INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La est une représentation schématique éclatée du dispositif d’éclairage selon la , dépourvu de modules lumineux.
La est une représentation schématique d’un ensemble formé par un premier support intermédiaire et un deuxième support intermédiaire.
Pour éviter qu'il y ait des fuites entre deux lamelles adjacentes, le dispositif d'étanchéité peut comporter en outre une tôle couvre-joint entre les lamelles d'étanchéité de façon à recouvrir la jointure entre les deux lamelles d'étanchéité adjacentes.
En raison notamment des fortes vibrations auxquelles sont soumises de tels équipements, il n'est pas exclu qu'on assiste à un cisaillement des rivets, de sorte que les lamelles deviennent libres de mouvement.
La présente invention a pour but de proposer un dispositif d'étanchéité qui permet de supprimer ce risque, à tout le moins de le diminuer drastiquement.
PRESENTATION DE L'INVENTION A cet effet, l'invention se rapporte à un dispositif d'étanchéité à lamelle pour assurer une étanchéité aux fluides entre un premier élément de structure et un deuxième élément de structure, qui comporte :
- au moins un crochet qui comporte une première partie de fixation, en forme d'épingle en "U" à ailes parallèles qui est engagée à cheval sur une cloison dudit deuxième élément de structure, ainsi qu'une deuxième partie intermédiaire d'appui qui se situe dans la continuité de l'une desdites ailes mais en direction opposée, cette partie intermédiaire venant en appui contre ladite lamelle,
caractérisé par le fait que ladite partie intermédiaire comporte un prolongement qui constitue une butée d'arrêt pour ladite lamelle et qui s'oppose à l'échappement de celle-ci dans une direction généralement parallèle auxdites ailes.
Ainsi, grâce au crochet de ce dispositif, qui a la même forme de base que celle du crochet connu décrit ci-dessus, même en cas de cisaillement du rivet qui le maintient en place, la lamelle ne peut plus s'échapper car elle est retenue par le prolongement formant butée.
Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention :
- ledit prolongement s'étend au-delà du bord supérieur de ladite lamelle et comporte une base et un rebord libre, lequel est recourbé dans une direction opposée à ladite première partie, rebord qui vient coiffer ladite lamelle ;
- ledit rebord libre est recourbé sur lui-même de façon à présenter une extrémité parallèle à ladite base ;
- ledit rebord est recourbé deux fois successives à angle droit en direction de ladite deuxième partie intermédiaire ;
- il comprend un rivet par crochet, ce rivet étant engagé dans des ouvertures disposées en regard deux à deux et prévues dans lesdites ailes et dans ladite deuxième partie intermédiaire dudit crochet, ainsi que dans ledit deuxième élément de structure et dans ladite cloison ;
- ledit crochet est d'une seule pièce.
La présente invention se rapporte également à une turbomachine qui est équipée d'au moins un dispositif d'étanchéité selon l'une des caractéristiques ci-dessus, ainsi qu'à un aéronef équipé d'une telle turbomachine.
DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, un mode de réalisation possible.
Polymère PP PP PP PP PP PP PP Quantité de CB - 1,2% - - - - 0,2% Quantité de PL - - 1,2% - - - - Quantité de LBF - - - 1,2% 2,0% 4,0% 1,0% Intensité de réflexion maximale 19,3% 1,4% 19,2% 20,4% 21,8% 23,2% 1,8% Intensité de réflexion minimale 0,7% 0,8% 0,7% 0,8% 0,8% 0,8% 0,8% Contraste de spécimen NIR 26,6 0,8 26,4 24,5 26,3 28,0 1,3 L 67,74 7,5 21,15 12,93 9,77 8,28 8,01 a -1,12 0,42 9,63 4,67 4,43 4 0,41 b -1,05 1,37 13,49 6,58 5,72 4,94 1,42 Opacité 54% 101% 91% 101% 102% 104% 101% Évaluation - Matériau PP ND PP PP PP PP ND
Échantillons de composition thermoplastique préparés avec du polypropylène (PP) comme polymère et le type d’échantillon étant une plaque.
Les résultats sont présentés dans les Figures 1a et 1b.
