INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans certains exemples, les élastomères peuvent être préparés en fournissant un élastomère partiellement fluoré et un élastomère de caoutchouc fluorocarboné et en mélangeant ou en combinant l’élastomère partiellement fluoré et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné pour générer un mélange élastomère. L’élastomère fluoré et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peuvent être mélangés en soumettant l’élastomère fluoré à l’état de caoutchouc de gomme et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné à l’état de caoutchouc de gomme à des forces de cisaillement pour mélanger les élastomères. La fournit une illustration schématique de deux dispositifs qui peuvent être utilisés pour mélanger les élastomères, dans certains modes de réalisation. À gauche, un broyeur à deux rouleaux est représenté ; à droite, un mélangeur interne est représenté. Ces dispositifs peuvent être chargés avec des quantités appropriées de l’élastomère partiellement fluoré et de l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné et peuvent soumettre les élastomères à des forces de cisaillement pour mélanger les composants, de manière à générer un mélange homogène. Dans certains exemples, des articles élastomères peuvent être préparés à partir de l’élastomère mélangé par extrusion, à l’aide d’un brabender, ou similaire. Des charges de renforcement, des durcisseurs et/ou d’autres additifs pour optimiser les propriétés standard peuvent éventuellement être incorporés dans le mélange à l’aide du même mélangeur interne ou broyeur à deux rouleaux.
Le mélange élastomère ainsi produit peut être soumis à un processus de durcissement après mélange. Éventuellement, le mélange élastomère peut être soumis à un temps de repos ou de maturation avant le durcissement. Éventuellement, le processus de durcissement peut comprendre l’ajout d’un agent durcisseur au mélange élastomère. Éventuellement, le processus de durcissement peut comprendre le développement de la réticulation dans le polymère au moyen d’une réaction chimique entre un agent de durcissement et des groupes fonctionnels de composants du mélange élastomère. Des exemples d’agents de durcissement comportent, mais sans s’y limiter, un bisphénol, une amine, un peroxyde, un isocyanate ou un oxyde de plomb. Dans certains exemples, les peroxydes utiles en tant qu’agents de durcissement comportent, mais sans s’y limiter, les peroxydes organiques, tels que le peroxyde de dicumyle ou le 1,3-bis(tert-butylperoxyisopropyl)benzène. Dans certains exemples, un bisphénol utile en tant qu’agent de durcissement comporte le bisphénol hexafluoroisopropylidène-bis (4-hydroxybenzène). Dans certains exemples, l’ajout de l’agent de durcissement peut comporter l’ajout de l’agent de durcissement au mélange élastomère dans le broyeur à deux rouleaux ou le mélangeur et la soumission de l’agent de durcissement et du mélange élastomère à un traitement supplémentaire dans le broyeur à deux rouleaux ou le mélangeur.
Le durcissement peut également comprendre la soumission du mélange élastomère combiné à un processus de vulcanisation, qui peut comporter l’application de chaleur et/ou de pression au mélange élastomère. La fournit une illustration schématique d’un processus de moulage par compression qui peut être utilisé pour effectuer la vulcanisation ou le durcissement final d’un échantillon ou d’une découpe du mélange élastomère. Dans certains exemples, le mélange élastomère peut être soumis à un processus d’extrusion pour générer une découpe du mélange élastomère, qui peut être chargée dans un moule de compression. La découpe élastomère peut ensuite être chauffée et soumise à des processus de pression ou de formage pour façonner l’élastomère en un article élastomère.
Divers élastomères partiellement fluorés sont utiles avec les mélanges élastomères décrits ici. Par exemple, l’élastomère partiellement fluoré peut comprendre des monomères de tétrafluoroéthylène et des monomères de propylène. Éventuellement, l’élastomère partiellement fluoré peut être un élastomère FEPM. Éventuellement, l’élastomère partiellement fluoré peut comprendre en outre des monomères d’éther perfluorométhylvinylique ou des monomères d’éthylène. Les monomères de l’élastomère partiellement fluoré peuvent être à l’état polymérisé ou réticulé. L’élastomère partiellement fluoré peut présenter une température de transition vitreuse de -15 ºC à 5 ºC, telle que de -15 ºC à -10 ºC, de -10 ºC à -5 ºC, de -5 ºC à 0 ºC, ou de 0 ºC à 5 ºC.
