INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Au moins une portion de la deuxième carte 105, interposée entre les extrémités 200 et 205, est par exemple accueillie dans un trou traversant la première carte 100 selon la direction Y.
En variante, comme représenté sur la , la sixième extrémité 205 comporte une ou plusieurs projections 210 accueillies chacune dans un trou correspondant.
Ainsi, une fixation du type « tenon et mortaise » est obtenue entre la première carte de circuit imprimé 100 et la deuxième carte de circuit imprimé 105.
On peut alors directement associer la valeur de courant lue à la tension Vread1 à un état de programmation correspondant au niveau de courant de programmation le plus faible.
Dans d’autres cas (points P’10 sur la ) où le niveau de courant lu consécutivement à l’application de la première tension vread1 de lecture, correspond à celui d’un courant de fuite IoffOTS on peut poursuivre la lecture.
Ainsi, lorsqu’on suit une séquence croissante de tension de lecture, avec Vread1 < Vread2 < Vread3, dès lors que le courant lu est supérieur au seuil donné de courant, on peut arrêter la lecture, ce qui permet également de réaliser un gain de temps de traitement et par la même occasion de limiter la consommation.
Une telle manière de réaliser l’opération de lecture peut permettre de se passer d’une portion spécifique de circuit destinée à réaliser une somme de courant et/ou d’éviter de devoir nécessairement réaliser une conversion analogique numérique de la somme de courants.
En variante, des exemples de séquence d’application de tensions de lecture croissantes ou décroissantes, on peut envisager une séquence de type dichotomique, en particulier lorsque l’on effectue une application séquentielle d’un nombre important de tensions de lecture distinctes.
Une détermination du courant de lecture traversant la cellule consécutivement à l’application d’une tension de lecture Vread et une détection binaire permettant de réaliser une distinction entre un niveau de courant Ilimit correspondant au courant lorsque le sélecteur et l’élément de mémorisation sont passants et un niveau de courant correspondant au courant de fuite de fuite IoffOTS lorsque le sélecteur est bloqué peut être réalisée par exemple à l’aide d’un circuit de lecture tel qu’illustré sur la .
Le circuit de lecture s’applique ici à une cellule multi-niveaux de type 1S-1R en particulier avec un élément 310 de mémorisation résistif ayant une structure de type OxRAM en série avec un sélecteur 330 de type OTS.
Le courant de lecture noté Iox est comparé à un seuil sous forme d’un courant de référence Iref produit par un générateur 96, avec Iref par exemple de l’ordre de 1 nA. En fonction de la valeur du courant Iox traversant la cellule 30, varie un potentiel Vcomp d’un nœud 97 couplé à une entrée d’un inverseur 95. Le nœud 97 est agencé entre un premier étage 91 à transistors et un deuxième étage 92 à transistors. Le premier étage 91 reçoit le courant Iox et est formé de transistors M1, M2 réalisant un miroir de courant, tandis que le deuxième étage 92 à transistors M3, M4 est également monté en miroir de courant et est relié au générateur 96. On compare l’image du courant Iox entrant dans le premier étage avec celui de référence Iref de référence. La sortie de l’inverseur 95 produit un signal V OUT binaire dont l’état diffère suivant que le courant de lecture Iox est à un niveau correspondant à Ilimit, ou que Iox est à un niveau correspondant à IoffOTS.
Pour appliquer des tensions de lectures différentes, on module la tension de lecture en faisant varier un potentiel appliqué sur un élément conducteur couplé apte à être couplé à une première extrémité 30A de la cellule 30.
A titre d’exemple, on peut avoir un courant Iox traversant la cellule de l’ordre de 10 µA lorsque le sélecteur est passant (ON) et de l’ordre de 100 nA lorsque le sélecteur est à l’état bloqué (OFF). Une tension Vdiode du transistor M 1 est susceptible de varier de l’ordre de 200 mV entre de tels niveaux de courant. On tient compte de préférence de cette tension Vdiode pour prévoir l’écart de tension entre deux tensions de lecture successives Vread1 et Vread2 de niveaux distincts, en prévoyant de préférence > 200 mV.
