INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les transistors HEMT doivent présenter une résistance de source ou résistance d’accès R S la plus faible possible afin d’éviter une dégradation des performances intrinsèques du transistor, la résistance R S étant définie comme la résistance entre le métal de source et le pied de la grille en T. En effet, la résistance de source dégrade la transconductance intrinsèque, la fréquence de transition et la fréquence maximale d’oscillation des transistors.
Il est important de considérer que R S doit être minimale à la fois à la température ambiante et à la température de fonctionnement de l’accès du transistor. En puissance, un HEMT travaille à une température de jonction de 175°C à 225°C. Les zones d’accès sont donc à des températures supérieures à 100°C, par exemple à des températures comprises entre 100 et 150°C.
La résistance de source ou d’accès est la somme de plusieurs résistances dont les plus importantes sont : La résistance du contact ohmique : R c (T°) La résistance du gaz 2DEG : R 2DEG (T°) sur une longueur Lgs séparant le métal de source et le pied de grille. Cette résistance augmente d’un facteur environ 2.2 à 150°C.
Les techniques habituellement utilisées pour réduire la résistance de source sont les suivantes : améliorer la résistance de contact R c ; réduire la distance entre la grille et la source Lgs ; cette technique est limitée par la lithographie, les règles de dessin entre le contact de source et le pied de grille et par l’augmentation des capacités parasites grille-source Cpgs ; réduire la résistance de couche du 2DEG , R 2DEG ; cette technique est non seulement limitée par les caractéristiques de l’hétérojonction mais aussi et surtout par le fait que cette résistance augmente fortement avec la température à cause de la dégradation de la mobilité des électrons ; introduire une couche très fortement dopée entre le contact et le 2DEG (couche n+).
Un exemple de transistor HEMT avec une faible résistance d’accès est divulgué dans le document “GaN-on-Si mm-wave RF Devices Integrated in a 200mm CMOS Compatible 3-Level Cu BEOL” de B.Parvais et al., IEDM 2020. La montre une vue en coupe d’un tel dispositif selon l’état de l’art. Dans ce cas, l’accès du HEMT est un contact ohmique latéral ou « full recess » selon la terminologie anglaise. Cette approche permet un contact direct entre le 2DEG et le métal de contact ohmique à l’aide d’une gravure de la couche de passivation et de la barrière. Une telle gravure de la couche de passivation et de la couche barrière est également appelée recess.
Cette technique permet d’obtenir une bonne résistance de contact ohmique, de l’ordre de 0.3 Ohm.mm. Le métal du contact ohmique de l’accès est réalisé par dépôt et gravure et doit déborder de l’ouverture du contact. Comme le montre la , un tel contact ne permet pas de rapprocher suffisamment le contact ohmique du pied de la grille en T, avec une distance L gs de 0.64µm. De plus, cette approche présente une difficulté technologique au niveau de la gravure du métal ohmique. En effet le débordement excessif du métal ohmique du contact conduit à une capacité grille-source parasite C pgs . Cela entraine une dégradation importante de la fréquence de transition, avec une réduction autour de 25%. Cela empêche l’utilisation de ce dispositif dans le domaine milimétrique ou à haute fréquence.
Par ailleurs, la résistance du 2DEG est alors de l’ordre de 0.3 Ohm.mm à température ambiante et supérieure à 0.6 Ohm.mm à la température de fonctionnement, ce qui pénalise fortement la résistance d’accès de source pendant l’utilisation du dispositif.
Cette technologie n’est donc pas adaptée à la réalisation d’un accès de source très compact pour des composants haute fréquence.
Dans cette variante, le bloc de saisie de mode de fonctionnement 161 saisit le module émetteur 1210 pour que le module émetteur 1210 émette dans la plage fixée ou dans au moins un bit de la phase d’arbitrage 451 les signaux CAN_H, CAN_L sans l’état sic 403. En particulier, au moins un bit de la phase de l’arbitrage 451 est le bit AL1 de sorte qu’au moins pour les flans descendants des signaux CAN_H, CAN_L il n’y a pas d’émission pour le bit AL1 ou seulement un état raccourci (sic) 403.
