INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un autre mode de réalisation particulier, cette réaction peut être réalisée en présence d’un solvant choisi parmi l’acétonitrile, le THF (tétrahydrofurane), le DMF (N,N-diméthylformamide), le DMM (diméthoxyméthane), le DCM (dichlorométhane), le dioxane, le MTBE (méthyl tert-butyl éther), l’éther diéthylique, le toluène, et leurs mélanges, de préférence le DMF.
Selon un autre mode de réalisation particulier, l’électrophile permettant cette réaction d’alkylation peut-être un halogénure d’alkyl, un halogénure d’alcényl, un halogénure d’alcynyl, le tosylate ou le mésylate des alcools, alcénols ou alcynols correspondants.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la base peut être ajoutée goutte à goutte à une solution du composé de départ.
Avantageusement, le mélange formé de la base, du solvant et du composé de départ peut être effectué à une température comprise entre - 40 °C et 10 °C, de préférence à -15 °C, pendant une durée allant de 5 min à 45 min, de préférence pendant 15 min.
Selon un autre mode de réalisation particulier, l’addition de l’électrophile peut- peut être réalisée à une température comprise entre -15 °C et 25 °C, de préférence à 0 °C pendant une durée comprise entre 30 min et 2h, de préférence 1h.
Avantageusement, le produit obtenu de formule (Ibii) ou (III) selon l’invention peut être purifié à l’aide de toute méthode conventionnelle connue de l’homme de l’art, par exemple par chromatographie sur colonne sur gel de silice en utilisant un mélange heptane/acétate d’éthyle dans des proportions que l’homme du métier saura adapter.
Etape (E) L’étape (E) correspond à la formation du motif chromène à partir de l’intermédiaire de formule générale (III) pour donner les composés de formule (Ia’).
Cette étape (E) peut également être mise en œuvre dans le cadre de l’obtention des composés de formule (Ibi), à partir d’un composé de formule (Ibii), comme indiqué dans le schéma 2 ci-dessus.
Selon un mode de réalisation particulier, cette réaction peut être réalisée en présence d’un catalyseur choisi parmi l’or(I)(acetonitrile)[(2-biphényl)di-tert-butylphosphine]hexafluoroantimonate, l’or(I)-[bis(trifluorométhanesulfonyl)imidate](triphénylphosphine), le trifluoroacétate de palladium (II), le chlorure de platine (II), le diacétate de palladium (II), l’iodure de cuivre (I), le chlorure d’or (I) (triphénylphosphine), le trifluorométhane sulfonate d’argent, le cuivre (II) bis(trifluorométhanesulfonate), le chlorure d’or (III), l’hexafluoroantimonate d’argent et leurs mélanges, de préférence l’or(I)-[bis(trifluorométhanesulfonyl)imidate](triphénylphosphine).
Selon un autre mode de réalisation particulier, cette réaction peut être réalisée en présence d’un solvant choisi parmi le 1,2 dichloroéthane, le dichlorométhane, l’acétonitrile, le toluène, le DMF (N, N diméthylformamide), le dioxane 1,4 et leur mélange, de préférence le dichlorométhane.
Selon un autre mode de réalisation particulier, le mélange du composé de départ (III), du catalyseur et du solvant peut être réalisé à une température comprise entre 0 °C et 60 °C, de préférence à température ambiante pendant une durée comprise entre 1h et 8h, de préférence 4h.
Les figures 1 à 5 représentent des étapes, de préférence successives, d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase. La mémoire à changement de phase comprend une pluralité de cellules mémoire, chaque cellule mémoire étant par exemple configurée pour stocker une donnée, par exemple une donnée binaire. Les cellules de la mémoire sont placées en une matrice de cellules, comprenant des lignes et des colonnes. Les figures 1 à 3 et 5 sont par exemple dans le plan d'une ligne de la matrice.
La représente un dispositif résultant d'une étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase.
