INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un exemple, les moyens automatisés d'élaboration d'une eau colorée comprennent un premier récipient dans lequel une quantité d’eau définie est mélangée avec une quantité de colorant nuancé pour obtenir une eau ayant la couleur définie et un second récipient dit intermédiaire dans lequel ladite quantité d’eau définie est transférée et dont la contenance est supérieure à la quantité définie, ce second récipient étant connecté au module de gâchage.
Selon un exemple, ladite batterie de stockage de colorants primaires comprend une pluralité de compartiments agencés dans un conteneur ou chacun dans un conteneur, chaque compartiment servant au stockage d’un colorant primaire et est associée à un module de sélection.
Selon un exemple, le mélangeur comprend un logement dans lequel des moyens de gâchage sont agencés, ledit mélangeur étant connecté à un collecteur dans lequel la base est placée et une pompe par laquelle la matrice sort.
Selon un exemple, l’unité de fabrication comprend en outre un circuit d’eau claire connecté à la pompe permettant de modifier la consistance de la matrice sans en modifier la coloration.
Selon un exemple, l’unité de fabrication comprend en outre une unité de nettoyage connectée au circuit d’eau claire permettant de nettoyer ladite unité de fabrication.
Selon un exemple, ladite unité de nettoyage comprend une pluralité de buses agencées dans le premier récipient, le second récipient et le logement du dispositif de gâchage.
Selon un exemple, le mélangeur comprend une sortie d’évacuation connectée à un colleteur permettant aux eaux utilisées pour le nettoyage d’être filtrées et évacuées.
Selon un exemple, le premier récipient et le second récipient sont montés sur une balance.
Selon un exemple, le premier récipient et/ou le second récipient comprennent des moyens de brassage.
Selon un exemple, la poudre du collecteur est amenée au mélangeur par l’intermédiaire d’une vis sans fin
L’invention concerne en outre un procédé de fonctionnement de l’unité de fabrication selon l’une des revendications précédentes, ledit procédé comprenant les étapes suivantes :
Sélectionner et se munir au moins un des colorants primaires pour former une quantité définie d’un colorant nuancé ; Mélanger ledit au moins un des colorants primaires avec une quantité définie d’eau dans le premier récipient pour former une quantité définie d’eau colorée ; Transférer cette quantité définie d’eau colorée dans un second récipient ; Une fois que le second récipient contient de l’eau colorée, l’unité de commande permet le transfert d’eau colorée du second récipient vers le mélangeur pour être mélangée avec une base.
Selon un exemple l’unité de commande est apte à commander le mélange d’au moins un des colorants primaires avec une quantité définie d’eau dans le premier récipient en fonction du transfert d’eau colorée du second récipient vers le mélangeur.
- la représente schématiquement une unité de fabrication pilotée par une unité de commande ;
- les figures 2 et 6 représentent schématiquement une unité de fabrication selon l’invention ;
est une vue en perspective schématique d'un mode de réalisation en exemple d’un cadre de montage d'un kit de rééquipement selon l'invention.
est une vue en perspective supplémentaire du cadre de montage illustré sur la .
est une vue en perspective d’un mode de réalisation en exemple d'un agencement de connecteurs selon l'invention.
est une vue en perspective de l'agencement de connecteurs illustré sur la , où le couvercle de dispositif électrique est détaché du dispositif électrique.
est une vue en perspective de l'agencement de connecteurs illustré sur la , où le cadre de montage est détaché du couvercle de dispositif électrique.
est une première vue en section transversale schématique d'un ensemble selon un mode de réalisation en exemple de l'invention.
est une seconde vue en section transversale de l'ensemble illustré sur la .
La et la illustrent un mode de réalisation en exemple d’un kit de rééquipement 1. Le kit de rééquipement 1 comprend un cadre de montage 2 ayant une bride de support 4 entourant au moins partiellement une ouverture de réception 6 pour recevoir un connecteur électrique.
