INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le chirurgien peut réaliser une rotation de la portion inférieure 51 des os maxillaires par rapport à la portion supérieure gauche 53, en réalisant des translations d’amplitudes différentes de la tige cylindriques de liaison 481 par rapport au support de tige latérale 44 et de la tige cylindrique de liaison 491 par rapport au support de tige latérale 45. Dans un tel cas, les supports de tige latérale 44 et 45 pourront pivoter légèrement, respectivement autour des axes 20 et 30, et la tige de section carrée 492 de l’équerre 49 pourra coulisser légèrement dans le support de tige centrale 48, afin que les tiges cylindriques de liaison 481 et 491 restent parallèles l’une à l’autre. Pour permettre ces mouvements, les moyens de blocage associés à ces pivots glissants et glissières devront être préalablement débloqués. e. Déplacements verticaux et rotation
Le chirurgien a la possibilité de réaliser des déplacements verticaux de la portion inférieure 51 par rapport aux portions supérieures 52 et 53 des os maxillaires dans un plan frontal, avec un contrôle de la distance canthus/canine gauche et droite. Le chirurgien peut effectuer ces déplacements verticaux par une translation pas-à-pas, selon les axes 20 et 30, des tiges latérales cylindriques 42 et 43 par rapport, respectivement, aux éléments d’ancrage latéraux 2 et 3.
Une fois la position souhaitée obtenue, le chirurgien peut alors fixer cette position en verrouillant, par le serrage des leviers 211 et 311, la position des tiges latérales cylindriques 42 et 43 par rapport, respectivement, aux éléments d’ancrage latéraux 2 et 3.
Le chirurgien peut également réaliser une rotation de la portion inférieure 51 des os maxillaires par rapport à la portion supérieure gauche 53, en réalisant des translations d’amplitude différente de la tige latérale cylindrique 42 par rapport à l’élément d’ancrage latéral 2 et de la tige latérale cylindrique 43 par rapport à l’élément d’ancrage latéral 3. Ce mouvement différent pourra entrainer des mouvements de faible amplitude au niveau des autres articulations de la structure de liaison 4, notamment des rotations de la portion inférieure 51 autour des axes 440 ou 450. Pour permettre ces mouvements, les moyens de blocage associés à ces pivots glissants devront être préalablement débloqués. f. Déplacements gauche/droite et de rotation
Le chirurgien a la possibilité de réaliser des déplacements vers la gauche ou vers la droite de la portion inférieure 51 par rapport aux portions supérieures 52 et 53 des os maxillaires dans un plan transverse perpendiculaire au plan sagittal prédéfini. Le chirurgien peut réaliser ces mouvements vers la gauche ou vers la droite par une translation pas-à-pas, selon l’axe 10, de la tige centrale cylindrique 41 par rapport à l’éléments d’ancrage central 1.
Le chirurgien a également la possibilité de réaliser des mouvements de rotation de la portion inférieure 51 autour de cet axe 10, par rapport aux portions supérieures 52 et 53 des os maxillaires. Cette rotation peut être obtenue par le pivotement de la tige centrale cylindrique 41 par rapport à l’éléments d’ancrage central 1.
Une fois la position souhaitée obtenue, le chirurgien peut alors bloquer la liaison pivot-glissant en actionnant le levier 111. g. Retrait du dispositif
Ces divers alignements permettent d’obtenir un bon alignement de l’arcade dentaire, portée par la portion inférieure 51 des os maxillaires, avec la ligne du regard, c’est-à-dire selon une direction sensiblement normale au plan sagittal prédéfini. Ces alignements permettent d’assurer un bon recentrage du milieu inter-incisif avec le plan sagittal médian. Le dispositif permet également de réaliser des rotations angulaires des maxillaires inférieures autours de l’axe sagittal médian.
