INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Mode de réalisation 4 Un acier utilisable pour la construction de structures de machines de composition : C : 0,53%, Si : 0,22% ; Mn : 0,75% ; S : 0,05% ; P : 0,02% ; N : 0,017% ; Al : 0,002% et Cr : 0,1% fut fabriqué en traitant 70 tonnes d'acier liquide par les procédés d'élaboration dans un convertisseur, d'affinage secondaire et de coulée continue.
Lorsque l'acier est coulé du convertisseur dans une poche, on ajuste les teneurs en C, Si, Mn, S, P, N et Cr. Après décrassage et ajout de fondants tels que laitiers synthétiques, la poche est envoyée vers le dispositif d'affinage secondaire équipé d'un dispositif de chauffage à arc et d'un moyen poreux pour agitation à gaz. L'acier est chauffé à l'arc et agité au gaz d'argon de façon appropriée, et la composition est ajustée. On ajoute ensuite des fils de ferro-alliages CaSi en sorte d'obtenir une valeur déterminée de Ca, puis on agite pendant 2 min et termine l'affinage secondaire. Les conditions d'agitation du bain d'acier par injection de gaz et d'ajout de Ca sont regroupées dans le tableau 9
On peut également utiliser des systèmes de culture en lots (batch), qui sont fréquemment utilisés pour les cultures de cellules eucaryotes, du fait de leur plus grande simplicité de mise en oeuvre à l'échelle industrielle
(VOGEL et TODARO, Fermentation and Biochemical Engineering Handbook, 2nd edition, Noyes Publication, Westwood, New Jersey, U. S. A., 1997). Les densités cellulaires obtenues avec ces systèmes sont généralement comprises entre 106 et 5 x 106 cellules/ml.
Des systèmes de culture en continu de type perfusés, avec ou sans rétention cellulaire peuvent également être utilisés (VELEZ et al., J. Immunol. Methods, 102 (2), 275-278,1987 ; CHAUBARD et al., Gen. Eng. News, 20,18-48, 2000). Dans le cadre de la présente invention on peut notamment utiliser des systèmes de culture perfusés permettant la rétention des cellules à l'intérieur du réacteur, et aboutissant à une croissance et une production supérieures à celles pouvant être obtenues en batch. La rétention peut être effectuée par l'intermédiaire de systèmes de rétention de type filtre tournant (spin-filter), fibres creuses, ou matrice solide (WANG et al., Cytotechnology, 9, 41-49,1992 ; VELEZ et al., J. Immunol. Methods, 102 (2), 275- 278,1987). Les densités cellulaires obtenues sont généralement comprises entre 107 et 5 x 107 cellules/ml. La culture en bio-réacteurs permet, par l'utilisation de capteurs de mesure en ligne, un meilleur contrôle des paramètres physico-chimiques de la croissance cellulaire : pH, p02, Red/Ox, substrats de croissance tels que vitamines, acides aminés, substrats carbonés (par exemple glucose, fructose, galactose), métabolites tels que lactate ou ammoniaque, etc.
Après 3 à 14 jours de culture, de préférence après 3 à 5 jours, les cellules sont récoltées et séparées du milieu de culture, généralement par centrifugation ou filtration.
Différents systèmes de centrifugation peuvent être utilisés, on citera par exemple ceux décrits par VOGEL et TODARO (Fermentation and Biochemical Engineering Handbook, 2nd Edition, Noyes Publication, Westwood, New Jersey, U. S. A.).
Alternativement, ou en combinaison avec la centrifugation, on peut effectuer la séparation par
microfiltration tangentielle, à l'aide de membranes dont la porosité est inférieure au diamètre moyen des cellules (5 à 20 j-tm) tout en permettant le passage des autres composés en solution/suspension. La vitesse du flux tangentiel et la pression appliquée sur la membrane sera choisie de façon à générer peu de force de cisaillement (nombre de Reynolds inférieur à 5000 sec-l) afin de réduire le colmatage des membranes et préserver l'intégrité des cellules pendant l'opération de séparation.
Différentes membranes peuvent être utilisées, par exemple, des membranes spirales (AMICON, MILLIPORE), des membranes planes ou des fibres creuses (AMICON, MILLIPORE, SARTORIUS, PALL, GF).
On peut aussi choisir des membranes dont la porosité, la charge ou le greffage permettent d'effectuer une séparation et une première purification vis-à-vis d'éventuels contaminants pouvant être présents dans le milieu de culture, tels que protéines cellulaires, ADN, virus, ou autres macromolécules.
