INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention permet d’éviter que l’amortisseur 30 entre en contact avec la bride 42 de l’élément de retenue 40 et d’éviter ainsi l’usure de cette pièce, grâce à une pièce de butée 50 décrite ci-après en référence aux figures 4, 5 et 7-14.
Dans l’exemple des figures 7 et 8, qui illustrent un premier mode de réalisation, la pièce de butée 50 est une tôle formant un corps 51 globalement rectangulaire pourvu de deux pattes latérales 52.
Le référentiel D1-D2-D3 des figures 7 et 8 indique la position relative de la pièce de butée 50 lorsque celle-ci est assemblée avec la roue 8.
Le corps 51 présente une surface amont 53 et une surface aval 54 toutes deux parallèles à un plan D2-D3 et définissant entre elles une épaisseur du corps 51.
La pièce de butée 50 comprend une partie P1 radialement inférieure et une partie P2 radialement supérieure.
Au niveau de la partie inférieure P1, le corps 51 comprend une extrémité 55 radialement interne qui est incurvée vers l’amont. Le corps 51 présente ainsi une section en L.
Chacune des pattes 52 s’étend au droit du corps 51 vers l’aval, perpendiculairement au corps 51, à partir d’une extrémité latérale respective du corps 51.
Le procédé peut comprendre une étape S0 de stockage et/ou de chargement de poudre.
Au cours de l’étape S0 peut se produire une modification A préalable de l'atmosphère, par exemple préalablement au chargement de poudre. La modification de l’atmosphère peut avoir lieu lors d’un pré-remplissage de l’enceinte par un gaz inerte. La modification de l’atmosphère peut encore avoir lieu durant un stockage préalable au chargement de poudre. La modification peut encore avoir lieu lorsque des conditions ont évoluées à l’intérieur de l’enceinte, par exemple lorsque l’humidité ou la teneur en oxygène ou la pression évoluent. La modification A préalable peut être une modification provoquant une modification de la propriété optique de l’élément sensible 3 observable.
L’étape S0 peut comprendre, par exemple postérieurement à la modification A, une étape de chargement B de poudre à l’intérieur de l’enceinte 1, par exemple au moyen de la voie d’entrée de poudre. L’étape B peut comprendre le chargement de poudre, la poudre étant par exemple issue d’un milieu inerté de sorte que son transfert se fait sous continuité d’inertage, la poudre étant par exemple issue du sous-ensemble 701 de dosage. Alternativement, l’étape B peut comprendre le déversement dans l’enceinte vide, par exemple dans le dispositif 702A et/ou 702B, d’une poudre issue d’un stockage primaire en atmosphère ambiante.
Au cours de l’étape S0 peut se produire une modification C de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte postérieurement au chargement B, par exemple en conséquence du chargement B. La modification C peut être une modification provoquant une modification de la propriété optique de l’élément sensible 3 observable. La modification C peut avoir lieu lors de la mise sous gaz d’inertage d’une poudre stockée dans l’enceinte, la poudre ayant par exemple été déversée après un stockage primaire en atmosphère ambiante, par exemple dans le dispositif 702A et/ou 702B. Alternativement, l’étape C peut être une modification correctrice d’atmosphère, par exemple associée à une commande prédéterminée, par exemple pour éliminer des contaminants éventuellement ramenés par la poudre ou par une erreur de manipulation lors du chargement B.
Le procédé peut comprendre une série S1 d'étapes de maintien en stockage. La série S1 peut former un cycle, les étapes du cycle pouvant se répéter, par exemple périodiquement ou non, par exemple un nombre quelconque de fois.
La série S1 peut comprendre une étape de mesure de la ou des propriété(s) optique(s) F associée(s) à l’élément sensible 3 ou aux éléments sensibles, comprenant par exemple l’observation de la propriété optique de l’élément sensible 3 depuis l’extérieur de l’enceinte 1 par les moyens d’observation, par exemple par le biais de la partie d’observation 5 au moins partiellement transparente.
La série S1 peut comprendre une étape d’évaluation G de l’atmosphère, par exemple d’évaluation du ou des paramètre(s), par exemple à partir de la ou des propriété(s) optique(s) mesurée(s) et/ou observée(s) à l’étape de mesure F et/ou de décision, par exemple de décision en fonction du ou des paramètre(s) évalué(s) et/ou de la ou des propriété(s) optique(s) de l’élément sensible 3, mesurée(s) et/ou observée(s) à l’étape de mesure F.
