INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, le polariseur est muni de trois stries longitudinales 19, en plus du septum 2. Les trois stries peuvent être à 90° l’une de l’autre et du septum.
Un nombre de stries supérieur à trois peut être utilisé.
L’un des buts de l’invention est de pallier les inconvénients précités en proposant une solution de contrôle de température dont la sécurité, la fiabilité et le coût sont optimisés par rapport aux solutions de contrôle/maintien de température actuelles.
A cet effet, l’invention concerne un système de refroidissement d’équipement(s) électrique(s) embarqué(s) à bord d’un véhicule propre à se déplacer entre deux positions géographiques distinctes, notamment un véhicule ferroviaire, ledit système comprenant au moins deux capteurs de température, localisés au sein d’un même équipement électrique dont la température est à contrôler, et configurés chacun pour fournir une mesure de température à un dispositif de commande dudit système hors dudit équipement électrique, le dispositif de commande étant propre au moins à :
- comparer chaque mesure de température à au moins un seuil de température prédéterminé ;
- en cas de mesure(s) supérieure(s) audit au moins un seuil de température prédéterminé, transmettre, à au moins deux électrovannes pneumatiques dudit système, connectées à un circuit d’alimentation pneumatique dudit véhicule et à une conduite d’alimentation dédiée à l’alimentation en air comprimé d’au moins un tube vortex refroidisseur dudit système, un ordre d’ouverture desdites au moins deux électrovannes et d’alimentation en air comprimé, via ladite conduite d’alimentation dédiée, dudit au moins un tube vortex refroidisseur dudit système, le tube vortex refroidisseur étant propre à diffuser de l’air refroidi au sein dudit équipement électrique ; et
- en l’absence de mesure(s) supérieure(s) audit au moins un seuil de température prédéterminé, transmettre auxdites au moins deux électrovannes pneumatiques dudit système, un ordre de fermeture et/ou de maintien de fermeture desdites au moins deux électrovannes.
Selon un mode de réalisation particulier, le système de refroidissement comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- ledit dispositif de commande est embarqué au sein d’une unité de contrôle, localisée en dehors dudit équipement électrique ;
- l’unité de contrôle localisée en dehors dudit équipement électrique, comprend en entrée un premier module d’entrées/sorties distant RIOM et son étage de conversion configuré pour convertir, chaque signal électrique analogique représentatif d’une mesure de température transmis par un capteur de température desdits au moins deux capteurs de température localisés au sein du même équipement électrique, en un signal électrique numérique fourni en entrée dudit dispositif de commande ;
- l’unité de contrôle localisée en dehors dudit équipement électrique, comprend en sortie un deuxième module d’entrées/sorties distant RIOM et son étage de conversion configuré pour convertir, chaque ordre numérique d’ouverture d’électrovanne pneumatique généré par le dispositif de commande 18 en un signal électrique basse tension à destination de chaque électrovanne pneumatique respectivement, via un câblage mis en œuvre au sein dudit véhicule ;
- le dispositif de commande est propre à comparer les mesures de températures fournies simultanément par lesdits au moins deux capteurs de température localisés au sein du même équipement électrique, et à émettre une première alerte en cas d’écart supérieur à une valeur d’écart prédéterminée ;
- le dispositif de commande est propre à :
- filtrer les mesures de températures fournies simultanément par lesdits au moins deux capteurs de température localisés au sein du même équipement électrique, en présence d’une mesure de température en dehors d’une plage de température prédéterminée, ladite mesure de température en dehors de ladite plage de température prédéterminée étant extraite ;
- transmettre une deuxième alerte représentative de la présence de ladite mesure de température en dehors de ladite plage de température prédéterminée et extraite ;
- ladite première alerte et/ou ladite deuxième alerte est transmise à un conducteur dudit véhicule et/ou à une plateforme de maintenance distante dudit véhicule ;
- le dispositif de commande est configuré pour transmettre une instruction d’arrêt d’urgence au conducteur dudit véhicule en cas de mesure(s) supérieure(s) audit au moins un seuil de température prédéterminé pendant une période supérieure à une durée prédéterminée ;
- lesdits au moins deux capteurs de température sont identiques.
La représente la structure obtenue après la formation, dans chaque tranchée 110, de la couche isolante 186, de l'isolant de grille 124 et de la grille 120. L'isolant de grille 124 peut être formé par oxydation thermique. Le procédé peut comprendre un dépôt d'une couche conductrice recouvrant la couche isolante et remplissant l'espace restant de chaque tranchée 110, et le retrait, par exemple par gravure, des parties de de la couche conductrice situées en dehors des tranchées 110.
