INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque composant dans l'environnement du distributeur comporte une valeur de temps moyen entre pannes MTBF (MTBF = Mean Time Between Failure) qui représente la plage permise ou le seuil d'utilisation. Les exemples de composants qui suivent ont les valeurs de MTBF indiquées ci-dessous : - électronique d'un lecteur de carte - 125 000 heures ; - tête de lecteur de carte - 500 000 passes ; - électronique d'imprimante - 50 000 000 impulsions ; - abrasif d'imprimante - 50 km de papier ; et - clavier à membrane - 1 000 000 pressions.
Cependant, ces valeurs de MTBF ne peuvent normalement être atteintes que si une maintenance préventive régulière est effectuée sur les composants. Les parties du distributeur ne peuvent généralement atteindre leur durée de vie d'utilisation prévue sans un certain type d'entretien ou maintenance. Le problème qui n'a pas encore été convenablement abordé concerne le développement d'un mécanisme pour déterminer le moment où l'entretien doit être effectué.
De plus, même si la valeur de MTBF n'est pas dépassée, il est toujours possible que des composants puissent tomber prématurément en panne dans diverses circonstances telles que par exemple des conditions d'environnement imprévues, des défauts de conception cachés, une mauvaise installation, et une mauvaise utilisation. Par suite, certaines parties doivent être supervisées régulièrement (par exemple à intervalles périodiques), sinon de façon continue, pour identifier des problèmes et enregistrer des visites d'entretien. Il est clair que des procédures de diagnostic et d'en-
tretien jouent ensemble un rôle vital pour assurer la poursuite de l'intégrité du dispositif de distributeur et pour conserver la qualité de bon état de fonctionnement des pièces.
Il est donc nécessaire d'établir une police de diagnostic qui surveille de façon continue l'état et les performances des composants, même avant que la limite de MTBF ait été atteinte. De plus, un programme d'entretien doit être mis en #uvre pour compléter le programme de diagnostic de façon que des solutions, des réparations, des remèdes ou autres actions correctrices de même nature puissent être effectuées pour maintenir le bon ordre de travail des parties concernées.
Une autre caractéristique généralement absente des distributeurs de carburant standards fait appel à la capacité de régler sélectivement des composants du distributeur d'une manière qui soit commandée par les résultats des opérations de diagnostic. De tels réglages pourraient par exemple mettre en #uvre la modification d'un paramètre d'un composant. Des formes courantes de commande sont limitées à une liaison de commande dédiée entre le terminal de point de vente (PDV) et l'emplacement du distributeur, nécessitant une supervision et une manipulation manuelles. Il n'y a pas d'installation centralisée ou automatisée pour coordonner, superviser et gérer les aspects de commande des divers emplacements de distributeurs.
Il serait avantageux, dans une station de réapprovisionnement en carburant par exemple, de permettre à un programmeur ou autre personnel de service, de modifier les propriétés de travail de l'équipement de réapprovisionnement en carburant, par exemple en changeant les débits d'écoulement respectifs de l'ensemble de pompe/vanne de carburant et de l'appareil de récupération de vapeur. Cependant, les dispositifs utilisés dans les dispositions de distributeurs conventionnelles utilisent typiquement des programmes de commande qui sont noyés dans des EPROM. Cette configuration rend essentiellement irréalisable de fixer des défauts de programmation quelconques ou de fournir des mises à jour du logiciel car cela devrait nécessiter de remplacer la EPROM existante par une nouvelle EPROM ayant le module de logiciel voulu. Par suite, les concepteurs considèrent typiquement l'équipement de réapprovisionnement en carburant sur le site comme une configuration statique incapable de traiter des mises à jour ou de s'adapter à des opérations de reconfiguration périodiques.
