Dispositif électronique (DI) comprenant une première surface (S1) et une deuxième surface (S2) opposée à la première surface (S1) et destiné à connecter un premier composant électronique (CE1) à un deuxième composant électronique (CE2) situés sur la première surface (S1) au moyen d’au moins une piste conductrice (PC), la piste conductrice (PC) comprenant une pluralité de sections (SE) disposées les unes à la suite des autres de sorte à former la piste conductrice (PC), chaque section (SE) étant constituée d’un matériau supraconducteur choisi de sorte à former avec la section (SE) qui la suit, si une telle section (SE) existe, et la section (SE) qui la précède, si une telle section (SE) existe, une interface de désadaptation acoustique (IA) (ou interface Kapitza). Dispositif (DI) selon la revendication 1, dans lequel le dispositif (DI) comporte une alternance de deux types de couches : une première couche d’un premier matériau diélectrique ayant un premier module de Young, dite couche molle (CM), et une deuxième couche (CD) d’un deuxième matériau diélectrique ayant un deuxième module de Young supérieur au premier module de Young, dite couche dure (CD), la piste conductrice (PC) étant formée dans l’une des couches molles (CM). Dispositif électronique (DI) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel la piste conductrice (PC) comprend une pluralité de premières sections (SE1) dans un premier matériau supraconducteur et une pluralité de deuxièmes sections (SE2) dans un deuxième matériau supraconducteur différent du premier matériau supraconducteur, la piste conductrice (PC) étant formée par une alternance de premières sections (SE1) et de deuxièmes sections (SE2). Dispositif électronique (DI) selon la revendication précédente dans lequel le couple formé par le premier matériau supraconducteur et le deuxième matériau supraconducteur est choisi parmi les couples suivants : Le couple dans lequel le premier matériau est le niobium et le deuxième matériau est le nitrure de titane ; Le couple dans lequel le premier matériau est le nitrure de niobium et le deuxième matériau est le nitrure de titane ; Le couple dans lequel le premier matériau est le de nitrure de niobium et le deuxième matériau est le titanure de niobium. Le couple dans lequel le premier matériau est le niobium-étain et le deuxième matériau est le nitrure de titane. Dispositif électronique (DI) selon l’une des deux revendications précédentes dans leur dépendance à la revendication 1 dans lequel le dispositif (DI) comprend une pluralité de niveaux de routage (NR1,NR2) reliés entre eux par des vias, la piste conductrice (PC) étant formée sur une partie au moins de ces niveaux de routages (NR1,NR2) et le matériau utilisé pour les sections (SE) d’un niveau de routage donné étant différent du matériau utilisé pour les sections (SE) du niveau de routage immédiatement au-dessus et au-dessous, chaque via étant fait dans l’un des matériaux du niveau de routage (NR1,NR2) parmi les deux niveaux de routage (NR1,NR2) qu’il relie. Dispositif électronique (DI) selon l’une des revendications 3 à 4 dans leur dépendance à la revendication 1 dans lequel le dispositif (DI) comprend une pluralité de niveaux de routage (NR1,NR2), les niveaux de routage (NR1,NR2) étant connectés entre eux par des vias, la piste conductrice (PC) étant formée sur une partie au moins de ces niveaux de routages (NR1,NR2), la pluralité de premières sections (SE1) étant formée dans une partie au moins des niveaux de routage de la pluralité de niveaux de routage, chaque deuxième section (SE2) formant un via reliant une première section (SE1) de la pluralité de premières sections (SE1) d’un niveau de routage (NR1) à une première section (SE1) de la pluralité de premières sections (SE1) d’un niveau de routage (NR2) situé au-dessus ou au-dessous. Dispositif électronique (DI) selon la revendication précédente, dans lequel le dispositif (DI) comporte une alternance de deux types de couche : une première couche (CM) d’un premier matériau diélectrique (CM) ayant un premier module de Young, dite couche molle (CM), et une deuxième couche d’un deuxième matériau diélectrique (CD) ayant un deuxième module de Young supérieur au premier module de Young, dite couche dure (CD), chaque niveau de routages (NR1, NR2) étant réalisée dans une couche dure (CD) et chaque via (VI) étant réalisé, au moins en partie, dans une couche molle (CM). Dispositif électronique (DI) selon la revendication précédente dans lequel le premier matériau diélectrique est le SiO 2 (CM) et le deuxième matériau diélectrique est le SiN (CD). Dispositif électronique (DI) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel l’extrémité de chaque via (VI) s’étend dans une couche dure (CD) de sorte que l’interface entre chaque via et les deux niveaux de routage (NR1, NR2) qu’il relie est formée dans