INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’acquisition des données de pression par la cellule de mesure de pression 20 dépend par exemple de l’information de pression calculée déterminée par le module de calcul 22 et/ou de la vérification, par le module de gestion 24, d’une condition de validation qui sera décrite en détail dans la suite de cette description.
La fréquence d’acquisition de données de pression par la cellule de mesure de pression 20 dépend par exemple de l’information de pression calculée déterminée par le module de calcul 22 et/ou de la vérification, par le module de gestion 24, de la condition de validation décrite en détail dans la suite de cette description. La fréquence d’acquisition de données de pression par la cellule de mesure de pression 20 augmente par exemple lorsque la condition de validation est vérifiée par le module de gestion 24.
La fréquence d’acquisition de données de pression par la cellule de mesure de pression 20 est de préférence limitée à une fréquence d’acquisition maximale. La fréquence d’acquisition maximale est par exemple égale à 300 Hz.
Le module de calcul 22 est configuré pour déterminer l’information de pression calculée à partir des données de pression acquises par la cellule de mesure de pression 20.
Le module de calcul 22 est configuré pour transmettre l’information de pression calculée au module de gestion 24, le module de gestion 24 étant alors configuré pour acquérir l’information de pression calculée déterminée par le module de calcul 22.
Le module gestion 24 est configuré pour transmettre l’information de pression calculée à l’unité de communication 38 seulement lorsque le module de gestion vérifie la condition de validation.
La condition de validation est par exemple seulement vérifiée par le module de gestion 24 lorsque le module de gestion 24 détermine que l’information de pression calculée est conforme à au moins un critère principal prédéterminé et/ou lorsque le module gestion 24 reçoit une commande de validation de la part du dispositif de surveillance de pression 16 par l’intermédiaire de l’unité de communication 38.
L’information de pression calculée comprend par exemple une valeur de pression minimale acquise et/ou une valeur de pression maximale acquise. La valeur de pression minimale et/ou maximale acquise correspond par exemple à la valeur minimale et/ou maximale acquise par la cellule de mesure de pression 20 sur une fenêtre temporelle donnée.
Le critère principal prédéterminé comprend alors par exemple la vérification d’une inégalité dans laquelle la valeur de pression minimale acquise est inférieure à une valeur de pression minimale seuil et/ou dans laquelle la valeur de pression maximale acquise est supérieure à une valeur de pression maximale seuil.
En alternative, ou en complément, l’information de pression calculée comprend une moyenne de pression acquise. La moyenne de pression acquise correspond par exemple à une moyenne des valeurs acquises par la cellule de mesure de pression 20 sur une fenêtre temporelle donnée.
Le critère principal prédéterminé comprend alors par exemple la vérification d’une inégalité dans laquelle la moyenne de pression est inférieure à un seuil moyen inférieur et/ou est supérieure à un seuil moyen supérieur.
En alternative, ou en complément, l’information de pression calculée comprend une valeur booléenne résultant du franchissement de la pression acquise par la cellule de mesure de pression 20 d’un seuil de pression prédéterminé.
Le critère principal prédéterminé comprend par exemple la vérification d’une égalité entre ladite valeur booléenne et une valeur booléenne prédéterminée.
f2) pour chacune des périodes T suivantes, définir V1 et V2 de telle sorte que, sur l’ensemble des périodes T, N1 et N2 varient autour du point de polarisation tout en s’éloignant progressivement de ce dernier (de préférence, selon une spirale représentant le cycle de charge du composant soumis à une rampe de puissance).
Au point de polarisation (Vgs0, Vds0), le niveau de puissance RF est nulle puis, au fur et à mesure de la séquence de mesure, les niveaux des impulsions DC augmentent et décrivent une spirale autour du point de polarisation, à la manière du cycle de charge réel du composant dans son environnement final (l’application finale). Aussi, le niveau de puissance NRF de la pré-impulsion RF augmente de manière incrémentale (Pavs1, Pavs2, …, Pavs11) au fur et à mesure de la séquence de mesure.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le procédé de caractérisation comprend en outre, à chaque période T, la mesure des paramètres S sur la grille et le drain du transistor pendant l’application des première et seconde impulsions DC.