La représente, sur des vues en coupe 12A, 12B, et 12C, la structure obtenue après une étape d'implantation de dopants du premier type de conductivité, par exemple de type P, pour former les caissons 130 des transistors, enterrés dans le substrat 102.
La représente, sur des vues en coupe 13A, 13B, et 13C, la structure obtenue après une première étape d'implantation de dopants du deuxième type de conductivité, pour former, pour chaque transistor T, la première sous-région de dérive 154, et une deuxième étape d'implantation de dopants du deuxième type de conductivité, pour former, pour chaque transistor T, la région de source 150.
La représente, sur des vues en coupe 14A, 14B, et 14C, la structure obtenue après une étape d'implantation de dopants d'un premier type de conductivité pour former les zones de prise de contact 132. Ceci délimite en outre, pour chaque transistor T, les deuxièmes sous-régions de dérive 156 des régions de dérive 152. Les transistors T sont ainsi formés.
Le procédé se poursuit par la formation des niveaux de métallisation.
Les figures 15 et 16 sont des vues en perspective avec coupe selon deux directions différentes illustrant l'évolution de la concentration de dopants en niveaux de gris dans le dispositif 100 des figures 1A à 1D fabriqué selon le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures 6 à 14 avec les profils de concentrations de dopants illustrés sur la . Sur les figures 15 et 16, la teinte de gris est d'autant plus foncée que la concentration de dopants de type N ou P est élevée. Sur les figures 15 et 16, seul le substrat semiconducteur 102 est représenté et les éléments d'un seul transistor T sont partiellement représentés. Les contours de la grille 120, de l'élément conducteur 180, et des vias 194 connectés à la région de source 150 et la zone de prise de contact 132 du transistor T sont en outre partiellement représenté.
Sur la , les courbes C1, C2, C3, et C4 sont des profils de concentrations de dopants, exprimés en atomes/cm 3 , dans le substrat 102 en fonction de la profondeur mesurée depuis la face avant 104 au niveau d'une région de source 150. En particulier le substrat 102 peut être fabriqué par la formation, sur une tranche de silicium fortement dopée à l'arsenic (dopant de type N), ce qui correspond à la région de drain 140, et de la couche semiconductrice 210 de silicium plus faiblement dopée au phosphore (dopant de type N), par exemple par épitaxie. La courbe C1 est la courbe d'évolution de la concentration d'arsenic (présente dans le substrat 102 et la courbe C2 est la courbe d'évolution de la concentration de phosphore issu de la formation de la couche 210. La courbe C3 est la courbe d'évolution de la concentration de bore (dopant de type P) obtenue après l'étape d'implantation pour la formation du caisson 130. La courbe C4 est la courbe d'évolution de la concentration de phosphore obtenue après l'étape d'implantation pour la formation de la première sous-région de dérive 154. La courbe d'évolution, non représentée en , de la concentration de phosphore obtenue après l'étape d'implantation de phosphore pour la formation de la région de source 150 présente un pic à environ 2*10 1 9 atomes/cm 3 à une profondeur d'environ 50 nm et chute à moins de 1*10 1 5 atomes/cm 3 à une profondeur supérieure à 350 nm. Comme cela apparaît sur les figures 15 et 16, la concentration de dopants de type N évolue de façon continue entre les première et deuxième sous-régions de dérive 154, 156 et la région de source 150.
Des simulations ont été réalisées pour le dispositif 100 représenté sur les figures 1A à 1D pour mettre en évidence les propriétés des transistors T. Pour les simulations, le dispositif 100 comprenait les concentrations de dopants décrites précédemment en relation avec les figures 15 à 17. Les simulations correspondent aux situations de fonctionnement normal du transistor T et des conditions de potentiels défavorables pour les jonctions P-N du transistor T. Les simulations ont été réalisées pour une température de 25 °C.
La représente une courbe d'évolution de la densité de courant CD, exprimée en A/cm 2 , en fonction de la tension de drain Vd, exprimée en volts, circulant dans la région de drain 140 du transistor T à l'état passant. Les figures 19, 21, et 23 sont des vues en coupe latérale d'une partie d'un transistor T et les figures 20, 22, et 24 sont des vues en perspective avec coupe d'une partie d'un transistor T. Les figures 19, 20, 22, et 24 illustrent l'évolution de la densité de courant en niveaux de gris dans différentes configurations d'utilisation du transistor T. Pour les figures 19, 20, 22, et 24, la densité de courant CD est exprimée en A/cm 2 et la teinte de gris est d'autant plus foncée que la densité de courant prend des valeurs extrêmes hautes ou extrêmes basses . Pour les figures 20, 22, et 24, la densité de courant CD est exprimée en A/cm 2 . Les figures 21 et 23 représentes des équipotentielles dans différentes configurations d'utilisation du transistor T. Sur les figures 21 et 23, la concentration de dopants est en outre représentée en niveaux de gris, la teinte de gris est d'autant plus foncée que la concentration de dopants de type N ou P est élevée.
