INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans divers modes de réalisation, les compositions de coloration dans les systèmes selon la divulgation comprennent des composites microtube-colorant choisis parmi des composites halloysite-colorant comprenant au moins un agent de coloration capillaire anionique ou neutre. Par exemple, l’au moins un agent de coloration capillaire anionique ou neutre peut être choisi parmi des colorants directs nitro acides, des colorants azoïques acides, des colorants d’azine acides, des colorants de triarylméthane acides, des colorants d’indoamine acides, des colorants d’anthraquinone acides, des colorants d’indigoïde, des colorants naturels ou des combinaisons de ceux-ci.
Les compositions de coloration dans les systèmes selon la divulgation peuvent être des compositions aqueuses, et peuvent comprendre un ou plusieurs composites microtube-colorant, par exemple un ou plusieurs composites halloysite-colorant, dans une quantité allant d’environ 0,01 % à environ 15 %, telle que d’environ 0,1 % à environ 10 %, ou d’environ 0,1 % à environ 5 % en poids, par rapport au poids total de la composition de coloration.
Dans un mode de réalisation, comme également utilisé tout au long de la présente description, des matériaux de masque dur sont composés de matériaux diélectriques différents du matériau diélectrique d’intercouche. Dans un mode de réalisation, différents matériaux de masque dur peuvent être utilisés dans différentes régions de manière à fournir une sélectivité de croissance ou de gravure différente entre elles et par rapport aux couches diélectriques et métalliques sous-jacentes. Dans certains modes de réalisation, la couche de masque dur comprend une couche d’un nitrure de silicium (p. ex., du nitrure de silicium) ou une couche d’un oxyde de silicium, ou les deux, ou une combinaison de ceux-ci. D’autres matériaux adaptés peuvent comprendre des matériaux à base de carbone. Dans un autre mode de réalisation, un matériau de masque dur comprend une espèce métallique. Par exemple, un matériau de masque dur ou d’un autre recouvrement peut comprendre une couche d’un nitrure de titane ou d’un autre métal (p. ex., du nitrure de titane). Des quantités potentiellement moindres d’autres matériaux, comme l’oxygène, peuvent être incluses dans une ou plusieurs de ces couches. En variante, d’autres couches de masque dur connues dans l’art peuvent être utilisées en fonction de la mise en œuvre particulière. Les couches de masque dur peuvent être formées par CVD, PVD, ou par d’autres procédés de dépôt.
Dans un mode de réalisation, comme également utilisé tout au long de la présente description, des opérations lithographiques sont réalisées à l’aide d’une lithographie à immersion 193 nm (i193), une lithographie extrême ultraviolet (EUV) ou une lithographie à écriture directe par faisceau d’électrons (EBDW), ou analogue. Une résine photosensible à tonalité positive ou tonalité négative peut être utilisée. Dans un mode de réalisation, un masque lithographique est un masque à trois couches composé d’une partie de masquage topographique, d’une couche de revêtement antireflet (ARC) et d’une couche de résine photosensible. Dans un tel mode de réalisation particulier, la partie de masquage topographique est une couche de masque dur en carbone (CHM) et la couche de revêtement antireflet est une couche ARC en silicium.
Les modes de réalisation divulgués ici peuvent être utilisés pour fabriquer une grande diversité de types de circuits intégrés ou de dispositifs microélectroniques différents. Des exemples de tels circuits intégrés comprennent, sans caractère limitatif, des processeurs, des composants de jeux de puces, des processeurs graphiques, des processeurs de signaux numériques, des microcontrôleurs et analogues. Dans d’autres modes de réalisation, une mémoire à semi-conducteur peut être fabriquée. Par ailleurs, les circuits intégrés ou d’autres dispositifs microélectroniques peuvent être utilisés dans un grand nombre de dispositifs électroniques connus dans l’art. Par exemple, dans des systèmes informatiques (p. ex., ordinateur de bureau, ordinateur portable, serveur), des téléphones cellulaires, des appareils électroniques personnels, etc. Les circuits intégrés peuvent être couplés avec un bus et d’autres composants dans les systèmes. Par exemple, un processeur peut être couplé par un ou plusieurs bus à une mémoire, un jeu de puces, etc. Chacun parmi le processeur, la mémoire et le jeu de puces peut être fabriqué à l’aide des approches décrites aux présentes.
