Procédé de fabrication d'un circuit électronique (30, 40, 50, 50’, 60) s’étendant selon un plan principal (XY) et comprenant : - un support (32, 42, 52, 62), - un site d’assemblage (31, 41, 51, 61) sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface (31S) protubérante par rapport audit support destinée à être assemblée à un site d’assemblage (31’) d’un autre circuit électronique (30’) par un procédé d'auto-assemblage, et - une zone périphérique (39, 49, 59, 69) autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comportant au moins un niveau, chaque niveau comportant des plots conducteurs (34, 44, 54, 54’, 64) et des poteaux isolants (380, 480, 580, 580’, 680) entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdits poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; ledit procédé de fabrication comprenant la formation dudit au moins un niveau du site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction (X) du plan principal (XY), de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction (X), des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie dudit procédé ; ladite étape de photolithographie étant adaptée à former un motif en résine (301) dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords. Procédé de fabrication selon la revendication 1, comprenant, pour chaque niveau (511, 511’) du site d’assemblage (31, 41, 51, 61), une étape de gravure, ultérieure à l’étape de photolithographie, ladite étape de gravure étant réalisée à partir de la face de la structure recouverte par le motif en résine (301) formant masque de gravure. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, le motif en résine formé pour chaque niveau (511, 511’) du site d’assemblage (41, 51, 61) étant dimensionné pour que les poteaux isolants (480, 580, 580’, 680) comprennent des poteaux isolants (481, 581, 581’, 681) aux bords du site d’assemblage (41, 51, 61) plus larges dans la au moins une direction (X) du plan principal (XY) que les poteaux isolants (482, 582, 582’, 682) situés entre lesdits bords. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, le motif en résine formé pour au moins le premier niveau (511, 511’) du site d’assemblage (41, 51) étant dimensionné pour former sur la zone périphérique (49, 59) du support (42, 52) des poteaux complémentaires (483, 583, 583’) dans la couche isolante (48, 58, 58’). Procédé selon la revendication 4, les poteaux complémentaires (483) étant configurés pour diminuer la mouillabilité de la zone périphérique (49) par rapport à la mouillabilité du site d’assemblage (41), par exemple les poteaux complémentaires présentant une largeur (A) dans une direction (X) du plan principal (XY) comprise entre 0,5 µm et 1 µm, une hauteur (H) comprise entre 50 nm et 2 µm, et deux poteaux complémentaires adjacents étant distants d’un écartement (B) compris entre 0,5 µm et 2 µm dans ladite direction. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, la formation d’un premier niveau (511) du site d’assemblage (31, 41, 51) comprenant : - une étape de formation d’une couche isolante (38, 48, 58) en un premier matériau diélectrique sur le support (32, 42, 52) ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif (301) en résine sur la couche isolante (38, 48, 58) ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche isolante (38, 48, 58) recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées (306, 406) dans ladite couche isolante séparées entre elles par des poteaux isolants (380, 480, 580) en le premier matériau diélectrique ; puis - une étape de retrait du motif (301) ; puis - une étape de formation d’une couche conductrice (304, 404, 504) en un premier matériau métallique sur la face gravée de la couche isolante (38, 48, 58) de manière à au moins remplir les tranchées, le premier matériau métallique inséré dans les tranchées formant des plots conducteurs (34, 44, 54) séparés entre eux par les poteaux isolants ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche conductrice (304, 404, 504), ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les plots conducteurs (34, 44, 54) au même niveau que les poteaux isolants (380, 480, 580) de la couche isolante gravée ; le premier matériau métallique étant par exemple du cuivre ou du cobalt. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, la formation d’un premier niveau du site d’assemblage (61) comprenant : - une étape de formation d’une couche conductrice (604) en un deuxième matériau métallique sur le support (62) ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif en résine sur la couche conductrice (604) ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche conductrice (604) recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées (606) dans la couche conductrice (604) et des plots conducteurs (64) en le deuxième matériau métallique séparés entre eux par lesdites tranchées ; puis - une étape de retrait du motif ; puis - une étape de formation d’une couche isolante (68) en un deuxième matériau diélectrique sur la face gravée de la couche conductrice (604) de manière à au moins remplir les tranchées (606), le deuxième matériau diélectrique inséré dans