(5) les polymères dérivés du chitosane comportant des motifs monomères répondant aux formules (XIII), (XIV), (XV) suivantes : le motif (XIII) étant présent dans des proportions comprises entre 0 et 30%, le motif (XIV) dans des proportions comprises entre 5 et 50% et le motif (XV) dans des proportions comprises entre 30 et 90%, étant entendu que dans ce motif (XV), R25 représente un radical de formule :
dans laquelle q= 0 ou 1, si q=0, R26, R27 et R28, identiques ou différents, représentent chacun un atome d'hydrogène, un reste méthyle, hydroxyle, acétoxy ou amino, un reste monoalcoylamine ou un reste dialcoylamine éventuellement interrompus par un ou plusieurs atomes d'azote et/ou éventuellement substitués par un ou plusieurs groupes aminé, hydroxyle, carboxyle, alcoylthio, sulfonique, un reste alcoylthio dont le groupe alcoyle porte un reste amino, l'un au moins des radicaux R26, R27 et R28 étant dans ce cas un atome d'hydrogène ; ou si q=1, R26, R27 et R28 représentent chacun un atome d'hydrogène, ainsi que les sels formés par ces composés avec des bases ou des acides.
formule : -R33-N(R31)2, R33 représentant un groupement -CH2-CH2- , -CH2-CH2-CH2- , -CH2-CH(CH3)- , R31 ayant les significations mentionnées ci-dessus, ainsi que les homologues supérieurs de ces radicaux et contenant jusqu'à 6 atomes de carbone, r est tel que le poids moléculaire est compris entre 500 et 6000000 et de préférence entre 1000 et 1000000.
(8) Des polymères amphotères du type-D-X-D-X- choisis parmi: a) les polymères obtenus par action de l'acide chloracétique ou le chloracétate de sodium sur les composés comportant au moins un motif de formule : -D-X-D-X-D- (XVII) où D désigne un radical et X désigne le symbole E ou E', E ou E' identiques ou différents désignent un radical bivalent qui est un radical alkylène à chaîne droite ou ramifiée comportant jusqu'à 7 atomes de carbone dans la chaîne principale non substituée ou substituée par des groupements hydroxyle et pouvant comporter en outre des atomes d'oxygène, d'azote, de soufre, 1 à 3 cycles aromatiques et/ou hétérocycliques; les atomes d'oxygène, d'azote et de soufre étant présents sous forme de groupements éther, thioéther, sulfoxyde, sulfone, sulfonium, alkylamine, alkénylamine, des groupements hydroxyle, benzylamine, oxyde d'amine, ammonium quaternaire, amide, imide, alcool, ester et/ou uréthanne ; b) les polymères de formule : -D-X-D-X- (XVIII) où D désigne un radical et X désigne le symbole E ou E' et au moins une fois E' ; ayant la signification indiquée ci-dessus et E' est un radical bivalent qui est un radical alkylène à chaîne droite ou ramifiée ayant jusqu'à 7 atomes de carbone dans la chaîne principale, substitué ou non par un ou plusieurs radicaux hydroxyle et comportant un ou plusieurs atomes d'azote, l'atome d'azote étant substitué par une chaîne alkyle interrompue éventuellement par un
- Exemple 75 : Acide (E) -4, 8-diméthylnona-3, 7-diénylphosphonique (65) : Rdt=98% Ru-=0, 4 (4 : 6 ammoniaque27% : isopropanol)
RMN'H (CDCb), 5 (ppm) : 1, 55-1, 88 (m, 2H, H-2) ; 1, 62 (s, 6H, 2CH3) ; 1, 7 (s, 3H, CH3) ; 1, 9-2, 1 (m, 4H, H-5 et H-6) ; 2, 17-2, 41 (m, 2H, H-1) ; 5, 0-5, 22 (m, 2H, H-3 et H-7) ; 9, 45 (s, 2H, POH).
RMN 3Ip (CDCi)), (ppm) : 36, 8.
RMN 13C (CDCi)), (ppm) : 15, 68-18, 1 (2C, C-10 et C-ll) ; 21, 25 (d, J2-P 4, 5 Hz, 1C, C-2) ; 26, 10 (1C, C-9) ; 26, 6 (d, Ji-p 142, 9 Hz, 1C, C-1) ; 26, 84 (lC, C-6) ; 39, 99 (1C, C-5) ; 123, 33 (d, J3-P 18, 6 Hz, 1C, C-3) ; 124, 58 (lC, C-7) ; 131, 87 (lC, C- 8) ; 136, 8 (1C, C-4).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 233 [M+H] + ; 255 [M+Na] +.
