INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le substrat 32 définit la ou les surfaces principales 36, qui sont par exemple la ou les surfaces de l’élément optique 30 destinées à être exposées à l’environnement extérieur.
MONTURE DE LUNETTES COMPORTANT UNE CHARNIERE PARTICULIERE La présente invention concerne une monture de lunettes comportant une charnière pour une branche.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Une monture de lunettes comporte classiquement une face qui supporte les verres et deux branches qui sont montées articulées sur la face. À cette fin, pour chaque branche, la monture présente une charnière articulée entre la face et la branche.
Il existe différents types de charnières. La plupart des charnières utilise une vis qui constitue l’axe de rotation de la charnière. La vis doit pouvoir être retirée lorsqu’il est nécessaire de changer la branche. À force de manipulation, il arrive que la vis se dévisse et il est alors nécessaire de la visser à nouveau. En outre, si la vis se dévisse entièrement, il y a un risque de perte de la vis et il n’est plus possible d’utiliser la monture car la branche est désolidarisée.
Un objet de la présente invention est de proposer une monture de lunettes comportant une charnière pour une branche dont l’axe n’est pas constitué d’une vis et qui permet cependant le démontage de la branche.
À cet effet, est proposée une monture de lunettes comportant :
- une face,
- deux branches, chacune étant montée mobile en rotation sur la face autour d’un axe de rotation entre une position ouverte et une position fermée, et comportant une première partie et une deuxième partie pliée sur elle-même, où la deuxième partie présente une bande supérieure et une bande inférieure où chaque bande présente une première extrémité qui est d’un côté d’un extremum et qui est solidaire de la première partie et une deuxième extrémité qui est libre et qui est de l’autre côté de l’extremum, où les deux bandes sont écartées l’une de l’autre et présentent un interstice entre les deux bandes qui sont reliées l’une à l’autre par une barrette au voisinage de leurs deuxièmes extrémités, et
- pour chaque branche, un tenon solidaire de la face et portant un crochet qui est traversé de part en part parallèlement à l’axe de rotation par une fente présentant une ouverture orientée vers l’ouverture de la fente de l’autre tenon, où le tenon loge dans l’interstice et où la barrette est logée dans la fente et peut tourner dans la fente autour de l’axe de rotation.
Une telle charnière est ainsi facile à réaliser et ne comporte pas de pièce additionnelle comme par exemple des vis.
Avantageusement, le tenon comporte une première surface d’appui qui est parallèle à la première partie lorsque la branche est en position ouverte et contre laquelle se positionne ladite première partie en position ouverte, et une première distance entre la première surface d’appui et l’axe de rotation est supérieure à un écartement minimal entre la première partie et la barrette lorsque la branche n’est pas montée dans la fente.
Avantageusement, le tenon comporte une deuxième surface d’appui qui est parallèle à la première partie lorsque la branche est en position fermée et contre laquelle se positionne ladite première partie en position fermée, et une deuxième distance entre la deuxième surface d’appui et l’axe de rotation est supérieure à l’écartement minimal.
Avantageusement, à l’intersection de la première surface d’appui et de la deuxième surface d’appui, le tenon présente un coin, et la distance entre l’axe de rotation et le coin est supérieure à la première distance et à la deuxième distance.
Avantageusement, le tenon présente, entre la première surface d’appui et la face, un évidement en retrait vers l’intérieur par rapport à la première surface d’appui, et l’interstice s’étend de part et d’autre de l’extrémum et jusqu’à la première partie où l’interstice présente un fond, de manière à ce qu’une rotation supplémentaire de la branche autour de l’axe de rotation au-delà de la position ouverte amène le fond de l’interstice contre une paroi du tenon qui délimite l’évidement.
Avantageusement, le tenon présente autour de la fente, une surépaisseur sur chaque face du tenon perpendiculaire à l’axe de rotation.
est une vue de dessus d’une monture de lunettes comportant une charnière selon l’invention en position ouverte des branches,
Dans un tel cas de défaut électrique, le procédé de protection de la chaine de propulsion électrique est mis en œuvre.
La représente le procédé de protection de la chaine de propulsion électrique de la , mis en œuvre dans le sous-module 36 de pilotage des bras de pont de l’onduleur 31. Le procédé comporte des étapes E1 à E2.
L’étape E1 est une détection de défaut électrique dans la chaine de propulsion et l’identification du type de défaut.
Le sous-module 36 surveille la chaine de propulsion en recevant des résultats de mesures effectuées par les dispositifs de mesures de grandeurs électriques des différents éléments de la chaine de propulsion et en les comparant à des valeurs nominales. Si un ou des résultats de mesures s’écarte(nt) des valeurs nominales, alors un défaut électrique est détecté et le type de défaut est identifié.
