INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On sélectionne ainsi des stations pour lesquelles il est effectivement possible de mesurer une variation de signal. Par exemple, on évite de sélectionner une station dont le niveau de signal est égal au niveau maximum que le récepteur est capable de mesurer car dans un tel cas, il n’est pas possible de détecter une variation positive. En outre, une station est sélectionnée lorsque son niveau de signal est supérieur à un seuil particulier afin de garantir qu’une variation négative peut être mesurée. Le seuil correspond par exemple à la sensibilité minimum du tuner auquel on ajoute un niveau moyen de variations susceptibles d’être causées par l’environnement, comme des phénomènes météo, un masquage temporaire par de la végétation. Le seuil est par exemple de 4dBµV au-dessus du niveau de signal minimum que le récepteur est capable de mesurer.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple de transistor T. Le transistor T est formé dans et sur un substrat semiconducteur 102 comprenant une face avant 104 et une face arrière 106, opposée à la face avant 104. Le transistor T comprend notamment : - une grille 120 connectée à une borne de commande G du transistor ; - un caisson semiconducteur 130 séparé de la grille 120 par un isolant de grille 124 et dans lequel se forme en fonctionnement le canal du transistor T. Le caisson 130 est de préférence connecté, par l'intermédiaire d'une zone de prise de contact 134, à une borne B, dite borne de caisson du transistor ; - des zones dopées 140 et 150 de drain/source situées de part et d'autre du caisson 130. La zone dopée 140 est en contact avec une borne S de conduction, et la zone dopée 140 est en contact avec une borne D de conduction. La borne de conduction S peut être du côté de la face avant 104 du substrat 102 et la borne de conduction D peut être du côté de la face arrière 106 du substrat 102 ; et - des régions semiconductrices 142, 152 dite régions de dérive. La région semiconductrice 142 est interposée entre la zone dopée 140 et le caisson 130 et la région semiconductrice 152 est interposée entre la zone dopée 150 et le caisson 130. Au moins l'une des régions semiconductrices 142, 152 peut ne pas être présente. La distance séparant le caisson 130 de la zone dopée 140 et/ou 150 est par exemple comprise entre 1 µm et 5 µm, préférentiellement entre 2 µm et 4 µm.
Le transistor T défini par les éléments décrits ci-dessus constitue ainsi un transistor à effet de champ, c’est-à-dire un composant électronique susceptible, en fonction d'une tension de commande appliquée entre la grille 120 et la borne de source S, de former, dans le caisson 130, un canal conducteur connectant électriquement les régions de drain et de source 140 et 150.
Les figures 2A, 2B, 2C, et 2D représentent, de manière partielle et schématique, respectivement une vue de dessus, et des vues en coupe d'un mode de réalisation d'un dispositif 100 comprenant plusieurs transistors T ayant chacun la structure représentée en . Les vues en coupe 2B, 2C, et 2D ont pour plans de coupe respectifs des plans 2B–2B, 2C–2C, et 2D–2D. La représente une vue en perspective avec coupe, schématique et partielle, de la moitié du dispositif 100. Les transistors T sont représentés partiellement sur les figures 2A à 2D et 3. En particulier, la zone de drain 140 de chaque transistor T, la prise de contact 134 du caisson 130, et la région de dérive 152 ne sont pas représentées sur les figures 2A à 2D et 3.
Le dispositif 100 est typiquement une puce électronique de circuit intégré, définie par le substrat semiconducteur 102 et des éléments, tels que des composants électroniques, situés dans et sur le substrat 102.
