INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ces circuits électroniques sont généralement reliés entre eux à l'aide de fils/connecteurs métalliques pour former une unité de traitement multi-cœurs atteignant la puissance de calcul souhaitée. Ce type d'assemblage limite néanmoins la bande passante et la densité de puissance.
La photonique constitue une technologie prometteuse pour assurer des communications optiques intra- ou inter-puce qui puissent permettre de surmonter les limitations des interconnexions électriques.
L’intégration 2,5D ou 3D permet ainsi d’associer une partie de circuit électronique avec une interface photonique d’interconnexion. Une telle intégration nécessitant des interposeurs photoniques et des interconnexions verticales en cuivre, les limitations susmentionnées ne peuvent toutefois pas être pleinement surmontées.
C’est pourquoi on cherche à combiner électronique et photonique sur une même puce alors même qu’une telle combinaison s’avère difficile en raison des exigences antagonistes, notamment en termes de fabrication, de chacune de ces technologies.
On connait ainsi par exemple de l’article de Sun, C., Wade, M., Lee, Y. et al. intitulé « Single-chip microprocessor that communicates directly using light », Nature 528, 534–538 (2015) une solution de co-intégration sur un même substrat silicium-sur-isolant (SOI pour « Silicon On Insulator ») d’un circuit électronique avec des dispositifs optiques assurant des fonctions d’interconnexion pour le circuit électronique au moyen de chemins optiques.
Cette solution consiste à fournir un substrat SOI qui comprend une couche mince superficielle de silicium séparée d’un substrat support par une couche d’oxyde enterrée et à structurer la couche mince superficielle de silicium pour former à la fois le corps des transistors électroniques et le cœur des guides d'ondes optiques. La couche d’oxyde enterrée du substrat SOI étant mince (<200 nm), la lumière se propageant dans les guides d'ondes est toutefois susceptible de s’échapper de manière évanescente dans le substrat support, ce qui peut entraîner des pertes élevées dans les guides d'ondes. Pour résoudre ce problème, cette solution préconise de procéder à un enlèvement sélectif du substrat après l’encapsulation électrique de la puce afin d'éliminer par gravure le substrat support sous les régions comportant des dispositifs optiques.
Cet enlèvement sélectif post-encapsulation s’avère toutefois complexe à réaliser, rendant cette solution difficilement industrialisable.
L’invention a pour objectif de proposer une solution plus simple pour une intégration monolithique sur un même substrat d’une partie de circuit électronique avec une interface photonique d’interconnexion assurant une communication optique intra- ou inter-puce pour la partie de circuit électronique avec une quantité minimale d'interconnexions métalliques.
A cet effet, l’invention propose selon un premier aspect une puce de circuit intégré photonique-électronique formée sur un substrat semiconducteur sur isolant, lequel substrat silicium sur isolant comprend une couche diélectrique enterrée et une couche active de matériau semiconducteur. La puce comprend une partie de circuit électronique et une interface photonique d’interconnexion de la partie de circuit électronique co-intégrées dans la couche active. La partie de circuit électronique est formée dans une région de la couche active dont l’épaisseur est plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active dans laquelle est formée ladite interface photonique.
Certains aspects préférés mais non limitatifs de cette puce sont les suivants :
la région de la couche active dans laquelle ladite interface photonique est formée est prise en sandwich entre la couche diélectrique enterrée et une région diélectrique superficielle et la région de la couche active dans laquelle la partie de circuit électronique est formée est dépourvue d’une couche diélectrique superficielle ; l’épaisseur de la région de la couche active dans laquelle la partie de circuit électronique est formée est supérieure à 0,2µm, de préférence supérieure à 0,5µm ; l’épaisseur de la région de la couche active dans laquelle ladite interface photonique est formée est comprise entre 0,2µm et 0,5µm ; la couche diélectrique enterrée présente une épaisseur supérieure à 1µm, de préférence supérieure à 2µm ; l’interface photonique comprend au moins un guide d’ondes ; l’interface photonique comprend en outre une partie de circuit photonique actif. la partie de circuit électronique comprend un module logique à transistors ; les transistors sont de type FinFET ou GAAFET.
