D’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives du composant opto-électronique conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes : - la structure de support comprend en outre sur le substrat non natif au moins une couche tampon, -la structure de support comprend en outre une première couche de transition supplémentaire, une première zone de confinement et une deuxième couche de transition supplémentaire, -le substrat non natif est formé en un matériau du groupe IV, - le substrat non natif est formé en silicium, - les premiers matériaux semiconducteurs comprennent un antimoniure, - les zones actives sont chacune constituées d’un puits quantique de trou inséré entre deux puits quantiques d’électrons, ledit puits quantique de trou et les deux puits quantiques d’électrons formant un ensemble situé entre deux couches barrières, - les zones actives comprennent chacune : - une première couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 3.5 nm, - une deuxième couche en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur entre 1 nm et 4 nm, - une troisième couche en matériau ternaire à base de gallium, d’indium et d’antimoine dont la teneur en indium varie entre 0% et 50%, et d’épaisseur comprise entre 1.5 nm et 4.5 nm, - une quatrième couche en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur entre 1 nm et 3.5 nm, - les zones actives sont chacune située entre une zone de blocage d’électrons et une zone de blocage de trous, - chaque zone de blocage d’électrons comprend : - une couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 et 3 nm, - une couche en antimoniure de gallium GaSb et d’épaisseur comprise entre 1.5 et 5 nm, - une couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 et 3 nm, - une couche en antimoniure de gallium GaSb et d’épaisseur comprise entre 2et 5.5 nm, - une couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 et 3.5 nm. - chaque zone de blocage de trous comprend : - une couche en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 3 et 6 nm, - une couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 2 et 5 nm, - une couche en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 en matériau et d’épaisseur comprise entre 1.5 et 4 nm, - une couche en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm, - une couche en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm, - une couche en antimoniure de gallium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 et 3 nm, - une couche en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 1 et 4 nm, - l’hétérostructure semiconductrice présente une densité de dislocations comprise entre 10 6 et 10 9 cm -2 .