INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, ces sous-ensembles peuvent correspondre à des événements dont le début et la fin encadrent des plages temporelles où l’énergie est localement plus importante. En effet, dans ces plages, la courbe représentative de l’énergie en fonction du temps présente des bosses, résultat de la fonction fenêtre de pondération.
Dans un mode de réalisation, le début de l’évènement est déterminé par l’observation de la dérivée du niveau d’énergie. Le début de décroissance du niveau d’énergie est déterminé par une recherche d’une dérivée seconde nulle. La fin de l’évènement est déterminée par l’observation d’un retour à un niveau nul de la dérivée du niveau d’énergie.
La restitution d’une information représentative de la signature et/ou de la nature de l’événement vibratoire permet d’aider l’utilisateur à prendre une décision. Par exemple, si la nature de l’événement vibratoire correspond à une défaillance d’une machine industrielle, l’utilisateur peut décider de réparer cette machine. Selon un autre exemple, si la nature de l’événement vibratoire correspond à une ouverture d’une porte avec une clef, l’utilisateur peut commander un allumage de la pièce accessible par cette porte. Selon un autre exemple, l’utilisateur peut appeler la police si la nature de l’événement vibratoire correspond à une tentative de cambriolage d’une porte et avant que le cambrioleur ne soit entré : l’alarme peut ainsi être donnée avant que la porte ne soit trop abimée et que des biens ne soient volés.
Dans un mode de réalisation particulier, le(s) capteur(s) d’onde peut (peuvent) comporter au moins un module parmi un accéléromètre et un gyroscope. On rappelle ici qu’un accéléromètre permet de déterminer la direction de mouvement d’un objet. On rappelle aussi qu’un gyroscope est un capteur de position angulaire et/ou de vitesse angulaire. En particulier, les capteurs d’ondes peuvent comporter jusqu’à trois accéléromètres et jusqu’à trois gyroscopes détectant des ondes selon trois axes orthogonaux. En particulier, ces capteurs peuvent être intégrés dans un même dispositif.
Dans un mode de réalisation particulier, le capteur est configuré pour détecter une onde résultante d’une utilisation d’un ouvrant, ou d’un fonctionnement d’un équipement électronique.
Le procédé proposé a une application avantageuse lorsque l’événement vibratoire correspond à une utilisation d’un ouvrant, telle qu’une porte ou une fenêtre ou un tiroir. La détermination de la nature d’un tel événement permet par exemple de distinguer une utilisation autorisée de l’ouvrant par rapport à une utilisation suspecte.
Selon le signe de leur charge, les groupes chargés ou qui deviennent chargés en présence d’eau confèrent une charge de surface négative ou positive à la couche interne (102) de la membrane composite lorsqu’elle est mise en présence d’eau.
Tout groupe chargé ou qui devient chargé en présence d’eau connu de l’homme du métier et permettant d’augmenter la charge de surface de particules de graphène est utilisable dans le cadre de la présente invention.
Dans un mode de réalisation, les nanoparticules sont fonctionnalisées en surface par des groupes chargés négativement et/ou qui deviennent chargés négativement en présence d’eau.
Les groupes chargés négativement et/ou qui deviennent chargés négativement en présence d’eau sont avantageusement choisis parmi le groupe époxyde, le groupe hydroxyle, le groupe carbonyle, le groupe carboxyle, le groupe sulfonate −SO 3 - , le groupe carboxyalkylate R−CO 2 - avec R un alkyle en C1-C4 et de préférence en C1, le groupe aminodiacétate −N(CH 2 CO 2 - ) 2 , le groupe phosphonate PO 3 2- ; le groupe amidoxine −C(=NH 2 )(NOH), le groupe aminophosphonate −CH 2 −NH−CH 2 −PO 3 2- , le groupe thiol −SH, et leurs mélanges.
De manière préférée, les nanoparticules fonctionnalisées en surface par des groupes chargés négativement ou qui deviennent chargés négativement en présence d’eau sont des nanoparticules lamellaires d’oxyde de graphène (ou GO, en anglais « graphene oxyde »).
