INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dépôt du ou des matériaux conducteurs de grille 126 forment également les lignes de mot 109 qui relient électriquement entre elles les grilles des transistors d’accès 103 localisés dans un même niveau de la mémoire 100 et dans une même ligne 3D de la mémoire 100.
Les portions des couches 176 et 178 présentes dans les premières cavités dans lesquelles les premières portions électriquement conductrices 116 sont destinées à être réalisées sont ensuite gravées, et une étape d’épitaxie de régions de source et de drain est mise en œuvre pour former une des régions de source et de drain 198 de chaque transistors d’accès 103.
La mémoire 100 est ensuite achevée comme dans l’exemple de réalisation précédemment décrit, en réalisant notamment les premières portions électriquement conductrices 115, les éléments mémoires 101 et les deuxièmes portions électriquement conductrices 117 (voir ).
PROCEDE DE REALISATION DE PORTIONS DIELECTRIQUES LATERALES L’invention concerne la réalisation d’au moins une portion diélectrique latérale contre au moins un flanc d’une structure. L’invention s’applique avantageusement à la réalisation d’espaceurs de grille pour des transistors à effet de champ.
État de la technique antérieure L’utilisation de substrat de type semi-conducteur sur isolant, notamment SOI (« Silicon On Insulator » en anglais »), pour réaliser des transistors à effet de champ permet, grâce à la faible épaisseur de la couche superficielle de semi-conducteur d’un tel substrat (épaisseur par exemple inférieure ou égale à 10 nm), de réaliser des transistors très performants. Cette faible épaisseur de la couche superficielle de semi-conducteur rend toutefois critiques certaines étapes de fabrication des transistors. Par exemple, la mise en œuvre d’une implantation ionique dans le semi-conducteur de cette couche peut le rendre amorphe, ce qui se traduira par la présence de défauts dans du semi-conducteur formé par épitaxie depuis ce semi-conducteur amorphe. Il est donc important de contrôler le mieux possible l’épaisseur de la couche superficielle, et notamment d’éviter toute réduction involontaire de celle-ci.
Une étape critique qu’il convient de maîtriser pour éviter toute consommation de semi-conducteur de la couche superficielle est la formation des espaceurs sur les parois latérales, ou flancs, de la grille des transistors. Les espaceurs d’un transistor sont généralement obtenus en réalisant tout d’abord un dépôt conforme, c’est-à-dire sous la forme d’une couche d’épaisseur sensiblement constante sur l’ensemble des parois sur lesquelles la couche est déposée, du ou des matériaux diélectriques des espaceurs. De manière classique, une couche de SiN est ainsi déposée pour la réalisation des espaceurs. Cette couche recouvre la grille, à la fois sur son sommet et contre ses flancs, et est également déposée à côté de celle-ci. Une première gravure anisotrope de la couche de SiN est ensuite réalisée, supprimant ainsi une grande partie des portions de cette couche se trouvant sur le sommet de la grille et à côté de celle-ci. Une étape de sur-gravure (« Overetch » en anglais) sélective vis-à-vis du semi-conducteur présent sous la grille est ensuite mise en œuvre pour achever la réalisation des espaceurs, c’est-à-dire supprimer complètement la portion de SiN recouvrant le sommet de la grille et celles se trouvant à côté des portions latérales de SiN recouvrant les flancs de la grille. Les portions de SiN restantes à l’issue de cette gravure sont celles disposées contre les parois latérales de la grille et qui forment les espaceurs.
La dernière étape de sur-gravure est critique. En effet, si cette étape est mise en œuvre pendant une durée trop longue, le semi-conducteur présent sous les espaceurs peut être en partie gravé. Au contraire, si cette étape est stoppée prématurément pour éviter tout risque de consommation du semi-conducteur se trouvant sous les espaceurs, des portions de SiN présentes au pied des espaceurs, appelées pieds de gravure, peuvent ne pas être gravées. Des jonctions moins abruptes à la base des espaceurs sont alors obtenues, ce qui est préjudiciable à la définition précise des dimensions critiques des transistors.
Le document FR 3 000 601 A1 propose un procédé pour améliorer le contrôle de la gravure de la couche de SiN grâce à une étape de modification, par implantation d’ions légers, d’une partie de l’épaisseur du SiN à supprimer, puis une gravure sélective du SiN ainsi modifié.
Les documents FR 3 076 068 A1 et FR 3 091 002 A1 proposent d’autres procédés pour améliorer le contrôle de la gravure d’une couche de SiN, faisant notamment appel à des solutions de gravure à base de SiCl 4 .
