INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, lorsque le dispositif d’affichage 7 selon l’invention est mis en œuvre, l’unité de projection 10 émet un faisceau lumineux C comprenant au moins une information à afficher. Ce faisceau lumineux C est envoyé, directement ou indirectement vers le deuxième sous-ensemble 9. En l’espèce, le faisceau lumineux est reçu par le miroir primaire 11 du premier sous-ensemble 8 puis réfléchi vers le deuxième sous-ensemble 9, par exemple au travers d’une ouverture ou d’un côté transparent d’un boîtier primaire 13. Le faisceau lumineux traverse l’habitacle pour atteindre le deuxième sous-ensemble 9, disposé au niveau de la planche de bord 3. En particulier, le faisceau lumineux C passe au travers de l’au moins une ouverture du boîtier secondaire 14, voire de l’orifice de la planche de bord 3 et de l’au moins une ouverture du boîtier secondaire 14, et est reçu par le miroir secondaire 12. Le faisceau lumineux C est alors reflété par le miroir secondaire 12 en direction de la surface d’affichage 6. Le faisceau lumineux C sort du boîtier secondaire 14 et atteint le pare-brise 5 ou la lame, selon le mode de réalisation mis en œuvre, et l’information est alors réfléchie par la surface d’affichage 6 dans le champ de vision F de l’utilisateur, particulièrement du conducteur, en superposition de la route. Ainsi, le conducteur peut prendre connaissance d’informations de manière plus sécurisée, sans quitter la chaussée des yeux.
L’agencement selon l’invention permettent ainsi avantageusement l’intégration d’un dispositif d’affichage tête haute dans des véhicules variés en limitant l’encombrement généré au niveau de la face avant, en particulier de la planche de bord, du véhicule.
Multiplexeur optique hybride, démultiplexeur optique hybride associé et réseau de communication optique embarqué associé L'invention concerne le domaine général des réseaux optiques embarqués de transmission de données multiplexées en aéronautique ou en aérospatial.
La pompe 17 peut être à pistons axiaux ou à pistons radiaux.
Le réducteur G est optionnel, l’arbre de sortie du moteur pouvant être en prise direct avec la roue R.
Bien que le dispositif soit ici associé à la roue R, il peut être associé à tout ensemble de transmission (arbre, cardan…).
Pilier flexible pour une ossature flexible d’une gouverne à géométrie variable. La présente invention concerne un pilier flexible pour une ossature flexible, en particulier, destinée à être agencée dans une gouverne à géométrie variable, par exemple un aileron déformable d’un aéronef.
Etat de la technique En aéronautique des surfaces mobiles sont utilisées, généralement sur les ailes et la queue d’un aéronef, pour faire varier la portance et la trainée. En particulier, les ailerons sont des gouvernes aérodynamiques situées sur le bord de fuite des ailes d’un aéronef. Ils sont articulés en pivot par rapport aux ailes de manière à pouvoir être déplacés en rotation et ainsi faire varier l’exposition de leurs surfaces extérieures aux flux d’air. Par exemple, les ailerons des deux ailes sont généralement déplacés en opposition (l’un est pivoté vers le haut et l’autre vers le bas) pour produire un moment de roulis.
Pour ce faire, il est connu d’utiliser des gouvernes rigides qui sont pivotées autour de leur axe de rotation par un actionneur afin de leur faire prendre des positions souhaitées. Leur rigidité permet notamment aux gouvernes de supporter des efforts aérodynamiques auxquels elles sont destinées à être soumises. Mais de telles gouvernes peuvent être difficiles et coûteuses à mettre en œuvre. Une autre solution consiste à utiliser des gouvernes déformables, c’est-à-dire des gouvernes dont le déplacement est réalisé via la déformation, par un actionneur, d’au moins une partie de leur structure. Néanmoins, les structures existantes ne permettent pas d’obtenir des gouvernes qui soient à la fois facilement déformables et suffisamment rigides pour supporter des efforts aérodynamiques importants.
Ces solutions ne sont donc pas complètement satisfaisantes.
Pour ce faire, elle concerne un pilier flexible pour une ossature flexible destinée à être agencée sur une gouverne à géométrie variable pourvue d’une peau supérieure et d’une peau inférieure.
Selon l’invention, le pilier flexible comporte au moins un élément élastique de forme allongée dans une direction d’un axe longitudinal. Le pilier flexible est configuré pour être agencé entre la peau supérieure et la peau inférieure de sorte que l’élément élastique soit apte à être fixé à la peau supérieure à une première extrémité du pilier flexible et soit apte à être fixé à la peau inférieure à une deuxième extrémité du pilier flexible. Le pilier flexible présentant une rigidité en compression et en traction selon l’axe longitudinal (X-X) qui est supérieure à une rigidité en cisaillement du pilier flexible selon un axe transversal (Y-Y) dudit pilier flexible (1).
