INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape d’électro-formation de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisante dans la mesure où elle implique une tension électrique V Forming élevée (très supérieure à V S et ), afin de générer un champ électrique supérieur à la rigidité diélectrique de la couche diélectrique de l’empilement, et ce pour obtenir un claquage de la couche diélectrique. La couche diélectrique est donc fortement sollicitée et le matériau diélectrique risque d’être irrémédiablement endommagé. Or, le claquage de la couche diélectrique doit être réversible afin de reconstruire le chemin de conduction électrique. Pour ce faire, un transistor doit être généralement agencé en série de l’empilement afin de contrôler l’intensité du courant circulant entre les première et deuxième électrodes de l’empilement (intensité typiquement limitée à quelques centaines de µA).
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication de cellules mémoires résistives, comportant les étapes : a) prévoir un empilement comportant successivement : - un substrat, comprenant de préférence des transistors et une structure d’interconnexions ; - une première électrode ; - une première couche diélectrique, possédant une première rigidité électrique ; - une deuxième électrode, métallique ; - une deuxième couche diélectrique, possédant une deuxième rigidité diélectrique strictement inférieure à la première rigidité diélectrique ; - une troisième électrode ; la première couche diélectrique et la deuxième électrode présentant une première interface, la deuxième couche diélectrique et la deuxième électrode présentant une deuxième interface ; b) graver l’empilement par un bombardement d’espèces électriquement chargées, de manière à délimiter des cellules mémoires résistives ; le bombardement de l’étape b) étant adapté de sorte que des espèces électriquement chargées s’accumulent aux première et deuxième interfaces de chaque cellule mémoire résistive, de manière à générer un champ électrique qui est strictement inférieur à la première rigidité électrique et strictement supérieur à la deuxième rigidité diélectrique.
- Par « substrat », on entend un support physique autoporté, par exemple une plaquette (« wafer » en langue anglaise) découpée dans un lingot monocristallin de matériau semi-conducteur.
- Par « structure d’interconnexions », on entend un empilement de niveaux d’interconnexions comprenant des pistes métalliques séparées par un matériau diélectrique. Une structure d’interconnexions peut être formée sur le substrat dans une ligne de fabrication de niveaux d’interconnexions électrique BEOL (« Back-End-Of-Line » en langue anglaise, on parle également d’unité de fabrication finale). Les transistors peuvent être intégrés de manière monolithique au substrat dans une ligne de fabrication de dispositifs semi-conducteurs FEOL (« Front-End-Of-Line » en langue anglaise, on parle également d’unité de fabrication initiale), en utilisant par exemple des techniques de photolithographie, gravure, diffusion et implantation de dopants, dépôts métalliques, passivation etc.
Le premier chanfrein permet de faciliter l’insertion du moyen de blocage dans l’espace formé entre la languette et la première paroi latérale du premier connecteur et d’éviter au moyen de blocage de coincer contre la butée de la languette.
Selon un mode de réalisation, le deuxième connecteur comprend deux languettes flexibles s’étendant le long de deux premières parois latérales du premier connecteur en formant un espace entre chaque languette et chaque première paroi latérale. Le deuxième connecteur comprend deux deuxièmes parois latérales et deux moyens de blocage à l’endroit des deuxièmes parois latérales respectives.
L’invention fournit ainsi un ensemble de connexion encore plus robuste et encore plus fiable même en cas de fortes vibrations.
L’invention concerne également un dispositif de connexion comprenant un support et un ensemble de connexion tel que défini précédemment. Le premier connecteur est apte à être relié électriquement à un dispositif de mesure de la position angulaire d’un rotor de la machine électrique tournante. Le support est apte à être fixé sur une paroi de boîte de vitesses et comprend un orifice destiné à l’insertion du premier connecteur. Le support comprend des bornes de connexion aptes à relier électriquement un ensemble de bobines de la machine électrique tournante à l’onduleur. L’ensemble de connexion est destiné à relier électriquement le dispositif de mesure à l’onduleur.
En variante, le premier connecteur est apte à être clipsé sur une paroi de boîte de vitesses et comprend un premier ensemble de bornes apte à être relié électriquement à un dispositif de mesure de la position angulaire d’un rotor de la machine électrique tournante et un deuxième ensemble de bornes apte à être relié électriquement à un ensemble de bobines de la machine électrique tournante. L’ensemble de connexion est destiné à relier électriquement le dispositif de mesure et l’ensemble de bobines à l’onduleur.
L’invention concerne également un ensemble électrique comprenant une machine électrique tournante et un onduleur reliés électriquement par un dispositif de connexion tel que défini précédemment.
