INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque réflecteur 24, 25 est configuré pour sélectivement passer depuis une position déployée dans laquelle le réflecteur 24, 25 réfléchit un rayonnement solaire 15 en direction d’une face arrière 7, 9 à laquelle il est associé et masque une partie 17 du sol 16, jusqu’à une position rétractée où la partie 17 du sol 16 est exposée au rayonnement solaire 14. En d’autres termes, chaque réflecteur 24, 25 est monté mobile par rapport au sol 16. Par exemple les réflecteurs 24, 25 peuvent être montés mobiles sur les supports 50 des unités 2, 3. En variante, les réflecteurs 24, 25 sont montés mobiles sur un boîtier 70 posé sur le sol 16.
On comprendra que certains éléments généralement présents dans une carte à puce ont été volontairement omis car ils ne sont pas nécessaires à la compréhension de la présente invention. En outre, il importe de noter que la carte à puce CD1 ne constitue qu’un exemple non limitatif de réalisation de l’invention. L’homme du métier comprend en particulier que certains éléments de la carte à puce CD1 ne sont décrits ici que pour faciliter la compréhension de l’invention, des variantes étant possibles sans ces éléments.
La représente selon un mode de réalisation particulier des modules mis en œuvre par le processeur 2 lorsque ce dernier exécute le programme d’ordinateur PG1, à savoir les modules suivants : un premier module d’authentification MD2, un module d’enrôlement MD8 et éventuellement un deuxième module d’authentification MD14.
Plus précisément, le premier module d’authentification MD2 est configuré pour réaliser une phase d’authentification. Comme décrit par la suite, cette phase d’authentification peut être déclenchée avant une, ou en parallèle d’une, phase d’enrôlement. Pour ce faire, le premier module d’authentification MD2 peut comprendre dans cet exemple un premier module d’acquisition MD4 et un premier module de traitement MD6.
Le premier module d’acquisition MD4 est configuré pour acquérir une séquence SQ1 d’empreintes d’objet PT1 à partir d’objets détectés au cours du temps par le capteur d’empreinte digitale 8 de la carte à puce CD1. La notion de séquence d’empreinte d’objet est décrite plus en détail ultérieurement.
Le premier module de traitement MD6 est configuré pour comparer la séquence SQ1 d’empreintes d’objet PT1, acquise par le premier module d’acquisition MD4, avec des données de référence DREF1 préenregistrées dans la carte à puce CD1. Comme déjà indiqué, ces données de référence DREF1 peuvent par exemple définir une séquence de référence SQ0 d’empreintes de référence selon au moins deux types d’empreinte différents notés TY1, TY2. Le premier module de traitement MD6 est en outre configuré pour déterminer que la phase d’authentification est réussie si la séquence SQ1 d’empreintes d’objet PT1 coïncide avec les (ou est conforme aux) données de référence DREF1.
Le module d’enrôlement MD8 est en outre configuré pour réaliser une phase d’enrôlement digitale, cette dernière pouvant être postérieure à la phase d’authentification réalisée par le premier module d’authentification MD2 ou éventuellement réalisée en parallèle de (de façon concomitante à) ladite phase d’authentification. Pour ce faire, le module d’enrôlement MD8 peut comprendre dans cet exemple un deuxième module de traitement MD12, et éventuellement aussi un deuxième module d’acquisition MD10.
Le deuxième module de traitement MD12 est configuré pour générer, à partir d’au moins une empreinte digitale d’enrôlement PT2, des données d’enrôlement digital DREF2, c’est-à-dire des données servant de modèle d’empreintes digitales d’un utilisateur autorisé à utiliser la carte à puce CD1.
Par définition, une empreinte digitale au sens de ce document correspond à l’empreinte d’un doigt (et non d’un outil), qui est ou doit être détectée par le capteur 8 d’empreinte digitale.
