INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour de tels regards, typiquement fabriqués en matière plastique et fermés par un couvercle, il s’avère qu’ils s’enfoncent quelque peu dans le sens vertical quand ils sont soumis à des charges s’exerçant sur le couvercle, par exemple dans le cadre du passage d’un véhicule. Lorsque le niveau de la nappe phréatique monte, de tels regards ont également tendance à se soulever sous l’effet de la poussée d’Archimède.
Le risque d’un enfoncement d’un tel regard existe même en l’absence de mise en charge notable par le haut, par exemple après un épisode de montée significative de la nappe phréatique, avec des ravinements en tout ou partie à la base du regard de compteur d’eau. De tels phénomènes se présentent également, lorsque les matériaux entourant le regard, lesquels ont typiquement été compactés lors de son implantation, sont soumis à des influences variables, sont emportés par l’eau ou se déplacent d’une autre manière au fil du temps. Ces deux phénomènes ne sont pas souhaitables et doivent être évités dans la mesure du possible.
Un déplacement ou décalage du regard dans le sens vertical doit aussi être évité afin de n’exercer aucune force de cisaillement sur les conduites qui s’engagent dans un tel regard, s’il est par exemple conformé en regard de compteur d’eau, dans le but d’éviter des charges de ce type au niveau des sections de couplage.
On connaît de l’état de la technique de tels regards, fabriqués dans un matériau plastique, qui présentent une ou plusieurs brides annulaires moulées sur celui-ci, en saillie vers l’extérieur dans le sens radial.
On connaît un tel regard conformé en regard de visite de DE 16 09 143 A.
Les brides annulaires ont pour but d’agir contre la pression d’Archimède qui s’exerce sur le regard de visite.
La proportion du porte-à-faux de ces brides annulaires est faible. Pour cette raison, ce regard de visite dispose de plusieurs brides annulaires disposées à distance l’une de l’autre dans le sens vertical.
Il en va de même pour un regard équipé de robinets, tel que décrit dans WO 97/04203 A1.
Ce regard est destiné à y loger un compteur d’eau. Contrairement à l’état de la technique énoncé précédemment, la paroi de regard ne comporte, en saillie vers l’extérieur, qu’une seule bride annulaire.
La rupture de l’amorce de rupture peut également être créée par un choc adéquat.
En conséquence, l’ajustement de la hauteur de la réhausse se révèle être particulièrement simple à mettre en œuvre vis-à-vis des techniques mettant en œuvre, par exemple, une scie sabre et nécessitant de réaliser une découpe sur tout le pourtour de la réhausse.
De plus, le sillon prédétermine la forme de la rupture et ainsi la forme du bord supérieur de la réhausse ajusté. En conséquence, cette forme du bord supérieur ajusté n’est pas dépendante de la manière avec laquelle est manipulé un outil pour réaliser une découpe.
Grâce au fait qu’une rupture permet de produire un bord supérieur ajusté pour la réhausse, alors il n’est pas produit de particules résultant d’un sciage de la matière de la paroi périphérique.
En conséquence, grâce à la cuve selon l’invention, il est possible de mettre à la bonne hauteur la réhausse sans entraîner d’opération d’entretien ou en minimisant ces opérations d’entretien ultérieures.
La diminution de l’épaisseur de la paroi, résultant par la présence du sillon qui est ménagé dans l’épaisseur de la paroi périphérique, et le fait que le fond du sillon présente une forme en V, permettent de réaliser une rupture avec un bord net, sans bavure. Cela est particulièrement avantageux et l’aspect du bord supérieur ajusté de la réhausse est qualitatif.
Selon un mode de réalisation préféré, selon un plan transversal à la paroi périphérique, la paroi périphérique présente au-dessus du sillon un bourrelet formant une zone de frappe pour entraîner une rupture de la paroi périphérique par l’amorce de rupture.
Grâce à ce mode de réalisation, la rupture de la réhausse au niveau du sillon est réalisée par le biais d’une ou plusieurs frappes réalisées sur la ou les zones de frappe.
Par exemple, il est possible d’utiliser un maillet pour taper sur la zone de frappe située au-dessus du sillon, d’un premier côté de la cuve, produisant de la sorte une rupture de l’ensemble du sillon de ce premier côté de la cuve.
Par la suite, une ou plusieurs frappes du bourrelet situées du deuxième côté de la cuve, opposé au premier côté, permettent de finir de rompre la paroi périphérique au niveau du sillon de ce deuxième côté.
