INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La miniaturisation de transistors de pointe requiert un procédé d’alimentation électrique perfectionné et stable. Des condensateurs de découplage sont utilisés pour réduire au minimum l’impédance et le bruit de l’alimentation électrique. Cette possibilité a été exploitée dans le passé en incorporant un condensateur métal/isolant/métal (MIM) dans l’empilement d’interconnexion, comme illustré dans la , décrite ci-dessous. Une capacité totale plus élevée dans ces condensateurs MIM peut atténuer plus efficacement le statisme de tension et les ondulations de courant vers le transistor et ainsi améliorer les performances globales du dispositif final.
La illustre un schéma de base montrant l’intégration d’un condensateur de découplage MIM dans une pile d’interconnexion de trou métallisé. En se référant à la , une structure de circuit intégré 100 comprend un condensateur MIM possédant une plaque inférieure 102, une couche diélectrique à k élevée 104, et une plaque supérieure 106. Le condensateur MIM est intégré à l’intérieur d’un matériau de passivation 108. Des couches métalliques 110 sont au-dessous du condensateur MIM. Des trous de métallisation de contact MIM 112 sont en contact avec le condensateur MIM et les couches métalliques 110. En particulier, le trou de métallisation de contact MIM 112 sur la droite est en contact avec la plaque inférieure 102, et le trou de métallisation de contact MIM 112 sur la gauche est en contact avec la plaque supérieure 106.
Ainsi, un système électronique 1 selon la présente invention peut avantageusement communiquer avec d’autres dispositifs informatiques, tel qu’un dispositif informatique de présentation 80 ou un dispositif informatique tiers 90 (e.g. un serveur informatique).
Un système électronique 1 selon la présente invention pourra comporter également une ou plusieurs mémoires de données 70. Une mémoire de données 70 selon l’invention pourra par exemple correspondre à un support de stockage non éphémère, lisible par processeur, qui stocke notamment des instructions exécutables par un processeur. La mémoire de données 70 peut coopérer avec le ou les processeurs 40 au moyen de bus de communication interne. La mémoire de données 70 peut être partiellement ou entièrement électriquement effaçable afin d'être mise à jour.
Ainsi, l’utilisateur pourra retrouver, par exemple via un compte personnel, des informations sur sa mobilité, la morphologie plantaire et ses paramètres d’état physiologique.
Comme illustré à la , un système électronique 1 selon la présente invention pourra être couplé à un dispositif informatique tiers 90. Le dispositif informatique tiers 90 pourra par exemple héberger des référentiels utilisés lors de calcul de valeurs de paramètres.
Un tel système peut être utilisé dans d’autres applications. Il est notamment singulier de par la présence d’au moins un dispositif d’acquisition 10 agencé pour générer une ou plusieurs images d’une plante de pied, d’un tapis roulant 20 et d’un dispositif d’analyse de la mobilité capable de dégénérer des données de mouvement notamment lorsque l’utilisateur court ou marche sur le tapis roulant.
Selon un second aspect, l’invention porte sur un procédé 100 d’analyse de l’état physiologique d’un utilisateur.
En particulier, le procédé 100 d’analyse de l’état physiologique peut être mis en œuvre par un système électronique 1 selon la présente invention. Alternativement, le procédé 100 d’analyse de l’état physiologique peut être mis en œuvre par tout dispositif comportant un ou plusieurs processeurs 40 couplés à une mémoire de données.
De façon préférée, un procédé 100 d’analyse de l’état physiologique selon la présente invention comporte des étapes correspondant aux fonctionnalités décrites ci-dessus du système électronique 1 d’analyse de l’état physiologique selon la présente invention, et ses différents modes de réalisation, préférés, avantageux ou non.
