Empilement de matériaux à effet d’antenne (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b), caractérisé en ce que ledit empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) comprend au moins une couche de terre rare (4, 4a, 4b, 6, 6a, 6b) sur au moins une couche de chromophore (3, 3a, 3b, 5, 5a, 5b, 29a, 29b), ladite terre rare étant différente du lutécium et du lanthane. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend : - entre 1 et 50, de préférence entre 1 et 30, couches de chromophore (3, 3a, 3b, 5, 5a, 5b, 29a, 29b), et - entre 1 et 50, de préférence entre 1 et 30, couches de terre rare (4, 4a, 4b, 6, 6a, 6b). Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que : - l’épaisseur de la couche de terre rare (4, 4a, 4b, 6, 6a, 6b) est comprise entre 2 nm et 800 nm, de préférence entre 5 nm et 200 nm ; - l’épaisseur de la couche de chromophore (3, 3a, 3b, 5, 5a, 5b, 29a, 29b) est comprise entre 10 nm et 1 µm, de préférence entre 10 nm et 500 nm. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la terre rare est un lanthanide, de préférence choisi parmi Tb, Eu, Er, Sm et Dy. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le chromophore comprend un système à liaisons π conjuguées. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon la revendication 5, caractérisé en ce que le chromophore est choisi parmi les composés de formules chimiques (1) à (9) suivantes : dans laquelle n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alcool, un éther, un thiol, un acrylate ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto un acrylate ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto un acrylate ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto, un acrylate ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto acrylate ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto ou un polyéthylène glycol, dans laquelle : - n est un nombre entier compris entre 1 et 1000, de préférence entre 100 et 500, - R est choisi parmi l’hydrogène, un groupe alkyle comprenant entre 1 et 20 atomes de carbone, un halogène, un alkoxy, un mercapto, un acrylate ou un polyéthylène glycol. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon la revendication 5, caractérisé en ce que le chromophore est choisi parmi pérylène-3,4,9,10-tetracarboxydiimide, pérylène, les naphtalimides, les porphyrines, les hexaphyrines et les phtalocyanines. Empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon la revendication 5, caractérisé en ce que le chromophore est le bore-dipyrrométhene ou un de ses dérivés. Dispositif optoélectronique comprenant au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c), caractérisé en ce qu’il comprend en outre au moins un empilement de matériaux à effet d’antenne (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8. Dispositif optoélectronique selon la revendication 9, caractérisé en ce qu’il comprend une pluralité de pixels (25) qui comprennent chacun une pluralité de sous-pixels (7a, 7b, 7c), chaque sous-pixel (7a, 7b, 7c) est configuré pour émettre une couleur spécifique et comprend ledit au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) émettant un rayonnement lumineux d’une couleur donnée, au moins un desdits sous-pixels (7a, 7b, 7c) comprend : - au moins un module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b) disposé sur ledit au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) que comprend ledit au moins un sous-pixel (7a, 7b, 7c), ledit module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b) comprenant au moins un plot de conversion (23’a, 23’b, 27’a, 27’b, 28’a, 28’b) apte à émettre un rayonnement de couleur différente de celle du rayonnement lumineux émis par ledit au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c), et/ou - au moins un filtre (22’) disposé sur ledit module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b) et qui est apte à émettre un rayonnement de la même couleur que celle du rayonnement lumineux émis par le module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b) et/ou apte à bloquer tout rayonnement de couleur différente de celle du rayonnement lumineux émis par le module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b) ou, lorsque ledit au moins un sous-pixel (7a, 