INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans divers modes de réalisation, les compositions peuvent avoir un pH inférieur ou égal à environ 7, tel que d'environ 3 à environ 6,8, d'environ 3,5 à environ 6,5, d'environ 4 à environ 6,5, d'environ 4,5 à environ 6,5, d'environ 5 à environ 6,5 ou d'environ 5,5 à environ 6,5. Dans certains modes de réalisation, le pH des compositions peut être sensiblement inchangé (par exemple, elles peuvent présenter un changement de pH inférieur à 20 %, inférieur à 15 %, ou inférieur à 10 %) lorsqu'elles sont stockées dans des conditions ambiantes pendant 4 semaines ou plus, comme 8 semaines.
Les compositions selon la divulgation sont typiquement sous la forme d'une lotion ou d'une crème, par exemple une émulsion huile-dans-eau (H/E). Dans divers modes de réalisation, les compositions peuvent avoir une viscosité allant d'environ 1,75 Pa·s à environ 3,75 Pa·s, par exemple d'environ 2 Pa·s à environ 3,6 Pa·s ou d'environ 2,5 Pa·s à environ 3,4 Pa·s, lorsqu'elle est mesurée à l'aide d'un Rheomat RM 180, broche M3 pendant 30 secondes dans des conditions ambiantes. Dans certains modes de réalisation, la viscosité des compositions peut être sensiblement inchangée (par exemple, elle peut présenter un changement de viscosité inférieur à 20 %, inférieur à 15 % ou inférieur à 10 %) lorsqu'elles sont stockées dans des conditions ambiantes pendant 3 jours ou plus, comme 7 jours ou plus, ou 10 jours ou plus.
Typiquement, les procédés selon la divulgation peuvent inclure l'application d'une quantité efficace d'une composition divulguée ici, par exemple une émulsion de crème, sur des cheveux ayant des ondulations ou des boucles, lorsque les cheveux sont secs, mouillés, humides ou humidifiés. Les cheveux peuvent être des cheveux naturels ou synthétiques. Tel qu'il est utilisé ici, le terme « quantité efficace » se réfère à une quantité suffisante pour fournir un effet de lissage souhaité aux cheveux, en tenant compte du degré de frisure, de la longueur, du volume et de la texture des cheveux, et/ou une quantité suffisante pour fournir un bénéfice sensoriel souhaité aux cheveux. En général, d’environ 0,5 gramme à environ 50 grammes de produit sont appliqués sur les cheveux, en fonction de la formulation spécifique du produit, de la longueur des cheveux, de leur volume et du type de coiffure. La composition appliquée sur les cheveux peut, par exemple, être répartie uniformément en la peignant avec les doigts ou un moyen tel qu'un peigne ou similaires. La composition peut ensuite être séchée, par exemple à l'air libre ou à l'aide d'un sèche-cheveux. La chaleur peut facultativement être utilisée pendant le séchage, mais elle n'est pas obligatoire. La composition peut rester sur les cheveux comme un produit sans rinçage pendant une période de temps quelconque, par exemple quelques heures ou quelques jours, ou jusqu'au prochain lavage ou rinçage des cheveux. En variante, les compositions peuvent être rincées des cheveux après une brève période sans rinçage, d'environ quelques secondes (par exemple 5, 10, 20, 30 ou 60 secondes) à environ 10, 20 ou 30 minutes, ou plus.
Dans un deuxième mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 100 peut comporter un composant émissif 102 dont la deuxième électrode 108 n’est pas traversée par un trou. Dans ce cas, afin que le composant photodétecteur 112 puisse réaliser une capture de lumière entrant dans le dispositif optoélectronique 100 depuis la face émissive 106 et/ou une capture d’une partie de la lumière émise par le composant émissif 102, une partie 129 de la surface de détection 126 du composant photodétecteur 112 n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode 108 du composant émissif 102.
