INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- une pluralité d’unités de stockage 5 rechargeables, les unités de stockage 5 étant toutes logées dans le logement L. Dans le contexte de l’invention, les unités de stockage 5 peuvent être arrangées dans le logement L selon n’importe quelle organisation. A titre d’exemple non limitatif, et afin de simplifier la compréhension de l’invention, la illustre un empilement des unités de stockage 5 dans le logement L, entre la paroi de fond 61 et le couvercle 7 de fermeture ;
- un capteur de force 9 situé dans une position intermédiaire entre le couvercle 7 de fermeture et l’une des unités de stockage 5A située directement en dessous du couvercle 7 de fermeture. Par située directement en dessous, on comprend bien évidemment, comme représenté sur la , que l’unité de stockage 5A en question est située directement au contact du couvercle 7 de fermeture ou qu’elle est l’unité de stockage la plus proche dudit couvercle 7 de fermeture.
Le capteur de force 9 est du type d’une couche mince afin de limiter son encombrement dans le boitier 6.
Le capteur de force 9 est du type d’un capteur piézorésistif, et plus préférentiellement du type d’une jauge de contrainte. Ainsi, le capteur de force 9 est configuré pour générer un signal électrique proportionnel à une force de compression F s’exerçant sur lui. Dans l’exemple de réalisation illustré de manière schématique sur la , la force de compression F est orientée selon une direction qui s’étend entre la paroi de fond 61 et le couvercle 7 de fermeture, perpendiculairement à eux. En outre, l’emplacement du capteur de force 9 dans le boitier 6 est choisie de manière à ce que la force de compression F soit orientée en direction dudit capteur de force 9 lorsqu’au moins une des unités de stockage 5 subit un effet de gonflement.
Afin de garantir son bon fonctionnement, le capteur de force 9 est connecté à un réseau électrique basse tension du véhicule automobile 3 afin de pouvoir rendre disponible le signal électrique résultant de sa mesure de la force de compression F.
En outre, afin de tenir compte des tolérances mécaniques des différentes pièces formant le boitier 6 et, d’une manière générale, le module de batterie 1 conforme au premier aspect de l’invention, il est préférable que le capteur de force 9 soit soumise à une force de compression F non nulle même en l’absence de gonflement de la part des unités de stockage 5. A cet effet, le couvercle 7 de fermeture dans lequel est logé le capteur de force 9 prévoit astucieusement une rainure 72 dont une profondeur est inférieure à une épaisseur du capteur de force 9. De cette manière, une face de détection 91 du capteur de force 9 située à l’opposée de la rainure 72 dans laquelle il est installé est préférentiellement située à distance – et du côté des unités de stockage 5 – par rapport à une face intérieure 71 du couvercle 7 de fermeture.
La illustre un procédé de surveillance 2 conforme au deuxième aspect de l’invention. Un tel procédé de surveillance 2 comporte les étapes suivantes :
- lors d’une campagne de test 2A du module de batterie 1 : une étape d’étalonnage 21 du capteur de force 9 afin de caractériser une réponse du capteur force 9 en fonction d’une température et/ou d’un état de charge de chaque unité de stockage 5 du module de batterie 1, et, suite à la campagne de tests 2A, une étape de détermination 22 d’une réponse – dite nominale – du capteur de force 9 résultant d’un gonflement réversible de tout ou partie des unités de stockage 5 ;
- lors de l’utilisation 2B du véhicule automobile 3 comportant le module de batterie 1 : une étape de mesure 23 de la force de compression F détectée par le capteur de force 9, et une étape de comparaison 24 de la force de compression 9 détectée par rapport à la réponse nominale du capteur de force 9.
Comme évoqué précédemment, la campagne de test 2A est une phase préalable à l’exploitation commerciale du véhicule automobile 3 qui vise à déterminer la fonction de transfert du capteur de force 9 implanté dans le boitier 6.
