INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans des modes de réalisation, les paramètres utilisés pour le modèle peuvent comprendre en outre un ou plusieurs ou toute combinaison parmi l’ensemble des paramètres suivants : position horizontale et/ou verticale minimale, maximale et/ou moyenne des centres des lignes, distance minimale, moyenne et/ou maximale, horizontalement et/ou verticalement, entre le centre de deux lignes consécutives, longueur minimale, moyenne et/ou maximale des lignes correspondant à des plumes longues, longueur minimale, moyenne et/ou maximale des lignes correspondant à des plumes courtes, intensité moyenne des pixels d’une ligne correspondant à une plume courte, intensité moyenne des pixels d’une ligne correspondant à une plume longue, différence d’intensité moyenne des pixels entre les lignes correspondant à des plumes longues et les lignes correspondant à des plumes courtes, emplacement par rapport à l’axe horizontal de chaque ligne, un angle minimal, moyen et/ou maximal entre deux lignes, une distance minimale, moyenne et/ou maximale entre les extrémités proximales de deux lignes correspondant à une plume longue et une ligne correspondant à une plume courte située entre celles-ci, une distance minimale, moyenne et/ou maximale entre les extrémités distales de deux lignes correspondant à une plume longue et une ligne correspondant à une plume courte située entre celles-ci.
Les paramètres calculés à l’issue de l’étape 300 sont fournis à un modèle entrainé pour déterminer le sexe du poussin, le modèle étant entrainé de manière à avoir deux classes de sorties mâle/femelle ou alternativement, deux classes comprenant un premier sexe et une classe indéterminée.
La tête d’impression 104 se déplace ainsi au-dessus du plateau 102 et dépose des couches les unes au-dessus des autres de manière à former une pièce 50. Ici, la pièce 50 prend la forme d’une équerre avec une base 52 qui repose sur le plateau 102 et un mur 54 qui s’étend depuis la base 52 perpendiculairement au plateau 102. Bien sûr la pièce 50 peut prendre une autre forme. Le plateau 102 sert de support à la pièce 50, ici à la base 52.
Après avoir réalisé, entièrement ou en partie la pièce 50, la tête d’impression 104 est déplacée pour laisser la place à la tête d’usinage 106 qui va usiner la pièce 50. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté sur la , la tête d’usinage 106 porte une fraise et vient usiner un côté du mur 54.
Afin d’assurer le maintien en position du mur 54 malgré la pression de la tête d’usinage 106, la machine 100 comporte un premier support 150 qui est monté sur le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102. Le premier support 150 comporte une tête d’appui 152 et un bras 154 fixé entre la tête d’appui 152 et le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102.
Le bras 154 est un bras articulé qui permet de positionner la tête d’appui 152 de manière appropriée, c'est-à-dire ici contre le côté du mur 54 opposé au côté contre lequel se déplace la tête d’usinage 106.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté sur la , la machine 100 comporte un deuxième support 160 qui est également monté sur le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102. Le deuxième support 160 comporte également une tête d’appui 162 et un bras 164 fixé entre la tête d’appui 162 et le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102.
Le bras 164 est également un bras articulé qui permet de positionner la tête d’appui 162 de manière appropriée, c'est-à-dire ici contre le côté du mur 54 contre lequel se déplace la tête d’usinage 106.
D’une manière générale, la machine 100 comporte ainsi au moins un support 150, 160 avec au moins une tête d’appui 152, 162, la ou chaque tête d’appui 152, 162 étant destinée à être en appui contre une partie de la pièce 50 et au moins un bras 154, 164 articulé, le ou chaque bras 154, 164 présentant une première extrémité solidaire de la ou l’une des têtes d’appui 152, 162 et une deuxième extrémité solidaire du châssis ou, comme ici, du plateau 102.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, chaque bras 154, 164 présente trois articulations, mais un nombre différent est possible. Chaque articulation est suffisamment souple pour permettre sa rotation lors du positionnement de la tête d’appui 152, 162 et suffisamment rigide pour ne pas bouger lors de l’usinage par la tête d’usinage 106.
