INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un module de communication 378 de l’application client 360 est utilisé pour préparer des informations pour une transmission à d’autres dispositifs ou systèmes, tels qu’un système d’ordinateur distant, ou pour recevoir et interpréter ces informations. Ces informations peuvent comporter des images numériques capturées, des balayages ou une vidéo, des informations d’identification de particularités, des paramètres de dispositifs de soin personnel, des préférences d’utilisateurs, des identifiants d’utilisateurs, des identifiants de dispositifs, ou similaires.
Le revêtement minéral réfléchissant et transparent peut avoir un aspect coloré dû à la présence d’espèces colorantes, tels que des pigments ou des particules métalliques, par exemple d’or.
Le ou chaque revêtement minéral réfléchissant et transparent à base d’oxyde est avantageusement un revêtement sol-gel, c’est-à-dire un revêtement obtenu par un procédé sol-gel.
Un procédé sol-gel comprend typiquement : - la formation d’un « sol », c’est-à-dire d’une solution contenant au moins un précurseur de l’oxyde à déposer, - l’application de cette solution sur la surface à revêtir, - la consolidation ou densification du revêtement au moyen d’un traitement thermique.
Le précurseur comprend notamment des sels de l’élément dont on veut déposer l’oxyde. Il s’agit notamment de composés organométalliques ou encore de nitrates, d’acétates, de chlorures… On peut citer comme exemples de composés organométalliques les alcoxydes, par exemple le tétraorthosilicate (TEOS) dans le cas d’une couche d’oxyde de silicium ou le tétraisopropoxyde de titane dans le cas d’une couche d’oxyde de titane.
Le sol peut être partiellement aqueux. Il comprend de préférence un solvant organique, par exemple un alcool, notamment choisi parmi l’éthanol, l’isopropanol, le butanol et les glycols ou les dérivés de glycols, et leurs mélanges. Le sol peut en outre contenir des agents régulateurs de viscosité, comme des éthers de cellulose ou des polyacrylates.
De préférence, le ou chaque revêtement minéral réfléchissant et transparent est à base d’oxyde et l’étape de dépôt comprend la sérigraphie ou l’impression numérique d’un précurseur de cet oxyde, notamment d’un sol.
Dans le cas de la sérigraphie, on dispose sur la première feuille de verre un écran de sérigraphie, lequel comprend des mailles dont certaines sont obturées, puis on dépose la composition, notamment le sol, sur l’écran, puis on applique un racle afin de forcer le sol à traverser l’écran dans les zones où les mailles de l’écran ne sont pas obturées, de manière à former une couche sol-gel humide.
Après dépôt, le revêtement humide est de préférence séché afin d’éliminer le solvant, notamment à une température allant de 100 à 200°C.
Lorsque plusieurs revêtements minéraux réfléchissants et transparents sont successivement déposés, une étape de séchage est normalement réalisée après chaque dépôt.
Dans certains cas, le revêtement minéral réfléchissant et transparent (ou l’ensemble de ces revêtements) peut ensuite subir un traitement de pré-cuisson, notamment à une température allant de 550 à 650°C. Ce traitement est en particulier utile dans le cas d’étapes supplémentaires avant le bombage, par exemple une étape d’assemblage avec une feuille de verre supplémentaire en vue de la fabrication d’une custode feuilletée, ou encore une étape de dépôt d’une couche opaque, en particulier sur la face opposée à la face revêtue par le revêtement minéral transparent, nécessitant un convoyage sur cette dernière face.
Par exemple, le procédé peut comprendre le dépôt d’un revêtement minéral réfléchissant et transparent sur une partie d’une face de la première feuille de verre, puis un séchage et une pré-cuisson, puis un convoyage sur cette face, puis le dépôt d’une couche opaque, notamment d’émail, sur l’autre face, puis, dans le cas d’une custode monolithique, un bombage, ou, dans le cas d’une custode feuilletée, une deuxième pré-cuisson, l’assemblage avec une feuille de verre supplémentaire, le bombage des deux feuilles de verre ensemble, et enfin le feuilletage.
