INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme illustré à la , dans tous les cas, la gravure de la matrice 302 est configurée pour conserver les plots 301, et au moins partiellement les portions 304. Ainsi, la gravure de la matrice 302 est une gravure sélective du deuxième matériau B vis-à-vis du premier matériau A. Elle présente par exemple une sélectivité de gravure S B:A supérieure à 5:1. La gravure de la matrice 302 est également une gravure sélective du deuxième matériau B vis-à-vis de la colle C. Elle présente par exemple une sélectivité de gravure S B:C supérieure à 2:1 voire à 5:1. La gravure de la matrice 302 est également une gravure sélective du deuxième matériau B vis-à-vis du ou des matériaux du dispositif 10. Cela permet de préserver le dispositif 10 lors de ladite gravure.
A l’issue de cette gravure sélective, le dispositif 10 est solidaire du substrat de manipulation 3 via sa face 101 de surface S 101 au contact de la portion 304, et par l’intermédiaire du plot 301 de section S 301 , avec S 301 101 .
La force d’adhésion entre le substrat de manipulation 3 et le dispositif 10 est ici diminuée par rapport aux situations illustrées aux figures 3A et 3B précédentes. Cela est dû à la réduction de section dans la couche d’assemblage 30 sous-jacente au dispositif 10. La désolidarisation ultérieure du ou des dispositifs 10 du substrat de manipulation 3 est ainsi facilitée.
La illustre le report des dispositifs 10 sur un substrat receveur 2, au niveau de leurs faces 102, et la désolidarisation consécutive de ces dispositifs 10 du substrat de manipulation 3, par traction selon z. La rupture sous traction se produit au niveau des plots 301, de section S 301 réduite. Le substrat receveur 2 peut être de type tampon d’impression, par exemple tel que mis en œuvre dans des techniques de nano-impression.
Comme évoqué précédemment et de manière optionnelle, l’étape d) peut comprendre, préalablement à la mise en contact des faces à assembler des substrats 20,10, la formation d’une couche de collage sur l’une et/ou l’autre desdites faces. La couche de collage peut donc être déposée (par exemple par dépôt chimique en phase vapeur CVD) sur la couche poreuse 11 et/ou sur la couche superficielle 21 (dans le premier mode de réalisation), directement sur le substrat support 20 et/ou sur la couche superficielle 12 (dans le deuxième mode de réalisation) ou encore sur l’une et/ou l’autre des couches superficielles 22,12 (dans le troisième mode de réalisation).
La couche de collage peut être composée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le nickel, le titane, le tungstène, etc. Elle est préférentiellement d’épaisseur réduite, typiquement son épaisseur totale est inférieure ou égale à 10nm, voire inférieure ou égale à 5nm. Dans le premier mode de réalisation, il est capital que la couche de collage présente une épaisseur faible permettant sa segmentation sous forme de nodules ou sa dissolution au cours du traitement thermique de l’étape e) ultérieure : cela procure alors un contact direct, au moins localement, entre la couche poreuse 11 et la couche superficielle 21 : ce contact direct est indispensable au bon déroulement de la cristallisation intervenant à l’étape e) suivante. Si la couche de collage est en matériau semi-conducteur (tel que le silicium notamment), elle pourra être dopée de manière à favoriser la conduction électrique verticale.
Comme illustré sur la , la première structure intermédiaire 30 résultant de l’étape d), dans le premier mode de réalisation de l’invention, comprend, en partant du substrat support 20, et donc dans un ordre inverse à celui visible sur la figure :
- un substrat support 20 en carbure de silicium poly-cristallin avec une face arrière 20b, - une couche superficielle 21 en carbure de silicium amorphe, sur le substrat support 20, du côté de sa face avant 20a, - une couche poreuse 11 disposée, directement en contact ou via une couche de collage, sur la couche superficielle 21, une interface de collage 3 étant présente entre la couche poreuse 11 et la couche superficielle 21, - un substrat initial 10 en carbure de silicium monocristallin sur et en contact avec la couche poreuse 11.