Chaque articulation peut comporter un moyen de verrouillage qui peut prendre alternativement une position libre autorisant le mouvement de l’articulation ou une position figée empêchant le mouvement de l’articulation. Le moyen de verrouillage est par exemple une vis de serrage.
La présence du premier support 150 et 160 permet de contrer la pression exercée sur le mur 54 lors de l’usinage par la tête d’usinage 106. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté sur la , la mise en place des deux supports 150 et 160 de part et d’autre du mur 54 permet de serrer la pièce 50 et ainsi la maintenir en position. Ainsi, avec au moins un support 150, 160, la pièce 50 peut être réalisée sans risque de défaut.
La montre une machine de fabrication hybride 200 similaire à celle de la sauf en ce que la pièce 60 présente une base 62 qui repose sur le plateau 102, un mur 64 qui s’étend depuis la base 62 perpendiculairement au plateau 102 et un plan horizontal 66 qui s’étend depuis le mur 64 parallèlement au plateau 102 et en ce que le support 250 est disposé de manière à soutenir le plan 66. Bien sûr le plan pourrait avoir une inclinaison différente.
Le support 250 est monté sur le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102 et il comporte une tête d’appui 252 et un bras 254 fixé entre la tête d’appui 252 et le châssis, et plus particulièrement ici, sur le plateau 102.
Le bras 254 est un bras articulé qui permet de positionner la tête d’appui 252 de manière appropriée, c'est-à-dire ici sous le plan 66. Dans une telle position, la tête d’appui 252 permet de soutenir le plan 66 lors de sa réalisation par la tête d’impression 104 et lors de l’usinage par la tête d’usinage 106.
Les modes particuliers décrits ci-dessous sont décrits sur la base de la , mais ils s’appliquent également au mode de réalisation de la .
Pour diminuer le temps de refroidissement du matériau provenant de la tête d’impression, la tête d’appui 162 embarque un système de refroidissement 166 qui génère du froid et qui peut être par exemple une cellule à effet Peltier ou une canalisation dans laquelle circule un fluide caloporteur froid.
Pour gérer au mieux la température, la tête d’appui 162 embarque également un capteur de température 170 qui mesure la température au niveau de la face de la tête d’appui 162 qui est contre la pièce 50, et la machine 100 comporte une unité de contrôle qui est en communication avec le capteur de température 170 et le système de refroidissement 166. L’unité de contrôle est paramétrée pour commander le système de refroidissement 166 en fonction de la température relevée par le capteur de température 170 et d’une température cible à atteindre.
Chaque couche intermédiaire 12 est réalisée dans un matériau qui est ductile et/ou qui possède une limite d’élasticité conventionnelle (R p0,2 ), un allongement à la rupture (A%) et/ou un allongement relatif réparti (A%S) proches de ceux du matériau de la gaine 6.
On considère qu’une propriété mécanique d’un premier matériau est proche de celle d’un deuxième matériau lorsque la valeur de la propriété mécanique du premier matériau ne diffère pas de la valeur de la même propriété mécanique du deuxième matériau de plus de 30 %, i.e. la valeur de la propriété mécanique du premier matériau est comprise entre 70% et 130% de la valeur de cette propriété mécanique du deuxième matériaux.
Ainsi, de préférence :
- le matériau de chaque couche intermédiaire 12 possède une limite d’élasticité conventionnelle inférieure ou égale à 60 MPa, ce qui correspond à une couche intermédiaire 12 réalisée dans un alliage métallique ductile, et/ou
- la valeur de la limite d’élasticité conventionnelle du matériau de la couche intermédiaire 12 ne diffère pas de la valeur de la limite d’élasticité conventionnelle du matériau de la gaine 6 de plus de 30 %, et/ou
- la valeur de l’allongement à la rupture du matériau de la couche intermédiaire 12 ne diffère pas de la valeur de l’allongement à la rupture du matériau de la gaine 6 de plus de 30 %, et/ou
- la valeur de l’allongement relatif réparti du matériau de la couche intermédiaire 12 ne diffère pas de la valeur de l’allongement relatif réparti du matériau de la gaine 6 de plus de 30 %.
