INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un transistor à effet de champ est souvent désigné par l’abréviation FET qui correspond à la dénomination anglaise de « Field-Effect Transistor ».
Selon l’exemple décrit, les deux commutateurs 32 et 34 sont des transistors à effet de champ à grille isolée. Un tel transistor est plus souvent désigné sous l’acronyme MOSFET renvoyant à la dénomination anglaise de « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ».
Ainsi, chaque commutateur 32 et 34 présente trois électrodes, une grille G, une source S et un drain D.
De manière générale, pour un transistor dont le signe de référence est X, les électrodes seront notées sur les figures selon la notation suivante : la grille XG, la source XS et le drain XD.
Cette notation est choisie ici pour simplifier la représentation, sachant que les positions de la source XS et du drain XD sont définies par rapport au sens de polarisation principal, c’est-à-dire le plus usité pour le montage. Bien entendu, si la polarisation est inversée, l’homme du métier sait que les rôles et les positions de la source XS et du drain XD sont échangés.
Chaque grille 32G et 34G des deux commutateurs 32 et 34 est connectée à la ligne de mot WL. Selon le niveau de tension présent sur la ligne de mot, les commutateurs 32 et 34 sont rendus passants ou au contraire non passants. Le premier contrôleur 20 va en pratique choisir de sélectionner une ligne de cellules en rendant conducteurs les commutateurs des cellules mémoires de cette ligne.
La source 32S du premier commutateur 32 est reliée à la ligne de bit BL tandis que la source 34S du deuxième commutateur 34 est reliée à la ligne de bit complémentaire BLb.
Le drain 32D du premier commutateur 32 est relié à une borne du premier memristor 28, l’autre borne du premier memristor 28 étant reliée à la ligne de source SL commune.
Le drain 34D du deuxième commutateur 34 est relié à une borne du deuxième memristor 30, l’autre borne du deuxième memristor 30 étant reliée à la ligne de source SL commune.
Les cellules élémentaires 12 des autres lignes 16 4 à 16 N sont associées chacune à un poids binaire respectif du réseau de neurones.
Les cellules élémentaires 12 de ces lignes 16 4 à 16 N servent à mémoriser les poids du réseau de neurones.
De ce fait, dans la suite, ces cellules élémentaires 12 de ces lignes 16 4 à 16 N sont dénommées cellules mémoires 26 et forment un ensemble de mémorisation 27.
La structure d’une cellule mémoire 26 dans l’environnement des lignes est représentée plus précisément sur la pour le cas de la cellule mémoire 26 ayant les coordonnées (i,j).
Chaque cellule mémoire 26 comporte deux memristors, à savoir un premier memristor 28 et un deuxième memristor 30, ainsi que deux commutateurs, un premier commutateur 32 et un deuxième commutateur 34.
Du fait que des memristors 28 et 30 sont présents, une telle cellule mémoire 26 est une cellule de mémoire résistive à accès aléatoire. La cellule mémoire 26 est plus souvent désigné par l’acronyme RRAM ou ReRAM qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « Resistive random-access memory ».
En outre, un tel agencement est généralement appelé structure 2T2R en référence à la présence des deux commutateurs (appellation 2T) et de deux memristors (appellation 2R). La cellule mémoire 26 est parfois dénommée cellule 2T2R.
Un memristor est un composant dont la valeur de sa résistance électrique change, de façon permanente, lorsqu’un courant est appliqué. Ainsi, une donnée peut être enregistrée et réécrite par un courant de contrôle. Un tel comportement est notamment observé dans les matériaux à changement de phase, les jonctions tunnel ferroélectriques ou les mémoires redox à base d’oxydes tels que le HfO x ou TiO 2-x .
Le changement de conductance d’un memristor dépend de l'amplitude et de la durée des impulsions de tension appliquées à travers le memristor ainsi que de la valeur maximale de courant pouvant passer dans le memristor par exemple pour une opération de « SET », c’est-à-dire le passage d’une résistance forte à une résistance faible.