- Exemple 76 : Acide 4-méthylpent-4-enylphosphonique (66) :
Rdt=76% Rt=0, 4 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (CDCl3), ≈(ppm) : 1, 73 (s, 3H, H-6) ; 1, 6-1, 85 (m, 4H, H-2 et H-3) ; 2, 11 (m, 2H, H-1) ; 4, 71 (s, 1H, H-5) ; 4, 77 (s, IH, H-5) ; 8, 39 (s, 2H, POH).
RMN up (CD13), ≈(ppm) : 37, 7.
RMN 13C (CD13) 5 (ppm) : 21, 51 (d, J2-p 4, 2 Hz, lC, C-2) ; 21, 73 (lC, C-6) ; 27, 77 (d, . p 133, 2 Hz, lC, C-l) ; 38, 61 (d, J3-p 17, 5 Hz, 1C, C-3) : 110, 13 (IC, C-5) ; 147, 63 (lC, C-4).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 165 [M+H] + ; 187 [M+Na] +.
- Exemple 77 : 4-Méthylpent-3-énylpyrophosphonate de triammonium (67) :
Rdt=50% - Rf=0, 35 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), 8 (ppm) : 1, 52 (s, 3H, H-5) ; 1,55-1, 6 (m, 2H, H-2) ; 1, 57 (s, 3H, H-6) ; 2,0-2, 22 (m, 2H, H-1) ; 5,14 (m, 1H, H-3).
RMN 3'P (D20), 5 (ppm) :-7, 0 (d, J 25, 2 Hz, P-ss) ; 19, 5 (d, P-a).
RMN 13C (D20), 8 (ppm) : 17, 24 (IC, C-5) ; 21, 93 (d, J2-P 3, 9 Hz, IC, C-2) ; 24. 02 (lC, C-6) ; 28, 29 (d, JI-p 135, 1 Hz, 1C, C-1) ; 124, 87 (d, J3-P 18, 8 Hz, 1C, C-3) ; 133, 82 (d, J4-p 1, 5 Hz, 1C, C-4).
SM FAB > O m/z (GT) : 279 [M-NH4+2Ht ; 262 [M-2NH4+3Ht ; 245 [M- 3NH4+4H]+.
- Exemple 78 : (E) -4, 8-Diméthylnona-3, 7-diénylpyrophosphonate de triammonium (68) : Rdt=46% Rf=0, 47 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol)
Selon une autre caractéristique de l'invention, le substrat semiconducteur comprend un caisson isolant de silicium poreux oxydé du côté de la première face.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le circuit comprend une inductance disposée directement sur la première face du substrat au niveau du caisson isolant.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le circuit comprend un substrat isolant disposé entre les composants passifs et le substrat semiconducteur, le substrat isolant étant fixé sur la première face du substrat semiconducteur.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le substrat isolant est en verre.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les composants passifs et les composants actifs sont reliés entre eux par des vias traversant le substrat semiconducteur et le substrat isolant.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le circuit comprend une inductance réalisée directement sur le substrat isolant Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, représente une coupe d'un circuit monolithique classique comportant une inductance, une résistance, un condensateur et une diode ; la figure 2 représente une coupe d'un premier mode de réalisation d'un circuit monolithique selon l'invention ; et la figure 3 représente une coupe d'un deuxième mode de réalisation d'un circuit monolithique selon l'invention.
On va décrire de façon détaillée trois modes de réalisation de la présente invention. On notera que dans les différentes figures, comme cela est usuel dans le domaine de la représentation de circuit monolithique, les épaisseurs et dimensions latérales des diverses couches ne sont pas tracées à l'échelle ni à l'intérieur d'une même figure, ni d'une figure à l'autre pour améliorer la visibilité de cette figure. Par ailleurs, de mêmes références désigneront, sur les différentes figures, de mêmes éléments.
Comme cela est représenté sur la figure 2, le circuit monolithique comprend un substrat 15 recouvert d'un empilement de première, deuxième et troisième couches isolantes 20,21, 22.
Le circuit monolithique comprend une inductance 11, une résistance 12 et un condensateur 13 montés en série, de structures identiques à celles de la figure 1. La première couche isolante 20 peut être épaisse.
Les trois composants passifs sont réalisés du côté d'une première face 60 du substrat 15. Un composant actif telle qu'une diode 65 de protection est réalisée dans le substrat 15 du côté d'une seconde face 61 opposée à la première face 60. La diode 65 se compose d'un caisson 66 de type N, faiblement dopé, qui comprend une région d'anode 67 de type P et une région de cathode 68 de type N plus fortement dopée que le caisson 66.
