Dispositif (DI) semiconducteur comprenant : une couche d’un matériau semi-conducteur dans laquelle est formée une zone active (ZA) ; une pluralité de premières grilles (QG1) formant une pluralité de lignes sensiblement parallèles entre elles et recouvrant en partie la zone active (ZA) ; une pluralité de deuxièmes grilles (QG2) formant une pluralité de colonne, les lignes de la pluralité de lignes croisant les colonnes de la pluralité de colonnes en recouvrant en partie la zone active (ZA) et étant isolées électriquement de la pluralité de lignes, l’intersection de deux lignes successives avec deux colonnes successives délimitant un îlot (QD) de sorte à obtenir une pluralité d’îlots (QD) répartis sur une pluralité de chaines d’îlots (LQD), les chaînes d’îlots (LQD) étant disposées selon un axe parallèle aux lignes de la pluralité de lignes, chaque chaîne d’îlot (LQD) comprenant une pluralité d’îlots (QD), une première extrémité matérialisée par une première colonne extrême et une deuxième extrémité matérialisé par une deuxième colonne extrême (QG2E) ; au moins une troisième grille, dite grille de mesure (EM), s’étendant selon un axe sensiblement parallèle aux ligne de la pluralité de lignes et dans une direction opposée aux lignes de la pluralité de lignes par rapport à la zone active (ZA), l’extrémité de chaque grille de mesure (EM) la plus proche de la deuxième colonne extrême (QG2E) étant située dans la zone active (ZA), la ou les troisièmes grilles (EM) étant configurées pour réaliser un ou plusieurs moyens de mesure disposés de sorte à pouvoir mesurer l’état de charge de l’ilot situé au niveau de la deuxième extrémité de chaque chaine d’ilots (LQD) ; une première électrode (CO1) et une deuxième électrode (CO2) situées de part et d’autre de la ou des grilles de mesure (EM) dans la zone active (ZA) et configurées de sorte qu’un courant allant de la première électrode (CO1) à la deuxième électrode (CO2) passe entre la ou les grilles de mesure (EM) et la deuxième colonne extrême (QG2E). Dispositif (DI) selon la revendication précédente dans lequel une troisième électrode de mesure (EM) est située en regard de chaque chaine de d’îlot (QD). Dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes comprenant une pluralité de quatrièmes grilles (PG), chaque quatrième grille (PG) de la pluralité de quatrièmes grilles (PG) étant située dans un îlot (QD) de sorte que chaque îlot (QD) de la pluralité d’îlots (QD) comprend une quatrième grille (PG) de la pluralité de quatrièmes grilles (PG). Dispositif (DI) selon l’une des deux revendications précédentes comprenant une pluralité de grilles de mesure (EM) et une pluralité de quatrièmes électrodes (COi), chaque quatrième électrode (COi) de la pluralité de quatrièmes électrodes (COi) étant située dans la zone active (ZA), entre deux grilles de mesure (EM) successives de la pluralité de grilles de mesure (EM). Dispositif (DI) selon la revendication précédente dans lequel la zone active (ZA) comprend une pluralité de doigts (DTi), une grille de mesure (EM) de la pluralité de grilles de mesure (EM) étant située entre chaque doigt (DTi) de la pluralité de doigt (DTi), les doigts (DTi) de la pluralité de doigts (DTi) étant reliés entre eux par une partie commune, l’extrémité des grilles de mesure (EM) la plus proche de la colonne extrême (QG2E) étant située sur ladite partie commune, la première électrode (CO1) étant située sur un premier doigt extrême de la pluralité de doigts (DTi), la deuxième électrode (CO2) étant située sur un deuxième doigt extrême de la pluralité de doigts (DTi), chaque doigt (DTi) compris entre deux grilles de mesure (EM) comprenant une quatrième électrode (COi) de la pluralité de quatrièmes électrodes (COi). Dispositif selon la revendication précédente dans lequel chaque doigt (DTi) possède un indice, les indices étant attribués de manière croissante et continue entre le premier doigt extrême et le deuxième doigt extrême, la longueur des doigts (DTi) ayant un indice pair étant différente de la longueur des doigts (DTi) ayant un indice impair. Dispositif selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de matériau semi-conducteur comprenant la zone active (ZA) comprend des ouvertures sur la totalité de son épaisseur, lesdites ouvertures étant situées sous chaque croisement d’une ligne de la pluralité de ligne avec une colonne de la pluralité de colonnes. Procédé (100) de lecture de l’état de charge des boites quantiques (QD) d’au moins une ligne (LQD) de boites quantiques (QD) d’un dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes, chaque îlot (QD) du dispositif (DI) étant configuré pour former une boite quantique (QD), chaque chaine (LQD) d’îlots (QD) formant ainsi une ligne de boite quantique (LQD) et chaque îlot (QD) de la deuxième colonne extrême (QG2E) formant une boite quantique extrême (QDE), le procédé (100) comprenant, pour