INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin de réaliser ce compromis, l’inductance L-Classique est lourde, volumineuse, coûteuse et difficile à dimensionner. En effet, le filtre actif à Ond-Classique & L-Classique commercialisé, dimensionné pour injecter un courant de 50 A, a un poids de 75 kg, causé principalement par le filtre de sortie.
Afin d’alléger ces contraintes et surmonter ce compromis très difficile à fixer, l’emploi d’un filtre passif auxiliaire installé à la sortie de l’onduleur ou en amont du côté réseau électrique donné 1 est proposé.
Cependant, ce filtre auxiliaire peut causer des effets secondaires non désirés comme la résonance avec d’autres éléments passifs installés sur le réseau électrique donné 1.
Il occasionne également une consommation de puissance active par sa résistance d’amortissement.
De plus, la qualité de filtrage de ces filtres auxiliaires se dégrade avec le temps à cause du vieillissement de leurs éléments passifs.
Filtre du troisième ordre (LCL) : modélisation dans le plan s
Le filtre de sortie de troisième ordre est une alternative à un filtre de premier ordre (L-Classique) lourd, volumineux, coûteux et difficile à dimensionner, permettant d’échapper aux problèmes évoqués dans le cas du filtre de sortie de premier ordre.
Ce filtre de sortie, se compose de deux inductances (L f1 , L f2 ) de résistances internes respectives (R f1 , R f2 ) et d’une capacité C f avec une petite résistance d’amortissement R f (voir la ) que nous négligerons par la suite.
Il est à noter que (L s , R s et e s ) représentent respectivement l’inductance, la résistance ainsi que la force électromotrice du réseau électrique donné 1 en amont.
Ce type de filtre et grâce au degré de liberté supplémentaire, fourni par la capacité C f , pour des inductances L f1 , L f2 économique, légères et non encombrantes : la somme L f1 +L f2 est dix à vingt fois inférieure de L-Classique, peut assurer les deux critères du dimensionnement du filtre de sortie évoqués précédemment.
Les équations qui modélisent le filtre de sortie sont :
(Maths. 1)
avec V f la tension de sortie de l’onduleur, B 1 (s)/A(s) la fonction de transfert du filtre de sortie avec le réseau électrique donné 1 correspondant au système d’origine (à contrôler) et B 2 (s)/A(s) la fonction de transfert correspondant au modèle de perturbation.
Cette montre que la puissance maximale, la tension et le courant de la puissance maximale du générateur photovoltaïque GPV, sous les conditions STC, où l’éclairement est 1000 W/m2 et la température est 25°, sont respectivement de 44,7615 kW, 870 V et 51,45 A.
Contrôleur SMC continu à fonction signe approximée en fonction sigmoïde
Dans cette partie de simulation, nous allons montrer uniquement les résultats du contrôleur de mode glissant continu de premier ordre à fonction signe approximé en fonction sigmoïde. En effet, dans les deux cas de contrôle (RSTam et SMC à fonction sigmoïde), la poursuite de tension est assurée par un contrôleur PI indépendant ainsi que le bilan énergétique dépend plutôt de l’algorithme de calcul de la puissance maximale (le P&O adapté), le contrôleur PI indépendant, la méthode d’identification des courant non actifs et le système de PLL avancé.
Dans cet ensemble de simulation, le FAP/GPV est testé pour le filtrage harmonique et la génération de puissance photovoltaïque maximale, avec la compensation de la puissance réactive, sous un profil météorologique variable à la fois en éclairement et en température. En effet, deux niveaux d’éclairement (100 et 1000) W/m2 à 25° C ainsi que deux niveaux de température (10°C, 40°C) à 1000 W/m2, sont testés pour que le générateur PV couvre presque toutes les variations météorologiques possible.
