INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La paroi de déflexion 131 peut par exemple être fixée à la paroi centrale 120 par exemple par soudage ou tout moyen de fixation adapté. De manière alternative, la paroi de déflexion 131 pourrait être issue de matière du corps 110 du récipient 10.
Dans l’exemple illustré, la hauteur H1 sur laquelle s’étend la paroi de déflexion 131 dans la cavité centrale 112 est inférieure à la hauteur H2 de la cavité centrale 112, dans cet exemple non limitatif de l’ordre de 20 %, afin de protéger la paroi 110A du corps 110 tout en évitant à la paroi de déflexion 131 de s’étendre sous le corps 110 afin de permettre de poser le récipient 10 sur un support plan. On notera toutefois que la hauteur H1 de la paroi de déflexion 131 pourrait être tout aussi bien égale ou supérieure à la hauteur H2 de la cavité centrale 112 dans une autre forme de réalisation.
Organe de radiation 15
Dans cet exemple, le dispositif 1 comprend en outre un organe de radiation 15 fixé sur la paroi centrale 120 de manière amovible.
Dans une première forme de réalisation illustrée sur les figures 2 et 4, l’organe de radiation 15 présente la forme d’un cylindre de section circulaire fermée à une extrémité par laquelle l’organe de radiation 15 est fixé sur la paroi centrale 120. La forme cylindrique de l’organe de radiation 15 permet de transférer efficacement la chaleur provenant du brûleur à travers la paroi centrale 120 vers la cavité périphérique annulaire 111 contenant les aliments.
Dans une deuxième forme de réalisation illustrée sur les figures 3 et 5, l’organe de radiation 15 se présente sous la forme d’un disque s’étendant au moins en partie au-dessus de la cavité périphérique annulaire 111 afin de maintenir la chaleur dans la cavité périphérique annulaire 111 et améliorer ainsi l’efficacité de la cuisson des aliments 2.
De préférence, l’organe de radiation 15 est fixé de manière amovible sur la paroi centrale 120 afin de conserver un accès à la cavité périphérique annulaire 111 pour y déposer les aliments 2. De préférence encore, la paroi centrale 120 recouvre intégralement l’extrémité supérieure de la cavité centrale 112 et la fixation amovible comporte un système monté au moins en partie sur la face supérieure de la paroi centrale 120 et/ou sur l’organe de radiation 15. Un tel système de fixation peut par exemple consister en un crochet (ou tout autre moyen adapté).
En variante, l’organe de radiation 15 peut être pourvu d’un orifice, de préférence situé en son centre, et la paroi centrale 120 comprend également un orifice fileté de sorte à fixer ledit organe de radiation 15 sur la paroi centrale 120 à l’aide d’une vis tout en préservant l’étanchéité de la paroi centrale 120 (i.e. la paroi centrale 120 obture toujours intégralement l’extrémité supérieure de la cavité centrale 112 lorsque la vis est montée dans l’orifice fileté, la vis faisant alors partie intégrante de la paroi centrale 120) afin d’éviter aux gaz nocifs de traverser la paroi centrale 120.
Support 20
Dans les exemples des figures 2 à 5, le dispositif 1 comprend en outre un support 20 comportant une ouverture centrale 21 destinée à être positionnée au-dessus du brûleur 5 (comme illustré ) afin de guider la chaleur générée par le brûleur 5 vers la cavité centrale 112 du corps 110 du récipient 10 tout en évitant d’exposer le corps 110 du récipient 10 directement aux flammes 6 ou aux températures les plus élevées générées par le brûleur 5.
Le support 20 comprend une portion centrale 22 de forme conique formant un guide de chaleur en délimitant l’ouverture centrale 21. La portion centrale 22 présente dans cet exemple une forme conique mais pourrait présenter en variante toute autre forme adaptée.