Les figures 18 à 20 illustrent une première simulation dans laquelle le transistor T est à l'état passant. Le drain du transistor T était à un potentiel d'environ 40 V, la tension entre la grille et la source du transistor T était d'environ 10 V, et le potentiel à la source du transistor T était d'environ 40 V. Une résistance à l'état passant Ron sensiblement égale à 6,3 mohms.mm 2 a été déterminée. La présence des zones de prise de contact 132 n'entraînent pas de dégradation excessive de la résistance à l'état passant Ron par rapport à une structure dans laquelle la région de source s'étendrait tout le long de la tranchée.
Les figures 21 et 22 illustrent une deuxième simulation dans laquelle le transistor T est à l'état non passant et les conditions de polarisation de la jonction P-N entre le caisson 130 et la région de dérive 142 sont les plus défavorables. Le drain du transistor T est à un potentiel d'environ 40 V, la tension entre la grille et la source du transistor T était d'environ 0 V, et le potentiel à la source du transistor T était d'environ 0 V. La jonction P-N formée entre le caisson 130 et la région de dérive 142 est polarisée en inverse et tient les potentiels appliqués.
Les figures 23 et 24 illustrent une troisième simulation dans laquelle les transistors T sont à l'état non passant et les conditions de polarisation de la jonction entre le caisson 130 et la région de dérive 152 sont les plus défavorables. Le drain de chaque transistor T était à un potentiel d'environ 0 V, la tension entre la grille et la source de chaque transistor T était d'environ 0 V, et le potentiel à la source de chaque transistor T était d'environ 17 V. La jonction P-N formée entre le caisson 130 et la région de dérive 152 est polarisée en inverse et tient les potentiels appliqués.
Les transistors T décrits précédemment permettent de façon avantageuse une tenue en tension à l'état non passant à la fois pour une tension drain-source positive et une tension drain-source négative.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à l’homme de l’art. En particulier, les transistors T ont été décrits avec une région de drain 140 située du côté de la face arrière. A titre de variante, la région de dérive 142 peut être au contact d'une zone de prise de contact plus dopée située du côté de la face avant.
Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.
Matrice de boîtes quantiques à qubits de spin La présente description concerne de façon générale le domaine de l'information quantique ou de l’informatique quantique. Elle concerne en particulier les dispositifs quantiques à bits quantiques (appelés "quantum bits" en anglais ou "qubits"), plus précisément des qubits de spin, dans lesquels les qubits sont réalisés dans des boîtes quantiques confinant des charges élémentaires.
Une autre modification de design du condenseur consiste à augmenter la largeur des canaux de liaison 22 selon la direction Z par rapport à leur largeur dans l’évaporateur.
Comme montré en figures 5A et 5B, cette augmentation de la largeur L2-L1 des canaux de liaison 22 dans le condenseur peut être progressive depuis sa limite avec la zone adiabatique ( ) jusqu’à la deuxième extrémité longitudinale 4 ( ). Cet élargissement peut également être identique sur toute la longueur du condenseur.
Cette augmentation de la largeur L2-L1 permet d’augmenter le volume de la zone d’accommodation des variations de volume liquide dans le condenseur, et donc élargir, pour un taux de remplissage donné, la gamme de températures de fonctionnement du caloduc. Son impact sur la limite capillaire est négligeable.
Pour mettre en exergue l’augmentation de volume d’accommodation, les inventeurs ont fait plusieurs simulations numériques comparatives par rapport à un caloduc de référence, c’est-à-dire réalisé conformément à la demande de brevet EP3553445. On précise ici que les différents calculs numériques ont été réalisés avec un modèle analytique codé avec le progiciel commercialisé sous la dénomination « EES », ou « Engineering Equation Solver».
Les caractéristiques de ce caloduc de référence et d’un caloduc selon l’invention sont synthétisées dans le tableau 1 suivant.
De ce tableau 1, il ressort que le gain est de plus de 65% de volume pour accommoder les variations du volume de liquide dans le caloduc en élargissant la largeur des canaux de liaison 22.
