INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, ces éléments de literie non suffisamment rigides peuvent se déplacer à l’intérieur de la housse, ce qui fait qu’il faut plus ou moins recommencer la mise en place de l’élément de literie régulièrement.
De plus, les changements de housse de couette actuels sont laborieux et physiques pour tout un chacun. Ils le sont d'autant plus pour les personnes souffrant de problèmes de mobilité comme les personnes âgées et les personnes présentant un handicap ponctuel ou chronique.
Ainsi, un premier objectif de l’invention est de proposer une solution rapide, simple et facile, de mise en place et de retrait d’éléments de literie amples pouvant être non suffisamment rigides.
Un deuxième objectif est de proposer un moyen pour limiter les déplacements de ces éléments de literie à l’intérieur de leurs housses.
Un troisième objectif est de proposer un produit qui apporte des solutions de simplicité de changement de housse de couette au grand public et à des personnes souffrant de problèmes de mobilité.
Pour atteindre ces objectifs, l’invention propose un dispositif de housse de literie, comprenant - un flanc supérieur configuré pour recouvrir une face supérieure d’un élément de literie ; - un flanc inférieur configuré pour recouvrir une face inférieure dudit élément de literie ; - un dispositif de fermeture de bords comprenant une bande supérieure s’étendant sur un élément de contour du flanc supérieur et une bande inférieure s’étendant sur un élément de contour du flanc inférieur, caractérisé en ce que le dispositif de fermeture de bords est configuré pour refermer le dispositif de housse de literie, sur l’élément de literie.
Avantageusement, le dispositif selon l’invention permet de mettre en place l’élément de literie ample de manière simple et rapide en ouvrant la fermeture en disposant l’élément de literie et en refermant la fermeture. Cela permet de mettre des housses de couette ou les retirer de manière rapide, simple et facile.
Selon un premier mode de réalisation, au moins un desdits flancs comporte des structures mâles et/ou femelles de fermeture configurées pour coopérer avec des structures femelles et/ou mâles de fermeture correspondantes de l’élément de literie de sorte à fixer certains points du dispositif de housse de literie à certains points de l’élément de literie.
Dans ce mode de réalisation, R 4 et R 5 sont avantageusement définis comme suit :
Dans un mode de réalisation, la tête d’accroche est un composé de formule (Ia):
(Ia) ;
W est tel que défini ci-dessus.
Dans un mode de réalisation préféré, la tête d’accroche est un composé de formule (Ib) ou (Ib’) :
(Ib) ;
(Ib’).
Dans un mode de réalisation préféré, la partie constituée par l’espaceur et le bras de liaison est représentée par l’une des formules (III) ou (IV) :
En outre, les terpènes majoritairement présents dans l’espèce Cannabis sativa ne sont pas retrouvés dans l’espèce Crocus sativus , en particulier le myrcène n’est pas présent dans l’extrait de Crocus sativus , présent dans la composition selon l’invention.
Les derniers métabolites d’intérêt présents dans Cannabis sativa sont les polyphénols. Le chanvre comporte une vingtaine de flavonoïdes différents, dont certains lui sont spécifiques comme les cannflavines A et B (connus pour leurs propriétés anti-inflammatoires). On peut également retrouver des quercétines, du kaempférol, des catéchines, ou encore de la lutéoline connus pour leurs propriétés nootropiques. Les polyphénols présents dans Cannabis sativa contribuent également, avec les cannabinoïdes et les terpènes, à l’effet d’entourage.
Pour obtenir la composition selon l’invention, l’extrait de Crocus sativus est mélangé avec l’extrait de Cannabis sativa et éventuellement au moins un excipient ou l’extrait est issu d’un mélange de Crocus sativus et de Cannabis sativa et éventuellement au moins un excipient.
Selon un objet particulièrement d’intérêt et préféré, le ratio safranal/cannabidiol dans la composition est compris entre 0,03/1000 et 0,03, préférentiellement entre 0,03/100 et 0,03, plus préférentiellement celui-ci est compris entre 0,03/25 et 0,03. Un tel ratio permet d’améliorer encore plus les effets synergiques observés entre l’extrait de Crocus sativus comprenant au moins 0,2% de safranal, mesuré par HPLC et l’extrait de Cannabis sativa. En particulier, il permet d’obtenir un effet d’entourage amélioré ce qui, permet de réduire très significativement la dose de CBD et/ ou la dose d’extrait de Crocus sativus , en particulier de safranal, par rapport aux doses nécessaires lorsque le CBD ou l’extrait de Crocus sativus est administré seul. Plus préférentiellement, la composition selon l’invention présente un ratio safranal/myrcène supérieur à 0,03 préférentiellement supérieur à 0,1, plus préférentiellement supérieur à 1.
