INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une caractéristique de l’invention, la zone de réception du bras du système d’essuyage et l’espace de réception du connecteur sont disposés de part et d’autre de la paroi supérieure de la base. De manière plus précise, la base présente une forme en U et l’espace de réception du connecteur est alors formé à l’intérieur du U tandis que la zone de réception du bras est formée à l’extérieur du U. Le ou les logements présents dans la zone de réception sont notamment réalisés par des moyens qui forment saillie d’une face externe de la paroi supérieure, tournés à l’opposé de l’espace de réception du connecteur.
Les galettes 11 sont par exemple réalisées en acier ou dans un alliage métallique, par exemple dans un alliage d’aluminium. Mais quel que soit le matériau retenu, celui-ci est préférentiellement dépourvu de bore ou de tout autre élément neutrophage au sens exposé précédemment.
Le nombre de galettes 11 est par exemple compris entre cinq et vingt, même si un nombre différent pourrait être adopté, notamment en fonction de la hauteur du panier 1, ici de l’ordre de 4 m.
Ces galettes 11 sont espacées longitudinalement les unes des autres à l’aide de moyens d’espacement, ici des entretoises 16, dont plusieurs d’entre elles sont agencées entre chaque couple de galettes 11 directement consécutives dans l’empilement selon la direction 20. Par exemple, ce sont trois à six entretoises 16 qui sont prévues à chaque étage d’espacement entre les galettes 11, les entretoises d’un même étage présentant de préférence toutes la même hauteur selon la direction 20. Les entretoises 16 sont préférentiellement réalisées en acier, mais d’autres matériaux peuvent être envisagés, sans sortir du cadre de l’invention.
La structure du panier 1 est complétée par des tirants 17 qui maintiennent en compression les galettes 11 et les entretoises 16 les unes contre les autres, selon la direction 20. Le maintien mécanique de l’empilement est ainsi assuré par les tirants 17 qui traversent les galettes 11, et éventuellement aussi les entretoises 16, en prévoyant une conception creuse pour ces dernières. Le nombre de tirants 17 peut alors être identique à celui des entretoises 16 prévues à chaque étage d’espacement des galettes, par exemple quatre entretoises / tirants dans le mode de réalisation représenté sur les figures 2 et 2A. Les tirants 17, de conception connue, sont préférentiellement parallèles à l’axe 3, ou sensiblement parallèles à ce dernier.
L’une des particularités de l’invention réside dans la conception des galettes transversales 11, dont l’une va être décrite à présent en référence aux figures 3 à 10.
La galette 11 est réalisée à l’aide de plusieurs pièces fixées les unes autres, toutes s’inscrivant dans le plan transversal P associé à cette galette. Dans le mode de réalisation préféré représenté, il est prévu quatre pièces périphériques assemblées bout-à-bout et se succédant donc selon une direction circonférentielle 22 du panier 1.
Il s’agit tout d’abord d’une première pièce périphérique 11a de forme générale trapézoïdale, ou en forme de lunule, et à travers laquelle est réalisée l’une des deux ouvertures 13’ de section circulaire. Il est ensuite prévu une seconde pièce périphérique 11b en forme générale de poutre droite, ou éventuellement de lunule dont la partie bombée est peu accentuée. Il est également prévu une troisième pièce périphérique 11c de forme générale trapézoïdale, identique ou sensiblement identique à la première pièce 11a, en étant disposée en vis-à-vis et symétriquement à celle-ci. La troisième pièce périphérique 11c est traversée par l’autre des deux ouvertures 13’ de section circulaire. Enfin, il est prévu une quatrième pièce périphérique 11d en forme générale de poutre droite, ou éventuellement de lunule, identique ou sensiblement identique à la seconde pièce 11b en étant disposée en vis-à-vis et symétriquement à celle-ci. Enfin, une cinquième pièce centrale 11e relie les premières et troisième pièces 11a, 11c, en étant agencée entre les seconde et quatrième pièces 11b, 11d, parallèlement à celles-ci.
Les pièces 11a et 11c, de plus grandes étendues transversales, sont celles destinées à coopérer avec les tirants et les entretoises du panier.
L’une des ouvertures 13 de section carrée / rectangulaire est délimitée par une partie de la première pièce 11a, par la seconde pièce 11b, par une partie de la troisième pièce 11c, et par une face de la cinquième pièce 11e. De même, l’autre ouverture 13 de section carrée / rectangulaire est délimitée par une autre partie de la première pièce 11a, par la quatrième pièce 11d, par une autre partie de la troisième pièce 11c, et par une face opposée de la cinquième pièce 11e.
