INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Toutefois, les cellules mémoires de type 1T-1R, de par leur transistor d’accès posent problème en matière d’encombrement.
Des cellules de type 1S-1R pour lesquelles le transistor est remplacé par un sélecteur formé d’un commutateur à deux terminaux ont quant à elles un encombrement réduit. La donne un schéma électrique équivalent d’une telle cellule 1S-1R. Le sélecteur S fonctionne typiquement comme au moins une diode voire comme deux diodes montées en antiparallèle ou tête-bêche. Le sélecteur S est formé d’un empilement de couches généralement réalisé dans une partie dite de BEOL (pour « Back End Of Line ») d’un dispositif microélectronique. Cette partie dans laquelle les éléments résistifs sont également formés est typiquement également dédiée aux interconnexions.
Les figures 2A-2B, par le biais de caractéristiques tension-courant, servent à illustrer différents paramètres d’une opération de lecture d’une cellule 1S-1R susceptible d’être programmée sur un parmi trois états de programmation distincts possibles.
Lors d’une lecture de la cellule 1S-1R si le courant de lecture est supérieur aux courants de programmation Iprog1, Iprog2, Iprog3 ( ), la mémoire risque d’être programmée à ce courant de lecture. On dit alors qu’elle est sur-programmée.
Dans un autre cas, où le courant de lecture est inférieur aux courants de programmation ( ), il est alors difficile d’établir une distinction du niveau mémorisé parmi les différents niveaux auxquels la mémoire est susceptible d’être programmée. On lit un même courant dans tous les cas, quel que soit l’état de résistivité auquel se trouve l’élément résistif programmé.
Il se pose le problème de réaliser la lecture d’un état de programmation d’une cellule mémoire RRAM programmée selon un codage multi-niveaux.
Ainsi, selon un aspect, la présente invention concerne un dispositif mémoire formé de cellules mémoires résistives dotées chacune d’un élément de mémoire résistive associé en série à un sélecteur, chaque cellule implémentant un codage dit « multi-niveaux » et étant programmée à un état de programmation donné parmi k avec k > 2 états de programmation possibles,
le dispositif comprenant un circuit de lecture configuré pour, lors d’une opération de lecture sur une cellule donnée : appliquer une séquence d’au moins deux tensions de lecture successives et différentes à la cellule donnée.
Les tensions de lecture appliquées sont sélectionnées en fonction des états de programmation que la cellule mémoire peut prendre.
Le circuit de lecture peut être configuré de sorte que ladite séquence comprend l’application d’une première tension de lecture à la cellule donnée, la première tension de lecture appartenant à une première gamme de tensions entre une première tension de seuil et une deuxième tension de seuil, et étant sélectionnée parmi un ensemble de tensions de lecture d’une séquence de tensions de lecture différentes auxquelles une cellule de ladite mémoire est susceptible d’être soumise lors de ladite opération de lecture, puis l’application d’une deuxième tension de lecture, de ladite séquence de tensions de lecture, la deuxième tension de lecture étant différente de la première tension de lecture et appartenant à une deuxième gamme de tensions entre la deuxième tension de seuil et une troisième tension de seuil, l’état de programmation donné étant déterminé en fonction de valeurs respectives d’un premier courant de lecture traversant ladite cellule donnée résultant de l’application de ladite première tension de lecture et d’un deuxième courant de lecture traversant ladite cellule donnée consécutivement à l’application de ladite deuxième tension de lecture.
Le circuit de lecture peut être configuré pour détecter à chaque tension de lecture appliquée de ladite séquence si un courant de lecture traversant ladite cellule donnée et résultant de l’application de ladite de tension de lecture correspond à un premier niveau de courant de fuite du sélecteur lorsque ce sélecteur se trouve dans un état bloqué ou si le courant de lecture correspond à un deuxième niveau de courant lorsque le sélecteur se trouve dans un état passant.
