INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
RESUME DE L'INVENTION Des recherches poussées ayant été réalisées sur les résolutions de ces problèmes pour fournir un principe actif destiné à combattre les rides de la peau, les présents inventeurs ont identifié une fonction inhibitrice nouvelle d'un extrait de Bergenia emeiensis poussant en Chine et dans d'autres régions contre une activité de l'élastase et la collagénase, et ont observé un très bon effet des compositions cosmétiques comprenant l'extrait de Bergenia emeiensis sur le combat contre les rides de la peau avec très peu d'effet défavorable.
Par conséquent, c'est un but de cette invention de fournir une composition inhibitrice contre l'élastase ou la collagénase.
C'est un autre but de cette invention de fournir une composition cosmétique destinée à combattre les rides de la peau.
D'autres buts et avantages de la présente invention deviendront évidents d'après la description détaillée qui suit prise conjointement avec les revendications annexées.
DESCRIPTION DETAILLEE DE CETTE INVENTION Selon un premier aspect de cette invention, il est fourni une composition destinée à inhiber l'élastase ou la collagénase comprenant de l'extrait de Bergenia emeiensis en tant que principe actif.
Selon un autre aspect de cette invention, il est fourni une composition cosmétique destinée à combattre les rides de la peau comprenant : (a) de l'extrait de Bergenia emeiensis en tant que principe actif, et (b) un support acceptable en cosmétique.
Dans une tentative pour suivre le besoin ci-dessus de la technique, les présents inventeurs se sont efforcés d'examiner systématiquement une large diversité de matériaux pour mettre au point un ingrédient constituant un excellent remède contre les rides de la peau mais ne présentant pas de stabilité inférieure ni d'effets défavorables et ils ont par conséquent découvert qu'un extrait de Bergenia emeiensis poussant en Chine et dans d'autres régions constitue un très bon remède contre les rides de la peau et présente très peu d'effets défavorables.
Les sels alcalins des alcoxymines (I) (A= MeO-) peuvent être obtenus aisément en dissolvant, à froid, l'alcoxyamine (I) sous forme acide dans un minimum de méthanol puis on ajoute 1,05 équivalent d'hydroxyde alcalin dans un minimum d'eau. Le mélange eau / méthanol est évaporé sous pression réduite et l'eau restant est éliminée azéotropiquement au moyen du cyclohexane ou du benzène.
Les composés (I) dans lesquels A est égal à CI peuvent être obtenus par mise en réaction du composé (I) dans lequel A est égal à OH avec du chlorure de thionyle.
Les composés (I) dans lesquels n=0 et R=H peuvent être introduits comme amorceurs-contrôleurs de polymérisation pour accéder au composés (I) ou n est différent de 0.
Les composés de formule (II) peuvent être obtenus de préférence par des réactions d'estérif ication, de transestérification, d'amidif ication, de transamidification et d'ouverture d'époxydes. On ne sortirait pas du cadre de l'invention si, pour les réactions d'estérification ou d'amidification, on utilisait intermédiairement un chlorure d'acide.
Les procédés d'estérif ication peuvent en particulier être utilisés avantageusement pour préparer des polyalcoxyamines à partir des monoalcoxyamines.
Les procédés d'estérification et d'amidification peuvent également être utilisés avantageusement pour condenser des polymères qui ne sont pas obtenus par polymérisation radicalaire comme les polyesters, les polyamides ou les polyépoxydes.
Ces réactions permettent ainsi d'accéder à de multiples structures de copolymères à blocs comme polystyrène-polyester, polystyrène-polyamide, polystyrène-polyépoxyde, polyacrylate-polyester, polyacrylate-polyamide, polyacrylate-polyépoxyde.
A titre d'illustration, de telles réactions peuvent être schématisées comme ci-après :
En général, pour rendre un polymère réactif, l'homme de l'art utilise généralement soit une technique de greffage radicalaire soit une technique faisant intervenir un amorceur fonctionnel par exemple de type azoïque. Ces techniques ne sont pas complètement satisfaisantes. La première méthode conduit à une distribution aléatoire des fonctions réactives sur les chaînes. La seconde est limitée par l'efficacité d'amorçage de l'amorceur utilisé (qui n'est pas égale à 1) et par le fait
que les chaînes initiées peuvent se terminer par couplage ou transfert (ce qui engendre des chaînes portant 0, 1 ou 2 fonctionnalités).
