INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La illustre une tuyère de pulvérisation de carburant à mélange pauvre 60 selon un premier mode de réalisation, fournissant deux alimentations différentes en carburant à partir d’un collecteur (non illustré par souci de simplicité).
La tuyère de pulvérisation de carburant 60 comprend un bras d’alimentation 62 et une tête de tuyère de pulvérisation de carburant à mélange pauvre 64. Le bras d’alimentation 62 délivre du carburant du collecteur à la tête de tuyère 64, à travers un circuit de carburant pilote 67 et un circuit de carburant principal 69 avec des tuyaux d’alimentation en carburant pilote et principal respectifs 66, 68. Le bras d’alimentation 62 comprend un boîtier 65. Le bras d’alimentation 62 peut comprendre un entrefer de protection thermique 63 formé par le boîtier 65.
La tête de tuyère 64 mélange le carburant avec de l’air et délivre le mélange dans une chambre de combustion de l’équipement de combustion 16 sous forme de pulvérisation atomisée. La tête de tuyère 64 peut également comprendre une protection thermique.
Le tuyau d’alimentation en carburant pilote 66 est destiné à délivrer du carburant pilote à un injecteur de carburant pilote 70 avec une sortie d’injecteur de carburant pilote, ou un atomiseur, 71 à l’intérieur de la tête de tuyère 64, et le tuyau d’alimentation en carburant principal 68 est destiné à délivrer du carburant principal à un injecteur de carburant principal 72 avec une sortie d’injecteur de carburant principal, ou un atomiseur, 73 dans la tête de tuyère 64. Dans l’exemple représenté, le tuyau d’alimentation en carburant pilote 66 est agencé de manière concentrique à l’intérieur du tuyau d’alimentation en carburant principal 68.
La tuyère de pulvérisation de carburant 60 est pourvue d’une bride 88. La bride 88 est agencée au niveau d’une partie d’extrémité amont du bras d’alimentation 62 et peut être réalisée d’un seul tenant avec le boîtier 65. Dans le moteur assemblé 10, la tuyère de pulvérisation de carburant 60 peut être fixée à un boîtier externe de brûleur 90, par exemple par des attaches, par ex. des boulons.
La tête de tuyère 64 est sensiblement cylindrique, s’étendant le long d’une direction axiale selon un angle par rapport au bras d’alimentation 63. Dans la tête de tuyère 64, un premier passage de tourbillonnement d’air 76 s’étend de manière sensiblement centrale. Un premier passage de carburant annulaire 78 est formé autour du premier passage de tourbillonnement d’air 76. Le premier passage de carburant annulaire 78 est relié au tuyau d’alimentation en carburant pilote 66 et est en communication fluidique avec celui-ci pour fournir du carburant pilote à l’injecteur de carburant pilote 70.
Un deuxième passage de tourbillonnement d’air 80 est prévu concentriquement radialement vers l’extérieur du premier passage de carburant annulaire 78, et un deuxième passage de carburant annulaire 82 est prévu radialement vers l’extérieur du deuxième passage de tourbillonnement d’air 80. Le deuxième passage de carburant annulaire 82 est relié au tuyau d’alimentation en carburant principal 68 et est en communication fluidique avec celui-ci pour fournir du carburant principal à l’injecteur de carburant principal 72.
Chacun des premier et deuxième passages de tourbillonnement d’air 76, 80 reçoit de l’air du compresseur basse pression 14 ou du compresseur haute pression 15, ou des deux. Les passages de tourbillonnement d’air 76, 80 comprennent des aubes de tourbillonnement (non représentées) pour conférer une turbulence à l’air. De manière similaire, les premier et deuxième passages de carburant annulaires 78, 82 comprennent également des aubes de tourbillonnement (non représentées) pour conférer une turbulence au carburant. Une tête de tourbillonnement 84 peut être prévue à l’extérieur du deuxième passage de carburant annulaire 82 pour fournir de l’air supplémentaire à l’injecteur de carburant principal 72.
En utilisation, l’air provenant des premier et deuxième passages de tourbillonnement d’air 76, 80 est mélangé avec le carburant pilote et principal provenant des premier et deuxième passages de carburant 78, 82 pour fournir du carburant atomisé, à injecter dans la chambre de combustion.
