INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une gravure, par exemple une gravure sèche ou humide, est mise en œuvre pour supprimer les portions de la couche de matériau sacrificiel 178 présentes dans les deuxièmes cavités 162 (voir ). Cette gravure libère les deuxièmes cavités 162 qui deviennent accessibles depuis les ouvertures 186. Le matériau de grille présent dans les deuxièmes cavités 162 n’est pas gravé lors de cette étape.
Les dispositifs électroniques comportant des surfaces de détection destinées à être touchées par un utilisateur, comme les capteurs biométriques, notamment les capteurs d'empreintes digitales ou palmaires, ou les écrans tactiles, sont de plus en plus nombreux. Ces dispositifs comprennent des surfaces de détection qui sont parfois destinées à être touchées par plusieurs utilisateurs à la suite. Il en résulte des risques de transmission de virus ou bactéries déposés sur lesdites surfaces, entre les différents utilisateurs.
Il existe un besoin d'amélioration des dispositifs utilisant des surfaces de détection destinées à être touchées par un utilisateur pour y inclure un système de nettoyage et de désinfection, de préférence sans intervention d'un opérateur extérieur sur ladite surface.
Un mode de réalisation prévoit un assemblage comportant un dispositif électronique comportant une surface transparente destinée à être touchée par un utilisateur, et un système de nettoyage de ladite surface, le système de nettoyage comprenant un capot, une source de rayonnement ultraviolet, la source de rayonnement ultraviolet étant orientée de manière à éclairer ladite surface avec un angle d'incidence supérieur à 45°.
Selon un mode de réalisation, l'assemblage comporte au moins un miroir permettant la réflexion multiple du rayonnement ultraviolet émis par la source entre ladite surface et le miroir.
Selon un mode de réalisation, ledit miroir s'étend sur une face du capot en vis-à-vis de ladite surface.
Selon un mode de réalisation, le rayonnement ultraviolet émis par la source est un rayonnement de type UVC.
Selon un mode de réalisation, l'assemblage est configuré pour que, lors d'une phase de nettoyage de ladite surface, la densité surfacique de puissance reçue par ladite surface soit supérieure à 9 mJ/cm 2 , de préférence supérieure ou égale à 12 mJ/cm 2 .
Selon un mode de réalisation, ladite surface est une face de contact d'une vitre de protection d'un capteur biométrique ou d'un écran tactile.
Selon un mode de réalisation, ladite surface est plane.
Selon un mode de réalisation, ledit angle d'incidence du rayonnement ultraviolet émis par la source est supérieur à 60°, de préférence supérieur à 80°.
Selon un mode de réalisation, le capot est un rideau rétractable monté sur un enrouleur, le capot étant adapté à être déroulé au-dessus de ladite surface.
Selon un mode de réalisation, la source de rayonnement s'étend sur un bord de ladite surface, parallèlement ou perpendiculairement à l'axe de rotation de l'enrouleur.
Selon un mode de réalisation, le capot forme un clapet pivotant.
Selon un mode de réalisation, l'assemblage comprend un système d'attache adapté à maintenir le capot en vis-à-vis de ladite surface.
Selon un mode de réalisation, l'assemblage comprend deux rails longeant deux côtés opposés de ladite surface, le capot étant monté entre les deux rails de sorte qu'il puisse coulisser le long des rails au dessus de ladite surface.
Selon un mode de réalisation, le capot est mobile pour, dans une première configuration, recouvrir ladite surface, et, dans une deuxième configuration, ne pas recouvrir ladite surface.
On pose Puis on calcule récursivement (pour )
Jusqu’à obtention de
A partir de (20) et de (22), on peut expliciter le facteur de Bayes selon l’expression :
Etape 240 : l’étape 240 est effectuée de la même manière que l’étape 140.
