INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend la récupération de mono-propylène glycol avec une pureté d’au moins 80% en poids, ou d’au moins 85% en poids, ou d’au moins 90% en poids, ou d’au moins 93% en poids. Dans un mode de réalisation, le mono-propylène glycol est récupéré avec une pureté comprise entre 99,0 et 99,99% en poids, ou entre 99,3 et 99,95% en poids, ou entre 99,5 et 99,9% en poids, ou entre 99,6 et 99,8% en poids. Une telle pureté peut être obtenue lorsqu’un deuxième procédé de distillation est utilisé après le premier procédé de distillation. La pureté est calculée comme étant le pourcentage de la quantité de mono-propylène glycol dans le produit récupéré par rapport à la quantité totale de débit de produit récupéré.
Dans un mode de réalisation, le rendement du mono-propylène glycol récupéré est compris ente 93 et 100%, ou entre 95 et 98%. Le rendement est calculé comme étant le pourcentage de la quantité de mono-propylène glycol récupérée par rapport à la quantité de mono-propylène glycol dans l’alimentation en mélange.
Dans un mode de réalisation, le premier procédé de distillation est effectué à une température de tête comprise entre 75 et 135°C, ou entre 90 et 130°C, ou entre 100 et 120°C.
Dans un mode de réalisation, le premier procédé de distillation est effectué à une température de fond comprise entre 150 et 230°C, ou entre 160 et 200°C ou entre 170 et 190°C.
Dans un mode de réalisation, le premier procédé de distillation est effectué à une pression de tête comprise entre 0,01 et 0,2 bar, ou entre 0,015 et 0,1 bar, ou entre 0,02 et 0,1 bar.
Dans un mode de réalisation, la perte de charge sur la colonne de distillation est comprise entre 0,05 et 0,2 bar, ou entre 0,07 et 0,15 bar, ou entre 0,08 et 0,1 bar.
Dans un mode de réalisation, le temps de séjour de l’alimentation en mélange et du solvant de distillation dans la première colonne de distillation est compris entre 1 et 10 minutes, ou entre 1,2 et 7 minutes, ou entre 1,5 et 6 minutes, ou entre 1,8 et 5,4 minutes.
En référence à la , on assemble une poignée 35 temporaire ou permanente à la face libre de la partie d’interconnexion 31. Cette poignée 35 peut être un substrat en silicium assemblé par collage. On retourne ensuite l’empilement, puis on retire le substrat support 11 du substrat SOI, par exemple par gravure chimique du silicium sélective à l’oxyde éventuellement précédée par un amincissement mécanique ( grinding en anglais). Puis, on amincit la couche 12 d’oxyde enterré pour ne garder qu’une partie d’épaisseur par exemple de l’ordre de 50nm à 150nm. Cet amincissement peut être effectué par gravure chimique, gravure sèche ou encore par polissage mécano-chimique (CMP). Ainsi, la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré assure une protection des composants optiques du circuit photonique intégré 20 et permettra le collage moléculaire de type oxyde-oxyde du deuxième substrat SOI 40. Notons que la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré présente une épaisseur homogène dans le plan XY dans la mesure où, d’une part le substrat support 11 présentait initialement une épaisseur homogène, et d’autre part le retrait du substrat support 11 a été effectué par une gravure du silicium sélective à l’oxyde.
En référence à la , on assemble un deuxième substrat SOI 40 sur l’empilement préalablement obtenu, et ici sur la face libre de la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré. Le substrat SOI 40 est orienté de sorte que la couche mince 43 de silicium monocristallin est située en regard du circuit photonique intégré 20. L’assemblage peut être effectué par exemple par collage moléculaire de type oxyde-oxyde, une couche mince 51 de collage en un oxyde ayant été déposée sur le substrat SOI 40.
