INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Quinolinium, 1,1'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-2,1- éthanediyl]]bis [4-[(3-méthyl-2(3H)-benzothiazolylidène)méthyl]-, tétraiodure Benzothiazolium, 2,2'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl-l(2H)-pyridinyl-2-ylidèneméthylidyne]]bis[3- méthyl] -, tétraiodure N,N,N",N"-tétraméthyl- N,N"bis-{3-[4-[(3- méthyl2(3H)benzothiazo-lilydèn)méthyl]quinolinium-lyl]buty11- 1,3-propanediammonium tétraiodure Naphtho[1,2-d]thiazolium, 2,2'-[1,3- propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)- quinolinyl-4-ylidèneméthylidyne]]bis[l-méthyl]-, tétraiodure 8H-Naphth[2',l':4,5]oxazolo[3,2-a]azepinium, 12,12'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1 (4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,l-éthanediylidène]]bis[9,10,ll,12- tétrahydro-9-[3- (triméthylammonio)propyl]- Naphth[2',l':4,5]oxazolo[3,2-a]pyridinium, 11,11'- [méthylènebis [(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1 (4H)quinolinyl-4-ylidène-2,1-éthanediylidène]]bis[8,9,10,11- tétrahydro-8-[3- (triméthylammonio)propyl]- Naphth[2,1-d]oxazolium, 2,2'-[méthylènebis[(diméthyliminio)- 3,1-propanediyl-1 (4H)-quinolinyl-4-ylidène-l-propen-l-yl-3- ylidène]]bis[3-[3- (triméthylammonio)propyl]- 8H-Naphtho[2',l':4,5]thiazolo[3,2-a]azepinium, 12,12'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)- quinolinyl-4-ylidène-2, 1-éthanediylidène]]bis[9,10,11,12tétrahydro-9-[3- (triméthylammonio)propyl]- Naphtho[2',l':4,5]thiazolo[3,2-a]pyridinium, 11,11'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,l-éthanediylidène]]bis[8,9,10,ll- tétrahydro-8-[3- (triméthylammonio)propyl]- Naphtho[2,1-d]thiazolium, 2,2'-[méthylènebis[(diméthyliminio)- 3,1-propanediyl-1(4H)-quinolinyl-4-ylidène-1-propen-1-yl-3- ylidène]]bis[3-[3- (triméthylammonio)propyl]-
Naphth[2',l':4,5]oxazolo[3,2-a]azocinium, 13,13'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1 (4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,l-éthanediylidène]]bis[8,9,10,ll,12,13- hexahydro]- Naphth[2',1':4,5]oxazolo[3,2-a]pyridinium, 11,11'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,1-éthanediylidène]]bis[8,9,10,11- tétrahydro] - 8H-Naphtho[2,l-d]pyrrolo[2,l-b]oxazolium, 10,10'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1 (4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,l-éthanediylidène]]bis[9,10-dihydro]- Naphtho[2',l':4,5]thiazolo[3,2-a]azocinium, 13,13'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)- quinolinyl-4-ylidène-2,1-éthanediylidène]]bis[8,9,10,11,12,13- hexahydro]- Naphtho[2',l':4,5]thiazolo[3,2-a]pyridinium, 11,11'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1(4H)quinolinyl-4-ylidène-2,l-éthanediylidène]]bis[8,9,10,ll- tétrahydro]- 8H-Naphtho[2,1-d]pyrrolo[2,1-b]thiazolium, 10,10'- [méthylènebis[(diméthyliminio)-3,1-propanediyl-1 (4H)- quinolinyl-4-ylidène-2, 1-éthanediylidène]]bis[9,10,10-dihydro]- Benzoxazolium, 2,2'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl-l(4H)-pyridinyl-4-ylidèneméthylidyne]]bis[3- méthyl]-, tétraiodure Benzothiazolium, 2,2'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl-1(4H)-pyridinyl-4-ylidène-1-propenyl-3- ylidène]]bis[3-méthyl]-, tétraiodure Quinolinium, 1,1'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl]]bis[4-[3-(3-méthyl-2(3H)-benzothiazolylidène)-l- propenyl]-, tétraiodure Benzothiazolium, 2,2'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl-l(4H)-pyridinyl-4-ylidèneméthylidyne]]bis[3- méthyl]-, tétraiodure