Dans un autre aspect, des boîtiers à semi-conducteurs sont utilisés pour protéger une puce ou un dé de circuit intégré (CI), et aussi pour fournir au dé une interface électrique avec des circuits externes. Avec la demande croissante pour des dispositifs électroniques plus petits, les boîtiers à semi-conducteurs sont conçus pour être encore plus compacts et doivent accepter une densité de circuits plus grande. De plus, la demande pour des dispositifs plus performants entraîne le besoin d’un boîtier à semi-conducteurs amélioré qui permet un profil d’encapsulation mince et une faible déformation globale compatible avec un traitement d’assemblage ultérieur.
Dans un mode de réalisation, un microcâblage vers un substrat de boîtier céramique ou organique est utilisé. Dans un autre mode de réalisation, une technique de connexion de puces par écrasement contrôlé (C4) est utilisée pour monter un dé sur un substrat de boîtier céramique ou organique. En particulier, des connexions à billes de soudure C4 peuvent être mises en œuvre pour fournir des interconnexions de puce retournée entre les dispositifs à semi-conducteurs et les substrats. Une connexion de puce retournée ou connexion de puces par écrasement contrôlé (C4) est un type de montage utilisé pour les dispositifs à semi-conducteurs, tels que des puces de circuits intégrés (CI), des MEMS ou des composants, qui utilise des perles de soudure au lieu de microcâblages. Les perles de soudure sont déposées sur les plots C4, situés sur le côté supérieur du boîtier de substrat. Dans le but de monter le dispositif à semi-conducteurs sur le substrat, il est retourné avec le côté actif face vers le bas sur la zone de montage. Les perles de soudure sont utilisées pour connecter le dispositif à semi-conducteurs directement au substrat.
La illustre une vue en coupe transversale d’une puce montée de façon retournée, conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
En se référant à la , un appareil 1100 comprend un dé 1102 tel qu’un circuit intégré (CI) fabriqué selon un ou plusieurs procédés décrits dans le présent document ou comprenant une ou plusieurs caractéristiques décrites dans le présent document, conformément à un mode de réalisation de la présente invention. Le dé 1102 comprend des plots métallisés 1104 sur celui-ci. Un substrat de boîtier 1106, tel qu’un substrat céramique ou organique, comprend des connexions 1108 sur celui-ci. Le dé 1102 et le substrat de boîtier 1106 sont connectés électriquement par des billes de soudure 1110 couplées aux plots métallisés 1104 et aux connexions 1108. Un matériau de sous-remplissage 1112 entoure les billes de soudure 1110.
Le traitement d’une puce retournée peut être identique à une fabrication de CI classique, avec quelques opérations supplémentaires. Vers la fin du processus de fabrication, les plots de fixation sont métallisés pour les rendre plus réceptifs à la soudure. Cela consiste d’une manière générale en plusieurs traitements. Un petit point de soudure est ensuite déposé sur chaque plot métallisé. Les puces sont ensuite découpées de la tranche comme d’habitude. Pour fixer la puce retournée dans un circuit, celle-ci est inversée pour descendre les points de soudure sur des connecteurs sur les composants électroniques sous-jacents ou la carte de circuit imprimé sous-jacente. La soudure est alors refondue pour produire une connexion électrique, en utilisant généralement un procédé de soudage par ultrasons ou en variante un procédé par refusion. Cela laisse également un peu de place entre les circuits de la puce et le montage sous-jacent. Dans la plupart des cas, un adhésif électriquement isolant est ensuite « sous-rempli » pour assurer une connexion mécanique plus solide, former un pont thermique et pour garantir que les joints de soudure ne sont pas soumis à des contraintes dues à un différentiel thermique de la puce et du reste du système.
Dans d’autres modes de réalisation, des approches plus récentes pour l’encapsulation et l’interconnexion entre dés, notamment par l’intermédiaire d’un trou métallisé à travers le silicium (TSV) et d’un interposeur au silicium, sont mis en œuvre pour fabriquer des modules multipuces (MCM) et des systèmes en boîtier (SiP) très performants incorporant un circuit intégré (CI) fabriqué selon un ou plusieurs procédés décrits ici ou incluant une ou plusieurs caractéristiques décrites ici, conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
Ainsi, des modes de réalisation de la présente invention comprennent des condensateurs métal/isolant/métal (MIM).
