INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une diode semiconductrice comportant les étapes suivantes : report d’un empilement semiconducteur sur un substrat support, comportant, à partir du substrat support : une couche inférieure dopée selon un premier type de conductivité ; une couche active comportant au moins un puits quantique ; une couche supérieure dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type ; et réalisation, par gravure localisée de l’empilement semiconducteur, d’un plot semiconducteur comportant une portion inférieure dopée ; une portion active présentant une dimension latérale inférieure à celle de la portion inférieure ; et une portion supérieure dopée présentant une dimension latérale inférieure à celle de la portion active.
Selon l’invention, la réalisation du plot semiconducteur comporte les étapes suivantes : dépôt d’un premier masque dur sur la couche supérieure ; gravure sèche de la couche supérieure pour former la portion supérieure, avec arrêt de gravure sur la couche active, une portion latérale de la couche supérieure étant non entièrement gravée et formant une première portion résiduelle reposant sur la couche active ; dépôt et structuration d’un deuxième masque dur de manière à former une première portion de masque dur, appelée premier espaceur, encapsulant la portion supérieure et laissant libre une surface supérieure de la couche active et donc une partie de la première portion résiduelle ; gravure humide de la première portion résiduelle de manière sélective vis-à-vis de la couche active, de manière à rendre libre une surface de la couche active non recouverte par le premier espaceur ; gravure sèche de la couche active pour former la portion active, avec arrêt de gravure sur la couche inférieure, une portion latérale de la couche active étant non entièrement gravée et formant une deuxième portion résiduelle reposant sur la couche inférieure ; dépôt et structuration d’un troisième masque dur de manière à former une deuxième portion de masque dur, appelée deuxième espaceur, entourant latéralement le premier espaceur et la portion active, et laissant libre une surface supérieure de la couche inférieure et donc une partie de la deuxième portion résiduelle ; gravure humide de la deuxième portion résiduelle de manière sélective vis-à-vis de la couche inférieure, de manière à rendre libre une surface de la couche inférieure non recouverte par le deuxième espaceur.
Le deuxième masque dur et le troisième masque dur peuvent présenter, avant leur structuration, une épaisseur inférieure à celle de l’empilement semiconducteur avant l’étape de gravure sèche de la couche supérieure.
Le procédé peut comporter une étape de gravure localisée de la partie de la couche inférieure non recouverte par le deuxième espaceur pour former la portion inférieure.
Les premier, deuxième et troisième masques dur peuvent être réalisés à base d’un nitrure de silicium.
Le deuxième et troisième masque dur peuvent être réalisés en un nitrure de silicium, ou sont formés en un bicouche comportant d’une première sous-couche de nitrure de silicium et d’une deuxième sous-couche en un oxyde ou en un silane.
Le plot semiconducteur peut être réalisé à base d’un composé III-V, d’un composé II-VI, ou d’un élément ou composé IV.
Le plot semiconducteur peut être réalisé à base d’un composé III-V, et le substrat support peut être un substrat de type silicium sur isolant SOI.
La diode semiconductrice peut être une diode laser hybride dont le plot semiconducteur forme un guide d’onde couplé optiquement avec un guide d’onde intégré situé dans le substrat support.
D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la , déjà décrite, est une vue schématique et partielle, en coupe, d’une source laser hybride d’une puce photonique selon un exemple de l’art antérieur ; les figures 2A à 2J illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une diode semiconductrice selon un mode de réalisation. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
L’invention porte sur un procédé de fabrication d’une diode semiconductrice par structuration d’un plot semiconducteur au moyen de différentes étapes de gravure sèche et de gravure humide, de sorte que le plot semiconducteur présente in fine les dimensions verticales et latérales voulues.
Les matériaux isolants obtenus avaient des masses volumiques comprises selon les essais entre 65 et 85 kg/m 3 pour des conductivités thermiques allant de 37 à 70 mW/m.K.
