INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ledit au moins un moyen de liaison 6 comporte, encore, une deuxième partie 61 (plus particulièrement une partie mixte) qui s’étend latéralement et extérieurement par rapport à ce mur à coffrage intégré (1 ; 1’) ainsi que dans le prolongement du volume interne 4 de ce mur à coffrage intégré (1 ; 1’), et qui est destinée à s’étendre à l’intérieur du volume interne dudit autre mur à coffrage intégré (1’ ; 1), ceci en configuration déployée dudit au moins un moyen de liaison 6. En configuration rétractée dudit au moins un moyen de liaison 6, cette deuxième partie 61 s’étend au moins en partie (voire intégralement) à l’intérieur du volume interne 4 de ce mur à coffrage intégré (1 ; 1’).
A ce propos, on observera qu’un tel moyen de liaison 6 est configuré pour passer d’une configuration rétractée à une configuration déployée (et inversement), ceci lors de la mise en place du mur à coffrage intégré (1 ; 1’) à côté de l’autre mur à coffrage intégré (1’ ; 1) comme illustré . En fait, lors de cette mise en place, ledit mur à coffrage intégré (1 ; 1’) adopte un mouvement descendant par rapport à l’autre mur à coffrage intégré (1’ ; 1). Au cours de ce mouvement descendant, ledit au moins un moyen de liaison 6 du mur à coffrage intégré (1 ; 1’) prend appui contre ledit au moins un moyen de raccordement 5 que comporte l’autre mur à coffrage intégré (1’ ; 1) ce qui, sous l’effet du mouvement descendant du mur à coffrage intégré (1 ; 1’), provoque le passage d’un tel moyen de liaison 6 d’une configuration déployée à une configuration rétractée. En poursuivant le mouvement descendant du mur à coffrage intégré (1 ; 1’), ledit au moins moyen de liaison 6 dépasse ledit moyen de raccordement 5 et ne prend plus appui contre ce moyen de raccordement 5. Ledit au moins moyen de liaison 6 passe, alors, de la configuration rétractée à la configuration déployée.
Une autre caractéristique concerne le fait que le mur à coffrage intégré (1 ; 1’) comporte au moins un système de montage 7 qui est configuré pour monter ledit au moins un moyen de liaison 6 sur ledit au moins un moyen de raccordement 5.
De manière préférentielle, un tel système de montage 7 est configuré pour monter ledit au moins un moyen de liaison 6 sur la tige (notamment sur la partie intermédiaire de cette tige) d’un tel moyen de raccordement 5 ou sur le cadre 50 d’un tel moyen de raccordement 5 (plus particulièrement sur la troisième portion 53 du cadre 50 d’un tel moyen de raccordement 5, notamment sur la troisième partie de cette troisième portion 53).
Selon l’invention, ledit au moins un moyen de liaison 6 comporte au moins une plaque élastique 8 qui comporte, d’une part, une partie immobile 80 qui est immobile par rapport audit au moins un moyen de raccordement 5, plus particulièrement par rapport à la tige (notamment par rapport à la partie intermédiaire de cette tige) ou au cadre 50 (plus particulièrement par rapport à la troisième portion 53 du cadre 50 d’un tel moyen de raccordement 5, notamment par rapport à la troisième partie de cette troisième portion 53) d’un tel moyen de raccordement 5 et, d’autre part, une partie mobile 81 qui est mobile par rapport à la partie immobile 80 de ladite au moins une plaque élastique 8, et, donc, par rapport audit au moins un moyen de raccordement 5.
Le caractère élastique d’une telle plaque élastique 8 permet, avantageusement, à la partie mobile 81 de cette plaque élastique 8, d’une part, d’être déformée (notamment pour que ledit au moins un moyen de liaison 6 puisse passer d’une configuration déployée à une configuration rétractée) et, d’autre part, de reprendre sa forme (notamment pour que ledit au moins un moyen de liaison 6 puisse passer d’une configuration rétractée à une configuration déployée, plus particulièrement après lui avoir fait adopter une configuration rétractée).
