INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une bague de scellement 6 comme on peut la voir aux figures 1 et 3 garantit qu'aucune tentative frauduleuse de démontage dudit module de mesure 1 ne peut être pratiquée.
Entre la chambre de mesure 2 et le plateau d'étanchéité 4, on met en place un joint 9 qui assure l'étanchéité entre les deux tandis qu'un joint 10 assure l'étanchéité entre la chambre 2 et l'orifice de refoulement de l'eau 11 (sortie du compteur) .
De manière à faciliter le vissage du module de mesure 1, on ménage dans la partie supérieure du plateau d'étanchéité une série d'encoches 12, par exemple huit, qui servent à la mise en place d'un outil spécial pour le vissage.
En outre, la partie supérieure du plateau d'étanchéité 4 comporte une cavité 13 destinée à recevoir le module totalisateur 14.
Le module totalisateur 14 visible à la figure 5 est composé d'un boîtier étanche constitué d'une capsule 15 et d'un culot 16 réalisés de préférence en matière synthétique transparente et soudés l'un à l'autre à leur périphérie pour créer l'étanchéité. La matière synthétique transparente constituant la capsule ainsi que le culot est choisie de manière à garantir une meilleure homogénéité de la soudure.
La capsule 15 et le culot 16 sont conformés de manière à présenter des paliers appropriés pour servir de platines à au moins un aimant rotatif 17 entraînable en rotation par l'aimant rotatif transmetteur 3 du module de mesure 1, à un train de pignons démultiplicateurs 18, à un disque indicateur 19 et à un train de rouleaux numériques 20 de l'afficheur appelé ogomètre .
p78 | ee ( s [s] |n | puv | puv | puv | puv |p
Commentaire : P78E efface la structure de portes valides entière [niveau = gestionnaire] 3. 078.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DE LA STRUCTURE DE PORTES VALIDES
Description ~~~ Unité Plage Fixation de structure de P78s
portes valides ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
Nombre de chiffres d'argument = 1 Réponse s 1 = 20
Structure ~~~~ p78eesnpuvpuv'puvpuvpuv Nombre n = 5 (1 + 4 * nombre maximal de ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ pim)
PIM p 0 = carte mère, 1 = pim Périphérique u 1 (carte mère), 1 - 4 (périphériques) Valeur de porte v 0 = aucune porte 1 = porte 1 seulement 2 = porte 2 seulement 3 = les deux portes [niveau = observation~seulement] 3. 079 ETAPE DE PROGRAMME - FIXATION DE LA STRUCTURE D'ACTIVATION DE RELAIS
Description Unité Plage Fixation de la structure P79JE ou d'activation de relais P79 s n puxy, P791slnlpxylpuxy,
P79IsInIpuxyIpuxYIPuxy....,pux
y Nombre de chiffres d'argument = 5 Numéro de structure s 1 - 20 Nombre n nombre de rubriques "puxy" fournies PIM p 0 = carte mère, 1 = pim Périphérique u 1 (carte mère) ,
1 - 4 4 (périphériques) Activation du relais pour la x 0 = ne pas faire accomplir un porte 1 cycle au relais 1 = relâcher 2 = maintenir le relais ouvert 3 = faire accomplir un cycle au relais Activation du relais pour la y 0 = ne pas faire accomplir un porte 2 cycle au relais 1 = relâcher 2 = maintenir le relais ouvert 3 = faire accomplir un cycle au relais Réponse p7910 ou
p791eelslnlpuxylpuxylpuxylpuxyl
puxy Commentaire : P79E efface l'ensemble de la structure d'activation de relais [niveau = gestionnaire] 3.079.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DE LA STRUCTURE D'ACTIVATION DE RELAIS
Description Unité Plage Fixation de la structure de P791s portes valides Nombre de chiffres d'argument = 0 Numéro de structure 1 - 20
Réponse p79!eelslnlpuxylpuxylpuxylpuxyl
Les polyacrylates à groupements latéraux aminés, quaternisés ou non, possèdent par exemple des groupements hydrophobes du type stéareth 20 (alcool
stéarylique polyoxyéthyléné(20)) ou alkyl(C10-C30)PEG-20 itaconate.
