INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif électronique 32 de maintenance, et plus précisément le module de commande 66, envoie une consigne de remplacement du premier filtre 281 au dispositif 30 de changement des filtres à air, notamment au dispositif électronique de commande 62.
Lors d’une première sous-étape, le deuxième filtre 28, c’est-à-dire le filtre intermédiaire 282 dans l’exemple des figures, passe en position de filtration. Puis, lors d’une deuxième sous-étape, le premier filtre 28, c’est-à-dire à travers le filtre supérieur 281 dans l’exemple des figures, passe en position de stockage. De la sorte, il n’est pas nécessaire d’interrompre le dispositif 26 de génération, au moins un filtre 28 se trouvant toujours dans le conduit de circulation 36.
Le dispositif de ventilation 20 se trouve alors dans la configuration de l’exemple de la . Le taux d’encrassement du deuxième filtre 28 est alors minimal.
Dans l’exemple des figures, lorsque le taux d’encrassement du filtre intermédiaire 282 dépasse à son tour le premier seuil d’encrassement, c’est-à-dire lorsque la perte de charge mesurée par le dispositif de mesure 34 atteint et dépasse à nouveau ΔP max , le filtre intermédiaire 282 est remplacé par un troisième filtre 28, plus précisément par le filtre inférieur 283, au moyen du dispositif 30 de changement de filtres. Dans l’exemple de la , le filtre intermédiaire 282 présente une même durée de vie T F que le filtre supérieur 281.
Ce procédé est répété jusqu’au dernier filtre 28 (il s’agit du filtre inférieur 283 dans l’exemple représenté sur les figures).
Lorsque tous les filtres 28 présentent un taux d’encrassement supérieur au premier seuil, le dispositif 26 de génération est éteint. Un opérateur retire alors les filtres 28 usagés de l’enceinte 22 et les remplace par des filtres neufs. L’opérateur accède par exemple aux filtres 28 en retirant la trappe 44. Il n’est ainsi pas nécessaire de déposer le dispositif de ventilation 20.
De préférence, comme représenté sur la , l’opérateur est averti en amont de l’imminence de cette opération de maintenance.
Le taux d’encrassement du dernier filtre 28 augmente au fur et à mesure de l’utilisation dudit filtre 28, jusqu’à atteindre un deuxième seuil d’encrassement au bout d’un laps de temps, aussi appelé temps d’alerte T A .
Le deuxième seuil d’encrassement est inférieur au premier seuil. Dans l’exemple de la , le deuxième seuil correspond à une perte de charge d’alerte ΔP A strictement inférieure à la perte de charge maximale ΔP max . De préférence, la perte de charge d’alerte ΔP A est comprise entre 80% et 95% de la perte de charge maximale ΔP max .
Dans un mode de réalisation, le matériau principal de semelle est un élastomère thermoplastique styrénique, de préférence le SEBS ou le SBS, et la semelle comprend un premier matériau auxiliaire de semelle qui est un élastomère thermoplastique styrénique (différent du matériau principal de semelle), de préférence le SEBS ou le SBS. La semelle peut comprendre un deuxième matériau auxiliaire de semelle qui est une polyoléfine, par exemple le PP ou le PE.
Dans un mode de réalisation, le matériau principal de semelle est un élastomère thermoplastique vulcanisé, optionnellement la semelle comprend en outre un premier matériau auxiliaire de semelle, en particulier un élastomère thermoplastique styrénique, par exemple le SEBS ou le SBS, éventuellement greffé.
De préférence, la fraction massique du matériau principal de semelle dans la semelle est supérieure ou égale à 40% et inférieure ou égale à 85%, encore de préférence supérieure ou égale à 30%, préférentiellement supérieure ou égale à 40%, notamment supérieure ou égale à 55%.
De préférence, la fraction massique du premier matériau auxiliaire de semelle dans la semelle est supérieure ou égale à 8%, encore de préférence inférieure ou égale à 30%, par exemple compris entre 15% et 25%.
Dans un mode de réalisation, le matériau principal de semelle est une polyoléfine, en particulier il s’agit du polypropylène.