Le deuxième substrat 40 est donc également de type silicium sur isolant, et est formé d’un empilement d’un substrat support 41 en silicium, d’une couche 42 d’oxyde enterré en un oxyde de silicium, et d’une couche mince 43 de silicium monocristallin. Cette couche mince de silicium 43 présente une épaisseur e2 dont la valeur est différente de la valeur e1 et de préférence supérieure à e1 pour optimiser le couplage optique entre le guide d’onde intermédiaire 43.1 et le guide d’onde actif 61, et est adaptée à optimiser le couplage optique avec le guide d’onde actif 61. A titre d’exemple, l’épaisseur e2 est supérieure à 350nm, par exemple comprise entre 400 à 600nm environ, et est ici égale à 500nm environ. La couche mince de collage 51 est déposée sur la face libre de la couche mince de silicium 43, et le substrat SOI 40 est assemblé à l’empilement préalablement obtenu en mettant en contact la couche mince de collage 51 avec la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré. Ainsi, la couche mince de silicium 43 est orientée vers le circuit photonique intégré 20.
La couche mince de collage 51 et la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré présentent une épaisseur cumulée adaptée à optimiser le couplage optique entre le guide d’onde inférieur 13.1 et le guide d’onde intermédiaire 43.1, et est par exemple comprise entre 50nm et 300nm environ. Cette épaisseur est homogène dans le plan XY puisqu’elle est définie par les deux couches minces 51, 12.1 réalisées de manière contrôlée. Par ailleurs, on est en mesure d’ajuster l’épaisseur locale de la couche mince de collage 51 pour compenser une éventuelle variation spatiale de l’épaisseur locale de la couche amincie 12.1 d’oxyde enterré. Notons que la couche mince de collage 51 peut également être formée par oxydation d’une partie de l’épaisseur de la couche mince de silicium 43, bien qu’il reste préférable qu’il s’agisse d’une couche mince déposée.
Par ailleurs que le substrat SOI 40 peut être une plaque ( wafer en anglais) par exemple de diamètre supérieur à quelques dizaines voire centaines de millimètres. En variante, et de préférence, il peut être une vignette, c’est-à-dire une partie d’une plaque, pour ainsi réduire les coûts et également limiter les contraintes mécaniques subies par l’empilement des deux substrats SOI 10, 40 assemblés l’un à l’autre.
En référence à la , on retire le substrat support 41 ainsi que la couche 42 d’oxyde enterré, comme décrit précédemment, pour déboucher sur la couche mince de silicium 43 et ainsi rendre libre sa surface. A ce stade, la couche mince de silicium 43 recouvre au moins en partie le circuit photonique intégré 20, et au moins le guide d’onde inférieur 13.1. Elle présente une épaisseur e2 dont la valeur sera celle du guide d’onde intermédiaire 43.1 (cf. ), cette épaisseur permettant d’optimiser le couplage optique de celui-ci avec le guide d’onde actif 61.
Notons que, dans le cas du report d’une vignette SOI 40, pour retirer le substrat support 41 et la couche d’oxyde enterré 42, il importe de ne pas dégrader les couches d’oxyde sous-jacentes. Pour cela, on peut déposer, après le report de la vignette 40, un film de SiN de manière peu conforme (par exemple par dépôt physique en phase vapeur par pulvérisation – sputtering deposition en anglais) pour protéger l’oxyde sous-jacent ainsi que la base de la vignette 40. On pourra alors procéder par exemple à un amincissement mécanique suivi d’une gravure chimique du substrat support 41 et de la couche d’oxyde enterré 42. La couche de SiN pourra ensuite être retirée chimiquement par une gravure sélective à l’oxyde.
En référence à la , on réalise le guide d’onde intermédiaire 43.1 par photolithographie et gravure localisée de la couche mince de silicium 43. Pour cela, l’opération de photolithographie peut utiliser des mires d’alignement réalisées au préalable dans la couche mince de silicium 13 du substrat SOI 10. Ensuite, on grave localement la couche mince de silicium 43 sur toute son épaisseur pour déboucher sur la couche mince de collage 51. La gravure localisée peut utiliser un masque dur ou un masque résine.
