Cellule élémentaire (100, 101) pour une matrice bidimensionnelle (10, 11) de boîtes quantiques, ladite cellule élémentaire s’étendant selon un plan principal (XY) et comprenant : - une pluralité de sites occupés par des boîtes quantiques (110) aptes à confiner au moins un qubit de spin (150) et comprenant au moins : une première boîte quantique (111), une deuxième boîte quantique (112) adjacente à la première boîte quantique selon une première direction (X) du plan principal (XY) et une troisième boîte quantique (113) adjacente à la première boîte quantique selon une deuxième direction (Y) du plan principal (XY) ; et - un premier site de blocage (141) adjacent aux deuxième et troisième boîtes quantiques (112, 113), vers lequel un qubit de spin ne peut être déplacé. Cellule élémentaire (100, 101) selon la revendication 1 comprenant : - une première grille de commande (121) s’étendant selon la deuxième direction (Y) et sur un premier niveau (120), ladite première grille de commande étant apte à envoyer un signal de commande de déplacement de qubit dans la première direction (X) en agissant sur la barrière tunnel séparant les première et deuxième boîtes quantiques ; - une deuxième grille de commande (131) s’étendant selon la première direction (X) et sur un deuxième niveau (130) superposé au premier niveau (120), ladite deuxième grille de commande étant apte à envoyer un signal de commande de déplacement de qubit dans la deuxième direction (Y) en agissant sur la barrière tunnel séparant les première et troisième boîtes quantiques. Cellule élémentaire (101) selon la revendication 1 ou 2 comprenant en outre : - une quatrième boîte quantique (114) adjacente à la première boîte quantique (111) selon la première direction (X) à l’opposé de la deuxième boîte quantique (112) ; - un deuxième site de blocage (142) adjacent aux troisième et quatrième boîtes quantique. Cellule élémentaire (101) selon la revendication 3 en combinaison avec la revendication 2 comprenant en outre : - une troisième grille de commande (122) s’étendant sur le premier niveau (120) parallèlement à la première grille de commande (121), ladite troisième grille de commande étant apte à envoyer un signal de commande de déplacement de qubit dans la première direction (X) en agissant sur la barrière tunnel séparant les première et quatrième boîtes quantiques. Cellule élémentaire (101) selon la revendication 3 ou 4 comprenant en outre : - une cinquième boîte quantique (115) adjacente à la première boîte quantique (111) selon la deuxième direction (Y) à l’opposé de la troisième boîte quantique (113) ; - un troisième site de blocage (143) adjacent aux deuxième et cinquième boîtes quantiques et un quatrième site de blocage (144) adjacent aux quatrième et cinquième boîtes quantiques. Cellule élémentaire (101) selon la revendication 5 en combinaison avec la revendication 4, comprenant en outre : - une quatrième grille de commande (132) s’étendant sur le deuxième niveau (130) parallèlement à la deuxième grille de commande (131), ladite quatrième grille de commande étant apte à envoyer un signal de commande de déplacement de qubit dans la deuxième direction (Y) en agissant sur la barrière tunnel séparant les première et cinquième boîtes quantiques. Cellule élémentaire (100, 101) selon l’une des revendications 1 à 6, dans laquelle une boîte quantique est une nanostructure en semiconducteur, chaque bord d’une boîte quantique étant relié à une grille de commande, et un site de blocage est une nanostructure au moins partiellement exempte de semiconducteur, par exemple comprenant un matériau diélectrique, les bords d’un site de blocage n’étant pas tous reliés à une grille de commande. Matrice (10, 11) de boîtes quantiques comprenant au moins deux cellules élémentaires (100, 101) selon l’une des revendications 1 à 7, les au moins deux cellules élémentaires étant disposées les unes à côté des autres selon la première direction (X) et/ou la deuxième direction (Y), la matrice comportant ainsi une pluralité de premières, deuxièmes, troisièmes boîtes quantiques (111, 112, 113) et de premiers sites de blocage (141). Matrice (10, 11) selon la revendication 8, comprenant une pluralité de cellules élémentaires (100, 101) selon l’une des revendications 1 à 7 en combinaison avec la revendication 2, les cellules élémentaires adjacentes selon la deuxième direction (Y) partageant la même première grille de commande (121) et les cellules élémentaires adjacentes selon la première direction (X) partageant la même deuxième grille de commande (131). Matrice (10, 11) selon la revendication 9, comprenant : - entre deux cellules élémentaires adjacentes selon la première direction (X), une cinquième grille de commande (123) s’étendant sur le premier