Par la suite, il va être décrit la fixation entre les première et seconde pièces 11a, 11b, spécifique à l’invention, et dont le principe est préférentiellement appliqué de manière identique ou similaire pour les trois autres fixations entre les pièces périphériques 11a à 11d.
Toujours en référence aux figures 3 à 10, il est ainsi mis en œuvre un dispositif de liaison 24, rigide, entre la première pièce 11a et la seconde pièce 11b.
Le dispositif de liaison 24 comporte tout d’abord un organe mâle d’accouplement 26 porté par la première pièce 11a, en étant ici solidaire et préférentiellement réalisé d’une seule pièce avec cette première pièce 11a. L’organe mâle 26 prend la forme d’une saillie au niveau d’une extrémité de la première pièce 11a. Le dispositif de liaison 24 comprend également un organe femelle d’accouplement 28 prévu sur la seconde pièce, cet organe femelle prenant la forme d’une rainure logeant l’organe mâle 26 et formant avec celui-ci une liaison glissière dont la direction de glissière 30 est parallèle ou inscrite dans le plan transversal P dans lequel se trouve la structure transversale 11. Cette direction de glissière 30 est d’ailleurs confondue ou parallèle avec un axe central longitudinal 32 de la seconde pièce 11b, également inscrit dans le plan P.
Grâce à l’orientation de cette liaison glissière, dans le plan P de la galette 11 ou parallèlement à ce même plan, la coopération entre ses organes mâle et femelle 26, 28 peut avantageusement s’étendre sur une longueur étendue qui renforce la résistance mécanique de la galette 11, en cas de chute du colis. En particulier, il est prévu que cette longueur de coopération L1, référencée sur la , soit strictement supérieure à l’épaisseur E des pièces 11a, 11b, correspondant à l’épaisseur de la galette 11.
Préférentiellement, le dispositif de liaison 24 inclut un organe de verrouillage 34 de la liaison glissière, dont l’objectif est le maintien de l’organe mâle 26 relativement à l’organe femelle 28 dans la direction de glissière 30. Cet organe de verrouillage 34 évite ainsi un désengagement des deux organes, notamment pendant l’assemblage du panier, mais il est préférentiellement monté de manière à ne pas être ou peu sollicité en cas de chute, la reprise d’efforts s’effectuant prioritairement à l’aide des organes 26, 28. De préférence, l’organe de verrouillage 34 de la liaison glissière est une vis traversant les organes mâle et femelle 26, 28, en étant préférentiellement orthogonale à la direction de glissière 30, et parallèle ou inscrite dans le plan P.
La rainure 28 formant l’organe femelle présente une première et une seconde extrémités longitudinales 28a, 28b opposées selon la direction de glissière 30. La première extrémité 28a, correspondant à celle la plus extérieure et la plus éloignée de l’axe 3 du panier et de la galette, est ouverte pour l’introduction de la saillie 26. De même, cette saillie 26 présente une première et une seconde extrémités longitudinales 26a, 26b opposées selon la direction de glissière 30. L’introduction de cette saillie 26 dans la rainure 28 est prévue en faisant pénétrer la seconde extrémité 26b dans la rainure avant la première extrémité 26a. En revanche, pour renforcer encore davantage la résistance mécanique de la liaison glissière en cas de chute, la seconde extrémité 28b de la rainure 28 est obturée par une butée axiale de glissière 36 coopérant avec la seconde extrémité 26b de la saillie 26. Il est prévu un contact entre les deux, ou bien un très faible jeu selon la direction de glissière 30, destiné à être rapidement consommé en cas de chute pour obtenir un appui renforçant la résistance mécanique de la galette 11.
La butée axiale de glissière 36 et l’extrémité longitudinale associée 26b de la saillie 26 présentent une complémentarité de forme assurant le maintien de cette extrémité longitudinale 26b dans la rainure 28, selon une direction d’empilement des organes mâle et femelle d’accouplement 26, 28. Cette direction d’empilement, référencée 38 sur les figures 7 à 10, est orthogonale à la direction de glissière 30, et également orthogonale à un plan d’ouverture de la rainure. La complémentarité de forme assurant la rétention des deux éléments 26b, 36 peut être réalisée par une simple échancrure au niveau de l’extrémité 26b, de manière à coopérer avec une échancrure de forme complémentaire dans la butée axiale de glissière 36. Ici également, cette rétention améliore la résistance mécanique de la galette en cas de chute.
