INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Exemple 1 : HG1 Le non tissé supérieur est un non tissé disponible chez SANDLER sous la référence SPUNLACE SAWASOFT 2925 en 30 g/m² . Le film élastique formulé à base de SIS est extrudé avec un grammage moyen de 50 g/m², le non tissé inférieure étant un non tissé disponible chez FITESA sous la référence SPUNBOND HES CD Rod d’un grammage de 20 g/m². La structure de l’Exemple 1 est telle que représentée à la figure 1b. Le produit a été obtenu selon le procédé représenté à la et en utilisant le vagueur de la , avec une pénétration des lames comprise entre 3 et 4mm.
Exemple 2 : E46
Le non tissé supérieur est un non tissé disponible chez SANDLER sous la référence SPUNLACE SAWASOFT 2626 en 25 g/m². Le film élastique formulé à base de SIS 50 est extrudé avec un grammage moyen de 50 g/m². Le non tissé inférieur est un non tissé disponible chez Texbond SPa sous la référence SPUNBOND ULTRASOFT d’un grammage de 18 g/m². La structure de l’Exemple 2 est telle que représentée à la . Il comprend 17 vagues en étant obtenu selon le procédé représenté schématiquement à la et en utilisant le vagueur de la , avec une pénétration des lames de l’ordre de 2,8mm.
Exemple 3 : E53 L’exemple 3 est similaire à l’exemple 2, la différence résidant en ce que l’entrefer de pénétration est de l’ordre de 2.7 mm pour l’exemple 3 au lieu de 2.8mm pour l’exemple 2.
PNEUMATIQUE AVEC UNE BANDE DE ROULEMENT COMPORTANT DES ELEMENTS DE RENFORCEMENT La présente invention est relative aux pneumatiques, en particulier aux pneumatiques pourvus d’une bande de roulement comprenant deux compositions élastomériques distinctes.
De façon générale, un pneumatique est un objet ayant une géométrie de révolution par rapport à un axe de rotation. Un pneumatique comprend deux bourrelets destinés à être montés sur une jante. Il comprend également deux flancs reliés aux bourrelets, un sommet comportant une bande de roulement destinée à entrer en contact avec le sol, le sommet ayant un premier côté relié à l’extrémité radialement extérieure de l’un des deux flancs et ayant un deuxième côté relié à l’extrémité radialement extérieure de l’autre des deux flancs.
La constitution du pneumatique est usuellement décrite par une représentation de ses constituants dans un plan méridien, c’est-à-dire un plan contenant l’axe de rotation du pneumatique. Les directions radiale, axiale et circonférentielle désignent respectivement les directions perpendiculaires à l’axe de rotation du pneumatique, parallèle à l’axe de rotation du pneumatique et perpendiculaire à tout plan méridien. Dans ce qui suit, les expressions « radialement », « axialement » et « circonférentiellement » signifient respectivement « selon une direction radiale », « selon la direction axiale » et « selon une direction circonférentielle » du pneumatique. Les expressions « radialement intérieur, respectivement radialement extérieur » signifient « plus proche, respectivement plus éloigné, de l’axe de rotation du pneumatique, selon une direction radiale ». Le plan équatorial CP est un plan perpendiculaire à l’axe de révolution du pneumatique, positionné axialement de façon à couper la surface de la bande de roulement sensiblement à mi-distance des bourrelets. Les expressions « axialement intérieur, respectivement axialement extérieur » signifient « plus proche, respectivement plus éloigné, du plan équatorial du pneumatique, selon la direction axiale ».
Comme on le sait, les pneumatiques pour applications routières, et tout particulièrement les pneumatiques pour véhicules de tourisme, apportent une contribution essentielle aux performances des véhicules en matière de résistance au roulement (et donc d’efficacité énergétique des véhicules), d’adhérence, de réponse dynamique pour le guidage des véhicules (notamment en virage) et d’usure (et donc de coût global d’utilisation des véhicules).
Pour améliorer le compromis de performances que sont la résistance au roulement et la réponse en poussée de dérive sur sollicitation de braquage du véhicule, on utilise un matériau peu hystérétique et qui permet de rigidifier la bande de roulement. Usuellement, les rigidités sont modestes pour ne pas trop s’opposer à la mise à plat de la bande de roulement du pneumatique dans l’aire de contact avec le sol. Cependant, plus la rigidité est faible, moins bonne est la réponse en poussée de dérive du pneumatique sur sollicitation de braquage du véhicule. Actuellement, même dans les variantes de rigidités les plus élevées, le module dynamique de cisaillement G* des matériaux de sous-couche ou de renforcement de la bande de roulement de l’art antérieur est en général très inférieur à 8 MPa, même lorsque l’on recherche les meilleures performances en comportement. Dans la présente, précisons que le module dynamique de cisaillement G* considéré est le module dynamique de cisaillement G* mesuré à 23°C, et sous une contrainte de cisaillement alterné à une fréquence de 10 Hz et à 5% de déformation, sauf indication contraire. Ce descripteur mesure la rigidité aux faibles déformations.
