INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La illustre un couvercle 51 selon un autre mode de réalisation. Ce mode de réalisation diffère du mode de réalisation de la en ce que le couvercle 51 présente une fonctionnalité additionnelle, à savoir une fonction de support d’un élément fonctionnel 52 du dispositif de transmission. L’élément fonctionnel 52, supporté par le couvercle 51 peut notamment être une sonde de température, un bouchon de vidange, un aimant ayant pour fonction de capter les débris métalliques présents à l’intérieur du carter 13 ou un dispositif de connexion électrique, par exemple destiné à être raccordé à un actionneur électrique disposé à l’intérieur du carter 13. Comme représenté sur la , le couvercle 51 comporte un évidement 53 au travers duquel est emmanché l’élément fonctionnel 52.
La illustre un couvercle 66 selon encore un autre mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, le couvercle 66 présente sur la face externe de sa paroi de fond un élément de guidage 67 pour guider un fil, tel qu’un fil destiné à alimenter électriquement un actionneur ou un capteur du dispositif de transmission, ou pour guider un tuyau, tel qu’un tuyau d’un circuit de fluide de refroidissement.
La illustre encore un autre mode de réalisation. Ce mode de réalisation diffère des modes de réalisation décrits précédemment en ce que la précharge des paliers à roulement 24, 25 n’est pas réalisée par le couvercle 54 fermant l’ouverture 37 débouchant dans le logement 26 mais par un élément de précharge 55 dédié.
Dans ce mode de réalisation, l’élément de précharge 55 comporte un manchon 56 qui est disposé radialement entre la bague externe 30 du palier à roulement 24 et la surface de portée externe 32 du premier logement 26. Le manchon 56 comporte un épaulement 57 qui est positionné en appui contre le palier à roulement 24, et plus particulièrement contre le bord de la bague externe 30 du palier à roulement 24 qui est opposé à l’ouverture 37. Le manchon 56 comporte également une portion 58 qui fait saillie au-delà du bord de la bague externe 30 le plus proche de l’ouverture 37.
Dans ce mode de réalisation, l’on exerce une force de traction sur l’élément de précharge 55 selon le sens représenté par la flèche f2. Ainsi, l’élément de précharge 55 se déplace axialement par rapport au carter 13 selon le sens f2 jusqu’à ce que la force de traction atteigne une valeur de consigne. Selon le mode de réalisation représenté, la portion 58 du manchon 56 comporte des trous radiaux 68 qui sont destinés à recevoir des doigts d’un outil de traction.
Dans un tel mode de réalisation, le palier à roulement 24 est bloqué axialement sur l’arbre 23 selon le sens f2, par exemple au moyen d’un circlip 69. De même, l’autre palier à roulement 25 est bloqué axialement sur l’arbre 23 selon le sens f1 opposé au sens f2. De plus, l’autre logement 27 comporte une surface d’appui axiale 36 qui, par rapport au mode de réalisation représentée sur la , est positionnée du l’autre côté du palier à roulement 25. Ainsi, l’effort de traction exercé sur le palier à roulement 24 par l’élément de précharge 55 transite par l’arbre 23 et l’autre palier à roulement 25 et est repris par la surface d’appui axiale 36 de l’autre logement 27. La surface d’appui axiale 36 exerce alors une force de réaction de sens contraire à f2 sur le palier à roulement 25. Les deux paliers à roulements 24, 25 sont ainsi préchargés axialement par l’élément de précharge 55. L’élément de précharge 55 est fixé axialement par rapport au carter 13 dans ladite position de précharge. L’élément de précharge 55 est, par exemple, soudé à la surface de portée externe 32 du logement 27. Par la suite, un couvercle 59 est disposé de manière à fermer l‘ouverture 37 et est soudé de manière étanche à la première partie du carter 13 tout autour de l’ouverture 37.
Un tel élément de précharge 55 peut notamment être utilisé pour précharger deux paliers à roulement 24, 25 d’un arbre 23 guidé en rotation par trois paliers à roulement 24, 25, 60, tel que représenté sur la .