De préférence, la fraction massique du matériau principal de semelle dans la semelle est supérieure ou égale à 50%, encore de préférence supérieure ou égale à 80%, notamment supérieure ou égale à 90%, par exemple de l’ordre de 100%.
De préférence, lorsque la semelle comprend un ou plusieurs matériau(x) auxiliaire(x) de semelle, ce(s) dernier(s) est/sont de préférence noyé(s), telle(s) une/des charge(s), dans une matrice polymère formée par le matériau principal de semelle.
La semelle selon l’invention peut être/peut comprendre une semelle d’usure ou une semelle intermédiaire ou une combinaison de ces dernières.
Dans un mode de réalisation, l’article chaussant comprend une semelle d’usure et une semelle intermédiaire, en particulier la semelle intermédiaire est une semelle amovible.
La semelle intermédiaire peut être disposée de manière amovible dans un vide de réception du pied de l’article chaussant en sorte de venir sous le pied de l’usager.
La semelle intermédiaire peut faire également office de semelle de propreté.
La semelle selon l’invention peut comprendre (être constituée d’) un ou plusieurs composant(s) de semelle comprenant (en particulier constitué(s)) ledit matériau principal de semelle et/ou un ou plusieurs matériau(x) auxiliaire(s) de semelle.
Un composant de semelle peut être une semelle d’usure, une semelle intermédiaire, une première de propreté, un composant de talon amortissant (par exemple un donut), un composant textile (tel que défini ci-avant en référence à la tige), un dispositif fonctionnel apportant de la stabilité, ou encore un insert de renfort ou d’amorti, ou un composant alvéolaire, en particulier une mousse ou un ensemble de billes moussées et éventuellement agglomérées et/ou collées.
Dans un mode de réalisation, la semelle comprend/est une semelle intermédiaire comprenant une face extérieure venant en contact directement avec le sol.
Avantageusement, la semelle intermédiaire est configurée pour assurer la fonction de semelle d’usure. L’article chaussant ne comprend donc pas de semelle d’usure.
La semelle intermédiaire est de préférence un composant monobloc.
GDERAVEPLIKALKDED PS VR FS AAA A LG E I
GDERAVEPLIKALKDED GF VR LS AAS A LG Q I
SEQ ID NO. 8 - αRep G1 :
TDPEKVEMYIKNLQDDSGTIEDR I
GDERAVEPLIKALKDED GA VR QS AA S ALG Q I
GDERAVEPLIKALKDED GY VR QR AA D ALG K I
GGERVRAAMEKLAETGTGFARKVAVNYLETHGSLIS
SEQ ID NO. 9 - αRep H10 :
TDPEKVEMYIKNLQDDS ML VR SY AA N ALGKI
Suivant une autre caractéristique, l’embout de couplage comporte au moins un élément de couplage de tuyaux et au moins un élément de couplage d’adaptateurs qui sont reliés. L’élément de couplage de tuyaux et l’élément de couplage d’adaptateurs peuvent être réalisés sous la forme d’une seule pièce. L’élément de couplage de tuyau et l’élément de couplage d’adaptateur peuvent être réalisés en une seule pièce. L’élément de couplage de tuyaux est prévu pour réaliser une liaison directe avec l’élément de tuyau. L’élément de couplage d’adaptateurs est réalisé pour une liaison directe avec l’adaptateur de balai d'essuie-glace notamment avec le chapeau d’adaptateur. L’élément de couplage d’adaptateur délimite l’orifice de couplage au moins en grande partie. On arrive ainsi à un embout de couplage avantageusement économique.
Suivant une autre caractéristique, l’élément de couplage de tuyaux et l’élément de couplage d’adaptateur sont reliés par une liaison par enclipsage. L’élément de couplage de tuyau et l’élément de couplage d’adaptateurs peuvent être constitués par deux pièces distinctes qui sont reliées de façon définitive par la liaison par enclipsage. L’élément de couplage de tuyaux et l’élément de couplage d’adaptateurs sont reliés de manière étanche par un joint d’étanchéité. On a l’avantage de pouvoir atteindre le volume intérieur de l’embout de couplage avant l’assemblage de l’embout de couplage.
