INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une telle solution analogique du problème à résoudre, simple et intégrable, permet la réalisation de dispositifs "drivers" analogiques en charges aptes à régler les problèmes de non uniformité d'émission des cathodes ainsi que les problèmes de marquage associés à leur fonctionnement.
Selon une caractéristique particulièrement avantageuse de l'invention, le bloc en matériau réfractaire 210 est préformé de façon à former des paliers 211,212, 213,214, 215,216 au-dessus desquels sont placées des rampes d'alimentation en eau constituant 221, 222, 223, 224, 225, 226 ledit dispositif d'alimentation 220, les sorties de rampe étant d'autant plus nombreuses que le palier au dessus duquel elle se trouve est haut. Cette disposition particulièrement judicieuse est illustrée par le dessin en vue de dessus de la figure 2 sur laquelle apparaissent les différents paliers ainsi que les points d'impact des gouttes d'eau fournies par
lesdites rampes. En effet, la demanderesse a avantageusement imaginé une forme de bloc réfractaire 210 exploitant au maximum la chaleur fournie par le chalumeau 230 d'une part et celle produite par la combustion de l'hydrogène d'autre part. Ainsi le palier placé le plus bas 211 est aussi celui le plus proche de la source de chaleur constituée par le chalumeau 230. La goutte d'eau qui tombe sur le palier 211 se décompose de 20 pour cent et l'hydrogène produit est immédiatement enflammé du fait de la proximité de la flamme dudit chalumeau 230. La chaleur produite sur ce palier 211 est répartie non seulement sur le palier mais également sur le palier immédiatement supérieur 212 du fait de la proximité de sa base qui constitue une paroi de la zone de combustion de l'hydrogène crée au niveau du palier 211. En conséquence, le palier 212 en bénéficiant de la chaleur produite sur le palier immédiatement inférieur 211 et de celle dégagée par le bloc réfractaire 210 en général, a la capacité d'assurer la décomposition thermique d'un volume plus important de molécules d'eau que ne le pouvait le palier inférieur 211. Aussi, schématiquement deux impacts de goutte d'eau ont été réalisés sur ledit palier 212. Il en est de même pour les paliers suivants 213,214 et 215 qui bénéficient au fur et à mesure de leur situation de plus en plus haute d'une quantité de chaleur de plus en plus importante et en font bénéficier le palier immédiatement supérieur jusqu'au dernier palier 216 qui reçoit la plus grande quantité d'eau. L'hydrogène produit par ce palier sera alors enflammé par un moyen de combustion 300 tel un moyen de création d'étincelle.
Selon le mode de réalisation illustré, le bloc réfractaire 210 est préformé de telle façon que les paliers 211 à 216 proposent une surface d'impact aux gouttes d'eau de plus en plus grande au fur et à mesure de leur situation de plus en plus haute.
Afin d'optimiser la transmission de la quantité de
chaleur d'un palier à un autre, lesdits paliers 211,212, 213,214, 215,216 sont préformés de façon à ce que chaque palier présente une corniche au-dessus du palier immédiatement inférieur de telle sorte que la quantité de chaleur produite par la combustion de l'hydrogène sur un palier puisse être mieux utilisée au chauffage du palier immédiatement supérieur. Ce découpage particulier du bloc réfractaire 210 a amené la demanderesse à imaginer un bloc réfractaire en deux parties telles celles illustrées par le dessin de la figure 2.
Selon une autre caractéristique particulièrement avantageuse et non illustrée, le dispositif D comporte un moyen de récupération de l'eau produite par la combustion de l'hydrogène et de celle non décomposée par le moyen thermique de production d'hydrogène. Cette eau sera avantageusement réintégrée dans le circuit d'alimentation du dispositif goutte-à-goutte. Bien entendu, ce dispositif goutte-à-goutte ne constitue pas une limitation et peut, si la température du bloc en matériau réfractaire le permet, se transformer en l'alimentation d'un mince filet d'eau.
