REVENDICATIONS 1. Tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique, par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 2. Tête magnétique intégrée selon la revendication 1, dans laquelle les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles (P1, P2) de la stucture en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 3. Tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, cette structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires étant contenues, dans le sens transversal par rapport à la structure, entre deux plans parallèles (P1, P2) de la structure en couche mince, cette tête magnétique étant caractérisée en ce qu'elle comprend, au moins dans cette tranche, entre les deux plans parallèles, de part et d'autre des pièces polaires séparées par l'entrefer, un premier matériau (70) résistant à l'usure, afin de renforcer la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture. 4. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'entrefer est un entrefer azimuté (68). 5. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre deux couches (43,54) d'un deuxième matériau résistant à l'usure, les deux couches encadrant la structure en couche mince, pour renforcer davantage la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture. 6. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant également un élément (98) en forme de couche contenant des circuits complémentaires de la tête magnétique, entre la structure en couche mince et l'une (54) des deux couches du deuxième matériau résistant à l'usure. 7. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequelle le premier matériau (70) résistant à l'usure est choisi parmi A1203 et Si02. 8. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le deuxième matériau résistant à l'usure est choisi parmi A1203-SiC, Al2O3-TiC, CaTi03, Zr02, le saphir, SiC, Si3N4. 9. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant une couche principale (70) qui encadre la partie active de la tête magnétique, deux couches intermédiaires (60, 98) encadrant cette couche principale (70) et deux couches auxiliaires (43,54) qui sont faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau de la couche principale (70) et qui encadrent les deux couches intermédiaires (60, 98), ces couches intermédiaires (60, 98) étant faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau des couches auxiliaires (43,54), de manière à former une structure ayant une forme apte à permettre un bon contact de la tête avec un support d'enregistrement magnétique pendant toute la durée de vie de cette tête. 10. Procédé de fabrication d'une tête magnétique intégrée, dans lequel on forme une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique, par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles (P1, P2) de la stucture en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 12. Procédé de fabrication d'au moins une tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ce procédé comprenant les étapes suivantes : - on forme un premier substrat comprenant les première et deuxième pièces polaires (64,66), l'entrefer (68) de préférence azimuté, séparant ces première et deuxième pièces polaires, et un élément (76) formant une fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme un premier caisson (78) dans le substrat, autour des première et deuxième pièces polaires séparées par l'entrefer. - on remplit ce premier caisson du premier matériau (70) plus résistant à l'usure, - on planarise ce premier matériau résistant à l'usure, - on complète le circuit magnétique (77) de manière à obtenir un circuit magnétique fermé, incorporant les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer et l'élément formant la fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme les bobinages (78) de la tête magnétique, et - on découpe transversalement la tête magnétique de manière à la séparer du premier substrat et faire apparaître la face de lecture et/ou d'écriture (82) de la tête magnétique. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le premier matériau (70) résistant à l'usure est du Si02. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on forme simultanément, dans le premier substrat, le premier caisson (78) et un deuxième caisson (84) permettant la formation des bobinages de la tête magnétique, - on remplit simultanément ces premier et deuxième caissons avec le premier matériau (70) résistant à l'usure et - on planarise simultanément le premier matériau remplissant le premier caisson et le premier matériau remplissant le deuxième caisson. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, dans lequel le premier substrat comprend un substrat auxiliaire (90), une couche d'arrêt de gravure(92) sur ce substrat auxiliaire et une couche mince (94) d'un matériau monocristallin, d'orientation appropriée, sur la couche d'arrêt de gravure, et l'on forme dans cette couche mince, par gravure de cette dernière, les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer ainsi que le premier caisson. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel le substrat auxiliaire (90) est en silicium, la couche d'arrêt (92) en SiO2 et la couche mince (94) en silicium monocristallin. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 et 16, dans lequel - on élimine le substrat auxiliaire pour faire apparaître la couche d'arrêt de gravure, - on fixe, sur la face libre de la couche mince, une autre couche (98) permettant de compléter la formation des bobinages de la tête magnétique, - on fixe, respectivement sur cette autre couche et sur la couche d'arrêt de gravure, des première et deuxième couches (43,54) d'un deuxième matériau plus résistant à l'usure que le silicium, et - on découpe ensuite transversalement la tête magnétique.