INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple décrit, le dispositif 126 est en outre conçu pour en même temps réaliser une correction de facteur de puissance (de l’anglais, « Power Factor Correction » également désigné par l’acronyme PFC) en jouant sur la somme des rapports cycliques a1, a2.
Ainsi, dans l’exemple décrit, le dispositif de commande 126 comporte tout d’abord un filtre coupe-bande 302 pour filtrer la tension V48 mesurée.
Le dispositif de commande 126 comporte en outre un comparateur 304 pour comparer la référence de tension V48* avec la tension V48 filtrée, afin de fournir un écart de tension ΔV48.
Le dispositif de commande 126 comporte en outre un correcteur 305 conçu pour corriger l’écart de tension ΔV48. Le correcteur 305 est par exemple un correcteur proportionnel-intégral.
Le dispositif de commande 126 comporte en outre un module 306 d’analyse de la tension réseau Vg pour déterminer un signal sinusoïdal sin(wt) caler sur la tension réseau Vg. Par exemple, le module d’analyse 306 comporte une boucle à verrouillage de phase (de l’anglais « Phase-Locked Loop » également désigné par l’acronyme PLL).
Le dispositif de commande 126 comporte un multiplieur 308 conçu pour multiplier l’écart de tension ΔV48 avec le signal sinusoïdal sin(wt).
Le dispositif de commande 126 comporte en outre un module 310 de compensation de puissance réactive conçu pour fournir un signal cosinusoïdal (c’est-à-dire sinusoïdal avec un déphasage de pi/2 avec le signal sinusoïdal sin(wt)) avec un gain wCA : wCA x cos(wt).
Le dispositif de commande 126 comporte en outre un soustracteur 312 pour soustraire le signal cosinusoïdal wCA∙cos(wt) au signal sinusoïdal multiplié par l’écart de tension ΔV48 x sin(wt), pour fournir une consigne de courant différentiel d’inductance (I1-I2)* correspondant à un différentiel de rapport cyclique Δa.
Le dispositif de commande 126 comporte alors un module 314 de détermination des rapports cyclique a1, a2 pour qu’ils soient égaux à une valeur moyenne ã respectivement plus et moins le différentiel de rapport cyclique Δa.
En outre, dans l’exemple décrit, le dispositif de commande 126 est conçu pour réaliser un découplage de puissance (également appelé « compensation de l’harmonique de redressement » ou bien « filtrage actif »). Le découplage de puissance consiste à s’assurer que la puissance transmise par les bornes de sortie principales V48+, G2 est sensiblement constante, ce qui revient à s’assurer, puisque la tension de sortie V48 est sensiblement constante, que le courant fourni est sensiblement constant. Ce découplage de puissance est possible du fait que l’énergie électrique stockée par les capacités C1, C2 est pilotable. En particulier, dans l’exemple décrit, l’énergie électrique stockée dépend des rapports cycliques a1, a2 des bras de commutation HV1, HV2. En effet, en moyenne, l’énergie électrique E stockée dans les capacités C1, C2 vaut :
En supposant que les capacités C1, C2 sont de même valeur C, cette énergie vaut :
Le convertisseur continu direct 112 comporte deux lignes de conversion de tension isolées, en parallèle l’une de l’autre. Chacune de ces lignes comporte, en cascade depuis les bornes intermédiaires Vc+, G1 vers les bornes de sortie principales V48+, G2 : un onduleur O1, O2, un transformateur d’isolation galvanique T1, T2 et un redresseur R1, R2.
Chacun des transformateurs T1, T2 présente un rapport de transformation M dans le sens inverse. Par exemple, pour chaque transformateur T1, T2, son secondaire T1S, T2S comporte M fois plus d’enroulements que son primaire T1P, T2P.
Ainsi, le système 108 est conçu pour transférer de la puissance électrique depuis les bornes réseau P, N (c’est-à-dire le réseau électrique 102 dans l’exemple décrit) vers les bornes de sortie principales V48+, G2 (c’est-à-dire la batterie 104 dans l’exemple décrit) au travers du convertisseur réseau 110 en mode redresseur et du convertisseur continu direct 112.
