INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les polymères associatifs peuvent représenter environ de 0,01 à 10% du poids total de la composition et de préférence de 0,1 à 5% en poids du poids total de la composition.
Milieu Le milieu de la composition colorante approprié pour la teinture, est de préférence un milieu aqueux constitué par de l'eau pouvant comprendre avantageusement des solvants organiques acceptables sur le plan cosmétique, dont plus particulièrement, des alcools tels que l'alcool éthylique, l'alcool isopropylique, l'alcool benzylique, et l'alcool phényléthylique, ou des glycols ou éthers de glycol tels que, par exemple, les éthers monométhylique, monoéthylique et monobutylique d'éthylèneglycol, le propylèneglycol ou ses éthers tels que, par exemple, le monométhyléther de propylèneglycol, le butylèneglycol, le dipropylèneglycol ainsi que les alkyléthers de diéthylèneglycol comme par exemple, le monoéthyléther ou le monobutyléther du diéthylèneglycol. Les solvants peuvent alors être présents dans des concentrations comprises entre environ 0,5 et 20% et, de préférence, entre environ 2 et 10% en poids par rapport au poids total de la composition.
Autres adiuvants La composition colorante selon l'invention peut encore comprendre une quantité efficace d'autres agents, par ailleurs antérieurement connus en coloration d'oxydation, tels que divers adjuvants usuels comme des séquestrant tel que l'EDTA et l'acide étidronique, des filtres UV, des cires, des silicones volatiles ou non, cycliques ou linéaires ou ramifiées, organomodifiées (notamment par des groupements amines) ou non, des conservateurs, des céramides, des pseudocéramides, des huiles végétales, minérales ou de synthèse, les vitamines ou provitamines comme le panthénol, des opacifiants, etc....
Ladite composition peut également comprendre des agents réducteurs ou antioxydants.
La composition tinctoriale conforme à l'invention peut en outre comprendre des alcools gras insaturés tels que par exemple l'alcool oléïque, dans une proportion en poids allant de 0,5 à 15% par rapport au poids total de la composition de teinture.
Parmi les agents alcalinisant on peut citer, à titre d'exemple, l'ammoniaque, les carbonates alcalins, les alcanolamines teUes que les mono-, di-et triéthanolamines ainsi que leurs dérivés, les hydroxyalkylamines et les ethylènediamines oxyéthylénées et/ou oxypropylénées, les hydroxydes de sodium ou de potassium et les composés de formule suivante : dans laquelle R est un reste propylène éventuellement substitué par un groupement hydroxyle ou un radical alkyle en C1-C4 ; R38, R39, R40 et R41, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4 ou hydroxyalkyl en C1-C4.
On a préparé la composition de teinture suivante : Composition colorante : (exprimée en grammes de Matière active)
A partir du moment où le circuit d'air comprimé est fermé, le phénomène d'aspiration de !'eau cesse et l'eau contenue dans l'arrivée 7 sensiblement verticale redescend dans le réservoir de stockage 50.
Avantageusement, ce réservoir de stockage peut être alimenté par un mécanisme à niveau constant (non représenté) du type chasse d'eau et être calorifugé.
On peut réguler simplement le débit d'eau en jouant soit sur le débit d'air comprimé, soit sur la valeur de la hauteur h entre la surface du liquide dans le réservoir 50 et la cavité de résonance 9, soit encore sur les pertes de charge de l'arrivée d'eau 7, ou sur une combinaison de ces trois paramètres.
Selon l'invention, les buses 1 sont équipées à leur orifice de sortie 11 ou à proximité de ce dernier d'un dispositif 22 de charge électrostatique des gouttelettes de liquide qu'elles expulsent, afin de conférer aux molécules les constituant un potentiel électrostatique permettant d'augmenter l'affinité entre ces gouttelettes et les particules en suspension que l'on cherche à abattre.
Les dispositifs de charge électrostatique des gouttelettes peuvent utiliser différents principes : la charge par ionisation (effet Corona), la charge par contact, la charge par induction ou encore la charge par frottement.
Dans le cadre de l'invention, étant donné que lton cherche à obtenir
l'ionisation d'un liquide pulvérisé, on choisira de préférence la charge par ionisation ou la charge par contact.