Le deuxième module de traitement MD12 peut en outre être configuré pour enregistrer les données d’enrôlement digital DREF2, par exemple dans la mémoire MR1 de la carte à puce CD1, de sorte à permettre une authentification digitale ultérieure par la carte à puce CD1 à partir des données d’enrôlement digital DREF2.
Comme décrit par la suite, la ou les empreintes digitales d’enrôlement PT2 utilisées par le deuxième module de traitement MD12 pour générer les données d’enrôlement digital DREF2 peut comprendre au moins une empreinte digitale acquise par le module d’enrôlement MD8 indépendamment de la phase d’authentification réalisée par le premier module d’authentification MD2. Pour ce faire, le module d’enrôlement MD8 peut comprendre en outre le deuxième module d’acquisition MD10 mentionné ci-avant, ce dernier étant configuré pour acquérir, en utilisant le capteur d’empreinte digitale 8, au moins une empreinte digitale PT2 en tant qu’empreinte digitale d’enrôlement.
Selon un exemple particulier, le deuxième module d’authentification MD14 est en outre configuré pour réaliser une authentification digitale d’un utilisateur en comparant au moins une empreinte digitale acquise par le capteur d’empreinte digitale 8 (après la phase d’authentification réalisée par le premier module d’authentification MD2) avec les données d’enrôlement digital DREF2, consultable dans cet exemple par la carte à puce CD1 dans sa mémoire MR1.
Comme indiqué ci-avant, la carte à puce CD1 est configurée pour authentifier un utilisateur UR ( ), avant (ou éventuellement en parallèle de) la réalisation d’une phase d’enrôlement digitale de cet utilisateur UR, à partir d’une séquence SQ1 d’empreintes d’objet PT1 acquises par le capteur d’empreinte digitale 8. Pour que cette phase d’authentification passe avec succès, il faut que cette séquence SQ1 coïncide (concorde) avec la séquence de référence SQ0 définie par les données de référence DREF1 préenregistrées dans la carte à puce CD1.
De manière générale, la séquence de référence SQ0 définie par les données de référence DREF1 est composée d’une pluralité d’empreintes d’objet PT1 à réaliser au cours du temps selon un ordre prédéfini, un type d’empreinte respectif (à savoir TY1 ou TY2 dans les exemples qui suivent) étant attribué à chacune des empreintes d’objet de la séquence de référence SQ0. Autrement dit, selon les données de référence DREF1, chaque empreinte d’objet de la séquence de référence SQ0 est d’un type d’empreinte respectif. Cette séquence de référence SQ0 implique que toutes les empreintes d’objet PT1 qui la composent ne sont pas acquises simultanément mais, au contraire, que cette séquence comprend au moins deux empreintes d’objet PT1 acquises l’une après l’autre dans le temps selon un ordre prédéfini.
La nature de la séquence de référence SQ0 qu’il est nécessaire pour un utilisateur UR de réaliser avec le capteur d’empreinte digitale 8 pour s’authentifier peut varier selon le cas, certains exemples d’implémentation étant décrits ci-après. En particulier, le type des empreintes d’objet PT1 (en particulier la nature de ces types et le nombre de types différents) ou encore l’arrangement dans le temps des empreintes d’objet PT1 dans la séquence de référence SQ0 peuvent varier selon l’implémentation souhaitée.
La figure 4A représente selon un exemple particulier une séquence de référence SQ0 que doit respecter la séquence SQ1 d’empreintes d’objet PT1 réalisée par un utilisateur UR au cours d’une période de temps PR1 lors d’une phase d’authentification préalable à une phase d’enrôlement (ou du moins préalable à l’achèvement de cette phase d’enrôlement), cette séquence SQ0 comprenant des empreintes d’objet PT1 selon deux types d’empreinte différents TY1 et TY2. On suppose ici par exemple que le premier type d’empreinte TY1 correspond à une quelconque empreinte digitale FG (correspondant à un quelconque doigt) tandis que le deuxième type d’empreinte TY2 correspond à un quelconque outil TL1 (dépourvu de minutie caractérisant la surface d’un doigt). A titre d’exemple, cette séquence de référence SQ0 se compose d’empreintes d’objet PT1 selon respectivement les types suivants au cours du temps : TY1-TY2-TY1-TY1-TY2-TY1. Dans cet exemple, les empreintes d’objets PT1 doivent être détectées successivement, l’une après l’autre, au cours de la période de temps PR1. Ainsi, pour s’authentifier avec succès, un utilisateur UR doit par exemple présenter un doigt quelconque, puis un outil sans minutie, puis deux fois successivement un doigt quelconque, puis un outil sans minutie puis à nouveau un doigt quelconque.