Dans certaines situations, il peut être intéressant de permettre le transfert de puissance électrique dans le sens inverse, depuis les bornes de sortie principales V48+, G2 (c’est-à-dire la batterie 104 dans l’exemple décrit) vers les bornes réseau P, N.
Par exemple, cela permet d’utiliser le véhicule automobile branché au réseau électrique 102 comme un moyen de stockage temporaire d’énergie électrique pour mettre en œuvre un réseau électrique intelligent (de l’anglais « smart grid »). Ainsi, le véhicule automobile peut stocker de l’énergie électrique lorsque la demande sur le réseau électrique 102 est faible et restituer cette énergie électrique lorsque le réseau électrique 102 subit un pic de demande.
En outre, ce transfert d’énergie dans le sens inverse peut permettre au véhicule automobile d’alimenter électriquement un dispositif électrique externe se branchant habituellement sur le réseau électrique 102.
Pour cela, le système 108 comporte en outre un convertisseur de tension continu-continu isolé 118, appelé par la suite simplement convertisseur continu inverse 118. Il est connecté entre les bornes de sortie principales V48+, G2 et les bornes intermédiaires Vc+, G1 et conçu pour convertir la tension V48 en la tension Vc.
Ainsi, le système 108 est en outre conçu pour transférer de la puissance électrique depuis les bornes de sortie principales V48+, G2 (c’est-à-dire la batterie 104 dans l’exemple décrit) vers les bornes réseau P, N (c’est-à-dire par exemple le réseau électrique 102 ou bien un dispositif électrique externe comme expliqué précédemment) au travers du convertisseur continu inverse 118 et du convertisseur réseau 110 en mode onduleur.
Le convertisseur continu inverse 118 comporte, en cascade depuis les bornes de sortie principales V48+, G2 vers les bornes intermédiaires Vc+, G1, un onduleur O3, un transformateur d’isolation galvanique T3 et un redresseur R3.
Le transformateur T3 présente un rapport de transformation M’ dans le sens inverse. Par exemple, son secondaire T3S comporte M’ fois plus d’enroulements que son primaire T3P. M’ est plus grand que M . Par exemple, M’ est au moins deux fois plus grand que M, de préférence au moins cinq fois et de préférence encore au moins dix fois. Ainsi, le rapport de transformation M’ du transformateur T3 est plus grand que le rapport de transformation M de chacun des transformateurs T1, T2.
Ainsi, les transformateurs T1, T2, T3 forment une barrière d’isolation galvanique entre un côté haute tension et un côté basse tension du système 108. Le côté haute tension comporte ainsi les blocs 110, O1, O2 et R3, tandis que le côté basse tension comporte les blocs R1, R2 et O3.
Le système 108 comporte en outre un convertisseur de tension continu-continu 124, appelé par la suite simplement convertisseur continu interne. Il est connecté entre les bornes de sortie principales V48+, G2 et les bornes de sorties auxiliaires V12+, G2 pour permettre le transfert de puissance électrique entre ces deux paires de bornes, et donc entre les batteries 104 et 106 dans l’exemple décrit.
Le système 108 comporte en outre un dispositif 126 de commande du convertisseur réseau 110, du convertisseur continu direct 112, du convertisseur continu inverse 118 et du convertisseur continu interne 124. Le dispositif de commande 126 est en particulier conçu pour sélectivement activer et désactiver un ou plusieurs de ces convertisseurs 110, 112, 118 et 124.
Sur la , les différents blocs du système 108 sont représentés comme séparés. Cependant, dans certains modes de réalisation (comme celui qui sera décrit plus bas en référence à la ), des composants électriques peuvent être commun à plusieurs blocs.
En référence à la , un exemple de réalisation des différents blocs du convertisseur 108 va à présent être décrit.