Il s’agit par exemple de la détection du court-circuit CC au niveau du circuit de puissance continu 5, illustré à la .
Suite à la détection de défaut électrique, l’interrupteur 11 est ouvert pour protéger la source de tension continue 1. La chaine de propulsion électrique se trouve alors dans la configuration de la .
D’autres défauts électriques pris en compte et détectables à l’étape E1 sont notamment :
- Un court-circuit au niveau d’une bobine du moteur électrique 2 ; - Un court-circuit entre les bornes positive et négative d’un des modules de puissance de l’onduleur 31 ; - Un bras de pont cassé fermé ou ouvert.
L’étape suivante E2 est une commande de court-circuit au niveau de l’onduleur 31 du module 3 d’électronique de puissance et de commande du moteur électrique. Le court-circuit est sélectionné parmi plusieurs types de court-circuit prédéterminés, en fonction du type de défaut électrique détecté à l’étape précédente.
Plus précisément, le sous-module 36 de pilotage des bras de pont de l’onduleur 31 commande la fermeture d’au moins une partie des interrupteurs de l’onduleur 31. Ainsi, si le moteur électrique 2 se comporte en génératrice, comme expliqué précédemment, le courant généré par le moteur 2 est dévié afin qu’il ne passe plus dans le défaut électrique, par exemple le court-circuit CC.
La meilleure stratégie de protection est appliquée en fonction du type de défaut détecté dans la chaine de propulsion.
En cas de court-circuit entre les bornes d’entrée positive et négative du module d’électronique de puissance et de commande du moteur électrique, comme représenté à la , le court-circuit commandé à l’étape E2 est un court-circuit des bras de pont bas.
Un court-circuit des bras de pont bas crée un point milieu sur les phases du moteur. Le courant généré par le moteur n’alimente plus le court-circuit CC existant dans le circuit de puissance continu 5. Cette procédure arrête le moteur au bout d’un certain temps.
En cas de court-circuit au niveau d’une bobine du moteur électrique, le court-circuit commandé à l’étape E2 est un court-circuit des bras de pont haut.
En variante, en cas de court-circuit au niveau d’une bobine du moteur électrique, le court-circuit commandé à l’étape E2 est une alternance de court-circuit des bras de pont haut et des bras de pont bas. Cela permet de répartir la contrainte thermique provoquée par les courts-circuits alternativement sur tous les bras de pont.
En cas de court-circuit entre les bornes positive et négative d’un des modules de puissance de l’onduleur 31, le court-circuit commandé à l’étape E2 est un court-circuit simultané des bras de pont haut et des bras de pont bas. Cela permet de répartir la contrainte thermique provoquée par les courts-circuits sur tous les bras de pont.
Selon une variante, elle présente un pavillon formé par assemblage de facettes assemblées se rejoignant dans la collette ou dans le sommet du pavillon.
Selon une autre variante, les autres facettes ont une forme de losange ou facettée.
Selon une autre variante, les autres facettes ont une forme de halefi, un peu bombées par exemple des diamants taille trillions .
Ces pierres sont ajustées chacune avec des pierres de forme d’un triangle d’un losange ou autres
Selon un mode de réalisation particulier, le sommet de la culasse, la collette, est pointu.
L’invention concerne aussi un procédé de fabrication du corps à facettes d’une grosse pierre taillée constituée par un assemblage de fragments de pierres taillés pour former par assemblage une grosse pierre précieuse taillée dont la table est un octogone. Description détaillée d’un exemple non limitatif de réalisation de l’invention
D'autres caractéristiques et avantages ressortiront de la description qui va suivre de l'invention, description donnée à titre d'exemple uniquement, se référant aux dessins annexés sur lesquels : la représente le profil de référence d’un diamant la représente une vue du dessus de la table d’une pierre composite selon l’invention la représente une vue du dessus de la table d’une pierre composite en forme d’octogone régulier selon une variante de l’invention.
Principe général de l’invention La représente la vue de dessus d’une table de pierre composite selon l’invention. Elle est constituée par quatre pierres élémentaires identiques (100, 200, 300, 400) dont l’assemblage forme la table présentant une forme octogonale (table d’un diamant taille brillant), avec huit cotés formés alternativement par le bord extérieur (110, 210, 310, 410) des pierres élémentaires (100, 200, 300, 400), et par deux pans coupés adjacents (121, 220 ; 221, 320 ; 321, 420 421, 120). La longueur l d’un pan coupé (120, 121, 220, 221, 320, 321, 420, 421) est égal, de préférence, à la moitié de la longueur L d’un bord extérieur (110, 210, 310, 410) des pierres élémentaires (100, 200, 300, 400) de telle sorte que la longueur L2 de la face de la table formée par deux pans coupés adjacents est égale à la longueur L d’une face de l’octogone formé par le bord extérieur d’une pierre élémentaire.