La décision peut comprendre une absence d'action, par exemple en l’absence d’identification d’une modification de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte nécessitant une action, l’absence d’action pouvant par exemple comprendre une reprise du cycle S1, par exemple une répétition de l’étape de mesure F, par exemple jusqu’à identification d’une modification de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte.
La décision peut entraîner la mise en œuvre d’une étape de modification H correctrice de l'atmosphère, en fonction de la propriété optique de l’élément sensible 3, par exemple en cas d’identification d’une modification de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte corrigeable, puis par exemple une reprise du cycle S1, par exemple comprenant une répétition de l’étape de mesure F, par exemple jusqu’à identification d’une autre modification de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte 1.
La modification H correctrice peut comprendre une injection de gaz, par exemple de gaz inerte, par exemple comprenant ou consistant en de l’argon et/ou un gaz inerte adapté selon la nature de la poudre. La modification H correctrice peut comprendre une évacuation d’une fraction du gaz contenu dans l’enceinte 1. La modification H correctrice peut comprendre une combinaison simultanée de l’injection de gaz et de l’évacuation, réalisant ainsi un balayage. Il est ainsi possible de faire varier la pression et/ou la teneur en oxygène, et/ou l’humidité de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte 1. La modification H correctrice peut être mise en œuvre de manière automatisée ou manuelle.
En cas de mise en œuvre automatisée, la modification peut comprendre un ajustement automatisé de débit d’injection de gaz et/ou d’évacuation de gaz, l’ajustement automatisé pouvant comprendre un asservissement et/ou un démarrage et un arrêt automatiques. L’ajustement automatisé peut être réalisé en temps réel au moyen de la mesure de l’élément sensible 3 par les moyens de mesure 7, et éventuellement en complément via les moyens de mesure de pression 24A et 25.
En cas de mise en œuvre manuelle, la modification peut comprendre un ajustement manuel de débit d’injection de gaz et/ou d’évacuation de gaz, l’ajustement manuel pouvant être réalisé au moyen d’une ou plusieurs vanne(s), la ou les vanne(s) étant ou comprenant une ou des vanne(s) du dispositif et/ou une ou des vannes extérieure(s) au dispositif. L’ajustement manuel peut être réalisé par un opérateur qui adapte l’ajustement en temps réel au moyen de l’élément sensible 3, et éventuellement en complément via les moyens de mesure de pression 24A et 25.
La décision peut entraîner la mise en œuvre d’une étape de sortie I du cycle S1, par exemple en cas d’identification d’une modification de l’atmosphère à l’intérieur de l’enceinte non corrigeable, l’étape I pouvant comprendre l'extraction de la totalité de la poudre. La poudre extraite à cette occasion est par exemple considérée comme inutilisable.
Le procédé peut comprendre, par exemple durant le cycle S1, une étape d'extraction J de la totalité de la poudre, la poudre étant par exemple considérée comme utilisable. L’étape d’extraction J peut interrompre le cycle S1.
Le procédé peut comprendre, par exemple durant le cycle S1, une étape d'extraction K d'une partie de la poudre, la poudre étant par exemple considérée comme utilisable. L’étape d’extraction K d’une partie peut interrompre le cycle S1 et/ou être suivie par une étape de modification L correctrice de l'atmosphère. L’étape de modification L correctrice peut être suivie d’une reprise du cycle S1, par exemple d’une répétition de l’étape de mesure F.
Le procédé peut comprendre, par exemple durant le cycle S1, une nouvelle étape S0 de chargement de poudre. La nouvelle étape S0 de chargement de poudre peut interrompre le cycle S1, La nouvelle étape S0 pouvant être suivie d’une reprise du cycle S1, par exemple d’une répétition de l’étape de mesure F.
Puis, à l’étape S2 de la , le film d’interconnexion 30 est reporté sur le substrat 10. Une pression est avantageusement appliquée sur la deuxième face 30b du film d’interconnexion 30 afin de maximiser la force d’adhésion avec le substrat 10 (par exemple en maximisant le nombre de motifs 33 en contact avec le substrat 10).
Plus particulièrement, le film d’interconnexion 30 peut être positionné sur le substrat 10 de sorte qu’au moins une zone électriquement conductrice 31 du film d’interconnexion 30 vienne en contact avec une piste électrique 12 (un plot de connexion ou un via) du substrat 10.