Parallèlement à l’amélioration de la gravure, il a été proposé de faire appel à d’autres matériaux que le SiN pour la réalisation des espaceurs, dans le but d’améliorer les performances des transistors. Ainsi, afin de réduire les capacités de couplage à travers les espaceurs, il est possible de réaliser ces espaceurs avec du SiCO ou du SiBCN, poreux ou non, dont la constante diélectrique est plus faible que celle du SiN. Par contre, la gravure de ces matériaux est également problématique car ils sont bien plus sensibles aux plasmas de gravure utilisés. Par exemple, l’utilisation d’un plasma de gravure de type CH 3 F/He/O 2 modifie ces matériaux, engendrant une augmentation de leur constante diélectrique et pouvant également conduire à un retrait de ces matériaux lors d’étapes ultérieures de nettoyage. En outre, les procédés de gravure améliorée indiqués ci-dessus ne sont pas adaptés à la gravure de tels matériaux.
Les problèmes énoncés ci-dessus sont rencontrés en particulier lors de la réalisation d’espaceurs de grille de transistors à effet de champ, notamment de type MOSFET, mais également dans tout procédé de réalisation de portions diélectriques latérales à base de SiC disposées contre des parois latérales de structures via une gravure d’au moins une couche de ce ou ces matériaux.
Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d’au moins une portion diélectrique latérale à base de SiC contre au moins un flanc d’une structure reposant sur un substrat et ne présentant pas au moins une partie des inconvénients des procédés de gravure de l’art antérieur précédemment décrits, c’est-à-dire qui soit adapté à la réalisation d’une ou plusieurs portions latérales comprenant un matériau diélectrique à base de SiC tout en réduisant ou supprimant le risque de gravure non-volontaire du substrat lors de la réalisation de la ou des portions diélectriques latérales.
Lors d’une troisième étape du procédé, l’air circule dans le canal de circulation d’air 10 de la base 2 jusqu’à la première ouverture 24 du tuyau 4, au moyen du dispositif de ventilation 16. On comprend par ailleurs que lors de la troisième étape, le produit isolant en vrac traverse le canal de circulation du produit isolant 12 jusqu’à la première ouverture 24 du tuyau 4. L’utilisateur peut être amené à régler l’organe de contrôle de débit 18, pour convenir d’une teneur en produit isolant en vrac pour un débit d’air donné, et donc permettre l’obtention en sortie de la machine de soufflage d’un isolant plus ou moins compact.
A une quatrième étape, le mélange formé par l’air et le produit isolant en vrac est projeté dans l’espace 22 du tuyau 4 au moyen de l’air circulant à haut débit et mis sous pression par le dispositif de ventilation 16. Le produit isolant en vrac est ainsi transporté depuis la première ouverture 24 du tuyau 4 vers sa deuxième ouverture 28 afin d’être pulvérisé dans une zone du bâtiment à isoler. On comprend que lors de la quatrième étape du procédé, l’orifice d’évacuation 32 permet d’évacuer une partie de l’air circulant dans l’espace 22 en dehors du tuyau 4 afin de limiter le débit du mélange en sortie du tuyau par la deuxième ouverture 28, permettant à l’utilisateur de mieux contrôler la répartition du produit isolant dans la zone à isoler de l’habitation.
Au cours de cette quatrième étape, l’utilisateur qui dirige le tuyau en direction de la zone à isoler peut recouvrir les orifices d’évacuation, et dans ce cas intégralement ou partiellement, pour réduire ponctuellement le débit d’air en sortie de la machine de soufflage et donc la puissance de projection du produit isolant en vrac. L’utilisateur peut ainsi ajuster le fonctionnement de la machine de soufflage sans pour autant devoir modifier le débit d’air en entrée de la machine de soufflage.
Telle qu’elle vient d’être décrite, aussi bien par la description de la machine de soufflage que par la description du procédé d’utilisation, l’invention permet, par des moyens simples à mettre en œuvre, de proposer une opération de soufflage de produit isolant en vrac qui puisse s’adapter à des environnements confinés dans lesquels le produit isolant en vrac doit être déposé en évitant de soulever trop de poussière lors de la projection et/ou qui puisse proposer des isolations dans lesquelles le produit isolant en vrac n’est pas trop compacté sous l’effet d’une pression d’air trop importante.
Tuyau d’une machine de soufflage. La présente invention concerne une machine de soufflage pour un produit isolant en vrac, tel que de la laine de verre, laine de roche, ouate de cellulose, fibres de coton ou tous autres matériaux similaires, la machine de soufflage comprenant un tuyau de projection dudit produit isolant en vrac.
