INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, de préférence, la première région dopée n+ est réalisée à partir d’une portion centrale dopée n+ en le premier matériau semiconducteur cristallin à base de germanium, épitaxié à partir d’une échancrure formée dans la portion de détection à partir de la première face, et dopée à la croissance (i.e. in situ ) et non pas par implantation ionique. On réduit ainsi le nombre de défauts structurels dans le matériau épitaxié de la portion centrale comparé à la situation où le dopage serait réalisé par implantation ionique. On évite ainsi d’avoir recours à un recuit de guérison de défauts structuraux, qui induirait une diffusion importante et non contrôlée des dopants de la première région dopée n+. On réduit ainsi à nouveau la composante de surface du courant d’obscurité.
Les figures 1A et 1B sont des vues partielles et schématiques, en coupe et de dessus, d’une photodiode planaire 1 selon un mode de réalisation, appartenant à une matrice de photodiodes planaires identiques. De plus, la est une vue schématique en coupe d’un exemple de portion intermédiaire périphérique 27 à base de SiGe et de Ge monocristallins.
Les photodiodes 1 sont réalisées à base de germanium, et sont polarisées en inverse à partir de la première face 22a, tout en étant isolées les unes des autres par des tranchées latérales périphériques 24 remplies d’un matériau semiconducteur 25 dopé p+ (cf. et 2C). Elles comportent chacune une portion intermédiaire périphérique 27 entourant la première région 11 dopée n+ au niveau de la première face 22a, et située entre et à distance entre la première région 11 dopée n+ et la portion latérale périphérique 25 dopée p+.
Par ailleurs, dans ce mode de réalisation, la première région 11 dopée n+ est avantageusement formée notamment d’une portion centrale 29 en germanium épitaxié à partir d’une échancrure centrale 28 formée dans la portion de détection 10 en germanium (cf. ), et dopé n+ lors de la croissance.
On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle au plan principal de la photodiode 1, et où l’axe Z est orienté suivant l’épaisseur de la portion de détection 10 de la photodiode 1, à partir de la deuxième face 22b en direction de la première face 22a.
La photodiode 1 comporte une portion dite de détection 10 de la couche principale 22, s’étendant suivant l’axe Z entre une première et une deuxième faces 22a et 22b, parallèles entre elles et opposées l’une à l’autre. Les premières faces 22a des photodiodes sont coplanaires entre elles, et les deuxièmes faces 22b sont également coplanaires entre elles. La première face 22a est définie par une partie de la portion de détection 10 où affleurent la région intermédiaire 13. La deuxième face 22b est opposée à la première face 22a suivant l’axe Z.
L’épaisseur maximale de la portion de détection 10, définie suivant l’axe Z entre les première et deuxième faces 22a, 22b est ici sensiblement constante d’une photodiode 1 à l’autre, par exemple est comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques microns, par exemple entre 1µm et 5µm environ. L’épaisseur est choisie de manière à obtenir une bonne absorption dans la gamme de longueurs d’onde du rayonnement lumineux à détecter. La portion de détection 10 présente une dimension transversale dans le plan XY pouvant être comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques dizaines de microns, par exemple comprise entre 1µm et 20µm environ.
La portion de détection 10 est réalisée en un matériau semiconducteur cristallin, de préférence monocristallin, à base de germanium. Par « à base de germanium », on entend que le matériau semiconducteur cristallin correspond au germanium ou est un composé formé d’au moins le germanium. Ainsi, les photodiodes peuvent être réalisées, par exemple, en germanium Ge, en silicium germanium SiGe, en germanium étain GeSn, voire en silicium germanium étain SiGeSn. Dans cet exemple, la couche principale 22 et donc la portion de détection 10 sont réalisées en germanium. Elle peut ainsi être une couche ou un substrat réalisé en le même matériau semiconducteur et présenter des régions de différents types de conductivité (homojonction) de manière à former une jonction PN ou PIN. Elle peut en variante être un empilement de sous-couches de différents matériaux semiconducteurs (hétérojonction), lesquels sont alors formés à base de germanium.
