INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, la coque externe comprend au moins un panneau d’un seul tenant formé par la superposition desdites au moins trois couches, les trois couches étant maintenues rigidement ensemble. Ainsi, la manipulation de la coque externe, et notamment pour le passage du dispositif de transport et de traitement de l’un à l’autre de ses états, s’en trouve facilité.
Selon un mode de réalisation, le matériau amagnétique des parois du récipient de neutralisation comprend au moins en partie de l’acier inoxydable austénitique, facile à se procurer et bon marché.
Selon un mode de réalisation, le réceptacle comprend un fond renforcé surélevé, distinct des parois du récipient de neutralisation. Le fond renforcé surélevé est notamment apte à supporter le poids d'une pluralité d’aimants déversés en vrac dans le dispositif. Ainsi, plusieurs aimants peuvent être placés dans le dispositif par un simple opération de déversement, et sans organisation particulière des aimants. Le nombre de manipulation des aimants est là encore réduit.
Selon un mode de réalisation, le fond renforcé peut comprendre des perforations et est disposé à distance d’une paroi de fond du récipient de neutralisation de manière à former, entre le fond renforcé surélevé et la paroi de fond, un espace de récupération de déchets. Ainsi, lorsque le récipient de neutralisation est utilisé pour passer les aimants dans un four et que les aimants font partie d’un bloc magnétique, sous l’effet de la chaleur des colles, liants, résines ou vernis peuvent fondre voire se calciner, et des éléments du bloc magnétique peuvent se détacher, formant des déchets. Ces déchets sont alors séparés facilement des aimants, et récupérés dans l’espace de récupération. Les aimants sont donc au moins en partie nettoyés et séparés des autres éléments du bloc magnétique par le passage dans le four. La valorisation des aimants s’en trouve facilitée.
Selon un mode de réalisation, le récipient de neutralisation peut comprendre au moins deux ouvertures situées en vis-à-vis l’un de l’autre et donnant accès au réceptacle à l’intérieur du récipient de neutralisation, au moins un système de traction de l’au moins un aimant dans le réceptacle du récipient de neutralisation et un système de fermeture amovible de chacune desdites deux ouvertures. L’aimant peur ainsi être inséré dans le récipient de neutralisation en le tirant à travers une ouverture, le système de traction traversant le réceptacle par les deux ouvertures en vis-à-vis. Le placement de l’aimant, éventuellement partie d’un bloc magnétique, s’en trouve facilité, ce qui est particulièrement appréciable dans le cas où l’aimant ou le bloc magnétique est lourd.
Selon un mode de réalisation, le dispositif peut comprendre au moins un organe de coopération avec un outil de manutention, afin de faciliter sa manipulation tout au long de son utilisation.
Selon un mode de réalisation, le dispositif peut comprendre un système d’insertion de l’au moins un aimant à l’intérieur du réceptacle du récipient de neutralisation. Le système d’insertion comprend alors par exemple au moins une entrée refermable pour l’aimant à l’intérieur du réceptacle du récipient de neutralisation et un dispositif de guidage par glissière de l’aimant, par exemple sur un chariot à roulettes. Le placement d’aimants lourds dans le réceptacle du récipient de neutralisation s’en trouve facilité en évitant de devoir soulever les aimants.
Selon un mode de réalisation, un écart peut être maintenu entre les parois du récipient de neutralisation et la coque externe, de manière à former un espace vide. Cet espace vide permet d’augmenter l’effet de blindage, et d’offrir une caractéristique réglable en fonction de la puissance du ou des aimants placés dans le dispositif afin d’atténuer le plus possible le champ magnétique sortant, à l’extérieur du dispositif.
Selon un mode de réalisation, le dispositif peut comprendre une ossature en matériau amagnétique. Le récipient de neutralisation et la coque externe peuvent alors être fixés sur l’ossature lorsque le dispositif est dans l’état de transport, et le dispositif peut être manipulé facilement d’un seul tenant.
A cet effet, par exemple, le système d’assemblage est de type glissière sur l’ossature, l’ossature étant fixée de manière rigide au récipient de neutralisation. Ainsi, le dispositif passe dans l’état de traitement simplement en retirant par glissement la coque externe.
