INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les murs 33 sont, par exemple, formés par gravure de tranchées dans les couches 27 et 32, puis remplissage des tranchées par un matériau opaque.
Dans cet exemple, les murs 33 s'étendent entre les microlentilles 29 de la couche 27 sur toute la hauteur des couches 27 et 32 entre la face supérieure de la couche 31 et la face inférieure des murs 25. Les murs 33 sont, par exemple, situés en vis-à-vis des murs 25 mais présentent une largeur (dimension horizontale dans l'orientation de la ) inférieure à celle des murs 25.
Les murs 33 permettent notamment d'éviter la diaphonie optique entre deux pixels 13 voisins et/ou d'améliorer l'efficacité du système télécentrique.
La est une vue en coupe illustrant un exemple d'un capteur optique 36 selon un troisième mode de réalisation.
Plus particulièrement, la illustre un capteur optique 36 similaire au capteur optique 20 illustré en à la différence près que le système télécentrique 19 du capteur 36 de la comprend une deuxième couche 37 de microlentilles 39 entre la couche 27 de microlentilles 29 et les filtres optiques 17. Plus particulièrement, dans cet exemple, la couche 37 de microlentilles 39 est disposée entre la couche 27 de microlentilles 29 et la couche support 31 revêtant les filtres optiques 17.
Les microlentilles 39 sont, par exemple, organisées selon le même réseau matriciel que les microlentilles 29, chacune des microlentilles 39 étant associée à une microlentille 29 de façon que l'axe optique de chaque microlentille 39 soit confondu avec l'axe optique d'une microlentille 29 correspondante.
A titre d'exemple, les microlentilles 39 sont en le même matériau que les microlentilles 29.
Dans l'exemple illustré en , les microlentilles 39 ont la même géométrie que les microlentilles 29. Les microlentilles 29 et 39 ont donc la même forme, le même diamètre, le même rayon de courbure et la même distance focale.
Les matériaux ferroélectriques portent une polarisation. Il est possible de coder une information dans cet état ferroélectrique, qui peut être écrite en appliquant une tension. Ceci a entraîné l’apparition de dispositifs ferroélectriques de type mémoires/logiques/neuromorphiques.
Un exemple de dispositif connu utilisant cet effet est la mémoire vive ferroélectrique Fe-RAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Ferroelectric Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire à accès aléatoire ferroélectrique »). La mémoire Fe-RAM est un dispositif de mémoire similaire à une mémoire vive dynamique DRAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Dynamic Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire à accès aléatoire dynamique ») à laquelle une couche ferroélectrique est ajoutée pour obtenir une propriété de non-volatilité. L'intérêt de la mémoire Fe-RAM est de combiner la rapidité de la mémoire vive et les caractéristiques non volatiles de la mémoire flash.
Dans le cas d’une mémoire Fe-RAM, l’écriture d’une information à mémoriser est réalisée par application d’une tension entre les deux faces de la couche ferroélectrique. L’information est ainsi codée dans l’état de polarisation de la couche ferroélectrique.
La lecture est réalisée en appliquant une tension et en mesurant le courant produit. Plus précisément, une impulsion de tension est appliquée entre les deux faces de la couche ferroélectrique de manière à tenter de commuter la polarisation depuis un premier état à vers un deuxième état, par exemple depuis l’état « 0 » vers l’état « 1 ». Si la mémoire Fe-RAM était déjà dans l’état « 1 », le seul courant produit lu est lié à l’impulsion de tension appliquée. Si la mémoire Fe-RAM était initialement dans l’état « 0 », le courant produit sera la somme du courant lié à l’impulsion de tension et du courant de dépolarisation, lié au renversement de la polarisation.
Le mécanisme de lecture est ainsi destructif : la lecture efface l’état mémoire stocké, ce qui implique de réécrire la mémoire Fe-RAM au moyen d’une architecture particulière.
Il existe donc un besoin pour un moyen permettant de lire l’état de polarisation d’une couche ferroélectrique par un mécanisme non destructif notamment pour des applications mémoire.
