INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Sur la , la zone de blocage de trous 22 est composée d’un empilement de onze couches. Plus généralement, la zone de blocage de trous 22 peut être réalisée avec un empilement de huit à dix-huit couches. Dans le cas présent, la zone de blocage de trous 22 est composée de la manière suivante : - une couche 221 en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 3 nm et 6 nm, par exemple ici 4.2 nm ; - une couche 222a en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 nm et 3 nm, ici 1.2 nm ; - une couche 223 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage 4.5 10 18 cm -3 , ou plus généralement comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 , et d’épaisseur comprise entre 2 nm) et 5 nm, dans le cas présent, 3.2 nm ; - une couche 222b en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 nm et 3 nm, par exemple 1.2 nm ; - une couche 224 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage 4.5 10 18 cm -3 , ou plus généralement comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 , et d’épaisseur comprise entre 1.5 nm et 4 nm, dans le cas présent, 2.5 nm ; - une couche 222c en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 nm et 3 nm, ici 1.2 nm ; - une couche 225 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage 4.5 10 18 cm -3 , ou plus généralement comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 , et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 4 nm, par exemple, 2 nm ; - une couche 222d en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.6 nm et 3 nm, ici 1.2 nm ; - une couche 226 en arséniure d’indium InAs:Si de densité de dopage 4.5 10 18 cm -3 , ou plus généralement comprise entre 5 10 17 et 2 10 19 cm -3 , et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 4 nm, dans le cas présent 1.7 nm; - une couche 222e en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 4 nm, ici 1.2 nm ; - et une couche 227 en arséniure d’indium InAs et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 4 nm , par exemple 1.5 nm.
Sur la , la zone de blocage d’électrons 23 est composée d’un empilement de cinq couches. Dans le cas présent, la zone de blocage d’électrons 23 est composée de la manière suivante : - une couche 231 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 nm et 3 nm, par exemple, 1 nm ; - une couche 232 en antimoniure de gallium GaSb et d’épaisseur comprise entre 1.5 nm et 5 nm, ici, 3.5 nm ; - une couche 233 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 0.3 nm et 5 nm, dans le cas présent, 1 nm ; - une couche 234 en matériau antimoniure de gallium et d’épaisseur comprise entre 2 nm et 5.5 nm, ici 4.5 nm ; - une couche 235 en antimoniure d’aluminium AlSb et d’épaisseur comprise entre 1 nm et 3.5 nm , par exemple 2.5 nm.
La illustre le diagramme de bande de l’assemblage, illustré à la , de la zone active 24, de la zone de blocage de trous 22 et de la zone de blocage d’électrons 23. La flèche D montre le sens de déplacement des porteurs de charge de type électron sous l’effet de l’application d’un champ électrique au composant optoélectronique 1. Dans ce cas, le sens de déplacement des porteurs de charge de type trou sous l’effet de l’application du champ électrique est le sens opposé à la flèche D.
Après avoir traversé une zone de blocage de trous 22, les porteurs de charge de type électron atteignent la zone active 24 et y sont bloqués du fait de la présence de la zone de blocage d’électrons 23 adjacente à la zone active 24. Les porteurs de charge de type électron sont cependant recyclés suite aux recombinaisons radiatives avec les porteurs de charge de type trou. En effet, après une recombinaison radiative, les électrons prennent la place des trous dans la bande de valence, et peuvent transiter directement depuis la bande de valence vers la bande de conduction et se déplacer vers la zone active 21 suivante.
Le composant optoélectronique comprenant la combinaison structures illustrées figures 1, 2 et 6 tel que décrit précédemment, fonctionne de manière suivante.
