INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Sur les figures 1 à 3, on a représenté de manière schématique une partie d’une installation 1 de recyclage d’au moins un aimant selon un exemple de réalisation.
1. Récupérer les 12 tubes à 4°C et les centrifuger 5 min à 3000 rpm à 4°C.
2. Transférer les tubes sur un portoir et jeter les surnageants, puis resuspendre les culots dans 1 ml de tampon de fragmentation.
3. Fragmenter les 12 échantillons en utilisant le Covaris.
Etape III : Clarification de la chromatine
1. Transférer les lysats dans 12 tubes de 1,5 ml et centrifuger 10 min à 13 000 rpm à 4°C.
2. Transférer les surnageants dans 12 tubes de 1,5 ml et les placer sur glace.
3. Réaliser une extraction au Phénol-Chloroforme sur les 12 tubes afin de récupérer la chromatine purifiée.
4. Réaliser une électrophorèse sur gel d’agarose 2% d’une partie de la chromatine purifiée pour vérifier la fragmentation.
5. Doser la chromatine des 12 échantillons pour déterminer leurs concentrations.
6. Pour chaque échantillon et chaque anticorps, placer 25µg de chromatine dans des tubes 1.5ml et compléter à 1 ml avec du tampon de dilution. Ici nous avons 12 échantillons et 2 anticorps (P65-RELA et IgG contrôle) ce qui nous fait 24 tubes 1.5 ml.
Etape IV : Lavage des billes magnétiques
1. Prélever 1.5 ml de billes magnétiques et les placer dans un tube 5 ml.
2. Placer le tube 5 ml sur un portoir magnétique. Enlever le surnageant.
3. Ajouter 4 ml de PBS et incuber sur agitateur rotatif 5 min à 4°C (20 rpm).
4. Répéter 2 fois les étapes 2. et 3. (3 lavages au PBS en tout).
5. Placer le tube 5 ml sur un portoir magnétique. Enlever le surnageant.
Le condensateur de couplage en question peut comprendre : une première armature conductrice, en contact électrique avec la première puce, et une deuxième armature conductrice en contact électrique avec la deuxième puce, une partie au moins de la première armature étant située en vis-à-vis de la deuxième armature, les première et deuxième armatures étant isolées électriquement l’une de l’autre, une partie au moins de la première armature étant formée par un ou plusieurs micropoteaux électriquement conducteurs, qui s’étendent chacun à partir de la première puce, en direction de la deuxième puce.
Par « micropoteau » on désigne un élément, par exemple de forme cylindrique, faisant saillie par rapport à la puce considérée, s’étendant en direction de l’autre puce, mais pas totalement jusqu’à l’autre puce. Les dimensions (diamètre, hauteur) d’un tel micropoteau sont typiquement supérieures à 1 micron, et inférieures à 100 microns, par exemple comprises entre 10 et 50 microns.
Par « micropilier », ou, de manière équivalente, par « micropilier complet » on désigne un élément qui s’étend depuis l’une des deux puces jusqu’à l’autre puce, en raccordant directement ces deux puces entre elles. Un tel micropilier est par exemple formé de deux micropoteaux, l’un réalisé sur la première puce, et l’autre sur la deuxième puce, raccordés l’un à l’autre par une microbille de soudure.
Les micropoteaux et les micropiliers en question sont électriquement conducteurs. Ils sont typiquement formés d’un ou plusieurs matériaux métalliques. Chaque micropoteau peut être d’un seul tenant, formé d’un même matériau métallique (par exemple du cuivre ou un alliage à base de cuivre), ou comprendre plusieurs portions (plusieurs couches) formés de matériaux métalliques différents.
Par ailleurs, par « armature », on désigne une structure électriquement conductrice, typiquement à base de métal, dont la forme peut être simple (par exemple une forme de plaque) ou plus complexe. Les différents éléments de l’armature sont en contact électrique les uns avec les autres. En d’autres termes, par « armature », on désigne l’une des deux électrodes du condensateur de couplage.