Benzoxazolium, 2,2'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-2,1- éthanediyl-1(4H)-quinolinyl-4-ylidène-1-propen-1-yl-3- ylidène]]bis[3-méthyl]-,tétraiodure Quinolinium, l,l'-[1,3-propanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl]]bis[4-[3-(3-méthyl-2(3H)-benzoxazolylidène)-l- propenyl]-, tétraiodure Phénanthridinium, 5,5'-[1,2-éthanediylbis[(diméthyliminio)-3,1- propanediyl]]bis[3,8-diamino-6-phényl]-, tétraiodure Diméthylène bis-[2-({4-[(4-diméthylamino-phényl)-(cyclohexa-2,5- dienylidène}-4-diméthyl-ammonium)méthylène]-phényl}-éthylamino)-éthyl]-diméthyl-ammonium Tétraméthylène bis-[2-({4-[(4-diméthylamino-phényl)-(cyclohexa- 2,5-dienylidène}-4-diméthyl-ammonium)méthylène]-phényl}-éthyl- amino)-éthyl]-diméthyl-ammonium La concentration en colorant(s) direct(s) polycationique(s) de formule (I) peut varier d'environ 0,001% à 5% en poids par rapport au poids total de la composition tinctoriale, et de préférence d'environ 0,05% à 2%.
Les compositions de l'invention comportent de préférence un adjuvant cosmétique pouvant être choisi parmi les monoalcools tels que les alcanols, les polyols, les agents tensio-actifs anioniques, cationiques, non ioniques, amphotères zwittérioniques, ou leurs mélanges, ou leurs mélanges, les agents épaississants minéraux ou organiques, et en particulier les polymères associatifs anioniques, cationiques, non ioniques et amphotères.
Les agents épaississants organiques sont notamment choisis dans le groupe formé par :
On peut aussi envisager de synthétiser des sels d'onium à structure dendrimérique, dont la charge spécifique sera ainsi naturellement multipliée.
Il faut également signaler que les solutions de sels d'onium dans les solvants couramment utilisés (CH2Cl2, CH3CN, DMF, H20...) restent peu visqueuses même en opérant à des concentrations supérieures à 4 moles par litre. Ceci représente un avantage majeur par rapport aux solutions de PEG dont la concentration est généralement inférieure à 1 mol.l-1 1 - Sels d'ammonium bifonctionnels : La condensation de 3-chloropropanol et de la diméthylamine est réalisée à reflux dans l'eau pour conduire après 24 heures au sel bifonctionnalisé avec un bon rendement selon le schéma suivant : #OH NH cr"'- 'OH ######## N CI' # #OH Rdt = 87 % Ces nouveaux supports ont ensuite été testés dans les mêmes réactions que leurs analogues monofonctionnalisés. Pour cela on a supporté des esters d'acryloyle et aryliques halogénés, qui sont ensuite engagés dans des réactions de cycloaddition de Diels-Alder et de couplages.
Les séquences réactionnelles et les résultats obtenus sont présentés sur les schémas ci-dessous.
a- Réaction de cycloaddition : 0 0 ,fBr-./ H ci / N OH K2C03 / 80-C N 12 O 11 95% o DCM O L'M r3 "-~ ,, 95% b- Couplage de Heck : 0 0 ,fBr-./ H C \e", 0 1- 0 o/"OH \0/-"o j oH KZo3/ ô0 c 11 12 95% CH3CN/100 C O X, ,, 90%
c- Couplage de Suzuki : ci 01- "#>OH Br ú \0/-0"\Br #########--\,O #OH K2C03/ CH3CN N O, r)-Br 11 800C y--4D- 13 0 85% B(OH)2 fr\ DMF 0 O -cfl -0 X , N ú 1 HCl/MeOH 0 X= CI; BF4 Rdt> 99% La transposition des réactions réalisées sur les supports monofonctionnalisés aux analogues bifonctionnalisés n'entraîne aucune différence de réactivité ou de sélectivité.
