Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant les étapes successives suivantes : a) former, sur un circuit intégré de contrôle (151) préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur, une pluralité de diodes électroluminescentes inorganiques (L) comportant des éléments semiconducteurs tridimensionnels (103) ; et b) déposer une couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) de sorte à combler des espaces libres s'étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques (L). Procédé selon la revendication 1, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (103) présente des dimensions nanométriques ou micrométriques. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (103) présente une forme pyramidale. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (103) présente une forme filaire. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant la formation d'une pluralité de diodes photosensibles (D) dans la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261). Procédé selon la revendication 5, comprenant, avant l'étape a), une étape d'élimination des diodes électroluminescentes inorganiques (L) situées à des emplacements souhaités des diodes photosensibles (D). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, après l'étape a) et avant l'étape b), une étape de formation d'ouvertures (159 ; 259 ; 359) s'étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques (L). Procédé selon la revendication 7, dans lequel les ouvertures (259) sont formées par gravure en utilisant les diodes électroluminescentes inorganiques (L) comme masque de gravure. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) comprend au moins un matériau polymère. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) comprend des boîtes quantiques. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) est une couche semiconductrice organique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) est déposée par voie liquide entre les diodes électroluminescentes inorganiques (L). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, comportant, après l'étape b), une étape de fixation d'un substrat de support temporaire (403) du côté d'une face du dispositif opposée au circuit intégré (151), suivie d'une étape de découpe de l'ensemble comportant le circuit intégré (151), la couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) et les diodes électroluminescentes inorganiques (L) en une pluralité de puces élémentaires (463). Procédé selon la revendication 13, comportant en outre une étape de transfert et de fixation desdites puces élémentaires (463) sur un substrat de report (471) du dispositif, puis une étape de retrait du substrat de support temporaire (403). Dispositif optoélectronique comportant : – un circuit intégré de contrôle (151) formé dans et sur un substrat semiconducteur ; – une pluralité de diodes électroluminescentes inorganiques (L) disposées sur une face du circuit intégré de contrôle (151) et comportant des éléments semiconducteurs tridimensionnels (103) ; et – une couche active semiconductrice photosensible (161 ; 261) s’étendant latéralement entre les diodes électroluminescentes inorganiques (L). Dispositif optoélectronique comportant un substrat de report (403) et une pluralité de puces élémentaires (463) fixées et connectées électriquement au substrat de report (403), chaque puce élémentaire (463) comprenant un dispositif selon la revendication 15, le circuit intégré de contrôle (151) étant disposé du côté du substrat de report (403).