Procédé de fabrication d’une structure d’interconnexion (210, 310, 410, 510) d’un circuit intégré (200, 300, 400, 500) destiné à être encapsulé dans une résine d’encapsulation en contact avec une première face (220A, 320A, 420A, 520A) d’une couche de protection (220, 320, 420, 520), ladite couche de protection reposant sur une première face (210A, 310A, 410A, 510A) de la structure d’interconnexion, la structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion en cuivre (212, 214, 312, 314, 412, 512, 514) s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante (216, 316, 416, 516) et affleurant à la première face de ladite structure d’interconnexion ; le procédé de fabrication comprenant une étape de structuration de la couche de protection ou une étape de formation de la couche de protection avec structuration, ladite étape de structuration ou ladite étape de formation étant adaptée à structurer la première face de la couche de protection sous la forme d’une alternance de crêtes (227, 327, 427, 527) et de dépressions (229, 329, 429, 529). Procédé selon la revendication 1, l’étape de structuration comprenant : - une étape de photolithographie adaptée à former un motif en résine (240) sur la première face (220A) de la couche de protection (220), ledit motif en résine formé étant sous la forme d’une succession de saillies (242) séparées par des ouvertures (244) ; puis - une étape de gravure à partir de la première face (220A) de la couche de protection (220), ladite étape de gravure étant adaptée à graver au moins une partie de ladite couche de protection et étant réalisée via le motif en résine (240) formant masque de gravure, de manière à former dans ladite couche de protection des crêtes (227) séparées par des dépressions (229). Procédé selon la revendication 2, les largeurs (l1) des dépressions (229) étant comprises entre 50 nm et 5 µm, de préférence comprises entre 50 et 200 nm, et/ou la hauteur (h1) des dépressions (229) étant comprise entre 50 nm et 500 nm, de préférence comprise entre 100 et 200 nm. Procédé selon la revendication 1, l’étape de structuration comprenant une étape de polissage mécanochimique de la première face (320A) de la couche de protection (320), ladite étape de polissage étant adaptée à former une rugosité supérieure ou égale à 5 nanomètres, sur la première face de ladite couche de protection, la rugosité étant définie par la hauteur quadratique moyenne des crêtes d’une surface par rapport à un niveau moyen défini pour une ladite surface. Procédé selon la revendication 4, l’étape de polissage mettant en œuvre une solution de polissage comprenant des billes abrasives. Procédé selon la revendication 1, l’étape de formation de la couche de protection avec structuration comprenant : - une étape de gravure d’une première face de la couche isolante (416, 516) à partir de la première face (410A, 510A) de la structure d’interconnexion (410, 510), ladite étape de gravure étant réalisée entre des éléments d’interconnexion (412, 512, 514), de manière à former des tranchées (419, 519) entre lesdits éléments d’interconnexion dans ladite couche isolante, de sorte qu’au moins une partie desdits éléments d’interconnexion fasse saillie au-dessus de la première face de la couche isolante gravée ; -une étape de formation d’une couche de protection (420, 520) dans les tranchées (419, 519) et sur la partie des éléments d’interconnexion faisant saillie ; lesdites étapes de gravure et de formation étant adaptées à structurer la première face (420A, 520A) de la couche de protection sous forme d’une alternance de crêtes (427, 527) et de dépressions (429, 529). Procédé selon la revendication 6, les largeurs (l2) des tranchées (419) étant de préférence supérieures ou égales à 2 µm et/ou la hauteur (h2) des tranchées (419) étant comprise entre 20 et 300 nm, de préférence entre 150 et 250 nm. Procédé selon la revendication 6, la hauteur (h3) des tranchées (519) étant comprise entre 20 et 100 nm, de préférence comprise entre 25 et 75 nm. Procédé selon l’une des revendications 6 à 8, l’étape de formation de la couche de protection avec structuration comprenant, préalablement à l’étape de gravure de la couche isolante (416) : - une étape de photolithographie adaptée à former un motif en résine (440) sur la première face (410A) de la structure d’interconnexion (410), le motif en résine formé étant sous la forme d’une succession de saillies (442) séparées par des ouvertures (444) ; l’étape de gravure de la couche isolante (416) étant réalisée via le motif en résine (440) formant masque de gravure, les saillies (442) étant positionnées de manière à masquer au moins les éléments d’interconnexion (412). Procédé selon l’une des revendications 6 à 9, la couche de protection (420, 520) étant formée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Circuit intégré (200, 300, 400, 500) comprenant une structure d’interconnexion (210, 310, 410, 510) reposant sur une couche semiconductrice, ledit circuit intégré étant destiné à être encapsulé dans une résine d’encapsulation en contact avec une première face (220A, 320A, 420A, 520A) d’une couche de protection (220, 320, 420, 520), ladite couche de protection reposant sur une première face (210A, 310A, 410A, 510A) de la structure d’interconnexion, la structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion (212, 214, 312, 314, 412, 512, 514) en cuivre s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante (216, 316, 416, 516) et affleurant à la première face de ladite structure d’interconnexion, la première face de la couche de protection étant structurée sous la forme d’une alternance de crêtes (227, 327, 427, 527) et de dépressions (229, 329, 429, 529). Circuit intégré selon la revendication 11, la hauteur quadratique moyenne des crêtes (227, 327, 427, 527) formées sur la première face (220A, 320A, 420A, 520A) de la couche de protection (220, 320, 420, 520) par rapport à un niveau moyen déterminé de ladite première face étant supérieure ou égale à 5 nanomètres. Circuit intégré selon la revendication 11 ou 12, les éléments d’interconnexion comprenant des vias conducteurs en cuivre (212, 312, 412, 512). Circuit intégré selon la revendication 13, les éléments d’interconnexion comprenant en outre au moins un plot conducteur en cuivre (214, 314, 514). Circuit intégré selon la revendication 14, le circuit intégré (200, 300, 500) comprenant une couche de métallisation (230, 330, 530) dans une tranchée (328) formée dans la couche de protection (220, 320, 520) et s’étendant jusqu’à un plot conducteur (214, 314, 514), ladite couche de métallisation formant une excroissance sur la première face (220A, 320A, 520A) de ladite couche de protection. Circuit intégré selon l’une des revendications 11 à 15, la couche de protection (220, 320, 420, 520) comprenant : - une première couche de nitrure (222, 322, 422, 522), par exemple en nitrure de silicium ou en carbonitrure de silicium, sur la première face (210A, 310A, 410A, 510A) de la structure d’interconnexion (210, 310, 410, 510) ; - une couche d’oxyde (224, 324, 424, 524), par exemple en oxyde de silicium, sur la première couche de nitrure (222, 322, 422, 522) ; - une deuxième couche de nitrure (226, 326, 426, 526) par exemple en nitrure de silicium ou en carbonitrure de silicium, sur la couche d’oxyde (224, 324, 424, 524). Circuit intégré selon la revendication 16, l’alternance de crêtes (227, 327, 427, 527) et de dépressions (229, 329, 429, 529) étant formée dans la deuxième couche de nitrure (226, 326, 426, 526).