Dispositif électronique (12) comprenant un empilement de couches (14) empilées selon une direction d’empilement (Z), l’empilement de couches (14) comprenant : - une première électrode (16), comprenant au moins un contact électrique (C5), - un sous-ensemble ferroélectrique (18), le sous-ensemble ferroélectrique (18) étant en contact avec la première électrode (16) et présentant une polarisation ferroélectrique pouvant prendre plusieurs états, - un sous-ensemble de polarisation en spin (22), le sous-ensemble de polarisation en spin (22) étant propre à polariser en spin un courant passant au travers du sous-ensemble de polarisation en spin (22), au moins une couche du sous-ensemble de polarisation en spin (22) étant en matériau ferromagnétique ou ferrimagnétique, - un sous-ensemble d’interfaçage (20) disposé entre le sous-ensemble ferroélectrique (18) et le sous-ensemble de polarisation en spin (22), le sous-ensemble d’interfaçage (20) étant propre à assurer l’interconversion du courant polarisé en spin en courant de charge, en fonction de l’état de polarisation ferroélectrique du sous-ensemble ferroélectrique (18), le sous-ensemble ferroélectrique (18) et le sous-ensemble d’interfaçage (20) présentant respectivement une partie superposée (30, 34) selon la direction d’empilement (Z) avec le sous-ensemble de polarisation en spin (22) et une partie non superposée (32, 36) avec le sous-ensemble de polarisation en spin (22), au moins un sous-ensemble parmi le sous-ensemble d’interfaçage (20) et le sous-ensemble ferroélectrique (18) comportant une couche conductrice apte à former une électrode intermédiaire (26), cette électrode intermédiaire (26) comprenant un contact (C1) électrique de lecture de l’état de polarisation du sous-ensemble ferroélectrique (18), et - une deuxième électrode (24) comprenant au moins deux contacts (C2, C3, C4) électriques de lecture de l’état de la polarisation du sous-ensemble ferroélectrique (18), les contacts (C2, C3, C4) s’étendant chacun selon une direction principale respective, au moins deux directions principales étant non parallèles entre elles, la deuxième électrode (24) délimitant le sous-ensemble de polarisation en spin (22), le contact (C5) de la première électrode (16) permettant de modifier l’état de polarisation ferroélectrique du sous-ensemble ferroélectrique (18) par application d’une différence de potentiel entre ce contact (C5) et au moins l’un des contacts (C2, C3, C4) de la deuxième électrode (24) ou d’une différence de potentiel entre ce contact (C5) et le contact (C1) de l’électrode intermédiaire (26). Dispositif selon la revendication 1 dans lequel le sous-ensemble d’interfaçage (20) comprend au moins : - une couche en métal ou une barrière tunnel ou une couche à effet spin orbite, lorsque le sous-ensemble ferroélectrique (18) est tout ou partie conducteur ou semiconducteur, ou - une couche en métal ou une barrière tunnel ou une couche à effet spin-orbite ou un gaz bidimensionnel d’électrons lorsque le sous-ensemble ferroélectrique (18) est isolant. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le sous-ensemble ferroélectrique (18) comprend au moins une couche ferroélectrique semi-conductrice ou une couche ferroélectrique en matériau bidimensionnel conductrice ou semi-conductrice, ledit sous-ensemble d’interfaçage (20) étant confondu avec le sous-ensemble ferroélectrique (18) et comportant ladite au moins couche. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième électrode (24) est une couche positionnée sur le sous-ensemble de polarisation en spin (22). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième électrode (24) et le sous-ensemble de polarisation en spin (22) sont confondus. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième électrode (24) comporte au moins trois contacts (C2, C3, C4). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel deux contacts (C2, C4) de la deuxième électrode (24) s’étendent selon des directions principales parallèles, le troisième contact (C3) de la deuxième électrode (24) s’étendant selon une direction principale sensiblement perpendiculaire à la direction principale des deux autres contacts (C2, C4) de la deuxième électrode (24). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les directions principales de chaque contact (C1, C2, C3, C4) de l’électrode intermédiaire (26) et de la deuxième électrode (24) sont toutes perpendiculaires à la direction d’empilement (Z). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le contact (C5) de la première électrode est soit dans une direction perpendiculaire à la direction d’empilement (Z) soit dans une direction sensiblement parallèle à la direction d’empilement (Z). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le sous-ensemble d’interfaçage (20) comporte au moins un élément parmi un métal, un semi-métal de Weyl, un matériau bidimensionnel, un dichalcogénure de métaux de transition et un isolant topologique. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le sous-ensemble d’interfaçage (20) comprend une barrière en un matériau isolant, notamment un oxyde. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le sous-ensemble de polarisation en spin (22) comporte un alliage métallique ferromagnétique ou ferrimagnétique, un oxyde ferromagnétique ou ferrimagnétique, un semiconducteur magnétique, un élément ferromagnétique ou ferrimagnétique composite à plusieurs couches ferromagnétiques ou ferrimagnétiques et métalliques, un alliage d’Heusler ou un alliage ferromagnétique ou ferrimagnétique à base de terres rares. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le sous-empilement ferroélectrique (18) comprend un matériau ferroélectrique choisi parmi : - un matériau de structure pérovskite de type ABO 3 avec A et B des cations, - du (Hf 1-x Zr x )O 2 , du (Hf 1-x Ga x )O 2 où x est compris entre 0 et 1, ou du HfO 2 dopé avec d’autres éléments tels que le Zr ou le Ga, ou leurs alliages, - du poly(fluorure de vinylidène), - un semiconducteur ferroélectrique, et - un matériau ferroélectrique bidimensionnel. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel les contacts (C1, C2, C3, C4) réalisent la lecture de l’état de polarisation du sous-ensemble de polarisation en spin (22) par application d’une tension de lecture entre deux contacts dits de lecture choisis parmi le contact (C1) de l’électrode intermédiaire (26) et les contacts (C2, C3, C4) de la deuxième électrode (24) et en mesurant la tension entre deux des autres contacts dits de lecture ou entre un desdits autres contacts dits de lecture et un potentiel de référence. Système comportant un dispositif électronique (12) selon l’une quelconque des revendications 1 à 14.