INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence la ou les huiles hydrocarbonées liquides iii) se trouvent dans la dispersion de l’invention dans une quantité comprise entre 15 % en poids et 80 % en poids, plus préférentiellement entre 20 % et 60 % en poids par rapport au poids total de ladite dispersion huileuse. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention le rapport en poids de la somme des ingrédients [i) + ii)] / iii) est inférieur ou égal à 1, plus particulièrement [i) + ii]] / iii) le rapport massique est compris entre 0,5 et 1.
Les particules i) de polymère de la dispersion ont de préférence une taille moyenne, notamment en nombre, en allant de 50 à 500 nm, notamment allant de 75 à 400 nm, et mieux allant de 100 à 250 nm.
D'une manière générale, la dispersion selon l'invention peut être préparée de la manière suivante, donnée à titre d'exemple.
Méthode de préparation de la dispersion Sans que ce soit limitatif, d'une manière générale, la dispersion selon l'invention peut être préparée de la manière suivante : - La polymérisation est effectuée en dispersion en milieu non aqueux, c'est-à-dire par précipitation du polymère en cours de formation, avec protection des particules formées avec un ou plusieurs agents stabilisants ii), de préférence un seul type d’agent stabilisant ii) choisi parmi b) et c) tels que définis précédemment. - Dans une première étape, on prépare le polymère stabilisant (ou agent stabilisant ii)) en mélangeant le ou les monomères constituant le polymère stabilisant b) ou c), avec iv) un amorceur radicalaire, dans un solvant appelé solvant de synthèse, et en polymérisant ces monomères ; puis - Dans une deuxième étape, on ajoute au polymère stabilisant ii) formé à l’étape précédente, les monomères constituant le polymère des particules i) et on effectue la polymérisation de ces monomères ajoutés en présence de l’amorceur radicalaire. - Dans une troisième étape, on ajoute l’eau et l’ensemble les ingrédients i) + ii) sont mis sous agitation dans le réacteur avant de sortir la dispersion. Lorsque le milieu non aqueux est une huile hydrocarbonée iii) non volatile, on peut effectuer la polymérisation dans un solvant organique apolaire (solvant de synthèse) puis ajouter l’huile hydrocarbonée non volatile (qui doit être miscible avec ledit solvant de synthèse) et distiller sélectivement le solvant de synthèse.
Les éléments conducteurs 1 de chaque cellule DBD amovible C constituent les anodes de ces cellules, les cathodes étant constituées par les tubes électriquement et thermiquement conducteurs 15 de ces cellules, qui sont reliés électriquement à la masse du boîtier B du réacteur par l’intermédiaire du support métallique supérieur 13, et du bouchon inférieur électriquement et thermiquement conducteur 11.
Le réacteur de conversion par plasma-catalyse isotherme
Les cellules DBD amovibles C, dont l’une est représentée en perspective à la , sont mises en œuvre dans un boîtier de réacteur isotherme B comme illustré schématiquement dans la . Les cellules DBD C sont parallélisées en étant installées dans les alésages 35 de la platine supérieure 31, et dans les alésages correspondants (non visibles sur la ) de la platine inférieure du boîtier B.
Une prise haute tension (non représentée) reliée de manière étanche au réseau de câbles électriques 38 permet de fournir aux cellules DBD amovibles un signal en tension, fréquence et puissance souhaitées en fonction des réactions que l’on souhaite mettre en œuvre dans le réacteur.
Une fois fermé de manière étanche par des couvercles 39, 40 fixés par vissage sur des brides supérieure 41 et inférieure 43 du boîtier B, on obtient un réacteur permettant : – d’une part le passage du fluide de réactifs dans les cellules DBD disposées à l’intérieur du boîtier, entre une entrée 45 du fluide de réactifs et une sortie 47 du fluide de produits, selon la direction principale Fr représentée aux figures 9 à 11 (selon une autre variante possible, l’entrée 45 et la sortie 47 pourraient être situées sur les côtés du boîtier B), et – d’autre part le passage de fluide caloporteur autour des cellules DBD sans être en contact avec le fluide réactif, dans l’espace situé entre les platines supérieure 31 et inférieure 33 du boîtier de réacteur, entre une entrée 49 et une sortie 51 de fluide caloporteur, selon la direction principale Fc représentée aux figures 9 et 12 à 15.