Enfin, lors d’une étape S3 dite d’hybridation représentée par la , le composant électronique 20 est reporté sur le film d’interconnexion 30. Plus particulièrement, le composant électronique 20 est positionné sur le film d’interconnexion 30 de sorte que chaque plot de connexion 21 (chaque borne d’entrée/sortie) du composant électronique 20 vienne en contact avec une zone électriquement conductrice 31 du film d’interconnexion 30 (elle-même en contact avec une piste métallique 12 du substrat 10). A nouveau, une pression peut être exercée sur la face supérieure du composant électronique 20 (face opposée à la face active/inférieure).
Plutôt que d’appliquer séparément des pressions sur le film d’interconnexion 30 (étape S2) et sur le composant électronique 20 (étape S3), une contrainte de compression (perpendiculaire au plan du substrat 10) peut être appliquée à la structure électronique 1 après l’étape d’hybridation S3 du composant électronique 20.
Enfin, le procédé de fabrication peut comprendre une étape d’encapsulation du composant électronique 20 sur le substrat 10. Cette étape d’encapsulation peut comprendre la formation d’une couche diélectrique (dite d’encapsulation) sur le substrat 10 et le composant électronique 20, de manière à recouvrir entièrement le composant électronique 20 (sa face supérieure et ses parois latérales). La couche diélectrique peut être en céramique ou en un matériau polymère. Le matériau polymère d’encapsulation est avantageusement identique au matériau polymère 32 du film d’interconnexion 30.
Les figures 8A à 8E représentent des étapes S11 à S15 d’un procédé de fabrication du film d’interconnexion 30.
L’étape S11 de la consiste à prévoir un moule 80 comprenant des cavités 81 pour former les motifs 33 (ici en forme de champignon). Le moule 80 est avantageusement réalisé à partir d’un substrat silicium sur isolant (SOI), par exemple de la façon décrite dans le document [« Bioinspired, Highly Stretchable, and Conductive Dry Adhesives Based on 1D–2D Hybrid Carbon Nanocomposites for All-in-One ECG Electrodes », ACS Nano 2016, 10, 4, 4770–4778]. Le substrat SOI comprend une couche de support 82 en silicium, une couche d’oxyde enterrée 83 (ou couche BOX, pour « Burried Oxyde Layer » en anglais) disposée sur la couche de support 82 et un film mince de silicium 84 disposée sur la couche BOX 83.
La formation des cavités 81 du moule 80 peut ainsi comprendre une sous-étape de formation d’un masque sur le substrat SOI, une sous-étape de gravure anisotrope (par exemple par gravure ionique réactive profonde ou DRIE) du film mince de silicium 84 à travers le masque jusqu’à atteindre la couche BOX 83 sous-jacente, une étape de retrait du masque, et enfin une sous-étape de gravure isotrope (par exemple une gravure humide dans un bain d’acide fluorhydrique) de la couche BOX 83 sélectivement par rapport à la couche de support 82 et au film mince de silicium 84. La portion des cavités 81 située dans le film mince de silicium 84 est destinée à former le pilier des motifs 33, tandis que la portion des cavités 81 située dans la couche BOX 83 est destinée à former le chapeau des motifs 33.
Un matériau électriquement conducteur est ensuite déposé dans une ou plusieurs régions distinctes du moule 80, pour former les zones électriquement conductrices 31 du film d’interconnexion 30. De préférence, le matériau électriquement conducteur est déposé dans des régions du moule 80 munies de cavités 81.
Les figures 8B et 8C représentent, à titre d’exemple, la croissance localisée de nanotubes de carbone dans le moule 80. A l’étape S12 de la , un catalyseur 85 est déposé dans les régions du moule 81, par exemple au travers d’un masque perforé 90 (ou « shadow mask » en anglais). Le catalyseur 85, par exemple du fer, peut être déposé par évaporation sous vide. Le dépôt du catalyseur 85 peut être précédé du dépôt d’une couche d’alumine 86 sur le moule 80, par exemple par dépôt de couches atomiques (ou ALD). Puis, à l’étape S13 de la , on faire croître des nanotubes de carbone 87 à partir du catalyseur 85, de préférence par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assistée par filaments chauds.
Selon une variante de mise en œuvre, le matériau électriquement conducteur est un mélange de matériau polymère et de particules conductrices (particules métalliques, noir de carbone…). Il est déposé de manière localisée sur le moule 80, par exemple au travers d’un masque.