On désigne par « transmittance d’une couche » le rapport entre l’intensité du rayonnement sortant de la couche et l’intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %.
Selon un aspect d’un mode de réalisation, on prévoit, pour réaliser un dispositif optoélectronique combinant une fonction d’émission lumineuse et une fonction de photodétection, un procédé comprenant les étapes de former, sur un circuit intégré de contrôle préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur, une pluralité de diodes électroluminescentes (LED) inorganiques, puis de déposer une couche active semiconductrice de sorte à combler des espaces entre les diodes électroluminescentes. Le procédé comprend en outre des étapes permettant de définir une pluralité de diodes photosensibles, ou photodétecteurs, dans la couche active semiconductrice.
Les figures 1A à 1T sont des vues illustrant des étapes successives d’un exemple, non limitatif, de mise en œuvre d’un tel procédé. Diverses variantes sont à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
On a représenté sur les figures 1A à 1T la réalisation d’un dispositif comportant des pixels comprenant chacun une unique diode photosensible et trois LED inorganiques. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, le procédé décrit pouvant bien entendu être adapté pour réaliser des dispositifs comportant des pixels comprenant des nombres de diodes photosensibles et de LED inorganiques différents de ceux représentés. En outre, les modes de réalisation décrits s'appliquent à des dispositifs présentant des plages de longueurs d'ondes d'émission et de réception quelconques, par exemple situées chacune dans l'infrarouge ou dans le visible.
Les figures 1A et 1B sont des vues, respectivement de dessus et en coupe selon le plan AA de la , représentant de façon schématique et partielle un circuit intégré de contrôle 101 préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur 103. À titre d’exemple, le circuit intégré de contrôle 101 est formé dans et sur un substrat massif de silicium. À titre de variante, le substrat semiconducteur 103 est de type SOI (de l’anglais « Semiconductor On Insulator » - semiconducteur sur isolant) et comprend par exemple un support en silicium revêtu d’une couche isolante elle-même revêtue d’une couche en silicium monocristallin.
Dans l’exemple représenté, le circuit de contrôle 101 comprend, du côté de sa face supérieure, pour chacune des LED du dispositif, un plot métallique de connexion 105 destiné à être connecté à l’une des électrodes (anode ou cathode) de la LED, de façon à pouvoir commander un courant circulant dans la LED et/ou appliquer une tension aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle 101 comprend par exemple, pour chaque LED connectée au plot métallique 105 dédié à la LED, une cellule élémentaire de contrôle comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la LED et/ou la tension appliquée aux bornes de la LED.
Dans cet exemple, le circuit de contrôle 101 comprend en outre, du côté de sa face supérieure, pour chacune des diodes photosensibles du dispositif, un plot métallique 107 destiné à être connecté à l’une des électrodes (anode ou cathode) de la diode photosensible, de façon à pouvoir recevoir des charges photogénérées dans la diode photosensible. Le circuit de contrôle 101 comprend par exemple, pour chaque diode photosensible connectée au plot métallique 107 dédié à la diode photosensible, une cellule élémentaire de lecture comportant un ou plusieurs transistors, permettant par exemple de transférer les charges photogénérées dans la diode photosensible vers un nœud de lecture.
Dans l’exemple considéré où le dispositif comporte une unique diode photosensible et trois LED inorganiques par pixel, le circuit de contrôle 101 comprend trois fois plus de plots 105 que de plots 107. Comme illustré en , les plots 105 et 107 forment par exemple un motif se répétant de façon régulière le long de lignes et de colonnes à la surface du circuit de contrôle 101.
Le circuit de contrôle 101 est par exemple réalisé en technologie CMOS (de l’anglais « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » - métal oxyde semiconducteur complémentaire). Les plots métalliques 105 et 107 peuvent être latéralement entourés par un matériau isolant 109, par exemple de l’oxyde de silicium, de façon que le circuit de contrôle 101 présente une surface supérieure sensiblement plane comprenant une alternance (ou damier) de régions métalliques 105, 107 et de régions isolantes 109. Le contact sur les électrodes des LED et des diodes photosensibles (cathodes ou anodes) non connectées aux plots 105, 107 peut être pris de façon collective, par exemple dans une région périphérique du circuit de contrôle 101, par l’intermédiaire d’un ou plusieurs plots de connexion (non visibles sur les figures) du circuit de contrôle 101.
La est une vue en coupe, selon le plan AA de la , illustrant une étape ultérieure de dépôt, sur la face supérieure du circuit de contrôle 101, d’une couche métallique 111. Dans l’exemple représenté, la couche métallique 111 revêt sensiblement toute la surface supérieure du circuit de contrôle 101. En particulier, la couche métallique 111 est en contact avec les plots métalliques de connexion 105 et 107 du circuit de contrôle 101.