L’utilisation du dispositif de positionnement selon l’invention, qui peut avantageusement être utilisé de façon standardisée pour une grande variété de patients, permet donc au chirurgien d’effectuer un grand nombre de mouvements différents de la portion inférieure des os maxillaires du patient, par rapport aux portions supérieures de ces os maxillaires. Ces mouvements peuvent avantageusement être adaptés au cours de l’opération, si les circonstances imposent au chirurgien d’adapter le protocole opératoire préétabli.
Une fois la position souhaitée obtenue, le chirurgien réalise la fixation finale de la portion inférieure 51 avec les portions supérieures droite 52 et gauche 53 des os maxillaires par des plaques et vis en titane, en commençant de préférence par les plaques les plus postérieures, au niveau du cintre zygomatique.
Le chirurgien peut alors retirer le dispositif de positionnement en dévissant les vis situées au niveau des pattes de fixation 12, 13, 22 et 23. Une fois le dispositif de positionnement retiré, il peut finaliser la fixation de la portion inférieure 51 avec les portions supérieures droite 52 et gauche 53 des os maxillaires au niveau de l’orifice piriforme.
Dispositif pour la détection de la saturation d’une protection pour l’incontinence urofécale La présente invention concerne le domaine des protections destinées à l’incontinence urofécale. En particulier, la présente invention concerne un dispositif électronique pour détecter la saturation d’une telle protection.
Actuellement, les témoins de saturation de telles protections, utilisent une méthode chimique colorimétrique sous la forme de traits situés de l’entrecuisse à la région lombaire des patients. Les témoins virent du bleu au jaune au contact des urines. Cependant, le contrôle visuel de ces témoins nécessite la mobilisation des patients avec le retrait des couvertures, ainsi qu’un éclairage suffisant ce qui peut entraîner, la nuit, le réveil du patient. On imagine les conséquences de ces vérifications nocturnes chez des résidents déments ou souffrant de troubles psychiatriques qui, une fois réveillés, n’ont aucune envie de se recoucher. Il s’agit d’un contrôle certes nécessaire mais intrusif qui est souvent très mal vécu par les résidents. Par ailleurs, le principe d’humanitude impose le respect du sommeil chez les résidents vivant en institutions ce qui rend impossible une telle vérification des témoins colorimétriques durant les phases de sommeil nocturnes comme diurnes (sieste, repos dans la journée).
Pour améliorer les performances du détecteur élémentaire, cette fenêtre optique est structurée au regard du ou des micro-bolomètres. Typiquement, cette structuration est destinée à atténuer les longueurs d’onde comprises entre 2 et 8 micromètres, et à former un filtre anti-reflet pour les longueurs d’onde d’intérêt comprises entre 8 et 14 micromètres.
En outre, les performances du détecteur élémentaire sont également liées au niveau de vide régnant au sein du boitier hermétique. Pour garantir l’isolation thermique entre le micro-bolomètre et le substrat inférieur, nécessaire pour aboutir aux performances attendues, le niveau de vide dans le boitier hermétique doit typiquement être inférieur à 10 -3 mbar.
Pour obtenir une fenêtre optique avec un nombre de défaut limité et réalisable à faible coûts au moyen de techniques usuelles de fabrication collective à grande échelle, le document FR 2 985 576 propose de réaliser une fenêtre optique 110 dont la face externe 17 est recouverte d’un filtre multicouche interférentiel 20 , et dont la face interne 16 est pourvue d’un réseau périodique de diffraction 21 0 , tel qu’illustré sur la de l’état de la technique.
Il est donc possible d’utiliser une coopération entre le filtre multicouche interférentiel et le réseau périodique de diffraction pour filtrer les longueurs d’onde comprises entre 2 et 8 micromètres.
