INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En effet, la perte des dents maxillaires, chez un patient jeune, entraine une résorption progressive de l’os alvéolaire qui disparait dans sa presque totalité. Ainsi, la hauteur des maxillaires diminue et les sinus maxillaires, qu’ils limitent, ne sont plus séparés de la cavité buccale par de l’os alvéolaire mais par une mince couche d’os cortical qui est fragile et peu vascularisée.
Lorsque l’os alvéolaire s’est résorbé, il n’est plus possible de mettre en place dans cette mince paroi osseuse des implants maxillaires traditionnels sur lesquels viendrait se fixer une prothèse. En effet, l’os présent n’assurerait pas leur fixation et, en tout état de cause, ces implants pénètreraient dans le sinus maxillaire sus-jacent et seraient la cause d’infections.
Il convient encore de noter que la reconstruction alvéolaire totale par de volumineux greffons osseux (crâniens ou iliaques) est complexe et son résultat est, de surcroît, aléatoire. Elle est donc réservée à de rares patients pris en charge par des équipes de chirurgie crâniofaciale très expérimentées.
A l’opposé, le recours à un appareil complet en résine devient lui aussi difficile, voire impossible, par manque de rétention.
Le support peut être obtenu par pliage d'une feuille métallique.
Le module d'émission de lumière peut comprendre une carte électronique s'étendant le long de ladite première face, la carte électronique étant reliée électriquement à la source de lumière et au connecteur électrique, la carte électronique comprenant une forme adaptée pour être déposée sur la première face de la base par un déplacement suivant un axe perpendiculaire audit premier plan sans interférence avec la première ailette.
L'invention se rapporte également à un module optique comprenant un moyen de mise en forme d'un faisceau lumineux et un module d'émission de lumière tel que défini précédemment.
Le support du module d'émission de lumière peut être fixé directement audit moyen de mise en forme d'un faisceau lumineux, notamment par l'intermédiaire d'une vis de fixation passant au travers d'une ouverture prévue dans la base du support.
L'invention se rapporte enfin à un dispositif lumineux pour véhicule automobile, comprenant un boîtier destiné à être fixé à un véhicule automobile et un module optique tel que défini précédemment, le module optique étant agencé à l'intérieur du boîtier.
Présentation des figures La est une vue schématique d'un véhicule automobile équipé d'un dispositif lumineux selon un mode de réalisation de l'invention.
La est une première vue en perspective d'un premier mode de réalisation d'un module d'émission de lumière du dispositif lumineux.
La est une deuxième vue en perspective du module d'émission de lumière de la .
La est une première vue en perspective d'un deuxième mode de réalisation d'un module d'émission de lumière du dispositif lumineux.
Description détaillée La est une vue schématique d'un véhicule automobile équipé d'un dispositif lumineux 1 selon un mode de réalisation de l'invention. Le dispositif lumineux 1 est un équipement du véhicule apte à produire des rayons lumineux pour rendre le véhicule mieux visible et/ou pour éclairer l'environnement du véhicule. Le dispositif lumineux 1 peut être indifféremment agencé à l'avant, à l'arrière, ou encore en tout autre endroit du véhicule. Le dispositif lumineux 1 peut notamment être un projecteur, un feu de signalisation ou même un dispositif d’éclairage intérieur du véhicule. Il comporte un boîtier 2, une glace de fermeture du boîtier et un module optique 3. L’association du boîtier 2 et de la glace enveloppe le module optique 3. La glace est transparente ou translucide de manière à transmettre des rayons lumineux vers l’extérieur du dispositif lumineux. Le boîtier 2 peut notamment comprendre des moyens de fixation configurés pour fixer le dispositif lumineux au véhicule.
Le module optique 3 comprend un moyen de mise en forme d'un faisceau lumineux 4 et un module d'émission de lumière 5, 105. Le moyen de mise en forme d'un faisceau lumineux 4 peut comprendre un ou plusieurs composants optiques tels que des lentilles ou des réflecteurs. Ces composants optiques sont agencés de manière à orienter des rayons lumineux selon une direction choisie. Le module d'émission de lumière est relié à une source d'énergie électrique E par l'intermédiaire d'un faisceau électrique F.
Les figures 2 et 3 illustrent un premier mode de réalisation du module d'émission de lumière 5. Le module d'émission de lumière 5 comprend une source de lumière 6, un support 7, et un connecteur électrique 8 relié à la source de lumière 6. Le module d'émission de lumière comprend en outre une carte électronique 9 reliée électriquement à la source de lumière 6 et au connecteur électrique 8.