Une variante de circuit de lecture illustrée sur la prévoit d’introduire en outre un étage 101 formant une boucle de régulation de tension en sortie de la cellule 30, entre cette dernière et le premier étage à transistors M1, M2. La boucle de régulation est ici formée au moyen d’un amplificateur 102 dont l’entrée non-inverseuse reçoit la tension de lecture Vread susceptible d’être modulée et dont l’entrée inverseuse est couplée à un élément conducteur, typiquement une ligne de bit BL reliée à une deuxième extrémité 30B de la cellule 30 et recevant le courant Iox. La sortie de l’amplificateur 102 est couplée à la grille d’un transistor M10, ici de type PMOS. Le transistor M10 est ici monté en drain commun et n’influe pas sur le gain de l’étage d’amplification. Le potentiel de drain du transistor M10 est modulé sans modifier la valeur du courant dans la branche.
Un tel agencement facilite l’application de tensions de lectures distinctes, la tension de lecture étant cette fois appliquée sur une deuxième extrémité 30B de la cellule 30 opposée à la première 30A sur laquelle elle est appliquée dans l’exemple de réalisation précédent. La première extrémité 30A est cette fois mise à un potentiel V TOP fixe.
Une autre variante de circuit de lecture, illustrée sur la figure 11, reprend l’étage 101 de régulation de tension de l’exemple de réalisation précédemment décrit. Le courant Iox traversant la cellule 30 est ici intégré en chargeant une capacité Cread de lecture, elle-même couplée à un comparateur 120 de tension produisant un signal Vout de sortie binaire. Une tension Vcapa aux bornes de la capacité Cread est l’image du courant traversant la cellule Iox avec, en particulier, Vcapa = (1/Cread)* . Cette tension Vcapa, ici injectée en entrée non-inverseuse du comparateur 120 est comparée à un seuil Vref afin de distinguer un cas dans lequel le courant Iox est à un niveau correspondant à un courant Ilimit lorsque le sélecteur 330 est passant et un cas dans lequel le courant Iox est à un niveau correspondant à un courant IoffOTS lorsque le sélecteur 330 est bloqué.
Du fait de l’étage de régulation 101, pendant une sous étape de lecture de courant à une tension Vread, l’élément conducteur BL relié à la cellule 30 est maintenu à un potentiel de l’ordre de la tension de lecture Vread malgré la variation de tension Vcapa aux bornes de la capacité Cread de lecture. Là encore, un tel agencement facilite la mise en œuvre de l’application d’une séquence de tensions de lectures Vread1, Vread2, Vread3, à des niveaux différents l’une de l’autre lors de sous-étapes successives d’une opération de lecture. Un transistor Maz de remise à zéro dont la grille est commandée par un signal de remise à zéro Raz permet de décharger la capacité Cread entre deux sous-étapes de lecture de courant à des niveaux de tension de lectures distincts.
Selon une autre variante illustrée sur la , le résultat d’une lecture d’un courant circulant dans la cellule consécutive à l’application d’une tension Vread=Vread1 ou Vread2 ou Vread3 est toujours produit en sortie d’un comparateur 120 produisant le signal de sortie Vout binaire. Pour effectuer la comparaison par rapport au seuil de tension Vref, on utilise cette fois une tension Vreg en sortie de l’amplificateur 102 de l’étage 101 de régulation.