L’étape S14 de la comprend l’enrobage des zones électriquement conductrices 31 (ici formées des nanotubes de carbone 87) par le matériau polymère 32 électriquement isolant. Le matériau polymère 32, initialement sous forme liquide, est déposé (coulé) sur le moule 81 autour des zones électriquement conductrices 31, puis durcit ou réticulé (dans des conditions propres à chaque matériau polymère).
Enfin, à l’étape S15 de la , le film comprenant les zones électriquement conductrices 31 enrobées du matériau polymère 32 est extrait du moule 80. Il constitue un film d’interconnexion 30 ayant une seule face structurée (motifs 33 dont la forme et les dimensions correspondent aux cavités 81 du moule 80).
Pour obtenir un film d’interconnexion 30 dont les deux faces sont structurées, deux films tels que représentés par la peuvent être fabriqués puis couplés entre eux (au niveau de leur face non-structurée), par exemple par activation de surface de type plasma puis assemblage par pression.
De nombreuses variantes et modifications de la structure électronique et de son procédé de fabrication apparaîtront à l’homme du métier. En particulier, le substrat 10 peut ne pas être flexible. Dans ce cas, le film d’interconnexion 30 est avantageux pour absorber des contraintes mécaniques dues à la différence des coefficients de dilatation thermique entre le substrat 10 et le composant électronique 20.
Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale le domaine des dispositifs optoélectroniques, et vise plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique combinant une fonction d'émission lumineuse et une fonction de capture optique.
4/ Etape de chargement des scrap obtenus après l’étape 3 et fusion
L'étape de chargement du scrap propre, obtenu après délaquage et/ou séchage consiste à introduire le scrap délaqué dans le four à induction qui contient au préalable un pied de bain. Aucun sel de protection n’est utilisé dans le four à induction. Avantageusement, un gaz inerte, typiquement de l’argon est utilisé afin de protéger la surface de métal liquide. L’étape de chargement est effectuée de manière continue ou semi-continue. Le scrap est chargé sur le pied de bain de métal liquide par un moyen approprié, par exemple une vis sans fin ou une trémie ou un système de vibreur.
Avantageusement, lors de l’étape de chargement, les scrap délaqués, propres après délaquage sont chargés à une température supérieure à 100°C pour des raisons de sécurité afin de d’éviter tout risque d’explosion associée à la présence d’humidité résiduelle contenue dans la charge. Selon un mode préféré, pour augmenter le taux de fusion et réduire la consommation énergétique, les scrap séchés et délaqués sont immédiatement chargés dans le métal liquide après délaquage, à une température du scrap comprise entre 200°C et 450°C, préférentiellement entre 300°C et 450°C, encore plus préférentiellement entre 400°C et 450°C. Dans le cas où le scrap propre est enfourné à une température comprise entre 300°C et 450°C, il est avantageux que la durée de séjour des scrap propre au-dessus du bain de métal liquide soit courte afin de limiter leur oxydation.
Les inventeurs ont constaté qu’il est avantageux que le bain soit couvert par un lit de scrap délaqué flottant 4 à la suface du bain liquide 52( ) pendant l’essentiel de la durée l’étape iv). La présence d’un lit de de scrap délaqué flottant permet de protéger la surface du bain de métal liquide de l’oxydation. L’essentiel de la durée de l’étape iv) correspond à une durée d’au moins 70% ou 80% ou 90% de la durée de l’étape iv). La durée de l’étape iv) est définie par le moment où on commence le chargement des scrap et la fin du chargement. La fin du chargement étant définie par le moment où la quantité de métal fondu dans le four à induction atteint son niveau de remplissage maximum.
Avantageusement, l’épaisseur du lit de scrap délaqué flottant est d’au moins 300 mm, avantageusement 1000 mm (t, ). Le lit de scrap délaqué flottant permet l’alimentation en continu du bain de métal liquide jusqu’à sa complète dissolution. Les inventeurs ont constaté qu’il est avantageux qu’une entité indiduelle de scrap délaqué soit maintenue à la surface du bain de métal liquide pendant une durée d’au plus 2 min, de préférence entre 30 s et 90 s, ceci pour éviter son oxydation. Il est donc important de favoriser leur submergence dans le bain de métal liquide.