Divers élastomères de caoutchouc fluorocarboné sont utiles avec les mélanges d’élastomères décrits ici. Par exemple, le caoutchouc fluorocarboné peut comprendre des monomères de fluorure de vinylidène. Éventuellement, le caoutchouc fluorocarboné peut être un élastomère FKM. Éventuellement, l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peut en outre comprendre des monomères d’hexafluoropropylène, des monomères de tétrafluoroéthylène, des monomères de propylène ou des monomères d’éther perfluorométhylvinylique. Les monomères de l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peuvent être à l’état polymérisé ou réticulé. L’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peut présenter une température de transition vitreuse de -40 ºC à -5 ºC, telle que de -40 ºC à -35 ºC, de -35 ºC à -30 ºC, de -30 ºC à -25 ºC, de -25 ºC à -20 ºC, de -20 ºC à -15 ºC, de -15 ºC à -10 ºC ou de -10 ºC à -5 ºC. Dans certains exemples, le caoutchouc fluorocarboné peut comprendre un caoutchouc fluorocarboné de qualité basse température, tel qu’ayant une température de transition vitreuse de -40 ºC à -20 ºC, telle que de -40 ºC à -35 ºC, de -35 ºC à -30 ºC, de -30 ºC à -25 ºC, ou de -25 ºC à -20 ºC.
L’élastomère partiellement fluoré et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peuvent être présents dans le mélange élastomère en toutes quantités appropriées. Dans certains exemples, le mélange comprend de 15 % à 85 % de l’élastomère partiellement fluoré, en poids. Dans certains exemples, le mélange comprend de 15 % à 85 % de l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné, en poids. Dans certains exemples, l’élastomère partiellement fluoré et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peuvent être répartis de manière homogène dans le mélange. Dans certains exemples, l’élastomère partiellement fluoré et l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné sont réticulés dans le mélange. Dans certains exemples, les composants monomères de l’élastomère partiellement fluoré et les composants monomères de l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné sont réticulés. L’élastomère comprenant un mélange et/ou un mélange réticulé de l’élastomère partiellement fluoré et de l’élastomère de caoutchouc fluorocarboné peut présenter une première température de transition vitreuse à une première température de -40 ºC à -5 ºC et une seconde température de transition vitreuse à une seconde température de -5 ºC à 5 ºC.
représente des coupes médianes du corps solide 1 , selon l’axe Y’. La Figure 2A représente un corps solide 1 , transparent, vu de dessus, sur une des faces planes B dudit corps solide. La Figure 2B représente une vue de dessus, sur une des faces planes B . La Figure 2C représente une vue en perspective, mettant en évidence l’intérieur du corps solide, La Figure 2D représente une vue en coupe de face du corps solide.
1’ représente la partie du corps solide comprenant la au moins une cavité secondaire, 2’ représente les cavités secondaires, 3 et 4 représentent les logements apical 3 et basal 4 , 5 représente les canaux d’apport de matière, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 82 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans la cavité centrale, 83 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans le corps solide, 86 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans un logement, B représente une des faces planes du corps solide.
représente des coupes médianes du corps solide 1 , selon l’axe X’. La Figure 3A représente un corps solide 1 , transparent, vu de dessus, sur une des faces planes B dudit corps solide. La Figure 3B représente une vue de dessus, sur une des faces planes B . La Figure 3C représente une vue en perspective, mettant en évidence l’intérieur du corps solide, La Figure 3D représente une vue en coupe de face du corps solide.