Les transistors T sont délimités par des tranchées 170, appelées tranchées de transistor 170 par la suite, quatre tranchées de transistor 170 parallèles étant représentées à titre d'exemple sur les figures 2A, 2B, 2C, et 2D. Chaque tranchée de transistor 170 s'étend dans le substrat 102 à partir de la face avant 104 du substrat 102, et une paroi latérale de la tranchée de transistor 170 constitue une face latérale du caisson 130 de l'un des transistors T. De ce fait, chaque tranchée de transistor 170 peut délimiter les faces latérales des caissons 130 de deux transistors T. La profondeur de chaque tranchée de transistor 170 peut être comprise entre 1,5 µm et 2,5 µm, par exemple égale à environ 2 µm. On appelle W, la largeur de la tranchée de transistor 170. A titre d'exemple, chaque tranchée de transistor 170 a une largeur W comprise entre 0,1 µm et 1 µm, par exemple égale à 0,6 µm. De préférence, les tranchées de transistor 170 s'étendent au moins en partie selon des directions parallèles et sont espacées de façon régulière. On appelle alors P le pas des tranchées de transistor 170. Le pas P peut être compris entre 1 µm et 1,4 µm.
La grille 120 de chaque transistor T comprend au moins une région conductrice électriquement s'étendant dans la tranchée de transistor 170, tel que par exemple un métal et/ou du silicium polycristallin dopé. L'isolant de grille 124 est en contact avec le caisson 130 et avec la région conductrice de la grille 120. L'isolant de grille 124 est typiquement constitué d'une ou plusieurs couches diélectriques, par exemple l'isolant de grille est constitué d'une couche d'oxyde de silicium. L'épaisseur de l'isolant de grille 124 est typiquement inférieure à 15 nm, de préférence comprise entre 3 nm et 10 nm. De préférence, la grille 120 est commune aux deux transistors T délimités par la même tranchée de transistor 170.
A titre d'exemple, le transistor T est du type à canal P. Ainsi, les zones dopées 140 et 150 sont dopées de type P. Le caisson 130 est dopé de type N. Cependant, dans les modes de réalisation décrits, les types de conductivité N et P, ou types de dopage, peuvent être échangés. Des fonctionnements similaires à ceux décrits sont alors obtenus en échangeant les signes des tensions dans le dispositif. De préférence, les niveaux de dopage des zones 140 et 150 sont élevés, c'est-à-dire supérieurs à 5*10 18 atomes/cm 3 , de préférence supérieurs à 10 19 atomes/cm 3 . La prise de contact 134, non représentée sur les figures 2A à 2D et 3, avec le caisson 130 est une zone dopée ayant également un tel niveau de dopage élevé. Le niveau de dopage du caisson 130 est de préférence inférieur à 10 18 atomes/cm 3 , plus préférentiellement inférieur à 5*10 17 atomes/cm 3 . Chaque région semiconductrice 142, 152 a un niveau de dopage de type P inférieur à celui de la zone dopée 150 de type P. De préférence, chaque région semiconductrice 142, 152 a un niveau de dopage faible, c'est-à-dire inférieur à 2*10 17 atomes/cm 3 . Ce niveau de dopage est de préférence supérieur à 5*10 16 atomes/cm 3 .
Le dispositif 100 peut comprendre, en outre, pour chaque tranchée de transistor 170, un élément électriquement conducteur 180 situé dans la tranchée de transistor 170. L'élément conducteur 180 est connecté à une borne non représentée sur les figures 2A à 2D et 3. Cette borne est de préférence connectée à la borne de corps. L'élément conducteur 180 est situé en vis-à-vis d'au moins une partie de la région semiconductrice 142, c'est-à-dire que l'élément conducteur 180 est situé contre un isolant 184 recouvrant la face latérale d'au moins une partie de la région semiconductrice 142. La couche isolante 184 sépare l'élément conducteur 180 de la région semiconductrice 142. La distance entre l'élément conducteur 180 et la région semiconductrice 142, correspondant à l'épaisseur de la couche isolante 184, est par exemple comprise entre 100 nm et 200 nm, de préférence, comprise entre 120 nm et 180 nm. La couche isolante 184 a de préférence une épaisseur supérieure à celle de l'isolant de grille 124. A titre d'exemple, la couche isolante 184 est en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium.
