INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le support de sertissage S supporte au moins le fût 22 et 40 des parties avant et arrière de sertissage et de préférence également le corps cylindrique 30 isolant électrique ( ). Ce support de sertissage S présente avantageusement des portions cylindriques qui épousent les fûts 22, 40 des parties respectivement avant et arrière de sertissage du sous-ensemble préassemblé 2’ ou 5.
Lors d’une étape S16, le processeur 101 effectue une seconde étape d’initialisation du dispositif électronique en utilisant le contenu stocké dans la zone mémoire sélectionnée. Par exemple, il démarre le logiciel applicatif stocké dans la zone mémoire sélectionnée, i.e. la zone mémoire active. Dans un autre mode de réalisation, lorsque le contenu comprend un logiciel de maintenance, le processeur 101 utilise ce contenu et démarre le logiciel de maintenance afin par exemple de mettre à jour ou modifier certains paramètres du dispositif électronique qui ne sont pas accessibles par le logiciel applicatif. Dans un autre exemple, le contenu correspond à un module logiciel et le processeur 101 utilise ce module logiciel pour terminer son initialisation. Dans un autre exemple, plusieurs zones mémoires sont sélectionnées, chacune comprenant un module logiciel différent à utiliser dans le processus d’initialisation du dispositif électronique. La illustre en détails l’étape S10 du procédé de verrouillage selon un mode de réalisation particulier.
Lors d’une étape S100, le FSBL est authentifié par un logiciel de démarrage initial sécurisé du composant 10. Plus précisément, une vérification d’intégrité des données présentes dans la zone mémoire ZM1 est effectuée. Cette vérification peut être réalisée par différents moyens, comme un calcul d’une somme de contrôle (e.g. en utilisant des fonctions de hachage de type SHA256) sur les données écrites dans la zone mémoire ZM1, i.e. sur le FSBL. Cette somme de contrôle est ensuite comparée à une somme de contrôle de référence stockée par exemple dans un entête du FSBL. Cette somme de contrôle de référence est généralement chiffrée et son déchiffrage est effectué en utilisant une clé publique fournie par le logiciel de démarrage initial sécurisé. Dans le cas où l’authentification réussit, le FSBL démarre lors d’une étape S102. Sinon, le dispositif électronique 1 s’arrête lors d’une étape S104.
Lors d’une étape optionnelle S106, une maintenance matérielle de la zone mémoire ZM2 dans laquelle est stocké le SSBL est effectuée avant authentification du SSBL, par exemple en utilisant un système de gestion de fichiers UBI. La maintenance matérielle comprend par exemple une détection d’erreur(s) et le cas échéant une correction des erreurs détectées en utilisant notamment des codes correcteurs d’erreur. Toutefois, si une telle correction par codes correcteurs d’erreur n’est plus possible, e.g. parce que le nombre d’erreurs est trop important, alors une recopie du contenu de la zone mémoire défectueuse par réécriture dans une autre zone mémoire peut être effectuée avant de perdre la totalité du contenu de la zone mémoire défectueuse.
Lors d’une étape S108, le SSBL est authentifié par le FSBL. Plus précisément, une vérification d’intégrité des données présentes dans la zone mémoire ZM2 est effectuée. Cette vérification peut être réalisée par différents moyens, comme un calcul d’une somme de contrôle (e.g. en utilisant des fonctions de hachage de type SHA256) sur les données écrites dans la zone mémoire ZM2, i.e. sur le SSBL. Cette somme de contrôle est ensuite comparée à une somme de contrôle de référence stockée par exemple dans le SSBL dans un entête du SSBL. Cette somme de contrôle de référence est généralement chiffrée et son déchiffrage est effectué en utilisant une clé publique fournie par le FSBL. En cas d’égalité, le SSBL est authentifié. Dans le cas où l’authentification réussit, le SSBL démarre lors d’une étape S110. Sinon, le dispositif électronique 1 s’arrête lors de l’étape S104.
