INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un autre exemple, le projecteur 21 est par exemple du type « à modulation de lumière » et correspond par exemple à un écran d’affichage, par exemple un écran de type LCD (de l’anglais « Liquid Crystal Display » ou en français « Affichage à cristaux liquides »), par exemple de type de type TFT (de l’anglais « Thin-Film Transistor » ou en français « Transistor en film mince »), ou un écran de type OLED (de l’anglais « Organic Light-Emitting Diode » ou en français « Diode électroluminescente organique »).
Les données d’images projetées par le projecteur 21 sur la lame 133 sont par exemple reçues d’un dispositif ou unité de contrôle (non représentée sur la ) configurée pour le traitement de données reçues de capteurs du véhicule 10 et/ou de systèmes embarqués dans le véhicule 10 et/ou de dispositifs distants et reliés au véhicule 10. L’unité de contrôle est avantageusement configurée pour générer des images à partir des données reçues. L’unité de contrôle comprend par exemple un ou plusieurs processeurs de type CPU (de l’anglais « Central Processing Unit » ou en français « Unité centrale de traitement ») et/ou GPU (de l’anglais « Graphics Processing Unit » ou en français « processeur graphique ») associés à une mémoire. L’unité de contrôle correspond par exemple à un calculateur, dont un exemple de réalisation est décrit en regard de la , ou à une combinaison de calculateurs.
Selon une variante de réalisation optionnelle, le dispositif d’affichage tête-haute comprend également un dispositif réfléchissant (non représenté) associé au projecteur 21. Un tel dispositif réfléchissant est configuré pour orienter le faisceau lumineux émis par le projecteur 21 vers la lame 133 pour affichage des images dans le champ de vision du conducteur 20.
Selon une variante optionnelle de réalisation, le dispositif d’affichage tête-haute comprend en outre des moyens optiques (par exemple un arrangement de lentilles optiques non représenté) configurés pour focaliser les images dans le plan image.
Selon encore une variante, la lame 133 est configurée pour grossir la ou les images projetées sur la lame 133 selon un coefficient de grossissement déterminé, par exemple un coefficient de grossissement égal à 2, 3, 4, 5 ou 10.
La diapositive 5 est ici une plaque transparente 53 ayant, à titre illustratif, une section rectangulaire. La diapositive 5 peut être réalisée en verre ou en plastique, par exemple en polytéréphtalate d'éthylène (PET). La diapositive 3 présente une première face 51 et une deuxième face 52. La diapositive est placée dans le module lumineux 1 de façon que la première face 51 soit orientée vers l’optique de projection 3 et que la deuxième face 52 soit orientée vers la source de lumière 2. La première face 51 est encore appelée la face avale et la deuxième face 52 la face amont. Les termes « amont » et « aval » sont définis selon le sens de propagation de lumière dans le module lumineux 1.
Comme illustré sur la , un motif 510 est réalisé sur la première face 51 de la diapositive 5. Le motif 510 sera projeté au sol et forme ainsi le champ d’éclairage S. Dans cet exemple, le motif 510 est la lettre « V ».
Le motif 510 est obtenu par un procédé de traitement surfacique de la première face 51. Il s’agit par exemple d’un procédé de photolithographie qui créer une zone transparente 510 et une zone opaque 512 sur la première face 51. La zone opaque 511 est couverte d’une couche opaque 513 ne laissant pas traverser la lumière, notamment d’une couche oxyde de chrome. La couche opaque 513 peut être réalisée à partir d’autres matériaux, tels que l’aluminium ou l’argent. Dans la zone transparente 510, la première face 51 reste à découvert, c’est-à-dire que la première face 51 n’est pas couverte par de la matière. Les rayons de lumière peuvent donc passer à travers la zone transparente 510 pour atteindre l’optique de projection 3. La zone transparente constitue donc le motif 510 à projeter. La première face 51 est placée dans le plan foyer F de l’optique de projection 3 pour que l’image du motif soit projetée à l’infini, et soit donc nette sur la surface de projection.
Dans un autre exemple, la zone transparente peut être couverte par une couche transparente laissant traverser tous les rayons de lumière qui l’atteignent.
Les figures 4 et 5 montrent la deuxième face 52 de la diapositive 5. Selon l’invention et comme dans cet exemple, un élément à taux variable de transmission de lumière 4 est disposé sur la deuxième face 52. Ici, l’élément à taux variable de transmission de lumière 4 s’étend dans une zone 520 délimitée par un cercle P illustré sur la . La zone 520 est encore appelée la zone active 520, car elle est placée en vis-à-vis du motif 510 sur la première face 51. Autrement dit, la zone active 520 reçoit les rayons de lumière qui arrivent ensuite sur le motif 510.
