INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On entend par interrupteur fermé, un interrupteur dans un état tel qu'il est passant pour le courant circulant dans la branche de circuit contenant cet interrupteur. A l'inverse, un interrupteur ouvert impose une intensité nulle dans la branche de circuit à laquelle il appartient. Dans le cas où l'interrupteur est réalisé au moyen d'un transistor qui comporte une diode de structure, l'état ouvert de cet interrupteur impose une intensité nulle lorsque la tension aux bornes de l'interrupteur provoque en outre le blocage de la diode de structure, c'est-à-dire lorsque le potentiel électrique de la cathode de cette diode est supérieur au potentiel électrique de l'anode de cette diode.
Chaque cellule comporte une unité de gestion pour la commande de l'interrupteur de découpage de cette cellule. Toutes ces unités de gestion
peuvent être regroupées en une seule unité centrale, agencée pour commander les moyens de découpage des n cellules.
Un avantage de la présente invention consiste en ce que, lorsque survient un dysfonctionnement dans l'une des cellules, cette cellule peut être neutralisée par ouverture de l'interrupteur de protection de cette cellule, ce qui permet la poursuite du fonctionnement des autres cellules. Un fonctionnement du convertisseur global peut ainsi continuer d'être assuré malgré l'arrêt du fonctionnement de l'une des cellules.
Dans un premier mode de réalisation, chaque cellule est un convertisseur abaisseur de tension ( Buck ) dont les moyens de découpage comprennent un interrupteur de découpage disposé en série dans ladite seconde branche de circuit entre ladite première borne positive et l'inductance, et comprenant : - une diode connectée par sa cathode à un noeud commun entre l'inductance et l'interrupteur de découpage et par son anode à ladite première branche de circuit ; - un premier condensateur disposé en parallèle entre ladite première borne positive et ladite première borne négative ; et - un second condensateur disposé en parallèle entre ladite seconde borne positive et ladite seconde borne négative.
L'interrupteur de découpage peut alors être un transistor MOS ayant une diode de structure reliée à ladite première borne positive par sa cathode et à l'inductance par son anode.
Dans un second mode de réalisation, chaque cellule est un convertisseur élévateur de tension ( Boost ) comprenant : - une diode disposée en série dans ladite seconde branche de circuit et connectée par sa cathode à ladite première borne positive et par son anode à l'inductance ; - un premier condensateur disposé en parallèle entre ladite première borne positive et ladite première borne négative, - un second condensateur disposé en parallèle entre ladite seconde borne positive et ladite seconde borne négative ;
et dans lequel lesdits moyens de découpage de chaque cellule comprennent un interrupteur de découpage disposé entre un noeud commun entre la diode et l'inductance d'une part, et ladite première branche de circuit d'autre part.
Dans ce cas, l'interrupteur de découpage peut encore être un transistor MOS ayant une diode de structure. Le transistor est alors disposé de façon à ce que sa diode de structure soit reliée par sa cathode audit noeud commun entre la diode et l'inductance d'une part, et par son anode à ladite première branche électrique d'autre part.
Dans un troisième mode de réalisation, chaque cellule est un convertisseur abaisseur/élévateur de tension ( Buck-Boost synchrone) comprenant : - un premier condensateur disposé en parallèle entre ladite première borne positive et ladite première borne négative ; - un second condensateur disposé en parallèle entre ladite seconde borne positive et ladite seconde borne négative ; et dont les moyens de découpage comprennent : - un premier interrupteur de découpage disposé en série dans ladite seconde branche de circuit entre ladite première borne positive et l'inductance ; et, - un second interrupteur de découpage disposé entre un noeud commun entre ledit premier interrupteur de découpage et l'inductance d'une part, et ladite seconde branche de circuit d'autre part.
Lesdits premier et second interrupteurs de découpage de chaque cellule ont alors les fonctions respectives d'interrupteur abaisseur de tension et d'interrupteur élévateur de tension pour cette cellule. Ledit premier interrupteur de découpage peut être un transistor MOS ayant une diode de structure reliée par sa cathode à ladite première borne positive et par son anode à l'inductance. Ledit second interrupteur de découpage peut aussi être un transistor MOS ayant une diode de structure reliée par sa cathode audit nceud commun entre ledit premier interrupteur de découpage et l'inductance d'une part, et par son anode à ladite première branche électrique d'autre part.
Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, on peut éventuellement avoir recours en outre à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes : - l'interrupteur de protection de chaque cellule peut être un transistor MOS disposé en série dans ladite seconde branche de circuit de la cellule, entre l'inductance et ladite seconde borne positive, et comprenant une diode de structure connectée à l'inductance par sa cathode et à ladite seconde borne positive par son anode ; - dans le cas où les n cellules sont des convertisseurs abaisseurs de tension ( Buck ), l'interrupteur de protection peut être un transistor MOS disposé en série dans ladite seconde branche de circuit entre ledit interrupteur de découpage et ladite première borne positive, du côté de ladite première borne positive par rapport audit premier condensateur, et ayant une diode de structure reliée à ladite première borne positive par sa cathode et audit interrupteur de découpage par son anode ; - dans le cas où les n cellules sont des convertisseurs élévateurs de tension ( Boost ), l'interrupteur de protection peut être un transistor MOS disposé en série dans ladite seconde branche de circuit entre ladite diode et ladite première borne positive, du côté de ladite première borne positive par rapport audit premier condensateur, et ayant une diode de structure reliée à ladite première borne positive par sa cathode et à ladite diode par son anode ; - dans le cas où les n cellules sont des convertisseurs abaisseurs/élévateurs de tension ( Buck-Boost synchrone), l'interrupteur de protection est un transistor MOS disposé en série dans ladite seconde branche de circuit entre ledit premier interrupteur de découpage et ladite première borne positive, du côté de ladite première borne positive par rapport audit premier condensateur, et ayant une diode de structure reliée à ladite première borne positive par sa cathode et audit premier interrupteur de découpage par son anode ; - lesdits moyens de protection comprennent en outre des moyens de détection de dysfonctionnement associés à chaque cellule, et le convertisseur de tension comprend une unité de gestion de protection couplée aux dits moyens de détection de dysfonctionnement d'une part, et à l'interrupteur de protection de chaque cellule d'autre part, pour délivrer un signal d'ouverture de l'interrupteur de protection d'une cellule en cas de détection d'un
dysfonctionnement dans cette cellule. Cette unité de gestion de protection peut être centralisée et commune à toutes les cellules, ou bien chaque cellule peut comprendre une unité de gestion de protection qui lui est propre et connectée au détecteur de dysfonctionnement et à l'interrupteur de protection de cette cellule ; -lesdits moyens de détection de dysfonctionnement associés à chaque cellule comprennent des moyens de détection d'un court-circuit aux bornes d'au moins un interrupteur de découpage disposé dans cette cellule ; - l'unité de gestion est adaptée pour commander la commutation des moyens de découpage de chacune des n cellules à des instants respectifs déterminés, espacés deux à deux d'une durée sensiblement égale à T/n, où T désigne une période de découpage ; - chaque cellule comprend un dispositif de mesure du courant circulant dans l'inductance de cette cellule, et l'unité de gestion est adaptée pour commander le rapport cyclique pour ladite cellule de manière à asservir le courant dans ladite inductance à une valeur de consigne déterminée. Ce dispositif de mesure peut comprendre, par exemple, une résistance shunt disposée en série dans ladite seconde branche de circuit et associée à une unité électronique de mesure. Il peut aussi comprendre un transformateur d'intensité ou un dispositif à effet Hall.
L'invention concerne aussi un réseau de distribution d'énergie pour un véhicule comprenant un réseau électrique à haute tension et un réseau électrique à basse tension, ainsi qu'un convertisseur de tension DC/DC selon l'une quelconque des revendications précédentes, disposé entre ces deux réseaux électriques.
D'autres particularités et avantages de la présente invention apparaîtront dans la description ci-après d'exemples de réalisation non limitatifs, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un convertisseur abaisseur de tension selon la présente invention ; - la figure 2 représente l'agencement d'un contrôleur et d'un détecteur de dysfonctionnement associés au convertisseur de la figure 1 ; - la figure 3 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un convertisseur élévateur de tension selon la présente invention ;
On peut notamment citer : - (A) les paraphénylènediamines de formule (III) suivante et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : Ri représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en Ci-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4 alcoxy(C1-C4)alkyle(C1-C4), alkyle en Ci-C4 substitué par un groupement azoté, phényle ou 4'-aminophényle ; R2 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy(C1-C4)alkyle(C1-C4) ou alkyle en C1-C4 substitué par un groupement azoté ;
R, et R2 peuvent également former avec l'atome d'azote qui les porte un hétérocycle azoté à 5 ou 6 chaînons éventuellement substitué par un ou plusieurs groupements alkyle, hydroxy ou uréido; R3 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel qu'un atome de chlore, un radical alkyle en C1-C4, sulfo, carboxy, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou hydroxyalcoxy en C1-C4, acétylaminoalcoxy en C1-C4, mésylaminoalcoxy en C1-C4 ou carbamoylaminoalcoxy en C1-C4, R4 représente un atome d'hydrogène, d'halogène ou un radical alkyle en C1-C4.
