INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les courants de foucault sont générés par un process électrotechnique alimenté par le générateur électrique accouplé au MEG.
Ce process électrotechnique enveloppe localement le disque spécifique de freinage.
Freinage mécanique à sabots sur disque par pression hydraulique
Il sera du même principe que celui sur un véhicule à moteur.
Un disque spécifique est intégré mécaniquement sur l’arbre moteur du MEG.
Le système de freinage mécanique par sabots à pression hydraulique, enveloppant localement ce disque de freinage spécifique, est relié à un frein à main situé sur un pupitre opérateur via un process hydraulico-mécanique constitué principalement de tuyauteries.
Principe de fonctionnement du système de freinage par courants de foucault :
Une chaine d’asservissement électronique sera alors créé avec pour composants :
un calculateur informatique intégré dans un système électronique. un potentiomètre de réglage manuel de vitesse relié en entrée du système électronique envoyant des données analogiques ou numériques à ce dernier. un capteur de mesure de vitesse fixé en bout d’arbre moteur relié en entrée du système électronique envoyant des données analogiques ou numériques à ce dernier. une sortie du système électronique de type analogique ou numérique pour commander le système électro-technique de freinage par courants de foucault.
Le potentiomètre de réglage se situera sur un pupitre opérateur situé à proximité du process MEG.
Le calculateur du système électronique comparera informatiquement alors les données numériques reçus du potentiomètre et celles numériques reçues du capteur de vitesse.
En fonction du résultat du traitement informatique de la comparaison de données,
le système électronique alors enverra ou non une consigne de freinage de type analogique ou numérique au système de freinage par courants de foucault.
Principe de fonctionnement du système de freinage sur disque par pression hydraulique:
Par une certaine pression hydraulique émise par le frein à main, les sabots de freinage se fermeront sur le disque de freinage et stopperont la rotation du disque par frictions mécaniques.
Ce disque solidaire à l’arbre moteur du MEG arrêtera alors la rotation de ce dernier.
Convertisseur avec un générateur électrique fixé en bout d’arbre moteur du MEG:
en appui pour un descriptif avec la chaine d’entrainement non représentée.
Utilisation du process « MBMDG + convertisseur mécanique / électrique » dans diverses applications industrielles de production d’électricité renouvelable
Avec un générateur électrique en bout d’arbre du MEG
Exemple de hauteur : 4 m
Exemple de hauteur : 14 m
D’autres hauteurs de MEGs pourront être définies en fonction des besoins personnalisables en énergie renouvelable, par exemple un de 6m de haut
Alimenter électriquement un immeuble résidentiel ou fait de bureaux ou une propriété privée.
Possibilité d’avoir une commutation automatique pour produire de l’hydrogène et de l’oxygène par électrolyse en cas de surplus de production en électricité.
Avec un convertisseur de type « système d’amplification mécanique de rotation équipé d’un générateur électrique »:
Selon un second aspect, l’invention porte sur un procédé de fabrication d’une batterie de stockage d’électricité ayant les caractéristiques ci-dessus, et comprenant les étapes suivantes :
- obtention de la pluralité de modules ;
- obtention de l’enveloppe ;
- obtention des poutres et fixation des poutres sur l’enveloppe ;
- obtention de la pluralité d’éléments en résine, disjoints et indépendants les uns des autres ;
- mise en place de la pluralité d’éléments en résine sur les poutres ;
- insertion des modules dans les compartiments.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles :
- la est une représentation schématique simplifiée d’un véhicule automobile équipé d’une batterie de stockage d’électricité selon l’invention ;
- la est une vue en perspective d’une batterie de stockage d’électricité selon un premier mode de réalisation, une partie du couvercle n’étant pas représentée pour laisser apparaitre des composants internes de la batterie ;
- la est une vue en perspective d’un compartiment pour le premier mode de réalisation de la batterie, partiellement rempli par les cellules pour laisser apparaitre les canaux de circulation du fluide caloporteur au contact des grandes faces des cellules ;
- la est une vue en section dans un plan perpendiculaire à la direction transversale, montrant deux compartiments pour le premier mode de réalisation de la batterie ;
- la est une vue en section d’une poutre transversale d’extrémité de la batterie de la , et de l’élément en résine agencé sur cette poutre ;
- la est une vue de côté d’une poutre longitudinale du compartiment de la , et de l’élément en résine agencé sur cette poutre ;
- la est une vue de côté d’une extrémité du compartiment de la , partiellement en section, pour une variante de réalisation de l’invention ;
- la est une vue en perspective de la batterie de la , le couvercle, les cellules et les éléments en résine n’étant pas représentés ;
On notera que dans l'exemple de la , l'orientation de la structure est inversée par rapport à la vue en coupe des figures 8 et 9.