Pour répondre à l’amélioration de ces performances antinomiques, les manufacturiers de pneumatiques élaborent des bandes de roulement de plus en plus complexes, en proposant par exemple des bandes de roulement comportant des compositions élastomériques différentes.
A titre d’illustration, on peut citer le document WO2016/174100 qui décrit une bande de roulement comprenant un mélange caoutchouteux de bande de roulement de faible dureté, et qui est renforcée par l’inclusion d’un ou plusieurs éléments de renforcement circonférentiels ayant une forme triangulaire, vue en coupe méridienne, ledit triangle ayant sa pointe orientée radialement vers l’extérieur ; ces éléments de renforcement circonférentiels étant notamment plus rigides que le mélange caoutchouteux de la bande de roulement. Cette bande de roulement complexe permet d’obtenir un bon compromis entre la résistance au roulement et la réponse dynamique pour le guidage des véhicules.
Toutefois, il existe toujours un besoin d’améliorer encore plus la sécurité des usagers de véhicules en leur fournissant des pneumatiques ayant une bonne réponse dynamique, sans pénaliser la résistance au roulement.
L’utilisation de compositions élastomériques présentant des rigidités élevées aux faibles déformations pour améliorer la réponse dynamique du pneumatique n’est pas sans poser des problèmes aux manufacturiers.
En effet, il est difficile d’obtenir des compositions élastomériques avec des niveaux de rigidité élevés aux faibles déformations, tout en maintenant le niveau d’hystérèse à des niveaux assez faibles, et ce sans dégrader significativement les propriétés limites de ces compositions.
Alternativement, la porosité peut également être mesurée par porosimétrie Hg ou He.
Avantageusement, la faible porosité du film selon l’invention est également associée à un fort caractère isolant :
Ainsi, à même épaisseur et à formulation similaire, le film selon l’invention présente un caractère isolant plus élevé que celui d’un film obtenu par une voie humide.
Selon un autre objet, la présente invention concerne une électrode positive dont la rive est au moins partiellement recouverte d’un film isolant selon l’invention.
Un exemple de réalisation d’une électrode positive A est illustré à la où le film isolant 4 selon l’invention recouvre partiellement la rive du collecteur de courant 2 de l’électrode positive. L’extrémité opposée du collecteur de courant, destinée à être au contact du connecteur est dénuée du film 4.
L’invention concerne également un élément électrochimique de type Li-ion comprenant une électrode positive selon l’invention telle que présentée ci-avant.
On entend par « élément électrochimique » une cellule électrochimique élémentaire constituée de l’assemblage électrode positive/électrolyte/électrode négative, permettant d’emmagasiner l’énergie électrique fournie par une réaction chimique et de la restituer sous forme de courant.
Un tel élément électrochimique est notamment représenté de façon schématique à la .
Tel qu’illustré à la , l’élément électrochimique 1 est relié aux connecteurs extérieurs par la rive 2 du collecteur de courant de l’électrode positive et par la rive 3 du collecteur de courant de l’électrode négative. La rive 2 est partiellement recouverte par le film isolant céramique 4. Le film 4 est présent sur la portion de la rive située à l’extrémité liée au collecteur cathodique, tandis que l’extrémité opposée, destinée à être au contact du connecteur est dénuée de film.
Les éléments électrochimiques selon l’invention sont préférentiellement des accumulateurs dont la capacité est supérieure à 100 mAh, typiquement 1 à 100Ah.
Un gros plan de l’arrangement d’une rive incorporant le film isolant selon l’invention est représenté à la .
Au sein d’un élément électrochimique 1, une électrode positive A et une électrode négative B sont séparées d’un séparateur C. Il existe un décalage Δ entre l’extrémité de l’électrode négative B au-delà de l’extrémité de l’électrode positive A.
Lors de l’assemblage de plusieurs éléments 1 pour constituer un module, les rives des collecteurs de courant 2 des électrodes positives sont courbées selon une déformation représentée par la flèche en pointillées, pour être rassemblées au niveau du connecteur. Du fait de cette courbure, la rive 2 peut être en contact avec le séparateur C et/ou l’électrode négative B. Le film isolant 4 recouvrant la rive 2 sur la face en regard de l’électrode négative permet ainsi d’éviter les courts circuits.
