INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
il comprend en outre une gravure localisée de la couche active transférée pour former la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion ; il comprend en outre la formation d’une couche diélectrique en surface de la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion ; il comprend en outre la formation de la région de la couche active destinée à la formation de la partie de circuit électronique au moyen d’une épitaxie localisée. la formation de la région de la couche active destinée à la formation de la partie de circuit électronique est précédée des étapes d’oxydation de la couche active transférée pour former une couche diélectrique et de retrait localisé de la couche diélectrique, la couche diélectrique restante après retrait localisé servant de masque pour l’épitaxie localisée ; il comprend la formation d’une couche diélectrique en surface d’une région de la couche active n’ayant pas fait l’objet de l’épitaxie localisée.
Selon un quatrième aspect, l’invention porte sur un procédé de fabrication d’une puce de circuit intégré photonique-électronique, comprenant les étapes suivantes :
fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant conformément au procédé selon le troisième aspect ; formation d’une partie de circuit électronique dans la région de la couche active destinée à la formation d’une partie de circuit électronique ; formation d’une interface photonique d’interconnexion dans la région de la couche active destinée à la formation d’une interface photonique d’interconnexion de la partie de circuit électronique.
La fabrication du substrat semi-conducteur sur isolant comprend, avant ou après tout ou partie de la formation de l’interface photonique d’interconnexion, la formation d’une couche diélectrique en surface de la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion.
est un schéma d’une puce de circuit intégré photonique-électronique conforme à l’invention ;
est une vue schématique en coupe d’un substrat donneur de Si monocristallin ;
est une vue schématique en coupe illustrant la formation d’une couche diélectrique en surface du substrat donneur de Si monocristallin ;
est une vue schématique en coupe illustrant la formation, par implantation d’espèces ioniques, d’un plan de fragilisation dans le substrat donneur de la pour délimiter une couche active de Si monocristallin à transférer ;
est une vue schématique en coupe illustrant l’assemblage du substrat donneur de la et d’un substrat support;
est une vue schématique en coupe illustrant le détachement du substrat donneur le long du plan de fragilisation pour transférer la couche active de Si monocristallin sur le substrat support ;
est une vue schématique en coupe illustrant une gravure localisée de la couche active de Si monocristallin suite au détachement de la ;
est une vue schématique en coupe illustrant une oxydation de la couche active de Si monocristallin suite à la gravure localisée de la ;
est une vue schématique en coupe illustrant une oxydation de la couche active de Si monocristallin suite au détachement de la ;
servent à illustrer les statistiques de la probabilité d’initialisation de cellules selon des modes « libre » ou « déterministe » susceptibles d’être mis en œuvre par un circuit d’initialisation selon l’invention.
Un circuit d’initialisation tel que mis en œuvre suivant l’invention est intégré à un dispositif mémoire SRAM comprenant un plan mémoire M 1 formé d’au moins une colonne de cellules. Typiquement, ce plan mémoire M 1 est, comme illustré sur la , doté d’une pluralité de lignes et de colonnes de cellules SRAM.
Les cellules peuvent avoir un agencement conventionnel, ce qui implique que le circuit d’initialisation peut être implémenté sans qu’une modification de leur structure interne ne soit nécessaire. Sur la , une cellule conventionnelle SRAM C ij est ainsi représentée avec ses deux nœuds de stockage NT et NF, prévus pour conserver une première information logique, et une information logique complémentaire de la première information. Le maintien des informations logiques dans les nœuds est assuré par des transistors formant des inverseurs INV1, INV2 bouclés sur eux-mêmes. Par exemple, lorsque la cellule SRAM est de type communément appelé « 6T » et formée ainsi de 6 transistors, les deux inverseurs INV1, INV2, sont typiquement réalisés par deux transistors de charge et deux transistors de conduction. Les inverseurs INV1, INV2 sont connectés à une première ligne d’alimentation, en particulier une ligne d’alimentation VirVDD dite « haute », et à une deuxième ligne d’alimentation LGND, en particulier une ligne d’alimentation dite « basse ». Hors de phases durant lesquelles le circuit d’initialisation fonctionne et notamment hors de phases d’effacement mise en œuvre par ce circuit d’initialisation, la ligne d’alimentation haute VirVDD est mise à un potentiel, par exemple VDD, qui est supérieur à celui de la ligne d’alimentation basse LGND. L’accès aux nœuds de stockage NT et NF est réalisé par le biais de deux transistors d’accès TA T et TA F connectés respectivement à des lignes de bit BL T et BL F généralement partagées par les cellules SRAM d’une même colonne de cellules du plan matriciel. Cet accès aux nœuds de stockage NT et NF est commandé par une ligne de mot WL généralement partagée par les cellules SRAM d’une même ligne de cellules du plan matriciel. Les transistors d’accès TA T et TA F sont ainsi prévus pour permettre, lorsqu’ils sont activés de permettre l’accès au premier nœud NT et au deuxième nœud NF, ou lorsqu’ils sont désactivés de bloquer l’accès au premier nœud NT et au deuxième nœud NF.
