INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
l'obésité (Rosmond et al., 1998), la sensibilité constitutive aux réactions inflammatoires et auto-immunes (Sternberg and Gold, 1997), le vieillissement (Lupien et al., 1998) ou la sensibilisation aux drogues d'abus (Piazza and Le Moal, 1998).
2) Construction du vecteur pRDP4 Le vecteur pRDP4 contient le gène de l'activateur tTA sous le contrôle du promoteur actinel du riz.
Le vecteur de départ est le plasmide pDM302 qui a été décrit par CAO et al. (1992) et qui est illustré sur la figure 7.
Le plasmide pDM302 est digéré avec l'endonucléase de restriction Smal.
Puis, on utilise le vecteur pTet-Off commercialisé par la Société CLONTECH Laboratories Inc. (référence catalogue n K 1620-A, année 2000), et qui est illustré sur la figure 8, pour amplifier la séquence du gène tTA par PCR.
Puis, le produit d'amplification du gène tTA est ligaturé au niveau du site Smal ouvert du plasmide pDM302 afin de construire le plasmide pRDP4 illustré à la figure 9.
Le plasmide pRDP4 comprend le gène tTA sous le contrôle du promoteur actinel du riz.
Un schéma de fonctionnement du système d'expression inductible décrit dans le présent exemple est représenté sur la figure 13, soit en l'absence de tétracycline (figure 13A), soit en présence de tétracycline (fig. 13B).
Un résumé des caractéristiques des différents vecteurs utilisés ou préparés selon l'exemple 2 est présenté dans les tableaux 5 à 8 ci-après.
TABLEAU 5 Positions des éléments caractéristiques du plasmide pDM302 (unité : kilo base) , 1 1 1
vecteur pSP72 0, 00 0, 04 promoteur acini 0, 041, 43 polylinker 1, 43 1, 46 Smal 1, 46 1, 47 résistance Basta 1, 47 2, 03 Smal 2, 03 2, 04 polylinker 2, 03 2, 08 terminateur nos 2, 08 2, 34 vecteur pSP72 2,34 4,74
TABLEAU 6 Positions des éléments caractéristiques du plasmide pRDP4 (unité : kilobasel
vecteur pSP72 0, 0 0, 04 promoteur actin1 0, 04 1, 43 polylinker 1, 43 1, 46 tTA 1, 47 2, 47 polylinker 2, 47 2, 52 terminateur nos 2, 52 2, 78 vecteur pSP72 2, 78 5, 18
TABLEAU 7 Positions des éléments caractéristiques du plasmide pTRE2 (unité : kilo base) j
promoteur avec TRE 0,00 0, 44 polylinker 0, 44 0,49 terminateur SV40 0,49 0,95 vecteur oUC 0. 95 3. 10
TABLEAU 8 Positions des éléments caractéristiques du plasmide pRDP5 (unité : kilobase) 1 1 1 1
promoteur avec TRE 0, 00 0, 44 polylinker 0, 44 0,49 ! sum2A (ATG à terminateur) 0,49 2,73 terminateur SV40 2, 73 3, 19 vecteur pUC 3, 19 5, 34 EXEMPLE 3.
n est un nombre entier de 2 à 5, A-est un anion issu d'un acide organique ou minéral, tel qu'un anion méthosulfate ou un halogénure tel que chlorure ou bromure ; 2) au moins un monomère de formule (II) dans laquelle, R6 et R7, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle ; et 3) au moins un monomère de formule (III) : dans laquelle R6 et R7, identiques ou ditterents, representent un atome d hydrogène ou un radical méthyle, X désigne un atome d'oxygène ou d'azote et R8 désigne un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 30 atomes de carbone ; l'un au moins des monomères de formule (Ia), (Ib) ou (III) comportant au moins une chaîne grasse.
Les monomères de formule (la) et (lob) de la présente invention sont choisis, de préférence, dans le groupe constitué par : - le diméthylaminoéthylméthacrylate, le diméthylaminoéthylacrylate, - e diéthylaminoéthylméthacrylate, le diéthylaminoéthylacrylate, - le di méthyl am in opro pyl méthacrylate, le diméthylaminopropylacrylate, - le diméthylaminopropylméthyacrylamide, le diméthylaminopropylacrylamide, ces monomères étant éventuellement quaternisés, par exemple par un halogénure d'alkyle en C1-C4 ou un sulfate de dialkyle en C1-C4.
et l'acide méthyl-2 crotonique. Plus particulièrement, le monomère de formule (II) est l'acide acrylique.
