INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les figures 3 et 4 montrent une partie d’un balai d'essuie-glace 12b équipé d’un dispositif de lame d’essuyage 10b selon l’invention. Le balai d'essuie-glace 12b a deux rails élastiques 20b. Les rails élastiques 20b sont logés dans la zone de réception 16b. La montre le dispositif de lame d’essuyage 10b à l’état non sollicité. Le dispositif de lame d’essuyage 10b équipe un balai d'essuie-glace 12b. Le dispositif de lame d’essuyage 10b comporte un élément de lame de tête 14b. L’élément de lame de tête 14b délimite la zone de réception 16b. La zone de réception 16b sert à recevoir les rails élastiques 20b. Le dispositif de lame d’essuyage 10b comporte une lèvre d’essuyage 22b. La lèvre d’essuyage 22b s’appuie contre une vitre 24b du véhicule. Le dispositif de lame d’essuyage 10b comporte une nervure-pivot 26b élastique. La nervure-pivot 26b relie élastiquement l’élément de lame de tête 14b et la lèvre d’essuyage 22b. Le dispositif de lame d’essuyage 10b comporte une unité d’amortissement 28b. La nervure-pivot 26b a une première partie de nervure-pivot 36b. La première partie de nervure-pivot 36b est située entre l’unité d’amortissement 28b et l’élément de lame de tête 14b. La nervure-pivot 26b comporte une seconde partie de nervure-pivot 38b. Cette seconde partie de nervure-pivot 38b est située entre l’unité d’amortissement 28b et la lèvre d’essuyage 22b.
L’unité d’amortissement 28b comporte deux ailettes d’amortissement 30b, 30’b. Les ailettes d’amortissement 30b, 30’b s’étendent sur les côtés opposés de la nervure-pivot 26b, en partant de cette nervure-pivot 26b et en passant entre l’élément de lame de tête 14b et la lèvre d’essuyage 22b. Les ailettes d’amortissement 30b, 30’b ont chacune une extrémité libre 32b, 32’b. Les ailettes d’amortissement 30b, 30’b ont chacune une surface d’appui 34b, 34’b ( ).
L’élément de lame de tête 14b forme une zone de réception 16b pour recevoir au moins les rails élastiques 20b du balai d'essuie-glace 12b. L’élément de lame de tête 14b forme deux zones de réception 16b pour recevoir respectivement un rail élastique 20b du balai d'essuie-glace 12b. Les zones de réception 16b s’étendent le long de la direction principale d’extension du dispositif de lame d’essuyage 10a, sur toute l’extension de l’élément de lame de tête 14b. Les zones de réception 16b ont une section rectangulaire délimitée sur trois côtés par la matière de l’élément de lame de tête 14b. Les zones de réception 16b ont chacune une ouverture ouvrant la zone de réception 16b respectivement vers un côté, parallèlement à la direction principale d’extension du dispositif de lame d’essuyage 10b.
Les zones de réception 16b sont prévues sur les côtés opposés de l’élément de lame de tête 14b. Les zones de réception sont prévues sur les côtés opposés de l’élément de lame de tête 14b, respectivement par rapport au plan de symétrie du dispositif de lame d’essuyage 10b qui est parallèle à la direction principale d’extension du dispositif de lame d’essuyage 10b notamment perpendiculaire à la vitre 24b du véhicule par rapport au côté opposé de l’élément de lame de tête 14b. Les ouvertures des zones de réception 16b sont respectivement orientées dans des directions opposées. Ces ouvertures permettent d’engager les rails élastiques 20b dans les zones de réception 16b. A l’état monté les rails élastiques 20b, débordent partiellement des ouvertures des zones de réception 16b ( ).
(références limitées aux références numériques sans les suffixes a et b ni les primes)
10 Dispositif de lame d’essuyage
Ainsi, la dissipation de la chaleur vers le carter 702 est favorisée par le fait que les barres omnibus 202+, 202- sont plaquées sur le carter 702 (au travers de la plaque de base 502 dans l’exemple décrit) sur une grande surface, du fait de leur forme incurvée complémentaire de celle du carter 702.
On notera que l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment. Il apparaîtra en effet à l'homme de l'art que diverses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation décrits ci-dessus, à la lumière de l'enseignement qui vient de lui être divulgué.
En particulier, le filtre d’entrée pourrait être purement capacitif et ne pas comporter les inductances de mode différentiel.
Transistor à effet Josephson L'invention concerne un transistor à effet Josephson ainsi qu'un procédé de fabrication de ce transistor.