Ainsi, grâce à l’invention, on dispose d’un support présentant une direction longitudinale qui est capable de transmettre des efforts entre ses extrémités selon cette direction longitudinale, et ce en se déformant peu selon cette direction longitudinale et en étant apte à se déformer facilement dans une direction transversale à ladite direction longitudinale.
Avantageusement, l’élément élastique du pilier flexible comprend au moins un premier segment élastique à sa première extrémité, un deuxième segment élastique à sa deuxième extrémité et une âme rigide agencée entre le premier segment élastique et le deuxième segment élastique.
En outre, au moins le premier segment élastique et/ou le deuxième segment élastique est constitué d’un matériau élastique incompressible.
De plus, au moins le premier segment élastique et/ou le deuxième segment élastique comprend au moins deux tronçons élastiques et au moins une plaque métallique empilés selon l’axe longitudinal, la ou les plaques métalliques étant intercalées entre deux tronçons élastiques.
Dans un mode de réalisation préféré, le pilier flexible présente une section transversale de forme carrée.
Dans un mode de réalisation particulier, le pilier flexible présente une section transversale de forme rectangulaire pourvue d’une longueur destinée à s’étendre selon la direction d’une envergure de la gouverne à géométrie variable sur laquelle il est destiné à être fixé.
Le carter 2 forme dans ce mode de réalisation la pièce de référence par rapport à laquelle l’alignement des composants de l’onduleur est réalisé. Néanmoins, au lieu d’utiliser des goupilles rapportées, deux doigts de centrage 24 sont directement formés par le carter 2, c’est-à-dire qu’ils sont monoblocs avec le carter.
Les doigts de centrage 24 peuvent en particulier être usinés dans la masse du carter.
Tout comme les goupilles 11 du mode de réalisation décrit précédemment en référence aux figures 1 à 9, les doigts de centrage 24 sont des éléments rigides allongés, qui sont situés à distance l’un de l’autre et qui s’étendent parallèlement entre eux. Ils présentent une section constante, ce qui leur confère une forme générale cylindrique ou prismatique. Leur extrémité peut néanmoins être biseautée ou arrondie pour faciliter l’insertion des composants à aligner.
La formation de doigts de centrage directement issus de matière avec le reste du carter 2 présente plusieurs avantages. La chaîne de côte pour l’alignement des composants est simplifiée, car un « maillon » de cette chaine est supprimé comparativement à la solution utilisant des goupilles rapportées. Il en résulte moins de dispersions et plus de précision. Alternativement, une tolérance légèrement supérieure peut être appliquée dans la formation des doigts de centrage tout en garantissant la précision d’alignement souhaitée. De manière générale, une précision plus grande peut être obtenue car les doigts de centrage sont solidaires du carter. L’usinage des doigts de centrage 24 et l’usinage du reste du carter 2 sont réalisés dans un même référentiel.
Enfin, cette solution supprime une opération de montage, dans la mesure où les éléments de centrage, à savoir les doigts de centrage, n’ont pas à être mis en place lors de l’assemblage car ils sont déjà présents, formés par le carter.
L’invention ainsi développée permet d’obtenir de manière simple un alignement correct entre trois composants ou plus d’un onduleur. Cela permet de réunir sur une seule carte électronique des fonctions, qui nécessitent un positionnement physique de la carte précis vis-à-vis d’autres composants de l’onduleur, généralement gérées par plusieurs cartes. Cela permet également un montage fiable et sûr de la carte « en aveugle », c’est-à-dire sans pouvoir contrôler visuellement, lors du montage de la carte dans l’onduleur, son bon alignement des éléments avec lesquels elle est en interaction.
Procédé de protection contre une surtension dans un système comportant une batterie, un onduleur et une machine électrique L’invention porte sur le domaine de la sûreté de fonctionnement d’un système électrique comportant un onduleur et une machine électrique, et porte plus particulièrement sur la protection contre les surtensions.
La présente invention porte ainsi sur la protection d’un tel système électrique, par un procédé approprié permettant un pilotage adapté de l’onduleur employé pour contrôler la machine électrique, à savoir une machine électrique rotative, en cas de surtension. L’invention trouve une application préférentielle dans les systèmes de traction pour véhicule automobile électrique ou hybride.
L’onduleur est un appareil permettant de générer un courant alternatif à partir d'un courant continu issu d’une source électrique telle qu’une batterie.
