Dispositif (DI) semi-conducteur réalisé sur un substrat comprenant au moins une région active (RA) et une région non-active (RN) entourant au moins partiellement la région active (RA), une pluralité d’empilements de grille (EG), une partie de chaque empilement de grille (EG) de la pluralité d’empilements de grille (EG) étant sur la région active (RA) et une partie desdits empilements étant sur la région non active (RN), chaque empilement de grille (EG) étant séparé d’au moins un des empilements de grille (EG) adjacents au moyen d’un espaceur (ES) par une distance égale à e, le dispositif (DI) étant caractérisé en ce que, pour chaque empilement de grille (EG) de la pluralité d’empilements de grille (EG), la partie d’empilement de grille (EG) située sur la région active (RA) a une hauteur h 2 , la partie du même empilement de grille (EG) située sur la région non-active (RN) a une hauteur h 1 et en ce que h 2 /e =a 2 et h 1 /e = a 1 où a 2 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), une zone d’air est dans ledit espaceur (ES), et a 1 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), aucune zone d’air n’est dans ledit espaceur (ES). Dispositif (DI) selon la revendication précédente dans lequel la surface de la région active (RA) est située dans un premier plan (P1) et la surface de la région non-active est situé dans un deuxième plan (P2), le premier plan (P1) étant située à une hauteur inférieure à celle du deuxième plan (P2), la différence de hauteur Δh entre le premier plan (P1) et le deuxième plan (P2) étant égale à la différence entre la hauteur h 2 des empilements de grille (EG) sur la région active (RA) et la hauteur h 1 des empilement de grille (EG) sur la région non-active (RN). Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel, les espaceurs (ES) sont formés par une couche de matériau espaceur ayant une épaisseur t supérieure ou égale 0.3×e. Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes comprenant une pluralité de régions actives (RA). Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel a 2 ≥ 1.5 et a 1 ≤ 1. Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la hauteur h 1 est comprise entre 30 et 50 nm, la hauteur h 2 est comprise entre 60 et 100 nm et/ou la distance e séparant deux empilements de grilles (EG) successifs est comprise entre 20 et 40 nm. Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel les espaceurs (ES) sont en nitrure. Procédé (100) de fabrication d’un dispositif (DI) semiconducteur à partir d’un substrat comportant au moins une région active (RA) et une région non-active (RN) entourant au moins partiellement la région active (RA), la surface de la région active (RA) est située dans un premier plan (P1) et la surface de la région non-active est située dans un deuxième plan (P2), le premier plan (P1) étant située à une hauteur inférieure à celle du deuxième plan (P2), le procédé comprenant : une étape (1E1) de formation d’une pluralité d’empilements de grille (EG) parallèle les uns aux autres, chaque empilement de grille (EG) étant séparé du ou des empilements (EG) de grille les plus proches par une distance e ; une étape (1E2) de dépôt d’une couche d’un matériau espaceur de sorte à former un espaceur (ES) entre chaque empilement de grille ; une étape (1E3) de dépôt d’une couche d’un matériau diélectrique (OX) ; une étape (1E4) de polissage-mécanochimique de sorte que, à l’issue de cette étape (1E4), la partie des empilements de grille (EG) située sur la région active (RA) a une hauteur h 2 et la partie des empilements de grille (EG) située sur la région non active (RN) a une hauteur h 1 ; la hauteur entre le premier plan (P1) et le deuxième plan (P2) étant égale Δh, la hauteur h 2 , la différence de hauteur Δh et la distance e séparant deux empilements de grille (EG) étant choisis de sorte que h 2 /e = a 2 et (h 2 -Δh )/e = a 1 où a 2 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), une zone d’air se forme au sein dudit espaceur (ES), et a 1 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), aucune zone d’air ne se forme au sein dudit espaceur (ES). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape (1E4) de polissage mécanochimique comprend : une première sous-étape de polissage mécanochimique de sorte à niveler la couche de matériau diélectrique (OX) ; une deuxième sous-étape de polissage mécano-chimique de sorte que, à l’issue de cette sous-étape, la partie des empilements de grille (EG) située sur la région active (RA) a une hauteur h 2 . Procédé (200) de fabrication d’un dispositif (DI) semiconducteur à partir d’un substrat comportant au moins une région active (RA) et une région non-active (RN) entourant au moins partiellement la région active (RA), la surface de la région active (RA) est située dans un premier plan (P1) et la surface de la région non-active est situé dans un deuxième plan (P2), le premier plan (P1) étant située à une hauteur inférieure à celle du deuxième plan (P2), le procédé comprenant : une étape (2E1) de dépôt pleine plaque d’une couche d’empilement de grille (EG) ; une étape (2E2) de polissage-mécanochimique de sorte que à l’issue de cette étape (2E2), la couche d’empilements de grille (EG) située sur la région active (RA) a une épaisseur h 2 et la couche d’empilement de grille (EG) située sur la région non active (RN) a une épaisseur h 1 ; une étape (2E3) de formation, à partir de la couche d’empilement de grille, d’une pluralité d’empilements de grille (EG) parallèles les uns aux autres, chaque empilement de grille (EG) étant séparé du ou des empilements de grille (EG) les plus proches par une distance e ; une étape (2E4) de dépôt d’une couche d’un matériau espaceur de sorte à former un espaceur (ES) entre chaque empilement de grille (EG) ; la différence de hauteur entre le premier plan (P1) et le deuxième plan (P2) étant égale Δh, l’épaisseur h 2 , la différence de hauteur Δh et la distance e séparant deux empilements de grille (EG) étant choisis de sorte que h 2 /e = a 2 et h 1 = (h 2 -Δh )/e = a 1 où a 2 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), une zone d’air se forme au sein dudit espaceur (ES), et a 1 est un rapport d’aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), aucune zone d’air ne se forme au sein dudit espaceur (ES). Procédé (100, 200) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel le matériau espaceur est le nitrure de silicium. Procédé (100, 200) selon l’une des trois revendications précédentes dans lequel une épaisseur t de matériau espaceur telle que t ≥ 0.3×e est déposée lors de l’étape de dépôt d’une couche d’un matériau espaceur. Procédé selon l’une des cinq revendications précédentes dans lequel a 2 ≥ 1.5 et a 1 ≤ 1. Procédé selon l’une des six revendications précédentes dans lequel l’étape de dépôt du matériau espaceur est réalisé par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression ou un dépôt chimique en phase vapeur à pression sous-atmosphérique.