La source de lumière 6 est de préférence une diode électroluminescente mais, en variante, elle pourrait être toute autre forme de source de lumière comme par exemple une lampe à incandescence. La source de lumière est apte à émettre des rayons lumineux et produit de la chaleur lors de son fonctionnement. Le module d'émission de lumière peut comprendre un nombre quelconque de sources de lumière.
Le support 7 est apte à dissiper de la chaleur émise par la source de lumière 6 par convection thermique. Il forme donc un moyen de dissipation thermique mais également un moyen de support ou de maintien de la source de lumière 6 et du connecteur électrique 8. Avantageusement, le support 7 est fabriqué dans un matériau de bonne conductivité thermique, notamment en métal. Il comprend une surface d'échange avec l'air ambiant suffisamment importante pour dissiper la chaleur produite par la source de lumière 6, de sorte que la température de la source de lumière 6 demeure inférieure à une température maximale de fonctionnement. La source de lumière 6 est fixée, notamment collée, directement sur le support 7 tandis que le connecteur électrique est fixé au support par l'intermédiaire de la carte électronique 9, laquelle est fixée au support. La source de lumière 6 est reliée électriquement au connecteur électrique 8 via la carte électronique 9. A cet effet, des fils électriques 10 sont soudés à la fois à la source de lumière 6 et à la carte électronique 9.
Le support 7 comprend une base 71 de forme sensiblement rectangulaire et s'étendant dans un premier plan. On définit un repère XYZ de la manière suivante : Un premier axe X est parallèle au deux plus grands côtés du rectangle formant la base du support. Un deuxième axe Y est parallèle au deux plus petits côtés du rectangle formant la base du support. Le premier plan, dit plan XY, est donc parallèle aux axes X et Y. Un troisième axe Z est perpendiculaire au premier plan XY. Les axes X, Y et Z forment donc un repère orthogonal. En variante, la base pourrait comprend une forme différente : elle pourrait par exemple être carrée, triangulaire, polygonale. Au moins un des côtés de la base pourrait avoir une forme courbe, comme par exemple une forme d'arc de cercle.
Sur la , les atomes d’argon incorporés dans la couche 14 sont représentés par des croix et désignés par la même référence commune 52. La majorité des atomes d’argon incorporés dans la couche 14 se situent à moins 10 nm et, de préférence, à moins de 5 nm de la face supérieure de la couche 14. Ils se situent donc à l'intérieur d'une région qui correspond à une fine couche superficielle de moins de 10 nm et, de préférence, de moins de 5 nm d'épaisseur. L'épaisseur de cette fine couche superficielle est aussi généralement supérieure à 1 nm. Avantageusement, 70 % ou 80 % ou même 90 % en masse des atomes d’argon incorporés dans la couche 14 se situent à l'intérieur de cette fine couche superficielle. La concentration d’atomes d’argon incorporés dans cette fine couche superficielle est comprise entre 1 % atomique et 10 % atomique et, de préférence, entre 2 % atomique et 5 % atomique. L'expression "X % atomique" signifie que le nombre d'atomes d'argon à l'intérieur de la fine couche superficielle représente X % du nombre total d'atomes présents dans cette couche superficielle. Par la suite, le terme "en surface de la couche 14" désigne la fine couche superficielle de la couche 14. L'expression "incorporer des atomes d'argon en surface de la couche 14" signifie incorporer les atomes d'argon à l'intérieur de la fine couche superficielle avec une concentration comprise dans les plages de concentrations précédentes.
Ici, pour incorporer les atomes d’argon en surface de la couche 14 et en même temps nettoyer la face supérieure mise à nu, la face supérieure du transistor en cours de fabrication est soumise à une opération de nettoyage par plasma d’argon. Lors de cette opération, la face supérieure est directement exposée à un plasma d’argon. Ce plasma comporte des ions d’argon. Le transistor et le plasma sont à des potentiels différents de sorte que les ions d’argon sont projetés sur la face supérieure de la couche 14. Ces ions d’argon projetés pénètrent alors faiblement à l’intérieur de la couche 14 puis se transforment en atomes d’argon. Sur la , la projection des ions d’argon sur la face supérieure de la couche 14 est représentée par des flèches verticales en pointillés.