niveau (120) parallèlement à la première grille de commande (121) ; et/ou - entre deux cellules élémentaires adjacentes selon la deuxième direction (Y), une sixième grille de commande (133) s’étendant sur le deuxième niveau (130) parallèlement à la deuxième grille de commande (131). Matrice (11) selon l’une des revendications 8 à 10, comprenant une pluralité de cellules élémentaires (101) selon la revendication 6 assemblées les unes à côté des autres selon la première direction (X) et/ou la deuxième direction (Y), la matrice comportant ainsi une pluralité de premières, deuxièmes, troisièmes, quatrièmes et cinquième boîtes quantiques (111, 112, 113, 114, 115) et de premiers, deuxièmes, troisièmes et quatrièmes sites de blocage (141, 142, 143, 144), les cellules élémentaires adjacentes selon la deuxième direction (Y) partageant les mêmes première et troisième grilles de commande (121, 122) et les cellules élémentaires adjacentes selon la première direction (X) partageant les mêmes deuxième et quatrième grilles de commande (131, 132). Procédé de déplacement de qubits (150) dans une matrice (10, 11) de boîtes quantiques s’étendant selon un plan principal (XY) comprenant une pluralité de cellules élémentaires (100, 101), chaque cellule élémentaire comprenant au moins une première boîte quantique (111), une deuxième boîte quantique (112) adjacente à la première boîte quantique selon une première direction (X) du plan principal (XY) et une troisième boîte quantique (113) adjacente à la première boîte quantique selon une deuxième direction (Y) du plan principal (XY), et un premier site de blocage (141) adjacent aux deuxième et troisième boîtes quantiques (112, 113), vers lequel un qubit de spin ne peut être déplacé ; le procédé de déplacement comprenant : - une étape d’application d’un signal de déplacement de qubit dans la première direction (X), ledit signal étant appliqué à un alignement, selon la deuxième direction (Y), de boîtes quantiques comprenant au moins des première et troisième boîtes quantiques, le signal de déplacement permettant le déplacement d’un qubit (150) dans la première direction depuis la première boîte quantique (110) vers une deuxième boîte quantique (112) adjacente à la première boîte quantique, alors que le déplacement d’un qubit depuis la troisième boîte quantique (113) dans la première direction est bloqué par un premier site de blocage (141). Procédé de déplacement selon la revendication 12 comprenant en outre : - préalablement à l’étape d’application du signal de déplacement, une étape de déplacement dans la deuxième direction (Y) d’au moins un qubit (150) depuis une première boîte quantique (111) vers une troisième boîte quantique (113) adjacente à ladite première boîte quantique de manière à bloquer le déplacement dans la première direction (X) dudit qubit par le premier site de blocage (141). Procédé de fabrication d’une matrice (10, 11) de boîtes quantiques présentant un plan principal (XY), ledit procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : - une étape de fourniture d’un substrat (310) ayant au moins une couche supérieure en matériau semiconducteur (313) ; - une étape de formation de sites de blocage et de boîtes quantiques, ladite étape de formation comprenant la suppression du matériau semiconducteur dans des premières zones de la couche supérieure de semiconducteur (313) afin de former une pluralité de premiers sites de blocage (141), des deuxièmes zones de la couche supérieure de semiconducteur (313) dans lesquelles le matériau semiconducteur n’est pas supprimé formant une pluralité de premières, deuxièmes et troisièmes boîtes quantiques (111, 112, 113) ; ladite étape de formation étant réalisée de telle sorte que chaque deuxième boîte quantique (112) soit adjacente à une première boîte quantique (111) selon une première direction (X) du plan principal (XY), que chaque troisième boîte quantique (113) soit adjacente à une première boîte quantique (111) selon une deuxième direction (Y) du plan principal (XY) et que chaque premier site de blocage (141) soit adjacent à une deuxième boîte quantique (112) et une troisième boîte quantique (113). Procédé de fabrication selon la revendication 14, comprenant en outre : - une étape de formation d’un premier niveau de grilles de commande (130) s’étendant parallèlement les unes aux autres dans la deuxième direction (Y) ; et - une étape de formation d’un deuxième niveau de grilles de commande (120) s’étendant parallèlement les unes aux autres dans la première direction (X) ; chaque étape de formation du premier et du deuxième niveau de grilles de commande comprenant une étape de dépôt d’une couche en matériau conducteur, suivie d’une étape de photolithographie puis une étape de gravure.