Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) électronique pour le stockage, le contrôle et la manipulation de qubits sur semi-conducteur, à base de spins d’électron ou de trou, le dispositif comprenant : une couche isolante (20) électriquement avec, du côté avant (23), une face avant (21), et du côté arrière (24), une face arrière (22), sur la face avant (21) de la couche isolante (20), une structure de piégeage (1) pour électrons ou trous qui comporte : une portion de canal (2), formée au moins en partie par une portion de couche en matériau semi-conducteur s’étendant dans un plan parallèle à ladite couche isolante (20), et une pluralité de grilles (3) distinctes les unes des autres, réparties en un ou plusieurs niveaux sur la portion de canal (2), d’un côté de la portion de canal (2) opposé à ladite couche isolante (20), et du côté arrière (24) de la couche isolante (20), une piste électrique (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) qui s’étend dans un plan parallèle à la couche isolante, destinée à générer un champ magnétique oscillant (B AC ) s’exerçant sur ledit au moins un électron ou trou piégé dans la structure de piégeage (1). Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) selon la revendication 1, dans lequel la couche isolante (20) a une épaisseur comprise entre 5 nm et 200 nm, voire comprise entre 10nm et 150 nm. Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel ladite piste (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) et lesdites grilles (3) sont séparées par une distance (d Z ) inférieure ou égale à 200 nm, selon une direction (z) perpendiculaire à la couche isolante (20). Dispositif (10b) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel ladite piste (30) est séparée de ladite face arrière (22) par une couche intermédiaire (102). Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche isolante (20) est une couche en oxyde de semi-conducteur constituant une partie au moins de la couche d’oxyde enterré d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, tel qu’un substrat de type Silicium sur isolant « SOI » ou de type Germanium sur isolant « GeOI ». Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) selon l’une des revendications précédentes, comprenant en outre : un premier ensemble de conducteurs (25) électriques d’interconnexion, qui relient électriquement les grilles (3) à des premiers plots ou éléments de contacts (26) distants de la structure de piégeage (1), ce premier ensemble de conducteurs (25) s’étendant du coté avant (23) de la couche isolante (20), et un deuxième ensemble de conducteurs (27) électriques d’interconnexion, qui relient électriquement ladite piste (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) à des deuxièmes plots ou éléments de contacts (28) distants de ladite piste, ce deuxième ensemble de conducteurs (27) s’étendant du côté arrière (24) de la couche isolante (20) , le dispositif (10 ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) ne comprenant pas de connecteur électrique qui soit relié électriquement aux grilles (3) et qui soit situé du côté arrière (24) de la couche isolante, ou, ne comprenant pas de connecteur électrique qui soit relié électriquement à ladite piste (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) et qui soit situé du côté avant (23) de la couche isolante. Dispositif (17) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, en projection sur un plan parallèle à la couche isolante (20), la piste (60 ; 140 ; 180) se superpose au moins en partie avec chacune des grilles (3). Dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel au moins certaines desdites grilles (3) sont disposées en ligne (L1) l’une à la suite de l’autre, et dans lequel une partie au moins de ladite piste (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) s’étend le long d’un axe parallèle à cette ligne (L1) de grilles. Dispositif (15 ; 16) selon la revendication précédente, dans lequel les grilles (3) de la structure de piégeage (1) sont réparties le long de lignes (L1 – L6) parallèles entre elles, et dans lequel ladite piste (40 ; 50) comporte plusieurs portions (41 – 45 ; 51 – 53), chacune parallèle auxdites lignes (L1 – L6), et qui sont connectées électriquement en série les unes à la suite des autres pour former des méandres. Dispositif (13 ; 14 ; 17 ; 18 ; 19) selon la revendication 8, dans lequel les grilles (3) de la structure de piégeage (1) sont réparties le long de lignes (L1 – L6) parallèles entre elles, le dispositif comportant plusieurs pistes électriques (30 – 34 ; 60, 62, 64 ; 30 – 34, 70 – 74), dont ladite piste, lesdites pistes étant situées dans un même plan et étant chacune parallèle auxdites lignes de grilles (L1 – L6), lesdites pistes (30 – 34 ; 60, 62, 64 ; 30 – 34, 70 – 74) étant connectées électriquement en parallèles les unes par rapport aux autres. Dispositif (13 ; 15 ; 18 ; 19) selon la revendication 9 ou 10, dans lequel lesdites pistes (30 – 34 ; 30 – 34, 70 – 74), ou lesdites portions de piste (41 – 45), sont espacées latéralement l’une de l’autre de manière périodique, avec un espacement (e1) qui est le même que l’espacement (e G ) qui sépare, latéralement, deux lignes de grilles (L1, L2, L3, L4, L5, L6) adjacentes. Dispositif (14 ; 16 ; 17) selon la revendication 9 ou 10, dans lequel lesdites pistes (30, 32, 34 ; 60, 62, 64), ou lesdites portions de piste (51, 52, 53), sont espacées latéralement l’une de l’autre de manière périodique, avec un espacement (e2) qui est le double de l’espacement (e G ) qui sépare, latéralement, deux lignes de grilles (L1, L2, L3, L4, L5, L6) adjacentes. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel ladite piste (110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) forme plusieurs portions de boucle (111 ; 121 ; 131 ; 141 ; 151 ; 161 ; 171 ; 181), chaque portion de boucle étant située au niveau de l’une desdites grilles (3), ou au niveau d’un îlot de grilles regroupant une partie desdites grilles (3), en projection sur un plan parallèle à la couche isolante (20). Procédé de pilotage d’un dispositif (10 ; 10b ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) électronique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel un courant électrique alternatif (I ESR ) est injecté dans la ladite piste électrique (30) pour générer ledit champ magnétique oscillant (B AC ), et dans lequel la piste électrique (30) est employée en outre en tant que grille arrière, un potentiel électrique (V DC , AC , V impulsionne l ) étant appliqué à ladite piste électrique (30) pour contrôler un paysage de potentiel électrique au sein de la portion de canal (2) où est piégé ledit au moins un électron ou trou, ledit potentiel électrique (V DC , AC , V impulsionne l ) étant un potentiel électrique statique, ou basse fréquence, ou radiofréquence, ou impulsionnel, ou étant une combinaison de tels potentiels électriques. Procédé de fabrication d’un dispositif (10 ; 11 ; 12 ; 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19) électronique pour le stockage, le contrôle et la manipulation de qubits sur semi-conducteur, à base de spins d’électron ou de trou, le dispositif comprenant une couche isolante (20) électriquement avec, du côté avant (23), une face avant (21), et du côté arrière (24), une face arrière (22), le procédé comprenant les étapes suivantes : sur la face avant (21) de la couche isolante (20), réalisation d’une structure de piégeage (1) pour électrons ou trous qui comporte : une portion de canal (2), formée au moins en partie par une portion de couche en matériau semi-conducteur s’étendant dans un plan parallèle à ladite couche isolante (20), et une pluralité de grilles (3) distinctes les unes des autres, réparties en un ou plusieurs niveaux sur la portion de canal (2), d’un côté de la portion de canal (2) opposé à ladite couche isolante (20), et du côté arrière (24) de la couche isolante (20), réalisation d’une piste électrique (30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180) qui s’étend dans un plan parallèle à la couche isolante, destinée à générer un champ magnétique oscillant (B AC ) s’exerçant sur ledit au moins un électron ou trou piégé dans la structure de piégeage (1).