Pour régler la quantité d’ions d’argon projetés sur la face supérieure mise à nu de la couche 14, il existe principalement deux paramètres à régler pour une différence de potentiels donnée : - la pression partielle d’argon dans le plasma, et - la puissance du générateur nécessaire pour obtenir le plasma.
La pression partielle peut être réglée en ajustant le débit de gaz d'argon entrant et sortant du réservoir contenant le plasma d’argon.
La concentration d’ions d'argon dans le plasma peut être ajustée en modifiant la puissance du courant alternatif qui circule dans une antenne qui transforme ce courant alternatif en un champ électrique alternatif présent à l’intérieur du réservoir. C’est ce champ électrique alternatif qui transforme le gaz d’argon inerte en plasma d’argon. Cette puissance est connue sous le terme de « puissance RF ». Ici, la pression partielle et la puissance RF sont réglées pour obtenir la concentration souhaitée d’atomes d’argon à l'intérieur de la fine couche superficielle de la couche 14.
A titre d’exemple, une machine CT200 produite par la société ALLIANCE CONCEPT® a été utilisée. Pour obtenir la concentration souhaitée d’atomes d’argon en surface de la couche 14 avec cette machine, la pression partielle est choisie entre 0.001 mbar (0,1 Pa) et 0.15 mbar (15 Pa) et la puissance RF est choisie entre 100 W et 400 W. Par exemple, une pression égale à 0.05 mbar (5 Pa) et une puissance RF égale à 200 W ont été utilisées pour obtenir la couche de siliciure de vanadium représentée sur la .
Lors d’une étape 60, une couche 62 de siliciure de vanadium est déposée sur la face supérieure du transistor en cours de fabrication. Une fois déposée, cette couche 62 recouvre principalement les portions de la face supérieure du transistor qui s’étendent horizontalement. En particulier, la couche 62 recouvre le fond des trous 42 et 44. Ainsi, au fond de chaque trou 42 et 44, on obtient un empilement d’une couche de siliciure de vanadium directement déposée sur la couche 14 de silicium. L’épaisseur de la couche 62 est comprise entre 5 nm et 400 nm et, de préférence, entre 5 nm et 100 nm ou entre 5 nm et 60 nm.
Ici, le dépôt de siliciure de vanadium est réalisé selon la méthode de dépôt physique en phase vapeur connue sous l’acronyme PVD ("Physical Vapor Deposition"). Par exemple, pour cela, une cible en siliciure de vanadium est bombardée avec des ions argon, ce qui arrache des atomes à la cible. Les atomes ainsi arrachés viennent ensuite se déposer sur la face supérieure du transistor en cours de fabrication. La couche 62 se dépose ainsi progressivement.
A ce stade, la couche 62 déposée est amorphe ou que partiellement cristallisée. Ainsi, à ce stade, le siliciure de vanadium n’est pas encore supraconducteur ou sa température critique est faible et peut encore être améliorée.
Lors d’une étape 70, une couche métallique 72 ( ) est déposée pour remplir complètement les trous 42 et 44. Par exemple, la couche 72 est réalisée en tungstène.
Lors d’une étape 80, la face supérieure de la couche 72 est polie pour obtenir une face supérieure plane ( ). Ce polissage est arrêté avant d’atteindre la couche 62. Par exemple, il s’agit d’un simple polissage mécanique.
Lors d’une étape 90, un nouveau polissage est mis en œuvre. Ce polissage est arrêté lorsque la couche 32 est atteinte ( ). Ce polissage élimine donc les portions des couches 62 et 72 qui se trouvent en dehors des trous 42 et 44. On obtient donc deux plots métalliques 92 et 94, un drain 96 en siliciure de vanadium et une source 98 en siliciure de vanadium. Le drain 96 et la source 98 sont chacun formés par une portion restante de la couche 62 située au fond des trous, respectivement, 44 et 42. Le drain 96 et la source 98 sont électriquement raccordés l'un à l'autre par une portion de la couche 14 de silicium appelée "canal". Les plots 92 et 94 raccordent électriquement, respectivement, le drain 96 et la source 98 à une face supérieure du transistor.
Lors d’une étape 100, un recuit, également appelé ici "traitement thermique", est appliqué pour chauffer le siliciure de vanadium déposé et ainsi augmenter sa température critique pour, typiquement, obtenir une température critique supérieure à 10 K et, de préférence, supérieure à 15 K ou 16 K ou 17 K. Pour cela, ce traitement thermique cristallise le siliciure de vanadium déposé lors de l’étape 60.
