Procédé de fabrication d’une structure composite (1) comprenant une couche mince (10) en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant: a) une étape de fourniture d’un substrat initial (11) en carbure de silicium monocristallin, b) une première étape de dépôt à une température supérieure à 1100°C pour former une première couche (21) en carbure de silicium poly-cristallin sur une face avant (11a) du substrat initial (11), la première couche (21) présentant une épaisseur inférieure à 1μm et une concentration en dopants supérieure à 10 19 /cm 3 , c) une étape d’implantation ionique d’espèces légères à travers la première couche (21), pour former un plan fragile enterré (12) dans le substrat initial (11), délimitant la couche mince (10) entre ledit plan fragile enterré (12) et la face avant du substrat initial (11), d) une deuxième étape de dépôt à une température inférieure à 900°C pour former une deuxième couche (22) en carbure de silicium amorphe et/ou poly-cristallin sur la première couche (21), la deuxième couche (22) présentant une épaisseur supérieure ou égale à 10μm et une concentration en dopants du même type que ceux de la première couche (21), supérieure à 10 19 /cm 3 , e) une troisième étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une troisième couche (23) en carbure de silicium poly-cristallin sur la deuxième couche (22), les première (21), deuxième (22) et troisième (23) couches formant le substrat support (20), une séparation le long du plan fragile enterré (12) s’opérant au cours de la troisième étape de dépôt. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la première étape de dépôt et la troisième étape de dépôt sont réalisées par dépôt chimique en phase vapeur, à une température comprise entre 1100°C et 1600°C, préférentiellement comprise entre 1200°C et 1600°C, encore préférentiellement comprise entre 1200°C et 1400°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, la première couche (21) présente une concentration en dopants supérieure à 5.10 19 /cm 3 . Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de la première étape de dépôt, la première couche (21) présente une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm, voire entre 50nm et 200nm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant, avant la première étape de dépôt, une étape de préparation du substrat initial (11) comportant au moins une désoxydation d’une face avant dudit substrat initial (11). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant avant l’étape b), une étape a’) de formation d’une couche intermédiaire sur la face avant du substrat initial (11) pour favoriser la conduction électrique, la première couche (21) étant ensuite formée sur ladite couche intermédiaire au cours de l’étape b). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche intermédiaire est en silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la troisième couche (23) formée à l’étape e) présente une épaisseur supérieure ou égale à 100μm et une concentration en dopants supérieure à 10 19 /cm 3 , au moins sur ses cents premiers microns d’épaisseur.