INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
T1 étant la transmission totale moyennée entre 380 et 640nm suivant l’axe de P1 et T2 étant la transmission totale suivant l’axe de P2 moyennée entre 380 et 640nm. On a utilisé un spectromètre type PerkinElmer® Lambda 900.
L’évolution des ratios r1 et r2 en fonction de la tension U2 appliquée est indiquée dans la table 1.
A tension nulle, la polarisation suivant P1 est quasi parfaite.
La est une vue partielle schématique de principe en perspective d’un système 1002 comportant le polariseur variable et d’un polariseur statique alternatif de structure similaire au polariseur variable mais sans électrodes dans un premier état fonctionnel du polariseur variable qui est l’état off (comme décrit en ).
Le polariseur statique alternatif comporte les mêmes couches d’ancrages unidirectionnelles 40, 40’ suivant r4 et r5 reproduisant r1 et r2, des cristaux liquides nématiques torsadés entre la surface 40 (nématiques 315 et colorant 325) le cœur de la couche de cristaux liquides passive 3’ (nématiques 314 et colorant 324) et la surface 40’ (nématiques 313 et colorant 323).
La est une vue partielle schématique de principe en perspective du polariseur variable et du polariseur statique alternatif de la dans un deuxième état fonctionnel du polariseur variable qui est l’état on (comme décrit en ).
La courbe 1 est le mode on (avec une tension U2 à 80V).
La courbe 2 est le mode on (avec une tension U2 à 60V).
La courbe 4 est le mode on (avec une tension U2 à 20V).
La courbe 5 est le mode off (avec une tension U2 à 0V).
Les grandeurs caractéristiques mesurées ont pour objectif d’être représentatives de l’état des cultures 50. Par exemple, une culture 50 en bon état qui a ensuite été dégradée par les outils de traitement 20 présente une différence entre la mesure de sa grandeur caractéristique mesurée à t1 par le premier dispositif de protection 40 sur la culture amont 51 et la mesure de sa grandeur caractéristique mesurée à t2 par le dispositif de protection 40 sur la même culture aval 52.
Le dispositif de protection 40 de la parcelle de cultures 50 peut comprendre un premier dispositif de caractérisation 41 des cultures dites amont 51. Les cultures amont 51 sont situées en amont des outils de traitement 20, avant le passage des outils de traitement 20 sur les cultures amont 51 par rapport à la direction d’avancement 101. Autrement dit, ces cultures amont 51 n’ont pas été traitées par les outils de traitement 20 à un instant t1, comme représenté .
Le dispositif de protection 40 de la parcelle de cultures 50 peut également comprendre un deuxième dispositif de caractérisation 42 des cultures dites aval 52. Les cultures aval 52 sont situées en aval des outils de traitement 20, après le passage des outils de traitement 20 sur les cultures aval 52 par rapport à la direction d’avancement 101. Autrement dit, ces cultures aval 52 ont été traitées par les outils de traitement 20 à un instant t2, comme représenté .
Dans un premier mode de réalisation représenté en et , les deux dispositifs de caractérisation 41, 42 peuvent comprendre des capteurs d’image. Ces capteurs d’image peuvent être des capteurs CMOS. Ces capteurs peuvent être orientés vers le sol. Ils peuvent également être orientés dans un plan normal à la direction d’avancement 101.
Les grandeurs caractéristiques mesurées peuvent être une image de la culture. Ainsi, si une différence de pixels est observée entre les deux images d’une même culture 50 avant et après le traitement par les outils de traitement 20, cela peut signifier que la culture 50 a été dégradée.
Les grandeurs caractéristiques peuvent également être la largeur de la culture 50, la largeur étant définie comme une dimension de la culture dans un plan parallèle au sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100 et perpendiculaire à sa direction d’avancement 101. Cette grandeur caractéristique peut notamment mettre en évidence une coupe ou un arrachement de la culture 50.