une couche dure (CD). Dispositif électronique (DI) selon la revendication 7 ou la revendication 8 dans lequel chaque via (VI) est réalisé entièrement dans une couche molle (CM) et s’étend sur toute l’épaisseur de ladite couche molle (CM). Dispositif électronique (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel les matériaux supraconducteurs ont une température critique supérieure à 2K, de préférence supérieure à 4K. Dispositif électronique (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel les matériaux formant les interfaces de désadaptation acoustique (IA) sont choisis de sorte que le ratio de la vitesse du son dans les matériaux respectifs est supérieur à 1.5, de préférence supérieur à 2. Dispositif électronique (DI) selon l’une des revendications précédentes dans lequel chaque piste conductrice comprend au moins 100 interfaces de désadaptation acoustique (IA). Système comprenant un dispositif (DI) selon l’une des revendications précédentes, un premier composant électronique (CE1) et un deuxième composant électronique (CE2), le premier composant électronique (CE1) et le deuxième composant électronique (CE2) étant disposés sur la première surface (S1) du dispositif (DI) et connectés électriquement l’un à l’autre au moyen de la piste conductrice (PC) du dispositif (DI). Procédé (100) de fabrication d’un dispositif électronique (DI) à partir d’un substrat (SB), le procédé comprenant : une première étape (1E1) de dépôt d’une couche (SC1) d’un premier matériau supraconducteur sur le substrat (SB) ; une première étape (1E2) de lithographie de la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur de sorte à définir des motifs sur ladite couche ; une première étape (1E3) de gravure des motifs définis lors de la première étape (1E2) de lithographie sur toute l’épaisseur de la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur ; une deuxième étape (1E4) de dépôt d’une couche (SC2) d’un deuxième matériau supraconducteur sur la couche (SE1) de premier matériau supraconducteur et dans les motifs gravés lors de la première étape (1E3) de gravure ; une deuxième étape (1E5) de lithographie de la couche (SC2) de deuxième matériau supraconducteur de sorte à définir des motifs sur la partie de la couche (SC2) de deuxième matériau supraconducteur située sur la couche (SE1) de premier matériau supraconducteur ; une deuxième étape (1E6) de gravure des motifs définis lors de la deuxième étape (1E5) de lithographie sur tout l’épaisseur de la couche (SC2) de deuxième matériau supraconducteur de sorte à définir une pluralité de sections (SE1, SE2) disposées les unes à la suite des autres pour former au moins une piste conductrice (PC), deux sections (SE1, SE2) successives étant dans un matériau supraconducteur différent et choisi parmi le premier matériau supraconducteur et le deuxième matériau supraconducteur de sorte à former une interface de désadaptation acoustique (IA) entre chaque section. Procédé (100) selon la revendication précédente comprenant en outre, après la deuxième étape (1E6) de gravure, une étape (1E8) de dépôt d’une couche d’encapsulation. Procédé selon l’une des deux revendications précédentes comprenant en outre, après la deuxième étape (1E6) de gravure et avant l’étape (1E8) de dépôt d’une couche d’encapsulation si cette étape est mise en œuvre, une étape (1E7) de polissage mécano-chimique. Procédé (200) de fabrication d’un dispositif électronique (DI) à partir d’un substrat (SB), le procédé (200) comprenant : une première étape (2E1) de dépôt d’une couche (CS1) d’un premier matériau supraconducteur sur le substrat (SB) ; une première étape (2E2) de lithographie de la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur de sorte à définir des motifs sur ladite couche (SC1) ; une première étape (2E3) de gravure des motifs définis lors de la première étape de lithographie sur toute l’épaisseur de la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur ; une deuxième étape (2E4) de dépôt d’une couche (PA) de passivation sur la couche (SE1) de premier matériau supraconducteur et sur le substrat (SB) encore exposé ; une deuxième étape (2E5) de lithographie de la couche (PA) de passivation de sorte à définir des motifs sur ladite couche (PA) au-dessus de la couche (SE1) de premier matériau supraconducteur ; une deuxième étape (2E6) de gravure des motifs définis lors de la deuxième étape (2E5) de lithographie sur toute l’épaisseur de la couche (PA) de passivation de sorte à exposer une partie de la couche (SE1) d’un premier matériau supraconducteur ; une troisième étape (2E7) de dépôt d’une couche (SC2) d’un deuxième matériau supraconducteur différent du premier matériau supraconducteur sur la couche (PA) de passivation et dans les motifs gravés lors de la deuxième étape (2E6) de gravure ; une étape (2E8) de polissage mécano-chimique de sorte à ne