Au cours de cette étape, une couche isolante 10 est formée sur un substrat 12. Le substrat 12 est par exemple un substrat semiconducteur, par exemple en silicium, ou un substrat de type semiconducteur sur isolant (SOI – Semiconductor On Insulator). La couche isolante, ou diélectrique, 10 est par exemple une unique couche isolante, ou correspond à un empilement de couches isolantes. La ou les couches isolantes de la couche 10 sont en un ou plusieurs matériaux diélectriques, par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. Dans la description qui suit, on considère par exemple que la couche 10 comprend une unique couche isolante.
Des vias conducteurs 14 sont formés à travers la couche 10. Les vias 14 traversent la couche 10. Autrement dit, les vias 14 s'étendent d'une face supérieure de la couche 10 à une face inférieure de la couche 10. L'extrémité inférieure des vias est par exemple en contact avec le substrat 12. L'extrémité supérieure des vias affleure de préférence la face supérieure de la couche 10.
Les vias 14 sont situées régulièrement, c’est-à-dire de manière périodique, dans la couche 10. Les vias 14 sont situés aux emplacements des cellules mémoire. Les vias 14 forment donc une matrice et forment des lignes et des colonnes. La représente par exemple une ligne de la matrice. Chaque via 14 est séparé des vias voisins appartenant à la même ligne ou à la même colonne, par une même distance. Ainsi, chaque ligne ou colonne de la matrice comprend des vias 14 séparés deux à deux par cette même distance.
Des éléments de sélection 13 sont par exemple formés entre les vias. Les éléments de sélection sont par exemple recouverts par une couche isolante 17. Dans l'exemple de la , les éléments de sélection sont des transistors, formés dans et sur le substrat 12. Les transistors sont représentés par leur grille 15. Les transistors voisins d'une même ligne ont par exemple une région de drain ou de source commune. Les transistors d'une même ligne sont par exemple ainsi reliés en série par leurs régions de drain et de source.
L'extrémité inférieure de chaque via 14 est par exemple en contact avec une région de drain ou de source d'un transistor 13.
Une couche 16 en un matériau résistif est formée sur la couche 10 et sur les extrémités supérieures des vias 14. La couche 16 est par exemple en un matériau conducteur, par exemple en métal. Par exemple, une couche 16 est formée sur chaque ligne de la matrice. Chaque couche 16 est de préférence séparée des couches 16 des autres lignes par un matériau isolant non représenté. L'ensemble comprenant les couches 16 et le matériau isolant les séparant forme de préférence une couche plane. Chaque couche 16 est en contact avec l'extrémité supérieure de chaque via de la ligne. Chaque couche 16 a par exemple une forme de L dans un plan, par exemple un plan orthogonal au plan de la .
Une couche 18 en un matériau à changement de phase est formée sur la couche 16, par exemple sur l'ensemble comprenant les couches 16 et le matériau isolant les séparant. La couche 18 est par exemple en un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure (GeSbTe ou GST). Le matériau de la couche 18 est par exemple dopé. A titre de variante, le matériau de la couche 18 n'est pas dopé. La couche 18 s'étend de préférence sur toutes les couches 16. La couche 18 s'étend de préférence de manière continue sur l'ensemble de la matrice.
Une couche conductrice 20, par exemple en un métal est formée sur la couche 18. La couche conductrice 20 recouvre par exemple toute la couche 18.
La représente un dispositif résultant d'une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase.
L'étape de la comprend une étape de gravure permettant de délimiter des cellules mémoire 22. Au cours de cette étape, des cavités 24 sont formées à travers les couches 16, 18 et 20 et, par exemple, dans la couche 10. Les cavités 24 sont situées entre les cellules 22. Les cavités 24 s'étendent par exemple dans la direction des lignes de la matrice de cellules mémoire, entre les cellules de lignes différentes, et dans la direction des colonnes de la matrice de cellules mémoire, entre les cellules de colonnes différentes. Les cavités 24 forment ainsi une forme de grillage ou de quadrillage. Les cavités sont par exemple situées en regard de portions de la couche 10 ne comprenant pas de via 14.
