Puce photonique comportant : - un substrat (44) qui s'étend principalement dans un plan appelé "plan du substrat", - un premier guide d'onde (200) qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en matériau III-V, - un second guide d'onde (220) qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en silicium, - un coupleur optique (300) apte à transférer, entre le début et la fin d'une zone de couplage, au moins une partie d'un signal optique qui se propage, au début de la zone de couplage, dans l'un des premier et second guides d'onde vers l'autre des premier et second guides d'onde, ce coupleur optique comportant à cet effet : - un premier prolongement (306) en matériau III-V qui prolonge le cœur du premier guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, - un second prolongement (308) en silicium qui prolonge le cœur du second guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, ce second prolongement s'étendant en vis-à-vis du premier prolongement, caractérisé en ce que le coupleur optique (300) comporte une inclusion (320) en SiGe enfoncée à l'intérieur du second prolongement (308), cette inclusion : - étant réalisée en SiGe dont la formule chimique est Si 1-x Ge x , où x est compris entre 0,2 et 0,5, et - étant optiquement couplée, d'un premier côté, au premier guide d'onde (200) et, d'un second côté opposé, au second guide d'onde (220). Puce selon la revendication 1, dans laquelle l'inclusion est logée à l'intérieur d'un évidement (322) réalisé dans le second prolongement, le fond de cet évidement étant formé par une semelle (324) en silicium dont l'épaisseur est inférieure à l'épaisseur du second guide d'onde (220) et sur laquelle l'inclusion en SiGe est réalisée. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle : - le premier guide d'onde et le premier prolongement sont entièrement situés entre des premiers plans inférieur (P 1inf ) et supérieur (P 1sup ) parallèles au plan du substrat, le premier guide d'onde présentant des faces inférieure et supérieure contenues, respectivement, dans les premiers plans inférieur et supérieur, - le second guide d'onde et le second prolongement sont entièrement situés entre des seconds plans inférieur (P 2inf ) et supérieur (P 2sup ) parallèles au plan du substrat, le second guide d'onde présentant des faces inférieure et supérieure contenues, respectivement, dans les seconds plans inférieur et supérieur, - les premiers et seconds plans inférieurs et supérieurs sont empilés les uns au-dessus des autres dans l'ordre suivant : le second plan inférieur (P 2inf ), le second plan supérieur (P 2sup ), le premier plan inférieur (P 1inf ) puis le premier plan supérieur (P 1sup ), et - l'inclusion (320) est entièrement située entre les seconds plans inférieur et supérieur. Puce selon la revendication 3, dans laquelle : - du premier côté, l'inclusion (320) comporte une première terminaison (330) en pointe qui raccorde optiquement l'inclusion au premier guide d'onde, la largeur de cette première terminaison diminuant progressivement et continûment depuis une largeur maximale jusqu'à une largeur minimale en progressant en direction du premier guide d'onde, la largeur de la première terminaison étant mesurée dans une direction parallèle au plan du substrat et perpendiculaire à la direction de propagation du signal optique dans cette première terminaison, - l'indice effectif de propagation de cette première terminaison (330) à l'emplacement où sa largeur est maximale est supérieur à l'indice effectif de propagation d'une portion du premier prolongement (306) située en vis-à-vis de cet emplacement de la première terminaison où sa largeur est maximale, et - l'indice effectif de propagation de cette première terminaison (330) à l'emplacement où sa largeur est minimale est inférieur à l'indice effectif de propagation d'une portion du premier prolongement (306) située en vis-à-vis de cet emplacement de la première terminaison où sa largeur est minimale. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle : - du second côté, l'inclusion comporte une seconde terminaison (332) en pointe qui raccorde optiquement l'inclusion au second guide d'onde (220), la largeur de cette seconde terminaison diminuant progressivement et continûment depuis une largeur maximale jusqu'à une largeur minimale en progressant en direction du second guide d'onde, des flancs verticaux de cette seconde terminaison étant directement en appui sur des parois verticales d'un évidement (322) creusé dans le second prolongement, ces flancs verticaux et ces parois verticales s'étendant chacun principalement dans un plan perpendiculaire au plan du substrat, la largeur de la seconde terminaison étant mesurée dans une direction parallèle au plan du substrat et perpendiculaire à la direction de propagation du signal optique dans cette seconde terminaison, - l'indice effectif de propagation de cette seconde terminaison (332) à l'emplacement où sa largeur est maximale est supérieur à l'indice effectif de propagation du second guide d'onde (220), et - l'indice effectif de propagation de cette seconde terminaison à l'emplacement où sa largeur est minimale est inférieur à l'indice effectif de propagation du second guide d'onde (220). Puce selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans laquelle la distance qui sépare le second plan inférieur (P 2inf ) du second plan supérieur (P 2sup ) est inférieure ou égale à 310 nm. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l'inclusion est réalisée en SiGe dont la formule chimique est Si 1-x Ge x , où x est compris entre 0,4 et 0,5. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle : - le premier guide d'onde (200) est réalisé en matériau à gain III-V, et - la puce comporte : - une source laser (7) à semi-conducteur apte à générer le signal optique, cette source laser comportant le premier guide d’onde (200), le second guide d'onde (220) et le coupleur optique (300) qui raccorde optiquement les premier et second guides d’onde l’un à l’autre à travers une couche (20) en matériau diélectrique, et - un modulateur (100) de phase et/ou d'amplitude réalisé sur le même substrat (44) et apte à moduler le signal optique généré par la source laser à semi-conducteur, ce modulateur comportant : - une première électrode (120) en silicium dopée P ou N entièrement située entre les seconds plans inférieur (P 2inf ) et supérieur (P 2sup ), - une seconde électrode (130) présentant un dopage de signe opposé à celui de la première électrode. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le second guide d'onde a un indice effectif de propagation inférieur à l'indice effectif de propagation du premier guide d'onde. Procédé de fabrication d'une puce photonique conforme à l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le procédé comporte : - la fourniture (400) d'un substrat qui s'étend principalement dans un plan appelé "plan du substrat", - la réalisation (452) d'un premier guide d'onde qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en matériau III-V, - la réalisation (402) d'un second guide d'onde qui s'étend principalement parallèlement au plan du substrat et dont le cœur est en silicium, - la réalisation (414) d'un coupleur optique apte à transférer, entre le début et la fin d'une zone de couplage, au moins une partie d'un signal optique qui se propage, au début de la zone de couplage, dans l'un des premier et second guides d'onde vers l'autre des premier et second guides d'onde, ce coupleur optique comportant à cet effet : - un premier prolongement en matériau III-V qui prolonge le cœur du premier guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, - un second prolongement en silicium qui prolonge le cœur du second guide d'onde à l'intérieur de la zone de couplage, ce second prolongement s'étendant en vis-à-vis du premier prolongement, caractérisé en ce que la réalisation (414) du coupleur optique comporte la réalisation d'une inclusion en SiGe enfoncée à l'intérieur du second prolongement, cette inclusion : - étant réalisée en SiGe dont la formule chimique est Si 1-x Ge x , où x est compris entre 0,2 et 0,5, et - étant optiquement couplée, d'un premier côté, au premier guide d'onde et, d'un second côté opposé, au second guide d'onde. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la réalisation de l'inclusion en SiGe comporte une opération (440) de croissance par épitaxie de l'inclusion en SiGe sur une semelle en silicium.