L'invention présente donc en particulier l'avantage de produire et d'utiliser des polymères dont la fonctionnalité de bouts de chaînes est parfaitement contrôlée.
Les exemples qui suivent illustrent l'invention : Exemple 1 : Préparation de l'acide 2-[N-tertiobutyl-N-(l-diéthoxyphosphoryl-2,2- diméthylpropyl)aminoxy] propionique, désigné ci-après par AA-SGl par hydrolyse du N-tertiobutyl, N-1-diéthylphophono-2,2-diméthylpropyl, O-lméthoxycar- bonyléthylhydroxylamine, ci-après MONAMS selon la réaction :
La MONAMS est préparée selon la demande de brevet européen EP 903787.
Dans un ballon de 100 ml, on met 3 g de MONAMS (7,9 mmol) dissous dans 45 ml de méthanol. On ajoute 0,4 g de soude (10 mmol) dissous dans 30 ml d'eau. On laisse réagir 24 h à 50 C. Le mélange réactionnel est extrait à l'éther. La phase aqueuse résultante est acidifiée à pH=2 avec HCI 5N, puis extraite au dichorométhane. La phase organique est évaporée sous vide pour donner 2,6 g de la forme acide de l'alcoxyamine notée AA-SGl sous forme d'une poudre blanche (rendement = 90%).
Caractérisation de l'acide 2-rN-tertiobutyl-N-(1-diéthoxyphosphoryl-2,2- diméthyl-propyl) aminoxyl propionique : Tf = 145 C RMN 31P (121. 59 MHz, CDCl3) :0 27.65 (s, Dia I, 65%). 24.60 (s, Dia II, 35%). RMN 'H (300 MHz, CDCIs) : Dia Il 4.68 (q, J = 6 Hz, 1H), 3.90-4.35 (m, 4H), 3.38 (d, J = 27 Hz, 1H), 1.61 (d, J = 6 Hz, 3H), 1. 34 (m, 6H), 1. 20 (s, 9H), 1. 19 (s, 9H).
Les exemples comparatifs 3, 4 (ex3 et ex4) correspondent à des matériaux amortissants à température comprise entre -10 C et +40 C mais présentant
qu'une seule température de transition vitreuse et dans la plage -10 C-+40 C.
L'exemple comparatif 5 (ex5) correspond à un matériau de collage non amortissant à température comprise entre -10 C et +40 C, tel que du mastic de collage polyuréthane (Gurit Betaseal 1815 commercialisé par la société Dow Automotive).
Echantillon Pelage Pelage Moduled'Young tan# tan# (N/cm)à - (N/cm)à E'(Mpa) maximum à maximum à 35 C/ +25 C (-40 C) une une Mode de / température température rupture Mode de de transition de transition (adhésif ou rupture vitreuse vitreuse cohésif) (adhésif ou comprise comprise cohésif) entre -10 Cet entre -60 C +40 C et - 10 C ex1 50 / cohésif 60 / cohésif 900 0,75 à 0 C 0,38à-42 C ex2 65 / cohésif 80 / cohésif 700 0,72 à 11 C 0,42 à -38 C ex3 0 / adhésif 45/ cohésif 3000 1,35 à 15 C ex4 0 / adhésif 35/ cohésif 2600 1,11 à 7 C ex5 62 / cohésif 70 / cohésif 350 0,85 à -38 C
On voit que les échantillons ex3 et ex4 présentant une seule température de transition vitreuse sont, bien qu'amortissants selon la carcatéristique tan# supérieur à 0,25, beaucoup trop rigides à basse température (E' supérieur à 2000 MPa à -40 C) et ne résistent donc pas au test de pelage (valeur de 0 N/cm à - 35 C).
L'échantillon ex5 à une seule température de transition vitreuse résiste au test de pelage à basse température (-35 C) en présentant donc une rigidité adéquate (350 MPa), et résiste également à température ambiante (+25 C) mais il n'est pas du tout amortissant à une température d'utilisation à température ambiante de l'ordre de 20 C (le facteur de perte tans mesuré à 20 C étant égal à 0,2).