Les échantillons de matériaux isolants présentaient les propriétés mécaniques suivantes : - résistance à la compression : 26 kPa (pour une masse volumique de 65 kg/m 3 ) et 37 kPa (pour une masse volumique de 85 kg/m 3 ) - résistance à la traction : 11 kPa (pour une masse volumique de 65 kg/m 3 ) - résistance à la flexion : 6 kPa (pour une masse volumique de 65 kg/m 3 ) et 18 kPa (pour une masse volumique de 85 kg/m 3 ).
Dans une deuxième série d’essais, la composition a été projetée dans des cavités délimitées par des parois en bois, de 1 m de large, 2 m de haut et 20 cm d’épaisseur, avec des débits de matière sèche de 3 à 3,5 kg/min et des débits d’eau de 5,0 à 6,0 L/min.
Oxycombustion de composés hydrocarbonés riches en oxygène pour la production de xylènes. L’invention porte sur la production d’aromatiques pour la pétrochimie (benzène, toluène, xylènes, i.e., BTX). Plus particulièrement, l’objet de l’invention est de pouvoir produire des aromatiques, et notamment du paraxylène, par un procédé d’oxycombustion de composés hydrocarbonés riches en oxygène tels que de la biomasse.
Au sein d’un complexe aromatique, quel qu’en soit la source d’aromatiques, le benzène et les alkyles aromatiques (e.g. toluène, paraxylène, orthoxylène) y sont extraits puis convertis en intermédiaires souhaités. Les produits d’intérêt sont des aromatiques avec 0 (benzène), 1 (toluène) ou 2 (xylènes) groupes méthyles, et en particulier, au sein des xylènes, le paraxylène, ayant la plus forte valeur marchande.
Les procédés d’oxycombustion de composés hydrocarbonés riches en oxygène produisent un mélange de CO, CO2 et d’eau ainsi que de l’énergie qui peut être utilisée pour par exemple produire de l’électricité. Ce mélange de CO2, d’eau et de CO ne que contient peu voire pas d’azote car un gaz enrichi en oxygène voire de l’oxygène pur est utilisé pour la combustion.
Tous les procédés industriels d’isomérisation des C8-aromatiques permettent d’isomériser les xylènes. La transformation de l’éthylbenzène dépend, en revanche, du type de procédé et de catalyseur choisis. En effet, les complexes pétrochimiques utilisent une unité d’isomérisation dite « isomérisante » (i.e., isomérisation de l’éthylbenzène en un mélange de C8 aromatiques) ou « désalkylante » (i.e., désalkylation de l’éthylbenzène en benzène), afin de privilégier la production (à la sortie de la boucle aromatique) respectivement soit de paraxylène seul, soit de benzène et paraxylène.
Le choix d’une isomérisation « isomérisante » permet, comme indiqué ci-dessus, de maximiser la production de paraxylène, qui est le composé ayant la plus forte valeur ajoutée en sortie du complexe aromatique. L’association au sein d’un complexe aromatique d’une isomérisation « isomérisante » et d’une isomérisation en phase liquide telle que décrite par exemple dans les brevets US8697929, US7371913, US4962258, US6180550, US7915471, US10035739 et US10029958 permet notamment de maximiser la quantité de paraxylène produite tout en ayant une perte en cycles aromatiques réduite par rapport à un complexe aromatique selon l’art antérieur.
Dans le contexte précédemment décrit, un premier objet de la présente description est de surmonter les problèmes de l’art antérieur et de valoriser le carbone, et en particulier le carbone bio-sourcé sous forme CO et CO2 en composés à haute valeur ajoutée, et en particulier en composés aromatiques. Spécifiquement, la présente invention concerne un dispositif et un procédé de maximisation de la production d’aromatiques pour la pétrochimie permettant, quand les composés aromatiques sont produits par oxycombustion de composés hydrocarbonés riches en oxygène (e.g. présentant une teneur en oxygène élémentaire au moins supérieure à 1% poids, préférentiellement au moins 3% poids, très préférentiellement au moins 5% poids) tels que de la biomasse, de convertir (par exemple la totalité) du CO2 et du CO, sous-produits de l’oxycombustion, en paraffines et composés aromatiques supplémentaires.