Selon un second aspect, l’invention porte sur un substrat semiconducteur sur isolant comprenant une couche diélectrique enterrée et une couche active de matériau semiconducteur. Une région de la couche active destinée à la formation d’une partie de circuit électronique est d’épaisseur plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active destinée à la formation d’une interface photonique d’interconnexion de la partie de circuit électronique.
Selon un troisième aspect, l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant selon le deuxième aspect, comprenant un transfert de la couche active d’un substrat donneur vers un substrat support.
Un rayonnement électromagnétique, par exemple sous forme de laser, apporte par la suite l’énergie nécessaire à fritter les particules de poudre en différents points de la couche de poudre selon une géométrie correspondant à un objet, par exemple à l’aide d’un ordinateur ayant en mémoire la forme d’un objet et restituant cette dernière sous forme de tranches. Ensuite, la plaque horizontale est abaissée d’une hauteur correspondant à l’épaisseur d’une couche de poudre, et une nouvelle couche de poudre est étalée, chauffée puis fritter de la même manière. La procédure est répétée jusqu’à ce que l’on ait fabriqué l’objet.
La couche de poudre déposée sur une plaque horizontale peut avoir, avant frittage, par exemple une épaisseur de 20 à 200 µm, et de préférence de 50 à 150 µm. Après frittage, l’épaisseur de la couche de matériau aggloméré est un peu plus faible, et peut avoir par exemple une épaisseur de 10 à 150 µm, et de préférence de 30 à 100 µm.
Pour le procédé MJF et HSS, la couche entière du matériau de construction est exposée au rayonnement, mais seule une partie recouverte d’un agent de fusion est fondue pour devenir une couche d'une pièce 3D. L’agent de fusion est un composé capable d'absorber le rayonnement et de le convertir en énergie thermique, par exemple une encre noire. Il est appliqué sélectivement dans la région sélectionnée du matériau de construction. L’agent de fusion est capable de pénétrer dans la couche du matériau de construction et transmet l’énergie absorbée au matériau de construction voisin, amenant ainsi celui-ci à fondre ou à être fritté. Par la fusion, la liaison et le durcissement subséquent de chaque couche du matériau de construction, on forme l’objet.
Dans le cas particulier du MJF, un agent détaillant est en outre ajouté sur les bords de la zone à fondre pour permettre aux pièces d’avoir une meilleure définition.
Avantageusement, l’utilisation de la composition de poudre de polymère de l’invention dans ces procédés ne requiert pas de modification particulière. Comme évoqué ci-dessus, elle permet en revanche d’obtenir des pièces présentant une plus faible rugosité et une meilleure définition.
La composition de poudre de polymère selon l’invention peut être recyclée et réutilisée dans plusieurs constructions successives. Dans cette hypothèse, elle peut être réutilisée seule ou en mélange avec d’autres poudres recyclées ou non.
A titre d’exemple est décrit ci-après l’utilisation de la poudre de polymère thermoplastique décrite dans un procédé de construction d’objet tridimensionnel couche-par-couche par frittage provoqué par un rayonnement électromagnétique dans un dispositif 1, tel que celui schématisé en .
Le rayonnement électromagnétique peut être par exemple être un rayonnement infrarouge, un rayonnement ultraviolet, ou de préférence un rayonnement laser. En particulier, dans un dispositif 1 tel que celui schématisé en , le rayonnement électromagnétique peut comprendre une combinaison de rayonnement infrarouge 100 et un rayonnement laser 200.
Le procédé de frittage est un procédé de fabrication couche-à-couche pour construire un objet tridimensionnel 80.