Essais expérimentaux. Les inventeurs ont mis en œuvre la méthode précédemment décrite, selon le premier mode de réalisation, à partir de spectres simulés numériquement. On a mis en œuvre différents types de tests afin d’évaluer la performance de chaque test en terme de taux de détections vraies (vrais positifs) de taux de fausses alarmes (faux positifs). Les spectres étaient simulés en prenant en compte une quantité aléatoire d’Uranium, à différents enrichissements. On s’est basé sur la détection de 235 U. Les durées d’acquisition des spectres simulés étaient de 3000 secondes ou 5000 secondes.
On a comparé le test bayésien décrit en lien avec le premier mode de réalisation, désigné par le terme BKD, en prenant en compte différentes valeurs de , avec les tests BAM et BRM. Le fond radiologique a été considéré comme stationnaire ou non stationnaire, aussi bien en forme qu’en intensité.
Les figures 4A et 4B représentent les performances du test en considérant un fond radiologique stationnaire, et un coefficient de corrélation proche de 1, les durées d’acquisition étant respectivement de 3000 secondes et 5000 secondes. Sur ces spectres, la composition isotopique de l’Uranium est considérée comme naturelle, la fraction massique de 235 U étant de 0.7%. Les performances sont représentées sous la forme de courbes de « ROC » (Receiver Operating Characteristic – caractéristique de fonctionnement du récepteur), représentant l’évolution du taux de détections vraies TDR (True Detection Rate) (axe des ordonnées) en fonction du taux de fausses détections FAR (False Alarm Rate) (axes des abscisses). Dans le cas d’un détecteur idéal, le taux de détection vraies est égal à 1. Sur la , on a représenté le cas d’un détecteur idéal en pointillés. Plus la courbe de ROC se rapproche de la courbe correspondant à un détecteur idéal, plus le test est considéré comme performant.
Les figures 4A et 4B montrent que lorsque le bruit de fond est stationnaire et que le bruit de fond, lors de la mesure, est considéré comme corrélé au bruit de fond a priori, les performances du test selon l’invention (BKD) sont proches de l’art antérieur (BAM). Les inventeurs ont fait le même constat en prenant en compte une isotopie différente de l’U, le niveau d’enrichissement étant de 3% (i-e fraction massique de 3% de 235 U). Cf. figures 4C (3000 secondes) et 4D (5000 secondes). Lorsque l’Uranium est enrichi, la quantité de photons émis par 235 U est supérieure, ce qui induit un meilleur rapport signal sur bruit. Cela explique la meilleure performance des tests comparativement à la configuration selon laquelle l’isotopie est naturelle : cf. comparaison figures 4C et 4A ainsi que 4D et 4B.
Les figures 5A et 5B correspondent à une isotopie naturelle, un bruit de fond stationnaire, et un coefficient de corrélation proche de 0. Dans ce cas, les performances du test selon l’invention (BKD) sont proches des performances du test BRM décrit dans l’art antérieur.
Les figures 6A et 6B correspondent à une isotopie naturelle, le bruit de fond étant non stationnaire en forme et en intensité, avec un coefficient de corrélation de corrélation proche de 1, les durées d’acquisition étant respectivement égales à 3000 s et 5000 s. On observe que le test selon l’invention (BKD) est plus performant que le test BAM de l’art antérieur.
Les figures 7A et 7B correspondent à une isotopie de 3% d’ 235 U, le bruit de fond étant non stationnaire en forme et en intensité, avec un coefficient de corrélation de corrélation proche de 0, les durées d’acquisition étant respectivement égales à 3000 s et 5000 s. On observe que le test selon l’invention (BKD) est plus performant que le test BAM de l’art antérieur.
Les figures 8A et 8B correspondent à un bruit de fond non stationnaire en forme et en intensité, avec un coefficient de corrélation intermédiaire, entre 0 et 1, la durée d’acquisition étant égale à 3000 s. Sur la , l’isotopie correspond à l’isotopie naturelle. Sur la , l’isotopie correspond à une isotopie de 3% d’ 235 U. On observe que l’invention permet d’obtenir un résultat intermédiaire entre les tests BAM et BRM de l’art antérieur.