L'utilisation de membranes de porosité plus réduite peut aussi être envisagée dans le cas où l'héparine a été libérée du contenu intracellulaire, par dégranulation ou lyse de tout ou partie des mastocytes, et est présente dans le milieu de culture au moment de l'étape de séparation. Dans ce cas, la séparation des cellules est combinée à une étape ultrafiltration sur une ou plusieurs membranes dont l'agencement et la porosité permet de concentrer l'héparine et de la séparer des autres espèces présentes dans le milieu, en fonction de la taille et du poids moléculaire, et éventuellement de la charge électrique, ou des propriétés biologiques.
Dans le cadre de ce mode de mise en oeuvre, le seuil de coupure des membranes est de préférence compris entre 1000 et 5 Kda. On peut utiliser des systèmes de membranes similaires à ceux employés pour la microfiltration, par exemple, membranes spirales, membranes planes, ou fibres creuses. On peut avantageusement utiliser des membranes permettant d'effectuer une séparation et une
purification de l'héparine, du fait de leurs propriétés de charge, ou du greffage de ligands présentant une affinité pour l'héparine (par exemple anticorps, ATIII, lectine).
Toutefois, on préférera généralement utiliser des méthodes de production et de récolte des cellules permettant de conserver l'héparine dans le contenu intracellulaire.
Dans ce cas, la récupération de l'héparine à partir des mastocytes se fait après dégranulation ou lyse des cellules.
La dégranulation peut être provoquée par la fixation de ligands spécifiques sur les récepteurs présents à la surface des mastocytes, par exemple la fixation d'agents de type allergène (tels que fragment Fc des IgE ou analogues de ce fragment) sur les récepteurs IgE des mastocytes.
La lyse des mastocytes, peut être induite, par exemple, par choc osmotique en utilisant des solutions hypotoniques ou hypertoniques, par choc thermique (congélation/décongélation), par choc mécanique (par exemple sonication ou variation de pression), par action d'agents chimiques (NaOH, THESIT NP40, TWEEN 20tu, BRIJ-58, TRITON XTM-1OO,...), ou par lyse enzymatique (papaïne, trypsine,...), ou par combinaison de deux ou plusieurs de ces méthodes.
Nous remplaçons ici les signaux temporels par leurs transformées de Fourier :
Les signaux reçus Xm (f) sont d'abord retardés pour donner les signaux Ym (f) qui sont ensuite filtrés pour donner les signaux Zm (f) ; ces derniers sont alors sommés pour donner la sortie S (f) :
Nous pouvons condenser ces expressions dans l'expression suivante :
Les retards numériques peuvent être fixés arbitrairement. Une réalisation efficace consiste à les choisir comme la partie entière du quotient du retard (par rapport au capteur de référence, pour la direction de référence) sur la période d'échantillonnage Optimisation des filtres La procédure d'optimisation des filtres que nous présentons ici se décompose en plusieurs phases : - identification des réponses du canal acoustique entre une source visée et les capteurs - optimisation dans le domaine des fréquences des paramètres des filtres, garantissant une réponse donnée pour la source visée, minimisant l'énergie du diagramme de directivité hors du lobe principal, sous deux contraintes d'inégalité, l'une sur le diagramme de directivité sous le lobe, l'autre sur le gain en bruit propre des capteurs
- optimisation dans le domaine temporel des coefficients du filtre approchant au mieux les réponses en fréquence trouvées à l'étape précédente.
Ces étapes sont détaillées ci-dess6us.
Caractérisation acoustique Pour l'optimisation, il est nécessaire d'identifier un certain nombre de réponses impulsionnelles de canaux acoustiques. Une technique possible consiste à placer un hautparleur à l'endroit de la source, émettre une séquence binaire pseudo-aléatoire, recueillir le signal sur le capteur, calculer l'intercorrélation entre la séquence binaire pseudoaléatoire et le signal recueilli. L'intercorrélation constitue alors une mesure de la réponse impulsionnelle cherchée.
CRITERE D'OPTIMISATION EN FREQUENCE L'optimisation des filtres se fait à partir d'un ensemble de directions : - la direction de la source visée, les directions des sources qui se situent à l'intérieur d'un voisinage, ce sont les directions qui définissent le lobe principal du diagramme de directivité ; - les directions des sources à rejeter, (il importe que le cardinal de cet ensemble soit supérieur au nombre de capteurs).
