INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
au moins un milieu physiologiquement acceptable, qui comprend de préférence au moins une phase aqueuse continue ou au moins une phase huileuse continue, plus préférentiellement au moins une phase aqueuse continue, 8 à 35% en poids par rapport au poids par rapport au poids total de la composition, de préférence 12 à 30% en poids, plus préférentiellement 15 à 25% en poids, de matières colorantes choisies parmi les pigments, et de préférence parmi les oxydes métalliques, et préférentiellement parmi les oxydes de fer, 5% à 25% en poids, de préférence 6% à 20% en poids, préférentiellement 7% à 18% en poids en matière sèche par rapport au poids total de la composition, d’une dispersion aqueuse de particules choisies parmi les dispersions aqueuses de polymère(s) filmogène(s) acryliques, en particulier de styrène-acrylique, les dispersions aqueuses de polymère(s) polyuréthane(s), en particulier de polyester-polyuréthane et leurs mélanges, au moins un polymère de cellulose, notamment l’hydroxyéthylcellulose, au moins une charge choisie parmi des particules de silicone, des particules de polyamide, des particules de (co)polymères acryliques, des particules de polyuréthane, des talcs et leurs mélanges, de préférence choisie parmi les particules de polyméthylsilsesquioxane, les particules d’élastomère d'organopolysiloxane enrobée de résine de silicone et les particules organosiliconées, de 0,01 à 5% en poids par rapport au poids total de la composition, de préférence allant de 0,1 à 3% en poids, de préférence allant de 0,5 à 2% en poids d’au moins un tensioactif, de préférence non ionique présentant une HLB à 25°C inférieure à 8, de préférence choisi parmi les alcools (poly)oxyalkylénés, de préférence oxyéthylénés et/ou oxypropylénés ayant de 1 à 15 unités éthylène glycol et/ou propylène glycol, de préférence les alcools gras éthoxylés en C8-24 notamment en C 16-24 , comme le stéaryl alcool éthoxylé comprenant 2 unités oxyéthylène (nom INCI : steareth-2), et au moins un agent dispersant polymérique qui comprend au moins une unité répétitive (T 1 ) et au moins une unité répétitive (T 2 ), lesdites unités répétitives ayant les formules respectives suivantes :
p est un nombre entier allant de 1 à 200, de préférence de 50 à 150 ; X est H ou un métal alcalin ou alcalino-terreux, et est notamment Na ou K ; ou X+ représente un ammonium quaternaire ; R a représente un groupe alkyle linéaire comprenant de 1 à 4, et préférentiellement 1 ou 2, atomes de carbone, de préférence un méthyle ; R et R’ sont identiques et représentent chacun un groupe alkyle linéaire comprenant de 1 à 5, et préférentiellement 1 ou 2, atomes de carbone, de préférence un méthyle ; et A répond à la formule (II) ou (III) suivante :
A 1 représente un radical –CH 2 CH 2 O- ; A 2 représente un radical -CH(CH 3 )-CH 2 -O- ; j et k, identiques ou différents, représentent indépendamment l’un de l’autre, un nombre entier allant de 0 à 50, de préférence de 0 à 25 ;
à condition que la somme j + k soit supérieure ou égale à 1, et de préférence supérieure ou égale à 50,
Applicateur selon l’invention Un applicateur particulièrement adapté pour appliquer la composition de revêtement et/ou soin des matières kératiniques selon l’invention va maintenant être décrit, en référence aux figures 1 à 6 :
la est une vue schématique de côté d’un applicateur selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
la est une vue schématique en coupe transversale d’un applicateur selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; et
les figures 3 à 6 sont des vues schématiques de côté d’applicateurs selon des troisième, quatrième, cinquième et sixième modes de réalisation de l’invention.
Un premier mode de réalisation 10A d’un d’applicateur selon l’invention est illustré sur la .
L’applicateur 10A comprend un organe de préhension 12 et un organe d’application 14 porté ou propre à être porté par l’organe de préhension 12.