De même, les rendements en produits isolés et leur pureté restent excellents.
Les métathèses d'anions ont été réalisées soit avant le greffage des substrats (cas de l'anion bis-trifluorométhanesulfonamidure) ou après (cas de l'anion tétrafluoroborate).
Le chromatogramme correspondant aux produits de couplage de Suzuki réalisé sur le chlorure d'ammonium bifonctionnel (13, X=Cl) est présenté dans la Figure 10. Ce chromatogramme met en évidence la pureté du produit brut isolé après transestérification par du méthanol et extraction à l'éther diéthylique avec un rendement de 92%.
Le suivi de ces différentes réactions a été réalisé par RMN du proton comme dans le cas des supports monofonctionnalisés (voir Figure 11).
Dans un deuxième volet, nous nous sommes intéressés à augmenter davantage la densité de fonction des sels d'ammonium par tri- et tétrafonctionnalisation selon les séquences réactionnelles suivantes : @/ \0 MeNIOH),! C31 14a H2N'--'OH CI--"OH Na2C03 CH3I Na2C03 / 80 C H2N-"...../'OH + 2 CIOH EtOH, 24h NOHJ3 CI OH \ N 15a OHI) , 4 'ci 15a 4 Les sels tri- et tétra-fonctionalisés ont été préparés à partir de la tripropanolamine par quaternarisation au moyen d'iodure de méthyle ou du 3-chloropropanol conduisant respectivement à 14a ou 15a.
On a ensuite utilisé les sels de bis-trifluorométhanesulfonamidure d'ammonium dérivés de 14a et 15a obtenus par métathèse dans l'eau pour supporter l'ester acrylique.
Ces derniers sont ensuite engagés dans les réactions de cycloaddition comme diénophiles en présence du cyclopentadiène et dans la réaction de couplage de Heck. La réaction de cycloaddition est totale après 2 heures et permet d'isoler le produit avec des rendements supérieurs à 75% et une pureté de 97%. De même le couplage de Heck a été réalisé avec les mêmes rendements que ceux obtenus avec les sels mono et bifonctionnalisés (> 95%). a- Réactions de cycloaddition : o (f) t.-.. /' ) (f) t.-.. 0 ) MeNl v ~OHJ ,NTf2 - MeNr-0-.)),NTf2 \ 14b 3 Nif2 K2CO31 80 IIC NTf2 1 / DCM Me-OP -#### #)O )8 Me-O HCl/ Me0 MeN NTf2 HCl/McOH 82 %
0 #Jh /'. NTf2 cr @/ a \0 Nr-OH) ,NTf2 . N, O ' NTf2 15b 4 K2CO3 / 80 C 38, 80% 1 / CH2Cl2 Me- 0 HCl/MeOH N )4 > NTf2 Rdt=72% b- Couplages de Heck : 0 MeNj v ^ OH ) , 1 NTf2 ci MeNj v ^ O' O l 1 )3, O NTf2 14b 2CO3 / 80 C 37, 80% CH3CN Me-O -<###==##### MeN O NTf2 k HCl/MeOH MeW 96% NTf2 96%
0 0 \ ci '1 I o 8 N'OH 15b 4 ,note2 K2CO3 / II ô0 C Nfo,NTf2 \ 4 NTf2 1Sb 38, 80% Ó CH3CN Me-0-\ -=-#### N O , NTf2 Me-0 -"O - 1 HCI/MeOH N 0 ),4 NTf2 Me-O HCl/MeOH 'k. NTf2 3 - Sels d'onium supportant des fonctions différentes: Au cours de cette étude, on a montré que les sels d'onium présentent des potentialités et des propriétés très intéressantes comme supports solubles en synthèse organique. En effet, en plus des avantages que nous avons déjà exposés dans les premières parties de ce manuscrit, une des possibilités offertes par ces nouveaux supports solubles est de porter deux fonctions (ou plus) de nature différente sur un même cation à condition qu'elles n'interagissent pas entre elles.