Avantageusement, la submergence des scrap est améliorée en agissant sur le champ de vitesse de circulation du bain de métal de liquide de telle sorte à obtenir un champ de vitesse descendant 51 le long des parois du creuset ( ). Ce champ de vitesse de circulation descendant résulte des forces électromagnétiques, dites forces de Laplace, bien connues dans la conception des fours à induction à creuset. Le champ de vitesse descendant le long des parois du creuset facilite la submergence des entités individuelles de scrap délaqué présentes dans le lit de scrap délaqué flottant. Les inventeurs attribuent la rapide submergence dans le bain de métal liquide à la forme particulière des entités individuelles utilisées selon l’invention. En effet, de par leur granulométrie et leur planéité, elles s’organisent sous forme de strates empilées, comme des cartes empilées arrangées parallèlement selon leur plus grande face. Cela protège efficacement le bain de métal liquide et facilite l’introduction des entités individuelles dans le bain de métal liquide. Celles-ci glissent les unes sur les autres et plongent le long de la paroi du creuset.
Le champ de vitesse descendant le long des parois du creuset est obtenu en sélection la fréquence du four à induction. La sélection d’une fréquence entre 50 Hz et 150 Hz, préférentiellement à environ 60 Hz permet d’obtenir un champ de vitesse descendant. Les inventeurs ont constaté que ce champ de vitesse descendant induit la formation d’un dôme à laa surface supérieure de bain de métal liquide. Cette forme en dôme permet d’accélérer la submergence du scrap dans le liquide. Il est aussi possible d’agir sur la puissance du four pour modifier le champ de vitesse descendant. Il est possible d’adapter la fréquence et/ou la puissance du four en fonction du niveau de remplissage du four comme des calculs magnéto-hydrodynamiques peuvent le montrer. L’empilement des entités individuelles du scrap délaqué associé à un champ de vitesse descendant est particulièrement avantageux pour la submergence des scrap dans le métal liquide. Avantageusement, les paramètres de puissance et de fréquence du four sont adaptés en fonction de l’épaisseur du lit de scrap délaqué et de la phase du cycle (début, fin refusion, montée en température et maintien).
Les inventeurs ont constaté que pour une masse volumique comprise entre 0.2 et 0.4 t/m3, le scrap est rapidement submergé dans le bain de métal liquide.
La fusion des scrap permet de former un bain de métal liquide d’une seconde composition. La seconde composition est généralement différente de la première composition mais pourrait également être identique si le scrap a la même composition que le pied de bain initial.
Pendant la durée de chargement et après refusion complète du scrap, la température du bain de métal liquide est inférieure ou égale à 750°C, préférentiellement inférieure ou égale à 730°C.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d'un produit intermédiaire tel qu'une plaque de laminage, une billette de filage, un bloc de forge ou un lingot ou un bol dans lequel on effectue une étape de coulée du métal liquide obtenu par le procédé de fusion selon l’invention.
Avantageusement, avant l’étape de coulée, le métal est dégazé et/ou filtré et/ou traité de manière à enlever les oxydes éventuellement présents et/ou diminuer la teneur en hydrogène et/ou éliminer toute impureté indésirable.
Exemple 1- Caractéristiques des scrap revêtus broyés
Dans cet exemple, le scrap revêtus provient de boites de boisson usagées (UBC). Dans cet exemple le broyage a été effectué avec un broyeur à couteaux avec une grille de calibration inférieure à 40 mm. La représente l’aspect des scrap obtenus dans le broyeur à couteaux qui sont représentatifs des scrap selon l’invention. Ces scraps ainsi broyés sont caractérisés de telle sorte à déterminer, le rapport de pliage (Tableau 2), leur granulométrie par tamisage (Tableau 2), la planéité du scrap en mesurant la hauteur (Tableau 3), leur densité apparente (Tableau 1).
75% des entités individuelles mesurées présentent un rapport de pliage inférieur ou égal à 0.6. 74% des entités individuelles mesurées présentent une granulométrie comprise entre 8 et 50 mm. 100% des entités individuelles mesurées présentent une hauteur inférieure ou égale à 15 mm.
Scrap Broyage selon l’invention % d’entités individuelles ayant un rapport de pliage inférieur ou égal à 0.6 75 % % d’entités individuelles ayant une granulométrie comprise entre 8 et 50 mm 74 % % d’entités individuelles ayant une hauteur inférieure ou égale à 15 mm 100 % Densité apparente (t/m 3 ) 0.30