INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé selon l’invention permet ainsi, en cas d’un dépassement de tension de fonctionnement du réseau électrique et donc de risque potentiel d’avoir une tension efficace du ou des composants électriques et/ou électroniques qui est associé à une ligne de fuite supérieure à celle prévue entre les composants électriques et/ou électroniques, de limiter la tension efficace aux bornes du ou des composants électriques et/ou électroniques à une valeur de tension efficace égale ou inférieure à une valeur seuil, au moins égale à ladite valeur de tension nominale, et permettant de respecter les règlementations au sujet des lignes de fuite. Cela permet d’éviter d’avoir à mettre en place une ligne de fuite trop élevée entre deux composants électriques et/ou électroniques, réduisant ainsi l’encombrement mécanique et/ou améliorant l’efficacité du fonctionnement. Le procédé selon l’invention est particulièrement avantageux lorsqu’il est mis en œuvre avec un dispositif de chauffage comprenant des éléments à effet CTP, les inventeurs ayant constaté que de tels éléments résistifs garantissent que pour toute tension de fonctionnement supérieure ou égale à la tension nominale, si la tension efficace est elle-même supérieure ou égale à la tension nominale, alors la puissance électrique fournie est au moins égale à la puissance obtenue à la tension nominale avec toutes les autres conditions de fonctionnement égales par ailleurs. Ceci reste notamment vrai dans le cas où la tension efficace est limitée à une valeur seuil, dès lors que ladite tension seuil est supérieure ou égale à la tension nominale.
En d’autres termes, le procédé selon l’invention et le module de contrôle configuré pour le mettre en œuvre sont prévus pour réaliser une limitation de la tension efficace du composant électrique et/ou électronique pour que celle-ci soit en accord avec la ligne de fuite mise en place dans le système électronique autour de ce composant électrique et/ou électronique.
La modulation de largeur d’impulsion permet de générer un signal cyclique alternant l’activation et l’inactivation du ou des composants à une fréquence donnée. La modulation de largeur d’impulsion est exprimée comme une valeur numérique comprise entre 0 et 1, alternativement et librement en pourcentage entre 0 % et 100 %, la modulation de largeur d’impulsion maximale correspondant à 1 ou 100 % équivalant à une activation constante du ou des composants. Il s’agit d’un fonctionnement standard du ou des composants électriques et/ou électroniques.
La tension de fonctionnement du réseau électrique peut être mesurée en permanence, par exemple via un voltmètre. Le procédé de limitation est mis en œuvre dès que la tension efficace du composant électrique et/ou électronique calculée sur la base de la tension de fonctionnement mesurée est supérieure à la valeur de tension seuil du composant électrique et/ou électronique qui est déterminée spécifiquement selon l’invention et associée à ce composant électrique et/ou électronique. Un dépassement de cette tension seuil peut être rapidement détecté et le procédé peut donc se poursuivre afin de limiter un tel excès de tension efficace et le contrôler dans une mesure qui permet de respecter les normes relatives aux lignes de fuite tout en assurant la délivrance d’une puissance la plus grande possible dans ces conditions de sécurité électrique.
Dans le procédé de limitation selon l’invention, l’objectif de l’étape de détermination de la valeur de modulation de largeur d’impulsion cible est ainsi de calculer la valeur de modulation de valeur d’impulsion qui permet de limiter une valeur efficace, par exemple une valeur de tension efficace, du composant à une valeur correspondante maximale permettant que la ligne de fuite telle qu’elle a été prévue soit respectée. Il est avantageux selon l’invention que ce soit la valeur de tension maximale permettant de respecter la ligne de fuite qui soit définie, et non pas une valeur de tension maximale résolument basse, pour ne pas nuire aux performances du système électrique et permettre de délivrer une puissance le cas échéant supérieure à celle atteignable par le système électrique s’il fonctionnait à la tension nominale.
Grâce au procédé de l’invention, malgré une valeur de tension de fonctionnement du réseau électrique supérieure à la tension nominale aux bornes du composant électrique et/ou électronique, la valeur efficace, par exemple la tension efficace, du composant est limitée à une valeur seuil qui a été définie préalablement comme la valeur maximale d’un composant permettant de respecter la ligne de fuite maximale prévue, en modérant la modulation de valeur d’impulsion.
