INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les paramètres de prise de vue sont stockés dans une table locale de l’équipement client 10 par exemple au moment de la réception de la requête B. Les paramètres de prise de vue comprennent en particulier :
- des paramètres intrinsèques du capteur d’image, tels que : la distance focale de prise de vue (F), la taille du capteur, la taille d’un photosite du capteur, le décalage en X et en Y du point focal O par rapport au point principal du capteur ( ) ;
- des paramètres extrinsèques du capteur, tels que : la localisation du capteur (coordonnées , , du centre de projection du capteur), l’orientation du capteur (angles ), le mode de prise de vue (paysage ou portrait).
Les paramètres de prise de vue intrinsèques sont des données constantes propres au capteur d’image avec lequel a été acquise la pluralité d’images aériennes. Les paramètres de prise de vue extrinsèques résultent quant à eux de mesures ou de calculs effectués lors de l’acquisition par aérotriangulation.
Une fois les coordonnées du point Pt déterminées dans le système de coordonnées Lambert 93, ce résultat est notifié au client via l’interface logicielle, par exemple sous la forme d’une fenêtre contextuelle précisant la valeur de chacune des trois coordonnées spatiales ( ) et du niveau de précision associé à chacune de ces trois coordonnées (erreur quadratique moyenne ( , , )).
Si les coordonnées de plusieurs point Pt du réseau enterré sont recherchés en même temps (correspondant à plusieurs jeux de points images homologues), les résultats obtenus à l’issue de l’étape S4 sont affichés sous forme d’une liste de points Pt avec, pour chaque point, les coordonnées spatiales ( ) et le niveau de précision pour chacune d’entre-elles ( , , )). Un exemple de fenêtre contextuelle FC résultant d’un calcul de trois points terrain (n1, n2, n3) est illustré sur la .
Une nouvelle extraction d’imagettes (Bouton « prochaine extraction ») est dès lors possible, ainsi qu’une demande d’ajout de points images homologues (Bouton « Retour ») permettant d’ajouter de nouveaux points ou de modifier des points existants (tant sur leurs positions que sur leurs occurrences dans les imagettes).
Une précision non-acceptable sur une coordonnée calculée pour un point donné peut ainsi justifier :
- une nouvelle saisie du ou des points homologues correspondants (par exemple en repositionnement le ou les points homologues sur une ou plusieurs imagettes) ; ou
- la suppression des jeux de points saisis (s’il s’avère par exemple que, après plusieurs itérations des étapes de saisie (S3) et de calculs (S4) du procédé, la saisie du ou des points homologues correspondants est correcte mais que le niveau de précisions reste en dehors des tolérances requises).
Une étape de notification d’une erreur ou d’un niveau de précision insuffisant peut être mise en œuvre via l’interface logicielle afin d’inciter l’utilisateur à réitérer l’étape de saisie de points homologues (réitération du procédé à partir de l’étape de pointage S2), ou à redemander une nouvelle série d’imagettes d’imagettes (réitération du procédé à partir de l’étape S0). A cette fin, le procédé comprend en outre une étape de détermination, pour chaque jeu de points homologues saisis, du niveau de précision des coordonnées spatiales déterminées pour le point terrain correspondant audit jeu de points homologue et une étape de vérification que le niveau de précision est supérieur à un seuil prédéterminé. En cas de vérification négative, une alerte est notifiée à l’utilisateur pour l’inciter à modifier les points homologues ou à réémettre une demande d’extraction d’imagettes à destination de l’équipement distant 20.
Au vu de ce qui précède, grâce à la précision des images aériennes et la disponibilité des paramètres de capture associés, il est ainsi possible de réaliser un récolement de réseau géoréférencé de haute précision, en toute autonomie (c’est-à-dire sans qu’il soit nécessaire de réaliser une opération de lever topographique sur le terrain même. Ainsi, les opérations de récolement s’en trouvent simplifier.