Alors que les échantillons ex1 et ex2 ayant deux températures de transition vitreuse et présentent une rigidité appropriée inférieure à 2000 MPa ont réussi les tests de pelage aussi bien à basse température (-35 C) qu'à température ambiante (+25 C) et sont amortissants à une température d'utilisation de -40 C
environ ou à une température autour de 0 ou 10 C. Les températures données ici correspondent aux valeurs de tan# pour lesquelles tan# est maximum, mais il suffit qu'aux autres températures désirées d'utilisation, tan# soit supérieur à 0,25 pour que le matériau présente sa propriété d'amortissement acoustique.
D'une manière générale, l'application du profilé 3 entre les éléments 1 et 2 se fait de la manière suivante : le profilé 3 constitué par le matériau de l'invention est déposé sur l'élément 1 par une technique d'application que nous décrivons plus loin. Le profilé est alors collé sur l'élément 1.
Le second élément 2 est ensuite soit directement appliqué sur le profilé 3 et est rendu solidaire par collage en établissant une pression contre l'élément 2. Ou bien, le profilé 3 est réticulé et seulement ensuite est appliqué l'élément 2 par une solidarisation via un matériau supplémentaire de solidarisation 4 qui peut d'ailleurs être le matériau amortissant et de collage de l'invention (figure 2).
Il est également possible d'envisager une autre application, par exemple de solidariser le matériau amortissant de l'invention sur chacune de ses faces opposées avec respectivement l'élément 1 et l'élément 2 au moyen de deux matériaux supplémentaires 4 de solidarisation (figure 3).
La réticulation du matériau peut se faire de différentes manières selon la composition dudit matériau, à température ambiante par exemple, ou à haute température à l'aide d'une source d'énergie de type infra-rouge, ultra-violet, haute fréquence, micro-onde ou encore induction.
L'application du matériau contre au moins l'un des éléments à associer peut se faire par des techniques différentes façons : l'extrusion, le surmoulage (encapsulation), le transfert à partir d'un moulage, le moulage par injection.
La technique par extrusion garantit une géométrie constante au profilé. Le matériau amortissant selon l'invention doit présenter des viscosités comprises entre 100 et 500 Pa. s à 80 C, les matériaux figeant en dessous de 50 C. Les matériaux auront donc un greenstrength et une thixotropie suffisante pour conserver leur géométrie après extrusion.
La technique par surmoulage du matériau sur l'un des éléments permet avantageusement de lui donner toutes les formes souhaitées et ainsi optimiser la performance acoustique en garantissant les dimensions du profilé en tout point du vitrage car il peut être nécessaire que la largeur et l'épaisseur du profilé ne
soient pas uniformes sur la totalité du pourtour de l'élément auquel il est associé pour les besoins de la performance acoustique. La viscosité des matériaux utilisés ne devra pas dépasser une certaine limite et la prise d'un produit bi-composant devra être rapide.
Un autre problème se pose lors des étapes d'insolation des deux procédés illustrés précédemment par les figures 2A et 3A. Il est lié aux réflexions du faisceau de rayon lumineux 102 sur le substrat 100. En effet, après avoir traversé la couche de résine photosensible 101, une partie du faisceau de rayons lumineux 102 peut être réfléchie sur le substrat 100 et former ainsi des zones d'insolation parasites 307 en dehors de zones d'insolation souhaitées 308 (figure 3B). Les zones d'insolation parasites 307 peuvent ainsi conduire à la formation de motifs de résine parasites 333 s'ajoutant aux motifs de résine 200 souhaités (figure 3C).
Le document [2] référencé à la fin de la présente description propose une méthode pour réduire les problèmes de réflexion sur le substrat 100. Avant l'étape de dépôt de la couche de résine photosensible 101, le substrat 100 est soumis à un jet de sable de pression de 300 à 500 kPa avec des grains de SiC. Ce jet de sable sert à rendre la surface 400 du substrat 100 rugueuse. Ainsi, lors de la phase d'insolation de la couche de résine photosensible 101, les réflexions du faisceau de rayon lumineux 102 sur le substrat 100 deviennent irrégulières ce qui entraîne une réduction des zones d'insolation parasites (figure 4). Néanmoins cette méthode a pour inconvénient qu'elle ne supprime
pas totalement les réflexions parasites, puisqu'elle diminue le temps d'exposition de la couche de résine dans les zones d'insolation parasites en orientant les rayons lumineux réfléchis dans des directions très diverses.