Avantageusement, la paroi périphérique de la réhausse présente une corrugation annulaire faisant saillie à l’intérieur de la réhausse, le sillon étant situé dans le creux de la corrugation, et un pan supérieur de la corrugation annulaire formant le bourrelet.
Cette corrugation annulaire permet de guider les forces s’exerçant sur la paroi périphérique en direction du sillon lors d’une frappe de la zone de frappe formée par la partie supérieure de la corrugation annulaire qui constitue un bourrelet.
Selon une caractéristique avantageuse, la forme en V du fond du sillon définit un angle aigu, préférentiellement la forme en V s’inscrivant dans un triangle avec : - une base de 4 à 8 mm, et avantageusement de 6 mm ; - une hauteur de 15 mm à 30 mm, avantageusement de 20 mm.
Il a été constaté que de telles dimensions, et plus particulièrement les dimensions qualifiées d’avantageuses, permettent de maximiser l’effet technique de l’amorce de rupture.
Selon une conception préférée, au niveau du fond du sillon, la paroi périphérique présente une épaisseur égale à environ 3/10 ièmes de l’épaisseur moyenne de la paroi périphérique.
Cette conception participe à maximiser l’effet de l’amorce de rupture.
De préférence le ou les plastifiants de l’invention sont choisis parmi ceux des familles des phtalates, des esters, des citrates, des benzoates, des néopentanoates d’alkyle en C 8 -C 20 linéaires ou ramifiés, de préférence ramifiés.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants sont choisis parmi les composés (V) et (V’) ci-dessous :
R h -O-C(O)-L-[-C(O)-O-R i ] n R h -C(O)-O-L-[-O-C(O)-R i ] n (V) (V’) Formules (V) et (V’) dans lesquelles : - R h , et R i , identiques ou différents représentent un groupe (C 1 -C 20 )alkyle, aryle tel que phényle, aryl(C 1 -C 4 )alkyle tel que benzyle, de préférence (C 1 -C 4 )alkyle tel que n -butyle ; - n vaut 0, 1, 2 ou 3, de préférence 0, 1, ou 2, plus préférentiellement 1 ou 2 ; et - L représente un groupe a) alkyle en C 1 -C 10 , mono, di, tri ou tétravalent, de préférence (C 2 -C 8 )alkyle trivalent, ledit alkyle mono, di, tri ou tétravalent, pouvant être éventuellement substitué par un ou plusieurs groupes hydroxy, éventuellement interrompu par au moins un hétéroatome tel que O, N, S, de préférence O, b) cycloalkyle mono, di, ou trivalent, ou c) aryle mono, di, tri ou tétravalent, de préférence phényle di, ou trivalent, de préférence L représente un groupe a) ou c).
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention les composés de formule (V) ou (V’) sont ceux dans laquelle : - R h , et R i , identiques ou différents représentent un groupe (C 1 -C 18 )alkyle, aryl(C 1 -C 4 )alkyle tel que benzyle, de préférence (C 1 -C 4 )alkyle tel que n -butyle ; - n vaut 0, 1, ou 2, de préférence 2 ; et - L représente un groupe a) alkyle en C 2 -C 8 , mono, di, ou trivalent, de préférence (C 2 -C 6 )alkyle, ledit alkyle pouvant être éventuellement substitué par un ou plusieurs groupes hydroxy, de préférence substitué par un groupe hydroxy.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants iv) sont choisis parmi ceux de formule (V) .
Selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants iv) sont choisis parmi ceux de formule (V’) .
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants sont choisis parmi les phtalates, de préférence choisis parmi : di n -hexyl phthalate (DnHP), diisoheptyl phthalate, (DIHP), diheptyl phthalate (DnHP), di(2-ethylhexyl) phthalate (DEHP), diheptylnonyl phthalate (DnHNP), din-octyldecylphthalate (DNODP), diheptylnonylundecylphthalate (DnHNUP), diisononyl phthalate (DINP), dinonyl phthalate (DNP), di n -nonyl phthalate (DnNP) diisodecyl phthalate (DIDP), di n -nonyldecylundecyl phthalate (DnNDUP), dinonylundecyl phthalate (DnNUP), diundecyl phthalate (DUP), diisoundecyldodecylphthalate (UDP), ditridecyl phthalate (DTDP), di(2-ethylhexyl)teraphthalate (DOTP), et butylbenzyl phthalate (BBP).
