INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, la composition du corps peut comprendre au moins une charge, notamment une charge recyclable, et/ou au moins un adjuvant sélectionné parmi un colorant ou pigment, un agent plastifiant, un agent gonflant et/ou un agent anti UV. Notamment, la composition peut consister en au moins 50% d’au moins un matériau thermoplastique ou d’un mélange de matériaux thermoplastiques, en 0 à 15%, voire 1 à 10%, de l’au moins un adjuvant et/ou en 0 à 30%, voire 1 à 20%, de l’au moins une charge.
Particulièrement, l’au moins un adjuvant peut être un agent gonflant, celui-ci étant sélectionné parmi l’acide citrique, le bicarbonate de sodium, les Azodicarbonamides (ADC), les Oxy-bisbenzenesulfonylhydrazides (OBSH), les Toluenesulfonylhydrazide (TSH), de l’eau et/ou des microsphères plastiques renfermant un gaz, notamment du dioxyde de carbone, de l’isobutane, de l’isooctane, de l’isopentane et/ou du pentane.
L’au moins une charge peut être sélectionnée parmi du carbonate de calcium, du talc, du mica, du verre, une charge minérale naturelle et/ou une charge végétale naturelle.
L’invention concerne également une structure artificielle d’escalade comprenant au moins une paroi et au moins une prise d’escalade selon l’invention, rapportée et fixée sur ladite paroi.
Dans un bécher en téflon, 9,26 g d’eau permutée ont été mélangés avec 0,63 g de l'éther 15-couronne-5 (15-crown-5, 98 %, Sigma-Aldrich) et 0,94 g d’hydroxyde de sodium (98 % Carlo Erba). La préparation obtenue est maintenue sous agitation pendant 10 minutes. Par la suite 4,1 g de zéolithe Y (CBV 720, Zeolyst ® , SiO 2 (FAU) /Al 2 O 3 (FAU) ≈ 32) sont ajoutés lentement sous agitation intense au précédent mélange. Le mélange de synthèse est maintenu sous agitation pendant 2 heures. Le mélange réactionnel présente alors les rapports molaires suivants :
32,2 SiO 2 (FAU) /Al 2 O 3 (FAU)
10 H 2 O/ SiO 2 (FAU)
0,05 (15-couronne-5)/ SiO 2 (FAU)
0,21 Na 2 O/ SiO 2 (FAU)
La composition molaire du gel précurseur peut alors s’écrire sous la forme suivante : 10 SiO 2 : 0.31 Al 2 O 3 : 0,5 (15-couronne-5) : 2,1 Na 2 O : 100 H 2 O. Après cette période, le gel de synthèse est transféré dans une chemise en téflon de 23 millilitres, puis celle-ci est placée dans un autoclave en inox. L’autoclave est fermé puis chauffé pendant 24 heures à 110°C en statique.
À la suite de cette étape, l’autoclave est placé dans un bain de glace dans le but de stopper la cristallisation. Le produit cristallisé obtenu est filtré, lavé à l’eau déionisée trois fois par centrifugation, avant d’être séché une nuit à 80 °C. Une masse de solide de 2,1 g est obtenue soit un rendement de synthèse d’environ 50 % en silicium et 95 % en aluminium. Le solide est ensuite introduit dans un four à moufle où est réalisée une étape de calcination sous air : le cycle de calcination comprend une montée de 1,5°C/min en température jusqu'à 200°C, un palier à 200°C maintenu durant 2 heures, une montée de 1°C/min en température jusqu'à 550°C suivi d'un palier à 550°C maintenu durant 8 heures puis un retour à la température ambiante.
Le produit solide calciné a été analysé par diffraction des rayons X sur poudre et identifié comme étant constitué d’une zéolithe de type structural FAU avec une cristallinité supérieure à 99%.
La représente le diffractogramme de rayons X du solide obtenu dans l’exemple 1.
