INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation alternatif, les métallisations sous billes UBMS/UBMC et les billes conductrices BIC non supraconductrices ou les billes supraconductrices BIS au niveau de la deuxième face S2 sont remplacés par des plots permettant une connexion par collage direct. Plus particulièrement, le procédé comprend, après l’étape de formation d’au moins un niveau de routage au niveau de la deuxième face : une étape de formation, au niveau de la deuxième face, de plots conducteurs non supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices non supraconductrices, chaque plot conducteur non supraconducteur comprenant de préférence une couche conductrice en contact avec une piste conductrice non supraconductrice et une couche supraconductrice sur la couche conductrice ; une étape de formation, au niveau de la deuxième face, de plots supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices, chaque plot supraconducteur comprenant de préférence une couche supraconductrice.
Les avantages techniques de cette solution ont déjà été détaillés précédemment et ne sont donc pas répétés ici.
Retrait de la poignée de manipulation PM
Comme illustré à la , le procédé comprend enfin une étape de retrait de la poignée de manipulation PM.
Résultat
A l’issue du procédé, une structure d’intégration SI selon le premier aspect de l’invention est obtenue.
Deuxième pr océdé de fabrication
Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure d’intégration SI à partir d’un substrat SB comprenant une première face S1 et une deuxième face S2. Dans un mode de réalisation illustré à la , le substrat SB est un substrat de silicium Si comportant une couche d’oxyde de silicium SiO 2 au niveau de la première face S1.
Formation d’au moins un via non traversant supra conducteur VS ou d’au moins un via non traversant conducteur VC au niveau de la première face S1
Le procédé comprend une étape de formation, dans le substrat SB, d’au moins un via non traversant supraconducteur VS ou (exclusif) d’au moins un via non traversant conducteur VC non supraconducteur, le ou les vias VS ou VC comprenant une extrémité exposée au niveau de la première face (ce ou ces vias seront rendus traversant par la suite).
Dans un mode de réalisation, comme illustré aux et , le via ou les vias sont des vias supraconducteurs VS et cette étape comprend une sous-étape de gravure d’au moins une tranchée (de préférence une pluralité de tranchées, une tranchée pour chaque via – une tranchée peut avoir une section rectangulaire, ellipsoïdale ou ronde selon un plan parallèle à la surface du substrat SB) au niveau de la première face S1 du substrat SB et sur une partie seulement de l’épaisseur du substrat SB. Dans l’exemple de la , la totalité de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium et une partie de l’épaisseur de la couche de silicium a été gravée.
Elle comprend également une sous-étape de dépôt du ou des matériaux formant le via supraconducteur. Les sous-étapes sont identiques dans le cas où les vias formés sont des vias conducteurs VC non supraconducteurs.
Dans l’exemple de la , dans une première variante de réalisation, cette sous-étape comprend tout d’abord le dépôt conforme d’une couche de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD) suivi du dépôt d’une couche de nitrure de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD), l’épaisseur de la couche de nitrure de titane étant choisie de sorte à combler complètement la tranchée gravée lors de la sous-étape précédente. Dans un mode de réalisation, la couche de titane a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm.
Dans l’exemple de la , dans une deuxième variante de réalisation, cette sous-étape comprend tout d’abord le dépôt conforme d’une couche de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD) puis d’une couche de nitrure de titane (par exemple par CVD, PVD ou ALD) suivi du dépôt d’une couche d’un matériau diélectrique, l’épaisseur de la couche de matériau diélectrique étant choisie de sorte à combler complètement la tranchée gravée lors de la sous-étape précédente. Dans un mode de réalisation, la couche de titane a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm et la couche de nitrure de titane a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm.
Formation d’au moins un niveau de routage au niveau de la première face
Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape de formation d’au moins un niveau de routage S1NR1, de préférence une pluralité de niveaux de routage, au niveau de la première face S1, le niveau de routage S1NR1 comprenant au moins une piste conductrice PC non supraconductrice reliée (si ce dernier a été formé à l’étape précédente) ou destinée à être reliée à un via conducteur et au moins une piste supraconductrice PS reliée (si ce dernier a été formé à l’étape précédente) ou destinée à être reliée à un via supraconducteur VS.
