INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme cela est visible sur la , il peut être mis en œuvre, de manière facultative mais avantageuse, une étape de dégazage E7 du mélange, cette étape E7 étant mise en œuvre durant ou après l’étape d’agitation E3, mais dans tous les cas avant l’étape de moulage E4. En effet, l’étape d’agitation E3 a pour effet d’induire la formation de bulles d’air dans le mélange et l’étape de dégazage E7 permet d’extraire ces bulles d’air et d’obtenir un détecteur capacitif 10 dépourvu de défauts (porosités fermées ou ouvertes) avec une bonne tenue mécanique. L’homogénéité et la cohésion entre les différents constituants sont aussi améliorées. Pour mettre en œuvre l’étape de dégazage E7, il est possible de placer le mélange sous vide primaire dans un dessiccateur, par exemple sous une cloche à vide. Alternativement, il est possible que l’étape d’agitation E3 et l’étape de dégazage E7 soient regroupées, en utilisant un mélangeur planétaire.
Une étape d’ajout E5 d’un catalyseur (dont la nature dépend de la résine polymérique) dans le mélange intégrant la résine polymérique, la silice et les particules métalliques peut facultativement être mise en œuvre avant l’étape d’agitation E3 et avant l’étape de moulage E4. L’ajout d’un catalyseur peut être nécessaire, en fonction de la résine, pour assurer ou améliorer le durcissement du détecteur capacitif après la coulée, en particulier l’effet thermodurcissable. La teneur en poids du catalyseur peut notamment être comprise entre 0,5% et 5% et préférentiellement être sensiblement égal (c’est-à-dire à 10% près) à 2%.
Selon un mode de réalisation, une étape d’ajout E6 du composant colorant précédemment évoqué dans le mélange intégrant la résine polymérique, la silice et les particules métalliques, est mise en œuvre afin d’obtenir un détecteur capacitif 10 coloré dans la masse, d’une couleur fonction des besoins qui ne s’oppose ni à la résistance mécanique du détecteur capacitif 10 ni à la fonction de détection capacitive. Comme le montre la , cette étape d’ajout E6 peut être exécutée avant ou après l’étape d’agitation E3, mais dans tous les cas avant l’étape de moulage E4. Le composant colorant peut représenter entre 0,5% et 5% en poids de la matrice polymérique.
Les revêtements minéraux transparents permettent de modifier localement les propriétés optiques du vitrage afin de créer un décor. Les revêtements minéraux confèrent de préférence un aspect coloré, la coloration pouvant provenir selon les cas de phénomènes d’interférence ou d’une couleur en transmission de la couche, due par exemple à la présence d’espèces colorantes. Dans le cas d’interférences, la coloration peut n’être vue que selon certains angles d’observation, par exemple aux grands angles.
Selon l’invention, la première feuille de verre a une face revêtue d’au moins deux revêtement minéraux transparents formant décor, identiques ou différents, lesdits au moins deux revêtements minéraux étant superposés dans au moins une zone de ladite face revêtue.
Dans certaines zones, le décor peut comprendre plusieurs épaisseurs superposées d’un revêtement minéral transparent de même nature. Alternativement, le décor peut être formé d’une pluralité de revêtements minéraux transparents de natures différentes, superposés dans certaines zones.
Les aux moins deux revêtements minéraux transparents peuvent être exactement superposés, au sens où il n’existe pas de zone du vitrage revêtue par un seul revêtement minéral transparent. Alternativement, les aux moins deux revêtements minéraux transparents peuvent n’être que partiellement superposés. Dans ce cas, certaines zones du vitrage peuvent n’être revêtues que par un seul revêtement minéral transparent
Il a été observé que dans les zones de superposition, l’effet optique obtenu, notamment la couleur, était différent de celui obtenu dans les zones où un seul revêtement minéral est déposé. Il est ainsi possible, en déposant successivement et éventuellement localement, deux revêtements, voire trois, quatre ou plus, d’obtenir des décors très variés.
Par exemple, le décor peut comprendre une première zone formée uniquement d’un premier revêtement minéral transparent, une deuxième zone formée uniquement d’un deuxième revêtement minéral transparent, différent du premier, et une troisième zone formée par la superposition du premier revêtement et du deuxième revêtement.
Le facteur de transmission lumineuse de chaque revêtement transparent est de préférence compris entre 40 et 95%, notamment entre 50 et 80%.
Le choix d’une telle transmission permet de ne pas réduire significativement la luminosité à l’intérieur de l’habitacle, le décor restant toutefois bien visible depuis l’extérieur.
