INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce qui a été exprimé ci-dessus comme valeur de résistance correspond en fait à une diminution de la résistivité du silicium polycristallin constituant l'élément résistif. Les inventeurs considèrent que l'on assiste à une modification stable de la structure cristalline du silicium polycristallin et que l'on assiste, en quelque sorte, à un fluage du matériau, la structure cristalline finale obtenue dépendant du courant maximum atteint. En fait, le courant de contrainte provoque une élévation de température de l'élément en silicium, ce qui entraîne un fluage de celui-ci.
Bien sûr, on veillera à ne pas dépasser la plage de courants de programmation A2 (de l'ordre de quelques milli-
La durée du signal d'extraction appliqué sur l'entrée E n'a pas d'importance. Il s'agit d'un signal "numérique" à deux états, l'extraction ou lecture étant provoquée, dans cet exemple, par le front montant . Par la suite, la disparition de l'état haut supprime l'alimentation de la cellule, donc le bit stocké.
Pour préserver le caractère indécelable du code et le rendre dépendant des dispersions technologiques et de procédés de fabrication, il est important que les résistances Rg et Rd soient prévues identiques et que seule leur dispersion (par essence, non observable) conditionne, en sortie de fabrication, le bit extrait de la cellule. Même si les résistances Rg et Rd sont rigoureusement identiques, la constitution de la cellule 1
fait qu'elle ne peut pas présenter un état indéterminé. Elle prendra forcément un état, par exemple, selon d'autres dispersions (entre les transistors, entre les chemins amenant le front depuis la borne E, etc.).
On voit déjà apparaître un avantage de l'invention selon ce mode de réalisation qui est que, pour lire le contenu d'une cellule, aucune comparaison par rapport à un élément externe à la cellule n'est nécessaire.
Pour garantir une reproductibilité de l'état (bit) de la cellule à chaque lecture, on prévoit, selon une autre caractéristique de l'invention, de stabiliser ce contenu lors d'une première lecture. En d'autres termes, lors d'une phase de mise en route, de première utilisation, de configuration ou analogue, on effectue une première lecture du bit issu des paramètres physiques, puis on déclenche une étape de stabilisation de la cellule.
Par stabilisation, on entend au sens de l'invention, une confirmation durable de la valeur native (issue de fabrication) de la cellule.
Pour ce faire, les résistances Rg et Rd sont, selon une caractéristique de l'invention, des résistances en silicium polycristallin dont les valeurs respectives peuvent faire l'objet d'une diminution irréversible, comme cela sera exposé par la suite en relation avec les figures 2 et 3. Pour l'instant, on se contente de noter que si la résistance Rg ou Rd est soumise à un courant, dit de stabilisation ou confirmation, supérieur au courant pour lequel sa valeur est maximale, on assiste à une diminution irréversible de la valeur de sa résistance lorsque l'on revient à des courants situés dans la plage nominale de fonctionnement. La plage nominale des courants de fonctionnement d'une résistance en silicium polycristallin utilisée selon l'invention est inférieure à la centaine de microampères et, le plus souvent, inférieure à la dizaine de microampères. L'amplitude des courants de stabilisation est de l'ordre de quelques milliampères.
Selon l'invention, l'étape de stabilisation consiste à soumettre à un courant élevé par rapport à la plage de courants de fonctionnement, la résistance de la branche qui a, lors d'une première lecture, présenté un état haut (indiquant donc, en principe une résistance de valeur moindre). Cela confirme alors l'état de la cellule en diminuant de façon notable la valeur de cette résistance. Bien sûr, le courant de stabilisation ne doit pas être appliqué à l'autre résistance, faute de quoi, elle subirait une diminution de valeur identique, ce qui annulerait l'effet de confirmation escompté.
Pour imposer, dans l' une des résistances Rg et Rd, un courant de stabilisation, supérieur aux courants de fonctionnement de cette résistance, la borne E sert, en phase de stabilisation, d'application d'un potentiel continu d'alimentation Vp (ici positif). Ce potentiel d'alimentation est, selon l'invention, supérieur au potentiel Vr d'utilisation de la cellule en lecture, c'est-à-dire au potentiel haut du front appliqué sur la borne E. De plus, on prévoit deux transistors MOS MN3d et MN3g (dans cet exemple à canal N) respectivement associés à chacune des branches en reliant la borne Q, respectivement NQ à la masse. Les grilles respectives des transistors constituent deux bornes W et NW d'entrée de commande en stabilisation de la cellule. Un seul des transistors MN3g et MN3d est destiné à être rendu passant pendant l'étape de stabilisation.
Celui des transistors MN3g et MN3d qui est passant court-circuite les deux autres transistors MN1 et MN2 de la branche concernée, et impose la circulation d'un courant dans la résistance Rg ou Rd de cette branche. Le potentiel Vp de stabilisation est choisi pour que le courant qui circule alors dans la résistance Rg ou Rd soit supérieur au courant pour lequel cette résistance présente une valeur maximale. Cette caractéristique de l'invention ressortira mieux de la description qui sera faite par la suite en relation avec les figures 2 et 3.