Une première rangée de boites quantiques peut alors être utilisée pour stocker/manipuler l’information quantique alors qu’une deuxième rangée de boites quantiques peut être utilisée pour la détection de charge et de spin.
Pour cette structure comme pour la précédente, le nombre de blocs de grille n’est pas limité à celui illustré. La structure dont la fabrication a été décrite en lien avec les figures 15-19 peut comporter une matrice de 2xN boites quantiques alignées (avec N ≥1).
Procédés d’entraînement et d’utilisation d’un réseau de neurones artificiels pour identifier une valeur de propriété, et système associé La présente invention se rapporte au domaine de l’entraînement d’un réseau de neurones artificiels pour identifier une valeur de propriété, cette valeur de propriété pouvant être de nature quelconque.
Il est usuel, d’entrainer un réseau de neurones sur un ensemble de données pour qu’il soit en mesure d’identifier une valeur de propriété.
Mais dans de nombreux cas, le réseau de neurones ainsi entraîné n’est pas satisfaisant.
Il existe donc un besoin pour une solution permettant améliorer la robustesse d’un réseau de neurones à l’issue de sa phase d’apprentissage.
La présente invention concerne un procédé d’entraînement d’un réseau de neurones artificiels pour que ledit réseau de neurones artificiels identifie au moins une valeur d’une propriété parmi une pluralité de valeurs de propriétés, chaque propriété pouvant prendre au moins deux valeurs différentes, ce réseau de neurones artificiels comportant une couche de sortie comportant, pour au moins une dite valeur de propriété, un score de prédiction pour ladite valeur de propriété ; ledit procédé comprenant un entraînement primaire consistant à entraîner ledit réseau de neurones à identifier au moins une valeur cible de propriété à partir d’un premier ensemble de données d’entraînement primaire étiquetées en associant ces données à un premier ensemble de valeurs cibles de propriétés, ledit procédé comportant en outre un entraînement secondaire comportant les étapes suivantes : - obtention, pour au moins une première valeur cible d’une propriété cible, d’un ensemble de données d’entraînement secondaire ; - identification d’une valeur estimée de la propriété cible associée à au moins une dite donnée d’entraînement secondaire, en utilisant le réseau de neurones artificiels entraîné par l’entrainement primaire ; - pour chaque valeur estimée différente de la première valeur cible, obtention d’un nombre de confusions correspondant au nombre de fois où ladite valeur estimée a été estimée ; - augmentation des taux d’apprentissage associés aux nœuds de la couche de sortie du réseau de neurones associés à des valeurs d’intérêt correspondant à des valeurs estimées ayant les nombres de confusions les plus importants.
Dans un mode particulier de réalisation, l’entraînement primaire comporte les étapes suivantes : - obtention du premier ensemble de données d’entraînement primaire ; - application du premier ensemble de données d’entraînement primaire à l’entrée du réseau de neurones artificiels, et - modification d’au moins un poids du réseau de neurones artificiels en fonction du premier ensemble de valeurs cibles de propriétés et des scores de prédictions obtenus.