Une tension est appliquée entre la couche de contact supérieure 54 et une couche de contact inférieure. La couche de contact inférieure peut être le substrat 3. En alternative, la couche de contact inférieure peut être l’une parmi les couches situées sous la zone active 2, c’est -à-dire par exemple, la couche tampon 4, la première couche de transition supplémentaire 53a, la première zone de confinement 51 ou la deuxième couche de transition supplémentaire 53b. Préférentiellement, la couche de contact inférieure est l’une parmi la couche 4 ou la couche 51. Cette tension est configurée pour créer un champ électrique structurant le diagramme de bande de la région photoémettrice 20 en une succession de diagrammes de bandes similaires à celui illustré à la . Le champ électrique déclenche la circulation de porteurs de charge au travers des couches comprises entre la couche de contact supérieure 4 et la couche de contact inférieure.
Les figures 8, 9, 10 et 11 montrent les performances du composant opto-électronique 1 décrit précédemment. Le composant optoélectronique 1 ainsi constitué présente une largeur de 8 microns et une longueur de cavité de 2 mm et fonctionne jusqu’à une température de 45°C en régime d’alimentation électrique continue. Le composant optoélectronique 1 selon l’exemple décrit précédemment présente une densité de dislocations de 5.10 8 cm 2 .
La présente l’évolution de la puissance de sortie du rayonnement laser émis par l’hétérostructure semiconductrice 2 ainsi que de la tension entre la première zone de confinement 51 et la couche de contact supérieure 54 en fonction du courant d’alimentation du composant opto-électronique 1. Les différentes courbes représentent ces évolutions pour des températures s’échelonnant entre 15°C et 47.5°C. Il peut être observé que le courant de seuil d’émission à une température de 20°C est de 48 mA et qu’une puissance maximale de l’ordre de 18mW par facette est obtenue à cette température.
La présente l’évolution du spectre en longueur d’onde du rayonnement laser émis par le composant opto-électronique 1 obtenu à une température de 20°C. Il peut être observé que la longueur d’onde d’émission se situe entre 3.4 microns et 3.5 microns.
La présente l’évolution du spectre en longueur d’onde du rayonnement laser émis par le composant opto-électronique 1 alimenté par un courant continue de 120 mA pour différentes températures. Il peut être observé une faible translation de ce spectre vers les grandes longueurs d’onde avec un maintien de la valeur de l’intensité normalisée maximale jusqu’à 45°C.
La montre la mesure de durée de vie du composant opto-électronique 1 soumis à un courant continu de 120 mA à une température de 40°C. Il peut être observé que la puissance de sortie par facette (d’environ 4.3 mW par facette) et le courant de seuil (d’environ 77 mA) ne se dégradent pas au cours du temps.
On peut comparer le résultat illustré à la à la durée de vie d’un laser à boîtes quantiques avec une densité de dislocations de 5 10 8 cm -2 , c’est-à-dire la période de temps au bout de laquelle le courant de seuil I th double, qui est d’environ 1000 heures. On remarque en effet que le courant de seuil I th du composant optoélectronique selon l’invention reste stable pendant une période d’au moins 1800 heures. Par ailleurs, la durée de vie d’un laser à puits quantique de l’art antérieur est impossible à mesurer.
Les figures 12 et 13 illustrent les performances d’un composant optoélectronique de structure quasi-identique à celle du composant opto-électronique 1 précédemment caractérisé, mais obtenu par croissance épitaxiale sur un substrat natif en antimoniure de gallium GaSb. Ce composant présente également une largeur de 8 microns et une longueur de cavité de 2 mm, et fonctionne en régime d’alimentation en courant continue jusqu’à 40°C.
La présente l’évolution de la puissance de sortie du rayonnement laser émis par ce composant en fonction du courant d’alimentation. Les différentes courbes représentent ces évolutions pour des températures s’échelonnant entre 15°C et 45°C. Il peut être observé que le courant de seuil d’émission à une température de 20°C est de 52 mA et qu’une puissance maximale de l’ordre de 18 mW par facette est obtenue à cette température.
La face externe de la paroi de raccordement annulaire peut éventuellement comporter une marche, selon des procédés de fabrication connus dans le domaine de la microélectronique.
