INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Premièrement, les variations des quantités de chaque nucléoside sont étudiées dans les échantillons d'un même grade, et comparons ces variations entre les grades. Comme présenté dans les graphiques en boites à moustaches des Figures 3A, 3B et 3C, les résultats expérimentaux suggèrent un regroupement des nucléosides en quatre groupes : i) ceux dont la quantité augmente avec le grade, c’est-à-dire entre le tissu cérébral non tumoral (désigné par simplification comme « normal » en ordonnées des graphiques) et les grades, II, III et IV, notamment les nucléosides oxo8G, m1G, queuosine et Ac4C (comme montré par exemple dans ) ; ii) ceux dont la quantité diminue avec le grade (comme montré par exemple dans ), iii) ceux qui varient faiblement avec les grades (comme montré par exemple dans ) et iv) les nucléosides restants, qui ne satisfont pas les conditions d’appartenance aux trois premiers groupes.
À première vue, aucun de ces groupes n’est lié à une caractéristique spécifique connue de ses constituants (par exemple, bord modifié du nucléoside). Néanmoins, il convient de noter que les 2'-O-méthylations (Am, Um, Cm, Gm), principalement trouvées dans l'ARN ribosomal (ARNr) et le petit ARN nucléaire (snRNA), se comportent de manière similaire dans un cluster central contenant m6Am, une modification spécifique de l'ARNr.
Ensuite, une Analyse en Composante Principale (ACP) de ces données a été réalisée, afin d'effectuer une réduction de dimension, à ne pas confondre avec une sélection des "caractéristiques", autrement dit des nucléosides, pour voir si les variations de quantité pouvaient être combinées en un petit nombre de composantes. montre le pourcentage de variance expliquée pour les 10 premières composantes de l'ACP : clairement les trois premières composantes regroupent une large majorité des variations des profils. On constate en effet que les trois premières composantes regroupent à elles seules : 39,2 + 23,3 + 8,6 = 71,1% de la variance des profils épitranscriptomiques de la cohorte.
Chaque profil épitranscriptomique comprenant les mesures pour x nucléosides est vu mathématiquement parlant comme un point dans un espace à x dimensions. L'ACP est une méthode d'analyse multivariée exploratoire qui permet de réduire les dimensions des données tout en capturant leur variabilité. Les composantes sont de nouvelles variables qui combinent les données des observations initiales afin de capturer au mieux leur variabilité tout en réduisant le nombre de variables à analyser. Les composantes résultent de la projection des données initiales sur d'autres axes de l'espace multidimensionnel. Les composantes sont ordonnées par ordre décroissant de pourcentage de variance expliquée. Ce pourcentage associé à chaque composante indique son importance pour décrire les données initiales. La présente le graphique du pourcentage de variance expliquée pour les 10 premières composantes. L'ACP est une technique classique de l'analyse de données.
La visualisation en 3 dimensions des profils projetés sur les trois premières composantes est montrée en . Premièrement, les échantillons de tissu non tumoral et de grade II se séparent clairement de ceux de grades III et IV. Par ailleurs, les échantillons de grade III occupent un volume relativement séparé de ceux de grade IV. Ces résultats exploratoires suggèrent que des algorithmes d'apprentissage automatique supervisé devraient pouvoir apprendre une frontière entre les groupes d'échantillons de différents grades. Méthode d’apprentissage automatique permettant la prédiction avec précision du grade des tumeurs et des échantillons sains
Une méthode d’apprentissage automatique a été testée pour déterminer si le grade des échantillons pouvait être prédit à partir des seuls profils épitranscriptomiques, c’est-à-dire sans l’aide d’aucune autre information que les quantités de nucléosides ( ). Pour ce faire, les profils ont été partitionnés en deux sous-ensembles distincts : le premier a été utilisé uniquement pour entraîner le modèle d’apprentissage automatique (n=60, soit 78%), le second a servi à évaluer le modèle (n=17, soit 22%).
Comme la variable à prédire (ici le grade) est une donnée catégorielle, la méthode d’apprentissage doit appartenir à la catégorie de classification. Parmi les grands types d’algorithmes d’apprentissage, un algorithme de classification de Machine à Vecteurs Support (SVM pour Support Vector Machine, en anglais) a été choisi pour la possibilité qu’il offre d’adapter les formules des frontières en changeant de type de noyau, comme c’est la norme en apprentissage. La précision de prédiction de l’algorithme SVM équipé d’u noyau linéaire sur les profils du sous ensemble de testé est de 0,90, sur un maximum de 1, ce qui est remarquable. Le niveau de précision de prédiction se maintient lorsque l’on réitère l’apprentissage puis les tests avec de nouveaux partitionnements aléatoires du jeu de données, ce qui montre la robustesse de l’outil d’apprentissage développé.
