INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- une deuxième feuille additionnelle de verre 8’ ou de plastique transparente
les faces principales internes dites F2 et F3 des première et deuxième feuilles additionnelles étant en regard, le système optique 1000 étant entre les faces F2 et F3 et au sein de l’intercalaire de feuilletage submillimétrique ou d’au plus 2mm
Lors de la fabrication on peut utiliser trois feuillets d’intercalaire : deux feuillets pleins 72, 73 contre les faces internes des feuilles 8, 8’ et un feuillet central 71 avec une ouverture pour loger le système 1000. Après feuilletage l’interface entre feuillets (symbolisé en pointillés) n’est pas forcément discernable. On préfère que l’ouverture soit fermée plutôt que totalement débouchante sur un côté. Ainsi tout le chant du système 1000 est entouré d’intercalaire de feuilletage 70. Naturellement pour l’alimentation électrique, de la connectique peut sortir du système 1000 et même dépasser sur un ou plusieurs côtés des chants des vitrages.
Alternativement, on peut utiliser deux feuillets d’intercalaires le feuillet central évidé n’étant pas nécessaire si le système 1000 est suffisamment mince par exemple d’épaisseur d’au plus 0,2mm.
L’une des feuilles 8 ou 8’ peut être incolore ou teinté (gris, vert, bronze etc) et l’autre des vitrages clair ou extraclair 8’ ou 8. Un des premiers feuillets intercalaires peut être teinté (gris, vert, bronze etc) et le ou les autres clair ou extraclair. L’une des feuilles 8 ou 8’ peut être remplacée par une feuille plastique comme un polycarbonate ou un PMMA (notamment avec un intercalaire de feuilletage en PU).
Le chant de l’intercalaire de feuilletage 70 peut être en retrait (d’au plus 5mm par exemple) du chant des feuilles 8,8’.
Le système 1000 couvre par exemple la quasi-totalité des faces principales des feuilles 8 et même ici est centré. Il y a la même largeur de PVB de part et d’autre du système 1000 .
Les feuilles 8, 8’ sont planes ou bombées, le système 1000 pouvant s’adapter à la ou aux courbures des feuilles de verre alors bombées 8,8’.
Le système optique 1000 peut être une cloison ou encore un toit de véhicule. Par exemple pour un toit automobile :
- la feuille 8 est la plus extérieure et bombé, qui est éventuellement teinté, par exemple de 3mm
- la feuille 8’ est la plus intérieure, bombée, de préférence clair ou extraclair, par exemple de 3mm ou plus mince
Le procédé PROC permet ainsi de fabriquer un circuit électronique quantique DISP comprenant une couche qubit QBL et une pluralité de pilier PLR réalisés à partir d'un seul et même cristal et pouvant être intégré dans un système électronique quantique.
En d'autres termes, le circuit électronique quantique DISP obtenu à l’aide du procédé PROC selon l’invention comprend alors : une couche qubits QBL ; une pluralité de piliers semiconducteurs PLR, la base de chaque pilier semiconducteur PLR étant en contact avec la couche qubits QBL ; une pluralité de diélectriques de flanc LIN, chaque diélectrique de flanc LIN entourant le flanc de chaque pilier semiconducteur PLR tout en laissant exposée une surface du flanc de chaque pilier semiconducteur PLR au niveau de la tête dudit pilier semiconducteur PLR ; une première couche de séparation SEP1 s'étendant sur la couche qubits QBL ; une pluralité de lignes de couplage CL s'étendant sur la première couche de séparation SEP1, chaque lignes de couplage CL étant en contact avec le diélectrique de flanc LIN d'au moins un pilier semiconducteur PLR ; une deuxième couche de séparation SEP2 s'étendant sur la première couche de séparation SEP1 et enrobant la pluralité de lignes de couplage CL ; une pluralité de colonnes de couplage CC s'étendant sur la deuxième couche de séparation SEP3, chaque colonne de couplage CC étant en contact avec le diélectrique de flanc LIN d'au moins un pilier semiconducteur PLR ; une troisième couche de séparation SEP3 s'étendant sur la deuxième couche de séparation SEP2 et enrobant la pluralité de colonnes de couplage CC et laissant exposée la tête une surface de chaque pilier semiconducteur PLR.