La portion de détection 10 est ainsi formée d’une première région 11 dopée de type n (ici dopée n+), qui affleure la première face 22a et forme un caisson dopé n+, et une deuxième région 12 dopée de type p (ici dopée p+), qui affleure la deuxième face 22b. Par affleurer, on entend « arriver au niveau de », ou « s’étend à partir de ». Une région intermédiaire 13 non intentionnellement dopé (dans le cas d’une jonction PIN), ou dopée p (dans le cas d’une jonction PN), est située entre et au contact des deux régions dopées 11 et 12, et entoure la première région 11 dopée n+ dans le plan principal. Dans cet exemple, la jonction semiconductrice est de type PIN, la première région 11 étant dopée n+, la deuxième région 12 dopée p+ et la région intermédiaire 13 est intrinsèque (non intentionnellement dopée).
La première région 11 dopée n+ s’étend ici à partir de la première face 22a et est entourée par la région intrinsèque 13 dans le plan principal. Elle est distante de la bordure latérale 10c de la portion de détection 10 dans le plan XY, la bordure latérale 10c étant au contact de la face interne d’une portion latérale périphérique 25 dopée p+. Elle forme ainsi un caisson dopé n+ qui affleure la première face 22a et est espacée d’une distance non nulle vis-à-vis de la bordure latérale 10c ainsi que de la deuxième face 22b. La première région 11 dopée n+ participe ainsi à délimiter la première face 22a. Elle peut présenter un dopage pouvant être compris entre 5.10 18 et 10 21 at/cm 3 environ.
La deuxième région 12 dopée p+ s'étend dans le plan XY en affleurant la deuxième face 22b, ici à partir de la bordure latérale 10c. Elle s’étend suivant l’axe Z à partir de la deuxième face 22b. Elle peut présenter une épaisseur sensiblement homogène suivant l’axe Z et ainsi affleurer uniquement une partie inférieure de la bordure latérale 10c. La deuxième région 12 dopée p+ peut présenter une région latérale 14 dopée p+ qui affleure continûment la bordure latérale 10c suivant l’axe Z et s’étend sur toute la périphérie de la portion de détection 10. La deuxième région 12 dopée p+ peut présenter un dopage pouvant être compris entre 10 18 et 10 19 at/cm 3 environ.
La région intermédiaire 13 est située entre les deux régions 11, 12 dopées n+ et p+, et entoure la première région 11 dopée n+ dans le plan XY. Elle est ici réalisée en un matériau semiconducteur intrinsèque de manière à former une jonction PIN mais peut être faiblement dopée p, pour former une jonction PN.
La partie de base 30 et la partie de rebord 31 de chaque panneau 301 , 302 , 303 , 304 sont formées par pliure E3 des panneaux 301 , 302 , 303 , 304 , de sorte à délimiter la partie de corps 32 .
La partie de maintien 41 et les parties de rabat 42 de la parclose sont formées par pliure E3 ou par emboutissage, lequel éventuellement complétée par un poinçonnage si le cadre de la parclose 4 , avec son ouverture centrale 4000 pour autoriser le passage de la lumière à travers le vitrage 2 , n’a pas précédemment été découpée dans la tôle. En cas de pliure, les bords latéraux 422 , 423 des parties de rabat 42 sont fixés entre eux, de préférence par soudure, à l’aide d’un cordon interne et/ou externe au niveau de la jonction entre les bords latéraux 422 , 423 .
Les parties de rebord ou le rebord 31 sont/est posé(es) E4 sur un bâti plat (non représenté), afin de garantir la planéité du rebord 31 la plus exacte possible, pour ensuite recevoir le vitrage 2 . La surface du bâti sur laquelle le rebord 31 est posé s’étend donc dans un plan sans en dévier, le plan s’étendant de préférence selon l’inclinaison du vitrage 2 recherché dans le lanterneau 1 .