La représente schématiquement une vue de dessus de la deuxième électrode 108 d’un composant émissif 102 et du composant photodétecteur 112 d’un dispositif optoélectronique 100 d’un exemple de ce deuxième mode de réalisation. Sur l’exemple représenté sur la , la partie 129 de la surface de détection 126 qui n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode 108 forme une couronne se trouvant au niveau des bords extérieurs de la surface 126.
Selon une variante de ce deuxième mode de réalisation, il est possible que la partie 129 de la surface de détection 126 qui n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode 108 forme une portion seulement d’une couronne se trouvant au niveau des bords extérieurs de la surface 126.
Dans un troisième mode de réalisation, le composant émissif 102 fait partie d’un ensemble de composants émissifs 102 disposés les uns à côté des autres et comportant chacun au moins une première électrode 104 disposée du côté de la face émissive 106, une deuxième électrode 108, et un élément émissif 110 disposé entre les première et deuxième électrodes 104, 108, et une partie 129 de la surface de détection 126 du composant photodétecteur 112 n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode 108 de chacun de ces composants émissifs 102.
La représente schématiquement une vue de dessus des deuxièmes électrodes 108 d’un tel ensemble de composants émissifs 102 selon le troisième mode de réalisation. Sur l’exemple de la , ces composants émissifs 102 sont disposés sous la forme d’une matrice 2 x 2, et la partie 129 de la surface de détection 126 qui n’est pas disposée à l’aplomb des deuxièmes électrodes 108 est localisée à l’aplomb du centre de cette matrice au niveau duquel chacune des deuxièmes électrodes 108 est rognée afin de former un trou à travers lequel la partie 129 de la surface de détection 126 est accessible pour de la lumière se dirigeant vers cette surface de détection 126.
Sur le schéma de la , les deuxièmes électrodes 108 sont représentées comme étant adjacentes, ou en contact, deux à deux. Toutefois, lorsque les composants émissifs 102 sont commandables indépendamment les uns des autres, les deuxièmes électrodes 108 ne sont pas en contact deux à deux. La représente schématiquement une telle configuration. Dans ce cas, de la lumière peut atteindre la surface de détection 126 du composant photodétecteur 112 si celle-ci est présente à l’aplomb des espaces séparant les deuxièmes électrodes 108. En variante, il est possible de bloquer la lumière passant entre les deuxièmes électrodes 108 en interposant des portions métalliques d’un ou plusieurs niveaux d’interconnexions localisés entre les composants émissifs 102 et les composants photodétecteurs 112.
De manière avantageuse, le dispositif optoélectronique 100 comporte plusieurs composants émissifs 102 disposés en matrice (formant avantageusement un écran) et plusieurs composants photodétecteurs 112 tels que la deuxième électrode 108 de chacun des composants émissifs 102, ou d’une partie seulement de ces composants émissifs 102, soit traversée par au moins un trou 124 disposé à l’aplomb d’au moins une partie 128 d’une surface de détection 126 d’un des composants photodétecteurs 112 et/ou tels qu’une partie 129 de la surface de détection 126 d’un des composants photodétecteur 112 ne soit pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode 108 d’un ou plusieurs des composants émissifs 102.
Lorsque le ou les composants photodétecteurs 112 sont configurés pour réaliser une capture d’une partie de la lumière émise par le ou les composants émissifs 102 et une calibration du ou des composants émissifs 102, le dispositif optoélectronique 100 peut comporter en outre au moins un dispositif de calcul de compensation d’un signal de commande, par exemple une tension de commande, du ou des composants émissif 102 en fonction de la valeur de luminosité mesurée du ou des composants émissifs 102. Dans la configuration représentée sur la , ce ou ces dispositifs de calcul de compensation sont par exemple formés par des composants électroniques du circuit intégré 114. Le dispositif optoélectronique 100 peut également comporter une ou plusieurs mémoires dans lesquelles la ou les valeurs représentatives de la luminosité mesurées par le ou les composants photodétecteurs 112 sont stockées. Cette ou ces mémoires sont par exemple formés par d’autres composants électroniques du circuit intégré 114.