A noter qu’au stade de la phase d’authentification préalable à la phase d’enrôlement digitale (ou du moins préalable à l’achèvement de la phase d’enrôlement digitale), la carte à puce CD1 ne dispose pas en mémoire de modèle des empreintes digitales du titulaire de la carte mais peut par exemple être capable de reconnaître si une empreinte d’objet PT1 correspond à un doigt (premier type TY1) ou à un outil (deuxième type TY2), en fonction par exemple de la détection ou non de minuties dans chaque empreinte acquise.
Les figures 1 à 8 illustrent un mode de réalisation du procédé de fabrication du dispositif mémoire résistive selon l’invention. Dans les exemples illustrés le dispositif mémoire résistive prend la forme d’un point mémoire de largeur L. Ce point mémoire peut s’apparenter à un cylindre vertical comprenant les première et deuxième électrodes et la couche d’oxyde métallique. Il est typiquement formé à partir d’un empilement de couches, par des étapes de dépôts, lithographie, gravures. Ces différentes étapes sont détaillées dans la suite. D’autres formes de point mémoire ou de dispositif mémoire résistive sont parfaitement envisageables, par exemple un cube ou un parallélépipède. Selon un principe de l’invention, une couche intercalaire d’électrode à base d’un matériau intercalaire est insérée dans l’empilement du point mémoire, au-dessus ou au-dessous de la couche d’oxyde métallique. Les matériaux d’électrode, l’oxyde métallique et le matériau intercalaire sont de préférence choisis tels que, dans des conditions de gravure données, la vitesse de gravure du matériau intercalaire est supérieure à la vitesse de gravure des matériaux d’électrode, et la vitesse de gravure des matériaux d’électrode est supérieure à la vitesse de gravure de l’oxyde métallique. Cela permet d’obtenir un rétrécissement du point mémoire au niveau de la couche intercalaire d’électrode.
Le dispositif mémoire résistive est typiquement formé lors des étapes technologiques de fin de ligne, dites BEOL. Ainsi, comme illustré à la , un substrat portant différents niveaux de métal et de via est fourni. Sur la d’illustration, seuls les derniers niveaux de métal et de via sont représentés. Le niveau métal 100 comprend typiquement des lignes métalliques 102 isolées les unes des autres par un matériau diélectrique 101, typiquement du SiO2. Le niveau d’interconnexion 200 comprend typiquement des vias traversants 202 isolés les uns des autres par un matériau diélectrique 201, typiquement du SiN. Les vias 202 présentent typiquement une dimension en largeur Lv selon x. La largeur Lv des vias 202 est typiquement comprise entre quelques dizaines de nanomètres et quelques centaines de nanomètres, par exemple entre 5 et 1000 nanomètres, de préférence entre 10 et 500 nm. Une face 210 du dernier niveau 200 est exposée.
