INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- une étape d’envoi de cette information binaire à un serveur distant via un réseau de télécommunications.
Ce procédé est mis en œuvre par un dispositif autonome alimenté à partir d’au moins une source d’énergie renouvelable et il comporte :
- au moins une étape de gestion de l’énergie du dispositif autonome, en contrôlant, en fonction d’au moins un premier critère prédéterminé, une opération mise en œuvre au cours de ladite étape d’acquisition, ou dudit prétraitement ou de ladite étape de détermination ou de ladite étape d’envoi.
Pour simplifier, le contrôleur de gestion d’énergie sera parfois aussi appelé simplement « le contrôleur ».
Ainsi, et d’une façon générale, l’invention propose un dispositif autonome et un procédé mis en œuvre par un dispositif autonome pour déterminer si un emplacement est occupé ou non.
Dans le mode de réalisation des Figs. 3 à 5, l’ensemble comporte également une rondelle 328 de forme cylindrique avec un trou central pour permettre l’emmanchement sur la pièce femelle 302, et plus particulièrement sur la paroi cylindrique 252, pour combler l’espace entre le panneau support 208 et la protection thermique 210 au niveau du trou 307. La rondelle 328 est réalisée dans un matériau thermiquement isolant. Ici, la rondelle 328 prend la forme d’un tronc de cône avec un trou central.
Dans le deuxième mode de réalisation de l’invention représenté à la , pour chaque pièce femelle 302, l’ensemble comporte un œillet 602 qui est positionné le long des bords du trou 307 correspondant de la protection thermique 210. Cet œillet 602 s’emmanche sur la paroi cylindrique 252 correspondante et vient en appui contre l’embase 250. L’œillet 602 comporte deux flasques qui sont disposés de part et d’autre de la protection thermique 210 et un cylindre qui solidarise les deux flasques.
Dans le troisième mode de réalisation de l’invention représenté à la et dans le quatrième mode de réalisation de l’invention représenté à la , chaque pièce mâle 306 est solidaire de la protection thermique 210. Ici la solidarisation est réalisée par des rivets 706.
Dans le troisième mode de réalisation de l’invention représenté à la , pour chaque pièce femelle 302, l’ensemble comporte un œillet 702 qui est positionné le long des bords du trou central correspondant de la rondelle 328. Comme précédemment, cet œillet 702 s’emmanche sur la paroi cylindrique 252 correspondante et vient en appui contre l’embase 250.
En outre, la protection thermique 210 comporte sur sa face orientée contre le chapeau 312, une plaque de soutien 704, du type plaque métallique, collée sur ladite face.
Le chapeau 312 est fixé à l’œillet 702 et à la plaque de soutien 704.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, la protection thermique 210 comporte sur sa face orientée contre le panneau support 208, une autre plaque de soutien 708, du type plaque métallique, collée sur ladite face.
Dans le quatrième mode de réalisation de l’invention représenté à la , la protection thermique 210 comporte sur sa face orientée contre le chapeau 312, une plaque de soutien 804, du type plaque métallique, collée sur ladite face et l e chapeau 312 est fixé à la plaque de soutien 804.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, la protection thermique 210 comporte sur sa face orientée contre le panneau support 208, une autre plaque de soutien 808, du type plaque métallique, collée sur ladite face.
Dans une variante de réalisation de l’invention représentée à la , la pièce mâle 306 comporte un moyen de rappel 902, ici un ressort hélicoïdal, qui contraint le coulisseau 310 en position de blocage. Le moyen de rappel 902 facilite également la sortie du coulisseau 310.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, le moyen de rappel 902 est logé dans la chambre portant la contre-butée 322 et il est contraint entre une paroi de ladite chambre et un élément du coulisseau 310, ici un plot 904.
Bien que ce moyen de rappel 902 soit présenté sur un ensemble particulier, il s’applique aux différents modes de réalisation présentés ci-dessus.
Le chapeau 312 comporte également un trou de garde 906 qui permet l’accrochage du moyen de verrouillage 326 lorsqu’il n’est pas logé dans le perçage 324 évitant ainsi de le perdre et permettant de se servir du moyen de verrouillage 326 pour tirer sur le chapeau 312.
Bien que ce trou de garde 906 soit présenté sur un ensemble particulier, il s’applique aux différents modes de réalisation présentés ci-dessus.
Dans les modes de réalisation des Figs. 3 à 9, la pièce femelle 302 est une pièce monobloc et mono-matière, par exemple en métal ou en matériau composite.