Réaliser l’une des armatures du condensateur à partir d’un ou plusieurs micropoteaux est particulièrement intéressant. En effet, la réalisation de tels micropoteaux (qui servent de base aux micropiliers mentionnés dans la partie relative à l’arrière-plan technologique) est bien maitrisée technologiquement, en particulier dans une telle zone de jonction entre puces. Cela permet par ailleurs de rapprocher certaines portions de la première armature de la deuxième armature, pour obtenir une capacité par unité de surface élevée malgré la distance qui sépare les deux puces dans la zone de jonction entre puces. En effet, cette distance est typiquement supérieure à 5 microns, pour un assemblage entre puces par micropiliers (du fait des dimensions des micro-poteaux eux-mêmes, et de la microbille de soudure qui assure la jonction entre eux). On notera d’ailleurs que, en général, dans le circuit intégré en question, des connexions DC entre les deux puces (connexion classique, par conduction électrique) sont réalisées en plus de la connexion capacitive haute fréquence mentionnée plus haut, ces connexions DC étant réalisées au moyen d’un ou plusieurs micropiliers complets. L’écart entre puces est alors assez important (plusieurs microns), et il est donc particulièrement intéressant de rapprocher les deux armatures l’une de l’autre, au moins par endroits, pour augmenter la capacité du condensateur (ce qui est obtenu astucieusement par l’emploi d’un ou plusieurs micropoteaux, reliés électriquement à la première puce, mais isolés de la deuxième armature du condensateur).
Dans la présente demande, on entend par puce une structure globalement plane (dont la forme d’ensemble est celle d’une petite plaque), à base d’un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs (ainsi que d’autres matériaux, en particulier des matériaux métalliques et/ou des oxydes isolant électriquement), et pouvant intégrer différents composants, actifs ou passifs (transistor, diode, résistance, structure rayonnante ou de guidage). La puce en question peut être formée par un wafer complet (et fonctionnalisé), ou par une portion seulement d’un tel wafer (c’est-à-dire par un Die).
La première puce et la deuxième puce sont assemblées l’une sur l’autre en ce sens qu’elles sont liées (liées mécaniquement) l’une à l’autre, avec la deuxième puce située juste au-dessus de la première puce, parallèlement à celle-ci, quasiment contre la première puce. En d’autres termes, la première puce présente une première surface (qui délimite la première puce), la deuxième puce présente une deuxième surface (qui délimite la première puce), et les deux puces sont assemblées de manière à ce que la première surface s’étende en vis-à-vis de la deuxième surface, parallèlement et à distance réduite de celle-ci (par exemple avec un écart inférieur à 30 microns). Les deux puces sont ainsi assemblées l’une à l’autre au niveau de ces première et deuxième surfaces.
La zone de jonction mentionnée plus haut, qui est une zone d’assemblage entre puces et qui constitue une zone interstitielle entre puces, est délimitée par les première et deuxième surfaces en question.
En pratique, la liaison mécanique entre puces est obtenue en faisant adhérer certains éléments de la première puce, qui s’étendent dans la zone d’assemblage en question (par exemple des micropoteaux), avec des éléments de la deuxième puce (là aussi des micropoteaux, par exemple). Un matériau de remplissage optionnel, par exemple un polymère (ou un oxyde, typiquement un oxyde de silicium), peut remplir la partie inoccupée de la zone d’assemblage, pour obtenir un assemblage plus robuste mécaniquement, en formant une couche de liaison entre puces.
La technologie d’assemblage employée ici est typiquement une technologie de type micropiliers, parfois appelée « Copper Pillar bonding » ou « Copper Pillar Bump » en anglais.
La représente schématiquement un circuit intégré à puces superposées de l’art antérieur.
La représente schématiquement un circuit intégré selon un premier mode de réalisation, comprenant deux puces assemblées l’une sur l’autre et reliées électriquement l’une à l’autre par un condensateur de couplage.
Les autres éléments de l’enceinte 300 peuvent être similaires à ceux de l’enceinte de la .