Un memristor peut ainsi présenter deux états, un état haut et un état bas.
L’état haut correspond à une forte résistance et est généralement désigné par l’abréviation HRS renvoyant au terme anglais de « High Resistive State » qui signifie littéralement état fortement résistif. L’état haut est, de ce fait, dénommé état haut HRS dans la suite.
L’état bas correspond à une faible résistance et est généralement désigné par l’abréviation LRS renvoyant au terme anglais de « Low Resistive State » qui signifie littéralement état faiblement résistif. L’état bas est, de ce fait, dénommé état bas LRS dans la suite.
Toutefois, du fait de la variabilité des memristors en fonctionnement, il se trouve que la résistance dans l’état haut HRS peut être inférieure à la résistance dans l’état bas LRS, ce qui génère des erreurs si l’information (poids) est codée dans un seul memristor.
Cette variabilité est présentée schématiquement sur la . Dans cette figure, il est proposé la probabilité qu’un memristor présente en pratique la valeur de résistance en fonction de l’état du memristor.
Plus précisément, la première courbe, la courbe notée 36, représente schématiquement la probabilité pour l’ensemble des valeurs observées en pratique pour l’état bas LRS tandis que la deuxième courbe 38 représente la même courbe pour l’état haut HRS.
Le graphe de la montre bien qu’il existe une zone de recouvrement 40. Dans cette zone de recouvrement 40, distinguer les états bas LRS et haut HRS peut être impossible.
De préférence, l'agent de saponification est choisi parmi les hydroxydes de métaux alcalins, les hydroxydes de métaux alcalino-terreux, l'hydroxyde d'ammonium, la monoéthanolamine, la diéthanolamine, la triéthanolamine, la trométhamine, la N-méthylglucamine, l'arginine, la lysine, l'arginine, et un mélange de ceux-ci.
De manière davantage préférée, l'agent de saponification est choisi parmi la monoéthanolamine, la diéthanolamine, la triéthanolamine, la trométhamine, et un mélange de celles-ci.
Avantageusement, l'agent de saponification est présent dans une quantité allant de 0,05 % en poids à 0,9 % en poids, de préférence de 0,1 % en poids à 0,7 % en poids, de préférence de 0,12 % en poids à 0,5 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Ingrédients actifs cosmétiques Selon le premier aspect, la composition aqueuse selon la présente invention comprend au moins un ingrédient actif cosmétique.
Comme exemples d'actif cosmétique, on peut citer les extraits naturels ; les vitamines telles que la vitamine A (rétinol), la vitamine C (acide ascorbique), la vitamine E (tocophérol), la vitamine B5 (panthénol), la vitamine B3 (niacinamide), et les dérivés desdites vitamines (notamment les esters) et leurs mélanges ; l'urée ; la caféine ; l'acide salicylique et ses dérivés ; les alpha-hydroxyacides tels que l'acide lactique ou l'acide glycolique et leurs dérivés ; les écrans solaires ; les extraits d'algues, de champignons, de plantes, de levures et de bactéries (tels que l'extrait de fruit de prunus cerasus ) ; les enzymes ; les humectants et les hydratants (tels que l'hyaluronate de sodium, le calcium PCA) ; les émollients (tels que le beurre de graines de mangifera indica ) ; les agents anti-inflammatoires ; les agents agissant sur la microcirculation, et leurs mélanges.
Il est facile pour l'homme du métier d'ajuster la quantité de l'actif cosmétique supplémentaire en fonction de l'utilisation finale de la composition selon la présente invention.
Adjuvants ou additifs supplémentaires La composition peut comprendre ou peut également contenir des adjuvants ou additifs cosmétiques classiques en phase aqueuse ou en phase huileuse selon leur nature, par exemple des parfums, des agents chélateurs (par exemple, le phytate de sodium, le diacétate glutamate tétrasodique et l'EDTA disodique), des agents de conservation (par exemple, l'hydroxyacétophénone, le pentylène glycol et le phénoxyéthanol) et des bactéricides, des régulateurs de pH (par exemple, l'acide citrique), des charges (par exemple, l'amidon de zea mays (maïs)) et leurs mélanges.
