INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, il existe un besoin dans l’industrie de fournir une solution pour être capable d’utiliser (pour permettre l’utilisation de) diverses quantités de matières premières formant du noir de carbone à faible rendement dans un processus au fourneau de noir de carbone existant, et de produire cependant des noirs de carbone qui sont comparables aux noirs de carbone formés à partir de matières premières de noir de carbone au fourneau traditionnelles (par exemple, produire des noirs de carbone avec des rendements acceptables et/ou avec de grandes surfaces et/ou de grandes structures). L’utilisation d’un processus au fourneau existant pour utiliser ces matières premières à faible rendement, au lieu de développer, concevoir et construire un nouveau processus pour les utiliser permet de réaliser d’importantes économies de capital et de ressources de développement.
RÉSUMÉ DE LA PRÉSENTE INVENTION
Une caractéristique de la présente invention consiste à fournir des procédés pour préparer ou produire du noir de carbone à partir de matières premières qui incluent une/des matière(s) première(s) de noir de carbone à faible rendement.
Une autre caractéristique de la présente invention consiste à fournir des procédés pour préparer ou produire du noir de carbone à partir de matières premières qui incluent des matières premières de noir de carbone gazeuses.
Une caractéristique supplémentaire de la présente invention consiste à fournir des noirs de carbone fabriqués à partir de matières premières qui incluent des matières premières de noir de carbone à faible rendement.
Une autre caractéristique de la présente invention consiste à fournir des noirs de carbone fabriqués à partir de matières premières de noir de carbone gazeuses.
Une caractéristique supplémentaire consiste à fournir des procédés pour utiliser des matières premières de noir de carbone dans lesquels au moins une partie ou plus de la quantité totale de matière première est une matière première de noir de carbone à faible rendement.
Une autre caractéristique consiste à fournir un procédé pour produire des noirs de carbone à partir de matières premières de noir de carbone à faible rendement de telle sorte que le noir de carbone résultant présente un rendement acceptable (par exemple, bon), une surface acceptable (par exemple, grande) et/ou une structure acceptable (par exemple, élevée).
Pour parvenir à ces avantages et à d’autres avantages, et selon les buts de la présente invention, comme indiqué dans les modes de réalisation et largement décrit ici, la présente invention concerne en partie un procédé de production d’un noir de carbone. Le procédé inclut l’étape d’introduction d’un courant de gaz chauffé dans un réacteur de noir de carbone (par exemple, un réacteur de noir de carbone de fourneau) et de combinaison d’au moins une première matière première de noir de carbone avec le courant de gaz chauffé pour former un courant de réaction. Le procédé inclut en outre l’étape de combinaison en aval d’au moins une matière première de noir de carbone à faible rendement et d’un courant de réaction présent pour former le noir de carbone. Le procédé inclut en outre la récupération du noir de carbone dans le courant de réaction. Dans le procédé, la au moins une matière première de noir de carbone à faible rendement inclut de préférence au moins 10 % en poids de la matière première totale et pas plus de 90 % en poids de la matière première totale (sur la base du poids total). La première matière première de noir de carbone est de préférence un liquide à température et pression ambiantes (par exemple, 25 °C à 1 atm).
De plus, la présente invention concerne en partie un autre procédé de production d’un noir de carbone. Le procédé inclut l’étape d’introduction d’un courant de gaz chauffé dans un réacteur de noir de carbone (par exemple, un réacteur de noir de carbone de fourneau) et de combinaison d’un mélange qui inclut au moins une première matière première de noir de carbone et au moins un noir de carbone à faible rendement, avec le courant de gaz chauffé pour former un courant de réaction et former le noir de carbone. Le procédé inclut en outre la récupération du noir de carbone dans le courant de réaction. Dans le procédé, la au moins une matière première de noir de carbone à faible rendement inclut de préférence au moins 10 % en poids de la matière première totale et pas plus de 90 % en poids de la matière première totale (sur la base du poids total). La première matière première de noir de carbone est de préférence un liquide à température et pression ambiantes (par exemple, 25 °C à 1 atm).
En outre, la présente invention concerne en partie un/des noir(s) de carbone où au moins 10 % en poids de la matière première utilisée pour former le noir de carbone est au moins une matière première de noir de carbone à faible rendement et au moins 10 % en poids de la matière première utilisée pour former le noir de carbone est au moins une matière première de noir de carbone.
La présente invention concerne en outre des produits et/ou des articles tels que, mais sans s’y limiter, des composites élastomères formés à partir d’un quelconque ou de plusieurs des noirs de carbone de la présente invention.