Par exemple, le filtre multicouche interférentiel 20 peut être conçu pour atténuer la transmission optique globale de la fenêtre optique 110 sur une première gamme de longueurs d’onde comprises entre 2 et 8 micromètres, par exemple sur la gamme de longueurs d’onde comprises entre 2 et 5 micromètres. Contrairement aux filtres qui sont réalisés pour filtrer les longueurs d’onde sur toute la gamme de longueurs d’onde entre 2 et 8 micromètres, la largeur réduite de cette gamme permet notamment de prévoir un filtre interférentiel présentant un nombre limité de couches, et corolairement un nombre et une taille de défauts limités par rapport à un filtre interférentiel conçu pour atténuer la transmission de la fenêtre optique 110 sur l’intervalle complet de 2 à 8 micromètres.
En outre, le réseau périodique de diffraction 21 0 peut être conçu pour atténuer la transmission optique globale de la fenêtre optique 11 0 sur une deuxième gamme de longueurs d’onde comprises entre 2 et 8 micromètres, par exemple sur la gamme de longueurs d’onde comprise entre 5 et 8 micromètres.
Après avoir formé la fenêtre optique 110 , celle-ci est classiquement reportée sur un substrat d’embase ou sur un boitier en céramique, sur lequel des micro-bolomètres sont montés en suspension, de sorte à former un détecteur élémentaire. Lors de ce report, la fenêtre optique 110 est fixée sur le substrat d’embase au moyen d’une soudure hermétique classiquement réalisée entre deux couches de silicium au moyen d’un cordon de soudure réalisé en or-étain et chauffé à une température comprise entre 270 et 320°C.
Avec cette technique, plusieurs fenêtres optiques 110 peuvent être formées simultanément sur un même wafer massif en silicium ou en germanium.
On observe cependant une dispersion des propriétés optiques des fenêtres optiques formées collectivement. Plus précisément, la réalisation du réseau périodique de diffraction 21 0 nécessite la mise en œuvre de procédés de photolithographie et de gravure ionique réactive, également connue sous l’acronyme anglo-saxon RIE pour « Reactive Ion Etching ».
Classiquement, cette gravure RIE est réalisée dans une chambre de gravure en utilisant un réactif approprié.
Lors de la réalisation collective de plusieurs réseaux périodiques de diffraction 21 0 en lien avec plusieurs fenêtres optiques 110 , la profondeur de gravure du substrat massif 12 0 est déterminée en fonction de la durée de la gravure RIE, selon une méthode appelée « gravure au temps ». En effet, la vitesse d’une gravure RIE est un paramètre connu pour un homme du métier. Cette vitesse dépend de la nature du substrat 12 0 et de la nature du réactif utilisé pour la gravure RIE.
La profondeur de gravure désirée est obtenue par le produit de la vitesse de gravure et de la durée d’application du réactif. Cependant, la disparité du réactif au sein de la chambre de gravure, c’est-à-dire la variation de la quantité de réactif par unité de surface dans la chambre de gravure, est la cause de non-uniformités de la profondeur de la gravure, tel qu’illustré schématiquement sur la de l’état de la technique. Il s’ensuit que certains réseaux périodiques de diffraction 21 0 sont gravés avec une profondeur P1 bien supérieure à d’autres réseaux périodiques de diffraction 21 0 gravés avec une profondeur P2 . Ce phénomène s’explique notamment avec les effets bord-centre. En pratique, il a été constaté des différences de profondeur de gravure P1 - P2 de l’ordre de 15% sur des substrats 12 0 de 200 millimètres de diamètre. Ce problème d’uniformité sur la profondeur de gravure obtenue lors de la formation d’un réseau de diffraction, est implicitement une limitation de la solution décrite dans le document FR 2 985 576.
Lorsque les fenêtres optiques 110 sont séparées, tel qu’illustré sur la , cette non-uniformité des réseaux périodiques de diffraction 21 0 est à ce point impactante qu’elle se traduit par une disparité sur les qualités de transmission des fenêtres optiques 110 . En effet, il a été évalué que les écarts de profondeur de gravure P1 - P2 entrainent des écarts sur les transmittances au sein d’un lot de fenêtres optiques 110 de l’ordre de 17.5 %.