La composition selon l’invention peut être préparée par la mise en œuvre des étapes suivantes : préparation de l’extrait de Crocus sativus tel que décrit précédemment, préparation de l’extrait de Cannabis sativ a tel que décrit précédemment, mélange des deux extraits, ajout d’un agent antioxydant éventuellement, une étape d’encapsulation des deux principes actifs et de l’agent antioxydant.
Selon une variante, la composition selon l’invention peut être préparée par la mise en œuvre des étapes suivantes : préparation de l’extrait de Crocus sativus et de Cannabis sativa de façon simultanée, ajout d’un agent antioxydant, éventuellement, une étape d’encapsulation dudit extrait et de l’antioxydant.
La composition selon l’invention peut également comprendre un agent antioxydant (ou antioxydant) et/ou chélatant choisi parmi les substances suivantes : acide ascorbique E300, α-tocophérol (vitamine E E306), E309, extrait de romarin E392, extrait de crocus sativus (et plus particulièrement de pétales) contenant des flavonols, et plus particulièrement des kaempférols, BHA E320, BHT E321, E330 et de l’acide citrique ou l’EDTA ou des protéines en tant qu’agent chélateurs. Les protéines sont préférentiellement choisies parmi des extraits protéiques de son de riz, de germe de blé hydrolysé, de son d’orge, de son d’avoine, hydrolysat de protéine de soja tel que décrit par Mallory E Walters et al. 2018 « Potential of Food Hydrolyzed Proteins and Peptides to Chelate Iron or Calcium and Enhance their Absorption ». L’agent antioxydant et/ou le chélatant permet ainsi de stabiliser et conserver dans le temps le safranal, les crocines, le CBD, les terpènes et les polyphénols présents dans la composition afin de maintenir dans le temps les effets biologiques associés, y compris les effets synergiques en combinaison.
Préférentiellement, l’antioxydant est présent dans la composition selon l’invention de façon à ce que le ratio d’antioxydant sur safranal soit de 1/100 à 10/1, en poids de matière sèche de safranal, mesuré par analyse HPLC.
L’antioxydant et/ou le chélatant représente préférentiellement 0,01g/100g de crocines à 25g/100g en poids de matière sèche de crocines, mesuré par méthode HPLC.
A titre d’exemple, la vitamine antioxydante peut être la vitamine C et/ou la vitamine E.
A titre d’exemple, les polyphénols issus de l’extrait de Crocus sativus et/ou de Cannabis sativa peuvent être des flavonoïdes tels que les cannflavines A et B, la quercétine, le kaempférol, les catéchines et/ou la lutéonine.
La composition selon l’invention peut se présenter sous une forme sèche, liquide ou gel.
Préférentiellement, la composition selon l’invention se présente sous forme de liquide, de liquide huileux, de liquide pour cigarette électronique, de poudre, de capsule molle, de gélule, de comprimé, de stick, de sachet, de « gummies » (gommes à mâcher), de crème, de lotion, d’huile, de gel, de patch transdermique, de plat préparé, de boisson.
La composition selon l’invention peut éventuellement comprendre d’autres composants adaptés connus, tels que des excipients, sélectionnés en fonction de la forme et de l’utilisation envisagée de la composition.
Selon un objet préféré, la composition comprend au moins 15mg d’extrait de Crocus sativus et au moins 3 mg de CBD. Préférentiellement, ladite composition est administrée par jour ou par prise à un être humain.
Ladite composition peut être administrée par exemple en une ou deux prises.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un exemple de pixel 100 d’un capteur d’images. La est une vue en coupe, schématique et partielle, du pixel 100 selon le plan AA de la .
Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte une zone photosensible 102, ou zone de photoconversion. La zone photosensible 102 est par exemple destinée à collecter des photons, lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le pixel 100, et à convertir ces photons en paires électron-trou. Vue de dessus, la zone photosensible 102 est située au centre du pixel 100 et présente un pourtour de forme sensiblement carrée.
