INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un premier exemple de dispositif connu utilisant cet effet est la mémoire vive ferroélectrique Fe-RAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Ferroelectric Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire à accès aléatoire ferroélectrique »). La mémoire Fe-RAM est un dispositif de mémoire similaire à une mémoire vive dynamique DRAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Dynamic Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire à accès aléatoire dynamique ») à laquelle une couche ferroélectrique est ajoutée pour obtenir une propriété de non-volatilité. L'intérêt de la mémoire Fe-RAM est de combiner la rapidité de la mémoire vive et les caractéristiques non volatiles de la mémoire flash.
Un deuxième exemple de dispositif connu utilisant les propriétés des matériaux ferroélectriques est le transistor ferroélectrique à effet de champ Fe-FET (renvoyant à la dénomination anglaise de « Ferroelectric Field Effect Transistor » qui signifie littéralement « Transistor à effet de champ ferroélectrique »). Les transistors à effets de champ sont des dispositifs unipolaires à 3 terminaux, basés sur l'action d'un champ électrique sur la conductivité d’un canal reliant la source au drain. Le Fe-FET utilise un élément ferroélectrique inséré entre l’électrode de grille et le canal afin d’obtenir la non-volatilité
Dans le cas d’un transistor Fe-FET, l’information est codée dans la polarisation de du matériau ferroélectrique qui agit comme une grille non-volatile, contrôlant la conductivité du canal du transistor. La lecture de l’état de polarisation se fait en mesurant la résistance longitudinale du canal (parallèle au courant de lecture) avec une tension inférieure à la tension coercitive du matériau ferroélectrique. La mémoire n’est pas effacée.
Le mécanisme de lecture est certes non-destructif mais souffre d’erreurs de lecture dues à la dépolarisation partielle induite par l’application de la tension de lecture sur le matériau ferroélectrique, et les contraintes imposées sur le choix de matériaux limitent l’endurance de ces dispositifs.
Les mémoires à accès aléatoires résistives Re-RAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Resistive Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire résistive à accès aléatoire ») sont un autre exemple de dispositif utilisant le contrôle électrique non-volatile de la résistance dans un matériau diélectrique.
Dans le cas des mémoires Re-RAM, un champ électrique est appliqué pour forcer le matériau diélectrique, qui est normalement isolant, à être conducteur à travers un canal de conduction. Cette conduction est obtenue par différents mécanismes dont le piégeage de charge, la migration d’ions ou encore la formation de filaments conducteurs. L’information est alors codée dans les états rémanents de résistance du canal de conduction de l’élément diélectrique.
La lecture se fait en mesurant la résistance du diélectrique avec une tension inférieure à la tension d’écriture aux bornes du diélectrique.
La lecture ne supprimant pas le codage de l’information, le mécanisme de lecture est en principe non-destructif mais souffre d’erreurs de lecture dues à l’effet de la tension de lecture sur le matériau diélectrique, et implique l’applications de tensions élevées.
Une alternative connue à la mémoire Re-RAM est d’utiliser une mémoire PC-RAM (renvoyant à la dénomination anglaise de « Phase Changing Random Access Memory » qui signifie littéralement « Mémoire à accès aléatoire à changement de phase »). Le matériau utilisé est alors un matériau à changement de phase, qui sous l’application d’un courant électrique va commuter entre une phase amorphe peu conductrice et une phase cristalline conductrice.
Néanmoins, un tel matériau suppose un déplacement de matière en fonctionnement, de sorte que ce type de composant souffre d’un problème d’endurance. Les mémoires PC-RAM impliquent également des tensions de travail élevées.
Il existe donc un besoin pour un système électronique non-volatil permettant de remédier aux inconvénients précités.
A cet effet, la description décrit un système électronique à écriture non volatile par contrôle électrique et à lecture par effet Hall comprenant un dispositif électronique comportant un empilement de couches empilées selon une direction d’empilement, l’empilement de couches. L’empilement de couches comprend une première électrode, un sous-ensemble à états rémanents comprenant au moins une couche diélectrique telle que ledit sous-ensemble à états rémanents présente au minimum deux états rémanents contrôlables électriquement, un gaz bidimensionnel d’électrons, un sous-ensemble magnétique comprenant au moins une couche magnétique, et une deuxième électrode comportant deux premiers contacts s’étendant chacun selon une première direction et un deuxième contact s’étendant selon une deuxième direction, la deuxième direction étant distincte de la première direction, la première et la deuxième directions étant dans un plan perpendiculaire à la direction de l’empilement. Le système électronique comporte un dispositif d’écriture propre à écrire des états rémanents du sous-ensemble à états rémanents par application d’un champ électrique entre la première électrode et la deuxième électrode, et un dispositif de lecture à effet Hall propre à lire l’état rémanent du sous-ensemble à états rémanents en appliquant un courant entre les deux premiers contacts et en mesurant la tension entre le deuxième contact et un potentiel de référence.