A cet effet, de nombreux tests de fonctionnements sont réalisés sur le module de batterie 1 afin d’accumuler de nombreuses données qui permettent de définir un comportement nominal du module de batterie 1 et des unités de stockage 5, faisant ainsi apparaitre des gonflement réversibles – normaux – du module de batterie 1 et/ou de tout ou partie des unités de stockage 5. Les données d’entrée prises en compte durant l’étalonnage sont un état de charge et une température du module de batterie 1 dans son ensemble ou de l’une des unités de stockage 5 spécifiquement. La donnée de sortie déterminée et étalonnée durant ces test est bien entendu la force de compression F mesurée par le capteur de force 9.
La présente invention concerne également un système comprenant un ou plusieurs dispositifs 3 embarqués dans le véhicule 10, ce ou ces dispositifs 3 étant reliés en communication avec un ou plusieurs systèmes de détections de radio-étiquettes embarqués dans le véhicule 10.
Selon une variante, le système comprend un ou plusieurs dispositifs distants reliés en communication avec le véhicule 10.
Procédé et dispositif d’identification de composants réparés dans un véhicule La présente invention concerne les procédés et dispositifs d’identification de composant(s) associés à une réparation dans un véhicule, notamment un véhicule automobile. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de détermination d’informations représentatives d’un ou plusieurs composants associés à un défaut détecté dans un diagnostic d’un véhicule.
Arrière-plan technologique Les véhicules contemporains sont formés d’un grand nombre de composants ou d’organes, chacun susceptible de panne ou de défaut.
Pour contrôler le bon fonctionnement d’un véhicule, par exemple automobile, il est connu d’effectuer un diagnostic via un outil adapté à cet effet. Un tel outil correspond à un ordinateur et est parfois appelé valise de diagnostic de véhicule. Lorsqu’il est branché au véhicule, l’outil de diagnostic récupère des données sur le fonctionnement du véhicule. En comparant ces données avec des données de référence fournies par le constructeur du véhicule, il est possible d’identifier d’éventuels défauts, de diagnostiquer une panne ou de prévenir un défaut ou une casse d’un ou plusieurs composants.
La difficulté qui se pose, notamment pour les personnes en charge de l’entretien des véhicules, est de pouvoir identifier rapidement et simplement le ou les composants du véhicule ayant été réparés.
Résumé de la présente invention Un objet de la présente invention est de résoudre au moins l’un des problèmes de l’arrière-plan technologique décrit précédemment.
Un objet de la présente invention est d’améliorer l’identification des composants associés à un défaut constaté sur un véhicule.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé d’identification de composant dans un premier véhicule, ledit procédé étant mis en œuvre par au moins un processeur, le procédé comprenant les étapes suivantes :
- réception de premières données représentatives de résultat de diagnostic du premier véhicule ;
- identification d’au moins un premier composant du premier véhicule en alimentant un modèle de prédiction de composants réparés avec les premières données, chaque premier composant correspondant à un composant réparé suite à une panne,
Selon le premier mode de réalisation, l’algorithme de détermination comporte l’algorithme de traitement d’images adapté pour identifier les gouttes focalisées dans le plan image de chaque image 22 respective, tel que l’algorithme de traitement d’images décrit dans l’exemple des figures 2 et 3.
Selon le deuxième mode de réalisation, l’algorithme de détermination comporte l’algorithme d’intelligence artificielle configuré pour délivrer en sortie l’ensemble de grandeur(s) à partir des images acquises 22 reçues successivement en entrée. L’algorithme d’intelligence artificielle est en particulier adapté pour fournir en sortie un masque des gouttes focalisées dans le plan image de chaque image 22 respective, et l’ensemble de grandeur(s) est ensuite déterminé à partir des masques de gouttes focalisées, obtenus pour les différentes images acquises 22.