Les monomères de formule (III) de la présente invention sont choisis, de préférence, dans le groupe constitué par des acrylates ou méthacrylates d'alkyle en C12-C22 et plus particulièrement en C-jg-C-jg.
Les polymères amphotères à chaîne grasse selon l'invention comprennent de préférence de 1 à 10 moles% du monomère comportant une chaîne grasse (monomère de formule () a), (tb) ou (III)), et de préférence de 1,5 à 6 moles %.
Les poids moléculaires moyens en poids des polymères amphotères à chaîne grasse selon l'invention peuvent varier de 500 à 50.000. 000 et sont de préférence compris entre 10.000 et 5 000 000.
Les polymères amphotères à chaîne grasse selon l'invention peuvent également contenir d'autre monomères tels que des monomères non ioniques et en particulier tels que les acrylates ou méthacrylates d'alkyle en Cl-C4- Des polymères amphotères à chaîne grasse selon l'invention sont par exemple décrits et préparés dans la demande de brevet W09844012.
Les tensioactifs convenant à la mise en oeuvre de la présente invention sont notamment les suivants : (i) Tensioactif (s) anionique : A titre d'exemple de tensio-actifs anioniques utilisables, seuls ou mélanges, dans le cadre de la présente invention, on peut citer notamment (liste non limitative) les sels (en particulier sels alcalins, notamment de sodium, sels d'ammonium, sels d'amines, sels d'aminoalcools ou sels de magnésium) des composés suivants : les alkylsulfates, les alkyléthersulfates, alkylamidoéthersulfates, alkylarylpolyéthersulfates, monoglycérides sulfates ; les alkylsulfonates, alkylphosphates, alkylamidesulfonates, alkylarylsulfonates, a-oléfine-sulfonates, paraffine-sulfonates ; les alkyl (C6-C24) sulfosuccinates, les alkyl (C6-C24) éthersulfosuccinates, les alkyl (C6-C24) amidesulfosuccinates ; les alkyl (C6-C24) sulfoacétates ; les acyl (C6-C24) sarcosinates et les acyl (Ce-C24) glutamates. On peut également utiliser les esters d'alkyl (Cs-C24) polyglycosides carboxyliques tels que les alkylglucoside citrates, les alkylpolyglycoside tartrate et les alkylpolyglycoside sulfosuccinates., les alkylsulfosuccinamates ; les acyliséthionates et les N-acyltaurates, le radical alkyle ou acyle de tous ces différents composés comportant de préférence de 12 à 20 atomes de carbone, et le radical aryl désignant de préférence un groupement phényle ou benzyl.
Parmi les tensioactifs anioniques encore utilisables, on peut également citer les sels d'acides gras tels que les sels des acides oléique, ricinoléique, palmitique, stéarique, les acides d'huile de coprah ou d'huile de coprah hydrogénée ; les acyl-lactylates dont le radical acyle comporte 8 à 20 atomes de carbone. On peut également utiliser les acides d'alkyl D galactoside uroniques et leurs sels, les acides alkyl (C6-C24) éther carboxyliques polyoxyalkylénés, les acides alkyl (C6-C24) aryl éther carboxyliques polyoxyalkylénés, les acides atkyCe-) amido éther carboxyliques polyoxyalkylénés et leurs sels, en particulier ceux comportant de 2 à 50 groupements oxyde d'alkylène en particulier d'éthylène, et leurs mélanges.
En particulier, l'homme du métier pourra apporter toute variante dans le type de mémoire utilisée pour mettre en covre les FIFOs de taille variable. Ces mémoires pourront notamment être de type mémoire RAM simple port ou multiports.
