INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour le premier seuillage, représenté par la flèche F2 à la , et appliqué à l’image filtrée 40, le module de détermination 26 est par exemple configuré pour effectuer un seuillage de type triangle (de l’anglais triangle threshold ) qui, à partir d’un histogramme de l’image filtrée 40 avec une distribution des pixels selon leur niveau de gris, maximise l’aire du triangle entre le sommet de l’histogramme et le niveau de gris maximum. Ce premier seuillage permet ainsi de conserver seulement les éléments clairs de l’image filtrée 40.
Le dispositif 4 est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 1, 2, et 3 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’un tel dispositif 4 comprennent, sans y être limités, un ordinateur, un ordinateur portable, un serveur, un téléphone portable, une tablette ou encore un équipement électronique embarqué tel qu’un ordinateur de bord d’un véhicule ou un calculateur électronique tel qu’une UCE (« Unité de Commande Electronique. Les éléments du dispositif 4, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif 4 peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.
Le dispositif 4 comprend un (ou plusieurs) processeur(s) 40 configurés pour exécuter des instructions pour la réalisation des étapes du procédé et/ou pour l’exécution des instructions du ou des logiciels embarqués dans le dispositif 4. Le processeur 40 peut inclure de la mémoire intégrée, une interface d’entrée/sortie, et différents circuits connus de l’homme du métier. Le dispositif 4 comprend en outre au moins une mémoire 41 correspondant par exemple à une mémoire volatile et/ou non volatile et/ou comprend un dispositif de stockage mémoire qui peut comprendre de la mémoire volatile et/ou non volatile, telle que EEPROM, ROM, PROM, RAM, DRAM, SRAM, flash, disque magnétique ou optique.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 4 comprend un bloc 42 d’éléments d’interface pour communiquer avec des dispositifs externes, par exemple un serveur distant ou le « cloud », d’autres nœuds du réseau ad hoc. Les éléments d’interface du bloc 42 comprennent une ou plusieurs des interfaces suivantes :
Selon un autre exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 4 comprend une interface de communication 43 qui permet d’établir une communication avec d’autres dispositifs (tels que d’autres calculateurs du système embarqué) via un canal de communication 430. L’interface de communication 43 correspond par exemple à un transmetteur configuré pour transmettre et recevoir des informations et/ou des données via le canal de communication 430. L’interface de communication 43 correspond par exemple à un réseau filaire de type CAN (de l’anglais « Controller Area Network » ou en français « Réseau de contrôleurs »), CAN FD (de l’anglais « Controller Area Network Flexible Data-Rate » ou en français « Réseau de contrôleurs à débit de données flexible »), FlexRay (standardisé par la norme ISO 17458) ou Ethernet (standardisé par la norme ISO/IEC 802-3).
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 4 peut fournir des signaux de sortie à un ou plusieurs dispositifs externes, tels qu’un écran d’affichage, tactile ou non, un ou des haut-parleurs et/ou d’autres périphériques (système de projection) via des interfaces de sortie respectives.
illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé d’identification d’un ou plusieurs composants réparés dans un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif de type ordinateur ou serveur ou par le dispositif 4 de la .
Dans une première étape 51, des premières données représentatives de résultat de diagnostic du premier véhicule sont reçues.