Les nanoparticules lamellaires d’oxyde de graphène portent des groupes chargés négativement ou qui deviennent chargés négativement en présence d’eau, avantageusement choisis parmi le groupe époxyde, le groupe hydroxyle, le groupe carbonyle, le groupe carboxyle, et leurs mélanges.
Dans un mode de réalisation, les nanoparticules sont fonctionnalisées en surface par des groupes chargés positivement et/ou qui deviennent chargés positivement en présence d’eau.
Avantageusement, les groupes chargés positivement et/ou qui deviennent chargés positivement en présence d’eau sont choisis parmi le groupe ammonium quaternaire −N(R) 3 + avec R un alkyl en C1-C4, le groupe ammonium tertiaire −N(H)R) 2 + avec R un alkyl en C1-C4, de préférence un alkyl en C1, le groupe diméthylhydroxyéthylammonium -N(C 2 H 4 OH)CH 3 ) 2 + , et leurs mélanges.
Procédé de préparation d’une membrane composite La membrane composite conforme au deuxième mode de réalisation peut être préparée par un procédé comprenant les étapes consistant à :
i) filtrer une solution comprenant des nanofibres et/ou des microfibres de chitosan sur un support de filtration de manière à former une première couche externe (101) comprenant des nanofibres et/ou des microfibres de chitosan ;
ii) filtrer une solution de particules de nanoparticules fonctionnalisées sur la couche externe (101) obtenue à l’issue de l’étape i) de sorte à former une couche interne (102) sur ladite première couche externe (101) ;
iii) filtrer une solution de nanofibres et/ou de microfibres de chitosan de manière à former une deuxième couche externe (103) comprenant des nanofibres et/ou des microfibres sur la couche interne (102) obtenue à l’issue de l’étape ii) ;
iv) filtrer une solution de réticulation apte à réticuler les nanofibres et/ou les microfibres de chitosan des couches externes (101,103) ;
v) sécher le produit de l’étape iv) au four ;
vi) retirer le support de filtration, de sorte à obtenir une membrane composite.
Les nanofibres et/ou les microfibres de chitosan et les nanoparticules fonctionnalisées en surface par des groupes chargés et/ou qui deviennent chargés en présence d’eau sont telles que définies dans le premier objet de l’invention.
A titre d’exemple, on pourra choisir une résistance R1 de 48 Ohms et une résistance R3 de 86000 Ohms .
Les moyens de commande MC comprennent en outre un condensateur Cbs connecté entre la première borne de signal E1 et la grille G0 du deuxième transistor M0. Le fonctionnement du condensateur Cbs sera détaillé par la suite lors de la description de la .
Les figures 2 à 4 illustrent le circuit intégré IC décrit précédemment en relation avec la pour différentes valeurs de tensions présentes à la première borne de signal E1.
La illustre le fonctionnement du circuit IC lorsqu’une tension V5 inférieure à la tension maximale V1 supportée par le domaine DV, est présente à la première borne E1.
En présence d’une tension V5 sur la première borne de signal E1, les résistances R1 et R2 provoquent une chute de potentiel respectivement entre la première borne de signal E1 et le nœud commun ND1 et entre le nœud commun ND1 et la deuxième borne de signal ND3. La tension Vgs2 entre la grille G2 et la source S2 du premier transistor PMOS M2 est alors inférieure en valeur absolue à la tension de seuil du premier transistor PMOS M2. Par conséquent, le premier transistor M2 reste à l’état bloqué et ne laisse passer aucun courant entre la source S2 et le drain D2.
Le transistor M2 empêche le courant de passer dans les deuxièmes et quatrièmes résistances R4 et R3 et la différence de potentiel aux bornes de la résistance R4 est donc nulle. La tension grille source Vgs0 du deuxième transistor M0 est alors inférieure en valeur absolue à la tension seuil du deuxième transistor M0. Par conséquent, le transistor M0 est à l’état bloqué et ne laisse passer aucun courant entre le drain D0 et la source S0.
