Procédé de dépôt de couche mince de nitrure de titane TiN nanostructurée sur un substrat, caractérisé en ce qu’il comprend : - une première étape de pulvérisation cathodique réactive à température ambiante dans une enceinte sous vide comprenant un gaz réactif, un gaz inerte, le substrat et une cathode cible ; - une deuxième étape de gravure humide de la couche de nitrure de titane déposée lors de la première étape, la gravure humide comprenant l’application d’une solution à base de peroxyde d’hydrogène, afin d’obtenir une couche mince de nitrure de titane TiN de coloration contrôlée de type noire, liée à une nano-structuration dans la couche mince de nitrure de titane TiN ; la pulvérisation cathodique réactive étant effectuée lors de la première étape : avec une décharge fournie par un générateur de courant continu, le gaz réactif étant composé d’azote, avec un débit déterminé de gaz inerte et de gaz réactif entrant dans l’enceinte, un ratio déterminé de gaz inerte et de gaz réactif, une pression déterminée dans l’enceinte et une puissance déterminée du générateur de courant continu, afin d’obtenir lors de la deuxième étape, la nano-structuration permettant la coloration contrôlée de type noire, différente de la coloration obtenue lors de la première étape. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lors de la deuxième étape de gravure humide de la couche de nitrure de titane, la solution à base de peroxyde d’hydrogène est appliquée pendant un temps compris entre 10 secondes et 20 minutes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que la couche mince de nitrure de titane nanostructurée TiN par gravure humide présente des nano-fils verticaux. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche mince de nitrure de titane nanostructurée TiN présente une réflectivité inférieure à 25% pour des longueurs d’ondes comprises entre 100 nm et 900 nm, de préférence inférieure à 18%, et encore plus préférentiellement inférieure à 8%. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la pression déterminée au sein de l’enceinte lors de la première étape est comprise entre 0,0034 mbar et 1 mbar. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le ratio déterminé de gaz inerte et de gaz réactif au sein de l’enceinte lors de la première étape est compris entre 0,2 et 2. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le gaz inerte est un gaz rare ou une combinaison de gaz rares. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le débit déterminé entrant dans l’enceinte lors de la première étape est compris entre 10 sccm et 52 sccm pour le gaz inerte ; et est compris entre 0 sccm et 36 sccm pour le gaz réactif. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la puissance déterminée du générateur de courant continu est comprise entre 200 W et 800 W. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la pression déterminée au sein de l’enceinte lors de la première étape est comprise entre 0,0034 mbar et 1 mbar ; et le ratio déterminé de gaz inerte et de gaz réactif au sein de l’enceinte lors de la première étape est compris entre 0,2 et 2 ; et le débit déterminé entrant dans l’enceinte lors de la première étape est compris entre 10 sccm et 52 sccm pour le gaz inerte, et est compris entre 0 sccm et 36 sccm pour le gaz réactif ; et la puissance déterminée du générateur de courant continu est comprise entre 200 W et 800 W. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que lors de la deuxième étape de gravure humide de la couche de nitrure de titane, la solution à base de peroxyde d’hydrogène est appliquée à une température inférieure à 70°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la solution à base de peroxyde d’hydrogène présente une concentration en peroxyde d’hydrogène comprise entre 20% et 40%, et plus particulièrement comprise entre 25% et 35%, de préférence égale à 30%. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le substrat est choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le diamant, les verres, les matériaux polymères, les métaux, les isolants, un substrat compatible CMOS et autres types de substrats supportant le dépôt par pulvérisation cathodique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu’il comprend une étape de lithographie permettant la définition de structure en TiN, avant l’étape de gravure humide pour la nanostructuration. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que la couche mince de nitrure de titane présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 7 microns, et de préférence entre 100 nm et 1 micron. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre une étape de dépôt de matériau sur la couche mince de nitrure de titane TiN nanostructurée obtenue à la deuxième étape. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le matériau déposé est une couche mince de diamant. Procédé selon l’une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que les étapes du procédé sont répétables individuellement ou en combinaison. Substrat obtenu selon l’une quelconque des revendications 1 à 18, comprenant une couche mince de nitrure de titane nano-structurée TiN de coloration contrôlée de type noire. Substrat selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche mince de nitrure de titane nano-structurée TiN présente des nano-fils verticaux. Substrat selon l’une des revendications 19 à 20, caractérisé en ce que le substrat est souple. Substrat selon l’une des revendications 19 à 21, caractérisé en ce que la réflectivité de la couche mince de nitrure de titane nanostructurée TiN est inférieure à 25% pour une longueur d’onde comprise entre 100 nm et 900 nm, de préférence inférieure à 18%, et de préférence inférieure à 10% et encore plus préférentiellement inférieure à 8%. Substrat selon l’une des revendications 19 à 22, caractérisé en ce que la couche mince de nitrure de titane nanostructurée TiN présente une résistivité comprise entre 0,508 µΩ.cm et 9,14 µΩ.cm. Utilisation d’un substrat selon l’une quelconque des revendications 19 à 23, pour l’optique, la photonique, l’électronique, l’électrochimie, la joaillerie, l’horlogerie, le médical. Microélectrode comprenant une couche mince de nitrure de titane nanostructurée TiN de coloration contrôlée de type noire obtenue par le procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 18.