Dans un tel cas, le carter 13 peut, par exemple, comporter trois parties 14, 15, 61 qui sont fixées les unes aux autres et comprenant chacune un logement 26, 27, 62 destiné à recevoir l’un des trois paliers à roulement 24, 25, 60. Le logement 27 de la partie 15 du carter 13 comporte une surface d’appui axial 36 contre laquelle est destinée à venir en butée la bague externe 30 du palier à roulement 25.
Ainsi, le palier à roulement 24 qui est logé dans le logement 26 disposé du côté de la surface d’appui axiale 36 est préchargé axialement au moyen d’un élément de précharge 55, tel que décrit ci-dessus en relation avec la , qui exerce un effort de traction sur ledit palier à roulement 24. Cet élément de précharge 55 permet également de précharger axialement le palier à roulement 25 entre la surface d’appui axiale 36 et un élément 70, tel qu’un circlip, bloquant axialement le palier à roulement 25 sur l’arbre 23 selon un sens opposé à f2. Un couvercle 70 est également inséré à l’intérieur du logement 27 afin de le fermer.
Le troisième palier à roulement 60 qui est logé dans la partie 61 du carter 13 disposée entre les deux autres parties 15, 16 n’est quant à lui pas préchargé axialement, dans le mode de réalisation représenté.
Bien que l'invention ait été décrite en liaison avec plusieurs modes de réalisation particuliers, il est bien évident qu'elle n'y est nullement limitée et qu'elle comprend tous les équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci entrent dans le cadre de l'invention telle que définie par les revendications.
Dans les revendications, tout signe de référence entre parenthèses ne saurait être interprété comme une limitation de la revendication .
Le photosite 1 comprend en outre N ensembles Si, avec i un indexe entier et N un entier ayant une valeur, par exemple, comprise entre 1 et 4. Dans l'exemple de la , N est égal à 2.
N correspond au nombre d'échantillons que le photosite peut acquérir à chaque phase d'intégration.
Chaque ensemble Si (S1 et S2 en ) comprend un interrupteur TGZi (TGZ1 et TGZ2 en ) couplant le noeud 102 à un noeud Ni (N1 et N2 en ) de l'ensemble. Par exemple, chaque interrupteur TGZi est une grille de transfert.
Dans l'exemple de la , le photosite 1 est configuré pour fonctionner dans le domaine des tensions ("voltage domain" en anglais).
Chaque noeud Ni est alors connecté à un circuit de lecture du photosite 1. Dans l'exemple de la , ce circuit de lecture comprend, pour chaque ensemble Si, un circuit de lecture Ri (R1 et R2 en ). Chaque circuit Ri comprend, par exemple, un transistor RSTi (RST1 et RST2 en ) couplant le noeud Ni à un noeud 106 configuré pour recevoir un potentiel VRST d'initialisation des noeuds Ni. Chaque circuit Ri comprend en outre, par exemple, un transistor SFi (SF1 et SF2 en ) monté en source suiveuse ayant sa grille connectée au noeud Ni, son drain connecté à un noeud 108 configuré pour recevoir un potentiel VSF de polarisation, et sa source couplée à une ligne de lecture Vxi (Vx1 et Vx2 en ) du photosite par un transistor RDi (Rd1 et Rd2 en ) de lecture.
Dans le photosite 1, en dehors des phases d'intégration, les transistors TGZi sont à l'état bloqués. En outre, pour éviter que la zone PD ne se remplisse pas complètement de charges photogénérées qui déborderaient ensuite vers les noeuds Ni, le transistor TGRST est maintenu à l'état passant de sorte que toutes les charges photogénérées dans la zone PD sont évacuées vers le noeud 104.