Chaque cellule mémoire délimitée par les cavités 24 est située en regard d'un via 14. Autrement dit, les cavités 24 délimitent des portions des couches 16, 18 et 20. Chaque cellule mémoire 22 comprend donc, à partir d'un via 14, un empilement comprenant une portion de la couche 16, formant un élément résistif, une portion de la couche 18, et une portion de la couche 20 formant une électrode supérieure.
Une matrice de cellules mémoire 22 est ainsi formée. Autrement dit, des cellules agencées en lignes et en colonnes sont formées. Les cellules 22 sont sensiblement identiques, c’est-à-dire que les dimensions des cellules sont sensiblement égales deux à deux. Plus précisément, les cellules mémoire sont destinées à être identiques à des dispersions de fabrication près. Les cellules 22 sont situées régulièrement, c’est-à-dire de manière périodique, dans chaque ligne ou colonne de la matrice de cellules mémoire. La représente par exemple une ligne de la matrice. Chaque cellule 22 est séparée de chaque cellule voisine appartenant à la même ligne ou à la même colonne, par une même distance. Autrement dit, les distances séparant les cellules voisines d'une même ligne ou d'une même colonne sont sensiblement égales. Ainsi, chaque ligne ou colonne de la matrice comprend des cellules 22 séparées deux à deux par cette même distance.
La structure obtenue est recouverte de manière conforme par une couche 26 de protection, par exemple en un matériau isolant, par exemple en nitrure de silicium. La couche 26 recouvre en particulier les parois et le fond des cavités 24 et la face supérieure des cellules mémoire. Autrement dit, la couche 26 recouvre la couche 10, les faces latérales des portions des couches 16, 18 et 20 et la face supérieure des portions de la couche 20.
La structure est par exemple recouverte d'une couche 28 de protection, par exemple une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium.
Selon une caractéristique additionnelle possible, dans le cas où le lot 100 comprend une seule bande 2, ladite bande 2 de papier a une hauteur minimale de un huitième de la hauteur H de chacun des récipients 1 le long de la direction principale 15. De préférence, ladite bande 2 de papier a une hauteur minimale d’un quart de la hauteur H de chacun des récipients 1 le long de la direction principale 15.
En outre, selon l’invention, la bande 2 de papier a une hauteur inférieure ou égale à la hauteur de la portion plane 5. En outre, selon certains modes de réalisation, la bande 2 de papier ne s’étend pas en dessous de la limite inférieure 18 et au-dessus de la limite supérieure 19, le long de la direction principale 15 : elle est alors intégralement comprise dans le tronçon de la portion plane 5.
Dans certains modes de réalisations, le lot 100 comprend au moins deux bandes 2 le long de la direction principale 15, la hauteur totale cumulée desdites bandes représentant au moins un quart de la hauteur H des récipients 1. Préférentiellement, la hauteur cumulée desdites bandes représente au plus deux tiers de la hauteur de chacun des récipients 1 le long de la direction principale 15. La hauteur considérée d’un récipient 1 est sa hauteur H mesurée entre le haut du bouchon 22 et la surface de contact du fond 4 dudit récipient 1. La hauteur H d’un récipient 1 et la hauteur d’une bande 2 se mesurent le long de la direction principale 15. Les au moins deux bandes 20 et 21 de papier sont disposées le long de la direction principale 15. Elles peuvent reposer sur la même portion plane 5 ou, de manière préférentielle, sur deux portions planes 51 et 52 distinctes.
L’avantage résultant d’une telle hauteur minimale est que la tension exercée sur les récipients 1 est répartie de manière homogène sur la zone de contact 6. Cela va éviter de déformer le corps 3 des récipients 1 de manière trop importante.
On comprend que, en fonction du type de récipients 1, de leur hauteur ou encore en fonction du poids total du lot 100, il peut être nécessaire d’utiliser une ou plusieurs bandes 2 de papier pour garantir le maintien optimal des récipients 1 groupés ensemble.
