INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme en , on peut noter que, à une distance donnée du centre, l’épaisseur est respectivement de moins en moins importante pour les secteurs 8a, 8b, 8c, 8d et 8e. En effet, tous les secteurs suivent un modèle de profil similaire, dans lequel : les épaisseurs pour le secteur 8a sont définies par une fonction paramétrée par quatre épaisseurs s1, s2, s3 et s4 ; et les épaisseurs pour les secteurs 8b sont définies par la même fonction, paramétrée avec les épaisseurs 0,8 * s1, 0,8 * s2, 0,8 * s3 et 0,8 * s4 ; les épaisseurs pour les secteurs 8c sont définies par la même fonction, paramétrée avec les épaisseurs 0,6 * s1, 0,6 * s2, 0,6 * s3 et 0,6 * s4 ; les épaisseurs pour les secteurs 8d sont définies par la même fonction, paramétrée avec les épaisseurs 0,4 * s1, 0,4 * s2, 0,4 * s3 et 0,4 * s4 ; les épaisseurs pour les secteurs 8d sont définies par la même fonction, paramétrée avec les épaisseurs 0,2 * s1, 0,2 * s2, 0,2 * s3 et 0,2 * s4.
Dans un ensemble de modes de réalisation de l’invention, chaque élément secteur circulaire est défini par une fonction d’épaisseur croissant puis décroissant en fonction d’une distance au centre de la demi-lentille.
C’est par exemple le cas des éléments secteur circulaire représentés en , pour lesquels l’épaisseur croît d’abord, du centre de la lentille (à gauche sur la ) jusqu’à une distance ds3, puis décroît entre la distance ds3 et une distance ds4 représentant le rayon des éléments secteur circulaire.
La distance ds3 peut par exemple correspondre substantiellement au rayon de l’antenne. Ceci permet d’obtenir une épaisseur de la demi-lentille croissante avec la distance au centre de l’antenne, et donc avec la longueur d’onde des ondes utilisées localement par l’antenne. Ceci permet d’avoir une épaisseur importante pour les basses fréquences, et plus faibles pour les hautes fréquences. Ceci permet d’obtenir une déviation du faisceau homogène sur une large bande de fréquences.
La représente un exemple de vue d’ensemble d’un système d’antenne comprenant un ensemble d’éléments secteurs circulaires d’une demi-lentille absorbante dans un ensemble de modes de réalisation de l’invention.
La représente une vue d’ensemble d’un système d’antenne Sys10 comprenant un certain nombre des éléments discutés ci-dessus. Le système d’antenne Sys10 comprend notamment : une cavité métallique Cav ; une antenne Ant dans la cavité métallique ; une demi-lentille comprenant : un élément annulaire Ann ; une pluralité d’éléments secteur circulaire Sect.
Certains éléments du système d’antenne Sys10 ne sont pas visibles sur la . Par exemple, l’élément de base de la demi-lentille est situé soit la pluralité d’éléments secteur circulaire Sect, et la couronne périphérique absorbante à l’intérieur des parois de la cavité métallique.
La représente un exemple de diagrammes de rayonnement d’une antenne de l’état de l’art selon différentes fréquences, sans déviation du faisceau de l’antenne.
Selon l’invention, le différentiel de dimension longitudinale des tubes permet de raccorder les tubes à l’une ou l’autre des chambres collectrices du premier collecteur en fonction de leur dimension longitudinale. Ainsi, la dimension longitudinale des tubes du premier ensemble est définie pour que tous les tubes de cet ensemble débouchent dans la première chambre collectrice du premier collecteur tandis que la longueur d’extension des tubes du deuxième ensemble est définie pour que tous les tubes de ce deuxième ensemble débouchent dans la deuxième chambre collectrice de ce même collecteur.
Selon une caractéristique de l’invention, la première chambre collectrice et la deuxième chambre collectrice sont séparées par une paroi de séparation, cette paroi de séparation comportant des fenêtres dans lesquelles s’insèrent les tubes du deuxième ensemble.