Le dispositif 1 comprend une enceinte de frittage 10 dans laquelle sont disposés un bac d’alimentation 40 contenant la poudre de polymère thermoplastique et une plaque horizontale 30 mobile. La plaque horizontale 30 peut également jouer le rôle de support de l’objet tridimensionnel 80 en construction. Néanmoins, les objets fabriqués à partir de la poudre de polymère thermoplastique n’ont généralement pas besoin de support additionnel et peuvent généralement être auto-supportés par la poudre non-frittée de couches précédentes.
Selon le procédé, de la poudre de polymère thermoplastique est prélevée du bac d’alimentation 40 et déposée sur la plaque horizontale 30, formant une fine couche 50 de poudre constitutive de l’objet tridimensionnel 80 en construction. La couche de poudre 50 est chauffée grâce à un rayonnement infra-rouge 100 pour atteindre une température sensiblement uniforme égale à la température de construction minimum Tc prédéterminée.
L’énergie nécessaire à fritter les particules de poudre de polymère thermoplastique en différents points de la couche de poudre 50 est ensuite apportée par un rayonnement laser 200 du laser 20 mobile dans le plan (xy), selon une géométrie correspondant à celle de l’objet. La poudre fondue se re-solidifie formant une partie frittée 55 alors que le reste de la couche 50 reste sous forme de poudre non frittée 56. Un seul passage d’un seul rayonnement laser 200 est généralement suffisant pour assurer le frittage de la poudre. Néanmoins, dans certains modes de réalisation, il peut également être envisagé plusieurs passages au même endroit et/ou plusieurs rayonnements électromagnétiques atteignant le même endroit pour assurer le frittage de la poudre.
Ensuite, la plaque horizontale 30 est abaissée selon l’axe (z) d’une distance correspondant à l’épaisseur d’une couche de poudre, et une nouvelle couche est déposée. Le laser 20 apporte l’énergie nécessaire pour fritter les particules de poudre selon une géométrie correspondant à cette nouvelle tranche de l’objet et ainsi de suite. La procédure est répétée jusqu’à ce que l’on ait fabriqué l’objet 80.
La température dans l’enceinte de frittage 10 des couches inférieures à la couche en cours de construction peut être inférieure à la température de construction. Cette température reste cependant généralement au-dessus, voire bien au-dessus, de la température de transition vitreuse de la poudre. Il est notamment avantageux que la température du fond de l’enceinte soit maintenue à une température Tb, dite « température de fond de bac », tel que Tb soit inférieure à Tc de moins de 40°C, de préférence de moins de 25°C et encore de préférence de moins de 10°C.
Une fois l'objet 80 terminé, il est retiré de la plaque horizontale 30 et la poudre non frittée 56 peut être tamisée avant d'être renvoyée, au moins en partie, dans le bac d’alimentation 40 pour servir de poudre recyclée. Le recyclage de la poudre est rendu possible du fait que la température de construction Tc est généralement inférieure à celle des procédés traditionnels de construction, ce qui permet d’atténuer le vieillissement de la poudre, non-frittée, ayant subi les conditions de températures d’au moins une construction par frittage. La poudre de polymère thermoplastique recyclée peut être utilisée telle qu’elle ou alternativement en mélange avec une poudre vierge.
En particulier, dans les modes de réalisation où la poudre de polymère thermoplastique est constituée d’un mélange d’une poudre P1 et d’une poudre P2, la température de construction peut être inférieure à celle qui serait utilisée pour un procédé de construction traditionnel utilisant une composition constituée de poudre P1 (qui n’est pas selon l’invention). Ceci permet d’envisager le recyclage amélioré de composition de poudre non frittée dans une construction ultérieure. Avantageusement, le mélange de poudres à recycler est mélangé avec de la poudre P et/ou P2 vierge, de telle sorte à conserver une température de construction Tc inférieure à celle des procédés traditionnels de construction.
