INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Toutes ces informations peuvent être par ailleurs réunies sur un seul et même écran 51 centralisant tous les suivis de bouteilles au sein de l’établissement hospitalier 1000. Ceci facilite énormément la gestion globale du parc de bouteilles de gaz au sein de l’hôpital ou analogue.
Toutes ces informations permettent d’assurer un meilleur suivi et contrôle des flux de bouteilles dans l’hôpital, notamment service par service. Ainsi, grâce à l’invention, on peut prendre en compte facilement l'écart entre la dotation cible d’un service et l'état réel du stock de bouteilles dans ce service et corriger tout écart éventuel en attribuant à ce service le nombre exact de bouteilles 10 auquel il a droit, tout en prenant en compte les fluctuations du nombre de bouteilles au sein de ce service au fil du temps, notamment des allers-retours de patients dans ce service. Cela permet de garantir dans le temps, une affectation efficace du stock de bouteilles de l’hôpital en fonction des besoins de chaque service.
De plus, cela permet aussi d’opérer une gestion intelligente des bouteilles entre les services de l’hôpital, par exemple en opérant des transferts de bouteilles d'un service à un autre afin de se conformer aux dotations des services concernés, par exemple d’organiser un transfert d’un service excédant sa dotation du fait d’un nombre de bouteille stockées qui s’y trouvent vers un autre service dans lequel la quantité de bouteilles qui s’y trouvent est insuffisante, c'est-à-dire inférieure à sa dotation.
Par ailleurs, le serveur de traitement de données 40 est aussi configuré pour communiquer, via un quatrième protocole de communication 500, avec les bouteilles de gaz 100 présentes dans un centre de remplissage de bouteilles de gaz 1002, via un second routeur 60 situé dans le centre de remplissage 1002. Le quatrième protocole de communication 500 est préférentiellement aussi le réseau GSM, c'est-à-dire 4G/5G.
Au sein du centre de remplissage 1002, les bouteilles de gaz 100 présentes sur site communiquent, via un cinquième protocole de communication 550, de préférence en protocole Bluetooth®, via leur dispositif électronique 11, avec le second routeur 60, qui communique lui-même avec le serveur de traitement de données 40, de sorte que le serveur de traitement de données 40 puisse notamment connaître en permanence l’état du parc de bouteilles de gaz 100, en particulier le nombre de bouteilles pleines disponibles ou ayant été re-remplies (i.e. bouteilles vides ayant été renvoyées sur centre pour être à nouveau remplies) pouvant être acheminées vers l’établissement hospitalier 1000, typiquement par camion de livraison.
Le quatrième protocole de communication 500 et le cinquième protocole de communication 550 sont bidirectionnels afin de pouvoir assurer des échanges de données entre le serveur 40 et les bouteilles 100 situées dans le centre de remplissage 1002, et inversement.
Préférentiellement, les données communiquées par les bouteilles 100 situées dans le centre de remplissage 1002 sont mémorisées dans des moyens de mémorisation du serveur 40 et sont effacées de mémoire des dispositif électronique 11 équipant les bouteilles 100 situées dans le centre de remplissage 1002 afin de libérer de l’espace mémoire, avant le renvoi des bouteilles 100 vers leur site d’utilisation, à savoir l’établissement hospitalier 1000.
La longueur L2 des portions des contacts métalliques 19 situées sous le boitier de la puce est, par exemple, supérieure à 50 µm.
La brasure de la puce 1 sur un dispositif extérieur illustrée en est par exemple effectuée par dépôt d'une pâte de brasage sur la face inférieure des contacts métalliques 19.
Un avantage résultant de la présence des pattes 19b des métallisations de connexion 19 en saillie des flancs du boîtier de la puce 1 est que, lors de la brasure de la puce 1 sur un dispositif extérieur, un contrôle visuel de la qualité de la brasure est possible. En particulier, lors de l'assemblage, une partie du matériau de brasure peut remonter sur les flancs et sur la face supérieure des pattes 19b, ce qui facilite le contrôle visuel de la connexion.
