INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En effet, après la séparation, la face libre de la couche mince 10 présente typiquement une rugosité comprise entre 3nm et 6nm Ra (AFM – scan 20μm x 20μm). L’objectif pour la fabrication ultérieure de composants est d’avoir une rugosité inférieure à 1nm Ra. Concernant la face arrière de la structure composite finale 1, la rugosité à l’issue du troisième dépôt est typiquement supérieure à 10nm Ra, voire supérieure à 100nm Ra ; l’objectif visé est habituellement d’abaisser la rugosité à moins de 3nm Ra.
Les étapes de finition peuvent en particulier faire appel à des techniques connues de polissage mécanique et/ou mécano-chimique, appliquées à la face avant de la structure composite finale 1, à sa face arrière, ou aux deux faces simultanément en utilisant des équipements de polissage double-face. Le procédé de polissage pourra être différent entre la face avant et la face arrière, le lissage d’une surface de c-SiC et d’une surface de p-SiC requérant habituellement des consommables différents.
Les étapes de finition peuvent également comprendre des traitements thermiques à hautes ou très hautes températures, typiquement entre 1500°C et 1900°C, pour restaurer la qualité cristalline et les propriétés électriques de la couche mince 10, ainsi que pour uniformiser les caractéristiques structurelles des différentes couches 21,22,23 du substrat support 20.
La structure composite 1 selon l’invention présente l’avantage d’une excellente conduction électrique entre la couche mince 10 et le substrat support 20, soit en particulier une résistivité d’interface inférieure à 5.10 -5 ohm.cm 2 , voire inférieure ou égale 10 -5 ohm.cm 2 .
Selon un exemple non limitatif de mise en œuvre, la substrat initial 11 fourni à la première étape du procédé de fabrication est une plaquette de c-SiC, de polytype 4H, d’orientation 4.0˚ par rapport à l’axe ± 0.5˚, de diamètre 150mm et d’épaisseur 350µm et de résistivité moyenne 20mOhm.cm.
Une séquence classique de nettoyage de type RCA (Standard Clean 1 + Standard Clean 2), puis Caro (mélange d’acide sulfurique et d’eau oxygénée), puis HF (acide fluorhydrique), est opérée sur le substrat initial 11 préalablement à la première étape de dépôt. Un dépôt CVD à base de précurseurs chlorés, à une température de 1300°C est effectué sur la face avant 11a du substrat initial 11, générant une première couche 21 en p-SiC de 500nm d’épaisseur, et présentant une concentration de dopants N (azote) de 5.10 20 /cm 3 . La résistivité à l’interface de dépôt est de l’ordre de 10 -5 ohm.cm 2 .
L’implantation d’ions hydrogène est opérée à une énergie de 200keV et une dose de 6 E 16 H+/cm 2 , à travers la surface libre de la première couche 21. Un plan fragile enterré 12 est ainsi créé à une profondeur d’environ 1,2µm dans le substrat initial 11.
Une séquence de nettoyage de type RCA + Caro est opérée sur la structure, de manière à éliminer les potentielles contaminations sur la face libre de la première couche 21.
Un deuxième dépôt CVD de SiC, poly-cristallin ou amorphe ou de structure mixte p-SiC/a-SiC, est effectué sur la première couche 21, à une température de 800°C, de manière à atteindre une épaisseur de la deuxième couche 22 de 10μm. Une concentration de dopants N (azote) de 5.10 20 /cm 3 est incorporée à la deuxième couche 22 au cours du dépôt.
Il a été réalisé une manipulation d’immunoprécipitation de la chromatine sur 12 échantillons. La chromatine est immuno-précipitée grâce à un anticorps spécifique anti-P65-RELA ainsi qu’un anticorps contrôle non spécifique IgG.
La manipulation mettra donc en jeu deux fois 12 échantillons, donc 24 échantillons.
Dans le cadre du présent exemple, le dispositif de lavage 1 utilisé est celui représenté en .
