INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En cas de problèmes d’appariement, une correction peut être apportée, par le calculateur 12 via un recalage du maillage M tomo de l’image mesurée I ou X tomo de la pièce réelle P sur le maillage M CAO de l’image X CAO de consigne.
Les étapes E6, E7 et E8 décrites ci-dessous permettent de transformer le maillage M CAO de l’objet X CAO de consigne pour comprendre dans cette transformation les déformations non rigides induites par le maillage M tomo de l’image mesurée I ou X tomo de la pièce réelle P. La base tronquée V, également appelée base réduite V, étant calculée, il est maintenant possible d’y projeter le maillage M tomo de l’image mesurée I ou X tomo de la pièce réelle P. Les nouvelles coordonnées γ tomo de projection de la pièce réelle P dans cette base V porteront alors les variations des modes de référence de la CAO et donc, les variations géométriques issues du procédé de fabrication de la pièce réelle P.
Ainsi, l’invention prend en entrée les deux maillages M CAO et M tomo , puis permet d’obtenir la base V des modes géométriques de référence du maillage M CAO (les vecteurs propres (Φ 1 , …, Φ n )), ainsi que les coordonnées γ CAO et γ tomo des deux maillages M CAO et M tomo dans cette base V de l’objet X CAO de consigne. Ensuite, on obtient la géométrie de la pièce réelle P décrite avec des nœuds indexés de manière équivalente (sous-ensemble F et G de nœuds appariés) entre les deux maillages M CAO et M tomo . Une fois les paires de nœuds trouvées, on peut appliquer le champ U de déplacement et résoudre le problème par éléments finis. Cela permet de recalculer de manière très facile des problématiques dont la mise en données a été réalisée. Les variations géométriques sont calculées dans un premier temps dans la base spectrale via une projection d’un sous-ensemble G du deuxième maillage M tomo de la pièce réelle P dans l’image mesurée I ou X CAO .
Au cours de la sixième étape E6, on calcule par le calculateur 12 des premières coordonnées γ CAO projetées des M premiers nœuds N CAO (du sous-ensemble F) de l’objet X CAO de consigne sur les n vecteurs propres Φ 1 , …, Φ n de la matrice réduite V de l’objet X CAO de consigne.
Au cours de la sixième étape E6, on calcule par le calculateur 12 des deuxièmes coordonnées γ tomo projetées des M deuxièmes nœuds N tomo (du sous-ensemble G) de l’image mesurée I ou X tomo sur les n vecteurs propres Φ 1 , …, Φ n de la matrice réduite V de l’objet X CAO de consigne.
Ainsi, les coordonnées γ tomo du deuxième maillage M tomo projeté dans la base V réduite V de l’image X CAO de consigne sont calculées pour la restriction des nœuds N tomo identifiés par l’appariement des sous-ensembles F et G. La matrice réduite V peut donc être restreinte aux M lignes correspondant aux M indices des M premiers nœuds N CAO du sous-ensemble F. On peut noter la sous-matrice extraite V[F] comme étant la matrice réduite V de vecteurs propres (Φ 1 , …, Φ n ), ayant été restreinte aux M lignes correspondant aux numéros des M deuxièmes nœuds N tomo du sous-ensemble G, qui ont été appariés aux M premiers nœuds N CAO du sous-ensemble F. Soit X la matrice contenant les coordonnées du sous-ensemble G des M deuxièmes nœuds N tomo du deuxième maillage M tomo de l’image mesurée I ou X tomo .
La projection γ tomo des M deuxièmes nœuds N tomo du sous-ensemble G du deuxième maillage M tomo de l’image mesurée I ou X tomo dans la base réduite V de l’image X CAO de consigne est la solution γ = γ tomo du problème d’optimisation : qui admet comme solution : où désigne la transposition de V[F].
