INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif selon la présente invention offre une solution dite verte et décarboné de production électrique par le biais de cellule thermoélectrique a effet Seebeck. La chaleur est produite par une synergie de moyens, telle que la concentration de rayon solaires par lentille de Fresnel, pour fondre un medium (produit) caloporteur (tel que le nitrate de lithium), apportant la chaleur nécessaire à au moins une cellule thermoélectrique a effet Seebeck. Par conduction thermique, le froid étant apporté par un liquide froid circulant dans un autre réservoir, pouvant être de l’eau froide, le système peut fonctionner même après le coucher du soleil. Si on utilise des récipients préalablement chauffés par la lentille durant la journée, comme des accumulateurs thermiques (pile a chaleur), celles-ci peuvent restituer la chaleur pendant la nuit par conduction thermique de la même manière que le système diurne. Les réservoir de produit caloporteur (tel qu’un sel fondu) peuvent en outre être placés si besoin sur un ensemble appelé chariot remplaçant le container de chaleur épuiser, fournissant ainsi une solution constante en journée et/ou pendant la nuit.
En outre, certains aspects de la présente invention peuvent être décrits sous forme de clauses :
Clause 1 : le procédé est dit vert ou renouvelable car la chaleur nécessaire au fonctionnement des cellules thermoélectrique à effet Seebeck est produite par le rayonnement solaire passant à travers une lentille de Fresnel (1), utilisé pour fondre du nitrate de lithium, ou une autre solution ayant un rôle caloporteur, de préférence nitrate de lithium pour ces qualités de stockage et restitution thermique.
Clause 2 : L'isolation par les parties en verre (18),(19),(20), du sandwich, et le système de vis ou rivets du haut et du bas ont pour but d'empêcher au maximum le réchauffement de la plaque (16), par conduction thermique de la plaque (15).
Clause 3 : La chaleur du nitrate de lithium ou autre medium caloporteur, fondue est utilisé pour transmettre par conduction thermique la chaleur nécessaire au cellule thermoélectrique Seebeck, pour le coté chaud de la cellule.
Clause 4 : Le contenant du medium caloporteur est hermétique à l’air à une atmosphère au niveau de la mer, grâce à un clapet de pression, (9), ayant pour but de permettre d’aspirer l’air ambiant, afin de le remplacer par de l’azote gazeux, dans le but de limiter l’absorption de l’humidité de l’air ambiant par le nitrate de lithium, et de remplir la cuve en nitrate de lithium.
Clause 5 : Le design de la cage de verre en forme de cube (6) et sans parois du fond, le fond (7) étant en matériau de conduction thermique le plus élevé possible et sceller à la cage de verre (6) constituant un seul ensemble hermétique le matériau du fond étant de préférence le graphène. Le verre de la cuve en verre (6) a l’avantage de limiter la corrosion et l’abrasion sur des parties qui seraient sinon en métal ou sensible à la corrosion ou oxydation par exemple. 6) Les pertes thermiques sont minimiser par le design de type thermos, par les parois de verre (6), et l’espace d’air (8) entre le verre et la paroi aluminium (5) contenant de l’air, permettant que le maximum de chaleur soit conservé et utilisé par conduction thermique à travers le graphène (7).
De manière davantage préférée, le bêta-hydroxyacide est choisi parmi acide salicylique, acide 5-n-octanoyl salicylique, acide 5-n-décanoyl salicylique, acide 5-n-dodécanoyl salicylique, acide 5-n-heptyloxy salicylique, acide 4-n-heptyloxy salicylique et leur combinaison.
De préférence, le bêta-hydroxyacide est l’acide salicylique.
L’acide salicylique, ou acide 2-hydroxybenzoïque, est fourni à la composition de gommage chimique pour permettre une meilleure pénétration de la composition dans la peau. L’acide salicylique pénètre plus profondément dans la peau que les alpha-hydroxyacides, tels que l’acide lactique.