Ainsi, la partie immobile 80 de ladite au moins une plaque élastique 8 est immobile par rapport audit au moins un moyen de raccordement 5.
Ceci étant, ledit au moins un système de montage 7 comporte, alors, des moyens d’immobilisation 70 qui sont configurés pour immobiliser la partie immobile 80 de ladite au moins plaque élastique 8 par rapport audit au moins un moyen de raccordement 5, plus particulièrement par rapport à la tige ou au cadre 50 (plus particulièrement par rapport à la troisième portion 53 du cadre 50, notamment par rapport à la troisième partie de cette troisième portion 53) d’un tel moyen de raccordement 5.
A la suite de cette première attaque, on rajoute de l’eau désoxygénée jusqu’un niveau d’environ 35 mL, on centrifuge à 9000 tours par minute pendant 10 à 15 minutes, on évacue le surnageant et on conserve le précipité. On procède alors à la deuxième attaque chimique en versant sur le précipité entre 10 et 20 mL de la même solution aqueuse contenant 2M de fluorure de lithium et 6M d’acide chlorhydrique, et on agite dans un bain thermostaté à 35°C pendant environ 72 heures.
A la fin de cette deuxième attaque chimique on procède à des étapes de rinçage avec ajout d’eau désoxygénée (typiquement 200 mL) sous agitation pendant 5 minutes, suivies par une centrifugation à 9000 tours par minute pendant 10 à 15 minutes en évacuant le surnageant et en conservant le précipité. Cette opération est répétée environ 5 fois jusqu’à que le surnageant présente un pH de 4,5 ou plus. Le précipité est ensuite lavé à l’éthanol au cours de deux étapes de rinçage et centrifugation à l’éthanol, puis stocké recouvert d’éthanol. Alternativement, le précipité peut être séché en le chauffant sous vide à une température comprise entre 40 et 120°C.
On obtient ainsi un composé MXène de formule Ti 3 C 2 T x ou encore plus généralement Ti 3 C 2. Les figures 4A,4B et 4C illustrent la morphologie cristalline de ce composé. On constate qu’il est constitué de cristaux séparés les uns des autres, avec une morphologie en forme de plaquettes consistant en deux faces planes et parallèles. L’indice d’aplatissement (rapport entre la longueur L et la hauteur H des cristaux) est compris entre 5 et 50, en moyenne d’environ 10. La distribution de tailles de cristaux est relativement homogène : la longueur L des cristaux est comprise entre 1 et 15 microns, pour une hauteur H comprise entre 0,2 et 1 micron.
Le diffractogramme de rayons X de la est, comme explicité précédemment, caractérisé par un grand pic référencé 9 situé entre les angles 2θ 6.5° et 6.9°. Il correspond au plan (hkl) = (002), relié à la distance inter planaire des plans lamellaires composés des unités Ti 3 C 2 T x .
Le spectres EDX ( ) de ce même composé montre la présence des deux éléments principaux présents dans la composition de ce composé de type MXène, à savoir le titane et le carbone, plus la présence de fluor, oxygène et chlore qui pourraient correspondre aux terminaisons T x , en particulier aux groupes -F, -Cl, =O ou -OH. Le spectre EDX montre également, comme déjà évoqué précédemment, l’absence de l’élément Al, ce qui signifie que l’intégralité du précurseur phase MAX a été attaqué et qu’il ne reste aucun sous-produit contenant de l’aluminium tel que l’oxyde Al 2 O 3 .
Exemple 3 : Fabrication d’un composé MXène de formule Ti 3 C 2 T x à partir du précurseur phase MAX de l’exemple 1 finement broyé .
La pastille poreuse de Ti 3 AlC 2 obtenue dans l’Exemple 1 est cassée dans un mortier en agate, puis broyée finement. La poudre est passée sur un tamis de maille de 50 μm. On obtient ainsi une poudre de taille de grains inférieure à 50 μm. La même procédure de double attaque chimique et de rinçage telle que décrite à l’exemple 2 est appliquée.
