INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le semi-conducteur est par exemple choisi parmi : le silicium (Si) ; le germanium (Ge) ; un semi-conducteur fait de composés d'éléments du Groupe III et du Groupe V tels que l'arséniure de gallium (GaAs) et le nitrure de gallium (GaN) ; et le carbure de silicium (SiC). A titre d'exemple, le substrat semi-conducteur contient du silicium. Le terme "Groupe" utilisé ici est un "Groupe" dans la forme courte du Tableau Périodique.
La surface faite en un semi-conducteur peut être par exemple une surface principale du substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur est par exemple une galette de semi-conducteur. La galette de semi-conducteur peut être dopée avec une impureté ou avoir un élément semi-conducteur tel qu'un transistor ou une diode formé sur celle-ci. Egalement, la surface principale de la galette de semi-conducteur peut être parallèle à n'importe quel plan cristallin du semi-conducteur. Par exemple, une galette de silicium dont la surface principale est un plan (100) ou une galette de silicium dont la surface principale est un plan (110) peut être utilisée en tant que galette de semi-conducteur.
Lors de la formation d'un motif ayant une portion évidée telle qu'une tranchée sur la surface faite en un semi-conducteur, une couche de masque ayant une ouverture peut être formée sur la surface faite en un semi-conducteur. Le traitement de gravure est réalisé sur la surface exposée par l'ouverture. La couche de masque peut être formée d'un matériau inorganique tel qu'un composé de nitrure de silicium. La couche de masque est préparée par exemple par un procédé comprenant les étapes suivantes. En premier lieu, la couche de masque est formée sur la surface faite en un semi-conducteur. Une couche de réserve est formée sur la couche de masque. Par exemple, la couche de réserve peut être formée d'une réserve photographique. La couche de réserve est traitée selon une forme de motif souhaitée pour former une ouverture. La formation de motif est effectuée par exemple par photolithographie. La couche de masque est traitée selon une forme de motif souhaitée par exemple par gravure, ce qui forme ainsi une ouverture dans la couche de masque. Ensuite, la couche de réserve est retirée.
La couche de catalyseur contenant un métal noble est formée sur la surface faite en un semi-conducteur. La couche de catalyseur peut être formée après que la couche de masque a été formée sur la surface faite en un semi-conducteur.
Dans la couche de catalyseur, le métal noble peut exister par exemple sous la forme de particules de métal noble. Le métal noble est par exemple au moins un métal choisi dans le groupe constitué par Au, Ag, Pt, Pd, Ru et Rh.
L'épaisseur de la couche de catalyseur est de préférence située dans la plage allant de 0,01 µm à 0,3 µm, et mieux encore dans la plage allant de 0,05 µm à 0,2 µm. Si la couche de catalyseur est trop épaisse, l'agent de gravure est moins susceptible d'atteindre le semi-conducteur, ce qui rend ainsi difficile de faire en sorte que la gravure progresse. Si la couche de catalyseur est trop mince, le rapport de la superficie totale des particules de métal noble à la superficie devant être gravée va être trop petit, ce qui rend ainsi difficile de faire en sorte que la gravure progresse.
L'épaisseur de la couche de catalyseur est la distance allant d'une surface principale de la couche de catalyseur à l'autre surface principale de la couche de catalyseur sur le côté opposé dans une image, observée au moyen d'un microscope électronique à balayage (MEB), de la section transversale de la couche de catalyseur qui est parallèle à la direction de l'épaisseur de la couche de catalyseur.
La couche de catalyseur peut comprendre une portion discontinue.
Les particules de métal noble sont de préférence sphériques. Les particules de métal noble peuvent avoir n'importe quelle autre forme telle qu'une forme de bâtonnet ou une forme de plaque. Les particules de métal noble servent de catalyseur pour la réaction d'oxydation de la surface de semi-conducteur qui est en contact avec les particules de métal noble.
La granulométrie des particules de métal noble est de préférence située dans la plage allant de 0,001 µm à 1 µm, et mieux encore dans la plage allant de 0,01 µm à 0,5 µm.