Lors d’une étape optionnelle S112, une maintenance matérielle des zones mémoire ZMA1 et ZMA2 dans lesquelles est stocké par exemple du logiciel applicatif est effectuée avant authentification, par exemple en utilisant le système de gestion de fichiers UBI. Les mêmes mécanismes (détection d’erreur(s), correction d’erreur, recopie, etc) que ceux mis en œuvre à l’étape S106 peuvent être mis en œuvre à l’étape S112.
Lors d’une étape S114, le contenu stocké dans ZMA1 et ZMA2 est authentifié par le SSBL. Plus précisément, une vérification d’intégrité des données présentes dans les zones mémoire ZMA1 et ZMA2 est effectuée. Cette vérification peut être réalisée par différents moyens, comme un calcul d’une somme de contrôle (e.g. en utilisant des fonctions de hachage de type SHA256) sur les données écrites dans chacune des zones mémoire ZMA1 et ZMA2. La somme de contrôle calculée sur les données écrites dans ZMA1 est ensuite comparée à une première somme de contrôle de référence stockée dans un entête de LA1 et la somme de contrôle calculée sur les données écrites dans ZMA2 est ensuite comparée à une seconde somme de contrôle de référence stockée dans un entête de LA2. Ces première et seconde sommes de contrôle de référence sont généralement chiffrées et leur déchiffrage est effectué en utilisant des clés publiques fournies par le SSBL.
Dans le cas où ni ZMA1 ni ZMA2 ne contient du contenu authentifié par le SSBL (cas S114-1), une procédure de secours est mise en œuvre lors d’une étape S116. Par exemple, un contenu basique tel qu’un logiciel applicatif simplifié stocké dans une troisième zone mémoire ZMA3 protégée de manière permanente, e.g. par OTP, peut être utilisé par la procédure de secours. Dans le cas où les deux zones mémoire ZMA1 et ZMA2 contiennent du contenuLA1 (LA2 respectivement) qui a été authentifié par le SSBL (cas S114-2), le procédé continue à l’étape S12. Dans le cas où une seulement des deux zones mémoire ZMA1 ou ZMA2 contient du contenu qui a été authentifié par le SSBL (cas S114-2), le contenu qui a été authentifié par le SSBL est recopié lors d’une étape S118 dans la zone mémoire dans laquelle est stocké le contenu non authentifié. Par exemple, si le contenuLA1 stocké dans ZMA1 est authentifié par le SSBL alors que celui LA2 stocké dans ZMA2 ne l’est pas, le contenu de la zone mémoire ZMA1 est recopié dans ZMA2 et inversement dans le cas où le contenu LA1 stocké dans ZMA1 n’est pas authentifié par le SSBL alors que celui LA2 stocké dans ZMA2 l’est. Une fois la recopie effectuée le procédé continue à l’étape S12.
La illustre un procédé de mise à jour du contenu, e.g. logiciel applicatif, stocké dans les zones ZMAi de la mémoire MNVR 12 selon un mode de réalisation particulier. Le procédé de la est décrit pour du logiciel applicatif mais peut s’appliquer à d’autres types de contenu nécessitant une mise à jour, notamment à d’autres types de logiciel (« firmware » en anglais). Ce procédé s’effectue généralement en tâche de fond alors que le logiciel applicatif est en train de tourner.
Dans le cas où une mise à jour est nécessaire (étape S200), au moins une zone mémoire inactive, i.e. non verrouillée, est sélectionnée par le processeur 101 lors d’une étape S202. Dans le cas où N=2, la zone mémoire qui n’a pas été sélectionnée à l’étape S12 est la zone mémoire inactive sélectionnée à l’étape S202. Dans le cas d’une pluralité de zones mémoire inactives, au moins une zone mémoire inactive, i.e. non verrouillée, est sélectionnée. Dans une variante, toutes les zones inactives sont sélectionnées. Le processeur 101 peut être informé par un serveur qu’une nouvelle version du logiciel applicatif est disponible. Dans une variante de réalisation, le processeur 101 peut interroger régulièrement le serveur pour savoir si une nouvelle version est disponible. Dans les deux cas, le processeur 101 récupère cette nouvelle version auprès du serveur.