Pour permettre d’effectuer une initialisation d’un groupe de cellules ou de l’ensemble des cellules de la mémoire, on prévoit, comme illustré sur la , un circuit d’initialisation 100 disposé en périphérie du plan matriciel M 1 . Le circuit d’initialisation 100 ne requiert ici la mise en œuvre que d’un nombre restreints d’éléments additionnels périphériques au plan mémoire M 1 . Le circuit d’initialisation 100 a pour particularité de pouvoir adopter différents modes de fonctionnement correspondants à différentes manières d’initialiser un groupe de cellules mémoires ou l’ensemble des cellules du plan mémoire M 1 .
Un premier mode de fonctionnement permet de réaliser une initialisation déterministe INIT_D. On réalise pour cela une écriture d’au moins un groupe de cellules de la mémoire en imposant à chaque cellule de ce groupe une valeur ‘1’ ou ‘0’ prédéterminée. On impose ainsi un ensemble prédéterminé de valeurs prédéterminées au groupe de cellules que l’on initialise ou réinitialise.
Une manière particulière d’initialiser selon le mode d’initialisation déterministe est d’imposer un même état par exemple ‘1’ ou ‘0’ à toutes les cellules du groupe de cellules initialisées. En prenant comme convention que la valeur du nœud NT d’une cellule est égale à la valeur mémorisée par cette cellule, cela revient ici à écrire une valeur 1’ ou ‘0’ sur les premiers nœuds NT respectifs du groupe de cellules initialisé.
L’initialisation déterministe à une valeur imposée à chaque cellule est alors typiquement effectuée de manière simultanée entre les cellules d’un groupe de cellules initialisées. Des moyens d’activation simultanée des lignes de mots pour effectuer une activation simultanée des lignes de mot WL de manière à effectuer une sélection simultanée de lignes de cellules SRAM sont dans ce cas prévus.
La valeur prédéterminée à laquelle chaque cellule initialisée est placée peut être fixée par l’utilisateur de la mémoire ou bien par le concepteur de la mémoire.
Un mode de réalisation particulier illustré sur la prévoit que le circuit d’initialisation 100 est configuré pour réaliser une initialisation déterministe comme mécanisme d’autoprotection par exemple pour empêcher une manipulation malveillante de la mémoire. On peut ainsi empêcher un dispositif tiers d’accéder ou détériorer des informations du dispositif mémoire, et en particulier des données d'identification ou d'authentification de la mémoire relatives au PUF (« Physically Unclonable Function ») servant de signature numérique ou d’empreinte numérique de la mémoire. On empêche ainsi que cette empreinte numérique pouvant par exemple être utilisée pour constituer une clef d’encryptage ne soit obtenue par le dispositif tiers à l’origine de la manipulation malveillante.
Ainsi, un module 110 de détection d’accès frauduleux peut être prévu pour transmettre au circuit d’initialisation 100 un signal de détection d’accès frauduleux S AF permettant de déclencher son passage dans un mode de fonctionnement d’initialisation déterministe. Un tel module peut être doté de fonctions semblables à celles d’un module TAMP présent dans un microcontrôleur STM32GO commercialisé par la société STMicroelectronics et décrit dans la notice « STM32GO – TAMP, tamper and back-up registers, revision 1.0 ».
Un module 120 contrôleur de PUF peut être quant à lui prévu pour transmettre au circuit d’initialisation 100 un signal S PU F permettant de déclencher son passage dans un autre mode d’initialisation dit « libre », par exemple lorsque l’on souhaite obtenir une clef d’encryptage à partir de valeurs stockées dans la mémoire lorsqu’elle est initialisée par initialisation libre. Comme le module 110 de détection, le module 120 contrôleur de PUF peut être sous forme d’un circuit numérique dédié ou bien sous forme d’une fonction numérique realisée par un processeur.
Ainsi, lorsque l’on souhaite se servir du plan mémoire ou d’un groupe de cellules mémoires de ce plan une fois initialisées ou réinitialisées, pour générer une empreinte numérique ou une signature numérique, le circuit d’initialisation 100 est placé dans le mode de fonctionnement d’initialisation libre. Chaque cellule initialisée est alors mise à une valeur qui dépend de son procédé de fabrication locale et des conditions PVT (« Process », « Voltage », « Temperature », i.e. procédé, tension, température) autrement dit de procédé de fabrication globale, de niveau tensions utilisés, et de température de fonctionnement.
