INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une première couche diélectrique 134, comprenant par exemple de l’oxyde de silicium, est déposée sur la couche supérieure 110 et sur le matériau de remplissage 120 déposé dans les tranchées 114. Des couches de matériaux électriquement conducteurs destinées à former une électrode inférieure 136 du dispositif 122 sont ensuite déposées sur la première couche diélectrique 134. Dans cet exemple de réalisation, ces couches de matériaux électriquement conducteurs correspondent à une couche d’AlN d’épaisseur généralement égale à 20 nm, et une couche de Molybdène d’épaisseur égale 200 nm ou comprise entre 50 et 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Des étapes de photolithographie et de gravure de ces couches de matériaux électriquement conducteurs sont ensuite mises en œuvre. Les portions restantes de ces couches forment l’électrode inférieure 136. Le masque utilisé pour cette lithographie est ensuite retiré. Une deuxième couche diélectrique 138, comprenant par exemple de l’oxyde de silicium, est déposée sur l’électrode inférieure 136 et autour de celle-ci. Des étapes de lithographie et de gravure de cette deuxième couche diélectrique 138 sont ensuite mises en œuvre. Le masque de gravure utilisé est ensuite retiré, puis une CMP est mise en œuvre avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 (voir ).
Une couche de matériau piézoélectrique 140 est ensuite déposée sur l’électrode inférieure 136 et la deuxième couche diélectrique 138. Cette couche de matériau piézoélectrique 140 comporte par exemple de l’AlN et a par exemple une épaisseur comprise entre 100 nm à 2000 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Une ou plusieurs couches de matériaux électriquement conducteurs destinées à former une électrode supérieure 142 du dispositif 122 sont ensuite déposées sur la couche de matériau piézoélectrique 140. Dans cet exemple de réalisation, cette couche de matériau électriquement conducteur correspond à une couche de Molybdène d’épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Des étapes de photolithographie et de gravure de cette couche de matériau électriquement conducteur sont ensuite mises en œuvre. La portion restante de cette couche forme l’électrode supérieure 142. Le masque utilisé pour cette lithographie est ensuite retiré (voir ).
Des étapes de photolithographie et de gravure humide de la couche de matériau piézoélectrique 140 avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 sont ensuite mise en œuvre afin de former un premier trou 144 permettant l’accès à l’électrode inférieure 136. Le masque de gravure utilisé pour ces étapes est ensuite retiré.
Une troisième couche diélectrique, comprenant par exemple du TEOS, est ensuite déposée sur l’ensemble de la structure. Une photolithographie et une gravure de cette troisième couche diélectrique avec arrêt sur l’électrode inférieure 136, l’électrode supérieure 142 et le matériau piézoélectrique 140 sont mises en œuvre telles que des portions restantes 146 de cette troisième couche diélectrique recouvrant les bords latéraux de l’électrode supérieure 142 soient conservées. Le masque de gravure utilisé est ensuite retiré.
Des étapes de photolithographie et de gravure sèche de la couche de matériau piézoélectrique 140 avec arrêt sur la deuxième couche diélectrique 138 sont ensuite mises en œuvre de manière à former un deuxième trou 147 à travers la couche de matériau piézoélectrique 140 destiné à servir à la libération de la cavité 126 (voir ).
Une couche de passivation 148, comprenant par exemple du SiN et d’épaisseur comprise entre 100 nm à 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif, est ensuite déposée sur la structure réalisée. Des étapes de photolithographie et de gravure de la couche de passivation 148 avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 et sur l’électrode supérieure 142 sont ensuite mises en œuvre afin de supprimer une partie de cette couche de passivation 148 au niveau du premier trou 144 et sur l’électrode supérieure 142. Le masque de gravure utilisé pour graver la couche de passivation 148 est ensuite supprimé.
Une ou plusieurs couches électriquement conductrices sont ensuite déposées sur la structure réalisée. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, ces couches correspondent à un empilement d’une couche de titane, d’une couche de nickel et d’une couche d’or. Ces couches électriquement conductrices sont ensuite gravées afin que les portions restantes de ces couches forment des contacts électriques 150 disposés contre les électrodes inférieure et supérieure 136, 142 au niveau des accès précédemment formés en gravant la couche de passivation 148. Le masque de gravure utilisé est supprimé (voir ).