Par ailleurs, le deuxième matériau est par exemple choisi dans le groupe formé par un matériau d’interface thermique, une colle thermiquement conductrice, une résine de moulage.
Selon un autre aspect, il est proposé un système, comprenant une carte de circuit imprimé, au moins un boîtier de circuit intégré tel que défini ci-avant, monté sur la carte de circuit imprimé, une couche de matériau d’interface thermique recouvrant ledit au moins un boîtier en étant en contact avec ladite couronne et un dissipateur thermique recouvrant la couche de matériau d’interface thermique.
La couronne du deuxième matériau, en contact avec le matériau d’interface thermique, permet la création d’un chemin de conduction thermique améliorant la dissipation thermique du système.
D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels :
illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention.
Sur la , la référence BT désigne un boîtier de circuit intégré comportant un substrat support 1 supportant une puce de circuit intégré 6. Dans cet exemple de réalisation, la puce est connectée sur le substrat support 1 par l’intermédiaire de billes de connexion enrobées dans une couche de sous-remplissage 7 connue par l’homme du métier sous la dénomination anglosaxonne de « underfill ».
Bien entendu, d’autres modes de connexion de la puce sur le substrat support seraient possibles, par exemple une connexion de la puce par l’intermédiaire de fils soudés sur des pastilles de la face supérieure du substrat (« wire bonding »).
Le substrat support 1 comporte sur sa face opposée à sa face de montage supportant la puce, des billes de connexion 5 destinées à être soudées par exemple sur une carte de circuit imprimé (PCB : Printed Circuit Board).
Le boîtier BT comporte également un capot 2 recouvrant la puce 6 et fixé sur le substrat support 1 par l’intermédiaire par exemple d’une couche de colle 3.
Dans cet exemple, une couche d’un matériau d’interface thermique 8, connu par l’homme du métier sous l’acronyme anglosaxon TIM (« Thermal Interface Material ») est disposé entre la puce 6 et le capot 2.
Le capot 2 comporte une paroi latérale annulaire 20 fixée sur le substrat support 1 par l’intermédiaire de la couche de colle 3 et une paroi supérieure 21, en contact avec la couche de matériau d’interface thermique 8.
Le boîtier BT comporte également une paroi annulaire de raccordement 23 entre la paroi latérale annulaire 20 et la paroi supérieure 21.
Cette paroi de raccordement annulaire s’étend en retrait par rapport à la paroi latérale 20 et par rapport à la paroi supérieure de façon à ce que sa face externe 230 définisse un logement annulaire externe, ou échancrure, 231.
Cette source lumineuse calibrée 58 est une source lumineuse calibrée en intensité lumineuse et en longueur d’onde. Plus en détail, cette source lumineuse calibrée 58 peut comprendre une lampe à filament 66 équipée d’un dispositif, tel une carte, de régulation 68 de sa puissance lumineuse de sortie.
Avantageusement, une lampe à filament est moins dangereuse à manipuler qu’un émetteur de type corps noir qui chauffe beaucoup, et elle offre une plus grande surface d’émission que des sources de type LED laser qui nécessitent une mise en forme plus complexe de leur faisceau lumineux.
Par exemple, la lampe à filament 66 est une lampe à filament en tungstène.
La source lumineuse calibrée 58, via la lampe à filament 66, émet un rayonnement dont la température de couleur est de préférence égale à 2796 K avec un écart de plus ou moins 15 K, et donc sensiblement équivalente à celle du rayonnement d’un corps noir.
Par exemple, la puissance lumineuse de sortie de la source lumineuse calibrée 58 est régulée autour d’une valeur nominale avec un écart inférieur à 0,05% de cette valeur nominale.
