INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les photodétecteurs 15 sont par exemple adaptés à capter tout ou partie d'un rayonnement lumineux éclairant le capteur 11. A titre d'exemple, les photodétecteurs 15 sont adaptés à capter l'ensemble du rayonnement visible et/ou du rayonnement infrarouge. A titre d'exemple, les photodétecteurs 15 d'un même capteur 11 sont tous identiques, aux différences de fabrication près. Les photodétecteurs 15 sont par exemple intégrés de façon monolithique dans et sur un même substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium. A titre d'exemple, chaque photodétecteur 15 comprend une zone semiconductrice photosensible intégrée dans le substrat semiconducteur. Les photodétecteurs 15 sont par exemple des photodiodes.
Les filtres 17 comprennent par exemple des filtres interférentiels correspondant chacun à un empilement multicouches dont les matériaux et les épaisseurs sont choisis de façon à contrôler la longueur d'onde du rayonnement le traversant. A titre de variante, les filtres 17 peuvent être des filtres à base de réseaux de diffraction, des métasurfaces, ou tout autre type de filtres adaptés. Les filtres 17 de pixels 13 différents du capteur 11 ont par exemple des réponses différentes. Plus particulièrement, les filtres 17 de pixels 13 distincts laissent, par exemple, passer des rayonnements dans des gammes de longueurs d'ondes différentes, de sorte que les différents pixels 13 mesurent des rayonnements dans des gammes de longueurs d'ondes distinctes.
A titre d'exemple, le capteur 11 comprend : un ou plusieurs premiers pixels 13 dits pixels bleus, comprenant chacun un premier filtre 17 dit filtre bleu, adapté à laisser passer majoritairement de la lumière bleue ; un ou plusieurs deuxièmes pixels 13 dits pixels rouges, comprenant chacun un deuxième filtre 17, dit filtre rouge, adapté à laisser passer majoritairement de la lumière rouge ; et un ou plusieurs troisièmes pixels 13 dits pixels verts, comprenant chacun un troisième filtre 17, dit filtre vert, adapté à laisser passer majoritairement de la lumière verte.
A titre d'exemple, le capteur 11 peut, outre les pixels bleus, rouges et verts, comporter : un ou plusieurs quatrièmes pixels 13, dits pixels infrarouges, comprenant chacun un quatrième filtre 17, dit filtre infrarouge, adapté à laisser passer majoritairement de la lumière infrarouge ; et/ou un ou plusieurs cinquièmes pixels 13, dits pixels blancs, comprenant chacun un cinquième filtre 17, dit filtre blanc, adapté à laisser passer sensiblement toute la lumière visible et à couper la lumière infrarouge.
En variante, on pourra prévoir d'autres types de filtres 17 adaptés à laisser passer d'autres gammes de longueurs d'ondes différentes de celles listées ci-avant, de façon à obtenir des signaux représentatifs de différentes gammes de longueurs d'ondes du spectre lumineux reçu par le capteur 11.
A titre d'exemple, dans les pixels infrarouges, le filtre 17 est un filtre interférentiel passe bande laissant passer uniquement le rayonnement infrarouge.
Dans les pixels rouges, verts et bleus, le filtre 17 comprend par exemple un filtre interférentiel coupe bande filtrant le rayonnement infrarouge, surmonté d'un filtre en résine colorée laissant passer majoritairement une partie rouge, respectivement verte, respectivement bleue du rayonnement visible.
Dans les pixels blancs, le filtre 17 comprend par exemple un filtre interférentiel coupe bande filtrant le rayonnement infrarouge.
Le filtre interférentiel coupe bande est par exemple identique (aux dispersions de fabrication près) dans les pixels rouges, verts, bleus et blancs. A titre d'exemple, ce filtre s'étend de façon continue au-dessus des photodétecteurs 15 des pixels rouges, verts, bleus et blancs du capteur 11. Ce filtre est en revanche interrompu en vis-à-vis des pixels infrarouges.