La "granulométrie" est une valeur obtenue par le procédé suivant. En premier lieu, une image de la surface principale de la couche de catalyseur est capturée par le microscope électronique à balayage avec un grossissement situé dans la plage allant de 10 000 à 100 000. Ensuite, la superficie des particules de métal noble est obtenue à partir de l'image. Ensuite, étant supposé que les particules de métal noble sont sphériques, le diamètre des particules de métal noble est obtenue à partir de la superficie ci-dessus. Ce diamètre est défini comme étant la "granulométrie" des particules de métal noble.
La couche de catalyseur peut être une couche de catalyseur poreuse.
La couche de catalyseur peut être formée par placage électrolytique, placage par réduction, placage par déplacement, ou analogue. La couche de catalyseur peut être formée par application d'un liquide en dispersion contenant les particules de métal noble, ou par déposition en phase vapeur telle qu'une évaporation et une pulvérisation cathodique. Parmi ces procédés, le placage par déplacement est particulièrement préférable parce qu'il peut déposer un métal noble directement et uniformément sur la surface faite en un semi-conducteur. A titre d'exemple, la formation d'une couche de catalyseur poreuse au moyen d'un placage par déplacement va être décrite ci-dessous.
Pour déposer un métal noble au moyen d'un placage par déplacement, par exemple, on peut utiliser une solution aqueuse de tétrachloroaurate (III) acide ou une solution de nitrate d'argent. Un exemple de ce procédé va être décrit ci-dessous.
Une solution de placage par déplacement est par exemple un mélange d'une solution aqueuse de tétrachloroaurate (III) d'hydrogène tétrahydraté et d'acide fluorhydrique. L'acide fluorhydrique a pour fonction de retirer le film d'oxyde natif sur la surface faite en un semi-conducteur.
Quand le substrat semi-conducteur est immergé dans la solution de placage par déplacement, un film d'oxyde natif est retiré de la surface du substrat semi-conducteur, et un métal noble (de l'or dans cet exemple) est aussi déposé à la surface du substrat semi-conducteur. On obtient ainsi une couche de catalyseur poreuse.
La concentration du tétrachloroaurate (III) d'hydrogène tétrahydraté dans la solution de placage par déplacement est de préférence située dans la plage allant de 0,0001 mol/l à 0,01 mol/l. La concentration du fluorure d'hydrogène dans la solution de placage par déplacement est de préférence située dans la plage allant de 0,1 mol/ à 6,5 mol/l.
La solution de placage par déplacement peut en outre contenir un agent complexant à base de soufre. En variante, la solution de placage par déplacement peut en outre contenir de la glycine et de l'acide citrique.
L'agent de gravure va être décrit ci-dessous. L'agent de gravure contient un agent corrosif, un oxydant, et un agent polymère azoté (additif polymère azoté).
L'agent corrosif peut dissoudre un oxyde du matériau semi-conducteur. L'oxyde est par exemple SiO 2 . L'agent corrosif est par exemple l'acide fluorhydrique ou le fluorure d'ammonium. Un, deux ou plus de deux types d'agents corrosifs peuvent être utilisés. En considération de la vitesse de gravure et de la facilité d'adsorption de l'agent polymère azoté, on préfère un agent corrosif contenant de l'acide fluorhydrique.
La concentration du fluorure d'hydrogène dans l'agent de gravure est de préférence située dans la plage allant de 0,4 mol/l à 20 mol/l, mieux encore dans la plage allant de 0,8 mol/l à 16 mol/l, et plus particulièrement dans la plage allant de 2 mol/l à 10 mol/l. Si la concentration du fluorure d'hydrogène est trop faible, il est difficile d'obtenir une vitesse de gravure élevée. Si la concentration du fluorure d'hydrogène est trop élevée, la maîtrise sur la gravure dans la direction de traitement (par exemple la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur) peut diminuer.
- R 1 et R 2 , qui peuvent être identiques ou différents, de préférence identiques, désignent un groupe alkyle linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone et plus préférentiellement de 12 à 20 atomes de carbone ; et
- A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié contenant de 2 à 8 atomes de carbone.
