INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le fluide caloporteur sortant des conduits internes 34 des premier et second modules 3 est collecté dans les canaux externes 71 des premières faces 67 du premier module 3 et du second module 3. Ils suivent ces canaux externes 71 jusqu’au collecteur d’évacuation 103. Ils parcourent successivement la partie longitudinale 117 du collecteur d’évacuation 103 puis la partie transversale 119 du collecteur d’évacuation 103 jusqu’à l’orifice de sortie de fluide caloporteur 107.
Une partie de la chaleur est conduite par les plaques 19 jusqu’aux bords pliés 51 supérieur et inférieur, puis à travers la fine couche de résine intercalée entre le bord plié 51 et le fond du canal 71 jusqu’au fluide caloporteur.
Le procédé de fabrication d’un module pour une batterie de stockage d’électricité va maintenant être décrit.
Ce procédé est particulièrement adapté à la fabrication du module décrit ci-dessus. Inversement, le module décrit ci-dessus est spécialement conçu pour être fabriqué par le procédé ci-dessus.
Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes :
- obtention d’une pluralité de cellules poches 5 de stockage d’électricité, ayant chacune une poche 7 et des première et seconde électrodes 9, 11 faisant saillie hors de la poche 7 ;
- juxtaposition des cellules poches 5 suivant une direction principale P, en formant un empilement ;
- surmoulage d’une résine 65, l’empilement étant noyé dans la résine 65.
Les cellules poches 5 sont comme décrit ci-dessus.
Selon un mode de réalisation particulier, les moyens pour détecter la position angulaire du cylindre lors de sa rotation, détectent la position angulaire de l’axe d’entraînement en rotation.
Selon ce mode de réalisation particulier, les moyens pour détecter la position angulaire du cylindre peuvent avantageusement comporter un marquage monté sur l’axe d’entraînement et un capteur.
De manière préférentielle, le marquage monté sur l’axe d’entraînement peut être constitué d’une bague et d’une vis pour ajuster la position de la bague sur l’axe d’entraînement, le capteur étant un capteur inductif.
Selon certaines caractéristiques, l’armature du cylindre peut comprendre un ensemble de rails annulaires espacés le long de la surface circonférentielle du cylindre, dans lesquels les bords latéraux de chaque grille sont insérés.
Selon d’autres caractéristiques, les systèmes de fixation des extrémités de chacune des grilles peuvent être des systèmes du type « à levier crochet ».
Selon d’autres caractéristiques encore, les moyens pour entraîner en rotation l’axe peuvent consister en un moteur asynchrone associé à un réducteur, ainsi qu’en un dispositif de freinage dudit moteur.
Selon d’autres caractéristiques encore, la machine peut comporter un dispositif de traitement de l’air qui s’échappe du système d’aspiration.
L’invention a également pour objet un procédé de mise en œuvre d’une machine pour nettoyer et calibrer des grains, graines et similaires conforme à un mode de réalisation de l’invention, dans lequel :
- lorsque la machine est à l’arrêt, on positionne le cylindre dans une position de référence POSref,
- on associe ensuite la position de référence POSref aux moyens de détection de la position angulaire du cylindre,
- on active ensuite les moyens qui entraînent en rotation l’axe sur lequel est monté le cylindre,
- on désactive enfin au bout d’une durée Tdet, les moyens qui entraînent en rotation l’axe sur lequel est monté le cylindre, lesdits moyens bloquant la rotation de l’axe sur lequel est monté le cylindre, dès lors que les moyens de détection de la position angulaire du cylindre détectent la position de référence POSref.
Ainsi, dans le cas où les moyens pour entraîner en rotation l’axe comprennent un moteur asynchrone associé à un réducteur, ainsi qu’un dispositif de freinage dudit moteur, l’unité ECU commande au bout d’une durée Tdet, la décélération du moteur asynchrone puis la détection de la position angulaire du cylindre par les moyens de détection. Puis, lorsque la position de référence POSref est détectée, l’unité ECU commande l’arrêt du moteur ainsi que l’enclenchement du freinage du moteur asynchrone.