Le revêtement minéral transparent peut avoir des propriétés antireflets, en ayant un indice de réfraction inférieur à celui du verre. Dans ce cas, le décor sera obtenu par superposition de ce revêtement avec un autre revêtement minéral transparent.
L’épaisseur physique de chaque revêtement minéral transparent formant décor est de préférence comprise entre 20 et 250 nm, notamment entre 50 et 200 nm, voire entre 100 et 150 nm. Il s’agit ici de l’épaisseur dans le produit final, donc après une éventuelle étape de cuisson ou de frittage. Dans certains cas, notamment lorsque les effets optiques sont obtenus grâce à des effets d’interférences, le choix de l’épaisseur permet d’ajuster la teinte obtenue.
Chaque revêtement minéral transparent est de préférence à base d’oxyde. De tels revêtements présentent l’avantage de ne pas dégrader l’éventuel revêtement bas-émissif interposé et en particulier de ne pas trop affecter ses propriétés d’émissivité.
L’oxyde est de préférence choisi dans le groupe formé par les oxydes de titane, les oxydes de silicium, les oxydes de zirconium, les oxydes d’étain, les oxydes de zinc, les oxydes d’aluminium, les oxydes d’indium et les oxydes de métaux de transition. Les métaux de transition sont en particulier le cuivre, le fer, le cobalt, le chrome et le manganèse.
Le revêtement minéral transparent peut avoir un aspect coloré dû à la présence d’espèces colorantes, tels que des pigments ou des particules métalliques, par exemple d’or.
Chaque revêtement minéral transparent à base d’oxyde est avantageusement un revêtement sol-gel, c’est-à-dire un revêtement obtenu par un procédé sol-gel.
Dans le cadre de l’invention, le plot semiconducteur est formé d’un empilement de portions de couches semiconductrices reposant sur un substrat support. Il comporte, à partir du substrat support, une portion inférieure dopée selon un premier type de conductivité, par exemple de type n, une portion active comportant au moins un puits quantique, et une portion supérieure dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type, par exemple de type p.
De plus, le plot semiconducteur présente des dimensions latérales telles que d’une part, la portion inférieure dopée présente une dimension latérale supérieure à celles de la portion active et de la portion supérieure dopée, et que d’autre part la portion active présente une dimension latérale supérieure à celles de la portion supérieure dopée. La portion inférieure dopée est donc plus large que les portions du dessus de manière à permettre une prise de contact électrique latéral.
Par ailleurs, rappelons qu’une gravure sèche ( dry etching , en anglais) est une gravure essentiellement physique qui présente un caractère fortement anisotrope. Elle peut consister en un bombardement par des ions de la surface libre d’un matériau, c’est-à-dire une surface non protégée par un masque de gravure (appelé masque dur). Il peut s’agir d’une gravure ionique réactive (RIE, pour Reactive Ion Etching , en anglais), éventuellement de type ICP ( Inductively Coupled Plasma , en anglais). Par ailleurs, une gravure humide ( wet etching , en anglais) est une gravure chimique par laquelle un composant (en partie protégé) est introduit dans une solution qui va attaquer chimiquement la surface libre (non protégée) du composant. Ce type de gravure est fortement isotrope et présente une bonne sélectivité des matériaux.
Les figures 2A à 2J illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une diode semiconductrice 1 selon un mode de réalisation. Comme indiqué précédemment, la diode semiconductrice 1 peut être une diode émissive telle qu’une diode laser ou une diode électroluminescente, ou peut être une photodiode.
Dans cet exemple, la diode semiconductrice 1 est une diode laser hybride d’une puce photonique. Une puce photonique est un dispositif optoélectronique comportant au moins une diode laser hybride 1 reposant sur le substrat fonctionnalisé 10 et couplé optiquement à un guide d’onde intégré situé dans le substrat fonctionnalisé 10. Ce guide d’onde intégré forme une partie d’un circuit photonique intégré.
La diode semiconductrice 1 est, d’une manière générale, réalisée à base d’un composé semiconducteur III-V (par exemple InP, GaAs, GaN…), II-VI (par exemple CdTe, HgTe, CdHgTe…), ou d’un élément ou composé IV (par exemple Ge, SiGe, GeSn…), c’est-à-dire qu’il comporte majoritairement le composé semiconducteur en question. Elle est une hétérostructure formée d’une portion 31 de couche dopée n, d’une portion 33 de couche dopée p, et d’une portion 32 de couche active intercalaire contenant au moins un puits quantique. Dans cet exemple, elle est réalisée à base d’un composé III-V, ici à base d’InP, et le substrat fonctionnalisé 10 est un substrat de type SOI.