La présente la simulation dans le domaine temporel de la tension de la puissance maximale du générateur photovoltaïque Vmp, calculée par l’algorithme P&O adapté à l’absence d’hacheur, ainsi que la tension Vdc prélevée aux bornes du condensateur du côté continu de l’onduleur à commutation rapide. La simulation est effectuée pour les conditions météorologiques suivantes : au début, on teste les conditions (100 W/m2, 25° C) pour un temps appartenant à [0, 1] s, puis les conditions STC pour un temps appartenant à [1, 2] s, puis les conditions (1000 W/m2, 40 °C) pour un temps appartenant à [2, 3] s et enfin les conditions (1000 W/m2, 10° C) pour un créneau final de tempes appartenant à [3, 4] s.
On peut observer à partir de la que l'algorithme P&O adapté employé, fonctionnant en synchronisation avec l’unité d'identification des puissances instantanées et le contrôleur indépendant PI de la tension continue, assure un suivi précis de la tension de puissance maximale.
Finalement, le bilan énergétique est présenté via la . Dans cette figure, les puissances réactives fournies par le FAP/GPV et le réseau électrique donné 1, ainsi que celles consommées par le côté charge non linéaire, sont données.
La valide le bilan de puissance active et réactive du FAP/GPV, même sous des variations significatives des conditions météorologiques. En effet, lorsque l’éclairement est très faible (pour temps appartenant à [0, 1] s), la quasi-totalité de la puissance active est fournie par le réseau électrique donné 1 P réseau . Puis, pour t> 1s et tout au long de la simulation, la puissance photovoltaïque active générée P filtre-PV dépasse la demande de la charge P charge , et le surplus de cette puissance est injecté dans le réseau électrique donné 1. Il en résulte un P filtre-PV positive et un P réseau négative.
Enfin, à partir de t> 3s, le dispositif FAP/GPV compense la totalité de la puissance réactive de la charge Q charge en injectant Q filtre-PV ; le réseau électrique, qui fournissait cette puissance à la charge, passe à l’état Q réseau =0 pour t> 3s.
L’invention offre l’avantage de simplifier la méthode de contrôle du courant de l'onduleur.
Cette invention est l’alternative aux deux solutions existants.
Un filtre actif parallèle à base d’onduleur de deux niveaux de tension, à composants classiques en silicium (Ond-Classique : IGBT ou autres), associé à un filtre de sortie de premier ordre (une inductance : L-classique) et à une commande simple. Le filtre de sortie dans ce cas est lourd, volumineux, coûteux et très difficile à dimensionner. En effet, le filtre de sortie, associé à un onduleur Ond-Classique, doit valider deux critères contradictoires, bloquer les composantes dues à la fréquence de commutation sans ralentir la dynamique globale du système. A titre d’exemple, le filtre actif commercialisé, dimensionné pour injecter un courant de 50 A, a un poids de 75 kg, causé principalement par le filtre de sortie. De plus, cette structure limite la tension du côté continu de l’onduleur (à 800 V pour une fréquence de commutation de 16 kHz et un courant injecté de 30 A) ce qui limite la dynamique du filtre et par conséquent la qualité de filtrage. Un filtre actif parallèle à base d’onduleur à deux niveaux de tension, à composants classiques en silicium (Ond-Classique : IGBT ou autres), associé à un filtre de sortie de troisième ordre de type LCL. L’emploi de ce type de filtre implique l’utilisation d’une commande non linéaire très sophistiquée et assez complexe à gérer ainsi d’une unité de calcul assez puissante. De plus, la maîtrise de l’antirésonance entre le filtre LCL et le réseau électrique donné 1, malgré la solution proposée dans le document WO 2020/007884, reste un point dont les industriels sont sceptiques. Il est à noter que cette structure limite, aussi, la tension du côté continu de l’onduleur (à 800 V pour une fréquence de commutation de 16 kHz et un courant injecté de 30 A) ce qui limite la dynamique du filtre et par conséquent la qualité de filtrage.
