INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De tels déplacements permettent notamment de positionner le jet de cellules 11 dans une position déterminée dans la zone de différenciation 17.
L’installation 1 peut en outre comporter un dispositif de tri 4 configuré pour appliquer une charge prédéterminée à chaque cellule 26 différenciée.
La charge prédéterminée est associée au résultat de la différenciation, autrement dit au type de cellule, X ou Y.
Le dispositif de tri 4 peut par exemple comporter des plaques conductrices 20 configurées pour former des électrodes qui sont capables de charger positivement ou négativement les cellules 26 différenciées, en fonction du résultat de la différenciation.
Le dispositif de tri 4 est aussi configuré pour guider les cellules différenciées et chargées vers des récipients de collecte 21 configurés pour recevoir les cellules 26 ainsi triées.
Ici, l’installation 1 comporte trois récipients de collecte 21 configurés pour recevoir respectivement trois flux de cellules 26, dont un premier flux 23 correspondant par exemple aux cellules chargées positivement et identifiées comme étant Y, un deuxième flux 24 correspondant par exemple aux cellules chargées négativement et identifiées comme étant X, et un troisième flux 25 correspondant aux cellules non chargées et non différenciées.
L’installation 1 peut en outre comporter une ou plusieurs unités de contrôle et de commande (non représentées) qui sont connectées au dispositif d’alimentation 2, au système de détection optique 3 et au dispositif de tri 4, et qui sont configurées pour traiter certaines informations représentatives de certains paramètres en vue de contrôler et commander les dispositifs et système auxquels elles sont connectées.
Ces paramètres peuvent par exemple correspondre au débit du jet de cellules, aux types de cellule ou encore aux charges prédéterminées qui y sont associées.
La illustre plus en détail le système de détection optique 3.
Pour rappel, un effet Hall correspond au fait qu’un courant électrique traversant un matériau engendre un champ électrique et donc une tension perpendiculaire à ce courant.
Par exemple, l’effet Hall dit classique, qui apparaît lorsqu’un champ magnétique est appliqué, engendre une tension perpendiculaire à ce champ magnétique et à ce courant.
Selon un autre exemple, l’effet Hall dit anormal ou extraordinaire, qui apparaît lorsque le matériau porte une aimantation, engendre une tension perpendiculaire à cette aimantation et à ce courant.
Selon encore un autre exemple, l’effet Hall planaire, qui apparaît lorsque le matériau porte une aimantation dans le plan de la couche, engendre une tension dans le plan de la couche et perpendiculaire à ce courant.
Selon l’exemple de la , le dispositif électronique 12 comporte un empilement de couches 18.
Les couches de l’empilement 18 sont des couches empilées selon une direction d’empilement Z.
Il est alors défini deux directions longitudinales qui sont perpendiculaires à la direction d’empilement Z, une première direction longitudinale X et une deuxième direction longitudinale Y. Les deux directions longitudinales X et Y sont orthogonales entre elles et choisies de sorte que le repère X, Y et Z soit direct.
En variante, la première direction longitudinale X et la deuxième direction longitudinale Y sont simplement distinctes et ne sont pas orthogonales entre elles.
En référence à la , il est également défini des notions relatives de bas et de haut par rapport à la direction d’empilement Z. Une couche est située plus bas qu’une autre couche si elle est plus basse dans la représentation sur la feuille de la .
Selon l’exemple de la , l’empilement 18 est un empilement de couches superposées en forme de croix.
D’autres formes sont possibles comme cela sera décrit ultérieurement en référence à la .
Dans l’exemple décrit, la croix est formée par la réunion de deux branches 20 et 22, une première branche 20 étant selon la première direction longitudinale X et la deuxième branche 22 étant selon la deuxième direction longitudinale Y.
Pour le cas de la , depuis le bas vers le haut, le dispositif électronique 12 comporte une première électrode 24, un sous-ensemble à états rémanents 26, une première couche d’interfaçage 28, un gaz bidimensionnel d’électrons 30, une deuxième couche d’interfaçage 32, un sous-ensemble magnétique 34 et une deuxième électrode 36.
Cet ordre des couches n’est pas limitatif et d’autres ordres possibles seront décrits ultérieurement.
Dans l’exemple décrit, la première électrode 24 comporte un contact et la deuxième électrode 36 comporte quatre contacts, de sorte que le dispositif électronique 12 comporte cinq contacts.
Les servitudes ne passent donc plus dans les bras mais dans des chemises dédiées situées en aval des bras. Cela permet de ne pas surdimensionner les bras pour autoriser le passage des servitudes et réduit donc l’impact du passage des servitudes sur l’écoulement des gaz dans la veine.
