INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La paroi transparente 20 est placée sur le comptoir 19 en interposition entre le poste de l'usager 4a et le poste d'accès au service 4b. Le boîtier 5 est rehaussé d'un support 6a qui est agencé en un cadre 22 délimitant une fenêtre 23 ménageant l'ouverture 3a traversant le châssis 2a et plus précisément la paroi transparente 20. Le boîtier 5 est installé sur le comptoir 19 en s'étendant à travers ledit dégagement 21 de part et d'autre de la paroi transparente 20, respectivement vers le poste de l'usager 4a et vers le poste d'accès au service 4b.
Dans les exemples illustrés, le module de coupure 18 comprend au moins un parasurtenseur général 54 qui est agencé électriquement en parallèle du fusible 26. Le rôle du parasurtenseur est d’absorber l’énergie excédentaire dans le circuit électrique, notamment l’énergie magnétique excédentaire, lorsque le fusible 26 a fondu. De plus, le parasurtenseur permet aussi de limiter la tension transitoire d'interruption.
Dans les modes de réalisation illustrés aux figures 1 à 4, et à la , le module de coupure 18 comprend une branche d’absorption 56, qui est agencée électriquement en parallèle de la branche principale 24 et de la branche de surcharge 32 entre le premier point 20 et le second point 22 du module de coupure 18, et le parasurtenseur général 54 est interposé dans la branche d’absorption 56 entre le premier point 20 et le second point 22. En revanche, dans l’exemple illustré à la , dans lequel on trouve un composant inductif dédié 51 interposé dans la branche principale 24 entre le premier point 20 et le second point 22, on peut voir que le parasurtenseur général 54 est agencé électriquement en parallèle du fusible 26, mais la branche d’absorption 56 s’étend entre le premier point 20 et un point de jonction 58 qui se trouve dans la branche principale 24 entre le fusible 26 et le composant inductif dédié 51. A contrario, dans l’exemple illustré à la , dans lequel on trouve aussi un composant inductif dédié 51 interposé dans la branche principale 24 entre le premier point 20 et le second point 22, le parasurtenseur général 54 est agencé électriquement en parallèle du fusible 26 et du composant inductif dédié 51 puisque, dans cette disposition, la branche d’absorption 56 s’étend entre le premier point 20 et le second point 22.
On pourrait aussi prévoir qu’un parasurtenseur soit agencé directement en parallèle du condensateur de surcharge 34.
Dans les exemples des figures 2, 3 et 4, on a illustré des moyens pour pouvoir adapter la tension maximale à laquelle doit résister l’enclencheur de surcharge 36 et/ou le condensateur de surcharge 34.
Par exemple, sur la , on a illustré la possibilité de mettre, électriquement en parallèle du condensateur de surcharge 34, directement en parallèle aux bornes de celui-ci, une résistance de protection de condensateur 60 ayant une valeur de résistance électrique R60. De la sorte, en fonctionnement continu lorsque l’enclencheur de surcharge 36 est dans son état ouvert, la tension U34 aux bornes du condensateur de surcharge 34 est au maximum égale à : U34 = Unom x R60 / (R60+R46)
Ainsi, par un choix judicieux des valeurs de résistance R60 et R46, on peut faire en sorte que la tension la tension maximale à laquelle doivent résister le condensateur de surcharge 34 et l'enclencheur de surcharge 36 soit inférieure, voire notablement inférieure à la tension nominale de service Unom du réseau. On pourra ainsi trouver le compromis le plus favorable, notamment d’un point de vue encombrement et coût des composants, entre la valeur de capacité du condensateur de surcharge 34 et la tension maximale à laquelle doivent résister le condensateur de surcharge 34 et l'enclencheur de surcharge 36.
On note que la résistance de protection de condensateur 60, ainsi agencée, directement en parallèle aux bornes du condensateur de surcharge 34, forme un circuit de décharge du condensateur de surcharge 34 pour les opérations de maintenance et ceci indépendamment de l'état du fusible 26, c’est-à-dire qu'il soit fondu ou non. En effet, lorsque le dispositif 10 n’est plus sous tension, par exemple lorsque le conducteur 11 a été isolé du réseau, l’énergie électrique contenue dans le condensateur de surcharge 34 se décharge progressivement dans la résistance de protection de condensateur 60. On notera qu’il faudra veiller à ce que la constante de temps qui régit cette décharge dans la résistance de protection de condensateur 60 soit largement supérieure à la constante de temps de décharge du condensateur de surcharge 34 dans la branche principale 24 lorsque l’enclencheur de surcharge 36 est amené dans son état fermé.