Il y a typiquement un écart d’au moins deux décades entre un courant à l’état passant du sélecteur 330 et un courant à l’état bloqué du sélecteur 330. Du fait de cet écart, une sortie Vreg de l’amplificateur 102 de l’étage 101 de régulation donne une image du courant I OX traversant la cellule donc de l’état passant ou bloqué du sélecteur. En effet, lorsque I OX est à un niveau « faible » correspondant à un état bloqué du sélecteur 330, la sortie V REG est à un niveau élevé de sorte que la sortie Vout du comparateur 120 est à un niveau correspondant par exemple à un ‘0’ logique. Lorsque le courant I OX est à un niveau « élevé », V REG sera relativement faible permettant à la sortie Vout du comparateur 120 de basculer à un niveau logique opposé et correspondant par exemple à un ‘1’ logique.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la au moins une donnée de fonctionnement de l’objet communicant est un paramètre de fonctionnement courant relevé par l’objet communicant ou un élément d’un historique des communications effectuées par l’objet communicant.
Selon un autre mode de réalisation particulier, les données de contexte d’utilisation représentatives d’un environnement dans lequel se trouve l’objet communicant sont contenues dans un message reçu par l’objet communicant en provenance du dispositif de communication ou d’un dispositif d’émission de message situé dans ledit environnement.
De telles données de contexte d’utilisation constituent des données pertinentes complémentaires qui peuvent avantageusement être utilisées dans l’étape de comparaison précitée, en sus des données de contexte d’utilisation obtenues dans le mode de réalisation précédent. Il peut s’agir par exemple du nom du fournisseur du bien ou du service faisant l’objet de la transaction, du type de bien ou de service, d’un lieu où se trouve le bien ou le service.
Selon un autre mode de réalisation particulier, les données de contexte d’utilisation représentatives d’un environnement dans lequel se trouve l’objet communicant contiennent une donnée issue d’au moins un capteur appartenant à l’objet communicant.
Les différents modes ou caractéristiques de réalisation précités peuvent être ajoutés indépendamment ou en combinaison les uns avec les autres, au procédé de contrôle d’une transaction sans contact défini ci-dessus.
L'invention concerne également un objet communicant ayant des capacités de contrôle d’une transaction sans contact avec un dispositif de communication, l’objet communicant comprenant un processeur qui est configuré pour recevoir en provenance du dispositif de communication une requête contenant des données relatives à la transaction.
Un tel objet communicant est remarquable en ce que le processeur de l’objet communicant exécute de manière autonome ce qui suit :
L'invention concerne également un système de contrôle d’une transaction sans contact.
Un tel système est remarquable en ce qu’il comprend :
- un objet communicant mettant en œuvre le procédé de contrôle de transaction sans contact précité,
- un dispositif de communication sans contact qui est configuré pour envoyer à l’objet communicant une requête contenant des données relatives à la transaction.
L'invention concerne encore un programme d'ordinateur comportant des instructions pour la mise en œuvre du procédé de contrôle d’une transaction sans contact selon l'invention, selon l’un quelconque des modes particuliers de réalisation décrits précédemment, lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.
De telles instructions peuvent être stockées durablement dans un support mémoire non transitoire de l’objet communicant mettant en œuvre le procédé de contrôle d’une transaction sans contact selon l’invention.
On tire sur le restant de la chaine vers le bas au fur et à mesure de son démontage. Prévoir une corde fixée à une extrémité de la chaine pour la retenir en chute libre via son appui sur la roue motrice.
Enlèvement de la partie process « roue libre » du MEG :
déblocage de la matrice supérieure de fixation de la roue libre
enlèvement des liaisons de fixation des matrices supérieure et inférieure de la roue libre et des bloqueurs de l'axe de la roue libre
enlèvement de la matrice mobile supérieure de fixation de la roue libre
enlèvement du process en partie basse de la MEG
Enlèvement de la partie process « roue motrice et convertisseur énergie mécanique/électrique du MEG :
PHASE 1 : Enlèvement des matrices supérieures bloquant les roulements à billes des axes de rotation
PHASE 2 : Matrices supérieures enlevées
La couche 111 a une épaisseur moyenne comprise, par exemple, entre 1 μm et 1 mm, de préférence comprise entre 12 μm et 15 μm.