La bride de support 4 est de préférence plane, s'étendant le long d’un plan de bride, qui est agencé essentiellement parallèlement à un plan horizontal. Avec cette configuration plane de la bride de support 4, une surface d'appui 8 est fournie, avec laquelle le cadre de montage 2 peut appuyer fermement sur une surface du couvercle de dispositif électrique.
Dans diverses applications, l'agencement de connecteurs est situé dans une zone avec peu d'espace. Par conséquent, il est particulièrement avantageux que l'agencement de connecteurs soit compact. Pour permettre à un faisceau de câbles (non représenté) d'entrer dans le connecteur électrique au niveau d'un angle, en particulier au niveau d'un angle de 90°, la bride de support peut comprendre une entaille 10 qui divise un côté de la bride support 4 et s'étend jusque dans l'ouverture de réception 6 le long d’une direction parallèle au plan de bride et au plan horizontal.
Le cadre de montage 2 peut de référence être un composant monolithique 12, qui peut par exemple être formé à partir d'une matière plastique sous la forme d’une pièce moulée par injection.
Dans ce mode de réalisation en exemple, le cadre de montage 2 a une forme essentiellement rectangulaire avec un côté long 14 ayant une longueur dans une direction horizontale X et un petit côté étroit 16 ayant une largeur dans une direction latérale Y, la longueur étant plus grande que la largeur. L’entaille 10 peut être agencée sur le côté étroit 16.
Selon le mode de réalisation en exemple, le cadre de montage 2 peut être configuré pour être fixé de manière rigide au connecteur électrique. Pour ceci, le cadre de montage 2 peut comprendre un agencement de fixation de connecteur 18.
L'agencement de fixation de connecteur 18 peut être formé sur un collier 20 qui fait saillie à partir de la bride de support 4, en particulier à partir de la surface d'appui 8, dans une direction verticale Z essentiellement perpendiculaire à la direction horizontale X et à la direction latérale Y.
Le collier 20 peut s'étendre au moins partiellement autour de l'ouverture de réception et peut être adapté pour recevoir le connecteur électrique. Sur chaque côté long 14, le collier 20 comprend un trou traversant 22 pour recevoir des cames correspondantes du connecteur électrique. Les trous traversants 22 sont agencés opposés l'un à l'autre et alignés l'un avec l'autre.
Ainsi, le cadre montage 2 peut remplacer un levier d'un connecteur d'appariement assisté par levier. Ce remplacement du levier est possible comme la force d'appariement est transmise par le cadre de montage 2 du couvercle de dispositif électrique au connecteur électrique. Par conséquent, le levier n’est plus nécessaire pour achever l'opération d'appariement.
Les figures 2A à 2E illustrent un premier mode de réalisation d’un ensemble mécanique selon l’invention. On a représenté sur ces figures les axes d’un repère orthonormé (Oxyz).
L’ensemble mécanique selon l’invention est configuré pour recevoir un circuit imprimé 130 connecté à une série de fils électriques 120. Ledit circuit imprimé 110 est configuré pour piloter un accès à un véhicule automobile. Ledit ensemble mécanique est configuré pour être installé à bord d’un véhicule automobile (de préférence au sein d’une portière dudit véhicule, plus préférentiellement encore au sein d’une poignée de porte extérieure dudit véhicule).
L’ensemble mécanique comporte un logement principal 111 et au moins deux bouchons 112.
Ici, le logement principal 111 est configuré pour recevoir le circuit imprimé 130, avec le plan du circuit imprimé 130 orienté parallèle au plan (Oxy). L’axe (Oz) correspond ici à l’axe de l’épaisseur du circuit imprimé 130, et donc de l’intérieur du logement principal 111.
Le logement principal 111 est configuré pour recevoir le circuit imprimé 130, inséré dans le logement principal par une fente supérieure 113 ouverte dans le logement principal. La fente supérieure 113 présente une forme allongée le long de l’axe (Oy).
