Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant les étapes successives suivantes : a) reporter un empilement actif de diode photosensible inorganique (103) sur un circuit intégré de contrôle (151) préalablement formé dans et sur un premier substrat semiconducteur ; et b) former une pluralité de diodes électroluminescentes organiques (L1, L2, L3 ; L4) sur l'empilement actif de diode photosensible. Procédé selon la revendication 1, comprenant la formation d'une pluralité de diodes photosensibles (D1) dans l'empilement actif de diode photosensible (103). Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant, après l'étape a) et avant l'étape b), la formation de vias conducteurs de reprise de contact (127(a), 127(b), 127(c), 127(d)) traversant l'empilement actif de diode photosensible (103) et débouchant sur des plots métalliques de connexion (153) du circuit intégré de contrôle (151). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à l'étape a), l'empilement actif de diode photosensible (103) est fixé sur le circuit intégré de contrôle (151) par collage direct d'une couche diélectrique (105) préalablement déposée sur l'empilement actif de diode photosensible (103), avec une couche diélectrique (155) préalablement déposée sur le circuit intégré de contrôle (151). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, après l'étape b), la formation de filtres optiques ou d'éléments de conversion de couleur (165-1, 165-2, 165-3) au-dessus des diodes électroluminescentes organiques (L1, L2, L3 ; L4). Procédé selon la revendication 5 dans son rattachement à la revendication 2, dans lequel lesdites diodes électroluminescentes organiques (L1, L2, L3, L4) sont des diodes monochromatiques de même couleur, au moins une (L1, L2) desdites diode électroluminescentes organiques étant surmontée d'un élément de conversion photoluminescent (165-1, 165-2) adapté à convertir la lumière émise par la diode vers une longueur d'onde visible et au moins une autre (L4) desdites diode électroluminescentes organiques (L4) étant surmontée d'un élément de conversion photoluminescent (167) adapté à convertir la lumière émise par la diode en un rayonnement lumineux dans la gamme de longueurs d'ondes détectée par lesdites diodes photosensibles (D1), de préférence un rayonnement infrarouge. Procédé selon la revendication 6, dans lequel au moins une (L3) desdites diodes électroluminescentes organiques n'est pas surmontée par un élément de conversion photoluminescent. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel lesdites diodes électroluminescentes organiques (L1, L2, L3, L4) sont adaptées à émettre majoritairement de la lumière bleue. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel lesdits éléments de conversion photoluminescents (165-1, 165-2, 167) sont réalisés à base de boîtes quantiques ou de matériaux pérovskites. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, à l'issue de l'étape a), l'empilement actif de diode photosensible (103) s'étend de façon continue sur toute la surface du circuit de contrôle (151). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'empilement actif de diode photosensible (103) comprend au moins une couche semiconductrice en un matériau III-V. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'empilement actif de diode photosensible (103) comprend des première (103a), deuxième (103b) et troisième (103c) couches semiconductrices, la deuxième couche (103b) étant disposée entre les première (103a) et troisième (103c) couches, et la troisième couche (103c) étant disposée du côté du circuit intégré de contrôle (151) à l'issue de l'étape a). Procédé selon la revendication 12, comprenant une étape de dopage de type P de portions localisées (113) de la première couche (103a), lesdites portions définissant des régions d'anode de diodes photosensibles (D1) du dispositif. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ladite étape de dopage de type P de portions localisées (113) de la première couche (103a) est mise en oeuvre après l'étape a) et avant l'étape b). Procédé selon la revendication 14, comprenant en outre, après ladite étape de dopage de type P de portions localisées (113) de la première couche (103a) et avant l'étape b), une étape de formation de métallisations de connexion (115) sur et en contact avec lesdites portions localisées (113) de la première couche (103a). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, comportant, après l'étape b), une étape de fixation d'un substrat de support temporaire (210) du côté d'une face du dispositif opposée au circuit intégré (151), suivie d'une étape de découpe de l'ensemble comportant le circuit intégré (151), l'empilement actif de diode photosensible (103) et les diodes électroluminescentes organiques (L1, L2, L3 ; L4) en une pluralité de puces élémentaires (232). Procédé selon la revendication 16, comportant en outre une étape de transfert et de fixation desdites puces élémentaire (232) sur un substrat de report (250) du dispositif, puis une étape de retrait du substrat de support temporaire (210). Dispositif optoélectronique comportant, dans l'ordre, un circuit intégré de contrôle (151) formé dans et sur un substrat semiconducteur, un étage de photodétection (201) comportant au moins une diode photosensible inorganique (D1), et un étage d'émission (203) comportant au moins une diode électroluminescente organique (L1, L2, L3 ; L4). Dispositif optoélectronique comportant un substrat de report (250), et une pluralité de puces élémentaires (232) fixées et connectées électriquement au substrat de report (250), chaque puce élémentaire (232) comprenant un dispositif selon la revendication 18, le circuit intégré de contrôle (151) étant disposé du côté du substrat de report (250). Système comportant un dispositif optoélectronique (300) selon la revendication 19, et une source lumineuse adaptée à émettre un rayonnement lumineux dans la gamme de longueurs d'ondes détectée par lesdites diodes photosensibles inorganiques (D1), de préférence un rayonnement infrarouge. Système selon la revendication 20, dans lequel la source lumineuse est une source déportée (310). Système selon la revendication 20, dans lequel la source lumineuse est intégrée au dispositif optoélectronique (300) et comprend au moins une diode électroluminescente organique (L4) de l'étage d'émission du dispositif optoélectronique (300).