Les figures 5A,5B et 5C illustrent la morphologie cristalline de ce composé. On constate qu’il est également constitué par des cristaux séparés les uns des autres, avec une morphologie en forme de plaquettes consistant en deux faces planes et parallèles. L’indice d’aplatissement (rapport entre la longueur L et la hauteur H des cristaux) est également compris entre 5 et 50, en moyenne d’environ 10. La distribution de tailles de cristaux est relativement homogène : la longueur L des cristaux est comprise entre 1 et 15 microns, pour une hauteur H comprise entre 0,2 et 1 micron. On constate néanmoins une plus forte présence de de cristaux de taille d’environ 1 micron ou inférieur, ces derniers présentant souvent une forme volumique (hauteur H du même ordre que la longueur L) au lieu d’une forme de plaquette. La majeure partie des cristaux présentent néanmoins une forme de plaquettes.
Le diffractogramme de rayons X et le spectre EDX sont identiques à ceux décrits dans l’exemple 2.
Contre-exemple 2 : Fabrication du composé MX è ne de formule Ti 3 C 2 T x à partir d’un précurseur phase MAX Ti 3 AlC 2 de l’art antérieur.
On utilise deux lots de précurseurs phase MAX Ti 3 AlC 2 du commerce vendus sous le nom de Ti 3 AlC 2 . Ils ont tous les deux un aspect de poudre fine dont les grains sont de taille inférieure à environ 50 microns. Les images MEB de ces composés (figures 3A et 3B) montrent une dispersion inhomogène de tailles de grains de plusieurs dizaines de microns à plusieurs dizaines de nanomètres.
On applique pour chaque lot la même procédure de double attaque chimique et de rinçage telle que décrite à l’exemple 2.
Les figures 7A, 7B et 7C illustrent la morphologie cristalline du composé MXène obtenu. Le composé est constitué majoritairement par des grains et d’amas de grains présentant une forme volumique (longueur du même ordre que la hauteur). Une très faible minorité de ces grains est en forme de plaquette. La dispersion de tailles de grains est très inhomogène, de plusieurs dizaines de microns à plusieurs dizaines de nanomètres. Cette morphologie est similaire pour les deux lots précurseurs phase MAX utilisés. Cette morphologie est également conforme à celle rapportée dans la littérature.
Les diffractogrammes de rayons X des deux composés MXène obtenus sont similaires au diffractrogramme du composé de l’invention obtenu à l’exemple 2. Les spectres EDX ( ) montrent la présence des deux éléments principaux présents dans la composition de ce composé de type MXène, à savoir le titane et le carbone, plus la présence de fluor, oxygène et chlore qui pourraient correspondre aux terminaisons T x , en particulier aux groupes -F, -Cl, =O ou -OH, comme pour le composé obtenu à l’exemple 2.
En revanche, ces spectres montrent également la présence de l’aluminium comme impureté, contrairement au composé MXène de l’invention des exemples 2 et 3 ( ). Le ratio atomique Al/Ti est évalué à partir des spectres EDX obtenus (tel que celui de la ) acquis sur des images comprenant beaucoup de particules comme étant compris entre 0,03 et 0,04. Des analyses EDX sur des particules individuelles montrent que l’aluminium est principalement présent en tant que particules sous-micrométriques à base d’oxyde d’aluminium ; il s’agit vraisemblablement du composé Al 2 O 3 .
Dispositif de combustion en boucle chimique en milieu liquide Domaine technique de l’invention L’invention concerne un dispositif de combustion en boucle chimique ( Chemical Looping Combustion en anglais ; abrégé en CLC). L’invention concerne également un procédé de combustion mettant en œuvre un tel dispositif.
Les éléments d’habillage de paroi 26 sont également disposés si nécessaire.
Quand un accès au-dessus d’une armoire est nécessaire, il suffit de déplacer à coulissement l’élément de remplissage du bandeau disposé au-dessus de cette armoire pour l’amener en position ouverte et avoir accès au-dessus de l’armoire.
Caisson pour un système d’occultation L’invention concerne le domaine des menuiseries pour un bâtiment et plus particulièrement un caisson pour un système d’occultation.