Bien que la tuyère de pulvérisation de carburant 60 ait été décrite comme ayant deux passages de tourbillonnement d’air, on appréciera que diverses variantes entrent dans le cadre de la présente divulgation. À titre purement illustratif, des tuyères de pulvérisation de carburant avec trois, quatre ou cinq passages de tourbillonnement d’air peuvent être utilisées. Par exemple, dans un mode de réalisation à trois passages de tourbillonnement d’air, un troisième passage de tourbillonnement d’air peut être prévu concentriquement radialement vers l’extérieur du deuxième passage de carburant annulaire 82 ; dans un mode de réalisation à quatre passages de tourbillonnement d’air, un quatrième passage de tourbillonnement d’air peut être prévu concentriquement radialement vers l’extérieur du deuxième passage d’air 80, pour fournir de l’air supplémentaire à l’injecteur de carburant principal 72. Par conséquent, la présente divulgation s’étend aux tuyères de pulvérisation de carburant à mélange pauvre 60 avec une architecture différente et ayant un nombre différent de passages de tourbillonnement d’air.
La tuyère de pulvérisation de carburant 60 comprend en outre un dispositif de commutation, ou une soupape d’étagement, 74 pour commander la division du carburant entre l’injecteur de carburant pilote 70 et l’injecteur de carburant principal 72. Le dispositif de commutation 74 est agencé en amont du bras d’alimentation 62 et de la bride 88. En utilisation, lorsque la tuyère de pulvérisation de carburant 60 est reliée au boîtier externe de brûleur 90 au niveau de la bride 88, le dispositif de commutation 74 est situé radialement vers l’extérieur du boîtier externe de brûleur 90.
Le dispositif de commutation 74 reçoit du carburant du collecteur et typiquement, au moins une partie du carburant est fournie à l’injecteur de carburant pilote 70 à tout moment. Les proportions relatives du carburant fourni à l’injecteur de carburant pilote 70 et à l’injecteur de carburant principal 72 varient en fonction des conditions environnementales et du mode de fonctionnement du moteur. Par exemple, la proportion de carburant fournie à l’injecteur de carburant pilote 70 est augmentée dans des circonstances telles que l’allumage du moteur, le décollage, la montée, la descente, le ralenti ou des conditions environnementales particulières. Dans certaines circonstances, 100 pour cent de carburant peuvent être fournis à l’injecteur de carburant pilote 70. Un mélange de l’injecteur de carburant principal 72 et de l’injecteur de carburant pilote 70, avec une contribution variable provenant de l’injecteur de carburant pilote 70, est utilisé à d’autres moments. Par exemple en croisière, le rapport du carburant fourni par l’alimentation pilote sur le carburant fourni par l’alimentation principale peut être de 20:80, ou toute autre proportion appropriée. Le dispositif de commutation 74 commande la division du carburant entre l’injecteur de carburant pilote 70 et l’injecteur de carburant principal 72.
Le dispositif de commutation 74 sera maintenant décrit de manière plus détaillée en référence aux figures 4, 5a et 5b, qui montrent schématiquement une disposition du dispositif de commutation 74 selon un premier mode de réalisation dans une position de courant principal hors service et une position de courant principal en service, respectivement.
Par « service de réanimation » on entend le service spécialisé où sont hospitalisés les patients les plus graves. Ils y bénéficient d’une surveillance constante des fonctions vitales comme la ventilation, l’oxygénation, la pression artérielle, les fonctions cardiaque et rénale. Si besoin, une assistance de ces fonctions vitales peut être mise en place afin de permettre si possible la survie du patient. Les patients sont admis en réanimation s’ils présentent une défaillance d’une fonction vitale comme par exemple lors d’une infection grave (choc septique), d’une intoxication médicamenteuse, d’un polytraumatisme, d’un coma, d’une insuffisance rénale aiguë, d’une insuffisance respiratoire aiguë, après un arrêt cardiaque ou encore en post-opératoire d’une chirurgie majeure comme la chirurgie cardiaque ou digestive.
Par « unité de soins intensifs » ou « service des soins intensifs » ou « USI » on entend le service qui a pour mission de prendre en charge les patients en état critique, c'est-à-dire qui présentent une défaillance d’au moins une fonction vitale, ou qui sont à risque de développer une complication sévère. Le service des soins intensifs dispose de moyens techniques très spécialisés. Ceux-ci sont mis en œuvre de façon continue par une équipe multidisciplinaire afin de déceler, prévenir et corriger les déséquilibres aigus et présumés réversibles liés à l’affection sous-jacente (maladie, chirurgie, traumatisme, intoxication, brûlure, sepsis).
