INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On remarque alors que, en fonction du rapport d’aspect d’espacement h/d et de l’angle d’inclinaison α, un phénomène d’ombrage peut avoir lieu, ce qui se traduit par le fait que la couche mince conductrice 23 peut présenter différentes configurations très différentes en fonction de la valeur de l’angle d’inclinaison α, dont certaines sont peu propices à assurer une polarisation électrique efficace des premières portions dopées 11 des diodes filaires 10, tandis que d’autres configurations ne permettent pas d’assurer cette polarisation électrique.
Ce phénomène d’ombrage a lieu lorsque l’angle d’incidence α est supérieur à une valeur seuil α th égale à arctan(d/h). En deçà de cette valeur seuil α th , le flux de matière atteint la surface du substrat 20, et au-delà de cette valeur seuil, ce n’est plus le cas.
A ce titre, les figures 2A à 2C sont des vues en coupe, schématiques et partielles, d’un dispositif optoélectronique 1 après l’étape de réalisation de la couche mince conductrice 23 inférieure, pour différentes valeurs de l’angle d’inclinaison α et donc pour différentes configurations obtenues.
Dans ces exemples, le substrat 20 repose sur un support 41 d’un porte-substrat 40 (cf. et 4A). Lors de l’étape de réalisation de la couche mince conductrice 23, le support 41 est rotatif autour de l’axe principal A s du substrat 20.
La illustre le cas où un dépôt directif est effectué avec un angle d’incidence α constant égal à zéro : l’axe principal A s est parallèle à la direction principale D d de dépôt. La couche mince conductrice 23 s’étend alors continûment sur le substrat 20 (i.e. ici sur la couche diélectrique 22), entre les diodes filaires 10, ainsi que sur une surface supérieure de ces dernières. La surface de contact de la couche mince conductrice 23 sur les pieds des diodes filaires 10 est négligeable puisque la couche mince conductrice 23 ne remonte pas le long d’une partie des diodes filaires 10 (pas un dépôt conforme). De plus, le contact physique et donc électrique n’est pas assuré car le dépôt de la couche mince conductrice 23 n'est pas dirigé vers le semiconducteur 11. Il en résulte une mauvaise injection des porteurs de charge dans les premières portions dopées 11.
La illustre le cas où un dépôt directif est effectué avec un angle d’incidence α constant supérieur (strictement) à la valeur seuil α th . Il apparaît alors que le rapport d’aspect d’espacement élevé, ici de l’ordre de 4 environ, provoque un effet d’ombrage par les diodes filaires 10 qui empêche le flux de matière incident d’attendre la surface du substrat 20. Aussi, la couche mince conductrice 23 n’est déposée que sur une partie supérieure des diodes filaires 10, et non pas sur la partie inférieure des diodes filaires 10 ni sur la surface du substrat 20. Aussi, la couche mince conductrice 23 ne peut assurer une fonction de polarisation électrique.
La illustre le cas où un dépôt directif est effectué avec un angle d’incidence α constant compris entre 0 (non inclus) et la valeur seuil α th . Puisque l’angle d’incidence α est inférieur ou égal à la valeur seuil α th , la couche mince conductrice 23 est déposée sur toute la surface des diodes filaires 10 ainsi que sur une partie de la surface du substrat 20 qui entoure les diodes filaires 10. Cependant, l’angle d’incidence α est non nul, de sorte que le flux de matière n’atteint pas une partie de la surface du substrat 20 qui entoure chaque diode filaire 10. Il en résulte ici également un défaut de continuité de l’étendue surfacique de la couche mince conductrice 23, de sorte qu’il n’est pas possible de polariser électriquement toutes les diodes filaires 10 car elles ne sont alors pas connectées en parallèle par la couche mince conductrice 23 déposée.