Bien que des modes de réalisation spécifiques aient été décrits ci-dessus, ces modes de réalisation ne sont pas destinés à limiter la portée de la présente invention, même lorsqu’un seul mode de réalisation est décrit en ce qui concerne une caractéristique particulière. Des exemples de caractéristiques fournis dans l’invention sont destinés à être illustratifs plutôt que restrictifs, sauf indication contraire. La description ci-dessus est destinée à couvrir de telles alternatives, modifications,et équivalences comme cela apparaîtrait évident à un homme du métier bénéficiant de la présente invention.
La portée de la présente invention comprend toute caractéristique ou combinaison de caractéristiques divulguées dans le présent document (de manière explicite ou implicite), ou toute généralisation correspondante, qu’elle atténue ou non un ou tous les problèmes traités ici. Par conséquent, de nouvelles revendications peuvent être formulées pendant la poursuite de la présente demande (ou d’une demande revendiquant une priorité sur celle-ci) pour toute combinaison de caractéristiques de ce type. En particulier, en référence aux revendications jointes, les caractéristiques des revendications dépendantes peuvent être combinées avec celles des revendications indépendantes et les caractéristiques des revendications indépendantes respectives peuvent être combinées de toute manière appropriée et pas seulement selon les combinaisons spécifiques énumérées dans les revendications annexées.
Les exemples suivants se rapportent à d’autres modes de réalisation. Les différentes caractéristiques des différents modes de réalisation peuvent être combinées de manière variée, certaines caractéristiques étant incluses et d’autres exclues, afin de répondre à diverses applications différentes.
Exemple de mode de réalisation 1 : un condensateur métal/isolant/métal (MIM) comprend une première plaque d’électrode, et un premier diélectrique de condensateur sur la première plaque d’électrode. Une deuxième plaque d’électrode est sur le premier diélectrique de condensateur et a une partie sur la première plaque d’électrode et parallèle à celle-ci, et un deuxième diélectrique de condensateur est sur la deuxième plaque d’électrode. Une troisième plaque d’électrode est sur le deuxième diélectrique de condensateur et a une partie sur la deuxième plaque d’électrode et parallèle à celle-ci, et un troisième diélectrique de condensateur sur la troisième plaque d’électrode. Une quatrième plaque d’électrode est sur le troisième diélectrique de condensateur et a une partie sur la troisième plaque d’électrode et parallèle à celle-ci.
Exemple de mode de réalisation 2 : le condensateur MIM selon le mode de réalisation donné à titre d’exemple 1, comprenant en outre un quatrième diélectrique de condensateur sur la quatrième plaque d’électrode, et une cinquième plaque d’électrode sur le quatrième diélectrique de condensateur, la cinquième plaque d’électrode ayant une partie sur la quatrième plaque d’électrode et parallèle à celle-ci.
Exemple de mode de réalisation 3 : le condensateur MIM selon l’exemple de mode de réalisation 1 ou 2, dans lequel les premier, deuxième et troisième diélectriques de condensateur comprennent un matériau à k élevée.
Exemple de mode de réalisation 4 : le condensateur MIM selon l’exemple de mode de réalisation 1, 2 ou 3, dans lequel les première, deuxième, troisième et quatrième plaques d’électrodes sont incluses dans une couche diélectrique unique.
Exemple de mode de réalisation 5 : le condensateur MIM selon l’exemple de mode de réalisation 4, dans lequel la couche diélectrique unique est incluse dans une structure de métallisation back-end-of-line (BEOL), la structure de métallisation BEOL étant au-dessus d’une pluralité de dispositifs à circuit intégré.