Cette figure représente une vue schématique de côté d’une machine pour nettoyer et calibrer des grains, graines et similaires conforme à un mode de réalisation de l’invention.
Le substrat 20 peut être une structure monobloc en un même matériau ou multicouches. Il peut être réalisé en un composé semiconducteur IV, par exemple en silicium, en germanium, en carbure de silicium, ou en un composé III-V (tel que l’AlN ou le GaN) ou II-VI. Il peut également être en un matériau métallique ou en un matériau isolant comme le saphir. Dans cet exemple, il est réalisé à base de silicium.
Le face avant du substrat 20 est ici recouverte par une couche de nucléation 21. Celle-ci est réalisée en un matériau favorisant la nucléation et la croissance épitaxiale des diodes filaires 10, et peut être un oxyde d’aluminium (tel que l’Al 2 O 3 ), un nitrure de magnésium Mg x N y , ou un nitrure ou un carbure d’un métal de transition, ou tout autre matériau adapté ici pour l’épitaxie du GaN. L’épaisseur de la couche de nucléation 21 peut être de l’ordre de quelques nanomètres à quelques centaines de nanomètres.
La couche de nucléation 21 est ici recouverte par une couche diélectrique 22 formant un masque de croissance, laquelle comporte des ouvertures débouchant sur la couche de nucléation 21 et autorisant la croissance épitaxiale des diodes filaires 10. La couche diélectrique 22 est réalisée en au moins un matériau électriquement isolant, par exemple un oxyde ou un nitrure de silicium, tel que du SiO 2 ou du Si 3 N 4 . Dans cet exemple, la couche diélectrique 22 est réalisée en SiO 2 .
Chaque diode filaire 10 est ici une diode électroluminescente en configuration axiale. Elle s’étend longitudinalement de manière parallèle à l’axe principal A s du substrat. Elle comporte, suivant l’axe principal A s , une première portion dopée 11, par exemple ici de type n, s’étendant au contact et à partir de la couche de nucléation 21, une zone active 12 d’où est émis l’essentiel du rayonnement lumineux de la diode, et une deuxième portion dopée 13, ici de type p.
Les diodes filaires 10 sont ici en configuration axiale dans la mesure où chaque zone active 12 revêt essentiellement une face supérieure de la première portion dopée 11 et s’étend suivant l’axe principal A s . De plus, chaque seconde portion dopée 13 revêt essentiellement une face supérieure de la zone active 12 et s’étend également suivant l’axe principal A s . Les diodes filaires 10 se distinguent ici de la configuration cœur/coquille (qui peut toutefois être mise en œuvre dans le cadre du procédé selon l’invention).
Chaque diode filaire 10 est réalisée ici à base de GaN, mais plus généralement à partir d’au moins un matériau semiconducteur, qui peut être choisi parmi les composés III-V comportant au moins un élément de la colonne III et au moins un élément de la colonne V du tableau périodique ; les composés II-VI comportant au moins un élément de la colonne II et au moins un élément de la colonne VI ; ou les éléments ou composés IV comportant au moins un élément de la colonne IV.
Les diodes filaires 10 sont réparties sur le substrat 20 de manière régulière, avec un espacement relatif moyen d de bord à bord. On peut alors définir un rapport d’aspect de l’espacement entre les diodes filaires 10, comme le rapport h/d correspondant au rapport de la hauteur moyenne h sur l’espacement relatif moyen d. La hauteur moyenne peut être comprise entre 100nm et 10000nm, par exemple comprise entre 500nm et 5000nm, et de préférence comprise entre 800nm et 1200nm. L’espacement relatif moyen peut être compris entre 50nm et 500nm, voire entre 80nm et 120nm. Quoi qu’il en soit, le rapport d’aspect h/d est au moins égal à 1, voire à 5, ou encore à 10.
Par ailleurs, la couche mince conductrice 23 s’étend de manière conforme et continue sur le substrat 20 et sur une partie inférieure de chaque diode filaire 10 (pied de la diode filaire). Elle peut donc assurer la polarisation électrique des diodes filaires 10, c’est-à-dire l’application d’un même potentiel électrique à chaque première portion dopée 11 des diodes filaires 10. Ces dernières sont alors connectées en parallèle.