Après le dépôt du revêtement minéral réfléchissant et transparent, la première feuille de verre, et le cas échéant la feuille de verre supplémentaire, est de préférence bombée.
Lorsque le revêtement minéral réfléchissant et transparent est une couche sol-gel, le bombage peut entraîner la densification et consolidation de cette couche.
Le bombage peut notamment être réalisé par gravité (le verre se déformant sous son propre poids) ou par pressage, à des températures allant typiquement de 550 à 650°C.
Selon un premier mode de réalisation, les deux feuilles de verre (première feuille de verre et feuille de verre supplémentaire) sont bombées séparément. Selon un deuxième mode de réalisation, la première feuille de verre et la feuille de verre supplémentaire sont bombées ensemble.
L’étape de feuilletage peut être réalisée par un traitement en autoclave, par exemple à des températures de 110 à 160°C et sous une pression allant de 10 à 15 bars. Préalablement au traitement en autoclave, l’air emprisonné entre les feuilles de verre et l’intercalaire de feuilletage peut être éliminé par calandrage ou par dépression.
Dans certains modes de réalisation, la quantité totale de PHA présente dans la composition est ≤ 50 %, ≤ 30 %, ≤ 15 %, ≤ 8 %, ≤ 5 %, ou ≤ 3 % en poids de la composition.
Dans des modes de réalisation préférés, la quantité totale de PHA présente (x pha ) dans la composition est de 0,1 % ≤ x pha ≤ 30 % en poids de la composition. Dans des modes de réalisation davantage préférés, 1 % ≤ x pha ≤ 8 %. Dans des modes de réalisation encore davantage préférés, 1 % ≤ x pha ≤ 5 %.
Dans le cadre de la présente invention et des revendications annexées, par « diamètre moyen des particules », on entend notamment selon, sauf indication contraire, le diamètre d50 (valeur médiane), c'est-à-dire la valeur du diamètre en dessous duquel se trouvent 50 % en poids de la population de particules (voir « A Guidebook to Particle Size Analysis » publié par Horiba Instruments Inc. 2016, disponible sur www.horiba.corn/fileadmin/uploads/Scientific/eMag/PSA/Guidebook/pdf/PSA_Guidebook.pdf). Elle peut être déterminée par la technique de diffraction laser, selon la norme ISO 13320:2008 ou déterminée par microscopie électronique à transmission TEM.
Dans certains modes de réalisation, le PHA se présente sous la forme de particules ayant un diamètre moyen (d50) inférieur à 100 µm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est inférieur à 50 µm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est inférieur à 30 µm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est inférieur à 20 µm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est supérieur à 0,1 nm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est supérieur à 1 nm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est supérieur à 100 nm. Dans certains modes de réalisation, la d50 est supérieure à 1 µm. Dans des modes de réalisation préférés, le d50 est compris entre 0,1 nm et 50 μm, et de manière davantage préférée entre 1 µm et 20 µm. Dans certains modes de réalisation, le d50 est compris entre 8 µm et 12 µm. Dans un mode de réalisation préféré, le d50 est de 10 µm.
Dans certains modes de réalisation, le PHA est choisi pour avoir une absorption d'huile comprise entre 60 et 150 grammes d'une ou plusieurs huiles souhaitées par 100 grammes de PHA. Dans certains modes de réalisation, les une ou plusieurs huiles souhaitées sont du sébum naturel ou synthétique. Dans certains modes de réalisation, les unes ou plusieurs huiles souhaitées sont une huile cosmétique présente dans la composition, telles qu'un silicone, un ester, un parfum ou un antioxydant.
Élastomère de polysiloxane
La composition cosmétique contient également un élastomère de polysiloxane, de préférence sous la forme d'une particule de polysiloxane.
