INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les résidus floculés retiennent naturellement d’importantes quantités d’eau en leur sein et à la surface des matériaux traités (flocs). De tels traitements ne sont pas réceptifs à une déshydratation par compression efficace (fonction de la porosité réduite, déformation des flocs, etc., réduisant la conductivité hydraulique des systèmes). L’utilisation de la réticulation in-situ rend le polymère hydrosoluble sur la surface des flocs et à l’intérieur de la structure des flocs, insoluble (ou de solubilité limitée, en fonction de la combinaison de l’ionicité utilisée du polymère, de la fonctionnalité de l’agent de réticulation et de la dose), résultant en la génération de la ‘macrostructure’ mentionnée précédemment sur, dans et entre les matières solides floculées. Ladite structure, et l’ordre de résistance supplémentaire associé à cette forme de polymère, crée un système hautement compressible et poreux, ("comme une éponge") dans lequel le chargement entraîne une libération d’eau immédiate et significative et améliore la capture des fines, provoquée par l’immobilisation des particules à l’intérieur des flocs réticulés. À son tour, cela réduit considérablement le volume de matériau déposé en un temps plus court ; libère plus d’eau dans le processus plus rapidement et améliore considérablement l’immobilisation des matières solides dans le système traité (résistance au cisaillement physique).
Lesdits processus nécessitent souvent le transport des résidus traités par polymère sur des distances variables, ce qui entraîne un traitement du floculant sous-optimal (sous/sur-conditionnement de la boue). La réticulation in-situ des boues traitées avec des floculants anioniques conventionnels augmente considérablement la résistance physique du matériau traité, réduisant sa sensibilité à la dégradation physique et maintenant son efficacité dans des conditions d’exploitation plus larges. En plus de la résistance, la macrostructure polymère produite modifie avantageusement la manière selon laquelle la dégradation physique se produit. Dans le cas d’une floculation anionique conventionnelle, la forme et l’intégrité de n’importe quel floc donné entraînent une rupture asymétrique, entraînant la génération d’une large plage de plus petites tailles d’agrégats ultérieures ; celles-ci entravent, à leur tour, l’efficacité des processus tels que la consolidation, la conductivité hydraulique, le rejet des fines dans les eaux d’écoulement. La présence de la structure à haute résistance et de faible solubilité à travers et dans tout le système traité se traduit par une forme de nature structurelle ‘fractale’. Comme déjà indiqué, cela offre une plus grande résistance au cisaillement physique, mais en outre, lorsque la rupture des agrégats se produit, il en résulte des agrégats plus petits, qui conservent les propriétés physiques de l’ensemble..
Centrifugation Le polymère est généralement appliqué sur la boue immédiatement avant la centrifugeuse, les conditions de séparation solide/liquide étant extrêmement dures et de ‘courte durée’, ce qui entraîne souvent un conditionnement sous-optimal du polymère/de la suspension et des performances de centrifugeuse sous-optimales associées. De manière générale, on pense que la minimisation du temps de contact polymère/boue avant la centrifugeuse maintient une plus grande proportion de l’efficacité potentielle. Comme mentionné précédemment, l’utilisation d’un agent de réticulation in-situ offre de nombreuses caractéristiques avantageuses à la boue traitée par polymère, celles-ci étant améliorées :
- résistance des flocs à la dégradation physique ;
- porosité des flocs ;
Les parties du matériau de substitution déposées en dehors de ces espaces sont ensuite gravées, par exemple de manière isotrope, et sélectivement vis-à-vis des autres matériaux de l’empilement 104. Lorsque le matériau de substitution correspond à du SiCO, la gravure de ce matériau est obtenue en répétant successivement une étape d’exposition de ce matériau à un plasma transformant une partie du matériau de substitution en SiO X (oxyde de silicium), et une étape de gravure du SiO X . Le plasma utilisé ici correspond à un plasma comprenant du dioxygène de préférence réalisé dans un plasma de gravure à une pression comprise entre 80 mTorr, ou 10,67 Pa, et 100 mTorr, ou 13,33 Pa, de manière à limiter l’aspect directionnel du bombardement ionique mis en œuvre pour transformer une partie du matériau de substitution en SiO X . La gravure du SiO X peut correspondre à une gravure humide mise en œuvre avec une solution à base de HF et/ou une gravure sèche mise en œuvre avec un plasma à base de NH 3 /NF 3 (une telle gravure étant avantageuse car elle peut être mise en œuvre dans le même réacteur que celui servant à la transformation du SiCO en SiO X ). Le SiCO restant est soumis à un recuit à une température supérieure à 100°C. Ces étapes sont répétées successivement jusqu’à avoir gravé la profondeur de matériau souhaitée.