Lors de cette étape, les tranchées 35 sont formées dans le substrat 11 et dans la résine 33 située à l'intérieur des tranchées 31. Des tranchées 35 sont réalisées dans toutes les tranchées 31 et sur toute leur longueur. Les tranchées 35 s'étendent verticalement à travers le substrat 11 et une partie de l'épaisseur de la résine 33. A titre d'exemple, les tranchées 35 s'étendent dans la résine 33 sur une profondeur e2 comprise entre 10 µm et 40 µm.
Les tranchées 35 ont une largeur L4. La largeur L4 est inférieure à la largeur L3 de sorte qu'une partie de chacun des flancs latéraux du substrat 11 de chaque puce, délimitée par les tranchées 35, reste recouverte par la résine 33, par exemple sur une épaisseur comprise entre 5 µm et 10 µm. Les tranchées 35 peuvent, par exemple, être réalisées par sciage, en utilisant une lame de découpe de largeur inférieure à celle utilisée pour la réalisation des tranchées 31. Les tranchées 35 peuvent, en variante, être réalisées par ablation laser ou par toute autre technique de découpe, par exemple par gravure plasma. Les tranchées 31 et les tranchées 35 sont par exemple alignées selon un même axe central. La largeur L4 est, par exemple, comprise entre 5 µm et 20 µm.
A titre de variante, non représentée, les tranchées 35 s'interrompent sur la face supérieure de la résine 33 (épaisseur e2 nulle). Ceci peut par exemple être le cas lorsque les tranchées 35 sont réalisées au moyen d'une découpe plasma, sélective par rapport à la résine 33.
A l'issue de l'étape de formation des tranchées 35 illustrée en , chaque circuit intégré 13 est isolé électriquement mais solidaire mécaniquement des circuits intégrés 13 voisins.
La illustre, par une vue en coupe, une étape de test électrique des circuits intégrés 13, identique ou similaire à l'étape de test illustrée en .
La illustre, par une vue en coupe, une étape de découpe de la structure illustrée en en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 13.
Lors de cette étape, on vient réaliser des tranchées 37 traversantes à partir de la face avant de la structure illustrée en ou 11 (c'est-à-dire la face supérieure dans l'orientation des figures 10 et 11).
Préalablement à cette étape, la structure est rapportée, par sa face arrière (face inférieure dans l'orientation de la ), sur un film support, par exemple un film souple, non représenté en .
Afin de découper la structure en puces individuelles, les tranchées 37 sont réalisées en vis-à-vis des tranchées 35 dans la résine 33. Plus particulièrement, on vient former en vis-à-vis de chaque tranchée 35 une tranchée 37 parallèle à ladite tranchée 35. Dans cet exemple, les tranchées 37 s'étendent sur toute la longueur des tranchées 35. Les tranchées 37 s'étendent, verticalement, de sorte que la résine 33 présente dans les tranchées 31 soit coupée en vis-à-vis des tranchées 35. Les tranchées 37 ont une largeur L5 inférieure ou égale à la largeur L3 des tranchées 31. De préférence, la largeur des tranchées L5 est supérieure ou égale à la largeur L4 des tranchées 31 de façon à éviter la formation d'une marche dans la résine.
Les tranchées 37 peuvent, par exemple, être réalisées par sciage, en utilisant une lame de découpe de largeur inférieure ou égale (égale dans l'exemple représenté) à celle utilisée pour la réalisation des tranchées 31. Les tranchées 37 peuvent en variante être réalisées par ablation laser. Les tranchées 31, les tranchées 35 et les tranchées 37 sont par exemple alignées selon un même axe central.
A l'issue de l'étape illustrée en , la structure correspond à une pluralité de puces électroniques individuelles, reliées uniquement par le film support (non représenté en ), chacune des puces individuelles comprenant un unique circuit intégré 13. Les puces peuvent ensuite être prélevées sur ce film support, en vue de leur montage dans un dispositif extérieur.
A l'issue du procédé décrit en relation avec les figures 7 à 12, on obtient des puces élémentaires dans lesquelles uniquement la face arrière et une partie inférieure des flancs du substrat 11 sont revêtus par une résine de protection 33. En particulier, une partie supérieure des flancs du substrat 11 reste libre, c'est-à-dire non revêtue par une résine de protection électriquement isolante.