Le reste de la deuxième face 52, n’étant pas placé au regard du motif 510, est appelé zone inactive 525. Une couche de revêtement opaque est déposée sur cette zone inactive 521 pour empêcher tout rayon parasite qui peut atteindre l’optique de projection 3 et qui sera ainsi imagé dans le champ d’éclairage S. Cette couche de revêtement opaque peut être de la même nature que la couche opaque 513 déposée sur la première face 51.
L’élément à taux variable de transmission de lumière est formé ici par une couche de matière 4 comportant une pluralité d’unités élémentaires 400 espacées les unes des autres.
La distance entre une unité élémentaire 400 avec des unités voisines peut être variée au sein de la couche de matière 4.
En effet, comme illustré sur la , la couche de matière 4 comprend une densité d’unités élémentaires qui diminue selon la direction du haut vers le bas de la , représentée par la flèche F. Par exemple, la densité d’unités élémentaires décroît de façon continue du haut vers le bas. Cette décroissance peut être linéaire ou non linéaire. Décrit autrement, la couche de matière 4 peut être divisée en une pluralité de portions qui se suivent les unes des autres dans la direction d’extension de la couche de matière, ici représentée par la flèche F. Chaque portion peut présenter une très faible dimension et peut comprendre une densité d’unités élémentaires définie. Pour une portion considérée, celle-ci présente une densité d’unités élémentaires qui est supérieure à celle de la portion qui est située immédiatement en-dessous.
Ici, la couche de matière 4 s’étend partiellement sur la zone active 520 de la deuxième face 52 de la diapositive 5. Ici, les unités élémentaires sont disposées sur une partie de la zone active 520 avec une densité décroissante du haut vers le bas dans cette partie. La partie restante de la zone active 520 est dépourvue d’unités élémentaires. Cette partie restante est encore appelée la zone non couverte par la couche de matière 4 et référencée 523 sur les figures 4 et 5.
A titre d’exemple, la distribution des unités élémentaires dans une portion supérieure 41 de la couche de matière 4 est illustrée dans la vue agrandie annotée « A » sur la . La distribution des unités élémentaires dans une portion médiane 42 de la couche de matière 4 est illustrée dans la vue agrandie annotée « B » sur la . Il est remarqué que la densité des unités élémentaires est plus élevée dans la zone supérieure 41 que dans la zone médiane 42. Une autre vue agrandie annotée « C » sur la illustre la distribution des unités élémentaires dans une portion inférieure 43 avec une densité qui diminue au fur et à mesure jusqu’à atteindre la zone 523 non couverte par la couche de matière 4.
Dans un autre exemple de réalisation, les unités élémentaires peuvent être disposées avec une densité variable sur toute la surface de la zone active 520 de la deuxième face 52. Dans ce cas, la zone 523 sera couverte par une densité plus faible d’unités élémentaires.
Selon un autre exemple de réalisation, les unités élémentaires peuvent être distribuées dans plusieurs groupes à densité constante et la densité est différente d’un groupe à l’autre. Dans ce cas, l’agencement de ces groupes entre eux dépend de la façon dont le module lumineux est installé dans le véhicule, par exemple pour une projection non-rasante ou perpendiculaire au sol. Par ailleurs, la répartition par groupe d’unités élémentaires à densité constante peut être adaptée aux motifs avec des surfaces à luminance particulièrement contrastées.
Revenant à l’exemple illustré, il est observé sur la que les unités élémentaires 400 présentent la même taille, ce qui permet à la couche de matière 4 d’avoir une épaisseur constante. De plus, la couche de matière 4 avec des unités élémentaires identiques est simple à réaliser.
Les unités élémentaires 400 sont réalisées à partir d’un matériau opaque. Ici, les unités élémentaires 400 sont en métal, par exemple, en chrome ou en aluminium. De manière optionnelle, les unités élémentaires 400 peuvent être réalisées du même matériau de la couche couvrant la zone inactive 525.
Avec leur corps opaque, chaque unité élémentaire empêche les rayons de lumière qui l’atteigne de la traverser. En complément de ce qui précède, les unités élémentaires 400 peuvent avoir une couleur sombre, voire noire.
Selon un mode de réalisation, les axes Y et Z sont perpendiculaires entre eux, le plan médian de la première ailette étant transverse à l’axe Z et le plan médian de la deuxième ailette étant transverse à l’axe Y. Une telle configuration permet de minimiser la perte de charges.