De tels transistors à effet Josephson sont par exemple utilisés dans le domaine des ordinateurs quantiques. Ils utilisent l'effet Josephson. En physique, l’effet Josephson se manifeste par l'apparition d'un courant non-dissipatif (super-courant) entre deux matériaux supraconducteurs séparés par une fine couche faite d'un matériau isolant ou conducteur mais non supraconducteur. L’amplitude de ce super-courant dépend de la différence de phase quantique caractérisant les deux électrodes supraconductrices.
Par exemple, la demande US2020287119A1 décrit en référence à la un tel transistor à effet Josephson. Dans cette demande, la jonction à effet Josephson du transistor est créée en juxtaposant sur un même plan un premier réservoir supraconducteur de charges, un canal en silicium situé sous une grille et un second réservoir supraconducteur de charges.
L’invention vise à proposer un tel transistor à effet Josephson dont les performances sont améliorées. Elle a donc pour objet un transistor à effet Josephson, ce transistor comportant : - un empilement comportant dans l'ordre : - un support qui s'étend principalement parallèlement à un plan appelé "plan du support", - une couche en matériau électriquement isolant, - une couche semi-conductrice directement réalisée sur la couche en matériau électriquement isolant, cette couche semi-conductrice présentant : - une face supérieure qui s'étend dans un plan supérieur parallèle au plan du support, et - une face inférieure qui s'étend dans un plan inférieur parallèle au plan du support, cette face inférieure étant située au niveau d'une interface entre la couche semi-conductrice et la couche en matériau électriquement isolant, - une grille située sur la face supérieure de la couche semi-conductrice, la région de la couche semi-conductrice située sous la grille étant dénommée "canal", - une source et un drain comportant chacun un réservoir de charges électriques en contact électrique avec la couche semi-conductrice de l'empilement, ces réservoirs étant situés chacun à une extrémité respective du canal, ces réservoirs étant réalisés dans un matériau supraconducteur et formant, avec le canal, une jonction à effet Josephson, dans lequel : - chaque réservoir comporte une face inférieure et une face latérale toutes les deux enfouies à l'intérieur de la couche semi-conductrice, - la face inférieure de chaque réservoir s'étend principalement dans un plan intermédiaire parallèle au plan du support, ce plan intermédiaire étant situé entre les plans inférieur et supérieur de la couche semi-conductrice, et - la face latérale de chaque réservoir s'étend principalement perpendiculairement au plan du support, cette face latérale étant tournée vers la face latérale correspondante de l'autre réservoir et séparée de cette face latérale correspondante de l'autre réservoir par le canal.
Les modes de réalisation de ce transistor peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 1) - la grille comporte une face supérieure tournée du côté opposé au canal, cette face supérieure affleurant un plan d'interconnexion ou étant située en-dessous de ce plan d'interconnexion, ce plan d'interconnexion étant parallèle au plan du support, - le matériau supraconducteur du réservoir d'une électrode du transistor remonte jusqu'à affleurer ce plan d'interconnexion, cette électrode du transistor étant choisie dans le groupe constitué de la source et du drain du transistor. 2) Le transistor comporte une prise de contact électrique pour raccorder électriquement cette électrode à un potentiel électrique, cette prise de contact étant formée sur le plan d'interconnexion et directement en contact mécanique et électrique avec le matériau supraconducteur qui affleure le plan d'interconnexion. 3) L'électrode du transistor comporte : - des flancs latéraux qui s'étendent depuis le réservoir de cette électrode jusqu'au plan d'interconnexion, ces flancs latéraux étant situés dans le prolongement de faces latérales du réservoir et ne formant qu'un seul bloc en matériau supraconducteur avec ce réservoir, et - un corps en matériau non-supraconducteur situé sur le réservoir et entre ces flancs latéraux. 4) La prise de contact comporte : - un corps en matériau non-supraconducteur, et - un revêtement extérieur en matériau supraconducteur qui enrobe au moins une partie du corps en matériau non-supraconducteur, ce revêtement s'étendant depuis le matériau supraconducteur de l'électrode qui affleure le plan d'interconnexion jusqu'à une face supérieure de la prise de contact. 5) La distance entre le plan intermédiaire et le plan supérieur est comprise entre 0,25e 14 et 0,9e 14 , où e 14 est égal à la distance entre les plans supérieur et inférieur. 