Composant opto-électronique (1) caractérisé en ce qu’il comprend : - une hétérostructure semiconductrice (2) apte à émettre un rayonnement laser formée en des premiers matériaux semiconducteurs comprenant une cascade de zones actives (21) à gain à transition radiative interbande de type II, - une structure de support (30) comprenant un substrat non natif (3) différent des premiers matériaux semiconducteurs, ladite hétérostructure semiconductrice (2) étant formée par croissance épitaxiale sur la structure de support (30). Composant opto-électronique (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure de support (30) comprend en outre sur le substrat non natif (3) au moins une couche tampon (4). Composant opto-électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la structure de support (30) comprend en outre une première couche de transition supplémentaire (53a), une première zone de confinement (51) et une deuxième couche de transition supplémentaire (53b). Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le substrat non natif (3) est formé en un matériau du groupe IV. Composant opto-électronique (1) selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat non natif (3) est formé en silicium. Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les premiers matériaux semiconducteurs comprennent un antimoniure. Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les zones actives (21) sont chacune constituées d’un puits quantique de trou inséré entre deux puits quantiques d’électrons, ledit puits quantique de trou et les deux puits quantiques d’électrons formant un ensemble situé entre deux couches barrières. Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les zones actives comprennent chacune : - une première couche 243 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 3.5 nm, - une deuxième couche 242a en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur entre 1 nm et 4 nm, - une troisième couche 241 en matériau ternaire à base de gallium, d’indium et d’antimoine dont la teneur en indium varie entre 0% et 50%, et d’épaisseur comprise entre 1.5 nm et 4.5 nm, - une quatrième couche 242b en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur entre 1 nm et 3.5 nm. Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les zones actives sont chacune située entre une zone de blocage d’électrons (23) et une zone de blocage de trous (22). Composant opto-électronique (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que : - chaque zone de blocage d’électrons (23) comprend : - une couche 231 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 et 3 nm, - une couche 232 en antimoniure de gallium GaSb et d’épaisseur comprise entre 1.5 et 5 nm, - une couche 233 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 et 3 nm, - une couche 234 en antimoniure de gallium GaSb et d’épaisseur comprise entre 2 et 5.5 nm, - une couche 235 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 et 3.5 nm. - chaque zone de blocage de trous (22) comprend : - une couche 221 en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 3 et 6 nm, - une couche 222a en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche 223 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 2 et 5 nm, - une couche 222b en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche 224 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 en matériau et d’épaisseur comprise entre 1.5 et 4 nm, - une couche 222c en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche 225 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm, - une couche 222d en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche 226 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm, - une couche 222e en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche 227 en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm. Composant opto-électronique (1) selon l’une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l’hétérostructure semiconductrice présente une densité de dislocations comprise entre 10 6 et 10 9 cm -2 .