Selon une caractéristique de l’invention, la valeur seuil déterminée au cours de l’étape de détermination est une valeur de tension seuil, dans lequel la valeur efficace évaluée lors de l’étape d’évaluation est une valeur de tension efficace, dans lequel l’étape de comparaison consiste en une comparaison de la valeur de tension efficace par rapport à la valeur de tension seuil et dans lequel l’étape de calcul est mise en œuvre lorsqu’un lorsqu’une valeur de tension efficace évaluée est supérieure à la valeur de tension seuil, la valeur de modulation de largeur d’impulsion cible calculée lors de cette étape de calcul étant telle que la valeur de tension efficace reste inférieure ou égale à la valeur de tension seuil définie préalablement.
Selon une caractéristique de l’invention, la valeur de tension seuil déterminée est une valeur fixe, fonction de la tension nominale et de la valeur de ligne de fuite à respecter, qui est supérieure ou égale à la tension nominale du composant électrique et/ou électronique.
Lesdits éléments pouvant être orientés par rapport audit robot RDM, et leurs paramètres ajustés si requis. Les informations acquises sont transmises audits moyens électroniques embarqués MEE, qui doivent distinguer un utilisateur dédié habilité à se trouver sur les lieux d'un intrus non habilité, et également signaler la non-présence, anormale, dudit utilisateur dédié.
Outre son rôle de surveillance sécuritaire des locaux, ledit robot RDM est en mesure de veiller sur la santé dudit utilisateur dédié, par exemple en signalant une chute éventuelle.
Ledit dispositif de reconnaissance vocale VOC est apte à recevoir et traiter des messages vocaux émis par un utilisateur dédié. Lesdits moyens électroniques embarqués MEE ayant validé lesdits messages, afin de refuser l'exécution de certains messages telle la prise abusive de médicaments, ledit robot RDM est apte à exécuter lesdits messages, et se trouve temporairement sous la commande dudit utilisateur dédié, avant de retrouver son mode de fonctionnement autonome habituel.
Ledit robot RDM présente une partie amont PAM constituant sa tête, laquelle jouxte une partie aval PAV constituant son tronc. Ladite partie amont PAM héberge lesdits moyens de détection MDE.
Ledit robot RDM est muni d'au moins une articulation ART disposée entre lesdites parties amont PAM et aval PAV. Ainsi ladite partie amont PAV est mobile au moins en rotation par rapport à ladite partie aval PAV, de façon analogue à une tête humaine mobile en rotation et en flexion longitudinale et latérale au niveau du cou par rapport au torse.
Dans le cas présent, ladite partie amont PAM surplombe verticalement ladite partie aval PAV, le robot étant anthropomorphe.
Dans un autre mode de réalisation, non représenté, lesdites parties amont PAM et aval PAV se trouvent au même niveau, le robot étant zoomorphe, par analogie aux quadrupèdes.
Ledit robot RDM est apte à circuler dans des locaux qui présentent des irrégularités de volume telles des ouvertures de portes, et des surfaces occasionnellement lisses au sol.
Ledit robot RDM est muni de moyens de blocage MBL, dans le cas présent une pince PIN et une ventouse VEN. Lesdits moyens de blocage MBL sont aptes à prendre appui sur lesdites irrégularités et lesdites surfaces lisses. Ladite pince PIN peut s'agripper au chambranle d'une porte, bloquant ainsi le passage à un intrus, et ladite ventouse VEN peut prendre appui sur une surface lisse au sol, ou éventuellement sur une paroi verticale. Ladite ventouse VEN est associée à un dispositif générant de l'air en dépression, non représenté. Lesdits moyens de blocage MBL sont également renforcés par la taille conséquente dudit robot RDM, lorsqu’il est conçu de grande taille, et est alors apte à obstruer un travers de porte.
