INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme exemples d'esters, on peut notamment citer les esters d'acides gras comme le myristate d'isopropyle, le palmitate d'iso-propyle, le palmitate de 2-éthylhexyle, l'huile de Purcellin (octanoate de stéaryle), l'isononanoate d'isononyle ou d'isostéaryle, le lanolate d'isopropyle, et leurs mélanges.
Les polymères anioniques généralement utilisés dans la présente invention sont des polymères comportant des groupes dérivés d'acides carboxylique, sulfonique ou phosphorique, et présentant une masse moléculaire en poids comprise entre 500 et 5 000 000.
Les groupements carboxyliques sont apportés par des monomères monoacides ou diacides carboxyliques insaturés tels que ceux répondant à la formule :
dans laquelle n est un nombre entier de 0 à 10, A désigne un groupement méthylène, éventuellement relié à l'atome de carbone du groupement insaturé ou au groupement méthylène voisin lorsque n est supérieur à 1, par l'intermédiaire d'un hétéroatome tel que oxygène ou soufre, R4 désigne un atome d'hydrogène, un groupement phényle ou benzyle, R5 désigne un atome d'hydrogène, un groupement alkyle inférieur ou carboxyle, R6 désigne un atome d'hydrogène, un groupement alkyle inférieur, un groupement -CH2-COOH, phényle ou benzyle.
Les polymères anioniques à groupements carboxyliques préférés selon l'invention sont : A) les homo- ou copolymères d'acide acrylique ou méthacrylique ou leurs sels, et en particulier les produits vendus sous les dénominations VERSICOL# E ou K par la société ALLIED COLLOID, ULTRAHOLD# par la société BASF Les copolymères d'acide acrylique et d'acrylamide vendus sous la forme de leur sel de sodium sous les dénominations RETEN# 421,423 ou 425 par la Société HERCULES, les sels de sodium des acides polyhydroxycarboxyliques.
B) Les copolymères des acides acrylique ou méthacrylique avec un monomère monoéthylénique tel que l'éthylène, le styrène, les esters vinyliques, les esters d'acide acrylique ou méthacrylique, éventuellement greffés sur un polyalkylène-glycol tel que le polyéthylène-glycol, et éventuellement réticulés. De tels polymères sont décrits en particulier dans le brevet français 1 222 944 et la demande allemande n 2 330 956, les copolymères de ce type comportant dans leur chaîne un motif acrylamide éventuellement N-alkylé et/ou hydroxyalkylé tels que décrits notamment dans les demandes de brevets luxembourgeois 75370 et 75371 ou proposés sous la dénomination QUADRAMER par la Société AMERICAN CYANAMID. On peut également citer les copolymères d'acide acrylique et de méthacrylate d'alkyle en C1-C4 et le copolymère d'acide méthacrylique et d'acrylate d'éthyle vendu sous la dénomination LUVIMER MAEX par la société BASF.
C) les copolymères dérivés d'acide crotonique tels que ceux comportant dans leur chaîne des motifs acétate ou propionate de vinyle, et éventuellement d'autres monomères tels que les ester allylique ou méthallylique, éther vinylique ou ester vinylique d'un acide carboxylique saturé, linéaire ou ramifié, à longue chaîne hydrocarbonée, tels que ceux comportant au moins 5 atomes de carbone, ces polymères pouvant éventuellement être greffés et réticulés, ou encore un ester vinylique, allylique ou méthallylique d'un acide carboxylique a ou 5-cyclique. De tels polymères sont décrits entre autres dans les brevets
français numéros 1 222 944,1 580 545,2 265 782,2 265 781,1 564 110 et 2 439 798. Des produits commerciaux entrant dans cette classe sont les résines 28-29-30, 26-13-14 et 28-13-10 vendues par la société NATIONAL STARCH.
