INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En fonction de l’itinéraire calculé, le logiciel de génération d’instructions sonores 23 peut déterminer des données d’instructions de guidage, qui décrivent un signal sonore à diffuser à l’utilisateur pour le guider. Ces données d’instructions de guidage comprennent, selon l’invention, une description d’un signal sonore à diffuser, et une indication relative à la position virtuelle de ce signal sonore à diffuser.
La description d’un signal sonore indique quel est le son qui doit être diffusé. Cette description peut par exemple consister en la désignation d’un fichier sonore à diffuser, ce fichier sonore étant stocké de préférence dans le dispositif audio 3. Cette description peut également consister en un fichier décrivant un son. Ce fichier peut par exemple être un descriptif de son enregistré selon un format connu sous le nom de « MIDI » (acronyme pour « Musical Instrument Digital Interface ») ou tout autre format de description de son équivalent. Il est encore possible que cette description de son contienne un texte, qui est destiné à être interprété par un logiciel de synthèse vocale prononçant ce son. La description du signal sonore peut encore comprendre des indications sur la façon dont un son soit être diffusé : par exemple de façon continue ou discontinu, répété un certain nombre de fois, avec un délai entre les répétitions, avec un glissement vers les aigus ou vers les basses, etc.
Contrairement aux fichiers sonores comprenant des sons en haute définition, un fichier de description de son présente un poids très faible, et peut être envoyé très rapidement, avec un temps de latence très faible. Ainsi, les fichiers sonores ont un poids très généralement supérieur à 64 Ko par seconde de son, et le plus souvent comprise entre 128 Ko par seconde et 256 Ko par seconde. Au contraire, les fichiers de description de son peuvent avoir un volume inférieur à quelques Ko par seconde de son. De préférence, pour la mise en œuvre de la présente invention, ils présentent un volume inférieur à 50 Ko par seconde de son, et encore préférentiellement, inférieur à 20 Ko par seconde de son.
Les données d’instructions de guidage comprennent également, selon l’invention, une indication relative à la position virtuelle du signal sonore à diffuser. Cette position du signal sonore à diffuser peut être par exemple, dans le mode de réalisation représenté, donnée comme une position d’émission du signal sonore par rapport à la localisation géographique du terminal 2, qui est déterminée par le récepteur de données de positionnement 21. Ainsi, cette information de position du son, qui peut être une position dans l’espace, peut être par exemple constituée par une donnée représentative de l’azimut en direction duquel le son doit être entendu, par rapport à une direction fixe telle que le Nord géographique, et éventuellement une donnée représentative de la distance à laquelle le son doit être entendu ainsi qu’une donnée représentative de la hauteur à laquelle le son doit être entendu.
Ces données représentatives de la position virtuelle d’émission du signal sonore sont associées aux données de description du signal sonore par le logiciel de génération des instructions de guidage, pour former les données d’instructions de guidage.
Ces données d’instructions de guidage sont envoyées par l’équipement de communication radio 24 du terminal 2 vers l’équipement de communication radio 34 du dispositif audio 3, par le biais d’une communication radio pouvant être suivant un format tel que le format Bluetooth.
Il est à noter que cette communication ne se fait pas sous la forme d’un envoi de pistes sonores, envoyées sur les canaux de communication du format Bluetooth qui sont spécifiquement dédiés aux transferts de pistes sonores. En effet, les données d’instructions de guidage générées par le terminal 2 présentent un volume de données très inférieur au volume de données d’un fichier audio en haute définition. Ces données d’instructions de guidage peuvent donc être envoyées par le biais des canaux prévus par la norme Bluetooth pour le transfert de données autres que les données sonores. Du fait de leur faible volume de données, elles peuvent être transmises sans générer de latence trop importante.
Quand le dispositif audio 3 reçoit ces données d’instructions de guidage, par l’intermédiaire de son équipement de communication radio 34, ces données d’instructions de guidage sont envoyées au moteur de rendu binaural 32. Ce moteur de rendu binaural 32 est un logiciel qui, de façon connue, est apte à modifier ou à créer une piste sonore stéréophonique de telle façon qu’elle paraisse être située à une position choisie, par rapport à l’utilisateur écoutant ces sons. Ce moteur de rendu binaural 32 peut ainsi générer un son correspondant à la description du signal sonore, contenu dans les données d’instructions de guidage, et répartir ce son entre les voies d’un son stéréophonique, en tenant compte d’une part des indications concernant la position du son à diffuser, contenu dans les données d’instructions de guidage, et d’autre part des informations concernant l’orientation de la tête de l’utilisateur, fournies par les capteurs inertiels 33.