L'homme du métier peut sélectionner la quantité d'adjuvants ou d'additifs supplémentaires de façon à ne pas avoir d'impact négatif sur l'utilisation finale de la composition selon la présente invention.
De préférence, le rapport en poids entre le substrat insoluble dans l'eau et la composition aqueuse va de 1:6 à 1:30. De manière davantage préférée, le rapport en poids entre le substrat insoluble dans l'eau et la composition va de 1:12 à 1:25.
Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, la présente invention concerne un masque pour le soin des matières kératineuses, comprenant :
A) un substrat insoluble dans l'eau choisi parmi les tissus de gaze, les tissus d'alginate, et un mélange de ceux-ci ;
B) une composition aqueuse imprégnée dans le substrat comprenant, par rapport au poids total de la composition :
i) de 0,2 % en poids à 0,6 % en poids d'un carbomère ; et
ii) de 0,15 % en poids à 0,6 % en poids d'un copolymère d'acrylate d'alkyle en C 10 -C 30 et d'acide acrylique ou méthacrylique ou d'un ester de ceux-ci ;
b) de 0,12 % en poids à 0,5 % en poids d'un agent de saponification choisi parmi la monoéthanolamine, la diéthanolamine, la triéthanolamine, la trométhamine et un mélange de celles-ci ; et
Les registres à décalages 126 forment une chaîne de registres au sein de chaque bloc d’affichage 106. Par exemple, la sortie d’un registre 126 stockant une partie des données correspondant à celles d’un pixel peut être reliée à l’entrée d’un registre 126 suivant destiné à stocker une autre partie des données correspondant à ce pixel ou une partie des données correspondant à un pixel « suivant ». En variante, il est possible d’avoir un seul registre commun aux circuits mémoires secondaires 120 destinés à stocker les données correspondant à un même pixel, ou bien, selon une autre variante, d’avoir, au sein d’un bloc d’affichage 106, plusieurs chaînes de registres 126, par exemple chacune destinée à stocker les données correspondant à une couleur de pixels destinés à être affichés par le bloc d’affichage 106. D’autres variantes sont également possibles.
Dans l’exemple de la , l’un des registres 126 du bloc d’affichage 106, qui est destiné à stocker les données correspondant à un premier des pixels destinés à être affichés par le bloc d’affichage 106, est relié au circuit de contrôle 114 et reçoit successivement en entrée les données mémorisées dans le circuit mémoire principale 124 du circuit de contrôle 114. Au rythme d’un signal d’horloge cadençant le déplacement série des données à travers la chaîne de registres 126, les données initialement présentes dans le circuit mémoire principal 124 sont positionnées dans l’ensemble des registres de la chaîne. L’amplificateur 121, ou buffer, peut être présent en sortie de chaque registre pour assurer si nécessaire le maintien du niveau d’amplitude des données transmises. Tous les registres 126 du bloc d’affichage 106 reçoivent en entrée un signal d’horloge de décalage généré par le circuit de contrôle 114 et commandant le décalage des données dans les registres. Le signal d’horloge de décalage peut être généré par le circuit de contrôle 114 à partir du signal d’horloge principal transmis sur le bus 113. Enfin, tous les verrous 128 du bloc d’affichage 106 reçoivent un signal de déclenchement de mémorisation généré par le circuit de contrôle 114 et qui commande le stockage, dans les verrous 128, des valeurs numériques présentes dans les registres 126. Ce signal de déclenchement de mémorisation est par exemple généré à partir du signal de déclenchement d’affichage transmis sur un fil 132, par exemple lorsque la transmission des données dans tous les circuits de contrôle 114 est achevée dans le groupe 104.
