INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le principe de l’impaction virtuelle consiste en premier lieu à fortement accélérer le flux d’air prélevé par une buse d’accélération convergente qui débouche dans une zone de séparation où l’essentiel du flux d’air est aspiré latéralement tandis qu’une partie minoritaire du flux continue tout droit vers une buse de collecte divergente.
L’inertie des particules grossières ne leur permet pas d’accompagner la fraction d’air aspirée latéralement, ce qui fait que cet air latéral (90% du flux d’air total) ne contient que les particules fines. La part des particules grossières et la part des particules fines d’un aérosol peuvent alors être quantifiées séparément.
Cependant, les impacteurs virtuels existants ne sont pas adaptés au prélèvement et à l’évaluation de l’exposition des salariés à des composés organiques semi-volatils. En effet, les impacteurs virtuels fonctionnent avec des débits d’air importants non compatibles avec les dispositifs de collecte des particules et des vapeurs de COSV disponibles et non compatibles avec les pompes individuelles utilisées communément pour l’évaluation de l’exposition des salariés sur leur lieu de travail.
Beaucoup de méthodes de prélèvement actuelles se focalisent uniquement sur l’une des phases de l’aérosol de COSV. Or, compte tenu du fait que les phases particulaires et vapeurs présentes dans l’air sont absorbées selon des mécanismes différents par l’organisme humain, échantillonner une seule de ces deux phases résulterait en une estimation erronée de l’exposition des personnes aux composés organiques semi-volatils. Les phases particulaire et vapeur nécessitent d’être mesurées séparément.
Des techniques de prélèvement existantes utilisent notamment des supports (filtre ou plaque métallique) pour piéger les particules contenues dans le flux d’air. Ces techniques engendrent des biais de mesures importants.
D’après plusieurs études, un phénomène d’évaporation de la phase particulaire des COSV collectés a été mis en évidence et conduit à une perte de masse non négligeable au cours du prélèvement, ce qui fausse la quantification de cette phase particulaire ainsi que de la phase vapeur lorsque qu’elle est collectée consécutivement au passage de l’aérosol au travers d’un filtre.
Par conséquent, les techniques actuelles de prélèvement ne permettent pas de différencier la part des vapeurs issue de l’aérosol semi-volatil avant prélèvement et la part des vapeurs issue de l’évaporation des particules collectées au cours du prélèvement. De même, il n’est pas possible de modéliser ou calculer la fraction de la phase particulaire prélevée qui s’évapore au cours du prélèvement.
Pour ces raisons, à ce jour, il n’est pas possible de différencier la fraction particulaire de la fraction vapeur d’un aérosol semi-volatil. Actuellement, seul un résultat exprimant la somme des deux fractions peut être rendu alors qu’il serait nécessaire de connaître précisément et sans biais les quantités de particules et de vapeurs présentes dans l’air inhalable des salariés.
L’invention a donc pour but de remédier à ces inconvénients et de proposer un dispositif pour le prélèvement simultané des phases particulaire et gazeuse de composés organiques semi-volatils, limitant le phénomène d’évaporation au cours du prélèvement, et conduisant à une quantification fiable de chacune de ces deux phases.
Il est donc proposé un dispositif de prélèvement et de séparation des fractions particulaire et gazeuse des composés organiques semi-volatils présents dans l’air, comprenant une entrée de flux d’air, une buse d’accélération raccordée à l’entrée de flux d’air, et une buse de collecte, la buse d’accélération et la buse de collecte s’étendant en vis-à-vis autour d’un axe commun et étant espacées par une zone de séparation du flux d’air, ladite zone de séparation étant connectée à un plénum, une sortie principale destinée au prélèvement de la fraction particulaire et d’une première portion de la fraction gazeuse étant raccordée à la buse de collecte et une sortie secondaire destinée au prélèvement d’une seconde portion de la fraction gazeuse étant raccordée au plénum.