La source lumineuse calibrée 58, via la lampe à filament 66, émet un rayonnement de référence dont la longueur d’onde est comprise entre 360 nm et 2500 nm, et dont le pic de rayonnement correspond sensiblement au spectre d’émission du rayonnement émis par le bain de fusion et qui doit être mesuré par le capteur de surveillance 38 pendant un cycle de fabrication, par exemple situé entre 1200 et 1700 nm.
Pour améliorer l’homogénéité du rayonnement de référence, la source lumineuse calibrée 58 peut être équipée d’au moins un diffuseur optique 70.
Dans l’exemple illustré en , le rayonnement de référence 72 émis par la lampe à filament 66 traverse un premier diffuseur 70, puis est réfléchi à 90° par un miroir 74 positionné à 45°, et enfin traverse un second diffuseur 70 qui est aussi l’élément optique de sortie 62 par lequel le rayonnement de référence 72 sort de la source lumineuse calibrée. Les deux diffuseurs 70 et le miroir 74 font partie de la source lumineuse calibrée 58.
Toujours pour améliorer l’homogénéité du rayonnement de référence, un collimateur (non représenté) peut être placé entre la lampe à filament 66 et le premier diffuseur 70.
La source lumineuse calibrée 58 utilisée dans la présente invention est une solution peu coûteuse et très compacte. De plus, cette source lumineuse calibrée 58 est un outil facilement transportable chez un client par exemple, et facile à mettre en œuvre.
Grâce à cette source lumineuse calibrée 58 indépendante de la machine et à son positionnement dans la machine obtenu avec le faisceau laser de pointage, la méthode de calibration selon l’invention est utilisable avec tout type de machine de fabrication additive utilisant un faisceau laser pour générer un bain de fusion et disposant d’un faisceau laser de pointage.
Selon un autre avantage, la méthode de calibration selon l’invention ne prévoit pas de réglage d’un système de surveillance d’un bain de fusion afin qu’il délivre une valeur mesurée identique à une valeur mesurée de référence lorsque le capteur de ce système de surveillance est exposé à un rayonnement de référence.
Selon l’invention, pour la calibration d’un capteur de surveillance 38 d’un bain de fusion appartenant à un système de surveillance d’un bain de fusion d’une machine 10 de fabrication additive, la méthode comprend au moins les étapes suivantes : - mesure et enregistrement de la valeur du signal transmis par le capteur de surveillance 38 lorsqu’il n’est pas exposé au rayonnement de référence 72, - exposition du capteur de surveillance au rayonnement de référence 72, - mesure et enregistrement de la valeur du signal transmis par ce capteur de surveillance lorsqu’il est exposé au rayonnement de référence, - calcul d’un coefficient de correction pour ce capteur de surveillance à partir d’une valeur de référence associée au rayonnement de référence et des valeurs du signal transmis par ce capteur de surveillance lorsqu’il n’est pas soumis au rayonnement de référence et lorsqu’il est soumis au rayonnement de référence, - enregistrement dans une table de correction du coefficient de correction propre à ce capteur de surveillance et de la valeur du signal transmis par le capteur de surveillance 38 lorsqu’il n’est pas exposé à un rayonnement de référence 72.
Par exemple, la valeur de référence associée au rayonnement de référence 72 est une valeur sans unité à la fois représentative de la puissance lumineuse de ce rayonnement de référence et de la température de couleur de ce rayonnement de référence.
Pour le calcul du coefficient de correction, il est considéré que le capteur de surveillance 38 transmet un signal relié par une fonction linéaire à la température de couleur du rayonnement auquel il est exposé, et que, lorsque le capteur de surveillance 38 est exposé à un rayonnement température de couleur donnée, le capteur de surveillance 38 délivre aussi un signal relié par une fonction linéaire à la puissance lumineuse de ce rayonnement.
De plus, le calcul du coefficient de correction prend aussi en considération un bruit de fond qui peut être mesuré par le capteur de surveillance lorsqu’il n’est pas exposé au rayonnement de référence.