La paroi de séparation permet ainsi de délimiter deux chambres collectrices au sein d’un même collecteur. La première chambre collectrice et la deuxième chambre collectrice sont donc séparées fluidiquement et le fluide réfrigérant amené à circuler dans une des chambres collectrices ne peut circuler que dans les tubes associés à cette chambre collectrice. Cette paroi de séparation étant percée de fenêtres aptes à recevoir les tubes du deuxième ensemble, le fluide réfrigérant circulant dans ces tubes peut ainsi être acheminé jusqu’à l’intérieur de la deuxième chambre collectrice ou à partir de celle-ci.
Selon une autre caractéristique de l’invention, la première chambre collectrice est séparée de la surface d’échange de chaleur par une paroi d’étanchéité, cette paroi d’étanchéité comportant des premières fentes dans lesquelles s’insèrent les tubes du premier ensemble, et des deuxièmes fentes dans lesquelles s’insèrent les tubes du deuxième ensemble.
La paroi d’étanchéité permet ainsi de séparer la surface d’échange de chaleur du collecteur et participe à délimiter la première chambre collectrice. Cette paroi d’étanchéité étant percée de fentes aptes à recevoir les tubes du premier ensemble, le fluide réfrigérant circulant dans ces tubes peut ainsi être acheminé jusqu’à l’intérieur de la première chambre collectrice ou à partir de celle-ci. À l’inverse, les tubes du deuxième ensemble traversent la première chambre collectrice de part en part pour ensuite traverser la paroi de séparation à travers les fenêtres, de sorte que le fluide réfrigérant qui circule dans ces tubes du deuxième ensemble ne s’écoule donc pas dans la première chambre collectrice.
Selon l’invention, les fenêtres de la paroi de séparation dans lesquelles s’insèrent les tubes du deuxième ensemble sont en regard des deuxièmes fentes de la paroi d’étanchéité dans lesquelles s’insèrent les tubes du deuxième ensemble.
Cette disposition des fenêtres de la paroi de séparation et des deuxièmes fentes de la paroi d’étanchéité permet aux tubes du deuxième ensemble de traverser successivement la paroi de séparation et la paroi d’étanchéité.
Selon une caractéristique de l’invention, la première chambre collectrice et la deuxième chambre collectrice sont alignées selon une direction longitudinale, la première chambre collectrice étant située entre la surface d’échange de chaleur et la deuxième chambre collectrice.
Selon une autre caractéristique de l’invention, la deuxième chambre collectrice est délimitée par la paroi de séparation et par un carter contre lequel repose la paroi de séparation.
Selon un mode de réalisation particulier, l’au moins un collecteur est formé d’un assemblage d’au moins trois pièces, parmi lesquelles le carter, la paroi de séparation et la paroi d’étanchéité.
Cet assemblage peut par exemple se traduire par le fait qu’une fois la pièce correspondant au carter est réalisée, la paroi de séparation et la paroi d’étanchéité sont rapportées sur ce carter. Ce mode de réalisation nécessite plusieurs opérations de fabrication, avec la paroi de séparation et la paroi d’étanchéité qui peuvent par exemple être fixées au carter par brasage.
Selon un mode de réalisation alternatif, les deux chambres collectrices de l’au moins un collecteur sont formées d’un seul tenant.
L’au moins collecteur est ainsi formé d’un ensemble monobloc composé du carter, de la paroi de séparation et de la paroi d’étanchéité. La paroi de séparation délimite ensuite d’une part la première chambre collectrice, entre cette paroi de séparation et la paroi d’étanchéité, et d’autre part la deuxième chambre collectrice entre la paroi de séparation et le carter. Ces trois éléments étant réalisés d’un seul tenant, on ne peut donc pas les séparer les uns des autres sans les détériorer.
L’ensemble monobloc constitué par ces trois éléments peut notamment être obtenu par fabrication additive, par exemple par impression 3D. Une seule opération de fabrication étant nécessaire, ce mode de réalisation offre des facilités de fabrication ainsi qu’un gain de temps et des coûts réduits.
Selon une caractéristique de l’invention, les tubes sont empilés dans une direction d’empilement selon une alternance entre les tubes du premier ensemble et les tubes du deuxième ensemble.
