INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Porte-conteneurs double coque renforcé par une structure en nid d’abeilles (1), équipé de conteneurs semi-incurvés, de volets mobiles, d’ancrages, d’une ceinture sphérique, de stabilisateurs, de bulbes caractérisés, d’une structure coupe vague La présente invention concerne une nouvelle génération de navires, de porte-conteneurs personnalisés et de conteneurs semi-incurvés avec des points d’ancrage propre à la structure des nouveaux bâtiments : des navires de croisière, de plaisance et des yachts, caractérisés en ce que : les nouvelles techniques sont destinées à protéger les bâtiments et à faciliter leur évolution en haute mer ; la protection des marchandises et des passagers, sécurisé par une ceinture sphérique en acier inoxydable équipée d’une colonne de ventilation et d’une cheminée. Pratique et aisément adaptable aux nouveaux bâtiments une fois incorporée dans la structure à double coque. Caractérisés, les nouveaux dispositifs sont conçus pour faciliter la stabilité et l’évolution des nouveaux bâtiments : les porte-conteneurs équipés de nouveaux conteneurs incurvés, caractérisés par leur structure personnalisée pour stabiliser le chargement en haute mer, les volets mobiles et la colonne de sécurité qui les maintient en place, sont conçus pour protéger les conteneurs des vagues submersives, de stabilisateurs mobiles et fixes, y compris d’une structure triangulaire, d’une quille personnalisée, de bulbes caractérisés. ¶
Le dispositif selon l’invention, est caractérisé en ce qu’il est aisé à incorporer dans la structure renforcée à double coque des nouveaux bâtiments, harmonieux et pratique, il facilite l’évolution et la stabilité des navires en haute mer. ¶
Le dispositif selon l’invention, est caractérisé en ce qu’il est équipé de bulbes personnalisés, de stabilisateurs latéraux tribord/bâbord mobiles ou fixes caractérisés, d’une structure à double coque équipée de techniques nouvelles conçues pour sécuriser le chargement, renforcer la coque des nouveaux bâtiments. ¶
La présente invention est caractérisée en ce que : pratiques, leurs structures triangulaires sont conçues pour une résistance moindre à la pression des marées, faciliter l’évolution des bâtiments en haute mer et économiser le carburant. ¶
La nouvelle invention selon l’une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu’elle concerne des dispositifs personnalisés à usages multiples, destinés à équiper les nouveaux bâtiments. Les porte-conteneurs, les navires de croisière, les yachts et les bâtiments de toute nature. ¶
Personnalisée, la nouvelle invention est caractérisée en ce que : les nouveaux bâtiments sont équipés de stabilisateurs latéraux ; fixes ou mécaniques, de bulbes personnalisés propres à faciliter l’évolution des nouveaux bâtiments en haute mer. ¶
Sécurisés par les équipements spécifiques propres à leur fonction, les nouveaux porte-conteneurs caractérisés par leurs bulbes personnalisés, leurs structures internes renforcées, conçues pour recevoir les nouveaux aménagements ; y compris les conteneurs en partie incurvés pour s’adapter aux extrémités internes des nouveaux porte-conteneurs pour la stabilité et le stockage du chargement en haute mer ; les stabilisateurs latéraux fixes ou mécaniques, leurs structures triangulaires en acier inoxydable, leurs points d’ancrage internes et externes pour fixer les conteneurs et les volets mobiles en acier inoxydable qui protègent les conteneurs sur les ponts des vagues submersives, les cabines sécurisées ; les nouveaux bâtiments et leurs équipements adaptés, représentent une avancée technique propre au souhait des nations, pour des mers et des océans propres, débarrassés des conteneurs tombés des navires qui les polluent. ¶
La structure triangulaire en acier inoxydable à double coque des nouveaux porte-conteneurs, équipée des nouveaux conteneurs caractérisés et en partie incurvés pour s’insérer dans la structure interne des nouveaux porte-conteneurs, est étudiée pour l’arrimage et la stabilité du bâtiment en haute mer, contribue à renforcer la coque du bâtiment, la sécurité des passagers et des marchandises, pour un océan plus propre, plus sain. ¶