Pour la charge par ionisation, représentée en figure 1, on place une électrode d'ionisation 21 en forme de tore à proximité de la sortie de chaque buse 1. L'électrode d'ionisation 21 est connectée à un générateur de courant continu 20, de préférence à haute ou très haute tension. L'autre pôle du générateur 20 est relié à la terre. Le champ électrique généré par l'électrode 21 provoque une forte ionisation de l'air ambiant, dont les molécules ionisées transfèrent leur charge aux fines gouttelettes atomisées sortant des buses 1.
L'électrode 21 en forme de tore peut être remplacée par une électrode en forme de pointe (non représentée).
Pour la charge par contact (non représentée), on charge directement le liquide, par exemple l'eau préférentiellement faiblement minéralisée ou additivée, de manière à ce qu'elle devienne conductrice, en couplant l'un des pôles du générateur de courant continu 20 directement au récipient de stockage 50, l'autre pôle du générateur 20 étant relié à la terre.
Ces dispositifs sont par exemple comparables à ceux équipant les pistolets de peinture électrostatiques.
La charge électrostatique ainsi conférée aux gouttelettes de liquide combinée à la très faible taille de ces gouttelettes, d'un diamètre proche du micromètre grâce à l'atomisation provoquée par l'énergie ultrasonore du gaz comprimé dans la cavité, permettent d'obtenir un très haut degré d'affinité entre les gouttelettes de liquide et les particules à abattre.
Par ailleurs, les dispositifs selon l'invention sont destinés dans la plupart des cas à être implantés en extérieur, ou à tout le moins dans des milieux non chauffés. En conséquence, les canalisations d'amenée de liquide 7 peuvent être exposées au gel, ce qui risque de provoquer leur destruction.
Or, la disposition sensiblement verticale de l'arrivée d'eau 7 permet de n'alimenter le dispositif en eau que s'il est en fonctionnement. Dans le cas contraire, les arrivées d'eau 7 sont automatiquement vidangées par simple
gravité et donc protégées contre le risque de gel. Par précaution complémentaire, les buses 1 peuvent être inclinées vers le bas du côté de leur orifice de sortie 10 de sorte que 'eau résiduelle est également évacuée par gravité. On peut également prévoir de calorifuger ou de chauffer le dispositif.
Ainsi, dans le mode de réalisation préféré de la figure 1, destiné à protéger des risques liés au gel les installations dans lesquelles sont utilisés les dispositifs selon l'invention, notamment lorsque ces installations sont susceptibles d'être placées en extérieur, on choisit de ne pas utiliser de canalisation de fluide liquide sous pression.
Un exemple spécifique du fonctionnement sera expliqué
ensuite. Par souci de simplification, le nombre de connexions VCi pour l'allocation de bande passante dynamique sera limité à 4 (VC1 à VC4).
Chaque unité de terminal (ONU) 4 notifie à l'unité de terminal de ligne d'abonné (SLT) 8 les longueurs de file d'attente des tampons 12 pour chaque connexion VCi selon des intervalles prédéterminés. Les paramètres à cet instant sont supposés être tels que selon le tableau 1 et le tableau 2 qui suivent : TABLEAU 1- PARAMETRES COMMUNS AUX CONNEXIONS VCi
Capacité de ligne de transmission C 10000 (cellules/seconde) Bande passante partageable SH 8000 (cellules/seconde) Période de mise à jour de bande passante Tupdate 1000 fenêtres tem orelles Temps de début de période de mise à jour de bande passante A 4000 fenêtres tem orelles
TABLEAU 2 - PARAMETRES DIFFÉRENTS POUR LES r~~i CONNEXIONS VCi
VC PCR@ SCR@ BI@ Q@ (cellules/seconde) (cellules /seconde) (cellules) (cellules) 1 3000 1000 2500 600 2 3000 1000 2500 250 3 3000 1000 2500 50 4 3000 1000 2500 300
Il est à noter que, dans le tableau 2, PCRi, SCRi et BTi sont des valeurs préétablies par contrat tandis que Qi est la valeur réelle de la longueur de file d'attente d'un tampon i à un certain instant ou temps.
