Transistor (400) à haute mobilité électronique comprenant : un empilement de couches comprenant une couche de passivation (401) et une hétérojonction comprenant une première couche semi-conductrice (402), une deuxième couche semi-conductrice (403) et un gaz bidimensionnel d’électrons (404) à leur interface, une surface de la couche de passivation (401) étant au contact de la première couche semi-conductrice (402) ; un contact métallique (405) de source et/ou un contact métallique de drain et une électrode de grille (406) ; une zone dopée n+ (407) située à l’intérieur de l’hétérojonction ; le contact métallique (405) de source et/ou le contact métallique de drain étant positionné au niveau d’un évidement formé dans l’empilement de couches, ledit contact métallique (405) de source et/ou ledit contact métallique de drain ayant une épaisseur définie par une face supérieure (405a) et une face inférieure (405b) sensiblement parallèles au plan de couches, la face supérieure (405a) étant plane, la face inférieure (405b) étant au contact de la zone dopée n+ (407) et au-dessous de l’interface entre la première couche semi-conductrice (401) et la deuxième couche semi-conductrice (402), ledit contact métallique (405) de source et/ou ledit contact métallique de drain possédant en outre une face latérale (405c), la zone dopée n+ s'étendant depuis la face latérale du contact métallique (405) de source et/ou depuis la surface latérale du contact métallique de drain vers l'électrode de grille (406) sur une longueur comprise entre 300 et 1000 nm. Transistor (400) selon la revendication 1 caractérisé en ce que la zone dopée n+ (407) est une zone implantée possédant un profil spatial de dopage de type gaussien selon la direction normale au plan des couches. Transistor (400) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la face inférieure (405b) du contact métallique (405) de source et/ou la face inférieure du contact métallique de drain est au-dessous du gaz bidimensionnel d’électrons. (403). Transistor (400) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la distance (Lgs) entre l’électrode de grille (406) et la zone dopée n+ (407) est comprise entre 200 nm et 400 nm. Transistor (400) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la zone dopée n+ (407) est dopée avec un dopant de type Si ou Ge avec une concentration supérieure ou égale à 10 20 cm -3 . Transistor (400) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la première couche semi-conductrice (402) comprend du AlGaN et la deuxième couche semi-conductrice (403) comprend du GaN. Procédé de fabrication (700) d’un transistor à effet de champ à haute mobilité d’électrons comprenant les étapes suivantes : fourniture (701) d’un substrat de transistor à haute mobilité d’électrons comprenant un empilement de couches comprenant une couche de passivation et une hétérojonction comprenant une première couche semi-conductrice, une deuxième couche semi-conductrice et un gaz bidimensionnel d’électrons à leur interface ; formation d’une zone dopée n+ (702) par implantation ionique à l’intérieur de l’hétérojonction et recuit (703) d’activation de la zone dopée n+ ; dépôt d’une couche diélectrique (704) au contact de la couche de passivation ; gravure (705) de l’empilement de couches et de la couche diélectrique pour former un évidement à l’aplomb et au contact de la zone dopée n+, ledit évidement étant configuré pour accueillir un contact métallique de source et/ou drain, la face inférieure de l’évidement se situant au-dessous de l’interface entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice ; dépôt d’une couche métallique (706) destinée à former le contact métallique de source et/ou le contact métallique de drain ; polissage mécano-chimique (707) de la couche métallique pour obtenir une surface supérieure du contact de source et/ou une surface supérieure du contact de drain planarisée ; définition et dépôt d’une électrode de grille (708), la zone dopée n+ s'étendant depuis une face latérale du contact métallique de source et/ou depuis une face latérale du contact métallique de drain vers l'électrode de grille sur une longueur comprise entre 300 et 1000 nm. Procédé de fabrication (700) selon la revendication précédente caractérisé en ce que l’étape de formation de la zone dopée n+ (702) comprend une implantation monoénergétique d’ions Si ou Ge, avec une énergie d’implantation comprise entre 60 keV et 80 keV. Procédé de fabrication (700) selon la revendication 7 ou la revendication 8 caractérisé en ce que le recuit (703) d’activation de la zone dopée n+ comprend un traitement thermique à 975°C pendant 10 heures, 1000 °C pendant trois heure ou à 1050 °C pendant une heure. Procédé de fabrication (700) selon l’une des revendications 7 à 9 caractérisé en ce qu’il comprend en outre une étape de photolithographie pour définir une zone d’implantation destinée à accueillir la zone dopée n+.