On note également que l'invention ne se limite pas au cas où les données sont lues par un seul destinataire mais s'étend au cas où les données d'une FIFO peuvent être lues par plusieurs destinataires. Dans ce cas, plusieurs pointeurs de lecture sont associés à la FIFO. Chacun des pointeurs de lecture est géré indépendamment des autres pointeurs de lecture. En outre, le statut de lecture de la FIFO indiquera le nombre de destinataires ayant lu une donnée afin qu'une page écrite ne soit pas retirée de la FIFO avant d'être lue par tous les destinataires.
On notera que l'invention ne se limite pas à une implantation purement matérielle mais qu'elle peut aussi être mise en cuivre sous la forme d'une séquence d'instructions d'un programme informatique ou toute forme mixant une partie matérielle et une partie logicielle. Dans le cas où l'invention est implantée partiellement ou totalement sous forme logicielle, la séquence d'instructions correspondante pourra être stockée dans un moyen de stockage amovible (tel que par exemple me disquette, un CD-ROM ou un DVD-ROM) ou non, ce moyen de stockage étant lisible partiellement ou totalement par un ordinateur ou un microprocesseur.
ACTIONNEUR MAGNETIQUE A AIMANT MOBILE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention a pour objet un actionneur magnétique à aimant mobile et notamment un microactionneur réalisable par les techniques de la microtechnologie.
Cet actionneur lorsqu'il possède plusieurs positions stables trouve son application dans la réalisation de microrelais ou microcommutateurs électriques commandant l'ouverture ou la fermeture d'un contact électrique éventuellement pris parmi plusieurs, de microrelais ou microcommutateurs commandant le passage, l'obturation, la commutation ou l'aiguillage d'un rayon lumineux, de microvannes commandant le passage, l'obturation ou l'aiguillage d'un fluide, de micropompes commandant le pompage d'un fluide.
Cet actionneur peut être piloté de manière à pouvoir prendre une multitude de positions successives avec une précision nanométrique suivant 5 degrés de liberté.
Il peut alors servir pour le positionnement de tête de lecture magnétique ou optique, dans les scanneurs optiques, pour effectuer de l'enregistrement AFM (sigle correspondant à la dénomination anglosaxonne Atomic Force Microscope pour microscope à forces atomiques) ou thermique, dans des tables de positionnement.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Les actionneurs magnétiques connus comportent une partie magnétique fixe, une partie magnétique mobile qui est mécaniquement reliée à la partie magnétique fixe. Un circuit électrique permet d'exciter la partie magnétique mobile pour lui faire prendre une position de travail en la faisant se déplacer par rapport à la partie magnétique fixe. En l'absence d'excitation la partie magnétique mobile est dans une position de repos.
On connaît dans l'article Latching micro magnetic relays with multistrip permalloy cantilevers de M. RUAN et J. SHEN publié dans IEEE MENS 2001 page 224 à 227 un microactionneur magnétique à aimant réalisé sur un substrat de silicium. L'aimant est fixe, il est encastré dans le silicium, il est recouvert par un bobinage de commande et la partie magnétique mobile à déplacer est en forme de poutre avec une extrémité libre et une extrémité encastrée et donc solidaire mécaniquement de la partie magnétique fixe.
Un autre type de microactionneur magnétique à aimant a été décrit sur le site internet du Laboratoire de Recherche de la Société IBM à Zurich (www. zurich. ibm. com) sous le titre Electromagnetic scanner . Cet article était disponible en avril 2001.
Le microactionneur fonctionne sur le principe du haut parleur. Des bobines planes placées sur un substrat commandent le déplacement d'aimants solidaires d'une platine, cette dernière étant suspendue mécaniquement par des poutres à un cadre fixe solidaire du substrat.
Dans tous ces actionneurs la partie magnétique mobile est reliée mécaniquement à la partie magnétique fixe. Cette liaison mécanique est délicate à réaliser par des techniques collectives de fabrication. De plus, cette connexion limite la mobilité de la partie magnétique mobile, cette mobilité résulte d'une déformation d'un des éléments reliant la pièce mobile à la partie fixe. Les performances en vitesse de tels actionneurs sont faibles.
Les forces d'entraînement de la partie magnétique mobile sont dues au champ magnétique créé par au moins une bobine. Or à densité de courant constante, une microbobine crée une force bien plus faible qu'une bobine de même forme mais de plus grandes dimensions. Les performances de tels microactionneurs restent donc médiocres. Les forces massiques qu'ils sont capables de fournir sont faibles relativement à leur taille.
