INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On notera que la porte 70 comprend deux vantaux 72 et 73, et que le cadre dormant 71 comprend deux montants latéraux 74 et 75 qui consistent en des caissons, destinés à loger les deux vantaux, respectivement 72 et 73, lorsqu’ils sont en position d’attente.
En référence maintenant à la figure 5C, on peut voir un module 8, équipé d’une porte 80, et accolé à un four 1. Ce module 8 se présente sous la forme d’un caisson 81 disposé verticalement, en l’occurrence accolé au côté 13 du four 1, tandis que la porte 80 est un volet enroulable dans le caisson 81.
Bien entendu, quel que soit le mode de réalisation considéré, toutes les portes décrites précédemment peuvent être motorisées ou bien mues manuellement.
Procédé de préparation d’une pâte à pizza fraîche pour utilisation différée L’invention concerne un procédé de préparation d’une pâte à pizza fraîche pour utilisation différée, et plus particulièrement, un procédé de préparation d’une pâte à pizza fraîche, de structure alvéolée, stable en conservation au moins un mois à température de réfrigération, et permettant d’obtenir un produit cuit de qualité organoleptique artisanale.
La pizza est un produit d’alimentation objet d’une forte demande des consommateurs, pour son côté pratique, pour son goût et pour sa texture crousti-moelleuse comportant un alvéolage hétérogène.
La qualité de l’alvéolage hétérogène de la pâte est en général liée au pétrissage artisanal de la pâte à pizza. Dans le cas d’une préparation industrielle de pâte, le pétrissage industriel a parfois été associé à des conditions de pression pour modifier la qualité de la pâte. Ces expériences ont surtout porté sur la pâte à pain.
Le document WP 2008/101559 décrit un pétrin continu sous pression pour réduire les temps de pétrissage et de repos.
Le document FR 2 814 337 décrit un pétrin horizontal soumis à pression une partie du temps de pétrissage pour des pains de type baguette.
Le document EP 0 629 115 décrit un pétrissage en deux étapes, la première sous pression et la seconde sous vide partiel, pour éliminer les bulles d’air de la pâte. Ce procédé de pétrissage en deux étapes aboutit à la finesse et à la régularité du pain de mie, ce qui ne correspond pas du tout à la structure de la pizza artisanale caractérisée par un alvéolage hétérogène.
L’un des buts de l’invention est de proposer une pâte à pizza pour utilisation différée, qui laisse à la charge et au goût de l’utilisateur les seules opérations consistant à garnir et cuire la pizza avant de la servir.
Un autre but de l’invention est de proposer une pâte à pizza fraîche, pour utilisation différée, conservée à température de réfrigération, présentant les qualités de structure d’une pizza artisanale.
Un autre but de l’invention est de proposer une pâte à pizza fraîche, pour utilisation différée, ayant des qualités organoleptiques constantes pendant au moins 30 jours.
Ainsi, le ou les motif(s) et/ou la ou les couleur(s) du support textile, éventuellement obtenu(s) par impression, teinture et/ou par l’utilisation de fil(s) coloré(s), sont visibles de l’extérieur du complexe.
La face extérieure du support textile peut être dans une couleur unie, par exemple dans une couleur foncée.
Dans une variante de réalisation, le complexe textile végétalisé comprend une première portion de sa face externe comprenant une couche dans au moins une mousse végétale et au moins une seconde portion de sa face externe à partir de laquelle la face externe du textile(s) du support textile est visible.
Dans une variante, le support textile comprend un tissu.
Dans un mode de réalisation, le support textile est un tissu jacquard comprenant au moins deux fils ayant des couleurs différentes.
Dans un mode de réalisation, le support textile est un tissu dont la teinte est sensiblement unie.
Avantageusement, un tissu comprend des fils de chaine et de fils de trame et présente une bonne résistance mécanique et un faible allongement naturellement, ce qui permet d’éviter les déformations.
De préférence, ledit tissu a un allongement à rupture dans le sens chaine et/ou dans le sens trame supérieur ou égal à 20% ou 30% et inférieur ou égale à 80% ou 60%.
Avantageusement, le support textile, notamment le tissu, ne comprend pas de fil élastique, c’est-à-dire de fil ayant un allongement à rupture supérieur ou égal à 60%, en particulier supérieur ou égal à 80% ou 120%.
Dans une variante de réalisation, le support textile a une masse surfacique inférieure ou égale à 400 g/m², de préférence inférieure ou égale à 300 g/m².