Les figures 2 à 9 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication de puces électroniques du type décrit en relation avec la .
La est une vue en coupe d'une structure comprenant le substrat semi-conducteur 11 dans et sur lequel des circuits intégrés 13 ont été préalablement formés. Les circuits 13 sont par exemple tous identiques aux dispersions de fabrication près. Le substrat 11 peut correspondre à une plaquette d'un matériau semi-conducteur, par exemple du silicium. Le substrat 11 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 µm et 900 µm, par exemple entre 50 µm et 500 µm, par exemple une épaisseur d'environ 500 µm.
La structure de la comprend en outre l'empilement de couches isolantes et conductrices 15 revêtant la face supérieure du substrat 11. L'empilement d'interconnexion 15 comprend en outre, du côté de sa face supérieure, pour chaque circuit intégré 13, un ou plusieurs plots de reprise de contact 17. Les plots de reprise de contact 17 sont, par exemple, communs à plusieurs circuits intégrés 13. A titre d'exemple, un même plot de reprise de contact 17 s'étend sur au moins deux circuits intégrés 13 voisins, ainsi que sur une zone de découpe située entre les deux circuits intégrés. Les plots de reprise de contact 17 peuvent comprendre un empilement d'une ou plusieurs couches métalliques. Les plots de reprise de contact 17 sont par exemple des métallisations sous bossage (UBM, de l'anglais "Under Bump Metallization").
En , trois circuits intégrés 13 ont été représentés, étant entendu que le nombre de circuits intégrés 13 formés dans et sur le substrat 11 peut être différent de trois. En pratique, le substrat 11 est une plaquette en un matériau semi-conducteur, par exemple, du silicium, et plusieurs dizaines voire plusieurs centaines ou milliers de circuits intégrés 13 sont formés dans et sur le substrat 11. Les circuits intégrés 13 sont alors, par exemple, organisés en réseau en lignes et en colonnes en suivant un quadrillage régulier.
Dans la suite de cette description, on considère, dans l'orientation de la , la face inférieure de la structure, comme étant la face arrière et la face supérieure de la structure, comme étant la face avant.
La illustre, par une vue en coupe, une étape de formation de contacts métalliques 19 en face avant de la structure illustrée en .
Plus particulièrement, lors de l'étape illustrée en , on vient former, à l'aplomb de chaque plot de reprise de contact 17, sur et en contact avec le plot 17, un contact métallique 19. Les contacts métalliques 19 recouvrent par exemple toute la surface des plots de reprise de contact 17. A titre d'exemple, en vue de dessus, les contours des contacts métalliques 19 coïncident avec les contours des plots de reprise de contact 17.
Les contacts métalliques 19 sont par exemple fabriqués par croissance électrolytique à partir de la face supérieure des plots 17. La hauteur (épaisseur) des contacts métalliques 19 est, par exemple, supérieure ou égale à 20 µm, par exemple supérieure ou égale à 50 µm. A titre d'exemple, la hauteur des contacts métalliques 19 est comprise entre 20 µm et 150 µm.
Les contacts métalliques 19 peuvent être en un alliage à base d'étain, par exemple un alliage à base d'étain et d'argent (SnAg). En variante, les contacts métalliques 19 peuvent être en cuivre, en or, en argent, en un alliage à base de nickel, par exemple un alliage de nickel palladium et/ou de nickel or électrolytique, ou en un alliage à base d'un ou plusieurs de ces matériaux.
La illustre, par une vue en coupe, une étape de dépôt d'une résine de protection 21 en face avant de la structure illustrée en .
