INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le rebouillage de la colonne K1 est fourni en prenant une partie 57 du liquide de cuve 55 de la colonne K1 enrichi en dioxyde de carbone. Le liquide de cuve 55 est envoyée à un niveau intermédiaire de l’échangeur E2 plus chaude que le point de sortie du débit 51. La partie 57 est vaporisée et réchauffée et renvoyée en cuve de la colonne K1 comme gaz. Le reste 7 du liquide 55 est sousrefroidi dans l’échangeur de chaleur E2 par échange de chaleur avec le fluide intermédiaire 11 et forme le dioxyde de carbone liquide qui est le produit du procédé. Le gaz de tête 9 de la colonne K1 se réchauffe dans l’échangeur E2 du bout froid jusqu’au bout chaud et sort du système. Ce gaz 9 est enrichi en impuretés légères telle que l’azote, l’hydrogène, le monoxyde de carbone…
La pression de condensation du débit 19 de fluide intermédiaire dans le deuxième échangeur de chaleur ne diffère de la plus haute des pressions de vaporisation du fluide intermédiaire dans le premier échangeur de chaleur que par les pertes de charge. Le cycle de fluide intermédiaire ne comprend ni compression (à part la pressurisation de la pompe) ni détente dans une turbine. La pompe P sert uniquement à compenser les pertes de charge.
Les , , et respectivement peuvent comprendre une conduite pour amener du gaz produit dans le ballon B en amont de l’échangeur E2. Ce gaz résulte des entrées de chaleur dans le ballon, qui vaporisent une petite partie du liquide qu’il contient. Le gaz formé 25 est envoyé du ballon B et rejoint le gaz 21.
Procédé et installation de séchage de produits pâteux La présente invention se situe dans le domaine du séchage de produits pâteux, à titre d’exemple et de manière non limitative de boues résiduaires provenant de stations d’épuration d’eaux résiduaires. L’invention peut s’appliquer à d’autres types de boues, telles que des boues industrielles ou des boues issues de la production d’eau potable.
Les boues organiques, notamment les boues résiduaires, comprennent de l'eau et des matières sèches. La siccité d'une boue indique sa teneur en matières sèches.
Le séchage des boues permet de réduire la quantité d’eau contenue dans les boues, les faisant passer de la plage 15-25% MS (MS pour matière sèche) en sortie de déshydratation avant séchage à 70-90% MS en sortie de séchage. Une telle étape est utile pour leur valorisation. En particulier, des boues séchées ne fermentent pas, ce qui favorise les conditions de leur stockage ; ainsi les boues séchées peuvent servir de produit d'épandage ou être brûlées comme combustible.
Le séchage des boues peut être réalisé par séchage solaire ou par séchage thermique.
Dans le cas du séchage solaire, les boues sont généralement déposées sur le sol dans une serre solaire. Ces boues déshydratées sont ensuite étalées, ou retournées et avancées, notamment avec un pont-retourneur, ou dispositif de retournement, classiquement rencontré. Un exemple de dispositif de retournement est divulgué dans le document WO2006/024794. Il fonctionne par fragmentation et granulation et permet de diminuer le caractère pâteux de la boue. Il en résulte une diminution des mauvaises odeurs générées par la boue épaissie.
Le séchage solaire des boues s’effectue sous serre (fermée ou ouverte), grâce aux radiations solaires qui chauffent l’air à l’intérieur de la serre, et à un balayage à l’air et à la machine de retournement/d’étalement. Le séchage solaire utilisant l’énergie solaire - énergie renouvelable et gratuite - pour permettre l’évaporation de l’eau contenue dans les boues, est un procédé dit « extensif ».
Le séchage solaire est donc une solution simple, peu énergivore mais nécessitant des emprises au sol importantes. En outre, les performances évaporatoires dépendent essentiellement des conditions météorologiques locales. Ainsi, le séchage solaire est principalement utilisé dans les pays chauds, mais même dans ce cas, le coefficient d’évaporation est en moyenne de l’ordre de 0,2 à 0,4 kg H2O/m².h (lorsque l’on se place sans apport calorifique autre que l’énergie solaire arrivant sur la serre).
Dans le cas du séchage thermique, un fluide caloporteur est nécessaire pour accélérer le séchage. Ce fluide caloporteur est généralement chauffé par des énergies fossiles. Le séchage thermique peut être direct (les boues sont alors en contact avec le fluide caloporteur) ou indirect (les boues ne sont pas, dans ce cas, en contact direct avec le fluide caloporteur).