Si l'on poursuit l'explication de l'exemple de fonctionnement, tout d'abord, l'unité de terminal de ligne d'abonné (SLT) 8 détermine la dimension de bande passante Bi qui est allouée à chaque connexion VCi au moyen de l'équation qui suit à partir de l'information de longueur de file d'attente Qi : Bi = C * Qi/EQi
Un exemple des résultats de calcul au moyen de cette équation est présenté au niveau du tableau 3 qui suit : TABLEAU 3 - EXEMPLE D'ALLOCATION DE BANDE PASSANTE ~~~~ AU MOYEN DU SYSTÈME 3
VC Bande passante allouée Bi (cellules/seconde) 1 5000,00 2 2083,33 3 416,67 4 2500,00
Si l'on compare le tableau 3 avec le tableau 2, à la fin, aucune considération n'est portée aux paramètres que sont le débit de crête des cellules (PCR), le débit soutenable des cellules (SCR), la tolérance de salve (BT), ainsi qu'à d'autres paramètres. Par conséquent, le problème consiste en ce qu'une bande passante importante est allouée en continu sans fin à des connexions VCi présentant des nombres importants de cellules accumulées dans les tampons. Par conséquent, l'unité de terminal de ligne d'abonné (SLT) 8 ne peut plus utiliser de manière efficace ou efficiente les ressources de communication comme planifié.
Par conséquent, la présente invention propose un procédé et un appareil d'allocation de bande passante dynamique qui sont conçus pour améliorer l'efficience ou efficacité de transfert d'information dans un système de communication qui manipule un trafic à débit variable et pour assurer simultanément que le débit de crête des cellules (PCR), le débit soutenable des cellules (SCR), la tolérance de salve (BT) ainsi que d'autres paramètres soumis à contrat sont observés en mettant en forme les bandes passantes allouées.
La figure 1 est une vue de la configuration de base d'un appareil de transmission de côté de réseau selon la présente invention.
L'appareil de transmission de côté de réseau 30 de cette figure forme un répéteur entre le côté d'utilisateur et le côté de réseau dans
un système de communication général. Cependant, selon le système de communication ATM-PON déjà expliqué, l'appareil de transmission de côté de réseau 30 correspond au terminal de ligne d'abonné (SLT) 8 déjà expliqué.
La configuration de base de cette figure couvre trois modes de réalisation. Selon chaque mode de réalisation, l'appareil de transmission de côté de réseau 30 désigne les cadencements de transfert d'information pour une pluralité d'unités de terminal (ONU) 4 sur le côté d'utilisateur et reçoit l'information qui est transférée depuis ces unités de terminal 4 au moyen d'un multiplexage par division temporelle aux cadencements de transfert qui sont désignés. Cet appareil commande le trafic à débit variable au moyen d'une allocation de bande passante dynamique.
- Ce signal magnétique est beaucoup plus localisé sur le réseau de plots : pour un dépôt magnétique de 10 nm d'épaisseur formé sur le flanc d'un plot à section transversale carrée, de 200 nm de côté, la surface horizontale occupée par ce dépôt est vingt fois plus faible que celle du même dépôt, formé sur le sommet du plot. Ceci permet de diminuer les éventuelles interactions magnétiques, à densité d'information constante par rapport à un dépôt sur le sommet des plots, ou inversement d'augmenter la densité d'information, pour des interactions magnétiques équivalentes.
A titre purement indicatif et nullement limitatif, considérons un plot de hauteur h (en nm) de section carrée, de côté L (en nm). On suppose que l'aimantation de la couche magnétique latérale que comporte ce plot est dirigée suivant l'axe z et l'on assimile cette couche magnétique à un dipôle magnétique.
Dans le cas d'un dépôt magnétique d'épaisseur t (en nm) formé sur le flanc du plot, le 3 volume magnétique vaut L x h x t nm3, pour une surface horizontale de L x t nm2, d'où une densité magnétique (quantité d'aimantation par unité de surface) égale à h (en unités arbitraires).
Si l'on compare ce dépôt latéral à un dépôt classique de t nm d'une multicouche (CoQ, 5nm/Ptl, 5nm) t/2 formée sur le sommet du même plot, le volume magnétique est de l'ordre de 0,5 x t/2 x L x L nm3, pour une surface horizontale de L x L nm2, d'où une densité magnétique de t/4. Le gain obtenu est donc égal à 4h/t.
Le gain en signal est quant à lui proportionnel à la quantité de matériau magnétique et vaut donc 4 dans cet exemple où les deux dépôts considérés ont la même épaisseur mais où la multicouche contient quatre fois moins de cobalt que la couche unique.
En résumé, la présente invention permet d'avoir un signal magnétique beaucoup plus intense et ce, sur une surface latérale beaucoup plus faible. Ceci est d'autant plus vrai que, dans le cas d'une multicouche (Col/4/Pt3/4), l'aimantation de telles couches de cobalt, d'une fraction de nanomètre d'épaisseur, est plus faible que celle du cobalt massif à cause, d'une part, de la réduction du moment magnétique que l'on observe généralement dans les couches ultra-minces (il y a formation d'un alliage d'interface) et, d'autre part, de la réduction de la température d'ordre magnétique.