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants sont choisis parmi les diesters d’acides adipique et notamment parmi : diheptylnonyl adipate (DnHNA), di(2-ethylhexyl) adipate (DEHA), diisopropyl adipate (DIPA) diisononyl adipate (DINA), diisodecyl adipate (DIDA), les triesters d’acide benzène 1,2,4-tricarboxylique tels que triheptylnonyl trimellitate (TnHNTM), tri(2-ethylhexyl)trimellitate (TOTM), triisononyl trimellitate (TINTM), les diesters d’acide sébacique comme di(2-ethylhexyl) sebacate (DOS), les diesters d’acide nonanedioique comme di(2-ethylhexyl) azelate (DOZ), les esters tels isodecyl neopentanoate, et isostearyl neopentanoate.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants sont choisis parmi les de citrates notamment choisis parmi : tributyl citrate, triethyl citrate, tributyl 2 acetyl-citrate.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le ou les plastifiants sont choisis parmi les benzoates en particulier choisis parmi : 1,2 propylene glycol dibenzoate (PGDB), diethylene glycol dibenzoate (DEGDB), dipropylene glycol dibenzoate (DPGDB), triethylene glycol dibenzoate (TEGDB) isodecyl benzoate, isononyl benzoate et 2-ethylhexyl benzoate.
Encore plus préférentiellement le ou les plastifiants iv) de l’invention sont choisis parmi le néopentanoate d’isodécyle, le néopentanoate d’isostéaryle, le citrate de tributyle, l’adipate de diisopropyle, le dibenzoate de propylène glycol.
Selon un mode de réalisation de l’invention particulier de l’invention le ou les plastifiants se trouve dans une quantité comprise entre 0,1 et 50 % en poids, de préférence de 0,5 à 30 % en poids par rapport au poids total du ou des polymères a) à e) des particules.
v) le ou les actifs cosmétiques
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention la dispersion de l’invention (A) comprend un ou plusieurs actif(s) cosmétique(s) choisi(s) parmi f) les colorants, g) les pigments ; h) les actifs de soin des matières kératiniques et j) les filtres UV (A) et/ou (B) ainsi que k) leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention le ou les actif(s) cosmétique(s) de l’invention est(sont) choisi(s) parmi les g) pigments.
Selon un mode de réalisation particulier de la présente invention le ou les actif(s) cosmétique(s) de l’invention est(sont) choisi(s) parmi h) les actifs de soin des matières kératiniques de préférence des actifs soin de la peau.
L’invention vise en particulier un procédé de détermination d’une quantité d’énergie thermique fournie à un local d’un bâtiment sur une période donnée, par un dispositif collectif de gestion thermique, ledit local étant défini notamment par une géométrie et une composition des parois et des menuiseries, ladite détermination, réalisée par un ou plusieurs processeurs, comportant l’utilisation d’une pluralité de valeurs de températures ambiantes du bâtiment, d’une valeur de température extérieure au bâtiment, d’un volume du local du bâtiment et d’un coefficient de déperdition thermique du local, ledit procédé étant caractérisé en ce que le coefficient de déperdition thermique du local a été calculé à partir d’un modèle de simulation thermique du bâtiment prenant en compte la géométrie du local et la composition des parois et des menuiseries.
La demanderesse a développé un procédé capable de calculer rapidement une quantité d’énergie fournie à un local à partir essentiellement de données de température ambiante intérieure et extérieure. En particulier, il peut y avoir, dans le cadre de la présente invention, utilisation d’autant de coefficient de déperdition thermique qu’il y a de local et dans certains modes de réalisations avantageux, plusieurs coefficients de déperdition thermique pourront être associés à un même local en fonction de la période considérée. Le procédé peut notamment être utilisé pour calculer des frais de chauffage et intégrer une notion d’équité entre les utilisateurs d’un même bâtiment collectif.
Selon un deuxième objet, l’invention porte sur un répartiteur pour la détermination d’une quantité d’énergie thermique fournie, par un dispositif collectif de gestion thermique, à un local d’un bâtiment, ledit local étant défini notamment par une géométrie et une composition des parois et des menuiseries, ledit répartiteur comprenant un ou plusieurs processeurs configurés pour utiliser une pluralité de valeurs températures ambiantes du bâtiment, une valeur de température extérieure au bâtiment, un volume du local et un coefficient de déperdition thermique du local pour déterminer la quantité d’énergie thermique fournie, ledit répartiteur étant caractérisé en ce que le coefficient de déperdition thermique du local a été calculé à partir d’un modèle de simulation thermique du bâtiment prenant en compte la géométrie du local et la composition des parois et des menuiseries.