Le support 3 est ici un support horizontal, de forme tubulaire ayant une section circulaire. Le support 3 est par exemple une barre d’un garde-corps d’un balcon. Le diamètre de la section du support 3 est par exemple égal à 10cm. Dans d’autres exemples, le support 3 est un support vertical, ou le support 3 est un support orienté selon un plan quelconque.
L’équipement 2 comprend un boîtier 4 ayant ici une forme générale parallélépipédique aux bords arrondis. Bien sûr, l’invention peut être mise en œuvre quelle que soit la forme du boîtier, qui pourrait donc être différente, par exemple tronconique.
La position préférentielle de fonctionnement de l’équipement 2 correspond à la position verticale et à l’orientation visibles sur les figures 1 à 3.
Le boîtier 4 de l’équipement 2 comprend une face supérieure 5, une face inférieure 6, deux faces latérales 7, une face avant 8 et une face arrière 9. Les termes « supérieur », « inférieur », « avant », « arrière » correspondent donc à un agencement de l’équipement 2 selon sa position préférentielle de fonctionnement.
Le système de fixation 1 s’étend depuis la face arrière 9 du boîtier 4 de l’équipement 2.
Le système de fixation 1 comprend tout d’abord une base 10 de forme cylindrique ayant un axe X perpendiculaire à la face arrière 9 du boîtier 4 de l’équipement 2. La base 10 s’étend depuis ladite face arrière 9. La base 10 comporte une face externe 11. Dans un autre exemple la base 10 est de forme polygonale.
La base 10 intègre optionnellement un dispositif d’orientation 12 de l’équipement 2, qui permet d’orienter manuellement l’équipement 2 de sorte que celui-ci puisse être orienté selon une orientation prédéfinie quelle que soit l’orientation du support 3. L’orientation prédéfinie correspond ici à la position préférentielle de fonctionnement de l’équipement 2.
Le dispositif d’orientation 12 comprend une portion fixe par rapport au reste du système de fixation 1, et une portion rotative, autour de l’axe X, par rapport à la portion fixe, la portion rotative étant fixe par rapport au boîtier 4 de l’équipement 2.
Une action manuelle, consistant à exercer une pression sur la portion rotative et donc sur l’équipement 2, permet de déverrouiller le dispositif d’orientation 12 (le déverrouillage pourrait alternativement être réalisé en exerçant une pression sur la portion fixe et donc sur le système de fixation). La portion rotative peut alors être entraînée manuellement en rotation par l’utilisateur pour orienter l’équipement 2 par rapport au système de fixation 1, et lui conférer l’orientation prédéfinie. Lorsque la pression est relâchée, le dispositif d’orientation 12 se verrouille et la portion rotative ne peut plus être entraînée en rotation (sauf à appuyer de nouveau sur l’arrière du système de fixation 1).
Le dispositif d’orientation 12 comprend aussi des repères 13 marqués sur la face arrière 9 du boîtier 4 de l’équipement 2, qui permettent de désigner les différentes orientations possibles de l’équipement 2.
Le dispositif d’orientation 12 permet donc de suivre l’inclinaison possible du support 3 afin que l’équipement 2 garde une orientation recommandée pour un bon fonctionnement. L’orientation est de préférence (mais pas nécessairement) conférée à l’équipement 2 préalablement à l’installation du système de fixation 1 sur le support 3.
Le système de fixation 1 comporte de plus une platine de positionnement 14 qui s’étend depuis la face externe 11 de la base 10. Le dispositif d’orientation 12 optionnel est donc positionné entre l’équipement 2 et la platine de positionnement 14. La platine de positionnement 14 est solidaire en rotation de la portion fixe du dispositif d’orientation 12.
