INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un ou plusieurs rouleaux utilisant les particularités de l'invention pouvant être mis en place. (Fig. 2 et 3 rep 1).
Le rouleau Fig. 1 rep 1est constitué d'un mandrin recouvert d'un élastomère nitrile Fig. 1 rep 2 sur cet élastomère nitrile de 20 a 25 0 shore (sous couche) un autre élastomère nitrile de 40 0 shore épaisseur 2 mm dans lequel on incorpore 10% environ de fibre hydrophile coton par exemple . L'élastomère Fig. 1 rep 2 et 3 peut être remplacé par un matériau dont on utilisera les fonctions élastique d'une épaisseur suffisante et ayant une résistance suffisante aux produits transportés et aux produits de nettoyage des rouleaux.
Dans cet élastomère fig. 1 rep 3 la réserve de liquide retenue en surface du rouleau est faite par les fibres incorporées dans l'élastomère, une rectification du rouleau (usinage) est impérativement préconisée après la réalisation du garnissage afin que les fibres apparaissent à la surface du rouleau et créent une absorption de liquide par capillarité. Les fibres assurent le maintien du liquide en périphérie du rouleau sous la forme d'un film sans surplus d'eau de mouillage même avec une usure importante. Le film de mouillage laminaire et régulier est obtenu par la réserve d'eau de mouillage absorbé par capillarité et son transport sur la plaque offset Fig. 2 et 3 rep A. La pression de contact entre le rouleau Fig. 1 et la plaque Fig. 2 et 1 rep A permet de réguler le liquide en plus ou en moins par la retenue capillaire le liquide.
Cette pression de contact alliée à l'élasticité de l'élastomère complète la stabilisation de cette régulation.
Afin d'obtenir plus ou moins de souplesse on peu établir une sous couche d'une dureté différente de la dureté de l'élastomère avec fibre.
Bien que l'on représente et décrit ce que l'on considère être les modes de réalisation préférés de la présente invention, il est évident que l'homme de l'art pourra y apporter différents changements et modifications sans sortir du cadre de la présente invention.
Comme on le comprendra aisément, d'autres applications peuvent être envisagées pour des rouleaux conformes à l'invention. Par exemple le lavage de volumes de verre (pare brise ; vitrages immobiliers) de feuilles de planches en plastique ou même des traitements de surface pour une application de produits particuliers. Sur des rotative offset encrage court Fig. 4 avec racleur rep C les fibres du rouleau rep 1 tout en créant une réserve d'encre évite au racleur de causer un échauffement du garnissage caoutchouc. Le report de liquide encre se faisant du rep A vers le rep B.
L'invention Fig. 1 peut se mettre en lieu et place des rouleaux Fig.
2-3-4 rep 1 sur les machines offset ainsi que sur les encrages courts avec ou sans racleur ce dernier étant remplacé par un autre système offrant les mêmes propriétés.
DISPOSITIF D'EXTRACTION DE GAZ A EFFICACITE AMELIOREE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention est relative à un dispositif d'extraction de gaz d'une enceinte. Ce dispositif d'extraction de gaz est utilisable dans tous les domaines où des machines génèrent des gaz toxiques et nécessitent une évacuation de ces gaz, en particulier, dans le domaine de la microélectronique, pour extraire des gaz nocifs d'une enceinte telle la chambre d'un réacteur par exemple, lorsqu'on effectue des étapes de dépôt de type CVD (abréviation anglosaxonne de Chemical Vapor Deposition pour dépôt en phase vapeur) ou de gravure par plasma sur une plaquette de matériau semi-conducteur.