Un exemple particulier d’implémentation de circuit d’initialisation 100 capable, alternativement, d’effectuer une initialisation déterministe et une initialisation libre est illustré sur la et va à décrit en lien avec les figures 5A, 5B.
L’élément électriquement conducteur allongé peut être en aluminium, en alliage d’aluminium, en cuivre, en alliage de cuivre, ou en une de leurs combinaisons.
Dans un mode de réalisation particulier, la couche semi-conductrice interne, la couche électriquement isolante et la couche semi-conductrice externe constituent une isolation tricouche. En d’autres termes, la couche électriquement isolante est en contact physique direct avec la couche semi-conductrice interne, et la couche semi-conductrice externe est en contact physique direct avec la couche électriquement isolante.
La couche semi-conductrice interne (respectivement la couche semi-conductrice externe) est de préférence une couche thermoplastique ou une couche non réticulée.
Le câble peut comprendre en outre une gaine extérieure de protection entourant la couche électriquement isolante (ou la couche semi-conductrice externe).
La gaine extérieure de protection peut être en contact physique direct avec la couche électriquement isolante (ou la couche semi-conductrice externe).
Le câble électrique peut comprendre en outre un écran électrique (e.g. métallique) entourant la couche semi-conductrice externe. Dans ce cas, la gaine électriquement isolante entoure ledit écran électrique et l’écran électrique est entre la gaine électriquement isolante et la couche semi-conductrice externe.
Cet écran métallique peut être un écran dit « filaire » composé d’un ensemble de conducteurs en cuivre ou en aluminium arrangé autour et le long de la couche semi-conductrice externe, un écran dit « rubané » composé d’un ou de plusieurs rubans métalliques conducteurs en cuivre ou en aluminium posé(s) éventuellement en hélice autour de la couche semi-conductrice externe ou un ruban métallique conducteur en aluminium posé longitudinalement autour de la couche semi-conductrice externe et rendu étanche grâce à de la colle dans les zones de chevauchement de parties dudit ruban, ou d’un écran dit « étanche » de type tube métallique composé éventuellement de plomb ou d’alliage de plomb et entourant la couche semi-conductrice externe. Ce dernier type d’écran permet notamment de faire barrière à l’humidité ayant tendance à pénétrer le câble électrique en direction radiale.
La représente un dispositif pour la mise en œuvre d’un procédé conforme à l’invention.
Sur la , le dispositif 1 comprend un container 2 pouvant être alimenté par des granulés d’un polymère thermoplastique tel qu’un polymère de propylène, un container 3 pouvant être alimenté par un liquide diélectrique, une trémie d’alimentation 4 pouvant être alimentée à température ambiante par les granulés du polymère thermoplastique contenus dans le container 2 et par le liquide diélectrique contenu dans le container 3, et une extrudeuse 5 comprenant un fourreau rainuré 6 et/ou une vis barrière 7, ainsi qu’une tête d’extrudeuse 8. Les granulés du polymère thermoplastique et le liquide diélectrique sont introduits via la trémie d’alimentation 4 dans une zone d’alimentation 9 de la vis selon l’étape i 0 ), puis amenée de la zone d’alimentation 9 vers une ou plusieurs zones intermédiaires 10 permettant le transport de la composition électriquement isolante vers la tête de l’extrudeuse 8 située à la sortie de l’extrudeuse 5 et la fusion graduelle du polymère thermoplastique, lesdites zones intermédiaires 10 étant situées entre la zone d’alimentation 9 et la tête d’extrudeuse 8. Enfin, au niveau de la tête d’extrudeuse 8, la composition électriquement isolante est appliquée autour de la couche semi-conductrice interne. Immédiatement après l’extrusion, le câble est amené dans un dispositif de refroidissement progressif.
Structure innovante de composant électromagnétique planar La présente invention se situe dans le domaine des composants magnétiques planar, tels que les inductances, les inductances couplées, les transformateurs. L’invention porte plus spécifiquement sur une structure innovante de transformateur planar.
Dans chaque pixel Pix du filtre pixelisé 108, le ou les guides d'onde 114 sont configurés pour guider un ou plusieurs modes optiques et pour qu'une partie évanescente de ces modes guidés soit filtrée par le filtre interférentiel 112 du pixel Pix.