Un système d’occultation est destiné à venir occulter temporairement une ouverture d’un bâtiment, par exemple de type fenêtre. Lorsqu’il est dans une position déployée, il ferme au moins en partie l’ouverture, tandis que lorsqu’il est dans une position dissimulée, il est replié ou enroulé sur lui-même à une extrémité de l’ouverture afin de dégager cette dernière.
Dans la suite de la description, le système d’occultation peut être un volet roulant, un brise soleil orientable ou un store.
Dans la position dissimulée, le système d’occultation est positionné au moins en partie dans un caisson prévu à cet effet. Le caisson est intégré de manière définitive à la maçonnerie du bâtiment. Le caisson protège le système d’occultation d’un environnement extérieur.
Il existe des ensembles comprenant une huisserie dont une extrémité est munie de manière non détachable d’un système d’occultation. Lors d’une installation d’un tel ensemble, l’huisserie est mise en place au niveau de l’ouverture tandis que le système d’occultation est en partie positionné dans une zone intérieure du caisson. Le système d’occultation est donc positionné dans une zone extérieure du bâtiment.
Dans l'exemple détaillé de mise en œuvre illustré par la , le circuit 9224 est par exemple configuré pour fournir les bits TDCOUT0, TDCOUT1 et TDCOUT2 à partir des bits OUT1, OUT2 et OU2-1 conformément au tableau Table 1 ci-dessous. Dans cet exemple, l'état binaire '1', respectivement '0', d'un bit correspond à un niveau haut, respectivement bas, de ce bit, et le bit TDCOUT2 représente le signe du signal TDCOUT qui correspond à la concaténation des bits TDCOUT2, TDCOUT1 et TDCOUT0.
OUT1 OUT2 OUT2-1 TDCOUT2 TDCOUT1 TDCOUT0 Valeur de TDCOUT '1' '0' '0' '0' '0' '0' 0 '0' '0' '0' '0' '0' '1' 1 '1' '1' '0' '0' '0' '1' 1 '0' '1' '0' '0' '1' '0' 2 '1' '0' '1' '1' '1' '1' -1 '0' '0' '1' '0' '0' '0' 0 '1' '1' '1' '0' '0' '0' 0 '0' '1' '1' '0' '0' '1' 1
Comme pour le convertisseur 1 d'ordre 2 décrit en relation avec la , en se basant sur les descriptions faites en relation avec les figures 1 à 9, la personne du métier sera en mesure d'adapter la description faite en relation avec la aux cas où : - la durée Dmax des impulsions P1 est différente d'une période Tclk du signal clk et est, par exemple, égale à deux périodes Tclk du signal clk, et/ou -le convertisseur 1 n'est pas mis en œuvre dans une boucle à verrouillage de phase en tout numérique, et/ou - le convertisseur 1 est d'ordre supérieur à 2.
En particulier, la personne du métier est en mesure d'adapter la description faite précédemment au cas où toutes polarités des impulsions sont inversées. Plus généralement, la personne du métier est en mesure d'inverser les états haut et bas de l'un quelconque des signaux binaire et/ou de l'une quelconque des impulsions CMD1, CMD2, CMD3 et CMD4 et/ou les signes des impulsions P1, P2, P3 et P4 en adaptant les circuits qui reçoivent ou fournissent ces signaux de sorte que les fonctionnalités mises en œuvre par ces circuits restent celles décrites dans la présente demande.
En outre, la personne du métier sera en mesure de prévoir d'autres exemples de valeurs pour les nombres K1, K2, K3 et K4 en adaptant les amplitudes A1, A2, A3 et A4 en fonction de la dynamique du convertisseur 1.
La personne du métier sera également en mesure de prévoir d'autres exemples de mise en œuvre des circuits décrits précédemment. Par exemple, les circuits C3 et C6 pourraient être chacun mis en œuvre uniquement par une bascule D dont la sortie Q est mise à un premier état binaire, respectivement un deuxième état binaire, si son entrée D est inférieure, respectivement supérieure, au niveau ref lorsque son entrée C reçoit un front auquel cette entrée C est sensible, la bascule mettant alors en œuvre simultanément une quantification binaire et la mémorisation de cette quantification.
procédé de caractérisation d’écarts de traitement entre plusieurs voies analogiques DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de caractérisation d’écarts de traitement entre plusieurs voies analogiques.