Ainsi, suivant un mode de réalisation, au cours de la sixième étape E6, le calculateur 12 calcule les deuxièmes coordonnées γ tomo projetées des M deuxièmes nœuds N tomo de l’image mesurée X tomo sur les n vecteurs propres Φ 1 , …, Φ n de la matrice réduite V de l’image X CAO de consigne, comme étant égales à
Suivant un autre mode de réalisation, au cours de la sixième étape E6, le calculateur 12 calcule les deuxièmes coordonnées γ tomo projetées des M deuxièmes nœuds N tomo de l’image mesurée X tomo sur les n vecteurs propres Φ 1 , …, Φ n de la matrice réduite V de l’image X CAO de consigne, comme étant égales à la solution γ = γ tomo de Au cours de la septième étape E7, on calcule par le calculateur 12 un champ U de déplacement reconstitué de l’image X CAO de consigne vers l’image mesurée X tomo à partir de la matrice réduite V des n vecteurs propres (Φ 1 , …, Φ n ) de la matrice Laplacienne L de l’image X CAO de consigne, à partir des premières coordonnées γ CAO projetées de l’image X CAO de consigne et à partir des deuxièmes coordonnées γ tomo projetées de l’image mesurée X tomo . Les variations géométriques spectrales U sont ainsi recalculées dans l’espace réel par l’utilisation de la matrice V de passage pour déterminer le déplacement à appliquer pour déformer le maillage de référence M CAO .
Plusieurs manières d’effectuer ce calcul lors de l’étape E7 sont décrites ci-dessous.
Suivant une première manière, lors de l’étape E7, le calculateur 12 calcule : des coordonnées réelles y des M deuxièmes nœuds N tomo du sous-ensemble G de l’image mesurée I ou X tomo selon l’équation
Au cours de cet entraînement primaire, après la mise en œuvre des étapes d’obtention S311, d’application S330 et de modification S340 pour le premier usage numérique, ces étapes S311, S330 et S340 sont typiquement réitérées pour chaque autre usage numérique de l’ensemble d’usages numériques, les poids P1, P2, P3 du réseau de neurones RN étant modifiés à chaque itération et les poids ainsi modifiés étant utilisés à l’itération suivante.
La mise en œuvre des étapes d’obtention S311, d’application S330 et de modification S340 pour chaque usage numérique de l’ensemble d’usages numériques est appelée cycle d’apprentissage complet ou encore époque.
Toutes les itérations des étapes d’obtention S311 peuvent être mises en œuvre avant la mise en œuvre de l’étape S330 d’application pour le premier usage numérique.
L’étape d’obtention peut en outre être mise en œuvre une ou plusieurs nouvelles fois pour chaque usage numérique de la pluralité d’usages numériques afin d’obtenir un ou plusieurs autres ensembles de données d’entraînement pour chaque usage numérique de la pluralité d’usages numériques, typiquement avant la mise en œuvre de l’étape S330 d’application pour le premier usage numérique. Les ensembles de données obtenus sont typiquement utilisés lors d’une validation ou d’un autre cycle d’apprentissage complet.
Suite à la mise en œuvre d’une époque, une validation de l’entraînement primaire peut être réalisée en mettant en œuvre les étapes d’application S330 et de modification S340 pour chaque usage numérique de l’ensemble d’usages numériques, à partir du deuxième sous-ensemble EDEP1 V du premier ensemble de données d’entraînement primaire pour chaque usage numérique obtenus à des itérations de l’étape S310 et n’ayant pas encore été utilisés. Cette validation permet d’évaluer la précision de l’identification par le réseau de neurones NR.
Plus précisément, si, à la fin de la validation, la précision de l’identification (de la prédiction) n’augmente pas, l’entraînement primaire est arrêté. Dans le cas contraire, un nouveau cycle d’apprentissage complet et une nouvelle validation sont réalisés, et ainsi de suite jusqu’à ce que la précision de l’identification n’augmente pas.
Un test final peut ensuite être réalisé en mettant en œuvre les étapes d’application S330 et de modification S340 pour chaque usage numérique de l’ensemble d’usages numériques, à partir du troisième sous-ensemble EDEP1 T du premier ensemble de données d’entraînement primaire pour chaque usage numérique obtenus à des itérations de l’étape S310 et n’ayant pas encore été utilisés.
Une fois l’entraînement primaire terminé, un entraînement secondaire (ou post-entraînement) est mis en œuvre afin de détecter des faiblesses du modèle entrainé lors de l’entraînement primaire et, de renforcer ce modèle en utilisant des données ciblées et un taux d’apprentissage adapté.
