INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode réalisation de l’invention, la valeur de vitesse prédéterminée est égale à 6Km/h.
Selon un mode réalisation de l’invention, le système est configuré pour maintenir une tension minimale, avec une même longueur de câble, n’empêchant pas la libre rotation de la partie avant l’avant de l’engin par rapport à la partie arrière.
Selon un mode réalisation de l’invention, l’engin est un tricycle, et par exemple un tricycle à assistance électrique.
- la est une représentation schématique du système de contrôle selon l'invention sans inclinaison de l’engin de mobilité non verrouillé,
- la est une représentation schématique du système de contrôle selon l'invention avec inclinaison de l’engin de mobilité à droite,
- la est une représentation schématique du système de contrôle selon l'invention avec inclinaison de l’engin de mobilité à gauche,
- la est une représentation schématique du système de contrôle selon l'invention sans inclinaison de l’engin de mobilité verrouillé.
Ainsi, dans la colonne de rang j :
- la borne de drain (D) du transistor d’état T1,j est reliée à la ligne de bit B1,j par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 1A,
- la borne de drain du transistor d’état T2,j est reliée à la ligne de bit B2,j par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 23B,
- la borne de drain du transistor d’état T3,j est reliée à la ligne de bit B2,j par l'intermédiaire du chemin conducteur 23B (la cellule mémoire C2,j étant adjacente mais non jumelle à la cellule mémoire C3,j), et
- la borne de drain du transistor d’état T4,j est reliée à la ligne de bit B1,j par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 4A.
Dans la colonne de rang j+1 :
- la borne de drain du transistor d’état T1,j+1 est reliée à la ligne de bit B1,j+1 par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 1C,
- la borne de drain du transistor d’état T2,j+1 est reliée à la ligne de bit B2,j+1 par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 23D,
- la borne de drain du transistor d’état T3,j+1 est reliée à la ligne de bit B2,j+1 par l'intermédiaire du chemin conducteur 23D (la cellule mémoire C2,j+1 étant adjacente mais non jumelle à la cellule mémoire C3,j+1), et
- la borne de drain du transistor d’état T4,j+1 est reliée à la ligne de bit B1,j+1 par l'intermédiaire d'un chemin conducteur 4C.
Les décodeurs colonne et ligne Comme on le verra ci-après, les différents constituants du dispositif DIS utilisent des décodeurs colonne et ligne pour sélectionner les cellules-mémoire.
Il est possible d’utiliser des décodeurs colonnes spécifiques pour chaque constituant. Certains de ces décodeurs peuvent avoir une structure classique. Le décodeur colonne associé au dispositif DM de mémoire non volatile présente une structure spécifique.
Cela étant comme on le verra plus en détails à la fin de la description en référence aux figures 37 et 38 , il est particulièrement avantageux de prévoir un décodeur colonne unique capable d’adresser les différents plans mémoire.
Ceci permet de simplifier l’architecture globale du dispositif et de réduire l’encombrement sur silicium.
Les décodeurs ligne sont quant à eux de structure classique.
Le premier module de fonction physiquement non clonable MPF1 et son fonctionnement
Le flotteur de stabilisation permet d’équilibrer l’effet de la poussée d’Archimède au droit de la jonction entre le module d’arrivée et la rampe de descente, ceci afin d’éviter un couple de basculement du module d’arrivée.
Dans des modes de réalisation de l’invention, la rampe de descente comprend au moins une portion coudée et/ou au moins une portion hélicoïdale. Cette caractéristique confère une trajectoire non linéaire à la rampe de descente et fournit par conséquent une descente plus ludique aux utilisateurs.
Dans des modes de réalisation de l’invention, le module d’arrivée est monté à la rampe de descente de manière amovible. Ceci permet de changer le module d’arrivée en fonction du public qui fréquente le toboggan, ou bien, de le démonter rapidement pour l’entretien ou en période d’inexploitation du toboggan.