Selon un mode de réalisation non illustré, l'enceinte 100 et tous les sous-ensembles qu'elle contient sont inclinés à 45 degrés. Cette disposition permet une meilleure évacuation de l'air chaud et de la vapeur d'eau produits à l'intérieur de l'enceinte 100 et un mouvement d'air constant.
Selon une autre caractéristique susceptible de participer à l'évacuation des gaz et à activer la combustion, l'enceinte 100 comporte un moyen de déplacement des différents gaz créés, constitué par un sous-ensemble d'aspiration et ventilation 500. Ce moyen d'aspiration 500 a également pour fonction d'amener le gaz à brûler le plus près possible du moyen de récupération de la quantité d'énergie 400.
Selon un mode de réalisation particulièrement
avantageux, le moyen de récupération 400 de la chaleur produite est constitué par un échangeur comprenant des tubes remplis d'eau. Dans le cadre de cette application, le dispositif D de l'invention peut donc être assimilé à une chaudière.
Bien évidemment, l'application chaudière ne doit pas être considérée comme limitative, l'invention pouvant s'adapter à toute application nécessitant de la chaleur.
La chaleur produite pourra servir à la production de vapeur susceptible de faire tourner des turbines pour produire de l'électricité. De même, l'enceinte à laquelle sont associés le moyen thermique de production d'hydrogène, le moyen de combustion et le moyen de récupération de chaleur peut être constituée par une enceinte d'un four et le moyen de récupération de la chaleur est tout simplement constitué par le four luimême qui exploite la chaleur produite pour l'associer à la fonction du four. Le dispositif de l'invention pourra également servir au chauffage de très grandes surfaces tels les immeubles et d'installation plus moderne voire individuelle.
L'utilisation de la quantité de chaleur aussi bien à des fins de chauffage d'une installation de type chaudière que pour le maintien de la température du bloc réfractaire décomposant les molécules d'eau permet d'envisager un procédé de fonctionnement particulièrement avantageux en ce qu'il consiste dans un premier temps à faire chauffer un matériau réfractaire jusqu'à atteindre une température lui permettant par simple contact de décomposer l'eau en hydrogène et en oxygène et d'utiliser dans un deuxième temps la chaleur dégagée par la combustion de l'hydrogène pour maintenir ladite température. Ainsi, à partir de l'instant où le bloc réfractaire est suffisamment chaud pour provoquer la décomposition de l'eau en hydrogène en oxygène, la combustion de l'hydrogène participe au maintien de la
température du bloc réfractaire et permet donc de diminuer l'utilisation et donc la consommation du moyen de chauffage additionnel 230 constitué ici par un chalumeau.
Cette caractéristique participe donc à la conception d'un moyen de production d'énergie non polluant.
La figure 3 illustre un autre mode de réalisation du dispositif D de l'invention, lequel se présente composé par une enceinte 100 tubulaire orientée de façon à exploiter au maximum la volatilité des gaz produits.
Une commande en courant peut sembler résoudre ce problème car on est alors amené à injecter un courant et donc une quantité déterminée d'électrons.
Un tel principe est effectivement valable en régime statique. En revanche, dès que l'on veut faire varier rapidement le courant de la source d'électron, on est confronté à un problème de charge capacitive. En effet, une électrode de colonne s'apparente à un condensateur par rapport aux lignes que cette colonne croise et le courant nécessaire à la charge rapide de ce
condensateur s'avère supérieur, de plusieurs ordres de grandeur, au courant d'émission.
