INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
1H-NMR (DMSO-d,) 8 1.65 (s, 4H) ; 3.12 (s, 2H) ; 3.33 (t, 2H) ; 3. 97 (s, 2H) ; (t, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 3H) ; (t, 1H) ; (s, 1H) ESI-MS m/z 456 [M+H]+ 4.34) Composé préparé à partir dérivé de l'exemple 59 par la méthode F.
Exemple 218 : Préparé à partir du dérivé de l'exemple 59 selon la méthode F.
'H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 46-1.63 (m, 8H) ; (s, 2H) ; (s, 3H) ; (s, 2H) ; 4. 00 (s, 2H) ; (s, 2H) ; (d, 2H) ; (d, 2H) ESI-MS m/z 407 [M+H]+ 4. 35) Composé préparé à partir de l'intermédiaire 2 par la méthode G.
Exemple 219 : Préparé à partir de l'intermédiaire 2 et de 4-chlorophenyl isothiocyanate selon la méthode G.
1H-NMR (DMSO-d,) # 1. 46-1.63 (m, 8H) ; (s, 2H) ; (s, 3H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; (s, 2H) ; 7. 34 (d, 2H) ; (d, 2H) ESI-MS m/z 395 [M+H]+ 4. 36) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 3 par la méthode G.
Les polymères associatifs de type non ionique utilisables selon l'invention sont choisis de préférence parmi : -(1) les celluloses modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse ; on peut citer à titre d'exemple : - les hydroxyéthylcelluloses modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse tels que des groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle, ou leurs mélanges, et dans lesquels les groupes alkyle sont de préférence en Cg-C22, comme le produit NATROSOL PLUS GRADE 330 CS@ (alkyles en C16) vendu par la société AQUALON, ou le produit BERMOCOLL EHM 100# vendu par la société BEROL NOBEL, - celles modifiées par des groupes polyalkylène glycol éther d'alkyl phénol, tel que le produit AMERCELL POLYMER HM-1500 (polyéthylène glycol (15) éther de nonyl phénol) vendu par la société AMERCHOL.
- (2) les hydroxypropylguars modifiés par des groupements comportant au moins une chaîne grasse tel que le produit ESAFLOR HM 22# (chaîne alkyle en C22) vendu par la société LAMBERTI, les produits RE210-18# (chaîne alkyle en C14) et RE205-1 (chaîne alkyle en C20) vendus par la société RHONE POULENC.
L'extrait sec théorique de la composition de revêtement comprend préférentiellement de 0,1 à 39 % en masse de particules anisotropes selon l'invention, mieux de 3 à 35% en masse, et mieux encore de 10 à 35% en masse.
La masse en extrait sec théorique (EST) est la masse totale calculée de matières solides provenant des différents constituants de la composition de revêtement finale.
Par masse en matières solides provenant des silanes, on entend la masse calculée en unité Qk Si O(4-k)/2 dans lesquelles Q est un groupement organique directement lié à l'atome de silicium par une liaison Si-C et Qk SiO(4-k)/2 provient de Qk Si R"'(4-k) ou Si-R'" engendre SiOH par traitement hydrolytique, et k désigne 0,1 ou 2.
La masse de matière solide en particules anisotropes d'oxyde et/ou d'oxyhydroxyde métallique dans la composition de revêtement finale est la masse des particules d'oxyde et/ou d'oxyhydroxyde métallique, sans tenir compte de la masse de leur écorce greffée.
Par définition, lorsque les particules anisotropes fonctionnalisées sont intégrées à la matrice polysiloxane du revêtement, l' alkoxysilane organofonctionnel constituant l'écorce des particules est considéré comme faisant partie intégrante de ladite matrice.
L'étape suivante consiste à déposer le vernis composite à base de particules anisotropes.
Tout procédé de dépôt classique peut être utilisé.
On peut citer le dépôt au trempé, technique selon laquelle le substrat à revêtir est plongé dans un bain de la composition, ou le dépôt par centrifugation.
Le sol est déposé préférentiellement par spin coating , c'est-à-dire par centrifugation, sur des substrats, par exemple un substrat ORMA, d'Essilor, à base de poly(bisallyl carbonate de diéthylène glycol). La vitesse de dépôt est comprise entre 100 tr/min et 3000 tr/min, préférentiellement entre 200 tr/min et 2000 tr/min.