A cet effet, la description décrit un dispositif électronique comprenant un empilement de couches empilées selon une direction d’empilement, l’empilement de couches comprenant une première électrode, comprenant au moins un contact électrique, un sous-ensemble ferroélectrique, le sous-ensemble ferroélectrique étant en contact avec la première électrode et présentant une polarisation ferroélectrique pouvant prendre plusieurs états. L’empilement de couches comprend également un sous-ensemble de polarisation en spin, le sous-ensemble de polarisation en spin étant propre à polariser en spin un courant passant au travers du sous-ensemble de polarisation en spin, au moins une couche du sous-ensemble de polarisation en spin étant en matériau ferromagnétique ou ferrimagnétique et un sous-ensemble d’interfaçage disposé entre le sous-ensemble ferroélectrique et le sous-ensemble de polarisation en spin, le sous-ensemble d’interfaçage étant propre à assurer l’interconversion du courant polarisé en spin en courant de charge, en fonction de l’état de polarisation ferroélectrique du sous-ensemble ferroélectrique. Le sous-ensemble ferroélectrique et le sous-ensemble d’interfaçage présentent respectivement une partie superposée selon la direction d’empilement avec le sous-ensemble de polarisation en spin et une partie non superposée avec le sous-ensemble de polarisation en spin, au moins un sous-ensemble parmi le sous-ensemble d’interfaçage et le sous-ensemble ferroélectrique comportant une couche conductrice apte à former une électrode intermédiaire, cette électrode intermédiaire comprenant un contact électrique de lecture de l’état de polarisation du sous-ensemble ferroélectrique. L’empilement de couches comprend également une deuxième électrode comprenant au moins deux contacts électriques de lecture de l’état de la polarisation du sous-ensemble ferroélectrique, les contacts s’étendant chacun selon une direction principale respective, au moins deux directions principales étant non parallèles entre elles, la deuxième électrode délimitant le sous-ensemble de polarisation en spin, le contact de la première électrode permettant de modifier l’état de polarisation ferroélectrique du sous-ensemble ferroélectrique par application d’une différence de potentiel entre ce contact et au moins l’un des contacts de la deuxième électrode ou d’une différence de potentiel entre ce contact et le contact de l’électrode intermédiaire.
Selon des modes de réalisation particuliers, le dispositif électronique présente une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- le sous-ensemble d’interfaçage comprend au moins une couche en métal ou une barrière tunnel ou une couche à effet spin orbite, lorsque le sous-ensemble ferroélectrique est tout ou partie conducteur ou semiconducteur, ou une couche en métal ou une barrière tunnel ou une couche à effet spin-orbite ou un gaz bidimensionnel d’électrons lorsque le sous-ensemble ferroélectrique est isolant.
- le sous-ensemble ferroélectrique comprenant au moins une couche ferroélectrique semi-conductrice ou une couche ferroélectrique en matériau bidimensionnel conductrice ou semi-conductrice, ledit sous-ensemble d’interfaçage étant confondu avec le sous-ensemble ferroélectrique et comportant ladite au moins couche
- la deuxième électrode est une couche positionnée sur le sous-ensemble de polarisation en spin.
- la deuxième électrode et le sous-ensemble de polarisation en spin sont confondus.
- la deuxième électrode comporte au moins trois contacts.
- deux contacts de la deuxième électrode s’étendent selon des directions principales parallèles, le troisième contact de la deuxième électrode s’étendant selon une direction principale sensiblement perpendiculaire à la direction principale des deux autres contacts de la deuxième électrode.
- les directions principales de chaque contact de l’électrode intermédiaire et de la deuxième électrode sont toutes perpendiculaires à la direction d’empilement.
- le contact de la première électrode est soit dans une direction perpendiculaire à la direction d’empilement soit dans une direction sensiblement parallèle à la direction d’empilement.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l’étape suivante : déterminer un état de fonctionnement d’un second équipement électrique en identifiant, parmi la pluralité d’harmoniques, la présence d’une signature harmonique associée au second équipement électrique. L’invention permet ainsi de détecter simultanément (à partir de la même mesure – la même pluralité d’harmoniques) l’état de fonctionnement d’un grand nombre d’équipements. Chaque équipement peut être associé à deux ou plus états de fonctionnement (et donc à deux ou plus signatures harmoniques).
Il est ainsi possible d’utiliser un unique capteur pour la surveillance à distance d’une flotte d’équipements électriques. La mise en œuvre matérielle de cette solution de surveillance est donc peu onéreuse.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes suivantes : - obtenir une seconde pluralité d’harmoniques d’un signal électrique mesuré par le capteur sur le réseau électrique, - déterminer un changement d’état de fonctionnement du premier équipement électrique en identifiant, parmi la pluralité d’harmoniques, la présence d’une seconde signature harmonique associée à un second état du premier équipement électrique différent de l’état de fonctionnement déjà déterminé.