L'étape de dépôt illustrée en est suivie par une étape, non représentée, de formation d'ouvertures dans la couche 111, par exposition puis développement de la résine photosensible de la couche 111, de façon à former le filtre angulaire.
La structure illustrée en correspond ainsi à un empilement intermédiaire dans la fabrication d'un filtre angulaire. Toutefois, les inventeurs ont constaté, à l'œil nu et par des techniques de microscopie, que la face supérieure de la couche 111 n'est pas parfaitement plane et que son épaisseur n'est pas homogène. Ce phénomène vient du fait que la face supérieure de la couche 101 comprend des déformations à l'aplomb des lentilles 105'. La résine de la couche 111 étant déposée sous forme liquide ou visqueuse, ces déformations conduisent à une non homogénéité de l'épaisseur de la couche 111. La non homogénéité de l'épaisseur de la couche 111 engendre des problèmes optiques pouvant conduire à des différences de filtrage en vis-à-vis des lentilles 105 et en vis-à-vis des lentilles 105' et à une dégradation de l'image obtenue lorsque le filtre angulaire est couplé avec des photodétecteurs.
Selon un aspect d'un mode de mise en oeuvre, on prévoit, pour pallier ces inconvénients, de former la couche de résine opaque et le réseau de microlentilles séparément sur respectivement deux supports distincts, avant de les assembler.
Les figures 4 à 7 illustrent, de façon schématique et partielle, des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un filtre angulaire selon un mode de mise en oeuvre.
La illustre une structure de départ identique ou similaire à la structure de départ illustrée en .
La illustre une étape identique ou similaire à l'étape décrite en relation avec la , de report, sur un support 109 et au moyen d'une couche adhésive 110, de la structure illustrée en .
Ainsi, dans cet exemple, la structure illustrée en comprend un empilement comportant un réseau 103 de microlentilles 105, 105' porté par un substrat 101 et recouvert par une couche de protection 107. Cet ensemble est porté, pleine plaque, par le support 109 et séparé et assemblé au support 109 par une couche adhésive 110.
La structure de la correspond à une première structure comprenant un réseau de microlentilles.
La illustre une étape de formation d'une deuxième structure comprenant une couche 211 de résine opaque aux longueurs d'onde d'utilisation du filtre angulaire, par exemple du visible et de l'infrarouge. La couche 211 est par exemple une couche de résine noire. La couche 211 est par exemple de même nature que la couche de résine opaque 111 décrite ci-dessus en relation avec la .
Dans cet exemple, la couche noire 211 est déposée sur un substrat 213.
La couche 211 est par exemple déposée par centrifugation à la tournette, par enduction ou par impression sur toute la sur face supérieure du substrat 213.
Le support 213 a, de préférence, une face supérieure sensiblement plane. La résine de la couche 211 étant déposée sous forme liquide ou visqueuse, il en résulte que la couche 211 présente une épaisseur homogène comprise, par exemple, entre 1 μm et 1 mm, de préférence comprise entre 12 μm et 15 μm.
Le substrat 213 est, par exemple, en un matériau transparent qui n’absorbe pas au moins les longueurs d’ondes d'utilisation et de fabrication du filtre angulaire, ici dans le domaine du visible, de l’infrarouge et des ultraviolets. Le substrat 213 est, par exemple, en un polymère. Ce polymère peut notamment être un PET, un PMMA, un COP, un PI ou un PC. Le substrat 213 est, par exemple, un OCA, notamment un LOCA. L’épaisseur du substrat 213 est, par exemple, inférieure à 20 µm, par exemple de l'ordre de 5 µm.