De préférence, le matériau de chaque couche intermédiaire 12 possède un allongement à la rupture compris entre 10% et 40%, et/ou le matériau de la gaine 6 possède un allongement à la rupture compris entre 10% et 40%.
De préférence, la matériau de chaque couche intermédiaire 12 possède un allongement relatif réparti (A%S) supérieur ou égal à 10% et/ou le matériau de la gaine 6 possède un allongement relatif réparti (A%S) supérieur ou égal à 10%.
Comme indiqué, de préférence, chaque couche intermédiaire 12 réalisée dans un matériau ductile. Avantageusement, chaque couche intermédiaire 12 est réalisée dans un matériau possédant une ductilité égale ou supérieure à celle du matériau de la gaine 6 et/ou celle du matériau de la couche anti-diffusion 8.
De préférence, le matériau de chaque couche intermédiaire 12 est choisi de manière à ne pas interagir chimiquement avec la gaine 6 et/ou le noyau 4. En particulier, le matériau de chaque couche intermédiaire 12 est choisi de manière à ne pas interagir chimiquement avec l’uranium et/ou avec l’aluminium.
Par « interagir chimiquement » on entend qu’il existe une attractivité entre les atomes ou les molécules de ces matériaux, l’attractivité étant par exemple d’origine électrostatique (liaison ionique ou liaison hydrogène) ou quantique (liaison covalente, liaison métallique ou liaison de Van der Waals).
Dans un exemple de réalisation, l’unique couche intermédiaire 12 ou au moins une parmi la pluralité de couches intermédiaires 12 ou chacune parmi la pluralité de couches intermédiaires 12 est réalisée en aluminium pur ou en un alliage d’aluminium, en particulier un alliage à base d’aluminium.
Un alliage à base d’aluminium désigne un alliage d’aluminium contenant au moins 80 % en poids d’aluminium.
Dans un exemple de réalisation, l’alliage d’aluminium ou l’alliage à base d’aluminium contient du cuivre (Cu), du manganèse (Mn) et/ou du zinc (Zn).
En variante, l’unique couche intermédiaire 12 ou au moins une parmi la pluralité de couches intermédiaires 12 ou chacune parmi la pluralité de couches intermédiaires 12 est formée d’une matrice contenant des éléments additifs. La matrice est par exemple choisie parmi les matériaux indiqués ci-dessus.
Liste de références 2 : insert métallique
4 : pièce de véhicule automobile
6, 10 : portions d’appui
8 : portion de compression
12, 14 : portions de liaison
16 : zones d’affaiblissement mécanique
18 : zone pré-pliée
20 : évidements traversants
22 : bossage de maintien
24 : fentes de guidage
26 : matrice
28 : poinçon
30 : entrefer entre la matrice et le poinçon
32 : hauteur de l’insert métallique avant moulage
33 : hauteur de l’insert métallique après moulage
34 : première surface d’appui du moule
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif de commande pour générer un signal de commande d’ouverture de porte, le dispositif de commande comprenant : - un capteur sans contact, par exemple un capteur infrarouge, dont la sollicitation par un utilisateur permet de générer un signal de commande d’ouverture de porte, et - un bouton mécanique, par exemple un bouton-poussoir, dont la sollicitation permet de générer un signal de commande d’ouverture de porte, caractérisé en ce que le dispositif de commande comprend une unité de traitement qui comprend un module de filtrage configuré pour : - recevoir un signal de commande d’ouverture de porte qui a été généré suite à la sollicitation du capteur sans contact, - générer un signal filtré de commande d’ouverture de porte d’une durée prédéfinie ; et - fournir le signal filtré de commande d’ouverture de porte à une sortie de l’unité de traitement qui est connectable à un système de gestion d’ouverture de porte, comprenant de préférence une centrale de contrôle d’accès, configuré pour commander l’ouverture de la porte en fonction du signal filtré de commande d’ouverture de porte reçu, l'unité de traitement étant aussi configurée pour recevoir de la part du système de gestion d’ouverture de porte, une information indiquant que le signal de commande d’ouverture de porte a été reçu par le système de gestion d’ouverture de porte, et en ce que, le dispositif de commande comprenant un dispositif indicateur, tel qu’un voyant lumineux et/ou un vibreur et/ou un dispositif sonore, l’unité de traitement est configurée pour, à réception de ladite information, commander le dispositif indicateur pour indiquer à l’utilisateur que l’ouverture de la porte a été commandée.