La turbomachine selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises isolément les unes des autres ou en combinaison les unes avec les autres :
lesdites servitudes sont des canalisations d’huile ; dans laquelle ledit équipement est un réducteur mécanique ou un équipement électrique tel qu’un générateur électrique ; ladite chemise s’étend dans le prolongement dudit bras et est formée d’une seule pièce avec ce bras ; ladite chemise s’étend dans le prolongement dudit bras et est rapportée et fixée sur ce bras ; ladite chemise est située à une distance axiale dudit bras ; ladite chemise s’étend entre un anneau interne et un anneau externe qui sont respectivement configurés pour être fixés aux viroles interne et externe ; ladite chemise est située à 6 heures par référence au cadran d’une horloge ; et
- la turbomachine comprend une turbine contrarotative située juste en amont dudit carter d’échappement ; et
- la turbomachine est du type à double flux, respectivement primaire et secondaire ;
- ladite au moins une chemise radiale est située en aval dudit flux primaire.
la est une vue très schématique en coupe axiale d’une turbomachine à turbine contrarotative,
la est une autre vue très schématique d’une turbomachine à turbine contrarotative,
la est une vue schématique en perspective d’un carter d’échappement selon la technique antérieure ;
la est une vue schématique en coupe axiale du carter d’échappement de la ;
la est une vue schématique en coupe transversale d’un bras du carter d’échappement de la ;
la est une vue schématique en perspective d’un carter d’échappement selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
la est une vue schématique en perspective d’un carter d’échappement selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ;
Dans le cadre de la lutte contre le réchauffement climatique, les politiques actuelles tendent à promouvoir la production et l’utilisation de véhicules automobiles à motorisation électrique.
La climatisation est un élément de confort de plus en plus souvent installé dans les véhicules automobiles. De manière connue, une installation de climatisation pour véhicule automobile comporte quatre éléments principaux : un compresseur, un condenseur, un détendeur, et un évaporateur. Ces quatre éléments sont disposés au sein d'un circuit fermé dans lequel circule un fluide réfrigérant (ou fluide caloporteur ou frigorigène). Certains véhicules comportent des installations permettant d'assurer à la fois le refroidissement et le chauffage de l'habitacle. Dans ces installations, certains éléments ont une double fonction. Ils comprennent par exemple deux échangeurs de chaleur qui joueront alternativement le rôle de condenseur ou d’évaporateur selon que l’installation fonctionne en mode refroidissement ou en mode chauffage. Les installations de climatisation sont consommatrices en énergie électrique et pour les véhicules à motorisation électrique, cette consommation électrique influe sur l’autonomie du véhicule.
Les véhicules comprennent un habitacle dans lequel l’installation de climatisation va souffler de l’air pour assurer à la fois le renouvellement de l’air dans le véhicule mais également le confort thermique des passagers et pour lutter contre le dépôt de buée sur les vitres. L’air soufflé peut être de l’air en provenance de l’extérieur du véhicule, de l’air recyclé (mode recyclage) ou un mélange des deux (mode mixte). A cet effet, l’installation de climatisation comprend au moins une buse de sortie d’air et au moins une prise d’air.
Le fonctionnement d’une installation de climatisation en mode recyclage ou mixte permet de réduire sa consommation en énergie électrique puisque l’air recyclé est à une température proche de la température de consigne à atteindre. La température souhaitée est donc plus rapidement atteinte et demande donc moins d’énergie.
Malheureusement, la prise d’air de recyclage est généralement située sous la planche de bord du véhicule, à proximité des buses de sortie d’air. Une des conséquences d’un tel agencement est que tout ou partie de l’air soufflé va emprunter un circuit court allant de la buse de sortie d’air soufflant vers le haut au niveau de la planche de bord pour revenir vers la prise d’air située sous le tableau de bord. La répartition de l’air sortant de l’installation de climatisation ne se fait donc pas de manière homogène dans l’habitacle du véhicule. En particulier, l’air soufflé ne parvient pas ou peu aux passagers des sièges arrière.
