INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La deuxième couche 202 est une couche en un matériau non conducteur électriquement, par exemple du dioxyde de silicium, dans laquelle est formée la piste conductrice électriquement 120. La deuxième couche 202 a une épaisseur comprise entre 200 nm et 1,5 µm, par exemple de l'ordre de 730 nm. La piste 120 est en un matériau conducteur, par exemple en un métal ou en un alliage de métaux. Selon un exemple, la piste 120 peut être composée de plusieurs matériaux, par exemple un premier matériau formant la partie conductrice de la piste 120 et un deuxième matériau formant une couche d'encapsulation de la piste 120 (non représentée en , mais représentée en ). La couche d'encapsulation de la piste 120 peut, par exemple, permettre de bloquer la diffusion d'atomes du matériau de la partie conductrice dans le matériau de la couche dans laquelle la piste 120 est formée. Selon un exemple de réalisation, la partie conductrice de la piste 120 est en métal ou en un alliage métallique, plus particulièrement, en cuivre. Selon un autre exemple, la partie conductrice de la piste 120 est en oxyde d'indium-étain (ITO), ou en tout autre matériau conducteur transparent à la source de lumière envoyant la lumière reçue par le diffuseur optique 100. Selon un exemple de réalisation, le matériau de la couche d'encapsulation est du nitrure de silicium (SiN). Selon un mode de réalisation, la région 201N de la couche 201 ne comprenant pas de pilier conducteur est située sous la piste conductrice 120. Autrement dit, aucun pilier conducteur électriquement n'est disposé sous la piste conductrice 120. Selon un mode de réalisation, la région 201N s'étend à la périphérie proche de la piste conductrice, ce qui est détaillé en relation avec la . En effet, les inventeurs ont montré que les piliers 204 disposés sous, ou en périphérie de, la piste conductrice étaient susceptibles de favoriser l'apparition de décharges électrostatiques.
La troisième couche 203 est une couche transparente servant de support mécanique au diffuseur 100, par exemple une couche en verre. La deuxième couche 203 a une épaisseur comprise entre 250 et 350 µm.
La est une vue de dessus d'une portion de la zone active du diffuseur optique 100.
Dans le mode de réalisation de la , la piste conductrice 120 est composée d'une partie conductrice 301, ou d'une bande centrale, en un premier matériau et d'une couche d'encapsulation 302 en un deuxième matériau formant, en , des bandes latérales, mais recouvrant totalement la partie conductrice 301. Selon un exemple, la partie conductrice 301 a une largeur comprise entre 200 et 400 nm, par exemple de l'ordre de 320 nm. La couche d'encapsulation 302 a une largeur comprise entre 400 et 800 nm, par exemple de l'ordre de 570 nm.
De plus, dans le mode de réalisation de la , les piliers 204 sont disposés à distance de la piste conductrice 120, par exemple à une distance d supérieure ou égale à 1,2 µm. Autrement dit, la région 201N a, en vue de dessus, une forme similaire à la forme de la piste 120 mais ayant une largeur plus importante que la piste 120.
Un avantage de ce mode de réalisation est qu'il permet de réduire les dégâts causés par les décharges électrostatiques.
Un autre avantage de ce mode de réalisation, est qu'un procédé de fabrication de ce mode de réalisation est identique au procédé de fabrication d'un diffuseur optique dans lequel la première couche ne comprend que la région 201P, c'est-à-dire comprend un réseau de piliers conducteurs disposés sur toute la surface de la première couche. Le procédé de fabrication du mode de réalisation décrit ici comprend simplement une étape de masquage en comparaison du procédé de fabrication d'un diffuseur optique usuel.
PUCE PHOTONIQUE POURVUE D’UN OU DEUX MODULATEURS MACH ZEHNDER DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte au domaine de la photonique et plus particulièrement des puces photoniques intégrées.
Notamment, l’invention concerne une puce photonique pourvue d’un modulateur Mach Zehnder et pour lequel les pertes d’insertion sont compensées par deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs.
Selon la présente invention, les amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs sont agencés de manière limiter les effets négatifs relatifs à l’amplification d’un signal optique modulé en intensité.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION La représente un dispositif Mach Zehnder 1 connu de l’état de la technique. Le dispositif Mach Zehnder 1 comprend notamment deux branches de modulation, dites première branche 2 et deuxième branche 3, reliées par l’une de leur extrémité par une entrée optique 4 et par l’autre de leur extrémité par une sortie optique 5.