On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal XYZ, où le plan XY est un plan parallèle au plan du substrat fonctionnalisé 10, et où l’axe Z est orienté du substrat fonctionnalisé 10 vers la diode laser 1. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat fonctionnalisé 10 suivant la direction +Z.
En référence à la , on reporte un empilement semiconducteur 20 sur le substrat fonctionnalisé 10. Le substrat fonctionnalisé 10 est ici de type SOI, et comporte un substrat support réalisée par exemple en silicium (non représenté) et présentant une épaisseur de l’ordre de plusieurs centaines de microns, une couche d’oxyde enterré (BOX, pour Buried Oxide , en anglais) qui recouvre le substrat support, et un guide d’onde intégré 12. Le guide d’onde intégré 12 est formé ici en silicium monocristallin, et est entouré par un oxyde 11 formé un gain de bas indice de réfraction. Dans cet exemple, il est revêtu d’une couche diélectrique de collage 13, ici réalisée en un oxyde de silicium, qui définit la face supérieure du substrat fonctionnalisé 10. Elle présente une épaisseur de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres, par exemple une épaisseur comprise entre 20nm et 100nm environ. Dans cet exemple, le guide d’onde intégré 12 est un guide droit, mais en variante, il peut être un guide en arête formé d’une base (slab) et d’une arête (rib).
L’empilement semiconducteur 20 prend ici la forme d’une vignette, c’est-à-dire d’une partie d’une plaque ( wafer en anglais), mais en variante il peut être une plaque entière. L’empilement semiconducteur 20 est formé ici d’une couche inférieure 21 dopée selon un premier type de conductivité, ici de l’InP dopé n d’une épaisseur de 150nm environ, d’une couche active 22 d’une épaisseur de 300nm environ formée d’une sous-couche inférieure de confinement en InGaAsP, d’une sous-couche comportant des puits quantiques en InGaAsP/InAsP, d’une sous-couche supérieure de confinement en InGaAsP, et enfin d’une couche supérieure 23 dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type, ici de l’InP dopé p d’une épaisseur de 2µm environ, éventuellement recouverte d’une couche de InGaAs dopé p (non représentée) d’une épaisseur de 300nm destinée à améliorer le contact électrique. Les couches de confinement présentent un indice de réfraction choisi pour améliorer le confinement du mode optique guidé dans la sous-couche à puits quantique (milieu à gain). Par ailleurs, l’empilement semiconducteur 20 peut comporter également le substrat de croissance en InP (non représenté).
L’empilement semiconducteur 20 est ainsi reportée sur le substrat fonctionnalisé 10, et est fixée à celui-ci par collage direct par exemple de type oxyde/oxyde. Ensuite, on supprime le substrat de croissance, par exemple par gravure humide à l’acide chlorhydrique éventuellement précédée par un amincissement mécanique, de manière à rendre libre la face supérieure de la couche supérieure 23 dopée p.
En référence à la , on structure la couche supérieure 23 dopée p par gravure sèche, de manière à former une portion supérieure 33 dopée p. Pour cela, on dépose un masque dur 41 sur une surface de la couche supérieure 23 dopée p destinée à former le plot semiconducteur 30 de la diode laser 1, le masque dur 41 étant par exemple réalisé en un nitrure de silicium d’une épaisseur comprise entre 400nm et 800nm déposé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Ensuite, on réalise une gravure sèche, de manière à graver localement la couche supérieure 23 dopée p dans les zones non protégées et à former la portion supérieure 33 dopée p, avec arrêt de gravure sur la couche active 22 (notons que le substrat fonctionnalisé 10 est protégé de la gravure sèche). L’arrêt de la gravure peut notamment être effectué par détection de fin d’attaque, c’est-à-dire lorsque du matériau InGaAsP de la couche active 22 est détecté. La couche supérieure 23 dopée p est ainsi supprimée, hormis la portion 33 recouverte par le masque dur 41. Celui-ci est ici avantageusement conservé.
