INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, l’organe de raclage avant 13 comporte une unique première ouverture de passage latérale 17 et une unique deuxième ouverture de passage latérale 18. De façon avantageuse, la première ouverture de passage latérale 17 est plus proche du sommet de la forme en V de l’organe de raclage avant 13 que d’un bord externe de la première branche de raclage 14, et la deuxième ouverture de passage latérale 18 est plus proche du sommet de la forme en V de l’organe de raclage avant 13 que d’un bord externe de la deuxième branche de raclage 15.
Cependant, selon une variante de réalisation de l’invention non représentée sur les figures, l’organe de raclage avant 13 pourrait comporter une pluralité de premières ouvertures de passage latérales 17, par exemple deux, trois ou plus, et une pluralité de deuxièmes ouvertures de passage latérales 18, par exemple deux, trois ou plus.
De façon avantageuse, la ou les première(s) ouverture(s) de passage latérale(s) 17 et la ou les deuxième(s) ouverture(s) de passage latérale(s) 18 sont disposées de part et d’autre de l’ouverture de passage centrale 16, et sont plus particulièrement disposées de manière symétrique par rapport au plan longitudinal médian du suceur d’aspirateur 2.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, l’ouverture de passage centrale 16 présente une largeur inférieure à la largeur de chacune des première et deuxième ouvertures de passage latérales 17, 18. La largeur de l’ouverture de passage centrale 16 pourrait par exemple être comprise entre 30 et 70%, et avantageusement entre 40 et 60%, et par exemple être égale à environ 50%, de la largeur de chacune des première et deuxième ouvertures de passage latérales 17, 18.
Comme montré sur la , l’organe de raclage avant 13 comporte une pluralité de zones de raclage 19 réparties le long de l’organe de raclage avant 13 et configurées pour racler la surface à nettoyer, et une pluralité de zones échancrées 21 réparties le long de l’organe de raclage avant 13 et pourvues d’échancrures, également nommées créneaux.
La pluralité de zones de raclage comporte plus particulièrement une pluralité de premières zones de raclage 19.1 réparties le long de la première branche de raclage 14, et une pluralité de deuxièmes zones de raclage 19.2 réparties le long de la deuxième branche de raclage 15. De façon avantageuse, la somme des longueurs des premières zones de raclage 19.1 est supérieure à 50%, et par exemple supérieure à 70%, de la longueur de la première branche de raclage 14, et la somme des longueurs des deuxièmes zones de raclage 19.2 est supérieure à 50%, et par exemple supérieure à 70%, de la longueur de la deuxième branche de raclage 15.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, la première branche de raclage 14 comporte une alternance de zones échancrées 21 et de premières zones de raclage 19.1, et la deuxième branche de raclage 15 comporte également une alternance de zones échancrées 21 et de deuxièmes zones de raclage 19.2. La première branche de raclage 14 peut par exemple comporter deux zones échancrées 21 et deux premières zones de raclage 19.1, et la deuxième branche de raclage 15 peut par exemple comporter deux zones échancrées 21 et deux deuxièmes zones de raclage 19.2.
Chaque faisceau d’ordre i est généré par les M signaux sinusoïdaux d’ordre i avec m= 1 à M d’excitation des M éléments rayonnants E m .
De façon classique pour l’homme du métier, la direction du faisceau d’ordre i émis à la fréquence est définie par les phases attribuées aux M signaux de fréquence .
Le générateur G1 comprend de préférence, mais non nécessairement, M voies d’excitation V m identiques.
La voie V m comprend N générateurs de formes d’ondes GFO m i avec i = 1 à N configurés pour générer les signaux élémentaires respectifs.
Chaque générateur de forme d’onde GFO m i est configuré pour générer un des N signaux élémentaires . Autrement dit, les générateurs de forme d’onde forment chacun un canal générant un signal à une fréquence unique.
Le générateur G1 comprend en outre un sommateur SO m recevant en entrée les sorties de N générateurs de forme d’onde GFO m i qui sont N signaux élémentaires . et configuré pour sommer les N signaux élémentaires . de façon à délivrer en sortie la somme des N signaux élémentaires, c’est-à-dire le signal d’excitation .
Dans l’exemple de la figure 2, chaque générateur de forme d’onde GFO m i est configuré pour générer une onde de fréquence prédéterminée réglable correspondant à une des fréquences prédéterminées, ayant une phase prédéterminée , une amplitude prédéterminée et un retard prédéterminé .
La fréquence , la phase ou le déphasage , l’amplitude et le retard .de chacun des signaux élémentaires sont réglables de façon indépendante.