Egalement, de cette manière, les blocs 1111, 1121 permettent de détecter une modification du comportement du Bus 40 par une manipulation comme cela a été décrit précédemment. Ainsi, avec au moins l’un des blocs 1113, 1123 on déclenche la réaction souhaitée comme cela a été décrit.
La montre un circuit de réception 150 de l’installation d’émission/réception 12 ou 12A, 12B, 12C, 12D selon un sixième exemple de réalisation. Le circuit récepteur 150 peut être utilisé à la place du circuit récepteur 15 de la dans le système de Bus 1 de la .
A la différence du premier exemple de réalisation, l’étage récepteur 153 de l’exemple de la a un premier diviseur de tension 1535, un second diviseur de tension 1536, une première unité de commutation Sw1, une seconde unité de commutation Sw2, une troisième unité de commutation Sw3 et une unité de réglage de mode de fonctionnement 1537. L’unité de réglage de mode de fonctionnement 1537 peut être égale au circuit de commande 158 des exemples de réalisation précédents. Le premier et le second diviseur de tension 1535, 1536 sont alimentés respectivement à la même tension par la source de tension de Bus 154 notamment une tension de 2,5V pour l’état récessif 402 ( ou ).
Le premier diviseur de tension 1535 et le second diviseur de tension 1536 sont des diviseurs de tension résistifs ou diviseurs de tension à résistances.
Le premier diviseur de tension 1535 a une première à septième résistance R_CH1_A jusqu’à R_CH_7_A pour le signal de Bus CAN_H. La première résistance R_CH_1_A est reliée par une extrémité à la ligne de Bus 41 (CANH). Par son autre extrémité, la première résistance R_CH1_A est branchée en série avec le montage en parallèle composé de la seconde résistance R_CH2_A et un montage en série de la troisième et de la quatrième résistance R_CH_3_A, R_CH4_A. La jonction des résistances R_CH3_A, R_CH4_A est reliée à l’extrémité de la cinquième résistance R_CH5_A. De plus, la quatrième résistance R_CH4_A est reliée par son autre extrémité à une extrémité de la sixième résistance R_CH6_A. Les résistances R_CH5_A, R_CH6_A sont reliées par leur autre extrémité à la septième résistance R_CH7_A. L’autre extrémité de la résistance R_CH7_A est reliée à la première unité de commutation Sw1. L’unité de commutation Sw1 est, de plus, reliée à la masse et ainsi au branchement 44.
Le diviseur de tension 1535 a une huitième à douzième résistance R_CL1_A jusqu’à R_CL5_A pour le signal de Bus CAN_L. La huitième résistance R_CL1_A est reliée par une extrémité à la ligne de Bus 42 (CANL). Son autre extrémité de la résistance R_CL1_A est branchée en série avec le montage en parallèle composé de la neuvième résistance R_CL2_A et le montage en série de la dixième et de la onzième résistances R_CL3_A, R_CL4_A. La jonction des résistances R_CL3_A, R_CL4_A est reliée à une extrémité de la douzième résistance R_CL5_A. De plus, les résistances R_CL2_A, R_CL4_A, R_CL5_A sont reliées respectivement à la jonction des résistances R_CH2_A, R_CH4_A, R_CH6_A.
La première entrée du premier comparateur 151 est reliée à la jonction entre la première et la seconde résistance R_CH1_A, R_CH2_A. La seconde entrée du premier comparateur 151 est reliée à la jonction entre la huitième et la neuvième résistances R_CL1_A, R_CL2_A.
Le chemin résistif est relié à la masse (borne 44) par la résistance R_CH7_A et règle le seuil de réception T1 de la . Pour pouvoir commuter sur le seuil de réception T3 selon le tableau 2 ci-dessus, la première unité de commutation Sw1 commande l’unité de réglage de mode de fonctionnement 1537 comme cela sera décrit plus précisément ci-après. Dans ce cas, le circuit logique 1222 est conçu pour qu’en phase d’arbitrage 451, les deux signaux de comparateur CA1, CA2 soient transmis au pilote 1221. En phase de données 452, seul le signal de comparateur CA1 est transmis au pilote 1221.