Une réponse à ce problème a été apportée par le document CN210970588 qui propose une installation de climatisation disposée en partie arrière du véhicule dans laquelle les buses de sorties d’air sont disposées au niveau du pavillon de toit du véhicule, par exemple au niveau du pilier central, ou sous les sièges arrière. Les prises d’air sont disposées au niveau des conduits latéraux, entre le corps de l’installation et les buses de sorties d’air. Cette installation a pour objectif d’améliorer le confort thermique des passagers avant en évitant que l’air ne leur soit soufflé directement de front. Cette configuration est intéressante, mais ne résout pas les problématiques liées à la présence d’un circuit court entre la buse de sortie d’air et la prise d’air puisque ces dernières se succèdent au niveau du pavillon de toit. Par ailleurs, puisque les buses de sortie d’air sont éloignées du tableau de bord, l’installation n’offre pas de réponse rapide aux problèmes d’embuage du pare-brise.
Le document FR2993826 propose un véhicule dans lequel la ou les prises d’air sont disposées à hauteur de tête de passager, non pas sous le tableau de bord. Par exemple, la prise d’air peut être disposée dans la partie haute d’un dossier de siège. Cette configuration est intéressante mais complexe dans la mesure où le positionnement des prises d’air dans les sièges rend difficile le déplacement desdits sièges sur de longues courses. Le retrait temporaire d’un ou plusieurs sièges arrière est également prohibé. Ceci génère des contraintes de style et d’architecture interne dont il serait intéressant de pouvoir s’affranchir. Par ailleurs, lorsque l’air est capté au niveau de la première rangée de sièges le circuit de circulation de l’air dans le véhicule reste un circuit court puisque l’air n’arrive pas jusqu’aux sièges de la rangée suivante.
Le document FR3082785 propose une installation de climatisation comprenant au moins deux prises d’air chacune étant disposée au bout d’un conduit d’écoulement d’air, les deux conduits d’air étant de longueur différente. Ainsi, la première conduite d’air est agencée pour être disposée à l’arrière d’une rangée de sièges, la deuxième est au niveau du tableau de bord. Un volet d’entrée d’air disposé sur un conduit d’écoulement d’air recyclé commun aux deux prises d’air, permet de fermer ou de libérer la première prise d’air et/ou la deuxième prise d’air. Cette installation est intéressante mais complexe par exemple en ce qu’elle implique un choix au niveau de la prise d’air utilisée si bien qu’une distribution homogène de l’air dans tout l’habitacle n’est pas toujours assurée et les circuits courts de circulation d’air sont toujours présents.
Le fonctionnement d’une installation de climatisation en mode recyclage ou mixte, utile pour des raisons d’économie d’énergie, impose également d’autres contraintes telles qu’un renouvellement suffisant de l’air dans l’habitacle, la gestion de la qualité de l’air dans l’habitacle et la prévention des risques d’embuage des vitres. Les installations de climatisation sont généralement implantées au niveau du tableau de bord du véhicule et rencontrent donc des problèmes de manque de place et d’accessibilité de ses composants, tels que par exemple des filtres à air.
L’invention a pour objectif d’apporter une réponse à au moins un des problèmes et inconvénients rencontrés dans l’art antérieur. En particulier, l’invention a pour objectif de proposer un véhicule avec une architecture aéraulique améliorée et une installation de climatisation qui soit simple et économique tout en assurant un brassage optimal de l’air dans l’habitacle dudit véhicule. L’invention a également pour objectif de proposer un véhicule et une installation de climatisation qui permette à la fois une distribution homogène de l’air dans l’habitacle, mais également de bonnes prestations en matière de gestion de la qualité de l’air dans l’habitacle et/ou de prévention des risques d’embuage des vitres.
A cet effet et selon un premier aspect, l’invention a pour objet un véhicule comprenant un tableau de bord, au moins deux rangées de sièges, un habitacle et une installation de climatisation comprenant au moins une buse de sortie d’air agencée au niveau du tableau de bord et une entrée de recyclage d’air, le véhicule est remarquable en ce que l’entrée de recyclage d’air est reliée à une ou plusieurs prises d’air par au moins un conduit permettant d’acheminer l’air depuis la ou les prises d’air vers l’entrée de recyclage d’air de l’installation de climatisation et en ce que la ou les prises d’air sont disposées à l’arrière de la dernière ou de l’avant-dernière rangée de sièges selon le sens de la marche du véhicule.
Comme on l’aura compris à la lecture de la définition qui vient d’en être donnée, l’invention est remarquable en ce qu’elle assure une circulation homogène de l’air au sein de l’habitacle associée à une bonne gestion des autres contraintes liées à un fonctionnement d’une installation de climatisation en mode recyclage ou mixte. A cet effet, toutes les prises d’air sont agencées pour déboucher à l’arrière de la dernière ou de l’avant-dernière rangée de sièges alors que la ou au moins une buse de sortie d’air est agencée au niveau du tableau de bord. Par exemple, lorsque le véhicule comprend trois rangées de sièges et la ou les prises d’air sont disposées à l’arrière de la deuxième ou de la troisième rangée de sièges.