Suivant une autre caractéristique, l’embout de couplage est un connecteur femelle ayant un orifice de couplage au moins pratiquement en forme de cylindre fermé. De façon préférentielle, le contour extérieur à l’opposé de l’élément de tuyau de l’orifice de couplage est au moins pratiquement sous la forme d’un cylindre fermé. Le prolongement de couplage comporte au moins un élément en forme de serrure. Il permet de réaliser une position de liaison avantageusement unique entre le chapeau d’adaptateur et l’embout de couplage. On évite ainsi les mauvais assemblages et notamment par dépassement de pivotements.
Suivant une autre caractéristique, l’embout de couplage comprend au moins un élément de soupape en forme de clapet antiretour ou de soupape antiretour. Cet élément de soupape est intégré dans l’embout de couplage, notamment il est dans l’embout de couplage. Cet élément de soupape peut être monté dans au moins un élément de couplage de tuyau ou dans au moins un élément de couplage d’adaptateur. En variante, cet élément de soupape est installé dans au moins un chapeau d’adaptateur. On arrive ainsi à une distribution de liquide avantageusement rapide. Cela permet notamment de réduire le retour gênant de liquide lave-glace.
Suivant une autre caractéristique, l’élément de soupape est en forme de soupape en bec de canard. Cet élément de soupape est réalisé en élastomère. On a ainsi un élément de soupape avantageusement économique et léger.
Suivant une autre caractéristique, il est proposé un essuie-glace équipé d’un dispositif d’essuyage selon l’invention. L’essuie-glace comprend l’ensemble du balai d'essuie-glace et du bras d’essuie-glace. En particulier, l’essuie-glace comprend un entraînement d’essuie-glace. Le balai d'essuie-glace comporte au moins deux rails élastiques. Le balai d'essuie-glace comprend au moins une lame d’essuyage avec une lèvre d’essuyage. Le balai d'essuie-glace a avantageusement deux capuchons d’extrémité. On a l’avantage d’une compatibilité des différents composants de l’essuie-glace.
L’invention a également pour objet un procédé de montage d’un dispositif d’essuyage selon l’invention. Ce procédé permet un montage mécanique rapide et une liaison fluidique entre le balai d'essuie-glace et le bras d’essuie-glace.
La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l’aide d’exemples d’essuie-glaces selon l’invention équipés d’un dispositif d’essuie-glace représentés dans les dessins annexés dans lesquels :
vue schématique d’un essuie-glace selon l’invention équipé d’un dispositif d’essuyage selon l’invention,
vue schématique du dispositif d’essuyage selon l’invention,
vue schématique du procédé d’essuyage selon l’invention,
vue schématique d’une variante de dispositif d’essuyage selon l’invention,
vue schématique d’une autre variante de dispositif d’essuyage selon l’invention,
vue schématique d’une autre variante du dispositif d’essuyage selon l’invention.
présente schématiquement un développement du circuit électronique quantique selon la .
Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE L'invention se propose de réduire la variabilité du comportement électronique d'un circuit électronique quantique obtenue lors de sa fabrication. La réduction de variabilité est notamment obtenue par l'amélioration de l'interface entre une couche semiconductrice, destinée à recevoir des bits quantiques également appelé "qubits", et des piliers semiconducteurs, destiné à initialiser et mesurer lesdits qubits.