Chacune des voies du son stéréophonique peut alors être envoyée par le moteur de rendu binaural 32 à l’un des émetteurs sonores 311 et 312, pour être diffusée dans l’une des deux oreilles de l’utilisateur. L’utilisateur peut ainsi entendre le signal sonore 41 généré par le moteur de rendu binaural 32 comme s’il provenait de la position 4 de l’espace. Il peut alors être facilement guidé dans ses déplacements, par exemple en se dirigeant vers cette position virtuelle 4.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, le dispositif audio 3 comprend un seul moteur de rendu binaural 32, dans l’un des écouteurs. Il est cependant possible, dans une variante de ce mode de réalisation, que chacun des écouteurs 301 et 302 soit équipé d’un moteur de rendu binaural qui ne génère que sa voie.
Le système de guidage permet ainsi d’assurer un guidage de l’utilisateur grâce à un ou plusieurs sons semblant provenir d’un endroit précis de l’espace, indépendamment de la position de la tête de l’utilisateur. Ce guidage peut se faire avec un dispositif audio, par exemple constitué par des écouteurs sans fil, qui ne comporte que des fonctionnalités limitées. En effet, ce dispositif audio doit comprendre un moteur de rendu binaural et des capteurs inertiels, mais il n’est pas nécessaire qu’il comprenne un récepteur de données de positionnement, un logiciel de calcul d’itinéraire ou un équipement de communication avec un réseau distant, qui sont des composants nécessitant des capacités de calcul importantes et fortement consommateurs d’énergie. Enfin, ce guidage ne nécessite qu’un faible volume de communications radio entre le terminal portable et le dispositif audio. Ce faible volume de communications permet d’éviter une latence préjudiciable à la réactivité du système de guidage, et permet même la réception, par le dispositif audio, d’autres données que celles nécessaires pour le guidage.
Dans un mode de réalisation, la valeur dudit paramètre est déterminée selon les résultats de toutes les comparaisons réalisées.
Lorsque les données sont normalisées, le résidu entre la prédiction linéaire et l'ensemble des valeurs cibles fournit un moyen de prédire si deux particularités sont corrélées.
La comparaison qui donne le plus petit résidu fournit un moyen approprié pour sélectionner ladite carte de particularités.
Dans un mode de réalisation, la valeur dudit paramètre est déterminée en fonction du temps de calcul à allouer à la seconde structure multitâche et/ou en fonction de la précision de calcul des cartes d'activation générées par la seconde structure.
Plus précisément, comme la corrélation entre les cartes de particularités des couches de convolution diminue lorsque la profondeur augmente, il est avantageux de sélectionner le point de fusion selon lesdits paramètres à partir d'une profondeur prédéterminée.
L'invention concerne également un programme d'ordinateur comprenant des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, conduisent l'ordinateur à réaliser les étapes du procédé de gestion tel que défini ci-dessus.
Selon un autre aspect, l'invention concerne également un dispositif de gestion d'une première structure multitâche d'un ensemble de réseaux neuronaux convolutifs afin de générer une seconde structure multitâche, ledit ensemble comprenant au moins un premier et un second réseau neuronal entraîné, de même structure, et dans lequel chacun est capable d'exécuter une tâche distincte.
Dans un mode de réalisation, les moyens de calcul sont capables de réaliser la fusion entre le premier et le second réseau neuronal convolutif d'une manière non supervisée.
Dans un mode de réalisation, les moyens de calcul sont capables de réaliser la fusion entre les premier et second réseaux neuronaux convolutifs par projection linéaire.
