Dispositif de qubit supraconducteur à isolation électromagnétique comprenant un conducteur électrique (4) présentant une face (8) sensiblement plane et un conducteur magnétique artificiel (6) présentant une face (14) sensiblement plane en regard de la face (8) dudit conducteur électrique (4), et un ou plusieurs qubits (20) réalisés sur ou dans l’un dudit conducteur électrique (4) et dudit conducteur magnétique artificiel (6), les dimensions des éléments constituant le conducteur magnétique artificiel (6) et la distance séparant la face (8) dudit conducteur électrique (4) et la face (14) dudit conducteur magnétique artificiel (6) étant choisies de manière à réaliser une structure à bande électromagnétique interdite qui comprend les fréquences desdits qubits (20). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le conducteur magnétique artificiel (6) comprend une base conductrice électriquement (10) sensiblement plane à partir de laquelle s’élève une pluralité de saillies (12) selon une direction sensiblement orthogonale à la base conductrice électriquement formant ensemble un lit de clous. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les saillies (12) sont agencées de manière sensiblement périodique dans le plan de la base conductrice électriquement avec une périodicité inférieure à la vitesse de la lumière effective entre la face (14) dudit conducteur magnétique artificiel (6) et la face (8) dudit conducteur électrique (4) divisée par 8 fois la fréquence la plus petite parmi lesdits un ou plusieurs qubits. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les saillies (12) présentent une hauteur sensiblement supérieure à la vitesse de la lumière effective entre la face (14) dudit conducteur magnétique artificiel (6) et la face (8) dudit conducteur électrique (4) divisée par 4 fois la fréquence la plus petite parmi lesdits un ou plusieurs qubits. Dispositif selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel la distance séparant la face (8) dudit conducteur électrique (4) et la base (10) dudit conducteur magnétique artificiel (6) au pied des saillies (12) est sensiblement inférieure à la vitesse de la lumière effective entre la face (14) dudit conducteur magnétique artificiel (6) et la face (8) dudit conducteur électrique (4) divisée par 2 fois la fréquence la plus grande parmi lesdits un ou plusieurs qubits. Dispositif selon l’une des revendications 2 à 5, dans lequel la périodicité des saillies (12) varie de moins de 50%. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel lesdits un ou plusieurs qubits sont réalisés par un circuit supraconducteur (16) bidimensionnel. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le circuit supraconducteur (16) comprend une base en silicium ou en oxyde d’aluminium dont la surface est gravée. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel lesdits un ou plusieurs qubits (20) sont réalisés avec des résonateurs harmoniques tridimensionnels (22) à encodage bosonique. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les résonateurs harmoniques tridimensionnels (22) sont réalisés dans ledit conducteur électrique (4). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les résonateurs harmoniques tridimensionnels (22) sont réalisés dans le conducteur magnétique artificiel (6). Dispositif selon l’une des revendications 9 à 11, comprenant en outre un circuit supraconducteur (16) bidimensionnel agencé pour commander ou mesurer lesdits un ou plusieurs qubits (20). Dispositif selon l’une des revendications 7, 8 et 12, dans lequel le circuit supraconducteur (16) est disposé sensiblement contre la face (8) dudit conducteur électrique (4), sensiblement contre la face (14) dudit conducteur magnétique artificiel (6) ou entre celles-ci, en occupant une partie ou la totalité de l’espace entre celles-ci. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le conducteur électrique (4) est réalisé en aluminium à degré de pureté supérieur ou égal à 99,99%, en niobium, en matériau supraconducteur ou un cuivre recouvert d’un film supraconducteur comme l’aluminium, le niobium, le tantale le nitrure de titane ou le nitrure de niobium. Unité de calcul quantique caractérisée en ce qu’elle comprend plusieurs dispositifs selon l’une des revendications précédentes agencés les uns après les autres selon une direction de longueur de la face (8) du conducteur électrique (4).