INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique d'un photodétecteur semiconducteur connu et a déjà été décrite, - la figure 2 est une vue de dessus schématique d'un photodétecteur conforme à l'invention en cours de fabrication, et - la figure 3 est une vue en coupe schématique d'un photodétecteur obtenu par un procédé conforme à l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans un exemple de procédé conforme à l'invention, on commence par fabriquer un photodétecteur à électrodes coplanaires, comprenant un élément en matériau semiconducteur, pourvu d'électrodes coplanaires formant des contacts électriques.
A la fin de la procédure de fabrication, on prévoit une étape de gravure qui n'altère pas les contacts électriques et qui met à nu une zone superficielle du matériau, cette zone superficielle possédant les caractéristiques électriques du volume du matériau.
Les unités 5 à plaque de guidage de lumière sont groupées en trois blocs luminescents 15A, 15B et 15C, et les diodes photoémissives 10 qui appartiennent à chacun de ces blocs luminescents 15A, 15B et 15C ont des couleurs luminescentes différentes de celles d'un autre bloc.
En d'autres termes, les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15A émettent de la lumière rouge. Les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15B émettent de
la lumière orangée. Les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15C émettent de la lumière blanche.
En outre, avec les circuits formés sur la carte 12 de circuit, les diodes photoémissives 10 du bloc 15A émettent de la lumière à deux niveaux différents d'intensité, et les diodes photoémissives du bloc 15B clignotent.
La densité de montage des diodes photoémissives 10 dans le bloc luminescent 15C, c'est-à-dire le nombre de diodes par unité de longueur, est plus grand que la densité de montage des diodes 10 dans chacun des autres blocs 15A et 15B.
En outre, des réflecteurs catadioptriques 16 sont disposés afin qu'ils se trouvent en avant de l'organe décoratif 13 et entre les plaques 7 de guidage de lumière qui appartiennent au bloc luminescent 15C.
Chaque réflecteur 16, bien que sa structure détaillée ne soit pas représentée, est formé par disposition sous forme dense d'éléments catadioptriques à la face arrière d'un substrat transparent et incolore.
Grâce à ces réflecteurs 16, lorsque la lumière des phares des véhicules placés derrière le véhicule concerné ou analogue tombe sur les réflecteurs 16, la lumière est renvoyée par ceux-ci vers la source lumineuse en donnant un effet catadioptrique.
En présence de lumière intense, par exemple à la lumière du jour, les diodes photoémissives 10 de la lampe indicatrice 1 ne sont pas en fonctionnement, et les surfaces d'extrémité avant 7 (surfaces de sortie) des plaques de guidage de lumière, l'organe décoratif 13 et les réflecteurs 16 sont visibles à travers la glace avant 3.
Parmi ces éléments visibles, les plaques 7 de guidage de lumière ont une grande dimension dans la direction avantarrière, c'est-à-dire une grande profondeur, et donnent une bonne caractéristique de profondeur à l'observateur, avec une impression originale.
En outre, comme les surfaces d'extrémité avant 7a des plaques 7 ont des saillies et cavités fines très denses, les diodes photoémissives 10 ne sont pas visibles à travers les
plaques 7. Pour que les diodes 10 ne soient pas visibles à travers les plaques 7, les saillies et cavités fines peuvent être formées aux surfaces d'extrémité arrière 7b des plaques 7 de guidage de lumière.
Lorsqu'une opération de freinage est exécutée pour l'arrêt du véhicule, les diodes 10 du bloc luminescent 15A émettent de la lumière aux plus élevés des deux niveaux d'intensité, si bien que la lampe joue le rôle d'un feu de stop.
Lors de la conduite en cas de virage ou lors de la manoeuvre du dispositif de commande du signal d'avertissement de changement de direction, les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15B clignotent, et elles jouent donc le rôle d'une lampe d'avertissement de changement de direction.
Lors du fonctionnement normal du véhicule, lorsque la lumière naturelle n'est pas suffisante, par exemple la nuit, les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15A émettent de la lumière au niveau inférieur parmi les deux niveaux d'intensité de lumière, et jouent ainsi le rôle d'un feu de position arrière.