Par « unité de soin s continus » ou « unité de surveillance continue » ou « USC », on entend un service de l'hôpital destiné à accueillir et prendre en charge des malades nécessitant une surveillance rapprochée. Les unités de surveillance continue prennent en charge les patients dont l'état et le traitement font craindre la survenue d'une ou plusieurs défaillances vitales les patients dont l'état, au sortir d'une ou plusieurs défaillances vitales (après un séjour en réanimation, par exemple), est trop sévère ou instable pour permettre un retour dans une unité d'hospitalisation classique. Les unités de surveillance continue constituent un niveau intermédiaire entre d’une part les services de réanimation et d’autre part les services de soins classiques.
Selon un mode de réalisation préféré, le présent procédé d’évaluation in vitro ou ex vivo permet d’évaluer un risque de complication chez un patient admis en unité de soins intensifs.
Le présent procédé d’évaluation est plus particulièrement adapté à l’évaluation d’un risque de complication chez un patient ayant subi une agression immuno-inflammatoire.
Par « agression immuno -inflammatoire » on entend un trauma ou une blessure ayant pour effet d’induire dans l’organisme du patient une réponse hyper-inflammatoire. La persistance de ce dernier entraîne une immunodépression acquise, liée à un profil anti-inflammatoire, et in fine l’incapacité à juguler les infections. Ce phénomène, aussi connu sous le nom d’immunoparalysie, se caractérise par la régulation à la baisse de l'expression des molécules du complexe majeur d'histocompatibilité de classe II à la surface des monocytes, mais pas des cellules B. La suppression de la fonction monocyte/macrophage réduit la libération des complexes immunitaires, altère les capacités de présentation des antigènes et diminue la fonction des cellules tueuses naturelles (cellules NK). Ce type de réaction est fréquent chez les patients non immunodéprimés des unités de soins intensifs (Hotchkiss et al., 2013).
Une « agression immuno -inflammatoire » comprend notamment le traumatisme pour les patients atteints de traumatismes, la brûlure pour les patients atteints de brûlures, la chirurgie pour les patients ayant subi une chirurgie ou le sepsis pour les patients en état septique.
Selon un mode de réalisation préféré, la description porte sur un procédé in vitro ou ex vivo pour évaluer un risque de complication chez un patient ne prenant pas de traitement immunosuppresseur ledit patient étant en état septique, plus particulièrement en choc septique, et/ou un patient atteint de brûlure(s), plus particulièrement de brûlure(s) grave(s), et/ou un patient atteint de traumatisme(s), plus particulièrement de traumatisme(s) grave(s), et/ou un patient ayant subi une opération chirurgicale, plus particulièrement une opération chirurgicale lourde.
Par « patient en état septique » ou « patient atteint de sepsis » on entend un patient présentant au moins une défaillance d’organe menaçant le pronostic vital et causé par une réponse inappropriée de l’hôte à une infection.
Par « choc septique », on entend un sous-type de sepsis, dans lequel une hypotension persiste, malgré un remplissage vasculaire adéquat.
Par « patient atteint de brûlure ( s ) » on entend que le patient présente une destruction cellulaire de la peau et des structures sous-jacentes causées une brûlure thermique et/ou une brûlure électrique et/ou une brûlure chimique et/ou une brûlure par radiation. Une brûlure peut être superficielle, intermédiaire, ou plus profonde et avoir une localisation généralisée ou particulière comme par exemple le cou, la face, les yeux, les mains, les pieds, les articulations ou d’autres parties du corps.
Par « brûlure ( s ) grave ( s ) » ou « patient atteint de brûlure ( s ) grave ( s ) » on entend un patient dont la surface de corps ayant brûlé est supérieure à 15% de la surface totale du corps, de préférence supérieure à 20%, de préférence supérieure à 25%, et tout particulièrement supérieure à 30% de la surface totale du corps.
Par « patient atteint de traumatisme ( s ) » on entend un patient admis directement dans une unité de soins intensifs. Par « patient atteint de traumatisme ( s ) grave ( s ) » on entend, un patient ayant un score de sévérité des blessures (ISS, injury severity score, Baker et al, 1974) supérieur à 15, de préférence supérieur à 20 et de préférence encore, supérieur à 25.
Par « patient ayant subi une opération chirurgicale », on entend un patient ayant subi un acte opératoire invasif visant à traiter un état pathologique tel qu'une maladie ou une blessure, pour aider ou améliorer les fonctions corporelles, l'apparence, ou pour réparer des zones lésées.