Dans une variante de réalisation, le complexe textile végétalisé a une masse surfacique inférieure ou égale à 2000 g/m², de préférence inférieur ou égal à 1500 g/m², encore de préférence inférieure ou égale à 1200 g/m² ou à 1 000g/m².
L’invention a pour objet, selon un second aspect, un procédé de fabrication d’un complexe textile végétalisé, en particulier selon l’une quelconque des variantes de réalisation en référence au premier aspect de l’invention, ledit procédé comprenant les étapes, en particulier dans cet ordre : i) fournir un support textile comprenant des faces interne et externe, ladite face externe étant imperméable à l’eau et déperlante à l’eau; et ii) fournir au moins un ensemble végétalisé comprenant une couche d’au moins une mousse végétale et un substrat souple ayant des faces interne et externe, ladite couche d’au moins une mousse végétale étant disposée sur la face externe du substrat souple ; et iii) appliquer une dispersion ou une solution, notamment aqueuse, comprenant au moins un polymère, sur au moins une e région de la face externe du support textile et/ou sur la face interne du substrat souple dudit ensemble végétalisé, puis disposer ledit ensemble végétalisé en contact avec ladite région de la face externe du support textile ; et iv) sécher ladite dispersion ou solution appliquée à une température inférieure ou égale à 50°C, en particulier à la température ambiante, pour solidariser ledit ensemble végétalisé avec le support textile et former une couche de liaison polymérique entre la face interne du substrat souple dudit ensemble végétalisé et la région de la face externe du support textile.
De préférence, le temps de séchage est supérieur à 30 min, en particulier supérieur ou égal à 2h, encore de préférence compris entre 3h et 20h, préférentiellement compris entre 3h et 12h, éventuellement compris entre 3h et 5h.
De préférence, la dispersion ou la solution, notamment aqueuse, a un extrait sec massique supérieur ou égal à 30% ou à 35% ou à 40%, encore de préférence supérieur ou égal à 50%.
Cette disposition permet de réduire le temps de séchage.
En effet, il n’est pas possible d’accélérer la formation de la couche de liaison polymérique par chauffage, bombardement d’électrons ou soumission à des rayons UV, ou par chauffage infra-rouge, car cela détruirait la mousse végétale.
Selon encore une autre variante non représentée, l’ergot 77 peut être configuré de telle sorte que la mèche 70 peut être vissée dans l’orifice de vidange 61 du récipient de stockage 60. Optionnellement dans ce cas, l’ergot 77 peut comporter des micro-aiguilles (non représentées) venant perforer l’opercule 65B pendant ce vissage.
Comme on l’a mentionné ci-dessus, l’ensemble amovible 50 est destiné à être reçu dans le réceptacle 31 défini par le boîtier 30. La , la et la représentent l’ensemble amovible 50 en position dans le réceptacle 31 dans la position d’utilisation. Comme représenté sur ces figures, dans la position d’utilisation, la portion terminale 63 est en saillie par rapport à la paroi supérieure 32 du boîtier 30. Ceci facilite la préhension du récipient de stockage 60 et le remplacement de l’ensemble amovible 50. Bien que cela ne soit pas représenté sur les dessins, la portion terminale 63 pourrait même présenter une plus grande dimension extérieure approximativement égale à, ou même supérieure à, la plus grande dimension de l’ouverture 33 du réceptacle 31.
En revenant à la , on visualise le fond du réceptacle 31 en vue de dessus depuis le dessus de l’appareil 10. Un organe de chauffage, généralement désigné par la référence 100 et partiellement représenté sur les vues en coupe des figures 5A et 5B, est disposé dans le boîtier de diffusion 30. L’organe de chauffage 100 comporte une tige 101 portant à son extrémité supérieure une résistance électrique 110. La tige 101 peut s’étendre à travers l’évidement 75, de telle sorte que la résistance électrique 110 vient au contact des parois de l’évidement 75 lorsque l’ensemble amovible 50 est en place dans le réceptacle 31. En alimentant ou non en électricité la résistance électrique 110, on peut mettre en œuvre un contrôle de l’écoulement de la substance liquide à travers la mèche 70 selon les principes physiques décrits dans les documents WO 2019/243734 A1 et WO 2020/254733 A1.
Optionnellement, la surface inférieure 72A de la mèche 70 peut être reliée à l’évidement 75 par un pan incliné 72B (cf. et ), de façon à faciliter l’insertion de la tige 101 et de la résistance électrique 110 dans l’évidement 75.
En variante, la mèche 70 peut ne pas présenter d’évidement 75 ; la résistance électrique 110 est alors placée directement sur une surface extérieure de la mèche 70, par exemple sur la surface inférieure 72A.
