INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
NOMENCLATURE EN REFERENCE AUX FIGURES 1 : frein à disque à étrier flottant 2 : étrier 3 : chape 4 : étrier flottant 5 : élément de couverture 6 : actionneur 5a : plaque de couverture 5b : couvercle 7 : patin de frein 11 : piston 14 : ressort de rappel de patin 18 : colonnette de guidage 20 : corps d’étrier 21 : cylindre de logement du piston 22 : nez d’étrier 24 : doigt latéral 28 : oreillette de fixation des colonnettes de guidage 30 : bâti 32 : bras 33 : orifice de guidage des colonnettes de guidage 34 : protubérance de fixation 36 : première barre de support de la chape 38 : deuxième barre de support de la chape 50 : moyen de fixation 51 : marquage visuel 52 : première attache latérale 53 : deuxième attache latérale 54 : attache inférieure 56 : branche verticale supérieure 58 : branche verticale inférieure 59 : évidement de logement de la barre de support 61 : branche latérale interne 62 : embase 63 : branche latérale externe 64 : paroi de fond de l’embase 65 : évidement de logement de la protubérance 70 : support de patin de frein 71 : garniture de freinage 72 : oreille de patin 80 : portion centrale 81 : paroi de fond 82 : portion latérale 83 : paroi de raccordement 84 : paroi latérale extérieure 100 : procédé de fabrication 101, 103 : fabrication de l’étrier et de la chape 105 : fabrication de l’élément de couverture 107 : fixation de l’élément de couverture à la chape A-A : direction axiale T-T : direction tangentielle ou latérale V-V : direction verticale ou de la hauteur L : largeur de la plaque de couverture h : hauteur de la plaque de couverture L2 : largeur du couvercle L2 : largeur de la portion latérale h2 : hauteur du couvercle S1 : surface axiale avant de l’étrier S2 : surface axiale arrière de raccordement de l’étrier à l’actionneur électromécanique S3 : surface axiale avant de la plaque de couverture S4 : surface axiale arrière de la plaque de couverture S5 : surface avant du couvercle S6 : surface arrière du couvercle
DISPOSITIF DE FREINAGE A RECUPERATION DE PARTICULES MAGNETIQUES AU FREINAGE A MAINTENANCE SIMPLIFIEE La présente invention concerne un système de freinage de véhicule adapté pour collecter des particules magnétiques émises lors d’un freinage.
La présente invention concerne plus particulièrement un tel système de freinage qui comporte un disque de frein à deux faces de friction et un étrier comportant une plaquette interne de freinage qui comporte une plaque de support et une couche de friction positionnée en regard d’une première desdites deux faces de friction du disque de frein, ledit étirer comportant un piston dans lequel est formé un réservoir extérieur ouvert en direction de la plaque de support, ledit piston comportant un aimant qui est adapté pour attirer dans ledit réservoir extérieur au moins une partie desdites particules magnétiques émises lors d’un freinage.
Un dispositif connu de récupération des particules émises par un tel système de freinage, présenté notamment par le document EP-A1-2309146 utilise des perçages réalisés sur les garnitures de freins.
Ces perçages traversent les garnitures pour conduire les particules émises entre le matériau de friction et une face du disque à une cavité arrière contenant un aimant.
Les particules des matériaux de friction contenant des éléments métalliques et les particules métalliques des disques, sont attirées par l’aimant disposé à plat au fond de la cavité, parallèlement à la garniture, afin de s’accumuler dans cette cavité formant un réservoir pour éviter une dispersion dans l’air.
Lors d’un entretien du véhicule, on dépose le réservoir pour vider les particules.
Toutefois, l’aimant disposé à plat au fond du réservoir, se couvre progressivement de particules, diminuant progressivement son efficacité et sa faible accessibilité rend l’entretien difficile, faisant que souvent un remplacement complet du réservoir est réalisé pour remettre en état le système de freinage lors des révisions du véhicule, ce qui augmente le prix de l’entretien du véhicule.