Si l'axe facile d'anisotropie magnétique est parallèle au plan du réseau de plots, il n'y a pas de gain de quantité de signal étant donné que la même couche magnétique est déposée soit sur le sommet soit sur le flanc de chacun des plots du réseau et le gain de localisation que l'on obtient est de l'ordre de h/t par rapport à un matériau classique ayant une anisotropie planaire.
D'une manière plus quantitative et en se référant à la figure 4, si l'on connaît le volume et l'aimantation par unité de volume du dépôt, la valeur de sa surface comptée parallèlement au plan (x, y) du réseau de plots et la hauteur de vol d'une tête de lecture 36 supposée ponctuelle, qui se déplace à l'aplomb du dépôt magnétique, suivant l'axe y pour les cas I et II et suivant l'axe y ou l'axe x pour le cas III, on peut calculer la composante Hz, suivant l'axe z, du champ magnétique rayonné par chaque plot audessus du réseau de plots pour différentes géométries de dépôt : (I) dépôt, sur le sommet des plots 2, d'une multicouche magnétique 38 de 10 nm d'épaisseur, à aimantation perpendiculaire d'intensité M/4, dirigée suivant l'axe z, (II) dépôt, sur le flanc des plots 2, d'une couche magnétique 4 de 10 nm d'épaisseur, à aimantation planaire d'intensité M, dirigée suivant l'axe y, (III) dépôt sur le flanc des plots 2, d'une couche magnétique 4 de 10 nm d'épaisseur, à aimantation planaire d'intensité M, dirigée suivant l'axe z.
La figure 5 permet de comparer les variations de Hz (en unités arbitraires) en fonction de la distance y (en nm) au centre du plot (comptée parallèlement à l'axe y), pour un champ magnétique rayonné à une distance de 20 nm au-dessus de la surface du plot supposé cubique, de 200 nm de côté, dans ces trois cas (I) à (III), le déplacement de la tête de lecture 36 s'effectuant suivant l'axe y pour les cas (I) et (II) et suivant l'axe y ou l'axe x pour le cas (III).
Les courbes I, II, IIIy et IIIx de la figure 5 correspondent respectivement au cas I, au cas II, au cas III avec un déplacement suivant l'axe y et au cas III avec un déplacement suivant l'axe x.
On constate que, par rapport au cas (I) de la multicouche à aimantation perpendiculaire, la valeur de Hz est environ 3 fois plus forte dans le cas (II) du dépôt sur le flanc du plot avec une aimantation dirigée suivant l'axe y, et environ 7 fois plus forte dans le cas (III) du dépôt sur le flanc du plot avec une aimantation dirigée suivant l'axe z.
De plus, on constate que si le déplacement de la tête de lecture s'effectue suivant l'axe x dans le cas (III), l'extension spatiale du signal est beaucoup plus faible que dans le cas d'un déplacement suivant l'axe y (la largeur à mi-hauteur du signal est environ 5 fois plus faible), ce qui entraîne une bien meilleure séparation des signaux émanant des différents plots et conduit également à une diminution du couplage magnétostatique entre plots.
Après avoir formé le dépôt de matériau magnétique sur le flanc des plots du réseau, il est possible de former une couche protectrice, par exemple en silice, sur toute la surface du réseau de plots puis de planer (on dit aussi planariser) cette surface afin d'éliminer tout relief.
SEMELLE D'ARTICLE CHAUSSANT EN MATERIAU A COMPRESSIBILITÉ CONTRÔLEE La présente invention concerne une semelle d'article chaussant, plus particulièrement pour des articles chaussants d'intérieur.
Dans le domaine des articles chaussants d'intérieur, de nombreux paramètres doivent être respectés, certains étant antinomiques.
Tout d'abord la semelle doit être légère car l'article chaussant d'intérieur ne doit pas fatiguer.
RMN 13C(D2O), #(ppm) : 17,89 (2C, C-5) ; 121, 63 (d, JI-p 185,1 Hz, 2C, C-1) ; 129, 33 (d, Jap 25,3 Hz, 2C, C-3) ; 136,51 (2C, C-4) ; 143,66 (d, J2-P 5,4 Hz, 2C, C-2).
SM FAB > 0 m/z (GT) : 359 [M-3NH4+4Ht.