Là encore, un avantage du procédé décrit est qu'il permet d'obtenir une structure intermédiaire dans laquelle les circuits intégrés 13 sont isolés électriquement mais solidaires mécaniquement des circuits intégrés 13 voisins ( ). Le test électrique final des puces peut avantageusement être réalisé sur cette structure intermédiaire, avant l'étape d'individualisation des puces.
Un avantage des modes de réalisation et des modes de mise en oeuvre décrits est qu'ils sont compatibles avec les procédés usuels de fabrication des puces électroniques.
Un autre avantage des modes de réalisation et des modes de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent de tester électriquement chacune des puces au cours de leur procédé de fabrication.
Il est connu de réaliser des dispositifs de suivi solaire pour lesquels un ou plusieurs panneaux photovoltaïques comportant chacun un ou plusieurs modules regroupant une pluralité de cellules disposées en ligne / colonne sur le module, sont installés sur un système mécanique permettant de modifier en temps réel leur orientation et de suivre le soleil.
Problème technique Ces solutions connues permettent de maximiser le courant produit par des modules convertissant la lumière reçue en face supérieure du module mais ne permettent pas de maximiser le courant produit d’une centrale solaire utilisant des modules photovoltaïques bifaciaux multi-jonctions. En effet, ces solutions n’optimisent pas l’éclairement de la face inférieure du module car, comme vu plus haut dans le cas de jonctions ou d’éléments de cellules superposés et raccordés en série, le courant produit par l’assemblage est limité par l’élément recevant le moins de lumière, le rendement du module est alors limité par le déficit d’éclairement de la face inférieure du module.
En effet, contrairement aux modules photovoltaïques à cellules mono faciales qui doivent être préférablement orientées face au soleil conduisant les dispositifs de suivi à suivre uniquement la course du soleil, l’orientation optimale permettant de maximiser la production d’énergie d’un module photovoltaïque bifacial tandem ou multi-jonctions doit équilibrer la production de courant dans les jonctions du ou des empilements. Cette orientation optimale dépend des puissances perçues en face avant et arrière, qui à leur tour varient en fonction de nombreux paramètres : position du soleil, clarté du ciel, albédo, environnement. De plus, la composition spectrale de ces contributions joue un grand rôle sur l’équilibre de courant entre différentes jonctions d’un même empilement. La hauteur du soleil dans le ciel fait varier chaque jour la proportion entre lumière disponible pour la jonction supérieure et lumière disponible pour la jonction inférieure ce qui conduit à ce que l’orientation optimale des modules varie en continu de manière différente que pour les modules à cellules mono faciales ou cellules mono jonction bifaciales.
Pour un module bifacial multi-jonction, non seulement les puissances perçues en face avant et arrière, mais aussi les rendements respectifs des jonctions empilées et leur contribution, influent cette orientation optimale.
Au vu de l’art antérieur la présente demande propose d’optimiser l’orientation des modules pour équilibrer les contributions des éléments de cellules recevant la lumière en face avant et ceux recevant la lumière en face inférieure.
Plus précisément la présente divulgation propose un procédé de maximisation de courant produit par un panneau photovoltaïque comportant un ou plusieurs modules solaires photovoltaïques bifaciaux, lesdits modules comportant une pluralité de cellules photovoltaïques chacune pourvue d’au moins deux jonctions empilées et connectées en série, ledit panneau étant orientable et comportant un dispositif de pilotage de son orientation par rapport au soleil, le procédé comportant: une mesure d’irradiance en face avant Ai sur une face supérieure photo active dudit panneau et une mesure d’irradiance en face arrière Ar sur une face inférieure photo active dudit panneau dans une orientation initiale du panneau, une mesure du courant initial I produit par le panneau en réponse aux irradiances face avant Ai et face arrière Ar et un calcul des courants générés Ijg par lesdites jonctions empilées en fonction des caractéristiques physiques des cellules, dudit courant initial et des irradiances en face avant et en face arrière, un calcul d’une orientation théorique optimisée pour laquelle, connaissant lesdites irradiances Ai, Ar mesurées, les courants générés et les caractéristiques physiques des cellules, une égalisation des courants théoriques Ijtmax des jonctions des cellules et leur maximisation est obtenue, un positionnement du panneau dans ladite orientation théorique dans le cas où un déséquilibre entre lesdits courants théoriques Ijtmax et lesdits courants générés Ijg est supérieur à une valeur seuil dIjmax ou un maintien de la position dudit panneau en cas de différence de courant entre lesdits courants théoriques et lesdits courants générés inférieure à ladite valeur seuil.