Le logement principal 111 comporte en outre, de part et d’autre de ladite fente supérieure, ou d’un seul côté de ladite fente supérieure, une gorge 114 pour le passage des fils électriques 120 hors du logement principal. La gorge 114 s’étend ici selon l’axe (Ox), qui est l’axe le long duquel le circuit imprimé 130 est translaté lorsqu’il est inséré dans le logement principal 111.
La gorge 114 comporte deux fentes latérales 115A, 115B, situées face à face, l’une du côté de l’intérieur du logement principal 111, et l’autre du côté opposé le long de l’axe (Oy). Les deux fentes latérales 115A, 115B présentent de préférence des dimensions similaires, et sont alignées ensemble le long d’un axe (Oy).
Les fentes latérales 115A, 115B s’étendent toutes deux selon une grande étendue selon l’axe (Ox), comprise typiquement entre 75% et 50% de l’étendue du circuit imprimé 130 selon ce même axe.
Chacune des fentes latérales 115A, 115B s’étend depuis un bord supérieur de la gorge 114, au niveau d’un bord supérieur du logement principal 111 par lequel le circuit imprimé 130 pénètre dans celui-ci, jusqu’à proximité d’un fond de la gorge 114.
A la fabrication, le circuit imprimé 130 avec les fils électriques 120 est inséré à l’intérieur du logement principal 111. D’un côté au moins du logement principal 111, les fils électriques 120 émergent hors de ce dernier en passant par la première fente latérale 115B, puis par l’intérieur de la gorge 114, puis par la seconde fente latérale 115A.
Les fils électriques 120 sont ainsi maintenus en place dans les deux fentes latérales 115A, 115B, empilés les uns eux dessus des autres le long de l’axe (Ox), avec les fils électriques voisins 120 en contact physique direct entre eux.
Les fils électriques sont enfoncés jusqu’au fond des deux fentes latérales 115A, 115B. Du fait de la grande profondeur desdites fentes latérales 115A, 115B, les fils électriques sont néanmoins pas ou peu pliés lorsqu’ils sont en position dans celles-ci. On s’affranchit ainsi d’une partie au moins des inconvénients de l’art antérieur.
Afin de maintenir les fils électriques en place, et de fermer le logement principal 111 pour éviter toute fuite de résine lors de l’étape ultérieure d’injection de la résine de remplissage, chaque gorge 114 est ensuite fermée par un bouchon respectif 112.
Le bouchon 112 est configuré pour s’enfoncer dans la gorge 112, entre un bord supérieur de la pile de fils électriques 120 et un bord supérieur de la gorge 114, situé à hauteur du bord supérieur du logement principal 111. Il est de préférence en matière plastique.
Le bouchon est configuré pour être maintenu par clipsage à l’intérieur de la gorge 114. Pour cela, il comporte par exemple au moins un ergot, configuré pour coopérer avec des renfoncements et/ou saillies complémentaires formées dans la gorge.
A la , on a représenté, dans une vue en éclaté et en perspective, d’une partie du logement principal 111, et d’une partie de l’ensemble composé par le circuit imprimé 130 avec les fils électriques 120. Le bouchon 112 est représenté ici à côté de la gorge 114, relié ici à la gorge 114 par une petite portion de matière qui peut être rompue.
Selon un mode de réalisation, l'étape b) est suivie par une étape c) d'individualisation des puces électroniques.
Selon un mode de réalisation, l'individualisation de l'étape c) est réalisée par la formation de deuxièmes tranchées dans les premières tranchées.
Selon un mode de réalisation, l'individualisation de l'étape c) est réalisée par l'amincissement de la couche de résine isolante.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre les étapes b) et c), une étape d) de test électrique des circuits intégrés.
Selon un mode de réalisation, les premières tranchées s'étendent dans toute l'épaisseur du substrat.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre l'étape a) et l'étape b), une étape de formation de troisièmes tranchées s'étendant, entre les circuits intégrés, de la première face du substrat semiconducteur sur une partie de l'épaisseur du substrat semiconducteur.