Si une source se trouve dans une des directions du voisinage, elle sera reçue avec un gain voisin de 1 (en général légèrement inférieur à 1). Si une source se trouve dans une des directions à rejeter, elle sera traitée de manière à avoir un gain très faible.
Nous définissons également une fréquence de référence ; en dessous de cette fréquence, l'optimisation se fera sans contraintes sur l'ensemble de voisinage, alors qu'au dessus de cette fréquence, nous introduirons une contrainte supplémentaire sur les directions des sources à rejeter.
Contrainte dans la direction de visée
L'optimisation des filtres se fait sous la contrainte que le diagramme de directivité ait pour valeur 1 dans la direction de la source visée.
MINIMISATION DES LOBES SECONDAIRES Notre critère d'optimisation des filtres repose sur l'élimination des signaux qui se situent en dehors de la zone de l'espace où se situera le lobe principal du réseau. Cette zone est définie a priori. Elle sera fonction des spécifications de l'application. Pour rejeter au maximum les sources qui se situent dans ces directions, nous minimisons la somme des carrés des amplitudes du diagramme de directivité dans ces directions.
CONTRAINTES DANS LE LOBE PRINCIPAL Pour l'ensemble des directions se situant dans le lobe principal, lorsque la fréquence se situe au-dessus de la fréquence de référence, nous imposerons un ensemble de contraintes d'inégalités.
L'objet de ces contraintes est de permettre au diagramme de directivité de garder une forme constante pour toutes les fréquences au-dessus de la fréquence de référence.
Sans cette contrainte, la minimisation du critère J conduirait à des valeurs du diagramme de directivité qui seraient supérieures à 1 pour les directions dans la région.
La perceuse (12) est tenue, bien bridée, faisant corps avec leguide (2), elle ne doit pas vibrer. (2vis de 10).
Les colonnes (3) sont très précises, le guidage est assuré par quatre bagues en rilsan ajustées au centième de millimètre près, donc pas d'usure.
L'immobilisation sérieuse, est assurée par un système d'arc-boute ment (6), La fraise (13), ne doit pas descendre entre chaque passe, elle doit bien rester parallèle au plan de référence, ce qui assure un usinage précis et régulier.
En somme, en regardant bien mon invention, c'est la toupie du menuisier, mais à l'envers, elle est Portative, Pratique, Efficace, Esthétique, Economique, c'est une machine à bois pour le bois.
Pour respecter les normes de sécurité en vigueur sur toutes les machines outils, nouvelles norme 2000. L'outil doit être enveloppe par un capot, toute partie mobile est protégée. C'est pourquoi jlàt z étudié ce système qui protège l'utilisateur et les roulements des fraises. (Rep 18).
L'adaptation est rapide au montage et démontage de la fraise.
Nota : Pas de clé ou d'outillage spéciaux pour l'utilisation de cette INVENTION.
Cette machine, telle qu'elle est concue, présente entre la semelle et le guide 2, une grande ouverture, comme une mâchoire entre les pièces 1.2. 3, les colonnes, repère sur le plan.
Cequi permet à la fraise 13d'approcher la pièce à travaillerfacilement, radialement. C'est l'originalité de cette conception.
Avec cet espace vide devant, rien ne gène l'approche de l'outil, et de plus la visibilité pour travailler est maximale (T. G. V) * L'usinage consiste spécialement à travailler le profil de la pièce le dessus et les chants. L'inclinaison de celle-ci permet de réaliser des angles, suivant modèle. 1 L Fraise 13 13 ridage Pièce Cale Pla n de travail Il Piece Cale travail Le guide (2) est suffisamment long et solide pour tenir la perceuse ou le moteur broche adapté et calé.
Attention à la partie fragilisée par le passage des colonnes (3) pour tenir la force d'arrachement des leviers.
Le guide (2) se déplace verticalement sous l'action de rotation du pommeau (5) en glissant avec précision sur ces deux colonnes, 0 38 rep (3). Le mouvement est glissant juste.
Il est arrêté, immobilisé energiquement par une gachette à arcboutement (6) entre deux réglages ce qui garantit la régularité de l'usinage. Repérage isostatique complet (5 ldegré).
POUR POSITIONNER LA MACHINE EN HAUT : a) Dévisser le pommeau. b) Desserrer les freins. c) Action du ressort, le guide monte seul. d) Jouer avec la commande (e) # T. G. V= très grande visibilité.