Le trou de libération 124 est ensuite réalisé par photolithographie et gravure à travers la couche de passivation 148, les première et deuxième couches diélectriques 138, 134 et la couche supérieure 110, dans le deuxième trou 147. Le masque de gravure est ensuite supprimé, puis la portion 116 de matériau sacrificiel est supprimée par gravure comme dans les exemples de réalisation précédemment décrits, via le trou de libération 124, formant la cavité 126 (voir ).
Un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux selon un deuxième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 17 à 19.
Comme dans le premier mode de réalisation, le procédé est mis en œuvre à partir d’un substrat 103 similaire au substrat 102 précédemment décrit dans le premier mode de réalisation. La couche de matériau sacrificiel 108 est réalisée directement sur l’une des deux faces principales du substrat 103 qui forme donc à la fois le support mécanique pour l’ensemble des couches de l’empilement de matériaux 113 et la couche inférieure sur laquelle la couche de matériau sacrificiel 108 est réalisée. Dans ce deuxième mode de réalisation, le matériau sacrificiel utilisé correspond à de l’oxyde de silicium et est apte à être gravé sélectivement par rapport au matériau de la couche inférieure, c’est-à-dire au matériau du substrat 103. La couche de matériau sacrificiel 108 est par exemple obtenue en mettant en œuvre une oxydation thermique du substrat 103 ou un dépôt TEOS. Cette couche d’oxyde de silicium est mise en œuvre de manière à ce que l’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 réalisée corresponde à la hauteur de la cavité 126 qui sera formée ultérieurement. Dans le cas d’une oxydation thermique, la couche se forme également, du côté de l’autre des deux faces principales du substrat 103, l’autre couche d’oxyde de silicium 106 (voir ).
Un des avantages du procédé selon l’invention est qu’il permet une récupération plus importante en masse d’au moins un métal de la DEL que les procédés de l’art antérieur.
Etape e)
L’étape e) est une étape optionnelle du procédé selon l’invention de séparation de l’au moins une solution acide et d’au moins une partie de l’au moins un métal. Cette étape vise à récupérer l’au moins un métal lixivié au cours de l’étape c), en particulier en vue de son recyclage.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention comprend en outre la récupération d’au moins une partie de l’au moins un métal précieux par une étape e) de séparation de l’au moins une solution acide et d’au moins une partie de l’au moins un métal, par exemple par filtration et/ou électrodépôt et/ou par un procédé hydrométallurgique et/ou par précipitation, notamment sous forme de sel.
La précipitation, notamment sous forme de sel, peut être effectuée à toute température adaptée, par exemple à température ambiante ou à température élevée, notamment autour de 70°C.
Selon un mode de réalisation, lorsque la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend plusieurs métaux, ces métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre. De préférence, certains métaux sont d’abord décantés et/ou filtrés, puis les métaux restants sont précipités sélectivement l’un après l’autre. La filtration peut notamment être mise en œuvre par filtration sur tamis, notamment sur tamis de téflon.
Par exemple, si la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’argent, du cuivre et du fer, ces trois métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre. Avantageusement, ils peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre en utilisant des agents précipitants adaptés, par exemple : - une solution de NaCl pour précipiter l’argent, et/ou - une poudre de fer pour précipiter le cuivre, et/ou - une solution de NaOH pour précipiter le fer.
Plus avantageusement, si la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’argent, du cuivre et du fer, ces trois métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre dans l’ordre suivant : argent puis cuivre puis fer.
Selon un autre exemple, si la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’argent, du cuivre et de l’étain, ces trois métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre. Avantageusement, ils peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre en utilisant : - une solution de NaCl pour précipiter l’argent, et/ou - une poudre de d’étain pour précipiter le cuivre, et/ou - une poudre de fer pour précipiter l’étain.
Plus avantageusement, si la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’argent, du cuivre et de l’étain, ces trois métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre dans l’ordre suivant : argent puis cuivre puis étain.
Selon un autre exemple, si la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’argent, du cuivre et du fer, ces trois métaux peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre. Avantageusement, ils peuvent être précipités sélectivement l’un après l’autre en utilisant : - une solution de NaCl pour précipiter l’argent, et/ou - une poudre de d’étain pour précipiter le cuivre, et/ou - une solution de NaOH pour précipiter le fer.
Selon un autre mode de réalisation, lorsque la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend plusieurs métaux, ces métaux peuvent être récupérés sélectivement par électrodépôt, par exemple en utilisant un potentiostat.
