REVENDICATIONS 1. Commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension réalisé entre les faces supérieure et inférieure d'un substrat semiconducteur (40) entouré d'un mur périphérique (41), caractérisé en ce qu'il comprend : - un premier transistor IGBT vertical multicellulaire s'étendant entre une cathode réalisée du côté de la face supérieure et une anode réalisée du côté de la face inférieure ; et - un second transistor IGBT vertical multicellulaire s'étendant entre une cathode réalisée du côté de la face inférieure et une anode réalisée du côté de la face supérieure, dans lequel les cellules (42,48) de chaque transistor sont disposées de sorte que des portions des cellules d'un transistor sont actives lors du fonctionnement de l'autre transistor. 2. Commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension réalisé dans un substrat (40) d'un premier type de conductivité entouré d'un mur périphérique (41) d'un second type de conductivité, caractérisé en ce qu'il comprend : - un réseau de cellules supérieures (42), réalisé du côté de la face supérieure du substrat (40), chaque cellule supérieure (42) se composant d'un anneau (45) du premier type de conductivité formé dans un caisson (43) d'un second type de conductivité, la région du caisson à l'extérieur de l'anneau (45) formant une région de canal recouverte d'une grille isolée supérieure (46) ; - une métallisation supérieure (Ml ' ) , formant une première électrode principale, connectée à la région centrale du caisson (43) et à l'anneau (45) de chaque cellule supérieure (42) ; - un réseau de cellules inférieures (48) semblables aux cellules supérieures (42) , réalisé du côté de la face inférieure du substrat (40), en vis-à-vis du réseau de cellules supérieures (42) ; et une métallisation inférieure (M2'), formant une seconde électrode principale, connectée à la région centrale du caisson et à l'anneau de chaque cellule inférieure (48). 3. Commutateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la grille isolée inférieure (49) est reliée à un puits (55) qui traverse une région (57) du substrat de la face inférieure à la face supérieure, le puits (55) étant relié à un contact de grille (56) réalisé du côté de la face supérieure. 4. Commutateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la grille isolée inférieure (49) est reliée au puits (55) par une métallisaticn (M5 ' )isolée de la métallisation inférieure (M2 ' ) . 5. Commutateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la métallisation inférieure (M2 ' ) recouvre toute la face inférieure. 6. Commutateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la métallisation inférieure (M2 ' ) est reliée au mur périphérique (41). 7. Commutateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la région (57) de substrat traversée par le puits (55) est isolée des régions du substrat où sont réalisés les réseaux de cellules supérieures (42) et inférieures (48) par le mur périphérique (41) qui se prolonge par un mur auxiliaire (58) du second type de conductivité. 8. Commutateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le mur périphérique (41) se prolonge du côté de la face inférieure par un anneau inférieur (50) du second type de conductivité entourant le réseau de cellules inférieures (48). 9. Commutateur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend, du côté de la face supérieure, un anneau supérieur (51) du second type de conductivité entourant le réseau de cellules supérieures (42) et relié à la métallisaticn supérieure (M1'). 10. Commutateur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend, du côté de la face supérieure, un anneau d'arrêt de canal (52) fortement dopé du premier type de conductivité entourant l'anneau supérieur (51) du second type de conductivité.