REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de nanostructures de matériau semi-conducteur sur un substrat de matériau diélectrique par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une étape de formation sur le substrat (12) de germes stables (14) d'un premier matériau semiconducteur sous forme d'îlots, par dépôt CVD à partir d'un précurseur (11) du premier matériau semiconducteur choisi pour que le matériau diélectrique (12) accepte la formation desdits germes (14), - une étape de formation de nano-structures (16A, 16B) d'un deuxième matériau semi-conducteur à partir des germes stables (14) du premier matériau semi-conducteur, par dépôt CVD à partir d'un précurseur (21) choisi pour engendrer un dépôt sélectif du deuxième matériau semi-conducteur uniquement sur lesdits germes (14). 2. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le premier et le deuxième matériau semiconducteur sont du silicium. 3. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le premier matériau semi-conducteur est du silicium et le deuxième matériau semi-conducteur est du germanium. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le substrat de matériau diélectrique (12) est choisi de manière à ce qu'il soit le plus réactif possible avec le précurseur (11) du premier matériau semi-conducteur. 5. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le substrat de matériau diélectrique (12) est choisi parmi le groupe composé de Si02, Si02 avec une forte densité de groupes Si-OH à sa surface, Si3N4, A1203 et Hf02. 6. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l'étape de formation de germes stables (14) d'un premier matériau semi-conducteur est réalisée pendant un temps d'exposition choisi en fonction de la densité de germes souhaitée. 7. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l'étape de formation de nano-structures (16A) d'un deuxième matériau semi-conducteur est réalisée pendant un temps d'exposition choisi en fonction de la taille des nano-structures (16B) voulue. 8. Procédé selon la revendication 1 dans lequel lesdites étapes sont réalisées pour une pression partielle de précurseur (11,21) faible. 9. Procédé selon la revendication 2 ou 3 dans lequel le précurseur (11) du premier matériau semi-conducteur est le silane. 10. Procédé selon la revendication 9 dans lequel la formation des germes (14) du premier matériau semi-conducteur se fait à une température comprise entre 550 C et 700 C et pour une pression partielle du silane inférieure à environ 133 Pa (1 Torr). 11. Procédé selon la revendication 9 dans lequel, l'étape de formation de germes stables (14) d'un premier matériau semi-conducteur se faisant à des pressions partielles inférieures à environ 1,33 Pa (10 mTorr), le temps d'exposition du substrat au précurseur (11) du premier matériau semi-conducteur est inférieur à 15 minutes. 12. Procédé selon la revendication 9 dans lequel, l'étape de formation de germes stables (14) du premier matériau semi-conducteur se faisant à des pressions partielles inférieures à environ 133 Pa (1 Torr), le temps d'exposition du substrat au précurseur (11) du premier matériau semi-conducteur est inférieur à 1 minute. 13. Procédé selon la revendication 2 dans lequel le précurseur (21) du deuxième matériau semiconducteur est le dichlorosilane. 14. Procédé selon la revendication 3 dans lequel le précurseur (21) du deuxième matériau semiconducteur est le germane. 15. Procédé selon la revendication 13 ou 14 dans lequel l'étape de formation de nano-structures (16A) est réalisée à une température comprise entre 300 C et 1000 C et pour une pression partielle du précurseur (21) inférieure à environ 133 Pa (1 Torr). 16. Nano-structures réalisées par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes. 17. Nano-structures selon la revendication précédente caractérisées en ce qu'elles sont dopées par co-déposition ou par implantation avec des éléments tels que le bore, le phosphore, l'arsenic ou l'erbium. 18. Nano-structures réalisées selon l'une des revendications 16 ou 17 caractérisées en ce qu'elles sont encapsulées par dépôt d'un diélectrique. 19. Dispositif présentant des nanostructures selon l'une quelconque des revendications 16 à 18. 20. Cellule mémoire possédant une grille flottante, caractérisée en ce que la grille flottante est constituée de nano-structures selon l'une quelconque des revendications 16 à 18. 21. Cellule mémoire selon la revendication 20 caractérisée en ce qu'elle est un DOTFET.