INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, l'élément adaptateur 200 comprend un axe de pivotement d'étrier 235, sur lequel l'étrier (non illustré) est monté de manière pivotante. De cette façon, l'essuie-glace fléchira pour se conformer à la courbure du pare-brise, assurant un essuyage efficace par la raclette en caoutchouc.
L'élément adaptateur 200 est fixé en place dans la monture centrale 105 par un certain nombre de structures différentes. L'élément adaptateur 200 est principalement retenu par les clips 240, qui s'étendent à partir de la surface intérieure de la monture centrale 105 et s'engagent sur les deux pattes 210 de l'élément adaptateur 200 de manière à le retenir dans la direction verticale V , c' est-à-dire à l' empêcher de tomber du fond de l'essuie-glace 100.
Cependant, les clips 240 ne sont pas nécessairement efficaces pour fixer l'élément adaptateur 200 dans les directions longitudinale ou transversale, notamment lorsque l'essuie-glace est soumis à de fortes charges transversales ou de torsion (notamment autour de l'axe longitudinal). De telles sollicitations peuvent notamment se produire lorsque le système d'essuie-glace est actionné alors que l'essuie-glace est recouvert de glace ou de neige, ou lorsque le véhicule est en contact avec les brosses d'un lave-auto automatique.
A cet effet, l'élément adaptateur 200 est en outre pourvu d'un moyen de rétention 245 en complément des crochets 210. Le moyen de rétention 245 est constitué de deux parties : une première partie formée dans l'élément adaptateur 200 et s'étendant à partir de l'âme centrale 205, et une seconde partie formée dans la monture centrale 105.
La première partie est, dans cette mode de réalisation, constituée par la languette 250, qui s'étend à partir de l’âme centrale 205 à une extrémité proximale de celle-ci (en notant que l'articulation 220 se trouve à l'extrémité distale opposée). Dans le mode de réalisation illustré, la languette 250 s'étend sensiblement perpendiculairement à partir de la bande centrale 205 ; cependant, il sera compris que dans d'autres modes de réalisation de l'invention, l'angle auquel la languette 250 s'étend peut être aigu ou oblique.
La deuxième partie du moyen de rétention est constituée par les épaulements 255a, 255b. Les épaulements 225a, 225b sont formés dans la surface inférieure du support central 105, et sont positionnés de telle sorte que lorsque l'élément adaptateur 200 est disposé dans le support central 105 comme illustré sur la , la languette 250 sera disposée entre eux.
De cette manière, le mouvement latéral de la languette 250, et par conséquent la déformation latérale ( c'est-à-dire dans la direction transversale T ) et en torsion (c' est-à-dire autour de l'axe longitudinal L ) de l'élément adaptateur 200, sont limités de manière fiable.
De cette façon, l'élément adaptateur est rendu plus résistant à des situations de charge particulièrement lourdes, telles que celles rencontrées lorsque l'essuie-glace 100 est recouvert de glace et/ou de neige, ou lorsque le véhicule se trouve dans une station de lavage automatique et est soumis à l'action de brosses et de rouleaux automatiques.
En particulier, le positionnement des épaulements 225a, 225b sur les côtés latéralement opposés de la languette 250 l'empêchera d’être tordu autour de l'axe longitudinal L , ce qui peut être l'essuie-glace 100 est ainsi rendu beaucoup moins susceptible de se casser ou de se désarticuler dans de telles conditions extrêmes.
La deuxième portion d’extrémité 26 présente un diamètre extérieur supérieur à celui de la première portion d’extrémité et forme un logement pour la bride bêta. La deuxième portion d’extrémité 26 forme une embase de connexion au conteneur.
La deuxième portion d’extrémité 26 de l’interface comporte une gorge axiale 34 pour loger la bride bêta 10. La deuxième portion d’extrémité 26 comporte également une face d’extrémité 32 perpendiculaire à l’axe longitudinal X1 de l’interface dans laquelle débouche la gorge axiale 34.
