Procédé de fabrication d’un lingot de silicium par solidification dirigée à partir de silicium en fusion, dans lequel la croissance du lingot de silicium est initiée par mise en contact du silicium en fusion avec au moins un germe de silicium, caractérisé en ce qu’au moins la surface dudit germe mise au contact du silicium en fusion est oxydée. Procédé selon la revendication précédente, comprenant au moins les étapes consistant en : (i) disposer d’au moins un germe de silicium présentant, au niveau d’au moins sa surface dédiée à être mise au contact du silicium en fusion, en particulier au niveau de la totalité de sa surface, une couche comportant, voire étant constituée par, un oxyde de silicium, en particulier d’épaisseur strictement supérieure à 4 nm ; (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par mise en contact d’au moins ledit germe oxydé en surface avec du silicium en fusion. Procédé selon la revendication 1 ou 2, ledit procédé comportant, préalablement à la solidification dirigée du silicium, un traitement d’oxydation de surface d’un germe de silicium, en particulier d’un germe de silicium monocristallin. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le traitement d’oxydation de surface est réalisé par voie thermique sous atmosphère oxydante, ledit traitement d’oxydation thermique sous atmosphère oxydante étant en particulier réalisé à une température comprise entre 700 et 1200 °C, en particulier entre 800 et 1100 °C, notamment pendant une durée allant de 10 minutes à 15 heures. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le traitement d’oxydation de surface dudit germe est réalisé en soumettant la surface dudit germe à oxyder à une ou plusieurs séquences d’oxydation, une séquence d’oxydation comportant les étapes suivantes : (a) chauffage dudit germe pour atteindre la température d’oxydation souhaitée ; (b) oxydation à haute température sous atmosphère oxydante ; et (c) refroidissement dudit germe, de préférence jusqu’à température ambiante. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le traitement d’oxydation thermique est opéré par voie sèche, en particulier sous une atmosphère oxydante formée d’un mélange d’azote et d’oxygène ou d’argon et d’oxygène, ou par voie humide, en particulier sous une atmosphère d’hydrogène et d’oxygène ou sous air. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel la couche d’oxyde de surface présente une épaisseur supérieure ou égale à 10 nm, en particulier comprise entre 10 nm et 2 µm, en particulier entre 50 nm et 1 µm et plus particulièrement entre 100 nm et 600 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, ledit procédé comprenant les étapes consistant en : - disposer d’un creuset d’axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un unique germe, ou un pavage de plusieurs germes, de silicium monocristallin, de préférence de forme prisme droit, en particulier de forme pavé droit à base carrée ou rectangulaire ; ledit unique germe ou au moins l’un desdits germes formant le pavage de fond du creuset présentant au niveau d’au moins la surface de sa face supérieure, opposée à la face en regard du fond de creuset, en particulier au niveau de la totalité de sa surface, une couche comportant, voire étant constituée par, un oxyde de silicium ; - procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction de croissance colinéaire à l’axe (Z). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le ou lesdits germes oxydés en surface sont obtenus par un traitement d’oxydation de surface, préalablement à leur positionnement au fond du creuset ; ou ultérieurement à leur positionnement au fond du creuset, le traitement d’oxydation de surface du ou desdits germes étant en particulier réalisé simultanément à un traitement oxydant de la surface interne du creuset, par exemple pour former un revêtement antiadhérent sur la surface interne du creuset. Creuset, utile pour la solidification dirigée par reprise sur germes d’un lingot de silicium, le fond dudit creuset étant recouvert en tout ou partie d’un unique germe ou d’un pavage de plusieurs germes de silicium monocristallin, de préférence sous la forme de prisme droit ; ledit unique germe ou au moins l’un desdits germes formant le pavage présentant, au niveau d’au moins la surface de sa face supérieure, opposée à la face en regard du fond de creuset, en particulier au niveau de la totalité de sa surface, une couche comportant, voire étant constituée par, un oxyde de silicium. Creuset selon la revendication précédente, ledit ou lesdits germes oxydés en surface étant obtenu(s) par un traitement d’oxydation de surface d’un ou plusieurs germes de silicium monocristallin tel que défini dans l’une quelconque des revendications 4 à 7.