Parmi les groupements azotés de la formule (III) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl(Cl-C4)amino, dialkyl(Ci-C4)amino, trialkyl(C,-C4}amino, monohydroxyalkyl(C1-C4)amino, imidazolinium et ammonium.
Parmi les paraphénylènediamines de formule (III) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-chloroparaphénylènediamine, la 2,3-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2,6-diméthylparaphénylènediamine, la 2,6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2,5-diméthylparaphénylènediamine, la N,N-diméthyl-paraphénylènediamine, la N,N-diéthylparaphénylènediamine, la N,N-dipropyl-paraphénylènediamine, la 4-amino-N,N-diéthyl-3- méthyl-aniline, la N,N-bis-(3-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la 4-N,N-bis-(- hydroxyéthyl)amino-2-méthyl-aniline, la 4-N,N-bis-(ss-hydroxyéthyl)-amino 2-chloro-aniline, la 2-p-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-fluoro-paraphénylènediamine, la 2-isopropyl-paraphénylènediamine, la N-(p-hydroxypropyl)-paraphénylènediamine, la 2-hydroxyméthyl-paraphénylènediamine, la N, N-diméthyl-3-méthylparaphénylènediamine, la N, N-(éthyl, 3-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la N-(p,y- dihydroxypropyl)-paraphénylènediamine, la N-(4'-aminophényl)-paraphénylènediamine, la N-phényl-paraphénylènediamine, la 2-(3-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2-p- acétylaminoéthyloxy-paraphénylènediamine, la N-(ss-méthoxyéthyl)paraphénylènediamine, 2-méthyl-1-N-p-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi les paraphénylènediamines de formule (III) ci-dessus, on préfère tout particulièrement la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-isopropylparaphénylènediamine, la 2-p-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-3-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2,6-diméthyl-paraphénylène-diamine, la 2,6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2,3-diméthyl-paraphénylènediamine, la N,N-bis-(p-
hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la 2-chloro-paraphénylènediamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
-(B) Selon l'invention, on entend par bases doubles, les composés comportant au moins deux noyaux aromatiques sur lesquels sont portés des groupements amino et/ou hydroxyle.
Parmi les bases doubles utilisables à titre de bases d'oxydation dans les- compositions tinctoriales conformes à l'invention, on peut notamment citer les composés répondant à la formule (IV) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : - Z1 et Z2, identiques ou différents, représentent un radical hydroxyle ou -NH2 pouvant être substitué par un radical alkyle en C1-C4 ou par un bras de liaison Y ; - le bras de liaison Y représente une chaîne alkylène comportant de 1 à 14 atomes de carbone, linéaire ou ramifiée pouvant être interrompue ou terminée par un ou plusieurs groupements azotés et/ou par un ou plusieurs hétéroatomes tels que des atomes d'oxygène, de soufre ou d'azote, et éventuellement substituée par un ou plusieurs radicaux hydroxyle ou alcoxy en Ci-Ce ; - R5 et R6 représentent un atome d'hydrogène ou d'halogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, aminoalkyle en Ci-C4 ou un bras de liaison Y ; - R7, R8, R9, R10, R11 et R12, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène, un bras de liaison Y ou un radical alkyle en Ci-C4 ; étant entendu que les composés de formule (IV) ne comportent qu'un seul bras de liaison Y par molécule.
Parmi les groupements azotés de la formule (IV) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl(Cl-C4)amino, dialkyl(CI-C4)amino, trialkyl(CrC4)amino, monohydroxyalkyl(C1-C4)amino, imidazolinium et ammonium.
Parmi les bases doubles de formules (IV) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le N,N'-bis-(p-hydroxyéthyl)-N,N'-bis-(4'-aminophényl)-1 ,3-diamino-propanol, la N,N'-bis-(|3hydroxyéthyl)-N,N'-bis-(4'-aminophényl)-éthylènediamine, la N,N'-bis-(4-aminophényl)tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-((3-hydroxyéthyl)-N,N'-bis-(4-âminophényl)- tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-(4-méthyl-aminophényl)-tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-(éthyl)-N,N'-bis-(4'-amino-3'-méthylphényl)-éthylènediamine, le 1,8-bis-(2,5diaminophénoxy)-3,5-dioxaoctane, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi ces bases doubles de formule (IV), le N,N'-bis-(ss-hydroxyéthyl)-N,N'-bis- (4'-aminophényl)-1,3-diamino-propanol, le 1,8-bis-(2,5-diaminophénoxy)-3,5-dioxaoctane ou l'un de leurs sels d'addition avec un acide sont particulièrement préférés.