La deuxième portion d’extrémité 26 comporte également une gorge radiale 35 formée dans la paroi latérale radialement extérieure 36, délimitant la gorge axiale 34, et débouchant dans la gorge axiale 34. La paroi radialement extérieure 36 comporte des encoches 38 s’étendant axialement de la face d’extrémité 32 jusqu’à la gorge radiale 35 et réparties angulairement autour de l’axe X1. Il y a autant d’encoches 38 que la bride bêta 10 a d’oreilles. Les encoches 38 sont dimensionnées et disposées angulairement pour permettre le passage axial des oreilles de la bride bêta.
La deuxième portion d’extrémité comporte également une paroi radialement intérieure 39 bordant l’intérieur de la gorge axiale 34 et l’extérieur du passage 28.
La gorge radiale 35 comporte deux faces latérales annulaires 35.1, 35.2 perpendiculaires à l’axe X1 et un fond cylindrique 35.3 d’axe X1.
L’interface comporte également des taquets 40 configurés pour venir combler les encoches 38 et définir une surface latérale 35.1 continue de la gorge 35, comme cela est visible sur la . Les taquets sont fixés sur l’interface par exemple par des vis 42. Les taquets comportent un corps 40.1 configuré pour pénétrer dans une encoche 38 et un épaulement de fixation 40.2 entourant le corps 40.1. L’épaulement de fixation comporte des perçages 44, deux dans l’exemple représenté, s’alignant avec des perçages 46 réalisés dans la face d’extrémité 32, de part et d’autre de chaque encoche 38. Les vis 42 traversent les perçages 44 et sont vissés dans les perçages 46.
L’interface selon l’invention est adaptée pour coopérer avec des brides de conteneurs existants sans requérir de modifications de ceux-ci.
En variante, il peut être prévu des moyens entre les oreilles de la bride bêta et la gorge radiale 35 de l’interface pour réduire les frottements et faciliter leur rotation relative, moyens particulièrement intéressants dans une application à des conteneurs de grand diamètre en acier inoxydable.
Dans l’exemple représenté, le conteneur comporte de tels moyens désignés 48. Les moyens 48 comportent des galets 50 montés sur les oreilles de la bride bêta destinés à rouler sur les faces latérales 35.1, 35.2 dans la gorge radiale 35. Dans cet exemple, chaque galet 50 est logé dans une fenêtre 51 formée dans une oreille 14. Chaque galet 50 est monté sur un axe 52 s’étendant radialement dans une fenêtre. Dans l’exemple représenté, chaque oreille 14 comporte deux fenêtres munies chacune d’un galet 50. En variante un galet ou plus de deux galets par oreille sont envisageables. En outre plus d’un galet peut être disposé dans une oreille. De préférence toutes les oreilles comportent un ou plusieurs galets pour assurer un montage équilibré.
D’autres moyens que des galets peuvent être mis en œuvre, par exemple des roulements à billes ou à rouleaux ou des patins .
Alternativement les galets ou tout autre moyen sont présents dans la gorge radiale 35 de l’interface réduisant les frottements.
En alternative aux galets ou autres roulements ou en complément de ceux-ci, la gorge radiale et/ou les oreilles de la bride de conteneur comportent un traitement réduisant les frottements entre l’interface et la bride, par exemple il s’agit d’un revêtement en polytétrafluoroéthylène (PTFE) type Téflon® ou un revêtement céramique, un traitement carbone-diamant amorphe (CDA), ou un état de surface obtenu par polissage mécanique ou électrochimique, permettant de réduire les frottements entre l’interface et la bride.
La présence de ces galets à l’intérieur des oreilles de la bride bêta n’empêche pas la connexion directe de la bride sur une bride alpha classique.
Les deux faces latérales 35.1, 35.2 de la gorge radiale 35 forment alors des pistes de roulement pour les galets. Le comblement des encoches par les taquets assurent une surface continue et plane comme cela est visible sur la .