Le support 20 comprend trois pieds 23 répartis équitablement autour de la portion centrale 22 (angle de 120° entre les axes de deux pieds adjacents). Les pieds 23 s’étendent horizontalement afin de pouvoir poser le support 20 sur une surface plane ou de type grille de gazinière. L’espace entre les pieds 23 permet à la chaleur, notamment déviée par le déflecteur de chaleur 130, de circuler jusque sous le corps 110 du récipient 10 afin de chauffer les aliments 2 à travers la paroi 110A du corps 110 par conduction.
Dans les exemples illustrés, chaque pied 23 présente une portion inférieure 23A plane pour faire reposer le support 20 de manière stable, une portion supérieure 23B sensiblement complémentaire de la couronne du corps 110 afin de bloquer le corps 110 en translation sur le support 20, et un rebord d’extrémité 23C permettant de reposer l’enveloppe périphérique 40 comme cela sera décrit ci-après.
La partie supérieure de la portion centrale 22 s’étend de préférence en partie dans l’espace interne 131A délimité par la paroi de déflexion 131 afin de guider la chaleur directement dans ledit espace interne 131A et non directement vers la paroi de la cavité centrale 112.
Le récipient 10 peut être posé sur le support 20 ou bien être fixé au support 20, de manière amovible ou non.
Selon une troisième modification de l’exemple de réalisation précédent, un signal sw-th2 fixe par l’unité de réglage de débit 1520, une valeur « basse » pour le seuil de réception T2 dans le comparateur 152 et un signal sw_th2, de valeur « haute », règle le seuil de réception T4 dans le comparateur 152. Le signal sw_th1 peut être modifié comme décrit ci-dessus.
La montre une installation d’émission/réception 12A selon un second exemple de réalisation. L’installation d’émission/réception 12A peut s’utiliser à la place d’une installation d’émission/réception 12 dans le système de Bus 1 de la .
L’installation d’émission/réception 12A a un module émetteur 1210 et un module récepteur 122. Le module émetteur 1210 est composé de quatre parties de la même manière que le module émetteur 121 du premier exemple de réalisation. Dans ces conditions, la suite de la description se limitera aux différences par rapport au premier exemple de réalisation.
A la différence du premier exemple de réalisation, le module émetteur 1210 génère les signaux CAN_H, CAN_L pour les deux phases de communication 451, 452 sur le Bus 40, comme cela sera décrit ci-après, à l’aide des figures 9 à 12. Ainsi l’installation d’émission/réception 12A est en phase d’arbitrage 451, dans un mode de fonctionnement SIC. En variante à cela, le module émetteur 1210 peut toutefois générer de temps en temps les signaux CAN_H, CAN_L pour les deux phases de communication 451, 452 sur le Bus 40 comme cela a été décrit ci-dessus à l’aide de la et de la . L’installation d’émission/réception 12A est en phase d’arbitrage 451 en mode de fonctionnement « bas » SLOW.
La montre un exemple d’une partie du signal d’émission numérique TxD que le module émetteur 121 reçoit en phase d’arbitrage 451 de l’installation de commande de communication 11 et génère, à partir de cela des signaux CA_H, CAN_L pour le Bus 40. En , le signal d’émission TxD varie d’un état LW (état bas) vers l’état haut HI et de nouveau un retour à l’état LW (état bas).
Dans le cas idéal, le signal de réception RxD est identique au signal d’émission TxD. Dans un tel cas idéal, il n’y a pas de retard d’émission/temps de parcours notamment par le Bus 40 et ainsi il n’y a pas d’éventuelle erreur de réception.
Comme le montre plus précisément la , le module émetteur 121 peut générer, avec le signal d’émission TxD de la dans les modes de fonctionnement CAN SIC ou CAN XL, les signaux CAN_H, CAN_L de la pour les brins de bus 41, 42. A la différence de la , pour les signaux de la , on a, en plus, un état 403 (sic). L’état 403 (sic) peut avoir une durée différente comme pour l’état 403_0 (sic) au passage de l’état 402 (rec) à l’état 401 (dom) et pour l’état 403_1 au passage de l’état 401 (dom) à l’état 402 (rec). L’état 403_0 (sic) est plus court dans le temps que l’état 403_1 (sic). Pour générer les signaux selon la , on commute le module d’émission 1210 en mode de fonctionnement sic (mode).