La présente invention est caractérisée en ce que : les nouveaux bâtiments : les porte-conteneurs, les navires de croisière, de plaisance et de toute nature, équipés des nouveaux dispositifs, offrent aux chantiers navals et aux armateurs, des techniques nouvelles au choix, pour la sécurité de tous. ¶
La nouvelle génération de bâtiments, de porte-conteneurs caractérisée : de navires de croisière et de plaisance, équipés de bulbes personnalisés, de stabilisateurs latéraux caractérisés, mécaniques ou fixes ; de structures à double coque internes renforcées pour recevoir des nouveaux conteneurs semi-incurvés avec des points d’ancrage personnalisés aux extrémités, conçus pour fixer les conteneurs et les volets latéraux mobiles en acier inoxydable pour protéger les conteneurs des vagues submersives, la structure triangulaire coupe-vagues de l’étrave pour faciliter la progression du bâtiment et réduire la consommation du carburant, est un atout majeur pour la protection des océans. ¶
Equipés de techniques nouvelles adéquates, basées sur la sécurité et la prévention des accidents et des catastrophes, les nouveaux bâtiments offrent une gamme multiple de navires bien équipés et sécurisés, pour des échanges commerciaux à l’échelles mondiale et une protection haute gamme aux armateurs, aux marins et à leur flotte. ¶
L’efficacité d’une technique nouvelle étant destinée au bien-être des nations, la conception propre aux nouveaux bâtiments équipés des nouvelles techniques, justifie par les dispositifs techniques propres qui les équipent, leur raison d’être. ¶
Les dessins annexes illustrent l’invention. ¶
La représente un navire de l’ensemble des nouveaux bâtiments à double coque (1) : comprenant des porte-conteneurs équipés de nouveaux bulbes caractérisés (2), des stabilisateurs latéraux tribord/bâbord, mécaniques ou fixes (6), d’une quille (7), d’un pont (8). ¶
La représente un navire de la nouvelle série de bâtiments à double coque (1) comprenant des porte-conteurs équipés d’un bulbe personnalisé (2), de stabilisateurs latéraux (6), d’une quille caractérisée (7), d’un pont (8), d’une passerelle triangulaire coupe-vent (9), d’hélices personnalisées (10) sur son support, de double gouvernails synchronisés (11). ¶
On privilégie pour cela une colle légère permettant un détachement du sac sans l’abimer.
Les points de colle sont adaptés pour coller le sac 7 sur lui-même et sur l’arrière du système d’hygiène intime jetable 1.
Ce mode de réalisation est plus simple et moins coûteux, mais également plus fragile.
Dans tous les modes de réalisation, il est essentiel de positionner le sac 7 sur l’arrière de la couche pour éviter que le bébé ne le déploie, ne le défasse ou ne l’abime.
Dans tous les modes de réalisation, on peut prévoir que toute colle utilisée est une colle non-permanente d’origine végétale qui est utilisée par thermo-chauffage.
Ainsi, une telle colle est biodégradable et contribue au caractère compostable de la couche.
Avantageusement, dans tous les modes de réalisation, la couche 1 comporte une languette 11 exposée à l’arrière du système d’hygiène intime jetable 1, liée directement ou indirectement au sac 7, surplombant et retenant un repliement 9 du système d’hygiène intime jetable, et adaptée pour permettre, en un seul mouvement de traction sur ladite languette 11, le détachement du sac 7 par rapport à l’arrière de la couche compostable 1 et son déroulement.
La languette 11 peut donc être collée et constituer un élément de maintien du sac 7 dans sa position repliée ou enroulée, par collage.
Dans le cas du premier mode de réalisation, un bord inférieur perforé 10 peut être prévu sur la poche formée du voile déchirable 15 pour être facilement déchiré grâce à la languette 11.
La languette 11 peut être un élément d’aspect distinctif, par exemple en rouge, de manière à la rendre parfaitement visible à l’arrière du système d’hygiène intime jetable 1.