Dans des modes de réalisation préférés, l'élastomère de polysiloxane est un élastomère sphérique, et de préférence un élastomère non émulsifiant. Dans des modes de réalisation davantage préférés, le silicone élastomère sphérique non émulsifiant est fourni sous la forme d'une poudre d'organopolysiloxane réticulé élastomère revêtu de résine de silicone, et en particulier d'un revêtement de résine de silsesquioxane. Un exemple d'un tel silicone élastomère sphérique non émulsifiant est le polymère réticulé de vinyl-diméthicone/méthicone-silsesquioxane, disponible commercialement auprès de Shin-Etsu, incluant, par exemple, KSP-100 (particules de 5 µm de diamètre moyen), KSP-101 (particules de 12 µm de diamètre moyen), KSP-102 (particules de 30 µm de diamètre moyen) et KSP-105 (particules de 2 µm de diamètre moyen).
Dans certains modes de réalisation, des élastomères de polysiloxane supplémentaires sont utilisés.
Dans certains modes de réalisation, l'élastomère de polysiloxane supplémentaire comprend, par exemple, du polydiméthylsiloxane, en particulier du polydiméthylsiloxane réticulé.
Dans certains modes de réalisation, l'élastomère de polysiloxane supplémentaire comprend, par exemple, des particules d'élastomère non sphériques sous forme de gel, tel qu'un élastomère de silicone peut être choisi parmi Dimethicone Crosspolymer (nom INCI), Vinyl Dimethicone Crosspolymer (nom INCI), Dimethicone/Vinyl Dimethicone Crosspolymer (nom INCI) ou Dimethicone Crosspolymer-3 (nom INCI), dispersé dans une huile de silicone linéaire ou cyclique. On peut notamment mentionner les composés ayant les noms INCI suivants : dimethicone/vinyl dimethicone crosspolymer, tel que USG-105 ® et USG-107A ® de la société Shin-Etsu ; DC9506 ® et DC9701 ® de la société Dow Corning ; dimethicone/vinyl dimethicone crosspolymer (and) dimethicone, tel que KSG-6 ® et KSG-16 ® de la société Shin-Etsu ; dimethicone/vinyl dimethicone crosspolymer (and) cyclopentasiloxane, tel que KSG-15 ® ; cyclopentasiloxane (and) dimethicone crosspolymer, tel que DC9040 ® , DC9045 ® et DC5930 ® de la société Dow Corning ; dimethicone (and) dimethicone crosspolymer, tel que DC9041 ® de la société Dow Corning. dimethicone (and) dimethicone crosspolymer, tel que EL-9240 ® Silicone Elastomer Blend de la société Dow Corning (mélange de polydiméthylsiloxane réticulé avec de l'hexadiène/polydiméthylsiloxane (2 cSt)) ; et C4-24 alkyl dimethicone/divinyl dimethicone crosspolymer, tel que NuLastic Silk MA ® de la société Alzo.
Dans certains modes de réalisation, la quantité totale d'élastomère polysiloxane présent dans la composition est ≥ 0,01 %, ≥ 0,1 %, ≥ 0,5 %, ou ≥ 1 % en poids de la composition.
Dans certains modes de réalisation, la quantité totale d'élastomère polysiloxane présente dans la composition est ≤ 8 %, ≤ 5 %, ≤ 4 %, ≤ 3 %, ou ≤ 2 % en poids de la composition.
Dans des modes de réalisation préférés, la quantité totale d'élastomère polysiloxane présent (x pse ) dans la composition est de 0,1 % ≤ x pse ≤ 8 % en poids de la composition. Dans des modes de réalisation davantage préférés, 1 % ≤ x pse ≤ 5 %.
Dans certains modes de réalisation, la quantité totale d'élastomère polysiloxane sphérique non émulsifiant présent (x snepse ) dans la composition est de 0,1 % ≤ x snepse ≤ 8 % en poids de la composition. Dans des modes de réalisation davantage préférés, 1 % ≤ x snepse ≤ 5 %.
