Structure de condensateur, comprenant : une première plaque comprenant du titane et de l'azote ; une deuxième plaque sur et parallèle à la première plaque, la deuxième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une troisième plaque sur et parallèle à la deuxième plaque, la troisième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une quatrième plaque sur et parallèle à la troisième plaque, la quatrième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une cinquième plaque sur et parallèle à la quatrième plaque, la cinquième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une première couche diélectrique entre la première plaque et la cinquième plaque, la première couche diélectrique comprenant un premier matériau à constante k élevée ayant une première composition ; et une deuxième couche diélectrique entre la première plaque et la cinquième plaque, la deuxième couche diélectrique comprenant un deuxième matériau à constante k élevée ayant une deuxième composition différente de la première composition. Structure de condensateur selon la revendication 1, dans laquelle le deuxième matériau à constante k élevée et le premier matériau à constante k élevée sont entre la première plaque et la deuxième plaque. Structure de condensateur selon l'une quelconque des revendications 1-2, dans laquelle le deuxième matériau à constante k élevée est directement sur le premier matériau à constante k élevée. Structure de condensateur selon l'une quelconque des revendications 1-3, dans laquelle la première plaque, la deuxième plaque, la troisième plaque, la quatrième plaque et la cinquième plaque sont situées verticalement entre une première couche de métallisation de fin de chaîne et une deuxième couche de métallisation de fin de chaîne. Structure de condensateur selon la revendication 4, dans laquelle une troisième couche diélectrique est entre la première couche de métallisation de fin de chaîne et la première plaque, et une quatrième couche diélectrique est entre la deuxième couche de métallisation de fin de chaîne et la cinquième plaque. Structure de condensateur selon l'une quelconque des revendications 1-5, dans laquelle un trou traversant conducteur est directement connecté à seulement deux plaques parmi la première plaque, la deuxième plaque, la troisième plaque, la quatrième plaque et la cinquième plaque. Structure de condensateur selon la revendication 6, dans laquelle le trou traversant conducteur est latéralement espacé des trois autres plaques parmi la première plaque, la deuxième plaque, la troisième plaque, la quatrième plaque et la cinquième plaque. Structure de condensateur selon la revendication 6, dans laquelle un deuxième trou traversant conducteur est directement connecté aux trois autres plaques parmi la première plaque, la deuxième plaque, la troisième plaque, la quatrième plaque et la cinquième plaque. Structure de condensateur selon l'une quelconque des revendications 1-8, dans laquelle un trou traversant conducteur est directement connecté à seulement trois plaques parmi la première plaque, la deuxième plaque, la troisième plaque, la quatrième plaque et la cinquième plaque. Structure de condensateur selon l'une quelconque des revendications 1-9, dans laquelle la première composition comprend du hafnium. Structure de condensateur selon la revendication 10, dans laquelle la deuxième composition comprend du zirconium. Dispositif informatique, comprenant : une carte ; et un composant couplé à la carte, le composant comprenant une structure de condensateur, comprenant : une première plaque comprenant du titane et de l'azote ; une deuxième plaque sur et parallèle à la première plaque, la deuxième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une troisième plaque sur et parallèle à la deuxième plaque, la troisième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une quatrième plaque sur et parallèle à la troisième plaque, la quatrième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une cinquième plaque sur et parallèle à la quatrième plaque, la cinquième plaque comprenant du titane et de l'azote ; une première couche diélectrique entre la première plaque et la cinquième plaque, la première couche diélectrique comprenant un premier matériau à constante k élevée ayant une première composition ; et une deuxième couche diélectrique entre la première plaque et la cinquième plaque, la deuxième couche diélectrique comprenant un deuxième matériau à constante k élevée ayant une deuxième composition différente de la première composition. Dispositif informatique selon la revendication 12, comprenant en outre : une mémoire couplée à la carte. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-13, comprenant en outre : une puce de communication couplée à la carte. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-14, comprenant en outre : une caméra couplée à la carte. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-15, comprenant en outre : une batterie couplée à la carte. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-16, comprenant en outre : une antenne couplée à la carte. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-17, dans lequel le composant est une puce de circuit intégré mise en boîtier. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-18, dans lequel le composant est sélectionné dans le groupe constitué par un processeur, une puce de communication et un processeur de signal numérique. Dispositif informatique selon l'une quelconque des revendications 12-19, le dispositif informatique étant sélectionné dans le groupe constitué par un téléphone mobile, un ordinateur portable, un ordinateur de bureau, un serveur et un décodeur..