Lors de cette étape, on vient recouvrir intégralement (pleine plaque) la face avant de la structure par la résine 21, et en particulier les contacts métalliques 19 et la face supérieure de l'empilement 15. La résine 21 est, par exemple, une résine époxy. La résine 21 permet d'isoler électriquement la face avant de la puce finale (c'est-à-dire la face inférieure dans l'orientation de la vue A de la ).
La résine 21 présente de préférence une épaisseur relativement importante de façon à rigidifier la structure pour les étapes suivantes. La résine 21 sert alors de support mécanique pour les étapes suivantes et notamment les étapes de découpe. A titre d'exemple, la résine 21 est déposée avec une épaisseur, à partir de la face supérieure de l'empilement 15, comprise entre 100 µm et 500 µm.
A l'issue de l'étape illustrée en , l'épaisseur de la structure est égale à l'épaisseur souhaitée des puces électroniques.
Dans l'exemple représenté, l'amincissement est interrompu avant d'atteindre la face arrière du substrat 11. Ainsi, une couche de résine de protection 25 subsiste en face arrière du substrat 11.
A titre de variante, si l'épaisseur du substrat 11 est trop importante par rapport à l'épaisseur de puce électronique finale souhaitée, l'amincissement peut être poursuivi jusqu'à retirer une partie de l'épaisseur du substrat 11 par sa face arrière (c'est-à-dire sa face supérieure dans l'orientation de la ). L'amincissement peut alors être suivi par une étape de dépôt d'une troisième résine de protection sur la face supérieure de la structure afin de protéger la face arrière du substrat 11 aminci. La troisième résine est par exemple identique à la deuxième résine 25. A titre de variante, la troisième résine peut être différente de la deuxième résine. La troisième résine est, par exemple, en époxy. A titre de variante, la troisième résine peut être remplacée par un autre matériau de protection, par exemple un film solide ou tout autre matériau organique ou minéral, par exemple déposé par pulvérisation.
Dans une autre variante, l'étape d'amincissement du substrat 11 peut être réalisée avant la formation des tranchées 23, par exemple après le dépôt de la résine 21. A titre de variante, l'étape d'amincissement du substrat 11 peut être réalisée avant l'étape de dépôt de la première résine 21.
La illustre, par une vue en coupe, une étape de formation de deuxièmes 27 et troisièmes 29 tranchées de découpe à partir de la face arrière de la structure illustrée en .
A l'issue de l'étape illustrée en , la structure correspond à des puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 13. Préalablement à cette étape, la structure est rapportée, par sa face avant (face inférieure dans l'orientation de la ), sur un film support, non représenté en .
Lors de cette étape, les deuxièmes tranchées 27, sont d'abord formées dans la résine de protection 25 en vis-à-vis des premières tranchées 23. Des tranchées 27 sont réalisées en vis-à-vis de toutes les tranchées 23 et sur toute leur longueur. Les tranchées 27 s'étendent, dans la résine 25 jusqu'aux plots de reprise de contact 17 ou aux contacts métalliques 19. En d'autres termes, les deuxièmes tranchées s'étendent de la face supérieure de la structure illustrée en , sur toute l'épaisseur de la résine 25. Les tranchées 27 débouchent, par exemple, sur ou dans les plots 17. En variante, les tranchées 27 débouchent sur ou dans les contacts métalliques 19.
Les tranchées 27 ont une largeur L4. La largeur L4 est inférieure à la largeur L3 de sorte que le substrat 11 de chaque puce reste recouvert par la résine 25 sur ses quatre faces latérales. Les tranchées 27 peuvent, par exemple, être réalisées par sciage, en utilisant une lame de découpe de largeur inférieure à celle utilisée pour la réalisation des tranchées 23. Les tranchées 27 peuvent, en variante, être réalisées par ablation laser. Les tranchées 27 et les tranchées 23 sont par exemple alignées selon un même axe central.