Dans le cas particulier où un récolement de réseau a déjà été menée sur le terrain au moyen d’un lever topographique traditionnel, les résultats issus du procédé de l’invention peuvent alors être comparés à ceux issus du lever topographique traditionnel, à des fins de contrôle des résultats calculés. Un écart significatif entre résultats mesurés et calculés peut par exemple signifier qu’une erreur s’est produite. Un écart non significatif peut signifier au contraire que les résultats obtenus sont précis et pertinents. A cette fin, le procédé comprend une première étape supplémentaire, mise en œuvre après l’étape S4, consistant à déterminer un paramètre de similarité entre un résultat calculé (i.e. obtenu par le procédé de l’invention) et un résultat mesuré (i.e. obtenu par lever traditionnel), puis à vérifier que ce paramètre est supérieur à un seuil prédéterminé pour en déduire la présence ou non d’une erreur dans les résultats. Avec cette approche, l’utilisateur peut être amené à réitérer l’étape de saisie de points homologues (réitération du procédé à partir de l’étape de pointage S2) ou à redemander une nouvelle série d’imagettes (réitération du procédé de l’algorithme à partir de l’étape S0).
Il est par ailleurs à noter que, selon une mise en œuvre particulière de l’invention, un nombre maximal d’imagettes requises par l’équipement client 10 au moment de l’étape S1 peut être notifiée à l’équipement distant 20, de sorte que le nombre d’imagettes soient adaptées pour un traitement d’images en mode ultra-rapide. Le nombre d’imagettes retenu est celui offrant le meilleur compromis entre précision et temps de transfert et de calculs des données.
La présente la structure simplifiée d’un dispositif 600 mettant en œuvre le procédé de détermination selon l’invention (par exemple le mode de réalisation particulier décrit ci-dessus en relation avec les figures 2 et 3).
Ce dispositif 600 comprend une mémoire vive 630 (par exemple une mémoire RAM), une unité de traitement 610, équipée par exemple d’un processeur, et pilotée par un programme d’ordinateur stocké dans une mémoire morte 620 (par exemple une mémoire ROM ou un disque dur). A l’initialisation, les instructions de code du programme d’ordinateur sont par exemple chargées dans la mémoire vive 630 avant d’être exécutées par le processeur de l’unité de traitement 610. L’unité de traitement 610 reçoit en entrée une demande 640 de détermination de points géoréférencés pour une zone géographique donnée. Le processeur de l’unité de traitement 610 traite la demande 640 et génère en sortie une requête 650d’imagettes aériennes, selon les instructions du programme d’ordinateur, à destination d’un serveur distant. L’unité de traitement 610 reçoit en retour une série 660 d’imagettes aériennes représentatives de la zone géographique donnée. Le processeur de l’unité de traitement 610 réalise un traitement photogrammétrique de points homologues manuellement saisis 670 par l’utilisateur via l’interface logicielle et génère en sortie les données 680 relatives aux coordonnées de points terrain géoréférencées correspondants, selon les instructions du programme d’ordinateur.
Les résultats ainsi obtenus pour chaque composition A1, B1 et B2 sont exprimés dans le tableau 2 ci-dessous. Plus le nombre de cycles avant cassure est élevé, plus le cheveu est résistant.
A1 (invention) B1 (comparatif) B2 (comparatif) Témoin Cycle moyen avant rupture 6560 5154 4249 4333
Les résultats ainsi obtenus montrent que la composition A1 revendiquée, qui comprend la combinaison de cystéine avec un triglycéride d’acide gras particulier, permet de renforcer les cheveux frisés par l’augmentation du nombre moyen de cycles avant rupture. En effet, le nombre de cycles avant rupture est significativement plus élevé lorsque les cheveux sont traités avec la composition A1 revendiquée par rapport aux compositions comparatives B1 et B2 comprenant soit la cystéine, soit le triglycéride d’acide gras particulier uniquement.
Ainsi, la combinaison de la cystéine avec au moins un triglycéride d’acide gras contenant de 6 à 16 atomes de carbone assure un effet synergique quant au renforcement des cheveux frisés.
II. Facilité de peignage a. Compositions
Les compositions A1 (invention) et B1 et B2 (comparatif) ont été préparées à partir des ingrédients indiqués dans le tableau 1 de l’exemple I.
Le procédé de peignage mesure la force de peignage d’une mèche sur un extensiomètre de Lloyd (Ametek Inc, USA). Plus la force est faible, plus il est facile de peigner les cheveux.