Lorsqu'une opération de freinage est exécutée, les diodes photoémissives 10 du bloc luminescent 15A émettent de la lumière au plus élevé des deux niveaux d'intensité lumineuse et jouent ainsi le rôle d'un feu de stop.
pointe d'écriture à force. Grâce à cette symétrie, l'assemblage de l'article est hautement facilité du fait qu'il n'est plus nécessaire de présenter précisément cet ensemble monobloc selon une position prédéterminée pour d'une part l'emmanchement à force de la pointe d'écriture et d'autre part le montage dans le corps de l'article.
Une autre simplification consiste dans le fait de posséder, dans cet ensemble monobloc, une pièce standardisée pour la fabrication de deux types distincts d'articles d'écriture, à savoir d'une part un article comme ci-dessus à pointe fine ou normale et d'autre part un article de type marqueur, à écriture large. Dans le premier article, la pièce en question sera équipée de la pointe d'écriture tandis que dans le second article cette pièce sera utilisée seule, sans pointe d'écriture.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va être faite de plusieurs exemples de réalisation d'un article d'écriture à pointe fine équipé d'un ensemble monobloc assurant la fonction de support de pointe et de connecteur capillaire, illustré par le dessin annexé dans lequel : La figure 1 est une vue en coupe schématique et partielle d'un article d'écriture selon l'état antérieur de la technique, La figure 2 est une vue en coupe schématique et partielle d'un article d'écriture selon un premier exemple de l'invention avec un porte-pointe métallique, La figure 3 est une vue schématique en coupe et partielle d'un article d'écriture selon un second exemple de l'invention, dans lequel l'ensemble monobloc remplace totalement les moyens supports de pointe, La figure 4 est une vue partielle d'un troisième exemple d'un article combinant une écriture fine et un marquage large et La figure 5 est une représentation schématique, en coupe longitudinale, d'un ensemble monobloc symétrique.
L'article d'écriture 1 qui est illustré à la figure 1 illustre l'état
antérieur de la technique. Il comprend un corps 2 vers l'extrémité avant 2a duquel débouche une pointe d'écriture fine 3. Cette pointe d'écriture est solidarisée à cette extrémité avant 2a par deux pièces. La première pièce est un tube métallique 4 qui est partiellement entouré par la seconde pièce 5 en matière plastique. Cette seconde pièce 5 comporte un épaulement 5a qui prend appui sur le bord de l'extrémité avant 2a du corps. Elle possède également, vers l'arrière, une cavité cylindrique 5b.
Cette cavité Sb est conformée pour recevoir un connecteur capillaire 6 qui relie la pointe d'écriture 3 au réservoir fibreux capillaire 7 qui se trouve logé vers l'arrière du corps 2 au-delà d'une paroi transversale intérieure 8.
Comme illustré à la figure 1, le connecteur capillaire 6 a son extrémité arrière 6a qui pénètre dans la masse fibreuse du réservoir capillaire 7 tandis que son extrémité avant 6b entoure l'extrémité arrière 3a de la pointe d'écriture 3. Lors de la fabrication de l'article, la pointe d'écriture 3 est emmanchée dans la pièce cylindrique métallique 4 puis cet ensemble est emmanché dans la pièce plastique 5 et enfin le connecteur capillaire est emmanché dans la cavité arrière 5b de la seconde pièce plastique 5.
Selon l'invention, le connecteur capillaire et tout ou partie des moyens supports de pointe sont constitués par un ensemble monobloc compact et capillaire. Il est de préférence obtenu par frittage de poudre thermoplastique.
. Dans le premier exemple de la figure 2, l'ensemble monobloc 9 qui équipe l'article 10 remplace le connecteur capillaire et la seconde pièce plastique de t'exempte illustré à la figure 1. Cet ensemble monobloc 9 a une capillarité suffisante pour assurer le transfert de l'encre depuis le réservoir fibreux capillaire 7 jusqu'à la pointe d'écriture 3, plus particulièrement lorsqu'il s'agit d'une pointe extrudée jusqu'à l'extrémité arrière 3b de ladite pointe 3, c'est-à-dire jusqu'à t'entrée du capillaire interne longitudinal contenu par ladite pointe 3. De plus cet ensemble monobloc 9 doit avoir une résistance mécanique suffisante pour assurer le maintien en position de la pointe d'écriture 3, c'est-à-dire remplir la
fonction de support de pointe. On obtient à la fois cette capillarité et cette résistance mécanique en mettant en oeuvre, comme poudre thermoplastique, une poudre de polyéthylène commercialisée sous la dénomination et la référence HOSTALEN GHR 8110, dont la taille moyenne est de l'ordre de 120 gm. Après frittage dans un moule approprié, par exemple en aluminium, à une température de 2000C pendant environ 5mn, on obtient un ensemble monobloc, compact, à pores ouverts, dont la taille moyenne des pores est de l'ordre de 15m et possède une résistance mécanique de 4,3 N/mm2.
