INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif électronique 100 comprend en outre un processeur 123 (CPU) et une mémoire programmable une seule fois (OTP) 124. Le processeur 123 est par exemple une unité de traitement centrale (CPU) et est par exemple couplé à la mémoire volatile 113 par l’intermédiaire d’un bus 125. L’écriture dans la mémoire OTP 124 est par exemple contrôlée par un circuit de commande OTP 126 (OTP CTRL). Une sortie 128 de la mémoire programmable une seule fois 124 est par exemple couplée au processeur cryptographique 108. La mémoire OTP 124 mémorise par exemple une ou plusieurs clés de micrologiciel mises à jour 130 (UPDATED FW KEYS).
Le dispositif 100 comprend en outre une clé de micrologiciel initiale 131 (INITIAL FW KEY) mémorisée dans la mémoire OTP 124 ou en variante codée en dur dans un circuit logique 132, par exemple pendant une phase de conception de codage.
L’interface 102 n’est pas par exemple couplée au bus 125, et il n’y a par exemple pas de connexion directe entre l’interface 102 et la mémoire volatile 113. Ainsi, la mémoire volatile 113 est par exemple inaccessible par l’interface 102, excepté par l’intermédiaire du processeur cryptographique 108. Le processeur cryptographique 108 accède par exemple à la mémoire volatile 113 par l’intermédiaire du module d’accès direct en mémoire 112.
La mémoire volatile 113 mémorise par exemple un micrologiciel qui est exécuté par le processeur 123. Le micrologiciel est par exemple chargé dans le dispositif électronique 100 à partir du dispositif externe 103. Par exemple, dans certains cas, le dispositif externe 103 est connecté en permanence au dispositif électronique 100, comme par exemple si le dispositif externe 103 et le dispositif électronique 100 sont montés sur une même carte de circuit imprimé PCB (de l’anglais Printed Circuit Board) ou une carte mère. Dans d’autres cas, le dispositif externe 103 peut être couplé au dispositif électronique 100 seulement lorsque qu’un micrologiciel doit être chargé dans le dispositif 100, comme à la suite d’une mise sous tension du dispositif 100, ou lorsque le micrologiciel doit être mis à jour.
On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif électronique 100 et du dispositif externe 103 de la plus en détail en faisant référence à la .
La est un organigramme illustrant des étapes d’un procédé pour télécharger de manière sécurisée un nouveau micrologiciel dans le dispositif électronique 100 de la selon un mode de réalisation de la présente description. Le procédé de la est par exemple mis en œuvre lorsque le dispositif électronique 100 est mis sous tension pour la première fois afin d’effectuer une première installation de micrologiciel sur le dispositif. En plus ou à la place, le procédé de la est par exemple réalisé lors d’une mise sous tension du dispositif 100 à la suite d’une période pendant laquelle le dispositif 100 a été éteint et donc la mémoire volatile 113 a perdu ses données. En plus ou à la place, le procédé la est par exemple mis en œuvre lorsqu’une mise à jour de micrologiciel doit être effectuée.
Dans une étape 201 (KEY INJECTION FW UPLOAD), un micrologiciel chiffré, autorisant un protocole d’échange de clé, est téléchargé dans le dispositif électronique 100. Ce micrologiciel sera appelé micrologiciel d’injection de clé. Le micrologiciel d’injection de clé est par exemple téléchargé dans le dispositif 100 à partir du dispositif externe 103. Dans certains cas, le canal de communication entre le dispositif externe 103 et le dispositif 100 est un canal non sécurisé.
