Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comprenant une couche mince (1) en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant: a) une étape de fourniture d’un substrat initial (10) en carbure de silicium monocristallin, présentant une face avant (10a) et une face arrière (10b), et d’un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin présentant une face avant (20a) et une face arrière (20b), b) une étape de porosification appliquée au substrat initial (1), pour former une couche poreuse (11) au moins du côté de la face avant (10a) du substrat initial (10), c ) une étape de formation d’une couche superficielle (21) en carbure de silicium amorphe, sur la face avant (20a) du substrat support (20), d) une étape d’assemblage du substrat initial (10) et du substrat support (20) au niveau de leurs faces avant respectives, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire (30), e) une étape de traitement thermique appliqué à la première structure intermédiaire (30), à une température supérieure à 900°C, pour cristalliser la couche superficielle (21), au moins en partie sous forme de carbure de silicium monocristallin, à partir d’une interface de contact avec la couche poreuse (11), pour former la couche mince (1), l’étape e) menant à l’obtention d’une deuxième structure intermédiaire (40), f ) une étape de séparation dans la couche poreuse (11) de la deuxième structure intermédiaire (40), pour obtenir d’une part la structure composite (100) et d’autre part le reste (10’) du substrat initial. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel, à l’issue de l’étape b), la couche poreuse (11) présente une épaisseur comprise entre 0,5μm et 5μm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape b), la couche poreuse (11) comprend des pores dont la taille est comprise entre 1nm et 50nm, et présente un taux de porosification compris entre 10% et 70%. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape c), la couche superficielle (21) présente une épaisseur inférieure ou égale à 10μm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape c), la couche superficielle (21) présente une épaisseur inférieure ou égale à 1μm, typiquement de l’ordre de cent à quelques centaines de nanomètres. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape c) comprend le dépôt d’une couche en carbure de silicium amorphe, au moins du côté de la face avant (20a) du substrat support (20), pour former la couche superficielle (21). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche en carbure de silicium amorphe déposée est fortement dopée et présente une concentration en espèces dopantes supérieure à 10 19 /cm 3 , voire supérieure à 10 20 /cm 3 . Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape c) comprend une amorphisation d’une couche de surface du substrat support (20), au moins du côté de sa face avant (20a), pour former la couche superficielle (21). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape d) comprend, préalablement à l’assemblage du substrat initial (10) et du substrat support (20), la formation d’une couche de collage sur l’un et/ou l’autre des substrats, du côté de leurs faces avant respectives, la couche de collage présentant, après assemblage, une épaisseur totale inférieure ou égale à 10nm. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche de collage est composée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le nickel et le titane. Procédé de fabrication selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel, au cours de l’étape e), une segmentation sous forme de nodule ou une dissolution de la couche de collage autorise un contact direct, au moins localement, entre la couche superficielle (21) et la couche poreuse (11). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, le traitement thermique de l’étape e) est effectué à une température supérieure ou égale à 1000°C, préférentiellement supérieure ou égale à 1400°C, voire supérieure ou égale à 1850°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’étape e), la cristallisation de la couche superficielle (21) s’opère au moins en partie sous forme de carbure de silicium poly-cristallin, à partir d’une interface de contact avec le substrat support (20), pour former une couche intermédiaire (22). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant, après l’étape f), une étape g) de finition comprenant des traitement(s) mécanique(s) et/ou chimique(s) de la structure composite (100), pour éliminer des résidus (11r) de couche poreuse (11) de la face avant (1a) de la couche mince (1) et/ou pour corriger l’uniformité d’épaisseur de la structure composite (100). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape g) comprend un traitement thermique, appliqué à la structure composite (100), à une température comprise entre 1000°C et 1900°C, avant ou après les traitements mécanique(s) et/ou chimique(s). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant une étape de reconditionnement du reste (10’) du substrat initial en vue d’une réutilisation en tant que substrat initial (10) pour la fabrication d’une nouvelle structure composite (100). Structure intermédiaire (30) comprenant : - un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, - une couche superficielle (21,12) en carbure de silicium amorphe, sur le substrat support (20), - une couche poreuse (11) disposée directement en contact ou via une couche de collage sur la couche superficielle (21), une interface de collage (3) étant présente entre la couche poreuse (11) et la couche superficielle (21,12) ou au sein de ladite couche superficielle (21,12), - un substrat initial (10) en carbure de silicium monocristallin sur la couche poreuse (11).