Certains de ces blocs utilisent des dispositifs de commutation de polarité pour réaliser des conversions de tension entre alternatif et continu. Comme cela est connu en soi, un dispositif de commutation de polarité peut être réalisé par un pont complet en H regroupant quatre commutateurs agencés en deux bras de commutation connectés à leurs extrémités, ou bien par un demi-pont en H comportant deux commutateurs agencés en un bras de commutation et deux capacités agencées en un diviseur de tension capacitif, le bras de commutation et le diviseur de tension capacitif étant connectés à leur extrémités. Un changement de polarité de la tension entre les extrémités peut ainsi être obtenu entre les deux points milieux respectifs des deux bras de commutation (pour un pont en H) ou bien du bras de commutation et du diviseur de tension capacitif (pour un demi-pont en H), par la commande adéquate des commutateurs.
Des premières portions émissives 108 de semi-conducteur inorganique, ici d’AlN, sont ensuite réalisées par croissance à travers un masque 110 comprenant des ouvertures 112 disposées en regard de premières régions 114 des portions 106 (voir ). Ces premières portions émissives 108 sont destinées à faire partie de premières LEDs réalisant une émission lumineuse dans une première gamme de longueurs d’onde. Pour cela, lors de la croissance des premières portions émissives 108, des premiers ions de terres rares sont incorporés dans le semi-conducteur des premières portions émissives 108. Par exemple, lorsque les premières portions émissives 108 sont destinées à émettre une lumière de couleur rouge, les premiers ions de terres rares incorporés peuvent correspondre à des ions europium.
Après avoir réalisé les premières portions émissives 108, le masque 110 est déplacé tel que les ouvertures 112 soient disposées en regard de deuxièmes régions 122, distinctes des premières régions 114, des portions 106.
Des deuxièmes portions émissives 116 de semi-conducteur inorganique, ici d’AlN, sont ensuite réalisées par croissance à travers le masque 110, en regard des ouvertures 112 (voir ). Ces deuxièmes portions émissives 116 sont destinées à faire partie de deuxièmes LEDs réalisant une émission lumineuse dans une deuxième gamme de longueurs d’onde. Pour cela, les deuxièmes portions émissives 116 sont réalisées telles leur composition chimique soit différente de celle des premières portions émissives 108. Dans le premier mode de réalisation, lors de la croissance des deuxièmes portions émissives 116, des deuxièmes ions de terres rares, de nature différente des premiers ions de terres rares, sont incorporés dans le semi-conducteur des deuxièmes portions émissives 116 afin d’obtenir cette différence de composition chimique entre les premières et deuxièmes portions émissives 108, 116. Par exemple, lorsque les deuxièmes portions émissives 116 sont destinées à émettre une lumière de couleur verte, les deuxièmes ions de terres rares incorporés peuvent correspondre à des ions terbium et/ou erbium.
Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le masque 110 est de nouveau déplacé tel que les ouvertures 112 soient disposées en regard de troisièmes régions, distinctes des premières et deuxièmes régions 114, 122, des portions 106.
Des troisièmes portions émissives 124 de semi-conducteur inorganique, ici d’AlN, sont ensuite réalisées par croissance à travers le masque 110, en regard des ouvertures 112. Ces troisièmes portions émissives 124 sont destinées à faire partie de troisièmes LEDs réalisant une émission lumineuse dans une troisième gamme de longueurs d’onde. Pour cela, les troisièmes portions émissives 124 sont réalisées telles leur composition chimique soit différente de celle des premières et deuxièmes portions émissives 108, 116. Dans le premier mode de réalisation, lors de la croissance des troisièmes portions émissives 124, des troisièmes ions de terres rares, de nature différente des premiers et deuxièmes ions de terres rares, sont incorporés dans le semi-conducteur des troisièmes portions émissives 124 afin d’obtenir cette différence de composition chimique entre les troisièmes portions émissives 124 d’une part et les premières et deuxièmes portions émissives 108, 116 d’autre part. Par exemple, lorsque les troisièmes portions émissives 124 sont destinées à émettre une lumière de couleur bleue, les troisièmes ions de terres rares incorporés peuvent correspondre à des ions thulium.
Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le masque 110 est de nouveau déplacé tel que les ouvertures 112 soient disposées en regard de quatrième régions, distinctes des premières, deuxièmes et troisièmes régions des portions 106.
