INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, le disque centrifuge rotatif 18 est inclinable par rapport à la perche tubulaire 20. Il est ainsi possible de modifier un angle d’inclinaison α entre la direction d’extension moyenne C-C’ de la perche tubulaire 20 et le plan P1 d’extension moyenne du disque centrifuge rotatif 18. De manière complémentaire ou alternative, il est possible de prévoir que le support 22 du récipient 1 est inclinable par rapport à la perche tubulaire 20. Il est ainsi possible de modifier un angle d’inclinaison β entre la direction d’extension moyenne C-C’ de la perche tubulaire 20 et un plan P2 de support du récipient 1 par ledit support 22 (la valeur maximale de l’angle d’inclinaison β étant dépendante de la valeur du diamètre de l’ouverture 8 du récipient 1). Ainsi, l’une et / ou l’autre des positions relatives prédéterminées du disque centrifuge rotatif 18 et du récipient 1 évoquées ci-dessus peut correspondre, outre à une altitude donnée du disque centrifuge rotatif 18 dans la cavité 3 du récipient 1, à une inclinaison particulière du plan P1 d’extension moyenne du disque centrifuge rotatif 18 par rapport à l’axe d’extension principale A-A’ du récipient 1. Cette inclinaison particulière peut être avantageusement modifiée par une modification de l’angle d’inclinaison α entre la direction d’extension moyenne C-C’ de la perche tubulaire 20 et le plan P1 d’extension moyenne du disque centrifuge rotatif 18, ou par une modification de l’angle d’inclinaison β entre la direction d’extension moyenne C-C’ de la perche tubulaire 20 et un plan P2 de support du récipient 1, ou encore par une modification combinée de ces deux angles d’inclinaison α, β. On comprend qu’il est ainsi possible de former un motif comprenant une ou plusieurs ligne(s) 15 et / ou bande(s) 16 qui s’étendent en oblique par rapport à l’axe d’extension principale A-A’ du récipient 1 (et non pas uniquement de manière orthogonale comme dans les exemples illustrés aux figures).
De préférence, afin de mettre en œuvre les étapes additionnelles correspondantes du procédé de décoration décrit précédemment (ou à tout le moins d’en permettre la mise en œuvre), l’installation de décoration comprend en outre : - un dispositif d’application conçu et configuré pour appliquer sur la face interne 4 de la paroi 2 du récipient 1, une deuxième couche 21 d’une deuxième composition liquide, de telle sorte que ladite deuxième couche 21 recouvre à débordement au moins une partie de la première couche 14 précédemment appliquée ; et - un dispositif de durcissement pour durcir la deuxième couche 21 et pour former ainsi ledit revêtement décoratif intérieur 19 incluant ledit motif.
Typiquement, le dispositif d’application de la deuxième couche 21 peut comprendre une buse de pulvérisation (ou pistolet de décoration) classique, apte à être introduit(e) à l’intérieur de la cavité 3 du récipient 1, et une source d’alimentation de la buse de pulvérisation en deuxième composition liquide. Par exemple, ladite buse de pulvérisation peut être une buse de pulvérisation conçue et configurée pour projeter un jet latéral de fines gouttelettes sous la forme d'un cône de pulvérisation en direction de la face interne 4 de la paroi 2 du récipient 1. De préférence, le dispositif d’application de la deuxième couche 21 est conçu et configuré pour appliquer la deuxième couche 21 de manière à ce que cette dernière recouvre sensiblement intégralement la face interne 4 de la paroi 2 du récipient 1. Le dispositif de durcissement de la deuxième couche 21 peut être de tout type connu et adapté à la nature de la deuxième composition liquide.
