INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lors de l’exécution du premier ensemble d’instructions de commande EIC1, les registres matériels 120 de l’unité de contrôle électronique 10 sont modifiés de sorte que la configuration matérielle courante CC de l’unité de contrôle électronique 10 devienne identique à la configuration matérielle requise CR pour installer la mise à jour de l’application.
Une fois le premier ensemble d’instructions de commande EIC1 exécuté par le module de chargement de démarrage 131, le microcontrôleur 110 commande alors le module de chargement de démarrage 131 afin que ledit module de chargement de démarrage 131 invalide le premier ensemble d’instructions de commande EIC1 dans une étape E3.
Le microcontrôleur 110 commande ensuite le module de chargement de démarrage 131 afin de le réinitialiser, c’est-à-dire d’en relancer le démarrage, dans une étape E4.
L’opérateur envoie ensuite au module de chargement de démarrage 131 une deuxième requête R2 de mise à jour, reçue par le module de chargement de démarrage 131 dans une étape E5. Cette deuxième requête R2 de mise à jour comprend un deuxième ensemble d’instructions de commande EIC2 dont la mise en œuvre requière la configuration matérielle requise CR nouvellement paramétrée par la première requête R1.
Le module de chargement de démarrage 131 vérifie alors que la configuration matérielle requise CR par la mise en œuvre du deuxième ensemble d’instructions de commande EIC2 soit identique à la configuration matérielle courante CC de l’unité de contrôle électronique 10 dans une étape E6 puis met en œuvre le deuxième ensemble d’instructions de commande EIC2 afin d’installer la mise à jour MAJ de l’application dans une étape E7.
L’invention permet avantageusement de corriger la configuration matérielle courante CC de l’unit de contrôle électronique 10 pour voir installer la mise à jour de l’application et éviter ainsi de devoir changer l’unité de contrôle électronique 10.
DISPOSITIF COMPRENANT UNE ETIQUETTE RFID UTILISABLE AU MOINS DANS UN FOUR A MICRO-ONDES ET RECIPIENT OU EMBALLAGE POURVU D’AU MOINS UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif comprenant une étiquette RFID utilisable au moins dans un four à micro-ondes. L’invention concerne également un récipient ou emballage pourvu d’au moins un tel dispositif.
Une étiquette RFID, selon l’abréviation en anglais pour Radio Frequency IDentification, est un dispositif de stockage et de transmission de données à distance par ondes radio, à une fréquence définie. Les données sont stockées sur une puce électronique fixée sur un support, généralement de faible épaisseur, qui comprend également une antenne assurant les échanges de données entre la puce électronique et un lecteur distant dédié. Les étiquettes RFID ont des dimensions telles qu’elles peuvent être fixées ou incorporées dans de nombreux objets ou produits, assurant ainsi l’identification, le suivi et/ou la fourniture d’informations complémentaires en relation avec ces derniers. Du fait de leur facilité d’implantation et de leurs dimensions, les étiquettes RFID sont présentes sur divers objets ou produits susceptibles de se trouver dans des environnements contraignants ou susceptibles d‘endommager l’étiquette RFID.