Le passage du bref état sic 403_0 n’est pas nécessaire selon la norme CiA610-3 pour CAN XL et l’état indépendant de la nature de l’implémentation. La durée de l’état « long » 403_1 (sic) pour CAN-SIC et aussi pour le mode de fonctionnement SIC pour CAN-XL est défini comme suit : t_sic 530ns en commençant par le flan montant du signal d’émission TxD de la .
Dans le « long » état 403-1 (sic), le module émetteur 1210 doit adapter l’impédance entre les brins de Bus 41 (CANH) et 42 (CANL) aussi bien que possible à la résistance caractéristique d’ondes Zw de la ligne de Bus utilisée. On a Zw=100Ohm ou 120Ohm. Cette adaptation évite les réflexions et permet ainsi de fonctionner à des débits de bits plus élevés. Pour simplifier, on évoquera ci-après, toujours l’état 403 (sic) ou l’état sic sécurité 403.
La montre un exemple d’une autre partie du signal d’émission numérique TxD que reçoit le module émetteur 1210 en phase de données 452 en provenance de l’installation de commande de communication 11 ( ) et génère avec ceux-ci les signaux CAN_H, CAN_L pour le Bus 40. A la , le signal d’émission TxD change plusieurs fois d’état HI (Haut) à éta bas LW (bas) et de nouveau dans l’état HI (haut) et ainsi de suite.
Comme le montre, plus précisément, la , le module émetteur 1210 génère pour le signal d’émission TxD de la , les signaux CAN_H, CAN_L, pour les brins de Bus 41, 42 de façon que se développe l’état L0 pour un état LW (bas=Low) et l’état L1 pour un état (haut) HI.
Il est possible d’utiliser pour les deux états de Bus L0, L1 au moins de temps en temps en l’absence d’état de bus dominant et récessif, mais, au lieu de cela, un premier état de Bus et un second état de Bus, qui fait fonctionner les deux Bus. Un exemple d’un tel système de Bus est un système de Bus CAN XL.
Le module récepteur 122 peut également recevoir les signaux selon la et la dans les deux phases de commutation différentes, à savoir le mode de fonctionnement SIC ou la phase d’arbitrage 451 et la phase de données 452. Pour cela, le module récepteur 122 commute les seuils de réception T1, T12, T3, T4 pour les différents modes de fonctionnement comme cela a été décrit à titre d’exemple.
L’unité de commande mode de fonctionnement 1537 commande ainsi le réglage des seuils de réception T1, T2, T3, T4 selon le mode de fonctionnement demandé à l’instant (SIC, FAST_TX, FAST_RX) de l’installation d’émission/réception 12A et/ou le mode de fonctionnement du second comparateur 152.
En plus, le module émetteur 1210 est conçu pour améliorer l’évaluation de la manipulation de réseau dans une zone fixée ou bit de la phase d’arbitrage 451 pour envoyer les signaux CAN_H, CAN_L sans état sic 403. Un premier exemple de la plage fixée est la plage après la fin de l’arbitrage a été terminé dans la phase d’arbitrage 451, la phase de données 452 n’étant toutefois pas terminée. Un second exemple de la plage fixée est un bit de la phase d’arbitrage 451, notamment le bit AL1 de la .
Dans un poste participant 10, l’installation de commande de communication 11, le contrôleur de protocole 111 et/ou l’horloge 113 garantissent que le poste participant 10 est l’unique émetteur du système de Bus 1. L’installation de commande de communication 11, notamment le contrôleur de protocole 111 et/ou l’horloge 113 vérifient ainsi si l’arbitrage en phase d’arbitrage 451 est terminé. De plus, on garantit que l’installation d’émission/réception 12A notamment le module émetteur 1210 sont en mode de fonctionnement SIC.
Les à illustre de manière schématique les étapes du troisième procédé selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique.