Ledit circuit DISP est remarquable en ce que la couche qubits QBL et chaque pilier semiconducteur PLR appartiennent à un même matériau semiconducteur monocristallin et présentent ainsi une continuité cristalline.
La présente schématiquement un deuxième mode de mise en œuvre du procédé PROC de fabrication, permettant d'obtenir un circuit DISP électronique quantique selon un deuxième mode de réalisation. À la différence du premier mode de mise en œuvre PROC101 - PROC109, le procédé PROC selon le deuxième mode de mise en œuvre comprend les étapes supplémentaires suivantes : retirer PROC201 chaque plot de protection B ; et déposer PROC202 une deuxième couche conductrice dopée INI, dite "couche d'initialisation".
La illustre le retrait PROC201 de chaque plot de protection B, de manière à libérer la tête PLRb de chaque pilier PLR. Le retrait des plots sacrificiel B peut être réalisé par gravure sélective par rapport à chaque pilier PLR et/ou la troisième couche de séparation. Lorsque les plots de protection B sont en nitrure de silicium, la gravure peut par exemple être réalisée au moyen d'acide phosphorique H 3 PO 4 .
La illustre le dépôt PROC202 de la couche d'initialisation INI de sorte qu'elle soit en contact avec chaque pilier PLR. Elle recouvre par exemple au moins les têtes PLRb et les surfaces de contact CS de chaque pilier PLR. De cette manière la couche d'initialisation INI est en contact électrique avec chaque pilier PLR et permet de fonctionner comme un réservoir d'électrons afin d'initialiser chaque qubits à l'aplomb des piliers PLR connectés. La couche d'initialisation INI est par exemple réalisée à partir de silicium polycristallin fortement dopé. Son épaisseur TINI est préférentiellement comprise entre 20 nm et 40 nm.
Afin d'améliorer l'interface au niveau du contact entre chaque pilier PLR et la couche d'initialisation INI, le dépôt PROC202 de la couche d'initialisation INI peut comprendre le dépôt par épitaxie de silicium dopé au phosphore Si:P ou de silicium et germanium dopé au bore SiGe:B. L'épitaxie est préférentiellement réalisée sélectivement afin d'être amorcée à partir de l'extrémité exposée de chaque pilier PLR, c'est à dire leur tête PLRb et leur surface de contact CS.
Le dépôt PROC202 de la couche d'initialisation INI peut également comprendre une étape de siliciuration de ladite couche d'initialisation INI, après le dépôt à proprement parler de ladite couche INI. La siliciuration est par exemple réalisée au moyen de nitrure de platine NiPt.La présente schématiquement le dispositif électronique quantique DISP susceptible d'être obtenu à l'issue du procédé de fabrication selon le deuxième mode de mise en œuvre. Les première, deuxième et troisième couches de séparation SPE1, SEP2, SEP3 sont masquées afin de présenter, par rapport à chaque pilier PLR et à la couche qubit QBL, la superposition des lignes de couplage CL, des colonnes de couplages CC et de la couche d'initialisation INI.
Le mode de réalisation du circuit DISP de la diffère ainsi du mode de réalisation des et en ce que le circuit DISP comprend également une couche d'initialisation INI contact avec chaque pilier semiconducteur PLR. La présente schématiquement un troisième mode de mise en œuvre du procédé PROC de fabrication, permettant d'obtenir le circuit DISP électronique quantique selon un troisième mode de réalisation. À la différence du premier mode de mise en œuvre PROC101 - PROC109 et du second mode de réalisation PROC 101 – PROC202, le procédé PROC selon le troisième mode de réalisation permet d'obtenir un circuit électronique quantique DISP comprenant une couche de lecture ainsi qu'un transistor à électron unique au niveau du sommet de chaque pilier PLR.