Etape I : Cross-link
1. Préparer et annoter 12 tubes de 1.5 ml correspondant aux 12 échantillons.
2. Laver les 12 boites de cellules avec 5 ml de solution saline tamponnée au phosphate (Phosphate Buffered Saline, ci-après « PBS ») à température ambiante. Enlever le PBS par aspiration.
3. Ajouter 20ml de milieu de culture avec 1% de formaldéhyde par boite. Incuber 10 minutes à température ambiante sur agitateur.
4. Ajouter 3 ml de PBS avec 1M de glycine dans le milieu pour stopper la réaction. Incuber 5 min à température ambiante sur agitateur.
5. Enlever le milieu et rincer 2 fois avec 5 ml de PBS froid.
6. Aspirer le PBS et rajouter 2 ml de PBS froid. Gratter les 12 boites de cellules et les transférer dans un tube 5 ml et garder sur glace.
7. Centrifuger les 12 tubes 5 min à 1500 rpm à 4°C. Jeter surnageant par aspiration.
8. Placer les tubes centrifugés sur un portoir et resuspendre les culots de cellules dans 1 ml de tampon de lyse.
9. Placer les 12 tubes sur un agitateur rotatif et incuber 30 min à 4°C (15 rotations par minutes, ci-après « rpm »).
Lors de cette étape I, l’utilisation du dispositif selon l’invention permet une unique manipulation (du porte contenant de laboratoire) qui est utilisé depuis la sous-étape 8. et qui est placé, lors de la sous-étape 9., directement sur le moyen d’agitation.
Pour rappel, si le protocole classique avait été employé, il aurait fallu 12 manipulations de plus entre les étapes 8. et 9..
Etape II : Fragmentation de la chromatine
Une telle couche intermédiaire peut par exemple être en silicium, amorphe ou poly-cristallin, éventuellement fortement dopé du même type que le substrat initial 11. D’autres matériaux, aptes à établir un bon contact électrique entre la première couche 21 et le substrat initial 11, peuvent également être envisagés, tel que le titane, le nickel, l’aluminium, le molybdène, le niobium, le tantale, le cobalt ou le cuivre. L’épaisseur de la couche intermédiaire est maintenue faible, typiquement inférieure à 20nm, voire inférieure à 10nm.
Revenant à la description générale, le procédé de fabrication selon l’invention comprend, en outre, une étape c) d’implantation ionique d’espèces légères à travers la première couche 21, jusqu’à une profondeur déterminée dans le substrat initial 11. Cette implantation génère un plan fragile enterré 12 dans le substrat initial 11 ( ).
Les espèces légères implantées sont préférentiellement de l’hydrogène, de l’hélium ou une co-implantation de ces deux espèces. Comme cela est bien connu en référence au procédé Smart Cut TM , ces espèces légères vont former, autour de la profondeur déterminée, des microcavités distribuées dans une fine couche parallèle à la surface libre de la première couche 21, soit parallèle au plan (x,y) sur les figures. On appelle cette fine couche le plan fragile enterré, par souci de simplification.
Le plan fragile enterré 12 délimite la future couche mince 10, avec la face avant du substrat initial 11. L’énergie d’implantation des espèces légères est choisie de manière à traverser la première couche 21 et à atteindre la profondeur déterminée dans le substrat initial 11, ladite profondeur correspondant à une épaisseur visée de la couche mince 10. Elle demeure dans les gammes d’énergie d’implantation classiques du fait de la faible épaisseur de la première couche 21.
Typiquement, des ions hydrogène seront implantés à une énergie comprise entre 50 keV et 210 keV, et à une dose comprise entre 5 E 16/cm 2 et 1 E 17/cm 2 , pour traverser une première couche 21 de 50nm à 1μm et délimiter une couche mince 10 de l’ordre de 100 à 1500 nm.
Notons qu’une couche de protection pourra être déposée sur la face libre de la première couche 21, préalablement à l’étape d’implantation ionique, et être retirée avant l’étape d) suivante du procédé. Cette couche de protection peut être composée par un matériau tel que l’oxyde de silicium ou le nitrure de silicium par exemple.