Distribution des fluides réactifs
Le réacteur selon l’invention permet l’utilisation d’une ou plusieurs cellules DBD disposées parallèlement les unes aux autres et permet une bonne distribution du fluide de réactifs entre les cellules principalement grâce à la perte de charge induite par le passage du fluide de réactifs à travers les différents éléments de la cellule DBD amovible. Une perte de charge va permettre d’éviter un chemin préférentiel déterminé par la vitesse initiale du fluide dans le conduit d’entrée 45 de par l’énergie cinétique du fluide, et au contraire permettre de répartir le fluide dans toutes les cellules dont l’écoulement homogène dans chaque cellule sera établi par l’équilibre entre débit et perte de charge de chaque cellule.
En d’autres termes, le compartiment du réacteur dédié à l’écoulement du fluides de réactifs contient un réseau de cellules DBD dans lesquelles le fluide s’écoule jusqu’à la sortie du réacteur, la perte de charge dans chacune des cellules induite par la présence du catalyseur permettant une répartition homogène du fluide de réactifs dans chaque cellule mis en parallèle grâce à un phénomène d’équilibre entre débit de fluide et perte de charge associée.
La illustre schématiquement une coupe verticale du réacteur selon l’invention, c’est-à-dire prise selon le plan P1 de la , permettant d’observer la vitesse 53 et la bonne répartition du fluide de réactifs entre l’entrée 45 et la sortie 47 dans toutes les cellules DBD C grâce à leurs pertes de charge respectives.
La permet d’observer les lignes isobares 55 et la bonne répartition du fluide de réactifs entre l’entrée 45 et la sortie 47 dans toutes les cellules DBD C grâce à leurs pertes de charge respectives.
Pour éviter les phénomènes de résonnance lors de l’utilisation de nombreuses cellules DBD, un réseau de cellules non-symétrique peut être mis en place avec un nombre plus important de cellule d’un côté du réacteur sans nuire à la bonne répartition du fluide de réactifs.
Distribution du fluide caloporteur
Le réacteur selon l’invention permet l’utilisation d’une ou plusieurs cellules DBD disposées parallèlement les unes aux autres.
Le compartiment du réacteur dédié à l’écoulement de fluide caloporteur contient un agencement de parois permettant la bonne répartition du fluide caloporteur à travers toutes les cellules ; plus précisément, on prévoit des chicanes afin de garantir un passage du fluide caloporteur à travers le réseau de cellules parallélisées.
Les chicanes sont idéalement situées par rapport aux cellules DBD à une distance équivalente à la distance qui sépare les cellules DBD entre elles. Les chicanes reproduisent également la forme du réseau de cellules pour éviter tout chemin préférentiel.
La illustre schématiquement une vue de dessus du boîtier B de réacteur avec la présence de chicanes 57 situées idéalement le long du réseau de cellules DBD C. La circulation de fluide caloporteur s’effectue entre l’entrée 49 et la sortie 51 à travers le réseau de cellules DBD C et entre les parois latérales 59 et les platines 31, 33 du boîtier B.
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’autres valeurs d’arc de rotation, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans une mise en œuvre particulière de la paire de bras longitudinaux 120, on peut prévoir des moyens pour limiter toute tentative de découpe de la paire de bras longitudinaux 120, par exemple avec une disqueuse.
En particulier, on peut prévoir que la paire de bras longitudinaux 120 se présente sous la forme d’un tube qui présente un espace intérieur longitudinal. Dans ce cas, le tube peut comprendre au moins une tige métallique qui s’étend librement à l’intérieur de l’espace intérieur du tube.
Dans un exemple, la tige est en acier trempé.
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’utiliser d’autres matériaux résistants, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans l’invention, le premier élément de maintien 140 est couplé à la paire de bras longitudinaux 120.
