Outre les caractéristiques présentées ci-dessus, le dispositif présenté ci-dessus peut présenter une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement envisageables : la couche isolante a une épaisseur comprise entre 5 nm et 200 nm, voire comprise entre 10 nm (10 nanomètres) et 150 nm ; ladite piste et lesdites grilles sont séparées par une distance inférieure ou égale à 200 nanomètres, selon une direction perpendiculaire à la couche isolante ; ladite piste et lesdites grilles sont séparées par une distance inférieure ou égale à 100 nm, selon une direction perpendiculaire à la couche isolante ; on notera qu’une telle distance est nettement inférieure à l’épaisseur usuelle d’une couche d’encapsulation (généralement supérieure à 200 nm, ou plus), et que, en général, dans un dispositif de micro-électronique intégré, la distance entre le premier plan de métallisation, et les zones actives situées sous les grilles, est habituellement supérieure à 200 nm au moins ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, chaque grille est séparée de ladite piste par un écart latéral qui est inférieur ou égal à ladite distance ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, chaque grille est séparée de ladite piste par un écart latéral qui est inférieur ou égal à 200 nm, voire inférieur ou égal à 100 nm ; ladite piste est séparée de ladite face arrière par une couche intermédiaire ; ou, au contraire, ladite piste est située directement contre ladite face arrière ; la couche isolante est formée au moins en partie d’un oxyde de semi-conducteur ayant subi un recuit à une température supérieure à 700 degrés Celsius ; la couche isolante est une couche en oxyde de semi-conducteur constituant une partie au moins de la couche d’oxyde enterré d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, tel qu’un substrat de type Silicium sur isolant « SOI » ou de type Germanium sur isolant « GeOI » ; la couche épaisse support du substrat, qui supporte initialement la couche d’oxyde enterrée, peut être entièrement retirée au cours de la fabrication et n’être plus présente dans le dispositif, une fois fabriqué. La couche d’oxyde enterrée peut en outre être amincie, soit sur toute sa surface soit plus localement, au niveau de la piste ESR. En variante, la couche support du substrat pourrait être conservée en partie, en étant gravée au niveau de la piste ESR (pour donner accès à la face arrière de la couche d’oxyde enterrée), mais pas sur toute la surface du substrat ; le dispositif comprend en outre un premier ensemble de conducteurs électriques d’interconnexion, qui relient électriquement les grilles à des premiers plots ou éléments de contacts distants de la structure de piégeage, ce premier ensemble de conducteurs s’étendant du coté avant de la couche isolante ; le dispositif comprend en outre un deuxième ensemble de conducteurs électriques d’interconnexion, qui relient électriquement ladite piste à des deuxièmes plots ou éléments de contacts distants de ladite piste, ce deuxième ensemble de conducteurs s’étendant du côté arrière de la couche isolante ; le dispositif ne comprend pas de connecteur électrique qui soit relié électriquement aux grilles et qui soit situé du côté arrière de la couche isolante ; le dispositif ne comprend pas de connecteur électrique qui soit relié électriquement à ladite piste et qui soit situé du côté avant de la couche isolante ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, la piste se superpose au moins en partie avec chacune des grilles, voire même, se superpose avec la totalité de chaque grille ; autrement formulé, il y a un recouvrement vertical, au moins partiel, entre la piste et chacune des grilles ; dit encore autrement, pour chaque grille, une partie au moins de la piste est située à l’aplomb d’une partie de la grille ; au moins certaines desdites grilles sont disposées en ligne l’une à la suite de l’autre, et dans lequel une partie au moins de ladite piste s’étend le long d’un axe parallèle à cette ligne de grilles ; les grilles de la structure de piégeage sont réparties le long de lignes parallèles entre elles ; ladite piste comporte plusieurs portions, chacune parallèle auxdites lignes, et qui sont connectées électriquement en série les unes à la suite des autres pour former des méandres ; le dispositif comportant plusieurs pistes électriques, dont ladite piste, lesdites pistes étant situées dans un même plan et étant chacune parallèle auxdites lignes de grilles, lesdites pistes étant connectées électriquement en parallèles les unes par rapport aux autres ; lesdites pistes, ou lesdites portions de piste, sont espacées latéralement l’une de l’autre de manière périodique, avec un espacement qui est le même que l’espacement qui sépare, latéralement, deux lignes de grilles adjacentes ; lesdites pistes, ou lesdites portions de piste, sont espacées latéralement l’une de l’autre de manière périodique, avec un espacement qui est le double de l’espacement qui sépare, latéralement, deux lignes de grilles adjacentes ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, chaque piste, ou chacune desdites portions de piste, est intercalée entre deux lignes de grilles adjacentes ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, ladite piste forme plusieurs portions de boucle, chaque portion de boucle étant située au niveau de l’une desdites grilles ou au niveau d’un îlot de grilles regroupant une partie desdites grilles ; en projection sur un plan parallèle à la couche isolante, chaque portion de boucle entoure en partie la grille ou l’îlot de grilles correspondant.