Le premier bord 321 du corps 32 de la costière 3 est collé E5 sur le deuxième bord 322 du corps 32 de la costière 3 . De préférence, le collage E5 est mis en œuvre par dépôt de portions de colle distinctes qui sont réparties le long du deuxième bord 322 et/ou du premier bord 321 . De manière privilégiée, les portions de colle sont déposées sur le bord 322 des panneaux 301 , 302 , 303 , 304 en regard de la bride de fixation 321 , pour que, au moment d’approcher et de mettre la bride de fixation 321 en pression sur le deuxième bord 322 , la colle s’écrase vers l’extérieur. De cette manière, si la jonction entre la bride de fixation 321 et le deuxième bord 322 est amenée à fluer par dilation thermique, le fluage puisse s’ouvrir vers l’extérieur afin de garantir l’étanchéité du lanterneau 1 .
Comme visible sur la , le premier bord 421 est riveté E6 au deuxième bord 422 , les parties de rebord ou le rebord 31 étant toujours posé(es) sur le bâti plat.
Dans le cas où le corps n’est formé que d’un seul panneau cintré et/ou plié, le panneau cintré et/ou plié formant le corps est alors rapporté et fixé au rebord, typiquement par rivetage et collage, selon la même méthode, ou par soudure, en ménageant un cordon de soudure interne à la jonction entre rebord et corps et un cordon externe à la jonction entre rebord et corps. La base est ensuite rapportée et fixée au panneau cintré et/ou plié formant le corps, typiquement par rivetage et collage, selon la même méthode, ou par soudure, en ménageant un cordon de soudure interne à la jonction entre base et corps et un cordon externe à la jonction entre base et corps.
En définitive, la costière 3 est montée à l’envers sur le bâti plat, le rebord 31 étant en contact avec le bâti plat pour garantir la planéité. La costière 3 est ensuite retournée pour mettre en œuvre les étapes suivantes de fabrication.
L’organe de fixation, qui est de préférence un rivet taraudé borgne 7 , est ensuite fixé E7 à la costière 3 , de préférence au rebord 31 de la costière 7 , de manière privilégiée par rivetage. Ceci est mis en œuvre par insertion de rivets 7 au sein de chacun des orifices 313 du rebord 31 de la costière 3 prévus à cet effet, puis par traction sur le tirant et déformation de la portion de faiblesse à travers la tête de chaque rivet 7 , ce qui assure une étanchéité autour de chaque orifice 313 ménagé dans le rebord 31 .
Chaque entretoise 6 est ensuite fixée E8 à la costière 3 , par vissage de leur téton 61 dans les rivets taraudés borgnes 7 qui sont rivetés à la costière 3 .
Plus particulièrement ici, la portée 24 d’une unité de communication 18 comprend le tronçon 26 de la route de longueur l’intervalle régulier donnée L centré sur l’unité de communication 14 selon la direction de la route X, à la marge d’erreur précédente près.
Chaque unité de communication 18 est adaptée pour transmettre des données de circulation à des véhicules au moins sur le tronçon 26, ici sur l’ensemble de la portée 24.
Dans l’exemple représenté, les portées 24 respectives de deux unités de communication 18 adjacentes présentent une intersection non vide. Un véhicule agencé au niveau de l’intersection est susceptible de recevoir des données de chacune des deux unités de communication 18.
Chaque unité de communication 18 est adaptée pour transmettre les données avec une période correspondant à un intervalle temporel unique donné.
L’intervalle temporel unique donné est, par exemple, commun aux unités de communication.
Chaque unité de communication 18 est adaptée pour transmettre les données avec un décalage temporel par rapport à chacune des unités de communication adjacentes.
Cela permet notamment que, pour un véhicule agencé à l’intersection de deux unités de communication, les unités de communication ne transmettent pas les données de circulation au véhicule en même temps.