Le procédé de fabrication comprend ensuite une étape d), dite deuxième étape de dépôt, pour former une deuxième couche 22 sur la première couche 21 ( ) ; cette deuxième couche 22 est formée de carbure de silicium amorphe (a-SiC) ou poly-cristallin (p-SiC) ou d’un mélange de a-SiC et de p-SiC.
Le deuxième dépôt de a-SiC ou p-SiC est opéré à une température inférieure ou égale à 900°C, préférentiellement inférieure ou égale à 800°C. Le budget thermique du deuxième dépôt est choisi de manière à rester inférieur au budget thermique de bullage ou de fracture au niveau du plan fragile enterré 12. En d’autres termes, les températures mises en œuvre pour le dépôt de l’étape d) et les durées de dépôt ne permettent pas aux cavités et micro-fissures dans le plan fragile enterré 12 de croitre thermiquement jusqu’à provoquer des déformations locales (bullage) de l’empilement de couches (couche mince 10, première couche 21, deuxième couche 22), ou jusqu’à induire la délamination partielle ou la séparation par une fracture complète tout le long du plan fragile enterré 12.
Typiquement, le deuxième dépôt est réalisé à 750-800°C, permettant d’obtenir une épaisseur de deuxième couche 22 de l’ordre de 10-15μm. Une technique classique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pourra être mise en œuvre.
La deuxième couche 22 présente une épaisseur supérieure ou égale à 10μm. Cette épaisseur minimale est définie pour assurer à la deuxième couche 22 un rôle raidisseur autorisant l’application, à une étape ultérieure du procédé, d’un plus fort budget thermique, pour provoquer la croissance thermique des cavités et microfissures dans le plan fragile enterré 12, comme cela sera décrit plus loin.
La deuxième couche 22 présente en outre une concentration en dopants du même type que ceux de la première couche 21, supérieure à 10 19 /cm 3 . La concentration en dopants de la deuxième couche 22 est avantageusement choisie entre 5.10 19 /cm 3 et quelques 10 20 /cm 3 , voire quelques 10 21 /cm 3 . L’objectif est d’assurer une certaine continuité de conductivité électrique entre la première couche 21 et la deuxième couche 22, bien que cette dernière soit de moindre qualité, du fait de sa température de dépôt peu élevée.
Le procédé de fabrication selon l’invention comprend enfin une étape e), dite troisième étape de dépôt, pour former une troisième couche 23 en carbure de silicium poly-cristallin sur la deuxième couche 22 ( ).
Le troisième dépôt est opéré à une température supérieure à 1000°C pour assurer une vitesse de dépôt suffisante. Comme pour le premier dépôt (étape b)), ce troisième dépôt est avantageusement réalisé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), à une température comprise entre 1100°C et 1600°C, préférentiellement comprise entre 1200°C et 1600°C. Les paramètres du troisième dépôt sont également déterminés de sorte que la troisième couche 23 présente une bonne conductivité électrique, une haute conductivité thermique (supérieure ou égale à 200 W.m -1 .K -1 ) et un coefficient de dilatation thermique similaire à celui de la couche mince 10.
La température et les conditions du troisième dépôt pourront être identiques ou différentes de celles du premier dépôt à l’étape b).
Notons que, si la deuxième couche 22, déposée lors de la deuxième étape de dépôt d) est, en tout ou partie, en carbure de silicium amorphe, l’étape e) à haute température va générer sa cristallisation sous forme poly-cristalline.
Typiquement, la troisième couche 23 formée à l’étape e) présente une épaisseur supérieure ou égale à 100μm, voire supérieure ou égale à 200μm. L’ensemble constitué par la première couche 21, la deuxième couche 22 et la troisième couche 23 forme le substrat support 20 en p-SiC de la structure composite 1. C’est majoritairement la troisième couche 23 qui procure au substrat support 20 son épaisseur et par conséquent, ses caractéristiques mécaniques. L’épaisseur de la troisième couche 23 est donc ajustée aux spécifications requises pour le substrat support 20.