Comme mentionné précédemment, la technique de gravure sèche peut présenter une inhomogénéité dans le plan XY de la profondeur de gravure, de sorte que du matériau InP de la couche supérieure 23 dopée p à graver peut rester. Ainsi, à la suite de la gravure sèche, le plot semiconducteur 30 présente une portion supérieure 33 ayant sensiblement la même dimension latérale que celle du masque dur 41, et une portion résiduelle latérale 23.1, non gravée, qui repose sur la couche active 22. Cette portion résiduelle 23.1 est représentée ici de manière schématique comme une portion s’étendant à partir de la portion supérieure 33 dopée p et dont l’épaisseur diminue à mesure que l’on s’en éloigne, mais elle peut dans les faits se présenter différemment. Quoi qu’il en soit, le procédé selon l’invention adresse également les variations d’épaisseur de la portion résiduelle au niveau intra-plaque, par exemple du centre de la plaque à sa bordure), comme au niveau d’une plaque à l’autre (lorsque par exemple le procédé est mis en œuvre sur plusieurs plaques en parallèle).
Cette portion résiduelle 23.1 peut présenter une épaisseur maximale de l’ordre de 115nm, ce qui correspond à une inhomogénéité de la profondeur de gravure de l’ordre de 5% de l’épaisseur initiale à graver, soit ici 2300nm formés de l’épaisseur cumulée de la couche supérieure 23 dopée p et de la couche supérieure de contact. Notons que cette inhomogénéité étant alors de l’ordre de la moitié de l’épaisseur de la couche active 22, ce qui justifie de ne pas chercher à supprimer cette portion résiduelle 23.1 lors de la gravure sèche au risque que cette légère gravure verticale non souhaitée conduise à dégrader la couche active 22 sous-jacente.
Aussi, selon l’invention, on choisit de structurer les couches 21, 22, 23 de l’empilement semiconducteur 20 par gravure sèche plutôt que par gravure humide de manière à bénéficier d’un meilleur contrôle des dimensions latérales, sans chercher à supprimer les portions résiduelles latérales pour éviter toute gravure verticale non souhaitée des couches sous-jacentes. Puis on supprime localement les portions résiduelles par gravure humide, de manière à obtenir une bonne uniformité d’épaisseur des portions de couches obtenues.
En référence à la , on dépose une couche de masque dur 42 de manière à recouvrir continûment la portion supérieure 33 dopée p, la portion résiduelle 23.1, la couche active 22 et la couche inférieure 21 dopée n, ainsi que le substrat fonctionnalisé 10. Il s’agit d’un masque dur dans la mesure où une gravure sèche sera mise en œuvre ultérieurement, par exemple un nitrure de silicium d’une épaisseur comprise entre 600nm et 2µm déposé par PECVD. L’épaisseur de la couche de masque dur 42 est choisie pour être inférieure à l’épaisseur totale du plot semiconducteur 30 en cours de réalisation. En variante, la couche de masque dur 42 peut être un bicouche formé d’une première sous-couche de SiN par exemple de l’ordre de 200nm et d’une deuxième sous-couche d’un orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) ou d’un silane de l’ordre de 800nm.
En référence à la , on structure ensuite la couche de masque dur 42 pour former une portion de masque dur 42.1, appelée premier espaceur, encapsulant la portion supérieure 33 dopée p seulement. Elle s’étend donc sur la face supérieure et sur les flancs de la portion supérieure 33 dopée p, et recouvre une partie seulement de la portion résiduelle 23.1 et donc également de la couche active 22. Une autre partie de la portion résiduelle 23.1 présente une surface libre (non recouverte). Cette étape peut être effectuée par une gravure sèche de la couche de masque dur 42, avec arrêt par détection de fin d’attaque lorsqu’on détecte de l’oxyde du substrat fonctionnalisé 10 et/ou de l’InGaAsP de la couche active 22. L’espaceur 42.1 est donc de préférence obtenu par un dépôt conforme de la couche de masque dur 42, présentant une épaisseur inférieure à celle de la portion supérieure 33, suivi d’une structuration par gravure anisotropique.
représente une vue similaire à celle de la figure précédente, selon un autre angle de vue ;
est une vue partielle en perspective représentant la coopération entre deux aubes directement consécutives au sein de la roue mobile de turbine ;
représente une vue de face d’une roue mobile de turbine, comprenant des aubes telles que celle représentée sur les figures 2 à 5 ;
est une vue de face agrandie d’une partie de la roue montrée sur la figure précédente ;
est une vue de face encore plus agrandie d’une partie de la roue montrée sur la ;
est une vue en perspective schématisant une étape d’un procédé d’assemblage de la roue mobile de turbine montrée sur les figures 6 à 8, le procédé se présentant sous la forme d’un mode de réalisation préféré de l’invention ; et
est une vue en perspective schématisant une étape ultérieure de ce procédé.
