INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans les exemples représentés, l’élément de plancher 1 comporte avantageusement un rebord prolongeant sa face inférieure 2 sur au moins deux de ses bords 4. Ce rebord forme un béquet de coffrage 12 pour délimiter des zones de jonction ZJ entre des éléments de plancher adjacents. Ces zones de jonction ZJ comportent les parties saillantes des armatures 6, 7 et sont prévues pour recevoir un matériau de clavetage MC ou de scellement coulé sur chantier. Le béquet de coffrage 12 est de préférence prévu sur deux bords 4 consécutifs de l’élément de plancher 1. Ainsi, les éléments de plancher 1 adjacents deux à deux sont automatiquement distants l’un de l’autre par un béquet de coffrage 12 formant entretoise et appartenant à l’un des deux éléments de plancher 1, lorsqu’ils sont juxtaposés pour former un plancher. Dans une variante non représentée, l’élément de plancher 1 peut ne pas être équipé d’un becquet de coffrage 12. Dans ce cas, le coffrage des zones de jonction ZJ est assuré classiquement par un coffrage sur chantier.
Dans un premier mode de réalisation de l’invention, l’élément de plancher 1 en référence aux figures 1 à 12 et 16 à 18 est composé d’une couche inférieure 13 de 4 à 7 cm d’épaisseur, des nervures 8, 9 dans les deux directions XY de section 7 à 20 cm de largeur, espacées de 50 cm à 100 cm environ selon les directions XY par lesdits blocs d’élégissement 5, et d’une couche supérieure 14 de 4 à 10 cm d’épaisseur, le tout dans un matériau de structure MS, tel que du béton ordinaire et préférentiellement du béton à faible empreinte carbone. Les valeurs indiquées dans cet exemple ne sont bien entendu pas limitatives.
L’élément de pied 12 peut être réalisé en une seule pièce mais il est de préférence réalisé en plusieurs tronçons assemblés entre eux de manière à pouvoir occuper une position de rangement peu encombrante.
L’élément de pied 12 comporte une extrémité axiale supérieure 16, sur laquelle une partie de la structure de protection 14 vient se positionner, et une extrémité axiale inférieure 18, qui est par exemple prévue pour être plantée dans le sol ou pour être fixée dans un socle de support (non représenté).
La structure de protection 14 est prévue de préférence pour protéger les utilisateurs du soleil, mais elle pourrait aussi les protéger de la pluie.
La structure de protection 14 est représentée sur la dans une position déployée et sur la dans une position de rangement.
Selon ce premier mode de réalisation, la structure de protection 14 comporte une voile supérieure 20 et une voile inférieure 22 qui, dans la position déployée, sont montées tendues sur l’élément de pied 12 au moyen d’un premier arceau flexible 24 de mise en tension, d’un deuxième arceau flexible 26 de mise en tension et, au moyen d’un dispositif de tension 38 monté sur l’élément de pied 12.
Avantageusement, chaque arceau 24, 26 a une forme circulaire fermée, et une section circulaire. Les arceaux 24, 26 sont ici concentriques. Chaque arceau 24, 26 est par exemple formé d’une tige en fibre de verre permettant d’obtenir une rigidité suffisante pour tendre les voiles 20, 22 et une flexibilité suffisante pour être repliée en 8 sans se briser. Ces arceaux 24, 26 sont aussi suffisamment épais pour résister ensemble au vent sans se briser.
Avantageusement, chaque voile 20, 22 comporte sur son bord périphérique extérieur 28, 30 un fourreau 32, 34 prévu pour recevoir l’arceau 24, 26 associé et cousu à la voile 20, 22 associée. Plus particulièrement, comme illustré par la , chaque fourreau 32, 34 est constitué ici par un rabat 35 cousu formé avec le même textile que celui constituant la voile 20, 22 et cousu sur la voile 20, 22 associée. Les deux fourreaux 32, 34 sont donc ici superposés axialement.
Ainsi, le premier arceau 24 est ici emprisonné dans un fourreau supérieur 32 et le deuxième arceau 26 est ici emprisonné dans un fourreau inférieur 34. Avantageusement, les deux fourreaux 32, 34 sont cousus l’un avec l’autre selon une même ligne de couture 36 qui permet de les lier à la voile supérieure 20 et à la voile inférieure 22. Cette ligne de couture 36 unique prend en sandwich la voile supérieure 20, la voile inférieure 22, et les fourreaux 32, 34.