Dans une deuxième étape 52, au moins un premier composant du premier véhicule est identifié en alimentant un modèle de prédiction de composants réparés avec les premières données, chaque premier composant correspondant à un composant réparé suite à une panne,
le modèle de prédiction de composants réparés ayant été appris dans une phase dite d’apprentissage préalable à la réception et à l’identification à partir de :
● deuxièmes données représentatives de résultat de diagnostic de chaque deuxième véhicule d’un ensemble de deuxièmes véhicules ;
● premières informations représentatives d’au moins une requête de réparation d’au moins un deuxième composant dans chaque deuxième véhicule de l’ensemble de deuxièmes véhicules ; et
Il serait souhaitable de pouvoir réaliser le commutateur 2 avec des transistors ayant des tensions grille-source maximales de valeurs inférieures aux valeurs maximales de potentiel Vbat et Vdd. Par exemple, cela permet de réaliser un circuit intégré comprenant le dispositif 1, qui soit entièrement mis en œuvre avec des transistors MOS ayant des tensions grille-source maximales inférieures aux valeurs maximales des potentiels Vbat et Vdd. Il en résulte une diminution de la surface du circuit intégré par rapport au cas où celui-ci serait mis en œuvre avec des transistors MOS plus gros, ayant des tensions grille-source maximales supérieures ou égales aux valeurs maximales des potentiels Vbat et Vdd.
La représente un autre mode de réalisation du commutateur 2 de la .
En , les transistors T1, T2 et T3 sont des transistors PMOS à drain étendu ("drift PMOS" en anglais).
La prévision de transistors T1, T2, T3 à drain étendu permet que chaque transistor T1, T2, T3 puisse supporter une tension maximale entre sa source et son drain, ou tension maximale drain-source, et une tension maximale entre sa grille et son drain, ou tension maximale grille-drain, supérieures ou égales aux valeurs maximales des potentiels Vbat et Vdd.
En revanche, on considère ici que les transistors T1, T2 et T3 ont supportent chacun une tension maximale grille-source inférieure aux valeurs maximales des potentiels Vbat et Vdd.
Ainsi, selon un mode de réalisation, le circuit de commande 3 (non représenté en ) comprend alors : - un circuit configuré pour fournir un potentiel de référence haut VrefHB égal à A fois le potentiel d'alimentation Vbat et un potentiel de référence bas VrefLB égal à B fois le potentiel d'alimentation Vbat, avec A et B des nombres positifs strictement inférieurs à 1, A étant supérieur à B ; et - un circuit configuré pour fournir un potentiel de référence haut VrefHS égal à C fois le potentiel d'alimentation Vsw et un potentiel de référence bas VrefLS égal à D fois le potentiel d'alimentation Vsw, avec C et D des nombres positifs strictement inférieurs à 1, C étant supérieur à D.
Selon un mode de réalisation, les nombres A, B, C et D sont déterminés par la tension grille-source maximale supportée par chacun des transistors T1, T2 et T3. De préférence, les nombres A, B, C et D sont déterminés de sorte que la différence entre les potentiels Vbat et VrefLB, la différence entre les potentiels VrefHB et GND, la différence entre les potentiels Vsw et VrefLS et la différence entre les potentiels VrefHS et GND soient chacune inférieure à la tension grille-source maximale supportée par chacun des transistors T1, T2 et T3. De cette manière, le circuit 3 manipule des signaux binaires dont les états bas et haut sont égaux aux potentiels GND et VrefHB, GND et VrefHS, VrefLS et Vsw, et/ou VrefLB et Vbat. Ces signaux binaires sont compatibles avec les propriétés de tenue en tension des transistors T1, T2 et T3, et, par exemple, des transistors MOS du dispositif 1 tels que, notamment, les transistors mettant en œuvre le circuit 3.
Selon un mode de réalisation, le circuit 3 comprend en outre un circuit configuré pour fournir un potentiel de référence haut VrefHM égal à E fois le potentiel Vdd et un potentiel de référence bas VrefLM égal à F fois le potentiel Vdd, avec E et F des nombres positifs strictement inférieurs à 1. Par ailleurs, le nombre E est supérieur au nombre F. De manière similaire aux nombres A, B, C et D, les nombres E et F sont déterminés par la différence maximale de potentiels pouvant être appliquée entre la grille et la source de chacun des transistors T1, T2 et T3. Dit autrement, les nombres E et F sont déterminés par la tension grille-source maximale supportée par chacun des transistors T1, T2 et T3. De préférence, les nombres E et F sont déterminés de sorte que la différence entre les potentiels Vdd et VrefLM, et la différence entre les potentiels VrefHM et GND soient chacune inférieure à la tension grille-source maximale supportée par chacun des transistors T1, T2 et T3. De cette manière, le circuit 3 peut en outre manipuler des signaux binaires dont les états bas et haut sont égaux aux potentiels GND et VrefHM, et/ou aux potentiels VrefLM et Vdd. Ces signaux binaires sont compatibles avec les propriétés de tenue en tension des transistors T1, T2 et T3, et, par exemple, des transistors MOS du dispositif 1 tels que, notamment, les transistors mettant en œuvre le circuit 3.
