INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La déformation du guide d’ondes peut également résulter d’une modification de la position d’un ou plusieurs espaceurs diélectriques le long du guide d’ondes. Par exemple, un ou plusieurs espaceurs diélectriques peuvent être montés mobiles, par exemple en translation, sur un ou plusieurs des premier et deuxième conducteurs électriques. Le guide d’ondes peut être alors assemblé à la cible de manière que ladite déformation du guide d’ondes modifie la position du ou des espaceurs diélectriques sur le guide d’ondes. Par exemple, un espaceur peut être fixé sur la première partie de la cible et les conducteurs électriques peuvent être fixés sur la deuxième partie de la cible.
Brève description des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront encore à la lecture de la description détaillée qui va suivre et à l’examen du dessin annexé dans lequel : - la représente schématiquement un exemple de dispositif de suivi selon l’invention, dans une position de service ; - la représente un exemple de signal réfléchi ; - la illustre schématiquement une analyse d’un signal réfléchi pour évaluer une propriété de l’environnement ; - la représente des fonctions de corrélation obtenues avec le signal réfléchi représenté sur la , pour différentes positions de la fenêtre de mesure ; - la représente la variation d’un indice de corrélation lorsque la fenêtre de mesure parcourt le signal réfléchi ; - la représente la variation d’un autre indice de corrélation lorsque la fenêtre de mesure parcourt le signal réfléchi ; - la illustre différents modes de réalisation possibles pour le guide d’ondes. Des références identiques sont utilisées pour désigner des organes identiques ou similaires.
Définitions Une texturation consiste à créer sur une surface des microreliefs d’une hauteur de préférence supérieure à un dixième ou à un centième du diamètre extérieur du guide d’ondes, ou du diamètre d’un conducteur électrique du guide d’ondes. Les microreliefs ont de préférence une hauteur supérieure à 0,05 mm, de préférence supérieure à 0,1 mm, de préférence supérieure à 0,2 mm, de préférence supérieure à 0,2 mm, de préférence supérieure à 0,5 mm, voire supérieure à 0,8 mm, et/ou inférieure à 3 mm, inférieure à 2 mm ou inférieure à 1 mm.
Une région du guide d’ondes « correspond » à une portion d’un signal réfléchi lorsqu’elle est à l’origine de la portion du signal réfléchi, c'est-à-dire qu’elle a réfléchi le signal incident pour générer la portion du signal réfléchi.
Le diamètre équivalent d’un guide d’ondes ou d’un conducteur d’un guide d’ondes est le diamètre d’un disque présentant la même surface que la section transversale du guide d’ondes ou du conducteur du guide d’ondes, respectivement.
Un plan transversal est un plan perpendiculaire à la direction de la longueur.
La « fenêtre de mesure » est un intervalle sur l’axe du temps d’un graphique représentant simultanément les signaux réfléchi et de référence, le début de ces signaux étant l’instant 0 (t 0 ) sur cet axe (voir ). La fenêtre de mesure a une durée et une position. Cette position est définie, sur l’axe du temps, par la position du milieu de la fenêtre par rapport au début des signaux réfléchis.
Les adjectifs « premier », « deuxième », « de référence » ou « actualisé » ne sont utilisés qu’à des fins de clarté.
Les moyennes sont des moyennes arithmétiques.
« Local » ou « localement » servent à qualifier une caractéristique ou une action qui ne porte que sur une fraction du guide d’ondes, par exemple sur une fraction d’une longueur inférieure à 5 cm, 1 cm ou 1 mm. Sur cette fraction, cette caractéristique ou cette action sont constantes.
Description détaillée L’invention utilise les principes bien connus de la réflectométrie électrique temporelle ou fréquentielle (« electrical time domain reflectometry » ou « electrical frequency domain reflectometry » en anglais respectivement, ou « E-TDR » ou « E-FDR », respectivement).
Classiquement, un émetteur émet un signal incident, sous la forme d’une impulsion, dans le milieu conducteur électriquement. Ce dernier renvoie un signal réfléchi, qui est ensuite analysé afin d’en déduire des informations sur le milieu conducteur.
Le milieu conducteur peut être en particulier un guide d’ondes électromagnétiques. En présence d’une discontinuité d'impédance, par exemple une variation physico-chimique significative du milieu entrainant une variation locale d’impédance, une partie du signal incident est réfléchie vers l’émetteur, ce qui permet d’identifier et d’analyser cette variation.