Dans une mise en œuvre particulière telle qu’illustrée sur les figures 1 à 9, le premier élément de maintien 140 est une tige.
Dans un exemple de cette mise en œuvre particulière, la tige présente une section circulaire.
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’autres formes du premier élément de maintien 140, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans un premier mode de réalisation du premier élément de maintien 140, la position du premier élément de maintien 140 est fixe par rapport à la paire de bras longitudinaux 120.
Dans ce cas, on pourra fixer le premier élément de maintien 140 à la paire de bras longitudinaux 120 grâce à des moyens de fixations connus du type par vissage, par collage, par polymérisation ou par soudure.
Dans un deuxième mode de réalisation du premier élément de maintien 140, la position du premier élément de maintien 140 est mobile par rapport à la paire de bras longitudinaux 120. Et ce, notamment pour adapter la position du premier élément de maintien 140 à la géométrie du cadre de cycle.
En particulier, on peut prévoir que le bras longitudinal 120 qui est couplé au premier élément de maintien 140 comprend une crémaillère qui s’étend de manière parallèle à un axe longitudinal du bras longitudinal 120. Une telle crémaillère peut comprendre une pluralité de crans qui sont agencés pour coopérer avec le premier élément de maintien 140. Ainsi, chacun des crans permet de définir une hauteur prédéterminée du premier élément de maintien 140 le long du bras longitudinal 120. En effet, dans ce cas, le premier élément de maintien 140 est mobile en translation le long de la crémaillère.
Toujours dans l’invention, le premier élément de maintien 140 s’étend latéralement en s’éloignant depuis l’un des bras longitudinaux 120.
Dans un premier exemple, le premier élément de maintien 140 s’étend latéralement dans un plan orthogonal à l’axe longitudinal du bras longitudinal 120 auquel le premier élément de maintien 140 est couplé.
Dans un deuxième exemple, l’élément de maintien 140 s’étend latéralement dans un plan oblique à l’axe longitudinal du bras longitudinal 120 auquel le premier élément de maintien 140 est couplé.
La couche 14 peut être réalisée dans un autre matériau semi-conducteur que du silicium. De préférence, la couche 14 est réalisée en matériau semi-conducteur ou dans un alliage de matériaux semi-conducteurs choisi dans le groupe constitué du silicium et du germanium ou leur alliage. Toutefois, d’autres matériaux semi-conducteurs peuvent aussi convenir, comme par exemple, un alliage InAs ou Mo 3 Ge ou d’autres matériaux semi-conducteurs du groupe III - V.
Les corps 46 et 62 peuvent être réalisés dans d’autres matériaux que du tungstène. En particulier, ils peuvent aussi être réalisés dans d’autres métaux tels que de l’aluminium, du nitrure de titane ou du cuivre. Ils peuvent aussi être réalisés dans des matériaux qui ne sont pas des matériaux électriquement conducteurs. En effet, puisque les revêtements 48 et 62 sont réalisés en matériaux supraconducteurs, l’essentiel des charges électriques se propage à l’intérieur de ces revêtements et non pas à l’intérieur des corps 46 et 62. Par exemple, les corps 46 et 62 sont réalisés, en variante, en matériau électriquement isolant comme en oxyde de silicium.
Dans une autre variante, les corps 46 et/ou 62 sont aussi réalisés dans un matériau supraconducteur. Dans ce cas, les revêtements extérieurs 48 et 64 peuvent être omis.
Dans un autre mode de réalisation, les revêtements extérieurs 48 et 64 sont réalisés en matériau non-supraconducteur.
Selon l’application visée pour le transistor 2, certaines des prises 40, 42 et 60 peuvent être omises. Pour certaines applications, la prise 60 peut être commune à la grille de plusieurs transistors.
