Procédé de fabrication d’un dispositif quantique, comprenant des étapes de : - formation sur une zone (14) semi-conductrice dite « zone active » reposant sur un substrat (10) : d’un empilement comprenant au moins une couche (20a, 20b) de matériau de grille et une ou plusieurs couches (21b, 21c) de masquage sur cette couche (20a, 20b) de matériau de grille, puis - formation, en regard de la zone active (14) : d’une tranchée (33, 233) de séparation par gravure à travers lesdites une ou plusieurs couches (21b, 21c) de masquage (33, 233), - retrait au fond de ladite tranchée (33, 233) d’une ou plusieurs portion(s) superficielle(s) (200) de ladite au moins une couche (20a, 20b) de matériau de grille (20b) dans le prolongement de ladite tranchée (33, 233), - formation dans lesdites une ou plusieurs couches de masquage (21b, 21c) dudit empilement : d’une ou plusieurs paires de blocs (54, 55) de masquage, chaque paire de bloc de masquage comportant un premier bloc (54) de masquage et un deuxième bloc (55) de masquage en regard du premier bloc de masquage, le premier bloc de masquage et le deuxième bloc de masquage étant disposés en regard l’un de l’autre et de part et d’autre de ladite tranchée (33, 233), puis, - gravure de ladite couche de matériau de grille de sorte à former, une ou plusieurs paires de blocs de grille, un bloc (64, 65, 264, 265) de grille étant formé dans le prolongement de chaque bloc de masquage et à retirer, au fond de ladite tranchée (33, 233), au moins une partie de ladite zone active (14) située dans le prolongement desdites une ou plusieurs portion(s) superficielle(s) (200) retirée(s) de ladite au moins une couche (20a, 20b) de matériau de grille. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la tranchée (33) de séparation est formée par gravure prolongée de sorte à effectuer ledit retrait d’une portion superficielle (200) de ladite au moins une couche (20a, 20b) de matériau de grille (20b). Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le retrait au fond de la tranchée (33) de ladite au moins une partie de ladite zone active (14) est effectué de sorte à partager la zone active (14) en une première région semi-conductrice (141) et une deuxième région semi-conductrice (142) entièrement disjointe de la première région semi-conductrice (141). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la tranchée (33) formée s’étend au-delà de la zone active (14). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel après ledit retrait au fond de ladite tranchée (33) desdites une ou plusieurs portion(s) superficielle(s), la formation des blocs (54, 55) de masquage comprend des étapes de : - formation d’un ou plusieurs éléments masquant (42) transversaux par rapport à ladite tranchée (33), lesdits éléments masquant (42) transversaux recouvrant ladite tranchée, lesdits éléments masquant étant formés par dépôt et structuration d’au moins une couche (42a) de masque dur, ladite couche (42a) de masque dur étant préservée dans ladite tranchée (33), - gravure anisotrope de zones desdites une ou plusieurs couches (21b, 21c) de masquage non protégées par les éléments masquant (42) transversaux, - retrait desdits éléments masquant (42). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la tranchée (233) est réalisée par gravure desdites une ou plusieurs couches de masquage (21b, 21c) en s’arrêtant sur la couche (20b) de matériau de grille, le procédé comprenant en outre, après réalisation de la tranchée (233), la formation d’un ou plusieurs éléments masquant (242) traversant ladite tranchée (233), lesdits éléments masquant (242) étant transversaux par rapport à ladite tranchée (233) et étant disjoints les uns des aux autres, le retrait desdites portions superficielles (245) de ladite au moins une couche (20a, 20b) de matériau de grille dans le prolongement de ladite tranchée et la formation desdites une ou plusieurs paires de blocs (54, 55) de masquage étant réalisés par gravure anisotrope de zones non protégées par les éléments masquant (242), le procédé comprenant en outre, préalablement à ladite gravure de ladite couche de matériau de grille de sorte à former un bloc (264, 265) de grille : le retrait des éléments masquant (242). Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel la tranchée (233) s’étend entièrement en regard de la zone active (14). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 6 ou 7, la gravure anisotrope desdites zones non protégées par les éléments masquant (242) transversaux étant prolongée de sorte à partager la zone active (14) en une première région semi-conductrice (1410) et une deuxième région semi-conductrice (1420), la première région semi-conductrice et la deuxième région semi-conductrice étant reliées entre elles par des portions (1415) semi-conductrices. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, comprenant en outre, après l’étape de formation des paires de blocs de grilles : la formation d’espaceurs isolants autour de chaque bloc de grille, une région des espaceurs s’étendant dans la tranchée. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant en outre après l’étape de formation des paires de blocs de grilles, - croissance de matériau semi-conducteur (83) dopé sur des régions de la zone active (14) disposées de part et d’autre des blocs de grilles, de sorte à former des réservoirs de dopants. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre après la formation des réservoirs de dopants, la siliciuration d’une face supérieure desdits réservoirs de dopants et des blocs de grille. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la zone active (14) est formée d’un motif dans une couche superficielle (13) d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant muni d’une couche (11) de support semi-conductrice et d’une couche isolante (12), ladite couche isolante (12), étant agencée entre la couche de support (11) et ladite couche superficielle (13).