La présente invention et ses avantages seront mieux compris en étudiant la description détaillée d'un mode de réalisation spécifique donné à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés sur lesquels :
illustre les modules d'un dispositif de gestion d'une première structure multitâche d'un ensemble de réseaux neuronaux convolutifs selon un mode de réalisation de l'invention et,
Selon un aspect d'un mode de réalisation, un dispositif optoélectronique combinant une fonction d'émission lumineuse et une fonction de photodétection est réalisé par la mise en œuvre d'un procédé comprenant les étapes de former, sur un circuit intégré de contrôle préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur, une pluralité de diodes électroluminescentes ("Light-Emitting Diode" - LED, en anglais) inorganiques comportant des éléments semiconducteurs tridimensionnels, puis de déposer une couche active semiconductrice de sorte à combler des espaces entre les diodes électroluminescentes. Le procédé comprend en outre des étapes permettant de définir une pluralité de diodes photosensibles, ou photodétecteurs, dans la couche active semiconductrice.
Les figures 1A à 1H sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un exemple, non limitatif, de mise en œuvre d'un tel procédé. Diverses variantes sont à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
Par souci de simplification, les figures 1A à 1H représentent la réalisation d'un dispositif comportant des pixels comprenant chacun une diode photosensible D et une LED inorganique L. Cet exemple n'est toutefois pas limitatif, le procédé décrit pouvant bien entendu être adapté pour réaliser des dispositifs dont les pixels comprennent chacun des nombres de diodes photosensibles et de LED inorganiques différents de ceux représentés, par exemple une diode photosensible et trois LED inorganiques. À titre d'exemple, pour chaque pixel d'une image couleur à afficher, le dispositif peut comprendre une LED inorganique adaptée à n'émettre que la lumière bleue, par exemple dans la plage de longueurs d'onde de 430 à 490 nm (définissant un premier sous-pixel appelé sous-pixel bleu), une autre LED inorganique adaptée à n'émettre que la lumière verte, par exemple dans la plage de longueurs d'onde de 510 à 570 nm (définissant un deuxième sous-pixel appelé sous-pixel vert) et encore une autre LED inorganique adaptée à n'émettre que la lumière rouge, par exemple dans la plage de longueurs d'onde de 600 à 720 nm (définissant un troisième sous-pixel appelé sous-pixel rouge). En outre, les modes de réalisation décrits s'appliquent à des dispositifs présentant des plages de longueurs d'ondes d'émission et de réception quelconques, par exemple situées chacune dans l'infrarouge et/ou dans le visible.
Les figures 1A à 1F illustrent plus particulièrement des étapes successives de fabrication d'un circuit optoélectronique comportant, pour chaque pixel du dispositif, une cellule d'émission 101 commandable individuellement pour émettre un rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde d'émission du pixel. Chaque cellule d'émission 101 comporte une ou plusieurs LED élémentaires connectées en parallèle, comprenant chacune un élément semiconducteur tridimensionnel 103. Chaque LED élémentaire est adaptée à émettre un rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde d'émission de la LED inorganique L à laquelle elle appartient. Dans chaque cellule d'émission 101, les LED élémentaires de la cellule présentent sensiblement les mêmes dimensions et sont régulièrement réparties sur la surface de la cellule, aux dispersions de fabrication près.
La est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation, sur une face supérieure d'un substrat de support 105, des cellules d'émission 101 comprenant les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103.
Le substrat 105 peut présenter une structure monobloc, ou peut correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 105 est par exemple en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. À titre d'exemple, le substrat 105 est une plaquette ou un morceau de plaquette en silicium monocristallin, la face supérieure du substrat 105 présentant par exemple une orientation cristalline . Le substrat 105 peut comporter une structure multicouche de type silicium sur isolant, également appelée SOI (de l'anglais "Silicon On Insulator"). À titre de variante, le substrat 105 peut être en saphir.
De manière générale, le substrat 105 peut être en tout type de matériau adapté à la réalisation des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 des cellules d'émission 101. Dans la présente description, l'expression "élément semiconducteur tridimensionnel" désigne un élément de forme allongée selon une direction privilégiée, appelée direction longitudinale. Un tel élément peut présenter une forme filaire, par exemple à section hexagonale, une forme conique, tronconique ou, comme dans l'exemple représenté, une forme pyramidale. Les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 présentent par exemple des dimensions nanométriques ou micrométriques. Les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 peuvent être par exemple désignés par les termes nanofils ou encore nanopyramides. Plus précisément, chaque élément semiconducteur tridimensionnel présente par exemple une dimension transversale maximale comprise entre 5 nm et 2,5 µm, par exemple entre 50 nm et 1 µm, et une dimension longitudinale supérieure ou égale à une fois sa dimension transversale maximale.
