INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une rotation supplémentaire de +120° permet d’amener le carrousel dans une troisième position dans laquelle, les premier, deuxième et troisième systèmes d’enroulement sont respectivement en deuxième position inactive, en première position inactive et en position active.
Les systèmes d’enroulement peuvent être utilisés pour des opérations d’enroulements les uns après les autres, par rotation successive de 120°, les systèmes d’enroulement pouvant être rechargés en nouvelles bobines lorsqu’ils sont positionnés en première position inactive et/ou en deuxième position inactive.
Ces épaisseurs sont, avantageusement, compatibles avec l’épaisseur critique de relaxation plastique afin d’éviter la formation de dislocations. D’une manière générale, on choisira une épaisseur la plus faible possible pour minimiser la dégradation de la TTV due à l’épitaxie et/ou à l’étape de gravure. Les épaisseurs des couches du premier empilement dépendent également des sélectivités lors de la gravure. Plus une sélectivité sera grande, plus l'épaisseur de la couche d'arrêt pourra être faible.
De préférence, la deuxième épaisseur est au moins deux fois inférieure à la première épaisseur, et encore plus préférentiellement, la deuxième épaisseur est au moins 10 fois inférieure à la première épaisseur.
De préférence, la première couche d’arrêt 111 a un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20% et/ou inférieur ou égal à 25%.
De préférence, la deuxième couche d’arrêt 113 a un pourcentage atomique en Ge supérieur ou égal à 20% et/ou inférieur ou égal à 40%.
Par exemple, la première couche d’arrêt 111 a une épaisseur entre 50 nm et 150 nm et une concentration atomique en Ge de 25%.
Par exemple, la deuxième couche d’arrêt 113 a une épaisseur entre 5 nm et 20 nm, par exemple 10 nm, et une concentration atomique en Ge de 40%.
Les épaisseurs de la première couche d’arrêt 111 et de la deuxième couche d’arrêt 113 respectent, avantageusement, le critère de l’épaisseur critique de relaxation plastique détaillée, par exemple, dans l’article de Hartmann et al. (J. Appl. Phys. 110, 083529 (2011)).
La couche intermédiaire 112 permet d’absorber la variation d’épaisseur. La couche intermédiaire est en Si ou en SiGe.
Le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire est inférieur d’au moins 10 % voire d’au moins 15 % au pourcentage atomique en Ge de la première couche d’arrêt.
Le pourcentage atomique en Ge de la couche intermédiaire étant inférieur d’au moins 10 % voire d’au moins 15 % au pourcentage atomique en Ge de la deuxième couche d’arrêt.
De tels pourcentages permettent d’avoir une bonne sélectivité entre la couche intermédiaire et les couches d’arrêt.
Lors de la gravure de la couche supérieure, la couches d’arrêt n’est pas ou peu gravée ce qui permet d’arrêter la gravure grâce à une différence de sélectivité de gravure.
La zone active peut être formée d’une couche active en silicium 114 ou d’un empilement dit actif de couches actives. L’empilement de couches actives comprend au moins une couche en silicium et au moins une couche en SiGe. En particulier, l’empilement comprend au moins deux couches. Il peut comprendre plus de 2 couches, par exemple de 3 à 21 couches. L’empilement est formé d’une alternance de couches en Si et de couches en SiGe. Par exemple, il peut contenir 10 couches en Si.
Le pourcentage atomique de la couche ou des couches de SiGe de l’empilement est compris entre 20 % et 35 %, de préférence entre 20 % et 30 %.
La couche intermédiaire 112 et/ou la couche active 114 en silicium ont, de préférence, une épaisseur entre 5 nm et 30 nm, par exemple 10-20 nm.
Pour obtenir ce premier empilement fourni à l’étape i), on forme sur le premier substrat de silicium 110, la première couche d’arrêt en SiGe 111, la couche intermédiaire 112, la deuxième couche d’arrêt 113 en SiGe et finalement la zone active. Ces couches sont formées de préférence par épitaxie.
Le premier échangeur interne permet d’augmenter la variation d’enthalpie du fluide réfrigérant au cours du cycle thermodynamique et améliore l’efficacité du système.
De manière complémentaire, le système de conditionnement thermique peut comprendre un deuxième échangeur de chaleur interne disposé conjointement sur la boucle principale en aval du premier point de raccordement et en amont du troisième point de raccordement, et sur la boucle principale en aval du quatrième point de raccordement et en amont du deuxième point de raccordement.
