Dispositif électronique (100) comprenant un substrat semiconducteur (102) ayant une première face (104) et des transistors (T) dont les grilles (120) sont contenues dans des tranchées (110) s'étendant dans le substrat semiconducteur, chaque transistor comprenant, dans le substrat semiconducteur, un caisson semiconducteur (130) dopé d'un premier type de conductivité, dans lequel se forme en fonctionnement le canal du transistor, le caisson étant enterré dans le substrat semiconducteur et au contact de deux tranchées adjacentes parmi lesdites tranchées, une première région semiconductrice (152) dopée d'un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, recouvrant le caisson, au contact du caisson, et au contact des deux tranchées adjacentes, une deuxième région semiconductrice (150) dopée du deuxième type de conductivité plus fortement dopée que la première région semiconductrice, s'étendant dans la première région semiconductrice et exposée sur la première face, et une troisième région semiconductrice (132) dopée du premier type de conductivité, plus fortement dopée que le caisson, recouvrant le caisson, exposée sur la première face, au contact de la première région, et s'étendant dans le substrat semiconducteur au contact du caisson. Dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième région semiconductrice (150) est au contact des deux tranchées adjacentes. Dispositif électronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la troisième région semiconductrice (132) est au contact des deux tranchées adjacentes. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première région semiconductrice (152) comprend une première sous-région semiconductrice (154) contenant la deuxième région semiconductrice (150) et au moins une deuxième sous-région semiconductrice (156) exposée sur la première face (104) et reliant la première sous-région semiconductrice à la troisième région semiconductrice (132), la profondeur maximale de la première sous-région semiconductrice étant supérieure à la profondeur maximale de la deuxième sous-région semiconductrice. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque transistor (T) comprend, dans la tranchée (110) contenant la grille (120) du transistor : - une première couche isolante électriquement (124) entre la grille (120) du transistor et le caisson semiconducteur (130) et formant l'isolant de grille du transistor ; - un élément conducteur électriquement (180) situé dans la tranchée (110) ; - une deuxième couche isolante électriquement (184) entre l'élément conducteur électriquement et le substrat semiconducteur ; et - une troisième couche isolante électriquement (186) entre l'élément conducteur électriquement et la grille. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les deuxièmes régions semiconductrices (150) des transistors (T) sont connectées électriquement ensemble et dans lequel les troisièmes régions semiconductrices (132) des transistors (T) sont connectées électriquement ensemble. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat semiconducteur (102) comprend une deuxième face (106) opposée à la première face (104), chaque transistor comprenant en outre, dans le substrat semiconducteur, une quatrième région semiconductrice (142) dopée du deuxième type de conductivité, recouverte par le caisson (130), au contact du caisson, et une cinquième région semiconductrice (150) dopée du deuxième type de conductivité, plus fortement dopée que la quatrième région semiconductrice, et exposée sur la deuxième face. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant plusieurs transistors (T) pour chaque paire de tranchées (110) adjacentes, au moins certaines des troisièmes régions semiconductrices (132) des transistors étant alternés avec les deuxièmes régions semiconductrices (150) des transistors. Dispositif électronique selon la revendication 8, dans lequel les caissons (130) de deux transistors (T) adjacents sont jointifs. Procédé de fabrication du dispositif électronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la formation de la première région semiconductrice (152) comprend une étape de formation, par épitaxie, d'une couche semiconductrice (210) dopée du deuxième type de conductivité, et une étape d'implantation de dopants du deuxième type de conductivité dans la couche semiconductrice.