REVENDICATIONS 1. Support de stockage d'informations, ce support étant caractérisé en ce qu'il comprend un réseau de plots (2,32) de dimensions submicroniques, ce réseau étant formé sur un substrat (8), chaque plot contenant un seul domaine magnétique qui a une direction d'aimantation (M) et correspond à un bit défini par cette direction d'aimantation, ce domaine magnétique étant formé par une couche mince (4,34) d'au moins un matériau magnétique qui recouvre latéralement ce plot. 2. Support selon la revendication 1, dans lequel la direction d'aimantation (M) est perpendiculaire au plan du réseau de plots. 3. Procédé de fabrication du support de stockage d'informations selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel on dépose le matériau magnétique sur les plots (2,32) en envoyant sur ces derniers un premier flux (10) d'atomes de ce matériau sous une incidence oblique par rapport à la normale au plan du réseau, chaque plot faisant ombrage au plot qui le suit dans le sens du premier flux, et l'on neutralise le signal magnétique résultant du matériau magnétique déposé au sommet des plots et au fond des tranchées séparant des rangées de plots. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le matériau magnétique est un matériau choisi dans le groupe comprenant le fer, le nickel, le cobalt, les alliages de ces derniers et les matériaux magnétiques à forte aimantation, ou l'un des matériaux de ce groupe, auquel on ajoute un ou une pluralité d'autres éléments, en quantité variable, ces éléments permettant d'ajuster les propriétés magnétiques de la couche mince. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, dans lequel une résine (20) recouvre le sommet des plots avant le dépôt du matériau magnétique et l'on élimine cette résine après avoir déposé ce matériau magnétique, pour obtenir ainsi un premier dépôt sur les flancs des plots. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel on envoie sur le réseau de plots (2) un deuxième flux d'atomes d'un matériau de neutralisation en même temps que l'on envoie le premier flux et sous une incidence normale au plan du réseau ou sous une incidence oblique par rapport à la normale (z) au plan du réseau, avec un angle d'incidence opposé à celui du premier flux par rapport à cette normale, l'intensité du deuxième flux et le matériau de neutralisation étant choisis pour que l'alliage ainsi formé au fond des tranchées avec le matériau magnétique ait des propriétés magnétiques différentes de celles du premier dépôt obtenu sur les flancs des plots. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel on envoie le premier flux et au moins un deuxième flux d'atomes d'un matériau magnétique sur les plots (2), sous des incidences obliques par rapport à la normale (z) au plan du réseau, pour former des dépôts magnétiques (4, 26,28, 30) sur une pluralité de flancs de chaque plot. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, dans lequel on élimine le matériau magnétique déposé sur le sommet des plots et au fond des tranchées, cette élimination résultant par exemple d'une abrasion ionique sous une incidence oblique par rapport à la normale (z) au plan du réseau, avec un angle d'incidence opposé à celui du premier flux. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, dans lequel on envoie un deuxième flux d'atomes, en même temps que le premier flux, sous un incidence oblique par rapport au plan du réseau, avec un angle d'incidence opposé à celui du premier flux, l'intensité et la nature des atomes du deuxième flux étant aptes à conduire, avec le premier flux, à la formation d'un alliage non magnétique au sommet des plots et au fond des tranchées. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel, après avoir déposé les atomes des premier et deuxième flux, - on intervertit ces premier et deuxième flux et l'on envoie les flux ainsi intervertis sur les plots ou - on fait tourner le réseau de 1800 autour de la normale (z) au plan du réseau et l'on envoie à nouveau les premier et deuxième flux, afin d'obtenir un dépôt des atomes des premier et deuxième flux sur deux flancs opposés de chaque plot. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 10, dans lequel - on forme la couche mince en présence d'un champ magnétique extérieur ou - après avoir formé la couche mince, on traite thermiquement cette couche mince en présence d'un champ magnétique extérieur, afin d'induire un axe d'anisotropie magnétique dans le plan de cette couche mince. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendication 3 à 11, dans lequel les plots (32) ont une section transversale circulaire ou elliptique parallèlement au plan du réseau, la couche (34) mince formée latéralement sur chaque plot ayant ainsi un gradient latéral d'épaisseur, et l'on utilise ce gradient pour induire un axe d'anisotropie magnétique perpendiculaire au plan du réseau. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 12, dans lequel on forme en outre une couche protectrice sur toute la surface du réseau puis on effectue un planage de cette surface ainsi pourvue de la couche protectrice, afin d'éliminer tout relief.