L’unité de commande 10 peut être configurée pour extraire la largeur d’une culture à partir d’une image extraire d’un capteur CMOS suite à un traitement d’images.
Les grandeurs caractéristiques peuvent également être la hauteur de la culture 50. La hauteur est définie comme la dimension de la culture 50 selon un axe sensiblement perpendiculaire au sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100. Cette grandeur caractéristique peut notamment mettre en évidence une coupe ou un arrachement de la culture 50.
L’unité de commande 10 peut être configurée pour extraire la hauteur d’une culture 50 à partir d’une image extraire d’un capteur CMOS suite à un traitement d’images.
Les grandeurs caractéristiques peuvent également être l’angle que forme la culture 50 par rapport au sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100. Cette grandeur caractéristique peut notamment mettre en évidence un écrasement de la culture 50, particulièrement si celle-ci est une culture haute.
Les grandeurs caractéristiques peuvent également être la position de la culture 50. Ainsi, cette grandeur caractéristique peut notamment mettre en évidence un arrachement et déplacement de la culture 50.
De même, les grandeurs caractéristiques peuvent également être un espacement entre la culture 50 et une autre culture de la parcelle. De même, cette grandeur caractéristique peut notamment mettre en évidence un arrachement et déplacement de la culture 50.
De préférence, l’espacement est mesuré entre deux cultures 50 voisines, c’est-à-dire que l’une est traitée l’une juste après l’autre par les outils de traitement 20.
L’unité de commande 10 peut être configurée pour extraire l’angle que forme une culture 50 avec le sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100 à partir d’une image extraire d’un capteur CMOS suite à un traitement d’images.
Les deux dispositifs de caractérisation 41, 42 mesurent, préférentiellement, la même grandeur caractéristique.
Les deux dispositifs de caractérisation 41, 42 peuvent comprendre les mêmes capteurs. Les capteurs peuvent être reliés à l’unité de commande 10.
l’application d’au moins une couche de peinture est réalisée par le dépôt d’une seule couche de laque pigmentée sur le premier vernis au niveau d’au moins une partie de la zone ayant subie un traitement de surface. Cela permet de réaliser un motif décoratif par l’intermédiaire d’une seule couche de peinture déposée directement sur le premier vernis ; la laque pigmentée est réticulée par irradiation infrarouge. Cela permet une réticulation rapide et localisée ; l’application d’au moins une couche de peinture est réalisée par le dépôt d’un primaire, d’une base de peinture et d’un second vernis ; le primaire, la base de peinture et le second vernis sont réticulés par irradiation UV ; le primaire, l’encre colorée et le second vernis sont réticulés après leurs dépôts respectifs ou après la totalité des dépôts ; l’application d’au moins une couche de peinture est réalisée en pulvérisant des jets de peinture parallèles à l’aide d’un applicateur de peinture. Cela permet une application très précise de la peinture formant le motif décoratif ; l’applicateur de peinture est placé à une distance du premier vernis inférieure ou égale à 70 millimètres, de préférence inférieure ou égale à 50 millimètres. Cela permet de s’assurer de l’absence de brouillard de peinture au moment de la réalisation du motif décoratif ; le traitement de surface est réalisé par une méthode choisie parmi : traitement par plasma rotatif à basse température ou flammage ; et la pièce plastique extérieure de véhicule automobile est recouverte, avant traitement de surface, d’un premier primaire, d’une première base de peinture et du premier vernis.
L’invention a également pour objet une pièce plastique extérieure de véhicule automobile comprenant au moins une face recouverte d’au moins un premier vernis, le premier vernis étant recouvert, dans au moins une zone, par un motif décoratif, le motif décoratif étant formé par au moins une couche de peinture.
le motif décoratif est formé par une seule couche de laque pigmentée ; la pièce plastique extérieure de véhicule automobile est un panneau de carrosserie ; et la face est recouverte d’un premier primaire et d’une base de peinture disposés sous le premier vernis.
