Procédé de gravure sélective isotrope d’au moins une première portion (102) de silicium faisant partie d’un empilement (104) de matériaux comprenant en outre au moins une deuxième portion (106) de SiGe et/ou de SiN et une troisième portion (108) de SiGe, la première portion (102) comprenant deux faces principales chacune perpendiculaire à une direction de l’empilement et dont au moins une des deux faces principales est disposée contre la deuxième ou la troisième portion (106, 108) ou contre une autre portion de l’empilement (104) ou contre un élément extérieur à l’empilement (104), comportant au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : - gravure d’au moins une partie de la deuxième portion (106) depuis au moins une face latérale de la deuxième portion (106) ; - dépôt d’un matériau de substitution à base de SiC ou correspondant à du SiO 2 , remplissant au moins un espace formé par la gravure de ladite au moins une partie de la deuxième portion (106) ; - gravure du matériau de substitution déposé en dehors dudit espace ; - gravure par plasma d’au moins une partie de la première portion (102) depuis au moins une face latérale de la première portion (102). Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite au moins une partie de la deuxième portion (106) est gravée depuis deux faces latérales opposées l’une de l’autre, formant deux espaces distincts entre lesquels une partie restante (114) de la deuxième portion (106) est disposée, et dans lequel le matériau de substitution est déposé en remplissant les deux espaces. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième portion (106) est totalement gravée avant le dépôt du matériau de substitution. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de chacune des première, deuxième et troisième portions (102, 106, 108) est inférieure ou égale à 50 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau de substitution correspond à du SiCO ou du SiBCN. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, lorsque le matériau de substitution correspond à du SiCO, la gravure du matériau de substitution est réalisée en répétant successivement une étape d’exposition du matériau de substitution à un plasma comprenant du dioxygène et transformant une partie du matériau de substitution en SiO X , et une étape de gravure du SiO X . Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’étape de gravure du SiO X comporte une gravure humide mise en œuvre avec une solution à base de HF et/ou une gravure sèche mise en œuvre avec un plasma à base de NH 3 /NF 3 , et dans lequel le SiCO restant est soumis à un recuit à une température supérieure à 100°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la gravure par plasma d’au moins une partie de la première portion (102) correspond à une gravure sèche mise en œuvre avec un plasma de CF 4 /N 2 /O 2 . Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’empilement (104) de matériaux est recouvert d’un masque dur (112) et/ou est disposé sur un substrat (110). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’empilement (104) de matériaux comporte en outre d’autres portions de silicium, de SiN et de SiGe, et dans lequel les différentes étapes du procédé appliquées aux première, deuxième et troisième portions (102, 106, 108) le sont également aux autres portions de silicium, de SiN et de SiGe. Procédé de réalisation d’une mémoire (100), comportant au moins : - réalisation d’un empilement (150) de premières, deuxièmes et troisièmes couches (152, 154, 156), chaque deuxième couche (154) étant disposée entre deux troisièmes couches (156) et en contact avec ces deux troisièmes couches (156), et chaque troisième couche (156) étant en contact avec une des premières couches (152), les premières couches (152) comportant du silicium, les deuxièmes couches (154) comportant du SiGe et/ou du SiN, et les troisièmes couches (156) comportant du SiGe ; - gravure de premières cavités (160) à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement (150), alignées en formant des lignes et des colonnes ; - gravure de parties des deuxièmes couches (154) localisées entre les premières cavités (160) d’une même ligne ; - réalisation, dans des espaces (164) formés par la gravure desdites parties des deuxièmes couches (154), de portions diélectriques d’isolation (111, 168) comprenant du SiN et configurées pour assurer une isolation électrique entre différents niveaux mémoires ; - gravure de tranchées (182) à travers toute l’épaisseur de l’empilement (150), séparant et isolant des parties de l’empilement (150) comportant chacune une ligne de premières cavités (160) ; - mise en œuvre d’un procédé de gravure selon la revendication 2, ou selon la combinaison de la revendication 2 et de l’une des revendications 4 à 10, gravant partiellement les premières couches (152) depuis les tranchées (182), telle que des portions restantes des premières couches de semi-conducteur (152) localisées entre les premières cavités (160) forment des nanofils semi-conducteurs (113) ; - gravure des troisièmes couches (156) de l’empilement (150) ; - dépôt d’au moins un diélectrique de grille (124) et d’au moins un matériau conducteur de grille (126) dans des espaces formés par la gravure des troisièmes couches (156) de l’empilement (150), formant une grille enrobante autour d’au moins partie de chacun des nanofils semi-conducteurs (113) et des lignes de mot (109) s’étendant chacune dans un même niveau mémoire correspondant à un des niveaux mémoires en couplant électriquement entre elles les grilles (124, 126) d’une même ligne et localisées dans ledit un des niveaux mémoires ; - dépôt d’un matériau diélectrique (130) dans les tranchées (182) ; - réalisation de premières portions électriquement conductrices (115) dans une partie des premières cavités (160) telles que chacune traverse au moins deux niveaux mémoires et soit couplée électriquement à des premières extrémités des nanofils semi-conducteurs (113) au niveau d’au moins une face latérale de ladite première portion électriquement conductrice (115) ; - réalisation d’empilement mémoires dans les autres premières cavités (160), chacun traversant lesdits au moins deux niveaux mémoires et comprenant au moins une couche de matériau mémoire disposée entre au moins une deuxième portion électriquement conductrice (117) et au moins une couche électriquement conductrice disposée contre des deuxièmes extrémités des nanofils semi-conducteurs (113) ; - réalisation de premières lignes électriquement conductrices (105) telles que chacune soit reliée électriquement aux premières portions électriquement conductrices (115) d’une même colonne de la mémoire (100), et réalisation de deuxièmes lignes électriquement conductrices (107) telles que chacune soit reliée électriquement aux deuxièmes portions électriquement conductrices (117) d’une même colonne de la mémoire (100). Procédé selon la revendication 11, dans lequel les deuxièmes couches (154) comportent du SiGe tel que le taux de germanium dans le SiGe des deuxièmes couches (154) soit différent du taux de germanium dans le SiGe des troisièmes couches (156). Procédé selon l’une des revendications 11 ou 12, comportant en outre, entre la réalisation des portions diélectriques d’isolation (111, 168) et la gravure des tranchées (182), une gravure partielle des troisièmes couches (156) de l’empilement (150) depuis des parois latérales des premières cavités (160), puis une réalisation d’espaceurs diélectriques internes (128) dans des espaces (172) formés par la gravure partielle des troisièmes couches (156). Procédé selon l’une des revendications 11 à 13, comportant en outre, entre la réalisation des portions diélectriques d’isolation (111, 168) et la gravure des tranchées (182), un dépôt d’un matériau sacrificiel (178) dans les premières cavités (160), ce matériau sacrificiel (178) étant supprimé avant la réalisation des premières et deuxièmes portions électriquement conductrices (115, 117).