Exemple de mode de réalisation 6 : un condensateur métal/isolant/métal (MIM) comprend une première électrode, un diélectrique de condensateur sur la première électrode, et une seconde électrode sur le diélectrique de condensateur. Le diélectrique de condensateur comprend une pluralité de premières couches diélectriques et de secondes couches diélectriques alternées, les premières couches diélectriques étant des couches diélectriques à k élevée.
Pédale de grosse caisse de batterie ou tout type de caisse rigide et creuse, avec mouvement de frappe partant vers l’arrière. La présente invention consiste à pouvoir reproduire dans le domaine des percussions musicales, l’équivalent sonore d’un ensemble pédale de grosse caisse avec sa grosse caisse avec en plus la possibilité de s’assoir sur la caisse. La présente invention doit s’associer à une caisse rigide qui sera choisie par son utilisateur.
L’utilisateur doit se choisir une caisse bien rigide qui sera sa caisse de résonnance, faisant office de grosse caisse. L’utilisateur devra s’assoir sur sa caisse. Tout type de caisse creuse et rigide est possible (le bois est cependant à privilégier pour le rendu sonore, mais d’autres matériaux sont aussi possibles).
Le système complet de la pédale est maintenu à la caisse grâce à sa sangle de taille réglable avec cran d’arrêt (11) passant par dessous la caisse où la personne est assise, de derrière à devant la caisse. Cette sangle souple avec cran d’arrêt réglable (11) permet à l’ensemble du système de ne pas se déplacer vers l’avant lors des va-et-vient du pied et de la pédale (3).
4 vis (13) traversant le socle (1) par le dessus et dont les pointes dépassent côté sol permettent à l’ensemble de ne pas se déplacer latéralement lors des va-et-vient du pied et de la pédale (3).
Son fonctionnement est le suivant : Il faut appuyer avec son pied droit ou gauche sur la pédale (3) qui, avec la pression rapide du pied ou de la pointe du pied, va actionner un mouvement circulaire de frappe arrière d’une mailloche (14) vers la caisse où la personne sera assise. Grâce aux forces égales et inversées de deux tendeurs (5) et (7) enroulés autour de l’axe (9) et du manche (8) de la mailloche (14), cette dernière revient à sa place initiale naturellement en relevant le pied de la pédale (3).
Le tendeur de frappe (5) permet, à l’impulsion, de faire se déplacer la mailloche (14) vers son point d’impact. Le tendeur de frappe (5) est fixé à ses deux extrémités sur la fixation (4) installée sur la pédale (3). Il (5) s’enroule autour de l’axe (9) du manche de la mailloche (8) comme un nœud « deux demi clefs renversées » (16) arrivant sur l’axe (9) par le bas en prenant après son premier tour d’axe (9) le côté bas et arrière du manche de la mailloche (8) situé vers le sol et après un second tour d’axe (9) s’en va rejoindre sa fixation (4) sur la pédale (3). Le tendeur de retour de frappe (7) permet ensuite à la mailloche (8) et (14) de revenir à sa position initiale. Le tendeur de retour de frappe (7) est fixé (6) avec ses deux extrémités sur le socle (1). Il (7) va aller s’enrouler par deux tours (15) autour de la jonction du manche de la mailloche (8) qui touche le dessus de l’axe (9), et revenir à sa fixation (6) sur le socle (1).
Le manche de la mailloche (8) se fixe à l’intérieur de l’axe (9) grâce à un trou légèrement conique percé dans l’axe (9).
L’axe (9) est maintenu grâce à deux équerres métalliques (10) sur le socle (1).
La pédale (3) est fixée au socle (1) grâce à une charnière (12).
Une mousse (2) est fixée sur le socle (1) pour éviter tout bruit parasite entre le socle (1) et la pédale (3) lors du mouvement de la pédale (3).
La décrit le système de pédale complet (vue du dessus arrière gauche) qui peut s’attacher à n’importe quelle caisse creuse et rigide pour former l’équivalent d’un ensemble pédale avec grosse caisse dans le domaine de la percussion musicale.