De préférence, elle peut être recouverte d’un premier primaire 8, d’une base de peinture 10 et du premier vernis 12 comme illustré à la . Ce cas va être décrit par la suite. Elle peut cependant être seulement recouverte par le premier vernis 12. Le procédé de peinture de cette face peut être un procédé de peinture classique, connu de l’homme du métier et qui ne fera pas l’objet d’une plus ample description dans la présente demande. Il en est de même pour les compositions utilisées pour réaliser le premier primaire 8, la base de peinture 10, par exemple une peinture colorée, et le premier vernis 12. On peut tout de même préciser que la surface peinte du corps principal 4, par exemple la face externe 6, peut subir un traitement de surface par flammage avant peinture afin de faciliter l’adhésion de peinture au corps principal 4 (on peut dès lors parler d’une activation du corps principal 4).
Le motif décoratif 14 peut être formé par une unique couche de laque pigmentée 16 sur le premier vernis 12 au niveau d’au moins une partie de la zone ayant subie un traitement de surface. Cela permet de réaliser un motif décoratif par l’intermédiaire d’une seule couche de peinture déposée directement sur le premier vernis 12.
La laque pigmentée 16 permet donc de réaliser directement (i.e. sans dépôt préalable d’un primaire) un motif décoratif 14 en couleur grâce à une seule couche de peinture et donc de manière très rapide. De plus, cette dernière peut ne pas nécessiter l’application de vernis à sa surface pour respecter les cahiers des charges constructeur en termes de tenue dans le temps car elle s’apparente à un vernis pigmenté.
De préférence, la laque pigmentée 16 est réticulable par irradiation infrarouge. Une source d’émission d’un faisceau infrarouge peut dès lors être placée face à la laque pigmentée 16 afin de permettre son séchage. Cette réticulation n’est que locale et donc peu coûteuse et plus rapide. La laque pigmentée peut être en phase solvant ou en phase aqueuse.
Alternativement au dépôt d’une laque pigmentée, il est possible de déposer sur le premier vernis 12 un primaire (on parle d’un second primaire si un premier primaire 8 est déposé sur la pièce plastique extérieure de véhicule automobile 2), puis une base de peinture (on parle d’une seconde base de peinture si une première base de peinture 10 est déposée sur la pièce plastique extérieure de véhicule automobile 2) et enfin un second vernis pour réaliser le motif décoratif 14. De préférence, ces différentes couches sont réticulables par irradiation UV (par l’intermédiaire d’une lampe UV ou d’une lampe au mercure), là encore pour effectuer une réticulation locale et donc plus rapide et peu coûteuse. Les différentes couches peuvent être réticulées après leurs dépôts respectifs ou toutes en même temps après réalisation de tous les dépôts. Le dépôt d’un primaire est facultatif et dépend entre autres de la composition de la base de peinture qui nécessite ou non le dépôt préalable d’un primaire.
Eventuellement l’une ou les deux couches externes a une section transversale diminuant en forme en coin du haut vers le bas du vitrage feuilleté, la couche en matériau plastique viscoélastique aux propriétés d’amortissement vibro-acoustique ayant une section transversale constante du haut vers le bas du vitrage feuilleté. Comme exemple de feuillet acoustique on peut citer le brevet EP0844075.
Le système optique selon l’invention peut être intégré au sein d’un vitrage feuilleté et notamment bombé, est entre des premier et deuxième vitrages respectivement dits vitrages extérieur et intérieur et forme une bande périphérique sur une portion supérieure du vitrage, la tranche dite externe de l’empilement étant masqué de l’extérieur par une première couche périphérique opaque notamment un émail sur le vitrage extérieur (de préférence en face F2), et/ou la tranche dite interne de l’empilement étant masqué de l’intérieur par une couche périphérique opaque notamment un émail sur le vitrage intérieur (en face F4 par exemple voire face F3).