conserver que la couche (SE2) d’un deuxième matériau conducteur déposée dans les motifs gravés précédemment et ainsi former des vias (VI) dans le deuxième matériau supraconducteur ; une quatrième étape (2E9) de dépôt d’une couche (SC1) du premier matériau supraconducteur ; une troisième étape (2E10) de lithographie de la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur de sorte à définir des motifs sur ladite couche (SC1) ; une troisième étape (2E11) de gravure des motifs définis lors de la troisième étape (2E10) de lithographie sur toute l’épaisseur de la couche de premier matériau supraconducteur ; procédé (200) dans lequel le premier matériau supraconducteur et le deuxième matériau supraconducteur sont choisis de sorte à former, lorsqu’ils sont en contact l’un de l’autre, une interface de désadaptation acoustique (IA). Procédé selon la revendication précédente dans lequel les première, deuxième et troisième étapes (2E1, 2E4, 2E7) de dépôt, les premières et deuxièmes étapes (2E2, 2E5) de lithographie, les première et deuxième étapes (2E3, 2E6) de gravure et l’étape (2E8) de polissage mécano chimique sont répétées une pluralité de fois de sorte à obtenir une pluralité de niveaux de routage (NR1, NR2) dans le premier matériau supraconducteur connectés entre eux par des vias (VI) dans le deuxième matériau supraconducteur. Procédé (300) de fabrication d’un dispositif (DI) à partir d’un substrat (SB) comprenant une première couche d’un matériau diélectrique ayant un premier module de Young, dite couche molle (CM), le procédé comprenant : une première étape (3E1) de dépôt d’une deuxième couche (CD) d’un deuxième matériau diélectrique, dite couche dure (CD), ayant un deuxième module de Young supérieur au premier module de Young ; une deuxième étape (3E2) de dépôt d’une couche (SC1) d’un premier matériau supraconducteur sur la couche (CD) dure déposée lors de la première étape (3E1) de dépôt ; une première étape (3E3) de lithographie de sorte à définir les motifs d’une ou plusieurs sections (SE1) d’une piste conductrice (PC) dans la couche (SC1) de premier matériau supraconducteur ; une première étape (3E4) de gravure de la couche (SC1) d’un premier matériau supraconducteur sur toute son épaisseur selon les motifs définis lors de la première étape (3E3) de lithographie ; une troisième étape (3E5) de dépôt d’une couche (CD) du deuxième matériau diélectrique de sorte à recouvrir les sections obtenue à l’issue de la première étape (3E4) de gravure ; une première étape (3E6) de polissage mécano-chimique de la couche (CD) du deuxième matériau diélectrique déposée lors de la troisième étape (3E5) de dépôt ; une quatrième étape (3E7) de dépôt d’une couche (CM) de premier matériau diélectrique sur la couche (CD) de deuxième matériau diélectrique ; une cinquième étape (3E8) de dépôt d’une couche (CD) de deuxième matériau diélectrique sur la couche (CM) de premier matériau diélectrique ; une deuxième étape (3E9) de lithographie de sorte à définir les motifs d’une ou plusieurs sections (SE2) de la piste conductrice (PC) destinées à former les vias (VI) de la piste conductrice (PC) ; une deuxième étape (3E10) de gravure selon les motifs défini lors de la deuxième étape de lithographie (3E9) jusqu’à découvrir les parties de la couche de matériau supraconducteur (SE1) situées sous les motifs ; une sixième étape (3E11) de dépôt d’une couche d’un deuxième matériau supraconducteur (SC2) selon une épaisseur suffisante pour combler les motifs gravés lors de la deuxième étape (3E10) de gravure ; une deuxième étape (3E12) de polissage mécano-chimique de sorte à retirer le deuxième matériau supraconducteur en dehors des motifs définis lors de la deuxième étape (3E9) de lithographie et ainsi à dégager la couche (CD) de deuxième matériau diélectrique déposée lors de la cinquième étape de dépôt (3E8) ; une septième étape (3E13) de dépôt d’une couche du premier matériau supraconducteur sur la structure issue de l’étape (3E12) précédente ; une troisième étape (3E14) de lithographie de sorte à définir les motifs d’une ou plusieurs sections (SE1) de la piste conductrice PC ; une troisième étape (3E15) de gravure de la couche (SC1) du premier matériau sur toute son épaisseur selon les motifs définis lors de la troisième étape de (3E14) lithographie ; une huitième étape (3E16) de dépôt d’une couche (CD) du deuxième matériau diélectrique ; une troisième étape (3E17) de polissage mécano-chimique de la couche (CD) du deuxième matériau diélectrique déposée lors de la huitième étape (3E16) de dépôt ; une neuvième étape (3E18) de dépôt d’une couche (CM) du premier matériau diélectrique procédé (300) dans lequel le premier matériau supraconducteur et le deuxième matériau supraconducteur sont choisis de sorte à former, lorsqu’ils sont en contact l’un de l’autre, une interface de désadaptation acoustique (IA).