INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, le mélange s’effectue par agitation. Dans certains modes de réalisation, l’agitation est réalisée à une vitesse de rotation de 200-500 tr/min pendant 10-30 min.
Après l’obtention de la solution de polysaccharide de pectine, selon la présente invention, on mélange la solution de polysaccharide de pectine avec du chlorure de baryum pour obtenir une solution mixte.
Dans la présente invention, le chlorure de baryum joue le rôle de catalyseur.
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, le BaCl 2 est ajouté dans un rapport solide/liquide de 5:1-20:1 (mg/mL), de préférence 10:1-19:1 (mg/mL), et plus préférablement 12:1 (mg/mL).
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, le mélange s’effectue par agitation. Dans certains modes de réalisation, l’agitation est réalisée à une vitesse de rotation de 200-500 tr/min pendant 5-10 min.
Après l’obtention de la solution mixte, selon la présente invention, la solution mixte est mélangée avec une solution de Na 2 SeO 3 , et le mélange résultant est soumis à une réaction d’estérification pour obtenir un surnageant.
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, le rapport volumique de la solution de Na 2 SeO 3 à la solution de polysaccharide de pectine est compris dans l’intervalle de 1:20-1:10, de préférence 1:19-1:11, et plus préférablement 1:15. Dans certains modes de réalisation, la solution de Na 2 SeO 3 a une concentration en Na 2 SeO 3 de 1-10 mg/mL, de préférence 5-9 mg/mL, et plus préférablement 7 mg/mL.
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, la réaction d’estérification est effectuée à une température de 60-90°C, préférablement de 80-89°C, plus préférablement de 83°C. Dans certains modes de réalisation, la réaction d’estérification est réalisée pendant 8-12 h, de préférence 9-11 h, et plus préférablement 10 h.
Dans certains modes de réalisation de la présente invention, la réaction d’estérification est réalisée dans des conditions d'agitation. Dans certains modes de réalisation, l'agitation est réalisée à une vitesse de rotation de 200 à 500 tr/min.
Une fois que la réaction d’estérification est terminée, dans certains modes de réalisation de la présente invention, la solution réactionnelle obtenue est refroidie à température ambiante naturellement, et du carbonate de sodium y est ajouté pour ajuster la valeur du pH de la solution à 5-6. La réaction d'estérification est terminée. Dans certains modes de réalisation, la valeur du pH est ajustée à 5,1-5,5, et de préférence à 5,2.
Une fois que la réaction d’estérification est terminée, dans certains modes de réalisation de la présente invention, le procédé comprend en outre le mélange du système de terminaison obtenu avec du Na 2 SO 4 ou du K 2 SO 4 , la centrifugation du mélange résultant, et la collecte du liquide pour obtenir le surnageant. Dans la présente invention, Na 2 SO 4 ou K 2 SO 4 est utilisé pour éliminer le BaCl 2 .
Ensuite, le parement 1 est positionné sur un plan du profilé 2 matérialisé par la zone d’appui supérieure 21a de sorte à ce que la portion d’appui 321a soit en regard d’une face d’appui 111 de la rainure 11.
Ensuite, et de préférence par l’intermédiaire d’un outil, l’élément de maintien 32 est entraîné en rotation selon l’axe de rotation Z 32 permettant un rapprochement de la portion d’appui 321a contre la rainure 11 jusqu’à y exercer une force de pression suffisante au maintien en position du parement 1sur le profilé 2.
REFERENCES NUMERIQUES 1. parement 11. rainure 111. face d’appui 2. profilé 21. extrémités 21a. zone d’appui supérieure 21b. zone d’appui inférieure 21c. extrémité inférieure 211. lèvre 22. ouverture 22a paroi 23. logement 3. système de fixation 31. corps 311. collerette 311a. face inférieure 311b. bord 311c. face supérieure de la collerette 312. première portion de coopération 313. embase 313a. face supérieure 313b. élément de butée 314. coins réduits 315. ergot 317. espace 32. élément de maintien 321. tête 321a. portion d’appui 321b .portion de préhension 321c. portion d’outil 322. deuxième portion de coopération α. inclinaison X. deuxième direction transversale Y. première direction transversale X 311 . dimension en profondeur Y 311 . dimension en largeur X 313 . profondeur d’embase Y 313 . largeur d’embase Z 317 . hauteur d’espace Y 317 . largeur d’espace Z 32 . axe de rotation
Agencement comprenant un embout de commande de verrouillage et de déverrouillage de serrure pour porte arrière de véhicule. Domaine technique de l'invention L’invention concerne un agencement comprenant un embout d’un organe de commande de serrure pour verrouiller ou déverrouiller la serrure depuis l’intérieur d’un véhicule. L’invention porte encore sur une porte comprenant un tel agencement. L’invention porte encore sur un véhicule comprenant une telle porte ou un tel agencement. L’invention porte enfin sur un procédé de montage d’un tel agencement.