Le document [3] référencé à la fin de la présente description propose un autre procédé utilisant une méthode permettant notamment de réduire les problèmes de réflexion sur le substrat. Cette méthode consiste à coupler plusieurs filtres polariseurs à une source de rayons lumineux pour insoler une couche de résine photosensible reposant sur un substrat, à l'aide d'un faisceau de rayons lumineux, le faisceau étant incliné par rapport au substrat. L'emploi d'un filtre polariseur circulaire couplé à un filtre polariseur rectiligne permet de diminuer significativement les problèmes de réflexion sur le substrat.
Le document [3] présente également une méthode (non illustrée) pour réaliser des motifs de résine incurvés grâce à l'utilisation d'un "shadow mask" (ou "masque à ombre"). Le " masque à ombre " est un masque comprenant des parties opaques et des parties transparentes. Les parties transparentes du "masque à ombre" ont la particularité d'être recouvertes de monticules courbes en polymère. Ce sont ces monticules, placés sur les parties transparentes du masque qui permettent d'obtenir des motifs de résine incurvés. Le document [3] présente également l'utilisation d'une couche de glycérol entre le "shadow mask" et le substrat recouvert de résine pour remplacer la couche d'air se trouvant inévitablement entre le "shadow mask"
et la couche de résine. La couche de glycérol sert donc de couche d'adaptation d'indice entre le masque et la couche de résine.
Le procédé décrit dans ce document [3] permet donc de résoudre le problème des réflexions sur le substrat et des "réflexions de Fresnel" qui apparaissent pour des procédés de photolithographie à faisceau de rayons inclinés. En revanche, il n'apporte pas de solution à la limitation de l'angle des motifs de résine que l'on peut fabriquer.
Il est connu de pouvoir réaliser des microstructures tridimensionnelles avec des flancs inclinés en utilisant une technique de photolithographie à base de rayons X. Par exemple, la technique LIGA (LIGA pour "Lithographie Galvaniesirung und Abformung" soit lithographie finie par galvanisation) consiste à exposer une couche de résine photosensible, par exemple un polymère de type PMMA (PMMA pour polylméthyl methacrylate) à l'aide de rayons X provenant d'un synchrotron. La couche de résine photosensible est ensuite développée. Des motifs de résine de bonne définition sont ainsi formés. Pour obtenir des motifs de résine à flancs inclinés, à l'aide d'un procédé de photolithographie par rayons X, on peut utiliser une méthode dérivée de la méthode LIGA et décrite dans les documents [4] et [5] référencés à la fin de la présente description. Cette méthode décrite à la figure 5 consiste à réaliser plusieurs expositions d'un substrat 100 recouvert d'une couche de résine photosensible 101 et d'un masque 501 en gardant l'ensemble masque 501subtrat 100 incliné par rapport à un faisceau de rayons
X 500 incident provenant d'un synchrotron (non représenté). Contrairement aux rayons ultra-violets, les rayons X sont très peu réfractés lorsqu'ils pénètrent à travers la couche de résine photosensible 501. Les rayons X permettent donc d' obtenir des motifs de résine ayant un angle d'inclinaison par rapport à une normale à un plan principal du substrat supérieur à celui obtenu par les techniques classiques utilisant les rayons utra-violets. Mais la photolithographie par rayons X comporte néanmoins d'importants inconvénients.
Un premier inconvénient associé à l'utilisation de cette technique vient du fait que les sources de rayons X (synchrotrons) utilisées pour mettre en #uvre la photolithographie par rayons X sont très coûteuses et très encombrantes. Les masques utilisés en photolithographie par rayons X sont également très coûteux. Enfin, la photolithographie par rayons X à cause de son coût et de sa difficulté de mise en #uvre n' est pour l' instant pas utilisée au niveau industriel dans des procédés de fabrication de circuits intégrés.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer un procédé de réalisation de motifs par photolithographie ainsi qu'un dispositif de réalisation de ce procédé. Le procédé ainsi que le dispositif sont simples à mettre en #uvre et de coût réduit, contrairement aux techniques de photolithographie par rayons X. La présente invention permet de réaliser des motifs par photolithographie ayant des flancs inclinés
réalisant un angle bien supérieur à ceux que l'on peut obtenir avec l'art antérieur. La présente invention concerne également un dispositif ainsi qu'un procédé qui permettent de s'affranchir des problèmes de réflexions parasites qui surviennent, avec certains procédés classiques de photolithographie à faisceau 'de rayons lumineux incliné.