La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la , les portions du matériau de substitution déposé étant désignées par la référence 116.
Une gravure par plasma d’au moins une partie de la première portion 102 de silicium depuis au moins une face latérale de cette première portion 102 est ensuite mise en œuvre. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, cette gravure est mise en œuvre de manière à graver le silicium de la première portion 102 depuis deux faces latérales opposées l’une de l’autre, telle que les portions de silicium gravées soient localisées sous les portions du matériau de substitution précédemment réalisées et préserver ainsi la partie restante 114 du ou des agents de gravure utilisés pour graver le silicium de la première portion 102. La profondeur (dimension selon l’axe x sur la ) de silicium gravé est inférieure ou égale à celle avec laquelle le SiN de la deuxième portion 106 a été précédemment gravé. Cette gravure isotrope de silicium correspond par exemple à une gravure sèche mise en œuvre avec un plasma à base de CF 4 /N 2 /O 2 .
La structure obtenue à la fin de cette gravure du silicium est représentée sur la , la partie restante de silicium étant désignée par la référence 118.
Un procédé de gravure selon un deuxième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 4 à 6.
Comme dans le premier mode de réalisation, l’empilement 104 est réalisé tout d’abord sur le substrat 110. Le masque dur 112 est également présent sur l’empilement 104. Les variantes précédemment décrites en lien avec le premier mode de réalisation concernant la disposition des portions 102, 106 et 108 au sein de l’empilement 104 peuvent s’appliquer également à ce deuxième mode de réalisation.
Une gravure de toute la deuxième portion 106 est ensuite mise en œuvre depuis ses faces latérales. Bien que non représentés, d’autres éléments sont présents pour assurer le maintien de la portion 108 et du masque dur 112.
Le matériau de substitution est ensuite déposé dans l’emplacement formé par la précédente gravure, entre les première et troisième portions 102 et 108. Comme dans le premier mode de réalisation, le matériau de substitution est à base de SiC (par exemple du SiCO ou du SiBCN) ou correspond à du SiO 2 .
Les parties du matériau de substitution déposées en dehors de cet emplacement sont ensuite gravées, par exemple de manière isotrope, sélectivement vis-à-vis des autres matériaux de l’empilement 104, de manière similaire au premier mode de réalisation. La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la , la portion du matériau de substitution déposé entre les première et troisième portions 102 et 108 étant désignée par la référence 116.
Une gravure par plasma d’au moins une partie de la première portion 102 de silicium depuis au moins une face latérale de cette première portion 102 est ensuite mise en œuvre. Dans l’exemple décrit ici, cette gravure est ici mise en œuvre de manière à graver le silicium de la première portion 102 depuis deux faces latérales opposées l’une de l’autre, et correspond par exemple à une gravure sèche mise en œuvre avec un plasma à base de CF 4 /N 2 /O 2 .
La structure obtenue à la fin de cette gravure du silicium est représentée sur la , la portion restante de silicium étant désignée par la référence 118.
En variante des deux modes de réalisation précédemment décrits ici, il est possible que l’empilement 104 comporte d’autres portions de silicium, de SiN et de SiGe empilées sur et/ou sous les portions 102, 106 et 108, ou bien disposées entre les portions 102, 106 et 108. Dans ce cas, les différentes étapes du procédé de gravure s’appliquent également à ces autres portions afin que les différentes portions de silicium puissent être gravées sélectivement vis-à-vis des autres portions de l’empilement 104.
Lorsque la structure obtenue à l’issue de ce procédé de gravure est destinée à subir ultérieurement des étapes de nettoyage faisant appel à une solution d’acide fluorhydrique, le matériau de substitution est de préférence choisi parmi le SiCO et le SiBCN qui ne sont pas susceptibles d’être endommagés par une telle solution.
Ce procédé de gravure est particulièrement bien adapté pour graver sélectivement du silicium dans un empilement comportant différentes portions de SiN et de SiGe et utilisé pour la réalisation d’une mémoire de type 1T1R (c’est-à-dire dans lesquelles chaque élément mémoire, ou point mémoire, est couplé à un transistor d’accès) et à une structure 3D (c’est-à-dire comportant plusieurs niveaux superposés dans chacun desquels se trouve une matrice d’éléments mémoires).