La illustre un dispositif informatique 800 selon une mise en œuvre de l’invention. Le dispositif informatique 800 renferme une carte 802. La carte 802 peut comprendre un certain nombre de composants, comprenant sans caractère limitatif un processeur 804 et au moins une puce de communication 806. Le processeur 804 est accouplé physiquement et couplé électriquement à la carte 802. Dans certaines mises en œuvre, l’au moins une puce de communication 806 est également accouplée physiquement et couplée électriquement à la carte 802. Dans d’autres mises en œuvre, la puce de communication 806 fait partie du processeur 804.
En fonction de ses applications, le dispositif informatique 800 peut comprendre d’autres composants qui peuvent être ou non accouplés physiquement et couplés électriquement à la carte 802. Ces autres composants comprennent, sans caractère limitatif, une mémoire volatile (p. ex., une DRAM), une mémoire non volatile (p. ex., une ROM), une mémoire flash, un processeur graphique, un processeur de signaux numériques, un cryptoprocesseur, un jeu de puces, une antenne, un afficheur, un écran tactile, un organe de commande d’écran tactile, une batterie, un codec audio, un codec vidéo, un amplificateur de puissance, un dispositif de système mondial de positionnement (GPS), une boussole, un accéléromètre, un gyroscope, un haut-parleur, une caméra et une mémoire de grande capacité (telle qu’un lecteur de disque dur, un disque compact (CD), un disque numérique polyvalent (DVD), et ainsi de suite.
La puce de communication 806 permet des communications sans fil pour le transfert de données vers et depuis le dispositif informatique 800. L’expression « sans fil » et ses dérivés peuvent servir à décrire des circuits, des dispositifs, des systèmes, des procédés, des techniques, des canaux de communication, etc., qui peuvent communiquer des données par l’utilisation d’un rayonnement électromagnétique modulé à travers un support non solide. L’expression n’implique pas que les dispositifs annexes ne contiennent pas de fils, bien que ce ne soit pas le cas dans certains modes de réalisation. La puce de communication 806 peut mettre en œuvre n’importe quelles normes ou n’importes quels protocoles sans fil, comprenant sans caractère limitatif le Wi-Fi (famille IEEE 802.11), le WiMAX (famille IEEE 802.16), l’IEEE 802.20, l’évolution à long terme (LTE), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, le Bluetooth, des dérivés de ceux-ci, ainsi que tout autre protocole sans fil désigné par 3G, 4G, 5G et au-delà. Le dispositif informatique 800 peut inclure une pluralité de puces de communication 806. Par exemple, une première puce de communication 806 peut être dédiée aux communications sans fil à plus courte portée telles que le Wi-Fi et le Bluetooth et une seconde puce de communication 806 peut être dédiée à des communications sans fil à plus longue portée telles que le GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, Ev-DO et d’autres.
Le processeur 804 du dispositif informatique 800 comprend un dé de circuit intégré encapsulé dans le processeur 804. Dans certaines mises en œuvre de modes de réalisation de l’invention, le dé de circuit intégré du processeur comprend une ou plusieurs structures, telles qu’un condensateur métal/isolant/métal (MIM) fabriqué selon des mises en œuvre de l’invention. Le terme « processeur » peut se rapporter à tout dispositif ou toute partie d’un dispositif qui traite des données électroniques à partir de registres ou d’une mémoire pour transformer ces données électroniques, ou les deux, en d’autres données électroniques qui peuvent être stockées dans des registres ou une mémoire, ou les deux.
