Procédé de réalisation de diodes électroluminescentes (100), comportant au moins : - réalisation d’au moins une portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon un premier type de conductivité ; - réalisation, sur la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité et à travers au moins un masque (110) comprenant au moins une ouverture (112) disposée en regard d’au moins une première région (114) de la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité, d’au moins une première portion émissive (108) de semi-conducteur inorganique ; - déplacement du masque (110) tel que l’ouverture (112) soit disposée en regard d’au moins une deuxième région (122), distincte de la première région (114), de la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité ; - réalisation, sur la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité et à travers le masque (110), d’au moins une deuxième portion émissive (116) de semi-conducteur inorganique ; - réalisation, au moins sur les première et deuxième portions émissives (108, 116), d’au moins une portion (128) de semi-conducteur inorganique dopé selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; dans lequel les compositions chimiques des première et deuxième portions émissives (108, 116) sont différentes l’une de l’autre et telles que leurs énergies de bande interdite soient inférieures ou égales à celles des portions (106, 128) de semi-conducteur inorganique dopé. Procédé selon la revendication 1, dans lequel des premiers ions de terre rare sont incorporés dans le semi-conducteur inorganique de la première portion émissive (108) et/ou dans lequel des deuxièmes ions de terre rare sont incorporés dans le semi-conducteur inorganique de la deuxième portion émissive (116). Procédé selon la revendication 2, dans lequel les premiers ions de terre rare sont incorporés dans le semi-conducteur inorganique de la première portion émissive (108) et les deuxièmes ions de terre rare, de nature différente des premiers ions de terre rare, sont incorporés dans le semi-conducteur inorganique de la deuxième portion émissive (116). Procédé selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre, après la réalisation de la deuxième portion émissive (116) et avant la réalisation de la portion (128) de semi-conducteur inorganique dopé selon le deuxième type de conductivité : - un déplacement du masque (110) tel que l’ouverture (112) soit disposée en regard d’au moins une troisième région, distincte des première et deuxième régions (114, 122), de la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité, puis - une réalisation, sur la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité et à travers le masque (110), d’au moins une troisième portion émissive (124) de semi-conducteur inorganique dont la composition chimique soit différente de celles des première et deuxième portions émissives (108, 116) et telle que son énergie de bande interdite soit inférieure ou égale à celles des portions (106, 128) de semi-conducteur inorganique dopé. Procédé selon la revendication 4, dans lequel les compositions chimiques des première, deuxième et troisième portions émissives (108, 116, 124) sont choisies telles que les première, deuxième et troisième portions émissives soient chacune aptes à émettre des longueurs d’onde correspondant à l’une des couleurs rouge, vert et bleu. Procédé selon l’une des revendications 4 ou 5, comportant en outre, après la réalisation de la troisième portion émissive (124) et avant la réalisation de la portion (128) de semi-conducteur inorganique dopé selon le deuxième type de conductivité : - un déplacement du masque (110) tel que l’ouverture (112) soit disposée en regard d’au moins une quatrième région, distincte des première, deuxième et troisième régions (114, 122), de la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité, puis - une réalisation, sur la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité et à travers le masque (110), d’au moins une quatrième portion émissive (126) de semi-conducteur inorganique dont la composition chimique soit similaire à celle de l’une des première, deuxième et troisième portions émissives (108, 116, 124). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les portions (106, 128) de semi-conducteur inorganique dopé et les portions émissives (108, 116, 124, 126) comportent des composés chimiques comprenant des atomes d’azote ainsi que des atomes d’aluminium et/ou de gallium et/ou d’indium. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre, avant la réalisation de la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité, une réalisation d’au moins une portion (104), dite de base, de semi-conducteur, avantageusement de GaN, dopé selon le premier type de conductivité sur un substrat, la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité étant réalisée ensuite sur la portion de base (104). Procédé selon la revendication 8, dans lequel la portion de base (104) comporte du GaN. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les portions (106, 128) de semi-conducteur inorganiques et les portions émissives (108, 116, 124, 126) sont réalisées sous la forme de nanofils ou de couches planaires. Procédé selon la revendication 10, comportant en outre, lorsque les portions (106, 128) de semi-conducteur inorganiques et les portions émissives (108, 116, 124, 126) sont réalisées sous la forme de nanofils, une étape de dépôt d’un matériau isolant électrique entre les nanofils, mise en œuvre après la réalisation de la portion (128) de semi-conducteur inorganique dopé selon le deuxième type de conductivité. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier type de conductivité correspond au type n et le deuxième type de conductivité correspond au type p. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - la portion (128) de semi-conducteur inorganique dopé selon le deuxième type de conductivité est dopée par des atomes de magnésium et/ou d’indium, et/ou - la portion (106) de semi-conducteur inorganique dopé selon le premier type de conductivité est dopée par des atomes de silicium et/ou de germanium. Procédé de réalisation d’un dispositif d’affichage (1000), comportant la mise en œuvre du procédé de réalisation de diodes électroluminescentes (100) selon l’une des revendications précédentes.