Dans une étape 202 (DECRYPTING USING FW KEY), le micrologiciel d’injection de clé chiffré est déchiffré par le processeur cryptographique 108. Par exemple, le micrologiciel d’injection de clé chiffré est reçu par l’interface 102 du dispositif électronique, et est transmis par l’intermédiaire du bus 106 au processeur cryptographique 108. Dans le cas d’une première installation de micrologiciel, autrement dit si aucun micrologiciel n’a encore été installé dans le dispositif électronique 100, le déchiffrement est par exemple effectué en utilisant la clé de micrologiciel initiale 131. Comme cela a été décrit en relation avec la , la clé de micrologiciel initiale 131 est par exemple mémorisée par la mémoire OTP 124, et est fournie, à partir de la sortie 128 de la mémoire OTP 124, au processeur cryptographique 108. En variante, la clé de micrologiciel initiale 131 est mémorisée par le circuit logique 132, et fournie au niveau d’une sortie de ce circuit logique 132 au processeur cryptographique 108. Dans encore une autre variante, dans le cas où un micrologiciel a déjà été installé précédemment sur le dispositif, comme dans le cas d’une mise à jour de micrologiciel, le déchiffrement est par exemple effectué en utilisant l’une des clés de micrologiciel mises à jour 130, qui est par exemple fournie au niveau de la sortie 128 de la mémoire OTP 124. Dans certains modes de réalisation, le processeur cryptographique 108 déchiffre le micrologiciel en utilisant des opérations cryptographiques basées sur une cryptographie symétrique.
Dans une étape 203 (STORE KEY INJECTION FW TO VOLATILE MEMORY), le micrologiciel d’injection de clé déchiffré est mémorisé dans la mémoire volatile 113. Dans certains modes de réalisation, pendant le téléchargement et le déchiffrement du micrologiciel d’injection de clé, le circuit de commande 121 est agencé pour couper l’alimentation du processeur 123 ou le désactiver. Une fois que le micrologiciel d’injection de clé a été mémorisé dans la mémoire volatile 113, le circuit de commande 121 est par exemple agencé pour mettre sous tension le processeur 123.
Dans une étape 204 (KEYS EXCHANGE), le micrologiciel d’injection de clé déchiffré est exécuté par le processeur 123. Cela amène par exemple le processeur 123 à commander le circuit de commande OTP 126 pour mémoriser une clé de micrologiciel mise à jour dans la mémoire OTP 124. L’exécution par le processeur 123 du micrologiciel d’injection de clé déchiffré permet au dispositif électronique 100 et au dispositif externe 103 d’échanger une clé secrète, en utilisant par exemple un procédé cryptographique à clé publique, mis en œuvre par le micrologiciel d’injection de clé. À titre d’exemple, on peut utiliser un procédé à courbes elliptiques, comme le procédé Diffie-Hellman ou similaire.
Dans certains modes de réalisation, l’étape 204 est exécutée plusieurs fois pour installer plus qu’une seule clé secrète sécurisée dans différentes régions de la mémoire OTP 124.
Dans une étape 205 (NEW FW UPLOAD), un nouveau micrologiciel chiffré, correspondant à une version chiffrée d’un nouveau micrologiciel qui doit être installé dans le dispositif 100, est téléchargé dans le dispositif électronique 100. Le nouveau micrologiciel est par exemple téléchargé dans le dispositif 100 à partir du dispositif externe 103. Dans certains cas, le canal de communication entre le dispositif externe 103 et le dispositif 100 est un canal non sécurisé. Le nouveau micrologiciel est par exemple une version mise à jour d’un micrologiciel déjà mémorisé dans la mémoire volatile 113. En variante, le nouveau micrologiciel correspond par exemple à des programmes pour l’utilisateur final du dispositif et est installé sur le dispositif pour la première fois, par exemple par un partenaire autre que le fabricant.
Dans une étape 206 (DECRYPTING USING UPDATED FW KEY), le nouveau micrologiciel chiffré est déchiffré par le processeur cryptographique 108. Par exemple, le nouveau micrologiciel chiffré est reçu par l’interface 102 du dispositif électronique, et est transmis par l’intermédiaire du bus 106 au processeur cryptographique 108. Le déchiffrement est par exemple effectué en utilisant l’une des clés de micrologiciel mises à jour 130. Comme cela a été décrit en relation avec la , la clé de micrologiciel mise à jour 130 est par exemple mémorisée par la mémoire OTP 124 et est fournie, à partir de la sortie 128 de la mémoire OTP 124, au processeur cryptographique 108. Dans certains modes de réalisation, le processeur cryptographique 108 déchiffre le micrologiciel en utilisant des opérations cryptographiques basées sur une cryptographie symétrique.
