Les modes de réalisation de cette puce photonique peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 1) L'inclusion est logée à l'intérieur d'un évidement réalisé dans le second prolongement, le fond de cet évidement étant formé par une semelle en silicium dont l'épaisseur est inférieure à l'épaisseur du second guide d'onde et sur laquelle l'inclusion en SiGe est réalisée. 2) - le premier guide d'onde et le premier prolongement sont entièrement situés entre des premiers plans inférieur et supérieur parallèles au plan du substrat, le premier guide d'onde présentant des faces inférieure et supérieure contenues, respectivement, dans les premiers plans inférieur et supérieur, - le second guide d'onde et le second prolongement sont entièrement situés entre des seconds plans inférieur et supérieur parallèles au plan du substrat, le second guide d'onde présentant des faces inférieure et supérieure contenues, respectivement, dans les seconds plans inférieur et supérieur, - les premiers et seconds plans inférieurs et supérieurs sont empilés les uns au-dessus des autres dans l'ordre suivant : le second plan inférieur, le second plan supérieur, le premier plan inférieur puis le premier plan supérieur, et - l'inclusion est entièrement située entre les seconds plans inférieur et supérieur. 3) - du premier côté, l'inclusion comporte une première terminaison en pointe qui raccorde optiquement l'inclusion au premier guide d'onde, la largeur de cette première terminaison diminuant progressivement et continûment depuis une largeur maximale jusqu'à une largeur minimale en progressant en direction du premier guide d'onde, la largeur de la première terminaison étant mesurée dans une direction parallèle au plan du substrat et perpendiculaire à la direction de propagation du signal optique dans cette première terminaison, - l'indice effectif de propagation de cette première terminaison à l'emplacement où sa largeur est maximale est supérieur à l'indice effectif de propagation d'une portion du premier prolongement située en vis-à-vis de cet emplacement de la première terminaison où sa largeur est maximale, et - l'indice effectif de propagation de cette première terminaison à l'emplacement où sa largeur est minimale est inférieur à l'indice effectif de propagation d'une portion du premier prolongement située en vis-à-vis de cet emplacement de la première terminaison où sa largeur est minimale. 4) - du second côté, l'inclusion comporte une seconde terminaison en pointe qui raccorde optiquement l'inclusion au second guide d'onde, la largeur de cette seconde terminaison diminuant progressivement et continûment depuis une largeur maximale jusqu'à une largeur minimale en progressant en direction du second guide d'onde, des flancs verticaux de cette seconde terminaison étant directement en appui sur des parois verticales d'un évidement creusé dans le second prolongement, ces flancs verticaux et ces parois verticales s'étendant chacun principalement dans un plan perpendiculaire au plan du substrat, la largeur de la seconde terminaison étant mesurée dans une direction parallèle au plan du substrat et perpendiculaire à la direction de propagation du signal optique dans cette seconde terminaison, - l'indice effectif de propagation de cette seconde terminaison à l'emplacement où sa largeur est maximale est supérieur à l'indice effectif de propagation du second guide d'onde, et - l'indice effectif de propagation de cette seconde terminaison à l'emplacement où sa largeur est minimale est inférieur à l'indice effectif de propagation du second guide d'onde. 5) La distance qui sépare le second plan inférieur du second plan supérieur est inférieure ou égale à 310 nm. 6) L'inclusion est réalisée en SiGe dont la formule chimique est Si 1-x Ge x , où x est compris entre 0,4 et 0,5. 7) - le premier guide d'onde est réalisé en matériau à gain III-V, et - la puce comporte : - une source laser à semi-conducteur apte à générer le signal optique, cette source laser comportant le premier guide d’onde, le second guide d'onde et le coupleur optique qui raccorde optiquement les premier et second guides d’onde l’un à l’autre à travers une couche en matériau diélectrique, et - un modulateur de phase et/ou d'amplitude réalisé sur le même substrat et apte à moduler le signal optique généré par la source laser à semi-conducteur, ce modulateur comportant : - une première électrode en silicium dopée P ou N entièrement située entre les seconds plans inférieur et supérieur, - une seconde électrode présentant un dopage de signe opposé à celui de la première électrode. 8) Le second guide d'onde a un indice effectif de propagation inférieur à l'indice effectif de propagation du premier guide d'onde.