Les vernis sont ensuite durcis, préférentiellement par traitement thermique en étuve pour une durée de 1 à 5 heures, typiquement de 3 heures à une température comprise entre 80 C et 120 C.
Les films obtenus présentent typiquement une épaisseur de 1 à 10 microns, préférentiellement de 2 à 5 microns.
Les films selon l'invention présentent une excellente résistance à la rayure.
En particulier, les films présentent , sous rayure par une pointe diamant de rayon de pointe 100 micromètres, une charge critique supérieure ou égale à 7 Newtons (N), préférentiellement supérieure ou égale à 9 N et mieux encore supérieure ou égale à 11N.
Les revêtements selon l'invention peuvent être déposés sur tout substrat approprié, en verre organique ou minéral, par exemple des lentilles ophtalmiques, en particulier des verres de lunettes, ces substrats pouvant être nus ou éventuellement revêtus par un ou plusieurs revêtements, par exemple un revêtement anti-abrasion, éventuellement déposé sur un primaire anti-choc et /ou un primaire d'adhérence.
Parmi les substrats en verre organique convenant pour les articles d'optique selon l'invention, on peut citer les substrats en polycarbonate et ceux obtenus par polymérisation des méthacrylates d'alkyle, en particulier
des méthacrylates d'alkyle en C1-C4, tels que le méthyl (méth)acrylate etl'éthyl(méth)acrylate, des (méth) acrylates aromatiques polyéthoxylés tels que les bisphénolates diméthacrylates polyéthoxylés, des dérivés allyliques tels que les allyl carbonates de polyols aliphatiques ou aromatiques, linéaires ou ramifiés, des thio- (méth)acryliques, substrats en polythiouréthane, en polycarbonate (PC) et en polyépisulfure.
Rien n'empêche que selon le mode de fabrication, sur des lignes discontinues de production par exemple, de produits incorporant des éléments devant être munis du matériau amortissant, un matériau supplémentaire de solidarisation assure le collage du matériau amortissant et de l'élément auquel il est destiné à être associé. Le matériau supplémentaire de solidarisation peut d'ailleurs être un matériau amortissant de l'invention.
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront dans la suite de la description en regard des dessins annexés sur lesquels : # la figure 1 représente une vue en coupe partielle de deux éléments associés au moyen d'un profilé constitué par le matériau de l'invention; # les figures 2 et 3 représentent des variantes de vue en coupe partielle de deux éléments associés au moyen d'un profilé comportant au moins le matériau de l'invention.
La figure 1 est une vue en coupe fragmentaire d'un vitrage 1 associé à un élément porteur 2 telle qu'une carrosserie de véhicule automobile. Le vitrage constitué d'au moins un substrat verrier, est fixé à la carrosserie à l'aide d'un profilé 3 constitué par le matériau de l'invention à propriétés d'amortissement acoustique et de collage.
Par conséquent, le matériau utilisé pour le profilé 3 associé et intercalé entre deux éléments 1 et 2 que sont, pris ici à titre d'exemple, respectivement la carrosserie et le vitrage , joue, outre son rôle d'amortissement de vibrations selon l'invention, le rôle de dispositif de fixation des deux éléments en assurant une fonction d'étanchéité pour préserver l'habitacle du véhicule des agressions environnementales telles que les poussières, l'humidité, l'eau.
Toutefois, le matériau utilisé pour sa fonction de collage peut ne pas être solidaire directement des éléments entre lesquels il joue son rôle quant à l'amortissement acoustique, mais être associé à au moins un matériau, dit dans la suite de la description matériau de solidarisation, qui joue en tant que tel un rôle de solidarisation avec le ou lesdits éléments (figures 2 et 3). Le matériau de l'invention aura de toute manière un rôle de collage avec le matériau de solidarisation qui pourra d'ailleurs être constitué par le matériau amortissant et de collage de l'invention.
Le matériau de l'invention présente deux températures de transition vitreuse, une température ambiante comprise entre -10 C et +40 C pour laquelle le matériau remplit son rôle amortissant et une température plus basse comprise entre -60 C et -10 C pour laquelle la fonction de collage est maintenue, c'est-à- dire une température à laquelle il n'y a pas risque de rupture d'adhésion avec l'élément avec lequel est associé le matériau.