Aussi, selon l’invention, la couche mince conductrice 23 est réalisée par dépôt directif et en combinant un mouvement de rotation avec un mouvement d’oscillation angulaire du substrat 20. Ainsi, la couche mince conductrice 23 est déposée continûment et de manière conforme sur le substrat 20 et sur toute la surface, ou au moins une partie inférieure des diodes filaires 10. La couche mince conductrice 23 peut alors former une électrode inférieure en couche mince, déposée sur la face avant du substrat 20, et qui assure une polarisation électrique des diodes filaires 10.
Deux modes de réalisation principaux sont décrits par la suite. Dans un premier mode, le substrat 20 présente un mouvement de rotation autour de son axe principal A s à une fréquence de rotation f r , ainsi qu’un mouvement d’oscillation angulaire de l’axe principal A s vis-à-vis d’un axe fixe A f parallèle à la direction principale D d de dépôt à une fréquence d’oscillation angulaire f o de sorte que l’angle d’incidence α varie entre -α m et +α m , où la valeur maximale α m est au plus égale à la valeur seuil α th . Dans ce cas, le mouvement d’oscillation angulaire a lieu dans un plan contenant l’axe fixe A f .
Dans un deuxième mode, le substrat 20 présente un mouvement de rotation de son axe principal A s autour d’un axe fixe A f parallèle à la direction principale D d de dépôt, l’axe fixe A f étant sécant de l’axe principal A s , à une fréquence de rotation f r , ainsi qu’un mouvement d’oscillation angulaire de l’angle d’incidence α (qui forme alors un angle de nutation) à une fréquence d’oscillation angulaire f o de sorte que l’angle d’incidence α varie entre 0 et +α m , où la valeur maximale α m est inférieure ou égale à la valeur seuil α th . Dans ce mode de réalisation, le substrat 20 n’est pas en rotation autour de son axe principal A s (on peut parler d'un mouvement de précession de l'axe A s autour de l'axe A f selon un angle de précession α variable).
Dans ces deux modes de réalisation, la fréquence de rotation f r et la fréquence d’oscillation angulaire f o sont prédéfinies de sorte que la couche mince conductrice sont déposées de manière continue et conforme sur le substrat 20 et sur les diodes filaires 10.
La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un réacteur 30 de dépôt en couche mince et d’un dispositif optoélectronique 1 en cours de fabrication, selon le premier mode de réalisation. La illustre, de manière schématique, le substrat 20 et une diode filaire 10 au cours de l’étape de réalisation de la couche mince conductrice 23 dans le réacteur de la .
Le réacteur 30 est un réacteur de dépôt physique en phase vapeur directif, par exemple de type à évaporation ou à pulvérisation IBS, entre autres. Il comporte une enceinte étanche 31 dans laquelle est situé un creuset 32 recevant l’échantillon 33 du matériau conducteur à déposer. Il comporte également un porte-substrat 40 adapté à assurer le mouvement de rotation et le mouvement d’oscillation angulaire du substrat 20.
Le porte-substrat 40 comporte un support 41 recevant le substrat 20, et un dispositif mécanique assurant le mouvement du support 41. Ce dispositif mécanique comporte ici un premier moteur 42.1 assurant le mouvement de rotation autour d’un axe principal du support 41, qui est ici colinéaire avec l’axe principal As du substrat 20. Il comporte également un deuxième moteur 42.2 assurant le mouvement d’oscillation angulaire de l’axe principal A s vis-à-vis d’un axe fixe A f . Cet axe fixe A f passe ici par le centre du creuset 32 et par le centre de rotation du substrat 20. Dans cet exemple, le moteur 42.1 est situé à l’intérieur de l’enceinte 31 et le moteur 42.2 en est situé à l’extérieur, les connexions étant assurées par des passages étanches. D’autres agencements sont bien entendu possibles.