Du côté de la seconde face 61, le substrat 15 est recouvert de quatrième et cinquième couches isolantes 68,69. La quatrième couche isolante 68 peut être réalisée en oxyde de silicium, et la cinquième couche isolante 69 en un matériau à faible coefficient diélectrique.
Du côté de la seconde face 61, une première piste de connexion 34, connectée à une extrémité 24 de l'inductance 11, est reliée, par un via 70 traversant la deuxième couche isolante 21, à une bande métallique 75 du premier niveau de métallisation déposée sur la première couche isolante 20. La bande métallique 75 est reliée par un via 76 traversant toute l'épaisseur du substrat 15 depuis la première face 60 jusqu'à la seconde face 61, à une cinquième piste de connexion 77, du premier niveau de métallisation déposée sur la quatrième couche isolante 68.
Une quatrième piste de connexion 47 prolongeant la deuxième plaque 32 du condensateur 13 est reliée, par un via 79 traversant la deuxième couche isolante 18, à une bande métallique 80, du premier niveau de métallisation, déposée sur la première couche isolante 20. La bande métallique 80 est reliée, par un via 81 traversant l'épaisseur du substrat 15, à
une sixième piste de connexion 82, du premier niveau de métallisation, déposée sur la quatrième couche isolante 68.
Les vias 76,81 traversant le substrat semiconducteur 15 pourront être fabriqués par tout moyen connu, par exemple à partir de perforations, par électrolyse, par des procédés à gradient de température... Les parois des vias pourront être isolées si nécessaire. Le conducteur des vias pourra être un matériau métallique ou un semiconducteur fortement dopé de type de conductivité opposée à celui du substrat.
La sixième piste de connexion 82 connecte la région d'anode 67 de la diode 65. La région de cathode 68 de la diode est reliée à une septième piste de connexion 83, du premier niveau de métallisation, déposée sur la quatrième couche isolante 68. Les cinquième et septième pistes de connexion 77, 82 sont respectivement connectées à des plots de connexion 85, 86, réalisés dans un deuxième niveau de métallisation, recevant chacun une bille de soudure 87,88.
Les bases d'oxydation utilisables dans le cadre de la présente invention sont choisies parmi celles classiquement connues en teinture d'oxydation, et parmi lesquelles on peut
notamment citer les ortho-et para-phénylènediamines, les bases doubles, les ortho-et para-aminophénols, les bases hétérocycliques suivantes ainsi que leurs sels d'addition avec un acide.
On peut notamment citer : - (1) les paraphénylènediamines de formule (1) suivante et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : R1 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en Ci-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy (Ci-C4) alkyle (Ci-C4), alkyle en Ci-C4 substitué par un groupement azoté, phényle ou 4'-aminophényle ; R2 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en Cl-C'-ou polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy (C1-C4) alkyle (C1-C4) ou alkyle en C1-C4 4 substitué par un groupement azoté ; R1 et R2 peuvent également former avec l'atome d'azote qui les porte un hétérocycle azoté à 5 ou 6 chaînons éventuellement substitué par un ou plusieurs groupements alkyle, hydroxy ou uréido ; R3 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel qu'un atome de chlore, un radical alkyle en C1-C4, sulfo, carboxy, monohydroxyalkyle en Ci-C4 ou hydroxyalcoxy en C1-C4, acétylaminoalcoxy en Ci-C4, mésylaminoalcoxy en C1-C4 ou carbamoylaminoalcoxy en Ci-C4, R4 représente un atome d'hydrogène, d'halogène ou un radical alkyle en C1-C4.
