INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En d’autres termes, la spécification du seuil de perception doit être respecté. Cela peut se faire, par exemple, par une rotation suffisamment grande Φ, du film lamellaire car cet angle de vue se situe, par cette rotation, à l’extérieur de surfaces d’équivalence de contraste ou d’équivalence de luminance, et ainsi on se trouve dans la spécification autorisée. En d’autres termes, cette disposition préférentielle se traduit par un décalage du premier point de mesure 605 non autorisé en direction d’une zone autorisée 630 dans le diagramme en passant par le troisième chemin 625 consistant à réduire le contraste C(H,V) et la luminosité L(H,V). En conséquence d’un tel affichage de passager, on respecte la spécification requise pour être autorisée, ou on réduit le détournement d’attention du conducteur ou on l’évite.
La montre un diagramme des surfaces 700 de même luminance ou contraste pour une installation d’affichage 110 en fonction d’un angle de vue θ et d’un angle de vue φ dans un système de coordonnées sphériques de l’angle de vue qui ont été transformées à titre indicatif en coordonnées cartésiennes H et V en utilisant une installation d’affichage selon un exemple de réalisation. Cela signifie que la représentation sur le diagramme se rapporte à une installation d’affichage selon au moins l’une des figures 1 à 3 avec une fonction décrite aux figures 4 à 6. Les surfaces 700 sont ainsi également appelées surfaces équi-contrastes ou surface équi-luminance.
Le film lamellaire de l’installation d’affichage faisant partie de l’empilage optique de l’éclairage de fond peut ainsi avoir une orientation préférentielle dans un plan (xy) qui tient compte de la position d’installation ou du basculement également appelé installation d’affichage de passager, dans le tableau de bord et ainsi produire une rotation de la caractéristique optique dans le mode privé rapporté au passager pour mieux respecter le seuil de perception ou la spécification de la fonction limite comme cela a été décrit à l’aide de la .
De manière caractéristique, le film lamellaire de l’empilage optique est orienté pour avoir une direction passante des lamelles qui soit, si possible, parallèle à la direction (y). Il en résulte une position typique des surfaces équi-contrastes ou équi-luminances qui sont appelées simplement ci-après surfaces 700. En général, on a des surface elliptiques 700 dont le grand axe vertical V passe par le centre du système de coordonnées cartésiennes 705 par la rotation du film lamellaire d’un angle Φ ; le signe algébrique de la rotation dépend du véhicule selon qu’il est avec conduite à droite ou à gauche ; il permet d’adapter la caractéristique optique encore appelée, caractéristique de rayonnement, aux exigences respectives de différentes géométrie de véhicule. La rotation du film lamellaire produit de plus une rotation des surfaces 700 de même contraste ou de même luminance. Cet effet est utilisé pour garantir ou simplifier le passage en dessous du seuil de perception.
En d’autres termes, selon cet exemple de réalisation, on a une représentation des surfaces de même luminance ou de même contraste après une mesure selon tous les angles de vue en coordonnées cartésiennes (V,H), en coordonnées polaires θ, Φ, par exemple, faite à l’aide d’un conoscope comme ceux utilisés, sans faire la rotation d’un film lamellaire ou sans implémenter un élément DTF ou élément optique 300.
La est une représentation schématique d’un film lamellaire 220 applicable à un exemple de réalisation de l’invention. Le film lamellaire 220 fait partie de l’installation d’affichage comme celle décrite, par exemple, à l’aide des figures 1 à 3 et dont le fonctionnement a été décrit à l’aide des figures 4 à 7. Selon cet exemple de réalisation, le film lamellaire comprend un ensemble de lamelles 800 parallèles les unes aux autres. Le film lamellaire 220 est, par exemple, de forme rectangulaire. Selon cet exemple de réalisation, la position des lamelles 800 et la direction passante 805 du film lamellaire 220 en sortie de l’empilage optique de l’éclairage de fond est représenté dans le plan (xy) pour un affichage de passager pour Φ=0° ou dans le cas de la rotation du film 220 d’un angle Φ_Rot.
