Procédé d’implantation ionique dans une plaquette semiconductrice (PS) placée dans une chambre d’implantation (CHI) sous vide, la plaquette semiconductrice (PS) présentant une zone de circuit intégré (ZCI) et une zone périphérique (ZPR) autour de cette zone de circuit intégré (ZCI), l’implantation ionique permettant d’appliquer un dopage dans au moins une région, dite région d’implantation (RGI), de la zone de circuit intégré, le procédé comprenant : - une formation (11-1) d’un revêtement en résine photosensible (RES) servant de masque sur la plaquette semiconductrice (PS), le revêtement en résine photosensible (RES) étant appliqué sur la zone de circuit intégré (ZCI) et sur la zone périphérique (ZPR), puis - une formation (11-2) d’une ouverture dans le revêtement en résine photosensible (RES) au niveau de ladite au moins une région d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré, puis - une implantation des ions (12) dans la plaquette semiconductrice (PS), le procédé comprenant en outre, avant ladite implantation des ions, une formation (11-2) d’une ouverture dans le revêtement en résine photosensible (RES) au niveau d’au moins une région (RDM) de la zone périphérique de façon à réduire une surface de couverture du revêtement en résine photosensible (RES) sur la plaquette semiconductrice (PS). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la surface de couverture du revêtement en résine photosensible, après ladite formation d’une ouverture au niveau d’au moins une région de la zone périphérique, est suffisamment réduite pour réduire un dégazage d’atomes du revêtement en résine photosensible (RES) pendant ladite implantation des ions de sorte que la pression dans la chambre d’implantation (CHI) reste inférieure à un seuil donné lors de cette implantation des ions. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel la formation de l’ouverture (ORGI) au niveau de ladite au moins une région d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré (ZCI) et la formation de l’ouverture (ORDM) au niveau de ladite au moins région (RDM) de la zone périphérique (ZPR) sont effectuées simultanément. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la surface de couverture du revêtement en résine photosensible, après avoir formé lesdites ouvertures (ORGI, ORDM) au niveau de ladite au moins une région d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré (ZCI) et au niveau de ladite au moins une région (RDM) de la zone périphérique (ZPR), est inférieure à 75% par rapport à une surface totale de la plaquette semiconductrice. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel lors de ladite implantation d’ions (12), les ions sont comptés à l’aide d’une cavité de Faraday, ladite implantation d’ions se terminant lorsque le nombre d’ions comptés atteint un nombre prédéfini. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ladite au moins une région (RDM) dopée de la zone périphérique (ZPR) et ladite au moins une région d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré (ZCI) sont dopées à une dose supérieure ou égale à 1x10 15 atomes/cm 2 . Dispositif semiconducteur obtenu à partir d’une plaquette semiconductrice (PS) pour laquelle un procédé d’implantation ionique selon l’une des revendications 1 à 6 a été mis en œuvre. Dispositif selon la revendication 7 dans lequel ladite au moins une région (RDM) dopée de la zone périphérique (ZPR) est dépourvue de connexions électriques. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 7 ou 8, dans lequel ladite au moins une région (RDM) dopée de la zone périphérique (ZPR) et ladite au moins une région d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré (ZCI) ont une concentration de dopants supérieure ou égale à 1x10 20 atomes/cm 3 .