INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
(iv) Seconde étape de recuit en continu (étape de recuit en continu suivante) ou étape de galvanisation L'étape décrite ci-dessus comprend une étape consistant à chauffer jusqu'à une température du point Ai ou plus et du point A3 ou moins, une étape consistant à refroidir à une vitesse de refroidissement moyenne de 3 C/s ou plus jusqu'à une température du point Ms ou moins, et une étape consistant à appliquer en outre,
optionnellement, un traitement de survieillissement à une température de 100 à 600 C.
L'étape est identique à l'étape de recuit en continu (ii) ou à l'étape de galvanisation dans le procédé (1) décrit ci-dessus, et elle est établie pour le trempage de la phase de la matrice formée dans la première étape de recuit en continu (iii) (martensite trempée ou bainite trempée) pour obtenir une martensite trempée ou une bainite trempée désirées, de même que pour former une seconde phase (martensite).
B : Tôle d'acier dans laquelle la phase de la matrice est une structure mixte de (martensite trempée et ferrite) ou (bainite trempée et ferrite), et la seconde phase est de la martensite Le procédé de fabrication caractéristique pour la plaque d'acier décrite ci-dessus peut comprendre le procédé suivant (3) ou (4).
(3) [Etape de laminage à chaud] # [Etape de recuit en continu ou étape de galvanisation] Il s'agit d'un procédé de fabrication d'une tôle d'acier désirée au moyen (i) d'une étape de laminage à chaud et (ii) d'une étape de recuit en continu ou d'une étape de galvanisation. Des vues explicatives pour l'étape de laminage à chaud (i) sont telles qu'indiquées sur la figure 1 (un cas où la phase de la matrice est de la martensite trempée + de la ferrite) et sur la figure 2 (un cas où la phase de la matrice est de la bainite trempée + de la ferrite) respectivement. La vue explicative pour l'étape de recuit en continu ou de galvanisation (ii) est telle qu'indiquée sur la figure 3 décrite ci-dessus.
(i) Etape de laminage à chaud L'étape de laminage à chaud comprend une étape consistant à terminer le laminage de finition à une température de (A[gamma]3 - 50) C ou plus, et une étape de refroidissement à une vitesse de refroidissement moyenne
de 10 C/s ou plus en descendant jusqu'au point Ms ou moins (dans le cas où la phase de la matrice est de la martensite trempée + de la ferrite), ou bien au point Ms ou plus et au point Bs ou moins (dans le cas où la phase de la matrice est de la bainite trempée + de la ferrite), suivie d'un enroulage.
Les conditions de laminage à chaud sont réglées pour obtenir une phase désirée de la matrice (structure mixte de martensite trempée + ferrite ou de bainite trempée + ferrite) et les détails de celles-ci sont tels que décrits dans l'étape de laminage à chaud (i) du procédé (1) décrit ci-dessus.
Après la fin du laminage à chaud, un refroidissement est exécuté. Dans cette invention, une structure mixte désirée peut être obtenue en formant partiellement de la ferrite durant le refroidissement en une phase double a + y en commandant la vitesse de refroidissement (CR) et en outre, par un refroidissement à une température au point Ms ou moins ou au point Ms ou plus et au point Bs ou moins.
Dans ce cas, le procédé suivant (a), de préférence le procédé (b) peuvent être mentionnés pour les conditions de refroidissement décrites ci-dessus.
(a) Refroidissement en une étape : C'est-à-dire que le refroidissement est exécuté à une vitesse de refroidissement moyenne de 10 C/s ou plus (de préférence 20 C/s ou plus) en descendant jusqu'à une température du point Ms ou moins, ou du point Ms ou plus et du point Bs ou moins, tout en évitant une transformation perlitique. Dans ce cas, une structure mixte désirée (martensite trempée + ferrite ou bainite trempée + ferrite) peut être obtenue en régulant correctement la vitesse de refroidissement moyenne. Dans cette invention, il est recommandé de commander la ferrite à 5 % ou plus et à moins de 30 %. Dans ce cas, la
vitesse de refroidissement moyenne est de préférence commandée à 30 C/s ou plus.
transistor de l'invention. Ainsi, la couche de source mentionnée dans le procédé peut servir de drain et le drain formé sur l'empilement peut servir de source.