Le système d’hygiène intime jetable 1 peut prévoir en outre, dans le premier mode de réalisation, que la languette 11 soit liée au voile déchirable 15 extérieurement à celui-ci et est adaptée pour permettre en outre par le même mouvement de traction sur ladite languette 11, de déchirer, en même temps, ledit voile déchirable 15.
L'invention concerne également une couche compostable dans laquelle est disposée une surface cartonnée 17, permettant de structurer et rigidifier l’ensemble, et de faciliter le déchirement du voile 15 et/ou le déploiement du sac 7 par rapport au reste du système d’hygiène intime jetable 1, ce qui permet de limiter les manipulations de la couche lorsqu’il est usagé.
Prothèse pour endopontage en attente d’une future anastomose L’invention concerne la chirurgie vasculaire, et en particulier l’implantation d’endopontages destinés à la formation d’une future anastomose.
Par exemple, un patient insuffisant rénal chronique en phase terminale peut se voire proposer différentes solutions pour palier la fonction rénale : l’hémodialyse, la dialyse péritonéale ou la greffe rénale.
La greffe rénale est généralement réalisée par une anastomose sur l’axe artériel iliaque. La greffe rénale est limitée non seulement par la compatibilité immunologique mais également par les capacités techniques de la greffe, surtout liées à l’état de l’axe artériel iliaque. Dans l’insuffisance rénale les artères se calcifient et se thrombosent. Les calcifications empêchent le clampage artériel et la suture. Les thromboses artérielles dégradent la perméabilité de l’anastomose artérielle le l’axe donneur et du greffon.
En cas d’axe iliaque externe non utilisable pour de telles raisons, le chirurgien vasculaire est amené à réaliser un pontage en parallèle de l’artère native qui sera le futur site d’implantation du greffon rénal. La morbi-mortalité de cette intervention est majeure, avec des patients généralement poly pathologiques et peut conduire au décès avant même de pouvoir accéder à une greffe rénale. De tels patients se voient ainsi refuser la greffe rénale.
On forme ensuite un masque 52 doté d’une fente 53 qui s’étend principalement dans le sens de la longueur de la zone active (dimension mesurée parallèlement à l’axe x du repère [O ; x ; y ; z] donné sur la et qui est parallèle à l’axe A de plan de coupe). La fente 53 s’étend en regard de la zone active 14 ainsi qu’en regard d’une région du substrat au-delà de la zone active 14 et dans laquelle la couche semi-conductrice superficielle a été retirée. Le masque 52 peut être formé de plusieurs couches empilées.
Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la , le masque 52 comporte un tri-couches, avec une première couche 52a formant un masque dur organique par exemple une couche de carbone déposée par centrifugation (« spin-on-carbone » ou SOC), surmontée d’une deuxième couche 52b anti-reflet, par exemple une couche antireflet au silicium (SiARC), et d’une troisième couche 52c qui peut être en particulier une couche de résine photosensible. A titre d’exemple, on peut prévoir une fente 53 dans le masque 52 de dimension critique Dc (plus petite dimension d’un motif hormis son épaisseur et qui est mesurée parallèlement au plan [O ; x ; y]) de l’ordre de 50 nm.
Puis, dans le prolongement de la fente 53, on forme une tranchée 55 afin de réaliser une découpe en deux parties des blocs de grille (figures 10A, 10B, 10C donnant respectivement une vue en perspective, une vue de dessus, une vue en coupe transversale parallèlement à l’axe B). La tranchée 55 reproduit typiquement le motif de la fente 53.
La division des blocs de grilles en deux partie permet la réalisation d’un premier ensemble de grilles 221 recouvrant la première portion semi-conductrice 141 et d’un deuxième ensemble de grilles 222 recouvrant la deuxième portion semi-conductrice 142, chacune des grilles du premier ensemble étant disposée en face et formant une paire avec une grille du deuxième ensemble.