Enfin, on dépose une couche d’encapsulation 52 en un matériau isolant, par exemple un matériau diélectrique tel qu’un oxyde, de manière à recouvrir le guide d’onde intermédiaire 43.1 et la couche mince de collage 51. Une planarisation de la couche d’encapsulation 52 permet d’obtenir une face libre plane. L’épaisseur locale de la couche d’encapsulation 52 au-dessus du guide d’onde intermédiaire 43.1 est choisie pour optimiser le couplage optique entre ce dernier et le guide d’onde actif 61. Elle peut être par exemple de l’ordre de 100nm.
En référence à la , on réalise le guide d’onde actif 61 de la source laser 60. Cette étape peut être réalisée de manière identique ou similaire à celle décrite dans le document US10488587B2 mentionné précédemment. Ainsi, on peut coller sur la couche d’encapsulation 52 un empilement formant une hétérostructure à base du composé III-V, de préférence par report d’une vignette III-V. Le guide d’onde actif 61 est ensuite réalisé par des opérations classiques de photolithographie et de gravure localisée. Le guide d’onde actif 61 est positionné dans le plan XY de manière à autoriser un couplage optique avec le guide d’onde intermédiaire 43.1.
En référence à la , on dépose une couche d’encapsulation 62 en un matériau isolant tel qu’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, de manière à recouvrir le guide d’onde actif 61. Puis, on réalise des vias conducteurs 71 et des plots de contact 72. Les vias conducteurs 71 traversent les couches d’oxyde et relient les plots de contact aux lignes de métallisation de la partie d’interconnexion 31. Ils assurent ainsi la connexion électrique avec le guide d’onde actif 61 d’une part, et avec le circuit photonique intégré 20 par l’intermédiaire de la partie d’interconnexion 31 d’autre part.
On obtient ainsi un système optoélectronique 1 en photonique sur silicium comportant une source laser hybride 60 et un circuit photonique intégré 20 couplés optiquement l’un à l’autre par un guide d’onde intermédiaire 43.1. Le guide d’onde inférieur 13.1 et le guide d’onde intermédiaire 43.1 sont tous deux réalisés en silicium monocristallin à partir de substrats SOI 10, 40 différents, et présentent des épaisseurs homogènes et différentes l’une de l’autre. Ainsi, le guide d’onde inférieur 13.1 présente donc une épaisseur e1 par exemple inférieure ou égale à 350nm environ, par exemple comprise entre 170nm et 310nm environ, et adaptée au bon fonctionnement des composants optiques du circuit photonique intégré 20. Et le guide d’onde intermédiaire 43.1 présente une épaisseur e2 par exemple comprise entre 400 et 600nm environ permettant un bon couplage optique avec le guide d’onde actif 61 de la source laser 60.
Le circuit photonique intégré 20 (avec son guide d’onde inférieur 13.1) a été réalisé à partir de la couche mince 13 de silicium monocristallin du premier substrat SOI 10, et le guide d’onde intermédiaire 43.1 a été réalisé à partir de la couche mince 43 de silicium monocristallin du deuxième substrat SOI 40 alors assemblé au premier substrat 10. Ce guide d’onde intermédiaire 43.1 n’a donc pas été réalisé au moyen d’opérations de dépôt de silicium amorphe et de planarisation par polissage mécano-chimique, de sorte qu’il présente effectivement les dimensions voulues (notamment une épaisseur e2 homogène). Ainsi, le procédé de fabrication ne présente pas une complexité accrue et permet d’obtenir un système optoélectronique 1 dont les performances n’ont pas été dégradées lors du procédé de fabrication.
Notons par ailleurs que ce mode de réalisation permet de ne pas modifier la filière technologique utilisée pour réaliser le circuit photonique intégré 20 et la partie d’interconnexion 31. En effet, l’étape de réalisation du guide d’onde intermédiaire 43.1 est effectuée une fois que la partie d’interconnexion 31 a été réalisée.
Dans cet exemple, les plots de contact de la source laser 60 ainsi que ceux du circuit photonique intégré 20 sont situés du côté de la face arrière FAR. En variante, les plots de contact du circuit photonique intégré 20 peuvent être placés du côté de la face avant FAV. Pour cela, on assemble une poignée à la couche d’encapsulation 62 et on retire la poignée 35, pour ensuite réaliser les plots de contact en question.