Sur la , on a illustré la possibilité de mettre, électriquement en parallèle de l’enclencheur de surcharge 36, directement en parallèle aux bornes de celui-ci, une résistance de protection d’enclencheur 62 ayant une valeur de résistance électrique R62. De la sorte, en fonctionnement continu lorsque l’enclencheur de surcharge 36 est dans son état ouvert, la tension U36 aux bornes de l’enclencheur de surcharge 36 est au maximum égale à : U36 = Unom x R62 / (R62+R46)
Ainsi, par un choix judicieux des valeurs de résistance R62 et R46, on peut faire en sorte que la tension maximale à laquelle doit résister l’enclencheur de surcharge 36 soit inférieure, voire notablement inférieure à la tension nominale de service Unom du réseau, ce qui permet d’en réduire le coût et l’encombrement. Tant que le fusible n'est pas fondu, cette résistance permet aussi une décharge lente du condensateur de surcharge 34 pour permettre d'effectuer une maintenance.
Sur la , on a illustré la combinaison des deux possibilités précédentes, avec, électriquement en parallèle du condensateur de surcharge 34, directement en parallèle aux bornes de celui-ci, une résistance de protection de condensateur 60 ayant une valeur de résistance électrique R60, et, électriquement en parallèle de l’enclencheur de surcharge 36, directement en parallèle aux bornes de celui-ci, une résistance de protection d’enclencheur 62 ayant une valeur de résistance électrique R60.
Dans les exemples de la et de la , on a illustré deux modes de réalisation dans lesquels l’enclenchement du système de surcharge 30, par fermeture de l’enclencheur de surcharge 36, peut être obtenu, au moins pour certaines conditions de courant de défaut, de manière automatique, sans nécessairement faire appel à une commande électronique de l’enclencheur de surcharge 36.
Dans ces deux exemples, l’enclencheur de surcharge 36 présente, dans son état ouvert, une valeur maximale de tenue en tension au-delà de laquelle il bascule automatiquement dans son état fermé, ceci sans destruction de l’enclencheur de surcharge 36, donc de manière réversible. En d’autres termes, lorsqu’une tension est appliquée aux bornes de l’enclencheur de surcharge 36 qui dépasse la valeur maximale de tenue en tension, il bascule automatiquement dans son état fermé, sans commande extérieure, notamment sans commande électronique extérieure. Dans les modes de réalisation des figures 5 et 6 , on a illustré une résistance de protection 62 en parallèle de l’enclencheur 36. Cela a pour effet de diminuer la tension aux bornes de l’enclencheur 36, donc d’augmenter le point d’auto-enclenchement. Cela peut être mis à profit notamment pour des valeurs tension nominale de service Unom élevées.
Typiquement, l’enclencheur de surcharge 36 peut, pour de tels modes de réalisation notamment, être réalisé sous la forme d’un ou plusieurs tube(s) électronique(s) ou éclateur(s) pour lesquels cette faculté de bascule automatique vers l’état fermé peut se faire sans détériorer l’interrupteur. Dans ces deux exemples, la branche principale 24 présente une inductance dimensionnée pour créer une tension aux bornes de la branche principale 24 qui s'additionne à la tension aux bornes du condensateur de surcharge 34 de manière à ce que la somme des deux tensions soit supérieure à la valeur maximale de tenue en tension de l’enclencheur de surcharge 36 lorsqu’une vitesse de variation de courant (dI24/dt) dans la branche principale 24 dépasse une valeur admissible prédéterminée. Dans les deux exemples illustrés, cette inductance est illustrée sous la forme d’un composant inductif dédié 51 qui est interposé dans la branche principale 24 entre le premier point 18 et le second point 22. Cependant, là encore, cette inductance pourrait résulter en tout ou partie d’inductances parasites dans cette branche principale 24. De la sorte, on comprend qu’en présence d’un courant de défaut présentant une très forte vitesse de variation, supérieure à la vitesse de variation admissible, une tension apparaît aux bornes de l’inductance de la branche principale 24, donc aux bornes de la branche principale 24, tension qui s'additionne à la tension du condensateur de surcharge 36 et s’applique aux bornes de l’enclencheur de surcharge 36 et qui en provoque le passage à l’état fermé, ce qui enclenche la décharge du condensateur de surcharge 34 comme décrit ci-dessus. Avec un tel mode de réalisation, il est possible de se passer d’une unité électronique de commande de l’enclencheur de surcharge 36. Cependant, comme illustré aux figures 5 et 6, de tels modes de réalisation peuvent aussi s'utiliser avec des éclateurs commandés ou tubes électroniques commandés (qui passent dans leur état fermé naturellement au-delà d'une tension seuil) et mettre en œuvre une unité électronique de commande comme décrit ci-dessus, par exemple pour provoquer un enclenchement du système surcharge 30 pour des courants ayant une vitesse de variation insuffisante pour provoquer l’enclenchement automatique.