L’organe de chauffage 100 peut comprendre une carte électronique 150 (représentée schématiquement sur la et la ) pour l’alimentation électrique et la commande de la résistance électrique 110. Par exemple un dispositif de commande (non représenté), tel qu’un microprocesseur, peut être agencé sur la carte électronique 150 afin de commander la résistance électrique 110 en fonction d’une température de consigne de la mèche 70. Cette température de consigne peut être relevée par un capteur de température (non représenté), porté par exemple par la tige 101. La carte électronique 150 est ici portée par la pièce de couvercle 85 décrite plus loin, mais peut en variante être disposée à divers emplacements dans le boîtier 30.
L’appareil 10 comporte en outre un système d’aération. Ce système d’aération comporte une entrée d’air 98 et un ventilateur 120. L’entrée d’air 98 est disposée en-dessous de l’ensemble amovible 50 dans la position d’utilisation. Le ventilateur 120, lequel est visible sur les vues en coupe des figures 5A et 5B, est disposé en-dessous de l’ensemble amovible 50 dans la position d’utilisation. On comprend que de cette manière, le ventilateur 120 amène un débit d’air depuis l’entrée d’air 98 vers les surfaces d’évaporation constituées par les parois extérieures de la mèche 70, puis vers l’ouverture 33. Les flèches F en trait mixte sur la indiquent le sens et la direction de ce débit d’air. Ainsi, lorsque le ventilateur 120 et la résistance électrique 110 fonctionnent, l’appareil 10 génère un débit d’air chargé en substance évaporée.
En se référant plus particulièrement à la , on constate que, en regard de la portion intermédiaire 62 du récipient de stockage 60, le réceptacle 31 peut présenter une portion divergente 31A, au niveau de laquelle les parois du réceptacle 31 sont courbées de façon à élargir la section du réceptacle 31. Par exemple les parois du réceptacle 31 au niveau de la portion divergente 31A peuvent présenter une courbure identique ou sensiblement identique à la courbure de la portion intermédiaire 62. Les courbures de la portion divergente 31A et de la portion intermédiaire 62 tendent à dévier le débit d’air au voisinage de l’ouverture 33, comme représenté par les flèches F. Ceci peut tendre à davantage disperser l’air chargé en substance évaporée dans l’air ambiant.
L’entrée d’air 98 peut être réalisée de diverses manières. Dans l’exemple représenté, l’extrémité inférieure du boîtier 30 est fermée par une pièce de couvercle 85 (cf. figures 2, 5A et 5B). La pièce de couvercle 85 présente une pluralité d’ouvertures 86 matérialisant l’entrée d’air 98. Les ouvertures 86 peuvent ou non prolonger des ouvertures correspondantes (non représentées) que présente le boîtier 30 au droit de la pièce de couvercle 85. La pièce de couvercle 85 peut être réalisée d’une seule pièce avec le boîtier 30 ou bien fixée au boîtier 30. En variante, la pièce de couvercle 85 peut être fixée au boîtier 30 de façon amovible. Notamment dans ce cas, l’extrémité inférieure du boîtier 30 peut être reliée à une canalisation d’air ou une autre arrivée d’air ; et le ventilateur 120 peut être déporté dans cette canalisation ou arrivée d’air.
Dans l’exemple représenté, l’extrémité inférieure du réceptacle 31 est fermée par une pièce de guidage d’air 130 (cf. , et ) qui est une paroi de fond protégeant notamment le ventilateur 120 et les composants électriques d’un accès par l’utilisateur. La pièce de guidage d’air 130 comporte ici une pluralité de trous traversants 131 qui laissent passer le débit d’air créé par le ventilateur 120. La pièce de guidage d’air 130 présente en outre un orifice central traversant 139 pour laisser passer la tige 101 et la résistance chauffante 110. La tige 101 peut éventuellement être solidaire de la pièce de guidage d’air 130.
La pièce de guidage d’air 130 est ici évasée, mais en variante, elle pourrait être plane. On précise en outre que bien que les dessins représentent la surface inférieure 72A de la mèche 70 comme étant quasiment au contact de la pièce de guidage d’air 130, un certain espace, de l’ordre de quelques millimètres ou quelques centimètres, par exemple, peut être ménagé entre la surface inférieure 72A et la pièce de guidage d’air 130 de façon à permettre une évaporation de la substance liquide au niveau de la surface inférieure 72A.