Parmi les groupements azotés de la formule (1) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl (CI-C4) amino, dialkyl (Ci-C4) amino, trialkyl (Ci-C4) amino, monohydroxyalkyl (C1-C4) amino, imidazolinium et ammonium.
paraphénylènediamine, la 2, 3-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2, 6-diméthylparaphénylènediamine, la 2, 6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2, 5-diméthylparaphénylènediamine, la N, N-diméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-diéthylparaphénylènediamine, la N, N-dipropyl-paraphénylènediamine, la 4-amino-N, N-diéthyl-3méthyl-aniline, la N, N-bis- (ss-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la 4-N, N-bis- (phydroxymethyl) amino-2-méthyl-aniline, la 4-N, N-bis- (P-hydroxyéthyl)-amino 2-chloro-aniline, la 2-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-fluoro-paraphénylènediamine, la 2-isopropyl-paraphénylènediamine, la N- (P-hyd roxy pro pyl)-pa ra phényl è n ediam i ne, la 2-hydroxyméthyl-paraphénylèhediamine,--la N, N-diméthyl-3-méthylparaphénylènediamine, la N, N- (éthyl, p-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la N- (P, Ydihydroxypropyl) -paraphénylènediamine, la N- (4'-aminophényl) -paraphénylènediamine, la N-phényl-paraphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2-ss- acétylaminoéthyloxy-paraphénylènediamine, la N-(ss-méthoxyéthyl)- paraphénylèndiamine, la 2-méthyl-1-N-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la N-(4- aminophényl) -3-hydroxy-pyrrolidine, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi les paraphénylènediamines de formule (1) ci-dessus, on préfère tout particulièrement la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-isopropyl- paraphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2, 6-diméthyl-paraphénylène-diamine, la 2, 6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2, 3-diméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-bis- (p- hydroxyéthyl) -paraphénylènediamine, la 2-chloro-paraphénylènedíamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
-(II) Selon l'invention, on entend par bases doubles, les composés comportant au moins deux noyaux aromatiques sur lesquels sont portés des groupements amino et/ou hydroxyle.
dans laquelle : - 21 et Zz, identiques ou différents, représentent un radical hydroxyle ou -NH2 pouvant être substitué par un radical alkyle en C1-C4 ou par un bras de liaison Y ; -le bras de liaison Y représente une chaîne alkylène comportant de 1 à 14 atomes de carbone, linéaire ou ramifiée pouvant être interrompue ou terminée par un ou plusieurs groupements azotés et/ou par un ou plusieurs hétéroatomes tels que des atomes d'oxygène, de soufre ou d'azote, et éventuellement substituée par un ou plusieurs radicaux hydroxyle ou alcoxy en Ci-Ce ; - Rs et R6 représentent un atome d'hydrogène ou d'halogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4, polyhydroxyalkyle en Cz-C4, aminoalkyl en C1-C4 ou un bras de liaison Y ; -R7, R8, Rg, Rio, R11 et Ru, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène, un bras de liaison Y ou un radical alkyle en Ci-C4 ; étant entendu que les composés de formule (II) ne comportent qu'un seul bras de liaison Y par molécule.
Parmi les groupements azotés de la formule (II) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl (Cl-C4) aMino, dialkyl (Cl-C4) amino, trialkyl (Ci-C4) amino, monohydroxylalkyl(C1-C4) amino, imidazolinium et ammonium.
Parmi les bases doubles de formules (II) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le N, N'-bis- (P-hydroxyéthyl)-N, N'-bis- (4'-aminophényl)-1, 3-diamino-propanol, la N, N'-bis- (Phydroxyéthyl) - N, N'-bis- (4'-aminophényI) -éthylènediamine, la N, N'-bis- (4-aminophényl) - tétraméthylènediamine, la N, N'-bis-(ss-hydroxyéthyl)-N,N'-bis-(i4-aminophényl)tétraméthylènediamine, la N, N'-bis-(4-méthyl-aminophényl)-tétraméthylènediamine, la N, N'-bis-(éthyl)-N,N'-bis-(4'-amino-3'-méthylphényl)-éthylènediamine, le 1, 8-bis- (2, 5- diaminophénoxy)-3, 5-dioxaoctane, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi ces bases doubles de formule (II), le N, N'-bis- (ss-hydroxyéthyl)-N, N'-bis- (4'-aminophényl) -1, 3-diamino-propanol, le 1, 8-bis- (2, 5-diaminophénoxy)-3, 5-dioxaoctane ou l'un de leurs sels d'addition avec un acide sont particulièrement préférés.
- (III) les para-aminophénols répondant à la formule (III) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : R13 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel que le fluor, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4, alcoxy (C1-C4) alkyle (C1-C4) ou aminoalkyl en C1-C4, ou hydroxyalkyl (C1-C4) aminoalkyle en C1-C4.
