INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Essai 4 - Effet du principe actif selon l’invention sur la migration des kératinocytes.
L’objectif de cette étude est d’évaluer l’impact du complexe régénérant fibroblastique âgé traité avec le principe actif selon l’invention sur la migration des kératinocytes humains âgés.
En réponse à un stress mécanique, les cellules se déplacent au sein du tissu afin de se localiser au niveau de la zone de pression. A ce niveau, des forces de contraction sont alors générées afin de maintenir l’intégrité de la peau. Avec l’âge, la capacité migratoire des cellules est réduite.
Cette étude a été réalisée par un test de migration cellulaire en « time-lapse » sur des kératinocytes humains issus de donneurs jeunes et âgés. L’effet est mesuré en évaluant la capacité des cellules à recoloniser une zone de blessure.
Les kératinocytes humains jeunes et âgés sont ensemencés et incubés à 37°C dans une atmosphère contenant 5% de CO 2 .
La blessure est réalisée. Les cellules sont traitées par les sécrétomes issus des fibroblastes jeunes (SFJ) ou âgés (SFA) en présence ou non du principe actif selon l’invention à 0,25% et 1,00% (V/V). Les cellules sont ensuite incubées dans une atmosphère contenant 5% de CO 2 à 37°C.
La visualisation de la migration des kératinocytes est réalisée en « time-lapse » grâce à un système entièrement automatisé qui permet de suivre la migration des cellules lors de la culture.
La vitesse de migration des cellules au sein de la blessure est calculée grâce à un script d’analyse d’images développé en interne. Les résultats sont exprimés en µm²/min.
Les résultats sont donnés dans le tableau 9.
Capacité à restaurer la vitesse de migration (%) Kératinocytes jeunes SFJ Témoin SFJ INVENTION 1,00% +13 Kératinocytes âgés SFA Témoin -45 SFA INVENTION 0,25% +91 SFA INVENTION 1,00% +99 SFA EXEMPLE 2 (HI) 1,00% +39
La migration des kératinocytes humains âgés est significativement diminuée de 45% par rapport aux kératinocytes humains jeunes.
Testé sur kératinocytes humains âgés, le sécrétome issu de fibroblastes humains âgés prétraités avec 1,0% du principe actif selon l’invention restaure significativement la vitesse de migration cellulaire de 99%. Tandis qu’en présence de l’exemple 2 hors invention, la vitesse de migration cellulaire n’est restaurée que de 39%.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client est configuré pour afficher l’intensité UV.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client est configuré pour afficher une exposition UV cumulée.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client est configuré pour traiter les données provenant du capteur UV sur un processeur de dispositif client.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client est configuré pour transférer les données du capteur UV à un serveur pour le traitement des données.
Dans un mode de réalisation, un procédé de mesure d’exposition UV d’un sujet comprend le port d’un capteur UV par un sujet ; le filtrage de lumière UV entrant dans le capteur UV à partir de lumière visible entrant dans le capteur UV ; le déclenchement de fluorescence de lumière visible à partir de la lumière UV filtrée qui est proportionnelle à la lumière UV filtrée ; la mesure de la lumière visible fluorescente ; et le calcul de lumière UV entrant dans le capteur à partir de la quantité de lumière visible fluorescente pour obtenir une estimation de l’exposition UV d’un sujet.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre le transfert de données du capteur UV à un dispositif client, dans lequel le dispositif client calcule la quantité de lumière UV entrant dans le capteur.
Dans un mode de réalisation, le dispositif client affiche l’exposition UV du sujet sur un dispositif d’affichage du dispositif client.
Dans un mode de réalisation, un capteur portable comprend une s d’ultraviolet couplée à un ou plusieurs capteurs optiques et un élément de luminophore ultraviolet configuré pour fluorescer dans le spectre de lumière visible en réponse à une interrogation par un stimulus ultraviolet, dans lequel le capteur portable comporte au moins un ensemble filtre passe-ultraviolet configuré pour bloquer la portion visible d’un stimulus de rayonnement optique incident, faire passer la portion ultraviolette du stimulus de rayonnement optique incident sur l’élément de luminophore ultraviolet ; et dans lequel l’unité de vérification d’ultraviolets comporte une circuiterie de traitement configurée pour générer une ou plusieurs instances d’un niveau d’exposition aux ultraviolets sur la base d’une portion d’une réponse fluorescente détectée de l’élément de luminophore ultraviolet qui se situe dans une plage de 400 nanomètres à 700 nanomètres.