Le produit présente un rapport SiO 2 /Al 2 O 3 global de 15,4 tel que déterminé par fluorescence X. Ce rapport correspond également à celui de la charpente zéolithique car il est à noter l’absence d’aluminium extra réseau par résonnance magnétique nucléaire de l’aluminium-27 (RMN 27 Al).
Exemple 2 : Étude cinétique de la cristallisation de la zéolithe Y selon l’invention à différentes étapes de cristallisation
Dans cet exemple, la procédure de synthèse est identique à celle décrite dans l’exemple 1. Cependant, la cinétique de cristallisation de la zéolithe Y va être étudiée. Pour cela, des analyses DRX sont réalisées à différents temps de cristallisation.
Les résultats ont montré que la zéolithe Y de départ, utilisée comme source unique de silicium et aluminium, se dissolvait à 99 % après l’étape de mûrissement (ii), avant la mise à l’étuve.
Par la suite, après la mise à l’étuve à 110 °C, les résultats en DRX présente l’intégralité des pics de diffraction caractéristique d’une zéolithe de type structural FAU de cristallinité supérieure à 95% après un, deux et trois jours de cristallisation.
Exemple 3 : Préparation d’une zéolithe de type structural FAU selon l’invention à partir d’un agent structurant organique (18-crown-6, 98 %, Sigma Aldrich)
Dans cet exemple, la procédure de synthèse est identique à celle décrite dans l’exemple 1. La différence notable est l’agent structurant utilisé lors de la synthèse. En effet, en accord avec l’exemple 1, la zéolithe Y peut être synthétisée en présence d’un éther couronne, le 15-couronne-5. Cependant, des essais de synthèse ont été réalisés en présence d’un autre éther couronne, l'éther 18-couronne-6. Le rapport molaire (18-crown-6)/ SiO 2 (FAU) étant égal au rapport (15-couronne-5)/ SiO 2 (FAU) utilisé lors de l’exemple 1. Après synthèse, le solide récupéré est analysé par diffraction des rayons X ainsi que par fluorescence X. Le résultat de ces deux analyses montre que le solide obtenu est une zéolithe Y possédant un rapport SiO 2 /Al 2 O 3 de réseau d’environ 15 et de cristallinité supérieure à 95%.
Tableau 7 : Formule pour sticks.
Solution aqueuse à base de Syzygium aromaticum, procédé de préparation et utilisations associées La présente invention concerne une solution aqueuse pour une administration par voie cutanéomuqueuse. L’invention concerne également un procédé de préparation d’une telle solution aqueuse et ses utilisations dans le traitement ou la prévention des maladies infectieuses.
Les maladies infectieuses sont des maladies causées par des agents infectieux. Les agents infectieux désignent notamment les virus, les bactéries, les parasites ainsi que les champignons.
Une majorité de ces agents infectieux parviennent à infecter un organisme en passant par exemple par les muqueuses telle que la muqueuse nasale, buccale ou oculaire.
Il existe un large spectre de maladies infectieuses qui peuvent être transmissibles d’homme à homme ou d’animal à homme.
Pour limiter la transmission de ces maladies, de nombreuses mesures préventives peuvent être mises en place pour prévenir ces infections. C’est le cas par exemple du lavage nasal - ou irrigation nasale - permettant de prévenir certaines infections de la sphère ORL (Oto-Rhino-Laryngologie) tel que la sinusite, la rhinite, le rhume, la grippe ou autres infections des voies respiratoires.
De nombreux essais cliniques ont démontré avec succès que le lavage nasal est bénéfique pour lutter contre ces infections surtout pendant la période hivernale propice à la propagation des maladies infectieuses.
De manière classique, le lavage nasal est réalisé à l’aide de sprays ou tout autre dispositif médical permettant de délivrer une solution isotonique ou physiologique.
La demande de brevet WO2018229556 divulgue par exemple une composition pour une administration nasale et/ou orale comprenant du magnésium et un ou plusieurs composants dérivés d'une plante marine.
De nombreux produits à base d’eau de mer sont connus tels que les produits Sterimar™, Marimer™, Humer™ solution saline, Respimer™, Physiomer™ ou Prorhinel™.
