Interconnecteur (5) pour un empilement (20) de cellules à oxydes solides de type SOEC/SOFC fonctionnant à haute température, destiné à être agencé entre deux cellules électrochimiques (1) adjacentes de l’empilement (20), chaque cellule électrochimique (1) étant formée d’une cathode, d’une anode et d’un électrolyte intercalé entre la cathode et l’anode, caractérisé en ce qu’il comporte une face plane (P) sur laquelle sont formés au moins un premier groupe de premiers éléments identiques en relief (10a) par rapport à la face plane (P) et un deuxième groupe de deuxièmes éléments identiques en relief (10b) par rapport à la face plane (P), les premiers éléments en relief (10a) présentant des caractéristiques géométriques différentes par rapport aux deuxièmes éléments en relief (10b), la hauteur (H1) de chaque premier élément en relief (10a), mesurée comme étant la plus grande dimension verticale du premier élément en relief (10a) par rapport à la face plane (P), étant différente de la hauteur (H2) de chaque deuxième élément en relief (10b), mesurée comme étant la plus grande dimension verticale du deuxième élément en relief (10b), la largeur de contact (D1) de chaque premier élément en relief (10a), mesurée comme étant la plus grande dimension horizontale par rapport à la face plane (P) de l’extrémité externe (10ae) de contact de chaque premier élément en relief (10a), opposée à l’extrémité interne (10ai) au contact de la face plane (P) et destinée à être au contact d’une cellule électrochimique (1), étant différente de la largeur de contact (D2) de chaque deuxième élément en relief (10b), mesurée comme étant la plus grande dimension horizontale par rapport à la face plane (P) de l’extrémité externe (10be) de contact de chaque deuxième élément en relief (10b), opposée à l’extrémité interne (10bi) au contact de la face plane (P) et destinée à être au contact d’une cellule électrochimique (1). Interconnecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la largeur de contact (D1) de chaque premier élément en relief (10a) est comprise entre 0,5 et 5 mm, préférentiellement égale à 1 mm. Interconnecteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la largeur de contact (D2) de chaque deuxième élément en relief (10b) est comprise entre 0,005 mm et 0,5 mm, préférentiellement égale à 100 µm. Interconnecteur selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la hauteur (H1) de chaque premier élément en relief (10a) est comprise entre 200 µm et 1000 µm, préférentiellement égale à 350 µm. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la hauteur (H2) de chaque deuxième élément en relief (10b) est comprise entre 250 µm et 1050 µm, préférentiellement égale à 400 µm. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la différence entre la hauteur (H2) de chaque deuxième élément en relief (10b) et la hauteur (H1) de chaque premier élément en relief (10a) est comprise entre 5 µm et 500 µm, notamment de l’ordre de 50 µm. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte un nombre N, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2, de préférence compris entre 2 et 50, de préférence encore égal à 5, de groupes d’éléments en relief (10a, 10b, 10c), formés sur la face plane (P), les éléments en relief (10a ; 10b ; 10c) d’un même groupe étant tous identiques, et les éléments en relief (10a, 10b, 10c) de groupes différents présentant des caractéristiques géométriques différentes, à savoir des hauteurs (H1, H2, H3) différentes et des largeurs de contact (D1, D2, D3) différentes. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les éléments en relief (10a, 10b, 10c) se présentent sous la forme de dents ou rainures, disposées parallèlement entre elles, les espaces entre les éléments en relief (10a, 10b, 10c) formant des canaux (11) de circulation des gaz. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les éléments en relief (10a, 10b, 10c) se présentent sous la forme de plots, notamment de forme cylindrique, les espaces entre les éléments en relief (10a, 10b, 10c) formant un unique canal en serpentin (11) de circulation des gaz. Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les éléments en relief (10a, 10b, 10c) sont répartis de façon régulière sur la face plane (P), étant notamment espacés entre eux d’une même distance (C-b), notamment comprise entre 50 µm et 5 mm, préférentiellement égale à 750 µm, selon au moins une direction horizontale (DH) sur la face plane (P). Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’au moins une zone (Z) de la face plane (P), notamment une zone centrale (Z), est dépourvue d’éléments en relief (10a, 10b, 10c). Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les éléments en relief (10c) présentant la largeur (D3) la plus importante sont situés en périphérie (Pi) de la face plane (P), à distance des autres éléments en relief (10a, 10b) et du ou des canaux (11) de circulation des gaz formés par les espaces entre les autres éléments en relief (10a, 10b). Interconnecteur selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’interconnecteur (5) comporte un substrat en alliage métallique, notamment de type chromino-formeur dont l’élément de base est du Fer (Fe) ou du Nickel (Ni), présentant deux faces planes principales, l’une des faces planes principales comprenant une première couche de revêtement formant première couche de contact avec une cellule électrochimique (1), l’autre des faces planes principales comprenant une deuxième couche de revêtement formant deuxième couche de contact avec une cellule électrochimique (1), la première couche de revêtement et/ou la deuxième couche de revêtement comprenant une face plane (P) et des éléments en relief (10a, 10b, 10c) formés sur celle-ci, notamment par usinage. Interconnecteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première couche de revêtement est une couche de revêtement épaisse en céramique, poreuse ou non, le matériau en céramique étant notamment choisi parmi un manganite de lanthane de formule La 1-x Sr x MO 3 avec M (métaux de transition) = Nickel (Ni), Fer (Fe), Cobalt (Co), Manganèse (Mn), Chrome(Cr), seul ou en mélange, ou des matériaux de structure lamellaire tels que les nickelâtes de lanthanide de formule Ln 2 NiO 4 (Ln = Lanthane (La), Néodyme (Nd), Praséodyme (Pr)), ou un autre oxyde pérovskite conducteur électrique. Interconnecteur selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que la deuxième couche de revêtement est une couche de revêtement épaisse métallique, le matériau métallique étant notamment choisi parmi le Nickel (Ni) et ses alliages ou les alliages chromino-formeurs dont l’élément de base est le Fer (Fe). Empilement (20) de cellules à oxydes solides de type SOEC/SOFC fonctionnant à haute température, comportant une pluralité de cellules électrochimiques (1) formées chacune d’une cathode, d’une anode et d’un électrolyte intercalé entre la cathode et l’anode, et une pluralité d’interconnecteurs (5) selon l’une quelconque des revendications précédentes, agencés chacun entre deux cellules électrochimiques (1) adjacentes.