INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les mêmes conditions expérimentales ont encore été appliquées pour le test d’extrusion de la composition F3. Il a également pu être obtenu une bobine. Le filament de la bobine est légèrement blanchi par endroits (adhésion aux rouleaux, dispersion inhomogène du colorant), et la circulation d’eau sur les rouleaux a été remise en place par rapport au test de la composition F2. Malgré tout, il a été déterminé que la composition F3 est adaptée à l’extrusion filament.
Essais d’extrusion de filaments avec des compositions PHA seul(s), et des compositions PHA et charges
Il a d’autre part été testé la formation de bobines de filaments par extrusion filament en utilisant des compositions comprenant toujours majoritairement du PHA, et notamment un mélange de PHA scl et de PHA mcl, ainsi qu’en utilisant de telles compositions en mélange avec des charges.
Sur la base des résultats de ces compositions testées en extrusion filament, lesquels résultats ont également pris en compte la cinétique de cristallisation du produit extrudé, il a été préparé quatre compositions différentes, toujours selon le mode opératoire décrit dans la description détaillée ci-avant, destinées à être testées sur une ligne d’extrusion en laboratoire pour impression 3D.
La première composition testée (F1’) comprend 95% de PHBHV et 5% de PHA mcl qui est du PHO. Le PHO est composé de 96 % en poids de poly-3-hydroxyoctanoate et 4 % en poids de poly-3-hydroxyhexanoate.
à l’issue de l’étape b), la couche poreuse présente une épaisseur comprise entre 0,5μm et 5μm ; à l’issue de l’étape b), la couche poreuse comprend des pores dont la taille est comprise entre 1nm et 50nm, et présente un taux de porosification compris entre 10% et 70% ; à l’issue de l’étape c), la couche superficielle présente une épaisseur inférieure ou égale à 10μm ; à l’issue de l’étape c), la couche superficielle présente une épaisseur inférieure ou égale à 1μm, typiquement de l’ordre de cent à quelques centaines de nanomètres ; l’étape c) comprend le dépôt d’une couche en carbure de silicium amorphe, au moins sur la couche poreuse, pour former la couche superficielle ; la couche en carbure de silicium amorphe déposée est fortement dopée et présente une concentration en espèces dopantes supérieure à 10 19 /cm 3 , voire supérieure à 10 20 /cm 3 ; l’étape d) comprend, préalablement à l’assemblage du substrat initial et du substrat support, la formation d’une couche de collage sur l’un et/ou l’autre des substrats, du côté de leurs faces avant respectives, la couche de collage présentant, après assemblage, une épaisseur totale inférieure ou égale à 10nm ; la couche de collage est composée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le nickel, le titane et le tungstène ; au cours de l’étape e), une segmentation sous forme de nodule ou une dissolution de la couche de collage autorise un contact direct, au moins localement, entre la couche superficielle et le substrat support ; le traitement thermique de l’étape e) est effectué à une température supérieure ou égale à 1000°C, préférentiellement supérieure ou égale à 1400°C, voire supérieure ou égale à 1850°C ; à l’étape e), la cristallisation de la couche superficielle (12) s’opère au moins en partie sous forme de carbure de silicium poly-cristallin, à partir d’une interface de contact avec le substrat support, pour former une couche intermédiaire ; le procédé comprend, après l’étape f), une étape g) de finition comprenant des traitement(s) mécanique(s) et/ou chimique(s) de la structure composite, pour éliminer des résidus de couche poreuse de la face avant de la couche mince et/ou pour corriger l’uniformité d’épaisseur de la structure composite ; l’étape g) comprend un traitement thermique, appliqué à la structure composite, à une température comprise entre 1000°C et 1900°C, avant ou après les traitements mécanique(s) et/ou chimique(s) ; le procédé comprend une étape de reconditionnement du reste du substrat initial en vue d’une réutilisation en tant que substrat initial pour la fabrication d’une nouvelle structure composite.
L’invention concerne également une structure intermédiaire comprenant : - un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, - une couche superficielle en carbure de silicium amorphe, disposée directement en contact ou via une couche de collage, sur le substrat support, du côté de sa face avant, une interface de collage étant présente entre le substrat support et la couche superficielle, - une couche poreuse sur la couche superficielle,
- un substrat initial en carbure de silicium monocristallin sur la couche poreuse.
Les figures 2a à 2g présentent des étapes d’un procédé de fabrication conforme à l’invention.
Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y ; et les épaisseurs relatives des couches entre elles ne sont pas nécessairement respectées sur les figures.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite 100 comprenant une couche mince 1 en carbure de silicium monocristallin (c-SiC sera utilisé par la suite pour parler de carbure de silicium monocristallin) disposée sur un substrat support 20 en carbure de silicium ( ). Le substrat support 20 est poly-cristallin (p-SiC).
Le procédé comprend en premier lieu une étape a) de fourniture d’un substrat initial 10 en carbure de silicium monocristallin ( ). Le substrat initial 10 se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette de diamètre 100mm, 150mm, 200mm voire 300mm et d’épaisseur comprise typiquement entre 300 et 800 microns. Il présente une face avant 10a et une face arrière 10b. La rugosité de surface de la face avant 10a est avantageusement choisie inférieure à 1nm Ra (rugosité moyenne) mesurée par microscopie à force atomique (AFM), par exemple sur un scan de 20 microns x 20 microns. Le substrat initial 10 peut être de polytype 4H ou 6H, et présenter un dopage de type n ou p.
L’étape a) comprend également la fourniture d’un substrat support 20 en carbure de silicium poly-cristallin présentant une face avant 20a et une face arrière 20b ( ).
Le substrat support 20 peut être élaboré par une technique classique telle que le frittage ou le dépôt chimique en phase vapeur. Il se présente préférentiellement sous une forme identique à celle du substrat initial 10, typiquement sous forme de plaquette de diamètre et d’épaisseur typiques mentionnés ci-dessus en référence au substrat initial 10. La rugosité de surface de la face avant 20a du substrat support 20 est avantageusement choisie inférieure à 1nm Ra, au moins lorsque cette face est destinée à être directement assemblée à une étape d) ultérieure du procédé.
Le procédé comprend ensuite une étape b) de porosification appliquée au substrat initial 10, pour former une couche poreuse 11 ( ). Les méthodes connues de porosification du SiC, dont certaines sont décrites ou référencées dans les publications de Y. Shishkin et al (« Phoroelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide », Journal of Applied Physics 96, 2311, 2004) et de Gautier et al (« Electrochemical formation of porous silicon carbide for micro-device applications », Materials science forum, ISSN : 1662-9752, Vol.924, pages 943-946, 2018) pourront être appliquées au substrat initial 10 pour former la couche poreuse 11.
Avantageusement, la couche poreuse 11 présente une épaisseur comprise entre 0,5μm et 5μm ; le taux de porosification est préférentiellement compris entre 10% et 70%, et la taille des pores est comprise typiquement entre 1 nm et 50 nm.
Ces caractéristiques sont favorables, d’une part à la cristallisation au contact de la couche poreuse 11 (étape e) suivante du procédé) d’une couche 21 en carbure de silicium amorphe sous forme monocristalline, laquelle couche est destinée à former la couche mince 1 de la structure composite 100 ; d’autre part, les caractéristiques de la couche poreuse 11 sont adaptées pour autoriser et faciliter la séparation au sein de cette couche, à une étape f) du procédé, tout en procurant une tenue mécanique suffisante au cours des étapes antérieures.
L’étape c) suivante du procédé de fabrication selon l’invention correspond à la formation d’une couche superficielle 21,12 en carbure de silicium amorphe, au moins sur la face avant 20a,10a du substrat support 20 ou du substrat initial 10.
Selon un premier mode de réalisation, c’est le substrat 20 qui est muni au moins sur sa face avant 20a de ladite couche superficielle 21 en carbure de silicium amorphe (a-SiC) ( ).
L'essai type consiste à simuler une pluie intense de type "décennale", c'est à dire une pluie caractéristique en termes de durée et de hauteur précipitée, pour une fréquence d'apparition de 10 années. Par exemple une pluie "décennale" en Région Parisienne représente l'apport d'environ 24 mm sur une durée de 30 minutes ou 32 mm sur une durée de 60 minutes. Il est cependant parfaitement possible de reproduire d'autres types de pluies, tout aussi intéressantes pour tester la toiture : pluies intenses d'occurrence 30, 50 ou même 100 ans, pluies de faible hauteur ou peu intenses mais de très longue durée, etc.
Le choix de la pluie à simuler s'opérera en lien avec le donneur d'ordre et l'entreprise en charge des travaux d'étanchéité, sans excéder toutefois les capacités du réseau d'évacuation des eaux pluviales, qui est dimensionné pour évacuer une pluie maximale de 0,05 l/m2/s soit 90 mm en 30 minutes (NF DTU 60.11 partie 3 pour la France Métropolitaine)
Etape 3 : contrôles après ressuyage de la toiture
A l'étage inférieur, si celui-ci est accessible, un premier contrôle visuel à l'aide d'une lampe UV permet de détecter les fuites "grossières" dues à la présence de défauts et fissures importants.