De manière très avantageuse, l’étanchéité entre la bride bêta 10 et l’interface I est assurée par le joint annulaire 20 porté par la bride bêta 10, dont la face d’extrémité 20.2 vient en appui contre le fond de la gorge axiale 34, et/ou son bord radialement intérieur 20.1 vient en appui contre la face extérieure de la paroi 39. L’étanchéité est ainsi réalisée très facilement et ne requiert pas la mise en œuvre de joint supplémentaire.
Sur la , on peut voir un autre exemple d’interface montée sur la bride de conteneur ; un jeu existe entre le fond de la gorge axiale 34 et la face 20.2 du joint de la bride bêta et un jeu existe entre la face extérieure de la paroi 39 et la face 20.1 du joint de la bride bêta. Un joint 53 est prévu au fond de la gorge 34 et un joint 55 est prévu dans la paroi 39. Les joints 53, 55 peuvent être des joints toriques ou des joints rectangulaires. Les joints 53, 55 viennent en contact avec les faces 20.2 et 20.1 du joint annulaire 20. Cet exemple présente l’avantage de réduire les frottements puisque les surfaces en contact sont réduites. Selon une variante, la face 20.2 du joint est en contact avec le fond de la gorge et un joint 55 est prévu dans la paroi 39. Inversement la face 20.1 du joint 20 est en contact avec la face de la paroi 39 et un joint 53 est prévu dans la gorge 34.
Le premier étage d’hybridation peut être alimenté, en sortie de la pile à combustible par un premier circuit de charge du premier étage de supercondensateurs comportant un premier convertisseur DC/DC élévateur de tension, de charge du premier étage de supercondensateurs LPSC, ledit premier étage de supercondensateurs étant suivi d’un circuit de décharge comportant un second convertisseur DC/DC abaisseur de tension dont la sortie S LP alimente l’unité centrale pour fournir une alimentation régulée au dispositif de contrôle/commande.
Ceci permet de démarrer le fonctionnement du premier circuit à une tension de sortie basse de la pile qui se comporte en générateur de courant.
Le second étage d’hybridation peut comporter, en sortie de la pile à combustible, un second circuit de charge du second étage de supercondensateurs comportant un troisième convertisseur DC/DC de régulation de tension, le second étage de supercondensateurs étant suivi d’un circuit de décharge comportant au moins un quatrième convertisseur DC/DC pour alimenter au moins une sortie de puissance du dispositif, le troisième convertisseur DC/DC comporte une entrée de commande de mise en fonction ou d’arrêt, pilotée par ladite unité centrale.
Aussi le second circuit peut être démarré et arrêté par l’unité centrale dans des phases ou la pile ne peut fournir suffisamment de puissance pour l’alimenter ce qui réduit les variations de tension et de courant pouvant perturber le fonctionnement des dispositifs raccordés en sortie du générateur.
Le générateur peut comporter un dispositif de surveillance tension/courant en sortie de pile à combustible et au moins un dispositif de surveillance tension/courant en sortie du second circuit chacun relié au dispositif de contrôle/commande, ladite unité centrale comportant un programme de surveillance configuré pour ouvrir un interrupteur de sortie du second circuit en cas de puissance de sortie de la pile à combustible inférieure à la puissance demandée en sortie du second circuit pendant une durée supérieure à un premier seuil de durée ou en cas de courant de sortie demandée supérieur à un premier seuil de courant de sortie.
Ladite unité centrale peut être un dispositif à microprocesseur ou microcontrôleur qui comporte des sorties de pilotage d’éléments d’une unité d’équilibrage de ladite pile.
Ladite unité centrale peut comporter une sortie de pilotage d’un ventilateur de refroidissement de ladite pile et une entrée d’un capteur de température de ladite pile en sorte de gérer la température de ladite pile.
Ladite unité centrale peut comporter une sortie de pilotage d’une électrovanne de purge de ladite pile.
Le générateur peut comporter une source d’hydrogène non régulée à réactif chimique, la source d’hydrogène comportant un capteur de température de réaction relié à l’unité centrale.