au moins une ligne (LQD) de boites quantiques (QD) : une première étape (1E1) de détermination de l’état de charge de la boite quantique extrême (QDE) de la ligne (LQD) considérée à l’aide du moyen de mesure (EM) de l’état de charge associé à la ligne (LQD) considérée ; une deuxième étape (1E2) de décharge des particules chargées (PC) présentes dans la boite quantique extrême (QDE) ; pour chaque boite quantique (QD) de la ligne (LQD) de boites quantiques (QD) considérée et en partant de la boite quantique (QD) la plus proche de la boite quantique (QDE) extrême, une troisième étape (1E3) de transfert de l’état de charge de la boite quantique (QD) considérée vers la boite quantique (QD) adjacente à la boite quantique (QD) considérée la plus proche de la boite quantique extrême (QDE) ; ces trois étapes (1E1-1E3) étant réitérées un nombre de fois égal au nombre de boites quantiques (QD) de la ligne (LQD) de boites quantiques (QD) considérée. Procédé (100) selon la revendication précédente dans lequel les étapes (E1-E3) du procédé (100) sont réalisées séquentiellement sur toutes les lignes (LQD) de boites quantiques (QD) du dispositif (DI). Procédé (100) selon la revendication 8 dans lequel les étapes (E1-E3) du procédé (100) sont réalisées simultanément sur toutes les lignes (LQD) de boites quantiques (QD) du dispositif (DI). Procédé (200) de détermination du diagramme de stabilité d’un dispositif (DI) quantique selon l’une des revendications 1 à 7, chaque îlot (QD) du dispositif (DI) étant configuré pour former une boite quantique (QD), chaque chaine (LQD) d’îlots (QD) formant ainsi une ligne de boite quantique (LQD) et chaque îlot (QD) de la deuxième colonne extrême (QG2E) formant une boite quantique extrême (QDE), chaque boite quantique (QD) étant séparée des boites quantiques (QD) adjacentes par une barrière de potentiel (PE), le procédé comprenant : une étape (2E1) d’introduction d’une pluralité de particules chargées (PC) dans le dispositif (DI) quantique ; une étape (2E2) d’application d’un jeu de tensions sur la pluralité de grilles (QG1, QG2); une étape (2E3) de placement de chacune des boites quantiques (QD) dans un régime tel que la barrière de potentiel (PE) séparant chaque boite quantique (QD) des boites quantiques (QD) adjacente est configurée de sorte que la ou les particules chargées (PC) contenues dans la boite quantique (QD) considérée ne peuvent pas traverser la barrière de potentiel (PE) pour se déplacer vers les boites quantiques (QD) adjacentes à ladite boite quantique (QD) même lorsqu’une telle transition est autorisée d’un point de vue énergétique, dit régime totalement isolé ; une étape (2E4) de mise en œuvre d’un procédé (100) selon l’une des trois revendications précédentes sur toutes les lignes (LQD) de boites quantiques (QD) du dispositif (DI) quantique de sorte à déterminer l’état de charge de chaque boite quantique (QD) pour le jeu de tensions appliqués, le régime isolé n’étant levé que lors du transfert de particules chargées (PC) d’une boite quantique (QD) à la boite quantique (QD) adjacente, la levée du régime isolé ne concernant que les boites quantiques (QD) concernées par le transfert ; ces étapes (2E1-2E4) étant répétées pour une pluralité de jeux de tensions de sorte à déterminer le diagramme de stabilité du dispositif (DI) quantique. Procédé (300) de détermination de l’état de spin d’une pluralité de particules chargées porteuses d’un spin contenu dans les boites quantiques (QD) d’un dispositif (DI) selon l’une des revendications 1 à 7, chaque îlot (QD) du dispositif (DI) étant configuré pour former une boite quantique (QD), chaque chaine (LQD) d’îlots (QD) formant ainsi une ligne de boite quantique (LQD) et chaque îlot (QD) de la deuxième colonne extrême (QG2E) formant une boite quantique extrême (QDE), le procédé comprenant : une étape (3E1) d’initialisation de l’état de charge des boites quantiques (QD) de sorte que chaque boite quantique (QD) contienne une seule particule chargée (PC) ; une étape (3E2) de formation d’une pluralité de couples de boites quantiques (QD) adjacentes, une boite quantique (QD) ne pouvant appartenir qu’à un seul couple de boites quantiques adjacentes (QD) ; pour chaque couple de boites quantiques (QD) adjacentes, une étape (3E3) de conversion spin/charge de sorte que l’état de charge du couple de boites quantiques (QD) est dépendant de l’état de spin initial des particules chargées (PC) contenues dans ledit couple ; une étape (3E4) de mise en œuvre d’un procédé (100) selon l’une des revendications 7 à 9 de sorte à déterminer l’état de charge de chaque boite quantique (QD) et donc l’état de spin associé à chaque couple de boites quantiques (QD) ; ces étapes (3E1-3E4) étant répétées jusqu’à ce que l’état de spin de l’ensemble des couples de boites quantiques (QD) adjacentes qu’il est possible de former ait été déterminé. Procédé