INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, seul l’algorithme de calcul du point de puissance maximale (unité 25-B) est à intégrer dans l’unité 25, via l’algorithme d’identification des courants perturbateurs (unité 25-A). En effet, la boucle de régulation de la tension du condensateur (élément de stockage d’énergie capacitif 3) de l’onduleur est déjà prévue dans l’unité 25-A pour charger le condensateur de l’onduleur lors du fonctionnement en pur filtre actif, afin de compenser les pertes causées par les composants de l’onduleur Ond-Cr ainsi que du filtre L-Ond-Cr.
Selon un des aspects de l’invention, lors du fonctionnement en filtre actif avec injection de la puissance maximale d’une source d’énergie renouvelable, la tension de référence Vdc-ref devient la tension de la puissance maximale, délivrée par l’unité 25-B, au lieu d’être prédéfinie selon un cahier des charges orienté filtrage pur. Cette méthodologie allège, minimise et améliore la précision, d’une façon notable, lors de la mise en œuvre de la partie contrôle-commande, en comparaison de l’état de l’art qui prévoit une boucle supplémentaire de chaque courant injecté qui impose aussi l’emploi d’un hacheur.
L’unité de contrôle-commande 12 est configurée en outre pour effectuer la régulation de la tension V dc aux bornes de l’élément de stockage d’énergie capacitif 3, et assurer, par conséquent, la recharge du condensateur (élément de stockage d’énergie capacitif 3). En effet, le condensateur (élément de stockage d’énergie capacitif 3) a, entre autres, pour rôle de couvrir les pertes de l’onduleur 9 et l’unité de filtrage 10 ainsi que de fournir le courant actif maximal I MPP de l’unité de puissance à génération d’énergie renouvelable 100 aux points de raccordement C, via l’onduleur Ond-Cr 9 et l’unité de filtrage 10 du filtre 11 L-Ond-Cr.
Avantageusement, la suite du processus au sein de l’unité de contrôle-commande 12 comprend :
- un traitement des mesures de la tension V dc aux bornes de l’élément de stockage d’énergie capacitif 3 ;
- un filtrage, via un filtre passe-bas de deuxième ordre 61, du signal mesuré de la tension V dc des fluctuations à 300 Hz ou autres ;
- la poursuite, via le régulateur 62, entre V dc-ref =V MPP et la tension V dc , afin d’assurer une tension maximale V MPP constante aux bornes de l’élément de stockage d’énergie capacitif 3 ;
- la génération du courant perturbateur injecté en opposition de phase par rapport à celui circulant dans la charge et du courant de la puissance maximale de l’unité de puissance à génération d’énergie renouvelable 100.
Avantageusement, pour cette poursuite via le régulateur 62, l’unité de calcul 25 des courants de référence est configurée pour intégrer le calcul du courant de la puissance maximale, via l’unité 25-B, dans l’algorithme du calcul des courants non actifs, assuré par l’unité 25-A.
Le processus de cette intégration peut suivre la façon suivante : la sortie du régulateur 62 étant la puissance maximale P MPP de l’unité de puissance à génération d’énergie renouvelable 100, ce signal est rajouté au sommateur 63, qui a, à sa deuxième entrée, la puissance perturbatrice active issue de l’unité 25-A (Amont) du calcul des puissances instantanées perturbatrices (active , réactive et homopolaire . L’unité 25-A (Amont) assure le calcul, à partir des tensions V s aux points de raccordement C et des courants I L de la charge 2, des puissances instantanées perturbatrices (active , réactive et homopolaire dans le repère α, β et 0) causées par les courants perturbateurs non actifs présents dans le courant de la charge 2 I L .
Avantageusement, le calcul des courants de la consigne/référence I ref se fait via un passage inverse, par rapport à l’unité 25-A (Amont), à travers l’unité (25-A Aval). Ce courant de référence contient les courants non actifs ainsi que le courant de la puissance maximale, d’abord calculé dans le même repère α, β et 0 puis dans le repère triphasé à 4 fils.