Selon un mode de réalisation, lorsque la solution acide séparée du reste de la DEL au cours de l’étape d) comprend de l’or, il peut être précipité avec du NaBH 4 . Avantageusement, l’or précipité peut ensuite être fusionné avec du borax dans un four à 1000°C pour obtenir de l’or métallique.
Selon un mode de réalisation, les étapes c) et d) et e) sont répétées plusieurs fois, de préférence selon la séquence étape c) puis étape d) puis étape e) puis étape c) puis étape d) puis étape e) etc. Avantageusement, l’enchaînement des étapes c), d) et e) est répété avec au moins une solution acide différente de celle utilisée lors du premier enchaînement des étapes c), d) et e).
Avantageusement, le procédé selon l’invention peut permettre de récupérer le luminophore et des métaux d’au moins une électrode et d’au moins un connecteur d’au moins une DEL.
En complément, le véhicule ferroviaire 2 transporte, lors de l’étape de transport de passagers 150, du fret 14 dans la seconde zone de transport 13.
L’étape de transport de passagers 150 comprend une sous-étape de prise en charge 170, une sous-étape de déplacement 172 et une sous-étape de sortie 174 des passagers.
Lors de la sous-étape de prise en charge 170, les passagers 16 montent dans la zone de transport 12 dépourvue de fret 14. La zone de transport 12 est dédiée aux passagers 16 lors de l’étape de transport de passagers 150. La zone de transport 12 est dédiée exclusivement aux passagers 16 lors de l’étape de transport des passagers 150.
Lors de la sous-étape de déplacement 172, le véhicule ferroviaire 2 se déplace de la deuxième gare 6 à la troisième gare 8, de préférence à une vitesse maximale comprise entre 200 km/h et 350 km/h.
Lors de la sous-étape de sortie 174, les passagers 16 descendent du véhicule ferroviaire 2 lorsque le véhicule ferroviaire 2 est arrivé à la troisième gare 8.
De préférence, la caisse 7 de chaque voiture 10 est, lors de l’étape de transport de passagers 150 identique par rapport à cette caisse 7 lors de l’étape de transport de fret 130. En particulier, seulement l’espace intérieur formé par la caisse 7 est modifiée entre la configuration de transport de fret 15 et la configuration de transport de passagers 17, afin que la zone de transport 12 soit adaptée pour le transport du fret 14 ou alternativement pour le transport des passagers 16.
De préférence, le procédé comprend une étape de reconfiguration au cours de laquelle l’espace intérieur formé par la caisse 7 est modifiée entre la configuration de transport de fret 15 et la configuration de transport de passagers 17, afin que la zone de transport 12 soit adaptée pour le transport du fret 14 ou alternativement pour le transport des passagers 16.
Par exemple, l’étape de reconfiguration comprend le regroupement, retrait et/ou intégration dans le plancher et/ou les cloisons des éléments prévus pour le transport de passagers. Ces éléments sont par exemple des assises passagers, des tables et /ou des porte-bagages.
L’étape de reconfiguration est par exemple réalisée au deuxième point 6.
On conçoit ainsi que le véhicule ferroviaire 2 comprend la zone de transport 12 qui est soit dédiée exclusivement au fret 14, soit dédiée exclusivement aux passagers 16. Ainsi, la zone de transport 12 contient le fret 14 ou les passagers 16, en fonction d’un besoin de transport vers l’une ou plusieurs gares parmi la première gare 4, la deuxième gare 6 et la troisième gare 8 dans laquelle le véhicule ferroviaire 2 est situé.
Ainsi, par exemple, lorsqu’une grande quantité de fret 14 est à transporter entre une zone industrielle et une zone urbaine, le véhicule ferroviaire 2 transporte exclusivement le fret 14 dans sa zone de transport 12 à la zone urbaine. Ensuite, le véhicule ferroviaire 2 transporte par exemple uniquement des passagers 16 dans la zone de transport 12 à partir de la zone urbaine à une zone de villégiature.
Volant de véhicule comprenant des mécanismes et un actionneur de commande. Domaine technique de l'invention La présente invention concerne de manière générale un volant de véhicule avec plusieurs mécanismes, comme par exemple des mécanismes d’articulation pour permettre un déplacement de tout ou partie de la jante par rapport au moyeu.