Dans une étape S204, le processeur 101 charge la nouvelle version du logiciel applicatif dans la ou les zone(s) mémoire inactive(s) sélectionnée(s) à l’étape S202 et donc qui ne sont pas protégées par verrouillage volatile. Ce nouveau logiciel applicatif est chargé par le processeur 101 par exemple depuis la RAM 102 via des moyens de communication internes ou bien directement, i.e. sans passer par la RAM.
Dans une étape S206, le processeur 101 effectue un contrôle pour vérifier que le chargement de la nouvelle version du logiciel applicatif dans la ou les zone(s) mémoire inactive(s) sélectionnée(s) a fonctionné. Plus précisément, une vérification d’intégrité des données présentes dans la zone mémoire inactive sélectionnée est effectuée. Cette vérification peut être réalisée par différents moyens, comme un calcul d’une somme de contrôle sur les données écrites dans la zone mémoire inactive. Cette somme de contrôle est ensuite comparée à une somme de contrôle de référence calculée sur les données qui correspondent au nouveau logiciel applicatif tel qu’obtenu par le processeur 101. En variante, la vérification est obtenue par une relecture complète et une comparaison des données brutes présentes dans la zone mémoire inactive sélectionnée, avec les données stockées localement dans la RAM 102 et qui correspondent au nouveau logiciel applicatif tel qu’obtenu par le processeur 101. Dans le cas où le chargement de la nouvelle version n’a pas fonctionné correctement, le procédé reprend à l’étape S204. Dans le cas où le chargement de la nouvelle version a fonctionné, le procédé continue à l’étape S208. A l’étape S208, le procédé de mise à jour prend fin par exemple par un redémarrage du dispositif électronique 1 pour utiliser la nouvelle version du logiciel applicatif.
Dans une variante de réalisation non représentée sur la , le processeur 101 détecte sur un réseau la disponibilité d’une nouvelle version d’un contenu, e.g. le logiciel applicatif, stocké sur un serveur et en informe le second module logiciel SSBL. Alternativement, le processeur est informé par le serveur de la disponibilité d’une nouvelle version d’un contenu et en informe le second module logiciel SSBL. A cet effet, la zone mémoire BAL est avantageusement utilisée pour informer le SSBL de la disponibilité d’une nouvelle version d’un contenu. L’adresse du serveur auprès duquel récupérer ladite nouvelle version peut notamment être indiqué dans la BAL. Le SSBL est adapté pour, lors d’un redémarrage, récupérer l’adresse du serveur dans la BAL, se connecter audit serveur, recevoir cette nouvelle version du contenu et considérer cette nouvelle version afin de compléter le processus redémarrage.
Le comportement du dispositif électronique 1, et plus particulièrement de la mémoire MNVR 12, lors d’une phase de mise à jour va maintenant être décrit. En référence aux diagrammes de séquences des Figs 7 et 8, la description porte sur un scénario où initialement la zone mémoire ZMA1 est active et donc protégée contre toutes modifications par verrouillage volatile alors que la zone ZMA2 est inactive et donc non protégée contre toutes modifications. Sur les Figs 7 et 8, ZMA1 et ZMA2 comprennent initialement la même version m du contenu en l’occurrence du logiciel applicatif. Toutefois, ZMA2 pourrait comprendre une version plus ancienne, e.g. une version (m-1). Dans l’exemple de la , les deux zones mémoire peuvent être protégées alternativement par verrouillage volatile alors que dans la seule la zone mémoire ZMA1 peut être protégée par verrouillage volatile.
En référence à la , à un instant t0, une mise à jour est effectuée, e.g. parce qu’une version (m+1) du logiciel applicatif est disponible. Suite à cette mise à jour et donc au chargement à l’étape S204 de la nouvelle version (m+1) du logiciel applicatif dans la zone mémoire inactive, i.e. ZMA2, la zone mémoire ZMA2 qui est toujours non verrouillée comprend la nouvelle version m+1 du logiciel. La zone mémoire ZMA1 n’a, quant à elle, pas été modifiée par le procédé de mise à jour.