(iii) Parmi les copolymères réticulés d'acide (méth)acrylique et d'acrylate d'alkyle en Ci-Ce, on peut citer le produit vendu sous la dénomination VISCOATEX 538C par la société COATEX qui est un copolymère réticulé d'acide méthacrylique et d'acrylate d'éthyle en dispersion aqueuse à 38% de Matière Active ou le produit vendu sous la dénomination ACULYN 33 par la société ROHM & HAAS qui est un copolymère réticulé d'acide acrylique et d'acrylate d'éthyle en dispersion aqueuse à 28% de Matière Active.
(v) Parmi les homopolymères d'acrylate d'ammonium, on peut citer le produit vendu sous le nom MICROSAP PAS 5193 par la société HOECHST.
(vi) Les polysaccharides épaississant sont notamment choisis parmi les glucanes, les amidons modifiés ou non (tels que ceux issus, par exemple, de céréales comme le blé, le maïs ou le riz, de légumes comme le pois blond, de tubercules comme les pommes de terre ou le manioc), l'amylose, l'amylopectine, le glycogène les dextranes, les celluloses et leurs dérivés (méthylcelluloses, hydroxyalkylcelluloses, éthylhydroxyéthylcelluloses, carboxyméthyl-celluloses), les mannanes, les xylanes, les lignines, les arabanes, les galactanes, les galacturonanes, la chitine, les chitosanes, les glucoronoxylanes, les arabinoxylanes, les xyloglucanes, les glucomannanes, les acides pectiques et les
pectines, l'acide alginique et les alginates, les arabinogalactanes, les carraghénines, les agars, les glycosaminoglucanes, les gommes arabiques, les gommes Tragacanthe, les gommes Ghatti, les gommes Karaya, les gommes de caroube, les galactomannanes telles que les gommes de guar et leurs dérivés non ioniques (hydroxypropyl guar) et les gommes de xanthane, et leurs mélanges.
D'une manière générale, les composés de ce type, utilisables dans la présente invention, sont choisis parmi ceux qui sont notamment décrits dans "Encyclopedia of Chemical Technology, Kirk-Othmer, Third Edition, 1982, volume 3, pp. 896- 900, et volume 15, pp 439-458", dans "Polymers in Nature, par E. A.
Ils connectent électriquement les deux couches magnétiques 2,3. Ils conservent, sur la durée de la traversée, le spin des électrons qui les empruntent. La longueur de diffusion de spin est supérieure à la distance séparant les deux couches.
La couche diélectrique ou semi-conductrice 4 discontinue a pour principal rôle d'assurer une isolation électrique localisée entre les deux couches magnétiques 2,3 qui sont électriquement conductrices. Elle peut également avoir un rôle d'isolation
magnétique entre les deux couches magnétiques 2,3 et dans ce cas est amagnétique. Son épaisseur peut être de l'ordre de 0,2 à 5 nm.
Le principe de l'obtention d'une forte valeur de résistance tout en conservant une forte amplitude de magnétorésistance par rapport aux dispositifs de l'art antérieur, est illustré sur la figure 3 qui montre un détail partiel de la vanne de spin du dispositif représenté à la figure 2.
Sur la figure 4 à laquelle, on va également se référer, on a représenté un exemple de dispositif selon l'invention qui va servir à faire une comparaison avec celui classique de la figure 1. Comme sur la figure 1, ont été ajoutées sur la figure 4 une couche tampon 7 et une couche antiferromagnétique 8. La couche tampon 7 peut être réalisée en tantale ou en alliage NiFeCr par exemple. La couche antiferromagnétique peut être réalisée à base de manganèse par exemple à base PtMn, PdPtMn, PtMnCr, IrMn, FeMn, NiMn, RuRhMn.
Le courant qui circule perpendiculairement aux couches magnétiques 2,3 se concentre au niveau des ponts électriquement conducteurs 5. Ces ponts 5 dont la taille est petite, peuvent être assimilés à des puits et des sources ponctuelles de courant. Ces ponts 5 peuvent avoir quelques nanomètres de diamètre si la vanne de spin a une surface de quelques centièmes de 2 pm. Les lignes de courant qui prennent naissance dans les couches magnétiques 2,3 et au travers des ponts 5 conducteurs sont représentées en traits pleins.
Dans les couches magnétiques 2,3 les lignes isopotentielles, illustrées par les traits pointillés,
prennent la forme de demi-sphères concentriques dont l'équateur se trouve au niveau de la couche 4 diélectrique ou semi-conductrice traversée par les ponts 5 électriquement conducteurs.
