuvent coïncider avec certains premiers nœuds N CAO du sous-ensemble F et que d’autres deuxièmes nœuds N tomo du sous-ensemble G peuvent coïncider avec certains autres premiers nœuds N CAO du sous-ensemble F.