INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le courant de lecture Ilect produit par l'amplificateur de lecture est injecté dans la cellule, au moyen d'un miroir de courant ; le courant ID traversant la cellule et donc le transistor de stockage FGT est alors égal à ce courant de lecture (soit ID = Ilect).
On note que la valeur de la tension de seuil VT est donnée par l'intersection du courant de lecture Ilect précité et du courant de drain ID dans son évolution 4- 1. On peut alors obtenir une valeur de tension de seuil VT de deux façons : - façon i), en fixant un courant de lecture Ilect à une valeur choisie, et en faisant varier la tension Vcg à la grille de commande du transistor FGT, - façon ii) en maintenant cette tension Vcg fixe à une valeur donnée, et faisant varier le courant de lecture Ilect- Il sera maintenant décrit un premier mode de réalisation de l'invention, où l'on obtient les valeur de tension de seuil en utilisant les deux façons précitées, notamment : - la façon i) pour obtenir la valeur de seuil VTvierge d'une cellule 16 vierge et pour obtenir la valeur de seuil VTeff d'une cellule effacée, et la façon ii) pour obtenir la valeur de seuil VTinscr d'une cellule écrite.
Comme le montre la figure 5, la mémoire EEPROM 110 intégrant ce premier mode de réalisation met en ouvre à la fois : - un générateur de tension programmable 18 pour permettre l'extraction de la valeur de tension de seuil VTvierge d'une cellule vierge et de la tension de seuil
VTeff d'une cellule effacée, soit l'extraction d'une tension de seuil positive. Ce générateur 18 est avantageusement intégré avec les circuits du générateur de haute tension 14 classiquement utilisé, avec lesquels il peut partager des éléments communs, et - un générateur de courant programmable 20 pour permettre l'extraction de la valeur de tension de seuil VTinscr d'une cellule écrite, soit l'extraction d'une tension de seuil négative. De même, ce générateur 20 est avantageusement intégré avec les circuits de l'amplificateur de lecture 12, avec lesquels il peut aussi partager des éléments communs. On note effet que que toute mémoire EEPROM classique met en suivre une source de courant de référence ; cette source peut être utilisée pour fournir le courant de référence IREF utilisé par ce générateur 20.
La mémoire 110 intègre en outre : - des circuits 22 de routage d'une surtension, désignée Vboost, dont le rôle apparaîtra plus loin, et - des circuits 24 de routage de la tension de lecture Vlect.
La figure 6 illustre le générateur de courant programmable 20. Celui est basé sur un nombre N de circuits élémentaires identiques 26-1 à 26-N (désignés génériquement par la référence 26) comportant deux transistors en série : - un premier transistor 28 associé à un miroir de courant, ayant le drain relié à une tension d'alimentation Vdd et la source reliée au noeud commun 30des deux transistors, et - un second transistor 32 de type PMOS, servant de commutateur, ayant le drain relié au noeud commun 30 et la source reliée à une sortie commune 34 qui produit le courant programmé.
Les traits pointillés reliant différents points de ces transistors correspondent à des lignes de connexion au substrat du circuit intégré formant la mémoire ; il en est de même pour le circuit générateur de tension programmable de la figure 8.
la tension de polarisation d'un transistor de stockage en mode lecture.
Dans un mode de réalisation, la valeur de seuil est assimilée à la valeur de la tension de polarisation d'un transistor de stockage de la cellule en mode lecture, à laquelle ce transistor de stockage passe un courant déterminé.
La valeur de seuil également être assimilée à la valeur du courant passé par un transistor de stockage de la cellule en mode lecture lorsque ce transistor est polarisé à une tension positionnée à une valeur de référence.
De préférence, - pour déterminer le seuil d'une cellule vierge ou effacée, on détermine la tension de polarisation du transistor de stockage à laquelle ce transistor conduit un courant dont la valeur franchit un seuil sensiblement fixe, - pour déterminer le seuil d'une cellule écrite, on détermine la valeur limite du courant que peut conduire le transistor de stockage pour une tension de polarisation (Vcg) de celui-ci sensiblement fixe.