L’invention concerne également un ensemble de propulsion comprenant une boîte de vitesses et un ensemble électrique tel que défini précédemment et fixé sur la boîte de vitesses.
illustre schématiquement une vue d’un ensemble électrique comprenant une machine électrique tournante et un ensemble de connexion, selon un mode de réalisation de l’invention ;
illustre schématiquement une vue de l’ensemble électrique de la et l’intérieur de l’ensemble de connexion ;
illustre schématiquement l’ensemble de connexion de la ;
illustre schématiquement le détail d’un moyen de blocage bloquant une languette de l’ensemble de connexion de la .
Les figures 1 et 2 illustrent un ensemble électrique 37 comprenant une machine électrique tournante 2 et un dispositif de connexion 17 comportant un support 4 et un ensemble de connexion 1 électriquement reliés à la machine électrique tournante 2.
La machine électrique tournante 2 comprend un stator comportant un ensemble bobines 40 destinés à être parcourus par un courant électrique et un rotor comprenant des aimants permanents et apte à être entraîné en rotation par rapport au stator autour d'un arbre de rotation aligné suivant un axe de rotation.
La machine électrique tournante 2 peut être un moteur électrique, un alternateur, ou un alterno-démarreur, par exemple.
La machine électrique tournante 2 comprend une enveloppe de protection 39 ou carter logeant le rotor et le stator. L’enveloppe de protection 39 comprend un premier flasque fermant l’enveloppe de protection sur une première extrémité axiale de l’enveloppe de protection et un deuxième flasque fermant l’enveloppe de protection sur une deuxième extrémité axiale de l’enveloppe de protection.
Il comporte en effet, selon l’invention, un système de freinage de véhicule adapté pour collecter des particules magnétiques émises lors d’un freinage, ledit système de freinage comportant un disque de frein à deux faces de friction et un étrier qui comporte une plaquette interne de freinage qui comporte une plaque de support et une couche de friction positionnée en regard d’une première desdites deux faces de friction du disque de frein, ledit étirer comportant un piston dans lequel est formé un réservoir extérieur ouvert en direction de la plaque de support, ledit piston comportant un aimant qui est adapté pour attirer dans ledit réservoir extérieur au moins une partie desdites particules magnétiques émises lors d’un freinage, tel que ledit piston comporte au moins un réceptacle qui recouvre de façon amovible au moins la partie de la surface intérieure du réservoir extérieur du piston qui comporte l’aimant.
Selon une première caractéristique de l’invention, l’aimant du piston comporte un réservoir intérieur qui est ouvert en direction de la plaque de support de la plaquette interne de freinage, le réceptacle recouvrant toute la surface intérieure du réservoir intérieur de l’aimant du piston.
Selon une deuxième caractéristique de l’invention, le réceptacle du piston comporte des moyens de préhension, lesdits moyens de préhension étant positionnés dans le réservoir extérieur du piston au plus proche de l’extrémité libre dudit piston, des moyens de fermeture pouvant être adaptés pour fermer le réceptacle du piston avant que ledit réceptacle du piston ne soit retiré, les moyens de préhension du réceptacle du piston étant adaptés pour traverser lesdits moyens de fermeture.
Selon une quatrième caractéristique de l’invention, l’étrier comporte une plaquette externe de freinage qui comporte une plaque de support et une couche de friction positionnée en regard d’une seconde desdites deux faces de friction du disque de frein, ledit étirer comportant un réservoir additionnel dans lequel est formé un réservoir extérieur qui est ouvert en direction de la plaque de support de la plaquette externe de freinage, ledit réservoir additionnel comportant un aimant qui est adapté pour attirer dans ledit réservoir extérieur au moins une partie desdites particules magnétiques émises lors d’un freinage, ledit réservoir additionnel comportant au moins un réceptacle qui recouvre de façon amovible au moins la partie de la surface intérieure du réservoir extérieur du réservoir additionnel qui comporte l’aimant.
Selon une cinquième caractéristique de l’invention, l’aimant du réservoir additionnel comporte un réservoir intérieur qui est ouvert en direction de la plaque de support de la plaquette externe de freinage, le réceptacle recouvrant au moins la surface intérieure du réservoir intérieur de l’aimant du réservoir additionnel.