Un exemple de sécheur thermique dit à contact direct est un sécheur à bandes. Typiquement, un tel sécheur comprend une ou plusieurs bandes de séchage sur lesquelles sont disposées des boues à sécher. Ces bandes ont un mouvement de translation pour permettre à la boue d’avancer dans le sécheur. Les boues sont soumises à un écoulement d'air chaud appliqué parallèlement ou perpendiculairement à leur sens de déplacement. Préférablement, les boues peuvent être mises en forme à l'aide d'une extrudeuse ou d'un granulateur afin d'augmenter la surface d'échange, ainsi que faire tenir les boues déshydratées sur la bande de manière plus aérée pour que l’air de séchage puisse passer entre les interstices et donc permettre d’augmenter la cinétique de séchage. En fonction des technologies de séchage thermique à bandes, les températures de l’air varient généralement de 30°C à 100°C.
La siccité en entrée de sécheur est également un paramètre très important : si elle est trop faible, les boues ne se tiennent pas sur la bande et l’air ne peut pas passer et la boue sèche difficilement.
Le procédé peut comprendre une étape supplémentaire de maintenance 109 des outils de traitement 20. Les outils de traitement 20 peuvent être réglés par un opérateur.
Le procédé peut également comprendre une étape supplémentaire de maintenance du dispositif de protection 40 d’une parcelle de culture 50.
L’invention concerne également un procédé de cartographie d’une parcelle de cultures 50 mis en œuvre par un robot agricole autonome précédemment décrit, comprenant un système de localisation, illustré en . Ledit procédé comprend une première étape 1001 de mesure des grandeurs caractéristiques des cultures 50 par le premier dispositif de caractérisation 41 des cultures 50. Ces mesures sont transmises à l’unité de commande 10, qui détecte les cultures 50. Par exemple, lorsque la grandeur caractéristique mesurée est la largeur de la culture, la détection de la culture 10 est réalisée à l’endroit où la largeur mesurée est la plus élevée.
Le procédé comprend une deuxième étape 1011 d’association par l’unité de commande 10 à chacune des cultures 50 détectées de leurs localisations relevées par le système de localisation 70.
Le procédé comprend une troisième étape 1021 d’intégration de la localisation de chacune des cultures 50 à une première cartographie. La cartographie peut regrouper les informations de positionnement des cultures, un indexage des cultures, ainsi que les mesures des grandeurs caractéristiques associées.
Parallèlement de ces trois précédentes étapes, les trois étapes suivantes sont réalisées :
une étape 1002 de mesure des grandeurs caractéristiques des cultures 50 par le deuxième dispositif de caractérisation 42 des cultures 50 et détection des cultures 50 ; une étape 1012 d’association par l’unité de commande 10 à chacune des cultures 50 détectées de leurs localisations relevées par le système de localisation 70 ; une étape 1022 d’intégration de la localisation de chacune des cultures 50 à une deuxième cartographie.
Dans une étape 111, pour chaque localisation de culture issue de la première cartographie, l’unité de traitement 10 recherche de la localisation de la culture 50 la plus proche issue de la deuxième cartographie et associe les deux localisations ensemble.
Dans une étape 112, pour chaque culture issue de la première cartographie, l’unité de commande 10 calcule la moyenne des deux localisations issues de la première et de la deuxième cartographie et l’intègre dans une troisième cartographie. La troisième cartographie peut ensuite être utilisée comme informations d’entrée pour l’élaboration d’un circuit de traitement d’un robot agricole autonome 100.
Dispositif d’enfoncement de tuteurs et/ou de piquets comprenant un système de contrôle des mouvements verticaux d’au moins un marteau prévu pour enfoncer les tuteurs et/ou les piquets La présente demande se rapporte à un dispositif d’enfoncement de tuteurs et/ou de piquets comprenant un système de contrôle des mouvements verticaux d’au moins un marteau prévu pour enfoncer les tuteurs et/ou les piquets. L’invention a également pour objet une machine à planter équipée dudit dispositif.
Selon un mode de réalisation, une machine à planter la vigne comprend un châssis relié à un tracteur, un système d’ouverture d’un sillon fixé à l’avant du châssis, un système de fermeture du sillon fixé à l’arrière du châssis, un dispositif d’enfoncement des tuteurs monté sur le châssis et positionné entre les systèmes d’ouverture et de fermeture du sillon, des premier et deuxième postes, comme des sièges pour des opérateurs, positionnés de part et d’autre du dispositif d’enfoncement, une première zone de stockage prévue pour les tuteurs à l’avant d’un premier poste ainsi qu’une deuxième zone de stockage prévue pour les plants à planter à l’avant d’un deuxième poste.