Le seuil peut correspondre à un seuil du transistor de stockage, qui est déterminé par la condition de basculement d'état logique d'un amplificateur de lecture auquel ladite cellule est fonctionnellement reliée, où : - pour déterminer le seuil d'une cellule vierge ou effacée, on maintient un courant de lecture de l'amplificateur de lecture sensiblement constant et on fait évoluer la tension de polarisation du transistor de manière à rapprocher le courant passé par celui-ci de ce courant de lecture, jusqu'à provoquer un basculement d'état logique de l'amplificateur de lecture, et on détermine la valeur de cette tension de
polarisation à laquelle l'amplificateur de lecture bascule d'état logique, cette tension de polarisation étant assimilée à la tension de seuil de la cellule vierge ou effacée ; et - pour déterminer le seuil d'une cellule écrite, on maintient la tension de polarisation du transistor sensiblement constante et on fait évoluer ledit courant traversant la cellule jusqu'au basculement d'état logique de l'amplificateur de lecture, le point de basculement correspondant au franchissement de la valeur limite du courant que peut conduire la cellule pour ladite tension de polarisation du transistor, cette valeur limite de courant traversant la cellule étant assimilée au seuil de la cellule écrite.
Pour déterminer le seuil d'une cellule, quel que soit son état : vierge, effacé, ou écrit, on peut déterminer la valeur du courant passé par le transistor de stockage pour une tension de polarisation de celuici sensiblement fixe.
Le seuil de commutation du transistor de stockage peut être alors déterminé par la condition de basculement d'état logique d'un amplificateur de lecture auquel ladite cellule est fonctionnellement reliée, où : - pour déterminer le seuil d'une cellule qu'elle soit son état : vierge, effacé, ou écrit, on maintient la tension de polarisation du transistor sensiblement constant et on fait évoluer ledit courant traversant la cellule jusqu'au basculement d'état logique de l'amplificateur de lecture, le point de basculement correspondant au franchissement de la valeur limite dudit courant que peut conduire la cellule pour ladite tension de polarisation du transistor, cette valeur limite de courant traversant la cellule étant assimilée au seuil de la cellule.
On peut faire évoluer la tension de polarisation appliquée au transistor de stockage de la cellule et/ou le courant de référence sur une plage de variation qui recouvre la plage des valeurs admises par la spécification de la mémoire pour la tension de seuil et/ou le courant de seuil considéré.
On peut faire évoluer la tension de polarisation appliquée au transistor de stockage de la cellule et/ou le courant traversant la cellule de manière incrémentale au moyen respectivement d'une source de tension programmable et/ou une source de courant programmable, la ou chaque source étant commandé numériquement par des moyens de programmation, ces derniers étant utilisés en outre pour fournir en sortie vers l'extérieur, sous forme numérique, une expression de la valeur du seuil considéré, les valeurs de la tension de polarisation ou dudit courant parcourant la cellule donnant la tension ou le courant provoquant ledit basculement d'état logique de l'amplificateur de lecture à l'incrément près.
Les moyens de programmation peuvent comprendre un registre à décalage dont les sorties parallèles servent à commander par leur état logique des parties respectives de la source de courant et/ou de la source de tension, de manière à produire une plage de valeurs de courant de référence évolutif et/ou une plage de valeurs de tension de polarisation appliquée à un transistor de stockage de la cellule, en fonction du motif de bits chargé dans le registre, lors de l'évolution des valeurs produites, ce motif commandant une valeur de courant ou de tension, et en ce que l'on extrait ce motif de bits, lorsque celui programme la valeur de courant ou la valeur de tension provoquant un franchissement de seuil en lecture, en tant
qu'information sur la valeur de courant ou de tension programmée.
Le motif de bits peut commander des coefficients d'une valeur élémentaire de courant ou de tension produite par des circuits internes de la mémoire utilisés en mode de fonctionnement normal de celle-ci.