La ou les grandeurs ainsi déterminées lors de l’étape de détermination 110 sont par exemple un nombre de gouttes 16 de l’additif anti-mousse 14 dans le liquide 12, un diamètre moyen desdites gouttes 16, un diamètre maximal desdites gouttes 16 et/ou un diamètre maximal des gouttes 16 pour un nombre prédéfini de premiers centiles de la population desdites gouttes 16.
Lors de l’étape suivante 120, le dispositif de surveillance 20 utilise enfin, via son module d’utilisation 28, l’ensemble de grandeur(s) déterminé lors de l’étape de détermination 110. Lors de l’étape d’utilisation 120, le module d’utilisation 28 affiche alors l’ensemble de grandeur(s) sur l’écran d’affichage et/ou transmet l’ensemble de grandeur(s) à l’appareil électronique de pilotage de la fabrication du liquide 12.
La représente un histogramme 200 de grandeurs déterminées, à titre d’exemple, par le dispositif de surveillance 20 selon l’invention, en particulier par son module de détermination 26. Sur la , l’histogramme 200 comporte plusieurs barres verticales 210, chaque barre verticale 210 représentant un nombre de gouttes 16, représenté en ordonnée, pour une taille donnée, c’est-à-dire un diamètre donné, représenté en abscisse.
Dans l’exemple de la , le nombre total de gouttes 16 est alors égal à 261, le diamètre moyen des gouttes 16 est égal à 2,7 µm, et le diamètre maximal desdites gouttes 16 est ici égal à 5,69 µm. En outre, le diamètre maximal pour les 90 premiers centiles est égal à 2,55 µm dans cet exemple.
Dans l’exemple de la , le liquide 12 - pour lequel les grandeurs précitées ont été déterminées - est considéré comme acceptable si le diamètre moyen est inférieur à 2,75 µm, et si le diamètre maximal des 90 premiers centiles est inférieur à 4,5 µm. Le dispositif de surveillance 20 considérera donc que ledit liquide 12 est acceptable, et ne générera donc pas d’alerte de fabrication, étant donné que ces deux critères sont remplis dans l’exemple de la .
Ainsi, le dispositif de surveillance 20, et le procédé de surveillance selon l’invention, permettent de déterminer, et en outre de quantifier, la présence et la dispersion des gouttes 16 d’additif anti-mousse 14 dans le liquide 12 dont le volume V est observé. Ils permettent alors de surveiller la fabrication de ce liquide 12 et notamment de vérifier que la quantité d’additif anti-mousse 14 contenue dans le liquide 12 est conforme à la quantité souhaitée, typiquement exprimée sous forme d’une plage de valeurs.
Le liquide 12 observé est par exemple un produit complexe de type lubrifiant, tel qu’un lubrifiant de moteur. En variante, le liquide 12 observé est la composition comprenant de l’eau et de l’urée utilisée dans le domaine automobile, également connue sous le nom de Clearnox ®.
L’homme du métier comprendra alors que le procédé et le dispositif de surveillance 20 selon l’invention permettent d’offrir une surveillance plus efficace de la fabrication du liquide 12, notamment en vérifiant que la concentration en additif anti-mousse 14 est faible, et typiquement inférieure à 50 ppm.
Procédé de mise en relation d’une image candidate avec une image de référence. La présente invention concerne la mise en relation d’images, et plus particulièrement la mise en relation d’au moins une partie d’une image candidate avec au moins une image de référence, en vue de sa comparaison ou confrontation avec cette image de référence. La présente invention concerne plus particulièrement le domaine technique du recalage d’images ou de points, et de la reconnaissance de sujets matériels (par exemple d’objets), notamment pour apprécier l’appartenance d’un sujet matériel à une classe prédéterminée de sujets matériels. En pratique, la présente invention concerne un procédé de mise en relation d’une partie au moins d’une image candidate avec au moins une image de référence. La présente invention concerne aussi un procédé d’élaboration d’un ensemble de listes de référence à partir d’une pluralité d’images de référence, notamment en vue de la mise en œuvre du procédé de mise en relation selon l’invention.