Dans ce domaine, lorsqu'on veut déposer un matériau sur une telle plaquette par CVD ou la graver par plasma, on place cette dernière dans l'enceinte du réacteur et on y introduit un ou plusieurs gaz. Cette opération de gravure ou de dépôt se fait généralement à une pression différente de la pression atmosphérique et à chaud. Les gaz introduits interagissent entre eux et/ou avec la plaquette de matériau semi-conducteur et/ou avec des matériaux présents dans l'enceinte et forment de nouveaux composés volatils. Les matériaux présents dans l'enceinte peuvent être par exemple ceux constitutifs des porte-échantillons qui reçoivent les plaquettes. L'enceinte est par exemple formée d'un tube en quartz ou en acier inoxydable. Les matériaux qui interagissent avec les gaz introduits peuvent être du
graphite, du silicium, de l'oxyde de silicium, du carbure de silicium, du quartz, de l'acier inoxydable par exemple.
Pour récupérer les plaquettes ainsi traitées, il faut remettre l'enceinte à la pression atmosphérique et l'ouvrir. Les composés chimiques volatils qui se sont créés s'échappent et l'opérateur qui effectue la manipulation est directement exposé à ces rejets, Ces gaz rejetés peuvent être très toxiques comme l'hydrure de soufre H2S ou la phosphine PH3 et provoquer des nausées, des maux de tête ou des lésions plus sévères.
Des concentrations en phosphine en sortie de l'enceinte allant jusqu'à 1 ppm peuvent être mesurées environ une minute après l'ouverture de l'enceinte suivant une étape de 5 heures de dépôt de carbure de silicium SiC sur une plaquette de matériau semi-conducteur recouverte de carbure de silicium SiC. La valeur limite autorisée sur 8 heures pour un individu n'est que de 0,3 ppm.
Lors de la maintenance de l'enceinte ou de son nettoyage qui se fait porte ouverte en frottant ses parois avec un chiffon fixé sur un écouvillon, des gaz nocifs peuvent également être rejetés dans l'atmosphère. Le chiffon peut être imbibé d'un liquide tel que de l'alcool, du trichloréthylène, de l'acétone. Pour enlever des particules de carbure de silicium, de l'alcool serait employé.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE En vue de protéger les opérateurs intervenant dans ce type d'activité et de réduire la
Dans les cas (1) et (2) ci-dessus, on réalise alors des dépôts magnétiques sur plusieurs flancs du plot, ce qui augmente la densité d'information.
Ceci est schématiquement illustré en vue de dessus sur la figure 4 où l'on voit un plot 2 dont un flanc est pourvu du dépôt magnétique 4 et dont les autres flancs sont respectivement pourvus de dépôts magnétiques 26,28 et 30.
8) On induit un axe facile d'anisotropie magnétique dans le dépôt vertical 14 sur le flanc de chacun des plots, cet axe pouvant être dirigé soit parallèlement au plan du réseau de plots, c'est-à-dire suivant l'axe y, soit perpendiculairement à ce plan c'est-à-dire suivant l'axe z.
Ceci peut être réalisé soit en formant le dépôt de matériau magnétique sur les plots en présence
d'un champ magnétique extérieur orienté suivant l'un des axes y et z, soit en effectuant après ce dépôt un traitement thermique en présence d'un tel champ magnétique.
Si l'on utilise des plots à section transversale circulaire ou elliptique (section perpendiculaire à l'axe z), une anisotropie magnétique perpendiculaire, c'est-à-dire suivant l'axe z, est favorisée par le gradient latéral d'épaisseur résultant de la géométrie de dépôt utilisée.
La figure 3 est une vue schématique de dessus, c'est-à-dire suivant l'axe z, d'un plot 32 à section circulaire. Le dépôt de matériau magnétique formé sur le flanc de ce plot, sous incidence oblique, parallèlement au plan (x, z), a la référence 34.
Un support de stockage d'informations conforme à l'invention pourrait donc comprendre un réseau de plots du genre du plot 32, formés sur un même substrat, le plan du réseau étant le plan (x, y).
9) Si l'axe facile d'anisotropie magnétique est perpendiculaire au plan du réseau de plots, on obtient l'équivalent d'un matériau à anisotropie magnétique perpendiculaire puisque le matériau magnétique à anisotropie planaire (cas du fer, du cobalt, du nickel ou leurs alliages en couches minces) a été déposé sur le flanc des plots, flanc qui est perpendiculaire au plan du réseau.
