REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche mince comprenant des composants ou des circuits, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) la formation sur un substrat en verre (11) d'une couche d'arrêt (12), b) la réalisation, sur la couche d'arrêt (12), d'une couche mince (3) comprenant tout ou partie d'au moins un composant et/ou circuit (2), c) l'élimination ou l'amincissement du substrat en verre (11). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de réalisation d'une couche intermédiaire (13) entre la couche d'arrêt (12) et la couche mince (3). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche intermédiaire est en un matériau choisi parmi Si02 et Si3N4. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, lors de l'étape b), la réalisation de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) concerne la réalisation d'un écran à cristal liquide. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, lors de l'étape b), la réalisation de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) concerne la réalisation de tout ou partie de circuits microélectroniques, de composants mécaniques et/ou de composants optiques. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape c) met en oeuvre une ou plusieurs techniques choisies parmi la rectification, le polissage mécano-chimique et l'attaque chimique. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'arrêt (12) est en silicium. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de solidarisation d'un support (4) sur ladite couche mince (3). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'étape c) permet d'éliminer le substrat en verre (11), le procédé comportant en outre une étape d'élimination de la couche d'arrêt (12). 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape b) est suivie d'une étape de protection de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) réalisés en vue de l'étape de solidarisation. 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que, la couche mince étant destinée à faire partie de l'un des deux moyens de confinement d'un cristal liquide, l'étape de solidarisation consiste à solidariser ladite couche mince sur un support destiné à faire partie de l'autre des deux moyens de confinement du cristal liquide permettant ainsi de constituer un écran à cristal liquide. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que, l'étape c) fournissant un écran à cristal liquide de type transmissif, cet écran est transformé en écran de type réflectif lors d'une étape postérieure consistant à fixer successivement, sur la face libre de la couche mince, un polariseur et un réflecteur. 13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de solidarisation comprend la solidarisation de ladite couche mince sur un support traité pour présenter tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s). 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que lesdits composant (s) ou circuit (s) du support constituent tout ou partie de circuits microélectroniques, de composants mécaniques et/ou de composants optiques. 15. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de solidarisation 1 comprend la solidarisation de ladite couche mince sur un support choisi parmi un support souple, un support rigide, un support en plastique et le support d'une carte à puce. 16. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de solidarisation et l'étape c) sont menées pour ne reporter qu'une partie de la couche mince sur le support. 17. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de solidarisation consiste à solidariser la couche mince sur un support intermédiaire (4'), le procédé comprenant une autre étape de solidarisation, postérieure à l'étape c), consistant à fixer un support final (5) du côté du substrat en verre (11) aminci ou éliminé. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape consistant à séparer la couche mince (3) du support intermédiaire (4'). 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince (3) est en matériau semiconducteur.