La puce de communication 806 comprend également un dé de circuit intégré encapsulé dans la puce de communication 806. Conformément à une autre mise en œuvre de l’invention, le dé de circuit intégré de la puce de communication comporte un condensateur métal/isolant/métal (MIM) fabriqué conformément à des mises en œuvre de la divulgation.
Dans d’autres mises en œuvre, un autre composant logé dans le dispositif informatique 800 peut contenir un dé de circuit intégré ayant un condensateur métal/isolant/métal (MIM) fabriqué conformément à des mises en œuvre de modes de réalisation de l’invention.
Dans divers modes de réalisation, le dispositif informatique 800 peut être un ordinateur portable, un miniportable, un bloc-notes électronique, un ordinateur ultraportable, un téléphone intelligent, une tablette, un assistant numérique personnel (PDA), un PC ultramobile, un téléphone mobile, un ordinateur de bureau, un serveur, une imprimante, un scanner, un moniteur, un boîtier décodeur, une unité de commande de divertissement, un appareil photo numérique, un lecteur de musique portable ou un enregistreur vidéo numérique. Dans d’autres mises en œuvre, le dispositif informatique 800 peut être un quelconque autre dispositif électronique qui traite des données.
La illustre un interposeur 900 qui comprend un ou plusieurs modes de réalisation de l’invention. L’interposeur 900 est un substrat intermédiaire utilisé pour relier un premier substrat 902 à un second substrat 904. Le premier substrat 902 peut être, par exemple, un dé de circuit intégré. Le second substrat 904 peut être, par exemple, un module de mémoire, une carte-mère d’ordinateur ou un autre dé de circuit intégré. De manière générale, l’objectif d’un interposeur 900 est d’étendre une connexion à un pas plus large ou de réacheminer une connexion vers une connexion différente. Par exemple, un interposeur 900 peut coupler un dé de circuit intégré à un boîtier matriciel à billes (BGA) 906 qui peut ensuite être couplé au second substrat 904. Dans certains modes de réalisation, les premier et second substrats 902/904 sont fixés à des côtés opposés de l’interposeur 900. Dans d’autres modes de réalisation, les premier et second substrats 902/904 sont fixés au même côté de l’interposeur 900. Et, dans des modes de réalisation supplémentaires, trois substrats ou plus sont interconnectés au moyen de l’interposeur 900.
L’interposeur 900 peut être formé d’une résine époxy, d’une résine époxy renforcée par des fibres de verre, d’un matériau céramique ou d’un matériau polymère tel que le polyimide. Dans d’autres mises en œuvre, l’interposeur 900 peut être formé de matériaux rigides ou flexibles alternés qui peuvent inclure les mêmes matériaux décrits ci-dessus pour une utilisation dans un substrat semi-conducteur,notamment le silicium, le germanium et d’autres matériaux du groupe III-V et du groupe IV.
L’interposeur 900 peut comprendre des interconnexions métalliques 908 et des trous métallisés 910, comprenant sans caractère limitatif des trous métallisés à travers le silicium (TSV) 912. L’interposeur 900 peut en outre comprendre des dispositifs intégrés 914, comprenant des dispositifs aussi bien passifs qu’actifs. De tels dispositifs comprennent, sans caractère limitatif, des condensateurs, des condensateurs de découplage, des résistances, des inductances, des fusibles, des diodes, des transformateurs, des capteurs et des dispositifs à décharge électrostatique (ESD). Des dispositifs plus complexes tels que des dispositifs radiofréquence (RF), des amplificateurs de puissance, des dispositifs de gestion de puissance, des antennes, des réseaux, des capteurs et des dispositifs MEMS peuvent également être formés sur l’interposeur 900. Conformément à des modes de réalisation de l’invention, des appareils ou procédés décrits ici peuvent être utilisés dans la fabrication de l’interposeur 900 ou dans la fabrication de composants inclus dans l’interposeur 900.