Les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 des cellules d'émission 101 sont par exemple réalisés par une technique de croissance localisée. À titre d'exemple, au moins une couche de germination (ou couche de nucléation), par exemple une couche continue ou une couche structurée comprenant des portions de couche disjointes, et au moins une couche destinée à former un masque de croissance sélective, permettant de bloquer localement la croissance des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103, par exemple une couche électriquement isolante, sont successivement déposées sur la face supérieure du substrat 105, puis des ouvertures traversantes sont formées dans la couche électriquement isolante de façon à exposer des parties de la couche de germination aux emplacements souhaités des LED élémentaires du dispositif. Les ouvertures présentent par exemple des dimensions latérales sensiblement égales aux dimensions transversales souhaitées des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 des LED élémentaires des pixels. En pratique, les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 peuvent toutefois s'étendre latéralement sur et en contact avec le masque de croissance au voisinage des ouvertures. Les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 sont ensuite obtenus, par croissance épitaxiale depuis la couche de germination, en vis-à-vis des ouvertures préalablement formées. La couche de germination comprend par exemple un ou plusieurs matériaux favorisant la croissance des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 des LED élémentaires du dispositif. À titre de variante, les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 peuvent être réalisés par croissance épitaxiale à partir de germes préalablement formés de façon localisée aux emplacements souhaités des LED élémentaires du dispositif, par exemple par une technique dite vapeur-liquide-solide (VLS).
Les LED élémentaires des cellules d'émission 101 peuvent présenter une structure dite axiale. L'élément semiconducteur tridimensionnel 103 de chaque LED élémentaire comporte alors par exemple, depuis la face supérieure du substrat 105 et le long de la direction longitudinale de l'élément semiconducteur tridimensionnel 103, une région semiconductrice dopée d'un premier type de conductivité, par exemple le type N, une région semiconductrice active et une autre région semiconductrice dopée d'un deuxième type de conductivité, le type P dans cet exemple. À titre de variante, les LED élémentaires des cellules d'émission 101 peuvent présenter une structure dite radiale, par exemple de type cœur-coquille, dans laquelle les régions semiconductrices dopées des premier et deuxième types de conductivité et la région semiconductrice active sont concentriques et disposées radialement le long de la direction transversale des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103. Bien que cela n'ait pas été détaillé en , les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 de structure axiale ou radiale peuvent en outre comporter une ou plusieurs autres couches, par exemple choisies parmi des couches d'injection, de transport ou de blocage de charges (électrons ou trous).
Dans l'exemple illustré en , les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 revêtent partiellement la face supérieure du substrat 105, de sorte que les cellules d'émission 101 sont disjointes. À titre de variante, les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 peuvent revêtir intégralement la face supérieure du substrat 105. Dans ce cas, les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 non désirés, situés entre les futurs pixels du dispositif optoélectronique, sont par exemple éliminés lors d'une étape ultérieure.
Dans cet exemple, les cellules d'émission 101 comprenant les éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 sont formées non seulement aux emplacements souhaités des LED inorganiques L, mais également aux emplacements souhaités des diodes photosensibles D.
La est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une étape ultérieure d'élimination des cellules d'émission 101 aux emplacements souhaités des diodes photosensibles D. Seules les cellules d'émission 101 situées aux emplacements souhaités des LED inorganiques L sont conservées à l'issue de cette étape. Les cellules d'émission situées aux emplacements souhaités des diodes photosensibles D sont par exemple éliminées par photolithographie puis gravure, par exemple par gravure plasma. On peut déposer, préalablement à la gravure, une couche de protection revêtant la face supérieure des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 à conserver.
À titre de variante, les étapes décrites en relation avec les figures 1A et 1B peuvent être remplacées par une étape de croissance épitaxiale des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103 localisée aux emplacements souhaités des LED inorganiques L uniquement, aucune cellule d'émission 101 n'étant alors formée aux emplacements souhaités des diodes photosensibles D à l'issue de la croissance épitaxiale des éléments semiconducteurs tridimensionnels 103.
La est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une étape ultérieure de dépôt d'une couche électriquement isolante 107 du côté de la face supérieure du substrat 105 et de formation d'électrodes 109 à l'intérieur de la couche 107.