Comme illustré la , un empilement de couches est formé sur la face exposée 210. Dans cet exemple une première électrode 10, encore appelée électrode inférieure, est déposée directement au contact de la face 210. Cette électrode 10 est ici entièrement formée par la couche intercalaire d’électrode 40. Elle est de préférence à base de TixAly, avec x, y > 0, par exemple TiAl 0,3 . Le pourcentage d’Aluminium de la couche intercalaire 40 peut varier, par exemple entre 1% et 99%. Zr, Hf, Ta, W peuvent être utilisés en remplacement du Ti dans l’alliage d’aluminium de la couche intercalaire 40. Une couche d’oxyde métallique 30, généralement dénommée TMO (acronyme de Transition Metal Oxide), est ensuite déposée par-dessus la couche intercalaire d’électrode 40. Cette couche d’oxyde métallique 30 est de préférence à base de HfO2. Une deuxième électrode 20, également appelée électrode supérieure, est ensuite formée sur la couche d’oxyde métallique 30. Cette deuxième électrode 20 comprend typiquement une couche de piégeage d’oxygène 21, par exemple à base de titane, et une couche d’électrode 22, par exemple à base de TiN ou de TaN. La couche de piégeage d’oxygène 21 peut être directement au contact de la couche d’oxyde métallique 30, comme illustré sur la . L’épaisseur de la couche 40 en TixAly est de préférence comprise entre 5 nm et 50 nm. L’épaisseur de la couche d’oxyde métallique 30 à base de HfO2 est de préférence comprise entre 5 et 15 nm. L’épaisseur de la couche de piégeage d’oxygène 21 à base de Ti est de préférence comprise entre 5 et 15 nm. L’épaisseur de la couche d’électrode 22 à base de TiN est de préférence comprise entre 20 nm et 100 nm.
Selon une possibilité, la couche intercalaire d’électrode 40 est formée par une bicouche Ti/TixAly ou TixAly/Ti, l’épaisseur totale des deux couches étant comprise entre 5 nm et 15 nm.
La illustre une étape de lithographie effectuée préalablement à la gravure de l’empilement des couches d’électrodes et d’oxyde métallique. Un motif en résine 60 est formé à l’aplomb du via 202, par exemple de façon à ce que ledit motif 60 soit centré vis-à-vis du via 202, en projection dans le plan xy. Ce motif 60 définit la forme et les dimensions, en projection dans le plan xy, du point mémoire souhaité. Il présente typiquement une dimension en largeur L. Une couche de masque dur 50, par exemple à base de SiN ou de SiO2, peut être déposé sur l’électrode supérieure 20 avant formation du motif 60. De façon connue une telle couche 50 optionnelle permet de transférer plus fidèlement la forme et les dimensions du motif 60 dans l’empilement de couches 10, 20, 30 sous-jacentes, lors de la gravure suivante. Cette couche 50 permet également de protéger l’empilement lors de certaines étapes, notamment lors de l’étape d’enlèvement de la résine, couramment désignée par « stripping » selon le vocable anglais.
La illustre la gravure de l’empilement des couches 20, 30, 10, respectivement. Dans cet exemple, le masque dur 50 de largeur L est représenté. Classiquement, la couche 50 est d’abord gravée de façon anisotrope selon z. Le motif 60 en résine est alors retiré. Puis l’ensemble de l’empilement des couches 20, 30, 10 est gravé de façon anisotrope selon z.
Cette dernière gravure se fait de préférence par plasma en chimie chlorée. Cela permet d’obtenir un empilement de largeur L, comprenant, depuis la face 210, une couche intercalaire d’électrode 40 à base de TixAly formant l’électrode inférieure 10, une couche d’oxyde métallique 30 à base de HfO2, une couche de piégeage d’oxygène 21 à base de Ti, une couche d’électrode supérieure 22 à base de TiN. L’arrêt de la gravure se fait de préférence sur le via 202 exposé, au niveau de la face 210.
La illustre une étape de surgravure permettant de réduire en largeur la couche intercalaire d’électrode 40 uniquement, en conservant la dimension L pour les autres couches 30, 21, 22 de l’empilement. Lors de la surgravure, la couche intercalaire d’électrode 40 à base de TixAly se grave latéralement, selon x en coupe sur la , jusqu’à obtenir une couche 40 de dimension Lc. La surgravure se fait typiquement de part et d’autre des flancs de l’empilement, de sorte que la couche 40 reste environ centrée vis-à-vis des autres couches 30, 21, 22 de l’empilement. Lors du fonctionnement ultérieur du dispositif, le filament conducteur se formera dans une zone centrale de la couche d’oxyde métallique 30. La reproductibilité de formation du filament lors du fonctionnement du dispositif est ainsi améliorée. L’endurance du dispositif sera ainsi améliorée.