Le filtre pixelisé 108 peut être revêtu d'une ou plusieurs couches diélectriques 110B, par exemple d'une seule couche diélectrique 110B comme cela est représenté en . La ou les couches 110B sont par exemple des couches anti-reflet et/ou des couches de passivation.
Selon un mode de réalisation où le filtre pixelisé 108 est revêtu d'une ou plusieurs couches 110B, les guides d'onde 114 peuvent se prolonger à travers toute ou partie de ces couches 110B, ou, dit autrement, peuvent traverser au moins certaines de ces couches 110B. Par exemple, en , les guides d'onde 114 traversent toutes les couches 110B.
Selon une variante de réalisation non illustrée où le filtre pixelisé 108 est revêtu d'une ou plusieurs couches 110B, les guides d'onde 114 ne traversent aucune couche 110B.
Le filtre pixelisé 108 peut reposer sur une couche diélectrique 110C ou un empilement de couches diélectriques 110C comme cela est représenté en . Ces couches 110C comprennent par exemple des couches anti-reflet et/ou des couches de passivation.
Lorsque le filtre pixelisé 108 repose sur des couches 110C, une structure d'interconnexion peut être noyée dans les couches 110C comme cela est représenté en , le capteur est alors dit à éclairement par la face avant (FSI de l'anglais "Front Side Illumination"). A titre d'exemple, la structure d'interconnexion comprend des portions de couches conductrices 116 isolées les unes des autres par des couches 110C et connectés électriquement les unes aux autres par des vias conducteurs traversants des couches 110C.
Selon un mode de réalisation où le filtre pixelisé 108 repose sur une ou plusieurs couches 110C, les guides d'onde 114 peuvent se prolonger à travers toute ou partie de ces couches 110C, ou, dit autrement, peuvent traverser au moins certaines de ces couches 110C. Par exemple, les guides d'onde 114 traversent toutes les couches 110C jusqu'à la face 106 de la couche 103 comprenant les éléments photosensibles 102.
Selon une variante de réalisation non illustrée où le filtre pixelisé 108 repose sur une ou plusieurs couches 110C, les guides d'onde 114 ne traversent aucune couches 110C.
Dans un mode de réalisation où le filtre 108 repose sur des couches 110C, une structure d'interconnexion 116, 118 est noyées dans les couches 110C, et les guides d'onde 114 traversent au moins certaines des couches 110C, de préférence, les guides d'onde 114 ne traversent pas les portions de couches 116. En outre, de préférence, chaque guide d'onde 114 est disposé suffisamment loin des portions de couches 116, par exemple à une distance supérieure ou égale à un quart de la plus petite longueur d'onde de la lumière guidée par le guide d'onde 114, de sorte que ces portions de couches 116 ne perturbent pas la propagation de la lumière par le guide d'onde.
Selon une variante de réalisation non illustrée, le capteur 1 est dépourvu de couche 110C ou de structure d'interconnexion 116, 118 noyée dans ces couches 110C. La structure d'interconnexion du capteur 1 est alors noyée dans des couches isolantes reposant sur une face 119 du substrat 103, la face 119 étant opposée à la face 106. Un tel capteur 1 est dit à éclairement par la face arrière (BSI de l'anglais "Back Side Illumination").
Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel Pix, chaque guide d'onde 114 est en un ou plusieurs matériaux ayant chacun un indice optique dont la partie réelle est supérieure ou égale, de préférence strictement supérieure, à la partie réelle de l'indice optique du matériau de chacune des couches 110A, 110B, 110C que traverse ce guide d'onde 114. Dans chaque pixel Pix, un ou plusieurs modes optiques ou un ou plusieurs super modes optiques sont alors guidés par les guides d'onde 114 du pixel Pix. En outre, une partie évanescente de ces modes guidés se retrouve alors dans les couches 110A traversées par les guides d'onde 114 et interagit avec ces couches 110A, d'où il résulte que la partie évanescente des modes guidés, et, plus généralement, les modes guidés eux-mêmes, sont filtrés par le filtre 112 du pixel Pix.
Selon un mode de réalisation, pour chaque pixel Pix, les guides d'onde 114 sont identiques les uns aux autres, c’est-à-dire, par exemple, qu'ils ont la même longueur et ont leurs extrémités disposées aux mêmes niveaux, qu'ils sont en les mêmes matériaux et qu'ils ont les mêmes dimensions. La fabrication de ces guides d'onde est alors plus simple à mettre en œuvre. Plus particulièrement, dans l'exemple de la , tous les guides 114 de tous les pixels Pix sont identiques les uns aux autres.
