REVENDICATIONS 1. Diode verticale à montage par une face avant et de faible capacité réalisée dans un substrat semiconducteur (1), caractérisée en ce qu'elle comprend une première zone en saillie par rapport à la surface du substrat comportant au moins une couche semiconductrice (3) dopée d'un type de conductivité opposé à celui du substrat, la surface supérieure de la couche semiconductrice portant une première bille de soudure (23) ; et une seconde zone comportant sur le substrat une piste conductrice épaisse (16) portant au moins deux secondes billes de soudure (24), lesdites première et seconde billes de soudure définissant un plan parallèle au plan du substrat. 2. Diode selon la revendication 1, caractérisée en ce que la seconde zone comporte une couche semiconductrice intermédiaire (2) entre le substrat (1) et la couche semiconductrice (3). 3. Diode selon la revendication 1, caractérisée en ce que les billes de soudure (23 ; 24) reposent sur une surface d'accrochage (20 ; 21). 4. Diode selon la revendication 3, caractérisée en ce que la première zone comporte une métallisation (18) entre la couche semiconductrice (3) et la surface d'accrochage (20) de la première bille de soudure (23). 5. Procédé de formation d'une diode verticale à montage par une face avant et de faible capacité dans un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de conductivité constituant une première électrode de la diode, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : former une couche semiconductrice (3) du second type de conductivité ; creuser, en dehors de la région de formation de la diode, au moins jusqu'à dégager le substrat ; former sur le substrat une piste conductrice (16) d'une épaisseur sensiblement supérieure à la profondeur de creusement ; former une métallisation (18) sur une partie de la couche semiconductrice constituant une seconde électrode de la diode ; et former simultanément une bille de soudure (23) sur ladite métallisation et au moins deux billes de soudure (24) sur la piste, lesdites billes de soudure définissant un plan parallèle au plan du substrat. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de creusement consiste à éliminer l'empilement de la couche semiconductrice (3) et du substrat (1) partout en dehors de la région de formation de la diode. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de creusement consiste à éliminer l'empilement de la couche semiconductrice (3) et du substrat (1) d'une part en périphérie de la diode et d'autre part en un emplacement distant dans lequel est ultérieurement formée la piste conductrice (16). 8. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche semiconductrice du second type de conductivité (3) est précédée de la formation, sur le substrat (1), d'une couche semiconductrice (2) plus faiblement dopée du premier type de conductivité que le substrat. 9. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de formation de la métallisation (18) consiste à ouvrir une fenêtre dans une structure isolante (15,17) recouvrant la seconde électrode (3) et à déposer un matériau conducteur dans et autour de ladite fenêtre. 10. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de formation simultanée des première (24) et seconde (23) billes de soudure comporte les étapes suivantes : ouvrir une structure isolante (17,19) recouvrant la piste épaisse (16) ainsi qu'une structure isolante (19) recouvrant la métallisation (18) ; déposer et graver un matériau conducteur de façon à former sur la métallisation une première surface d'accrochage (20) et sur la piste au moins deux secondes surfaces d'accrochage (21), les première et seconde surfaces d'accrochage étant coplanaires ; et déposer simultanément sur chacune des surfaces d'accrochage un matériau conducteur de façon à former une bille de soudure.