Avantageusement, la tension de lecture à laquelle le sélecteur devient passant étant liée à l’état de programmation de la mémoire.
Avantageusement, lors de l’opération de lecture la séquence de tensions de lecture différentes est appliquée à ladite cellule mémoire donnée selon un ordre croissant de tensions de lecture ou selon un ordre décroissant de tensions de lecture.
Avantageusement, le sélecteur peut être un commutateur à deux terminaux, en particulier de type interrupteur à seuil ovonique (OTS).
Avantageusement, l’élément de mémoire résistive est un élément de mémoire résistive à base d'oxyde (OxRAM).
Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de lecture peut être doté d’un amplificateur ayant une entrée non-inverseuse à laquelle la tension de lecture est appliquée et une entrée inverseuse connectée au drain d’un transistor monté en drain commun et couplé en sortie du sélecteur.
Les poussins restants peuvent être recueillis pour être remis au point de départ du convoyeur ou pour être analysés par un opérateur.
Selon encore une autre variante, le convoyeur comprend deux stations de prise d’image avec chacune au moins une caméra, permettant de doubler les chances de bonne présentation du poussin avec les ailes ouvertes, et un modèle de classification entre les sexes mâle et femelle, ou deux modèles de classification optimisés respectivement pour détecter chaque sexe, reçoivent en entrée les images issues des deux caméras.
De retour à la , le procédé comprend une étape 100 de détermination, à partir d’une image du poussin, d’une région d’intérêt de l’image sur laquelle les plumes d’une aile sont visibles. Cette étape permet d’une part d’écarter les images sur laquelle les plumes des ailes ne sont pas visibles, et d’autre part de permettre de mettre en œuvre la suite des traitements sur une région qui peut être de taille inférieure à l’image d’origine, ce qui permet donc de diminuer le temps de calcul.
A partir de la région d’intérêt de l’image ainsi obtenue, le procédé comprend en outre, et comme décrit plus en détails ci-après, la mise en œuvre d’un modèle de classification 400 entrainé sur une base de données d’apprentissage comprenant des images d’ailes de poussin mâle et d’ailes de poussin femelle, pour déterminer le sexe mâle ou femelle du poussin. Comme indiqué ci-avant, le procédé peut comprendre la mise en œuvre successive d’un premier modèle optimisé pour déterminer qu’un poussin appartient à un premier sexe, mâle ou femelle, et d’un deuxième modèle optimisé pour déterminer qu’un poussin appartient à l’autre sexe, femelle ou mâle.
Dans des modes de réalisation, la détermination 100 de la zone d’intérêt peut être mise en œuvre par application d’un modèle entrainé, par exemple par un modèle de type apprentissage profond (deep learning).
Dans un mode de réalisation particulier, la détermination de la région d’intérêt de l’image comprend le balayage de l’image avec une fenêtre de taille déterminée, pour définir une pluralité de régions de l’image.
Pour chaque région obtenue, des caractéristiques de Haar sont calculées 110, permettant d’obtenir un vecteur associé à chaque région. En référence à la , une caractéristique de Haar est obtenue à partir d’un motif M de pixels de taille inférieure à la taille de la région R. Le motif de pixels comprend deux sous-ensembles de pixels correspondant à des emplacements déterminés au sein du motif. La caractéristique de Haar est calculée en soustrayant les intensités cumulées des pixels du premier sous-ensemble aux intensités cumulées des pixels du deuxième sous-ensemble. Ainsi, une caractéristique de Haar est obtenue pour chaque position possible du motif de pixels parmi la région, et le vecteur obtenu rassemble l’ensemble des caractéristiques de Haar calculées sur l’ensemble de la région considérée.