En outre, le plénum comporte un disque d’homogénéisation de la vitesse du flux d’air et la buse de collecte débouchant dans ladite zone de séparation au centre dudit disque d’homogénéisation.
Avantageusement, les sorties principale et secondaire peuvent s’étendre selon des axes parallèles.
De préférence, la section du plénum passant par un plan perpendiculaire à l’axe le long duquel s’étend la sortie principale est de forme ovale.
De plus, le dispositif de prélèvement peut comprendre l’assemblage de première et deuxième parties amovibles incorporant respectivement la buse d’accélération et la buse de collecte, et dont les surfaces internes respectives délimitent le plénum.
De manière avantageuse, le dispositif de prélèvement peut comprendre au moins un moyen d’alignement des buses d’accélération et de collecte.
Dans ce cas, on peut calculer l’accélération angulaire A à un temps unique (par opération de balayage) ou à plusieurs temps donnés, éventuellement à des temps régulièrement espacés, au cours de l’étape 104, et comparer la valeur calculée A à ladite valeur moyenne Moy. Tant que, en valeur absolue, l’écart entre la valeur calculée A et la valeur moyenne Moy est inférieur ou égal à un seuil prédéfini, l’état d’usure est considéré comme neuf. Quand l’écart, en valeur absolue, entre A et Moy devient supérieur au seuil prédéfini, alors l’état d’usure est considéré comme vieux. Le procédé 100 comprend alors avantageusement une étape 108 d’alerte (ALE) de l’utilisateur, par exemple sous forme de déclenchement d’un signal lumineux et/ou sonore du tableau de bord du véhicule automobile.
Selon une deuxième variante, le paramètre représentatif d’un état d’usure connu est un profil, dit profil de référence, d’évolution de l’accélération angulaire sur un intervalle de temps, par exemple sur un cycle rotatif ou sur un nombre défini de cycles rotatifs, par exemple cinq cycles rotatifs. Tant que, en valeur absolue, l’écart entre le profil d’évolution des valeurs calculées A et le profil des références est inférieur ou égal à un seuil prédéfini, l’état d’usure est considéré comme neuf. Quand l’écart, en valeur absolue, entre A et Moy devient supérieur au seuil prédéfini, alors l’état d’usure est considéré comme vieux. On note que l’on peut calculer l’écart pour chaque mesure de position P, ce qui correspond par exemple à une cinquantaine de calculs d’écarts. Le procédé 100 comprend alors avantageusement une étape 108 d’alerte (ALE) de l’utilisateur, par exemple sous forme de déclenchement d’un signal lumineux et/ou sonore du tableau de bord du véhicule automobile.
Selon une troisième variante, chaque accélération calculée A est comparée à une pluralité de paramètres, chaque paramètre étant représentatif d’un état d’usure connu respectif par l’unité de contrôle électronique. Par exemple, on peut prédéfinir trois niveaux d’usure : neuf, moyen et vieux. Dans ce cas, on compare chaque accélération calculée A à chaque paramètre représentatif de chaque niveau d’usure et on calcule chacun des écarts, En, Em et Ev, entre la valeur A et le paramètre représentatif respectif du niveau d’usure neuf, moyen et vieux. On attribue l’état d’usure à l’écart le plus faible parmi les écarts En, Em et Ev. Quand l’état d’usure est vieux, le procédé 100 comprend alors avantageusement une étape 108 d’alerte (ALE) de l’utilisateur, par exemple sous forme de déclenchement d’un signal lumineux et/ou sonore du tableau de bord du véhicule automobile.
On note que, selon cette variante, chaque paramètre représentatif peut être un profil de référence tel qu’introduit en relation avec la deuxième variante, et associé au niveau d’usure respectif neuf, moyen, vieux. Les écarts En, Em et Ev sont alors avantageusement calculés pour chaque mesure de position P, ce qui correspond par exemple à une cinquantaine de calculs d’écarts.