Selon une sixième caractéristique de l’invention, le réceptacle du réservoir additionnel comporte des moyens de préhension, lesdits moyens de préhension étant positionnés dans le réservoir extérieur du réservoir additionnel au plus proche de l’extrémité libre réservoir additionnel, des moyens de fermeture pouvant être adaptés pour fermer le réceptacle du réservoir additionnel avant que ledit réceptacle du réservoir additionnel ne soit retiré, les moyens de préhension du réceptacle du réservoir additionnel étant adaptés pour traverser lesdits moyens de fermeture.
Selon une septième caractéristique de l’invention, le réceptacle est formé dans une matière plastique adaptée pour résister à la chaleur, ladite matière plastique comportant des particules métalliques adaptées pour maintenir en position par magnétisme ledit réceptacle dans l’étrier.
La présente invention concerne aussi un véhicule qui comporte un tel système de freinage comportant au moins une des caractéristiques précédentes.
représente une vue en perspective d’un système de freinage selon l’invention.
représente une vue en coupe du système de freinage selon l’invention.
Les figures 1 et 2 présentent un système de freinage qui comporte un étrier de freinage 1 qui enserre une partie d’un disque de frein 2 à deux faces de friction 21.
L’étrier de frein 1 comporte deux plaquettes de freinage 3 où chaque plaquette de freinage 3 comporte une plaque de support 31 sur laquelle est fixée une couche de friction 32 et un piston 4 actionné par un fluide hydraulique sous pression.
Le fluide hydraulique sous pression est contenu dans une chambre de commande 11 de l’étrier de freinage 1.
Les deux plaquettes de freinage 3 sont positionnées avec leurs couches de friction 32 en regard du chacune des deux faces de friction 21 du disque de frein 2.
Une première partie 12 de l’étrier de frein 1 forme un support pour les deux plaquettes de freinage 3 de telle sorte que lorsque la pression du fluide hydraulique augmente dans la chambre de commande 11, le piston 4 est repoussé en direction du disque de frein 2, entraînant, directement dans son déplacement, la couche de friction 32 d’une première plaquette de freinage dite interne 3a contre une première face de friction desdites deux faces de friction 21 du disque de frein 2 et, indirectement dans son déplacement, la couche de friction 32 d’une seconde plaquette de freinage dite externe 3b contre une seconde face de friction desdites deux faces de friction 21 du disque de frein 2, de manière à freiner la rotation du disque de frein 2.
Lors d’une opération de désaxage STP0, un opérateur déplace le portant 60 par rapport au socle 61 et donc par rapport à un élément de châssis immobile dans le référentiel du banc d’essais.
Ensuite, l’opérateur fixe l’amortisseur 80 au premier connecteur 15 et au deuxième connecteur 25. Le cas échéant, l’opérateur agence divers senseurs de surveillance 43-46 sur voire dans l’amortisseur 80.
Le moteur 35, voire la motorisation 36 non illustrée sur la , sont mis en route. L’amortisseur 80 effectue alors un mouvement ROT dans le volume cylindrique. En présence de la motorisation 36, cette motorisation 36 peut être pilotée pour simuler des rafales de vent. Eventuellement, le ventilateur et/ou la caméra éventuels sont mis en route.
En raison du désaxage du deuxième axe AX2 de rotation du deuxième support 20 par rapport au premier axe AX1, le premier support 10 et le deuxième support 20 effectuent des mouvements relatifs en comprimant et en étirant successivement l’amortisseur 80. La raideur torsionnelle de la transmission 50 éventuelle ainsi que les inerties des supports peuvent être optimisées pour garder constante dans le temps la relation entre l’excentricité E et la course de l’amortisseur 80.
En présence d’une fuite hydraulique éventuelle, le fluide éjecté tombe dans la goulotte 30. Eventuellement, le contrôleur 33 coupe le moteur 35, voire le cas échéant la motorisation 36, en présence d’une fuite, voire d’une fuite générant un volume de fluide récolté par la goulotte 30 supérieur à un seuil.
Le moteur 35 peut être dimensionné pour vaincre les efforts de frictions des paliers 13, 23, voire pour que l’éventuelle partie ressort de l’amortisseur 80 soit comprimée et/ou pour vaincre les efforts dus au laminage de l’huile dans une éventuelle partie hydraulique de l’amortisseur 80.
Hormis la friction des paliers 13, 23 qui peut être une constante dans le temps, les efforts de la partie ressort et de la partie amortissement de l’amortisseur 80 sont déphasés. Le moteur 35 peut alors avoir une puissance modérée pour permettre de tester correctement un amortisseur 80. Toutefois, le moteur 35 peut être surdimensionné pour prendre en compte les phases transitoires de démarrage ou de modifications de vitesse et/ou pour réaliser des essais durant une durée importante. En outre, la puissance dissipée par l’amortisseur 80 correspond alors à la puissance mécanique apportée par le moteur 35.