L'invention présente divers avantages par rapport aux matériaux classiques à anisotropie perpendiculaire, par exemple les alliages ordonnés tels
que CoPt et FePt ou les multicouches telles que Co/Pt et Fe/Pt : - Il est très facile de former le dépôt latéral de matériau magnétique (il s'agit en effet d'une couche unique de matériau magnétique), contrairement à la fabrication d'un alliage ordonné, épitaxié sur un substrat monocristallin, ou d'une multicouche comprenant des couches dont l'épaisseur vaut une fraction de nanomètre. De plus, on peut utiliser tous les matériaux magnétiques à aimantation planaire actuellement employés pour la fabrication de supports de stockage d'informations.
- Ce dépôt de matériau magnétique a une grande stabilité thermique comparativement à celle de multicouches composées de très fines couches de cobalt, nickel, fer, palladium et/ou platine : il ne risque pas de se produire une interdiffusion des éléments, conduisant à la perte des propriétés magnétiques. Cette grande stabilité thermique rend la structure du support objet de l'invention compatible avec les procédés technologiques existants et permet également d'envisager des traitements thermiques sous champ magnétique à haute température afin d'induire un axe d'anisotropie magnétique dans les dépôts formés sur les plots d'un support conforme à l'invention ou de modifier les propriétés magnétiques de ces dépôts.
- L'épaisseur totale du matériau déposé sur un plot peut être beaucoup plus grande que dans le cas des multicouches à aimantation perpendiculaire.
Le signal magnétique engendré par le dépôt magnétique latéral est plus intense que celui qui
est engendré par un alliage ou par une multicouche d'épaisseur totale équivalente car, dans la présente invention, il est possible d'utiliser des alliages magnétiques à forte aimantation, qui ne présentent pas d'anisotropie magnétique perpendiculaire.
Ce signal magnétique dépend beaucoup moins de la taille des plots : pour un dépôt formé sur la surface horizontale d'un plot carré, une réduction d'un facteur 2 de la taille latérale du plot conduit à une réduction d'un facteur 4 du volume magnétique tandis que, pour un dépôt formé sur le flanc de ce plot, ce facteur de réduction est seulement égal à 2.
Il est possible d'insérer une sous-couche 14.3 entre la couche conforme 14.1 et la couche additionnelle 14.2 pour améliorer le contact électrique entre ces deux couches. Sa résistance doit rester acceptable de l'ordre de 50 à 80 Q. cm de façon à ne pas détériorer la résistivité globale de l'empilement de couches. On pourra réaliser la sous-couche 14.3 à base de titane par exemple ou d'aluminium. Cette souscouche est illustrée sur la figure 3.
Dans l'exemple de la figure 2, la couche conforme 14.1 est en contact direct avec l'élément 12 à connecter mais ce n'est pas une obligation, l'élément 12 pourrait être décalé par rapport au fond 17 du trou
16 mais dans ce cas une liaison électrique existerait entre la connexion 14 et l'élément 12.
C'est le cas de la figure 3 sur laquelle l'élément à connecter 12 est implanté dans la couche 13 et le fond 17 du trou bute sur la couche 13 mais pas sur l'élément 12. Toutefois la liaison électrique n'est pas représentée entre la couche conforme 14.1 et l'élément à connecter 12 pour ne pas surcharger la figure.
On va maintenant s'intéresser plus en détails à la figure 3 qui montre un autre exemple de structure 100 selon l'invention. On suppose maintenant que le substrat 11 est réalisé dans un matériau électriquement conducteur qu'il faut isoler électriquement d'une part de la couche 13 portant l'élément 12 à connecter et de la connexion 14. Une première couche diélectrique 20.1 a été représentée entre le substrat 11 et la couche 13.
Une seconde couche diélectrique 20.2 tapisse la paroi 18 du trou, elle borde également l'embouchure 19 du trou 16 du côté de sa face arrière. Quant au fond 17 du trou il bute directement sur la couche 13 au moins en partie. Dans le cas de la figure 3, il y a assemblage de la partie supérieure (13+20.1) et de la partie inférieure (11+20.2).