Dans des modes de réalisation de l’invention, la structure support comporte au moins deux plateformes, chaque plateforme étant reliée à une rampe de descente couplée à un module d’arrivée, de préférence à des hauteurs différentes du sol, chaque plateforme étant reliée à une rampe de descente respective qui est couplée à un module d’arrivée respectif, les deux modules d’arrivée étant adjacents suivant une direction transversale à la direction longitudinale de descente.
. Ceci permet d’augmenter les capacités d’accueil du toboggan.
Dans des modes de réalisation de l’invention, le toboggan aquatique comporte des moyens de maintien mutuels des modules d’arrivée entre eux, limitant ainsi le débattement entre les modules d’arrivée. Les moyens de maintien mutuels permettent de lutter contre une houle ou un courant latéral.
est une représentation en perspective, d’un premier côté, d’un toboggan aquatique pour un plan d’eau selon l’invention.
est une vue de côté du toboggan aquatique de la , le plan d’eau présentant un premier niveau d’eau B par rapport au bord du plan d’eau.
est une vue de côté du toboggan aquatique de la , le plan d’eau présentant un deuxième niveau d’eau A par rapport au bord du plan d’eau.
est une vue de face du toboggan aquatique de la .
est une représentation en perspective, d’un deuxième côté, du toboggan aquatique de la .
est une représentation arrière en perspective, du deuxième côté, du toboggan aquatique de la .
est une représentation avant en perspective, du premier coté, du toboggan aquatique de la .
est une représentation latérale en perspective, du premier coté, du toboggan aquatique de la .
est une représentation en perspective d’une plateforme de la structure du support du toboggan aquatique de la .
Structure de plan mémoire à deux lignes de bits par colonne
La illustre une structure de plan mémoire et de cellules-mémoires jumelles dite à « double lignes de bits » (deux lignes de bits par colonne).
Le plan mémoire PM comprend des rangées et des colonnes de cellules mémoire, huit cellules mémoire C1,j, C2,j, C3,j, C4,j, C1,j+1, C2,j+1, C3,j+1, C4,j+1 étant représentées ici. Chaque cellule-mémoire comporte un transistor d’état, respectivement référencés T1,j, T2,j, T3,j, T4,j, T1,j+1, T2,j+1, T3,j+1, T4,j+1, et un transistor de sélection ST connecté entre un plan de source SL et le transistor d’état.
Les cellules-mémoires C1,j, C2,j, C3,j, C4,j appartiennent à une colonne de rang j et les cellules-mémoires C1,j+1, C2,j+1, C3,j+1, C4,j+1 appartiennent à une colonne adjacente de rang j+1. Les cellules-mémoires C1,j, C1,j+1 appartiennent à une première rangée de cellules-mémoires, et leurs transistors d’états T1,j, T1,j+1 ont des grilles de commande CG1 connectées à une ligne de contrôle de grille commune CGL1. Les cellules-mémoires C2,j, C2,j+1 appartiennent à une deuxième rangée de cellules-mémoires, et leurs transistors d’états T2,j, T2,j+1 ont des grilles de commande CG2 connectées à une ligne de contrôle de grille commune CGL2. Les cellules-mémoires C3,j, C3,j+1 appartiennent à une troisième rangée de cellules-mémoires, et leurs transistors d’états T3,j, T3,j+1 ont des grilles de commande CG3 connectées à une ligne de contrôle de grille commune CGL3. Les cellules-mémoires C4,j, C4,j+1 appartiennent à une quatrième rangée de cellules-mémoires et leurs transistors d’états T4,j, T4,j+1 ont des grilles de commande CG4 connectées à une ligne de contrôle de grille commune CGL4.
Dans la colonne de rang j, les cellules-mémoires C1,j, C2,j sont des cellules-mémoires jumelles et leur transistors de sélection ST comportent une grille de sélection commune CSG1,2 reliée à une ligne de mot commune WL1,2.
De même, les cellules-mémoires C3,j, C4,j sont des cellules-mémoires jumelles et leur transistors de sélection ST comportent une grille de sélection commune CSG3,4 reliée à une ligne de mot commune WL3,4.