Selon un mode de réalisation, au moins une des ailettes a une épaisseur définie selon une direction transverse au plan médian, qui augmente le long de l’axe X entre un bord arrière de l’ailette et un bord avant de l’ailette.
Selon un mode de réalisation, l’extrémité arrière et/ou l’extrémité avant est arrondie.
Selon un mode de réalisation, la première ailette s’étend selon l’axe Y entre une extrémité supérieure et une extrémité inférieure, les extrémités supérieure et inférieure de la première ailette étant solidaires de la surface interne du canal. Une telle configuration permet d’augmenter au maximum la surface d’échange.
Selon un mode de réalisation, l’élément comprend deux deuxième ailettes, la distance d2 entre les deux deuxièmes ailettes étant comprise entre 1.5mm et 4.5mm et étant avantageusement de 3mm.
L’invention concerne également un convertisseur de tension comprenant un logement électronique contenant des composants électroniques, et muni d’un tel circuit de refroidissement.
L’invention concerne également le procédé de fabrication d’un tel circuit de refroidissement par fabrication additive. En effet, pour des raisons d’axe de démoulage à respecter, le moulage ne permet de prévoir dans le canal que des ailettes parallèles les unes aux autres et perpendiculaires à la surface interne dont ils s’étendent. En revanche la fabrication additive permet d’obtenir des éléments s’étendant depuis la surface interne du canal, formés d’ailettes qui se coupent, selon l’objet de l‘invention. Ces éléments, au moins, sont obtenus par fabrication additive.
En variante, le circuit de refroidissement est obtenu entièrement par fabrication additive.
La est une représentation schématique d’un logement électronique avec circuit de refroidissement.
La est une vue de dessus d’un canal de refroidissement muni d’éléments selon l’invention.
La est une représentation schématique d’une portion de canal comprenant des éléments selon l’invention illustrant les plans médians des ailettes.
La est une représentation schématique d’une portion de canal comprenant des éléments selon l’invention illustrant le repère X, Y, Z.
La est une représentation schématique d’une vue en coupe transversale d’une première ailette.
La est une représentation schématique d’un élément du canal dont la première ailette s’étend jusqu’à la paroi du canal par ses deux extrémités.
La est une vue en coupe d’une distribution simplifiée de premières ailettes selon l’invention.
La est une représentation schématique du dispositif de fabrication additive.
- le plateau du réservoir d’approvisionnement 106 monte de 60 micromètre
- le plateau de fabrication 103 descend de 60 micromètre
- le rouleau 102 dépose la couche de poudre suivante et ainsi suite
- une fois le circuit terminé, on retire le bac 107 contenant le circuit et la poudre,
- on dépoudre avec un pinceau, ou avec de l’air comprimé pour enlever environ 60 à 80% du volume qui constitue la poudre non fondue (qui peut être réutilisé 3 fois)
- et on garde les 10 % restant (environ) qui constituent le circuit terminé,
- puis à l’aide de traitements thermiques et de traitements de surface on finalise le circuit. Un traitement de détensionnement en four est souhaitable pour relâcher le niveau de contrainte à l'intérieur du circuit dues aux gradients thermique pendant le procédé.
Le procédé de dépoudrage impose l’angle supérieur à 10° entre les plans médians P1 et P2 et les distances minimales d1 et d2. Pour le dépoudrage, l’angle entre les plans médians sera même avantageusement supérieur à 20°.
Ce procédé de fabrication permet notamment de fabriquer un circuit de refroidissement muni de premières ailettes étant solidaires du canal par leurs deux extrémités et d’ailettes qui se croisent selon l’invention.
En variante non illustrée le circuit de refroidissement 500 est formé de deux parties complémentaires, les éléments 3 étant fabriqués par fabrication additive sur une première partie formant par exemple le fond du canal, une deuxième partie étant ensuite assemblée à la première partie pour former le circuit.
Système d’affichage pour véhicule et véhicule comprenant un tel système d’affichage La présente invention concerne un système d’affichage embarqué dans un véhicule, par exemple automobile. La présente invention concerne également une planche de bord de véhicule comprenant un tel système d’affichage.
Arrière-plan technologique Les véhicules contemporains embarquent pour certains d’entre eux plusieurs écrans pour afficher des informations utiles au conducteur pour la conduite du véhicule ainsi que des informations de confort, telles que par exemple des informations pour interagir avec le système d’infodivertissement, aussi appelé système IVI (de l’anglais « In-Vehicle Infotainment » ou en français « Infodivertissement embarqué »), du véhicule.
