INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, l’ensemble constitué par les zones de protection 2 et le déflecteur aéraulique 1 peut être bi-matériaux, en particulier, le déflecteur aéraulique 1 en un premier matériau polymère, typiquement un polymère organique tel qu’un polypropylène présentant un module de Young inférieur ou égal à 1,6 GPa, et les zones de protection 2 en un second matériau polymère différent du premier, typiquement un polymère organique tel qu’un polypropylène présentant un module de Young supérieur ou égal à 5 GPa.
De manière générale, un propylène présentant un module de Young inférieur ou égal à 1,6 GPa peut être du polypropylène caoutchouté, du polypropylène-EPDM, du polypropylène TD20, du polypropylène caoutchouté TD20, du polypropylène-EPDM TD20 (chargé à 20% en masse de talc).
De manière générale, un propylène présentant un module de Young supérieur ou égal à 5 GPa peut être du polypropylène GF30.
De manière générale, le déflecteur aéraulique 1 peut ainsi être bi-matériaux, en particulier, le déflecteur aéraulique 1 peut être en un premier matériau choisi parmi du polypropylène caoutchouté, du polypropylène-EPDM, du polypropylène TD20, du polypropylène caoutchouté TD20, du polypropylène-EPDM TD20 (chargé à 20% en masse de talc), i.e. typiquement un polymère organique présentant un module de Young inférieur ou égal à 1,6 GPa, et les zones de protection 2 en un second matériau en polypropylène GF30, i.e. typiquement un polymère organique présentant un module de Young supérieur ou égal à 5 GPa.
Chaque vanne électromécanique est par exemple conforme à l’enseignement de la demande de brevet européen déposée sous le numéro EP20305305.3 déposée le 23 mars 2020.
Un système de raccordement entre le dispositif de surveillance 16 et le dispositif de traitement d’eau 12 utilisant des vannes électromécaniques conformément à l’enseignement de la demande de brevet européen déposée sous le numéro EP20305305.3 déposée le 23 mars 2020 offre les fonctionnalités suivantes : fermeture mécanique automatique lors du désassemblage, ouverture mécanique automatique du flux lors de l’assemblage, fermeture/ouverture électromécanique de flux piloté par le dispositif de surveillance ou à distance, et éventuellement la transmission d’énergie électrique et de signaux électriques et/ou numériques.
Le dispositif de surveillance 16 possède une unité électronique de surveillance 40 comprenant un module de surveillance 42 configuré pour générer des rapports de fonctionnement et/ou des messages d’alerte relatifs au fonctionnement du dispositif de traitement d’eau 12 et/ou déterminer un ou plusieurs paramètres de l’eau en sortie du dispositif de traitement d’eau 12 et/ou commander une ou plusieurs vanne(s) électromécaniques en fonction de la composition initiale de l’eau fournie par le réseau de distribution d’eau 2 à l’installation consommatrice, des coefficients de performances du dispositif de traitement d’eau et des signaux de mesure des paramètres de l’eau s’écoulant à travers le dispositif de traitement d’eau 12 représentatifs des conditions de fonctionnement du dispositif de traitement d’eau 12.
Le module de surveillance 42 est configuré pour recevoir le signal de mesure fourni par chacun des capteurs (capteur de pression d’entrée 26A, un capteur de pression de sortie 26B, capteur de débit 30, capteur de pH d’entré 31A, capteur de pH de sortie 31B, capteur de température d’entrée 32A, un capteur de température de sortie 32B, capteur de conductivité d’entrée 33A et/ou capteur de conductivité de sortie 33B).
Avantageusement, l’unité électronique de surveillance 40 comprend un module de communication 44 configuré pour une communication avec un système de supervision 46 distant, tel qu’un serveur informatique, et/ou avec un terminal utilisateur 48, tel qu’un ordinateur personnel, un ordiphone ou une tablette numérique.
Le module de communication 44 est par exemple configuré pour une communication filaire et/ou une communication sans fil.
Le module de communication 44 est par exemple configuré pour une communication filaire via un câble de connexion, tel qu’un câble USB, ou un réseau de communication filaire, tel que le réseau Internet. Le module de communication 44 comprend par exemple une prise de connexion telle qu’une prise de type RJ45.
Le module de communication 44 est par exemple configuré pour une communication sans fil via un réseau de communication sans fil, tel qu’un réseau téléphonique cellulaire, ou par radiocommunication directe avec le module de communication 44, par exemple selon le protocole WIFI® ou Bluetooth®.