La machine électrique tournante 2 est reliée électriquement à un onduleur ou convertisseur de tension par l’intermédiaire du dispositif de connexion 17.
L’ensemble de connexion 1 est fixé sur le support 4. L’ensemble de connexion 1 et le support 4 forment le dispositif de connexion 17 qui est fixé sur une paroi d’une boîte de vitesses, par exemple. La boîte de vitesses peut être un réducteur (avec un rapport de réduction unique), par exemple.
La machine électrique tournante 2, le dispositif de connexion 17 et l’onduleur forment l’ensemble électrique 37 faisant parti d’un ensemble de propulsion d’un véhicule.
Le support 4 comprend des bornes de connexion 38 reliées électriquement d’une part à l’ensemble de bobines 40 de la machine électrique tournante 2 par des câbles électriques 44 et d’autre part à l’onduleur.
La rotation du rotor résulte de l'interaction entre un champ magnétique tournant créé par les bobines du stator et un champ magnétique créé par les aimants du rotor. Le champ magnétique tournant du stator est obtenu en commandant l'alimentation électrique des différentes bobines du stator selon une séquence temporelle définie en fonction de la position relative des pôles du rotor par rapport à ces bobines.
Le pilotage de la machine électrique tournante 2 requiert la connaissance de la position angulaire relative du rotor par rapport au stator. Pour cela, la machine électrique tournante 2 comprend un dispositif de mesure 41 de la position angulaire du rotor permettant de mesurer la position du rotor par rapport au stator. Le dispositif de mesure 41 comprend, par exemple, plusieurs capteurs de flux magnétique propres à mesurer le flux magnétique résultant d’une cible magnétique fixée sur le rotor.
Dans un autre mode de réalisation non représenté de l’invention, le dispositif de mesure comprend un résolveur ("resolver" en anglais).
La machine électrique tournante 2 comprend également un capteur de température 42 pour contrôler la température de la machine électrique tournante 2.
Le dispositif de mesure 41 de la position angulaire du rotor et le capteur de température sont électriquement reliés à un premier connecteur 3 par des fils électriques 43.
Comme illustré sur la , le support 4 comprend un orifice 16 dans lequel est inséré le premier connecteur 3. Le premier connecteur 3 est fixé au support 4 par clipsage.
Le premier connecteur 3 comporte un corps de connecteur 22 comprenant une portion de connexion 20 logeant des éléments de connexion 21 telles des broches de connexion.
La portion de connexion 20 présente, par exemple, une forme générale parallélépipédique et comprend deux premières parois latérales 6 opposées.
Le premier connecteur 3 est clipsé sur le support 4 par deux languettes 5 flexibles s’étendant le long des deux premières parois latérales 6 respectives.
Chaque languette 5 est reliée au corps de connecteur 22 par un élément de liaison 23 de façon à former un espace 13 entre chaque première paroi latérale 6 et chaque languette 5. La languette 5 s’étend de l’élément de liaison 23 vers une extrémité de connexion 24 du premier connecteur 3.
Chaque languette 5 comprend une première face 25 qui est en regard d’une paroi 27 du support 4 et une deuxième face 26 opposée longeant l’une des premières parois latérales 6 du premier connecteur 3.
L’extrémité 7 de chaque languette 5 est pourvue d’un moyen de maintien ou butée 8 s’étendant perpendiculairement par rapport à la languette 5 et vers l’extérieur du premier connecteur 3. La butée 8 est adaptée pour venir en butée contre une surface d’appui 9 du support 4 afin d’empêcher le déplacement du premier connecteur 3 par rapport au support 4 suivant une direction axiale A.
Selon un mode de réalisation, ledit circuit d'alimentation est relié à au moins une deuxième source de tension d'alimentation du dispositif électronique.
Selon un mode de réalisation, ladite au moins une deuxième source de tension d'alimentation est une batterie.
Selon un mode de réalisation, le circuit d'alimentation de ladite carte ou dudit élément sécurisé, une deuxième tension d'alimentation de ladite deuxième source de tension est fournie à ladite carte ou audit élément sécurisé par l'intermédiaire d'un deuxième circuit comprenant un régulateur de tension linéaire et un deuxième limiteur de pente de courant.