Dans certains modes de réalisation, la quantité totale d'élastomère polysiloxane sphérique non émulsifiant présent (x snepse ) dans la composition est de 1 % ≤ x snepse ≤ 5 % et la quantité totale d'élastomère polysiloxane supplémentaire est comprise entre 1 % et 30 %, 10 % et 30 %, ou 20 % et 30 % en poids de la composition.
La est une vue plus large de la structure d’interconnexion 510 du circuit intégré 500 dans laquelle on a représenté le plot 514 en cuivre. Similairement à ce qui a été décrit en relation avec la ou les figures 4C et 4D, la couche de protection 520 a été gravée sur toute son épaisseur, c’est-à-dire jusqu’audit plot, de manière à former une tranchée complémentaire, puis une couche de métallisation a été formée dans la tranchée complémentaire. Cette couche de métallisation sur plot 530 (OPM) est en contact avec le plot en cuivre 514 et forme une excroissance qui dépasse la face supérieure passivée 520A de la structure d’interconnexion 510. La couche de métallisation sur plot 530 comprend par exemple du nickel, du palladium et/ou de l’or ou tout autre métal ou alliage métallique adapté. La résine d’encapsulation 560 est déposée sur cet ensemble.
Le procédé de fabrication selon les différents modes de réalisation et la structure d’interconnexion obtenue peuvent trouver des applications dans des domaines utilisant des circuits intégrés destinés à être encapsulés dans une résine d’encapsulation, avec un risque de délaminage associé. Le procédé de fabrication et la structure d’interconnexion obtenue peuvent notamment trouver des applications pour des circuits intégrés intégrant une mémoire à changement de phase (PCM).
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, une structure d’interconnexion peut comprendre plusieurs plots conducteurs et plusieurs couches de métallisation sur plot (OPM). La couche de protection peut être différente de celle présentée dans les différents exemples, par exemple comprendre moins, ou plus de, trois couches et/ou les différentes couches peuvent être en des matériaux différents de ceux décrits, tout en remplissant des fonctions similaires.
STRUCTURE ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN FILM D’INTERCONNEXION Le domaine technique de l’invention est celui de l’interconnexion électrique et mécanique d’un composant électronique sur un substrat, par exemple un substrat flexible capable de se déformer et de s’adapter à une surface non plane telle que la peau. La présente invention concerne plus particulièrement une structure électronique comprenant un substrat, un composant électronique et un film d’interconnexion disposé entre le substrat et le composant électronique.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les structures électroniques souples peuvent intégrer des composants électroniques tels que des circuits intégrés, des capteurs, des actionneurs, des batteries, des composants passifs, des puces d'identification par radiofréquence (ou RFID, pour « radio frequency identification » en anglais) et des antennes. La fabrication d’une structure électronique souple comprend le report d’un ou plusieurs composants électroniques sur un substrat flexible, aussi appelé circuit imprimé flexible. Ce substrat comprend un film support, par exemple en polyester, polyimide, polytétrafluoroéthylène ou polyétheréthercétone, et des pistes métalliques disposées à la surface du film support. Chaque composant électronique comprend des plots de connexion qui débouchent sur une face du composant, cette face étant communément appelée « face active ».
Une premier technique d’interconnexion (appelée « wire bonding » en anglais) consiste à relier électriquement les plots de connexion du composant aux pistes métalliques du substrat par des fils, lorsque la face active du composant est tournée vers le haut.
Lorsqu’au contraire la face active du composant est tournée vers le bas (autrement dit lorsqu’elle est disposée en regard du substrat), les plots de connexion du composant peuvent être connectés aux pistes métalliques du substrat par brasage, à l’aide d’un matériau fusible, d’une colle conductrice ou d'un élément conducteur pressé sur chaque plot d'interconnexion. Cette deuxième technique d’interconnexion, électrique et mécanique, est communément appelée « flip-chip », en référence à la position retournée du composant. Des éléments d’interconnexion, tels que des microbilles fusibles, un film conducteur anisotrope ou des bossages en or (plus connu sous le nom de « stud bump »), peuvent être disposés entre le composant et le substrat.
