INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
le film raidisseur présente une épaisseur comprise entre 100nm et plusieurs millimètres, par exemple 10mm ; le film raidisseur présente une épaisseur comprise entre 100nm et 10μm ; le film raidisseur en carbone présente une structure cristallographique de type diamant ou de type carbone vitreux ; l’étape b) est réalisée par étalement d’une résine polymère comportant des liaisons carbone-carbone préformées dans les trois dimensions, sous forme de couche visqueuse, sur la face avant du substrat initial, et par recuit à une température comprise entre 500°C et 2000°C, pour former le film raidisseur en carbone ; la résine polymère est à base de goudron de houille, de phénol formaldéhyde, d’alcool polyfurfurylique, d’alcool polyvinylique, de polyacrylonitrile, de chlorure de polyvinylidène, et/ou de polystyrène ; l’étape b) est réalisée par dépôt par plasma, dépôt par bombardement d’ions ou dépôt par évaporation ; le procédé de fabrication comprend une étape a’), entre l’étape a) et l’étape b), de rectification de la face avant et/ou d’un pourtour du substrat initial, pour diminuer une rugosité de surface de ladite face et/ou une variation d’épaisseur dudit substrat, et/ou pour régulariser son pourtour ; l’étape a’) comprend un amincissement mécanique ou mécano-chimique ; le procédé de fabrication comprend : - une étape e), après l’étape d), de retrait du film raidisseur, et/ou - une étape, après l’étape d) ou après l’étape e), de traitement thermique à une température supérieure ou égale à 1500°C.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une structure composite, mettant en œuvre le procédé ci-dessus et comprenant en outre une étape f) de transfert d’une couche mince en carbure de silicium monocristallin sur une première ou sur une deuxième face du substrat support, directement ou via une couche intermédiaire, pour former la structure composite.
la couche intermédiaire est formée par le film raidisseur en carbone conservé sur la première face du substrat support ; le transfert de la couche mince est réalisé sur l’une des faces du substrat support et un film additionnel en carbone est disposé sur l’autre face libre du substrat support préalablement au transfert ;
le film additionnel est retiré, préférentiellement après que la structure composite ait subi tous traitements thermiques à températures supérieures à 1400°C requis pour sa fabrication ou celle de composants sur et/ou dans ladite structure.
Les figures 1a à 1f présentent des étapes d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ;
La est une vue en coupe représentant schématiquement un dispositif optoélectronique 100 selon un premier mode de réalisation.
Le dispositif 100 comporte au moins un composant émissif 102 correspondant par exemple à une LED ou une OLED. Le composant émissif 102 est par exemple apte à émettre de la lumière dans le domaine visible et/ou infrarouge. Ce composant émissif 102 comporte une première électrode 104 disposée du côté d’une face émissive 106 du dispositif 100, c’est-à-dire du côté de la face du dispositif 100 par laquelle le composant émissif 102 est destiné à émettre de la lumière. La première électrode 104 est au moins partiellement transparente à la lumière destinée à être émise par le composant émissif 102, et également au moins partiellement transparente à la lumière (domaine visible et/ou infrarouge) destinée à être reçue depuis l’extérieur du dispositif 100 à travers la face émissive 106 et captée par un composant photodétecteur 112 du dispositif 100 lorsque ce composant photodétecteur 112 est destiné à capter la lumière provenant de l’extérieur du dispositif 100. La première électrode 104 peut comporter par exemple un oxyde transparent conducteur tel que de l’ITO (oxyde d’indium-étain).
Le composant émissif 102 comporte également une deuxième électrode 108 et au moins un élément émissif 110 disposé entre les première et deuxième électrodes 104, 108. La deuxième électrode 108 n’est pas transparente, mais réfléchissante vis-à-vis de la lumière destinée à être émise par le composant émissif 102 et de la lumière reçue par le dispositif 100 à travers la face émissive 106. Par exemple, la deuxième électrode 108 comporte du métal. L’élément émissif 110 correspond par exemple à un empilement de matériaux formant une jonction p-n avec, entre les portions de semi-conducteurs dopés p et n, un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs formant un ou plusieurs puits quantiques superposés les uns au-dessus des autres. Le ou les matériaux de l’élément émissif 110 correspondent avantageusement à au moins l’un des matériaux semi-conducteurs suivants : AlInGaN, InGaN, AlGaN, GaN.