Selon un mode de réalisation, les troisièmes tranchées s'étendent dans le substrat semiconducteur sur une profondeur comprise entre 30 % et 75 % de l'épaisseur du substrat semiconducteur.
Selon un mode de réalisation, les troisièmes tranchées ont une largeur supérieure à la largeur des premières tranchées.
Selon un mode de réalisation, lors de l'étape a), l'épaisseur du substrat semiconducteur est comprise entre 50 µm et 500 µm, de préférence entre 50 µm et 130 µm.
la illustre, par une vue en coupe, une étape d'un exemple de procédé de fabrication d'une puce électronique selon un premier mode de réalisation ;
la illustre, par une vue en coupe, une autre étape d'un exemple de procédé de fabrication d'une puce électronique selon un premier mode de réalisation ;
58 : loquet
60 : saillie de guidage
62 : côté intérieur
64 : biseau
66 : partie de fixation
68 : bague d’étanchéité
70 : ouverture
72 : surface supérieure
74 : encoche
76 : position de fonctionnement
78: rebord
80 : jeu latéral
82 : jeu horizontal
X : direction horizontale
Y : direction latérale
Z : direction verticale
En référence aux figures 4 et 5 et 10, les aliments 2 sont placés dans une étape E1 dans la cavité périphérique annulaire 111 du corps 110 du récipient 10 en vue d’être cuits puis l’organe de radiation 15 est monté sur la paroi centrale 120 dans une étape E2 et le couvercle 30 est placé sur le récipient 10 afin de fermer la cavité périphérique annulaire 111 dans une étape E3.
Le support 20 est ensuite disposé au-dessus du brûleur 5 à gaz dans une étape E4 puis le récipient 10 est placé sur le support 20 dans une étape E5 avant que le brûleur 5 ne soit allumé dans une étape E6.
Un premier flux F1 de chaleur généré par le brûleur 5 est guidé à travers l’ouverture centrale 21 du support 20 jusqu’à dans la cavité centrale 112 afin d’atteindre le déflecteur de chaleur 130. Une partie F2 du premier flux F1 atteignant le déflecteur de chaleur 130 traverse la paroi centrale 120 par conduction et se trouve transmis à l’espace interne 111 par l’organe de radiation 15 (flux F6). Une partie F3 de la chaleur atteignant le déflecteur est guidée par convection par la paroi de déflexion 131 pour repartir vers le bas.
Lorsque cette partie F3 du flux chaleur guidé atteint le support 20, la forme conique de la portion centrale 22 du support 20 la guide sous le corps du récipient jusqu’à l’enveloppe 40 périphérique.
Une partie F4 de la chaleur générée par les flammes 6 est conduite directement vers l’enveloppe 40 périphérique et se mélange au flux F3 pour remonter entre la paroi verticale de l’enveloppe 40 et la portion verticale de la paroi 110A du corps 110 du récipient 10.
Le flux F5 de chaleur est ensuite guidé par le bord supérieur 41 libre recourbé en direction du couvercle 30 pour maintenir le récipient 10 et le couvercle 30 dans une atmosphère chaude.
Ainsi, la chaleur se diffuse à la fois au centre du récipient 10, dessous le récipient 10 et autour du récipient 10 jusqu’au couvercle 30 dans une étape E7 pour une cuisson rapide et efficace des aliments 2.
La fermeture de la cavité centrale 112 par la paroi centrale 120 et l’utilisation du couvercle 30 permettent d’éviter aux gaz nocifs de combustion des flammes 6 d’atteindre les aliments 2, préservant ainsi la santé des consommateurs au regard de ces gaz nocifs. L’utilisation synergique de la paroi centrale 120 et du déflecteur de chaleur 130 dans la cavité centrale 112 permet en outre d’éviter de fournir aux aliments 2 une chaleur trop importante par conduction à travers la portion 110A1 de paroi 110A délimitant la cavité centrale 112, évitant ainsi d’endommager ladite paroi et de brûler les aliments 2.