La et la montrent deux variantes de réalisation de la pièce femelle 302 dans lesquelles la paroi cylindrique 252 et l’épaulement 304 sont réalisés par un insert métallique 1002 et l’embase 250 est réalisée par un socle 1004 réalisé en matériau composite.
De préférence, chaque revêtement minéral transparent est à base d’oxyde et chaque étape de dépôt comprend la sérigraphie ou l’impression numérique d’un précurseur de cet oxyde, notamment d’un sol. La technique d’impression numérique est par exemple une technique du type jet d’encre.
Après dépôt, le revêtement humide est de préférence séché afin d’éliminer le solvant, notamment à une température allant de 100 à 200°C. Une étape de séchage est de préférence réalisée après chaque dépôt.
Dans certains cas, l’ensemble des revêtements minéraux transparents peut ensuite subir un traitement de pré-cuisson, notamment à une température allant de 550 à 650°C. Ce traitement est en particulier utile dans le cas d’étapes supplémentaires avant le bombage, par exemple une étape d’assemblage avec une feuille de verre supplémentaire en vue de la fabrication d’un vitrage feuilleté, ou encore une étape de dépôt d’une couche opaque, en particulier sur la face opposée à la face revêtue par le revêtement minéral transparent, nécessitant un convoyage sur cette dernière face.
Après le dépôt du revêtement minéral transparent, la première feuille de verre, et le cas échéant la feuille de verre supplémentaire, est de préférence bombée.
Lorsqu’au moins un revêtement minéral transparent est une couche sol-gel, le bombage peut entraîner la densification et consolidation de cette couche.
Le bombage peut notamment être réalisé par gravité (le verre se déformant sous son propre poids) ou par pressage, à des températures allant typiquement de 550 à 650°C. Selon un premier mode de réalisation, les deux feuilles de verre (première feuille de verre et feuille de verre supplémentaire) sont bombées séparément. Selon un deuxième mode de réalisation, la première feuille de verre et la feuille de verre supplémentaire sont bombées ensemble.
L’intercalaire de feuilletage comprend de préférence au moins une feuille de polyvinylacétal, notamment de polyvinylbutyral (PVB). Il est avantageusement constitué de telles feuilles. Notamment, l’intercalaire de feuilletage ne comprend normalement pas de couche active à base de cristaux liquides.
L’intercalaire de feuilletage peut être teinté ou non-teinté afin si nécessaire de réguler les propriétés optiques ou thermiques du vitrage. L’intercalaire de feuilletage peut avantageusement posséder des propriétés d’absorption acoustique afin d’absorber les sons d’origine aérienne ou solidienne. Il peut notamment être constitué à cet effet de trois feuilles polymériques, dont deux feuilles de PVB dites externes encadrant une feuille polymérique interne, éventuellement en PVB, de dureté plus faible que celle des feuilles externes.
L’épaisseur de l’intercalaire de feuilletage est généralement comprise dans un domaine allant de 0,3 à 1,5 mm, notamment de 0,5 à 1 mm. L’intercalaire de feuilletage peut présenter une épaisseur plus faible sur un bord du vitrage qu’au centre du vitrage afin d’éviter la formation d’une double image en cas d’utilisation d’un système de vision tête haute, dit HUD (head-up display).
Exemples Les exemples qui suivent illustrent l’invention de manière non-limitative, en lien avec la .
De préférence, la totalité de la surface du ou desdits germes de silicium est oxydée. Autrement dit, le germe oxydé en surface présente une couche d’oxyde sur toute sa surface.
Le ou lesdits germes de silicium oxydés en surface, mis en œuvre selon l’invention, peu(ven)t être préparés, préalablement à leur mise en œuvre dans la méthode de solidification dirigée, en soumettant un ou plusieurs germes de silicium, en particulier de silicium monocristallin, à un traitement d’oxydation de surface.
Ainsi, le procédé de l’invention peut comprendre plus particulièrement au moins les étapes consistant en : - soumettre un ou plusieurs germes de silicium, en particulier de silicium monocristallin, à un traitement d’oxydation de surface, en particulier à un traitement d’oxydation thermique sous atmosphère oxydante, ledit traitement de surface étant apte à former au niveau d’au moins la surface du ou desdits germes dédiée à être mise au contact du silicium en fusion, en particulier au niveau de toute la surface du ou desdits germes, une couche comportant, voire étant constituée par, un oxyde de silicium ; et - procéder à la solidification dirigée de silicium par mise en contact du ou desdits germes oxydé(s) en surface avec du silicium en fusion.