Cette figure représente, dans un espace de résilience du type de celui de la , un état S R du réseau considéré comme un état de référence et un état S k dégradé de ce réseau. L’écart entre ces états S R et S k peut être qualifié de déviation D ; il est représenté par une flèche à trait plein sur la .
Un rôle des entités d’orchestration EO est de mettre en place une ou plusieurs actions d’orchestration pour compenser une telle déviation d’état D, de manière à ce que le réseau revienne ou tende à revenir de son état dégradé S k à son état de référence S R comme illustré par la flèche en traits pointillés sur la .
Par exemple, une entité d’orchestration comme le VIM, qui gère des machines virtuelles pourra observer que le niveau de CPU est insuffisant (état dégradé) et appliquer une action d’orchestration d’extensibilité verticale ou horizontale.
Dans le mode de réalisation décrit ici, chaque entité d’orchestration EO enregistre dans la mémoire tampon MT une indication IA k si elle a mis en œuvre une ou plusieurs actions d’orchestration A k pendant la fenêtre de temps T k . Sur la , on note : - IA k T-SDN une indication qu’une ou plusieurs actions ont été effectuées par le contrôleur T-SDN; - IA k I-SDN une indication qu’une ou plusieurs actions ont été effectuées par le contrôleur I-SDN ; - IA k NFVO une indication qu’une ou plusieurs actions ont été effectuées par l’orchestrateur NFVO ; - IA k VNFM une indication qu’une ou plusieurs actions ont été effectuées par le gestionnaire VNFM ; - IA k VIM une indication qu’une ou plusieurs actions ont été effectuées par le gestionnaire VIM pendant la fenêtre de temps T k .
Dans le mode de réalisation décrit ici, le système S comporte un dispositif TRM de gestion configuré pour obtenir à partir de la mémoire tampon MT : - les états S k ou S k(G,L) du réseau logiciel publiés par le module MOE d’obtention d’états du réseau pendant une fenêtre de temps T k ; et - les indications IA k que des actions ont été effectuées par les entités d’orchestration EO pendant cette fenêtre de temps T k .
Dans un mode particulier de réalisation de l’invention, lorsque le module TRM de gestion reçoit l’information selon laquelle le réseau logiciel est, dans une fenêtre de temps T k , dans un état dégradé S k et qu’il prend connaissance qu’une entité d’orchestration EO a effectué une action pendant cette fenêtre de temps T k , le module TRM envoie à cette entité d’orchestration EO une valeur de réputation r EO k inversement proportionnelle à la distance entre la représentation de l’état S R de référence la représentation de l’état dégradé S k dans l’espace de résilience de la .
Dans un mode particulier de réalisation de l’invention, le module TRM utilise un modèle de réputation tel que la valeur de réputation r EO k est difficile à gagner mais facile à perdre, pour décourager les actions d’orchestration A k des entités d’orchestration EO qui éloignent l’état du système de l’état de référence S R et qui aggravent les pannes en ayant un impact négatif sur le réseau. Ainsi, la réputation r EO k d’une entité d’orchestration EO qui éloigne l’état courant de l’état de référence S R , doit chuter brutalement, diminuer considérablement ou devenir relativement basse. Au contraire, lorsque une action d’orchestration A k rapproche l’état S k de l’état de référence S R ou le maintien autour de cet état de référence, l’entité d’orchestration EO à l’origine de cette action A k doit être récompensée par le dispositif de gestion TRM par une valeur de réputation r EO k en légère hausse, ou relativement élevée.
Dans un autre mode de réalisation décrit en référence à la , ladite valeur de réputation r EO k est augmentée ou diminuée selon que ledit état S k du réseau se rapproche ou s’éloigne dudit état de référence S R par rapport à un état S k-1 du réseau dans une fenêtre de temps T k-1 antérieure à ladite fenêtre de temps T k .