Dans l'exemple illustré en , le substrat 213 est porté, pleine plaque, par un support 215, le substrat 213 et le support 215 étant, de préférence, assemblés par une couche adhésive 217 ayant une face de forte adhésion et une face de faible adhésion. A titre d'exemple, la face supérieure de la couche 217, par exemple la face de faible adhésion, est en contact avec la face inférieure du substrat 213 et la face inférieure de la couche 217, par exemple la face de forte adhésion, est en contact avec la face supérieure du support 215. Le support 215 permet, par exemple, de rigidifier la structure et de garantir la planéité du substrat 213 lors du dépôt de la couche de résine 211. Dans cet exemple, le support 215, la couche adhésive 217 et le substrat 213 sont sensiblement plans. Pour certaines techniques d'impression de la couche 211 à la surface du substrat 213, le support 215 est optionnel.
Le support 215 et la couche 217 sont par exemple similaires respectivement au support 109 et à la couche 110 de la structure de la . Le support 215 et la couche 217 peuvent ne pas être transparents aux longueurs d'ondes d'utilisation et de fabrication du filtre angulaire.
Chaque masse de métal est, notamment, fixée directement à la deuxième plage de connexion 225 et à la première plage de connexion 165 de manière à solidariser la deuxième plage de connexion 225 et la première plage de connexion 165.
En outre, chaque masse de métal est solidaire des éléments de renfort 195 des plages 165, 225 auxquelles la masse est fixée, notamment de la collerette, dépassant de chaque plage 165, 225, de chaque élément de renfort 195.
Deux des deuxièmes plages de connexion 225 sont, par exemple, chacune reliée à une extrémité du circuit électrique que l’élément mobile 125 est prévu pour fermer. Ces deux deuxièmes plages 225 sont connectées chacune à un port du contrôleur 80 par une première plage de connexion 165 correspondante.
Une troisième deuxième plage 225 est électriquement connectée, par la ou les couches conductrices de la deuxième carte 105, au quatrième contact électrique 230, de manière à relier le quatrième contact électrique 230 au contrôleur 80 et/ou au module de communication 85 via une plage 165 correspondante. Ainsi, l’organe de stockage 95 alimente électriquement les différents éléments du module auxiliaire 57, notamment le contrôleur 80 et le module de communication 85, via le contact 230 et la deuxième plage 225 correspondante.
Le quatrième contact 230 est électriquement connecté, notamment en appui, contre le premier contact électrique de l’organe de stockage 95.
Le quatrième contact 230 est porté, par exemple, par la face 215.
Le quatrième contact 230 est, par exemple, formé par un ou plusieurs éléments métalliques flexibles conçus pour se déformer lorsque l’organe de stockage 95 est en appui contre le quatrième contact 230.
Le quatrième contact 230 est, notamment, configuré pour exercer sur l’organe de stockage 95 une force tendant à déplacer l’organe de stockage 95 dans le plan formé par les directions X et Z, par exemple selon la direction X.
Le dispositif de surveillance 20 est distant du dispositif de commutation 15. En particulier, le dispositif de surveillance 20 n’est pas en contact avec le dispositif de commutation15. De plus, le dispositif de surveillance 20 comporte, par exemple, un boîtier distinct et distant du premier boîtier 60.
Une distance entre les dispositifs 15 et 20 est, par exemple, inférieure ou égale à 100 mètres.
Le dispositif de surveillance 20 est configuré pour recevoir les messages émis par chaque module auxiliaire 57 et pour indiquer chaque état du ou des dispositif(s) de commutation 15 à un opérateur.
Le dispositif de surveillance 20 comporte, par exemple, un récepteur radiofréquence 235, une interface homme-machine 240 et un écran d’affichage 245.
Le récepteur 235 est configuré pour recevoir chaque message généré par le ou les module(s) de communication 85 du ou des module(s) auxiliaire(s) 57.
L’interface homme-machine 240 est propre à permettre à l’opérateur d’échanger des informations avec le dispositif de surveillance 20, par exemple pour commander l’affichage, par l’écran 245, de l’état d’un dispositif de commutation 15 spécifique parmi l’ensemble des dispositifs de commutation 15.