On comprend que les tubes sont empilés de façon que la surface d’échange de chaleur comprenne une alternance entre un tube du premier ensemble et un tube du deuxième ensemble. Cette alternance forme ainsi un motif de disposition, qui se répète d’une extrémité à l’autre de la surface d’échange de chaleur selon la direction d’empilement.
Généralement, la composition alimentaire est utilisée de manière à permettre une administration de ladite composition allant de 1% à 5% du poids du poisson. En fonction de son âge, le poids du poisson va de 4 g à 1kg.
Généralement, la composition alimentaire est utilisée en quantité allant de 20 g/jour à 1 kg/jour pour 100 poissons, ou encore une quantité d’hydrolysat utilisé selon l’invention allant de 25 mg à 10 g pour 100 poissons.
La composition alimentaire selon l’invention présente des propriétés nutritionnelles avantageuses, et une biodisponibilité ainsi qu’un pouvoir d’appétence élevés vis-à-vis des poissons.
H ydrolysat
Selon une mise en œuvre particulière, l’hydrolysat décrit ci-dessous est utilisé dans les compositions alimentaires selon l’invention.
Selon un mode préféré, l’hydrolysat utilisé selon l’invention est obtenu par un procédé de préparation dans lequel la matière kératinique est une matière kératinique de préférence de volaille, comprenant au moins les étapes suivantes, dans cet ordre : - soumettre la matière kératinique à au moins une hydrolyse chimique au moyen d’un acide dans des conditions aptes à obtenir un hydrolysat comprenant au moins 88% en poids d’acides aminés libres par rapport au poids total des acides aminés de l’hydrolysat, le reste des acides aminés de l’hydrolysat étant sous la forme de peptides présentant une masse moléculaire inférieure ou égale à 800 Dalton, - de préférence extraire la tyrosine et la cystine dudit hydrolysat de préférence au moyen d’une base; - éventuellement sécher.
Cet hydrolysat est obtenu à partir de matières kératiniques naturelles, avantageusement à partir de plumes de volailles. A titre de volailles, on peut citer les poules, poulets, dindes, canards, oies…En particulier, l’hydrolysat n’est pas obtenu à partir de kératine humaine tels que les cheveux.
Le procédé de préparation dudit hydrolysat de kératine met en œuvre au moins une hydrolyse chimique au moyen d’un acide dans des conditions aptes à obtenir un hydrolysat comprenant au moins 88% en poids d’acides aminés libres par rapport au poids total des acides aminés de l’hydrolysat, le reste des acides aminés de l’hydrolysat étant sous la forme de peptides présentant une masse moléculaire inférieure ou égale à 800 Dalton.
Le pourcentage en peptides - présentant une masse moléculaire inférieure ou égale à 800 Dalton- dans l’hydrolysat va généralement de 5 à 12 % en poids par rapport au poids total de l’hydrolysat.
L’hydrolyse chimique de la kératine est réalisée au moyen d’un acide de préférence un acide fort choisi parmi les acides chlorhydrique, phosphorique et sulfurique, de préférence l’acide chlorhydrique. De préférence l’acide fort est utilisé en une concentration allant de 10 à 30%, de préférence de 15 à 25%.
L’hydrolyse chimique est généralement effectuée pendant une durée allant de 1 heure à 8 heures, de préférence allant de 6 à 7 heures à une température allant de 100 à 115°C.
Selon une variante particulière, l’hydrolyse chimique est effectuée en deux étapes : -une première hydrolyse chimique réalisée à une température allant de 60 à 80°C pendant une période allant de 4 à 5 heures puis -une deuxième hydrolyse chimique réalisée à une température allant de 100 à 115°C pendant une période allant de 5 à 8 heures, les deux hydrolyses pouvant être réalisées sans étape de pause intermédiaire ou en effectuant une étape de pause intermédiaire comprise entre 1 heure et 7 jours.
Plus précisément la première hydrolyse chimique est réalisée à 72°C pendant 4,5 heures et la deuxième hydrolyse chimique est réalisée à 107°C pendant 6 heures, une pause intermédiaire de 24 à 80 heures étant effectuée entre les deux hydrolyses chimiques.