La zone photosensible 102 est par exemple formée dans un substrat 104. À titre d’exemple, le substrat 104 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, par exemple en silicium faiblement dopé de type P (P – ). Le substrat 104 présente par exemple, dans une région où est formée la zone photosensible 102, un taux de dopage compris entre 1 x 10 10 et 1 x 10 1 7 at./cm 3 . À titre d’exemple, le substrat 104 présente une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm.
La zone photosensible 102 est par exemple destinée à être illuminée depuis une face inférieure 104B du substrat 104. Bien que cela n’ait pas été illustré en , la face inférieure 104B du substrat 104 peut dans ce cas être revêtue d'une ou de plusieurs couches de passivation. Du côté de la face inférieure 104B du substrat 104, le pixel 100 peut en outre comporter des éléments optiques tels qu’un filtre, par exemple un filtre couleur, et/ou une microlentille.
Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte une tranchée d’isolation périphérique 106, par exemple une tranchée d’isolation capacitive, délimitant latéralement la zone photosensible 102. Vue de dessus, la tranchée d’isolation périphérique 106 entoure entièrement la zone photosensible 102 et présente par exemple un contour de forme sensiblement carrée. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte quatre parties 106T, 106L, 106B et 106R. Les parties 106T et 106B sont parallèles entre elles et orthogonales aux parties 106L et 106R, la partie 106R étant parallèle à la partie 106L.
La tranchée d’isolation périphérique 106 permet notamment d’isoler électriquement la zone photosensible 102 du pixel 100 par rapport aux zones photosensibles des pixels voisins, non représentés en figures 1 et 2. La tranchée d’isolation périphérique 106 est par exemple formée dans le substrat 104. Dans l’orientation de la , la tranchée d’isolation périphérique 106 s’étend par exemple verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis une face supérieure 104T du substrat 104, jusqu’à la face inférieure 104B du substrat 104. En d’autres termes, la tranchée d’isolation périphérique 106 s’étend verticalement, dans cet exemple, sur toute l’épaisseur du substrat 104 et débouche du côté de la face inférieure 104B.
Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 présente des parois latérales internes 106I, situées du côté du centre du pixel 100, et des parois latérales externes 106O, opposées aux parois latérales internes 106I. Les parois latérales externes 106O de la tranchée d’isolation périphérique 106 délimitent par exemple un pourtour externe du pixel 100.
La tranchée d’isolation périphérique 106 présente par exemple une largeur D1 comprise entre 20 et 300 nm, et une profondeur comprise entre 1 et 20 µm. Dans l’exemple illustré en , la tranchée d’isolation périphérique 106 présente une profondeur égale à l’épaisseur du substrat 104.
Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte une région électriquement conductrice 106C. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice 106C est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique.
La tranchée d’isolation périphérique 106 comporte en outre, dans cet exemple, une couche électriquement isolante 106S revêtant les parois latérales de la région électriquement conductrice 106C. La couche électriquement isolante 106S isole électriquement la région électriquement conductrice 106C par rapport au substrat 104. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante 106S est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium.
Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre une grille de transfert verticale TG formée dans le substrat semiconducteur 104. La grille de transfert verticale TG est par exemple située, en vue de dessus, dans une partie centrale du pixel 100, à l’intérieur de la partie du substrat 104 délimitée par la tranchée d’isolation périphérique 106.
La grille de transfert verticale TG comporte par exemple une tranchée d’isolation 108 s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure 104T, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d’isolation périphérique 106. La tranchée d’isolation 108 s’interrompt dans l’épaisseur du substrat 104 et ne débouche pas du côté de la face inférieure 104B du substrat 104. À titre d’exemple, la tranchée d’isolation 108 présente une profondeur comprise entre 0,2 et 1,5 µm.
La tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG présente, en vue de dessus, une forme annulaire. La tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG présente par exemple, vue de dessus, un contour de forme sensiblement carrée. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation 108 présente plus précisément quatre parties 108T, 108L, 108B et 108R. Les parties 108T et 108B sont parallèles entre elles et orthogonales aux parties 108L et 108R, la partie 108R étant parallèle à la partie 108L. En outre, dans cet exemple, les parties 108T, 108L, 108B et 108R de la tranchée 108 sont parallèles respectivement aux parties 106T, 106L, 106B et 106R de la tranchée 106.
Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation 108 présente des parois latérales internes 108I, situées du côté du centre du pixel 100, et des parois latérales externes 108O, opposées aux parois latérales internes 108I et situées en regard des parois latérales internes 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’exemple illustré en figures 1 et 2, les parois latérales externes 108O et internes 108I de la tranchée d’isolation 108 correspondent respectivement aux parois latérales externes et internes de la grille de transfert verticale TG.