Variantes du procédé de fabrication :
D’autres méthodes sont possibles pour incorporer des atomes d’argon en surface de la couche 14 de silicium. Par exemple, dans un autre mode de réalisation, la même méthode que celle utilisée pour implanter des dopants dans un matériau semi-conducteur est utilisée pour implanter des atomes d’argon. Dans ce cas, les atomes d’argon sont d’abord ionisés. Ensuite, les ions d'argon obtenus sont accélérés par un champ électrique puis projetés sur la face supérieure de la couche 14. L’énergie des ions d’argon est réglée pour que la majorité de ces ions ne s’enfoncent pas de plus de 5 nm ou de 10 nm à l’intérieur de la couche en silicium. Ainsi à titre d’exemple, l’énergie des ions d'argon est comprise entre 5 et 15 keV. La dose nécessaire pour obtenir une concentration atomique d’argon comprise entre 1 % atomique et 10 % atomique est comprise entre 9 x 10 14 et 9 x 10 15 ions par centimètre carré. Dans un exemple précis la dose nécessaire à l’obtention d’une concentration atomique d’Ar de 4% atomique est de 3.6 x 10 15 ions par centimètre carré sous une énergie de 10 keV. Une fois implantés dans la couche en silicium, les ions argon redeviennent des atomes neutres d’argon. De préférence, dans ce cas, après l’implantation des atomes d’argon dans la couche en silicium, une opération de nettoyage de la face supérieure de la couche en silicium est exécutée afin de finaliser sa préparation pour le dépôt du siliciure de vanadium. Ce nettoyage a notamment pour but de désoxyder la face supérieure de la couche en silicium. Par exemple, il s’agit d’un nettoyage HF, c’est-à-dire d’un nettoyage avec de l’acide fluorhydrique ou d’un nettoyage avec un plasma d’hélium ou d’argon. Lorsque le plasma d’argon est seulement utilisé pour nettoyer la face de la couche en silicium, la pression partielle et la puissance RF n’ont pas besoin d’être réglées comme décrit précédemment pour incorporer des atomes d’argon à l’intérieur de la couche 14 de silicium. Par exemple, la pression partielle d’argon et/ou la puissance RF sont beaucoup plus faibles.
En variante, l’étape 210 peut être exécutée à un autre moment. Par exemple, le traitement thermique peut aussi être exécuté juste après l’étape 170 et avant l’étape 180 ou avant l’étape 190 ou avant l’étape 200.
Dans le cas où un autre matériau supraconducteur est utilisé à la place du siliciure de vanadium ou dans le cas où le canal 14 est réalisé dans un autre matériau semi-conducteur que du silicium, l’étape 160 d’incorporation d’atomes d’argon peut être omise.
D’autres procédés de formation du réservoir 70 en matériau supraconducteur sont possibles. Par exemple, le procédé décrit dans la demande US2020287119A1 qui consiste à déposer du vanadium pur sur le silicium puis ensuite à le faire réagir avec le silicium pour former le siliciure de vanadium peut être utilisé. Dans ce cas, de préférence, l'épaisseur e Si de la couche en silicium et l'épaisseur e V de la couche en vanadium pur déposée sont choisies pour obtenir le bon rapport stœchiométrique entre le nombre d'atomes de vanadium et le nombre d'atomes de silicium pour favoriser l'apparition du siliciure de vanadium de composition V 3 Si et limiter l’apparition de VSi 2 . Par exemple, les épaisseurs e Si et e V peuvent être calculées à l'aide de la relation de proportionnalité suivante : une épaisseur de 1 nm de vanadium + une épaisseur de 0.48 nm de silicium forme une épaisseur de 1.26 nm de V 3 Si. Le procédé décrit dans ce paragraphe pour former de siliciure de vanadium peut aussi être utilisé pour former d'autres matériaux supraconducteurs tel que le Nb 3 Ge. Par exemple, dans le cas d'autres siliciures de formule générale M x Si y , l'épaisseur e Si de la couche de silicium à faire réagir avec une couche de 1 nm d'épaisseur de l'élément M peut être déterminée à l'aide de la relation générique de