On peut envisager équiper cette profileuse d'un micro-moteur, thermique silencieux pour usiner les poutres sur chantier.
1 Professionnalisêe cette machine pourra être au'service de l'artisanal (ébéniste, menuisier etc) :..
La figure 14 qui correspond à une légère variante de réalisation du dispositif montre la borne de drain 94, la borne de source 96 et deux bornes de grille 92a et 92b. Les deux bornes de grille correspondent aux deux parties de grille de part et d'autre du canal. On peut également observer que la borne de drain 94 n'est pas nécessairement au-dessus du drain ou de la colonnette, mais peut être latéralement décalée. Enfin, les bornes de grille 92a et 92b ne sont
pas formées sur les parties filiformes des grilles mais en leurs extrémités élargies.
Les figures 15 et suivantes décrites ci-après illustrent une autre possibilité de fabrication d'un transistor conforme à l'invention, c'est-à-dire d'un transistor à canal vertical et à blocage de coulomb.
Les étapes de fabrication illustrées par les figures 15, 16 et 17 sont identiques à celles déjà décrites en référence aux figures 1 à 3. On peut ainsi se reporter à la description qui précède.
La figure 18, correspond à la figure 4. Elle illustre une première gravure de l'empilement de couches avec arrêt sur la couche d'isolant tunnel 20.
Toutefois la première gravure n'est pas une gravure ultime dans le procédé illustré par la figure 18. On observe que la fine languette de l'empilement de la figure 4 se trouve être une bande 31 plus large sur la figure 18. La bande 18 présente une largeur comprise, par exemple, entre 100 et 300 nm. Ses extrémités, tout comme les extrémités de la languette de la figure 4 sont élargies. La partie superficielle de la bande 31, après l'élimination d'un masque de gravure non représenté, est formée par la couche de gabarit 24.
La figure 19 montre l'enrobage de l'empilement mis en forme après la première gravure. On observe la mise en place d'une couche d'enrobage 40 d'un matériau isolant électrique et la formation d'un second masque de gravure 42. Ce second masque, est également plus large que le second masque décrit en référence à la figure 5. Sa largeur est du même ordre de grandeur que celle de la bande 31 formée dans l'empilement.
Une deuxième gravure, qui n'est pas une gravure ultime, permet de former une colonne 51 dont l'emplacement correspond à l'intersection du second masque avec la bande 31. A l'exception de ses dimensions la colonne 51 est tout à fait comparable à la colonnette 50 décrite en référence aux figures 6 et 7.
La figure 20 qui est une coupe schématique d'une partie centrale du dispositif de la figure 19, montre, à plus grande échelle, la colonne 51. La colonne 51 comporte un empilement alterné 22 de couches isolantes 22i et conductrices 22c et la couche de gabarit 24. La couche d'isolant 22i qui se trouve juste sous la couche de gabarit est une couche sacrificielle qui peut éventuellement être remplacée dans la suite du procédé par une nouvelle couche d'isolant tunnel.
La référence 52 désigne toujours une gorge qui s'étend de part et d'autre de la colonne 51.
La figure 21 illustre le dépôt d'une couche d'isolant de grille 62 qui recouvre de façon conforme la colonne 51 et la couche d'isolant tunnel 20 au fond des gorges. Il s'agit, par exemple d'une couche d'oxyde de silicium avec une épaisseur de l'ordre de 8 nm. Tout comme la couche d'isolant de grille 62 visible sur la figure 7, elle permet de parer à un éventuel défaut ou une sur-gravure de la couche d'isolant tunnel 20.
Le dépôt de la couche d'isolant de grille 62 est poursuivi par celui d'un ou plusieurs matériaux de grille. Dans l'exemple de la figure 22, une couche 66 de nitrure de titane, de silicium polycristallin ou d'un autre matériau de grille de type Midgap , N+ ou
P+ est déposée. A l'instar du procédé décrit en référence à la figure 7, deux ou plusieurs couches conductrices ou semi-conductrices peuvent également former la grille 60.
Comme le montre la figure 22, l'épaisseur totale des couches déposées pour la formation de grilles isolées est suffisante pour entièrement combler la gorge 52.
Un planage, opéré, par exemple, par polissage mécano-chimique, est prévu pour conférer à la structure une surface supérieure plane à laquelle affleure la couche de gabarit 24 en nitrure de silicium. Celle-ci se situe au sommet de la colonne 51. La couche de gabarit, de même que d'éventuels tampons d'arrêt non représentés, servent d'arrêt de planage, de sorte que la couche d'isolant de grille soit éliminée au-dessus de la couche de gabarit.