Selon un mode de réalisation, la coque externe comprend des panneaux et des liaisons fixes entre au moins une partie des panneaux. Par liaison fixe, on désigne ici des liaisons de toute nature, permettant ou non des degrés de liberté entre les panneaux, et qui n’ont pas pour vocation à être amovibles aisément, pendant l’utilisation du dispositif. Ainsi, la coque externe peut former un élément d’un seul tenant, facilement mis en place sur le récipient de neutralisation pour mettre le dispositif dans l’état de transport et facilement retirable pour mettre le dispositif dans l’état de traitement.
Une nouvelle séquence de nettoyage de type RCA + Caro est opérée sur la structure obtenue, de manière à éliminer les potentielles contaminations sur la face libre de la deuxième couche 22.
Un troisième dépôt CVD est effectué sur la deuxième couche 22, à une température de 1300°C, de manière à atteindre une épaisseur de la troisième couche 23 de 350μm. Les 100μm initiaux de la troisième couche 23 sont dopés N (azote) avec une concentration de l’ordre de 5.10 20 /cm 3 , puis le dopage décroit au cours de la croissance pour atteindre 5.10 18 /cm 3 à l’épaisseur visée de 350μm.
Le budget thermique du troisième dépôt CVD provoque la cristallisation de la deuxième couche 22 sous forme poly-cristalline.
La séparation s’opère au niveau du plan fragile enterré 12 au cours du troisième dépôt. A l’issue de ce dernier, la structure composite 1 formée de la couche mince 10 et du substrat support 20 est séparée du reste 11’ du substrat initial 11.
Un polissage mécanique puis mécano-chimique est opéré pour restaurer la rugosité de surface de la face arrière p-SiC du substrat support 20 (face libre de la troisième couche 23) ; on pourra typiquement enlever une épaisseur de p-SiC de l’ordre de quelques microns à quelques 10μm. Un polissage mécano-chimique est opéré pour restaurer la rugosité de surface de la couche mince 10 ; l’enlèvement ici est de l’ordre de quelques dizaines à quelques centaines de nanomètres.
Un traitement thermique à 1700°C pendant 30 min est appliqué à la structure composite 1 avant ou après le polissage mécano-chimique précité, réalisé du côté de la couche mince 10.
Notamment, selon une variante envisageable, le budget thermique du troisième dépôt CVD ne suffit pas à provoquer la cristallisation de la deuxième couche 22 (en tout ou partie amorphe lors du deuxième dépôt), dans sa totalité, sous forme poly-cristalline. Dans ce cas, un traitement thermique additionnel est susceptible d’être prévu, pour provoquer cette cristallisation, avant ou après le troisième dépôt.
Procédé de fabrication d’un moule pour nano-impression et moule associé La présente invention concerne le domaine de la lithographie par impression nanométrique, aussi désignée nano-impression. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la fabrication de moules maitres servant à réaliser des moules pour la réalisation de motifs présentant une haute résolution, c’est-à-dire des motifs dont les dimensions critiques sont de quelques centaines de nanomètres (10 -9 mètres), voire quelques dizaines de nanomètres.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les techniques de lithographie par impression nanométrique reposent sur l’impression avec un moule d’une résine déformable, déposée sur un substrat. Le moule comporte des motifs qui sont transférés dans la résine lors de l’impression. Ces motifs se mesurent couramment en dizaines de nanomètres. Le film de résine structuré par nano-impression pourra servir de masque de gravure pour des étapes suivantes de fabrication d’un dispositif microélectronique, optique ou micromécanique par exemple.
Les techniques standards d’impression nanométrique peuvent être différenciées notamment selon trois critères :
Réplication directe ou indirecte
Pour une réplication directe, le moule est directement mis en contact du film de résine à structurer. On a alors une polarité inversée entre le moule et la résine structurée.
Pour une réplication indirecte, les motifs d’un moule dit maître (communément désigné par le vocable anglais master) sont copiés dans un moule secondaire qui sera à son tour imprimé dans la résine à structurer. Le moule secondaire peut être utilisé une ou plusieurs fois selon les technologies. Ce procédé est devenu la référence des solutions industrielles car il limite le risque d’endommagement, voire de casse du moule maître.
Procédé thermique ou UV
Le choix d’un procédé mettant en œuvre une étape de solidification de la résine par un moyen thermique ou UV, dépend de la nature de la résine à structurer. Les procédés thermiques sont généralement utilisés pour la mise en forme des résines thermoplastiques non liquide à température ambiante, ou pour réticuler des résines thermodurcissables. Les procédés UV sont généralement utilisés pour réticuler les résines photosensibles. La combinaison de ces deux types de procédés est possible pour les résines hybrides pouvant demander une photo et une thermo-activation.