Il sera avantageux de configurer le système de telle sorte que l’accroissement d’intensité courant dans le fusible 26 soit obtenu dès le démarrage de l'augmentation de tension aux bornes de l'inductance 51. Pour cela, on fera en sorte que l’armature du condensateur de surcharge 34 qui est au potentiel le plus différent de la référence de potentiel 42, 64 soit reliée à la borne du fusible 26 qui est connectée à la partie de réseau qui a le plus de probabilités de d'apparition d'un défaut.
A la , on a illustré la possibilité d’avoir un module de coupure 18 comprenant, en plus d’une branche de surcharge 32 telle que décrite ci-dessus, en parallèle de la branche principale 24 et de la branche de surcharge 32, une branche de surcharge additionnelle 32’ ayant un conducteur de surcharge additionnel 33’ qui s’étend entre le premier point 20 et le second point 22 du module de coupure 18.
Dans l’exemple illustré, la branche de surcharge additionnelle 32’ est de structure identique à la branche de surcharge 32, et il a été choisi de représenter le cas où la branche de surcharge 32 est identique à celle décrite en référence au mode de réalisation de la . Au-delà de la structure identique entre la branche de surcharge additionnelle 32’ et la branche de surcharge 32, les deux branches peuvent avoir le même dimensionnement de leurs composants, notamment pour ce qui concerne la capacité électrique C34, C34’ de leurs condensateurs de surcharge respectifs.
Les deuxièmes cavités 162 sont ensuite remplies par un matériau diélectrique 188 similaire à celui des portions diélectriques 130, qui est déposé, puis planarisé par une CMP arrêtée sur le matériau de la couche du deuxième masque dur 180 (voir ).
Des ouvertures 190 sont ensuite formées à travers les couches de masque dur 158, 180 afin de former des accès aux portions de la couche de matériau sacrificiel 178 se trouvant dans certaines des premières cavités 160 dans lesquelles les premières portions électriquement conductrices sont destinées à être réalisées (voir ).
Une gravure humide est ensuite mise en œuvre pour supprimer les portions de la couche de matériau sacrificiel 178 accessibles à travers les ouvertures 190, libérant ainsi les premières cavités 160 dans lesquelles les premières portions électriquement conductrices sont destinées à être réalisées (voir ).
Les parties de la couche diélectrique 176 présentent dans les premières cavités 160 libérées sont ensuite gravées, rendant accessibles notamment les premières extrémités des nanofils 113 depuis ces premières cavités 160 libérées (voir ).
Les premières portions électriquement conductrices, portant la référence 115, sont ensuite réalisées dans les premières cavités 160 libérées et dans les ouvertures 190 (voir ). Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les premières portions électriquement conductrices 115 sont formées par des dépôts conformes, par exemple CVD, successifs de plusieurs couches électriquement conductrices, par exemple une première couche de Ti d’épaisseur égale à 5 nm, une deuxième couche de TiN d’épaisseur égale à 5 nm, puis le remplissage de l’espace restant des premiers emplacements 160 libérés par une troisième couche de W. Une CMP est ensuite mise en œuvre, avec arrêt sur la couche du deuxième masque dur 180, pour supprimer les parties de ces couches déposées sur la couche du deuxième masque dur 180. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les premières portions électriquement conductrices 115 sont destinées à former les électrodes de source des transistors d’accès.
De manière optionnelle, préalablement à la réalisation des premières portions électriquement conductrices 115, il est possible de mettre en œuvre une épitaxie des régions de source et de drain des transistors dans les premières cavités 160.
Une nouvelle couche de masque dur 192 est réalisée afin notamment de recouvrir les premières portions électriquement conductrices 115. Des ouvertures 194 sont ensuite formées à travers les couches de masque dur 158, 180, 192 afin de former des accès aux portions de la couche de matériau sacrificiel 178 se trouvant dans les autres premières cavités 160 dans lesquelles les deuxièmes portions électriquement conductrices et les éléments mémoires sont destinés à être réalisés (voir ).
Une gravure humide est ensuite mise en œuvre pour supprimer les portions de la couche de matériau sacrificiel 178 accessibles à travers les ouvertures 194, libérant ainsi les premières cavités 160 dans lesquelles les deuxièmes portions électriquement conductrices et les éléments mémoires sont destinés à être réalisés (voir ).