Dans le cas le plus courant, les propriétés de capillarité et de résistance mécanique ne sont pas recherchées à l'identique pour tout le volume de l'ensemble monobloc 9. La résistance mécanique est recherchée pour la partie avant 9a, qui assure le maintien précis de la pointe 3 et, dans l'exemple de la figure 2, de la pièce métallique 4 à l'intérieur de l'extrémité avant 2a du corps 2 de l'article. Quant à la capillarité, elle est recherchée pour la partie arrière 9b de l'ensemble monobloc 9, c'est-à-dire la partie qui assure le transfert de l'encre comme indiqué précédemment. Il est donc possible, grâce à un mélange de poudre approprié, de réaliser un ensemble monobloc 9 qui, étant d'une seule pièce, présente néanmoins une hétérogénéité de structure, étant plus rigide sur sa partie avant 9a et plus capillaire et donc moins rigide sur sa partie arrière 9b.
Il est également possible, par un mélange de poudre appropriée ou par un traitement localisé d'éviter la montée de l'encre dans la partie avant 9a de l'ensemble monobloc, et donc les risques de salissure des doigts de l'utilisateur. Ce peut être un traitement localisé créant un effet de peau selon cette partie avant 9a. Ce peut être une sélection de poudre ayant un caractère hydrophobe formant ladite partie avant 9a.
Dans l'exemple illustré à la figure 2, l'ensemble monobloc 9 comporte un épaulement 11 apte à venir en butée contre la face avant 8a de la paroi intérieure transversale 8, autour de l'orifice de passage 12. En
fait dans l'exemple illustré, l'ensemble monobloc 9 a une configuration globalement cylindrique dont la partie arrière 9b présente deux sections e de diamètre différent, le diamètre étant inférieur à celui de l'orifice de passage 12 à la partie extrême arrière tandis qu'il est supérieur à celui de l'orifice au passage 12 au niveau de l'épaulement 11.
Le second exemple de réalisation, illustré à la figure 3, diffère de celui qui vient d'être décrit par le fait que l'ensemble monobloc 13 remplace à la fois le connecteur capillaire et l'ensemble des moyens de support de la pointe d'écriture 3.
La réalisation d'un tel ensemble monobloc est encore simplifiée par rapport à t'exempte précédent puisqu'il suffit pour la mise en place de la pointe d'écriture 3 de prévoir un évidement intérieur longitudinal 13a qui soit pratiqué, lors du moulage, pour que le diamètre intérieur permette l'enfoncement à force de la pointe d'écriture 3. Une fois cet enfoncement à force réalisé, il est très difficile d'extraire la pointe d'écriture 3 de l'ensemble monobloc 13.
Le condensateur 13 est réalisé sur la première couche isolante 20. Il comprend une première plaque 31 qui se compose par exemple d'une bande métallique, par exemple en aluminium, du premier niveau de métallisation. Une seconde plaque 32 s'étend sur la première plaque 31 et est séparée de celle-ci par une couche diélectrique, par exemple en nitrure de silicium 33. La seconde plaque 32 est réalisée dans un métal, par exemple du cuivre, du deuxième niveau de métallisation, déposée sur la couche de nitrure de silicium 33 au niveau d'une ouverture réalisée dans la deuxième couche isolante 21.
La première extrémité 24 de l'inductance 11 se prolonge par une première piste de connexion 34 connectée à un
premier plot de connexion 35 du troisième niveau de métallisation. Le premier plot de connexion 35 est destiné à recevoir une bille de soudure 36 pour la fixation du circuit monolithique 10 sur un élément extérieur.
La deuxième extrémité de l'inductance 25 est reliée, par l'intermédiaire d'un via 37 traversant la deuxième couche isolante 21, à une extrémité d'une piste de raccordement 38, constituée d'un métal, par exemple de l'aluminium, du premier niveau de métallisation déposé sur la première couche isolante 20. L'extrémité opposée de la piste de raccordement 38 est reliée, par l'intermédiaire d'un via 39 traversant la deuxième couche isolante 21, à une deuxième piste de connexion 40 consistant en une bande métallique, par exemple du cuivre, du deuxième niveau de métallisation, déposée sur la deuxième couche isolante 21.