Au fond de la tranchée de transistor 170, une portion isolante, de préférence une portion de la couche isolante 184, est située sous l'élément conducteur 180. Cette portion isole électriquement l'élément conducteur 180 de la partie du substrat 102 située sous l'élément conducteur 180. En outre, des couches isolantes 186, de préférence du même matériau ou matériaux que l'isolant de grille 124, isolent électriquement l'élément conducteur 180 de la grille 120.
De préférence, l'élément conducteur 180 est constitué par un mur conducteur situé dans une partie centrale de la tranchée de transistor 170. Le mur est allongé dans la même direction que la tranchée. Le mur s'étend dans le substrat 102 orthogonalement à la face avant 104 du substrat. A titre d'exemple, le mur comprend, de préférence est constitué par, un matériau métallique ou, préférentiellement, du silicium polycristallin dopé. La largeur du mur conducteur, prise dans la direction de largeur de la tranchée, est par exemple comprise entre 30 nm et 200 nm.
Selon un mode de réalisation, en fonctionnement, les sources S et les éléments conducteurs 180 sont électriquement reliés, de préférence connectés, entre eux.
Selon un mode de réalisation, le dispositif 100 comprend, en outre, un composant électronique supplémentaire 200 différent du transistor T. Ce composant électronique 200 peut faire partie d'un circuit de commande et/ou de protection des transistors T.
Le dispositif 100 comprend une tranchée 202 contenant au moins en partie le composant électronique 200 et appelée tranchée de composant 202 par la suite. La tranchée de composant 202 s'étend dans le substrat 102 à partir de la face avant 104 du substrat 102. Le dispositif 100 comprend un élément conducteur électriquement 204, tel que par exemple un métal et/ou du silicium polycristallin dopé, situé dans la tranchée de composant 202 et une couche isolante 206 qui sépare l'élément conducteur 204 du substrat 102. A titre d'exemple, la couche isolante 206 est en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. La largeur de l'élément conducteur 204 peut être comprise entre 0,15 µm et 0,2 µm. La profondeur de la tranchée de composant 202 peut être comprise entre 1,5 µm et 2,5 µm, par égale à environ 2 µm. De préférence, la profondeur de la tranchée de composant 202 est égale à la profondeur de la tranchée de transistor 170. On appelle WTP la largeur de la tranchée de composant 202.
La montre le carénage central de la présente invention (1') dans une analyse de fréquence simulée dans les mêmes conditions que le carénage central de l'art antérieur et le tableau contenant les résultats de cette analyse. Les mêmes conditions signifient que pour les deux carénages centraux, les mêmes surfaces de fixation sont simulées et on vérifie qu'elles n'entrent pas en résonance. A partir de cette analyse, nous nous intéressons strictement à la fréquence et en particulier uniquement au premier mode de vibration. Comme on peut le voir dans les tableaux des résultats, la fréquence du premier mode de vibration est très proche pour les deux carénages centraux.
Selon une analyse numérique comparative du coefficient de traînée moyen en 2D pour une même section pertinente d’un carénage central de l'art antérieur et de la présente invention il a résulté clairement que la valeur du coefficient de traînée moyen en 2D pour le carénage central de la présente invention est réduite de 0,5% par rapport à celle du carénage central de de l'art antérieur.
Selon une analyse numérique comparative du coefficient de traînée moyen en 3D pour un même section pertinente d’un carénage central de l'art antérieur et de la présente invention il a résulté clairement que la valeur du coefficient de traînée moyen en 3D pour le carénage central de la présente invention est réduite de 4% par rapport à celle du carénage central de l'art antérieur.
Selon une analyse numérique statique comparative des grilles de ventilation de l'art antérieur et de la présente invention dans laquelle on a simulé les mêmes surfaces de fixation pour les deux carénages centraux et ont les a soumis à la même force, les résultats ont montré que les valeurs de la résistance sont assez similaires.
Pour protéger les conduites de retour de gazole d'un véhicule, il est nécessaire d'utiliser un carénage ou un protecteur central. Comme la température dans cette zone peut atteindre 80°C, le carénage central doit être muni d'une grille de ventilation. Jusqu'à présent, une grille de ventilation de type rectangulaire a été utilisée.