Selon un mode de réalisation, à chaque fois que ledit détecteur de tension détermine que ladite première tension d'alimentation est différente de la tension de référence, ledit module de communication en champ proche désactive le démarrage automatique dudit deuxième circuit.
Selon un mode de réalisation, à chaque fois que ledit détecteur de tension détermine que ladite première tension d'alimentation est égale à la tension de référence, ledit module de communication en champ proche active le démarrage automatique dudit deuxième circuit.
Selon un mode de réalisation, lorsque le module de communication en champ proche passe d'un état en veille ou d'un état inactif à un état actif, les opérations successives suivantes sont réalisées : - les composants et circuits dudit dispositif électronique sont démarrés ; - les logiciels du dispositif électronique et ladite carte sont démarrés au même moment.
Selon un mode de réalisation, le démarrage de ladite carte ou dudit élément sécurisé comprenant les étapes successives suivantes : - le démarrage du circuit d'alimentation de ladite carte ou dudit élément sécurisé ; et - le démarrage logiciel de ladite carte ou dudit élément sécurisé.
Selon un mode de réalisation, pendant le démarrage du circuit d'alimentation ledit détecteur de tension vérifie si la première source de tension fournit une première tension d'alimentation égale à la tension de référence.
Selon un mode de réalisation, le circuit d'alimentation alimente ladite carte ou ledit élément sécurisé avec ladite deuxième source d'alimentation.
En fonction notamment de la taille de la puce, les points chauds peuvent être plus ou moins importants et ou espacés et par conséquent l’espace volumique de chaleur peut être plus ou moins grand.
A titre d’exemple deux espaces volumiques de chaleur ESPV1 et ESPV2. L’espace volumique ESPV1 représente plus particulièrement un espace plus important que l’espace ESPV2, correspondant à un dégagement de chaleur plus important. A titre d’exemple, les espaces volumiques de chaleur ESPV1 et ESPV2 peuvent être respectivement délimités par des surfaces du type tronconiques TRC1 et TRC2 s’élargissant à partir de la puce dans le sens de l’évacuation de la chaleur. Dans le cas d’espèce, la chaleur s’évacue vers le haut du boîtier, à l’opposé du substrat support 1.
Dans tout ce qui suit l’espace volumique de chaleur sera l’espace ESPV1.
Le boîtier est dans ce mode de réalisation du type utilisant la technologie de « soudage de fils » (« wire bonding »). Dans ce cas, la puce électronique 2 comporte une face inférieure fixée sur la face FS du substrat support 1 par une couche de colle 3 et une face supérieure.
La face supérieure de la puce électronique 2 comporte des plages de contact PD1 électriquement reliées à des plages de contact PD2 de la face FS du substrat support 1 par des fils de connexion WB soudés sur ces plages.
Le boîtier de circuit intégré BT comprend, en outre, un enrobage 4. L’enrobage 4 enrobe au moins la puce électronique 2 et ici également les fils de connexion électriquement conducteurs WB ainsi que les différentes plages de contacts PD1, PD2.
L’enrobage 4 peut également enrober les autres puces électroniques éventuelles du boîtier BT.
L’enrobage 4 peut être de la résine par exemple. La résine présente des propriétés mécaniques avantageuses permettant au boîtier BT de résister aux contraintes mécaniques pouvant s’exercer sur ce dernier. L’utilisation d’un tel enrobage 4 contribue notamment à la robustesse du boîtier BT.
Par ailleurs, cet enrobage 4 possède une face inférieure 40 et une face supérieure profilée 41. La face inférieure 40 et la face supérieure profilée 41 définissent ainsi l’épaisseur de l’enrobage 4.
La face inférieure 40 de l’enrobage 4 est solidaire de la face FS du substrat support 1.
Le boîtier BT comprend également un dissipateur thermique 5 et une couche de fixation 6, par exemple mais non limitativement une couche de colle thermiquement conductrice 6.