Un mode de réalisation prévoit un système d’imagerie infrarouge comprenant : - un dispositif d’imagerie infrarouge selon un mode de réalisation, et - une paroi comportant une ouverture dans laquelle un élément transparent au rayonnement infrarouge d’une gamme spectrale, entouré par une monture, est inséré ; la caméra infrarouge du dispositif étant adaptée à détecter un rayonnement infrarouge de la gamme spectrale à travers l’élément transparent ; l’élément transparent et la paroi étant inclinés d’un angle d’inclinaison supérieur à 0° et inférieur à 90° ou inférieur à 0° et supérieur à -90° par rapport à l’axe optique de la caméra.
la , et
la sont des vues en coupe d’un exemple de caméra infrarouge disposée derrière une paroi inclinée ;
la est une vue en coupe d’un exemple de dispositif d’imagerie infrarouge selon un mode de réalisation ;
la est une vue en coupe d’une variante de l’exemple de dispositif d’imagerie infrarouge de la ;
la est une vue en coupe d’une autre variante de l’exemple de dispositif d’imagerie infrarouge de la ;
la est une vue en coupe d’une variante de caméra infrarouge ;
la est une vue en coupe d’une autre variante de caméra infrarouge ;
la est une vue en coupe d’un autre exemple de dispositif d’imagerie infrarouge selon un mode de réalisation.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, l’optique, par exemple les lentilles et leur monture, et le capteur d’image, par exemple le capteur d’image matriciel sous forme de matrice de micro-bolomètres ou de matrice de photodiodes, ne sont détaillés, étant connus par la personne du métier dans le domaine de l’invention.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif d’imagerie IR dans une position normale d'utilisation.
Lorsqu’on fait référence aux termes, "devant/derrière", ou "avant/arrière", il est fait référence au sens de propagation des rayons/du rayonnement lumineux, c’est-à-dire depuis l’élément transparent vers la caméra infrarouge.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD détecte l’atteinte par le procédé de pilotage d’une étape de déclenchement Cj_TRG d’une exécution d’une composante du traitement. De manière alternative le procédé de pilotage PP informe le procédé de supervision SPTPD de l’atteinte d’une étape de déclenchement Cj_TRG d’une exécution d’une composante du traitement.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD détecte les données d’entrées de Cj attendues par la composante Cj de traitement dont le procédé de pilotage PP a atteint l’étape de déclenchement d’exécution Cj_TRG. De manière alternative, le procédé de pilotage PP requiert au procédé de supervision SPTPD les données d’entrées de Cj attendues par la composante Cj de traitement dont le procédé de pilotage PP a atteint l’étape de déclenchement d’exécution Cj_TRG.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte une réception de données fournies par l’exécution d’une première composante Ci du traitement, notamment les données d’entrées d’une deuxième composante du traitement Cj.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte une lecture D_RD de données d’entrée d’une précédente exécution de la deuxième composante de Cj (n-1), les données d’entrée de la précédente exécution constituant les données de substitution : d sub =de Cj (n-1). Notamment, la fourniture de données d’entrées D_PRV fournit alors les données précédentes de Cj (n-1) comme données de substitution dsub.
En particulier, lorsque les données d’entrées de la deuxième composante ne sont pas disponibles de Cj ? = [N] lors de l’atteinte par le procédé de pilotage PP de l’étape de déclenchement Cj_TRG de l’exécution de la deuxième composante Cj, le procédé de supervision SPTPD lit D_RD les données d’entrée de la précédente exécution de Cj (n-1) dans une mémoire stockant des données d’entrées du traitement BDD, notamment dans une base de données d’entrées du traitement, voire de traitement mis en œuvre par le dispositif de fourniture de services.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte une prédiction D_PRD de données d’entrée, les données d’entrée prédites constituant les données de substitution : d sub =dp. Notamment, la fourniture de données d’entrées D_PRV fournit alors les données prédites dp comme données de substitution dsub.
En particulier, lorsque les données d’entrées de la deuxième composante ne sont pas disponibles de Cj ? = [N] lors de l’atteinte par le procédé de pilotage PP de l’étape de déclenchement Cj_TRG de l’exécution de la deuxième composante Cj, le procédé de supervision SPTPD prédit les données d’entrée de la deuxième composante dp Cj notamment en fonction de données d’entrées de précédentes exécution {de Cj (η)}η =1…n-1 stockées dans une mémoire de données d’entrées du traitement BDD, notamment dans une base de données d’entrées du traitement, voire de traitement mis en œuvre par le dispositif de fourniture de services.