L’article “Distributed temperature sensing with unmodified coaxial cable based on random reflections in TDR signal” par Baokai Chen et al , 2019 Meas. Sci. Technol. 30 015105, décrit l’application de la réflectométrie électrique temporelle pour analyser les bruits dans un câble co-axial afin d’évaluer des faibles températures.
Les matériaux récupérés des aimants, et notamment les terres rares, peuvent être réintroduits dans d’autres procédés de différentes voies de transformation. Le réemploi de ces matériaux recyclés dans une économie circulaire permet d’envisager de nouvelles fabrications et applications industrielles.
Comme il ressort de la description qui précède, le dispositif 100 de transport et de traitement est particulièrement adapté à la mise en œuvre du procédé de recyclage dans l’installation 1 de recyclage, puisqu’il permet de limiter les manipulations dangereuses des aimants : une fois les aimants placés dans le dispositif 100, ils y restent contenus jusqu’à leur démagnétisation dans l’installation 1 de recyclage. Toutefois, le dispositif 100 de transport et de traitement peut être utilisé indépendamment du procédé et de l’installation 1 de recyclage.
PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE EN SIC MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN SIC POLYCRISTALLIN DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, et procurant une bonne conduction électrique verticale entre la couche mince et le substrat support.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du carbure de silicium monocristallin peuvent gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée par rapport à leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures. Pour limiter encore les dimensions des dispositifs de puissance sur SiC, il est avantageux de fabriquer des composants verticaux plutôt que latéraux. Pour cela, une conduction électrique verticale, entre une électrode disposée en face avant de la structure SiC et une électrode disposée en face arrière, doit être autorisée par ladite structure.
Les substrats en SiC monocristallin destinés à l’industrie microélectronique restant chers et difficiles à approvisionner en grande taille, il est avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches minces, pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche mince en SiC monocristallin sur un substrat support plus bas coût. Une solution de transfert de couche mince bien connu est le procédé Smart Cut TM , basé sur une implantation d’ions légers et sur un assemblage par collage direct. Un tel procédé permet par exemple de fabriquer une structure composite comprenant une couche mince en SiC monocristallin (c-SiC), prélevée d’un substrat donneur en c-SiC, en contact direct avec un substrat support en SiC poly-cristallin (p-SiC), et autorisant une conduction électrique verticale. Il reste néanmoins difficile de réaliser un collage direct par adhésion moléculaire de bonne qualité entre deux substrats c-SiC et p-SiC, car la gestion de la rugosité et de l’état de surface desdits substrats est complexe, sans compter que le c-SiC et le p-SiC sont susceptibles de présenter des polytypes différents.
Différentes méthodes dérivées de ce procédé sont également connues de l’état de la technique. Par exemple, F.Mu et al (ECS Transactions, 86 (5) 3-21, 2018) mettent en œuvre un collage direct, après activation des surfaces à assembler par bombardement d’argon (SAB pour « Surface Activation Bonding ») : un tel traitement préalable au collage génère une très forte densité de liaisons pendantes, lesquelles favorisent la formation de liaisons covalentes à l’interface d’assemblage, et donc une forte énergie de collage. Cette méthode présente néanmoins l’inconvénient de générer une couche amorphe, à la surface du substrat donneur en SiC monocristallin, qui impacte défavorablement la conduction électrique verticale entre la couche mince en c-SiC et le substrat support en p-SiC.
Des solutions ont été proposées pour résoudre ce problème, en particulier dans le document EP3168862, mettant en œuvre une implantation d’espèces dopantes dans ladite couche amorphe, pour restaurer ses propriétés électriques. L’inconvénient principal de cette approche est sa complexité et donc son coût.
On connaît par ailleurs le document WO2021/019137, qui décrit un procédé de fabrication d’une structure composite comportant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant :
- une étape de fourniture d’un substrat initial en carbure de silicium monocristallin, - une première étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une couche intermédiaire en carbure de silicium poly-cristallin sur le substrat initial, la couche intermédiaire présentant une épaisseur supérieure ou égale à 1,5 microns, - une étape d’implantation ionique d’espèces légères à travers la couche intermédiaire, pour former un plan fragile enterré dans le substrat initial, délimitant la couche mince entre ledit plan fragile enterré et la couche intermédiaire, - une deuxième étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une couche additionnelle en carbure de silicium poly-cristallin sur la couche intermédiaire, ladite couche intermédiaire et la couche additionnelle formant le substrat support. Une séparation le long du plan fragile enterré s’opère au cours de la deuxième étape de dépôt, menant à l’obtention de la structure composite.