Le procédé permet d’ajuster les différences d’irradiance entre la face supérieure et la face inférieure du panneau pour égaliser et maximiser le courant produit par les jonctions et donc les cellules. Il y a lieu de noter que le procédé n’a pas pour objectif d’égaler les irradiances perçues sur les deux faces du panneau mais bien d’ajuster les irradiances pour égaler et maximiser lesdits courants ce qui n’est pas nécessairement obtenu en égalant les irradiances perçues.
Lorsque le déséquilibre entre lesdits courants théoriques Ijtmax et lesdits courants générés Ijg est inférieur à ladite valeur seuil dIjmax, le procédé peut comporter un balayage de positions du panneau autour de la position théorique obtenue, une mesure du courant produit par le panneau dans chacune desdites positions et une étape de placement du panneau dans la position maximisant le courant produit par le panneau.
Ainsi l’optimisation tient compte des caractéristiques réelles de cellules et permet d’affiner la prédiction d’orientation du panneau issue du calcul.
La mesure d’irradiance en face supérieure étant réalisée par un ou plusieurs capteurs supérieurs disposés au niveau de ladite face supérieure du panneau et un ou plusieurs capteurs inférieurs disposés au niveau de ladite face inférieure du panneau, le procédé peut comporter des étapes préalables à une mise en service du panneau comportant une étape de choix du nombre de capteurs supérieurs et inférieurs et une étape de positionnement du ou des capteurs supérieurs et inférieurs en fonction de conditions d’ombrage et d’uniformité de lumière perçue au-dessus et au-dessous du panneau selon plusieurs inclinaisons du panneau, en sorte de générer des données d’irradiance adaptées au calcul de ladite orientation théorique.
Ainsi une optimisation du nombre et de la position des capteurs est réalisée.
Les étapes préalables peuvent comporter un positionnement des capteurs aux endroits subissant les variations d’irradiance les plus importantes hors ombrage en fonction de l’orientation du panneau. Le positionnement permettant de trouver un compromis entre minimisation de l’ombrage et obtention de l’information requise pour le calcul détaillé précédemment.
Ceci maximise la plage de fonctionnement du procédé.
La présente divulgation concerne en outre un panneau photovoltaïque configuré pour la mise en œuvre du procédé décrit ci-dessus, comportant un ou plusieurs modules dont les cellules sont des cellules bifaciales multi-jonctions dont les jonctions sont reliées en série.
Selon un mode de réalisation particulier, les cellules du ou des modules sont raccordées entre elles selon un réseau série/parallèle.
La présente divulgation concerne en outre un programme informatique comportant des instructions pour la mise en œuvre de tout ou partie du procédé décrit ci-dessus lorsque ce programme est exécuté par un processeur.
Dans certains modes de réalisation, la réaction de réduction est effectuée à une température de 18 à 25 °C.
Dans certains modes de réalisation, le procédé inclut en outre après la réaction de réduction, de soumettre séquentiellement la solution de réaction de réduction résultante à une dialyse et une concentration, et de soumettre la solution concentrée résultante à une lyophilisation pour obtenir le polysaccharide de sélénium.
Dans certains modes de réalisation, la dialyse est effectuée en utilisant un sac à dialyse ayant une coupure de poids moléculaire de 500 à 10 000 Da.
La présente description propose également l’utilisation du polysaccharide de sélénium selon les solutions techniques mentionnées ci-dessus ou du polysaccharide de sélénium obtenu par le procédé selon les solutions techniques ci-dessus pour la préparation de médicaments destinés au traitement d’une maladie pulmonaire induite par le plomb.
La présente description propose un polysaccharide de sélénium, qui comprend un polysaccharide de pectine et du sélénium élémentaire chargé sur le polysaccharide de pectine. Par comparaison à d’autres types de polysaccharides tels que de l’amidon soluble, le polysaccharide de pectine selon la présente description à une activité antioxydante plus significative ainsi qu’une capacité de complexation supérieure pour le plomb de métal lourd. Dans le même temps, le polysaccharide de pectine à une surface superficielle spécifique plus grande, permettant à plus de sélénium élémentaire d’être chargé sur la surface, ce qui améliore davantage l’activité biologique du polysaccharide de sélénium. La propriété antioxydante est la fonction biologique de sélénium la plus basique et importante. De plus, il pourrait également avoir des effets antagonistes avec d’autres éléments de métal lourd, qui pourraient empêcher un empoisonnement par métal lourd dans le corps humain. Par conséquent, du sélénium élémentaire pourrait accentuer l’effet thérapeutique sur une lésion pulmonaire provoquée par du plomb de métal lourd environnemental en augmentant l’activité antioxydante du polysaccharide de pectine et la complexation avec un métal lourd. Les données des exemples indiquent que le polysaccharide de sélénium selon la présente description à un effet thérapeutique sur une lésion pulmonaire provoquée par des composés de plomb, un effet thérapeutique significatif sur une lésion pulmonaire subaiguë provoquée par du sulfate de plomb chez des rats, et un effet protecteur significatif sur la détérioration de cellules épithéliales alvéolaires (ATII) provoquée par de l’acétate de plomb.