Une autre modification consiste à créer des ouvertures débouchantes 25 dans les plaques 10, afin de créer des interconnexions fluidiques entre les canaux liquides 21.1 à 21.6 dans le condenseur et/ou dans la zone adiabatique et/ou dans l’évaporateur, comme illustré en .
Les interconnexions 25 ainsi créées permettent de favoriser les échanges de liquide entre les différents canaux liquides 21.1 à 21.6, ce qui d’une part assure des vitesses de liquide homogènes dans ceux-ci, et donc minimise le risque de pertes de charge supplémentaires dues à des vitesses locales de canal plus élevées, et d’autre part limite les risques d’assèchement des canaux.
Une dernière modification consiste à réaliser par usinage des rainures circonférentielles 26 sur les bords intérieurs longitudinaux des plaques délimitant le canal vapeur 20 et les canaux de liaison 22, comme illustré en .
Ces rainures circonférentielles 26 forment des canaux de drainage qui favorisent le retour des condensats liquides formés sur les parois du canal vapeur 20 vers les canaux liquides 21.1 à 21.6. Cela est particulièrement utile, notamment dans le cas où la source froide est (au moins en partie) localisée sur un plan différent de celui où se trouvent les canaux liquides. Mais du fait de la conduction thermique dans la plaque extérieure du caloduc, ces rainures de drainage 26 sont utiles même dans la configuration où la source froide se trouve au niveau des canaux liquides.
les figures 8, 8A et 8B montrent un agencement de canaux liquides sur deux faces longitudinales opposées 11, 13 avec les flux de source de chaleur qui arrivent directement en contact avec celles-ci à l’évaporateur et l’extraction par la source froide également en contact avec celles-ci au condenseur; les figures 9, 9A et 9B montrent un agencement de canaux liquides sur deux faces longitudinales opposées 12, 14 avec les flux de source de chaleur qui arrivent sur les faces 11, 13 orthogonales à celles-ci à l’évaporateur et l’extraction par la source froide également par les faces 11, 13 orthogonales à celles-ci au condenseur; les figures 10, 10A et 10B montrent un agencement de canaux liquides sur une seule face longitudinale 14 avec le flux de source de chaleur qui arrive sur une seule face 11 orthogonale à celles-ci à l’évaporateur et l’extraction par la source froide également par une seule face 12 en regard de celle-ci au condenseur; les figures 11, 11A et 11B montrent un agencement de canaux liquides sur une seule face longitudinale 11 avec le flux de source de chaleur qui arrive directement sur cette face 11 à l’évaporateur et l’extraction par la source froide également par une seule face 12 orthogonale à celle-ci au condenseur; les figures 12, 12A et 12B montrent un agencement de canaux liquides sur deux faces longitudinales opposées 11, 13 avec le flux de source de chaleur qui arrive directement en contact avec une seule de ces faces 11 à l’évaporateur et l’extraction par la source froide également par une seule face 12 orthogonale au condenseur; les figures 13, 13A et 13B montrent un agencement de canaux liquides sur deux faces longitudinales opposées 12, 14 avec le flux de source de chaleur qui arrive sur une seule face 11 orthogonale à celles-ci à l’évaporateur et l’extraction par la source froide par une des deux faces 11, 13 orthogonales à celles-ci au condenseur.
D’autres avantages et améliorations pourront être apportées sans pour autant sortir du cadre de l’invention.
Par exemple, un caloduc selon l’invention peut comporter un nombre plus, ou moins important de canaux liquides que six par face longitudinale à l’évaporateur et au condenseur et un unique canal liquide dans la zone adiabatique.
Le tenon 120 présente entre la première surface d’appui 150 et la face 102, un évidement 156 en retrait vers l’intérieur par rapport à la première surface d’appui 150.
Un tel arrangement autorise à la branche 106, une rotation supplémentaire autour de l’axe de rotation Z au-delà de la position ouverte sans que la branche 106 ne se torde. La montre la monture 100 dans une telle position forcée au-delà de la position ouverte.
En effet, la branche 106 pivote de manière à amener le fond 208 de l’interstice 206 contre la paroi du tenon 120 qui délimite l’évidement 156, c'est-à-dire au-delà de la position ouverte et sans subir de contraintes supplémentaires. La paroi du tenon 120 contre laquelle vient en butée le fond 208 est globalement parallèle à la première surface d’appui 150 et en retrait par rapport à elle. En outre, cette rotation supplémentaire écarte la première partie 114 et la barrette 204 au-delà de l’écartement minimal, et lorsque la pression exercée sur la branche 106 est relâchée, celle-ci revient dans la position ouverte sous l’effet du rappel dû à l’écartement au-delà de l’écartement minimal.