Par ailleurs, par souci de clarté on n’a pas représenté les miroirs de Bragg. Cependant, la source laser 60 peut être de type DBR comme de type DFB (cf. à 4C), et le ou les miroirs de Bragg peuvent être réalisés à base de silicium monocristallin et être situés de manière coplanaire avec le guide d’onde inférieur 13.1, comme l’illustrent les à 4C.
Le couvercle 204 est percé des fenêtres de ventilation 206 qui permettent le passage du dihydrogène, en particulier en cas de fuite de la canalisation de transport 112a-b, vers l’extérieur, limitant d’autant la concentration de dihydrogène dans le canal d’enfouissement 200a-b et les risques liés à la présence de dihydrogène. Préférentiellement, le couvercle 204 est en position supérieure par rapport au fond, c'est-à-dire au-dessus.
Avec un tel arrangement, même en cas de fuite de dihydrogène dans le canal d’enfouissement 200a-b, le dihydrogène s’évacue automatiquement vers l’extérieur et ceci de manière naturelle du fait de la faible densité du dihydrogène gazeux et de la présence des fenêtres de ventilation 206 en partie supérieure dans le couvercle 204, sans qu’il soit nécessaire de mettre des ventilateurs et procure ainsi une installation simple et légère. Ainsi, en cas d’incendie dû à la présence de dihydrogène, le contact direct avec l’air ambiant en mouvement permet de limiter l’extension de l’incendie en soufflant les flammes. En outre, un tel arrangement permet également de confiner les flammes dans le caniveau 202 en cas de déclenchement d’un incendie et ainsi de protéger l’environnement proche.
En outre, le fait de mettre une seule canalisation de transport 112a-b par canal d’enfouissement 200a-b empêche qu’un incendie qui se développe dans un canal d’enfouissement 200a-b du fait d’une fuite de la canalisation de transport 112a-b correspondante dégrade la canalisation de transport 112a-b de l’autre canal d’enfouissement 200a-b.
Pour limiter l’impact des fenêtres de ventilation 206 sur la traînée de l’aéronef 100 en vol, chaque fenêtre de ventilation 206 est fermée par un bouchon 208 réalisé d’un matériau respirant pour le dihydrogène, c'est-à-dire que le bouchon 208 est imperméable pour l’eau extérieure qui ne peut pas pénétrer dans le canal d’enfouissement 200a-b, et perméable, entre autres pour le dihydrogène qui est présent dans le canal d’enfouissement 200a-b et peut s’évacuer vers l’extérieur. Le bouchon 208 est réalisé par exemple en polypropylène ou polyéthylène.
Pour éviter qu’en cas d’incendie, le feu reste confiné dans le canal d’enfouissement 200a-b du fait de la présence des bouchons 208, chaque bouchon 208 est constitué d’un matériau susceptible de rompre sous l’effet de la chaleur, comme par exemple en polypropylène ou polyéthylène. En rompant sous l’effet de la chaleur, le bouchon 208 constitue un fusible qui permet d’ouvrir la fenêtre de ventilation 206 en cas de besoin pour souffler les flammes. En particulier, le matériau pour le bouchon 208 est choisi de manière à rompre lorsque la température à l'intérieur du caniveau 202 atteint une valeur inférieure à la température maximale acceptable par le caniveau 202 et la canalisation de transport 112a-b installée dans le caniveau 202, c'est-à-dire la température à partir de laquelle l’intégrité du caniveau 202 et de la canalisation de transport 112a-b n’est plus garantie.
En cas de surpression, il est également possible de prévoir que le couvercle 204 se rompt sous l’effet de la surpression limitant ainsi les risques de rupture du caniveau 202. À cette fin, la résistance au déchirement du couvercle 204 est inférieure à la résistance au déchirement du caniveau 202, par exemple par la réalisation de zones moins épaisses. Il est également possible de prévoir que la rupture s’effectue au niveau des moyens de fixation du couvercle 204, par exemple en utilisant des boulons fusibles qui rompent au-delà d’une certaine pression.