A un instant t1, un redémarrage S10 du dispositif électronique 1 est effectué suite à la mise à jour. Le redémarrage a notamment pour effet d’enlever le verrouillage volatile de la zone mémoire ZMA1 et le cas échéant de ZM2. Le redémarrage comprend la mise en œuvre du procédé de verrouillage décrit en référence à la . En supposant que tout se déroule correctement, i.e. notamment que les logiciels stockés dans les différentes zones mémoire de MNVR 12 sont authentifiés, le FSBL démarre à un temps t2, puis le SSBL démarre à un temps t3.
Les zones mémoire ZMA1 et ZMA2 sont analysées. La zone mémoire ZMA2 qui comprend une version plus récente du logiciel applicatif est sélectionnée S12 à un temps t4 et devient la nouvelle zone mémoire active. ZMA2 et le cas échéant ZM2 sont alors protégées S14 par verrouillage volatile à un instant t5. La nouvelle version de logiciel applicatif stocké dans ZMA2 démarre S16 à un instant t6.
Les particules 410 peuvent avoir des tailles et des formes très différentes.
Le diamètre des particules 410 est par exemple compris entre 1 et 15 µm.
Les particules 410 sont par exemple sphériques.
Les particules 410 sont recouvertes par une couche fluorée 411. La couche fluorée 411 comprend des molécules ayant un groupement fluoré, ce qui améliore la compatibilité entre la particule et la coquille de la particule.
Avantageusement, les molécules de la couche fluorée 411 comprennent en outre un groupement acide carboxylique pour améliorer le greffage du composé sur le cœur des particules.
La couche fluorée 411 a, par exemple, une épaisseur inférieure à 30 nm et de préférence inférieure à 10 nm.
De préférence, la couche fluorée 411 est une couche d’acide heptafluorobutyrique.
Selon un mode de réalisation avantageux, les particules 410 sont recouvertes par une coquille électriquement conductrice 412.
La couche électriquement conductrice 412 formant la coquille est de préférence un matériau polymère, de préférence choisi parmi le PEDOT-PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate), la polyaniline ou la polypyrone. La coquille est en un polymère compatible avec la matrice polymérique du matériau composite. Ceci évite les phénomènes d’agglomération et donc les points de concentration de contraintes, le courant de fuite ainsi que les pertes diélectriques. De plus, on obtient ainsi un champ électrique plus uniforme.
De préférence, la coquille 412 est en PEDOT-PSS, un polymère qui présente généralement des conductivités inférieures à 10 -3 S/cm, voire inférieures à 10 -4 S/cm voire inférieures à 10 -5 S/cm.
La coquille 412 a par exemple une épaisseur comprise entre 100nm et 500nm, de préférence entre 100nm et 300nm.
Ainsi, on obtient un matériau composite 400 dans lequel la distribution du champ électrique est équilibrée dans tous le composite, ce qui facilite la polarisation du composite.
Le matériau composite comprend des particules de PEDOT-PSS 430.
De préférence, la conductivité des particules de PEDOT-PSS 430 est inférieure à 10 -4 S/m.
Dans l'exemple représenté, l'élément chauffant 166 de chaque commutateur C1, C2 du deuxième élément d'antenne 105b comporte une première extrémité, ou borne, connectée à la région centrale 140C du plan conducteur 140 et une deuxième extrémité, ou borne, connectée à un nœud N1, N2 d'application d'un potentiel de polarisation Vpol1, Vpol2. Plus précisément, dans cet exemple, la première borne de chaque élément chauffant 166 est connectée, par un via conducteur 170, à une extrémité d'une piste conductrice 172, l'autre extrémité de la piste conductrice 172 étant connectée à la région 140C par un autre via conducteur 174. La deuxième borne de chaque élément chauffant 166 est connectée, par encore un autre via conducteur 176, à une extrémité d'une autre piste conductrice 178, l'autre extrémité de la piste conductrice 178 étant connectée au nœud N1 ou au nœud N2 correspondant. On peut prévoir que les nœuds N1 et N2 soient situés dans le niveau de métallisation du plan conducteur 140, les extrémités des pistes conductrices 178 étant alors par exemple connectées aux nœuds N1 et N2 par des vias conducteurs non représentés en .