Dans une étape 207 (STORE NEW FW IN VOLATILE MEMORY), le nouveau micrologiciel déchiffré est mémorisé dans la mémoire volatile 113. Dans le cas où le micrologiciel d’injection de clé est aussi mémorisé dans la mémoire volatile 113, la mémorisation du nouveau micrologiciel écrase au moins partiellement le micrologiciel d’injection de clé. Dans certains modes de réalisation, pendant le téléchargement et le déchiffrement du nouveau micrologiciel, le circuit de commande 121 est agencé pour mettre hors tension le processeur 123 ou pour le désactiver. Une fois que le nouveau micrologiciel a été mémorisé dans la mémoire volatile 113, le circuit de commande 121 est par exemple agencé pour mettre sous tension le processeur 123.
Selon un mode de réalisation, une fois que le micrologiciel d’injection de clé est mémorisé dans la mémoire volatile 113, la clé de micrologiciel initiale 131 est désactivée. Par exemple, dans le cas où la clé de micrologiciel initiale 131 est mémorisée par la mémoire OTP 124, tous les bits de la clé sont programmés afin d’écraser le contenu de la clé. En variante, le micrologiciel d’injection de clé est chiffré de nouveau, par exemple en utilisant l’une des clés de micrologiciel mises à jour 130. Cela permet de réutiliser le micrologiciel d’injection de clé, par exemple avant de mettre à jour le nouveau micrologiciel ou à la suite d’une perte des données contenues dans la mémoire volatile 113.
- séparation dudit flux entrant de biogaz reçu en un flux de biométhane, contenant de préférence au moins 90 % de méthane, et un flux de gaz résiduels dit « de combustion » dont la teneur en méthane est supérieure à 25 %.
- production d’électricité par combustion dudit flux de combustion,
- alimentation électrique de l’au moins une unité d’épuration à partir d’au moins une partie de l’électricité produite.
La illustre schématiquement une unité d’épuration selon l’invention.
La illustre schématiquement une forme de réalisation de l’unité d’épuration selon l’invention.
La illustre schématiquement une forme de réalisation du système selon l’invention.
La illustre schématiquement une autre forme de réalisation du système selon l’invention.
La illustre schématiquement un premier exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
La illustre schématiquement un deuxième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
La illustre schématiquement un troisième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
La illustre schématiquement un quatrième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
La illustre schématiquement un cinquième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
La illustre schématiquement un sixième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
Le système selon l’invention permet de traiter un flux entrant de biogaz au sens de la norme ISO 20675 afin de le transformer en biométhane et de capturer du dioxyde de carbone à certains stades du processus et valoriser certains des flux de gaz comme cela sera expliqué ci-après. Par les termes « flux entrant de biogaz au sens de la norme ISO 20675 », on entend aussi bien du biogaz produit par fermentation anaérobie (en absence d'air) de matières organiques dans une unité de méthanisation ou sur un centre d’enfouissement des déchets que des syngas. Les « syngas » désignent les gaz obtenus par des procédés tels que la pyro-gazéification, la méthanation biologique ou catalytique ou tout autre procédé qui conduit à la production d’un mélange gazeux composé essentiellement de méthane et de dioxyde de carbone.
Par ailleurs, comme le bloc en béton fibré à ultra haute performance présente une très bonne inertie thermique, il permet la diffusion de chaleur longtemps après l’arrêt de l’alimentation électrique de la résistance.
Conformément à l’invention, la première résistance de chauffe peut, selon le cas :
- comporter, du graphène tout en étant exempte d’oxyde de graphène ; ou
- comporter, de l’oxyde de graphène tout en étant exempte de graphène ; ou
- comporter, un mélange de graphène et d’oxyde de graphène.