Aussi, l’invention permet un suivi dans le temps des changements d’états du premier équipement, mais également de façon similaire d’une pluralité d’équipements électriques. Il est ainsi possible de mettre en place un pilotage automatique et surveillé des équipements électriques du réseau.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape de détermination (e.g. par apprentissage à l’aide d’intelligence artificielle telle un réseau de neurones) de signatures harmoniques associées à une pluralité d’équipements électriques, l’apprentissage consistant à déterminer une signature harmonique pour chaque état de fonctionnement de chacun desdits équipements électriques à partir de pluralités d’harmoniques mesurées par le capteur pour respectivement des combinaisons différentes d’états de fonctionnement des équipements électriques. Il s’agit ici de réaliser une phase d’apprentissage, hors exploitation des signatures harmoniques. Il peut par exemple être testé (et donc mesuré) toutes les combinaisons possibles d’états de fonctionnement des équipements (pilotables à distance), par exemple en les commandant à distance selon une campagne de test prédéfinie.
Dans un mode de réalisation particulier, l’étape de détermination de signatures harmoniques est en réponse à un changement d’équipement électrique dans le réseau électrique, typiquement un ajout, retrait ou remplacement d’équipement. Bien entendu, des campagnes d’apprentissage peuvent également être prévues de façon périodique pour affiner les signatures harmoniques.
Un autre aspect de l’invention concerne un support non transitoire lisible par ordinateur stockant un programme qui, lorsqu’il est exécuté par un processeur d’un dispositif informatique, amène le dispositif informatique à effectuer le procédé tel que défini ci-dessus.
Au moins une partie des procédés selon l’invention peut être mise en œuvre par ordinateur. En conséquence, la présente invention peut prendre la forme d’un mode de réalisation entièrement matériel, d’un mode de réalisation entièrement logiciel (comportant les microprogrammes, les logiciels résidents, les microcodes, etc.) ou d’un mode de réalisation combinant des aspects logiciels et matériels qui peuvent tous être globalement appelés ici "circuit", "module" ou "système". De plus, la présente invention peut prendre la forme d’un produit de programme informatique incorporé dans tout support d’expression tangible disposant d’un code de programme utilisable par ordinateur incorporé dans le support.
Étant donné que la présente invention peut être mise en œuvre dans un logiciel, la présente invention peut être incorporée sous forme de code lisible par ordinateur pour être fournie à un appareil programmable sur tout support adapté. Un support tangible ou non transitoire peut comprendre un support de stockage tel qu’un lecteur de disque dur, un dispositif de bande magnétique ou un dispositif de mémoire à semi-conducteurs et analogues. Un support transitoire peut comporter un signal tel qu’un signal électrique, un signal électronique, un signal optique, un signal acoustique, un signal magnétique ou un signal électromagnétique, par exemple un signal hyperfréquence ou RF (radiofréquence).
La illustre schématiquement un exemple de signature harmonique d’un équipement électrique par une représentation des composantes fréquentielles, selon un mode de réalisation de l’invention.
La illustre schématiquement un autre exemple de signature harmonique d’un équipement électrique, selon un mode de réalisation de l’invention.
La illustre schématiquement un système pour une mise en œuvre de l’invention.
La illustre de façon schématique une structure matérielle du dispositif de contrôle de la selon des modes de réalisation de l’invention.
La illustre de façon schématique une structure fonctionnelle du dispositif de contrôle de la selon des modes de réalisation de l’invention.
La illustre un exemple de signature harmonique sur trois phases de courant triphasé, correspondant à un premier état d’un équipement électrique, selon un mode de réalisation de l’invention.
En ce qui concerne les détecteurs 11, il suffit que chaque détecteur 11 puisse mesurer des particules chargées en unités de particules. Un compteur proportionnel, un système multifilaire et un détecteur GEM peuvent également être utilisés comme détecteur 11, en plus du détecteur à tube de glissement. En ce qui concerne chaque détecteur 11, leur procédé de détection et leur forme externe ne sont pas limités à un procédé ou à une forme spécifique. De plus, un procédé pouvant spécifier des positions dans deux directions respectives orthogonales l’une à l’autre en utilisant un détecteur est également applicable à chaque détecteur 11.
Dans ce qui suit, une description va être donnée de l’agencement des détecteurs 11 configurés pour détecter les muons de rayon cosmique 1 et délivrer des signaux de détection S sur la base des directions d’axe X et d’axe Y orthogonales l’une à l’autre, comme illustré sur la et la .
