INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé comprend une obtention 10 d’une plaquette semiconductrice PS (en anglais « wafer »). Cette plaquette semiconductrice est utilisée pour fabriquer un circuit intégré. Comme illustré à la selon une vue en coupe, la plaquette comprend une zone de circuit intégré ZCI dédiée pour former des composants du circuit intégré, et une zone périphérique ZPR autour de ladite zone de circuit intégré ZCI. Cette zone périphérique ZPR n’est pas utilisée pour former des composants du circuit intégré mais est utile pour mettre en œuvre la fabrication du circuit intégré. En particulier, la zone périphérique ZPR est utilisée uniquement pour faciliter la fabrication du circuit intégré. Cette zone périphérique peut être utile pour la mise en œuvre de gravures, de polissage mécano-chimique ou pour réaliser des chemins de découpe.
Ici, à des fins de compréhension, la plaquette semiconductrice comprend qu’une seule zone de circuit intégré, et qu’une seule zone périphérique entourant la zone de circuit intégré. Néanmoins, il est possible de prévoir une plaquette semiconductrice PS comprenant plusieurs zones de circuit intégré pour former plusieurs circuits intégrés et plusieurs zones périphériques autour de ces zones de circuit intégré. La zone périphérique peut également entourer seulement partiellement la zone de circuit intégré.
Comme illustré à la , la plaquette semiconductrice PS est placée dans une chambre d’implantation CHI sous vide d’une machine d’implantation MI. En particulier, la machine d’implantation MI comprend un système de pompage (non représenté) permettant de mettre sous vide la chambre d’implantation CHI. La machine d’implantation MI est configurée pour émettre dans la chambre d’implantation CHI un faisceau d’ions en direction de la plaquette semiconductrice PS pour réaliser une implantation d’ions dans la plaquette semiconductrice PS. L’implantation d’ions dans la plaquette semiconductrice PS permet d’appliquer un dopage dans des régions, dites régions d’implantation, de la zone de circuit intégré ZCI pour former des composants du circuit intégré.
Avant de réaliser l’implantation, le procédé comprend une formation 11 d’un masque sur la plaquette semiconductrice PS pour l’implantation ionique. Le masque MSK permet alors de sélectionner les régions d’implantation à doper.
En particulier, la formation 11 du masque MSK comprend une formation 11-1 d’un revêtement en résine photosensible RES sur la plaquette semiconductrice PS. La illustre une vue en coupe d’un résultat de la formation 11-1 du revêtement en résine photosensible RES sur la plaque semiconductrice PS. La formation du masque MSK comprend également une formation 11-2 d’ouvertures ORGI et ORDM dans le revêtement en résine photosensible au niveau desdites régions d’implantation RGI (pour les ouvertures ORGI) de la zone de circuit intégré ZCI et au niveau d’au moins une région RDM (pour les ouvertures ORDM) de la zone périphérique ZPR. La illustre une vue en coupe d’un résultat de la formation 11-2 d’ouvertures ORGI, ORDM dans le revêtement en résine photosensible.
En particulier, les ouvertures ORDM sont formées au niveau de régions de la zone périphérique ZPR dans lesquelles il est possible d’implanter des ions sans avoir aucun impact par la suite dans la fabrication du circuit intégré. Les ouvertures ORDM formées au niveau de la zone périphérique ZPR permettent de réduire la surface de couverture du revêtement en résine photosensible RES. Il est important de chercher à former le plus d’ouvertures ORDM possibles au niveau de la zone périphérique ZPR pour réduire au maximum la surface de couverture du revêtement en résine photosensible RES.
Par exemple, des ouvertures ORDM sont formées au niveau de régions factices (en anglais « dummies ») de la zone périphérique. Ces régions factices sont des régions qui ne participent à aucun des éléments du circuit intégré mais qui sont utiles pour homogénéiser une densité de surface de la plaquette semiconductrice au niveau du circuit intégré. Ces régions RDM sont donc dépourvues de connexions électriques.