Le dispositif 100 comporte également au moins un composant photodétecteur 112, par exemple une photodiode organique ou inorganique. Dans l’exemple de réalisation représenté sur la , ce composant photodétecteur 112 fait partie d’un circuit intégré 114 comprenant d’autres composants électroniques, par exemple de type CMOS, configurés pour commander le composant émissif 102 et le composant photodétecteur 112. Le composant émissif 102 est solidarisé au circuit intégré 114.
Le circuit intégré 114 comporte un ou plusieurs niveaux d’interconnexions, non visibles sur la , comportant avantageusement des portions métalliques, reliant électriquement le composant émissif 102 et le composant photodétecteur 112 aux autres composants électroniques du circuit intégré 114.
Sur l’exemple de réalisation représenté sur la , le circuit intégré 114, et donc le composant photodétecteur 112, est solidarisé au composant émissif 102 par collage direct hybride. Pour cela, une première couche diélectrique 116 est disposée au-dessus du composant photodétecteur 112 (contre le composant photodétecteur 112 sur l’exemple de la ), et des premiers plots de connexion 118 sont formés dans la première couche diélectrique 116. De plus, une deuxième couche diélectrique 120 est disposée sous le composant émissif 102 (contre le composant émissif 102 sur l’exemple de la ) et des deuxièmes plots de connexion 122 sont formés dans la deuxième couche diélectrique 120. Les couches diélectriques 116, 120 sont au moins partiellement transparentes à la lumière destinée à être émise par le composant émissif 102, et également au moins partiellement transparente à la lumière (domaine visible et/ou infrarouge) destinée à être reçue depuis l’extérieur du dispositif 100 à travers la face émissive 106 et captée par un composant photodétecteur 112 du dispositif 100 lorsque ce composant photodétecteur 112 est destiné à capter la lumière provenant de l’extérieur du dispositif 100.
Ainsi, la première couche diélectrique 116 est disposée entre le composant photodétecteur 112 et la deuxième couche diélectrique 120, la deuxième couche diélectrique 120 est disposée entre la première couche diélectrique 116 et le composant émissif 102, et les première et deuxième couches diélectriques 116, 120 sont disposées entre les composants émissif et photodétecteur 102, 112.
Les premiers et deuxièmes plots de connexion 118, 122 comportent avantageusement du métal. Au moins l’un des deuxièmes plots de connexion 122 est disposé et solidarisé contre la deuxième électrode 108. Sur la , la deuxième électrode 108 et le deuxième plot de connexion 122 formé contre celle-ci sont représentés sous la forme d’un seul élément.
Le collage direct hybride réalisé correspond à un collage direct diélectrique – diélectrique du matériau de la première couche diélectrique 116 contre celui de la deuxième couche diélectrique 120, et un collage direct métal – métal des premiers plots de connexion 118 contre les deuxièmes plots de connexion 122.
Pour obtenir un collage direct hybride de bonne qualité, il est préférable qu’au niveau des faces solidarisées l’une contre l’autre, le taux d'occupation des plots de connexion 118, 122 sur chacune de ces faces soit de préférence compris entre 60 % et 90 % de zone conductrice dans la région de ces faces formant la zone active du dispositif 100, c’est-à-dire la région dans laquelle est formée la matrice de composants émissifs 102 et photodétecteur 112, et que la répartition des plots de connexion 118, 122 sur ces faces de connexion (dans la zone active et éventuellement en dehors de la zone active) soit relativement homogène, c’est-à-dire que les plots de connexions 118, 122 ne soient pas localisés dans une partie seulement de ces faces mais dans l’ensemble de ces faces. Préalablement à l'étape de collage proprement dite, les faces de connexion sont planarisées par polissage mécano-chimique (CMP). La planéité de surface obtenue lors de cette étape conditionne également la qualité du collage direct hybride réalisé.
Bien que cela ne soit pas visible sur la , au moins une partie des premiers plots de connexion 118 sont reliés électriquement aux niveaux d’interconnexions du circuit intégré 114 par l’intermédiaire de vias, assurant ainsi des liaisons électriques entre les électrodes 104, 108 du composant émissif 102 et l’électronique de commande formée dans le circuit intégré 114. Sur la , la deuxième électrode 108 du composant émissif 102 est couplée électriquement à des premier et deuxième plots de connexion 118, 122 avec lesquels la deuxième électrode 108 est en contact, et la première électrode 104 est couplée électriquement à d’autres premier et deuxième plots de connexion 118, 122 par l’intermédiaire d’un via 123.