A titre d'exemple, dans un écran à micropointes ayant une définition de 1/4 VGA (320 colonnes x 240 lignes) et une surface d'environ 1 dm2, fonctionnant sous 300 volts de tension d'anode, la capacité d'une colonne par rapport aux lignes Ccol vaut environ 400 pF. Avec un rendement lumineux de 4 lm/w, on doit, si l'on veut "allumer" c'est-à-dire exciter un pixel avec une brillance de 400 Cd/m2, faire passer le courant de ce pixel d'une valeur quasiment nulle jusqu'à une valeur d'environ 30 A et, pour ce faire, on augmente la tension ligne-colonne d'environ 40 V. Si la commutation doit se faire en 0,5 s (temps qui est à comparer à un temps de ligne de 60 s), le courant capacitif s'élève à : I = Ccol.dV/dt c'est-à-dire environ à 32 mA.
Le courant capacitif est ainsi de l'ordre 1000 fois plus grand que le courant d'émission que l'on veut régler. On comprend qu'une telle méthode ne soit pas adaptée à la commande rapide d'une source à structure matricielle.
Pour résoudre le problème précédent, une commande en charge a déjà été proposée dans le document référencé [6]. La figure 5 illustre schématiquement un écran de visualisation comprenant une source d'électrons à structure matricielle utilisant une commande en charge. Cet écran connu ne diffère de celui de la figure 4 que par les moyens d'application des tensions de commande aux colonnes de la source de l'écran. Sur la figure 5 les moyens 42 d'application
d'une tension de commande à une colonne, par exemple la colonne Cj, comprennent un bloc logique 44, qui reçoit en entrée un signal de synchronisation ligne El, et un comparateur 46, qui reçoit en entrée une valeur de consigne Al et qui est relié au bloc logique 44. Les moyens d'application de tension 42 comprennent aussi un étage de sortie à trois états 48 qui est également relié au bloc logique 44 et reçoit des tensions respectivement notées Vc-on et Vc-off de la part de sources de tension non représentées. L'étage de sortie à trois états et le comparateur sont reliés à la colonne correspondante de la source d'électrons (Cj dans l'exemple considéré) Dans le cas de la commande en charge, on pré-charge le conducteur de colonne considéré pour assurer l'émission des sources (Vc-on). Puis on ouvre le circuit pour laisser le condensateur de la colonne se décharger sur son impédance interne, jusqu'à ce que le potentiel flottant Vcj atteigne la valeur Al de consigne correspondant à la quantité d'électrons souhaitée. On ramène alors la colonne au potentiel d'extinction (Vc-off). Une telle façon de faire suppose l'utilisation de composants également parfaits et sa mise en #uvre s'avère difficile.
En effet on a vu plus haut qu'une électrode de colonne s'apparente à un condensateur par rapport aux lignes de la source à structure matricielle mais qu'il existe également des courants de fuite qui circulent entre la colonne considérée et les lignes et que ces courants varient avec la différence de potentiel entre ces électrodes. De ce fait, lorsqu'on
ouvre le circuit, la chute de tension ne dépend pas du seul courant d'émission mais également de courants de fuite qui varient eux-mêmes en fonction de cette chute de tension.
Plus précisément, cette évolution du potentiel est requise pour mesurer la charge prélevée dans la capacité propre de la colonne mais cette variation pose un problème. En effet, pendant le temps tlig chacune des colonnes va fuir par rapport à la ligne sélectionnée mais aussi par rapport à l'ensemble des lignes non sélectionnées. Pour simplifier, on suppose que ce défaut s'apparente à une résistance de fuite Rlc identique pour tous les pixels. Cette valeur représente l'impédance de fuite ligne/colonne pour une ligne et une colonne quelconque. Pour une colonne et pendant le temps d'émission, ce courant de fuite If s'exprime de la façon suivante : If=Ifclsl+If(lns)= (V1s-Vcj (t) ) /R1c+ (n-1) . (Vlns-vc (t) ) /R1c Avec : If = Courant de fuite d'une colonne par rapport à toutes les lignes If(is) = Courant de fuite d'une colonne par rapport à la ligne sélectionnée If(lns) = Courant de fuite d'une colonne par rapport aux lignes non sélectionnées Vls = Potentiel appliqué à la ligne sélectionnée Vins = Potentiel appliqué aux lignes non sélectionnées
Vcj(t) = Potentiel flottant de la colonne j pendant le temps d'émission n = Nombre de lignes.