Chaque générateur de forme d’onde GFO m i comprend un générateur primaire GP mi de signal sinusoïdal primaire de fréquence prédéterminée correspondant à la fréquence du signal élémentaire généré par le générateur de forme d’onde.
Avantageusement, le générateur G1 est configuré de sorte que les signaux sinusoïdaux primaires sont générés de façon de façon cohérente en phase. Autrement dit, ces signaux sinusoïdaux primaires sont générés à partir d’un signal commun afin de présenter une même référence en phase.
A cet effet, les générateurs de forme d’onde GFO mi reçoivent, par exemple, en entrée, un signal d’horloge H permettant de synchroniser les générateurs primaires GPmi de sorte qu’ils génèrent des signaux primaires en phase, c’est-à-dire qu’ils génèrent des signaux primaires cohérents en phase.
Chaque générateur de forme d’onde GFO mi comprend, par exemple, mais non nécessairement, un retardateur R mi recevant en entrée le signal sinusoïdal primaire et configuré pour appliquer un retard prédéterminé au signal sinusoïdal primaire de façon à délivrer à sa sortie, un signal sinusoïdal retardé.
Chaque générateur de forme d’onde GFO m i comprend un déphaseur DF mi recevant, en entrée, le signal retardé, et configuré pour appliquer un déphasage prédéterminé au signal retardé de sorte à délivrer, à sa sortie, un signal sinusoïdal retardé déphasé.
Le générateur de forme d’onde GFO mi comprend, en outre, un régleur d’amplitude RA mi , par exemple un amplificateur de puissance ou un atténuateur, recevant en entrée le signal sinusoïdal retardé déphasé et configuré pour appliquer un gain prédéterminé à ce signal, de façon à délivrer le signal élémentaire présentant l’amplitude A mi .
Il est à noter que l’ordre dans lequel sont disposés le déphaseur, le retardateur et l’amplificateur de puissance en sortie du générateur primaire est indifférent.
Avantageusement, la fréquence, le retard, le déphasage et le gain sont réglables.
Dans un mode particulier de réalisation, les première et seconde enveloppes cryogéniques sont mutuellement connectées.
Dans un mode particulier de réalisation, le dispositif supraconducteur est connecté au câble par l’intermédiaire d’au moins une connexion électrique dédiée.
Dans un mode particulier de réalisation, l’au moins une connexion électrique dédiée est enfichable.
Cela permet de faciliter l’assemblage entre le câble et le dispositif supraconducteur.
Dans un mode particulier de réalisation, le système comporte en outre : une seconde terminaison ; une ligne retour de transfert cryogénique connectant l’unité de refroidissement à ladite seconde terminaison.
Cela permet la circulation du fluide cryogénique et le renouvellement de son refroidissement.
Dans un mode particulier de réalisation, l’unité de refroidissement est un circuit fermé.
En variante, l’unité de refroidissement est un circuit ouvert et le système comporte en outre un réservoir de stockage de froid relié à l’unité de refroidissement.
Dans un mode particulier de réalisation, l’au moins une première terminaison est connectée directement au dispositif supraconducteur.
Cette configuration est particulièrement avantageuse lorsque le dispositif supraconducteur peut difficilement être placé au milieu de la liaison du câble supraconducteur, notamment au cas où cela implique des travaux de génie civil trop onéreux ou si la liaison est entièrement enterrée.
En variante, l’au moins une première terminaison est connectée à une seconde extrémité du câble et à la première enveloppe.
Dans un mode particulier de réalisation, la seconde enveloppe cryogénique comporte une pluralité d’entrées adaptées à la connexion respective d’une pluralité de câbles supraconducteurs additionnels au dispositif supraconducteur, chacun des câbles supraconducteurs de la pluralité de câbles supraconducteurs étant équipé d’un composant additionnel de gestion de champ électrique.
Cela permet au dispositif supraconducteur de remplir la fonction de boîte de répartition.
D’autres aspects et avantages de l’invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-après de modes particuliers de réalisation, donnés à titre d’exemples nullement limitatifs, en référence aux dessins annexés, dans lesquels :
est une représentation schématique d’un système conforme à la présente invention, dans un premier mode particulier de réalisation ;
est une représentation schématique d’un système conforme à la présente invention, dans un deuxième mode particulier de réalisation ;
La génération simultanée de plusieurs faisceaux à des fréquences distinctes permet au radar de travailler simultanément avec des vitesses de balayages différentes et des modes différents.
Un radar aéroporté peut ainsi travailler dans des contextes air/sol, air/mer, air/air simultanément, par exemple pour faire du SAR ou de l’ISAR et de la poursuite.