En particulier, les étiquettes RFID présentes sur des emballages ou récipients pour produits alimentaires ou autres peuvent avoir à supporter des micro-ondes émises par un four à micro-ondes, cela dans le cas d’une décongélation, d’une cuisson ou d’un réchauffage du produit contenu dans l’emballage ou le récipient. Dans un tel cas, les étiquettes RFID sont également soumises à des hautes températures, typiquement supérieures à 50°C. Afin de préserver les propriétés et le fonctionnement de l’étiquette RFID, et donc assurer le stockage et la transmission des données entre l’étiquette RFID et le lecteur, il convient que l’étiquette RFID ne soit pas, ou peu, affectée par les micro-ondes émises par un four à micro-ondes. Pour mémoire, les micro-ondes sont des ondes électromagnétiques qui se situent entre les ondes radioélectriques et le rayonnement infrarouge. Typiquement dans un four à micro-ondes, leurs longueurs d'onde est de 12,5 cm et leurs fréquences de 2,45 GHz, cela pour des puissances de four à micro-ondes généralement comprises entre 600W et 2000W, couramment rencontrées pour des appareils à usage domestique. Dans un four à micro-ondes, on génère un champ électromagnétique de forte puissance qui détruit les étiquettes RFID quelle que soit la bande de fréquence des étiquettes RFID. Pour remédier à cela, on connait diverses solutions de blindage de l’étiquette RFID, au niveau de la puce électronique et/ou au niveau de l’antenne. Parmi les solutions connues, on peut citer EP-A-3 563 299 qui décrit une solution de blindage sur la puce électronique, l’antenne pouvant se fracturer lorsque la température augmente. US-B-10 311 355 divulgue un blindage capacitif pour l’antenne, le blindage permettant d’évacuer l’énergie reçue par l’antenne sous forme de chaleur. US-A-2008 143 480 décrit une forme particulière, en polygone, de l’antenne qui confère à l’antenne une aire inférieure au 1/6eme de la longueur d’onde du four à micro-ondes. WO-A-2021 079 265 divulgue un blindage sur un côté du support portant l’étiquette RFID, afin de limiter la tension dans l’espace défini par l’antenne. La solution fournie par WO-A-2021 072 966 consiste en une antenne en deux parties, entre lesquelles on définit un pont à faible impédance pour les micro-ondes. Ces diverses solutions sont plus ou moins complexes à mettre en œuvre.
L’invention propose une solution permettant, de façon simple et à faible coût, de protéger l’ensemble de l’étiquette RFID, donc l’antenne et la puce électronique, afin de rendre l’étiquette utilisable au moins dans un four à micro-ondes.
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif comprenant une étiquette RFID comportant une antenne et une puce RFID fixées sur un support plan, caractérisé en ce que ladite étiquette comprend sur au moins une de ses faces une couche d’un matériau de protection couvrant l’antenne et la puce électronique, ledit matériau étant à base de silicone et ayant une permittivité diélectrique supérieure à au moins trois fois la permittivité diélectrique de l’air et en ce que ladite couche de matériau a une épaisseur d’au moins 6 millimètres.
La permittivité diélectrique du silicone constitutif majoritaire du matériau, donc la réponse du silicone à un champ électrique, est de l’ordre de quatre, soit un matériau plus isolant électriquement que l’air qui est généralement le milieu de propagation initiale des micro-ondes, notamment dans un four à micro-ondes. On réalise ainsi un changement de milieu entre l’air et le matériau à base de silicone d’autant plus important qu’à l’épaisseur minimale choisie, l’étiquette RFID n’est pas ou peu atteinte par les micro-ondes ayant la fréquence couramment rencontrée dans un four à micro-ondes, de l’ordre de 2,45GHz, cela tout en permettant à l’étiquette RFID de rester fonctionnelle à la fréquence de fonctionnement de l’étiquette RFID qui est de l’ordre de 868MHz. En utilisant du silicone de type alimentaire, il est possible d’incorporer l’étiquette RFID ainsi protégée à un récipient ou un emballage recevant un produit alimentaire.
Selon des aspects avantageux mais non obligatoires de l’invention, un tel dispositif peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
Les deux faces de l’étiquette RFID comprennent une couche d’un matériau à base de silicone solidaire desdites faces.