Pour une ventilation optimale, 2/3 de la longueur totale de la grille doit être la zone d'entrée du carénage, pour l'entrée de l'air frais, 1/3 de la longueur totale de la grille doit être la zone de sortie du carénage pour l'évacuation de l'air chaud, et les lames de la grille doivent être inclinées à 45° dans une direction allant du bas vers le haut de l'épaisseur (zone A) et à 45° dans une direction allant du haut vers le bas de l'épaisseur (zone B).
Lorsque le véhicule est en marche, le flux d'air sous le véhicule entre dans la zone de refroidissement du carénage central, en raison des lames inclinées de la grille passe à travers le carénage central, se déplace le long des conduites de retour du gazole en refroidissant celui-ci et en raison des lames inclinées de la grille dans la zone d'évacuation, cette fois en orientation inversée, sort du carénage central.
Le demandeur de la présente invention a découvert qu'en utilisant une grille de ventilation de type hexagonal à la place de la grille rectangulaire, une réduction d'environ 8% du poids du matériau utilisé pour la fabrication du même carénage central peut être obtenue.
De plus, le carénage central avec grille de ventilation de type hexagonal a à peu près la même résistance, à peu près la même fréquence dans le premier mode de vibration et a une valeur du coefficient de traînée moyen 2D réduite de 0,5% et une valeur du coefficient de traînée moyen 3D réduite de 4% par rapport aux valeurs du carénage central de l'art antérieur.
Outre la réduction de poids, qui entraînera une réduction des coûts, en modifiant uniquement la forme des cellules de la grille de ventilation, les mêmes moules d'injection utilisés pour la fabrication des carénages centraux de l'art antérieur peuvent être réutilisés qu'avec des modifications mineures, ce qui signifie également une réduction des coûts de fabrication.
L'invention est utile dans l'industrie automobile pour protéger et refroidir les conduites de retour du gazole. En utilisant la grille de ventilation de type hexagonal de l'invention, une réduction significative du poids peut être obtenue, tandis que le coefficient aérodynamique est amélioré.
VEHICULE AGRICOLE DE TYPE TRACTEUR ENJAMBEUR A POLLUTION REDUITE Domaine de l’invention La présente invention concerne le domaine technique des véhicules agricoles, de type tracteur enjambeur, utilisés pour la culture de la vigne.
Plus précisément, l’invention concerne un véhicule agricole configuré pour progresser entre les rangs de vigne tout en assurant différentes tâches, telles que le travail du sol ou de la vigne ou encore le support de la récolte des vendangeurs.
L’invention trouve une application particulièrement avantageuse pour réduire la pollution émise par un tel véhicule agricole.
Etat antérieur de la technique Un tracteur enjambeur est un véhicule agricole à trois ou quatre roues réparties sur deux essieux. Un châssis relie les essieux et forme une arche de sorte à enjamber au moins un rang de vignes. En outre, le châssis est également configuré pour supporter des outils permettant de réaliser des traitements sur la vigne ou le sol, tels que les traitements par pulvérisation sur le feuillage, le rognage, le broyage des sarments au sol...
Pour déplacer le tracteur enjambeur dans les rangs de vigne, celui-ci comporte un moteur fixé sur le châssis et destiné à entraîner un ou plusieurs essieux. Une cabine de conduite est également montée sur le châssis et permet de contrôler le moteur et l’orientation d’au moins un essieu. De tels tracteurs enjambeurs sont notamment connus des documents FR 2547160 et FR 3097832.
Dans le mode de réalisation décrit, le diamètre de turbine 122 à l'emplacement axial de l'étage de rotor de plus basse pression 19b a une valeur dans une ou plusieurs des plages absolues définies ci-dessus pour le diamètre de turbine.