Ladite unité centrale peut comporter une sortie de pilotage d’un ventilateur de refroidissement de la source d’hydrogène de ladite pile en sorte de gérer la température de ladite source en fonction de la température mesurée par le capteur de température de réaction afin de maîtriser la cinétique chimique à l’origine de la production d’hydrogène.
De façon optionnelle, les interrupteurs de sélection sont des transistors MOSFET (transistor à effet de champ à grille isolée de l’anglais « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor »), par exemple en silicium (Si-MOSFET) ou en carbure de silicium (SiC-MOSFET), ou des transistors FET (transistor à effet de champ= de l’anglais « Field Effect Transistor »), en nitrure de gallium ou des transistors IGBT (transistor bipolaire à grille isolée de l’anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor »).
De façon optionnelle, les interrupteurs de côté haut 202 et de côté bas 204 sont des transistors MOSFET, par exemple en silicium (Si-MOSFET) ou en carbure de silicium (SiC-MOSFET), ou des transistors FET en nitrure de gallium ou des transistors IGBT.
De façon optionnelle, le dispositif de sécurité de chacun desdits N modules de conversion de tension comprend au moins un interrupteur d’isolement apte à connecter ou déconnecter la première borne de basse tension du point milieu du module de conversion comprenant cet interrupteur d’isolement.
De façon optionnelle, le dispositif de sécurité de chacun des N modules de conversion de tension comprend au moins deux interrupteurs d’isolement montés en série et en opposition l’un par rapport à l’autre et apte à connecter ou déconnecter la première borne de basse tension du point milieu du module de conversion comprenant ces deux interrupteurs d’isolement.
De façon optionnelle, dans le premier mode de fonctionnement, le ou les interrupteurs d’isolement de chaque dispositif de sécurité de chacun des N modules de conversion de tension connecte électriquement la première borne de basse tension au point milieu du module de conversion comprenant ce ou ces transistors d’isolement.
De façon optionnelle, dans le deuxième mode de fonctionnement, le ou les interrupteurs d’isolement de chacun desdits au plus N-1 modules de conversion de tension déconnecte électriquement la première borne de basse tension du point milieu du module de conversion comprenant ce ou ces transistors d’isolement.
De façon optionnelle, les interrupteurs d’isolement sont des transistors MOSFET, par exemple en silicium (Si-MOSFET) ou en carbure de silicium (SiC-MOSFET), ou des transistors FET en nitrure de gallium ou des transistors IGBT.
De façon optionnelle, le convertisseur de tension DC/DC comprend en outre une capacité connectée entre la borne de masse et la deuxième borne de basse tension.
Il est également proposé, selon un deuxième aspect de l’invention, un système électrique comprenant un convertisseur de tension DC/DC selon le premier aspect de l’invention et une résistance de chauffage d’un pot catalytique, la résistance de chauffage étant connectée par l’une de ses bornes à la deuxième borne de basse tension et étant destinée à être connectée par l’autre de ses bornes à la masse électrique.
De façon optionnelle, le système électrique comprend en outre ledit pot catalytique.
De façon optionnelle, ledit pot catalytique comprend ladite résistance de chauffage.
De façon optionnelle, le système électrique comprend en outre une capacité connectée par l’une de ses bornes à la deuxième borne de basse tension et destinée à être connectée par l’autre de ses bornes à la masse électrique.
De façon optionnelle, le système électrique comprend en outre une source de tension continue, par exemple une batterie conçue pour fournir une tension haute HT, ladite borne de haute tension étant connectée au potentiel haut de ladite source de tension continue.
De façon optionnelle, le système électrique comprend en outre une masse électrique, la borne de masse étant connectée à ladite masse et la résistance de chauffage étant connectée par l’autre de ses bornes à ladite masse électrique.
De façon optionnelle, le système électrique comprend une charge, ladite charge étant connectée électriquement entre ladite masse et ladite premier borne de basse tension.