Lorsque les conditions de mesures sont peu favorables, ce qui correspond à des mesures en considérant une isotopie naturelle, les performances du test selon l’invention sont supérieures à celles des tests décrits dans l’art antérieur. On observe également que le test de l’invention permet, par un simple réglage du coefficient de corrélation, de s’adapter à des conditions selon lesquelles le bruit de fond est considéré comme stationnaire ou non stationnaire.
Procédé de reconstruction d’un profil d’épaisseur de pièce à contrôler L’invention se rapporte au domaine des contrôles non destructifs tel qu’un contrôle de conformité non destructif de produits métalliques. L’invention se rapporte plus particulièrement au contrôle par ultrasons par reconstruction du profil d’épaisseur d’une pièce à contrôler.
Arrière-plan technologique Des tubes métalliques sont largement utilisés dans différents domaines de l’industrie de l’énergie tels que la production électrique, le pétrole et le gaz, ainsi que dans la construction mécanique. Comme la plupart des produits métallurgiques, les tubes sont susceptibles de présenter des défauts liés à leur fabrication, tels que des défauts de dimensionnement, des inclusions de matière dans l'acier, des fissures sur leur surface interne ou leur surface externe, ou encore des porosités. De manière générale, les tubes doivent répondre à des dimensionnement et profils précis afin de garantir leur résistance mécanique en service.
Les tubes sont donc contrôlés après leur fabrication pour y détecter d'éventuels défauts, mais aussi, le cas échéant, pour déterminer des informations utiles à l’évaluation de la dangerosité de ces défauts et la satisfaction de ces tubes à des normes.
La différence entre la première altitude A1 et la deuxième altitude A2 est supérieure ou égale à la course de verrouillage du capuchon 2 sur le flacon 1. Ladite course de verrouillage est définie entre :
- la position de maintien temporaire ( (a), ) dans laquelle le capuchon 2 est posé sur l’ouverture 11a du flacon 1, une portion au plus du bouchon 21 étant disposée dans ladite ouverture 11a,
- et la position de maintien définitif ( (b), ), dans laquelle le capuchon 2 est verrouillé sur le flacon 1, le pied 21a du bouchon 21 étant totalement inséré dans l’ouverture 11a du flacon 1 et la coiffe de verrouillage 22 étant agrippée sous la collerette 13 du flacon 1.
La course de verrouillage est comprise entre quelques mm et 10mm, typiquement entre 3mm et 8mm.
Le contenant 100 selon la présente invention permet de conditionner une pluralité de dispositifs médicaux 10 en vue de leur stockage ou de leur transport. Rappelons que le contenant 100 fermé peut, dans certains cas, être disposé dans une sache hermétique et dont l’atmosphère interne (basse pression) est contrôlée pour garantir la stérilité et la propreté du contenant 100.
Le contenant 100 facilite la logistique de livraison des dispositifs médicaux 10 incluant un flacon 1 et un capuchon 2 car il fournit les deux composants dans le même contenant 100, limitant ainsi globalement les emballages et conditionnements. De plus, la disposition des capuchons 2, posés sur les flacons 1, chaque coiffe de verrouillage 22 étant disposée sur une collerette 13, permet de protéger les bouchons 21, les ouvertures 11a et l’intérieur du flacon 1 de contaminations particulaires, notamment lors du retrait du film de scellement 60.
Un procédé de conditionnement d’une pluralité de dispositifs médicaux selon la présente invention va maintenant être décrit.
Le procédé comprend en premier lieu une étape a) correspondant au conditionnement d’une pluralité de flacons 1 et de capuchons 2 dans un contenant 100 tel que détaillé précédemment : le plateau 50 est alors disposé à la première altitude A1 ( ).
Le contenant 100 fermé par le film de scellement 60 et incluant les dispositifs médicaux 10 dans l’espace de stockage 34 peut ainsi être expédié à un fabricant de médicaments ou autres produits pharmaceutiques ou à un laboratoire, pour remplissage des dispositifs médicaux 10.