Il est également possible de former des ouvertures ORDM au niveau de régions RDM de la zone périphérique ZPR dans un anneau d’étanchéité. L’anneau d’étanchéité (en anglais « seal ring ») sert de barrière protectrice entre le circuit intégré et des chemins de découpe sur la plaque semiconductrice. L’anneau d’étanchéité permet d'éviter la pollution du circuit intégré par des particules polluantes résultant de la découpe de la plaquette semiconductrice le long des chemins de découpe.
La formation des ouvertures ORDM au niveau de la zone périphérique ZPR est effectuée simultanément avec la formation des ouvertures ORGI au niveau de la zone de circuit intégré ZCI. Ainsi, la formation des ouvertures ORDM au niveau de la zone périphérique ZPR n’augmente pas le temps de fabrication du circuit intégré.
Le procédé comprend ensuite une implantation d’ions 12 dans la plaquette semiconducteur. Les ions sont alors implantés dans les régions de la plaquette situées sous les ouvertures du masque. Le revêtement en résine photosensible empêche alors les ions d’atteindre les régions de la plaque semiconductrice recouvertes par ce revêtement RES. Les régions RDM de la zone périphérique ZPR et les régions RGI de la zone de circuit intégré ZCI peuvent être dopées à une dose supérieure ou égale à 1x10 15 atomes/cm 2 , de façon à obtenir une concentration de dopants supérieure ou égale à 1x10 20 atomes/cm 3 dans les régions RDM et RGI.
L’implantation d’ions dans la plaquette semiconductrice permet d’appliquer un dopage dans lesdites régions d’implantation RGI de la zone de circuit intégré ZCI pour former des composants du circuit intégré.
Par ailleurs, le fait d’implanter des ions dans les régions RDM de la zone périphérique ZPR sous les ouvertures du masque n’est pas gênant pour la fabrication du circuit intégré.
En outre, le fait de réduire la surface de couverture du masque MSK grâce aux ouvertures ORDM formées au-dessus de la zone périphérique ZPR de la plaquette permet de réduire un dégazage d’atomes de la résine photosensible pendant l’implantation des ions. Ainsi, la pression dans la chambre reste alors limitée et n’entraîne pas un arrêt de la machine d’implantation pouvant survenir lorsque la pression dans la chambre est supérieure à un seuil donné.
Lors de ladite implantation d’ions, les ions sont comptés à l’aide d’une cavité de Faraday (en anglais « Faraday cup »). L’implantation des ions se termine lorsque le nombre d’ions comptés atteint un nombre prédéfini. La réduction du dégazage permet de réduire les réactions entre les atomes dégazés et les ions d’implantation faisant perdre la charge des ions d’implantation. Ainsi, ladite quantité d’ions comptés par la cavité de Faraday correspond à la quantité d’ions implantés dans les régions d’implantation de la zone de circuit intégré.
Selon un aspect de l’invention, l’installation comprend en outre un bac rempli d’azote liquide.
Le bac rempli d’azote liquide permet de refroidir l’essieu avant de l’introduire dans l’alésage. Ceci provoque une contraction de l’essieu qui facilite son introduction dans l’alésage. Une fois dans l’alésage, la température de l’essieu monte jusqu’à la température ambiante, ce qui provoque une dilatation de l’essieu qui permet un montage serré de l’essieu dans l’alésage du bogie sans autre élément de fixation.
Selon un aspect de l’invention, les moyens d’alignement comprennent un repère porté par la structure portante mobile et un dispositif à faisceau laser conformé pour être installé dans l’alésage du bogie de sorte à ce que l’axe du faisceau laser soit coaxial à l’axe de l’alésage du bogie.
Selon l’invention, une position du repère sera ajustée de sorte que le faisceau laser intercepte le repère. L’axe du faisceau laser étant coaxial à l’axe de l’alésage du bogie, l’installation permet d’aligner facilement le repère et l’axe dudit alésage.