Différentes méthodes de recalage d’images sont connues, qui comparent directement deux images de nature comparable afin de les rapprocher voire de les superposer. Certaines de ces méthodes de recalage très répandues déterminent dans deux images à comparer, directement et indépendamment, des points d'intérêts et leurs descripteurs locaux associés, puis tentent de mettre en correspondance successivement lesdits descripteurs locaux, donc les points d’intérêts homologues entre les images. Enfin, elles recherchent l'existence d'une transformation géométrique optimale liant ces deux images et l'appliquent le cas échéant à l'une des deux pour réaliser un recalage effectif des images.
Des méthodes de reconnaissance d’objets sont aussi connues, basées sur l’analyse d’images et la comparaison directe des valeurs des éléments d’une image d’un sujet matériel avec celles d’une image d’un sujet matériel similaire (identique ou du même modèle), à partir de la répartition globale d’attributs locaux (texture, couleur, …) mis en correspondance entre lesdites images.
Ainsi, ces méthodes existantes procèdent d’abord à l’identification de descripteurs décrivant convenablement chacune des images, puis procèdent au calcul systématique et indépendant dans chaque image, des points d’intérêt correspondant à ces descripteurs. Cela entraîne la nécessité d’une étape supplémentaire spécifique de mise en correspondance des descripteurs et points d’intérêt, qui est lourde en termes de calculs et pénalisante en temps et en ressources.
Ces méthodes connues de recalage et de reconnaissance connues présentent donc des limitations quant à leur mise en œuvre, en particulier en termes d’efficacité, de vitesse de calcul ou d’adaptabilité à des cas spécifiques. En outre, ces méthodes connues ne discriminent que mal les points d’intérêts pertinents (au sens de l’objectif recherché), des points non-pertinents, c’est-à-dire que ces méthodes connues ont un mauvais ratio signal sur bruit. En effet, ces méthodes sont globalement lentes et peu économes en ressources de calcul de sorte qu’elles sont mal adaptées pour effectuer la mise en relation d’un ensemble d’images disparates, pour les recaler et/ou pour les comparer en vue de les reconnaître ou de les classer selon des classes prédéterminées. Ces méthodes demeurent très difficiles à mettre en œuvre en temps réel sur des terminaux mobiles de type smartphones dès que des performances de reconnaissance fine sont attendues.
Il existe donc un réel besoin de faciliter la mise en relation d’images et d’améliorer ses performances pour permettre de nouvelles applications. La présente invention se propose d’atteindre cet objectif.
La représente une vue en coupe de la couche 62 sur la couche 14 obtenue lors d'un essai réalisé en mettant en œuvre seulement les étapes 50, 60, 100 du procédé de la . L’épaisseur de la couche 62 est d’environ 100 nm dans cet essai.
La représente une image en coupe de la couche 62 sur la couche 14 obtenue lors d'un essai réalisé en mettant en œuvre le même procédé que celui mis en œuvre pour obtenir la couche 62 de la , sauf que l’étape 60 a été remplacée par une simple étape de nettoyage de la face de la couche 14 avec de l'acide fluorhydrique. Ainsi, contrairement au procédé de la , aucun atome d'argon n'est incorporé en surface de la couche 14 avant le dépôt du siliciure de vanadium. Dans ce cas, en absence d'atome d'argon incorporé en surface de la couche 14, lors de l’étape 100 de traitement thermique, la partie inférieure 62B de la couche 62 réagit avec le silicium de la couche 14. Dans cette partie inférieure, le traitement thermique de l’étape 100 transforme le siliciure de vanadium en di-siliciure de vanadium, c’est-à-dire en un composant dont la formule chimique est VSi 2 . La partie supérieure 62A de la couche 62 reste quant à elle en siliciure de vanadium avec la composition V 3 Si. Le problème rencontré est que le VSi 2 n’est pas un matériau supraconducteur. Ainsi, la partie supérieure 62B se trouve séparée de la couche 14 par un matériau non-supraconducteur, ce qui dégrade très fortement les performances du dispositif fabriqué.