En référence tout d’abord à la , il est représenté une turbomachine 1 d’aéronef, selon un mode de réalisation préféré de l’invention. Il s’agit ici d’un turboréacteur à double flux et à double corps. Néanmoins, il pourrait s’agir d’une turbomachine d’un autre type, par exemple un turbopropulseur, sans sortir du cadre de l’invention.
Les figures 2 à 4 représentent une aube mobile 20 selon un mode de réalisation préféré de l’invention, cette aube 20 étant destinée à équiper une roue mobile de l’une quelconque des turbines 7 et 8, et en particulier la turbine basse pression 8.
Les éléments de l’aube 20 seront présentés dans l’ordre tel qu’ils apparaissent successivement selon la direction de la hauteur 22 de cette aube, de bas vers le haut, ou encore de l’intérieur vers l’extérieur puisque cette direction de la hauteur 22 correspond également préférentiellement à la direction radiale de l’aube et de la roue mobile de turbine dans laquelle cette aube est destinée à être intégrée.
Ainsi, de manière classique, l’aube 20 comporte un pied d’aube 24, une échasse 26, une plateforme 28, une pale 30 constituant la partie aérodynamique de l’aube, et éventuellement une structure de tête 31 comprenant une autre plateforme.
Le pied d’aube 24 adopte une forme extérieure dite « en sapin », permettant son insertion dans une rainure de logement d’aube correspondant d’un disque de turbine destiné à porter les aubes mobiles. L’échasse 26 présente habituellement une épaisseur faible selon une direction circonférentielle 32 de l’aube et de la roue, tandis que la plateforme 28 s’étend également de part et d’autre de l’échasse 26 selon cette même direction circonférentielle 32.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier est déplaçable à l’encontre de l’organe dans une troisième configuration temporaire d’assemblage, dans laquelle il est écarté temporairement dudit trajet pour permettre le montage de l’élément d’extension selon ledit trajet.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier est déplaçable en translation par rapport au support selon l’axe d’articulation de la première configuration à la troisième configuration.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, dans lequel le levier et le support présentent des surfaces de contact coopérant l’une contre l’autre pour former un cran de résistance au pivotement de la poignée à franchissement de point dur.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, l’élément d’extension est prévu pour être monté à travers une ouverture du support et le levier s’étend sur une face dorsale du support opposée à une face frontale de réception de la poignée.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier comprend un corps muni d’un alésage cylindrique monté à coulissement et en pivotement autour d’une tige d’articulation du levier fixée sur le support selon l’axe d’articulation.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier comprend un corps pourvu d’une aile faisant saillie radialement par rapport à l’axe d’articulation et configurée pour venir s’étendre au travers dudit trajet.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, l’organe comprend un ressort hélicoïdal propre à fonctionner en compression et en torsion selon l’axe d’articulation.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier comprend un manchon cylindrique délimitant un alésage cylindrique selon l’axe d’articulation et l’organe comprend un enroulement hélicoïdal entourant le manchon cylindrique et fixée à une de ses extrémités libres au support et à l’autre de ses extrémités libres au levier.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le levier comprend deux bras disposés de façon adjacente le long de l’axe d’articulation et espacés angulairement l’un de l’autre, l’un des bras forme une aile de prise radiale avec l’élément d’extension et l’autre des bras est pourvue d’une extrémité de retenue d’un câble de traction de la serrure.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, l’axe d’articulation du levier s’étend sensiblement parallèlement et à distance de l’axe longitudinal de la poignée.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, la poignée comprend un corps de forme générale allongée selon une direction longitudinale présentant une partie d’extrémité d’articulation au support autour d’un axe d’articulation sensiblement parallèle au plan du panneau de l’ouvrant et sensiblement perpendiculaire à la direction longitudinale de la poignée.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le support comprenant un évidement de réception de la poignée, le dispositif comprend une coque conformée pour habiller l’évidement, la poignée et la coque étant configurées pour coopérer ensemble de sorte que la coque ne peut être extraite du support après assemblage de la poignée sur le support.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le support comprend une cavité configurée pour imposer à la coque une position intermédiaire de montage et/ou de démontage traversant un emplacement final de la poignée dans la cavité du support.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le support comprend un emplacement de réception transversale d’une pièce de barillet factice pourvue d’une face frontale de présentation, la poignée étant configurée dans le support recouvrir la face de présentation dans la position de repos.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, le support comprend un chemin de passage qui s’étend de l’extérieur jusqu’au levier dans lequel peut s’engager un outil de montage de la poignée pour déplacer temporairement le levier à l’encontre de l’organe afin de permettre la libération du déplacement de la poignée vers une position de montage.