Le deuxième échangeur interne permet également d’augmenter la variation d’enthalpie du fluide réfrigérant au cours du cycle thermodynamique et améliore l’efficacité du système.
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon un deuxième mode de réalisation de l’invention,
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon un troisième mode de réalisation de l’invention,
est une vue schématique du système de conditionnement thermique de la , fonctionnant suivant un mode de fonctionnement, dit mode de récupération d’énergie,
est une vue schématique du système de conditionnement thermique de la , fonctionnant suivant un mode de fonctionnement, dit mode pompe à chaleur,
est un diagramme thermodynamique illustrant le fonctionnement du système de conditionnement thermique selon le mode fonctionnement dit mode de récupération d’énergie,
est un schéma bloc du procédé de fonctionnement selon l’invention,
représente l’évolution temporelle de plusieurs paramètres du procédé.
Afin de faciliter la lecture des figures, les différents éléments ne sont pas nécessairement représentés à l’échelle. Sur ces figures, les éléments identiques portent les mêmes références. Certains éléments ou paramètres peuvent être indexés, c'est-à-dire désignés par exemple par premier élément ou deuxième élément, ou encore premier paramètre et second paramètre, etc. Cette indexation a pour but de différencier des éléments ou paramètres similaires, mais non identiques. Cette indexation n’implique pas une priorité d’un élément, ou paramètre par rapport à un autre et on peut interchanger les dénominations.
Dans la description qui suit, le terme " un premier élément en amont d'un deuxième élément " signifie que le premier élément est placé avant le deuxième élément par rapport au sens de circulation, ou de parcours, d'un fluide. De manière analogue, le terme " un premier élément en aval d'un deuxième élément " signifie que le premier élément est placé après le deuxième élément par rapport au sens de circulation, ou de parcours, du fluide considéré. Dans le cas du circuit de fluide réfrigérant, le terme « un premier élément est en amont d’un deuxième élément » signifie que le fluide réfrigérant parcourt successivement le premier élément, puis le deuxième élément, sans passer par le dispositif de compression. Autrement dit, le fluide réfrigérant sort du dispositif de compression, traverse éventuellement ou plusieurs éléments, puis traverse le premier élément, puis le deuxième élément, puis regagne le dispositif de compression, éventuellement après avoir traversé d’autres éléments.
Le terme « un deuxième élément est placé entre un premier élément et un troisième élément » signifie que le plus court trajet pour passer du premier élément au troisième élément passe par le deuxième élément.
Quand il est précisé qu'un sous-système comporte un élément donné, cela n'exclut pas la présence d'autres éléments dans ce sous-système.
Selon l’invention, le dispositif de pulvérisation de produits de traitement, notamment de produits phytopharmaceutiques, comporte au moins une rampe de pulvérisation dotée d’une pluralité de buses espacées (de préférence de paires de buses espacées, et/ou de préférence d’angle d’orientation réglable), et un châssis porteur de ladite au moins une rampe. Le dispositif est tel que ladite au moins une rampe est apte à être mobile en rotation autour de son axe longitudinal (l’axe longitudinal de la rampe), selon une oscillation continue (en particulier lors de la pulvérisation), de préférence selon un angle d’oscillation qui est réglable (de préférence selon un angle d’au plus 180°) et selon une vitesse d’oscillation qui est réglable, l’angle d’oscillation et la vitesse d’oscillation étant en particulier asservis à la vitesse de déplacement du dispositif de pulvérisation destiné à être déplacé le long de végétaux.
De manière inattendue, la mobilité de la rampe en oscillant en rotation par rapport à son axe longitudinal, et cela en continue, permet au produit de traitement d’être pulvérisé selon une multitude d’angles de projection et de s’introduire jusqu’au cœur du végétal. Il n’y pas de besoin d’entourer l’ensemble du dispositif de pulvérisation de moyens de soufflage d’air sous pression, comme dans l’état de la technique. En outre, la dérive est minimisée lors de la pulvérisation du fait de l’absence de soufflage d’air sous pression tout autour du dispositif.
Par ailleurs, ce dispositif de pulvérisation est de conception relativement simple de fabrication et adaptable sur tout pulvérisateur existant, conduisant à un prix de vente peu onéreux par rapport aux dispositifs existants. En effet, le dispositif de pulvérisation de l’invention est notamment indépendant de la cuve du produit de traitement et de la pompe d’alimentation, le tuyau d’alimentation du produit relié à la cuve doit uniquement être connecté à la rampe de pulvérisation du dispositif de pulvérisation. Par conséquent, le dispositif de pulvérisation de l’invention est également de maintenance réduite.