Le ou lesdits germes de silicium, soumis à un traitement préalable d’oxydation de surface, peuvent être plus particulièrement des germes issus d’un lingot de silicium élaboré selon une technique de tirage de Czochralski (encore appelé lingot Cz), ou encore des germes « Fz », autrement dit des germes issus d’un lingot élaboré selon un procédé de zone de flottation (ou « float zone » en langue anglaise), encore appelé lingot « Fz ».
Il est entendu que, suivant la méthode de solidification dirigée mise en œuvre, un ou plusieurs germes de silicium oxydés en surface, de forme et de dimensions adaptées, peuvent être utilisés pour l’élaboration du lingot de silicium.
Par exemple, dans le cas de la croissance dirigée du lingot de silicium par une méthode Crozralski, le procédé de l’invention fait alors intervenir la mise en contact d’un unique germe (monogerme) oxydé en surface avec un bain de silicium en fusion.
Dans le cas de l’élaboration du lingot de silicium par une méthode de croissance par reprise sur germe, en particulier par une méthode de solidification « mono-like » (ou « ML-Si »), comme détaillé dans la suite du texte, le procédé de l’invention met en œuvre un pavage constitué d’un unique germe ou de plusieurs germes de silicium monocristallin, disposés au fond d’un creuset dans lequel sera chauffée une charge de silicium. L’unique germe ou, dans le cas d’un pavage formé de plusieurs germes, au moins l’un des germes dudit pavage, voire de préférence l’ensemble des germes dudit pavage, est alors un germe oxydé en surface.
Dans le cadre de cette variante, le ou lesdits germes disposés au fond du creuset pour former le pavage sont plus particulièrement de forme prisme droit.
On entend bien entendu par « forme prisme droit », une forme approximativement de type prisme droit. En particulier, les germes présentent des parois latérales verticales ou sensiblement verticales (déviation de ± 5°). Par ailleurs, les germes du pavage en fond de creuset présentent des surfaces approximativement planes, aux irrégularités de surface près.
On désignera dans la suite du texte, comme étant la « base du germe », la face globalement plane du germe en regard du fond du creuset, et par la « face supérieure » la face du germe opposée à la base du germe, soit la face qui entrera en contact avec la charge de silicium fondue.
Comme détaillé par la suite, la base des germes (respectivement la face supérieure des germes) peut être de forme variée, notamment de forme carrée ou rectangulaire ou encore parallélogramme. De préférence, elle est de forme carré ou rectangulaire, les germes étant alors approximativement de forme pavé droit.
De préférence, toujours dans le cadre de l’élaboration du lingot de silicium par une technique de croissance par reprise sur germes, la totalité de la surface de la face supérieure du ou desdits germes oxydés disposés en fond du creuset adapté à la solidification dirigée, est oxydée. Autrement dit, le ou lesdits germes oxydés, disposés au fond du creuset, présentent au moins au niveau de leur face supérieure une couche d’oxyde, en particulier d’oxyde de silicium, et plus particulièrement de SiO 2 .
Dans un mode de réalisation particulier, l’ensemble des germes formant le pavage en fond de creuset sont oxydés en surface. Une couche d’oxyde, en particulier d’oxyde de silicium, s’étend alors au niveau de toute la surface en fond de creuset définie par l’ensemble des faces supérieures des germes formant le pavage en fond de creuset, autrement dit au niveau de toute la surface du pavage de germes dédiée à entrer en contact avec le bain de silicium fondu.
Comme indiqué précédemment, le ou lesdits germes oxydés utilisés selon l’invention peuvent être préalablement préparés via un traitement d’oxydation de surface.
Le traitement d’oxydation de surface est apte à générer, au niveau d’au moins une partie de la surface du germe de silicium, en particulier au niveau de toute la surface du germe de silicium, une couche superficielle comportant, voire étant constituée par, un oxyde de silicium, notamment de SiO 2 , d’épaisseur souhaitée.
En particulier, la couche de surface oxydée doit être suffisamment épaisse pour ne pas être dégradée avant la mise en contact dudit germe de silicium avec le silicium en fusion lors de l’initiation de la croissance dirigée du lingot de silicium. La couche d’oxyde doit ainsi résister à la chauffe du germe, préalable à sa mise en contact avec le silicium en fusion, et plus précisément à un chauffage de plusieurs heures et pouvant aller jusqu’à une température proche de la température de fusion du silicium, soit jusqu’à une température strictement inférieure à 1415°C.
Pour respecter les tolérances de fabrication, le pas de réseau pr séparant deux modulateurs 1 thermo-optiques adjacents est au minimum de 1,2 µm. Pour une longueur d’onde λ de fonctionnement de 905 nm, cela correspond à pr ≈ 1,3 λ. La compacité de ce modulateur thermo-optique n’est donc pas suffisante, notamment pour certaines applications de type OPA fonctionnant à des longueurs d’onde submicroniques. Par ailleurs, la fréquence de modulation d’un tel modulateur est limitée par les phénomènes de diffusion / dissipation thermique.