Le composant émissif 102 et le composant photodétecteur 112 sont superposés l’un au-dessus de l’autre. Or, le composant photodétecteur 112 est destiné à réaliser une capture de lumière entrant dans le dispositif optoélectronique 100 depuis la face émissive 106 et/ou d’une partie de la lumière émise par le composant émissif 102. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, pour que cette capture puisse est réalisée, la deuxième électrode 108 (qui est formé d’au moins un matériau au moins partiellement réflecteur) est traversée par au moins un trou 124 disposé à l’aplomb d’au moins une partie 128 d’une surface de détection 126 du composant photodétecteur 112, permettant à de la lumière d’entrer dans le dispositif optoélectronique 100 depuis la face émissive 106 et d’atteindre le composant photodétecteur 112 en traversant le composant émissif 102 et en passant dans le trou 124, et/ou à de la lumière émise depuis le composant émissif 102, et plus particulièrement depuis son côté se trouvant en regard du composant photodétecteur 112, d’être captée par le composant photodétecteur 112 à travers le trou 124.
La représente schématiquement une vue de dessus de la deuxième électrode 108 du composant émissif 102 et du composant photodétecteur 112 d’un dispositif optoélectronique 100 selon ce premier mode de réalisation. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le trou 124 comporte, dans un plan parallèle à la surface de détection 126 du composant photodétecteur 112, une section circulaire. D’autres formes de section du trou 124 sont toutefois possibles.
Suivant l’application envisagée pour le composant photodétecteur 112, les dimensions du trou 124 peuvent varier. Ainsi, selon un premier exemple, lorsque le composant photodétecteur 112 est utilisé pour réaliser une calibration du composant émissif 102 en mesurant une valeur de luminosité du composant émissif 102, le trou 124 peut avoir un diamètre égal à environ un dixième de la dimension d’un côté du composant émissif 102 (par exemple un diamètre égal à 1 µm lorsque les dimensions des côtés du composant émissif 102 sont égales à 10 µm). Dans ce cas, la perte de luminosité du composant émissif 102 est très faible du fait que seulement 1% de la surface inférieure de l’élément émissif 110 n’est pas en contact avec la deuxième électrode 108. Selon un deuxième exemple, lorsque le composant photodétecteur 112 est utilisé pour réaliser une capture de lumière extérieure entrant dans le dispositif optoélectronique 100 depuis sa face émissive 106, par exemple pour réaliser une détection de présence devant le dispositif optoélectronique 100, le trou 124 peut avoir un diamètre égal à environ quatre dixièmes de la dimension d’un côté du composant émissif 102 (par exemple un diamètre égal à 4 µm lorsque les dimensions des côtés du composant émissif 102 sont égales à 10 µm). Dans ce cas, la perte de luminosité du composant émissif 102 est également très faible du fait que seulement 16% de la surface inférieure de l’élément émissif 110 n’est pas en contact avec la deuxième électrode 108.
- système mesure et contrôle d’éclairage ;
- éclairage intelligent ;
- écran interactif avec capture de visage et/ou de mouvement et/ou d’identification et/ou de reconnaissance.
Dans l’ensemble du document, le terme « sur » est utilisé sans distinction de l’orientation dans l’espace de l’élément auquel se rapporte ce terme. Par exemple, dans la caractéristique « sur une face du premier substrat », cette face du premier substrat n’est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n’importe quelle direction. En outre, la disposition d’un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément directement contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments.
représente schématiquement un dispositif optoélectronique selon un premier mode de réalisation ;
représentent schématiquement une vue de dessus de la deuxième électrode d’un composant émissif et du composant photodétecteur d’un dispositif optoélectronique selon différents modes de réalisation ;
représentent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation du dispositif optoélectronique selon le premier mode de réalisation ;
représente un autre exemple de réalisation du dispositif optoélectronique selon le premier mode de réalisation ;
représente un exemple de réalisation d’un dispositif de calcul de compensation d’une tension de commande d’un composant émissif en fonction de la valeur de luminosité mesurée de ce composant émissif ;
représentent différentes configurations d’un dispositif électronique selon l’invention.
Cependant, toute variation de l’orientation de l’axe de visée radar, dans les repères respectifs des images de la base de données d’apprentissage et des images sous test, génère une baisse significative des performances d’identification, et en pratique l’orientation de ces axes dans le repère de l’image est choisie arbitrairement lors de la formation de l’image SAR, et sont propres à correspondre directement aux axes X-Y (ou Y-X) de l’image mais pas toujours, notamment lorsqu’une image est formée avec pour convention la direction du Nord géographique pour l’axe Y. Dans un tel cas de figure, les axes azimut et distance sont alors propres à être orientés suivant un angle quelconque dans l’image.
