Module de puissance (31) comprenant : - une pluralité de composants (37) de puissance à semi-conducteurs, - un substrat (33) comprenant une métallisation supérieure (45) recevant les composants (37) et une métallisation inférieure (47) opposée à la métallisation supérieure (45), - optionnellement, une semelle (49) fixée à la métallisation inférieure (47) du substrat (33), - une structure métallique (56) en contact direct avec une face inférieure (54) définie par la semelle (49) ou le substrat (33), d’un côté opposé aux composants (37), et - au moins un capteur allongé (58) de température, au moins partiellement noyé dans la structure métallique (56) et s’étendant parallèlement à la face inférieure (54). Module de puissance (31) selon la revendication 1, dans lequel la structure métallique (56) est une plaque s’étendant sur au moins une partie de la face inférieure (54), la plaque présentant une épaisseur, mesurée perpendiculairement à ladite face inférieure (54), sensiblement constante sur son étendue. Module de puissance (31) selon la revendication 1, dans lequel la structure métallique (56) est un radiateur thermique s’étendant sur au moins une partie de la face inférieure (54). Module de puissance (31) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chaque capteur allongé (58) comprend une fibre optique (59), et en particulier est un capteur à fibre optique à réseau de Bragg ou un capteur à fibre optique à rétro-diffusion de Rayleigh. Module de puissance (31) selon la revendication 4, dans lequel chaque fibre optique (59) présente un diamètre externe inférieur à 100 micromètres et présente un profil adapté pour que la fibre optique (59) puisse atteindre un rayon de courbure inférieur ou égal à 5 millimètres. Module de puissance (31) selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel chaque capteur allongé (58) comprend au moins un thermocouple. Procédé de fabrication d’un module de puissance (31) selon l’une des revendications précédentes, le procédé comprenant les étapes suivantes : - fourniture d’un substrat (33) présentant une métallisation supérieure (45) destinée à recevoir des composants (37) de puissance à semi-conducteurs et une métallisation inférieure (47) opposée à la métallisation supérieure, et, optionellement, d’une semelle (49) fixée à la métallisation inférieure du substrat, la semelle (49) ou le substrat présentant une face inférieure opposée aux composants (37), - mise en place d’au moins un capteur allongé (58) sur la face inférieure (54), - formation de la structure métallique (56) par électrodéposition sur la face inférieure (54) et sur le capteur allongé (58). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la structure métallique (56) est une plaque d’épaisseur sensiblement constante, le procédé comprenant en outre une étape de fixation d’un radiateur (53) à la plaque, du côté opposé à la face inférieure (54) Procédé selon la revendication 7, dans lequel la structure métallique (56) est un radiateur thermique dans lequel chaque capteur allongé (58) est au moins en partie noyé, le procédé comprenant des étapes de : - préparation, notamment par fabrication additive, d’une préforme adaptée pour mettre en forme le radiateur thermique, - mise en place de la préforme sur la face inférieure (54) et, optionnellement, d’un masque sur une partie de la face inférieure (54), et - postérieurement à la formation de la structure métallique (56), retrait de la préforme et, le cas échéant, du masque.