Le nombre, la disposition et les orientations relatives des trous traversants 131 peuvent être choisis de diverses façons pour orienter le débit d’air sur les parois extérieures de la mèche 70 et par là favoriser l’évaporation de la substance sur les parois extérieures de la mèche 70. En outre, bien que les figures montrent que la pièce de guidage d’air 130 comporte un grand nombre de trous traversants 131 de section circulaire ou ovoïde de faibles dimensions (diamètre intérieur de l’ordre de 0,1 mm à 4 mm, par exemple), d’autres dimensions et formes de trous traversants sont possibles. Par exemple, dans une variante non représentée, la pièce de guidage d’air 130 comporte, en complément ou en remplacement des trous traversants 131, un orifice traversant annulaire ou circulaire. Dans cette variante, la pièce de guidage d’air 130 peut éventuellement porter la tige 101 ; l’orifice traversant annulaire ou circulaire peut être disposé sous la tige 101.
Diverses constructions peuvent être retenues pour le ventilateur 120. Dans l’exemple représenté, le ventilateur 120 est un ventilateur axial. Le ventilateur 120 est ici maintenu en place dans un renfoncement interne 129 que présente le boîtier 30 sous l’organe de chauffage 100 et la pièce de guidage d’air 130. Le fond de ce renfoncement interne 129 présente un orifice traversant 129A disposé entre la mèche 70 et le ventilateur 120 pour laisser passer le débit d’air. En variante, le ventilateur 120 peut être maintenu en place différemment dans le boîtier 30. En outre, en variante, le ventilateur 120 peut être un ventilateur centrifuge ou encore d’autres types de ventilateur.
Un filtre à air (non représenté) peut éventuellement être disposé entre l’entrée d’air 98 et le ventilateur 120 afin de limiter le risque d’encrassement de la mèche 70 par des particules extérieures indésirables.
Toutefois, la formation d’une couche de silicium polycristallin à une température de dépôt relativement basse est particulièrement lente, de l’ordre de 0,3 micron par minute à 900°C. Il est en effet bien connu que la vitesse de dépôt est généralement croissante avec la température. Pour améliorer cette vitesse de dépôt, et donc le temps de fabrication du support muni de la couche de piégeage, il peut être envisagé, comme cela a été proposé par le document EP3136421, de seulement former une portion germe de la couche de piégeage à faible température, le reste de la couche pouvant alors être formée à une température relativement plus élevée, et donc plus rapidement.
Même si une telle approche permet effectivement d’améliorer la cadence de production de substrats support, la formation de la couche germe reste une étape particulièrement consommatrice de temps. Il est généralement souhaitable d’accroitre encore la cadence de production, sans compromettre bien entendu la qualité du support.
OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges adressant au moins en partie ce problème. Plus spécifiquement, un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges dont le temps de mise en œuvre, à qualité comparable, est réduit en comparaison avec les procédés de l’état de la technique. Plus précisément encore, un but de l’invention est de proposer un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges ne nécessitant pas de portion germe formée à relativement basse température d’environ 1010°C ou moins.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un procédé de préparation d’un substrat support muni d’une couche de piégeage de charges. Le procédé comprend l’introduction d’un substrat de base en silicium monocristallin présentant une résistivité supérieure à 500 ohm.cm dans une chambre d’un équipement de dépôt et, sans extraire le substrat de base de la chambre et tout en balayant la chambre à l’aide d’un gaz porteur, les étapes successives suivantes :
former une couche diélectrique sur une face exposée du substrat de base en introduisant dans la chambre un gaz réactif au cours d’une première période de temps ; former une couche de piégeage de charges en silicium polycristallin directement sur la couche diélectrique en introduisant dans la chambre un gaz précurseur contenant du silicium au cours d’une deuxième période de temps postérieure à la première.
Selon l’invention, la durée pendant laquelle la couche diélectrique est exposée uniquement au gaz porteur, entre la première période de temps et la deuxième période de temps, est inférieure à 30 secondes. Selon l’invention également, l’étape de formation de la couche de piégeage de charges est conduite au moins en partie à une température strictement comprise entre 1010°C et 1200°C.