Dans la suite de la description les termes « horizontal », « vertical », « supérieur », « inférieur », « haut », « bas », s’entendent en qualifiant un élément du dispositif de pulvérisation dans le cadre d’une installation normale du dispositif, c'est-à-dire relatif à une notion verticale par rapport à un sol horizontal et au-dessus duquel serait disposé ou suspendu le dispositif de pulvérisation.
Selon une caractéristique, ladite au moins une rampe est apte, en combinaison de son mouvement de rotation oscillant continu, à être mobile en pivotement dans un plan perpendiculaire à son axe longitudinal, par pivotement du châssis porteur. Lorsque le dispositif de pulvérisation est conçu dans son utilisation afin que la ou les rampes de pulvérisation soient en position verticale, les rampes sont donc aptes à pivoter en oscillation continue autour de leur axe longitudinal vertical et à pivoter en outre autour d’un axe horizontal par pivotement du châssis porteur par rapport à son axe de développement longitudinal et horizontal ; les rampes en oscillant font alors également un mouvement de balancier dans un plan vertical parallèle à une ligne de végétaux en position de pulvérisation du dispositif.
Selon une autre caractéristique, ladite au moins une rampe de pulvérisation est apte à être mobile en translation par rapport au châssis porteur, de préférence est apte à être mobile en translation au cours de la pulvérisation en gardant une distance constante avec la cible (de végétal) destinée à être traitée.
Avantageusement, le dispositif de pulvérisation comporte des moyens de détection de présence et de distance aptes à détecter la présence ou l’absence de cible destinée à être traitée, et à mesurer la distance de séparation de ladite au moins une rampe par rapport à la cible à traiter, et des moyens de pilotage en temps réel du mouvement de translation de ladite au moins une rampe de pulvérisation de façon à conserver une distance constante entre la rampe et la cible destinée à être traitée. Dans ce cas, l’absence de végétation détectée ferme la diffusion des buses concernées. De plus, le dispositif de pulvérisation est alors capable de s’adapter au profil du terrain sur lequel roule le véhicule qui porte le dispositif afin que la distance séparant les buses du végétal soit constamment la même pour traiter de manière homogène le végétal sur toute sa ligne.
Dans un mode de réalisation préféré, le dispositif de pulvérisation comporte deux rampes de pulvérisation espacées et portées par le châssis porteur, en particulier les deux rampes de pulvérisation s’étendant perpendiculairement au châssis (qui est de corps longitudinal) de sorte que ledit dispositif de pulvérisation présente une forme générale de U renversé. Le dispositif de pulvérisation permet ainsi de pulvériser en même temps les deux faces latérales opposées d’un végétal en ligne, ou bien deux faces en regard de deux rangs parallèles de végétaux (dits deux demi-rangs). Les deux rampes de pulvérisation présentent leur mouvement d’oscillation autour de leur axe longitudinal qui est soit synchrone, soit asynchrone.
Dans un mode de réalisation préféré, le corps du châssis comporte deux bras opposés et parallèles, aux extrémités distales de chacun desquels est fixée une rampe de pulvérisation s’étendant perpendiculairement (ou sensiblement perpendiculairement) au bras associé, de préférence les bras étant non alignés de sorte que les deux rampes de pulvérisation sont fixées en deux points diagonalement opposés par rapport au centre du corps du châssis. Avantageusement, les bras sont mobiles par rapport au châssis par un mécanisme de translation, de préférence par un système à pignon-crémaillères. Avantageusement, le mécanisme de translation, de préférence par un système à pignon-crémaillères, est apte à translater au moins une rampe de pulvérisation par rapport au châssis.
Selon une autre caractéristique, le dispositif de pulvérisation comporte des moyens de rotation tels qu’un moteur électrique ou un vérin, qui sont couplés à ladite au moins une rampe de pulvérisation pour son mouvement d’oscillation autour de son axe longitudinal.