En outre, les résultats de l’évaluation permettent de comparer notre méthode de normalisation (désignée par SUM, pour somme) avec les formules utilisées dans la littérature. En effet, la normalisation classique qui consiste à diviser la mesure d’un nucléoside modifié, par exemple m1A, par celle du nucléoside correspondant non modifié, ici la mesure de A. Dans le tableau 6, la précision selon l’utilisation de différentes formules est comprise entre 0,8 et 0,9, et est donc toujours inférieure ou égale (mais jamais supérieure) à la précision de la formule de normalisation SUM.
À cet effet, l’invention propose d’évaluer l’état d’usure de la mémoire d’un élément sécurisé (par exemple, la mémoire volatile d’une carte eUICC) lors de la réception d’une commande d’écriture de données (par exemple, le téléchargement d’un nouveau profil d’abonné, la mise à jour d’un profil d’abonné, le lancement d’une application, etc.), avant de commencer à effacer ou écrire des données sur la mémoire. Si la mémoire présente un état d’usure trop important, l’élément sécurisé bascule en un mode de fonctionnement restreint, dans lequel certaines opérations seulement sont autorisées (par exemple, les opérations d’authentification auprès du réseau d’un opérateur ou auprès d’un service proposé sur un réseau de télécommunication ou bien encore, par exemple, des opérations de gestion à distance de contenu ou d’applications de l’élément sécurisé bien connues, respectivement, sous les noms de RFM (pour « remote file management » en anglais) ou RAM (pour « remote application management » en anglais), ou bien des opérations d’audit de l’élément sécurisé, ou bien des opérations de résolution de système de noms de domaine connu sous le nom de « DNS resolver » (DNS signifiant « domain name system » en anglais). La commande reçue n’est alors exécutée que si elle correspond à l’une de ces opérations autorisées.
En outre, l’invention propose, dans certains modes de réalisation, d’envoyer une alerte vers un serveur externe (typiquement le serveur de l’opérateur téléphonique rattaché à la carte) pour l’informer que la carte arrive en fin de vie en termes d’usure. Selon l’invention, l’envoi de cette alerte est avantageusement géré de façon d’une part à ne pas user davantage la mémoire, et d’autre part à ne pas saturer le réseau (notamment en évitant d’envoyer simultanément des alertes à un même serveur pour toute une flotte d’éléments sécurisés rattachés à un même opérateur, qui atteindraient un état d’usure avancé en même temps).
Il est ainsi proposé un procédé mis en œuvre par un processeur d’un élément sécurisé pour optimiser un fonctionnement de l’élément sécurisé, l’élément sécurisé comprenant une mémoire, l’élément sécurisé étant configuré par une liste d’opérations autorisées, dans lequel le procédé peut comprendre : a. recevoir une commande d’effacement ou d’écriture de données dans la mémoire ; et b. exécuter la commande reçue uniquement si la commande reçue correspond à une opération autorisée de la liste d’opérations autorisées ; dans lequel le procédé peut en outre comprendre : c. déterminer un indicateur d’un état d’usure globale de la mémoire ; et d. si l’indicateur déterminé indique que l’état d’usure globale de la mémoire est supérieur à un seuil prédéfini, réduire la liste d’opérations autorisées en retirant des opérations de ladite liste.
Par « liste d’opérations autorisées », il est entendu un ensemble d’opérations (ou commandes) accessibles et/ou exécutables par l’élément sécurisé. Par exemple, une telle opération peut correspondre à l’utilisation, la mise à jour, l’installation ou la suppression d’une application, à l’installation ou la suppression d’un profil d’abonné, ou encore à des commandes pour authentifier l’élément sécurisé auprès d’un réseau de télécommunications, etc. Cette liste d’opérations autorisées définit un mode de fonctionnement de l’élément sécurisé. Lorsque la liste d’opérations autorisées est réduite, i.e. que certaines opérations sont retirées de la liste, l’élément sécurisé fonctionne en mode plus restreint, en ce sens qu’il a accès à un ensemble plus limité d’opérations. Par « exécuter » la commande reçue, il est entendu écrire et/ou effacer les données correspondant à la commande. Par « indicateur d’un état d’usure globale de la mémoire », il est entendu un indicateur utilisé pour quantifier le degré d’usure de la mémoire dans son ensemble – par exemple, le pourcentage de pages mémoire ayant atteint leur capacité d’endurance.