Le module récepteur 122 de la exploite les signaux CAN_H, CAN_L, toujours avec deux seuils de réception, simultanément, à savoir soit avec les seuils de réception T1, T2, soit avec les seuils de réception T1, T4 ou avec les seuils de réception T3, T2. Il est également possible d’avoir une exploitation simultanée avec les seuils de réception T1, T3 comme cela sera décrit ci-après, de manière plus précise. De plus, les deux seuils de réception exploités simultanément le sont indépendamment l’un de l’autre.
Le second diviseur de tension 1536 de la a entre une et sept résistances R_CL1_B jusqu’à R_CL7_B pour le signal de Bus CAN_H. La première résistance R_CL_1_B est reliée par une extrémité à la ligne de Bus 41 (CANL). L’autre extrémité de la première résistance R_CL1_B est branchée en série avec le montage en parallèle composé de la seconde résistance R_CL2_B et le montage en série de la troisième et de la quatrième résistances R_CL3_B, R_CL4_B. La jonction des résistances R_CL3_B, R_CL4_B est reliée à une extrémité de la cinquième résistance R_CL5_B. La quatrième résistance R_CL4_B est reliée par son autre extrémité à une première extrémité de la sixième résistance R_CL6_B. Les résistance R_CL5_B, R_CL6_B sont reliées par leur autre extrémité à une extrémité de la résistance R_CL7_B. L’autre extrémité de la résistance R_CL7_B est reliée à la seconde unité de commutation Sw2. Les unités de commutation Sw2 sont en outre reliées à la masse par la borne 44.
Le second diviseur de tension 1536 comprend de huit à quatorze résistances R_CH1_B jusqu’à R_CH7_B pour le signal de Bus CAN_L. La première résistance R_CH1_B est reliée par une extrémité à la ligne de bus 42 (CANH). Son autre extrémité de la première résistance R_CH1_B est branchée en série sur le montage en parallèle composé de la neuvième résistance R_CH2_B et d’un montage en série de la septième et de la onzième résistance R_CH3_B, R_CH_4B. La jonction des résistances R_CH3_B, R_CH4_B est reliée à une extrémité de la douzième résistance R_CH5_B. La jonction des résistances R_CH2_B, R_CH4_B est reliée à une extrémité de la troisième résistance R_CH6_B. De plus, les résistances R_CH5_B, R_CH6_B sont reliées par leur jonction à une extrémité de la résistance R_CH7_B. L’autre extrémité de la résistance R_CH7_B est reliée à la troisième unité de commutation Sw3. L’unité de commutation Sw3 est en outre reliée à la masse et ainsi à la borne 44.
La première entrée du second comparateur 152 est reliée à la jonction de la première et de la seconde résistance R_CH1_B, R_CH2_B. La seconde entrée du second comparateur 152 est reliée à la jonction entre la huitième et la neuvième résistances R_CL1_B, R_CL2_B.
Lorsque les unités de commutation Sw2, Sw3 sont commutées de façon correspondante, on aura les seuils de réception T2 ou T4 ou T3 de la pour le chemin résistif avec la résistance R_CL7_B vers la masse ou vers la borne 44 et le second chemin résistif avec la résistance R_CH7_B vers la masse ou vers la borne 44.
A titre d’exemple, si l’unité de commutation Sw2 est commutée pour que le chemin entre la résistance R_CL_7_B et la borne 44 soit conducteur et que l’unité de commutation Sw3 est commutée pour que le chemin de la résistance R_CH7_B vers la borne 44 ne soit pas conducteur, alors le seuil de réception T2 de la est réglé.
Si, dans cet exemple, l’unité de commutation Sw2 est commutée pour que le chemin de la résistance R_CL_7_B vers la borne 44 soit coupé, et que l’unité de commutation Sw3 est commutée pour que le chemin de la résistance R_CH7_B vers la borne 44 soit conducteur, alors on a réglé le seuil de réception T4 de la .