Selon un aspect de l’invention, l’installation comprend en outre des moyens de déplacement du repère comportant au moins un élément de roulage configuré pour déplacer la structure portante selon un plan horizontal, et au moins un élément de levage de la structure portante configuré pour déplacer la structure portante en translation selon une direction sensiblement verticale.
Grâce à l’élément de roulage et à l’élément de levage, le repère peut être déplacé suivant le plan horizontal et selon la direction sensiblement verticale jusqu’à ce que le faisceau laser intercepte le repère, ce qui permet de garantir l’alignement entre le repère et l’axe de l’alésage.
Selon un aspect de l’invention, la structure portante comprend un cadre supérieur porté par une pluralité de montants verticaux, le cadre supérieur supportant les moyens de déplacement de l’essieu dans une position d’introduction dans l’alésage du bogie et de montage de l’essieu dans l’alésage du bogie.
Les moyens de déplacement de l’essieu sont en particulier disposés de sorte que, une fois le repère aligné avec l’axe de l’alésage, les moyens de déplacement de l’essieu se déplacent selon une direction sensiblement parallèle à l’axe de l’alésage. Ceci permet d’aligner facilement l’essieu avec l’alésage.
Selon un aspect de l’invention, les moyens de déplacement comprennent un rail porté par le cadre supérieur et un palan monté à déplacement en translation sur le rail selon la direction d’installation de l’essieu.
Le palan permet de soulever l’essieu jusqu’à la position d’alignement entre l’axe de l’essieu et l’axe de l’alésage. Le palan étant monté à déplacement en translation sur le rail selon la direction d’installation de l’essieu, l’essieu est directement introduit dans l’alésage à partir de ce déplacement du palan une fois que l’essieu est aligné avec l’axe de l’alésage du bogie
Selon un aspect de l’invention, le repère est monté fixe relativement au rail et agencé dans un plan comprenant la direction d’installation de l’essieu et la direction de déplacement en translation du palan sur le rail.
Le repère étant monté fixe relativement au rail, les déplacements de la structure portante grâce à l’élément de roulage et à l’élément de levage ne modifient pas la position relative du repère par rapport au rail.
Selon un aspect de l’invention, le palan est configuré de manière à ce qu’en position haute, l’essieu soit nécessairement positionné avec son axe aligné avec le repère.
L’alignement entre l’essieu et le repère est ainsi obtenu en positionnant le palan en position haute. L’alignement entre l’essieu et le repère est donc obtenu facilement et en limitant les risques d’erreur.
Fig. 1 est une vue schématique en perspective d’une installation de montage d’un essieu sur un bogie installé sur un train d’atterrissage d’un aéronef selon l’invention.
Dans l'exemple représenté, l'antenne à plaque 110 comporte un plan conducteur 120 de forme sensiblement carrée à l'intérieur duquel est formée une fente 122, ou rainure, en forme de U. La fente 122 est par exemple sensiblement centrée par rapport au plan conducteur 120. Dans cet exemple, le via conducteur central 116 contacte une zone du plan conducteur 120 située entre les deux branches du U formé par la fente 122. Le via 116 est par exemple connecté sensiblement au centre du plan conducteur 120.
En outre, dans l'exemple illustré en , les vias conducteurs latéraux 118 sont situés de part et d'autre de la fente 122. Plus précisément, chaque via 118 est par exemple connecté à une zone du plan conducteur 120 située à l'extérieur du U formé par la fente 122 et le long de l'une des branches verticales du U. Dit autrement, dans cet exemple, la zone du plan conducteur 120 où est connecté chaque via latéral 118 est séparée de la zone du plan conducteur 120 où est connecté le via central 116 par l'une des branches verticales du U formé par la fente 122.
À titre d'exemple, le carré formé par le plan conducteur 120 présente un côté de l'ordre de 0,44 mm, les branches verticales et la branche horizontale du U formé par la fente 122 présentent chacune une longueur de l'ordre de 0,32 mm, et la fente 122 présente une largeur égale à environ 50 µm.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, d'une partie de la cellule élémentaire 105 de la . La illustre plus précisément le plan de masse 114 situé entre les premier et deuxième éléments d'antenne 105a, 105b.