Il doit être entendu que la description générale qui précède et la description détaillée suivante ne sont toutes deux données qu’à titre d’exemple et d’explication et sont destinées à fournir une autre explication de la présente invention selon les revendications.
Les dessins annexés, qui sont incorporés dans la présente demande et en font partie, illustrent diverses caractéristiques de la présente invention, et conjointement à la description, servent à expliquer les principes de la présente invention.
La est un graphique illustrant le rapport atomique H:C (atome d’hydrogène sur atome de carbone) pour des matières premières de noir de carbone traditionnelles, par rapport aux matières premières à faible rendement qui sont utilisées, en partie, dans la présente invention.
Après l'instant t16, une fois que le pixel Pix, et tous les autres pixels de sa ligne ont été lus, les pixels d'une ligne suivante sont lus à leur tour.
Une fois que tous les pixels du capteur ont été lus, une nouvelle phase INT' peut être mise en œuvre.
De préférence, lors de l'acquisition d'une carte de profondeur, la grille TG0 sert avantageusement de système d'initialisation de la photodiode PD et de système anti-éblouissement, par exemple en maintenant la grille TG0 à l'état passant pendant la phase d'initialisation de la photodiode PD et entre chaque phase d'intégration INT' et en maintenant la grille TG0 à un état intermédiaire entre son état passant et son état bloqué pendant chaque phase d'intégration INT'.
La illustre de manière schématique un exemple d'un dispositif électronique 9 comprenant un capteur du type décrit en relation avec les figures 1 à 8.
Le dispositif 9 est, dans l'exemple de la , un téléphone intelligent ou "smartphone". Toutefois, le capteur décrit précédemment peut être prévu dans d'autres dispositifs électroniques tels que des ordinateurs portables, des caméras de recule pour l'automobile etc…
Dans l'exemple de la , le capteur, référencé 90 en , est disposé dans une encoche aménagée dans le boitier du téléphone 9. De préférence, cette encoche est disposée sur la face du téléphone 9 qui comprend un écran 91. Dans d'autres exemples, le capteur 90 est disposé sous l'écran 91.
A titre d'exemple, le capteur 90 peut être utilisé pour prendre une photo en couleur ou en noir et blanc de l'utilisateur du téléphone 9, une telle photo étant couramment désignée par le terme anglais "selfie" (autoportrait en français). Le capteur 90 peut également être utilisé pour obtenir une carte profondeur, par exemple une carte de profondeur du visage de l'utilisateur, par exemple à des fins d'identification de l'utilisateur. Lorsqu'une image en couleur ou en noir et blanc et une carte de profondeur d'une même scène sont acquises par le capteur 90, cela peut permettre, par exemple grâce à des circuits de traitement (non illustrés) du capteur 90, d'obtenir une image en couleur ou en noir et blanc et en trois dimensions de la scène ainsi capturée.
En particulier, dans toute la description faite ci-dessus en relation avec les figures 1 à 9, il a été considéré à titre d'exemple que les charges utiles photogénérées étaient des trous. La personne du métier saura adapter cette description au cas où les charges photogénérées sont des électrons, par exemple en inversant tous les types de conductivités P et N, en remplaçant tous les transistors à canal P par des transistors à canal N, en inversant les potentiels haut et bas (donc les niveaux haut et bas des signaux décrits) et en inversant les cathodes et les anodes des diodes et photodiodes décrites.
Par ailleurs, la personne du métier sera en mesure d'adapter la description faite ci-dessus pour les cas où chaque pixel comprend deux ensembles d'une grille 114 et d'une région 112 au cas où chaque pixel comprend trois ou quatre de ces ensembles, par exemple en prévoyant des circuits de lecture supplémentaires du type des circuits de lecture RD1 et RD2.
En outre, bien que cela n'ait pas été indiqué précédemment, dans un capteur comprenant une pluralité de pixels Pix tels que décrits, on peut prévoir que chaque pixel du capteur soit utilisé lors de l'acquisition d'une image en couleur ou en noir et blanc, et que chaque pixel du capteur soit également utilisé lors de l'acquisition d'une carte de profondeur. En variante, on peut prévoir que seul un premier ensemble de pixels soit utilisé lors de l'acquisition d'une image en couleur ou en noir et blanc, et qu'un deuxième ensemble de pixels soit utilisé lors de l'acquisition d'une carte de profondeur, les premier et deuxième ensembles pouvant ou non avoir des pixels en commun.
Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, la personne du métier sera en mesure de prévoir le ou les filtres recouvrant chaque pixel Pix. Par exemple, lorsqu'un pixel Pix est configuré pour acquérir la composante rouge, respectivement verte, respectivement bleue d'un pixel d'une image en couleur, et pour recevoir de la lumière infrarouge pour acquérir une donnée de profondeur lors de l'acquisition d'une carte de profondeur, ce pixel Pix sera revêtu d'au moins un filtre configuré pour ne laisser passer que la lumière infrarouge et la lumière rouge, respectivement verte, respectivement bleue.
PROCEDE DE FABRICATION D’UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, particulièrement adapté à l’élaboration d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur ledit substrat support.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le SiC est de plus en plus largement utilisé pour la fabrication de dispositifs de puissance innovants, pour répondre aux besoins de domaines montants de l'électronique, comme notamment les véhicules électriques. En effet, les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du carbure de silicium monocristallin peuvent gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée par rapport à leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures.
Les substrats en SiC monocristallin (c-SiC) de haute qualité, destinés à l’industrie microélectronique, restent néanmoins chers et difficiles à approvisionner en grande taille. Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches, pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche mince en SiC monocristallin (issue du substrat en c-SiC de haute qualité) sur un substrat support plus bas coût, par exemple en SiC poly-cristallin (p-SiC). Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut ® , basé sur une implantation d’ions légers et sur un assemblage, par collage direct, au niveau d’une interface de collage.
Le document US2019153616 propose un procédé de fabrication d’un substrat support en p-SiC sur lequel peut être reportée une couche mince en c-SiC. Le substrat support comprend des grains de taille moyenne de l’ordre de 10μm et présente un taux de variation de la taille de grain entre ses faces avant et arrière, ramené à son épaisseur, inférieur ou égal à 0,43% ; cette dernière caractéristique permet de limiter la contrainte résiduelle dans le substrat support et donc sa courbure.
La source du deuxième interrupteur T2 est reliée au point milieu PM.
La source du troisième interrupteur T3 et du quatrième interrupteur T4 est connectée à la masse. Le drain du troisième transistor T3 est reliée au point haut PH. Le drain du quatrième interrupteur T4 est reliée au point bas PB.
Lorsque le module d’adaptation 30 fonctionne selon la première configuration, le premier interrupteur T1 et le quatrième interrupteur T4 sont fermés, les autres interrupteurs étant ouverts.
Lorsque le module d’adaptation 30 fonctionne selon la deuxième configuration, le deuxième interrupteur T2 et le troisième interrupteur T3 sont fermés, les autres interrupteurs étant ouverts.
Lorsque le module d’adaptation 30 fonctionne selon la troisième configuration, le deuxième interrupteur T2 et le quatrième interrupteur T4 sont fermés, les autres interrupteurs étant ouverts.
Lorsque le module d’adaptation 30 fonctionne selon la quatrième configuration, le deuxième interrupteur T2, le troisième interrupteur T3 et le quatrième interrupteur T4 sont fermés, le premier interrupteur T1 étant ouvert.
Le module d’adaptation 30 comprend également un interrupteur de sécurité 40.
Selon la première forme de réalisation du module d’adaptation 30, l’interrupteur de sécurité 40 est connecté entre le module d’alimentation 20 et le premier relais Re1, le deuxième relais Re2 .
L’interrupteur de sécurité 40 comprend notamment un ou plusieurs transistors et plus précisément un ou plusieurs transistors de type MOSFET.
De plus, la deuxième forme de réalisation du module d’adaptation 30 présente deux interrupteurs en série sur chaque chemin possible du courant, incluant ainsi une sécurité supplémentaire qui permet de ne pas avoir à utiliser d’’interrupteur de sécurité 40, la redondance étant assurée par l’architecture du module d’adaptation 30. De plus, dans le cas où un seul interrupteur ne fonctionnerait plus certaines configurations pourraient toutefois fonctionner correctement. Par exemple, si le premier interrupteur T1 ne fonctionne plus, la deuxième configuration, la troisième configuration et la quatrième configuration pourraient être mises en œuvre.
De plus, le véhicule 1 comprend une unité de contrôle 50, apte à contrôler le module d’adaptation 30 et plus précisément à activer une configuration du module d’adaptation 30.
Autrement dit, l’unité de contrôle 50 est apte à commander le premier Re1, le deuxième relais re2 et le troisième relais Re3 de la première forme de réalisation du module d’adaptation 30 et le premier interrupteur T1, le deuxième interrupteur T2, le troisième interrupteur T3, le quatrième interrupteur T4 de la deuxième forme de réalisation du module d’adaptation 30.