Cet entraînement secondaire va maintenant être décrit.
Cet entraînement secondaire est effectué en utilisant le premier ensemble de données d’entraînement secondaire EDES1 obtenu à l’étape S311.
Dans le mode de réalisation décrit ici, le premier ensemble de données d’entraînement secondaire EDES1 est divisé en 3 sous-ensembles, à savoir : - un premier sous-ensemble EDES1 E pour l’entraînement secondaire à proprement parler ; - un deuxième sous-ensemble EDES1 V pour valider l’entraînement secondaire ; et - un troisième sous-ensemble EDES1 T pour tester l’entraînement secondaire.
Dans le mode de réalisation décrit ici, les premier, deuxième et troisième sous-ensembles EDES1 E , EDES1 V , EDES1 T représentent environ 80%, 10% et 10% du premier ensemble de données d’entraînement secondaire EDES1.
Cet entraînement secondaire peut être réalisé pour au moins une valeur cible VC d’une propriété cible PC.
Au cours d’une étape S350, on extrait du premier sous-ensemble EDES1 E , un sous-ensemble EDES1 E , VC de données associées à un usage dont la propriété PC a cette valeur cible VC.
Les données du sous-ensemble EDES1 E , VC sont appliquées, par le premier module d’application 120, à l’entrée CE du réseau de neurones RN artificiels entrâiné par l’entraînement primaire pour identifier la valeur VE estimée de la propriété PC d’un usage numérique estimé UNE pour chacune de ces données.
Cet valeur estimée VE est identifiée an associant à cette valeur VE la valeur de la propriété PC ayant le score de prédiction le plus grand parmi les scores de prédiction des autres valeurs de la même propriété PC.
Le diamètre de passage D2 de l’insert 68 est avantageusement adapté au volume de la bouteille 32 et à l’intensité initiale de l’onde de pression 90.
La pression du fluide 12 dans la canalisation 14 redescend, éventuellement avec quelques oscillations mais de manière amortie grâce à la présence du dispositif 20.
Grâce aux caractéristiques décrites ci-dessus, le dispositif 20 limite les pics de pression dans la canalisation 14, notamment lors des arrêts de chargement brutaux. Ceci limite le risque de dépassement des pressions maximales autorisées, ainsi que le risque de détérioration des joints et des équipements, ainsi que le risque de fuites. Avantageusement, le système 20 ne ralentit pas la montée du piston 24 dans le système anti-pulsatoire 16, et ralentit la descente du piston en absorbant une grande partie de l’énergie de l’onde de pression 90.
Avantageusement, un ajustement du diamètre de passage D2 de l’insert 68 permet d’adapter la vitesse de restitution de l’énergie. L’insert 68 est avantageusement démontable et interchangeable de manière à optimiser le fonctionnement du dispositif 20 en fonction de son environnement, notamment la masse en mouvement, les vitesses des fluides dans les tuyauteries, le volume interne des équipements… etc.
Le graphique représenté sur la permet de comparer l’évolution de la pression, en bar, en fonction du temps, en seconde, en l’absence du dispositif 20 sur la courbe C1 et en présence du dispositif 20 sur la courbe C2.
Dans cet exemple, la bouteille 32 présente un volume interne d’environ 100 litres. Un bras de chargement (non-représenté) est en train de charger le fluide 12 à un débit de 100 m 3 /h. Puis le chargement est brutalement interrompu par la fermeture d’une vanne (non-représentée).
Le débit passe très rapidement de 100 m 3 /h à 0 m 3 /h. La pression dans la canalisation 14 est mesurée au voisinage de l’entrée-sortie 30 du système anti-pulsatoire 16.
Sur la courbe C1, la pression monte à environ 13,6 bar, alors qu’elle ne monte qu’à 12,9 bar environ sur la courbe C2.
Ainsi, grâce au dispositif 20, le pic de pression, d’environ 7 bar est diminué de 0,7 bar, soit une réduction d’environ 10%.