Lesdits moyens de locomotion MLO, constituant les jambes dudit robot ROB, comprennent dans le cas présent deux paires de roues ROU1, ROU2, ROU3, ROU4, montées en ligne à la façon de « rollers» et d'autre part deux moteurs ambulatoires associés MOA1, MOA2. Lorsque lesdits moteurs ambulatoires MOA1, MOA2 ne fonctionnent pas, lesdites roues ROU1, ROU2, ROU3, ROU4, se trouvent idéalement bloquées, ce qui garantit l'immobilité dudit robot RDM par rapport au sol.
Lesdits moyens de levage MEL, constituant les bras dudit robot RDM, comprennent un plateau élévateur PLA, associé à un moteur électrique adéquat et non représenté. Lorsque la taille et la puissance dudit robot RDM le permettent, il est ainsi en mesure de récupérer ledit utilisateur dédié tombé à terre et de le déposer sur un lit. Cela suppose un polygone de sustentation adéquat, sinon ledit robot RDM et sa charge pourraient culbuter.
Ledit robot RDM peut ainsi assister ledit utilisateur dédié en soulevant et en transportant des charges, par exemple des cartons pleins ou des packs de bouteilles.
Lesdits moyens d'action MAC constituent également les bras dudit robot RDM et comprennent en premier lieu les éléments suivants :
Une pince de préhension PPR,
Une ventouse de préhension VPR,
Un aimant de préhension AMP.
De préférence, la valeur absolue de chaque seuil d’écart (seuil inférieur d’écart de pression de vapeur SECPVinf et seuil supérieur d’écart de pression de vapeur SECPVsup) est supérieure ou égale à celle du seuil d’alarme correspondant (respectivement seuil inférieur d’alarme de pression de vapeur SALPVinf et seuil supérieur d’alarme de pression de vapeur SALPVsup).
De préférence, les seuils d’écart et les seuils d’alarme pris en compte pour caractériser un déséquilibre sur le débit de vapeur DV sont différents.
De préférence, la valeur absolue de chaque seuil d’écart (seuil inférieur d’écart de débit de vapeur SECDVinf et seuil supérieur d’écart de débit de vapeur SECDVsup) est supérieure ou égale à celle du seuil d’alarme correspondant (respectivement seuil inférieur d’alarme de débit de vapeur SALDVinf et seuil supérieur d’alarme de débit de vapeur SALDVsup).
- l’émission d’un signal alarme de puissance primaire ALP1 si l’écart de puissance primaire ΔP1 de ce générateur de vapeur 8, optionnellement filtré à l’aide du filtre à avance de phase de puissance primaire FP1, est inférieur au seuil inférieur d’alarme de puissance primaire SALP1inf ou supérieur au seuil supérieur d’alarme de puissance primaire SALP1sup ;
- l’émission d’un signal d’alarme de pression de vapeur ALPV si l’écart de pression de vapeur ΔPV de ce générateur de vapeur 8, optionnellement filtré à l’aide du filtre à avance de phase de pression de vapeur FPV, est inférieur au seuil inférieur d’alarme de pression de vapeur SALPVinf ou supérieur au seuil supérieur d’alarme de pression de vapeur SALPVsup ;
- l’émission d’un signal d’écart de pression de vapeur ECPV si l’écart de pression de vapeur ΔPV de ce générateur de vapeur 8 est inférieur au seuil inférieur d’écart de pression de vapeur SECPVinf ou supérieur au seuil supérieur d’écart de pression de vapeur SECPVsup,
- l’émission d’un signal d’alarme de débit de vapeur ALDV si l’écart de débit de vapeur ΔDV de ce générateur de vapeur 8, optionnellement filtré à l’aide du filtre à avance de phase de débit vapeur FDV, est inférieur au seuil inférieur d’alarme de débit de vapeur SALDVinf ou supérieur au seuil supérieur d’alarme de débit de vapeur SALDVsup ; et/ou
- l’émission d’un signal d’écart de débit de vapeur ECDV si l’écart de débit de vapeur ΔDV de ce générateur de vapeur 8 est inférieur au seuil inférieur d’écart de débit de vapeur SECDVinf ou supérieur au seuil supérieur d’écart de débit de vapeur SECDVsup.