On rappelle que la température de transition vitreuse correspond à la température pour laquelle le facteur de perte tan# est maximum.
On rappelle que le facteur de perte tan# s'écrit de la manière suivante : E" tanô=# E' avec E', la rigidité du matériau et E", le pouvoir de dissipation, c'est-à-dire la transformation de l'énergie de déformation du matériau en énergie calorifique dans le matériau.
On définit dans l'invention le rôle amortissant du matériau par la valeur que doit présenter le facteur de perte tan# du matériau qui est supérieure à 0,25.
On attribue également selon l'invention la qualité de tenue du collage à basse température lorsque la rigidité ou module d'Young E' du matériau est inférieure ou égale à 2000 MPa pour une fréquence comprise entre 50 et 500 Hz.
Les mesures de tan# et E' sont estimées à partir d'un viscoanalyseur, appareil bien connu des hommes du métier que sont le polymériste et l'acousticien. Le viscoanalyseur mesure le module d'Young E' et le pouvoir de dissipation E", ce qui permet d'obtenir la valeur du module d'Young E' et d'obtenir par calcul du rapport E"/E', le facteur de perte tan8.
Le visco-analyseur est par exemple celui commercialisé sous la marque METRAVIB. Les conditions de mesures sont énoncées ci-après : - sollicitation sinusoïdale, - éprouvette pour le matériau constituée d'un parallélépipède rectangle de dimensions telles qu'elles rentrent dans les plages définies par le constructeur du viscoanalyseur, par exemple: * épaisseur e = 3 mm * largeur L= 5mm * hauteur = 10mm - amplitude dynamique : 5.10-6m autour de la position de repos, - domaine de fréquence : 5 à 400 Hz - domaine de température : - 60 à + 60 C.
Le matériau de l'invention peut comporter un mélange d'au moins un polychlorure de vinyle plastifié ou non et/ou d'au moins un polyuréthane mono ou bicomposants qui sont modifiés ou non par un élastomère tel que des polyoléfines, de l'EPDM (éthylène-propylène-diène), ou du caoutchouc, notamment du caoutchouc butyle, ou nitrile, ou encore styrène-butadiène, et éventuellement au moins un catalyseur.
En particulier, il s'agit d'un mélange : a) d'au moins un composant choisi parmi : - des polyuréthanes mono ou bi composant basés sur des polyether polyol de type polypropylène glycol, polyéthylène oxyde (PEO) ou poly THF, ou basés sur du polybutadiène polyol, ou encore basés sur du polycaprolactonepolyol, - des polyuréthanes avec des terminaisons méthoxy ou éthoxy silane, par exemple du SPUR polymer SP XT 53 et SP XT 55 commercialisés par la société Hanse Chemie,
- des polyethers polyols type polypropyleneoxide modifiés silane (SMP); b) et au moins un composant choisi parmi : PVC plastifié, polyesterpolyol amorphe, polyesterpolyol avec des terminaisons méthoxy ou éthoxy silane, prépolymère polyuréthane monocomposant, polyuréthane bi-composant.
A noter que l'avantage d'un prépolymère à terminaisons méthoxy ou éthoxy silane, de préférence méthoxy silane, est qu'il durcit à l'humidité sans mousser. Ces compositions de polyuréthane peuvent être modifiées par un élastomère notamment du caoutchouc nitrile, ou du SBR, ou du butyle, ou bien par un élastomère thermoplastique ou encore par un polymère présentant une certaine flexibilité non réticulable tel que des polyoléfines ou du PVC plastifié.
1H-NMR (DMSO-d6) 3 0. 86 (d, 6H) ; 1. 64 (s, 4H) ; (m, 1H) ; 2. 99 (s, 2H) ; (q, 2H) ; (t, 2H) ; (d, 2H) ; 4. 66 (s, 2H) ; (t, 1H) ESI-MS m/z 311 [M+H]+ Exemple 228 : Préparé à partir du composé 1 et d'ethyl chloroformate selon la méthode J.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 13 (t, 3H) ; (s, 4H) ; (m, 1H) ; 2. 99 (s, 2H) ; (q, 2h) ; (t, 2H) ; (q, 2H) ; 4. 66 (s, 2H) ; (t, 1H) ESI-MS m/z 283 [M+H] Exemple 229 : Préparé à partir du composé 1 et de benzyl chloroformate selon la méthode J.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 63 (s, 4H) ; (s, 2H) ; 3. 11 (q, 2H) ; 3. 40 (t, 2H) ; (s, 2H) ; 99 (s, 2H) ; 7. 34-7.37 (m, 6H)
ESI-MS m/z 345 [M+H] 4. 40) Composés préparés par la méthode K.