Le vecteur obtenu est ensuite fourni à un classificateur entrainé 120 pour déterminer si la région de laquelle le vecteur a été obtenu est une région représentant des plumes ou non. En référence aux figures 4a et 4b, le classificateur est avantageusement entrainé par un algorithme de type Adaboost, sur une base de données d’images incluant des images représentant des plumes ( ) et d’autres images ( ) ne représentant pas de plumes, sur lesquelles ont été calculés des vecteurs de caractéristiques de Haar selon le paragraphe précédent. Le classificateur entrainé ainsi peut par exemple être un arbre de décision.
La région d’intérêt de l’image est la région détectée comme représentant des plumes par le classificateur.
Plusieurs régions d’intérêt peuvent être détectées dans la même image. Dans des modes de réalisation, les étapes suivantes du procédé peuvent être mises en œuvre pour l’ensemble des régions d’intérêt détectées pour une image. En variante, les étapes suivantes du procédé sont mises en œuvre pour une première région d’intérêt, et seulement dans le cas où une détermination du sexe du poussin n’est pas possible à partir de cette première région d’intérêt, le procédé est réitéré sur une deuxième région d’intérêt, et ainsi de suite jusqu’à obtenir une détermination du sexe du poussin à partir de l’image.
Dans des modes de réalisation, une fois la ou les régions d’intérêt identifiées pour une image, le procédé peut comprendre l’application directe 400 d’un modèle de classification entrainé sur ladite région d’intérêt, du type par exemple réseau de neurones.
En variante, et comme représenté sur la , le procédé comprend, avant la mise en œuvre du modèle de classification, une étape 200 de traitement de la région d’intérêt pour déterminer des lignes correspondant aux plumes du poussin, et une étape 300 de détermination d’un ensemble de paramètres pertinents fournis en entrée du modèle.
En référence aux figures 6a à 6f, on va décrire un mode de mise en œuvre d’un traitement 200 de la (ou chaque) région d’intérêt pour extraire des lignes correspondant aux plumes du poussin sur l’image.
Ce traitement comprend la mise en œuvre d’une détection de contours 210 sur la région d’intérêts, et la détermination d’un ensemble de lignes 220, correspondant aux plumes, à partir des contours détectés.
Sur la on a représenté un exemple de région d’intérêt d’une image obtenue à l’issue de l’étape 100 décrite ci-avant. Dans des modes de réalisation, le traitement de détection de contours comprend la mise en œuvre d’un filtre gaussien et d’un seuillage de la région d’intérêt pour obtenir une représentation binaire de ladite région, comme représenté sur la , c’est-à-dire une région dans laquelle l’ensemble des pixels sont soit noirs, soit blancs.
Le seuillage est avantageusement adaptatif de façon à compenser d’éventuelles variations des conditions d’éclairage de l’image. Le seuil local peut être déterminé, pour chaque pixel courant de la région d’intérêt, à partir des valeurs d’intensité des pixels compris dans un voisinage local du pixel courant, par exemple une fenêtre carrée centrée sur le pixel courant. Le seuil peut par exemple être la moyenne des intensités des pixels de la fenêtre.
Le transistor de sélection 30 comprend en outre une région de silicium dopé 38 appelée caisson (« well »), dont une partie 38’ appelée plan de masse (« ground plane ») ou grille arrière (« back gate ») est située sous la couche d’oxyde enterrée 39 du substrat SOI. Le caisson 38 est formé en implantant des impuretés dopantes dans la couche de support en silicium (non représentée) du substrat SOI. La grille arrière 38’ peut présenter une concentration en impuretés dopantes plus élevée que la partie restante du caisson 38.
Le caisson 38 peut être dopé de type N ou de type P. Toutefois, dans un mode de réalisation du dispositif mémoire, le caisson 38 du transistor de sélection 30 est dopé de type N dans le cas d’un NMOS et de type P dans le cas d’un PMOS, afin d’obtenir un transistor à faible tension de seuil (ou LVT, pour « Low Voltage Threshold »). Un transistor LVT est ici plus avantageux qu’un transistor à tension de seuil élevée (ou HVT, pour « High Voltage Threshold ») en raison de sa capacité à fournir davantage de courant à l’état passant à surface identique (ou sa plus petite surface à un courant donné).