Le dissipateur 5 est généralement formé par un matériau conducteur de chaleur comme le métal. On peut prévoir par exemple un dissipateur thermique 5 en cuivre ayant une conductivité thermique de 385W/mK. Le dissipateur thermique 5 est fixé sur la face supérieure profilée 41 de l’enrobage 4 par l’intermédiaire de la couche de colle thermiquement conductrice 6.
La couche de colle 6 permet ainsi en particulier d’assurer un transfert thermique de l’enrobage 4 vers le dissipateur 5.
Comme illustré plus précisément sur la qui représente spécifiquement l’enrobage 4 de la , la face supérieure profilée 41 a une portion de son profil 410 configurée pour réduire localement le volume d’une région de l’enrobage 4. Autrement dit, le volume d’une région de l’enrobage 4 peut être réduit à intervalle discret selon le profil de la face supérieur 41 de l’enrobage 4. En particulier, la portion de profil 410 est configurée pour réduire l’épaisseur d’une région d’enrobage 4.
La portion du profil 410 est ici située au moins en partie dans l’espace volumique de chaleur ESPV1 et ESPV2. En diminuant localement l’épaisseur d’une région de l’enrobage 4, on réduit la chaine thermique du boîtier BT, tout en gardant une épaisseur globale de l’enrobage 4 nécessaire à l’obtention d’une robustesse souhaitée pour le boîtier BT. Cela permet donc de maintenir une température de jonction maximale qui ne dégrade pas le circuit intégré lorsque la puce électronique 2 est en fonctionnement.
Comme illustré sur la vue en coupe de la , la portion du profil 410 de la face supérieure profilée 41 de l’enrobage 4 comporte une première zone en creux 4101. La première zone en creux 4101 s’étend en direction du substrat support 1 et délimite une première portion 42 de la région réduite de l’enrobage 4.
La surface d’appui 9 est perpendiculaire à la paroi 27 du support 4 et à la première paroi latérale 6 du premier connecteur 3.
La butée 8 comprend une surface de contact 19 s’étendant perpendiculairement par rapport à la languette 5 sur une première largeur d. La surface de contact 19 est destinée à venir en appui sur la surface d’appui 9 du support 4 lorsque la languette 5 est en position de verrouillage.
Comme représenté sur la , l’espace 13 présente une deuxième largeur l adaptée pour permettre le mouvement de flexion de la languette 5 et le passage de la butée 8 dans l’espace 13 afin de clipser le premier connecteur 3 au support 4 ou de déclipser de ce dernier. Plus précisément, la deuxième largeur l est au moins égale à la première largeur d.
L’ensemble de connexion 1 comprend un deuxième connecteur 10 électriquement relié à l’onduleur ou convertisseur de tension. Le premier connecteur 3 est inséré dans le deuxième connecteur 10 pour ainsi relier électriquement la machine électrique tournante 2 à l’onduleur.
Plus précisément, le premier connecteur 3 est un connecteur femelle qui est inséré ou logé dans le deuxième connecteur 10 qui est un connecteur mâle. Le deuxième connecteur 10 comprend une paroi externe 28 entourant la portion de connexion 20 du premier connecteur 3 logeant des broches de connexion 21.
Le deuxième connecteur 10 comprend des broches de connexion 29 mâles s’insérant dans des broches de connexion 21 femelles du premier connecteur 3.
Alternativement, le deuxième connecteur 10 comprend des broches de connexion 29 femelles dans lesquelles s’insèrent des broches de connexion 21 mâles du premier connecteur 3.
Le deuxième connecteur 10 permet ainsi au dispositif de connexion 17 de relier électriquement le dispositif de mesure 41 de la position angulaire du rotor et le capteur de température de la machine électrique tournante 2 à l’onduleur.
La paroi externe 28 du deuxième connecteur 10 comprend deux deuxièmes parois latérales 11. Chaque deuxième paroi latérale 11 comprend une face interne 45 et une face externe 47.