Un procédé de réalisation du dispositif optoélectronique 100 selon le premier mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 6 à 14.
Dans ce procédé, les composants photodétecteurs 112 sont réalisés tels qu’ils fassent partie du circuit intégré 114. Sur la , ce circuit intégré 114 comporte un premier substrat 130 à partir duquel des composants électroniques CMOS, non visibles sur la , sont réalisés. Ces composants sont notamment destinés à former l’électronique de commande du dispositif optoélectronique 100, et éventuellement le ou les dispositifs de calcul de compensation et la ou les mémoires décrites ci-dessus. Plusieurs niveaux d’interconnexions 132 sont réalisés sur le premier substrat 130. Dans ce procédé de réalisation, les composants photodétecteurs 112 sont réalisés sous la forme d’un capteur CMOS dit « Backside », c’est-à-dire tel que les surfaces de détection 126 des composants photodétecteurs 112 correspondent aux faces arrières de ces composants et dans lequel les niveaux d’interconnexions 132 sont disposés entre les composants photodétecteurs 112 et le premier substrat 130. De plus, dans l’exemple de réalisation décrit ici, les composants photodétecteurs 112 sont agencés en matrice.
Comme représenté sur la , la première couche diélectrique 116 est déposée sur la face du circuit intégré 114 au niveau de laquelle les composants photodétecteurs 112 sont disposés, recouvrant ainsi les composants photodétecteurs 112.
Des ouvertures sont ensuite gravées à travers la première couche diélectrique 116 et une partie de l’épaisseur du matériau diélectrique dans lequel se trouvent les niveaux d’interconnexions 132. Du matériau métallique est ensuite déposé dans ces ouvertures de manière à former des vias conducteurs 134 auxquels les première et deuxième électrodes 104, 108 des composants émissifs 102 sont destinées à être reliées électriquement.
Les premiers plots de connexion 118 sont ensuite réalisés dans la première couche diélectrique 116, par exemple en gravant des cavités dans la première couche diélectrique 116 et en remplissant ces cavités par un matériau métallique, par exemple du cuivre, par un procédé de type damascene. Sur la , seule une partie des premiers plots de connexion 118 sont représentés. Dans cet exemple, les premiers plots de connexion portant la références 118.1 ont une forme sensiblement similaire à celle des deuxièmes électrodes 108 des composants émissifs 102 qui seront disposés ultérieurement à l’aplomb des composants photodétecteurs 112. Ainsi, sur la , les premiers plots de connexion 118.1 ont une forme annulaire et ont en leur centre un trou disposé à l’aplomb d’une partie de la surface de détection 126 des composants photodétecteurs 112. De plus, ces premiers plots de connexion 118.1 sont couplés électriquement aux vias 134 et serviront par la suite pour former les connexions électriques aux deuxièmes électrodes 108 des composants émissifs 102 qui formeront les anodes des composants émissifs 102. Au moins un autre premier plot de connexion, désigné par la référence 118.2, est destiné à être relié électriquement aux premières électrodes 104 des composants émissifs 102 qui seront réalisées de manière à former une cathode commune à tous les composants émissifs 102.
Parallèlement à la réalisation du circuit intégré 114 et des premiers plots de connexion 118, une matrice de composants émissifs 102 est réalisée sur un deuxième substrat 136 (voir ). Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les composants émissifs correspondent à des LEDs réalisées en formant, sur le deuxième substrat 136 et par épitaxie, un empilement de couches comprenant une couche tampon 138, une couche de semi-conducteur dopé n 140, une ou plusieurs couches de semi-conducteur intrinsèque (non dopé intentionnellement) 142 formant un ou plusieurs puits quantiques (avec par exemple une ou plusieurs couche émissives chacune disposée entre deux couches barrières), ainsi qu’une couche de semi-conducteur dopé p 144. Les matériaux des couches 138, 140, 142 et 144 correspondent par exemple à de l’AlInGaN et/ou de l’InGaN et/ou de l’AlGaN et/ou du GaN.