Bien que cela ne soit pas illustré en , dans un tel mode de réalisation, de préférence, le circuit 6 ( ) est de préférence alimenté par la différence entre les potentiels VrefHS et GND. Dit autrement, de préférence, l'état bas du signal EN est alors le potentiel de masse GND et l'état haut du signal EN est alors le potentiel VrefHS. Par ailleurs, de préférence, dans un tel mode de réalisation, le circuit 6 détermine si le potentiel Vdd est supérieur au seuil Vth en comparant le potentiel VrefHM à un seuil Vth', la comparaison du potentiel VrefHM au seuil Vth' étant équivalente à la comparaison du potentiel Vdd au seuil Vth.
Dans le mode de réalisation de la , selon un mode de réalisation, l'état haut du signal cmd1 correspond au potentiel Vsw, l'état bas du signal cmd1 correspond au potentiel VrefLS, l'état haut du signal cmd2 correspond au potentiel Vsw, l'état bas du signal cmd2 correspond au potentiel VrefLS, l'état haut du signal cmd3 correspond au potentiel Vbat et l'état bas du signal cmd3 correspond au potentiel VrefLB.
Selon un mode de réalisation, le fonctionnement du circuit 3, et, de préférence, le fonctionnement du circuit 6, sont identiques à ce qui a été décrit en relation avec les figures 1 et 2, à la seule différence que les niveaux bas des signaux cmd1, cmd2 et cmd3 ne correspondent plus au potentiel GND, mais correspondent à la place respectivement au potentiel VrefLS, au potentiel VrefLS et au potentiel VrefLB.
La mise en œuvre du circuit 3 dans le cas décrit en relation avec la est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles et structurelles données ci-dessus.
En particulier la personne du métier peut mettre en œuvre le circuit 3 au moyen des circuits configurés pour générer les potentiels VrefHB, VrefLB, VrefHS et VrefLS, et, par exemple, du circuit configuré pour générer les potentiels VrefHM et VrefLM. Ces circuits sont couramment appelés générateur de tension de référence ("Reference Voltage Generator" en anglais). Des exemples de générateur de tension de référence sont décrits dans l'article de Kumar et al. intitulé "Power Sequence free 400Mbps 90µW 6000µm 2 1.8V-3.3V Stress Tolerant I/O Buffer in 28nm CMOS" présenté en 2013 lors de la conférence ESSCIRC. La personne du métier sera en capacité de trouver d'autres exemples de tels circuits dans la littérature.
Par ailleurs, pour mettre en œuvre le circuit 3, et, de préférence, le circuit 6, la personne du métier pourra utiliser des circuits de décalage de niveau ("level shifter" ou "splitter" en anglais) configurés pour recevoir un signal binaire ayant un niveau bas correspondant à un premier potentiel et un niveau haut correspondant à un deuxième potentiel, et pour fournir un signal binaire ayant un niveau bas correspondant à un troisième potentiel différent du premier potentiel et un niveau haut correspondant à un quatrième potentiel, par exemple, différent du deuxième potentiel. Par exemple, le circuit 3 peut comprendre des circuits configurés pour recevoir un signal binaire entre les potentiels (ou niveaux) VrefHS et GND, VrefHB et GND, et VrefHS et GND, et pour fournir un signal binaire entre les potentiels (ou niveaux) respectivement VrefHB et GND, Vbat et VrefLB, et Vsw et VrefLS. Des exemples de tels circuits sont également décrits dans l'article susmentionné, bien que la personne du métier soit en mesure de trouver d'autres exemples de tels circuits dans la littérature.