Par exemple, les dimensions de l’enceinte 300 et de ses éléments peuvent être similaires à celles de l’enceinte 100 de la , les dimensions du cylindre externe 312 étant alors similaires à celles du conduit 104.
La est une vue en perspective d’une coupe verticale d’une variante de l’exemple d’enceinte acoustique de la , qui s’en distingue en ce que le cylindre interne 314 comprend des orifices 316 de communication avec le cylindre externe 312. Par exemple, les orifices sont des trous, par exemple circulaires, répartis le long d’une ou plusieurs circonférence du cylindre interne, par exemple régulièrement répartis. Dans l’exemple représenté, les orifices sont des trous circulaires régulièrement répartis le long de deux circonférences du cylindre interne. La position des orifices 316 dans la longueur du cylindre interne 314 est choisie en fonction des modes harmoniques de la ligne acoustique que l'on souhaite filtrer. Ces orifices 316 associés au volume du tube interne 314 forment un résonateur de Helmhotz capable d’étouffer les résonances principales de la ligne acoustique annulaire 304.
Les autres éléments de l’enceinte de la peuvent être similaires à ceux de l’enceinte de la .
La est une vue en perspective d’une coupe verticale d’un autre exemple d’enceinte acoustique 400 selon un mode de réalisation, qui se distingue de l’enceinte 100 de la en ce que le conduit 404 présente une section rectangulaire et s’étend jusqu’aux parois latérales du boîtier 402. L’espace compris entre le conduit 404 et le boîtier 402 délimite un volume fermé 408. Dans l’exemple représenté, le volume fermé 408 se présente comme une caisse fermée en deux parties, une partie inférieure 408A et une partie supérieure 408B, séparées par le conduit 404.
L’ouverture ou évent 406 du conduit 404 est donc également de section rectangulaire, et correspond à une ouverture formée dans l’épaisseur de la paroi arrière 402B du boîtier.
Un avantage de cet exemple est sa facilité de réalisation.
La est une vue en perspective d’une coupe verticale d’un autre exemple d’enceinte acoustique 500 selon un mode de réalisation. Dans cet autre exemple, le volume fermé 508 est formé par une caisse 512 assemblée sur les parois latérales du boitier 502. Ainsi, le conduit 504 est défini par l’espace compris entre la caisse 512 et le boîtier 502. Le conduit 504 comprend trois parties, une partie inférieure 504A, une partie supérieure 504B et une partie transversale 504C reliant les parties inférieure et supérieure et en communication avec la partie arrière 124 du haut-parleur 120. Le boîtier 502 est ouvert sur sa face arrière 502B.
L’orifice 510 entre la caisse 512 et le conduit 504 est formé dans l’épaisseur d’une paroi avant 512A de la caisse 512 positionnée en regard de la partie transversale 504C du conduit 504 et de la partie arrière 124 du haut-parleur 120. L’orifice 510 est par exemple un trou circulaire.
Chacune des extrémités 504D des parties inférieure 504A et supérieure 504B non reliées par la partie transversale sont ouvertes. Les ouvertures 506 de ces deux parties inférieure et supérieure sont comprises entre la face arrière 502B du boîtier et la paroi arrière 512B de la caisse 512.
Par exemple, la caisse 512 est de forme parallélépipédique, forme particulièrement adaptée à un boîtier parallélépipédique. Selon un autre exemple, la caisse peut être de forme cylindrique de révolution, ou de toute autre forme adaptée.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, l’enceinte acoustique a été décrite avec un seul haut-parleur pour les graves (woofer), mais elle peut comprendre plusieurs haut-parleurs pour les graves et/ou un ou plusieurs haut-parleurs pour les aigus (tweeter).
Procédé de localisation d’un appareil Le domaine technique est celui de la recherche d’appareils dans le contexte de l’environnement domestique.
Plus précisément, l’invention se rapporte à un procédé de localisation d’un appareil dit appareil écoutant, ledit appareil comprenant une fonction d’écoute.