Un procédé de réalisation d’une telle mémoire 100 selon un mode de réalisation particulier est décrit ci-dessous en lien avec les figures 7 à 33.
Un empilement 150 de matériaux est tout d’abord réalisé (voir ). Cet empilement 150 comporte plusieurs premières couches 152 de silicium destinées à la réalisation de nanofils de transistors d’accès de la mémoire 100. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les premières couches 152 comportent du silicium monocristallin.
Bien entendu, l’invention est également applicable à toute pièce structurelle comportant un arbre cannelé, en particulier un arbre cannelé creux.
Au moins une cannelure en retard peut être située sur ou à proximité de la ligne reliant l’arbre cannelé ou l’axe du porte-satellites, d’une part, et l’axe de support du satellite, d’autre part, et/ou au moins une cannelure en avance peut être éloignée de ladite ligne.
Une telle structure permet de disposer les cannelures en avance au niveau des zones comportant des cannelures qui sont passives dans le cas de l’art antérieur, et les cannelures en retard au niveau des zones comportant des cannelures qui sont actives dans le cas de l’art antérieur. De cette manière, il est possible de rendre active l’ensemble des cannelures, c’est-à-dire d’obtenir une bonne répartition des contraintes mécaniques sur l’ensemble des cannelures de l’arbre.
L’invention concerne également un train planétaire pour une turbomachine, comportant au moins un porte-satellites du type précité.
L’invention concerne également une turbomachine compotant un train planétaire du type précité. La turbomachine peut être un turboréacteur ou un turbopropulseur. La turbomachine peut être un turboréacteur à double flux. Le train planétaire est apte à former un réducteur de vitesse entre un arbre de turbine, par exemple un arbre de turbine basse pression, et un arbre destiné à entraîner une soufflante.
Brève description des figures est une demi-vue en coupe axiale d’une turbomachine de l’art antérieur,
est une demi-vue en coupe axiale d’une partie d’un réducteur de vitesse de l’art antérieur,
est une vue en perspective d’un porte-satellites d’un train épicycloïdal,
est une vue en coupe d’un accouplement entre l’arbre cannelé du porte-satellites et un arbre de sortie, relié à la soufflante,
est une vue de détail de la
est une vue schématique illustrant l’avance d’une cannelure
est une vue schématique illustrant le retard d’une cannelure,
est une vue schématique illustrant la variation de la différence entre le pas nominal et le pas modifié des cannelures, le long de la circonférence, ou la périphérie, dans le cas d’une variation de type sinusoïdale,
est une vue schématique illustrant la variation de la différence entre le pas des cannelures et le pas nominal, le long de la circonférence, ou la périphérie, dans le cas d’une variation par palier,
est une vue correspondant à la , illustrant une variation par paliers de la différence entre le pas modifié et le pas nominal des cannelures,
est une vue correspondant à la , illustrant ladite variation par palier de la différence entre le pas modifié et le pas nominal des cannelures.
Les étapes qui suivent sont réalisées pour chaque capteur 22a et 22b, et donc pour chaque température de référence (considérée individuellement) : le signal audio de dissipation est émis à chaque fois que l’une des températures de référence dépasse un seuil haut prédéfini.
Le procédé débute par une étape de départ E0.
Le capteur concerné 22 mesure la température de référence.
L’unité de traitement 15 acquiert les mesures de la température de référence, et compare la température de référence avec un seuil haut prédéfini (étape E1).
Le seuil haut prédéfini a été déterminé préalablement à la mise en service du boîtier décodeur 1, par exemple au cours d’essais thermiques et via des simulations réalisées en laboratoire lors de la conception du boîtier décodeur 1.
Si la température de référence est inférieure ou égale au seuil haut prédéfini, le procédé repasse à l’étape E1.
Si la température de référence est supérieure au seuil haut prédéfini, l’unité de traitement 15 fait appliquer le signal audio de dissipation en entrée du haut-parleur des graves 11a, qui génère le signal sonore de dissipation : étape E2.
Comme on l’a vu, le signal sonore de dissipation est inaudible pour un être humain.
Si le boîtier décodeur 1 était en train de diffuser un signal audio « utile » comprenant un contenu audio écouté par un utilisateur (par exemple le contenu audio d’un film), le signal audio de dissipation est mélangé avec le signal audio utile (et demeure inaudible par l’utilisateur).
L’unité de traitement 15 vérifie alors si la température de référence est passée sous un seuil bas prédéfini (qui a été déterminé de la même manière que le seuil haut prédéfini) : étape E3.