Dans la colonne de rang j+1, les cellules-mémoires C1,j+1, C2,j+1 sont des cellules-mémoires jumelles et leur transistors de sélection ST comportent une grille de sélection commune CSG1,2 reliée à la ligne de mot WL1,2.
Les cellules-mémoires C3,j+1, C4,j+1 sont des cellules-mémoires jumelles et leur transistors de sélection ST comportent une grille de sélection commune CSG3,4 reliée à la ligne de mot commune WL3,4.
Les grilles de sélection communes CSG1,2 ou CSG3,4 des paires de cellules-mémoires jumelles sont des grilles verticales enterrées réalisées sous forme de tranchées conductrices pratiquées dans le substrat, et les bornes de source (S) des transistors de sélection ST sont reliées au plan de source enterré SL, s'étendant sous de la région du substrat où les cellules-mémoires sont implantées.
Le plan mémoire PM comprend deux lignes de bit par colonne de cellules-mémoires. Ainsi, deux lignes de bit B1,j, B2,j sont attribuées aux cellules-mémoires de la colonne de rang j, et deux lignes de bit B1,j+1, B2,j+1 sont attribuées aux cellules-mémoires de la colonne de rang j+1.
Deux cellules-mémoires jumelles sont reliées à des lignes de bit différentes parmi les deux lignes de bit attribuées à la colonne dans laquelle elles se trouvent, tandis que deux cellules-mémoires adjacentes mais non jumelles sont reliées à la même ligne de bit.
A l’issue de ces deux étapes de forge E1 et E2, on obtient une billette brute 19. Cette billette brute 19 subit alors une étape de recristallisation statique E3 en chauffant la billette brute 19 à une température de 1052°C durant 1 heure puis la billette obtenue 20 est refroidie à l’air.
Les figures 4 et 5 sont des micrographies illustrant la microstructure de la billette 20 ainsi obtenue. On note sur ces figures que la microstructure est homogène et ne présente plus de gros grains non recristallisés comme cela était le cas sur les micrographies selon l’état de la technique des figures 1 et 2. Les zones entourées sur ces figures correspondent aux grains ALA.
Des résultats de tests vont maintenant être présentés. Des prélèvements ont été réalisés dans une billette brute 19, avant l’étape de recristallisation statistique E3, dans une billette finale 20, après l’étape de recristallisation E3, et dans une billette comparative, obtenue à partir d’une même billette brute 19 après une étape de traitement thermique réalisée à 1066°C durant 1h. Pour chacune de ces billettes, des prélèvements ont été réalisés à la moitié du rayon (« R/2 ») ainsi qu’à la périphérie.
Pour chaque prélèvement, deux populations de grains, présentant des tailles de grain significativement différentes, ont été observées, formant une structure duplex au sens de la norme ASTM E1181. Les tableaux ci-dessous donnent alors, pour chaque emplacement, la taille des grains primaires, de plus petite taille, et des grains secondaires, de plus grande taille. Dans ces tableaux, « ALA » signifie « As Large As », c’est-à-dire « aussi grand que », au sens de la norme ASTM E930 : il s’agit donc de la taille la plus grosse de la population.
Le Tableau 1 ci-dessous donne les résultats de mesure pour la billette brute 19. Ces résultats font apparaitre une structure duplex au sens de l’ASTM E1181 avec en particulier des proportions pouvant aller jusqu’à 70% de population secondaire à grains plus grossiers et des écarts pouvant aller jusqu’à 12 ASTM entre les deux populations observées.
R/2 Périphérie Primaire 85% ASTM No. 11.5 30% ASTM No. 12, Secondaire 15% ASTM No. -1 70% ASTM No. 0.5
La Tableau 2 ci-dessous donne les résultats de mesure pour la billette finale 20 obtenue à l’issue du procédé selon le présent exemple. Ces résultats font apparaitre des proportions réduites (jusqu’à proche de 0% dans certains cas) de la population secondaire. La population secondaire montre par ailleurs des grains plus fins qu’avant invention (billette 19), réduisant les écarts entre les populations primaires et secondaires.