Un premier aspect de l’invention illustré à la concerne un dispositif électronique DI, par exemple intégré au sein d’un système SI selon l’invention, comprenant une première surface S1 et une deuxième surface S2 opposée à la première surface S1. Le dispositif DI selon l’invention est destiné à connecter un premier composant électronique CE1 situé sur la première surface S1 à un deuxième composant électronique CE2 également situé sur la première surface S1 au moyen d’au moins une piste conductrice PC de sorte à former un système SI selon l’invention. De plus, la piste conductrice PC comprend une pluralité de sections SE disposées les unes à la suite des autres de sorte à former la piste conductrice PC, chaque section SE étant constituée d’un matériau supraconducteur choisi de sorte à former avec la section SE qui la suit, si une telle section SE existe, et la section SE qui la précède, si une telle section SE existe, une interface de désadaptation acoustique IA ou interface Kapitza.
Dans un mode de réalisation illustré à la , la piste conductrice PC comprend une pluralité de premières sections SE1 dans un premier matériau supraconducteur et une pluralité de deuxièmes sections SE2 dans un deuxième matériau supraconducteur différent du premier matériau supraconducteur, la piste conductrice PC étant formée par une alternance de premières sections SE1 et de deuxièmes sections SE2. Dans un mode de réalisation, les matériaux formant les interfaces de Kapitza sont choisis de sorte que le ratio de la vitesse du son entre la vitesse du son la plus importante et la vitesse du son la plus faible est supérieur à 1.5, de préférence supérieur à 2. Dans un mode particulier de réalisation, le premier matériau est le niobium et le deuxième matériau est le nitrure de titane. De manière plus générale les couples de matériaux supraconducteurs peuvent être composés de nitrure de niobium et de nitrure de titane, de nitrure de niobium et de titanure de niobium, mais d’autres matériaux peuvent être utilisés (par exemple Nb3Ge, Nb3Sn, La3In, Mg2 ou bien encore YBaCuO).
Dans un mode de réalisation, la projection de la piste conductrice PC sur la première surface S1 du dispositif DI correspond à une droite. Dans un mode de réalisation alternatif, la projection de la piste conductrice PC sur la première surface S1 du dispositif DI correspond à un ensemble de lignes brisées, décrivant par exemple des serpentins ou zig-zags.
Dans un mode de réalisation, la piste conductrice PC est réalisée dans un plan (par opposition à l’utilisation de niveaux de routage décrite plus loin) parallèle à la première surface S1 et proche de cette dernière (on entend par un plan proche de la première surface S1 un plan plus proche de la première surface S1 que de la deuxième surface S2). Un tel mode de réalisation a pour avantage d’éloigner la piste conductrice PC du substrat sur lequel la piste conductrice PC est réalisée et donc de limiter les fuites thermiques. Dans un mode particulier de réalisation illustré à la , la piste conductrice est réalisée au niveau de la première surface S1.
Dans un autre mode de réalisation illustré à la (sur cette figure et les suivantes, les composants CE1, CE2 à relier ne sont plus représentés), la piste conductrice PC est recouverte d’une ou plusieurs couches de matériaux diélectriques, lesdites couches séparant la piste conductrice PC de la première surface S1. Bien entendu, dans ce cas, des ouvertures OU sont aménagées au-dessus de la piste conductrice PC pour permettre la reprise de contact via la surface S1, par exemple au moyen d’une métallisation sous bille (ou UBM pour Under Bump Metallisation en anglais) et d’une bille BI (cf. et ). La métallisation sous bille peut être en nitrure de titane ou bien encore comprendre une couche de titane, une couche de platine sur la couche de titane et une couche d’or sur la couche de platine (autrement dit, un empilement Ti/Pt/Au), de préférence comprendre une couche de titane, une couche de nitrure de tungstène sur la couche de titane et une couche d’or sur la couche de nitrure de tungstène (autrement dit, un empilement Ti/WN/Au – Cet empilement permet notamment d’obtenir une bonne adhérence). Les billes BI peuvent être en indium, en alliage à base d’indium ou encore en alliage étain-argent.
