Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) comportant : un substrat (20), et une pluralité de diodes filaires (10) d’émission ou de détection de lumière reposant sur le substrat (20), présentant chacune une hauteur moyenne h et étant espacées avec un espacement relatif moyen d de flanc à flanc, tels qu’un rapport d’aspect d’espacement h/d est au moins égal à 1, caractérisé en ce qu’il comporte : une étape de réalisation d’une couche mince conductrice inférieure (23), en au moins un matériau électriquement conducteur, et destinée à former une électrode inférieure, effectuée par dépôt physique en phase vapeur directif suivant une direction principale de dépôt D d orientée vers le substrat (20) et les diodes filaires (10), se traduisant par un flux de matière incident du matériau électriquement conducteur ; le substrat (20) reposant sur un support (41) d’un porte-substrat (40), le support (41) présentant : un mouvement périodique rotatif de sorte que les flancs des diodes filaires (10) sont exposés au flux de matière incident à une fréquence de rotation f r ; et un mouvement périodique d’oscillation d’un angle d’inclinaison α formé entre un axe principal A s orthogonal au substrat (20) et un axe fixe A f parallèle à la direction principale de dépôt D d allant au plus à une valeur seuil α th égale à arctan(d/h) et incluant la valeur 0°, à une fréquence d’oscillation angulaire f o ; les fréquences de rotation f r et d’oscillation angulaire f o étant prédéfinies de sorte que la couche mince conductrice inférieure (23) est déposée de manière conforme et continue sur le substrat (20) et les flancs des diodes filaires (10). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’étape de réalisation de la couche mince conductrice inférieure (23) est effectuée par évaporation ou par pulvérisation par faisceau d’ions. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le support (41) et donc le substrat (20) présentent un mouvement de rotation autour de l’axe principal A s et un mouvement d’oscillation angulaire de l’axe principal A s vis-à-vis de l’axe fixe A f de sorte que l’angle d’incidence α varie entre -α m et +α m , où la valeur maximale α m est au plus égale à la valeur seuil α th . Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le support (41) et donc le substrat (20) présentent un mouvement de rotation de l’axe principal A s autour de l’axe fixe A f , l’axe fixe A f étant sécant de l’axe principal A s , et un mouvement d’oscillation angulaire de l’angle d’incidence α de sorte que l’angle d’incidence α varie entre 0 et +α m , où la valeur maximale α m est au plus égale à la valeur seuil α th . Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les diodes filaires (10) sont réalisées à base d’un composé III-V, II-VI ou d’un élément ou d’un composé IV. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les diodes filaires présentent une hauteur moyenne h comprise entre 500nm et 5000nm, et l’espacement relatif moyen est compris entre 50nm et 500nm, tout en respectant un rapport d’aspect d’espacement au moins égal à 1. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel lors de l’étape de réalisation de la couche mince conductrice inférieure (23), les diodes filaires (10) sont entièrement recouvertes par la couche mince conductrice inférieure (23). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les diodes filaires (10) comportent, à partir du substrat (20) et suivant l’axe principal A s , une première portion (11) dopée selon un premier type de conductivité, une zone active (12) et une deuxième portion (13) dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type. Procédé de fabrication selon la revendication 8, comportant une étape de suppression d’une partie de la couche mince conductrice inférieure (23) s’étendant sur la zone active (12) et la deuxième portion (13) dopée, pour ne garder qu’une partie de la couche mince conductrice inférieure (23) s’étendant sur la première portion (11) dopée. Procédé de fabrication selon la revendication 9, dans lequel l’étape de suppression est configurée de sorte que, ensuite, la couche mince conductrice inférieure (23) s’étend sur la première portion (11) dopée des diodes filaires (10) sur une hauteur h ei supérieure à une épaisseur e ei de la couche mince conductrice inférieure (23) s’étendant sur le substrat (20).