De préférence, chaque fourreau 32, 34 présente une ouverture 37 qui facilite l’introduction de l’arceau 24, 26. Cependant, chaque fourreau 32, 34 peut également être totalement fermé lorsqu’une pièce de tissus additionnelle vient recouvrir cette ouverture 37 ou dans le cas où le fourreau est formé par deux disques cousus l’un sur l’autre.
La voile supérieure 20 est ici attachée à l’extrémité axiale supérieure 16 de l’élément de pied 12, par exemple au moyen d’un œillet dans lequel l’extrémité axiale supérieure 16 est introduite, ou au moyen d’un renfort de tissus ou de tout autre élément adapté permettant de retenir le sommet de la voile supérieure 20 sur la partie haute de l’élément de pied 12. La voile supérieure 20 se trouve ainsi tendue, grâce à l’élément de pied, entre l’extrémité axiale supérieure 16 de l’élément de pied 12 et les arceaux 24, 26.
La voile inférieure 22 est ici attachée à une partie du dispositif de tension 38 qui est lui-même fixé sur l’élément de pied 12 à une hauteur inférieure aux arceaux 24, 26. La voile inférieure 22 se trouve ainsi tendue entre le dispositif de tension 38 et les arceaux 24, 26.
Le dispositif de tension 38 comporte par exemple un premier élément, tel qu’une rondelle, qui est fixé sur la voile inférieure et un second élément, tel qu’un bouton, qui est monté sur l’élément de pied 12 et qui peut être solidarisé au premier élément.
La rondelle peut comporter une fente permettant de venir y bloquer le bouton, notamment sous la forme d’un bouton poussoir, et ainsi d’être fixée sur l’élément de pied ou mât 12.
Ainsi, dans la position déployée de la , les voiles 20, 22 sont tendues de sorte que la voile supérieure 20 a globalement la forme d’un cône, ou tronc de cône, de diamètre décroissant vers le haut et la voile inférieure 22 a globalement la forme d’un cône ou tronc de cône de diamètre décroissant vers le bas.
De préférence, le dispositif de tension 38 est fixé à l’élément de pied 12 à une distance de la pointe de l’extrémité axiale supérieure 16 de l’élément de pied 12, au niveau de laquelle est positionné le haut de la voile supérieure, correspondant à au moins deux fois la longueur entre ladite pointe de l’élément de pied 12 et un plan horizontal formé par les arceaux 24, 26.
Avantageusement, le rapport entre le diamètre déplié du parasol 10, ou de la structure de protection 14, et le diamètre de la section de chaque arceau 24, 26 est supérieur ou égal à 300, et de préférence inférieur à 500, de manière que les arceaux 24, 26 puissent être suffisamment flexibles pour occuper une position de rangement par torsion en 8, et suffisamment rigides pour résister à la force du vent dans la position déployée du parasol 10.