Dans l'exemple représenté, le plan de masse 114 comporte un plan conducteur 130 de forme sensiblement carrée. Dans cet exemple, le via conducteur central 116 traverse le plan de masse 114 approximativement en son centre. Le via 116 est isolé du plan conducteur 130 par une ouverture 132 annulaire, ou en forme de couronne, formée dans le plan conducteur 130 autour du via 116. À titre d'exemple, le carré formé par le plan conducteur 130 présente un côté de l'ordre de 1 mm.
Dans cet exemple, le côté du carré formé par le plan conducteur 130 définit sensiblement les dimensions externes de la cellule élémentaire 105 du réseau transmetteur 103.
Le plan de masse 114 est adapté à former un blindage électromagnétique entre l'antenne 110 et l'antenne 112 de la cellule 105.
Dans l'exemple illustré en , les vias conducteur latéraux 118 contactent la face inférieure du plan conducteur 130 dans des zones diamétralement opposées par rapport au via conducteur central 116. Dans cet exemple, les vias 116 et 118 sont situés sur une même droite parallèle à l'un des côtés du plan conducteur 130. En outre, les vias 118 sont équidistants du via 116.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, du deuxième élément d'antenne 105b de la cellule élémentaire 105 de la . La illustre plus précisément l'antenne à plaque 112 de la cellule élémentaire 105.
Selon un mode de réalisation, l'antenne 112 comporte un plan conducteur 140 à quatre côtés. Le plan conducteur 140 est par exemple plus précisément de forme rectangulaire ou, comme dans l'exemple illustré en , de forme sensiblement carrée.
Selon ce mode de réalisation, le plan conducteur 140 comporte une ouverture 142 séparant une région centrale 140C du plan conducteur 140 d'une région périphérique 140P du plan conducteur 140. Dans cet exemple, l'ouverture 142 présente une forme sensiblement annulaire, par exemple une forme annulaire rectangulaire ou carrée.
Dans l'exemple représenté, le via conducteur central 116 contacte la région centrale 140C du plan conducteur 140. Plus précisément, dans cet exemple, l'extrémité supérieure du via 116 est connectée sensiblement au centre d'une face inférieure de la région 140C. La région centrale 140C du plan conducteur 140, délimitée latéralement par l'ouverture annulaire 142, constitue par exemple une borne d'entrée de l'antenne 112.
L'antenne 112 comporte en outre un premier élément de commutation C1 et un deuxième élément de commutation C2 reliant chacun la région centrale 140C à la région périphérique 140P du plan conducteur 140. Plus précisément, dans l'exemple illustré en , les premier et deuxième éléments de commutation C1, C2 contactent la région périphérique 140P dans des zones diamétralement opposées par rapport au via conducteur central 116. Dans cet exemple, les éléments de commutation C1, C2 et le via conducteur 116 sont situés sur une même droite parallèle à l'un des côtés du plan conducteur 140. Dans cet exemple, le commutateur C1 est situé sensiblement à la verticale de la branche horizontale du U formé par la fente 122.
Les éléments de commutation C1 et C2 sont commandés en opposition, c'est-à-dire de sorte que, si l'un des commutateurs C1, C2 est passant, l'autre commutateur C2, C1 soit bloqué. Cela permet au deuxième élément d'antenne 105b de la cellule élémentaire 105 de commuter entre deux états de phase ϕ, sensiblement égaux à 0° et à 180° dans cet exemple. Les états de phase 0° et 180° correspondent respectivement au cas où le commutateur C1 est bloqué tandis que le commutateur C2 est passant, et au cas où le commutateur C1 est passant tandis que le commutateur C2 est bloqué.
À titre d'exemple, le carré formé par le plan conducteur 140 présente un côté de l'ordre de 0,44 mm, les côtés de l'ouverture annulaire carrée 142 présentent chacun une longueur de l'ordre de 0,32 mm, et l'ouverture 142 présente une largeur égale à environ 50 µm.