Système d’aide pour fournir une information de diagnostic La présente invention se rapporte à un système d’aide pour fournir une information de diagnostic, notamment en vue de la détection d’une maladie sur une personne, notamment une maladie contagieuse telle que le COVID 19.
La détection des malades potentiels du COVID 19 est aujourd'hui réalisée par la prise de température, d'examens cliniques complémentaires, puis par un test COVID 19 qui possède encore un niveau de confiance relativement faible. Un scanner pulmonaire peut avec un bon niveau de précision confirmer la gravité de la maladie.
Il existe un besoin important de pouvoir détecter rapidement, notamment grâce à des moyens mobiles, les malades potentiels de maladie contagieuse, par exemple la maladie liée au COVID 19.
L’invention a ainsi pour objet un système de détection d’une maladie sur une personne, notamment une maladie contagieuse telle que le COVID 19, ce système de détection comportant:
- un dispositif d’acquisition de données d’examen sur la personne, ce dispositif d’acquisition comportant notamment au moins un capteur de mesure physiologique tel qu’un radar, et une caméra thermique pour acquérir ces données d’examen,
- un dispositif de traitement de données agencé pour recevoir ces données d’examen obtenues par le dispositif d’acquisition,
- un dispositif d’affichage agencé pour afficher une information de diagnostic de la maladie basée sur une analyse desdites données d’examen, cette information de diagnostic pouvant être représentative d’un niveau de probabilité que la personne soit atteinte de la maladie.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de traitement de données comporte une unité d’intelligence artificielle agencée pour traiter les données d’examen obtenues par le dispositif d’acquisition et fournir ladite information de diagnostic.
Dans un mode de réalisation, les vias VI ont une hauteur comprise entre 50 et 600 nm. Dans un mode de réalisation, les sections SE1, SE2 hors vias VI ont une hauteur comprise entre 5 nm et 1 µm, de préférence entre 50 et 300 nm.
Dans un mode de réalisation, la couche molle est en oxyde de silicium (SiO 2 ) et la couche dure est en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ). De plus, les vias sont en nitrure de titane (TiN) et les sections de piste conductrice formées dans les couches molles sont en niobium (Nb).
Premier procédé 100
Un deuxième aspect de l’invention illustré à la concerne un procédé 100 de fabrication d’un dispositif électronique DI à partir d’un substrat SB. De préférence, ce substrat SB comprend une couche de silicium et une couche d’oxyde de silicium sur la couche de silicium.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend une première étape 1E1 de dépôt d’une couche d’un premier matériau supraconducteur SC1 sur le substrat SB. Dans un mode de réalisation, le premier matériau supraconducteur est le Niobium.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend ensuite une première étape 1E2 de lithographie de la couche de premier matériau supraconducteur de sorte à définir des motifs sur ladite couche, par exemple à l’aide d’une résine développée RE.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend ensuite une première étape 1E3 de gravure des motifs définis lors de la première étape 1E2 de lithographie sur toute l’épaisseur de la couche SC1 de premier matériau supraconducteur. Ainsi, les premières sections SE1 dans le premier matériau supraconducteur sont obtenues à la surface du substrat SB.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend ensuite une deuxième étape 1E4 de dépôt d’une couche d’un deuxième matériau supraconducteur SC2 sur la couche de premier matériau supraconducteur SE1 et dans les motifs gravés lors de la première étape 1E3 de gravure, par exemple à l’aide d’une résine RE. Dans un mode de réalisation, le deuxième matériau supraconducteur est le nitrure de titane.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend ensuite une deuxième étape 1E5 de lithographie de la couche de deuxième matériau supraconducteur SC2 de sorte à définir des motifs sur la partie de la couche de deuxième matériau supraconducteur SC2 située sur les premières sections du premier matériau supraconducteur SE1.