Le procédé 700 selon l’invention comprend une étape 701 de fourniture d’un substrat de transistor à haute mobilité d’électrons comprenant un empilement de couches comprenant une couche de passivation et une hétérojonction comprenant une première couche semi-conductrice et une deuxième couche semi-conductrice formant un gaz bidimensionnel d’électrons à leur interface. Un exemple de substrat de transistor à haute mobilité électronique utilisé lors de l’étape 701 est illustré à la . Selon un mode de réalisation, le substrat de transistor à haute mobilité électronique comprend un substrat Si à haute résistivité, une couche de nucléation en AlN, une couche de gestion des contraintes, une couche tampon en GaN ou en AlGaN à faible taux d’Al, une couche barrière de confinement, une couche canal en GaN et une couche barrière en AlGaN. Selon un autre mode de réalisation, le substrat de transistor à haute mobilité électronique comprend un substrat en Sic ou en GaN à la place su substrat en Si. Dans le cas d’un substrat en GaN, l’épitaxie est réalisée au départ sur un wafer en GaN.
Dans le cas de la , la première couche semi-conductrice est en AlGaN et la deuxième couche semi-conductrice est en GaN. L’empilement de la comprend en outre un substrat en Si à haute résistance HR.
L’étape 702 comprend l’implantation ionique d’un dopant de type n, illustrée à la . Dans l’exemple illustré à la l’implantation est réalisée symétriquement dans deux zones différentes correspondant au contact de source et au contact de drain.
Selon un mode de réalisation, l’étape d’implantation ionique 702 est précédée par une étape de photolithographie 702a pour la définition d’une zone d’implantation. L’étape de photolithographie est connue de l’homme du métier.
Selon un mode de réalisation, le dopant est du Silicium ou du Germanium.
Selon un mode de réalisation, l’étape 702 comprend une implantation mono-énergétique d’ions Si de 70 kV/3-5*10 15 /cm 2 à travers une couche de surface de 30 nm. Un profil d’implantation selon l’invention est décrit à la . L’utilisation d’une implantation multi-énergies, habituelle dans les semi-conducteurs à grand gap pour générer des caissons dopés, n’est pas la plus adaptée car elle conduit à une résistance de transition R t élevée.
Le procédé 700 comprend en outre une étape 703 de recuit du dopant. Selon un mode de réalisation, le dopant est du Si et le recuit peut être réalisé à 975°C pendant 10 heures, 1000°C pendant trois heures ou à 1050°C pendant une heure.
Un recuit long et à basse température permet d’éviter la déformation plastique des wafer GaN/Si.
Le Si est un dopant n+ très adapté à la réalisation d’une zone dopée n+ localisée : Il est activable à basse température dans les composés III-N tels que AlN, AlGaN ou GaN ; Il possède une solubilité supérieure à 4*10 20 /cm 3 permettant un dopage très élevé, par exemple supérieure à 10 20 /cm 3 et une diffusion négligeable ; Il s’agît d’un élément compatible avec les technologies CMOS et planar.
Selon un mode de réalisation, l’étape de recuit 703 est précédée par le retrait de la résine utilisée pour l’étape de lithographie. L’étape 703 de retrait de la résine et de recuit du dopant est illustrée à la .
Le procédé 700 selon l’invention comprend en outre une étape 704 de dépôt d’une couche diélectrique au contact de la couche de passivation. L’étape 704 de dépôt d’une couche diélectrique est illustrée à la .
Le procédé 700 comprend une étape de gravure 705 de l’empilement de couches et de la couche diélectrique pour former un évidement à l’aplomb et au contact de la zone implantée, ledit évidement étant destiné à accueillir un contact métallique de source ou drain, la distance séparant une extrémité de la zone implantée et une parois latérale de l’évidement étant comprise entre 300 nm et 1000 nm, la face inférieure de l’évidement se situant au-dessous de l’interface entre la première et la deuxième couche semi-conductrice. Selon un mode de réalisation, l’étape de gravure 705 comprend une étape 705a de photolithographie pour définir la région à graver.
L’étape 705 de photolithographie et de gravure de l’empilement est illustrée à la .
Selon un mode de réalisation, la gravure réalisée lors de l’étape 705 est une gravure sèche.