Polymère PP PP PP PP Quantité de CB - 40,0% - - Quantité de PL - - 40,0% - Quantité de LBF - - - 40,0% Intensité de réflexion maximale 20,2% 3,3% 33,1% 43,5% Intensité de réflexion minimale 1,8% 1,9% 3,4% 7,2% Contraste de spécimen NIR 10,2 0,7 8,7 5,0 Évaluation - Matériau PP ND PP PP
Échantillons de composition thermoplastique préparés avec du polypropylène (PP) comme polymère et le type d’échantillon étant un granulé
Les résultats sont présentés dans la .
Polymère HDPE HDPE HDPE HDPE CB - 1,2% - - PL - - 1,2% - LBF - - - 1,2% Intensité de réflexion maximale 35,6% 1,2% 31,6% 31,3% Intensité de réflexion minimale 0,6% 0,4% 0,6% 0,5% Contraste de spécimen NIR 58,3 2,0 51,7 61,6 L 75,42 7,86 17,9 10,24 a -1,17 -0,59 9,72 3,95 b -2,2 -1,35 11,52 4,94 Opacité 52% 100% 85% 100% Évaluation - Matériau HDPE ND HDPE HDPE
Échantillons de composition thermoplastique préparés avec du polyéthylène (polyéthylène haute densité HDPE) comme polymère et le type d’échantillon étant une plaque
Les résultats sont présentés dans les Figures 3a et 3b.
Polymère HDPE HDPE HDPE HDPE CB - 40,0% - - PL - - 40,0% - LBF - - - 40,0% Intensité de réflexion maximale 24,3% 2,8% 30,6% 19,1% Intensité de réflexion minimale 1,6% 1,5% 3,3% 2,1% Contraste de spécimen NIR 14,2 0,9 8,3 8,1 Évaluation - Matériau HDPE ND HDPE HDPE
Échantillons de composition thermoplastique préparés avec du polyéthylène (polyéthylène haute densité HDPE) comme polymère et le type d’échantillon étant un granulé
Polymère PA12 PA12 CB 2,0% - PL - - LBF - 2,0% Intensité de réflexion maximale 1,4% 27,0% Intensité de réflexion minimale 0,7% 1,0% Contraste de spécimen NIR 1,0 26,0 L 3,69 8,32 a -0,24 3,02 b -1,33 3,53 Opacité 104% 104% Évaluation - Matériau ND PA
Échantillons de composition thermoplastique préparés avec du polyamide (PA) comme polymère et le type d’échantillon étant une plaque
Polymère ABS ABS ABS ABS CB - 1,2% - - PL - - 1,2% - LBF - - - 1,2% Intensité de réflexion maximale 21,5% 1,4% 20,6% 20,8% Intensité de réflexion minimale 0,8% 0,6% 0,9% 0,9% Contraste de spécimen NIR 25,9 1,3 21,9 22,1 L 82,78 11,46 35,78 23,09 a -2,82 -0,52 5,74 4,63 b 3,2 -0,68 7,18 5,84 Opacité 75% 100% 100% 100% Évaluation - Matériau ABS ND ABS ABS
Dans l’exemple de réalisation décrit précédemment en liaison avec les figures 4, 5A, 5B, pour effectuer l’effacement, par égalisation des nœuds par couplage par connexion des lignes de bits entre elles, on réalise une sélection simultanée des cellules en activant au moins plusieurs lignes de mots et par conséquent les transistors d’accès d’au moins plusieurs rangées de cellules. En variante, en particulier lorsque l’on effectue l’égalisation des nœuds par connexion des nœuds entre eux, on peut prévoir de conserver désactivées les lignes de mots des rangées de cellules que l’on souhaite initialiser. Les transistors d’accès des cellules appartenant à ces rangées sont alors maintenus désactivés pour bloquer l’accès à la cellule et découpler celle-ci des lignes de bits.
On peut prévoir de réaliser un mode d’initialisation intermédiaire et distinct du mode d’initialisation libre et du mode d’initialisation déterministe décrits précédemment.
Un tel mode d’initialisation « partiellement déterministe » encore appelé « biaisé » peut être utilisé afin par exemple d’accélérer une phase de recherche (« enrollment » selon la technologie anglo-saxonne) de cellules mémoires fortement biaisés, c’est-à-dire qui, lorsqu’elles sont initialisées, s’initialisent préférentiellement selon une valeur ‘1’ ou ‘0’ dans des conditions de température et de tension variant dans une gamme donnée.
