Procédé de fabrication d’un système optoélectronique (1) en photonique sur silicium comportant un dispositif optique (60) et un circuit photonique intégré (20), le dispositif optique (60) comportant un guide d’onde (61) dit supérieur, le circuit photonique intégré (20) comportant un guide d’onde (13.1) dit inférieur en silicium monocristallin, le guide d’onde supérieur (61) étant couplé optiquement au guide d’onde inférieur (13.1) par un guide d’onde (43.1) dit intermédiaire en silicium, le procédé comportant les étapes suivantes : fourniture d’un premier substrat SOI (10) de type silicium sur isolant et comportant une première couche mince (13) de silicium monocristallin d’une première épaisseur e1 et présentant une première face dite face arrière orientée vers une couche (12) d’oxyde enterré du premier substrat SOI (10) et une deuxième face opposée dite face avant ; réalisation du guide d’onde inférieur (13.1) par gravure localisée de la première couche mince (13) de silicium ; puis réalisation du guide d’onde intermédiaire (43.1) ; puis réalisation du guide d’onde supérieur (61) du dispositif optique (60) ; caractérisé en ce que l’étape de réalisation du guide d’onde intermédiaire (43.1) comporte les opérations suivantes : assemblage au premier substrat SOI (10) d’un deuxième substrat SOI (40) de type silicium sur isolant et comportant une deuxième couche mince (43) de silicium monocristallin d’une deuxième épaisseur e2 différente de e1, la deuxième couche mince (43) de silicium étant située en regard du circuit photonique intégré (20) ; retrait d’un substrat support (41) et d’une couche (42) d’oxyde enterré du deuxième substrat SOI (40), de manière à libérer une face de la deuxième couche mince (43) de silicium ; réalisation du guide d’onde intermédiaire (43.1) par gravure localisée de la deuxième couche mince (43) de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel le guide d’onde inférieur (13.1) présente une épaisseur homogène égale à la valeur e1, et le guide d’onde intermédiaire (43.1) présente une épaisseur homogène égale à la valeur e2. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le deuxième substrat SOI (40) est assemblé par collage moléculaire oxyde/oxyde au premier substrat SOI (10), une couche mince de collage (51) à base d’un oxyde étant déposée sur la deuxième couche mince (43) de silicium, et une couche mince d’oxyde (12.1 ; 36) recouvrant le circuit photonique intégré (20), l’assemblage étant effectué par mise au contact de la couche mince de collage (51) avec la couche mince d’oxyde (12.1 ; 36). Procédé de fabrication selon la revendication 3, dans lequel la couche mince d’oxyde (12.1) est réalisée par amincissement de la couche (12) d’oxyde enterré du premier substrat SOI (10). Procédé de fabrication selon la revendication 4, comportant, à la suite de la réalisation du circuit photonique intégré (20) comportant des composants optiques actifs (21, 22), une étape de réalisation, du côté de la face avant, d’une partie d’interconnexion (31) comportant des niveaux de métallisation (33) connectés aux composants optiques actifs (21, 22) par des vias conducteurs (34) s’étendant au travers d’une couche isolante inter-métal (32). Procédé de fabrication selon la revendication 5, comportant, à la suite de la réalisation de la partie d’interconnexion (31), des étapes d’assemblage d’une poignée (35) à une face libre de la partie d’interconnexion (31), puis de retrait d’un substrat support (11) du premier substrat SOI (10), puis d’amincissement de la couche (12) d’oxyde enterré pour obtenir une couche amincie (12.1) d’oxyde enterré. Procédé de fabrication selon la revendication 3, dans lequel la couche mince d’oxyde (36) est réalisée par dépôt d’un oxyde sur le circuit photonique intégré (20) du côté de la face avant. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une étape de réalisation d’au moins un miroir de Bragg (73 ; 74) par formation d’échancrures traversantes dans la première couche mince (13) de silicium remplies ensuite d’un matériau électriquement isolant, les échancrures traversantes étant réalisées de manière simultanée à la réalisation d’au moins un guide d’onde du circuit photonique intégré (20) par une même étape de gravure localisée. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel le miroir de Bragg (73) est au contact de la couche d’oxyde enterré (12) du premier substrat SOI (10). Système optoélectronique (1) en photonique sur silicium comportant un dispositif optique (60) et un circuit photonique intégré (20) : le dispositif optique (60) comportant un guide d’onde (61) dit supérieur ; le circuit photonique intégré (20) comportant un guide d’onde (13.1) dit inférieur en silicium monocristallin ; le guide d’onde supérieur (61) étant couplé optiquement au guide d’onde inférieur (13.1) par un guide d’onde (43.1) dit intermédiaire en silicium ; caractérisé en ce que le guide d’onde intermédiaire (43.1) est réalisé en silicium monocristallin. Système optoélectronique selon la revendication 10, le dispositif optique (60) étant choisi parmi un modulateur, une photodiode, un amplificateur optique à semiconducteur, ou une source laser où le guide d’onde supérieur (61) est un guide d’onde actif contenant un milieu à gain. Système optoélectronique selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le guide d’onde inférieur (13.1) présente une épaisseur e1 homogène inférieure à 350nm et le guide d’onde intermédiaire (43.1) présente une épaisseur e2 homogène comprise entre 400nm et 600nm. Système optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, comportant au moins un miroir de Bragg réalisé à partir de silicium monocristallin et situé de manière coplanaire avec le guide d’onde inférieur (13.1). Système optoélectronique selon la revendication 13, dans lequel le miroir de Bragg (73) s’étend sous et le long du guide d’onde intermédiaire (43.1) et est couplé de manière évanescente à celui-ci, le dispositif optique (60) étant une source laser à rétroaction distribuée ; ou comportant deux miroirs de Bragg (74) situés sous le guide d’onde intermédiaire (43.1), le dispositif optique (60) étant une source laser à réflecteur de Bragg distribué. Système optoélectronique selon la revendication 14, comportant au moins une chaufferette (39), située du côté d’une face avant du circuit photonique intégré (20), en regard du miroir de Bragg (73 ; 74), la chaufferette étant l’un des niveaux de métallisation (33) d’une partie d’interconnexion (31) comportant des niveaux de métallisation (33) connectés à des composants optiques actifs (21, 22) du circuit photonique intégré (20) par des vias conducteurs (34) s’étendant au travers d’une couche isolante inter-métal (32).