REVENDICATIONS 1. Dispositif magnétique (16) comprenant une jonction tunnel magnétique (18 ; 52a, 52b, 52c, 52d ; 74) qui comporte : - une première couche magnétique (20c, 36,54, 82,94, 114) formant une couche de référence et ayant une aimantation de direction fixe, - une deuxième couche magnétique (20a, 38,56, 86,98, 112) formant une couche de stockage et ayant une aimantation de direction variable, et - une troisième couche (20b, 48,58, 84,102, 123) qui est semiconductrice ou électriquement isolante et qui sépare la première couche de la deuxième couche, ce dispositif étant caractérisé en ce que la température de blocage de l'aimantation de la couche de stockage est inférieure à la température de blocage de l'aimantation de la couche de référence et en ce que le dispositif comprend en outre : - des moyens d'échauffement de la couche de stockage à une température supérieure à la température de blocage de l'aimantation de cette couche de stockage et - des moyens (22,26 ; 64,66, 68 ; 108 ; 116, 118) d'application, à cette couche de stockage, d'un champ magnétique apte à orienter l'aimantation de cette couche de stockage par rapport à l'aimantation de la couche de référence, sans modifier l'orientation de cette couche de référence. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les températures de blocage des couches de stockage et de référence ont des valeurs supérieures à la valeur de la température de fonctionnement du dispositif hors échauffement de la jonction tunnel. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel l'aimantation de chacune des couches de stockage (38,56, 86) et de référence (36,54, 82) est sensiblement perpendiculaire au plan de ces couches. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la couche de stockage (38) est une monocouche en alliage Co-Pt ou Co-Pd ou une multicouche formée par un empilement de couches (44) de Co alternant avec des couches (46) de Pt ou de Pd de façon que le champ coercitif de la couche de stockage diminue rapidement quand la température augmente. 5. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la couche de stockage est une monocouche en alliage riche en cobalt avec du fer ou du nickel ou du chrome ainsi que du platine ou du palladium, ou une multicouche formée par un empilement de couches d'un alliage riche en cobalt avec du fer ou du nickel ou du chrome, alternant avec des couches de Pt ou de Pd de façon que le champ coercitif de la couche de stockage diminue rapidement quand la température augmente. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel l'aimantation de chacune des couches de stockage (20a, 98,112) et de référence (20c, 94,114) est sensiblement parallèle au plan de ces couches. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre une première couche antiferromagnétique (50,80, 96) associée à la couche de référence. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la température de blocage de l'aimantation de cette première couche antiferromagnétique (50,80, 96) est supérieure à la température de blocage de la couche de stockage. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de référence est une multicouche comprenant deux couches magnétiques et une couche intermédiaire en Ru ou en Re ou en Ir ou en Rh, les deux couches magnétiques étant séparées par la couche intermédiaire et couplées de façon antiparallèle par interaction à travers cette couche intermédiaire. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre une deuxième couche antiferromagnétique (92,100) couplée à la couche de stockage par anisotropie d'échange. 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel la température de blocage de l'aimantation de cette deuxième couche antiferromagnétique (100) est inférieure à la température de blocage de la couche de référence. 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les moyens d'échauffement de la couche de stockage comprennent des moyens (22-24, 62-60a-60b-60c-60d, 76-78, 124-126) prévus pour faire circuler un courant d'électrons à travers la jonction tunnel magnétique. 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les moyens d'application de champ magnétique à la couche de stockage (86) comprennent des moyens d'injection, dans cette couche de stockage, d'un courant d'électrons dont le spin est polarisé. 14. Mémoire comprenant une matrice de points mémoires adressables par des lignes et des colonnes d'adressage, cette mémoire étant caractérisée en ce que chaque point mémoire comprend : un dispositif magnétique (16) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, et - un moyen (24) de commutation de courant placé en série avec ce dispositif magnétique, chaque dispositif magnétique étant relié à une ligne d'adressage (22) et chaque moyen de commutation étant relié à une colonne d'adressage (28). 15. Procédé d'écriture d'une information dans un dispositif magnétique conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel - on chauffe la couche de stockage (20a, 38, 56,86, 98,112) à une température supérieure à la température de blocage de l'aimantation de cette couche de stockage et - pendant le refroidissement de la couche de stockage, on applique à cette couche de stockage un champ magnétique apte à orienter l'aimantation de cette couche de stockage par rapport à l'aimantation de la couche de référence (20c, 36,54, 82,94, 114), sans modifier l'orientation de cette couche de référence. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel la valeur, vue par la couche de référence, du champ magnétique (34,72, 110,120) appliqué au cours du stockage, est inférieure à la valeur que prend le champ magnétique de retournement de l'aimantation de la couche de référence à la température maximale atteinte par cette couche au cours de l'échauffement de la jonction. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 et 16, dans lequel la couche de stockage est couplée à une couche antiferromagnétique (100) par anisotropie d'échange et l'on chauffe la couche de stockage et cette couche antiferromagnétique à une température supérieure aux températures de blocage de l'aimantation de ces couches et, au cours du refroidissement de la couche antiferromagnétique, on oriente l'aimantation de la couche de stockage dans une direction quelconque prédéfinie par la direction d'aimantation du champ magnétique appliqué lors du refroidissement. 18. Procédé de lecture d'une information mémorisée dans le dispositif magnétique selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel - on détermine la valeur de la résistance de la jonction tunnel magnétique (18 ; 52a, 52b, 52c, 52d ; 74), et - on déduit l'orientation de l'aimantation de la couche de stockage à partir de cette valeur de la résistance.