proportionnalité suivante : une épaisseur de 1 nm de l'élément M + une épaisseur de e Si nm de silicium forme une épaisseur de e MxSiy nm du siliciure M x Si y , où : - e Si est égal à xV Si /yV M , - e MxSiy est égal à V MxSiy /V M , - V Si est le volume atomique occupé par un atome de silicium dans sa maille cristalline, - V M est le volume atomique occupé par un atome de l’élément M dans sa maille cristalline, - V MxSiy est le volume atomique occupé par un atome du siliciure M x Si y dans sa maille cristalline, - x et y sont les nombres d'atomes, respectivement, de silicium et de l'élément M dans le siliciure M x Si y . Ainsi, à l'aide de cette relation générique, il a été déterminé que : - une épaisseur de 1 nm de palladium + une épaisseur de 1,32 nm de silicium forme une épaisseur de 1.97 nm de PdSi, - une épaisseur de 1 nm de platine + une épaisseur de 1,35 nm de silicium forme une épaisseur de 1.98 nm de PtSi, - une épaisseur de 1 nm de cobalt + une épaisseur de 3,64 nm de silicium forme une épaisseur de 3,52 nm de Co 2 Si, - une épaisseur de 1 nm de Tantale + une épaisseur de 2,21 nm de silicium forme une épaisseur de 2,40 nm de TaSi 2 .
Le remplacement de l'incorporation d'atomes d'argon par le dépôt, sur une couche de silicium, d'un revêtement en matériau supraconducteur autre que du siliciure de vanadium afin d’empêcher le siliciure de vanadium de réagir avec le silicium lors du traitement thermique de l'étape 210, peut être mis en œuvre dans tout procédé de fabrication d'un empilement d'une couche supraconductrice de siliciure de vanadium sur une couche de silicium. En particulier ce procédé de fabrication d'un tel empilement peut être utilisé dans des procédés de fabrication d'autres composants qu'un transistor ou alors dans un procédé de fabrication d'un transistor à effet Josephson dans lequel l'étape 150 de gravure des cavités 152, 154 est omise. Chapitre IV – Avantages des modes de réalisation décrits :
Il a été observé que le fait d’enfoncer le réservoir 70 à l’intérieur de la couche 14 améliore les performances du transistor à effet Josephson. En particulier, cela facilite l’apparition de l’effet Josephson. La densité du courant critique à partir duquel cet effet apparaît est donc diminuée. Actuellement, cette amélioration des performances du transistor 2 est expliquée par le fait que l’enfoncement du réservoir 70 à l’intérieur de la couche 14 permet d’obtenir une face latérale 78 qui est tournée vers une face latérale correspondante du réservoir du drain. Cet enfoncement permet aussi d’augmenter la surface de l’interface entre le réservoir 70 et la couche 14. Cette augmentation de la surface d’interface est en particulier due au fait que la face inférieure 76 du réservoir est séparée du plan P inf14 par une épaisseur de silicium.
- l’axe de référence est horizontal et le dispositif de mesure comporte deux gyromètres et un système de mesure spécifique permettant de produire directement et/ou par calculs la vitesse de rotation angulaire et la position angulaire de l’élément rotatif.
L’invention concerne également un procédé de mesure des erreurs angulaires d’inclinaison d’un axe réel de rotation d’un élément rotatif, comportant les étapes suivantes :
- mesurer les vitesses angulaires de l’élément rotatif selon deux axes de mesure orthogonaux entre eux et tous deux orthogonaux à l’axe réel de rotation;
- mesurer la position angulaire et la vitesse angulaire de l’élément rotatif selon son axe réel de rotation ;
- mesurer les projections du vecteur vitesse de rotation de la Terre sur au moins deux axes de projection ;
- calculer, à partir des mesures réalisées aux étapes précédentes, les erreurs angulaires d’inclinaison de l’axe réel de rotation de l’élément rotatif.
Le procédé peut être décliné selon toutes les possibilités procédurales permises par les moyens décrits de l’invention et de son dispositif.