Avantageusement, s’il est présent, le bêta-hydroxyacide est présent en une quantité allant de 0,3 % en poids à 10 % en poids, de préférence de 0,5 % en poids à 5 % en poids, et de manière davantage préférée de 1 % en poids à 4 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Les inventeurs ont constaté que la composition selon la présente invention peut éliminer efficacement le sébum tenace. Lorsque l’alpha-hydroxyacide et le bêta-hydroxyacide, notamment l’acide lactique et l’acide salicylique ou son dérivé, l’acide lactique peut décomposer la protéine de desmosomes et décoller les cellules mortes, tandis que l’acide salicylique ou son dérivé peut pénétrer profondément dans les follicules et y détendre le sébum tenace. Ainsi, l’association de tensioactif et d’hydroxyacides apporte un effet nettoyant durable.
Polymère(s) cationique(s) La composition selon la présente invention comprend au moins un polymère cationique.
De préférence, les polymères cationiques peuvent comprendre des motifs monomères dérivés d’un monomère substitué par amine et/ou ammonium quaternaire et/ou des monomères espaceurs compatibles.
Les polymères cationiques convenables incluent, par exemple : les copolymères de 1-vinyl-2-pyrrolidine et de sel de 1-vinyl-3-méthyl-imidazolium (par exemple, le sel de chlorure) (appelés Polyquaternium-16) tels que ceux disponibles commercialement auprès de BASF sous la marque LUVIQUAT (par exemple, LUVIQUAT FC 370) ; les copolymères de 1-vinyl-2-pyrrolidine et de méthacrylate de diméthylaminoéthyle (appelés Polyquaternium-11) tels que ceux commercialisés par Gar Corporation (Wayne, N.J., USA) sous la marque GAFQUAT (par exemple, GAFQUAT 755N) ; et un polymère cationique contenant un ammonium quaternaire diallylique incluant, par exemple, un homopolymère de chlorure de diméthyldiallyammonium et des copolymères d’acrylamide et de chlorure de diméthyldiallyammonium (appelés Polyquaternium-6 et Polyquaternium-7).
D’autres polymères cationiques qui peuvent être utilisés incluent les polymères de polysaccharide, tels que les dérivés cationiques de cellulose et les dérivés cationiques de l’amidon. La cellulose cationique peut être obtenue auprès d’Amerchol Corp. (Edison, N.J., États-Unis) dans leurs gammes de polymères Polymer JR (marque déposée) et LR (marque déposée), sous forme de sels d’hydroxyéthyl cellulose ayant réagi avec un époxyde substitué par triméthylammonium (appelé Polyquaternium-10). Un autre type de cellulose cationique inclut les sels d’ammonium quaternaire polymériques d’hydroxyéthyl cellulose ayant réagi avec un époxyde substitué par lauryldiméthylammonium (appelé Polyquaternium-24). Ces matériaux sont disponibles auprès d’Amerchol Corp. (Edison, N.J., USA) sous le nom commercial Polymer LM-200. En outre ou en variante, les polymères cationiques de conditionnement peuvent inclure ou être choisis parmi les dérivés cationiques de gomme de guar, tels que le chlorure d’hydroxypropyltrimonium de guar.
De préférence, le polymère cationique est choisi parmi les polyquaterniums.
De manière davantage préférée, le polymère cationique est choisi parmi les polyquaternium-1, polyquaternium-2, polyquaternium-3, polyquaternium-4, polyquaternium-5, polyquaternium-6, polyquaternium-7, polyquaternium-8, polyquaternium-9, polyquaternium-10, polyquaternium-11, polyquaternium-12, polyquaternium-13, polyquaternium-14, polyquaternium-15, polyquaternium-16, polyquaternium-17, polyquaternium-18, polyquaternium-19, polyquaternium-20, polyquaternium-21, polyquaternium-22, polyquaternium-23, polyquaternium-24, polyquaternium-25, polyquaternium-26, polyquaternium-27, polyquaternium-28, polyquaternium-29, polyquaternium-30, polyquaternium-40, polyquaternium-41, polyquaternium-42, polyquaternium-43, polyquaternium-44, polyquaternium-45, polyquaternium-46, polyquaternium-47, polyquaternium-48, polyquaternium-49, polyquaternium-50, polyquaternium-51, polyquaternium-52, polyquaternium-53, polyquaternium-54, polyquaternium-55, polyquaternium-56, polyquaternium-57, polyquaternium-58, polyquaternium-59, polyquaternium-60, polyquaternium-61, polyquaternium-62, polyquaternium-63, polyquaternium-64, polyquaternium-65, polyquaternium-66, polyquaternium-67, et une combinaison de ceux-ci.