Dans un exemple de réalisation, pour chaque générateur de vapeur 8, la caractérisation d’un déséquilibre sur la pression de vapeur PV ou d’un déséquilibre sur le débit de vapeur DV est par exemple réalisée en fonction du ou des signaux d’alarme (ALP1, ALPV, ALDV) et en fonction du ou des signaux d’écart (ECPV, ECDV), selon les conditions indiquées auparavant, et par exemple à l’aide de portes logiques (porte(s) « ou », porte(s) « et », porte(s) inverseuse(s)…) ou de tables de vérités ou d’instructions de code logiciel codant les conditions indiquées auparavant.
La illustre une unité électronique de surveillance 60 configurée pour la caractérisation d’un déséquilibre sur la pression de vapeur ou d’un déséquilibre sur le débit de vapeur, en fonction du ou des signaux d’alarme et en fonction du ou des signaux d’écart, à l’aide de porte logiques.
Tel qu’illustrée sur la , l’unité électronique de surveillance 60 comprend, pour chaque générateur de vapeur 8, un comparateur différentiel de puissance primaire 62 pour calculer l’écart de puissance primaire ΔP1, un comparateur différentiel de pression de vapeur 64 pour calculer l’écart de pression de vapeur ΔPV, et un comparateur différentiel de débit de vapeur 66 pour calculer l’écart de débit de vapeur ΔDV.
L’unité électronique de surveillance 60 comprend en outre un comparateur à seuil d’alarme de puissance primaire 68 pour l’émission du signal alarme de puissance primaire ALP1, un comparateur à seuil d’alarme de pression de vapeur 70 pour l’émission du signal d’alarme de pression de vapeur ALPV, un comparateur à seuil d’écart de pression de vapeur 72 pour l’émission du signal d’écart de pression de vapeur ECPV, un comparateur à seuil d’alarme de débit de vapeur 74 pour l’émission du signal d’alarme de débit de vapeur ALDV, et/ou un comparateur à seuil d’écart de débit de vapeur 76 pour l’émission du signal d’écart de débit de vapeur ECDV.
Chaque comparateur à seuil émet le signal d’alarme ou le signal d’écart correspondant en fonction des conditions d’émission indiquées plus haut, sous la forme d’un signal logique.
L’unité électronique de surveillance 60 comprend des portes logiques pour l’émission des signaux de problème physique PPPV, PPDV et de dérive de mesure DMPV, DMDV en fonction des signaux d’alarme et des signaux d’écart émis par les comparateurs à seuil, selon les critères indiqués plus haut.
Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé de surveillance comprend, pour chaque générateur de vapeur 8, le calcul d’un écart de température d’eau alimentaire ΔTE comme la différence entre la température d’eau alimentaire mesurée TEmes pour ce générateur ce vapeur 8 et la température d’eau alimentaire moyenne TEavg pour l’ensemble des générateurs de vapeur 8.
La mise en place du dispositif de diffusion sur la paroi de séparation 38 s’effectue en se plaçant au niveau d’une extrémité débouchante desdits conduits 40, 42. Ledit dispositif de diffusion est positionné perpendiculairement à ladite paroi de séparation 38 et la fente 36 est insérée en force sur un bord libre de ladite paroi de séparation 38. Ledit boîtier 1 s’étend de la sorte en regard de chacun des conduits 40, 42 et le fluide actif peut ainsi être diffusé dans chacun d’eux sans avoir à multiplier le nombre de boîtiers.
Comme illustré par les figures 5 à 7, l’un 16 desdits jeux d’empreintes, dit troisième jeu d’empreintes, comprend des formes d’articulation en rotation du boîtier 1 dans un capot 50 d’ouverture/fermeture autorisant ou non la diffusion dudit fluide de traitement d’odeurs en dehors du boîtier 1 en fonction d’une position angulaire relative dudit boîtier 1 et dudit capot 50. Un tel capot, en ouvrant et fermant le boîtier 1, permet de mieux réguler la diffusion du fluide actif en évitant qu’elle ne dépende que du débit du flux vecteur.