de fabrication d’un dispositif (DI) semiconducteur selon l’une des revendications 1 à 5 à partir d’un substrat comprenant un empilement semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape de lithographie de sorte à définir un motif associé à une zone active (ZA) sur l’empilement semi-conducteur et sur la couche de diélectrique présente sur l’empilement semi-conducteur (SI1) lorsqu’une telle couche a été déposée au préalable ; Une étape de gravure de l’empilement semi-conducteur selon le motif associé à la zone active (ZA) définie lors de l’étape de lithographie précédente ; Une étape de dépôt d’un premier empilement de grille comprenant une deuxième couche de diélectrique (OX1) et une première couche d’un matériau conducteur (PO) ; Une étape de dépôt d’un masque dur (MD1) sur l’empilement de grille ; Une étape de lithographie de sorte à définir un motif associé aux pluralités de premières grilles (QG1) et de grilles de mesure (EM) ; Une étape de gravure du masque dur (MD1) selon le motif défini lors de l’étape de lithographie précédente de sorte à transférer ledit motif dans le masque dur (MD1) ; Une étape de gravure de l’empilement de grille selon le motif défini lors de l’étape de lithographie précédente et transféré au masque dur (MD1) ; Une étape de dépôt d’une troisième couche de diélectrique (OX2) sur la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente ; Une étape de dépôt d’une deuxième couche d’un matériau conducteur (PO) sur la troisième couche de diélectrique (OX2) de sorte à former avec cette dernière un deuxième empilement de grille ; Une étape de dépôt d’un masque dur (MD1) sur le deuxième empilement de grille ; Une étape de lithographie de sorte à définir un motif associé à la pluralité de deuxièmes grilles (QG2) ; Une étape de gravure du masque dur (MD1) selon le motif défini lors de l’étape de lithographie précédente de sorte à transférer ledit motif dans le masque dur (MD1) ; Une étape de gravure du deuxième empilement de grille selon le motif défini lors de l’étape de lithographie précédente et transféré au masque dur (MD1). Procédé selon la revendication précédente comprenant, à l’issue de l’étape de gravure selon le motif associé à la zone active, une étape de réalisation de microstructures dans l’empilement semi-conducteur (SI1) au niveau de la zone active (ZA). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape de réalisation de microstructures dans l’empilement semi-conducteur comprend : Une étape de dépôt d’un masque dur sur la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, le masque dur comprenant une première couche de masque dur (MD1) et une deuxième couche de masque dur (MD2) disposée sur la première couche (MD1) de masque dur ; Une étape de lithographie de sorte à définir un motif associé à une pluralité de lignes parallèles entre elles ; Une étape de gravure selon le motif associé à la pluralité de lignes définie lors de l’étape de lithographie précédente, la gravure étant effectuée sur toute l’épaisseur de la deuxième couche (MD2) de masque dur de sorte à exposer une partie de la première couche (MD1) de masque dur ; Une étape de lithographie de sorte à définir un motif associé à une pluralité de colonnes parallèles entre elles, les colonnes de la pluralité de colonnes croisant les lignes de la pluralité de lignes, une portion de la partie exposée de la première couche (MD1) de masque dur restant exposée à l’issue de cette étape ; Une étape de gravure selon le motif associé à la pluralité de colonnes défini lors de l’étape de lithographie précédente, la gravure étant effectuée sur toute l’épaisseur de la première couche (MD1) du masque dur de sorte à graver entièrement la portion de la première couche (MD1) de masque dur restée exposée et ainsi définir une matrice de motifs parallélogrammes dans la première couche (MD1) de masque dur ; Une étape de retrait sélectif de la deuxième couche (MD2) du masque dur ; Une étape de gravure de l’empilement semi-conducteur selon les motifs formés dans la première couche (MD1) du masque dur ; Une étape de retrait sélectif de la première couche de masque dur (MD1). Procédé selon la revendication 15 dans lequel les motifs associés microstructure sont intégrés lors de l’étape de lithographie de sorte à définir un motif associé à une zone active (ZA) et l’étape de réalisation de microstructures est mise en œuvre lors de l’étape de gravure de la zone active selon ledit motif. Procédé selon l’une des revendications 13 à 16 comprenant, avant toutes autres étapes, une étape de dépôt d’une première couche d’oxyde de silicium sur l’empilement semi-conducteur. Procédé selon l’une des revendications 13 à 17 précédentes comprenant, à l’issue de l’étape de dépôt du deuxième empilement de grille, une étape de planarisation de l’empilement de grille au niveau de la couche d’un matériau conducteur dudit empilement.