Cellule mémoire programmable une seule fois (OTP) comprenant : - un transistor (10) comprenant : au moins un premier élément conducteur de grille (101) agencé dans au moins une première tranchée (102) formée dans un substrat (25) semiconducteur ; au moins une première portion de canal (103), enterrée dans le substrat (25) et s’étendant au niveau d’au moins une première face latérale (101a) du premier élément conducteur de grille (101); et - une capacité (30) apte à former une mémoire ; ladite première portion de canal (103) étant reliée à une électrode de la capacité (30). Cellule mémoire selon la revendication 1, dans lequel la première portion de canal (103) est formée selon un premier type de dopage. Cellule mémoire selon la revendication 2, dans lequel la première portion de canal (103) est séparée du premier élément conducteur de grille (101) par une première couche d’isolant (104). Cellule mémoire selon la revendication 3, dans lequel la capacité (30) comprend : une deuxième couche d’isolant (301) agencée sur une première face du substrat (25) ; au moins un deuxième élément conducteur (302) formé sur la deuxième couche d’isolant (301) ; et une électrode (303), formée selon le premier type de dopage, dans le substrat (25), et en regard d’au moins une partie du deuxième élément conducteur (302), la deuxième couche d’isolant (301) étant agencée, au moins en partie, entre l’électrode (303) et le deuxième élément conducteur (302). Cellule mémoire selon la revendication 4, dans lequel la capacité (30) comprend une deuxième portion (304) formée dans le substrat (25), en contact avec le deuxième isolant (301), et agencée entre l’électrode (303) de la capacité et la première portion de canal (103) du transistor (10), la deuxième portion (304) étant formée selon un deuxième type de dopage avec une concentration en dopants supérieure à une concentration en dopants du substrat (25). Cellule mémoire selon la revendication 5, dans lequel le transistor (10) comprend au moins une portion de polarisation de canal (106) agencée en contact avec la première portion de canal (103), la portion de polarisation de canal (106) étant formée selon le premier type de dopage avec une concentration en dopants supérieure à une concentration en dopant de la première portion de canal (103) et séparée du premier élément conducteur de grille (101) par la première couche d’isolant (104). Cellule mémoire selon la revendication 6, dans lequel le transistor (10) comprend au moins une source (108) formée dans le substrat (25) et agencée en contact avec la première portion de canal (103), la source (108) étant formée selon le deuxième type de dopage et séparée du premier élément conducteur de grille (101) par la première couche d’isolant (104). Cellule mémoire selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre un troisième élément conducteur (400), isolé électriquement par rapport au premier élément conducteur de grille (101) et le substrat (25), et agencé au moins en partie dans ladite au moins une première tranchée (102). Cellule mémoire selon la revendication 8, dans lequel le troisième élément conducteur (400) est en outre agencé dans le substrat (25) et encercle au moins un ensemble formé par le transistor (10) et la capacité (30). Cellule mémoire selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le troisième élément conducteur (400) est relié à une masse électrique. Cellule mémoire selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le premier élément conducteur de grille (101) est agencé en outre dans au moins une deuxième tranchée (107) formée dans le substrat (25), la première portion de canal (103) s’étendant au moins entre la première tranchée (102) et la deuxième tranchée (107). Cellule mémoire selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la première portion de canal (103) s’étend en outre au niveau d’au moins une deuxième face latérale (101b) du premier élément conducteur de grille (101). Dispositif électronique comprenant : - au moins une cellule mémoire OTP selon l’une quelconque des revendications 1 à 12 ; et - un circuit de commande (CTRL) configuré pour appliquer une première tension comprise entre 5 et 15 Volts au premier élément conducteur de grille (101), et pour appliquer une deuxième tension comprise entre 5 et 15 Volts entre le premier élément conducteur de grille (101) et la portion de polarisation de canal (106). Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le circuit de commande (CTRL) est configuré pour appliquer une tension supérieure à 5 Volts entre le deuxième élément conducteur (302) et une électrode (303) de la capacité (30).