La est une vue isométrique d’une plate-forme informatique mobile 1000 employant un circuit intégré (CI) fabriqué selon un ou plusieurs procédés décrits dans le présent document ou comprenant une ou plusieurs caractéristiques décrites dans le présent document, conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
La plate-forme informatique mobile 1000 peut être un quelconque dispositif portable configuré pour chacun parmi l’affichage de données électroniques, le traitement de données électroniques et la transmission sans fil de données électroniques. Par exemple, une plate-forme informatique mobile 1000 peut être une tablette, un téléphone intelligent, un ordinateur portable, etc. et comprend un écran d’affichage 1005 qui, dans le mode de réalisation donné à titre d’exemple, est un écran tactile (capacitif, inductif, résistif, etc.), un système 1010 intégré au niveau de la puce (SoC) ou au niveau du boîtier, et une batterie 1013. Comme illustré, plus le niveau d’intégration dans le système 1010 grâce à une densité d’empilement des transistors supérieure est élevé, plus la partie de la plate-forme informatique mobile 1000 qui peut être occupée par la batterie 1013 ou par une mémoire non volatile, telle qu’un disque statique à semi-conducteurs, est grande, ou plus le nombre de grilles de transistor pour une meilleure fonctionnalité de plate-forme est grand. De même, plus la mobilité de porteuse de chaque transistor dans le système 1010 est grande, plus la fonctionnalité est grande. À ce titre, les techniques décrites aux présentes peuvent permettre d’améliorer les performances et le facteur de forme de la plate-forme informatique mobile 1000.
Le système intégré 1010 est en outre illustré dans la vue élargie 1020. Dans le mode de réalisation donné à titre d’exemple, un dispositif encapsulé 1077 comprend au moins une puce de mémoire (p. ex., une RAM), ou au moins une puce de processeur (p. ex., un microprocesseur multicœur et/ou un processeur graphique) fabriqué selon un ou plusieurs procédés décrits dans le présent document ou comprenant une ou plusieurs caractéristiques décrites dans le présent document. Le dispositif encapsulé 1077 est en outre couplé à la carte 1060 avec un ou plusieurs parmi un circuit intégré de gestion de puissance (PMIC) 1015, un circuit intégré RF (sans fil) (RFIC) 1025 comprenant un émetteur et/ou un récepteur RF (sans fil) à large bande (p. ex., comprenant une bande de base numérique et un module frontal analogique comprend en outre un amplificateur de puissance sur un trajet d’émission et un amplificateur à bas bruit sur un trajet de réception) et un organe de commande associé 1011. Fonctionnellement, le PMIC 1015 réalise une régulation de puissance de batterie, une conversion c.c./c.c., etc., et possède donc une entrée couplée à la batterie 1013 et avec une sortie fournissant une alimentation en courant à tous les autres modules fonctionnels. Comme encore illustré, dans le mode de réalisation donné à titre d’exemple, le RFIC 1025 a une sortie couplée à une antenne pour fournir pour implémenter n’importe lesquels parmi des normes ou protocoles sans fil, comprenant sans caractère limitatif le Wi-Fi (famille IEEE 802.11), le WiMAX (famille IEEE 802.16), l’IEEE 802.20, l’évolution à long terme (LTE), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, le Bluetooth, des dérivés de ceux-ci, ainsi que tout autre protocole sans fil désigné par 3G, 4G, 5G, et au-delà. Dans d’autres mises en œuvre, chacun de ces modules au niveau de la carte peut être intégré sur des CI distincts couplés au substrat de boîtier du dispositif encapsulé 1077 ou dans un seul CI (SoC) couplé au substrat de boîtier du dispositif encapsulé 1077.
Par raccourci, il pourra être décrit que chaque boucle de courant est sensiblement orthogonale au plan de masse, bien qu’elle chemine également dans le plan du toit capacitif. Par boucle sensiblement orthogonale au plan de masse, il est notamment entendu que la boucle d'alimentation s'étend selon un profil inclus, ou pouvant être projeté orthogonalement, dans un plan orthogonal au plan de masse. En d’autres termes, le profil d’une telle boucle peut cheminer, selon la longueur de la boucle, au sein d'un plan sensiblement orthogonal au plan de masse.