Comme les composants électroniques sont souvent épais et rigides, les contraintes en flexion dans la structure électronique sollicitent fortement les interfaces de collage, de soudure ou de brasure, qui finissent par rompre.
Pour remédier à ce problème, il a été proposé de placer les interfaces ou éléments d’interconnexion au plus près du plan neutre de la structure électronique.
Par exemple, le brevet FR1857094B1 décrit une structure électronique souple comprenant un film en matériau polymère recouvert d’une piste métallique, un composant électronique, un élément d’interconnexion reliant électriquement et mécaniquement le composant électronique à la piste métallique et une couche de compensation discontinue pour amener le plan neutre au niveau de l’élément d’interconnexion.
Le document US2006/097373 décrit par ailleurs une structure électronique comprenant un substrat flexible et un composant électronique collé au substrat au moyen d’une couche de résine thermodurcissable, typiquement une résine époxy. Un pilier conducteur relie électriquement un plot de connexion aménagé dans la face active du composant et une piste métallique disposée sur le substrat flexible. Ce pilier conducteur s’étend à travers la couche de résine thermodurcissable. La structure électronique comprend en outre une couche isolante dite de passivation, dont l’épaisseur est choisie pour amener le plan neutre de la structure au niveau de la face active du composant.
Ces agencements permettent de limiter les contraintes mécaniques en flexion au niveau de la connexion électrique du composant (autrement dit lorsque la structure électronique est pliée). En revanche, ils ne sont pas totalement satisfaisants lorsque la structure électronique est soumise à des contraintes de traction (étirement) ou de cisaillement.
Il existe donc un besoin de prévoir une structure électronique ayant une durée de vie améliorée par rapport aux structures de l’art antérieur, grâce notamment à une meilleure résistance aux contraintes de traction (étirement) et/ou de cisaillement.
Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant une structure électronique comprenant : un substrat ; un composant électronique ; et un film d’interconnexion disposé entre le substrat et le composant électronique, reliant électriquement et mécaniquement le composant électronique au substrat.
Le film d’interconnexion comprend une première face, une deuxième face opposée à la première face, une zone électriquement conductrice s’étendant de la première face à la deuxième face et un matériau polymère électriquement isolant enrobant la zone électriquement conductrice, au moins l’une des première et deuxième faces du film d’interconnexion étant structurée de manière à former un film d’adhésif sec, ladite au moins une des première et deuxième faces présentant une pluralité de motifs, une partie au moins des motifs étant formés du matériau polymère électriquement isolant.
: une représentation schématique, dans le plan de coupe A-A, d’un premier exemple de réalisation de zones de contact du panneau d’interface utilisateur ;
: une représentation schématique, dans le plan de coupe A-A, d’un second exemple de réalisation de zones de contact du panneau d’interface utilisateur ;
: un diagramme illustrant les principales étapes d’un exemple de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un panneau d’interface utilisateur.
La représente schématiquement un exemple de réalisation d’un panneau 10 d’interface utilisateur, dans un plan de coupe A-A (représenté sur la ). Dans la suite de la description, on considère de manière non-limitative que le panneau 10 d’interface utilisateur est utilisé dans un habitacle intérieur d’un véhicule automobile, par exemple au niveau d’un tableau de bord dudit véhicule automobile, d’une portière dudit véhicule automobile, d’une console centrale dudit véhicule automobile, etc. Toutefois, un tel panneau 10 d’interface peut également être mis en œuvre pour réaliser une interface utilisateur à l’extérieur d’un véhicule automobile ou, de manière générale, pour tout type de véhicule de transport de passagers.
