INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une variante de réalisation pratique préférentielle de l'invention, l'élément 1 à solidariser, intégrant les ailettes 5 et 5', est obtenu à partir d'un profilé extrudé en aluminium ou en un matériau à base d'aluminium et en ce que les parois 4,4', 4"délimitant la rainure 2 consistent en un matériau thermoplastique, tel que du polychlorure de vinyle.
La présente invention convient particulièrement pour la fabrication d'articles utilisés dans le domaine de l'automobile, de la connectique électrique ou électronique tels que des éléments de disjoncteurs, interrupteurs, connecteurs ou analogues.
PARTIE EXPERIMENTALE 1) Exemples de réalisation de composition selon l'invention Les composés utilisés sont les suivants : - PA 6 : PA 6 ayant une viscosité index de 140 (ISO 307, acide formique), et Mn 17600 (GPC), vendu par Rhodia, France ; - PA B : 6 étoile obtenu par copolymérisation de lactame de formule (IV) avec 0,3-1 % en moles de composé polyfonctionnel de formule (V) comprenant au moins trois groupes amine ou acide carboxylique. Le polymère possède un MFI 30-45 g/10' (275 C/325g), et Mn 16000-18000 (GPC) ; - Fibres de verre CS123D-10C (Owens Corning Fibreglass) ; - Melamine cyanurate (DSM) - Melem : Delamin@ 450 (Delacal) ; - Borate de zinc: Firebrake# ZB ( US Borax) ; - Calcium stéarate (Faci SpA) ; - PDBS 80 : poly di-bromo styrène, contenant 59 % de bromine (Caldic) - Sb203 : trioxyde d'antimoine ; - Irganox 1098 (Ciba-Geigy) ; - Antiblaze 1045 : CAS n 42595-45-9 (Rhodia Consumer Specialities) Les compositions sont préparées par mélange des composants dans des proportions indiquées dans les exemples, sur une extrudeuse double-vis Werner & Pfleiderer ZSK 30, ayant une vitesse de vis de 250 rpm et une sortie de 15 Kg/h. Des températures d'à peu prés 240 C sont utilisées pour le PA6.
Les fibres de verre et les composés minéraux sont ajoutés au mélange à la gorge de l' extrudeuse.
Les granules sont séchés et moulés sur une machine de moulage par injection Arburg 320 M500-210 à une température de 240 C (PA6 et PA branchés) et ensuite moulés à 80 C.
2) Propriétés des compositions de l'invention Les propriétés sont déterminées sur des éprouvettes, selon les méthodes suivantes :
La résistance à la flamme est mesurée selon le test UL-94 ("Underwriters Laboratories").
Ce test est réalisé avec des éprouvettes d'épaisseur de 1,6 mm et 0,8 mm, après conditionnement de 48 heures à 50 % RH (humidité relative). Le résultat est codifié comme suit : - N.C. : classé (ignifugation faible) - V-2 : le temps moyen de combustion est inférieur à 25 secondes, le temps de combustion maximum est inférieur à 30 secondes (auto-extinction) ; goutte de polyamide enflammant le coton - V-1 : temps moyen de combustion est inférieur à 25 secondes, le temps de combustion maximum est inférieur à 30 secondes (auto-extinction) ; pas d'inflammation du coton par la goutte - V-0 : temps moyen de combustion est inférieur à 5 secondes, le temps de combustion maximum est inférieur à 10 secondes (auto-extinction) ; pas d'inflammation du coton
VO V1 V2 Temps de combustion max (s) 10 30 30 Temps de combustion moyen (s) 5 25 25 Inflammation du coton par goutte non non Oui Les temps de combustion du composé lors du test UL-94 sont mesurés en secondes.
La résistance au fil incandescent (GWT) est mesurée selon la norme IEC 695-2-1 sur des éprouvettes d'épaisseur de 3,0, mm, 1,5 mm et 1,0 mm. Les résultats à différentes températures sont classifiés comme suit :
PI Pas d'inflammation ou pas d'inflammation soutenue. passe Inflammation durant l'application du fil incandescent mais auto extinction dans les 30 secondes après enlèvement dudit fil incandescent. Pas de goutte enflammée. échec Inflammation durant l'application du fil incandescent et pas d'auto extinction dans les 30 secondes après enlèvement dudit fil incandescent, ou formation de gouttes enflammées.
Les propriétés mécaniques sont déterminées selon les méthodes suivantes : - Résistance aux chocs CHARPY selon la norme ISO 179\leA et ISO 179\leU.