Si la température de référence est supérieure ou égale au seuil bas prédéfini, le procédé repasse à l’étape E2 : l’unité de traitement 15 continue à faire émettre le signal audio de dissipation.
Si la température de référence est inférieure au seuil bas prédéfini, l’unité de traitement stoppe la diffusion du signal audio de dissipation : étape E4. Le procédé repasse alors à l’étape E1.
En référence aux figures 3 et 4, on voit que les composants les plus sensibles à la température, c’est-à-dire en l’occurrence le processeur 18, le composant de mémoire DDR 19 et le composant de mémoire eMMC 20, sont positionnés dans le boîtier décodeur 1 en regard de la membrane 24 du haut-parleur des graves 11a.
Par « en regard », on entend qu’il n’y a pas d’obstacle entre chaque composant et la membrane.
Avantageusement, les composants les plus sensibles à la température sont positionnés en regard de la membrane 24, dans un espace délimité par un cylindre ayant pour axe un axe de la membrane 24 et un diamètre inférieur à trois fois le diamètre de la membrane 24.
Le déplacement d’air créé par le haut-parleur des graves 11a permet de favoriser la diffusion de la chaleur et donc sa répartition dans les blindages et réduit ainsi le point chaud au-dessus des composants les plus sensibles à la température. Le déplacement d’air permet donc de refroidir ces composants critiques, et donc d’assurer le bon fonctionnement du boîtier décodeur 1, sans brider les performances de celui-ci. La position de ces composants par rapport à la membrane 24 du haut-parleur des graves 11a permet d’optimiser la dissipation thermique au niveau de ces composants.
Un tel détecteur non refroidi associe généralement : – des moyens d’absorption du rayonnement thermique et de conversion de celui-ci en chaleur ; – des moyens d’isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s’échauffer sous l’action du rayonnement thermique ; – des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d’un détecteur micro-bolométrique, mettent en œuvre un élément résistif dont la résistance varie avec la température ; – et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie.
Les détecteurs destinés à l’imagerie thermique, ou infrarouge, sont classiquement réalisés sous la forme d’une matrice de détecteurs élémentaires, formant des points d’image ou pixels, selon une ou deux dimensions. Pour garantir l’isolation thermique des détecteurs, ces derniers sont suspendus au-dessus d’un substrat via des bras de soutien. Les moyens d’absorption et les moyens de thermométrie sont alors associés pour former une membrane montée en suspension au-dessus du substrat au moyen de plots sur lesquels sont fixés les bras de soutien.
Le substrat comporte usuellement des moyens d’adressage séquentiel des détecteurs élémentaires et des moyens d’excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés à partir de ces détecteurs élémentaires. Ce substrat et les moyens intégrés sont communément désignés par le terme « circuit de lecture ».
Dans le cas de détecteurs infrarouges utilisant des micro-bolomètres, les moyens de pré-traitement peuvent intégrer des micro-bolomètres dédiés à la compensation d’effets indésirables dégradant la qualité des signaux mesurés. Ces micro-bolomètres dédiés à la compensation sont appelés micro-bolomètres de référence. Un principe de mesure différentielle est alors généralement mis en œuvre, entre un micro-bolomètre sensible et un micro-bolomètre de référence.
Par exemple, la température du substrat influe sur les mesures fournies par la membrane. Pour compenser l’influence de la température du substrat sur les signaux issus des micro-bolomètres de détection, il est connu d’utiliser des micro-bolomètres de référence thermalisés, dont la membrane est connectée thermiquement avec le substrat.
La solution la plus simple pour connecter thermiquement la membrane avec le substrat consiste à conserver la couche sacrificielle, classiquement utilisée pour réaliser la membrane en suspension. Pour ce faire, un micro-bolomètre sensible est associé à un microbolomètre de référence clampé thermiquement.
La limite de ce concept est que le signal différentiel obtenu est le résultat, d’une part, d’un pixel sensible dont la variation de température est composée de la captation du flux incident et des autres sources de chaleur parasites, comme la température du substrat et, d’autre part, d’un pixel de référence dont la température est constante. Cette configuration n’est pas la plus favorable en termes de précision de mesure.
L’invention concerne plus spécifiquement les micro-bolomètres de référence dit aveugles qui permettent, en association avec les micro-bolomètres de détection, la mesure différentielle d’une variation de température au moyen d’un matériau thermométrique présent à la fois dans les micro-bolomètres de détection et les micro-bolomètres aveugles.