Le procédé comprend ensuite une étape b), qui s’opère a priori chez ce fabricant ou laboratoire, et qui comporte le retrait du film de scellement 60 pour donner accès à l’espace de stockage 34 de la cuve 30 ( ). Comme évoqué précédemment, le fait que les capuchons 2 soit maintenus sur les ouvertures 11a des flacons 1 par le plateau 50 évite toute contamination particulaire de l’intérieur des flacons 1, lors du pelage du film 60.
L’étape c) suivante correspond à l’enlèvement du plateau 50, hors l’espace de stockage 34, par l’application d’une force d’extraction selon l’axe z ( ). La force d’extraction est faible car le plateau 50 chargé avec les capuchons 2 pèse typiquement moins de 500g.
A l’étape d) du procédé, le remplissage des flacons 1 avec un produit solide ou liquide est opéré, les flacons 1 étant maintenus dans les alvéoles 40 aménagées sur le fond 31 de la cuve 30 ( ). Le remplissage se fait via une ou plusieurs buses 200. La manipulation collective des flacons 1, par le biais de la cuve 30, permet de limiter les casses ou dégradation des flacons 1 du fait de préhensions mécaniques automatisées. A l’étape d) du procédé, les flacons 1 demeurent maintenus et stabilisés par les alvéoles 40, et seule la cuve 30 est soumise à des préhensions et acheminée jusqu’à la station de remplissage.
Le procédé selon l’invention comprend ensuite une étape e) de repositionnement du plateau 50 au-dessus des flacons 1, à la première altitude A1, chaque capuchon 2 étant placé en vis-à-vis d’un flacon 1 ( ). La rigidité du plateau 50 facilite son positionnement précis et répétable dans l’espace de stockage 34. Des plots de centrage peuvent être prévus pour fiabiliser encore ce repositionnement du plateau 50.
L’étape f) suivante correspond à l’application d’une force d’appui sur le plateau 50, de manière à déplacer ce dernier à la deuxième altitude A2 pour verrouiller les capuchons 2 sur les flacons 1 ( ). La force d’appui peut être appliquée par une presse 300 et sera d’autant plus grande que le nombre de dispositifs médicaux 10 est important. Il faudrait bien évidemment prendre soin d’appliquer une force d’appui uniforme et adaptée pour éviter toute dégradation ou casse des flacons 1.
A ce stade du procédé, les dispositifs médicaux 10 sont remplis et hermétiquement clos, les capuchons 2 étant dans une position de fermeture définitive sur les flacons 1.
Après l’étape f), le procédé comprend avantageusement une étape g) de fermeture du contenant 100 (incluant les dispositifs médicaux 10 remplis et clos) à l’aide d’un deuxième film de scellement 70 solidaire du rebord supérieur 33 de la cuve 30 ( ). Comme le premier film de scellement 60 évoqué précédemment, le deuxième film 70 peut être collé ou soudé à chaud, il peut être étanche ou poreux, et l’atmosphère dans l’espace de stockage 34 de la cuve 30 peut être contrôlée (basse pression, vide, gaz neutre) ou atmosphérique.
Dans l’exemple décrit ici, l’une des premières couches 152 correspond à la couche superficielle du substrat SOI servant de support à l’empilement 150. Ce substrat SOI comporte la couche support 120 et la couche diélectrique enterrée 122 disposée entre la couche support 120 et ladite une des premières couches 152.
L’empilement 150 comporte également une ou plusieurs deuxièmes couches 154 et plusieurs troisièmes couches 156. Chaque deuxième couche 154 est disposée entre deux troisièmes couches 156 et en contact avec ces deux troisièmes couches 156. Chaque troisième couche 156 est en contact avec une des premières couches 152.