Cependant, l’implantation ionique à travers une couche intermédiaire en p-SiC épaisse demeure relativement complexe et couteuse car elle implique des énergies et doses d’implantation éloignées des standards.
OBJET DE L’INVENTION La présente invention concerne une solution alternative à celles de l’état de la technique, et vise à remédier à tout ou partie des inconvénients précités. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en c-SiC disposée sur un substrat support en p-SiC, et procurant une excellente conduction électrique verticale entre la couche mince et le substrat support.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant :
a) une étape de fourniture d’un substrat initial en carbure de silicium monocristallin, b) une première étape de dépôt à une température supérieure à 1100°C pour former une première couche en carbure de silicium poly-cristallin sur une face avant du substrat initial, la première couche présentant une épaisseur inférieure à 1μm et une concentration en dopants supérieure à 10 19 /cm 3 , c) une étape d’implantation ionique d’espèces légères à travers la première couche, pour former un plan fragile enterré dans le substrat initial, délimitant la couche mince entre ledit plan fragile enterré et la face avant du substrat initial, d) une deuxième étape de dépôt à une température inférieure à 900°C pour former une deuxième couche en carbure de silicium amorphe et/ou poly-cristallin sur la première couche, la deuxième couche présentant une épaisseur supérieure ou égale à 10μm et une concentration en dopants du même type que ceux de la première couche, supérieure à 10 19 /cm 3 , e) une troisième étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une troisième couche en carbure de silicium poly-cristallin sur la deuxième couche, les première, deuxième et troisième couches formant le substrat support, une séparation le long du plan fragile enterré s’opérant au cours de la troisième étape de dépôt.
la première étape de dépôt et la troisième étape de dépôt sont réalisées par dépôt chimique en phase vapeur, à une température comprise entre 1100°C et 1600°C, préférentiellement comprise entre 1200°C et 1600°C, encore préférentiellement comprise entre 1200°C et 1400°C ; la première couche présente une concentration en dopants supérieure à 5.10 19 /cm 3 ; à l’issue de la première étape de dépôt, la première couche présente une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm, voire entre 50nm et 200nm ; le procédé de fabrication comprend, avant la première étape de dépôt, une étape de préparation du substrat initial comportant au moins une désoxydation d’une face avant dudit substrat initial ; le procédé de fabrication comprend, avant l’étape b), une étape a’) de formation d’une couche intermédiaire sur la face avant du substrat initial pour favoriser la conduction électrique, la première couche étant ensuite formée sur ladite couche intermédiaire au cours de l’étape b) ; la couche intermédiaire est en silicium ; la troisième couche formée à l’étape e) présente une épaisseur supérieure ou égale à 100μm et une concentration en dopants supérieure à 10 19 /cm 3 , au moins sur ses cents premiers microns d’épaisseur.
Dans un mode de réalisation, lesdits aimants sont de grade N52.
Dans un mode de réalisation, la puissance desdits aimants est comprise entre 1kg et 100kg.
Dans un mode de réalisation, lesdits aimants sont des aimants permanents.
Dans un mode de réalisation, ladite base 6 comprend une alternance d’aimants et de parties évidées compatibles avec les pieds 4 du porte contenants de laboratoire 2. Ce mode de réalisation est particulièrement préféré, car il permet une totale stabilisation du porte contenants de laboratoire 2 au sein de ladite base 6.
Dans un mode de réalisation, les aimants sont disposés de telle manière à ce que l’environnement magnétique de l’intérieur des contenants de laboratoire soit identique d’un contenant de laboratoire à un autre. Ce mode de réalisation est particulièrement préféré, car il permettra notamment une parfaite répétabilité et identité entre les différents contenants de laboratoire eu égard au rassemblement des particules magnétiques.
Dans le cadre de la présente demande, comme l’homme du métier l’aura immédiatement compris, toutes les dénominations « parallèle(s) » désignent notamment un ou plusieurs parallélisme(s) dans l’espace.
L’invention concerne également un procédé de lavage utilisant le dispositif de lavage 1 selon l’invention.