Selon un mode de réalisation, l’étape de gravure 705 comprend également le retrait de la résine utilisée lors de la sous-étape de photolithographie. L’empilement de couches obtenu après le retrait de la résine est illustré à la .
Le procédé 700 selon l’invention comprend en outre une étape 706 de dépôt d’une couche métallique destinée à former le contact de source ou drain suivie par une étape 707 de polissage mécano-chimique de la couche métallique pour obtenir une surface supérieure du contact métallique de source ou drain planarisée.
Procédés de comparaison de bases de données biométriques confidentielles DOMAINE TECHNIQUE GENERAL
La présente invention concerne le domaine des bases de données biométriques, et plus particulièrement un procédé de comparaison d’une première et d’une deuxième base de données.
On connait tout particulièrement une utilisation de bases de données biométriques et de réseaux de neurones à convolution (CNN) dans le domaine policier et antiterroriste. Plus précisément, des forces de polices disposent de bases de données de photographies par exemple de visages d’individus impliqués dans des affaires. Il est alors possible d’entraîner des CNN à reconnaitre des visages dans des données de vidéo-surveillance, en particulier pour détecter des individus recherchés. Similairement on peut imaginer que des gouvernements disposent de bases de données biométriques par exemple de empreintes digitales de passeports. Il est alors possible d’entraîner des CNN à reconnaitre les empreintes d’individus en particulier.
Aujourd’hui, une problématique qui se pose est que ces bases de données sont confidentielles, et restreintes (en particulier nationales). Or il serait souhaitable par exemple que les forces de police de plusieurs états coopèrent et qu’on puisse par exemple savoir si un individu se trouve dans deux bases de données biométriques. En effet, l’une des deux parties doit communiquer sa base de données à l’autre.
Cela pourrait aujourd’hui être mis en œuvre en utilisant un chiffrement homomorphe : tout d’abord les possesseurs des bases se mettent d’accord sur un codage (une représentation vectorielle) commun des données, par exemple celle obtenue via un même CNN appliqué aux images d’entrée (photos des traits biométriques), puis une partie transmet sa base chiffrée de manière homomorphe à l’autre, et cette dernière teste, dans le domaine chiffré, pour chacun des individus de sa propre base, s’il est présent dans la base chiffrée. Cela est cependant très lourd d’un point de vue calculatoire. Par exemple, si chaque base contient un million d’éléments, il faudra de l’ordre de mille milliards de comparaisons, ce qui est colossal. De surcroit, chaque comparaison n’est pas triviale car même en supposant qu’un même individu est présent dans les deux bases, alors il sera représenté par des données biométriques qui ne seront pas identiques (par exemple deux photos différentes du même visage).
Il serait par conséquent souhaitable de disposer d’une nouvelle solution sécurisée, fiable et efficace de comparaison de bases de données confidentielles.
PRESENTATION DE L’INVENTION Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé de comparaison d’une première et d’une deuxième bases de données, comprenant la mise en œuvre par des moyens de traitement de données d’au moins un serveur, d’étapes de :
Pour chaque élément de chaque base, application d’un modèle de classification de sorte à construire un ensemble de premiers compartiments de la première base et un ensemble de deuxièmes compartiments de la deuxième base, chaque premier compartiment étant associé à un deuxième compartiment ; Pour au moins une paire d’un premier compartiment et d’un deuxième compartiment associés, comparaison des éléments de la première base appartenant audit premier compartiment avec les éléments de la deuxième base appartenant audit deuxième compartiment, au moins une de la première et de la deuxième bases étant alors chiffrée de manière homomorphe.
Selon des caractéristiques avantageuses et non limitatives :
Lesdites données sont des données personnelles, en particulier des données biométriques, en particulier des images de visages.
La première base est stockée par des moyens de stockage de données d’un premier serveur et la deuxième base est stockée par des moyens de stockage de données d’un deuxième serveur ; l’étape (a) comprenant le chiffrement homomorphe de la première base par les moyens de traitement de données du premier serveur, et/ou le chiffrement homomorphe de la deuxième base par les moyens de traitement de données du deuxième serveur.