- Exemple 55 : Benzoate de 3-méthylbut-3-ényle (47) : Dans un ballon de 250 ml, sous atmosphère d'azote, sont introduits le 3- méthylbut-3-énole (10 g, 116 mmol, 1 éq) dissous dans 100 ml de dichlorométhane puis la triéthylamine (23, 5 g, 236 mmol, 2 éq) à-0 C. Le chlorure de benzoyle (24,4 g, 174 mmol. 1,5 éq) en solution dans 20 ml de dichlorométhane est ensuite additionné sur une période de 10 min.
Au bout de 30 min. de réaction, la température est remontée à 25 C et la phase organique lavée à l'eau glacée (100 ml), à l'acide chlorhydrique à 10% (100 ml) puis avec une solution saturée de NaHC03. Après séchage sur sulfates de sodium et évaporation du dichlorométhane, l'huile résiduelle obtenue est chromatographiée sur gel de silice (4 : 6 éther éthylique : éther de pétrole) pour donner une huile incolore.
Rdt=100% Rf=0,70 (4 : 6 éther éthylique : éther de pétrole) RMN'H (CDC13), 3 (ppm) : 1,84 (s, 3H, H-5), 2,51 (t, J2-1 6. 7 Hz, 2H, H-2), 4. 47 (t, J-2 6,7 Hz, 2H, H-1), 4,82-4, 92 (m, 2H, H-4), 7,40-7, 50 (m, 2H, H-ar), 7,52- 7,65 (m, IH. H-ar), 8,02-8, 12 (m, 2H, H-ar).
RMN 13C (CDCb), 5 (ppm) : 22, 96 (lC, C-5), 37, 24 (lC, C-2), 63, 59 (lC, C-1), 112, 85 (lC, C-4), 128, 76-129, 80 (4C, C-ar), 130, 82 (1C, C-C=O), 133, 28 (1C, C-ar), 142,15 (IC, C-3), 166,99 (1C, C-carbonyle).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 191 [M+H] + ; 212 [M+Na] +.
- Exemple 56 : Benzoate de 4-hydroxy-3-méthylbutyle (48) : Dans un ballon de 100 ml sous atmosphère d'azote, on solubilise le benzoate de 3-méthylbut-3-ényle (2 g, 10,52 mmol, 1 éq) dans 2 ml de THF anhydre puis on additionne le BH3. Me2S (1, 8 ml, 3,5 mmol, solution 2 M dans le THF, 1/3 éq) à 0 C sur une période de 5 min ; on laisse l'ensemble revenir à température ambiante. Au bout de 2h de réaction, le H202 (4 ml, solution aqueuse à 30 %, 3 éq) est ajouté goutte à goutte à 0 C et l'agitation magnétique poursuivie pendant 30 min.
La phase organique est extraite à l'éther éthylique 3x 1 00 mL les phases éthérées sont rassemblées et lavées à l'eau (3x100 ml) puis séchées sur sulfate de sodium. Après évaporation du solvant, l'huile résiduelle obtenue est ensuite chromatographiée sur gel de silice pour donner une huile incolore (éther éthylique : éther de pétrole, 4 : 6) Rdt=70% Rf=0,38 (4 : 6 éther éthylique : éther de pétrole) RMN 1H(CDCl3), #(ppm) : 1,04 (m, 3 H, H-5), 1, 65-2,00 (m. 3 H, H-2 et H-3), 3, 58 (d, Jazz 4, 7 Hz, 2H, H-4), 4, 43 (td, J,-2 6, 7 Hz, J'-3 2, 8 Hz, 2 H. H-l). 7, 45 (m, 3H, H-ar), 8. 08 (m, 2 H, H-ar).
RMN t3C (CDCb), (ppm) : 16, 97 (1 C, C-5), 32, 56-33, 43 (2 C. C-2 et C-3), 63. 70 (1 C, C-1), 68, 34 (I C, C-4), 128, 75-129, 96 (4 C. C-ar), 130, 77 (1 C, C-C=O).
133, 34 (I C, C-ar), 167,12 (1 C, C-carbonyle).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 209 [M+H] + ; 231 [M+Na] .