La présente invention a donc pour but de palier aux inconvénients évoqués ci-dessus en proposant des moyens simples et applicables aux machines de soufflage existantes, permettant d’augmenter la maniabilité du tuyau ainsi que la précision de l’épandage du produit isolant en vrac dans la zone à isoler de l’habitation.
L’invention porte donc sur un tuyau de transport d’un produit d’isolation en vrac pour une machine de soufflage du produit isolant, le tuyau s’étendant suivant une direction d’allongement principal longitudinale et comprenant au moins une paroi cylindrique qui délimite un espace configuré pour la circulation au moins du produit isolant en vrac, la paroi cylindrique comprenant au moins une première portion d’extrémité et une deuxième portion d’extrémité opposées l’une de l’autre suivant la direction longitudinale, le tuyau étant caractérisé en ce que la paroi cylindrique comprend une pluralité de tronçons entre sa première portion d’extrémité et sa deuxième portion d’extrémité, au moins deux des tronçons comprenant chacun au moins un orifice d’évacuation de manière à former au moins deux tronçons percés, le tuyau comprenant au moins deux moyens d’obturation mobiles en translation suivant la direction longitudinale autour de la paroi cylindrique, chacun des moyens d’obturation étant apte à recouvrir spécifiquement un des tronçons percés.
La machine de soufflage peut être utilisée pour projeter le produit isolant en vrac, par exemple de la laine de verre, dans une zone à isoler d’une habitation, par exemple des combles. De manière plus précise, le tuyau de la machine de soufflage permet la pulvérisation d’un mélange fait de l’air sous pression et du produit isolant dans la zone à isoler, le mélange étant opéré dans une base de la machine de soufflage. De manière plus précise, l’air sous pression dans le tuyau permet de projeter le produit isolant en vrac depuis la première portion d’extrémité de la paroi cylindrique du tuyau jusqu’au moins la deuxième portion d’extrémité de la paroi cylindrique du tuyau formant respectivement l’entrée et la sortie du tuyau, en direction de la zone à isoler de l’habitation.
L’au moins un orifice d’évacuation de chacun des aux moins deux tronçons percés permet alors le passage d’air depuis l’intérieur du tuyau vers l’extérieur dudit tuyau afin de diminuer la pression et le débit d’air dans le tuyau et ainsi ajuster le débit de sortie du mélange sans pour autant modifier le débit d’air dans la base de la machine de soufflage. A cet effet, l’au moins un orifice d’évacuation de chacun des aux moins deux tronçons percés est configuré pour déboucher aussi bien sur l’intérieur du tuyau que sur l’extérieur du tuyau. Le fait de diminuer le débit de sortie permet notamment d’éviter le soulèvement de poussières pouvant être présentes dans la zone à isoler, et/ou d’éviter que le produit isolant en vrac projeté ne soit trop compacté dans l’isolant final, sous l’effet d’une pression trop importante de l’air projeté simultanément au produit isolant en vrac et l’invention permet d’obtenir ces avantages sans diminuer le débit d’air en entrée de la machine de soufflage, ce qui aurait pour effet de faire circuler le produit isolant en vrac au sein du tuyau avec une vitesse insuffisante pour une projection correcte en bout de tuyau.
Selon l’invention, chacun des moyens d’obturation est apte à recouvrir spécifiquement l’un des tronçons percés, ce qui signifie que chaque moyen d’obturation est associé à l’un des tronçons percés. Une position de dégagement d’un moyen d’obturation implique qu’il ne recouvre aucun des tronçons percés et une position de recouvrement de ce moyen d’obturation implique qu’il ne recouvre que le tronçon percé qui lui est associé. De la sorte, chaque moyen d’obturation n’a d’effet que sur le tronçon percé qui lui est associé pour moduler le passage d’air au travers des orifices d’évacuation, notamment en autorisant son passage ou en bloquant son passage au travers de l’orifice d’évacuation. La multiplicité des moyens d’obturation et le fait qu’ils soient spécifiquement associés à un tronçon percé permet à l’utilisateur du tuyau d’adapter finement le débit et la pression de l’air dans le tuyau et donc la puissance de projection du produit isolant en vrac, en recouvrant ou non l’intégralité des tronçons percés en fonction du nombre de moyens d’obturation déplacés.
Selon une caractéristique de l’invention, au moins deux des tronçons sont des tronçons de dégagement distincts des tronçons percés, chaque moyen d’obturation étant apte à prendre une position de recouvrement dans laquelle il est en regard d’un des tronçons percés et une position de dégagement dans laquelle il est en regard d’un des tronçons de dégagement.
