Puce de circuit intégré photonique-électronique formée sur un substrat semiconducteur sur isolant, lequel substrat semiconducteur sur isolant comprend une couche diélectrique enterrée (11) et une couche active de matériau semiconducteur (12), ladite puce comprenant une partie de circuit électronique (CE1, CE2) et une interface photonique d’interconnexion (IPI) de la partie de circuit électronique co-intégrées dans la couche active et étant caractérisée en ce que la partie de circuit électronique (CE1, CE2) est formée dans une région de la couche active (RE1, RE2) dont l’épaisseur est plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active (RP) dans laquelle est formée ladite interface photonique (IPI). Puce selon la revendication 1, dans laquelle la région de la couche active (RP) dans laquelle ladite interface photonique est formée est prise en sandwich entre la couche diélectrique enterrée (11) et une région diélectrique superficielle (21) et la région de la couche active dans laquelle la partie de circuit électronique est formée est dépourvue d’une couche diélectrique superficielle. Puce selon l’une des revendications 1 et 2, dans laquelle l’épaisseur de la région de la couche active (RE1, RE2) dans laquelle la partie de circuit électronique est formée est supérieure à 0,2µm, de préférence supérieure à 0,5µm. Puce selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle l’épaisseur de la région de la couche active (RP) dans laquelle ladite interface photonique est formée est comprise entre 0,2µm et 0,5µm. Puce selon l’une des revendications 1 à 4, dans laquelle la couche diélectrique enterrée (11) présente une épaisseur supérieure à 1µm, de préférence supérieure à 2µm. Puce selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle l’interface photonique comprend au moins un guide d’ondes et, de préférence, une partie de circuit photonique actif. Puce selon l’une des revendications 1 à 6, dans laquelle la partie de circuit électronique comprend un module logique à transistors, les transistors étant par exemple de type FinFET ou GAAFET. Substrat semiconducteur sur isolant comprenant une couche diélectrique enterrée (11) et une couche active de matériau semiconducteur (12), caractérisé en ce qu’une région de la couche active (RP) destinée à la formation d’une partie de circuit électronique est d’épaisseur plus importante que l’épaisseur d’une région de la couche active (RE1, RE2) destinée à la formation d’une interface photonique d’interconnexion de la partie de circuit électronique. Procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant selon la revendication 8, comprenant un transfert de la couche active (12) d’un substrat donneur (10) vers un substrat support (20). Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre une gravure localisée de la couche active transférée pour former la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre la formation d’une couche diélectrique en surface de la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre la formation de la région de la couche active destinée à la formation de la partie de circuit électronique au moyen d’une épitaxie localisée. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la formation de la région de la couche active destinée à la formation de la partie de circuit électronique est précédée des étapes d’oxydation de la couche active transférée pour former une couche diélectrique (14) et de retrait localisé de la couche diélectrique, la couche diélectrique restante (21) après retrait localisé servant de masque pour l’épitaxie localisée. Procédé selon la revendication 12, comprenant la formation d’une couche diélectrique (21) en surface d’une région de la couche active n’ayant pas fait l’objet de l’épitaxie localisée. Procédé de fabrication d’une puce de circuit intégré photonique-électronique, comprenant les étapes suivantes : fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant conformément au procédé selon la revendication 9 ; formation d’une partie de circuit électronique dans la région de la couche active destinée à la formation d’une partie de circuit électronique ; formation d’une interface photonique d’interconnexion dans la région de la couche active destinée à la formation d’une interface photonique d’interconnexion de la partie de circuit électronique. Procédé selon la revendication 15, dans lequel la fabrication du substrat semi-conducteur sur isolant comprend, avant ou après tout ou partie de la formation de l’interface photonique d’interconnexion, la formation d’une couche diélectrique en surface de la région de la couche active destinée à la formation de l’interface photonique d’interconnexion.