A titre de variante, dans les pixels rouges, verts et bleus, le filtre 17 comprend un filtre interférentiel spécifique laissant passer majoritairement une partie rouge, respectivement verte, respectivement bleue du rayonnement visible. Dans ce cas, le filtre interférentiel coupe-bande infrarouge peut être omis dans les pixels rouges, verts et bleus.
Le capteur 11 est par exemple un capteur de lumière ambiante ou ALS (de l'anglais "Ambiant Light Sensor") ou un capteur hyperspectral. Dans un tel capteur, on ne cherche pas à obtenir une image d'une scène, mais uniquement une représentation du spectre de la lumière ambiante.
A la différence d'un capteur d'images, un tel capteur n'est généralement pas surmonté par un système optique externe de focalisation de la lumière reçue. En effet, un tel système optique externe est généralement coûteux et encombrant, et est jugé indésirable dans la plupart des applications usuelles des capteurs de luminosité ambiante.
En pratique, les rayonnements reçus sont issus de différentes sources de l'environnement du capteur, et arrivent donc chacun avec des angles d'incidences différents à la surface du capteur. On cherche alors à capter l'ensemble des rayonnements lumineux reçus, indépendamment de l'angle d'incidence de ces rayonnements sur la surface du capteur.
Un problème qui se pose est que les filtres interférentiels, ou, plus généralement, les filtres à base de phénomènes diffractifs (réseaux de diffraction, métasurfaces, etc.) sont sensibles à l'angle d'incidence des rayons lumineux qui les traversent. Autrement dit, la bande passante ou la bande de coupure des filtres 17 du capteur varie en fonction de l'angle d'incidence des rayons reçus. Il en résulte des imprécisions sur la représentation du spectre ambiant fournie par le capteur.
Selon un aspect d'un mode de mise en oeuvre, on prévoit, pour pallier ces inconvénients, de surmonter le filtre 17 de chaque pixel 13 d'un système télécentrique. Dans chaque pixel 13, le système télécentrique du pixel a pour fonction de dévier les rayonnements reçus par le pixel afin que ces derniers arrivent à la surface du filtre 17 avec un angle d'incidence contrôlé. En particulier, le système télécentrique permet de symétriser le cône de lumière arrivant sur le filtre 17 du pixel, et de réduire les angles d'incidences des rayons arrivant sur le filtre 17. Ainsi, la réponse du capteur est moins sensible aux variations des caractéristiques et/ou orientations des sources de luminosité ambiante.
La illustre un exemple d'un capteur optique 20 selon un premier mode de réalisation. La comprend une vue en coupe (A) et une vue de dessus (B) du capteur 20, la vue (A) étant une vue en coupe selon le plan AA de la vue (B).
Le commutateur 50 est par exemple commandé par un mécanisme électronique (non représenté) lui-même commandé par les instruments de mesure 45 quand ceux-ci ou l’un d‘eux détecte des photons.
Dans certains modes de réalisation, le système selon l’invention peut comporter plusieurs émetteurs disposés différemment relativement aux récepteurs, afin notamment d’établir une communication bidirectionnelle.
Dans l’exemple illustré à la , le système 1 comporte deux émetteurs 21 et 22, émettant chacun des paires de photons intriqués vers deux récepteurs 91 et 92.
L’émetteur 21 est plus proche du récepteur 91 que du récepteur 92, et l’émetteur 22 est plus proche du récepteur 92 que du récepteur 91. Cette disposition permet aux récepteurs 91 et 92 de communiquer de manière bidirectionnelle ; le photon P11 émis par l’émetteur 21 arrive en premier au récepteur 91, qui peut alors agir comme premier récepteur 3, c’est-à-dire transmettre une information vers le récepteur 92 qui reçoit son photon intriqué P12 et agit comme deuxième récepteur 4.
Inversement, le photon P21 émis par l’émetteur 22 arrive en premier au récepteur 92, qui cette fois peut transmettre une information vers le récepteur 91 qui reçoit le photon intriqué P22. Le mécanisme de transmission d’informations, notamment binaires, est par exemple similaire à ce qui a été décrit plus haut, aux figures 11 et 12.
Des dispositifs de réflexion 93 et 94 peuvent être disposés à proximité des récepteurs 91 et 92, respectivement, afin de réfléchir les photons éventuellement réfléchis par les récepteurs 91 et 92.
Dans cette configuration, au niveau des qubits, le champ magnétique oscillant B AC généré par les pistes ESR, lorsqu’elles sont toutes parcourues par le même courant électrique alternatif, est un champ dont la composante selon l’axe x est nulle, et dont la composante selon l’axe z est très faible (par rapport à la composante selon l’axe y), voire même nulle.
Le dispositif 13 comprend aussi, par exemple de part et d’autre de l’ensemble de pistes 30 – 34, des « dummies » optionnels 103, c’est-à-dire des portions de pistes formées dans le même matériau que les pistes ESR (typiquement un matériau métallique). Ces « dummies », ou « fausses pistes », permettent, lors d’une étape de planarisation et/ou de polissage de l’arrière de couche isolante 20, d’éviter une érosion irrégulière ou excessive de la surface à polir. Ils favorisent aussi l’adhésion entre les puces avant et arrière du dispositif, lorsqu’elles sont assemblées par « hybrid bonding » (dans ce cas, la puce arrière comprendra aussi des « dummies », situées en correspondance de ceux, 103, de la puce avant). En l’occurrence, les « dummies » 103 ont une forme de bande, comparable aux pistes ESR 30 – 34, et sont parallèles à ces pistes.
Le dispositif 14 de la est identique en tout point au dispositif 13 de la , si ce n’est qu’il comprend seulement trois des cinq pistes ESR 30 – 34 mentionnées ci-dessus, à savoir les pistes 30, 32 et 34. Plus généralement, pour ce type de mode de réalisation, le nombre de lignes de qubits est n, avec n pair, et le nombre de pistes ESR est n/2. Les pistes 30, 32, 34 sont espacées régulièrement les unes des autres, d’un point de vue latéral, avec un pas e2 (pas selon l’axe y) égal au double du pas e G entre lignes de qubits. Contrairement au mode de réalisation de la , le champ magnétique oscillant qui s’exerce sur une ligne de qubits est principalement généré par une seule piste ESR, ici (celle qui est la plus proche de la ligne de qubits en question), au lieu de deux. Et chaque piste ESR est en quelque sorte en charge de la génération du champ magnétique oscillant pour deux lignes de qubits, en l’occurrence pour les deux lignes de qubits situées de part et d’autre de la ligne ESR (par exemple les lignes L1 et L2, pour ce qui est de la piste 30).
Ce mode de réalisation avec, pour l’ensemble de pistes ESR, un pas e2 en quelque sorte relâché par rapport à celui, e G , des lignes de qubits, est plus facile à fabriquer que celui de la .
Dans cette configuration, au niveau des qubits, le champ magnétique oscillant B AC généré par les pistes ESR, lorsqu’elles sont toutes parcourues par le même courant électrique alternatif, est un champ dont la composante selon l’axe x est nulle. En revanche, contrairement au dispositif 13 de la , la composante selon l’axe z n’est pas nulle.
Le dispositif 15 de la comprend une seule piste ESR 40 qui comporte cinq portions successives 41, 42, 43, 44, 45, chacune parallèle aux lignes de qubits L1 – L6. Comme expliqué plus haut, ces portions se raccordent l’une à la suite de l’autre pour former des méandres qui serpentent d’un côté à l’autre de la matrice de qubits. Dans une telle configuration, le nombre de lignes de qubits est plus généralement égal à n (avec n pair) tandis que le nombre de portions principales de la piste ESR, parallèles aux lignes de qubits, est égal à n-1. La piste 40 s’étend depuis le premier plot de contact 91, à gauche de la matrice de qubits, jusqu’au deuxième plot de contact 92, à droite de cette matrice, en faisant plusieurs aller-retour de gauche à droite.
En projection sur un plan parallèle à la couche isolante 20, chaque portion 41 – 45 de la piste 40 s’étend entre deux lignes de qubits voisines, en étant intercalée entre ces deux lignes, et, en l’occurrence, à égale distance de ces deux lignes de qubits (au milieu de ces deux lignes). La piste 41 par exemple s’étend ainsi entre les lignes L1 et L2, la portion 42 s’étend entre les lignes L2 et L3 et ainsi de suite. Les portions 41 – 45 sont espacées régulièrement les unes des autres, d’un point de vue latéral, avec un pas e1 (pas selon l’axe y) égal au pas e G entre lignes de qubits. Ces portions de piste ESR ont chacune une largeur (extension dans la direction y) inférieure au pas e G en question, par exemple inférieure ou égale à la moitié du pas e G .
Dans cette configuration, au niveau des qubits, le champ magnétique oscillant B AC généré par la piste ESR 40 a des composantes nulles selon l’axe x et selon l’axe y : ce champ est dirigé selon l’axe z. Par ailleurs, pour chaque ligne de qubits, le champ B AC généré au niveau des qubits de la ligne est principalement généré par les deux portions de piste situées de part et d’autre de cette ligne. Par exemple, pour la ligne L3, ce sont principalement les portions 42 et 43 qui contribuent au champ magnétique B AC exercé sur les qubits de cette ligne. Et dans cette configuration, où le sens du courant s’inverse d’une portion à l’autre, les deux contributions, dues respectivement à ces deux portions de ligne, s’ajoutent constructivement, au niveau des qubits (autrement dit, ces deux portions de piste génèrent respectivement deux champs magnétiques ayant, selon l’axe z, des composantes de même signe).
Cette configuration permet de générer un champ magnétique avec une efficacité élevée, c’est-à-dire avec un rapport B AC /i ESF élevé.
Enfin, comme on peut le voir sur la , le dispositif 15 comprend lui aussi les « dummies » 103 optionnels mentionnés plus haut.
Le dispositif 16 de la est semblable à celui de la mais avec, entre deux portions successives de la piste ESR 50, un pas e2 égal au double du pas e G entre lignes de qubits (pas selon la direction y). La piste 50 comprend ainsi trois portions principales 51, 52, 53, chacune parallèle aux lignes de qubits L1 – L6, et qui forment ensemble une sorte de serpentin qui serpente entre ces lignes. Plus généralement, pour ce type de mode de réalisation, le nombre de lignes de qubits est égal à n, avec n pair, et le nombre de portions principales de la piste, parallèles aux lignes de qubits, est égal à n/2.
Contrairement au mode de réalisation de la , le champ magnétique oscillant qui s’exerce sur une ligne de qubits est principalement généré par une seule portion, 51, 52 ou 53 de la piste ESR (portion qui est la plus proche de la ligne de qubits en question), ici, au lieu de deux portions. Et chaque portion est en quelque sorte en charge de la génération du champ magnétique oscillant pour deux lignes de qubits (pour les deux lignes de qubits situées de part et d’autre de la portion considérée).
Ce mode de réalisation avec, pour l’ensemble des pistes ESR, un pas e2 en quelque sorte relâché par rapport à celui e G des lignes de qubits, est plus facile à fabriquer que celui de la . En revanche, il ne permet pas d’obtenir l’effet de somme constructive mentionnées plus haut, et le rapport B AC /I ESR est moins élevé que pour la configuration de la . En termes d’orientation, le champ magnétique oscillant B AC généré par la piste 50 au niveau des qubits a une composante selon l’axe x nulle tandis que sa composante selon l’axe z et sa composante selon l’axe y sont généralement non nulles.
Le dispositif 17 de la est identique au dispositif 14 de la , si ce n’est que les trois pistes ESR 60, 62, 64 ont une largeur plus importante que les pistes 30, 32, 34 du dispositif 14. Les pistes 60, 62 et 64 ont par exemple une largeur égale au pas e G qui sépare deux lignes de qubits, ou même supérieure à e G . Cette configuration est plus commode à réaliser que des pistes étroites comme celles de la , et elle est plus favorable en termes de contrôle du potentiel électrique statique ou impulsionnel à l’arrière des pièges. Cette configuration à pistes larges peut néanmoins influencer les propriétés du champ magnétique généré (en termes de direction, et d’influence éventuelle des effets de bords), et elle est moins favorable en termes d’adressage sélectif de telle ou telle ligne de qubits. Cette structure peut présenter un champ magnétique non homogène en bordure de structure selon l’axe y, avec une composante du champ magnétique en Z non annulée et composante en Y accrue. Afin d’homogénéiser le champ magnétique généré (pour avoir une valeur de champ magnétique comparable pour les différents qubits de la structure), il peut être nécessaire de retirer les portions de canal les plus externes selon l’axe Y ou bien d’ajouter des pistes ESR à l’extérieur de la structure (à la place des « dummies » par exemple), ou encore d’adapter la largeur des pistes selon l’axe Y, en particulier pour les pistes situées près des bords de la structure (pistes 60 et 64). En effet, élargir encore les pistes 60 et 64 permet d’améliorer substantiellement l’homogénéité du champ magnétique au niveau des différents qubits de la matrice M comme confirmé par simulation numérique. Lorsqu’une largeur plus importante est utilisée pour les pistes ESR situées en bordure de structure, on veillera de préférence à conserver, pour l’ensemble des pistes une symétrie par rapport à l’axe médian de la structure (piste 60 aussi large que la piste 64, par exemple).
On notera qu’une telle variante à pistes larges, ou à portions de piste larges (typiquement plus larges que e G /2, ou même plus larges que e G dans le cas des dispositifs 14 et 16) peut être mise en œuvre non seulement pour le dispositif de la , mais aussi pour ceux des figures 7, 9 et 10.
Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 7 et 9, les pistes ESR 30 – 34, ou les portions 41 – 45 de la piste ESR 40, sont décalées latéralement par rapport aux lignes de qubits L1 – L6 (en projection sur le plan xy, elles sont décalées par rapport aux lignes de qubit). En variante, quitte à modifier le nombre de pistes ou de portions de piste, on pourrait prévoir au contraire qu’elles soient situées à l’aplomb (i.e. : au droit) des lignes de qubits, c’est-à-dire qu’elles soient superposées aux lignes de qubits (par exemple centrées sur ces lignes), en projection sur le plan xy. A titre d’exemple, pour le dispositif 13 ( ), cela pourrait être obtenu en décalant l’ensemble des pistes 30 – 34 d’une distance e G /2 dans la direction y, et en ajoutant une sixième piste ESR s’étendant, en face arrière, à l’aplomb de la ligne de qubits L6, le long de cette ligne.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, l’image affichée comprend en outre au moins un objet graphique représentatif d’un paramètre ou d’un état de fonctionnement du premier véhicule, ou d’informations contextuelles ou d’environnement du premier véhicule.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, ledit au moins un capteur est embarqué dans le premier véhicule.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, ledit au moins un capteur est un radar à ondes millimétriques, une caméra ou un capteur optoélectronique ou un capteur à ultra-sons embarqué du premier véhicule.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, ledit au moins un capteur est embarqué dans un dispositif de bord de route localisé dans un environnement du premier véhicule.
Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne un dispositif d’alerte de véhicules circulant en sens inverse sur une même voie de circulation, le dispositif comprenant une mémoire associée à un processeur configuré pour la mise en œuvre des étapes du procédé selon le premier aspect de la présente invention.
Brève description des figures D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description des exemples de réalisation particuliers et non limitatifs de la présente invention ci-après, en référence aux figures 1 à 8 annexées, sur lesquelles :
illustre schématiquement un environnement routier pour la mise en œuvre d’une alerte de véhicules circulant en sens inverse sur une même voie de circulation selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement la projection d’images dans un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un champ de vision associé à une position de conduite du véhicule de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
Le spectromètre de masse a été calibré pour identifier et quantifier avec précision 25 nucléosides modifiés (Tableau 2) et 4 nucléosides non modifiés (A, U, G, T) (Tableau 1). L’appareil de spectrométrie de masse utilisé est un Shimadzu TripleQuad 8060 en mode suivi de réaction multiple (« Multiple Reaction Monitoring »).