Par ailleurs, on désigne par"gravure ultime" une gravure aux limites de la résolution des techniques de lithographie. La forme d'une languette filiforme est celle qui se prête le mieux à la gravure ultime. Il est, par exemple, possible de graver dans l'empilement des languettes dont la largeur parallèlement au substrat est inférieure ou égale à 5 nm.
La colonnette résulte de la combinaison des deux gravures. Les deux gravures utilisent de préférence des masques filiformes et la colonnette correspond à un emplacement qui est successivement recouvert par chacun des masques. Les dimensions les plus réduites pour la section de la colonnette sont obtenues lorsque les directions des masques filiformes sont perpendiculaires entre elles dans des plans parallèles à la surface du substrat.
Le matériau d'enrobage a un triple rôle d'isolation électrique, de maintien mécanique de la colonnette très fine, et enfin, de formation d'un moule, en l'occurrence des gorges, pour la fabrication ultérieure d'une ou de plusieurs grilles.
Le procédé tel qu'indiqué ci-dessus peut être complété par des étapes, connues en soi, de formation de bornes de connexion pour la prise de contact sur la grille, sur la couche de source et sur le drain.
La ou les grilles formées de part et d'autre de la colonnette sont des grilles isolées. Elles sont en effet isolées électriquement de l'empilement, mais
aussi des source et drain tout proches. La formation de la grille peut comporter, par exemple, le dépôt dans les gorges d'un matériau d'isolant de grille, d'une couche de contact et d'un matériau de grille, puis le planage de ces couches avec arrêt sur la colonnette.
De façon avantageuse, le planage peut avoir lieu avec arrêt sur une portion d'une couche de gabarit utilisée comme masque de gravure lors de la première gravure, et préservée au sommet de la colonnette. Le même matériau peut aussi être préservé dans une région extérieure à celle de la fabrication du transistor, pour faciliter l'arrêt de planage.
Conformément à une variante de l'invention, le procédé de fabrication d'un transistor tel qu'indiqué ci-dessus peut aussi comporter les étapes successives suivantes : - le dépôt sur un substrat isolant d'une couche de source, d'une couche d'isolant tunnel et un empilement alterné d'au moins une couche conductrice et d'au moins d'une couche isolante, - une première gravure de l'empilement selon une couche de gabarit pour former une bande, - l'enrobage de la bande avec un matériau d'enrobage isolant électrique, - une deuxième gravure de la bande de l'empilement pour former une colonne, la deuxième gravure préservant le matériau d'enrobage pour définir des gorges de part et d'autre de la colonne, et la deuxième gravure préservant une partie de la couche de gabarit sur la colonne,
- la formation d'au moins une grille isolée dans les gorges, - le retrait de la couche de gabarit pour dégager une partie de la grille isolée et la formation contre la grille isolée d'au moins un espaceur s'étendant partiellement sur la colonne, - la gravure de la colonne, en utilisant l'espaceur comme masque de gravure, de façon à préserver au moins une partie de la colonne disposée sous l'espaceur, - le découpage de colonnettes dans la partie préservée de la colonne, - l'enrobage isolant des colonnettes, et - la formation d'au moins un drain en contact avec au moins une extrémité d'une colonnette, opposée à la couche de source, par l'intermédiaire d'au moins une couche d'isolant tunnel.
Les termes"bande"et"colonne"sont utilisés par contraste avec"languette"et"colonnette"pour signifier qu'il ne s'agit pas nécessairement là du résultat de gravures ultimes. Effectivement, les dimensions des colonnettes finalement obtenues, toujours très petites, ne sont pas dictées par la largeur de la bande ou par les dimensions de la colonne. Au moins une dimension des colonnettes est fixée par la largeur des espaceurs latéraux formés successivement sur la ou les grilles. Les espaceurs latéraux peuvent être obtenus d'une façon bien connue en soi, par dépôt conforme d'une couche de matériau puis par gravure anisotrope de cette couche pour en éliminer toutes les parties parallèles à la surface du
substrat. La largeur des espaceurs, et donc une dimension des colonnettes, dépendent de la largeur des espaceurs, c'est-à-dire notamment de la durée de la gravure et de l'épaisseur de la couche de matériau déposée.