Un accessoire de peigne à dents larges, ressemblant à un peigne typiquement utilisé pour les cheveux naturels africains a été utilisé. Le peigne afro avait des dents espacées de ~3mm et était fixé sur le portique de l’instrument comme montré ci-dessous. Pour réaliser l’essai, un échantillon (~1g) est inséré au centre du peigne et la mèche est serrée sur le capteur. L’échantillon est déplacé par le portique selon une translation linéaire et les forces du peigne sont mesurées. Ce mouvement est répété 4 fois et la force moyenne de peignage est utilisée pour estimer l’efficacité de la composition mise à l’essai. Plus la force est faible, plus il est facile de peigner les cheveux.
Le protocole suivant a été utilisé pour chaque composition A1, B1 et B2 sur des cheveux modèle de boucle 7-8 d’Afrique du Sud :
1. Chaque mèche de 1 g de cheveux afro a été lavée avec 0,4 g de shampooing Au Naturale (produit commercial) puis rincée.
2. 1g de chaque composition A1, B1 et B2 a été appliqué sur chaque gramme de cheveux humides de l’étape 1.
3. Laisser les cheveux traités sur une plaque chauffante à 31 degrés Celsius (pendant 15 minutes).
4. La mèche a ensuite été rincée et laissée à sécher pendant 24 heures à température ambiante (±22 °C).
Les étapes 1 à 4 du protocole ci-dessus ont été répétées 5 fois.
Un protocole similaire comprenant uniquement les étapes 1, 3 et 4 du protocole ci-dessus a été utilisé comme témoin.
L’invention concerne également un procédé d’appairage d’un bouclier métallique sur un bord d’attaque d’une préforme en matériau composite pour la fabrication d’une aube de turbomachine d’aéronef, au moyen d’une installation telle que décrite précédemment, dans lequel il comprend les étapes consistant à :
a) positionner le bouclier métallique sur le support, ce bouclier métallique ayant une forme générale de dièdre et comportant deux ailes reliées ensemble et définissant entre elles un espace, le bouclier étant maintenu sur le support de sorte que ledit espace soit orienté vers le haut,
b) prise de la préforme par les mors de l’automate, et
c) appairage du bouclier sur la préforme de façon à ce qu’un bord d’attaque de la préforme soit engagé dans ledit espace.
Le procédé selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises isolément les unes avec les autres ou en combinaison les unes avec les autres :
- comprend, entre les étapes a) et b), une étape consistant à :
i) fixer une extrémité de la préforme à un bras solidaire du support, de façon à ce que la préforme s’étende à proximité du bouclier.
- comprend, entre les étapes i) et b), une étape consistant à :
j) positionner le support sur l’hexapode.
- comprend, avant l’étape c), une étape consistant à :
k) appliquer un adhésif sur le bord d’attaque de la préforme et/ou sur le bouclier.
- comprend, après l’étape k), une étape consistant à :
l) chauffer l’adhésif.
- comprend, après l’étape c), une étape consistant à :
d) vérifier l’appairage en mesurant, au niveau d’une extrémité de la préforme, une dimension d’un jeu laissé libre entre le bord d’attaque de la préforme et le bouclier.
- l’étape d) est réalisée par une mesure sans contact et par exemple une mesure optique.
L'oxydant dans l'agent de gravure peut par exemple être au moins l'un choisi parmi le peroxyde d'hydrogène, l'acide nitrique, AgNO 3 , KAuCl 4 , HAuCl 4 , K 2 PtCl 6 , H 2 PtCl 6 , Fe(NO 3 ) 3 , Ni(NO 3 ) 2 , Mg(NO 3 ) 2 , Na 2 S 2 O 8 , K 2 S 2 O 8 , KMnO 4 et K 2 Cr 2 O 7 . Le peroxyde d'hydrogène est préféré en tant qu'oxydant parce qu'il ne génère aucun sous-produit nocif et également ne contamine pas l'élément semi-conducteur.