De manière préférée entre toutes, le polymère cationique est le polyquaternium-30.
Avantageusement, le polymère cationique est présent en une quantité allant de 0,05 % en poids à 5 % en poids, de préférence de 0,1 % en poids à 3 % en poids, de manière davantage préférée de 0,15 % en poids à 2 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Agent chélateur La composition selon la présente invention comprend au moins un agent chélateur.
De préférence, l’agent chélateur est choisi parmi les acides aminocarboxyliques et leurs sels.
Les sels sont notamment les sels de métal alcalin, de métal alcalino-terreux, d’ammonium et d’ammonium substitué.
Par exemple, les supports d’élément applicateur 4 ne font pas saillie radialement de l’enveloppe 10, vers l’extérieur et/ou vers l’intérieur. Alternativement ou en complément, les supports d’élément applicateur 4 peuvent être en saillie et/ou en retrait radialement par rapport à l’enveloppe 10.
Les supports d’élément applicateur 4 peuvent être compris dans l’enveloppe convexe de l’enveloppe 10. L’enveloppe convexe de l’enveloppe 10 est le solide virtuel convexe le plus petit contenant l’enveloppe 10.
Par exemple, dans le cas d’une enveloppe 10 en forme de cylindre de révolution, les supports d’élément applicateur 4 sont situés à une distance de l’axe principal A inférieure ou égale au rayon extérieur de l’enveloppe 10.
Les supports d’élément applicateur 4 s’étendent selon une direction tangentielle et/ou axiale.
De cette façon, l’application d’un effort radial sur les supports d’élément applicateur 4, par exemple dû au contact de la brosse 1 avec les cils d’une utilisatrice par l’intermédiaire des éléments applicateurs 5, entraîne une déformation des supports d’élément applicateur 4 selon une direction radiale. De cette façon, le suivi d’un cil est facilité.
La section transverse des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 0,25 mm² et 5 mm², de préférence entre 1 mm² et 2 mm². La section transverse est transverse à la direction selon laquelle les supports d’élément applicateur 4 s’étendent en porte-à-faux, notamment depuis l’enveloppe 10.
Un exemple de surface S sur laquelle est mesurée la section transverse est représentée en pointillé sur la . On comprend que la surface S est représentée par un segment rectiligne sur la car elle s’étend également dans une direction hors du plan de la .
La largeur des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 0,25 mm et 5 mm, de préférence entre 1 mm et 3 mm. La largeur correspond à la largeur moyenne de la surface S mesurée selon une direction dans le plan du support d’élément applicateur 4, éventuellement courbe, et perpendiculaire à la direction selon laquelle le support d’élément applicateur 4 s’étend en porte-à-faux.
Dans le cas d’espèce, la largeur des supports d’élément applicateur est mesurée le long du tracé en pointillé de la surface S et est mesurée selon la direction de l’axe principal A.
Les supports d’élément applicateur 4 peuvent présenter un rétrécissement au niveau de l’extrémité fixe 4A, où la section transverse des supports d’élément applicateur 4 est minimale. En son minimum, la section transverse des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 0,25 mm² et 2 mm². En son minimum, la largeur des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 0,5 mm et 3 mm.
Une telle section transverse permet d’assurer la flexibilité des supports d’élément applicateur 4.