Sur la toiture, une deuxième campagne de mesure à l'hygromètre nucléaire permet de cartographier la teneur en eau des matériaux situés sous l'étanchéité (éléments porteurs et isolant, dans la limite de 27 cm d'épaisseur), et ainsi de s'assurer de l'absence de fuites.
Si une fuite est détectée, révélée par une humidité excessive du matériau sous-jacent, il est possible de circonscrire la zone concernée et de permettre une réparation rapide.
Procédé de détection d’un analyte cible dans un échantillon à l’aide de Bleu du Nil, composition pour la détection d’un analyte cible et son utilisation. La présente invention porte sur un procédé de détection d’un analyte cible dans un échantillon à l’aide de Bleu du Nil, sur une composition pour la détection d’un analyte cible comprenant du Bleu du Nil et sur l’utilisation dudit procédé et de ladite composition.
Stojanovic et Landry (« Aptamer-Based Colorimetric Probe for Cocaine », Journal of the American Chemical Society 124, no 33 (1 août 2002): 9678‑9679 ) décrivent un procédé de détection colorimétrique de cocaïne à l’aide d’un aptamère anti-cocaïne et d’un colorant apte à se complexer avec ledit aptamère anti-cocaïne.
Lorsque le colorant et l’aptamère sont en solution, le colorant et l’aptamère vont se complexer et la solution présentera à ce moment-là une couleur bleue. Lorsque la cocaïne est introduite dans la solution, cette dernière va déplacer le colorant complexé avec l’aptamère, ledit aptamère ayant une plus forte affinité pour la cocaïne que pour le colorant. Ce déplacement du colorant va faire diminuer l’absorbance de la solution ce qui permet de détecter visuellement la présence de cocaïne.
Cette détection visuelle est une méthode simple et rapide pour détecter la présence d’un analyte cible. Cependant, cette méthode est basée sur l’affinité du colorant avec l’aptamère pour pouvoir présenter une modification de couleur suffisante lors du déplacement dudit colorant par l’analyte.
Stojanovic et Landry indiquent que de nombreux colorants ont été testés mais que seul un colorant s’est révélé satisfaisant pour le test de la cocaïne.
De plus, comme la littérature décrit de nombreux aptamères qui sont spécifiques de petites molécules organiques, il pourrait être souhaitable d’utiliser la méthode de détection colorimétrique décrite ci-dessus pour détecter la présence de ladite molécule organique.
Afin de simplifier la mise au point de telle méthode de détection, il pourrait être souhaitable de disposer d’une molécule capable d’interagir avec de nombreux aptamères ou oligonucléotides spécifiques d’une molécule cible différents, tout en étant capable de présenter un changement de couleur lorsque la molécule cible est présente.
Les présents demandeurs ont découvert que le Bleu du Nil pouvait répondre à ces besoins en étant capable d’interagir avec de nombreux aptamères ou oligonucléotides différents, tout en présentant une modification de couleur lors de la présence de la molécule cible, rendant possible la détection de cette dernière.
A cet effet, la présente invention porte sur un procédé de détection d’un analyte cible dans un échantillon, caractérisé par le fait que :
on prépare une composition en phase aqueuse comportant du bleu du Nil, un sel capable de s’agréger au bleu du Nil et un oligonucléotide spécifique de la cible ; on met en contact la composition ainsi préparée avec l’échantillon à tester ; et on observe la modification attendue de couleur du mélange de la composition et de l’échantillon à tester.
Du fait que la ou les sources de lumière 122 sont disposées dans la cavité 108 alors que les pixels de la matrice 116 de la puce 110 sont disposés dans la cavité 106, et que les murs 104 isolent optiquement les cavités 106 et 108 l'une de l'autre, la lumière émise par chaque source de lumière 122 ne peut pas atteindre directement les pixels de la matrice 116.
Pour être alimentée électriquement, chaque source de lumière 122 est connectée aux pistes conductrices 1002 de la carte 100.
Dans l'exemple illustré par la , chaque source de lumière 122 repose sur une piste conductrice 1002, de sorte qu'un plot de contact (non illustré) de la source de lumière 122 soit électriquement connecté à cette piste 1002, par exemple par l'intermédiaire d'une soudure. En outre, toujours dans l'exemple de la , chaque source de lumière 122 comprend un plot de contact (non représenté) disposé sur une face de la source de lumière 122 qui est opposée à la face en contact avec la piste 1002. Cet autre plot de contact est connecté à une autre piste 1002 de la carte 102 par un fil conducteur, c'est-à-dire par liaison filaire ("wire bonding").