L’unité de contrôle 50 est également configurée pour commander l’interrupteur de sécurité 40, et notamment à ouvrir ou fermer l’interrupteur de sécurité 40.
Le véhicule 1 peut également comprendre un réseau électrique permettant notamment d’alimenter, en énergie électrique, les équipements du véhicule 1. Pour cela, le réseau électrique comprend au moins une ligne électrique montée dans le véhicule 1 et reliée électriquement aux équipements à alimenter.
Le dispositif de chauffage 11 peut être relié au module d’alimentation 20 via le réseau électrique. Dans ce cas, le module d’adaptation 30 est connecté entre le réseau électrique et le dispositif de chauffage 11. La tension est donc fournie au module d’adaptation 30 par le module d’alimentation 20 via le réseau électrique.
La est une vue schématique d’un navire de transport de marchandises 1 (ci-après « le navire 1 »), en coupe selon l’axe longitudinal X-X’ du navire 1. La direction de X’ vers X est la direction de marche du navire 1 lorsque celui-ci navigue.
Le navire 1 est ici un navire de transport d’un gaz liquéfié, en particulier de gaz naturel liquéfié (GNL). À ce titre, le navire 1 comporte une ou plusieurs (ici, deux) cuves 2, qui sont étanches et thermiquement isolantes. Il est toutefois précisé que le navire 1 peut plus généralement être un navire de transport d’un autre produit liquide, voire même un navire de transport de tout autre type de marchandises.
Chaque cuve 2 peut être du type comportant une barrière d’étanchéité et une barrière thermiquement isolante, notamment une cuve indépendante, de type A, B ou C suivant le code de l’Organisation Maritime Internationale (OMI) ou encore toute cuve équivalente. En alternative, chaque cuve 2 peut comporter une structure principale comprenant une structure multicouche comportant, depuis l’extérieur vers l’intérieur, une barrière thermiquement isolante secondaire comportant des éléments isolants et reposant contre la structure porteuse, une membrane d’étanchéité secondaire reposant contre la barrière thermiquement isolante secondaire, une barrière thermiquement isolante primaire comportant des éléments isolants et reposant contre la membrane d’étanchéité secondaire, et une membrane d’étanchéité primaire destinée à être en contact avec le gaz liquéfié contenu dans la cuve. De préférence, la structure porteuse est constituée par au moins une partie des parois du navire 1. Selon une autre alternative, une unique barrière thermiquement isolante est disposée entre une membrane d’étanchéité et la structure porteuse. De telles cuves peuvent par exemple être réalisées selon les technologies Mark III® ou NO96® de la déposante.
Le navire 1 comprend en outre un système de contrôle d’assiette 10, que l’on va décrire plus en détail en se référant aux figures 1A et 1B. Il est précisé que sur la , les réservoirs de liquide du système de contrôle d’assiette 10 et les cuves 2 sont représentées vides, les remplissages possibles des réservoirs de liquide du système de contrôle d’assiette et des cuves 2 étant décrits plus loin.
Le système de contrôle d’assiette 10 est non communicant avec la mer, et comprend au moins un réservoir avant 20, au moins un réservoir arrière 30, un réservoir atténuateur de roulis 40, et optionnellement un réservoir central 50.
Dans l’exemple représenté sur la et la , deux réservoirs avant 20 sont prévus. Les réservoirs avant 20 sont tous deux situés dans un premier quart du navire 1 suivant l’axe longitudinal X-X’ du navire 1. Par « premier quart », on entend la zone située entre 0% et 25% de la longueur L du navire 1 suivant l’axe X-X’, en prenant 0% à la proue du navire et en allant vers la poupe du navire. En variante, les deux réservoirs avant 20 peuvent être situés dans un premier tiers du navire, où « premier tiers » désigne la zone située entre 0% et 33,3% de la longueur du navire 1 suivant l’axe X-X’.
Toujours en se référant à la et la , deux réservoirs arrière 30 sont prévus, tous deux situés dans un dernier quart du navire suivant l’axe longitudinal X-X’ du navire 1. Par « dernier quart », on entend la zone située entre 75% et 100% de la longueur L du navire 1 suivant l’axe X-X’. En variante, les deux réservoirs arrière 30 peuvent être situés dans un dernier tiers du navire, où « dernier tiers » désigne la zone située entre 66,7% et 100% de la longueur du navire 1 suivant l’axe X-X’.
Le réservoir central 50 est quant à lui situé dans une zone comprise entre 40% et 60% de la longueur L du navire 1 suivant l’axe X-X’. Le réservoir central 50 est typiquement centré sur l’axe X-X’.