Avantageusement, afin de simplifier la conception de l’installation et la mise en pièce du procédé de décoration à l’aide de cette dernière, le dispositif de durcissement de la première couche 14 et le dispositif de durcissement de la deuxième couche 21 sont conçus et configurés pour durcir simultanément lesdites première et deuxième couches 14, 21 après que la deuxième couche 21 a été appliquée à recouvrement de la première couche 14, cette dernière n’ayant pas encore été durcie. Avantageusement, le dispositif de durcissement de la première couche 14 et le dispositif de durcissement de la deuxième couche 21 sont confondus. Ils forment donc ainsi qu’un seul et même dispositif de durcissement, ce qui permet de simplifier la conception et la mise en œuvre de l’installation de décoration et d’en limiter l’encombrement.
Avantageusement, l’installation de décoration peut comprendre un dispositif de préchauffage de la paroi 2 en verre du récipient 1 pour porter ladite paroi 2 à une température préférentiellement comprise entre 50 °C et 70 °C (par exemple à 60 °C) préalablement à l’application de la première couche 14 par le dispositif d’application de ladite première couche 14.
L’invention concerne en outre, en tant que tel, un récipient 1 pourvu d’une paroi 2 en verre délimitant une cavité 3 au sein de laquelle le récipient 1 est destiné à contenir un produit, ladite paroi 2 étant translucide ou transparente et présentant une face interne 4 située en regard de ladite cavité 3, laquelle face interne 4 est pourvue d’un revêtement décoratif intérieur 19 incluant un motif formé (ou à tout le moins comprenant) d’une ou plusieurs lignes 15 et / ou bandes 16. Le récipient 1 conforme à l’invention, ou « récipient décoré » est susceptible d'être obtenu par le procédé de décoration selon l’invention décrit en détail dans ce qui précède, et de préférence est directement obtenu par ce procédé de décoration. Par conséquent, la description qui précède concernant le procédé de décoration (et / ou l’installation de décoration correspondante) s'applique également intégralement au récipient 1 ou « récipient décoré ». De préférence, le récipient 1 est destiné à contenir un produit cosmétique liquide, visqueux ou pâteux dans ladite cavité 3, en particulier un produit cosmétique formé par un liquide alcoolique tel qu'un parfum corporel. Deux exemples de réalisation d’un récipient 1 conforme à l’invention, qui constitue ici plus spécifiquement un flacon, une fiole ou une bouteille, sont illustrés en exemple aux figures 4 et 5.
Avantageusement, comme illustré en exemples aux figures 4 et 5, le revêtement décoratif intérieur 19 est un revêtement multicouche comprenant une première couche de revêtement 14 qui définit ledit motif, et une deuxième couche de revêtement 21, qui recouvre à débordement au moins une partie de ladite première couche de revêtement 14. Selon une variante, les première et deuxième couches de revêtement 14, 21 du revêtement décoratif intérieur 19 sont colorées et de couleurs différentes (figures 4 et 5). Selon une autre variante, la première couche de revêtement 14 est incolore, tandis que la deuxième couche de revêtement 21 est colorée. Selon une autre variante, la première couche de revêtement 14 est colorée, tandis que la deuxième couche de revêtement 21 est incolore.
De préférence, le revêtement décoratif intérieur 19 du récipient 1 comprend un matériau solide (ou « matériau sol-gel », hybride ou non) élaboré selon un procédé sol-gel, de préférence à base de silice, et ce au moins dans celle de ses première et deuxième couches de revêtement 14, 21 qui est la plus superficielle. Comme déjà expliqué précédemment en lien avec le procédé de décoration, la présence d’un tel matériau sol-gel confère ainsi au revêtement décoratif intérieur 19 une excellente résistance physico-chimique, en particulier vis-à-vis de produits agressifs, tel qu’en particulier un produit cosmétique formé par un liquide alcoolique. Le revêtement décoratif intérieur 19 peut donc avantageusement être mis en contact direct avec le produit cosmétique, sans risque qu’il ne se désagrège à l’usage.
Une plaque fonctionnalisée selon l’invention comprend donc au sein de sa couche fonctionnelle une teneur en oxygène inférieure à 1 %at, et de préférence inférieure à 0,7 %at, calculée en nombre d’atomes d’oxygène par rapport au nombre d’atomes de carbone au sein de ladite couche fonctionnelle.