Notamment, d’autres caractéristiques non limitatives et avantageuses du procédé conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes :
- on calcule en outre l’orientation précise de l’axe réel de rotation,
- l’orientation précise de l’axe réel de rotation calculée est au moins un de :
- l’alignement au Nord de l’axe réel de rotation,
- l’inclinaison entre l’axe réel de rotation et un axe de référence, l’axe de référence étant avantageusement l’axe de référence de l’élément rotatif,
- on met en œuvre une unité de calcul configurée pour calculer à partir des mesures des capteurs de rotation au moins un de l’alignement au Nord de l’axe réel de rotation, et de l’inclinaison entre un axe de référence et l’axe réel de rotation,
- le procédé comporte en outre les étapes suivantes: - effectuer des mesures périodiques à des vitesses déterminées de rotation de l’élément rotatif, - moyenner les mesures périodiques;- en déduire des erreurs d’orthogonalité des deux axes sensibles; - corriger les mesures des vitesses angulaires de l’élément rotatif autour des deux axes de mesure de composantes résultant des erreurs d’orthogonalité identifiées,
- le procédé comporte en outre une étape consistant à corriger les mesures des vitesses angulaires de l’élément rotatif selon les axes de mesure des composantes résultant des projections du vecteur vitesse de rotation de la terre et à intégrer lesdites mesures des vitesses angulaires ainsi corrigées pour calculer les erreurs angulaires d’inclinaison de l’axe réel de rotation de l’élément rotatif,
- les vitesses déterminées de rotation sont des vitesses constantes de rotation de l’élément rotatif,
Le générateur 43 est dit "auxiliaire" car il est utilisé pour alimenter le cylindre 12 en cas de défaillance du générateur 41. Ce générateur 43 est décrit plus en détail en référence à la .
La représente plus en détail l'intérieur du cylindre 12. Le stator 22 comporte un canal cylindrique 50, de section transversale circulaire, traversant de part en part le stator 22 et donc les deux demi-stators 30 et 32. Ce canal 50 s'étend le long de l'axe 20. Ici, l'axe 20 est confondu avec l'axe de symétrie de révolution du canal 50.
Le canal 50 reçoit un rotor 52. Le rotor 52 est par exemple identique à celui décrit plus en détail, notamment, en référence aux figures 5 et 6 de la demande FR3025236. En particulier, le rotor 52 comporte un logement 96 apte à recevoir l'extrémité de la lame 38. La section transversale de ce logement 96 comporte au moins une forme complémentaire de l'extrémité de la lame 38 de manière à être engrenée en rotation par la lame 38. Ici, cette forme complémentaire est un méplat apte à s'engrener avec le méplat 42 de la lame 38. Ainsi, lorsqu'une clef autorisée est tournée à l'intérieur de la serrure 6, la rotation de la clef 16 entraîne la rotation du rotor 52 qui elle-même entraîne la rotation du panneton 24.
À ses extrémités, le canal 50 débouche dans le cache 34 en vis-à-vis de l'orifice 36.
Ici, le demi-stator 32 comporte une coquille 54 entièrement située du côté extérieur du plan 28 et une moitié d'une barrette 56 située du côté extérieur de ce plan 28. La barrette 56 est symétrique par rapport au plan 28.
La coquille 54 comprend le cache avant 34, l'orifice 36 et la moitié du canal 50 situé du côté extérieur. De préférence, la coquille 54 est formée d'un seul bloc de matière rigide. Par « matière rigide » ou « matériau rigide », on désigne une matière dont le module de Young à 25°C est supérieur à 100 GPa ou 150 GPa et, de préférence, supérieur à 200 GPa.
Le demi-stator 32 comporte un mécanisme commandable 76 de déverrouillage du cylindre. Ce mécanisme 76 est apte à déplacer un organe 80 de blocage de la rotation du rotor 52. Ce mécanisme 76 est fixé, sans degré de liberté, sur la coquille 54. Par exemple, le mécanisme 76 et l'organe 80 sont similaires ou identiques à ceux décrits dans la demande FR3025236. Pour accroître la lisibilité de la , les représentations du mécanisme 76 et de l'organe 80 ont été simplifiées.