Autrement dit, le deuxième transistor M0 ne laisse passer aucun courant entre le nœud ND4 du réseau de diodes situé entre les diodes D2 et D3 et le point froid d’alimentation GND, et les diodes D3 et D4 ne sont donc pas court-circuitées par le deuxième transistor M0.
Le domaine DV voit une tension V3 au nœud ND3 inférieure à V1. Plus précisément, la tension V3 est inférieure à VTH0 et les diodes D1, D2, D3 et D4 du réseau de diodes sont donc à l’état bloqué.
Cependant, il est connu qu’une diode, même à l’état bloqué, est susceptible de laisser passer un courant de fuite du fait de ses caractéristiques non-idéales. Le nombre N de diodes est alors choisi de façon à limiter les fuites de courant entre la deuxième borne de signal ND3 et le point froid d’alimentation GND en deçà d’un seuil, par exemple 10 nA, lors du fonctionnement du domaine DV. Par exemple, un nombre N de diodes trop faible permettra peut-être d’assurer un fonctionnement normal du domaine DV mais ne sera pas capable de limiter suffisamment le courant de fuite et entrainera alors une augmentation de la consommation électrique du circuit IC.
Ainsi, il est avantageux d’utiliser dans ce mode de réalisation 4 diodes D1, D2, D3 et D4 pour limiter les fuites de courant entre la deuxième borne de signal ND3 et le point froid d’alimentation GND en deçà de 10 nA.
La illustre le circuit IC lorsqu’une tension V2 supérieure à la tension maximale V1 supportée par le domaine DV, est présente à la première borne de signal E1.
En présence d’une telle tension V2, de 5,5 volts par exemple, sur la première borne de signal E1, les résistances R1 et R2 provoquent une chute de potentiel respectivement entre la première borne de signal E1 et le nœud commun ND1 et entre le nœud commun ND1 et la deuxième borne de signal ND3. On peut obtenir un potentiel de 4,44 volts sur le nœud commun ND1 et une différence de potentiel entre les bornes de la résistance R2 de 2,36 volts.
La tension Vgs2 entre la grille et la source du premier transistor PMOS M2, de même valeur que la différence de potentiel aux bornes de la résistance R2, devient alors supérieure en valeur absolue à la tension de seuil du premier transistor PMOS M2. Le transistor M2 passe alors de l’état bloqué à l’état passant et un courant peut circuler entre la source S2 et le drain D2. Une tension de 4,44 volts est alors présente au nœud ND5.
Le courant circulant entre la première borne de signal E1 et la deuxième borne de signal ND3 circule dans les deuxièmes et quatrièmes résistances R4 et R3 par l’intermédiaire du premier transistor M2, ce qui a pour effet d’augmenter la différence de potentiel entre les bornes des résistance R3 et R4. On peut obtenir une différence de potentiel entre les bornes de la résistance R4 de 2,22 volts, correspondant au potentiel sur le nœud commun ND2.
La tension Vgs0 entre la grille G0 et la source S0 du deuxième transistor NMOS M0, de même valeur que la différence de potentiel aux bornes de la résistance R4, devient alors supérieure en valeur absolue à la tension de seuil du deuxième transistor M0
Le transistor M0 passe à l’état passant et le courant au nœud ND4 du réseau de diodes situé entre les diodes D2 et D3 peut circuler entre le drain D0 et la source S0 du transistor M0, court-circuitant ainsi les diodes D3 et D4.
Le matériau cible 6, solide ou liquide est, dans l’exemple illustré en , disposé à une extrémité de l’enceinte 9 et du canal d’accélération 40 opposée à celle où est disposée la source 11 et forment l’électrode 6. Le matériau cible peut également être agencé sur un support conducteur formant l’électrode 6.
