INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En référence à la figure schématique 6, le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 repéré circonférentiellement par l’azimut AzG est agencé circonférentiellement en dehors des zones de jonction circonférentielles suivantes : une zone de jonction circonférentielle entre deux extrémités circonférentielles d’une couche interne d’étanchéité 17 repérée circonférentiellement par l’azimut AzI, une zone de jonction circonférentielle entre deux extrémités circonférentielles de la couche de carcasse 36 repérée circonférentiellement par l’azimut AzC et une zone de jonction circonférentielle entre deux extrémités circonférentielles de la bande de roulement 14 repérée circonférentiellement par l’azimut AzR.
En référence à la , le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 est positionné circonférentiellement entre les première et deuxième extrémités circonférentielles 60, 62 et axialement dans la portion de compensation 58, c’est-à-dire axialement entre les première et deuxième extrémités axiales 66, 68 de la portion de compensation 58. Plus précisément, le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 est positionné à une distance circonférentielle supérieure ou égale à D1/2, de préférence 3D1/4 de la première extrémité circonférentielle 60 et à une distance circonférentielle supérieure ou égale à D2/2, de préférence 3D2/4 de la deuxième extrémité circonférentielle 62 avec D1 et D2 étant respectivement la distance circonférentielle entre chaque première et deuxième extrémité circonférentielle 60, 62 et le milieu de la distance circonférentielle LoC séparant les première et deuxième extrémités circonférentielles 60, 62 l’une de l’autre. Ici, le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 est sensiblement aligné circonférentiellement avec le milieu de la distance circonférentielle LoC séparant les première et deuxième extrémités circonférentielles 60, 62 l’une de l’autre. En outre, le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 est sensiblement aligné axialement avec le milieu de la distance axiale LaC séparant les première et deuxième extrémités axiales 66, 68 l’une de l’autre.
On va maintenant décrire un procédé de fabrication selon un premier mode de réalisation de l’assemblage A selon le premier mode de réalisation en référence aux figures 7 à 10 numérotées dans l’ordre chronologique.
Comme illustré sur la , on dispose tout d’abord d’un assemblage A constitué par le seul pneumatique 10.
Préalablement aux étapes de fixation de la couche additionnelle 11 et du dispositif de rétention 42 décrites ci-dessous, le procédé comprend une étape de détermination des azimuts AzI, AzR et AzC.
Puis, en référence à la , préalablement à l’étape de fixation de la couche additionnelle 11 décrite ci-dessous, le procédé comprend une étape d’application d’une composition adhésive sur la surface interne 18 de façon à former la couche 54 de la composition adhésive destinée à être radialement interposée entre la couche additionnelle 11 et la surface interne 18. L’étape d’application de la composition adhésive comprend une étape d’extrusion de la composition adhésive réalisée par l’intermédiaire de moyens d’extrusion (non illustrés) et une étape de mise en rotation du pneumatique 10 par rapport aux moyens d’extrusion réalisée pendant l’étape d’extrusion. Comme illustré sur la , l’étape d’extrusion est conduite de façon à apposer une bandelette ou un cordon 78 discontinu circonférentiellement. La discontinuité circonférentielle 80 de la bandelette ou du cordon 78 est destinée à coïncider au moins partiellement avec la portion de compensation 58 de la bande additionnelle 11.
En référence à la , le procédé comprend une étape de fixation de la couche additionnelle 11 à la surface interne 18 conduite de sorte que, une fois la couche additionnelle 11 fixée à la surface interne 18, la couche additionnelle 11 comprend la portion fonctionnelle 56 et la portion de compensation 58. Ici, l’étape de fixation de la couche additionnelle 11 comprend une étape d’enroulage d’une bande additionnelle 82 sur au plus un tour circonférentiel, ici sur un tour circonférentiel exactement, à l’intérieur de la cavité interne 19. La bande additionnelle 82 présente une longueur circonférentielle légèrement supérieure à la longueur circonférentielle de la surface interne 18, une largeur égale à LaF et une épaisseur moyenne égale à EpFm. Avant l’étape de fixation, le procédé comprend une étape de découpage d’une portion de la bande additionnelle 82 de façon à ménager la portion de compensation 58, en l’espèce d’une portion rectangulaire de la bande additionnelle 82 présentant une longueur circonférentielle LoC, une largeur égale à LaC et une épaisseur moyenne EpFm. De façon à ménager l’évidement central formant la portion de compensation 58, l’étape de découpage est conduite de sorte que la bande additionnelle 82 est discontinue circonférentiellement sur une largeur axiale LaC non nulle strictement inférieure à la largeur axiale totale LaF de la bande additionnelle 82. L’étape de découpage comprend ainsi une étape d’évidage central de la bande additionnelle 82.