Toutefois, la présente description ne se limite pas à cet exemple particulier de connexion de chaque source de lumière 122 aux pistes conductrices 1002 de la carte 102. Par exemple, chaque source 122 peut être connectée aux pistes 1002 uniquement par liaison filaire ("wire bonding") ou uniquement par soudure de ses plots de contact à des pistes 1002.
Chaque source de lumière 122 est connectée électriquement à la puce 110 et/ou à des composants 112 par l'intermédiaire les pistes conductrices de la carte 100 et/ou des conducteurs 114 et/ou des pistes conductrices de la carte 102.
Pour que les sources de lumière 122 du capteur temps de vol 1 puissent émettre de la lumière en direction d'une scène à capturer, la carte 102 comprend alors une ouverture 124 en vis-à-vis de la ou des sources de lumière 122. L'ouverture 124 débouche dans la cavité 108.
De manière similaire à ce qui a été décrit pour l'ouverture 118, un dispositif optique passif peut être disposé de manière à fermer la cavité 108 au niveau de l'ouverture 124.
Selon un mode de réalisation, comme cela est illustré en , un dispositif optique 126 actif est disposé de manière à fermer la cavité 108 au niveau l'ouverture 124. Le dispositif 126 est dit actif en ce qu'il comprend des plots de connexion électrique, c’est-à-dire en ce qu'il met en œuvre au moins une fonction électrique, par opposition au dispositif 120 qui ne nécessite aucune alimentation et ne met en œuvre qu'une fonction purement optique.
Dans le mode de réalisation illustré, le dispositif 126, par exemple un diffuseur optique ou une plaque transparente, est muni d'au moins une trace conductrice 128. Un tel dispositif optique 126 est, par exemple, configuré pour détecter, en se basant sur des variations de la valeur de résistance de la trace conductrice 128, si la lumière qui est émise par les sources 122 est sans danger pour un utilisateur lorsqu'elle sort du dispositif 1 en direction d'une scène à capturer.
Le dispositif 126 est disposé, ou repose, contre la carte 102, de manière à fermer l'ouverture 124, ou, dit autrement, de manière à fermer la cavité 108 au niveau de cette ouverture 124. Le dispositif 126 a donc des dimensions supérieures à celles de l'ouverture 124.
En outre, le dispositif 126, par exemple sa ou ses pistes conductrices 128, sont électriquement connectés aux pistes conductrices de la carte 102. Ainsi, le dispositif 126 peut être relié ou connecté électriquement à d'autres éléments électroniques du dispositif 1, par exemple à la puce 110 et/ou aux sources de lumière 122.
Dans l'exemple de mode de réalisation illustré par la , le dispositif 126 repose, par exemple au niveau de sa périphérie, sur et en contact avec la face 1024 de la carte 102. Dans cet exemple, le dispositif 126 est connecté électriquement à la carte 102, par exemple aux pistes 1026 de la carte 102, par des fils conducteurs, c’est-à-dire par liaison filaire ("wire bonding").
Selon un mode de réalisation, la puce 110 peut se prolonger à travers les murs 104 qui séparent la cavité 106 de la cavité 108, c'est-à-dire à travers les murs 104 qui isolent optiquement la cavité 106 de la cavité 108, jusque dans la cavité 108. A titre d'exemple, la portion de la puce 110 qui se trouvent dans la cavité 108 comprend au moins un pixel 130 supplémentaire. Le pixel 130 peut alors recevoir directement de la lumière émise par les sources de lumière 122, et peut servir, par exemple, de pixel de référence. Selon une variante de réalisation, la puce 110 ne se prolonge pas jusque dans la cavité 108.
Selon un mode de réalisation, comme cela est illustré dans l'exemple de la , le dispositif 1 comprend en outre un capot 132. Le capot 132 repose sur et en contact avec la face 1024 de la carte 102. Le capot 132 comprend une fenêtre 134 en vis-à-vis (ou en face) de l'ouverture 118. La fenêtre 134 comprend une ouverture 136 à travers le capot 132, en vis-à-vis de l'ouverture 118, et un dispositif optique passif 138 fermant l'ouverture 136. A titre d'exemple, le dispositif optique 138 est maintenu solidaire du capot 132, par exemple par de la colle.
Dans l'exemple de la , le dispositif 138 a des dimensions supérieures à celles de l'ouverture 136 et repose, par exemple au niveau de sa périphérie, sur et en contact avec le capot 132. Par exemple, le dispositif 138 repose sur et en contact avec une face du capot 132 qui est tournée vers la carte 102 comme cela est représenté en . Selon un autre exemple non illustré, le dispositif 138 repose sur et en contact avec une face du capot 132 qui est tournée vers l'extérieur du dispositif 1.