Selon le troisième mode de mise en œuvre, le procédé PROC comprend les étapes supplémentaires suivantes : former PROC301 une pluralité de troisièmes électrodes RDT conductrice dopée, dites "lignes de lecture" ; déposer PROC302 une sixième couche diélectrique SEP4, dite "quatrième couche de séparation", recouvrant les lignes de lecture RDT ; aplanir PROC303 la sixième couche de séparation SEP4 et la pluralité de lignes de lecture RDT jusqu'à atteindre les plots de protection B ; graver PROC304 sélectivement la pluralité de plots de protection B de manière à créer une pluralité de cavités ; et former PROC305 une structure de grille, "dite grille de chargement", dans chaque cavité.
Les et illustrent la formation PROC301 des lignes de lecture RDT. Chaque ligne de lecture RDT formée est préférentiellement au moins en contact avec un pilier PLR. Afin d'obtenir un bon contact électrique entre les lignes de lecture et les pilier PLR, il est avantageux que chaque ligne de lecture RDT soit en contact avec la surface de contact CS d'un pilier PLR. Dans l'exemple de la , les lignes de lecture RDT s'étendent selon la première direction X et connectent la surface de contact CS d'une pluralité de piliers PLR. Chaque ligne de lecture RDT peut également être en contact avec le flanc K d'un plot de protection B. Dans l'exemple des et , les lignes de lecture RDT s'étendent sur la troisième couche de séparation SEP3 et recouvrent le chaque plot de protection B.
Afin de réduire le couplage capacitif entre les colonnes de couplage CC et les lignes de lecture RDT, ces dernières sont avantageusement orientées perpendiculairement aux colonnes de couplage CC.
La formation PROC301 des lignes de lecture RDT peut comprendre dans un premier temps le dépôt d'une deuxième couche conductrice M2 sur la surface de contact CS de chaque pilier PLR, sur chaque plot de protection B et sur la troisième couche de séparation SEP3, tel qu'illustré par les et . La deuxième couche conductrice M2 présente une épaisseur TM2 pouvant être comprise entre 10 nm et 15 nm. La deuxième couche conductrice M2 peut être réalisée à partir de silicium polycristallin dopé. Son dépôt peut être précédé d'une épitaxie de silicium dopé au phosphore Si:P ou de silicium et germanium dopé au bore SiGe:B. De cette manière, l'interface entre la surface de contact CS de chaque pilier et la deuxième couche conductrice M2 est améliorée.
La formation PROC301 des lignes de lecture RDT peut également comprendre la structuration de la deuxième couche conductrice M2 de manière à obtenir chaque ligne de lecture RDT telles qu'illustrées par les et . La structuration de la deuxième couche conductrice M2 peut être réalisée par photolithographie d'un masque de résine à travers lequel la deuxième couche conductrice M2 est gravée. La structuration est préférentiellement réalisée de manière à former des lignes de lecture RDT sensiblement parallèles les unes aux autres. Par sensiblement parallèle, on entend parallèle à ± 30° près, préférentiellement à ± 20°, voire à ± 10° près. Elle est également réalisée de manière à disposer deux lignes de lecture RDT de part et d'autre d'un pilier PLR, chacune des lignes étant au moins en contact avec la surface de contact CS dudit pilier PLR. Les lignes de lecture RDT illustrées par les et comprennent également une pluralité de portions transversales RDTT recouvrant entièrement les plots de protection B et les surface de contact CS des piliers PLR. Les portions transversales RDTT apparaissent lorsque le masque en résine photolithographié comporte des portions au-dessus de chaque pilier PLR, protégeant ces dernier pendant la gravure et évitant de retirer la deuxième couche conductrice M2 des flancs K des plots de protection B et des surfaces de contact CS.
La structuration de la deuxième couche conductrice M2 peut également être réalisée de manière auto-alignée, sans nécessiter de portions transversales RDTT. La gravure de la deuxième couche conductrice M2 est par exemple réalisée de manière anisotrope à travers un masque en résine photolithographié ne comprenant pas de portions au-dessus de chaque pilier PLR. La topologie de chaque pilier PLR a pour effet de former des espaceurs de deuxième couche conductrice M2 autour de chaque piller PLR.