2 représente la cavité centrale, 2’ représente les cavités secondaires, 3 et 4 représentent les logements apical 3 et basal 4 , 6 / 7 représentent les canaux d’admission des flux d’électrolyte à contrecourant, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, D représente une arête de la cavité centrale, C représente la surface latérale de la cavité centrale, F représente la surface latérale intérieure de la partie 1’ du corps solide, G représente la surface apical de la partie 1’ du corps solide.
représente des coupes médianes du corps solide 1 , selon un axe diagonal X’Y’, à 45 ° des axes X et Y. La Figure 4A représente un corps solide 1 , transparent, vu de dessus, sur une des faces planes B dudit corps solide. La Figure 4B représente une vue de dessus, sur une des faces planes B . La Figure 4C représente une vue en perspective, mettant en évidence l’intérieur du corps solide. La Figure 4D représente une vue en coupe de face du corps solide, selon l’axe Y.
5 représente les canaux d’apport de matière, 81 représente un orifice permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 82 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans la cavité centrale, I représente la surface latérale du logement 3 apical, J représente l’arête du logement apical 3 , K représente la face plane du logement apical 3 .
représente des coupes du corps solide 1 , selon l’axe Z’. La Figure 5A représente le plan de coupe vu d’une première face latérale A dudit corps solide. La Figure 5B représente le plan de coupe vu d’une deuxième face latérale A dudit corps solide, la deuxième face latérale se trouvant à un angle d’environ 90° de la première face latérale. La Figure 5C représente une coupe telle que définie ci-dessus pour la Figure 5A, mettant en évidence l’intérieur du corps solide. La Figure 5D représente une coupe telle que définie ci-dessus pour la Figure 5B, mettant en évidence l’intérieur du corps solide.
2 représente la cavité centrale, 2’ représente les cavités secondaires, 5 représente les canaux d’apport de matière, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 82 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans la cavité centrale, 83 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans le corps solide, 84 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans une cavité secondaire 2’ , A représente l’une des faces latérales du corps solide.
représente des coupes du corps solide 1 , selon l’axe Z’, qui a subi une rotation de 90 ° par rapport à la coupe de la . La Figure 6A représente le plan de coupe vu d’une première face latérale A dudit corps solide. La Figure 6B représente le plan de coupe vu d’une deuxième face latérale A dudit corps solide, la deuxième face latérale se trouvant à un angle d’environ 90° de la première face latérale. La Figure 6C représente une coupe telle que définie ci-dessus pour la Figure 6A, mettant en évidence l’intérieur du corps solide. La Figure 6D représente une coupe telle que définie ci-dessus pour la Figure 6B, mettant en évidence l’intérieur du corps solide.
5 représente les canaux d’apport de matière, 6 / 7 représentent les canaux d’admission des flux d’électrolyte à contrecourant, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 82 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans la cavité centrale, 83 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans le corps solide, 84 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans une cavité secondaire 2’ .
représente la symétrie du corps solide. La Figure 7A représente une vue en perspective, mettant en évidence l’intérieur du corps solide 1 , selon un axe diagonal, situé à 45 ° des axes X et Y. L’intersection des deux axes a et a’ correspond au point de symétrie i du corps solide.
La Figure 7B représente une vue de dessus, sur une des faces planes B dudit corps solide. l’intersection des deux axes a’’ et a’’’ correspond au point de symétrie i du corps solide.
représente une cellule d’électrolyse assemblée, comprenant un corps solide tel que défini par les Figures 1 à 7 .
la Figure 9A et 9B représentent des vues extérieures en perspective d’un corps solide 1 .
2 représente l’emplacement de la cavité centrale, 3 représente le logement apical, 9 représente les trous de montage destinés à assembler les pièces détachées de la cellule, à savoir notamment les joints d’étanchéité et les plaques de fermeture, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 83 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans le corps solide, 86 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans un logement, B représente un des 2 faces planes dudit corps solide. A représente une face latérale du corps solide.
représente un corps solide 1 , vu de dessus, sur une des faces planes B dudit corps solide.