Etat de la technique antérieure Un véhicule, en particulier un véhicule automobile, comprend généralement des places arrière. Généralement, un tel véhicule est équipé de portes arrière permettant l’accès aux places arrière. L’utilisation des places arrière est recommandée, voire obligatoire, pour les enfants. A des fins de sécurité, chaque porte arrière est généralement équipée d’un dispositif pouvant être activé pour empêcher l’ouverture de la porte arrière depuis l’intérieur du véhicule. En cas d’activation de ce dispositif, seule l’ouverture de la porte arrière depuis l’extérieur du véhicule est possible. Autrement dit, la libération de la serrure de la porte arrière ne peut se faire que depuis une commande extérieure de la porte concernée.
Pour ce faire, le dispositif comprend un organe de commande du verrouillage / déverrouillage de la serrure. Généralement, un tel organe n’est accessible que lorsque la porte est ouverte ou entrouverte.
Ainsi, un conducteur ayant au préalable actionné un tel organe de commande pour verrouiller une serrure d’une porte arrière peut conduire sans risque qu’un passager arrière, notamment un enfant, ouvre cette porte arrière intempestivement. Un tel organe de commande peut également être actionné pour déverrouiller la serrure de sorte que l’ouverture de la porte soit possible aussi bien de l’extérieur du véhicule que de l’intérieur du véhicule.
Une telle serrure et un tel organe de commande sont agencés à proximité d’un passage pour une gâche au sein d’un caisson de porte. Une telle gâche est fixée sur un côté de caisse adjacent à la serrure en position fermée d’une telle porte. Une telle serrure et un tel organe sont implantés au niveau d’arrondis, d’emboutis, et de trous ménagés dans un tel caisson.
Seulement, en cas de porte comprenant un caisson en alliage d’aluminium, la réalisation de plis ou d’emboutis est complexe. En effet, les rayons de pliage et/ou d’emboutissage sont supérieurs à ceux réalisables sur des caissons en acier. Il en résulte que les pliages et/ou emboutissages doivent être davantage espacés les uns des autres ce qui n’est pas toujours possible.
L’implantation d’un tel organe de commande sur une zone exigüe du caisson s’avère ainsi particulièrement compliquée. En outre, il est difficile d’apposer des repères des positions verrouillage/déverrouillage de l’organe de commande dans cette zone exempte de large surface plane.
Présentation de l'invention Le but de l’invention est de fournir un agencement remédiant aux inconvénients ci-dessus. En particulier, l’invention propose une solution permettant de conserver une serrure et un organe de commande standards à ceux utilisés sur des caissons en acier.
Pour atteindre cet objectif, l’invention porte sur un agencement pour véhicule, notamment pour véhicule automobile, comprenant : - un caisson d’une porte, notamment d’une porte arrière, notamment un caisson en alliage d’aluminium, comprenant un orifice ménagé sur une surface s’étendant dans un plan vertical et longitudinal ou sensiblement vertical et longitudinal en position fermée d’une telle porte, - une serrure, - un organe de commande apte à verrouiller et à déverrouiller la serrure pour empêcher ou non une ouverture d’une telle porte depuis l’intérieur d’un tel véhicule, l’organe s’étendant sensiblement selon une direction horizontale en position de verrouillage et en position de déverrouillage de la serrure, la surface étant plane ou sensiblement plane et l’organe comprenant un embout rapporté, l’embout dépassant le caisson de porte au niveau de l’orifice de sorte à pouvoir être manipulé par un utilisateur pour passer de la position verrouillage à la position déverrouillage et vice versa de la serrure, en position ouverte ou partiellement ouverte d’une telle porte.
L’organe peut s’étendre sensiblement selon une direction transversale en position fermée d’une telle porte en position de verrouillage et en position de déverrouillage de la serrure.
L’orifice peut avoir une forme oblongue s’étendant sensiblement verticalement.
L’organe peut comprendre une partie mâle, notamment cylindrique ou sensiblement cylindrique, et l’embout peut comprendre une partie femelle complémentaire de la partie mâle.