La platine de positionnement 14 comprend une équerre de fixation 15 comprenant deux surfaces latérales 16 qui s’étendent depuis la face externe 11 de la base 10, perpendiculairement à celle-ci.
Des nervures 17 forment des renforts latéraux de positionnement des surfaces latérales 16.
La platine de positionnement 14 comporte une première plaque 18 s’étendant dans un premier plan P1 perpendiculaire à la face arrière 9 du boîtier 4 de l’équipement 2, et une deuxième plaque 19 s’étendant dans un deuxième plan P2 perpendiculaire au premier plan P1 et donc parallèle à la face arrière 9 du boîtier 4.
La première plaque 18 et la deuxième plaque 19 s’étendent entre les surfaces latérales 16 de l’équerre de fixation 15 en étant fixées auxdites surfaces latérales 16.
-- la couche de colle comprend une ailette extrados agencée entre la face extrados de la pale et la première ailette latérale du bouclier de protection et une ailette intrados agencée entre la face intrados de la pale et la seconde ailette latérale du bouclier de protection, la couche de colle comprenant en outre une base centrale reliant l’ailette extrados et l’ailette intrados, la base centrale étant agencée entre le bord d’attaque et la portion centrale du bouclier de protection, l’insert étant agencé dans la base centrale ;
-- à l’étape (e), la cavité interne débouche dans une extrémité supérieure de la couche de colle opposée au pied de l’aube ;
- à l’étape (e), l’insert est inséré dans une portion supérieure de la couche de colle opposée au pied ;
- le procédé comprend en outre l’étape (f) suivante, postérieurement à l’étape (e) : (f) polymériser la couche de colle ;
- l’insert présente une forme cylindrique d’axe central parallèle à l’axe d’allongement ;
- à l’étape (e), la cavité interne est délimitée axialement suivant l’axe d’allongement par une paroi transversale inférieure et une paroi transversale supérieure et est délimitée radialement par une paroi périphérique ;
- le procédé comprend postérieurement à l’étape (e), les étapes suivantes:
(g) découper ou usiner la portion supérieure de la couche de colle de façon à accéder à la cavité interne de l’insert,
(h) mesurer le poids moment radial de l’aube et comparer le poids moment radial mesuré avec un poids moment radial de référence,
(i) ajouter une quantité prédéterminée d’au moins un premier matériau dans la cavité interne afin d’ajuster le poids moment radial de l’aube ;
- à l’étape (i) un second matériau est ajouté dans la cavité interne, les premier second matériaux présentant une densité différente ;
- la quantité du premier matériau ou la somme des quantités des premier et second matériaux est comprise entre 0g et 20g, préférentiellement entre 5g et 20g ;
- le premier matériau est du plomb.
L’invention concerne également une aube pour une turbomachine d’aéronef comprenant :
- une pale en matériau composite présentant un axe d’allongement et comprenant un bord d’attaque et un bord de fuite reliés par une face intrados et une face extrados opposée à la face intrados,
- un bouclier de protection fixé sur la pale et recouvrant le bord d’attaque,
De préférence, la structure de soutien et/ou l’au moins une zone de jonction relie une pluralité de motifs avec les motifs contigus avec lesquels chacun des motifs, de la pluralité de motifs, est en vis-à-vis pour former un maillage ou un réseau.
De manière davantage préférée, la structure de soutien et/ou l’au moins une zone de jonction relie chaque motif aux motifs contigus avec lesquels il est contigu et/ou en vis-à-vis pour former un maillage ou un réseau.
De préférence, les deux motifs contigus et/ou en vis à vis l’un de l’autre reliés par l’au moins une zone de jonction sont accolées et/ou ont une partie commune et/ou sont reliés directement et/ou physiquement.
De préférence, les deux motifs contigus et/ou en vis à vis l’un de l’autre reliés par l’au moins une zone de jonction sont en contact au niveau de la partie commune.
