Dispositif mémoire formé de cellules mémoires résistives (3) dotées chacune d’un élément (31, 310) de mémoire résistive associé en série à un sélecteur (33, 330), chaque cellule implémentant un codage dit « multi-niveaux » et étant programmée à un état de programmation donné (3i) parmi k avec k > 2 états de programmation possibles, le dispositif comprenant un circuit de lecture configuré pour, lors d’une opération de lecture sur une cellule donnée : appliquer une séquence d’au moins deux tensions de lecture (Vread1, Vread2, Vread3) successives et différentes à la cellule donnée. Dispositif mémoire selon la revendication 1, le circuit de lecture étant configuré de sorte que ladite séquence comprend l’application d’une première tension de lecture (Vread1) à la cellule donnée, la première tension de lecture (Vread1) appartenant à une première gamme de tensions entre une première tension de seuil et une deuxième tension de seuil, et étant sélectionnée parmi un ensemble de tensions de lecture d’une séquence de tensions de lecture différentes (Vread1, Vread2, Vread3) auxquelles une cellule de ladite mémoire est susceptible d’être soumise lors de ladite opération de lecture, puis l’application d’une deuxième tension de lecture (Vread2), de ladite séquence de tensions de lecture, la deuxième tension de lecture étant différente de la première tension de lecture et appartenant à une deuxième gamme de tensions entre la deuxième tension de seuil et une troisième tension de seuil, l’état de programmation donné étant déterminé en fonction de valeurs respectives d’un premier courant de lecture (Iread1) traversant ladite cellule donnée résultant de l’application de ladite première tension de lecture (Vread1) et d’un deuxième courant de lecture (Iread2) traversant ladite cellule donnée consécutivement à l’application de ladite deuxième tension de lecture (Vread2). Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 ou 2, le circuit de lecture étant configuré pour détecter à chaque tension de lecture appliquée de ladite séquence si un courant de lecture (Iread1) traversant ladite cellule donnée et résultant de l’application de ladite de tension de lecture correspond à un premier niveau de courant de fuite (IoffOTS) du sélecteur (33) lorsque ce sélecteur se trouve dans un état bloqué ou si le courant de lecture correspond à un deuxième niveau de courant (Ilimit) lorsque le sélecteur se trouve dans un état passant. Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel lors de ladite opération de lecture la séquence de tensions de lecture différentes (Vread1, Vread2, Vread3) est appliquée par ledit circuit de lecture à ladite cellule mémoire donnée selon un ordre croissant de tensions de lecture ou selon un ordre décroissant de tensions de lecture. Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le sélecteur (33) est un commutateur à deux terminaux, en particulier de type interrupteur à seuil ovonique (OTS). Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’élément (31) de mémoire résistive est un élément de mémoire résistive à base d'oxyde (OxRAM). Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 6, le circuit de lecture étant doté d’un amplificateur (102) ayant une entrée non-inverseuse à laquelle la tension de lecture (Vread) est appliquée et une entrée inverseuse connectée au drain d’un transistor (M10) monté en drain commun et couplé en sortie du sélecteur (330). Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le circuit de lecture est configuré pour comparer un courant image issu d’un premier miroir de courant (91) recevant un courant issu du sélecteur à un autre courant issu d’un deuxième miroir de courant (92) auquel un courant de référence (IREF) est appliqué. Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 7, le circuit de lecture est doté d’un comparateur (120) pour comparer une tension (VREG) en sortie de l’amplificateur (102) avec une tension de référence (VREF). Dispositif mémoire selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le circuit de lecture est doté d’une capacité d’intégration (C READ ) chargée par un courant image d’un courant issu du sélecteur (330), le circuit de lecture étant configuré pour lors de l’opération de lecture selon ladite séquence de tensions décharger la capacité d’intégration (C READ ) consécutivement à l’application d’une première tension de lecture (V READ1 ) de ladite séquence et préalablement à l’application d’une deuxième tension de lecture (V READ2 ) suivant ladite première tension de lecture dans ladite séquence de tensions. Procédé de commande d’un dispositif selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant lors d’opération de lecture d’un état de programmation donné d’une cellule mémoire résistive donnée (3i) parmi lesdites cellules mémoires résistives, des étapes consistant à : - appliquer une première tension de lecture (Vread1) à la cellule donnée, la première tension de lecture (Vread1) appartenant à une première gamme de tensions entre une première tension de seuil et une deuxième tension de seuil, et étant sélectionnée parmi un ensemble de tensions de lecture d’une séquence de tensions de lecture différentes (Vread1, Vread2, Vread3) auxquelles une cellule de