Dans le mode de réalisation décrit, la turbine 19 est une première turbine 19, le compresseur est un premier compresseur 14, et l'arbre de cœur est un premier arbre de cœur 26, et le cœur de moteur 11 comprend en outre une deuxième turbine 17, un deuxième compresseur 15, et un deuxième arbre de cœur 27 reliant la deuxième turbine au deuxième compresseur. Dans ce mode de réalisation, la deuxième turbine, le deuxième compresseur, et le deuxième arbre de cœur 27 sont agencés pour tourner à une vitesse de rotation supérieure à celle du premier arbre de cœur 26.
Dans le mode de réalisation décrit, le rapport Q est défini comme détaillé ci-dessous dans une plage allant de 0,005 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,011 Kgs -1 N -1 K 1/2 , et plus particulièrement de 0,006 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,009 Kgs -1 N -1 K 1/2 , où la valeur de Q est prise dans des conditions de croisière.
Blocage aval et rapport Q Dans le mode de réalisation illustré sur la , en référence à la , un rapport Q [Math. 64] :
se situe dans une plage allant de 0,005 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,011 Kgs -1 N -1 K 1/2 , où la valeur de Q est prise dans des conditions de croisière.
Le rapport de blocage aval et Q sont tels que définis ci-dessus. En définissant le rapport Q dans cette plage, un grand débit massique peut être obtenu tout en minimisant le blocage aval. Le rapport Q peut également être représenté comme [Math. 65] :
Dans un mode de réalisation, le rapport Q peut être dans une plage allant de 0,005 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,010 Kgs -1 N -1 K 1/2 . Plus spécifiquement, le rapport Q peut être dans une plage allant de 0,006 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,009 Kgs -1 N -1 K 1/2 . La valeur Q utilisée dans les plages des deux phrases précédentes est prise dans des conditions de croisière.
Une poussée spécifique peut être définie comme une poussée de moteur nette divisée par un débit massique à travers le moteur. Dans un mode de réalisation, dans des conditions de croisière du moteur :
Dans d'autres modes de réalisation, dans des conditions de croisière : 0,032 Kgs -1 N -1 K 1/2 ≤ Q ≤ 0,036 Kgs -1 N -1 K 1/2 . Plus spécifiquement, dans des conditions de croisière : 0,033 Kgs -1 N -1 K 1/2 ≤ Q ≤ 0,035 Kgs -1 N -1 K 1/2 , ou 0,034 Kgs -1 N -1 K 1/2 ≤ Q ≤ 0,035 Kgs -1 N -1 K 1/2
Le diamètre de turbine 122, un rapport du rayon d'aube de soufflante à son moyeu au rayon de l'aube de soufflante à son extrémité, et des conditions de croisière peuvent être tels que définis ailleurs ici.
La illustre un procédé 1400 de fonctionnement d'un aéronef 70 comprenant un moteur à turbine à gaz 10 tel que décrit ci-dessus.
Le procédé comprend le décollage 1402, le fait d'atteindre des conditions de croisière 1404, et le contrôle 1406 de l'aéronef 70 de telle sorte que le rapport Q est dans une plage allant de 0,005 Kgs -1 N -1 K 1/2 à 0,011 Kgs -1 N -1 K 1/2 durant le décollage. Le rapport Q peut être plus précisément compris dans l'une quelconque des plages définies ci-dessus. Le procédé peut inclure le contrôle du moteur à turbine à gaz selon l'un quelconque des autres paramètres définis ici.
Il sera entendu que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus et que diverses modifications et améliorations peuvent être apportées sans s'écarter des concepts décrits ici. Sauf exclusion mutuelle, toute caractéristique peut être employée séparément ou en combinaison avec d'autres caractéristiques et la description s'étend à et inclut toutes les combinaisons et sous-combinaisons d'une ou plusieurs caractéristiques décrites ici.
Ici, la diode 48 permet, notamment, d’éviter un retour d’énergie électrique de la batterie 24 vers le panneau photovoltaïque 25, lorsque la valeur de la tension V pv founie par le panneau photovoltaïque 25 est inférieure à une valeur de la tension V bat fournie par la batterie 24.
En outre, la diode 48 permet de protéger le dispositif d’alimentation en énergie électrique 26 par rapport à une inversion du sens de câblage de la batterie 24 ou du panneau photovoltaïque 25.