A l’inverse, lorsque des atomes d’argon sont incorporés en surface de la couche 14, lors de l’étape 100, aucune transformation décelable de siliciure de vanadium en VSi 2 ne se produit. Dans ce dernier cas, la couche en siliciure de vanadium supraconducteur réalisée est bien directement en contact avec la couche 14. Ceci est important, par exemple, pour obtenir une bonne jonction Josephson.
Chapitre II – Variantes : D'autres modes de réalisation de la couche 32 sont possibles. Par exemple, en variante, la couche 32 est formée d'une sous-couche de nitrure de silicium et d'une sous-couche d'oxyde de silicium. La sous-couche en nitrure de silicium se trouve sous la sous-couche d'oxyde de silicium. Elle est donc notamment interposée entre la couche 14 est la sous-couche d'oxyde de silicium. La sous-couche de nitrure de silicium est utilisée pour contrôler la profondeur des trous 42 et 44 qui sont creusés ultérieurement principalement dans la sous-couche d'oxyde de silicium, par exemple, par gravure plasma. Dans ce dernier cas, la sous-couche en nitrure de silicium est connue sous l'acronyme CESL (Contact Etch Stop Layer).
D’autres machines à plasma que celle utilisée par le déposant peuvent convenir pour incorporer les atomes d’argon en surface de la couche 14. Dans le cas où une autre machine est utilisée, celle-ci doit être réglée pour obtenir la concentration souhaitée d’atomes d’argon en surface de la couche 14. Par exemple, un tel réglage peut être déterminé expérimentalement en mesurant pour différents réglages essayés, à chaque fois la concentration d’atomes d’argon en surface de la couche 14. Par exemple, la concentration d’atomes d’argon en surface de la couche 14 peut être mesurée par spectrométrie d’émission et, en particulier, par spectrométrie de masse à plasma à couplage inductif plus connue sous l'acronyme ICP-MS (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry). La concentration d'atomes d'argon peut aussi être mesurée par d'autres procédés appropriés comme la spectrométrie photoélectronique X plus connue sous l'acronyme XPS (X-Ray photoelectron spectrometry).
Avantageusement, l’opération de traitement de la face supérieure de la couche 14 avec un plasma d’argon est précédée par une opération de nettoyage de cette face supérieure avec de l’acide fluorhydrique.
D’autres méthodes sont possibles pour incorporer des atomes d’argon en surface de la couche 14 de silicium. Par exemple, dans un autre mode de réalisation, la même méthode que celle utilisée pour implanter des dopants dans un matériau semi-conducteur est utilisée pour implanter des atomes d’argon. Dans ce cas, les atomes d’argon sont d’abord ionisés. Ensuite, les ions d'argon obtenus sont accélérés par un champ électrique puis projetés sur la face supérieure de la couche 14. L’énergie des ions d’argon est réglée pour que la majorité de ces ions ne s’enfoncent pas de plus de 5 nm ou de 10 nm à l’intérieur de la couche en silicium. Ainsi à titre d’exemple, l’énergie des ions d'argon est comprise entre 5 et 15 keV. La dose nécessaire pour obtenir une concentration atomique d’argon comprise entre 1 % atomique et 10 % atomique est comprise entre 9 x 10 14 et 9 x 10 15 ions par centimètre carré. Dans un exemple précis la dose nécessaire à l’obtention d’une concentration atomique d’argon de 4 % atomique est de 3.6 x 10 15 ions par centimètre carré sous une énergie de 10 keV. Une fois implantés dans la couche en silicium, les ions argon redeviennent des atomes neutres d’argon. De préférence, dans ce cas, après l’implantation des atomes d’argon dans la couche en silicium, une opération de nettoyage de la face supérieure de la couche en silicium est exécutée afin de finaliser sa préparation pour le dépôt du siliciure de vanadium. Ce nettoyage a notamment pour but de désoxyder la face supérieure de la couche en silicium. Par exemple, il s’agit d’un nettoyage HF, c’est-à-dire d’un nettoyage avec de l’acide fluorhydrique ou d’un nettoyage avec un plasma d’hélium ou d’argon. Lorsque le plasma d’argon est seulement utilisé pour nettoyer la face de la couche en silicium, la pression partielle et la puissance RF n’ont pas besoin d’être réglées comme décrit précédemment pour incorporer des atomes d’argon à l’intérieur de la couche 14 de silicium. Par exemple, la pression partielle d’argon et/ou la puissance RF sont beaucoup plus faibles.