A titre d'illustration, nous nous limiterons à la description de sels d'ammonium portant simultanément un ester acrylique et un halogénure d'aryle de formule suivante :
Le sel d'ammonium préparé selon le schéma réactionnel ci-dessous a été engagé dans la réaction de couplage de Heck. Après une heure à 100 C en présence d'acétate de palladium des produits ont été isolés, qui après transestérification par le méthanol en présence de quelques gouttes d'acide chlorhydrique concentré conduisent au produit de couplage de Heck avec un rendement de 66% et une pureté supérieure à 98%. Il faut noter que seul l'isomère trans a été observé dans les deux cas.
AT+WSPDCONT=10,1," 1.2.3.4" 1883 +WSP ERROR: 4001 Remarque : crée un nouveau contexte Remarque : opération interdite. avec un paramètre (Cid) erroné. ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ AT+WSPDCONT=2,1,"5,6,7,8" OK Remarque : crée un nouveau contexte Remarque : contexte créé. avec les paramètres par défaut.
AT+WSPDCONT ? +WSPDCONT : 1,1,"1.2.3.4",1883,1,0,1 +WSPDCONT:2,1,"5.6.7.8",1883,1,0,1 Remarque : répertorie tous les OK contextes créés.
AT+WSPCONT=? +WSPCONT:(1-2),23,255,(0-06535),(0- 1),(0-32767),(0-1) Remarque : valeurs possibles.
OK 3. 5.2 Gestion de connexion +WSPCONM a - Description Cette commande permet de gérer la connexion à un courtier. b - Syntaxe
Commande Réponses possibles AT+WSPCONM= [, OK >[, ]] Ou Codes d'erreur : Remarque : opérations de +WSP ERROR : 4000connexion/déconnexion. +WSP ERROR : 4001 +WSP ERROR : 4003+WSP ERROR : 40010 AT+WSPCONM ? +WSPCONM : [, ] Remarque : renvoie le statut de la OK connexion. ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ AT+WSPCONM=? +WSPCONM: (liste des pris en charge), (liste des pris en charge), (liste des pris en charge) Remarque: valeurs possibles. OK c - Valeurs définies (0-1) 0 Déconnexion d'une session de protocole Wavecom SCADA active.
1 Connexion au courtier distant.
2 Abandon de la connexion.
Identificateur de contexte WSP : paramètre numérique qui identifie la définition d'un contexte WSP donné.
(0-1) Mode de déconnexion.
0 La déconnexion intervient immédiatement, la file d'attente est vidée et toutes les transactions en cours sont supprimées.
1 Tous les messages mis en file d'attente (en attente ou en suspens) sont traités avant la déconnexion.
Valeur par défaut = 1 (0-2) Statut de la connexion avec le courtier.
0 Non connecté 1 Connecté 2 Connexion en suspens e - Codes d'erreur possibles +WSP ERROR : 4000Fonction du protocole Wavecom SCADA non activée. Cette erreur est renvoyée lorsque la fonction du protocole Wavecom SCADA n'a pas été activée dans le module WISMO.
+WSP ERROR: 4001 Opération non autorisée. Cette erreur est renvoyée lorsqu'un paramètre erroné est détecté.
+WSP ERROR: 4004 Client déjà connecté.