L’étape (b) est mise en œuvre par les moyens de traitement de données d’un troisième serveur, l’étape (a) comprenant l’envoi au troisième serveur de la première et la deuxième bases chiffrées de manière homomorphe.
L’étape (b) est mise en œuvre par les moyens de traitement de données du deuxième serveur (1b), l’étape (a) comprenant l’envoi au deuxième serveur (1b) de la première base chiffrée de manière homomorphe.
L’étape (a) comprend successivement, pour au moins une de la première base et de la deuxième base, ledit chiffrement homomorphe, ledit envoi, et ladite application du modèle de classification mise en œuvre dans le domaine chiffré.
L’étape (a) comprend successivement, pour au moins une de la première base et de la deuxième base, ladite application du modèle de classification dans le domaine non-chiffré, ledit chiffrement homomorphe, et ledit envoi.
Par plan circonférentiel équatorial du pneumatique, on entend, dans un plan de coupe méridienne, le plan passant par l’équateur du pneumatique, perpendiculaire au plan médian et à la direction radiale. L’équateur du pneumatique est, dans un plan de coupe méridienne (plan perpendiculaire à la direction circonférentielle et parallèle aux directions radiale et axiales) l’axe parallèle à l’axe de rotation du pneumatique et située à équidistance entre le point radialement le plus extérieur de la bande de roulement destiné à être au contact avec le sol et le point radialement le plus intérieur du pneumatique destiné à être en contact avec un support, par exemple une jante.
Par bourrelet, on entend la portion radiale du pneumatique destiné à permettre l’accrochage du pneumatique sur un support de montage, par exemple une roue comprenant une jante. Ainsi, chaque bourrelet est notamment destiné à être au contact d’un crochet de la jante permettant son accrochage.
Les pneumatiques des assemblages fabriqués par les procédés de l'invention sont préférentiellement destinés à des véhicules de tourisme, y compris à des véhicules appelés « light truck » aux Etats-Unis, ou des camionnettes tels que définis au sens de la norme de la European Tyre and Rim Technical Organisation ou « ETRTO », 2020. Un tel pneumatique présente une section dans un plan de coupe méridien caractérisée par une hauteur de section H et une largeur de section nominale SW au sens de la norme de la European Tyre and Rim Technical Organisation ou « ETRTO », 2020. Les valeurs de SW et H sont indiquées sur le marquage du flanc du pneumatique, par exemple tel que défini selon le manuel ETRTO, 2020.
De façon préférée, les pneumatiques pour véhicule de tourisme auxquels on appliquera avantageusement l’invention sont tels que le rapport H/S, exprimé en pourcentage, est au plus égal à 90, de préférence au plus égal à 80 et plus préférentiellement au plus égal à 70 et est au moins égal à 20, de préférence au moins égal à 30, et la largeur de section nominale SW est au moins égale à 155 mm et plus préférentiellement au moins égale à 175 mm et au plus égal à 385 mm, de préférence au plus égal à 325 mm. En outre le diamètre au crochet D, définissant le diamètre de la jante de montage du pneumatique, est au moins égal à 12 pouces, de préférence au moins égal à 16 pouces et au plus égal à 24 pouces.
Dans la présente demande, lorsqu’on fait référence à une longueur circonférentielle d’une portion de l’assemblage, on mesurera cette longueur comme la longueur curviligne mesurée sur la surface externe de la bande de roulement du pneumatique de cette portion de l’assemblage et dans le plan médian du pneumatique. Lorsqu’on fait référence à une longueur circonférentielle d’une portion de la couche additionnelle, on mesurera cette longueur comme la longueur curviligne mesurée sur la surface radialement externe de cette portion de couche additionnelle et dans le plan médian du pneumatique. La longueur mesurée sur cette surface radialement externe de la portion de couche additionnelle est sensiblement égale à la longueur mesurée sur la surface interne du pneumatique dans le plan médian du pneumatique.