Afin de découper la structure en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 13, les troisièmes tranchées 29 sont réalisées en vis-à-vis des deuxièmes tranchées 27 dans les contacts métalliques 19. Plus particulièrement, on vient former en vis-à-vis de chaque deuxième tranchée 27, une tranchée 29 parallèle à ladite tranchée 27. Dans cet exemple, les tranchées 29 s'étendent sur toute la longueur des tranchées 27. Les tranchées 29 s'étendent, verticalement, de sorte que les contacts métalliques 19 et, le cas échéant, les plots 17 soient coupés en vis à vis des deuxièmes tranchées 27. Les tranchées 29 ont une largeur L5 inférieure à la largeur L4, de façon que, dans chaque puce, chaque contact métallique comprenne une patte 19b libre, en saillie du flanc de la couche de résine de protection latérale 25 du boîtier de la puce.
Les tranchées 29 peuvent, par exemple, être réalisées par sciage, en utilisant une lame de découpe de largeur inférieure à celle utilisée pour la réalisation des tranchées 27. Les tranchées 29 peuvent en variante être réalisées par ablation laser.
Dans cet exemple, la différence entre les largeurs L4 et L5 est choisie, d'une part, suffisamment grande pour permettre de dégager des pattes 19b des contacts métalliques 19. D'autre part, la largeur L5 doit être suffisamment faible pour qu'un maximum de puces puisse être réalisé à partir d'une même plaquette semiconductrice. La différence entre les largeurs L4 et L5 correspond à deux fois la longueur L1 des pattes 19b.
La largeur L5 est, par exemple, inférieure à 20 µm, de préférence de l'ordre de 10 µm, voire inférieure à 10 µm. La largeur L4 est alors de préférence comprise entre 30 µm et 310 µm de sorte que la différence entre les largeurs L4 et L5 soit comprise entre 20 µm et 300 µm, soit une longueur de pattes L1 comprise entre 10 µm et 150 µm.
A l'issue de cette étape, la structure obtenue correspond à une pluralité de puces électroniques, reliées uniquement par le film support (non représenté en ). Les puces peuvent ensuite être prélevées sur ce film support, en vue de leur montage dans un dispositif extérieur.
Un avantage des modes de réalisation et des modes de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent de faciliter le montage des puces électroniques sur un circuit imprimé.
Un autre avantage des modes de réalisation et des modes de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent un contrôle visuel de la brasure lors du montage des puces sur un circuit imprimé, sans l'utilisation de techniques coûteuses, par exemple des techniques d'inspection par rayons X.
Un autre avantage des modes de réalisation et des modes de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent de diminuer l'épaisseur des puces électroniques à montage en surface et, par conséquent, l'épaisseur des circuits imprimés.
D’un autre côté, chacune des secondes sous-régions A2b est dotée d’une pluralité de seconds évidements TR2b. Dans chacune des secondes sous-régions A2b, les seconds évidements TR2b présentent chacun une forme s’étendant dans la direction Y et sont agencés dans la direction X. C’est-à-dire que, dans chacune des secondes sous-régions A2b, une pluralité de tranchées présentant chacune une forme s’étendant dans la direction Y et agencées dans la direction X sont prévues en tant que seconds évidements TR2b.
Ici, les directions de longueur des seconds évidements TR2a et TR2b sont orthogonales les unes aux autres, mais peuvent se croiser en diagonale. De plus, ici, les secondes sous-régions incluent deux types des secondes sous-régions A2a et A2b, qui sont différentes les unes des autres dans la direction de longueur des seconds évidements, mais les secondes sous-régions peuvent en outre inclure une ou plusieurs types des secondes sous-régions dans lesquelles la direction de longueur des seconds évidements est différente de ceux des secondes sous-régions A2a et A2b. En outre, le nombre de secondes sous-régions incluses dans la seconde surface principale S2 est de six, mais le nombre des secondes sous-régions peut être de deux ou plus.