La couche mince conductrice 23 est réalisée en au moins un matériau électriquement conducteur, comme par exemple un matériau métallique tel que de l’aluminium, de l’argent, ou un matériau transparent conducteur tel qu'un oxyde d’indium étain (ITO, pour Indium Tin Oxide en anglais) ou tout autre matériau permettant d'établir un contact électrique sur la première portion dopée 11. L’épaisseur moyenne e ei de la couche mince conductrice 23 peut être comprise entre 50nm et 500nm, par exemple égale à 100nm.
Elle s’étend de manière conforme sur le substrat 20 et les diodes filaires 10, c’est-à-dire qu’elle présente une épaisseur non nulle à la fois sur le substrat 20 et sur les pieds des diodes filaires 10. De manière à améliorer la polarisation électrique des diodes filaires, elle s’étend le long des pieds des diodes filaires 10 sur une hauteur moyenne h ei supérieure à son épaisseur moyenne e ei , par exemple égale à 500nm environ. De plus, elle s’étend de manière continue, c’est-à-dire que la partie qui s’étend continûment sur le substrat 20 est également continûment reliée aux parties qui s’étendent sur les pieds des diodes filaires 10.
Les diodes filaires 10 sont recouvertes par une couche d’encapsulation 24, réalisée en un matériau diélectrique et au moins partiellement transparent au rayonnement lumineux émis par les diodes filaires 10. Il peut s’agir, par exemple, d’un oxyde de silicium (par exemple SiO2) ou d’aluminium (par exemple Al2O3), d’un nitrure de silicium SiNx ou tout autre matériau adapté comme par exemple un polymère. L’épaisseur de la couche d’encapsulation 24 est telle qu’elle recouvre les diodes filaires 10, mais laisse affleurer une partie de la deuxième portion dopée 13 des diodes filaires 10.
Enfin, une couche mince conductrice 25 supérieure, destinée à former l’électrode supérieure, s’étend sur la couche d’encapsulation 24 et vient au contact de la deuxième portion dopée 13 de chaque diode filaire 10. Elle est réalisée en un matériau électriquement conducteur, et transparent au rayonnement lumineux émis par les diodes. Il peut s’agir, par exemple, d’un oxyde d’indium étain (ITO) ou d’un oxyde de zinc dopé au gallium (GZO), voire dopé à l’aluminium ou à l’indium. Par transparent, ou au moins partiellement transparent, on entend un matériau qui transmet au moins 50% de la lumière incidente, et de préférence au moins 80% voire davantage.
La est une vue simplifiée d’une partie du dispositif optoélectronique 1 illustrée sur la , avant l’étape de réalisation de la couche mince conductrice 23 inférieure.
On met ici en évidence le rapport d’aspect d’espacement h/d des diodes filaires 10 vis-à-vis de la direction principale de dépôt D d (ou direction d’incidence) du flux de matière destiné à former l’électrode inférieure 23.
En effet, dans la mesure où cette étape de réalisation est effectuée par dépôt physique en phase vapeur directif (évaporation, pulvérisation IBS…), le flux de matière est orienté, au niveau du substrat 20 et des diodes filaires 10, suivant une direction principale D d prédéfinie.
Cette direction principale D d peut être inclinée ou non vis-à-vis de l’axe principal A s orthogonal au substrat 20. On définit alors un angle d’inclinaison α, qui peut être nul lorsque l’axe principal A s est parallèle à la direction principale D d , ou qui est non nul lorsque l’axe principal A s est incliné vis-à-vis de cette direction principale D d .
Selon l’exemple décrit, le deuxième contact C2 et le quatrième contact C4 s’étendent principalement le long de la même direction, à savoir la deuxième direction longitudinale Y. Les deux contacts C2 et C4 sont donc opposés l’un à l’autre.
Le troisième contact C3 s’étend principalement le long d’une direction perpendiculaire à la direction principale des contacts C2 et C4.
Le troisième contact C3 est connecté électriquement à la couche métallique 38.
De fait, le premier contact C1 est positionné sur la partie non superposée 32 et plus précisément sur la barre verticale du T de la partie non superposée 32.