Toutefois, on relève un certain inconfort à l’utilisation de ces produits notamment des sensations désagréables de picotements ou de brûlures (causées notamment par un pH basique) qui peuvent gêner l’utilisateur et une utilisation quotidienne pour parvenir à un résultat satisfaisant. Ceci a pour effet de limiter l’utilisation de tels produits pour la prévention et/ou le traitement de maladies infectieuses.
Problème technique Considérant ce qui précède, un problème que se propose de résoudre la présente invention consiste à développer une solution aqueuse alternative efficace adaptée à la prévention ou au traitement de maladies infectieuses en limitant ou s’affranchissant de tout effet indésirable lié à son utilisation aussi bien en usage interne qu’externe.
Cette solution aqueuse doit préférentiellement présenter des propriétés analgésiques, anti-inflammatoires, antiparasitaires, antifongiques et/ou antibactériennes.
Par ailleurs, cette solution peut être adapté et se présenter sous la forme d’une composition adaptée à un usage topique.
Solution technique La solution à ce problème posé a pour objet une solution pour une administration par voie cutanéomuqueuse, caractérisée en ce qu’elle comprend une matrice végétale choisie parmi des plantes ou des parties de plantes de la famille des Myrtaceae dans un solvant qui est une solution aqueuse dont le pH est supérieur ou égal à 7,5.
L’invention a également pour objet un procédé de préparation d’une telle solution pour une administration par voie cutanéomuqueuse comprenant : - une première étape de mise en contact d’une matrice végétale avec un solvant ; - au moins une deuxième étape qui est une phase d’extraction des composés actifs d’intérêts du mélange matrice végétale - solvant; et - une étape de récupération de la solution ainsi obtenue dont le pH est compris entre 6 et 7,5, caractérisée en ce que la matrice végétale est choisie parmi des plantes ou des parties de plantes de la famille des Myrtaceae , et en ce que le solvant est une solution aqueuse dont le pH est supérieur ou égal à 7,5.
Un polyamide fortement carboné est un polyamide à fort taux d'atomes de carbone (C) par rapport à l'atome d'azote (N). Ce sont les polyamides avec environ au moins 9 atomes de carbone par atome d’azote, tel par exemple le polyamide-9, le polyamide-12, le polyamide-11, le polyamide-10.10 (PA10.10), le copolyamide 12/10.T, le copolyamide 11/10.T, le polyamide-12.T, le polyamide-6.12 (PA6.12). T représente l’acide téréphtalique.
La nomenclature utilisée pour définir les polyamides est décrite dans la norme ISO 1874-1:1992 "Plastiques -- Matériaux polyamides (PA) pour moulage et extrusion -- Partie 1: Désignation", notamment en page 3 (tableaux 1 et 2) et est bien connue de l’homme du métier.
Un polyamide faiblement carboné est un polyamide à faible taux d’atomes de carbone (C) par rapport à l'atome d'azote (N). Ce sont les polyamides avec environ moins de 9 atomes de carbone par atome d’azote, tel par exemple le polyamide-6, le polyamide-6.6, le polyamide-4.6, le copolyamide-6.T/6.6, le copolyamide 6.I/6.6, le copolyamide 6.T/6.I/6.6, le polyamide 9.T. I représente le diacide isophtalique.
Dans le cas d'un homopolyamide de type PA-X.Y, avec X désignant un motif obtenu à partir d’une diamine et Y désignant un motif obtenu à partir d’un diacide, le nombre d’atomes de carbone par atome d’azote est la moyenne des nombres d’atomes de carbone présents dans le motif issu de la diamine X et dans le motif issu du diacide Y. Ainsi le PA6.12 est un PA à 9 atomes de carbone par atome d’azote, autrement dit un PA en C9. Le PA6.13 est en C9.5.