Ainsi l’invention a pour objet un procédé d’obtention d’une composition élastomérique à base d’au moins :
a) introduire dans une extrudeuse à double vis, de préférence co-rotative, au moins :
- ledit copolymère A à base d’au moins un monomère d’éthylène et d’au moins un monomère d’acétate de vinyle ;
- ladite charge renforçante comprenant au moins une charge renforçante inorganique ;
- à titre d’agent de couplage entre ledit copolymère A et ladite charge renforçante inorganique au moins un composé organosilane de formule (I) :
B représente un groupe fonctionnel interagissant avec le copolymère A, le groupe B étant choisi parmi les groupes vinyliques, les atomes d’halogène, les groupes α,β énones insaturées, les groupes acryloxy, les groupes méthacryloxy, les groupes acrylamido, les groupes méthacrylamido et les groupes amino ; Z représente un groupe espaceur formé d’une chaîne hydrocarbonée divalente comportant de 1 à 18 atomes de carbone et permettant de relier le groupe B à l’atome de silicium ; G 1 identiques ou différents, représentent chacun un groupe hydrocarboné monovalent choisi parmi les alkyles, linéaires ou ramifiés, ayant de 1 à 18 atomes de carbone, les cycloalkyles ou les aryles, substitués ou non substitués, ayant de 5 à 18 atomes de carbone, alkenyloxyles, substitués ou non substitués, ayant de 2 à 18 atomes de carbone, les groupes aryloxy ou aralkyloxy, substitués ou non substitués, ayant de 6 à 18 atomes de carbone ou un groupe monovalent se présentant sous la forme R 1 -(-O-(CJ 2 ) a ) b -O- dans laquelle J représente un hydrogène, un groupe phényle ou un groupe alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone, b est un nombre entier appartenant à l’intervalle 1 à 18 et a est un nombre entier appartenant à l’intervalle 1 à 6, et R 1 étant choisi parmi les alkyles, linéaires ou ramifiés, substitués ou non substitués, ayant de 1 à 4 atomes de carbone ou les alcoxyles, linéaires ou ramifiés, substitués ou non substitués, ayant de 1 à 4 atomes de carbone ; G 2 identiques ou différents, représentent chacun un groupe monovalent choisi parmi le groupe hydroxyle (-OH), les alcoxyles, linéaires ou ramifiés, substitués ou non substitués, ayant de 1 à 18 atomes de carbone ; d est égal à 1, 2 ou 3 ; et
b) récupérer en sortie d’extrudeuse la composition extrudée, la dispersion de la charge renforçante dans la composition extrudée présentant une note Z supérieure ou égale à 80, préférentiellement supérieure ou égale à 85 et de façon particulièrement préférée supérieure ou égale à 90;
et tel que :
l’extrudeuse comprend plusieurs zones disposées axialement depuis une extrémité amont jusqu’à une extrémité aval de l’extrudeuse dont au moins : une zone d’introduction (X) où peuvent être introduits les composants de ladite composition élastomérique ; une zone de cisaillement (Y) permettant la fusion du copolymère A etla dispersion de la charge renforçante dans le copolymère A fondu ; la température de paroi de l’extrudeuse est maintenue dans un domaine allant de 50°C à 100°C, préférentiellement de 55°C à 85°C, pendant tout le procédé d’extrusion ; la vitesse de rotation de la double vis est comprise dans un domaine allant de 150 rpm à 275 rpm, préférentiellement de 200 rpm à 250 rpm pendant tout le procédé d’extrusion ; l’énergie mécanique spécifique transmise à la composition au cours du procédé est comprise dans un domaine allant de 1000 J/g à 14400 J/g, plus préférentiellement de 1200 J/g à 7000 J/g, plus préférentiellement encore de 1500 J/g à 5000 J/g.
Préférentiellement, chacune des vis de la double vis comprend au niveau de la zone de cisaillement Y un ou plusieurs éléments choisis parmi un élément malaxeur inverse, un élément à pas inverse à filet simple ou un élément à pas inverse à double filet, et leurs combinaisons.
Préférentiellement, les zones de l’extrudeuse disposées axialement depuis une extrémité amont jusqu’à une extrémité aval de l’extrudeuse comprennent successivement :
Les figures 2A à 2F illustrent, de manière schématique, des étapes d’un procédé de fabrication d’un système optoélectronique 1 selon un deuxième mode de réalisation. Dans cet exemple, le guide d’onde actif 61 de la source laser 60 est situé du côté de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20. Ce procédé permet d’éviter d’avoir recours à la poignée 35 et aux opérations de retournement de l’empilement réalisé. Il se distingue également de celui des à 1I essentiellement en ce que le circuit photonique intégré 20 ne comporte pas de partie d’interconnexion 31 de type BEOL.
En référence à la , on fournit le premier substrat SOI 10 et on réalise le circuit photonique intégré 20 à partir de la couche mince 13 de silicium monocristallin (cf. ). On dépose ensuite la couche isolante 24 pour remplir l’espacement entre les composants optiques 13.1, 21, 22, 23. Ces opérations sont identiques ou similaires à celles décrites en référence à la , et ne sont pas détaillées à nouveau ici.
