Procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant par BESOI comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure comprenant successivement : - un premier substrat (110) en silicium, comprenant une première face principale et une seconde face principale, - une première couche d’arrêt (111) en SiGe ayant une première épaisseur et un pourcentage atomique en Ge inférieur ou égal à 30%, et de préférence compris entre 15% et 30%, la première couche d’arrêt (111) étant en contact avec la seconde face principale du premier substrat (110), - une couche intermédiaire (112) en silicium ou en SiGe, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la première couche d’arrêt (111), - une deuxième couche d’arrêt (113) en SiGe ayant une deuxième épaisseur inférieure à la première épaisseur de la première couche et un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20%, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la deuxième couche d’arrêt (113), - éventuellement, une zone active formée d’une couche active en silicium (114) ou d’un empilement de couches actives comprenant au moins une couche en silicium et au moins une couche en SiGe ayant de préférence un pourcentage atomique en Ge compris entre 20 % et 35 %, - une couche diélectrique par exemple en oxyde de silicium (121), - un deuxième substrat par exemple en silicium (120), b) amincir le premier substrat (110) en silicium, depuis la première face principale, de manière à retirer une première partie du premier substrat et à laisser une deuxième partie du substrat, la deuxième partie ayant, par exemple, une épaisseur inférieure ou égale à 50µm, c) retirer successivement : - la deuxième partie du premier substrat (110), par exemple, par gravure chimique, jusqu’à la deuxième face principale du premier substrat (110), de manière à atteindre la première couche d’arrêt (111), - la première couche d’arrêt (111), par exemple par gravure chimique, - la couche intermédiaire (112), par exemple par gravure chimique, - éventuellement, la deuxième couche d’arrêt (113), par exemple par gravure chimique, moyennant quoi on obtient un substrat semi-conducteur sur isolant comprenant un substrat (120) recouvert par une couche diélectrique (121) et une zone active (114) ou un substrat (120) recouvert par une couche diélectrique (121) et la deuxième couche d’arrêt en SiGe (113). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l’étape b) d’amincissement conduit à une variation d’épaisseur totale du premier substrat (110) aminci supérieure ou égale à 2000nm, notamment supérieure ou égale à 2500nm. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la deuxième épaisseur est au moins deux fois inférieure à la première épaisseur et de préférence au moins 10 fois inférieure à la première épaisseur. Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche d’arrêt (111) a un pourcentage atomique en Ge inférieur ou égal à 25%, et de préférence supérieur ou égal à 20%. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la deuxième couche d’arrêt (113) a un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20%, et de préférence inférieur ou égal à 40%. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche d’arrêt (111) a une épaisseur entre 50 nm et 150 nm, par exemple 120 nm, et une concentration atomique en Ge de 25%. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la deuxième couche d’arrêt (113) a une épaisseur entre 8 nm et 20 nm, par exemple 10 nm, et une concentration atomique en Ge de 40%. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (112) et/ou la couche active (114) en silicium ont une épaisseur entre 5 nm et 100 nm, par exemple 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la structure fournie à l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : i) fournir un premier empilement comprenant successivement : - un premier substrat de silicium (110), - une première couche d’arrêt (111) en SiGe ayant une première épaisseur et un pourcentage atomique en Ge inférieur ou égal à 30%, et de préférence compris entre 15% et 30%, - une couche intermédiaire (112) en silicium ou en SiGe, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire (112) étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la première couche d’arrêt (111), - une deuxième couche d’arrêt (113) en SiGe ayant une deuxième épaisseur inférieure à la première épaisseur de la première couche un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20%, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire (112) étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la deuxième couche d’arrêt (113), - éventuellement, une zone active formée d’une couche active en silicium (114) ou d’un empilement de couches actives comprenant au moins une couche en silicium et au moins une couche en SiGe ayant de préférence un pourcentage atomique en Ge compris entre 20 % et 35 %, ii) fournir un deuxième empilement comprenant un deuxième substrat (120) de silicium recouvert par une couche diélectrique (121) par exemple en oxyde de silicium, iii) fixer le premier empilement sur le deuxième empilement, de manière à avoir la couche diélectrique (121) en contact avec la deuxième couche d’arrêt (113) ou avec la zone active. Structure (100) pour fabriquer un substrat semi-conducteur silicium-sur-isolant selon un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant : - un premier substrat (110) de silicium, - une première couche d’arrêt (111) en SiGe ayant une première épaisseur et un pourcentage atomique en Ge inférieur ou égal à 30%, et de préférence compris entre 15% et 30%, - une couche intermédiaire (112) en silicium ou en SiGe, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la première couche d’arrêt, - une deuxième couche d’arrêt (113) en SiGe ayant une deuxième épaisseur inférieure la première épaisseur de la première couche et un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20%, le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire étant inférieur d’au moins 10 % au pourcentage atomique en Ge de la deuxième couche d’arrêt, - éventuellement, une zone active formée d’une couche active (114) en silicium ou d’un empilement de couches actives comprenant au moins une couche en silicium et au moins une couche en SiGe ayant de préférence un pourcentage atomique en Ge compris entre 20 % et 35 %, - une couche diélectrique (121) par exemple en oxyde de silicium, - un deuxième substrat par exemple en silicium (120). Structure selon la revendication 10, caractérisée en ce qu’elle comprend : - un premier substrat (110) de silicium, - une première couche d’arrêt (111) en SiGe ayant une épaisseur entre 50 nm et 150 nm et une concentration atomique en Ge de 20% à 25%, - une couche intermédiaire (112) en silicium, - une deuxième couche d’arrêt (113) en SiGe ayant une épaisseur entre 8 nm et 20 nm, par exemple 10nm, et une concentration atomique en Ge de 20% à 40%, - une couche active en silicium (114), - une couche d’oxyde de silicium (121), - un deuxième substrat de silicium (120).