Selon un mode de réalisation, chaque guide d'onde 114 a une section transversale sensiblement constante sur toute sa longueur, c’est-à-dire une section transversale visée constante mais qui, en pratique, peut avoir des dimensions qui varient en raison des procédés de gravure utilisés lors de la fabrication des guides d'onde 114. Des guides d'onde 114 ayant chacun une section transversale sensiblement constante sont plus simples à fabriquer. Dans l'exemple de la , tous les guides d'onde 114 de tous les pixels Pix ont la même section transversale.
Selon un mode de réalisation, chaque guide d'onde 114 d'un pixel a une section transversale présentant une symétrie de révolution par rapport à un axe parallèle à la direction longitudinale du guide d'onde. A titre d'exemple, la section transversale du guide d'onde 114 a alors la forme d'un disque de contour circulaire. Cette symétrie permet que la propagation de la lumière par chaque guide d'onde 114 d'un pixel soit indépendante de la polarisation de la lumière. De préférence, les guides d'onde 114 du pixel Pix sont alors organisés selon un réseau présentant une symétrie de révolution par rapport à un axe central du pixel Pix, c’est-à-dire un axe parallèle aux guides d'onde 114 passant par le centre du pixel Pix. Ainsi, la propagation du ou des modes optiques guidés par les guides d'onde 114 du pixel Pix est indépendante de la polarisation de la lumière.
Selon un autre mode de réalisation, chaque guide d'onde 114 d'un pixel Pix a une section transversale qui est dépourvue de symétrie de révolution par rapport à un axe parallèle à la direction longitudinale du guide d'onde 114, ce qui permet que la propagation de la lumière guidée par le guide d'onde 114 dépende de la polarisation de la lumière. De préférence, cette dépendance entre la polarisation de la lumière et la façon dont la lumière est guidée dans le pixel Pix par ses guides d'onde 114 est exacerbée en prévoyant que les guides d'onde 114 du pixel Pix ne soient pas disposés de manière symétrique par rapport à un axe central du pixel Pix.
Selon un mode de réalisation, pour chaque deux pixels Pix voisins du filtre pixelisé 108, une distance d ( ) entre chaque guide d'onde 114 d'un des deux pixels Pix voisins et chaque guide d'onde 114 de l'autre de ces deux pixels Pix est supérieure ou égale à λmax/nmin, avec λmax la plus grande des longueurs d'onde transmises par les filtres 112 de ces deux pixels Pix voisins et nmin la plus petite des parties réelles des indices optiques des couches diélectriques 110A, 110B et 110C traversées par les guides d'onde 114 de ces deux pixels Pix voisins. Cela permet d'éviter que les modes optiques guidés par les guides d'onde 114 de l'un de ces deux pixels Pix voisins ne se couplent avec les modes optiques guidés par les guides d'onde 114 de l'autre de ces deux pixels Pix voisins, ce qui provoquerait de la diaphonie entre ces deux pixels.
Les valeurs L, a et b indiquent des valeurs pour la couleur de la composition thermoplastique. Ces valeurs peuvent être déterminées par la norme DIN EN ISO 11664 et peuvent être mesurées par tout dispositif qui permet la mesure de l’espace colorimétrique CIELab. Les inventeurs de la demande actuelle ont découvert de manière surprenante que l’utilisation de la charge à base de lignine a permis d’obtenir une composition thermoplastique de couleur noir foncé.
Dans un mode de réalisation, la composition thermoplastique a une opacité d’au moins 90%, ou d’au moins 95%, ou d’au moins 98%. L’opacité montre à quel point la composition thermoplastique est transparente ou translucide. L’opacité peut être mesurée par l’appareil BYK Spectro-guide 45/0. La valeur de référence est de 100%.
L’utilisation de la charge à base de lignine présente l’avantage supplémentaire de rendre la composition thermoplastique triable par des techniques NIR et donc recyclable car elle ne masque pas la réflectance NIR du polymère dans la composition thermoplastique et permet ainsi de trier la composition thermoplastique à partir d’un mélange d’articles et rendant ainsi possible le recyclage de la composition thermoplastique. En outre, la composition thermoplastique telle que divulguée dans la présente description présente l’avantage supplémentaire de présenter une couleur noire plutôt similaire à celle fournie par le noir de carbone.
Exemple 1 - Préparation de compositions thermoplastiques et test de celles-ci
Dans cet exemple, le but était d’évaluer si le tri des compositions thermoplastiques préparées en différentes fractions peut être réalisé en utilisant un système de détection dans le proche infrarouge.
L’effet de différentes charges à base de lignine en différentes quantités dans les compositions thermoplastiques a été testé. De plus, des exemples comparatifs ont été préparés en utilisant du noir de carbone (CB) dans des compositions thermoplastiques au lieu de la charge à base de lignine.