La présente schématiquement un premier mode de mise en œuvre d'un procédé PROC de fabrication selon l'invention, permettant d'obtenir un circuit DISP électronique quantique selon un premier mode de réalisation. Le procédé PROC comprend les étapes suivantes : graver PROC102 une première partie de ladite première couche semiconductrice de manière à obtenir : une pluralité de piliers semiconducteurs ; et conserver une deuxième partie de la première couche semiconductrice, dite "couche qubits" ; oxyder PROC103 le flanc de chaque pilier semiconducteur de manière à former une pluralité de premières couches diélectriques, dites "diélectriques de flanc" ; déposer PROC104 une deuxième couche diélectrique, dite "première couche de séparation", sur la couche qubits ; former PROC105 une pluralité de premières électrodes conductrices, dites "lignes de couplage", sur la première couche de séparation ; déposer PROC106 une troisième couche diélectrique, dite "deuxième couche de séparation", sur la pluralité de lignes de couplage ; former PROC107 une pluralité de deuxièmes électrodes conductrices, dites "colonnes de couplage", sur la deuxième couche de séparation ; déposer PROC108 une quatrième couche diélectrique, dite "troisième couche de séparation", sur la pluralité de colonnes de sorte qu'une portion de chaque diélectrique de flanc dépasse de la troisième couche de séparation ; et graver PROC109 chaque portion du diélectrique de flancs dépassant de ladite troisième couche de séparation de manière à obtenir une surface de chaque pilier semiconducteur exposée, dite "surface de contact".
Le procédé PROC permet ainsi de fabriquer un circuit électronique quantique comprenant une couche qubits. La couche qubits peut recevoir les qubits pendant leur stockage et leur manipulation.
Le procédé proposé par le document de l'art antérieur FR 3 066 297 comprend une reprise de contact par épitaxie au niveau des boîtes quantiques. Toutefois, une croissance par épitaxie peut provoquer un réajustement cristallin et/ou l'apparition de défaut à l'interface entre la couche de démarrage et la couche épitaxiée. Le procédé selon l'invention permet d'obtenir la couche qubits et les piliers semiconducteurs gravés dans la même première couche semiconductrice, c'est à dire dans le même cristal. Ladite gravure permet de délimiter la pluralité de piliers semiconducteurs et la couche qubits tout en conservant une continuité cristalline entre la couche et les piliers, évitant ainsi l'apparition de défauts ou d'une interface. La continuité cristalline peut être contrôlée par des techniques d'imagerie telles que la microscopie électronique à balayage ou la microscopie électronique à transmission. Un dispositif obtenu par l'invention montrerait une absence d'interface entre la couche qubits et les piliers semiconducteurs. Un dispositif obtenu par un procédé de l'art antérieur montrerait des défauts ou une interface entre la couche qubits et les piliers semiconducteurs.
Le procédé selon l'invention permet également de simplifier la fabrication des circuits en réduisant le nombre de reports nécessaire pour fabriquer les lignes et colonnes de couplage et la couche qubits.
La gravure PROC102 de la pluralité de piliers semiconducteur PLR peut être réalisée à partir d'un substrat SUB tel qu'illustré par la , comportant sur l’une de ces surfaces la première couche semiconductrice S1. La première couche semiconductrice S1 est monocristalline et comprend avantageusement une densité de défauts inférieure à 10 6 cm -3 . La première couche semiconductrice S1 présente une épaisseur, mesurée perpendiculairement à la surface libre, préférentiellement supérieure ou égale à 100 nm. L'épaisseur de la première couche semiconductrice S1 permet de graver ladite couche S1 de manière à former la couche qubits tout en s'assurant que les piliers soient suffisamment haut pour dépasser les lignes et colonnes de couplage et la troisième couche de séparation. L'épaisseur de la première couche semiconductrice S1 peut être réduite ou augmentée selon que le circuit à fabriquer comporte plus ou moins de lignes/colonnes de couplage. Par exemple, des troisièmes électrodes conductrices, formant par exemple des diagonales de couplage, pourraient être ajoutées, nécessitant des piliers semiconducteurs plus grands pour qu'ils puissent dépasser la dernière couche de séparation.
Comme mentionné précédemment, la première couche semiconductrice S1 est en silicium monocristallin afin d'être compatible avec des procédés de fabrication standard dans le domaine. Le silicium de la première couche semiconductrice S1, s'il y a lieu, peut également être enrichi par un isotope tel que le silicium 28. Ce dernier permet d'augmenter le temps de cohérence intrinsèque de la couche qubits. La concentration de silicium 28 dans la première couche semiconductrice S1 est par exemple supérieure à 99,9 %.