La concentration de l'oxydant tel que le peroxyde d'hydrogène dans l'agent de gravure est de préférence située dans la plage allant de 0,2 mol/l à 8 mol/l, mieux encore dans la plage allant de 0,5 mol/l à 5 mol/l, et plus particulièrement dans la plage allant de 0,5 mol/l à 4 mol/l. Si la concentration de l'oxydant est trop faible, il est difficile d'obtenir une vitesse de gravure élevée. Si la concentration de l'oxydant est excessivement élevée, une gravure secondaire excessive peut survenir.
L'agent polymère azoté n'est pas particulièrement limité du moment qu'il s'agit d'un polymère contenant un atome d'azote, mais il peut être par exemple un tensioactif azoté. Le tensioactif azoté est de préférence un tensioactif non-ionique azoté et/ou un tensioactif cationique azoté.
Des exemples du tensioactif cationique azoté comprennent la polyéthylène-imine, l'éthylènediamine, la diéthylènetriamine, la triéthylènetétramine, la tétraéthylènepentamine, la pentaéthylènehexamine, et une alkyamine polyoxyéthylénée. Des exemples du tensioactif non-ionique azoté comprennent un octylphényléther polyoxyéthyléné et l'éthylènediaminetétrakis(propoxylate-bloc-éthoxylate)tétrol.
Un, deux ou plus de deux types d'agents polymères azotés peuvent être utilisés. Un agent polymère azoté préféré contient de la polyéthylène-imine.
La teneur en l'agent polymère azoté dans l'agent de gravure peut être par exemple de 0,0001 % en volume à 0,01 % en volume. Avec une teneur en l'agent polymère azoté de 0,0001 % en volume ou plus, on peut s'attendre à un effet de suppression de défaut de traitement de la surface de paroi définissant la partie évidée. Avec une teneur en l'agent polymère azoté de 0,01 % en volume ou moins, une diminution extrême de la vitesse de gravure peut être évitée. Une plage préférée de la teneur peut être de 0,005 % en volume à 0,01 % en volume.
L'agent de gravure peut contenir de l'eau servant de solvant. L'agent de gravure peut être une solution aqueuse.
L'agent de gravure peut être une solution aqueuse ayant un pH de 1 à 2 par exemple. Avec un pH dans cette plage, il est possible de favoriser l'adsorption de l'agent polymère azoté sur l'oxyde du matériau semi-conducteur tout en maintenant une vitesse de gravure pratique.
Un exemple du procédé de gravure du mode de réalisation va être décrit en référence aux Figures 1 à 3.
La est un diagramme schématique illustrant un procédé de formation d'une tranchée sur une surface principale du substrat semi-conducteur 1 le long du plan xy au moyen d'un traitement de gravure. Un substrat semi-conducteur 1 peut être par exemple une galette de silicium. Des tranchées sont formées sur une surface principale du substrat semi-conducteur 1 le long du plan xy. Les tranchées s'étendent le long de la direction de l'axe y. Par exemple, une couche de catalyseur 3 contenant des particules d'Au est formée sur la surface inférieure qui définit les tranchées sur la surface principale du substrat semi-conducteur 1 le long du plan xy. Une surface proche d'une extrémité supérieure de parois 2 qui définissent les tranchées est revêtue d'une couche protectrice 4 contenant l'agent polymère azoté. L'agent polymère azoté peut être par exemple la polyéthylène-imine. La surface principale du substrat semi-conducteur 1 le long du plan xy et la totalité des parois 2 sont immergées dans une solution de gravure 5, qui sert d'agent de gravure.
Par exemple, une gravure est effectuée après qu'une couche de masque ayant un motif souhaité a été formée sur la surface principale du substrat semi-conducteur 1. Lorsque la gravure progresse, une partie de la couche de masque est dissoute dans la solution de gravure 5 ou pelée. Ainsi, une partie de la surface d'extrémité supérieure des parois 2 vient directement au contact de la solution de gravure 5. Ceci conduit à une oxydation partielle du voisinage de l'extrémité supérieure des parois 2 et à la formation d'un oxyde de Si 6 tel que SiO 2 sur une partie de la surface d'extrémité supérieure des parois 2, comme le montre la . L'oxyde de Si 6 tel que SiO 2 peut avoir un potentiel zêta positif dans la solution de gravure. La montre la relation entre le potentiel zêta de la surface des particules de SiO 2 et le pH. L'axe horizontal de la représente le pH, et l'axe vertical de la représente le potentiel zêta (mV). Comme le montre la , le potentiel zêta de la surface des particules de SiO 2 prend une valeur positive quand le pH est de 4 ou moins. Le potentiel zêta de la surface du Si prend une valeur négative quand le pH est de 4 ou moins.