La deuxième piste de connexion 40 réalise la liaison entre l'inductance 11 et la résistance 12. La deuxième piste de connexion 40 est reliée, par un via 41 traversant la deuxième couche isolante 21, à la première borne 26 de la résistance 12.
La seconde borne 28 de la résistance 12 est reliée, par un via 42 traversant la deuxième couche isolante 21, à une troisième piste de connexion 43, consistant en une bande métallique, par exemple du cuivre, du deuxième niveau de métallisation, déposée sur la deuxième couche isolante 21. La troisième piste de connexion 43 relie la résistance 12 au condensateur 13, et est connectée à la première plaque 31 du condensateur 13 par un via 44 traversant la deuxième couche isolante 21. Elle est également connectée à un deuxième plot de connexion 45, du troisième niveau de métallisation, recevant une bille de soudure 46.
La seconde plaque 32 du condensateur 13 se prolonge par une quatrième piste de connexion 47, reliée à une extrémité à la région d'anode 17 de la diode 14 par un via 48 traversant la deuxième couche isolante 21.
La région de cathode 18 de la diode 14 est reliée, par un via 49 traversant la deuxième couche isolante 21, à une cinquième piste de connexion 50, consistant en une bande métallique, par exemple du cuivre, du deuxième niveau de métallisation, déposée sur la deuxième couche isolante 21. La cinquième piste de connexion 50 est connectée à un troisième plot de connexion 51 recevant une bille de soudure 52.
Les trois plots de connexion 35,45, 51 appartiennent à un ensemble de plots, formés dans le troisième niveau de métallisation, destinés, par exemple, au montage direct de la face supérieure du circuit monolithique sur un circuit imprimé, selon le montage dit"flip-chip".
Un inconvénient d'une telle structure est que les possibilités de disposition des plots 35,45, 51 de connexion sont limitées. En effet, lors du montage direct du circuit monolithique 10 sur un circuit imprimé, une pression est exercée au niveau des plots 35,45, 51 de connexion. Lorsqu'un plot de connexion 35,45, 51 est proche d'un composant passif, les contraintes exercées au niveau du plot de connexion peuvent endommager le composant. Par exemple, dans le cas du condensateur 13, la couche diélectrique 33 peut être abîmée. On cherche donc à éloigner le plus possible les plots de connexion des composants passifs. Néanmoins, il est souvent difficile d'éloigner suffisamment les plots de connexion si bien que l'on ne peut éviter complètement le risque de dégradation de la fiabilité des composants passifs.
En outre, comme on souhaite souvent intégrer une diode 14 dans le circuit monolithique, le substrat 15 est choisi en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium. La première couche isolante 20 devant être de faible épaisseur pour compatibilité avec la fabrication de la diode, il se produit des couplages capacitifs et résistifs parasites entre les composants passifs 11,12, 13 et le substrat 15, et plus particulièrement entre l'inductance 11 et le substrat 15. En outre, la première couche isolante peut, lorsque de forts pics de tension sont
appliqués au circuit monolithique 10, claquer et provoquer la mise en court-circuit des bandes métalliques, déposées sur la première couche isolante 20, et du substrat 15.
La présente invention vise à proposer un circuit monolithique comprenant des composants passifs et des plots de connexion pour connecter directement une face du circuit monolithique sur un élément extérieur dans lequel la disposition des plots de connexion n'est pas limitée par la présence des composants passifs.
Elle vise également à obtenir un circuit monolithique comportant un substrat semiconducteur et présentant des couplages capacitifs et résistifs réduits entre le substrat semiconducteur et les composants passifs.
Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un circuit monolithique comprenant des composants passifs et au moins un composant actif, un substrat semiconducteur ayant une première face et une seconde face opposée à la première, et des plots de connexion destinés à recevoir des moyens de liaison pour fixer le circuit monolithique sur un élément extérieur, dans lequel les composants passifs sont réalisés du côté de la première face du substrat ; le composant actif est réalisé dans le substrat du côté de la seconde face ; et les plots de connexion sont réalisés du côté de la seconde face du substrat.