La couche fonctionnelle peut également comprendre de l’argon issu de l’assistance ionique (ou un autre gaz noble si un autre gaz que l’argon est utilisé).
La illustre une plaque monopolaire (60) non fonctionnalisée, sur laquelle on peut distinguer les canaux d’acheminement des gaz et d’évacuation de la vapeur d’eau qui ont été mis en forme préalablement au dépôt d’une couche fonctionnelle.
La est un schéma illustrant une vue partielle d’une coupe d’une telle plaque bipolaire (60). Sur ce schéma on voit que l’épaisseur du substrat (Es) est moindre que l’épaisseur (Epb) de la plaque bipolaire (60). En effet, l’épaisseur de la plaque (60) finale dépend de la manière dont celle-ci est mise en forme.
Le procédé selon l’invention permet bel et bien de fonctionnaliser des substrats (S) : - en apportant des valeurs faibles de RCI non seulement avant mais aussi après test de corrosion ; - en apportant une bonne protection contre la corrosion, même sur des durées importantes et des potentiels élevés ; - la couche déposée présentant une bonne qualité structurale, puisqu’elle ne présente pas de défauts du type gouttelettes par exemple ; - le procédé ne nécessitant pas de haute température, ce qui élimine les risques potentiels pour l’adhérence ou la diffusion du matériau déposé ainsi que pour la déformation de la plaque ; - le procédé étant compatible avec différents types de pièces tels que des feuilles, des plaques monopolaires ou bipolaires (éventuellement déjà soudées et assemblées), et constitués de différents matériaux à base d’acier inoxydable, de titane, d’alliage du type Inconel®, c’est-à-dire un alliage à base de nickel, chrome et fer.
Dans le cas de l’utilisation d’une source complémentaire de plasma (40), il est possible de régler le bombardement ionique indépendamment de la source de pulvérisation et ainsi adapter le bombardement d’un traitement à l’autre, et éventuellement au sein d’un empilement.
Par ailleurs, le procédé peut être réalisé différemment des exemples donnés sans sortir du cadre de l’invention, qui est défini par les revendications.
En variante non représentée, le plasma (P) de l’assistance ionique n’est pas généré par micro-ondes. En effet, ce n’est pas la puissance consommée par la source plasma (40) qui est importante mais la quantité d’ions disponible au niveau des substrats (S), d’où l’interprétation du flux d’ions (φi) proposée par le Demandeur. D’autres sources d’ions peuvent donc être utilisées.
La pulvérisation magnétron déséquilibrée à champ fermé est également possible. Ces variantes peuvent nécessiter d’ajuster correctement le déséquilibre des magnétrons et le bouclage des lignes de champs entre cathodes pour arriver à la plage de rapport de flux désirée.
En outre, les caractéristiques techniques des différents modes de réalisation et variantes mentionnés ci-dessus peuvent être, en totalité ou pour certaines d’entre elles, combinées entre elles. Il est par exemple possible de réaliser seulement une sous-couche (SC) à base de carbone, seulement une sous-couche (SC) métallique, ou bien une sous-couche (SC) à base de carbone ainsi qu’une sous-couche (SC) métallique. Ainsi, le procédé et l’installation (1) peuvent être adaptés en termes de coût, de fonctionnalités et de performance.
TRAITEMENT DE PIÈCES MÉTALLIQUES PAR DÉPÔTS SUCCESSIFS DE MATIÈRES DIFFÉRENTES Domaine technique de l’invention L’invention concerne le traitement de pièces métalliques.
Etat de la technique Dans certains domaines techniques, comme par exemple celui des véhicules (éventuellement automobiles), on effectue sur certaines pièces métalliques des traitements destinés à réaliser un dépôt d’une première matière sur une première zone d’une première face. Par exemple et non limitativement, ce dépôt peut se matérialiser sous la forme d’un cordon de soudure.