Si l’on considère maintenant comment la statistique p( P, V SR , ΔV , T) dépend de la tension appliquée entre les lignes de bits BLTi, BLFi, on ne voit dans les figures 7A-7B que des statistiques pour ΔV =-VDD (initialisation déterministe RESET, pic de gauche dans la ), ΔV =0 (initialisation libre, double pic dans la ) et ΔV =VDD (initialisation déterministe SET, pic de droite dans la ). Un tel mode d’initialisation « biaisé » permet de réaliser une initialisation qui aura une statistique intermédiaire entre ces cas extrêmes, et donc d’altérer l’initialisation libre en favorisant l’état ‘0’ si ΔV ou plutôt l’état ‘1’ si ΔV >0. Les valeurs de tension appliquées sur les lignes de bits BLTi, BLFi nous permettent donc de contrôler la statistique d’initialisation.
Ce mode d’initialisation « partiellement biaisé » peut être mis en œuvre en introduisant un déséquilibre de conductivité entre les transistors agencés entre la ligne de bit d’une ligne de polarisation. Ce déséquilibre, modulable en fonction du biais que l’on souhaite introduire, peut être ajusté en adaptant le dimensionnement respectif des transistors, et en particulier leur rapport W/L (rapport de la largeur sur la longueur du canal) soit en adaptant leurs polarisations respectives, soit par une combinaison de ces deux types d’adaptations.
Ainsi, sur la , une variante de réalisation permettant d’implémenter en outre une initialisation « biaisée » est illustrée. La probabilité qu’une cellule s’initialise à « 0 » ou « 1 » peut être dans cet exemple de réalisation modulée en fonction des valeurs respectives de signaux SET’, RESET’, vpol1, vpol2 appliqués sur des transistors de couplage 691, 692 reliés aux lignes de bits BLTi, BLFi.
Entre la première ligne de bit BLTi et une première ligne de polarisation 693 mise à un premier potentiel de polarisation Vpol1, un transistor 691 de couplage est prévu, ce transistor 691 étant cette fois de type NMOS et doté d’une grille contrôlée par le signal SET’. Ce signal SET’ peut prendre la valeur du signal SET, lorsque l’on souhaite effectuer une initialisation déterministe ou libre. Ce signal SET’ peut en revanche prendre la valeur d’un signal de polarisation BIAS1, lorsque l’on souhaite effectuer une initialisation biaisée. Pour pouvoir alternativement appliquer le signal SET ou BIAS1 sur la grille du transistor de couplage 691 on peut par exemple prévoir un multiplexeur 695 dont les entrées sont les signaux SET et BIAS1 et qui délivre en sortie le signal SET’.
De même, un transistor 692 de couplage, ici également de type NMOS, et doté d’une grille contrôlée par le signal RESET’, est prévu entre la deuxième ligne de bit BLF et une deuxième ligne de polarisation 694 mise à un deuxième potentiel de polarisation Vpol2. Ce signal RESET’ peut prendre la valeur du signal RESET, lorsque l’on souhaite effectuer une initialisation déterministe ou libre. Ce signal peut prendre la valeur d’un autre signal de polarisation BIAS2, lorsque l’on souhaite effectuer une initialisation biaisée. Pour pouvoir alternativement appliquer le signal RESET ou BIAS2 sur la grille du transistor de couplage 692, on peut par exemple prévoir un multiplexeur 696 dont les entrées sont les signaux RESET et BIAS2 et qui délivre en sortie le signal RESET’.
Pour permettre de basculer entre les différents modes d’initialisation déterministe, libre ou biaisé, on peut prévoir en remplacement de l’étage 141 décrit précédemment, un circuit logique (non représenté), recevant en entrée les signaux RAND, SET, RESET, et un signal binaire supplémentaire JOK. Ainsi, un changement d‘état du signal binaire supplémentaire JOK détermine un déclenchement d’initialisation biaisée.