Similairement, un radar sol ou mer peut travailler dans des contextes sol/sol, sol/air, sol/mer ou mer/mer, mer/sol, mer/air simultanément.
Les radars peuvent aussi perturber les systèmes de guerre électronique en éclairant des zones qui n’ont pas d’intérêt avec des balayages différents que ceux qui sont utilisés pour explorer ou traiter les zones d’intérêts, par exemple en balayant à contre sens du faisceau utile.
illustre de façon schématique une antenne selon l’invention,
illustre schématiquement un premier exemple de voie d’excitation d’un générateur de signaux d’excitation,
illustre schématiquement un deuxième exemple de voie d’excitation d’une antenne selon l’invention,
D’une figure à l’autre les mêmes éléments sont repérés par les mêmes références.
L’invention se situe dans le domaine des antennes réseau ayant un réseau de M éléments rayonnants. L’antenne peut comprendre uniquement ces M éléments rayonnants ou le réseau d’éléments rayonnants peut être un sous-réseau d’un plus grand réseau d’éléments rayonnants de l’antenne.
L’invention se rapporte notamment aux antennes actives ou AESA et aux antennes MIMO.
L’antenne peut être une antenne réseau plane, par exemple imprimée, c’est-à-dire, comprenant un ensemble d’éléments rayonnants unitaires de type pavés microruban (aussi appelés patch microstrip) ou une antenne réseau plane à fente à cavité aussi appelée « cavity back slot antenna » en terminologie anglo-saxonne, antenne à guide d’onde intégré au substrat aussi appelée antennes SIW (acronyme de l’expression « Substrate integrated waveguide) ou un réseau d’anneaux.
L’invention s’applique également aux antennes non planaires, comme par exemple, les antennes à cornet, les antennes Vivaldi, les dipôles coaxiaux, ouvertures de guides d’ondes et les résonateurs diélectriques).
Dans l’exemple non limitatif de la , l’antenne A comprend un réseau de M éléments rayonnants E m sensiblement plans, avec m= 1 à M, s’étendant sensiblement dans le plan de la . M est un entier supérieur à 1.
Chacun des M éléments rayonnants E m comprend un port d’excitation P m formant un réseau de M ports d’excitation, avec m = 1 à M, dont trois uniquement sont référencés sur la , et étant, par exemple mais non nécessairement, au centre de l’élément rayonnant correspondant.
Chacun des éléments rayonnants peut comprendre un unique port d’excitation mais peut aussi comprendre un ou plusieurs ports d’excitation.
En fonctionnement, les premier et deuxième vias d’excitation 114, 115 peuvent être alimentés soit par une même source d’alimentation pouvant fournir deux courants (qui peuvent être déphasés l’un par rapport à l’autre), soit par deux sources d’alimentation indépendantes.
Dans l’exemple représenté, la droite CC reliant le point de connexion 114A du premier via d’excitation 114 dans le plan du toit capacitif 13 et le point de connexion 113A du via de masse 113 dans le plan du toit capacitif 13 est sensiblement orthogonale à la droite DD reliant le point de connexion 115A du deuxième via d’excitation 115 dans le plan du toit capacitif 13 et le point de connexion 113A du via de masse 113 dans le plan du toit capacitif 13.
En d’autres termes, le toit capacitif 13 représenté étant de forme carrée, le deuxième via d’excitation 115 est situé de manière symétrique au premier via d’excitation 114 par rapport à la diagonale (ou axe de symétrie) AA du toit capacitif 13 passant par le point de connexion 113A du via de masse 113 dans le plan du toit capacitif.
Les autres caractéristiques, les éléments de dimensionnements et les alternatives décrits en lien avec les figures 1A-1C et 3 peuvent s’appliquer à la sonde de la .
En ce qui concerne le schéma de fonctionnement de la , comme décrit plus avant, il reste fondamentalement le même. Une différence est que, puisqu’il y a deux vias d’excitation et un seul via de masse, lorsque les vias d’excitation 114, 115 sont alimentés par la (ou les) source(s) d’alimentation, une première boucle de courant 201 est formée entre le premier via d’excitation 114, le toit capacitif 13 et le via de masse 113, ce qui rend la sonde sensible au champ magnétique H1 selon la première direction X du plan principal XY de la sonde, et une deuxième boucle de courant 202 est formée entre le deuxième via d’excitation 115, le toit capacitif 13 et le via de masse 113, ce qui rend la sonde sensible au champ magnétique H2 selon la deuxième direction Y du plan principal.
