Procédé de réalisation d’au moins une cavité (126) au sein d’un empilement de matériaux (113), comportant : - réalisation d’au moins une couche de matériau sacrificiel (108) sur une couche inférieure (103, 104), le matériau sacrificiel étant apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche inférieure (103, 104); - gravure de tranchées (114) au moins à travers la couche de matériau sacrificiel (108), délimitant latéralement au moins une portion de matériau sacrificiel (116) ; - dépôt d’un matériau de remplissage (120) au moins dans les tranchées (114) tel que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage (120) ; - réalisation d’au moins un trou de libération (124) à travers au moins une couche supérieure (110) qui est telle que la portion de matériau sacrificiel (116) soit disposée entre la couche supérieure (110) et la couche inférieure (103, 104) et que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche supérieure (110) ; - gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) via le trou de libération (124) et sélectivement au moins vis-à-vis de la couche inférieure (103, 104), du matériau de remplissage et de la couche supérieure (110). Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - la couche supérieure (110) est réalisée sur la couche de matériau sacrificiel (108) avant la gravure des tranchées (114), et - les tranchées (114) sont gravées également à travers la couche supérieure (110). Procédé selon la revendication 2, dans lequel : - la couche inférieure (104) comporte de l’oxyde de silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à du silicium, et - la couche supérieure (110) comporte du nitrure de silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) est mise en œuvre avec un gaz comprenant du XeF 2 . Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le matériau de remplissage (120) correspond à du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le dépôt du matériau de remplissage (120) comporte un dépôt de TEOS suivi d’un recuit de densification du TEOS. Procédé selon l’une des revendications 2 à 5, dans lequel : - le trou de libération (124) est réalisé par photolithographie et gravure de la couche supérieure (110) à travers un masque de gravure, et - le masque de gravure est supprimé après la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116). Procédé selon l’une des revendications 2 à 6, dans lequel la couche inférieure (104) est disposée entre un substrat (102) et la couche de matériau sacrificiel (108). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche supérieure (110) est formée sur la couche de matériau sacrificiel (108) après la gravure des tranchées (114). Procédé selon la revendication 8, dans lequel : - la couche inférieure (103) comporte du silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à de l’oxyde de silicium, et - la couche supérieure (110) comporte du silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) correspond à une gravure en phase vapeur de HF. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel le matériau de remplissage (120) correspond à du silicium. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel : - le matériau de remplissage (120) est également déposée sur la couche de matériau sacrificiel (108), en dehors des tranchées (114), et - la couche supérieure (110) est formée par la mise en œuvre d’une planarisation mécano-chimique du matériau de remplissage (120) déposé sur la couche de matériau sacrificiel (108), la planarisation mécano-chimique étant stoppée lorsqu’une épaisseur restante du matériau de remplissage (120) correspond à l’épaisseur souhaitée de la couche supérieure (110). Procédé de réalisation d’au moins un dispositif microélectronique (122) sur un empilement de matériaux (113) comprenant au moins une cavité (126), comportant la mise en œuvre d’un procédé de réalisation d’au moins une cavité (126) au sein d’un empilement de matériaux (113) selon l’une des revendications précédentes, et comportant en outre au moins une réalisation du dispositif microélectronique (122) mise en œuvre entre le dépôt du matériau de remplissage (120) dans les tranchées (114) et la réalisation du trou de libération (124). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le dispositif microélectronique (122) est réalisé en mettant en œuvre plusieurs étapes de dépôt de couches de matériaux, de photolithographie et de gravure desdites couches de matériaux. Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, dans lequel le dispositif microélectronique (122) est de type MEMS ou correspond à un résonateur de type FBAR.