De préférence, A comprend de 3 à 6 atomes de carbone, plus préférentiellement 4 atomes de carbone ; de préférence, A est ramifié.
On peut notamment citer les groupes divalents suivants :
-CH 2 CH 2 CH 2 - et CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -.
De préférence, R 1 et R 2 sont des groupes alkyle linéaires saturés indépendants comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone et en particulier de 12 à 20 atomes de carbone ; on peut citer en particulier les groupes dodécyle, tétradécyle, pentadécyle, hexadécyle, heptadécyle, octadécyle, nonadécyle et éicosyle ; et de préférence, R1 et R2, qui peuvent être identiques ou différents, sont choisis parmi les groupes hexadécyle (cétyle) et octadécyle (stéaryle).
Le ou les aminosilicone(s) sont de préférence de formule (XII) avec :
- x allant de 10 à 2000 et en particulier de 100 à 1000 ;
- y allant de 1 à 100 ;
- A comprenant de 3 à 6 atomes de carbone et notamment 4 atomes de carbone ; de préférence, A est ramifié ; plus particulièrement, A est choisi parmi les groupes divalents suivants : -CH 2 CH 2 CH 2 - et CH 2 CH(CH 3 )CH 2 - ; et
- R 1 et R 2 étant indépendamment des groupes alkyle linéaires saturés comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone et en particulier de 12 à 20 atomes de carbone ; choisis notamment parmi les groupes dodécyle, tétradécyle, pentadécyle, hexadécyle, heptadécyle, octadécyle, nonadécyle et éicosyle ; de préférence, R 1 et R 2 , qui peuvent être identiques ou différents, sont choisis parmi les groupes hexadécyle (cétyle) et octadécyle (stéaryle).
Un silicone de formule (XII) préféré est la bis-cétéaryl amodiméthicone. On peut citer notamment l’aminosilicone vendu sous le nom Silsoft AX par Momentive.
h) les polysiloxanes et notamment les polydiméthylsiloxanes, incluant des groupes amine primaire uniquement en bout de chaîne ou sur les chaînes latérales, tels que ceux de formule (XIV), (XV) ou (XVI) :
Dans la formule (XIV), les valeurs de n et m sont telles que la masse moléculaire moyenne en poids de l’aminosilicone est comprise entre 1000 et 55 000.
Dans une étape E8 illustrée F8(10, 11, d), le nœud principal 10 reçoit lesdites distances d.
Dans une étape E9 illustrée F9(10, d), le nœud principal 10 les compare entre elles. Ainsi, il va définir qu’une distance d est plus grande qu’une autre. Dans l’exemple non limitatif de la , la distance Rbf est plus grande que la distance Rbe.
Dans une étape E10 illustrée F10(10, T, Pos(Id), 11), le nœud principal 10 localise les autres nœuds secondaires 11 du premier sous-réseau Nw1 en fonction de l’architecture T du réseau véhicule Nv et de ladite comparaison. Pour chaque nœud secondaire 11 du premier sous-réseau Nw1 (hormis le nœud secondaire de référence 11 0 1 qu’il a déjà localisé), il associe ainsi son identifiant réseau unique Id à une position Pos dans le véhicule automobile 2.
Ainsi, si Rbe est inférieure Rbf (branche OK sur la ), alors le nœud principal 10 en déduit que le nœud secondaire 11e est à la position Pos arrière gauche (référencée Pos3) car plus proche du nœud de référence 11 0 1 , ici 11b, et que le nœud secondaire 11f à la position Pos avant gauche (référencée Pos4). Par contre si Rbe n’est pas inférieure à Rbf mais est supérieure à Rbf (branche NOK sur la ), alors le nœud principal 10 en déduit que le nœud secondaire 11e est à la position Pos avant gauche car plus éloigné du nœud secondaire de référence 11 0 1 , ici 11b, et que le nœud secondaire 11f à la position Pos arrière gauche. Dans l’exemple non limitatif de la , comme Rbe<Rbf, le nœud principal 10 associe l’identifiant réseau unique Id du nœud secondaire 11e à la position Pos arrière gauche du véhicule automobile 2 référencée Pos3, et l’identifiant réseau unique Id du nœud secondaire 11f à la position Pos avant gauche du véhicule automobile 2 référencée Pos4.