Une telle pièce permet une excellente résistance à l’oxydation grâce à la présence du silicate d’ytterbium tout en permettant l’utilisation d’un substrat ayant du silicium libre.
La substitution d’une partie de l’ytterbium par du gadolinium dans la barrière environnementale conjointement à la présence de l’alumine permet à la barrière environnementale d’avoir une part de phase liquide lorsqu’elle est portée à une température supérieure à 1300°C.
La présence de cette phase liquide permet, au moment de la formation de la barrière environnementale par traitement thermique, d’atteindre une densification très importante, grâce à la phase liquide qui favorise le réarrangement granulaire. La grande densité de la barrière environnementale lui confère une excellente imperméabilité aux espèces oxydantes et corrosives, et permet une bonne protection du substrat.
De plus, lors de son utilisation, la présence de la phase liquide dans la barrière environnementale lui permet, si la température est supérieure à 1300°C, de réparer des endommagements de fissuration et d’assurer la relaxation des contraintes thermomécaniques qui apparaissent dans le domaine d’utilisation. Ces propriétés d’auto-cicatrisation de la barrière environnementale dans le domaine de fonctionnement permettent d’éviter la formation de fissure, et assurent donc une meilleure longévité à la pièce revêtue.
Dans un mode de réalisation, la pièce comprend en outre une couche d’accroche comprenant du silicium présente entre la surface du substrat et la barrière environnementale.
La couche d’accroche permet, d’une part d’améliorer l’accroche de la couche de silicate de terre rare et, d’autre part de former une couche de silice protectrice, dont la faible perméabilité à l’oxygène participe à la protection du CMC contre l’oxydation.
Dans un mode de réalisation, le substrat est une pièce en matériau composite dont la matrice comprend du carbure de silicium, voire un matériau composite dont le renfort fibreux et la matrice comprennent du carbure de silicium.
Dans un mode de réalisation, la barrière environnementale peut comprendre conjointement les composés Yb 2-2γ Gd 2γ SiO 5 , Yb 2-2γ Gd 2γ Si 2 O 7 , où γ est compris entre 0,05 et 0,15. La barrière environnementale comprend alors un monosilicate de terre rare et un disilicate de terre rare, ladite terre rare étant de l’ytterbium en partie substituée par du gadolinium.
Dans ce mode de réalisation, la composition de la barrière environnementale est choisie dans un domaine du diagramme ternaire Yb 2 O 3 -Al 2 O 3 -SiO 2 entre le monosilicate d’ytterbium, le disilicate d’ytterbium et les grenats d’ytterbium-aluminium, étant entendu qu’une partie de l’ytterbium est substituée par du gadolinium.
Le choix de la composition précise de la barrière environnementale dans ce domaine du diagramme ternaire, et notamment la teneur en alumine ainsi que le taux de substitution du gadolinium à la place de l’ytterbium permet de choisir précisément la quantité de phase liquide présente dans la barrière environnementale, ce qui confère à la barrière les propriétés d’auto-cicatrisation souhaitées.
Dans un autre mode de réalisation, la barrière environnementale ne comprend qu’un des composés choisi parmi Yb 2-2γ Gd 2γ SiO 5 , Yb 2-2γ Gd 2γ Si 2 O 7 , où γ est compris entre 0,05 et 0,15. Dans un mode de réalisation, les seules espèces de la couche de barrière environnementale comprenant une terre rare sont un disilicate d’ytterbium et un disilicate de gadolinium.
Par exemple, la couche de barrière environnementale peut avoir une composition se situant, dans le diagramme ternaire Yb 2 O 3 -Al 2 O 3 -SiO 2 , sur l’isoplèthe allant du disilicate d’ytterbium à la mullite, étant entendu qu’une partie de l’ytterbium est substituée par du gadolinium.
Sans vouloir être liés par la théorie, les inventeurs sont d’avis que le taux de substitution du gadolinium à la place de l’ytterbium permet de choisir précisément la quantité de phase liquide présente dans la barrière environnementale, ce qui confère à la barrière les propriétés d’auto-cicatrisation souhaitées.