Dans un mode de réalisation de la couche additionnelle, la couche additionnelle comprend une mousse d’absorption du bruit de cavité du pneumatique. Ainsi, la portion fonctionnelle est ici une portion d’absorption du bruit de cavité du pneumatique. La mousse d’absorption permet de réduire voire de supprimer le bruit généré dans la cavité interne du pneumatique. Des exemples de mousse d’absorption sont notamment décrits dans EP1184207, EP1253025, EP1876038 ou encore EP3406462.
Selon d’autres caractéristiques optionnelles et avantageuses de ce mode de réalisation : - la mousse d’absorption présente une masse volumique allant de 10 à 100 kg.m-3, - la masse surfacique moyenne de la mousse d’absorption va de 0,3 à 3,0 kg.m-2, de préférence de 0,5 à 1,5 kg.m-2, - la distance circonférentielle séparant les première et deuxième extrémités circonférentielles est inférieure ou égale à 250 mm, de préférence va de 50 à 200 mm.
Dans un autre mode de réalisation de la couche additionnelle, la couche additionnelle comprend un composition auto-obturante. Ainsi, la portion fonctionnelle est ici une portion d’auto-obturation de la cavité interne du pneumatique. La composition auto-obturante permet, en cas de perforation du pneumatique due à un objet perforant, d’obturer l’orifice créé par l’objet perforant sous l’effet de la pression interne du pneumatique. En effet, sous l’effet de la pression interne du pneumatique, la composition auto-obturante est amenée à fluer dans l’orifice d’écoulement de l’air vers l’extérieur, en vue de l’obturer et de rétablir l’étanchéité au gaz de gonflage. De nombreuses compositions auto-obturantes ont été décrites dans l’état de la technique, notamment dans US4426468, EP1090069, WO99/62998, US4113799, US4115172, US4913209, US5085942, US5295525, FR2955587 et EP2167329.
D’autres modes de réalisation de la couche additionnelle peuvent être envisagés sans sortir du cadre de la présente invention. Ainsi, on pourra tout à fait utiliser une couche additionnelle comprenant une composition élastomérique classique par exemple telle que celles utilisées pour une bande de roulement.
Dans une variante du premier objet, préalablement à l’étape de fixation du dispositif de rétention, le procédé comprend une étape d’application d’une composition adhésive sur la surface interne ou sur la couche additionnelle et/ou sur une surface du dispositif de rétention de façon à former une couche de la composition adhésive destinée à être radialement interposée entre le dispositif de rétention et la surface interne ou la couche additionnelle. Ainsi, les moyens de fixation du dispositif de rétention comprennent une couche d’une composition adhésive radialement interposée entre le dispositif de rétention et la surface interne ou la couche additionnelle.
Dans une variante analogue du deuxième objet, préalablement à l’étape de fixation de l’organe électronique, le procédé comprend une étape d’application d’une composition adhésive sur la surface interne ou sur la couche additionnelle et/ou sur une surface de l’organe électronique de façon à former une couche de la composition adhésive destinée à être radialement interposée entre l’organe électronique et la surface interne ou la couche additionnelle. Ainsi, les moyens de fixation de l’organe électronique comprennent une couche d’une composition adhésive radialement interposée entre l’organe électronique et la surface interne ou la couche additionnelle.
Une telle couche de composition adhésive peut être une composition polymérique, par exemple une colle de type cyanoacrylate ou bien encore les colles décrites dans WO2015165899. On pourra également envisager d’utiliser une composition ayant également d’autres fonctions que celle la fonction d’adhésion, comme par exemple une composition auto-obturante. Cela est particulièrement avantageux dans le cas où la couche additionnelle comprend elle-même une composition auto-obturante.