De plus, la direction de longueur des premiers évidements TR1a et celle des seconds évidements TR2a sont orthogonales l’une à l’autre, mais peuvent se croiser en diagonale. De façon similaire, la direction de longueur des premiers évidements TR1b et celle des seconds évidements TR2b sont orthogonales l’une à l’autre, mais peuvent se croiser en diagonale.
Les seconds évidements TR2a sont espacés les uns des autres. Les seconds évidements TR2b sont également espacés les un des autres. Chacun des seconds évidements TR2b est espacé des seconds évidements TR2a.
Des sections du substrat conducteur CS chacune prise en sandwich entre l’un et l’autre des seconds évidements TR2a adjacents sont des secondes projections W M 2a. Les secondes projections W M 2a présentent chacune une forme s’étendant dans la direction X et sont agencées dans la direction Y. C’est-à-dire que chacune des secondes sous-régions A2a est dotée d’une pluralité de parties de paroi présentant chacune une forme s’étendant dans la direction X et la direction Z et agencées dans la direction Y en tant que secondes projections W M 2a.
D’un autre côté, des sections du substrat conducteur CS chacune prise en sandwich entre l’un et l’autre des seconds évidements TR2b adjacents sont des secondes projections W M 2b. Les secondes projections W M 2b présentent chacune une forme s’étendant dans la direction Y et sont agencées dans la direction X. C’est-à-dire que chacune des secondes sous-régions A2b est dotée d’une pluralité de parties de paroi présentant chacune une forme s’étendant dans la direction Y et la direction Z et agencées dans la direction X en tant que secondes projections W M 2b.
Des sections du substrat conducteur CS chacune prise en sandwich entre les seconds évidements TR2a et les seconds évidements TR2b en un emplacement de chaque limite entre la seconde sous-région A2a et la seconde sous-région A2b sont des secondes parties de paroi auxiliaire W S 2. La seconde partie de paroi auxiliaire W S 2 intègre des secondes projections adjacentes W M 2a et intègre des secondes projections adjacentes W M 2b, et sert à éviter un affaissement de celle-ci. Les seconds évidements TR2a et TR2b peuvent être agencés de façon à ne pas produire la seconde partie de paroi auxiliaire W S 2.
Des dimensions pour les seconds évidements et les secondes projections se situent de préférence dans les plages décrites ci-dessus pour les premiers évidements et les premières projections, respectivement.
Une somme d’une profondeur d1 du premier évidement et d’une profondeur d2 du second évidement, d1 + d2, est supérieure ou égale à une épaisseur T du substrat conducteur CS. Si cette configuration est adoptée, les premiers évidements et les seconds évidements sont reliés les uns aux autres en des emplacements où ils se croisent pour former des trous traversants. Ici, les premiers évidements TR1a et les seconds évidements TR2a sont reliés les uns aux autres en des emplacements où ils se croisent pour former des trous traversants TH. De plus, les premiers évidements TR1b et les seconds évidements TR2b sont reliés les uns aux autres en des emplacements où ils se croisent pour former des trous traversants TH.
Un rapport de la somme d1 + d2 à l’épaisseur T, (d1 + d2)/T, se situe de préférence dans une plage de 1 à 1,4, et davantage de préférence dans une plage de 1,1 à 1,3. Du point de vue de l’augmentation de la capacité électrique, le rapport (d1 + d2)/T est de préférence grand. De plus, du point de vue de l’amélioration d’une liaison électrique entre des sections de la couche conductrice 20b qui sont situées sur des parois latérales et des surfaces inférieures des premiers évidements et des sections de la couche conductrice 20b qui sont situées sur des parois latérales et des surfaces inférieures des seconds évidements, le rapport (d1 + d2)/T est de préférence grand. Cependant, lorsque les profondeurs d1 et d2 sont augmentées, la résistance mécanique du condensateur 1 diminue.
Noter que le rapport (d1 + d2)/T peut être inférieur à 1. Dans ce cas, les premiers évidements et les seconds évidements ne forment pas les trous traversants aux emplacements où ils se croisent. Par conséquent, dans ce cas, en plus de fournir les premiers évidements et les seconds évidements, des trous traversants sont prévus en tout emplacement du substrat 10.