Un signal de commande d’affichage transite sur un fil 134 et est appliqué en entrée des circuits de pilotage 122 pour commander la génération des signaux de commande des éléments lumineux 118. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, chaque circuit de pilotage 122 correspond à un modulateur PWM générant un signal modulé PWM à partir des signaux numériques reçus. Un tel signal modulé PWM forme une impulsion d’amplitude maximale de valeur fixe et dont la durée est déterminée par la valeur à afficher par les éléments lumineux 118. Par rapport à un convertisseur numérique – analogique, un modulateur PWM occupe une surface de semi-conducteur bien moins importante, et permet de s’affranchir d’éventuels problèmes de linéarité des éléments lumineux 118.
La sortie de chaque circuit de pilotage 122 est couplée aux éléments lumineux 118. Le signal de commande d’affichage peut être généré par le circuit de contrôle 114 ou par la carte vidéo 108. La fréquence du signal de commande d’affichage est choisie comme étant suffisamment élevée pour éviter des problèmes de scintillement, et par exemple comprise entre 100 et 1000 fois la fréquence d’affichage d’images du dispositif 100, voire plus importante encore, comme par exemple égale à quelques MHz ou quelques dizaines de MHz (l’utilisation d’une fréquence élevée a pour avantage de réduire le besoin de précision sur la fréquence de ce signal). Le signal d’horloge de commande peut être dérivé du signal d’horloge principal transmis sur le fil 123 ou localement créé.
En variante du modulateur PWM décrit ci-dessus, il est possible que chaque circuit de pilotage 122 corresponde à un modulateur BCM. Des détails d’une telle modulation appliquée à l’affichage d’une matrice de pixels sont donnés dans le document EP 3 550 550 A1.
Du fait que la quantité de données numériques décompressées correspondant à chaque pixel est choisie comme étant identique pour tous les pixels destinés à être affichés par le bloc d’affichage 106, des registres à décalage 126 peuvent être utilisés au sein du bloc d’affichage 106, ces registres étant peu coûteux en surface de semi-conducteur.
Au sein de chaque bloc d’affichage 106, les registres à décalage 126 peuvent être reliés en série de différentes manières : ligne par ligne, colonne par colonne, en serpentin, etc. Le schéma de connexion des circuits mémoires secondaires 120 entre eux au sein de chaque bloc d’affichage 106 est pris en compte lors de la compression des données afin que les éléments lumineux 118 affichent bien les données qui leur sont destinées. Ainsi, l’ordre dans lequel les données numériques sont envoyées dans chaque bloc d’affichage 106 tient compte de la liaison des circuits mémoires secondaires 120 au sein du bloc d’affichage 106.
Dans l’exemple de réalisation décrit ci-dessus, tous les éléments et circuits destinés à afficher chaque pixel sont identiques, et tous les circuits de contrôle 114 sont identiques, ce qui facilite leur fabrication.
Un exemple de réalisation du dispositif d’affichage 100 selon un deuxième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec la .
Contrairement au premier mode de réalisation dans lequel les données numériques sont compressées avec un taux de compression de valeur constante, le dispositif d’affichage 100 selon le deuxième mode de réalisation est configuré pour utiliser un algorithme compressant les données numériques avec un taux de compression variable. L’algorithme de compression / décompression utilisé dans les circuits de compression 115 et les circuits de décompression 127 correspond par exemple à l’algorithme RLE (« Run-Length Encoding ») ou l’algorithme de Golomb.
Dans ce deuxième mode de réalisation, les données numériques compressées par les circuits de compression 115 sont envoyées sur un fil 135 faisant partie du bus 113 auquel les circuits de contrôle 114 sont couplés. Ainsi, contrairement au premier mode de réalisation dans lequel, dans chaque groupe 104, les données numériques compressées sont transmises dans les circuits de contrôle 114 qui sont couplés en série les uns aux autres, les données numériques compressées sont ici, dans le deuxième mode de réalisation, transmises parallèlement à tous les circuits de contrôle 114. L’identification, par chacun des circuits 114, des données numériques chiffrées qui lui sont destinées est réalisée par un circuit de réception de données 136 intégré à chacun des circuits de contrôle 114 et réalisant par exemple un décodage d’adresses associées aux données.