Cette disposition renforce la sécurité et limite les risques de basculement et de renversement de la nacelle 1 en présence d’un opérateur sur la plateforme 4.
Le châssis 2 de la nacelle comprend encore au moins un capteur de dévers 11. Dans l’exemple représenté, un seul capteur de dévers 11 est représenté, mais la nacelle 1 aurait pu en comporter plusieurs, sans sortir du cadre de l’invention.
Ce capteur de dévers 11 est un capteur de détermination d’un paramètre représentatif d’une inclinaison du châssis 2 par rapport à un plan de référence correspondant au plan d’appui au sol du châssis 2, à l’état positionné du châssis 2 sur une surface plane horizontale.
Dans les exemples représentés, ce capteur de dévers 11 est un accéléromètre porté par le châssis 2. Cet accéléromètre permet de détecter une inclinaison de châssis par rapport à un plan horizontal de référence, suivant la direction avant/arrière ou gauche/droite du châssis 2.
L’unité 9 de pilotage du dispositif 6 d’entraînement en déplacement de la plateforme 4 et du système 3 d’entraînement en déplacement au sol du châssis 2 est configurée pour acquérir des données du ou des capteurs de dévers 11 et pour commander le dispositif 6 d’entraînement en déplacement de la plateforme 4, au moins en fonction des données fournies par le ou les capteurs de dévers 11 et le capteur 10 de détection de la position rentrée ou sortie du bac 7.
En particulier, l’unité 9 de pilotage est configurée pour autoriser/interdire la commande du dispositif 6 d’entraînement en déplacement de la plateforme 4 à partir de la console 82 de commande au moins en fonction des données fournies par le capteur 10 de détection de la position rentrée ou sortie du bac 7 et du capteur de dévers 11.
Ainsi, ladite unité 9 de pilotage est configurée pour interdire toute commande du dispositif 6 d’entraînement en déplacement de la plateforme 4 à partir de la console 82 de commande, lorsque le bac 7 ou au moins l’un des bacs 7 est en position au moins partiellement sortie du châssis 2 et lorsque le capteur de dévers 11 détecte une inclinaison du châssis 2 supérieure à une valeur prédéterminée.
En effet, lorsque le ou l’un des bacs 7 est en position au moins partiellement sortie du châssis 2 et lorsque le capteur de dévers 11 détecte une inclinaison du châssis 2 supérieure à une valeur d’inclinaison prédéterminée mémorisée, l’opérateur peut actionner le dispositif de commande manuelle 8 du dispositif d’entraînement en déplacement de la plateforme 4 et du système 3 d’entraînement en déplacement au sol du châssis 2, mais les données fournies par ce dispositif de commande manuelle 8 ne sont pas transmises par l’unité 9 de pilotage au dispositif 6 d’entraînement en déplacement de la plateforme 4 et au système 3 d’entraînement en déplacement au sol du châssis 2, de sorte que tout déplacement est impossible.
Afin d’alerter l’opérateur d’une sortie du ou d’au moins l’un des bacs 7, la nacelle 1 comprend au moins un dispositif d’émission d’un signal d’alerte 12, et l’unité 9 de pilotage est configurée pour commander le dispositif d’émission d’un signal d’alerte 12 au moins en fonction des données fournies par le capteur 10 de détection de la position rentrée ou sortie du bac 7.
En particulier, l’unité 9 de pilotage est configurée pour commander l’émission d’un signal d’alerte 12 qui peut être un signal auditif ou visuel, lorsque la position au moins partiellement sortie du bac 7 est détectée.
Il ressort de ce qui précède que dès qu’un bac est détecté en position au moins partiellement sortie, tout entraînement en déplacement au sol du châssis 2 et tout déplacement en monte et baisse de la plateforme 4 commandés à partir du pupitre de commande sont empêchés.