Le système de supervision 46 distant est par exemple un système informatique d’un fournisseur du système de traitement d’eau 10, qui fournit le dispositif de traitement d’eau 12 et le dispositif de surveillance 16 au client utilisant l’installation consommatrice 4.
Le système de supervision 46 distant permet par exemple de superviser le système de traitement d’eau 10, en tenant compte en particulier de rapports de fonctionnement et/ou des messages d’alerte générés par le dispositif de surveillance 16 et transmis au système de supervision 46 à l’aide du module de communication 44.
Optionnellement, le module de surveillance 42 est configuré pour récupérer des coefficients de performance du dispositif de traitement d’eau 12, qui sont par exemple contenus dans des données d’identification stockées dans la mémoire informatique 38 ou récupérables à partir de données d’identification stockées dans la mémoire informatique 38, par exemple auprès du système de supervision 46 distant avec lequel le module de surveillance 42 peut communiquer par l’intermédiaire du module de communication 44.
Optionnellement, le module de surveillance 42 est configuré pour récupérer la composition initiale de l’eau, par exemple par l’intermédiaire du système de supervision 46 distant avec lequel le module de surveillance 42 peut communiquer par l’intermédiaire du module de communication 44.
Le terminal utilisateur 48 appartient par exemple au client qui possède l’installation consommatrice 4.
Le terminal utilisateur 48 implémente par exemple une application client 50 configurée pour communiquer avec le dispositif de surveillance 16 pour envoyer des données au dispositif de surveillance 16 ou recevoir de données du dispositif de surveillance 16 via le module de communication 44.
L’application client 50 est par exemple configurée pour permettre au client de récupérer et consulter les rapports de fonctionnement et/ou les messages d’alerte générés par le dispositif de surveillance 16.
Le module de surveillance 42 de l’unité électronique de surveillance 40 est par exemple réalisé sous la forme d’une application logicielle comprenant des instructions de code logicielles mémorisée dans une mémoire 52 et exécutable par un processeur 54 de l’unité électronique de surveillance 40.
Les tranchées 21 sont, par exemple, réalisées par découpe plasma, par sciage à l'aide d'une lame ou par découpe laser.
Les tranchées 21 ont une largeur L1, par exemple comprise entre 20 µm et 150 µm, par exemple de l'ordre de 50 µm. Les tranchées 21 s'étendent dans la résine 19 sur une profondeur p1, par exemple, supérieure à 20 µm. De préférence, l'épaisseur de résine 19 subsistant au fond des tranchées 21 est d'au moins 50 µm.
A titre de variante, non représentée, les tranchées 21 peuvent s'interrompre sur la face supérieure de la couche de résine 19. Dans ce cas, la profondeur p1 est nulle. Ceci peut par exemple être le cas avec une découpe plasma, sélective par rapport à la résine 19.
La illustre, par une vue en coupe, une étape de test électrique des circuits intégrés 13.
Le test électrique consiste dans cet exemple à appliquer des signaux électriques de test sur les métallisations de connexion 17 des puces, au moyen de pointes métalliques de test 23 connectées électriquement à un dispositif de test (non représenté). A titre d'exemple, à cette étape, plusieurs puces sont testées électriquement en parallèle.
Lors de cette étape, les circuits intégrés 13 formés sur une même plaquette de substrat semiconducteur 11 sont, par exemple, tous testés. A titre d'exemple, les circuits intégrés 13 sont testés simultanément par groupes de plusieurs circuits 13. Autrement dit, les circuits 13 sont répartis en plusieurs groupes de plusieurs circuits 13 chacun, les circuits 13 d'un même groupe étant testés simultanément et les circuits 13 de groupes distincts étant testés séquentiellement. A titre d'exemple, les circuits intégrés 13 sont testés simultanément par groupes de huit par huit, seize par seize, soixante quatre par soixante quatre, voire par groupes de plus grandes dimensions.
Les figures 5 et 6 illustrent deux exemples de mise en oeuvre d'une étape de découpe de la structure illustrée en en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 13.
Dans l'exemple de la , l'individualisation des puces est obtenue en amincissant la couche de résine 19 par la face arrière.
Préalablement à cette étape, un film support adhésif, par exemple un film souple, non représenté en , est fixé du côté de la face avant de la structure.
On vient ensuite retirer une partie de l'épaisseur de la résine 19 par sa face arrière. L'amincissement est par exemple réalisé par polissage mécanique ou par polissage mécano-chimique (CMP, de l'anglais "Chemical Mechanical Polishing").