Notamment, les deux branches de modulation 2 et 3 sont agencées de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique 4 soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement guidés, respectivement, par la première branche 2 et la deuxième branche 3, et de sorte que ledit premier rayonnement et ledit deuxième rayonnement soient recombinés au niveau de la sortie optique.
Le dispositif est également pourvu de deux modulateurs de phase, dit premier modulateur 6 et deuxième modulateur 7 destinés à imposer un déphasage, respectivement, au premier rayonnement et au deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique 5. La modification de la phase de l’un et/ou l’autre du premier et du deuxième rayonnement permet notamment de moduler l’intensité du rayonnement recombiné en sortie du dispositif Mach Zehnder.
Néanmoins, un tel dispositif Mach Zehnder 1 est sujet à des pertes, et plus particulièrement à des pertes liées aux pertes des modulateurs de phase 6 et 7, qui en réduisent les performances.
Grâce à la surface 410 de réflexion, la source 51 d’éclairage n’a pas à être placée en vis-à-vis de la zone 21 de contact, dirigée vers celle-ci. Au contraire, la lumière visible se propage à l’intérieur de la portion 41 d’éclairage selon une direction D V principale qui est sensiblement parallèle à la surface 20 d’interface. La source 51 d’éclairage peut donc être agencée à proximité immédiate de la surface 20 d’interface, ce qui permet donc de limiter l’épaisseur requise pour le panneau 10 d’interface utilisateur. Rien n’exclut cependant, suivant d’autres exemples non illustrés par des figures, d’avoir une source 51 d’éclairage agencée différemment, y compris agencée en vis-à-vis de la zone 21 de contact, en dehors de la direction D IR de guidage de la lumière infrarouge dans la portion 41 d’éclairage, pour ne pas la bloquer.
Les figures 5 et 6 représentent schématiquement deux exemples de réalisation différents des zones 21, 22 de contact, pour la détection de la présence d’un doigt d’un utilisateur. Sur les figures 5 et 6, les différentes portions du guide 40 de lumière ne sont pas représentées, à des fins de lisibilité des figures.
Dans l’exemple illustré par la , les zones 21, 22 de contact laissent passer la lumière infrarouge à travers la surface 20 d’interface. Dans cet exemple, le guide 40 de lumière n’est donc pas recouvert de matériau réfléchissant la lumière infrarouge dans une partie au moins des zones 21, 22 de contact. Par exemple, la partie d’une zone 21, 22 de contact qui laisse passer la lumière visible à travers la surface 20 d’interface laisse également passer la lumière infrarouge. Alternativement ou en complément, une partie de la zone 21, 22 de contact laisse passer uniquement la lumière visible et une autre partie de ladite zone 21, 22 de contact laisse passer uniquement la lumière infrarouge.
Ainsi, tel qu’illustré dans la partie a) de la , tout ou partie des rayons de lumière infrarouge qui arrivent sur une zone 21, 22 de contact traversent la surface 20 d’interface, et ne sont donc pas reçus par le détecteur 31 infrarouge. Tel qu’illustré par la partie b) de la , lorsqu’un doigt est en contact avec une zone 21, 22 de contact, certains rayons de lumière infrarouge qui traversaient auparavant la surface 20 d’interface sont à présent réfléchis vers l’intérieur du guide 40 de lumière et vers le détecteur 31 infrarouge. De manière plus générale, la présence d’un doigt sur une zone 21, 22 de contact va modifier les propriétés optiques de celles-ci et, par conséquent, modifier la propagation de la lumière infrarouge à l’intérieur du guide 40 de lumière. Une telle modification de la propagation de la lumière infrarouge, induite par la présence d’un doigt à proximité d’une zone 21, 22 de contact, se traduit par une variation de l’intensité de lumière infrarouge mesurée par le détecteur 31 infrarouge. Par conséquent, la présence du doigt est détectée si l’unité de traitement détecte une telle variation de l’intensité de la lumière infrarouge dans les mesures effectuées par le détecteur 31 infrarouge. Il est à noter que les variations de l’intensité de lumière infrarouge, induites par la présence d’un doigt, dépendent de la zone 21, 22 de contact à proximité de laquelle se trouve ledit doigt. Par conséquent, les variations induites de l’intensité de lumière infrarouge peuvent être prédéterminées pour chaque zone 21, 22 de contact, par simulation et/ou par calibration du capteur de présence, et mémorisées dans une mémoire de l’unité de traitement. Ensuite, les variations mesurées de l’intensité de lumière infrarouge peuvent être comparées aux variations attendues, mémorisées par l’unité de traitement, afin de déterminer si un doigt se trouve à proximité d’une des zones 21, 22 de contact et, le cas échéant, déterminer la zone 21, 22 de contact concernée.