L’hydrolyse chimique, réalisée en une ou plusieurs étapes, est avantageusement suivie d’au moins une étape d’extraction de la cystine et de la tyrosine.
L’étape d’extraction de la cystine et de la tyrosine est réalisée au moyen d’une base, de préférence choisie parmi l’hydroxyde de sodium, l’hydroxyde de potassium, de préférence l’hydroxyde de sodium. L’ajout d’une base à l’hydrolysat permet de faire précipiter les acides aminés les moins solubles (cystine, tyrosine majoritairement), les rendant ainsi séparables de la phase liquide par des techniques adéquates, telles que la filtration ou l’essorage.
Les étapes d’hydrolyse chimique et d’extraction de la cystine et de la tyrosine peuvent être suivies d’étapes optionnelles de purification de l’hydrolysat obtenu.
Lors de l'étape 210, les atomes d’argon incorporés dans les faces intérieures des cavités 152, 154, empêche que siliciure de vanadium déposé réagisse avec le silicium de la couche 14 pour former du VSi 2 . Le VSi 2 est un matériau non-supraconducteur et sa présence à l'interface entre le réservoir 70 et le canal en silicium dégrade les performances sur transistor fabriqué. Ici, grâce à l'étape 160, la formation de VSi 2 est supprimée ou très fortement réduite. Ceci est important, par exemple, pour obtenir une bonne jonction Josephson.
Enfin, lors d'une étape 220, les prises 40, 42 et 60 sont réalisées. Par exemple, pour cela, les couches 50 et 52 sont successivement déposées. Ensuite, des ouvertures sont réalisées dans les couches 50, 52 et 30 aux emplacements où doivent être réalisées les prises 40, 42 et 60. Une fine couche de matériau supra-conducteur est alors déposée. Cette fine couche est réalisée dans le même matériau que les revêtements 48 et 64 et recouvre toutes les parois des ouvertures réalisées. Une couche de matériau non-supraconducteur est ensuite déposée. L'épaisseur de cette couche est suffisante pour remplir complètement les ouvertures réalisées. Cette couche est réalisée dans le même matériau que celui des corps 46 et 62. Enfin, la face supérieure du transistor est polie pour retirer les portions des couches déposées qui s'étendent en-dehors des ouvertures réalisées. Les prises 40, 42 et 60 sont alors obtenues.
Chapitre III – Variantes :
Variantes de la source et du drain :
En variante, le réservoir 70 n’est pas entièrement enfoui à l’intérieur de la couche 14. Ainsi, selon cette variante, le réservoir 70 comporte une partie inférieure située en dessous du plan P sup14 et une partie supérieure située au-dessus du plan P sup14.
Le siliciure de vanadium utilisé pour réaliser le réservoir 70 peut être remplacé par d’autres matériaux supraconducteurs. En particulier, d’autres siliciures supraconducteurs peuvent être utilisés à la place du siliciure de vanadium. Par exemple, les siliciures suivants conviennent : CoSi2 et PtSi. Bien que moins souvent utilisés, les siliciures suivants peuvent aussi convenir : PdSi, RhSi, LaSi 2 et CaSi 2 . D’autres matériaux supraconducteurs qui ne sont pas des siliciures peuvent également être utilisés à la place du siliciure de vanadium comme, par exemple, le Nb 3 Ge, le nitrure de titane, nitrure de tantale, l'aluminium.
Le réservoir 70 peut aussi être formé par un empilement de plusieurs matériaux supraconducteurs. Par exemple, le réservoir 70 comporte un corps en siliciure de vanadium recouvert d’un revêtement en nitrure de titane. Dans ce cas, le revêtement en nitrure de titane est interposé entre le corps en siliciure de vanadium et le silicium de la couche 14. Dans un tel cas, l’épaisseur du revêtement est petite devant l’épaisseur du corps. Par exemple, l’épaisseur de revêtement est inférieure à 5 nm ou 10 nm. Dans un tel mode de réalisation, le siliciure de vanadium est isolé mécaniquement du silicium de la couche 14 par le revêtement en nitrure de titane. L'étape 160 d'incorporation d'atomes d'argon peut alors être omise. En effet, lors de l’étape 210 de traitement thermique, le siliciure de vanadium ne réagit pas avec le silicium de la couche 14 à cause de la présence de ce revêtement en nitrure de titane.