Le matériau des deuxièmes couches 154 a pour propriété de pouvoir être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau des premières couches 152 et des troisièmes couches 156. Lorsque les premières couches 152 comportent du silicium, cette sélectivité de gravure est par exemple obtenue en réalisant des deuxièmes et troisièmes couches 154, 156 à base de SiGe, avec le SiGe des deuxièmes couches 154 ayant une concentration en Ge différente (par exemple plus importante) de celle correspondant au SiGe des troisièmes couches 156. Dans ce cas, le matériau des troisièmes couches 156 a également pour propriété de pouvoir être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau des premières couches 152. A titre d’exemple, le semi-conducteur des deuxièmes couches 154 peut correspondre à du Si 0 ,5 Ge 0,5 , et le semi-conducteur des troisièmes couches 156 peut correspondre à du Si 0,3 Ge 0,7.
En variante, les premières couches 152 peuvent comporter du silicium polycristallin. Il est également possible que les deuxièmes couches 154 comportent du SiN, et/ou que les troisièmes couches 156 comportent du SiO 2 .
Les premières couches 152 autres que celle correspondant à la couche superficielle du substrat SOI, ainsi que les deuxièmes et troisièmes couches 154, 156, sont par exemple réalisées par épitaxie depuis la couche superficielle du substrat SOI.
L’épaisseur de chacune des premières couches 152 est par exemple égale à 15 nm, ou plus généralement comprise entre environ 8 nm et 30 nm. L’épaisseur de chacune des deuxièmes couches 154 est par exemple égale à 10 nm, ou plus généralement comprise entre environ 8 nm et 50 nm. L’épaisseur de chacune des troisièmes couches 156 est par exemple égale à 12 nm, ou plus généralement comprise entre environ 8 nm et 30 nm.
L’empilement 150 est recouvert d’une première couche de masque dur 158. Cette couche 158 comporte par exemple du SiN et a par exemple une épaisseur égale à 80 nm.
Une gravure est mise en œuvre à travers toute l’épaisseur de l’empilement 150 (voir ). Cette gravure forme des premières cavités 160 destinées à la réalisation d’éléments mémoires, de première portions électriquement conductrices destinées à former des premières électrodes de source ou de drain de transistors d’accès de la mémoire, et de deuxièmes portions électriquement conductrices destinées à former une des électrodes des éléments mémoires. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, ces premières cavités 160 ont, dans un plan parallèle aux plans principaux de chacune des couches 152, 154, 156 (plan parallèle au plan (X,Y)) une section de forme rectangulaire ou circulaire, dont les dimensions sont par exemple comprises entre 30 nm et 300 nm. Les premières cavités 160 sont alignées en formant des lignes et des colonnes.
Cette étape de gravure forme également, à travers toute l’épaisseur de l’empilement 150, des deuxièmes cavités 162, situées en périphérie du cœur de la matrice, destinées à la réalisation des contacts électriques des grilles des transistors d’accès. Une deuxième cavité 162 est réalisée à une extrémité de chaque ligne de premières cavités 160, afin de former des accès aux grilles des transistors d’accès couplés aux éléments mémoires qui seront réalisés dans les premières cavités 160 de chaque ligne.
Cette étape de gravure est mise en œuvre en utilisant la première couche de masque dur 158 pour réaliser le masque de gravure. Cette gravure est stoppée sur la couche diélectrique enterrée 122.
Les contacts électriques des grilles des transistors, auxquels les lignes de mot sont destinées à être reliées, peuvent être réalisés au niveau des deuxièmes cavités 162, par exemple en mettant en œuvre successivement des étapes de lithographie et gravure pour que ces contacts correspondent à des contacts en escalier permettant un accès indépendant à chaque ligne de mot.
Une autre étape de gravure est ensuite mise en œuvre afin de supprimer des portions des deuxièmes couches 154 se trouvant entre les premières cavités 160 d’une même ligne. Sur la , les espaces formés par cette gravure entre les troisièmes couches 156 portent la référence 164. D’autres portions des deuxièmes couches 154, portant la référence 166, se trouvant entre les lignes de premières cavités 160 sont conservées afin d’assurer le maintien mécanique de l’empilement 150.
Les espaces 164 sont ensuite remplis par un matériau diélectrique, par exemple du SiN. Les portions diélectriques d’isolation déposées dans les espaces 164 portent la référence 168 et sont destinés à isoler électriquement les grilles des transistors d’accès des niveaux différents de la mémoire 100.