Dans le photosite 1, lors de chaque phase d'intégration, les transistors TGZi sont mis à l'état passant chacun à leur tour, de manière simultanée dans tous les photosites du capteur, à une fréquence et pendant une durée qui sont déterminées par la fréquence Fmod et par le nombre d'échantillons (3 ou 4) que chaque pixel va acquérir pour déterminer un déphasage. A chaque mise à l'état passant d'un transistor TGZi, le transistor TGRST est mis à l'état bloqué, de sorte que des charges photogénérées sont transférées de la zone PD vers le noeud Ni correspondant. De préférence, chaque phase d'intégration correspond à plusieurs mises à l'état passant de chacun des transistors TGZi. En outre, lorsque les transistors TGZi du photosite 1 sont tous à l'état bloqués, le transistor TGRST est mis à l'état passant pour éviter que la zone PD ne se remplisse pas complètement de charges photogénérées qui déborderaient ensuite vers les noeuds Ni.
Dans le photosite 1, à la fin de phase d'intégration, un échantillon est présent sur chaque noeud Ni.
Pendant la phase de lecture suivante, les échantillons présents sur les noeuds Ni du photosite 1 sont lus par l'intermédiaires du circuit de lecture connecté aux noeuds Ni. Par exemple, le noeud N1 est lu par le circuit R1 en rendant passant le transistor RD1 et le noeud N2 est lu par le circuit R2 en rendant passant le transistor RD2. Les deux noeuds N1 et N2 peuvent être lu simultanément lorsque la ligne Vx1 est distincte de la ligne Vx2, ou de manière séquentielle lorsque les lignes Vx1 et Vx2 du photosite 1 sont confondues.
La illustre un autre exemple d'un circuit d'un photosite 2.
Le photosite 2 correspond au photosite 1 adapté à un fonctionnement dans le domaine des charges ("charges domain" en anglais). Seules les différences du photosite 2 par rapport au photosite 1 sont ici mises en exergue.
Par rapport au photosite 1 décrit en relation avec la , les noeuds Ni des ensembles Si ne sont pas directement connecté au circuit de lecture du photosite. Plus particulièrement, pour chaque ensemble Si, le photosite 2 comprend un transistor TGRDi (TGRD1 et TGRD2 en ) connecté entre le noeud Ni et un noeud Ni' (N'1 et N'2 en . Ce sont les noeuds N'i qui sont directement connectés au circuit de lecture du photosite 2.
Dans l'exemple de la , le circuit de lecture du photosite 2 comprend, pour chaque noeud N'i, un circuit Ri connecté au noeud N'i, de manière similaire à la façon dont chaque circuit Ri est connecté à un noeud Ni correspondant en . Ainsi, dans cet exemple, chaque noeud Ni peut être lu en rendant passant le transistor TGRDi correspondant, puis en lisant le noeud N'i grâce au circuit Ri correspondant, en rendant passant le transistor RDi. Les deux noeuds N'1 et N'2 peuvent être lu simultanément lorsque la ligne Vx1 est distincte de la ligne Vx2, ou de manière séquentielle lorsque les lignes Vx1 et Vx2 du photosite 1 sont confondues.
Dans un autre exemple non illustré, les noeuds N'i peuvent être confondus, les circuits Ri étant alors également confondus.
Dans le photosite 2, par rapport au photosite 1, chaque ensemble Si comprend un élément capacitif Ci (C1 et C2 en ) connecté au noeud Ni correspondant. L'élément capacitif Ci est par exemple un élément capacitif pincé de type capacité CDTI, de façon à favoriser le transfert des charges.
Le fonctionnement des transistors TGZi et TGRST du photosite 2 est similaire à celui décrit pour le photosite 1.
Une couche d’abstraction matérielle HAL est prévue entre l’application APP et les registres REG du périphérique IP. L’application APP est configurée pour appeler la couche d’abstraction matérielle HAL pour interagir avec les registres du périphérique IP. La couche d’abstraction matérielle HAL est une couche logicielle enregistrée dans la mémoire MEM.
La couche d’abstraction matérielle HAL sert ainsi d’intermédiaire dans les transactions entre l’application APP et les registres du périphérique IP.
Le système sur puce est configuré pour mettre en œuvre un procédé de transaction entre l’application APP et le périphérique IP.
Les figures 2 à 5 illustrent un mode de mise en œuvre d’un tel procédé de transaction.