Dans un mode de réalisation, la barrière environnementale présente un taux de densification supérieur ou égal à 98 %. Un tel taux peut avantageusement être atteint pour une barrière environnementale selon l’invention à des températures compatible d’un substrat comprenant du silicium libre.
Un tel taux de densification permet une barrière plus imperméable aux gaz que les barrières environnementales de l’art antérieur, et améliore donc le caractère protecteur de la barrière environnementale.
Des tranchées 60 sont formées entre chacune des smart LED, de façon à individualiser les smart LED entre elles. Ces tranchées 60 peuvent être formées par gravure à partir de la face 302. Les tranchées 60 sont réalisées sensiblement au droit des zones périphériques de chaque structure de transfert 50 1 , notamment au droit des éléments en saillie 41. Elles passent typiquement par le matériau d’encapsulation délimitant chaque groupe de LED 10 1 , 10 2 ,10 3 des smart LED 30 1 . Les tranchées 60 illustrées à la s’étendent principalement selon un plan yz. Elles sont suffisamment profondes pour isoler les parties à base de LED 10 1 , 10 2 ,10 3 des smart LED entre elles. Le fond 61 des tranchées 60 peut être situé dans la couche semiconductrice 22, au-dessus d’un plan de référence R comprenant la première face 301, comme illustré à la .
Selon un autre exemple illustré à la , le fond 61 des tranchées 60 peut être situé sous le plan de référence R. Dans ce cas, la largeur l 60 des tranchées 60 est inférieure à la largeur l 41 des éléments en saillie 41. Les tranchées 60 se prolongent ainsi selon z dans les éléments en saillie 41.
Les smart LED sont ainsi partiellement ou totalement séparées les unes des autres et reliés aux éléments en saillie 41. La présente une pluralité de smart LED séparées les unes des autres, en vue de dessus. La couche semi conductrice 22 peut former un pourtour aux LED 10 1 , 10 2 ,10 3 , en projection dans le plan xy. Dans l’exemple illustré à la , quatre éléments en saillie 41 sont représentés pour chacune des smart LED. Ces éléments en saillie 41 sont répartis symétriquement sur chacun des quatre côtés d’une smart LED. Un élément en saillie 41 donné est de préférence partagé par deux smart LED adjacentes. Selon une possibilité non illustrée, les éléments en saillie 41 peuvent être situés au niveau des coins des smart LED. Dans ce cas un élément en saillie 41 est partagé par quatre smart LED adjacentes.
La est une vue en coupe selon le plan B–B représenté à la . Des tranchées 60 s’étendant principalement selon un plan xz sont également formées pour séparer les smart LED entre elles.
Comme illustré à la , un dispositif de transfert 70, par exemple un tampon élastomère, est mis en contact des faces 302 des smart LED. Ce dispositif de transfert 70 vient typiquement en appui vertical sur les faces 302.
Comme illustré à la , le dispositif de transfert 70 est ensuite retiré en maintenant les smart LED 30 1 . La force exercée par le dispositif de transfert 70 permet de désolidariser le support 40 1 des smart LED 30 1 . La faible surface d’appui entre les éléments en saillie 41 et les smart LED 30 1 facilite la désolidarisation du support 40 1 . La force de collage entre le dispositif de transfert 70 et la face 302 d’une smart LED est de préférence supérieure à la force de retenue entre les éléments en saillie 41 et ladite smart LED 30 1 . Le dispositif de transfert 70 peut également exercer une force mécanique dirigée vers le support et/ou parallèlement au support de façon à rompre par pression et/ou cisaillement les éléments en saillie 41.
Comme illustré aux figures 1L et 1M, les smart LED 30 1 sont ensuite amenées par le dispositif de transfert 70 en regard du substrat receveur 2. Les smart LED 30 1 sont alors assemblées au substrat receveur 2, puis le dispositif de transfert 70 est retiré. Ce premier mode de réalisation de l’invention permet de transférer efficacement des smart LED 30 1 depuis un substrat de croissance 1 vers un substrat receveur 2.