La composition de décoloration comporte préférentiellement un ou plusieurs agents alcalins. Le ou lesdits agents alcalins peuvent être contenus dans la composition anhydre a1 comprenant un ou plusieurs persulfates et/ou dans la composition aqueuse a2. Le ou lesdits agents alcalins sont de préférence choisis parmi les métasilicates, les carbonates de métaux alcalins et/ou alcalinoterreux, l'ammoniaque, ou les alcanolamines.
De préférence, la composition de décoloration comprend également un oxydant additionnel, notamment du peroxyde d'hydrogène. Ce peroxyde d'hydrogène peut provenir d'un précurseur de peroxyde d'hydrogène anhydre comme le peroxyde d'urée alors présent dans la composition anhydre a1 qui s'hydrolyse en présence de la composition aqueuse a2. Encore plus préférentiellement, le peroxyde d'hydrogène peut être sous la forme d’une solution aqueuse de peroxyde d'hydrogène, appelée eau oxygénée, présente dans la composition aqueuse a2.
Dans un mode de réalisation préféré, le procédé selon l'invention ne met en œuvre aucun colorant capillaire.
Les compositions cosmétiques utilisées dans le procédé selon l'invention peuvent aussi comprendre au moins un composé choisi parmi les solvants, les corps gras siliconés ou non, les tensioactifs anioniques, cationiques, non ioniques ou amphotères, siliconés ou non, les polymères et en particulier les polymères traitants, fixants ou épaississants anioniques, cationiques, non ioniques ou amphotères, les agents rupteurs de liaisons disulfures, les agents antipelliculaires, ou les agents antichute.
Rayonnement micro-ondes Par « micro-ondes », il faut comprendre un rayonnement électromagnétique de fréquence allant de 500 MHz à 300 GHz.
De préférence, la fréquence du rayonnement micro-ondes utilisée dans le procédé de l'invention va de 500 MHz à 300 GHz, mieux de 500 MHz à 10 GHz, encore mieux de 900 MHz à 5 GHz, tout préférentiellement de 2 GHz à 3 GHz.
La puissance des micro-ondes utilisées lors de l’étape b) peut être inférieure ou égale à 500 W, de préférence allant de 30 à 300W, mieux de 100 à 250 W, encore mieux de 100 à 200 W ou de 100 à 175 W.
De préférence, la densité surfacique de puissance sur les cheveux, induite par le rayonnement micro-ondes, peut aller de 0,1 W/cm² à 100 W/cm².
L’exposition au rayonnement micro-ondes peut être réalisée grâce à une antenne d’émission des micro-ondes, ladite antenne et au moins une partie de la mèche à traiter étant de préférence insérées dans une enceinte étanche aux micro-ondes.
Le cas échéant, l’enceinte, au moins durant l’étape b), contient les cheveux à traiter et imprégnés par la composition de décoloration. Par « contenir les cheveux », il faut comprendre contenir les cheveux sur tout ou partie de leur longueur et sur une largeur donnée. L’enceinte peut recouvrir les cheveux sur une longueur par exemple supérieure ou égale à 5 cm. Ainsi, une longueur d’au moins 5 cm de cheveux peut être traitée en une fois dans l’enceinte.
Ladite enceinte peut être définie au moins partiellement par un boîtier présentant un logement, configuré pour recevoir au moins une partie des cheveux à traiter et, le cas échéant, un outil de mise en forme de la chevelure, et par un capot pivotant relativement au boîtier entre une position ouverte donnant accès au logement et une position fermée, l’antenne d’émission des micro-ondes étant disposée à l’intérieur du logement.
Dans une variante, l’enceinte est sous forme de casque.
L’enceinte peut être immobile par rapport aux cheveux traités lors de l’émission des micro-ondes ou mobile par rapport aux cheveux, permettant de traiter une plus grande longueur de cheveux.
L’enceinte peut comporter au moins un joint d’un matériau électriquement conducteur, par exemple élastiquement déformable, permettant de faire écran aux micro-ondes utilisées lors de l’étape b) tout en laissant sortir les cheveux de l’enceinte. Le joint peut comporter une mousse chargée de particules électriquement conductrices, une brosse formée de poils électriquement conducteurs ou un peigne comportant des dents métalliques.