Il existe donc un besoin consistant à améliorer la compacité d’un modulateur de phase thermo-optique et/ou la fréquence de modulation d’un tel modulateur.
Un objectif de la présente invention est de répondre à ce besoin et de proposer un modulateur de phase thermo-optique qui pallie au moins en partie certains des inconvénients précédemment cités.
Un autre objet de la présente invention concerne un procédé de réalisation d’un tel modulateur de phase thermo-optique.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un modulateur de phase thermo-optique comprenant un empilement selon une première direction z, ledit empilement comprenant un guide d’onde configuré pour guider un faisceau lumineux de longueur d’onde λ selon une deuxième direction x, une couche d’encapsulation surmontant le guide d’onde et un élément dit chauffant configuré pour chauffer le guide d’onde, ledit élément chauffant surmontant la couche d’encapsulation. Le modulateur comprend en outre des première et deuxième tranchées s’étendant de part et d’autre de l’empilement.
Avantageusement , le guide d’onde, la couche d’encapsulation et l’élément chauffant présentent chacun des premiers et deuxièmes flancs tels que les premiers flancs du guide d’onde, de la couche d’encapsulation et de l’élément chauffant forment au moins en partie un flanc de la première tranchée, et les deuxièmes flancs du guide d’onde, de la couche d’encapsulation et de l’élément chauffant forment au moins en partie un flanc de la deuxième tranchée.
Les flancs du guide d’onde, de la couche d’encapsulation et de l’élément chauffant débouchent ainsi directement dans les tranchées bordant le modulateur.
Le modulateur présente donc un encombrement en largeur réduit par rapport au modulateur connu illustré à la . La compacité du modulateur est augmentée. Cela permet de rapprocher les modulateurs entre eux, par exemple dans le cas d’un système optique de type OPA.
Par ailleurs, le guide d’onde est directement au contact de l’air circulant dans les tranchées. Cela permet d’améliorer le confinement thermique au sein du guide d’onde. La puissance nécessaire pour chauffer le guide d’onde est diminuée. L’efficacité du modulateur est ainsi améliorée.
En outre, l’air circulant dans les tranchées présente un faible indice de réfraction. Cela augmente le confinement optique du faisceau dans le guide d’onde, par contraste d’indices.
Dans l’architecture connue et illustrée à la , un espace résiduel, typiquement de l’ordre de 150nm, est nécessairement prévu entre les flancs du guide et ceux de la tranchée. Cet espace résiduel sert notamment à tolérer les erreurs d’alignement entre les étapes de lithographie des guides d’onde et des tranchées, lors de la fabrication du modulateur.
Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé de réalisation du modulateur tel que décrit dans le mode de réalisation ci-dessus est proposé.
Selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de réalisation d’au moins un modulateur de phase thermo-optique comprenant un empilement selon une première direction z, ledit empilement comprenant un guide d’onde configuré pour guider un faisceau lumineux de longueur d’onde λ selon une deuxième direction x, une couche d’encapsulation surmontant le guide d’onde, un élément dit chauffant configuré pour chauffer le guide d’onde et surmontant la couche d’encapsulation, ledit modulateur comprenant en outre des première et deuxième tranchées s’étendant de part et d’autre de l’empilement.
Le procédé comprend : Une formation d’un empilement de base comprenant, selon la première direction z, un motif de guide d’onde, une couche d’encapsulation initiale surmontant le motif de guide d’onde, et l’élément chauffant surmontant la couche d’encapsulation initiale, Une gravure de l’empilement de base selon la première direction z, configurée pour former les première et deuxième tranchées et l’empilement bordé par lesdites première et deuxième tranchées , le guide d’onde étant obtenu à partir du motif de guide d’onde, et la couche d’encapsulation étant obtenue à partir de la couche d’encapsulation initiale.
Avantageusement, l’élément chauffant forme un masque de gravure lors de la formation par gravure des première et deuxième tranchées, de sorte que le guide d’onde, la couche d’encapsulation et l’élément chauffant présentent chacun des premiers et deuxièmes flancs tels que les premiers flancs du guide d’onde, de la couche d’encapsulation et de l’élément chauffant forment au moins en partie un flanc de la première tranchée, et les deuxièmes flancs du guide d’onde, de la couche d’encapsulation et de l’élément chauffant forment au moins en partie un flanc de la deuxième tranchée.