L’angle formé par les deux bords adjacents de la table de chaque pierre élémentaire (100, 200, 300, 400) est de 90° de telle sorte que les pierres élémentaires (100, 200, 300, 400) peuvent être réunis pour former une pierre composite présentant les caractéristiques optiques d’une pierre monolithique.
Ainsi, en utilisant quatre pierres élémentaires (100, 200, 300, 400) taillées de cette façon on forme donc un octogone qui reconstitue la table d'un diamant classique rond (taille brillant). La table étant la facette la plus importante, l'économie réalisée l'est tout autant.
Toutes les autres facettes plus petites sont plus ou moins des triangles ou des losanges et peuvent être ajustées chacune avec une ou plusieurs pierres taillées ajustées (en taille triangle et/ou losange ou autre déjà connues)
L'avantage de cette invention est d'avoir un visuel et un rendu proche de celui d'une pierre unique.
La table est constituée par un assemblage de quatre pierres taillées dont la représente un exemple de réalisation.
Configuration d’une pierre élémentaire Une pierre élémentaire présente une table (111) de forme hexagonale et un assemblage de 3 triplets de facettes (112 à 114) entourant la table (111). Ces trois triplets sont prolongés chacun par une facette de couronne (123 à 125). Des pierres en forme de losange (131, 132) forment les trois coins de la couronne.
Assemblage formant une taille d’une pierre ronde La représente une vue de dessus d’une pierre composite formée par l’assemblage de quatre pierres élémentaires tables qui définissent un contour octogonal et présentent quatre pierres (150, 250, 350, 450), qui reconstituent la table d’un diamant classique rond (500).
CONTENANT POUR COSMÉTIQUES AYANT UNE STRUCTURE DE RECHARGE CONTEXTE DE L’INVENTION 1. Domaine de l’invention
Selon un mode de réalisation, la première et la seconde pièce du passe-câble présentent chacune: - une portion en forme de demi-tube au contact de la partie de forme circulaire de la découpe, - une première bride située à l’une des extrémités de la portion en forme de demi-tube et prenant appui sur la face interne de la paroi latérale du coffre, - une seconde bride située à l’extrémité opposée de la portion en forme de demi-tube et prenant appui sur la face externe de la paroi latérale du coffre, la première et la seconde bride assurant un blocage du mouvement des première et seconde pièces du passe-câble dans une direction perpendiculaire à la paroi latérale du coffre, l’ensemble constitué par la portion en forme de demi-tube, la première et la seconde bride étant adapté à effectuer un mouvement de rotation autour d’un axe passant par l’axe du demi-tube.
Selon un mode de réalisation, le diamètre externe de la portion en forme de demi-tube des première et deuxième pièce du passe-câble est égal au diamètre de la forme circulaire de la découpe.
Selon un mode de réalisation, la longueur de la portion en forme de demi-tube des première et deuxième pièce du passe-câble est égal à l’épaisseur de la paroi latérale comportant la découpe.
Selon un mode de réalisation, la première bride des première et seconde pièce du passe-câble présente une forme semi-circulaire.
Selon un mode de réalisation, la seconde pièce du passe-câble comporte un trou traversant servant d’évent pour évacuer l’air hors du coffre du module lors du remplissage du coffre par une mousse ou une résine.
Selon un mode de réalisation, le trou traversant servant d’évent se trouve sur la seconde bride de la seconde pièce du passe-câble.
Selon un mode de réalisation, les éléments sont de type lithium-ion.