Plutôt qu’une étape d’enroulage, on pourra envisager une étape de fixation de la couche additionnelle 11 comprenant une étape d’apposition de la couche additionnelle 11 au contact de la surface interne 18 par l’intermédiaire des moyens de fixation 52 et, préalablement à l’étape d’apposition, une étape de mise en compression radiale de la couche additionnelle 11 sous la forme d’un anneau continu tel que cela est décrit dans EP1574360.
Préalablement à l’étape de fixation du dispositif de rétention 42 décrite ci-dessous, le procédé comprend une étape d’application d’une composition adhésive sur la surface interne 18 et sur une surface du dispositif de rétention 42 de façon à former la couche 48 de la composition adhésive destinée à être radialement interposée entre le dispositif de rétention 42 et la surface interne 18. Préalablement à l’étape de fixation du dispositif 42 décrit ci-dessous, le procédé comprend une étape de fixation de l’organe électronique 44 dans le dispositif de rétention 42.
Toujours préalablement à l’étape de fixation du dispositif de rétention 42, le procédé comprend une étape de détermination d’un azimut de référence fonction ici de l’azimut de chaque première et deuxième extrémité circonférentielle 60, 62 ainsi qu’une étape de détermination d’une position axiale de référence fonction de la position axiale de chaque première et deuxième extrémité axiale 66, 68. Puis, le procédé comprend une étape de détermination d’un azimut de positionnement AzG du centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 par rapport à l’azimut de référence ainsi qu’une étape de détermination d’une position axiale du centre de gravité G de l’ensemble de gravité 40 par rapport à la position axiale de référence.
Puis, en référence à la , le procédé comprend une étape de fixation du dispositif de rétention 42 à la surface interne 18 par l’intermédiaire des moyens de fixation 46, ici de la couche 48. Cette étape de fixation du dispositif de rétention 42 est donc postérieure à l’étape de fixation de la couche additionnelle 11.
Les étapes de fixation de la couche additionnelle 11 et du dispositif de rétention 42 sont conduites de sorte que, une fois la couche additionnelle 11 fixée à la surface interne 18 et le dispositif de rétention 42 fixé à la surface interne 18, le centre de gravité G de l’ensemble de rétention 40 est agencé circonférentiellement entre les première et deuxième extrémités circonférentielles 60, 62 et axialement dans la portion de compensation 58, c’est-à-dire, dans ce premier mode de réalisation, axialement entre les première et deuxième extrémités axiales 66, 68.
Le fait de passer dans un domaine logarithmique permet de simplifier les calculs de l’unité de traitement pour générer le vecteur de signature par rapport à la division effectuée dans le mode de réalisation précédemment décrit. En outre, l’utilisation du domaine logarithmique permet de réduire la taille en mémoire nécessaire pour y enregistrer les résultats, par effet de compression naturel du logarithme.
De préférence, pour générer un vecteur de signature associé à une luminance de l’image, l’unité de traitement est configurée pour : - pour chaque ligne de ladite image acquise : ○ sommer la valeur des pixels de même composante de couleur de cette ligne de façon à obtenir pour cette ligne une valeur représentative pour chaque composante de couleur, puis ○ calculer une valeur représentative de la luminance de la ligne à partir des valeurs représentatives des différentes composantes de couleur de cette même ligne et éventuellement d’une ligne adjacente, ○ calculer une valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance de la ligne, ○ effectuer une différence entre la valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance de la ligne et une valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance d’une ligne adjacente de l’image.
Le vecteur de signature associé à la luminance a l’avantage de présenter un rapport signal sur bruit élevé.
Avantageusement, le capteur photographique à balayage est configuré pour acquérir une succession d’images, chaque image de ladite succession d’images pouvant présenter une succession régulière de bandes. Les images acquises peuvent alors être constituées de pixels de différentes composantes de couleur.
Dans un mode de réalisation avantageux, pour générer un vecteur de signature associé à une composante de couleur de l’image, l’unité de traitement est configurée pour : - pour chaque ligne de ladite image acquise: ○ sommer la valeur des pixels de ladite composante de couleur de cette ligne de façon à obtenir pour cette ligne une valeur représentative de cette composante de couleur, puis ○ diviser la valeur représentative de cette composante de couleur par une valeur représentative de cette même composante de couleur d’une même ligne de l’image suivante ou de l’image précédente de ladite succession d’images.