Il peut également être nécessaire d’adapter la hauteur de la au moins une bande 2 de papier en fonction des différentes configurations ou agencement des récipients 1 ensemble.
Selon une caractéristique additionnelle possible, la au moins une portion plane 5 comporte des cannelures 8, lesdites cannelures 8 recouvrant moins de 50% (pourcents), de préférence moins de 30%, de la portion plane 5.
Un récipient 1 peut en effet présenter des cannelures 8, à visée esthétique ou technique, de toute forme ou de tout motif, ces cannelures 8 faisant ou non le tour du corps 3 du récipient et étant réparties de manière homogène ou non, symétrique ou non. Un récipient 1 peut également présenter sur son corps des reliefs, des textures, également à visée esthétique, ou à visée informative. Un récipient 1 peut également présenter des gorges, ou des ceintures, à visée technique. Ces cannelures 8, motifs, gorges ou ceintures ne doivent pas représenter plus de 30% de la surface de la portion plane. En effet, la zone de contact 6 entre la ou les bandes 2 de papier et la paroi périphérique 7 du récipient doit représenter préférablement au moins 70% de la portion plane 5, dans la direction principale 15
Autrement dit, un tronçon de la paroi périphérique 7 présentant des cannelures 8, dans la direction principale 15, peut être considéré comme une portion plane 5, si la surface des cannelures 8 ne recouvre pas plus de 30% de la surface dudit tronçon.
Il est entendu que ces cannelures 8 ou reliefs, ou encore gorges ou ceintures, ne sont pas prises en compte dans le calcul du diamètre ou du périmètre du récipient 1, entre la limite inférieure 18 et la limite supérieure 19 de la portion plane 5, dans la mesure où leurs dimensions ne dépassent pas 10mm (millimètres) de profondeur tous les 100mm, de préférence 4mm de profondeur ou d’altitude sur une section de plus de 8mm de hauteur. En d’autres termes, sur la portion plane 5, une cannelure, un relief ou un motif ne doit pas avoir une profondeur ou une altitude de plus de 10mm (millimètres) sur une section de plus de 8mm de hauteur dans la direction principale 15.
En outre, selon une autre caractéristique additionnelle, les bords inférieur 201 et supérieur 202 de la bande 2 de papier ne reposent pas sur un relief ou dans une cannelure 8 mais directement sur la zone de contact 6 au niveau de la paroi périphérique 7.
Dans d’autres modes de réalisation, le lot 100 comprend
- au moins quatre récipients 1,
- au moins un sous-lot 101 comprenant au moins deux desdits récipients 1,
- au moins un bandeau 13 de papier fermé qui maintient groupés ensemble lesdits récipients 1 formant le sous-lot 101,
- au moins une bande 2 de papier fermée enrobant ledit lot 100 au niveau d’une portion plane 5 de chacun desdits récipients 1, de sorte à former une zone de contact 6 entre ladite portion plane 5 et ladite au moins une bande 2.
- un réseau électrique avion à courant alternatif AC incluant un réseau de distribution non-propulsif,
- au moins une première machine électrique mécaniquement couplée à un arbre haute pression dudit turbomoteur, ladite première machine électrique étant configurée pour fonctionner en mode moteur afin de fournir de la puissance propulsive mécanique et en mode générateur pour recevoir de la puissance mécanique et fournir de la puissance électrique,
- au moins une deuxième machine électrique mécaniquement couplée à un arbre basse pression dudit turbomoteur et configurée en mode générateur pour recevoir de la puissance mécanique et fournir de la puissance électrique,
- un module de conversion d’énergie électrique AC/AC réversible agencé entre au moins une première portion de réseau apte à être couplée à la première machine électrique et au moins une deuxième portion de réseau apte à être couplée à la deuxième machine électrique,
- des éléments interrupteurs,
- un système électronique de commande du module de conversion et desdits éléments interrupteurs, configuré pour placer ladite architecture :
- dans au moins un mode de fonctionnement dit « d’hybridation par répartition de puissance » correspondant à une première configuration des éléments interrupteurs dans lequel ladite au moins une deuxième machine est couplée au réseau avion et au moins une première machine est couplée au réseau avion via le module de conversion d’énergie électrique.