Exemple 230 : Préparé à partir de 4-isopropylphenyl isocyanate selon la méthode K.
ESI-MS m/z 372 [M+H]+ Exemple 231 : Préparé à partir de 4-(trifluoromethyl)phenyl isocyanate selon la méthode K.
ESI-MS m/z 398 [M+H] Exemple 232 : Préparé à partir de p-toluenesulfonyl isocyanate selon la méthode K.
ESI-MS m/z 408 [M+H]+ Exemple 233 : Préparé à partir de 3,5-dichlorophenyl isocyanate selon la méthode K.
1H-NMR (DMSO-d6) # 1.64 (s, 4H) ; 3.01 (s, 2H) ; 3.16-3.12 (m, 2H) ; (t, 2H) ; 4. 68 (s, 2H) ; (t, 1H) ; (t, 1H) ; (d, 2H) ; 8. 98 (s, 1H) ESI-MS m/z 398 [M+H]+ 4. 41) Composés préparés par la méthode L.
Exemple 234 : Préparé à partir de l'intermédiaire 1 et d'indazole-3- carboxylic acid selon la méthode L.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1.61 (s, 4H) ; (s, 2H) ; (t, 2H) ; 4. 45 (t, 2H) ; (s, 2H) ; 7.30(t, 1H) ; 7. 45 (t, 1H) ; 7. 65 (d, 1H) ; 8. 04 (d, 1H) ; (s, 1H) ESI-MS m/z 356 [M+H]' Exemple 235 :
Préparé à partir de l'intermédiaire 1 et de 3-methyl-2- phenylvaleric acid selon la méthode L.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 62 (s, 8H) ; (s, 2H) ; (t, 2H) ; 4. 34 (t, 2H) ; (s, 2H) ; 7. 32-7.68 (m, 4H) ; (d, 1H) ESI-MS m/z 386 [M+H]+ Exemple 236 : Préparé à partir de l'intermédiaire 1 et de 4- biphenylacetic acid selon la méthode L.
1H-NMR (DMSO-d6) # 0. 57-1.13 (m, 7H) ; 1.63 (s, 4H) ; (s, 1H) ; (m, 2H) ; (m, 2H) ; (s, 2H) ; 4. 04-4.12 (m, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 5H) ESI-MS m/z 406 [M+H]+ Exemple 237 : Préparé à partir de l'intermédiaire 1 et de 4- phenoxybenzoic acid selon la méthode L.
ESI-MS m/z 408 [M+H]+ Exemple 238 : Préparé à partir de l'intermédiaire 3 et d'indazole-3- carboxylic acid selon la méthode L.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 62 (s, 8H) ; (s, 2H) ; (t, 2H) ; 4. 34 (t, 2H) ; 4. 69 (s, 2H) ; (m, 4H) ; (d, 1H) ESI-MS m/z 384 [M+H]' Exemple 239 : Préparé à partir de l'intermédiaire 2 et de 4- chlorophenylacetic acid selon la méthode L.
Selon un sixième aspect, l'invention concerne un dispositif selon le cinquième aspect, programmé pour réaliser le procédé selon le premier aspect.
Selon un septième aspect, l'invention concerne mémoire programmable, caractérisée en ce qu'elle embarque un dispositif selon le cinquième aspect.
Selon un huitième aspect, l'invention concerne un circuit intégré comprenant une mémoire programmable, caractérisé en ce qu'il embarque un dispositif selon le cinquième aspect.
Selon un neuvième aspect, l'invention concerne un appareil de contrôle destiné à coopérer avec le dispositif selon le cinquième aspect, caractérisé en ce qu'il comprend une entrée prévue pour se relier fonctionnellement à une sortie du dispositif produisant une expression de la valeur du paramètre analogique intrinsèque.
L'entrée peut être une entrée numérique destinée à recevoir un motif de bits qui encode l'expression de la valeur du paramètre analogique intrinsèque, l'appareil comportant des moyens de mémorisation de données permettant d'extraire une information exploitable à partir de cette expression encodée.