Néanmoins, dans un mode de réalisation avantageux, pour générer le vecteur de signature associé à une composante de couleur de l’image, l’unité de traitement est configurée pour : - pour chaque ligne de ladite image acquise: ○ sommer la valeur des pixels de ladite composante de couleur de cette ligne de façon à obtenir pour cette ligne une valeur représentative de cette composante de couleur, puis ○ calculer une valeur logarithmique de la valeur représentative de cette composante de couleur de la ligne, ○ effectuer une différence entre la valeur logarithmique de la valeur représentative de cette composante de couleur de la ligne et une valeur logarithmique de la valeur représentative de cette même composante de couleur d’une même ligne de l’image suivante ou de l’image précédente de ladite succession d’images.
De préférence, pour générer un vecteur de signature associé à une luminance de l’image, l’unité de traitement est configurée pour : - pour chaque ligne de ladite image acquise : ○ sommer la valeur des pixels de même composante de couleur de cette ligne de façon à obtenir pour cette ligne une valeur représentative pour chaque composante de couleur, puis ○ calculer une valeur représentative de la luminance de la ligne à partir des valeurs représentatives des différentes composantes de couleur de cette même ligne et d’une ligne adjacente, ○ calculer une valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance de la ligne, ○ effectuer une différence entre la valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance de la ligne et une valeur logarithmique de la valeur représentative de la luminance d’une même ligne de l’image suivante ou de l’image précédente de ladite succession d’images.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de réglage d’un temps d’intégration d’un capteur photographique à balayage, comprenant : - une acquisition d’une image, selon un temps d’intégration donné, d’une scène illuminée par une source à impulsions lumineuses régulières, les impulsions lumineuses de la source étant périodiquement selon une période donnée, de sorte que lorsque le temps d’intégration du capteur est différent de la période des impulsions lumineuses, l’image acquise peut présenter une succession régulière de bandes à luminosités différentes, - une génération d’un vecteur de signature représentatif de la succession régulière de bandes à luminosités différentes présentes dans l’image acquise par le capteur photographique, le vecteur de signature étant indépendant de la réflectance des objets de la scène photographiée et du niveau de lumière dans la scène, - une détermination d’une fréquence des bandes dans l’image à partir du vecteur de signature généré, - une détermination de la période des impulsions de la source à partir de la fréquence déterminée des bandes dans l’image, - un réglage du temps d’intégration du capteur photographique de sorte que le temps d’intégration soit un multiple de la période des impulsions lumineuses de la source.
D'autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de mise en œuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels :
illustrent schématiquement des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention.
La illustre un appareil APP selon un mode de réalisation de l’invention. L’appareil APP comprend un capteur photographique CPH, une unité de commande UCO et une unité de traitement UT.
Le capteur photographique CPH comprend une matrice de photodétecteurs MPHD. Les photodétecteurs PHD de la matrice MPHD sont agencés en lignes et en colonnes. Les photodétecteurs PHD sont associés à des composantes de couleur différentes, notamment à des composantes rouge R, verte Gr/Gb et bleue B. Par exemple, les photodétecteurs PHD peuvent être organisés selon une matrice de Bayer bien connue de l’homme du métier.
Le capteur photographique CPH est configuré pour obtenir une image d’une scène par acquisition des signaux générés par les photodétecteurs PHD à partir de la lumière captée par ces photodétecteurs PHD.
En particulier, l’acquisition des signaux générés par les photodétecteurs PHD est effectuée ligne par ligne. En d’autres termes, le capteur photographique CPH permet d’obtenir une image par un balayage des lignes de photodétecteurs PHD du capteur CPH.
Le balayage entraîne une acquisition en décalé dans le temps des signaux des photodétecteurs PHD des différentes lignes de photodétecteurs.
En particulier, comme représenté à la , l’acquisition d’une ligne de photodétecteurs PHD comporte une phase d’exposition PEXP dans lequel les photodétecteurs de la ligne détectent la lumière qu’ils reçoivent pendant un temps d’intégration donné. Puis, l’acquisition comprend une phase de lecture PLEC dans laquelle la quantité de lumière détectée par les photodétecteurs PHD est lue.
Dans un mode de réalisation particulier, le module 3 d’analyse multimodale peut n’analyser le fichier que suivant deux modalités, par exemple si l’un des flux du fichier n’est pas exploitable, ou si l’on souhaite privilégier ces deux modalités.