Avantageusement, le transistor 41 comprend :
- une première broche 49, pouvant également être appelée « base » ou « broche de commande », la première broche 49 étant reliée électriquement au port de sortie 42 du microcontrôleur 31,
- une deuxième broche 50, pouvant également être appelée « collecteur » ou « broche d’entrée », la deuxième broche 50 étant connectée électriquement au point milieu 47 du pont diviseur de tension 44 et au port d’entrée 38 du microcontrôleur 31, et
- une troisième broche 51, pouvant également être appelée « émetteur » ou « broche de sortie », la troisième broche 51 étant reliée électriquement à la masse 52 de l’unité électronique de contrôle 15 et, plus particulièrement, de la carte électronique 55 de l’unité électronique de contrôle 15.
Ici, la première broche 49 du transistor 41 est configurée pour commander, autrement dit commande, le transistor 41, à partir d’un signal de commande S provenant du port de sortie 42 du microcontrôleur 31.
Lorsque le microcontrôleur 31 fournit la deuxième valeur de tension au niveau de son port de sortie 42, soit la valeur prédéterminée V sat de forçage, un courant est généré dans la première broche 49 du transistor 41. Ce courant généré dans la première broche 49 du transistor 41 autorise une circulation d’un courant à partir de la deuxième broche 50 vers la troisième broche 51 du transistor 41.
Ainsi, ce fonctionnement du dispositif d’alimentation énergie électrique 26 correspond à ce que le point milieu 47 du pont diviseur de tension 44 est relié électriquement à la masse 52 de l’unité électronique contrôle 15.
De cette manière, ce fonctionnement du transistor 41 permet de rendre impossible une lecture d’une mesure de la tension V pv du panneau photovoltaïque 25 par le port d’entrée 38 du microcontrôleur 31.
Dans le cas contraire où le microcontrôleur 31 fournit la première valeur de tension au niveau de son port de sortie 42, soit la valeur de 0 volt dans l’exemple, aucun courant n’est généré dans la première broche 49 du transistor 41. Aucune circulation de courant n’est possible à partir de la deuxième broche 50 vers la troisième broche 51 du transistor 41.
Ainsi, ce fonctionnement du dispositif d’alimentation énergie électrique 26 correspond à ce que le point milieu 47 du pont diviseur de tension 44 est isolé électriquement de la masse 52 de l’unité électronique contrôle 15.
De cette manière, ce fonctionnement du transistor 41 permet de rendre possible une lecture d’une mesure de la tension V pv du panneau photovoltaïque 25 par le port d’entrée 38 du microcontrôleur 31.
Avantageusement, l’unité électronique de contrôle 15 et, plus particulièrement, le dispositif d’inhibition 37 comprend, en outre, une résistance de protection 53. La résistance de protection 53 est reliée électriquement, d’une part, au port de sortie 42 du microcontrôleur 31 et, d’autre part, à la première broche 49 du transistor 41.
Ainsi, la résistance de protection 53 limite, autrement dit est configurée pour limiter, une valeur d’un courant généré par le port de sortie 42 du microcontrôleur 31 entrant dans la première broche 49 du transistor 41.
Avantageusement, l’unité électronique de contrôle 15 comprend, en outre, au moins un condensateur de filtrage 54. Le condensateur de filtrage 54 est relié électriquement, d’une part, au point milieu 47 du pont diviseur de tension 44, au port d’entrée 38 du microcontrôleur 31 et à la deuxième broche 50 du transistor 41 et, d’autre part, à la masse 52 de l’unité électronique de contrôle 15.
Bien entendu, la description qui précède a été donnée à titre d'exemple uniquement et ne limite pas le domaine de l'invention dont on ne sortirait pas en remplaçant les différents éléments par tous autres équivalents.
En outre, les différentes caractéristiques, variantes, et/ou formes de réalisation de la présente invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons, dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres.
Optimisation de l’utilisation d’un groupe électrogène L’invention concerne le domaine des sites de production d’énergie électrique hybrides.