Il est à noter que la PLL avancée 26, utilisée dans l’unité de calcul des courants perturbateurs 25-A, extrait à la fois l’amplitude V d ainsi que l’angle θ d et par conséquent la composante directe triphasée V d123 de la tension de raccordement (point C) V s . Ainsi, une identification précise des courants perturbateurs même dans le cas d’un réseau perturbé en harmoniques et en déséquilibre de tension est assurée.
De plus, une simple division des puissances instantanées, comme décrit dans la , par le module carré de la tension V d123 , calculée dans le le repère (α,β,0), assure l’injection du courant de la puissance maximale de l’unité de puissance à génération d’énergie renouvelable 100, aux points de raccordement C, en phase avec V d123 de la tension du réseau V s . Ceci limite une consommation supplémentaire de la puissance réactive via le réseau électrique donné 1. De plus, l’amplitude de composante directe extraite par la PLL avancée 26 assure une égalité entre le courant absorbé par l’élément de stockage capacitif 3 et le courant de la puissance maximale produit par l’unité de puissance à génération d’énergie renouvelable 100.
Les unités 25-A(Amont) y compris la PLL avancée 26 et 25-A(Aval) sont configurées pour identifier les courants perturbateurs ; les unités 25-A(Amont), 25-A(Aval) et 25-B représentent l’unité de calcul des courants de référence 25.
Il est à noter que grâce à l’unité de contrôle-commande 12 et spécialement l’unité de calcul 25-A & 25-B avec la PLL avancée ainsi que les contrôleurs 23, le dispositif 7 est adapté à deux fréquences fondamentales comprises entre 40 et 70 Hz, pour comprendre le cas d’un groupe électrogène. De plus, le dispositif est adapté à une tension nominale du réseau électrique donné 1 comprise entre 180 et 480 V.
Le dispositif illustré en comprend un substrat semiconducteur 11 revêtu par une couche de passivation 13, sur laquelle sont disposés les composants radiofréquence 15. La couche de passivation 13 est par exemple, en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du substrat semiconducteur 11. La couche de passivation 13 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface du substrat semiconducteur 11. Dans l'exemple illustré en , le dispositif comprend deux composants radiofréquence 15. En pratique, le dispositif peut comporter un nombre quelconque de composants radiofréquence 15, par exemple un unique composant radiofréquence 15 ou plus de deux composants radiofréquence 15.
Le substrat 11 correspond par exemple à une plaquette semiconductrice ou à un morceau de plaquette semiconductrice. Le substrat 11 est par exemple en silicium ou en nitrure de gallium (GaN). A titre d'exemple, le substrat 11 est en un matériau à haute résistivité, par exemple un matériau dont la résistivité est supérieure à 3 kΩ. Le substrat 11 est par exemple en silicium de haute résistivité. Le substrat 11 peut être un substrat semiconducteur massif, par exemple un substrat en silicium de haute résistivité massif, ou un substrat de type SOI (de l'anglais "Semiconductor On Insulator" – semiconducteur sur isolant), par exemple un substrat en silicium de haute résistivité sur isolant.
La couche de passivation 13 est une couche isolante électriquement. La couche de passivation 13 est par exemple en dioxyde de silicium.
En pratique, du fait des hautes fréquences de fonctionnement des composants radiofréquence 15, des courants induits peuvent apparaître dans une partie supérieure 17 du substrat 11, appelée zone de conduction parasite de surface (PSC, de l'anglais "Parasitic Surface Conduction"). Ces courants induits peuvent perturber le bon fonctionnement des composants radiofréquence 15 et dégrader leurs performances.
Selon un mode de réalisation, on prévoit de former une couche riche en pièges dans une partie supérieure du substrat 11. En effet, la présence de pièges permet de dégrader la mobilité des électrons et des trous, ce qui permet de réduire les courants induits qui sont à l'origine de la dégradation de performances des composants RF.