On comprend que les tronçons de dégagement sont des tronçons ne comprenant pas d’orifice d’évacuation. Ainsi, lorsque les moyens d’obturation sont positionnés en recouvrement des tronçons de dégagement, l’air peut traverser les orifices d’évacuation formés sur les tronçons percés tandis que lorsque les moyens d’obturation sont positionnés en recouvrement des tronçons percés, lesdits moyens d’obturation bloquent le passage de l’air au travers desdits orifices d’évacuation.
Selon une caractéristique de l’invention, le moyen d’obturation et le tronçon percé associé sont configurés de sorte que le moyen d’obturation recouvre intégralement le tronçon percé dans la position de recouvrement. Pour chaque couple formé par un moyen d’obturation et son tronçon percé, le tronçon percé ne peut être que dans une position intégralement ouverte, sans être recouverte, ou dans une position intégralement fermée, entièrement recouverte par le moyen d’obturation.
L’indicateur est également simple, concis, quantitatif et facile à appréhender par le professionnel de santé, puisqu’il est avantageusement déterminé en fonction du nombre de régions d’intérêt altérées.
L’indicateur permet en sus au professionnel de santé d’évaluer un degré de sévérité des altérations, notamment par comparaison avec des coefficients de diffusion extraits d’images acquises pour la cohorte de patients sains.
L’indicateur est en sus représentatif d’une évolution de l’altération du cerveau et permet au professionnel de santé d’évaluer une modification de l’altération dans le temps et dans l’espace, d’autant plus que les maladies concernées se démarquent d’autres atteintes myélopathiques notamment par leur caractère dégénératif.
Enfin, l’indicateur est représentatif de l’état d’altération du cerveau en ce qu’il est corrélé à d’autres indicateurs comme l’EDSS (Expanded Disability Status Scale) qui permet d’évaluer le handicap sur une échelle de gravité et le SSPROM (Severity Score System for Progressive Myelopathy) qui permet d’évaluer la sévérité d’une atteinte en fonction de symptômes associés à une myélopathie tels que des troubles moteurs, dysfonction des sphincters, spasticité et diminutions sensorielles.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, la méthode selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
Une première variante de réalisation concerne la méthode selon l’invention dans laquelle ledit indicateur est représentatif d’un caractère évolutif de ladite altération, et dans laquelle : l’image du cerveau de l’individu employée à la première étape est une image relevée par IRM de diffusion à une date t2, la méthode comportant en outre une étape : pour chacune desdites régions d’intérêt, détermination d’un coefficient régional initial correspondant à une moyenne du coefficient de diffusion sur la région d’intérêt, lesdits coefficients régionaux initiaux étant déterminés à partir d’une image initiale du cerveau de l’individu, relevée par IRM de diffusion à une date t1 antérieure à la date t2, à la deuxième étape le nombre de régions altérées correspond au nombre de régions avec progression de l’altération, une région d’intérêt étant considérée comme une région avec progression de l’altération lorsque la condition est définie comme suit : le coefficient régional de diffusion s’est éloigné du coefficient régional de référence, par rapport au coefficient régional initial.
Pour chaque région d’intérêt, on peut considérer par exemple que le coefficient régional de diffusion s’est éloigné du coefficient régional de référence lorsque l’écart entre la valeur dudit coefficient régional, correspondant à t2, et la valeur du coefficient régional de référence est plus grand que l’écart entre la valeur du coefficient régional initial, correspondant à t1, et la valeur du coefficient régional de référence.
Grâce à cette première variante de réalisation, il est possible de déterminer la progression de la démyélinisation du cerveau pour chaque région d’intérêt par comparaison du coefficient régional initial obtenu à une première date t1 avec le coefficient régional obtenu à une seconde date t2, et par comparaison du coefficient régional avec le coefficient de référence obtenu à partir de la cohorte de patents sains. Ainsi la méthode permet de détecter si l’altération d’une région d’intérêt altérée s’est dégradée et si une région d’intérêt non altérée est devenue altérée. L’indicateur déterminé par la méthode est donc représentatif du caractère dégénératif d’une pathologie démyélinisante, y compris dans le cas d’une forte atteinte.
L’indicateur est en outre simple et concis puisqu’il exprime à lui seul s’il y a évolution de l’altération du cerveau et si l’évolution est causée par une progression de l’altération.