Selon un autre objet, la présente invention concerne encore un module électrochimique comprenant l’empilement d’un ou plusieurs éléments tels que définis ci-avant.
Typiquement, chaque élément est connecté électriquement avec un ou plusieurs autre(s) élément(s).
Le terme « module » désigne donc ici l’assemblage de plusieurs éléments électrochimiques, lesdits assemblages pouvant être en série et/ou parallèle.
dans lequel, pour chaque période T, dans la première loi de variation, le niveau de puissance NRF de la pré-impulsion RF dépend des premier N1 et second N2 niveaux DC des première et seconde impulsions DC appliquées ultérieurement dans la même période T ;
dans lequel, pour chaque période T, dans la seconde loi de variation, le premier niveau DC N1 est égal à Vgs0 plus une première valeur V1 définie par la seconde loi de variation en fonction de la période T actuelle, et le second niveau DC N2 est égal à Vds0 plus une seconde valeur V2 définie par la seconde loi de variation en fonction de la période T actuelle, les première V1 et seconde V2 valeurs étant des nombres réels.
Par transistor à semi-conducteur III-V, on entend un transistor comportant un matériau semi-conducteur composé d’un ou plusieurs éléments de la colonne III (bore, gallium, aluminium, indium, etc.) et de la colonne V (arsenic, antimoine, phosphore, etc.) du tableau périodique de Mendeleïev. A titre d’exemple, les transistors au nitrure de gallium (GaN) sont des transistors à semi-conducteur III-V.
En outre, par caractérisation en mode impulsionnel du transistor, on entend la mesure des courants et tensions sur la grille et le drain du transistor lors de l’application de signaux impulsionnels sur la grille et le drain du transistor, de manière à obtenir à titre d’exemple plusieurs courbes du courant de drain en fonction de la tension de drain, chacune desdites courbes correspondant à une tension de grille particulière, l’ensemble desdites courbes constituant ainsi un réseau I-V (ou réseau I(V) ou réseau courant-tension) permettant de caractériser le comportement du transistor sous test, notamment pour mettre en évidence les effets de pièges dans le transistor.
Dans la présente invention, la pré-impulsion RF, dont le niveau de puissance est défini selon une première loi de variation prédéterminée en fonction des niveaux DC des première et seconde impulsions DC appliquées ultérieurement dans la même période T (c’est-à-dire, en fonction de la zone I-V explorée), permet ainsi de modifier de manière dynamique l’état de charge des pièges dans le transistor, ce qui permet de connaître l’excursion réelle de la source de courant de sortie extrinsèque du transistor.
Par conséquent, la présente invention permet une meilleure expertise de l’impact des pièges sur les performances finales de l’application. Aussi, ces mesures peuvent être utilisées pour modéliser la source de courant de sortie du composant, à condition que le modèle ne soit utilisé qu’au point de polarisation de repos fixé lors de la mesure. Dans le cas où le modèle doit être valable pour différents points de polarisation, le procédé de caractérisation de la présente invention doit être répété et les résultats utilisés pour déterminer le modèle de pièges précisément.
Le mode impulsionnel du procédé permet une limitation des effets d’auto-échauffement et donc une meilleure séparation des effets thermiques et des effets de pièges sur les performances électriques du composant.
V1 et V2 peuvent être des nombres réels positifs, négatifs ou nuls en fonction de la période T. La seconde loi de variation permet, sur l’ensemble des périodes T du procédé de caractérisation, un séquençage de (N1, N2) autour du point de polarisation de manière à construire le réseau I-V du transistor sous test.
Plusieurs périodes T successives sont nécessaires pour réaliser le procédé de caractérisation selon la présente invention. A chaque période T, une pré-impulsion RF puis deux impulsions DC sont appliquées au transistor sous test, les niveaux NRF, N1 et N2 des trois impulsions étant définis par les première et seconde lois de variation prédéfinies. Le procédé de caractérisation prend fin (c’est-à-dire, fin de la mesure et de la succession des périodes T) lorsque l’ensemble du réseau I-V a été exploré autour du point de polarisation.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le procédé de caractérisation comprend en outre, entre les étapes a) et b), une étape de détermination de la période T et des durées TRF, T1 et T2 en fonction de la mesure des constantes de temps des pièges dans le transistor sur la grille et sur le drain du transistor.