Il s’ensuit que les performances d’un détecteur infrarouge, principalement la sensibilité vis-à-vis des phénomènes de rémanence liés à un éblouissement solaire variable, varient d’un détecteur à l’autre en raison des écarts de transmittances des fenêtres optiques.
L’invention vise donc la réalisation de fenêtres optiques présentant des performances de transmittances uniformisées et pouvant en outre être réalisées à grande échelle.
A cet effet, l’invention propose d’utiliser un substrat spécifique pour former une fenêtre optique comportant au moins un film d’oxyde, par exemple d’oxyde de silicium, destiné à constituer une couche d’arrêt à la gravure ionique réactive des motifs des réseaux périodiques de diffraction. Ce film d’oxyde est ensuite partiellement gravé.
On trouve ce type d’aimants notamment dans des machines électriques tournantes, tels que des moteurs ou des générateurs d’éoliennes, dans des appareils de mesure et des instruments dotés d’aimants permanents, par exemple un appareil à IRM dans le domaine médical, ou plus généralement dans tout système et équipement requérant un champ électromagnétique de forte puissance.
Le magnétisme des aimants permanents peut se dégrader au fil du temps, par exemple sous l’effet de la chaleur : leur puissance intrinsèque est diminuée et/ou ils se disloquent et/ou ils se décollent de leur support. Afin de maintenir un rendement optimal de la machine électrique, il est alors nécessaire de remagnétiser les aimants partiellement ou totalement, ou de les remplacer. La remagnétisation peut être réalisée dans la machine ou en dehors. Pour une remagnétisation en dehors de la machine ou pour remplacer les aimants, il faut les extraire de la machine, soit à l’aide d’un outillage spécifique à la machine, ou encore en démantelant partiellement ou totalement la machine.
L’aimant extrait de la machine est assemblé à un support, ou semelle, formant un pôle magnétique. D’autres éléments peuvent également être assemblés au pôle. On parle alors de bloc magnétique.
L’approvisionnement en terres rares pour la fabrication de nouveaux aimants est problématique. Le recyclage des aimants usagés permet donc d’apporter une réponse à ce problème.
Ainsi, il existe des recherches dans le domaine visant à placés les aimants usagés dans un four de fusion, où ils fondent, puis à refroidir le métal fondu et à appliquer un traitement permettant d’obtenir une poudre d’aimants. Cette poudre peut alors être employée pour la fabrication d’un nouvel aimant.
Un problème est que lors de la fusion, des impuretés peuvent se mélanger aux métaux, dégradant la qualité des aimants qui seraient fabriqués par la suite. L’atmosphère dans le four et lors du refroidissement doit alors être contrôlée de manière stricte, ce qui n’est pas toujours évident à mettre en place, et implique des coûts importants.
Un autre problème est que cette technique requiert un nettoyage minutieux des aimants avant leur passage dans le four de fusion, et notamment la déconstruction du bloc magnétique, pour éviter une contamination par d’autres matières de la poudre qui sera récupérée. Ce nettoyage augmente les coûts du recyclage, et peut dégrader l’aimant par des techniques abrasives ou chimiques.
Il est également connu de démagnétiser un aimant en le chauffant au-delà de sa température dite de Curie. L’aimant chauffé au-delà de cette température perd ses propriétés magnétiques, et devient alors amagnétique à l’échelle du quotidien. A cet effet, l’aimant est placé dans un four, de préférence sous atmosphère contrôlée. Un avantage connu est qu’en chauffant ainsi l’aimant, il est alors séparé des éléments qui forment le bloc magnétique. En effet, le bloc magnétique est en général assemblé à l’aide de liants ou adhésifs de type colle. En chauffant, la colle fond et/ou s’évapore, permettant de libérer l’aimant.