Pour simplifier, on peut prendre Vins égal à OV et, sachant que Vcj (t) est très inférieur à Vis, on a alors : If=If(ls)+If(lns) peu différent de (Vls/Rlc)- (n-1) . (Vcj (t) /Ric) Cela impose de sévères contraintes sur les valeurs Rlc des différentes colonnes de l'écran. Soit les courants de fuite sont négligeables (ce qui correspond à des valeurs Rlc élevées), soit ils ne le sont pas complètement et il faut alors assurer au minimum une très bonne homogénéité de ces résistances Rlc.
On voit aussi qu'un seul pixel défectueux du point de vue de Rlc impose sa fuite à l'ensemble de la colonne considérée, par l'intermédiaire du terme (n- 1) de la formule donnée ci-dessus.
Dans l'exemple considéré, la chute de tension de colonne due à l'émission vaut : #Vcj = I.tlig/Ccol, de sorte que, avec I=10 /lA, tlig=50 s et Ccoi=400pF, on obtient #Vcj=1,25V.
On rappelle que cette variation #Vcj doit être comparée à la valeur de consigne Al. Cette variation de la tension #Vcj dépend de la valeur de la capacité de la colonne, ce qui ramène des variables technologiques de l'écran (liées aux dimensions de cet écran) dans les paramètres de conception du circuit de
commande. Pour sa mise en #uvre, on voit aussi que le comparateur 46 se trouve au niveau de l'étage de sortie de l'ensemble formant les moyens de génération des tensions de commande des colonnes. Cela signifie que ce comparateur doit soit supporter la dynamique de tension nécessaire à la commande des colonnes (environ 40 V), soit pouvoir s'isoler de cette sortie par un étage supplémentaire.
Selon un mode de réalisation particulier du kit de détection décrit cidessus, un tel kit comprendra une pluralité de sondes oligonucléotidiques conformes à l'invention qui pourront être utilisées pour détecter des séquences cibles d'intérêt ou alternativement détecter des mutations dans les régions codantes ou les régions non codantes des acides nucléiques selon l'invention, plus particulièrement des acides nucléiques de séquences SEQ ID N044 à SEQ ID N064 ou les acides nucléiques de séquence complémentaire.
Ainsi, les sondes selon l'invention immobilisées sur un support peuvent être ordonnées en matrices telles que les"puces à ADN". De telles matrices ordonnées ont été en particulier décrites dans le brevet US No 5,143, 854, dans les demandes PCT No WO 90/150 70 et 92/10092.
Les amorces nucléotidiques selon l'invention peuvent être utilisées pour amplifier l'un quelconque des acides nucléiques selon l'invention, et plus particulièrement tout ou partie d'un acide nucléique de séquences SEQ ID N044 à SEQ ID N 064, ou encore un variant de celui-ci.
Un autre objet de l'invention concerne un procédé pour l'amplification d'un acide nucléique selon l'invention, et plus particulièrement un acide nucléique de séquences SEQ ID N044 à SEQ ID D ? 64 ou un fragment ou un variant de celui-ci contenu dans un échantillon, ledit procédé comprenant les étapes de : a) mettre en contact l'échantillon dans lequel la présence de l'acide nucléique cible est suspectée avec une paire d'amorces nucléotidiques dont la position d'hybridation est localisée respectivement du côté 5'et du côté 3' de la région de l'acide nucléique cible dont l'amplification est recherchée, en présence des réactifs nécessaires à la réaction d'amplification ; et b) détection des acides nucléiques amplifiés.
L'invention a en outre pour objet un nécessaire ou kit pour l'amplification d'un acide nucléique selon l'invention, et plus particulièrement tout ou partie d'un acide nucléique de séquences SEQ ID ? 44 à SEQ ID N064, ledit nécessaire ou kit comprenant : a) un couple d'amorces nucléotidiques conformes à l'invention, dont la position d'hybridation est localisée respectivement du côté 5'et du côté 3' de l'acide nucléique cible dont l'amplification est recherchée ; b) le cas échéant, les réactifs nécessaires à la réaction d'amplification.