Selon un dixième aspect, l'invention concerne un support électronique caractérisé en ce qu'il contient des données de résultats pour les valeurs dudit paramètre analogique intrinsèque, répertoriés à l'issu
d'un contrôle réalisé sur un ensemble répertorié de points de contrôle conformément au premier, deuxième, troisième ou quatrième aspect.
Les données peuvent constituer au moins une cartographie bit analogique des cellules d'une mémoire programmable présentant au moins un paramètre de seuil d'un ensemble desdites cellules.
Le support électronique peut comprendre en outre des données d'une distribution statistique des valeurs du paramètre analogique intrinsèque, par exemple sous forme d'histogramme, permettant d'effectuer une analyse statistique des variations de ce paramètre sur l'ensemble des points contrôlés.
L'invention et les avantages qui en découlent apparaîtront plus clairement à la lecture des mode de réalisation préférés, donnés purement à titre d'exemples non-limitatifs, par référence aux dessins annexés dont : - la figure 1, déjà décrite, est un schéma bloc représentant l'agencement fonctionnel d'une mémoire EEPROM classique, - la figure 2, déjà décrite, est un schéma montrant l'agencement d'un bloc de quatre cellules dans un plan mémoire d'une mémoire EEPROM, telle que celle de la figure 1, la figure 3, déjà décrite, est un schéma électrique d'une cellule de la mémoire de la figure 2, - la figure 4, représente une courbe de l'évolution du courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture en fonction de la tension de polarisation de la grille de commande de son transistor de stockage, sur des axes où l'ordonnée indique le courant ID passé par la cellule et l'abscisse représente la tension de polarisation de la grille (flottante) du transistor de stockage, et les états logiques 0 et 1 en sortie de
l'amplificateur de lecture en fonction de cette évolution, montrant en outre le niveau du courant de lecture Ilect, - la figure 5 est un schéma bloc représentant l'agencement fonctionnel d'une mémoire EEPROM conforme à un premier mode de réalisation de l'invention, la figure 6 est un schéma électrique d'un générateur de courant programmable mis en Couvre dans la mémoire du premier mode de réalisation, - la figure 7 est un schéma montrant un registre à décalage et ses signaux d'entrée et sortie, utilisé pour la programmation du générateur de courant programmable de la figure 6, la figure 8 est un schéma électrique d'un générateur de tension programmable mis en outre dans la mémoire du premier mode de réalisation, - la figure 9 est un schéma montrant un registre à décalage et ses signaux d'entrée et sortie, utilisé pour la programmation du générateur de tension programmable de la figure 8, la figure 10 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, deux courbes de l'évolution du courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture, respectivement pour une cellule vierge et une cellule effacée, avec pour chacune des courbes les fenêtres de tension de seuil, d'une part conforme à une spécification et d'autre part prévue pour les mesures lors du contrôle, - la figure 11 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, une courbe de l'évolution de courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture, montrant en outre les valeurs successives de tension de polarisation de la grille de commande du transistor de stockage lors du contrôle et leur codage
respectif au niveau du registre de décalage de la figure 9, - la figure 12 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, une courbe de l'évolution de courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture, montrant les fenêtres de courant de seuil d'une part conforme à une spécification et d'autre part prévue pour les mesures lors du contrôle, - la figure 13 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, une courbe de l'évolution de courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture, montrant en outre les valeurs successives de courant de lecture Ilect de l'amplificateur de lecture lors du contrôle et leur codage respectif au niveau du registre de décalage de la figure 7, - la figure 14 est un schéma bloc montrant les parties de la mémoire selon le premier mode de réalisation intervenant dans le contrôle des paramètres de seuil et la connexion de cette mémoire avec un appareil de contrôle, en l'occurrence de test et de diagnostic, - la figure 15 est un schéma bloc représentant l'agencement fonctionnel d'une mémoire EEPROM conforme à un deuxième mode de réalisation de l'invention, la figure 16 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, une courbe de l'évolution de courant ID passé par une cellule mémoire en mode lecture en fonction de la tension de polarisation de son transistor de stockage, et les états logiques 0 et 1 en sortie de l'amplificateur de lecture en fonction de cette évolution, montrant en outre le niveau du courant de seuil IT, - la figure 17 représente, sur les mêmes axes qu'utilisés pour la figure 4, une courbe de l'évolution de courant ID passé par une cellule mémoire en mode