Le composé (A) est en particulier un organopolysiloxane ayant au moins deux atomes d'hydrogène liés à des atomes de silicium distincts dans chaque molécule.
Le composé (A) peut présenter toute structure moléculaire, notamment une structure chaîne linéaire ou chaîne ramifiée ou une structure cyclique.
Le composé (A) peut avoir une viscosité à 25°C allant de 1 à 50000 centistokes, notamment pour être bien miscible avec le composé (B).
Les groupes organiques liés aux atomes de silicium du composé (A) peuvent être des groupes alkyles tels que méthyle, éthyle, propyle, butyle, octyle ; des groupes alkyles substitués tels que 2-phényléthyl, 2-phénylpropyl, 3,3,3-trifluoropropyl ; des groupes aryles tels que phényle, tolyle, xylyle ; des groupes aryles substitués tels que phényléthyle ; et des groupes hydrocarbonés monovalents substitués tels qu'un groupe époxy, un groupe ester carboxylate, ou un groupe mercapto.
Le composé (A) peut ainsi être choisi parmi les méthylhydrogénopolysiloxanes à terminaisons triméthylsiloxy, les copolymères diméthylsiloxane-méthylhydrogénosiloxane à terminaisons triméthylsiloxy, les copolymères cycliques diméthylsiloxane-méthylhydrogénosiloxane.
Le composé (B) est avantageusement un diorganopolysiloxane ayant au moins deux groupes alkényles inférieurs (par exemple en C 2 -C 4 ) ; le groupe alkényle inférieur peut être choisi parmi les groupes vinyle, allyle, et propényle. Ces groupements alkényles inférieurs peuvent être situés en toute position de la molécule organopolysiloxane mais sont de préférence situés aux extrémités de la molécule organopolysiloxane. L'organopolysiloxane (B) peut avoir une structure à chaîne ramifiée, à chaîne linéaire, cyclique ou en réseau mais la structure en chaîne linéaire est préférée. Le composé (B) peut avoir une viscosité allant de l'état liquide à l'état de gomme. De préférence, le composé (B) a une viscosité d'au moins 100 centistokes à 25°C.
Outre les groupes alkényles précités, les autres groupes organiques liés aux atomes de silicium dans le composé (B) peuvent être des groupes alkyles tels que méthyle, éthyle, propyle, butyle ou octyle ; des groupes alkyles substitués tels que 2-phényléthyle, 2-phénylpropyle ou 3,3,3-trifluoropropyle ; des groupes aryles tels que phényle, tolyle ou xylyle ; des groupes aryles substitués tels que phényléthyle ; et des groupes hydrocarbonés monovalents substitués tels qu'un groupe époxy, un groupe ester carboxylate, ou un groupe mercapto.
Les organopolysiloxanes (B) peuvent être choisis parmi les méthylvinylpolysiloxanes, les copolymères méthylvinylsiloxane-diméthylsiloxane, les diméthylpolysiloxanes à terminaisons diméthylvinylsiloxy, les copolymères diméthylsiloxane-méthylphénylsiloxane à terminaisons diméthylvinylsiloxy, les copolymères diméthylsiloxane-diphénylsiloxane-méthylvinylsiloxane à terminaisons diméthylvinylsiloxy, les copolymères diméthylsiloxane-méthylvinylsiloxane à terminaisons triméthylsiloxy, les copolymères diméthylsiloxane-méthylphénylsiloxane-méthylvinylsiloxane à terminaisons triméthylsiloxy, les méthyl(3,3,3-trifluoropropyl)polysiloxane à terminaisons diméthylvinylsiloxy, et les copolymères diméthylsiloxane-méthyl(3,3,3-trifluoropropyl)siloxane à terminaisons diméthylvinylsiloxy.
En particulier, l'élastomère d’organopolysiloxane peut être obtenu par réaction de diméthylpolysiloxane à terminaisons diméthylvinylsiloxy et de méthylhydrogénopolysiloxane à terminaisons triméthylsiloxy, en présence de catalyseur platine.