Des portions diélectriques destinées à former des espaceurs internes 128 des transistors d’accès sont ensuite réalisées.
Pour cela, une gravure sélective d’une partie des troisièmes couches 156 est mise en œuvre. Cette gravure est réalisée de manière à obtenir, dans les cavités 160, 162, un retrait du matériau des troisièmes couches 156, par rapport à la surface depuis laquelle le matériau est gravé, sur une profondeur par exemple égale à 20 nm. Sur la , les creux formés dans les troisièmes couches 156 portent la référence 172.
Le ou les matériaux diélectriques destinés à former les espaceurs internes 128 sont ensuite déposés. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, une couche de matériau diélectrique est déposée de manière conforme dans les cavités 160, 162 de manière à remplir partiellement les creux 172, et recouvre également la première couche de masque dur 158. Cette couche de matériau diélectrique comporte par exemple du SiN et a par exemple une épaisseur égale à 9 nm. Une gravure humide est ensuite mise en œuvre pour supprimer les parties de cette couche de matériau diélectrique ne se trouvant pas dans les creux 172 et ne formant pas les espaceurs internes 128, c’est-à-dire les parties de la couche de matériau diélectrique se trouvant contre la première couche de masque dur 158, au fond des cavités 160, 162 et contre les premières couches 152 (voir ).
- la portion déformée est configurée pour former avec le premier panneau de revêtement au moins une chambre de détente, de préférence au moins trois chambres de détente ;
- la portion déformée est fixée mécaniquement au premier panneau de revêtement au moyen d’un ou plusieurs rivets ;
- la portion déformée a un profil plié en lignes brisées, ou en lignes mixtes brisées-ondulées ;
- le panneau métallique incluant la portion déformée est constitué par un panneau de revêtement sélectionné parmi la pluralité de panneaux de revêtement ;
- le panneau métallique incluant la portion déformée est constitué par un panneau métallique supplémentaire fixé à l’extérieur du premier panneau de revêtement ;
- la pluralité de panneaux de revêtement comporte un premier panneau de revêtement latéral et un deuxième panneau de revêtement latéral qui sont liés l’un à l’autre en formant un coin et dans lequel le panneau métallique supplémentaire comporte une configuration angulaire et est agencé de manière que sa portion déformée est disposée autour du coin et est fixée aux premier et deuxième panneaux de revêtement latéraux.
En outre, le but susmentionné de la présente invention est également atteint par un convertisseur électrique, notamment pour un véhicule de transport, caractérisé en ce qu’il comporte au moins un coffre tel que mentionné ci-dessus.
En particulier, ce convertisseur électrique selon l’invention est de préférence un convertisseur de traction ou un convertisseur auxiliaire d’un véhicule ferroviaire.
Enfin, le but susmentionné de la présente invention est également atteint par un véhicule de transport caractérisé en ce qu’il comporte au moins un convertisseur électrique tel que mentionné ci-dessus.
D’autres aspects et avantages de l’invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit, donnée uniquement à titre d’exemple et faite en référence aux dessins annexés, parmi lesquels :
la est une vue illustrant un exemple possible d’un coffre métallique selon l’invention ;
la est une section verticale partielle du coffre de la , qui illustre schématiquement un exemple de réalisation possible d’un joint étanche utilisable dans un coffre métallique selon l’invention ;
la est une vue partielle de dessus qui illustre schématiquement un autre exemple de réalisation possible d’un joint étanche utilisable dans un coffre métallique selon l’invention.
Il est à noter que dans la description détaillée qui suit, les composants identiques ou similaires, du point de vue structurel et/ou fonctionnel, portent les mêmes références numériques, qu'ils soient représentés ou non dans des modes de réalisation différents de la présente description.
Il convient également de noter que, pour décrire de manière claire et concise la présente invention, les dessins ne sont pas nécessairement à l’échelle et que certaines caractéristiques peuvent être présentées sous une forme schématique.