Comme il a terminé la localisation de tous les nœuds secondaires 11 du premier sous-réseau Nw1, dans un mode de réalisation non limitatif, dans une neuvième étape E11 illustrée F11(10, 21, OFF, Nw), le nœud principal 10 désactive l’alimentation 21 du premier sous-réseau Nw1 après ladite localisation des nœuds secondaires 11 du premier sous-réseau Nw1. On notera que cette étape peut être également effectuée en parallèle ou après l’étape E22.
Ainsi, après la localisation des nœuds secondaires 11 du premier sous-réseau Nw1, le nœud principal 11 va pouvoir faire la localisation des nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2. A cet effet, il effectue les étapes suivantes.
Dans une étape E12 illustrée F12(10, 21, ON, Nw), le nœud principal 10 active l’alimentation 21 du deuxième sous-réseau Nw2.
Le nœud principal 10 réitère les étapes E2 à E11 pour le deuxième sous-réseau Nw2.
Ainsi tel qu’illustré sur la :
Dans une étape E13 illustrée F13(11, 10, Id), les m nœuds secondaires 11 dudit deuxième sous-réseau Nw2 envoient audit nœud principal 10 leur identifiant réseau unique Id. Ils l’envoient dès que le deuxième sous-réseau Nw2 est alimenté.
Dans une étape E14 illustrée F14(10, 11 0 , Id, Nw), le nœud principal 10 identifie le nœud secondaire de référence 11 0 2 dans ledit deuxième sous-réseau Nw2 au moyen de son identifiant réseau unique Id.
Comme le nœud principal 10 connaît l’architecture T du réseau véhicule Nv et notamment de chaque sous-réseau Nw, il va savoir avec leur identifiant réseau unique Id quels nœuds secondaires 11 se trouvent à l’intérieur ou à l’extérieur du véhicule automobile 2. En fonction de l’architecture T et des identifiants uniques Id reçus, il va pouvoir déterminer le nœud secondaire de référence 11 0 2 , ici 11a, comme étant celui qui se trouve à l’intérieur dans l’exemple non limitatif tandis que les autres nœuds secondaires 11 (ici 11c et 11d) du deuxième sous-réseau Nw2 se trouvent à l’extérieur.
Dans une étape E15 illustrée F15(10, 11 0 , Pos(Id), Nw) localise un nœud secondaire de référence 11 0 2 dans ledit deuxième sous-réseau Nw1 au moyen de son identifiant réseau unique Id.
Dans une étape E16 illustrée F16(10, 11 0 , c, d, Nw), le nœud principal 10 envoie une commande c audit nœud secondaires de référence 11 0 2 pour qu’il mesure une distance d entre lui-même et chaque autre nœud secondaire 11 dudit deuxième sous-réseau Nw2. Dans l’exemple non limitatif de la , les autres nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2 sont les nœuds 11c et 11d.
Dans une étape E17 illustrée F17(11 0 , 11, d, Nw), ledit nœud secondaire de référence 11 0 effectue ladite mesure de distance d. Dans ce cas, il effectue deux mesures de distance d avec les deux nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2.
Dans une étape E18 illustrée F18(11 0 , 10, d, Nw), ledit nœud secondaire de référence 11 0 envoie audit nœud principal 10 lesdites distances d entre lui-même et les autres nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2. Dans l’exemple non limitatif de la , il envoie ainsi deux distances d : les distances d sont les distances Rac (entre ledit nœud secondaire de référence 11a et le nœud secondaire 11c) et Rad (entre ledit nœud secondaire de référence 11a et le nœud secondaire 11d).
Dans l’exemple de dispositif selon l’invention, la conversion de la biomasse est complète. Le para-tolualdéhyde est le seul composé aromatique produit (63,6% poids par rapport à la biomasse), grâce au recyclage à l’entrée du procédé de combustion en boucle chimique de tous les sous produits paraffiniques issus de l’aromatisation du CO2 et de l’hydro-désalkylation des aromatiques (méthane).
