Dispositif intégré de fonction physiquement non clonable, comprenant un premier module de fonction physiquement non clonable (MPF1), interne au dispositif (DIS), configuré pour générer un groupe de données initiales (RD2) et des moyens de gestion (MGST), internes au dispositif, au moins configurés pour -générer un groupe de données de sortie (HUK2) à partir d’au moins le groupe de données initiales (RD2), -autoriser uniquement D délivrances successives du groupe de données de sortie (HUK2) sur une première interface de sortie (INST1) du dispositif, D étant un entier positif non nul, et -empêcher toute nouvelle génération du groupe de données de sortie (HUK2). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens de gestion (MGST) sont configurés pour empêcher toute nouvelle génération du groupe de données de sortie (HUK2) en empêchant toute nouvelle génération du groupe de données initiales (RD2). Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier module (MPF1) comprend -un premier ensemble (1) de cellules-mémoires non volatiles possédant chacune un transistor de sélection enterré dans un substrat semi-conducteur et un transistor d’état, de préférence du type à appauvrissement, ayant une grille de commande et une grille flottante, les transistors d’état ayant des tensions de seuils effectives respectives appartenant à une distribution aléatoire commune, et -des moyens de lecture (LECT) configurés pour délivrer le groupe de données initiales à partir d’une lecture des tensions de seuil effectives des transistors d’état des cellules-mémoires dudit premier ensemble. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le premier ensemble (1) de cellules-mémoires non volatiles est organisé en deux premiers sous-ensembles matriciels (10L ; 10R) disposés symétriquement par rapport aux moyens de lecture, toutes les lignes des deux premiers sous-ensembles matriciels étant parallèles, et -les moyens de lecture (LECT) sont configurés pour effectuer ladite lecture comportant des lectures différentielles des tensions de seuil effectives des transistors d’état des paires de cellules-mémoires symétriques et situées respectivement dans les deux premiers sous-ensembles sur des colonnes homologues de ces deux premiers sous-ensembles. Dispositif selon les revendications 2 et 4, dans lequel les moyens de gestion (MGST) sont configurés pour programmer ou effacer les cellules-mémoires de l’un des deux sous-ensembles postérieurement à la lecture du groupe de données initiales, de façon à empêcher toute nouvelle génération du groupe de données initiales. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le groupe de données initiales (RD2) comporte G données initiales et les moyens de gestion (MGST) comprennent un dispositif de mémoire non volatile (DM) comportant -un plan mémoire comportant D zones mémoires (ZM1-ZMD), chaque zone mémoire étant configurée pour stocker une succession de N données incluant les G données initiales, N étant supérieur ou égal à G, et -des premiers moyens de traitement (MTR1) configurés pour extraire successivement les N données des D zones mémoires du moyen de mémoire et pour détruire au moins une partie du contenu de la zone mémoire correspondante lors de l’extraction des N données correspondantes. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel chaque zone mémoire (ZMi) inclut une matrice de cellules mémoires ayant deux rangées et N colonnes, chaque cellule-mémoire comprenant un transistor d’état ayant une grille de commande et une grille flottante, sélectionnable par un transistor de sélection vertical enterré dans un substrat et comportant une grille de sélection enterrée, chaque colonne de cellules-mémoires incluant une paire de cellules-mémoires jumelles, les deux transistors de sélection d’une paire de cellules-mémoires jumelles ayant une grille de sélection commune, et les premiers moyens de traitement (MTR1) sont configurés pour stocker dans la zone mémoire la succession de N bits de sorte que, à l’exception du dernier bit de la succession, un bit courant de ladite succession est stocké dans deux cellules-mémoires situées sur une même rangée et sur deux colonnes adjacentes et un bit courant et le bit suivant sont respectivement stockés dans deux cellules jumelles. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel les premiers moyens de traitement (MTR1) sont configurés pour, afin de pouvoir lire un bit stocké dans une première cellule jumelle, remplacer au préalable le bit stocké dans la deuxième cellule jumelle par un bit de référence ayant une valeur de référence choisie pour permettre une restitution correcte de la valeur du bit stocké dans la première cellule jumelle. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les premiers moyens de traitement (MTR1) sont en outre configurés pour lire séquentiellement les N bits de ladite succession et remplacer un bit courant déjà lu de ladite information par le bit de référence avant de pouvoir lire le bit suivant de ladite succession, de façon à détruire ledit bit courant lors de l’extraction dudit bit suivant. Dispositif selon l’une des revendications 6 à 9, dans lequel la matrice de cellules-mémoire de chaque zone mémoire (ZMi) comporte une seule ligne de bits par colonne, connectée aux drains des transistors d’état de la paire de cellules jumelles de la colonne correspondante, et une ligne de contrôle de grille, par rangée de cellules-mémoire, connectée à toutes les grilles de commande des transistors d’états des cellules-mémoires de la rangée correspondante. Dispositif selon l’une des revendications 6 à 10, dans lequel les premiers moyens de traitement (MTR1) comprennent un décodeur colonne configuré pour sélectionner individuellement les deux lignes de bit associées aux deux colonnes situées aux deux extrémités de la zone mémoire et pour sélectionner simultanément deux lignes de bits adjacentes, aussi bien pour l’opération de stockage de de la succession de N bits que pour l’opération de lecture et de remplacement préalable des bits. Dispositif selon l’une des revendications 6 à 11, dans lequel le groupe de données de sortie (HUK2) comprend les N bits de ladite succession. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel les moyens de gestion (MGST) comprennent -un deuxième module de fonction physiquement non clonable (MPF2) configuré pour générer un groupe de données supplémentaires (HUK1), et -des moyens d’élaboration (MLB) configurés pour élaborer le groupe de données de sortie (HUK2) à partir d’au moins le groupe de données initiales (RD2) et d’au moins le groupe de données supplémentaires (HUK1). Dispositif selon la revendication 13, dans lequel les moyens de gestion (MGST) sont configurés en outre pour délivrer sur une deuxième interface de sortie (INST2) du dispositif le groupe de données supplémentaires (HUK1). Dispositif selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le deuxième module de fonction physiquement non clonable comprend (MPF2): -un deuxième ensemble (2) de cellules-mémoires non volatiles possédant chacune un transistor de sélection enterré dans un substrat semi-conducteur et un transistor d’état du type à appauvrissement ayant une grille de commande et une grille flottante électriquement connectées, les transistors d’état ayant des tensions de seuils effectives respectives appartenant à une distribution aléatoire commune, et - des deuxièmes moyens de traitement (MT2) configurés pour délivrer le groupe de données supplémentaires (HUK1) à partir d’une lecture des tensions de seuil effectives des transistors d’état des cellules-mémoires dudit deuxième ensemble. Dispositif selon la revendication 15, dans lequel -les deuxièmes moyens de traitement (MT2) comportent des deuxièmes moyens de lecture (LECT2) configurés pour effectuer ladite lecture, -le deuxième ensemble (2) de cellules-mémoires non volatiles est organisé en deux deuxièmes sous-ensembles matriciels (20L ; 20R) disposés symétriquement par rapport aux deuxièmes moyens de lecture, toutes les lignes des deux deuxièmes sous-ensembles matriciels étant parallèles, et -les deuxièmes moyens de lecture (LECT2) sont configurés pour effectuer ladite lecture comportant des lectures différentielles des tensions de seuil effectives des transistors d’état des paires de cellules-mémoires symétriques et situées respectivement dans les deux deuxièmes sous-ensembles sur des colonnes homologues de ces deux deuxièmes sous-ensembles. Dispositif selon la revendication 15 ou 16, dans lequel les deuxièmes moyens de traitement (MT2) comportent un troisième ensemble (3) de cellules-mémoires (CELM) possédant chacune un transistor de sélection enterré dans un substrat semi-conducteur et un transistor d’état, de préférence du type à appauvrissement, ayant une grille