La ’ illustre la première structure intermédiaire 30’ résultant de l’étape d), dans le deuxième mode de réalisation de l’invention ; elle comprend :
- un substrat support 20 en carbure de silicium poly-cristallin, - une couche superficielle 12 en carbure de silicium amorphe, disposée, directement en contact ou via une couche de collage, sur le substrat support 20, du côté de sa face avant 20a, une interface de collage 3’ étant présente entre le substrat support 20 et la couche superficielle 12, - une couche poreuse 11 sur la couche superficielle 12, - un substrat initial 10 en carbure de silicium monocristallin sur et en contact avec la couche poreuse 11.
Enfin, la ’’ illustre la première structure intermédiaire 30’’ résultant de l’étape d), dans le troisième mode de réalisation de l’invention ; elle comprend :
- un substrat support 20 en carbure de silicium poly-cristallin,
- une couche superficielle 21 en carbure de silicium amorphe, sur le substrat support 20, du côté de sa face avant 20a,
- une autre couche superficielle 12 en carbure de silicium amorphe, disposée, directement en contact ou via une couche de collage, sur la couche superficielle 21, une interface de collage 3’’ étant présente entre les deux couches superficielles 21,12, - une couche poreuse 11 sur la couche superficielle 12, - un substrat initial 10 en carbure de silicium monocristallin sur et en contact avec la couche poreuse 11.
L’étape e) suivante du procédé de fabrication implique un traitement thermique appliqué à la première structure intermédiaire 30,30’,30’’, à une température supérieure à 900°C, pour cristalliser la couche superficielle 21,12 ( ). La température du traitement thermique est avantageusement supérieure ou égale à 1000°C, voire supérieure ou égale à 1400°C, voire encore supérieure ou égale à 1850°C. A titre d’exemple, pour une couche superficielle 21,12 en a-SiC de 1μm, un traitement thermique à 1700°C pendant 30min peut être appliqué.
La couche superficielle 21,12 cristallise, par un phénomène d’épitaxie en phase solide, sous forme de carbure de silicium monocristallin, à partir d’une interface de contact direct entre la couche poreuse 11 (dont le SiC présente une structure monocristalline) et la couche superficielle 21,12 en a-SiC. La couche superficielle cristallisée sous forme monocristalline forme la couche mince 1.
Il se peut que seule une partie de la couche superficielle 21,12 cristallise sous forme monocristalline. En effet, la cristallisation peut s’opérer au moins en partie sous forme de carbure de silicium poly-cristallin, à partir de l’interface de contact avec le substrat support 20 : une couche intermédiaire 22 est alors formée, prolongement en p-SiC du substrat support 20 jusqu’à la couche mince 1 en c-SiC. En d’autres termes, la couche intermédiaire 22 est interposée entre le substrat support 20 et la couche mince 1. L’interface entre la couche intermédiaire 22 et la couche mince 1 a l’avantage d’être parfaitement fermée car définie dans un même matériau a-Si (couche(s) superficielle(s) 21,12) par la rencontre des fronts de cristallisation c-SiC et p-SiC. C’est un avantage intéressant par rapport à une interface de collage entre deux matériaux de nature cristalline différente (p-SiC/c-SiC par exemple), dont la fermeture complète est notamment tributaire de la rugosité des surfaces avant assemblage.
Afin d’obtenir une telle couche intermédiaire 22, il est notamment prévu, si aucune couche superficielle 21 n’est présente sur le substrat support 20 (c’est-à-dire dans le deuxième mode de réalisation), que la couche superficielle 12 en a-Si (du côté de la couche poreuse 11) soit en contact direct avec le substrat support 20, en l’absence de couche de collage ou par l’utilisation d’une couche de collage discontinue, par exemple une couche de collage formant un ensemble de nodules entre lesquels le substrat support 20 est en contact direct avec la couche superficielle 12.