HRMS (ESI): calculée pour C 24 H 24 BNO 4 Na [M + Na]: 423.17269; trouvée : 423.17223
2-mésityl-5,5-diméthyl-4-(2-nitrophényl)-6-phényl-1,3,2-dioxaborinane ( 10 ):
Dans un flacon en verre, ont été introduits du 2,2-diméthyl1-(2-nitrophényl)-3-phénylpropane-1,3-diol (103 mg, 0.34 mmol) et 2 mL de THF fraichement distillé. Après dissolution complète, de l’acide mésitylboronique (53 mg, 0.32 mmol) a été ajouté suivi d’un passage sur tamis moléculaires (3Å). La mixture a été mélangée sous agitation pendant 24h à 60°C puis a été filtrée et le gâteau de filtration a été lavé avec EtOAc (5 × 2 mL). Le filtrat a été séché sur Na 2 SO 4 , filtré et concentré sous pression réduite. Le produit brute obtenu a été purifié sur chromatographie sur colonne de gel de silice (Cyclohexane/EtOAc: 95/5) afin d’obtenir 95 mg d’une huile jaune (Rendement: 68%, d.r. dia 1/dia 2 : 58/42).
R f : Dia 1: 0.66 ; Dia 2: 0.70 (Ether de pétrole / Acetate d’éthyle: 9/1)
Ratio diastéréoisomérique (Dia 1/Dia 2): 58/42
RMN 1 H (300 MHz, CDCl 3 ) δ: 7.86 (ddd, J = 8.1, 3.0, 1.4 Hz, 2H), 7.80 (ddd, J = 8.0, 4.0, 1.5 Hz, 2H), 7.69 – 7.64 (m, 1H), 7.64 – 7.58 (m, 1H), 7.51 – 7.41 (m, 2H), 7.41 – 7.27 (m, 8H), 6.86 (s, 2H, dia 1), 6.85 (s, 2H, dia 2), 6.40 (s, 1H, dia 2), 6.23 (s, 1H, dia 1), 5.33 (s, 1H, dia 2), 4.97 (s, 1H, dia 1), 2.56 (s, 6H, dia 1), 2.55 (s, 6H, 3H dia 1 + 3H dia 2), 2.28 (s, 6H, dia 2), 0.95 (s, 3H, dia 1), 0.80 (s, 3H, dia 1), 0.76 (s, 3H, dia 2), 0.72 (s, 3H, dia 2).
RMN 11 B (96 MHz, CDCl 3 ) δ: 30.2 (bs).
RMN 13 C (75 MHz, CDCl 3 ) δ: 149.5, 149.4, 142.0, 141.0, 139.0, 138.7, 138.4, 138.2, 133.9, 133.1, 132.6, 132.4, 130.5, 130.0, 128.7, 128.7, 128.23, 128.1, 128.1, 128.0, 127.8, 127.8, 127.6, 124.6, 124.4, 83.8, 81.4, 76.3, 72.5, 39.7, 39.1, 23.2, 23.0, 21.7, 21.6, 21.4, 21.3, 12.8.
Les diastéréoisomères nécessitent d’être séparés pour obtenir une meilleure attribution des pics.
HRMS (ESI): calculée pour C 26 H 28 BNO 4 Na [M + Na]: 451.20399; trouvée: 451.20355
Exemple 11 :
Dimésityl((2-nitrobenzyl)oxy)borane (11) :
Dans un ballon, ont été introduits de l’acide dimésitylborinique (6 g, 22.1 mmol) et 100 mL de toluène anhydre. Après dissolution complète, de l’alcool 2-nitrobenzyle (3.5 g, 22.4 mmol) a été ajouté. Un appareil de Dean-Stark a été introduit et la mixture a été mélangée sous reflux pendant 6 heures. La mixture a été refroidie en ramenant à température ambiante (20-25°C) puis le toluène a été extrait sous pression réduite afin d’obtenir un solide marron clair (Rendement de conversion: 96%).
RMN 1 H (400 MHz, CDCl 3 ) δ: 8.10 (dd, J = 8.2, 1.5 Hz, 1H), 7.89 (dd, J = 7.8, 1.4 Hz, 1H), 7.64 (td, J = 7.6, 1.5 Hz, 1H), 7.46 (td, J = 8.2, 1.5 Hz, 1H), 6.80 (s, 4H), 5.41 (s, 2H), 2.28 (s, 6H), 2.19 (s, 12H).