Avec les dispositifs de commande connus de l'état de la technique, lorsqu'un signal est émis en continu par le capteur sans contact, cela provoque une inhibition de la centrale de contrôle d’accès qui n’identifie pas un nouveau signal de commande d’ouverture provenant du bouton mécanique du dispositif de commande et qui ne fournit pas de retour d’information qui permettrait à l’utilisateur de savoir si un signal de commande d’ouverture a été ou non pris en compte.
Le filtre du dispositif de commande selon l'invention permet à partir du signal issu du capteur sans contact, de fournir un signal filtré d’une durée (longueur) prédéfinie, c'est-à-dire qui se finit au bout d’un temps donné par un front descendant, ce qui marque la fin du signal, quand bien même le capteur sans contact continue à émettre un signal.
Le filtre peut ainsi être considéré comme un traitement qui laisse passer le signal du capteur sans contact (de préférence lorsque ledit signal présente une durée minimum donnée), pendant une durée prédéfinie, puis coupe la suite de ce signal au-delà de la durée prédéfinie.
Ainsi, quelle que soit la longueur de détection du signal issu du capteur sans contact, le filtre ne transmettra qu’un seul signal filtré de commande d'ouverture au système de gestion d’ouverture de porte. Le filtre n'enverra donc qu'une seule commande d'ouverture, même si le filtre reçoit en continu le même signal de commande d'ouverture en provenance du capteur sans contact.
Le filtre génère un nouveau signal filtré lorsqu’il reçoit un nouveau signal issu du capteur sans contact présentant à nouveau un front montant, et de préférence d’une durée minimum donnée.
Ainsi, même si le capteur sans contact est bloqué en détection continue (par exemple du fait d’une peinture ou d’un objet présent devant le capteur de présence), le bouton mécanique reste opérationnel. Le système de gestion d’ouverture de porte, qui comprend par exemple une centrale de contrôle d’accès, fonctionne correctement, sans être inhibé, par la réception en continue d’un même signal issu du capteur sans contact.
Le système de gestion d’ouverture de porte peut alors recevoir un nouveau signal de commande d’ouverture, par exemple issu du bouton mécanique, et retourner une information correspondante au dispositif de commande pour pouvoir informer l’utilisateur de l’état de commande d’ouverture de la porte. Le retour d’information permet de répondre à la fonction dite PMR (PMR pour Personne à Mobilité Réduite) selon laquelle le dispositif de commande doit fournir un retour d'information concernant l'état de commande de la porte après sollicitation du capteur sans contact (bouton électronique) ou du bouton mécanique du dispositif de commande.
Le bouton mécanique peut ainsi être sollicité pour envoyer un nouveau signal de commande d'ouverture qui sera bien reconnu par le système de gestion d’ouverture de porte comme un nouveau signal de commande d'ouverture.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de commande comprend une interface configurée pour fournir à l’utilisateur un retour d'information, concernant la prise en compte du signal issu du capteur sans contact ou du bouton mécanique sous forme vibratoire pour les personnes sourdes et/ou aveugles, ou sonore (buzzer) ou voyant.
