Structure de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) comprenant un support (40 1 , 40 2 , 40 3 ) et un dispositif optoélectronique (30 1 , 30 2 , 30 3 ) attaché au support (40 1 , 40 2 , 40 3 ), le support (40 1 , 40 2 , 40 3 ) comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), le dispositif optoélectronique (30 1 , 30 2 , 30 3 ) présentant une première face (301) comprenant une zone centrale (301 c ) et une zone périphérique (301 p ) entourant la zone centrale (301 c ), la structure de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) étant caractérisée en ce que l’au moins un élément en saillie (41) du support (40 1 , 40 2 , 40 3 ) est attaché à la zone périphérique (301 p ) de la première face (301) du dispositif optoélectronique (30 1 , 30 2 , 30 3 ), de sorte que la face de support (400), l’au moins un élément en saillie (41) et la première face (301) du dispositif (30 1 , 30 2 , 30 3 ) forment une cavité (43) sous la zone centrale (301 c ). Structure de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) selon la revendication précédente comprenant au moins deux éléments en saillie (41), et de préférence au moins quatre éléments en saillie (41), régulièrement disposés de part et d’autre de la zone centrale (301 c ). Structure de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l’au moins un élément en saillie (41) présente une première dimension l 41 selon une première direction (x), une deuxième dimension L 41 selon une deuxième direction (y), et une troisième dimension h 41 selon une troisième direction (z), les première et deuxième directions (x, y) formant un plan de base (xy) parallèle à la face de support (400), et la troisième direction (z) étant perpendiculaire à ce plan de base (xy), telles que l’une au moins parmi les première et deuxième dimensions l 41 , L 41 soit inférieure à la troisième dimension h 41 . Structure de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif optoélectronique (30 1 , 30 2 , 30 3 ) comprend au moins une diode électroluminescente (10 1 , 10 2 , 10 3 ) au droit de la zone centrale (301 c ), et présente une deuxième face (302) opposée à la première face (301), ladite deuxième face (302) formant une face d’émission de lumière. Structure de transfert (50 1 , 50 2 ) selon la revendication précédente dans laquelle le dispositif optoélectronique (30 1 , 30 2 ) comprend en outre une partie (20, 22) d’interconnexions électriques formant la première face (301). Système de transfert comprenant une pluralité de structures de transfert (50 1 , 50 2 , 50 3 ) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins un élément en saillie (41) de deux structures de transfert adjacentes est commun aux zones périphériques (301p) desdites structures de transfert adjacentes. Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) adjacents sont séparés entre eux par des tranchées (60) formées à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie (41). Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) présente une première dimension l 41 selon une première direction (x) et une deuxième dimension L 41 selon une deuxième direction (y), les première et deuxième directions (x, y) formant un plan de base (xy) parallèle à la face de support (400), et les tranchées (60) présentent au moins une dimension l 60 selon l’une au moins des première et deuxième directions (x, y) inférieure aux première et deuxième dimensions l 41 , L 41 de l’au moins un élément en saillie (41). Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel les tranchées (60) se prolongent dans l’au moins un élément en saillie (41) selon une troisième direction (z) perpendiculaire aux première et deuxième directions (x, y). Procédé de transfert d’une pluralité de dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) depuis un premier substrat (1) vers un deuxième substrat (2), ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : fournir le premier substrat (1) portant les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ), lesdits dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) présentant chacun une première face (301) d’un côté opposé au premier substrat (1), ladite première face (301) comprenant une zone centrale (301c) et une zone périphérique (301p) entourant la zone centrale (301c), former un support (40 1 , 40 2 , 40 3 ) pour les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ), ledit support comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), chaque zone périphérique (301p) étant attachée audit au moins un élément en saillie (41), de sorte que la face de support (400), l’au moins un élément en saillie (41) et la première face (301) du dispositif (30 1 , 30 2 , 30 3 ) forment une cavité (43) sous la zone centrale (301 c ), retirer le premier substrat (1), désolidariser les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) du support (40 1 , 40 2 , 40 3 ), et les reporter sur un deuxième substrat (2), au niveau de leurs premières faces (301). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, après retrait du premier substrat (1) et avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ), une formation de tranchées (60) séparant les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) entre eux, de sorte que ceux-ci soient individualisés et soutenus uniquement par l’au moins un élément en saillie (41). Procédé selon la revendication précédente dans lequel les tranchées (60) sont formées par gravure à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie (41), à partir d’une deuxième face (302) des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) opposée à la première face (301). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la gravure est configurée de sorte que les tranchées (60) se poursuivent en partie dans l’au moins un élément en saillie (41). Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13 dans lequel les dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 ) comprennent chacun au moins une diode électroluminescente (10 1 , 10 2 ) et une partie (20, 22) d’interconnexions électriques, l’au moins une diode électroluminescente (10 1 , 10 2 ) étant réalisée sur le premier substrat (1) et ladite partie (20, 22) d’interconnexions électriques étant réalisée séparément sur une couche de support (21), ladite partie (20, 22) d’interconnexions électriques étant ensuite reportée par hybridation sur l’au moins une diode électroluminescente (10 1 , 10 2 ), avant formation du support (40 1 , 40 2 ). Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 14 dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) est formé avant d’être attaché aux zones périphériques (301p) des premières faces (301) des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 3 ). Procédé selon la revendication 14 dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) est formé par gravure de ladite couche de support (21), puis est rapporté sur un substrat plan (44) de façon à former le support (40 2 ), avant retrait du premier substrat (1). Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 16 comprenant en outre, avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ), une fixation d’une partie seulement des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) sur la face de support (400), ladite fixation étant réalisée par dépôt d’un matériau adhésif dans la cavité (43), entre la zone centrale (301 c ) et la face de support (400). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, avant fixation, un test électrique configuré pour détecter des dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) défaillants, ladite fixation étant réalisée pour lesdits dispositifs optoélectroniques (30 1 , 30 2 , 30 3 ) défaillants uniquement.