Avantageusement, le premier transistor 691 peut être prévu avec un rapport W1/L1 différent de celui W2/L2 du deuxième transistor 692. Tandis que dans l’exemple décrit précédemment en lien avec la , on choisit typiquement des transistors de taille importante, on peut prévoir ici des transistors 691, 692 de faible taille.
On prévoit avantageusement ces potentiels Vpol1, Vpol2 égaux à ∆V , avec ∆V ∆V ∆V très inférieur à VDD) on entend que ∆V est au moins inférieur à VDD/10 et avantageusement inférieur à VDD/Y
Avec un l’agencement donné sur la , on peut mettre en œuvre un mode d’initialisation biaisé dans lequel on réalise dans une première phase, une opération d’effacement selon une technique mentionnée précédemment.
Selon une deuxième phase, on assure, comme pour une initialisation déterministe, une polarisation différente entre la première ligne de bit BLTi et la deuxième ligne de bit BLFi tout en activant le premier transistor d’accès et le deuxième transistor d’accès des cellules initialisées. Un des deux signaux de polarisation BIAS1, BIAS2 est mis à VDD tandis que l’autre des deux signaux de polarisation SET’=BIAS1, RESET’=BIAS2 est à VDD-∆V. Avantageusement, lors de la deuxième phase, les signaux SET’=BIAS1, et RESET’=BIAS2 peuvent être prévus de sorte qu’il n’y a qu’un seul des deux transistors 691, 692 qui est rendu conducteur. Ce transistor 691 ou 692 rendu conducteur est en régime sous le seuil ou linéaire ou saturé. Toutefois, le niveau de tension ou courant imposé à la ligne de bit couplée au transistor rendu conducteur est différent de celui permettant d’imposer un état donné avec un niveau de probabilité proche de ‘1’ de sorte que le niveau auquel vont s’établir les cellules initialisées reste aléatoire.
La différence de polarisation entre les lignes de bits est cette fois effectuée en maintenant l’écart de polarisation entre les deux lignes de bits à un niveau ∆V faible et très inférieur au potentiel d’alimentation VDD afin de biaiser la tendance des nœuds NT et NF à basculer vers une valeur logique ou un état donné sans toutefois l’imposer. La valeur de ∆V peut être modulée en fonction du biais que l’on souhaite introduire. En modifiant cette valeur, on modifie la probabilité qu’à une cellule de s’établir à un niveau ‘1’ ou ‘0’.
Avec un dispositif tel qu’illustré sur la , on peut effectuer une succession de tests d’initialisation avec des valeurs différentes des potentiels de polarisation Vpol1, Vpol2. On peut ainsi moduler le potentiel ∆V d’une initialisation à l’autre. Cela peut être utile pour permettre de vérifier la probabilité qu’a une cellule de basculer vers un état logique ‘1’ ou ‘0’ lorsque l’initialisation n’est pas déterministe.
Ainsi, lors d’une première initialisation au moins une ligne de polarisation donnée parmi les lignes de polarisation 691, 693 est mise à un potentiel de polarisation donné ∆V = ΔV 1 , avec ΔV 1 ΔV 2 , ΔV 1 ≠ ΔV 2 et tel que ΔV 2 < VDD/10.
De manière préférée, un catalyseur est utilisé pour accélérer la réticulation. On utilisera par exemple le triéthylène diamine connu sous le nom commercial DABCO. En effet, un ajout de seulement 0,05% en masse permet de diminuer la température de réticulation d'environ 10°C. Préférentiellement, on utilisera une quantité de DABCO inférieure à 1% massique. D’autres catalyseurs de type amines tertiaires peuvent être utilisés : triéthylamine, diméthyle cyclohexane amine, tétraméthyl éthylène diamine etc…,
L’invention concerne également un procédé de fabrication en continu d’un panneau 1 isolant tel que décrit précédemment, remarquable en ce qu’il comporte au moins les étapes successives suivantes : -Recouvrement en continu d’une tôle métallique 3 par une couche 2 de mélange liège/liant, -Passage dans une étuve en continu à une température comprise entre 40 et 150°C.
Préférentiellement, la température de l’étuve sera comprise entre 90 et 110°C. Encore plus préférentiellement, la température de l’étuve sera comprise entre 95 et 105°C.