Dans l’exemple illustré par la , les zones 21, 22 de contact ne laissent pas passer la lumière infrarouge à travers la surface 20 d’interface. Dans cet exemple, le guide 40 de lumière est donc également recouvert de matériau 60 réfléchissant la lumière infrarouge dans les zones 21, 22 de contact. Chaque portion 41, 42 d’éclairage est dans cet exemple déformable par appui d’un doigt sur la zone 21, 22 de contact associée. La déformation est réversible en ce que la portion 41, 42 d’éclairage reprend sa forme initiale, avant appui du doigt, lorsque le doigt n’est plus en appui sur la zone 21, 22 de contact.
Ainsi, tel qu’illustré dans la partie a) de la , tous les rayons de lumière infrarouge qui arrivent sur une zone 21, 22 de contact sont réfléchis vers le guide 40 de lumière. Tel qu’illustré par la partie b) de la , lorsqu’un doigt est en appui sur une zone 21, 22 de contact, la portion 41, 42 d’éclairage du guide 40 de lumière est déformée et la propagation de la lumière infrarouge à l’intérieur du guide 40 de lumière est modifiée. Une telle modification de la propagation de la lumière infrarouge, induite par l’appui d’un doigt sur une zone 21, 22 de contact, se traduit par une variation de l’intensité de lumière infrarouge mesurée par le détecteur 31 infrarouge. Par conséquent, la présence du doigt en appui sur une zone 21, 22 de contact est détectée si l’unité de traitement détecte une telle variation de l’intensité de la lumière infrarouge dans les mesures effectuées par le détecteur 31 infrarouge. Comme précédemment, les variations de l’intensité de lumière infrarouge, induites par la présence d’un doigt, dépendent de la zone 21, 22 de contact sur laquelle ledit doigt est en appui. Par conséquent, les variations induites de l’intensité de lumière infrarouge peuvent être prédéterminées pour chaque zone 21, 22 de contact, par simulation et/ou par calibration du capteur de présence, et mémorisées dans une mémoire de l’unité de traitement. Ensuite, les variations mesurées de l’intensité de lumière infrarouge peuvent être comparées aux variations attendues, mémorisées par l’unité de traitement, afin de déterminer si un doigt se trouve à proximité d’une des zones 21, 22 de contact et, le cas échéant, déterminer la zone 21, 22 de contact concernée.
En d’autres termes, et de manière générale, l’unité de traitement est configurée pour détecter la présence d’un doigt à proximité d’une zone 21, 22 de contact par détection d’une variation prédéterminée de l’intensité de lumière infrarouge mesurée par le détecteur 31 infrarouge.
Il est également à noter que les modes de réalisation décrits en référence aux figures 5 et 6 peuvent également être combinés. Par exemple, la surface 20 d’interface peut comporter une zone 21 de contact qui laisse passer la lumière infrarouge et une autre zone 22 de contact qui ne laisse pas passer la lumière infrarouge.
En outre, les exemples illustrés par les figures 5 et 6 ont été donnés en considérant que seules les mesures de l’intensité de lumière infrarouge étaient utilisées pour détecter la présence d’un doigt à proximité d’une zone 21, 22 de contact. En effet, une paire émetteur 30 infrarouge / détecteur 31 infrarouge suffit pour détecter la présence d’un doigt et déterminer la zone de contact, parmi les deux zones 21, 22 de contact, à proximité de laquelle se trouve le doigt. Rien n’exclut cependant, suivant d’autres exemples, d’utiliser également des mesures effectuées par d’autres capteurs, de type infrarouge ou non, par exemple pour améliorer si nécessaire la précision de la localisation du doigt détecté par rapport à la surface 20 d’interface.
La représente schématiquement les principales étapes d’un exemple de mise en œuvre d’un procédé 70 de fabrication d’un panneau 10 d’interface utilisateur.
Tel qu’illustré par la , le procédé 70 de fabrication comporte une étape S71 de fourniture d’un substrat formant la surface 20 d’interface. Le substrat est réalisé dans un matériau laissant passer au moins la lumière visible et, de préférence, laissant passer également la lumière infrarouge. Par exemple, le substrat est réalisé en PC, PMMA, PET, ou une combinaison de ces matériaux, etc. Par exemple, le substrat a une épaisseur comprise entre 150 µm et 300 µm.