La première couche semiconductrice S1 peut être obtenue à partir d'un substrat, par exemple de type SOI, comprenant une couche semiconductrice monocristalline en face avant FRT, une couche semiconductrice en face arrière BCK et une couche isolante BOX. La couche isolante est disposée entre les deux couches précédentes FRT, BCK, autrement dit, enterrée sous la couche semiconductrice en face avant FRT. Une épitaxie à partir de la couche semiconductrice monocristalline en face avant FRT permet d'obtenir une couche semiconductrice épitaxiée EPI. La couche semiconductrice monocristalline en face avant FRT et la couche semiconductrice épitaxiée EPI forment ainsi la première couche semiconductrice S1. Une épitaxie réalisée de préférence en pleine plaque permet de conserver la qualité cristalline de la couche semiconductrice en face avant FRT et ainsi obtenir une première couche semiconductrice S1 monocristalline. De plus, réaliser une épitaxie permet de contrôler l'épaisseur de la couche semiconductrice épitaxiée EPI et donc l'épaisseur de la première couche semiconductrice S1 sans recourir à une étape de gravure. La première couche semiconductrice S1 comprend alors la couche semiconductrice épitaxiée EPI et la couche semiconductrice en face avant FRT. Il est préférable que la première couche semiconductrice S1 présente une bonne qualité cristalline afin de fabriquer un circuit électronique quantique présentant de bonnes caractéristiques électroniques et une faible variabilité. C'est la raison pour laquelle il est préférable que la première couche semiconductrice soit obtenue en partie par épitaxie.
La couche semiconductrice épitaxiée EPI peut également être amincie elle est trop épaisse. Une méthode bien connue de la personne du métier, telle que des étapes successives d'oxydation/gravure, peut être mise en œuvre.
La illustre la gravure PROC102 de la première couche semiconductrice S1 de manière à obtenir les piliers semiconducteurs et la couche qubits. Pour cela, une première partie G de la première couche semiconductrice S1 est gravée afin d'obtenir le circuit intermédiaire illustré en . Afin d'obtenir la pluralité de piliers semiconducteurs PLR, ladite gravure PROC102 est avantageusement réalisée de manière anisotrope, c'est à dire selon une direction préférentielle, préférentiellement perpendiculaire à la surface libre de la première couche semiconductrice S1. Des plots de protection B en matériau dur, peuvent être disposés sur la surface de la première couche semiconductrice S1, pour protéger une partie de ladite couche S1 et permettre de former un pilier semiconducteur PLR sous chaque plot de protection B.
Un agencement particulier des qubits au sein de la couche qubits dans le circuit en fonctionnement permet de mettre en œuvre une méthode de correction d'erreurs appelée "surface code". Pour cela, les qubits sont préférentiellement agencés selon un réseau carré présentant un pas donné. Une première partie des qubits est destinée à former des qubits de données et une seconde partie des qubits est destinée à former des qubits de mesure. Les qubits de données et de mesure sont disposés de manière alternée formant ainsi un réseau de qubits de données en quinconce et un réseau de qubits de mesure en quinconce. Les réseaux de qubits en quinconce présentent ainsi un pas double par rapport au pas du réseau carré. Seul les qubits de mesure sont destinés à être disposés à l'aplomb des piliers semiconducteurs PLR, il est ainsi avantageux de disposer également ces derniers en quinconce.
La gravure PROC102 de la première partie G de la première couche semiconductrice S1 est également réalisée de manière à conserver une deuxième partie QBL de la première couche semiconductrice S1, dite couche qubits. Par conserver, on entend que la gravure PROC102 est par exemple arrêtée avant que toute l'épaisseur de la première couche semiconductrice S1 ne soit gravée. Ladite gravure PROC102 est réalisée de sorte que l'épaisseur TQBL de la couche qubits QBL soit préférentiellement comprise entre 5 nm et 35 nm, de préférence entre 10 nm et 20 nm, par exemple égale à 15 nm.