De préférence, un, plusieurs ou chacun des orifices du matériau architecturé sont situés au niveau de zones de jonction. De préférence, un, plusieurs ou chacun des motifs comprennent chacun au moins deux, de préférence deux, orifices. De préférence, pour un motif considéré, l’orifice est commun aux deux motifs contigus et/ou en vis à vis l’un de l’autre.
La structure de soutien peut être agencée pour former un réseau géométrique. De préférence, la structure de soutien peut être agencée pour former un réseau régulier.
Le matériau peut comprendre une structure de renfort, la structure de renfort comprend ou forme au moins une bande ou barre ou tige, la structure de renfort et/ou l’au moins une bande : - s’étend entre deux parois externes opposées du matériau architecturé, et/ou - forme une ou des cloisons internes, de préférence au sein de l’au moins motif et/ou de la cavité, et/ou - est agencée pour renforcer le matériau architecturé, de préférence la zone du matériau architecturé située entre les deux zones entre lesquelles s’étend la structure de renfort, par exemple entre les deux parois externes opposées du matériau architecturé.
L’au moins une bande peut être rectiligne ou courbe.
L’au moins une bande peut s’étendre à travers ou au sein de l’au moins un motif et/ou de l’au moins une cavité et/ou de la structure de soutien et/ou de la zone de jonction. De préférence, l’au moins une bande ne s’étend pas au travers et n’obstrue pas l’au moins un orifice.
De préférence, au moins une bande est située sur une face d’extrémité du matériau architecturé. De préférence, au moins une bande s’étendant au sein du matériau architecturé.
Le matériau architecturé peut être un matériau poreux et/ou un matériau composite dans lequel au moins une partie d’un volume, dit volume interstitiel, de préférence le volume interstitiel dans son ensemble, s’étendant ou compris ou formé par l’espace situé entre les motifs et/ou entre les motifs et la structure de soutien et/ou dans la cavité de l’au moins un motif comprend, ou est constitué de : - une matrice, et/ou - au moins un pore. Autrement dit, le matériau architecturé peut être : - un matériau architecturé composite non poreux dans lequel le volume interstitiel comprend uniquement, ou est constitué par, la matrice ; ou, autrement dit, dans lequel la matrice constitue le volume interstitiel, ou - un matériau architecturé poreux sans matrice dans lequel le volume interstitiel comprend uniquement, ou est constitué par, l’au moins un pore et ne comprend pas de matrice ; ou, autrement dit, dans lequel l’au moins un pore constitue le volume interstitiel, ou - un matériau architecturé composite poreux dans lequel le volume interstitiel comprend la matrice et l’au moins un pore ; ou, autrement dit, dans lequel la matrice et l’au moins pore constituent le volume interstitiel.
Dans la présente demande, il peut être entendu par matériau architecturé poreux un matériau comprenant l’au moins un pore.
Dans la présente demande, il peut être entendu par matériau architecturé poreux : - un matériau architecturé poreux sans matrice, ou - un matériau architecturé poreux architecturé poreux composite comprenant la matrice et l’au moins pore.
De préférence, il est entendu par matériau composite un matériau dans lequel la matrice présente une composition différente de la composition de l’au moins un motif et/ou de la structure de soutien et/ou de plusieurs motifs ou de chacun des motifs. Il peut être entendu par « composition différente » être constituée d’un élément différent ou comprendre un ou des éléments différents.
De préférence, le volume interstitiel et/ou l’au moins un pore s’étend, au moins, entre l’au moins un orifice, et par conséquent la cavité, et la périphérie, des bords, des côtés et/ou des contours du matériau architecturé. De préférence, l’au moins un orifice, et par conséquent la cavité, et l’extérieur du matériau architecturé poreux communiquent via le volume interstitiel et/ou l’au moins un pore.