Le système électronique de commande du module de conversion et desdits éléments interrupteurs est typiquement pourvu d’au moins une unité de commande moteur.
Ainsi, une alimentation AC par le biais de ladite au moins une première machine liée à l’arbre haute pression et par ladite au moins une deuxième machine liée à l’arbre basse pression peut être réalisée.
Une architecture suivant l’invention présente pour avantage de conserver un réseau avion en AC et de rendre l’hybridation du moteur indépendante du réseau avion.
Elle permet également de mutualiser le convertisseur de puissance pour réaliser les scénarios d’hybridation.
Une telle architecture peut permettre aux avionneurs de conserver des systèmes existants, par exemple de type ATA24 et des charges électriques éprouvées et matures tout en profitant d’une solution de turbomachine plus performante et économe en consommation carburant.
Avantageusement, dans le mode de fonctionnement « d’hybridation par répartition de puissance », ladite au moins une deuxième machine fournit une première puissance électrique audit réseau avion et ladite au moins une première machine dans lequel les niveaux respectifs de ladite première puissance et de ladite deuxième puissance étant modulables et contrôlés par l’unité de commande moteur.
On peut ainsi réaliser une répartition de puissance entre les arbres BP et HP sous le contrôle de l’unité de commande moteur en fonction de ses besoins de réduction de consommation, de marge d'opérabilité ou d’autres contraintes.
Selon une possibilité de mise en œuvre, le système électronique de commande peut être configuré en outre pour placer ladite architecture : dans au moins un autre mode de fonctionnement dit « d’assistance de l’arbre haute pression » dans lequel ladite au moins une deuxième machine est couplée à ladite au moins une première machine via le module de conversion d’énergie électrique AC/AC afin de fournir une énergie électrique à ladite au moins une première machine fonctionnant en mode moteur. Ainsi, l’architecture peut également permettre un transfert d’énergie de l’arbre basse pression vers l’arbre haute pression.
Selon une possibilité de mise en œuvre, l’architecture peut comprendre en outre au moins une source d’énergie électrique auxiliaire à courant alternatif, en particulier apte à être implantée dans une partie du corps de l’aéronef, le système électronique de commande, étant configuré en outre pour placer ladite architecture : dans au moins un autre mode de fonctionnement dit « de démarrage moteur » dans lequel la source d’énergie électrique auxiliaire est couplée à ladite au moins une première machine électrique par l’intermédiaire des moyens de conversion d’énergie électrique AC/AC, ladite au moins une première machine fonctionnant en mode moteur. Ainsi, une telle architecture est également compatible avec un démarrage électrique de la turbomachine.
Ainsi, dans l’ensemble de la demande, la formule (1) comprend non seulement la formule (1) telle que dessinée, mais elle comprend également les sels correspondants à la formule (1), c’est-à-dire lorsque l’atome d’hydrogène à droite de la molécule de la formule (1) est remplacé par un cation de de métaux alcalins, de métaux alcalino-terreux, ou par NH4+ ; alors l’atome d’oxygène adjacent se charge négativement et devient O - .
Dans l’invention et dans les différents modes de réalisation ci-après exposés, l’oligomère selon la formule (1) a préférentiellement une teneur en carbone biosourcé comprise entre 5% en poids et 100% en poids par rapport au poids total de carbone dans l’oligomère, la teneur en carbone biosourcé étant mesurée selon la norme ASTM D6866-21, méthode B.
L’invention concerne un oligomère obtenu à partir d’acide acrylique caractérisé en ce que l’acide acrylique utilisé pour fabriquer ledit oligomère est au moins en partie d’origine renouvelable et non fossile.
Dans l’invention et dans les différents modes de réalisation ci-après exposés, l’acide acrylique a préférentiellement une teneur en carbone biosourcé comprise entre 5% en poids et 100% en poids par rapport au poids total de carbone dans ledit acide acrylique, la teneur en carbone biosourcé étant mesurée selon la norme ASTM D6866-21, méthode B.