Comme illustré à la , le procédé 100 comprend ensuite une deuxième étape 1E6 de gravure des motifs définis lors de l’étape précédente sur toute l’épaisseur de la couche du deuxième matériau supraconducteur SC2 de sorte à définir une pluralité de sections SE1, SE2 disposées les unes à la suite des autres pour former au moins une piste conductrice PC, deux sections SE1, SE2 successives étant dans un matériau supraconducteur différent et choisi parmi le premier matériau supraconducteur SC1 et le deuxième matériau supraconducteur SC2 de sorte à former entre eux une interface de désadaptation acoustique IA. Dans un mode de réalisation, le motif de gravure est choisi de sorte que, à l’issue de la deuxième étape 1E6 de gravure, le recouvrement entre la couche du premier matériau supraconducteur SC1 et la couche du deuxième matériau supraconducteur SC2 est supérieur à l’overlay de l’équipement de lithographie utilisé (avantageusement 1,5 fois l’overlay de l’équipement lithographique utilisé), par exemple supérieur à 50 nm pour les Steppers, ou supérieur à 3µm pour les « Mask Aligner ».
Dans un mode de réalisation illustré à la , le procédé 100 comprend en outre, après la deuxième étape 1E6 de gravure, une étape 1E8 de dépôt d’une couche d’encapsulation CE. Dans un mode de réalisation, la couche d’encapsulation CE est une couche d’un matériau diélectrique. Dans un mode de réalisation alternatif, la couche d’encapsulation CE comporte une pluralité de couches de matériaux diélectriques. Dans ce cas, des ouvertures OU seront ensuite aménagées dans la couche d’encapsulation CE de sorte à permettre la connexion des composants électroniques CE1,CE2 à la piste conductrice PC.
Dans un mode de réalisation illustré à la , le procédé 100 comprend également, après la deuxième étape 1E6 de gravure et avant l’étape 1E8 de dépôt d’une couche d’encapsulation CE si cette étape 1E8 est mise en œuvre, une étape 1E7 de polissage mécano-chimique.
Deuxième procédé 200
Un troisième aspect de l’invention illustré à la concerne un procédé 200 de fabrication d’un dispositif DI à partir d’un substrat SB. De préférence, ce substrat SB comprend une couche de silicium et une couche d’oxyde de silicium sur la couche de silicium.
Comme illustré à la , le procédé 200 comprend une première étape 2E1 de dépôt d’une couche d’un premier matériau supraconducteur SC1 sur le substrat SB. Dans un mode de réalisation, le premier matériau supraconducteur est le Niobium.
En particulier, la couche anti-diffusion 8 possédant une température de fusion élevée empêche un telle diffusion lorsque la température du noyau 4 augmente, par exemple du fait du pressage ou du chauffage lorsque le pressage est réalisé à chaud.
Chaque couche intermédiaire 12 ductile interposée entre la gaine et le noyau 4 revêtu de la couche anti-diffusion 8 facilite l’adhésion entre la gaine 6 et le noyau 4 revêtu de la couche anti-diffusion 8 et permet de limiter les défauts de qualité dans l’élément de combustible.
Elle permet notamment de limiter la pression et le cas échéant la température auxquelles le pressage de l’ensemble est effectué, et ainsi de limiter les contraintes thermique et mécaniques appliquées sur le noyau 4.
Chaque couche intermédiaire 12 permet également de limiter le risque d’oxydation de la couche anti-diffusion 8 au cours du procédé de fabrication, en particulier au cours du chauffage lorsque le pressage est réalisé à chaud.
Le procédé de fabrication permet in fine d’obtenir un élément de combustible nucléaire présentant de bonnes performances, et en particulier peu de défauts qualité, une densité en combustible nucléaire élevée, avec un pressage réalisé à une température et une pression acceptables.
Le procédé de fabrication peut être mise en œuvre avec des appareils de type connu, en particulier de dépôt, des appareils de laminage ou des appareils de pressage de types connus.
L’invention n’est pas limitée aux exemples de réalisation discuté ci-dessus et illustré sur les dessins. D’autres exemples de réalisation sont envisageables.
L’élément de combustible nucléaire 2 est utilisable comme cible pour la production d’isotopes et/ou comme combustible pour la production d’énergie, par exemple dans un réacteur nucléaire de recherche.