L’invention a également pour objet un procédé d’assemblage d’un module batterie comprenant les étapes de : a) mise à disposition d’un coffre, le coffre présentant un fond et une pluralité de parois latérales, l’une au moins des parois latérales présentant une découpe sur l’un des bords ; la découpe présentant une partie de forme rectangulaire partant du bord de la paroi latérale et se prolongeant par une partie de forme circulaire, le diamètre de la partie de forme circulaire étant supérieur à la largeur de la partie de forme rectangulaire, la largeur étant la distance mesurée à l’horizontale entre deux points situés sur des bords opposés de la forme rectangulaire ; b) mise à disposition d’une première pièce d’un passe-câble, la première pièce comprenant une portion en forme de demi-tube dont le diamètre externe correspond au diamètre de la forme circulaire de la découpe ; c) introduction de la première pièce dans la découpe jusqu’à mettre la portion en forme de demi-tube en butée contre le bord de la forme circulaire de la découpe; d) rotation de la première pièce autour d’un axe passant par l’axe du demi-tube pour mettre en contact toute la paroi externe du demi-tube avec le bord de la forme circulaire de la découpe ; e) introduction dans le coffre d’un ou de plusieurs éléments électrochimiques connectés à un câble comprenant une pluralité de fils électriques et mise en place du câble sur la première pièce du passe-câble ; f) mise en place d’une seconde pièce du passe-câble, la seconde pièce comprenant une portion en forme de demi-tube dont le diamètre externe correspond au diamètre de la forme circulaire de la découpe, la seconde pièce coopérant avec la première pièce du passe-câble pour enserrer le câble dans le passe-câble ; g) assemblage d’un couvercle sur le bord supérieur des parois latérales du coffre ; h) injection d’une mousse d’un polymère dans le coffre jusqu’à ce que la mousse ressorte d’un trou d’évent situé soit sur une paroi du coffre, soit sur la seconde pièce du passe-câble ; i) rotation simultanée de la première pièce et de la seconde pièce pour fixer la position du passe-câble.
Le procédé selon l’invention est adapté à la fabrication du module batterie tel que décrit ci-avant.
Selon un mode de réalisation, le trou d’évent est situé sur la seconde pièce du passe-câble et une rotation simultanée des première et seconde pièces d’un angle de 180°± 5° a pour effet d’obturer le module batterie d’une manière étanche à la résine ou à la mousse avant durcissement de celle-ci.
Selon un mode de réalisation, l’angle de rotation de la première pièce à l’étape d) est d’environ 90°± 5°.
Selon un mode de réalisation, la première pièce et la seconde pièce du passe-câble présentent chacune : - une première bride située à l’une des extrémités de la portion en forme de demi-tube et prenant appui sur la face interne de la paroi latérale du coffre, - une seconde bride située à l’extrémité opposée de la portion en forme de demi-tube et prenant appui sur la face externe de la paroi latérale du coffre, la première et la seconde bride assurant un blocage du mouvement des première et seconde pièces du passe-câble dans une direction perpendiculaire à la paroi latérale du coffre.
Brève description des figures Les figures 1 à 12 représentent les différentes étapes de la fabrication d’un module batterie selon l’invention classées dans un ordre chronologique.
représente la première pièce du passe-câble et une paroi du coffre présentant une découpe, juste avant l’insertion de la première pièce du passe-câble dans la découpe.
représente la première pièce du passe-câble après son insertion dans la découpe.
représente la première pièce du passe-câble après son insertion dans la découpe et une rotation de la première pièce d’un angle de 90°.
Selon un exemple, la gravure isotrope correspond à une surgravure opérée en fin de gravure anisotrope.
Selon un exemple, la gravure isotrope correspond à une étape de surgravure obtenue en dépassant un seuil de durée prédéterminé pour la gravure anisotrope, et en poursuivant la gravure anisotrope sur une durée de surgravure au-delà dudit seuil de durée prédéterminé. Cela permet d’obtenir un plot avec la section voulue. En particulier, l’arrêt de la gravure partielle se fait par contrôle de la durée de surgravure.
Selon un exemple, la gravure anisotrope est configurée pour retirer la couche d’assemblage sur toute une épaisseur de la couche d’assemblage.
Selon un exemple, la couche d’assemblage comprend une couche composite sur le substrat de manipulation, ladite couche composite comprenant au moins un plot présentant une paroi externe à base d’un premier matériau A, et une matrice à base d’un deuxième matériau B.
Selon un exemple, la couche d’assemblage comprend une couche de colle à base d’une colle C sur la couche composite, en regard du dispositif.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre la formation d’une couche de colle sur la couche composite ou sur toute la première face du dispositif, préalablement au collage du dispositif, de sorte que ladite couche de colle (303) soit intercalée entre la couche composite et la première face du dispositif, après collage.
Selon un exemple, l’au moins un plot comprend une coquille présentant la paroi externe à base du premier matériau A, et un cœur en un matériau A’ différent du premier matériau A.
Selon un exemple, la gravure partielle est configurée pour graver le deuxième matériau B sélectivement au premier matériau A.
Selon un exemple, la gravure partielle présente une sélectivité de gravure S B:A du deuxième matériau B vis-à-vis du premier matériau A supérieure à 5:1.
Selon un exemple, l’au moins une portion étroite conservée à l’issue de la gravure partielle est l’au moins un plot de la couche composite.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre, avant gravure partielle, la formation d’un masque dur à base du deuxième matériau B sur la deuxième face du dispositif.