Chaque circuit 114 comporte également un deuxième circuit mémoire principal 138, par exemple de type FIFO, dans lequel les données numériques compressées adressées au circuit 114 sont stockées. L’utilisation de deuxièmes circuits mémoires principaux 138 de type FIFO au sein des circuits 114 permet, dans ce deuxième mode de réalisation, d’absorber, ou compenser, les variations du taux de compression des données numériques compressées reçues par les circuits 114 et qui se traduisent par des quantités variables de données numériques destinées à chacun des circuits 114. Dans ce deuxième mode de réalisation, étant donné que la quantité de données numériques adressées à chaque circuit de contrôle 114 varie, les données numériques correspondant à une ou plusieurs images à afficher peuvent être envoyées et stockées dans les deuxièmes circuits mémoires principaux 138 pendant que le dispositif d’affichage 100 est en train d’afficher les données correspondant à une autre image.
Pour éviter que les deuxièmes circuits mémoires principaux 138 ne soient saturés et ne puissent plus mémoriser d’images, il est possible que la carte vidéo 108 réalise un calcul permettant de savoir si les données numériques correspondant à une image complète peuvent être envoyées aux circuits de contrôle 114. Un bit mémorisé dans chacun des deuxièmes circuits mémoires principaux 138 peut également être utilisé pour indiquer un début d’image afin de pouvoir gérer les éventuels dépassements de capacités de ces deuxièmes circuits mémoires principaux 138.
Les données numériques compressées mémorisées dans les deuxièmes circuits mémoires principaux 138 sont ensuite envoyées dans les circuits de décompression 127 qui réalisent, comme dans le premier mode de réalisation, la décompression de ces données. Les données numériques décompressées sont mémorisées dans les circuits mémoires principaux 124 puis envoyées dans les circuits mémoire secondaires 120 auxquels les circuits de pilotage 122 sont couplés.
En outre, dans l’exemple de réalisation décrit ici, les signaux d’horloge et de commande appliqués en entrée des circuits mémoires secondaires 120 et des circuits de pilotage 122 d’un bloc d’affichage 106 sont émis depuis le circuit de contrôle 114 associé à ce bloc d’affichage 106.
Dans les exemples de réalisation précédemment décrits, l’algorithme de compression / décompression mis en œuvre dans le dispositif d’affichage 100 n’utilise pas de données communes, comme par exemple des tables de correspondances servant à la compression et à la décompression (à titre d’illustration, la matrice de Huffmann correspond à des données communes utilisées dans le cas du JPEG). En variante, il est possible que l’algorithme de compression / décompression mis en œuvre dans le dispositif d’affichage 100 fasse appel à de telles données communes qui, dans ce cas, sont transmises à chacun des circuits de contrôle 114. L’application de cette variante aux premier et deuxième modes de réalisation est décrite ci-dessous.
Dans des modes de réalisation (non représentés), plusieurs enceintes 104 sont en série. Chaque enceinte recouvre une partie du tapis de déplacement 102. Les enceintes 104 sont ainsi configurées pour une exposition discontinue des végétaux 103 aux micro-ondes 107.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , le moyen de déplacement 105 du support 102 est un moyen de déplacement relatif du support par rapport à l’enceinte 104. Préférentiellement, le moyen de déplacement 105 est un rouleau d’entraînement configuré pour être mis en rotation.