Au moins un parmi : - le générateur de tension programmable, notamment une source de tension de référence de celui-ci, - le générateur de courant programmable, notamment une source de courant de référence de celui-ci, - les moyens de programmation, peut être réalisé avec des éléments de circuits utilisés par la mémoire en mode normal de fonctionnement.
Le procédé peut être réalisé avec des moyens embarqués dans ladite mémoire.
Le procédé peut être géré, au moins en partie, par une machine d'états de la mémoire.
L'invention concerne donc une composition pharmaceutique comprenant à titre d'agent actif au moins un composé tel que défini précédemment, avantageusement associé dans ladite composition à un véhicule pharmaceutiquement acceptable.
Ladite composition est appliquée à la prévention et/ou au traitement des pathologies précédemment énoncées. Selon la présente invention, la composition agit plus particulièrement contre les protéine phosphatases de la famille des sérine/thréonine protéine phosphatases. La présente famille comprend 2 groupes, celui des PPP représenté notamment par PP1, PP2A, PP2B et PP5 et celui des PPM représenté notamment par PP2C.
La présente composition peut en outre comprendre un ou plusieurs autres agents actifs inhibiteurs de l'activité de protéine phosphatases.
Ainsi, la présente invention concerne l'utilisation d'une composition pharmaceutique ou d'un composé tels que définis précédemment pour la préparation d'un médicament destiné à prévenir et/ou à traiter les pathologies associées à une
dérégulation des voies de signalisation cellulaire chez l'homme ou l'animal, préférentiellement choisi parmi les maladies neurodégénératives et plus particulièrement la maladie de Parkinson, la maladie d'Alzheimer et les états de dépression, les maladies cardiovasculaires et plus particulièrement les resténoses, les maladies métaboliques et plus particulièrement le diabète, les maladies respiratoires et plus particulièrement l'asthme et l'immunosuppression.
Les composés de l'invention ont également été testés pour leurs propriétés antimicrobiennes selon le protocole décrit dans l'exemple 4 de la présente demande. Le tableau 3 ci-après expose les résultats d'activités antibactériennes (IC50, M) et antifongiques (CMI, M) in vitro de composés de l'invention.
Champignons Bactéries Gram- Bactéries Gram+ Numéro A. C. C. P. E. S. E. exemple fumigatus albicans glabrata aeruginosa coli aureus sp.
233 > 100 > 100 > 100 > 100 n.d. 100 > 100 155 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 45 > 100 > 100 > 100 > 100 n.d. 100 > 100 50 > 100 > 100 100 > 100 n.d. 100 > 100 69 100 > 100 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 360 > 100 > 100 > 100 > 100 n.d. 100 > 100 160 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 114 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 10 > 100 194 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 212 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 10 > 100 116 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 170 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 10 > 100 297 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 118 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 100 > 100 101 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 10 100 195 > 100 > 100 n.d. > 100 > 100 10 > 100 329 100 > 100 n. d. > 100 > 100 > 100 > 100 n.d. : non déterminée
L'invention vise donc en outre la mise à profit des propriétés antimicrobiennes des composés de l'invention pour prévenir et/ou traiter les infections bactériennes et/ou fongiques chez l'homme et l'animal. L'invention concerne donc une composition pharmaceutique comprenant à titre d'agent actif au moins un composé tel que défini précédemment, avantageusement associé dans ladite composition à un véhicule pharmaceutiquement acceptable. Ladite composition agit plus particulièrement contre les bactéries à Gram positif, de préférence de genre Staphylococcus et plus particulièrement d'espèce Staphylococcus aureus.
La composition pharmaceutique de l'invention peut en outre comprendre un ou plusieurs autres agents actifs antimicrobiens.
La présente invention a également pour objet l'utilisation d'une composition pharmaceutique ou d'un composé tels que définis précédemment pour la préparation d'une composition antimicrobienne telle que définie précédemment destinée à traiter et/ou à prévenir les infections bactériennes et/ou fongiques chez l'homme ou l'animal et plus particulièrement, les infections causées par les bactéries à Gram positif, de préférence de genre Staphylococcus et plus particulièrement d'espèce Staphylococcus aureus.
