Dispositif électronique comprenant un premier transistor (201) de type MOS et un deuxième transistor (202) de type MOS montés en miroir de courant, le premier transistor (201) étant monté en diode, et un premier circuit (204 ; 301-0, 301-1, …, 301-K) adapté à fournir un premier courant (N*Ig0) égal à un premier courant de grille (Ig0) du premier transistor (202) multiplié par le rapport (N) de taille des premier et deuxième transistors. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel ledit premier circuit (204 ; 301-i) est relié à un premier noeud (A0) d'interconnexion des grilles des premier et deuxième transistors (201, 202), et à un deuxième noeud (VDD) d'interconnexion d'une première borne de conduction du premier transistor (201) et d'une première borne de conduction du deuxième transistor (202), et ledit premier circuit (204 ; 301-i) fournit ledit premier courant (N*Ig0) à une deuxième borne (S) de conduction du deuxième transistor (202). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premier et deuxième transistors (201, 202) sont des transistors MOS de type P. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit premier circuit (204) comprend : - un premier module (2041) adapté à isoler le premier courant de grille (Ig0) ; et - un premier miroir de courant (20421, 20422). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le premier miroir de courant comprend des troisième et quatrième transistors (20421, 20422) de type MOS, le troisième transistor (20421) étant monté en diode, dans lequel les deuxièmes courants de grille des deuxième et troisième transistors sont négligeables par rapport au premier courant de grille (Ig0). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel les troisième et quatrième transistors (20421, 20422) sont des transistors PMOS ayant une double couche d'oxyde. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les troisième et quatrième transistors (20421, 20422) ont un rapport de taille égal au rapport de taille (N) des premiers et deuxième transistors (201, 202). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le premier miroir de courant comprend des cinquième et sixième transistors (20421, 20422), le cinquième transistor (20421) étant monté en diode, et dans lequel un troisième courant de grille du cinquième transistor (20421) est proportionnel au premier courant de grille (Ig0). Dispositif selon la revendication 8, dans lequel le troisième courant de grille est égal à la moitié du premier courant de grille (Ig0), et le rapport de taille des cinquième et sixième transistors est égal au double du rapport (N) de taille des premier et deuxième transistors (201, 202). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit premier circuit (301-0, 301-1, …, 301-K) comprend K deuxièmes circuits (301-i) disposés en cascade, K étant un entier relatif, et étant chacun adapté à isoler le courant parasite du circuit précédent. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel K est égal à 2 ou 3. Dispositif selon la revendication 10 ou 11, dans lequel un deuxième circuit de rang i, i variant de 1 à K, comprend un noeud d'entrée (Ai) relié à un noeud de sortie du deuxième circuit de rang i-1, un premier noeud de sortie (Bi) relié au, et un deuxième noeud de sortie (NBi) relié à la deuxième borne (S) de conduction du deuxième transistor (202). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel chacun des deuxièmes circuits comprend : - un deuxième miroir de courant comprenant des septièmes transistors (3011-i, 3012-i) de type MOS de même dimensions ; - un troisième miroir de courant comprenant des huitièmes transistors (3011-i, 3013-i) de type MOS dont le rapport de taille est égal au rapport de taille (N) des premier et deuxième transistors ; et - un deuxième module (3014-i) adapté à isoler un courant parasite d'un autre desdits deuxièmes circuits. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le deuxième module (3014-i)est relié aux noeuds d'entrée (A1, …, Ai-2) des deuxièmes circuits dont le rang est compris en 1 et i-2, et au noeud d'interconnexion (A0) des grilles des premier et deuxième transistors (201, 202). Dispositif selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le deuxième et le troisième miroirs de courant partagent un même neuvième transistor (3011-i) monté en diode.