La représente, sous forme de blocs et de manière plus détaillée, un mode de réalisation du circuit de commande 3 du commutateur 2 de la .
A titre d'exemple, le signal EN est dans son premier état binaire lorsque le potentiel Vdd est inférieur au seuil Vth, et dans son deuxième état binaire lorsque le potentiel Vdd est supérieur au seuil Vth. De préférence, le premier état binaire du signal EN correspond au potentiel GND et le deuxième étant binaire du signal EN correspond au potentiel VrefHS.
La structure obtenue est ensuite polie ("planarisée") afin d’enlever une partie excédentaire de la couche métallique 304 de manière à définir une surface plane dans laquelle le matériau métallique dans les tranchées 306 affleure au même niveau que les poteaux isolants 380. Le matériau métallique dans les tranchées 306 définit les plots conducteurs 34. En outre, l’étape de polissage peut avantageusement supprimer une portion de la couche en matériau barrière 302 située sur les poteaux isolants. L’étape de polissage consiste par exemple en un polissage mécanochimique (connu sous le terme "CMP" ou "Chemical Mechanical Polishing" en anglais).
A l’issue de l’étape de polissage, une première partie 304A de la couche métallique forme des plots conducteurs 34 entre les poteaux isolants 380, deux plots conducteurs étant ainsi isolés électriquement, et une deuxième partie 304B de la couche métallique s’étend de part et d’autre de l’alternance de plots conducteurs 34 et des poteaux isolants 380. La zone d’alternance de plots conducteurs 34 et de poteaux isolants 380 définit le site d’assemblage 31 du circuit électronique 30.
On procède ensuite, comme illustré en , à la suppression de cette deuxième partie 304B de la couche métallique, ainsi qu’une autre portion 302B de la couche barrière 302 située sous ladite deuxième partie de la couche métallique.
On procède pour cela par gravure à travers un motif complémentaire 305 en résine photosensible formé sur la surface supérieure 31S du site d’assemblage 31.
De manière avantageuse, et comme représenté dans la , le motif complémentaire 305 déborde légèrement, d’une dimension par exemple comprise entre environ 1 nm et 1 µm, par exemple environ 300 nm, au-delà de la surface supérieure 31S du site d’assemblage 31. Ce débord permet d’éviter que, lors de l’une et/ou l’autre des deux étapes suivantes de gravure, les poteaux isolants 380 situés sur les bords 31A, 31B du site d’assemblage 31 ne subissent également une gravure, même partielle.
La gravure de la deuxième partie 304B de la couche métallique est de préférence une gravure humide, par exemple à l'aide d'une solution composée d’un mélange de d’acide sulfurique (H 2 SO 4 ) et de peroxyde d’hydrogène (H 2 O 2 ).
La gravure de la portion 302B de la barrière de diffusion 302 peut être une gravure sèche, notamment mettant en oeuvre un plasma, ou une gravure humide, notamment à l'aide d'une solution de type "SC1" comprenant de l’ammoniaque et de l’eau oxygénée.
La illustre une étape ultérieure, optionnelle, de formation d’une couche 35 en matériau hydrophobe ("couche hydrophobe"). Cette couche hydrophobe permet d’augmenter la différence de mouillabilité entre le site d'assemblage 31 et la zone périphérique 39 qui l’entoure. La couche 35 de matériau hydrophobe peut être déposée par enduction centrifuge ("spin coating" en anglais) ou par une technique de dépôt en phase vapeur. Son épaisseur est typiquement comprise entre environ 1 nm et 300 nm.