En particulier, la prédiction D_PRD est fonction d’au moins une des données parmi les suivantes des données d’entrées enregistrées {de Cj (η)}η =1…n-1 et un compteur d’invocation associé η. Le compteur d’invocation η indique au nombre d’invocations du traitement lors l’enregistrement des données d’entrées. Par invocation du traitement est entendu la requête d’exécution du traitement.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte, si le procédé de supervision SPTPD reçoit des données de Cj d’un première composante Ci destinée à une deuxième composante Cj après l’exécution de l’étape de déclenchement Cj_TRG d’exécution de la deuxième composante, une fourniture DE_PPRV des données de Cj provenant de la première composante Ci à la deuxième composante Cj si une erreur de prédiction est détectée Err_DTCT = [Y] en fonction des données d’entrées prédites d p et des données d’entrée reçues de Cj .
La illustre un schéma simplifié d’une deuxième partie d’un procédé de supervision du pilotage d’un traitement parallèle distribué SPTPD selon l’invention.
L’exécution d’un traitement comporte l’exécution du procédé de pilotage PP. Le démarrage de l’exécution du procédé de pilotage consiste en un démarrage de l’exécution du traitement TT_STR. Puis, le procédé de pilotage comporte une succession d’étape de déclenchement de composante du traitement C1_TRG, …, Ci_TRG, …, Cj_TRG… jusqu’à la clôture du traitement TT_CL.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte, lors de la clôture du traitement TT_CL, un enregistrement DE_MEM des données d’entrées {de Ci } i=1…I des composantes C 1 ,…,Ci,…,Cj… du traitement TT en cours d’exécution.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD itère n=n+1, lors de la clôture du traitement TT_CL, un compteur d’invocation n initialisé à zéro. Par compteur d’invocation initialisé à zéro est entendu que le compteur d’invocation est à zéro avant la première invocation du traitement.
En particulier, le procédé de supervision SPTPD comporte une association ASS du compteur d’invocation n aux données enregistrées {de Ci } i : ({de Ci } i , n). Dans ce cas, l’enregistrement des données DE_MEM comportement un enregistrement du couple ({de Ci } i , n) composé par les données enregistrées {de Ci } et le compteur d’invocation n fourni par l’association ASS.
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, le procédé de supervision est réalisé sous la forme d’un programme comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de supervision du pilotage d’un traitement lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.
La illustre un schéma simplifié d’un traitement parallèle distribué.
Selon un mode de réalisation, au moins une surface intérieure de l’élément d’interface est recouverte d’un revêtement adapté à diminuer l’émission de rayonnements infrarouges par ledit élément d’interface vers la caméra.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface comprend une première extrémité adaptée à s’accrocher à la monture de l’élément transparent, par exemple par complémentarité de forme avec ladite monture.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface comprend une deuxième extrémité adaptée à s’accrocher à la caméra infrarouge, par exemple par complémentarité de forme avec au moins une partie de ladite caméra infrarouge.
Selon un mode de réalisation, la caméra infrarouge comprend au moins une lentille et une monture de lentille, ladite au moins une lentille étant maintenue par ladite monture de lentille, la deuxième extrémité de l’élément d’interface étant adaptée à s’accrocher à la monture de lentille, par exemple par complémentarité de forme avec ladite monture de lentille. Selon un exemple, la monture de lentille entoure au moins partiellement la au moins une lentille.
Selon un autre mode de réalisation, la caméra infrarouge comprend au moins une lentille et une monture de lentille, ladite au moins une lentille étant maintenue par ladite monture de lentille, l’élément d’interface et la monture de lentille étant d’un seul tenant. Selon un exemple, la monture de lentille entoure au moins partiellement la au moins une lentille.
Selon un autre mode de réalisation, la caméra infrarouge comprend au moins une lentille et une monture de lentille, ladite au moins une lentille étant maintenue par ladite monture de lentille, au moins une lentille et/ou la monture de lentille comprenant une face tronquée adaptée à être positionnée en regard de la paroi. Selon un exemple, la monture de lentille entoure au moins partiellement la au moins une lentille.
Selon un exemple, l’angle de troncature de la face tronquée par rapport à l’axe optique de la caméra infrarouge est sensiblement égal à l’angle d’inclinaison de la paroi et de l’élément transparent.