Selon une autre variante, le composé (B) peut être un composé hydrocarboné insaturé, ayant au moins deux groupes alkényles inférieurs (par exemple en C 2 -C 4 ) ; le groupe alkényle inférieur peut être choisi parmi les groupes vinyle, allyle, et propényle. Ces groupements alkényles inférieurs peuvent être situés en toute position de la molécule mais sont de préférence situés aux extrémités. A titre d’exemple, on peut citer l’hexadiène, et en particulier le 1,5-hexadiène.
Avantageusement, la somme du nombre de groupements éthyléniques par molécule du composé (B) et du nombre d'atomes d'hydrogène liés à des atomes de silicium par molécule du composé (A) est d'au moins 5.
Il est avantageux que le composé (A) soit ajouté en une quantité telle que le rapport moléculaire entre la quantité totale d'atomes d'hydrogène liés à des atomes de silicium dans le composé (A) et la quantité totale de tous les groupements à insaturation éthylénique dans le composé (B) soit compris dans la gamme de 1,5/1 à 20/1.
Le composé (C) est le catalyseur de la réaction de réticulation, et est notamment l'acide chloroplatinique, les complexes acide chloroplatinique-oléfine, les complexes acide chloroplatinique-alkenylsiloxane, les complexes acide chloroplatinique-dicétone, le platine noir, et le platine sur support.
Le catalyseur (C) est de préférence ajouté de 0,1 à 1000 parts en poids, mieux de 1 à 100 parts en poids, en tant que métal platine propre pour 1000 parts en poids de la quantité totale des composés (A) et (B).
Comme élastomères non-émulsionnants sphériques, on peut par exemple utiliser ceux vendus sous les dénominations DC 9040®, DC 9041®, DC 9509®, DC 9505® par la société Dow Corning.
On peut encore utiliser ceux vendus sous les dénominations KSG-6®, KSG-15®, KSG-16®, KSG-18®, KSG-41®, KSG-42®, KSG-43®, KSG-44®, par la société Shin Etsu ; Gransil SR 5CYC® gel, Gransil SR DMF 10 gel®, Gransil SR DC556 gel®, Gransil RPS®, Gransil DMG-6® et Gransil DMG-6® LC de la société Grant Industries ; 1229-02-167®, 1229-02-168® et SFE 839 ® de la société General Electric.
Selon un exemple, la formation des barrières comprend une implantation d’espèces dans les portions exposées, de sorte à obtenir un matériau modifié non supraconducteur au niveau de chacune desdites portions, ledit matériau modifié présentant une stœchiométrie différente de celle du matériau supraconducteur non modifié des régions supraconductrices situées de part et d’autre de ladite barrière.
Selon un exemple, la couche supraconductrice est en TiN et l’implantation d’espèces comprend une implantation d’azote.
Selon un exemple, la formation des barrières comprend une amorphisation des portions exposées, de sorte à obtenir un matériau modifié non supraconducteur au niveau de chacune desdites portions, ledit matériau modifié présentant une structure amorphe différente d’une structure cristalline du matériau supraconducteur non modifié des régions supraconductrices situées de part et d’autre de ladite barrière.
Selon un exemple, la couche supraconductrice est à base de silicium dopé bore et l’amorphisation comprend une implantation de germanium à une dose comprise entre 10 15 et 10 20 cm -2 .
Selon un exemple, la formation des barrières comprend une gravure de la couche supraconductrice au niveau de chacune desdites portions exposées, selon une direction z normale au plan basal xy et sur une profondeur dp20 supérieure à au moins la moitié d’une épaisseur e20 de la couche supraconductrice, de sorte à obtenir une constriction géométrique en hauteur entre les régions supraconductrices situées de part et d’autre de ladite barrière.
Selon un exemple, la formation des barrières comprend en outre, après ladite gravure de la couche supraconductrice, une épitaxie d’un matériau non supraconducteur entre les régions supraconductrices situées de part et d’autre de ladite barrière.
Selon un exemple, la couche supraconductrice est à base de silicium dopé bore et l’épitaxie comprend une épitaxie de silicium non dopé.