La variation de température détectée par le matériau thermométrique est issue de plusieurs facteurs : le flux utile à détecter, l’auto-échauffement inhérent au mode de lecture, et les flux parasites. Dans le but d’améliorer la précision de mesure, l’écrantage des micro-bolomètres aveugles vise à compenser de manière efficace toute autre source de variation de température autre que celle issue du flux utile à détecter, entre les micro-bolomètres de détection et ceux de compensation. Selon cette approche, ces deux types de micro-bolomètres présentent préférentiellement les mêmes propriétés thermiques et électriques de sorte à garantir la précision de la mesure.
Ces micro-bolomètres aveugles intègrent classiquement une membrane présentant les mêmes propriétés thermiques et électriques que la membrane des micro-bolomètres de détection. Ils intègrent, en outre, un écran d’occultation placé au-dessus de la membrane de sorte à bloquer les rayonnements infrarouges.
Tel que décrit dans les documents FR 2966596, FR 3082385 et US 2017/191868, l’écran d’occultation comporte classiquement une couche de réflexion métallique, par exemple une couche d’or, de platine, d’aluminium, de nickel et/ou de titane, permettant de bloquer les rayonnements infrarouges. Cette couche de réflexion peut être montée sur une structure porteuse formée par des pieds entourant la membrane, tel que décrit dans le document US2017/191868. En variante, la couche de réflexion peut être posée sur une structure porteuse comportant des pieds entourant la membrane et une plaque de support s’étendant au-dessus de la membrane, tel que décrit dans les documents FR 2966596 et FR 3082385.
Les pieds sont classiquement réalisés à base de silicium, par exemple en silicium amorphe ou en métal. Pour ce faire, une couche sacrificielle en polyimide est déposée sur un micro-bolomètre de sorte à recouvrir la membrane et le substrat autour de la membrane de ce micro-bolomètre. Des ouvertures sont réalisées dans cette couche sacrificielle autour de la membrane jusqu’à atteindre le substrat. Les matériaux à base de silicium ou de métal sont déposés dans ces ouvertures pour former les pieds de la structure porteuse, et éventuellement sur la couche sacrificielle entre les ouvertures pour former la plaque de support de la couche de réflexion. La couche de réflexion est ensuite déposée sur le matériau à base de silicium ou directement sur la couche sacrificielle.
Cette méthode de réalisation permet d’obtenir une structure porteuse avec une résistance mécanique suffisante pour garantir le support de l’écran d’occultation.
Cependant, la structure porteuse n’est pas optimisée, limitant la densité d’intégration des micro-bolomètres aveugles en raison de l’espace nécessaire pour placer les pieds de la structure porteuse de part et d’autre de la membrane. En effet, les pieds de la structure porteuse ainsi formée présentent classiquement une largeur supérieure à 4 micromètres.
Par ailleurs, compte tenu de la méthode de réalisation utilisée, la structuration de cette structure porteuse ne permet pas un compromis optimal entre la libération des couches sacrificielles et la qualité de l’écrantage.
En effet, pour éliminer la couche sacrificielle de formation de la structure porteuse et de l’écran d’occultation, et potentiellement de la couche sacrificielle de formation de la membrane en même temps, il est nécessaire de réaliser des évents de libération dans l’écran d’occultation ou dans la structure porteuse. La libération effective est ensuite obtenue par retrait des couches sacrificielles à travers les évents de libération réalisés. Classiquement, cette libération met en œuvre une gravure par plasma oxygéné pour retirer les couches sacrificielles réalisées en polyimide. Pour obtenir un retrait rapide et efficace des couches sacrificielles, les évents de libération sont classiquement réalisés au sein de l’écran d’occultation, tel que décrit dans le document JP 2011/232157.
Procédé de construction d’une image mosaïque, dispositif et programme d’ordinateur correspondant. Domaine de l'invention L'invention se rapporte à une technique de traitement d'images issues d'un dispositif de captation d'images d'un organe creux. Plus particulièrement, l'invention se rapporte à la construction d'une image résultante d'une combinaison d'une pluralité d'images issues d'un dispositif de captation, tel qu'un endoscope, se trouvant au sein d'un organe creux.
Art antérieur Dans le domaine médical, les endoscopes jouent un rôle essentiel pour l’inspection des organes creux et des cavités du corps. Ils fournissent des images à haute résolution avec des couleurs et textures naturelles requises pour un diagnostic, le suivi des patients et les interventions chirurgicales.