Ainsi, chaque boucle de courant s’étend verticalement (selon la direction Z) et selon une direction du plan principal XY, les deux boucles de courant ayant des directions sensiblement orthogonales l’une par rapport à l’autre dans le plan principal XY. De ce fait, la première boucle de courant 201 est sensible au champ magnétique H1 dans la première direction X du plan principal XY, et la deuxième boucle de courant 202 est sensible au champ magnétique H2 dans la deuxième direction Y du plan principal XY, comme ceci est expliqué plus après. Il est précisé que la deuxième direction Y est orthogonale à la première direction X.
En outre, le toit capacitif 13 comporte une fente 130 correspondant à une ouverture dans toute l’épaisseur du toit capacitif, et présentant deux parties 1301, 1302 sensiblement symétriques l’une de l’autre par rapport à l’axe de symétrie AA. Chaque partie présente une forme en spirale rectangulaire faisant un angle de 45° avec l’axe de symétrie AA. Cette forme en spirale permet d’obtenir une longueur de fente importante même lorsque les dimensions du toit capacitif sont réduites. L’augmentation de la longueur de la fente permet de diminuer la fréquence de travail de la sonde. Plus largement, la présence et le dimensionnement d’une fente dans le toit capacitif permet d’ajuster la fréquence de travail de la sonde. En particulier, la longueur de la fente a un impact sur la fréquence de résonance de la sonde.
Cet exemple de forme de fente n’est pas limitatif et d’autres formes de fente sont possibles pour obtenir une longueur de fente donnée. Par exemple, la fente peut présenter d’autres formes rectilignes, d’autres formes en spirale ou des formes en méandres. La fente peut être divisée en plusieurs tronçons reliés les uns aux autres pour former une fente continue.
La présence d’une fente permet en outre de réduire les dimensions électriques d’une sonde selon des modes de réalisation.
La présence et le dimensionnement d’une fente permettent également d’ajuster à une valeur donnée l’impédance d’entrée (et/ou l’impédance de sortie) d’une sonde selon différents modes de réalisation. Ce dimensionnement est réalisé en tenant compte de la propagation des courants sur le toit capacitif et en modifiant celle-ci de manière à obtenir une impédance d’entrée (et/ou impédance de sortie) recherchée. La fente peut être dimensionnée pour ajuster l’impédance d’entrée d’une sonde à une valeur donnée, par exemple 50 Ohms, qui est une impédance typique dans le domaine des transmissions d’informations sans fil.
Outre les paramètres liés à la présence d’une fente (qui n’est pas toujours nécessaire), une sonde selon différents modes de réalisation dispose de plusieurs paramètres de conception pour pouvoir agir sur tout ou partie de ses caractéristiques, notamment sur sa fréquence et sa longueur d’onde de travail, son impédance d’entrée, son impédance de sortie, et/ou son efficacité de rayonnement : - les diamètres des vias : permettent principalement d’agir sur l’impédance de la sonde ; - les distances entre les vias : permettent principalement d’agir sur l’impédance de la sonde ; - les dimensions de la sonde / du toit capacitif : permettent principalement d’agir sur la fréquence de résonance de la sonde ; - la hauteur de la sonde : permet principalement d’agir sur la bande passante de la sonde (facteur de qualité) ; - le choix du matériau diélectrique : permet principalement d’agir sur la fréquence de résonance de la sonde.
En particulier, les diamètres des vias et les distances entre les vias peuvent permettre de régler l’impédance d’entrée de la sonde afin que celle-ci soit adaptée par exemple à celle d’un système de mesure (par exemple un capteur), et/ou à celle d’un système communiquant (par exemple une puce de radiofréquence RFIC).
Les dimensions du plan de masse sont supérieures ou égales, par exemple égales, à celles du toit capacitive.
