REVENDICATIONS 1. Microstructure comportant sur un substrat (6) au moins un 'élément sensible (1) relié à au moins un plot de contact (3) par une connexion électrique (2) et protégé par un capot (5), caractérisée en ce que l'élément sensible (1), la connexion électrique (2) et le plot de contact (3) forment un ensemble (10) délimité par au moins une tranchée (11), cet ensemble (10) étant recouvert par le capot (5), ledit capot comportant au moins une ouverture (12) au-dessus du plot de contact (3) et étant solidaire d'une part du plot de contact (3) à la périphérie de l'ouverture (12) et d'autre part d'une zone (9) située au-delà de la tranchée (11) par rapport à l'ensemble (10). 2. Microstructure selon la revendication 1, caractérisé en ce que le capot (5) est scellé de façon étanche de manière à définir une cavité (15) étanche dans laquelle se trouve l'élément sensible (1). 3. Microstructure selon la revendication 2, caractérisée en ce que le capot (5) comporte au moins un orif ice (13) apte à être obturé par un bouchon (14) de manière à pouvoir contrôler l'atmosphère de cette cavité (15) . 4. Microstructure selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la connexion électrique (2), le plot de contact (3) et l'élément sensible (1) sont réalisés dans un même matériau. 5. Microstructure selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le capot (5) est réalisé en matériau diélectrique. 6. Microstructure selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le capot (5) est réalisé en matériau semi-conducteur ou conducteur. 7. Microstructure selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'ensemble (10) et le capot (5) sont réalisés en un même matériau conducteur ou semiconducteur. 8. Microstructure selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisée en ce qu'une couche diélectrique (22) isole le capot (5) du plot de contact (3) . 9. Microstructure selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisée en ce qu'une couche diélectrique (22) isole le capot (5) de la zone (9) . 10. Microstructure selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisée en ce que le plot de contact (3) est recouvert d'une plage conductrice (4) au niveau de l'ouverture (12). 11. Microstructure selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisée en ce que le capot (5) comporte au moins un pilier (16) venant en appui sur une zone (17) de l'élément sensible (1). 12. Microstructure selon la revendication 11, caractérisée en ce que la zone (17) de l'élément sensible est solidaire du substrat (6). 13. Microstructure selon l'une des revendications 11 ou 12, caractérisée en ce que lorsque le capot (5) est réalisé en matériau conducteur ou semi-conducteur, il comporte au moins un pilier (16) qui prend appui sur une zone (17) de l'élément sensible (1), le capot (5) et le pilier (16) contribuant à réaliser une connexion électrique de la zone. 14. Microstructure selon l'une des revendications 11 ou 12, caractérisée en ce que lorsque le capot (5) est réalisé en matériau conducteur ou semi-conducteur, le pilier (16) est isolé électriquement de l'élément sensible (1). 15. Procédé de fabrication d'une microstructure comportant sur un substrat (6) au moins un élément sensible (1) relié à au moins un plot de contact (3) par une connexion électrique (2), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : réalisation sur le substrat (6) d'une première couche (20) visant à former l'élément sensible (1) , la connexion électrique (2) et le plot de contact (3) , gravure de la première couche (20) au contour de l'élément sensible (1), de la connexion électrique (2) et du plot de contact (3) de manière à ce qu'ils forment un ensemble (10) délimité par au moins une tranchée (11), réalisation au-dessus de la première couche (20) gravée d'une couche sacrificielle (23) et mise en forme pour former une empreinte d'un capot (5) à déposer ultérieurement, réalisation sur l'empreinte d'une seconde couche (24) visant à former le capot (5) et mise en forme de la seconde couche (24) en gravant au moins une ouverture (12) au-dessus du plot de contact (3), au moins un orifice (13) par lequel est éliminée la couche sacrificielle (23), rendant le capot (5) solidaire d'une part du plot de contact (3) à la périphérie de l'ouverture (12) et d'autre part d'une zone (9) située au-delà de la tranchée (11) par rapport à l'ensemble (10) . 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'élimination de la couche sacrificielle (23) libère une cavité étanche (15) définie par le capot (5), il comporte une étape de réalisation d'un bouchon (14) dans l'orifice (13) après contrôle de l'atmosphère se trouvant dans la cavité (15) . 17. Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16, caractérisé en ce qu'il comporte, avant l'étape de gravure de la première couche (20), une étape de dépôt d'une couche diélectrique (22) sur le plot de contact (3) pour isoler le capot (5) du plot de contact (3) autour de l'ouverture (12) lorsque le capot (5) est réalisé en matériau conducteur ou semiconducteur. 18. Procédé selon l'une des revendications 15 à 16, caractérisé en ce qu'il comporte, avant l'étape de gravure de la première couche (20), une étape de dépôt d'une couche diélectrique (22) sur la zone (9) pour isoler le capot (5) de la zone (9) lorsque le capot (5) est réalisé en matériau conducteur ou semi-conducteur. 19. Procédé selon l'une des revendications 15 à 18, caractérisé en ce qu' il comporte une étape de dépôt d'un matériau conducteur (4) au sommet du plot de contact (3) au niveau de l' ouverture (12). 20. Procédé selon l'une des revendications 5 à 19, caractérisé en ce que l'étape de mise en forme de la couche sacrificielle (23) prévoit la gravure d'au moins un puits (25) visant réaliser un moule pour un pilier (16) du capot (5) le reliant à l'élément sensible (1) . 21. Procédé selon la revendication 20 reliée à la revendication 18, caractérisé en ce que lorsque le capot (5) comporte au moins un pilier d'appui (16) sur une zone (17) de l'élément sensible (1) et que le capot (5) est conducteur ou semiconducteur, la couche diélectrique (22) est aussi déposée au niveau de la zone (17) de l'élément sensible (1) .