La pluralité de détecteurs 11 comprend seize détecteurs 11 ou plus et au moins huit de la pluralité de détecteurs 11 constituent une unité de détecteur 20X de direction d’axe X configurée pour détecter une position de la particule chargée dans une direction d’axe X, tandis que le reste de la pluralité de détecteurs 11 constitue une unité de détecteur 20Y de direction d’axe Y configurée pour détecter une position de la particule chargée dans une direction d’axe Y orthogonale à la direction d’axe X. L’unité de détecteur 20X de direction d’axe X est composée d’au moins quatre couches dans chacune desquelles au moins deux détecteurs 11 sont agencés dans la direction d’axe X et l’unité de détecteur 20Y dans la direction d’axe Y est composée d’au moins quatre couches dans chacune desquelles au moins deux détecteurs 11 sont agencés dans la direction d’axe Y.
Parmi tous les détecteurs 11, par exemple, la moitié des détecteurs 11 est disposée de manière plane le long de la direction d’axe X de manière à constituer une unité de détecteur 20X de direction d’axe X pour détecter une position d’un muon de rayon cosmique dans la direction d’axe X. Le reste des détecteurs 11 est disposé de manière plane le long de la direction d’axe Y de manière à constituer une unité de détecteur 20Y de direction d’axe Y pour détecter une position d’un muon de rayon cosmique dans la direction d’axe Y.
L’unité de détecteur 20X de direction d’axe X et l’unité de détecteur 20Y de direction d’axe Y sont chacune composées d’un total d’au moins quatre couches de détecteurs 11, par exemple, six couches dans le cas de la . De manière plus détaillée, deux couches de détecteurs 11 faisant partie de l’unité de détecteur 20X de direction d’axe X et deux couches de détecteurs 11 faisant partie de l’unité de détecteur 20Y de direction d’axe Y sont empilées en alternance. Il doit être noté que l’agencement des détecteurs 11 n’est pas limité à l’aspect de la .
L’unité de détecteur 20X de direction d’axe X comporte : les six couches de détecteurs 11 décrites ci-dessus ; une pluralité de circuits de traitement de signal 12 connectés aux détecteurs 11 respectifs ; et une pluralité de calculateurs de temps 13 connectés aux circuits de traitement de signal 12 respectifs. De manière similaire, l’unité de détecteur 20Y de direction d’axe Y comporte : les six couches de détecteurs 11 décrites ci-dessus ; une pluralité de circuits de traitement de signal 12 connectés aux détecteurs 11 respectifs ; et une pluralité de calculateurs de temps 13 connectés aux circuits de traitement de signal 12 respectifs.
Les détecteurs 11, les circuits de traitement de signal 12 et les calculateurs de temps 13 constituant les unités de détecteur 20X et 20Y de direction d’axe X et d’axe Y décrites ci-dessus sont supportés par un châssis 17 de manière à former une structure de module 34. Dans cette structure de module 34, la périphérie du châssis 17 est recouverte par un couvercle 18. Dans le couvercle 18, une fenêtre de rayonnement thermique 19 est formée en tant que moyen de rayonnement thermique pour irradier la chaleur générée dans le couvercle 18. Les détecteurs 11, les circuits de traitement de signal 12 et les calculateurs de temps 13 de la structure de module 34 décrite ci-dessus détectent les muons de rayon cosmique 1 qui sont incidents depuis approximativement la direction d’axe Z orthogonale à la direction d’axe X et à la direction d’axe Y.
Le couvercle 18 est pourvu d’un radiateur de chaleur 19, aussi appelé fenêtre de rayonnement thermique 19, configuré pour irradier la chaleur générée à l’intérieur du couvercle 18.
Le châssis 17 sert à fixer et à supporter les détecteurs 11, les circuits de traitement de signal 12 et les calculateurs de temps 13, et n’est pas limité à un matériau spécifique ou à une forme spécifique. Le châssis 17 doit avoir des caractéristiques prédéterminées, telles qu’un degré de rigidité suffisant, pour garantir la précision de l’installation des détecteurs 11 même sous l’influence d’une flexion due à une charge et/ou d’une déformation due à un changement de température.
Chacun des circuits de traitement de signal 12 représentés sur la est couplé d’un seul tenant et connecté à un détecteur 11 comme décrit ci-dessous, est un circuit servant à traiter le signal de détection S provenant du détecteur 11 connecté d’un seul tenant, et comporte un amplificateur de signal 21 et un convertisseur A/N 22.