Selon une autre caractéristique de l'invention, des bornes des composants passifs sont reliées à des plots de connexion et/ou à des bornes du composant actif par l'intermédiaire de vias traversant le substrat semiconducteur depuis la première face jusqu'à la seconde face.
Lorsque X et/ou X'désignent un groupement comportant une amine tertiaire ou quaternaire, X et/ou X'peuvent représenter l'une des formules suivantes : R3 1 - N-R2--N-R2--R2-ou-R-pourX 1 1 + - 12 12 RI RI A N N+ AR'Ri"'A,' RI RI 1 R3 - R2-N- -R -N- pour X' 2 1 + - 12 + AI R A K) Kt P Ki 1 N 1 ". - RI RI 1 R 1 1 dans lesquelles : R2 représente un radical alkylène ayant de 1 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, comportant ou non un cycle saturé ou insaturé, ou un radical arylène, un ou plusieurs des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0, P ; Ri et R3, identiques ou différents, désignent un radical alkyle ou alcényle en C1-C30, linéaire ou ramifié, un radical aryle, l'un au moins des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0, P ; A est un contre-ion physiologiquement acceptable.
Les groupements L, L'et L"représentent un groupe de formule : dans laquelle : Z représente -0-, -S- ou -NH- ; et
R4 représente un radical alkylène ayant de 1 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, comportant ou non un cycle saturé ou insaturé, un radical arylène, un ou plusieurs des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0 et P.
Les groupements P et P', comprenant une fonction amine peuvent représenter au moins l'une des formules suivantes : R-x 1 - R.-N-R-ou-R.-N-R- ) 1 7) 1 + 7 R6 R6 A R6,, R8 N 1 ou-Rg-CH-R-ou-R-cH-Ry- 5 7) 1 7 R-N-R A 1+ Rg R6,.,.. Rg N --R,-CH-R,RJO) 1 1 1 o ! N ou-R-CH-Ry- o R6-N-R9 A 1 Rg dans lesquelles : ? 5 et R7 ont les mêmes significations que R2 défini précédemment ; R6, Rs et Rg ont les mêmes significations que R1 et R3 définis précédemment ; R10 représente un groupe alkylène, linéaire ou ramifié, éventuellement insaturé et pouvant contenir un ou plusieurs hétéroatomes choisis parmi N, 0, S et P, et A-est un contre-ion physiologiquement acceptable.
Un premier type de composés entrant dans la préparation du polyuréthane de formule (la) est un composé comportant au moins un motif à fonction amine. Ce composé peut être multifonctionnel, mais préférentiellement le composé est difonctionnel, c'est-à-dire que selon un mode de réalisation préférentiel, ce composé comporte deux atomes d'hydrogène labile portés par exemple par une fonction hydroxyle, amine primaire, amine secondaire ou thiol. On peut également utiliser un mélange de composés multifonctionnels et difonctionnels dans lequel le pourcentage de composés multifonctionnels est faible.
Ce type de composés peut être représenté par l'une des formules suivantes : HZ- (P),-ZH, ou HZ- (P') P-ZH dans lesquelles Z, P, P', n et p sont tels que définis plus haut.
A titre d'exemple de composé à fonction amine, on peut citer la N- méthyidiéthanolamine, la N-tert-butyl-diéthanolamine, la N-sulfoéthyldiéthanolamine.
Le deuxième composé entrant dans la préparation du polyuréthane de formule (la) est un diisocyanate correspondant à la formule : dans laquelle R4 est défini plus haut.
A titre d'exemple, on peut citer le méthylènediphényl-diisocyanate, le méthylènecyclohexanediisocyanate, l'isophorone-diisocyanate, le
toluènediisocyanate, le naphtalènediisocyanate, le butanediisocyanate, l'hexanediisocyanate.
SM FAB > 0 m/z (GT) : 311 [M-4NH4+5H]+.
- Exemple 97 : Allyltriphosphonate de tétraammonium (86) :
Rdt=10% Rf=0, 15 (5 : 5, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20) ≈(ppm) : 2,55 (dm, JI-p 21,9 Hz, JI-2 7,5 Hz, 2H, H-1) ; 5,00- 5,17 (m, 2H, H-3) ; 5,60-5, 90 (m, IH, H-2).