L’aimant ainsi démagnétiser peut ensuite être recyclé selon les besoins, par exemple en récupérant les matériaux le constituant.
Le document US2014/0366687 et le document US2012/0137829 décrivent chacun un exemple d’un procédé de démagnétisation impliquant le chauffage de l’aimant.
Un problème dans ce type de procédé est que plus l’aimant est puissant, plus le risque d’interaction avec l’équipement de démagnétisation est élevé. Ainsi, pour un aimant de forte puissance, celui-ci peut interagir avec les parois du four, en venant se coller dessus, voire avec l’environnement du four, l’aimant se comportant alors comme un projectile ou provoquant la création de projectiles à partir des objets dans l’environnement du four. La sécurité des opérateurs est en jeu.
Les aimants, d’autant plus lorsqu’ils sont de forte puissance, sont en outre de préférence passés un à un dans le four, avec précaution, rendant ces procédés couteux et difficiles à mettre en œuvre dans un cadre industriel.
Enfin, il est connu de démagnétiser des aimants par impulsions de champs électromagnétiques alternatifs d’amplitude décroissante. Les problèmes exposés ci-dessus sont également présents dans cette méthode.
Il existe donc un besoin pour un nouveau procédé de recyclage d’aimants surmontant les inconvénients précités.
Un premier objet de l’invention est de proposer un procédé de recyclage adapté aux aimants de forte puissance, c'est-à-dire de l’ordre de 1T et au-delà.
Un deuxième objet de l’invention est de proposer un procédé de recyclage adapté au traitement simultané d’une pluralité d’aimants.
Selon un exemple, le moule est un moule dit maître (généralement désigné par master), destiné à servir à la réalisation de moules secondaires pour nano-impression.
Selon un exemple, l’implantation est effectuée selon une direction d’implantation privilégiée perpendiculaire à la face supérieure.
Selon un exemple, dans le moule, la première portion implantée présente une première profondeur d’implantation P 1 et la deuxième portion implantée présente une deuxième profondeur d’implantation P 2 , avec P 2 strictement supérieure à P 1 et P 1 nulle ou supérieure à 0.
Selon un exemple, la couche présente, dans la première portion un premier ensemble de motifs, et dans la deuxième portion un deuxième ensemble de motifs tels que : le premier ensemble de motifs présentant une première densité D 1 de motifs et une première hauteur H 1 , le deuxième ensemble de motifs présentant une deuxième densité D 2 de motifs, et D 2 >D 1 et/ou H 2 >H 1 .
Selon un exemple, au moins une, et de préférence chacune, parmi les première et deuxième profondeurs d’implantation est supérieure ou égale à 30 nm.
Selon un exemple, au moins une, et de préférence chacune, parmi les première et deuxième profondeurs d’implantation est inférieure ou égale à 1 µm.
De préférence, moins une, et de préférence chacune, parmi les première et deuxième profondeurs d’implantation est comprise entre 30 nm et 1 µm.
Selon un exemple, les première et deuxième profondeurs d’implantation sont inférieures ou égale à 30 nm, de préférence inférieure ou égale à 10 nm.
Selon un exemple, les première et deuxième portions sont espacées, selon une direction parallèle au plan d’extension principale de la face supérieure de la couche, d’une distance inférieure ou égale à la plus petite distance séparant deux motifs adjacents de différentes hauteurs.
Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, on entend par un substrat ou une couche, « à base » d’une espèce A, un substrat ou une couche comprenant cette espèce A uniquement ou cette espèce A et éventuellement d’autres espèces.
Un substrat comprenant une couche peut être : soit, préférentiellement, un empilement dans lequel le substrat comprend la couche déposée sur une couche de support, soit un substrat comprenant uniquement la couche. Dans ce cas, la couche peut être autoportante c’est-à-dire qu’elle supporte son propre poids.
Dans le cadre de la présente invention, on qualifie de matériau transparent à une longueur d’onde donnée, un matériau qui permet de transmettre au moins 70 % d’un flux lumineux de cette longueur d’onde donnée.