Or, l'indice optique de GaAs (respectivement AlAs) vaut approximativement 3,5 (respectivement 2,9) dans le domaine proche infra- rouge. En faisant varier la teneur x en aluminium dans 30 l'alliage ternaire Ga1-xAlxAs, on peut donc faire varier l'indice optique dans l'intervalle allant de 2,9 à 3,5.
Revenons aux miroirs des VCSELS. En empilant un nombre suffisant de couches, on obtient un miroir de réflectivité élevée -typiquement 99,9% - à la longueur d'onde d'émission du VCSEL comportant ce 5 miroir. Cette réflectivité élevée permet de compenser le faible gain de la partie amplificatrice du VCSEL. En effet, contrairement au cas du laser ruban, la lumière traverse cette partie perpendiculairement et la longueur d'interaction est très faible.
10 On peut donc résumer la situation de la façon suivante : 1 .Un laser ruban a un gain fort, une cavité longue et des miroirs de faible réflectivité.
2. Un VCSEL a un gain faible, une cavité 15 courte et des miroirs de forte réflectivité.
La figure 1 illustre schématiquement la structure d'un laser ruban classique. On voit la cavité 2 de ce laser, qui est comprise entre deux faces clivées constituant des miroirs 4 et 6.
20 La figure 2 illustre schématiquement la structure d'un VCSEL classique, comprenant un premier miroir de Bragg 8, qui est déposé sur un substrat 10, une cavité 12, qui est en GaAlAs dans l'exemple et contient un milieu à gain constitué par un ou plusieurs 25 puits quantiques, et un second miroir de Bragg 16.
Le miroir 8 (respectivement 16) est un empilement où alternent des couches 8a (respectivement 16a) d'un matériau semiconducteur de faible indice optique et des couches 8b (respectivement 16b) d'un 30 matériau semiconducteur de fort indice optique.
La cavité 12, délimitée par les deux
miroirs, a une longueur optique qui est généralement égal à kx#, # étant la longueur d'onde de fonctionnement du VCSEL et k étant un nombre entier supérieur ou égal à 1. C'est pourquoi cette cavité est 5 appellée cavité k x , .
Rappelons que la longueur optique de la cavité est la longueur obtenue en multipliant la longueur réelle de cette cavité par l'indice optique du matériau à partir duquel on constitue la cavité. Par 10 exemple, avec du GaAs dont l'indice vaut environ 3,5, pour fabriquer une cavité qui résonne à une longueur d'onde de 850nm , on peut dépose r 850/3,5=242,86nm de GaAs, en choisissant k égal à 1 . L'épaisseur réelle de la couche de GaAs vaut alors 242,86nm et sa longueur 15 optique est égale à 850nm.
En général, le substrat 10 et le premier miroir 8 sont faits de matériaux semiconducteurs de type N. La cavité 12 est non dopée et le second miroir 16, ou miroir supérieur, est fait de matériaux 20 semiconducteurs de type P.
On forme des contacts électriques ohmiques 18 et 20 en déposant un métal sur la face arrière du substrat 10 et sur le miroir supérieur 16. En général, ce métal est un alliage d'or et d'un dopant de type N 25 ou P (par exemple Ge ou Zn) et l'on ajoute à cet alliage des métaux (par exemple Ti, Pt, Ni) qui font office de barrières de diffusion ou qui améliorent l'adhérence.
Le contact supérieur 20 est annulaire pour 30 permettre le passage du faisceau laser F qui est engendré par le VCSEL.
Dans la structure représentée sur la figure 2, les lignes de courant Ll, qui sont obtenues lorsqu'on applique une tension entre les électrodes 18 et 20, ne sont pas guidées.
5 On a également cherché à diminuer le seuil de courant du VCSEL de la figure 2. La solution la plus élégante que l'on ait trouvée est la technique de l'oxydation latérale. Elle consiste à inclure dans la cavité, au moins d'un côté des puits quantiques, une 10 couche de GaAlAs à forte teneur en aluminium. Cette couche est en général placée entre les puits et le miroir supérieur.