L’usage du graphène et/ou de l’oxyde de graphène dans la résistance électrique de chauffe associé au bloc en béton Fibré Ultra haute-Performante permet d’avoir un dispositif de chauffage électrique de très haute performance qui présente :
- une rapide montée en température du fait de la très bonne conductivité thermique du graphène et de l’oxyde de graphène (le graphène et l’oxyde de graphène ont une très bonne conductivité thermique de l’ordre de 5 000 W.m-1.K-1) ;
- une rapide diffusion de chaleur par rayonnement de chaleur de la résistance en graphène et/ou oxyde de graphène ;
- un rapide transfert de chaleur par conduction de la résistance vers le bloc ;
- un très bon rendement de transfert thermique de la résistance vers le bloc en BFUP ;
- une très bonne inertie thermique du fait de la masse du bloc qui permet un stockage / accumulation de chaleur pendant la chauffe ;
- une très bonne capacité de diffusion de la chaleur par rayonnement thermique et par convexion après l’arrêt de la chauffe de la résistance.
Par ailleurs, comme le graphène et l’oxyde de graphène présentent de très bonnes résistances à la rupture, la résistance de chauffe est particulièrement durable.
La liaison mécanique par adhérence de la résistance contre le bloc est également particulièrement durable.
En outre, la résistance en graphène / oxyde de graphène est moins couteuse à fabriquer qu’une résistance à base de métaux.
Selon le cas, le dispositif de chauffage selon l’invention peut être agencé pour :
Ce dispositif de refroidissement 1 comporte un dissipateur thermique 2 comprenant des première et deuxième zones 11 et 12 de dissipation thermique qui sont à des hauteurs différentes, ces hauteurs étant mesurées suivant un axe de hauteur Z.
La différence de hauteurs entre ces deux zones 11 et 12 est noté H sur les figures.
L’équipement électronique 100 comporte en outre des premier et deuxième groupes de composants électroniques 101 et 102.
La première zone de dissipation thermique 11 est agencée pour refroidir le premier groupe de composants électroniques 101 et la deuxième zone de dissipation thermique 12 est agencée pour refroidir le deuxième groupe de composants électroniques 102.
Le premier groupe de composants électroniques 101 comporte un ou plusieurs modules électroniques de puissance, appelés Power Module en anglais. Chaque module électronique de puissance comporte au moins un élément de commutation tel qu’un transistor.
Le deuxième groupe de composants électroniques 102 comporte un ou plusieurs condensateurs.
Les composants électroniques sont placés d’un côté 103 du dissipateur thermique 2 opposé au côté sur lequel est présent le tube par rapport à l’axe Z.
L’équipement 100 fait partie une machine électrique tournante, notamment pour véhicule automobile.
Cette machine est notamment un alterno-démarreur de véhicule automobile.
L’alterno-démarreur, en mode alternateur appelé également mode générateur, permet de transformer un mouvement de rotation du rotor entraîné par le moteur thermique du véhicule, en un courant électrique induit dans les phases du stator. Dans ce cas, un pont redresseur relié aux phases du stator permet de redresser le courant induit sinusoïdal en un courant continu pour alimenter des consommateurs du véhicule ainsi qu'une batterie. Au contraire, en mode moteur, la machine électrique fait office de moteur électrique permettant d'entraîner en rotation, via l'arbre du rotor, le moteur thermique du véhicule. Il permet de transformer l'énergie électrique en énergie mécanique. Dans ce cas un onduleur permet de transformer un courant continu provenant de la batterie en un courant alternatif pour alimenter les phases du stator pour faire tourner le rotor.