Ce traitement thermique consiste à placer le transistor dans un four préchauffé à une température prédéterminée ou dans un four non préchauffé puis porté à une température TF comprise entre 200 °C et 1100 °C et, de préférence, comprise entre 500 °C et 900 °C.
Ensuite, le transistor est laissé dans ce four pendant une durée DF comprise entre 10 s et 15 min et, préférentiellement, comprise entre ou entre 10 s et 5 min et encore plus préférentiellement comprise entre 10 s et 120 s ou entre 30 s et 60 s. Typiquement, plus la température TF est élevée, plus la durée DF peut être réduite. Toutefois, une température TF trop élevée peut endommager ou modifier d’autres couches du transistor comme le support 14. Ainsi, un compromis acceptable doit être trouvé entre une température TF élevée et une durée DF courte. Un compromis acceptable est, par exemple, de choisir la température TF entre 500 °C et 900 °C et la durée DF entre 30 s et 60 s.
Par exemple, lors de l'étape 100, le traitement thermique est un recuit thermique rapide plus connu sous l'acronyme RTA ("Rapid Thermal Annealing").
Le deuxième groupe G2 et le troisième groupe G3 sont chacun agencé à une extrémité axiale du premier groupe G1 de sorte que le premier groupe est un groupe central et les deuxièmes et troisièmes groupes forment chacun une bordure de l’ensemble d’épingles conductrices. Dans cet exemple, les segments conducteurs du premier groupe G1 occupent les couches C1’, C2’, C3’ et C4’ ; les segments conducteurs du deuxième groupe G2 occupent les couches C1’, C2’ et les segments conducteurs du troisième groupe G3 occupent les couches C3’, C4’. Lors de l’étape de chargement 112, les segments conducteurs du deuxième groupe G2 et les segments conducteurs du troisième groupe G3 seront superposés radialement par rapport à l’axe Z dans les mêmes espaces latéraux 43 de sorte à ce que chaque espace latéral comporte le même nombre de segment conducteur.
La illustre un exemple de réalisation dans lequel chaque logement 73 du troisième groupe G3 comprend un support de segment conducteur 78 permettant de combler les couches du fond de logement ne présentant pas de segment conducteur.
Un deuxième exemple d’étape d’agencement 111 est illustré sur la . Dans cet exemple, les épingles conductrices sont agencées dans une configuration dite côte-à-côte, c’est-à-dire qu’une première épingle standard 30 présente un premier segment conducteur agencé dans la couche C1 et un second segment conducteur agencé dans la couche C2 et une deuxième épingle standard 31 présente un premier segment conducteur agencé dans la couche C3 et un second segment conducteur agencé dans la couche C4 du corps de pièce bobinée 21. L’étape d’agencement 111 de ce deuxième exemple peut se déroulée de manière similaire au premier exemple. Plus précisément, l’étape 111 peut comporter plusieurs phases, chacune permettant d’insérer différent nombre d’épingles conductrices.
Après l’étape d’agencement 111 illustré sur la , les segments conducteurs 19 des épingles conductrices sont réparties de sorte à former trois groupes de rainures de manière similaire à l’exemple de la . Le deuxième groupe G2 et le troisième groupe G3 sont chacun divisé en deux sous-groupes G2’, G2’’, G3’, G3’’. Le premier sous-groupe G2’ présente un segment conducteur logé dans la couche C1’ de chacun de ses logements 73. Le deuxième sous-groupe G2’’ présente trois segments conducteurs logés dans les couches C1’, C2’ et C3’ de chacun de ses logements 73. Le troisième sous-groupe G3’’ présente trois segments conducteurs logés dans les couches C4’, C2’ et C3’ de chacun de ses logements 73. Le quatrième sous-groupe G3’ présente un segment conducteur logé dans la couche C4’ de chacun de ses logements 73. Lors de l’étape de chargement 112, les segments conducteurs du premier sous-groupe G2’ et les segments conducteurs du troisième sous-groupe G3’’ seront superposés radialement par rapport à l’axe Z dans les mêmes espaces latéraux 43 et les segments conducteurs du deuxième sous-groupe G2’’ et les segments conducteurs du quatrième sous-groupe G3’ seront superposés radialement par rapport à l’axe Z dans les mêmes espaces latéraux 43.
L’agencement des épingles conductrices de la permet de réaliser l’étape de chargement en une seule fois ou en plusieurs phases. Par exemple, l’étape de chargement 112 peut présenter une première phase de chargement des couches C3’ et C4’ puis une seconde phase de chargement des couches C1’ et C2’.