De façon préféré, le répartiteur est tel que le modèle de simulation thermique du bâtiment est un modèle prenant en compte en outre des données représentatives de rayonnement solaire local sur la période donnée.
Comme cela sera décrit par la suite, le répartiteur dispose d’une pluralité de coefficients de déperdition thermique chacun dédié à un local. En outre, un local pourra être associé à plusieurs coefficients de déperdition thermique chacun dédié à une période donnée.
Selon un troisième objet, l’invention porte sur un système de répartition de frais de chauffage comportant un répartiteur selon l’invention. Un tel système de répartition permet notamment de faire payer aux locataires la partie de la consommation de chauffage sur laquelle ils sont vraiment responsables, à savoir la température à laquelle ils se chauffent.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre et en référence aux dessins annexés, donnés à titre illustratif et nullement limitatif. représente un procédé selon un mode de réalisation de l’invention. représente un système de détermination d’une quantité d’énergie thermique fournie par un dispositif collectif de gestion thermique selon un mode de réalisation de l’invention.
Sur les figures, les organigrammes et les schémas fonctionnels illustrent l'architecture, la fonctionnalité et le fonctionnement d'implémentations possibles de systèmes, de procédés et de produits de programme d'ordinateur selon divers modes de réalisation de la présente invention. A cet égard, chaque bloc dans les organigrammes ou blocs-diagrammes peut représenter un système, un dispositif, un module ou un code, qui comprend une ou plusieurs instructions exécutables pour mettre en œuvre la ou les fonctions logiques spécifiées. Dans certaines implémentations, les fonctions associées aux blocs peuvent apparaître dans un ordre différent que celui indiqué sur les figures. Par exemple, deux blocs montrés successivement peuvent, en fait, être exécutés sensiblement simultanément, ou les blocs peuvent parfois être exécutés dans l'ordre inverse, en fonction de la fonctionnalité impliquée. Chaque bloc des schémas de principe et / ou de l'organigramme, et des combinaisons de blocs dans les schémas de principe et / ou l'organigramme, peuvent être mis en œuvre par des systèmes matériels spéciaux qui exécutent les fonctions ou actes spécifiés ou effectuer des combinaisons de matériel spécial et d'instructions informatiques.
L’expression « coefficient de déperdition thermique » aussi appelé le coefficient global de déperdition volumique du bâtiment correspond à une performance globale de l'isolation en déperditions thermiques par degré d'écart entre les ambiances intérieures et extérieures. Le coefficient global de déperdition volumique du bâtiment exprime les déperditions par unité de volume chauffé. Il est généralement exprimé en Watt/m 3 et °C. Le coefficient G a été introduit lors de la réglementation thermique de 1974 : « Arrêté du 10 avril 1974 relatif à l'isolation thermique et au réglage automatique des installations de chauffage dans les bâtiments d'habitation », généralement il peut varier de 0,5 à 3 Watt/m 3 et °C.
Dans la suite de la description, l’expression « local d’un bâtiment » correspond à une partie d’un bâtiment pouvant être constituée d’une ou de plusieurs pièces. Le local pourra par exemple correspondre à des bureaux ou une habitation. Ainsi, l’expression « volume du local » correspond au volume d’une ou de plusieurs pièces d’un bâtiment.
L’expression « frais de chauffage individualisé » correspond à des frais de chauffage calculés, généralement pour un local d’un bâtiment, à partir des consommations réelles du local, ces consommations étant établies à partir d’appareils qui déterminent la quantité de chaleur ou de froid consommée au sein de chaque local.
L’expression « modèle de simulation thermique » peut correspondre dans le cadre de l’invention à un modèle configuré pour représenter virtuellement le bâtiment et décrire son comportement face à des sollicitations liées au climat ou au comportement des usagers (ces sollicitations pouvant être modélisées de manière stochastique). En particulier, l’expression « simulation thermique dynamique du bâtiment » peut correspondre dans le cadre de l’invention à un modèle configuré pour calculer l'évolution temporelle de l'état thermique d'un bâtiment. Il permet en particulier de déterminer à tous les instants choisis d’une simulation, la température en un certain nombre de points des éléments le composant et qui évoluent selon les différentes lois régissant les échanges thermiques (convection, conduction, rayonnement, changement d'état). Ainsi, un modèle de simulation thermique permet d'estimer les besoins thermiques d’un bâtiment en tenant compte de l'enveloppe du bâtiment et de son inertie, des divers apports thermiques, du comportement des occupants et du climat local.