A titre d’exemple, la valeur seuil α th est égale à 5°, ce qui correspond à un rapport d’aspect d’espacement h/d égal à 10 environ, par exemple pour une hauteur moyenne h de l’ordre de 1000nm et un espacement relatif moyen d de l’ordre de 100nm. L’oscillation angulaire est régulière entre -5° et +5°, et une oscillation peut être effectuée en quelques secondes. Aussi, pendant la durée de l’étape de réalisation de la couche mince conductrice, plusieurs oscillations angulaires sont effectuées. Par ailleurs, la fréquence de rotation f r peut être de l’ordre de 10rpm.
De préférence, pour éviter que le flux de matière incident ne voie toujours la même surface des flancs des diodes filaires 10, la fréquence de rotation f r et la fréquence d’oscillation angulaire f o sont des nombres premiers entre eux, dans le sens où elles ne comportent pas de multiplicateur commun. Autrement dit, la fréquence de rotation f r n’est pas un multiple de la fréquence d’oscillation angulaire f o , et inversement. Cependant, il s’agit ici de conditions avantageuses mais non strictement nécessaires. En effet, si les fréquences f r et f o ne sont pas des nombres premiers entre elles mais diffèrent légèrement, par exemple à 10% près voire moins, la couche mince conductrice 23 sera tout de même déposée de manière continue et conforme sur la surface du substrat 20 et les diodes filaires 10 si le procédé de dépôt dure assez longtemps pour que toutes les parties des diodes filaires soient exposées au flux de matière de la couche 23. De plus, si la fréquence d’oscillation angulaire f o est un multiple de la fréquence de rotation f r , mais bien plus élevée, par exemple avec un rapport 10 voire plus, ou inversement, la couche mince conductrice 23 sera également déposée de manière continue et conforme.
Bien entendu, d’autres structures de mémoires ou d’autres zones logiques peuvent être envisagées que celle représentée aux Figures 2a, 2b, 2c et 3, et d’autres procédés de détermination de l’usure d’une page mémoire peuvent être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. D’autres méthodes de l’art antérieur sont utilisables, dès lors qu’elles permettent d’évaluer un état d’usure globale de la mémoire.
La est un organigramme d’un procédé d’optimisation du fonctionnement de l’élément sécurisé, selon un mode de réalisation de l’invention.
À une étape initiale 401 du procédé, l’élément sécurisé 107 fonctionne selon un mode de fonctionnement dit « mode de fonctionnement courant », ou « mode courant ». Par mode de fonctionnement, il est entendu un ensemble de fonctionnalités (ou commandes, ou opérations autorisées), telles que l’installation d’un nouveau profil d’abonné, l’accès à une application de l’élément sécurisé ou la mise à jour d’une application, etc., disponibles et utilisables par l’élément sécurisé lorsqu’il est dans ce mode de fonctionnement. Un mode de fonctionnement est typiquement associé à une liste courante d’opérations autorisées (ou de manière équivalente à une liste d’opérations interdites) lorsque l’élément sécurisé est dans ce mode de fonctionnement.
Lors de la première utilisation de l’élément sécurisé par un utilisateur, l’élément sécurisé fonctionne typiquement en mode « normal », dans lequel toutes les fonctionnalités classiques d’un élément sécurisé sont disponibles et utilisables.
Différents modes peuvent être prédéfinis, et respectivement associés à des listes d’opérations autorisées prédéfinies. Ces différents modes / différentes listes d’opérations autorisées peuvent être associés à différents états d’usure de la mémoire, et donc à des seuils d’usure successifs.