La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un réacteur 30 de dépôt en couche mince et du dispositif optoélectronique 1 en cours de fabrication, selon le deuxième mode de réalisation. La illustre, de manière schématique, le substrat 20 et une diode filaire 10 au cours de l’étape de réalisation de la couche mince conductrice 23 dans le réacteur de la .
Le réacteur 30 est ici également un réacteur de dépôt physique en phase vapeur directif, par exemple de type à évaporation ou à pulvérisation IBS, entre autres. Il comporte une enceinte étanche 31 dans laquelle est situé un creuset 32 (ou une cible 32 dans le cas du dépôt IBS) recevant l’échantillon 33 du matériau conducteur à déposer. Il comporte également un porte-substrat 40 adapté à assurer le mouvement de rotation de l’axe principal A s autour de l’axe fixe A f ainsi que le mouvement d’oscillation angulaire de l’axe principal A s .
Dans cet exemple, le dispositif mécanique du porte-substrat 40 comporte un même moteur 42 situé ici dans l’enceinte 31, assurant ces deux mouvements. Bien entendu, d’autres agencements sont possibles.
Un exemple de procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1, ici selon le premier mode de réalisation, est maintenant décrit en référence aux figures 5A à 5E. Les matériaux des différentes couches sont donnés ici à titre illustratif et d’autres matériaux peuvent être utilisés.
En référence à la , on dépose une couche de nucléation 21 sur la face avant du substrat 20 en silicium, puis une couche diélectrique 22 (masque de croissance) en SiN comportant des ouvertures traversantes et débouchant sur la couche de nucléation 21. On réalise ensuite les diodes filaires 10 à base de GaN à partir de la couche de nucléation 21, par croissance épitaxiale au travers des ouvertures traversantes. Les diodes filaires 10 présentent ici une hauteur moyenne h comprise entre 800nm et 1200nm environ, et un espacement relatif moyen d compris entre 80nm et 120nm environ. On en déduit alors une valeur seuil α th de l’angle d’inclinaison α comprise entre 4° et 6°, soit ici de l’ordre de 5° environ.
En référence à la , on réalise la couche mince conductrice 23 de sorte qu’elle s’étende de manière continue et conforme sur le substrat 20 (ici sur la couche diélectrique 22). Elle est réalisée en un matériau électriquement conducteur, par exemple ici en aluminium. Le dépôt est effectué par dépôt physique en phase vapeur directif, par exemple par évaporation ou par pulvérisation IBS, suivant une direction principale de dépôt D d . Dans cet exemple, le support (non représenté) et donc le substrat 20 présentent un mouvement de rotation autour de l’axe principal A s à une fréquence de rotation f r égale à 10 rpm environ, ainsi qu’un mouvement d’oscillation angulaire autour de l’axe fixe A f parallèle à la direction principale de dépôt D d à une fréquence d’oscillation angulaire f o de l’ordre de 0.25 Hz environ, et d’une amplitude allant entre -5° et +5° environ.
En référence à la , on dépose ensuite un masque de gravure 26 (résine) sur la structure obtenue, par exemple par enduction centrifuge ( spin coating en anglais) suivi d’un amincissement au plasma O2, de sorte qu’il présente une épaisseur uniforme suivant l’axe Z, et ne recouvre qu’une partie inférieure des diodes filaires 10. Aussi, le masque de gravure 26 recouvre la partie de la couche mince conductrice 23 qui s’étend sur le substrat 20 et une partie qui s’étend au contact de la partie inférieure des diodes filaires 10. Il garde libre une partie de la couche mince conductrice 23 qui s’étend sur une partie supérieure des diodes filaires 10 (qui comporte la zone active 12 et la deuxième portion dopée 13).
En référence à la , on grave de manière sélective (gravure chimique humide, par exemple grâce à une solution commerciale appelée Aluminium Etch , à température ambiante) la partie libre de la couche mince conductrice 23, à savoir ici celle qui recouvre la partie supérieure des diodes filaires 10. La surface correspondante des diodes filaires 10 est alors rendue libre.