Dans un autre exemple non illustré, le dispositif 138 a les mêmes dimensions que l'ouverture 136 et est disposé dans l'ouverture 136, à un niveau intermédiaire entre le niveau de la face du capot 132 tournée vers l'extérieur et le niveau de la face du capot tournée vers la carte 102.
Malheureusement ces prédictions restent imparfaites, notamment parce que tous les segments routiers ne sont pas équipés de stations, mais aussi parce que les modèles ne tiennent pas compte des spécificités locales d’un segment routier. Par exemple, la présence de bâtiments ou de végétation faisant de l’ombre sur la chaussée, la présence d’un cours d’eau à proximité ou encore la topographie sont autant de facteurs qui influencent les conditions de surface d’un segment routier. Ces informations de contexte n’étant pas toujours disponibles, il en résulte des prédictions imparfaites qui peuvent s’avérer dangereuses pour les automobilistes.
Il existe ainsi un besoin pour une technique permettant de déterminer une condition de surface d’un segment routier particulier qui soit plus fiable que les techniques actuellement proposées.
A cet effet, il est proposé un procédé de prédiction d’une condition de surface d’un segment routier, le procédé comprenant les étapes suivantes :
Collecte d’observations météorologiques et de conditions de surface relevées par un premier ensemble de stations météo routières, Pour chaque station du premier ensemble de stations : Entrainement à partir des données collectées pour la station considérée, d’un modèle prédictif MP1 adapté pour prédire une condition de surface à partir de données météo atmosphériques, Détermination d’erreurs de prédiction commises par des modèles prédictifs MP1 entrainés pour les autres stations du premier ensemble, lorsqu’ils sont appliqués aux données issues de la station considérée, Partitionnement du premier ensemble de stations en groupes de stations déterminés selon un critère de similarité dans les erreurs de prédiction déterminées, Pour chacun des groupes déterminés, entrainement d’un modèle prédictif MP2 à partir des données collectées par les stations du premier ensemble de stations pour prédire une condition de surface à partir de données atmosphériques, Association d’au moins une donnée de contexte à un modèle prédictif MP2, Prédiction d’une condition météo à la surface d’un segment routier particulier par application de données météo atmosphériques obtenues pour l’emplacement du segment à un modèle prédictif MP2 sélectionné selon une donnée de contexte associée au segment routier.
Ainsi, le procédé permet d’améliorer la qualité des prédictions en sélectionnant un modèle de prédiction adapté à l’environnement du segment routier pour lequel la prédiction est réalisée. Les stations d’un premier ensemble sont partitionnées selon des similitudes dans les erreurs de prédiction, de sorte que chaque partition comprend des stations qui partagent un contexte environnemental comparable. En effet, si au moins deux modèles présentent un profil d’erreur similaire sur un ensemble de stations, on peut présumer que ces au moins deux modèles sont issus de stations dont le contexte est comparable. Le procédé permet ainsi d’entrainer des modèles sur des stations possédant un contexte spécifique pour obtenir des modèles prédictifs spécialisés selon le contexte. Ces modèles spécifiques sont ensuite étiquetés à partir d’un modèle prédictif entrainé sur un deuxième ensemble de stations pour lesquelles une donnée de contexte est disponible. De cette façon, lorsqu’un véhicule circulant par exemple près d’un cours d’eau demande une condition de surface de la chaussée, le modèle spécifiquement entrainé pour le contexte « cours d’eau » est utilisé pour la prédiction.
Un avantage du procédé de prédiction est de permettre l’entrainement de modèles prédictifs spécialisés pour un contexte particulier à partir de données pour lesquelles aucune information de contexte n’est disponible. On réduit ainsi le coût de développement du jeu de données d’entrainement et on améliore la qualité des prédictions.
Selon un mode particulier de réalisation, l’étape de prédiction d’une condition météo à la surface d’un segment routier particulier comprend :
L’identification (208), à partir d’une cartographie numérique, d’au moins un élément de contexte susceptible d’influencer les conditions météo de surface du segment, La sélection d’un modèle prédictif MP2 selon l’élément de contexte identifié.
De cette façon, chaque demande de prédiction d’une condition de surface transmise par un véhicule est associée à un contexte environnemental particulier permettant la sélection du modèle le plus adapté.
Selon une réalisation particulière, le procédé est tel qu’il comprend en outre une étape d’entrainement d’un modèle prédictif MP3 pour prédire au moins une donnée de contexte relative à l’environnement d’une station météo routière particulière à partir :