Selon un mode de fonctionnement, la machine à planter fonctionne en continu. Dans ce cas, le dispositif d’enfoncement comprend un système pour compenser l’avance de la machine lors de l’enfoncement des tuteurs. Selon un mode de réalisation décrit dans le document FR2811197, un dispositif d’enfoncement comprend un support, un premier fourreau supporté par le support et dans lequel coulisse une première glissière horizontale mobile selon une direction parallèle à la direction d’avance de la machine, une deuxième glissière verticale solidaire de la première glissière horizontale, un deuxième fourreau mobile le long de la deuxième glissière verticale, un marteau solidaire du deuxième fourreau, une extension présentant une première extrémité solidaire du deuxième fourreau, une troisième glissière oblique solidaire du premier fourreau et inclinée vers l’avant, ladite troisième glissière oblique coulissant dans un troisième fourreau solidaire de la deuxième extrémité de l’extension. Le dispositif d’enfoncement comprend un vérin qui présente un corps relié à la première glissière horizontale ainsi qu’une tige reliée à l’extension.
Selon cette configuration, lorsque la tige du vérin se translate vers le haut, cela provoque une translation vers le haut du marteau et un déplacement vers l’avant de la deuxième glissière verticale. Inversement, lorsque la tige du vérin se translate vers le bas, cela provoque une translation vers le bas du marteau et un déplacement vers l’arrière de la deuxième glissière verticale. Ainsi, lors de l’enfoncement d’un tuteur, la deuxième glissière verticale supportant le marteau se décale vers l’arrière et compense l’avance de la machine.
Même si ce dispositif permet de compenser l’avance de la machine lors de l’enfoncement d’un tuteur, il requiert un réglage complexe (légère inclinaison de la deuxième glissière, course particulière de la tige du vérin, ...) pour que les tuteurs soient parfaitement verticaux et non légèrement inclinés vers l’avant.
Selon une autre problématique, les dispositifs de l’art antérieur ne permettent d’enfoncer qu’une seule hauteur de tuteurs. Par conséquent, les piquets nécessaires au palissage doivent être mis en place séparément, lors d’une étape ultérieure.
Pour les figures 22 à 25, la couche de chauffage 22 avait la structure représentée en , c'est-à-dire avec deux doigts 32 par point à modification de phase 24 et l'intervalle G et la largeur W étaient tous deux égaux à 100 nm et la longueur était égale à 200 nm. La température à l'extérieur du capteur d'image 40 était égale à 300 K.
La représente l'évolution de la température maximale TmasP dans un filtre de couleur 46 correspondant à une couche constituée d'un poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA) recouvrant la couche de protection 28 en fonction de l'épaisseur Th_S de la couche de protection 28. La représente que la couche de protection 28 évite une montée de la température dans le filtre de couleur 46.
La représente l'évolution de la température moyenne Tavg dans le point à modification de phase 24 en fonction de l'épaisseur Th_S de la couche de protection 28. La montre que la couche de protection 28 permet au front thermique d'être localisé dans le point à modification de phase 24.
La représente des courbes M20 et M200 d'évolution de la température moyenne Tavg dans le point à modification de phase 24 en fonction du temps t pour deux épaisseurs de la couche de protection 28. La courbe M20 a été obtenue pour une épaisseur Th_S de 20 nm pour la couche de protection 28 et la courbe M200 a été obtenue pour une épaisseur Th_S de 200 nm pour la couche de protection 28.
La représente l'évolution du rapport Tmax_min dans le point à modification de phase 24 en fonction de l'épaisseur Th_S de la couche de protection 28.
La représente des courbes N100, N1000 et N10000 d'évolution de la fréquence de fonctionnement OF en fonction de l'intensité de courant de cellule CCI (mA). La a été obtenue pour un capteur d'image 40 comprenant un réseau de 10 7 cellules.
Les figures 27 à 30 sont des vues en coupe partielles et schématiques des structures obtenue à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre à modification de phase programmable 10. Le procédé comprend les étapes successives suivantes : - la gravure d'une ouverture 52 dans un substrat 50 ( ). le substrat 50 peut correspondre à la couche de base 22 précédemment décrite et peut correspondre au substrat semiconducteur 52 ou à une couche d'oxyde recouvrant le substrat semiconducteur 52 ; - le dépôt d'une couche mince 54 sur le substrat 50 et le dépôt d'une couche 56 du matériau de la couche de chauffage 22 afin de remplir complètement l'ouverture 62 ( ). La couche 54 peut agir en tant que couche d'arrêt de gravure ; - la gravure de la couche 56 jusqu'à la surface supérieure du substrat 50 en-dehors de l'ouverture 52 ( ). La couche de chauffage 22 est alors obtenue ; et - la formation des points à modification de phase 24, de la couche intermédiaire 26, de la couche de protection 28 et du filtre de couleur 46 ( ).