Les appareils dont il est question sont prioritairement des télécommandes. Il est fréquent d’égarer ces appareils lors de leur usage courant dans l’environnement domestique. De plus en plus souvent, les télécommandes sont équipées d’une fonction d’écoute qui leur permet de recevoir des commandes vocales de la part d’utilisateurs. Ce sont ces télécommandes munies d’une fonction d’écoute que nous appelons appareils écoutants. Les enceintes connectées sont également des appareils munis d’une fonction d’écoute que nous pouvons considérer être des appareils écoutants. L’invention peut s’appliquer à tout autre appareil similaire.
Un autre objet de l’invention est une batterie secondaire Li-ion comprenant une électrode négative, une électrode positive et un électrolyte tout solide, dans laquelle l’anode est telle que décrite ci-dessus.
La présente invention permet de surmonter les inconvénients de l’état de la technique. Elle fournit un revêtement conducteur ionique ayant une répartition homogène de sa constante diélectrique tout en gardant un tenue mécanique suffisante pour éviter la formation de dendrites. Ce revêtement démontre une bonne stabilité en réduction et une bonne flexibilité permettant ainsi de pouvoir supporter les variations de volume de l’anode lors des cycles de charge et décharge.
Dans le cas particulier d’une anode lithium, le revêtement selon l’invention permet de stopper la croissance des dendrites qui peuvent provoquer des courts circuits, la bonne homogénéité de la constante diélectrique permet d’éviter la formation de zone fortement concentrée en ion lithium. Ce revêtement permet également de former une interface solide-électrolyte (ou SEI pour « Solid Electrolyte Interface ») stable et peu résistive sur le lithium métal, améliorant ainsi la performance et la durée de vie des batteries tout solide.
L’invention est maintenant décrite plus en détail et de façon non limitative dans la description qui suit.
Selon un premier aspect, l’invention concerne un revêtement d’anode consistant en :
un ou plusieurs poly(fluorure de vinylidène) (composant A), au moins un sel de lithium (composant B), et au moins un additif de conductivité (composant C).
Selon diverses réalisations, ledit revêtement comprend les caractères suivants, le cas échéant combinés. Les teneurs indiquées sont exprimées en poids, sauf si indiqué autrement.
Composant A Le polymère fluoré semi-cristallin utilisé dans l'invention est un polymère à base de difluorure de vinylidène et est désigné génériquement par l’abréviation PVDF.
Selon un mode de réalisation, le PVDF est un poly(fluorure de vinylidène) homopolymère ou un mélange d’homopolymères de fluorure de vinylidène.
Selon un mode de réalisation, le PVDF est un poly(fluorure de vinylidène) homopolymère ou un copolymère du difluorure de vinylidène avec au moins un comonomère compatible avec le difluorure de vinylidène.
Selon un mode de réalisation, le PVDF est semi-cristallin.
Les comonomères compatibles avec le difluorure de vinylidène peuvent être halogénés (fluorés, chlorés ou bromés) ou non-halogénés.
Des exemples de comonomères fluorés appropriés sont : le fluorure de vinyle, le tétrafluoroéthylène, l’hexafluoropropylène, les trifluoropropènes et notamment le 3,3,3-trifluoropropène, les tétrafluoropropènes et notamment le 2,3,3,3-tétrafluoropropène ou le 1,3,3,3-tétrafluoropropène, l’hexafluoroisobutylène, le perfluorobutyléthylène, les pentafluoropropènes et notamment le 1,1,3,3,3-pentafluoropropène ou le 1,2,3,3,3-pentafluoropropène, les perfluoroalkylvinyléthers et notamment ceux de formule générale Rf-O-CF-CF2, Rf étant un groupement alkyle, de préférence en C1 à C4 (des exemples préférés étant le perfluoropropylvinyléther et le perfluorométhylvinyléther).