lesdites tranchées formant des poteaux isolants (680) isolant les plots conducteurs (64) entre eux ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche isolante (68), ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les poteaux isolants (680) au niveau des plots conducteurs (64) ; le deuxième matériau métallique étant par exemple de l’aluminium, du tungstène, ou un alliage à base d’aluminium et de cuivre ou d’aluminium et de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 6 ou 7, la formation du premier niveau du site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comprenant, préalablement à l’étape de formation de la couche isolante (38, 48, 58) en le premier matériau diélectrique ou de la couche conductrice (604) en le deuxième matériau métallique, une étape de formation d’une couche d’arrêt de gravure (37, 47, 57, 67) sur le support (32, 42, 52, 62), par exemple une couche en nitrure de silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 6 à 8, les étapes de formation du premier niveau (511) du site d’assemblage (51) étant réitérées au moins une fois de manière à former un autre niveau (511’) de site d’assemblage comprenant d’autres plots conducteurs (54’) et d’autres poteaux isolants (580’), lesdits autres plots conducteurs, respectivement lesdits autres poteaux isolants, étant disposés au droit des plots conducteurs, respectivement des poteaux isolants, du niveau du site d’assemblage précédemment formé ; ledit procédé comprenant par exemple une étape préalable de formation d’une couche d’arrêt de gravure (57’) sur le niveau du site d’assemblage précédemment formé. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant une étape complémentaire de photolithographie adaptée à recouvrir le site d'assemblage (31, 41, 51, 61) d'un motif complémentaire (305, 405, 505, 605) en résine, ledit motif complémentaire débordant d’une dimension par exemple comprise entre 1 nm et 1 µm, par exemple 300 nm, de part et d’autre dudit site d’assemblage au-dessus de la zone périphérique (39, 49, 59, 69). Procédé de fabrication selon la revendication 10 dans sa dépendance à l’une des revendications 6 à 9, comprenant, ultérieurement à l’étape complémentaire de photolithographie, une étape complémentaire de gravure, de préférence humide, d’une partie (304B, 404B, 504B, 504B’, 604B) de la au moins une couche conductrice (304, 404, 504, 504’, 604) localisée sur la zone périphérique (39, 49, 59, 69). Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, comprenant une étape, ultérieure à l’étape complémentaire de photolithographie et, le cas échéant, à l’étape complémentaire de gravure, de formation d'une couche (35), d’épaisseur par exemple comprise entre 1 et 300 nm, en un matériau hydrophobe sur la zone périphérique (39), le matériau hydrophobe étant par exemple un matériau fluoré, de préférence fluorocarboné. Circuit électronique (30, 40, 50, 60) s’étendant selon un plan principal (XY) et comprenant : - un support (32, 42, 52, 62) ; - un site d’assemblage (31, 41, 51, 61) sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface (31S) protubérante par rapport audit support destinée à être assemblé à un site d’assemblage (31’) d’un autre circuit électronique (30’) par un procédé d'auto-assemblage ; et - une zone périphérique (39, 49, 59, 69) tout autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comportant au moins un niveau (511, 511’), chaque niveau comportant des plots conducteurs (34, 44, 54, 54’, 64) et des poteaux isolants (380, 480, 580, 580’, 680) entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdites poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction (X) du plan principal (XY), de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction (X), des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie, adaptée à former un motif en résine dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords ; les contours du site d’assemblage, dans la au moins une direction du plan principal, comportant des poteaux isolants. Procédé d’auto-assemblage d'un premier circuit électronique (30) et d’un deuxième circuit électronique (30’), les premier et deuxième circuits électroniques étant fabriqués selon le procédé selon l’une des revendications 1 à 12, le procédé d’auto-assemblage comprenant : - une étape de dépôt d'une goutte d'un liquide sur la première surface (31S) du site d’assemblage (31) du premier circuit électronique (30) ; puis - la mise en contact de la première surface du site d’assemblage (31’) du deuxième circuit électronique (30’) avec la première surface du site d’assemblage (31), revêtue de la goutte de liquide, du premier circuit électronique (30) ; puis - une étape de fixation, par exemple par collage moléculaire hybride ou thermocompression, du site d’assemblage (31’) du deuxième circuit électronique (30’) au site d’assemblage (31) du premier circuit électronique (30). Procédé d’auto-assemblage selon la revendication 14, le deuxième circuit électronique (30’) étant découpé de manière à former une puce de circuit intégré préalablement à l’étape de mise en contact, le premier circuit électronique (30) étant une plaque de circuits intégrés.