Comme représenté sur la , des tranchées délimitant latéralement les composants émissifs 102 les uns des autres sont ensuite réalisées à travers les couches 144, 142 et 140. Un matériau électriquement conducteur 145, par exemple métallique, est ensuite déposé dans les tranchées. Ce matériau conducteur 145 est destiné à former une grille autour des composants émissifs 102 et à bien drainer le courant de cathode commune de ces composants émissifs 102. Les composants émissifs 102 sont agencés en formant une matrice similaire à celle formée par les composants photodétecteurs 112. Le matériau conducteur 145 est entouré latéralement par du matériau diélectrique afin d’isoler électriquement ce matériau conducteur 145 vis-à-vis des couches 140, 142 et 144. Les deuxièmes électrodes 108 sont également réalisées sur la couche 144 et ne sont pas en contact avec le matériau conducteur 145.
Des trous 124 sont ensuite gravés à travers les deuxièmes électrodes 108 (voir ). Les dimensions des trous 124 sont choisies en fonction de l’application souhaitée pour les composants photodétecteurs 112 (mesure de luminosité extérieure au dispositif 100 et/ou mesure de luminosité des composants émissifs 102) et donc de la surface de capture nécessaire aux composants photodétecteurs 112.
De plus, le bouchon 29 de la partie fixe 2 permet de fermer de manière étanche le haut de l’espace annulaire V24. Pour cela, en pratique, le diamètre D29 de l’ouverture du bouchon 29 est sensiblement égal, à un jeu près, au diamètre extérieur D4 du mât 4. En outre, un joint est avantageusement prévu entre le bouchon 29 et le mât 4. Ainsi, l’espace annulaire est délimité radialement par le mât 4 et par le cylindre de guidage 23, et est délimité verticalement vers le haut par le bouchon 29, tout en étant ouvert, vers le bas, sur le volume intérieur V9 de l’installation nucléaire 9.
Ainsi, le volume intérieur V9 de l’installation nucléaire 9 est isolé de l’extérieur, c’est-à-dire que l’enceinte 91 est étanche, malgré la présence de l’ouverture 95 par laquelle passe le cylindre de guidage 23. En effet, aucune ouverture n’est présente entre l’extérieur du cylindre de guidage 23 et l’enceinte 91, grâce à la partie fixe 2 qui repose de manière étanche sur l’enceinte. De plus, aucune ouverture n’est présente entre le cylindre de guidage 23 et le mât 4, grâce au bouchon 29. En outre, le mât 4 ne relie pas le volume intérieur V9 avec l’extérieur, grâce à l’outil 8 et aux plaques de fermeture 47, qui segmentent de manière étanche les modules 41 et 43.
Avantageusement, le système de démantèlement 1 comprend des flexibles 81, représentés de manière schématique uniquement à la et à la , disposés dans l’espace annulaire V24. Les flexibles 81 sont destinés à l’alimentation de l’outil 8 en énergie et/ou à son contrôle. En pratique, les flexibles 81 peuvent regrouper des tuyauteries flexibles hydrauliques ou pneumatiques et/ou des câbles conducteurs permettant de délivrer une alimentation électrique et/ou de faire transiter des signaux électriques correspondant à des signaux de contrôle ou à des données, par exemple en provenance de capteurs appartenant à l’outil 8. En pratique, un passage est ménagé dans le bouchon 29 pour les flexibles 81, ce passage étant étanche.
Sur les figures 1 à 3, le mât 4 est représenté avec le module d’interface 41 et trois modules additionnels 43. Cependant, le nombre de module additionnels 43 peut être diminué, pour faire baisser la hauteur H4 du mât, ou augmenté, pour faire augmenter la hauteur H4.