Ainsi, les paramètres S (ou paramètres petits signaux ou paramètres de diffraction) du transistor peuvent être déterminés par mesure, à l’aide d’un analyseur de réseau vectoriel, des ondes incidentes et réfléchies sur la grille et le drain du transistor.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, l’étape c3) comprend en outre : pendant la durée de mesure TM, mesurer la tension de grille, la tension de drain et le courant de grille du transistor.
Ainsi, la mesure des tensions de grille et de drain permet, par exemple, de vérifier si ces deux tensions sont ou non arrivées au niveau des consignes N1 et N2 et de réaliser un asservissement jusqu’à l’atteinte des consignes (c’est-à-dire, le même couple (N1, N2) est appliqué pendant plusieurs périodes T jusqu’à ce que cette consigne soit atteinte, puis le courant de drain peut être mesuré sur un nombre prédéfini de périodes T puis moyenné).
La présente invention a également pour objet un banc de mesures pour la caractérisation en mode impulsionnel d’un transistor à semi-conducteur III-V, le banc de mesure comprenant un générateur RF impulsionnel, une première source de tension DC impulsionnelle associée à un premier multimètre configuré pour mesurer des tensions et courants, une seconde source de tension DC impulsionnelle associée à un second multimètre configuré pour mesurer des tensions et courants, un premier té de polarisation et un second té de polarisation, le générateur RF impulsionnel et la première source de tension DC impulsionnelle étant configurées pour être reliées à la grille du transistor par l’intermédiaire du premier té de polarisation, la seconde source de tension DC impulsionnelle et une impédance de charge étant configurées pour être reliées au drain du transistor par l’intermédiaire du second té de polarisation, le banc de mesures comprenant en outre un dispositif de commande configuré pour commander le générateur RF impulsionnel, la première source de tension DC impulsionnelle et la seconde source de tension DC impulsionnelle de manière à réaliser le procédé de caractérisation tel que décrit ci-dessus.
Le générateur RF impulsionnel est un générateur RF de signaux sinusoïdaux en mode pulsé.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le banc de mesure comprend en outre un analyseur de réseau vectoriel configuré pour être relié à la grille et au drain du transistor par l’intermédiaire de coupleurs.
Ainsi, l’analyseur de réseau vectoriel permet de mesurer les ondes incidentes et réfléchies sur la grille et le drain du transistor sous test, de manière à déterminer les paramètres S correspondants.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le banc de mesures comprend en outre au moins deux wattmètres configurés pour être reliés à la grille et au drain du transistor par l’intermédiaire de coupleurs.
est un schéma de principe d’un banc de mesures selon la présente invention ;
est un chronogramme à titre d’exemple représentant la pré-impulsion RF et les deux impulsions DC du procédé de caractérisation selon la présente invention ;
montre différents chronogrammes à titre d’exemple représentant les différentes tensions du schéma de principe de la ;
La illustre une étape de séparation des dispositifs entre eux, selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre une variante de l’étape de séparation des dispositifs entre eux, illustrée à la .
La illustre la formation de portions étroites dans la couche d’assemblage en vue de la désolidarisation des dispositifs du substrat de manipulation, selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre une étape de désolidarisation des dispositifs du substrat de manipulation, et leur transfert sur un substrat receveur, selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les FIGURES 6 à 9 illustrent des étapes d’un procédé de transfert de dispositifs selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les FIGURES 10 à 12A illustrent des étapes d’un procédé de transfert de dispositifs selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les FIGURES 11B à 12B illustrent respectivement des variantes des étapes illustrées aux FIGURES 11A et 12A.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différents éléments mis en œuvre par le procédé (couche d’assemblage, plot, dispositif optoélectronique, substrat…) ne sont pas forcément représentatives de la réalité.
Selon un exemple, la surface de collage s’étend uniquement selon le plan de base xy.
Selon un exemple, la couche d’assemblage comprend au moins une couche de colle.
