Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comprenant une couche utile (10) en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant: a) une étape de fourniture d’un substrat initial (21) en carbure de silicium poly-cristallin, présentant une face avant et comportant des grains dont la taille moyenne, dans le plan de ladite face avant, est supérieure à 0,5μm ; b) une étape de formation d’une couche superficielle (22) en carbure de silicium poly-cristallin, sur le substrat initial (21), pour former le substrat support (20), la couche superficielle (22) étant constituée de grains dont la taille moyenne est inférieure à 500nm et présentant une épaisseur comprise entre 50nm et 50μm ; c) une étape de préparation d’une surface libre de la couche superficielle (22) du substrat support (20) pour obtenir une rugosité inférieure à 1nm RMS ; d) une étape de transfert de la couche utile (10) sur le substrat support (20), basée sur un collage par adhésion moléculaire, la couche superficielle (22) se trouvant disposée entre la couche utile (10) et le substrat initial (21). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape a) est opérée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur, à une température comprise entre 1100°C et 1500°C. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) est opérée par une technique de frittage ou par une technique de dépôt physique en phase vapeur. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape b) comprend un dépôt d’une couche en carbure de silicium poly-cristallin et est opérée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur à une température inférieure ou égale à 1100°C, voire inférieure ou égale à 1000°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, l’étape b) est réalisée dans le même équipement que l’étape a) et à la suite de celle-ci, sans ramener le substrat initial à l’atmosphère ambiante. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape b) comprend un dépôt d’une couche en carbure de silicium amorphe sur le substrat initial (21) et un recuit de recristallisation, pour former la couche superficielle (22) en carbure de silicium poly-cristallin. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche superficielle (22) formée à l’étape b) présente une concentration en dopants comprise entre 1E18/cm 3 et 1E21/cm 3 . Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape c) comprend un polissage mécano-chimique de la couche superficielle (22), impliquant un enlèvement compris entre 1 et 10 fois la taille moyenne des grains constituant ladite couche superficielle (22). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape d) comprend les phases suivantes : d1) la fourniture d’un substrat donneur (1) ; d2) l’introduction d’espèces légères dans le substrat donneur (1) pour former un plan fragile enterré (11) délimitant, avec une face avant du substrat donneur (1), la couche utile (10) à transférer ; d3) l’assemblage de la face avant du substrat donneur (1) sur le substrat support (20), par collage par adhésion moléculaire ; d4) la séparation le long du plan fragile enterré (11) menant au report de la couche utile (10) sur le substrat support (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, comprenant la formation d’une deuxième couche superficielle, de même nature que la couche superficielle (22), sur la face avant du substrat donneur (1), avant ou après la phase d2). Procédé de fabrication selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel l’étape d) comprend, avant la phase d3) d’assemblage, le dépôt d’un film additionnel en un matériau métallique ou en silicium sur la couche superficielle (22) du substrat support (20) et/ou sur la face avant du substrat donneur (1). Substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin comprenant : - un substrat initial (21) comportant des grains de carbure de silicium, lesdits grains présentant une taille moyenne supérieure à 0,5μm, - une couche superficielle (22) disposée au moins sur une face avant du substrat initial (21), comportant des grains de carbure de silicium dont la taille moyenne est inférieure à 500nm, et présentant une épaisseur comprise entre 50nm et 50μm. Substrat support (20) selon la revendication précédente, dans lequel une surface libre de la couche superficielle (22) présente une rugosité inférieure à 1nm RMS et moins de 1 défaut/cm 2 , par une mesure de défectivité par microscopie par réflexion en champ sombre, à un seuil de 0,5μm. Substrat support (20) selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche superficielle (22) est comprise entre 200nm et 5μm. Substrat support (20) selon l’une des trois revendications précédentes, dans lequel la couche superficielle (22) présente une concentration en dopants comprise entre 1E18/cm 3 et 1E21/cm 3 . Structure composite (100) comprenant : - le substrat support (20) selon l’une des quatre revendications précédentes, - une couche utile (10) en carbure de silicium monocristallin disposée sur la couche superficielle (22). Structure composite (100) selon la revendication précédente, comprenant en outre au moins un dispositif de puissance sur ou dans la couche utile (10).