Comme illustré en , le dispositif selon l’invention comporte optionnellement une électrode intermédiaire 14 et agencée dans le canal d’accélération 40, entre les électrodes 4 et 6. L’électrode intermédiaire permet de réduire l’accélération et donc aussi la vitesse des ions dans la chambre d’ionisation, notamment pour empêcher, comme dans le cas du deutérium que ceux-ci ne réagissent ensemble nucléairement, canalise les lignes de champ électrique et permet l’accélération des isotopes ionisés vers l’électrode intermédiaire avant que les lignes de champ soit ne divergent vers l’électrode 6, soit soient détournées vers l’électrode 6 qui peut être placée dans un axe diffèrent de l’axe d’accélération liant l’électrode 4 à l’électrode intermédiaire, les ions pouvant de plus être déviés par un champ magnétique non longitudinal. L’utilisation d’une électrode intermédiaire peut aussi permettre d’avoir une accélération des ions différente après ladite électrode intermédiaire 14, notamment si les ions doivent être accélérés avec une tension supérieure à 60 millions de volts.
Ainsi, la cible peut être soumise à un bombardement d’isotopes ionisés dirigés et concentrés.
L’électrode intermédiaire 14 est par exemple formée par une grille dont les mailles de forme carrées ont une longueur de l’ordre du centimètre et une épaisseur de l’ordre du millimètre. Alternativement, l’électrode intermédiaire 14 est formée d’une ou de plusieurs membranes conductrices, par exemple réalisées en graphène ou en graphène métallo-organique.
L’électrode intermédiaire 14 est reliée électriquement à l’électrode 6 par un générateur de tension dont le voltage est judicieusement choisi en fonction de la distance entre les électrodes 6 et 14.
Une bobine 16 configurée pour générer un champ magnétique ajustable adapté pour dévier les isotopes ionisés peut avantageusement être agencée entre l’électrode intermédiaire 14 et la cible 6. Le champ magnétique généré par la bobine 16 peut être ajusté pour permettre au faisceau d’isotopes ionisés de balayer une surface de la cible 6 ou de choisir la zone de la cible 6 destinée à être impactée par le faisceau d’isotopes ionisés.
Des lentilles magnétiques telles que celles utilisées dans des tubes cathodiques de téléviseurs peuvent aussi être utilisées pour focaliser et diriger le faisceau d’isotopes ionisés.
Accélération des isotopes ionisés Le champ électrique généré par le générateur 10 entre les électrodes 4 et 6 permet d’accélérer les isotopes ionisés. Le générateur 10 est configuré pour générer de fortes tensions, par exemple supérieures à 30 000 V et inférieures à 80,000,000 V permettant la fusion nucléaire et, de préférence permettant des vitesses d’ions optimisant le rapport énergie de fusions sur énergie d’accélération. Le générateur 10 est par exemple formé de générateurs commercialisés par la société Genvolt sous le nom de Perseus et montés en série.
L’électrode 4 est de préférence placée dans le compartiment 41.
Elle peut également être placée dans le conduit d’accélération 40, par exemple entre le compartiment 41 et la membrane 5. Cela permet avantageusement de limiter les contacts avec le gaz source afin d’éviter l’apparition d’effets de claquage du gaz source. Dans ce cas, l’électrode 4 est de préférence formée par une membrane poreuse et conductrice, par exemple réalisée en graphène ou en graphène organométallique.
L’électrode 6 constitue la cible ou un support pour celle-ci, en particulier si ladite cible n’est pas conductrice.
L’électrode 4 est conductrice, ce qui lui permet de conduire et évacuer les électrons produits par l’ionisation des isotopes sources.
Si les ions sont produits en dehors du champ électrique, ceux-ci restent entourés d’électrons qui oscillent autour et assurent la neutralité électrique de l’ensemble. Les ions doivent ainsi migrer, mus par leur agitation thermique jusqu’à se trouver dans le champ électrique qui attire alors les électrons vers la cathode et les ions vers l’anode.
Pour éviter l’accumulation d’ions à de vitesses faibles, le champ électrique dans la zone d’ionisation est de préférence choisi élevé quoi qu’inferieur à une valeur pouvant provoquer le claquage du gaz ionisé. Le champ électrique peut par exemple avoir une valeur de 4 10 5 V/m, le gaz pouvant être ionisé sur une épaisseur importante, en particulier si la section du rayon lumineux d’illumination est importante, la tension d’accélération des ions est de préférence choisie pour que même les ions produits les plus proches de la membrane soient accélérés à la vitesse permettant leur fusion avec la cible.