La décrit uniquement le système de rotation de l’axe du manche de la mailloche (vue horizontale arrière) avec les enroulements des 2 tendeurs autour de l’axe (9) et du manche de la mailloche (8).
Légende :
1 Socle qui peut être en bois, en métal ou tout type de support rigide.
2 Mousse permettant de muter le bruit de la pédale qui s’écrase sur le socle à la pression du pied ou de la pointe du pied.
3 Pédale qui peut être en bois, en métal ou tout type de support rigide.
Le bloc de calcul de signaux BA1 effectue ensuite, pour chaque instant d’échantillonnage tech, la somme des différents échantillons calculés à cet instant d’échantillonnage tech puis mémorise le résultat obtenu à une adresse de la mémoire M1 correspondant à cet instant d’échantillonnage tech. Cette somme est la valeur du signal d’excitation à l’instant d’échantillonnage La fonction F1 délivre donc les valeurs du signal d’excitation aux différents instants d’échantillonnage tech .
Un pointeur d’adresse P commande la lecture de la mémoire M1, à la fréquence d’horloge, de sorte que la mémoire M1 délivre, en entrée d’un convertisseur numérique CNA, consécutivement, à la fréquence du signal d’horloge H, les sommes mémorisées aux instants d’échantillons consécutifs.
Le convertisseur numérique analogique CNA. Le signal délivré en sortie du convertisseur CNA est filtré par un ensemble d’au moins un filtre FI de sorte qu’en sortie du filtre FI, le signal d’excitation est délivré.
La fonction de calcul de signaux F1 initialise le pointeur d’adresse à une adresse prédéterminée de la mémoire M1 par la boucle BO.
Le paramétrage et les calculs des valeurs discrètes de .sont faites tant que la commande Pr est active. Le bloc BA1 est en mode calcul. Lorsque la commande Pr est relâchée, le bloc BA1 passe en mode lecture des valeurs discrètes du signal d’excitation . Dans ce mode de fonctionnement, la fonction de calcul des signaux F1 et le pointeur d’adresses P génèrent les adresses successives permettant de lire les valeurs de dans la deuxième mémoire M2 qui délivre alors les valeurs consécutives aux instants d’échantillonnages consécutifs.
Il est à noter qu’à chaque fois que l’on souhaite modifier la direction de pointage d’un des faisceaux émis, on doit modifier les phases des signaux élémentaires participant à la génération du faisceau (c’est-à-dire ayant la phase du faisceau) et associés aux différents éléments rayonnant. Autrement dit, pour chaque élément rayonnant, on doit modifier la phase du signal élémentaire participant à la génération du faisceau et donc recalculer, pour chacune des voies, les valeurs des signaux élémentaires aux différents instants d’échantillonnage et donc les valeurs du signal d’excitation aux différents instants d’échantillonnage.
Les valeurs, des différentes phases, amplitudes et retards, sont par exemple, transmis aux différentes voies, par un contrôleur de pointage C représenté sur la .
L’invention se rapporte également à un procédé de génération de N faisceaux simultanés en émission.
Le procédé comprend l’étape suivante : exciter chacun des M éléments rayonnants Em du réseau R de l’antenne en les M ports d’excitation par M signaux d’excitation respectifs, chacun des M signaux d’excitation étant la somme de N signaux élémentaires de porteuses respectives ayant des fréquences respectives distinctes, N étant un entier supérieur à 1, présentant chacun une phase réglable de façon que l’antenne réseau rayonne simultanément les N faisceaux aux fréquences respectives.
Selon un premier mode de réalisation, cette étape d’excitation comprend une étape consistant à générer un des M signaux d’excitation, ladite étape comprenant les étapes suivantes : - générer les N signaux élémentaires, - faire la somme des N signaux sinusoïdaux élémentaires de façon à obtenir le signal d’excitation.
Cette étape peut être mise en œuvre pour chacun des M signaux d’excitation ou pour au moins un des M signaux d’excitation.