Selon d’autres modes de réalisation (non illustrés), la sonde peut comporter un quatrième via qui peut être : - un via de retour de masse complémentaire : selon une variante se référant au mode des figures 1A-1B ou 2, un via de retour de masse complémentaire peut être sensiblement aligné avec le premier via de masse 111 et le via d’excitation 110 ou avec le deuxième via de masse 112 et le via d’excitation 110, et ce, soit du même côté que le premier ou deuxième via de masse par rapport à l’axe de symétrie AA, soit de l’autre côté ; selon une autre variante se référant au mode de la , un via de retour de masse complémentaire peut être sensiblement aligné avec le via de masse 113 et le premier via d’excitation 114 ou avec le via de masse 113 et le deuxième via d’excitation 115, et ce, soit du même côté que le premier ou deuxième via d’excitation par rapport à l’axe de symétrie AA, soit de l’autre côté ; - un via d’excitation complémentaire : selon une variante se référant au mode des figures 1A-1B ou 2, un via d’excitation complémentaire peut être sensiblement aligné avec le premier via de masse 111 et le via d’excitation 110 ou avec le deuxième via de masse 112 et le via d’excitation 110, et ce, soit du même côté que le premier ou deuxième via de masse par rapport à l’axe de symétrie AA, soit de l’autre côté ; dans ce cas, l’ensemble des vias d’excitation d’une même boucle de courant 201 et 202 sont électriquement connectés ensemble.
Un via de retour de masse complémentaire permet par exemple de contrôler principalement l’amplitude de la résonance de la sonde et un via d’excitation complémentaire permet par exemple de contrôler la partie imaginaire de l’impédance d’entrée de la sonde.
Dans les sondes des figures 1A, 1B, 1C, 3 et 4, le toit capacitif présente de préférence une forme sensiblement carrée, mais les modes de réalisation ne sont bien entendu pas limités à ce type de forme. Le toit capacitif peut par exemple présenter une forme polygonale autre que carrée, une forme circulaire ou ovale, ou toute autre forme adaptée.
Des exemples de procédés de fabrication d’une sonde selon un mode de réalisation sont présentés dans ce qui suit. On peut se référer aux figures 1A, 1B, 1C, 3 et 4 pour les références numériques.
Selon un mode de réalisation, on dispose d’un substrat 14 en matériau diélectrique, par exemple un substrat de type FR4, puis : - dans une première étape, on forme une couche métallique sur la surface inférieure 14B du substrat pour réaliser un plan de masse 12 selon des dimensions définies ; - dans une deuxième étape, on forme une couche métallique sur la surface supérieure 14A du substrat pour réaliser un toit capacitif 13 selon des dimensions définies ; - dans une troisième étape et dans certains cas, on forme dans l’épaisseur du toit capacitif 13 une fente 130, 131 selon une longueur et un motif définis ; - dans une quatrième étape, on forme dans le substrat diélectrique des vias de masse 111, 112 (ou un via de masse 113) reliant électriquement le plan de masse 12 et le toit capacitif 13 ainsi qu’un via d’excitation 110 (ou des vias d’excitation 114, 115) relié(s) électriquement au toit capacitif 13, mais isolé(s) électriquement du plan de masse 12 ; - dans certains cas, dans une cinquième étape (qui peut être avant ou après la quatrième étape), on forme une ouverture dans l’épaisseur du plan de masse 12 afin de faire passer le via d’excitation 110 (ou dans certains cas, plusieurs ouvertures pour faire passer plusieurs vias d’excitation 114, 115), et on isole électriquement chaque via d’excitation du plan de masse, par exemple en ajoutant un isolant électrique au niveau de chaque passage de via d’excitation au travers du plan de masse.
La première étape peut comprendre une étape de métallisation du substrat en matériau diélectrique totalement sur sa surface inférieure pour former le plan de masse.
La deuxième étape peut comprendre une étape de métallisation du substrat en matériau diélectrique au moins partiellement sur sa surface supérieure pour former le toit capacitif.
La troisième étape peut comprendre une étape d’usinage ou de gravure du toit capacitif pour former la fente.
La quatrième étape peut comprendre une étape d’impression des vias dans le substrat, selon des techniques connues dans le domaine de la microélectronique.
Selon un autre mode de réalisation, on peut disposer d’un substrat dans lequel les deux couches métalliques sont déjà formées. Les première et deuxième étapes ne sont alors plus nécessaires. Par exemple, on peut disposer de deux substrats simple face (une face métallisée sur une couche isolante), par exemple des substrats de type FR4. La face métallisée de chaque substrat peut être gravée, le cas échéant, pour former la fente dans le substrat formant le toit capacitif et/ou pour former la (ou les) ouverture(s) dans le substrat formant le plan de masse afin de faire passer le ou les via(s) d’excitation. Les deux substrats simple face sont ensuite assemblés par leurs couches isolantes revêtues préalablement chacune d’une couche de colle. La structure ainsi obtenue est ensuite percée et les trous sont métallisés afin de former les vias de masse et d’excitation.