État de la technique Il est connu dans l’art antérieur des volants de véhicule de prévoir des mécanismes d’articulation pour permettre un déplacement de tout ou partie de la jante par rapport au moyeu. Il peut être également avantageux de prévoir un actionneur pour commander le déplacement de la partie mobile, et on peut aussi prévoir de verrouiller la partie mobile dans une position particulière. En conséquence, le nombre d’actionneurs pour commander toutes ces fonctions peut être significatif, ce qui augmente la complexité, le coût et l’encombrement. En ce qui concerne l’encombrement, l’espace disponible dans un volant est limité et cela peut même conduire à limiter le nombre d’actionneurs et donc de fonctions automatisées offertes à l’utilisateur.
Un but de la présente invention est de répondre aux inconvénients de l’art antérieur mentionnés ci-dessus et en particulier, tout d'abord, de proposer un volant de véhicule avec des mécanismes, par exemple des mécanismes d’articulation pour permettre un déplacement de tout ou partie de la jante par rapport au moyeu, et un actionneur pour automatiser des fonctions comme par exemple le verrouillage – déverrouillage et/ou le déplacement de la partie mobile, tout en limitant la complexité, et/ou le coût et/ou l’augmentation de l’encombrement.
Pour cela un premier aspect de l'invention concerne un volant de véhicule comprenant : - une structure de base comprenant un moyeu agencé pour se connecter à un dispositif de direction du véhicule, - une structure mobile, comprenant au moins une partie de jante et articulée par rapport à la structure de base pour être mobile entre une première position, par exemple une position de conduite, et une deuxième position, par exemple une position escamotée, - un premier mécanisme et un deuxième mécanisme chacun agencé entre la structure de base et la structure mobile, - un actionneur agencé pour générer un mouvement d’entrainement du premier mécanisme et du deuxième mécanisme, - un dispositif de transmission agencé pour transmettre au moins une partie du mouvement d’entrainement vers le premier mécanisme et le deuxième mécanisme, caractérisé en ce que le dispositif de transmission comprend au moins un câble agencé pour transmettre au moins une partie du mouvement d’entrainement de l’actionneur vers au moins l’un du premier mécanisme ou du deuxième mécanisme.
Un câble selon la mise en œuvre ci-dessus permet de distribuer le mouvement d’entraînement d’un seul actionneur vers l’un du premier mécanisme et/ou du deuxième mécanisme. Les coûts sont limités, un tel câble présente un encombrement limité, peut être conformé pour contourner des organes du volant formant obstacles, et procure la possibilité de n’avoir qu’un seul actionneur qui commande deux mécanismes distincts et éloignés l’un de l’autre.
Quel que soit le mode de réalisation, le matériau thermo-résistif 18 est déposé au contact des électrodes 16 . Ainsi, même dans le mode de réalisation de la dans lequel le micro-bolomètre 10f présente deux couches d’isolation électrique 34a - 34b disposées de part et d’autre des électrodes 16 , la couche d’isolation électrique supérieure 34b n’est pas présente au niveau des ouvertures 17 .
La face supérieure du matériau thermo-résistif 18 est protégée par une couche d’encapsulation supérieure. Tel qu’illustré sur les figures 2 à 5, cette couche d’encapsulation supérieure peut être constituée d’une couche d’arrêt 31 , par exemple réalisée en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium avec une épaisseur e 2 comprise entre 10 et 100 nanomètres. En variante, tel qu’illustré sur les figures 6 et 7, cette couche d’encapsulation supérieure peut être constituée d’une couche de silicium amorphe avec une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres.
Le matériau thermo-résistif 18 est également protégé latéralement par une couche d’encapsulation latérale 19 déposée sur la couche d’arrêt 30 . Cette couche d’encapsulation latérale 19 peut être constituée d’une couche de silicium amorphe avec une épaisseur e 3 comprise entre 5 et 50 nanomètres.
Selon l’invention, la couche supérieure de structuration des bras de soutien 15 , la couche d’encapsulation latérale 19 et la couche d’encapsulation supérieure 31 , 33 sont réalisées par au moins deux dépôts distincts, de sorte que l’épaisseur et/ou la nature de ces couches diffèrent entre ces couches. Plus particulièrement, tel qu’illustré sur la , l’épaisseur e 1 de la couche supérieure de structuration 15 est différente de l’épaisseur e 2 de la couche d’encapsulation supérieure 31 et de l’épaisseur e 3 de la couche d’encapsulation latérale 19 .