Sauf incompatibilité, il est entendu que l’ensemble des caractéristiques optionnelles ci-dessus peuvent être combinées de façon à former un mode de réalisation qui n’est pas nécessairement illustré ou décrit. Un tel mode de réalisation n’est évidemment pas exclu de l’invention. Les caractéristiques d’un aspect de l’invention, par exemple le dispositif, le procédé ou le système, peuvent être adaptées mutatis mutandis à un autre aspect de l’invention .
On entend par un substrat, un empilement, une couche, « à base » d’un matériau A, un substrat, un empilement, une couche comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage et/ou des éléments dopants. Ainsi, un substrat à base de silicium s’entend par exemple d’un substrat Si, Si dopé, voire SiC ou SiGe.
Liste de références 10 : système passif de régulation thermique 20 : réservoir absorbeur/diffuseur et accumulateur de chaleur 30 : paroi du réservoir 20, apte à absorber et diffuser la chaleur 40 : accumulateur de chaleur 50 : moyen de remplissage en fluide du réservoir 20 60 : moyen de vidange du fluide du réservoir 20 66 : vanne raccordée au moyen de vidange 60 68 : système de modification réversible de la perméabilité 70 : ouverture du réservoir 20 80 : bouchon du réservoir 20 85 : ouverture d’évacuation/aspiration d’air 90 : système de chauffage de l’accumulateur 40 92 : chaudière du système de chauffage 90 100 : échangeur de chaleur du système de chauffage 90 110 : système de refroidissement de l’accumulateur 40 112 : moyen de récupération d’eau froide 120 : échangeur de chaleur du système de refroidissement 110 140 : moyens de stabilisation au sol de la position du réservoir 20 150 : moyens de guidage de déploiement du réservoir 20 200 : serre agricole 210 : plants de cultures de la serre 200 220 : tablette portant les plants de cultures 210 230 : gouttière de la serre 200 240 : long-pans et/ou travées et/ou poteaux intérieurs de la serre 200
Cependant, l'eau et/ou les pierres/terre ne restituent pas la chaleur de façon stable, c'est-à-dire avec une température constante. La restitution de chaleur dépend des conditions climatiques extérieures et de la serre agricole. La température du réservoir calorifique dépend de l'ensoleillement, des températures intérieures et extérieures de la serre. Cette température est donc difficilement contrôlable, fluctuante et rarement adaptée aux températures demandées par les cultures.
Les figures 3A à 3C illustrent en coupe transverse des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif quantique selon un autre mode de réalisation la présente invention.
Les figures 4A à 4B illustrent en coupe transverse des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif quantique selon un autre mode de réalisation la présente invention.
La illustre en coupe transverse un dispositif quantique selon un mode de réalisation la présente invention.
La illustre en vue de dessus le dispositif quantique en partie illustré à la , co-intégré avec d’autres dispositifs quantiques, selon un mode de réalisation la présente invention.
La illustre en vue de dessus un dispositif quantique co-intégré avec d’autres dispositifs non quantiques, selon un mode de réalisation la présente invention.
Selon un exemple, le procédé comprenant en outre, après formation desdites au moins deux barrières, un retrait au moins partiel du masque.
Selon un exemple, le procédé comprenant en outre, après formation desdites au moins deux barrières, une formation d’au moins un contact sur au moins une région supraconductrice de la couche supraconductrice. Ces contacts permettent typiquement de polariser (en tension) le dispositif et de faire circuler le courant dans le dispositif.
Selon un exemple, la formation du masque comprend les étapes suivantes : Un dépôt d’une couche diélectrique sur la couche supraconductrice, Une formation de motifs préparatoires en alternance avec au moins deux ouvertures préparatoires dans la couche diélectrique, lesdites au moins deux ouvertures préparatoires présentant chacune une largeur selon la direction x strictement supérieure à la largeur di, Une formation, sur au moins un flanc de chacun des motifs préparatoires, d’au moins un espaceur, chaque motif de masquage du masque comprenant un motif préparatoire et au moins un espaceur.