Un retrait latéral est ainsi obtenu de chaque côté de la couche 40. La surgravure est configurée de manière à ce que ce retrait latéral atteigne au moins 10 nm selon x, de chaque côté de la couche 40. Avec un tel retrait latéral, la présence de rugosité sur les flancs de l’électrode supérieure 20 ne sera plus problématique lors de la création du filament conducteur. La durée de la surgravure peut en particulier être ajustée en fonction du retrait latéral souhaité. Selon un exemple, les paramètres de la surgravure sont sensiblement les mêmes que ceux de la gravure. Selon une autre possibilité, les paramètres de la surgravure sont modifiés, par exemple de façon à ce que l’isotropie de la surgravure soit augmentée.
La illustre schématiquement le point mémoire 1 obtenu à l’issue de la surgravure. Dans cet exemple les retraits latéraux 41 présentent chacun une dimension L R ≥ 10 nm selon x. La dimension Lc de la couche intercalaire 40 est égale à L - 2.L R . La couche 30 forme ici un surplomb au-dessus des retraits latéraux 41. Lors des étapes ultérieures de conditionnement et de fonctionnement du dispositif 1, le filament conducteur sera formé dans la zone centrale S de la couche 30. Le filament conducteur peut se former n’importe où dans la zone centrale S de la couche 30, par exemple sur un bord de cette zone centrale S.
Cette stratégie permet donc de réduire les dimensions apparentes ou utiles du point mémoire, sans imposer de contrainte dimensionnelle supplémentaire pour la reprise de contact sur le point mémoire, de dimension L.
Comme illustré à la , le point mémoire est ensuite encapsulé par une ou plusieurs couches diélectriques, par exemple par une première couche 301 de SiN, puis par une deuxième couche 302 de SiO2. La première couche 301 de SiN présente par exemple une épaisseur de 30 nm. Elle est déposée de façon conforme sur le point mémoire. La couche 302 de SiO2 peut présenter une épaisseur de 300 nm. Ces couches 301, 302 forment un niveau d’encapsulation diélectrique 300 autour du point mémoire. Selon une possibilité alternative, ce niveau d’encapsulation diélectrique 300 peut être formé par une seule couche, par exemple par une couche à base de SiO2.
Après dépôt de la ou des couches diélectriques 301, 302, une étape de planarisation, par exemple par polissage mécano chimique, est effectuée de manière à exposer une face supérieure 220 de l’électrode supérieure 20.
Comme illustré à la , des niveaux de via 400 et de métal 500 sont ensuite formés après l’étape de planarisation. Cela permet de former un contact métallique sur le point mémoire 1. Le niveau d’interconnexion 400 comprend typiquement des vias traversants 402 isolés les uns des autres par un matériau diélectrique 401, typiquement du SiN. Le ou les vias 402 sont de préférence centrés vis-à-vis de l’électrode supérieure 20 du point mémoire 1. Le niveau métal 500 comprend typiquement des lignes métalliques 502 isolées les unes des autres par un matériau diélectrique 501, typiquement du SiO2.
Le dispositif 1 illustré à la est ainsi parfaitement fonctionnel. Le contact haut formé par le via 402 et la ligne métallique 502, et le contact bas formé par le via 202 et la ligne métallique 102, peuvent être formés de façon classique, sans contraintes dimensionnelles particulières. Le dispositif 1 peut ainsi être réalisé par des étapes technologiques standard de la micro-électronique. L’introduction d’une couche intercalaire au sein d’une électrode du point mémoire, couplée à la réalisation d’une surgravure sélective de cette couche intercalaire, permet de réduire les dimensions apparentes du point mémoire à l’aplomb d’une zone centrale de la couche d’oxyde métallique du point mémoire. Ainsi, en fonctionnement, le filament conducteur sera avantageusement formé de façon localisée et reproductible au niveau de cette zone centrale.