Les parties de la couche diélectrique 176 présentent dans les premières cavités 160 précédemment libérées sont ensuite gravées, rendant accessibles notamment les deuxièmes extrémités des nanofils 113 depuis ces premières cavités 160 libérées (voir ).
Les couches électriquement conductrices destinées à former les deuxièmes électrodes des éléments mémoires et les couches de matériau mémoire (résistif, ou à changement de phase, ou ferroélectrique) sont ensuite déposées de manière conforme dans les premières cavités 160 précédemment libérées. Dans l’exemple de réalisation décrit, la couche de matériau mémoire correspond à une couche de HfO 2 d’épaisseur par exemple égale à 5 nm.
La ou les couches formant les deuxièmes portions électriquement conductrices 117 sont ensuite réalisées dans les premières cavités 160 libérées et dans les ouvertures 194, en recouvrant les couches de matériau mémoire. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les deuxièmes portions électriquement conductrices 117 sont formées par des dépôts conformes, par exemple CVD, successifs de plusieurs couches électriquement conductrices, par exemple une première couche de Ti d’épaisseur égale à 5 nm, une deuxième couche de TiN d’épaisseur égale à 5 nm, puis le remplissage de l’espace restant des premières cavités 160 libérées par une troisième couche de W d’épaisseur par exemple égale à 50 nm.
Une CMP est ensuite mise en œuvre, avec arrêt sur la couche de masque dur 192, pour supprimer les parties de ces couches déposées sur la couche du masque dur 192. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les deuxièmes portions électriquement conductrices 117 sont destinées à former les électrodes de drain des transistors d’accès.
Le procédé de réalisation de la mémoire 100 est achevé en réalisant, au sein de niveaux métalliques d’interconnexions réalisés au-dessus de la structure obtenue, des premières et deuxièmes lignes électriquement conductrices 105, 107. La mémoire 100 achevée correspond à celle représentée sur la . La représente un schéma électrique de cette mémoire 100.
Ainsi, ce procédé réalise cette mémoire 100 sous la forme d’une structure 3D agencée en lignes et en colonnes, et comprenant plusieurs niveaux mémoires superposés (quatre dans l’exemple décrit ici). La mémoire 100 comporte plusieurs matrices d’éléments mémoires 101 et de transistors d’accès 103 à grille enrobante superposées les unes au-dessus des autres, chacune agencée dans un des niveaux mémoires. Dans chacune de ces matrices, chaque élément mémoire 101 est couplé électriquement à un transistor d’accès 103 associé uniquement à cet élément mémoire 101.
La mémoire 100 comporte des premières lignes électriquement conductrices 105 et des deuxièmes lignes électriquement conductrices 107 formant respectivement, dans le mode de réalisation décrit ici, des lignes de bit et des lignes de source. Chacune des premières et deuxièmes lignes électriquement conductrices 105, 107 est commune à tous les niveaux mémoires et à tous les éléments mémoires 101 et transistors d’accès 103 d’une même colonne de la mémoire 100.
Plus particulièrement, dans le mode de réalisation décrit ici, chacune des premières lignes électriquement conductrices 105 est couplée à une première électrode de source ou de drain de chacun des transistors d’accès 103 de deux colonnes 3D de transistors d’accès 103 voisines l’une de l’autre (excepté pour les premières lignes électriquement conductrices 105 se trouvant au bord de la mémoire 100 qui sont chacune couplée à une première électrode de source ou de drain de chacun des transistors d’accès 103 d’une seule colonne 3D de transistors d’accès 103). De plus, chacune des deuxièmes lignes électriquement conductrices 107 est couplée à une première électrode de chacun des éléments mémoires 101 de deux colonnes 3D d’éléments mémoires 101 voisines l’une de l’autre.
Dans tout mode de réalisation, l’émulsion de cire comprend une émulsion eau dans cire.
Dans tout mode de réalisation, le polymère a une masse moléculaire moyenne en poids inférieure à 100 000.
Dans tout mode de réalisation, le polymère a une masse moléculaire moyenne en poids inférieure à 50 000.
DESCRIPTION DES DESSINS Les aspects qui précèdent et de nombreux avantages associés de cette invention seront plus facilement appréciés au fur et à mesure qu’ils seront mieux compris en référence à la description détaillée qui suit, lorsqu’elle est prise en conjonction avec les dessins qui l’accompagnent, dans lesquels :
La montre une vue en coupe transversale d’un mode de réalisation représentatif d’un nécessaire de produit cosmétique selon la présente divulgation ;
La montre une vue isométrique d’un mode de réalisation représentatif d’un applicateur inclus dans le nécessaire montré sur la ; et
La montre une vue d’extrémité de l’applicateur illustré sur la .