Ledit capot 50 est, par exemple, cylindrique de diamètre juste supérieur à celui du boîtier 1. Ledit capot 50 présente un axe d’extension longitudinale confondu avec celui dudit boîtier 1. Ledit boîtier 1 est configuré pour pivoter autour dudit axe d’extension longitudinale, dans ledit capot 50, grâce audit troisième jeu d’empreintes 16.
Ledit capot 50 comprend des lumières 52 de passage du flux vecteur. Elles sont destinées à laisser libre lesdites fenêtres 8 dans une configuration d’ouverture du dispositif de diffusion, autorisant la diffusion du fluide actif.
Lesdites lumières 52 sont orientées selon l’axe d’extension longitudinale dudit boîtier. Elles présentent une envergure angulaire sensiblement identique à celle desdites fenêtres 8 et/ou une longueur correspondant à celle desdits rangs de fenêtres 8. Elles sont au nombre de deux, diamétralement opposées, de sorte à pouvoir correspondre auxdits rangs de fenêtres 8 en configuration d’ouverture. Dans le mode de réalisation illustré, lesdites lumières 52 sont interrompues dans une partie médiane par des parties du capot 50, notamment de sorte à dissimuler la fente 36 du boîtier 1. Lesdites parties du capot 50 interrompant lesdites lumières 52 pourront en outre obstruer une ou plusieurs des fenêtres se trouvant à proximité de ladite fente 36.
Tel que cela est illustré à la , selon la position angulaire du boîtier 1 dans le capot 50, lesdites fenêtres 8 ne sont pas en vis-à-vis des lumières 52 et le dispositif de diffusion est dans une configuration fermée.
Un inconvénient à ces différentes méthodes est la faiblesse de l’adhérence des nanoparticules sur leur support : les particules étant simplement posées en surface du matériau traité, elles sont susceptibles de se décoller pendant l’utilisation de la pièce considérée et d’être relarguées dans l’environnement.
Un autre problème lié à une utilisation de nanoparticules dispersées sur un substrat est leur tendance à la croissance, à l’agglomération et au « coking », c’est-à-dire à l’accumulation de carbone en surface de nanoparticules métalliques en environnement hydrocarbure, ce qui les rend moins actives chimiquement.
En outre, le dépôt par enduction d’une solution chargée en nanoparticules suppose en amont de préparer et manipuler des nanoparticules, ce qui engendre un risque pour la santé d’un opérateur.
Pour s’affranchir de ces différentes faiblesses, il a été envisagé de générer des nanoparticules à partir du matériau support.
La illustre très schématiquement un tel principe : au lieu d’obtenir des nanoparticules déposées sur le matériau de base (en surface du substrat) comme schématisé sur la figure 1A, les nanoparticules sont générées à partir du matériau du substrat, comme schématisé sur la figure 1B, ce qui leur confère un meilleur ancrage à la surface du substrat.
Pour cela, une voie développée relativement récemment est par exemple l’exsolution redox de nanoparticules (nommée également recristallisation en phase solide).
Le document GB2566104 (A) décrit par exemple un procédé dans lequel un métal de transition catalytiquement actif est substitué dans les sites B de cristaux de pérovskite de formule générale ABO 3 en conditions oxydantes (par exemple du nickel (Ni) dans une pérovskite La x Sr 1-3x/2 TiO 3 , où La désigne du lanthane, Sr du strontium, Ti du titane et O de l’oxygène), puis le matériau obtenu est chauffé à haute température en atmosphère réductrice, ce qui engendre le relargage de nanoparticules métalliques (de Ni dans cet exemple) en surface de la pérovskite, à partir du volume de celle-ci. Les particules ainsi obtenues présentent une interaction forte avec le support, dans lequel elles sont enracinées, ce qui résulte de leur croissance à partir du matériau support. Ce procédé est cependant limité au traitement de substrat de compositions et phase cristalline décrites ci-dessus.
Un procédé d’irradiation laser a aussi été proposé pour la génération de nanoparticules à partir d’une surface métallique ; les nanoparticules ont alors la même composition chimique que le matériau substrat irradié : nanoparticules d’Ag formées sur une surface d’Ag, nanoparticules de Cu formées sur une surface de Cu. Ceci est par exemple décrit dans le document CA2874686 (A1).