Pour y répondre, l’invention propose une nouvelle composition à base de monopotassium phosphate aqueux, sous forme liquide, dont le pH de ladite composition est compris entre 1 et 4 qui permet d’obtenir un produit d’élicitation et un produit de nutrition, préférentiellement par voie foliaire.
Les inventeurs ont ainsi découvert qu’une telle composition présentait de très bons résultats lorsqu’elle est utilisée comme produit éliciteur, produit biostimulant, produit nutritif mais également, de façon surprenante, dans la lutte contre les agents pathogènes tels que le mildiou ou la tavelure et ce sur plusieurs espèces végétales.
Ainsi, l’invention concerne une composition à base de monopotassium phosphate aqueux sous forme liquide, caractérisée en ce que le pH de ladite composition est compris entre 1 et 4. En particulier, il a été constaté par les inventeurs que la composition présentait de bons résultats lorsqu’elle est utilisée comme biostimulant et/ou produit éliciteur et/ou produit nutritif et/ou pour lutter contre les pathogènes.
Enfin, l’invention concerne également un procédé de préparation mais également un procédé de traitement des cultures.
Brève description des Figures représente les résultats du traitement sur les feuilles de vigne avec la composition selon l’invention seul ou en combinaison avec le produit Maniflow à base de 124 g/l de bouillie bordelaise.
représente les résultats du traitement sur les grappes de vigne avec la composition selon l’invention seul ou en combinaison avec le produit Maniflow.
représente les résultats du traitement sur les fruits de pommier avec la composition selon l’invention en combinaison un produit de contact et comparé à un traitement de référence et un témoin non traité.
représente les résultats du traitement sur la défoliation du pommier avec la composition selon l’invention en combinaison un produit de contact et comparé à un traitement de référence et un témoin non traité.
représente les résultats de l’étude protéomique sur l’activation des mécanismes alternatifs pour générer suffisamment d'ATP supplémentaire pour les processus de croissance, suite à l’activation des défenses de la plante.
représente les résultats de l’étude protéomique démontrant une plus grande disponibilité du phosphate à des fins de nutrition, de stimulation de la plante mais également dans la lutte contre les agents pathogènes.
représente les résultats de l’étude protéomique démontrant l’amélioration de la capacité globale à contrer les dommages causés par le pathogène.
Description détaillée de l’invention Composition
La présente invention a donc pour objet une composition à base de monopotassium phosphate aqueux sous forme liquide dont le pH de ladite composition est compris entre 1 et 4.
En particulier, le monopotassium phosphate selon l’invention sous forme acide et aqueuse est un mélange d’acide phosphorique et de dihydrogénophosphate. Il se présente selon la formule suivante.
[Formule 1]
Il peut s’agir notamment d’un article façonné, d’une fibre, d’un tissu, d’un film, d’une feuille, d’un jonc ou encore d’un tube.
En particulier, il peut s’agir d’articles façonnés, comme de pièces destinées à des articles de sport. Parmi ces articles de sport, on peut citer des chaussures de sport, des ustensiles de sport tels que des patins à glace ou autres articles de sports d'hiver et d'alpinisme, des fixations de skis, des raquettes, des battes de sport, des planches, des fers à cheval, des palmes, des balles de golf, des véhicules de loisirs. On peut également mentionner, d'une manière générale, les articles de loisirs, de bricolage, les outils et équipements de voirie soumis aux agressions climatiques et mécaniques, les articles de protection, tels que les visières des casques, les lunettes, ainsi que les branches de lunettes.
On peut citer aussi des pièces pour l’automobile, tels que protège-phares, rétroviseurs, petites pièces de voitures tout terrain, les réservoirs, en particulier, de cyclomoteurs, motos, scooters, soumis aux agressions mécaniques et chimiques, la visserie, les articles cosmétiques soumis aux agressions mécaniques et chimiques, les bâtons de rouges à lèvres, les manomètres, les éléments de protection esthétiques tels que les bouteilles de gaz.