Il a déjà été proposé de former une couche superficielle riche en pièges dans un substrat semiconducteur par diverses techniques et notamment par texturation laser, par gravure chimique, par irradiation électronique, par formation de nano-cavitées, par contrainte thermique ou par texturation mécanique. Pour augmenter la densité en pièges, plusieurs de ces techniques peuvent par exemple être combinées. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d'une technique alternative, plus simple à mettre en oeuvre, pour former une couche superficielle riche en pièges dans un substrat semiconducteur destiné à supporter des composants radiofréquence.
Dans le mode de réalisation décrit ci-après, on prévoit de créer une couche riche en pièges en utilisant une technique de recuit laser. Cette technique, utilisée habituellement pour activer ou propager des dopants dans une couche semiconductrice, est dans ce mode de réalisation utilisée de façon inhabituelle, pour créer volontairement des défauts dans une couche semiconductrice.
Les figures 2 à 6 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation.
La illustre une structure de départ composée d'un substrat semiconducteur 21. Le substrat 21 est par exemple une plaquette ou tranche en un matériau semiconducteur. A titre d'exemple, le substrat 21 est en silicium ou en nitrure de gallium. A titre d'exemple, le substrat 21 est en un matériau de haute résistivité. Le substrat 21 peut être un substrat semiconducteur massif, ou un substrat de type SOI.
Le substrat 21 a par exemple une épaisseur comprise entre 300 µm et 800 µm, par exemple de l'ordre de 725 µm.
A titre d'exemple, le substrat 21 n'est pas dopé ou est très peu dopé. La concentration en dopants dans le substrat 21 est, par exemple, inférieure à environ 10 12 atomes/cm 3 pour des atomes de phosphore et, par exemple, inférieure à environ 4.10 12 atomes/cm 3 pour des atomes de bore. A titre d'exemple, les dopants présents dans le substrat 21 peuvent être différents du phosphore et du bore et peuvent être de l'arsenic ou de l'antimoine.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche isolante 23 du côté de la face supérieure du substrat 21.
A titre d'exemple, la couche 23 est une couche d'oxyde.
Dans l'exemple illustré en , une partie supérieure du substrat 21 est oxydée de façon à former la couche 23. La couche 23 correspond alors à une partie supérieure du substrat 21. La couche 23 est en la même composition chimique que le substrat 21 à la différence près qu'elle comprend une concentration plus importante en atomes d'oxygène. Dans cet exemple, la couche 23 a une épaisseur e1 comprise entre 5 nm et 30 nm, par exemple, comprise entre 15 nm et 20 nm.
A titre d'exemple, la couche 23 est formée par oxydation thermique ou chimique d'une partie supérieure du substrat 21. A titre d'exemple, la couche 23 est formée lors d'un nettoyage de la face supérieure du substrat 21 dans un mélange d'acide sulfurique et d'eau oxygénée. A titre de variante, la couche 23 est une couche d'oxyde natif présente en surface du substrat 21.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de recuit laser à partir de la face supérieure de la structure illustrée en .
représentations en perspective des composants du système de fixation selon l’invention pour décrire le montage et le fonctionnement de l’installation de maintien de position.
DESCRIPTION DE MODES DE REALISATION PREFEFENTIELS DE L’INVENTION
Selon les figures 1 à 3 on décrira ci-après, de manière détaillée, un système de fixation 1 d’un balai d'essuie-glace 2 correspondant à un premier mode de réalisation préférentiel de l’invention.
Le système de fixation 1 du balai d'essuie-glace 2 comprend un élément d’essuyage 3 représenté à la et ayant une lèvre d’essuyage 4.
Selon la , le système de fixation 1, c’est-à-dire son balai d'essuie-glace 4 a un déflecteur 6, allongé installé sur un adaptateur 7. Une installation de maintien 8 peut être mise en place sur l’adaptateur 7 par une pièce de liaison 9 qui la fixe, celle-ci ayant un élément de coulissement 10.
La montre, en outre, à titre d’exemple, deux bras d’essuie-glace 11 et 12 dont les largeurs de bras sont différentes, ce qui sera décrit, de façon détaillée, ci-après.