Grâce à un tel procédé, dès qu’il est déterminé que l’usure globale de la mémoire dépasse un seuil prédéfini, la liste d’opérations autorisées est avantageusement mise à jour en retirant certaines opérations, par exemple les opérations nécessitant davantage d’écritures / d’effacements de données. Cela évite de commencer à exécuter des commandes alors que la mémoire est dans un état d’usure trop avancé qui ne permet pas leur exécution correcte, et/ou qui compromettrait l’utilisation de l’élément sécurisé (par exemple, si, à l’issue de l’exécution de la commande, la mémoire est trop usée pour pouvoir accéder à des opérations de base telles que l’authentification auprès d’un réseau de télécommunications).
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, en réponse à l’étape a, les étapes c et d peuvent être mises en œuvre avant l’étape b, et à l’étape b, la commande reçue peut être exécutée uniquement si elle correspond à une opération autorisée de la liste d’opérations autorisées obtenue à l’étape d.
Alternativement, en réponse à l’étape a, l’étape b peut être mise en œuvre avant les étapes c et d, et à l’étape b, la commande reçue est exécutée uniquement si elle correspond à une opération autorisée de la liste d’opérations autorisées avant toute réduction éventuelle de ladite liste à l’étape d.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, la mémoire peut comprendre une pluralité de pages mémoires principales et une pluralité de pages mémoires de remplacement, et, lorsque toutes les pages mémoires principales sont utilisées, une page mémoire principale déterminée comme étant usée peut être redirigée vers une page mémoire de remplacement vierge. L’indicateur de l’état d’usure globale de la mémoire peut alors être déterminé à partir d’un nombre de pages de remplacement non vierges ou à partir d’un nombre de pages de remplacement vierges.
Par « pages mémoires principales » (aussi appelées « pages de travail » par la suite) il est entendu des pages mémoires utilisées de manière prioritaire. A contrario, les « pages mémoires de remplacement » sont des pages mémoires de réserve, utilisées lorsqu’il ne reste plus de page mémoire principale disponible, typiquement de page mémoire principale vierge dès lors qu’une des pages mémoire principales devient inutilisable en ayant atteint sa capacité d’endurance maximale (page usée). Par page mémoire « vierge », il est entendu une page mémoire dans laquelle aucune donnée n’a encore été écrite et/ou effacée. Par « redirigée » il est entendu que le contenu d’une page mémoire, généralement usée, est copié sur une page de remplacement disponible, typiquement vierge, puis renvoyé (par exemple à l’aide d’un pointeur) vers cette page de remplacement. Par « utilisée » il est entendu que la page mémoire est « non vierge », i.e. que des données ont déjà été écrites et/ou effacées. Par « usée » il est entendu que la page mémoire est considérée avoir atteint sa capacité d’endurance, i.e. son cycle d’écritures/effacements maximale et ne peut plus être utilisée correctement. Une page mémoire peut donc être utilisée, i.e. non vierge, mais pas encore usée.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, les étapes a à d peuvent être réitérées pour une pluralité de seuils prédéfinis successifs distincts les uns des autres.
Il est ainsi possible de définir des modes de fonctionnement successifs correspondant à la pluralité de seuils, chaque mode de fonctionnement étant associé à une liste respective d’opérations autorisées. À chaque fois que l’état d’usure globale de la mémoire atteint un seuil parmi la pluralité de seuils prédéfinis, l’élément sécurisé entre dans un mode de fonctionnement plus restreint que le précédent (i.e. la liste d’opérations autorisées associées est limitée par rapport à la précédente). Cela permet avantageusement d’adapter la liste d’opérations autorisées à l’état d’usure globale de la mémoire.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, lors d’une mise en œuvre de l’étape d, au moins une opération parmi : installation d’un nouveau profil d’abonné, suppression d’un profil d’abonné existant, installation d’une nouvelle application et suppression d’une application, peut être retirée de la liste d’opérations autorisées.
De telles opérations sont particulièrement coûteuses en termes d’écritures/effacements de données, et usent davantage la mémoire que d’autres opérations et/ou peuvent utiliser un nombre élevé de pages mémoires au risque de ne plus avoir suffisamment de pages mémoires disponibles.