Selon une caractéristique avantageuse, le dispositif de pulvérisation comporte des éléments de brassage d’air qui sont couplés aux rampes de pulvérisation, en particulier les éléments de brassage d’air étant des éléments structurels mécaniques qui sont fixés de préférence de manière amovible à ladite au moins une rampe. Ces éléments de brassage d’air participent encore mieux au dépôt du produit au cœur des végétaux, car ils permettent lors de l’avancement du dispositif de pulvérisation de brasser l’air en vis-à-vis du végétal et de faire virevolter les feuilles pendant la pulvérisation. Dans un exemple de réalisation, un élément de brassage d’air forme une plaque qui s’étend selon toute la longueur d’une rampe de pulvérisation et latéralement aux buses, de préférence l’élément de brassage d’air comportant une surface concave donc la concavité est tournée vers la rampe de pulvérisation. Dans un autre exemple de réalisation, les éléments de brassage d’air forment une paire de flasques espacés agencés de manière localisée à la hauteur d’une ou de buses regroupées, chaque flasque s’étendant latéralement de part et d’autre d’une ou des buses regroupées ; les éléments de brassage d’air forment deux éventails (fixes) de part et d’autre d’une ou de buses regroupées sur la rampe ; lors du mouvement d’un rampe, les flasques ou éventails perturbent et brassent l’air, remuant les feuilles des végétaux. Les éléments de brassage d’air peuvent être réglables angulairement par rapport à l’axe longitudinal de la rampe.
Selon encore une autre caractéristique, le châssis porteur est équipé de moyens stabilisateurs, notamment un gyroscope, afin de rester dans un plan horizontal (ou sensiblement horizontal) quel que soit le mouvement du véhicule qui est destiné à porter le dispositif de pulvérisation pour son utilisation, de préférence les moyens stabilisateurs, pouvant être animés par des moteurs, constituant également des moyens de pivotement du châssis porteur par rapport à son plan d’extension, d’une part, autour d’un axe parallèle à la longueur du châssis (à l’axe longitudinal du châssis et donc parallèle aux bras) de façon à procurer un pivotement du châssis d’avant en arrière (et inversement) par rapport à la direction d’avancement d’un véhicule portant le dispositif de pulvérisation en position d’utilisation, et d’autre part, autour d’un axe perpendiculaire à la longueur du châssis (ou perpendiculaire à l’axe longitudinal du châssis et donc aux bras), de façon à procurer un pivotement de gauche à droite (et inversement) par rapport à la direction d’avancement du véhicule portant le dispositif de pulvérisation en position d’utilisation. Le pivotement du châssis engendre le pivotement de ladite au moins une rampe.
Avantageusement, les buses sont regroupées par paires de buses, notamment les buses d’une paire étant orientées selon des directions différentes, en particulier selon un angle de l’ordre de 40°, de préférence l’ouverture et la fermeture des buses étant fonction de la détection de présence et de distance d’une cible destinée à être traitée.
Avantageusement, ladite au moins une rampe de pulvérisation est amovible par rapport au châssis porteur, notamment est interchangeable avec un autre outil apte à coopérer avec le végétal, tel que pour désherber ou épamprer ou couper, ou détecter pour notamment récolter des informations sur les végétaux.
Dans un exemple de réalisation de rampe de pulvérisation, celle-ci présente un profil adapté à former une ou des goulottes longitudinales à l’arrière des buses de pulvérisation, et de préférence comporte en extrémité distale (inférieure) une surface de récupération dans laquelle débouche la ou les goulottes, la ou les goulottes formant des canaux de récupération du produit de traitement pulvérisé et ne parvenant pas jusqu’au végétal.
Avantageusement, le dispositif de pulvérisation comporte, en particulier de manière intégrée au châssis porteur, des moyens de mesure de la vitesse d’avancée du véhicule destiné à porter ledit dispositif de pulvérisation, et/ou un anémomètre, et/ou de moyens de mesure de la pression et/ou du pH et et/ou de la température du produit envoyé dans ladite au moins une rampe de pulvérisation.
ii) fournir un deuxième empilement comprenant un deuxième substrat par exemple en silicium 120 (dit substrat de manipulation) recouvert par une couche diélectrique 121 par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium ( ),
iii) fixer le premier empilement sur le deuxième empilement, la couche diélectrique 121 étant en contact avec la zone active ou avec la deuxième couche d’arrêt 113 ( ),
b) amincir progressivement le premier substrat 110 en silicium, depuis la première face principale de ce substrat, de manière à retirer une première partie du premier substrat 110 et à laisser une deuxième partie du substrat 110, la deuxième partie ayant, par exemple, une épaisseur inférieure entre 30 et 50µm, de préférence entre 20 et 30µm, encore plus préférentiellement entre 10 et 20µm, de manière encore plus préférentielle entre 2,5 et 10µm, l’étape d’amincissement pouvant conduire à une variation totale d’épaisseur supérieure ou égale à 2000nm, et de préférence supérieure ou égale à 2500nm,
( ),
- la deuxième partie du premier substrat 110, par exemple, par gravure chimique, jusqu’à la deuxième face principale du premier substrat 110, de manière à atteindre la première couche d’arrêt 111 ( ),
- la première couche d’arrêt 111 ( ),
- la couche intermédiaire 112 ( ),
- éventuellement, la deuxième couche d’arrêt 113, moyennant quoi on obtient un substrat semi-conducteur sur isolant comprenant un substrat 120 recouvert par une couche diélectrique 121 et une zone active ou un substrat 120 recouvert par une couche diélectrique 121 et la deuxième couche d’arrêt en SiGe 113 ( ).