Dans un mode de réalisation, l’unité de vérification d’ultraviolets comporte une interface utilisateur graphique configurée pour générer les une ou plusieurs instances du niveau d’exposition aux ultraviolets sur la base de la portion d’une réponse fluorescente détectée de l’élément de luminophore ultraviolet qui se situe dans une plage de 400 nanomètres à 700 nanomètres.
Dans un mode de réalisation, l’unité de vérification d’ultraviolets comporte une interface utilisateur graphique configurée pour générer les une ou plusieurs instances de la durée d’exposition aux ultraviolets, une intensité d’exposition aux ultraviolets, une gravité d’exposition aux ultraviolets et un état d’exposition aux ultraviolets de durée de vie spécifique à l’utilisateur sur la base de la portion d’une réponse fluorescente détectée de l’élément de luminophore ultraviolet qui se situe dans une plage de 400 nanomètres à 700 nanomètres.
Ce résumé est fourni pour présenter une sélection de concepts sous forme simplifiée qui sont décrits plus en détail ci-dessous dans la description détaillée. Ce résumé n’est pas destiné à identifier des particularités clés de l’objet revendiqué, ni à être utilisé comme une aide à la détermination du cadre de l’objet revendiqué.
DESCRIPTION DES DESSINS Les aspects qui précèdent et de nombreux avantages connexes de la présente invention seront plus facilement appréciés à mesure qu’ils seront mieux compris en référence à la description détaillée suivante, prise conjointement avec les dessins qui l’accompagnent, dans lesquels :
la est une illustration schématique d’un capteur UV ;
la est une illustration schématique d’une vue éclatée du capteur UV de la ;
la est une illustration schématique d’un système de mesure d’exposition UV d’un sujet avec le capteur UV portable de la ;
la est une illustration schématique d’un processus de transfert de données entre le capteur UV de la et un dispositif client ;
Procédé d’acquisition d’image en deux dimensions d’un échantillon biologique à balayage ciblé L’invention concerne le domaine de l’imagerie destinée à l’observations d’échantillons biologiques, et plus particulièrement un procédé de balayage d’image en deux dimensions d’un échantillon biologique composés d’une pluralité de cellules.
Lors de l’observation par microscopie d’échantillons biologiques, notamment par microscopie optique à fluorescence, un microscope traditionnel balaye tout le volume (cuboïde) englobant la structure d’intérêt.
Ceci présente toutefois un inconvénient majeur, car les fluorophores ont des effets délétères sur les cellules de l’échantillon, dont les processus biologiques peuvent être compromis par une trop longue exposition : ce phénomène est notamment qualifié de phototoxicité. Il est donc désirable, afin d’éviter leur dégradation, de limiter autant que possible l’exposition des échantillons, tant au niveau spatial que temporel.
Dans l’art antérieur, il est connu, pour tenter de limiter les effets de la phototoxicité, d’accélérer la vitesse d’imagerie en remplaçant des miroirs galvanométriques de balayage laser par des systèmes résonnants ou par des déflecteurs acousto-optiques. Toutefois ces approches ne permettent pas d’obtenir une qualité d’image aussi bonne que celles obtenues par balayage classique. De plus, elles ne résolvent pas entièrement le problème de la phototoxicité, car la même quantité de lumière incidente est délivrée à l’échantillon in fine , mais seulement plus rapidement.
Une autre méthode pour tenter de limiter l’illumination subie par les cellules, dite d’illumination adaptative, consiste à contrôler l’instrument d’acquisition pour moduler l’intensité lumineuse et maintenir un rapport signal sur bruit constant dans l’image capturée. Ceci est notamment réalisé à l’aide d’un marquage des membranes cellulaires. Néanmoins, cette approche a tendance à illuminer davantage le centre des cellules, nécessairement plus sombre que leur contour, qui n’est pas une zone d’intérêt pour l’observateur, qui cherche au contraire à étudier le contour cellulaire. En outre, même si cette approche permet de réduire l’intensité lumineuse lors de l’illumination, elle nécessite tout de même d’illuminer chaque voxel de l’échantillon, y compris ceux qui ne seraient pas d’intérêt.
L'invention a donc pour but de fournir un procédé d’acquisition d’échantillons biologiques qui surmonte ces inconvénients, c’est-à-dire en limitant autant que possible l'exposition lumineuse de l’échantillon tant au niveau spatial que temporel, tout en fournissant une image de bonne qualité.