UTILISATION D'UN ACIDE NUCLEIQUE CODANT UN POLYPEPTIDE THYX COMME MARQUEUR DE SELECTION.
Il existe un besoin constant dans l'état de la technique pour de nouveaux gènes marqueurs de sélection, particulièrement dans des procédés visant à introduire un ou plusieurs gènes d'intérêt dans un organisme hôte, par exemple une cellule hôte.
Les gènes marqueurs de sélection, qui sont portés par la molécule d'ADN codant le ou les gènes d'intérêt que l'on souhaite introduire dans l'organisme hôte ou la cellule hôte, et qui sont en conséquence introduits dans la cellule hôte simultanément aux gènes d'intérêt, permettent de sélectionner les cellules hôtes recombinantes.
Un acide nucléique codant un polypeptide THYX, lorsqu'il est utilisé pour la transfection de cellules hôtes auxotrophes pour la synthèse de la thymidine, constitue un excellent marqueur de sélection d'un événement de transformation, de transfection ou de recombinaison de la cellule hôte. En effet, l'introduction d'un acide nucléique codant un polypeptide THYX simultanément à un ou plusieurs gènes d'intérêt dans la cellule hôte restaure l'autotrophie de la cellule hôte ayant subi avec succès la transfection, la transformation ou la recombinaison.
De cette manière, on peut sélectionner des cellules hôtes ayant subi l'événement de transfection, de transformation ou de recombinaison par pression de sélection du milieu, notamment en cultivant les cellules hôtes en l'absence de thymidine. Dans ce cas, seules les cellules hôtes ayant été recombinées survivent en l'absence de thymidine dans le milieu de culture.
De plus, un acide nucléique codant un polypeptide THYX est d'une totale innocuité pour l'environnement.
Des vecteurs comprenant un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX comme gène marqueur de sélection peuvent être préparés à partir de vecteurs conventionnels selon des techniques bien connues de l'homme du métier, par exemple à partir des vecteurs préférés selon l'invention.
L'invention a encore pour objet l'utilisation d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX tel que défini dans la description comme marqueur de sélection d'un événement de transfection, de transformation ou de recombinaison génétique d'une cellule hôte ou d'un organisme hôte.
Avantageusement, le procédé peut comprendre en outre une étape de solidarisation d'un support sur ladite couche mince.
L'étape c) peut permettre d'éliminer le substrat en verre, le procédé comportant en outre une étape d'élimination de la couche d'arrêt. L'étape b) peut être suivie d'une étape de protection de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) réalisés en vue de l'étape de solidarisation. Avantageusement, la couche mince étant destinée à faire partie de l'un des deux moyens de confinement d'un cristal liquide, l'étape de solidarisation consiste à solidariser ladite couche mince sur un support destiné à faire partie de l'autre des deux moyens de confinement du cristal liquide permettant ainsi de constituer un écran à cristal liquide. Eventuellement, l'étape c) fournissant un écran à cristal liquide de type transmissif, cet écran est transformé en écran de type réflectif lors d'une étape postérieure consistant à fixer successivement, sur la face libre de la couche mince, un polariseur et un réflecteur. L'étape de solidarisation peut aussi comprendre la solidarisation de ladite couche mince sur un support traité pour présenter tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s). Les composant (s) ou circuit (s) du support peuvent constituer tout ou partie de circuits microélectroniques, de composants mécaniques et/ou de composants optiques. L'étape de solidarisation peut aussi comprendre la solidarisation de ladite couche
mince sur un support choisi parmi un support souple, un support rigide, un support en plastique et le support d'une carte à puce. L'étape de solidarisation et l'étape c) peuvent être menées pour ne reporter qu'une partie de la couche mince sur le support. L'étape de solidarisation peut consister à solidariser la couche mince sur un support intermédiaire, le procédé comprenant une autre étape de solidarisation, postérieure à l'étape c), consistant à fixer un support final du côté du substrat en verre aminci ou éliminé. Le procédé peut alors en outre une étape consistant à séparer la couche mince du support intermédiaire.