Des quatrièmes portions émissives 126 de semi-conducteur inorganique, ici d’AlN, sont ensuite réalisées par croissance à travers le masque 110, en regard des ouvertures 112. Ces quatrièmes portions émissives 126 sont destinées à faire partie de quatrièmes LEDs réalisant une émission lumineuse dans une gamme de longueurs d’onde similaire à l’une des première, deuxième ou troisième gammes de longueurs d’onde. Pour cela, les quatrièmes portions émissives 126 sont réalisées telles que leur composition chimique soit similaire à celle des premières portions émissives 108 ou à celle des deuxièmes portions émissives 116 ou à celle des troisièmes portions émissives 124. Dans le premier mode de réalisation, lors de la croissance des quatrièmes portions émissives 126, des quatrièmes ions de terres rares de nature similaire à celle des premiers, deuxièmes ou troisièmes ions de terres rares sont incorporés dans le semi-conducteur des quatrièmes portions émissives 126 afin d’obtenir cette similitude de composition chimique entre les quatrièmes portions émissives 126 et les premières ou deuxièmes ou troisièmes portions émissives 108, 116, 124. Il est par exemple avantageux que les quatrièmes portions émissives 126 soient destinées à émettre une lumière de couleur rouge, comme les premières portions émissives 108, du fait que cette couleur correspond à celle pour laquelle l’émission lumineuse est la moins efficace, les quatrièmes ions de terres rares incorporés pouvant correspondre dans ce cas à des ions europium.
La représente schématiquement, vue de dessus, un exemple de répartition des portions émissives 108, 116, 124 et 126 réalisées. Dans cet exemple, ces portions émissives 108, 116, 124, 126 sont agencées en formant une matrice, c’est-à-dire en lignes et colonnes.
La dimension de chacune des portions émissives 108, 116, 124, 126 parallèle à la direction de croissance des nanofils (parallèle à l’axe Z sur les figures 1 à 7) est par exemple comprise entre 5 nm et 50 nm.
Dans un équipement d’épitaxie par jets moléculaire, les flux atomiques produits par les cellules utilisées forment un angle α par rapport à la normale à la surface sur laquelle l’épitaxie est réalisée. La valeur de cet angle dépend notamment de l’équipement et des cellules utilisées, et est par exemple compris entre 25° et 30°. Etant donné que le substrat 102 est en rotation durant la croissance, la valeur d’un diamètre d eff d’une région de la surface sur laquelle l’épitaxie est réalisée et où la densité surfacique de matière épitaxiée est la plus élevée dépend d’une épaisseur e du masque utilisé, d’une dimension d de l’ouverture à travers laquelle l’épitaxie est réalisée (par exemple le diamètre dans le cas d’une ouverture de section circulaire ou la dimension d’un des côtés dans le cas d’une ouverture de section carrée ou rectangulaire), et de l’angle α selon la formule :
Cette configuration est représentée schématiquement sur la . Sur cette figure, les flux atomiques produits lors de l’épitaxie portent la référence 127
Par exemple, pour α = 25°, d = 5 µm et e = 1 µm, la valeur de d eff est égale à environ 4 µm.
Autour de cette région de diamètre d eff , une autre région en forme d’anneau de largeur égale à e.tan (α) est également formée par l’épitaxie. La densité surfacique d’ions de terres rares obtenue dans cette autre région est égale à la moitié de celle déposée dans la région de diamètre d eff . La vitesse de croissance dans cette autre région est également réduite de moitié par rapport à celle dans la région centrale de diamètre d eff . Ainsi, la densité volumique d’ions de terres rares est constante sur toute la zone de diamètre d.
L’optimisation de la taille et de la morphologie des LEDs produites dépend donc notamment d’un choix judicieux des paramètres e et d des masques utilisés.
En outre, à titre d’exemple, chaque ouverture peut avoir, dans un plan parallèle à la surface sur laquelle l’épitaxie est mise en œuvre, une section de forme rectangulaire ou carré, par exemple de dimensions comprises entre 2 x 2 µm² et 5 x 5 µm². Lorsque les dimensions d’une des ouvertures sont égales à 2 x 2 µm², le nombre de portions de nanofils se trouvant en regard d’une telle ouverture est par exemple égal à 400.