L’embout peut comprendre un moyen de blocage par rapport à l’orifice de sorte à permettre à l’embout bloqué de n’autoriser qu’une translation ou sensiblement une translation au sein de l’orifice, notamment selon la direction verticale ou sensiblement verticale.
A titre d’exemple, le transistor de sélection 30 est un transistor NMOS fabriqué en technologie UTBB FDSOI 28 nm. Il comprend une électrode de grille 34 de longueur L égale à 30 nm et une zone active de largeur W égale à 197 nm. La longueur L (dite longueur de grille) est la dimension de l’électrode de grille 34 mesurée parallèlement au substrat SOI dans le plan de coupe de la . La largeur W est la dimension de la zone active du transistor (la zone active regroupant la région de canal 31, la région de source 32 et la région de drain 33) mesurée parallèlement au substrat SOI et perpendiculairement au plan de coupe de la . Un courant de compliance de 150 µA est atteint sous une polarisation arrière directe de +0,9 V (V BB = 0,9 V). Sous une polarisation arrière indirecte à -0,9 V (V BB = -0,9 V), le courant I OFF du transistor dans l’état bloqué est égale à 0,07 nA.
A titre de comparaison, pour atteindre ce même courant de compliance, un transistor NMOS en technologie « bulk » doit présenter une longueur de grille L égale à 30 nm et une largeur de zone active W égale à 226 nm, ce qui représente une augmentation de surface de 13 %. Le courant I OFF du transistor NMOS bulk dans l’état bloqué est mesuré à 0,83 nA.
La représente schématiquement un circuit mémoire 300 comprenant une pluralité de cellules mémoire 200, telles que décrites en relation avec les figures 2A-2B. Les transistors de sélection 30 des cellules mémoire 200 sont agencés en lignes Li et en colonnes Ci sous la forme d’une matrice. Pour ne pas alourdir inutilement la figure, seules trois lignes de transistors (L1, L2, L3) et trois colonnes de transistors (C1, C2, C3) ont été représentées. Les éléments mémoire résistifs 10 peuvent être également agencés en lignes et en colonnes. Dans ce cas, il peut être considéré que les cellules mémoire 200 sont agencées en lignes et en colonnes.
Le circuit mémoire 300 comprend en outre une pluralité de lignes de mots WL, une pluralité de lignes de source SL et une pluralité de lignes de bit BL. Chaque ligne de mot WL relie électriquement les électrodes de grille des transistors de sélection 30 appartenant à une même ligne Li de cellules mémoire 200. Chaque ligne de source SL relie électriquement les électrodes de source des transistors de sélection 30 appartenant à une même colonne Ci de cellules mémoire 200. Chaque ligne de bit BL relie électriquement les électrodes supérieures des éléments mémoire résistifs 10 appartenant à une même colonne Ci de cellules mémoire 200. Les lignes de mot WL acheminent donc le potentiel de grille V G , tandis que les lignes de source SL acheminent le potentiel de source V S et les lignes de bit BL acheminent le potentiel d’électrode supérieure V TE .
Les cellules mémoire 200 peuvent être adressées individuellement ou collectivement à des fins d’initialisation, programmation ou lecture, en sélectionnant une ou plusieurs lignes de mots WL, une ou plusieurs lignes de source SL et une ou plusieurs lignes de bit BL. Les lignes de mot, de bit et de source sélectionnées sont portées aux potentiels appropriés pour initialiser, programmer ou lire la (ou les) cellule(s) mémoire adressée(s).
Outre la matrice de cellules mémoire 200, le circuit mémoire 300 comprend un circuit de polarisation (non représenté sur la ) relié électriquement aux grilles arrière des transistors de sélection 30 de la matrice, afin de pouvoir sélectionner et appliquer un potentiel de polarisation arrière V BB à chaque grille arrière. Ce circuit de polarisation est configuré pour appliquer une polarisation arrière directe (FBB) au transistor de sélection 30 d’une ou plusieurs cellules mémoire 200 de la matrice lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de ces cellules mémoire 200.
Le circuit de polarisation peut en outre être configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse (RBB) au transistor de sélection 30 d’une ou plusieurs cellules mémoires 200 lors d’une opération de lecture de ces cellules mémoire 200.
