REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique monolithique multicouches comprenant des moyens de connexion entre au moins deux couches, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une première couche (46) apte à véhiculer une information sous forme électrique disposée au-dessus d'au moins une seconde couche (43) apte à véhiculer une information sous forme optique et en ce que les moyens de connexion sont des moyens électriques et/ou optiques. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la première couche (46) apte à véhiculer une information sous forme électrique comprend au moins un composant électronique, et la seconde couche (43) apte à véhiculer une information optique comprend au moins un guide optique (40). 3. Dispositif selon la revendication l, dans lequel l'une des couches est en un matériau choisi parmi le Si, AsGa, InP et leurs alliages. 4. Dispositif selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel chaque guide optique (20) est une zone homogène de fort indice comprise entre des zones de plus faible indice. 5. Dispositif selon la revendication 1 comprenant des motifs (21) assurant des fonctions du type piliers mécaniques ou scellements, et garantissant une surface apte à réaliser le report des couches supérieures (24). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les espaces entre les motifs (21) et/ou autour du guide optique (20) sont remplis d'air, de vide, de gaz inerte, ou de matériau de faible indice optique. 7. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel chaque guide optique est un guide (30) basé sur une structure à bande photonique interdite qui est remplie d'air, de vide, de gaz inerte, ou de matériau d'indice optique inférieur à celui du matériau guidant la lumière. 8. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la seconde couche (43) apte à véhiculer une information optique comprend des moyens de couplage (41), et la première couche (46) apte à véhiculer une information électrique comprend au moins un élément optique actif, les moyens de couplage (41) permettant le couplage entre au moins un guide optique (40) et au moins un élément optique actif. 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les moyens de couplage (41) comprennent un coupleur par réflexion. 10. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les moyens de couplage (41) comprennent un coupleur par diffraction. 11. Dispositif selon la revendication 1 dans lequel la seconde couche comprend au moins un élément optique actif et les moyens de connexion sont des moyens électriques entre cet élément et la première couche. 12. Dispositif selon la revendication 1 comportant des entrées/sorties optiques. 13. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique monolithique multicouches, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - réalisation d'au moins un guide optique dans une première couche (10,11, 12,13), - assemblage du substrat en silicium ainsi recouvert avec une seconde couche (14), - réalisation des composants électroniques dans la seconde couche. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'assemblage est réalisé par adhésion moléculaire. 15. Procédé selon la revendication 13, qui comporte en outre une étape de fabrication d'au moins un élément optique actif et/ou des moyens de couplage optique dans la première couche. 16. Procédé selon la revendication 13, qui comporte en outre une étape de fabrication d'au moins un élément optique actif dans la seconde couche (14). 17. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la zone à fort indice du guide optique est obtenue par gravure. 18. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la zone à faible indice du guide optique est obtenue par oxydation ou par nitruration. 19. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'écart des indices optiques du guide optique est obtenu par dopage. 20. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on reporte au moins un élément optique actif (91) dans une cavité d'accueil (92). 21. Procédé selon la revendication 13, dans lequel les couches sont des couches SOI reportées sur un substrat en silicium.