Des composants de contrôle sont utilisés pour déterminer le mode de fonctionnement de la machine électrique tournante (mode moteur ou mode générateur) via des signaux de contrôle. Les alterno-démarreurs qui intègrent une fonction de freinage récupératif et une fonction d'assistance du moteur thermique intègrent en outre des composants de filtrage qui empêchent les composants de puissance de perturber le réseau électrique du véhicule automobile. Les composants de puissance (pont redresseur et onduleur), les composants de contrôle ainsi que les composants de filtrage génèrent de la chaleur. Il est nécessaire d'utiliser un dispositif de refroidissement pour dissiper cette chaleur émise par tous ces composants
Le dispositif de refroidissement 1 comprend en outre un tube 13 disposé en contact thermique avec le dissipateur 2.
Le tube 13 est parcouru par un fluide caloporteur, ici de l’eau glycolée, de sorte à permettre des échanges thermiques entre le dissipateur 2 et ce fluide caloporteur.
Le tube 13 comporte une première portion 14 s’étendant sur la première zone 11 de dissipation thermique et une deuxième portion 15 s’étendant sur la deuxième zone 12 de dissipation thermique.
Le tube 13 comprend encore un coude 16 connectant les première et deuxième portions 14 et 15.
Le tube 13 est réalisé d’un seul tenant, en aluminium ou en acier.
Un homme du métier comprendra que les modes de réalisation et variantes décrits ci-avant ne constituent que des exemples non limitatifs de mise en œuvre de l’invention. En particulier, l’homme du métier pourra envisager une quelconque adaptation ou combinaison des modes de réalisation et variantes décrits ci-avant afin de répondre à un besoin bien particulier.
Téléchargement sécurisé de micrologiciel La présente description concerne de façon générale le domaine des dispositifs électroniques, et en particulier les dispositifs électroniques dits "ROM-less" (dépourvus de mémoire morte).
Les dispositifs ayant des capacités limitées de stockage de données non volatiles, comme les dispositifs dits “ROM-less” (c’est-à-dire les dispositifs qui ne sont pas munis d’une mémoire morte ou ROM), sont très avantageux pour l’industrie en raison de leur faible complexité technologique et de leur faible coût. Pour de tels dispositifs, en général un micrologiciel est stocké dans une mémoire non volatile externe et est téléchargé dans une mémoire à accès aléatoire du dispositif. Puisque la mémoire à accès aléatoire est une mémoire volatile, son contenu disparaît lorsque l’alimentation du dispositif est coupée. Dans certains environnements, les dispositifs sont alimentés pendant des périodes relativement longues, et par conséquent l’utilisation d’une mémoire volatile est possible. Dans le cas où l’alimentation est retirée, le micrologiciel ou "firmware" est rechargé au démarrage suivant.
Toutefois, il y a un problème technique pour assurer l’authenticité du micrologiciel et il est souhaitable d’empêcher qu’un pirate puisse charger un micrologiciel non authentique et injecter des données dans le dispositif.
Il existe un besoin d’assurer l’authenticité d’un micrologiciel installé dans un dispositif dépourvu de ROM sans mettre en œuvre du matériel dédié.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs dépourvus de ROM connus.
Selon un aspect, on prévoit un procédé comprenant : - exécuter, par un dispositif électronique, un premier micrologiciel mémorisé dans une mémoire volatile du dispositif électronique, l’exécution du premier micrologiciel amenant une clé de micrologiciel mise à jour à être mémorisée dans une mémoire non volatile du dispositif électronique ; - télécharger un deuxième module de micrologiciel chiffré dans le dispositif électronique ; - déchiffrer le deuxième module de micrologiciel chiffré par un processeur cryptographique du dispositif électronique sur la base de la clé de micrologiciel mise à jour ; et - installer le deuxième module de micrologiciel déchiffré dans la mémoire volatile du dispositif électronique en écrasant au moins partiellement le premier micrologiciel.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’exécution du premier micrologiciel : - télécharger le premier module de micrologiciel chiffré dans le dispositif électronique ; et - déchiffrer le premier module de micrologiciel chiffré par le processeur cryptographique du dispositif électronique sur la base d’une clé de micrologiciel initiale.