ETAT DE LA TECHNIQUE Il existe de nombreux systèmes comprenant plusieurs voies analogiques agencées en parallèle, et par lesquelles transitent des signaux analogiques.
De telles voies analogiques sont souvent réalisées avec les mêmes composants électroniques, de sorte à appliquer chacune un traitement supposé être le même.
Toutefois, il peut exister des écarts résiduels entre les traitements réalisés par différentes voies analogiques d’un tel système. Dans certaines applications, ces écarts résiduels peuvent engendrer des erreurs en aval des voies analogiques.
Un but de l’invention est de caractériser des écarts de traitement entre plusieurs voies analogiques d’une manière simple et efficace.
Ce but est atteint par un procédé de caractérisation d’écarts de traitement entre une première voie analogique et une deuxième voie analogique, le procédé comprenant des étapes de : - injection d’un premier signal analogique en entrée de la première voie analogique, d’un deuxième signal analogique en entrée de la deuxième voie analogique, et d’un troisième signal en entrée de la deuxième voie analogique, le premier signal analogique étant un signal périodique, le deuxième signal analogique étant un signal périodique de même amplitude, de même période et de même forme que le premier signal analogique, et le troisième signal analogique étant un signal périodique en quadrature de phase avec le deuxième signal analogique et de même amplitude et de même période que le deuxième signal analogique, - numérisation du premier signal analogique en sortie de la première voie analogique, de sorte à obtenir un premier signal numérique ayant N échantillons, numérisation du deuxième signal en sortie de la deuxième voie analogique, de sorte à obtenir un deuxième signal numérique ayant N échantillons, et numérisation du troisième signal analogique en sortie de la deuxième voie analogique de sorte à obtenir un troisième signal numérique ayant N échantillons, - estimation de paramètres et à partir du premier signal numérique, du deuxième signal numérique et du troisième signal numérique, où : - est un ratio entre une amplitude du premier signal analogique en sortie de la première voie analogique et une amplitude du deuxième signal analogique en sortie de la deuxième voie analogique, - est une différence entre un déphasage induit par la première voie analogique sur le premier signal analogique et un déphasage induit par la deuxième voie analogique sur le deuxième signal analogique, l’estimation comprenant l’application d’une méthode des moindres carrés pour déterminer des valeurs des paramètres et minimisant la quantité suivante : dans lequel - désigne le n ème échantillon du premier signal numérique, - désigne le n ème échantillon du deuxième signal numérique, - désigne le n ème échantillon du troisième signal numérique.
Le procédé proposé peut également comprendre les caractéristiques optionnelles suivantes, prises seules ou combinées entre elles à chaque fois que cela fait sens.
De préférence, le premier signal analogique est sinusoïdal.
Il faut noter ici que le moyen de maintien et de déplacement du treillis 2 peut consister en un préhenseur se présentant sous la forme d'une pince mécanique, d'un venturi, d'un électro-aimant, ou tout autre moyen de préhension convenant à l'homme du métier.
La illustre la même cinématique que celle visible sur la mais dans cette cinématique une des ailettes en retour 11 est écartée par le moyen d’écartement, non visible sur cette . Grâce à cet écartement d’une des ailettes en retour 11, on augmente la distance d entre les deux ailettes en retour 11, 11’ de manière faciliter l’introduction des barres inférieures 4, 5 dans le logement de la gaine 10. Bien entendu, un tel mode avantageux est particulièrement intéressant lorsque la différence entre la distance d et la longueur L est significative.
La illustre à nouveau la même cinématique que celle visible sur la mais dans cette cinématique les deux ailettes en retour 11, 11’ sont écartées par le moyen d’écartement. Par rapport à la cinématique décrite à la , avec l’écartement des deux ailettes en retour 11, 11’, on augmente encore la distance d de manière à faciliter encore plus l’insertion des barres inférieures 4, 5. A titre d’exemple, la distance d passe d’une valeur initiale de 80 cm (centimètres) à 83 ou 85 cm.