Les et illustrent les étapes de dépôt PROC302 de la quatrième couche de séparation SEP4 et d'aplanissement PROC303 de la quatrième couche de séparation SEP4. Le dépôt PROC302 de la quatrième couche de séparation SEP4 est réalisée de manière à recouvrir toute la structure, notamment les lignes de lectures RDT et préférentiellement la troisième couche de séparation SEP3 et les plots de protection B lorsque ceux-ci ne sont pas recouverts par des lignes de lecture RDT. La quatrième couche de séparation SEP4 peut être réalisée à partir d'oxyde de silicium. La quatrième couche de séparation SEP4 est ensuite aplanie PROC303 jusqu'à libérer le sommet des plots de protection B. Lors de cette étape PROC303, une partie de chaque ligne de lecture RDT peut être retirée, notamment lorsque ces dernières recouvrent les plots de protection B. En procédant de la sorte, chaque plot de protection B débouche de la surface de la quatrième couche de séparation SEP4.
Le microcontrôleur 40 comprend un régulateur 30 et plus précisément un régulateur PID, pour « proportionnel, intégral, dérivé ». Dans le cas présent, le régulateur 30 est apte à obtenir la valeur de la tension continue V 10 mesurée entre le convertisseur 22 et la batterie 10. De même, le régulateur 30 est apte à obtenir la valeur de la tension V AC mesurée entre le circuit correcteur 21 et l’équipement électrique 50 (ou le réseau électrique 60) relié audit circuit correcteur 21.
Le régulateur 30 est également apte à recevoir la consigne en tension à appliquer entre le convertisseur 22 et la batterie 10 et/ou la consigne en tension à appliquer entre le circuit correcteur 21 et l’équipement électrique 50 relié audit circuit correcteur 21.
Ainsi, chaque nœud est spécialisé dans la détection du type de sous-famille auquel appartient la famille de matière détectée au nœud précédant.
Chaque réseau de neurones est associé à un set de K sous bandes (K>=1) permettant la discrimination des sous familles propres à un nœud. Le réseau de neurones a été entrainé spécifiquement pour un set de sous familles spécifiques. Néanmoins les sets des sous familles de deux réseaux de neurones de deux nœuds distincts peuvent se chevaucher ou se recouper.
Chaque nœud renvoie un degré de confiance sur la prédiction en pourcentage de la sous-famille à laquelle appartient le spectre.
Le parcours de l’arbre de décision se fait de nœud en nœud, c’est à dire de sous famille en sous famille, en sélectionnant le meilleur score de détection donné par un réseau de neurones.
Ensuite, le nœud qui retourne le meilleur résultat est sélectionné pour aller à la sous famille correspondante et affiner la détection.
Si le réseau de neurones ne donne aucun score de prédiction ou en dessous d’un certain seuil, le parcours s’arrête au nœud correspondant, et donc à la sous famille correspondante comme prédiction de matière.
Chaque seuil est propre à un nœud.
En sortie du procédé, le type de matériau détecté est indiqué, ainsi qu’une valeur de confiance dans la détection allant de 0 à 100% (appelé aussi seuil de corrélation).
Selon un mode de réalisation, afin de détecter plusieurs matières, l’arbre de décision est parcouru en ne gardant que les deux ou trois premiers nœuds qui ont le meilleur résultat dans leur catégorie.
Selon un mode de réalisation, afin de détecter plusieurs matières, et à partir de plusieurs arbres de décision selon le type de matière (plastique, additifs, textile, métaux etc.), plusieurs arbres de décision sont parcourus en fonction de l’analyse souhaitée pour compiler les résultats entre familles de matière.
Plusieurs arbres de décision sont utilisés afin d’éviter d’avoir trop de nœuds filles dès la première branche, ce qui engendrerait une surcharge de calcul.
