Procédé de transfert d’une couche utile (15) sur un substrat support (20), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur (10) qui comprend, à partir d’une face principale, une couche donneuse (12) formée d’un matériau piézoélectrique, et un substrat manipulateur (13) ; b) la formation d’une zone de fragilisation (14), par implantation d’espèces dans la couche donneuse (12), parallèle à la face principale et qui délimite avec cette dernière une couche utile (15) ; c) l’assemblage du substrat support (20) avec le substrat donneur (10) de manière à intercaler la couche donneuse (12) entre le substrat manipulateur (13) et le substrat support (20) ; d) un traitement thermique qui comprend, dans l’ordre, une première phase et une deuxième phase, la première phase, d’une première durée, comprend une élévation de température jusqu’à une première température, et est adaptée d’une part pour permettre une maturation de défauts, générées par les espèces, dans la zone de fragilisation (14), et d’autre part pour prévenir l’initiation d’une fracture dans ladite zone de fragilisation (14), la deuxième phase, d’une deuxième durée, comprend un palier à une deuxième température, inférieure à la première température, et est adaptée pour initier une fracture le long de la zone de fragilisation (14) et ainsi transférer la couche utile (15) sur le substrat support (20). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape d) comprend également une phase de renforcement précédant la première phase et exécutée à une température, dite température de renforcement, inférieure à la première température, la phase de renforcement étant destinée en renforcer une énergie de collage d’une interface formée entre le substrat support (20) et le substrat donneur (10) lors de l’exécution de l’étape c). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première phase comprend dans l’ordre : une montée en température, un palier à la première température, et une descente en température jusqu’à la deuxième température. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la première phase est ajustée en fonction des conditions d’implantation des espèces lors de l’exécution de l’étape b). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’écart relatif entre les coefficients de dilatation thermique des matériaux formant, respectivement, le substrat manipulateur (13) et le substrat support (20) est inférieur à 10%. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat manipulateur (13) comprend un substrat massif sur une face duquel repose une couche intermédiaire, la couche intermédiaire étant intercalée entre la couche donneuse (12) et le substrat massif, avantageusement, la couche intermédiaire comprend un matériau polymère. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la première température est inférieure à 300°C, avantageusement inférieure à 250°C, encore plus avantageusement inférieure à 220°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’écart absolu entre la première température et la deuxième température est inférieur à 40°C, et est supérieur à 30°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième durée est inférieure à 6 heures, avantageusement inférieure à 4 heures. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la deuxième température est inférieure à 180°C , avantageusement inférieure à 170°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel les espèces comprennent au moins un des éléments choisis parmi : ions hydrogène, ions hélium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le matériau piézoélectrique comprend au moins un des éléments choisi parmi : LiTaO 3 , LiNbO 3 , LiAlO 3 , BaTiO 3 , PbZrTiO 3 , KNbO 3 , BaZrO 3 , CaTiO 3 , PbTiO 3 , KTaO 3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel l’étape c) d’assemblage est précédée d’une étape de formation d’une couche de matériau diélectrique sur la couche donneuse (12) et/ou sur une face avant (21) du substrat support (20). Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel l’étape c) d’assemblage comprend un collage moléculaire.