L’un des aspects de l’invention est de proposer un filtre de sortie L-Ond-Cr (strictement associé à un onduleur de commutation rapide Ond-Cr) assurant presque la même efficacité de rétention des composantes dues au hachage d’un filtre LCL, sans causer des problèmes d’antirésonance ou de complexité du contrôleur imposés par le LCL. De plus, cette inductance est légère, non encombrante, économique et très facile à dimensionner comparée à celle L-Classique liée à l’utilisation d’un onduleur à composants classiques en silicium (Ond-Classique). Il est à noter que la technologie des composants rapide de puissance permet l’augmentation de la tension du côté continu de l’onduleur, par rapport à la technologie classique en silicium, ce qui profite à l’amélioration de la dynamique/rapidité du système et par conséquent de la qualité de filtrage. En effet, des fréquences de commutation allant jusqu’à 16 kHz (à un courant de 30 A) pour les onduleurs en silicium classique Ond-Classique atteint une limite haute de fonctionnement des composants en silicium. A cette fréquence, acceptée par les industriels, une limitation de tension du côté continu est fixée à 800 V alors que les onduleurs à commutation rapide acceptent une tension continue entre 1000 V et 1200 V, ce qui favorise la dynamique globale du système. De plus, l’augmentation significative de la fréquence de commutation de l’onduleur Ond-Cr (de l’ordre de 100 kHz) favorise, elle aussi, la dynamique du dispositif et par conséquent la qualité de filtrage, comparé au dispositif à Ond-Classique dont la fréquence maximale est de 16 kHz.
Enfin, les pertes par commutation à 16 kHz, bien qu’elles soient admissibles, réduisent le redemande de l’onduleur Ond-Classique, alors que l’onduleur Ond-Cr est conçu pour des pertes minimales par commutations rapides.
Procédé de commande d’un onduleur triphasé d’un groupe motopropulseur pour un véhicule automobile L’invention concerne le domaine de la commande d’onduleurs triphasés pour des groupes motopropulseurs de véhicules automobiles électriques ou hybrides.
En particulier l’invention concerne le domaine de la commande d’onduleurs par modulation de largeur d’impulsion, aussi appelé MLI, et en anglais Pulse Width Modulation, PWM .
En outre, l’acquisition d’une image d’ensemble et d’une image détaillée favorise sa facilité de mise en œuvre et sa rapidité de mise en œuvre. En particulier, l’image d’ensemble peut être de qualité plus faible que l’image détaillée car elle est utilisée pour la détection de composants. A l’inverse, l’image détaillée se focalise sur un composant, ce qui permet de vérifier facilement et rapidement la présence de défauts sur ce composant.
De manière générale, le procédé de l’invention permet de détecter des défauts sur des composants sans qu’il soit nécessaire de connaître la carte analysée.
Le procédé peut comprendre une étape de communication des défauts ou du résultat de l’étape d’analyse par le deuxième modèle. Cette communication peut consister en, ou comprendre, un listing des défauts avec leur position sur un tableau, si par exemple des défauts sont détectés à l’étape d’analyse par le deuxième modèle.
Le procédé selon l’invention peut envoyer un message à un dispositif informatique, par exemple un message positif si aucun défaut n’est détecté ou un message négatif si au moins un défaut est détecté.
En cas d’identification d’un ou plusieurs défauts, le procédé peut comprendre une étape de recherche complémentaire ciblée.
L’étape d’analyse par le premier modèle peut comprendre : – une étape d’identification d’au moins un composant de ladite carte électronique, et – pour chaque composant identifié, une étape de fourniture de l’au moins une position dudit composant.
Ainsi, suivant le procédé selon l’invention, l’image d’ensemble est analysée par le premier modèle qui va détecter des composants « d’intérêts » sur ladite carte et pour chaque composant détecté, une position est fournie par ledit premier modèle. Ainsi, le procédé selon l’invention est capable de détecter différents composants sur une carte électronique. En outre, il est capable de sélectionner des composants d’intérêts parmi d’autres composants. De telles étapes favorisent l’autonomie dudit procédé, sa facilité de mise en œuvre et sa précision.
L’image d’ensemble peut être de préférence une image de ladite carte électronique en entier ou une image d’une partie de ladite carte électronique.