- Fluidité en fondue (MFI) mesurée à 275 C selon la norme ISO 1133. Le MFI du PA Branché est obtenu à 235 C. Dans les exemples suivants, la charge est de 325g pour les exemples 1 et 2, et de 1000g pour les exemples 3 à 8.
- Fluidité en fondue selon le test spiral, à une température fondue de 250 C et une température du moule de 60 C.
Les propriétés des compositions réalisées précédemment sont rassemblées dans le tableau 1 :
une colonne du type de celle représentée en figure 5. En se contentant d'une lecture de la cellule, la structure décrite précédemment permet bien d'obtenir, sur les bornes Q et NQ, l'état programmé de la cellule identifiée par la différence de valeur des résistances RP1 et RP2, même infime. Cette différence est amplifiée et l'état de la cellule est stabilisé grâce à sa structure croisée.
La stabilisation d'une cellule telle qu'illustrée par la figure 10 s'effectue grâce à deux transistors de stabilisation MPP1 et MPP2 (ici des transistors MOS à canal P) dont les drains respectifs sont connectés aux bornes Q et NQ (comme dans les figures précédentes) et dont les sources respectives sont destinées à recevoir la tension de stabilisation Vp. Les grilles des transistors MPP1 et MPP2 reçoivent les signaux Pgl et Pg2. On notera toutefois que, s'agissant de transistors MOS à canal P, les états de ces signaux doivent être inversés par rapport aux structures précédemment décrites utilisant des transistors à canal N.
Avant sélection de la cellule, les transistors MPS1 et MPS2 sont tous deux bloqués par le signal ROW. La structure est donc isolée.
Une lecture commence par la mise à l'état haut du signal COM qui impose un niveau bas à l'ensemble des noeuds de la structure de la cellule. Lorsque le signal COM est remis à zéro, les grilles des transistors 81D et 85D sont chargées à travers la résistance RP1 tandis que les grilles des transistors 81G et 85G sont chargées à travers la résistance RP2, les capacités de grilles étant équivalentes par symétrie. En supposant que la résistance RP1 présente la valeur la plus faible, le drain du transistor 82G a un potentiel supérieur au drain du transistor 82D. Cette réaction s'amplifie pour donner un niveau haut sur la borne 24 et un niveau bas sur la borne 26. Cette opération est faite une seule fois tant que la tension d'alimentation Vr est maintenue.
Pour lire cette cellule, on la sélectionne par la mise à l'état haut du signal ROW. Les transistors MPS1 et MPS2 sont alors rendus passants, ce qui permet de transférer l'état des noeuds 24 et 26 sur les bornes Q et NQ, donc sur les lignes de bits Q et NQ générant les niveaux logique de sortie LOGi et NLOGi.
Pour stabiliser la cellule de la figure 10, on part d'un état où les transistors de sélection MPS1 et MPS2 sont bloqués. On commute le signal COM à l'état haut pour tirer les drains respectifs des transistors 82G et 82D à la masse. Comme le transistor 84 est bloqué, toute fuite de courant vers l'alimentation Vr est impossible.
On impose alors grâce à l'un des transistors MPP1 et MPP2, un niveau de tension suffisant (Vp) sur la borne Q ou NQ selon la résistance RP1 ou RP2 que l'on souhaite programmer par diminution irréversible de sa valeur. Puis, on provoque la fermeture des transistors MPS1 et MPS2 par la commutation du signal ROW. La tension de programmation est immédiatement transférée sur la résistance à programmer, alors que le noeud NQ ou Q opposé reste flottant.
Les tensions de programmation et de lecture peuvent être différentes comme cela sera exposé ci-après.
Dans le montage illustré en figure 10, les sources respectives des transistors MPP1 et MPP2 sont reliées en sortie d'éléments suiveurs 87G et 87D alimentés par la tension de programmation Vp. Les entrées respectives des éléments suiveurs 87G et 87D reçoivent la tension Vp au moyen d'un amplificateur suiveur 88 dont l'entrée reçoit un signal Prg binaire de déclenchement d'une programmation et dont la sortie est reliée directement en entrée de l'amplificateur 87G et, par l'intermédiaire d'un inverseur 89 alimenté par la tension Vp, en entrée de l'amplificateur 87D. Le rôle de l'inverseur 89 est de sélectionner celle des branches à soumettre à la tension Vp selon l'état du signal PRG. Dans ce cas, les transistors MPP1 et
MPP2 peuvent être commandés par un même signal. En l'absence d'inverseur 89, on utilise des signaux Pgl et Pg2 séparés.