Selon un exemple, l’élément d’interface comprend au moins une partie adaptée à recouvrir la face tronquée, ladite partie formant par exemple une protection thermique de la face tronquée et/ou une protection de ladite face tronquée vis-à-vis de rayonnements infrarouges.
Selon un mode de réalisation, la caméra infrarouge comprend : - au moins une lentille et une monture de lentille, ladite au moins une lentille étant maintenue par ladite monture de lentille ; et - un capteur d’image sensible au rayonnement infrarouge de la gamme spectrale ; le capteur et la au moins une lentille définissant l’axe optique de la caméra infrarouge, le capteur étant disposé sensiblement dans le plan focal image de ladite au moins une lentille. Selon un exemple, la monture de lentille entoure au moins partiellement la au moins une lentille.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface est adapté à réaliser un assemblage étanche aux fluides entre la paroi et la caméra infrarouge.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface est en un matériau de faible conduction thermique, par exemple de conduction thermique inférieure à 10 W.m -1 .K -1 .
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface est muni d’au moins une sonde de température, au moins une sonde de température étant par exemple reliée à un module de traitement de flux lumineux parasite, par exemple un flux lumineux parasite émis par le dispositif.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un élément d’obturation amovible adapté à obturer la caméra infrarouge. Selon un exemple, l’élément d’obturation est recouvert d’un revêtement émissif sur une face dudit élément d’obturation située en regard de la caméra infrarouge.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface comprend une surface intérieure émettrice orientée en regard de la caméra infrarouge et adaptée à être positionnée à proximité de l’élément transparent, par exemple contre la monture de l’élément transparent. Selon un exemple, ladite surface intérieure émettrice est recouverte d’un revêtement émissif.
Selon un mode de réalisation, l’élément d’interface comprend une portion adaptée à être positionnée en regard d’une région de l’élément transparent, par exemple un bord dudit élément transparent, de manière à former un écran entre ladite région de l’élément transparent et la caméra infrarouge, ladite portion comprenant une face émettrice orientée en regard de la caméra infrarouge. Selon un exemple, ladite face émettrice est recouverte d’un revêtement émissif.
Selon un mode de réalisation, la caméra infrarouge comprend un capteur d’image à matrice de pixels comprenant un pixel angulaire adapté à capturer un flux lumineux provenant d’une zone intérieure de l’élément d’interface orientée en regard du capteur d’image et du champ de vue du pixel angulaire, par exemple une zone intérieure destinée à être positionnée autour de l’élément transparent. Selon un exemple, ladite zone intérieure est recouverte d’un revêtement émissif.
Des exemples de dispositifs d’imagerie infrarouge vont être décrits ci-après. Ces exemples sont non limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description.
Le domaine infrarouge est caractérisé par une gamme spectrale comprenant les longueurs d’ondes de 1 µm à 20 µm.
Avantageusement, la caméra infrarouge et le dispositif d’imagerie selon un mode de réalisation sont adaptés à fonctionner dans une gamme spectrale comprise dans le domaine infrarouge lointain ("LWIR" pour "Long-Wave Infrared" en anglais) qui est un domaine spectral s’étendant entre 8 µm et 12 µm.
Selon un autre exemple, la caméra infrarouge et le dispositif d’imagerie selon un mode de réalisation sont adaptés à fonctionner dans une gamme spectrale comprise dans le domaine infrarouge court ("SWIR" pour "Short-Wave Infrared" en anglais) qui est un domaine spectral s’étendant entre 1 µm et 2,5 µm.
Selon un autre exemple, la caméra infrarouge et le dispositif d’imagerie selon un mode de réalisation sont adaptés à fonctionner dans une gamme spectrale comprise dans le domaine infrarouge moyen ("MWIR" pour "Medium-Wave Infrared" en anglais) qui est un domaine spectral s’étendant entre 3 µm et 5 µm.
Selon un autre exemple, la caméra infrarouge et le dispositif d’imagerie selon un mode de réalisation sont adaptés à fonctionner dans une gamme spectrale comprise dans le domaine infrarouge très lointain ("VLWIR" pour "Very Long-Wave Infrared" en anglais) qui est un domaine spectral s’étendant entre 12 µm et 22 µm.
Evidemment, la caméra infrarouge et le dispositif peuvent être adaptés à fonctionner dans une gamme spectrale s’étendant dans plusieurs des gammes précitées.