Dans l'exemple représenté, l'amincissement est interrompu lorsque le fond des tranchées 21 est atteint et lorsque l'épaisseur finale souhaitée de la couche de résine 19 est atteinte. A titre d'exemple, l'épaisseur de résine 19 subsistant en face arrière des puces à l'issue de l'étape d'amincissement est inférieure à 100 µm, par exemple inférieure à 30 µm.
A l'issue de l'étape illustrée en , la structure correspond à une pluralité de puces électroniques individuelles, reliées uniquement par le film support (non représenté en ). Chacune des puces individuelles comprend un unique circuit intégré 13. Les puces peuvent ensuite être prélevées, par leur face arrière, sur le film support, en vue de leur montage dans un dispositif extérieur.
En variante, la structure illustrée en est rapportée par sa face arrière sur un autre film support, par exemple un film souple, puis le film support situé sur la face avant de la structure est retiré. Les puces peuvent ensuite être prélevées, par leur face avant, sur cet autre film support, en vue de leur montage dans un dispositif extérieur.
Dans l'exemple de la , l'individualisation des puces est obtenue par la formation de tranchées 25 traversantes à partir de la face avant de la structure.
Afin de découper la structure en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 13, les tranchées 25 sont réalisées en vis-à-vis des tranchées 21 dans la résine 19. Plus particulièrement, on vient former dans chaque tranchée 21 une tranchée 25 parallèle à ladite tranchée 21. Dans cet exemple, les tranchées 25 s'étendent sur toute la longueur des tranchées 21. Les tranchées 25 s'étendent, verticalement, à travers la résine 19, à partir du fond des tranchées 21, et débouchent du côté de la face arrière de la couche de résine 19. Ainsi, la résine 19 est coupée en vis-à-vis des tranchées 21. Les tranchées 25 ont une largeur L2 inférieure ou égale à la largeur L1.
La est un diagramme illustrant de façon schématique le fonctionnement de la puce élémentaire de pixel 153 de la . La représente plus particulièrement l'évolution, en fonction du temps, des signaux RESET, SELECT, DATA_S, DATA R, DATA G et DATA B.
Dans cet exemple, le signal RESET permet de commander le transistor de réinitialisation RST du circuit de lecture READ du photodétecteur 211. Ceci permet, à chaque lecture, d'échantillonner une première valeur du signal DATA_S à la fin d'une période d'intégration pendant laquelle le transistor de réinitialisation RST est maintenu bloqué, puis une deuxième valeur du signal DATA_S immédiatement après une période de réinitialisation du photodétecteur 211 pendant laquelle le transistor de réinitialisation RST est maintenu passant (la fin de la période de réinitialisation marquant le début d'une deuxième période d'intégration). La différence entre les deux valeurs lues définit la valeur de sortie du pixel. On réalise ainsi une lecture à échantillonnage double.
Les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de circuits électroniques de contrôle décrits en relation avec les figures 4 à 7. A titre de variante, dans l'exemple de de la , la borne P9 peut être omise et la grille du transistor de réinitialisation RST connectée au drain de ce même transistor RST. On obtient alors une puce à 8 bornes présentant, pour la partie photodétecteur, un fonctionnement similaire à celui de la puce de la .
Dans une autre variante, dans l'exemple de la , la grille du transistor de réinitialisation RST peut être connectée non pas au drain de ce même transistor, mais à une borne extérieure, non représentée, destinée à recevoir un signal de commande de réinitialisation. On obtient alors une puce à 7 bornes présentant, pour la partie photodétecteur, un fonctionnement similaire à celui de la puce de la .
Dans une autre variante, dans l'exemple de la , une bascule D additionnelle peut être ajoutée au circuit de lecture READ du photodétecteur 211. Ceci permet de commander le transistor de réinitialisation RST selon le même principe de décalage que les LED 123 des sous-pixels R, G et B. Un quatrième bit de commande est alors introduit dans le signal DATA_D pour piloter le transistor RST. A titre d'exemple, le transistor RST est commandé à l'état passant après les trois lectures successives du signal DATA_S ( ). Dans ce cas, le circuit de lecture READ est de préférence situé du côté droit du circuit, c'est-à-dire que la bascule additionnelle du circuit READ a un noeud d'entrée connecté au noeud de sortie Q de la bascule 403 du sous-pixel B, un noeud de sortie connecté à la grille du transistor RST, et un noeud de commande connecté à la borne P4 d'application du signal SELECT.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de réalisation des puces élémentaires de pixel et du substrat de report décrits en relation avec les figures 1A à 1J, 2 et 3A à 3E.