Pour ce faire, l’invention tire parti du fait que certains échantillons biologiques, tels que les tissus cellulaires, sont organisés dans l’espace et que l’expérimentateur possède une information préalable sur ladite organisation. Ainsi, par exemple, les tissus biologiques épithéliaux sont organisés en monocouches, c’est-à-dire que le marquage des jonctions cellulaires s’organise en un maillage (des contours cellulaires) réparti sur une surface. L’invention se propose de fournir une méthode qui illumine un volume restreint à l’objet d’intérêt, telle qu’une surface épithéliale.
A cet effet l’invention a pour objet un procédé d’acquisition d’image d’un échantillon biologique par microscopie à balayage, ledit échantillon étant situé dans une surface de référence définie par une pluralité de pixels, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : a) pré-balayage d’une surface de référence, au cours duquel seul un sous-ensemble des pixels de la surface de référence, dit ensemble initial des pixels sondés, est illuminée, b) détermination de pixels brillants parmi les pixels sondés, dit ensemble de pixels sondés brillants,
c) pré-sélection, au voisinage des pixels sondés brillants, d’un ensemble de pixels non illuminés pouvant appartenir à une structure d’intérêt de l’échantillon, dit ensemble de pixels à estimer,
d) estimation de l’intensité lumineuse des pixels à estimer,
e) sélection, parmi l’ensemble de pixels à estimer, à l’aide de l’estimation de leur intensité lumineuse, de pixels considéré comme brillants par application d’un critère prédéterminé, dits pixels à sonder, f) balayage de la surface de référence, au cours duquel seul l’ensemble de pixels à sonder est illuminé.
On entend par pixel au voisinage d’un pixel, un pixel contenu dans une zone de recherche définie par une distance, dite de propagation, prédéterminée. Par exemple, cette distance de propagation est comprise entre 1 et 3 pixels.
Grâce au fait qu’à partir d’un pré-balayage illuminant un faible nombre de pixels, l’on détermine des pixels brillants, puis que l’on pré-sélectionne au voisinage de ces derniers des pixels susceptibles d’être eux-aussi brillants, et que l’on détermine un ensemble de pixels à balayer (sonder) lors d’une étape ultérieure dont la probabilité est grande qu’ils appartiennent à la même structure d’intérêt que les pixels brillants initiaux, on peut restreindre le balayage à ces pixels à sonder.
De cette manière, on ne sonde pas de façon systématique toute la surface de référence, ce qui limite l’illumination de la surface de référence. En outre, les pixels à sonder ayant une grande probabilité d’appartenir la structure d’intérêt de l’échantillon on ne réduit pas la vitesse d’acquisition de l’image. En effet, le procédé selon l’invention permet de rapidement aboutir à une image précise des échantillons biologiques, en particulier de tissus cellulaires car elle tire parti du fait que les contours des cellules ont naturellement tendance à suivre des lignes. En d’autres termes, on cible avantageusement et efficacement la fraction de pixels à balayer qui permette d’obtenir rapidement une image de qualité sans trop illuminer l’échantillon.
La pré-sélection, l’estimation et la sélection des pixels à sonder peut notamment s’appuyer sur les connaissances de l’expérimentateur sur l’organisation dans l’espace de l’échantillon.
De préférence, le critère prédéterminé permettant de considérer un pixel comme étant brillant est que l’intensité lumineuse du pixel considéré est supérieure à un seul prédéterminé d’intensité lumineuse. Le critère de dépassement d’un certain seuil d’intensité lumineuse est un critère efficace pour déterminer si un pixel appartient à la surface d’intérêt de l’échantillon puisque la surface d’intérêt de l’échantillon sera plus brillante que le reste de la surface de référence.
LE SYSTÈME BISTABLE
Selon un mode de réalisation préféré, le dispositif de verrouillage 1 comprend un système bistable, configuré pour permettre alternativement, un maintien en position de la tige 13 dans la première ou dans la deuxième position à chaque effort de poussée exercé sur la surface d’appui 12a.
De manière préférée, au moins l’un parmi la commande de poussée 12 et le corps 11 comprend une pièce intermédiaire 102 comprenant une ouverture continue 102a qui présente une première zone de stabilité 102b et une deuxième zone de stabilité 102c.
L’ouverture 102a est avantageusement une rainure définissant un circuit formant au moins une boucle.
L’autre parmi la commande de poussée 12 et le corps 11 comprend une pièce de blocage 103 configurée pour être guidée au sein de l’ouverture 102a. La pièce de blocage 103 est ainsi solidaire de l’autre parmi le corps 11 et la commande poussée 12 et est configurée pour coopérer au contact de l’ouverture continue 102a de sorte à pouvoir être guidée par l’ouverture continue 102a entre la première zone de stabilité 102b et la deuxième zone de stabilité 102c.