Selon un exemple, le détachement du dispositif optoélectronique comprend : un report du dispositif optoélectronique sur un deuxième substrat, au niveau d’une deuxième face du dispositif opposée à la première face, un retrait du substrat de manipulation.
Selon un exemple, la première face du dispositif est uniquement au contact de la couche de colle. Cela permet d’uniformiser la force d’adhésion entre le dispositif et le substrat de manipulation.
Selon un exemple, la gravure partielle de la couche d’assemblage comprend : une gravure anisotrope principalement dirigée selon une direction z normale au plan de base xy et configurée pour retirer la couche d’assemblage en pourtour du dispositif, en projection selon une direction z normale au plan de base xy, de façon à détourer le dispositif, puis une gravure isotrope configurée pour former la portion étroite sous le dispositif, en projection selon une direction z normale au plan de base xy.
Selon un exemple, la gravure anisotrope est effectuée par découpage Selon un exemple, le découpage se fait au laser. Selon un autre exemple, le découpage se fait par une scie. Selon un autre exemple, le découpage se fait par plasma.
Selon un exemple, les gravures anisotrope et isotrope sont effectuées par plasma.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section carrée.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section trapézoïdale.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section triangulaire.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section ronde.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section polygonale.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section rectangulaire et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section carrée et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section trapézoïdale et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section triangulaire et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section ovale ou arrondie et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue schématique de dessus d’un carneau à section polygonale et ouvert latéralement sur l’extérieur.
La est une vue en perspective de dessous d’un véhicule selon l’invention à deux essieux comportant trois boucliers de déflexion transversaux à section en V, avec un bouclier prévu à l’avant et à l’arrière de l’essieu avant, et un bouclier prévu au niveau de l’essieu arrière, et une paire de carneaux obliques prévue entre chacun desdits boucliers de déflexion.
La est une vue en perspective de dessus du véhicule représenté sur la .
Comme illustré aux figures 1C et 1D, le support 200 surmontée de la première couche 111 comprenant le premier matériau thermoplastique est ensuite disposé à proximité directe d’un élément chauffant 301 d’un dispositif de chauffage 300.
Selon un mode de réalisation particulier, la première étape de cuisson s’effectue jusqu’à ce que la première couche 111 soit entièrement fondue de sorte à ce que le contact entre la première couche 111 et la surface de dépose 200a s’effectue selon une surface continue.
De manière préférée, le dispositif de chauffage 300 est un four, de préférence comprenant une cavité hermétique. Le dispositif de chauffage 300 peut également être un pistolet thermique ou encore un four à micro-ondes. Il peut également s’agir d’un autoclave ou d’une plaque chauffante. Dans le cas où le dispositif de chauffage 300 est un four, il peut être configuré pour émettre de la chaleur verticalement par le dessus de l’empilement. Alternativement, il pourra également être fait usage d’un four à chaleur tournante.
ÉTAPE DE RETRAIT DE LA PREMIÈRE COUCHE
Comme illustré à la , une fois que la portion superficielle de la première couche 111 est au moins partiellement fondue, le support 200 est alors éloigné du dispositif de chauffage 300.
Avantageusement, cette première étape de cuisson de la première couche 111 s’effectue jusqu'à la fonte complète du premier matériau thermoplastique.
L’étape de dépôt de la deuxième couche est effectuée apès retrait de l’empilement 110 du dispositif de chauffe 300, de préférence à température ambiante. Préférentiellement le dépôt de la deuxième couche 112 s’effectuant avant que la première couche 111 n’ai le temps de refroidir.
Formation de la deuxième couche
ETAPE DÉPÔT DU MATERIAU DE RENFORT
Comme illustré à la et selon un mode de réalisation particulier, une deuxième couche 112 et déposée sur la première couche 111 au moins partiellement encore en fusion.
De manière préférée, la deuxième couche 112 comprend un matériau de renfort. Il s'agit préférentiellement de fibres longues.
Avantageusement, le matériau de renfort est déposé sur la première couche 111 selon une première direction. Ce dépôt orienté s'effectuant préférentiellement à l'aide d'un système d'orientation 500. Le système d’orientation 500 pouvant être un gabarit ou un tamis.