Dans un mode particulièrement préféré selon l’invention, l’acide acrylique est non seulement partiellement ou préférentiellement totalement biosourcé, mais il est également préférentiellement obtenu par un procédé de bioconversion mettant en œuvre un biocatalyseur comprenant des enzymes. Ces dernières sont capables de transformer une fonction chimique en une autre fonction chimique.
Un procédé de bioconversion préféré est l’hydrolyse de l’acrylonitrile en acide acrylique et/ou ses sels comme l’acrylate d’ammonium avec un biocatalyseur comprenant des enzymes de type nitrilase. Un autre procédé de bioconversion particulièrement préféré est l’hydrolyse de l’acrylamide en acide acrylique et/ou ses sels comme l’acrylate d’ammonium avec un biocatalyseur comprenant des enzymes de type amidase. Ce dernier procédé est plus particulièrement préféré. Les autres procédés décrits dans la partie « Polymère » s’appliquent également dans la partie « Oligomère ».
L’invention concerne donc un oligomère de l’acide acrylique selon la formule (1) dans laquelle n est compris entre 1 et 10, préférentiellement entre 2 et 5, ledit oligomère étant obtenu à partir d’acide acrylique, lui-même obtenu à partir d’acrylate d’ammonium, ledit acrylate d’ammonium étant obtenu par bioconversion de acrylonitrile au moins en partie d’origine renouvelable et non fossile, ladite bioconversion comprenant au moins une étape d’hydrolyse enzymatique dudit acrylonitrile en présence d'un biocatalyseur comprenant au moins une enzyme nitrilase.
L’invention concerne donc également un oligomère de l’acide acrylique selon la formule (1) dans laquelle n est compris entre 1 et 10, préférentiellement entre 2 et 5, ledit oligomère étant obtenu à partir d’acide acrylique, lui-même obtenu à partir d’acrylate d’ammonium, ledit acrylate d’ammonium étant obtenu par bioconversion d’acrylamide au moins en partie d’origine renouvelable et non fossile, ladite bioconversion comprenant au moins une étape d’hydrolyse enzymatique dudit acrylamide en présence d'un biocatalyseur comprenant au moins une enzyme amidase, ledit acrylamide étant obtenu par bioconversion d’acrylonitrile au moins en partie d’origine renouvelable et non fossile, ladite bioconversion comprenant au moins une étape d’hydrolyse enzymatique dudit acrylonitrile en présence d'un biocatalyseur comprenant au moins une enzyme nitrile hydratase.
L’enzyme contenue dans le biocatalyseur permettant d’obtenir l’acide acrylique, ou ses sels, est généralement une nitrilase ou une amidase synthétisée par un micro-organisme avantageusement du type Bacillus, Bacteridium, Micrococcus, Brevibacterium, Corynebacterium, Pseudomonas, Acinetobacter, Xanthobacter, Streptomyces, Rhizobium, Klebsiella, Enterobacter, Erwinia, Aeromonas, Citrobacter, Achromobacter, Agrobacterium, Pseudonocardia, Rhodococcus, Comamonas, Saccharomyces, Dietzia, Clostridium, Lactobacillus, Escherichia, Agrobacterium, Mycobacterium, Methylophilus, Propionibacterium, Actinobacillus, Megasphaera, Aspergillus, Candida, ou Fusarium. Pour les amidases, les micro-organismes préférés sont Rhodococcus Erythropolis, Pseudomonas methylotropha, Rhodococcus rhodochrous ou Comamonas testosteroni, et plus préférentiellement Rhodococcus rhodochrous. Pour les nitrilases, les micro-organismes préférés sont Acidovorax facilis, Arabidopsis thaliana, Nicotiana tabacum, Rhodococcus rhodocrous J1, Rhodococcus rhodocrous PA34, Rhodococcus rhodocrous K22, Klebsiella ozaenae ou Comamonas testosteroni.