ladite mémoire est susceptible d’être soumise lors de ladite opération de lecture, puis - appliquer une deuxième tension de lecture (Vread2), de ladite séquence de tensions de lecture, la deuxième tension de lecture étant différente de la première tension de lecture et appartenant à une deuxième gamme de tensions entre la deuxième tension de seuil et une troisième tension de seuil, l’état de programmation donné étant déterminé en fonction de valeurs respectives d’un premier courant de lecture (Iread1) traversant ladite cellule donnée résultant de l’application de ladite première tension de lecture (Vread1) et d’un deuxième courant de lecture (Iread2) traversant ladite cellule donnée consécutivement à l’application de ladite deuxième tension de lecture (Vread2), ou, - déclencher la fin à l’opération de lecture : lorsque la première tension de lecture (Vread1) est la tension la plus élevée de ladite séquence (Vread1, Vread2,…) de tensions et que le premier courant traversant ladite cellule donné et consécutif à l’application de ladite première tension de lecture (Vread1) correspond à un niveau de courant de fuite (IoffOTS) du sélecteur (33) lorsque ce sélecteur se trouve dans un état bloqué, ou bien lorsque la première tension de lecture (Vread1) est la tension la plus faible de ladite séquence (Vread1, Vread2,…) de tensions et que le premier courant correspond à un niveau de courant (Ilimit) lorsque le sélecteur se trouve dans un état passant. Procédé de commande selon la revendication 11, dans lequel l’opération de lecture comprend en outre, après application de la deuxième tension de lecture (Vread2) : - une étape de détermination dudit état de programmation donné en fonction de la valeur d’une somme entre ledit premier courant de lecture (Iread1) et ledit deuxième courant de lecture (Iread2). Procédé de commande selon l’une des revendications 11 ou 12, comprenant en outre, après application de la première tension de lecture (Vread1) et préalablement à l’application de la deuxième tension de lecture (Vread2) ou au déclenchement de la fin de l’opération de lecture : - une étape de détection binaire consistant à déterminer si le premier courant de lecture (Iread1) correspond à un niveau de courant de fuite (IoffOTS) du sélecteur (33) lorsque ce sélecteur (33, 330) se trouve dans un état bloqué ou bien si le premier courant correspond à un niveau de courant (Ilimit) lorsque le sélecteur (33, 330) se trouve dans un état passant, en particulier par comparaison du premier courant de lecture ou d’une image du premier courant de lecture sous forme d’une tension (Vcapa, Vcomp, Vreg) ou d’un courant à un seuil donné (Vref, Iref). Procédé de commande selon l’une des revendications 11 à 13, dans lequel l’opération de lecture comprend en outre, après l’étape consistant à appliquer la deuxième tension de lecture (Vread2) : - appliquer une troisième tension de lecture (Vread3), de ladite séquence de tensions de lecture, la troisième tension de lecture étant différente desdites première tension de lecture (Vread1) et deuxième tension de lecture (Vread2) et appartenant à une troisième gamme de tensions entre la troisième tension de seuil et une quatrième tension de seuil, ou - déclencher la fin à l’opération de lecture : lorsque la deuxième tension de lecture (Vread2) est, hormis la première tension de lecture la tension la plus élevée de ladite séquence (Vread1, Vread2, Vread3) de tensions et que le deuxième courant de lecture correspond à un niveau de courant de fuite (IoffOTS) du sélecteur (33) lorsque ce sélecteur se trouve dans un état bloqué, ou bien lorsque la deuxième tension de lecture (Vread2) est, hormis la première tension de lecture, la tension la plus faible de ladite séquence (Vread1, Vread2,…) de tensions et que le deuxième courant de lecture correspond à un niveau de courant (Ilimit) du sélecteur (33) lorsque le sélecteur se trouve dans un état passant. Procédé de commande selon la revendication 14, dans lequel l’opération de lecture comprend en outre, après application de la troisième tension (Vread3) de lecture : - une étape de détermination dudit état de programmation donné en fonction de la valeur d’une somme entre ledit premier courant de lecture, ledit deuxième courant de lecture, et un troisième courant traversant ladite cellule donné consécutivement à l’application de ladite troisième tension de lecture (Vread3). Procédé de commande selon l’une des revendications 14 ou 15, comprenant en outre, après application de la deuxième tension de lecture et préalablement à l’application de la troisième tension de lecture ou au déclenchement de la fin de l’opération de lecture, une étape de détection binaire consistant à déterminer si le deuxième courant de lecture correspond à un niveau de courant de fuite (IoffOTS) du sélecteur (33) lorsque ce sélecteur se trouve dans un état bloqué ou bien si le deuxième courant correspond à un niveau de courant (Ilimit) lorsque le sélecteur se trouve dans un état passant. Procédé de commande selon l’une des revendications 11 à 16, dans lequel préalablement à l’opération de lecture, on effectue une programmation de l’état donné en appliquant une succession d’impulsions de courant à la cellule donnée.