Si le courant circulant dans la vanne de spin vaut I, la densité de courant à une distance r d'une première extrémité 5-1 d'un des ponts 5 est : J = l 1211. r2 et le champ électrique local vaut : E = PF-J E = #F. I/2#.r2 avec #f résistivité du matériau magnétique de la couche magnétique 2 jouxtant la première extrémité 5-1 du pont 5.
La différence de potentiel entre une partie très éloignée de la première extrémité 5-1 du pont 5, par exemple l'électrode 6a qui se trouve au-delà de la couche magnétique 2 qui jouxte la première extrémité 5- 1 du pont 5, vaut : V-Vs-i = PF. I/2T [. R avec R rayon du pont 5 qui est supposé, dans l'exemple, cylindrique.
A l'intérieur du pont 5, les lignes de courant sont parallèles à l'axe du cylindre. La différence de potentiel entre les deux extrémités 5-1,5-2 du pont 5 est donnée par : VS-l - VS-2 = pp. h. I/#. R2 avec pp résistivité du pont 5 et h hauteur du pont 5.
De la même manière entre la seconde extrémité 5-2 du pont 5 et une partie très éloignée de cette extrémité, par exemple l'électrode 6b qui se trouve audelà de la couche magnétique 3 qui jouxte la seconde
extrémité 5-2 du pont 5, la différence de potentielle est donnée par : V5-2 - V-# = #F,.I/2#. R avec Pu résistivité du matériau magnétique de la couche magnétique 3 jouxtant la seconde extrémité 5-2 du pont 5.
La différence de potentiel entre les deux électrodes 6a, 6b qui encadrent la vanne de spin est donnée par : V#- V-# = (#F. I/2#. R) + (pp. h. I/fl. R2) + (#F,. I/2TI. R) La résistance entre les deux électrodes 6a, 6b est donnée par : Rcpp = (V#- V-#)/I Rcpp = (#F/2#. R) + (pp. h/TI. R2) + (PF,/2TI. R) En comparaison, dans une vanne de spin classique entièrement métallique telle que celle de la figure 1, dans laquelle la couche séparant les couches magnétiques est une couche électriquement conductrice amagnétique, de même résistivité que celle du matériau des ponts (pp), la résistance serait donnée par : Rcpp'= (pF. e/ïI. L) + (pp. 1/tri. L2) + (pif.. einz L2) où e et et représentent les épaisseurs des couches magnétiques 20, 30, l l'épaisseur de la couche séparatrice 10 et L le rayon de la vanne de spin qui est supposée cylindrique.
L'accroissement de la résistance liée au remplacement de la couche séparatrice 10 par la couche diélectrique ou semi-conductrice 4 discontinue avec les ponts électriquement conducteurs 5, est de l'ordre de : RCPP /RCPP, # L2/e. R en considérant que e, l et e' sont sensiblement les mêmes.
Par exemple, pour une épaisseur de couche magnétique e de l'ordre de 10 nm, un rayon L de la vanne de spin de l'ordre de 100 nm, un rayon R de pont 5 de l'ordre de 2nm, on peut obtenir un accroissement de la résistance de l'ordre de 500, ce qui permet au produit RA d'atteindre des niveaux de l'ordre de 1 Q. um2, ce qui est tout à fait satisfaisant.
- Exemple 90 : Acide 3-méthylbut-2-énylphosphonique (79) :
Rdt=85% Rf=0, 33 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol).
RMN 1H (acétone-d6), #(ppm) : 1, 66-1,76 (m, 6H, H-4 et H-5) ; 2,55 (m, Jap 20,0 Hz, 2H, H-1) ; 5,07-5, 22 (m, 1H, H-2) ; 10,86 (s, 2H, POH).
RMN 31p (acétone-d6), 5 (ppm) : 33,1.
RMN 13C(acétone-d6), # (ppm) : 17,48 (1C, C-5) ; 25,46 (lC, C-4) ; 27, 85 (d, J1- p 139, 2 Hz, 1C, C-1) ; 114, 28 (d, J2-P 10, 9 Hz, 1C, C-2) ; 135, 75 (d, J3-P 14, 3 Hz, 1C, C-3).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 151 [M+H] + ; 173 [M+Na] +.
- Exemple 91 : Acide 3-méthylbut-3-énylphosphonique (80) : Rdt=96% Rf=0, 32 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol).
RMN'H (acétone-d6), 5 (ppm) : 1, 74 (s, 3H, H-5) ; 1, 80-2, 0 (m, 2H, H-2) ; 2, 22- 2, 40 (m, 2H, H-l) ; 4, 71-4, 80 (m, 2H, H-4) ; 10, 54 (s, 2H, POH).