L’intervalle temporel unique est cohérent par rapport au cycle d’envoi des messages.
Par exemple, le décalage temporel est supérieur ou égal à 50 ms, pour une taille de message et une technologie radio données.
Chaque unité de communication 18 est adaptée pour communiquer avec un ou des véhicules par une connexion sans fil, par exemple par Wi-Fi ou par réseau cellulaire.
La communication est, par exemple, réalisée par technologie V2X, c’est-à-dire par un système de communication véhicule-à-tout.
La communication est, par exemple, réalisée par le standard ITS-G5 et/ou par le standard C-V2X.
La communication par standard ITS-G5 est réalisée par Wi-Fi ( 802.11p et son évolution).
La communication par standard C-V2X est réalisée par le réseau de type 3GPP sur l’interface PC5 .
Les données sont, par exemple, transmises par des messages V2X du type CAM ( Cooperative Awareness messages ) ou DENM ( Dentralized Environmental Notification Message ).
Le ou les véhicules sur la route sont, par exemple, adaptés pour recevoir les données via une connectivité intrinsèque du véhicule ou via un boîtier complémentaire embarqué au sein du véhicule.
la est un ensemble de graphiques représentant une force de serrage d’un frein de parking du véhicule selon l’invention (A), une pression hydraulique exercée par un actionneur hydraulique d’un frein de service du véhicule selon l’invention (B) et une intensité d’un courant électrique alimentant un moteur électrique du frein de parking du véhicule selon l’invention (C) en fonction du temps selon un premier mode de réalisation de l’invention.
la est un ensemble de graphiques représentant une force de serrage d’un frein de parking du véhicule selon l’invention (A), une pression hydraulique exercée par un action actionneur hydraulique d’un frein de service du véhicule selon l’invention (B) et une intensité d’un courant électrique alimentant un moteur électrique du frein de parking du véhicule selon l’invention (C) en fonction du temps selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Description détaillée Un véhicule automobile 1 selon l’invention est représenté à la . Il est représenté stationné sur une route 2 qui présente une inclinaison par rapport à l’horizontale. Dans le mode de réalisation décrit, cette inclinaison est supérieure à 15%, par exemple comprise entre 15 % et 30 % (voir ). Selon d’autres modes de réalisation, l’inclinaison est comprise entre 5 % et 30 %, par exemple entre 10 % et 30 %. Le pourcentage d’inclinaison est classiquement utilisé dans le domaine routier pour décrire l’angle d’inclinaison d’une route. Par exemple, une route inclinée à 10 % correspond à une route pour laquelle le dénivelé est de 100 m par tronçon de 1 km, ou encore de 1 m tous les 10 m. L’homme du métier sait aisément convertir ce pourcentage d’inclinaison en un angle d’inclinaison. Selon encore un autre mode de réalisation, le véhicule est stationné sur une route à l’horizontale, c’est-à-dire avec une inclinaison de 0 %.
Dans le mode de réalisation décrit, le véhicule 1 est incliné vers l’avant de façon que la force de gravité a tendance à entrainer le véhicule vers l’avant. L’avant du véhicule 1 est donc situé à une altitude inférieure à celle de l’arrière du véhicule 1. Selon un autre mode de réalisation, le véhicule est incliné vers l’arrière de façon que la force de gravité a tendance à entrainer le véhicule vers l’arrière.
Le véhicule 1 comprend un frein de parking à commande électrique (non représenté) qui permet d’immobiliser les roues arrière du véhicule 1. Dans le présent mode de réalisation, ce frein de parking est un frein à tambour. Le frein de parking comprend de manière classique des moyens de friction formés par des garnitures portées par des mâchoires configurées pour coopérer avec un organe de freinage formés par un tambour par exemple tel que décrit dans le document WO 2015/101562A2. L’actionneur de ce frein de parking à commande électrique est donc un actionneur électrique qui commande un moteur électrique configuré pour mettre en mouvement les moyens de friction. Selon un autre mode de réalisation, le frein de parking est un frein à disque par exemple tel que décrit dans le document WO 2014/090763A2.