Les transistors MN2g et MN2d de la cellule doivent être bloqués dans la phase de stabilisation (entrée R au niveau bas). Ils servent à protéger les transistors de lecture MNlg et MN2g en rendant leurs sources flottantes. En déconnectant les transistors MN1, les transistors MN2 empêchent qu'ils voient à leurs bornes la tension élevée Vp. Par conséquent, les transistors MN1 et MN2 peuvent être dimensionnés en fonction de la tension de lecture Vr. Seuls les transistors MN3g et MN3d ont besoin d'être dimensionnés pour tenir la tension Vp et supporter le courant relativement élevé (par rapport à la plage de fonctionnement en lecture) servant à stabiliser la cellule.
La figure 2 représente un mode de réalisation d'une résistance en silicium polycristallin utilisée pour former les résistances Rd et Rg d'une cellule selon l'invention.
Une telle résistance (désignée par 11 en figure 2) est constituée d'une piste (dite aussi barreau) en silicium polycristallin obtenue par gravure d'une couche déposée sur un substrat 12 isolant. Le substrat 12 est indifféremment directement constitué du substrat du circuit intégré ou est constitué d'une couche isolante formant un substrat isolant ou équivalent pour la résistance 11. La résistance 11 est connectée, par ses deux extrémités, à des pistes conductrices (par exemple, métalliques) 13 et 14 destinées à raccorder le barreau résistif aux autres éléments du circuit intégré. La représentation schématique de la figure 2 ne fait pas référence aux différentes couches isolantes et conductrices constituant généralement le circuit intégré. Pour simplifier, on s'est contenté de représenter le barreau résistif 11 posé sur le substrat isolant 12 et en contact, par les extrémités de sa face supérieure, avec les deux pistes métalliques 13 et 14. En pratique, les liaisons de l'élément résistif 11 aux autres composants du circuit intégré sont obtenues par des pistes plus larges en silicium polycristallin partant des extrémités du barreau 11 dans l'alignement de celui-ci. En d'autres termes, l'élément résistif 11
est généralement formé en rendant un tronçon d'une piste en silicium polycristallin plus étroit que le reste de la piste.
La résistance R de l'élément 11 est donnée par la formule suivante : R = p(L/s), où p désigne la résistivité du matériau (silicium polycristallin le cas échéant dopé) constituant la piste dans laquelle est gravé l'élément 11, où L désigne la longueur de l'élément 11, et où s désigne sa section, c'est-à-dire sa largeur 1 par son épaisseur e. La résistivité p de l'élément 11 dépend, entre autres, du dopage éventuel du silicium poly- cristallin le constituant.
Le plus souvent, lors de la réalisation d'un circuit intégré, on prévoit les résistances en faisant référence à une notion dite de résistance par carreau R# (square resistance). Cette résistance par carreau se définit comme étant la résistivité du matériau divisée par l'épaisseur avec laquelle il est déposé. En reprenant la relation ci-dessus donnant la résistance d'un élément 11, la résistance est donc donnée par la relation : R = R# * L/l.
résistance en silicium polycristallin constitutive d'un chemin électrique selon la présente invention ; la figure 3 illustre, par un réseau de courbes, la stabilisation de la valeur d'un chemin électrique selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention ; la figure 4 représente, sous forme de blocs, un mode de réalisation d'un circuit de stockage et d'extraction d'un code binaire selon un mode de réalisation de l'invention. la figure 5 représente le schéma électrique d'une colonne de cellules de stockage selon un autre mode de réalisation de l'invention ; la figure 6 représente le schéma électrique d'un mode de réalisation de l'amplificateur de lecture différentiel de la figure 5 ; la figure 7 représente le schéma électrique d'un autre mode de réalisation du circuit de lecture différentiel de la figure 5 ; la figure 8 représente le schéma électrique d'une cellule de stockage selon un autre mode de réalisation de l'invention ; @ la figure 9 représente un exemple de réalisation d'un amplificateur avec trigger de Schmitt utilisé dans le mode de réalisation de la figure 8 ; et la figure 10 représente le schéma électrique d'une cellule de stockage selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références aux différentes figures. Pour des raisons de clarté, seuls les éléments qui sont nécessaires à la compréhension de l'invention ont été représentés aux figures et seront décrits par la suite. En particulier, les différents circuits de lecture et d'exploitation des mots binaires stockés dans un circuit selon l'invention n'ont pas été détaillés. L'invention peut être mise en oeuvre quelle que soit l'exploitation faite du code binaire fonction des paramètres physiques du circuit intégré. De
plus, la réalisation pratique d'une résistance en silicium polycristallin par dépôt et gravure n'a pas été détaillée, l'invention pouvant être mise en oeuvre sur une résistance formée de façon classique.
Une caractéristique de l'invention est de détecter une différence initiale (native) entre des résistances conditionnant un état binaire à extraire, et de confirmer ou stabiliser (rendre invariable) le signe de cette différence quelle qu'il soit.