R/2 Périphérie Primaire ASTM No. 11.5 80% ASTM No. 12, Secondaire ALA ASTM No. 4.5 ( ~20% ASTM No. 7,5 + ALA ASTM No. 2.5 (
La illustre par ailleurs des résultats de test de fatigue réalisés sur des éprouvettes issues de billettes brute 19 et des billettes finales 20, donc avant et après l’étape de recristallisation statique E3. Ces tests de fatigue ont été réalisés en soumettant ces éprouvettes à une sollicitation cyclique en traction avec Cmax comme contrainte maximale : plusieurs Cmax ont été testés afin de noter pour chaque Cmax le nombre de cycles N avant la rupture de l’éprouvette. Un grand nombre d’éprouvettes, pour chaque billette 19, 20, ont été testées afin d’obtenir des données statistiques pour chaque matériau, et notamment la moyenne et l’écart-type de ce nombre de cycle à la rupture N.
Sur la , la courbe 31 correspond ainsi à la moyenne du nombre de cycle à la rupture N pour la billette finale 20 après l’étape de recristallisation statique E3 en fonction de la contrainte maximale Cmax de la sollicitation cyclique. La courbe 32 correspondant pour sa part à la valeur minimale de N en fonction de Cmax, toujours pour la billette finale 20.
A titre comparatif, la courbe 33 correspond à la valeur minimale de N en fonction de Cmax pour la billette brute 19. On note ainsi que la réalisation d’une étape de recristallisation statique E3 permet d’augmenter grandement la tenue en fatigue de l’alliage base nickel.
De plus, des tests ultrasons ont été menés. Ces derniers ont été réalisés avec des billettes possédant un diamètre compris entre 150 et 290mm, au format du contrôle ultrason. Ces tests ont été réalisés dans une cuve d’eau, avec un étalonnage trou à fond plat de 2mm ; 80 % de hauteur d’écran. Toutes choses égales par ailleurs, on obtient une réduction de 20 à 50% du bruit de fond par rapport à la référence sans le traitement de recristallisation statique.
procédé de tricotage de zones denses L’invention se rapporte au domaine technique du tricotage circulaire, et plus particulièrement au tricotage circulaire d’articles chaussants.
Art antérieur Il est connu de réaliser des tricots en variant la sélection des aiguilles et des fils de manière à obtenir un tricot dont les caractéristiques mécaniques ou esthétiques sont différentes selon les zones du tricot considérées.
L’invention concerne également un tricot obtenu par un procédé de tricotage circulaire, le tricot étant formé d’une pluralité de rangées de mailles tricotées avec un fil de maille, et comprenant au moins une zone dense. Selon l’invention, la ou les zones denses sont réalisées par le tricotage d’une alternance, à chaque rangée de mailles, d’une première rangée de mailles jersey et d’une deuxième rangée de mailles jersey, telles que : - la première rangée de mailles jersey est tricotée selon une première sélection d’aiguille, comprenant au moins une maille chargée au sein de la rangée de mailles jersey, de sorte à former des points de liage avec les boucles d’entre-mailles de la deuxième rangée de maille, - la deuxième rangée de mailles jersey est tricotée selon une deuxième sélection d’aiguille, comprenant le tricotage d’un fil de renfort en supplément du fil de maille.
De cette manière, les rangées de maille sont resserrées, ce qui permet de supprimer l’aspect irrégulier des rayures inesthétiques. Le tricot obtenu comprend des zones suffisamment denses, et esthétiques. De plus, le tricot présente moins de défauts que les tricots de l’art antérieur.
Pour que le tricot possède des caractéristiques techniques particulières, il peut comprendre en outre un fil de trame tricoté entre la première rangée de mailles et la deuxième rangée de mailles. En particulier, l’ajout d’un fil de trame peut permettre de contrôler l’élasticité d’un article textile, notamment d’un article de compression et/ou de contention, en lui conférant une résistance élastique supérieure.