Lorsque la deuxième couche d’arrêt 113 est retirée et que le premier empilement comprend une zone active, notamment une couche active en silicium 114, on obtient un substrat de type SOI.
Lorsque la deuxième couche d’arrêt 113 n’est pas retirée et que le premier empilement ne comprend pas de zone active, on obtient un substrat de type SiGeOI. La deuxième couche d’arrêt 113 joue alors également le rôle de couche active.
Le premier empilement fourni à l’étape i) comprend un premier substrat 110, deux couches d’arrêt de gravure 111, 113 (ESL pour ‘etch stopping layer’), une couche intermédiaire 112 et éventuellement une zone active.
Le premier substrat 110 comprend deux faces principales : une première face principale et une deuxième face principale.
La première couche d’arrêt 111 est en contact avec la deuxième face principale du premier substrat 110.
La première couche d’arrêt 111 a une épaisseur permettant d’absorber la variation d’épaisseur résultant de l’étape d’amincissement et/ou l’étape de gravure du premier substrat 110.
La deuxième couche d’arrêt 113 a une épaisseur permettant d’absorber la variation d’épaisseur résultant de la gravure de la couche intermédiaire 112.
Les gorges g6 servent à recevoir des vis de fixation lors de l’assemblage des montants et traverses 1 d’un cadre, les pièces à assembler étant coupées à 45°.
Si l'on se réfère maintenant à la , on peut voir que l'on a représenté une pièce complémentaire de liaison PCL dont le rôle est indiqué plus loin.
La pièce PCL est un profilé, également avantageusement en aluminium, ayant la même forme que la région avant de la pièce 1, les parties correspondantes de celui-ci ayant, sur la , été repérées par les mêmes chiffres de référence avec le suffixe (’). La pièce PCL se prolonge toutefois par une partie 31 parallèle à la paroi 13’, du côté opposé à celle-ci, laquelle partie 31 est repliée d'équerre à l'opposé de la gorge g’1 pour former une partie 32 portant extérieurement des nervures 29’ et 30’ aptes à coopérer avec les rainures 29 et 30 d'une pièce 1 dans un montage tel que décrit ci-après.
Si l'on se réfère à la , on peut voir que l'on a représenté une coupe horizontale à travers une structure d'isolation rapportée sur un mur M.
On peut voir sur cette les deux montants 1 d'un module central d'isolation qui forment avec deux traverses du même type un cadre dans lequel se trouve une matière isolante I.
Sur cette , on voit également des ensembles 33 de montage des cadres sur le mur M, un ensemble 33 assurant le montage commun avec le montant d'un cadre voisin (cadres représentés partiellement en partie droite et en partie gauche de cette figure).
On va maintenant décrire un ensemble 33 avec référence à la .
Un ensemble 33 comporte une plaque en U 34, destinée à être appliquée sur un mur M ( ) pour y être fixée par des vis 35, et une plaque 36 de forme d’ensemble en U, destinée à venir coulisser dans la plaque 34, les ailes de la plaque 36 venant se placer intérieurement contre les ailes de la plaque 34 et y étant fixées par des vis 37.
Le fond de la plaque 36 présente, en son centre, un repli en U vers l’intérieur pour l’insertion d’un bloc parallélépipédique 38 (en bois imputrescible par exemple) destiné à venir se placer en position de montage entre deux montants 1 voisins ( ), face aux parties A et C de ceux-ci.
Le bloc 38 est fixé à la plaque 36 par des vis 39 ( ).
Sur le chant avant du bloc 38 peuvent être fixées deux plaquettes 40, 41 par des vis respectivement 40a et 41a, la plaquette 40 une fois fixée dépassant vers la gauche si l’on regarde la , et la plaquette 41, vers la droite.
En partie inférieure du chant du bloc 38 est fixée, par des vis 42a, une plaquette 42 dont la base se prolonge de part et d’autre par une extension 42b. La plaquette 42 présente ainsi la forme d’un T inversé.
Des plaques 43 viennent s’appliquer à l’avant contre la plaque 36 de part et d’autre du bloc 38.