DESCRIPTION DÉTAILLÉE La présente divulgation concerne des applicateurs pour l’application d’un produit cosmétique, et en particulier des applicateurs pour l’application de formulations de produits cosmétiques connus sur des fibres kératiniques, notamment des cils ou des sourcils, par exemple du mascara. Les applicateurs de ce type prennent généralement la forme d’une brosse ayant une âme centrale allongée avec une pluralité de poils s’étendant radialement à partir de celle-ci. Les modes de réalisation de l’objet divulgué et revendiqué peuvent être décrits dans le présent document en référence à du mascara et à des brosses pour l’application de celui-ci, cependant, il sera apprécié que la divulgation n’est pas limitée au mascara et aux brosses. A cet égard, le terme « mascara » inclut plus généralement des formulations cosmétiques du type décrit dans le présent document, à appliquer sur des fibres kératiniques. En outre, tel qu’il est utilisé dans le présent document, le terme « brosse » n’est pas limité à une configuration d’applicateur particulière et peut inclure diverses configurations ayant une pluralité de poils s’étendant à partir d’une âme.
Il est souhaitable que les brosses à mascara soient configurées pour retenir une quantité suffisante de produit, c’est-à-dire de formulation cosmétique, afin qu’il ne soit pas nécessaire de recharger la brosse trop souvent pendant l’application. En outre, ces applicateurs doivent permettre de saisir les cils, de séparer les cils, d’allonger les cils, et/ou de recourber les cils, selon le type de maquillage souhaité. Des applicateurs connus, tels que des brosses ou des peignes à mascara, présentent des caractéristiques fixes en ce qui concerne la flexibilité et la disposition dans l’espace des poils ou des dents. Par exemple, des applicateurs connus ont typiquement une dureté dans la plage de 45 shore A à 55 shore A.
La performance d’un mascara dépend habituellement moins de la brosse elle-même ou de la formule elle-même, mais dépend plutôt des combinaisons spécifiques brosse/matériau/racleur/formule utilisées. Certaines combinaisons de dimensions spécifiques, duretés de matériaux, viscosités de formules, etc. permettront d’obtenir des performances supérieures à celles de la concurrence avec des brosses similaires et/ou des formulations similaires, mais sans un ou plusieurs des attributs clés. La présente divulgation décrit des combinaisons qui n’étaient pas pratiquées auparavant dans l’industrie.
La montre un ensemble de conditionnement 100 pour une composition cosmétique 60 selon des aspects de la présente divulgation. L’ensemble 100 inclut un contenant 50 avec une cavité intérieure dans laquelle la composition cosmétique 60 est stockée. Une ouverture est formée dans le contenant et est recouverte d’un racleur 54 avec un orifice 56 s’étendant à travers celui-ci.
Un applicateur 40 inclut un manche 30 qui s’engage dans des filets 58 formés sur le contenant 50 pour coupler de manière détachable l’applicateur au contenant. Une tige allongée 52 s’étend à partir du manche 30 et inclut une brosse 10 positionnée sur l’extrémité de la tige opposée au manche. Lorsque le manche 30 de l’applicateur 40 est couplé au contenant 50, la tige 20 s’étend à travers l’orifice 56 du racleur 54, et le manche couvre l’orifice pour assurer l’étanchéité de l’intérieur du contenant. En même temps, la brosse 10, qui sera décrite plus en détail, est positionnée au sein du contenant 50 et en contact avec la composition cosmétique 60 disposée à l’intérieur.
Des modes de réalisation appropriés d’une composition cosmétique selon la présente divulgation peuvent comprendre une cire et un polymère. Selon un premier mode de réalisation, la composition comprend, dans un milieu physiologiquement acceptable, une cire et un polymère à motif amide spécifique, destinés notamment au domaine cosmétique. Dans un mode de réalisation, la composition se présente sous la forme d’une composition pour enrober les cils (notamment du mascara), d’un ligneur pour les yeux, d’un produit pour les sourcils, d’un produit pour les lèvres, d’un fard à joues ou à paupières, d’un fond de teint, d’un produit de maquillage corporel, d’un anticerne, d’un vernis à ongles, d’un produit de soin de la peau, incluant le cuir chevelu, d’un produit pour les cheveux (mascara capillaire, pulvérisateur). La composition peut également être appliquée sur des accessoires de maquillage (support) tels que des faux cils, des postiches, des perruques, des faux ongles ou encore sur des bâtonnets ou des timbres adhérant à la peau ou à des cheveux (de type mouche).