Par « chirurgie lourde » ou « patient ayant subi une opération chirurgicale lourde », on entend un acte de chirurgie présentant une difficulté technique et/ou présentant un risque hémorragique et/ou présentant un risque de décès et/ou de durée longue (comme par exemple supérieure à 3 heures, de préférence supérieure à 4 heures comme par exemple 5 heures ou 6 heures, voire plus), et/ou nécessitant des soins post-opératoires importants. A titre d’exemple non limitatif on entend par chirurgie lourde une chirurgie prévue pour au moins l'une des indications suivantes : œsophago-gastrectomie, résection de la vessie de Bricker (résection totale de la vessie avec reconstruction à partir de l'intestin grêle), pancréaticoduodénectomie céphalique (procédure de Whipple) et/ou chirurgie de l'anévrisme de l'aorte abdominale par laparotomie.
Certains modes de réalisation préférés sont décrits ci-dessous. La présente de description ne se limite pas à ces modes de réalisation et d’autres modes particuliers pourront être mis en œuvre en combinant une ou plusieurs des caractéristiques décrites précédemment.
Le transistor de sélection 20 peut être un transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) formé dans un substrat en silicium massif 21 (substrat « bulk »). Le transistor de sélection 20 comprend alors une région de source 22, une région de drain 23 et une région de canal 24 disposée entre la région de source 22 et la région de drain 23. La région de canal 24 est surmontée d’une structure de grille 25 comprenant une électrode de grille 25a et un diélectrique de grille 25b.
Le document [« OxRAM for embedded solutions on advanced node: scaling perspectives considering statistical reliability and design constraints”, J. Sandrini et al., 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), p. 30.5.1-30.5.4, 2019] décrit une autre cellule mémoire 1T1R comprenant un élément mémoire résistif de type OxRAM et un transistor de sélection en technologie silicium sur isolant complétement déplété (ou FDSOI, pour « Fully Depleted Silicon On Insulator »). Dans ce document, il est montré que les besoins de l’élément OxRAM en termes de courant de programmation et de tension de forming peuvent être satisfaits par un transistor FDSOI.
La taille d’une cellule mémoire 1T1R est principalement dictée par la surface du substrat (silicium massif ou SOI) occupée par le transistor de sélection, plutôt que par les dimensions de l’élément mémoire. Cela est dû aux besoins en courant et en tension de l’élément mémoire (qui doivent être satisfaits par le transistor de sélection) et au fait que l’élément mémoire est formé dans la partie dite « back-end » du circuit, autrement dit dans les niveaux d’interconnexion disposés sur le substrat.
Pour augmenter la densité des mémoires résistives, il est donc nécessaire de réduire la surface occupée par le transistor de sélection de chaque cellule mémoire. Cette réduction s’effectue au détriment du courant que le transistor de sélection est capable de délivrer. Or les performances de l’élément mémoire comme la fenêtre mémoire se dégradent pour des courants de programmation inférieurs à 100 µA.
Il existe donc un besoin de réduire la surface occupée par le transistor de sélection dans une cellule mémoire 1T1R sans toutefois diminuer les performances de l’élément mémoire résistif auquel il est connecté.
Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un dispositif mémoire comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal, une couche isolante enterrée et une grille arrière séparée de la région de canal par la couche isolante enterrée, le dispositif mémoire comprenant en outre un circuit de polarisation de la grille arrière du transistor de sélection, le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe (ou FBB, pour « Forward Back-Bias » en anglais) au transistor de sélection lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de l’élément mémoire résistif.
Un transistor FDSOI à grille arrière, aussi appelé à corps et oxyde enterré ultraminces ou UTBB (pour « Ultra Thin Body and BOX » en anglais), est capable de fournir le même courant qu’un transistor MOS sur substrat massif (ou qu’un transistor FDSOI à oxyde enterrée épais), tout en occupant une surface plus faible. En effet, en appliquant une polarisation en face arrière du transistor (technique appelée « back-biasing » en anglais), il est possible de moduler dynamiquement la tension de seuil du transistor et donc sa capacité à fournir du courant. Le courant délivré par le transistor de sélection UTBB FDSOI peut ainsi être augmenté ponctuellement, typiquement lors des opérations de programmation ou lors d’une opération d’initialisation (étape dite de « forming »).
Dans un mode de réalisation préférentiel du dispositif mémoire, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse (ou RBB, pour « Reverse Back-Bias » en anglais) au transistor de sélection lors d’une opération de lecture de l’élément mémoire résistif. La consommation électrique du dispositif mémoire est ainsi réduite.
Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection en dehors des opérations de programmation, d’initialisation et de lecture de l’élément mémoire résistif.
De préférence, l’élément mémoire résistif est de type OxRAM, CBRAM ou PCRAM.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un circuit mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire, chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal, une couche isolante enterrée et une grille arrière séparée de la région de canal par la couche isolante enterrée. Le circuit mémoire comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière des transistors de sélection, le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection d’au moins une cellule mémoire lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de ladite au moins une cellule mémoire.
Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection de ladite au moins une cellule mémoire lors d’une opération de lecture de ladite au moins une cellule mémoire.
Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour, lors d’une opération de lecture d’une cellule mémoire, appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection de plusieurs cellules mémoire adjacentes à la cellule mémoire lue.
De préférence, les transistors de sélection des cellules mémoire sont agencés en lignes et en colonnes, les lignes de transistors forment plusieurs groupes de transistors, chaque groupe de transistors comprenant au moins deux lignes de transistors consécutives, et le circuit mémoire comprend des régions distinctes de silicium dopé appelées caissons, chaque caisson comprenant les grilles arrière des transistors de sélection appartenant à un seul et même groupe de transistors.
Dans un premier mode de réalisation du circuit mémoire, les caissons sont dopés d’un même type de conductivité et espacés les uns des autres. Les transistors de sélection peuvent être tous de type NMOS soit tous de type PMOS.
Dans un deuxième mode de réalisation, le circuit mémoire comprend des caissons dopés d’un premier type de conductivité et au moins un caisson dopé d’un deuxième type de conductivité opposé, les caissons dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson dopé du deuxième type de conductivité étant disposés en alternance. Les caissons dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson dopé du deuxième type de conductivité peuvent être adjacents ou séparés par des tranchées d’isolation électrique. De préférence, tous les transistors de sélection d’un groupe associé à un caisson dopé de type N sont de type NMOS et tous les transistors de sélection d’un groupe associé à un caisson dopé de type P sont de type PMOS.
Dans un tel agencement, le deuxième compresseur peut être positionné axialement en aval du premier compresseur. Le deuxième compresseur peut être agencé pour recevoir (par exemple recevoir directement, par exemple par l’intermédiaire d’un conduit globalement annulaire) un écoulement en provenance du premier compresseur.
La boîte à engrenages peut être agencée pour être entraînée par l’arbre de noyau qui est configuré pour tourner (par exemple en utilisation) à la vitesse de rotation la plus basse (par exemple le premier arbre de noyau dans l’exemple ci-dessus). Par exemple, la boîte à engrenages peut être agencée pour être entraînée uniquement par l’arbre de noyau qui est configuré pour tourner (par exemple en utilisation) à la vitesse de rotation la plus basse (par exemple, uniquement par le premier arbre de noyau, et non par le deuxième arbre de noyau, dans l’exemple ci-dessus). En variante, la boîte à engrenages peut être agencée pour être entraînée par un quelconque ou plusieurs arbres, par exemple le premier et/ou le deuxième arbres dans l’exemple ci-dessus.
La boîte à engrenages peut être un réducteur de vitesse (dans la mesure où la sortie vers la soufflante a une vitesse de rotation inférieure à celle de l’entrée à partir de l’arbre de noyau). Tout type de boîte à engrenages peut être utilisé. Par exemple, la boîte à engrenages peut être une boîte à engrenages « planétaire » ou « en étoile », comme décrit plus en détail ailleurs dans le présent document. La boîte à engrenages peut avoir un rapport de réduction souhaité quelconque (défini comme étant la vitesse de rotation de l’arbre d’entrée divisée par la vitesse de rotation de l’arbre de sortie), par exemple supérieur à 2,5, par exemple dans la plage allant de 3 à 4,2 ou de 3 à 3,8, ou de 3,2 à 3,8, par exemple de l’ordre de ou d’au moins 3, 3,1, 3,2, 3,3, 3,4, 3,5, 3,6, 3,7, 3,8, 3,9, 4, 4,1 ou 4,2. Le rapport d’engrenage peut être, par exemple, compris entre deux valeurs quelconques des valeurs dans la phrase précédente. À titre purement illustratif, la boîte à engrenages peut être une boîte à engrenages « en étoile » ayant un rapport dans la plage allant de 3,1 ou 3,2 à 3,8. Dans certains agencements, le rapport d’engrenage peut être en dehors de ces plages.