- (C) les para-aminophénols répondant à la formule (V) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : R13 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel que le fluor, un radical alkyle en CrC4, monohydroxyalkyle en C-i-C4, alcoxy(C-i-C4)alkyle(CrC4) ou aminoalkyle en Ci-C4, ou hydroxyalkyl(Cl-C4)aminoalkyle en C1-C4.
Parmi les para-aminophénols de formule (V) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le para-aminophénol, le 4-amino-3-méthyl-phénol, le 4-amino-3-fluoro-phénol, le 4-amino- 3-hydroxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-méthyl-phénol, le 4-amino-2-hydroxyméthyl-phénol,
le 4-amino-2-méthoxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-aminométhyl-phénol, le 4-amino- 2-(ss-hydroxyéthyl-aminométhyl)-phénol, et leurs sels d'addition avec un acide.
Le dispositif ainsi proposé permet de contrôler le rapport IT2/Ipix par le choix des rapports géométriques entre le transistor Tl et le transistor T2. La géométrie du transistor T2 conditionne aussi la géométrie de la capacité d'intégration Ci. Ce dispositif offre aussi la liberté de disposer d'un choix de plusieurs transistors T2 de géométries différentes installés en parallèle dans le circuit. Le choix du transistor à utiliser se fait alors en fonction du type d'écran à piloter (donc du Ipix attendu) en connectant les drains communs de la famille choisis à l'alimentation Vpoi. Cette connexion se fait à l'extérieur du circuit lors de sa mise en #uvre sur un type d'écran donné.
REFERENCES [1] "Ecrans fluorescents à micropointes" de R. Baptist (L'onde électrique, novembre-décembre 1991, volume 71, n 6, pages 36-42).
[2] "Flat panel displays based on surface conduction électron emitters" de K. Sakai et al. (Proceedings of the 16th international display research conference, ref.18.3L., pages 569-572).
[3] "Carbon nanotube FED éléments" de S. Uemura et al.
(SID 1998 Digest, pages 1052-1055).
[4] "Récent progress in field emitter array development for high performance applications" de Dorota Temple (Materials science & engineering, vol. R24, n 5, Janvier 1999, pages 185-239).
[5] "Microtips displays adressing" de T. Leroux et al.
(SID 91 Digest, pages 437-439).
[6] FR 2632436.
[7] US 5359256.
DISPOSITIF MAGNETIQUE A JONCTION TUNNEL MAGNETIQUE, MEMOIRE ET PROCEDES D'ECRITURE ET DE LECTURE UTILISANT CE DISPOSITIF DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un dispositif magnétique à jonction tunnel ainsi qu'une mémoire utilisant ce dispositif.
L'invention concerne aussi un procédé d'écriture thermomagnétique dans ce dispositif ainsi qu'un procédé de lecture du dispositif.
L'invention trouve une application en électronique et notamment dans la réalisation de points mémoires et de mémoires de type MRAM ("Magnetic Random Access Memory"ou mémoire magnétique à accès direct (ou aléatoire)).
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les mémoires magnétiques MRAM ont connu un regain d'intérêt avec la mise au point de jonctions tunnel magnétiques (en abrégé MTJ pour"Magnetic Tunnel Junction") présentant une forte magnétorésistance à température ambiante.
Au sujet des mémoires magnétiques utilisant des jonctions tunnel magnétiques, on consultera par exemple les documents suivants : [1] US 5 640 343 A (Gallagher et al.) [2] S. S. P. Parkin et al., J. Appl. Phys., vol. 85 n08, 1999, pp. 5828-5833.
Les figures 1A et 1B annexées illustrent schématiquement la structure et la fonction d'une jonction tunnel magnétique connue.
Les dérivés de cellulose quaternisée sont en particulier, - les celluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci, - les hydroxyéthylcelluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci.
On peut indiquer comme exemples d'alkylhydroxyéthyl-celluloses quaternisées à chaînes grasses en C8-C30, les produits QUATRISOFT LM 200#, QUATRISOFT LM-X 529-18- A@, QUATRISOFT LM-X 529-18B@ (alkyle en C12) et QUATRISOFT LM-X 529-8 (alkyle en C,8) commercialisés par la société AMERCHOL et les produits CRODACEL QM#, CRODACEL QL# (alkyle en C12) et CRODACEL QS# (alkyle en C18) commercialisés par la société CRODA.