La grille arrière 38’ agit comme une seconde grille. En faisant varier le potentiel électrique de la grille arrière 38’, séparée de la région de canal 31 par la couche isolante enterrée 39, il est possible de moduler (dynamiquement) la tension de seuil du transistor UTBB FDSOI et par conséquent sa résistance à l’état passant (R ON ).
Lors du fonctionnement de la cellule mémoire 200, un premier potentiel électrique V G (appelé potentiel de grille) est appliqué sur l’électrode de grille 34, un deuxième potentiel électrique V S (potentiel de source) est appliqué sur l’électrode de source 35, un troisième potentiel V TE est appliqué sur l’électrode supérieure 12b de l’élément mémoire résistif 10 et un quatrième potentiel électrique V BB appelé potentiel de polarisation arrière est appliqué sur la grille arrière 38’ au moyen d’un contact de grille arrière 40 en contact avec le caisson 38. Chacun de ces potentiels électriques peut prendre des valeurs différentes selon le mode de fonctionnement de la cellule mémoire 200 (initialisation, écriture, effacement et lecture). Le contact de grille arrière 40 est de préférence situé au même niveau (c’est-à-dire à la même hauteur), que l’électrode de source 35 et le plot de contact 36 (soit ici sur le film mince de silicium). Pour un même caisson, il peut être prévu plusieurs contacts de grille arrière espacés régulièrement (par exemple tous les 30 µm) afin d’assurer une polarisation homogène.
Outre la cellule mémoire 200, le dispositif mémoire comporte un circuit de polarisation de la grille arrière 38’, relié au contact de grille arrière 40. Ce circuit de polarisation, non illustré sur les figures, est configuré pour sélectionner et appliquer le potentiel de polarisation arrière V BB .
L’opération d’initialisation et les opérations de programmation (écriture, effacement) de la cellule mémoire 200 nécessitent un courant important. Le transistor de sélection 30 doit donc laisser passer suffisamment de courant pour permettre le changement d’état de résistance de l’élément mémoire résistif.
Dans la cellule mémoire 1T1R de l’art antérieur (cf. Figs.1A-1B), le transistor de sélection 20 est dimensionné de manière à pouvoir fournir un courant supérieur ou égal au courant de compliance requis pour programmer/initialiser efficacement la cellule mémoire.
Dans le dispositif mémoire selon l’invention, le transistor de sélection 30 de la cellule mémoire 200 est au contraire dimensionné pour qu’en l’absence de polarisation arrière, le courant maximal délivré par transistor soit inférieur au courant de compliance. Une polarisation arrière directe (ou FBB, pour « Forward Back-Bias » en anglais) est appliquée au transistor de sélection 30 lors des opérations de programmation et/ou de l’opération d’initialisation de la cellule mémoire 200, pour augmenter temporairement le courant délivré par le transistor de sélection 30.
Ainsi, le transistor de sélection 30 occupe une plus petite surface (sur le substrat SOI) qu’un transistor MOS classique (sur substrat massif) ou qu’un transistor FDSOI dépourvu de grille arrière (sur substrat SOI), sans toutefois diminuer les performances de l’élément mémoire résistif 10. La taille de la cellule mémoire 200 est alors réduite. En outre, comme les dimensions du transistor de sélection 30 sont réduites, les courants de fuite du transistor de sélection 30 dans l’état bloqué sont diminués. Il en résulte une diminution de la consommation statique de la cellule mémoire 200.
La polarisation arrière directe peut être obtenue au moyen d’un potentiel de polarisation arrière positif (V BB > 0) dans le cas d’un transistor NMOS et d’un potentiel de polarisation arrière négatif (V BB BB est tel que le courant délivré par le transistor de sélection 30 (sous polarisation arrière directe) soit égal ou sensiblement égal (± 20 %) au courant de compliance prédéfini.