Par véhicule , on entend selon la présente invention, toute substance qui est ajoutée au(x) composé(s) de l'invention pour favoriser le transport du ou des composés, éviter leur dégradation substantielle dans ladite composition et préserver leurs propriétés.
Le véhicule est en outre un véhicule pharmaceutiquement acceptable adapté à une administration du ou des composés de l'invention par voie orale, parentérale ou topique.
L'invention concerne également les compositions comprenant à titre d'agent actif au moins un composé intermédiaire obtenu à l'une quelconque des étapes d'un quelconque des procédés de préparation des composés de l'invention, décrits dans l'exemple I de la présente demande.
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront des exemples qui suivent concernant la préparation de composés et de composés intermédiaires selon l'invention, leurs propriétés antiprolifératives, leurs propriétés d'inhibition de l'activité de protéine phosphatases et leurs propriétés antimicrobiennes et dans lesquels il sera fait référence aux dessins en annexe dans laquel : - la figure 1 représente les structures des composés de l'invention ainsi que celles d'intermédiaires et de sous- structures des composés de l'invention.
Dans la description qui précède, l'invention a été 15 décrite en se référant à des formes d'exécution spécifiques données à titre d'exemples. Il est évident que diverses modifications et changements peuvent être apportés à ces formes d'exécution sans sortir de l'esprit et de la portée plus large de l'invention, telle qu'elle est définie dans 20 les revendications annexées. En conséquence, la description et les dessins doivent être considérés comme ayant un sens d'illustration plutôt qu'un sens de restriction.
ELEMENTS GENETIQUES MOBILES APPARTENANT A LA FAMILLE mariner CHEZ LES EUCARYOTES HYDROTHERMAUX La présente invention se rapporte au domaine de la biologie moléculaire relative aux éléments transposables. L'invention concerne plus particulièrement l'identification de nouveaux éléments génétiques mobiles appartenant à la famille mariner, lesdits éléments présentant des propriétés avantageuses dans le cadre d'utilisations diverses en biotechnologies.
La présente invention a pour objets des acides nucléiques isolés chez des organismes eucaryotes hydrothermaux, lesdits acides nucléiques comprenant au moins un élément génétique mobile appartenant à la famille mariner, ou comprenant des régions particulières d'un tel élément, notamment le gène codant la transposase et/ou les extrémités 5' et 3' requises pour la transposition.
L'invention vise également une transposase codée par un gène porté par ou isolé d'un tel élément génétique mobile, ainsi qu'un procédé d'obtention de ladite transposase.
Enfin, l'invention a trait à des procédés de transposition in vitro et in vivo, et à des applications de tels procédés dans le domaine des biotechnologies.
Les conditions environnementales inhabituelles propres aux sources hydrothermales abyssales peuvent, selon les cas, favoriser ou, au contraire, prévenir la colonisation à long terme de ces écosystèmes par des organismes vivants.
De telles sources prennent naissance à des profondeurs allant de quelques centaines de mètres jusqu'à 3700 mètres environ. Au niveau de ces sources, l'eau de mer dense et froide s'infiltre dans la croûte océanique par des fissures, d'où elle ressort chargée de particules de soufre et chauffée à plus de 350 C. L'eau de mer ainsi chargée et
chauffée constitue le fluide hydrothermal, anoxique, acide et de salinité variable.
Deux types de sources de fluide hydrothermal peuvent être observés, et ce, parfois au même site.
D'une part, des constructions en forme de cheminée, appelées fumeurs noirs, sont générées par la précipitation des sulfures polymétalliques et du sulfate de calcium contenus dans le fluide non dilué refoulé par le sol.
D'autre part, le sol est parsemé d'émissions troubles et diffuses de fluide dilué.