La figure 24 montre la formation d'une couche superficielle 68 d'isolation électrique à la surface des grilles 60. Celle-ci peut être formée simplement par oxydation superficielle du matériau des grilles.
Rdt=99% Rt=0, 28 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN *H (CDCt3), S (ppm) : 1, 79 (s, 6H, H-5 et H-6) ; 5, 79 (dd, JI-2 16, 8 Hz, Ji-P 17, 3 Hz, 1H, H-1) ; 5, 85 (d, J3-2 11, 0 Hz, 1H, H-3) ; 7, 08 (ddd, J2-P 19, 4 Hz, 1H, H-2).
RMN 31P(CDCl3), #(ppm) : 23, 2.
RMN 13C(CDCl3), #(ppm) : 17, 45 (1C, C-6), 27,84 (1C, C-5), 115,97 (d, JI-p 192, 5 Hz, 1C, C-1), 125,39 (d, J3-P 26,7 Hz, 1C, C-3), 142,50 (d, J2-P 6,4 Hz, 1C, C-2), 145, 67 (lC, C-4).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 163 [M+Ht ; 185 [M+Nat.
- Exemple 41 : Acide (E, E) -4, 8-diméthylnona-1, 3, 7-triénylphosphonique (33) :
Rdt=85% Rt=0, 45 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (CDCt3), 8 (ppm) : 1, 63 (s, 3H, CH3) ; 1, 71 (s, 3H, CH3) ; 1, 86 (s, 3H, CH3) ; 1, 92-2, 16 (m, 4H, H-5 et H-6) ; 5, 0-5, 15 (m, IH, H-7) ; 5, 66 (dd, 1-2 17, 9 Hz, 1p 18, 5 Hz, lH, H-l) ; 5, 8-5, 95 (m, lH, H-3) ; 7, 10-7, 40 (m, lH, H-2) ; 9, 87 (s, 2H, POH).
RMN 31p (CDCh), (ppm) : 23, 4.
RMN 13C (CDCh), (ppm) : 17, 87-18, 24 (2C, C-10 et C-ll) ; 26, 18 (1C, C-9) ; 26, 72 (1C, C-6) ; 40, 63 (1C, C-5) ; 118, 37 (d, J, -p 192, 6 Hz, 1C, C-1) ; 123, 85 (1C, C- 7) ; 124, 79 (d, J3-p 26, 9 Hz, 1C, C-3) ; 132, 61 (1C, C-8) ; 141, 59 (d, J2-P 6, 3 Hz, 1C, C- 2) ; 148, 37 (1C, C-4).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 231 [M+Ht ; 253 [M+Nat ; - Exemple 42 : Acide (E)-buta-1, 3-diénylphosphonique (34) :
Rdt=85% Rt=0, 4 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (CDCt3), 8 (ppm) : 5, 44 (d, J4-3 10, 0 Hz, IH, H-4) ; 5, 96 (dd, JI-p 18, 7 Hz, JI-2 17, 0 Hz, IH, H-l) ; 6, 52 (ddd, J3-2 10, 5 Hz, J3-4 10, 0 Hz, J3-4'16, 9 Hz, IH, H- 3) ; 6, 98 (ddd, J2-P 20, 8 Hz, H-2) ; 10, 31 (s, 2H, POH).
RMN 3lp (CDCh), (ppm) : 19, 2 RMN 13C (CDCb), 5 (ppm) : 122, 14 (d, Jl-P 190, 9 Hz, lC, C-l) ; 123, 77 (lC, C- 4) ; 136, 74 (d, J3-P 27, 0 Hz, lC, C-3) ; 146, 01 (d, J2-P 5, 4 Hz, 1C, C-2).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 135 [M+Ht.
- Exemple 43 : Acide (E, E)-penta-1, 3-diénylphosphonique (35) :
Rdt=90% Rt=0, 38 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (Acétone d6), S (ppm) : 1,83 (d, J5-4 6, 0 Hz, 3H, H-5) ; 5,75 (dd, J1-P 18,9 Hz, Jt. 2 16,9 Hz, 1H, H-l) ; 6,08-6, 25 (m, 2H, H-3 et H-4) ; 6,96 (ddd, J2-p 21,1 Hz, JZ-1 16, 86 Hz, J2-3 9, 7 Hz, 1H, H-2) ; 10, 15 (s, 2H, POH).