Pour atteindre ces buts, la présente invention concerne un procédé de réalisation d'un ou plusieurs motifs par photolithographie comprenant les étapes suivantes: a) dépôt sur un substrat d'une couche de résine photosensible, ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: b) insolation de la couche de résine photosensible à travers un masque par un faisceau de rayons lumineux ayant une direction principale, le faisceau de rayons lumineux ayant traversé auparavant un système optique qui dévie la direction principale du faisceau de rayons lumineux d'un angle de déviation prédéterminé de sorte que la direction principale présente un angle d'incidence sur le masque non nul avec une normale au plan principal du substrat lorsque le faisceau de rayons lumineux pénètre à travers le masque, c) retrait du masque, d) développement de la couche de résine photosensible de façon à obtenir les motifs à flancs inclinés par rapport à une normale au plan principal du substrat en fonction de l'angle de déviation prédéterminé.
Selon une caractéristique particulièrement avantageuse du procédé, l'étape de dépôt de la couche de résine photosensible peut être précédée d'une étape de dépôt d'au moins une couche absorbante de rayons lumineux. Ainsi, en déposant une couche absorbante de rayons lumineux juste avant la couche de résine photosensible, on peut limiter les réflexions du faisceau de rayons lumineux sur le substrat et éviter ainsi une insolation parasite de la couche de résine photosensible.
Selon une caractéristique particulièrement utile du procédé, après l'étape a) de dépôt de la couche de résine photosensible, une couche d'adaptation d'indice peut être déposée sur la couche de résine photosensible.
Ainsi, on peut déposer entre la couche de résine photosensible et le masque par exemple en silice, une couche d'adaptation d'indice sous forme généralement de liquide ou de gel choisie en fonction du saut d'indice entre le masque et la couche de résine photosensible. La couche d'adaptation d'indice a un indice de réfraction, de préférence supérieur à celui de l'air, compris entre l'indice de réfraction du masque et l'indice de réfraction de la couche de résine photosensible et permet ainsi de supprimer les réflexions de Fresnel entre le masque et la couche de résine.
La Figure 8 représente un chromatogramme correspondant au mélange des cinq esters propyliques acétyléniques 31a à 31e dont les spectres de masse sont décrits dans le tableau 12.
La Figure 9 représente un chromatogramme correspondant au mélange des cinq esters butyliques acétyléniques 32a à 32e dont les spectres de masse sont décrits dans le tableau 13.
La Figure 10 représente un chromatogramme du produit de couplage de Suzuki de 13a (X = Cl) avec l'acide phénylboronique après transestérification par du méthanol.
La Figure 11représente des spectres de RMN du proton enregistrés à 200 MHz dans l'acétone D6, correspondant au suivi de la réaction de cycloaddition entre le bisester d'acryloyle 12 et le cyclopentadiène. Le spectre du haut correspond au produit de départ 12 et le spectre du bas correspond au produit de cycloaddition obtenu après réaction avec le cyclopentadiène.
La Figure 12 représente des spectres de RMN du proton enregistrés à 200 MHz dans l'acétone D6, correspondant au suivi de la réaction de Grieco réalisée sur un sel d'onium. Le spectre du haut correspond au produit de départ 34 et le spectre du bas correspond au produit d'arrivée 35.
PARTIE EXPÉRIMENTALE - PRÉPARATION DES COMPOSÉS I) SYNTHÈSE DES SELS FONCTIONNALISÉS : 1/ Sels d'ammonium 1 : #)I 0 N r-1 \ / OH X lan = 0 ; X = NTf2 lb n 1; X= CI ïç n = 1 ; X = PF6 Idn = 1 ;X = BF4 le n = 1 ; X = NTf2 If n = 2 . X = CI 1gn = 2 ; X = NTf2 in = 2 ; X = OTf lin = 3 ; X = CI 1 i n = 3 ; X = NTf2 * la : Une solution de 2 g (0,01 mmol) du triméthyl-2-hydroxyéthylammonium dans 1ml d'eau est ajoutée à une solution de 1 g (0,018 mmol) de bis- trifluorométhanesulfonamidure de lithium. Le mélange est agité pendant 2 heures. Les deux phases obtenues sont séparées, et la phase aqueuse est extraite 2 fois par 15 ml de chlorure de méthylène. Le solvant est ensuite évaporé et le produit est séché sous vide.
