Dispositif optoélectronique (100) comprenant au moins : - un composant émissif (102) comportant au moins une première électrode (104), une deuxième électrode (108), et un élément émissif (110) disposé entre une face émissive (106) du dispositif optoélectronique (100) et la deuxième électrode (108) ; - un composant photodétecteur (112) tel que la deuxième électrode (108) du composant émissif (102) soit disposée entre le composant photodétecteur (112) et l’élément émissif (110) ; dans lequel la deuxième électrode (108) est traversée par au moins un trou (124) disposé à l’aplomb d’au moins une partie (128) d’une surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) et/ou dans lequel une partie (129) de la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode (108). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 1, dans lequel le composant photodétecteur (112) fait partie d’un circuit intégré (114) ou d’un module électronique (167) comprenant d’autres composants électroniques configurés pour commander au moins le composant photodétecteur (112) et le composant émissif (102) et/ou mémoriser au moins une valeur de mesure destinée à être délivrée en sortie du composant photodétecteur (112). Dispositif optoélectronique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant photodétecteur (112) est configuré pour mesurer une valeur de luminosité du composant émissif (102) et/ou une valeur de luminosité d’une lumière reçue à travers la face émissive (106) du dispositif optoélectronique (100). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 3, comportant en outre au moins un dispositif (148) de calcul de compensation d’un signal de commande du composant émissif (102) en fonction au moins de la valeur de luminosité mesurée du composant émissif (102). Dispositif optoélectronique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le trou (124) comporte, dans un plan parallèle à la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112), une section circulaire. Dispositif optoélectronique (100) selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la partie (129) de la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) qui n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode (108) forme une couronne se trouvant au niveau de bords extérieurs de la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112). Dispositif optoélectronique (100) selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : - le composant émissif (102) fait partie d’un ensemble de composants émissifs (102) disposés les uns à côté des autres et comportant chacun au moins une première électrode (104), une deuxième électrode (108), et un élément émissif (110) disposé entre la face émissive (106) du dispositif optoélectronique (100) et la deuxième électrode (108), et - une partie (129) de la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode (108) de chacun des composants émissifs (102). Dispositif optoélectronique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant émissif (102) fait partie d’une matrice de composants émissifs (102), et comprenant en outre plusieurs autres composants photodétecteurs (112) tels que la deuxième électrode (108) d’au moins une partie des composants émissifs (102) soit traversée par au moins un trou (124) disposé à l’aplomb d’au moins une partie (128) d’une surface de détection (126) d’un des composants photodétecteurs (112) et/ou tels qu’une partie (129) de la surface de détection (126) d’un des composants photodétecteurs (112) ne soit pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode (108) d’au moins un des composants émissifs (102). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 8, comportant en outre au moins : - une première couche diélectrique (116) recouvrant au moins les composants photodétecteurs (112) et des premiers plots de connexion (118) disposés dans la première couche diélectrique (116) ; - une deuxième couche diélectrique (120) recouvrant au moins les composants émissifs (102) et des deuxièmes plots de connexion (122) disposés dans la deuxième couche diélectrique (120) ; et dans lequel la première couche diélectrique (116) est solidarisée à la deuxième couche diélectrique (120), et les premiers plots de connexion (118) sont solidarisés aux deuxièmes plots de connexion (122). Dispositif optoélectronique (100) selon les revendications 2 et 9, dans lequel, lorsque le composant photodétecteur (112) fait partie d’un circuit intégré (114), les premiers plots de connexions (118) sont couplés électriquement à des portions d’un niveau d’interconnexions du circuit intégré (114) par des vias (134). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 8, dans lequel les composants émissifs (102) et les composants photodétecteurs (112) forment des modules (167) distincts les uns des autres, reportés sur un support et comprenant chacun au moins un des composants émissifs (102) et un des composants photodétecteurs (112). Procédé de réalisation d’un dispositif optoélectronique (100), comprenant au moins : - réalisation d’au moins un composant émissif (102) comportant au moins une première électrode (104), une deuxième électrode (108), et un élément émissif (110) disposé entre une face émissive (106) du dispositif optoélectronique (100) et la deuxième électrode (108) ; - réalisation d’au moins un composant photodétecteur (112) tel que la deuxième électrode (108) du composant émissif (102) soit disposée entre le composant photodétecteur (112) et l’élément émissif (110) ; et dans lequel la deuxième électrode (108) est traversée par au moins un trou (124) disposé à l’aplomb d’au moins une partie (128) d’une surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) et/ou dans lequel une partie (129) de la surface de détection (126) du composant photodétecteur (112) n’est pas disposée à l’aplomb de la deuxième électrode (108). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le composant photodétecteur (112) est réalisé dans un circuit intégré (114) ou un module électronique (167) comprenant d’autres composants électroniques configurés pour commander au moins le composant photodétecteur (112) et le composant émissif (102) et/ou mémoriser au moins une valeur de mesure destinée à être délivrée en sortie du composant photodétecteur (112). Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, comportant en outre : - après la réalisation du composant photodétecteur (112), la réalisation d’au moins une première couche diélectrique (116) recouvrant au moins le composant photodétecteur (112) et la réalisation de premiers plots de connexion (128) dans la première couche diélectrique (116) ; - après la réalisation du composant émissif (102), la réalisation d’au moins une deuxième couche diélectrique (120) recouvrant au moins le composant émissif (102) et la réalisation de deuxièmes plots de connexion (122) dans la deuxième couche diélectrique (120) ; - solidarisation par collage direct de la première couche diélectrique (116) contre la deuxième couche diélectrique (120), et des premiers plots de connexion (118) contre les deuxièmes plots de connexion (122).