Dans un mode de réalisation préférentiel du dispositif mémoire, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer au transistor de sélection 30 une polarisation arrière inverse (ou RBB, pour « Reverse Back-Bias » en anglais) lors d’une opération de lecture de la cellule mémoire 200. Ceci a pour effet de réduire la consommation électrique de la cellule mémoire 200 sans compromettre la lecture (car la cellule mémoire requiert un courant plus faible pour être lue).
De façon avantageuse, le circuit de de polarisation est en outre configuré pour appliquer au transistor de sélection 30 une polarisation arrière inverse en dehors des opérations de programmation, d’initialisation et de lecture de la cellule mémoire 200. Ainsi, les courants de fuite du transistor de sélection 30 dans l’état bloqué et la consommation statique de la cellule mémoire 200 sont davantage diminués.
La polarisation arrière inverse peut être obtenue au moyen d’un potentiel de polarisation arrière négatif (V BB BB > 0) dans le cas d’un transistor PMOS (que le caisson 38 soit dopé N ou P).
Ainsi, le circuit de de polarisation est capable d’appliquer des valeurs de potentiel V B B de signes opposés (au moins un valeur positive et au moins une valeur négative).
Afin de sélectionner et appliquer la valeur requise du potentiel de polarisation arrière V B B, le circuit de polarisation peut comprendre un multiplexeur ayant plusieurs entrées soumises à des potentiels électriques différents (par exemple, 0,9 V, -0,9 V et 0 V) et une sortie reliée au contact de grille arrière 40.
Le circuit de polarisation peut en outre être configuré pour sélectionner et appliquer le potentiel de grille V G , le potentiel de source V S et le potentiel V TE de l’électrode supérieure 12b de l’élément mémoire résistif 10.
- la girouette comporte au moins un déflecteur sur son intrados et son extrados ;
- ledit au moins un déflecteur s’étend sur toute ou partie de la corde de la girouette ;
- elle comporte des moyens de réchauffage d’au moins un de ce ou de ces déflecteurs ;
- les moyens de réchauffage du ou de chaque déflecteur sont associés aux moyens de réchauffage de la sonde ;
- les moyens de réchauffage du ou de chaque déflecteur sont associés aux moyens de chauffage de la sonde par conduction thermique.
et les figures 1 et 2 représentent respectivement des vues de côté et de face d’une sonde d’incidence de l’état de la technique ; et
et les figures 3 et 4 représentent respectivement des vues de côté et de face d’une sonde d’incidence selon l’invention.
On a en effet illustré sur les figures 1 et 2, une sonde d’incidence notamment pour un aéronef, qui est désignée par la référence générale 1.
Celle-ci comporte alors un corps de sonde désigné par la référence générale 2, sur lequel est montée déplaçable en rotation une girouette désignée par la référence générale 3.
Cette girouette 3 comporte une embase 4 associée au corps de sonde, reçue dans un logement correspondant et associée à une protection 5.
On voit notamment sur la l’écoulement en transsonique autour de cette girouette.
L’augmentation des critères de sévérités environnementales auxquels doivent répondre les sondes d’incidence, ont conduit à protéger les embases des girouettes des cristaux d’eau surfondus et de givre.
Destinées à remplacer les sondes existantes sur la flotte opérationnelle des avions moyens et longs courriers actuels, les sondes utilisent les mêmes interfaces avec les avions.
Ainsi pour des raisons d’encombrement et d’interface mécanique existante, la protection 5 de l’embase de la girouette peut se traduire par une excroissance locale sur la ligne du fuselage.
Cette excroissance se traduit par une accélération locale de l’écoulement qui peut conduire au décrochage de la girouette.
Dans une étape E7, le module de créations de certificats 12 transmet une demande d’association DAss du certificat CERT_CPE associé à l’équipement 10 ainsi généré avec le nom de domaine « CNT.example.com » avec lequel le certificat CERT_CPE est destiné à être associé à destination du serveur de noms de domaines 13.