Les paliers 13, 23 peuvent être dimensionnés en fonction des efforts statiques dus à la masse des supports 10, 20, mais aussi des efforts exercés par l’amortisseur 80 sur les supports 10, 20 durant le test. A l’instar du moteur 35, les paliers 13, 23 peuvent être surdimensionnés.
DISPOSITIF DE STOCKAGE DE POUDRE COMPRENANT UNE ENCEINTE ET PROCEDE ASSOCIE DOMAINE DE L'INVENTION La présente innovation concerne le domaine de l’observation de la qualité de l’atmosphère interne d’un réservoir contenant un stock de poudre, par exemple de la poudre destinée à être utilisée dans un procédé de fabrication additive.
La présente innovation concerne notamment un dispositif de stockage de poudre, un système et un procédé associés.
ETAT DE LA TECHNIQUE On connait des dispositifs de stockage de poudre. La poudre peut être stockée en vue de diverses applications, telles que la fabrication additive ou la fabrication par compactage et frittage. La poudre peut avoir besoin d’être conservées dans des conditions spécifiques pour conserver ses propriétés. Par ailleurs, les qualités de la poudre peuvent être incertaine pour diverses raisons. La poudre peut être ou comprendre une poudre recyclée, c’est-à-dire ayant déjà été utilisée, par exemple dans un processus de fabrication additive.
En outre, certaines propriétés de la poudre peuvent être inconnues. La poudre peut être réactive, par exemple susceptibles d’une auto-ignition, par exemple au contact d’un oxydant comme l’oxygène, par exemple l’oxygène gazeux, par exemple l’oxygène atmosphérique. Alternativement ou en complément, la poudre peut avoir été passivée, par exemple par la formation d’une couche d’oxyde superficielle, par exemple par une exposition volontaire ou non à un oxydant. La réactivité avérée ou potentielle des poudres combinée à leur importante surface spécifique, c’est-à-dire le rapport entre la surface d’échange des grains de poudre et leur volume, introduit un risque d'explosivité dans leur manutention et usage. Certaines poudres peuvent encore poser un risque sanitaire, par exemple de par leur caractère cancérigène ou cancérogène.
On connaît des méthodes permettant de contrôler directement la qualité d’une poudre stockée dans une enceinte d’un réservoir de stockage.
Certaines méthodes reposent sur un prélèvement de poudre pour l’extraire de l’enceinte. Outre le fait que ces méthodes consomment de la poudre, le mécanisme d’extraction et de collecte de la poudre est complexe à mettre en œuvre. Un tel mécanisme est à la fois source de coûts importants et de risques de contamination, notamment de l’atmosphère interne de l’enceinte par l’atmosphère externe. Par ailleurs, lors de ce type de prélèvement, la poudre peut se retrouver exposée à l’atmosphère à l’extérieur de l’enceinte ce qui peut fausser les résultats de l’analyse.
Certaines méthodes utilisent des capteurs placés au sein même de la masse de poudre stockée. Elles présentent d’une part un risque potentiel pour la sécurité lié à l’introduction d’énergie au sein de la poudre, et d’autre part sont limitées par la sensibilité et la précision des capteurs in situ. Suivant les énergies employées, de tels capteurs sont à alimenter par un réseau électrique, limitant ainsi la mobilité des réservoirs de stockage de poudre.
Les bouchons formés par la couche de piégeage 60 à travers la couche diélectrique 32 et la présence de la couche de piégeage 60 sur le plafond des premières cavités 50 sont des éléments reconnaissables du procédé de fabrication de structure multicouche selon l’invention.
Les figures 4A à 4E représentent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche. Ce deuxième mode de mise en œuvre diffère du premier mode de mise en œuvre (Figs.3A-3E) principalement dans le type de substrat utilisé comme point de départ du procédé de fabrication : un substrat de type SOI plutôt qu’un substrat massif.
Ainsi, l’empilement 30 fourni à l’étape S1 de la comprend, outre le substrat (ou couche de support) 31 en matériau semi-conducteur de haute résistivité et la couche diélectrique 32, une couche active 33 disposée sur la couche diélectrique 32 et une couche de protection 34 disposée sur la couche active 33.
La couche active 33 est de préférence un film mince de matériau semi-conducteur, intrinsèque ou dopé, par exemple en silicium monocristallin, en germanium, en alliage de silicium-germanium ou en un matériau semi-conducteur III-V. La couche active 33 est plus particulièrement destinée à la fabrication de composants actifs, typiquement des transistors. Son épaisseur est de préférence comprise entre 6 nm et 200 nm.