Selon un mode de réalisation, le deuxième module de micrologiciel chiffré est téléchargé par l’intermédiaire d’une interface du dispositif électronique, et la mémoire volatile n’est pas directement accessible par l’interface, mais seulement par l’intermédiaire du processeur cryptographique.
Selon un mode de réalisation, la clé de micrologiciel initiale est mémorisée dans la mémoire non volatile.
Selon un mode de réalisation, la clé de micrologiciel initiale est mémorisée par une configuration matérielle du dispositif électronique.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après le déchiffrement du deuxième module de micrologiciel, une vérification que le deuxième module de micrologiciel a un format et/ou un contenu attendus.
Selon un mode de réalisation, le premier et/ou le deuxième module de micrologiciel comprennent un champ de vérification de redondance cyclique mémorisant une valeur de CRC, le procédé comprenant en outre une vérification de la valeur de CRC par un module CRC du circuit électronique.
Selon un mode de réalisation, la vérification est basée sur une comparaison entre au moins une partie du code du premier et/ou du deuxième module de micrologiciel et une valeur de référence.
Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique comprend un module de traitement, et le procédé comprend d’arrêter l’alimentation du module de traitement pendant le téléchargement, le déchiffrement et/ou la vérification du deuxième module de micrologiciel.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’exécution du premier micrologiciel, la désactivation de la clé de micrologiciel initiale.
Chaque ligne L1, L2, L3 comprend une résistance R1, R2, R3 connectée, d’une part, entre le point milieu S1, S2, S3 de l’ensemble formé par l’interrupteur I1, I2, I3 et l’entrée passante de la diode D1, D2, D3 et, d’autre part, une masse M.
Le circuit 1 comprend un module de contrôle 10.
Le module de contrôle 10 est configuré pour commander l’ouverture ou la fermeture de l’interrupteur I1, I2, I3 de chaque ligne L1, L2, L3, notamment à tour de rôle de sorte qu’un seul interrupteur I1, I2, I3 soit ouvert à la fois (sur la ligne L1, L2, L3 à diagnostiquer), les autres interrupteurs I1, I2, I3 étant donc fermés.
Le module de contrôle 10 est configuré pour mesurer la tension aux bornes de la résistance R1, R2, R3 de chaque ligne L1, L2, L3.
Le module de contrôle 10 est configuré pour détecter un défaut sur une ligne L1, L2, L3 lorsque l’interrupteur I1, I2, I3 de ladite ligne L1, L2, L3 (diagnostiquée) est ouvert, qu’au moins un interrupteur des autres lignes L1, L2, L3 (non diagnostiquées) est fermé et que la tension mesurée alors aux bornes de la résistance R1, R2, R3 de la ligne L1, L2, L3 à diagnostiquer est non-nulle.
Le module de contrôle 10 comprend un processeur apte à mettre en œuvre un ensemble d’instructions permettant de réaliser ces fonctions.
On a représenté à la un deuxième exemple de circuit 1 de combinaison d’alimentations.
Dans cet exemple, le circuit 1 est identique au circuit 1 de la première forme de réalisation mais comprend en outre sur chaque ligne un deuxième interrupteur J1, J2, J3 connecté entre la source d’alimentation A1, A2, A3 et le premier interrupteur I1, I2, I3. Ce deuxième interrupteur J1, J2, J3 permet par exemple de commander l’alimentation des lignes L1, L2, L3 à partir d’équipements du véhicule qui sont distants du circuit 1.
On notera que dans les deux formes de réalisation, aussi bien les premiers interrupteurs que les deuxièmes interrupteurs sont des interrupteurs bi-position (ouvert/fermé).
Le procédé permet le diagnostic d’un défaut dans le circuit 1 de combinaison d’alimentations et plus précisément d’un défaut sur une diode D1, D2, D3 ou sur un interrupteur I1, I2, I3 d’une ligne L1, L2, L3 d’alimentation du circuit 1.