Le comonomère fluoré peut comporter un atome de chlore ou de brome. Il peut en particulier être choisi parmi le bromotrifluoroéthylène, le chlorofluoroethylène, le chlorotrifluoroéthylène et le chlorotrifluoropropène. Le chlorofluoroéthylène peut désigner soit le 1-chloro-1-fluoroéthylène, soit le 1-chloro-2-fluoroéthylène. L’isomère 1-chloro-1-fluoroéthylène est préféré. Le chlorotrifluoropropène est de préférence le 1-chloro-3,3,3-trifluoropropène ou le 2-chloro-3,3,3-trifluoropropène.
Le copolymère de VDF peut aussi comprendre des monomères non halogénés tels que l’éthylène, et/ou des comonomères acryliques ou méthacryliques.
Les parois 9, 10a, 10b du récipient 8 sont réalisées au moins en partie, et de préférence entièrement, en matériau métallique amagnétique. Par matériau amagnétique, on désigne ici tout matériau qui n’est pas affecté, à des échelles mesurables, par un champ magnétique extérieur, et dont le champ magnétique rémanent et/ou coercitif n’exerce aucune action sur son environnement, à des échelles normales. Un matériau amagnétique peut notamment être paramagnétique.
Par exemple, les parois 9, 10a, 10b du récipient 8 sont réalisées en acier inoxydable austénitique. Selon un mode de réalisation, il s’agit d’inox 304 (désignation AISI), facilement disponible.
Les parois 9, 10a, 10b du récipient 8 de neutralisation peuvent comprendre des perçages permettant aux éventuelles fumées produites pendant le passage dans un four de l’installation 1 de s’échapper. Une montée de la pression à l’intérieur du récipient 8 de neutralisation, qui pourrait être dangereuse, est ainsi évitée. Par exemple, au moins une des parois 9 latérales peuvent être munies d’au moins deux série de perçages, chaque série étant réalisée à proximité de la paroi 10a supérieure ou de la paroi 10b inférieure.
Un aimant est ainsi placé dans le récipient 8 de neutralisation avant son entrée dans la station 2 et y est contenu pendant au moins une partie, et de préférence pendant l’ensemble, de son passage dans la station 2 de démagnétisation. En étant contenu dans le récipient 8 de neutralisation, le champ magnétique de l’aimant à démagnétiser reste contenu dans le récipient 8 de neutralisation et n’affecte pas le four 3 de démagnétiser et/ou le tunnel 6 et/ou tout équipement dans l’environnement de l’installation 1 de recyclage.
Les dimensions du récipient 8 de neutralisation peuvent être déterminées en fonction du ou des aimants qui sont destinés à être placés dans le réceptacle. En effet, plus le récipient 8 est de grandes dimensions, plus l’effet d’atténuation du champ électromagnétique du ou des aimants est important. Il s’agit donc de trouver un compromis entre l’atténuation du champ électromagnétique et l’encombrement du récipient 8 de neutralisation.
En pratique, l’installation 1 peut être prévue pour recycler plusieurs aimants. Notamment, le récipient 8 de neutralisation peut contenir simultanément plusieurs aimants. Dans ce cas, la station 2 de démagnétisation est réglée sur la condition la plus stricte, de manière à permettre la démagnétisation de l’ensemble des aimants dans le récipient 8. Par exemple, avant l’entrée dans la station 2 de démagnétisation, les blocs magnétiques peuvent être préparés, pesés, caractérisés et triés, manuellement ou autre, en différentes catégories. Ils peuvent également être nettoyés partiellement de corps étrangers facilement détachables du reste des blocs à ce stade. Une catégorie correspond à un ensemble d’aimants pouvant passer simultanément dans la station 2 de démagnétisation. Pour chaque catégorie, une température correspondant au moins à la température de Curie la plus élevée d’une catégorie d’aimants peut être déterminée. Le four 3 de démagnétisation est alors réglé en conséquence. Il est également possible de déterminer pour chaque catégorie une valeur de champ magnétique maximale permettant la démagnétisation des aimants de la catégorie donnée, et de régler le champ magnétique maximal dans le tunnel 6 en conséquence.