Pour éviter une inversion accidentelle de l'état de la cellule quand les transistors de sélection sont fermés en raison de niveau de précharge sur des lignes non-contrôlées de la structure, on prévoit deux transistors, respectivement 90G et 90D (ici des transistors MOS à canal N), reliant les lignes respectivement Q et NQ à la masse. Ces transistors sont commandés simultanément par une combinaison de signaux W et R indicateurs respectivement par un état haut d'une phase d'écriture et d'une phase de lecture. Ces deux signaux sont combinés par une porte de type NON-OU Exclusif 91 dont la sortie traverse un amplificateur décaleur de niveau 92, alimenté par la tension Vp, avant d'attaquer les grilles des transistors 90G et 90D.
Cette structure permet de tirer les noeuds Q et NQ à la masse avant chaque opération de lecture.
La génération des signaux de commande de la structure de la figure 10 est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.
Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les dimensionnements des résistances en silicium polycristallin en vue d'obtenir une valeur nominale dépendent de l'application et sont à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données cidessus. De plus, les valeurs des contraintes en tension ou en courant pour la mise en oeuvre de l'invention sont à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En outre, bien que l'invention ait été décrite en relation avec des transistors MOS à canal N, sa structure se transpose aisément à des transistors MOS à canal P, les résistances des cellules étant alors connectées au potentiel le plus bas (négatif) d'alimentation. Enfin, on notera que l'invention est aisément transposable d'une technologie à une autre.
La présente invention concerne un dispositif destiné à produire de la chaleur a partir d'une source électrique.
Ceci pour des applications de chauffage, production d'eau chaude et toutes applications domestiques ou industrielles réclament une production de chaleur.
Dans un premier mode de réalisation, les deux sites sont identiques. Ils peuvent avoir une orientation directe ou inverse sur le substrat ADN. Dans un mode de réalisation préféré, les deux sites présentent une orientation inverse. Cette orientation inverse permet l'amplification par PCR du substrat ADN avec une seule amorce capable de s'hybrider au niveau du demi-site de coupure restant sur le substrat ADN coupé à amplifier. L'orientation inverse des sites est préférable pour l'utilisation de la méthode pour effectuer une sélection d'endonucléase basée sur une discrimination utilisant une digestion différentielle ou une déplétion. En effet, cette orientation permet la régénération du substrat ADN, avec les deux sites de coupure entiers, après un tour de sélection.
Dans un deuxième mode de réalisation, le substrat ADN comprend deux sites de coupure différents. Un premier site est connu pour être coupé par l'endonucléase testée. Un deuxième site est un site variable. Ce mode de réalisation permet de tester la spécificité de l'endonucléase étudiée et de faire un criblage ou une sélection d'une banque de sites de coupure.
Dans un troisième mode de réalisation, le substrat ADN comprend deux sites de coupure différents. Un des sites est coupé par une endonucléase autre que l'endonucléase testée. Le deuxième site est soit un site variable soit un site connu pour être coupé par l'endonucléase testée.
Par exemple, cette deuxième endonucléase peut être l'enzyme de restriction Sph I.
Dans un quatrième mode de réalisation, le substrat ADN comprend deux sites de coupure différents. Un substrat ADN particulièrement intéressant présente deux sites comportant chacun un demi-site variable, ce demi-site variable ayant une orientation proximale sur le substrat ADN. Les autres demi-sites sont de préférence des demi-sites présents dans des sites de coupure connus pour être coupés par l'endonucléase testée, ce demi-site constant ayant une orientation distale sur le substrat ADN. De préférence, les sites de coupure présentent une orientation directe. Ce mode de
réalisation est particulièrement bien adapté pour tester la spécificité de l'endonucléase étudiée et faire un criblage ou une sélection d'une banque de sites de coupure.
Un site variable peut avoir soit une séquence déterminée, soit une séquence partiellement ou complètement aléatoire. La variation peut être contenue dans un demi-site ou concerner le site entier.
Dans un mode de réalisation, le substrat comprend également la séquence codant pour l'endonucléase à tester. Plus particulièrement, il comprend une cassette d'expression pour l'endonucléase avec tous les éléments nécessaires à sa transcription en ARNm et à la traduction de cet ARNm en protéine. Cette séquence codante ou cassette d'expression est de préférence localisée entre deux sites. Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux pour l'utilisation de la méthode selon la présente invention pour la sélection d'une endonucléase. L'expression de cette endonucléase peut être faite dans une cellule eucaryote ou procaryote ou dans un système transcription/traduction couplée in vitro.