En limitant la durée de l’exposition de la couche diélectrique au gaz porteur seul, entre la première période de temps et la deuxième période de temps, on conditionne ou on maintient l’état de surface de cette couche pour la rendre particulièrement apte à recevoir une couche en silicium polycristallin de qualité, identique à celle obtenue à une température bien moindre dans une approche conforme à l’état de la technique. Ce résultat surprenant permet de faire croitre, à qualité égale, la couche de piégeage avec une vitesse de croissance élevée, et donc de former un substrat support à une cadence améliorée, en comparaison avec une approche conforme à l’état de la technique.
le gaz porteur comprend, ou est constitué, d’hydrogène ; le gaz précurseur contenant du silicium est choisi dans la liste formée du silane, disiliane, trichlorosilane, dicholorosilane et tétrachlorure de silicium ; la couche diélectrique est en oxyde de silicium et le gaz réactif comprend entre 0,1% et 10% d’oxygène dans un gaz neutre tel que de l’argon ; l’étape de formation de la couche diélectrique est conduite à une température comprise entre 1010°C et 1150°C ; la couche diélectrique présente une épaisseur supérieure à 0,5 nm ; l’étape de formation de la couche de piégeage de charges est conduite à une température supérieure à 1050°C, ou à 1100°C ; la couche de piégeage de charges et la couche diélectrique sont formées à des températures respectives identiques à 50°C près ; la durée pendant laquelle la couche diélectrique est exposée uniquement au gaz porteur est inférieure à 20 secondes ou à 15 secondes ; la couche de piégeage de charges présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 microns.
La représente un substrat support conforme à un premier mode de réalisation ;
La représente un substrat support conforme à un second mode de réalisation ;
La représente un substrat composite qui comprend un substrat support conforme à la présente invention ;
La illustre la succession des deux étapes principales d’un procédé conforme à l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , un substrat support 1 d’un mode de réalisation comprend un substrat de base 2, une couche diélectrique 3 disposée sur le substrat de base 2 et une couche de piégeage de charge 4 disposée sur la couche diélectrique 3 et en contact avec cette couche.
Le substrat support 1 peut prendre la forme d'une plaquette, circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 200 mm ou 300 mm, voire 450 mm de diamètre. Mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme.
Quel que soit le mode de mise en œuvre choisi, et comme cela a été précisé en introduction de cette demande, des étapes de finition de la couche mince 3 sont ensuite nécessaires pour améliorer sa qualité cristalline et de surface, et fournir une couche mince 3 dont l’épaisseur correspond à, ou s’approche de, une épaisseur cible. Ces étapes de finition visent notamment à éliminer une couche superficielle écrouie et rugueuse, résultant du clivage et du détachement de la couche mince 3 du reste du substrat donneur.
Comme cela est exposé dans le document WO2020200986, on applique tout d’abord une étape de traitement thermique à la couche mince 3 transférée. Ce traitement thermique permet de guérir des défauts cristallins présents dans la couche mince 3, voire même à réduire la rugosité de la face libre de la couche mince. En outre, il contribue à consolider le collage entre la couche mince 3 et le support 7. Le traitement thermique porte la structure à une température comprise entre 300°C et la température de Curie du matériau ferroélectrique pendant une durée comprise entre 30 minutes et 10h heures. Ce traitement thermique est préférentiellement réalisé en exposant la face libre de la couche mince 3 à une atmosphère gazeuse oxydante ou neutre, c’est-à-dire sans recouvrir cette face de la couche mince d’une couche de protection.
Pour éviter toute ambiguïté, on souligne que l’étape de traitement thermique de finition de la couche mince 3 est bien distincte du traitement thermique de fracture appliquée à la structure assemblée.
Un procédé conforme à l’invention comporte également, après le traitement thermique de finition, une étape d’amincissement de la couche mince 3. Cette étape vise notamment à éliminer la couche superficielle multidomaine qui peut avoir été créée au cours de l’étape précédente de traitement thermique. Elle vise également à fournir une couche mince 3 dont l’épaisseur correspond à une épaisseur cible, comme cela a été évoqué précédemment. Cet amincissement peut, d’une manière générale, correspondre au polissage de la première face libre 8 de la couche mince 3, par exemple par des techniques d’amincissement mécanique, mécanochimique. Cet amincissement peut conduire à enlever une épaisseur comprise entre 100nm et 1 micron, selon l’épaisseur de la couche transférée, l’épaisseur cible de la couche mince 3, l’épaisseur de la couche multidomaine et/ou écrouie présente superficiellement à l’issue du traitement thermique de finition. Mais, comme cela a été présenté en introduction de cette demande, une telle approche d’amincissement par polissage mécanochimique tend à dégrader la caractéristique d’uniformité de la couche mince 3, ce qui n’est pas acceptable. Des expériences complémentaires menées par la Demanderesse ont ainsi montré que cette uniformité se dégradait d’environ 25 nm pour un enlèvement de 100nm.
Dans la recherche d’une solution alternative à un amincissement par polissage, la demanderesse a réalisé les expérimentations suivantes visant à mettre en œuvre cette étape d’amincissement par gravure ionique.