Procédé de fabrication de puces électroniques (1) comprenant, dans l'ordre : la formation de contacts métalliques (19) du côté d'une première face d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés (13), chaque contact métallique s'étendant à l'aplomb d'au moins deux circuits intégrés voisins ; le dépôt d'une première résine de protection (21) sur les contacts métalliques (19) et la première face du substrat semiconducteur (11) ; la formation de premières tranchées (23) d'une première largeur (L3), du côté d'une deuxième face du substrat semiconducteur (11) opposée à la première face, les premières tranchées (23) s'étendant entre les circuits intégrés (13) sur toute l'épaisseur du substrat semiconducteur (11) ; le dépôt d'une deuxième résine de protection (25) dans les premières tranchées (23) et sur la deuxième face du substrat semiconducteur (11) ; la formation de deuxièmes tranchées (27), d'une deuxième largeur (L4) inférieure à la première largeur (L3), dans la deuxième résine de protection (25), en vis-à-vis des premières tranchées (23), les deuxièmes tranchées s'étendant jusqu'aux contacts métalliques (19) ; et la formation de troisièmes tranchées (29), d'une troisième largeur (L5) inférieure à la deuxième largeur (L4), en vis-à-vis des deuxièmes tranchées (27), les troisièmes tranchées traversant les contacts métalliques (19) de façon à individualiser les puces électroniques (1). Procédé selon la revendication 1, comprenant, après l'étape b., une étape de retrait d'une partie de l'épaisseur de la première résine de protection (21) de façon à découvrir les contacts métalliques (19). Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant, avant l'étape a., une étape de formation de plots de reprise de contact (17) du côté de la première face du substrat semiconducteur (11), les contacts métalliques (19) étant formés, lors de l'étape a., sur et en contact avec les plots de reprise de contact (17). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les contacts métalliques (19) ont une hauteur comprise entre 20 µm et 150 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la troisième largeur (L5) est inférieure à 20 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième largeur (L4) est comprise entre 30 µm et 310 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre, après l'étape a., une étape d'amincissement du substrat semiconducteur (11) par sa deuxième face. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite étape d'amincissement du substrat semiconducteur (11) est mise en oeuvre avant l'étape c.. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite étape d'amincissement du substrat semiconducteur (11) est mise en oeuvre après l'étape d.. Puce électronique (1) comportant un circuit intégré (13) formé dans et sur un substrat semiconducteur (11), les flancs du substrat étant revêtus par une deuxième résine de protection (25), la puce comportant au moins un contact métallique (19) disposé sur une première face du substrat semiconducteur (11) et s'étendant latéralement au-delà des flancs de la deuxième résine de protection (25). Puce (1) selon la revendication 10, dans lequel ledit au moins un contact métallique (19) présente une face de connexion plane s'étendant de façon continue en partie sous le substrat semiconducteur (11) et se prolongeant latéralement au-delà des flancs de la deuxième résine de protection (25).