Le premier contact C1 connecte électriquement le sous-ensemble d’interfaçage 20, et notamment la première partie 34 du sous-ensemble d’interfaçage 20.
De plus, le premier contact C1 est accessible par le dessus puisqu’il n’est pas recouvert par le sous-ensemble de polarisation en spin 22.
Le premier contact C1 est un contact électrique de lecture de l’état de la polarisation du sous-ensemble ferroélectrique 18.
Le fonctionnement de la mémoire 10 est maintenant décrit.
Lors de l’écriture, l’unité d’écriture vient charger la couche de contact 28 de l’électrode inférieure 16.
Par exemple, l’unité d’écriture est un transistor permettant de charger positivement ou négativement la couche de contact 28.
Lors de la lecture, dans une première méthode, l’unité de lecture applique un courant (ou une tension) entre le premier contact C1 et le troisième contact C3.
Du fait de l’agencement particulier de la , le courant injecté entre le premier contact C1 et le troisième contact C3 passe entièrement du sous-ensemble de polarisation en spin 22 vers le sous-ensemble d’interfaçage 20.
L’unité de lecture vient alors mesurer la tension entre le deuxième contact C2 et le quatrième C4, ou entre l’un contact parmi le deuxième contact C2 et le quatrième contact C4, et un potentiel électrique de référence.
Dans une seconde méthode, réciproque de la première, l’unité de lecture applique un courant (ou une tension) entre le deuxième contact C2 et le quatrième contact C4. L’unité de lecture vient alors mesurer la tension entre le premier contact C1 et le troisième contact C3, ou entre un contact parmi le contact C1 et le troisième contact C3, et un potentiel électrique de référence.
Dans ces deux méthodes le courant ne traverse donc pas le sous-ensemble ferroélectrique 18.
La tension mesurée dépend du courant injecté et de la polarisation électrique selon la direction d’empilement Z du sous-ensemble ferroélectrique 18, puisque le sous-ensemble ferroélectrique 18 contrôle électriquement et de manière non-volatile l’interconversion du courant de spin en courant de charge réalisée.
Disposer ainsi les pistes ESR, ou les portions de la ligne ESR à l’aplomb des lignes de qubits est favorable en termes de contrôle du potentiel électrique V DC , AC , V impulsionne l appliqué en face arrière des pièges. En revanche, cela modifie les propriétés du champ magnétique généré, et, à titre d’exemple, on n’obtient plus l’effet de somme constructive de la configuration représentée sur la .
La montre un dispositif 18 comprenant deux matrices M1 et M2 de 6×6 qubits, chacune identique à la matrice de qubits M du dispositif 13 ( ). Le dispositif 18 correspond en quelque sorte à une version dupliquée, étendue, du dispositif 13 de la .
Les deux matrices de qubits M1 et M2 comprennent chacune six lignes de qubits (avec 6 qubits par ligne), parallèles à l’axe x.
La première matrice M1 est située entre le premier plot de contact 91 et le deuxième plot de contact 92, tandis que la deuxième matrice est située entre le deuxième plot de contact 92 et un troisième plot de contact 93. Les deux matrices M1 et M2 sont alignées avec l’autre (elles sont disposées le long d’une même ligne, parallèle à l’axe x). Un premier ensemble de pistes ESR, comprenant cinq pistes ESR 30 – 34, identiques à celles du dispositif 13 de la , s’étend depuis le premier plot 91 jusqu’au deuxième plot, et permet de piloter, par résonance de type ESR, les qubits de la première matrice M1. De même, un deuxième ensemble de pistes ESR, comprenant cinq lignes ESR 70 – 74 s’étend depuis le deuxième plot 92 jusqu’au troisième plot 93. Ce deuxième ensemble de lignes ESR, identique au premier ensemble, permet quant à lui de piloter les qubits de la deuxième matrice M2 par résonance de type ESR.
Les premier et troisième plots 91 et 93 sont des plots d’entrée du courant tandis que le deuxième plot 92, commun aux deux ensembles de lignes ESR 30 – 34 et 90 – 94, est un plot de sortie du courant (il est par exemple raccordé à une masse électrique du dispositif.