Dans un autre mode de réalisation, le réservoir 70 n’est pas directement en contact avec le matériau de la couche 14. Par exemple, une fine couche en matériau non-supraconducteur peut être déposée sur les faces intérieures des cavités 152, 154 avant le dépôt du matériau supraconducteur. Par exemple, cette fine couche est réalisée dans un matériau semi-conducteur tel que le germanium. L’épaisseur de cette fine couche est inférieure à 10 nm ou 5 nm.
D’autres modes de réalisation de la source 8 sont possibles. Par exemple, en variante, le corps 74 est remplacé par un corps en matériau supraconducteur. De préférence, dans ce dernier cas, le corps est réalisé dans le même matériau supraconducteur que celui utilisé pour réaliser le réservoir 70. Ainsi, la source est alors uniquement formée d’un seul bloc en matériau supraconducteur. Le corps 74 peut aussi être réalisé dans un matériau diélectrique. Par contre, de préférence, le corps 74 n'est pas réalisé en matériau métallique non-supraconducteur.
Dans une autre variante, les flancs latéraux 72 sont omis et le corps 74 est remplacé par un corps en matériau électriquement conducteur et non-supraconducteur qui occupe l’emplacement des flancs latéraux 72 et l’emplacement du corps 74. Dans ce dernier cas, le réservoir 70 est raccordé électriquement à la prise 40 seulement par l’intermédiaire de ce corps en matériau électriquement conducteur et non-supraconducteur. Par exemple, dans un tel cas, le corps est réalisé en tungstène.
En variante, la structure du drain 10 n’est pas la même que la structure de la source 8. Par exemple, l’un de la source 8 et du drain 10 est réalisé selon l’une des variantes décrites dans le paragraphe précédent pour la source 8.
La source 8 et/ou le drain 10 peuvent être communs à deux transistors réalisés l’un à côté de l’autre.
La source 8, le drain 10 et la grille 12 ne sont pas nécessairement alignés les uns derrière les autres dans la direction X. Par exemple, en variante, la grille 12 comporte aussi une partie plus large, décalée dans la direction Y par rapport à l’axe sur lequel sont alignés la source 8 et le drain 10.
En variante, la face supérieure de la grille 12 s'étend dans le plan P int .
Autres variantes du transistor :
Le corps 17 de la grille 12 peut aussi être réalisée par un empilement de métaux ou d’alliage ayant ou non des propriétés supraconductrices.
Comme la température influe directement sur le courant délivré par les moyens de stockage non rechargeables, il est possible de déterminer le courant nécessaire en temps réel pour atteindre la puissance demandée par les moyens de transmission.
Lorsque le courant apte à être délivré est inférieur à cette valeur de seuil, les moyens de stockage d’énergie non rechargeables voient leur capacité effective altérée dans le but d’atteindre ladite valeur seuil.
Il est donc nécessaire de limiter le courant délivré dans ces conditions.
L’invention a également pour objet un dispositif de gestion de la mise en œuvre d’une limitation de la valeur d’un courant en sortie de moyens de stockage d’énergie électrique non rechargeables destinés à alimenter des moyens de transmission périodique sans fil.
Le dispositif comprend :
- des moyens de calcul aptes à déterminer une valeur de seuil de courant en fonction d’une grandeur physique ;
- un circuit limiteur de courant ;
- des moyens de stockage d’énergie électrique rechargeables couplés au circuit limiteur et destinés à alimenter lesdits moyens de transmission de données et,
- des moyens de contrôle aptes à commander le circuit limiteur pour qu’il effectue, pendant une durée prédéterminée, ladite limitation uniquement lorsque la valeur du courant est inférieure à la valeur de seuil, le circuit limiteur étant apte à délivrer le courant limité aux moyens de stockage d’énergie électrique rechargeables.