Par ailleurs, lorsqu’une cellule mémoire 200 de la matrice est adressée de manière à accomplir une opération de programmation, d’initialisation ou de lecture, une polarisation arrière inverse (RBB) est avantageusement appliquée aux transistors de sélection 30 de plusieurs cellules mémoire adjacentes à la cellule mémoire adressée, afin de diminuer les courants de fuite (courants dans l’état bloqué) de ces transistors. La consommation électrique de la matrice est ainsi diminuée. Une erreur de lecture peut être également évitée. En effet, les courants de fuite des cellules mémoire adjacentes peuvent s’additionner au courant traversant la cellule mémoire adressée et ainsi fausser la détermination de l’état de résistance de la cellule mémoire adressée. Les cellules mémoire adjacentes sont des cellules connectées à la même ligne de source SL et à la même ligne de bit BL que la cellule mémoire adressée (mais à des lignes de mot WL différentes).
De façon encore plus avantageuse, lors de la lecture d’une cellule mémoire, une polarisation arrière inverse (RBB) est avantageusement appliquée aux transistors de sélection 30 appartenant à toutes les lignes Li autres que celle à laquelle appartient la cellule mémoire lue. La consommation de puissance de la matrice mémoire est alors très fortement réduite.
Les transistors de sélection 30 appartenant à une même ligne Li peuvent partager le même caisson. Le circuit mémoire 300 comprend alors autant de caissons que de lignes Li. Une telle configuration complexifie toutefois le circuit de polarisation, multiplie les lignes de connexion des caissons et réduit drastiquement la densité d’intégration du circuit mémoire (autrement dit la densité des cellules mémoire). En effet, pour être indépendant électriquement, les caissons doivent êtres espacés d’une distance minimale dans la couche de support du substrat SOI ou isolés les uns des autres par des premières tranchées d’isolation électrique appelées tranchées d’isolation profondes (technique d’isolation DTI, pour « Deep Trench Isolation » en anglais).
Les figures 4 et 5 représentent deux modes de réalisation du circuit mémoire 300 dans lesquels les transistors de sélection 30 sont agencés d’une manière à pouvoir leur appliquer facilement une polarisation arrière tout en augmentant la densité d’intégration du circuit mémoire 300. Les éléments mémoire résistifs des cellules mémoire ne sont pas représentés sur ces figures 4-5 (étant donné qu’ils ne limitent pas la surface de substrat occupée par les cellules mémoire). Les lignes de bit et les lignes de source ne sont pas non plus représentées.
Dans ces modes de réalisation du circuit mémoire 300, les lignes Li de transistors sont réparties en plusieurs groupes Gi de transistors, chaque groupe Gi comprenant au moins deux lignes Li consécutives. En outre, à chaque groupe Gi est associé un caisson 38 comprenant les grilles arrière des transistors de sélection 30 appartenant à ce groupe Gi. En d’autres termes, le circuit mémoire 300 comprend un nombre de caissons 38 identique au nombre de groupes Gi. Les transistors appartenant à un même groupe Gi sont réalisés sur le même caisson.
Ainsi, toutes les grilles arrière des transistors de sélection 30 appartenant à un groupe Gi sont soumises au même potentiel de polarisation arrière V BB , ce qui simplifie grandement la conception et la fabrication du circuit mémoire, en particulier du circuit de polarisation.
Lorsqu’une ou plusieurs cellules mémoire sont adressées pour être programmées ou initialisées, leurs transistors de sélection appartenant à un même premier groupe Gi, un potentiel de polarisation arrière directe (FBB) est appliqué (par le circuit de polarisation) au caisson 38 associé à ce premier groupe Gi.
Afin de diminuer la consommation de puissance du circuit mémoire, un potentiel de polarisation arrière inverse (RBB) est avantageusement appliqué au caisson d’un ou plusieurs autres groupes Gi de transistors (dont les cellules mémoire ne sont pas adressées). De préférence, le potentiel de polarisation arrière inverse est appliqué à tous les caissons 38 autres que celui associé aux cellules mémoire adressées.
Dans le mode de réalisation de la , les caissons 38 associés aux différents groupes Gi sont dopés d’un même type de conductivité (type N ou type P) et espacés les uns des autres. La distance d (mesurée dans la direction des colonnes Ci) qui sépare deux caissons 38 consécutifs est de préférence comprise entre 100 nm et 600 nm, plus préférentiellement supérieure ou égale à 400 nm.
COFFRE DE RANGEMENT POUR MOTOCYCLETTE Domaine de l’invention La présente invention concerne un coffre de rangement pour une motocyclette, et plus particulièrement un coffre de rangement pour une motocyclette ayant au moins une partie de positionnement.