Cette tranchée 55 est prolongée dans la zone active 14 afin de réaliser la découpe de cette zone active 14 en deux portions 141, 142. La tranchée 55 est réalisée de sorte à comporter un fond dévoilant la couche de support 11 du substrat semi-conducteur sur isolant. La tranchée 55 s’étend en regard de la zone active 14 et comporte une portion qui s’étend au-delà de la zone active 14 de sorte que cette partie de la tranchée 55 est formée à travers une région du substrat dans laquelle la couche semi-conductrice superficielle 13 est retirée.
La réalisation de la tranchée 55 peut être mise en œuvre au moyen de gravures anisotropes, typiquement à l’aide d’un plasma. On grave ainsi séquentiellement la couche d’arrêt 51, l’ensemble des matériaux formant l’empilement de grille, la zone active 14 prévue dans une partie de la couche superficielle 13 du substrat et la couche isolante 12 du substrat, typiquement de type BOX. La gravure s’arrête au niveau de la couche 11 de support du substrat semi-conducteur sur isolant, par exemple au niveau de la face supérieure de cette couche 11 de support semi-conductrice.
Une telle tranchée 55 permet d’accéder à la couche de support 11 afin de réaliser une électrode de contrôle arrière au niveau de cette dernière et en particulier au moins partiellement dans cette couche de support 11. Comme indiqué plus haut, une telle tranchée 55 permet également de séparer la zone active 14 en deux portions 141, 142 distinctes, une première portion 141 de la zone active 14 pouvant servir d’une région dans laquelle les Qubits sont localisés, tandis que la deuxième portion 142 de la zone active 14 pouvant former une région de détection de charge. La tranchée peut s’étendre dans une partie du substrat située en périphérie de la zone active 14 afin, en vue d’une réalisation ultérieure d’une prise de contact, de pouvoir accéder à la couche de support 10 dans une partie située hors de la zone active 14.
Selon un mode de réalisation particulier, préalablement à la formation d’une électrode de contrôle arrière par dépôt d’au moins une couche métallique dans la tranchée 153, on peut réaliser des zones de protection 57a, 57b contre des flancs latéraux de la tranchée 153 ( ). Les zones de protection 57a, 57b sont ainsi agencées de manière à recouvrir des régions des portions 141, 142 de la zone active 104 dévoilées par la réalisation de la tranchée 55. Les zones de protection 57a, 57b sont avantageusement en un matériau diélectrique tel que par exemple du SiN, du SiBCN, du SiO 2 , du HfO 2 , de l’Al 2 O 3 ou du SiCO.
On peut choisir en particulier le matériau diélectrique de ces zones 57a, 57b ainsi que leur épaisseur en fonction d’un niveau de coupage électrostatique que l’on souhaite établir entre les deux portions 141, 142 séparées l’une de l’autre par la tranchée 55. Par exemple le matériau diélectrique déposé peut avoir une épaisseur comprise entre 5 et 15 nm.
Un dépôt de matériau de protection typiquement diélectrique est ainsi effectué de sorte à épouser les flancs de la tranchée 55. Ce matériau de protection est ensuite retiré par gravure anisotrope ( ), typiquement par le biais d’un plasma, afin de le retirer du fond de la tranchée 55. On dévoile ainsi à nouveau une zone 111 de la couche de support 11 semi-conductrice, au fond de la tranchée 55.
On forme ensuite l’électrode de contrôle arrière en effectuant tout d’abord un dépôt de matériau métallique. De manière préférentielle, l’électrode de contrôle arrière est réalisée par formation d’un alliage ou composé semi-conducteur et de métal au fond de la tranchée 55. Cela est réalisé typiquement par siliciuration, avec un procédé qui peut être semblable à celui décrit précédemment en lien avec la afin de former des zones de contact sur les blocs de grille et les réservoirs de dopants.