Le procédé comprend une étape 20, illustrée à la , dans laquelle l’application APP appelle la couche d’abstraction matérielle HAL pour effectuer une transaction avec le périphérique IP.
En particulier, l’application APP transmet à la couche d’abstraction matérielle HAL une configuration de transaction HALCONF, puis la couche d’abstraction matérielle HAL traduit cette configuration de transaction et écrit la configuration de transaction traduite CONF dans les registres PRGF de configuration du périphérique IP. Le périphérique IP génère ensuite une valeur aléatoire RND dans un de ses registres. Si le périphérique est un circuit de cryptographie, la configuration de transaction traduite CONF peut être une valeur de hachage de la clé de cryptographie (c’est-à-dire le résultat d’une fonction de hachage prenant en entrée la clé de cryptographie).
Le procédé comprend ensuite une étape 21, illustrée à la , dans laquelle la couche d’abstraction matérielle HAL lit la configuration de transaction CONF écrite dans les registres de configuration du périphérique IP. La couche d’abstraction matérielle HAL traduit cette configuration de transaction puis transmet sa traduction HALCONF à l’application APP. La couche d’abstraction matérielle HAL lit également le registre comprenant la valeur aléatoire RND puis transmet cette valeur aléatoire RND à l’application APP. Si le périphérique est un circuit de cryptographie, la couche d’abstraction matérielle lit la valeur de hachage de la clé de cryptographie qu’elle transmet ensuite à l’application, pour que cette dernière puisse la contrôler.
Le procédé comprend ensuite une étape 22, illustrée à la , dans laquelle l’application APP transmet à la couche d’abstraction matérielle HAL la configuration de transaction HALCONF et la valeur aléatoire RND reçues à l’étape 21. Si le périphérique est un circuit de cryptographie, l’application APP transmet à la couche d’abstraction matérielle HAL la valeur de hachage de la clé de cryptographie reçue à l’étape 21.
La couche d’abstraction matérielle HAL traduit ensuite cette configuration de transaction et calcule une configuration de transaction transformée CONFT à partir de la configuration de transaction traduite CONF. Par exemple, la couche d’abstraction matérielle HAL peut calculer un complément à un de la configuration de la transaction traduite CONF.
La couche d’abstraction matérielle HAL peut également effectuer une transformation de la valeur aléatoire RND reçue pour obtenir une valeur aléatoire transformée RNDT. Par exemple, la couche d’abstraction matérielle HAL peut calculer un complément à un de la valeur aléatoire.
Puis, la couche d’abstraction matérielle HAL écrit la configuration de transaction transformé CONFT et la valeur aléatoire RND ou la valeur aléatoire transformée RNDT dans des registres du périphérique IP. Ici, la couche d’abstraction matérielle HAL écrit la configuration de transaction transformé CONFT dans des registres PRGFT du périphérique IP et la valeur aléatoire transformée RNDT dans un autre registre du périphérique IP.
Si le périphérique est un circuit de cryptographie, la couche d’abstraction matérielle HAL calcule une valeur de hachage transformée de la clé de cryptographie à partir de la valeur de hachage transmise par l’application APP, puis écrit cette valeur de hachage transformée dans les registres du périphérique IP.
Le procédé comprend ensuite une étape 24, illustrée à la , dans laquelle le périphérique IP calcule une configuration de transaction transformée CONFTP à partir de la configuration CONF enregistrée dans les registres de configuration PRGF du périphérique IP. Cette configuration de transaction transformée CONFTP est calculée de la même manière que la configuration de transaction CONFT calculée précédemment par la couche d’abstraction matérielle HAL. Par exemple, le périphérique IP peut calculer un complément à un de la configuration de transaction CONF enregistrée dans les registres de configuration du périphérique IP.
Pour calculer la configuration de transaction transformée CONFTP, le périphérique IP comprend un circuit (non représenté) configuré pour effectuer ce calcul. Par exemple, le circuit peut être configuré pour générer un complément à un de la configuration transformée enregistrée dans les registres de configuration.