En variante, les deux ensembles de pistes ESR, qui pilotent respectivement les deux matrices M1 et M2, pourraient être du même type que pour le dispositif 14 de la , avec une piste ESR pour deux lignes de qubits (au lieu d’avoir une piste ESR pour chaque ligne de qubit).
De même, en variante, on pourrait employer une configuration du même type que pour les dispositifs 15 et 16 avec, pour chaque matrice M1, M2, une seule piste ESR formant des méandres qui serpentent d’un côté à l’autre de la matrice, parallèlement aux lignes de qubits.
D’autre part, au lieu d’avoir un plot de contact commun aux deux ensembles de pistes ESR (le deuxième plot 92), les deux ensembles de pistes ESR, associés respectivement aux deux matrices M1 et M2, pourraient être pourvus chacun de deux plots de contact qui leur soit propres (le dispositif comprenant alors quatre plots de contact).
L’exemple de la montre que la structure présentée plus haut, en référence aux figures 7 à 11 (structure avec une matrice de qubits et une ligne ESR en serpentin, ou plusieurs lignes ESR connectées en parallèle), se prête bien à une mise en réseau de plusieurs matrices de qubits, intégrées dans le même dispositif. Ces matrices peuvent être disposées elles-mêmes de manière à former une matrice de matrices (une « méta-matrice »), comme pour le dispositif 19 de la .
Le dispositif 19 comprend 12 matrices de qubits, chacune comportant six lignes de six qubits (soit 432 qubits). Il comporte également neuf plots de contact 91 – 99, disposés en trois lignes de trois plots. Chaque matrice de qubits est située entre deux des plots 91 – 99 en question. Un ensemble de cinq pistes ESR parallèles est prévu pour chaque matrice, ces pistes s’étendant depuis l’un des plots de contact jusqu’à celui situé de l’autre côté de la matrice considérée.
Les plots 91, 93, 97 et 99, situées aux quatre sommets de cette « méta-matrice », sont des plots d’entrée du courant, de même que celui, 95, situé au centre de la méta-matrice (au centre du réseau). Les autres plots, 92, 94, 96 et 98 (situés aux milieux des quatre côtés de cette méta-matrice) sont des plots de sortie du courant. Chaque plot de contact a une extension latérale proche de, ou même identique à celle de chaque matrice de qubits.
Chaque matrice de qubits peut être équipée d’un commutateur ou sélecteur, comme celui, 90, du dispositif 13 ( ).
Cet agencement des matrices de qubits permet une intégration commode, dans le même dispositif, d’un tel réseau de matrices de qubits. En effet, cet agencement laisse un espace substantiel pour chaque plot de contact (ce qui permet de réaliser des plots assez larges permettant de réaliser un bon contact avec une autre puce). Par ailleurs, entre chaque groupe de quatre matrices de qubits, une zone Z1, Z2, Z3, Z4 est laissée libre, ce qui peut être mis à profit pour réaliser d’autres éléments en face arrière, ou comme zone d’entrée de signaux DC pour le contrôle des qubits, ou encore pour un retour en face avant de contacts électriques. Par ailleurs, chaque matrice peut être adressée individuellement, en termes de circulation du courant I ESR (et même, chaque ligne de qubits, lorsque le dispositif est équipé des commutateurs/sélecteurs mentionnés plus haut). Enfin, le dispositif peut être démultiplié librement, en fonction de la taille du réseau de matrices souhaité (un réseau de 4 matrices, aussi bien que de huit fois cinq matrices, ou de k fois l matrices peut être réalisé sur ce même modèle). Dans le dispositif 13 ; 14 ; 15 ; 16 ; 17 ; 18 ; 19, il peut être nécessaire d’homogénéiser le champ magnétique généré au niveau des qubits, en particulier en bordure de structure selon l’axe y. Pour cela, il est possible d’ajuster la largeur des pistes ESR, ou encore d’ajouter des pistes externes de compensation des effets de bords. D’autres solutions pour homogénéiser le champ magnétique généré sont de retirer les portions de canal les plus externes selon l’axe Y.
Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 3 et 7 à 13, les pistes ESR sont rectilignes, ou composées de portions rectilignes et parallèles aux lignes de qubits.
Mais, comme mentionné plus haut, ces pistes ESR, ou ces portions de piste affectées à telle ou telle ligne de qubits, peuvent aussi être non rectilignes, et serpenter de part et d’autre d’un axe moyen xo parallèle à la ligne de qubits considérée, comme cela est représenté sur les figures 14 à 21. Sur ces figures, on a représenté, vu de dessous, différentes variantes envisageables pour la géométrie d’une telle piste ESR, ou pour la géométrie d’une portion de piste ESR affectée à une ligne L1 de qubits.
Dans chacun de ces exemples, la piste, 110 ; 120 ; 130 ; 140 ; 150 ; 160 ; 170 ; 180, forme, dans un plan parallèle à la couche isolante (plan (x,y)), au niveau de chaque grille 3 (ou, au niveau de chaque îlot de grilles), en projection sur le plan (x,y), une portion de boucle 111 ; 121 ; 131 ; 141 ; 151 ; 161 ; 171 ; 181. Cette portion de boucle, non rectiligne, entoure en partie un (petit) élément de surface, sur une portion du pourtour de cette surface (sur une portion de sa périphérie).
Le système télécentrique 19 permet, par la présence de la couche d'ouvertures 23, de filtrer les rayonnements arrivant avec un angle d'incidence supérieur à un angle d'incidence défini.
Le système télécentrique 19 permet, en outre, de focaliser, en un cône convergent à la surface d'un photodétecteur 15, les rayonnements arrivant avec un angle d'incidence inférieur ou égal à l'angle d'incidence défini. Le système télécentrique 19 permet notamment de symétriser le cône de lumière arrivant sur le filtre 17 du pixel, et de réduire les angles d'incidence des rayons arrivant sur le filtre 17. En pratique, la largeur des ouvertures 23 définit l'angle du cône. Plus les ouvertures 23 sont petites et plus l'angle du cône est petit.
Ainsi, un avantage du mode de réalisation illustré en est qu'il permet de limiter l'angle d'incidence des rayonnements arrivant à la surface des filtres 17, et ainsi de limiter les artefacts liés à la sensibilité des filtres 17 à l'angle d'incidence.
Dans l'exemple décrit ci-dessus, chaque pixel comprend un système télécentrique 19 comportant plusieurs sous-systèmes télécentriques disposés dans un même plan, chaque sous-système télécentrique comprenant un empilement d'un diaphragme défini par une ouverture 23, et d'une microlentille 29. Un avantage de cette configuration est qu'elle permet de gagner en compacité du système. En effet, l'épaisseur du système télécentrique peut être réduite par rapport à un système télécentrique comportant un diaphragme unique et une microlentille unique, couvrant toute la surface du photodétecteur, notamment pour des photodétecteurs de grandes dimensions. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre de variante, chaque pixel peut comprendre un unique sous-système télécentrique, c'est-à-dire une unique ouverture 23 et une unique microlentille 29.
La illustre schématiquement une variante de réalisation du capteur optique 20 illustré en . Plus particulièrement, la est une vue de dessus d'un pixel, similaire à la vue (B) de la , mais illustrant un autre exemple d'agencement des sous-systèmes télécentriques du pixel. Dans l'exemple de la , les sous-systèmes télécentriques sont agencés en quinconce.
La est une vue en coupe d'un exemple d'un capteur optique 35 selon un deuxième mode de réalisation.
Plus particulièrement, la illustre un capteur optique 35 similaire au capteur optique 20 illustré en à la différence près que chaque microlentille 29 du capteur 35 illustré en est séparée latéralement des microlentilles 29 voisines par des murs 33.
Les murs 33 sont en un matériau opaque aux longueurs d'ondes captées par les photodétecteurs 15 sous-jacents, par exemple les longueurs d'ondes du visible et/ou de l'infrarouge dans l'exemple considéré. Les murs 33 sont, par exemple, en le même matériau que les murs 25. A titre d'exemple, les murs 33 sont en une résine opaque ou en métal, par exemple en tungstène.