lecture en fonction de la tension de polarisation de son transistor de stockage, et l'équivalence entre les fenêtres de spécification et de mesure, respectivement en termes dudit courant ID et en termes de ladite tension de polarisation, - la figure 18 est un schéma bloc montrant les parties de la mémoire selon le deuxième mode de réalisation intervenant dans le contrôle des paramètres de seuil et la connexion de cette mémoire avec un appareil de contrôle, en l'occurrence de test et de diagnostic, - la figure 19 représente l'évolution de la tension de programmation d'une cellule de mémoire sur différentes phases : cellule initialement vierge, effacée, écrite et en lecture, - la figure 20 représente l'évolution de la tension de seuil VT, pour la même cellule et sur la même fenêtre de temps que pour la figure 19, - la figure 21, représente les évolutions de courant ID d'une cellule lors de pas incrémentaux appliqués par le générateur de courant pour déterminer son seuil de courant, - la figure 22 représente l'évolution des états logiques de l'amplificateur de lecture pour la même cellule et sur la même fenêtre de temps que pour la figure 19, les figures 23a, 23b et 23c représentent schématiquement des plans de 4x4 cellules dans une cartographie bit analogique, où chaque cellule étant répertorié avec sa valeur de seuil dans l'exemple en termes de courant de seuil respectivement pour le cas de cellules vierges, écrites et effacées, et les figures 24a, 24b et 24c sont des distributions statistiques sous forme d'histogramme montrant les pourcentages de cellules d'un plan mémoire
présentant une valeur de courant de seuil donnée, ces trois figures correspondant respectivement à des cellules vierges, effacées et écrites.
Les modes de réalisation de l'invention prévoient une méthodologie dédiée au diagnostic des mémoires EEPROM. Cette méthodologie est basée sur des moyens intégrés c'est-à-dire embarqués dans la mémoire , d'extraction de tension de seuil et de la séquence de test, exécutée en dehors de la mémoire, qui s'y affère.
Grâce à l'utilisation de ces moyens supplémentaires, on peut extraire rapidement et avec précision les tensions de seuil de toutes les cellules d'une mémoire.
Parmi les acides minéraux, on peut notamment citer l'acide sulfurique, l'acide chlorhydrique, l'acide bromhydrique, l'acide iodhydrique, l'acide acétique, l'acide propionique, l'acide phosphorique ou l'acide borique.
Parmi les acides organiques, on peut citer, par exemple, les acides comportant un ou plusieurs groupes carboxylique, sulfonique, ou phosphonique. Il peut s'agir d'acides aliphatiques linéaires, ramifiés ou cycliques, ou encore d'acides aromatiques. Ces acides peuvent comporter, en outre, un ou plusieurs hétéroatomes choisis parmi 0 et N, par exemple sous la forme de groupes hydroxyle.
A titre d'exemples d'acide organique, on peut citer des acides à groupe alkyle tels que l'acide acétique CH3COOH, des polyacides tels que l'acide téréphtalique, et des hydroxyacides tels que l'acide citrique et l'acide tartrique.
Les agents quaternisants peuvent être des halogénures d'alkyle tel que bromure de méthyle, ou des sulfates d'alkyle tels le sulfate de méthyle ou la propane-sultone.
On peut encore citer à titre d'exemples de monomère hydrophile : - les acides éthyléniques carboxyliques, notamment mono- ou di-carboxyliques, comportant de 3 à 20 atomes de carbone, ou leurs sels, tels que l'acide acrylique, l'acide méthacrylique, l'acide crotonique, l'acide itaconique, l'acide fumarique, l'acide maléique et l'acide vinylbenzoïque ; - les anhydrides carboxyliques porteurs d'une double liaison vinylique, comportant de 4 à 30 atomes de carbone, tels que l'anhydride maléique ; - les acides éthyléniques sulfoniques ou phophoniques, ou leurs sels, tels que l'acide styrène-sulfonique, l'acide acrylamidopropanesulfonique, l'acide vinylphosphonique et leurs sels, le sel de potassium de l'acryloyloxy-3-sulfopropyle, ou le composé de formule CH2=CHCOOCH2OCH2(OH)CH2SO3- Na+, - l'alcool vinylique.