La explicite d’autres détails du système de fixation 1 selon l’invention. Le déflecteur 6 est, comme décrit ci-dessus, une pièce allongée que l’on peut fixer sur un élément de support 5 de l’élément d’essuyage 3. L’élément de support 5 selon le mode de réalisation particulièrement préférentiel représenté à la comprend deux rails élastiques 5A, 5B permettant de cintrer légèrement l’élément d’essuyage à l’état final de montage pour qu’il s’appuie sur toute sa surface avec sa lèvre d’essuyage 4, sur le pare-brise d’un véhicule automobile.
Comme décrit déjà ci-dessus à l’aide de la , un adaptateur, de préférence central 7 est prévu sur le déflecteur 6 et sur cet adaptateur on peut fixer l’installation de maintien 8.
Comme cela est présenté à la , l’installation de maintien 8 comprend la pièce de liaison 9 déjà décrite ci-dessus et un élément coulissant 10 qui s’emmanche sur la pièce de liaison 9 ; la direction d’emmanchement est représentée par la flèche PF1.
La montre les bras d’essuie-glace 11 et 12 qui apparaissent également à la . Les deux bras d’essuie-glace 11, 12 ont chacun respectivement une zone de prise 11A, 12A ; la zone de prise 12A correspond à une largeur A inférieure à celle de la zone de prise 11A avec sa grande largeur B. Les zones de prise 11A, 11B se poursuivent respectivement par une zone d’extrémité 11B, 12B qui fait un angle.
Les figures 5 et 6 explicitent la manière de relier les bras d’essuie-glace 11, 12 à l’installation de maintien 8.
La montre comment l’élément coulissant 10 s’emmanche sur la pièce de liaison 9. L’élément coulissant 10 a une languette de butée 10A et un évidement de butée 10C opposée à celui-ci ainsi qu’une zone médiane 10B contre la languette de butée 10A et l’évidement de butée 10C.
Dans le cas de l’exemple, pour relier le bras d’essuie-glace 12 à l’installation de maintien 8, on emmanche la zone de prise 12A dans la direction de la flèche PF2 apparaissant à la , sur la pièce de liaison 9. Celle-ci présente, par rapport à la languette de butée 10A, une butée ou un bloc de butée 13 qui, en position finale de montage selon la , vient dans l’évidement de butée 14 de la zone de prise 12A comme l’explicite la . Selon une forme de réalisation particulièrement préférentielle, la butée 13 est sollicitée par un ressort approprié dans sa position de verrouillage selon la ; lorsqu’on l’emmanche en procédant selon la flèche PF2 sur la zone d’entrée 12A, on peut légèrement enfoncer la butée 13 qui pénètre alors dans l’évidement de butée 14 en position finale de montage selon la .
Les figures 7 et 8 explicitent par une représentation en perspective, une fois encore l’installation de maintien 8 et sa pièce de liaison 9 ainsi que l’élément coulissant 10. La montre le coulissement de l’élément coulissant 10 selon la flèche PF3, dans la direction vers la gauche selon la représentation choisie à la . La montre la position finale de la mise en place de l’élément coulissant 10 dans laquelle la languette de butée 10A s’appuie contre une zone de boîtier voisine de la pièce de liaison 9 alors que l’évidement de butée 10C n’est pas en prise avec la butée 13 de la pièce de liaison 9. Cette position de l’élément coulissant 10 est prévue pour le montage d’un bras d’essuie-glace 12 de petite largeur de bras A.
La montre la position de l’élément coulissant 10 pour une liaison avec le bras d’essuie-glace 12 dont la zone de prise 11A a la grande largeur de bras d’essuie-glace B. Ainsi, l’élément coulissant 10 est emmanché selon la flèche PF4 de la vers la droite en direction de la butée 13. Dans la représentation finale de la , la butée 13 vient dans l’évidement de butée 10C et la languette de butée 10A se libère de sa prise avec la zone de boîtier voisine de la pièce de liaison 9.