Le procédé de fabrication du panneau est un procédé en continu, la tôle métallique sera positionnée sur un tapis en mouvement et une épaisseur de mélange liège/liant (couche de mélange liège/liant) sera coulée en continue sur la tôle métallique en mouvement de sorte à la recouvrir. Le tapis supportant le panneau passera ensuite dans une étuve à tapis. La vitesse du tapis et les dimensions du four seront des paramètres à régler en fonction de l’épaisseur de mélange liège/liant voulue sur la tôle 3 et pour permettre une bonne réticulation du mélange lors du passage en étuve.
Avantageusement, le passage en étuve aura une durée comprise entre 3h et 12h.
Plus avantageusement, le passage en étuve aura une durée comprise entre 3h et 5h.
Encore plus avantageusement, le passage en étuve aura une durée comprise entre 3h30 et 4h30.
Afin d’illustrer les avantages de l’invention en terme d’isolation thermique, on peut citer à titre d’exemple, les résultats de tests thermiques effectués sur des éprouvettes de panneau 1 selon l’invention. L’exemple suivant illustre l’invention sans la limiter.
Echantillons
Deux éprouvettes de panneau constitué de liège mâle de granulométrie de 2/5 mm mélangé à un liant et collé sur une feuille d’acier, ont été testées. La première éprouvette a une épaisseur de 100 mm, la seconde a une épaisseur de 120mm. Dans la seconde éprouvette, des sondes thermocouple intermédiaires ont été placées dans la matière comme suit : une première sonde à 30 mm de la face acier, une seconde sonde à 60mm de la face acier et une troisième à 90mm de la face acier.
Conditions d’expérimentation
Les éprouvettes sont placées dans un cadre de bois et entourées de part et d’autre de chevêtres autour desquels des joints d'étanchéité a l'air ont été posés. Ce cadre est destiné à être inséré dans des tunnels de mesure. Un joint compressif de type Compriband est également positionné sur les 4 faces du cadre et le même joint sur le fond des tunnels de mesures, ces joints sont comprimés par un presseur. L’ensemble de ces éléments visent à empêcher toute fuite thermique ou tout risque de migration thermique pouvant perturber l'expérimentation.
Des chambres d’expérimentation de 2 types sont utilisées : une permettant des mesures pour des températures variant de -20°C à 0°C en froid ventilé ou en froid statique (source type groupe froid négatif), l’autre permettant des mesures pour des températures variant de + 40°C à + 120°C (source de température rayonnement infrarouge).
Prise de mesures
Une mesure du temps de déphasage est effectuée toutes les 1/2 heure afin de déterminer le moment où les mesures sont stables et sans variation. Ici, la stabilité des mesures est atteinte au bout de 7 h 30.
Pour les deux éprouvettes deux mesures sont réalisées : la première à 0°C servant de référence au classement thermique, la seconde a + 60°C permettant d'évaluer le comportement du matériau ou complexe en confort d'été sous fort rayonnement solaire (Infra rouge).
est une vue schématique en coupe illustrant un retrait localisé de la couche d’oxyde formée par l’oxydation de la ;
est une vue schématique en coupe illustrant une épitaxie localisée exploitant pour masque la couche d’oxyde restante suite à son retrait localisé de la .
En référence à la , l’invention porte sur une puce de circuit intégré photonique-électronique formée sur un substrat semiconducteur sur isolant, lequel substrat silicium sur isolant comprend une couche diélectrique enterrée 11 et une couche active de matériau semiconducteur 12, par exemple du silicium monocristallin. La couche diélectrique enterrée 11 vient typiquement séparer la couche active de matériau semiconducteur 12 d’un substrat support 20.
La puce selon l’invention comprend, co-intégrées dans la couche active 12, une partie de circuit électronique CE1, CE2 et une interface photonique d’interconnexion IPI de la partie de circuit électronique. Dans l’exemple de la , l’interface photonique d’interconnexion IPI agit comme une interface intra-puce assurant l’interconnexion de deux parties de circuit électronique CE1 et CE2. L’invention s’étend également à une interface photonique d’interconnexion IPI agissant comme une interface inter-puce assurant l’interconnexion d’une partie de circuit électronique intégrée à la puce avec une partie de circuit électronique intégrée à une autre puce.