L’élément chauffant présente ainsi des flancs formant en partie des flancs des première et deuxième tranchées.
La est un tableau regroupant les mesures d’essais mécaniques pour des prises d’escalade selon l’état de la technique et pour des prises d’escalades selon la , pour différentes teneurs en poids en particules métalliques.
Description détaillée Dans cette partie, en référence aux figures 2 et 4, il est décrit un détecteur capacitif 10 ayant la particularité non limitative de constituer une prise d’escalade à détection capacitive. Il sera aussi décrit un procédé de fabrication de ce détecteur capacitif 10, en référence à la . Il sera aussi décrit une prise d’escalade à détection capacitive selon un autre objet de l’invention et un mur d’escalade connecté selon encore un autre objet de l’invention.
Le détecteur capacitif 10 comporte d’une part une matrice polymérique, d’autre part un élément de contact ménagé dans la matrice polymérique. Cet élément de contact est destiné à transmettre un contact capacitif à un ensemble de détection capacitif.
La matrice polymérique intègre une quantité de particules métalliques de sorte que les particules métalliques représentent moins de 10% du poids de la matrice polymérique. Il est à noter qu’en fonction de la résine utilisée et selon les charges employées, ce ratio peut éventuellement être supérieur à 10%.
Les particules métalliques sont réparties sensiblement équitablement dans la matrice polymérique.
Comme cela l’a été indiqué, sur la , le détecteur capacitif 10 a été fabriqué de sorte à constituer une prise d’escalade à détection capacitive. Il va de soi que la forme et les dimensions de la prise d’escalade représentée ne sont aucunement limitatives, et que ces paramètres peuvent être modifiés à souhait en adaptant en conséquence le moule dans lequel le détecteur capacitif 10 est fabriqué.
La prise d’escalade à détection capacitive ainsi obtenue, dont le corps 13 est obtenu par le moulage (incluant un séchage) de la matrice polymérique, peut être fixée sur la paroi d’un mur d’escalade par l’intermédiaire d’un élément d’ancrage électriquement conducteur (non représenté) tel que précédemment décrit, celui-ci pouvant par exemple inclure une vis à tête creuse intégrée dans une cavité 11 de la prise d’escalade et dont le corps traverse un évidement 12 du corps 13 de la prise d’escalade. Dans cet élément d’ancrage, la vis est solidarisée sur le mur d’escalade par un écrou solidaire de la paroi et lui-même connecté à un circuit d’acquisition analogue à ceux de l’état de la technique. Il est possible d’utiliser tout autre élément d’ancrage toutefois, dès lors qu’il est apte à remplir la fonction de détection capacitive par conductivité électrique entre la prise d’escalade et le circuit d’acquisition.
Dans ce qui précède, il doit être compris que cet élément d’ancrage est ménagé dans la matrice polymérique et est destiné à inclure ou constituer l’élément de contact évoqué précédemment en lien avec le détecteur capacitif 10.
Les dispositions précédentes participent préférentiellement à la formation d'un chemin électriquement conducteur entre les particules métalliques électriquement conductrices, permettant d'assurer une conductivité électrique pour des charges électriques (électrons ou trous) entre deux zones de l’élément d’ancrage de la prise ou plus généralement de l’élément de contact du détecteur capacitif 10. Le détecteur capacitif 10 présente de très bonnes propriétés mécaniques, en particulier requises pour son utilisation dans le cas où il constitue une prise d’escalade à détection capacitive. Par ailleurs, et contrairement aux solutions précédemment connues exploitant la présence d’une poudre de carbone, le détecteur capacitif 10 présente une aptitude avantageuse à être colorisé à souhait dans la masse de manière très simple et efficace, le tout sans grever aucunement la fonction de détection capacitive proposée par le détecteur capacitif 10.
Au prix de nombreux essais réalisés par la Demanderesse, qui a su faire des essais dans lesquels le pourcentage en poids des particules métalliques variait de 2% à 35%, il a pu être constaté que les meilleurs résultats étaient obtenus pour des valeurs inférieures à 10% en poids. Au-delà de cette valeur, il peut se produire une forte augmentation de viscosité, laquelle peut rendre alors difficile ou impossible la coulée durant le moulage. Ces paramètres peuvent dépendre de la résine polymérique utilisée et des autres charges au sein de la matrice polymérique.
Selon un mode de réalisation particulier, les particules métalliques représentent plus de 6% du poids de la matrice polymérique. En effet, les mêmes essais ont permis de démontrer que pour des taux de chargement en poids des particules métalliques inférieurs à 6%, l’aptitude de détection capacitive était fortement dégradée.