Selon un mode de réalisation, pour détecter des multi-matières, les caractéristiques spectrales de chaque matière sont visibles dans la courbe spectrale. Les sous-bandes discriminantes sont coupées en sous bandes propres à chaque matière. Par la suite, le rapport entre chaque pic est calculé pour en déterminer la proportion entre chaque matière.
Les pics sont identifiés par un réseau de neurones ou un calcul de dérivée, afin de déterminer l’extrema local des pics. Enfin, le rapport de chaque pic correspondant dans la base de données est calculé.
La représente un schéma de l’appareil de détection de matériaux.
L’appareil est composé d’un écran (22), d’un bouton « mise en veille » du système (20), d’un bouton de sélection de menu (21), d’une prise USB (acronyme de « Universal Serial Bus », pour, en français « Bus universel en série ») externe pour la mise à jour ou la récupération de données (24), et d’une prise USB externe de recharge (23).
L’écran (22) constitue l’affichage permettant à l’utilisateur de lancer les scans et de lire les résultats de l’algorithme d’identification à l’écran.
Le moteur électrique 16 et le réducteur 19 sont montés, autrement dit sont configurés pour être montés, à l’intérieur du carter 17, en particulier dans une configuration assemblée de l’actionneur électromécanique 11.
Le moteur électrique 16 et le réducteur 19 sont représentés respectivement par leur enveloppe à la , sans détails sur leurs éléments constitutifs internes.
Avantageusement, le moteur électrique 16 comprend un rotor et un stator, non représentés et positionnés de manière coaxiale autour de l’axe de rotation X, qui est également l’axe de rotation du tube d’enroulement 4 en configuration montée du dispositif d’entraînement motorisé 5.
Avantageusement, le moteur électrique 16 peut être de type sans balais à commutation électronique, appelé également « BLDC » (acronyme du terme anglo-saxon BrushLess Direct Current) ou « synchrone à aimants permanents », de type asynchrone ou de type à courant continu.
Des moyens de commande de l’actionneur électromécanique 11, permettant le déplacement de l’écran 2 du dispositif d’occultation 3, sont constitués par au moins une unité de contrôle 15, en particulier une unité électronique de contrôle. Cette unité de contrôle 15 est apte à mettre en fonctionnement le moteur électrique 16 de l’actionneur électromécanique 11, et, en particulier, permettre l’alimentation en énergie électrique du moteur électrique 16.
Ainsi, l’unité de contrôle 15 commande, notamment, le moteur électrique 16, de sorte à ouvrir ou fermer l’écran 2, comme décrit précédemment.
Les moyens de commande de l’actionneur électromécanique 11 comprennent des moyens matériels et/ou logiciels.
A titre d’exemple nullement limitatif, les moyens matériels peuvent comprendre au moins un microcontrôleur 31, illustré à la .
Le dispositif d’entraînement motorisé 5 comprend l’unité de contrôle 15. L’unité de contrôle 15 est reliée électriquement au moteur électrique 16.
Avantageusement, l’unité de contrôle 15 comprend, en outre, un premier module de communication 27, comme illustré à la , en particulier de réception d’ordres de commande, les ordres de commande étant émis par un émetteur d’ordres, tel que l’unité de commande locale 12 ou l’unité de commande centrale 13, ces ordres étant destinés à commander le dispositif d’entraînement motorisé 5.
Avantageusement, le premier module de communication 27 de l’unité de contrôle 15 est de type sans fil. En particulier, le premier module de communication 27 est configuré pour recevoir des ordres de commande radioélectriques.
Avantageusement, le premier module de communication 27 peut également permettre la réception d’ordres de commande transmis par des moyens filaires.
L’unité de contrôle 15, l’unité de commande locale 12 et/ou l'unité de commande centrale 13 peuvent être en communication avec une station météorologique déportée à l'extérieur du bâtiment, incluant, notamment, un ou plusieurs capteurs pouvant être configurés pour déterminer, par exemple, une température, une luminosité ou encore une vitesse de vent.