Le véhicule 1 comprend également un frein de service (non représenté) notamment sur les roues avant. Les moyens de friction et l’organe de freinage du frein de service sont confondus avec les moyens de friction et l’organe de freinage du frein de parking. Ces deux systèmes de freinage diffèrent par l’actionneur utilisé pour mettre en mouvement les moyens de friction. Comme indiqué précédemment, l’actionneur du frein de parking est un actionneur électrique. Dans le cas du frein de service, l’actionneur est un actionneur hydraulique qui, sous l’effet d’une pression exercée sur une pédale de frein par le conducteur, applique une pression sur les moyens de friction de manière à les déplacer en direction de l’organe de freinage.
Le véhicule 1 comprend une unité de contrôle électronique (non représentée) configurée pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention. Cette unité de contrôle électronique est notamment capable de traiter des informations provenant des différents capteurs du véhicule afin de commander électroniquement des étapes du procédé.
Le principe général du procédé selon l’invention consiste à commander un desserrage du frein de parking en deux étapes séparées par une interruption du desserrage d’une durée liée à la réalisation d’une condition prédéterminée. Comme indiqué précédemment, un tel procédé permet de passer d’une grosse secousse ressentie par les occupants du véhicule à deux petites secousses, voire à une seule petite secousse.
Un premier mode de réalisation de l’invention est décrit à la . La comprend un ensemble de graphiques représentant une force de serrage du frein de parking (A), une pression hydraulique exercée par l’actionneur hydraulique du frein de service (B) et une intensité d’un courant électrique alimentant un moteur électrique du frein de parking (C) en fonction du temps. Les trois graphiques A, B, C sont alignés de sorte que leurs abscisses respectives, qui représentent le temps, coïncident entre elles. Ainsi, les différents évènements représentés sur ce graphique, lorsqu’ils partagent une même valeur d’abscisse, ont lieu au même moment.
Dans ce premier mode de réalisation, pendant une première étape D1 du procédé, le frein de parking est à l’origine serré de sorte qu’il immobilise le véhicule. La force de serrage du frein de parking est alors à sa valeur nominale d’immobilisation du véhicule, définie en fonction des caractéristiques du véhicule et des conditions environnementales. Dans le cas présent, cette force de serrage est d’au moins 1 000 N. Le conducteur qui souhaite faire quitter son stationnement au véhicule émet une commande 3 de desserrage du frein de parking. Cette commande peut consister, par exemple, à appuyer sur un bouton présent dans l’habitacle et prévu à cet effet. Au même moment, ou légèrement plus tôt, le conducteur appuie sur la pédale de frein de service afin de se prémunir contre tout déplacement non souhaité du véhicule une fois le frein de parking desserré. Cet appuie sur la pédale du frein de service provoque une augmentation de la pression hydraulique de l’actionneur hydraulique du frein de service, ce qui entraine en conséquence une augmentation de la pression exercée par le frein de service.
Dans le cas présent, comme cela est représenté sur le graphique B de la , le conducteur a préalablement appuyé sur la pédale du frein de service de sorte que la pression hydraulique des actionneurs hydrauliques est comprise entre 1,5 x 10 6 Pa et 7,5 x 10 6 Pa.
Comme cela est représenté sur le graphique C de la , la commande 3 de desserrage du frein de parking entraine la génération d’un courant électrique 6 dans le moteur électrique du frein de parking afin de mettre en marche celui-ci. Cette mise en marche entraine un déplacement des moyens de friction depuis une position dans laquelle ils coopèrent avec l’organe de freinage vers une position où ils sont à distance de l’organe de freinage.