Huile visqueuse incolore Rdt = 90 % RMN1H (200 MHz, Acétone D6) : 3,35 (s, 9H) ; 4,14-4,40 (m, 2H) ; 4,05-4,63(m, 2H).
RMN 13C (50 MHz, Acétone D6) : 55,02 (t ; JC-N=4,03 Hz ) ; 57,23 ; 68,91 ; 121,05 (q, J=321,2 Hz).
* lb: 25 g (0,1 mol) de 3-chloropropanol, 30 ml d'une solution de triméthylamine à 45% dans l'eau (0,2 mol) et 100 ml d'acétonitrile sont portés à reflux pendant 36
heures. Le solvant est ensuite évaporé sous vide et le solide blanc obtenu est lavé par 2 fois 30 ml d'éther.
Solide blanc Rdt = 82% Pf =158-160 C RMN'H (200 MHz, D20) : 1,80-2,05 (m, 2H) ; (s, 9H) ; (m, 2H) ; 3,60 (t, 2H, J = 7,1 Hz) RMN13C (50 MHz, D20) :25,68 ; 53,31 (t, JC-N= 4,1 Hz) ; 58,52 ; 64,52.
Spectrométrie de masse (FAB) pour C12H32N2O2Cl Masse Théorique calculée pour (2C+, CI)+ 271,2152 Masse Trouvée 271,2149 * le: Un mélange d'une solution de 10 g (65,3 mol) de chlorure de N,N',N"- triméthyle-3-hydroxypropylammonium (1b) dans 15ml d'eau et 13,23 ml (0,15 mol) de l'acide hexafluorophosphorique en solution à 60% dans l'eau est agité à température ambiante pendant 2 heures. Le milieu devient hétérogène immédiatement et le précipité formé est filtré et lavé à l'éther. Le solide blanc obtenu est séché sous vide.
Solide blanc Rdt = 67% Pf = 124-126 C RMN'H (200 MHz, CD3CN) : 1,70 (m, 2H) ; 2,82 (s, 9H) ; (m, 2H) ; 3,40(t, 2H, J = 6,1 Hz).
RMN 13C (50 MHz, CD3CN) : 25,44 ; 52,59 (t ; J = 4,2 Hz) ; 57,67 ; 64,26 (t, J = 3,8 Hz).
Spectrométrie de masse (FAB) pour C12H32N2O2F6P Masse Théorique calculée pour (2C+, PF6)+ 381,2106 Masse Trouvée 381,2098 * Id: Un mélange d'une solution de 10 g (65 mmol) de chlorure de N,N',N"- triméthyle-3-hydroxypropylammoinum (1b) dans 15 ml d'eau et 9,1 ml (0,15 mol) de l'acide tétrafluoroborique à 50% dans l'eau est agité à température ambiante. Le milieu reste homogène. Après 12 heures, l'eau est évaporée à sec, le solide blanc obtenu est lavé par 2 fois 15 ml d'éther anhydre.
Solide blanc Rdt = 82% Pf = 110-112 C RMN 1H (200 MHz, Acétone D6) : 2,10-2,241 (m, 2H) ; (s, 9H) ; 3,24-3,45 (m, 2H) ; 3,61 (t,J = 7,1 Hz, 2H).
Bergenia emeiensis appartient aux Saxifragaceae, il mesure 20 à 30 cm de haut et a de grandes feuilles épaisses. Sa couleur florale varie du rose au blanc. En général, il pousse dans des
montagnes à 1 590 mètres au-dessus du niveau de la mer tel que le Sichuan, le Yunnan et le Tibet. Bergenia emeiensis est principalement utilisé pour son rhizome en tant que remède populaire par une race chinoise minoritaire. Son goût est doux ou onctueux. Il présente des fonctions telles qu'une action fébrifuge, une action hématostatique et une détoxification pour être utilisé pour soigner la toux et l'hématémèse, ainsi que pour faire chuter la fièvre.
L'extrait de Bergenia emeiensis de la présente invention présente une fonction d'inhibition contre une activité de l'élastase et de la collagénase, de sorte qu'il peut empêcher la coupure de l'élastine et du collagène dans le derme et finalement agir pour combattre les rides de la peau.