RMN 3tp (acétone-d6), (ppm) : 24, 0.
RMN'C (Acétone d6), 5 (ppm) : 22, 65 (1C, C-5) ; 26, 98 (d, JI-p 147, 3 Hz, 1C, C-1) ; 28, 99 (d, J2-P 4, 2 Hz, 1C, C-2) ; 110, 68 (1C, C-4) ; 144, 89 (d, J3-p 17, 9 Hz, 1C, C- 3).
- Exemple 92 : Acide allylphosphonique (81) : Rdt=50% Rf=0,29 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol).
RMN IH (acétone-d6) # (ppm) : 2,15 (dd, JI-2 7, 53 Hz, JI-p 20,7 Hz, 2H, H-1) ; 4,84-4, 95 (m, 2H, H-3) ; 5,45-5, 70 (m, 1H, H-2) ; 10,53 (s, 2H, POH).
RMN 31p (acétone-d6) 5 (ppm) : 28,3.
RMN 13C(CDCl3), #(ppm) : 27,70 (d, J3-p 135, 2 Hz, 1C, C-3) ; 124,28 (d, Jt. p 14.2 Hz, 1C. C-1) ; 132, 11 (d, J2-p 10,1 Hz, lC, C-2).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 123 [M+H] +.
Un troisième composé entrant dans la préparation du polyuréthane de formule (la) est un composé hydrophobe destiné à former les groupes hydrophobes terminaux du polymère de formule (la).
A titre d'exemple, ce com posé peut être-un alcool gras, tel que notamment l'alcool stéarylique, l'alcool dodécylique, l'alcool décylique. Lorsque ce composé comporte une chaîne polymérique, il peut s'agir par exemple du polybutadiène hydrogéné- hydroxyle.
- (11) les dérivés de cellulose quaternisée et les polyacrylates à groupements latéraux aminés non cycliques.
Les dérivés de cellulose quaternisée sont en particulier, - les celluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylaikyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci, - les hydroxyéthylcelluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyl, alkylaryl comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci.
Les radicaux alkyle portés par les celluloses ou hydroxyéthylcelluloses quaternisées cidessus comportent de préférence de 8 à 30 atomes de carbone. Les radicaux aryle désignent de préférence les groupements phényle, benzyl, naphtyl ou anthryle.
On peut indiquer comme exemples d'alkylhydorxyéthyl-celluloses quaternisées à chaînes grasses en Cg-Cso, les produits QUATRISOFT LM 200@, QUATRISOFT LM-X 529-18A (D, QUATRISOFT LM-X 529-18B@ (alkyle en C12) et QUATRISOFT LM-X 529-8@ (alkyle en Cis) commercialisés par la société AMERCHOL et les produits CRODACEL Q ! v) @,""CRODACEL QL@ (a) ky) e en Cis) et CRODACEL QS (alkyle en C18) commercialisés par la société CRODA.
- (ici) Les polyvinyllactames cationiques dont la famille a été décrite par la demanderesse dans la demande de brevet français NO-0101106.
Lesdits polymères comprennent : - a) au moins un monomère de type vinyl lactame ou alkylvinyllactame ; - b) au moins un monomère de structures (1) ou (II) suivantes : dans lesquelles :
De préférence, l'entretoise entoure l'antenne intérieure sur substantiellement toute la longueur de l'entretoise.
De préférence, l'entretoise comprend au moins un lobe longitudinal. Ce lobe sert à maintenir l'antenne intérieure en relation d'espacement avec le guide d'onde.
De préférence, l'entretoise inclut trois lobes longitudinaux espacés de manière substantiellement équidistante. En fonctionnement, une entretoise ayant cette forme est efficace, tout en étant de structure simple.
De préférence, l'entretoise est formée en un matériau présentant une faible constante diélectrique, telle qu'une matière plastique. L'utilisation d'un matériau à faible diélectrique minimise l'impact de l'entretoise en termes de diminution du niveau de signal à l'intérieur de la sonde. Les matières plastiques présentent une faible constante diélectrique et sont aisées à travailler. De plus, elles sont inertes à l'égard d'un très grand nombre de réactifs et sont donc appropriées à une utilisation dans des environnements chimiques dangereux.
On va maintenant décrire en détail un exemple de mise en oeuvre de l'invention, en référence aux dessins annexés.
La figure 1 est une vue en élévation, partiellement en coupe, d'un capteur de niveau de liquide mettant en oeuvre un mode de réalisation d'une sonde selon la présente invention.