La couche de protection 34 a pour but de protéger la couche active 33 lors des étapes ultérieures du procédé de fabrication de la structure multicouche. Elle peut également servir de couche de masque dur et/ou de couche d’arrêt de gravure lors d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré à partir de la structure multicouche. La couche de protection 34 peut comporter plusieurs sous-couches superposées, par exemple une première sous-couche 34a en SiO 2 et une deuxième sous-couche 34b en SiN disposée sur la première sous-couche 34a.
La couche diélectrique 32 constitue la couche électriquement isolante du substrat SOI (appelée aussi couche d’oxyde enterrée ou BOX, dans le cas d’un oxyde tel que le SiO 2 ). Dans ce deuxième mode de mise en œuvre, l’épaisseur de la couche diélectrique 32 est avantageusement comprise entre 20 nm et 400 nm.
Après l’étape S2 de gravure des tranchées 40 représentée par la , les tranchées 40 s’étendent à travers la couche active 33 et la couche de protection 34 (en plus de la couche diélectrique 32 et, éventuellement, une partie du substrat 31).
La représente l’étape S3 de gravure du substrat 31, permettant la formation des premières cavités 50. Lorsque le matériau du substrat 31 et le matériau de la couche active 33 sont de même nature (par exemple du silicium), ou plus généralement lorsqu’ils sont tous les deux sensibles à la chimie de gravure employée à l’étape S3, la couche active 33 est en outre gravée et des deuxièmes cavités 70 sont formées dans la couche active 33 en même temps que les premières cavités 50 dans le substrat 31. La gravure est isotrope et sélective par rapport à la couche diélectrique 32 et à la couche de protection 34.
La représente l’étape S4 de dépôt de la couche de piégeage 60. En plus de remplir entièrement les tranchées 40 et recouvrir les parois des premières cavités 50, la couche de piégeage 60 remplit les deuxièmes cavités 70 dans la couche active 33. Les deuxièmes cavités 70 sont de préférence remplies entièrement par la couche de piégeage 60.
Enfin, la portion supérieure de la couche de piégeage 60 (déposée sur la couche de protection 34) est retirée à l’étape S5 représentée par la . Tout ou partie de la couche de protection 34 peut être également retiré au cours de cette étape S5. Par exemple, la deuxième sous-couche 34b en SiN peut être retirée (par gravure sélective ou CMP).
La structure multicouche 200 obtenue à l’issue du procédé de fabrication selon le deuxième mode de mise en œuvre ( ) comprend, en plus des éléments de la structure électronique 100 ( ), la couche active 33, les deuxièmes cavités 70 remplies partiellement ou entièrement de la couche de piégeage 60, et éventuellement la couche de protection 34.
La est une vue 3D de la structure multicouche 200 après avoir retiré entièrement la couche de protection 34. Cette figure montre que les premières cavités 50 peuvent former un réseau de galeries qui communiquent entre elles. Plus particulièrement, une première partie des premières cavités 50 peuvent s’étendre dans une première direction X et une deuxième partie des premières cavités 50 peuvent s’étendre dans une deuxième direction Y sécante (c.-à-d. non parallèle) à la première direction X.
Une telle structure multicouche 200 est obtenue en gravant à l’étape S2 des tranchées 40 qui communiquent entre elles et forment un maillage dans la couche diélectrique 32. De préférence, les tranchées 40 présentent un premier pas de répétition (appelé aussi période spatiale) P X compris entre 100 nm et 5 µm dans la première direction X et un deuxième pas de répétition P Y compris entre 100 nm et 5 µm dans la deuxième direction Y. A titre d’exemple, les tranchées 40 forment un maillage rectangulaire (deuxième direction Y perpendiculaire à la première direction X). Le premier pas de répétition P X peut être égal au deuxième pas de répétition P Y (maillage carré).
Dans une variante de mise en œuvre non représentée par les figures, les tranchées 40 sont disjointes et s’étendent toutes selon des plans parallèles entre eux et perpendiculaires à la face principale du substrat 31. Elles peuvent en outre présenter un pas de répétition P X dans la première direction X, de préférence compris entre 50 nm et 5 µm. Les premières cavités 50 s’étendent alors toutes parallèlement les unes aux autres dans la deuxième direction Y.
Les figures 6A à 6D représentent les étapes S2 à S5 selon une variante de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche. Cette variante est applicable au cas d’un substrat massif et au cas d’un substrat SOI.