Corrélativement, l’invention concerne un système d’entraînement d’un réseau de neurones artificiels pour que ledit réseau de neurones artificiels identifie au moins une valeur de propriété parmi une pluralité de valeurs de propriétés, chaque propriété pouvant prendre au moins deux valeurs différentes, le réseau de neurones artificiels comportant une couche de sortie comportant, pour au moins une dite valeur de propriété, un nœud configuré pour délivrer un score de prédiction pour ladite valeur propriété. Ce système comprend : - un module d’obtention configuré pour obtenir un premier ensemble de données d’entraînement primaire étiquetées en associant ces données à un premier ensemble de valeurs cibles de propriétés; - un module d’application configuré pour appliquer le premier ensemble de données d’entraînement primaire à l’entrée du réseau de neurones, pour entraîner, au cours d’un entraînement primaire, ledit réseau de neurones à identifier au moins une dite valeur cible de propriété, - un module de modification configuré pour modifier au moins un poids du réseau de neurones artificiels en fonction du premier ensemble de valeurs cibles de propriétés et des scores de prédictions obtenus ; - ledit module d’obtention étant configuré pour obtenir, pour au moins une première valeur cible d’une propriété cible, un ensemble de données d’entraînement secondaire ; - ledit module d’application étant configuré pour appliquer, au cours d’un entraînement secondaire, au moins une donnée de l’ensemble de données d’entraînement secondaire à l’entrée du réseau de neurones pour identifier une valeur estimée de ladite propriété cible associée à au moins une dite donnée d’entraînement secondaire, en utilisant le réseau de neurones artificiels entraîné par ledit entrainement primaire ; - ledit module de modification étant configuré pour obtenir, pour chaque valeur estimée différente de ladite première valeur cible, un nombre de confusions correspondant au nombre de fois où ladite valeur estimée a été estimée et pour augmenter des taux d’apprentissage associés aux nœuds de la couche de sortie du réseau de neurones associés à des valeurs d’intérêt correspondant à des valeurs estimées ayant les nombres de confusions les plus importants.
Une fois l’entraînement primaire terminé, un entraînement secondaire (ou post-entraînement) est mis en œuvre afin de détecter des faiblesses du modèle entrainé lors de l’entraînement primaire et de renforcer ce modèle en utilisant des données ciblées et un taux d’apprentissage adapté.
Ce renforcement est effectué en augmentant le taux d’apprentissage des nœuds de sortie du réseau qui sont associés à des valeurs de propriétés le plus souvent estimées à tort.
Dans un mode de réalisation, lors de l’entraînement primaire, les taux d’apprentissage associés aux nœuds de la couche de sortie du réseau de neurones ont tous la même valeur.
Dans un mode de réalisation particulier, l’entraînement primaire et l’entrâinement secondaire utilisent une méthode de rétropropagation du gradient et l’augmentation d’un taux d’apprentissage consiste à multiplier ce taux d’apprentissage par une constante.
Dans un mode de réalisation, le réseau de neurones artificiels est configuré pour identifier un usage numérique parmi un ensemble d’usages numériques, chaque usage numérique étant décrit par un comportement numérique associé à au moins une dite propriété et par un environnement numérique associé à au moins une dite propriété.
Ce mode particulier de réalisation de l’’invention permet l’identification d’usages numériques au niveau de dispositifs dits intelligents.
Dans ce mode de réalisation, l’entraînement primaire consiste à entraîner le réseau de neurones à identifier au moins un usage numérique cible parmi l’ensemble d’usages numériques, - les données dudit premier ensemble de données d’entraînement primaire étant extraites d’une première pluralité de paquets réseau capturés lors d’au moins une exécution d’une application associée audit premier usage numérique cible, lesdites données d’entraînement primaire étant étiquetées en associant ces données à un premier ensemble de valeurs cibles de propriétés décrivant au moins un comportement numérique et un environnement numérique du premier usage numérique cible, - les données dudit ensemble de données d’entraînement secondaire obtenu pour ladite au moins une première valeur cible étant extraites d’une deuxième pluralité de paquets réseau capturés lors d’au moins une exécution d’une application associée à un usage numérique dont ladite propriété cible est décrite par la première valeur cible.
74 : barre transversale
76 : bloc de mousse amortissante
Systèmes et procédés d’imagerie de médecine nucléaire ayant des têtes de détection avec deux collimateurs ARRIÈRE-PLAN
L’objet décrit ici se rapporte à des systèmes d’imagerie médicale et, plus particulièrement, à des systèmes de détection de rayonnement.
En imagerie de médecine nucléaire (NM), telle que la tomographie par émission monophotonique assistée par ordinateur (SPECT), des produits radiopharmaceutiques sont administrés en interne à un patient. Des détecteurs (p. ex., des caméras gamma), typiquement installés sur un portique, captent le rayonnement émis par les produits radiopharmaceutiques et ces informations sont utilisées, par un ordinateur, pour former des images. Les images de NM montrent principalement une fonction physiologique, par exemple, du patient ou d’une partie du patient en train d’être imagé.