Matériaux sources sous forme gazeuse Le gaz source peut être introduit dans l’enceinte d’ionisation au moyen d’un détendeur. Cependant lorsque les isotopes sources sont sous forme gazeuse et sont consommés par l’ionisation dans des volumes et à des cadences qui ne permettent pas leur replacement homogène, ou pour éviter que des ions ne soient produits à une distance indésirée de l’électrode 4 (les dimensionnements des tension d’accélération pouvant être adaptés à une telle distance), ou pour concentrer la production d’ions dans le champ électrique, le gaz source est de préférence amené dans l’enceinte 9 par l’intermédiaire d’un premier tuyau dont l’extrémité donnant dans l’enceinte 9 forme une buse. Le gaz est de préférence ensuite aspiré vers un deuxième tuyau agencé dans l’axe de la buse du premier tuyau. L’extrémité du deuxième tuyau donnant sur l’enceinte 9 est de préférence formée en un entonnoir. L’entrée du conduit d’accélération 40 des ions se trouve alors de préférence à proximité de l’intersection du jet de gaz et du trajet de la lumière en provenance de l’entrée optique 32 au sein de l’enceinte 9.
Le premier et le deuxième tuyaux sont de préférence connectés à une pompe permettant d’accélérer la circulation du gaz dans les tuyaux, ainsi qu’à une réserve du gaz source permettant d’introduire ce dernier dans le dispositif et d’en ajouter au fur et à mesure qu’il est consommé.
Le document [1] décrit une planification de radiothérapies utilisant un système de recommandation basé sur la connaissance.
l’obtention d’un domaine de connaissances comportant, pour ledit algorithme, au moins une configuration observée et une valeur d’au moins un indicateur de performance pour ladite au moins une configuration observée;
la détermination d’un modèle paramétrique du ou des indicateurs de performance en fonction du domaine de connaissances ;
la sélection d’au moins une configuration parmi les configurations du domaine de connaissances complété et répondant à au moins une contrainte relative à l’au moins un indicateur de performance ;
Ainsi, il n’est nécessaire que d’obtenir des données expérimentales que pour un nombre limité de configurations – le domaine de connaissances peut être complété par mise en œuvre du modèle paramétrique. C’est dans ce domaine de connaissance ainsi complété – de façon exhaustive ou non – que l’on peut ensuite procéder à filtrage des configurations correspondant à une ou plusieurs contraintes, par exemple des contraintes fixées par un utilisateur ou prédéterminées, pour sélectionner parmi les configurations répondant à ces contraintes une ou plusieurs configurations les mieux adaptées.
Le signal généré peut être affiché, l’information qu’il contient peut être stockée ou servir de commande à un ou plusieurs serveurs d’unités de calcul.
Selon un mode de réalisation particulier, la sélection est effectuée par un algorithme de décision en fonction d’une pondération d’au moins un indicateur de performance, la méthode comportant en outre l’affichage de la ou des configurations sélectionnées par mise en œuvre dudit signal et la réception d’une commande d’identification d’une configuration unique parmi les configurations sélectionnées qui sera à appliquer au système distribué.
Selon un mode de réalisation particulier, la sélection est effectuée par un algorithme de décision qui sélectionne une configuration unique.
Selon un mode de réalisation particulier, la méthode comprend en outre la réservation d’unités de calcul selon la configuration unique.
Selon un mode de réalisation particulier, la méthode comprend en outre l’estimation de la variabilité dudit au moins indicateur de performance pour une configuration différente.
Selon un mode de réalisation particulier, ledit au moins un indicateur de performance d’une configuration comprend un ou plusieurs parmi :
le temps d’entraînement requis du système pour la configuration considérée ;
la précision relative de calcul ;
La photodiode 1 comporte ici une couche isolante inférieure 21, réalisée en un matériau diélectrique, recouvrant la deuxième face 22b de la portion de détection 10, ainsi que, comme décrit plus loin, la face inférieure de la portion latérale périphérique 25 dopée p+. La couche isolante inférieure 21 peut en outre être adaptée à former une fonction d’antireflet vis-à-vis du rayonnement lumineux incident. Elle forme en effet la face de réception du rayonnement lumineux destiné à être détecté.