De manière préférée, la gâche 3 est une ouverture femelle conformée de sorte à coopérer par emmanchement avec au moins une portion de la tige 13. Selon un exemple, la tige 13 présente une forme cylindrique à section circulaire et en coupe, selon un plan perpendiculaire à sa direction principale l'extension X 13 , la section circulaire présente un diamètre avantageusement inférieur à au moins une dimension de l’ouverture de la gâche 3.
L'ÉLÉMENT DE RAPPEL
Selon un mode de réalisation, l’élément de rappel 101 peut être fixé simultanément au corps 11 et à la commande de poussée 12 ou à la tige 13. L’élément de rappel 101 est configuré pour que sous un effort de poussée exercé sur la surface d’appui 12a, l’élément de rappel 101 alterne sélectivement entre deux configurations de contrainte, l’une pourra être caractérisée comme une configuration de moindre contrainte, c’est à dire dans laquelle l’élément de rappel 101 est peu ou pas sollicité en traction, compression ou en flexion.
On entendra par configuration de moindre contrainte, une configuration s’approchant d’un état de repos de l’élément de rappel. Au contraire, la configuration de plus forte contrainte correspond au cas de figure dans lequel l’élément de rappel 101 est sollicité en traction ou en compression et/ou en flexion et/ou en torsion. Si ladite sollicitation cesse d’être appliquée sur l’élément de rappel 101 alors, celui-ci est configuré pour revenir à son état de repos, à savoir la configuration de moindre contrainte.
Avantageusement, l'élément de rappel 101 pourra être dans une configuration de moindre contrainte lorsque la tige 13 est dans la première position, et dans une configuration de plus forte contrainte lorsque la tige 13 est dans la deuxième position.
De manière préférée, lorsque la tige 13 est à l'intérieur de la gâche 3, l'élément de rappel 101 sera de préférence dans une configuration de plus forte contrainte, c'est-à-dire dans une configuration qui l’éloigne de son état de repos. Si l’élément de rappel 101 est un ressort, alors celui-ci pourra par exemple être étiré ou comprimé. Lorsque l'élément de rappel est dans une configuration de moindre contrainte, cela correspond à l’état le plus proche de son état de repos relativement à la configuration de plus forte contrainte. S'il s'agit d'un ressort, celui-ci pourra par exemple retrouver sa configuration initiale, c'est-à-dire ni distendue, ni comprimée.
De manière préférée, l'élément de rappel 101 pourra être un élément élastique comme par exemple un ressort métallique où tout autres pièces dont le matériau présente les caractéristiques mécaniques permettant une déformation réversible sous un effort préférentiellement de compression mais aussi de traction, de torsion ou de flexion.
Cet effort pourra être transmis directement par la commande de poussée 12 et selon la direction principale X 13 .
LA PIÈCE INTERMÉDIAIRE ET LA PIÈCE DE BLOCAGE
Selon un mode de réalisation, le système bistable comprend également une pièce intermédiaire 102 qui est configurée de sorte à pouvoir être solidaire de l’un parmi le corps 11 et la commande de poussée 12.
La pièce intermédiaire 102 peut comprendre une ouverture continue 102a présentant une première zone de stabilité 102b et une deuxième zone de stabilité 102c. L'ouverture continue 102a peut comprendre une rainure formant un circuit qui comprend une boucle en une extrémité du circuit et un recoin dans lequel se situe l’une parmi la première zone de stabilité 102b et la deuxième zone de stabilité 102c.
Un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux selon un premier mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 1 à 4.
Ce procédé est mis en œuvre à partir d’un substrat 102 comprenant par exemple du semi-conducteur tel que du silicium.
Au moins une couche 104, appelée « couche inférieure », est réalisée sur une des deux faces principales du substrat 102. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la couche inférieure 104 comporte de l’oxyde de silicium, et est par exemple réalisée par oxydation thermique du substrat 102. Cette oxydation thermique forme également, du côté de l’autre des deux faces principales du substrat 102, au moins une autre couche d’oxyde de silicium 106 sensiblement identique à la couche inférieure 104. L’épaisseur de la couche inférieure 104 est par exemple égale à 500 nm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et 1000 nm.