Le système de manutention 6 est prévu à cet effet, en permettant d’ajouter ou de retirer au mât 4 des modules additionnels 43.
Comme visible sur la , le système de manutention 6 comprend deux actionneurs 61, s’étendant verticalement vers le haut. Chaque actionneur 61 est supporté et guidé par une structure de guidage 63.
Dans l’exemple, les actionneurs 61 sont des vérins, de préférence, des vérins hydrauliques. En variante, les vérins 61 sont des vérins pneumatiques, ou des vérins électriques.
Chaque vérin 61 comprend une extrémité basse 611, fixée à la structure de guidage 63, et une extrémité haute 613, mobile par rapport à la structure de guidage 63. Chaque vérin 61 est actionnable, c’est-à-dire qu’il est prévu pour être actionné dans un mouvement de retrait-extension, permettant de faire varier sa longueur L61, qui correspond à la distance, mesurée parallèlement à l’axe vertical Z, entre ses extrémités 611 et 613. En pratique, l’extrémité haute 613 de chaque vérin 61 est guidée dans son mouvement de retrait-extension par un guide 615, fixe par rapport à l’extrémité haute 613 et qui coulisse sur la structure de guidage 63 associé.
Les vérins 61 sont ainsi actionnables entre une configuration de retrait, dans laquelle les extrémités hautes 613 sont au plus proche des extrémités basses 611, et une configuration d’extension, dans laquelle les extrémités hautes sont le plus éloignées des extrémités basses. Dans l’exemple, la longueur L61 varie entre 750 mm, lorsque les vérins sont en configuration de retrait, et 2100 mm, lorsque les vérins sont en configuration d’extension. Ainsi, dans l’exemple, la course des vérins 61 est égal à 1350 mm. Sur les figures 1, 2, 8, 9, 10 et 12, les vérins 61 sont représentés en configuration d’extension. Sur la , les vérins sont représentés en configuration de retrait.
De manière générale, la course des vérins 61 est au moins égal à la hauteur H43 des modules 41 et 43.
Les structures de guidage 63 sont fixées à la partie fixe 2, plus précisément au support 21, et s’étendent depuis la partie fixe 2 vers le haut. Les structures de guidage 63 sont par exemple soudées au support 21. En pratique, les structures de guidage 63 sont situées de part et d’autre du cylindre de guidage 23.
Le système de manutention 6 comprend un palonnier 65 et une bride de manutention 67.
Le palonnier 65 est prévu pour être relié à des moyens de levage, tels que par exemple un pont roulant ou une grue, qui ne sont pas représentés sur les figures. Ainsi, le palonnier 65 est mobile horizontalement et verticalement dans l’installation nucléaire 9, à l’extérieur de l’enceinte 91.
Dans l’exemple, le palonnier 65 est un palonnier mono-poutre, comprenant deux points de levage 651 et deux extrémités 653. Les points de levage 651 sont par exemple utilisés pour le passage d’élingues permettant de relier le palonnier à un pont roulant. En variante non-représentée, le palonnier 65 est d’un autre type, par exemple un palonnier monobloc ou un palonnier multi-poutre.
La bride de manutention 67 est fixée au palonnier 65. Dans l’exemple, le palonnier comprend deux points d’attache 655, qui permettent de fixer la bride de manutention. En variante non-représentée, le nombre de points d’attache 655 est différent, par exemple trois ou quatre.
La bride de manutention 67 est prévue pour être fixée à un module additionnel 43, en étant fixée à la bride supérieure 432 du module additionnel. Ainsi, le système de manutention 6 permet, en coopération avec des moyens de levage non-représentés, de manutentionner un module additionnel 43 dans l’installation nucléaire 9. En pratique, un module additionnel 43 manutentionné par le système de manutention 6 est suspendu sous la bride de manutention 67. Sur les figures 1, 2 et 8, un module additionnel 43 ne faisant pas partie du mât 4 est ainsi représenté suspendu au système de manutention 6.