D'autre part, comme l'agent polymère azoté tel que la polyéthylène-imine a de nombreuses paires d'électrons isolées, l'agent polymère azoté est susceptible d'être adsorbé sur l'oxyde de Si 6, qui a un potentiel zêta positif dans la solution de gravure 5. Par contraste, l'agent polymère azoté tel que la polyéthylène-imine ne peut pas être adsorbé sur la surface d'un catalyseur, qui peut avoir un potentiel zêta négatif dans la solution de gravure 5, ou sur la surface de semi-conducteur, et donc n'inhibe pas le traitement. Par exemple, l'Au a un potentiel zêta de 20,4 mV à un pH de 1 à 2.
D'après ce qui précède, comme la couche protectrice 4 contenant l'agent polymère azoté peut être sélectivement adsorbée sur l'oxyde de Si 6 existant à proximité de l'extrémité supérieure des parois 2, il est possible d'effectuer une gravure tout en protégeant le voisinage de l'extrémité supérieure des parois 2 vis-à-vis de la solution de gravure 5. Ainsi, même quand une tranchée ayant un rapport d'aspect élevé est formée, il est possible de supprimer la génération d'un défaut de traitement dans les parois 2. Cet effet ne peut pas être obtenu quand la polyéthylène-imine est contenue dans la couche de catalyseur 3 au lieu de l'être dans l'agent de gravure. Par exemple, quand un liquide en dispersion contenant des particules d'Au et de la polyéthylène-imine est appliqué sur la surface principale du substrat semi-conducteur 1 et séché pour former ainsi la couche de catalyseur 3, une augmentation du temps d'immersion dans la solution de gravure ne conduit pas à une progression du traitement de gravure dans la direction perpendiculaire à la surface du semi-conducteur, rendant impossible l'obtention d'une tranchée ayant un rapport d'aspect élevé. La profondeur de la tranchée qui permet un traitement dans la direction perpendiculaire est d'environ plusieurs dizaines de micromètres au maximum.
Le procédé du mode de réalisation peut comprendre une étape de retrait de l'agent polymère azoté sur la surface faite en semi-conducteur (c'est-à-dire la surface de semi-conducteur) après l'étape de gravure. Des exemples du procédé de retrait de l'agent polymère azoté comprennent un lavage de la surface de semi-conducteur avec une solution aqueuse d'un solvant alcalin ou organique. Le procédé du mode de réalisation peut comprendre, selon les besoins, une étape de retrait de la couche de catalyseur sur la surface de semi-conducteur après l'étape de gravure. S'il y a un résidu de couche de masque, le procédé du mode de réalisation peut comprendre l'étape de retrait de la couche de masque sur la surface de semi-conducteur. Si le procédé du mode de réalisation comprend l'étape de retrait de la couche de catalyseur sur la surface de semi-conducteur ou l'étape de retrait de la couche de masque sur la surface de semi-conducteur, l'agent polymère azoté peut être retiré dans ces étapes. Par exemple, on peut utiliser de l'eau régale pour retirer la couche de catalyseur. D'autre part, on peut utiliser de l'acide phosphorique chaud ou analogue pour retirer la couche de masque.
Le procédé du mode de réalisation peut être appliqué par exemple à un procédé de formation de motif dans lequel une portion évidée telle qu'une tranchée ou un trou traversant est formée dans le substrat semi-conducteur. Le procédé du mode de réalisation peut fabriquer un dispositif semi-conducteur en formant une couche conductrice, par placage, dans la partie évidée ou le trou traversant formé dans le substrat semi-conducteur, ou en soumettant une étape de formation d'un film diélectrique ou de formation d'une couche d'interconnexion au-dessus du substrat semi-conducteur par déposition chimique en phase vapeur (CVD).
Un exemple et un exemple comparatif vont être décrits ci-dessous.
Tel qu’illustré sur la , dans une étape E1 illustrée F1(10, 21, ON, Nw), le nœud principal 10 active l’alimentation 21 du premier sous-réseau Nw1.