Après l'épitaxie permettant de former l'empilement des miroirs et de la cavité résonante, on 15 grave l'échantillon résultant pour dégager les flancs de la cavité et l'on place le tout dans une atmosphère oxydante, généralement dans un four que l'on porte à environ 400 C et dans lequel on fait pénétrer de la vapeur d'eau.
Plus précisément, l'invention s'inscrit dans le cadre de la mise au point de moyens efficaces destinés à l'identification et la sélection de régulateurs allostériques des RCPG-III.
A cet effet, la présente invention concerne un procédé d'identification et sélection d'un composé agissant comme régulateur allostérique d'un RCPG-III. Selon ce procédé, le niveau d'activité d'un RCPG-III recombinant (RCPG-III-#), essentiellement dépourvu du domaine extracellulaire du RCPG-III natif correspondant, en présence d'un composé donné, est comparé à celui du même RCPG-III-#, en l'absence du composé en question.
Ce procédé permet ainsi d'identifier et sélectionner des activateurs ou inhibiteurs des RCPG-III.
L'invention vise en outre l'application d'un tel procédé à l'identification et la sélection de composés d'intérêt dans des domaines d'activités aussi variés que la pharmacie, l'industrie agro-alimentaire, l'environnement, l'écologie et la recherche fondamentale.
La comparaison des séquences des domaines heptahélices des RCPG a permis de répartir ces derniers dans trois grandes classes (Bockaert et Pin, 1999).
La classe I comprend les récepteurs semblables à la rhodopsine, tels que les récepteurs des catécholamines, des hormones glycoprotéiques et peptidiques.
La classe Il rassemble non seulement les récepteurs de larges peptides tels que le glucagon et la sécrétine, mais également d'autres récepteurs tels que Frizzled, impliqués dans le développement.
La classe III des RCPG, quant à elle, comprend les récepteurs activés par les deux principaux neurotransmetteurs, à savoir le glutamate et l'acide y-aminobutyrique (GABA), les récepteurs senseurs des ions calcium, les récepteurs putatifs de phéromones, ainsi que les récepteurs responsables de la détection des goûts sucrés et "umami" (acides aminés, en particulier le glutamate).
La présente invention concerne plus particulièrement les RCPG-III.
Huit gènes codant pour des RCPG-III activés par le glutamate (également appelés récepteurs métabotropiques du glutamate ou mGlu), ont été identifiés chez les mammifères (Conn et Pin, 1997 ; Pin et al., 2003). Ces mGlu peuvent être classés en trois groupes sur la base de leur pharmacologie, leur similarité de séquence et leur transduction.
Dans le groupe I, les récepteurs mGlu1 et mGlu5 activent la phospholipase C (PLC) et semblent agir en synergie avec les récepteurs canaux du glutamate. Ils apparaissent souvent comme des agents qui facilitent la communication glutamatergique.
Ainsi, les régulateurs des mGlu du groupe # semblent posséder des propriétés favorisant la mémoire, utiles pour le traitement de maladies telles que la maladie d'Alzheimer ou la schizophrénie.
Les récepteurs du groupe II, mGlu2 et mGlu3, de même que les récepteurs du groupe III, mGlu4, mGlu6, mGlu7 et mGlu8, sont couplés négativement à l'adénylyl cyclase. Ils régulent également l'activité de canaux calciques et potassiques. Ils sont souvent localisés en présynapse, d'où ils inhibent la libération de glutamate.
De fait, des agonistes ou des régulateurs allostériques positifs des mGlu des groupes Il ou III présentent des propriétés anxiolytiques, anti- épileptiques, antipsychotiques, anti-parkinsonniennes, et peuvent diminuer
les effets de dépendance des drogues telles que le tabac et la cocaïne (Conn et Pin, 1997).