D) Les polymères dérivés d'acides ou d'anhydrides maléique, fumarique, itaconique avec des esters vinyliques, des éthers vinyliques, des halogénures vinyliques, des dérivés phénylvinyliques, l'acide acrylique et ses esters ; ces polymères peuvent être estérifiés. De tels polymères sont décrits en particulier dans les brevets US 2 047 398,2 723 248,2 102 113, le brevet GB 839 805, et notamment ceux vendus sous les dénominations GANTREZ# AN ou ES par la société ISP.
Des polymères entrant également dans cette classe sont les copolymères d'anhydrides maléique, citraconique, itaconique et d'un ester allylique ou méthallylique comportant éventuellement un groupement acrylamide, méthacrylamide, une a-oléfine, des esters acryliques ou méthacryliques, des acides acryliques ou méthacryliques ou la vinylpyrrolidone dans leur chaîne, les fonctions anhydrides sont monoestérifiées ou monoamidifiées. Ces polymères sont par exemple décrits dans les brevets français 2 350 384 et 2 357 241 de la demanderesse.
Les polymères comprenant les groupements sulfoniques sont des polymères comportant des motifs
vinylsulfonique, styrène-sulfonique, naphtalènesulfonique ou acrylamido-alkylsulfonique.
Ces polymères peuvent être notamment choisis parmi : # les sels de l'acide polyvinylsulfonique ayant une masse moléculaire comprise entre environ 1 000 et 100 000 ainsi que les copolymères avec un comonomère insaturé tel que les acides acrylique ou méthacrylique, et leurs esters, ainsi que l'acrylamide ou ses dérivés, les éthers vinyliques et la vinylpyrrolidone ; # les sels de l'acide polystyrène-sulfonique, les sels de sodium, ayant une masse moléculaire d'environ 500 000 et d'environ 100 000 vendus respectivement sous les dénominations Flexan# 500 et Flexan 130 par National Starch. Ces composés sont décrits dans le brevet FR 2198719 ; # les sels d'acides polyacrylamide-sulfoniques tels que ceux mentionnés dans le brevet US 4 128 631, et plus particulièrement l'acide polyacrylamidoéthylpropane-sulfonique vendu sous la dénomination COSMEDIA POLYMER# HSP 1180 par Henkel.
~es acides polycarboxyliques particuliers ou leurs sels répondent à la formule générale (I) suivante : R-N-(CH(R')COOX)2 (I) jans laquelle : @ R représente un atome d'hydrogène ou un groupe -CH(COOX)-(CH2)2COOX, CH2CH20H, -CH (CH3)-COOX ou -(CH2)2~N(OCOR")-CH2-COOX ; @ R" représente un groupe alkyle, linéaire ou ramifié, comportant de 1 à 30 atomes de carbone ou cyclique comportant de 3 à 30 atomes de carbone ; R' représente un groupe --CH2COOX lorsque R représente un atome J'hydrogène, tandis que R' représente un atome d'hydrogène lorsque R est différent d'un atome d'hydrogène ; et@ X représente un atome d'hydrogène ou un cation monovalent ou divalent issu j'un métal alcalin, alcalino-terreux, d'un métal de transition, d'une amine organique ou d'un ion ammonium.
Plus précisément, les agents complexants correspondent à : # des composés comprenant quatre fonctions acides carboxyliques ou carboxylates, lorsque R représente un atome d'hydrogène et R' représente un groupe -CH2-COOX , ou lorsque R représente le groupe -CH(COOX)-(CH2)2-COOX et R' représente un atome d'hydrogène ; # des composés comprenant trois fonctions acides carboxyliques ou carboxylates, lorsque R représente le groupe-CH(CH3)-COOX et R' représente un atome d'hydrogène, ou lorsque R représente un groupe - (CH2)2-N(OCOR")-CH2-COOX et R' représente un atome d'hydrogène ; et à # des composés comprenant deux fonctions acides carboxyliques ou carboxylates, lorsque R représente le groupe -CH2-CH2-OH et R' représente un atome d'hydrogène.
Au sens de la présente invention, on entend par "métal de transition", un métal comportant une sous-couche d incomplète, plus particulièrement à l'état d'oxydation II, tel que le cobalt (Co2+),le fer (Fe2+),le manganèse (Mn2+), le zinc (Zn2+) et le cuivre (Cu2+).
