Transistor à effet Josephson, ce transistor comportant : - un empilement comportant dans l'ordre : - un support (24) qui s'étend principalement parallèlement à un plan appelé "plan du support", - une couche (22) en matériau électriquement isolant, - une couche semi-conductrice (14) directement réalisée sur la couche en matériau électriquement isolant, cette couche semi-conductrice (14) présentant : - une face supérieure qui s'étend dans un plan supérieur (P sup14 ) parallèle au plan du support, et - une face inférieure qui s'étend dans un plan inférieur (P inf14 ) parallèle au plan du support, cette face inférieure étant située au niveau d'une interface entre la couche semi-conductrice (14) et la couche en matériau électriquement isolant (22), - une grille (12) située sur la face supérieure de la couche semi-conductrice, la région de la couche semi-conductrice située sous la grille étant dénommée "canal", - une source (8) et un drain (10) comportant chacun un réservoir (70) de charges électriques en contact électrique avec la couche semi-conductrice (14) de l'empilement, ces réservoirs (70) étant situés chacun à une extrémité respective du canal, ces réservoirs étant réalisés dans un matériau supraconducteur et formant, avec le canal, une jonction à effet Josephson, caractérisé en ce que : - chaque réservoir (70) comporte une face inférieure (76) et une face latérale (78) toutes les deux enfouies à l'intérieur de la couche semi-conductrice (14), - la face inférieure (76) de chaque réservoir s'étend principalement dans un plan intermédiaire (P i14 ) parallèle au plan du support, ce plan intermédiaire étant situé entre les plans inférieur (P inf14 ) et supérieur (P sup14 ) de la couche semi-conductrice, et - la face latérale (78) de chaque réservoir s'étend principalement perpendiculairement au plan du support, cette face latérale étant tournée vers la face latérale correspondante de l'autre réservoir et séparée de cette face latérale correspondante de l'autre réservoir par le canal. Transistor selon la revendication 1, dans lequel : - la grille (12) comporte une face supérieure tournée du côté opposé au canal, cette face supérieure affleurant un plan d'interconnexion (P int ) ou étant située en-dessous de ce plan d'interconnexion, ce plan d'interconnexion étant parallèle au plan du support, - le matériau supraconducteur du réservoir (70) d'une électrode du transistor remonte jusqu'à affleurer ce plan d'interconnexion, cette électrode du transistor étant choisie dans le groupe constitué de la source (8) et du drain (10) du transistor. Transistor selon la revendication 2, dans lequel le transistor comporte une prise (40, 42) de contact électrique pour raccorder électriquement cette électrode à un potentiel électrique, cette prise de contact étant formée sur le plan d'interconnexion et directement en contact mécanique et électrique avec le matériau supraconducteur qui affleure le plan d'interconnexion. Transistor selon la revendication 2 ou 3, dans lequel l'électrode du transistor comporte : - des flancs latéraux (72) qui s'étendent depuis le réservoir (70) de cette électrode jusqu'au plan d'interconnexion, ces flancs latéraux étant situés dans le prolongement de faces latérales du réservoir et ne formant qu'un seul bloc en matériau supraconducteur avec ce réservoir, et - un corps (74) en matériau non-supraconducteur situé sur le réservoir et entre ces flancs latéraux. Transistor selon la revendication 3, dans lequel la prise (40, 42) de contact comporte : - un corps (46) en matériau non-supraconducteur, et - un revêtement (48) extérieur en matériau supraconducteur qui enrobe au moins une partie du corps (46) en matériau non-supraconducteur, ce revêtement s'étendant depuis le matériau supraconducteur de l'électrode qui affleure le plan d'interconnexion jusqu'à une face supérieure de la prise de contact. Transistor selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la distance entre le plan intermédiaire (P i14 ) et le plan supérieur (P sup14 ) est comprise entre 0,25e 14 et 0,9e 14 , où e 14 est égal à la distance entre les plans supérieur (P sup14 ) et inférieur (P inf14 ). Transistor selon la revendication 6, dans lequel la distance entre le plan intermédiaire et le plan supérieur est comprise entre 0,5e 14 et 0,75e 14 . Transistor selon la revendication 6 ou 7, dans lequel, la distance e 14 est comprise entre 7 nm et 30 nm. Transistor selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche semi-conductrice (14) est réalisée dans un matériau semi-conducteur ou dans un alliage de matériaux semi-conducteurs choisi dans le groupe constitué du silicium et du germanium. Procédé de fabrication d'un transistor à effet Josephson, ce procédé comportant : - la réalisation (110) d'un empilement comportant dans l'ordre : - un support qui s'étend principalement parallèlement à un plan appelé "plan du support", - une couche en matériau électriquement isolant, - une couche semi-conductrice directement réalisée sur la couche en matériau électriquement isolant, cette couche semi-conductrice présentant : - une face supérieure qui s'étend dans un plan supérieur parallèle au plan du support, et - une face inférieure qui s'étend dans un plan inférieur parallèle au plan du support, cette face inférieure étant située au niveau d'une interface entre la couche semi-conductrice et la couche en matériau électriquement isolant, - une grille située sur la face supérieure de la couche semi-conductrice, la région de la couche semi-conductrice située sous la grille étant dénommée "canal", - la réalisation (130-210) d'une source et d'un drain comportant chacun un réservoir de charges électriques en contact électrique avec la couche semi-conductrice de l'empilement, ces réservoirs étant situés chacun à une extrémité respective du canal, ces réservoirs étant réalisés dans un matériau supraconducteur et formant avec le canal une jonction à effet Josephson, caractérisé en ce que la réalisation de la source et du drain comporte : - la gravure (150) dans la couche semi-conductrice, à chaque extrémité du canal, d'une première et d'une seconde cavités, chacune des première et seconde cavités présentant : - un fond qui s'étend principalement dans un plan intermédiaire parallèle au plan du support, ce plan intermédiaire étant situé entre les plans inférieur et supérieur de la couche semi-conductrice, et - des parois latérales qui s'étendent principalement perpendiculairement au plan du support et l'une de ces parois latérales étant tournée vers une paroi latérale correspondante de l'autre cavité et séparée de cette paroi latérale correspondante de l'autre cavité par le canal, - le dépôt (170) d'un matériau supraconducteur sur le fond et les parois latérales des première et seconde cavités pour obtenir les réservoirs du drain et de la source. Procédé selon la revendication 10, dans lequel : - lors de la réalisation de l'empilement, la couche semi-conductrice est réalisée en silicium, - lors du dépôt (170) du matériau supraconducteur, le matériau supraconducteur déposé est du siliciure de vanadium, - avant le dépôt du siliciure de vanadium, des atomes d'argon sont incorporés (160) dans le fond et les parois latérales des première et seconde cavités, puis - un traitement thermique (210) est appliqué pour augmenter la température critique du siliciure de vanadium déposé. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l'incorporation d'atomes d'argon génère, à l'intérieur de la couche de silicium, une fine couche superficielle à l'intérieur de laquelle la concentration d'atomes d'argon est comprise entre 1 % atomique et 10 % atomique.