Les supports d’élément applicateur 4 peuvent également présenter un élargissement, l’élargissement étant caractérisé par une position où la section transverse des supports d’élément applicateur 4 est maximale. En son maximum, la section transverse des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 2 mm² et 5 mm². La position où la section transverse de l’élargissement est mesurée est située entre l’extrémité fixe 4A et l’extrémité libre 4B. Par exemple, la position où la section transverse de l’élargissement est mesurée peut être plus proche de l’extrémité libre 4B que de l’extrémité fixe.
En son maximum, la largeur des supports d’élément applicateur 4 est comprise entre 3 mm et 5 mm.
Une telle section transverse permet, comparativement à la section transverse du rétrécissement, de rigidifier localement les supports d’élément applicateur 4, notamment au niveau de l’élément applicateur 5 lui-même.
De cette façon, la déformation des supports d’élément applicateur 4 est principalement une flexion et/ou une torsion due à la déformation au niveau du rétrécissement.
Le mécanisme de déformation des supports d’élément applicateur 4 est alors simplifié, ce qui permet d’assurer un meilleur contrôle du suivi de cils lors de l’application de formule.
Grâce au dispositif de tri selon la présente invention, il devient alors possible d’obtenir un tri efficace des matières dangereuses, tout en assouplissant les procédures et protocoles liés à la protection des opérateurs en charge dudit tri. L’opérateur est alors plus disponible pour les opérations de tri, et est moins accaparé par les contraintes de sécurité à respecter en cas de travail en zone confinée.
En particulier, le dispositif de tri prévoit un moyen de vidage commandable permettant à l’opérateur de manipuler des vracs de matières dangereuses sans avoir à les toucher ni à les soulever. Un tel moyen de vidage permet notamment d’acheminer vers la zone de tri la quantité voulue et adéquate de matières dangereuses, pour en permettre le tri, de manière simple et ergonomique pour l’opérateur. Le dispositif de tri permet ainsi de traiter directement des vracs de matières dangereuses conditionnées et transportées de manière sécurisée, jusqu’ à l’étape de tri, sans exposition de l’opérateur auxdites matières dangereuses.
Préférentiellement, le dispositif comprend également des moyens de protection configurés pour protéger la zone d’accueil des zones d’arrivée et/ou de tri.
Préférentiellement, les moyens de protection sont configurés pour éviter un contact direct entre la personne présente dans la zone d’accueil et le contenu des zones d’arrivée et/ou de tri, par exemple une boite à gants, des parois hermétiques et/ou des moyens de dépression configurés pour créer une circulation d’air de la zone d’accueil vers la zone d’arrivée puis vers la zone de tri.
Afin de protéger la zone d’accueil, le dispositif de tri peut comporter des moyens de protection tels que une boite à gants pour le tri manuel, des moyens hermétiques et/ou des moyens de dépression pour empêcher la circulation de matières dangereuses depuis la zone d’arrivée ou de tri vers la zone d’accueil.
Préférentiellement, le moyen de vidage comprend un support inclinable et/ou basculant.
Le moyen de vidage a pour but de permettre le déconditionnement, à distance, des vracs de matières dangereuses tout en limitant les contacts entre celles-ci et l’opérateur. Les vracs de matières dangereuses sont conçus pour permettre le stockage et le transport desdites matières dangereuses en toute sécurité et en limitant les fuites. Le moyen de vidage est ainsi configuré pour permettre le vidage partiel ou total du vrac vers la zone de tri, de manière aisée pour l’opérateur. Le support inclinable et/ou basculant permet notamment d’orienter le vrac disposé dessus, afin d’en vider le contenu sans nécessiter un contact direct avec l’opérateur.
Préférentiellement, le moyen de vidage comprend un moyen de soulèvement, par exemple un treuil, de préférence décentré.
Le moyen de soulèvement, de préférence décentré, peut également permettre d’incliner le vrac de matières dangereuses, afin d’en vider le contenu. En particulier, le treuil peut être actionné à distance, depuis la zone d’accueil, par l’opérateur, ou bien à l’aide d’un moteur commandé, pour récupérer la quantité de matières dangereuses voulues par l’opérateur.