De plus, de tels actionneurs doivent être alimentés électriquement pour qu'ils restent dans une position de travail, en l'absence d'alimentation ils reviennent à une position de repos.
sur-échantillonnage de chaque symbole de période Ts.
Le nombre Q d'éléments de code est appelé le facteur d'étalement et est égal à 16. En mode CDMA, le nombre de codes actifs K est inférieur ou égal à Q. Un intervalle temporel peut contenir 2560 éléments de code (chips) de période Tc = Ts/Q.
En pratique, chaque intervalle temporel est décomposé en deux champs de données de longueur identique encadrant une séquence d'apprentissage médiane (midamble en terminologie anglo-saxone) de 256 ou 512 éléments de code pour estimer le canal de propagation. Les symboles sont estimés séquentiellement par filtrage avec une profondeur globale de détecteur, ou de mémoire prédéterminée, de Pd symboles. Ainsi un symbole de données dans un intervalle de temps est estimé en fonction du résultat du traitement linéaire d'une portion d'échantillons correspondant à une durée de Pd. Ts inférieure à la durée d'un intervalle de temps.
En outre, à l'émission dans la station de base, chaque élément de code peut être sur-échantillonné d'un facteur de sur-échantillonnage S au moins égal à 2. Ainsi pour un symbole de données, QS échantillons de période d'échantillonnage TS/SQ correspondant à Q éléments de code sont émis après une modulation de phase à quatre états.
Par ailleurs, bien qu'en pratique le récepteur du terminal mobile peut comprendre plus qu'une antenne, il est supposé ci-après que les blocsdiagrammes des dispositifs de détection connus et selon l'invention, y compris ceux illustrés, ne se rapportent qu'à une seule antenne.
Dans une cellule du système cellulaire radiotéléphonique, contrairement à la liaison
montante, la liaison descendante est synchrone puisque les signaux des différents terminaux d'usager couverts par la cellule sont synchronisés à l'émission par la station de base. Dans le cas d'une station de base courante, les signaux des différents usagers sont toujours synchronisés à l'entrée du récepteur du terminal mobile après avoir traversé le même canal de propagation. Dans l'environnement du terminal radio mobile considéré, la propagation s'effectue par plusieurs trajets de propagation, typiquement Lt = 2 à 6 trajets prépondérants.
La détection conjointe de K codes CDMA cl à cK dans le terminal mobile d'un usager donné vise à estimer les symboles portant le code attribué temporairement à l'usager donné, que l'on supposera être le code n'ku, en utilisant la connaissance des K-l codes des autres usagers qui interfèrent entre eux. Un dispositif de détection conjointe annule en général partiellement l'interférence englobant l'interférence d'accès multiple entre les codes et l'interférence entre les symboles. En présence de bruit additif à l'entrée du récepteur du terminal, on a intérêt à ne pas annuler complètement l'interférence selon un critère de forçage à zéro mais à minimiser globalement l'effet du bruit et de l'interférence avec un critère d'erreur quadratique moyenne minimum MMSE (Minimum Mean Square Error).
Néanmoins lorsque le bruit additif est négligeable par rapport au signal utile, il est souhaitable que le résidu d'interférence soit très faible. Pour une structure de dispositif de détection conjointe donnée, on s'intéresse alors à l'aptitude théorique de cette structure à annuler exactement l'interférence en l'absence de bruit additif. Cette
propriété n'est pas bien souvent atteinte par les structures pratiques connues.
Dans la technique antérieure de la détection conjointe, deux structures de dispositif de détection conjointe appelées Tc-structure et Ts-structure travaillent symbole par symbole.
S'agissant de la Tc-structure représentée à la figure 1, cette structure comprend un filtre transverse fractionné FI opérant en entrée à la cadence TelS sur le signal r (t) reçu en bande de base et préalablement filtré analogiquement, S étant le facteur de sur-échantillonnage égal typiquement à 1, 2 ou 4, et en sortie à la cadence Ts des estimés des symboles. En contexte de trajets multiples, la Tcstructure est divulguée notamment dans la demande de brevet FR-A-2793363 et est nommée"Egaliseur en ligne" (Row-equalizer). Une fois les coefficients du filtre transverse FI calculés à partir de paramètres du canal, chaque symbole est estimé séquentiellement par un produit scalaire entre la portion d'échantillons reçue correspondante et un jeu de SQPd coefficients du filtre.