Le procédé 70 de fabrication comporte également une étape S72 de formation de motifs du côté utilisateur et/ou du côté interne dudit substrat, dont au moins deux motifs correspondant respectivement aux zones 21, 22 de contact. Cette étape S72, optionnelle, vise principalement à obtenir une couche décorative sur et/ou sous le substrat, pour permettre à un utilisateur d’identifier les zones 21, 22 de contact sur la surface 20 d’interface. Cette étape S72 peut mettre en œuvre par exemple toute méthode connue d’impression de motifs de décoration sur un substrat.
Le procédé 70 de fabrication comporte également une étape S73 de formation d’une couche réfléchissante du côté interne du substrat, dans un matériau 60 réfléchissant la lumière infrarouge. Par exemple, cette couche réfléchissante est réalisée en PC ou en PC/ABS, par exemple comprenant des particules réfléchissantes telles que du TiO 2 , le taux de TiO 2 étant de préférence supérieur à 2%. Par exemple, le taux de réflexion mesuré selon la norme DIN 5033 est supérieur à 85%. Cette couche réfléchissante a pour but de former l’une des faces du guide 40 de lumière. Comme indiqué précédemment, cette couche réfléchissante ne recouvre pas nécessairement tout le substrat du côté interne, mais uniquement les parties qui doivent réfléchir la lumière infrarouge. Ainsi, la couche réfléchissante ne recouvre pas entièrement les zones 21, 22 de contact du côté interne dans l’exemple de la , afin de laisser passer la lumière infrarouge à travers la surface 20 d’interface. De préférence, la couche réfléchissante réfléchit également la lumière visible.
Dans certains modes de mise en œuvre, les étapes S72 et S73 ne forment qu’une seule étape, si la couche décorative est réfléchissante (c’est-à-dire si la couche décorative et la couche réfléchissante sont confondues).
Le procédé 70 de fabrication comporte également une étape S74 de formation d’une couche électronique comportant des pistes électriques à connecter à des composants électroniques dudit panneau 10 d’interface utilisateur, comprenant au moins les sources 51, 52 d’éclairage, l’émetteur 30 infrarouge et le détecteur 31 infrarouge. Cette étape S74 peut mettre en œuvre par exemple toute méthode connue d’impression de pistes électriques.
Le procédé 70 de fabrication comporte également une étape S75 de connexion des composants électroniques aux pistes électriques de la couche électronique. En particulier, les sources 51, 52 d’éclairage, l’émetteur 30 infrarouge et le détecteur 31 infrarouge sont connectés aux différentes pistes électriques.
On comprend que l’organe de poussée s’étend en épousant la forme de la paroi supérieure, l’organe de poussée affleurant par exemple la paroi supérieure. L’organe de poussée est par ailleurs l’organe du dispositif de verrouillage sur lequel un utilisateur exerce une force pour permettre au dispositif de verrouillage de pivoter.
De plus, l’organe de blocage est l’organe du dispositif de verrouillage configuré pour être en contact avec le bras, solidarisant et/ou désolidarisant l’adaptateur du bras.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, le dispositif de verrouillage comprend au moins une charnière reliant l’organe de poussée à la paroi supérieure, l’organe de poussée étant entouré par une rainure le séparant de la paroi supérieure. La charnière d’une part d’autorise le pivotement du dispositif de verrouillage autour de l’axe de pivotement, et d’autre part rend solidaire le dispositif de verrouillage de la paroi supérieure.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, l’organe de poussée prend une forme parallélépipèdique, l’organe de poussée présentant au moins un côté supérieur et un côté inférieur s’étendant parallèlement à la direction longitudinale, la charnière étant disposée entre le côté inférieur de l’organe de poussée et la paroi supérieure, la rainure s’étendant sur les trois autres côtés de l’organe de poussée.
On comprend ici que le côté supérieur est le côté de l’organe de poussée le plus proche du bord commun entre la paroi latérale et la paroi supérieure et que le côté inférieur est le côté de l’organe de poussée le plus proche du bord libre de la paroi supérieure.