Un système d’imagerie de NM peut être configuré sous forme d’un système d’imagerie multi-tête ayant plusieurs détecteurs individuels répartis autour du portique. Chaque détecteur (p. ex., tête de détection) peut pivoter ou effectuer un balayage pour fournir une plage sur laquelle le détecteur peut acquérir des informations qui est plus grande qu’un champ de vision stationnaire du détecteur. Les détecteurs en médecine nucléaire doivent absorber des photons de rayons X ou gamma sur une large plage d’énergie. En fonction de l’application (à énergie basse/moyenne par opposition à haute énergie), un collimateur différent peut être utilisé pour la collimation. Cependant, changer le collimateur pour chaque détecteur implique typiquement l’utilisation d’un processus d’échange mécanique pour remplacer manuellement un collimateur utilisé avec une application par un autre collimateur utilisé pour une autre application. L’utilisation du processus d’échange mécanique peut être un processus long qui peut prendre plusieurs minutes aboutissant à un temps d’indisponibilité qui entrave le flux de travail (p. ex., le flux de patients de l’hôpital).
Un résumé de certains modes de réalisation décrits ici est exposé ci-dessous. Il convient de comprendre que ces aspects sont présentés simplement pour fournir au lecteur un bref résumé de ces certains modes de réalisation et que ces aspects ne sont pas prévus pour limiter le domaine d’application de cette description. En effet, cette description peut englober une diversité d’aspects qui peuvent ne pas être exposés ci-dessous.
Dans un mode de réalisation, un ensemble de tête de détection de rayonnement est fourni. L’ensemble de tête de détection de rayonnement inclut une colonne de détection. La colonne de détection inclut un détecteur ayant une première surface et une seconde surface à l’opposé de la première surface. La colonne de détection inclut également un premier collimateur disposé sur la première surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une première plage d’énergie. La colonne de détection inclut en outre un second collimateur disposé sur la seconde surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une seconde plage d’énergie différente de la première plage d’énergie. Avantageusement, la seconde plage d’énergie est supérieure à la première plage d’énergie ou la seconde plage d’énergie chevauche partiellement la première plage d’énergie.
Dans un autre mode de réalisation, un système d’imagerie de médecine nucléaire multi-tête est fourni. Le système inclut un portique définissant un trou configuré pour accepter un objet à imager, dans lequel le portique est configuré pour effectuer une rotation autour du trou. Le système inclut également une pluralité d’unités de détection montées sur le portique et configurées pour effectuer une rotation avec le portique autour du trou dans des étapes de rotation, chaque unité de détection étant configurée pour effectuer un balayage autour d’un axe correspondant et acquérir des informations d’imagerie tout en effectuant un balayage autour de l’axe correspondant. Chaque unité de détection inclut une tête de détection. La tête de détection inclut une colonne de détection. La colonne de détection inclut un détecteur ayant une première surface et une seconde surface à l’opposé de la première surface. La colonne de détection inclut également un premier collimateur disposé sur la première surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une première plage d’énergie. La colonne de détection inclut en outre un second collimateur disposé sur la seconde surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une seconde plage d’énergie différente de la première plage d’énergie.
Dans un autre mode de réalisation, un procédé de changement d’un collimateur dans une tête de détection d’un système d’imagerie de médecine nucléaire (NM) multi-tête est fourni. Le procédé inclut la réception d’une entrée pour changer le collimateur dans la tête de détection du système d’imagerie de NM multi-tête. Le procédé inclut également d’effectuer une rotation d’une colonne de détection d’une première position vers une seconde position ou d’une seconde position vers une première position en réponse à l’entrée, dans lequel la colonne de détection inclut un détecteur ayant une première surface et une seconde surface à l’opposé de la première surface, un premier collimateur disposé sur la première surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une première plage d’énergie, et un second collimateur disposé sur la seconde surface du détecteur configuré pour une utilisation pendant des scans d’imagerie impliquant un rayonnement dans une seconde plage d’énergie différente de la première plage d’énergie.