On peut enfin et notamment mentionner les pièces pour des articles l’électronique pour lesquels on recherche la légèreté et qui nécessitent un respect des côtes, par exemple des pièces de téléphones portables, d’ordinateurs, de tablettes, de télévisions, d’appareils photos numériques, de consoles de jeux numériques, de drones ou d’imprimantes.
Utilisation Selon un quatrième objet, l’invention concerne l’utilisation d’un polyamide aliphatique semi-cristallin tel que décrit ci-dessus pour la manufacture d’articles présentant une stabilité du module en milieu humide améliorée.
Selon un mode de réalisation, le polyamide aliphatique semi-cristallin est utilisé comme matrice dans une composition de polyamide telle que définie ci-dessus.
L’invention concerne également une méthode d’augmentation de la stabilité du module d’une composition comprenant un polyamide semi-cristallin tel que défini ci-dessus. Cette utilisation est particulièrement intéressante pour des compositions très rigides, présentant un module en traction supérieur à 7000 MPa, et notamment compris entre 10000 et 25000 MPa.
L’invention sera expliquée plus en détail dans les exemples qui suivent.
Les matériaux utilisés dans les compositions exemplifiées sont détaillés ci-dessous.
Polyamides : PA 610 : PA 610 A obtenu par polycondensation d’hexane diamine et d’acide sébacique chargé en excès de 1.03% en poids par rapport à la quantité totale des monomères en proportions stœchiométriques selon le procédé suivant. On charge l’ensemble des monomères dans un réacteur équipé d’un agitateur. Afin d’améliorer l’échange thermique et faciliter la fusion des monomères, on ajoute 15% en poids d’eau par rapport à la quantité totale de monomères. Le réacteur est ensuite inerté par des cycles vide/azote afin d’éliminer l’oxygène résiduel, puis chauffé à un premier palier de 160-170°C sous 8 bars. Après une heure, la température du mélange est augmentée à 240°C pour une pression de 17 bars. Ensuite, on détend jusqu’à la pression atmosphérique tout en augmentant progressivement la température à 255°C. A cette température, on réalise la réaction de polycondensation sous balayage d’azote. La réaction est terminée lorsque la viscosité cible est atteinte. Le polyamide est ensuite extrudé et granulé.
Le polymère obtenu, dépourvu d’acide phosphorique, présente la viscosité inhérente indiquée dans le tableau 1 ci-dessous.
PA 610 B obtenu par polycondensation d’hexane diamine et d’acide sébacique chargé en excès de 1.24% en poids avec 3600 ppm KOH par rapport à la quantité totale des monomères en proportions stœchiométriques selon le procédé décrit ci-dessus.
PA 610 C obtenu par polycondensation d’hexane diamine et d’acide sébacique en proportions stœchiométriques avec 3600 ppm de KOH selon le procédé décrit ci-dessus. Le polyamide obtenu, dépourvu d’acide phosphorique, présente la viscosité inhérente indiquée dans le tableau 1.
PA 11 : PA 11 A obtenu par polycondensation comme suit. L’acide-11-amino undécanoïque, 15% en poids d’eau et 0.67% en poids d’acide adipique, ces deux quantités étant calculés par rapport à la quantité d’acide-11-amino undécanoïque, sont chargés dans un réacteur, puis placés sous atmosphère inerte. Le milieu réactionnel est ensuite monté en température jusqu’à 235°C, tout en maintenant une agitation. Le milieu réactionnel est maintenu à 235°C, sous une pression de 20 bars pendant 1h30. Puis, la pression est descendue à 12 bars, tout en maintenant la température à 235°C. La matière est ensuite transférée dans un polymériseur, sous balayage d’azote à 235°C. La température est maintenue sous balayage d’azote pendant 1h30. La matière est ensuite extrudée, sous forme de granulés.
Le polyamide obtenu, dépourvu d’acide phosphorique, présente la viscosité inhérente indiquée dans le tableau 1.