Par cette disposition particulièrement astucieuse, le pivotement de l’organe de verrouillage permet de disposer et/ou de retirer l’organe de blocage du logement de réception, solidarisant et/ou désolidarisant l’adaptateur du bras.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, l’organe de poussée présente un profil courbé vu dans une coupe perpendiculaire à la direction longitudinale, le profil courbé de l’organe de poussée s’inscrivant dans un profil de la paroi supérieure.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, l’organe de poussée comprend une face externe orientée vers l’environnement extérieur de l’adaptateur et une face interne orientée vers le volume interne de l’adaptateur, l’organe de poussée présentant sur sa face externe un motif favorisant l’adhérence. Ce motif est par exemple un grainage de la face externe de la paroi supérieure.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, le moyen de limitation fait partie de l’organe de blocage. En d’autres termes, le moyen de limitation et l’organe de blocage forment un ensemble monobloc, c’est-à-dire que le moyen de limitation et l’organe de blocage ne peuvent être séparés l’un de l’autre sans entraîner la destruction du moyen de limitation et/ou de l’organe de blocage.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, l’organe de blocage est délimité longitudinalement par une face terminale du moyen de limitation. On comprend par « face terminale » une face disposée à une extrémité longitudinale du moyen de limitation.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, le moyen de limitation est formé par une face de butée sécante à la face terminale et en regard de la paroi interne. Plus précisément, la face de butée s’étend dans un plan sécant au plan dans lequel s’étend la face terminale du moyen de limitation.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, le dispositif de verrouillage pivote autour de l’axe de pivotement selon un angle maximum de 20°.
Préférentiellement, l’angle de pivotement du dispositif de verrouillage est au maximum de 15°.
Encore plus préférentiellement, l’angle de pivotement du dispositif de verrouillage est au maximum de 10°.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, l’organe de blocage s’étend depuis l’organe de poussée vers le logement de réception, l’organe de blocage comprenant une portion coudée et une extrémité libre disposée dans le logement de réception lorsque l’organe de verrouillage est dans une position de verrouillage de l’adaptateur sur le bras.
Selon une autre caractéristique optionnelle de l’invention, le moyen de limitation prolonge longitudinalement l’extrémité libre de l’organe de blocage.
Le module de contrôle peut être connecté au module de calcul et comporte un correcteur qui est configuré pour générer un signal de commande de pression à partir de la consigne de contrainte normal déterminée par le module de calcul et pour transmettre le signal de commande au régulateur de pression électropneumatique.
L’invention a encore pour objet, selon un troisième aspect, un procédé d'analyse de l'effet d'une contrainte de cisaillement sur un échantillon en utilisant un ensemble tel que décrit ci-dessus, comportant une étape de mesure de données par le réseau de capteurs, les données étant transmises au dispositif de contrôle, une étape de génération d'une commande de contrainte normale à exercer sur l'échantillon à partir des données mesurées par le réseau de capteurs, et une étape d'ajustement de la pression à l'intérieur du sac gonflable par l'activation du dispositif de contrôle jusqu'à ce que le déplacement de l’échantillon dans la direction tangentielle est égal à une consigne de déplacement ou de vitesse prédéterminée.
Le dispositif de contrôle peut comporter une configuration de suivi dans laquelle le dispositif de contrôle est activé lorsque la contrainte de cisaillement s’appliquant sur l’échantillon est égale ou supérieure à une contrainte de cisaillement prédéterminée, et une configuration de stabilisation dans laquelle le module de contrôle est activé lorsque la vitesse de déplacement de l'échantillon dans la direction tangentielle est égale ou supérieure à une vitesse de déplacement prédéterminée.
L’invention porte enfin, selon un quatrième aspect, sur l’utilisation du banc d’essai tel que précédemment décrit, pour la reproduction de phénomènes sismiques, telles que des instabilités sismiques et le contrôle de ces instabilités.
L’invention, selon un exemple de réalisation, sera bien comprise et ses avantages apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée qui suit, donnée à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la représente très schématiquement sous forme de blocs un banc d'essai selon l'invention dans lequel est monté un échantillon formé de trois blocs; - la représente très schématiquement sous forme de blocs un ensemble de contrôle formé par le banc d'essai de la , d’un réseau de capteurs ainsi que d’un dispositif de contrôle; - la représente, selon une vue en perspective du banc d’essai selon l’invention ; - la représente, selon une vue schématique, l’architecture de l’ensemble de contrôle de la ; et - la représente, selon une vue schématique, l’architecture du dispositif de contrôle de la .
Dans la suite, la description de l’invention est faite dans le contexte de la simulation de phénomènes sismiques, en particulier la reproduction et le contrôle d'instabilités sismiques. Cette configuration de mise en œuvre de l’invention n’est décrite que pour mieux comprendre l’invention mais ne peut pas être considérée comme limitative pour cette dernière. Il en va de même pour les autres exemples de mise en œuvre des différentes caractéristiques constitutives de l’invention décrits ci-après.
La représente schématiquement un banc d'essai 1 en cisaillement selon l'invention sur lequel est disposé un échantillon 10.