Il est également proposé, selon un troisième aspect de l’invention, un véhicule automobile comportant un convertisseur de tension DC/DC selon le premier aspect de l’invention ou un système électrique selon le deuxième aspect de l’invention.
la est une vue isométrique d’un réceptacle de la recharge de la ;
la est une vue de coupe du réceptacle illustré à la ;
la est une vue isométrique éclatée d’une partie du réceptacle illustré à la ;
la est une vue isométrique d’une tête de distribution de la recharge illustrée à la dans une première configuration ;
la est une vue isométrique de la tête de distribution dans une deuxième configuration ;
la est une vue de coupe de la tête de distribution illustrée à la ;
la est une vue isométrique d’une frette formant la tête de distribution illustrée à la ;
la est une vue de coupe de la frette illustrée à la ;
la est une vue de coupe d’une pompe de la tête de distribution illustrée à la ;
la est une vue isométrique d’un insert de la pompe illustrée à la ;
la est une vue de coupe de l’insert de la ;
la est vue isométrique d’une soupape de la pompe illustrée à la ;
la est une vue de coupe de la soupape illustrée à la ;
la est une vue isométrique d’un bouton poussoir de la tête de distribution illustrée à la ;
la est une vue de coupe d’une coiffe de l’ensemble illustré à la ;
la est une vue isométrique d’un connecteur de la coiffe illustrée à la ;
A titre d’exemple pour une cellule mémoire avec un sélecteur OTS à base de GSSN de 5 nm d’épaisseur et un élément de mémorisation de type OxRAM, en particulier formé d’un empilement de HfO2 et de Ti et de dimension critique de la zone active de l’ordre de 80 nm, une tension de seuil Vth = VthOTS + 0.2 V (VthOTS étant le seuil de basculement vers un état passant du sélecteur) peut être prévue pour une cellule programmée à un état correspondant à une résistance par exemple de 1kΩ. Pour une cellule programmée à un état correspondant à une résistance par exemple de 10 kΩ, on peut avoir Vth = VthOTS + 0.7 V, tandis que pour une cellule programmée à un état correspondant à une résistance par exemple de 10 kΩ, on peut avoir Vth = VthOTS + 2.4V.
Le procédé de lecture précédemment décrit n’est toutefois pas limité à une lecture de cellules programmées à un état de programmation parmi 3 états de programmation distincts et s’applique à une lecture sur des cellules pour lesquelles le nombre d’états résistifs de programmation est supérieur à trois. Le nombre d’états de programmation susceptibles d’être codés sur une même cellule est typiquement limité et prévu inférieur à une limite donnée, par exemple de 15 ou 10 ou avantageusement 4 permettant de conserver un écart ΔVth des tensions de commutation suffisant.
Dans un autre exemple de réalisation illustré sur la , l’opération de lecture est susceptible cette fois de comporter trois sous-étapes de lecture de courant successives afin de distinguer un niveau ou de programmation entre quatre états de programmation distincts susceptibles d’être mémorisés dans une cellule mémoire RRAM que l’on souhaite lire.
Dans cet exemple, on applique une séquence de tensions de lecture, Vread1, Vread2, Vread3 dans un ordre croissant de niveaux de tension de lecture.
On applique ainsi tout d’abord à une cellule une première tension de lecture Vread1, comprise entre une tension de seuil VthSET3 et une autre tension de seuil VthSET2 (en particulier VthSET3 < Vread1 < VthSET2) et on fait l’acquisition d’une première valeur de courant Iread1 résultant de l’application de cette première tension de lecture Vread1.
Puis, on applique une deuxième tension de lecture Vread2, supérieure à la première tension de lecture Vread1 et comprise entre une tension de seuil VthSET2 et une autre tension de seuil VthSET1 (en particulier VthSET2 < Vread2 < VthSET1) et on fait l’acquisition d’une deuxième valeur de courant Iread2 résultant de l’application de cette deuxième tension de lecture Vread2.