L’étape e) mène à l’obtention d’une deuxième structure intermédiaire 40, quel que soit le mode de réalisation implémenté, dans laquelle tout ou partie de la (ou des) couche(s) superficielle(s) 21,12 est cristallisé(e) sous forme monocristalline pour former la couche mince 1 ( ).
Le procédé de fabrication comprend enfin une étape f) de séparation dans la couche poreuse 11 de la deuxième structure intermédiaire 40, pour obtenir d’une part, la structure composite 100, et d’autre part, le reste 10’ du substrat initial ( ).
La représente une vue en coupe de l’échangeur de chaleur 40 visible en selon VI-VI. Le flux primaire rejeté par la turbomachine traverse l’échangeur de chaleur 40 de gauche à droite dans cette image. L’échangeur de chaleur 40 comprend une ou plusieurs rangées de tubes 40A (huit en l’occurrence), dont le nombre exact peut être déterminé librement en fonction des besoins du système propulsif et/ou du système de récupération d’énergie.
La représente une vue en détail en coupe de deux rangées successives de tubes 40A visibles en . Par simplicité, la vue s’arrête à l’axe de rotation 20 de la turbine de puissance 21 de la turbomachine. Les tubes 40A sont de section circulaire, vue dans le sens d’écoulement du fluide dans les tubes 40A, et les tubes 40A d’une rangée sont disposés en quinconce par rapport aux tubes 40A de la rangée voisine.
Toutefois, comme on le voit en , il est également envisagé d’aligner une rangée avec la rangée voisine, ce qui permet de limiter des pertes de charge dans le flux primaire par rapport à une disposition en quinconce, au prix d’une performance d’échange thermique légèrement réduite par rapport à la disposition en quinconce.
Par ailleurs, comme on le voit en , il est également envisagé que les tubes 40A ait une section non-circulaire. En l’occurrence, la section est elliptique, dont l’axe majeur de l’ellipse est orienté parallèle au sens d’écoulement du flux primaire, ce qui permet d’augmenter la performance d’échange thermique par rapport à une section circulaire, et de limiter des pertes de charge dans le flux primaire par rapport à la section circulaire (en supposant une section équivalente), au prix d’un poids élevé.
Indépendamment du nombre de rangées, de leur disposition l’une par rapport à l’autre, du nombre de tubes, ou de leur section, l’écoulement du fluide dans l’échangeur de chaleur 40 se fait, comme on le voit en , de manière croisée par rapport au sens d’écoulement du flux primaire. L’écoulement croisé permet de limiter la perturbation et les pertes de charge dans le flux primaire, par rapport à d’autres configurations d’écoulement.
La représente une vue schématique du condenseur 43 visible en . Le condenseur 43 comprend une plaque d’échange 45 qui sert de surface d’échange entre le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4 et une source de froid. Disposées d’une part de la plaque d’échange 45 sont des ailettes 46, visibles ici s’étendant perpendiculaires au plan de l’image vers l’observateur. D’autre part de la plaque d’échange 45 sont disposés des canaux 47 dans lesquels le système de récupération d’énergie 4 fait circuler du fluide. Comme on le voit en , les ailettes 46, et la plaque d’échange 45 peuvent être disposées de manière à être exposées à l’air ambient. En l’occurrence, il s’agit de l’air ambient qui sera prochainement ingéré par le module propulsif 3. De ce fait, les ailettes 46 et la plaque d’échange sont balayées par l’air à température ambiante dans le flux secondaire.
Comme on le voit en , les ailettes 46 peuvent être orientées parallèlement au sens d’écoulement du flux secondaire. Les canaux 47 peuvent être orientés perpendiculairement aux ailettes pour que l’écoulement du fluide circulant dans le système de récupération 4 se fasse dans le condenseur 43 de manière croisée par rapport à l’écoulement de l’air.