Par exemple, le signal de commande de réinitialisation RT est un signal non-décodé, c’est-à-dire globalement appliqué dans tous les pixels PX de la matrice ARR ( ) pendant la phase de réinitialisation du mode à obturation globale GS, tandis que le potentiel de réinitialisation VPIX est un signal décodé par rangée, c’est-à-dire sélectivement activé pour les pixels PX appartenant à une même rangée de la matrice ARR ( ).
Le premier étage d’amplification SF_SN ( ), comporte un premier transistor à source suiveuse MPX, dont la grille est couplée sur le nœud de transfert SN, une région de conduction est couplée au nœud de lecture CN, et l’autre région de conduction est couplé à une ligne d’alimentation VD décodée par rangée. Le décodage par rangée de la ligne d’alimentation VD permet de sélectionner la rangée du pixel PX pour la lecture sur la ligne de lecture VX , la ligne de lecture VX étant quant à elle accessible sélectivement par colonne.
En particulier, les régions de conduction du premier transistor à source suiveuse MPX ne sont pas polarisées par une source de courant au sein du pixel PX. Cela permet avantageusement de limiter le nombre de transistors dans chaque pixel PX et ainsi limiter la taille de chaque pixel PX.
Ainsi, le potentiel des charges sur le nœud de transfert SN permet de commander la transmission du signal de lecture sur le nœud de lecture CN, par le premier transistor à source suiveuse MPX, dans le mode à obturation globale GS.
Le pixel PX comporte en outre un circuit d’échantillonnage SMPL couplé sur le nœud de lecture CN, notamment destiné à la lecture par double échantillonnage corrélé. Le double échantillonnage corrélé correspond sommairement à un échantillonnage du bruit temporel « kTC » issu de la réinitialisation du nœud de transfert SN, puis d’un échantillonnage du signal utile incluant le bruit temporel kTC, afin de soustraire la composante de bruit temporel kTC au signal utile bruité.
Le circuit d’échantillonnage SMPL comporte à cet égard deux nœuds d’échantillonnage C1, C2 couplés sur le nœud de lecture CN et configurés pour stocker un signal de lecture de bruit et, respectivement, un signal de lecture de contenu dans le mode à obturation globale GS. Les nœuds d’échantillonnage comportent chacun un élément capacitif C1, C2 pour stocker par effet capacitif lesdits signaux de lecture respectifs, et un commutateur MS1, MS2 entre l’élément capacitif C1, C2 et le nœud de lecture CN, par exemple un transistor MOS, commandé par un signal de commutation respectif S1 , S2 décodé par rangée.
Le deuxième étage d’amplification SF_CN ( ), comporte un deuxième transistor à source suiveuse MSF, également désigné transistor de sortie à source suiveuse, dont la grille est couplée au nœud de lecture CN et dont les régions de conductions sont couplées à une ligne d’alimentation de lecture VRT d’une part et à la ligne de lecture VX d’autre part.
Par exemple, la ligne d’alimentation de lecture VRT n’est pas décodé, c’est-à-dire commune à tous les pixels PX de la matrice ARR ( ), tandis que ligne de lecture VX peut être décodée par colonnes, c’est-à-dire être accessible sélectivement pour les pixels PX appartenant à une même colonne de la matrice ARR ( ).
La ligne d’alimentation de lecture VRT permet notamment de fournir un courant de lecture adapté pour les lectures faites sur les lignes de lecture VX du capteur, dans le mode à obturation globale GS et dans le mode à obturation roulante RS.
Dans une alternative, un transistor d’accès décodé par rangée peut être couplé en série entre le transistor de sortie à source suiveuse MSF et la ligne de lecture VX . Dans ce cas, la ligne d’alimentation VD du premier transistor à source suiveuse MPX n’a pas besoin d’être décodée par rangée.
Là encore, le potentiel des charges sur le nœud de lecture CN permet de commander le transistor de sortie à source suiveuse MSF pour transmettre le signal de sortie sur la ligne de lecture VX dans le mode à obturation globale GS et aussi dans le mode à obturation roulante RS.
Ainsi, la partie du pixel PX correspondant au mode à obturation globale GS incorpore la première grille de transfert MTG_GS, le transistor de réinitialisation MRT, le premier transistor à source suiveuse MPX, le circuit d’échantillonnage SMPL et le transistor de sortie à source suiveuse MSF.