La illustre schématiquement le support du dispositif de la posé sur une grille au-dessus d’un brûleur.
La illustre schématiquement le corps du dispositif de la posé sur le support de la .
La illustre schématiquement le dispositif de la dans lequel l’organe de radiation a été fixé sur la paroi centrale du corps.
La illustre schématiquement le dispositif de la comprenant en outre un couvercle.
La illustre schématiquement le dispositif de la comprenant en outre une enveloppe périphérique.
La illustre schématiquement un mode de réalisation du procédé selon l’invention.
On a représenté sur les figures 2 et 3 deux exemples de dispositif 1 selon l’invention se distinguant essentiellement par des formes différentes de l'organe de radiation, comme cela sera expliqué ci-après.
Le dispositif 1 est adapté pour permettre la cuisson sur flammes 6 d’aliments, notamment sur brûleur 5 à gaz générant des flammes 6, comme illustré sur les figures 4 et 5.
Le dispositif 1 comprend un récipient 10 comportant un corps 110, une paroi centrale 120 et un déflecteur de chaleur 130 comme illustré sur les figures 2 et 3.
Corps 110
En référence aux figures 1 à 5, la paroi 110A du corps 110 présente une forme de couronne ouverte au niveau de sa partie supérieure de sorte à délimiter à la fois une cavité périphérique annulaire 111 et une cavité centrale 112 (figures 2 à 5). La cavité périphérique annulaire 111 délimite un espace interne débouchant au niveau d’une ouverture supérieure 111A et destiné à recevoir des aliments 2 (figures 2 à 5) pour permettre leur cuisson. A cette fin, le corps 110 peut être réalisé en tout matériau adapté à la cuisson d’aliments sur flammes 6, par exemple en acier, de préférence inoxydable, éventuellement recouvert d’un revêtement antiadhésif.
La cavité centrale 112 est délimitée par une portion 110A1 de forme tronconique de la paroi 110A du corps 110 et présente une extrémité supérieure obturée par la paroi centrale 120 et une extrémité inférieure débouchant sur une ouverture inférieure 112A. En variante, la cavité centrale 112 pourrait être de toute autre forme adaptée.
Paroi centrale 120
La paroi centrale 120 obture l’extrémité supérieure de la cavité centrale 112 afin d’empêcher les gaz nocifs générés par les flammes 6 d’atteindre les aliments 2 par la cavité centrale 112.
De préférence, la paroi centrale 120 est issue de même matière que le corps 110. De manière alternative, la paroi centrale 120 peut être rapportée sur l’extrémité supérieure de la cavité centrale 112, par exemple en étant soudée, vissée, rivetée, collée ou fixée par tout moyen adapté. Lorsqu’elle est rapportée, la paroi centrale 120 peut être réalisée dans la même matière que le corps 110 ou bien dans une autre matière résistante à la chaleur.
Déflecteur de chaleur 130
Le procédé comprend également, à l’issue de l’étape de fabrication d’une métallisation sous bille et du billage du dispositif DI ou des composants électroniques, une étape de report d’un premier composant électronique CE1 et d’un deuxième composant électronique CE2 sur la métallisation sous bille de sorte à obtenir une système comprenant un dispositif DI selon un premier aspect de l’invention, un premier composant électronique CE1 et un deuxième composant électronique CE2, le premier composant électronique CE1 et le deuxième composant électronique CE2 étant disposé sur la première surface S1 du dispositif DI et connectés électriquement l’un à l’autre au moyen de la piste conductrice PC du dispositif DI.
Batterie de stockage d’électricité et procédé de fabrication correspondant La présente invention concerne en général les batteries de stockage d’électricité.
Il est possible de prévoir qu’une telle batterie de stockage d’électricité comprend :
- une pluralité de modules, chaque module comprenant une pluralité de cellules de stockage d’électricité juxtaposées suivant une direction transversale ;
- une enveloppe délimitant intérieurement un volume de réception des modules ;
- des poutres solidaires de l’enveloppe et divisant le volume de réception en une pluralité de compartiments, chaque module étant reçus dans un des compartiments.