PUCE PHOTONIQUE L’invention concerne une puce photonique et un procédé de fabrication de cette puce photonique.
Des puces photoniques connues comportent une source laser à semi-conducteur apte à générer un signal optique. Une telle source laser comporte un guide d'onde en matériau à gain III-V optiquement couplé, par l'intermédiaire d'un coupleur optique, à un guide d'onde en silicium. Un tel coupleur optique comporte, en vis-à-vis l'un de l'autre : - un premier prolongement en matériau III-V qui prolonge le cœur du guide d'onde en matériau à gain III-V à l'intérieur d'une zone de couplage optique, et - un second prolongement en silicium qui prolonge le cœur du guide d'onde en silicium à l'intérieur de la zone de couplage optique.
Pour obtenir un couplage optique entre ces deux prolongements, une région du second prolongement doit présenter un indice effectif de propagation égal à celui du premier prolongement situé en vis-à-vis. A dimensions égales, l'indice effectif de propagation du silicium est bien plus petit que l'indice effectif de propagation du matériau III-V. Dès lors, pour obtenir une égalité entre les indices effectifs de propagation des régions en vis-à-vis en silicium et en matériau III-V, il faut que les dimensions de la région en silicium soient grandes. Cela augmente l'encombrement du coupleur optique et, en particulier, l'épaisseur du prolongement en silicium.
Par ailleurs, les puces photoniques sont souvent fabriquées à partir d'un substrat SOI ("Silicon On Insulator"). L'épaisseur de la couche en silicium monocristallin d'un tel substrat SOI est fixée à l'avance. Aujourd’hui, cette épaisseur est couramment inférieure ou égale à 350 nm. Cette épaisseur est inférieure à celle souhaitée pour le prolongement en silicium du coupleur optique. Cela rend ce coupleur optique plus difficile à réaliser à partir d'un tel substrat SOI car sa fabrication requière le dépôt d'une surépaisseur de silicium monocristallin pour atteindre localement une épaisseur supérieure à 350 nm. Par exemple, cette solution est divulguée dans la demande US20210149228.
L'invention vise à proposer une puce photonique dans laquelle l'encombrement du coupleur optique entre un guide d'onde en silicium et un guide d'onde en matériau III-V est réduit.
Elle a donc pour objet une telle puce photonique comportant : - un substrat qui s'étend principalement dans un plan appelé "plan du substrat", - un premier guide d'onde qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en matériau III-V, - un second guide d'onde qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en silicium, - un coupleur optique apte à transférer, entre le début et la fin d'une zone de couplage, au moins une partie d'un signal optique qui se propage, au début de la zone de couplage, dans l'un des premier et second guides d'onde vers l'autre des premier et second guides d'onde, ce coupleur optique comportant à cet effet : - un premier prolongement en matériau III-V qui prolonge le cœur du premier guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, - un second prolongement en silicium qui prolonge le cœur du second guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, ce second prolongement s'étendant en vis-à-vis du premier prolongement, dans lequel le coupleur optique comporte une inclusion en SiGe enfoncée à l'intérieur du second prolongement, cette inclusion : - étant réalisée en SiGe dont la formule chimique est Si 1-x Ge x , où x est compris entre 0,2 et 0,5, et - étant optiquement couplée, d'un premier côté, au premier guide d'onde et, d'un second côté opposé, au second guide d'onde.
Comme l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1 est relié à la partie haute de l’augmentateur inertiel principal IP, il y a une série de canaux d’alimentation CA qui permettent au fluide d’entrer par le bas de l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1. Dans la variante illustrée, chaque canal d’alimentation CA est agencé suivant une direction parallèle à un axe central du vérin.
Les canaux d’alimentation CA longitudinaux sont disposés autour de l’augmentateur inertiel principal IP1, entre celui-ci et l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1. Les canaux d’alimentation CA mettent la chambre de liaison haute Cl1 en communication fluidique avec l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1. Les canaux d’alimentation CA permettent de véhiculer le fluide dans l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1 vers le haut, et d’avoir la chambre de compensation haute S1 au-dessus de l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1.
Le dispositif de suspension inertielle comprend un orifice bas O2 de la chambre de vérin basse C2 en communication fluidique avec l’augmentateur inertiel principal IP1 à l’extrémité basse de la chambre de vérin basse C2.
L’augmentateur inertiel secondaire bas IS2 est agencé en hélice autour d’une moitié basse de l’augmentateur inertiel principal IP et de la chambre de vérin basse C2.