La modification d'indice de réfraction activée par des matériaux à modification de phase a été utilisée pour obtenir une commutation dans des circuits photoniques intégrés, la modulation de modes électromagnétiques dans des structures périodiques et la manipulation de contraste optique local.
Un mode de réalisation prévoit un radiateur en forme de nano-trou pour un contrôle optimal du front thermique adapté pour filtrer une géométrie particulière et qui permette d'atteindre de façon optimale des températures de modification de phase critiques dans le filtre à modification de phase.
Un mode de réalisation prévoit une adaptation de géométrie spécifique et de niveau de courant pour minimiser une variabilité de champ de température à l'intérieur de la région de filtre.
Un mode de réalisation prévoit un découplage de régions de haute température par rapport à des régions de basse température permettant la coexistence de lentilles optiques organiques à proximité de la région de cellule à matériau à modification de phase en utilisant des matériaux transparents afin de : - protéger l'empilement optique d'une dégradation induite par la température ; - minimiser le cycle chauffage – refroidissement ; et - tout en permettant une transmission élevée de la lumière.
Un mode de réalisation prévoit un filtre à modification de phase comprenant : - une pluralité de points, chaque point étant constitué d'un matériau à modification de phase ; et - une couche de chauffage en un matériau électriquement conducteur, la couche de chauffage comprenant une pluralité de zones de chauffage, chaque zone de chauffage comprenant un ou plusieurs doigts conducteurs, dans lequel un point correspondant parmi les points est placé sur chaque zone de chauffage de la couche de chauffage.
Un mode de réalisation prévoit également un filtre à modification de phase comprenant : - une pluralité de points, chaque point étant constitué d'un matériau à modification de phase, dans lequel les points sont formés en colonnes et en lignes espacées régulièrement, le pas des points dans les colonnes et les lignes étant dans la plage allant de 500 nm à 1000 nm.
Selon un mode de réalisation, le nombre de doigts conducteurs dans chaque zone de chauffage de la couche chauffante est égal à deux.
Selon un mode de réalisation, les points sont formés en colonnes et en lignes espacées régulièrement.
Selon un mode de réalisation, le pas des points dans les colonnes et/ou lignes est dans la plage allant de 500 nm à 1000 nm.
Selon un mode de réalisation, le pas des points dans les colonnes et/ou lignes est tel que les longueurs d'onde de la lumière dans une plage de filtrage sont atténuées d'au moins 40 pour cent et, de préférence, d'au moins 50 pour cent ou d'au moins 60 pour cent, lorsque les points sont dans un premier état, dans lequel la plage de filtrage est comprise dans la plage de longueurs d'ondes allant de 900 nm à 1000 nm.
Selon un mode de réalisation, la plage de filtrage est comprise dans la plage de longueurs d'onde allant de 920 nm à 960 nm.
Selon un mode de réalisation, le filtre à modification de phase est un filtre coupe-bande, la bande du filtre coupe-bande étant par exemple centrée sur une fréquence centrale dans la plage allant de 900 nm à 1000 nm et, de préférence, dans la plage allant de 920 nm à 960 nm, la fréquence centrale étant par exemple égale à 940 nm, ou à environ 940 nm.
Selon un mode de réalisation, les longueurs d'onde de lumière dans la plage de filtrage sont atténuées de moins de 20 pour cent lorsque les points sont dans un deuxième état.
Selon un mode de réalisation, le premier état est un état amorphe et le deuxième état est un état cristallin.
Selon un mode de réalisation, le pas des points dans les colonnes et les lignes est tel que des longueurs d'onde de la lumière dans une plage de filtrage de décalage sont atténuées d'au moins 40 pour cent et, de préférence, d'au moins 50 pour cent ou d'au moins 60 pour cent, lorsque les points sont dans un deuxième état, dans lequel la plage de filtrage de décalage ne chevauche par exemple pas la plage de filtrage.