Au moins une couche de matériau sacrificiel 108 est ensuite réalisée sur la couche inférieure 104. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la couche de matériau sacrificiel 108 comporte du silicium, par exemple polycristallin, déposé par exemple par LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à faible pression) sur la couche inférieure 104. Le matériau sacrificiel de la couche 108 peut être dopé ou non, selon l’application envisagée. L’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 est choisie telle qu’elle corresponde à la hauteur d’une cavité qui sera formée ultérieurement. L’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 est par exemple égale à 2 µm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et 10000 nm (avec des précautions spécifiques supplémentaires pour la gravure des fortes épaisseurs). Bien que cela ne soit pas visible sur la , le dépôt mis en œuvre pour réaliser la couche de matériau sacrificiel 108 peut former, contre la couche 106, une autre couche identique à la couche de matériau sacrificiel 108.
Après le dépôt de la couche de matériau sacrificiel 108, un recuit peut être mis en œuvre afin de relâcher les contraintes s’exerçant dans le matériau sacrificiel de la couche 108.
Au moins une couche 110, appelée « couche supérieure », est ensuite réalisée sur la couche de matériau sacrificiel 108. Cette couche supérieure 110 est destinée à former une paroi supérieure de la cavité qui sera formée ultérieurement. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette couche supérieure 110 correspond à une couche de nitrure de silicium déposée sur la couche de matériau sacrificiel 108. La température à laquelle la couche supérieure 110 est déposée est par exemple de l’ordre de 800°C. L’épaisseur de la couche supérieure 110 est par exemple égale à 200 nm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et quelques micromètres. Bien que cela ne soit pas visible sur la , la mise en œuvre du dépôt de la couche supérieure 110 forme également, contre la couche d’oxyde présente contre la couche 106, une couche de nitrure de silicium identique à la couche supérieure 110.
La structure obtenue à ce stade du procédé forme un empilement de matériaux 113 représenté sur la et dans lequel au moins une cavité va être réalisée. Dans cet empilement de matériaux 113, le matériau sacrificiel de la couche 108 est apte à être gravé sélectivement vis-à-vis des matériaux de la couche inférieure 104 et de la couche supérieure 110.
Des tranchées 114 sont ensuite réalisées à travers la couche supérieure 110 et la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les tranchées 114 sont réalisées en mettant en œuvre une étape de photolithographie selon le motif souhaité des tranchées 114, puis une gravure à travers toute l’épaisseur de la couche supérieure 110 et une gravure à travers toute l’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108. La gravure est stoppée sur la couche inférieure 104 servant de couche d’arrêt de gravure. Le motif des tranchées 114 est tel qu’elles délimitent latéralement au moins une portion 116 de la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit, le volume de la portion 116 correspond au volume souhaité de la cavité qui sera formée ultérieurement. Les tranchées 114 délimitent également une partie 118 de la couche supérieure 110 qui est disposée sur la portion 116 de matériau sacrificiel et qui est destinée à former la paroi supérieure de la cavité. Les tranchées 114 réalisées sont visibles sur la . En outre, bien que cela ne soit pas visible sur la , ces étapes de photolithographie et gravure peuvent être mise en œuvre à travers la partie 118 de la couche supérieure 110 pour former des plots de renfort destinés au soutien de la paroi supérieure de la cavité qui sera formée ultérieurement. De tels plots de renfort permettent notamment un meilleur maintien mécanique de la paroi supérieure de la cavité.
Le rapport de forme des tranchées 114, c’est-à-dire le rapport de la largeur (dimension selon l’axe X sur la ) d’une tranchée 114 sur sa hauteur (dimension selon l’axe Z sur la ), est par exemple égal à environ 1 généralement inférieur à 5. Ainsi, dans l’exemple de réalisation décrit ici, la largeur des tranchées est environ égale à la somme des épaisseurs de la couche de matériau sacrificiel 108 et de la couche supérieure 110.
Le masque de gravure utilisé pour réaliser les tranchées 114 est ensuite retiré .
Un matériau de remplissage 120 est ensuite déposé dans les tranchées 114 (et éventuellement dans les trous servant à la réalisation des plots de renforts). Ce matériau de remplissage 120 est choisi tel que le matériau sacrificiel de la couche 108 puisse être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage 120. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le matériau de remplissage 120 correspond à du TEOS. L’épaisseur de TEOS déposé dépend notamment de la profondeur des tranchées 114. Ce matériau de remplissage 120 est également déposé en dehors des tranchées 114, sur la couche supérieure 110, afin de garantir le remplissage des tranchées 114 par le matériau 120.
Du fait que le matériau de remplissage 120 corresponde ici à du TEOS, un recuit de densification du matériau de remplissage 120 est ensuite mis en œuvre. Ce recuit de densification est par exemple mis en œuvre à une température d’environ 800°C et sous une atmosphère de dioxygène. Le matériau de remplissage 120 obtenu à l’issue de ce recuit de densification correspond à du dioxyde de silicium.