Au cas où un incendie interviendrait dans le caniveau 202, et afin de limiter les risques de propagation de l’incendie vers l’intérieur de l’aéronef 100, le caniveau 202 est réalisé dans un matériau résistant au feu et plus particulièrement dans un matériau capable de garder ses propriétés mécaniques même en cas d’incendie dans le caniveau 202. Le matériau est par exemple du titane, un alliage de titane ou un matériau comportant une âme non résistante au feu mais recouvert d'une couche de protection résistante au feu comme de la laine de roche ou de la céramique.
Le caniveau 202 comporte au moins un point bas 212 au niveau du fond ce qui permet le drainage de l’eau qui se serait accumulée dans le caniveau 202 vers le/les points bas 212. L’aéronef 100 comporte alors pour chaque point bas 212, une canalisation d’évacuation 214 dont une première extrémité est fluidiquement connectée au caniveau 202 au niveau du point bas 212 et dont une deuxième extrémité débouche vers l’extérieur de l’aéronef 100 et où la canalisation d’évacuation 214 présente une pente descendante entre la première extrémité et la deuxième extrémité pour évacuer par gravité l’eau ainsi récoltée.
Au sol, la canalisation d’évacuation 214 permet d’évacuer l’eau et en vol, la différence de pression entre la première extrémité et la deuxième extrémité permet une aération naturelle supplémentaire du canal d’enfouissement 200a-b à travers les fenêtres de ventilation 206 et les bouchons 208 lorsqu’ils sont présents et qui seront alors préférentiellement respirants.
Pour éviter l’apparition de glace sur les fenêtres de ventilation 206 et donc les bouchons 208 lorsqu’ils sont présents ce qui pourrait empêcher le passage du dihydrogène, l’aéronef 100 comporte un système de ventilation 600 qui est disposé ici au niveau de la partie supérieure de l’aéronef 100 au niveau de la jonction des ailes 104 et qui permet l’introduction de l’air extérieur, le chauffage de cet air extérieur et l’envoi de cet air ainsi chauffé dans chaque canal d’enfouissement 200a-b.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté à la , le système de ventilation 600 comporte des moyens de chauffage qui sont activés en particulier dans le cas de conditions froides afin d'empêcher la création de glace sur les fenêtres de ventilation 206 et les bouchons 208 lorsqu’ils sont présents .
La montre un mode de réalisation particulier du système de ventilation 600.
Le système de ventilation 600 comporte une entrée d’air 602 ouverte vers l’avant de l’aéronef 100 afin de capter l’air extérieur lorsque l’aéronef 100 avance ou est à l’arrêt.
Le système de ventilation 600 comporte un canal d’aération 604 qui est fluidiquement connecté entre l’entrée 602 et chaque canal d’enfouissement 200a-b qui sont ici au nombre de six, à savoir deux pour chaque aile 104 et deux pour le fuselage 102.
L’entrée d’air 602 alimente ainsi le canal d’aération 604 en air extérieur et le canal d’aération 604 distribue cet air dans chaque canal d’enfouissement 200a-b.
L’aéronef 100 comporte également au moins un moyen de chauffage 606, comme par exemple une résistance chauffante, logé dans le canal d’aération 604. Ainsi, lorsque le moyen de chauffage 606 est en chauffe, l’air qui traverse le canal d’aération 604 se réchauffe et s’écoule dans chaque canal d’enfouissement 200a-b. Chaque canal d’enfouissement 200a-b est ainsi parcouru par de l’air chaud ce qui évite l’apparition de glace sur les fenêtres de ventilation 206 ou fait fondre la glace lorsqu’il y en a.
- Vent(Exo-) DNA polymerase (exonuclease activity-free Vent DNA polymerase),
- DeepVent DNA polymerase,
- DeepVent(Exo-) DNA polymerase (DeepVent DNA polymerase sans activité exonucléase),
- 29 phage DNA polymerase,
- MS-2 phage DNA polymerase,
- Z-Taq DNA polymerase (Takara Shuzo), et
- KOD DNA polymerase (TOYOBO).
