Capteur comprenant une matrice de pixels (Pix) et un substrat semiconducteur (100) dopé d'un premier type de conductivité, chaque pixel comprenant : une portion du substrat délimitée latéralement par une structure d'isolation verticale (106) ; une première région (108) dopée du premier type de conductivité avec un niveau de dopage supérieur à celui du substrat ; une première grille de transfert verticale (110) entourant la première région (108) ; et au moins deux ensembles (112, 114) comprenant chacun : - une deuxième région (112) dopée du premier type de conductivité avec un niveau de dopage supérieur à celui du substrat, et - une deuxième grille de transfert verticale (114) disposée en vis-à-vis d'une portion correspondante de la première grille de transfert (110), ladite deuxième région (112) étant disposée entre ladite deuxième grille de transfert (114) et ladite portion correspondante de la première grille de transfert (110). Capteur selon la revendication 1, dans lequel, dans chaque pixel (Pix) : la structure d'isolation verticale (106) pénètre dans le substrat (100) à partir d'une première face (102) du substrat, de préférence sur toute l'épaisseur du substrat ; la première région (108) et chaque deuxième région (112) sont disposées dans le substrat (100) du côté de ladite première face (102) ; et la première grille de transfert (110) et chaque deuxième grille de transfert (114) pénètrent dans le substrat à partir de ladite première face (102). Capteur selon la revendication 2, dans lequel, dans chaque pixel (Pix), chaque deuxième grille de transfert (114) pénètre dans le substrat (100) plus profondément que la première grille de transfert (110). Capteur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel des pixels (Pix) voisins partagent au moins en partie leurs structures d'isolations verticales (106). Capteur selon la revendication 4, dans lequel, dans chaque pixel (Pix), chaque deuxième grille de transfert (114) constitue une partie de la structure d'isolation verticale (160) dudit pixel (Pix). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, dans chaque pixel (Pix), chaque deuxième grille de transfert (114) est partagée avec un pixel voisin dudit pixel. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, dans chaque pixel (Pix), chaque deuxième grille de transfert (114) est disposée entre ladite portion correspondante de la première grille de transfert (110) dudit pixel et une portion de la structure d'isolation verticale (106). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, dans chaque ensemble d'une deuxième grille de transfert (114) et d'une deuxième région (112), la deuxième région est en contact avec ladite deuxième grille de transfert. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque pixel (Pix) comprend un premier circuit de lecture (RD0) couplé à la première région (108 ; SN0), et, pour chaque deuxième région (112 ; SN1, SN2), un deuxième circuit de lecture (RD1, RD2) couplé à ladite deuxième région (112 ; SN1, SN2). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le capteur comprend en outre un circuit de commande (CTRL) configuré pour commander les premières (110) et deuxièmes (114) grilles de transfert des pixels (Pix). Capteur selon la revendication 10 prise dans sa dépendance à la revendication 9, dans lequel le circuit de commande (Pix) est également configuré pour commander les premiers (RD0) et deuxièmes (RD1, RD2) circuits de lecture. Capteur selon la revendication 10 ou 11, dans lequel lors d'une acquisition d'une image par les pixels, le circuit de commande (CTRL) est configuré, dans chaque pixel (Pix) : - pour maintenir la première grille de transfert (110, TG0) et chaque deuxième grille de transfert (114, TGMEM1, TGME2) dudit pixel à l'état bloqué lors d'une phase d'intégration (INT) par ledit pixel, et - pour commuter la première grille de transfert (112, TG0) à l'état passant lors d'une phase de lecture (RD) dudit pixel, et dans lequel, lors d'une acquisition d'une carte de profondeur par les pixels, le circuit de commande (CTRL) est configuré, dans chaque pixel (Pix) : - pour commuter successivement et plusieurs fois chacune des deuxièmes grilles de transfert (114, TGMEM1, TGMEM2) à l'état passant lors d'une phase d'intégration (INT') par ledit pixel, de préférence en commandant la première grille (TG0) pour mettre en œuvre un dispositif anti-éblouissement, et - pour maintenir chacune des deuxièmes grilles de transfert (114, TGMEM1, TGMEM2) à l'état bloqué lors d'une phase de lecture (RD-1, RD-2) dudit pixel, de préférence en maintenant la première grille de transfert (110, TG0) dudit pixel à l'état passant. Capteur selon la revendication 12, dans lequel, lors de l'acquisition d'une image par les pixels, le circuit de commande (CTRL) est configuré pour que le capteur fonctionne en obturation déroulante, et, lors de l'acquisition d'une carte de profondeur par les pixels, le circuit de commande (CTRL) est configuré pour que le capteur fonctionne en obturation globale. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel, pour chaque deuxième région (112, SN1, SN2) de chaque pixel (Pix), une capacité (C1, C2), par exemple de type métal-isolant-métal, est connectée à ladite deuxième région. Dispositif électronique (9), par exemple un téléphone intelligent, comprenant un capteur (90) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.