De préférence, la ou les buses de sortie d’air sont écartées de la prise d’air la plus proche d’une distance d’au moins 0,8 m ; de préférence, d’au moins à 1.0 m ; de préférence encore, d’au moins 1,2 m ou d’au moins à 1,5 m et/ou la ou les buses de sortie d’air sont écartées de la prise d’air la plus proche d’une distance inférieure ou égale à 4.0 m ; de préférence, inférieure ou égale à 3.0 m ; de préférence encore, inférieure ou égale à 2.5 m ou inférieure ou égale à 2.0 m.
De manière préférentielle, la ou les buses de sortie d’air agencées au niveau du tableau de bord expulsent l’air en direction du haut de l’habitacle.
Avantageusement, une circulation optimale de l’air dans l’habitacle est obtenue lorsque la ou les prises d’air sont agencées soit à l’arrière de la dernière rangée de sièges (en partie haute et/ou en partie basse), soit en partie basse à l’arrière de l’avant-dernière rangée de sièges et en avant ou au niveau de la dernière rangée de sièges.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la ou au moins une des prises d’air sont disposées à l’arrière de la dernière rangée de sièges et sont disposées pour déboucher soit en partie haute de l’habitacle correspondant à une hauteur égale ou supérieure à la hauteur des dossiers des sièges de la dernière rangée, soit en partie basse correspondant à une hauteur inférieure à la hauteur des dossiers des sièges de la dernière rangée.
Une autre couche de matériau diélectrique 176 est déposée de manière conforme dans les cavités 160, 162 et sur la première couche de masque dur 158 (voir ). La deuxième couche de matériau diélectrique 176 comporte par exemple du TEOS tétraéthoxysilane Si(OC 2 H 5 ) 4 et a par exemple une épaisseur égale à 7 nm. Cette deuxième couche de matériau diélectrique 176 est destinée à servir ultérieurement de couche d’arrêt de gravure .
Une couche de matériau sacrificiel 178 pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau de la première couche de masque dur 158 est ensuite déposée de manière à remplir les cavités 160, 162 (voir ). Cette couche de matériau sacrificiel 178 recouvre la deuxième couche de matériau diélectrique 176. La couche de matériau sacrificiel 178 comporte par exemple du polysilicium ou du SoC (« Spin-On Carbon » en anglais, ou carbone déposé par centrifugation), ou tout autre matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau de la première couche de masque dur 158 et au matériau de la deuxième couche de matériau diélectrique 176. L’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 178 est par exemple égale à 380 nm.
Une étape de planarisation mécano-chimique (CMP) est ensuite mise en œuvre avec arrêt sur la première couche de masque dur 158 afin de supprimer le matériau sacrificiel de la couche 178 localisé sur la première couche de masque dur 158 (voir ). A l’issue de cette étape de CMP, seules les portions de la couche de matériau sacrificiel 178 localisées dans les cavités 160, 162 sont conservées.
Une deuxième couche de masque dur 180 est déposée sur l’ensemble de la structure réalisée, recouvrant ainsi la première couche de masque dur 158 et les portions restantes de la couche de matériau sacrificiel 178 (voir ). Le matériau de la deuxième couche de masque dur 180 est par exemple similaire à celui de la première couche de masque dur 158, c’est-à-dire ici du SiN. L’épaisseur de la deuxième couche de masque dur 180 est par exemple égale à 10 nm.
Une nouvelle étape de gravure est ensuite mise en œuvre à travers toute l’épaisseur de l’empilement 150 (voir ). Cette quatrième étape de gravure forme des tranchées 182 séparant et isolant électriquement différentes parties de l’empilement 150 dans chacune desquelles les lignes 3D de la mémoire 100 vont être réalisées, c’est-à-dire les lignes superposées d’éléments mémoires et les lignes superposées des transistors d’accès de la mémoire 100. Chacune de ces parties de l’empilement 150 comporte une ligne de premières cavités 160 au bout de laquelle se trouve une des deuxièmes cavités 162, remplis par le matériau sacrificiel de la couche 178. Cette gravure est par exemple mise en œuvre en ayant au préalable réalisé le motif des tranchées 182 dans les première et deuxième couches de masque dur 158, 180. Cette gravure est stoppée sur la couche diélectrique enterrée 122.