Dans le cas où, la couche d’abstraction matérielle HAL a précédemment calculé une valeur aléatoire transformée RNDT, le périphérique IP calcule également une valeur aléatoire transformée RNDTP à partir de la valeur aléatoire RND générée par le périphérique IP à l’étape 20.
La configuration de transaction transformée CONFTP calculée par le périphérique IP et la configuration de transaction transformée CONFT calculée par la couche d’abstraction matérielle HAL sont ensuite comparées par le périphérique IP. De même, la valeur aléatoire RND générée par le périphérique IP ou la valeur aléatoire transformée RNDTP calculée par le périphérique IP est ensuite comparé à la valeur aléatoire ou à la valeur aléatoire transformée RNDT écrite par la couche d’abstraction dans les registres du périphérique IP. Ici, c’est la valeur aléatoire transformée RNDTP calculée par le périphérique IP qui est comparé à la valeur aléatoire transformée RNDT écrite par la couche d’abstraction dans les registres du périphérique IP.
Le canal de différents guides d’ondes peut être non rectiligne. Les guides d’onde de la deuxième couche peuvent être incurvés.
La courbure des différents guides d’onde de la deuxième couche peut être variable. Par exemple, les guides d’onde en périphérie peuvent être davantage incurvés que les guides d’onde au centre.
Les ports de la quatrième couche peuvent constituer les entrées d’un polariseur.
Une première extrémité de tous les guides d’onde peut se trouver dans un premier plan, tandis qu’une une seconde extrémité de tous les guides d’onde se trouve dans un second plan.
Le module est avantageusement un module réalisé par fabrication additive.
La fabrication additive permet de notamment de réaliser des guides d’onde de forme complexe, notamment des guides d’onde incurvés et convergeant en entonnoir entre la couche d’éléments radiants et la couche de polariseurs.
On entend par « fabrication additive » tout procédé de fabrication de pièces par ajout de matière, selon des données informatiques stockées sur un support informatique et définissant un modèle de la pièce. Outre la stéréolithographie et le selective laser melting, l’expression désigne aussi d’autres méthodes de fabrication par durcissement ou coagulation de liquide ou de poudre notamment, y compris sans limitation des méthodes basées sur des jets d’encre (binder jetting), DED (Direct Energy Deposition), EBFF (Electron beam freeform fabrication), FDM (fused deposition modeling), PFF (plastic freeforming), par aérosols, BPM (ballistic particle manufacturing), lit de poudre, SLS (Selective Laser Sintering), ALM (additive Layer Manufacturing), polyjet, EBM (electron beam melting), photopolymerisation, etc. La fabrication par stéréolithographie ou par selective laser melting est cependant préférée car elle permet d’obtenir des pièces avec des états de surface relativement propres, à faible rugosité.
Le module est de préférence monolithique.
Une fabrication monolithique du module permet de réduire les coûts, en supprimant la nécessité d’un montage. Elle permet par ailleurs de garantir un positionnement relatif précis des différents composants.
L’invention concerne aussi un module comprenant les éléments ci-dessus ainsi qu’un circuit électronique avec des amplificateurs et/ou de déphaseurs liés à chaque port. L’invention concerne en outre tout objet comprenant un tel module, notamment un objet de communication. Un tel objet peut être spécifiquement dédié au domaine aéronautique ou aérospatiale. Il peut par exemple s’agir d’un satellite de communication. L’invention concerne en outre une méthode de conception et de production du module objet de la présente description.
Brève description des figures Des exemples de mise en œuvre de l’invention sont indiqués dans la description illustrée par les figures annexées suivantes : Vue schématique, de côté, des différentes couches d’un module selon l’invention. Deux exemples de réalisations de la troisième couche, dans laquelle chaque élément de cette couche comporte soit un soit deux entrées du côté de la quatrième couche. , et Représentations schématiques de la deuxième et troisième couche d’un exemple de module selon l’art antérieur. Représentation schématique d’un guide d’onde selon un mode de réalisation de la présente description. et : Représentation schématique d’un guide d’onde selon un autre mode de réalisation de la présente description. , et : Représentation schématique d’un guide d’onde selon d’autres modes de réalisation de la présente description. et : Représentation schématique d’un guide d’onde selon d’autres modes de réalisation de la présente description
Exemple(s) de mode de réalisation de l’invention La illustre un module radiofréquence 1 passif selon un premier mode de réalisation de l’invention, destiné à former la partie passive d’un réseau à radiation directe DRA.