La partie du pixel correspondant au mode à obturation roulante RS incorpore quant à elle la deuxième grille de transfert MTG_RS, et le et le transistor de sortie à source suiveuse MSF. Cela étant, comme décrit ci-après en relation avec les figures 3A et 3B, la partie du pixel correspondant au mode à obturation roulante RS incorpore avantageusement en outre le transistor de réinitialisation MRT et le premier transistor à source suiveuse MPX.
De façon analogue à la première grille de transfert MTG_GS, la deuxième grille de transfert MTG_RS couplée entre la région photosensible PD et le nœud de lecture CN et dédiée au mode à obturation roulant RS, comporte une région de grille, analogue à une grille de transistor MOS, et deux régions de conductions. L’une des régions de conduction est constituée de la région photosensible PD, ou plus particulièrement la cathode de la photodiode PD, l’autre est constituée d’une région dopée, adapté pour collecter (ou drainer) des charges, formant le nœud de lecture CN.
Un signal TG_RS commande séquentiellement la deuxième grille de transfert MTG_RS pour transférer des charges photogénérées de la région photosensible PD vers le nœud de lecture CN.
Le signal de commande séquentiel de grille de transfert TG_RS est un signal décodé par rangée, et est séquentiellement appliqué dans les pixels PX des différentes rangées de matrice de détection ARR ( ) du capteur pendant les phases d’intégration du mode à obturation roulante RS.
- acquérir des données de configuration lisibles par machine comportant une liste d’appareils électriques à installer, la liste comportant, pour chaque appareil électrique à installer, des données d’identification de l’appareil électrique et au moins un paramètre de réglage à appliquer ;
- par chaque appareil électrique présent dans le tableau électrique, afficher un identifiant visuel sur un écran d’affichage électronique associé à l’appareil électrique, l’identifiant visuel affiché comportant des informations d’identification dudit appareil ;
- par un terminal utilisateur comportant un capteur optique, acquérir une image montrant les appareils électriques présents dans le tableau électrique, ladite image acquise comportant les identifiants visuels affichés par chacun desdits appareils électriques ;
- par un processeur :
comparer automatiquement les informations d’identification de chaque appareil électrique de ladite liste avec les informations d’identification des identifiants visuels de l’image acquise ;
pour chaque appareil électrique de la liste dont les informations d’identification correspondent aux informations d’identification d’un des identifiants visuels de l’image acquise, envoyer ledit au moins un paramètre de réglage à appliquer audit appareil électrique ;
pour chaque appareil électrique de la liste dont les informations d’identification ne correspondent pas aux informations d’identification d’un des identifiants visuels de l’image acquise, identifier une condition d’anomalie.
Selon des aspects avantageux mais non obligatoires, un tel procédé peut incorporer une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toute combinaison techniquement admissible :
-une étape de vérification manuelle est mise en œuvre lorsque une condition d’anomalie est identifiée pour au moins un appareil électrique. l’étape de vérification manuelle comporte, pour ledit appareil électrique : envoyer à un utilisateur une requête demandant d’actionner manuellement un élément d’interface d’une interface utilisateur associée audit appareil électrique ; acquérir une information provenant d’un appareil du tableau indiquant qu’un utilisateur a interagi avec ledit élément d’interface, si l’appareil ayant envoyé ladite information correspond à l’appareil pour lequel la condition d’anomalie a été soulevée, lever la condition d’anomalie et considérer ledit appareil électrique comme ayant été identifié avec succès. après avoir identifié une condition d’anomalie pour un appareil électrique, le procédé affiche un message d’anomalie sur une interface utilisateur associée audit appareil électrique. le message d’anomalie est affiché en activant un témoin lumineux sur l’interface utilisateur associée audit appareil électrique. l’identifiant visuel est un code à deux dimensions lisible optiquement, tel qu’un code « Data Matrix », ou un QR-code, ou un code à barres, ou tout code équivalent. le terminal utilisateur est un appareil de communication mobile, tel qu’un téléphone mobile, ou une tablette numérique, ou un assistant personnel portable, ou un ordinateur portable, ou tout dispositif électronique - pour chaque appareil électrique de la liste dont les informations d’identification correspondent aux informations d’identification d’un des identifiants visuels de l’image acquise, ledit au moins un paramètre de réglage envoyé est appliqué par un contrôleur électronique associé audit appareil électrique. chaque appareil électrique est associé à un indicateur lumineux, ledit indicateur lumineux restant allumé tant que l’appareil électrique n’a pas été configuré avec succès.