En outre, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de réalisation des circuits électroniques de contrôle des puces élémentaires de pixel décrits en relation avec les figures 4 à 7.
De plus, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas au cas particulier décrit ci-dessus dans lequel les photodétecteurs du dispositif sont des photodiodes organiques. A titre de variante, les photodétecteurs organiques du dispositif décrit peuvent être remplacés par des photodétecteurs inorganiques, par exemple à base de matériaux semiconducteurs de type III-V, par exemple à base d'arséniure d'indium-gallium, ou à base de silicium amorphe. Dans une autre variante, les photodétecteurs 211 peuvent être constitués d'une couche matrice, par exemple en résine, dans laquelle sont incorporées des boîtes quantiques ("quantum dots" en anglais).
Plus généralement, les photodétecteurs peuvent être remplacés, tous ou en partie, par tout autre élément de capture ou d'actuation. Ces éléments de capture ou d’actuation peuvent être de tout type. Un exemple non limitatif de tels éléments peut être, par exemple, des transducteurs ultrasonores ou acoustiques, par exemple de type piézoélectrique. Ceci permet par exemple de mettre en oeuvre des fonctions de détection de toucher ou de proximité d'un objet, par exemple la main d'un utilisateur, par exemple en utilisant l'effet piézoélectrique direct, et/ou des fonctions de stimulation haptique, et/ou des fonctions d'émission d'ondes acoustiques directives, par exemple en utilisant l'effet piézoélectrique indirect.
Ainsi, par fonction d’actuation, on entend, par exemple, l’actionnement d’actionneurs piézoélectriques afin de générer une onde ultrasonore ou un mode de vibration apte à provoquer un effet haptique sensible à l’utilisateur.
A titre d'exemple, tous ou une partie des photodétecteur peuvent être remplacés par des actionneurs piézoélectriques comprenant chacun un empilement : - d’une électrode inférieure, par exemple métallique, par exemple en argent, en molybdène, en platine, en or ou en un alliage d'un ou plusieurs de ces matériaux, - d’une couche d'un matériau piézoélectrique, par exemple du titano-zirconiate de plomb (PZT), du nitrure d'aluminium (AlN), ou tout autre matériau piézoélectrique, et - d’une électrode supérieure, par exemple métallique, par exemple en argent, en molybdène, en platine, en ruthénium, en or, ou en un alliage d'un ou plusieurs de ces matériaux.
L’application d’un champ électrique entre l’électrode supérieure et l'électrode inférieure induit une déformation du matériau piézoélectrique. Suivant le signal envoyé, par exemple sinusoïdal à une fréquence définie comme étant la fréquence de travail dimensionnée, l’actionneur génère une onde ultrasonore ou un mode de vibration (par exemple type mode de flexion, ou un mode de Lamb antisymétrique), par exemple apte à générer un effet haptique. Cet effet peut résulter d’une variation du coefficient de friction, notamment si le mode de vibration généré est un mode de Lamb.
Les circuits électroniques de lecture des puces élémentaires 153 sont alors remplacés par des circuits électroniques de commande des éléments de capture ou d'actuation, par exemple des circuits de commande des transducteurs ultrasonores en émission et/ou en réception.
A titre d'exemple, dans le mode de réalisation de la , le signal RESET peut être remplacé par un signal de commande, par exemple pulsé ou sinusoïdale, servant à actionner l’élément de capture ou d'actuation, par exemple piézoélectrique, à la place de la photodiode lorsque le signal SELECT est actif.
A titre d'exemple, dans le procédé décrit ci-dessus en relation avec les figures 3A à 3E, la couche organique photosensible 201 est remplacée par une couche piézoélectrique ou ferroélectrique, par exemple en nitrure d'aluminium (AlN), en titano-zirconiate de plomb (PZT), ou en Oxyde de Zinc (ZnO). L'empilement comprenant l'électrode inférieure EL1, la couche piézoélectrique et l'électrode supérieure EL2 peut être déposé directement sur le substrat 201, ou fabriqué séparément et reporté sur le substrat 201. Chacune des électrodes EL1 et EL2 peut être en métal ou en un oxyde conducteur transparent.
En variante, les éléments de capture ou d'actuation peuvent être disposés sur le substrat 201 avant l'étape de report des puces élémentaires 153.