7b, 7c) est dépourvu dudit module de conversion lumineuse (17, 23’’a, 23’’b, 27’’a, 27’’b, 28’’a, 28’’b), ledit filtre (22’) est disposé sur l’au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) que comprend ledit au moins un sous-pixel (7a, 7b, 7c) et est apte à émettre un rayonnement de la même couleur que celle du rayonnement lumineux émis par l’au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) et/ou ledit filtre (22’) est apte à bloquer tout rayonnement de couleur différente de celle du rayonnement lumineux émis par l’au moins un émetteur de lumière (1, 1a, 1b, 1c), et en ce que ledit au moins un plot de conversion (23’a, 23’b, 27’a, 27’b, 28’a, 28’b) et/ou ledit au moins un filtre (22’) comprend un empilement de matériaux à effet d’antenne (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8. Dispositif optoélectronique selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) est intégré au sein d’une résine photo- ou thermosensible (21). Dispositif optoélectronique selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) est une diode électroluminescente (abrégé ci-après LED qui est l’acronyme anglophone pour « Light Emitting Diode »). Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit dispositif optoélectronique comprend une pluralité de LEDs (1a, 1b, 1c), de préférence des LEDs tridimensionnelles de type nanostructures telles que des nano-fils et des nano-pyramides. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) émet un rayonnement lumineux de longueur d’onde comprise entre 100 nm et 500 nm, de préférence entre 400 nm et 500 nm et en ce que ledit empilement (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) émet un rayonnement lumineux de longueur d’onde comprise entre 500 nm et 1000 nm, de préférence entre 500 nm et 600 nm ou entre 600 nm et 700 nm. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, caractérisé en ce que lesdits sous-pixels (7a, 7b, 7c) sont commandés indépendamment les uns des autres en activant ou en modifiant le courant électrique appliqué à l’au moins un émetteur de lumière (1a, 1b, 1c) qu’ils comprennent de manière à modifier l’intensité d’émission relative desdits sous-pixels (7a, 7b, 7c). Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 15, caractérisé en ce qu’il comprend au moins un pixel (25) qui comprend un 1 er sous-pixel (7a), un 2 ème sous-pixel (7b) et un 3 ème sous-pixel (7c), de préférence disposés les uns à côté des autres, chacun desdits 1 er , 2 ème et 3 ème sous-pixel (7a, 7b et 7c) comprend un émetteur de lumière (1a, 1b et 1c) qui émet un rayonnement lumineux d’une couleur donnée et en ce que : - sur l’émetteur de lumière (1a) du 1 er sous-pixel (7a) est disposé un 1 er empilement de matériaux à effet d’antenne (23a) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, - sur l’émetteur de lumière (1b) du 2 ème sous-pixel (7b) est disposé un 2 ème empilement de matériaux à effet d’antenne (23b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, - sur l’émetteur de lumière (1c) du 3 ème sous-pixel (7c) est disposée une couche d’une résine transparente aux rayonnement lumineux (20). Dispositif optoélectronique selon la revendication 16, caractérisé en ce que : - les émetteurs de lumière (1a, 1b et 1c) des 1 er , 2 ème et 3 ème sous-pixels (7a, 7b et 7c) émettent chacun un rayonnement lumineux de couleur bleue, de préférence un rayonnement lumineux de longueur d’onde comprise entre 400 nm et 500 nm ; - la au moins une couche de terre rare (4a, 6a) du 1 er empilement (23a) est apte à émettre un rayonnement lumineux de couleur rouge, de préférence un rayonnement lumineux de longueur d’onde comprise entre 600 nm et 700 nm ; - la au moins une couche de terre rare (4b, 6b) du 2 ème empilement (23b) est apte à émettre un rayonnement lumineux de couleur verte, de préférence un rayonnement lumineux de longueur d’onde comprise entre 500 nm et 600 nm. Dispositif optoélectronique selon la revendication 16 ou 17, caractérisé en ce que le 1 er empilement (23a) et le 2 ème empilement (23b) sont séparés par une 1 ère paroi de confinement lumineux (2) et le 2 ème empilement (23b) et la couche (20) de résine transparente aux rayonnement lumineux sont séparés par une 2 ème paroi de confinement lumineux (2). Dispositif optoélectronique