Les modes de réalisation décrits pour le dispositif de lavage 1 sont donc également applicables au procédé de lavage.
L’invention concerne donc également un procédé de lavage d’particules magnétiques, comprenant les étapes suivantes :
- étape A : mise en présence desdits particules magnétiques et d’une solution de lavage au sein de plusieurs contenants de laboratoire ;
- étape B : montage des contenants de laboratoire sur un porte contenants de laboratoire 2 ;
- étape C : montage du porte contenants de laboratoire 2 sur un moyen d’agitation 5 ; les étapes A, B et C pouvant être réalisées dans n’importe quel ordre ;
- étape D : mise sous agitation au moyen du moyen d’agitation 5 puis arrêt de l’agitation ;
- étape E : dissociation dudit porte contenants de laboratoire 2 et dudit moyen d’agitation 5 ;
- étape F : montage dudit porte contenants de laboratoire 2 sur une base 6 adaptée au porte contenants de laboratoire 2 comprenant au moins un aimant apte à être lié de manière réversible audit porte contenants de laboratoire 2 et à rassembler lesdites particules magnétiques de laboratoire au sein desdits contenants de laboratoire ;
- étape G : retrait de ladite solution de lavage.
Un tel procédé est particulier en ce qu’il comprend : - une étape de détermination d’une orientation d’une ligne de visée du radar, une pluralité de jeux de paramètres d’émission d’un signal radio étant associé à une pluralité correspondante d’orientations d’une ligne de visée du radar, - une étape de sélection, parmi la pluralité de jeux de paramètres d’émission de signaux radio, du jeu de paramètres d’émission d’un signal radio correspondant à ladite orientation de la ligne de visée du radar déterminée, - une étape d’émission du signal radio conformément au jeu de paramètres d’émission sélectionné. La solution proposée par les inventeurs propose de prendre en compte l’orientation de la ligne de visée du radar, ou par simplification l’orientation du radar, et donc implicitement du véhicule, pour déterminer les paramètres d’émission d’un signal radio par le radar. Ainsi, une telle solution s’appliquant au signal à émettre, elle ne requiert pas une grande puissance de calcul.
En associant un jeu de paramètres d’émission d’un signal radio à une orientation du radar, on s’assure que des radars embarqués dans des véhicules circulant dans des directions opposées, et ayant donc des orientations opposées (un véhicule circulant vers l’est et l’autre vers l’ouest par exemple, se trouvent dans l’incapacité de sélectionner, même fortuitement, des jeux de paramètres d’émission de signaux radio identiques ou présentant des similitudes telles que les deux signaux pourraient générer des interférences.
En conséquence, le signal émis par le radar d’un véhicule courant est construit à l’aide de paramètres d’émission qui n’interfèrent pas ou peu avec un signal radar concurrent, émis par un autre véhicule se déplaçant selon une orientation différente de celle du véhicule courant.
L’orientation de la ligne de visée du radar est déterminée, par exemple, au moyen d’un système de navigation.
Un tel système de navigation est par exemple un module GPS (Global Positioning System) ou Galileo, ou encore une boussole, embarqué dans le véhicule.
L’orientation du radar peut être donnée sous la forme d’une direction cardinale, par exemple nord, nord-ouest, etc., ou sous la forme d’une mesure d’angle.
Dans un premier exemple, la pluralité de signaux radio définis par lesdits jeux de paramètres d’émission sont orthogonaux entre eux.
L’utilisation de signaux radio orthogonaux permet d’éviter la génération d’interférences. Ainsi, lorsque les signaux émis par les différents radars sont orthogonaux entre eux, on s’assure que chaque radar ne reçoit que les échos du signal radio qu’il a émis et que ces échos ne sont pas perturbés par des interférences générées par un signal radio émis par un autre radar.
Dans un deuxième exemple, un jeu de paramètres d’émission d’un signal radio se distingue des autres jeux de paramètres d’émission de signaux radio appartenant à la pluralité de de jeux de paramètres d’émission de signaux radio par une valeur d’au moins l’un des paramètres constitutifs du jeu de paramètres.
Dans ce deuxième exemple, les signaux radio émis par les radars ne sont pas nécessairement orthogonaux. Cependant, le fait que ces signaux radio soient émis conformément à des jeux de paramètres d’émission différents contribuent à réduire l’impact des interférences générées par d’autres radars venant perturber la réception des échos.