Ainsi, le procédé selon l’invention n’est pas limité à une image d’ensemble en particulier. Le procédé selon l’invention peut fonctionner avec des images d’ensemble de différentes tailles, et en outre, il peut travailler avec différentes formes de cartes électroniques. Le procédé est donc fonctionnel à partir d’une image d’une partie de carte électronique comprenant au moins un composant. Cette caractéristique améliore la facilité de mise en œuvre et l’adaptation dudit procédé à différentes tailles et formes de carte électronique.
L’image détaillée peut être une image de l’au moins un composant en entier ou une image d’une partie de l’au moins un composant.
Ainsi, le procédé selon l’invention n’est pas limité à une image détaillée en particulier. Le procédé selon l’invention peut s’adapter à différentes images, différentes tailles, et différentes formes de composants et de boîtiers intégrant de tels composants. Le procédé est donc fonctionnel à partir d’une image d’une partie de composant. Cette caractéristique améliore la facilité de mise en œuvre et l’adaptation dudit procédé à différentes tailles et formes de composant.
Dans une variante, le procédé selon l’invention peut vérifier plusieurs cartes électroniques simultanément.
La position d’au moins un composant peut comprendre la position d’un microcontrôleur et/ou la position d’un composant passif et/ou la position d’un processeur de signal numérique présent(s) sur ladite carte électronique.
Ainsi, le procédé est capable de détecter une pluralité de composants de différentes natures. Ceci améliore l’efficacité et l’autonomie dudit procédé.
L’étape d’analyse par le deuxième modèle peut être agencée pour détecter des défauts, par exemple parmi des ponts, des brasures sèches, des défauts de surface, des polluants sur l’au moins un composant de ladite carte électronique.
Ainsi, le procédé est capable de détecter une pluralité de défauts sur des composants de différentes natures ou de même nature. Ceci améliore l’efficacité et l’autonomie dudit procédé. Le procédé suivant l’invention peut aussi détecter plusieurs défauts sur un même composant.
f- l’emploi d’un filtre de sortie LCL associé à une commande non-linéaire avancée mais compliquée à concevoir.
La solution proposée dans l’invention consiste à augmenter suffisamment la fréquence de commutation de l'onduleur, permettant ainsi l'utilisation d'un simple filtre de sortie du premier ordre (avec des contraintes minimales), et par conséquent à simplifier la méthode de contrôle du courant de l'onduleur. En effet, une augmentation suffisante de la fréquence de commutation de l'onduleur limite les contraintes imposées au filtre de sortie, et une simple inductance devient ainsi capable d'empêcher la propagation des composantes de la fréquence de commutation de l'onduleur vers le côté réseau, sans affecter la dynamique globale du système.
Pour atteindre cet objectif, des onduleurs à base de composants d’électronique de puissance à commutations rapides (en anglais « High Switching Frequency »), par exemple les SiC en carbure de silicium et les GaN en nitrure de gallium (transistors), sont proposés dans la présente invention.
Profitant d’une fréquence de commutation très élevée, une inductance à valeur très réduite (quelques centaines de micro-Henry, par exemple 200 micro-henry), peut être utilisée pour bloquer les composantes harmoniques dues à la commutation de l’onduleur sans dégrader la dynamique du dispositif.
Le filtre de sortie utilisé dans la présente invention est un filtre de premier ordre de type inductance L, évitant la résonance entre un filtre LCL et le réseau des dispositifs de l’état de l’art, et au moins 10 fois inférieure, et avantageusement au moins 20 fois inférieure à l’inductance d’un filtre de premier ordre connecté en sortie à un onduleur à composants d’électronique de puissance en silicium des dispositifs de l’état de l’art.
Ainsi, afin d’y parvenir, tout en proposant la structure la plus fiable, efficace économique et facile à mettre en œuvre, l’invention propose, selon un premier aspect, un dispositif de compensation de courant du type filtre actif parallèle, apte à être connecté :
à son entrée, en aval d’au moins un élément de stockage d’énergie capacitif, et en parallèle, à sa sortie, en amont à un point de raccordement entre d’une part un réseau électrique donné, et d’autre part des charges électriques non linéaires et linéaires.