Parfois, avant de faire l’objet d’un dépôt de première matière, la pièce métallique a préalablement fait l’objet d’un traitement anticorrosion par cataphorèse avec une seconde matière, comme par exemple du zinc. Or, lors du dépôt de la première matière dans une première zone d’une pièce métallique, la première température à laquelle est chauffée cette première zone peut provoquer dans cette dernière un endommagement, voire une suppression, de la seconde matière anticorrosion préalablement déposée lorsque la seconde température de fusion de cette seconde matière anticorrosion est strictement inférieure à la première température de fusion. Par exemple, lorsque la pièce métallique est en acier sa première température de fusion est égale à environ 1500°C, alors que la seconde température de fusion du zinc est égale à environ 420°C.
En présence d’un tel endommagement ou d’une telle suppression, on est contraint d’effectuer des retouches anticorrosion ultérieurement et avec une installation de traitement qui est notablement différente de celle initialement utilisée pour réaliser le traitement anticorrosion initial du fait qu’elle n’a plus à réaliser de nombreuses sous-étapes d’un traitement anticorrosion complet indispensables pour une pièce métallique « brute ». La nécessité d’utiliser deux installations de traitement anticorrosion dans deux postes différents augmente les coûts de fabrication des systèmes comprenant les pièces métalliques traitées, mais aussi augmente le nombre d’opérations devant être supervisées par des techniciens, ce qui augmente encore plus les coûts de fabrication. Par ailleurs, certaines retouches anticorrosion ne peuvent être réalisées qu’une fois les pièces métalliques traitées et conformées (par exemple par découpe et/ou emboutissage), voire assemblées à d’autres pièces métalliques. Or, certaines zones traitées et devant être retouchées peuvent se retrouver placées dans ce que l’homme de l’art appelle des « corps creux » où elles sont inaccessibles à l’installation de retouche anticorrosion.
Présentation de l’invention Elle propose notamment à cet effet un procédé de traitement destiné à traiter une pièce métallique comprenant des première et seconde faces opposées.
illustre, de façon schématique, un diagramme d’étapes d’un mode de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
illustre, de façon schématique, un diagramme d’étapes d’un mode de mise en œuvre différent du procédé selon l’invention.
La illustre un calculateur de gestion 1 d’une batterie haute tension 2 d’un véhicule 3 selon un aspect non limitatif de l’invention. Le calculateur de gestion 1 peut être formé par un calculateur de type BMS (pour « Battery Management System » en anglais).
Ce calculateur de gestion 1 comporte notamment un circuit imprimé 4. Le circuit imprimé 4 peut être formé par une carte de type PCB (pour printed circuit board en anglais). Ce circuit imprimé 4 est le support de l’électronique et de l’intelligence du calculateur de gestion 1 de la batterie haute tension 2.
Le calculateur de gestion 1 comporte en outre un dispositif de mesure 5 d’une température du circuit imprimé 4. Ce dispositif de mesure 5 peut être formé par un capteur de température.
Le calculateur de gestion 1 est agencé pour communiquer avec un superviseur 6, par exemple de type eVCU (pour Electric Vehicle Control Unit en anglais). Ce calculateur de gestion 1 est en outre agencé pour communiquer avec d’autres calculateurs (non illustrés) du véhicule 3.
La batterie haute tension 2 est également connectée à une machine électrique de traction 7. Ainsi, la batterie haute tension 2 est en mesure de fournir une puissance électrique à la machine électrique de traction 7 et de recevoir une puissance électrique en provenance de la machine électrique de traction 7, par exemple lors d’un freinage récupératif.
Le calculateur de gestion 1 est notamment agencé pour mettre en œuvre les étapes du procédé selon l’invention décrit ci-après à l’appui des figures 2 et 3.