La représente une vue en coupe du condenseur 43 visible en selon XII-XII. Les canaux 47 sont agencés de manière à ce que le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4 fasse un aller-retour dans le condenseur 43, et comprennent ainsi des canaux d’introduction 47A, auxquels le fluide arrive dans un état de vapeur, et des canaux de décharge 47B, desquels le fluide sort dans un état liquide sous-refroidi. Les canaux d’introduction 47A sont positionnés par rapport aux canaux de décharge 47B de manière à ce que le flux secondaire balaye les (parties des) ailettes 46 de l’autre côté de la plaque d’échange 45 des canaux de décharge 47B avant de balayer les (parties des) ailettes 46 de l’autre côté de la plaque d’échange 45 des canaux d’introduction 47A.
La représente une vue en coupe du condenseur 43 visible en selon XIII-XIII. Le flux secondaire s’écoule perpendiculairement au plan de l’image, en éloignement de l’observateur. Le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4 est introduit dans les canaux 47 au niveau d’une première extrémité du condenseur 43, où sont situés un distributeur et un collecteur, et longe ensuite la plaque d’échange 45 perpendiculairement aux ailettes 46, jusqu’à une deuxième extrémité du condenseur 43, où le fluide fait demi-tour pour rejoindre ensuite la première extrémité de du condenseur 43 pour récupération, en état liquide sous-refroidi.
Toutefois, il est également envisagé que le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4 ne fasse qu’un aller simple dans le condenseur 43. Dans ce cas, les écoulements du fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4 et du flux secondaire se font toujours de manière croisée, mais l’introduction, à l’état gazeux, du fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4, et la récupération, en état liquide sous-refroidi, du fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4, se font aux extrémités opposées des canaux 47 disposées perpendiculairement aux ailettes 46.
La représente une vue en coupe partielle d’un système propulsif 1’ qui diffère du système propulsif 1 vu en en ce que l’échangeur de chaleur 40’ du système de récupération d’énergie 4’ est disposé entre une entrée et une sortie du carter d’échappement 24’ d’une turbine (en l’occurrence, il s’agit de la turbine de puissance 21) de la turbomachine 2’.
La représente une vue de l’échangeur de chaleur 40’ et du carter d’échappement 24’ visibles en selon l’axe de rotation 20 de la turbine de puissance 21 de la turbomachine 2’. Similaire à des carters d’échappement classiques, le carter d’échappement 24’ visible en comprend des bras structuraux, répartis angulairement autour de l’axe de rotation 20 de la turbine de puissance 21 de la turbomachine 2’, reliant la partie centrale du carter d’échappement 24’ à la partie périphérique du carter d’échappement 24’.
Le distributeur 40B’ et le collecteur 40C’ de l’échangeur de chaleur 40’ sont chacun de forme sensiblement annulaire. En l’occurrence, le distributeur 40B’ est formé dans la partie centrale du carter d’échappement 24’, alors que le collecteur 40C’ est formé dans la partie périphérique du carter d’échappement 24’. Toutefois, il est également envisagé de former le distributeur 40B’ et le collecteur 40C’ dans la partie centrale du carter d’échappement 24’ ou dans la partie périphérique du carter d’échappement 24’.