Le ou les composés de formule (1) sont, de préférence, choisis dans le groupe constitué par l'acide méthylglycine diacétique, l'acide N-lauroyl-N',N'-tri-acétique éthylènediamine, l'acide iminodisuccinique, l'acide N,N-dicarboxyméthyl Lglutamique, leurs sels de métaux alcalins, leurs sels de métaux alcalino-terreux, leurs sels de métaux de transition, leurs sels d'amines organiques, leurs sels d'ammonium, et leurs mélanges.
L'acide méthylglycine diacétique, l'acide 2-hydroxyéthyl iminodiacétique, l'acide N-lauroyl-N',N'-triacétique éthylènediamine, l'acide N,N-dicarboxyméthyl Lglutamique, l'acide iminodisuccinique, et leurs sels sont respectivement représentés par les formules (II), (III), (IV), (V) et (VI) suivantes :
- La figure 13 représente la région Nls des spectres d'analyse de surface en spectroscopie de photoélectrons X (XPS) d'une lame de TiN mise à tremper dans une solution de tétrafluoroborate de 4-nitrophényl diazonium (TiN t d 10-3M (24h) ) dans l'acétonitrile pendant 24 heures en comparaison de la lame de TiN initiale et d'une lame TiN électrogreffé diazo (TiN eg diazo).
- La figure 14 représente la région Nls du spectre d'analyse de surface en spectroscopie de photoélectrons X (XPS) d'une lame de silicium, recouverte, par CVD, d'une couche de 20 nm de TiNSi, plongée dans une solution de 4-vinyl pyridine dans la di-méthyle formamide, en présence de perchlorate de tétra-éthyle ammonium (TiNSi g P4VP), en comparaison de celui de la lame de TiNSi de départ.
- La figure 15 représente des spectres d'analyse de surface en spectroscopie de photoélectrons X (XPS) effectués lame de TiN recouverte de P4VP, reliée à un potentiostat en tant qu'électrode de travail, mettant en évidence l'insertion d'un
précurseur du cuivre (sulfate de cuivre [CuS04, 5 H20] ) dans le film de P4VP. La région des orbitales 2p du cuivre du spectre XPS de la lame est représentée sur la partie supérieure de la Figure 15.
La Figure 16 représente la région Nls du spectre XPS de la figure 15. Sur les figures 15 et 16, in représente les mesures par incidence normale et ir par incidence rasante.
- Les figures 17,18 et 19 représentent la comparaison de profils, obtenus au moyen d'un microscope à force atomique (AFM) de substrats présentant des gravures sous forme de tranchées régulièrement espacées, avant et après revêtement par un film de germination d'un matériau métallique obtenu selon des procédés de la présente invention. z représente des dimensions en nm et x des dimensions en um, g = greffé.
- Les figures 20 et 21 sont des micrographies de microscopie électronique à balayage (MEB) d'un substrat de silicium présentant des gravures régulières sous forme de tranchées de 200 nm de largeur environ, et espacées de 300 nm, revêtues d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et revêtues d'un film de polymère (P4VP) électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement. Il s'agit d'un grossissement x100000 (figure 20) (l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 300 nm sur la micrographie) et d'un grossissement x150000 (figure 21)(l'échelle est
indiquée par les pointillés et la cote 200 nm sur la micrographie).
- Les figures 22 et 23 sont des micrographies de microscopie électronique à balayage (MEB) d'un substrat de silicium présentant des gravures régulières sous forme de tranchées de 200 nm de largeur environ, espacées de 300 nm, et ayant une profondeur de 400 nm revêtues d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et revêtues d'un film d'un sel de diazonium électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement. Il s'agit de grossissements x60000 (figure 22) et xllOOOO (figure 23) (sur les micrographie, l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote, respectivement 500 et 173 nm) .
- La figure 24 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB) montrant l'effet produit par le même traitement que celui utilisé pour obtenir le résultat des figures 22 et 23, mais sur une gravure plus fine, de 0,12 um. Il s'agit d'un grossissement x50000 (sur les micrographie, l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 600 nm).