Pour que les rangées de mailles soient resserrées de manière efficace, la maille chargée est de préférence tricotée une maille sur deux, au sein de la première rangée de mailles.
Dans une des deux utilisations préférées, les zones denses sont utilisées pour opacifier le tricot à certains endroits spécifiques et ainsi créer des formes à vocation esthétique. On réalise les zones denses de sorte que ces dernières créent des formes géométriques uniformes dispersées de manière régulière sur la surface du tricot et dont la surface totale des zones denses est inférieure à 10 % de la surface totale du tricot, de préférence inférieure ou égale à 5% de la surface totale du tricot. Ainsi, le tricot présente un effet plumetis, sans qu’il ne soit nécessaire de broder les formes géométriques sur le tricot.
Pour que la différence avec le reste du tricot soit notable, et suffisante, la ou les zones denses ont de préférence une densité surfacique au moins 20% supérieure au reste du tricot, de préférence au moins 30% supérieure, et plus préférentiellement 40% supérieure.
L’invention concerne également un article textile comprenant au moins un tricot muni d’au moins une zone dense selon les caractéristiques techniques précitées.
Selon un mode de réalisation, l’article est un bas, un collant ou une chaussette.
Selon un mode de réalisation, l’article textile comprend au moins un tricot muni d'au moins une zone dense tel que décrit précédemment, ledit article étant un bas, un collant ou une chaussette, et dans lequel la ou les zones denses sont localisées sur une surface de l’article en contact avec le talon et/ou une surface de l’article en contact avec les orteils et/ou une surface en contact avec la surface inférieure du pied d’un individu lorsque l’article est porté par un individu.
De préférence, il s’agit d’un article de compression et/ou de contention, l’article étant alors destiné à un usage médical.
est une vue partielle d’une machine de tricotage circulaire.
est une vue de détail de la machine de la .
est une représentation d’une combinaison de sélections d’aiguilles utilisée lors du procédé selon l’invention.
Pour engendrer la pression nécessaire au transfert du gaz liquéfié, on met en œuvre des pompes embarquées dans le navire 70 et/ou des pompes équipant l'installation à terre 77 et/ou des pompes équipant le poste de chargement et de déchargement 75.
Dispositif de maintien de bougies L’invention concerne un dispositif de maintien de bougies, destiné à être déposé sur une surface par un utilisateur, et permettant de recevoir une pluralité de bougies agencées verticalement afin de permettre l’allumage de celles-ci tout en se passant d’un support, traditionnellement alimentaire, tel qu’un gâteau.
L’invention trouve une application, de façon non limitative, dans l’évènementiel et les fêtes d’anniversaire. Des applications sont également envisageable dans le domaine de la décoration.
En effet, le dispositif de maintien de bougies permet de maintenir une ou plusieurs bougies de façon autonome dans une position verticale propice à son allumage et à sa combustion en limitant également les risques de chute de la ou des bougies positionnées sur le dispositif de maintien de bougies.
Etat de la technique Il est ainsi connu de l’art antérieur d’utiliser une ou plusieurs bougies, préalablement installées sur un support alimentaire ou un gâteau puis de les allumer, afin de les éteindre en expirant à proximité de celles-ci et donc à proximité directe du support alimentaire ou du gâteau.
L’utilisation d’un support alimentaire afin de maintenir en position verticale une ou plusieurs bougies présente l’avantage évident de la simplicité. Cependant une telle utilisation comporte des inconvénients majeurs, le premier étant le risque de projection de salive ou de contaminants lorsque l’utilisateur expire à proximité du support alimentaire afin d’éteindre les bougies disposées sur celui-ci. Par ailleurs le support alimentaire n’offre pas systématiquement un maintien optimal des bougies en une position verticale, ainsi le risque de brulure de l’utilisateur ou de l’environnement immédiat est présent durant les phases d’allumage ou d’extinction de la ou des bougies.