de commande et une grille flottante, les cellules-mémoires du troisième ensemble étant destinées à contenir des informations de fiabilité (MSK) représentatives de la fiabilité ou de la non fiabilité des contenus des paires de cellules-mémoires du deuxième ensemble. Dispositif selon la revendication 17, dans lequel le troisième ensemble (3) comporte un agencement matriciel de cellules-mémoires partageant les mêmes colonnes que celles de l’agencement matriciel de cellules-mémoires du deuxième ensemble (2). Dispositif selon l’une des revendications 17 ou 18, dans lequel les deuxièmes moyens de traitement (MT2) comportent des premiers moyens de génération (MGEN1) configurés pour générer lesdites informations de fiabilité en prenant en compte une valeur de marge sur les lectures différentielles des tensions de seuil effectives des transistors d’état des paires de cellules-mémoires du deuxième ensemble. Système selon l’une des revendications 15 à 19 prise en combinaison avec la revendication 17, dans lequel les deuxièmes moyens de traitement (MT2) comprennent des deuxièmes moyens de génération (MGEN2) configurés pour générer ledit groupe de données supplémentaires au moins à partir des lectures différentielles des tensions de seuil effectives des transistors d’état des paires de cellules-mémoires du deuxième ensemble, et desdites informations de fiabilité de ces paires de cellules-mémoires. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, prise en combinaison avec les revendications 3, 15 et 17, dans lequel le premier ensemble (1) de cellules-mémoire, le deuxième ensemble (2) de cellules-mémoire et le troisième ensemble (3) de cellules-mémoire possèdent chacun une architecture comportant deux lignes de bits par colonne de cellules-mémoires, les colonnes de cellules-mémoire comportant des paires de cellules-mémoire jumelles, les deux transistors de sélection d’une paire de cellules-mémoire jumelles ayant une grille de sélection commune, deux cellules-mémoires adjacentes jumelles d’une même colonne n’étant pas reliées à la même ligne de bits et deux cellules-mémoires adjacentes non jumelles d’une même colonne étant reliées à la même ligne de bits. Dispositif selon les revendications 10 et 21, dans lequel certaines colonnes du dispositif de mémoire non volatile (DM) sont communes avec certaines colonnes des premier, deuxième et troisième ensembles, et les moyens de gestion (MGST) comportent un décodeur colonne unique (COLDEC) configuré pour -sélectionner individuellement les deux lignes de bit associées aux deux colonnes situées aux deux extrémités de chaque zone mémoire, -sélectionner simultanément deux lignes de bits adjacentes et une ligne de bit des premier, deuxième et troisième ensembles commune à l’une de ces deux bits adjacentes, et -sélectionner individuellement les autres lignes de bits des premier, deuxième et troisième ensembles. Procédé de génération automatique d’un code unique non prédictible (HUK2) à ladite première interface de sortie d’un dispositif de fonction physiquement non clonable (DIS) selon l’une des revendications 1 à 22 prise en combinaison avec le revendication 6, comprenant une mise sous tension du dispositif (DIS) et au moins une lecture d’une zone mémoire du dispositif de mémoire non volatile. Procédé selon la revendication 23, applicable en outre au dispositif selon la revendication 15, comprenant en outre une lecture des tensions de seuil effectives des transistors d’état des cellules-mémoires dudit deuxième ensemble, les grilles de commande des transistors d’état de ces cellules-mémoires étant connectées à la masse lors de ladite lecture, et une élaboration du code unique non prédictible (HUK2) à partir du contenu de la zone mémoire lue et du groupe de données supplémentaires (HUK1) obtenu à partir de ladite lecture. Procédé de réalisation d’un dispositif de fonction physiquement non clonable (DIS) selon les revendications 5, 6 et 19, comprenant une réalisation du dispositif au sein d’un circuit intégré, et lors d’une phase de test du circuit intégré, -une génération du groupe de données initiales (RD2), -un stockage de ladite information de N données dans les D zones mémoire, -une programmation ou un effacement d’une partie des cellules-mémoires du premier ensemble après la génération du groupe de données initiales, une génération et un stockage des informations de fiabilité (MSK).