De préférence, le volume interstitiel est compris dans le matériau architecturé. De préférence, le volume interstitiel est compris uniquement dans le matériau architecturé. De préférence, le volume interstitiel ne s’étend pas à l’extérieur du matériau architecturé. De préférence, le volume interstitiel ne s’étend pas au-delà de la périphérie, des bords, des côtés et/ou des contours du matériau architecturé.
Comme indiqué précédemment, le perméat contient majoritairement de l’eau et de l’éthanol ; ainsi, le substrat organique disponible pour les levures est majoritairement l’éthanol.
Le procédé selon l’invention permet avantageusement de (i) conserver au cours du procédé les molécules organiques d’intérêts autres que l’éthanol, comme par exemple le glycérol et l’acide lactique, en effectuant une première étape de séparation physique de l’éthanol et du glycérol, et ainsi en n’offrant aux levures que de l’éthanol à consommer ; et de (ii) favoriser la consommation de l’éthanol par les levures du fait que ce substrat organique est le substrat majoritaire dans le perméat.
Il est entendu que tout type de levures capables de métaboliser l’éthanol en conditions aérobies peut être utilisé pour la mise en œuvre de l’étape (b) du procédé revendiqué. L’Homme du métier saura choisir les espèces de levures et leurs conditions de culture (température, quantité de levures, milieu de culture, etc.) pour optimiser cette consommation de l’éthanol présent dans le perméat.
Plusieurs types de levures capables de consommer de l’éthanol en conditions aérobies sont connus ; en analysant les caractéristiques métaboliques de 439 espèces de levures, Barnett et al. (1990) ont identifié 334 espèces capables de se reproduire et de croître en présence d’éthanol comme seule source de carbone. Parmi elles, 250 espèces présentent une croissance normale, ni ralentie ni variable, en particulier l’espèce Saccharomyces cerevisiae, mais aussi Saccharomyces dairensis, Saccharomyces exiguus, Saccharomyces kluyveri, Saccharomyces telluris, et Saccharomyces unisporus.
Selon une mise en œuvre de l’invention, les levures additionnées au perméat lors de l’étape (b) sont du genre Saccharomyces.
Selon une mise en œuvre particulière de l’invention, les levures additionnées au perméat lors de l’étape (b) sont de l’espèce Saccharomyces cerevisiae.
Etape (c) optionnelle Selon une mise en œuvre particulière du procédé selon l’invention, celui-ci comprend une étape de diafiltration du rétentat avec du perméat métabolisé, pour obtenir : - un « rétentat diafiltré » ayant une valeur de TAV (R diafiltré) inférieure à TAV (R), et - un « perméat métabolisé diafiltré » ayant une valeur de TAV supérieure à TAV (P métabolisé), ledit perméat métabolisé diafiltré pouvant ensuite être resoumis au procédé de l’étape (b), en particulier pour diminuer sa valeur de TAV.
Cette étape de diafiltration du rétentat permet de diminuer le TAV (R) du rétentat.
Cette étape de diafiltration est réalisée avec un perméat métabolisé ayant une valeur de TAV inférieure à celle du rétentat à diafiltrer.
De préférence, à l’issue de cette étape de diafiltration, le TAV (R diafiltré) du rétentat aura, une valeur d’environ 4% vol., de préférence égale ou inférieure à 4%, ou encore inférieure ou égale à 3% vol., et ce afin d’obtenir, après l’étape (d) d’association avec du perméat métabolisé, un vin désalcoolisé de TAV égal ou inférieur à 0,5% vol. tout en conservant les proportions initiales de rétentat / perméat.
Cette étape optionnelle est mise en place notamment dans le cas où le procédé est mis en œuvre dans le but d’obtenir un vin totalement désalcoolisé présentant une valeur de TAV (2) inférieure à 0,5% vol.
La diafiltration est un processus de dilution qui implique la séparation de certains composants d'un liquide contenant des molécules solubles et filtrables, basée sur le tri des molécules selon leur taille et leur concentration en utilisant des filtres perméables plus ou moins nanométriques.