Toutes les épingles conductrices 18 destinées à former le bobinage électrique 24 peuvent être agencées dans le dispositif intermédiaire 70 lors de l’étape d’agencement 111. Les épingles standards 30, 31, les épingles d’alimentation 33, 34 et les épingles de connexion 32 sont alors agencées dans le dispositif intermédiaire 70 lors de ladite étape d’agencement 111. L’étape de chargement 116 se fait alors pour toutes les épingles conductrices 18. Alternativement, les épingles standards 30, 31 peuvent être chargées au moyen d’un procédé automatique utilisant notamment les étapes d’agencement 111 et de chargement 112 décrites précédemment et les épingles de connexion 32 et/ou d’alimentation 33, 34 peuvent être chargées, de manière automatique ou manuelle, directement dans le dispositif de transfert 40 après l’étape de chargement 112.
Le dispositif de transfert 40 peut comporter un dispositif d’immobilisation 47, visible sur la , permettant de maintenir au moins une épingle d’alimentation 33, 34 et/ou au moins une épingle de connexion 32 dans le corps de broche 41. Le dispositif d’immobilisation 47 permet notamment de maintenir lesdites épingles dans les directions radiale et axiale. Dans cet exemple de réalisation, le dispositif d’immobilisation 47 est formé d’une rainure dans laquelle est insérée une épingle d’alimentation 33, 34. L’épingle de connexion 32 est, ici, maintenue de la même manière que les épingles standards 30, 31 via les lamelles de guidage 42. Alternativement, le dispositif d’immobilisation 47 peut être formé par des murets entourant l’épingle à maintenir ou un système d’encliquetage.
La présente invention trouve des applications en particulier dans le domaine des alternateurs, des alterno-démarreurs, des moteurs électriques ou encore des machines réversibles mais elle pourrait également s’appliquer à tout type de machine tournante. Bien entendu, la description qui précède a été donnée à titre d'exemple uniquement et ne limite pas le domaine de la présente invention dont on ne sortirait pas en remplaçant les différents éléments par tous autres équivalents. Par exemple, on ne sortira pas du cadre de l’invention en adaptant le procédé et l’ensemble d’assemblage décrit ci-dessus pour une machine électrique tournante dont le stator est positionné radialement à l’intérieur du rotor.
Procédé et ensemble d’assemblage d’épingles conductrices pour une machine électrique tournante L’invention concerne notamment un procédé d’assemblage d’épingles conductrices dans un dispositif de transfert et un ensemble d’assemblage d’épingles conductrices permettant de mettre en œuvre ledit procédé.
Cette forme des épingles en « U » décalé est classiquement obtenue par une première étape de pliage permettant d’obtenir une forme en « U » plat dans laquelle les deux segments conducteurs s’étendent dans un même plan, puis par une deuxième étape de vrillage dans laquelle les deux segments conducteurs sont décalés dans une direction circonférentielle l’un par rapport à l’autre. Cette étape de vrillage est classiquement faite lors d’une étape de vrillage global dans laquelle toutes les épingles conductrices sont vrillées en même temps pour obtenir le décalage de leurs segments conducteurs respectifs. Cette étape de vrillage global permet que positionner les épingles sur un cercle de diamètre correspondant à leur position finale dans le corps de pièce bobinée. Un outil tel qu’une pince permet ensuite de récupérer toutes les épingles mises dans l’outil de vrillage et de les insérer dans le corps de pièce bobinée. L’étape de vrillage global facilite l’opération de transfert des épingles depuis l’outils de vrillage vers le corps de pièce bobinée car une fois vrillées les épingles sont déjà disposées dans leur position finale correspondant au bon diamètre du stator, permettant leur insertion directe dans ledit corps. Cependant, cette étape de vrillage global ne permet pas un vrillage précis des épingles et peut engendrer des cassures dans l’émail recouvrant le cuivre formant les épingles conductrices ce qui peut provoquer des courts-circuits.
Cette méthode de positionnement des épingles par déplacement radial entre un grand et un petit diamètre peut ne pas être applicable dans certaines configurations de bobinage. En effet, dans certain cas, l’imbrication des épingles entre elles et/ou le nombre important de couches d’épingle conductrice peut complexifier cette méthode voire la rendre impossible. Le temps d’assemblage d’un tel bobinage est alors augmenté ce qui entraine également une augmentation du coût de fabrication.