A cause des incertitudes de positionnement, il faut que la couche 20.1 soit suffisamment large pour ne pas courir le risque d'avoir des surplombs entre 20.1 et 20.2, si 20.1 avait exactement la dimension du trou (surplombs qui ne peuvent pas être couverts même par une couche très conforme).
La couche 20.2 est un dépôt d'isolant sur tout le substrat 11 (toutes ses faces ainsi que les parois des trous) : ceci assure une bonne isolation entre trous et entre les pièces à assembler (13 et 11). Dans la pratique, on utilise des oxydes thermiques du silicium ou, pour 20.1, un oxyde obtenu par dépôt CVD (Chemical Vapor Deposition).
Dans l'absolu, la couche 20.1 n'est pas indispensable. Cependant, dans certains cas (présence de composants sur la face arrière de 13) il est nécessaire de planariser cette face arrière avant l'assemblage avec 11 : la couche 20.1 est alors indispensable pour protéger les composants.
Dans certaines configurations, il est possible de se passer de plot 15, un fil de connexion (non représenté) pourrait être rapporté directement sur la couche additionnelle 14.2. Aucun plot n'a été représenté sur la figure 3.
La figure 4G illustre encore une autre variante d'une structure selon l'invention. Par rapport aux figures précédentes, la connexion 14 (c'est-à-dire la couche additionnelle 14.2) est protégée par une couche de passivation 21 qui la recouvre. Cette couche de passivation 21 s'interrompt pour laisser passer un plot 15 qui vient en contact direct avec la connexion 14 (c'est-à-dire la couche additionnelle 14.2) et qui se trouve sur la face arrière du substrat 11. La couche de passivation 21 est une couche diélectrique, elle peut être réalisée en verre, en silice, en nitrure de silicium par exemple.
Une autre différence se situe au niveau de l'élément 12 à connecter, il s'agit maintenant d'une zone électriquement active de la couche 13 que porte le substrat 11.
Une seule couche d'isolation 20 a été représentée entre le substrat 11 et la couche 13. Elle tapisse les parois 18 du relief 16 et borde son embouchure 19, sur la face arrière de la structure 100.
Le relief 16 en forme de trou peut être réalisé par une étape de gravure par exemple par gravure plasma amisotrope profonde. On peut aussi réaliser une gravure par laser suivie d'une gravure légère par KOH pour enlever les débris (figure 4A) La couche conforme 14.1 peut être déposée sur le relief 16 par exemple par réaction chimique en phase vapeur (connue sous l'abréviation anglo-saxonne CVD) éventuellement assistée par plasma (connue sous l'abréviation anglo-saxonne PECVD) (figure 4B).
L'implantation ionique peut se faire pendant le dépôt ou après. Le motif souhaité pour la couche conforme 14.1 est obtenu, de manière classique en microélectronique, par photogravure (figure 4C).
La couche additionnelle 14.2 peut être déposée sous vide, le matériau à déposer passant en phase vapeur (figure 4D). Cette technique est connue sous la dénomination anglo-saxonne de PVD et englobe l'évaporation, la pulvérisation cathodique. Après le dépôt, le motif à donner à cette couche est obtenu, de manière classique en microélectronique, par photogravure (figure 4E). La couche de passivation 21 peut être réalisée par dépôt en phase vapeur PVD par
Il existe donc un besoin d'améliorer la ténacité des colorations directes ou d'oxydation, en particulier vis à vis des shampooings.
Après d'importantes études sur la question, la demanderesse a découvert de manière tout à fait inattendue et surprenante que l'utilisation, en post traitement sur des fibres kératiniques humaines et plus particulièrement des cheveux, d'une composition comprenant au moins une silicone aminée particulière, permettait de résoudre ce problème.
Cette découverte est à l'origine de la présente invention.
En outre, ce post traitement améliore l'état de la fibre, en particulier dans le cas d'une coloration préalable en présence d'agent oxydant.