Les techniques de contrôle de l’état de surface des pièces basées sur la méthode de diffraction des électrons rétrodiffusés (comme l’EBSD) sont difficilement intégrables sur une chaine de production et dans le cadre de pièces mécaniques complexes. Les techniques optiques ont l’avantage de proposer plus de versatilité pour les mesures dans un environnement complexe et en contrôle non destructif mais elles sont peu adaptées au cadre industriel
Il existe donc un besoin d’un procédé et d’un dispositif de contrôle automatisé amélioré, permettant d’aider les opérateurs dans leur tâche de contrôle de l’état de surface des pièces en métal ou alliage monocristallin.
Pour répondre aux problèmes évoqués ci-dessus et aider les opérateurs au contrôle de l’état de surface des pièces issue de fonderie, le demandeur propose un procédé et un système pour contrôler l’état de surface des pièces en métal ou alliage monocristallin, basés sur une analyse d’une série d’images réalisées pour différentes orientations de la polarisation de la lumière réfléchie par la surface de la pièce.
Selon un premier aspect, l’invention concerne un procédé de contrôle de l’état de surface d’une pièce de fonderie en métal monocristallin, la surface de la pièce comportant d’éventuels défauts résultant d’une inhomogénéité d’orientation d’au moins une maille cristalline du métal monocristallin, ledit procédé comportant : l’acquisition, par un dispositif d’acquisition d’images, d’une série d’images de la pièce de fonderie éclairée au moyen d’un dispositif d’éclairage polarisé et collimaté, puis l’analyse de la série d’images au moyen d’un dispositif de traitement d’image, chaque image de la série d’images étant réalisée pour un angle de polarisation différent.
L’éclairage polarisé utilisé dans ce procédé permet de rehausser le contraste de réflectance à la surface de la pièce. En outre, l’analyse de la série d’images réalisées avec des angles de polarisation différents permet de générer une image de la pièce mettant en exergue les différents grains. Ce procédé présente en outre l’avantage d’être facilement automatisable.
On comprendra que l’expression « métal monocristallin » employée dans la description et les revendications inclut tous les métaux et alliages de type monocristallin. Les pièces de fonderie à contrôler avec le procédé et/ou le système selon l’invention sont des pièces en métal monocristallin ou en alliage monocristallin dont les mailles cristallines doivent présenter une orientation homogène.
Les termes « grains » ou « mailles cristallines désorientées » ou « mailles cristallines d’orientations différentes », employés dans la description et les revendications ont une signification identique, un grain étant une maille cristalline dont l’orientation n’est pas conforme à l’orientation attendue. Un joint de grain est donc un frontière entre deux mailles cristallines d’orientations différentes.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé de contrôle selon un aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : l’angle de polarisation est modifié par rotation d’un axe de polarisation du dispositif d’acquisition d’images. l’analyse de la série d’images comporte les opérations suivantes : détermination, pour chaque pixel du dispositif d’acquisition d’images, d’un vecteur d’intensité correspondant à une variation d’intensité du même pixel sur chaque image de la série d’images, détermination d’une intensité moyenne de l’ensemble des pixels de chaque image de la série d’images et extraction d’une loi de variation générale de l’intensité pour la série d’images, détermination d’une loi de variation individuelle de l’intensité, propre à chaque maille cristalline, et détermination des pixels appartenant à une même maille cristalline. l’opération de détermination des pixels appartenant à une même maille cristalline est obtenue par appariement des pixels ayant des variations d’intensité proches. l’opération de détermination d’une loi de variation individuelle de l’intensité est obtenue par normalisation de l’intensité de chaque pixel en fonction de la loi de variation générale de l’intensité. le dispositif d’éclairage génère un faisceau d’une lumière incohérente, polarisée linéairement. le procédé comporte une opération préalable d’attaque chimique de la pièce de fonderie faisant ressortir les cristaux à la surface de la pièce de fonderie.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un système de mise en œuvre du procédé de contrôle défini précédemment, ce système comportant : un dispositif d’éclairage polarisé et collimaté, un dispositif d’acquisition d’images, et un dispositif de traitement d’images.
L’association d’un dispositif d’éclairage fixe et d’une caméra fixe permet de mettre en évidence les différences de réflectance sur la surface de la pièce par simple rotation d’un polariseur devant la caméra, sans mouvement relatif de la pièce et de l’éclairage et sans problème d’ombrage ou de profondeur de champ pour les pièces courbées.