Tel qu’illustré par la , le panneau 10 d’interface utilisateur comporte une surface 20 d’interface, par l’intermédiaire de laquelle un utilisateur du véhicule automobile peut interagir avec une ou plusieurs fonctions dudit véhicule automobile, par l’intermédiaire d’au moins deux zones 21, 22 de contact. La surface 20 d’interface délimite un premier côté, dit « côté utilisateur », par lequel un utilisateur du véhicule automobile peut accéder aux zones 21, 22 de contact. Un second côté opposé au côté utilisateur, dit « côté interne », correspond à l’intérieur du panneau 10 d’interface utilisateur.
Dans l’exemple illustré par la , la surface 20 d’interface est sensiblement plane. Bien évidemment, la surface 20 d’interface peut également prendre d’autres formes plus complexes, et le choix d’une forme particulière pour la surface 20 d’interface ne constitue qu’une variante d’implémentation de la présente divulgation.
La surface 20 d’interface comporte par exemple un substrat qui peut être réalisé dans un matériau laissant passer au moins la lumière visible et, de préférence, laissant passer également la lumière infrarouge. Par exemple, le substrat est réalisé en polycarbonate (PC), polyméthacrylate de méthyle (PMMA), polytéréphtalate d’éthylène (PET), ou une combinaison de ces matériaux, etc. Par exemple, le substrat a une épaisseur comprise entre 150 microns (µm) et 300 µm.
Par convention, un élément décrit ci-après comme se trouvant au-dessus de la surface 20 d’interface ou d’une zone 21, 22 de contact correspond à un élément qui se trouve du côté utilisateur, et un élément décrit ci-après comme se trouvant sous la surface 20 d’interface ou une zone 21, 22 de contact correspond à un élément qui se trouve du côté interne, à l’intérieur du panneau 10 d’interface utilisateur.
Le panneau 10 d’interface utilisateur comporte également un capteur de présence agencé sous la surface 20 d’interface. Le capteur de présence est adapté à détecter la présence, côté utilisateur, d’un doigt d’un utilisateur se trouvant à proximité de l’une ou l’autre des zones 21, 22 de contact, en contact avec celle-ci.
Plus particulièrement, le capteur de présence comporte un émetteur 30 infrarouge et un détecteur 31 infrarouge, agencés de part et d’autre des deux zones 21, 22 de contact. L’émetteur 30 infrarouge est adapté à émettre de la lumière infrarouge, c’est-à-dire adapté à émettre un rayonnement de longueurs d’ondes infrarouges. De manière connue en soi, le spectre de longueurs d’ondes infrarouges s’étend entre 780 nanomètres (nm) et 1 millimètre (mm) (au sens de l’ISO 20473). Par exemple, l’émetteur 30 infrarouge émet un rayonnement de longueurs d’ondes en proche-infrarouge (entre 780 nm et 3000 nm). Le détecteur 31 infrarouge est adapté à mesurer la lumière infrarouge émise par l’émetteur 30 infrarouge, c’est-à-dire qu’il est sensible dans les mêmes longueurs d’ondes infrarouges que celles utilisées à l’émission par l’émetteur 30 infrarouge. Par exemple, l’émetteur 30 infrarouge est une diode électroluminescente (DEL) infrarouge et le détecteur 31 infrarouge est une photodiode infrarouge. Le choix d’un type particulier d’émetteur 30 infrarouge ou de détecteur 31 infrarouge ne constitue qu’une variante d’implémentation de la présente divulgation.
Tel qu’illustré par la , le capteur de présence comporte également un guide 40 de lumière agencé sous les deux zones 21, 22 de contact et jouxtant celles-ci, entre l’émetteur 30 infrarouge et le détecteur 31 infrarouge. Le guide 40 de lumière est adapté à guider la lumière infrarouge depuis l’émetteur 30 infrarouge vers le détecteur 31 infrarouge. Ainsi, la lumière infrarouge émise par l’émetteur 30 infrarouge est guidée par le guide 40 de lumière et est reçue au moins en partie par le détecteur 31 infrarouge, en passant sous les deux zones 21, 22 de contact. La représente une vue plus détaillée du guide 40 de lumière.