Dans le cas des copolyamides, le nombre d’atomes de carbone par atome d’azote se calcule selon le même principe. Le calcul est réalisé au prorata molaire des différents motifs amides. Dans le cas d'un copolyamide ayant des motifs de type non amide, le calcul s'effectue uniquement sur la part de motifs amides. Ainsi, par exemple, le PEBA-12, qui est un copolymère bloc de motifs amide 12 et de motifs éther, le nombre moyen d’atome de carbone par atome d’azote sera 12, comme pour le PA12 ; pour le PEBA-6.12, il sera de 9, comme pour le PA6.12.
Ainsi, des polyamides fortement carbonés comme le polyamide PA12 ou 11 adhèrent difficilement sur un polymère EVOH, sur un polyamide faiblement carboné comme le polyamide PA6, ou encore sur un alliage de polyamide PA6 et de polyoléfine (comme, par exemple, un Orgalloy® commercialisé par la société Arkema).
S’agissant de la couche (2) Lorsqu’une seule couche (2) est présente, cette dernière est en contact avec l’hydrogène.
Dans le cas où plusieurs couches (2) sont présentes, il est possible qu’une des couches intérieures présente une proportion de plastifiant supérieure à 1,5% en poids mais dans ce cas, la proportion de plastifiant au-delà de 1,5% est compensée par l’épaisseur de la couche qui est alors beaucoup plus fine de manière à ce que la valeur moyenne de plastifiant présente dans l’ensemble des couches intérieures ne dépasse pas 1,5%. La proportion de plastifiant dans cette couche peut alors être jusqu’à 15% mais son épaisseur ne dépasse alors pas 10% de l’épaisseur totale du tube, de préférence elle ne dépasse pas 100µm.
Cette couche beaucoup plus fine peut être soit directement au contact de la couche barrière, soit la couche la plus intérieure qui est alors en contact avec l’hydrogène.
L’expression « ladite couche intérieure (2) comprenant majoritairement au moins un polyamide de type aliphatique» signifie que ledit polyamide de type aliphatique est présent en proportion de plus de 50% en poids dans la couche (2). Le polyamide de type aliphatique est linéaire et n’est pas de type cycloaliphatique.
Avantageusement, ledit polyamide de type aliphatique majoritaire de la ou les couches (2) comprend également majoritairement des motifs aliphatiques, à savoir plus de 50% de motifs aliphatiques.
Avantageusement, ledit polyamide de type aliphatique majoritaire de la ou les couches (2) est constitué de plus de 75% de motifs aliphatiques, de préférence ledit polyamide de type aliphatique majoritaire de la ou les couches (2) est totalement aliphatique.
Dans un mode de réalisation avantageux, ladite couche intérieure (2) ou chacune des couches (2) et des autres couches éventuelles situées au-dessous de la couche barrière, contient de 0 à 1,5% en poids de plastifiant par rapport respectivement au poids total de la composition de la couche (2) ou au poids total de chacune des compositions des couches (2) et des autres couches éventuelles situées au-dessous de la couche barrière.
Dans un mode de réalisation avantageux, dans la structure tubulaire multicouche (MLT) telle que définie ci-dessus, ladite couche intérieure (2) ou chacune des couches (2) et des autres couches éventuelles situées au-dessous de la couche barrière est(sont) dépourvue(s) de plastifiant.
Dans ce mode de réalisation toutes les couches situées sous la couche barrière sont totalement dépourvue de plastifiant et constitué l’une des structures préférées de l’invention.
Dans un mode de réalisation, le PA12 est exclu de la définition du polyamide C de la couche (2) ou des couches (2) présentes.
Et, en particulier, ce mode de réalisation ne subit pas le problème d’écoulement d’un flux de courant par effet de transistor passant (formation d’un canal conducteur) entre lesdites régions dopées et un caisson voisin polarisé à une tension différente.
Selon un mode de réalisation, ladite armature conductrice de la structure capacitive de remplissage comprend en outre au moins une structure de grille horizontales située sur la surface du premier caisson en regard de ladite au moins une structure de grille verticale.
Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comporte en outre une mémoire non-volatile comprenant des cellules mémoires munies d’un transistor d’accès enterré à grille verticale et d’un transistor d’état à grille flottante, et la structure de grille verticale de ladite armature conductrice est constituée des mêmes matériaux et a la même profondeur que les grilles verticales des transistors d’accès enterrés des cellules mémoires.
Une telle réalisation de circuit intégré permet avantageusement de mutualiser les fabrications de notamment les cellules mémoires non-volatiles et les structures capacitives de remplissage, c’est-à-dire en pratique de fabriquer les structures capacitives de remplissages sans coût additionnel.
Selon un autre aspect, il est également proposé un procédé de fabrication d’un circuit intégré, comprenant une fabrication d’une partie logique comprenant une formation d’une alternance de premiers caissons semiconducteurs dopés d’un premier type et de deuxièmes caissons semiconducteurs dopés d’un deuxième type opposé au premier type, s’étendant parallèlement en longueur dans une première direction, et une formation de cellules pré-caractérisées agencées dans des rangées parallèles le long de la première direction et ayant une largeur fixe couvrant, dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, une demi-largeur de l’un des premiers caissons et une demi-largeur de l’un des deuxièmes caissons, chaque caisson étant commun à deux rangées adjacentes. Le procédé comprend en outre une formation, parmi les cellules pré-caractérisées, d’au moins une structure capacitive de remplissage appartenant à deux rangées adjacentes et comprenant une formation d’une interface capacitive entre une armature conductrice et le premier caisson, le deuxième caisson étant formé de sorte que son étendue dans la première direction est interrompue sur la longueur de la structure capacitive de remplissage, le premier caisson étant formé de manière à occuper dans la deuxième direction la largeur des deux rangées de la structure capacitive de remplissage, la formation de la structure capacitive de remplissage comportant en outre une formation d’une structure conductrice adaptée à relier électriquement le deuxième caisson de part et d’autre de la structure capacitive de remplissage dans la première direction.
Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la structure conductrice comprend une formation d’au moins une piste métallique située dans un niveau de métal et s’étendant dans la première direction en regard de la longueur de la structure capacitive de remplissage, et l’interface capacitive est formée de façon à s’étendre dans la deuxième direction sur toute la largeur des deux rangées de la structure capacitive de remplissage.
Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la structure conductrice comprend une formation d’une bande semiconductrice surfacique fortement dopée du deuxième type dans le premier caisson et s’étendant dans la première direction sur la longueur de la structure capacitive de remplissage, et l’interface capacitive est formée de façon à s’étendre dans la deuxième direction sur toute la largeur des deux rangées de la structure capacitive de remplissage, excepté dans la largeur de la bande semiconductrice surfacique.
Par exemple, la formation de ladite bande semiconductrice surfacique comprend une étape de siliciuration formant du siliciure de métal dans la bande semiconductrice surfacique.
Par exemple, la formation de la structure conductrice comporte une formation de tranchées d’isolation peu profondes de part et d’autre, dans la deuxième direction, de ladite bande semiconductrice surfacique.
Par exemple, la formation de ladite bande semiconductrice surfacique comprend une implantation d’espèces dopantes du premier type dans le premier caisson avec une densité volumique comprise entre dix puissance quinze atomes par centimètres-cubes « 10 15 cm -3 » et dix puissance seize atomes par centimètres-cubes « 10 16 cm -3 ».
Selon un mode de mise en œuvre, la formation de ladite armature conductrice comporte une formation d’au moins une structure de grille verticale s’étendant en profondeur dans le premier caisson.
Par exemple, la formation de ladite structure de grille verticale comprend une formation d’une tranchée gravée dans le premier caisson et couverte sur le fond et les flancs d’une enveloppe diélectrique, une implantation d’une région dopée du deuxième type dans le premier caisson au fond de la tranchée, un remplissage de la tranchée par un matériau conducteur, et une implantation d’une région dopée du deuxième type adjacente à la tranchée en surface du premier caisson.