Selon cet exemple de la correspondant à un aspect optionnel de la présente invention, chaque ensemble électronique du circuit de commutation reconfigurable spécifiquement proposé selon la présente invention, et associé à chaque paire de ports en vis-à-vis est intégré au sein d’un mur métallique de ladite cavité cubique, ledit mur séparant lesdits ports de ladite paire, tel qu’illustré sur la vue de côté 82 de la paroi de la où le circuit 84 de commutation reconfigurable spécifiquement proposé selon la présente invention et son alimentation 86 sont intégrés. Une telle utilisation des parois de cavités permet de réaliser des lignes de transmission.
Selon un autre aspect, non représenté sur la représentant, de manière similaire à la , un réseau antennaire à double polarisation et comprenant quatre mailles élémentaires (2x2) permettant l’obtention de quatre configurations distinctes d’antennes à savoir deux antennes polarisées horizontalement et deux antennes polarisées verticalement, une telle application 68 du réseau antennaire à un radar à pénétration du sol est propre à nécessiter un système multi-antennaire ultra large bande ULB permise par un réseau antennaire selon la présente invention comprenant d’autres configurations d’antenne (en polarisation et/ou en géométrie). Par exemple, un autre réseau antennaire selon la présente invention comprenant trois géométries d’antennes distinctes non représentées, à savoir verticale à deux pixels, verticale à quatre pixels, et en H avec deux branches horizontales identiques, comprenant chacune au moins cinq mailles élémentaires (i.e. pixels) horizontalement contiguës, les deux branches horizontales identiques étant connectées l’une à l’autre par une branche centrale verticale comprenant au moins quatre mailles élémentaires verticalement contiguës, est propre à être utilisé à titre d’alternative pour répondre à d’autres besoins. Ces trois géométries sont sélectionnables séquentiellement via le circuit de commutation reconfigurable du réseau antennaire selon la présente invention. Ces trois géométries d’antennes distinctes sont en effet propres à présenter des comportements ULB utiles pour l’application visée par la tout en présentant des efficacités distinctes, l’antenne verticale à quatre pixels et l’antenne en forme de H précitée à deux branches horizontales, de par leur taille électrique supérieure, étant notamment plus efficaces dans les bandes de fréquence basse permettant de détecter des cibles profondes pour une application GPR et présentant une amélioration de niveau de gain par rapport à une antenne verticale à deux pixels.
Il est à noter que le réseau antennaire selon la présente invention présente une architecture propre à être reconfigurée à souhait, en fonction de l’application, pour obtenir une résolution ou une direction de détection souhaitée. En particulier, selon les besoins, la forme en H précitée n’est pas optimale et est indiquée précédemment juste à titre d’exemple, l’architecture du réseau antennaire selon la présente invention permettant d’exploiter d’autres configurations d’antennes présentant par exemple des performances plus élevées que la forme en H précitée sur des bandes basses fréquence prédéterminées.
Il est à noter que la taille de l’antenne (formée d’une pluralité de mailles élémentaire selon la configuration activée) est un élément clé qui définit sa fréquence d’opération, ce qui est un paramètre important pour l’application GPR. Avec la solution proposée selon la présente invention, il est possible de réduire ou augmenter la fréquence d’opération de l’antenne en changeant le numéro de maille(s) qui forme(nt) cette antenne
Aussi, la reconfiguration géométrique obtenue grâce à la présente invention, et telle qu’illustrée précédemment également par la , est propre à contribuer de manière significative à l’amélioration des performances d’un système GPR, cette reconfiguration, apportant un degré de liberté pour synthétiser les performances de l’antenne en accord avec les besoins instantanés du système, et permettant de créer encore plus d’antennes dont la géométrie n’est pas limitée à un nombre spécifique des pixels.