Dispositif quantique à Qubits de spin, comportant : --une première portion semi-conductrice (141) et une deuxième portion semi-conductrice (142) juxtaposée à la première portion semi-conductrice, lesdites portions semi-conductrices étant formées dans une couche superficielle (13) d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant et disposés sur une couche isolante (12) dudit substrat de type semi-conducteur sur isolant, le substrat étant muni d’une couche (11) de support semi-conductrice telle que ladite couche isolante (12) est agencée entre ladite couche de support et ladite couche superficielle, --plusieurs paires (221, 222) de grilles de contrôle avant, chaque paire étant formée respectivement d’une première grille (221) de contrôle avant recouvrant une région de la première portion semi-conductrice (141) pour former un premier ilot quantique et d’une deuxième grille (222) de contrôle avant recouvrant une région de la deuxième portion semi-conductrice (142) formant un deuxième ilot quantique, une région isolante (160, 57a-57b-61) étant présente entre le premier ilot quantique et le deuxième ilot quantique et de sorte à autoriser un couplage électrostatique entre le premier ilot quantique et le deuxième ilot quantique, le dispositif quantique étant doté d’une électrode conductrice arrière (150) disposée à l’aplomb de la région isolante (160, 57a-57b-61), ladite électrode conductrice arrière (150) étant formée d’une région (59) à base de matériau métallique agencée dans ladite couche de support (11) semi-conductrice du substrat semi-conducteur sur isolant. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la région à base de matériau métallique est formée d’alliage de matériaux métallique et semi-conducteur. Dispositif selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la région à base de matériau métallique est à base d’un des matériaux suivants : Ta, Pt, Nb, TiN, Co, V. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 3, dans l’électrode conductrice arrière (150) est configurée pour véhiculer un signal RF. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la région isolante (160) est composée de matériaux diélectriques différents. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’électrode conductrice arrière (150) s’étend sous et en regard de la région isolante (160) sans s’étendre en regard de l’une ou l’autre desdites première grille (221) de contrôle et deuxième grille (222) de contrôle. Procédé de fabrication d’un dispositif quantique le procédé comprenant, dans cet ordre, des étapes consistant à : -former sur une zone (14) dite « zone active » d’une couche superficielle (13) d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant muni d’une couche (11) de support semi-conductrice et d’une couche isolante (12) agencée entre la couche de support (11) et ladite couche superficielle (13), une pluralité de blocs (22a,…,22e) de grilles, -former une tranchée (55) de séparation à travers lesdits blocs de grilles de sorte à partager chaque bloc de grille en une paire (221, 222) de grilles de contrôle avant, ladite tranchée (55) de séparation s’étendant à travers la zone active (14) de sorte à partager la zone active (14) en une première portion semi-conductrice (141) et une deuxième portion semi-conductrice (142), ladite tranchée (55) s’étendant également à travers la couche isolante (12) du substrat et ayant un fond dévoilant une zone (111) de la couche (11) de support, -former au fond de la tranchée (55) une électrode conductrice (150) arrière. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’électrode conductrice arrière (150) est formée par le biais d’étapes de : - dépôt de métal sur ladite zone (111) de la couche de support dévoilée au fond de la tranchée (55), - traitement thermique de manière à former, un alliage entre ledit métal entre le matériau semi-conducteur de la zone (111) de la couche (11) de support. Procédé selon l’une des revendications 7 ou 8, comprenant en outre, après formation des blocs (22a,…,22e) de grille et préalablement à la réalisation de l’électrode (150) de contrôle arrière : - la formation d’une couche (51) d’arrêt de gravure sur lesdits blocs (22a,…,22e) de grille, la tranchée (55) étant réalisée à travers ladite couche (51) d’arrêt de gravure formée sur les blocs de grille. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre, après formation des grilles et préalablement à la formation de la couche d’arrêt de gravure, des étapes de : - croissance de matériau semi-conducteur dopé (33) sur des régions (14a, 14b) de la zone active (14) disposées de part et d’autre des blocs de grilles (22a,…,22e), de sorte à former des réservoirs de dopants, - siliciuration d’une face supérieure desdits réservoirs et des blocs (22a,…,22e) de grille. Procédé selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel préalablement au dépôt de métal, le procédé comprend des étapes de : - formation de zones (57a, 57b) de protection diélectrique sur des flancs latéraux de la tranchée (55), les zones (57a, 57b) de protection diélectrique étant agencées de sorte à s’étendre entre la première portion semi-conductrice (141) et la deuxième portion semi-conductrice (142) et à dévoiler la zone (111) de la couche de support au fond de la tranchée (55). Procédé selon la revendication 11, dans lequel, après formation de l’électrode conductrice (150) arrière, le procédé comprend le remplissage de la tranchée (55) par dépôt d’au moins une couche diélectrique (61), la couche diélectrique (61) et les zones (57a, 57b) de protection diélectrique ayant une composition et un agencement prévus de manière à permettre d’établir un couplage électrostatique entre la première portion semi-conductrice (141) et la deuxième portion semi-conductrice (142). Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite tranchée (55) réalisée s’étend dans une partie donnée du substrat située en périphérie de la zone active (14), et dans lequel après le dépôt de ladite au moins une couche diélectrique (61) de remplissage, le procédé comprenant en outre: la réalisation de plots de contact (77, 78, 79, 71a, 72a, 73a, 74a, 75a, 71b, 72b, 73b, 74b, 75b) dont au moins un plot de contact (77) de ladite électrode (150) de contrôle arrière, par : - formation d’au moins un trou à travers la couche diélectrique (61), ledit trou débouchant dans ladite partie donnée dévoilant la couche de support, - remplissage du trou à l’aide d’un matériau conducteur.