Afin de maximiser le temps de fonctionnement du dispositif selon l’invention, la réserve se présente sous la forme d’un plateau allongé dans une direction orthogonale aux rayons. Ainsi, les rayons peuvent être présentés en faisceaux, et étalés pour former une couche de rayons d’une quantité nettement plus importante que dans l’état de la technique où seul un fagot de rayons pouvait être positionné.
Le plateau de la réserve est approvisionné en rayons manuellement, ou avantageusement par une bande convoyeuse afin d’éviter les opérations d’approvisionnement manuelles.
Selon une forme de réalisation particulière, les moyens de prélèvement et de convoyage des rayons se présentent sous la forme d’une courroie crantée sur sa face externe, les rayons étant destinés à se positionner entre deux crans de la courroie.
Afin d’éviter l’engorgement de rayons au niveau de l’entrée des moyens de prélèvement et de convoyage, le dispositif comprend un poussoir, positionné au niveau de l’entrée des moyens de prélèvement et de convoyage pour pousser par le dessous les rayons.
est une vue en perspective du dispositif d’approvisionnement en rayons de la présente invention.
est une vue en perspective du dispositif selon l’invention, vu latéralement pour illustrer la réserve de rayons et le poussoir.
représente, de manière isolée, les moyens de prélèvement et de convoyage des rayons, ainsi que le poussoir.
illustre en perspective et en détail les moyens de prélèvement et de convoyage des rayons en direction de la zone d’attente intermédiaire.
illustre le sommet des moyens de prélèvement et de convoyage, ainsi qu’une vis de limitation de la hauteur de passage des rayons.
est une vue en perspective de la sortie des moyens de prélèvement et de convoyage, de la zone d’attente intermédiaire, et de moyens de limitation de la hauteur de passage des rayons dans ladite zone d’attente intermédiaire.
illustre en perspective, et de face, les zones d’attente intermédiaire et la zone d’évacuation vers le pistolet d’éjection.
est une vue de détail de la , dans laquelle les moyens de limitation de la hauteur de passage des rayons ont été masqués sur le dispositif de droite afin d’apercevoir les moyens d’isolement d’un rayon.
illustre, de manière isolée et en perspective, les moyens d’isolement d’un rayon.
Description détaillée de l’invention En référence à 9, l’invention concerne un dispositif (1) permettant d’approvisionner en rayon (2) un pistolet destiné à éjecter lesdits rayons (2) dans les orifices d’un moyeu d’une roue à rayons (2).
En référence aux figures 1 et 2, et dans l’exemple illustré, ni le pistolet, ni le moyeu ne sont représentés, et deux dispositifs (1) d’approvisionnement sont assemblés pour approvisionner, à tour de rôle, un pistolet en rayons (2).
Les dispositifs (1) d’approvisionnement illustrés partagent donc tous les deux une même zone d’évacuation (3) des rayons (2), à l’aplomb de laquelle le pistolet d’éjection est destiné à être positionné pour l’approvisionnement en tant que tel.
Un tel capteur 312 peut être tout type de capteur mécanique, électrique, optique. Dans l’exemple représenté, le capteur 312 est un capteur optique permettant de compter le nombre de gélules sortant du réservoir 102.
Le capteur 312 peut être agencé sur, ou dans, le réservoir. Alternativement, comme représenté sur la , le capteur 312 est agencé dans, ou sur, le socle 304, en aval de l’ouverture de dispensation 106.
De manière optionnelle, mais particulièrement avantageuse, le dispositif 300 peut comprendre un moyen d’obturation 314, disposé en aval de l’ouverture de dispensation 106, déplaçable entre une première position autorisant le passage des médicaments et une deuxième position empêchant le passage des médicaments.
Le moyen d’obturation 314 comprend un actionneur 314 1 commandable, et prévu pour déplacer un organe 314 2 formant un obstacle physique au passage du médicament, dans la deuxième position. L’organe 314 2 formant un obstacle physique peut être une languette, un cache, un couvercle, ou tout autre objet s’opposant au passage du médicament. L’actionneur 314 1 peut être un moteur, ou un vérin, ou encore un actionneur magnétique, ou tout autre actionneur pouvant être commandé par un signal électrique, ou une onde, et déplaçant l’organe 314 2 .