Selon un autre mode de réalisation, on ne dispose pas d’un substrat, le matériau diélectrique étant l’air. Les première et deuxième étapes sont alors supprimées et peuvent être remplacées par une étape de disposition d’une plaque métallique pour former un plan de masse selon des dimensions définies et une autre étape de disposition d’une autre plaque métallique pour former un toit capacitif selon des dimensions définies. En outre, selon ce mode de réalisation, dans la quatrième étape, les vias de masse et d’excitation ne sont pas formés dans le substrat. Le(s) via(s) de masse peu(ven)t être assemblé(s) (par exemple soudé(s) ou vissé(s)) au plan de masse et au toit capacitif, et le(s) via(s) d’excitation peu(ven)t être assemblé(s) (par exemple soudé(s) ou vissé(s)) au toit capacitif tout en étant électriquement isolé(s) du plan de masse. Afin de stabiliser la structure, des piliers en matériau isolant, par exemple en plastique ou en nylon, peuvent être ajoutés entre le plan de masse et le toit capacitif. Ces piliers peuvent être placés sous le toit capacitif ou sur les bords dudit toit.
illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de détermination ou de prédiction d’une défaillance ou d’une panne d’un ou plusieurs composants d’un véhicule, par exemple le premier véhicule 10, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif embarqué dans le véhicule 10, par le dispositif distant 101 ou par un système comprenant le premier véhicule 10 et le dispositif distant 101.
Dans une première étape 51, un premier ensemble de données représentatives de vibrations mesurées par un premier capteur embarqué dans le premier véhicule et associé à un premier composant du premier véhicule est reçu.
Dans une deuxième étape 52, une défaillance d’un deuxième composant du premier véhicule est déterminée en alimentant au moins un modèle de détermination de défaillance de composant avec le premier ensemble de données. Le deuxième composant est avantageusement différent du premier composant, le au moins un modèle de détermination de défaillance de composant ayant été appris dans une phase dite d’apprentissage à partir d’une pluralité de deuxièmes ensembles de données obtenus d’une pluralité de deuxièmes véhicules. Chaque deuxième ensemble de données est représentatif de vibrations mesurées par un deuxième capteur embarqué dans un deuxième véhicule de la pluralité et associé à un composant déterminé du deuxième véhicule de la pluralité, le deuxième capteur étant de même nature que le premier capteur et le composant déterminé du deuxième véhicule étant de même nature que le premier composant.
Dans une troisième étape 53, une information représentative de la défaillance du deuxième composant est transmise.
Selon une variante de réalisation, les variantes et exemples des opérations décrits en relation avec les figures 1 à 3 s’appliquent aux étapes du procédé de la .
Bien entendu, l’invention ne se limite pas aux modes de réalisation décrits ci-avant mais s’étend à un procédé d’alerte d’une défaillance ou d’une panne avant que la panne ne survienne et le dispositif configuré pour la mise en œuvre d’un tel procédé.
L’invention concerne également un véhicule, par exemple automobile ou plus généralement un véhicule autonome à moteur terrestre, comprenant le dispositif 4 de la .
L’invention concerne également un système comprenant le dispositif 4 de la (ou un ensemble de dispositifs 4) embarqué(s) dans un véhicule et un dispositif distant, par exemple le dispositif distant 101, le ou les dispositifs 4 étant reliés en communication sans fil avec le dispositif distant 101.
PROCEDE ET DISPOSITF DE DETECTION D’UN ÉVÉNEMENT SE RAPPORTANT AU DEPLACEMENT OU AU SABOTAGE D’UN OBJET Domaine de l’invention Le domaine de l’invention se rapporte à celui des procédés et dispositifs de détection d’un évènement se rapportant au déplacement ou au sabotage d’un objet positionné dans un espace urbain. Plus particulièrement, le domaine de l’invention concerne les dispositifs et procédés anti-décrochage notamment de panneaux d’affichage agencés sur des murs, parois et espaces publics ou privés.
État de la technique Actuellement, il existe des solutions visant à vérifier qu’un certain type d’objet reste conforme à un état pendant une durée prédéfinie. C’est le cas par exemple des panneaux d’affichage sur la voie publique indiquant une mention légale telle qu’une période de réalisation de travaux ou l’identifié d’un maitre d’œuvre ou encore toute autre réglementation qui doit être portée à connaissance du public dans un périmètre donné.