R14 représente un atome d'hydrogène ou un atome d'halogène tel que le fluor, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en Ci-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, aminoalkyl en C1-C4, cyanoalkyl en C1-C4 ou alcoxy (C1-C4) alkyle (C1-C4).
Parmi les para-aminophénols de formule (III) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le para-aminophénol, le 4-amino-3-méthyl-phénol, le 4-amino-3-fluoro-phénol, le 4-amino- 3-hydroxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-méthyl-phénol, le 4-amino-2-hydroxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-méthoxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-aminométhyl-phénol, le 4-amino- 2- (P-hydroxyéthyl-aminométhyl)-phénol, et leurs sels d'addition avec un acide.
L'équation d'actualisation du vecteur d'état de X en Xa est alors :
La matrice K est élaborée en tenant compte de la matrice H, pour reconvertir dans le repère du vecteur d'état X les innovations Yo-Yp qui sont en axes satellites. Par ailleurs, la matrice de gain est calculée à partir de la matrice de variance prédite Pp, le gain attribué aux innovations pour converger vers une solution hybride la meilleure possible étant fonction de la confiance qu'on a dans l'exactitude du vecteur d'état.
Le calcul de la matrice K est fait par l'équation :
R est une matrice de composantes de bruit représentant le bruit propre du récepteur GPS lorsque ce bruit peut être mesuré par le récepteur
GPS. A cet effet, une donnée de rapport signal/bruit (S/N), est de préférence fournie par le récepteur GPS pour chaque satellite. Le bruit est facilement mesuré par un corrélateur non aligné avec le code pseudo-aléatoire qui module le signal satellite, ce corrélateur recevant les signaux satellites et autres signaux présents dans la même bande de fréquence, le tout représentant le bruit.
Le calcul de la matrice de gain K est refait à chaque opération de recalage, les gains sur les innovations dans les axes du vecteur d'état variant au cours du temps non seulement du fait de changements dans la matrice de covariance, mais aussi du fait de changements dans l'orientation des axes satellites.
Le vecteur d'état actualisé Xa vient remplacer le vecteur d'état précédent X en amont du modèle de propagation des erreurs inertielles, pour le calcul d'une nouvelle prédiction d'erreur, et ainsi de suite.
Parallèlement au calcul d'un vecteur d'état actualisé, on calcule une matrice de covariance actualisée Pa à partir de la matrice de covariance prédite Pp. Le calcul de la matrice actualisée Pa résulte de la formule :
La matrice actualisée Pa vient remplacer la matrice de covariance P en entrée du modèle de propagation des erreurs inertielles, en vue d'une nouvelle prédiction et d'un nouveau recalage.
C'est à partir du vecteur d'état actualisé Xa, qui est un vecteur d'estimation des erreurs de la centrale inertielle, qu'on calcule la solution hybride : les composantes de la solution hybride (position, attitudes, vitesses, etc. ) sont obtenues en additionnant aux composantes correspondantes fournies par la centrale inertielle (données inertielles brutes) l'estimation actualisée Xa des erreurs dues à la centrale inertielle :
Parallèlement, c'est à partir de la matrice de covariance actualisée Pa qu'on peut calculer un rayon de protection des mesures hybrides : la matrice Pa permet de calculer directement un rayon de protection de la mesure hybride à condition qu'il n'y ait pas de panne. On explicitera plus loin ce calcul de rayon de protection Mais, comme on l'a dit, si on a prévu non seulement l'algorithme de filtrage de Kalman principal qu'on vient de décrire mais aussi N
algorithmes secondaires excluant à chaque fois un axe satellite, c'est pour permettre également une détermination d'un satellite fautif, l'exclusion de ce satellite fautif, et la détermination d'un rayon de protection associé en présence de panne. On reviendra plus loin sur ces questions relatives aux rayons de protection.
Pour cet algorithme de filtrage de Kalman, aussi bien l'algorithme principal que les algorithmes secondaires, on a prévu de calculer des différences Yo, = PC,-PD, qui sont, sur chaque axe satellite non exclu de rang i, la différence entre la distance récepteur/satellite mesurée par la centrale inertielle et la même distance mesurée par le récepteur GPS.