RMN 11 B (128 MHz, CDCl 3 ) δ: 52.3 (bs).
En variante, la fonction de la sous-étape E213 décrite ci-dessus, consistant à nommer de manière automatique les étiquettes « RFID », pourra être effectuée pendant la phase PO2 au lieu de la phase PO1, et pourra être exécutée dans l’étape E12 (cf. ) par le processus, lorsqu’un ou plusieurs balayages BAL de la pièce sont effectués pour lire les étiquettes « RFID ». En variante également, la fonction de l’étape E00 décrite ci-dessus, consistant à charger un modèle numérique du logement d’habitation dans la mémoire du dispositif électronique portable, pourra être exécutée par le processus au début de la phase PO2, avant de lancer un balayage de la pièce pour lire les étiquettes « RFID ».
On notera que l’invention est applicable pour trouver les extrémités de câbles ou gaine cachés derrière des parois formées de différents types de matériaux, comme des plaques de plâtre, des briques et d’autres matériaux utilisés sur les chantiers de construction. L’invention est avantageuse sur le plan économique, car elle autorise des gains de temps substantiels. De plus, l’invention est réalisable grâce à du logiciel et ne requiert pas un développement spécifique de moyens matériels nouveaux. Par exemple, une simple tablette » sous le système d’exploitation Android® ou iOS®, équipée d’un lecteur « RFID, peut être utilisée pour réaliser l’invention.
L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation particuliers qui ont été décrits ici à titre d’exemple. L’homme du métier, selon les applications de l’invention, pourra apporter différentes modifications et variantes entrant dans le champ de protection de l’invention.
Dispositif quantique Domaine de l’invention L’invention concerne un dispositif quantique. Le domaine de l’invention est celui des dispositifs quantiques, et plus particulièrement du traitement de l’information quantique.
Etat de la technique Un système quantique est basé sur l’utilisation d’un état quantique à plusieurs niveaux. Dans de nombreux domaines, comme en électronique, les systèmes quantiques peuvent comprendre plus de deux niveaux, ce qui est assimilable à l’électronique classique où des logiques à N valeurs peuvent être utilisées, avec N supérieur à 2. Un système quantique comprenant différents niveaux peut être décrit en ne considérant que ses deux premiers niveaux d’énergie. Notamment, l’informatique quantique est basée sur l’utilisation d’un état quantique à deux niveaux mesurables comme vecteur d’information, appelé qubit ou bit quantique ou encore « quantum bit » en anglais, et des lois de la mécanique quantique (superposition, intrication, mesure) afin d’exécuter des algorithmes. Un dispositif, ou calculateur, quantique permet de manipuler l’état quantique de ces qubits, notamment dans le but de réaliser des opérations. Contrairement à une machine électronique ou informatique dite classique (fonctionnant avec deux niveaux de tension définis comme correspondant à des états binaires 0 et 1), un dispositif quantique s’approche d’une machine analogique, dans le sens où l’état quantique des qubits peut prendre une infinité de valeurs.
Un système utilisant un électron ou une quasi-particule de spin ½ peut être utilisé pour matérialiser un qubit, dit qubit de spin, les deux niveaux correspondant aux deux orientations possibles du spin. Les qubits de spin peuvent être formés dans du semi-conducteur, avantageusement du silicium. Les technologies semi-conductrices sont étudiées pour la réalisation de qubits de spin en raison de leur haut potentiel d’intégration, à l’image de l’électronique classique. Des électrons ou des trous sont individuellement confinés dans des puits quantiques maintenus à des températures cryogéniques (inférieures à 1 Kelvin (K)) dans un cryostat et réalisés au sein de structures de confinement de tailles nanométriques définies de manière électrostatique et, dans le cas du silicium, d’architecture proche de celle des MOSFETs. Ces structures de confinement correspondent à des boîtes quantiques, également appelées « quantum dots » en anglais. Une boîte quantique se comporte comme un puit de potentiel confinant une ou plusieurs charges élémentaires (électrons ou trous) dans une région de semi-conducteur.
