Procédé de fabrication d'une chambre à vapeur (300) comprenant les étapes successives suivantes : (a) graver, dans un premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200), au moins une première cavité (303 ; 650 ; 751 ; 1201) s'étendant à partir d'une face supérieure (305 ; 753 ; 1203) dudit premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200), et au moins un canal (313 ; 755 ; 1205) à partir de la face supérieure (305 ; 753 ; 1203) dudit premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200), une première extrémité (315 ; 757) dudit canal (313 ; 755 ; 1205) débouchant dans ladite au moins une cavité (303 ; 650 ; 751 ; 1201) ; (b) coller une face inférieure (711) d'une plaque (309 ; 700 ; 801 ; 901) à la face supérieure (305 ; 753 ; 1203) dudit premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200), la plaque (309 ; 700 ; 801 ; 901) comprenant au moins une première région en un matériau ductile (321 ; 709 ; 803 ; 913 ; 1117) disposée en regard de ladite première extrémité (315 ; 757) dudit canal (313 ; 755 ; 1205) ; (c) remplir ledit canal (313 ; 755 ; 1205) avec un fluide de refroidissement (319 ; 760 ; 1150) ; et (d) fermer ladite cavité (303 ; 650 ; 751 ; 1201) en appliquant une pression sur ladite région en matériau ductile (321 ; 709 ; 803 ; 913 ; 1117) de la plaque (309 ; 700 ; 801 ; 901) jusqu'à obstruer ladite première extrémité (315 ; 757) dudit canal (313 ; 755 ; 1205). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, pendant l'étape (d), ladite première cavité (303 ; 650 ; 751 ; 1201) est fermée hermétiquement. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, le premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200) est en un matériau choisi dans le groupe comprenant : un matériau semiconducteur, le silicium, un métal, un alliage métallique, le verre. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, le matériau ductile (321 ; 709 ; 803 ; 913 ; 1117) est en un matériau polymère ou en un métal comme le cuivre, de l'argent, de l'aluminium, de l'or, ou un alliage de ces métaux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, pendant l'étape (a), des deuxièmes cavités (751 ; 1201) sont gravées à partir de la face supérieure (305 ; 753 ; 1203) dudit premier substrat (301 ; 605 ; 750 ; 1000 ; 1200). Procédé selon la revendication 5, dans lequel ledit canal (313 ; 755 ; 1205) relie ladite première cavité (751 ; 1201) et lesdites deuxièmes cavités (751 ; 1201). Procédé selon la revendication 6, dans lequel les première et deuxièmes cavités (751 ; 1201) sont reliées en série par ledit canal (313 ; 755 ; 1205). Procédé selon la revendication 6, dans lequel les première et deuxièmes cavités (751 ; 1201) sont reliées en parallèle par ledit canal (313 ; 755 ; 1205). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ladite plaque (309 ; 700 ; 801 ; 901) comprend une ouverture (620 ; 704 ; 809 ; 907) disposée au-dessus d'une première portion (317 ; 603) dudit canal (313 ; 755 ; 1205). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la première portion du canal est une deuxième extrémité (317 ; 603) dudit canal (313 ; 755 ; 1205). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel ledit canal comprend une troisième extrémité (603) débouchant sur une ouverture (630) en périphérie du premier substrat (605). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant, en outre, une étape (e) exécutée entre les étapes (b) et (c), pendant laquelle un quasi vide ou le vide est fait dans ladite au moins une première cavité (303 ; 751 ; 1201). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel, ladite première région de ladite plaque (801) s'étend sur toute la longueur de ladite plaque (801). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le fluide de refroidissement (319 ; 760 ; 1150) est choisi parmi le groupe comprenant : l'eau, l'hélium, l'hydrogène, l'oxygène, l'azote, le sulfure, le néon, l'argon, le méthane, le krypton, le mercure, l'ammoniaque (NH3), l'acétone (C3H6O), l'éthane (C2H6), le pentane (C5H12), l'heptane (C7H16), l'éthanol (C2H5OH), le méthanol (CH3OH), l'éthylène glycol (C2H6O2), le toluène (C7H8), le naphtalène (C10H8), le trichlorofluorométhane (CClL3F, aussi connu sous la dénomination commerciale Fréon 11), le dichlorofluorométhane (CHClL2F, aussi connu sous la dénomination commerciale Fréon 21), le chlorodifluorométhane (CHCIF2, aussi connu sous la dénomination commerciale Fréon 22), le 1,1,2-Trichloro-1,2,2-trifluoroéthane (C2CL3F3, aussi connu sous la dénomination commerciale Freon 113), le fluide connu sous la dénomination commerciale Flutec PP2, le fluide connu sous la dénomination commerciale Flutec PP9, le fluide connu sous la dénomination commerciale Dowtherm, le fluide connu sous la dénomination commerciale Novec, et les dérivés et mélanges de ces fluides. Chambre à vapeur (300) fabriquée selon le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.