Procédé de transfert d’un dispositif optoélectronique (10) depuis un premier substrat (1) vers un deuxième substrat (2) par l’intermédiaire d’un substrat de manipulation (3), ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : fournir le premier substrat (1) portant le dispositif optoélectronique (10), fournir le substrat de manipulation (3), coller le dispositif optoélectronique (10) sur le substrat de manipulation (3) par l’intermédiaire d’une couche d’assemblage (30, 40) au niveau d’une première face (101) du dispositif (10), ladite première face (101) présentant une surface de collage s’étendant selon un plan de base (xy), retirer le premier substrat (1), graver partiellement la couche d’assemblage (30, 40) de façon à conserver une portion étroite (301, 401) de la couche d’assemblage (30, 40) intercalée entre la première face (101) du dispositif (10) et le substrat de manipulation (3), ladite portion étroite (301, 401) présentant une section transverse (S301, S401), prise dans un plan parallèle au plan de base (xy), strictement inférieure à la surface de collage, détacher le dispositif optoélectronique (10) du substrat de manipulation (3), le procédé étant caractérisé en ce que la couche d’assemblage (30, 40) est formée préalablement au collage sur le substrat de manipulation (3) et uniquement sur le substrat de manipulation (3). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la surface de collage s’étend uniquement selon le plan de base (xy). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche d’assemblage (30, 40) comprend au moins une couche de colle (303, 403), et dans lequel la première face (101) du dispositif (10) est uniquement au contact de la couche de colle (303, 403). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le détachement du dispositif optoélectronique (10) comprend : un report du dispositif optoélectronique (10) sur un deuxième substrat (2), au niveau d’une deuxième face (102) du dispositif (10) opposée à la première face (101), un retrait du substrat de manipulation (3). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la gravure partielle de la couche d’assemblage (30, 40), comprend : une gravure anisotrope principalement dirigée selon une direction (z) normale au plan de base (xy) et configurée pour retirer la couche d’assemblage (30, 40) en pourtour du dispositif (10), en projection selon une direction (z) normale au plan de base (xy), de façon à détourer le dispositif (10), puis une gravure isotrope configurée pour former la portion étroite (301, 401) sous le dispositif (10), en projection selon une direction (z) normale au plan de base (xy). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la gravure anisotrope est effectuée par découpage, possiblement au laser. Procédé selon la revendication 5, dans lequel les gravures anisotrope et isotrope sont effectuées par plasma. Procédé selon la revendication 5 ou 7, dans lequel la gravure isotrope correspond à une étape de surgravure obtenue en dépassant un seuil de durée prédéterminé pour la gravure anisotrope, et en poursuivant la gravure anisotrope sur une durée de surgravure au-delà dudit seuil de durée prédéterminé. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche d’assemblage (30) comprend une couche composite (300) sur le substrat de manipulation (3), ladite couche composite (300) comprenant au moins un plot (301) présentant une paroi externe à base d’un premier matériau A, et une matrice (302) à base d’un deuxième matériau B, et dans lequel la gravure partielle est configurée pour graver le deuxième matériau B sélectivement au premier matériau A, par exemple avec une sélectivité de gravure S B:A du deuxième matériau B vis-à-vis du premier matériau A supérieure à 5:1, de sorte que l’au moins une portion étroite (301) conservée à l’issue de la gravure partielle soit ledit au moins un plot (301). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre la formation d’une couche de colle (303) sur la couche composite (300) ou sur toute la première face (101) du dispositif (10), préalablement au collage du dispositif (10), de sorte que ladite couche de colle (303) soit intercalée entre la couche composite (300) et la première face (101) du dispositif (10), après collage. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 10, comprenant en outre, avant gravure partielle, la formation d’un masque dur (50) à base du deuxième matériau B sur une deuxième face (102) du dispositif (10) opposée à la première face (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel l’au moins un plot (301) comprend une coquille présentant la paroi externe à base du premier matériau A, et un cœur en un matériau A’ différent du premier matériau A. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la couche de colle (303) est à base d’une colle C et la gravure partielle est configurée pour graver le deuxième matériau B sélectivement à la colle C, par exemple avec une sélectivité de gravure S B:C du deuxième matériau B vis-à-vis de la colle C supérieure à 5:1. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 13, dans lequel le premier matériau A est un oxyde de silicium et le deuxième matériau B est choisi parmi du Cuivre, un polymère, du silicium amorphe ou du silicium polycristallin. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à14, dans lequel le deuxième matériau B est du silicium amorphe ou du silicium polycristallin et la gravure partielle est effectuée par plasma à base de fluorure de xénon XeF2. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 15, dans lequel l’au moins un plot (301) est centré vis-à-vis de la première face (101) du dispositif (10), en projection selon une direction (z) normale au plan de base (xy). Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 16, dans lequel l’au moins un plot (301) présente une hauteur égale à une épaisseur de la couche composite (300). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche d’assemblage (40) comprend uniquement une couche de colle (403) à base d’une colle C, et dans lequel la gravure partielle est configurée pour graver de façon isotrope la colle C, de sorte que l’au moins une portion étroite (401) conservée à l’issue de la gravure partielle soit environ centrée vis-à-vis de la première face (101) du dispositif (10), en projection selon une direction (z) normale au plan de base (xy). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la colle C est à base de polyimide, et la gravure partielle est une gravure humide à base d’une solution d’acide oxalique et d’amine.