INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Quelle que soit la forme de réalisation du dispositif de réglage 37, ce dernier permet de commander la position, suivant l’axe X-X de l’organe interne 32 par rapport à l’enveloppe externe 31. Les intérêts de cet aménagement de la filière 30 sont multiples. Ainsi, comme expliqué plus haut, en modifiant le positionnement relatif de l’organe interne 32 de l’enveloppe externe 31 suivant l’axe X-X, on modifie les caractéristiques géométriques du canal 35, telles que son épaisseur et sa section de passage. Par ailleurs, le nettoyage du canal 35 et/ou la maintenance de la filière 30 sont facilités lorsqu’on peut écarter substantiellement l’organe interne 32 de l’enveloppe externe 31 vers l’aval. En pratique, le dispositif de réglage 37 est actionnable alors que la machine d’extrusion 2 est à l’arrêt et/ou alors que la machine d’extrusion 2 est en service. L’actionnement correspondant du dispositif de réglage 37 est manuel ou bien asservi à une consigne opératoire qui est prédéterminée ou calculée en temps réel à partir de mesures relatives à des paramètres de fonctionnement de la machine d’extrusion 2, tels que par exemple, le couple résistif des vis 20, et/ou à partir de mesures relatives à des caractéristiques de la matière traitée par la machine d’extrusion 2, telles que, par exemple, la composition de la matière première 3 ou la viscosité de la matière 2 sortant 4 du fourreau 10.
Suivant un autre aménagement possible, également mis en œuvre dans le mode de réalisation considéré sur les figures, la filière 30 comporte un déflecteur de sortie 38 qui est lié fixement à l’organe interne 32. Ainsi, le déflecteur de sortie 38 est, conjointement avec l’organe interne 32, rotatif autour de l’axe X-X par rapport à l’enveloppe externe 31. La forme de réalisation pour la liaison fixe entre le déflecteur de sortie 38 et l’organe interne 32 n’est pas limitative de l’invention : ici, le déflecteur de sortie 38 est intégré à la partie amont 32A de l’organe interne 32, notamment à la pièce d’étagement 32.6 du module 32.2 de l’organe interne 32. Dans tous les cas, le déflecteur de sortie 38 est agencé au niveau de l’extrémité aval 35B du canal 35 de manière à exercer une contre-pression vis-à-vis de l’écoulement de la matière sortant du canal 35. En pratique, suivant l’axe X-X, le déflecteur 38 peut occuper soit exactement la même position que l’extrémité aval 35B du canal 35, soit être légèrement décalé en aval de cette extrémité aval 35B comme dans l’exemple envisagé sur les figures. Dans tous les cas, le déflecteur de sortie 38 est conçu pour interférer physiquement, dans la direction de l’axe X-X, avec la matière 5 sortant du canal 35 via l’extrémité aval 35B de ce dernier. Autrement dit, le déflecteur de sortie 38 induit une résistance axiale à l’écoulement de la matière 5 sortant du canal 35. A cet effet, le déflecteur de sortie 38 est par exemple évasé vers l’aval, par rapport à la face extérieure tronconique 34 de l’organe interne 32.
On va maintenant décrire le fonctionnement de la machine d’extrusion 2.
Les ingrédients de la matière première 3 sont introduits à l’intérieur du fourreau 10, via au moins l’un de ses éléments 11, puis sont entraînés vers l’aval par les vis 20, tout en étant transformés sous l’effet du traitement thermomécanique appliqué par le fourreau et les vis. La matière 4 sortant de l’élément le plus en aval, parmi les éléments 11, du fourreau 10 est poussée à travers successivement la plaque terminale 13, le diffuseur 17 et la filière 30. La matière 4 entre dans la filière 30 après avoir traversé la chambre de répartition 17A dans laquelle la matière 4 est avantageusement distribuée autour de l’axe X-X par le diffuseur 17. A l’intérieur de la filière 30, la matière 5 s’écoule dans le canal 35, depuis l’extrémité amont 35A de ce dernier jusqu’à son extrémité aval 35B. Après avoir été, le cas échéant, retenue par contre-pression sous l’effet du déflecteur de sortie 38, la matière 5 sort à l’extérieur de l’enveloppe externe 31 via l’extrémité aval 35B du canal 35. En s’échappant ainsi à l’extérieur de l’enveloppe externe 31, la matière 5 sort de la filière 30 et forme le produit alimentaire 1.