La illustre un exemple de mode opératoire pour la réalisation des portions émissives 108, 116, 124 et 126 à travers le masque 110 utilisé pour la réalisation de ces portions émissives. Sur cette figure, des flux atomiques 127 sont envoyés à travers le masque 110 qui est solidaire d’un dispositif permettant de le déplacer selon l’axe Z (pour le rapprocher à la distance souhaitée de la surface de dépôt) et selon les axes X et Y (pour varier la position de la zone exposée aux faisceaux atomiques où est réalisée la croissance).
Dans la présente demande de brevet, lorsque l’on indique que deux pièces sont distinctes, cela signifie que ces pièces sont séparées. Elles peuvent être : positionnées à distances l’une de l’autre, et/ou mobiles l’une par rapport à l’autre et/ou solidaires l’une de l’autre en étant fixées par des éléments rapportés, cette fixation étant démontable ou non.
Le terme « sur » ne signifie pas nécessairement « directement sur ». Ainsi, lorsque l’on indique qu’une pièce ou qu’un organe A est en appui « sur » une pièce ou un organe B, cela ne signifie pas que les pièces ou organes A et B soient nécessairement en contact direct avec l’autre. Ces pièces ou organes A et B peuvent être soit en contact direct soit être en appui l’une sur l’autre par l’intermédiaire d’une ou plusieurs autres pièces. Il en est de même pour d’autres expressions telles que par exemple l’expression « A agit sur B » qui peut signifier « A agit directement sur B » ou « A agit sur B par l’intermédiaire d’une ou plusieurs autres pièces.
On entend par un élément « à base » d’un matériau A, un élément comprenant ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des additifs.
La menuiserie 3 est maintenant décrite selon plusieurs exemples de réalisation.
Comme illustré en , et de façon générale, une menuiserie 3 comprend un cadre 31 dormant, fixé à un mur 4, par exemple d’un bâtiment. Le cadre 31 dormant est de préférence disposé dans un plan sensiblement vertical en position montée de la menuiserie 3. Le cadre 31 comprend des profilés formant une traverse inférieure 311 et une traverse supérieure 312, chacune des traverses 311, 312 s’étendant selon une direction horizontale x. Le cadre 31 comprend en outre deux montants 310 s’étendant chacun selon une direction verticale z, depuis la traverse inférieure 311 jusqu’à la traverse supérieure 312.
La menuiserie 3 comprend au moins un ouvrant 30 configuré pour coulisser selon la direction horizontale x, ou de façon équivalente selon la direction d’extension principale des traverses 311, 312. Dans la suite, on considère de façon non-limitative que la menuiserie 3 comprend deux ouvrants coulissants.
Dans une position de coulissement, chaque ouvrant 30 peut coulisser dans la direction horizontale x entre une position de fermeture et une position d’ouverture totale de l’ouvrant 30, en passant par une pluralité de positions d’ouverture de l’ouvrant 30. Pour cela, chaque ouvrant 30 comprend un profilé inférieur 300 configuré pour coopérer avec la traverse inférieure 311 du cadre 31. Le profilé inférieur 300 peut être configuré pour coulisser sur un rail 3112 de la traverse inférieure 311, comme par exemple illustré par les figures 2 à 5. Le profilé inférieur 300 peut coulisser sur le rail 3112 par l’intermédiaire d’un chariot de roulement porté par l’un parmi le cadre et le vantail, le chariot de roulement comprenant au moins un galet. Les galets sont typiquement montés en rotation sur le profilé inférieur 300 et roulent sur les rails 3112. Pour des raisons de clarté, les galets ne sont pas représentés sur les figures.
Comme illustré par exemple par les figures 2 à 4, la traverse inférieure 311 peut comprendre un profilé extérieur 3110 et un profilé intérieur 3111. Ces profilés peuvent former les rails 3112. Un profilé de rupture de point thermique 3113 peut être disposé entre les rails 3112.