6) La distance entre le plan intermédiaire et le plan supérieur est comprise entre 0,5e 14 et 0,75e 14 . 7) La distance e 14 est comprise entre 7 nm et 30 nm. 8) La couche semi-conductrice est réalisée dans un matériau semi-conducteur ou dans un alliage de matériaux semi-conducteurs choisi dans le groupe constitué du silicium et du germanium.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication du transistor à effet Josephson ci-dessus, ce procédé comportant : - la réalisation d'un empilement comportant dans l'ordre : - un support qui s'étend principalement parallèlement à un plan appelé "plan du support", - une couche en matériau électriquement isolant, - une couche semi-conductrice directement réalisée sur la couche en matériau électriquement isolant, cette couche semi-conductrice présentant : - une face supérieure qui s'étend dans un plan supérieur parallèle au plan du support, et - une face inférieure qui s'étend dans un plan inférieur parallèle au plan du support, cette face inférieure étant située au niveau d'une interface entre la couche semi-conductrice et la couche en matériau électriquement isolant, - une grille située sur la face supérieure de la couche semi-conductrice, la région de la couche semi-conductrice située sous la grille étant dénommée "canal", - la réalisation d'une source et d'un drain comportant chacun un réservoir de charges électriques en contact électrique avec la couche semi-conductrice de l'empilement, ces réservoirs étant situés chacun à une extrémité respective du canal, ces réservoirs étant réalisés dans un matériau supraconducteur et formant avec le canal une jonction à effet Josephson, dans lequel la réalisation de la source et du drain comporte : - la gravure dans la couche semi-conductrice, à chaque extrémité du canal, d'une première et d'une seconde cavités, chacune des première et seconde cavités présentant : - un fond qui s'étend principalement dans un plan intermédiaire parallèle au plan du support, ce plan intermédiaire étant situé entre les plans inférieur et supérieur de la couche semi-conductrice, et - des parois latérales qui s'étendent principalement perpendiculairement au plan du support et l'une de ces parois latérales étant tournée vers une paroi latérale correspondante de l'autre cavité et séparée de cette paroi latérale correspondante de l'autre cavité par le canal, - le dépôt d'un matériau supraconducteur sur le fond et les parois latérales des première et seconde cavités pour obtenir les réservoirs du drain et de la source.
Les modes de réalisation de ce procédé de fabrication peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 1) - lors de la réalisation de l'empilement, la couche semi-conductrice est réalisée en silicium, - lors du dépôt du matériau supraconducteur, le matériau supraconducteur déposé est du siliciure de vanadium, - avant le dépôt du siliciure de vanadium, des atomes d'argon sont incorporés dans le fond et les parois latérales des première et seconde cavités, puis - un traitement thermique est appliqué pour augmenter la température critique du siliciure de vanadium déposé. 2) L'incorporation d'atomes d'argon génère, à l'intérieur de la couche de silicium, une fine couche superficielle à l'intérieur de laquelle la concentration d'atomes d'argon est comprise entre 1 % atomique et 10 % atomique.
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la est une vue schématique, en coupe verticale, d'un transistor à effet Josephson, - la est un vue schématique partielle, en coupe verticale, d'une source du transistor de la , - la est un organigramme d’un procédé de fabrication du transistor de la , - les figures 4 à 12 sont des illustrations schématiques, en coupe verticale, de différents états de fabrication du transistor lors de la mise en œuvre du procédé de la .
Dans cette description, les définitions et conventions utilisées dans ce texte sont introduites dans un chapitre I. Ensuite, des exemples détaillés de modes de réalisation sont décrits dans un chapitre II en référence aux figures. Dans un chapitre III, des variantes de ces modes de réalisation sont présentées. Enfin, les avantages des différents modes de réalisation sont présentés dans un chapitre IV.
Chapitre I - Définitions et conventions :
Dans les figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l’homme du métier ne sont pas décrites en détail.
Sur les figures, les épaisseurs des différentes couches ne sont pas à l’échelle pour faciliter leur lecture. Sur ces figures, les différentes couches s’étendent principalement horizontalement. Les directions horizontales sont représentées par deux directions X et Y d’un repère orthogonal XYZ. La direction Z est la direction verticale. Ici, la direction Y est perpendiculaire au plan de la feuille et n’a pas été représentée.