La Tc-structure peut être qualifiée de libre, car pour un pas d'échantillonnage Ts/SQ choisi en entrée, elle réalise le traitement linéaire, non récursif, sans imposer de structure spécifique contrairement à la Ts-structure. Une caractéristique essentielle de ce dispositif de détection est qu'il est capable d'annuler exactement l'interférence pour une longueur déterminée
où Ws désigne le nombre entier de symboles nécessaire pour couvrir la longueur de la réponse impulsionnelle du canal de propagation entre la station de base et le terminal, appelée ci-après durée de canal, exprimée en période de symbole. En effet, on peut vérifier que l'annulation exacte nécessite de résoudre un système de K (Ws + Pd) équations linéaires avec SQP"inconnues"que sont les coefficients du filtre FI et qui peuvent donc être correctement choisis au sens des moindres carrés par exemple, puisque le système admet des solutions, c'est-à-dire est sous-déterminé.
La Ts-structure représentée à la figure 2 comprend deux parties : une tête de réception à large bande TR recevant le signal reçu r (t) diversement retardé par des trajets multiples et un égaliseur EG au temps symbole Ts, qui sont dérivées de la structure théorique linéaire rappelée dans le livre \\ MULTIUSER DETECTION" de Sergio VERDU, Cambridge University Press, 1998, pages 243-246.
La tête de réception TR contient K branches de filtrage parallèles BR à BRK respectivement associées aux codes cro] à cK [q] et délivrant des signaux discrets Yl[m] à YK[m] au temps symbole mTs aux K entrées de l'égaliseur. Chaque branche BRk comporte un filtre adapté au code ck [q] et au canal de propagation et un sous-échantillonneur synchrone au temps symbole Ts = Q. Tc. Pratiquement, avec un canal à trajets multiples, le signal discret Yk [q] produit par la branche BRk détaillée à la figure 2 résulte de la sommation des sorties au temps symbole de Lt sous-branches SBRk, l à SBRk, Lt associées respectivement aux Lt trajets de propagation. La
Cet exemple illustre la préparation d'un film de PZT par dépôt sur un substrat de trois couches du sol préparé préalablement. Le substrat choisi est une tranche de silicium orienté [111] d'un diamètre de 12.5 à 15 cm, ladite tranche étant métallisée par pulvérisation avec une couche de platine d'une épaisseur allant de 100 nm à 200 nm servant d'électrode inférieure. La technique de dépôt utilisé, dans cet exemple, est l'enduction centrifuge, qui permet d'ajuster, pour un sol de concentration donnée, l'épaisseur déposée en choisissant la vitesse de rotation adéquate du dispositif. Les dépôts sont réalisés en zone à empoussièrement contrôlé afin de limiter la présence d'inclusions particulaires dans les films et en ambiance climatisée (température et hygrométrie contrôlées) afin de garantir la reproductibilité des conditions d'évaporation.
Le sol dilué à 20 % en masse de PZT est filtré sur filtre 0. 2 um préalablement au dépôt sur tranche. La vitesse de rotation, pour effecteur le dépôt, est ajustée à 4000 tours/min, afin d'obtenir une épaisseur
finale par couche unitaire déposée allant de 60 à 70 nm.
La couche déposée est ensuite gélifiée par 8 minutes de séchage à température ambiante. Après le séchage et le chauffage du dépôt, la couche subit une calcination à une température de 300 OC pendant 15 minutes.
Après calcination, la couche déposée subit un traitement de densification par recuit sous atmosphère d'air, à une température de 800 OC pendant 5 minutes.
Dans cet exemple, l'opération de dépôt de couche suivi du traitement est réitéré trois fois, afin d'obtenir un film d'une épaisseur de l'ordre de 195 nm.
Le film ainsi réalisé est un matériau céramique présentant une épaisseur de l'ordre de 195 nm et une constante diélectrique de l'ordre de 820.