La profondeur d1 et la profondeur d2 peuvent être identiques ou différentes.
Une surface de la couche conductrice 20a constitue la première surface principale S1, la seconde surface principale S2, les parois latérales et les surfaces inférieures des premiers évidements TR1a et TR1b, et des parois latérales et des surfaces inférieures des seconds évidements TR2a et TR2b. La couche conductrice 20b recouvre la première surface principale S1, la seconde surface principale S2, les parois latérales et les surfaces inférieures des premiers évidements TR1a et TR1b, et les parois latérales et les surfaces inférieures des seconds évidements TR2a et TR2b.
Ce condensateur 1 inclut en outre une couche isolante 50. La couche isolante 50 recouvre une section de la couche conductrice 20b qui est située sur le côté de la seconde surface principale S2. La couche isolante 50 peut présenter une structure monocouche ou une structure multicouche. Chaque couche constituant la couche isolante 50 est faite, par exemple, d’un isolant inorganique tels le nitrure de silicium et l’oxyde de silicium, ou d’un isolant organique tels un polyimide et une résine novolaque.
Dans ce condensateur 1, la structure empilée incluant la couche diélectrique 30 et la couche conductrice 20b est prévue non seulement sur la première surface principale S1 et dans les premiers évidements TR1a et TR1b mais aussi sur la seconde surface principale S2 et dans les seconds évidements TR2a et TR2b. Ainsi, ce condensateur 1 peut atteindre une plus grande capacité électrique.
De plus, dans ce condensateur 1, une pluralité de premières sous-régions A1a et A1b sont agencées sur la première surface principale S1, et les directions de longueur des premiers évidements TR1a et TR1b prévus dans les premières sous-régions A1a et A1b, respectivement, sont rendues différentes. Un tel agencement évite le gauchissement du substrat conducteur CS. De plus, dans ce condensateur 1, une pluralité de secondes sous-régions A2a et A2b sont agencées sur la seconde surface principale S2, et les directions de longueur des seconds évidements TR2a et TR2b prévus dans les secondes sous-régions A2a et A2b, respectivement, sont rendues différentes. Un tel agencement évite également le gauchissement du substrat conducteur CS. Ensuite, dans ce condensateur 1, les évidements étant prévus tant sur la première surface principale S1 que sur la seconde surface principale S2, un gauchissement peut difficilement se produire en raison de la différence de forme des surfaces.
La structure de la est retournée de façon à placer les plots de connexion métalliques 303 de puces élémentaires 309 en vis-à-vis de plots de connexion métalliques 313 correspondants du substrat de report 311. Les plots 303 et 313 en vis-à-vis sont ensuite fixés et connectés électriquement, par exemple par collage direct, par soudure, au moyen de microtubes, ou par toute autre méthode adaptée.
Une fois fixées au substrat de report 311 ( ), les puces élémentaires 309 sont détachées du substrat de support temporaire 301, et ce dernier est retiré ( ). À titre d'exemple, le détachage des puces 309 est réalisé par décollement mécanique ou par décollement au moyen d'un faisceau laser.
Dans l'exemple représenté, le pas (distance centre à centre en vue de face) des puces élémentaires 309 sur le substrat de report 311 est un multiple du pas des puces élémentaires 309 sur le substrat de support temporaire 301. Ainsi, seule une partie des puces élémentaires 309 (une sur deux, dans l'exemple représenté) sont transférées simultanément du substrat de support temporaire 301 sur le substrat de report 311. Les autres puces restent attachées au substrat de support temporaire 301. Ces puces restantes peuvent ensuite être reportées sur une autre partie du substrat de report 311. À titre de variante, le report de ces puces élémentaires restantes peut s'effectuer sur un autre substrat de report.