Au fur et à mesure de son écoulement le long du canal 35, la matière 5 est cisaillée par deux composantes de cisaillement différentes, qui se cumulent, à savoir :
- une première composante de cisaillement, qui résulte de l’adhésion de la matière 5 à la face intérieure tronconique 33 de l’enveloppe externe 31 et/ou à la face extérieure tronconique 34 de l’organe interne 32, du fait de l’ajustement de température qu’appliquent l’enveloppe externe 31 et/ou l’organe interne 32 à la matière 5 au travers de leur face 33 et 34, et
- une seconde composante de cisaillement, qui résulte de l’enroulement de la matière 5 autour de la face extérieure tronconique 34 de l’organe interne 32, du fait de l’entraînement en rotation autour de l’axe X-X de cet organe interne 32 par la motorisation 36.
La est une vue en coupe transversale représentant schématiquement une partie B-B' de la vue en coupe transversale de la de façon plus détaillée selon un exemple de mode de réalisation. En particulier, la partie B-B' traverse verticalement le substrat 102, et la puce réseau 108 et la puce fragmentée 110 de l'empilement informatique 106.
Dans l'exemple de la , la puce réseau 108 et la puce fragmentée 110 sont assemblées selon un agencement face à face. La "face" d'une puce de circuits intégrés correspond au côté le plus proche des niveaux d'interconnexions métalliques, alors que le "dos" correspond au côté le plus proche du substrat, généralement constitué de silicium.
Dans certains modes de réalisation, la même technologie de transistor peut être utilisée pour fabriquer la puce 108 et la puce fragmentée 110. Par exemple, la puce 108 et la puce fragmentée 110 pourraient toutes deux être fabriquées en utilisant la technologie connue de la personne du métier sous le nom de technologie FinFET 28 nm, 22 nm, 16 nm ou 14 nm. Selon une variante, elles pourraient être fabriquées en utilisant des technologies différentes, la puce fragmentée étant par exemple fabriquée en utilisant la technologie connue de la personne du métier sous le nom de technologie FinFET 7 nm ou 5 nm.
La puce réseau 108 comprend par exemple un substrat 154, par exemple constitué de silicium ou d'un autre semiconducteur, une couche de transistors 156 formée sur le substrat 154 et comprenant par exemple des empilements de grilles de transistors formés sur le substrat 154, et une couche d'interconnexions 158 formée sur la couche de transistors 156 et comprenant des niveaux de métal, interconnectant des transistors de la couche de transistors 156. Par exemple, la couche d'interconnexions 158 comprend une couche de matériau diélectrique dans laquelle des niveaux de métal ont été formés selon des motifs définis afin de fournir des connexions entre les transistors ou d'autres dispositifs formés dans la couche de transistors.
Une interface entre la puce fragmentée 110 et la puce réseau 108 est par exemple mise en œuvre par une RDL (de l'anglais "redistribution layer", couche de redistribution), par exemple, une couche de liaison hybride entre les puces. Par exemple, cette couche comprend des plots d'interconnexion 170. Dans un exemple, ces plots d'interconnexion 170 ont un pas compris entre 1 et 10 µm. Les plots d'interconnexion 170 comprennent par exemple des plots de liaison cuivre-cuivre formés entre les couches d'interconnexion 158 et 168 de la puce 108 et de la puce fragmentée 110, respectivement.
Un certain nombre de vias d'interconnexions, tels que des TSV (de l'anglais "through silicon vias", vias traversant du silicium), 160 s'étendent depuis la couche d'interconnexion 158, à travers la couche de transistors 156 et le substrat 154, jusqu'à une partie inférieure ou face arrière de la puce réseau 108, où ils sont connectés par exemple à des bossages 162. En outre, dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs des vias d'interconnexions 160 s'étendent jusqu'à un plot d'interconnexion correspondant 170 formé sur la surface de la couche d'interconnexions 158 pour s'interconnecter avec la puce fragmentée 110.