Les onduleurs comportent un étage de puissance comportant par exemple des modules de puissance, et plus généralement l’électronique de puissance de l’onduleur. L’étage de puissance comporte un ensemble d'interrupteurs électroniques.
Plusieurs technologies d’interrupteurs électroniques peuvent être utilisées dans un onduleur employé dans un système de traction électrique d’un véhicule, parmi lesquelles : - les transistors bipolaires à grille isolée, également appelés « IGBT », de l'anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor », et - les transistors à effet de champ à grille isolée également appelés « MOSFET », acronyme anglais de « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor », qui peut se traduire par « transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur », et en particulier les transistors de puissance au Carbure de Silicium (SiC).
Par un jeu de commutations commandées de manière appropriée (généralement une modulation de largeur d'impulsion), l’onduleur module la source afin d'obtenir un courant alternatif de fréquence désirée pour entraîner une machine électrique.
Dans un mode de fonctionnement dit de régénération, la machine électrique contrôlée par l’onduleur est employée comme générateur et permet de recharger la batterie.
Néanmoins, lors des phases de régénération, une déconnexion d’une ou plusieurs charges électriques (c’est-à-dire de consommateurs électriques) et/ou de la batterie peut entrainer une surtension dans le système. Ce phénomène de déconnexion d’une charge est généralement désigné par l’Homme du métier par l’expression anglophone « load dump ». On peut traduire imparfaitement l’expression « load dump » par « chute de charges » ou « perte de charge », mais cette expression est également parfois traduite en français par sa conséquence, à savoir par le terme « surtension ».
Une surtension provoquée par un phénomène de load dump peut avoir des conséquences néfastes sur des composants de l’onduleur, en particulier sur les capacités électriques qu’il comporte (condensateurs), et/ou sur d’autres composants du système. En particulier, une déconnexion de la batterie, pour quelque raison que ce soit, tandis qu’elle est rechargée par la machine électrique, correspond à la déconnexion de la principale charge électrique du système, et peut provoquer une surtension importante dans l’onduleur.
Afin de protéger les composants du système, il est connu, en cas de surtension, d’appliquer à l’onduleur un mode de sécurité appelé « ASC » selon l’acronyme anglais de « Active Short Circuit » signifiant « court-circuit actif », associé à une décharge active. L’application de ce mode requiert le pilotage des interrupteurs électroniques (par exemple des IGBT).
correspond aussi à pour encore une autre structure d’antenne ;
correspond de même à pour encore une autre structure d’antenne ;
montre un détecteur qui est conforme à l’invention et muni de moyens de détection d’échauffement d’un premier type ;
correspond à pour des moyens de détection d’échauffement d’un deuxième type ;
montre une variante d’agencement pour le détecteur de ;
correspond à pour un premier perfectionnement de l’invention ;
correspond à pour un deuxième perfectionnement de l’invention ;
correspond à pour un troisième perfectionnement de l’invention ;
est une vue en plan d’une partie photosensible de structure bidimensionnelle conforme à l’invention ;
est une section transversale d’un capteur d’images qui incorpore la structure bidimensionnelle de ;
correspond à pour un perfectionnement de l’invention ; et
correspond à pour des moyens de détection d’échauffement d’un troisième type.
Description détaillée de l’invention Pour raison de clarté, les dimensions des éléments qui sont représentés dans ces figures ne correspondent ni à des dimensions réelles, ni à des rapports de dimensions réels. En outre, certains de ces éléments ne sont représentés que symboliquement, et des références identiques qui sont indiquées dans des figures différentes désignent des éléments identiques ou qui ont des fonctions identiques.
Dans toutes les figures, les références indiquées ci-dessous ont les significations suivantes : 1 détecteur unitaire de rayonnement électromagnétique, qui est conforme à l’invention, R rayonnement électromagnétique à détecter et qui est incident sur le détecteur 1 en provenance d’une source externe, 2 antenne à fonction de concentration du rayonnement électromagnétique R, ZC zone de concentration du champ électrique, et 3 portion absorbante, située dans la zone de concentration ZC.
Les modes de réalisation qui sont décrits en référence à - peuvent être réalisés sur des substrats de polymères, tels que des films de polyéthylène téréphtalate ou PET, ou des films de polyimide, ou encore des supports en aérogel. De tels supports, désignés par la référence 5, sont isolants électriquement et thermiquement, et dans le cas de films de polymères, ils peuvent avoir une épaisseur inférieure à 10 µm, par exemple égale à 3 µm environ. Des substrats qui sont en plus transparents dans le domaine infrarouge peuvent avantageusement être utilisés lorsque les moyens de détection d’échauffement sont basés sur un ou plusieurs capteur(s) infrarouge(s). De tels substrats qui sont à la fois isolants thermiquement et transparents dans le domaine infrarouge peuvent être en bromure de potassium (KBr), iodure de césium (CsI) ou en chlorure de potassium (KCl), par exemple.