En référence à la , on assemble le deuxième substrat SOI 40 à l’empilement obtenu de sorte que la couche mince 43 de silicium monocristallin soit orientée vers le circuit photonique intégré 20. Autrement dit, le substrat SOI 40 est orienté de sorte que la couche mince 43 est située en regard du circuit photonique intégré 20. L’assemblage peut être effectué par collage moléculaire ici de type oxyde-oxyde. Pour cela, une couche mince 36 de collage en oxyde est déposée sur le circuit photonique intégré 20, et une autre couche mince 51 de collage en oxyde est déposée sur la couche mince de silicium 43. Puis les deux couches minces 36, 51 de collage sont mises au contact l’une de l’autre. L’épaisseur cumulée des deux couches minces 36, 51 est homogène dans le plan XY, et est adaptée pour optimiser le couplage optique entre le guide d’onde intermédiaire 43.1 et le guide d’onde inférieur 13.1.
En référence aux , et , on retire le substrat support 41 ainsi que la couche 42 d’oxyde enterré pour déboucher sur la couche mince de silicium 43 et ainsi rendre libre sa surface. Puis, on réalise le guide d’onde intermédiaire 43.1 par photolithographie et gravure localisée de la couche mince de silicium 43. On dépose ensuite la couche d’encapsulation 52. On réalise ensuite le guide d’onde actif 61 à base d’un composé III-V. Ces étapes sont identiques ou similaires à celles décrites en référence aux à 1G.
En référence à la , on dépose la couche d’encapsulation 62 de manière à recouvrir le guide d’onde actif 61. Puis, on réalise des vias conducteurs 71 et des plots de contact 72. Les vias conducteurs 71 assurent la connexion électrique du guide d’onde actif 61 d’une part, et des composants optiques du circuit photonique intégré 20 d’autre part. Ici, le système optoélectronique 1 ne comporte pas la partie d’interconnexion 31 de type BEOL qui assure, comme dans la , la connexion électrique des composants optiques.
On obtient ainsi un système optoélectronique 1 comportant une source laser hybride 60 et un circuit photonique intégré 20 couplés optiquement l’un à l’autre par un guide d’onde intermédiaire 43.1, où le guide d’onde actif 61 est situé du côté de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20. Ici également, le couplage optique entre le guide d’onde actif 61 et le guide d’onde inférieur 13.1 a lieu au moyen du guide d’onde intermédiaire 43.1 réalisé en silicium monocristallin, lequel est issu de la couche mince de silicium 43 du deuxième substrat SOI 40. Le guide d’onde intermédiaire 43.1 n’est donc pas réalisé à partir d’opérations de dépôt de silicium amorphe puis de planarisation par polissage mécano-chimique (sans que le procédé de fabrication ne soit complexifié), et présente donc les dimensions voulues, en particulier une épaisseur homogène dans le plan XY. Le système optoélectronique 1 présente donc les performances attendues, puisque le guide d’onde inférieur 13.1 présente l’épaisseur adaptée au bon fonctionnement des composants optiques, et que le guide d’onde intermédiaire 43.1 présente l’épaisseur optimisant le couplage optique avec le guide d’onde actif 61. Notons que ce mode de réalisation permet d’effectuer les différentes étapes toujours du même côté du circuit photonique intégré 20, à savoir du côté de sa face avant FAV. Il n’est pas nécessaire d’utiliser une poignée ni d’effectuer un retournement de l’empilement réalisé.
Les figures 3A et 3B sont des vues schématiques et partielles, en coupe, de deux systèmes optoélectroniques 1 selon des variantes de réalisation qui intègrent au moins un guide d’onde 37 à base d’un nitrure de silicium SiN ainsi qu’une chaufferette 39. Ces exemples sont donnés à titre illustratif et d’autres agencements sont bien entendu possibles.
En référence à la , le système optoélectronique 1 est une variante de celui de la , en ce sens que le guide d’onde actif 61 est situé du côté de la face arrière FAR du circuit photonique intégré 20. Dans cet exemple, un guide d’onde 37 à base de SiN est réalisé au niveau de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20, avant la réalisation de la partie d’interconnexion 31. Ce guide d’onde 37 est ici situé dans une couche isolante 38, et est ici espacé d’un guide d’onde 25 en silicium suivant l’axe Z d’une distance autorisant ici le couplage optique entre ces guides d’onde 25, 37. Par ailleurs, une chaufferette 39 est réalisée ici en regard d’un autre guide d’onde en silicium, et est connectée à la partie d’interconnexion 31. Cette chaufferette est ici l’un des niveaux de métallisation 33. Le guide d’onde 37 peut notamment être réalisé après le dépôt de la couche isolante 38, par remplissage d’une échancrure réalisée de celle-ci.