Selon une possibilité, les smart LED 30 1 sont prises une par une par le dispositif de transfert 70. Selon une possibilité, le dispositif de transfert 70 permet de modifier un écartement ou une distance de séparation entre les smart LED 30 1 lors du transfert, après désolidarisation du support 40 1 et avant report sur le substrat receveur 2. La densité surfacique des smart LED 30 1 peut ainsi varier entre le support 40 1 et le substrat receveur 2. Le substrat receveur 2 peut comprendre des structures d’accueil 200 pour les smart LED 30 1 , telles que des plots de contact. Selon une possibilité, le substrat receveur 2 peut être un substrat écran comprenant des pistes électriques et des plots de contact associés.
D’autres modes de réalisation de l’invention sont envisageables. Dans la suite, seules les caractéristiques distinctives des autres modes de réalisation vis-à-vis du premier mode de réalisation sont décrites. Les autres caractéristiques non décrites sont réputées identiques à celles du premier mode de réalisation.
Les figures 2A à 2M illustrent un deuxième mode de réalisation permettant de transférer des dispositifs optoélectroniques depuis un substrat de croissance vers un substrat receveur.
Comme illustré à la , un substrat de croissance 1 portant des LED 10 1 , 10 2 , 10 3 et des contacts 10 4 est fourni comme précédemment. Dans cet exemple, la partie d’interconnexions électriques 20 comprend des vias 20 4 . Ces vias sont plus communément appelés TSV (acronyme de « Through Silicon Vias »). Les vias ou TSV sont typiquement conducteurs électriques. Ces vias 20 4 traversent la couche semiconductrice 22. Les vias 20 4 sont typiquement associés aux plots de contact 20 1 . La partie d’interconnexions électriques 20 peut éventuellement comprendre d’autres éléments tels que les µIC vus précédemment. La partie 20 d’interconnexions électriques est portée par la couche de support 21, comme précédemment.
Comme illustré à la , après alignement, les LED 10 1 , 10 2 , 10 3 sont assemblées avec les interconnexions électriques, par hybridation entre les plots de contact 10 4 , 20 1 respectifs.
À ce stade, une pluralité de dispositifs 30 2 est formée. Ces dispositifs 30 2 sont intercalés entre le substrat de croissance 1 et la couche de support 21. Chaque dispositif 30 2 comprend un groupe de LED 10 1 , 10 2 , 10 3 et une partie d’interconnexions électriques.
Dans ce mode de réalisation, comme illustré à la , les éléments en saillie 41 sont formés à partir de la couche de support 21. Dans cet exemple, une gravure de la couche de support 21 configurée pour s’arrêter sur la couche semiconductrice 22 permet typiquement de former les éléments en saillie 41 au niveau des zones périphériques 301p. Les éléments en saillie 41 peuvent dès lors présenter une forme trapézoïdale ou tronconique, comme illustré à la . Contrairement au premier mode de réalisation, le sommet 411 des éléments en saillie 41 est ici plus large que la base 412 des éléments en saillie 41.
Comme illustré à la , des plots de contact 20 3 peuvent être formés sur les premières faces 301 des dispositifs au niveau des vias 20 4 , entre les éléments en saillie 41.
Comme illustré à la , un substrat plan 44 est ensuite assemblé aux éléments en saillie 41 de façon à former la partie de base 42 du support 40 2 . Dans ce mode de réalisation, la partie de base 42 et les éléments en saillie 41 sont donc formés séparément, puis assemblés. Une structure de transfert 50 2 est ainsi obtenue.
La face concave 23 d’un aimant permanent 22 du rotor comporte une portion concave 24.
La largeur l de la portion concave 24, mesurée perpendiculairement à un rayon du rotor, en section, est de l’ordre de 9 mm, dans l’exemple décrit.
La largeur L d’un aimant permanent 22 du rotor mesuré perpendiculairement à l’axe de rotation, en section, est de l’ordre de 19 mm.
