REVENDICATIONS 1. Dispositif magnétorésistif à vanne de spin (1) formée d'un empilement de couches parmi lesquelles au moins deux couches magnétiques (2,3) dont l'orientation relative de leurs directions d'aimantation peut varier sous l'influence d'un champ magnétique, comportant des moyens (6a, 6b) pour faire circuler un courant dans la vanne de spin transversalement au plan des couches, caractérisé en ce que cette vanne de spin (1) comporte au sein de l'empilement au moins une couche diélectrique ou semiconductrice (4) discontinue avec des ponts (5) électriquement conducteurs qui traversent l'épaisseur de la couche diélectrique ou semi-conductrice, ces derniers (5) étant destinés à concentrer localement le courant qui circule transversalement dans l'empilement. 2. Dispositif magnétorésistif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (4) diélectrique ou semi-conductrice avec les ponts (5) électriquement conducteurs est disposée entre les deux couches magnétiques (2,3). 3. Dispositif magnétorésistif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (4) diélectrique ou semi-conductrice avec les ponts (5) électriquement conducteurs est disposée dans l'une des couches magnétiques (3). 4. Dispositif magnétorésistif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les ponts (5) sont réalisés dans le matériau de la couche magnétique (3) accueillant la couche (4) diélectrique ou semiconductrice. 5. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'une couche séparatrice (9) continue électriquement conductrice, amagnétique est insérée entre la couche (4) diélectrique ou semi-conductrice avec les ponts (5) électriquement conducteurs et l'une au moins des couches magnétiques (2,3). 6. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les ponts (5) électriquement conducteurs sont réalisés dans un matériau amagnétique choisi parmi les métaux nobles tels que l'or, l'argent, le cuivre ou leurs alliages. 7. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les ponts (5) électriquement conducteurs sont réalisés dans un matériau magnétique tel que le cobalt, le fer, le nickel ou leurs alliages. 8. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le matériau diélectrique ou semi-conducteur de la couche discontinue (4) est magnétique. 9. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en que le matériau diélectrique ou semi-conducteur de la couche discontinue (4) est amagnétique. 10. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'au moins l'une des couches magnétiques (2a) est formée d'un empilement de couches intermédiaires (2al, 2a2,2a3). 11. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'une des couches magnétiques (2) a sa direction d'aimantation fixée par association une couche antiferromagnétique (8) disposée au-delà de la couche magnétique à direction d'aimantation fixe (2) par rapport à la couche (4) diélectrique ou semi-conductrice avec les ponts (5) électriquement conducteurs. 12. Dispositif magnétorésistif selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche magnétique (2a) à direction d'aimantation fixe est formée d'une couche intermédiaire (2al) électriquement conductrice amagnétique encadrée par deux couches intermédiaires (2a2,2a3) magnétiques. 13. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la couche (4) diélectrique ou semi-conductrice discontinue est réalisée à base d'oxyde, de nitrure, de semiconducteur. 14. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que les moyens pour faire circuler un courant électrique comportent deux électrodes (6a, 6b) qui prennent en sandwich la vanne de spin (1). 15. Dispositif magnétorésistif selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'au moins une couche tampon (7) est insérée entre l'une des électrodes (6b) et la vanne de spin (1). 16. Dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la vanne de spin (1) est duale. 17. Tête magnétique de lecture, caractérisée en ce qu'elle comporte un dispositif magnétorésistif selon l'une des revendications 1 à 16. 18. Mémoire comprenant une matrice de points mémoire adressable par des lignes (103) et des colonnes (105), caractérisée en ce que chaque point mémoire est formé d'un dispositif magnétorésistif (101) selon l'une des revendications 1 à 16 coopérant avec un moyen de commutation de courant (102). 19. Procédé de réalisation d'un dispositif magnétorésistif à vanne de spin (1) comportant les étapes suivantes : réalisation, pour faire la vanne de spin, d'un empilement de couches (2,3) parmi lesquelles au moins deux couches magnétiques dont l'orientation relative de leurs directions d'aimantation peut varier sous l'effet d'un champ magnétique, réalisation de moyens (6a, 6b) pour faire circuler un courant dans la vanne de spin (1) transversalement au plan des couches, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation au sein de l'empilement d'au moins une couche diélectrique ou semi-conductrice (4) discontinue avec des ponts (5) électriquement conducteurs traversant l'épaisseur de la couche, ces derniers (5) étant destinés à concentrer localement le courant qui circule transversalement dans l'empilement. 20. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche diélectrique ou semi-conductrice (4) avec les ponts (5) électriquement conducteurs est réalisée par dépôt d'une couche mince (4) de matériau diélectrique ou semiconducteur incluant des particules métalliques, ces particules métalliques se regroupent pour former les ponts (5). 21. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche diélectrique ou semi-conductrice (4) avec les ponts (5) électriquement conducteurs, est réalisée en traitant localement une couche électriquement conductrice (9) se trouvant dans l'empilement pour la rendre diélectrique ou semi-conductrice. 22. Procédé de réalisation selon la revendication 21, caractérisé en ce que le traitement a lieu en cours de dépôt ou en fin de dépôt de la couche électriquement conductrice (9). 23. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche diélectrique ou semi-conductrice (4) avec les ponts (5) électriquement conducteurs est réalisée en plaçant une couche d'isolant (4) ayant des discontinuités entre deux couches électriquement conductrices (9-1,9-2) de l'empilement et en faisant diffuser le matériau électriquement conducteur à travers les discontinuités de la couche d'isolant (4). 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que les discontinuités existent naturellement dans la couche d'isolant (4). 25. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que les discontinuités sont créées artificiellement dans la couche d'isolant (4). 26. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche diélectrique ou semi-conductrice (4) avec les ponts (5) électriquement conducteurs est réalisée en utilisant un matériau électriquement conducteur à faible mouillabilité de manière à obtenir, lorsqu'il est déposé, une pluralité de gouttes (111), en déposant au- dessus un matériau électriquement conducteur (112), non miscible avec les gouttes de manière à combler les espaces entre les gouttes, en effectuant un traitement du matériau électriquement conducteur situé entre les gouttes pour le rendre diélectrique ou semi-conducteur. 27. Procédé de réalisation selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'épaisseur du matériau électriquement conducteur (112) est légèrement inférieure à celle des gouttes (111). 28. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'un matériau électriquement conducteur (112) conduisant à la couche diélectrique ou semi-conductrice discontinue est déposé sur une des couches de l'empilement (110), un matériau électriquement conducteur à faible mouillabilité (111) conduisant à une pluralité de gouttes étant déposé audessus, un traitement étant effectué pour rendre diélectrique ou semi-conducteur le matériau électriquement conducteur (112) situé entre les gouttes (111). 29. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'un matériau électriquement conducteur à faible mouillabilité (111) et un matériau électriquement conducteur (112) sont déposés en même temps sur une couche de l'empilement (110), ces matériaux étant non miscibles, ces matériau étant traités de manière à rendre diélectrique ou semiconducteur le matériau électriquement conducteur (112). 30. Procédé de réalisation selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'un matériau électriquement conducteur à faible mouillabilité conduisant à une pluralité de gouttes (111) est déposé sur une des couches (110) de l'empilement, cette couche de l'empilement étant traitée de manière à la rendre diélectrique ou semi-conductrice en surface et à assurer sa coopération avec les gouttes (111). 31. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 26 à 30, caractérisé en ce que le traitement est une oxydation une nitruration. ''.'