selon la revendication 18, caractérisé en ce que le matériau des 1 ère et 2 ème parois de confinement lumineux (2) est un matériau absorbant ou réfléchissant, de préférence une résine de type SU-8 chargée en pigments noirs. Procédé de fabrication d’un empilement de matériaux à effet d’antenne (22, 23a, 23b, 27a, 27b, 28a, 28b) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu’il comprend au moins les étapes suivantes : - on réalise la au moins une couche de chromophore (4, 4a, 4b, 6, 6a, 6b, 29a, 29b) par dépôt de couche moléculaire (ci-après abrégé « MLD » qui est l’acronyme anglophone pour « Molecular Layer Deposition ») ou par dépôt d’un mélange comprenant le chromophore et une résine photo- ou thermosensible ; - on réalise la au moins une couche de terre rare (3, 3a, 3b, 5, 5a, 5b) par dépôt de couche atomique (ci-après abrégé « ALD » qui est l’acronyme anglophone pour « Atomic Layer Deposition »). Procédé de fabrication d’un empilement (27a, 28a) selon la revendication 20, caractérisé en ce que ledit procédé de fabrication est réalisé de manière sélective sur au moins un émetteur de lumière déterminé (1a) d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 9 à 19 et en ce qu’il comporte en outre les étapes suivantes : - avant la fabrication de l’empilement (27a, 28a) sur l’au moins un émetteur de lumière déterminé (1a), on effectue une protection des émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels ne sera pas réalisé ledit empilement (27a, 28a), et - après la fabrication dudit empilement (27a, 28a) sur l’au moins un émetteur de lumière déterminé (1a), on effectue une déprotection des émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels ledit empilement (27a, 28a) n’a pas été réalisé (1b, 1c). Procédé de fabrication d’un empilement selon la revendication 21, caractérisé en ce que la protection des émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels ne sera pas réalisé ledit empilement (27a, 28a) consiste en les étapes suivantes : - on dépose sur tous les émetteurs de lumière (1a, 1b, 1c) une couche de SiN d’une épaisseur comprise entre 100 nm et 100 µm, et ce par une technique de dépôt choisie parmi ALD, le dépôt chimique en phase vapeur (connu sous l’acronyme anglophone « CVD » pour « Chemical Vapor deposition) ou le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (connu sous l’acronyme anglophone « PECVD » pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ») ; - on dépose sur la couche de SiN de tous les émetteurs de lumière (1a, 1b, 1c) une couche de SiO 2 d’une épaisseur comprise entre 100 nm et 100 µm par un technique de dépôt choisie parmi ALD, CVD ou PECVD ; - on retire par ablation au laser la couche de SiO 2 de l’au moins un émetteur de lumière déterminé (1a) sur lequel l’empilement (27a, 28a) sera réalisé ; - on dépose sur les couches de SiO 2 restantes, à savoir les couches de SiO 2 des émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels l’empilement (27a, 28a) ne sera pas réalisé, une monocouche auto-assemblée (ci-après abrégée « SAM » qui est l’acronyme anglophone pour « Self-Assembled Monolayer ») de silane (19) de manière à protéger les émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels ne sera pas effectué l’empilement (27a, 28a). Procédé de fabrication d’un empilement (27a, 28a) selon la revendication 22, caractérisé en ce que la déprotection des émetteurs de lumière (1b, 1c) sur lesquels n’a pas été réalisé l’empilement (27a, 28a) est effectuée en retirant par ablation au laser la couche de SiO 2 et la SAM de silane (19) qui ont été déposées sur ces émetteurs de lumière (1b, 1c) ou en retirant uniquement la SAM de silane (19) par hydrolyse en environnement acide ou basique. Procédé de fabrication d’un empilement selon la revendication 21, caractérisé en ce que la protection des émetteurs de lumière sur lesquels ne sera pas réalisé ledit empilement consiste à déposer sur lesdits émetteurs de lumière une couche d’une résine photo- ou thermosensible. Procédé de fabrication d’un empilement selon la revendication 24, caractérisé en ce que la déprotection des émetteurs de lumière sur lesquels n’a pas été réalisé ledit empilement est effectuée en retirant la couche de résine photo- ou thermosensible à l’aide d’un plasma.