La plus grande profondeur p de la concavité de la portion concave, mesurée selon un rayon du rotor, en section, est de l’ordre de 0,5 mm.
La plus grande profondeur de la concavité de la portion concave, mesurée selon un rayon du rotor, est dans l’exemple décrit située au milieu de la face concave de l’aimant permanent correspondant. L’aimant permanent est symétrique par rapport à un plan P le coupant en son milieu, ce plan passant par l’axe de rotation de la machine et un rayon du rotor.
La portion concave 24 est dans l’exemple décrit en section une portion de cercle, de rayon R de l’ordre de 20 mm.
La portion concave 24 de la face concave 23 est disposée entre deux portions latérales planes 26.
La largeur e d’une portion latérale plane mesurée perpendiculairement à un rayon du rotor, en section, est de l’ordre de 2 mm.
La portion concave constitue dans l’exemple décrit environ 75 % de la largeur totale de l’aimant correspondant.
Les aimants permanents du rotor présentent, lorsque la machine est observée selon l’axe de rotation, une section transversale de forme générale rectangulaire, de grand côté orienté perpendiculairement à un rayon de la machine.
Les aimants permanents 22 du rotor ont une épaisseur h , mesurée selon un rayon du rotor, en section, de l’ordre de 3 mm.
Un ratio p / h entre la plus grande profondeur p de la concavité de la portion concave, mesurée selon un rayon du rotor, et l’épaisseur h de l’aimant permanent 22 est de l’ordre de 0,2.
Le rotor et le stator ménagent entre eux un entrefer 30. L’entrefer a une largeur, mesurée selon un rayon de la machine, en section, de l’ordre de 0,9 mm. La largeur d 0 de l’entrefer, mesurée selon un rayon passant par le milieu d’un aimant 22, en section, est de l’ordre de 1,5 mm.
L’alésage du rotor, qui correspond au diamètre extérieur du rotor, est de l’ordre de 50 mm.
Les aimants permanents 22 du rotor comportent une face de fixation 28 opposée à la face concave 23 dirigée vers le stator, qui est dans l’exemple décrit de forme plane. La face plane est orientée perpendiculairement au rayon passant par l’axe de rotation et coupant l’aimant correspondant 22 à mi-longueur.
Les aimants permanents 22 sont fixés à la masse rotorique 25 par collage dans un logement 29 prévu à cet effet à la surface de celle-ci. Le logement 29 a une surface plane correspondant à la forme de la face de fixation des aimants.
Ainsi, au début de la deuxième période temporelle T 2 , le courant I(t) présente un maximum noté P qui correspond au premier pic de I(t). En ce point P, c’est la réaction 2 qui est majoritaire et qui est une image du H 2 O 2 accumulé pendant la première période temporelle T 1 .
Le traitement de I(t) comprend donc l’obtention de cette première valeur P=I(t1) avec t1 qui est quasiment l’instant où la deuxième période temporelle T 2 démarre (étape E41). P est en théorie la valeur maximale de I(t) mais des singularités peuvent être aussi détectées de sorte qu’il s’agit bien du premier pic car la courbe de I(t) peut présenter d’autres valeurs d’amplitude supérieures à celle du premier pic.
Comme visible sur la , après P, la courbe I(t) diminue jusqu’à arriver à un plateau et devient stable. On entend par courbe stable une courbe qui présente une décroissance (valeur absolue de la pente) inférieure à 5%.
Pendant la première phase de décroissance forte (dans une plage à partir de P), I(t) traduit majoritairement la fin de la consommation de H 2 O 2 accumulé pendant la première période T 1 avec en simultané, la réaction 3 qui démarre. Dès lors pendant cette première phase de décroissance, deux phénomènes coexistent l’un étant majoritaire sur l’autre à savoir la fin de la consommation de . Cette quantité qui est consommé permet d’obtenir une information supplémentaire de la quantité de accumulée pendant la première période temporelle T 1 .
