Procédé de fabrication d’une structure multicouche (100, 200, 300), comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) un empilement (30) comprenant un substrat (31) et une couche diélectrique (32) disposée sur le substrat, le substrat (31) étant formé d’un matériau semiconducteur présentant une résistivité supérieure ou égale à 500 Ω.cm ; graver (S2) des tranchées (40) s’étendant à travers la couche diélectrique (32) et débouchant sur le substrat (31) ; graver (S3) le substrat (31) de manière isotrope et sélective par rapport à la couche diélectrique (32) pour former des premières cavités (50) dans le substrat (31) ; et déposer (S4) une couche de piégeage des charges électriques mobiles (60) sur des parois des premières cavités (50) et sur des parois latérales des tranchées (40), de manière à boucher les tranchées (40) dans la couche diélectrique (32), fermant ainsi les premières cavités (50) dans le substrat (31). Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre une étape (S5) de retrait d’une portion de la couche de piégeage des charges électriques mobiles (60) déposée sur la couche diélectrique (32). Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel l’empilement (30) fourni comprend une couche active (33) disposée sur la couche diélectrique (32) et une couche de protection (34) disposée sur la couche active (33), la gravure des tranchées (40) s’étendant en outre dans la couche active (33) et dans la couche de protection (34). Procédé selon la revendication 3, dans lequel des deuxièmes cavités (70) sont formées dans la couche active (33) en même temps que les premières cavités (50) dans le substrat (31), par gravure de la couche active (33) de manière isotrope et sélective par rapport à la couche diélectrique (32) et à la couche de protection (34), et dans lequel les deuxièmes cavités (70) sont remplies par la couche de piégeage des charges électriques mobiles (60). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les tranchées (40) sont disjointes et s’étendent dans la couche diélectrique (32) selon des plans parallèles entre eux et perpendiculaires à une face principale du substrat (31). Procédé selon la revendication 5, dans lequel les tranchées (40) sont espacées deux à deux d’une distance (d) telle que les premières cavités (50) fusionnent en une plus grande cavité (50’) lors de l’étape (S3) de gravure du substrat (31). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les tranchées (40) communiquent entre elles et forment un maillage dans la couche diélectrique (32). Procédé selon la revendication 7, dans lequel les tranchées présentent un premier pas de répétition (P X ) compris entre 100 nm et 5000 nm dans une première direction (X) et un deuxième pas de répétition (P Y ) compris entre 100 nm et 5000 nm dans une deuxième direction (Y) sécante à la première direction (X). Procédé de fabrication d’un circuit intégré (400) comprenant les étapes suivantes : fabriquer une structure multicouche (100, 200, 300) en accomplissant un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 ; former des composants passifs (90) sur la structure multicouche (100, 200, 300), à la verticale des premières cavités (50). Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre une étape de formation de tranchées d’isolation électrique (80) avant l’étape (S2) de gravure des tranchées (40). Procédé selon l’une des revendications 9 et 10, comprenant en outre une étape de formation de composants actifs (91) dans une première zone (Z1) de la structure multicouche (100, 200, 300), la première zone (Z1) étant dépourvue de premières cavités (50), les composants passifs (90) étant formés dans une deuxième zone (Z2) de la structure multicouche, distincte de la première zone (Z1) et munie des premières cavités (50). Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre une étape de formation d’au moins un niveau d’interconnexion électrique (92) reliant les composants actifs (91), les composants passifs (90) étant formés sur ledit au moins un niveau d’interconnexion électrique (92). Structure multicouche (100, 200, 300) comprenant : un substrat (31) formé d’un matériau semiconducteur présentant une résistivité supérieure ou égale à 500 Ω.cm ; une couche diélectrique (32) disposée sur le substrat (31) ; des tranchées (40) s’étendant à travers la couche diélectrique (32) jusqu’au substrat (31) ; des premières cavités (50) s’étendant dans le substrat (31), depuis l’interface entre le substrat (31) et la couche diélectrique (32) ; une couche de piégeage des charge électriques mobiles (60) tapissant des parois des premières cavités (50) aménagées dans le substrat (31) et remplissant entièrement les tranchées (40) dans la couche diélectrique (32), fermant ainsi les premières cavités (50) dans le substrat (31). Structure multicouche (200, 300) selon la revendication 13, comprenant en outre : une couche active (33) disposée sur la couche diélectrique (32) ; des deuxièmes cavités (70) aménagées dans la couche active (33) et remplies au moins partiellement par la couche de piégeage des charge électriques mobiles (60).