Chaque partie de circuit électronique CE1, CE2 peut comprendre un module logique à transistors, par exemple à base de transistors de type FinFET (« Fin Field-Effect Transistor ») ou GAAFET (« Gate-All-Around Field-Effect Transistor).
L’interface photonique IPI comprend typiquement au moins un guide d’ondes. Elle peut également comprendre une partie de circuit photonique actif, comme par exemple un modulateur électro-optique ou encore un laser reporté sur l’interface IPI.
Selon l’invention, la partie de circuit électronique CE1, CE2 est formée dans une région de la couche active RE1, RE2 dont l’épaisseur est plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active RP dans laquelle est formée ladite interface photonique IPI.
L’épaisseur de la région de la couche active RE1, RE2 dans laquelle la partie de circuit électronique CE1, CE2 est formée peut être supérieure à 0,2µm, de préférence supérieure à 0,5µm.
L’épaisseur de la région de la couche active RP dans laquelle l’interface photonique IPI est formée peut quant à elle être comprise entre 0,2µm et 0,5µm.
La couche diélectrique enterrée peut présenter une épaisseur supérieure à 200nm, par exemple une épaisseur supérieure à 1µm, de préférence supérieure à 2µm.
Dans un mode de réalisation privilégié, la région de la couche active RP dans laquelle ladite interface photonique IPI est formée est prise en sandwich entre la couche diélectrique enterrée 11 et une région diélectrique superficielle 21 et la région de la couche active RE1, RE2 dans laquelle la partie de circuit électronique CE1, CE2 est formée est dépourvue d’une couche diélectrique superficielle. L’épaisseur de la région diélectrique superficielle 21 correspond typiquement à la différence d’épaisseur entre la région de la couche active RP dans laquelle ladite interface photonique IPI est formée et la région de la couche active RE1, RE2 dans laquelle la partie de circuit électronique CE1, CE2 est formée.
La puce selon l’invention est ainsi fabriquée sur un substrat semi-conducteur sur isolant présentant une couche d’oxyde enterrée épaisse. La région de la couche active destinée à la formation de la partie de circuit électronique est suffisamment épaisse pour ce que le fonctionnement de cette partie ne soit pas influencée de manière délétère par la couche d’oxyde enterrée. Et la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion présente quant à elle une épaisseur et un confinement optique optimisés pour la formation dans un plan horizontal d’interconnexions optiques de qualité.
Selon un autre aspect, l’invention porte sur un substrat semiconducteur sur isolant comprenant une couche diélectrique enterrée 11 et une couche active de matériau semiconducteur 12. Dans ce substrat, une région de la couche active RE1, RE2 destinée à la formation d’une partie de circuit électronique CE1, CE2 est d’épaisseur plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active RP destinée à la formation d’une interface photonique d’interconnexion IPI de la partie de circuit électronique.
L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un tel substrat semi-conducteur sur isolant, ce procédé comprenant un transfert de la couche active d’un substrat donneur vers un substrat support. Un tel transfert comprend typiquement le collage du substrat donneur et du substrat support avec une couche d’oxyde à l’interface de collage et peut s’opérer conformément à la technologie BESOI par amincissement en face arrière du substrat donneur ou conformément à la technologie Smart Cut TM par détachement au niveau d’un plan de fragilisation préalablement formé par implantation d’espèces ioniques dans le substrat donneur.
On décrit dans ce qui suit différents exemples d’un tel procédé de fabrication exploitant la technologie Smart Cut TM . En référence à la , un tel procédé peut débuter par la fourniture d’un substrat donneur 10 dont une portion superficielle au moins est en matériau semiconducteur. Sur les figures, on a représenté un substrat massif 10 de Si monocristallin. En référence à la , le procédé comprend une étape de formation d’une couche d’oxyde 11 sur le substrat donneur 10, cette couche d’oxyde étant destinée à former tout ou partie de la couche diélectrique enterrée 11 précédemment mentionnée.
De cette façon, la coiffe peut servir de couvercle de protection.
En outre, la rigidité de la coiffe assure une bonne fixation de cette coiffe au plateau. L’ensemble forme ainsi un emballage susceptible d’être manipulé par un bras robotisé qui viendrait le saisir par la coiffe, au moyen par exemple de ventouses.