Procédé d’implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique, comprenant les étapes consistant à : a) fournir un substrat (100, 200, 300) comprenant une partie piézoélectrique (112, 210, 310) et une partie électriquement conductrice (122, 320), b) monter le substrat (100, 200, 300) avec la partie électriquement conductrice (122, 320) sur un porte-substrat (140), et c) implanter des espèces atomiques (170) dans la partie piézoélectrique (112, 210, 310). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape b) comprend la fourniture d’une couche d’élastomère (150) entre le porte-substrat (140) et la partie électriquement conductrice (122, 320) du substrat (100, 200, 300). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’étape a) comprend fixer un substrat piézoélectrique (110) formant la partie piézoélectrique (112, 210) à un substrat électriquement conducteur (120) formant la partie électriquement conductrice (122) du substrat (100, 200). Procédé selon la revendication 3, dans lequel l’étape a) comprend en outre amincir le substrat piézoélectrique (110) pour obtenir une couche piézoélectrique (210), en particulier avec une épaisseur entre 1 µm et 100 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 ou 4, dans lequel le substrat piézoélectrique (110, 310) et le substrat électriquement conducteur (120) sont choisis de telle sorte que la différence de coefficients de dilatation thermique est inférieure à 50*10 -6 K -1 , de préférence inférieure à 20*10 -6 K -1 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel l’étape de fixer le substrat électriquement conducteur (120) avec le substrat piézoélectrique (110) est réalisée utilisant une couche de liaison (130) entre le substrat piézoélectrique (110) et le substrat électriquement conducteur (120). Procédé selon la revendication 6, dans lequel la couche de liaison (130) est une couche de liaison conductrice, en particulier une couche métallique. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape de fournir la partie électriquement conductrice (320) comprend fournir une ou plusieurs cavités (312) dans le côté (314) du substrat (300) faisant face au porte-substrat (140) et remplir une ou plusieurs cavités (312) avec un matériau conducteur (316), en particulier un métal. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat piézoélectrique (110, 310) est un substrat piézoélectrique massif, en particulier une plaquette piézoélectrique massive, de préférence avec une épaisseur supérieure à 20 µm, encore plus particulièrement avec une épaisseur supérieure à 100 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (100, 200, 300) a une conductivité de 10 -4 S/cm ou plus. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape b) de monter le substrat (100, 200, 300) sur le porte-substrat (140) est réalisée de telle sorte que la partie électriquement conductrice (122, 320) et/ou la couche de liaison (130) est/sont en contact électrique (162) avec au moins un élément de maintien métallique (160) connecté électriquement au porte-substrat (140). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel pendant l’étape c), une zone de division prédéterminée (172) est prévue dans la partie piézoélectrique (112, 210, 310), et comprenant en outre une étape d) de fixer la partie piézoélectrique (112, 210, 310) du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) à un substrat de manipulation et une étape e) de détacher du reste du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) au niveau de la zone de division prédéterminée (172) pour transférer une couche du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) sur le substrat de manipulation.