La porosité se mesure par la fixation à 37 C et à pH10, en 2 minutes, de la 2-nitro paraphénylènediamine à 0,25% dans un mélange éthanol I tampon pH 10 (rapport volumique 10/90).
Un premier objet de l'invention concerne donc l'utilisation, en post traitement d'une coloration d'oxydation ou d'une coloration directe des fibres kératiniques humaines et plus particulièrement des cheveux, d'une composition comprenant au moins une silicone aminée de formules (1) ou (II) décrites ci-après.
Ladite utilisation a notamment pour objet d'améliorer la ténacité aux shampooings des dites colorations et/ou l'état de la fibre après coloration, notamment dans le cas de coloration avec oxydant. Ce post traitement peut se faire immédiatement après teinture et un éventuel rinçage, ou de manière différée, et de manière unique ou répétitive entre deux colorations.
Un second objet de l'invention concerne un procédé de coloration consistant à appliquer sur les fibres kératiniques humaines et plus particulièrement des cheveux, une composition colorante directe ou d'oxydation pendànt un temps suffisant pour développer la couleur, et de faire suivre cette application, après rinçage ou non rinçage, séchage ou non séchage, par l'application d'une composition comprenant au moins une silicone aminée de formules (1) ou (II).
Silicones aminées Les silicones aminées de formules (1) ou (II) selon l'invention sont les suivantes :
dans laquelle : m et n sont des nombres tels que la somme (n + m) peut varier notamment de 1 à 1 000 et en particulier de 50 à 250 et plus particulièrement de 100 à 200, n pouvant désigner un nombre de 0 à 999 et notamment de 49 à 249 et plus particulièrement de 125 à 175 et m pouvant désigner un nombre de 1 à 1 000, et notamment de 1 à 10 et plus particulièrement de 1 à 5 ; 1 R1, R2, R3, identiques ou différents, représentent un radical hydroxy ou alcoxy en C1-C4, l'un au moins des radicaux R1 à R3 désignant un radical alcoxy.
Le rapport molaire Hydroxy/Alcoxy est de préférence compris entre 0,2 : 1 et 0,4 : 1 et de préférence entre 0,25 : 1 et 0,35 : 1 et plus particulièrement est égal à 0,3.
La silicone aminée de formule (1) présente une masse moléculaire moyenne en poids allant de préférence de 2000 à 1000000 et encore plus particulièrement de 3500 à 200000. dans laquelle : p et q sont des nombres tels que la somme (p + q) peut varier notamment de 1 à 1 000 et en particulier de 50 à 350, et plus particulièrement de 150 à 250 p pouvant désigner un nombre de 0 à 999 et notamment de 49 à 349 et plus particulièrement de 159 à 239 et q pouvant désigner un nombre de 1 à 1 000, et notamment de 1 à 10 et plus particulièrement de 1 à 5 ;
exemple (figure 4F). S'il y a un plot 15 à insérer, la couche de passivation est ensuite gravée (figure 4F), par photogravure par exemple, pour délimiter l'endroit du plot 15 qui est ensuite déposé à son tour (figure 4G). Il peut s'agir d'un dépôt d'un métal noble or par exemple, de type PVD par exemple. Le plot de contact peut s'étendre au dessus de la couche de passivation 21.
On pourrait envisager que le volume du trou 16 soit rempli de la couche conforme 14.1 et qu'ensuite une étape de planarisation soit effectuée sur cette couche conforme 14.1 avant le dépôt de la couche additionnelle 14.2 comme l'illustre la figure 5.
Au lieu que le relief soit un trou comme on vient de le décrire, il est possible que ce soit une saillie. On se réfère à la figure 6 qui montre une structure de type magnétodiode PIN.