Pour limiter la friction entre les bandes 202a-b et le tenon 120, celui-ci présente autour de la fente 124, une surépaisseur 302 sur chaque face du tenon 120 perpendiculaire à l’axe de rotation Z.
La surépaisseur 302 est par exemple comprise entre 0,3 mm et 0,5 mm sur un cercle avec un rayon de l’ordre de 3 mm autour de l’axe de rotation Z.
Système d'aide à l'atterrissage sur une zone d'atterrissage pour un aéronef à voilure tournante L’invention porte sur un système d'aide à l'atterrissage sur une zone d'atterrissage pour un aéronef à voilure tournante, tel un hélicoptère ou un drone.
Lorsque la visibilité est mauvaise, de nuit, ou en présence de brouillard, de pluie ou de poussière, les approches des aéronefs s’effectuent à l’aide des instruments. Sur une zone d’atterrissage préparée, un aéronef est guidé grâce à des équipements radio au sol et à bord.
Ces équipements permettent de guider l’aéronef vers son point d’atterrissage avec la bonne trajectoire (direction et taux de descente) qui garantit la sécurité.
Le problème se pose lorsqu’un aéronef, comme un hélicoptère ou un drone, souhaite atterrir en toute autonomie, sur un terrain sommaire qui n’a pas pu être préparé par une équipe au sol. C’est par exemple le cas, pour de nombreuses missions militaires en opération extérieure, ou pour des hélicoptères de la sécurité civile qui font leur choix de la zone d’atterrissage seulement quelques minutes avant de se poser.
En particulier, lorsqu’un aéronef à voilure tournante, tel un hélicoptère ou un drone, atterrit dans une zone poussiéreuse ou sablonneuse, en approchant du sol, le souffle de l’hélicoptère soulève un nuage de poussière qui dégrade la visibilité du pilote (phénomène de Brownout). L’approche dite à vue, très risquée, s’en retrouve alors compromise et génère parfois des accidents.
Lorsque le pilote d’un aéronef à voilure tournante, tel un hélicoptère ou un drone, est amené à atterrir sur un terrain non préparé, il applique une Méthode de Raisonnement des Approches et des Décollages, d’acronyme MRAD, durant laquelle il décide : le point précis où il va poser son appareil nommé ci-après zone d’atterrissage, l’axe d’approche compte tenu du vent et des obstacles, le type d’approche utilisée : l’angle de descente, la présence ou non d’une descente finale verticale, Dans ou Hors Effet de Sol (DES, HES), ainsi que la puissance moteur.
On entend par effet de sol l'écoulement aérodynamique à faible hauteur, créé par le rotor de la voilure tournante, modifié par la proximité du sol. Il en résulte que la puissance nécessaire pour créer la portance est moindre.
Une fois ces choix définis, le pilote connait sa trajectoire théorique d’approche, son angle de descente, sa vitesse théorique à appliquer, son point de stabilisation éventuel pour finir en descente verticale. Il doit alors appliquer ces éléments théoriques. Pour se repérer dans l’espace et appliquer la bonne pente, le pilote utilise principalement son ressenti et son expérience en observant l’extérieur. Même dans un cas de bonne visibilité, il n’applique pas forcement les bonnes manœuvres.
En cas de nuage ou écran de poussière, ou "brown-out" en langue anglaise, i.e. en cas de restriction de visibilité en vol due à la poussière ou au sable dans l'air, le pilote perd de la visibilité sur sa trajectoire finale d’approche. Il peut même être leurré par des illusions sensorielles. Il essaie de conserver la bonne situation de l'aéronef à voilure tournante, en cherchant les quelques repères visuels qu’il arrive à distinguer. Ces repères l'aident à connaître la situation de l'aéronef à voilure tournante (attitude, altitude).
Pour un hélicoptère, le copilote peut aider le pilote en surveillant et en "chantant" les instruments (puissance moteur, vitesse, altitude, etc…), pour que le pilote aux commandes conserve son regard à l’extérieur.
Le problème est de disposer d’un moyen autonome d’aide au guidage vers toute zone d’atterrissage (préparée ou non), pour un pilote qui a perdu la visibilité extérieure, sans nécessité d’infrastructure sol, en lui laissant libre choix total de sa zone d’atterrissage, et en lui proposant des profils de descentes optimums paramétrables.
Un but de l’invention est de proposer un dispositif d’alimentation permettant de préserver davantage la durée de vie des cellules dudit dispositif.
En vue de la réalisation de ce but, on propose un dispositif d’alimentation comprenant :