Description de l’état antérieur de la technique Un coffre de rangement classique pour une motocyclette comporte un corps de coffre et un siège. Le corps de coffre est monté sur un châssis de véhicule, et un espace de rangement est formé au centre du corps de coffre. Le siège est relié de manière pivotante au corps de coffre. Généralement, le siège est relié au corps de coffre près d'un mécanisme de direction du châssis de véhicule. Ainsi, lorsqu'un utilisateur ouvre le siège en tournant le siège vers l'avant, l’utilisateur peut mettre un casque ou des effets personnels dans l'espace de rangement, et la commodité de la motocyclette est ainsi améliorée.
Cependant, étant donné que le siège du coffre de rangement classique est relié au corps de coffre d’une manière simple, et que la résistance structurelle du coffre de rangement classique est insuffisante, si l'utilisateur pousse par inadvertance le siège vers l'avant alors que le siège est déjà ouvert, le corps de coffre peut être cassé près de sa liaison pivotante avec le siège. Par conséquent, le coffre de rangement classique pour une motocyclette est susceptible d'être endommagé en cas d'utilisation anormale.
Problème à résoudre La présente invention vise à fournir un coffre de rangement pour une motocyclette, qui surmonte le problème causé par une résistance structurelle insuffisante du coffre de rangement classique et l'absence de mécanisme pour empêcher une utilisation anormale par des utilisateurs et entraînant un endommagement du corps de coffre.
Solution technique résolvant le problème Le coffre de rangement pour une motocyclette selon la présente invention est configuré pour être monté sur un châssis de véhicule qui a une direction avant-arrière, et comporte un corps de coffre, un siège et au moins une partie de positionnement. Le corps de coffre comporte une partie de support de siège et un espace de rangement. La partie de support de siège forme une boucle et a une ouverture. L'espace de rangement est formé sous l'ouverture de la partie de support de siège. Le siège est relié de manière pivotante à un emplacement sur un côté avant du corps de coffre le long de la direction avant-arrière, est apte à pivoter entre une position ouverte et une position fermée, et a une partie supportée et un espace entouré formé à l'intérieur d'une paroi latérale interne du siège. L'au moins une partie de positionnement est située à l'avant du corps de coffre. Lorsque le siège est situé en position fermée, le siège protège l'ouverture de la partie de support de siège et est situé sur le dessus du corps de coffre, et la partie supportée est en butée sur la partie de support de siège. Lorsque le siège est situé en position ouverte, l'au moins une partie de positionnement s'étend dans l'espace entouré et positionne le siège à cet endroit.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le coffre de rangement comprend un composant de renforcement, et le composant de renforcement est monté de manière détachable sur le corps de coffre près de l'endroit où le siège est relié de manière pivotante au corps de coffre.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le siège est relié de manière pivotante au corps de coffre par l'intermédiaire d'un ensemble charnière monté sur le corps de coffre, et le composant de renforcement et l'ensemble charnière sont en butée l'un contre l'autre et sont fixés ensemble.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le composant de renforcement comprend au moins une partie de fixation auxiliaire, et l’au moins une partie de fixation auxiliaire est fixée au corps de coffre à un endroit qui est différent de celui où le corps de coffre est fixé à l'ensemble charnière.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le coffre de rangement comprend deux parties de positionnement, et les deux parties de positionnement sont formées d'une seule pièce sur deux côtés du composant de renforcement, et positionnent de manière collaborative le siège en position ouverte.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le corps de coffre comprend une partie de montage, le siège est relié de manière pivotante à la partie de montage, et le corps de coffre a une structure nervurée sur chacun des deux côtés de la partie de montage.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, chaque partie de positionnement a une face de support, et un tampon est assemblé sur la face de support et, lorsque le siège est situé en position ouverte, le tampon est en butée sur la paroi latérale interne du siège.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, le tampon est réalisé en un matériau souple.
Avantageusement, pour le coffre de rangement pour une motocyclette tel que décrit ci-dessus, lorsque le siège est en position fermée, un bord inférieur du siège est plus bas qu'un bord inférieur du tampon dans une vue latérale de véhicule.
Efficacité de l’invention Avec les caractéristiques techniques susmentionnées, le coffre de rangement pour une motocyclette selon la présente invention présente les avantages suivants.
1. Ladite partie de positionnement fournit une force de support supplémentaire pour limiter l'angle de pivotement maximal du siège lorsque celui-ci est pivoté en position ouverte, et disperse les contraintes passant par l'ensemble charnière vers la partie de montage du corps de coffre, de façon à éviter d’endommager le corps de coffre.
2. Ladite partie de positionnement est formée près de l'ensemble charnière, ce qui minimise le volume de ladite partie de positionnement, réduit le poids du composant de renforcement et économise davantage les coûts.