Il convient de préciser que le procédé peut être mis en oeuvre en formant plusieurs colonnettes, plusieurs grilles et plusieurs drains. Différentes possibilités pour le découpage des colonnettes sont également proposées.
Selon une première possibilité, le découpage des colonnettes dans la partie préservée de la colonne peut comporter : - la formation au-dessus de la partie préservée de la colonne, d'un pavé sacrificiel de matériau de masque, avec au moins un flanc définissant un bord d'au moins une colonnette devant être formée, - la formation d'au moins un espaceur sur le flanc du pavé sacrificiel - la gravure de la partie préservée de la colonne, en utilisant l'espaceur du pavé sacrificiel comme masque de gravure, pour préserver la colonnette sous cet espaceur.
L'espaceur peut définir un second bord de la colonnette ou s'étendre jusqu'au-dessus du matériau d'enrobage.
Le pavé sacrificiel peut être utilisé seulement pour la fabrication des espaceurs. Dans ce cas, il est de préférence éliminé avant la gravure des colonnettes.
polyvinyle). Ces deux matériaux conviennent avec une utilisation en salle blanche. En présence de gaz chloré, le PVC serait préférable.
La configuration du conduit 26 peut être quelconque, elle n'est pas limitée à celle montrée sur la figure 4. Dans ce cas le conduit est en forme de parallélépipède avec un passage central circulaire. On pourrait envisager que le conduit soit configuré en anneau et. que sa section droite soit un cercle, un quadrilatère, un polygone, une ellipse ou autre. Sur la figure 5, le conduit a une section rectangulaire et il est configuré en anneau.
La figure 5 montre une coupe longitudinale d'un dispositif d'extraction selon l'invention et son association avec une enceinte. Il existe peu de différences au niveau du dispositif d'extraction par rapport à celui de la figure 4. On voit maintenant le dispositif de maintien 32 du tuyau d'évacuation 28 de type tringle à rideau avec les crochets 32-1 solidaires du tuyau d'évacuation 28 qui coulissent sur la tringle 32-2 fixe, sensiblement parallèle au rail 29-1 servant au déplacement du dispositif d'extraction. Le tuyau d'évacuation 28 est équipé d'une vanne 28-1 et le système d'aspiration a été schématisé avec la référence 28-2. Il se trouve en aval de la vanne 28-1 par rapport au conduit 26. La vanne permet d'isoler le conduit par rapport au système d'aspiration.
On voit également un support 34-1 de l'outil de manipulation 34 de plaquette qui coopère avec le rail de guidage 29-1. Ainsi l'outil 34 peut se
déplacer en translation tout comme le dispositif d'extraction 24.
En ce qui concerne l'enceinte 20, elle est représentée sous la forme d'un tube 20-1, généralement en quartz, se terminant par un embout 20-2 équipé de la porte 22 qui est représentée fermée. L'embout 20-2 est relié à un dispositif de pompage pour faire le vide à l'intérieur de l'enceinte, la liaison se fait par une canalisation 20-3.
Le dispositif d'extraction est aisément adaptable à tout type d'enceinte.
Sur les figures 6A et 6B, on a illustré le cas d'une enceinte à chargement par le dessus. Il peut s'agir d'une chambre de dépôt utilisée en microélectronique. Sur la figure 6A, l'enceinte 20'est ouverte et le dispositif d'extraction 24'est opérationnel, en position de travail, il repose sur la face 23'de l'enceinte 20'portant l'ouverture 21' alors que sur la figure 6B, l'enceinte 20'est ouverte mais le dispositif d'extraction 24'est en position de repos, il a été déplacé. En position de travail le conduit 26's'étend dans un plan parallèle à celui de l'ouverture 21'de l'enceinte 20'.