Les tubes 40A’ de l’échangeur de chaleur 40’ acheminent du fluide entre le distributeur 40B’ et le collecteur 40C’, et sont répartis en faisceaux disposés entre les bras structuraux du carter d’échappement 24’. Chaque faisceau est disposé de manière à faire acheminer du fluide radialement, par rapport à l’axe de rotation 20 de la turbine de la turbomachine 2’, lors de son passage entre le distributeur 40B’ et le collecteur 40C’. Dans l’exemple illustré, le distributeur 40B’ sert à acheminer du fluide depuis l’entrée de l’échangeur de chaleur 40’ aux tubes 40A’, et le collecteur 40C’ sert à acheminer du fluide depuis la sortie des tubes 40A’ à la sortie de l’échangeur de chaleur 40’. Ainsi, le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4’ est introduit à la partie centrale du carter d’échappement 24’ et récupéré à la partie périphérique du carter d’échappement 24’. Un tel agencement permet de placer le fluide (chauffé) sortant de l’échangeur de chaleur 40’ à proximité de l’air externe. Ainsi, la masse des canalisations, et les pertes de charge associées à l’acheminement du fluide, après son passage par l’échangeur de chaleur 40’, vers des sources de froid (tel que l’air externe) peuvent être limitées. Toutefois, le sens d’écoulement inverse est également envisagé. Lorsque le distributeur 40B’ et le collecteur 40C’ sont formés dans la partie centrale du carter d’échappement 24’, ou sinon sont formés dans la partie périphérique du carter d’échappement 24’, les tubes 40A’ peuvent acheminer du fluide radialement vers et depuis l’axe de rotation 20 de la turbine de la turbomachine 2’, de manière à ce que le fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4’ soit introduit et récupéré respectivement, soit à la partie centrale du carter d’échappement 24’, soit à la partie périphérique du carter d’échappement 24’.
La montre une vue en coupe des tubes 40A’ de l’échangeur de chaleur 40’ selon l’arc XVI-XVI en (l’arc XVI-XVI étant concentrique avec l’axe de rotation 20 en ). Comme on l’a vu pour les figures 6 à 10, les tubes 40A’ peuvent être disposés en une ou plusieurs rangées disposées en série dans le sens d’écoulement du flux primaire. Les rangées voisines peuvent être disposées en quinconce ou en ligne (autour de l’axe de rotation 20 en figures 14 et 15). Les tubes 40A’ peuvent avoir une section circulaire ou non-circulaire (p. ex. elliptique avec l’axe majeur de l’ellipse orienté selon le sens d’écoulement du flux primaire). L’écoulement du fluide circulant dans le système de récupération d’énergie 4’ se fait de manière croisée par rapport au sens de d’écoulement du flux primaire.
En retournant maintenant à la , on voit que l’échangeur de chaleur 40’ est disposé entièrement entre l’entrée du carter d’échappement 24’ et la sortie du carter d’échappement 24’.
La température T1 est généralement supérieure à la température de fusion ou de ramollissement dudit liant polymère.
Typiquement, l’épaisseur du film à obtenir peut être ajustée selon l’utilisation désirée.
Selon un mode de réalisation, l’étape de mélange et l’étape de mise en forme peuvent être conduites de façon simultanée ou séparée.
Selon un mode de réalisation, l’adhésion du film obtenu sur la rive du collecteur de courant peut être réalisée par colamination sur ladite rive du collecteur de courant. Typiquement, la colamination peut être effectuée au moyen d’une presse à chaud, mélangeur à rouleaux, ou d’une calandre, par exemple à rouleaux chauffants, et/ou laminoir.
Selon un mode de réalisation, la poudre de céramique est choisie parmi les poudres de boehmite, alumine, magnésie, ATH (AlOH 3 ), et les charges phosphorées. Typiquement, la poudre céramique peut être de la Boehmite de formule AlO(OH).
Le terme « liant polymère » désigne un ou plusieurs polymères en mélange, plus particulièrement un mélange de polymères. Lesdits polymères peuvent être choisis parmi les caoutchoucs nitrile de type NBR ( nitrile butadiene rubber) ou de type HNBR ( hydrogenated nitrile butadiene rubber ), des caoutchoucs de type EPDM (éthylène-propylène-diène monomère), des caoutchoucs de type EVA (éthylene-vinyl acétate), les élastomères, les thermoplastiques, les polyamides, PVDF et PTFE notamment, seuls ou en mélanges y compris leurs mélanges avec des co-liants.
Le procédé selon l’invention peut également comprendre l’ajout d’un ou plusieurs additifs choisis parmi les agents réticulants, lubrifiants, plastifiants, antioxydants lors de l’étape de mélange.
Selon un autre objet, la présente invention concerne également un film isolant de rive de collecteur de courant d’électrode positive pour cellule Li-ion comprenant un mélange de céramique et de liant polymère, dénué de solvant ou traces de solvant, et présentant une porosité inférieure à 10%, notamment inférieure à 5%.