Dispositif et procédé de conversion de de composés hydrocarbonés riches en oxygène en para-tolualdéhyde. L’invention porte sur la conversion de composés hydrocarbonés riches en oxygène dans le cadre de la production d’aromatiques pour la pétrochimie. Plus particulièrement, l’objet de l’invention est de pouvoir produire directement du para-tolualdéhyde à partir de biomasse, para-tolualdéhyde qui peut être utilisé pour produire de l’acide téréphtalique (PTA).
Un complexe aromatique (ou dispositif de conversion de composés aromatiques) est un dispositif alimenté par des charges majoritairement composées de six à dix atomes de carbone ou plus notées charges C6 à C10+. Différentes sources de composés aromatiques peuvent être introduites dans un complexe aromatique, la plus répandue étant issue d’un procédé de reformage catalytique des naphtas. Des mélanges de composés aromatiques obtenus par procédé de conversion de la biomasse lignocellulosique peuvent également, après traitement de purification, être introduits dans un complexe aromatique. On peut par exemple considérer le procédé de pyrolyse catalytique de la biomasse lignocellulosique comme source d’aromatiques.
Au sein d’un complexe aromatique, quel qu’en soit la source d’aromatiques, le benzène et les alkyles aromatiques (e.g. toluène, paraxylène, orthoxylène) y sont extraits puis convertis en intermédiaires souhaités. Dans le cadre de la présente invention, le complexe aromatique considéré produit très majoritairement du para-tolualdéhyde. Le procédé selon la présente invention se différentie notablement de l’art antérieur, dans lequel les complexes aromatiques visent à produire du benzène et du paraxylène.
A ce jour, les complexes aromatiques permettent de produire du benzène, éventuellement du toluène, et des xylènes (souvent le paraxylène, quelques fois l’orthoxylène). Un complexe aromatique dispose généralement d’au moins une unité présentant au moins une des fonctions suivantes : - l’isomérisation des composés aromatiques à 8 atomes de carbone notés composés A8 permettant de convertir l’orthoxylène et le métaxylène en paraxylène ; - la transalkylation permettant de produire des xylènes à partir d’un mélange de toluène (et optionnellement de benzène) et de composés A9+ tels que les triméthylbenzènes et les tétraméthylbenzènes ; et - la dismutation du toluène, qui permet de produire du benzène et des xylènes.
L’extrait, qui contient le paraxylène est ensuite distillé pour obtenir du paraxylène de haute pureté. Le raffinat, riche en métaxylène et orthoxylène est traité dans une unité d’isomérisation qui redonne un mélange d’aromatiques en C8, dans lequel la proportion des xylènes (ortho-, méta-, para- xylènes) est pratiquement à l’équilibre thermodynamique. Ce mélange est à nouveau envoyé dans la « colonne des xylènes » avec la charge fraiche.
Ainsi, l’art antérieur montre qu’à partir d’une source de composés aromatiques on produit un mélange de benzène et de paraxylène. L’art antérieur ne fait pas état de complexe aromatique permettant de produire du para-tolualdéhyde.
Dans le contexte précédemment décrit, un premier objet de la présente invention est de fournir un dispositif et un procédé de production de para-tolualdéhyde à partir de composés aromatiques. Plus particulièrement, la présente l’invention concerne un arrangement d’opérations unitaires, permettant de convertir la biomasse en composés aromatiques et CO/CO2, et dans un complexe aromatique de convertir les aromatiques issus de la conversion de la biomasse en para-tolualdéhyde, en utilisant une section réactionnelle d’alkylation du toluène par le CO.
L’invention repose notamment sur l’introduction de monoxyde de carbone, i.e., CO, dans un complexe aromatique, et sur la disposition d’une ou plusieurs sections réactionnelles permettant de convertir le CO et notamment de pouvoir ne produire que du para-tolualdéhyde.
Spécifiquement, l’objet de la présente invention peut se résumer à un complexe aromatique comprenant des colonnes à distiller et deux sections réactionnelles de conversion de composés aromatiques. Dans la première, le benzène et les xylènes sont convertis en toluène par réaction de transalkylation. Dans la seconde, le toluène est converti en para-tolualdéhyde par réaction d’alkylation avec le CO. Les composés aromatiques et le CO sont issus d’un procédé de pyrolyse catalytique de la biomasse.