Selon l’invention, le deuxième connecteur 10 comprend deux moyens de blocage 12 à l’endroit des deuxièmes parois latérales 11 qui sont chacun insérés dans l’espace 13 formé entre chaque languette 5 et chaque paroi latérale 6 du premier connecteur 3 pour bloquer la flexion de la languette 5 et le déplacement de la butée 8 vers la première paroi latérale 6 du premier connecteur 3. Plus précisément, l’espace 13 est formé lorsque la languette 5 est en position de verrouillage telle que définie précédemment, c’est-à-dire, par exemple, lorsque qu’elle est relativement droite et non fléchie ou quasiment non fléchie. Le moyen de blocage 12 empêche la butée 8 de la languette 5 de rentrer dans un espacement D formé entre la première paroi latérale 6 du premier connecteur 3 et une paroi 46 du support 4.
Le moyen de blocage 12 présente une épaisseur e inférieure ou égale à la deuxième largeur l de l’espace 13 et adaptée pour que la somme d’un premier jeu J1 entre le moyen de blocage 12 et la languette 5 et d’un deuxième jeu J2 entre la languette 5 et la paroi 46 du support 4 soit inférieure à la première largeur d de la surface de contact 19 de la butée 8.
L’épaisseur e du moyen de blocage 12 est adaptée pour que la butée 8 ne puisse rentrer complètement dans l’espacement D. La flexion de la languette 5 est limitée ou même empêchée.
De cette façon, la butée 8 de la languette 5 est maintenue en regard de la surface d’appui 9 du support 4 et en appui de ce dernier lorsqu’une force de traction est exercée sur le premier connecteur 3 suivant la direction axiale A. Le retrait du premier connecteur 3 hors du support 4 est empêché.
Le moyen de blocage 12 comprend une surface de blocage 30 en regard de la deuxième face 26 de la languette 5 et qui peut être en contact avec la deuxième face 26.
Selon un mode de réalisation possible, l’épaisseur e du moyen de blocage 12 est adaptée pour qu’il n’y ait pas de jeu d’une part entre la languette 5 et le moyen de blocage 12 et d’autre part entre la première paroi latérale 6 du premier connecteur 3 et la face interne 45 de la deuxième paroi latérale 11 du deuxième connecteur 10. La surface de blocage 30 du moyen de blocage 12 est alors en contact contre la deuxième face 26 de la languette 5. La face interne 45 de la deuxième paroi latérale 11 est également en contact contre la première paroi latérale 6.
Selon un mode de réalisation possible (non représenté), l’espace 13 n’est pas entièrement comblé par le moyen de blocage 12. C’est-à-dire qu’il existe un jeu J1 entre la languette 5 et le moyen de blocage 12 et/ou un deuxième jeu J2 entre la languette 5 et la paroi 46 du support 4. La somme des jeux J1 et J2 est inférieure à la première largeur d de la surface de contact 19 de la butée 8 et donc insuffisante pour permettre le passage entier de la butée 8 dans l’espacement D entre la première paroi latérale 6 du premier connecteur 3 et la paroi 46 du support 4.
On peut observer que la valeur de qui maximise l'AUROC moyen est 10 -2.2 . C’est la valeur de qui a été choisie dans la suite.
Comparaison avec l'état de l'art : le procédé de normalisation selon l’invention a été comparé avec les procédés ITAE [23], AESC [24] et SPADE [25]. Le procédé de normalisation selon l’invention permet d'obtenir des résultats conformes à l’état de l’art, et surpasse l’état de l’art d’environ 10% en moyenne. De plus, lorsque le procédé de normalisation selon l’invention fait moins bien qu’un autre procédé, il ne le fait que de moins de 3%.
Impact de la normalisation de la variabilité : cette normalisation améliore les résultats en termes d’AUROC pour la plupart des classes (plus de 30% pour la classe de l'écrou métal). Cette amélioration est due au fait que la normalisation de la variabilité rend les images facilement comparables à l'ensemble de données. Comme les images sont plus faciles à comparer, le détecteur basé sur l'auto-similarité fonctionne mieux. On montre aussi que cette normalisation peut être utile sur certaines classes de l'ensemble de données MvTec (à savoir le cuir et le bois) même si on se concentre ici uniquement sur l’objet rigide.