Pour incorporer des atomes d’argon en surface de la couche 14 en silicium, il est aussi possible d’exposer la face supérieure de cette couche à un gaz neutre d’argon pour que des atomes d’argon soient adsorbés sur cette face supérieure. Ensuite, un traitement thermique est appliqué pour faire diffuser les atomes d’argon adsorbés à l’intérieur de la couche en silicium.
D'autres procédés que le procédé PVD sont possibles pour déposer le siliciure de vanadium sur la couche 14. Par exemple, le siliciure de vanadium peut aussi être déposé sur la couche 14 par d'autres procédés de dépôt en phase vapeur comme le procédé de dépôt chimique en phase vapeur plus connu sous l'acronyme CVD ("Chemical Vapor Deposition"). Le siliciure de vanadium peut aussi être déposé en mettant en œuvre un procédé de dépôt électrochimique.
Le procédé de réalisation du siliciure de vanadium supraconducteur sur une couche de silicium peut être mis en œuvre dans d’autres contextes que celui de la fabrication d’un transistor JoFET. Par exemple, il peut aussi être mis en œuvre pour fabriquer un transistor qui ne comporte pas de jonction de Josephson. Il peut aussi être mis en œuvre pour fabriquer des composants qui ne sont pas des transistors comme par exemple le composant décrit en référence à la dans la demande US2020287119A1.
Le procédé décrit peut aussi être mis en œuvre pour fabriquer des composants dans lesquels la face supérieure de la couche en silicium directement en contact avec le siliciure de vanadium supraconducteur est une face verticale et non pas une face horizontale. Par exemple, le procédé décrit ici peut être mis en œuvre pour fabriquer un composant tel que celui décrit en référence à la ou 5 de la demande US2020287119A1. Dans ce cas, la couche de silicium est déposée en premier sur la couche d’oxyde. Ensuite, cette couche de silicium est structurée, typiquement par gravure, pour obtenir un canal en silicium ayant la forme souhaitée. De préférence, une couche supplémentaire est formée sur la face supérieure horizontale du canal en silicium pour servir de couche d'arrêt pour le polissage réalisé ensuite afin de retirer l'excès de siliciure de vanadium déposé. Les faces verticales du canal en silicium sont exposées au plasma d’argon comme précédemment décrit. Le siliciure de vanadium est ensuite déposé pour venir en contact avec les faces verticales du canal en silicium. L’excès de siliciure de vanadium qui se trouve sur le canal en silicium est ensuite retiré, par exemple, à l’aide d’un polissage mécano-chimique et en utilisant la couche supplémentaire comme couche d'arrêt pour ce polissage. Enfin, le traitement thermique de l'étape 100 est appliqué pour améliorer la température critique du siliciure de vanadium déposé.
En variante, l’étape 100 peut être exécutée à un autre moment. Par exemple, le traitement thermique peut aussi être exécuté juste après l’étape 60 et avant l’étape 70 ou avant l’étape 80 ou avant l’étape 90. Chapitre III – Avantages des modes de réalisation décrits :