Par exemple, la formation de ladite armature conductrice de la structure capacitive de remplissage comprend en outre une formation d’une structure de grille horizontales située sur la surface du premier caisson en regard de ladite au moins une structure de grille verticale.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comporte en outre une fabrication d’une mémoire non-volatile comprenant des cellules mémoires munies d’un transistor d’accès enterré à grille verticale et d’un transistor d’état à grille flottante, et la formation de la structure de grille verticale de ladite armature conductrice est faite simultanément avec une formation des grilles verticales des transistors d’accès enterrés des cellules mémoires.
D’autres avantages et caractéristiques apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés, sur lesquels :
Avantageusement, l’au moins un matériau thermoplastique est recyclable. On entend par « recyclable » que le corps 4 de la prise 3 d’escalade, une fois usé ou endommagé, peut être à nouveau chauffée jusqu’à former comme, précédemment exposé, un composé malléable pouvant à nouveau être utilisé par des procédés traditionnels de mise en forme des thermoplastiques ou dans le procédé de fabrication d’une prise 3 d’escalade selon l’invention. Notamment, l’au moins un matériau thermoplastique peut être de base noble, en partie ou intégralement recyclée et/ou issue de matière thermoplastique d'origine végétale. Par exemple, une partie du matériau thermoplastique peut être composé de rebroyés industriels, c’est-à-dire d’un mélange de matériaux thermoplastiques donc la composition et les proportions exactes ne sont pas définies mais qui peut, par exemple, comprendre un ou plusieurs des matériaux thermoplastiques précédemment cités.
Le corps 4 de la prise 3 est ainsi issu de la transformation de l’au moins un matériau thermoplastique. Particulièrement, le corps 4 de la prise 3 peut être issu de la transformation de l’au moins un matériau thermoplastique moussé, tel que davantage exposé ci-après en référence au procédé de fabrication de la prise 3 d’escalade selon l’invention. Par exemple, la mousse de l’au moins un matériau thermoplastique considéré peut présenter une densité comprise entre 0,2 et 2, autrement dit entre 200 et 2000 kg/m 3 , voire entre 0,3 et 1,7, c’est à dire entre 300 et 1700 kg/m 3 , lorsque le matériau thermoplastique est refroidi.
Afin de présenter une résistance adaptée à des manipulations et des chocs répétés, le corps 4 de la prise 3, notamment de par sa composition, présente préférentiellement une dureté supérieure à 55 ShD, notamment supérieure à 70 ShD et allant jusqu’à 100 ShD. A titre d’exemple, le corps 4 peut présenter une dureté de l’ordre de 80 ShD.
Une telle dureté peut être obtenue par le choix de l’au moins un matériau thermoplastique, d’une combinaison de matériaux thermoplastiques, ou, de manière alternative, la composition peut être chargé afin d’atteindre la dureté désirée.
La composition du corps 4 peut ainsi comprendre, de manière optionnelle, au moins une charge aussi appelée « additif », notamment une charge recyclable. La composition peut ainsi comprendre 0 à 30% de l’au moins une charge ou d’un mélange de charges. Lorsque la composition comprend au moins une charge, elle comprend notamment de 1 à 20% de l’au moins une charge ou d’un mélange de charges.
L’au moins une charge peut notamment être incorporée à la composition du corps 4 lors d’une opération de compoundage, réalisée préalablement à la mise en forme de la pièce, par exemple par un fournisseur de l’au moins un matériau thermoplastique. Alternativement, l’au moins une charge peut être incorporée lors de la fabrication de la pièce, notamment lors du procédé de fabrication selon l’invention.
L’au moins une charge peut être sélectionnée parmi du carbonate de calcium, du talc, du mica, du verre, une charge minérale naturelle et/ou une charge végétale naturelle. Particulièrement, la composition du corps 4 de la prise 3 peut comprendre un mélange d’une pluralité de charges sélectionnées parmi les charges précitées. De manière non limitative, selon le type de charge mis en œuvre, celle-ci peut se présenter sous la forme d’une poudre ou de fibres.