Capteur d’humidité (10) comprenant un substrat de support (12) ayant une première face (14) et une deuxième face (16), géométriquement opposée à la première face (14), et dans lequel : la première face (14) est pourvue d’une pluralité de couples d’électrodes (30) configurés pour être en contact avec un liquide, et la deuxième face (16) comprend une pluralité de premiers moyens de détection (20) connectés entre eux en parallèle, et chaque premier moyen de détection (20) comprend un transistor (T) associé à un couple d’électrodes (30), et ledit transistor (T) de chaque premier moyen de détection (20) est configuré pour commuter d’un premier état vers un second état lors du passage d’un courant électrique entre des électrodes (18A, 18B) du couple d’électrodes (30) associé au transistor (T), une électrode (18A) du couple d’électrodes (30) étant électriquement connectée en série à une électrode d’entrée (b) du transistor (T) et l’autre électrode (18B) du couple d’électrodes (30) étant électriquement connectée à un potentiel fixe, en particulier à un potentiel à la masse, et une électrode de sortie (c) du transistor (T) étant électriquement connecté en série avec une première résistance (R1), de sorte que le capteur d’humidité (10) est sensible à la résistance équivalente (Réq) desdites premières résistances (R1) de la pluralité des premiers moyens de détection (20). Capteur d’humidité selon la revendication 1, dont le transistor (T) est un transistor bipolaire (T), en particulier un transistor bipolaire de type positif-négatif-positif (PNP), configuré pour commuter d’un état dit passant, correspondant au premier état, vers un état dit bloqué, correspondant au second état, et dans lequel l’électrode d’entrée (b) du transistor (T) est une base (b) du transistor bipolaire (T) et l’électrode de sortie (c) du transistor (T) est un collecteur du transistor bipolaire (T). Capteur d’humidité selon la revendication 1, dont le transistor (T) est un transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET) dans lequel l’électrode d’entrée (b) du transistor (T) est une grille du transistor MOSFET et l’électrode de sortie (c) du transistor (T) est un drain du transistor MOSFET. Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, comprenant des premières résistances (R1) de valeurs différentes. Capteur d’humidité selon la revendication 4, dont la pluralité de couples d’électrodes (30) est repartie par zones prédéfinies de la première face (14), et la valeur de chaque première résistance (R1) est relative à une zone prédéfinie de la première face (14). Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont la pluralité de premiers moyens de détection (20) est enrobée dans une résine d’encapsulation (24). Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont le substrat de support (12) comprend au moins un orifice traversant (28) permettant un écoulement d’un fluide entre la première face (14) et la deuxième face (16). Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont les électrodes (18, 18A, 18B) de la pluralité de couples d’électrodes (30) sont disposées sur la première face (14) selon au moins deux directions contenues dans un plan de la première face (14), en particulier en croix, en particulier en croix à au moins six branches. Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, pour chaque couple d’électrodes (30), chacune des électrodes (18, 18A, 18B) du couple d’électrodes (30) est électriquement connectée par un trou métallisé (26) formé entre la première face (14) et la deuxième face (16) à un premier moyen de détection (20) correspondant qui est disposé sur ladite deuxième face (16). Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont le substrat de support (12) est une couche flexible apte à être courbée, en particulier de moins de 300 micromètres d’épaisseur, plus particulièrement de moins de 150 micromètres d’épaisseur. Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, comprenant en outre une puce électronique au niveau de la deuxième face (16) configurée pour transmettre des données à un dispositif tiers. Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont la première face (14) comprend en outre une antenne radioélectrique (32, 34). Capteur d’humidité selon la revendication 12, dont l’antenne radioélectrique (34) est disposée autour de la pluralité des couples d’électrodes (30). Capteur d’humidité selon l’une des revendications précédentes, dont le substrat de support (12) comprend en outre au moins un autre couple d’électrodes de détection et au moins un deuxième moyen de détection d’une autre grandeur que l’humidité, et ledit couple d’électrodes de détection étant électriquement connecté au deuxième moyen de détection de sorte que le capteur d’humidité (10) est en outre configuré pour mesurer une autre grandeur que l’humidité, en particulier la température, la pression, le pH ou la présence d’une espèce chimique. Utilisation d’un capteur d’humidité (10) selon l’une des revendications précédentes, dans un pansement (100) de plaie dans lequel la pluralité de couples d’électrodes (30) du capteur d’humidité (10) est agencé dans le pansement (100) pour être en contact avec un liquide provenant d’une plaie. Procédé de détection d’humidité au moyen d’un capteur d’humidité selon l’une des revendications 1 à 14, comprenant les étapes de : a) mesurer la résistance équivalente (Réq) des premières résistances (R1) de la pluralité des premiers moyens de détection (22) du capteur d’humidité qui est dépendante du nombre de transistors (T) commutés dans un des premiers ou second états, puis b) déduire de la valeur de la résistance équivalente mesurée la présence de liquide sur la première face (14) pourvue des électrodes (18).