Pour y remédier, deux types de prétraitement sont actuellement proposés, à savoir d’une part, une réorientation et un recalage rigoureux de toutes les images de la base de données d’apprentissage et de chaque image sous test de telle sorte que chaque pixel de cible corresponde sur toutes ces images au même point physique de chacune de ces cibles, ce qui implique une estimation précise de chaque cible nécessitant, une détermination complexe et rigoureuse du centre et de l’angle d’orientation de chaque cible (notamment de son arête principale lorsqu’elle est visible) par rapport à l’axe de visée radar, et une perte de performance d’identification en cas d’erreurs liées à l’estimation du centre des cibles et/ou à leur angle d’orientation et/ou en cas d’erreurs d’interpolation du processus de rotation de l’image. Un tel recalage, manuel ou automatique, consiste à estimer l’orientation de la cible par rapport à l’axe de visée radar et à effectuer une rotation de cet angle, par exemple : en détourant la cible puis en déterminant son centre et l’orientation de son arrête principale quand elle est visible, ou en incluant la cible dans un rectangle englobant puis en déterminer le centre et l’orientation de son grand côté, ou encore en déterminant le centre et l’orientation de l’axe principale d’énergie des pixels de la cible. Lorsqu’il est manuel, un tel recalage requiert temps et ressources en personnels formés à l’exploitation des images SAR, ce qui de fait l’exclut d’application industrielle nécessitant des processus automatiques.
L’autre type de prétraitement d’image SAR repose sur une réorientation de l’image sous test, de sorte que l’orientation de l’axe de visée radar, dans le repère associé à cette image sous test, coïncide parfaitement avec l’axe de visée des images d’apprentissage dans leur repère respectif associé. En effet, l’orientation de l’axe de visée est fixée a posteriori au moment de formation de l’image SAR selon une convention arbitraire par chaque opérateur formateur d’une image SAR, une image SAR étant par exemple formée selon une première convention où l’axe X correspond à l’axe azimut, et l’axe Y correspond à l’axe distance, ou selon une deuxième convention où l’axe X correspond à l’axe nord-sud géographique, et l’axe Y correspond à l’axe est-ouest géographique, ou toute autre possibilité. Par ailleurs, dans le cas d’images SAR uniquement acquises et préalablement formées, les paramètres de prises de vues sont propres à être inconnus ou mal renseignés. De plus, si les images sont orientées dans un repère géographique, nord/sud par exemple, l’orientation de l’axe de visée radar sera différent sur chaque image SAR issue d’une même source. Aussi, la direction de visée doit être estimée, puis compensée par une rotation de sorte que l’éclairement apparaisse comme provenant d’une unique direction pour l’ensemble des images, mais il n’est pas toujours possible de déterminer a posteriori avec une grande précision l’orientation de l’axe de visée radar dans l’image tel qu’indiqué par Y. Jiang et al., dans le document intitulé « Pose estimation based on exploration of geometrical information in SAR images » (2016 IEEE Radar Conference (RadarConf), Philadelphia, PA, 2016, pp. 1-4, doi: 10.1109/RADAR.2016.7485084.
Ces deux types de prétraitement imposent par ailleurs des contraintes notamment pour la réalisation de la base de données d’apprentissage comprenant généralement des images, issues de différentes campagnes de vol effectuées avec différents capteurs, et formées avec des conventions différentes, l’information exacte de l’angle d’orientation de la cible par rapport à l’axe de visée radar étant, selon le cas, connue avec précision ou à l’inverse totalement inconnue. De plus, pour l’image SAR sous test acquise lors d’une mission aéroportée, par principe, ni la cible observée, ni son orientation ne sont connues lors de l’étape d’ATR.
En outre, ces deux types de traitement sont également rendus complexes par les phénomènes d’occultation et d’angle de vue propres au radar à synthèse d’ouverture SAR, la cible étant éclairée uniquement par le radar à synthèse d’ouverture une grande partie de celle-ci est propre à être cachée ou non visible sur l’image SAR résultante, ce qui rend complexe l’estimation au pixel près de la limite entre cible et ombre et donc la détermination précise du centre et de l’orientation de la cible. En effet, une même cible imagée sous deux axes de visées radar différents présente une variation de signature du fait du changement de l’angle d’éclairement.
