Procédé de caractérisation en mode impulsionnel d’un transistor (2) à semi-conducteur III-V, le transistor (2) comprenant une grille (2a), un drain (2b) et une source (2c), caractérisé par le fait que ledit procédé comprend les étapes suivantes : a) définir (S1 ; S1’) un point de polarisation du transistor (2) correspondant à une tension grille-source de polarisation Vgs0 et à une tension drain-source de polarisation Vds0 ; b) définir (S3 ; S1’) une impédance de charge (8) appliquée au drain (2b) du transistor (2) ; c) définir une période T, et pour chaque période T : - c1) appliquer une pré-impulsion radiofréquence, RF, (9) sur la grille (2a) du transistor (2) de manière à fixer l’état de charge des pièges dans le transistor (2), ladite pré-impulsion RF (9) ayant une fréquence f0 prédéfinie, une durée de pré-impulsion TRF prédéfinie et un niveau de puissance NRF défini selon une première loi de variation prédéterminée ; - c2) après la pré-impulsion RF (9), appliquer une première impulsion à courant continu, DC, (10) sur la grille (2a) du transistor (2) et une seconde impulsion DC (11) sur le drain (2b) du transistor (2), la première impulsion DC (10) ayant une première durée T1 et la seconde impulsion DC (11) ayant une seconde durée T2, les première et seconde durées T1, T2 étant au moins partiellement simultanées, la première impulsion DC (10) et la seconde impulsion DC (11) ayant, respectivement, un premier niveau DC N1 et un second niveau DC N2 définis selon une seconde loi de variation prédéterminée ; et - c3) pendant une durée de mesure TM pendant l’application simultanée des première et seconde impulsions DC (10, 11), mesurer (S6) le courant Id circulant dans le drain (2b) du transistor (2) ; dans lequel, pour chaque période T, dans la première loi de variation, le niveau de puissance NRF de la pré-impulsion RF (9) dépend des premier N1 et second N2 niveaux DC des première et seconde impulsions DC (10, 11) appliquées ultérieurement dans la même période T ; dans lequel, pour chaque période T, dans la seconde loi de variation, le premier niveau DC N1 est égal à Vgs0 plus une première valeur V1 définie par la seconde loi de variation en fonction de la période T actuelle, et le second niveau DC N2 est égal à Vds0 plus une seconde valeur V2 définie par la seconde loi de variation en fonction de la période T actuelle, les première V1 et seconde V2 valeurs étant des nombres réels. Procédé de caractérisation selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre, entre les étapes a) et b), une étape de détermination (S2) de la période T et des durées TRF, T1 et T2 en fonction de la mesure des constantes de temps des pièges dans le transistor (2) sur la grille (2a) et sur le drain (2b) du transistor (2). Procédé de caractérisation selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre, entre les étapes a) et b) : d1) définir (S2) les bornes inférieure et supérieure [Vgsmin ; Vgsmax] du premier niveau DC N1 dans la seconde loi de variation, où : Vgsmax est déterminée en mesurant le courant de grille Ig du transistor (2) en fonction de la tension DC Vgs appliquée à la grille (2a) du transistor (2) pour une tension Vds nulle appliquée au drain (2b) du transistor (2), puis en définissant Vgsmax comme étant la valeur de Vgs pour laquelle le courant de grille Ig atteint une valeur de seuil de courant prédéterminée ; et Vgsmin ≤ Vp où Vp est la tension de pincement du transistor (2) ; et d2) définir (S2) les bornes inférieure et supérieure [Vdsmin ; Vdsmax] du second niveau DC N2 dans la seconde loi de variation, où Vdsmin = 0V et Vdsmax = 2 * Vds0. Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre, entre les étapes b) et c), une étape de détermination de la première loi de variation (S4) comprenant : e1) pour l’impédance de charge (8) définie appliquée sur le drain (2b) du transistor (2), mesurer l’amplitude de Vgs au cours du temps à f0 ou à une harmonique de f0 en fonction de la puissance Pavs émise dans une impulsion RF à f0 ou à une harmonique de f0, puis définir différents niveaux de puissance Pavs1, …, Pavsn de l’impulsion RF par découpe de la courbe de variation de l’amplitude mesurée de Vgs en fonction de la puissance Pavs, chaque niveau de puissance Pavs1, …, Pavsn correspondant à une certaine plage de la tension Vgs ; e2) pour l’impédance de charge (8) définie, mesurer la courbe de variation de la tension Vgs en fonction de la tension Vds de manière à déterminer des couples possibles de valeurs (N1, N2) ; et e3) pour chaque couple possible de valeurs (N1, N2), déterminer le niveau de puissance NRF correspondant à appliquer à la pré-impulsion RF (9) parmi les différents niveaux de puissance Pavs1, …, Pavsn. Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que, dans l’étape b), l’impédance de charge (8) est définie (S1’) par l’utilisateur en fonction de l’application finale, ce qui définit (S3’) une contrainte sur le niveau de compression du transistor (2). Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que l’étape de définition de l’impédance de charge b) comprend : mesurer (S31), au point de polarisation, le conjugué du coefficient de réflexion de sortie S22 du transistor (2) à la fréquence f0 et déterminer une impédance de charge initiale correspondante ; effectuer (S32) une mesure cumulant un balayage en puissance avec une variation de l’impédance de charge autour de ladite impédance de charge initiale afin de déterminer l’impédance de charge optimale pour laquelle l’excursion de la tension Vds est maximale pour un niveau de compression minimal ; et définir l’impédance de charge (8) comme étant égale à l’impédance de charge optimale déterminée. Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre, entre les étapes b) et c), une étape de détermination de la seconde loi de variation (S5) comprenant : f1) pour au moins la première période T, définir V1 = 0 et V2 = 0 ; et f2) pour chacune des périodes T suivantes, définir V1 et V2 de telle sorte que, sur l’ensemble des périodes T, N1 et N2 varient autour du point de polarisation tout en s’éloignant progressivement de ce dernier. Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre, à chaque période T, la mesure des paramètres S sur la grille (2a) et le drain (2b) du transistor (2) pendant l’application des première et seconde impulsions DC (10, 11). Procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que l’étape c3) comprend en outre : pendant la durée de mesure TM, mesurer la tension de grille, la tension de drain et le courant de grille du transistor (2). Banc de mesures (1) pour la caractérisation en mode impulsionnel d’un transistor (2) à semi-conducteur III-V, le banc de mesure (1) comprenant un générateur RF impulsionnel (3), une première source de tension DC impulsionnelle (4) associée à un premier multimètre configuré pour mesurer des tensions et courants, une seconde source de tension DC impulsionnelle (5) associée à un second multimètre configuré pour mesurer des tensions et courants, un premier té de polarisation (6) et un second té de polarisation (7), le générateur RF impulsionnel (3) et la première source de tension DC impulsionnelle (4) étant configurées pour être reliées à la grille (2a) du transistor (2) par l’intermédiaire du premier té de polarisation (6), la seconde source de tension DC impulsionnelle (5) et une impédance de charge (8) étant configurées pour être reliées au drain (2b) du transistor (2) par l’intermédiaire du second té de polarisation (7), le banc de mesures (1) comprenant en outre un dispositif de commande configuré pour commander le générateur RF impulsionnel (3), la première source de tension DC impulsionnelle (4) et la seconde source de tension DC impulsionnelle (5) de manière à réaliser le procédé de caractérisation selon l’une des revendications 1 à 9. Banc de mesures (1) selon la revendication 10, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre un analyseur de réseau vectoriel (12) configuré pour être relié à la grille (2a) et au drain (2b) du transistor (2) par l’intermédiaire de coupleurs (13, 14). Banc de mesures (1) selon la revendication 10 ou 11, caractérisé par le fait qu’il comprend en outre au moins deux wattmètres configurés pour être reliés à la grille (2a) et au drain (2b) du transistor (2) par l’intermédiaire de coupleurs.