Selon un mode de réalisation, le matériau électriquement conducteur de la couche de chauffage comprend de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO).
Les et illustrent la gravure PROC304 sélective des plots de protection B par rapport à la quatrième couche de séparation SEP4 et par rapport aux lignes de lecture RDT. La gravure PROC304 peut être réalisée de manière isotrope. Elle est préférentiellement arrêtée sur le sommet de chaque pilier PLR, laissant apparaître le matériau semiconducteur de chaque pilier PLR. La gravure PROC304 des plots de protection B permet ainsi de former une pluralité de cavités CAV à l'aplomb de chaque pilier PLR. Chaque cavité CAV est préférentiellement entourée d'une ligne de lecture RDT.
Chaque cavité CAV est destinée à accueillir une grille de chargement CHAR permettant de former, avec un pilier PLR et une ligne de lecture RDT, un transistor à électron unique. Les et illustrent une première étape de la formation PROC305 de la grille de chargement CHAR, dans chaque cavité CAV. En premier lieu, les parois de chaque cavité CAV, et préférentiellement les parties apparentes des lignes de lecture RDT, sont oxydées de manière à former une septième couche diélectrique OX, dite "oxyde de grille". L'oxyde de grille OX est préférentiellement formé par oxydation thermique et présente avantageusement une épaisseur comprise entre 2 nm et 5 nm.
La formation PROC305 de la grille de chargement CHAR comprend également le remplissage de chaque cavité CAV, tel qu'illustré par les et , avec un matériau conducteur tel qu'un métal ou un ensemble de couches métalliques. Le remplissage de chaque cavité CAV comprend par exemple un dépôt conforme d'une première couche métallique, par exemple de titane Ti, de manière à recouvrir l'oxyde de grille OX au fond de chaque cavité CAV. Le remplissage des cavités CAV peut également comprendre le dépôt conforme d'une couche de siliciure, par exemple en nitrure de titane TiN, de manière à recouvrir la première couche métallique. Enfin, le remplissage peut comprendre le dépôt d'une deuxième couche métallique, par exemple en tungstène W, recouvrant la couche de siliciure et remplissant totalement chaque cavité CAV.
Les grilles de chargement CHAR peuvent être structurées de manière à connecter une pluralité de transistors à électron unique. Elles sont avantageusement sensiblement parallèles les unes aux autres et orientées selon l'une des première ou deuxième direction X, Y. De la sorte, les grilles de chargement CHAR peuvent contrôler une pluralité de piliers PLR. Toutefois, afin de réduire le couplage capacitif entre les lignes de lecture RDT et les grilles de chargement CHAR, ces dernières sont avantageusement orientées perpendiculairement aux lignes de lecture RDT.
Ainsi, après l'étape d'aplanissement PROC303 de la quatrième couche de séparation SEP4 et avant l'étape de gravure PROC304 des plots de protection B de manière à former les cavités CAV, le procédé PROC peut comprendre une étape de formation PROC306 de couloirs CLR, chaque couloir CLR étant préférentiellement aligné avec une pluralité de piliers PLR. Les grilles de chargement CHAR sont alors préférentiellement formées dans chaque couloir CLR. Les grilles de chargement CHAR sont ainsi isolées deux à deux. Les couloirs CLR sont séparés deux à deux par une paroi PAR.
L'étape de formation PROC306 des couloirs CLR, schématisée par la . Elle comprend une première sous-étape PROC306-1, illustrée par la , comprenant le dépôt d'un masque dur HM recouvrant la quatrième couche de séparation SEP4, les lignes de lecture RDT et les plots de protection B. La couche de masque dur peut être réalisée à partir de nitrure de silicium SiN ou de nitrure de titane TiN. Elle présente préférentiellement une épaisseur THM comprise entre 10 nm et 30 nm.