RMN up (Acétone de), 8 (ppm) : 20, 4.
RMN 13C (Acétone d6), û (ppm) : 17, 94 (1C, C-5) ; 118, 41 (d, Ji-p 192, 9 Hz, 1C, C-l) ; 131, 49 (d, J3-p 26, 8 Hz, 1C, C-3) ; 137, 41 (1C, C-4) ; 146, 20 (d,./2-p 5, 7 Hz, 1C, C-2).
On cherche actuellement à mettre eh oeuvre une modulation multiporteuse appelée OFDM (de l'anglais"Orthogonal Frequency Multiplexing"). Cette technique de modulation a été retenue pour la norme européenne sur les systèmes de diffusion audionumérique (systèmes DAB, de l'anglais"Digital Audio Broadcasting"). Elle consiste à répartir les données à transmettre sur un ensemble de sous-porteuses ("subcarriers"en anglais) émises en parallèle dans le signal radio. Il en résulte un effet d'évanouissement plat vis-à-vis de chaque sous-porteuse car la largeur de bande de chaque sous-porteuse est inférieure à la bande de cohérence. En outre, il en résulte une réduction de la sensibilité de la transmission vis-à-vis du phénomène de trajets multiples.
Néanmoins, la technique OFDM présente certaines contraintes dans les applications du type de celles envisagées plus haut, dans lesquelles l'efficacité spectrale de la transmission est une caractéristique clé.
En effet, le signal à transmettre est construit sur un réseau tempsfréquence (aussi appelé"lattice"en anglais). Le signal est struturé en trame qui sont transmises successivement à travers le canal de transmission. Chaque trame comprend un nombre M de sous-porteuses adjacentes à l'intérieur d'un canal de largeur spectrale déterminée, chacune de ces sous-porteuses étant divisée en N intervalles de temps, appelés temps symboles. La durée d'un temps symbole correspond à la durée de transmission d'un symbole. Une trame du signal comprend donc MxN symboles. On rappelle qu'un symbole correspond à un nombre déterminé de bits d'information, par exemple huit bits, qui prend une valeur déterminée dans un alphabet ad-hoc.
Or, il est nécessaire d'introduire des symboles pilotes dans la trame afin de permettre la poursuite du canal de transmission ("Channel Tracking", en anglais) par le récepteur. On rappelle qu'un symbole pilote est un symbole introduit dans la trame par l'émetteur, à un emplacement et avec une valeur qui sont connus du récepteur. La poursuite de canal est réalisée par une séquence d'étapes mises en oeuvre par le récepteur avant la démodulation du signal reçu proprement dite. Cette séquence d'étapes comprend, d'une part, l'estimation de la valeur du canal (c'est-à-dire la valeur de l'amplitude et de la phase du canal) pour les symboles pilotes de la trame, qui produit des valeurs du canal estimées pour tous les symboles pilotes de la trame. Elle comprend d'autre part une interpolation de la valeur du canal pour les autres symboles de la trame, qui produits MxN valeurs du canal interpolées pour tous les symboles de la trame. Selon une méthode d'interpolation habituelle, les valeurs du canal interpolées pour les symboles pilotes de la trame correspondent aux valeurs du canal estimées pour ces symboles (dit autrement, l'étape d'interpolation conserve, pour les symboles pilotes, les valeurs produites par l'étape d'estimation).
La poursuite du canal a pour but d'estimer les perturbations subies par les symboles lors de la transmission de la trame à travers le canal de transmission, qui résultent notamment des deux phénomènes précités
d'évanouissement et de trajets multiples. On génère ainsi une matrice de valeurs interpolées, qui est une matrice MxN, qui est utilisée pour la démodulation proprement dite de la trame reçue.
La présence des symboles pilotes dans la trame génère un surdébit ("overhead"en anglais), qui pénalise le débit utile de la transmission (généralement exprimé en nombre de symboles par seconde).
Dans l'état de la technique, la poursuite du canal est réalisée sousporteuse par sous-porteuse. A cet effet, chaque sous-porteuse contient des symboles pilotes, et une interpolation temporelle est effectuée pour chaque sous-porteuse à partir des valeurs du canal estimées à partir des symboles pilotes qu'elle contient.
L'objet de la présente invention est de proposer une alternative à cet état de la technique, qui permette dans certains cas de limiter le surdébit de la transmission résultant des symboles pilotes.