Les articles suivants traitent aussi de différents procédés de génération de nanoparticules en surface : Hamad et al. Femtosecond Laser-Induced, Nanoparticle-Embedded Periodic Surface Structures on Crystalline Silicon for Reproducible and Multi-utility SERS Platforms, ACS Omega 3 (2018)18420-18432 ; Neagu, D. et al. Nano-socketed nickel particles with enhanced coking resistance grown in situ by redox exsolution. Nat. Commun. 6 (2015) 8120; Guay J.M. et al., Laser-induced plasmonic colours on metals, Nature communications 8 (2017) 16095 ; Fan et al. J. Appl. Phys. 115, 124302 (2014), et J. Appl. Phys. 114, 083518 (2013).
Objectifs – problèmes techniques à résoudre Un objectif de la présente invention est donc de former des nanoparticules ayant une bonne adhérence, sur la durée, à la surface sur laquelle elles sont générées, en particulier pour des nanoparticules comportant des éléments chimiques présentant des propriétés catalytiques, antimicrobiennes et/ou plasmoniques intéressantes, c’est-à-dire par exemple des métaux nobles ou de transition.
Un autre objectif est de fournir un procédé de fonctionnalisation simple et industrialisable, peu exigeant en termes de coût, de condition de traitement et de pièce qui peut être traitée (forme, nature chimique, tenue thermique ou chimique).
Un autre objectif est de proposer un procédé permettant d’éviter une manipulation de nanoparticules.
Encore un autre objectif est d’apporter une fonctionnalisation locale de la surface traitée, en étant capable de choisir finement les zones de la surface à traiter, possiblement avec une résolution micrométrique, et impactant peu un volume de la pièce.
Pour atteindre, au moins en partie, les objectifs précités, est proposé, selon un premier aspect de l’invention, un procédé de génération de nanoparticules en surface d’un substrat, le procédé comportant : une étape de fourniture du substrat ayant une surface libre, le substrat étant en un matériau ayant une composition chimique comportant : au moins un élément des colonnes 4, 5, 13 et 14 de la classification périodique des éléments, en particulier au moins un élément parmi Ti (titane), Zr (zirconium), Hf (hafnium), Nb (niobium), Ta (tantale), V (vanadium), Al (aluminium), ou Si (silicium), préférentiellement Ti et/ou Zr ; au moins un métal noble ou un métal de transition, notamment au moins un métal noble ou un métal de transition des colonnes 8 à 11 de la classification périodique des éléments, en particulier au moins un parmi Au (or), Ag (argent), Pt (platine), Pd (palladium), Cu (cuivre), Fe (fer), Co (cobalt), Ni (nickel), préférentiellement Cu, Ag et/ou Au ; une étape d’irradiation d’au moins une partie de la surface libre du substrat par une source de rayonnement laser produisant un rayonnement par impulsions, avec une durée d’impulsion comprise entre 1 fs et 100 ps, une fluence par impulsion comprise en 0.01 J/cm 2 et 100 J/cm 2 , une longueur d’onde comprise entre 100 nm et 5000 nm, et un nombre d’impulsions par point traité compris entre 1 et 1000 ; et une étape de génération d’au moins une nanoparticule en surface libre du substrat à partir du matériau du substrat, l’au moins une nanoparticule comportant au moins le métal noble ou le métal de transition, et ayant une composition chimique différente de celle du substrat.
Une nanoparticule désigne ici une particule dont une taille caractéristique est inférieure à quelques centaines de nanomètres.
La présente invention propose ainsi une solution de génération in-situ de nanoparticules alternatives aux procédés connus décrit ci-dessus, par ségrégation d’éléments chimiques du matériau du substrat.
La est un schéma montrant un exemple du convertisseur de puissance 1 dans un dixième état Φ10.
La est un schéma montrant un exemple du convertisseur de puissance 1 dans un onzième état Φ11.
La est un schéma montrant un exemple du convertisseur de puissance 1 dans un douzième état Φ12.
La est un schéma montrant un exemple du convertisseur de puissance 1 dans un treizième état Φ13.
La est un schéma montrant un exemple d’un convertisseur de puissance 2 dans un premier état Ψ1.