Une sous-variante de réalisation de la première variante de réalisation, concerne la méthode selon l’invention, dans laquelle, à la deuxième étape, le coefficient régional de diffusion s’est éloigné du coefficient régional de référence, par rapport au coefficient régional initial lorsqu‘un écart entre le coefficient régional et le coefficient régional initial est supérieur à z e .σ j , où σ j est représentatif d’une dispersion dudit coefficient de diffusion régional, pour la région considérée, pour ladite cohorte de patients sains, et où z e est un coefficient minimal d’évolution, compris entre 0,5 et 4.
Grâce à cette sous-variante, les régions du cerveau sont compatibilisées par l’indicateur uniquement si la progression de leur altération est significative, c’est-à-dire si l’évolution de leur coefficient régional est supérieure à une valeur représentative d’une dispersion dudit coefficient régional obtenue pour la cohorte de patients sains.
Une variante de la première variante de réalisation, concerne la méthode de l’invention, dans laquelle ledit indicateur est représentatif d’un caractère évolutif de ladite altération, et dans laquelle ledit indicateur est représentatif d’un caractère évolutif de ladite altération, et dans laquelle à la deuxième étape le nombre de régions altérées est le nombre de régions avec régression de l’altération, une région d’intérêt étant considérée comme une région avec régression de l’altération lorsque ladite condition est que le coefficient régional de diffusion s’est rapproché du coefficient régional de référence, par rapport au coefficient régional initial.
Pour chaque région d’intérêt, on peut considérer par exemple que le coefficient régional de diffusion s’est rapproché du coefficient régional de référence lorsque l’écart entre la valeur dudit coefficient régional, correspondant à t2, et la valeur du coefficient régional de référence est plus petit que l’écart entre la valeur du coefficient régional initial, correspondant à t1, et la valeur du coefficient régional de référence.
Une sous-variante de réalisation de la variante de réalisation précédente, concerne la méthode selon l’invention, dans laquelle ledit indicateur est représentatif d’un caractère évolutif de ladite altération, et dans laquelle, à la deuxième étape, le coefficient régional de diffusion s’est rapproché du coefficient régional de référence, par rapport au coefficient régional initial lorsqu‘un écart entre le coefficient régional et le coefficient régional initial est supérieur à z e .σ j , où σ j est représentatif d’une dispersion dudit coefficient de diffusion régional, pour la région considérée, pour ladite cohorte de patients sains, et où z e est un coefficient minimal d’évolution, compris entre 0,5 et 4.
Grâce à cette sous-variante, il est possible de déterminer la régression de la démyélinisation du cerveau pour chaque région d’intérêt par comparaison du coefficient régional initial obtenu à une première date avec le coefficient régional obtenu à une seconde date, et par comparaison du coefficient régional avec le coefficient de référence obtenu à partir de la cohorte de patents sains. Ainsi la méthode permet de détecter si l’altération d’une région d’intérêt altérée s’est améliorée et si une région d’intérêt altérée est devenue non-altérée. En outre, les régions du cerveau sont compatibilisées par l’indicateur uniquement si la régression de leur altération est significative, c’est-à-dire si l’évolution de leur coefficient régional est supérieure à la valeur représentative d’une dispersion dudit coefficient régional obtenue pour la cohorte de patients sains
L’indicateur déterminé par la méthode exprime alors s’il y a évolution de l’altération du cerveau et si l’évolution est causée par une régression de l’altération. Une sous-variante de réalisation compatible avec les sous-variantes de réalisation précédentes, concerne la méthode de l’invention dans laquelle l’indicateur représentatif d’un caractère évolutif de ladite altération est d’autant plus grand qu’une différence entre le nombre de région avec progression de l’altération et le nombre de régions avec régression de l’altération est grande.
De nombreuses autres variantes sont possibles en fonction des circonstances, et l’on rappelle à cet égard que l’invention ne se limite pas aux exemples décrits et représentés.
Dispositif de mesure de réfractométrie auto-étalonné et procédé d’étalonnage d’un tel dispositif de mesure L’invention concerne le domaine de la réfractométrie et les dispositifs de mesure de réfractométrie.
Ainsi l’invention a plus précisément pour objet un dispositif de mesure de réfractométrie, un procédé d’étalonnage d’un tel dispositif de mesure et une unité de traitement d’un tel dispositif de mesure.
État de l’art antérieur Il est connu d’utiliser des dispositifs de réfractométrie afin de déterminer une valeur relative à l’indice de réfraction d’un milieu, notamment liquide, à mesurer. De tels dispositifs permettent de fournir rapidement, simplement et de manière non destructive une information concernant la composition dudit milieu.