Parmi ces écrans, il est connu d’embarquer un ou plusieurs écrans de type LCD (de l’anglais « Liquid Crystal Display » ou en français « Affichage à cristaux liquides »), par exemple de type de type TFT (de l’anglais « Thin-Film Transistor » ou en français « Transistor en film mince »), ou OLED (de l’anglais « Organic Light-Emitting Diode » ou en français « Diode électroluminescente organique »). Il est également connu d’équiper certains véhicules de dispositif d’affichage tête-haute qui permettent d’afficher des informations utiles pour la conduite du véhicule à la hauteur du regard du conducteur, par exemple sur une lamelle transparente ou semi-transparente arrangée sur la planche de bord derrière le volant. Un tel dispositif d’affichage tête-haute est par exemple décrit dans le document WO2013/189808 A publié le 27 décembre 2013.
La multiplication des dispositifs d’affichage dans un véhicule augmente le prix de ces véhicules et complexifie l’accès à l’information pour le conducteur et/ou les passagers du véhicule, ce qui peut dégrader l’expérience utilisateur.
Un autre exemple de transistor HEMT ayant une faible résistance d’accès est décrit dans le document “Scaling of GaN HEMTs and Schottky Diodes for Submillimeter-Wave MMIC Applications” de Keisuke Shinohara et al., publié dans IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. 60, No. 10, 2013.
La illustre une vue en coupe schématique d’un tel dispositif de l’état de l’art. Dans ce cas, le contact est réalisé en trois étapes. L’hétérostructure AlGaN/GaN est tout d’abord gravée, puis une couche de GaN fortement dopée n+ est ré-épitaxiée localement dans la zone gravée. Enfin, un contact métallique est réalisé sur le GaN n+.
Ce type d’accès présente une très bonne performance mais est difficile à réaliser car il nécessite : un excellent contrôle de la gravure de la barrière ; la qualité de la ré-épitaxie de GaN n+ sur le fond et le flanc de gravure est très dépendante de la morphologie du fond de gravure ; une ré-introduction du wafer dans un équipement pour épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou « metalorganic chemical vapor deposition » MOCVD, selon la terminologie anglaise ; cela est nécessaire pour l’épitaxie de matériau semiconducteur III-N associant des atomes de la colonne III de la classification périodique des éléments avec l’azote N, ce qui rend difficile la compatibilité avec une salle blanche de type CMOS à cause des possibles contaminations et augmente le coût ; une croissance de matériau GaN localisée dont le masquage est difficile à réaliser.
Même si cette technique est très performante, elle est très difficile à intégrer dans un procédé industriel bas coût et dans une salle blanche compatible CMOS.
Un homme du métier ne connaît pas donc de transistor HEMT avec faible résistance d’accès qui soit adapté pour des applications haute fréquence et simple à fabriquer. En d’autres termes, il n’existe pas aujourd’hui de transistor HEMT à très faible résistance d’accès pour des composants de puissance haute fréquence (>30 GHz) obtenu à l’aide d’un procédé industriel bas coût et réalisable dans une salle blanche compatible CMOS.
L’invention vise à résoudre au moins partiellement les problèmes mentionnés ci-dessus en proposant un transistor HEMT ayant une très faible résistance d’accès et une capacité parasite source-grille et/ou drain-grille réduite, tout en étant très compact. De plus, le transistor HEMT selon l’invention montre un excellent comportement en température ce qui le rend particulièrement bien adapté pour des applications de puissance haute fréquence.
A cette fin, un objet de l’invention porte sur un transistor à haute mobilité électronique comprenant : un empilement de couches comprenant une couche de passivation et une hétérojonction comprenant une première couche semi-conductrice, une deuxième couche semi-conductrice et un gaz bidimensionnel d’électrons à leur interface, une surface de la couche de passivation étant au contact de la première couche semi-conductrice ; un contact métallique de source et/ou un contact métallique de drain et une électrode de grille ; une zone dopée n+ située à l’intérieur de l’hétérojonction ; le contact métallique de source et/ou le contact métallique de drain étant positionné au niveau d’un évidement formé dans l’empilement de couches, ledit contact métallique de source et/ou ledit contact métallique de drain ayant une épaisseur définie par une face supérieure et une face inférieure sensiblement parallèles au plan des couches, la face supérieure étant plane, la face inférieure étant au contact de la zone dopée n+ et au-dessous de l’interface entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice, ledit contact métallique de source et/ou ledit contact métallique de drain possédant en outre une face latérale, la zone dopée n+ s'étendant depuis la face latérale du contact métallique de source et/ou depuis la face latérale du contact métallique de drain vers l'électrode de grille sur une longueur comprise entre 300 et 1000 nm.
