Dispositif optoélectronique (1) d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant : une couche de nucléation (3) ; une couche semiconductrice (10) cristalline à base de GeSn, s’étendant suivant un plan principal, présentant une face supérieure (10a) opposée à la couche de nucléation (3), et comportant : une portion de base (11), s’étendant sur et au contact de la couche de nucléation ; une portion supérieure (13), s’étendant sur la portion de base (11), monocristalline, et contrainte en tension d’une valeur moyenne ε ps dans le plan principal, formée d’un milieu homogène (13.1), présentant une valeur homogène x ps1 de proportion atomique d’étain, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension et la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain étant telles que la portion supérieure (13) présente une structure de bandes interdites directe ; une jonction semiconductrice PIN, comportant une région (14) dopée de type n, et une région (16) dopée de type p, affleurant la face supérieure (10a), et une région intrinsèque (15), située dans la portion supérieure (13), et s’étendant entre les régions dopées (14, 16) ; des contacts métalliques (4) de polarisation, situés sur et au contact des régions dopées (14, 16) ; caractérisé en ce que : la portion supérieure (13) monocristalline comporte, outre le milieu homogène (13.1), des structures verticales (13.2) s’étendant dans le milieu homogène (13.1) suivant un axe orthogonal au plan principal sur toute l’épaisseur de la portion supérieure (13), et présentant une valeur moyenne x ps2 de proportion atomique d’étain supérieure à x ps1 , formant ainsi des zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge ; la couche semiconductrice (10) comporte en outre une portion intermédiaire (12), située entre et au contact de la portion de base (11) et la portion supérieure (13) suivant un axe orthogonal au plan principal, monocristalline, et comportant une zone s’étendant dans le plan principal sur toute sa largeur et présentant une valeur moyenne x pi1 de proportion atomique d’étain inférieure à x ps1 , formant ainsi une zone barrière vis-à-vis de porteurs de charge circulant dans la portion supérieure (13). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel la portion de base (11) présente une valeur moyenne x pb supérieure à la valeur moyenne x pi1 de la proportion atomique d’étain dans la portion intermédiaire (12) et inférieure à la valeur moyenne x ps2 de la proportion atomique d’étain dans les structures verticales (13.2). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 2, dans lequel la valeur moyenne x pb de la proportion atomique d’étain dans la portion de base (11) est comprise entre 4% et 10%. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion de base (11) s’étend jusqu’à une surface de la face supérieure (10a), et entoure la portion intermédiaire (12) et la portion supérieure (13) dans le plan principal, au moins l’une des régions dopées (14 ; 16) étant situées dans la portion de base (11). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion intermédiaire (12) recouvre entièrement la portion de base (11), les régions dopées (14, 16) étant situées dans la portion supérieure (13). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche semiconductrice est formée, à partir de la couche de nucléation (3), d’une zone inférieure (z inf ) et d’une zone supérieure (z sup ) monocristalline qui recouvre la zone inférieure (z inf ), la portion supérieure (13) étant située dans la zone supérieure (z sup ). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de nucléation (3) est réalisée en germanium, et repose sur un substrat support (2) de préférence à base de silicium. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, formant une diode laser ou une diode électroluminescente adaptée à générer le rayonnement infrarouge, ou une photodiode adaptée à détecter le rayonnement infrarouge. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, formant une diode laser, comportant un guide d’onde dit inférieur réalisé dans la couche de nucléation (3) à base de germanium, un guide d’onde dit actif couplé au guide d’onde inférieur, comportant le milieu à gain et réalisé dans la couche semiconductrice (10), et au moins un réflecteur de Bragg situé dans le guide d’onde inférieur ou dans le guide d’onde actif. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation de la couche semiconductrice (10) présentant une valeur initiale homogène de la proportion atomique d’étain, égale à la valeur moyenne x pb de la portion de base (11), par épitaxie à partir de la couche de nucléation (3) ; réalisation des régions dopées (14, 16) dans la couche semiconductrice (10), espacées l’une de l’autre par la région intrinsèque (15) ; réalisation de la portion intermédiaire (12) et de la portion supérieure (13), par recuit par laser nanoseconde, en appliquant une impulsion laser sur au moins une surface de la face supérieure (10a) où affleure la région intrinsèque (15), présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie et une durée prédéfinies de manière à faire fondre entièrement une partie du composé de la couche semiconductrice (10) sur une profondeur prédéfinie de celle-ci, de préférence au moins égale à 150nm. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape de recuit par laser nanoseconde est effectuée en éclairant par l’impulsion laser seulement la surface de la face supérieure (10a) où affleure la région intrinsèque (15). Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape de recuit par laser nanoseconde est effectuée en éclairant par l’impulsion laser la face supérieure (10a) de la couche semiconductrice (10) où se situe la jonction semiconductrice PIN. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, comportant, préalablement à l’étape de recuit par laser nanoseconde, une étape d’amorphisation d’au moins la région intrinsèque (15) par implantation ionique d’élément chimiques non dopants de type n ou p, sur une profondeur au moins égale à la profondeur des régions dopées (14, 16). Procédé de fabrication selon la revendication 11 et 13, dans lequel seule la région intrinsèque (15) est amorphisée lors de l’étape d’amorphisation, avant l’étape de recuit par laser nanoseconde. Procédé de fabrication selon la revendication 12 et 13, dans lequel l’étape de réalisation des régions dopées (14, 16) est effectuée de manière à amorphiser les régions dopées (14, 16).