Dans un mode de réalisation illustré à la , le dispositif électronique DI comporte une alternance de deux couches diélectriques différentes : une première couche d’un premier matériau diélectrique avec un premier module de Young, dite couche molle CM, et une deuxième couche d’un deuxième matériau diélectrique avec un deuxième module de Young, supérieur au premier module de Young, dite couche dure CD. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de chaque couche diélectrique de cette alternance est comprise entre 10 nm et 2µm, de préférence comprise entre 50 nm et 600nm. De plus, la piste conductrice PC est formée dans une couche molle CM située proche de la première surface S1. La réalisation de la piste conductrice PC dans une couche molle CM permet de réduire encore les fuites thermiques, une interface supplémentaire de désadaptation acoustique se formant entre une partie au moins des sections SE1,SE2 formant la piste conductrice PC et la couche molle CM dans laquelle est réalisée la piste conductrice PC.
Dans un mode de réalisation alternatif aux précédents illustré à la , le dispositif électronique DI comprend une pluralité de niveaux de routage NR reliés entre eux par des vias VI, la piste conductrice PC étant formée sur une partie au moins de ces niveaux de routage NR et le matériau utilisé pour les sections SE d’un niveau de routage NR donné étant différent du matériau utilisé pour les sections SE du niveau de routage NR immédiatement au-dessus et au-dessous, chaque via VI étant fait dans l’un des matériaux du niveau de routage NR parmi les deux niveaux de routage NR qu’il relie. Dans l’exemple de la , deux niveaux de routage reliés par ce type de vias simplifiés ont été utilisés. Cependant, des vias VI standards aux dimensions plus faibles et/ou un plus grand nombre de niveaux de routage NR peuvent également être utilisés. Dans ce mode de réalisation, de préférence, le ratio largeur/épaisseur des vias VI est compris entre 3 et 5. Par exemple, pour une épaisseur (c’est-à-dire la hauteur des vias) comprise entre 50 et 600nm, la largeur des vias VI sera comprise entre 150 nm et 3 µm.
Dans un autre mode de réalisation alternatif illustré à la , le dispositif DI comprend une pluralité de niveaux de routage NR, les niveaux de routage NR étant connectés entre eux par des vias VI, la piste conductrice PC étant formée sur une partie au moins de ces niveaux de routage NR, la pluralité de premières sections SE1 formant une partie au moins des niveaux de routage NR de la pluralité de niveaux de routage, chaque deuxième section SE2 formant un via VI reliant une première section SE1 de la pluralité de premières sections SE1 d’un niveau de routage NR1 à une première section SE1 de la pluralité de premières sections SE1 d’un niveau de routage NR2 situé au-dessus ou au-dessous. Dans l’exemple de la , deux niveaux de routage NR1, NR2 reliés par des vias VI ont été utilisés. Cependant, un plus grand nombre de niveaux de routage NR1, NR2 peuvent également être utilisés. Ce mode de réalisation permet d’obtenir une meilleure densité d’interfaces, deux interfaces étant présentes au niveau de chaque via VI. Par ailleurs, un procédé damascène peut être utilisé pour réaliser les vias VI. Dans ce mode de réalisation, de préférence, le ratio largeur/épaisseur des vias VI est compris entre 0.5 et 2. Par exemple, pour une épaisseur (c’est-à-dire la hauteur des vias) comprise entre 50 et 600 nm, la largeur des vias VI sera comprise entre 25 nm et 1200 nm.
Dans un mode de réalisation illustré à la , lorsque des vias VI sont utilisés pour former la piste conductrice PC, ces derniers sont réalisés en nitrure de titane (TiN) ou en nitrure de tantale (TaN). De manière plus générale, les matériaux supraconducteurs utilisés pour la formation de la piste conductrice PC sont préférentiellement des matériaux compatibles avec des procédés d’intégration de type damascène, des procédés de gravure ou des procédés de polissage mécano-chimique.