Alternativement ou en complément, lors d’une mise en œuvre de l’étape d, la liste d’opérations autorisées est réduite uniquement à une ou plusieurs opérations parmi : opérations relatives à une authentification auprès d’un réseau de télécommunications rattaché à l’élément sécurisé ; opérations de gestion à distance de contenus de fichiers de l’élément sécurisé ; opérations de gestion à distance d’applications de l’élément sécurisé ; opérations liées à une session de résolution de système de noms de domaine et opérations liées à une session de communication par voie aérienne initiée par l’élément sécurisé.
Ces opérations comprennent un ensemble d’opérations « minimales » pour garantir l’accès à un réseau de télécommunications et l’utilisation des fonctionnalités de base, telles que d’accéder à des services proposés par le réseau de télécommunications, passer un appel téléphonique, ainsi que des opérations d’accès à distance de données de l’élément sécurisé (afin, par exemple, de déterminer quelle commande précédente a usé la mémoire de manière inhabituelle et excessive).
La liste d’opérations autorisées peut être réduite à une ou plusieurs opérations de la liste ci-dessus lors de la mise en œuvre de l’étape d dans le cas où les étapes a à d sont mises en œuvre une seule fois, ou lors de la mise en œuvre de l’une des étapes d lorsque les étapes a à d mises en œuvre de manière itérative. Ainsi, par exemple, lors d’une itération, au moins une opération parmi : installation d’un nouveau profil d’abonné, suppression d’un profil d’abonné existant, installation d’une nouvelle application et suppression d’une application, est retirée de la liste d’opérations autorisées ; et lors d’une itération ultérieure, la liste d’opérations autorisées est réduite uniquement à une ou plusieurs opérations parmi : opérations relatives à une authentification auprès d’un réseau de télécommunications (par exemple, un réseau de téléphonie) rattaché à l’élément sécurisé ; opérations de gestion à distance de contenus de fichiers de l’élément sécurisé ; opérations de gestion à distance d’applications de l’élément sécurisé ; opérations liées à une session de résolution de système de noms de domaine et opérations liées à une session de communication par voie aérienne initiée par l’élément sécurisé.
Toutes les étapes du procédé sont avantageusement mises en œuvre automatiquement par un ordinateur.
Produit programme d’ordinateur L’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un produit programme d’ordinateur pour la mise en œuvre du procédé d’analyse d’un échantillon selon l’invention, le produit programme d’ordinateur comportant un support et enregistrées sur ce support des instructions lisibles par un processeur pour que, lorsqu’exécutées,
les puissances de chaque source de lumière sont analysées, dans le domaine fréquentiel, dans une zone de recouvrement créée entre deux sources adjacentes, afin de compenser les puissances arrivant sur l’échantillon, et le spectre est initialisé de façon à pouvoir supprimer toute source de lumière placée sur l’axe de référence afin de réaliser la reconstruction de l’échantillon.
Les caractéristiques énoncées ci-dessus pour le système s’appliquent au procédé et le produit programme d’ordinateur, et vice-versa.
L’invention pourra être mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d’exemples non limitatifs de mise en œuvre de celle-ci, et à l’examen du dessin annexé, sur lequel :
la , précédemment décrite, illustre le résultat d’une reconstruction ptychographique dans l’espace de Fourier réalisée dans une installation de microscopie FPM de l’art antérieur avec des temps d’exposition et des puissances identiques pour chacune des diodes utilisées et disposées sur un unique plan,
la illustre un exemple de système d’éclairage selon l’invention inclus dans un dispositif d’imagerie microscopique,
la illustre une variante de système d’éclairage selon l’invention inclus dans un dispositif d’imagerie microscopique,
la illustre une variante de système d’éclairage selon l’invention,
la présente des résultats comparatifs entre l’invention et l’art antérieur, et
la présente d’autres résultats comparatifs entre l’invention et l’art antérieur.
Description détaillée On a illustré à la un exemple de système d’éclairage 1 selon l’invention.
Dans l’exemple considéré, le système d’éclairage 1 est inclus dans un dispositif d’imagerie microscopique 10 destiné à étudier un échantillon E, notamment un échantillon biologique, placé au niveau d’un point de référence P r du système 1.
Le système d’éclairage 1 comporte une pluralité de sources de lumière 2 disposées selon des régions de plan définissant un espace solide S coupant perpendiculairement un axe de référence Z passant par ledit point de référence P r du système. L’espace solide S définit une surface enveloppe présentant uniquement des faces planes, et forme un cube.
Le dispositif d’imagerie microscopique 10 comporte une lentille microscopique 6 et un appareil photo 7.
Comme décrit précédemment, la distance d’une source de lumière 2 audit point de référence P r est avantageusement fonction de l’angle d’incidence entre l’axe de référence Z et la droite reliant ladite source de lumière au point de référence. Le point de référence P r est en outre non compris dans l’espace solide S défini par les sources de lumière 2.