Tous les fluides expulsés par ces sources sont dilués dans l'eau de mer. A quelques mètres du site d'expulsion, leur température tombe très rapidement à 2 C environ.
Les sources hydrothermales abyssales représentent des niches écologiques pour les organismes vivants capables de tolérer de telles conditions de température, pression et concentration en sels et métaux.
La plupart des populations est concentrée dans la zone où la température des fluides dilués se situe entre 10 et 20 C environ, même si quelques espèces peuvent tolérer des températures bien supérieures. C'est en particulier le cas des annélides polychètes appartenant au genre Alvinella qui vivent dans des tubes organiques situés dans les parois des fumeurs noirs actifs, à des températures allant de 10 à 80 C environ. De manière exceptionnelle, l'espèce A. pompejana a été retrouvée à 105 C (Desbruyères et Segonzac, 1997).
Les éléments transposables (TE), ou transposons, ou encore éléments génétiques mobiles (EGM), sont décrits, dans la littérature, comme des parasites génétiques en ce qu'ils induisent des mutations dans le génome de l'hôte (Kidwell et Lisch, 2001). Ces mutations peuvent être délétères pour l'hôte, ou bien créer, chez celui-ci, une variabilité génétique favorable à sa préservation dans des conditions environnementales altérées ou hostiles. En particulier, la présence de TE
à différents loci peut être à l'origine d'altérations de l'intégrité génomique, tels des événements de recombinaison inégaux à l'origine de délétions, duplications ou inversions de fragments d'ADN. Dans la mesure où ces fragments représentent potentiellement des gènes, les altérations susvisées peuvent d'une part expliquer, tout au moins en partie, la plasticité des génomes et, d'autre part, être impliquées dans des processus de cancérisation.
Ammoniaque à 20% de NH3 10 g Précurseurs de colorants et colorants directs Voir tableau cidessus Eau déminéralisée q.s.p. 100 g Mode d'application Au moment de l'emploi, chaque composition est mélangée avec un poids égal d'eau oxygénée à 20 volumes (6 % en poids).
Le mélange obtenu est appliqué sur des mèches de cheveux gris à 90 % de blancs naturels (BN) à raison de 30 g pour 3 g de cheveux. Après 30 min de pose, les mèches sont rincées, lavées avec un shampooing standard, rincées à nouveau puis séchées.
La coloration capillaire est évaluée de manière visuelle.
Hauteur de ton Reflet 90%BN 90%BN Composition 1 Blond Foncé Vert Chromatique Composition 2 Blond Foncé Irisé Acajou Composition 3 Châtain Clair Violine Chromatique
Composition moussante contenant un dérivé de polyguanidine, et ses utilisations notamment cosmétiques La présente invention se rapporte à une composition de nettoyage moussante rinçable comprenant un dérivé de polyguanidine, et à l'utilisation de ladite composition notamment dans le domaine cosmétique ou dermatologique, comme produits de nettoyage ou de démaquillage de la peau, des yeux, du cuir chevelu et/ou des cheveux et/ou comme produits pour traiter la peau humaine.
Un moyen pour bien nettoyer la peau est d'utiliser des produits de nettoyage moussants. Les produits de nettoyage moussants actuellement disponibles dans le commerce se présentent sous forme de pains, de gels ou de crèmes moussants, et ils peuvent ou non contenir des savons (sels d'acides gras). Les produits moussants avec savons ont l'avantage de donner une mousse onctueuse ; cependant, certains consommateurs reprochent à ces produits de provoquer des tiraillements dus à leur détergence trop importante. Pour avoir un produit mieux toléré, on cherche à diminuer le taux de savons ou même à les éliminer des compositions nettoyantes moussantes.
Par ailleurs, les produits moussants sans savon sont généralement bien tolérés.
Toutefois, les qualités de mousse sont moins bonnes que celles obtenues avec les produits qui contiennent des savons, en particulier les mousses générées sont grossières et rêches. Une façon d'améliorer les qualités de mousse et d'obtenir des qualités proches de celles des produits avec savon (mousse douce, dense, avec des bulles de petite taille) est d'introduire des polymères cationiques.