Ainsi, une étape de dépôt d’au moins une couche en métal, tel que par exemple du Ni, du Pt, du W, du Co, du Ti, ou du V peut être tout d’abord effectuée. Un traitement thermique est ensuite réalisé. Un tel traitement peut être mis en œuvre à une température comprise entre 200°C et 900°C et une durée adaptée en fonction de la température de traitement. Par exemple, pour une température de l’ordre de 250°C on peut prévoir une durée de l’ordre de 30s
Un procédé de siliciuration sélectif peut être employé, de sorte que le siliciure ne se forme que là où le matériau semi-conducteur de la couche de support 11 est dévoilée ou mise à nu. L’épaisseur de la couche siliciurée peut être par exemple de l’ordre de 15 nm ou supérieure. Cette couche de siliciure 59 permet de former une grille arrière qui est métallique et n’est donc pas à base d’un matériau semi-conducteur dopé ( ).
Ensuite, on comble la tranchée 55 ( ) à l’aide d’un ou plusieurs matériaux diélectriques. Pour cela, on effectue un dépôt ou plusieurs dépôts successifs de matériau(x) diélectrique(s) suivi d’une planarisation CMP (en anglais « Chemical mechanical polishing » pour polissage mécano-chimique). Là encore, on peut choisir le ou les matériaux diélectriques de remplissage pour leur permittivité, en fonction d’un niveau de couplage électrostatique souhaité entre les deux portions 141, 142 de la zone active 14 qui sont disjointes et sont séparées l’une de l’autre par la tranchée 55. Par exemple, on effectue le remplissage avec un diélectrique 61 de type PMD (pour « pre-metal dielectric ») tel que de l’oxyde de silicium. Un remplissage conforme de la tranchée 55 peut être mis en œuvre par exemple en effectuant un dépôt FCVD (pour « Furnace Chemical Vapor Deposition », i.e. dépôt CVD au four) et un dépôt HDP (pour « High Density Plasma ») d’oxyde de silicium de type TEOS.
Puis (figures 15A et 15B donnant respectivement une vue en perspective et une en coupe transversale parallèle à l’axe B), on forme des plots de contact, avec en particuliers des plots de contact 71a, 72a, 73a, 74a, 75a sur des premiers blocs de grille qui sont situés d’un côté de la tranchée et recouvrent la première partie 141 de la zone active 14 et des plots de contact 71b, 72b, 73b, 74b, 75b sur des deuxièmes blocs de grille qui sont situés d’un autre côté de la tranchée 55, recouvrent la deuxième partie 142 de la zone active 103a et sont disjoints des premiers blocs de grille.
Des plots de contact 78, 79 sont également prévus sur les portions des réservoirs à dopants. De même, on prévoit typiquement au moins un plot 77 de contact sur l’électrode de contrôle arrière.
: schéma global du procédé de synthèse de l’acrylate de butyle selon l’invention, intégrant une étape de craquage thermique.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention a pour objet un procédé de fabrication d’acrylate de butyle par estérification directe de l’acide acrylique par du butanol en excès, en présence d’acide sulfurique comme catalyseur, conduisant à l’obtention d’un mélange réactionnel brut contenant de l’acrylate de butyle, acide acrylique et butanol résiduels, sulfate acide de butyle, des traces d’acide sulfurique et des impuretés résultant des réactions secondaires.
Après l’étape d’estérification, le procédé selon l’invention comprend des étapes de neutralisation et de lavage à l’eau conduisant à l’obtention d’un mélange réactionnel débarrassé des impuretés dites acides.
Par impuretés acides on comprend généralement l’acide sulfurique, le sulfate acide de butyle, le dimère d’acide acrylique et acide acrylique résiduel.
Selon un mode de réalisation, l’étape d’estérification est suivie par l'addition audit mélange réactionnel brut d'une base pour neutraliser l'acide acrylique, le sulfate acide de butyle, les traces d'acide sulfurique qui y sont présents, les sels résultants passant dans la phase aqueuse dudit mélange, la phase organique et la phase aqueuse issues de cette neutralisation étant séparées et l’acrylate de butyle recherché étant récupéré à partir de ladite phase organique.