Dans un mode de réalisation, le premier et le deuxième matériau supraconducteur sont choisis parmi les matériaux suivant : le Niobium (Nb), le Nitrure de Niobium (NbN), le Nitrure de Tantale (TaN), le Tantale (Ta), le Vanadium (V), l’Alumine de Niobium (Nb 3 Al), un alliage Titane-Niobium (NbTi) ou bien encore du Vanadium Silicium (V 3 Si), cette liste étant non exhaustive. Bien entendu, les matériaux sont choisis dans cette liste de sorte à pouvoir former une interface de Kapitza. Dans un mode de réalisation, les matériaux supraconducteurs ont une température critique supérieure à 2K, de préférence supérieure à 4K.
Dans un mode de réalisation, afin d’obtenir une interface de Kapitza de bonne qualité, les matériaux formant les interfaces de Kapitza sont choisis de sorte que le ratio de la vitesse du son dans les matériaux respectifs est supérieur à 1.5, de préférence supérieur à 2, ce ratio étant calculé en calculant le rapport entre la vitesse du son la plus grande et la vitesse du son la plus lente. De tels ratios pourront notamment être obtenus par des interfaces TiN/NbN (ratio égal à 1.6) ou bien encore TiN/Nb (ratio égal à 2.5).
Dans un mode de réalisation, le dispositif DI comporte une alternance de deux couches diélectriques différentes : une première couche d’un premier matériau diélectrique ayant un premier module de Young, dite couche mole CM, et une couche d’un deuxième matériau diélectrique ayant un deuxième module de Young supérieur au premier module de Young, dite couche dure CD. De plus, chaque niveau de routages NR1, NR2 est réalisée dans une couche dure CD, chaque via étant réalisé, au moins en partie, dans une couche mole CM.
Dans un mode de réalisation illustré à la , l’extrémité de chaque via VI s’étend dans une couche dure CD de sorte que les interfaces entre chaque via VI et les sections SE de la piste conductrice PC situées dans deux niveaux de routage NR1, NR2 qu’il relie sont formées dans une couche dure CD. Ainsi, dans ce mode de réalisation, les sections SE de la piste conductrice PC situées dans deux niveaux de routage NR1, NR2 sont encapsulée par la couche dure CD.
Dans un mode de réalisation alternatif illustré à la , chaque via VI est réalisé entièrement dans une couche molle CM et s’étend sur toute l’épaisseur de ladite couche molle CM. Autrement dit, les interfaces entre chaque via VI et les sections SE de la piste conductrice PC situées dans deux niveaux de routage NR1, NR2 qu’il relie sont situées au niveau de l’interface entre la couche molle CM dans laquelle est formé le via VI et les couches dures CD dans lesquelles sont formées les sections SE que relie le via VI. Ce mode de réalisation présente l’avantage d’être plus facile à mettre en œuvre que le mode de réalisation précédent.
Les compositions comparatives 13 à 19 et les compositions d’exemple A et B ont ensuite été évaluées pour évaluer la stabilité et les propriétés de revêtement de leurs compositions respectives. En particulier, un échantillon des compositions comparatives 13 à 19 et des compositions d’exemple A et B a été appliqué séparément sur des mèches de cheveux respectives dans une quantité de 2 grammes (g) de composition pour 10 g de cheveux. Les mèches de cheveux ont ensuite été combinées pour assurer une application uniforme de l’échantillon sur la mèche de cheveux. Les mèches de cheveux ont ensuite été rincées. Après séchage, les mèches de cheveux ont été évaluées afin de déterminer les propriétés de conditionnement des compositions comparatives 13 à 19 et des compositions d’exemple A et B.
La composition comparative 13 a produit un revêtement léger sur les cheveux, qui n’a pas persisté après le shampooing. La composition comparative 14 a fourni un revêtement lourd qui a alourdi les cheveux. Bien que la composition comparative 15 ait fourni un bon revêtement, le revêtement n’a pas tenu après le shampooing des cheveux. La composition comparative 16 a fourni un revêtement légèrement lourd qui était indésirable. La composition comparée 17 n’a pas formé d’émulsion. La composition comparative 18 a fourni un revêtement légèrement lourd qui était indésirable. La composition comparative 19 a fourni un revêtement léger indésirable.