- la seconde rangée de billes est intercalée entre la première rangée de billes et le premier palier à billes ;
- le second palier comprend une bague interne formée d’une seule pièce avec ledit bol et une bague externe rapportée et fixée dans l’orifice du moyeu, chacune de ces bagues comportant un premier chemin de roulement de la première rangée de billes et un second chemin de roulement de la seconde rangée de billes ;
- ladite bague externe est montée sur une surface annulaire interne du moyeu et est en appui axial sur une portée cylindrique de ce moyeu, directement ou par l’intermédiaire d’une cale annulaire ;
-- ladite bague externe du second palier est formée d’une seule pièce ;
- ledit bol a une forme générale de diabolo et comprend un rétrécissement annulaire entre lesdites extrémités ;
- chacun des orifices du moyeu comprend un rebord annulaire interne qui est destiné à être situé au niveau dudit rétrécissement et/ou qui porte ladite portée cylindrique, ce rebord interne comportant un diamètre interne qui correspond au diamètre interne minimal dudit orifice et qui est supérieur au diamètre externe maximal de ladite extrémité radialement interne du bol ;
- le diamètre externe maximal de ladite extrémité radialement interne du bol est inférieur ou égal au diamètre interne minimal de ladite bague externe ;
- les billes desdites première et seconde rangées de billes ont des diamètres identiques ;
- les billes de chacune desdites première et seconde rangées de billes sont maintenues par une cage annulaire qui comprend un rebord annulaire configuré pour être mis en prise avec un outil de montage de la rangée de billes ;
- le rebord annulaire comprend une rangée annulaire d’orifices traversants ;
- ledit bol comporte une paroi annulaire comportant une extrémité radialement interne fermée par une paroi de fond, et une extrémité radialement externe ouverte et configurée pour autoriser le montage du pied de l’aube à l’intérieur du bol, la paroi de fond comprenant un évidement ayant une section transversale non circulaire et configuré pour recevoir une extrémité libre de forme complémentaire dudit pied de façon à ce que le bol soit solidarisé en rotation avec le pied autour dudit axe.
La présente invention concerne également une turbomachine, en particulier d’aéronef, comportant au moins une hélice telle que décrite ci-dessus.
La présente invention concerne enfin un procédé de montage d’une hélice telle que décrite ci-dessus, dans lequel il comprend les étapes de :
a) insertion du bol dans l’orifice du moyeu, radialement de l’extérieur vers l’intérieur par rapport audit premier axe,,
b) montage des première et seconde rangées annulaires de billes du second palier de guidage entre l’extrémité radialement interne du bol et le moyeu, et
c) montage d’au moins une partie du premier palier de guidage entre l’extrémité radialement externe du bol et le moyeu.
Dans un deuxième mode de réalisation, la structure textile comprend au moins un matériau textile choisi parmi : des matériaux textiles en fibres naturelles, des matériaux textiles en fibres chimiques, et toutes combinaisons de ceux-ci.
Dans un troisième mode de réalisation, la structure textile comprend en outre un matériau de renforcement.
Dans un quatrième mode de réalisation, l’insert est réalisé selon une méthode de fabrication choisie parmi : l’extrusion, l’usinage, l’enrobage, la thermocompression, le moulage sous pression, le moulage par injection, le tissage, l’impression en trois dimensions, et toutes combinaisons de celles-ci.
Dans un quatrième mode de réalisation, l’insert est un composant électronique.
Un deuxième aspect de l’invention vise une bande de tissu en forme de courroie susceptible d’être obtenue par un procédé comprenant : - une première étape de fourniture d’au moins une structure textile, - une deuxième étape de fourniture d’au moins un insert qui est destiné à former une âme de la bande de tissu, l’insert étant allongé selon un axe longitudinal et présentant une première face et une deuxième face opposée, - une étape de positionnement de l’insert par rapport à la structure textile de sorte que la structure textile forme une zone de jonction périphérique extérieure qui, lorsque l’on regarde dans une direction transversale à l’axe longitudinal de l’insert, recouvre et dépasse d’une distance prédéterminée au-delà de chaque côté latéral de l’insert, - une étape d’assemblage de tout ou partie de la zone de jonction périphérique extérieure par au moins une soudure, et - une étape de découpe de la zone de jonction périphérique extérieure de long de tout ou partie de la soudure de manière à former une bordure extérieure de la bande de tissu.
Dans un premier mode de réalisation, l’étape de positionnement comprend, - une étape de pliage de la structure textile de manière à former au moins une boucle de pliage dans un plan perpendiculaire à l’axe longitudinal de l’insert, et - une étape d’insertion de l’insert dans la boucle de pliage selon l’axe longitudinal de l’insert.
Dans un deuxième mode de réalisation, - la première étape de fourniture comprend la fourniture d’une première structure textile et d’une deuxième structure textile, et - l’étape de positionnement comprend et - une première étape de disposition de la première structure textile sur la première face de l’insert, et - la deuxième étape de disposition de la deuxième structure textile sur la deuxième face de l’insert.
Dans un troisième mode de réalisation, l’étape d’assemblage comprend une étape de soudure.