Selon un deuxième mode de réalisation, ce procédé comprend l’étape suivante : générer des échantillons du signal d’excitation par synthèse numérique directe.
Le procédé comprend avantageusement une étape consistant à convertir les échantillons en un signal analogique.
Dispositif de dérivation pour chemin de câbles d’aéronef L’invention concerne le domaine de l’aéronautique et vise l’agencement des chemins de câbles au sein des architectures électriques d’aéronef.
Les chemins de câbles d’aéronef définissent les trajets des harnais de câblage électrique par rapport à la structure d’un aéronef, en les maintenant en position et en les protégeant. Les harnais de câblage électrique sont constitués des faisceaux de câbles cheminant entre diverses installations électriques de l’aéronef.
ART ANTÉRIEUR Les chemins de câbles d’aéronef sont généralement constitués par des profilés s’étendant dans le prolongement les uns des autres. Entre certains profilés, un écart prédéterminé est prévu pour permettre un mouvement relatif des profilés sans dommage. Les chemins de câbles d’aéronef peuvent en effet être fixés sur des parties structurelles de l’aéronef qui peuvent être flexibles. Par exemple, les chemins de câble s’étendant le long des ailes d’un avion sont soumis à un mouvement de flexion d’amplitude relativement importante lors du vol de l’avion.
Il faut savoir que des technologies précédentes ont utilisé une structure de condensateur MIM à 3 plaques à faible capacité pour assurer la protection des transistors associés. On a découvert en association avec la présente invention que l’ajout d’une capacité totale améliorée peut se traduire par une amélioration des performances du dispositif.
Conformément à un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention, la densité de condensateurs MIM totale est augmentée par l’utilisation d’un schéma de superposition de condensateurs à plaques parallèles évolutifs et configurables où le nombre total de plaques d’électrodes/condensateurs en parallèle augmente de 3 à 4 ou 5 au total. Des modes de réalisation peuvent être mis en œuvre pour fournir une méthodologie à faible risque permettant d’obtenir des augmentations significatives de la capacité MIM, ce qui se traduit par une augmentation significative des performances grâce au développement de matériaux et à l’ajout d’empilements intégrés. Dans un mode de réalisation, la combinaison se traduit par une augmentation de la capacité de plus de 500 % et une amélioration de plus de 1 GHz des performances du transistor équivalent.
Des modes de réalisation peuvent être mis en œuvre pour augmenter de manière significative (5 fois, voire plus) la capacité par unité de surface du dé en augmentant la surface effective du condensateur. Ceci peut être réalisé par l’ajout de condensateurs MIM qui peuvent être configurés selon plusieurs agencements pour adapter la capacité finale du dispositif en fonction du besoin. Des modes de réalisation peuvent inclure une capacité totale accrue (5 fois) en augmentant le nombre total de plaques (p. ex., la technologie précédente reposait sur une configuration MIM à 3 plaques dans laquelle 2 couches diélectriques à k élevée étaient utilisées en parallèle, en alternance avec les trois plaques pour fournir la capacité MIM totale). Dans des modes de réalisation décrits ici, une ou deux (voire plus) paires d’électrodes/condensateurs supplémentaires sont ajoutées à l’empilement en parallèle. Cette approche peut être mise en œuvre pour permettre une augmentation de la capacité totale de, p. ex., 5 fois dans le même espace que les technologies précédentes.
La montre des coupes transversales comparatives d’empilements de condensateurs MIM à 3 plaques par rapport à des empilements de condensateurs MIM à 4 ou 5 plaques, conformément à un mode de réalisation de la présente invention. Dans la , des coupes transversales des condensateurs MIM à 3 plaques 200A et des condensateurs MIM à 4 plaques 200B et MIM à 5 plaques 200C sont incluses. Le graphique de variabilité de la , décrit ci-dessous, montre l’augmentation de la capacité totale obtenue par l’ajout de 2 plaques supplémentaires en parallèle.