Par exemple, pour un état d’usure de la mémoire entre 0% et 40% (qui peut correspondre, dans certains modes de réalisation, à un pourcentage de pages de remplacement déjà utilisées compris entre 0% et 40%), l’élément sécurisé peut fonctionner dans le mode normal, dans lequel toutes les fonctionnalités sont autorisées. Pour un état d’usure strictement supérieur à 40% et inférieur ou égal à 85%, l’élément sécurisé peut fonctionner dans un premier mode restreint, dans lequel la liste d’opérations autorisées comprend toutes les opérations autorisées du mode normal, à l’exception des commandes nécessitant un nombre trop important d’écritures/d’effacements, telles que le téléchargement d’un nouveau profil d’abonné, le téléchargement et/ou l’installation d’une nouvelle application, ou l’effacement d’une application déjà installée sur l’élément sécurisé. Puis, pour un état d’usure strictement supérieur à 85%, l’élément sécurisé peut fonctionner dans un deuxième mode restreint dans lequel la liste d’opérations autorisées peut inclure ou être strictement limitée à une ou plusieurs opérations parmi : - l’accès et l’utilisation d’applications réseaux gérant l’accès à un réseau de télécommunications : par exemple les applications SIM (pour « Subscriber Identity Module » en anglais, USIM (pour « Universal Subscriber Identity Module » en anglais), ISIM (pour « IP Multimedia Services Identity Module » en anglais) définies dans différents standards de l’ETSI (pour « European Telecommunications Standards Institute » en anglais, ou « Institut européen des normes de télécommunications » en français) ; - l’accès et l’utilisation d’applications gérées par l’ISD (pour « Issuer Security Domain » en anglais, ou « domaine de sécurité de l’émetteur » en français) défini dans les documents techniques GlobalPlatform, qui permettent de définir l’environnement sécurisé de l’élément sécurisé ; - certaines commandes RFM (pour « remote file management » en anglais, ou « gestion de fichiers à distance » en français), par exemple les commandes permettant d’accéder (et d’administrer) à distance à des fichiers relatifs aux liaisons de télécommunications via une technologie OTA (pour « over-the-air » en anglais, ou « par voie aérienne » en français) ; - certaines commandes RAM (pour « remote application management » en anglais, « gestion d’applications à distance » en français), par exemple les commandes permettant d’accéder (et d’administrer) à des applications relatives aux liaisons de télécommunications via une technologie OTA ; - des commandes de résolution de système de noms de domaine (« DNS resolver » en anglais) ; - l’accès et l’utilisation de certaines applications propriétaires, telles qu’une application pour initialiser une session OTA par l’élément sécurisé et gérer les échanges subséquents.
Dans l’exemple précédent, les commandes RFM et RAM de la liste de commandes (ou d’applications) autorisées permettent d’accéder à distance au contenu de la carte, mais pas de modifier les fichiers ou de mettre à jour les applications. En d’autres termes, elles permettent d’accéder au contenu de l’élément sécurisé, mais pas de le modifier. En autorisant ces commandes, il est possible de réaliser un audit de l’élément sécurisé, et ainsi d’identifier, par exemple, la ou les commandes ou applications qui ont usé la mémoire non volatile de manière excessive.
En définissant une telle liste fortement restreinte, l’authentification auprès d’un réseau de télécommunications est toujours possible (il est donc possible notamment de passer un appel téléphonique depuis la carte SIM ou pour un dispositif de pouvoir communiquer avec un serveur accessible via le réseau de télécommunications), mais la plupart des autres applications ne sont pas utilisables.
Bien entendu, les valeurs 40% et 85% fournies ci-dessus constituent des exemples particuliers d’un mode de réalisation de la présente invention, et peuvent être choisies différemment.
Bien entendu, il est possible de définir, plutôt qu’une liste de commandes autorisées, une liste de commandes interdites (qui correspondent aux applications retirées de la liste précédente d’opérations autorisées, auxquelles l’élément sécurisé ne doit plus avoir accès lorsqu’il entre dans le mode plus restreint ultérieur).
À une étape 402, une commande d’écriture et/ou d’effacement de données dans la mémoire non volatile 108 de l’élément sécurisé 107 est reçue au niveau de l’élément sécurisé 107. Par exemple, cette commande peut correspondre à une demande d’installation d’un nouveau profil d’abonné, une installation d’une nouvelle application ou une mise à jour d’une application déjà installée, etc.