En référence à la , le système optoélectronique 1 est une variante de celui de la , en ce sens que le guide d’onde actif 61 est situé du côté de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20. Dans cet exemple, un guide d’onde 37 à base de SiN est réalisé au niveau de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20, dans la couche isolante 52 encapsulant le guide d’onde intermédiaire 43.1. Il est ici espacé du guide d’onde en silicium 25 de l’épaisseur cumulée des deux couches minces 36, 51 de collage, mais peut en variante être espacé en plus d’une portion de la couche d’encapsulation 52. Par ailleurs, une chaufferette 39 est réalisée ici en regard d’un autre guide d’onde en silicium, et en est espacée par au moins une partie de la couche d’encapsulation 52. Notons que le guide d’onde 37 peut être réalisé après le dépôt de la couche d’encapsulation 52, par remplissage d’une échancrure réalisée de celle-ci. Cependant, l’espacement suivant l’axe Z entre le guide d’onde 37 et le guide d’onde en silicium 25 sous-jacent peut ne pas être contrôlé de manière précise. En variante, le guide d’onde 37 peut être réalisé par un procédé soustractif : lorsque le guide d’onde intermédiaire 43.1 est réalisé et avant le dépôt de la couche d’encapsulation 52, on effectue un dépôt pleine plaque de SiN que l’on grave ensuite localement pour former le guide d’onde 37. On dépose ensuite la couche d’encapsulation 52. A noter que des espaceurs en SiN peuvent être formés sur les flancs du guide d’onde intermédiaire 43.1, ces espaceurs pourront être retirés chimiquement (en veillant à bien protéger le guide d’onde 37).
Les figures 4A à 4C sont des vues schématiques et partielles, en coupe, de systèmes optoélectroniques 1 selon des variantes de réalisation qui intègrent au moins un miroir de Bragg, qui peuvent être similaires aux exemples des et 3B.
Dans l’exemple de la , le système optoélectronique 1 est similaire à celui de la en ce qu’il comporte une partie d’interconnexion 31 réalisée en face avant FAV et que le guide d’onde actif 61 est situé en face arrière FAR du circuit photonique intégré 20. La source laser 60 est ici de type DFB, et comporte un miroir de Bragg 73 qui s’étend sous le guide d’onde intermédiaire 43.1 (et donc également sous le guide d’onde actif 61) et définit la cavité optique. Le miroir de Bragg 73 n’est donc pas situé dans un plan situé entre le guide d’onde actif 61 et le guide d’onde inférieur 13.1.
Le miroir de Bragg 73 est réalisé à partir de la couche mince 13 de silicium monocristallin du premier substrat SOI, et est donc coplanaire avec le guide d’onde inférieur 13.1. Il est en particulier réalisé en effectuant une série d’échancrures par exemple traversantes dans la couche mince 13 de silicium monocristallin, ces échancrures étant ensuite remplies par le matériau diélectrique de la couche isolante 24. La réalisation des échancrures du miroir de Bragg 73 peut être effectuée en même temps que la réalisation d’au moins un guide d’onde du circuit photonique intégré 20, lors d’une seule étape de gravure localisée.
Par ailleurs, le fait que les échancrures soient traversantes (et donc que le matériau isolant s’étende sur toute l’épaisseur de la couche mince 13) permet de rendre le procédé plus robuste. En effet, on se distingue d’une situation de l’art antérieur où le miroir de Bragg serait situé à proximité du guide d’onde actif. Les dents du miroir de Bragg sont alors réalisées par gravure partielle de la couche mince de silicium, par exemple sur une profondeur de l’ordre de 10nm voire de quelques dizaines de nanomètres. En revanche, dans l’exemple des à 4C, les dents du miroir de Bragg 73 (comme celles des miroirs 74) s’étendent sur toute l’épaisseur de la couche mince 13 (dans les échancrures traversantes) dans la mesure où le miroir de Bragg 73 (et les miroirs 74) est plus éloigné du guide d’onde actif 61, ceci à force du miroir de Bragg équivalente.