La demande déposée en France sous le N°2105349 propose de surmouler les cellules d’un même module à l’aide d’une couche de résine.
Une telle approche offre l’avantage qu’il est relativement facile de contrôler les dimensions du module en longueur, c’est-à-dire suivant la direction transversale, et en largeur, c’est-à-dire suivant la direction longitudinale. En effet, les tolérances de dimension cumulées de toutes les cellules d’un même module sont relativement importantes, et ceci peut être un problème pour insérer le module dans un compartiment de longueur déterminée. Avec le surmoulage, la tolérance de longueur est celle résultant de l’opération de moulage de la couche de résine. Les tolérances de dimension individuelles de chaque cellule n’ont pratiquement plus d’impact.
Par ailleurs, la couche de résine surmoulée peut avantageusement être utilisée pour organiser la circulation d’un fluide caloporteur au contact des cellules, notamment dans le cas où le fluide caloporteur est un liquide diélectrique circulant au contact direct des cellules.
Encore un autre avantage est qu’il est possible de remplacer une cellule défectueuse dans un module, de manière relativement aisée.
Toutefois, la résine adhère très bien aux cellules, ce qui rend le recyclage de celle-ci relativement difficile. Il faut d’abord débarrasser les cellules de la résine avant de les traiter.
Par ailleurs, le remplacement de la cellule défaillante dans un module demande d’abord de découper la couche de résine. Puis, après extraction de la cellule défaillante et remplacement par une cellule neuve, il est nécessaire d’effectuer un raccord dans la couche de résine, ce qui peut s’avérer délicat.
Dans ce contexte, l’invention vise à proposer une batterie de stockage d’électricité dans lequel le remplacement des cellules défectueuses est facilité, et qui reste de fabrication aisée.
A cette fin, l’invention porte sur une batterie de stockage d’électricité, la batterie comprenant : - une pluralité de modules, chaque module comprenant une pluralité de cellules de stockage d’électricité juxtaposées selon une direction transversale ;
- des poutres solidaires de l’enveloppe et divisant le volume de réception en une pluralité de compartiments chacun délimité par une surface interne, chaque module étant reçu dans un des compartiments ;
La paroi de déflexion peut être issue de matière du corps ou de la paroi centrale ou bien rapportée, par exemple soudée sous la paroi centrale.
La paroi de déflexion peut s’étendre parallèlement à l’axe longitudinal du récipient ou bien le long de la paroi du conduit central.
Dans une forme de réalisation, la hauteur sur laquelle s’étend la paroi de déflexion dans le conduit central est inférieure à la hauteur du conduit central ou de l’ordre de la hauteur du conduit central.
De préférence, la hauteur sur laquelle s’étend la paroi de déflexion dans le conduit central est comprise entre 80 et 100 % de la hauteur du conduit central afin de pouvoir poser le récipient à plat sur un support plan.
Avantageusement, le dispositif comprend en outre un organe de radiation fixé sur la paroi centrale, de préférence de manière amovible, de sorte à transmettre la chaleur reçue à travers la paroi centrale par radiation.
De préférence, l’organe de radiation présente une section dont les dimensions sont sensiblement les mêmes que les dimensions de la paroi centrale.
De préférence encore, l’organe de radiation présente une forme cylindrique.
Dans une autre forme de réalisation, l’organe de radiation pourrait présenter toute autre forme adaptée, par exemple la forme d’un disque s’étendant au moins en partie au-dessus de la cavité périphérique annulaire.
De manière avantageuse, le dispositif comprend un support adapté pour être placé au-dessus des flammes et configuré pour guider le flux de chaleur ascendant généré par lesdites flammes vers la cavité centrale et pour surélever le récipient afin de permettre au flux de chaleur dévié par le déflecteur de chaleur de circuler sous le corps.
Dans une forme de réalisation, le support comprend une portion centrale délimitant une ouverture centrale, ladite portion centrale permettant de guider la chaleur générée par le brûleur vers le conduit central à travers ladite ouverture centrale.
De préférence, la portion centrale présente une forme conique ou tronconique.