Préférentiellement, la zone d’arrivée est configurée pour recevoir les matières dangereuses dans un contenant souple, par exemple en forme de grand sac, et le moyen de vidage comporte également des moyens de coopération avec une surface extérieure du contenant souple, ou avec une sangle du contenant souple.
Afin d’améliorer le vidage du vrac, en particulier lorsque le contenant est souple, le moyen de vidage peut comporter des moyens de coopération permettant de retenir ou bien de maintenir en forme le contenant lors du retrait des matières dangereuses, notamment afin de limiter les quantités restant à l’intérieur et/ou les déversements incontrôlés ou en grandes quantités.
Préférentiellement, la zone d’arrivée est configurée pour recevoir les matières dangereuses dans un contenant rigide, par exemple parallélépipédique tel qu’une caisse ou une caisse-palette, et le moyen de vidage comporte éventuellement des moyens de coopération avec une surface extérieure du contenant rigide, par exemple avec des évidements inférieurs.
Dans le cas d’un contenant rigide, le moyen de vidage peut comporter des moyens de coopération permettant d’empêcher un basculement dudit contenant avec les matières dangereuses.
Préférentiellement, le dispositif comprend également une zone intermédiaire, entre la zone d’arrivée et la zone de tri, dans laquelle les matières dangereuses à trier sont vidées depuis la zone d’arrivée avant d’être acheminées vers la zone de tri.
La zone intermédiaire permet de former une zone tampon entre la zone d’arrivée et la zone de tri. En particulier, la zone intermédiaire peut permettre de limiter la quantité de matières dangereuses arrivant dans la zone de tri, sans nécessiter une manipulation trop fréquente du moyen de vidage pour récupérer une quantité limitée de matières dangereuses. Au contraire, une quantité importante de matières dangereuses peut être récupérée dans la zone intermédiaire, avant de transférer des plus petites portions vers la zone de tri, de manière régulière.
Préférentiellement, la zone intermédiaire comprend un moyen d’acheminement des matières dangereuses présentes dans la zone intermédiaire, vers la zone de tri, par exemple une surface inclinée ou inclinable.
La représente un schéma électrique équivalent de pixels d'un mode de réalisation d'un capteur d'image.
Le capteur comporte un arrangement matriciel de pixels identiques, organisés en lignes et en colonnes. La ne représente, pour simplifier, que deux pixels Pi-1 et Pi de lignes Li-1 et Li consécutives d'une même colonne Cj, i variant de 1 à n, où n représente le nombre de lignes de la matrice et j variant de 1 à m, où m représente le nombre de colonne de la matrice.
Dans l'exemple de la , les pixels de la matrice de pixels présentent une architecture de pixel de type 4T, c'est-à-dire que chaque pixel Px comprend un photodétecteur ou photodiode PD et quatre transistors TG, RST, SF et RS. Structurellement, chaque pixel peut être divisé en un site photoélectrique (Photosite) et un circuit de lecture, contenus dans une même portion d'un substrat semiconducteur, isolée électriquement des portions dans lesquelles sont réalisés les autres pixels. Le site photoélectrique comporte la photodiode PD et un transistor TG de transfert des charges vers le circuit de lecture, généralement appelé grille de transfert (transfer gate). Le circuit de lecture comporte trois transistors MOS RST, SF et RS, et est formé dans un caisson dopé, par exemple dopé de type N, formé dans la portion du substrat. Un exemple de structure de pixel sera décrit ultérieurement en relation avec la . Les transistors de transfert TG d'une même ligne Li ont leurs grilles interconnectées et les transistors de même nature des circuits de lecture sont interconnectés en colonne.
Par convention, on fera par la suite référence à un pixel de rang i, i comme étant un pixel dont le site photoélectrique est contenu dans la ligne de rang i et dans la colonne de rang j. Autrement dit, un pixel de rang i,j est le pixel dont le site photoélectrique est à l'intersection de la ligne i et de la colonne j.
Dans les modes de réalisation visés par la présente description, la lecture d'un site photoélectrique d'un pixel Pi,j, c'est-à-dire d'une ligne Li et d'une colonne Cj s'effectue par le circuit de lecture formé dans un caisson dopé de type N d'un pixel d'au moins une ligne précédente Li-1 de la même colonne Cj ou d'une autre colonne, par exemple la colonne Cj+1 ou la colonne Cj-1.