La figure 2 est une coupe de la sonde de la figure 1 selon la ligne A-A.
Sur les figures 1 et 2, on a illustré un capteur de niveau de liquide 10 comprenant une sonde 12 avec un émetteur-récepteur radar 14 monté à l'une de ses extrémités. La sonde comprend un guide d'onde 16 définis-
sant un orifice central. Une antenne 18 est située dans l'orifice et maintenue en relation d'espacement par rapport au guide d'onde par une entretoise allongée 20 (voir figure 2).
L'antenne 18 et le guide d'onde 16 sont métalliques afin de faire fonction d'émetteur. L'entretoise 20 est réalisée en un matériau à faible constante diélectrique, telle qu'une matière plastique, et elle est formée par extrusion. Le PTFE, le nylon et le polyéthylène sont des plastiques appropriés. Ces plastiques sont largement inertes et conviennent très bien à des environnements chimiques hostiles.
L'entretoise comprend trois lobes longitudinaux espacés de manière équidistante 21 qui viennent en appui sur la paroi intérieure du guide d'onde. Les lobes se rencontrent aux points 23 qui viennent en appui contre l'antenne intérieure.
Le profil en coupe de l'entretoise 20 n'est donné que pour illustrer un mode de réalisation possible de l'invention. Une entretoise de profil quelconque servant à maintenir le guide d'onde et l'antenne en relation d'espacement conviendrait.
L'extrémité inférieure du guide d'onde est ouverte afin de permettre au fluide de s'écouler vers l'intérieur. Dans un capteur assemblé, il est prévu à l'extrémité supérieure des trous d'évent pour assurer une égalisation des niveaux de fluide à l'intérieur et à l'extérieur du capteur.
L'entretoise est dimensionnée pour présenter un ajustement avec emmanchement à l'intérieur de la sonde 12, et elle est simplement insérée dans l'extrémité ouverte inférieure du guide d'onde 16. En fonctionnement, l'entretoise peut devenir lâche et tendre à glisser vers le bas de la sonde. Cependant, lorsqu'elle est montée dans un réservoir, l'entretoise vient en appui contre la surface de fond du réservoir, retenant ainsi l'entretoise dans la sonde 12. Éventuellement, on peut utiliser un adhésif pour maintenir l'entretoise. Ici encore, si la liaison adhésive se détériore en cours de fonctionnement, l'entretoise est retenue en venant en butée sur la surface de fond du réservoir dans lequel elle est montée.
Une remarque importante tient au fait qu'aucun usinage de l'antenne ou du guide d'onde n'est requis pour former des gorges, des trous ou analogues pour maintenir l'entretoise. Ces gorges ou trous dans l'antenne ou dans le guide d'onde peuvent donner lieu à des signaux d'écho indésira-
bles qui perturbent le fonctionnement du capteur de niveau de liquide. L'entretoise 20 s'étend substantiellement sur toute la longueur de l'antenne 18. De cette manière, l'entretoise ne présente pas aux ondes émises de surface d'extrémité qui puisse produire une réflexion.
Le temps de réponse d'un photodétecteur dépend de la durée de vie des porteurs (électrons et trous) dans le volume de matériau dans lequel se déplacent les charges avant de se recombiner.
Par exemple, pour obtenir un détecteur avec un temps de réponse de 100ps à mi-hauteur, il faut que la durée de vie des porteurs dans la zone de matériau, dans laquelle se déplacent les charges, soit du même ordre de grandeur (environ 100ps).
Dans le domaine UV et X de basse énergie, le rayonnement est très faiblement pénétrant et les charges sont engendrées dans une couche superficielle du photodétecteur.
Cette couche superficielle a une épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm, c'est-à-dire de l'ordre de quelques couches atomiques à quelques dizaines de couches atomiques, l'épaisseur d'une couche atomique étant de l'ordre de 0,2 nm.
Dans ce domaine UV-X de basse énergie on utilise habituellement des photodétecteurs dont les électrodes sont coplanaires et qui sont formés sur des substrats dont l'épaisseur est de l'ordre d'une centaine de micromètres pour avoir une bonne résistance mécanique de ces photodétecteurs.
Dans le cas d'un photodétecteur coplanaire, dans le domaine UV et X de basse énergie, l'épaisseur de la zone de matière utile à la détection, qui correspond à la profondeur de pénétration du rayonnement à détecter, est très faible (de 1 nm à 100 nm).