Un des buts de l’invention est de s’affranchir de ces deux types de traitement et des contraintes de réalisation associées en proposant une technique permettant de lever la contrainte précitée sur l’orientation des cibles et/ou de l’axe de visée radar dans les images SAR d’apprentissage de même que dans les images SAR sous test.
À cet effet, l’invention a pour objet un procédé d’identification automatique de cible(s) au sein d’image(s) fournie(s) par un radar à synthèse d’ouverture comprenant, pour chaque image sous test fournie par le radar à synthèse d’ouverture, les étapes suivantes :
- détection de cible(s) en parcourant l’image sous test ;
- pour chaque cible détectée au sein de l’image sous test, extraction d’une imagette sous test correspondant à une partie de l’image sous test comprenant la cible détectée, ladite partie étant de taille inférieure à la taille de l’image sous test,
- pour chaque imagette sous test, à partir d’une base d’apprentissage comprenant une pluralité d’imagettes d’apprentissage représentatives d’une pluralité de classes de cibles préalablement détectées et identifiées, identification de la cible détectée au sein de l’imagette sous test, par calcul d’une métrique de ressemblance entre ladite imagette sous test et chaque imagette de la base d’apprentissage,
le procédé comprenant en outre, préalablement à ladite étape d’identification, une étape d’application d’une même transformation spatiale invariante en rotation et/ou en translation à chaque imagette sous test et à chaque imagette d’apprentissage .
Avantageusement, le procédé d’identification automatique de cible(s) au sein d’image(s) fournie(s) par un radar à synthèse d’ouverture est ainsi insensible aux différences de rotations appliquées lors de l’acquisition des images SAR d’apprentissage de même que des images SAR sous test, ce qui simplifie leur traitement tout en améliorant les performances d’identification, et facilite la formation d’une base de données d’apprentissage.
Le procédé d’identification automatique de cible(s) au sein d’image(s) fournie(s) par un radar à synthèse d’ouverture peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises indépendamment ou selon toutes les combinaisons techniquement envisageables :
- la transformation spatiale correspond à la transformation spatiale combinée résultant d’une transformée de Fourier appliquée à la transformée de Radon de chaque imagette, chaque imagette correspondant à une imagette sous test ou à une imagette d’apprentissage ;
- la transformation de Fourier est une transformée de Fourier rapide ;
- l’application d’une même transformation spatiale invariante en rotation et/ou en translation à chaque imagette sous test et à chaque imagette d’apprentissage comprend le calcul du module de la transformation spatiale combinée résultant d’une transformée de Fourier appliquée à la transformée de Radon de chaque imagette ;
- détection 32 de cible(s) en parcourant l’image sous test ;
- pour chaque cible détectée au sein de l’image sous test, extraction 34 d’une imagette sous test correspondant à une partie de l’image sous test comprenant la cible détectée, ladite partie étant de taille inférieure à la taille de l’image sous test,
- une étape 36 de réorientation et recalage rigoureux de toutes les images de la base de données d’apprentissage et de chaque image sous test de telle sorte que chaque pixel de ou de réorientation de l’image sous test de sorte que l’orientation de l’axe de visée radar, dans le repère associé à cette image sous test, coïncide parfaitement avec l’axe de visée des images d’apprentissage dans leur repère respectif associé ;
- pour chaque imagette sous test, à partir d’une base d’apprentissage comprenant une pluralité d’imagettes d’apprentissage représentatives d’une pluralité de classes de cibles préalablement détectées et identifiées, identification 38 de la cible détectée au sein de l’imagette sous test, par calcul d’une métrique de ressemblance entre ladite imagette sous test et chaque imagette de la base d’apprentissage.
En comparaison à ce procédé classique 30 d’identification automatique de cible(s) au sein d’image(s) fournie(s) par un radar à synthèse d’ouverture, la illustre les principales étapes d’un procédé 40 d’identification automatique de cible(s) au sein d’image(s) fournie(s) par un radar à synthèse d’ouverture selon un mode de réalisation de l’invention. Selon le procédé 40 de la présente invention propre à être mis en œuvre par le dispositif 10 électronique d’identification précédemment décrit en relation avec la , l’étape 36 classique de réorientation est spécifiquement remplacée par l’étape 42 d’application d’une même transformation spatiale invariante en rotation et/ou en translation à chaque imagette sous test et à chaque imagette d’apprentissage.