La pluralité de piliers semiconducteurs PLR, tels qu'illustrés par la , reposent ainsi sur la couche qubits QBL. Une première extrémité PLRa de chaque pilier semiconducteur PLR, que l'on appellera "base", repose sur la couche qubit QBL. Une deuxième extrémité PLRb de chaque pilier semiconducteur PLR, que l'on appellera "tête", est préférentiellement disposée sous un plot de protection B. La gravure PROC102 de la première partie G de la première couche semiconductrice S1 permet ainsi d'obtenir une continuité cristalline entre les piliers PLR et la couche qubits QBL au niveau de chaque base PLRa des piliers PLR. La première couche semiconductrice S1 étant monocristalline, la couche qubits QBL et les piliers PLR sont donc réalisés dans le même cristal. Chaque pilier PLR peut présenter une hauteur HPLR, mesurée perpendiculairement à la couche qubits QBL, supérieure à 50 nm et préférentiellement supérieure ou égale à 80 nm.
Lorsque l’évacuation de l’eau du collecteur 405 modifie le niveau d’eau en dessous du niveau d’activation 460, l’élément de commande 465 désactive la pompe d’évacuation 435, pour interrompre l’évacuation d’eau vers le filtre 440.
L’évacuation de l’eau du collecteur 405 est maintenue par l’élément de commande 465 tant que de l’eau est présente au niveau d’activation.
Lors de l’aspiration de l’eau contenue dans le collecteur par la pompe 435, les entrées du collecteur 405, sont immergées. Cette immersion évite des fuites d’air dans les canalisations d’entrées lors de l’aspiration de l’eau en dehors du collecteur 405. En effet, lors de l’utilisation de l’UMD, un extracteur d’air crée une dépression permanente dans les compartiments de l’UMD, à l’exception du local technique, si bien que les fuites d’air entre les compartiments de l’UMD et le collecteur peuvent avoir lieu. Leur immersion permet de former un « bouchon » évitant les retours d’air du collecteur 405 vers l’UMD.
Le local technique n’étant pas soumis à cette dépression, la canalisation d’entrée relié au local technique ne nécessite pas nécessairement d’être immergée. Le niveau d’entrée de la canalisation d’entrée reliée au local technique peut être à un niveau supérieur aux autres entrées.
Il peut arriver que les quantités d’eaux acheminées aux entrées du collecteur 405 soient plus importantes que les quantités d’eaux évacuées vers le filtre par la sortie. Dans ce cas, malgré l’activation de la pompe d’évacuation 435 par l’élément de commande 465, le niveau de l’eau dans le collecteur 405 continue à augmenter.
Ainsi, le dispositif d’évacuation des eaux peut se retrouver dans la troisième configuration de la .
Dans cette configuration, le niveau de l’eau dans le collecteur 405 est à un niveau 515 supérieur au niveau de sécurité 450.
Dans ce cas de figure, il existe un risque de débordement, dans lequel les eaux usées des équipements sanitaires ne peuvent plus être correctement évacuées.
Pour éviter tout risque de débordement, le détecteur 455, configuré pour détecter lorsque le niveau de l’eau dans le collecteur 405 est égal ou supérieur au niveau de sécurité 450. Le détecteur 455 prend alors le premier état : la pompe d’alimentation 420 est alors désactivée par le biais de l’élément de commande additionnel 470. Tant que le niveau dans le collecteur 405 reste supérieur au niveau d’eau de sécurité 450, le détecteur du niveau de sécurité 455 reste dans le deuxième état.
Ainsi, il n’y a plus d’eau fournie aux équipements sanitaires si bien que le flux d’eau acheminé par les entrées dans le collecteur 405 diminue progressivement jusqu’à s’arrêter.
Tant que le niveau de l’eau dans le collecteur 405 ne redescend pas en dessous du niveau de sécurité, l’alimentation des équipements sanitaires est interrompue.
En d’autres termes, l’élément de commande additionnel 470 est configuré pour désactiver la pompe d’alimentation 420 tant que le niveau d’eau dans le collecteur 405 excède le niveau de sécurité 450, i.e. tant que le détecteur de niveau de sécurité est dans le premier état.