L’amplificateur de signal 21 amplifie le signal de détection S provenant du détecteur 11 à un niveau mesurable, et un amplificateur opérationnel est appliqué, par exemple. Le signal amplifié par cet amplificateur de signal 21 est représenté par un signal de sortie A dans la partie inférieure de la .
Le convertisseur A/N 22 représenté sur la réalise une conversion A/N sur le signal de sortie A délivré par l’amplificateur de signal 21 pour donner un signal numérique B, comme représenté sur la . Une structure utilisant un circuit intégré appelé comparateur est appliquée au convertisseur A/N 22. Le comparateur génère un signal pulsé ayant une tension prédéterminée lorsqu’un signal supérieur ou égal à une valeur seuil prédéfinie est détecté, et est l’élément de conversion A/N le plus simple. C’est-à-dire que lorsque la tension du signal de sortie A provenant de l’amplificateur de signal 21 dépasse une valeur seuil prédéterminée, le convertisseur A/N 22 génère un signal numérique pulsé B. En outre, lorsque la tension du signal de sortie A provenant de l’amplificateur de signal 21 diminue jusqu’à ou en dessous de la valeur seuil décrite ci-dessus, le convertisseur A/N 22 élimine le signal numérique pulsé B.
Dans le cas du procédé de comparateur décrit ci-dessus, la différence entre le point temporel où le signal de détection S est réellement généré par le détecteur 11 et le point temporel où le signal de détection S dépasse la tension seuil peut différer en fonction, par exemple, de la forme d’onde pulsée. Cette différence s’appelle une marche temporelle, et la présente une contre-mesure contre la marche temporelle. Le point temporel de génération peut être calculé en utilisant un groupe de comparateurs (c’est-à-dire, les convertisseurs A/N 22-1, 22-2, 22-3 et un convertisseur de signal 23) ayant une pluralité de tensions seuils, et le point temporel où la tension est nulle peut être calculé à partir de la corrélation entre la tension seuil et le point temporel de génération. Bien qu’il ne soit pas représenté, un circuit de type fraction constante qui est classique pour corriger la marche temporelle, un comparateur de type passage par zéro ou un procédé d’acquisition de la forme d’onde avec un numériseur à grande vitesse peut être appliqué à la contre-mesure contre la marche temporelle.
En ce qui concerne les fonctions de l’amplificateur de signal 21 et du convertisseur A/N 22 de chaque circuit de traitement de signal 12, il suffit que les deux (21, 22) puissent amplifier le signal de détection S généré par le détecteur 11 et réaliser une conversion A/N sur celui-ci pour que le signal de détection S amplifié et converti puisse être détecté en tant que signal numérique B. Par conséquent, dans l’amplificateur de signal 21 et le convertisseur A/N 22 du circuit de traitement de signal 12, la fonction d’amplification de signal et la fonction de conversion A/N peuvent être intégrées dans un circuit électronique, tel qu’un ASIC.
Le calculateur de temps 13 représenté sur la comporte : une unité de mesure de temps de génération (c’est-à-dire un processeur de mesure de temps de génération) 24 ; et une unité de mesure du temps de disparition (c’est-à-dire un processeur de mesure du temps de disparition) 25. Comme le montre la , sur la base du signal délivré par le circuit de traitement de signal 12 (c’est-à-dire le signal numérique B obtenu par le convertisseur A/N 22 du circuit de traitement de signal 12), l’unité de mesure du temps de génération 24 mesure le point temporel de génération To du signal de détection S provenant du détecteur 11, et le moyen de mesure du temps de disparition 25 mesure le point temporel de disparition Tp du signal de détection S provenant du détecteur 11.
En ce qui concerne le calculateur de temps 13, il suffit que le calculateur de temps 13 puisse détecter le point temporel de génération et le point temporel de disparition du signal dans le détecteur 11 en traitant un certain instant de référence comme le point temporel de début, ce procédé de détection n’étant pas limité à un procédé spécifique. Par exemple, un CPLD et un FPGA ayant une fonction de comptage du temps écoulé depuis le début d’une mesure peuvent être utilisés comme calculateur de temps 13. De plus, l’unité de mesure de temps de génération 24 et l’unité de mesure de temps de disparition 25 mesurent la génération et la disparition d’un signal par rapport à un certain étalon en utilisant la valeur de crête et la quantité de changement du signal. Tant que l’unité de mesure de temps de génération 24 et l’unité de mesure de temps de disparition 25 sont capables de réaliser la détection de signal et la mesure de point temporel, le procédé de détection de signal et le procédé de mesure de point temporel ne sont pas limités à des procédés spécifiques.