La est une vue en coupe représentant, de façon schématique et partielle, un empilement actif de LED inorganique 151, par exemple au nitrure de gallium, disposé sur la face supérieure d’un substrat de support 153. Le substrat de support 153 est par exemple un substrat en silicium, en saphir, en corindon, ou en tout autre matériau sur lequel un empilement actif de LED peut être déposé. Dans l’exemple représenté, l’empilement actif 151 comprend, dans l’ordre à partir de la surface supérieure du substrat 153, une couche 155 en un matériau semiconducteur dopé de type N, par exemple une couche de nitrure de gallium dopé de type N, une couche émissive 157, et une couche 159 en un matériau semiconducteur dopé de type P, par exemple une couche en nitrure de gallium dopé de type P. La couche émissive 157 est par exemple constituée par un empilement d’une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puits quantique, par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, ou d’une combinaison d’un ou plusieurs de ces matériaux. Dans cet exemple, la face inférieure de la couche émissive 157 est en contact avec la face supérieure de la couche 155, et la face supérieure de la couche émissive 157 est en contact avec la face inférieure de la couche 159. En pratique, selon la nature du substrat 153, un empilement d’une ou plusieurs couches tampon (non représentées) peut faire interface entre le substrat de support 153 et la couche de nitrure de gallium 155. L’empilement actif 151 est par exemple formé par épitaxie sur le substrat de support 153.
La est une vue en coupe illustrant une étape ultérieure de dépôt, sur la face supérieure de l’empilement actif de LED 151, d’une couche métallique 161. Dans l’exemple représenté, la couche métallique 161 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice de type P 159. La couche métallique 161 revêt par exemple sensiblement toute la surface supérieure de l’empilement actif 151.
La est une vue en coupe, selon le plan AA de la , illustrant une étape ultérieure au cours de laquelle l’empilement actif de LED 151 est reporté sur la face supérieure du circuit de contrôle 101. Pour cela, l’ensemble comportant le substrat de support 153, l’empilement actif 151 et la couche métallique 161 peut être retourné, puis rapporté sur le circuit de contrôle 101, de façon à mettre en contact la face supérieure (dans l’orientation de la ) de la couche métallique 161 avec la face supérieure de la couche métallique 111. Au cours de cette étape, l’empilement actif 151 est fixé (bonded) au circuit de contrôle 101. À titre d’exemple, la fixation de l’empilement actif 151 sur le circuit de contrôle 101 peut être obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. À titre de variante, la fixation des deux surfaces peut être réalisée par thermocompression, collage eutectique, ou par toute autre méthode de fixation adaptée.
Lors des manœuvres sécuritaire (freinage d’urgence, évitement) la batterie auxiliaire présente un rôle fondamental car elle doit garantir, en cas de défaillance du producteur d’énergie électrique, des niveaux de tensions minimums aux organes sécuritaires.
État de la technique antÉrieure Pour cela, il existe un moyen de tester l’état de santé de la batterie auxiliaire au moyen d’une sollicitation préalable de la batterie auxiliaire, sous forme d’un ou plusieurs appels de courant successifs. Ceci permet d’évaluer des paramètres tels que la résistance interne et les tensions minimales de la batterie auxiliaire atteintes pendant le processus de test.
Ces sollicitations de la batterie auxiliaire peuvent être réalisées sur un véhicule électrique, en utilisant un dispositif de test permettant d’isoler la batterie auxiliaire du convertisseur de tension DCDC d’une part et de commuter une résistance ou charge électrique selon un profil d’activation défini.
Cependant, le dispositif de test peut être défaillant et échouer à commuter la résistance de test pour tester le dispositif de test vérifiant la capacité de la batterie auxiliaire à alimenter en énergie électrique les organes sécuritaires d’un véhicule électrique.
L’invention vise à remédier à tout ou partie des inconvénients de l’état de la technique en proposant notamment un procédé de vérification d’un dispositif de test de la capacité d’une batterie auxiliaire à alimenter en énergie électrique des organes sécuritaires d’un véhicule électrique, permettant d’assurer que le dispositif de test fonctionne correctement.