Elle est réalisée par croissance épitaxiale de silicium 61 sur un substrat de corindon 62 (technologie connue sous la dénomination anglo-saxonne SOS pour Silicon On Saphir). Le silicium ne recouvre pas totalement le corindon sur les bords et forme une marche. Une zone P+ 61.1 et une zone N+ 61.2 sont implantées dans le silicium par diffusion localisée. Le silicium est ensuite oxydé en surface de manière à le recouvrir d'une couche d'oxyde 63 qui elle non plus ne recouvre pas totalement le silicium sur les bords et forme une marche. Deux électrodes de cathode 64 et d'anode 65 sont ensuite réalisées, elles s'étendent sur la couche d'oxyde 63, les zones implantées du silicium 61. 1, 61.2 respectivement et le substrat 62 de corindon
en suivant le relief des marches. Ces électrodes 64,65 sont formées d'une couche conforme 64.1, 65.1 respectivement électriquement conductrice recouverte d'une couche additionnelle électriquement conductrice 64.2, 65.2 respectivement, la résistivité de la couche conforme 64.1, 65.1 étant très faible.
Un plot conducteur 66,67 peut être positionné sur la couche additionnelle 64.2, 65.2 respectivement.
Des fils de connexion 68 peuvent être rapportés sur les plots 66,67 par soudure, cette technique est connue sous la dénomination anglo-saxonne de wire bonding.
On pourrait envisager que les plots soient absents.
Les connexions bi-couches ainsi réalisées possèdent une faible résistance en ligne de par leur structure. Le passage de l'interface de scellement entre le substrat 11 et la couche 13 (figures 3 à 5) ou le passage des marches (figure 6) se fait aisément sans défaut grâce à la couche conforme. Un relief avec un changement de direction brusque peut ainsi recevoir une telle connexion ce qui n'était pas possible antérieurement. Il est ainsi possible d'augmenter la densité des reliefs, trous ou saillies.
Bien que certains modes de réalisation de la présente invention aient été représentés et décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention.
SIGNAL MULTIPORTEUSES. PROCEDE DE POURSUITE D'UN DE TRANSMISSION A PARTIR D'UN TEL SIGNAL ET DISPOSITIF POUR SA MISE EN OEUVRE La présente invention concerne un signal multiporteuses, un procédé de poursuite d'un canal de transmission à partir d'un tel signal, ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé.
Elle se rapporte au domaine des transmissions numériques (transmissions radionumériques), et trouve des applications notamment dans les récepteurs des systèmes de radiocommunications numériques avec les mobiles, par exemple les systèmes de radiocommunications professionnelles (systèmes PMR, de l'anglais "Professional Mobile Radio").
Dans ces systèmes, les données numériques sont transmises par modulation d'une onde porteuse radiofréquence. Dit autrement, un signal radio est émis sur le canal de transmission, ce signal étant modulé pour porter les informations numériques à transmettre.
On cherche à mettre en oeuvre des techniques de modulation qui offrent une meilleure résistance vis-à-vis des perturbations subies par le signal radio lors de sa transmission à travers le canal de transmission. Pour l'essentiel, ces perturbations proviennent : - d'une part du phénomène d'évanouissement ("Fading", en anglais), qui est sélectif en fréquence dès lors qu'on dépasse la bande de cohérence (l'on parle dans ce premier cas de fading sélectif ( selective fading en anglais)), mais qui n'est pas sélectif en fréquence dès lors que la largeur du canal est inférieure à la bande de cohérence (l'on parle dans ce dernier cas de fading plat ou ( flat fading en anglais)). Ce phénomène d'évanouissement est du aux trajets multiples de propagation ("Multipaths", en anglais) qui engendrent des interférences inter-symboles (ISI, de l'anglais Intersymbol Interference, ) aussi connues sous le vocable de distorsion intersymboles. Le fading sélectif est l'image dans le domaine fréquentiel de trajets multiples de propagation présentant de grands retards entre trajets (le retard maximum entre les trajets est tel que l'inverse de ce retard est inférieur à la largeur de la bande du signal). Le fading plat se produit quand le retard entre les trajets multiples de propagation est faible est que le retard maximum entre les trajets est tel que l'inverse de ce retard est supérieur à la largeur de la bande du signal.