La couche électriquement isolante 107 est par exemple déposée pleine plaque, et recouvre totalement les cellules d'émission 101 subsistant aux emplacements souhaités des LED inorganiques L à l'issue de l'étape de la ainsi que des zones de la face supérieure du substrat 105 non revêtues par les cellules d'émission 101. À titre d'exemple, la couche 107 est en dioxyde de silicium.
Des ouvertures sont ensuite formées dans la couche 107, par exemple à l'aplomb des cellules d'émission 101, de sorte à exposer une partie supérieure, dans l'orientation de la , des cellules d'émission 101. Les ouvertures sont ensuite remplies d'un matériau conducteur, par exemple un métal tel que le nickel, le platine, le palladium, l'indium, l'aluminium, l'argent, le titane, etc. ou un alliage métallique, de sorte à former les électrodes 109 sur et en contact avec la face supérieure des cellules d'émission 101. Les électrodes 109 peuvent comporter une seule couche, ou présenter une structure multicouche. Une étape optionnelle de planarisation, par exemple par polissage mécano-chimique, peut être prévue de sorte que, comme dans l'exemple illustré en , les électrodes 109 comblent totalement les ouvertures préalablement formées dans la couche 107 et affleurent la face supérieure de la couche 107. Les électrodes 109 constituent par exemple chacune une électrode d'anode commune aux LED élémentaires de la cellule d'émission 101 à laquelle elles appartiennent.
En outre, la fonte de la troisième couche 113 crée préférentiellement une ligne de joint avec la première couche 111.
REFROIDISSEMENT SOUS PRESSE
Comme illustré à la et selon un mode de réalisation particulier, à la fin de l’étape de deuxième cuisson, le support 200 supportant l'empilement 110 comprenant successivement la première couche 111, la deuxième couche 112 et la troisième couche 113, est maintenu à distance de l'élément chauffant 301 de sorte à permettre un refroidissement.
De manière préférée, ce refroidissement peut s'effectuer à l'aide d'une presse 400. Comme illustré à la , la presse 400 est configurée de sorte à pouvoir compresser l'empilement 110 afin de conformer le dit empilement selon une forme souhaitée.
Préférentiellement, l'élément presse 400 comprend une surface de presse, de préférence cette surface est plane et est configurée pour permettre le maintien en compression de l'empilement 110 durant la phase de refroidissement.
Comme illustré à la , dès lors que l'empilement 110 est refroidi, la presse 400 peut-être retirée. Ainsi le refroidissement sous presse permet une meilleure densité et une meilleure solidarisation des couches entre elles.
PROCÉDÉ AVEC REPLI
Dans ce mode de réalisation particulier, la première couche 111 peut être préalablement réalisée selon le procédé décrit précédemment et illustré aux figures 1A à 1E.
Comme illustré à la et selon un mode de réalisation particulier, la deuxième couche 112 est déposée sur la première couche 111. Le dépôt étant réalisé sur la portion superficielle 111a en fusion de la première couche 111.
Le dépôt de la deuxième couche étant effectué de sorte à laisser libre au moins une extension de la couche 111.
Selon ce même exemple, comme illustré à la , l'extension de la couche 111 non recouverte par la deuxième couche 112 subit alors une étape de repli dans laquelle la première couche 111 est repliée au-dessus de la deuxième couche 112 en l’enveloppant et ainsi permet la formation de la troisième couche 113 de l’empilement 110.
Ainsi, le matériau de renfort est naturellement protégé par la couche supérieure fondue, il n’est donc pas nécessaire de faire à nouveau chauffer l’ensemble, ce qui permet de limiter le nombre d’étapes dans le procédé de fabrication.
Comme illustré aux figures 2C et 2D, une étape de refroidissement par presse permet une nouvelle fois de conformer le matériau composite en une pièce présentant des caractéristiques mécaniques optimisées.
EMPILEMENTS MULTIPLES
Comme illustré aux figures 3A à 3D et selon un mode de réalisation particulier, le matériau composite peut comprendre un empilement présentant un enchaînement successif de couches, comme par exemple un enchaînement alternatif entre une couche comprenant un matériau thermoplastique et une couche comprenant un matériau de renfort.
Selon un mode de réalisation particulier, l’empilement comprend au moins cinq couches et de préférence exactement cinq couches.
S4 Section de décompression ou de retour
O5 Orifice de fuite
S5 Section de fuite