Selon un exemple, la formation du masque comprend les étapes suivantes : Un dépôt d’une couche diélectrique sur la couche supraconductrice, Une formation de motifs préparatoires en alternance avec au moins deux ouvertures préparatoires dans la couche diélectrique, lesdites au moins deux ouvertures préparatoires présentant chacune une largeur di0 selon la direction x strictement supérieure à la largeur di selon la direction x. Une formation, sur au moins un flanc de chacun des motifs préparatoires, d’au moins un espaceur de largeur s6i selon la direction x, de sorte à obtenir les au moins deux ouvertures du masque de largeur di, de préférence tel que di = di0 – 2.s6i > 3nm avec 5nm ≤ s6i ≤ 25nm, chaque motif de masquage du masque comprenant un motif préparatoire et au moins un espaceur. Ainsi, di0 est la largeur initiale des ouvertures préparatoires, avant réduction de taille jusqu’à di par l’utilisation d’espaceurs. Selon un exemple, les largeurs respectives sont telles que di0 – s6i ≤ di ≤ di0 – 2.s6i. Selon un exemple, les largeurs respectives sont telles que di + 10 nm ≤ di0 ≤ di + 30 nm. Selon un exemple, la formation du masque est configurée de sorte que la largeur di de chacune des au moins deux ouvertures est inférieure à 100 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm, et de préférence inférieure ou égale à 20 nm, par exemple comprise entre 3 et 6 nm.
Selon un exemple, la formation de la couche supraconductrice est configurée de sorte que la couche supraconductrice présente une épaisseur e20 selon une direction z normale au plan basal xy, comprise entre 5 nm et 30 nm.
Selon un exemple, la formation de la couche supraconductrice se fait à partir d’une couche de silicium mise en présence d’un gaz BClx, par une pluralité de tirs laser au sein de la couche de silicium de façon à incorporer du bore pour former le matériau supraconducteur Si:B++.
Selon un exemple, la pluralité de tirs laser comprend au moins 100 tirs laser successifs présentant chacun une durée comprise entre 20ns et 500ns, et une densité d’énergie comprise entre 200 mJ/cm 2 et 1,5J/cm 2 .
Selon un exemple, la formation de la couche supraconductrice comprend un dépôt d’une couche de nitrure de titane de stœchiométrie contrôlée TiN.
Selon un exemple, le dépôt de la couche de TiN comprend un dépôt assisté par laser pulsé avec un laser infrarouge de longueur d’onde 1064 nm.
Le signal de test St est appliqué sur l’entrée non inverseuse du driver 21 et est donc reproduit sur la sortie du driver 21.
Le driver 21 forme une source de courant fournissant un courant complémentaire permettant d’assurer que le signal de test St est généré avec un niveau de courant suffisant pour conserver, en sortie des composants générateurs (c’est-à-dire ici en sortie du driver 21), un niveau de tension égal au niveau de tension prédéterminé. Le driver 21 est ici nécessaire, car les différents éléments constituant et reliés à la chaîne d’injection 15 « tirent » du courant que n’est pas capable de fournir seul le microcontrôleur 17.
La résistance R permet de limiter le courant.
Le premier condensateur C1 permet d’injecter le signal de test St, produit par le microcontrôleur 17 et le driver 21, sur le conducteur de phase 10 en aval de l’organe de coupure 12.
La chaîne de mesure 16 permet de mesurer, en un point de mesure Pm de la chaîne d’injection 15 situé entre le au moins un composant générateur et le composant d’injection, un niveau de tension intermédiaire du signal de test St.
Le point de mesure Pm est ici situé entre la résistance R et le premier condensateur C1.
Le deuxième filtre passe-haut 24 est ici un filtre passe-haut actif de gain égal à 1. La fréquence de coupure du deuxième filtre passe-haut 24 est typiquement égale à 5kHz. Le deuxième filtre passe-haut 24, situé en amont du CAN 25, permet d’éliminer le 50Hz éventuel (qui peut être capté par effet d’antenne dans le cas où l’organe de coupure 12 et le disjoncteur 6 sont tous les 2 ouverts) et les éventuelles perturbations venant du réseau 3. Le deuxième filtre passe-haut 24 permet donc de présenter au CAN 25 un signal non perturbé. Il suffit alors de détecter l’enveloppe de ce signal (via le détecteur d’enveloppe numérique 26) et de filtrer en numérique la sortie du détecteur 26 par le filtre passe-bas 27, dont la fréquence de coupure est typiquement égale à 10Hz.