La cassette d'expression est de préférence adaptée au système de transcription/traduction couplé in vitro. Ce système de transcription/traduction couplé in vitro peut être, de manière nonexhaustive, le système S30 de E. coli (par exemple, le système RTS de Roche), un extrait de réticulocyte de lapin (Pelham et Jackson, 1976, Eur J Biochem, 67, 247-256) , ou un extrait de germe de blé (Anderson et al., 1983, Methods Enzymol, 101,635-644) (Promega, Pharmacia, Panvera). Cette cassette d'expression comprend, outre la séquence codante pour l'endonucléase, un promoteur (par exemple, le promoteur T7), un site de liaison au ribosome (une séquence kozak ou shine-delgarno suivant le système utilisé, eucaryote ou procaryote), un codon ATG en début de la séquence codante, un codon stop en fin de celle-ci et un terminateur de transcription (par exemple, celui du bactériophage T7).
La taille du substrat est de préférence suffisante pour obtenir une amplification par PCR efficace lorsqu'une étape d'amplification par PCR précède l'étape de détection de l'ADN ou se révèle nécessaire. L'utilisation d'un très grand fragment d'ADN, sans raison particulière, n'est pas souhaitable car la grande taille de ce fragment pourrait entraîner une augmentation du coût de la méthode et gêner lors de l'étape de discrimination, par exemple gêner la dégradation différentielle par l'exonucléase. C'est pourquoi, dans un mode de réalisation préféré, la taille du substrat ADN est comprise entre 25, 50 ou 100 et 3000 pb, de préférence entre 300 et 1000 pb.
Lorsqu'une étape d'amplification par PCR précède l'étape de détection de l'ADN ou se révèle nécessaire, la distance entre les deux sites est de préférence bien adaptée pour obtenir une amplification par PCR efficace. Cette distance est généralement comprise entre 25, 50 ou 100 pb et 3000 pb, de préférence entre 300 et 1000 pb. Dans l'alternative où le substrat comprend la séquence codante pour l'endonucléase, cette distance dépend de la taille de la cassette d'expression.
Dans un mode de réalisation, le substrat peut contenir, en plus des deux sites testés, un ou plusieurs sites de reconnaissance et de coupure différents des sites testés. Ainsi, si l'endonucléase ne présente pas la spécificité requise, elle coupe dans les sites additionnels. Ainsi, le substrat ayant subi les coupures additionnelles ne pourra pas être amplifié par PCR. Les sites additionnels sont de préférence placés entre les deux sites testés.
Le substrat ADN tel que décrit ci-dessus peut être utilisé dans la méthode selon la présente invention en combinaison avec d'autres molécules d'ADN contenant un site de coupure. Ce site peut être identique ou différent de ceux compris par le substrat ADN. Ces autres molécules permettent de faire une compétition avec les sites de coupure présents sur ledit substrat. Ainsi, l'efficacité de l'endonucléase peut être estimée plus précisément. Ces autres molécules sont de préférence éliminées lors de l'étape de discrimination et/ou ne sont pas amplifiées lors de l'étape d'amplification par PCR. Cependant, les substrats initiaux peuvent être composés d'un mélange de substrat (s) portant une cassette d'expression pour une endonucléase et de substrat (s) la cassette d'expression. Ce mélange peut permettre une estimation plus fine de l'efficacité de clivage de l'endonucléase. Ce mélange, de par la compétition entre divers substrats, augmente la rigueur du test, de la sélection ou du crible.
Facultativement, le substrat ADN peut également comprendre un gène de résistance à un antibiotique et/ou une origine de réplication. En effet, ces éléments permettent d'utiliser une forme circulaire du substrat ADN pour transformer une cellule hôte, de préférence une bactérie, plus particulièrement E. coli.
Le substrat ADN peut être préparé par de nombreuses techniques bien connu de l'homme du métier. Parmi ces techniques, on trouve la synthèse d'oligonucléotides et l'amplification par PCR.
Par exemple, un substrat contenant deux sites constants peut être préparé à l'aide d'une amplification par PCR avec des amorces contenant la séquence du site de coupure (voir Exemple I). Lorsque le substrat comprend en plus la séquence codante pour une endonucléase, ces amorces amplifient une matrice présentant cette séquence codante (voir Exemple II). Les éléments nécessaires à l'expression de l'endonucléase sont compris soit dans la séquence de la matrice amplifiée soit dans les amorces de PCR. De préférence, la matrice est un vecteur de clonage (par exemple, un vecteur pET (Novagen)) dans lequel a été clonée une séquence codante pour une endonucléase.