Plusieurs exemples de réalisation de l’invention mettant en œuvre des étapes successives du procédé de fabrication sont décrits ci-après. Sauf mention explicite, l’adjectif « successif » n’implique pas nécessairement, même si cela est généralement préféré, que les étapes se suivent immédiatement, des étapes intermédiaires pouvant les séparer.
Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS, LED…).
Selon un exemple, la première épaisseur E 1 est sensiblement comprise entre 50 nm et 100 µm. Selon un exemple, la deuxième épaisseur E 2 est sensiblement comprise entre 0 nm et E1.
Selon un exemple, le procédé comprend un retrait du masque après l’implantation et avant l’étape de gravure.
Selon un exemple, l’implantation ionique est configurée de sorte qu’au moins la deuxième profondeur d’implantation P 2 , et de préférence les première P 1 et deuxième P 2 profondeurs, est/sont supérieure(s) ou égale(s) à 30 nm, de préférence strictement supérieure(s) à 30 nm. Selon un exemple, l’implantation ionique est configurée de sorte qu’au moins une, et de préférence chacune, parmi les première et deuxième profondeurs d’implantation est inférieure ou égale à 1 µm (10 -6 mètre). De préférence, l’implantation ionique est configurée de sorte qu’au moins une, et de préférence chacune, parmi les première et deuxième profondeurs d’implantation est comprise entre 30 nm et 1 µm.
L’implantation ionique peut ainsi être faite sur une profondeur sensiblement égale à la hauteur du motif qui sera obtenu par gravure. Ceci est particulièrement avantageux pour mettre en œuvre une gravure sélective de la portion implantée par rapport à la portion non-implantée. La portion non-implantée sous la portion implantée peut ainsi servir de couche d’arrêt lors de la gravure.
Selon un exemple, l’implantation ionique est faite par un implanteur.
Selon un exemple, l’implantation ionique est configurée de sorte que les première P 1 et deuxième P 2 profondeurs d’implantation sont inférieures ou égale à 30 nm, de préférence inférieure ou égale à 10 nm. L’implantation ionique peut ainsi être faite en surface de la couche. Les portions implantées peut servir d’amorce de freinage ou de préférence d’accélération à la gravure pour fabriquer les motifs.
Selon un exemple, l’implantation ionique est faite par un plasma.
Selon un exemple, le masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont espacées, selon une direction parallèle à un plan d’extension principale de la face supérieure de la couche, d’une distance inférieure ou égale à la plus petite distance séparant deux motifs adjacents de différentes hauteurs. Ainsi, selon une direction parallèle au plan d’extension principale de la face supérieure, la distance sur laquelle l’épaisseur de résine varie lors du transfert de motif par le moule, est inférieure ou égale à la distance entre les motifs de hauteurs différentes. L’épaisseur de résine ne varie qu’entre deux zones où l’épaisseur de résine est constante.
Selon un exemple, le gradient d’épaisseur du masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont espacées, selon une direction parallèle au plan d’extension principale de la face supérieure de la couche, d’une distance inférieure ou égale à la plus petite distance séparant deux motifs adjacents de différentes hauteurs.
Selon un exemple, le masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont séparées par une portion intermédiaire dans laquelle la profondeur d’implantation varie. La portion intermédiaire présente ainsi un gradient de profondeur progressif entre les première et deuxième portions.
Selon un exemple, le gradient d’épaisseur du masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont séparées par une portion intermédiaire dans laquelle la profondeur d’implantation varie.
Selon un exemple, le masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont directement adjacentes. Les première et deuxième portions forment ainsi un gradient de profondeur abrupte entre P 1 et P 2 .
Selon un exemple, le gradient d’épaisseur du masque d’implantation est configuré de sorte que les première et deuxième portions sont directement adjacentes.