Selon un mode de réalisation, la zone de collecte de charges présente un même type de conductivité et un niveau de dopage supérieur à la région de transfert.
Selon un mode de réalisation, la région de transfert présente un même type de conductivité et un même niveau de dopage que la zone photosensible.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert de chaque pixel présente, en vue de dessus, une forme en U.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert de chaque pixel présente, en vue de dessus, une forme en L.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert de chaque pixel présente, en vue de dessus, une forme en I.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert de chaque pixel comporte une tranchée d’isolation capacitive comprenant une région électriquement conductrice isolée du substrat semiconducteur.
Selon un mode de réalisation, la région électriquement conductrice est en un métal ou en un alliage métallique.
Selon un mode de réalisation, la région électriquement conductrice est en silicium polycristallin.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert est séparée de la tranchée d’isolation périphérique par une distance non nulle.
Selon un mode de réalisation, le capteur comporte en outre un plot conducteur situé sur et en contact avec la zone de collecte de charges, à distance de la grille de transfert et de la tranchée d’isolation périphérique.
Selon un mode de réalisation, la zone de collecte de charges et le plot conducteur sont partagés entre deux pixels voisins.
Selon un mode de réalisation, la zone de collecte de charges et le plot conducteur sont partagés entre quatre pixels voisins.
Selon un mode de réalisation, la grille de transfert présente, en vue de dessus, une forme en I, les grilles de transfert de deux pixels diagonalement opposés étant parallèles entre elles.
Selon un mode de réalisation, la tranchée d’isolation périphérique comprend une région conductrice isolée du substrat.
Selon un mode de réalisation, le capteur comporte en outre un circuit de contrôle configuré pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert : – un premier potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la zone photosensible vers la zone de collecte de charges ; et – un deuxième potentiel, différent du premier potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la zone photosensible vers la zone de collecte de charges.
Ce premier ensemble de conducteurs 25 est situé dans une partie avant du dispositif, appelée habituellement BEOL (pour « Back End Of Line » en anglais), dans laquelle est réalisée une structure d’interconnexion électrique tridimensionnelle qui comprend typiquement des couches isolantes (par exemple d’autres couches d’encapsulation 200) pouvant être traversées par vias conducteurs, ainsi que des plans de métallisation parallèles aux couches, gravés pour obtenir des pistes d’interconnexion conductrices, dont certaines font partie du premier ensemble de conducteurs 25 mentionnés ci-dessus (ensemble 25 employé pour déporter la connexion électrique des grilles 3). L’ensemble de cette structure a généralement une épaisseur supérieure à 1 micron, voire supérieure à 10 microns
Un champ magnétique constant B 0 est appliqué à la structure de piégeage 1, pour faire précesser le spin de chaque électron piégé, stocké dans la structure de piégeage 1. Dans l’exemple de la , ce champ est parallèle à l’axe x. Il pourrait toutefois être orienté différemment.
La piste électrique ESR, qui porte la référence 30 sur les figures 3 à 6, génère le champ magnétique oscillant B AC mentionné plus haut, lorsqu’elle est parcourue par le courant alternatif I ESR . Comme déjà indiqué, cette piste est située du côté arrière 24 de la couche isolante 20. Elle s’étend parallèlement à la couche isolante 20. Elle a par exemple une largeur comprise entre 30 nm à 2 microns, et même plutôt comprise entre 30 nm et 200 nm. Elle est formée d’un matériau ayant une forte conductivité électrique à température cryogénique tel qu’un matériau supraconducteur comme le nitrure de Titane ou de Nobium, le Nobium ou encore l’Aluminium. De préférence, ce matériau supraconducteur est un supraconducteur de type 1.
Ici, la piste ESR est proche des grilles 3 (et donc en pratique proche des électrons ou trous piégés), avec, pour chaque grille, une distance typiquement inférieure à 300 nm ou même inférieure à 200 voire à 150 nm entre la piste et la grille considéré. Lorsque le dispositif comprend plusieurs pistes ESR ( ), la distance en question est la distance entre la grille considérée et la piste ESR qui est la plus proche de celle-ci. Et lorsque la piste ESR du dispositif comprend plusieurs portions affectées respectivement aux différentes lignes de grilles, chaque portion étant parallèle aux lignes de grilles ( ), la distance en question est la distance entre la grille considérée et la portion de la piste qui est la plus proche de cette grille.