Par ailleurs, dans cet exemple, une chaufferette 39 est réalisée en regard du miroir de Bragg 33 (du côté de la face FAV), et est connectée à la partie d’interconnexion 31 (elle correspond ici à l’un des niveaux de métallisation 33). Elle permet d’accorder en longueur d’onde la source laser 60.
Dans l’exemple de la , le système optoélectronique 1 est similaire à celui de la en ce sens que la source laser 60 est de type DFB, mais le guide d’onde actif 61 est situé du côté de la face avant FAV du circuit photonique intégré 20. Il peut être réalisé par un procédé similaire à celui décrit en référence aux à 2F. Comme sur la , le miroir de Bragg 73 est réalisé à partir de la couche mince 13 de silicium monocristallin du premier substrat 10, et est donc coplanaire avec le guide d’onde inférieur 13.1. Il est donc en contact avec la couche 12 d’oxyde enterré du premier substrat SOI 10. Dans cet exemple, le système optoélectronique 1 ne comporte donc pas de chaufferette d’accordabilité situé en regard du miroir de Bragg 73.
Dans l’exemple de la , le système optoélectronique 1 est similaire à celui de la en ce sens que le guide d’onde actif 61 est situé du côté de la face arrière FAR du circuit photonique intégré 20. En revanche, la source laser 60 est de type DBR. Ainsi, la source laser 60 comporte deux miroirs de Bragg 74 qui s’étendent sous le guide d’onde intermédiaire 43.1 et définissent la cavité optique. Le mode optique est guidé dans le guide d’onde intermédiaire 43.1 et est couplé optiquement par évanescence aux miroirs de Bragg 74. Les miroirs de Bragg 74 sont réalisés à partir de la couche mince 13 de silicium monocristallin du premier substrat SOI 10, et sont donc coplanaires entre eux et avec le guide d’onde inférieur 13.1.
est une représentation schématique d'une vue en coupe longitudinale d'un exemple de réalisation d'un dispositif à surface reconfigurable selon un troisième de mode de réalisation,
est une représentation schématique d’une variante du dispositif de la ,
est une transcription de la lettre d en Braille,
est une représentation schématique d’une vue en coupe longitudinale d’une variante du dispositif de la .
La description qui va suivre portera plus particulièrement un afficheur tactile notamment un afficheur tactile formant une plage Braille, mais la présente demande porte plus généralement sur un dispositif à surface reconfigurable comme cela sera décrit ci-dessous.
Par ailleurs, l’afficheur tactile selon l’invention peut être utilisé pour afficher tactilement des images ou tout autre contenu.
Sur la , on peut voir une vue en coupe partielle d’un afficheur tactile selon un exemple d’un premier mode de réalisation.
L’afficheur comporte une surface d’affichage 2 ou surface de lecture portée par une plaque 4. Dans l’exemple représenté l’afficheur a une forme rectangulaire mais cette forme n’est pas limitative et toute autre forme telle que circulaire ou ovale, voire toute autre forme ne sort pas du cadre de la présente invention.
La plaque 4 comporte une pluralité de perçages 6 normaux à la plaque 4. L’afficheur comporte des picots 8, chaque picot 8 étant monté coulissant dans un perçage 6 le long d’une direction Z normale à la plaque 4.
L’afficheur comporte également un guide d’onde ( ) formé par une plaque 10 en matériau ferromagnétique percée d’autant de perçages 12 que de perçages 6, chaque perçage 12 étant aligné avec un perçage 6 dans la direction Z. Chaque picot 8 est monté coulissant à la fois dans un perçage 6 et dans un perçage 12.
Dans cet exemple, chaque picot 8 est configuré pour prendre deux positions stables, une première position dite position basse, dans laquelle le picot ne fait pas saillie de la surface de lecture, et une deuxième position dite position haute, dans laquelle le picot fait saillie de la surface de lecture.
La plaque 10 a dans l’exemple représenté et de manière préférée les mêmes dimensions extérieures que la plaque 4.