Dans le cas où l’enceinte est sous forme de casque, l’enceinte peut comporter un blindage électromagnétique au travers duquel les cheveux traités peuvent passer. Un tel blindage permet de traiter les cheveux de l’utilisateur tout en protégeant le crâne de ce dernier des micro-ondes émises. Le blindage électromagnétique est formé par exemple par une grille ou un grillage métallique.
Ensemble L’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un ensemble pour la décoloration des cheveux comportant au moins une composition de décoloration comprenant un ou plusieurs persulfates et un dispositif adapté à exposer les cheveux à un rayonnement micro-ondes tel que défini précédemment.
Le cadre 15 comprend un montant avant 151 et un montant arrière 152, reliés entre eux, à leur partie supérieure, par une traverse 153. De façon similaire, le cadre 16 comprend un montant avant 161, un montant arrière 162 et une traverse 163.
Chaque porte est également munie d’un profilé décoratif supérieur 2 et d’un profilé décoratif latéral 3. Le profilé décoratif supérieur 2 est destiné, comme son nom l’indique, à être fixé sur la partie supérieure de la porte, plus précisément en regard de la traverse 153, 163 de la porte avant 11, respectivement de la porte arrière 12. Le profilé décoratif latéral 3 est destiné à être fixé soit sur le montant arrière 152 de la porte avant 11, soit sur le montant avant 161 de la porte arrière 12.
Dans la suite de la description des revendications, la direction « axiale » x désigne la direction qui s’étend selon l’axe longitudinal du véhicule, la direction « transversale » y désigne la direction qui s’étend selon l’axe transversal du véhicule et la direction « verticale » z correspond à la direction verticale du véhicule, lorsque celui-ci repose sur ses roues, (voir le référentiel en trois dimensions sur les figures).
Les termes « intérieur » et « extérieur » sont à prendre en considération par rapport à l’intérieur ou l’extérieur du véhicule 1 et les termes « supérieur » et « inférieur » par rapport à la position des portes du véhicule lorsque celui-ci repose sur ses roues.
L’ensemble de fixation et de positionnement du profilé décoratif supérieur 2 et du profilé décoratif latéral 3, conforme à l’invention, comprend un profilé d’habillage 4 du cadre de la porte, un profilé d’étanchéité 5 et une pièce de blocage 6.
Un exemple de réalisation du profilé d’habillage 4 va maintenant être décrit en faisant référence à la . Ce profilé d’habillage 4 est conformé pour habiller et recouvrir la face extérieure du cadre 15, 16 de la porte avant 11, respectivement arrière 12.
La forme du profilé d’habillage 4 peut varier en fonction du modèle de véhicule automobile et donc du modèle de la porte correspondante à habiller. Par ailleurs, la forme de ce profilé d’habillage est adaptée selon qu’il s’agit d’habiller la porte arrière 12 du véhicule, comme représenté sur la ou la porte avant 11, comme représenté sur la .
Dans tous les cas et comme on peut le voir sur la , le profilé d’habillage 4 comprend une partie 41 d’habillage du montant du cadre, ici le montant avant du cadre de la porte arrière et une partie 42 d’habillage de la traverse de ce cadre. Sur les figures 6 et 7, on constate ainsi que ces parties 41 et 42 sont inversées en miroir. Sur les figures 2, 6 et 7, on peut voir que seule la partie d’angle du profilé d’habillage 4, située à l’intersection entre la traverse et le montant est représentée.
Comme cela apparait mieux sur les figures 2 et 11, le profilé d’habillage 4 et plus précisément la partie d’habillage 42 comprend en outre une goulotte 420, formée de deux parois latérales, à savoir une paroi inférieure 421 et une paroi supérieure 422, jointes par un fond 423.