On a représenté sur les figures 1A et 2A que les deux réservoirs avant 20 et les deux réservoirs arrière 30 sont espacés les uns des autres suivant l’axe X-X’ du navire 1. Toutefois, en variante, comme représenté sur la , deux réservoirs avant 20 et deux réservoirs arrière 30 peuvent être espacés les uns des autres suivant une direction parallèle à l’axe transversal Y-Y’ du navire 1. Un grand nombre d’autres configurations sont possibles. Notamment, le nombre de réservoirs avant 20 et de réservoirs arrière 30 représentés est purement à titre d’exemple. Un seul réservoir avant 20 ou bien trois ou plus réservoirs avant 20 peuvent être prévus, et indépendamment, un seul réservoir arrière 30 ou bien trois ou plus réservoirs arrière 30 peuvent être prévus, espacés les uns des autres suivant l’axe X-X’ et/ou suivant l’axe Y-Y’.
On décrit maintenant le réservoir atténuateur de roulis 40. Le réservoir atténuateur de roulis 40 est situé dans le premier tiers, de préférence dans le premier quart, suivant l’axe X-X’, du navire 1. Comme cela est représenté sur les figures et plus particulièrement sur les figures 2A, 2B et 3A, le réservoir atténuateur de roulis 40 présente une plus grande dimension qui est suivant l’axe transversal Y-Y’ du navire 1. Dans l’exemple représenté, cette plus grande dimension est égale à la plus grande largeur ℓ du navire 1 suivant l’axe transversal Y-Y’. Toutefois, en variante, cette plus grande dimension peut être égale à entre 60% et 100% de ℓ.
La est une vue en perspective en transparence du réservoir atténuateur de roulis 40. Comme cela est représenté sur cette figure, le réservoir atténuateur de roulis 40 est pourvu d’une paire de parois de compartimentage 42. Les parois de compartimentage 42 sont disposées dans le volume intérieur 43 du réservoir atténuateur de roulis 40, de préférence en regard l’une de l’autre, ici parallèlement à l’axe X-X’. Les parois de compartimentage 42 ne s’étendent ici que sur une partie de la hauteur du volume intérieur 43, elles pourraient s’étendre sur toute la hauteur du volume intérieur 43. En outre, un nombre supérieur de parois de compartimentage 42 peut être prévu, ou bien une seule paroi de compartimentage 42 peut être prévue. La géométrie des parois de compartimentage 42 a pour but de permettre de contrôler l’écoulement de liquide dans le volume intérieur 43.
En tout état de cause, les parois de compartimentage 42 sont agencées pour freiner un écoulement de liquide dans le réservoir atténuateur de roulis suivant l’axe Y-Y’, sans pour autant empêcher totalement cet écoulement de liquide. Le liquide reste ainsi libre de se déplacer dans le volume intérieur 43 malgré la présence des parois de compartimentage 42.
En se référant à la , on explique maintenant le rôle des parois de compartimentage 42 lorsque le réservoir atténuateur de roulis 40 est partiellement rempli de liquide.
Sur les différentes vues de la , on a représenté le navire 1 soumis à un mouvement de roulis 200, ce mouvement de roulis 200 présentant une certaine périodicité, tandis que le réservoir atténuateur de roulis 40 est rempli d’un certain volume 49 de liquide.
Sur la vue de gauche de la , on a représenté le navire 1 à sa gîte quasiment maximale due au mouvement de roulis 200. Puisque les parois de compartimentage 42 tendent à ralentir le mouvement du liquide dans le volume intérieur 43, elles retiennent le liquide de telle sorte que la majeure partie du volume 49 de liquide se trouve encore du côté opposé au côté vers lequel le navire 1 a gîté. Le liquide génère alors un moment qui tend à stabiliser le navire 1. Néanmoins, le liquide commence à se déplacer vers l’autre côté du volume intérieur 43, d’abord en raison de la force de gravité générée par l’inclinaison initiale, et par suite en raison de l’inertie du liquide. Ce déplacement du liquide est représenté par la flèche 201.
Ensuite, lorsque le navire 1 a atteint sa gîte quasiment maximale de l’autre côté, comme représenté sur la vue de droite de la , la majeure partie du liquide se trouve, là aussi, du côté opposé au côté vers lequel le navire 1 a gîté, et génère là aussi un moment qui tend à stabiliser le navire 1.
A priori, la couche à base de nitrure d’aluminium n’est pas oxydée, cependant des traces peuvent exister.