REVENDICATIONS 1) Composés caractérisés en ce qu'ils répondent à la formule (I) cidessous : dans laquelle M représente un atome de cuivre ou un atome d'argent ; R' et R", identiques ou différents représentent un groupement choisi parmi : un alkyle en C1-C8 ; un groupement -OR"', dans lequel R'" représente un alkyle en C1-C8 ; R représente un groupement choisi parmi : un groupement - OR , dans lequel R représente un alkyle en C1-C8 ; un groupement nitro : N02 ; une fonction aldéhyde : -CHO ; une fonction ester -COOR , dans laquelle R représente un groupement alkyle en C1-C8 ; L représente un ligand de stabilisation. 2) Composé selon la formule (I), caractérisé en ce que L est choisi parmi : a- le monoxyde de carbone, b- les ligands hydrocarbonés insaturés comportant au moins une insaturation non aromatique, c- les isonitriles, d- les phosphines, e- les composés répondant à la formule (II) ci-dessous : (R')(R 2)C = C(R3)Si{R')(R')(R6) dans laquelle - RI représente l'atome d'hydrogène ou un groupement alkyle en CrCs, ou un groupement SiRRSR'. R2 et R3, identiques ou différents, représentent l'atome d'hydrogène ou un groupement alkyle en Ci-Cs, R4, R5et R6, identiques ou différents, représentent un groupement phényle ou alkyle en C1-C8 ; f- les composés répondant à la formule (III) ci-dessous : dans laquelle - R7 représente un groupement alkyle en C1-C8, phényle, ou Si(Rx)(R' (R1o) ; - R, R9, R , identiques ou différents, représentent un groupement alkyle en Cj-Cs ou phényle ; g- les composés répondant à l'une des formules (IV), (V) et (VI) cidessous : dans lesquelles Y1, Y2, Y3 et Y4, identiques ou différents, sont choisis parmi un atome d'hydrogène, un alkyle en Cj-Cs, un groupe -SI(R5)3 où R5 est un alkyle en C1-C8, i et jreprésentent un entier choisi parmi 0, 1, 2,3, et X1 et X2, identiques ou différents, représentent un groupement attracteur d'électrons tels que notamment un alcényle en C1-C8. 3) Composé selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que M représente l'atome de cuivre. 4) Composé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que R' ou R" représentent un groupement choisi parmi CH3 et C2H5. 5) Composé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que R représente un groupement choisi parmi NO2 et OCH3. 6) Composé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que L représente un ligand choisi parmi le 1,5-cyclooctadiène et le bis(triméthylsilyl)acétylène. 7) Procédé pour le dépôt chimique en phase gazeuse d'un métal choisi parmi le cuivre et l'argent sur un support, ce procédé étant caractérisé en ce que l'on utilise un composé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 comme précurseur du cuivre ou de l'argent. 8) Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le support est constitué par un matériau choisi parmi Si, AsGa, InP, SiC, SiGe. 9) Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 8, caractérisé en ce que le support comporte une ou plusieurs couches intermédiaires constituées d'au moins un matériau choisi parmi TiN, TiSiN, Ta, TaN, TaSiN, WN, WSiN. 10) Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'il est mis en #uvre à une température allant de 120 à 300 C. 11) Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que le précurseur de cuivre ou d'argent est utilisé pur. 12) Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que le précurseur de cuivre ou d'argent est utilisé en solution dans un solvant. 13) Utilisation d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 12 pour le dépôt d'une couche de cuivre ou d'argent d'une épaisseur allant de 0,2 à 500 nm. 14) Utilisation d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 12 pour la fabrication d'un circuit intégré.