La présente invention concerne donc également un film isolant de rive de collecteur de courant d’électrode positive pour cellule Li-ion susceptible d’être obtenu par le procédé selon l’invention.
Selon un mode de réalisation, ledit film isolant présente une épaisseur comprise entre 10 et 100 micromètres (µm).
Il a été découvert selon l’invention, que la porosité du film est liée à la nature du procédé utilisé : ainsi, la faible porosité inférieure à 10%, notamment inférieure à 5% est caractéristique d’un procédé d’obtention par voie sèche. En effet, un film obtenu par une voie humide a une porosité supérieure à 40%, voire de l’ordre de 50 à 60%.
La porosité (en %) peut être estimée selon la formule :
Porosité (en %) = (1-(E théorique /E réelle ))*100
où E théorique représente l’épaisseur théorique du film (pour une porosité de 0%), pouvant être calculée d’après la composition de l’enduction et le grammage (en g/cm²) ;
et E réelle représente l’épaisseur réelle.
La dimension axiale de chaque relief peut être inférieure à 300 nanomètres, et en particulier inférieure à 200 nm.
Les reliefs peuvent présenter des formes sensiblement cylindriques, coniques ou pyramidales, en saillie depuis la surface externe.
Les reliefs peuvent être des orifices sensiblement cylindriques, coniques ou pyramidaux, qui s’ouvrent dans la surface externe.
Chaque relief peut présenter des dimensions transverses (latérales) inférieures ou égales à 100 micromètres.
Les dimensions transverses sont mesurées dans un plan parallèle à la surface externe localement.
Si les reliefs sont de forme cylindrique, alors la dimension transverse est le diamètre de la base du cylindre.
Si les reliefs sont de forme conique, alors la dimension transverse est le diamètre d’une base du cône.
Si les reliefs sont de forme pyramidale, alors les dimensions transverses sont les longueurs des côtés d’une base de la pyramide.
Les dimensions transverses peuvent être inférieures ou égales à 50 micromètres, notamment inférieures à 20 micromètres, en particulier inférieures à 10 micromètres et plus particulièrement inférieures à 5 micromètres.
Les reliefs peuvent être répartis sur la surface externe suivant un réseau à maille carrée, à maille hexagonale ou aléatoire.
L’invention concerne aussi un aéronef comprenant un dispositif optronique tel que précédemment.
L’invention concerne enfin un procédé de fabrication d’un élément optique tel que précédemment, comprenant des étapes de :
- fourniture d’un substrat,
- dépôt d’une couche de matériau résistant sur au moins une surface principale du substrat, pour former le revêtement de protection,
- dépôt d’une couche de résine photosensible sur une surface externe du revêtement de protection et mise en place d’un masque ajouré sur la couche de résine,
Ainsi, l’invention consiste essentiellement à proposer un caloduc à rainures réentrantes, qui contrairement aux caloducs selon l’état de l’art à section transversale interne identique sur toute la longueur du caloduc, présente au niveau du condenseur des canaux de liaison entre canaux liquides et canal vapeur qui sont plus largement ouverts comparativement aux autres zones du caloduc (évaporateur, zone adiabatique).
Pour améliorer la gestion de liquide d’un caloduc, les inventeurs de la présente invention sont repartis de la compréhension des variations de volume liquide.
Un caloduc étant une enceinte close, la quantité de fluide qu’il contient est fixée au moment du remplissage et ne varie pas pendant la durée de vie du caloduc. En revanche, la répartition liquide/vapeur évolue en fonction de la température de fonctionnement du caloduc : en fonction du taux de remplissage, le volume liquide peut augmenter ou diminuer lorsque la température augmente, comme cela est illustré en .
Pour un taux de remplissage donné, le volume de liquide varie donc en fonction de la température d’opération du caloduc, qui est fixée par les conditions aux limites de celui-ci: