INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif d’assurage possède un galet 5 muni de deux mouvements distincts dans le boitier. D’une part, le galet 5 est monté fou, c’est-à-dire rotatif selon deux sens de rotation opposés. Le galet 5 est monté à rotation autour d’un premier arbre de rotation 6 qui définit un premier axe de rotation. Le premier axe de rotation du galet 5 traverse le galet 5 en son centre. Lorsque la boucle de corde est installée dans le dispositif d’assurage, la boucle de corde contourne le galet 5 de sorte que la corde soit en contact avec la gorge du galet 5. La corde contourne le galet 5 en venant en contact du galet 5 sur une distance égale à au moins un quart du périmètre, préférence au moins un tiers du périmètre et encore plus préférentiellement au moins 40% ou au moins la moitié du périmètre.
Il est particulièrement avantageux d’avoir un galet 5 mobile selon les deux sens de rotation opposés car cela permet de faciliter la circulation de la corde à l’intérieur du dispositif d’assurage lors des deux phases de circulation de la corde, pour donner de la corde au grimpeur ou au contraire pour lui reprendre de la corde avec une faible force de frottement.
D’autre part, le galet 5 est monté mobile dans le boitier pour se rapprocher ou s’éloigner de l’ouverture et/ou du patin 3. En d’autres termes, le premier arbre de rotation 6 est monté mobile dans le boitier pour se rapprocher ou s’éloigner de l’ouverture. L’axe de rotation du galet 5 se déplace par rapport au premier flasque 1.
L’ouverture du boitier est délimitée par deux délimiteurs 7 dont un délimiteur 7 est préférentiellement formé par le patin 3. La boucle de corde sort du dispositif d’assurage en prenant appui sur les deux délimiteurs 7 et en contournant le galet 5.
Le galet 5 est monté mobile de manière à pouvoir se déplacer à l’intérieur du boitier en plus de sa rotation. Le galet 5 est monté mobile de manière à pouvoir se déplacer entre plusieurs positions. Selon un premier sens de déplacement, le galet 5 se déplace entre une première position de galet, une deuxième position de galet et une troisième position de galet. La deuxième position de galet se trouve entre la première position de galet et la troisième position de galet. La deuxième position de galet est plus proche de l’ouverture que la première position de galet et éventuellement plus proche du patin 3 que la première position de galet. La troisième position de galet est plus proche du patin 3 que la deuxième position de galet et éventuellement plus proche de l’ouverture que la deuxième position de galet.
Le dispositif d’assurage possède un bloqueur de rotation qui est configuré pour autoriser la rotation du galet 5 dans les deux sens ou pour bloquer au moins un des deux sens de rotation selon la position du galet 5 à l’intérieur du boitier. Dans un cas de figure, le bloqueur de rotation est configuré pour autoriser la rotation dans les deux sens de rotation ou pour autoriser la rotation dans un seul sens de rotation selon la position du galet 5 à l’intérieur du boitier. Dans un autre cas de figure, le bloqueur de rotation est configuré pour autoriser la rotation dans les deux sens de rotation ou bloquer la rotation dans les deux sens de rotation selon la position du galet 5 à l’intérieur du boitier
Le bloqueur de rotation est configuré pour autoriser la rotation du galet 5 dans les deux sens de rotation opposés lorsque le galet 5 est dans la première position de galet 5. Le bloqueur de rotation est configuré pour autoriser la rotation du galet dans un seul sens de rotation ou être dépourvu de rotation lorsque le galet 5 est dans la deuxième position de galet 5. Le bloqueur de rotation est configuré pour autoriser la rotation du galet dans un seul sens de rotation ou être dépourvu de rotation lorsque le galet 5 est dans la troisième position de galet 5.
Le bloqueur de rotation du galet peut être formé par tout moyen adapté. Selon les configurations, le bloqueur de rotation peut agir en bloquant le galet 5 et/ou il peut agir en bloquant l’arbre de rotation 6 du galet 5.
Le dispositif d’assurage possède un premier ressort 8 qui relie le galet 5 et le boitier, de préférence le premier ressort 8 relie le galet 5 et le premier flasque 1. Le premier ressort 8 est formé par un ou plusieurs éléments qui se déforment élastiquement. Le premier ressort 8 sollicite le galet 5 de manière à placer le galet 5 dans la première position de galet en l’absence de sollicitation extérieure. Le premier ressort 8 est configuré pour s’opposer au déplacement du galet 5 depuis la première position de galet jusqu’à la deuxième position de galet ou la troisième position de galet. Le premier ressort 8 transforme un effort prédéfini appliqué sur le galet 5 en direction de l’ouverture en une position prédéfinie dans le boitier. Le premier ressort 8 transforme une tension dans la corde et donc un effort appliqué sur le galet 5 en une position du galet à l’intérieur du boitier.
Le premier ressort 8 et le bloqueur de rotation forment ensemble un système de blocage qui est configuré pour bloquer la rotation du galet 5 en fonction de l’effort qui est appliqué sur le galet 5 en direction de l’ouverture. La tension présente dans la corde à l’intérieur du dispositif d’assurage se traduit par l’application d’un effort sur le galet 5 par la corde. Selon la valeur de l’effort appliqué par la corde sur le galet, le galet 5 se déplace ce qui autorise la rotation du galet dans les deux sens de rotation ou bloque au moins un sens de rotation. Le premier ressort 8 associé au bloqueur de rotation permet de modifier le comportement du galet 5 en fonction de la position du galet 5 dans le boitier et donc en fonction de l’effort appliqué sur le galet 5.
Au fur et à mesure que l’effort appliqué sur le galet 5 augmente et s’oppose à l’effort appliqué par le premier ressort 8, le galet 5 se déplace depuis la première position de galet jusqu’à atteindre la deuxième position de galet puis la troisième position de galet. Lorsque le galet 5 est soumis à un effort inférieur à une première valeur seuil, le galet 5 se trouve dans la première position de galet. Lorsque l’effort appliqué sur le galet 5 augmente et atteint la première valeur seuil, le galet 5 atteint la deuxième position de galet. Si l’effort augmente encore, le galet 5 se déplace jusqu’à atteindre la troisième position de galet.
De manière préférentielle, le premier ressort 8 définit une liaison mécanique qui relie le galet 5 et le premier flasque 1. Le premier ressort 8 permet de définir la première valeur seuil de l’effort. Le premier ressort 8 peut directement relier le premier flasque 1 et le galet 5 ou préférentiellement son arbre de rotation 6. Cependant, il est également possible de prévoir un ou plusieurs éléments intermédiaires dans la liaison mécanique entre le galet 5 et le boitier ou le premier flasque 1. Par exemple, le premier ressort 8 est fixé d’une part au premier flasque 1 et d’autre part à un élément intermédiaire lui-même relié au galet 5 ou le premier ressort 8 est fixé d’une part au galet 5 et d’autre part à un élément intermédiaire fixé au premier flasque 1. Le premier ressort 8 peut être formé par tout moyen adapté, par exemple un ressort en torsion, en compression, en extension ou en flexion. Le premier ressort 8 peut être un ressort hélicoïdal ou un ressort à lame.
Lorsque le galet 5 est dans la première position de galet ce qui correspond à un effort faible et donc à une tension appliquée par la corde faible, le galet 5 peut tourner dans ses deux sens de rotation. Cette configuration permet de faire circuler facilement la corde dans les deux sens. Au fur et à mesure que la tension dans la corde augmente, le galet 5 se déplace pour se rapprocher de l’ouverture jusqu’à atteindre la deuxième position de galet. Lorsque le galet atteint la deuxième position de galet, le galet 5 ne peut plus tourner dans les deux sens. Le galet 5 peut tourner dans un seul sens ou ne peut plus tourner. Le blocage du galet dans au moins un des sens de rotation permet d’augmenter le frottement entre la corde et le galet 5. L’augmentation du frottement entre la corde et le galet 5 augmente la sensibilité du galet 5 vis-à-vis du comportement de la corde. Les faibles variations de tension dans la corde sont mieux ressenties par le galet 5 ce qui facilite le blocage de la corde par le dispositif d’assurage.
représente une autre vue de la .
Les figures 1, 3 et 4 représentent un dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 selon l’invention.
Le dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 est apte à faire l’acquisition d’une image d’une empreinte de partie d’une main d’un utilisateur, par exemple une main, la paume d’une main, un ou plusieurs doigts d’une main.
Une image d’une empreinte est par exemple une image d’un réseau de crêtes et/ou sillons de la peau, ou d’un réseau veineux présent dans la main.
Le dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 est divisé en un compartiment utilisateur 10 et un compartiment électronique 20.
La division du dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 en un compartiment utilisateur 10 et un compartiment électronique 20 est une division fonctionnelle.
Par exemple, le dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 peut comprendre un seul bloc sensiblement parallélépipédique comportant des parois communes au compartiment utilisateur 10 et au compartiment électronique 20 ou bien être un assemblage d’un bloc physique de compartiment utilisateur et d’un bloc physique de compartiment électronique différent.
Le compartiment utilisateur 10 et le compartiment électronique 20 peuvent être cloisonnés l’un par rapport à l’autre, par exemple par une vitre de séparation 2 tel que représenté en . La vitre de séparation peut se trouver à la jonction de deux compartiments physique différents, ou localisée dans un compartiment parmi le compartiment utilisateur 10 et le compartiment électronique 20.
Le compartiment utilisateur 10 et le compartiment électronique 20 peuvent être ouvert l’un sur l’autre tel que représenté en , sans cloison physique entre les deux.
Le compartiment utilisateur 10 est apte à recevoir en son sein une partie d’une main d’un utilisateur selon un plan de positionnement P moyen naturel pour la main, en vue d’une capture d’empreinte biométrique par le compartiment électronique 20.
La partie de main d’un utilisateur dont l’empreinte biométrique doit être imagée, par exemple une paume de main, doit être tournée vers le compartiment électronique 20.
Le plan de positionnement P moyen naturel pour la main est défini par les deux directions ci-dessous : - une direction d’insertion Din de la main dans le compartiment utilisateur 10, - une direction latérale Dlat perpendiculaire à la direction d’insertion Din.
La illustre un dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 posé sur une surface plane tel qu’une table ou le sol. Le plan de positionnement P moyen naturel pour la main est horizontal.
La illustre une vue de dessus et en coupe selon le plan de positionnement P, d’une main M disposée au sein du compartiment utilisateur 10 du dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 selon la , en vue d’une capture biométrique de la paume de la main. La main M est positionnée selon un plan de positionnement P. La paume de la main est dirigée vers le compartiment électronique 20. La direction d’insertion Din s’étend selon une direction longitudinale de la main, c’est-à-dire allant du poignet de l’utilisateur au doigt majeur de la main. La direction latérale Dlat s’étend selon une direction latérale de la main, c’est-à-dire allant de l’auriculaire au pouce, selon une direction perpendiculaire à la direction d’insertion Din.
Selon la , le dispositif de capture d’empreinte biométrique 1 est fixé à un mur W. Le plan de positionnement P moyen naturel pour la main est vertical.
Comme visible sur les figures 2 et 4, le compartiment utilisateur 10 comporte une ouverture frontale 11 adaptée pour le passage de la partie de la main de l’utilisateur.
Dans un mode de réalisation, le bras de liaison est -CO-(CH 2 ) t -R 9 -, ou -CH 2 -R 10 -;
● t est en entier allant de 1 à 10 ;
● R 9 est -R 5 -, -CO-R 7 -NH-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -, -NH-R 8 -CO-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -, -CO-R 7 -NH-(CH 2 ) r -R 5 -, -NH-R 8 -CO-(CH 2 ) r -R 5 -, -CONH-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -NHCO-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -; -CONH-(CHR c ) r -NHCO-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -, -NHCO-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -CONH-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -; -NHCO-(CHR c ) r -CONH-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 - ;
● R 10 est un groupe de formule :
- R 11 est -(CH 2 ) r -R 5 -, -CONH-(CH 2 ) r -R 5 -, -NHCO-(CH 2 ) r -R 5 -, -NH-(CH 2 ) r -R 5 -, -CONH-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 -, -NHCO-(CH 2 CH 2 O) q -(CH 2 ) r -R 5 - ;
- R 5 , R 7 et R 8 sont tels que définis ci-dessus ;
- chaque q est un entier allant de 1 à 24 ;
- chaque r est un entier allant de 1 à 8.
● R 3 est tel que défini précédemment, et v est un entier allant de 1 à 6 ;
La tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG présente par exemple une largeur D2 sensiblement égale à la largeur D1 de la tranchée d’isolation périphérique 106. La largeur D2 est par exemple comprise entre 20 et 300 nm.
Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG présente une structure analogue à celle de la tranchée d’isolation périphérique 106. Plus précisément, dans cet exemple, la tranchée d’isolation 108 comporte une région électriquement conductrice 108C en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. La région électriquement conductrice 108C de la tranchée d’isolation 108 est par exemple en le même matériau que la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106.
La tranchée d’isolation 108 de la grille verticale TG comporte en outre, dans cet exemple, une couche électriquement isolante 108S revêtant les parois latérales et la face inférieure de la région électriquement conductrice 108C. La couche électriquement isolante 108S isole électriquement la région électriquement conductrice 108C par rapport au substrat 104. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante 108S est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. La région électriquement isolante 108S de la tranchée d’isolation 108 est par exemple en le même matériau que la région électriquement isolante 106S de la tranchée d’isolation périphérique 106.
Dans l’exemple illustré en figures 1 et 2, la grille de transfert verticale TG est centrée par rapport à la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans cet exemple, chaque partie 108T, 108L, 108B, 108R est séparée de la partie 106T, 106L, 106B, 106R la plus proche par une même distance D3, aux dispersions de fabrication près. À titre d’exemple, la distance D3 est comprise entre 20 et 300 nm.
Dans l’exemple représenté, les parois latérales internes 108I de la grille de transfert verticale TG délimitent latéralement une zone de collecte de charges 110. Dans l’exemple représenté, la zone de collecte de charges 110 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure 104T, et est bordée sur toutes ses parois latérales par la tranchée d’isolation 108. La zone de collecte de charges 110 est par exemple plus fortement dopée du premier type de conductivité, le type P dans cet exemple (P + ), que la zone photosensible 102. Le substrat 104 présente par exemple, à l’endroit où est formée la zone de collecte de charges 110, un taux de dopage compris entre 1 x 10 16 et 5 x 10 20 at./cm 3 .
À titre d’exemple, la zone de collecte de charges 110 présente, vue de dessus, une forme sensiblement carrée de côté D4. En d’autres termes, chaque paroi latérale interne 108I de la tranchée d’isolation 108 est séparée de la paroi latérale interne 108I située en vis-à-vis par la distance D4. La distance D4 est par exemple comprise entre 50 et 500 nm.
La zone de collecte de charges 110 s’étend verticalement dans le substrat 104, depuis sa face supérieure 104T, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG.
À titre d’exemple, la zone de collecte de charges 110 est réalisée par implantation ionique d’espèces dopantes du côté de la face supérieure 104T du substrat 104 dans une région symbolisée, en , par un cadre en pointillé 112.
Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre un caisson 114 intercalé latéralement entre la tranchée d’isolation périphérique 106 et la grille de transfert verticale TG. Le caisson 114 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure 104T, entre la tranchée d’isolation périphérique 106 et la tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG. Dans l’exemple représenté, le caisson 114 est délimité latéralement par les parois latérales internes 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106 et par les parois latérales externes 108O de la tranchée d’isolation 108. Le caisson 114 est par exemple dopé d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le type N dans cet exemple. Le substrat 104 présente par exemple, à l’endroit où est formé le caisson 114, un taux de dopage compris entre 1 x 10 16 et 1 x 10 19 at./cm 3 .
À titre d’exemple, le caisson 114 est réalisé par implantation ionique d’espèces dopantes du côté de la face supérieure 104T du substrat 104 dans une région symbolisée, en , par un cadre en pointillé 116. Le caisson 114 présente par exemple une épaisseur comprise entre 50 et 500 nm.
Dans l’exemple illustré en figures 1 et 2, un autre caisson 118 est formé à l’intérieur du caisson 114. Le caisson 118 est, dans cet exemple, situé entre la partie 108L de la tranchée d’isolation 108 et la partie 106L de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’exemple représenté, le caisson 118 est séparé des parois latérales 108O et 106I par des parties du caisson 114. Le caisson 118 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure 104T, jusqu’à une profondeur inférieure à celle du caisson 114. Le caisson 118 est par exemple plus fortement dopé du deuxième type de conductivité, le type N dans cet exemple (N + ), que le caisson 114. Le substrat 104 présente par exemple, à l’endroit où est formé le caisson 118, un taux de dopage compris entre 1 x 10 1 7 et 5 x 10 20 at./cm 3 .
Dans l’exemple illustré en , un plot conducteur 120 est situé sur et en contact avec la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106. Le plot conducteur 120 permet de polariser la région électriquement conductrice 106C. À titre d’exemple, dans le cas où le substrat 104 est de type P, la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 est portée à un potentiel fixe, par exemple égal à environ 1,8 V. Cela tend à provoquer une accumulation d’électrons le long des parois latérales 106I, 106O de la tranchée d’isolation périphérique 106. Cette accumulation d’électrons permet notamment d’éviter que des électrons photogénérés dans la zone photosensible 102 ne soient piégés à l’interface entre le substrat 104 et la tranchée d’isolation périphérique 106.
Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre un autre plot conducteur 122 situé sur et en contact avec la région électriquement conductrice 108C de la tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG. Le plot conducteur 122 est par exemple destiné à polariser la région électriquement conductrice 108C.
Lors d’une phase d’exposition du pixel 100, des paires électron-trou sont par exemple créées à l’intérieur de la zone photosensible 102. Durant cette phase, la région électriquement conductrice 108C de la tranchée d’isolation 108 est par exemple portée à un potentiel fixe, par exemple égal à environ 1,8 V. Pendant la phase d’exposition du capteur, l’application de ce potentiel sur la région électriquement conductrice 108C permet de former une barrière de potentiel dans une région de transfert 124 ( ) située à l’intérieur de la grille de transfert verticale TG, entre la zone photosensible 102 et la zone de collecte 110. Dans l’exemple représenté, la région de transfert 124 est bordée par les parois latérales internes 108I de la tranchée d’isolation 108 de la grille de transfert verticale TG et s’étend verticalement, dans l’épaisseur du substrat 104, sous la zone de collecte 110.
La présence de la barrière de potentiel dans la région de transfert 124 permet, au cours de la phase d’exposition, de bloquer un transfert de trous photogénérés depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte 110. Cette barrière de potentiel résulte de la présence, le long des parois latérales 108I de la tranchée d’isolation 108, d’une couche d’inversion attirant les porteurs de type opposé au substrat, c'est-à-dire les électrons, dans cet exemple.
Lors d’une phase de lecture postérieure à la phase d’exposition, la région électriquement conductrice 108C de la tranchée d’isolation 108 est par exemple portée à un potentiel sensiblement nul. Pendant la phase de lecture, l’application du potentiel nul sur la région électriquement conductrice 108C permet d’abaisser, voire de supprimer, la barrière de potentiel dans la région de transfert 124 entre la zone photosensible 102 et la zone de collecte 110. La disparition de la barrière de potentiel permet, pendant la phase de lecture, un transfert de trous photogénérés depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte 110.
La est une représentation schématique d’un système de conditionnement de carburant selon une deuxième forme de réalisation de l’invention.
La est une représentation schématique d’un système de conditionnement de carburant selon une troisième forme de réalisation de l’invention.
La est une représentation schématique des étapes de mise en œuvre d’un procédé d’utilisation d’un système conditionnement de carburant.
La est une représentation schématique d’un système de conditionnement de carburant selon une variante de la première forme de réalisation de l’invention, l’échangeur de chaleur étant en position amont.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , il est représenté un système de conditionnement de carburant SC configuré pour alimenter une turbomachine d’aéronef, dite turbomachine principale T, à partir de carburant Q issu d’un réservoir cryogénique R1. La turbomachine principale T est configurée pour assurer la propulsion de l’aéronef, notamment, par entrainement d’au moins un organe propulsif (non représenté sur la ).
La turbomachine principale T possède un débit de consigne dT de carburant Q qui est fonction de la phase d’utilisation de la turbomachine principale T. Ainsi, en référence à la , le débit de consigne dT est très élevé lors d’une phase de décollage S1, moyen lors d’une phase de croisière S2 et faible lors d’une phase d’atterrissage S3.
Dans cet exemple, le carburant est de l’hydrogène liquide mais l’invention s’applique à d’autres types de carburant, par exemple, du méthane liquide ou du gaz naturel liquéfié.
Première forme de réalisation ( )
Selon une première forme de réalisation, en référence à la , le système de conditionnement SC comprend un circuit de carburant CQ (trait continu sur la ) relié en entrée au réservoir cryogénique R1 et en sortie à la turbomachine principale T. Le système de conditionnement SC comporte également une pompe 1, de préférence haute pression, configurée pour faire circuler un flux de carburant Q d’amont en aval dans le circuit de carburant CQ.
De manière préférée, la pompe 1 est configurée pour fonctionner à un régime constant, en particulier, correspondant à un rendement élevé. La pompe 1 fournit avantageusement une surpression constante. Un tel régime constant permet de générer un débit constant de carburant par l’organe d’alimentation 6 comme cela sera présenté par la suite. Une telle pompe 1, ayant une plage de fonctionnement restreinte, possède une grande fiabilité, un faible encombrement et un coût réduit.
En référence à la , le système de conditionnement SC comprend en outre un échangeur de chaleur 3 configuré pour transmettre des calories d’une source chaude au flux de carburant Q prélevé par la pompe 1 afin de le réchauffer pour permettre son injection de manière optimale dans la turbomachine principale T.