L'analyse structurale aux rayons X du film préparé rèvèle l'obtention d'une phase cristalline unique pérovskite avec une orientation préférentielle correspondant à la direction [111] du substrat. Aucune phase parasite de type pyrochlore n'a jamais été détectée avec ce procédé de préparation.
Dans cet exemple, on étudie la reproductibilité du procédé de réalisation de films à base de PZT.
Afin de mettre en évidence la reproductibilité des performances diélectriques sur des films obtenus à partir des sols mixtes, selon l'exemple ci-dessus, 4
essais ont été effectués à partir de 4 sols préparés selon le procédé décrit, selon les mêmes conditions opératoires conformément aux exemples 1 et 2. Les films obtenus résultent d'un empilement de trois couches déposées sur plaque de silicium.
Les résultats sont consignés dans le tableau cidessous.
Numéro Epaisseur du Capacité (nF/mm) Constante d'essais film (en nm) à OV/lkHz diélectrique A OV/lkHz 1 195 37. 2 816 2 195 38. 4 846 3 190 36. 9 813 4 195 37. 3 821
On constate, au vu de ces résultats, que les épaisseurs de films obtenus dans les mêmes conditions de dépôt de sols préparés de la même façon sont similaires pour ces 4 essais, et que les performances diélectriques sont très comparables. De ce fait, ce procédé, en raison de sa reproductibilité, est totalement compatible avec un procédé industriel de fabrication de composants électroniques par exemple.
Références citées [1] : Integrated Ferroelectrics, 26,1999, pp. 225-241.
Tout d'abord, elle est immergée jusqu'à une température au point A1 ou plus et au point A3 ou moins (Tl sur la figure 6 et la figure 7) (de préférence 1 300 C ou moins). Une (martensite a + trempée) ou une (bainite a + trempée) désirée est obtenue en formant partiellement de la ferrite en double phase [ferrite (a) + y] et en refroidissant jusqu'à une température du point Ms ou moins, ou bien du point Ms ou plus et du point Bs ou moins, durant l'immersion dans le cas d'une immersion à une température A1 - A3 ou durant un refroidissement dans le cas d'une immersion à une température au point A3 ou plus.
Après l'immersion, lorsque le refroidissement est exécuté à la vitesse de refroidissement moyenne (CR) commandée à 10 C/s ou plus (de préférence 20 C/s ou
plus) pour descendre à une température du point Ms ou moins (T2 sur la figure 6) ou du point Ms ou plus et du point Bs ou moins (T2 sur la figure 7), une structure mixte désirée (martensite trempée + ferrite ou bainite trempée + ferrite) est obtenue tout en évitant une transformation perlitique. Dans cette invention, il est recommandé de commander la ferrite à 5 % ou plus et à moins de 30 %. Dans ce cas, il est préféré commander la vitesse de refroidissement moyenne à 30 C/s ou plus.
En outre, la vitesse de refroidissement moyenne a des effets non seulement sur la formation de la ferrite mais également sur la forme de la martensite finale, et la structure de type paillettes est diminuée lorsque la vitesse de refroidissement moyenne est supérieure (de préférence 50 C/s ou plus). Il n'y a pas de restriction particulière à la limite supérieure de la vitesse de refroidissement moyenne et une vitesse supérieure est préférée. Cependant, il est recommandé de maîtriser correctement la vitesse en relation avec le niveau de fonctionnement pratique.
(iv) Seconde étape de recuit en continu (étape de recuit en continu suivante) ou étape de galvanisation L'étape décrite ci-dessus comprend une étape consistant à chauffer à une température du point A1 ou plus et du point A3 ou moins, et une étape de refroidissement à une vitesse de refroidissement moyenne de 3 C/s ou plus en descendant jusqu'à une température du point Ms ou moins, et optionnellement une étape consistant à appliquer en outre un traitement de survieillissement à une température de 100 à 600 C.
L'étape est identique à la seconde étape de recuit en continu ou l'étape de galvanisation (iv) dans le procédé (ii) décrit ci-dessus et est établie pour un trempage de la phase mixte de la matrice formée dans la première étape de recuit en continu (iii) pour obtenir une
structure mixte désirée, de même que pour former la seconde phase (martensite).