Selon un mode de réalisation, la porte est associée avec au moins une ventouse de verrouillage qui est commandée par un appareil de commande, tel qu’une centrale de contrôle d’accès, formant partie du système de gestion d’ouverture de porte pour permettre de déverrouiller la porte et autoriser ainsi son ouverture par l’utilisateur ou par un système motorisé d’entrainement en déplacement de la porte.
Le dispositif de commande peut aussi comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises dans toute combinaison techniquement admissible.
Selon un mode de réalisation, l’unité de traitement comprend un module de gestion du capteur sans contact configuré pour générer un signal de commande d’ouverture de porte lorsque ledit capteur sans contact est sollicité.
Selon un mode de réalisation, l’unité de traitement comprend un module de gestion du bouton mécanique configuré pour générer un signal de commande d’ouverture de porte lorsque ledit bouton mécanique est sollicité.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de commande comprend une sortie connectable à un dispositif de verrouillage désactivable, tel qu’une ventouse électromagnétique, pour permettre au dispositif de commande de transmettre audit dispositif de verrouillage désactivable, un signal de commande d’ouverture de porte généré à partir du bouton mécanique.
Selon un mode de réalisation, le module de filtrage est configuré pour générer un nouveau signal filtré à réception d’un nouveau signal présentant un front montant, généré suite à la sollicitation du capteur sans contact.
Les transistors de sélection 30 de la matrice sont de préférence tous de type NMOS ou tous de type PMOS. Une bonne homogénéité des performances des cellules mémoire peut être ainsi obtenue.
Afin d’obtenir des transistors de sélection 30 à faible tension de seuil (LVT), les caissons 38 sont avantageusement dopés de type N dans le cas de transistors NMOS et de type P dans le cas de de transistors PMOS.
Dans le mode de réalisation de la , le circuit mémoire 300 comprend des caissons 38a dopés d’un premier type de conductivité, par exemple de type N, et au moins un caisson 38b dopé d’un deuxième type de conductivité opposé, par exemple de type P. Les caissons 38a dopés du premier type de conductivité et le(s) caisson(s) 38b dopé(s) du deuxième type de conductivité sont disposés en alternance.
Les groupes Gi de transistors sont ainsi répartis en des premiers groupes et des deuxièmes groupes en alternance, les premiers groupes étant associés à des caissons 38a dopés du premier type de conductivité et les deuxième groupes étant associés à des caissons 38b dopés du deuxième type de conductivité. Autrement dit, deux caissons 38a dopés du premier type de conductivité sont séparés par un caisson 38b dopé du deuxième type de conductivité (et inversement à partir de deux caissons 38b).
Comparativement au mode de réalisation de la , l’espace entre deux caissons du même type de conductivité est utilisé pour disposer un caisson du type de conductivité opposé. Cette disposition permet d’augmenter la densité d’intégration du circuit mémoire 300, car les caissons de type N et de type P sont alors adjacents ou séparés par des premières tranchées d’isolation (tranchées d’isolation profondes). Grâce à ces tranchées d’isolation, il est possible de polariser simultanément un caisson en direct (FBB) et un caisson adjacent (donc de type opposé) en inverse (RBB). En l’absence de tranchées d’isolation entre les caissons, un seul type de polarisation (FBB ou RBB) est possible et les diodes PN formées par les caissons adjacents sont polarisées en inverse. Les premières tranchées d’isolation ont une largeur inférieure à la distance d de la , et de préférence inférieure à 200 nm.
De préférence, les transistors de sélection 30 partageant un caisson dopé de type N sont des transistors NMOS et les transistors de sélection 30 partageant un caisson dopé de type P sont des transistors PMOS.
Le tableau suivant indique les modes de polarisation arrière (FBB ou RRB) des transistors de sélection 30 du circuit mémoire, selon un mode de mise en œuvre préférentiel d’un procédé de fonctionnement du circuit mémoire. Le mode de polarisation arrière est donné pour chaque du type d’opération (lecture, initialisation, écriture et effacement) que le procédé de fonctionnement est susceptible de comporter.