On note également qu’il est possible de coupler à chaque variante décrite ci-dessus la mesure d’intensité de consigne fournie par la source 24 de puissance électrique au moteur d’entraînement 20, ce qui donne une indication supplémentaire de l’état d’usure de chaque balai d’essuyage 14, puisque chaque balai génère un couple résistant qui augmente avec l’usure, et accroît la valeur de l’intensité de consigne.
Ainsi, grâce au dispositif 42 de détermination de l’état d’usure des balais d’essuyage 14 et au procédé 100 de détermination de l’état d’usure des balais d’essuyage 14 selon la présente invention, il est possible d’estimer en temps réel l’état d’usure du balai d’essuyage 14, en ayant recours uniquement au capteur 40 de position angulaire et à l’unité 26 de pilotage et de contrôle du système d’essuyage 10, sans qu’il soit nécessaire d’ajouter des capteurs dédiés à la détermination de l’état d’usure du balai d’essuyage 14.
Systèmes et procédés d’estimation de l’heure d’arrivée de systèmes de véhicule CONTEXTE
La présente invention concerne des systèmes et procédés pour estimer l’heure d’arrivée de systèmes de véhicule.
Discussion de la technique.
La prédiction d’une heure d’arrivée estimée (ETA) d’un système de véhicule peut être un aspect important et difficile de la gestion de la chaîne d’approvisionnement. La gestion de la chaîne d’approvisionnement dépend de l’allocation efficace des ressources. Par conséquent, disposer d’une ETA précise à partir de systèmes de véhicule de la chaîne d’approvisionnement est bénéfique pour maintenir un système de transport bien intégré.
De nombreux facteurs peuvent entraîner une modification de l’ETA d’un système de véhicule. Des problèmes de trafic, de météo et de fonctionnement peuvent entraîner une modification de l’ETA. Bien que les informations liées à ces facteurs puissent permettre des prédictions plus précises de l’ETA, les informations peuvent ne pas être facilement disponibles pour analyse. Les approches actuelles de calcul de l’ETA ne fournissent pas la précision souhaitée en raison de facteurs tels que la disponibilité des données, l’exactitude des données, la cohérence des ensembles de données et la complexité des sources de données.
Les systèmes actuels de détermination de l’ETA peuvent reposer sur une saisie manuelle fournie par le personnel de transport au moment où les systèmes de véhicule quittent une origine ou atteignent une destination. La saisie manuelle peut donner lieu à des erreurs et peut également ne pas tenir compte des flux de trafic aux origines et aux destinations générés par tous les systèmes de véhicule entrant ou sortant des emplacements. L’erreur qui en résulte dans l’ETA peut entraîner le non-respect des contrats d’expédition convenus, ce qui peut entraîner des retards de livraison et/ou des pénalités pour les sociétés de transport.
Les systèmes actuels de détermination de l’ETA peuvent également ne pas être en mesure d’utiliser les données de transport historiques. Les systèmes qui déterminent actuellement une ETA statique ne sont pas en mesure de prendre en compte l’évolution des flux de trafic au fil du temps, qui peuvent changer en fonction de plusieurs facteurs, notamment le trafic entrant et sortant aux emplacements d’origine et de destination, les conditions saisonnières telles que la météo, les grappes de vitesse et les trajets récents entre les emplacements d’origine et de destination par d’autres systèmes de véhicule.
BRÈVE DESCRIPTION
Selon un mode de réalisation, un procédé peut comprendre l’obtention d’un événement de transport et d’une heure d’événement de transport d’un système de véhicule à un emplacement actuel du système de véhicule sur un itinéraire d’une origine à une destination et la détermination de conditions d’événement de transport sur la base de données de transport historiques. Le procédé peut en outre comprendre la prédiction, par des procédés d’optimisation mathématique, d’itinéraires de transport optimaux sur la base d’un ou de plusieurs éléments parmi des itinéraires de transport historiques, des itinéraires contractuels, des intersections contractuelles et des données de base de station et le regroupement de groupes de données d’événement de transport à partir des données de transport historiques à l’aide d’un procédé de classification d’apprentissage automatique. Le procédé peut en outre comprendre la mise en correspondance de groupes de données d’événement de transport à des groupes de transport historiques à l’emplacement actuel et la prédiction d’une heure d’arrivée estimée (ETA) du système de véhicule à la destination à l’aide d’un modèle d’apprentissage automatique.