Sur l’exemple de réalisation visible sur la , les tranchées 182 sont gravées à travers les portions 166 des deuxièmes couches 154, et une partie de ces portions 166 des deuxièmes couches 154 est présente sur les bords des parties restantes de l’empilement 150 qui se trouvent à côté des tranchées 182.
Une gravure sélective de parties restantes des portions 166 est alors mise en œuvre pour les supprimer (voir ). Les creux ou espaces 184 obtenus à l’issue de cette gravure sont ensuite remplis par le dépôt d’un matériau de substitution correspondant à du SiCO ou du SiBCN (voir , sur laquelle l’une de ces portions de matériau de substitution est désignée par la référence 185). Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le SiO 2 n’est pas choisi comme matériau de substitution car la structure est destinée à subir ultérieurement des étapes de nettoyage avec des solutions à base d’acide fluorhydrique.
Le matériau de substitution déposé a par exemple une épaisseur égale à 10 nm (ou plus suivant la profondeur des creux ou espaces 184 à remplir), et les parties de ce matériau de substitution se trouvant en dehors des creux ou espaces 184 sont supprimées par une autre gravure sélective, comme précédemment décrit. Ce matériau diélectrique de substitution déposé forme, avec les portions diélectriques 168, des portions 111 destinées à assurer l’isolation électrique entre les grilles des transistors d’accès superposés dans les différents niveaux mémoires.
En variante, et comme dans le deuxième mode de réalisation précédemment décrit en lien avec les figures 4 à 6, les portions 168 peuvent être complètement supprimées, les cavités formées étant ensuite remplies par le matériau de substitution.
Les portions des premières couches 152 présentes dans chacune des parties de l’empilement 150 isolées par les tranchées 182 sont ensuite partiellement gravées afin que les portions restantes des premières couches 152 forment les nanofils des transistors d’accès. Cette gravure correspond à une gravure par plasma sélective du semi-conducteur des premières couches 152 vis-à-vis des autres matériaux présents. Cette étape de gravure permet de définir la largeur des nanofils désignés par la référence 113 (dimension selon l’axe X sur l’exemple de la ).
Une autre étape de gravure sélective est ensuite mise en œuvre pour supprimer les portions des troisièmes couches 156 présentes sur et sous les nanofils 113, puis les grilles sont réalisées dans les espaces vides présents tout autour des parties des nanofils 113 destinées à former les canaux des transistors d’accès. Ces grilles comportent le ou les matériaux formant le diélectrique de grille 124 disposé contre le semi-conducteur des nanofils 113 et le ou les matériaux conducteurs de grille 126 recouvrant le diélectrique de grille 124. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le diélectrique de grille 124 est formé d’une couche de HfO 2 (ou en variante du SiO 2 ou de l’Al 2 O 3 ou tout autre matériau à forte permittivité diélectrique ou « High-k » en anglais) d’épaisseur par exemple égale à 2 nm et le matériau conducteur de grille 126 est formé d’une couche de TiN, ou de toute autre couche métallique pouvant se déposer par CVD ou ALD, d’épaisseur par exemple égale à 10 nm. Les portions de matériau du diélectrique de grille 124 déposées au fond des tranchées 182 sont conservées, et celles du matériau conducteur de grille 126 déposées au fond des tranchées 182 est gravé, par exemple en mettant en œuvre une gravure humide avec arrêt sur les portions du diélectrique de grille 124 présentes au fond des tranchées 182.
Le dépôt du ou des matériaux conducteurs de grille 126 forment également les lignes de mot 109 qui relient électriquement entre elles les grilles des transistors d’accès localisés dans un même niveau de la mémoire 100 et dans une même ligne 3D de la mémoire 100.
La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la .
Les tranchées 182 sont ensuite remplies d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde tel que du TEOS ou de l’oxyde HDP, qui subit ensuite une CMP afin que les portions restantes de ce matériau diélectrique forment les éléments diélectriques d’isolation 130 destinés à assurer l’isolation électrique entre les différentes lignes 3D de la mémoire 100 (voir ). La couche de matériau diélectrique déposée a par exemple une épaisseur égale à 500 nm, ou plus généralement une épaisseur supérieure à l’épaisseur minimale requise pour remplir les tranchées 182. La CMP est mise en œuvre avec arrêt sur la deuxième couche de masque dur 180.
Des parties des première et deuxième couches de masque dur 158, 180 sont ensuite gravées pour former des accès aux portions de la couche de matériau sacrificiel 178 présentes dans les deuxièmes cavités 162. Sur la , les ouvertures formées à travers les couches de masque dur 158, 180 portent la référence 186. Ces ouvertures 186 sont réalisées par lithographie et gravure.