En outre, dès qu’un bac 7 est détecté en position au moins partiellement sortie, tout entraînement en déplacement au sol du châssis commandé à partir de la console de commande est empêché, et un déplacement en monte et baisse de la plateforme commandé à partir de la console de commande n’est autorisé que si le capteur de dévers détecte une inclinaison du châssis par rapport au plan de référence, inférieure à une valeur prédéterminée.
Engin de manutention de charge ou de personne La présente invention concerne un engin de manutention de charge ou de personne.
Elle concerne en particulier un engin de manutention de charge ou de personne comprenant au moins : - un châssis équipé d’organes d’entraînement en déplacement au sol, tels que des roues, et présentant une première partie et une seconde partie aptes à former en fonction du sens de déplacement du châssis l’une, l’avant, l’autre, l’arrière dudit châssis et deux côtés latéraux reliant les première et seconde parties, - un système de manutention de charge ou de personne porté par le châssis, ce système de manutention comprenant une tourelle rotative surmontée d’un bras pivotant monté à pivotement sur la tourelle autour d’un axe dit horizontal orthogonal à l’axe de rotation dit vertical de la tourelle pour un déplacement du bras entre une position basse et une position haute, - au moins un poste de conduite de l’engin porté par le châssis de l’engin, et délimitant un emplacement pour la réception d'un opérateur, - au moins un organe de commande des organes d’entraînement en déplacement au sol et, - au moins un système de commande du système de manutention, le ou au moins l'une des systèmes de commande étant configuré pour permettre une commande dudit système de manutention de l’engin au moins en dehors du ou d’au moins l’un des postes de conduite de l’engin.
Un tel engin est connu comme l’illustre par exemple le brevet EP 3 287 413. Les fabricants de tels engins sont à la recherche de solutions permettant d’offrir une grande polyvalence de l’engin sans nuire à sa compacité en particulier en hauteur.
A cet effet, l’invention a pour objet un engin de manutention de charge ou de personne comprenant au moins : - un châssis équipé d’organes d’entraînement en déplacement au sol et présentant une première partie et une seconde partie aptes à former, en fonction du sens de déplacement du châssis, l’une, l’avant, l’autre, l’arrière dudit châssis et deux côtés latéraux reliant les première et seconde parties, - un système de manutention de charge ou de personne porté par le châssis, ce système de manutention comprenant une tourelle rotative surmontée d’un bras pivotant monté à pivotement sur la tourelle autour d’un axe dit horizontal orthogonal à l’axe de rotation dit vertical de la tourelle pour un déplacement du bras entre une position basse et une position haute, - au moins un poste de conduite de l’engin porté par le châssis de l’engin, et délimitant un emplacement à l’intérieur duquel un opérateur est apte à prendre place, - au moins un organe de commande des organes d’entraînement en déplacement au sol et, - au moins un système de commande du système de manutention, le ou au moins l'un des systèmes de commande étant configuré pour permettre une commande dudit système de manutention de l’engin au moins en dehors du ou des postes de conduite de l’engin, caractérisé en ce que le ou au moins l’un des postes de conduite de l’engin est en au moins deux parties et en ce que le ou chaque poste de conduite en au moins deux parties comprend au moins une partie basse solidaire du châssis et disposée le long d’un côté latéral du châssis et une partie haute solidaire en déplacement de la tourelle. Cette conception du poste de conduite permet de limiter l’encombrement en hauteur de l’engin sans nuire à la polyvalence de l’engin. Cette conception permet également de limiter les risques d’accident en raison de l’accessibilité aisée au poste de conduite. La présence d’un tel poste de conduite associé au châssis permet d’entrainer en déplacement l’engin à des vitesses élevées entre deux opérations de manutention. La configuration de l’engin permet une commande de l’engin à partir d’une position à côté de l’engin, ou dans le ou les postes de conduite en au moins deux parties ou bien encore dans un poste de conduite formé par un panier lorsque le système de manutention porté par le châssis est équipé à l’extrémité du bras pivotant d’un tel panier. Il en résulte une grande polyvalence de l’engin sans nuire à sa compacité en hauteur.