En position de repos, il s'étend dans un plan sensiblement perpendiculaire à celui de l'ouverture 21'de l'enceinte 20'. Le déplacement n'est pas une simple translation comme dans les cas précédents. En effet le conduit 26's'escamote de côté lorsqu'il n'est pas en position de travail, il ne reste pas face à l'ouverture de l'enceinte et ainsi libère
l'espace situé au-dessus de l'ouverture 21', ce qui permet d'intervenir aisément dans l'enceinte 20'.
Le mouvement subi par le dispositif d'extraction 24'peut se décomposer en une rotation dans un plan sensiblement parallèle à celui de l'ouverture 21'combiné à une rotation dans un plan sensiblement perpendiculaire à celui de l'ouverture 21'. Sur les figures 6A, 6B, le dispositif d'extraction 24'se trouve dans un plan horizontal en position de travail et dans un plan vertical en position de repos.
On pourrait envisager que la seconde rotation soit supprimée et que le conduit reste dans un plan sensiblement parallèle à celui de l'ouverture en étant décalé latéralement par rapport à elle.
Le dispositif d'extraction 24'est solidaire d'une potence 60 par l'intermédiaire d'un mécanisme 61 de rotation. Il peut être nécessaire d'autoriser en plus de ces mouvements une translation de manière à pouvoir soulever le dispositif d'extraction 24'par rapport à l'ouverture 21'de l'enceinte. Il suffit que le mécanisme de rotation 61 puisse coulisser le long de la potence. La potence a alors le rôle d'un rail. Cette translation est nécessaire lorsque le dispositif d'extraction 24'est équipé d'un dispositif d'emboîtement.
Sur les figures 8A, 8B, 8C, 8D on voit une variante d'une potence et d'un mécanisme de rotation 81. La potence 80 est formée de deux tubes 80.1, 80.2 qui coulissent l'un dans l'autre, le tube intérieur 80.1 étant plus long que le tube extérieur 80.2. Le tube intérieur 80.1 peut alors être déplacé en
translation par rapport au tube extérieur 80.2 et en rotation autour de son axe principal. Le dispositif d'extraction 24'est solidaire de la potence 80 et plus particulièrement de son tube intérieur 80.1 par l'intermédiaire du mécanisme de rotation 81. Ce dernier peut être formé d'une tige 81.1 solidaire à une première extrémité du conduit 26'et dont la seconde est destinée à être introduite dans un orifice 81.2 latéral du tube intérieur 80.1. La tige 81.1 est retenue à l'intérieur du tube intérieur 80.1 par un dispositif 82 qui peut par exemple être formé par un écrou 82.1 venant se visser à la seconde extrémité de la tige 81.1. Le conduit 26'peut alors être déplacé en rotation autour de l'axe formé par la tige 81.1. Une rondelle 82.2 est insérée entre l'écrou 82.1 et la paroi du tube intérieur 80.1 pour assurer une rotation aisée de la tige dans l'orifice. Sur la figure 8A le dispositif d'extraction 24'est en position de repos, le conduit étant sensiblement vertical, sur la figure 8B, il est dans une position intermédiaire entre la position de repos et la position de travail, le conduit a pivoté autour de la tige et on suppose que le tube intérieur de la potence a tourné sur lui même, sur la figure 8C le dispositif d'extraction est presque en position de travail, le conduit est sensiblement horizontal, le tube intérieur a subi une translation vers le haut puis vers le bas pour que le conduit puisse s'appliquer devant l'enceinte 20'.
La figure 7 montre encore un autre mode de réalisation d'un dispositif d'extraction selon l'invention. Dans cette configuration, l'enceinte avec
- une table 20 de numéros de page ; - un registre 30 de taille ; - un registre 40 PtW de pointeur en écriture ; un registre de seuil de FIFO 70 ; et pour chaque pointeur de lecture respectivement PtRO, PtRl et PtR2 : - un registre respectivement 50, 51 et 52 de pointeurs en lecture ; - une table respectivement 10, 11 et 12 de statuts de page associée ; et - un registre respectivement 60,61 et 62 de seuil de pointeur de lecture.
Chacun de ces registres est mis en ouvre dans une mémoire volatile de type RAM telle par exemple la MPRAM 106 ou une RAM propre au module de contrôle 107.