En référence à la , on supprime le masque de gravure 26, par exemple en utilisant un bain de solvant comme l'acétone. On obtient alors une couche mince conductrice 23 qui s’étend de manière conforme et continue sur le substrat 20 (dans le plan XY) et sur une partie inférieure des diodes filaires 10 (suivant l’axe Z). La partie de la couche mince conductrice 23 s’étend sur les diodes filaires 10 sur une hauteur h ei supérieure à l’épaisseur e ei de la couche reposant sur le substrat 20. On peut ensuite continuer le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique, par exemple en déposant une couche d’encapsulation puis une couche mince conductrice formant une électrode supérieure. Des plots de reprise de contact peuvent ensuite être déposés au contact de la couche mince conductrice inférieure (électrode inférieure) et de la couche mince conductrice supérieure (électrode supérieure) pour permettre la polarisation électrique des diodes filaires.
Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier.
Procédé de diagnostic d’une batterie et procédé de contrôle associé La présente invention concerne le domaine des systèmes de contrôle de batteries (ou BMS pour « Battery Management System » en anglais). Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la gestion de cellules, modules ou pack de stockage électrochimique de l’énergie.
ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le cadre de la présente invention, le terme « batterie » désigne un dispositif fermé de stockage électrochimique de l’énergie. En référence à la annexée, un tel dispositif 11 peut comprendre une ou plusieurs cellules 111, voire un ou plusieurs modules 112, et constitué le cas échéant un pack 113. Le terme « batterie » couvre donc une unique cellule 111, un ensemble de cellules 111 et/ou de modules 112, quels que soient leur nombre ou leur(s) arrangement(s) électrique(s) (avec selon les cas éventuellement une mise en série et/ou parallèle de cellules/modules). En outre, ce terme inclut aussi bien un dispositif rechargeable (accumulateur ou « secondary battery » en anglais) qu’un dispositif non rechargeable (pile ou « primary battery » en anglais).
De manière usuelle, les applications utilisant une batterie font appel à un système de contrôle/gestion de cette batterie. Les indicateurs classiquement disponibles pour assurer la gestion de la batterie sont les valeurs mesurées de tension, de courant, et éventuellement de température, au niveau de chaque cellule, et/ou au niveau de chaque module, et/ou au niveau du pack suivant les arrangements (nombre, montage(s) en série et/ou en parallèle, etc.) de la batterie. Ces indicateurs sont le plus souvent utilisés dans des modèles implémentés par le système de contrôle et permettant d’estimer l’état de la batterie (état de charge, état de santé par exemple) pour aider à la prise de décisions quant à sa gestion subséquente. On appellera par la suite procédé de diagnostic les étapes permettant la définition et le calibrage d’un tel modèle.
L’architecture d’un drone aérien 1 (comprenant au moins un moteur 12 et au moins une hélice 13) embarquant un système de contrôle 10 d’une batterie 11 est par exemple telle qu’illustrée schématiquement sur la annexée. Une alimentation électrique externe 2 est utilisée pour recharger la batterie 11.
Les solutions de contrôle/diagnostic existantes présentent au moins l’un des inconvénients suivants : Elles requièrent la réalisation de nombreuses expériences préalablement à leur utilisation effective, Elles nécessitent de stocker et traiter un grand nombre de données, Elles nécessitent un temps d‘analyse long, Elles ne permettent pas d’identifier des déséquilibres (ou hétérogénéités) entre cellules et/ou modules, Elles sont d’autant moins performantes que les cellules ou les modules à gérer sont vieillissants, et Elles conduisent, par leur manque de performance, à surdimensionner les installations qu’elles gèrent, en particulier quand ces installations sont destinées à être utilisées pour fournir, par périodes, de fortes puissances.
Un objet de la présente invention est donc de proposer un procédé de contrôle d’une batterie qui permette de palier au moins un des inconvénients susmentionnés.
Le brevet américain 10,351,715, divulgue des polycarboxylates métalliques inhibiteurs de corrosion, dont un ou plusieurs peuvent être incorporés par mélange dans la pâte divulguée ici.
Les inhibiteurs résistants à la corrosion consistent essentiellement en des combinaisons synergiques de : au moins un polycarboxylate métallique dérivé d'une réaction stoechiométrique de composés métalliques et d'acides polycarboxyliques pour obtenir des sels métalliques polycarboxyliques ; et au moins un polycarboxylate métallique dérivé d'une réaction stoechiométrique de composés métalliques et d'acides polycarboxyliques pour obtenir des sels métalliques polycarboxyliques, où soit le métal, soit l'acide polycarboxylique dans au moins l’une des combinaisons de sels métalliques polycarboxyliques est différent de l'autre combinaison de sels métalliques polycarboxyliques.