Les figures 6 et 7 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan AA de la , schématiques et partielles, de l'élément de commutation C1 du deuxième élément d'antenne 105b de la .
Le dispositif de support est configuré pour, dans une configuration d’utilisation de l’appareil dans la literie, être en appui sur des éléments de sommier de sorte que l’élément de support soit entre les éléments de sommier et le capteur. Les éléments de sommier peuvent être discontinus, par exemple des lattes.
La housse comprend une face supérieure, destinée à être contre le matelas et une face inférieure, destinée à être contre les éléments de sommier, le capteur pouvant être reçu à l’intérieur de la housse entre la face supérieure et la face inférieure. En particulier, la face inférieure peut former une gaine à l’intérieur de laquelle se trouve l’au moins un panneau rigide. La gaine peut comprendre deux pans essentiellement parallèles entre eux, qui définissent entre eux un logement à l’intérieur duquel le trouve l’au moins un panneau rigide. Alternativement, la face inférieure forme une gaine qui comprend une pluralité de logements séparés, chaque logement comprenant un panneau rigide.
Les options mentionnées précédemment sont généralement applicables pour cette formulation.
Selon un aspect particulier, il est proposé le dispositif d’acquisition (1) sans le dispositif de support susmentionné mais avec l’attache (4) ou les attaches. Autrement dit il est proposé un appareil d’acquisition de données physiologiques d’un être vivant, configuré pour être installé dans une literie, l’appareil d’acquisition comprenant une portion d’acquisition (1A) qui comprend un capteur (5) destiné à capter des ondes mécaniques transitant dans la literie, et des moyens d’attache qui peuvent s’étendre, directement ou indirectement (par exemple à partir de la housse) à partir de la portion d’acquisition, de part et d’autre de la portion d’acquisition, notamment selon la direction transversale (Y) pour attacher portion d’acquisition aux éléments de sommier.
La représente en vue de dessus un appareil d’acquisition installé sur un sommier à lattes, sans matelas.
La illustre schématiquement une partie de la portion d’acquisition de l’appareil d’acquisition, avec plusieurs panneaux rigides, et des zones de pliage entre panneaux.
La représente, en coupe verticale selon la direction longitudinale de la portion d’acquisition, un exemple de réalisation de l’appareil d’acquisition, avec des lattes de sommier.
La illustre schématiquement en vue de dessus une configuration à six panneaux de dimensions identiques.
La illustre schématiquement en vue de dessus une configuration à sept panneaux de largeur de plus en plus petite en allant d’une extrémité longitudinale à l’autre.
La illustre schématiquement en vue de dessus une configuration à neuf panneaux ayant des largeurs croissantes depuis le milieu jusqu’au extrémités longitudinales.
La représente, en perspective, un ensemble de panneaux articulés les uns aux autres.
Agent séquestrant La composition selon l’invention peut comprendre un agent séquestrant (ou chélatant) différent de l’acide étidronique, de l’acide 2,6-dipicolinique et de leurs sels.
A titre d’exemple de chélatants à base d’acide mono ou polyphosphonique on peut citer les composés suivants : le diethylenetriamine-penta (methylene phosphonic acid) (DTPMP), ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid (E1HTP), ethane-2-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid (E2HTP), ethane-1-hydroxy-1,1-triphosphonic acid (EHDP), ethan-1,1,2-triphosphonic acid (ETP), ethylenediaminetetramethylene phosphonic acid (EDTMP).
Le ou les agents séquestrants phosphorés utilisés dans la composition selon l’invention sont de préférence choisis parmi : - les dérivés phosphorés inorganiques de préférence choisis parmi les phosphates et les pyrophosphates de métaux alcalins ou alcalino-terreux, de préférence de métaux alcalins tels que le pyrophosphate de sodium, le pyrophosphate de potassium, le pyrophosphate de sodium décahydrate ; et les polyphosphates de métaux alcalin ou alcalino-terreux, de préférence de métaux alcalins, tels que le sodium hexamétaphosphate, le sodium polyphosphate, le sodium tripolyphosphate, le sodium trimétaphosphate ; éventuellement hydratés, et leurs mélanges ; - les dérivés phosphorés organiques, tels que les (poly)phosphates et (poly)phosphonates organiques.