Le photosite du pixel Pi comprend un photodétecteur PDi et un transistor de transfert TGi. En pratique, le photodétecteur PDi est une photodiode symbolisée en par une diode Di en parallèle avec un condensateur Capi représentant la capacité interne de la photodiode Di. La photodiode Di comprend une anode reliée, de préférence connectée, avec une électrode du condensateur Capi, à un noeud Ai, et une cathode reliée, de préférence connectée, avec l'autre électrode du condensateur Capi, à un noeud VREF à un potentiel de référence. Le noeud Ai est connecté à la source du transistor TGi, le drain du transistor représentant un noeud de lecture SNi du pixel Pi. La grille du transistor de transfert est destinée à recevoir un signal CMD-TGi de commutation de charge de la photodiode PDi vers le noeud de lecture SNi, ou signal de sélection de ligne CMD-TGi.
Comme mentionnée précédemment, le site photoélectrique du pixel Pi est lu par le circuit de lecture formé dans le caisson dopé de type N, noté ci-après caisson NWELLi-1, de la portion de substrat dans laquelle est formé le photosite du pixel Pi-1 de la ligne de rang précédent et, de préférence, de la même colonne j.
Le circuit de lecture du pixel Pi-1, associé au photosite du pixel Pi, comprend un transistor SFi de lecture, monté en source suiveuse (source follower), dont la grille est connectée au noeud de lecture SNi du pixel Pi, dont le drain est relié, de préférence connecté, à un noeud d'application d'un potentiel de polarisation VSF (par exemple 0V), et dont la source Ei est reliée, de préférence connectée, à la source d'un transistor de sélection RSi. La grille du transistor de sélection RSi est destinée à recevoir un signal CMD-RSi de sélection de la ligne i. Le drain du transistor RSi est relié, de préférence connecté, à un noeud de sortie ReadCj, commun aux pixels de la colonne j. Le circuit de lecture du pixel Pi-1 comporte en outre un transistor RSTi de réinitialisation, dont la source est reliée, de préférence connectée, au noeud de lecture SNi du pixel Pi, dont le drain est relié à un noeud d'application d'un potentiel de réinitialisation VRST, et dont la grille est destinée à recevoir un signal de commande CMD_RSTi de réinitialisation des pixels de la ligne i. Ainsi tous les transistors du circuit de lecture associé au photosite du pixel Pi sont formés dans le caisson NWELLi-1 du pixel Pi-1.
Les transistors TG, RST, SF, RS sont tous des transistors à effet de champ, et plus particulièrement des transistors de type MOS (Metal Oxide Semiconductor), par exemple des transistors MOS à canal P, ou transistors PMOS.
Selon les modes de réalisation décrits, les tensions de polarisation des caissons dopés des pixels d'une même ligne sont communes. Les tensions de polarisation des caissons sont commandables par ligne de façon à pouvoir être différentes d'une ligne à l'autre. Ainsi, les transistors RSTi, SFi et RSi reçoivent, au niveau de leur borne de substrat, une tension V-NWELLi-1 de polarisation du caisson NWELLi-1. Selon une variante de réalisation, chaque transistor RSTi, SFi, RSi peut être formé dans un caisson dopé de type N différent polarisé avec des tensions de polarisation différentes, communes par ligne, pour des transistors de même nature.
Les figures 2 et 3 sont des vues, respectivement, en coupe et de dessus, partielles et simplifiées, d'une structure d'un pixel Px d'une matrice de pixels d'un capteur d'image du type des pixels décrits en relation avec la .
Les figures 2 et 3 sont très schématiques et ne représentent pas toutes les couches ou zones du pixel Px mais seulement certaines zones pour faire ressortir la possibilité de polariser les caissons N des transistors du circuit de lecture indépendamment du site photoélectrique. La constitution d'un pixel semiconducteur est en soi usuelle.