Ainsi, la mesure des constantes de temps des pièges sur la grille (« gate-lag ») et le drain (« drain-lag ») du transistor permet de définir les différentes temporisations de manière à éviter tout effet cumulatif des effets de pièges lors des mesures.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le procédé de caractérisation comprend en outre, entre les étapes a) et b) :
d1) définir les bornes inférieure et supérieure [Vgsmin ; Vgsmax] du premier niveau DC N1 dans la seconde loi de variation, où :
Vgsmax est déterminée en mesurant le courant de grille Ig du transistor en fonction de la tension DC Vgs appliquée à la grille du transistor pour une tension Vds nulle appliquée au drain du transistor, puis en définissant Vgsmax comme étant la valeur de Vgs pour laquelle le courant de grille Ig atteint une valeur de seuil de courant prédéterminée ; et
Vgsmin ≤ Vp où Vp est la tension de pincement du transistor ; et
d2) définir les bornes inférieure et supérieure [Vdsmin ; Vdsmax] du second niveau DC N2 dans la seconde loi de variation, où Vdsmin = 0V et Vdsmax = 2 * Vds0.
Pour la commodité de la description, si les mots « haut », « bas », « gauche » et « droit » apparaissent dans la présente demande, cela signifie seulement que les directions haut, bas, gauche et droite sont cohérentes avec les dessins eux-mêmes, et ne limitent pas la structure. C’est uniquement pour la commodité de décrire la présente demande et de simplifier la description, de ne pas indiquer ou impliquer que le dispositif ou l’élément mentionné doit avoir une orientation spécifique, être construit et exploité dans une orientation spécifique, et donc ne doit pas être interprété comme une limitation de la présente demande.
Dans la présente demande, si les termes « installé », « lié », « relié », « fixé », etc. apparaissent, ils doivent être compris au sens large, par exemple, il peut s’agir d’une liaison fixe, d’une liaison amovible, ou intégrée ; il peut s’agir d’une liaison mécanique, il peut s’agir d’une liaison électrique, il peut s’agir d’une liaison directe, ou il peut s’agir d’une liaison indirecte par un moyen intermédiaire, il peut s’agir d’une liaison interne entre deux composants, ou de la relation d’interaction entre les deux composants. Pour l’homme du métier, les significations spécifiques des termes ci-dessus dans la présente demande peuvent être comprises selon des situations spécifiques.
Comme décrit dans l’état de la technique, l’art antérieur présente les défauts de graves étincelles de pantographe-caténaire et d’une violente vibration de pantographe-caténaire. Afin de résoudre les problèmes techniques ci-dessus, un dispositif collecteur de caténaire rigide, un pantographe et un véhicule de transport ferroviaire sont fournis selon la présente demande.
Mode de réalisation 1 Dans un mode de réalisation typique de la présente demande, comme le montre la , un dispositif collecteur de caténaire rigide comprend une bande de carbone d’une plaque coulissante principale 1, une plaque coulissante auxiliaire, un ressort 2, une console 8 et d’autres parties. Une plaque inférieure métallique 5 est prévue au niveau d’une partie inférieure de la bande de carbone de la plaque coulissante principale 1, et la plaque inférieure métallique 5 est fixée à une plaque supérieure 4 par des boulons 7. De multiples ressorts 2 sont prévus entre la plaque supérieure 4 et la console 8. Une extrémité de chaque ressort 2 vient en butée contre la plaque supérieure 4 et l’autre extrémité du ressort 2 vient en butée contre la console 8.
Les deux extrémités de la console 8 s’étendent et font saillie vers le haut et sont reliées en coulissement à l’extrémité de la bande de carbone de la plaque coulissante principale 1 de manière à former une plaque coulissante auxiliaire.
Dans ce mode de réalisation, le ressort 2, la plaque supérieure 4 et la console inférieure 8 sont reliés d’un seul tenant par soudage, qui peut être remplacé dans son ensemble.
Dans ce mode de réalisation, les ressorts 2 sont régulièrement espacés le long de la direction d’extension de la console 8, ce qui permet de s’assurer qu’ils sont soumis à une contrainte uniforme.
Dans ce mode de réalisation, la plaque coulissante de carbone (c’est-à-dire la bande de carbone de la plaque coulissante principale 1, ci-après dénommée bande de carbone) est réalisée en un matériau métallique imprégné, qui a de bonnes performances en matière d’usure électrique et mécanique, une conception structurelle simple, un poids léger, une faible résistance et de bonnes performances de collecte de courant avec la caténaire, et est particulièrement adaptée au fonctionnement de caténaire rigide aérienne, et répond aux exigences de collecte de courant de la caténaire rigide pour les trains ferroviaires urbains.