Le ou les agent(s) séquestrant(s) phosphoré(s) peut ou peuvent être choisi(s) parmi les dérivés phosphorés organiques, comprenant de préférence au moins 2 atomes de phosphore.
HISTORIQUE Le premier dispositif orthodontique pour redresser les dents a été développé au début des années 1900 par l’orthodontiste Edward Angle. L’appareil était en métal et a aidé à normaliser l’orthodontie. L’appareil se composait de bandes métalliques combinées à des bagues tandis qu’un fil passe à travers les fentes des bagues. L’appareil s’appelait « Edgewise » et c’est l’évolution de nombreux appareils que le Dr Angle a inventés. L’appareil edgewise est considéré comme la base des bagues d’aujourd’hui. L’appareil dentaire est constitué de bagues individuelles câblées ensemble qui sont utilisés en orthodontie pour aligner et redresser les dents et aider à les positionner par rapport à la mâchoire et au visage d’une personne, tout en visant à améliorer la santé dentaire, la fonction et l’esthétique. Les bagues sont capables de fermer les espaces interdentaires, de corriger les surocclusions, les surjets, les supraclusions, les mâchoires ouvertes, les mâchoires profondes, les mâchoires croisées, les dents de travers et divers autres problèmes des dents et de la mâchoire. Les bagues orthodontiques peuvent être placés en labial ou lingual et ils peuvent être en métal comme l’acier inoxydable ou le titane. Ils peuvent également être faits de matériau céramique, plastique, polycristalline ou monocristalline alumine etc. Les bagues orthodontiques sont souvent utilisées en combinaison avec d’autres appareils orthodontiques pour aider à corriger divers types de malocclusions affectant les dents, les mâchoires et leur relation, tout en modifiant également les tissus mous des mâchoires en déplaçant l’os. Les bagues orthodontiques ne sont pas sur mesure (personnalisées), de sorte que l’orthodontiste doit aligner les dents en utilisant des courbures, des boucles, etc. dans les fils. En outre, il est nécessaire d’utiliser largement l’élastique inter arcade pour corriger les problèmes. Au début des années 19, le Dr Andrews Lawrence a inventé l’appareil orthodontique « à fil droit » dans le but de minimiser les efforts de l’orthodontiste pour effectuer un traitement orthodontique à l’aide de bagues orthodontiques. La technique du fil droit utilise une prescription idéale pour déplacer les dents et qui est différente pour chaque dent mais la même pour tous les patients. Cette prescription est basée sur la moyenne de la morphologie labiale (avant) des dents entre plusieurs patients étudiés par le Dr Andrews. Au début des années 2000, le premier appareil linguistique personnalisé a été inventé par le Dr Weichmann, fabriqué dans des laboratoires spéciaux et envoyé à l’orthodontiste. Quelques autres entreprises ont suivi la procédure de vente de bagues personnalisées aux orthodontistes.
[00 5 ] Le procédé divulgué et décrit ici fournit une solution au besoin de traitement orthodontique personnalisé sur mesure à l’aide de bagues et de fils orthodontiques personnalisés. Un objectif du procédé est de permettre à l’orthodontiste de traiter la malocclusion d’un patient de manière virtuelle en corrigeant les problèmes des dents et de la mâchoire, puis, lors de l’occlusion finale et idéale, de concevoir des bagues orthodontiques personnalisées ainsi que le fil d’arche personnalisé qui sont fabriqués spécifiquement pour ce patient.
[00 6 ] Un autre objectif du procédé est de permettre à l’orthodontiste d’obtenir une sortie physique du traitement orthodontique virtuel prémentionné en imprimant en 3D les bagues personnalisées du patient dans le cabinet d’orthodontie ou dans un laboratoire d’orthodontie ou ailleurs.