La illustre la variation de la résistance de la zone dopée n+ en fonction de la température de fonctionnement du dispositif selon l’invention ;
La illustre la variation de la résistance de contact métal GaN dopé n+ en fonction de la température de fonctionnement du dispositif selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILEE DE L’INVENTION La représente une vue en coupe schématique d’un transistor 400 à haute mobilité électronique selon l’invention. En particulier, la représente la partie du transistor 400 comprenant un contact de source 405 et une électrode de grille 406. Le transistor 400 selon l’invention comprend un empilement de couches comprenant une couche de passivation 401 et une hétérojonction comprenant une première couche semi-conductrice 402 et une deuxième couche semi-conductrice 403.
La première couche semi-conductrice 402 possède une énergie de gap plus élevée que la deuxième couche semi-conductrice 403. La première couche semi-conductrice 402 est également appelée couche barrière ou barrière. La deuxième couche semi-conductrice 403 est également appelée couche canal ou canal. Un gaz bidimensionnel d’électrons ou 2DEG 404 est formé à l’interface entre la couche barrière 402 et la couche canal 403. La couche de passivation 401 est au contact de la première couche semi-conductrice 402.
Selon un mode de réalisation, la couche de passivation 401 est une bicouche comprenant des couches 401a et 401b. Selon un mode de réalisation les couches 401a et 401b sont réalisées respectivement en SiO 2 et SiN.
Le transistor 400 selon l’invention comporte en outre le contact métallique 405 de source, un contact métallique de drain non représenté et l’électrode de grille 406. La représente seulement le contact de source. L’électrode de grille 406 est positionnée entre les contacts métalliques de source et drain. Selon un mode de réalisation l’électrode de grille 406 peut avoir une forme en T, avec un pied de grille à proximité de la couche barrière 402.
En d’autres termes, la représente la moitié de la structure du transistor 400 selon l’invention, le contact de drain n’étant pas représenté. Selon un mode de réalisation de l’invention, le transistor 400 est symétrique avec un contact de drain identique au contact de source. La distance grille-drain est supérieure ou égale à la distance grille-source.
Le transistor 400 selon l’invention comprend en outre une zone dopée n+ 407 se situant à l’intérieur de l’hétérojonction. En d’autres termes, une extrémité 408 de la zone dopée n+ 407 est positionnée entre le contact métallique de source 405 ou drain et le pied de grille.
La zone dopée n+ 407 est obtenue par implantation ionique d’un dopant de type n.
Selon le mode de réalisation représenté à la , la couche barrière 402 est en AlGaN, la couche canal 403 en GaN et la zone dopée n+ 407 est obtenue grâce à une implantation de Silicium localisée à profil gaussien. L’implantation ionique est associée à un recuit d’activation optimisé, 975°C pendant 10h, 1000°C pendant 3 heures ou 1050°C pendant une heure, pour former une zone dopée n+ et un contact performant.
Selon un mode de réalisation, l’hétérojonction est une hétérostructure de type III-N à base d’Al, In ou Ga. Des exemples de telles hétérostructures sont AlGaN/AlN/GaN, AlGaN/GaN, InGaAlN/AlN/GaN,ou AlGaN/AlN/AlGaN dans laquelle le canal est en AlGaN.
Selon un mode de réalisation, l’hétérojonction est une hétérostructure de type III-N à base de ScAlN. Des exemples de telles hétérostructures sont ScAlN/GaN ou ScAlN/AlN/GaN.