Grâce à l’utilisation d’une liaison de données radiofréquence, il n’est plus nécessaire de prévoir des passages dédiés pour les conducteurs électriques reliant le module auxiliaire au dispositif de surveillance, et le risque de perte de communication entre le module auxiliaire et le dispositif de surveillance est réduit puisqu’il n’est alors plus sensible à l’endommagement d’un conducteur électrique. Le module auxiliaire est donc à la fois plus facile à intégrer et plus sécurisé.
L’utilisation de deux cartes de circuit imprimé 100 et 105 dont l’une s’étend selon une direction perpendiculaire à l’autre carte, permet à cette carte 105 d’interagir de manière simple avec l’organe mobile 125 pour permettre l’indication, par celui-ci, de l’état du dispositif de commutation 15, tout en permettant à l’autre carte 100 d’être positionnée plus aisément dans le module auxiliaire 57. Ainsi, les différents éléments portés par les cartes 100 et 105 (contrôleur 80, module de communication 85, contacts 170 et 230 éventuels) peuvent être répartis sur ces deux cartes 100 et 105 de manière à pouvoir choisir ou adapter les dimensions respectives de ces cartes 100 et 105 pour en faciliter l’intégration dans le deuxième boîtier 75.
Les inventeurs ont toutefois mis en évidence que lors de roulages sur des sols très particuliers constitués par exemple de cailloux, de tels pneumatiques pouvaient voir leur performance d’endurance diminuée lors de conditions de roulage extrêmes par exemple, soit en termes de vitesse soit en termes de charge.
Les inventeurs se sont ainsi donnés pour mission de fournir des pneumatiques pour véhicules "Poids-Lourds", par exemple de type « approche chantier », dont les performances d’endurance sont améliorées notamment lors de roulages sur des sols très caillouteux quelles que soient les conditions de roulage, notamment en termes de vitesse et/ou en termes de charge portée.
Ce but est atteint selon l’invention par un pneumatique pour véhicule de type poids-lourd, à armature de carcasse radiale, comprenant une armature de sommet comprenant deux couches de sommet de travail d'éléments de renforcement croisés d'une couche à l'autre en faisant avec la direction circonférentielle des angles compris entre 10° et 45°, lesdits angles étant orientés de part et d’autre de la direction circonférentielle et au moins une couche d’éléments de renforcement circonférentiels, ladite armature de sommet étant coiffée radialement d’une bande de roulement, ladite bande de roulement étant réunie à deux bourrelets par l’intermédiaire de deux flancs, les éléments de renforcement de ladite au moins une couche d’éléments de renforcement circonférentiels étant des câbles à couches de construction [1+N] comportant une première couche constituée d’une fibre textile de diamètre d 1 , entourée d'une deuxième couche à N fils métalliques de diamètre d 2 enroulés ensemble en hélice selon un pas p 2 (exprimé en mm) avec N allant de 5 à 12 et les éléments de renforcement de ladite au moins une couche d’éléments de renforcement circonférentiels présentant les caractéristiques suivantes : - d 1 > 1.1 d 2, - 4 2 < 15 .
Les angles des éléments de renforcement de l’armature sommet, exprimés en degré, sont mesurés sur une coupe du pneumatique. Les mesures d’angles sont, selon l’invention, réalisées au niveau du plan médian circonférentiel.
Le diamètre de la fibre textile et des fils métalliques des éléments de renforcement de ladite au moins une couche d’éléments de renforcement circonférentiels sont mesurés sur câble extrait du pneumatique.
Les éléments de renforcement de ladite au moins une couche d’éléments de renforcement circonférentiels du fait de leur construction spécifique présentent une haute élasticité.
Les résultats obtenus avec des pneumatiques conformes à l’invention ont effectivement mis en évidence que les performances en termes d’endurance peuvent être améliorées notamment lors de roulage sur des sol caillouteux dans des conditions particulièrement sévères en termes de charge et/ou de vitesse.