Capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (300 ; 500 ; 700) formés dans et sur un substrat semiconducteur (104), chaque pixel comportant : – une zone photosensible (102) formée dans le substrat semiconducteur ; – une tranchée d’isolation périphérique (106) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis une face supérieure (104T) du substrat semiconducteur, et délimitant latéralement la zone photosensible ; – une zone de collecte de charges (110) ; – une région de transfert (124) située dans le substrat semiconducteur et s’étendant verticalement entre la zone de collecte de charges et la zone photosensible ; et – une grille de transfert (TG) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, plus profondément que la zone de collecte de charges, dans lequel la zone de collecte de charges (110) s’étend latéralement depuis la grille de transfert (TG) jusqu’à la tranchée d’isolation périphérique (106). Capteur selon la revendication 1, dans lequel la zone de collecte de charges (110) présente un même type de conductivité et un niveau de dopage supérieur à la région de transfert (124). Capteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la région de transfert (124) présente un même type de conductivité et un même niveau de dopage que la zone photosensible (102). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la grille de transfert (TG) de chaque pixel (300) présente, en vue de dessus, une forme en U. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la grille de transfert (TG) de chaque pixel (500) présente, en vue de dessus, une forme en L. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la grille de transfert (TG) de chaque pixel (700) présente, en vue de dessus, une forme en I. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la grille de transfert (TG) de chaque pixel (300 ; 500 ; 700) comporte une tranchée d’isolation capacitive (108) comprenant une région électriquement conductrice (108C) isolée du substrat semiconducteur (104). Capteur selon la revendication 7, dans lequel la région électriquement conductrice (108C) est en un métal ou en un alliage métallique. Capteur selon la revendication 7, dans lequel la région électriquement conductrice (108C) est en silicium polycristallin. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la grille de transfert (TG) est séparée de la tranchée d’isolation périphérique (106) par une distance (D3 ; D6 ; D7, D8) non nulle. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comportant en outre un plot conducteur (126) situé sur et en contact avec la zone de collecte de charges (110), à distance (D5) de la grille de transfert (TG) et de la tranchée d’isolation périphérique (106). Capteur selon la revendication 11, dans lequel la zone de collecte de charges (110) et le plot conducteur (126) sont partagés entre deux pixels (300 ; 500 ; 700) voisins. Capteur selon la revendication 11, dans lequel la zone de collecte de charges (110) et le plot conducteur (126) sont partagés entre quatre pixels (500) voisins. Capteur selon la revendication 13, dans lequel la grille de transfert (TG) présente, en vue de dessus, une forme en I, les grilles de transfert de deux pixels diagonalement opposés étant parallèles entre elles. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel la tranchée d’isolation périphérique (106) comprend une région conductrice (106C) isolée du substrat (104). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, comportant en outre un circuit de contrôle configuré pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert (TG) : – un premier potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la zone photosensible (102) vers la zone de collecte de charges (110) ; et – un deuxième potentiel, différent du premier potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la zone photosensible vers la zone de collecte de charges.