CAPTEUR DE PRESSION A SEMICONDUCTEUR DU TYPE MEMBRANE ET TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR UTILISEE POUR SA FABRICATION La présente invention concerne un capteur de pression à semiconducteur du type membrane, qui comprend un substrat semiconducteur ayant : une surface active et une surface arrière d'orientation de face cristallographique (110); et une membrane qui a été formée dans la surface active en formant une cavité dans la surface arrière, et elle concerne également une tranche de semiconducteur utilisée pour la fabrication du capteur de pression à semiconducteur du type membrane.
Le capteur de pression à semiconducteur du type membrane comprend un substrat semiconducteur qui a une surface active d'orientation de face cristallographique (110) et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110). Ce type de substrat semiconducteur sera appelé ciaprès un substrat semiconducteur (110).
Comme représenté sur la figure 12, un capteur de pression à semiconducteur du type membrane qui est proposé comprend un substrat semiconducteur (110) rectangulaire, 10, ayant quatre côtés 10a. Le substrat semiconducteur (110), 10, comprend une membrane 14 utilisée pour détecter une pression. La membrane 14 est placée au fond d'une cavité 13, ou dans la surface active du substrat semiconducteur (110), 10. La cavité 13 a été formée par gravure anisotrope d'une partie du substrat en silicium, à partir duquel le substrat semiconducteur (110) a été formé, en partant de la surface arrière de celui-ci.
La membrane 14 comprend des résistances extensométri-
ques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2, qui sont des éléments piézorésistifs.
Comme représenté sur la figure 12, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 sont constituées de deux résistances extensométriques centrales Rc1 , Rc2, qui sont placées dans la région centrale de la membrane 14, et de deux résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2, qui sont placées à la périphérie de la membrane 14. Les quatre résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2 constituent un circuit en pont utilisé pour détecter la pression.
Lorsque la membrane 14 est déformée par une pression à détecter, les valeurs des résistances extensométriques Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2 varient en réponse à la déformation de la membrane 14, et la pression est détectée sur la base de la variation des valeurs des résistances.
Dans le processus de fabrication du capteur de pression à semiconducteur du type membrane qui est proposé, une multiplicité de régions rectangulaires, qui deviennent des puces de capteur, sont formées dans une tranche de silicium, qui a une surface active d'orientation de face cristallographique (110), une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation ayant une face cristallographique d'orientation (100). Les régions sont définies en formant des lignes de marquage sensiblement parallèles au méplat d'orientation et des lignes de marquage sensiblement orthogonales au méplat d'orientation. Ensuite, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 sont formées en utilisant des techniques de traitement de semiconducteurs telles que l'implantation ionique et la diffusion, dans la zone de chacune des régions dans lesquelles une membrane 14 doit être formée. Ensuite, une partie de la tranche de silicium est gravée de façon anisotrope à partir de la surface arrière dans chacune des régions, pour former une cavité 13 et, simultanément, la membrane 14 dans la surface active de la tranche de silicium. Une tranche de semiconducteur (110) est formée par les étapes cidessus. Enfin, la tranche de semiconducteur (110) est découpée en une multiplicité de capteurs de pression à semiconducteur représentés sur la figure 12.
Dans le capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, dans lequel on utilise un substrat semiconducteur (110), la déformation de la membrane 14 est utilisée pour détecter la pression appliquée à la membrane 14, comme décrit ci-dessus. Il existe deux axes cristallographiques d'orientations et sur un plan cristallographique d'orientation (100). Cependant, le coefficient piézorésistif du silicium dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation est beaucoup plus grand, par exemple environ cinquante fois plus grand, que dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation . Ainsi, la sensibilité dans la détection de la déformation générée dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation est beaucoup plus grande que celle dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation . Par conséquent, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 ont été formées de façon que les résistances extensométriques s'étendent sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation dans le capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, afin d'augmenter la sensibilité.
Un plan cristallographique d'orientation (100) contient un seul axe cristallographique d'orientation , ce qui fait que la disposition des résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 représentée sur la figure 12 est sensiblement la meilleure pour obtenir la sensibilité la plus élevée dans la détection de pression. Le capteur de pression de la figure 12 a été fixé sur un substrat d'obturation tel qu'un plot en verre, qui n'est pas représenté sur la figure, à la surface arrière du substrat semiconducteur (110), 10, en utilisant la soudure anodique ou autres, de façon que la cavité 13 soit obturée hermétiquement par le substrat d'obturation pour former une chambre de référence de pression.
Il est apparu récemment des demandes visant à réduire les dimensions du capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, dans le but de réduire le coût, etc. Pour réduire les dimensions du capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, il est nécessaire de réduire les dimensions du substrat semiconducteur (100), 10.