Le milieu réactionnel peut comprendre, en outre, des sels comme des sels de magnésium, des sels de manganèse et/ou sels d’ammonium ; des détergents, de la bétaïne et/ou des éléments utiles pour la détection et la quantification du produit d’amplification de l’oligonucléotide à double structure tige-boucle comme, par exemple, de la calcéine, un colorant intercalant comme, par exemple, iodure de propidium, SYTO 9, le vert SYBR et l’EvaGreen.
L’étape iv) ou iv’) du procédé selon la présente invention est mise en œuvre pendant une période de temps et à une température suffisantes pour la production d’un produit d’amplification si l’oligonucléotide à double structure tige-boucle est présent. Avantageusement, cette étape est effectuée dans des conditions isothermes et notamment à une température comprise entre 15°C et 90°C, en particulier, comprise entre 50°C et 80°C et, plus particulièrement de l’ordre de 65°C (i.e. 65°C ± 5°C). La durée de l’étape iv) ou iv’) du procédé selon la présente invention est comprise entre 1 min et 120 min, notamment entre 5 min et 90 min et, en particulier, entre 15 min et 60 min.
L’étape v) ou v’) consiste à détecter et éventuellement à quantifier le produit d’amplification de l’oligonucléotide à double structure tige-boucle et donc à détecter et éventuellement à quantifier l’analyte auquel l’oligonucléotide à double structure tige-boucle est lié puisque l’accumulation du produit d’amplification est un indicateur de la présence de cet analyte immobilisé à la surface du support solide.
L’étape v) ou v’) peut être réalisée simultanément à l’étape iv) ou iv’) ou après cette dernière. L’homme du métier connaît différentes techniques pour réaliser cette détection. Cette dernière peut notamment être l’une quelconque des techniques décrites dans Becherer et al , 2020 [6] .
Le produit d’amplification peut être détecté, lors de l’étape v) ou v’) par mesure de la turbidité causée par le pyrophosphate de magnésium précipité en solution comme sous-produit de l’amplification. Cette mesure peut être réalisée à l’œil nu ou via un turbidimètre ou par imagerie sans lentille [7] .
Le produit d’amplification peut être détecté, lors de l’étape v) ou v’), par une sonde pH permettant de suivre l’acidification du mélange réactionnel lors de l’amplification LAMP.
Le produit d’amplification peut être détecté, lors de l’étape v) ou v’), via une électrophorèse sur gel.
Le produit d’amplification peut être détecté, lors de l’étape v) ou v’), par détection de cristaux en plan par imagerie sans lentille comme décrit dans [7] .
Le produit d’amplification peut également être détecté, lors de l’étape v) ou v’), par un test colorimétrique ou par mesure de fluorescence notamment lorsque la calcéine ou un colorant intercalant fluorescent est présent dans le mélange réactionnel.
2 représente l’emplacement de la cavité centrale, 9 représente les trous de montage destinés à assembler les pièces détachées de la cellule, à savoir notamment les joints d’étanchéité et les plaques de fermeture, 86 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans un logement.
représente des coupes du corps solide 1 , selon l’axe Z’. La Figure 11A représente le plan de coupe vu d’une première face latérale A dudit corps solide. La Figure 11B représente une coupe telle que définie ci-dessus pour la Figure 11A, mettant en évidence l’intérieur du corps solide. La Figure 11C représente une vue en perspective de la coupe selon la Figure 11B.
2 représente l’emplacement de la cavité centrale, 1’ représente la partie du corps solide comprenant l’une au moins des cavités secondaires, 6 / 7 représentent les canaux d’admission des flux d’électrolyte à contrecourant, 5 représente les canaux d’apport de matière, 9 représente les trous de montage destinés à assembler les pièces détachées de la cellule, à savoir notamment les joints d’étanchéité et les plaques de fermeture, 81 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans le corps solide, 82 représente les orifices permettant l’entrée des flux d’électrolyte dans la cavité centrale, 83 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans le corps solide, 84 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans une cavité secondaire 2’ , 86 représente les orifices permettant l’entrée des flux de matière dans un logement.