A l’issue d’une étape dans le module 3 d’analyse multimodale, et d’une éventuelle étape d’enrichissement intermédiaire dans le module 4 d’enrichissement, les marqueurs temporels de découpe unimodaux et les descripteurs endogènes, et éventuellement exogènes, unimodaux associés sont transmis par le répartiteur au module 5 de séquençage.
Le module 5 de séquençage est lui aussi un module « worker ». Le séquenceur synthétise toutes les informations recueillies par le répartiteur pour créer des séquences homogènes, cohérentes et pertinentes, si possible suivant plusieurs des points de vue utilisés dans le module 3 d’analyse multimodale à la fois.
Dans l’exemple représenté sur les , et , l’axe horizontal représente l’axe des temps pour le fichier vidéo numérique c’est-à-dire l’ordre d’apparition des différentes images qui le constituent ; les marqueurs temporels de découpe unimodaux associés à la modalité image sont par exemple représentés sur la ligne du haut, les marqueurs temporels de découpe unimodaux associés à la modalité visuelle audio sur la ligne, juste en-dessous , puis encore en-dessous les marqueurs temporels de découpe unimodaux associés à la modalité textuelle, et enfin les marqueurs temporels de découpe unimodaux associés à la modalité action sont représentés sur celle du bas.
A l’issue du séquençage, le module 5 de séquençage propose des marqueurs temporels de séquence candidats.
Un marqueur temporel de séquence candidat est : soit un marqueur temporel de séquence candidat plurimodal, soit un marqueur de séquence candidat unimodal.
Pour créer un marqueur temporel de séquence candidat plurimodal, on procède comme suit : si au moins deux marqueurs temporels de découpe unimodaux issus modalités différentes sont identifiés comme proches temporellement, un marqueur temporel de séquence candidat plurimodal, en relation mathématique avec ces marqueurs temporels de découpe unimodaux, est créé.
La proximité temporelle est définie par rapport à un critère de temps T2 spécifié au préalable : deux (ou plus) de marqueurs temporels de découpe unimodaux sont considérés comme temporellement proches s’ils sont séparés deux-à-deux par une durée inférieure à une durée prédéterminée T2, dite principale.
Un marqueur temporel de séquence plurimodal est créé en lien mathématique avec les marqueurs de découpe unimodaux qui sous-tendent sa création suivant une règle fixée au préalable.
Par exemple, le marqueur temporel de séquence plurimodal candidat est identique au marqueur temporel de découpe unimodal issu de la modalité audio. Ou encore, il peut correspondre au marqueur temporel le plus proche de la moyenne des codes temporels des n marqueurs temporels de découpe unimodaux identifiés comme proches temporellement.
Un marqueur temporel de séquence candidat unimodal est quant à lui créé sur la base d’une seule modalité. Il est dans ce cas dit marqueur temporel de séquence candidat unimodal et identique au marqueur temporel de découpe unimodal identifié.
La représente la décomposition d’un fichier vidéo numérique selon les quatre modalités : image, audio, texte et action.
Sur cette figure, deux marqueurs temporels de séquence candidats 21 plurimodaux sont détectés dans ce cas suivant quatre modalités.
Lorsque les quatre modalités possèdent des codes temporels identiques ou des codes temporels évalués comme proches, un marqueur de séquence candidat dit principal car issu de quatre modalités est détecté. Des marqueurs de séquence candidat sont donc dits « principaux » lorsqu’ils sont issus des quatre modalités. Les deux marqueurs temporels de séquence candidats 21 de la sont donc plurimodaux principaux.
Des descripteurs endogènes plurimodaux, dits « principaux » car issus des quatre modalités, sont associés à chacun des marqueurs temporels de séquence candidats 21 plurimodaux principaux identifiés.
La représente la décomposition du même fichier vidéo numérique que pour la selon les quatre modalités : image, audio, texte et action.
Le recess RE sous la couche barrière 402 permet de réduire la résistance de contact métal/couche semiconductrice R c à des valeurs très faibles de l’ordre de 50-70 mOhm.mm. Cela est possible en positionnant le métal ohmique sur la zone canal dopée n+ 407 et non sur la couche barrière 402 qui présente un gap plus grand. La profondeur minimale du recess RE doit être telle que le métal ohmique soit déposé en surface de la zone dopée n+ 407 ou au maximum à la profondeur du pic du profil d’implantation de la zone dopée n+ 407.
Le contact 405 comprend en outre une face latérale 405c sensiblement normale au plan des couches. La distance RET entre la face latérale 405c et l’extrémité 408 de la zone dopée n+ 407 est comprise entre 300 nm et 1000 nm. En d’autres termes, le contact métallique 405 est en retrait par rapport à l’extrémité 408 de la zone dopée n+ 407.