En variante ou en combinaison, plusieurs récipients 8 de neutralisation, chacun contenant un ou plusieurs aimants à démagnétiser, peuvent être traités simultanément ou consécutivement dans la station 2 de démagnétisation. Là encore, la température du four 3 de démagnétisation ou le champ magnétique dans le tunnel 6 peuvent être réglés en fonction des aimants placés simultanément ou consécutivement dans le four 3 ou le tunnel 6. Lorsque les aimants dans plusieurs récipients 8 de neutralisation sont traités consécutivement, il n’est pas nécessaire d’attendre qu’un récipient 8 soit sorti de l’installation 1 pour y faire entrer un autre, mais l’installation 1 peut comprendre, à un instant donné, plusieurs récipients 8 de neutralisation en cours de traitement dans des stations différentes. Les cadences de traitement s’en trouvent augmentées.
Toutefois, la caractérisation des aimants peut s’avérer délicate, voire impossible par exemple dans le cas où l’assemblage des blocs magnétiques est complexe, ou encore par manque d’informations sur la machine dont est issu un bloc magnétique. Ainsi, en pratique, la station 2 de démagnétisation est réglée sans caractérisation préalable des aimants, par anticipation. Plus précisément, pour la démagnétisation par passage dans le four 3 de démagnétisation, celui-ci est réglé de manière préétablie, c'est-à-dire par exemple, la température du four 3 de démagnétisation est réglée sur une température maximale nominale préétablie, supérieure aux températures de Curie des aimants que l’on peut s’attendre à trouver, et suffisante pour assurer la décomposition des blocs magnétiques. De manière générale, la température préétablie maximale est au moins de 350°C, et de préférence de 380°C, et jusqu’à 450°C notamment pour les aimants permanents Néodymes-Fer-Bore, éventuellement recouverts d’une résine époxy. Il en est de même pour le tunnel 6, qui peut être réglé également de manière préétablie, par exemple sur un champ magnétique maximal nominal préétabli. Le réglage préétabli permet d’éviter d’avoir à changer les réglages de la station 2 de démagnétisation à chaque arrivage d’aimants à démagnétiser. Les valeurs du réglage préétabli sont déterminées par exemple de manière empirique, et/ou en fonction d’une prévision théorique de la nature des aimants attendus sur l’installation 1 de recyclage.
Lorsque plusieurs aimants D à démagnétiser sont contenus dans le récipient 8 de neutralisation, lors du passage dans le four 3 de démagnétisation, au fur et à mesure que la colle et autre adhésifs fondent, les aimants se libèrent peu à peu des éléments de leur bloc magnétique respectif. Un « chaos magnétique » se crée dans le récipient 8 de neutralisation, dans lequel les aimants cherchent à se réarranger les uns par rapport aux autres sous l’effet de leurs champs magnétiques rémanents respectifs. Au sein de ce « chaos », les aimants, en l’absence de précaution, ont des mouvements qui peuvent être dangereux pour les opérateurs et pour les équipements alentours. Le récipient 8 permet de contenir ce « chaos », assurant la sécurité et le bon déroulement de la démagnétisation, jusqu’à ce que la température du four 3 atteigne la température de Curie la plus élevée à partir de laquelle l’ensemble des aimants contenus dans récipient 8 de neutralisation sont démagnétisés.
Comme cela sera vu plus loin, chaque aimant à démagnétiser peut être amené sur le site de l’installation 1 de recyclage déjà contenu dans le récipient 8 de neutralisation. Ainsi, dans une étape de collecte, chaque aimant est directement, sur le site de la machine, placé dans le récipient 8 de neutralisation. Un blindage magnétique pour le transport peut alors être prévu.
En variante, chaque aimant à démagnétiser peut être amené à la station 7 de placement dans un collecteur 11 intermédiaire, qui aura servi par exemple au transport de l’aimant depuis le site de la machine de laquelle il est extrait. Le collecteur 11 peut être tout type connu permettant de transporter un ou plusieurs aimants selon les exigences en vigueur. Il s’agit par exemple de boîtes ou de caisses en bois ou en carton.