À titre d'exemple, les pistes conductrices 170 et 178 sont formées sur et en contact avec la face supérieure d'une couche électriquement isolante (non représentée), par exemple une couche de dioxyde de silicium présentant une épaisseur environ égale à 3 µm, revêtant la face supérieure de la couche 168.
Les potentiels de polarisation Vpol1 et Vpol2 appliqués aux nœuds N1 et N2 permettent de commander le passage d'un courant électrique à travers les éléments chauffants 166 des commutateurs C1 et C2. En contrôlant l'intensité et la durée de circulation de ce courant, on peut par exemple ajuster les températures T1, T2 et les durées d1, d2 permettant de provoquer les changements de phase du matériau de la région 160 comme exposé précédemment.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, illustrant une variante de réalisation du deuxième élément d'antenne 105b de la et du réseau d'interconnexion de la . Dans cette variante, les pistes conductrices 172 et 178 et le plan conducteur 140 sont situés dans un même plan et les vias 174 sont omis. Les pistes 172 et 178 et le plan 140 sont par exemple formés dans un même niveau de métallisation. Les pistes conductrices 172 et 178 sont par exemple connectées aux extrémités des éléments chauffants 166 par des vias conducteurs non représentés en . Dans l'exemple représenté, la région périphérique 140P du plan conducteur 140 comporte deux ouvertures 180 permettant le passage des pistes conductrices 178 connectant les éléments chauffants 166 aux nœuds N1, N2 depuis l'intérieur de l'ouverture annulaire 142 vers l'extérieur de la région périphérique 140P. Dans cet exemple, les ouvertures 180 sont diamétralement opposées par rapport au via conducteur central 116.
Bien que cela n'ait pas été représenté en figures 8 et 9, les pistes conductrices 172 et/ou 178 peuvent comporter des filtres radiofréquence.
La est une vue de côté, schématique et partielle, d'un exemple d'antenne 200 à réseau réflecteur du type auquel s'appliquent, à titre d'exemple, des modes de réalisation décrits.
L'antenne 200 comprend typiquement une ou plusieurs sources primaires 201 (une unique source 201, dans l'exemple représenté) irradiant un réseau réflecteur 203. La source 201 peut présenter une polarisation quelconque, par exemple linéaire ou circulaire. Le réseau 203 comprend une pluralité de cellules élémentaires 205, par exemple disposées en matrice selon des lignes et des colonnes. Chaque cellule 205 comprend typiquement un élément d'antenne 205a, situé du côté d'une première face du réseau 203 disposée en regard de la source primaire 201, et un élément réflecteur 205b, situé du côté d'une deuxième face du réseau opposée à la première face. La première face du réseau 203 est par exemple tournée vers un milieu d'émission de l'antenne 200. L'élément réflecteur 205b est par exemple, comme illustré en , commun à toutes les cellules élémentaires 205 du réseau 203.
Chaque cellule 205 est apte, en émission, à recevoir un rayonnement électromagnétique émis par la source 201 sur son élément d'antenne 205a et à réémettre ce rayonnement, après réflexion par l'élément réflecteur 205b, depuis son élément d'antenne 205a, par exemple en introduisant un déphasage ϕ connu. En réception, chaque cellule 205 est apte à recevoir un rayonnement électromagnétique sur son élément d'antenne 205a et à réémettre ce rayonnement, après réflexion par l'élément réflecteur 205b, depuis son élément d'antenne 205a, en direction de la source 201, avec le même déphasage ϕ. Le rayonnement réémis par l'élément d'antenne 205a est par exemple focalisé sur la source 201.
Les caractéristiques du faisceau produit par l'antenne 200, notamment sa forme (ou gabarit) et sa direction d'émission maximale (ou direction de pointage), dépendent des valeurs des déphasages respectivement introduits par les différentes cellules 205 du réseau 203.