Le moyen d’obturation 314 peut être commandable, par exemple par une unité de gestion du dispositif 300 de sorte que, lorsqu’une anomalie est détectée, ledit moyen d’obturation 314 est positionné dans sa deuxième position. Une anomalie peut être liée à l’une quelconque des données ou paramètres décrits plus haut.
Le moyen d’obturation 314 peut être agencé sur, ou dans, le réservoir. Alternativement, comme représenté sur la , le moyen d’obturation 314 est agencé dans, ou sur, le socle 304, en aval de l’ouverture de dispensation 106.
De manière optionnelle, mais particulièrement avantageuse, le dispositif 300 comprend une unité de gestion 316 configurée pour autoriser ou non la dispensation du médicament à l’usager en fonction d’au moins une donnée mémorisée dans la puce électronique 110 et au moins une condition prédéfinie.
L’unité de gestion 316 peut être un processeur configuré par un programme informatique.
L’unité de gestion 316 peut être agencée sur, ou dans, le réservoir. Alternativement, comme représenté sur la , l’unité de gestion 316 est agencé dans, ou sur, le socle 304.
Par exemple, l’unité de gestion peut être configurée pour réaliser une combinaison quelconque d’au moins une des opérations suivantes : interroger un capteur dégradable, tel que le capteur 110, pour déterminer son état de fonctionnement ; comparer une donnée de température, et/ou une donnée pression, et/ou une donnée d’hygrométrie, etc., par exemple mesurée par le capteur 114, avec au moins une valeur seuil mémorisée en local, ou chargée depuis un site distant ; comparer une donnée biométrique lue par le lecteur biométrique à une donnée biométrique de référence, mémorisée en local ou chargée depuis un site distant ; commander le moyen d’obturation en fonction d’au moins une donnée de quantité mesurée par le capteur 312 et d’au moins une donnée de posologie mémorisée en local ou chargée depuis un site distant, etc.
Bien entendu, le dispositif 300 peut comprendre d’autres composants que ceux qui viennent d’être décrits. Par exemple, le dispositif 300 peut comprendre : au moins une batterie alimentant ledit dispositif, ou une interface d’alimentation filaire ; au moins une mémoire informatique, au moins un écran d’affichage, tactile ou non, etc.
Le dispositif 400 de la comprend tous les éléments du dispositif 300 de la , sauf en ce qui concerne les différences mentionnées ci-dessous.
Dans l’exemple de la , à la différence du dispositif 300, le réservoir 102 est intégré dans le dispositif 400 et n’est pas formé par une cartouche 302 amovible. Autrement dit, dans le dispositif 400, le réservoir n’est pas amovible.
La est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non limitatif d’un système de dispensation de médicament selon l’invention.
Le système 500 de la comprend un serveur central 502 auquel est reliée une pluralité de dispositifs de dispensation 504 1 -504 n , au travers d’un réseau de de communication 506 de type Internet. Le serveur central se trouve par exemple sur un site distant de chacun des dispositifs 504 1 -504 n .
Dans cette partie, la structure précédente (filtre actif à onduleur de composants à commutation rapide (MOSFET SiC : C3M0021120D, à fréquence de commutation 100 kHz) associé au filtre L-Ond-Cr=200 μH), est validée avec l’algorithme de contrôle du placement des pôles amélioré RST am .
La Figure 20a présente la simulation de la phase 1 (avec et sans filtrage) du courant du côté réseau de Is, des courants identifié Iref et injecté Iinj ainsi que le THD du courant ( ).
Dans ce cas de simulation, le filtre actif est désactivé après 6 périodes du secteur (à 0.12 s).
On peut déduire de la figure 20a que la distorsion harmonique après filtrage est de 1.77%. Cette réduction significative du THD du courant est confirmée par l’analyse spectrale présentée via la .
Il est à noter que le THD du courant avant l’activation du filtre actif était 24.29%.