Comme illustré à la selon un mode de réalisation particulier préféré par la présente invention, après l’étape de dépôt de la deuxième couche 112 sur la première couche 111, le matériau de renfort 112 pénètre au moins partiellement la première couche 111.
Préférentiellement, le matériau de renfort s'enfonce dans le matériau thermoplastique en fusion. Ainsi, la solidarisation entre la deuxième couche 112 et la première couche 111 s'effectue à distance du dispositif de chauffage 300.
ORIENTATION DU MATÉRIAU DE RENFORT
Comme illustré au figuré 1H, la deuxième couche 112 est déposée sur la première couche 111 selon une première orientation dans laquelle les fibres longues du matériau de renfort sont sensiblement parallèles les unes avec les autres.
Pour cela, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant les étapes successives suivantes : a) former, sur un circuit intégré de contrôle préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur, une pluralité de diodes électroluminescentes inorganiques comportant des éléments semiconducteurs tridimensionnels ; et b) déposer une couche active semiconductrice photosensible de sorte à combler des espaces libres s'étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques.
Selon un mode de réalisation, chaque élément semiconducteur tridimensionnel présente des dimensions nanométriques ou micrométriques.
Selon un mode de réalisation, chaque élément semiconducteur tridimensionnel présente une forme pyramidale.
Selon un mode de réalisation, chaque élément semiconducteur tridimensionnel présente une forme filaire.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une pluralité de diodes photosensibles dans la couche active semiconductrice photosensible.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), une étape d'élimination des diodes électroluminescentes inorganiques situées à des emplacements souhaités des diodes photosensibles.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape a) et avant l'étape b), une étape de formation d'ouvertures s'étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques.
Selon un mode de réalisation, les ouvertures sont formées par gravure en utilisant les diodes électroluminescentes inorganiques comme masque de gravure.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comportant : – un circuit intégré de contrôle formé dans et sur un substrat semiconducteur ; – une pluralité de diodes électroluminescentes inorganiques disposées sur une face du circuit intégré de contrôle et comportant des éléments semiconducteurs tridimensionnels ; et – une couche active semiconductrice photosensible s’étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques.
Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un substrat de report et une pluralité de puces élémentaires fixées et connectées électriquement au substrat de report, chaque puce élémentaire comprenant un dispositif tel que décrit, le circuit intégré de contrôle étant disposé du côté du substrat de report.
Le module de stockage 26 est par exemple configuré pour stocker l’information de pression calculée déterminée par le module de calcul 22 avant la communication de l’information de pression calculée par l’unité de communication 38 vers le dispositif de surveillance de pression 16.
Le module de stockage 26 est par exemple configuré pour stocker les données de pression du fluide acquises par la cellule de mesure de pression 20 avant le calcul de l’information de pression calculée à partir des données de pression du fluide acquises par la cellule de mesure de pression 20.
Dans l’exemple de la , le dispositif de mesure de pression 14 comprend une unité de traitement d’informations 40 formée par exemple d’une mémoire électronique 42 associée à un processeur 44.
Dans l’exemple de la , le module de calcul 22, le module de gestion 24 et de préférence le module de stockage 26 sont réalisés chacun sous forme d’un logiciel exécutable par le processeur 44. La mémoire 42 est alors apte à stocker un logiciel de calcul d’une information de pression calculée, un logiciel de gestion et un logiciel de stockage de l’information de pression calculée et/ou des données de pression du fluide. Le processeur 44 de l’unité de traitement d’informations 40 est alors apte à exécuter le logiciel de calcul, le logiciel de gestion et le logiciel de stockage.
En variante non représentée, le module de calcul 22, le module de gestion 24 et de préférence le module de stockage 26 sont réalisés chacun sous forme d’un composant logique programmable, tel qu’un FPGA (de l’anglais Field Programmable Gate Array ), ou encore sous forme d’un circuit intégré dédié, tel qu’un ASIC (de l’anglais Application Specific Integrated Circuit ).