Ensuite, on applique une troisième tension de lecture Vread3, supérieure à la deuxième tension de lecture Vread2 et comprise entre une tension de seuil VthSET1 et une autre tension de seuil VthRESET (en particulier VthSET1 < Vread3 < VthRESET) et on fait l’acquisition d’une troisième valeur de courant Iread3 de lecture résultant de l’application de cette troisième tension de lecture Vread2.
On additionne ensuite la première valeur de courant Iread1, la deuxième valeur de courant Iread2 et la troisième valeur de courant Iread3.
En fonction de la valeur de la somme Iread1+ Iread2+ Iread3 obtenue, on associe à la cellule mémoire lue un état de programmation donné parmi les quatre états de programmation auxquels cette cellule est susceptible d’être programmée.
Le tableau ci-dessous répertorie des résultats possibles d’une telle opération de lecture avec trois sous-étapes successives de lecture « Read1 », « Read2 », « Read3 » de courant traversant une cellule consécutivement à l’application respectivement d’une première tension de lecture puis d’une deuxième tension de lecture, puis d’une troisième tension de lecture dans un cas théorique où l’on considère Ilimit = 100µA et où IffOTS = 0µA.
La somme obtenue permet ici de distinguer de manière précise 4 niveaux de courant correspondant chacun à l’un des 4 états de programmation à laquelle la cellule résistive est susceptible d’être programmée. [Table 2]
Dans l’un ou l’autre des exemples qui viennent des décrits, on applique une succession de tensions de lecture par ordre croissant de tensions.
Toutefois, une séquence différente de tensions de lectures peut être prévue pour mettre en œuvre l’opération de lecture.
Ainsi, on peut en particulier prévoir d’appliquer successivement des tensions de lecture distinctes et décroissantes.
Dans l’un ou l’autre des exemples d’opération de lecture qui viennent d’être donnés, on effectue à chaque sous étape la lecture d’un courant de lecture lorsqu’une nouvelle tension de lecture est imposée et on détermine à chaque fois le niveau du courant de lecture et/ou si celui-ci correspond à celui d’un état bloqué du sélecteur ou un état passant du sélecteur.
Puis, à partir de cette détermination de chaque courant on évalue l’état dans lequel a été programmé l’élément de mémorisation. Ainsi, on effectue par exemple une somme de tous les courants de lecture afin de déterminer l’état de programmation de la cellule soumise à l’opération de lecture.
Cette phase supplémentaire permet alors d’assurer un équilibre de charge électrique, tout en contrôlant l’énergie restituée à la sortie du convertisseur indépendamment de l’énergie stockée dans l’élément piézoélectrique.
Ceci permet alors typiquement de stocker une partie de l’énergie prélevée à la source dans l’élément piézoélectrique quand la puissance d’entrée est supérieure à la puissance de sortie, et ensuite de restituer cette énergie stockée à la sortie quand la puissance d’entrée est inférieure à la puissance de sortie, ce qui permet de fournir à la sortie une puissance/tension constante ou quasi-constante alors que la puissance prélevée sur le réseau est par exemple en , sans nécessité alors la présence d’un condensateur de filtrage, ou à tout le moins en réduisant la capacité de ce condensateur de filtrage.
Le dispositif électronique de pilotage selon l’invention permet aussi de faire face à des variations rapides de puissance de sortie (typiquement dues à l’ajout ou au retrait d’une charge en sortie) avec une dynamique plus rapide de régulation de la tension de sortie grâce à l’énergie tampon stockée mécaniquement dans l’élément piézoélectrique qui est alors immédiatement disponible, cette énergie tampon étant possible de par ladite phase supplémentaire.
Avec le dispositif de pilotage de l’état de la technique, la régulation n’a qu’un seul degré de liberté. Lors d’une perturbation rapide en entrée et/ou en sortie, l’équilibre d’énergie ne peut alors être maintenu, et par conséquent la tension de sortie et/ou la puissance de sortie ne peuvent être maintenues pendant ce régime transitoire.