La puce fragmentée 110 comprend par exemple un substrat 164, par exemple constitué de silicium ou d'un autre semiconducteur, une couche de transistors 166 formée sur le substrat 164 et comprenant par exemple des empilements de grilles de transistors formés sur le substrat 164, et une couche d'interconnexions 168 formée sur la couche de transistors 166 et comprenant des niveaux de métal interconnectant des transistors de la couche de transistors 166, de façon similaire à la couche d'interconnexions 158 de la puce réseau 108.
Dans certains modes de réalisation, un dissipateur thermique 172 est formé sur la face arrière de la puce fragmentée 110.
La puce réseau 108 est montée par exemple sur le substrat 102 par l'intermédiaire des bossages 162. Dans certains modes de réalisation, le substrat 102 est un substrat de boîtier comprenant des vias de connexions (non représentés dans les figures 1A, 1B, 1C) entre les bossages 162 et des billes de BGA (de l'anglais "Ball Grid Array", matrice de billes) placées sur une partie inférieure du substrat 102. Les billes du BGA 174 sont par exemple utilisées pour connecter électriquement le boîtier à une carte de circuit (non représentée).
La puce réseau 108 comprend par exemple un réseau sur puce (NoC) ayant des circuits mémoire (non représentés en ), et les vias d'interconnexions 160 sont par exemple formés à des intervalles réguliers dans des espaces formés entre les circuits mémoire du NoC. Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs des vias d'interconnexions 160 sont reliés à un rail d'alimentation de la puce réseau 108 pour fournir une tension d'alimentation, telle qu'une tension VDD ou GND, à la puce réseau 108, et/ou un ou plusieurs des vias d'interconnexions 160 sont reliés, par l'intermédiaire d'un des plots d'interconnexions 170, à un rail d'alimentation de la puce fragmentée 110 pour fournir une tension d'alimentation, telle qu'une tension VDD ou GND, à la puce fragmentée 110. Un avantage de la fourniture de tensions d'alimentation à la puce réseau 108 et/ou à la puce fragmentée 110 par l'intermédiaire de vias d'interconnexions régulièrement espacés 160 est qu'ils peuvent être utilisés pour fournir les rails d'alimentation de la puce/puce fragmentée, qui sont par exemple régulièrement espacés dans les couches d'interconnexions 158, 168 de la puce/puce fragmenté respective. Avantageusement, cela permet à l'une des puce et puce fragmentée ou aux deux d'être alimentées avec une chute IR (résistance de courant) relativement faible.
Bien que dans le mode de réalisation de la les puce 108 et puce fragmentée 110 soient empilées face à face, dans des variantes de mode de réalisation, elles pourraient être empilées face à dos, par exemple la couche d'interconnexion 168 (face) de la puce fragmentée 110 contactant le substrat 154 (dos) de la puce réseau 108. Ainsi, la couche d'interconnexions 158 de la puce réseau 108 contacte le substrat 102, par exemple par l'intermédiaire des bossages 162, facilitant les interconnexions entre ceux-ci. Dans un tel cas, la puce réseau 108 comprend par exemple des vias d'interconnexions (non représentés) s'étendant depuis les bossages 162, à travers le substrat 154 et la couche de transistors 156, à la couche d'interconnexions 168 de la puce fragmentée 110, et fournissant des tensions d'alimentation et/ou d'autres signaux à la puce fragmentée 110, et également de vias d'interconnexion (également non représentés) s'étendant depuis la couche d'interconnexions 158 de la puce réseau 108, à travers le substrat 154 et la couche de transistors 156, jusqu'à la couche d'interconnexions 168 de la puce fragmentée 110, et fournissant des canaux de communication entre la puce réseau 108 et la puce fragmentée 110.
Bien que les plots d'interconnexions 170 aient été décrits entre les puces réseau 108 et les puces fragmentées 110, qui, par exemple, assurent des connexions électriques sur la base d'une liaison hybride, dans des variantes de mode de réalisation, d'autres technologies pourraient être utilisées pour l'interface électrique entre les puces réseau 108 et les puces fragmentées 110, telles que des réseaux de micro-bossages, des réseaux de piliers de cuivre, etc.