En outre, chaque ouvrant 30 comprend un profilé supérieur 301 configuré pour coopérer avec la traverse supérieure 312. Selon un exemple, le profilé supérieur 301 est guidé en coulissement par la traverse supérieure 312, de façon similaire au mécanisme à galet précédemment décrit. L’ouvrant 30 comprend en outre deux montants 302 s’étendant chacun selon une direction verticale z, entre les profilés 300, 301.
Dans une menuiserie 3 exposée aux intempéries, et plus particulièrement dans l’angle formé par la traverse inférieure 311 et un montant vertical 310, l’eau peut s’infiltrer en ruisselant le long de l’ouvrant 30 et en passant par-dessus les rails 3112.
Pour prévenir cela, une pièce d’étanchéité 1 est disposée dans cet angle. Notons qu’on peut prévoir que la pièce d’étanchéité 1 soit disposée dans un angle 313 formé par la traverse supérieure 312 et un montant vertical 310. Dans la suite, on considère à titre non-limitatif que la pièce d’étanchéité 1 est disposée dans l’angle 313 au niveau de la traverse inférieure 311.
Comme par exemple illustré par les figures 2 à 5, la pièce d’étanchéité 1 peut comprendre une embase 10 présentant une pente 100 sur sa face supérieure 10b. La pente 100 définit un point haut P1 et un point bas P2 de façon à induire un écoulement d’eau depuis le point haut P1 vers le point bas P2 en éloignant l’eau de l’angle 313. Notons qu’on peut prévoir que la pente 100 présente plusieurs points bas et/ou points haut, situés au même niveau ou non, par exemple en étant délimités par des rainures. La pente 100 est inclinée selon au moins une première direction d’inclinaison, par rapport à un plan horizontal, de façon à entrainer par gravité de l’eau en s’éloignant de l’angle 313. La première direction d’inclinaison peut par exemple être parallèle à la direction horizontale x.
La pièce d’étanchéité 1 comprend en outre un dispositif barrière 11 au moins en partie disposé au-dessus du point haut P1 de la pente 100, et de préférence totalement disposé au-dessus de ce point haut P1. Le dispositif barrière 11 peut être disposé, de préférence directement, sur l’embase 10. Le dispositif barrière 11 est destiné à être situé sous l’ouvrant 30 de la menuiserie 3, comme par exemple illustré par les figures 4 et 5. Le dispositif barrière 11 peut présenter un flanc 11a exposé du côté extérieur de la menuiserie 3.
Le dispositif barrière 11 est configuré pour au moins affleurer, et de préférence être comprimé par, l’ouvrant 30. Le dispositif barrière 11 peut pour cela présenter une hauteur apte à le mettre en contact, de préférence directement, avec le profilé inférieur 300 de l’ouvrant, par exemple au moins en partie par le joint 3000 du profilé inférieur.
Ainsi, et comme illustré à titre d’exemple par les flèches en figures 4 et 5, l’eau de pluie ruisselant le long de l’ouvrant 30 est bloquée par le dispositif barrière 11, par exemple par son flanc 11a. L’eau bloquée par le dispositif barrière 11 et l’eau de pluie tombant par gravité tombent dans la pente 100 et s’écoulent par gravité en s’éloignant de l’angle.
Ces deux homopolymères diffèrent par leur degré de branchement et leur degré de polymérisation.
L'amylose est légèrement ramifiée avec de courtes branches et présente une masse moléculaire comprise entre 10.000 et 1.000.000 Dalton. La molécule est formée de 100 à 10.000 molécules de glucose.
L'amylopectine est une molécule ramifiée avec de longues branches toutes les 24 à 30 unités de glucose, par l'intermédiaire de liaisons α (1-6). Sa masse moléculaire va de 1.000.000 à 100.000.000 Dalton et son niveau de branchement est de l'ordre de 5 %. La chaîne totale peut compter 10.000 à 100.000 unités glucose.
Le ratio entre l'amylose et l'amylopectine dépend de la source botanique de l'amidon.
L’amidon est stocké dans les organes et tissus de réserve dans un état granulaire, c'est-à-dire sous la forme de granules semi-cristallins.