La résistance de couche R sheet associée à la zone implantée n+ 407 est très faible et inférieure à 60-90 ohm/sq. Cela permet d’éloigner le contact métallique 405 de l’électrode de grille 406 sans augmenter sensiblement la résistance d’accès. En particulier, la couche n+ est au moins trois fois plus performante que le 2DEG à température ambiant et cinq fois plus performante à 100°C. Le retrait RET doit être suffisamment grand pour limiter la capacité parasite C pgs et suffisamment petit pour éviter d’augmenter la résistance de la couche n+.
Selon un mode de réalisation, la distance RET est comprise entre 300 nm et 1000 nm. La distance RET est ici égale à 500 nm.
La résistance de transition R t entre la région implantée et la région intrinsèque est faible grâce à une implantation ionique optimisée de Si.
Selon un mode de réalisation, l’implantation est mono-énergétique de 70 kV/3-5*10 15 /cm 2 à travers une couche de surface de 30 nm. L’utilisation d’une implantation multi-énergies, habituelle dans les semi-conducteurs à grand gap pour générer des caissons dopés, ne présenterait pas des résultats similaires car elle conduirait à une résistance R t élevée.
La distance L gs entre l’extrémité 408 de la zone dopée n+ 407 et le pied de grille doit être suffisamment grande pour ne pas dégrader la tenue en tension de la jonction grille-source ou grille-drain. Selon un mode de réalisation, L gs est supérieure ou égale à 200 nm.
L’implantation Si présente une dispersion latérale qui ne doit pas trop se rapprocher du pied de grille. L gs doit être suffisamment petite pour limiter la contribution du gaz 2DEG à R s , par exemple L gs doit être inférieure à 400 nm. Selon un mode de réalisation, L gs est égale à 300nm.
Selon un mode de réalisation le contact métallique 405 comprend une bicouche Ti/Al avec une épaisseur de la couche en Ti comprise entre 3nm et 20nm et une épaisseur totale égale à 200nm +/- 50nm.
La représente aussi la répartition des résistances d’accès de source ou de drain : la résistance de contact R c , la résistance de la région implantée n+ R n+ , la résistance de transition R T et la résistance du gaz bidimensionnel d’électrons 2DEG, R 2DEG .
La résistance d’accès R s d’un contact de source du transistor 400 selon l’invention vaut à température ambiante, T = 30°C :
R s = R c + R n+ + R t + R 2DEG = 0.3 Ohm.mm ;
A T = 150°C : R s = R c + R n+ + R t + R 2DEG = 0.35 Ohm.mm
On constate que l’accès d’un transistor 400 selon l’invention est performant et très peu sensible à la température grâce : à la faible longueur L gs réalisable, de l’ordre de 300 nm ; à la compensation de R 2DEG (T°) par R t (T°) Le transistor 400 selon l’invention est obtenu par un procédé planaire et compatible avec une fabrication en salle blanche de type CMOS. La représente une coupe TEM d’un transistor 400 selon l’invention. Le contact de source et le contact de drain sont tous les deux visibles sur la .
La représente le profil d’implantation de Si en fonction de la profondeur selon une direction normale au plan des couches. Le profil d’implantation a été obtenu pour une énergie de 70 keV et une dose de 3*10 15 /cm 2 à travers la couche de passivation 401 de surface formée par une bicouche SiO 2 /SiN. La position de l’interface du contact ohmique metal/GaN n+ est représentée par la ligne pointillée. Le profil présente une profondeur de pénétration projetée Rp, pour « Projected Range » selon la terminologie anglaise, de 64.5nm, une dispersion sigma de 23 nm et une extension latérale de 40 nm. L’extension latérale représente le débordement latéral du profil sous le masque.
La représente schématiquement le procédé 700 selon l’invention. Les étapes du procédé 700 selon l’invention sont illustrées aux figures 8a à 8p.
Le microcontrôleur 110 commande alors le module de chargement de démarrage 131 afin que ledit module de chargement de démarrage 131 vérifie tout d’abord que la configuration matérielle requise CR par la mise en œuvre du premier ensemble d’instructions de commande EIC1 soit identique à la configuration matérielle courante CC des registres matériels 120 de l’unité de contrôle électronique 10.
Lorsque la configuration matérielle a été corrigée, le microcontrôleur 110 commande le module de chargement de démarrage 131 afin que ledit module de chargement de démarrage 131 mette en œuvre le premier ensemble d’instructions de commande EIC1 dans une étape E2.