Circuit intégré d’amplificateur de puissance radiofréquence, RF, (1 ; 20) comprenant une puce à semi-conducteurs (2) encapsulée dans un boîtier (3), caractérisé par le fait que : la puce (2) comprend au moins un transistor de puissance RF (4) au nitrure de gallium, GaN, un circuit de préadaptation d’entrée (5), au moins une première aire de soudure (6), au moins une deuxième aire de soudure (7) et au moins une troisième aire de soudure (8a, 8b), la grille (4a) dudit au moins un transistor (4) étant reliée à l’au moins une première aire de soudure (6) par l’intermédiaire du circuit de préadaptation d’entrée (5), le drain (4b) dudit au moins un transistor (4) étant relié à la deuxième aire de soudure (7), la source (4c) dudit au moins un transistor (4) étant reliée à la masse (GND) de la puce (2) ; le boîtier (3) comprend au moins une broche d’entrée RF (9) reliée à l’au moins une première aire de soudure (6) par au moins un premier fil de connexion (10), au moins une broche de sortie RF (11) reliée à l’au moins une deuxième aire de soudure (7) par au moins un deuxième fil de connexion (12) et au moins une broche de polarisation d’entrée (13a, 13b) reliée à l’au moins une troisième aire de soudure (8a, 8b) par au moins un troisième fil de connexion (14a, 14b) ; et le circuit de préadaptation d’entrée (5) comprend une inductance shunt d’entrée et un réseau de stabilisation (16), l’inductance shunt d’entrée comprenant une ligne de transmission intégrée d’entrée (15a, 15b), disposée entre les première (6) et troisième (8a, 8b) aires de soudure, et l’au moins un troisième fil de connexion (14a, 14b), le réseau de stabilisation (16) comprenant au moins une résistance (17) et au moins un condensateur (18) reliés en parallèle entre la ligne de transmission intégrée d’entrée (15a, 15b) et la grille (4a) dudit au moins un transistor (4). Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le circuit de préadaptation d’entrée (5) comprend en outre au moins un condensateur de type métal-isolant-métal, MIM, (21) disposé entre l’au moins une première aire de soudure (6) et la ligne de transmission intégrée (15a, 15b) de l’inductance shunt d’entrée. Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (1 ; 20) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que l’au moins un condensateur (18) du réseau de stabilisation (16) est de type MIM. Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (1 ; 20) selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que l’au moins une broche d’entrée RF (9) et l’au moins une broche de polarisation d’entrée (13a, 13b) du boîtier (3) sont disposées sur deux côtés distincts et adjacents du boîtier (3). Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (1 ; 20) selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que le boîtier (3) est l’un parmi un boîtier à pattes, tel qu’un boîtier céramique à cavité ou un boîtier plastique surmoulé, et un boîtier sans patte, tel qu’un boîtier QFN ou un boîtier DFN. Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (20) selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que la puce (2) comprend en outre au moins une quatrième aire de soudure (22a, 22b) reliée par au moins un quatrième fil de connexion (23a, 23b) à au moins une broche de polarisation de sortie (24a, 24b) du boîtier (3), la puce (2) possédant en outre une inductance shunt de sortie comprenant une ligne de transmission intégrée de sortie (25a, 25b), formée entre le drain (4b) dudit au moins un transistor (4) et l’au moins une quatrième aire de soudure (22a, 22b), et l’au moins un quatrième fil de connexion (23a, 23b). Circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (20) selon la revendication 6, caractérisé par le fait que l’au moins une broche de sortie RF (11) et l’au moins une broche de polarisation de sortie (24a, 24b) du boîtier (3) sont disposées sur deux côtés distincts et adjacents du boîtier (3). Carte de circuits imprimés (32) comprenant au moins un circuit intégré d’amplificateur de puissance RF (1 ; 20 ; 20a, 20b) selon l’une des revendications 1 à 7 et au moins une ligne de transmission imprimée d’entrée (49) dont l’une des extrémités est reliée à l’au moins une borne de polarisation d’entrée (13a, 13b) du boîtier (3) de l’au moins un circuit intégré (1 ; 20 ; 20a, 20b). Carte de circuits imprimés (32) selon la revendication 8 en dépendance de la revendication 6 ou 7, caractérisée par le fait qu’elle comprend en outre au moins une ligne de transmission imprimée de sortie (51) dont l’une des extrémités est reliée à l’au moins une borne de polarisation de sortie (24a, 24b) du boîtier (3) de l’au moins un circuit intégré (1 ; 20 ; 20a, 20b). Carte de circuits imprimés (32) selon la revendication 8 ou 9, caractérisée par le fait qu’elle comprend en outre, pour chaque ligne de transmission imprimée (49, 51), une pluralité de condensateurs de découplage (50, 52) reliés en parallèle entre l’autre des extrémités de ladite ligne de transmission imprimée (49, 51) et la masse de la carte de circuits imprimés (32), la pluralité de condensateurs (50, 52) ayant tous la même valeur de capacité comprise entre 1 nF et 1 µF. Carte de circuits imprimés (32) selon l’une des revendications 8 à 10, caractérisée par le fait qu’elle comprend deux circuits intégrés d’amplificateur de puissance RF (20a, 20b) et des lignes de transmission supplémentaires agencés pour former un amplificateur Doherty double entrée.