La représente schématiquement la puce réseau 108 du dispositif informatique des figures 1A à 1C de façon plus détaillée selon un exemple de mode de réalisation.
La puce réseau 108 comprend par exemple un NoC 201 constitué d'une pluralité de routeurs de NoC 202. Les routeurs de NoC 202 sont agencés dans un réseau bidimensionnel de lignes et de colonnes, chaque routeur de NoC 202 communiquant par exemple avec des nœuds adjacents dans ses ligne et colonne. Dans l'exemple de la , il y a neuf routeurs de NoC 202 agencés en trois colonnes et trois lignes. Toutefois, dans des variantes de mode de réalisation, il pourrait y avoir un nombre différent de nœuds agencés selon un quelconque motif.
Chacun des routeurs de NoC 202 est relié à un circuit mémoire correspondant (M) 204, dont chacun est par exemple une mémoire volatile telle qu'une SRAM (de l'anglais "static random access memory", mémoire vive statique) ou une mémoire non volatile (NVM).
En plus de la connexion à chaque mémoire 204, chacun des routeurs de NoC 202 a par exemple cinq interfaces d'entrée/sortie, représentées par des doubles flèches en . Une de ces interfaces d'entrée/sortie de chaque routeur de NoC 202 est par exemple réservée pour une connexion à une puce fragmentée 110 placée sur la puce réseau 108. Un ou plusieurs des routeurs de NoC 202 a par exemple chacune de ses autres quatre interfaces d'entrée/sortie reliée à ses quatre nœuds voisins dans le NoC 201. Cela est par exemple le cas pour le routeur de NoC central 202 dans l'agencement 3 par 3 de la . Plus généralement, c'est par exemple le cas pour tout nœud qui n'est pas situé au niveau d'un bord (incluant les coins) du NoC.
L’invention a ainsi pour objet, sous un premier aspect, un dispositif de réception d’un engin marin ou sous-marin, notamment autonome, semi-autonome ou remorqué, à partir d’un navire, comportant un organe d’accueil contre lequel une partie avant de l’engin marin ou sous-marin est configuré pour venir en appui, caractérisé en ce que l’organe d’accueil présente une paroi principale globalement en forme d’entonnoir et définissant un espace d’accueil, au moins un premier renfoncement ménagé sur la paroi principale à l’intérieur de l’espace d’accueil et configuré pour recevoir une protubérance ménagée sur la partie avant de l’engin marin ou sous-marin, et le dispositif de réception comporte en outre au moins un organe de blocage mobile entre une position déverrouillée et une position verrouillée dans laquelle l’organe de blocage saille dans l’espace d’accueil et est configuré pour bloquer en position la partie avant de l’engin marin ou sous-marin dans l’espace d’accueil.
Dans le dispositif de réception selon l’invention, la forme en entonnoir de la paroi principale permet de guider et faciliter l’entrée de la partie avant de l’engin dans l’espace d’accueil, le premier renfoncement ménagé dans cette paroi principale assure à la fois un centrage et un dégauchissage, c’est-à-dire une « mise à plat », de la position de l’engin une fois entrée dans l’espace d’accueil, et l’organe de blocage assure un verrouillage de l’engin dans sa position centrée et à plat, directement au niveau de l’espace d’accueil. Ces fonctions de guidage, centrage et dégauchissage sont ainsi regroupées dans l’organe d’accueil et en particulier au niveau du seul espace d’accueil défini par la paroi principale du dispositif de réception. Le dispositif de réception selon l’invention est ainsi simple, sûr et commode tout étant particulièrement compact.
Des caractéristiques préférées particulièrement simples, commodes et économiques du dispositif de réception selon l’invention sont présentées ci-dessous.
L’organe d’accueil peut comporter un orifice ménagé dans la paroi principale et configuré pour former un passage pour un câble d’assujettissement de l’engin marin ou sous-marin au dispositif de réception et/ou au navire.
L’organe d’accueil peut comporter deux premiers renfoncements ménagés de part et d’autre de l’orifice.