- La figure 25 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB) d'une tranche d'un substrat de silicium sans gravures (surface plane) revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et d'un film de P4VP électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du
revêtement. Il s'agit d'un grossissement x35000 (sur la micrographie, l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 857 nm). Les pointillés indiquent les différentes couches de matériaux.
- La figure 26 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB) d'une tranche d'un substrat de silicium avec gravures revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, d'un film de germination a base d'un sel de diazonium électro-greffé, et d'une couche de cuivre formée à partir de, et sur, la couche de germination, montrant la conformité du revêtement de cuivre sur les gravures.
Il s'agit d'un grossissement x25000 (sur la micrographie, l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 1,20 nm).
- La figure 27 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB), obtenue à un autre endroit du substrat de la figure 26. Il s'agit d'un grossissement x35000 (sur la micrographie, l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 857 nm) .
EXEMPLES Exemple n 1 : Remplissage d'un film ultra-mince de poly-4-vinyl pyridine (P4VP) électro-greffé sur or par des précurseurs ioniques.
Le surcroît en temps reste également faible. Le temps de l'opération de lecture en mode test augmente pour occuper 0.5% du temps de l'opération de programmation. Par ailleurs, le mode de fonctionnement normal de la mémoire est maintenue.
Les valeurs des tensions de seuil VT sont fournies selon un format numérique, de sorte que le processus d'extraction ne requière pas de terminal analogique au niveau des moyens de test. Le composant reste ainsi compatible avec les moyens de test entièrement numériques, ou facilement observable via une logique aléatoire dans le cas d'une mémoire EEPROM imbriquée.
Il sera maintenant décrit une méthodologie de diagnostic permettant d'exploiter judicieusement les informations extraites concernant les tensions et/ou courants de seuil d'un ensemble de cellules d'un plan mémoire.
Une approche classique pour le diagnostic et le déverminage ("debugging" en anglais) d'une mémoire consiste à réaliser une cartographie numérique "bitmap" du plan mémoire. Cette cartographie est bâtie lors des
tests fonctionnels pour permettre de vérifier, au niveau de la topologie, l'état de chaque cellule. A partir de la vue d'ensemble procurée par cette cartographie, les signatures significatives sont cataloguées : bit isolé, colonne, ligne, colonne partielle, etc., pour aider à déterminer la cause à la base d'une défaillance (cf. l'article de Segal et al cité supra).
Cependant, il se peut que plusieurs mécanismes de défaillance se manifestent avec la même signature. Afin de minimiser ce facteur de limitation, une solution serait d'extraire d'autres paramètres électriques significatifs.
Cette solution est particulièrement pertinente lorsque le procédé de diagnostic vise des cellules analogiques, telles que des cellules de mémoire EEPROM.
Le paramètre électrique le plus informatif dans le cas d'une cellule EEPROM est la valeur de tension de seuil VT ou son courant de seuil IT.
Au vu de ces considérations, il est proposé de produire, lors de tests fonctionnels, une cartographie bit "analogique". Dans le cas d'une cellule de mémoire EEPROM, la cartographie bit analogique comprend trois représentations en cartographie bit : - une pour la tension de seuil VTvierge ou le courant de seuil ITvierge d'une cellule vierge, - une pour la tension de seuil VTeff ou le courant de seuil ITeff d'une cellule effacée, et - une pour la tension de seuil VTinscr ou le courant seuil ITinscr d'une cellule écrite.
Chacune des cellules contrôlées est individuellement identifiée dans son plan mémoire(2), par exemple par son adresse.
Les cartographies bit analogiques qui en résultent peuvent être exploitées de la même manière qu'une
cartographie bit numérique, avec des classifications de signatures en fonction des valeurs de tension de seuil VT ou IT .
Ces signatures de classification sont potentiellement très utiles pour caractériser un procédé et pour évaluer son impact sur un plan mémoire.