Chaque échantillon a été injecté trois fois, fournissant ainsi trois répliques techniques. Pour chaque nucléoside, l'homogénéité du temps de rétention donné par le spectromètre de masse est vérifiée. Les mesures montrant une divergence de plus de 6% ont été écartées. Il en résulte un tableau de données contenant les mesures de quantité de chaque nucléoside, dans chaque réplicat, pour tous les échantillons. Ce tableau est ensuite analysé grâce à nos programmes informatiques.
Toutes les analyses bio-informatiques sont effectuées avec des programmes python développés en interne. Pour cela les auteurs ont utilisé des modules (open source) bien connus : « Pandas » pour la gestion des données tabulaires (Reback et al , Pandas-dev/pandas : Pandas 1.0.3 (Version v1.0.3). Zenodo March 18, 2020), « scikit-learn » pour les analyses statistiques exploratoires des données et pour l'apprentissage automatique (Pedregosa et al, Journal of Machine Learning Research, vol. 12, pp. 2825-2830, 2011), « Matplotlib » pour la visualisation (JD Hunter, Computing in Science & Engineering, vol. 9, no. 3, pp. 90-95, 2007).
Les caractéristiques nécessaires des programmes sont les suivantes : a) ils prennent en entrée des données de spectrométrie de masse dans un fichier au format tabulaire (format CSV) ; b) les quantifications d'aire et de temps de rétention issues du spectromètre doivent être données sous forme de valeurs réelles avec une précision d'au moins 10-1 ; c) ils implantent un algorithme d'apprentissage automatique supervisé multi-classe parmi ceux susmentionnés ; d) ils implantent la phase d'apprentissage, la phase d'évaluation, et le mode de prédiction ; e) ils utilisent le modèle de classification en mode prédiction pour classifier le profil épitranscriptome d'un échantillon de patient afin de prédire le grade de la tumeur.
Pour le prétraitement informatique et la normalisation, le tableau de quantités brutes est chargé en mémoire et son format est vérifié. Ensuite, la quantité moyenne de chaque nucléoside est calculée, et le tableau est reformaté pour obtenir toutes les mesures sur une ligne pour chaque échantillon biologique. La spectroscopie de masse ne produit pas des décomptes absolus de molécules mais des mesures relatives. Les inventeurs proposent une formule nouvelle de normalisation, dans laquelle sont sommées les quantités des nucléosides non modifiés A, C, G et U. Cette somme sert de référence. Ensuite toutes les mesures de référence sont divisées par cette somme. Ainsi, on obtient des mesures relatives, toutes comprises dans l’intervalle [0, 1]. A titre d’exemple, un extrait d’un tel tableau de données est proposé dans les tableaux 3, 4 et 5.
Les tableaux 3, 4 et 5 indiquent, pour chacun des nucléosides analysés, la valeur de donnée normalisée pour chacun des grades II, III et IV de gliome, et pour les tissus sains (« normal »).
L'analyse conjointe des profils épitranscriptomiques et de variables cliniques d'intérêt ( ) est réalisée, en particulier concernant le grade dans le cas des gliomes. Ce processus peut être adapté à tout type de variable clinique. Dans cet exemple, nous cherchons à distinguer les grades de cancer, qui peuvent être difficiles à établir au moyen d'un examen anatomopathologique.
Le prétraitement des profils de la cohorte a abouti à un tableau de 77 lignes, avec une ligne par échantillon, et 29 colonnes, avec une colonne par mesure. Pour chacun des échantillons, la mention des grades des tumeurs ou la mention « normal » pour les échantillons sains, a été ajoutée. Une analyse statistique exploratoire de ce tableau a été réalisée pour évaluer la pertinence du signal contenu dans les profils sur l’information de grade.