Dans une étape E2 illustrée F2(11, 10, Id), les m nœuds secondaires 11 dudit premier réseau Nw1 envoient audit nœud principal 10 leur identifiant réseau unique Id. Ils l’envoient dès que le premier sous-réseau Nw1 est alimenté.
Dans une étape E3 illustrée F3(10, 11 0 , Id, Nw), le nœud principal 10 identifie le nœud secondaire de référence 11 0 au moyen de son identifiant réseau unique Id.
Comme le nœud principal 10 connaît l’architecture T du réseau véhicule Nv et notamment de chaque sous-réseau Nw, il va savoir avec leur identifiant réseau unique Id quels nœuds secondaires 11 se trouvent à l’intérieur ou à l’extérieur du véhicule automobile 2. Dans le cas où n>2 et m>2, en fonction de l’architecture T et des identifiants uniques Id reçus, il va pouvoir déterminer un nœud secondaire de référence 11 0 comme étant celui qui se trouve à l’intérieur tandis que les autres nœuds secondaires 11 du deuxième sous-réseau Nw2 se trouvent à l’extérieur ou inversement. Dans une étape E4 illustrée F4(10, 11 0 , Pos(Id), Nw) localise un nœud secondaire de référence 11 0 dans ledit premier sous-réseau Nw1 au moyen de son identifiant réseau unique Id.
Les étapes suivantes dépendent du nombre n de nœuds secondaires 11 dans le réseau véhicule Nv. Ainsi, les étapes suivantes du procédé de localisation 4 vont être décrites selon que n=2 (diagramme A de la ), n=3 (diagramme B de la ), n=6 (diagramme C des figures 9 et 10) ou n=7 (diagramme D des figures 11 et 12). On notera que le dispositif de localisation 1 est ainsi configuré pour mettre en œuvre ledit procédé de localisation 4, sa configuration étant fonction du nombre n de nœuds secondaires 11 dans le réseau véhicule Nv.
Ainsi : - les étapes du procédé de localisation 4 de la sont mis en œuvre par le dispositif de localisation de la , selon un mode de réalisation non limitatif, - les étapes du procédé de localisation 4 de la sont mis en œuvre par le dispositif de localisation de la , selon un mode de réalisation non limitatif, - les étapes du procédé de localisation 4 des figures 9 et 10 sont mis en œuvre par le dispositif de localisation de la , selon un mode de réalisation non limitatif, - les étapes du procédé de localisation 4 de la sont mis en œuvre par le dispositif de localisation de la , selon un mode de réalisation non limitatif.
Le cas n=2 est décrit ci-après.
Dans l’exemple non limitatif de la , le nœud secondaire de référence 1 10 est le nœud 11b et il est à la position Pos arrière centre (référencée Pos1).
Ainsi, lorsque n=2, tel qu’illustré sur la :
Dans un mode de réalisation non limitatif, dans une étape E5 illustrée F5(10, 21, OFF, Nw), le nœud principal 10 désactive l’alimentation 21 du premier sous-réseau Nw1 après ladite localisation dudit nœud secondaire de référence 11 0 . On notera que cette étape peut être également effectuée en parallèle ou après l’étape E9.
Dans une étape E6 illustrée F6(10, 21, ON, Nw), le nœud principal 10 active l’alimentation 21 du deuxième sous-réseau Nw2.
Dans une étape E7 illustrée F7(11, 10, Id), le nœud secondaire 11 dudit deuxième réseau Nw2 envoie audit nœud principal 10 son identifiant réseau unique Id. Il l’envoie dès que le deuxième sous-réseau Nw2 est alimenté.
Dans une étape E8 illustrée F8(10, T, Pos(Id), 11), le nœud principal 10 identifie et localise le nœud secondaire 11 dans ledit deuxième sous-réseau Nw2 au moyen de son identifiant réseau unique Id et de l’architecture T du réseau véhicule Nv. Dans l’exemple non limitatif de la , le nœud secondaire 11 dans le deuxième sous-réseau Nw2 est le nœud secondaire 11a. Il est localisé 11b à la position Pos avant centre (référencée Pos2).