La goulotte 420 débouche vers l’extérieur de la porte du véhicule et lorsque le profilé d’habillage 4 est en place sur la porte, le fond 423 de la goulotte est vertical ou sensiblement vertical.
De façon avantageuse, ce profilé d’habillage 4 est réalisé dans un matériau souple, tel qu’un élastomère thermoplastique ou un élastomère vulcanisé, par exemple.
Le profilé d’étanchéité 5 va maintenant être décrit plus en détail, en liaison avec la .
Le profilé d’étanchéité 5 est destiné à être fixé sur le profilé d’habillage 4 de la porte, de façon à assurer l’étanchéité de cette porte vis-à-vis de la carrosserie 10 du véhicule 1, lorsque cette porte est fermée. Cette position fermée est représentée sur la . Lorsque ce profilé 5 est en place, son axe longitudinal est parallèle à la direction axiale x du véhicule.
Le profilé d’étanchéité 5 est réalisé dans un matériau souple, tel qu’un élastomère thermoplastique ou un élastomère vulcanisé, par exemple.
Le profilé d’étanchéité 5 comprend un corps longitudinal 50 ayant la forme d’une lamelle. Ce corps 50 et muni, à sa partie supérieure, de deux lèvres, respectivement une lèvre intérieure 51a et une lèvre extérieure 51b, qui délimitent ensemble une gorge longitudinale supérieure 51. Le corps 50 est également muni, à sa partie inférieure, de deux lèvres, respectivement une lèvre intérieure 52a et une lèvre extérieure 52b, qui délimitent ensemble une gorge longitudinale inférieure 52.
Dans l’exemple de réalisation représentée sur les figures, le profilé d’étanchéité 5 comprend également deux pattes transversales, respectivement une patte supérieure longitudinale 53 et une patte inférieure longitudinale 54 qui s’étendent perpendiculairement ou sensiblement perpendiculairement au corps longitudinal 50, de façon à ménager avec celui-ci une gouttière 55 en U. De façon avantageuse, cette gouttière en U 55 est munie intérieurement d’une ou de plusieurs lèvres intérieures 530, qui font saillie vers l’intérieur depuis l’une des pattes longitudinales, par exemple ici depuis la patte supérieure longitudinale 53.
[05 1 ] La montre le positionnement final des bagues par rapport à leurs dents correspondantes qui ont été idéalement placées par l’orthodontiste à l’aide du manipulateur de chaque bague avec le manipulateur central de l’ensemble du système fil-bagues. Le fil d’arc obtient sa forme finale qui est dictée à partir de la position finale des crochets.
[05 2 ] La montre l’action d’extrusion des bases des bagues vers la surface des dents. À ce stade, la surface de la base de la bague a la forme de la surface de la dent et la touche avec précision. Les bagues sont maintenant personnalisées pour la dent spécifique, le patient spécifique qui a une certaine malocclusion. Le fil d’arc est également en cours de personnalisation en fonction de la position des bagues. La position finale des dents dans le traitement orthodontique sera celle qui a été préalablement conçue dans la configuration virtuelle idéale à condition que les bagues personnalisées spécifiques et le fil d’arc soient utilisés dans le traitement orthodontique. Le fil d’arc sera le prototype de fil d’arc à être plié à partir de fils élastiques ronds minces à des fils rectangulaires plus épais et en terminant le traitement à l’aide du fil qui remplira avec précision la fente des bagues (celui où toutes les bagues ont été alignées dans la phase de conception des bagues).
[05 3 ] Les , et montrent la création automatique de la bague personnalisée et plus particulièrement de la base de la bague qui s’adapte exactement à la morphologie de la surface labiale ou linguale de la dent. À l’aide d’un outil, l’orthodontiste extrude la base de la bague qui se trouve à une distance de la dent vers la surface opposée de la dent . Le procédé utilisant des opérations booléennes soustrait la zone d’intersection du volume d’extrusion de la bague du volume de la dent, créant ainsi la base personnalisée de la bague .