Avantageusement, le circuit limiteur comprend un hacheur à courant réglable.
On entend par « hacheur » un convertisseur continu-continu qui comprend ici un module destiné à limiter le courant reçu dans le transistor du convertisseur par exemple.
De préférence, la grandeur physique est la température des moyens de stockage d’énergie électrique non rechargeables.
Préférentiellement, les moyens de stockage d’énergie électrique rechargeables comportent au moins un supercondensateur.
Le supercondensateur a pour avantage d’avoir une résistance interne faible. Le courant qu’il délivre est alors considérablement supérieur aux moyens de stockage non rechargeables.
Avantageusement, le supercondensateur a une capacité comprise entre 100mF et 500mF, de préférence égale à environ de 330mF, ce qui permet de restituer au moyen de communication une énergie de 690 mJ, soit 33 mA sous 3,3 V pendant 2.1 s.
L’invention concerne également un objet connecté comprenant des moyens de transmission périodique de données sans fil, des moyens de stockage d’énergie électrique non rechargeables aptes à alimenter lesdits moyens de transmission et, un dispositif de gestion de la mise en œuvre d’une limitation du courant en sortie desdits moyens de stockage d’énergie électrique non rechargeables tel que défini ci-dessus.
La surface peut être la toiture d’un véhicule ou d’un bâtiment, notamment une surface magnétique.
Le procédé peut comporter l’aimantation du module par sa couche inférieure sur la surface, la surface étant magnétique.
Le procédé peut comporter le collage de la surface inférieure du module sur la surface à l’aide d’un adhésif ou de rubans adhésifs double-face.
De préférence, la surface sur laquelle est positionnée le module présente un rayon de courbure supérieur ou égal à 500 mm, mieux supérieur ou égale à 1 m.
Le procédé peut comporter le positionnement du module de sorte que la direction du module ayant le plus petit rayon de courbure soit parallèle à la direction du module interceptant le plus grand nombre de fente, notamment perpendiculaire à la direction d’extension des fentes.
représente schématiquement un exemple de module photovoltaïque,
est une vue en coupe selon II-II de l’exemple de module photovoltaïque de la ,
est une vue en coupe selon III-III de l’exemple de module photovoltaïque de la ,
est une vue en coupe selon IV-IV de l’exemple de module photovoltaïque de la ,
est un grossissement du détail V de la ,
représente schématiquement une variante de module photovoltaïque,
représente schématiquement une variante de module photovoltaïque, et
est une vue en coupe d’une variante de module photovoltaïque.
Description détaillée On a illustré sur les figures 1 à 4 un module photovoltaïque 10 comportant un empilement multicouche formé par au moins une couche supérieure transparente 20 et une couche inférieure 25 définissant les surfaces opposées du module 10 présentant des structures photovoltaïques 30 dans une couche d’encapsulation 22, comme cela est visible sur la . Les surfaces du module sont de contour rectangulaire. Le module 10 comporte entre 2 et 60 structures photovoltaïques 30.
Composition de fixation (B) La composition (B) de fixation selon l’invention comprend une phase huileuse continue contenant : i) au moins un polymère filmogène hydrophobe différent des copolymères acrylates siliconés ; et ii) au moins une huile volatile hydrocarbonée.
Phase huileuse Par huile, on entend un composé non aqueux, non miscible à l’eau, liquide à température ambiante (25°C) et pression atmosphérique (760 mm de Hg).
Par huile hydrocarbonée , on entend une huile comportant majoritairement des atomes de carbone et d’hydrogène et ne comprenant pas d’atome de silicium.
Par huile volatile, on entend toute huile ayant une pression de vapeur supérieure ou égale à 0,13 Pa mesurée à 25°C.
Huile volatile hydrocarbonée L’huile hydrocarbonée de la composition (B) est de préférence choisie parmi les huiles hydrocarbonées ayant de 8 à 16 atomes de carbone, mieux de 12 à 16 atomes de carbone.
Avantageusement, l’huile hydrocarbonée de la composition (B) est apolaire (donc formée uniquement d’atomes de carbone et d’hydrogène).