Procédé de fabrication d’un moule (1) pour nano-impression comprenant : une fourniture d’un substrat (10) comprenant une couche (11) présentant une face supérieure (110) et une face inférieure (115) opposée à la face supérieure (110), au moins une implantation ionique dans au moins une portion de la couche (11), l’implantation ionique étant configurée de façon à obtenir au sein de la couche (11) au moins une première portion (111) non implantée ou présentant une première implantation, et au moins une deuxième portion (112) présentant une deuxième implantation, la première implantation et la deuxième implantation étant différentes, les première (111) et deuxième (112) portions s’étendant chacune depuis ladite face supérieure (110), l’implantation ionique définissant en outre une troisième portion (113) non implantée, s’étendant au moins depuis la première portion (111), jusqu’à la face inférieure (115) de la couche (10), après ou avant l’implantation, la réalisation d’un masque, dit de gravure (13), surmontant la face supérieure (110) et présentant une pluralité d’ouvertures (130a, 130b), après l’implantation, une gravure de la couche (10) configurée de façon à présenter une vitesse de gravure différente au moins entre la deuxième portion (112) et la troisième portion (113), de façon à graver à travers les ouvertures (130a, 130b) du masque de gravure (13) une pluralité de motifs (114a, 114b) de différentes hauteurs dans la couche, au moins un motif (114a) s’étendant dans la première portion (111) et au moins un motif (114b) s’étendant dans la deuxième portion (112). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première implantation et la deuxième implantation diffèrent par au moins un paramètre parmi : une profondeur d’implantation, une nature des ions implantés, une dose en ions implantées. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la gravure est configurée pour graver dans la première portion (111) un premier ensemble de motifs (114a) et pour graver dans la deuxième portion (112) un deuxième ensemble de motifs (114b) : le premier ensemble de motifs (114a) présentant une première densité D 1 de motifs et une première hauteur H 1 , le deuxième ensemble de motifs (114b) présentant une deuxième densité D 2 de motifs, et une deuxième hauteur H 2 , et dans lequel D 2 >D 1 et/ou H 2 >H 1 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la gravure est configurée de sorte que la vitesse de gravure au moins de la deuxième portion (112), est supérieure à la vitesse de gravure de la troisième portion non-implantée (113). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, préalablement à l’implantation ionique, le procédé comprend la réalisation d’un masque (12) dit d’implantation sur au moins une portion (110a) de la face supérieure (110) de la couche (11), et l’implantation ionique est au moins en partie réalisée à travers le masque d’implantation (12) de sorte que la première portion implantée (111) présente une première profondeur d’implantation P 1 et la deuxième portion implantée (112) présente une deuxième profondeur d’implantation P 2 , avec P 2 strictement supérieure à P 1 et P 1 nulle ou supérieure à 0. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le masque d’implantation (12) est configuré de sorte à présenter un gradient d’épaisseur entre au moins une première épaisseur E 1 et une deuxième épaisseur E 2 , avec E 1 strictement supérieure à E 2 et E 2 nulle ou supérieure à 0. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel l’implantation ionique est configurée de sorte qu’au moins la deuxième profondeur d’implantation P 2 est supérieure à 30 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 et 6, dans lequel l’implantation ionique est configurée de sorte que les première P 1 et deuxième P 2 profondeurs d’implantation sont inférieures ou égale à 30 nm, de préférence inférieure ou égale à 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel le masque d’implantation (12) est configuré de sorte que les première (111) et deuxième (112) portions sont espacées, selon une direction parallèle à un plan d’extension principale de la face supérieure (110) de la couche (11), d’une distance (L 0 ) inférieure à la plus petite distance (L 1 ) séparant deux motifs (114a, 114b) adjacents de différentes hauteurs. Procédé selon l’une quelconque des cinq revendications précédentes, dans lequel le masque d’implantation (12) est configuré de sorte que les première (111) et deuxième (112) portions sont séparées par une portion intermédiaire (116) dans laquelle la profondeur d’implantation varie. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel le masque d’implantation (12) est configuré de sorte que les première (111) et deuxième (112) portions sont directement adjacentes. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, préalablement à la gravure, le procédé comprend plusieurs implantations ioniques de façon à implanter une pluralité de premières portions (111) et une pluralité de deuxièmes portions (112), les implantations ioniques étant configurées entre elles de sorte que : les premières portions (111) diffèrent des deuxième portions (112) par au moins un paramètres pris parmi : une nature des ions implantés, une dose en ions implantés, et/ou les première et deuxième portions (111, 112) présentent des profondeurs d’implantation P 1 , P 2 différentes entre les premières portions (111) et les deuxièmes portions (112). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les implantations ioniques sont effectuées à travers le masque de gravure (13) de sorte que chacune des premières et deuxièmes portions implantées (111, 112) s’étend au droit des ouvertures (130a, 130b) du masque de gravure (13). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 et 9 à 13, dans lequel la gravure est configurée pour graver sélectivement chaque portion implantée (111, 112) par rapport à la troisième portion non implantée (113). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 et 9 à 14, dans lequel la gravure est stoppée après avoir consommée toute l’épaisseur de la deuxième portion (112) située au droit des ouvertures (130b) du masque de gravure (13). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’implantation ionique est configurée pour implanter au moins l’un parmi les ions oxygène, hydrogène, hélium, arsenic, phosphore et carbone, dans la couche (11). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche (11) est à base d’au moins un parmi le silicium ou un matériau transparent à la longueur d’onde de 365 nm. Moule (1) pour nano-impression comprenant : un substrat (10) comprenant une couche (11) présentant une face supérieure (110) et une face inférieure (115) opposée à la face supérieure (110) et plusieurs motifs (114a, 114b) s’étendant depuis la face supérieure (110), la couche (11) étant destinée à pénétrer dans une couche à imprimer pour y transférer les motifs (114a, 114b), au moins l’un des motifs (114a) présentant une hauteur différente d’un autre motif (114b), caractérisé en ce que la couche (11) comprend au moins une première portion (111) non implantée ou présentant une première implantation, et au moins une deuxième portion (112) présentant une deuxième implantation, la première implantation et la deuxième implantation étant différentes, les première (111) et deuxième (112) portions s’étendant chacune depuis ladite face supérieure (110), et une troisième portion (113) non implantée, s’étendant au moins depuis la première portion (111), jusqu’à la face inférieure (115) de la couche (10). Moule (1) selon la revendication précédente, dans laquelle le moule est un moule dit maître, destiné à servir à la réalisation de moules secondaires pour nano-impression. Moule (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la première portion implantée (111) présente une première profondeur d’implantation P 1 et la deuxième portion implantée (112) présente une deuxième profondeur d’implantation P 2 , avec P 2 strictement supérieure à P 1 et P 1 nulle ou supérieure à 0. Moule (1) selon la revendication précédente, dans lequel les première (111) et deuxième (112) portions sont espacées, selon une direction parallèle au plan d’extension principale de la face supérieure (110) de la couche (11), d’une distance (L 0 ) inférieure à la plus petite distance (L 1 ) séparant deux motifs (114a, 114b) adjacents de différentes hauteurs.