L'étape de formation PROC306 des couloirs CLR comprend une deuxième sous-étape PROC306-2, également illustrée par la , comprenant le dépôt d'une couche d'encapsulation PMD recouvrant le masque dur HM. La couche d'encapsulation PMD est préférentiellement réalisée à partir d'oxyde de silicium SiO 2 et peut présenter une épaisseur TPMD supérieure à 80 nm.
Les couches d'encapsulation PMD et de masque dur HM sont ensuite gravées lors d'une troisième sous-étape PROC306-3, illustrée par les et , de manière à former des tranchées dans les matériaux précités, formant les couloirs CLR. La gravure PROC306-3 est préférentiellement réalisée à travers un masque de résine obtenu par une étape de photolithographie. La gravure des couches d'encapsulation PMD et de masque dur HM s'arrête au niveau du sommet des plots de protection B. Les parois PAR séparant les couloirs comprennent alors avantageusement une portion de masque dur HM et une portion de couche d'encapsulation PMD.
L'étape de gravure PROC304 des plots de protection B, illustrée par le et , est avantageusement réalisée lorsque les parois PAR séparant les couloirs sont déjà en place. De la sorte, l'étape de formation PROC306 des grilles de chargement CHAR, illustrées par les et permet d'obtenir des grilles CHAR structurées et isolées les unes des autres.
La formation PROC306 des grilles de chargement CHAR peut alors comprendre le dépôt conforme de la couche métallique dans chaque cavité CAV et dans chaque couloire CLR. Il en est de même pour le dépôt conforme de la couche de siliciure. Le remplissage de chaque cavité CAV peut également permettre de remplir chaque couloir CLR. À l'issue de l'étape de formation PROC306 des grilles de chargement CHAR, un aplanissement peut être réalisé de manière à garantir l'absence de court-circuit entre les grilles de chargement.
La présente schématiquement le circuit DISP électronique quantique susceptible d'être obtenu à l'issue du procédé de fabrication selon le troisième mode de mise en œuvre. Les première, deuxième, troisième et quatrième couches de séparation SPE1, SEP2, SEP3, SEP4 sont masquées afin de présenter, par rapport à chaque pilier PLR et à la couche qubit QBL, la superposition des lignes de couplage CL, des colonnes de couplages CC, des lignes de lecture RDT et des grilles de chargement CHAR.
Le mode de réalisation du circuit DISP de la diffère ainsi du mode de réalisation des et en ce que le circuit DISP comprend : une pluralité de lignes de lecture RDT s'étendant sur la troisième couche de séparation SEP3, chaque ligne de lecture RDT étant en contact avec au moins pilier semiconducteur PLR ; et une pluralité de grille de chargement CHAR, chaque grille de chargement formant, avec une ligne de lecture RDT et un pilier semiconducteur PLR, un transistor à électron unique.
La présente schématiquement le circuit DISP obtenu lors d'un développement du procédé PROC. Une pluralité de grille de contrôle GC peut être ajoutée au circuit précédemment obtenu de manière à contrôler et manipuler l'état de chaque qubit. Pour cela, le circuit DISP est retourné. Lorsque le circuit DISP est réalisé à partir d'un substrat de type SOI, c'est à dire comprenant une couche isolante BOX enterrée sous la couche qubit QBL, alors il est gravé jusqu'à atteindre la couche isolante BOX. Ensuite, une pluralité de grilles de contrôle GC, réalisées dans une matériau conducteur, est formée sur la couche isolante BOX. Les grilles de contrôle GC sont préférentiellement sensiblement parallèles entre elles et sont disposées entre chaque pilier PLR.
Alternativement, la couche isolante BOX peut être amincie. Elle peut également être complètement retirée et de manière à déposer une nouvelle couche d’oxyde, par exemple plus mince que la couche isolante BOX, sur la couche qubit QBL. La pluralité de grilles de contrôle GC est ensuite formée sur la nouvelle couche d'oxyde.