Ainsi, au cours de cette première étape D1 de desserrage du frein de parking, sous l’effet du moteur électrique, la force de serrage 4 du frein de parking commence à diminuer (voir , graphique A). Dans le présent mode de réalisation, la force de serrage 4 du frein de parking est estimée à partir d’autres caractéristiques mesurées ou estimées du frein de parking, telles que l’intensité 6 et la tension d’alimentation du moteur électrique du frein de parking. Dans un autre mode de réalisation, la force de serrage 4 est mesurée par un capteur de force. Lorsque la force de serrage 4 estimée ou mesurée devient inférieure à un seuil de force prédéterminé 7, l’unité de contrôle électronique commande 8 une interruption du desserrage du frein de parking. Par exemple, l’unité de contrôle électronique commande un arrêt 9 de l’alimentation électrique du moteur électrique. De préférence, le seuil de force prédéterminé est choisi pour correspondre au moment où la force de serrage, appliquée par les moyens de friction qui sont en train de s’écarter de l’organe de freinage, a été diminuée au moins de moitié par rapport à sa valeur nominale. En effet, c’est à ce moment que le risque de ressentir une grosse secousse est le plus élevé. Dans d’autres modes de réalisation, d’autres valeurs de seuil de force prédéterminé sont choisies.
L’interruption du desserrage du frein de parking entraine éventuellement une première petite secousse 11.
À compter de l’interruption 9 de l’alimentation électrique, une phase d’interruption I commence. Durant cette phase, le conducteur, qui souhaite mettre en mouvement le véhicule, va retirer petit à petit son pied de la pédale de frein de service, faisant ainsi diminuer la pression hydraulique 5 appliquée par l’actionneur hydraulique du frein de service. La pression hydraulique est mesurée ou estimée selon des méthodes bien connues de l’homme du métier. Lorsqu’une pression hydraulique 5 de l’actionneur du frein de parking, devient inférieure à un seuil de pression prédéterminé 10, l’unité de contrôle électronique envoi une commande électrique 14 de reprise du desserrage du frein de parking. Dans le cas présent, ce seuil de pression est déterminé de manière à ce que la seconde petite secousse 12 soit concomitante à la mise en mouvement du véhicule. Ainsi, la seconde petite secousse 12 n’est pas ressentie par les occupants du véhicule qui n’ont donc ressentit, le cas échéant, que la première petite secousse 11.
Afin de reprendre le desserrage du frein de parking et de procéder à la deuxième étape D2 de ce desserrage, l’unité de contrôle électronique commande une reprise 13 de l’alimentation électrique du moteur électrique qui termine ainsi le déplacement des moyens de friction. La force de freinage du frein de parking diminue donc progressivement jusqu’à être nulle. Dans le même temps, le conducteur retire progressivement puis complétement son pied de la pédale du frein de service de manière à ce que la pression hydraulique de l’actionneur hydraulique du frein de service devienne elle aussi nulle.
- la vitesse de sécurité seuil est paramétrée et mémorisée dans la zone mémoire de l’unité de contrôle. Par « paramétrée », on comprend que la vitesse de sécurité seuil est une variable pouvant être prédéfinie dans la zone mémoire de l’unité de contrôle au cours d’une étape de paramétrage. L’étape de paramétrage est réalisée en usine ou elle est réalisable par l’utilisateur du véhicule automobile porteur, via une interface utilisateur ;
- la vitesse de sécurité est supérieure ou égale à 1 m/s. Cette valeur représente un compromis pertinent entre réactivité du véhicule automobile porteur et sécurité ;
- le procédé de redémarrage comporte une étape ultérieure d’activation d’un régulateur de vitesse du véhicule automobile porteur.
Selon un deuxième aspect de l’invention, il est proposé une unité de contrôle configurée pour piloter une chaîne de traction en mettant en œuvre le procédé de redémarrage conforme au premier aspect de l’invention ou selon l’un quelconque de ses perfectionnements.
Selon un troisième aspect de l’invention, il est proposé un véhicule automobile comportant une chaîne de traction et une unité de contrôle conforme au deuxième aspect de l’invention.