La portion de détection 10 de la photodiode 1 est ici délimitée latéralement, dans le plan XY, par une tranchée latérale périphérique 24, de préférence continue, remplie d’un matériau semiconducteur 25 dopé de type p, et formant une portion latérale périphérique 25, ici dopée p+. La portion latérale périphérique 25 participe à polariser électriquement la photodiode 1, ici à partir de la première face 22a, et à pixelliser la matrice de photodiodes (isolation optique). Elle s’étend ici sur toute l’épaisseur de la portion de détection 10 pour déboucher sur la couche isolante inférieure 21, mais en variante, elle peut ne pas déboucher sur la couche isolante inférieure 21 et peut se terminer dans la deuxième région 12 dopée p+. La face interne de cette portion latérale périphérique 25 dopée p+ est au contact de la bordure latérale 10c de la portion de détection 10. Le matériau semiconducteur est de préférence réalisé à base de silicium, par exemple du silicium amorphe, du silicium polycristallin, du silicium germanium, voire peut être réalisé en germanium amorphe.
Une couche isolante supérieure 23 recouvre la première face 22a de la photodiode 1, et permet d’isoler électriquement les contacts métalliques 31.1 et 31.2. Elle est ainsi au contact de la première région 11 dopée n+ ainsi que de la région intermédiaire 13. Elle est réalisée en un matériau diélectrique, tel qu’un oxyde de silicium, un nitrure de silicium, ou un oxynitrure de silicium. D’autres matériaux diélectriques peuvent être utilisés, tels qu’un oxyde d’hafnium ou d’aluminium, voire un nitrure d’aluminium, entre autres. Elle présente une épaisseur par exemple comprise entre 50nm et 500nm.
Par ailleurs, la portion de détection 10 comporte avantageusement une région latérale 14 dopée de type p+ située au niveau de la bordure latérale 10c. Cette région latérale 14 présente un niveau de dopage supérieur à celui de la région intermédiaire 13 lorsqu’elle est dopée. La région latérale 14 dopée p+ affleure la bordure latérale 10c et est au contact de la portion latérale périphérique 25 dopée p+. Ainsi, la polarisation de la deuxième région 12 dopée p+ est améliorée dans la mesure où la surface de contact avec la portion latérale périphérique 25 dopée p+ est augmentée. De plus, cette région latérale 14 dopée p+ permet d’éviter que la zone de charge d’espace de la photodiode 1 ne s’étende jusqu’à la bordure latérale 10c. Ainsi, on limite la contribution de cette zone (potentiellement non exempte de défauts liés à la réalisation des tranchées) au courant d’obscurité. On améliore ainsi les performances de la photodiode 1.
Par ailleurs, dans le cas comme ici où la portion de détection 10 est réalisée en germanium, et où la portion latérale périphérique 25 dopée p+ est réalisée en silicium, la portion de détection 10 comporte alors avantageusement une zone latérale 15 réalisée à base de silicium germanium. La zone latérale 15 affleure la bordure latérale 10c et est au contact de la portion latérale périphérique 25 dopée p+. Ainsi, la zone latérale 15 présente une énergie de bande interdite (gap) supérieure à celle de la portion de détection 10 réalisée en germanium. Cette « ouverture de gap » latérale permet de diminuer la sensibilité de la photodiode 1 aux défauts présents à proximité des tranchées 24. On améliore ainsi également les performances de la photodiode 1.
Dans ce mode de réalisation, la première région 11 dopée n+ est avantageusement formée d’une part d’une portion centrale 29 réalisée en germanium épitaxié dans une échancrure centrale 28 formée dans la portion de détection 10 et dopé n+ à la croissance, et d’autre part par une zone 11.1 dopée n+ adjacente à la portion centrale 29 et située dans la portion de détection 10.