La table 20 de numéros de page contient huit registres 20a à 20h, indexés de 0 à 8. Chacun des n premiers registres de la table 20 contient le numéro relatif à une page de la MPRAM 106 allouée pour la FIFO. Chaque numéro est codé sur cinq bits (ou éléments binaires), ce qui permet d'identifier une page parmi 32 dont le numéro est compris entre 0 et 31.
On note que huit pages peuvent être allouées à chaque FIFO. Le registre 30 de bille est un registre à quatre bits contenant le nombre de pages, n, associées à la FIFO concernée. Un champ égal à 0 indique que la FIFO n'est pas ou n'est plus en cours d'utilisation alors qu'un champ non nul indique le nombre de pages allouées à la FIFO (valeur comprise entre 1 et 8).
Le registre 40 Pt West constitué de deux champs séparés : - les trois bits les plus significatifs (MSB) contiennent une valeur 40a d'index dans la table 20 de numéros de page ; et - les onze bits les moins significatifs (LSB) contiennent une valeur 40b d'offset.
Grâce à cette information, la position du pointeur d'écriture PtW de la FIFO est pertinente :
- le champ d'index 40a (compris entre 0 et 7) permet de déterminer un numéro de pages (entre 0 et 31) ; et - le champ d'offset 40b permet de déterminer l'adresse (entre 0 et 2047) à l'intérieur de la page dont le numéro est identifié par l'index.
Le registre 60 de seuil est un registre à 11 bits codant le nombre de mots écrits dans la FIFO avant de permettre un premier traitement de lecture de la FIFO. Le registre 60 permet d'initialiser un seuil de remplissage autour duquel la gigue sera absorbée. L'amplitude maximale de la gigue qui peut être absorbée dépend de la taille de la FIFO.
Les registres 50,51 et 52 sont des registres à 14 bits contenant l'information utile pour positionner respectivement les pointeurs PtRO, PtRl et PtR2 de lecture de la FIFO.
Chacun des registres 50,51 et 52 est constitué de 2 champs séparés : les trois bits les plus significatifs (MSB) contiennent une valeur respectivement 50a, 51a et 52a d'index dans la table 20 de numéros de page ; et les onze bits les moins significatifs (LSB) contiennent une valeur respectivement 50b, 51b et 52b d'offset.
Grâce à cette information, la position de chacun des pointeurs d'écriture PtRO, PtRl et PtR2 de la FIFO est pertinente : les champs d'index respectivement 50a, 5la et 52a (compris entre 0 et 7) permettent de déterminer un numéro de pages (entre 0 et 31) ; et - les champs d'offset 50b, 51b et 52b permettent de déterminer l'adresse (entre 0 et 2047) à l'intérieur de la page dont le numéro est identifié par l'index.
Chacun des registres 70,71 et 72 de seuil de pointeur de lecture est associé à un pointeur de lecture respectivement PtRO, PtRl et PtR2 et contient l'offset à l'intérieur de la FIFO correspondant à l'adresse devant être atteinte par le pointeur d'écriture avant de permettre la première lecture gérée par le pointeur associé respectivement PtRO, PtRl et PtR2. Les registres 70,71 et 72 permettent
d'initialiser un seuil de remplissage autour duquel la gigue de communication à l'intérieur du système sera absorbée. Pour un pointeur de lecture donné, le seuil de pointeur de lecture associé est défini comme étant la somme (modulo la taille de la FIFO) : de l'adresse du premier mot à lire (pointé par le pointeur concerné) ; et - du seuil de la FIFO mémorisé dans le registre 60.
Chacune des tables 10,11 et 12 de statuts de page contient huit registres respectivement lOa à 1Oh, lia à llh et 12a à 12h indexés de 0 à 8. Chacun des registres (ou cases mémoire) de chacune des tables 10,11 et 12 contient une information de statut relatif à la page dont le numéro est contenu dans le registre de même index dans la table 20. Cette information de statut est codée sur un bit.