Dispositif de protection pour réservoir de gaz sous pression L’invention concerne un dispositif de protection pour un réservoir de gaz sous pression.
Il est connu de réaliser un dispositif de protection pour un réservoir comprenant une coque conçue pour absorber l’énergie en cas de choc. Une telle coque est typiquement réalisée en un matériau amortissant et est avantageusement conformée de manière à épouser la forme du réservoir dans la zone à protéger.
Une telle coque est classiquement fixée au réservoir par collage sur la surface extérieure du réservoir. Un tel mode d’assemblage est long (préparation des surfaces, temps de polymérisation séchage, ...) et donc coûteux. De plus il ne garantit pas une tenue suffisante dans la durée (au moins 20 ans).
Aussi, d’autres modes d’assemblage sont recherchés.
Pour cela, l’invention a pour objet un dispositif de protection pour un réservoir de gaz sous pression, comprenant une coque conçue pour absorber l’énergie en cas de choc et un moyen d’assemblage mécanique de la coque avec le réservoir.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , un empilement est réalisé pour former ce masquage, avec une couche 21b, par exemple en SiN et d’épaisseur comprise par exemple entre 20 nm et 30 nm revêtue d’une couche 21c par exemple à base d’oxyde de silicium d’épaisseur comprise par exemple entre 20 nm et 30 nm. De manière optionnelle, une couche 21a d’oxyde peut être prévue sous la couche 21b en nitrure (une telle couche n’étant pas représentée sur les figures suivantes).
On forme ensuite une tranchée 33 à travers lesdites une ou plusieurs couches 21a, 21b, 21c de masquage. La tranchée 33 s’étend en regard de la zone active 14 et principalement dans le sens de la longueur de cette zone active 14 (dimension mesurée parallèlement à l’axe x du repère [O ; x ; y ; z]).
Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la , la tranchée 33 peut être prolongée en regard d’une région du substrat au-delà de la zone active 14 et dans laquelle la couche semi-conductrice superficielle a été retirée. La tranchée 33 est prévue avec une largeur W (dimension mesurée parallèlement à l’axe y du repère [O ; x ; y ; z], typiquement comprise entre 10 nm et 100 nm, par exemple de l’ordre de 40 nm.
La tranchée 33 comporte un fond 33a dévoilant le matériau de grille. Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , la tranchée 33 a pour particularité d’être prolongée, dans le sens de sa hauteur H (dimension mesurée parallèlement à l’axe z du repère [O ; x ; y ; z], la donnant donnant une vue en coupe selon un plan de coupe passant par l’axe B et orthogonal à l’axe A indiqués sur la ) dans une portion (espace référencé 20 0 sur la cette portion ayant été retirée) de la couche 20b de matériau de grille. La réalisation de la tranchée 33 comporte ainsi, dans cet exemple de réalisation particulier, une gravure partielle d’une portion de matériau de grille et en particulier ici d’une portion supérieure de la couche 20b de polysilicium, une épaisseur du matériau de grille et en particulier de la couche 20b de polysilicium étant préservée à l’issue de la réalisation de la tranchée 33.
On forme ensuite un masque 42 ( donnant une vue en coupe selon un plan de coupe qui passe par la tranchée 33 et qui est parallèle à cette dernière, donnant une vue en coupe selon un plan de coupe orthogonal à la tranchée 33).
Le masque 42 peut être formé de plusieurs couches empilées. Dans l’exemple de réalisation particulier illustré, le masque 42 comporte un tri-couches, avec une première couche 42a formant un masque dur organique par exemple une couche de carbone déposée par centrifugation (« spin-on-carbon » également appelée SOC), surmontée d’une deuxième couche 42b anti-reflet, par exemple une couche antireflet au silicium (SiARC), et d’une troisième couche 42c qui peut être à base de résine photosensible. Le masque 42 est formé typiquement en transférant un motif défini tout d’abord dans la troisième couche 42c dans les couches inférieures 42b et 42a. Dans un mode avantageux tel que représenté sur la , la gravure est arrêtée au niveau de la première couche 42a, dès lors que la couche 21c supérieure du masquage est atteinte. On laisse ainsi un résidu de la première couche 42a au fond de la tranchée 33 préalablement formée masquant la couche 20b de matériau de grille. Cela permet par la suite de ne graver que les portions du masquage révélées sans causer de sur-gravure dans la tranchée 33. Dans l’exemple de réalisation illustré, au niveau de la tranchée 33, la première couche 42a de masque dur recouvre entièrement la couche 20b de matériau de grille et protège cette dernière.