L’organe d’accueil peut comporter un deuxième renfoncement ménagé sur la paroi principale à l’intérieur de l’espace d’accueil et s’étendant jusqu’à l’orifice. Un tel deuxième renfoncement, notamment en forme de gouttière, peut permettre de ne pas pincer le câble entre la partie avant de l’engin et la paroi principale de l’organe d’accueil.
L’organe d’accueil peut comporter au moins un troisième renfoncement, ménagé sur la paroi principale à l’intérieur de l’espace d’accueil et à proximité immédiate du deuxième renfoncement. Un tel troisième renfoncement, notamment en forme de congé, peut permettre de former un siège pour la partie avant de l’engin.
Le premier renfoncement peut être une rainure ayant une forme complémentaire de celle de la protubérance ménagée sur la partie avant de l’engin marin ou sous-marin.
L’organe d’accueil peut comporter au moins une fenêtre ménagée dans la paroi principale et débouchant à l’intérieur de l’espace d’accueil pour le passage de l’organe de blocage.
L’organe de blocage peut être formé par un bras articulé à un support du dispositif de réception et pourvu à une extrémité libre d’un sabot qui, dans la position verrouillée de l’organe de blocage, saille dans l’espace d’accueil et est configuré pour être en prise sur la protubérance de la partie avant de l’engin marin ou sous-marin.
Le dispositif de réception peut comporter au moins un actionneur configuré pour faire passer l’organe de blocage au moins de sa position verrouillée à sa position déverrouillée.
Le dispositif de réception peut comporter au moins un organe de rappel configuré pour faire passer l’organe de blocage au moins de sa position déverrouillée à sa position verrouillée lorsque l’actionneur ne sollicite pas l’organe de blocage.
Le dispositif de réception peut comporter un support auquel est assujetti l’organe d’accueil par le biais d’une liaison mécanique assurant un degré de liberté en rotation entre l’organe d’accueil et le support. La liaison mécanique peut être de type cardan.
Le dispositif de réception peut comporter un berceau sur lequel le support est monté articulé, ledit berceau étant lui-même configuré pour être monté coulissant et/ou pivotant sur une rampe assujettie au navire.
Le dispositif de réception peut comporter un organe de protection disposé au moins partiellement autour de la paroi principale, en amont de l’espace d’accueil. Un tel organe de protection peut former un pare battage pour empêcher l’engin de cogner contre la paroi principale et pour faciliter le guidage de l’engin vers l’espace d’accueil de cette paroi principale. Il peut s’agir de boudins disposés en regard l’un de l’autre, ou en L, ou en U.
L’invention a aussi pour objet, sous un second aspect, un ensemble comportant un dispositif de réception tel que décrit ci-dessus et un engin marin ou sous-marin en position stable dans le dispositif de réception.
On suppose, à titre explicatif, que les oscillateurs des émetteurs/récepteurs des bases fixes 12 et du dispositif mobile embarqué 10 sont sensiblement de même fréquence f, mais que la phase de l’un est inconnue de l’autre et réciproquement. Le fait d’être exactement à la même fréquence f implique que lesdites phases inconnues sont constantes dans le temps. Si les fréquences du dispositif et des bases ne sont que sensiblement égales, les phases inconnues sont lentement variables dans le temps, ce qui ne limite pas la précision du positionnement, comme il est montré plus loin. Pour s’affranchir de ce déphasage inconnu, on utilise les signaux (I,Q) bruts issus des modulateurs/démodulateurs IQ implantés dans les émetteurs/récepteurs des bases fixes 12 et des dispositifs mobiles 10 embarqués sur les mobiles 11.
On rappelle que la modulation d'amplitude en quadrature (en anglais, « quadrature amplitude modulation », ou « QAM ») est une forme de modulation d'une porteuse par modification de l'amplitude de la porteuse elle-même et d'une onde en quadrature (une onde déphasée de 90° avec la porteuse) selon l'information transportée par deux signaux d'entrée.
Cela signifie que l'amplitude et la phase de la porteuse sont simultanément modifiées en fonction de l'information à transmettre.