Par exemple, l'extrémité 146 correspond à l'extrémité reliée au plot 116 par le câble 118 ( et 3E). Les extrémités 148 et 150 sont reliées l'une à l'autre par un vias 88 (figures 3A et 3B). De même, les extrémités 156 et 158 sont reliées l'une à l'autre par un vias 88 (figures 3A et 3B). Les extrémités 152 et 154 sont reliées l'une à l'autre par un vias 126 ( ) et sont reliées à la borne 44 par des pistes 128 et des vias 130. L'extrémité 160 correspond à l'extrémité reliée au plot 116 par le câble 124 ( et 3E).
A titre de variante, le primaire du transformateur 35 peut comprendre plusieurs enroulements, par exemple deux enroulements, par exemple agencés sur une ou plusieurs couches, par exemple agencés de la même manière que les enroulements 52 et 54. Selon une autre variante, le primaire comprend uniquement l'enroulement 50, l'enroulement 50 étant situés dans plusieurs couches. Les différentes portions de l'enroulement sont alors reliées par un via conducteur.
A titre de variante, les enroulements 52 et 54 sont par exemple chacun situé dans des couches distinctes. Ainsi, l'enroulement 52 est situé dans une ou plusieurs premières couches du substrat et l'enroulement 54 est situé dans une ou plusieurs deuxièmes couches du substrat, les première et les deuxièmes couches étant de préférence séparés par au moins une couche de l'empilement.
A titre de variante, le secondaire peut ne comprendre qu'un seul enroulement. Cet unique enroulement peut être situé dans une ou plusieurs couches.
Un avantage du mode de réalisation de la est que les enroulements 52 et 54 sont similaires et sont sensiblement à la même distance moyenne de l'enroulement 50. Il y a donc moins de disparités entre les enroulements, ce qui permet au transformateur d'avoir un fonctionnement plus précis.
Un avantage des modes de réalisation décrits est que le nombre, et l'épaisseur, des couches entre les couches 76 et 82 peut être choisit de manière à assurer un isolement choisi entre le primaire et le secondaire.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que le transformateur est formé durant le procédé de fabrication du substrat. La fabrication est donc plus courte et moins couteuse que dans un procédé dans lequel le transformateur est formé indépendamment.
STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE UTILE EN SIC MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN SIC POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE STRUCTURE DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier une structure composite comprenant une couche utile en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, et un procédé de fabrication de ladite structure composite. L’invention concerne également le substrat support en carbure de silicium poly-cristallin.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le SiC est de plus en plus largement utilisé pour la fabrication de dispositifs de puissance innovants, pour répondre aux besoins de domaines montants de l'électronique, comme notamment les véhicules électriques.
Les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du carbure de silicium monocristallin peuvent gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée par rapport à leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures. Pour limiter encore les dimensions des dispositifs de puissance sur SiC, il est avantageux de fabriquer des composants verticaux plutôt que latéraux. Pour cela, une conduction électrique verticale, entre une électrode disposée en face avant de la structure SiC et une électrode disposée en face arrière, doit être autorisée par ladite structure.
Les substrats en SiC monocristallin destinés à l’industrie microélectronique restent néanmoins chers et difficiles à approvisionner en grande taille. Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches minces, pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche utile (la couche mince) en SiC monocristallin (c-SiC) sur un substrat support plus bas coût, monocristallin (c-SiC) ou poly-cristallin (p-SiC). Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut ® , basé sur une implantation d’ions légers et sur un assemblage, par collage direct, au niveau d’une interface de collage. L’interface de collage doit présenter une résistivité aussi faible que possible, préférentiellement inférieure à 1 mohm.cm 2 , voire inférieure à 0,1 mohm.cm 2 .
De nombreuses solutions de l’état de la technique proposent de réaliser un collage conducteur à partir de couches métalliques déposées sur les surfaces à assembler. Par exemple, la publication de Letertre (« Silicon carbide and related materials », Material Science Forum – vol 389-393, avril 2002) ou le document US7208392, décrit le dépôt d’une couche de tungstène et d’une couche de silicium, pour former une couche intermédiaire conductrice à base de siliciure de tungstène (WSi2). Un inconvénient de cette approche peut venir de la formation de trous (« voids ») dans cette couche intermédiaire, du fait de la contraction du siliciure par rapport aux matériaux initialement déposés : cela peut notamment affecter la qualité de la couche semi-conductrice superficielle et potentiellement de la structure semi-conductrice dans son ensemble. De plus, avec ce type de couche intermédiaire, il apparait difficile d’abaisser la résistivité de l’interface de collage au niveau requis par des applications nécessitant une très bonne conduction électrique verticale.