Les premiers détecteurs 1 qui sont décrits maintenant en référence à - comprennent chacun une ou plusieurs portion(s) d’une couche métallique qui est déposée sur une même surface S du substrat 5. La couche métallique peut avoir une épaisseur de 0,1 µm par exemple, et être constituée d’or (Au), d’argent (Ag) ou d’aluminium (Al) de façon non-limitative. Alternativement, elle peut être constituée d’un matériau semiconducteur dégénéré, tel que du silicium (Si) fortement dopé ou de l’oxyde d’indium dopé à l’étain (ITO). Dans le mode de réalisation de et , l’antenne 2 est de type dipolaire et constituée par deux portions 2a et 2b de la couche métallique. Chacune des portions 2a et 2b possède une forme de segment étroit et allongé, avec l’une des extrémités du segment en forme de pointe. Pa (respectivement Pb) désigne l’extrémité du segment 2a (resp. 2b) qui est en forme de pointe, par exemple avec un rayon de courbure d’environ 20 µm. La longueur L de chaque segment 2a, 2b est à ajuster en fonction de la bande spectrale de résonance qui est voulue pour l’antenne 2, dans le domaine Térahertz ou dans le domaine infrarouge, et du principe de fonctionnement de l’antenne dipolaire qui est connu de l’Homme du métier. Les deux segments 2a et 2b sont parallèles à un même axe longitudinal A-A, opposés par leurs extrémités en pointe Pa et Pb, et séparés entre celles-ci par une distance D qui peut être égale à 100 µm. Dans ces conditions, la longueur d’onde de résonance de l’antenne 2, notée λ res , est donnée approximativement par la formule empirique : où n s est l’indice de réfraction du substrat 5, et a et b sont deux constantes qui dépendent notamment de la largeur des segments 2a et 2b, leur épaisseur et leur forme de bord. La zone de concentration du champ électrique ZC est alors localisée entre les deux extrémités Pa et Pb des segments 2a et 2b. L’antenne 2 produit ainsi une exaltation du champ électrique du rayonnement R dans la zone ZC, avec un facteur d’exaltation qui peut être de l’ordre de dix mille.
La portion absorbante 3 peut être constituée de nanotubes de carbone, ou CNT pour «carbon nanotubes» en anglais. Alternativement, elle peut être constituée de suie ou de graphène. Elle peut avoir des diamètres dans toutes les directions et une épaisseur qui sont inférieurs à 40 µm, et être disposée autour d’un point central de la zone de concentration ZC.
L’antenne 2 de et est sélective en fonction de la direction de polarisation linéaire du rayonnement R. Il est possible de compléter cette antenne conformément à pour obtenir une sensibilité qui est indépendante de la direction de polarisation linéaire du rayonnement R. Pour cela, deux segments 2c et 2b de la couche métallique, qui sont identiques aux segments 2a et 2b, sont ajoutés en étant parallèles à l’axe B-B qui est orthogonal à l’axe A-A. L’antenne 2 ainsi obtenue est invariante par rotation de 90° (degré) autour d’un axe qui est perpendiculaire à la surface S du substrat 5 et qui passe par le centre de la portion absorbante 3. L’antenne de est dite d’un modèle en forme de croix.
illustre encore un autre modèle d’antenne 2, dit en nœud papillon, et pour lequel les deux portions de couche métallique 2e et 2f sont chacune en forme de triangle isocèle et sont opposées par leurs sommets principaux. Les deux portions 2e et 2f sont encore séparées par un intervalle entre leurs sommets principaux, et ont l’axe A-A comme axe de symétrie commun. Dans ce cas, la zone de concentration ZC est située entre les sommets principaux des triangles isocèles.
illustre encore un autre modèle d’antenne 2, dit à anneau fendu ou «split ring» en anglais. L’antenne 2 est alors constituée d’une portion de couche métallique 2g en forme d’anneau, cet anneau étant pourvu d’un intervalle d’interruption qui est situé entre deux bords Bg de l’anneau orientés sensiblement radialement. Pour ce modèle d’antenne 2, la zone de concentration du champ électrique ZC est située entre les deux bords Bg, et la portion absorbante 3 située dans celle-ci. A titre d’exemple, un tel modèle d’antenne peut présenter une résonance autour de la valeur de longueur d’onde 2 mm, lorsque l’anneau possède un rayon moyen sensiblement égal à 160 µm, une différence entre ses rayons externe et interne sensiblement égale à 50 µm, une épaisseur de couche métallique égale à 1 µm et une largeur d’intervalle d’interruption égale à 50 µm.