L’augmentateur inertiel secondaire bas IS2 est aligné avec l’augmentateur inertiel secondaire haut IS1, et est dans le prolongement de celui-ci.
Une chambre de liaison basse Cl2 de forme annulaire est prévue autour d’une extrémité basse de l’augmentateur inertiel principal IP, en dessous de l’augmentateur inertiel secondaire bas IS2. La position basse de la chambre de liaison Cl2 permet de véhiculer le fluide dans l’augmentateur inertiel secondaire bas IS2 vers le haut et d’avoir la chambre de compensation basse S2 au-dessus de l’augmentateur inertiel secondaire bas IS2.
Les chambres de compensations S1, S2 sont remplies partiellement d’azote et pressurisées (comme pour un amortisseur), elles se trouvent au-dessus des inerties qui leur correspondent pour garantir que l’azote soit en partie haute par gravité.
L’invention porte en outre sur un système d’essieu avant de véhicule automobile comprenant un dispositif de suspension inertielle tel que décrit précédemment.
Un autre objet de l’invention concerne un véhicule automobile comprenant un dispositif de suspension inertielle tel que décrit précédemment.
L’invention permet de réaliser une solution compacte, monobloc comme un amortisseur, ce qui représente un avantage en intégration et au montage. En outre, la solution permet d’utiliser au mieux l’inertie créée sans en subir les inconvénients d’encombrement notamment.
Système d’actionnement d’un organe mobile La présente invention concerne un système d’actionnement d’un organe mobile tel que, par exemple, un volet obturateur d’une vanne du système de recirculation de gaz d’échappement d’un véhicule automobile (appelée en anglais « EGR bypass valve » ). Plus généralement, l’invention trouve un intérêt particulier en proposant un système d’actionnement dans lequel l’organe mobile doit rester stable dans une position contre une charge.
En particulier, pour les systèmes d’actionnement destinés à commander le volet obturateur d’une vanne du circuit de recirculation de gaz d’échappement, la commande est assurée par une tige de transmission transmettant un effort depuis une source d’énergie vers le volet obturateur à commander.
Les vannes implantées depuis de nombreuses années sur les moteurs thermiques de véhicules possédant une recirculation des gaz d’échappement sont généralement commandées au moyen d’un vérin pneumatique. Ce système d’actionnement requiert un circuit pneumatique coûteux ainsi qu’une pompe à vide fonctionnant en permanence. Lors de la commande pneumatique, le maintien de la position fermée de l’obturateur est réalisé par un ressort de rappel du vérin pneumatique. Ce circuit pneumatique et cette pompe à vide seront supprimés sur les futures plateformes automobiles et il devient donc important de trouver une alternative à ce vérin pneumatique.
Il existe de nombreux actionneurs électriques aptes à commander des vannes de régulation de fluides et résistant aux ambiances sévères de la ligne d’échappement et notamment les températures élevées. En revanche, aucune de ces solutions d’actionnement de l’art antérieur ne permet de remplacer la solution pneumatique actuelle en conservant ses avantages de compacité, de masse réduite, et présentant une force au blocage élevée avec une aptitude à encaisser les pulsations des gaz importantes. Ces pulsations sont en effet issues des cylindres très proches de ladite vanne sous des températures élevées, pouvant atteindre 140°C, et sont transmises par la tige de commande de l’obturateur de la vanne.
La présente invention a pour objet une amélioration des solutions actuelles, notamment en proposant un système d’actionnement d’un organe mobile qui soit simple, compact, présentant une force au blocage élevée avec une aptitude à encaisser les pulsations des gaz importantes tout en consommant une faible quantité d’énergie électrique.
Plus particulièrement, l’invention concerne un dispositif d’actionnement d’un volet obturateur, le dispositif comprenant un actionneur électrique pourvu d’un arbre de sortie, le volet obturateur mobile entre deux positions extrêmes par l’intermédiaire d’un arbre et d’un support d’arbre, un mécanisme de transmission de mouvement situé cinématiquement entre l’actionneur électrique et le volet obturateur, ledit mécanisme de transmission comprenant une bielle s’étendant sensiblement selon un axe X et une manivelle s’étendant sensiblement selon un axe Y, une première extrémité de la bielle est reliée au support d’arbre du volet obturateur et une deuxième extrémité de la bielle est reliée à la manivelle, une première extrémité de la manivelle est reliée à l’arbre de sortie de l’actionneur électrique et une deuxième extrémité de la manivelle est reliée à la bielle, lorsque le volet obturateur est dans une de ses deux positions extrêmes, l’axe X de la bielle et l’axe Y de la manivelle forment un angle α de sensiblement 180°.
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