Pour réaliser une telle cartographie bit analogique, on convertit les données issues de registre à décalage susmentionné. La conversion de la valeur du registre en une valeur analogique de seuil de tension est simple pour les cellules, étant codée par le motif de bits dans le registre à décalage 42 ou 66 au moment du basculement d'état de l'amplificateur de lecture, comme décrit plus haut.
Les figures 23a, 23b et 23c représentent schématiquement à une cartographie bit analogique obtenue pour la simulation du plan mémoire 4X4 avec des mots de 4 bits, définie supra, respectivement pour un plan de cellules à l'état vierge, à l'état écrit, et à l'état effacé.
Les valeurs expriment, pour ces trois états, les courants de seuil extraits ( A),conformément au deuxième mode de réalisation. (Dans les figures, seules les quatre valeurs pour la première rangée sont écrits ; on comprendra bien entendu que chaque cellule aura sa propre valeur attribuée dans la pratique.) Dans le cas du premier mode de réalisation, on aurait des valeurs de tension de seuil pour les cellules vierges et effacées, et des valeurs de courant de seuil pour les cellules écrites à la place des valeurs de courant.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1.64 (s, 4H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; 3. 89 (s, 2H) ; 4. 55 (s, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 13H) ; 9 . 65 (s, 1H) ESI-MS m/z 497 [M+H]+ Exemple 200 : Préparé à partir de l'intermédiaire 18 et de 4-iodophenyl isocyanate selon la méthode A.
1H-NMR (DMSO-d6) # 1. 58 (s, 4H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; 4. 66 (s, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 8H) ; 9.84(s, 1H) ESI-MS m/z 533 [M+H]+ 4. 28) Composé préparé à partir du dérivé de l'exemple 200 par la méthode E.
Exemple 201 Préparé à partir du dérivé de l'exemple 201 et de 5- chloro-2-thiopheneboronic acid selon la méthode E.
1H-NMR (DMSO-d6) 5 1. 64 (s, 4H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; 4. 72 (s, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 10H) ; 9. 90 (s, 1H) ESI-MS m/z 523 [M+H]+
4.29) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 19 par la méthode A.
Exemple 202 : Préparé à partir de l'intermédiaire 19 et de 4- phenoxyphenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 499 [M+H]+ Exemple 203 : Préparé à partir de l'intermédiaire 19 et de 3,4- dichlorophenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 475 [M+H]+ Exemple 204 : Préparé à partir de l'intermédiaire 19 et de 4-chloro-3- trifluoromethylphenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 509 [M+H]+ 4. 30) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 20 par la méthode A.
Exemple 205 : Préparé à partir de l'intermédiaire 20 et de 3,4- dichlorophenyl isocyanate selon la méthode A.
1H-NMR (DMSO-d,) 8 1. 66 (s, 4H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; 4. 76 (s, 2H) ; 5. 30 (s, 2H) ; (m, 7H) ; 10. 14 (s, 1H) ESI-MS m/z 475 [M+H]+ Exemple 206 : Préparé à partir de l'intermédiaire 20 et de 4- chlorophenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 441 [M+H]+ Exemple 207 : Préparé à partir de l'intermédiaire 20 et de 4- phenoxyphenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 499 [M+H]+
Exemple 208 : Préparé à partir de l'intermédiaire 20 et de 4- isopropylphenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 449 [M+H]+ 4.31) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 21 par la méthode A.
Exemple 209 Préparé à partir de l'intermédiaire 21 et de 4- chlorophenyl isocyanate selon la méthode A.
Il est à noter que le radical aromatique, de préférence un radical phényle, est relié aux groupements CR3R4 par l'intermédiaire de liaisons en positions 1,2 ; 1,3 ou 1;4, de préférence en positions 1,3 et 1,4. Si le radical phényle relié par l'intermédiaire de liaisons en positions 1,4, porte un ou deux substituants, ce ou ces derniers sont situés de préférence en position 1,4 par rapport à l'un des groupements CR3R4. Si le radical phényle relié par l'intermédiaire de liaisons en positions 1,3, porte un substituant, ce dernier est situé de préférence en position 1 ou 3 par rapport à l'un des groupements CR3R4.
A titre d'exemples de groupements X convenables, on peut citer notamment les radicaux alkyle linéaires ou ramifiés comprenant 1 à 13 atomes de carbone tels que méthylène, éthylène, propylène, isopropylène, n-butylène, pentylène, hexylène ; le 2hydroxypropylène, le 2-hydroxy n-butylène ; les radicaux alkylènes en C1-C13, substitués ou interrompus par un ou plusieurs atomes d'azote et/ou d'oxygène, et/ou groupements
portant au moins un hétéroatome (hyroxyle, amino, ammonium, carbonyle, carboxyle, par exemple) tels que -CH2CH20CH2CH2-, le 1,6-didéoxy-d-mannitol, -CH2N+(CH3)2CH2-, -CH2CH2N+(CH3)2-(CH2)6N+(CH3)2-CH2CH2-, CO-CO-, le 3,3-diméthylpentylène, le 2-acétoxyéthylène, le butylène1,2,3,4 tétraol ; -CH=CH- ; les radicaux aromatiques ou diaromatiques substitués par un ou plusieurs radicaux alkyle, par un ou plusieurs groupements portant au moins un hétéroatome et/ou par un ou plusieurs atomes d'halogène, tels que le 1,4-phénylène, le 1,3-phénylène, le 1,2-phénylène, le 2,6fluorobenzène, le 4,4'-biphénylène, le 1,3-(5-méthyl benzène), le 1,2-bis(2méthoxy)benzène, le bis(4-phényl)méthane, le 3,4 benzoate de méthyle, le 1,4-bis(amido méthyl)phényle; les radicaux de type hétérocycliques dérivant de pyridine, comme le 2,6bispyridine, d'imidazole, d'imidazolium, de triazine.
X représente, selon un mode de réalisation plus particulier de l'invention, un radical alkyle linéaire ou ramifié en C1-C13 ; -CH2CH (OH)CH2- ; -CH2CH(CI)CH2- ; -CH2CH2OCOCH2- ; -CH2CH2COOCH2- ; -R-O-R'- avec R représentant un radical alkyle linéaire en C2-C6 et R' représente un radical alkyle linéaire en C1-C2 ; -R-N (R')-R"- avec R représentant un radical alkyle en C2-C9, R' représentant un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C2 et R"' représentant un radical alkyle en C1-C6 ; -R-N+ (R')2-R"avec R représentant un radical alkyle linéaire en C2-C9, R', de préférence identiques, représentent un radical alkyle en C1-C2, R" représente un radical alkyle linéaire en C1C6 ; -CO-CO-.
X peut de plus représenter les radicaux divalents de formule suivante : dans laquelle R et R', identiques ou non, représentent un radical alkyle linéaire en C1-C6. X peut de même être choisi parmi les radicaux diva lents dérivés de triazine suivants : yH2 CH 1 fCH2)2 CH,), fCH2)3 fCH2)3 HNNNH HNN;,NH HNL .N-..NH HNyNyNH HNyNyNH HN Y, Ny NH N N N ,5 N N N N(N N(N OH OH OH CH2 CH2 (CH2)2 fcn2)2 CH,), pH HN Y, N y NH HNyNyNH HNyNyNH NN N'(N N-N NH2 NH2 NH2
Parmi les anions d'origine organique, on peut citer les anions provenant des sels d'acides mono- ou polycarboxyliques, sulfoniques, sulfuriques, saturés ou non, aromatiques ou non, éventuellement substitués par au moins un radical hydroxyle, amino, ou atomes
d'halogène. A titre d'exemples non limitatifs, conviennent les acétates, hydroxyactétates, aminoacétates, (tri)chloroacétates, benzoxyactétates, propionates et dérivés portant un atome de chlore, fumarates, oxalates, acrylates, malonates, succinates, lactates, tartrates, glycollates citrates, les benzoates et dérivés portant un radical méthyle ou amino, les alkylsulfates, les tosylates, les benzènesulfonates, toluènesulfonates, etc.