Le dispositif de compensation de courant du type filtre actif parallèle est caractérisé en ce qu’il présente :
une unité de conversion de puissance, comportant au moins un onduleur de puissance à structure tension à commutation rapide à composants en carbure de silicium (SiC) ou en nitrure de gallium (GaN) (appelé par la suite Ond-Cr), l’unité de conversion générant un courant alternatif, avec une bande de fréquence allant de 50 à 2500Hz, couvrant toute la bande de fréquences d’un courant perturbateur non actif qui présente : tout ou une partie des harmoniques, et à la fréquence fondamentale tout ou une partie de la puissance réactive et/ou du déséquilibre de courant ; une unité de filtrage de sortie, comportant un filtre de sortie pour chacune des phases et un neutre, et connecté : d’une part en aval de l’onduleur, et d’autre part en parallèle au point de raccordement entre le réseau électrique donné et les charges électriques non linéaires et linéaires, le filtre de sortie étant dimensionné pour bloquer les composantes harmoniques dues à la commutation de l’onduleur ;
le filtre de sortie est un filtre de premier ordre de type inductance L, évitant la résonance entre un filtre LCL et le réseau électrique donné, d’une inductance inférieure à 1000μH ;
une unité de contrôle-commande comprenant une unité de calcul de courants de référence, les courants de référence comprenant :
au moins un courant perturbateur non actif destiné à être injecté au point de raccordement en opposition de phase, du côté réseau électrique donné, les perturbations du signal générées par les charges non linéaires et linéaires,
au moins un courant actif de recharge de l’élément de stockage d’énergie capacitif ;
l’unité de contrôle-commande comprenant également un dispositif de pilotage de commutation qui commande la commutation de l’onduleur et qui assure en boucle fermée le contrôle de toute la bande de fréquence de 50 à 2500 Hz pour l’injection par l’onduleur, du courant perturbateur non actif et du courant actif, en fonction de l’identification des courants de référence par l’unité de calcul,
la commande de commutation de l’onduleur étant réalisée de manière à laisser passer à travers l’unité de filtrage de sortie au point de raccordement une partie ou la totalité des courants perturbateurs non actifs injectés en opposition de phase comprenant des courants harmoniques, ainsi que des courants réactifs et déséquilibrés à la fréquence fondamentale, dans les charges électriques non linéaires et linéaires,
Le terme « acide bêta-hydroxylé » est compris comme signifiant, selon la présente invention, un acide carboxylique ayant un groupe fonctionnel hydroxyle et un groupe fonctionnel carboxylique séparés par deux atomes de carbone. Un acide bêta-hydroxylé peut être présent dans la composition cosmétique stable au sel sous la forme de l’acide libre et/ou sous la forme d’un de ses sels associés (sels avec une base organique ou un métal alcalin, en particulier), notamment selon le pH final imposé à la composition cosmétique stable au sel.
Les acides bêta-hydroxylés convenables incluent acide salicylique et des dérivés de ceux-ci (notamment acide 5-n-octanoylsalicylique, salicylate, salicylate de sodium et extrait de saule), acide capryloyl salicylique, acide bêta-hydroxybutanoïque, acide propionique, acide bêta-hydroxy bêta-méthylbutyrique, acide carnitine tropique et acide tréthocanique, et leurs combinaisons.
Et dans certains modes de réalisation particuliers, l’acide bêta-hydroxylé dans la composition cosmétique stable au sel peut inclure au moins l’un de l’acide salicylique et des dérivés de ceux-ci (y compris acide 5-n-octanoylsalicylique, salicylate, salicylate de sodium et extrait de saule), acide capryloyl salicylique, acide bêta-hydroxybutanoïque, acide propionique, acide bêta-hydroxy bêta-méthylbutyrique, acide carnitine tropique et acide tréthocanique.