Dans un mode de réalisation, lesdites particules magnétiques de laboratoire sont des billes magnétiques.
Dans un mode de réalisation, les étapes A-G sont répétées entre 2 et 100 fois.
Dans un mode de réalisation, les étapes A-G sont répétées entre 2 et 50 fois.
Dans un mode de réalisation, les étapes A-G sont répétées entre 2 et 20 fois.
Description des figures : vue en perspective du dispositif de lavage 1 de particules magnétiques de laboratoire selon l’invention, les 3 éléments principaux étant dissociés.
Plus précisément, il est visible à la fois le porte contenants de laboratoire 2 comprenant des pieds 4 ainsi que 24 moyens de fixation 3 de contenants de laboratoire qui sont des trous avec méplats disposés sur les axes (x1) et (x2), le moyen d’agitation 5 avec un axe de rotation (y) parallèle aux axes (x1) et (x2) lorsque le porte contenants de laboratoire 2 est installé sur le moyen d’agitation 5, ainsi que la base 6 de porte contenants de laboratoire 2 comprenant douze aimants pris dans la masse.
La base 6 comprend également des évidements qui correspondent aux pieds du porte contenants de laboratoire 2. Lorsque le porte contenants de laboratoire 2 est installé sur ladite base 6, les pieds 4 dudit porte contenants de laboratoire 2 s’insèrent dans les évidements de ladite base 6.
Il est également visible deux contenants de laboratoires fermés hermétiquement.
: vue en perspective du dispositif de lavage 1 de particules magnétiques de laboratoire selon l’invention, avec le porte contenants de laboratoire 2 monté sur le moyen d’agitation 5.
Comme visible, lorsqu’une agitation doit être réalisée, il est impératif que les particules magnétiques soient libres au sein desdits contenants de laboratoire, et donc que la base 6 soit dissociée. Pour des raisons de clarté de la figure, les portes contenants de laboratoire, par exemple les tubes à essai, n’ont pas été représentés sur cette figure, bien qu’ils soient évidemment en place lors de l’agitation. Les axes (y), (x1) et (x2) ne sont pas représentés par souci de clarté de la figure.
: vue en perspective d’un porte contenants de laboratoire 2 selon l’invention comprenant 24 moyens de fixation 3 étant des trous avec méplats.
Au sein de ce porte contenants de laboratoire 2, les trous avec méplats sont de différentes tailles, et donc adaptés à différents contenants de laboratoire. Il est ainsi possible d’agiter en même temps des contenants de laboratoire de différents volumes.
Il est visible sur la figure quatre types de contenants de laboratoires de différentes contenances, tous fermés hermétiquement.
: vue en perspective de deux plaques porteuses 7 différentes, ces plaques porteuses 7 comportent notamment des moyens de fixation 3 différents, ces deux plaques porteuses 7 peuvent être adaptées à une même base stabilisatrice détachable 8. Chaque plaque porteuse comprend des pieds 4. La base stabilisatrice comprend des moyens de fixation 11 au moyen d’agitation 5 (moyen d’agitation 5 non représenté). Les deux plaques porteuses 7 comportent des couleurs différentes (non visible sur la figure).
Exemple 1 : Utilisation d’un dispositif selon l’invention dans le cadre d’une manipulation d’immunoprécipitation de la chromatine
Le module d'éclairage comprend en outre un filtre de lumière 6 conçu pour recevoir la lumière réfléchie par le premier élément réflecteur 3 et le deuxième élément réflecteur 4, 5 et la projeter à l'extérieur du module d'éclairage. Ce filtre de lumière est situé à une position appropriée pour recevoir les rayons provenant du premier élément réflecteur 3 et du deuxième élément réflecteur 4, 5.
La représente une vue différente de l'agencement de la . Sur cette figure, on voit clairement l'axe optique 7 du premier réflecteur parabolique, et la lumière émise par la première LED 1 est réfléchie suivant une première direction d1 , qui est parallèle à l'axe optique 7.