En outre, le para-tolualdéhyde produit par le dispositif et le procédé selon l’invention peut être avantageusement un produit biosourcé dans le cas où les composés aromatiques et le CO sont biosourcés, tels qu’issus d’un procédé de conversion de la biomasse lignocellulosique et en particulier d’un procédé de pyrolyse catalytique de la biomasse.
Selon un premier aspect, les objets précités, ainsi que d’autres avantages, sont obtenus par un dispositif de conversion de composés aromatiques, comprenant : - un train de fractionnement adapté pour fractionner une première charge hydrocarbonée en au moins : une coupe comprenant du benzène, une coupe comprenant du toluène, et une coupe comprenant des xylènes ; - une section réactionnelle de transalkylation adaptée pour traiter au moins en partie la coupe comprenant du benzène et au moins en partie la coupe comprenant des xylènes et produire un effluent enrichi en toluène envoyé vers le train de fractionnement ; - une unité de pyrolyse adaptée pour traiter une deuxième charge hydrocarbonée et produire au moins : un effluent de pyrolyse alimentant au moins en partie la première charge hydrocarbonée, et un gaz de pyrolyse comprenant du CO, du CO2 et du H2 ; et - une section réactionnelle d’alkylation adaptée pour traiter au moins en partie la coupe comprenant du toluène et au moins en partie le gaz de pyrolyse pour produire un effluent enrichi en para-tolualdéhyde.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, l’unité de pyrolyse est adaptée pour produire en outre une fraction liquide comprenant des composés aromatiques à 9 atomes de carbone ou plus.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la section réactionnelle d’alkylation est adaptée pour produire en outre un effluent gazeux comprenant des gaz de pyrolyse non-convertis dans ladite section réactionnelle d’alkylation.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, au moins une partie de l’effluent gazeux est recyclé vers l’unité de pyrolyse.
Ainsi, lorsque n=3, tel qu’illustré sur la :
Dans une étape E5 illustrée F5(10, 21, ON, Nw), le nœud principal 10 active l’alimentation 21 du deuxième sous-réseau Nw2.
Dans une étape E6 illustrée F6(10, 11 0 , c, d, Nw), le nœud principal 10 envoie une commande c audit nœud secondaire de référence 11 0 pour qu’il mesure une distance d entre lui-même et chaque autre nœud secondaire 11 dudit deuxième sous-réseau Nw2. Dans l’exemple non limitatif de la , les nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw12 sont les nœuds 11a et 11c.
Dans une étape E7 illustrée F7(11 0 , 11, d, Nw), ledit nœud secondaire de référence 11 0 effectue ladite mesure de distance d. Dans ce cas, il effectue deux mesures de distance d avec les deux nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2.
Dans une étape E8 illustrée F8(11 0 , 10, d, Nw), ledit nœud secondaire de référence 11 0 envoie audit nœud principal 10 lesdites distances d entre lui-même et les deux nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2. Il envoie ainsi deux distances d. Dans l’exemple non limitatif de la , les distances d sont les distances Rba (entre ledit nœud secondaire de référence 11b et le nœud secondaire 11a) et Rbc (entre ledit nœud secondaire de référence 11b et le nœud secondaire 11c).
Dans une étape E9 illustrée F9(10,11, d), le nœud principal 10 reçoit lesdites distances d.
Dans une étape E10 illustrée F10(10, d), le nœud principal 10 les compare entre elles. Ainsi, il va définir qu’une distance d est plus grande qu’une autre. Dans l’exemple non limitatif de la , la distance Rba est plus grande que la distance Rbc.
Dans une étape E11 illustrée F11(10, T, Pos(Id), 11), le nœud principal 10 localise les nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2 en fonction de l’architecture T du réseau véhicule Nv et de ladite comparaison. Pour chaque nœud secondaire 11 du deuxième sous-réseau Nw2, il associe ainsi son identifiant réseau unique Id à une position Pos dans le véhicule automobile 2.