Le matériau hydrophobe peut être un matériau fluoré, de préférence fluorocarboné. A titre d'exemple, le matériau hydrophobe est à base de composés fluorocarbonés de type C x F y , où x et y sont des nombres réels, x pouvant varier de 1 à 5 et y pouvant varier de 1 à 8.
La illustre le circuit électronique 30 obtenu après retrait du motif complémentaire 305.
Dans le cas où une étape de formation d’une couche en matériau hydrophobe a été réalisée, cette étape permet également de retirer la partie de la couche hydrophobe formée sur ledit motif complémentaire, selon un effet dit "lift-off".
Le circuit électronique 30 obtenu présente un site d’assemblage 31 sur le support 32, le site d’assemblage comportant des plots conducteurs 34 s’étendant sensiblement verticalement dans le site d’assemblage, deux plots conducteurs adjacents étant isolés entre eux par un poteau isolant 380. Le site d’assemblage 31 est adapté pour être assemblé à un autre circuit électronique par un procédé d'auto-assemblage incluant une étape de fixation hybride, par exemple une étape de collage moléculaire hybride ou par thermocompression.
De manière optionnelle, la zone périphérique 39 du support 32 entourant le site d'assemblage 31 est revêtue d’une couche hydrophobe 35, afin de diminuer sa mouillabilité par rapport au site d’assemblage 31 et favoriser le confinement d’une goutte de liquide sur le site d’assemblage. D’autres solutions peuvent être mises en oeuvre pour augmenter cette différence de mouillabilité. On peut par exemple augmenter l’hydrophilie de la surface d’assemblage par un traitement de surface adapté, par exemple à l’aide d’un plasma UV/Ozone.
La est une vue en coupe illustrant un procédé d’auto-assemblage d’un premier circuit électronique 30 et d’un deuxième circuit électronique 30’, lesdits circuits électroniques étant obtenus par un procédé de fabrication selon l’exemple décrit en relation avec les figures 3A à 3F. Ils peuvent alternativement être pour l’un et/ou l’autre obtenus par un autre procédé décrit ultérieurement. Comme représenté, le deuxième circuit électronique 30’ peut être découpé, par exemple pour former une puce, avant d’être assemblé au premier circuit électronique 30.
Les étapes du procédé d’auto-assemblage ne sont pas illustrées, mais elles comprennent typiquement : - une étape de dépôt d’une goutte d’un liquide, par exemple une goutte d’eau, sur le site d’assemblage 31 du premier circuit électronique 30 ; - une étape dans laquelle le deuxième circuit électronique 30’ est approché du site d'assemblage 31 du premier circuit électronique 30 jusqu'à ce que son site d’assemblage 31’ vienne au contact de la goutte ; puis, une fois le deuxième circuit électronique 30’ aligné sur le premier circuit électronique 30 : - une étape de fixation hybride du deuxième circuit électronique 30’ au premier circuit électronique 30 après évaporation du liquide, la fixation étant réalisée de préférence par collage moléculaire hybride ou par thermocompression.
Il est possible, après fixation, de retirer la couche hydrophobe 35, 35’ formée sur chaque zone périphérique, par exemple par une gravure sèche.
Le système de géolocalisation peut permettre de connaitre la position du bateau sur le trajet prédéterminé.
Avantageusement, l’unité de contrôle est agencée pour déterminer un état de charge de l’unité de production électrique du bateau, et l’unité de calcul est agencée pour déterminer ladite source d’énergie cible du système propulsif au moins à partir dudit cap cible, de ladite vitesse cible et dudit état de charge.
L’unité de contrôle peut disposer de l’état de charge de la batterie, c’est-à-dire si la batterie est pleine, si la batterie est vide ou si la batterie est dans un état de charge intermédiaire. Lorsque la batterie est dans un état de charge intermédiaire, l’unité de contrôle peut disposer du pourcentage de charge restant dans la batterie du bateau. L’état de charge intermédiaire peut comporter une pluralité de seuils, par exemple un premier seuil à 80% de charge, notamment 60% de charge et un deuxième seuil à 20% de charge, notamment à 40% de charge.