Le contact métallique 405 de source ou drain est situé au niveau d’un évidement 409 formé dans l’empilement de couches. Le contact métallique 405 possède une épaisseur définie par une face supérieure 405a du contact métallique et une face inférieure 405b du contact métallique. Les deux faces inférieure et supérieure du contact métallique 405 sont sensiblement parallèles aux plans des couches.
La face supérieure 405a est plane de façon à réduire les capacités parasites entre l’électrode de grille 406 et le contact métallique 405 de source ou drain. En d’autres termes, l’épaisseur du contact 405 de source ou drain est constante sur toute la région du contact 406. De façon équivalente, l’épaisseur du contact 405 est égale à l’épaisseur de l’évidement.
La disposition de la face supérieure 405a du contact métallique 405 permet de réaliser un contact très compact, fin et sans débordement et ainsi de réduire au maximum les capacités parasites C pgs entre le métal du contact 405 et le métal de grille. La planarisation permet aussi d’améliorer le contrôle des lithographies suivantes.
La face inférieure 405b est au contact de la zone implantée dopée n+ 407. En d’autres termes, le contact métallique 405 forme un recess RE par rapport à la surface de la couche barrière 402 et la face inférieure 405b du contact 405 est au-dessous de l’interface entre la première couche semi-conductrice 402 et la deuxième couche semi-conductrice 403.
Le compteur 22 est remis à zéro ; le circuit monostable 23 est déclenché, autorisant le comptage des évènements pendant une durée prédéfinie ; une fois la durée du circuit monostable 23 écoulée, le comptage s’arrête. Un signal est généré indiquant que la lecture est terminée et que le résultat de la lecture est disponible.
Le circuit monostable 23 comporte de préférence une compensation en température et en tension de manière à présenter une stabilité compatible avec la précision recherchée, par exemple avec une référence de tension band-gap pour la tension.
Comme décrit plus haut, on peut aussi utiliser comme moyen de protection supplémentaire un ou des capteurs permettant de détecter une variation anormale de température et/ou de tension.
Le résultat de la lecture est un nombre NL qui représente le niveau de radioactivité de la source R.
Par exemple, pour un niveau de radioactivité mesuré égal à 1000 pour une source de 63 Ni, dont la demi-vie est d’environ 100 ans, la même mesure donnera 500 après qu’un siècle se soit écoulé.
De préférence, la durée du monostable est ajustée de manière à mesurer une valeur qui n’excède pas la valeur maximale de comptage du compteur. La quantité de source radioactive R et donc son activité peut aussi être réduite à cette fin.
On peut aussi effectuer plusieurs lectures successives afin de moyenner la valeur lue, afin de diminuer l’effet du bruit et des imprécisions de lecture ou de calcul.
D’autres électroniques de lecture sont utilisables, par exemple celle divulguée dans le brevet US 7476,865 comportant un amplificateur sensible à la charge (« charge sensitive amplifier ») suivi d’un amplificateur de mise en forme du signal (« shaping amplifier ») et d’un tampon.
Le choix de la source radioactive R dépend, entres autres, du délai D souhaité pour la révélation du secret S et de l’ordre de grandeur que l’on souhaite pour le niveau cible NC qui sera calculé en fonction de ce délai.
Le calcul du niveau cible NC est basé sur la loi exponentielle de décroissance radioactive connue de l’état de l’art, qui donne le niveau de radioactivité N d’un élément radioactif en fonction du temps :
avec λ= ln(2)/demi-vie de l’élément radioactif considéré, et N(0) le niveau initial de radioactivité, lu lors de la phase d’initialisation.
Par exemple, pour une source radioactive R de 63 Ni, un délai D de 200 ans et un niveau NL initial mesuré N(0) de 1000 impliquent un niveau cible NC calculé de 250. Pour un délai D d’un an, le niveau cible NC calculé est d’environ 993.
Pour des délais encore plus courts, notamment de l’ordre d’une journée, le niveau cible NC peut s’avérer est très proche du niveau initial et requiert un comptage précis, de plus grandes quantités de produit radioactif et/ou un détecteur plus grand.