Selon un exemple, la gravure partielle est configurée pour graver le deuxième matériau B sélectivement à la colle C.
Selon un exemple, la gravure partielle présente une sélectivité de gravure S B:C du deuxième matériau B vis-à-vis de la colle C supérieure à 2:1, voire supérieure à 5:1.
Selon un exemple, le premier matériau A est un oxyde de silicium et le deuxième matériau B est choisi parmi du Cuivre, un polymère, du silicium amorphe ou du silicium polycristallin.
Selon un exemple, le deuxième matériau B est du silicium amorphe ou du silicium polycristallin et la gravure partielle est effectuée par plasma à base de fluorure de xénon XeF2.
Selon un exemple, l’au moins un plot est centré vis-à-vis de la première face du dispositif, en projection selon une direction z normale au plan de base xy.
Selon un deuxième mode de réalisation, la couche superficielle 12 en carbure de silicium amorphe est formée sur au moins la face avant 10a du substrat initial 10, à savoir sur la couche poreuse 11 ( ’).
Selon un troisième mode de réalisation, une couche superficielle 21 est formée sur la face avant 20a du substrat support 20 et une autre couche superficielle 12 est formée sur la couche poreuse 11, elle-même disposée sur le substrat initial 10.
Dans l’un ou l’autre des modes de réalisation précités, la couche superficielle 21,12 pourra également être formée au niveau de la face arrière 20b,10b du ou des substrats concernés 20,10.
Quel que soit le mode de réalisation, la couche superficielle 21,12 présente avantageusement une épaisseur totale inférieure ou égale à 10μm.
Pour former cette couche superficielle 21, l’étape c) comprend, selon une première variante, le dépôt d’une couche en a-SiC sur le substrat concerné 20,10. Le dépôt de SiC amorphe peut être effectué par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple, assisté par plasma (PECVD), ou assisté par injection liquide directe (DLI-CVD), par une technique de dépôt physique en phase vapeur, ou par toute autre technique connue. Dans le cas d’un dépôt CVD, on préfèrera une température de dépôt inférieure à 1100°C, voire inférieure à 1000°C ; concernant les précurseurs de dépôt (chimie de type méthane ou silane), le ratio C/Si sera préférentiellement choisi supérieur ou égale à 1.
Les techniques de dépôt mentionnées permettent de former une couche superficielle 21,12 dont l’épaisseur peut typiquement varier entre 100nm et 10μm, par exemple autour de 1μm. De même, le dopage de la couche superficielle 21,12 en a-SiC peut être ajusté aisément lorsqu’elle est formée par l’une de ces techniques. Elle peut notamment être fortement dopée (de type N, habituellement, mais éventuellement de type P) : pour cela, elle comprend des espèces dopantes dans une concentration supérieure à 10 19 /cm 3 , voire supérieure à 10 20 /cm 3 . Rappelons que la couche superficielle 21,12 est destinée à être cristallisée, au moins partiellement, sous forme monocristalline, pour former la couche mince 1 de la structure composite 100 ; ainsi donc, elle peut être fortement dopée pour donner lieu à une couche mince 1 présentant une faible résistivité, selon les besoins de l’application visée.
Selon une deuxième variante, l’étape c) comprend l’amorphisation d’une couche de surface du substrat concerné, pour former la couche superficielle 21,12 en a-SiC. Cette amorphisation peut être réalisée par une technique connue, telle que par bombardement d’ions (par exemple Si ou C) ou de neutrons, avec des énergies appropriées pour former une couche amorphe 21,12 à l’épaisseur souhaitée.
Dans le cas d’une amorphisation d’une couche de surface du substrat support 20 (premier mode et troisième mode de réalisation), la structure poly-cristalline du substrat support 20 peut être rendue amorphe par exemple par bombardement d’ions.
Selon cette deuxième variante de formation de la couche superficielle 21,12, l’épaisseur de cette dernière est préférentiellement inférieure à 1μm, typiquement de l’ordre de cent à quelques centaines de nanomètres.
Le procédé de fabrication selon l’invention comprend ensuite une étape d) mettant en œuvre l’assemblage du substrat initial 10 et du substrat support 20 au niveau de leurs faces avant respectives 10a,20a ( , ’, ’’).
Dans le premier mode de réalisation ( ), la couche poreuse 11 et la couche superficielle 21 se retrouvent ainsi assemblées le long d’une interface de collage 3, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire 30.
Dans le deuxième mode de réalisation ( ’), la couche superficielle 12 se trouve assemblée au substrat support 20, le long d’une interface de collage 3’, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire 30’.