Par exemple, en notant ; - d k la distance entre l’état de référence S R ;et - r EO k la valeur de réputation calculée pour la fenêtre de temps T k ; on peut définir r EO k = r EO k-1 .d k-1 /d k .
Dans un autre mode de réalisation décrit en référence aux figures 6A à 6D, on considère deux types de transition entre des états du réseau logiciel, à savoir : - des transitions dites « spontanées » (référencées D ? ) lorsque le réseau subit une dégradation qui ne peut pas être attribuée à une entité d’orchestration EO, par exemple en raison d’une panne ou d’un mauvais usage d’un équipement. Le module TRM considère qu’une transition qui se produit dans une fenêtre de temps T k est spontanée si ce module TRM ne reçoit aucune indication IA k d’une action d’orchestration A k pour cette fenêtre de temps ; et - des transitions dites « non spontanées » (référencées D Ak ) dans lequel le réseau bascule d’un état S k-1 à un nouvel état S k en raison d’une action d’orchestration A k effectuée par une entité d’orchestration EO, cette action pouvant avoir un impact positif (S k se rapproche de l’état de référence S R par rapport à S k-1 ) ou négatif (S k s’éloigne de l’état de référence S R par rapport à S k-1 ) sur le réseau.
Dans ce mode de réalisation et comme représenté à la , on note : - D AkN la composante de D Ak selon l’axe des abscisses DN ; et - D AkP la composante de D Ak selon l’axe des ordonnées DP.
Dans la situation de la figure 6A, les composantes D AkN et D AkP sont positives. Dans le mode de réalisation décrit ici, le module TRM envoie à l’entité d’orchestration EO ayant effectué l’action A k une valeur de réputation r EO k négative et proportionnelle à D AkP et inversement proportionnelle à D ? , D ? désignant également la distance entre S R et S k-1 .
Dans la situation de la figure 6B, la composante D AkN est négative et la composante D AkP est positive. Dans le mode de réalisation décrit ici, le module TRM envoie à l’entité d’orchestration EO ayant effectué l’action A k une valeur de réputation r EO k négative et proportionnelle à D AkP /D ? .
Dans la situation de la figure 6C, la composante D AkN est positive et la composante D AkP est négative. Dans le mode de réalisation décrit ici, le module TRM envoie à l’entité d’orchestration EO ayant effectué l’action A k une valeur de réputation r EO k négative et proportionnelle à D AkN /D ? .
Dans la situation de la figure 6D, les composantes D AkN et D AkP sont négatives. Dans le mode de réalisation décrit ici, le module TRM envoie à l’entité d’orchestration EO ayant effectué l’action A k une valeur de réputation r EO k positive et proportionnelle à D AkP et inversement proportionnelle à D ?.
Comme représenté à la , dans le mode de réalisation décrit ici, les entités d’orchestration EO reçoivent les valeurs de réputation r EO k du module TRM. On note par exemple, r VIM k la valeur de réputation que le module TRM envoie au gestionnaire VIM.
Le dispositif de commande 126 est conçu pour déterminer des rapports cycliques a1, a2 pour respectivement les bras de commutation HV1, HV2 et de commander ces dernier à partir des rapports cycliques a1, a2 afin d’activer l’onduleur O1, ainsi que le convertisseur réseau 110.
Pour cela, le dispositif de commande 126 est tout d’abord conçu pour asservir la tension de sortie V48 à une référence V48*. En effet, en moyenne, les tensions VC1, VC2 sont égales à :
Ainsi, toujours en moyenne, la tension Vc est reliée à la tension réseau Vg par : où A est l’amplitude de la tension Vg.
Or, la tension V48 est sensiblement proportionnelle à la tension Vc : où k est une constante dépendant par exemple du type de dispositif de commutation de polarité utilisé.
Ainsi, le dispositif de commande 126 est conçu pour asservir la tension V48 en jouant sur la différence des rapports cycliques a1, a2 des bras de commutation HV1, HV2.