On conduit l'étape de récupération de l’acrylate de butyle également de façon classique en lavant à l'eau, dans une colonne d'extraction, la phase organique issue de la séparation de phases qui suit la première neutralisation,
De manière caractéristique, le mélange réactionnel lavé d’impuretés acides comme décrit ci-dessus est soumis au moins aux étapes i), ii) et iii) suivantes :
i) étêtage dans une colonne de distillation permettant d’obtenir :
- en tête un flux composé essentiellement des réactifs non réagis ;
- en pied un flux comprenant l’ester recherché et des sous-produits lourds ;
ii) on soumet le flux de pied de la colonne d’étêtage à une colonne de rectification permettant de séparer :
- en tête l’ester recherché purifié ;
- en pied un flux contenant des sous-produits lourds, qui est concentré sur un évaporateur à film ou distillé dans une colonne d’équeutage afin de recycler à la colonne de rectification les composés légers présents, et d’éliminer un résidu final de sous-produits lourds,
iii) on soumet le flux de pied de la colonne de rectification à un traitement thermique effectué dans un craqueur placé en sortie de l’évaporateur, permettant de séparer :
- en tête, un flux de produits valorisables recyclé séparément à l’alimentation de la colonne d’étêtage ;
Avantageusement, les modes de réalisation décrits ci-dessus complètent les conditions qui définissent la logique de fonctionnement des systèmes de rétrovision numérique pour une meilleure expérience utilisateur. Ces modes de réalisation améliorent, en outre, les conditions de sécurité d'une personne présente dans un véhicule 10 automobile à l’arrêt en lui permettant de vérifier rapidement l'environnement aux alentours sans avoir besoin de sortir du véhicule 10 automobile ou de mettre le contact.
Procédé et dispositif de contrôle d’un système de rétrovision numérique d’un véhicule La présente invention concerne les procédés et dispositifs de contrôle d’un système de rétrovision numérique d’un véhicule. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de contrôle du champ de vision d’une ou plusieurs caméras d’un système de rétrovision numérique d’un véhicule.
Arrière-plan technologique Des solutions de rétrovision numérique apparaissent sur le marché des véhicules. Un système de rétrovision numérique propose de remplacer les rétroviseurs extérieurs et/ou le rétroviseur intérieur communément employés par des solutions comprenant par exemple des caméras externes communicant avec des écrans internes et affichant sur les écrans internes les images acquises par les caméras externes.
Un des intérêts des solutions de rétrovision numérique est de permettre une augmentation de la largeur de la vue. En solution miroir classique, les angles de vue sont limités par la taille des miroirs et la géométrie du véhicule alors qu’en solution numérique il suffit d’adapter l’objectif de la caméra en fonction de la vue souhaitée.
Cependant, avec la solution de rétrovision numérique, l’attention du conducteur est perturbée par l’affichage d’une vision élargie de l’environnement arrière extérieur sur les écrans d’affichage remplaçant les rétroviseurs de type miroir. En effet, les tests montrent qu’afficher en permanence sur les écrans une telle vision élargie de l’environnement arrière extérieur du véhicule entraine une gêne liée à un phénomène de défilement dans la vision périphérique, notamment le défilement des objets et éléments situés hors de la chaussée (barrières, façades des maisons, …).
Un autre objet de la présente invention est d’améliorer les systèmes de rétrovision numérique actuels embarqués dans les véhicules.
Un autre objet de la présente invention est d’améliorer la sécurité des véhicules équipés de système de rétrovision numérique.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé de contrôle d’un système de rétrovision numérique d’un véhicule, le système de rétrovision numérique comprenant au moins un écran d’affichage arrangé dans un habitacle du véhicule, le au moins un écran d’affichage étant configuré pour afficher une image d’une partie d’un environnement extérieur du véhicule selon un champ de vision déterminé, l’image étant acquise par une première caméra associée à le au moins un écran d’affichage, le procédé comprenant les étapes suivantes :
- obtention d’une direction d’un regard d’un conducteur du véhicule ;
- ajustement du champ de vision en fonction de la direction.