Dans ce qui suit, l’invention est décrite par rapport au contact métallique de source. Toutefois chaque caractéristique du contact métallique de source peut également se référer au contact métallique de drain ou aux deux contacts métalliques de source et drain. En d’autres termes, le transistor selon l’invention peut avoir une très faible résistance d’accès de source, une très faible résistance d’accès de drain ou une très faible résistance de source et de drain. On entend par zone dopée n+ une région de l’hétérojonction dopée n+ par implantation ionique. On entend par dopage n+, un fort dopage n (i.e. avec une concentration de donneurs supérieure à 10 19 cm -3 et préférentiellement supérieure à 10 20 cm -3 ). La zone dopée n+ permet de réduire l’extension du gaz bidimensionnel d’électrons compris entre le contact métallique de source et l’électrode de grille tout en éloignant ledit contact métallique de source de l’électrode de grille. En d’autres termes, le contact métallique de source se trouve en retrait par rapport à l’extrémité de la zone dopée n+, le retrait étant la distance entre la face latérale du contact de source la plus proche de l’électrode de grille et l’extrémité de la zone dopée n+.
Grâce à l’invention, la résistance de couche de la zone dopée n+ est inférieure à la résistance du gaz bidimensionnel d’électrons et beaucoup moins sensible à la température et la réduction de l’extension du gaz bidimensionnel d’électrons permet de réduire la résistance d’accès du contact de source.
Le retrait du contact métallique de source par rapport à la grille permet de réduire la capacité parasite entre contact de source et électrode de grille, ce qui rend le transistor selon l’invention très bien adapté au régime haute fréquence.
Le contact électrique entre le contact métallique de source et le gaz bidimensionnel d’électrons est réalisé grâce au fait que la face inférieure du contact de source est au contact de la zone dopée n+. En d’autres termes, le contact de source forme un recess ou une niche s’étendant au-dessous de l’interface entre la première couche semi-conductrice ou couche barrière et la deuxième couche semi-conductrice ou couche canal.
Dans un transistor selon l’invention, la résistance de contact entre la face inférieure du contact de source et la zone dopée n+ est très faible et très peu sensible à la température de fonctionnement, ce qui permet de réduire la résistance d’accès de source.
On entend par face supérieure plane du contact métallique une surface métallique ayant une épaisseur uniforme et une surface sans déformations telles que des bosses ou des trous. La planéité de la surface permet de « raboter » le métal du contact de source et éviter son extension latérale. La planéité de la surface permet en outre d’avoir un contrôle optimal de la lithographie ultérieure du pied de grille et donc un excellent contrôle des formes lithographiées et de leur positionnement.
La face supérieure plane du contact permet d’obtenir un contact compact, fin et sans débordements en réduisant ultérieurement les capacités parasites entre le contact de source et la grille.
De plus, on constate que l’accès de source est performant et très peu sensible à la température de fonctionnement du transistor selon l’invention.
Le transistor selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la zone dopée n+ est une zone implantée possédant un profil spatial de dopage de type gaussien selon la direction normale au plan des couches ; la face inférieure du contact métallique de source et/ou la face inférieure du contact métallique de drain est au-dessous du gaz bidimensionnel d’électrons ; la face inférieure du contact métallique de source et/ou la face inférieure di contact métallique de drain est au niveau du pic du profil spatial de dopage de type gaussien selon la direction normale au plan des couches ; la distance Lgs entre l’électrode de grille et l’extrémité de la zone dopée n+ est comprise entre 200 nm et 400 nm ; la zone dopée n+ est dopée avec un dopant de type Si ou Ge avec une concentration supérieure ou égale à 10 20 cm -3 ; la première couche semi-conductrice comprend du AlGaN et la deuxième couche semi-conductrice comprend du GaN ; la première couche semi-conductrice comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant : AlGaN, AlN, InGaAlN, ScAlN ; la première couche semi-conductrice est une bicouche choisie dans le groupe de bicouches comprenant : AlGaN/AlN, AlGaN/GaN,InAlN/AlN, InGaAlN/AlN, ou ScAlN/AlN. La deuxième couche semi-conductrice est en GaN ou AlGaN ; le transistor comprend en outre un contact de drain ayant la même structure que le contact de source.
Des dispositifs connus, que l’on nomme impacteurs virtuels, permettent de séparer en fonction de leur taille les particules d’un d’aérosol présent dans un flux d’air prélevé.