Ces caractéristiques, aspects, et avantages du présent objet ainsi que d’autres seront mieux compris lorsque la description détaillée suivante sera lue en référence aux dessins qui l’accompagnent dans lesquels des caractères semblables représentent des parties semblables dans tous les dessins, dans lesquels :
la est une vue schématique d’un mode de réalisation d’un système d’imagerie nucléaire, conformément à des aspects des techniques décrites ;
la est une vue schématique d’un agencement de détecteurs, conformément à des aspects des techniques décrites ;
la est une vue schématique de plages de balayage et d’acquisition pour une unité de détection, conformément à des aspects des techniques décrites ;
la est une vue schématique d’un mode de réalisation d’une tête de détection, conformément à des aspects des techniques décrites ;
Dans un mode de réalisation alternatif, les métallisations sous billes UBMS/UBMC et les billes conductrices BIC non supraconductrices ou les billes supraconductrices BIS au niveau de la première face S1 sont remplacées par des plots permettant une connexion par collage direct. Plus particulièrement, le procédé comprend, après l’étape de formation d’au moins un niveau de routage de la première face : une étape de formation, au niveau de la première face, de plots conducteurs non supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices non supraconductrices, chaque plot conducteur non supraconducteur comprenant de préférence une couche conductrice en contact avec une piste conductrice non supraconductrice et une couche supraconductrice sur la couche conductrice ; une étape de formation, au niveau de la première face, de plots supraconducteurs au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices, chaque plot supraconducteur comprenant de préférence une couche supraconductrice.
Ainsi, dans ce mode alternatif de réalisation dans lequel un collage direct conducteur-conducteur et supraconducteur-supraconducteur (lorsque le plot conducteur non supraconducteur est réalisé dans une couche d’un matériau conducteur non supraconducteur) ou supraconducteur-supraconducteur (lorsque le plot conducteur non supraconducteur comprend une couche conductrice en contact avec une piste conductrice non supraconductrice et une couche supraconductrice sur la couche conductrice) est utilisé permettent d’envisager des schémas d’intégration forte densité avec des pas entre interconnexions inférieurs au micromètre. Cet avantage permet notamment d’envisager une intégration large échelle des qubits de spin silicium dont les dispositifs sont peu encombrants avec une surface typique de 100 nm² par qubit contre 100 µm² par qubit pour les qubits supraconducteurs par exemple.
Collage temporaire
Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape de collage temporaire du substrat SB à une poignée de manipulation PM au niveau de sa première face S1. Dans l’exemple de la , ce collage est réalisé à l’aide d’une couche d’adhésif GU, par exemple une colle, déposée au niveau de la première face S1 et permettant de coller le substrat SB à la poignée de manipulation PM, ici en silicium Si.
Amincissement
Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape d’amincissement du substrat SB au niveau de sa deuxième face S2 de sorte à exposer les via conducteurs VC non supraconducteurs et les vias supraconducteurs VS, par exemple par polissage mécano-chimique. Ainsi exposés, les vias VC/VS peuvent ensuite être connectés à un ou plusieurs niveaux de routage.
Formation d’au moins un niveau de routage
Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape de formation d’au moins un niveau de routage S2NR1 au niveau de la deuxième face S2, le niveau de routage S2NR1 comprenant au moins une piste conductrice PC non supraconductrice reliée à un via conducteur VC non supraconducteur et au moins une piste supraconductrice PS reliée à un via supraconducteur VS.
Plus particulièrement, si un seul niveau de routage est présent, alors ce niveau de routage comporte au moins une piste conductrice PC non supraconductrice et une piste supraconductrice PS. En revanche, si plusieurs niveaux de routage sont présents au niveau de la deuxième face, alors un niveau de routage donné peut ne comporter qu’une ou plusieurs pistes conductrices PC non supraconductrices ou une ou plusieurs pistes supraconductrices PS.
Formation des métallisations sous billes sur la deuxième face
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend ensuite une étape de formation, au niveau de la deuxième face S2, des métallisations sous billes conductrices UBMC au niveau d’une partie au moins des pistes conductrices PC et des métallisations sous billes supraconductrices UBMS au niveau d’une partie au moins des pistes supraconductrices PS.