Tel qu’illustré sur la , la couche d’encapsulation latérale 19 s’étendant dans un plan perpendiculaire aux plans de la couche de support 13 et de la couche d’encapsulation supérieure de la membrane 31 , l’épaisseur e 3 de ladite couche d’encapsulation latérale 19 correspond à l’épaisseur de matière présente autour du matériau thermo-résistif 18 .
Le procédé de réalisation de cette couche d’encapsulation latérale 19 peut induire la formation d’un ergot 50 faisant saillie par rapport à la couche d’encapsulation supérieure 31 , 33 d’au moins 10 nanomètres.
Ces micro-bolomètres 10a - 10f peuvent être réalisés par les méthodes utilisant des couches sacrificielles, notamment les méthodes divulguées dans les documents FR 3 098 904 et WO 2018/122382.
De manière générale, l’invention propose de réaliser une couche supérieure de structuration 15 des bras de soutien sans impacter directement la capacité thermique C th de la membrane 20 en utilisant au moins deux couches d’encapsulation distinctes pour encapsuler respectivement les bras de soutien 21 et la membrane 20 .
L’invention permet ainsi d’obtenir un micro-bolomètre 10a - 10f présentant une constante de temps réduite sans dégrader la résistance mécanique des bras de soutien 21 .
dispositif portable et procÉdÉ de mesure de lumiÈre ultra-violette avec un capteur de lumiÈre visible RÉSUMÉ Dans un mode de réalisation, un capteur UV comporte un filtre passe-UV ; un matériau de luminophore UV ; et un dispositif de captage de lumière visible, dans lequel le capteur UV est configuré pour recevoir de la lumière comportant de la lumière visible et de la lumière UV, dans lequel le filtre passe-UV dirige la lumière UV vers le matériau de luminophore UV et le matériau de luminophore UV fluoresce de la lumière visible proportionnellement à la lumière UV provenant du filtre passe-UV, et le dispositif de captage de lumière visible mesure la lumière visible fluorescente provenant du matériau de luminophore UV pour déterminer une quantité de la lumière UV entrant dans le capteur UV.
Dans un mode de réalisation, le filtre passe-UV transmet la lumière UV et bloque la lumière visible et la lumière infrarouge.
Dans un mode de réalisation, le capteur UV comprend une circuiterie pour transférer sans fil des données à un dispositif client.
Dans un mode de réalisation, le capteur UV comprend une mémoire configurée pour stocker des données générées par le dispositif de captage de lumière visible.
Dans un mode de réalisation, le capteur UV comprend une photodiode pour mesurer la fluorescence de lumière visible.
Dans un mode de réalisation, une combinaison du capteur UV et d’un dispositif client est décrite, dans laquelle le capteur UV est configuré pour communiquer des données au dispositif client.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client est un téléphone intelligent.
Dans un mode de réalisation, le système radar comporte au moins deux radars et dans lequel la restriction de la zone de couverture est obtenue par filtrage spatial, ou beamforming en anglais.
Dans un mode de réalisation, le système radar comporte au moins un radar comportant une antenne mobile et dans lequel la restriction de la zone de couverture est obtenue en modifiant une dimension de l’antenne mobile.
Dans un mode de réalisation, le système radar comporte au moins deux radars comportant une antenne mobile.
Dans un mode de réalisation, l’onde radar de détection est codée par répartition en fréquences orthogonales sous forme de multiples sous-porteuses.
Dans un mode de réalisation, une onde émise pour la communication radar est codée par répartition en fréquences orthogonales sous forme de multiples sous-porteuses.
On entend par codage « par répartition en fréquences orthogonales sous forme de multiples sous-porteuses » le codage OFDM, pour orthogonal frequency-division multiplexing en anglais.
Ainsi, le débit de la communication radar est amélioré, la technique OFDM permettant de réduire l’occupation du canal de communication radar.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un programme informatique comportant des instructions pour la mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention, lorsque ces instructions sont exécutées par un processeur.
Un troisième aspect de l’invention concerne un dispositif d’établissement d’une communication radar entre un véhicule terrestre à moteur et un dispositif cible, le véhicule comportant un système radar configuré pour couvrir une zone de couverture dans un environnement du véhicule, le dispositif étant compris dans le véhicule et comportant au moins une mémoire et au moins un processeur agencés pour effectuer les opérations de :