illustre un modèle d’antenne 2 à deux anneaux fendus. L’antenne 2 est ainsi constituée de deux portions de couche métallique 2g et 2h chacune en forme d’anneau, concentriques et logées l’une à l’intérieur de l’autre en étant indépendantes. Chaque portion en anneau 2g (respectivement 2h) est pourvue d’un intervalle d’interruption qui est situé entre deux bords Bg (resp. Bh) de l’anneau correspondant, orientés sensiblement radialement. L’article intitulé «Investigation of magnetic resonances for different split-ring resonator parameters and designs», de Koray Aydin et al., New Journal of Physics 7, 168 (2005) présente des variations de la bande spectrale de résonance de plusieurs antennes de ce type et de modèles dérivés. Le modèle d’antenne 2 de présente deux zones de concentration du champ électrique ZC, entre les deux bords Bg de la portion en anneau 2g et entre les deux bords Bh de la portion en anneau 2h. La portion absorbante 3 peut alors être située dans l’une ou l’autre de ces deux zones de concentration du champ électrique ZC.
D’autres structures d’antennes peuvent encore être utilisées alternativement dans un détecteur 1 conforme à l’invention. Par exemple, pour une structure dite métal-isolant-métal et telle que représentée dans , le substrat peut être maintenant une feuille métallique désignée par la référence 5’, par exemple une feuille d’or d’épaisseur approximativement égale à 500 nm (nanomètre). Une surface S’ de ce substrat 5’ est recouverte par une couche 6 d’un matériau diélectrique, et une portion de couche métallique 7 est formée sur la couche 6, du côté de celle-ci qui est opposé au substrat 5’. La portion métallique 7 peut avoir une forme de bâtonnet dans un plan parallèle à la surface du substrat 5’, une forme carrée, circulaire ou autre. De telles antennes sont connues de l’Homme du métier et décrites notamment dans l’article intitulé "Rapid prototyping of flexible terahertz metasurfaces using a microplotter", de A. Salmon et al., Optics Express 29, 8617 (2021). Leur bande spectrale de résonance dépend de l’épaisseur de la couche diélectrique 6 et des dimensions de la portion métallique 7. La zone de concentration du champ électrique ZC est située dans la couche diélectrique 6, avec deux parties de cette zone qui sont chacune au niveau d’une extrémité de la portion métallique 7 lorsque celle-ci a une forme de bâtonnet.
Encore une autre structure qui est possible pour l’antenne 2 d’un détecteur 1 conforme à l’invention est de type résonateur de Helmholtz électromagnétique, comme illustré par . Dans une telle structure, le substrat 5’ est métallique, par exemple en or, avec une surface supérieure, de préférence plane, qui est encore notée S’. Un volume V qui est constitué d’un milieu isolant électrique est formé en dessous de la surface S’, au sein du substrat 5’. Ce volume V peut être rempli avec un gaz quelconque ou rempli de matériau diélectrique. Par exemple, le volume V présente une grande dimension perpendiculairement au plan de . Il est séparé de l’extérieur du substrat 5’ par deux portions métalliques P1 et P2, en dehors d’un intervalle d’interruption entre ces deux portions métalliques P1 et P2. Bien que les portions métalliques P1 et P2 soient représentées en continuité avec le substrat 5’, elles peuvent être formées par des portions d’une couche métallique qui est déposée par-dessus le diélectrique de remplissage du volume V, et par-dessus des parties du substrat 5’ qui limitent latéralement le volume V. De tels résonateurs de Helmholtz électromagnétiques sont aussi connus de l’Homme du métier, et décrits notamment dans l’article intitulé "Optical Helmholtz resonators", de P. Chevalier et al., Applied Physics Letters 105, 071110 (2014). Des structures dérivées de ces résonateurs de Helmholtz électromagnétiques sont connues de même, pour lesquelles les volumes V de résonateurs voisins ne sont pas séparés par des cloisons métalliques intermédiaires, tout en conservant un fonctionnement électromagnétique qui est similaire. Pour toutes ces structures d’antenne conformes au principe de résonateur de Helmholtz, la zone de concentration du champ électrique ZC est située entre les deux bords E respectifs des portions P1 et P2, qui sont en vis-à-vis.