- Exemple 57 : Benzoate de 3-méthyl-4- (pyranyl-2'-oxy) butyle (49) : Rdt=100% Rf=0,68 (4 : 6 éther éthylique : éther de pétrole) RMN'H (CDCt3), 8 (ppm) : 1, 05 (m, 3H, H-5), 1, 50-1, 75 (m, 6H. H-4', H-5'et H-6'), 1, 75-2, 12 (m, 3H, H-2 et H-3), 3, 20-3, 32 (m, 1H, H-3'), 3, 42-3, 56 (m, 1H, H-4), 3, 58-3, 61 (m, IH, H-3'), 3, 72-3, 93 (m, IH, H-4), 4, 35-4, 53 (m, 2H, H-l), 4, 56-4, 61 (m, IH et H-2'), 7, 35-7, 60 (m, 3H, H-ar), 8, 05-8, 12 (m, 2H, H-ar).
RMN C (CDCt3), S (ppm) : 17, 51 (1C, C-5), 19, 94 (C-4'), 19, 97 (C-4'), 25, 88 (C-5'), 25, 92 (C-5'), 31, 09-31, 12-31, 19-31, 22 (2C, C-2 et C-3), 33, 12-33, 18 (lC, C- 3'), 62, 62 (C-6'), 62, 65 (C-6'), 63, 81 (C-l), 63, 88 (C-l), 73, 05 (C-4). 73, 12 (C-4), 99, 38 (C-2'), 99, 42 (C-2'), 128, 74-129, 97 (4C, C-ar), 130, 90 (1C, C-C=O), 133, 24 (IC, C-ar), 146,08 (IC, C-carbonyle).
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 293 [M+Ht ; 315 [M+Nat.
- Exemple 58 : 3-Méthyl-4- (pyranyl-2'-oxy) butanol (50) : A une suspension de carbonate de potassium (2,07 g. 15,06 mmol. 4 éq) dans 25 ml de méthanol, dans un ballon de 100 ml muni d'une garde à chlorure, le benzoate de 3-méthl-4- (pyranyl-2'-oxy) butyle (1, 1 g, 3, 76 mmol, 1 éq) est ajouté et le mélange
Cette technique connue nécessite l'emploi d'une couche d'arrêt pour la gravure du substrat, gravure qui doit s'arrêter à l'interface entre le substrat et la partie active épitaxiée sur ce substrat.
Cette technique peut être mise en oeuvre avec le silicium et les semi-conducteurs III-V mais de tels matériaux émettent à des longueurs d'ondes inférieures à 1, 5jim. Pour pouvoir travailler dans le domaine infrarouge moyen (qui va de 3jJLm à 6 {im), il faut utiliser des matériaux à base de mercure ou d'antimoine.
On peut alors reproduire la technique de gravure du substrat mais avec une couche d'arrêt adaptée aux matériaux utilisés, par exemple une couche d'arrêt en HgTe.
L'ablation du substrat doit être faite avec une extrême précision car il faut l'arrêter à l'interface entre le substrat et la structure épitaxiée sur ce substrat. Pour ce faire, on utilise une méthode de gravure chimique qui permet une attaque sélective en fonction du matériau. Pour éliminer le substrat, on prévoit encore une couche d'arrêt qui stoppe l'attaque chimique du substrat.
Cette élimination du substrat est fondée sur le fait qu'il existe une grande sélectivité d'attaque chimique entre CdTe et HgTe. Dans le cas des émetteurs infrarouges à micro-cavité, HgTe est donc un bon matériau d'arrêt. Cependant, une couche d'arrêt en HgTe est très absorbante et diminue notablement l'efficacité optique de la micro-cavité.
Selon une deuxième technique connue, la partie active est épitaxiée sur un miroir cristallin de même nature, lui-même épitaxié sur un substrat qui supporte mécaniquement l'ensemble de la structure.
A ce sujet, on se reportera par exemple au document suivant : E. Hadji et al., Appl. Phys. Lett., Vol. 67, N018, 1995, pp. 2591-2593.
La fabrication de ce miroir est longue du fait de la faible vitesse de croissance cristalline. De plus, l'épitaxie nécessite d'accorder le paramètre cristallin des différentes couches du miroir, ce qui limite le choix des matériaux utilisables.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients de ces techniques connues.
De façon précise, l'invention a pour objet un dispositif d'émission de lumière comportant un empilement qui comprend : - un substrat, une couche d'arrêt de gravure sur ce substrat, - une première couche de barrière sur cette couche d'arrêt, - une couche émettrice de lumière sur cette première couche de barrière, et - une deuxième couche de barrière sur cette couche émettrice,
ce dispositif étant caractérisé en ce que la couche d'arrêt est de même nature que la couche émettrice.
La couche émettrice et la couche d'arrêt de gravure peuvent être en CdxHgl-x.
En variante la couche émettrice est en un en un matériau apte à émettre dans le domaine infrarouge.