Avantageusement, la couche mince est en matériau semiconducteur.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - les figures 1 à 4 sont des vues en coupe transversale illustrant une première mise en oeuvre du procédé selon la présente invention, - les figures 5 et 6 sont des vues en coupe transversale illustrant une deuxième mise en oeuvre du procédé selon la présente invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION La figure 1 illustre l'étape de formation sur un substrat en verre 11 d'une couche d'arrêt 12.
Selon un mode de réalisation avantageux, une couche
intermédiaire 13 à base de Si02 peut être déposée sur la couche d'arrêt 12 pour constituer un quasi-substrat 10.
Le substrat 11 est avantageusement une plaque de verre de grandes dimensions, telle que celles utilisées pour la fabrication des écrans LCD. Il peut s'agir par exemple du verre 1737 de chez Corning ou tout autre verre compatible avec la réalisation des étapes du procédé selon l'invention.
La couche d'arrêt 12 est par exemple obtenue par dépôt de silicium amorphe. Elle peut avoir 300 nm d'épaisseur. Dans certains cas, cette couche peut être recristallisée, par exemple à l'aide d'un faisceau laser de façon à obtenir du silicium polycristallin appelé encore polysilicium. La couche d'arrêt peut également être en Si3N4 ou être une multicouche dont les couches sont choisies parmi des couches de Si, Si3N4, Si02, etc. Dans certains cas, avant de créer cette couche spécifique permettant la séparation, on peut déposer sur le substrat 11 une couche supplémentaire favorisant l'adhérence ou nécessaire à la suite du procédé. Cette couche supplémentaire peut être en oxyde de silicium.
La couche intermédiaire 13 est par exemple constituée par un dépôt d'oxyde de silicium de quelques centaines de nanomètres (par exemple 800 nm). Elle présente une surface libre 14 de type Si02, proche de la surface du verre 11. On obtient alors un quasisubstrat 10.
Sur la face libre 14 de la couche intermédiaire 13, on dépose une couche mince 3, par
exemple en silicium, dans laquelle on réalise tout ou partie d'un dispositif 2 (voir la figure 2). Par dispositif, on entend un ensemble d'éléments actifs ou passifs. A titre d'exemple, un dispositif peut comprendre un composant optique, optoélectronique ou électronique, ou un capteur mécanique, chimique et/ou biologique. Ce peut être également une matrice active avec son circuit d'adressage (cas d'un écran plat) réalisé de façon standard.
Si la couche mince 3 doit être reportée sur un support, sa face libre peut être traitée pour la rendre compatible avec le support, notamment dans le cas d'un support plastique.
La figure 3 représente l'étape de solidarisation du quasi-substrat 10 supportant la couche mince 3 avec un support final 4. La solidarisation peut être obtenue par ajout de matière (par exemple de la colle) ou par une préparation de surface (adhésion moléculaire).
Le procédé se poursuit par une étape d'élimination du substrat en verre. L'élimination du substrat 11 peut être réalisée par différents moyens tels que la rectification ou le polissage mécanochimique ou même l'attaque chimique (humide ou sèche).
Ce sont des produits connus. Ils sont notamment décrits dans les brevets français n 2 505 348 ou 2 542 997. Parmi lesdits polymères, on peut citer : (1) Les homopolymères ou copolymères dérivés d'esters ou d'amides acryliques ou méthacryliques et comportant au moins un des motifs de formules (1), (II), (111) ou (IV) suivantes : dans lesquelles : Rg, identiques ou différents, désignent un atome d'hydrogène ou un radical CH3 ;