Cet écartement temporaire des deux ailettes en retour 11, 11’ permet ainsi de positionner un treillis 2 dans la gaine 10 alors que la longueur L est bien, ou très, supérieure à la distance d.
Bien entendu, dans un tel cas de figure, on peut également augmenter l’angle α jusqu’à un maximum proche de 90°. Ainsi, en utilisant l’écartement d’une ou des deux ailettes en retour 11, 11’ ainsi qu’en augmentant l’angle α, on peut procéder à l’assemblage du treillis 2 dans la gaine 10 avec une distance d minime au regard de la longueur L. A titre d’exemple, la différence entre la longueur L et la distance d peut être alors supérieure à 20 cm, voire à plus de 30 cm.
On peut noter que suite à l’écartement d’une ou des deux ailettes en retour 11, 11’, l’ailette ou les deux ailettes en retour 11, 11’ sont resserrées de manière à reprendre leur position initiale, avec une distance d’entre les deux ailettes en retour 11, 11’. Ce resserrement des ailettes en retour 11, 11’ s’effectue de manière automatique, par un phénomène de mémoire de forme, ou peut s’effectuer au moins en partie grâce à un moyen annexe, ou le moyen d’écartement, qui vient appuyer ou pousser sur les ailettes en retour 11, 11’ pour les ramener dans leur position initiale.
Le moyen d’écartement 15 est illustré selon un mode sur la et un autre mode sur la et sa cinématique d’insertion des barres inférieures 4, 5 du treillis 2. Ainsi, ce moyen d’écartement 15 peut consister en un levier ou manche s’étendant sensiblement verticalement disposant, à son extrémité en contact avec l’ailette en retour 11, 11’, d’un ergot 16 apte à saisir l’extrémité de l’ailette 11, 11’. Le manche ou le levier étant ramené vers l’extérieur de la gaine 10, l’ergot 16 contraint l’ailette en retour à se soulever de sorte que la distance d augmente.
Le moyen d’écartement 15 visible sur la diffère de celui visible sur la essentiellement en ce que ce moyen d’écartement 15, s’étendant suivant un plan sensiblement horizontal, est apte à se déplacer sensiblement horizontalement. Ce mode de réalisation est avantageux par rapport à celui de la car le moyen d’écartement 15 occupe dans la station d’installation une place moins importante.
Sur la est représenté une cinématique dans laquelle les deux ailettes en retour 11, 11’ sont écartées l’une de l’autre. Par ailleurs, dans cette cinématique, le treillis 2 est initialement situé de manière centré au-dessus de la gaine 10 puis le treillis est décalé par rapport à cette position initiale pour ne plus se situer dans le plan de symétrie de la gaine 10.
On peut noter également que, dans cette cinématique d’insertion du treillis 2 dans la gaine 10, visible sur cette , la première et la deuxième barre inférieure 4, 5 sont amenées dans le logement de la gaine 10, suivant un plan horizontal, puis ces deux barres 4, 5 sont alors abaissées ou descendus jusqu’à la ou les cales 12 formant support. Ainsi, il n’est pas nécessaire que la première barre inférieure 4 abute contre la ou les cales 12 pour réaliser l’insertion des barres inférieures 4, 5 dans la gaine métallique 10.
On note également dans le mode de réalisation visible sur cette la présence d’un bac de contenance 20 de la gaine 10, cette dernière 10 étant placée dans ce bac de contenance 20. Ce bac 20 contraint l’écartement des ailettes en retour 11, 11’ jusqu’à un écartement maximum souhaité. En effet, le bac de contenance 20 comporte des parois latérales présentant une inclinaison correspondant à l’écartement souhaité des ailettes en retour 11, 11’. Le bac de contenance 20 est avantageusement en matière non métallique, par exemple en matériau céramique.
En pratique après expansion, le séchage complet du matériau isolant expansé 7 dure une quinzaine de minutes pendant laquelle les poutrelles 1 sont immobilisées dans le magasin de poutrelle. Une fois le matériau isolant 7 sec, la poutrelle 1 est enfin évacuée jusqu'à un poste de palettisation manuel.