Pour ce faire, il est proposé un procédé de vérification d’un dispositif de test de la capacité d’une batterie auxiliaire à alimenter en énergie électrique des organes sécuritaires d’un véhicule électrique. Le dispositif de test comprend un disjoncteur électrique apte à commuter une résistance de test reliée à la batterie auxiliaire et met en œuvre une procédure de test T comprenant une étape A d’isolation de la batterie auxiliaire d’un convertisseur DCDC destiné à alimenter un système de bord du véhicule électrique en énergie électrique, et une étape B de commutation de la résistance de test pour permettre de générer des variations de courant au moyen de la batterie auxiliaire pour la tester.
Selon l’invention, le procédé de vérification comprend une étape C de comptage du nombre d’échecs N à commuter la résistance de test, une étape D de détermination du niveau de risque à échouer la commutation de la résistance de test en fonction du nombre d’échecs N, et une étape E d’alerte de l’utilisateur en fonction du niveau de risque déterminé.
Selon un mode de réalisation, le procédé de vérification comprend une étape F de traitement des données défaillantes responsables du niveau de risque déterminé lorsqu’un niveau de risque est déterminé.
De préférence, lors de l’étape C, le nombre d’échecs N est incrémenté de 1 si le véhicule électrique est à l’arrêt et si un échec à commuter la résistance de test a été détecté.
Selon une variante, le nombre d’échecs N est réinitialisé à zéro si la commutation de la résistance de test est un succès lorsque le véhicule électrique roule ou si la commutation de la résistance de test est un succès avant la mise sous tension du véhicule électrique.
Selon un autre mode de réalisation, l’étape D comprend un premier niveau de risque à échouer la commutation de la résistance de test et un deuxième niveau de risque à échouer la commutation de la résistance de test. Les niveaux de risque sont déterminés en fonction d’un premier seuil S1 de nombre d’échecs N successifs à commuter la résistance de test et d’un deuxième seuil S2 de nombre d’échecs N successifs à commuter la résistance de test.
De préférence, le premier niveau de risque est atteint lorsque le nombre d’échecs N successifs à commuter la résistance de test est supérieur ou égal à S1 et inférieur à S2. Le deuxième niveau de risque est atteint lorsque le nombre d’échecs N successifs à commuter la résistance de test est supérieur à S2.
Avantageusement, aucun risque n’est détecté lorsque le premier niveau de risque est atteint et si le nombre d’échecs N à commuter la résistance de test est à zéro ou lorsque le deuxième niveau de risque est atteint et si le nombre d’échecs N à commuter la résistance de test est à zéro lors de la mise sous tension du véhicule électrique avant son démarrage ou lorsque le deuxième niveau de risque est atteint et si le véhicule électrique est sous tension avant d’être démarré et que le nombre d’échecs N est réinitialisé à zéro.
Selon un mode de réalisation, l’étape E comprend un premier niveau d’alerte de l’utilisateur lorsque le premier niveau de risque est atteint et un deuxième niveau d’alerte de l’utilisateur lorsque le deuxième niveau de risque est atteint.
L’invention fournit ainsi un procédé de vérification d’un dispositif de test de la capacité d’une batterie auxiliaire à alimenter en énergie électrique des organes sécuritaires d’un véhicule électrique, permettant d’assurer que le dispositif de test fonctionne correctement.
Plus particulièrement, la présente invention permet de vérifier que la résistance de test ou de diagnostic du disjoncteur du dispositif de test commute correctement afin de permettre de générer des variations de courant au niveau de la batterie auxiliaire pour la tester.
La représente un exemple d’architecture électronique D compris dans le bouton et/ou dans le dispositif utilisateur. D peut être utilisé en tant que dispositif centralisé en charge d’au moins certaines étapes du procédé décrit ci-avant en référence à la .
D peut prendre la forme d’un boitier comprenant des circuits imprimés ou de tout type d’ordinateur.
D comprend une mémoire vive 100 (tel que la mémoire décrite ci-avant pour le bouton en référence à la ) pour stocker des instructions pour la mise en œuvre par un processeur 200 (tel que le processeur décrit ci-avant pour le bouton en référence à la ) d’au moins une étape des procédés tels que décrits ci-avant. Le dispositif comporte aussi une mémoire de masse 300 pour le stockage de données destinées à être conservées après la mise en œuvre du procédé.
D peut en outre comporter un processeur de signal numérique (DSP) 400. Ce DSP 400 reçoit des données pour mettre en forme, démoduler et amplifier, de façon connue en soi ces données.
Ainsi, il a été décrit un mode de réalisation dans lequel l’invention était mise en œuvre pour un smartphone. Elle peut également être mise en œuvre avec tout type de dispositif utilisateur tel que tablette tactile ou ordinateur.