1) au moins un monomère de formule (la) ou (Ib): dans lesquelles, R1 et R2, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, R3, R4 et R5, identiques ou différents, représente un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 30 atomes de carbone, Z représente un groupe NH ou un atome d'oxygène, n est un nombre entier de 2 à 5, A- est un anion issu d'un acide organique ou minéral, tel qu'un anion méthosulfate ou un halogénure tel que chlorure ou bromure; 2) au moins un monomère de formule (II) dans laquelle, R6 et R7, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle; et 3) au moins un monomère de formule (III) : dans laquelle R6 et R7, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, X désigne un atome d'oxygène ou d'azote et Rg désigne un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 30 atomes de carbone ; l'un au moins des monomères de formule (la), (lb) ou (III) comportant au moins une chaîne grasse.
De plus, la vitamine E, également connue sous le nom d'acétate de tocophérol, utilisable dans la composition selon l'invention prévient du vieillissement cutané. En effet, cette vitamine est un anti-oxydant naturel qui protège la peau des effets nocifs des radicaux libres produits notamment par les rayons UVB en bloquant la péroxydation lipidique. Elle améliore également l'élasticité cutanée et la capacité de la peau à retenir l'eau ce qui entraîne une diminution des rides et de l'aspect rêche.
Les compositions selon l'invention peuvent se présenter sous toute forme connue de l'homme du métier dans le domaine de la cosmétologie et de la dermatologie sans autre restriction galénique que l'application sur le visage et sur le corps. De façon avantageuse, les compositions selon l'invention se présentent sous la forme d'un gel, d'une lotion, d'une crème, d'une émulsion, d'un lait, d'un spray, etc....
La présente invention concerne également l'utilisation cosmétique d'un extrait de Bocoa prouacensis
pour lutter contre le vieillissement cutané et l'utilisation d'un extrait de Bocoa prouacensis pour la préparation d'une composition cosmétique ou dermatologique pour le soin de la peau. L'activité anti-radicalaire de l'extrait de Bocoa prouacensis permet son utilisation ou l'utilisation d'une composition le contenant pour lutter contre le vieillissement actinique. L'activité anticollagénase de l'extrait de Bocoa prouacensis permet son utilisation ou l'utilisation d'une composition le contenant pour lutter contre le vieillissement intrinsèque.
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture des exemples qui suivent concernant l'activité anti-radicalaire et anticollagénase de l'extrait hydroglycolique de Bocoa prouacensis et quelques exemples de formulation qui sont donnés à titre illustratif et ne sauraient être interprétés comme limitant la portée de l'invention.
I. Préparation et caractéristiques de l'extrait.
L'extrait hydrosoluble de Bocoa prouacensis mis en oeuvre dans les compositions de l'invention peut être obtenu de la façon suivante : i) Solubilisation dans un milieu eau/alcool.
De préférence eau (75%)/alcool (25%). ii) Traitement thermique durant 1 à 4 heures entre 40 et 80 C. iii) Séparation des phases solubles et insolubles par filtration, décantation ou centrifugation. iv) Filtration stérilisante sur membrane 0,45 pm.
Le ratio plante/extrait est de 0,6 à 0,8 l d'actif.
La caractérisation analytique : l'extrait comprend de 800 à 2000 jim/ml polyphénols totaux dont : - flavone (apigénine) 15 à 25%, et - flavonol (kaempférol) 20 à 25%.
Les caractéristiques bactériologiques de l'extrait sont : - Flore mésophile total < 100 germes/g - Aucun germe pathologique présent.
L'extrait est stocké de préférence à 4 C. Il est soluble dans un milieu aqueux et dans l'éthanol (60/40 éthanol/en (v/v)). Il est stable à des températures de plus de 60 C pendant au moins deux heures et est compatible avec un pH inférieur ou égal à 6.
L'extrait n'est pas irritant selon les tests d'irritation de la peau et des yeux. Il n'entraîne pas de réaction de sensibilité ou d'allergie selon le test de Magnusson et Kligman. Il n'est pas phototoxique et non mutagène selon le test d'Ames.
II. Activité anti-radicalaire de l'extrait hydrosoluble de Bocoa prouacensis.
Le DiPhényl picrylhydrazyl hydrate (DPPH ; Sigma D9132) est un radical libre, absorbant dans le violet à 517 nm.
Parmi les caractéristiques phénotypiques du virus VIH dont l'analyse présente un intérêt particulier du point de vue médical, se trouvent celles liées à l'expression des gènes, susceptibles de subir au moins une mutation, situés dans les régions GAG, ENV, ou POL du génome viral, telles que celles ci-dessous énumérées : 1 Infectivité, capacité réplicative et virulence.
d'accéder à la gestion du compte de l'utilisateur par mot de passe et à la gestion de ses crédits de temps.
Si au contraire tout est positif le numéro unique de support CD est introduit en 37.