Dans des modes de réalisation, l’antenne émettrice 106 de micro-ondes 107 émet une puissance de micro-ondes comprise, par exemple, entre 1 et 10 kilowatts (kW). Pour atteindre cette puissance, la fréquence des micro-ondes est préférentiellement comprise entre 3000 et 500 mégahertz (MHz) et encore plus préférentiellement entre 900 à 2500 MHz, par exemple égale à 2450 mégahertz (MHz) ou 915 mégahertz (MHz). La puissance des micro-ondes 107 émises par cette antenne est prédéterminée en fonction des végétaux 103 à extraire. Des émissions 107 mono ou multidirectionnelles sont également mises en œuvre par cette antenne 106 en fonction des caractéristiques physiques des végétaux 103 à extraire. Préférentiellement, l’antenne émettrice 106 est une antenne radiante à fentes.
Dans des modes de réalisation, le moyen de séparation 108 est intégré au support 102 et comporte au moins un filtre retenant les végétaux 103. Par exemple, le filtre 108 peut être un filtre à tamis ou à membrane, une grille ou un tapis à mailles comportant des mailles de verre revêtues de téflon.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , le moyen de séparation 108 est un filtre et est incorporé à l’intégralité du tapis de déplacement 102. Autrement dit, le tapis 102 et le filtre 108 forment un seul élément, et préférentiellement un tapis à mailles. Préférentiellement, le tapis à maille 102 comporte des mailles de verre revêtues de téflon. Dans des modes de réalisation (non représentés), le filtre 108 est incorporé au tapis de déplacement 102 de manière discontinue.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , le dispositif 100 comporte, de plus, un tapis imperméable 109 au fluide extrait 101. Le tapis imperméable 109 est disposé sous le support de végétaux 102. Le support de végétaux 102 est un tapis comportant un moyen de séparation 108. Préférentiellement, le moyen de séparation 108 est un filtre incorporé à l’intégralité du tapis de déplacement 102. Encore plus préférentiellement, le tapis 102 et le filtre 108 forment un seul élément, et préférentiellement un tapis à mailles. Le fluide 101 est séparé des végétaux 103 par gravité en passant à travers les mailles du filtre 108. Le fluide 101 est ensuite récupéré par le tapis imperméable 109. Préférentiellement, le tapis imperméable 109 présente une section profilée en forme de V ou de U, la section du tapis imperméable 109 étant perpendiculaire à l’axe A du déplacement du tapis 109. Dans des variantes, un bac (non représenté) disposé sous le tapis à mailles reçoit le fluide qui s’écoule, le tapis à mailles étant formé par le tapis de déplacement 102 et le moyen de séparation 108.
Dans des modes de réalisation, le moyen de séparation 108 comporte, de plus, un moyen de mise en dépression (non représenté) configuré pour aspirer le fluide 101. La dépression sépare le fluide 101 des végétaux 103 par passage de ce fluide 101 à travers les mailles du filtre 108. Par exemple, la dépression est réalisée par une pompe exerçant une pression négative dans la partie inférieure de l’enceinte et plus particulièrement sous le tapis de déplacement 102.
Dans des modes de réalisation (non représentés), le moyen de séparation comporte de plus un ou plusieurs tapis intermédiaires comportant des filtres et disposés entre le tapis à maille 102 et le tapis imperméable 109. Chaque filtre de chaque tapis comporte une taille des pores qui diminue d’un tapis à l’autre et entre chaque filtration successive.
Ces différents moyens sont configurés pour réaliser une filtration multiple du fluide 101 extrait. Ainsi, le filtrat obtenu comporte une quantité de particules solides limitée.
Dans des modes de réalisation, tels que représentés en , le dispositif 100 comporte, de plus, un moteur d’entraînement qui entraîne le tapis imperméable 109 à une vitesse supérieure à la vitesse de déplacement du tapis 102. On note en que la vitesse de déplacement du tapis imperméable 109 est représentée par trois flèches et la vitesse de déplacement du tapis de déplacement 102 de végétaux 103 est représentée par une flèche.
Dans des modes de réalisation (non représentés), le tapis imperméable 109 se déplace dans un sens opposé au déplacement du tapis de déplacement 102 de végétaux 103. Préférentiellement, la vitesse de déplacement du tapis imperméable 109 est supérieure à la vitesse de déplacement du tapis déplacement 102 de végétaux 103.