La transmission de deux signaux analogiques à l'aide d'une modulation de type QAM, le signal transmis est de la forme : s(t) = I(t) cos (2πf 0 t) + Q(t) cos (2πf 0 t+π/2) dans laquelle I(t) et Q(t) sont les signaux modulants et f 0 est la fréquence de porteuse.
Au niveau du récepteur, les deux signaux modulant peuvent être démodulés en utilisant un démodulateur cohérent. Un tel démodulateur multiplie séparément le signal reçu par un cosinus d'une part et par un cosinus déphasé de π/2 d'autre part. Les deux multiplications vont produire respectivement les estimations des voies I(t) et Q(t). Grâce à la propriété d'orthogonalité des deux porteuses utilisées, il est possible d'extraire les deux signaux modulant de manière indépendante.
Dans un cas idéal, la voie I(t) est démodulée en multipliant le signal reçu par un signal en cosinus : r i (t) = s(t) cos (2πf 0 t)
r i (t) = I(t) cos (2πf 0 t) cos (2πf 0 t) + Q(t) cos (2πf 0 t+π/2) cos (2πf 0 t)
En utilisant les identités trigonométriques, il vient que : r i (t) = 1/2 I(t) [1 + cos (4πf 0 t)] + 1/2 Q(t) cos (4πf 0 t+π/2) r i (t) = 1/2 I(t) + 1/2 [I(t) cos (4πf 0 t) + Q(t) cos (4πf 0 t+π/2)]
On applique un filtre passe-bas sur le signal r i (t), ce qui supprime les composantes de haute fréquence (4πf 0 t), et laisse seulement le terme 1/2 I(t). On remarque que ce signal n'est pas affecté par la voie Q(t), ce qui montre bien que la voie I(t) peut être reçue indépendamment de la voie Q(t). De manière analogue, la réception de la voie Q(t) se fait en multipliant le signal reçu s(t) par un signal en cosinus déphasé de π/2.
Convention de phase IQ
Les termes "composante I" et "composante Q" sont des façons courantes de désigner les signaux en phase et en quadrature. Les deux signaux comprennent une sinusoïde haute fréquence (ou porteuse) modulée en amplitude par une fonction relativement basse fréquence, généralement porteuse d'une information quelconque. Les deux porteuses sont orthogonales, I étant décalé de ¼ cycle par rapport à Q ou, de manière équivalente, précédant Q de ¾ de cycle.
En figures 2 et 3, on ne représente que l’une de ces sinusoïdes orthogonales pour expliquer le fonctionnement de deux modes de réalisation de l’invention, ce qui correspond à une composante I et/ou Q constante.
Un dispositif 10 émet un premier signal sinusoïdal 21. Du fait du temps de vol pour que ce signal 21 atteigne une base 12, le signal 22 reçu par cette base 12 est déphasé par rapport au signal 21, avec un retard de phase 23. Cette base 12 possède une horloge fournissant un signal 24, de fréquence sensiblement égale à celle du signal 21, mais déphasé d’une différence de phase inconnue, par rapport au signal 21.
Dans le mode de réalisation illustré en , une base 12 qui a reçu le signal 22 mesure le retard de phase 25 du signal 22 par rapport à son horloge 24. Cette base 12 émet ensuite, à destination du dispositif 10 ayant émis le signal 21, un signal 26, synchronisé avec le signal d’horloge 24 et un message représentant le retard de phase 25. Du fait du temps de vol pour que ce signal 26 atteigne le dispositif 10 ayant émis le signal 21, le signal 27 reçu par ce dispositif 10 est déphasé par rapport au signal 26, avec un retard de phase 28, égal au retard de phase 23.
Le dispositif 10 mesure le retard de phase 29 du signal 27 par rapport au signal 21. Le dispositif 10 extrait la valeur du retard de phase 25 du message reçu de la base 12 et additionne le retard de phase 25 du retard de phase 29. Le dispositif 10 obtient ainsi deux fois le retard de phase 23 et en déduit la distance d entre le dispositif 10 et la base 12 qui a répondu en retournant le signal 26. En effet, deux fois le retard de phase 23 est égal à 4*pi*d/lambda, formule dans laquelle lambda est la longueur d’onde de l’onde 21.