La lecture d’un qubit de spin est réalisée en utilisant une autre boîte quantique appelée boîte quantique de lecture et couplée à celle du qubit de spin destiné à être lu. Ces deux boîtes quantiques forment deux puits de potentiel séparés par une barrière de potentiel. Chacune des deux boîtes quantiques comporte une grille de commande électrostatique disposée sur une première région de semi-conducteur dans laquelle sont formés les puits de potentiel des boîtes quantiques. Les puits de potentiel sont disposés entre des deuxièmes régions de semi-conducteur formant des réservoirs de porteurs de charge, appelées source et drain par analogie avec la technologie MOSFET. Une quasi-particule peut être un trou ou un électron. Le spin de la quasi-particule présent dans la boîte quantique du qubit destiné à être lu est utilisé comme « spin de référence » tandis que le spin de la quasi-particule présente dans la boîte quantique de lecture est mesuré après avoir été manipulé.
Il existe à ce jour différentes méthode pour la lecture des qubits de spin. La première consiste à mesurer la capacité entre deux boîtes quantiques, image de leurs états relatifs. La seconde consiste à mesurer la conductance d’un électromètre, cette conductance étant une image de l’état du qubit à proximité de l’électromètre.
La première méthode de lecture des qubits de spin consiste à mesurer la capacité entre la boîte quantique du qubit destiné à être lu et la boîte quantique de lecture, qui correspond à une image de leurs états relatifs. Pour cela, un dispositif dit de réflectométrie est généralement utilisé. Un signal haute fréquence (par exemple comprise entre 100 MHz et quelques GHz) est envoyé sur la grille de la boîte quantique de lecture depuis des instruments de test placés à température ambiante, à l’extérieur du cryostat qui contient les boîtes quantiques. Le signal est réfléchi et est ensuite démodulé. Une inductance est placée en bout de ligne au niveau du qubit afin de créer un résonateur LC composé de cette inductance, d’une capacité parasite et de la capacité quantique Cq formées par le qubit. Lorsque la valeur de Cq varie, la phase et l’amplitude du signal réfléchi varient, ce qui peut être détecté par les instruments de mesure placés à température ambiante. Il est ainsi possible de connaitre l’état relatif (parallèle ou anti-parallèle) du spin de l’électron présent dans la boîte quantique de lecture en fonction de l’état du spin de l’électron présent dans la boîte quantique du qubit destiné à être lu.
Avec cette première méthode de lecture, il est nécessaire soit de sortir du cryostat un nombre de fils égal au nombre de qubits à exciter, ce qui devient impossible quand le nombre de qubits est important, par exemple plus de 1000, soit d’envoyer plusieurs signaux à différentes fréquences par le même fil et de discriminer ces fréquences grâce aux résonateurs LC placés à température cryogénique. Dans cette dernière solution, il est donc nécessaire que la fréquence de résonance du résonateur LC associée à chaque qubit soit calibrée et différente pour chaque résonateur. Il existe ainsi un compromis entre espacement fréquentiel entre chaque qubit (défini par le facteur de qualité des résonateurs LC, car plus le facteur de qualité est important, plus le nombre de qubits adressés par une seule ligne peut être grand), surface prise par les inductances (plus une inductance est petite, plus son facteur de qualité est faible) et temps pris par la lecture (inversement proportionnel au facteur de qualité du résonateur LC) à trouver.
De plus, avec cette première méthode de lecture, l’utilisation de noyaux magnétiques pour favoriser l’intégration des inductances est limitée par le fort champ magnétique statique nécessaire pour faire apparaitre le spin des quasi-particules et qui sature les perméabilités magnétiques des noyaux. Les inductances à air ne rencontrent pas ce problème, mais elles occupent une surface bien plus importante, limitant leur utilisation massive à l’intérieur du cryostat.