La présente description propose également un procédé pour préparer le polysaccharide de sélénium selon les solutions techniques mentionnées ci-dessus, qui comprend le mélange du polysaccharide de pectine, d’une poudre de dioxyde de sélénium, d’un agent réducteur et d’eau, et l’exposition du mélange résultant à une réaction de réduction pour obtenir le polysaccharide de sélénium. Le procédé selon la présente description est simple et facile à mettre en œuvre.
La présente description propose également l’utilisation du polysaccharide de sélénium selon les solutions techniques mentionnées ci-dessus ou du polysaccharide de sélénium obtenu par le procédé selon les solutions techniques mentionnées ci-dessus pour la préparation de médicaments destinés au traitement d’une maladie pulmonaire induite par le plomb. Le polysaccharide de sélénium selon la présente description a un effet thérapeutique sur la lésion pulmonaire provoquée par des composés de plomb, un effet thérapeutique significatif sur la lésion pulmonaire subaiguë chez des rats provoquée par du sulfate de plomb, et un effet protecteur significatif sur la détérioration de cellules épithéliales alvéolaires (ATII) provoquée par de l’acétate de plomb. Par conséquent, il pourrait être utilisé pour préparer des médicaments destinés au traitement de maladies pulmonaires induites par le plomb.
La présente description propose un polysaccharide de sélénium, comprenant un polysaccharide de pectine et du sélénium élémentaire chargé sur le polysaccharide de pectine.
Dans certains modes de réalisation de la présente description, dans 1 g du polysaccharide de sélénium, le sélénium élémentaire est chargé sur le polysaccharide de pectine selon une quantité de 30 à 100 mg.
Dans certains modes de réalisation de la présente description, dans le polysaccharide de pectine, un pourcentage massique de sucres totaux se trouve dans la plage de 90 à 100 %, un pourcentage massique d’acide galacturonique se trouve dans la plage de 90 à 100 %, et un pourcentage massique de protéine se trouve dans la plage de 0 à 1 %. Les configurations de résidus de sucre et de liaisons glycosidiques sont principalement β-1,4-D-GalpA, c’est-à-dire →1)-β-D-GalpA-(4→.
Dans certains modes de réalisation de la présente description, le polysaccharide de pectine est préparé par les étapes suivantes consistant à :
(1) soumettre un fruit végétal avec de l’eau à une extraction synergique par micro-ondes-ultrasons pour obtenir une solution d’extrait, centrifuger la solution d’extrait, éliminer un précipité, et recueillir un surnageant A ; concentrer le surnageant A à une température de 60 à 80 °C jusqu’à 20 à 40 % du volume d’origine, pour obtenir une solution concentrée, et ajouter de l’éthanol entre 90 et 100 % en volume, qui est 3 à 4 fois la masse de la solution concentrée, à la solution concentrée pour précipiter un polysaccharide ; soumettre le précipité de polysaccharide à une lyophilisation pour obtenir un polysaccharide de fruit ;
(2) redissoudre le polysaccharide de fruit avec de l’eau, qui est 10 à 20 fois la masse du polysaccharide de fruit, centrifuger, et éliminer un précipité, pour obtenir un surnageant B ; soumettre le surnageant B à une chromatographie avec une colonne chromatographique de Diéthylaminoéthyle (DEAE)–cellulose, éluer ensuite avec de l’eau distillée et une solution de NaCl aqueuse 0,5 mol/l à la suite, qui sont respectivement 2 à 3 fois le volume de la colonne chromatographique de DEAE-cellulose, et recueillir un éluat A obtenu lors de l’élution avec la solution de NaCl aqueuse 0,5 mol/l selon une courbe de distribution de teneur en sucre ; soumettre l’éluat A à une dialyse pour désalination et à une lyophilisation pour obtenir un polysaccharide acide de fruit ; et
(3) dissoudre le polysaccharide acide de fruit avec de l’eau qui est 5 à 10 fois la masse du polysaccharide acide de fruit, purifier en utilisant une colonne chromatographique de Sepharose CL-6B, et recueillir un éluat B ayant un poids moléculaire de 4,4 à 180,7 kDa selon une courbe de distribution de teneur en sucre ; soumettre l’éluat B à une dialyse pour désalination et à une lyophilisation pour obtenir le polysaccharide de pectine.