La montre un diagramme d’étapes d’un mode de mise en œuvre du procédé 100 selon l’invention. Les étapes du procédé 100 sont exécutées par un calculateur de gestion d’une batterie haute tension d’un véhicule, tel que par exemple le calculateur de gestion 1 représenté à la .
Le procédé 100 comporte une étape de mesurer 101 une température du circuit imprimé 4. La mesure de température peut être faite au moyen d’un capteur de température 5.
Si la température mesurée du circuit imprimé 4 dépasse à la hausse un premier seuil de température positive sur une première période de temps prédéterminée, le procédé 100 comporte les étapes de : transmettre 102 une information d’anomalie au superviseur 6 du véhicule 3 ; limiter 103 la performance de la batterie haute tension 2.
Dans une mise en œuvre non limitative, l’étape de limiter 103 la performance de la batterie haute tension 2 comporte les sous étapes de : limiter 103a une puissance électrique fournit par la batterie haute tension 2 à la machine électrique de traction 7 du véhicule 3, la puissance électrique fournit par la batterie haute tension 2 à la machine électrique de traction 7 étant limitée à une puissance machine prédéterminée ; limiter 103b une puissance électrique fournit à la batterie haute tension 2 lors d’un freinage récupératif, la puissance électrique fournit à la batterie haute tension 2 lors d’un freinage récupératif étant limitée à une puissance batterie prédéterminée ; limiter 103c un courant de charge de la batterie haute tension 2, le courant de charge de la batterie haute tension 2 étant limité à un courant de charge prédéterminé.
Selon un aspect non limitatif, le premier seuil de température positive est de 100°C et la première période de temps prédéterminée est de 2 secondes.
Selon un mode de réalisation non limitatif, la puissance machine prédéterminée est de 8,5KW. Cette limitation peut s’effectuer de façon linéaire sur une période de temps prédéterminée, par exemple 1 minute.
Selon un mode de réalisation non limitatif, la puissance batterie prédéterminée est de 8,5KW. Cette limitation peut s’effectuer de façon linéaire sur une période de temps prédéterminée, par exemple 1 minute.
Selon un mode de réalisation non limitatif, le courant de charge prédéterminé est de 50% d’un courant de charge autorisé. Cette limitation peut s’effectuer sur une période de temps prédéterminée, par exemple 1 minute.
Un sixième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif DI semiconducteur selon l’invention. Ce procédé est illustré aux à sur lesquelles l’illustration de gauche est une vue de dessus et l’illustration de droite est une vue en coupe selon la droite en pointillé figurant sur l’illustration de gauche.
Le procédé de fabrication selon l’invention est mis en œuvre à l’aide d’un substrat comprenant un empilement semi-conducteur.
Dans un mode de réalisation illustré à la , le substrat est un substrat de type SOI et l’empilement semi-conducteur comprend une première couche d’un matériau semi-conducteur SI1 et une couche d’oxyde enterrée BOX disposé sous la première couche de matériau semi-conducteur SI1 (en silicium).
Cependant, l’empilement semi-conducteur (voire le substrat) peut également être de type Si bulk ou comprendre une hétérostructure de semiconducteurs (par exemple Si/SiGe, GaAs/AlGaAs, Ge/SiGe).
Autrement dit, l’empilement semi-conducteur est choisi de sorte à obtenir un confinement des particules chargées PC selon l’axe perpendiculaire à la surface du substrat. Ce confinement est réalisé dans la couche de silicium SI1 à l’aide de la couche d’oxyde enterrée BOX dans le cas d’un substrat de type SOI et par de l’ingénierie de bande bien connu de la personne du domaine dans le cas d’un empilement semi-conducteur comprenant une hétérostructure (par exemple dans la couche de silicium pour une hétérostructure Si/SiGe). Dans la suite, l’invention sera illustrée dans le cas d’un empilement semi-conducteur relatif à un substrat de type SOI, mais les enseignements décrits plus loin sont aisément transférables à un empilement semi-conducteur comprenant une hétérostructure.
Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de la couche d’oxyde enterrée BOX est comprise entre 20 nm et 200nm, de préférence égale à 145 nm. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de la première couche de silicium est comprise entre 10 nm et 20 nm, de préférence égale à 16 nm.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de dépôt (non illustrée) d’une première couche d’oxyde de silicium sur l’empilement semi-conducteur, c’est-à-dire, dans l’exemple choisi, sur la première couche de matériau semi-conducteur SI1 du substrat, la troisième couche d’oxyde de silicium ayant une épaisseur inférieure à 10 nm, de préférence inférieure à 5 nm, voire inférieure à 2.5 nm. Cette étape est optionnelle, mais elle permet d’éviter le contact direct entre la première couche de matériau semi-conducteur SI1 du substrat et la résine RE utilisée pour l’étape de lithographie à suivre. Dans la suite des illustrations, on se placera dans le cas où une telle étape n’a pas été mise en œuvre.
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape de lithographie de sorte à définir, à l’aide d’une résine RE, un motif associé à une zone active ZA sur l’empilement semi-conducteur, c’est-à-dire, dans l’exemple choisi, sur la première couche de matériau semi-conducteur SI1 du substrat et sur la première couche d’oxyde de silicium lorsqu’une telle couche a été déposée au préalable. Cette zone active ZA viendra constituer la zone active du dispositif DI semi-conducteur selon l’invention. Cette dernière ZA peut donc adopter les différentes géométries qui ont été introduites lors de la description du dispositif DI selon un premier aspect de l’invention.
Dans un mode de réalisation, le motif comprend, au niveau de la zone active ZA, des structures permettant, lors de la gravure à suivre, de réaliser des ouvertures au sein de la zone active ZA. Dans un mode de réalisation, ces structures ont une taille caractéristique comprise entre 40 nm et 60nm, le pas desdites structures étant quant à lui compris entre 80 nm à 120nm.
Le procédé 400 comprend ensuite une étape de gravure de l’empilement semi-conducteur selon le motif associé à la zone active ZA définie lors de l’étape de lithographie précédente. Dans un mode de réalisation, lorsque l’empilement semi-conducteur comprend une couche d’oxyde enterré, la gravure est arrêtée au niveau de la couche d’oxyde enterré BOX du substrat. Le résultat obtenu après retrait de la résine RE est illustré à la .
Dans un mode de réalisation alternatif, les structures au niveau de la zone active ZA sont réalisées à l’aide des étapes suivantes.
Comme illustré à la , la réalisation des structures comprend une étape de dépôt d’un masque dur sur la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, le masque dur comprenant une première couche MD1 de masque dur (par exemple du nitrure de silicium) et une deuxième couche MD2 de masque dur (par exemple de l’oxyde de silicium) disposée sur la première couche MD1 de masque dur.
Comme illustré à la , la réalisation des structures comprend ensuite une étape de lithographie de sorte à définir, à l’aide d’une résine RE, un motif formant une pluralité de lignes parallèles entre elles.
La réalisation des structures comprend ensuite une étape de gravure selon le motif associé à la pluralité de lignes définie lors de l’étape de lithographie précédente, la gravure étant effectuée sur toute l’épaisseur de la deuxième couche MD2 de masque dur de sorte à exposer une partie de la première couche MD1 de masque dur. La structure obtenue après retrait de la résine RE est illustrée à la .
Comme illustré à la , la réalisation des structures comprend également une étape de lithographie de sorte à définir, à l’aide d’une résine RE, un motif formant une pluralité de colonnes parallèles entre elles, les colonnes de la pluralité de colonnes croisant, de préférence de manière perpendiculaire, les lignes de la pluralité de lignes. Comme illustré à la , une portion de la partie exposée de la première couche MD1 de masque dur reste exposée à l’issue de cette étape. Cette portion prend la forme d’une matrice de carrés, chaque carré étant situé au croisement d’une ligne et d’une colonne des motifs précédemment introduits.