Système électronique à écriture non volatile par contrôle électrique et à lecture par effet Hall (10) comprenant : - un dispositif électronique (12) comportant un empilement de couches (18) empilées selon une direction d’empilement (Z), l’empilement de couches (18) comprenant : - une première électrode (24), - un sous-ensemble à états rémanents (26) comprenant au moins une couche diélectrique telle que ledit sous-ensemble à états rémanents (26) présente au minimum deux états rémanents contrôlables électriquement, - un gaz bidimensionnel d’électrons (30), - un sous-ensemble magnétique (34) comprenant au moins une couche magnétique, et - une deuxième électrode (36) comportant deux premiers contacts (C1, C3) s’étendant chacun selon une première direction et un deuxième contact (C2, C4) s’étendant selon une deuxième direction, la deuxième direction étant distincte de la première direction, la première et la deuxième directions étant dans un plan perpendiculaire à la direction de l’empilement (Z), - un dispositif d’écriture (14) propre à écrire des états rémanents du sous-ensemble à états rémanents (26) par application d’un champ électrique entre la première électrode (24) et la deuxième électrode (36), et - un dispositif de lecture à effet Hall (16) propre à lire l’état rémanent du sous-ensemble à états rémanents (26) en appliquant un courant entre les deux premiers contacts (C1, C3) et en mesurant la tension entre le deuxième contact (C2, C4) et un potentiel de référence. Système électronique selon la revendication 1, dans lequel la première électrode (24) comporte au moins un contact (C5), le dispositif d’écriture (14) appliquant le champ électrique entre l’au moins un contact (C5) de la première électrode (24) et au moins un contact (C1, C2, C3, C4) de la deuxième électrode (36). Système électronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel au moins l’une des propriétés suivantes est vérifiée : - la première électrode (24) est en contact avec le sous-ensemble à états rémanents (26), - la première électrode (24) est confondue avec le sous-ensemble à états rémanents (26), - la deuxième électrode (36) est en contact avec le gaz bidimensionnel d’électrons (30), - la deuxième électrode (36) est confondue avec le gaz bidimensionnel d’électrons (30), - la deuxième électrode (36) est en contact avec le sous-ensemble magnétique (34), et - la deuxième électrode (36) est confondue avec le sous-ensemble magnétique (34). Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième électrode (36) comporte au moins un contact additionnel (C2, C4), le potentiel de référence étant le potentiel du contact additionnel (C4). Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les états rémanents contrôlables électriquement du sous-ensemble à états rémanents (26) sont contrôlables par un effet ferroélectrique, un effet de charge piégée, un effet de migration d’ions ou une combinaison desdits effets. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le gaz bidimensionnel d’électrons (30) présente une densité de porteurs supérieure à 10 10 cm -2 . Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le sous-ensemble magnétique (34) comprend au moins un élément ferromagnétique choisi parmi un alliage métallique ferromagnétique, un oxyde ferromagnétique, un semiconducteur magnétique, un élément ferromagnétique composite à plusieurs couches ferromagnétiques et métalliques, un alliage d’Heusler, un alliage à base de terres rares ou une combinaison de ces matériaux. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le sous-ensemble magnétique (34) comprend au moins un élément ferrimagnétique choisi parmi un alliage métallique ferrimagnétique, un oxyde ferrimagnétique, un élément ferrimagnétique composite à plusieurs couches ferromagnétiques ou ferrimagnétiques et métalliques, ou un alliage ferrimagnétique à base de terres rares, ou une combinaison de ces matériaux. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le sous-ensemble magnétique (34) comprend au moins un élément antiferromagnétique choisi parmi un alliage métallique antiferromagnétique, un oxyde antiferromagnétique, un élément antiferromagnétique composite à plusieurs couches magnétiques et métalliques couplées entre elles de manière antiferromagnétique, ou une combinaison de ces matériaux. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l’empilement de couches (18) s’étend entre deux extrémités, une extrémité étant la première électrode (24) et l’autre extrémité étant la deuxième électrode (36). Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le sous-ensemble magnétique (34) comprend au moins un élément magnétique choisi parmi un matériau présentant un effet Hall extraordinaire supérieur à 0,5% et un matériau présentant une magnétorésistance supérieure à 0,5%. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l’empilement de couches (18) comporte également au moins une couche d’interfaçage (28, 32), la couche d’interfaçage (28, 32) comportant au moins une couche choisie parmi une couche métallique non-magnétique et une couche présentant un effet spin-orbite. Système électronique selon la revendication 12, dans lequel la couche d’interfaçage (28, 32) comporte au moins un élément parmi un métal, un semi-métal de Weyl, un matériau bidimensionnel, un dichalcogénure de métaux de transition et un isolant topologique. Système électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le système électronique (10) comporte au moins un autre dispositif électronique (12), l’ensemble des dispositifs électroniques (12) étant agencés en cascade ou sous forme de réseau, chaque autre dispositif électronique (12) comportant un empilement de couches (18) empilées selon la direction d’empilement (Z). Système électronique selon la revendication 14, dans lequel, la première électrode (24) d’un dispositif électronique (12) est reliée à une deuxième électrode (36) d’un dispositif électrique (12) adjacent. Système électronique selon la revendication 14, dans lequel l’un des contacts (C1, C2, C3, C4) de la deuxième électrode (36) d’un dispositif électronique (12) est relié à l’un des contacts (C1, C2, C3, C4) de la deuxième électrode (36) d’un dispositif électronique (12) adjacent.