La composition cosmétique stable au sel peut inclure une concentration d’acide bêta-hydroxylé dans une plage allant d’environ 0,1 % jusqu’à et ne dépassant pas environ 2 % d’acide bêta-hydroxylé, en poids, sur la base du poids total de la composition cosmétique stable au sel. Dans certains modes de réalisation, la composition cosmétique stable au sel peut inclure jusqu’à et pas plus d’environ 2 %, ou environ 1,9 % d’acide bêta-hydroxylé. Dans certains modes de réalisation, la composition cosmétique stable au sel peut inclure jusqu’à et pas plus d’environ 1 % d’acide bêta-hydroxylé. Selon certains modes de réalisation, la quantité d’acide bêta-hydroxylé, si elle est présente, n’est pas supérieure à environ 0,40 % à environ 0,50 %. Dans certains modes de réalisation, la composition cosmétique stable au sel peut inclure d’environ 0,1 % à environ 1 % d’acide bêta-hydroxylé, ou d’environ 0,2 % à environ 2,0 %, ou d’environ 0,1 % à environ 1,5 %, ou d’environ 0,2 % à environ 1,5 %, ou d’environ 0,3 % à environ 1,0 %, ou d’environ 0,35 % à environ 0,75 %, ou d’environ 0,4 % à environ 0,5 %, ou est d’environ 0,45 %, ou toute combinaison, sous-combinaison, plage ou sous-plage convenable de celles-ci en poids, sur la base du poids de la composition cosmétique stable au sel. Une personne ayant une compétence ordinaire dans l’art, cependant, appréciera que d’autres plages entrent dans la portée de l’invention.
Ainsi, le au moins un acide bêta-hydroxylé, lorsqu’il est présent, peut être présent dans la composition cosmétique stable au sel à raison d’environ 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,6, 0,7, 0,8, 0,9, 1,0, 1,2, 1,3, 1,4, 1,5, 1,6, 1,7, 1,8, 1,9, jusqu’à environ 2,0 % en poids, incluant les incréments et toutes les plages et sous-plages compris et intermédiaires.
Acide gallique Selon certains modes de réalisation, la composition cosmétique stable au sel peut inclure l’acide gallique.
L’acide gallique (également connu sous le nom d’acide 3,4,5-trihydroxybenzoïque) est un acide trihydroxybenzoïque, un type d’acide phénolique, présent dans les noix de galle, le sumac, l’hamamélis, les feuilles de thé, l’écorce de chêne et d’autres plantes. La formule chimique de l’acide gallique est C 6 H 2 (OH) 3 COOH. On le trouve à la fois libre et en tant que partie des tannins hydrolysables.
Selon certains modes de réalisation, l’acide gallique peut être présent dans la composition cosmétique stable au sel dans une plage d’environ 1 % à environ 10 %, ou d’environ 2 % à environ 9 %, ou d’environ 3 % à environ 7 %, ou d’environ 4 % à environ 6 %, ou d’environ 4 % à environ 5 %, ou est d’environ 5 %, ou toute combinaison, sous-combinaison, plage ou sous-plage convenable de celles-ci en poids, sur la base du poids de la composition. Selon certains modes de réalisation, la quantité d’acide gallique présente est d’au moins environ 5 % à environ 10 %.
Ainsi, l’acide gallique, lorsqu’il est présent, peut être présent, en poids, sur la base du poids total de la composition cosmétique stable au sel, d’environ 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, à environ 10 pour cent en poids, y compris les incréments et les plages compris et intermédiaires.
Acide férulique Selon certains modes de réalisation, la composition cosmétique stable au sel peut inclure l’acide férulique.
L’acide férulique, qui est un acide hydroxycinnamique que l’on trouve largement dans le fenouil géant, les graines de café, la pomme, l’artichaut, la cacahuète et les oranges, ainsi que dans les graines et les parois cellulaires des plantes commelinidées (comme le riz, le blé, l’avoine et l’ananas). Comme de nombreux phénols naturels, c’est un antioxydant puissant qui est très réactif vis-à-vis des radicaux libres et réduit le stress oxydatif.