Ainsi, il est possible d’adapter la sonde, notamment à toutes sortes de milieux, de contraintes et/ou d’applications, en agissant, en conception, sur tout ou partie des paramètres listés ci-dessus.
En particulier, le matériau diélectrique peut être : - de l’air ; - un substrat organique, par exemple un substrat Rogers 4003®, un substrat duroid 5880®, un substrat FR4; - un substrat céramique, par exemple un substrat Rogers curamik®, ou un substrat à base de céramiques cocuites à basse température (LTCC pour « Low Temperature Cofired Ceramic » en anglais).
Un substrat diélectrique peut être constitué d’une superposition de plusieurs couches de matériaux diélectriques, éventuellement avec des matériaux diélectriques différents, voire mixtes organique/céramique.
Lorsque le matériau diélectrique est de l’air, les vias peuvent remplir une fonction de support mécanique du toit capacitif sur le plan de masse. Lorsque le matériau diélectrique est de l’air, des piliers en matériau isolant, par exemple en plastique ou en nylon, peuvent être ajoutés entre le plan de masse et le toit capacitif pour renforcer le maintien mécanique du toit capacitif sur le plan de masse. Ces piliers peuvent être placés sous le toit capacitif ou sur les bords dudit toit.
Les vias de masse et d'excitation peuvent présenter des profils différents (circulaire, polygonal …). Lorsque les vias sont du type circulaire, comme dans l’exemple représenté, leurs diamètres peuvent être de l’ordre de 1 mm ou comprises entre 100 µm et 5 mm.
Les dimensions électriques de la sonde (ramenées à la longueur d’onde de travail de la sonde) dans le plan peuvent être comprises entre 1/20 et 1/4, voire comprises entre 1/20 et 1/10, ou encore comprises entre 1/20 et 1/15.
La hauteur électrique de la sonde (ramenée à la longueur d’onde de travail de la sonde) peut être comprise entre 1/150 et 1/30, voire comprise entre 1/100 et 1/30, par exemple sensiblement égale à 1/100.
Lorsque l’élément sécurisé est fabriqué et avant qu’un système d’exploitation ne soit chargé, le compteur de dérivation présente une valeur initiale, par exemple zéro. La valeur du compteur de dérivation est incrémentée à fur et à mesure que de nouvelles versions du système d’exploitation sont obtenues et installées, et que de nouvelles clés de dérivation sont générées.
Selon une caractéristique, l’élément sécurisé est configuré en outre pour, postérieurement à la génération de la clé de dérivation, envoyer à un serveur l’identifiant unique du chargeur de système d’exploitation, l’identifiant unique du package de système d’exploitation ou du système d’exploitation chargé et installé, le compteur de dérivation, et optionnellement un label désignant la clé cryptographique maître. En d’autres termes, il transmet l’ensemble des paramètres utilisés (l’éventuel aléa ou OTP est déjà connu du serveur) pour la génération. Le label de clé est transmis notamment dans le cas où une pluralité de clés serait stockée dans l’élément sécurisé, afin d’identifier la clé servant à la diversification puis à la génération des données personnalisées.
Le serveur peut ainsi générer de son côté la clé de dérivation propre à l’eSE pour le système d’exploitation embarqué, et ainsi également générer les données personnalisées propres à cet eSE, sans que des données secrètes soient échangées. Il possède donc, en miroir, les mêmes données personnalisées et secrètes que l’eSE. Un tel serveur est alors en mesure de réaliser des opérations sécurisées d’identification, authentification, etc. avec l’élément sécurisé.
Dans un mode de réalisation, l’élément sécurisé est configuré pour envoyer au serveur une requête d’obtention du package de système d’exploitation, la requête comprenant un identifiant unique du chargeur de système d’exploitation et un identifiant unique d’un package de système d’exploitation ou d’un système d’exploitation déjà installé s’il y en a un, et
l'obtention du package de système d’exploitation est en réponse à la requête.