L’idée ici est donc de détecter la fin de la consommation de accumulé au cours de la première période temporelle T 1 . A ce titre, une deuxième valeur F=I(t2) est détectée. Cette valeur F correspond à un point de I(t) lorsque la courbe I(t) rentre dans une deuxième phase de décroissance très faible par rapport la première phase de décroissance démarrant à P, par exemple inférieure à 20% (étape E42).
Entre P inclus et F inclus on peut donc considérer que l’on obtient une information fiable de la quantité d’analyte mise en réaction pendant la première réaction 1 qui n’est pas bruitée par la réaction 3 qui a démarré : la quantité de accumulé pendant la première période T 1 est en grand majorité consommé entre ces points P inclus et F inclus.
On relève que les réactions 2 et 3 coexistent pendant toute la deuxième période temporelle T 2 mais se succèdent pour être majoritaire à tour de rôle. La réaction 3 correspond à la consommation au cours de la deuxième période temporelle T 2 du généré instantanément par la GOx.
Après le point F, c’est la réaction 3 qui prédomine de sorte que I(t) est la quantité d’électrons produite en temps réel par la réaction 3 et qui est représentative de la quantité de glucose mise en réaction selon cette réaction 3.
C’est lorsque I(t) devient constante qu’elle représente la réaction 3 qui est caractéristique d’une valeur de la quantité de glucose mise en réaction instantanément à un instant donné et est représentative de la méthode chrono-ampérométrique connue.
Ainsi, le traitement de I(t) comprend l’obtention d’une troisième valeur D=I(t3) qui correspond à une valeur stabilisée de I(t) (étape E43).
Donc l’intensité I(t) entre P et F témoigne du passé c’est-à-dire de la quantité de accumulée pendant la première période T 1 , tandis que l’intensité I(t) entre F et D représente majoritairement le présent et D témoignant de l’image réelle du présent.
Pour être certain d’avoir I(t) stabilisé il convient de fixer la deuxième période temporelle T 2 , convenablement comme on va le voir plus loin. En théorie la deuxième période temporelle T 2 est fixée pour que le point D soit le dernier point mesuré de I(t).
En effet, comme on peut le voir sur la courbe de la , c’est à l’instant tx que I(t) devient stable (c’est-à-dire quasi constante) de sorte que la valeur D varie dans une plage notée x sur la , la deuxième période temporelle T 2 peut donc être optimisée. A noter que sans optimisation, on fixe cette deuxième période temporelle T 2 de manière suffisamment longue pour que la courbe I(t) se stabilise au cours de cette deuxième période temporelle T 2 .
De manière complémentaire, le procédé comprend une étape d’obtention du glucose à partir de la courbe I(t) dans la plage entre P et F ou dans la plage entre F et D (étape E5) selon des correspondances bien connues tenant compte de calibration potentielle.
En effet, si on prend toute la courbe dans l’intégralité de la deuxième période temporelle T 2 : on perd en précision puisqu’on mélange deux informations différentes, celle entre P et F (passé) puis celle entre F et D (présent) comme expliqué ci-dessus.
Dans la zone entre P inclus et F inclus on a l’image du passé représentative majoritairement de l’accumulation de . Cette accumulation a donc le même effet qu’une loupe puisqu’elle somme l’ensemble des valeurs accumulées. Par exemple, on mesure l’équivalent de 100 valeurs accumulées au lieu d’une en instantanée (effet loupe).
L’unité de contrôle 31 correspond par exemple à un dispositif embarqué dans le véhicule 10, par exemple un calculateur.
L’unité de contrôle 31 est par exemple configuré pour la mise en œuvre de tout ou partie des opérations décrites regard des figures 6, 7 et 8 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’une telle unité de contrôle 31 comprennent, sans y être limités, un équipement électronique embarqué tel qu’un ordinateur de bord d’un véhicule, un calculateur électronique tel qu’une UCE (« Unité de Commande Electronique »). Les éléments de l’unité de contrôle 31, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. L’unité de contrôle 31peut être réalisée sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.