Le microcontrôleur 17 compare le niveau de tension intermédiaire mesuré du signal de test St avec un seuil prédéterminé, et détecte que le disjoncteur 6 est ouvert lorsque le niveau de tension intermédiaire du signal de test St est supérieur au seuil prédéterminé, et que le disjoncteur 6 est fermé lorsque le niveau de tension intermédiaire du signal de test St est inférieur ou égal au seuil prédéterminé.
En effet, lorsque le disjoncteur 6 est ouvert, le signal entrant vers le CAN 25 est élevé.
On suppose ici que le module de la charge Z(abonné) et la charge Z(amont) sont très faibles devant la résistance R à 10kHz (mais cela n’est pas systématique, du moins en ce qui concerne Z(abonné) : voir plus bas).
Après filtrage passe-bas, le niveau de tension intermédiaire mesuré est égal à un niveau haut Vh égal à 3,3V (c’est-à-dire au niveau de tension prédéterminé Vp du signal de test St).
Par contre, lorsque le disjoncteur 6 est fermé, le signal entrant vers le CAN 25 est sensiblement plus faible. Après filtrage passe-bas, le niveau de tension intermédiaire mesuré est égal à un niveau bas Vb, qui est égal à (division de tension) :
Z(C1) est une impédance du premier condensateur, Z(C2) est une impédance du deuxième condensateur, Z(amont) est une impédance entre la phase et le neutre en amont du compteur 1, Z(abonné) est une impédance entre la phase et le neutre en aval du compteur 1, lesdites impédances étant estimées à une fréquence du signal de test (c’est-à-dire à 10kHz).
Le seuil prédéterminé Sp est donc compris entre le niveau haut Vh (égal ici au niveau de tension prédéterminé Vp) et le niveau bas Vb.
Le niveau bas est ici égal à 1,06V.
Comme cela est visible sur la , le fait que les unités de dispersion de chaque chambre de coupure 100, 100’ soit d’un seul côté, est mis à profit pour rapprocher les chambres de coupure 100, 100’ l’une de l’autre. Plus précisément, les chambres de coupure 100, 100’ sont accolées l’une à l’autre par leur côté dépourvu d’unité de dispersion. Ainsi, les chambres de coupure 100, 100’ sont agencées de sorte que les plans 304, 304’ soient en-vis-à-vis l’un de l’autre (par exemple, parallèles l’un à l’autre), de manière à délimiter entre eux un espace central 702. Les unités de dispersion se trouvent alors en dehors de cet espace central 702.
La présence de cette zone centrale 702 dépourvue des unités de dispersion permet d’évacuer facilement les gaz d’ionisation vers l’extérieur de la chambre de coupure. Cette évacuation serait par exemple beaucoup plus difficile si des unités de dispersion étaient prévues dans cette zone centrale 702, du fait de l’orientation des blocs ailettes en vis-à-vis.
En outre, de préférence, les champs magnétiques 112, 112’ des deux chambres de coupure 100, 100’ sont de même direction.
En conclusion, il apparaît clairement qu’une chambre de coupure tel que celle décrite précédemment permet de gagner en compacité.
Par exemple, les unités 102A, 102B, 104A, 104B de dispersion d’arc électrique pourraient être omises. Dans ce cas, la dispersion de l’arc électrique pourrait être obtenue simplement en faisant s’écarter les guides de chaque paire l’un de l’autre. Cela entraînerait néanmoins une chambre de coupure plus volumineuse qu’avec l’utilisation d’unités de dispersion d’arc électrique, comme des blocs d’ailettes.
PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE La présente invention se rapporte au domaine général des dispositifs optoélectroniques.
L’invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif optoélectronique.
L’invention concerne également un dispositif optoélectronique ainsi obtenu.
L’invention trouve des applications dans de nombreux domaines industriels, dans tous les domaines employant des TCOs nécessitant une mise en forme par technologie de micro-fabrication (photolithographie-gravure), et en particulier pour la fabrication de micro-afficheurs à base de pixels OLED.