L’unité de calcul peut permettre de déterminer si l’état de charge de la batterie permet d’accomplir la portion de trajet jusqu’à la prochaine escale en tenant compte du cap à suivre et de la vitesse nécessaire pour y parvenir à l’horaire prédéterminé.
En fonction de l’état de charge de la batterie, l’unité de calcul peut déterminer quelle source d’énergie de propulsion est à privilégier pour atteindre la prochaine escale.
Avantageusement, l’unité de contrôle est apte à communiquer avec au moins une base de données distante pour recevoir des données relatives aux conditions de navigation sur ledit trajet jusqu’à ladite escale et l’unité de calcul est agencée pour déterminer ladite source d’énergie cible au moins à partir dudit cap cible, de ladite vitesse cible, dudit état de charge et desdites conditions de navigation.
La base de données distante peut comporter les conditions de navigation, par exemple les courants, les marées, les données météorologiques, la température. Les conditions de navigation peuvent être consultées par l’unité de calcul en temps réel à chaque escale ou peut vent être prédéterminées lors du point de départ, avant d’entamer le premier trajet. Les conditions de navigation peuvent avoir une influence sur le calcul du cap cible et de la vitesse cible.
L’unité de contrôle est notamment agencée pour déterminer une valeur relative auxdites conditions de navigation, par exemple sur une échelle de 1 à 5, 1 indiquant des conditions très défavorables (par ex. navigation à contre-courant avec condition météorologique défavorable) et 5 indiquant des conditions très favorables (par ex. navigation dans le sens du courant, avec condition météorologique favorable). En fonction de la valeur relative attribuée aux conditions de navigation, l’unité de contrôle peut déterminer le cap cible et la vitesse cible, puis la source d’énergie optimale à utiliser. Ainsi, la valeur relative attribuée aux conditions de navigation peut influer sur le choix de la source d’énergie optimale à utiliser.
Si l’état de charge de la batterie empêche d’atteindre l’escale en respectant des critères définis, l’unité de contrôle peut préconiser sur l’unité de visualisation du terminal, l’utilisation de l’unité de production d’énergie embarquée. Si l’état de charge de la batterie est supérieur au premier seuil d’état de charge de la batterie, l’unité de contrôle peut préconiser sur l’unité de visualisation du terminal, l’utilisation de l’unité de stockage et d’alimentation d’énergie électrique. Si l’état de charge de la batterie est compris entre le premier seuil et le deuxième seuil d’état de charge de la batterie, l’unité de contrôle peut suggérer l’utilisation du mode de propulsion électrique sur batteries. Si l’état de charge de la batterie est inférieur au deuxième seuil d’état de charge de la batterie, l’unité de contrôle peut préconiser sur l’unité de visualisation du terminal, l’utilisation de l’unité de production électrique embarquée.
Si l’état de charge de la batterie est compris entre le premier seuil d’état de charge de la batterie et le deuxième seuil d’état de charge de la batterie, l’unité de contrôle peut préconiser, si les conditions de navigation ont une valeur relative supérieure ou égale à 3, l’utilisation de l’unité de stockage et d’alimentation d’énergie électrique, et si les conditions de navigation ont une valeur relative inférieure à 3, l’utilisation l’unité de production d’énergie embarquée.
Avantageusement, l’unité de contrôle est agencée pour comptabiliser la durée d’utilisation de la source d’énergie cible et l’unité de calcul est agencée pour déterminer ladite source d’énergie optimale cible au moins à partir dudit cap cible, de ladite vitesse cible, dudit état de charge et de ladite durée d’utilisation.
La durée d’utilisation de la batterie peut comporter un seuil de durée d’utilisation minimal de 45 minutes, notamment 30 minutes. L’unité de calcul peut tenir compte de la durée d’utilisation minimale de la batterie en plus du cap cible et de la vitesse cible pour influencer le calcul de la source d’énergie.