Lorsque le module de calcul 22, le module de gestion 24 et par exemple le module de stockage 26 sont réalisés sous forme d’un ou plusieurs logiciels, c’est-à-dire sous forme d’un programme d’ordinateur, il sont en outre aptes à être enregistrés sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est par exemple, un médium apte à mémoriser des instructions électroniques et à être couplé à un bus d’un système informatique. A titre d’exemple, le support lisible est une mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non volatile (par exemple EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM). Sur le support lisible est alors mémorisé un programme d’ordinateur comprenant des instructions logicielles.
Le fonctionnement d’un système de surveillance de pression 12 tel que précédemment présenté va maintenant être décrit.
La cellule de mesure de pression 20 acquiert des données de pression du fluide circulant dans la conduite de contention de fluide 10.
Le module de calcul 22 détermine l’information de pression calculée à partir des données de pression acquises. En particulier, le module de calcul 22 détermine l’information de pression calculée sans intervention de l’unité de communication 38. Ainsi, l’information de pression calculée est calculée au sein du dispositif de mesure de pression 14.
Le module de calcul 22 transfère l’information de pression calculée au module de gestion 24 qui acquière l’information de pression calculée.
Le module de gestion 24 attend alors la vérification de la condition de validation pour transmettre l’information de pression calculée à l’unité de communication 38.
Lorsque la condition de validation est vérifiée par le module de gestion 24, et seulement dans ce cas, c’est-à-dire seulement lorsque le module de gestion 24 détermine que l’information de pression calculée est conforme à au moins un critère principal prédéterminé et/ou lorsque le module gestion 24 reçoit une commande de validation de la part du dispositif de surveillance de pression, le module de gestion 24 transmet l’information de pression calculée à l’unité de communication 38.
L’unité de communication 38 communique alors l’information de pression calculée au dispositif de surveillance 16 de pression seulement lorsque la condition de validation est vérifiée par le module de gestion 24, ou en d’autre termes seulement lorsque le module de gestion 24 transmet l’information de pression calculée à l’unité de communication 38.
En plus d’être très économe en énergie comme vu plus haut, un dispositif de mesure de pression 14 comme précédemment décrit, par exemple par la capacité de son module de gestion à vérifier la condition de validation sur la base de l’information de pression calculée ou d’une commande de validation, facilite la surveillance de la pression du fluide dans la conduite de contention de fluide 10, en permettant d’obtenir un dispositif de mesure 14 qui soit à la fois autonome et interrogeable, tout en restant économe en énergie.
L’utilisation d’un module de stockage 26 dans le dispositif de mesure 14, est particulièrement avantageuse pour assurer l’envoi d’une information de pression calculée permettant une bonne compréhension de l’évolution de la pression dans la conduite de contention de fluide 10.
Une acquisition, par exemple une fréquence d’acquisition, des données de pression par la cellule de mesure de pression 20 dépendant de l’information de pression calculée et/ou de la vérification de la condition de validation est particulièrement avantageuse pour obtenir des mesures précises lorsque la précision de telles mesures est requise mais permet aussi d’économiser de l’énergie dans le cas contraire.
Selon un aspect particulièrement préféré la concentration de catalyseur, en particulier d’une enzyme, lorsque diluée en milieu liquide tel que l’eau, est élevée. En particulier cette concentration peut être de 0,01 g/mL à 1 g/mL, de préférence de 0.05g/mL à 0,5 g/mL, par exemple être aux environs de 0,2 ± 0,1. Alternativement ou additionnellement, cette concentration peut être de 0,5 mM à 5 mM, de préférence de 1 mM à 3 mM, par exemple aux environs de 2,5 mM ± 0,1.
Lorsque le matériau conducteur formant, au moins en partie, le réservoir, et étant perméable et poreux, et/ou comprenant des nanotubes de carbone est un agglomérat solide, il peut être avantageusement combiné à un composé enzymatique où à une formant part d’un système enzymatique. En particulier un composé comme un orienteur ou un médiateur redox (cf. supra) peut-être mélangé au matériau conducteur. Le mélange peut -être effectué lors de la fabrication du matériau ou adsorbé sur celui-ci, par exemple par drop casting.