Procédé de frittage par plasma à étincelle pour fabriquer un composé de type phase MAX de formule générale M n+1 AX n , où n = 1, 2 ou 3, M est choisi parmi Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Sc, Mn, Y et Ta, A est choisi parmi Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Cd, In, Sn, Tl et Pb, et X est choisi parmi C ou N, dans un dispositif de frittage par plasma à étincelle (1) comportant une matrice en graphite (2) et deux poinçons en graphite (3a,3b) définissant une chambre creuse (4), caractérisé en ce qu’il comporte au moins les étapes de : mélange de poudres, placement des poudres préalablement mélangées dans un récipient fermé (5) réalisé en un matériau céramique isolant et logé dans la chambre creuse (4), réalisation de l’opération de frittage par plasma à étincelle, et obtention d’une pastille faite du composé de type phase MAX. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le récipient (5) est réalisé à base d’alumine. Composé de type phase MAX de formule générale M n+1 AX n , où n = 1, 2 ou 3, M est choisi parmi Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Sc, Mn, Y et Ta, A est choisi parmi Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Cd, In, Sn, Tl et Pb, et X est choisi parmi C ou N, caractérisé en ce qu’il est obtenu par le procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2. Composé de type phase MAX selon la revendication 3, caractérisé en ce qu’il se présente sous la forme d’une pastille présentant une porosité supérieure à 40%. Composé de type phase MAX selon la revendication 3 ou la revendication 4, caractérisé en ce qu’il est de formule Ti 3 AlC 2 . Dispositif de frittage par plasma à étincelle pour mettre en œuvre le procédé des revendications 1 et 2, comportant une matrice en graphite (2) et deux poinçons en graphite (3a,3b) définissant une chambre creuse (4), caractérisé en ce qu’il comporte en outre un récipient fermé (5) réalisé en un matériau céramique isolant, par exemple de l’alumine, positionné dans la chambre creuse (4) et destiné à recevoir le mélange de poudres pendant l’application du procédé de frittage par plasma à étincelle. Composé de formule générale M n+1 X n , où n = 1, 2 ou 3, M est choisi parmi Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Sc, Mn, Y et Ta, et X est choisi parmi C ou N, caractérisé en ce qu’il est fabriqué à partir d’un composé de type phase MAX selon l’une quelconque des revendications 3 à 5. Composé de formule générale M n+1 X n T x , où n = 1, 2 ou 3, M est choisi parmi Ti, V Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Sc, Mn, Y et Ta, X est choisi parmi C ou N et où T correspond à une terminaison choisie parmi les groupes O, OH, F ou tout autre halogène, caractérisé en ce qu’il se présente sous forme de cristaux présentant majoritairement un profil général en plaquette, lesquelles plaquettes comportent deux faces opposées parallèles de longueur définie (L) espacées l’une de l’autre d’une hauteur définie (H), et en ce que : la longueur L des cristaux sous forme de plaquette est comprise entre 1 et 15 micromètres, la hauteur H des cristaux sous forme de plaquette est comprise entre 0,2 et 1 micromètre, et l’indice d’aplatissement des cristaux sous forme de plaquette défini par le rapport entre la longueur L et la hauteur H est compris entre 5 et 50. Composé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu’il est de formule Ti 3 C 2 T x . Procédé de fabrication du composé selon la revendication 8 ou la revendication 9, caractérisé en ce qu’il comporte deux étapes d’attaque chimique d’un composé précurseur de type phase MAX avec une solution aqueuse acide. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le composé précurseur de type phase MAX est selon la revendication 3 ou la revendication 4.