Le module radiofréquence 1 de cet exemple comporte quatre couches 3, 4, 5, 6.
Parmi ces couches, la première couche 3 comprend un réseau bidimensionnel de N éléments radiants 30 (antennes) pour émettre des signaux électromagnétiques dans l’éther, respectivement pour recevoir les signaux reçus.
La deuxième couche 4 comporte un réseau de guides d’onde 40 .
La troisième couche 5 est optionnelle ; elle peut aussi être intégrée à la deuxième couche 4 . Lorsqu’elle est présente, la troisième couche 5 comporte un réseau d’éléments 50 , par exemple de polariseurs ou d’adapteurs de section.
Une interface haptique 1 selon l’invention peut fonctionner selon les étapes décrites à la .
A l’étape 81, l’interface est en veille, en l’absence d’utilisateur en contact avec la surface tactile S, et les éléments tactiles 3 sont au repos.
A l’étape 82, le système de détection 6 détecte au moins un point de contact de l’utilisateur avec la surface S et le circuit de commande 6 détermine l’endroit où doit être généré(s) le ou les effets haptiques.
A l’étape 83, le circuit de commande 6 envoie les signaux de commande appropriés pour actionner au moins une partie des actionneurs 5 de façon à générer l’effet haptique désiré.
A l’étape 84, les actionneurs 5 concernés se contractent ou s’allongent par effet piézoélectrique inverse selon une amplitude d’actionnement correspondant au signal reçu, engendrant par effet unimorphe une vibration de l’élément rigide 3 avec lequel ils sont en contact. Les charnières 40 du support souple 4 situées entre deux éléments tactiles 3 excités sont entrainées en vibration à leur tour.
A l’étape 85, la vibration du ou des éléments tactiles induite par les actionneurs, ainsi que celle des charnières situées entre deux actionneurs activés, sont perçues tactilement par l’utilisateur sur la surface S.
A l’étape 86, l’utilisateur rompt le contact avec la surface tactile S et l’interface peut se remettre en veille, si l’on souhaite économiser l’énergie par exemple.
La perception tactile générée à l’étape 85 provient d’un ressenti d’une vibration des éléments tactiles 3 et des charnières 40, ce qui peut donner l’impression à l’utilisateur de toucher une surface vibrante ou présentant un relief.
En actionnant plus ou moins d’éléments tactiles 3, il est possible de créer des effets relativement complexes. Certains sont décrits ci-dessous et illustrés sur les figures 10a, 10b et 10c.
On considère dans les exemples qui suivent une matrice 10 d’éléments tactiles 3 identiques, de forme circulaire et répartis de manière uniforme sur la matrice 10, en quinconce. Les éléments tactiles 3 comportent chacun un actionneur 5 placé en leur centre.
Dans l’exemple illustré à la , un groupe 30 d’éléments tactiles 3 appartenant à la matrice 10 est actionné par le circuit de commande 6. L’ensemble du groupe 30, comportant les éléments tactiles 3 et les charnières 40, est mis en vibration de manière à transmettre à un utilisateur U exerçant un contact statique sur la surface une impulsion correspondant à une perception tactile 60 d’un « effet de bouton », c’est-à-dire donnant l’impression à l’utilisateur d’appuyer sur une touche de clavier.
Dans un autre exemple, illustré à la , plusieurs groupes 31 et 32 comportant éléments tactiles 3 et charnières 40 sont mis en vibration simultanément ou alternativement afin de générer des perceptions tactiles 61 et 62 d’un effet de pseudo-relief, c’est-à-dire donnant l’impression à l’utilisateur qui déplace son doigt au contact de l’interface d’effleurer des reliefs, par exemple la crête d’une montagne d’une carte affichée sur un écran.