Un seul gène codant un récepteur activé par les ions calcium a été identifié (Brown et MacLeod, 2001). Ce récepteur joue un rôle clef dans la régulation de la calcémie en contrôlant la libération de parathormone, l'absorption de calcium par les os, ainsi que l'excrétion du calcium au niveau du rein. Il aurait également un rôle au niveau central. Des mutations de ce gène sont à l'origine de maladies telles que l'hypocalciurie familiale, l'hyperparathyroidisme néonatal sévère (mutations entraînant une perte de fonction) (Pollak et al., 1993), ou l'hypocalcémie autosomale dominante (mutations entraînant un gain de fonction) (Pollak et al., 1994).
Avantageusement, on réalise les points de soudure 30 sensiblement suivant un contour fermé, notamment circulaire, de préférence au voisinage du périmètre extérieur de l'embase.
L'invention est également relative à un dispositif de signalisation ou d'éclairage pour automobile comprenant 35 une diode électroluminescente de puissance dont l'embase, essentiellement en cuivre, est fixée sur un élément métallique radiateur de chaleur, notamment en cuivre, ce dispositif étant caractérisé par le fait que l'embase de la diode est fixée par soudure laser par points sur l'élément radiateur.
De préférence l'élément radiateur est recouvert 5 d'une couche d'un métal absorbant le rayonnement laser, en particulier une couche de nickel.
Les centres des points de soudure sont répartis sensiblement régulièrement sur un contour parallèle au périmètre extérieur de l'embase, notamment circulaire. Ce 10 contour est de préférence voisin du périmètre extérieur de l'embase.
Avantageusement, des moyens de centrage du corps de la diode sont prévus sur l'élément radiateur de chaleur. Ces moyens de centrage peuvent comprendre des 15 saillies réalisées dans l'élément radiateur.
Les électrodes de la diode peuvent également être soudées au laser par points à des pattes conductrices.
Selon une première possibilité, l'élément radiateur de chaleur, sur lequel est fixée l'embase de la diode 20 électroluminescente, est rapporté sur un support isolant qui est situé du côté opposé à la diode par rapport à l'élément radiateur, ce support isolant comportant des pattes de raccordement électrique, chaque électrode de la diode étant reliée respectivement à une patte, ledit support 25 isolant comportant des ouvertures au droit de l'embase et des électrodes de la diode pour le passage du faisceau laser de soudure.
Les pattes de raccordement peuvent être situées du côté du support isolant tourné vers l'élément radiateur.
Selon une variante, les pattes de raccordement sont situées du côté du support isolant opposé à l'élément radiateur de chaleur et la liaison entre chaque patte de raccordement et l'électrode correspondante de la diode s'effectue à travers une fenêtre prévue dans le support 35 isolant et une autre fenêtre prévue dans l'élément radiateur.
Selon une autre disposition, le support isolant est situé du côté de la diode par rapport au radiateur de chaleur; une ouverture est prévue dans le support isolant au droit de l'embase de la diode électroluminescente pour son logement et sa venue au contact du radiateur, des ouvertures étant prévues également pour les électrodes.
L'invention consiste, mises à part les dispositions exposées ci-dessus, en un certain nombre d'autres dispositions dont il sera plus explicitement question ciaprès à propos d'exemples de réalisation décrits avec 10 référence aux dessins annexés, mais qui ne sont nullement limitatifs.
Sur ces dessins: Fig. 1 est une coupe schématique illustrant le procédé de fixation de la diode électroluminescente de 15 puissance sur l'élément radiateur de chaleur.
Fig.2 est une section schématique suivant la ligne II-Il de Fig. i montrant une répartition de points de soudure.
Fig.3 est une vue en perspective, à plus petite 20 échelle, d'un ensemble de signalisation avec support isolant, radiateur de chaleur et diode fixée sur le radiateur.
Fig.4 est une vue en perspective d'une variante de réalisation de l'ensemble de Fig.3.
Fig.5 est une vue en perspective du dessous de 25 l'ensemble de Fig.4.