D’autres modes de réalisation du dispositif et du procédé selon l’invention sont envisageables.
Les figures 9 et 10 représentent partiellement un volant primaire 2 selon une autre variante de réalisation. Dans ce mode de réalisation, la portion annulaire d’orientation radiale 4 ainsi que la jupe cylindrique d’orientation axiale 5 ne sont constituées que d’un premier et d’un deuxième éléments 17, 18 distincts. En outre, le premier élément 17 présente une épaisseur inférieure à celle du deuxième élément 18. Le premier élément 17 forme ici une portion flexible du volant primaire 2 qui est destinée à amortir les excitations dans la direction axiale.
Pour ce faire, comme représenté sur la , le premier élément 17 comporte des découpes 29 régulièrement réparties autour de l’axe X et permettant de diminuer la rigidité du premier élément 17. On notera en outre que dans la variante représente, le premier élément 17 comporte plusieurs séries de découpes qui sont chacune implantés sur des diamètres différents.
Plaque de jonction de deux portions d’extrémités de bande transporteuse munie d’un fourreau, dispositif de jonction ayant au moins une telle plaque de jonction et bande de plaques de jonction associée Domaine technique de l’invention L'invention concerne, de façon générale, le domaine technique des dispositifs de jonction pour bandes transporteuses destinés à relier des extrémités d’une bande transporteuse. Dans un but de simplification le terme de bande transporteuse aura, par convention, dans la présente description, aussi bien le sens de bande transporteuse que celui de courroie.
L’invention se rapporte plus spécifiquement à un dispositif de jonction de bande transporteuse, en particulier munie d’une armature textile.
État de la technique antÉrieure On connaît les bandes transporteuses, appelées également tapis transporteurs, utilisées pour transporter, ou convoyer, différents matériaux ou différents produits, tels que du charbon, des minerais, des produits industriels ou agricoles. Ces bandes transporteuses consistent en des bandes réalisées en un élastomère armé, ou en une matière de synthèse armée, d’une longueur et d’une largeur appropriées, dont les extrémités doivent être reliées entre elles, avant montage, ou après montage, sur des dispositifs de support et d’entraînement comportant des rouleaux de renvoi et des rouleaux fous. Souvent ces dispositifs comportent également des organes tendeurs, ayant pour but de bien tendre la bande transporteuse.
Jusqu’à présent différents moyens ont été utilisés pour effectuer cette liaison des extrémités des bandes transporteuses.
À l’origine, et encore aujourd’hui, on utilise la vulcanisation lorsque la bande est constituée d’un élastomère vulcanisable armé. Après un travail de préparation destiné à créer dans chaque extrémité des profils complémentaires qui s’appliquent les uns sur les autres lorsque l’on rapproche lesdites extrémités, la vulcanisation est effectuée avec apport de chaleur et de pression comme cela est bien connu. Une variante de la vulcanisation est le collage à froid.
Un autre moyen de liaison connu consiste dans le fait d’utiliser des agrafes en forme générale de U, découpées dans du feuillard métallique, lesquelles agrafes comportent des plaques supérieures et des plaques inférieures reliées par des charnons, ces agrafes étant fixées en deux séries à cheval sur chacune des extrémités de bande transporteuse à relier, de telle sorte que les charnons dépassent et que ceux d’une série puissent être imbriqués entre les charnons de l’autre série, une tige de liaison et d’articulation étant ensuite passée à l’intérieur des charnons imbriqués de manière à relier ainsi les deux extrémités en formant une sorte de charnière. Les moyens connus utilisés pour fixer les agrafes sur les extrémités de bande transporteuse consistent en des moyens de fixation à tige tels que des crampons, des rivets et des vis.