La réponse du photodétecteur (temps de réponse et amplitude du signal) dépend fortement des propriétés électriques de cette zone de matière superficielle.
Or, les propriétés de la zone de matière superficielle du substrat dépendent fortement de la diffusion d'impuretés non désirées et de la formation de défauts cristallographiques induits lors des étapes de fabrication du photodétecteur.
Une faible quantité d'impuretés ou de défauts cristallogiques peut modifier de façon importante la durée de vie des porteurs dans la zone de matière superficielle utile à la détection.
De ce fait, la fabrication de photodétecteurs, à partir de matériaux semiconducteurs (tels que le silicium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium ou le tellurure de cadmium), qui possèdent des temps de réponse reproductibles, est très délicate.
La reproductibilité est d'autant plus difficile à obtenir que les temps de réponse sont courts, notamment pour des temps de réponse inférieurs à une dizaine de nanosecondes.
La fabrication de photodétecteurs de façon quasi-reproductible passe par un contrôle très strict des étapes de fabrication, procédé qui est coûteux et dont la reproductibilité peut rester aléatoire.
En pratique, pour une même série de photoconducteurs fonctionnant dans le domaine UV-X basse énergie, élaborés suivant un même procédé, on constate que les réponses temporelles ne sont pas homogènes.
De surcroît, on constate que les photodétecteurs à électrodes coplanaires rapprochées (pour lesquels les distances inter-électrodes sont typiquement inférieures ou égales à 100 Am) n'ont généralement pas les caractéristiques attendues.
Les caractéristiques temporelles des photodétecteurs sont d'autant plus sensibles aux propriétés de la zone superficielle que la distance inter-électrodes est faible.
De plus, un moyen de réaliser des photodétecteurs dont le temps de réponse est inférieur à celui du semiconducteur initial consiste à préirradier les photodétecteurs avec des neutrons, des électrons ou des protons avant leur utilisation.
Lorsque l'indice de concentration en calcium utile [Ca]e est inférieur ou égal à 1ppm, on voit d'après la figure 1, que le taux de surface occupé par les sulfures du type MnS eutectique dépasse 80%, ceci de manière constante et certaine . Sur la figure 2, on voit que la masse représentative de copeaux diminue de façon certaine et stable et que l'aptitude à former des copeaux augmente. En conséquence, il est préférable que l'indice de concentration en calcium utile [Ca]e soit inférieur ou égal à lppm.
La condition (B) va maintenant être expliquée.
Dans la formule (2) précitée, Ca et 0 sont en fait les teneurs en Ca et 0 mesurées par la méthode standard. Le taux de MnO contenu dans les inclusions d'oxydes est déterminé par un dispositif d'analyse du type EDX.
Lorsque la quantité d'inclusion d'oxyde est égale à 1, la fraction de MnO. représente le taux de MnO contenu dans les inclusions d'oxydes.
Le taux de MnO contenu dans les inclusions d'oxydes peut être déterminé comme (O)ox et (Ca) ox de la formule 1 précitée selon la méthode qui suit.
On peut, par exemple, utiliser la méthode EDX, et en ce qui concerne les taches dans les inclusions du type oxydes observées ou l'aire recouvrant environ de la surface de ces inclusions, on effectue un balayage à faisceaux électroniques qui mesure la concentration en éléments formant la structure des oxydes contenus dans les inclusions. On en déduit ainsi une composition stoechiométrique et la convertit en une composition des oxydes et l'on peut ainsi déterminer le taux de MnO contenu dans les
inclusions d'oxydes. La composition chimique des inclusions d'oxydes est variable mais il est possible de déterminer le taux de MnO en utilisant la composition chimique moyenne de 10 à 30 échantillons d'inclusions d'oxydes prélevés au hasard.
On va maintenant expliquer la raison pour laquelle le taux de MnO contenu dans les inclusions d'oxydes est limité à une valeur inférieure ou égale à 0,05 et pourquoi dans le même temps la valeur de Ca/O est limitée à une valeur d'au plus 0,8.
Dans le cadre de la présente invention, on a fondu 3 tonnes d'acier de compositions chimiques telles que mentionnées dans le tableau 1 à l'aide d'un four de fusion sous l'atmosphère. C'est-à-dire que l'on a fondu un acier dont la composition correspond à la composition de base S48C décrite dans JIS G 4051 dans lequel on a ajouté du soufre S. On a ainsi préparé un lingot de 3 tonnes.