Plus particulièrement, l’étape de sélection dudit jeu de paramètres d’émission comprend en outre : - une étape d’identification d’un premier jeu de paramètres d’émission correspondant à ladite orientation de la ligne de visée du radar déterminée, - une étape de sélection dudit jeu de paramètres d’émission parmi un sous-ensemble de jeux de paramètres d’émission comprenant ledit premier jeu de paramètres d’émission.
En permettant, pour une orientation de la ligne de visée du radar, le choix entre plusieurs jeux de paramètres d’émission de signaux radio, on contribue à réduire l’impact des interférences. En effet, dans un tel exemple, on réduit la probabilité que deux véhicules circulant dans la même direction sélectionnent des paramètres d’émission d’un signal radio identique ou présentant des similitudes telles que les deux signaux pourraient générer des interférences.
De manière astucieuse, les jeux de paramètres d’émission constituant ledit sous-ensemble sont identifiés au moyen d’une fenêtre centrée sur le premier jeu de paramètres d’émission, ladite fenêtre comprenant au moins un deuxième de jeux de paramètres d’émission précédant le premier jeu de paramètres d’émission parmi la pluralité de jeux de paramètres d’émission et au moins un troisième jeu de paramètres d’émission suivant le premier jeu de paramètres d’émission parmi la pluralité de jeux de paramètres d’émission.
La taille de la fenêtre est un compromis entre le nombre de jeux de paramètres d’émissions entre lesquels le radar peut choisir et la proportion dans laquelle on souhaite limiter le risque d’interférences.
La pluralité de jeux de paramètres d’émission d’un signal radio étant ordonnée puisque chaque jeu de paramètres d’émission est associé à une plage d’orientation de la ligne de visée d’un radar donnée, elle peut être ordonnée par valeur d’orientation croissante ou par valeur d’orientation décroissante.
Cela permet de faciliter la navigation dans l’ensemble des jeux de paramètres d’émission lors de l’étape de sélection.
Un sens est par exemple, vers le haut, vers le bas, vers la droite, vers la gauche ou définie par rapport aux point cardinaux.
La nature correspond par exemple à une translation, une rotation, ou une combinaison des deux.
Une rotation est définie par rapport à un axe de rotation.
Pour une partie de corps 2 qui est un visage, une rotation plane d’un visage de face sur une image correspond à une rotation axiale du visage autour d’un axe passant par le nez, ce qui correspond à un mouvement d’inclinaison vers la droite ou vers la gauche de la tête d’un utilisateur qui se tient verticalement, par exemple debout ou assis.
Une rotation axiale d’un visage autour d’un axe passant par les oreilles correspond à un mouvement d’inclinaison de la tête d’un utilisateur qui se tient verticalement, par exemple debout ou assis, vers le haut ou vers le bas.
Une rotation axiale d’un visage autour d’un axe passant par le cou correspond à un mouvement de rotation de la tête d’un utilisateur qui se tient verticalement, par exemple debout ou assis, vers la gauche ou vers la droite.
La illustre le retour vidéo réel du visage d’un utilisateur 1 positionné selon une consigne prédéterminée de positionnement et à la manière d’une photo d’identité normalisée, visage entier, centré et de face. Dans l’exemple illustré, la première image est acquise selon ce positionnement qui correspond à une première position, comme représenté sur la .
La est une image acquise par le dispositif de capture vidéo 12, la partie de corps étant positionnée selon la première position.
L’utilisateur 1 est localisé dans un espace extérieur. On distingue sur la un environnement de partie de corps 2 tel qu’un parc ou un jardin.
Sur la , la première position est : - une orientation de face, - une localisation centrée dans l’image, - une dimension correspondant à un facteur de grandissement 100% (ou un) du dispositif de capture vidéo 1.
Les figures 6a, 7a, 8a, 9a illustrent des images de la partie de corps 2 selon une deuxième position.
Les figures 6b, 7b, 8b, 9b illustrent des images modifiées d’une image de la partie de corps 2 positionnée selon la première position. Ce sont donc des images de retour vidéo biaisé.
Les images sont modifiées par le calculateur 11 de façon à ce que, après une autocorrection de l’utilisateur 1 du positionnement de ladite partie de corps 2 selon la consigne prédéterminée de positionnement, ici tel que représenté sur la , la partie de corps 2 est positionnée selon la deuxième position.