On utilisera alors de préférence un élément radioactif présentant une demi-vie plus courte, par exemple le Tritium ou le Polonium-210, entre autres exemples.
L’utilisation du circuit intégré 1 peut s’effectuer en deux phases.
Le circuit intégré 1 est d’abord programmé avant de pouvoir être interrogé. La phase de programmation s’effectue une seule fois, lors de l’initialisation du circuit. Ce dernier peut ensuite être interrogé selon les besoins de l’utilisateur.
La diode 10 est par exemple fabriquée avec la technologie CMOS directement sur la puce 3. Elle peut être réalisée verticalement comme décrit dans le brevet US 9,530,529 ou l’article de Krasnov, Andrey, et al. "A nuclear battery based on silicon pin structures with electroplating 63Ni layer." ( Nuclear Engineering and Technology 51.8 (2019) : 1978-1982).
Elle peut encore être réalisée horizontalement comme décrit dans le brevet US 10,083,771.
Alternativement, la diode 10 peut être fabriquée à part et reportée sur la puce 3, comme décrit dans l’article Wyrsch, Nicolas, et al. "Thin‐film silicon detectors for particle detection." ( physica status solidi (c) 1.5 (2004): 1284-1291).
Alternativement, la diode 10 peut être directement fabriquée sur la puce 3 par déposition.
La diode 10 a par exemple des dimensions allant de 100x100 µm 2 à 3x3 mm 2 .
La source radioactive R est par exemple déposée sur la surface de la diode 10 par dépôt électrolytique ou chimique. Un isolant électrique peut être ajouté entre la diode et la source radioactive.
La quantité de matière radioactive à déposer, et notamment son épaisseur, dépend du rendement observé en pratique compte-tenu de certains paramètres, par exemple la taille de la diode 10, la durée de lecture ou encore le rayonnement effectif capturé par la diode 10.
On a par exemple une source de 63 Ni d’épaisseur e de 2.6 microns environ pour une diode de dimensions 1x1 mm 2 .
Une couche isolante (non représentée) peut être ajoutée entre la diode 10 et la source radioactive R pour éviter les courts-circuits lorsque la source radioactive R conduit le courant.
La structure de la diode 10 est par exemple celle d’une diode PN ou PIN, comme illustré à la , polarisée en inverse et présentant une zone non ou peu dopée I, dite « intrinsèque », agencée entre deux zones dopées P+ et N+.
La diode 10 peut être encapsulée avec le reste de la puce 3 dans un matériau d’encapsulage du circuit intégré, par exemple une résine ou une céramique, muni de pattes ou de plots de connexion à des circuits extérieurs. Afin de protéger la diode 10 de la lumière pour ne pas perturber la mesure, on peut la recouvrir si nécessaire d’une couche d’un blindage, notamment en métal. On peut par exemple ajouter une piste conductrice en forme de serpentin qui recouvre certaines zones du circuit destinée à rompre en cas d’ouverture de celui-ci, le circuit étant agencé pour ne plus fonctionner en cas de rupture de la piste.
La diode 10 ainsi réalisée et polarisée génère un courant qui peut être lu par le circuit de lecture 20 afin de déterminer le niveau de radioactivité NL.
Comme représenté à la , le circuit de lecture 20 comporte par exemple un amplificateur 21, suivi d’un compteur d’impulsions 22.
Le compteur 22 présente une remise à zéro 220 et une entrée 225 autorisant le comptage sur état (par exemple, à zéro, aucun comptage, et à un, le comptage est effectué).
La mesure se fait pendant une durée prédéfinie générée par un circuit monostable 23, celui-ci délivrant un créneau d’une durée fixe et répétable de manière précise, par exemple environ une seconde. Le circuit monostable 23 est connecté à l’entrée 225 d’autorisation du compteur.
Lorsqu’une lecture est demandée, par exemple sur réception d’un signal extérieur, le circuit de lecture effectue par exemple les actions suivantes :