Cependant, les polymères cationiques ont l'inconvénient de laisser un film sur la peau, ce qui se traduit par un rinçage dit filmogène ou glissant. Ce type de rinçage n'est pas apprécié par les consommateurs car il donne l'impression d'une peau mal lavée. Par ailleurs, les polymères cationiques nuisent au volume de la mousse.
Ainsi, il subsiste le besoin de produits moussants rinçables, qui même sans savon, aient les propriétés requises pour des produits moussants, à savoir de bonnes qualités de la mousse obtenue et un bon confort d'utilisation (douceur).
La demanderesse a découvert, de manière surprenante, que l'introduction d'un dérivé de polyguanidine dans les compositions moussantes permettait d'obtenir une mousse abondante, dense et douce.
Ainsi, les compositions selon l'invention donnent une mousse plus dense et plus volumineuse que des compositions ne contenant pas le dérivé de polyguanidine, comme le montrent les exemples comparatifs ci-après.
Ainsi, la présente demande a pour objet une composition de nettoyage moussante comprenant, dans un milieu aqueux physiologiquement acceptable, au moins un dérivé de polyguanidine et un ou plusieurs tensioactifs moussants, ces tensioactifs étant en une quantité supérieure à 5 % en poids par rapport au poids total de la composition.
On entend ici par milieu physiologiquement acceptable un milieu compatible avec la peau, les muqueuses, le cuir chevelu, les yeux et/ou les cheveux. Par ailleurs, il s'agit d'un milieu aqueux, c'est-à-dire d'un milieu comportant de l'eau et de préférence une quantité d'eau d'au moins 35 % en poids, par exemple allant de 35 à 95 % en poids et mieux de 40 à 80 % en poids par rapport au poids total de la composition.
Les compositions de l'invention sont des compositions de nettoyage moussantes et rinçables, appropriées pour une application topique, et notamment pour une application sur la peau. Elles se présentent sous forme d'un gel pouvant s'écouler ou non sous son propre poids, c'est-à-dire ayant une viscosité pouvant aller par exemple de 5 poises à 250 poises (0,5 à 25 Pa. s) et de préférence de 35 poises à 200 poises (3,5 à 20 Pa.s), la viscosité étant mesurée à 25 C avec un appareil de mesure Rheomat 180 à 200 s-1, cet appareil étant équipé d'un mobile différent selon les viscosités, par exemple d'un mobile 2 pour les gammes de viscosités inférieures à 7 poises, d'un mobile 3 pour les gammes de viscosités de 2 à 40 poises, et d'un mobile 4 pour les gammes de viscosités supérieures à 20 poises.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1.26-1.64 (m, 10H) ; 3.00 (s, 2H); 3.33 (t, 2H) ; (t, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 2H) ; 8.02 (s, 1H) ; 10.10 (s, 1H) ESI-MS m/z 475 [M+H]+ Exemple 117 : Préparé à partir de l'intermédiaire 4 et de 4-benzylphenyl isocyanate selon la méthode A.
1H-NMR (DMSO-d,) 8 1. 24-1.59 (m, 10H) ; 2. 99 (s, 2H); 3. 34 (t, 2H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 9H) ; 9 . 52 ( s, 1H) ESI-MS m/z 463 [M+H]+ Exemple 118 : Préparé à partir de l'intermédiaire 4 et de 4-(6-methyl-2- benzothiazolyl) phenyl isocyanate selon la méthode A.
ESI-MS m/z 520 [M+H]+ Exemple 119 : Préparé à partir de l'intermédiaire 4 et de 4-iodophenyl isocyanate selon la méthode A.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 29-1.61 (m, 10H) ; 2. 99 (s, 2H) ; (t, 2H) ; 4. 03 (t, 2H) ; (s, 2H) ; (d, 2H) ; 7.60(d, 2H) ; 9.73 (s, 1H) ESI-MS m/z 499 [M+H]+ Exemple 120 :