Exemples de segmentation d'anomalie : Comme exposé précédemment, le procédé de normalisation selon l’invention calcule des cartes d'anomalies binaires b MS utilisées pour la détection. Ces cartes peuvent également être visualisées pour localiser les anomalies à l'intérieur des images détectées.
Bien sûr la présente invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits et bien d’autres modes de réalisation peuvent être envisagés sans sortir du cadre de l’invention.
Procédé de fabrication de cellules mémoires résistives L’invention se rapporte au domaine technique des mémoires résistives (ReRAM pour « Resistive Random Access Memory » en langue anglaise). Les mémoires résistives sont des mémoires non-volatiles, c'est-à-dire capables de conserver une information en l’absence d’alimentation électrique, appartenant à la famille des mémoires à commutation de résistance. Les mémoires résistives sont considérées comme une technologie émergente en raison d’un plus faible degré de maturité que les mémoires non-volatiles conventionnelles, telles que les mémoires Flash.
L’invention trouve notamment son application dans la fabrication de cellules mémoires résistives à base d’oxyde métallique (OxRAM pour « Oxide Random Access Memory » en langue anglaise).
État de l’art Comme illustré à la , une cellule mémoire résistive, connue de l’état de la technique, est formée à partir d’un empilement comprenant successivement un substrat 100, une première électrode 200, une couche diélectrique 300, et une deuxième électrode 400. La première électrode 200, la couche diélectrique 300 et la deuxième électrode 400 forment une structure de type Métal-Isolant-Métal (MIM).
Un procédé de fabrication de cellules mémoires résistives, connu de l’état de la technique, comporte une étape initiale d’électro-formation (« electroforming » ou « forming » en langue anglaise), consistant à appliquer une tension électrique V Forming entre les première et deuxième électrodes de l’empilement, adaptée pour générer un champ électrique supérieur à la rigidité diélectrique de la couche diélectrique. Il en résulte un claquage de la couche diélectrique, s’accompagnant de la formation d’un chemin de conduction électrique au sein de la couche diélectrique, reliant les première et deuxième électrodes.
Le fonctionnement d’une cellule mémoire résistive se traduit par des cycles de réinitialisation (« Reset » en langue anglaise) où le chemin de conduction électrique est rompu, et des cycles d’écriture (« Set » en langue anglaise) où le chemin de conduction électrique est formé de nouveau. Plus précisément, une cellule mémoire résistive présente un état de haute résistance (H RS pour « High Resistance State » en langue anglaise) lorsque le chemin de conduction électrique est rompu, et un état de basse résistance (L RS pour « Low Resistance State » en langue anglaise) lorsque le chemin de conduction électrique est formé de nouveau. Les cycles de réinitialisation se traduisent par une commutation de l’état L RS vers l’état H RS , caractérisée par l’application d’une tension électrique V R eset entre les première et deuxième électrodes de la cellule mémoire résistive. Les cycles d’écriture se traduisent par une commutation de l’état H RS vers l’état L RS , caractérisée par l’application d’une tension électrique V Set entre les première et deuxième électrodes de la cellule mémoire résistive.
Les commutations entre les états H RS et L RS peuvent avoir une nature unipolaire, bipolaire, ou non-polaire selon la physique de commutation mise en œuvre et les rôles joués par la couche diélectrique et les première et deuxième électrodes de la cellule mémoire résistive. Plus précisément, les commutations entre les états H RS et L RS ont une nature : (i) unipolaire lorsque les tensions électriques V S et et V Res et sont d’un seul et unique signe, (ii) bipolaire lorsque la tension électrique V S et est d’un seul et unique signe, et la tension électrique V Res et est du signe opposé, (iii) non-polaire lorsque la tension électrique V Set peut être de signe positif ou négatif, et la tension électrique V Res et est du signe opposé.