Ainsi, par exemple, si la FIFO contient au moins une page, le statut de la page dont le numéro est mémorisé dans le registre d'index 0 de la table 20 de numéros de page est mémorisé dans le registre d'index 0 de chacune des tables 10, 11 et 12 des statuts de pages.
On peut notamment citer : - (1) les paraphénylènediamines de formule (VII) suivante et leurs sels d'addition avec un acide :
dans laquelle : R1 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en Ci-C4, monohydroxyalkyle en Ci-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy (C1-C4) alkyle (Ci-C4), alkyle en C1-C4 substitué par un groupement azoté, phényle ou 4'-aminophényle ; R2 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou polyhydroxyalkyle en Cz-C4, alcoxy (Ci-C4) alkyle (C1-C4) ou alkyle en C1-C4 substitué par un groupement azoté ; R1 et R2 peuvent également former avec l'atome d'azote qui les porte un hétérocycle azoté à 5 ou 6 chaînons éventuellement substitué par un ou plusieurs groupements alkyle, hydroxy ou uréido ; R3 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel qu'un atome de chlore, un radical alkyle en C1-C4, sulfo, carboxy, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou hydroxyalcoxy en C1-C4, acétylaminoalcoxy en Ci-C4, mésylaminoalcoxy en C1-C4 ou carbamoylaminoalcoxy en C1-C4, R4 représente un atome d'hydrogène, d'halogène ou un radical alkyle en C1-C4.
Parmi les groupements azotés de la formule (VII) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl (Ci-C4) amino, dialkyl (C1-C4) amino, trialkyl (C1-C4) amino, monohydroxyalkyl (C1-C4) amino, imidazolinium et ammonium.
Parmi les paraphénylènediamines de formule (VII) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-chloroparaphénylènediamine, la 2, 3-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2, 6-diméthylparaphénylènediamine, la 2, 6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2, 5-diméthylparaphénylènediamine, la N, N-diméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-diéthyl- paraphénylènediamine, la N, N-dipropyl-paraphénylènediamine, la 4-amino-N, N-diéthyl-3- méthyl-aniline, la N, N-bis-(ss-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la 4-N, N-bis- (ss- hydroxyéthyl) amino-2-méthyl-aniline, la 4-N, N-bis- (P-hydroxyéthyl)-amino 2-chloro-aniline, la 2-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-fluoro-paraphénylènediamine, la 2-isopropyl-paraphénylènediamine, la N- (P-hydroxypropyl)-paraphénylènediamine, la
2-hydroxyméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-diméthyl-3-méthylparaphénylènediamine, la N, N- (éthyl, p-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la N- (ss, ydihydroxypropyl) -paraphénylènediamine, la N- (4'-aminophényl) -paraphénylènediamine, la N-phényl-paraphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2-ss- acétylaminoéthyloxy-paraphénylènediamine, la N-(ss-méthoxyéthyl)- paraphénylènediamine, la 2-méthyl-1-N-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la N-(4- aminophényl)-3-hydroxy-pyrrolidine, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi les paraphénytènediaminës de-formule (VII) ci-dessus, on préfère tout particulièrement la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-isopropylparaphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-ss-hydroxyéthyloxy-paraphéylènediamine, la 2, 6-diméthyl-paraphénylène-diamine, la 2, 6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2, 3-diméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-bis- (p- hydroxyéthyl) -paraphénylènediamine, la 2-chloro-paraphénylènediamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
- (II) Selon l'invention, on entend par bases doubles, les composés comportant au moins deux noyaux aromatiques sur lesquels sont portés des groupements amino et/ou hydroxyle.
Parmi les bases doubles utilisables à titre de bases d'oxydation dans les compositions tinctoriales conformes à l'invention, on peut notamment citer les composés répondant à la formule (VIII) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : - Z1 et Z2, identiques ou différents, représentent un radical hydroxyle ou-NHs pouvant être substitué par un radical alkyle en C1-C4 ou par un bras de liaison Y ; - le bras de liaison Y représente une chaîne alkylène comportant de 1 à 14 atomes de carbone, linéaire ou ramifiée pouvant être interrompue ou terminée par un ou plusieurs groupements azotés et/ou par un ou plusieurs hétéroatomes tels que des atomes