La console 8 elle-même est un métal conducteur, et les parties des deux extrémités de la console 8 proches de la bande de carbone peuvent être utilisées comme plaque coulissante auxiliaire 11 pour collecter le courant. De plus, les deux extrémités de la console 8 sont reliées de manière fixe à une corne de pantographe 9 par des boulons 7, et certaines parties de la console sont polies.
Un tuyau 10 d’air ADD (ADD : dispositif de chute automatique, qui fait référence à un dispositif d’abaissement automatique de pantographe) est acheminé depuis le milieu de la bande de carbone et s’étend vers le bas à travers une perforation dans la console 8 et est relié au côté véhicule. Dans ce mode de réalisation, la conduite est réalisée en polytétrafluoroéthylène.
L’ensemble du dispositif collecteur de caténaire rigide selon ce mode de réalisation est de conception simplifiée, la hauteur de contact est lisse et la résistance de collecte de courant est faible.
Comme le montre la , une partie en saillie, c’est-à-dire un coulisseau 3, est prévue sur chaque côté de la bande de carbone. Le coulisseau 3 est encastré dans une rainure de coulissement prévue dans la plaque coulissante auxiliaire, formant une structure de limite de position verticale, qui peut limiter le décalage dans les deux sens de la plaque coulissante causé par l’existence d’un point dur dans la caténaire ou d’un corps étranger.
Dans ce mode de réalisation, le coulisseau 3 est réalisé en un métal et est relié à la plaque inférieure 5 au niveau de la partie inférieure de la bande de carbone.
La partie inférieure de la console 8 est conçue en forme de profil aérodynamique, qui a une bonne forme profilée, une faible résistance aérodynamique et de bonnes performances de collecte de courant avec la caténaire.
Comme le montre la , une conduite métallique d’air ADD intégrée 6 est prévue au niveau de la partie inférieure de la bande de carbone. Le dispositif collecteur a pour fonction de déclencher un abaissement automatique de pantographe ADD.
Bien entendu, dans d’autres modes de réalisation, le matériau, la forme et la taille des composants ci-dessus peuvent être réglés ou modifiés selon des conditions spécifiques.
Il est à noter que l’épaisseur e2 de la bande mince 82 est également faible par rapport au reste de l’anneau 8 et en particulier par rapport aux pattes 81 de sorte que la rupture de ladite bande mince 82 en est facilitée lors d’une première ouverture du couvercle 3. Par ailleurs, la profondeur P3 de la bande mince 82 est variable. En particulier, la profondeur P3 de la bande mince 82 présente une valeur maximale au niveau des extrémités de ladite bande mince 82, c’est-à-dire au niveau des jonctions entre la bande mince 82 et les pattes 81. En revanche, la profondeur P3 de la bande mince 82 présente une valeur minimale vers un milieu 82a de ladite bande mince 82. Dit autrement, la bande mince 82 forme en son milieu 82a une striction correspondant à une valeur minimale de la profondeur P3. Cette striction constitue, lors d’une première ouverture du couvercle 3, une zone de concentration de contraintes permettant une rupture localisée de la bande mince 82.
Il est à noter que les pattes 81 et le pont sécable 82 forment ensemble une surface externe en forme de U. Plus spécifiquement cette surface externe en U est formée par les faces externes convexes 81d respectives des pattes 81 et la face externe du pont sécable 82. Par ailleurs, les faces internes concaves 81c respectives des pattes 81 et la face interne du pont sécable 82 confèrent à l’ouverture de l’anneau 8 un profil concave au niveau d’une portion supérieure de ladite ouverture et un profil sensiblement rectiligne au niveau d’une portion inférieure de ladite ouverture. L’ouverture ainsi définie présente une largeur l2 qui s’étend entre les faces internes concaves 81c respectives des pattes 81, et en particulier entre deux plans tangents respectivement auxdites faces 81c. L’ouverture présente également une hauteur h6 qui est définie entre le pont sécable 82 et une ligne 85 de jonction des pattes 81. Il est à noter que la ligne 85 de jonction des pattes 81 s’étend perpendiculairement aux faces avant respectives 81a des pattes 81. Dans l’exemple illustré à la , la ligne de jonction 85 est représentée par une simple flèche pointant vers sa position.
La hauteur h6 définie par l’ouverture de l’anneau 8 est supérieure à la profondeur P1 et à la hauteur h1 du pion 7. De même, la largeur l2 de l’ouverture est légèrement supérieure à une largeur du pion 7. Ceci permet notamment de faciliter la mise en place de l’anneau 8 autour du pion 7, en particulier lors d’une première fermeture du couvercle 3 sur la base 2.