On définit ensuite par gravure à travers le masque 42 une ou plusieurs paires de blocs de masquage dans lesdites une ou plusieurs couches de masquage.
Une fois la gravure réalisée, le masque 42 est retiré. Par exemple, une gravure plasma à l’aide d’un plasma O 2 peut être employée pour retirer la couche de SOC. Les couches de résine et SiARC sont typiquement consommées lors d’une telle gravure.
Les blocs 54, 55 de masquage formés s’étendent typiquement dans une direction orthogonale à celle dans laquelle la zone active 14 s’étend principalement, autrement dit dans le sens de la largeur (dimension mesurée parallèlement à l’axe y du repère [O ; x ; y ; z]) de la zone active 14. Les blocs 54, 55 de masquage ont, dans cet exemple, une forme de barreau parallélépipédique.
Plusieurs paires de blocs 54, 55 de masquage parallèles sont typiquement formées. Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , chaque paire comporte un premier bloc 54 de masquage et un deuxième bloc 55 de masquage faisant face au premier bloc 54 de masquage, le premier bloc 54 de masquage et le deuxième bloc 55 de masquage sont disposés de part et d’autre de la tranchée 33, respectivement sur une première région de la zone active et sur une deuxième région de la zone active (la zone active étant recouverte et n’étant ici pas référencée sur la ). Les blocs 54, 55 de masquage sont typiquement structurés par le biais d’une ou plusieurs gravures anisotropes par exemple à l’aide d’un plasma. La gravure des blocs de masquage, en particulier les couches SiO 2 et SiN, est typiquement réalisée par des procédés de gravure sèche plasma de type fluorocarbonné. Par exemple du CF 4 est utilisé pour graver la couche de SiO 2 , et du CH 2 F 2 /SF 6 pour graver la couche de SiN.
On effectue ensuite une gravure de l’empilement de grille, autrement dit de la ou les couches de matériaux de grille et de la couche de diélectrique 19 de grille, de sorte à former dans le prolongement de chaque bloc 54, 55 de masquage un bloc de grille.
On réalise ainsi plusieurs paires de blocs 64, 65 de grille. Les blocs 64, 65 de grille sont typiquement formés par gravure anisotrope par exemple à l’aide d’un plasma. Au niveau de la tranchée 33, la gravure conduit au retrait du ou des matériaux de grille et du diélectrique de grille. Du fait qu’une gravure partielle dans la couche 20b de matériau de grille réalisée précédemment en lien avec la a été faite, la gravure peut être prolongée plus aisément à travers la zone active 14 de sorte à atteindre la couche isolante 12. Chaque paire de blocs 64, 65 comporte un premier bloc 64 de grille et un deuxième bloc 65 de grille faisant face au premier bloc 64 de grille, le premier bloc 64 de grille et le deuxième bloc 65 de grille étant disposés de part et d’autre de la tranchée 33, respectivement sur une première région 141 de la zone active et sur une deuxième région 142 de la zone active disjointe et séparée de la première région ( ) par un espace au fond de la tranchée 33. Les blocs 64, 65 de grille ont, dans cet exemple, une forme de barreau parallélépipédique. Ces barreaux s’étendent typiquement dans une direction orthogonale à celle dans laquelle les régions 141, 142 séparées de la zone active 14 s’étendent principalement, autrement dit dans le sens de leur largeur (dimension mesurée parallèlement à l’axe y du repère [O ; x ; y ; z]). Les paires de blocs 64, 65 de grille sont de préférence régulièrement espacées avec une répartition dense, par exemple telle que le pas de répartition d’une paire de blocs de grille est de l’ordre de 100 nm.
La première région 141 peut être celle dans laquelle des boites quantiques sont destinées à être formées tandis que la seconde région 142 peut être amenée à former des détecteurs de charge.