Dans une mise en œuvre particulière du troisième mode de réalisation, l’étape de soudure comprend une opération de soudure choisie parmi : l’ultrason, l’induction, par haute fréquence, le laser et toutes combinaisons de celles-ci.
Dans un quatrième mode de réalisation, l’étape de découpe comprend une opération de découpe choisie parmi : la découpe mécanique, l’usinage par fil à décharge électrique, l’usinage laser, l’usinage par jet d’eau, le travail à la presse, l’usinage par ultrason, la gravure et toutes combinaisons de celles-ci.
L’invention vise aussi un article destiné à être porté par un utilisateur ou être accroché au corps d’un utilisateur, comprenant au moins une bande de tissu selon le premier et le deuxième aspect de l’invention.
Dans un premier mode de réalisation, l’article est une ceinture.
Dans un deuxième mode de réalisation, l’article est une bandoulière.
Dans un troisième mode de réalisation, l’article est un bracelet.
Dans un quatrième mode de réalisation, l’article est un collier.
Arrière-plan technologique Avec le développement des véhicules autonomes, des besoins en termes de planification de la trajectoire à suivre, notamment en fonction de la géométrie de la route et/ou de l’environnement autour du véhicule autonome, sont apparus.
Certaines méthodes de planification de trajectoire d’un véhicule autonome utilisent la détermination d’un profil de vitesse adapté aux obstacles dynamiques en recherchant les collisions futures entre le véhicule autonome et les prédictions des obstacles dynamiques. Si une collision est trouvée, un point d’arrêt est imposé avant la collision de façon à définir un profil de vitesse de freinage lissé avant la collision. Une telle méthode est par exemple décrite dans le document intitulé « Jerk-Limited Time-Optimal Speed Planning for Arbitrary Paths », publié par A. Artunedo et al. le 12 mai 2021.
D’autres méthodes utilisent la coordination de robots utilisant l’espace de coordination pour définir les trajectoires relatives de plusieurs robots entre eux afin d’éviter les collisions, ces méthodes étant appliquées dans le domaine automobile. L’espace de coordination consiste à représenter les trajectoires d’un ensemble d’acteurs par une courbe représentant l’évolution de la position de chaque acteur le long de son chemin de référence. Une représentation implicite de la vitesse est ainsi obtenue. Il est alors possible de définir des zones de collision dans cet espace, et d’optimiser une trajectoire évitant ces collisions. Une telle méthode est par exemple décrite dans le document intitulé « Priority-based coordination of autonomous and legacy vehicles at intersection » et publié par J. Grégoire et al, en 2014 dans IEEE ITSC.
D’autres méthodes réalisent une optimisation numérique d’un modèle mathématique du véhicule ou de la vitesse, basée sur un critère (de confort ou d’efficacité énergétique) à minimiser. Un exemple d’une telle méthode est décrit dans le document intitulé « Hybrid Trajectory Planning for Autonomous Driving in Highly Constrained Environments » publié par Y. ZHANG et al, en 2018 dans IEEE Access (approche basée sur l’optimisation sous contrainte d’une fonction objective pour maximiser la vitesse).
Enfin, d’autres méthodes encore exploitent des approches par graphes pour calculer un profil de vitesse adapté, tel que par exemple la méthode décrite dans le document intitulé « Real-Time Safe Stop Trajectory Planning via Multidimensional Hybrid A*-Algorithm » et publié par L. WANG et al, en 2020 dans IEEE ITSC (calcul d’un profil de vitesse par recherche d’un chemin dans un graphe multidimensionnel).
La planification de vitesse par point d’arrêt prévoit systématiquement un arrêt avec une décélération confortable pour traiter les situations, afin de garantir la sécurité. Ceci implique que l’impact sur le profil de vitesse n’est pas nécessairement immédiat pour le véhicule. Cependant, dans certains cas, l’arrêt du véhicule n’est pas nécessaire et une simple diminution de la vitesse en amont peut être suffisante pour s’adapter à la situation. Par exemple, à l’approche d’un carrefour avec priorité à droite, si un autre véhicule est détecté sur la branche de droite, il faut lui céder la priorité. Dans ce cas, selon la distance dont il dispose, le véhicule autonome peut réduire sa vitesse de façon à arriver dans le carrefour une fois que l’autre véhicule est passé. De plus, l’ajustement du profil de vitesse génère une nouvelle trajectoire qu’il est nécessaire de vérifier à nouveau entièrement position par position, ce qui rend certaines situations longues à traiter en raison de la vérification systématique des collisions avec les autres véhicules.