Une telle demande d’association DAss comprend : le certificat CERT_CPE associé à l’équipement 10, le jeton de certification CNT correspondant, un condensé HASH_CNT du jeton de certification CNT et un paramètre TYP_HASH_CNT sur la manière dont le condensé HASH_CNT est calculé. Dans un exemple de réalisation, le paramètre TYP_HASH_CNT sur la manière dont le condensé HASH_CNT est calculé peut comprendre une clé publique du module de créations de certificats 12.
A réception de la demande d’association DAss, le serveur de noms de domaines 12 peut, s’il le souhaite, vérifier l’identité du serveur de configuration 11 en demandant un certificat correspondant au serveur de configuration 11 au module de création de certificats 12. Une telle étape n’est pas représentée à la .
Dans une étape E8, le serveur de noms de domaines 12 enregistre l’ensemble des informations comprises dans la demande d’association DAss dans une table et les associe au nom de domaine « CNT.example.com ».
Une fois l’association entre l’ensemble des informations comprises dans la demande d’association DAss et le nom de domaine effectuée, le serveur de noms de domaines 12 en informe le module de création de certificats 12 dans une étape E9.
A son tour, le module de création de certificats 12 informe le serveur de configuration 11 de la création du certificat CERT_CPE associé à l’équipement 10 dans une étape E10. Pour cela, le module de création de certificats 12 transmet au serveur de configuration 11 un message MSG1 comprenant le jeton de certification CNT correspondant, le condensé HASH_CNT du jeton de certification CNT et le paramètre TYP_HASH_CNT sur la manière dont le condensé HASH_CNT est calculé.
Enfin, le serveur de configuration 11 envoie, dans une étape E11, un message d’acquittement d’affectation d’une adresse réseau DHCP ack. Dans un champ existant de ce message DHCP ack, l’équipement 10 ajoute le jeton de certification CNT correspondant, le condensé HASH_CNT du jeton de certification CNT et le paramètre TYP_HASH_CNT sur la manière dont le condensé HASH_CNT est calculé.
A l’issue de l’étape E11, l’équipement 10 dispose ainsi d’un jeton de certification CNT qui sera utilisé par l’équipement 10 dans toutes les situations où ce dernier devra fournir du matériel d’authentification pour accéder à un service. On remarquera que l’équipement 10 n’est pas en possession de son certificat CERT_CPE et connaît pas le nom de domaine « CNT.example.com » associé à son certificat CERT_CPE. Ces deux informations ne sont mémorisées que dans le serveur de nom de domaines 12.
Dans le protocole DHCP, il est prévu de renouveler les allocations d’adresse réseau, ou bail DHCP, de manière régulière. Dans la présente solution, les messages échangés entre les différents éléments du système de la sont utilisés pour maintenir en vigueur le certificat CERT_CPE.
Ainsi, lorsque dans une étape E12 l’équipement 10 envoie un message DHCP Request 2, demandant la prolongation de l’allocation de son adresse réseau au serveur de configuration 11, il ajoute dans un champ existant de ce message DHCP Request 2 le jeton de certification CNT correspondant, le condensé HASH_CNT du jeton de certification CNT et le paramètre TYP_HASH_CNT sur la manière dont le condensé HASH_CNT est calculé.
A réception du message DHCP Request 2, dans une étape E13, le serveur de configuration 11 traite les informations relatives au renouvellement de l’allocation d’adresses réseau de manière classique. Lors du traitement de ce message DHCP Request 2, le serveur de configuration 11 détectant la présence de paramètres relatifs au maintien en vigueur du certificat CERT_CPE dans un champ du message DHCP Request 2, c’est-à-dire le jeton CNT, le condensé HASH_CNT ou le paramètre TYP_HASH_CNT, extrait ces informations et génère une demande de maintien en vigueur du certificat CERT_CPE.