Initialisation Ecriture (SET) Effacement (RST) Lecture caisson sélectionné FBB FBB FBB RBB caisson non sélectionné RBB RBB RBB RBB
Lors d’une initialisation ou d’une programmation (écriture ou effacement) d’une ou plusieurs cellules mémoire, le caisson 38, 38a, 38b associé à ces cellules mémoire (caisson dit « sélectionné ») est polarisé en direct (FBB) et, de préférence, au moins un autre caisson (dit « non sélectionné ») est polarisé en inverse (RBB). Avantageusement, tous les caissons non sélectionnés sont polarisés en inverse (RBB).
Lors d’une lecture d’une ou plusieurs cellules mémoire, le caisson sélectionné est polarisé en inverse (RBB) et, de préférence, au moins un caisson non sélectionné est également polarisé en inverse (RBB). Avantageusement, tous les caissons sont polarisés en inverse (RBB).
De préférence, les groupes Gi comprennent chacun un nombre pair de lignes Li. Dans chaque groupe Gi, les lignes Li sont avantageusement connectées deux par deux pour former une ou plusieurs paires de lignes Li consécutives. Pour chaque paire de lignes Li, les deux transistors de sélection 30 appartenant à une même colonne Ci partagent une même région de source 32. Cet agencement particulier des transistors de sélection 30 augmente encore la densité d’intégration du circuit mémoire 300.
Dans une variante de réalisation non représentée par les figures, les deux transistors de sélection 30 appartenant à une même paire de lignes Li et à une même colonne Ci partagent une même région de drain 33.
La représente une partie du circuit mémoire selon le plan de coupe A-A des figures 4 et 5. Le plan de coupe A-A passe par les électrodes de source 35 des transistors de sélection 30 appartenant à une même ligne Li. Dans chaque groupe Gi, les transistors de sélection 30 appartenant à une même ligne Li et à des colonnes Ci distinctes sont séparés par des deuxièmes tranchées d’isolation 500 appelées tranchées d’isolation peu profondes (technique d’isolation STI, pour « Shallow Trench Isolation » en anglais). Le caisson 38 (ou 38a, 38b selon le cas) associé au groupe Gi est avantageusement entouré par des première tranchées d’isolation 400 (tranchées d’isolation profondes). Les deuxièmes tranchées d’isolation 500 sont moins profondes que les première tranchées d’isolation 400. Elles s’étendent à travers la couche d’oxyde enterrée 39 jusqu’au caisson 38, tandis que les première tranchées d’isolation 400 s’étendent au minimum sur toute la hauteur du caisson 38.
La représente une autre partie du circuit mémoire selon le plan de coupe B-B de la . Contrairement au plan de coupe A-A, le plan de coupe B-B est orienté dans le sens des colonnes Ci. Il passe par les électrodes de source 35 des transistors de sélection 30 appartenant à une même colonne Ci et par les plots de contact 36 des éléments mémoire résistif 10 appartenant à cette même colonne Ci (ces éléments mémoire résistif 10 étant visibles sur la figure).
La montre notamment que deux caissons consécutifs 38a-38b, l’un dopé de type N et l’autre dopé de type P, peuvent être séparés par des premières tranchées d’isolation 400 (tranchées d’isolation profondes).
La représente l’augmentation de la surface de la matrice mémoire causée par le regroupement des lignes Li de cellules mémoire et la multiplication des caissons, comparativement au cas d’un circuit mémoire dépourvu de caisson ou ne comprenant qu’un seul caisson pour toute la matrice (transistors de sélection NMOS ou PMOS en technologie bulk). L’augmentation de surface est exprimée en pourcentage et représentée en fonction du nombre de lignes par groupe/caisson (un caisson par groupe de lignes).