RMN 31p (D20) S (ppm) :-21, 7 (m, P-ss);-7, 6 (m, P-y) ; 16,6 (m, P-α) RMN 13C(D2O), # (ppm) : 34, 81 (d, JI-p 128,9 Hz, IC, C-1) ; 117,88 (d. J3-p 13, 5 Hz, 1C, C-3) ; 131, 96 (d, Jap 10, 7Hz, 1C, C-2).
SM FAB > 0 m/z (GT) : 283 [M-4NH4+5H]+.
- Exemple 98: #305,#309-(3-Méthylbut-2-ényl) triphosphonate de triammonium (87) : Rdt=17% Rf=0, 25 (5 : 5, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), 5 (ppm) : 1, 53 (m, 3H, H-4) ; 1,60 (m, 3H, H-5) ; 2, 32-2, 55 (m, . Jt-p 22, 0 Hz, J,-2 7, 7 Hz, 2H, H-l) ; 5, 05-5, 17 (m, IH, H-2).
RMN 31p (D20), 5 (ppm) :-21, 7 (t, Jss-a=Jss-y 26, 0 Hz, P-ss) ; 18, 1 (d, 2P, P-a et P-y)
RMN'C (DzO) ; 5 (ppm) : 17, 45 (1C, C-5) ; 25, 23 (IC, C-4) ; 28, 76 (d, Ji-p 135, 7 Hz, 1C, C-l) ; 115, 48 (d, J2-P 10, 6 Hz, 1C, C-2) ; 136, 04 (d, J3-P 14, 3 Hz, 1C, C- 3).
SM FAB > 0 m/z (GT) : 391 [M-3NH4+4Ht - Exemple 99 : α,γ-Allytriphosphonate de triammonium (88) :
Rdt=6% Rf=0, 45 (5 : 5, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), 8 (ppm) : 2,30-2, 60 (m, 2H, H-1) ; 4,92-5, 12 (m, 2H, H-2) ; 5,50-5, 80 (2m, 1H, H-3).
RMN 31p (do), 8 (ppm) :-22, 5 (t, Jss-a=Jss-y 25, 0 Hz, P-P) ; 16, 2 (d, 2P, P-a et P-Y) RMN 13C (D20), 8 (ppm) : 34, 25 (d, J1-P 133, 0 Hz, 1C, C-1) ; 118,24 (d, J3-P 13,8 Hz, 1C, C-3) ; 131, 6 (d, J2-P 10,7 Hz, 1C, C-2).
SM FAB > 0 m/z (GT) : 307 [M-3NH4+4H]+.
- Exemple 100 : a, ss- (3-Méthylbut-2-ényl) pyrophosphonate de diammonium (89) : Rdt=13%
Rf=0, 46 (5 : 5, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), 8 (ppm) : 1,54 (m, 3H, H-4) ; 1,60 (m, 3H, H-5) ; 2,50 (m, JI-p 21,0 Hz, JI-2 7,8 Hz, 2H, H-1) ; 5, 03-5, 20 (m, 1H, H-2).
RMN 31p (D20), 8 (ppm) : 17,3.
RMN 13C (D20), o (ppm) : 17, 61 (1C, C-5) ; 25, 41 (1C, C-4) ; 29, 43 (d, Jl p 144, 4 Hz, 1C, C-l) ; 115, 33 (d, J2-p 10, 7 Hz, 1C, C-2) ; 136, 32 (d, J3-P 14, 5 Hz, 1C, C- 3).
Le panneau fixe 61 porte quant à lui une première gâche 68, destinée à coopérer avec le pêne 64. Il comprend par ailleurs un second pêne 69 prévu pour coopérer avec une gâche 610 prévue à cet effet sur le panneau mobile.
L'actionnement du pêne 69 est assuré par un élément d'actionnement 611 et un ressort 612.
De façon à permettre la libération ou le verrouillage des deux verrous, ceux-ci sont placés de façon alignée, par exemple horizontalement.
Ainsi, en position fermée (figure 6A), l'élément d'actionnement 611 est au repos. Le ressort de compression 612 repousse donc le pêne 69, qui pénètre dans la gâche 610. Celle-ci est ouverte à ses deux extrémités, et laisse pénétrer, au repos, la tige 65.
Lorsque le pêne 69 pénètre la gâche 610, il repousse donc la tige 65, qui comprime le ressort 66 et force le pêne 4 à pénétrer dans la gâche 68.