Procédé de fabrication d’une diode semiconductrice (1) comportant les étapes suivantes : report d’un empilement semiconducteur (20) sur un substrat support (10), comportant, à partir du substrat support (10) : une couche inférieure (21) dopée selon un premier type de conductivité ; une couche active (22) comportant au moins un puits quantique ; une couche supérieure (23) dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type ; réalisation, par gravure localisée de l’empilement semiconducteur (20), d’un plot semiconducteur (30) comportant une portion inférieure (31) dopée ; une portion active (32) présentant une dimension latérale inférieure à celle de la portion inférieure (31) ; et une portion supérieure (33) dopée présentant une dimension latérale inférieure à celle de la portion active (32), caractérisé en ce que la réalisation du plot semiconducteur (30) comporte les étapes suivantes : dépôt d’un premier masque dur (41) sur la couche supérieure (23) ; gravure sèche de la couche supérieure (23) pour former la portion supérieure (33), avec arrêt de gravure sur la couche active (22), une portion latérale de la couche supérieure (23) étant non entièrement gravée et formant une première portion résiduelle (23.1) reposant sur la couche active (22) ; dépôt et structuration d’un deuxième masque dur (42) de manière à former une première portion de masque dur (42.1), appelée premier espaceur, encapsulant la portion supérieure (33) et laissant libre une surface supérieure de la couche active (22) et donc une partie de la première portion résiduelle (23.1) ; gravure humide de la première portion résiduelle (23.1) de manière sélective vis-à-vis de la couche active (22), de manière à rendre libre une surface de la couche active (22) non recouverte par le premier espaceur (42.1) ; gravure sèche de la couche active (22) pour former la portion active (32), avec arrêt de gravure sur la couche inférieure (21), une portion latérale de la couche active (22) étant non entièrement gravée et formant une deuxième portion résiduelle (22.1) reposant sur la couche inférieure (21) ; dépôt et structuration d’un troisième masque dur (43) de manière à former une deuxième portion de masque dur (43.1), appelée deuxième espaceur, entourant latéralement le premier espaceur (42.1) et la portion active (32), et laissant libre une surface supérieure de la couche inférieure (21) et donc une partie de la deuxième portion résiduelle (22.1) ; gravure humide de la deuxième portion résiduelle (22.1) de manière sélective vis-à-vis de la couche inférieure (21), de manière à rendre libre une surface de la couche inférieure (21) non recouverte par le deuxième espaceur (43.1). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel le deuxième masque dur (42) et le troisième masque dur (43) présentent, avant leur structuration, une épaisseur inférieure à celle de l’empilement semiconducteur (20) avant l’étape de gravure sèche de la couche supérieure (23). Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, comportant une étape de gravure localisée de la partie de la couche inférieure (21) non recouverte par le deuxième espaceur (43.1) pour former la portion inférieure (31). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les premier, deuxième et troisième masques dur (41, 42, 43) sont réalisés à base d’un nitrure de silicium. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le deuxième et troisième masque dur (42, 43) sont réalisés en un nitrure de silicium, ou sont formés en un bicouche comportant d’une première sous-couche de nitrure de silicium et d’une deuxième sous-couche en un oxyde ou en un silane. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le plot semiconducteur (30) est réalisé à base d’un composé III-V, d’un composé II-VI, ou d’un élément ou composé IV. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le plot semiconducteur (30) est réalisé à base d’un composé III-V, et le substrat support (10) est un substrat de type silicium sur isolant SOI. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la diode semiconductrice (1) est une diode laser hybride dont le plot semiconducteur (30) forme un guide d’onde couplé optiquement avec un guide d’onde intégré (12) situé dans le substrat support (10).