Le fait d’avoir réalisé la tranchée 33 avant l’étape de définition des blocs 64, 65 de grille participe à pouvoir disposer précisément ces derniers par rapport à la zone active 14 et en particulier par rapport à des bords 141a, 142a, des régions 141, 142 distinctes formées à partir de cette zone active 14. Le fait d’avoir réalisé précédemment un retrait partiel de matériau de grille 20b dans la tranchée 33, conduit après formation des blocs de masquage 54,55, à avoir deux hauteurs distinctes de matériau 20 de grille à graver. La gravure réalisée ici permet de consommer, hors de la tranchée 33, des zones plus épaisses de matériau 20b de grille et de s’arrêter sur la zone active 14, tandis que dans la tranchée 33 on consomme des zones moins épaisses de matériau 20b de grille et on étend la gravure jusque dans la zone active 14, afin de réaliser la séparation de cette dernière. La gravure de la zone active 14 et séparation en deux régions 141, 142 se fait ainsi de manière auto-alignée avec les blocs 64, 65 de grille. Une partie de ladite zone active située dans le prolongement et en regard de la portion superficielle 20 0 retirée précédemment est à son tour retirée.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , 8B, les paires de blocs 64, 65 de grille réalisées sont encore recouvertes de la couche inférieure 21b de masquage par exemple en SiN, la couche supérieure 21c de masquage ayant été retirée lors de la gravure des couches 20a,b de matériau de grille au travers des blocs de masquage 54,55.
Des espaceurs isolants 72 peuvent être ensuite formés autour de chacun des blocs 64, 65 de grille. Les espaceurs 72 peuvent être réalisés par dépôt d’au moins un matériau 71 isolant. Le dépôt est effectué de sorte à combler des espaces inter-grilles, en particulier entre chaque paire de grilles ( ) et entre des grilles adjacentes ( ) de paires de grilles distinctes. Le(s) matériau(x) isolant 71 des espaceurs 72 est typiquement choisi parmi l’un ou plusieurs des matériaux suivants : SiN, SiO 2 , SiCO, SiBCN, SiOCN. Le procédé de dépôt peut être conforme, et en particulier de type ALD (pour « Atomic Layer Deposition » ou « dépôt de couche atomique ») afin de remplir les espaces sans création de défaut de remplissage. Selon un exemple de réalisation particulier, le matériau isolant 71 déposé a une épaisseur de l’ordre de 30 nm.
La illustre des exemples d’alternatives du système sur puce SOC décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 4. D’une part, plusieurs processeurs PROC1 à PROCn peuvent communiquer avec la mémoire MEM par l’intermédiaire du pare-feu FWL.
Le système sur puce SOC peut prévoir à la fois des droits d’accès de niveaux sécurisé Sec et non-sécurisé NSec, ainsi que, pour chaque domaine matériel de niveau sécurisé et non-sécurisé, des droits d’accès de niveaux privilégié Priv et non-privilégié NPriv. Cependant, des processeurs PROCn peuvent prévoir seulement les niveaux de droit d’accès privilégié Priv ou non-privilégié NPriv. Ainsi, le dispositif de pare-feu FWL peut comprendre en outre des attributs P et NP représentatif des niveaux de droit d’accès privilégié Priv et respectivement non-privilégié NPriv.
Par ailleurs, les différents processeurs PROC1-PROCn peuvent « être propriétaires » de régions mémoire respectives, c’est-à-dire que des régions mémoires sont respectivement dédiées aux différents processeurs, et, le dispositif de pare-feu FWL peut comprendre en outre des attributs (non-représentés) représentatifs des processeurs PROC1-PROCn propriétaires des régions mémoires respectives. On considère que la propriété d’une région mémoire par un processeur PROC-PROCn est aussi un niveau de droit d’accès.
Par exemple, les attributs P-NP (resp. S-NS) mentionnés précédemment peuvent être prévus de manière communiquer à la fois l’information représentative des niveaux de droit d’accès privilégié Priv et non-privilégié NPriv (resp. sécurisé Sec et non-sécurisé NSec) et l’information représentative du processeur PROC1-PROCn propriétaire respectif.