L’unité de contrôle 15, l’unité de commande locale 12 et/ou l'unité de commande centrale 13 peuvent également être en communication avec un serveur 28, de sorte à contrôler l’actionneur électromécanique 11 suivant des données mises à disposition à distance par l’intermédiaire d’un réseau de communication, en particulier un réseau internet pouvant être relié au serveur 28.
L’unité de contrôle 15 peut être commandée à partir de l’unité de commande locale 12 et/ou centrale 13. L’unité de commande locale 12 et/ou centrale 13 est pourvue d'un clavier de commande. Le clavier de commande de l’unité de commande locale 12 ou centrale 13 comprend un ou plusieurs éléments de sélection 14 et, éventuellement, un ou plusieurs éléments d’affichage 34.
On entend dans la présente demande par « véhicules électriques » à la fois les véhicules purement électriques, pour lesquels la seule source d’alimentation est une source d’énergie électrique, et les véhicules hybrides, qui associent à cette source d’énergie électrique une source d’énergie thermique. A ce jour, ces véhicules électriques présentent, par rapport aux véhicules thermiques conventionnels, une autonomie réduite qui peut être préjudiciable aux utilisateurs de véhicules électriques, notamment lorsque ceux-ci souhaitent effectuer de longs trajets.
L’autonomie peut être améliorée en augmentant la capacité des batteries qui alimentent les véhicules ou leur quantité, mais de telles augmentations présentent un coût élevé et peuvent par ailleurs poser des problèmes d’encombrement.
Une autre solution pour augmenter l’autonomie est d’alimenter la batterie, en plus d’une source d’énergie externe, par une source d’énergie interne au véhicule, comme par exemple une pile à combustible qui peut alors être utilisée comme prolongateur d’autonomie. La pile à combustible est électriquement montée en parallèle de la batterie. Le moteur électrique est alimenté en premier lieu par la batterie et, le cas échéant, par la pile à combustible lorsque la charge de la batterie principale est insuffisante pour continuer à le faire, afin de produire de l'électricité et d'étendre le rayon d'action lorsque la batterie est totalement déchargée. Dans ce cas, un système utilisant la pile à combustible est mis en œuvre et génère la puissance électrique nécessaire à l’avancement du véhicule et donc à son déplacement, permettant ainsi aux utilisateurs d’effectuer des trajets de longue distance.
Le système faisant intervenir la pile à combustible est notamment alimenté par de l’hydrogène, cet hydrogène pouvant être stocké sous forme liquide ou sous forme gazeuse. Lorsque le stockage d’hydrogène fait intervenir sa forme liquide, cet hydrogène est alors à très basse température, généralement à -253 °C, tandis que lorsqu’il fait intervenir sa forme gazeuse l’hydrogène est sous forte pression.
Il existe dans l’art antérieur des systèmes d’alimentation en hydrogène pour lesquels un échangeur est placé en sortie de ce stockage d’hydrogène, permettant ainsi de réchauffer l’hydrogène soit, s’il est stocké sous forme liquide, afin qu’il s’évapore et atteigne une température proche de la température nécessaire pour faire fonctionner la pile à combustible, généralement entre 0 et 70 °C, soit, s’il est stocké sous forme gazeuse, afin qu’il atteigne une pression compatible avec le fonctionnement de la pile à combustible. On comprend ainsi que lorsque l’hydrogène est sous forme liquide, il est nécessaire de mettre en œuvre un processus d’évaporation, la pile à combustible fonctionnant avec de l’hydrogène sous forme gazeuse. L’hydrogène sous forme liquide, bien qu’il permette d’obvier à des contraintes d’encombrement, consomme cependant beaucoup d’énergie, notamment lors de l’étape de liquéfaction qui précède son stockage et qui vise à faire passer l’hydrogène gazeux aux pression et température ambiantes à de l’hydrogène liquide à -253 °C.
La présente invention vise à pallier cet inconvénient en proposant un processus autorégulé d’évaporation de l’hydrogène liquide, qui permet de récupérer une partie d’énergie survenue lors de l’étape de liquéfaction, augmentant ainsi le rendement global du système de pile à combustible.