Les antennes à réseau réflecteur présentent des avantages similaires à ceux des antennes à réseau transmetteur.
On s'intéresse ici plus particulièrement aux antennes à réseau réflecteur 203 reconfigurable, c'est-à-dire dont les cellules élémentaires 205 sont commandables électroniquement de façon individuelle pour modifier leur valeur de déphasage ϕ de façon analogue à ce qui a été précédemment décrit en relation avec l'antenne 100 à réseau transmetteur 103.
La est une vue en perspective, schématique et partielle, d'une cellule élémentaire 205 du réseau réflecteur 203 de l'antenne 200 de la selon un mode de réalisation.
Selon ce mode de réalisation, l'élément d'antenne 205a de la cellule élémentaire 205 comprend une antenne à plaque 210, adaptée à capter le rayonnement électromagnétique émis par la source 201 et à émettre, vers l'extérieur de l'antenne 200, un signal déphasé, et l'élément réflecteur 205b comprend un plan de masse 212. Dans l'exemple représenté, la cellule élémentaire 205 comprend en outre une structure 214 d'interconnexion, une structure 216 de filtrage ou découplage radiofréquence, et une ligne à retard 218.
L'antenne 210, la ligne à retard 218, la structure 216, la structure 214 et le plan de masse 212 sont par exemple respectivement formés dans cinq niveaux de métallisation successifs, superposés et séparés les uns des autres par des couches diélectriques.
Dans l'exemple représenté, un via conducteur central 220 connecte l'antenne 210 au plan de masse 212. Plus précisément, dans l'orientation de la , le via 220 présente une extrémité inférieure en contact avec une face supérieure de l'antenne 210 et une extrémité supérieure en contact avec une face inférieure du plan de masse 212. Le via 220 est en outre connecté à une partie centrale de la structure 214 d'interconnexion. Comme illustré en , des vias conducteurs 222 connectent des extrémités de la structure 214 au plan de masse 212. En outre, des vias conducteurs 224 connectent des extrémités de la structure 216 de filtrage radiofréquence à l'antenne à plaque 210 et d'autres vias conducteurs 226 connectent des extrémités de la ligne à retard 218 à l'antenne 210.
L'antenne 210, la ligne à retard 218, la structure 216 de filtrage radiofréquence, la structure 214 d'interconnexion et le plan de masse 212 sont décrits plus en détail ci-dessous en relation avec les figures respectivement 12 à 16.
Dans un mode de réalisation particulier, ledit contenu est un logiciel applicatif et la seconde étape d’initialisation du dispositif électronique comprend le démarrage dudit logiciel applicatif.
Dans un mode de réalisation particulier, le procédé comprend en outre après l’étape d’effectuer une seconde étape d’initialisation du dispositif électronique en utilisant le contenu stocké dans ladite au moins une zone mémoire sélectionnée :
déterminer qu’une mise à jour est nécessaire ; sélectionner parmi l’ensemble de N zones mémoire au moins une zone mémoire non verrouillée ; charger une nouvelle version du contenu dans ladite au moins une zone mémoire non verrouillée sélectionnée ; redémarrer ledit dispositif électronique.
Un dispositif électronique comprenant une mémoire non-volatile réinscriptible et au moins un processeur est également décrit. Le dispositif électronique est configuré pour :
- effectuer une première étape d’initialisation du dispositif électronique ;
- sélectionner au moins une zone mémoire de ladite mémoire non-volatile réinscriptible parmi un ensemble de N zones mémoire de ladite mémoire non-volatile réinscriptible, chacune desdites N zones mémoire comprenant un contenu, N étant un entier ≥ 2 ;
- verrouiller ladite au moins une zone mémoire sélectionnée par un verrouillage volatile ; et
- effectuer une seconde étape d’initialisation du dispositif électronique en utilisant un contenu stocké dans ladite au moins une zone mémoire sélectionnée.
Le dispositif électronique est notamment configuré pour mettre en œuvre le procédé selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents.
Un produit programme d’ordinateur est décrit. Il comprend des instructions pour mettre en œuvre le procédé de verrouillage selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents, lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.