En réponse à la réception de cette commande d’écriture et/ou d’effacement de données dans la mémoire non volatile 108, il est vérifié (étape 403) si l’état d’usure global de la mémoire non volatile 108 dépasse un seuil d’usure prédéterminé. Par exemple, dans un ou plusieurs modes de réalisation, le pourcentage ou le nombre de pages mémoire de remplacement déjà utilisées est comparé à un seuil prédéfini. Si l’état d’usure global de la mémoire non volatile 108 est inférieur au seuil d’usure (par exemple, si le pourcentage ou le nombre de pages mémoire de remplacement déjà utilisées est inférieur au seuil d’usure – flèche « N » en sortie de l’étape 403), il est vérifié (étape 405) si la commande reçue à l’étape 402 appartient à la liste des commandes autorisées associée au mode courant. Si la commande reçue à l’étape 402 appartient à la liste des commandes autorisées associées au mode courant (flèche « O » en sortie de l’étape 405), la commande est exécutée. Sinon, elle n’est pas exécutée (étape 406) et l’élément sécurisé reste dans le mode courant.
Le seuil d’usure prédéterminé de l’étape 403 peut classiquement correspondre au seuil d’usure « maximal » associé au mode de fonctionnement courant. Dans l’exemple précédent, si le mode courant correspond au mode normal, le seuil d’usure peut correspondre à la valeur 40% au-delà de laquelle l’élément sécurisé doit basculer dans le premier mode restreint. Si le mode courant correspond au premier mode restreint, le seuil d’usure peut correspondre à la valeur 85% au-delà de laquelle l’élément sécurisé doit basculer dans le deuxième mode restreint.
En d’autres termes, un ensemble de seuils successifs (dans l’exemple précédent, les valeurs 40% et 85%) et un ensemble de modes restreints successifs (dans l’exemple précédent, le premier mode restreint et le deuxième mode restreints) peuvent être prédéfinis. Chaque mode restreint est associé à une liste d’opérations autorisées (ou une liste d’opérations interdites) respective, et chaque seuil est associé à une entrée dans un mode restreint respectif (par exemple, le seuil 40% est associé à une entrée dans le premier mode restreint, et le seuil 85% est associé à une entrée dans le deuxième mode restreint). Lors de l’étape 403, l’état d’usure de la mémoire est comparé au seuil « suivant » dans l’ensemble de seuils successifs (par exemple, si l’élément sécurisé est dans le mode normal, le seuil d’usure utilisé vaut 40%, et si l’élément sécurisé est dans le premier mode restreint, le seuil d’usure utilisé vaut 85%).
Si l’état d’usure global de la mémoire non volatile 108 est supérieur au seuil d’usure (par exemple, si le pourcentage ou le nombre de pages mémoire de remplacement déjà utilisées est supérieur ou égal au seuil d’usure – flèche « O » en sortie de l’étape 403), l’élément sécurisé est basculé en mode de fonctionnement plus restreint (étape 404), c’est-à-dire que certaines opérations sont retirées de la liste d’opérations autorisées. En d’autres termes, à l’étape 404, la liste d’opérations autorisées est réduite par rapport à la liste d’opérations autorisées associée au mode courant de l’étape 401.
Après que l’élément sécurisé est passé en mode de fonctionnement plus restreint (étape 404), il est déterminé si la commande reçue à l’étape 402 appartient à la liste des commandes autorisées (étape 405) associée au mode plus restreint. Si la commande reçue n’est pas une commande autorisée (flèche « N » en sortie de l’étape 405), elle n’est pas exécutée (étape 406) et l’élément sécurisé reste dans le mode plus restreint, qui devient le mode courant. Si la commande est une commande autorisée (flèche « O » en sortie de l’étape 405), elle est exécutée par l’élément sécurisé (étape 407), et l’élément sécurisé reste en mode plus restreint, qui devient le mode courant.