De préférence, le corps du récipient et le support présentent des formes complémentaires afin de reposer le récipient de manière stable sur le support tout en assurant une fonction de centrage du corps du récipient sur le support.
Dans une forme de réalisation préférée, le support comporte trois pieds s’étendant de la portion centrale et adaptés pour reposer sur une surface plane ou une grille de cuisson d’un brûleur.
Dans une forme de réalisation, le corps du récipient peut être fixé sur le support, de préférence de manière amovible.
Avantageusement, le dispositif comprend une enveloppe périphérique entourant le corps du récipient.
De préférence, l’enveloppe est de forme cylindrique de section circulaire.
Avantageusement, la surface interne de l’enveloppe est constituée d’un matériau réfléchissant, de préférence thermo-réflecteur tel que par exemple de l’aluminium, afin de conserver au maximum la chaleur à l’intérieur de l’enveloppe.
Avantageusement encore, la surface externe de l’enveloppe est constituée d’un matériau thermiquement isolant afin de conserver la chaleur au maximum à l’intérieur de l’enveloppe.
Dans une forme de réalisation, l’enveloppe est fixée, de préférence de manière amovible, à la surface externe du corps du récipient à une distance permettant à la chaleur de circuler tout en étant contenue entre l’enveloppe et la surface externe du corps.
Avantageusement, le bord supérieur libre de l’enveloppe périphérique est recourbé vers le récipient de sorte à guider la chaleur vers le récipient.
De manière préférée, le dispositif comprenant un support, l’enveloppe est configurée pour coopérer avec le support de manière à réaliser un auto-centrage de l’enveloppe lorsque l’enveloppe est placée sur le support.
Dans une forme de réalisation, l’enveloppe et le support présentent des formes complémentaires afin de reposer l’enveloppe périphérique sur le support tout en la bloquant en rotation et en permettant un auto-centrage. Une fonction principale de ces encoches est de permettre à l'enveloppe de descendre jusqu'à la base du support (i.e. de la grille sur laquelle est posé le support) afin de conserver un maximum de chaleur à l’intérieur de l’enveloppe.
Dans une forme de réalisation, le support comprenant des pieds, l’enveloppe comprend des encoches adaptées pour venir en contact des pieds de manière complémentaire tout en bloquant l’enveloppe en rotation sur le support tout en assurant une fonction de centrage de l’enveloppe périphérique.
Les encoches peuvent par exemple être de forme trapézoïdale en comprenant des parois de guidage de l’enveloppe sur les pieds afin de positionner l’enveloppe toujours dans la même position finale sur le support.
De manière préférée, le dispositif comprend un couvercle adapté pour coiffer le récipient afin de maintenir la chaleur à l’intérieur et ainsi cuire les aliments plus rapidement.
Dans une forme de réalisation, le couvercle comprend au moins un orifice d’évacuation des gaz de cuisson sous pression afin de sécuriser l’utilisation du dispositif lors des cuissons.
La illustre schématiquement un exemple de récipient du dispositif selon l’invention.
La est une vue en coupe d’une première forme de réalisation du dispositif selon l’invention.
La est une vue en coupe d’une deuxième forme de réalisation du dispositif selon l’invention.
La est une vue en coupe du dispositif de la placé sur un brûleur en fonctionnement.
Le déflecteur de chaleur 130 est monté dans la cavité centrale 112 et consiste dans cet exemple en une paroi de déflexion 131 cylindrique de section circulaire s’étendant depuis la paroi centrale 120 en direction de l’ouverture inférieure 112A de la cavité centrale 112. Dans cet exemple, la paroi de déflexion 131 s’étend verticalement (au sens des figures 4 et 5 qui correspondent à la position standard d’utilisation du récipient 10 sur un brûleur à gaz 5). Dans une autre forme de réalisation, la paroi de déflexion 131 pourrait être de forme différente, par exemple tronconique ou cylindrique de section carrée, ou composées de plusieurs éléments de type lamelles ou collerettes ou de tout autre élément adapté. Dans une autre forme de réalisation encore, le déflecteur de chaleur 130 pourrait comprendre plusieurs parois.