La présente invention vise à remédier à ces inconvénients. Le problème technique à la base de l’invention consiste donc à fournir un dispositif de maintien de bougies qui soit de structure simple et économique.
A cet effet, la présente invention concerne un dispositif de maintien de bougies configuré pour maintenir en position une pluralité de bougies, et comprenant :
- un corps s’étendant selon une direction d’extension qui est sensiblement rectiligne, le corps comprenant une première extrémité et une deuxième extrémité qui est opposée à la première extrémité, le corps comprenant en outre une face inférieure destinée à être en contact avec une surface de support et une face supérieure opposée à la face inférieure ;
- une pluralité de logements de réception destinés chacun à recevoir et à maintenir en position une bougie, chaque logement de réception débouchant sur la face supérieure du corps, les logements de réception étant sensiblement alignés selon la direction d’extension et situés sensiblement à même distance de la face inférieure.
Le dispositif de maintien de bougies peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, qui peuvent être prises seules ou en combinaison.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de maintien de bougies est réalisé en matière plastique par exemple, mais il peut également être réalisé dans n’importe quelle autre matière permettant d’avoir un dispositif de maintien de bougies qui soit léger, résistant et économique en termes de conception et de fabrication
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de maintien de bougies est réalisé en une seule pièce, c’est-à-dire monobloc.
On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 9 à 11 pour décrire plus en détails un exemple de réalisation du premier module MPF1 de fonction physiquement non clonable destiné à générer le code initial non prédictible RD2.
Comme indiqué ci-avant, le premier module MPF1 comporte un premier ensemble de cellules-mémoires.
Chaque cellule-mémoire a les caractéristiques décrites en référence à la .
Le transistor d’état étant du type à appauvrissement (« depletion » en langue anglaise), le caractère normalement passant (« normally on ») du transistor d’état lorsque la cellule-mémoire est dans un état vierge et qu’une tension nulle est appliquée sur la grille de commande est lié à la valeur de sa tension de seuil dans l’état vierge de la cellule-mémoire qui peut être choisie négative ou sensiblement nulle.
Le transistor d’état d’une cellule-mémoire à l’état vierge est ici configuré pour avoir une telle tension de seuil négative par exemple de l’ordre de -1 volts.
Toutes les cellules-mémoires de ce premier ensemble 1 sont à l’état vierge.
Tous les transistors d’état de toutes les cellules du premier ensemble 1 sont destinés à présenter la même tension de seuil.
Cela étant, les tensions de seuil effectives, c’est-à-dire les valeurs réelles des tensions de seuil, varient légèrement suivant une dispersion aléatoire, par exemple due à des aléas physiques de fabrication. Ce type de dispersion est habituel et connu en soi.
Ainsi, les transistors des cellules du premier ensemble 1 présentent chacun une tension de seuil effective appartenant à une distribution aléatoire commune.
Et cette distribution aléatoire commune est ici une distribution de tensions de seuil de transistors de cellules-mémoires à l’état vierge n’ayant jamais été écrites.
Si l’on se réfère maintenant plus particulièrement à la , on voit que dans ce mode de réalisation avantageux, le premier ensemble 1 de cellules-mémoire non volatiles CEL est organisé en deux premiers sous-ensembles matriciels 10L et 10R disposés symétriquement par rapport à des moyens de lecture LECT de structure classique et connue en soi, comportant typiquement des amplificateurs de lecture (« sense amplifiers ») 5.
Toutes les lignes ou rangées des deux premiers sous-ensembles matriciels 10L et 10R sont parallèles.
Le décodage ligne de chacun de ces deux sous-ensembles 10L, 10R est effectué par des décodeurs lignes XDEC de structure classique et connue en soi tandis que le décodage colonnes de ces deux premiers sous-ensembles est effectué par deux décodeurs colonnes YDEC, également de structure classique et connue en soi, disposés symétriquement par rapport aux amplificateurs de lecture 5.