- le port d’entrée de courant X du premier convoyeur de courant 54a est connecté au port d’entrée de courant X du quatrième convoyeur de courant 54b ;
- le port d’entrée de courant X du deuxième convoyeur de courant 54a’ est connecté au port d’entrée de courant X du troisième convoyeur de courant 54b’ ;
- le port de sortie de courant Z du premier convoyeur de courant 54a, le port d’entrée de tension Y du premier convoyeur de courant 54a et le port d’entrée de tension Y du deuxième convoyeur de courant 54a’ sont connectés entre eux ; et
- le port de sortie de courant Z du quatrième convoyeur de courant 54b, le port d’entrée de tension Y du quatrième convoyeur de courant 54b et le port d’entrée de tension Y du troisième convoyeur de courant 54b’ sont connectés entre eux.
En outre, ce circuit est connecté de la façon suivante aux entrées et sorties de l’amplificateur de courant 22 :
- le port de sortie de courant Z du premier convoyeur de courant 54a est connecté à la borne d’entrée primaire 22E1 ;
- le port de sortie de courant Z du quatrième convoyeur de courant 54b est connecté à la borne de sortie primaire 22S1 ;
- le port de sortie de courant Z du deuxième convoyeur de courant 54a’ est connecté à la borne d’entrée secondaire 22E2 ; et
- le port de sortie de courant Z du troisième convoyeur de courant 54b’ est connecté à la borne de sortie secondaire 22S2.
Une telle architecture présente l’avantage d’être symétrique entre les entrées et les sorties.
Une autre architecture possible pour l’amplificateur de courant 22 est illustrée par la .
Dans ce cas, l’amplificateur de courant 22 comprend un premier convoyeur de courant 54a, un deuxième convoyeur de courant 54b et un troisième convoyeur de courant 54c.
Comme cela apparaît sur la figure :
- le port d’entrée de courant X du premier convoyeur de courant 54a est connecté au port d’entrée de tension Y du troisième convoyeur de courant 54c ;
- le port de sortie de courant Z du premier convoyeur de courant 54a, le port d’entrée de tension Y du premier convoyeur de courant 54a et le port d’entrée de tension Y du deuxième convoyeur de courant 54b sont connectés entre eux ;
- le port d’entrée de courant X du deuxième convoyeur de courant 54b est connecté au port d’entrée de courant X du troisième convoyeur de courant 54c ; et
De préférence, les éléments de solidarisation et les éléments de fixation sont les mêmes.
La illustre de manière générale la connexion d’une carte fille à une carte mère au moyen d’un connecteur de type M.2 conventionnel ;
La illustre schématiquement la structure d’un dispositif de rigidification selon l’invention ; et
La illustre un autre mode de réalisation d’un dispositif de rigidification selon l’invention.
Exposé détaillé d’au moins un mode de réalisation On se réfèrera tout d’abord à la , qui illustre schématiquement la connexion d’une carte électronique fille 1 à une carte électronique mère 2 au moyen d’un connecteur 3 selon l’état de la technique.
Le connecteur 3 est ici un connecteur de type M.2, ou NGFF, ou tout autre connecteur destiné à positionner la carte fille 1 parallèlement à la carte mère 2.
Tel qu’illustré, la carte fille 1 et la carte mère 2 sont assemblées et connectées entre elles au moyen d’un connecteur 3, la carte fille étant maintenue parallèle à la carte mère 2 par exemple au moyen d’une vis 4.
Comme indiqué précédemment, ce type d’assemblage d’une carte fille et d’une carte mère est inapproprié pour connecter un module à une carte électronique principale dans un environnement vibratoire intense.
On a représenté sur la un exemple de réalisation d’un système d’assemblage destiné à connecter un module électronique 1, en l’espèce une carte fille, et une carte mère 2, dans un environnement vibratoire.
Le système d’assemblage comporte un connecteur 3 branché sur la carte mère 2, dans lequel est insérée la carte fille 1, ainsi qu’un dispositif de rigidification 5 entourant le connecteur 3.
. Le dispositif de rigidification 5 comprend une bride principale 6, un cadre périphérique supérieur 7, et un raidisseur 8.