Procédé de réalisation d’au moins une portion diélectrique (122) contre au moins un flanc (114) d’une structure (108, 110, 112) reposant sur un substrat (102, 104, 106), comprenant au moins : - dépôt d’au moins une couche (116) de matériau diélectrique à base de SiC, et recouvrant ledit au moins un flanc (114) de la structure (108, 110, 112) ainsi qu’un sommet de la structure (108, 110, 112) et une partie du substrat (102, 104, 106) non recouverte par la structure (108, 110, 112) ; - exposition de la couche (116) de matériau diélectrique à au moins un plasma comprenant du dioxygène et dirigé perpendiculairement à une face (107) du substrat (102, 104, 106) sur laquelle repose la structure (108, 110, 112), transformant une partie de la couche (116) de matériau diélectrique en portions (120) d’oxyde de silicium ; - gravure des portions (120) d’oxyde de silicium sélectivement vis-à-vis du matériau diélectrique restant ; et dans lequel les étapes d’exposition et de gravure sont éventuellement répétées une ou plusieurs fois jusqu’à la suppression complète du matériau diélectrique recouvrant le sommet de la structure (108, 110, 112) et ladite partie du substrat (102, 104, 106) non recouverte par la structure (108, 110, 112), le matériau diélectrique restant formant ladite au moins une portion diélectrique (122) contre au moins un flanc (114) de la structure (108, 110, 112). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la structure (108, 110, 112) comporte une grille (108, 110) d’un transistor à effet de champ, et dans lequel, lorsque le matériau diélectrique recouvrant le sommet de la structure (108, 110, 112) et ladite partie du substrat (102, 104, 106) non recouverte par la structure (108, 110, 112)est complètement supprimé, des portions restantes (122) de la couche de matériau diélectrique forment des espaceurs disposés contre plusieurs flancs (114) de la grille (108, 110). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau diélectrique à base de SiC correspond à du SiCO et/ou du SiBCN. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’exposition de la couche (116) de matériau diélectrique au plasma comprenant du dioxygène est mise en œuvre telle que chacune des portions (120) d’oxyde de silicium ait une épaisseur comprise entre 1 nm et 3 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la gravure des portions (120) d’oxyde de silicium correspond à une gravure humide mise en œuvre avec une solution à base d’acide fluorhydrique, et/ou à une gravure sèche mise en œuvre en exposant les portions (120) d’oxyde de silicium à un plasma à base de NH 3 /NF 3 et en réalisant un recuit à une température supérieure à 100°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche (116) de matériau diélectrique déposée a une épaisseur comprise entre 5 nm et 20 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre, entre le dépôt de la couche (116) de matériau diélectrique et l’exposition de la couche (116) de matériau diélectrique au plasma comprenant du dioxygène, un dépôt d’une couche (124) d’oxyde de silicium sur la couche (116) de matériau diélectrique, et dans lequel : - l’exposition de la couche (116) de matériau diélectrique au plasma comprenant du dioxygène supprime des premières parties de la couche (124) d’oxyde de silicium disposées sur la partie de la couche (116) de matériau diélectrique transformée ensuite en portions (120) d’oxyde de silicium ; et - la gravure des portions (120) d’oxyde de silicium supprime également au moins une deuxième partie de la couche (124) d’oxyde de silicium disposée contre le matériau diélectrique recouvrant ledit au moins un flanc (114) de la structure (108, 110, 112) ; et dans lequel, comme les étapes d’exposition et de gravure, l’étape de dépôt de la couche (124) d’oxyde de silicium est éventuellement répétée une ou plusieurs fois jusqu’à la suppression complète du matériau diélectrique recouvrant le sommet de la structure (108, 110, 112) et ladite partie du substrat (102, 104, 106) non recouverte par la structure (108, 110, 112). Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’épaisseur de la couche (124) d’oxyde de silicium est comprise entre 1 nm et 3 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre, entre le dépôt de la couche (116) de matériau diélectrique et l’exposition de la couche (116) de matériau diélectrique au plasma comprenant du dioxygène, une gravure d’une partie de l’épaisseur de la couche (116) de matériau diélectrique, mise en œuvre avec une solution de gravure fluorocarbonnée et telle qu’une épaisseur restante de la partie de la couche (116) de matériau diélectrique destinée à être transformée en portions (120) d’oxyde de silicium soit comprise entre 1 nm et 3 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel toutes les étapes du procédé sont mises en œuvre dans un même équipement de gravure. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l’équipement de gravure correspond à un réacteur de type RIE. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la structure (108, 110, 112) comporte à son sommet un masque dur (112), et dans lequel la couche (116) de matériau diélectrique déposée recouvre le masque dur (112). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat (102, 104, 106) comporte une couche de semi-conducteur (106) sur laquelle repose la structure (108, 110, 112). Procédé selon la revendication 13, dans lequel le substrat (102, 104, 106) est de type semi-conducteur sur isolant et comporte une couche diélectrique enterrée (104) disposée entre une couche support (102) et la couche de semi-conducteur (106).