Dans un mode de réalisation appliqué à une mesure temporelle, une caractéristique de la présente invention est de prévoir, au sein même de chaque élément de lecture ou d'extraction de type bistable ou bascule fournissant un bit d'un code binaire enfoui, un chemin électrique de référence à comparer avec un chemin électrique représentatif du bit enfoui.
Plus précisément, l'invention prévoit, pour chaque bit d'un code binaire mémorisé sous la forme de chemins électrique ayant des constantes de temps différentes, une structure différentielle d'extraction du bit correspondant.
Dans un autre mode de réalisation appliqué à une mesure différentielle de tension ou de courant, une caractéristique de la présente invention est de provoquer une lecture de la différence entre les résistances par une conversion résistance-tension à courant constant ou résistance-courant à tension constante. Cette lecture, appliquée à l'état initial (natif ou issu de fabrication) sert à détecter le signe de la différence entre les résistances qui est ensuite confirmé ou stabilisé comme on le verra par la suite.
La figure 1 représente le schéma électrique d'une cellule 1 d'extraction d'un bit stocké sous la forme d'un chemin électrique selon un mode de réalisation de la présente invention.
La cellule 1 comprend deux branches parallèles de constitution identique entre deux bornes E et M d'application d'une tension, la borne M représentant la masse. Cette tension
qui alimente la cellule est, comme on le verra par la suite, différente selon que l'on effectue une extraction ou lecture du bit, ou une étape caractéristique de stabilisation ou de confirmation de ce bit.
Une première branche, dite droite dans l'orientation de la figure, comporte en série, une résistance Rd, un premier transistor MOS de lecture MN1d, et un deuxième transistor MOS de sélection MN2d. L'interconnexion entre la résistance Rd et le transistor MN1d (donc le drain de ce transistor) constitue une première borne Q de sortie dite arbitrairement directe (non inversée). Une deuxième branche, dite gauche dans l'orientation de la figure, comporte en série, une résistance Rg, un premier transistor MOS de lecture MN1g, et un deuxième transistor MOS de sélection MN2g. L'interconnexion entre la résistance Rg et le transistor MN1g (donc le drain de ce transistor) constitue une deuxième borne NQ de sortie inverse par rapport à la borne Q. La grille du transistor MN1g est reliée à la borne Q tandis que la grille du transistor MN1d est reliée à la borne NQ pour obtenir l'effet bistable recherché. Les grilles des transistors MN2g et MN2d sont reliées ensemble à une borne R destinée à recevoir un signal de sélection en lecture de la cellule 1. Dans l'exemple représenté, tous les transistors sont à canal N.
Selon l'invention, les résistances Rg et Rd sont, en fabrication, dimensionnées de façon identique pour avoir la même valeur. Ces résistances font partie des chemins électriques associés à la cellule 1. Elles définissent, chacune avec la grille du transistor de la branche opposée avec laquelle elles sont respectivement reliées, une cellule RC. Ces cellules RC conditionnent les constantes de temps des chemins électriques reliant la borne E aux bornes Q et NQ, respectivement.
Le fonctionnement d'une cellule selon l'invention telle que décrite ci-dessus est, en lecture, le suivant. La borne d'entrée R reçoit un signal de configuration en lecture ou d'extraction (état haut), rendant conducteur les deux transistors MN2g et MN2d.
Par la suite, on applique un front (positif avec les polarités de ce mode de réalisation) sur l'entrée E de la cellule décrite ci-dessus. L'apparition de ce front sur les bornes Q et NQ devrait être simultanée si les composants étaient tous rigoureusement.' identiques. En pratique, ce n'est pas le cas, ne serait-ce qu'en raison des dispersions technologiques et de procédé de fabrication. Il en découle qu'une des bornes Q et NQ voit son potentiel croître plus vite que l'autre. Ce déséquilibre provoque la conduction d'un des transistors MN1g et MN1d. En raison du croisement des grilles de ces transistors, celui qui conduit le premier est celui dont la grille participe au chemin électrique de constante de temps la plus faible, donc celui dont le potentiel de drain croît moins vite que l'autre.
Une fois conducteur, ce transistor MN1 force son drain (donc la borne de sortie Q ou NQ correspondante) à la masse, ce qui confirme le blocage du transistor MN1 de l'autre branche, donc l'état haut sur la borne de sortie correspondant.
En supposant que la constante de temps ne diffère qu'en raison d'une différence entre les résistances (ou que les autres dispersions sont négligeables par rapport à l'écart de valeur entre les résistances), la résistance de valeur la plus faible engendre une constante de temps plus faible.
Cet allongement est obtenu en privilégiant les fumées (7) et (8) qui empruntent les 2 orifices (5) et (6) situés de part et d'autre d'une margelle (4) située en contrebas de la partie arrière (3) d'un déflecteur plat (1) situé dans un avaloir (9) La section des orifices (5) et (6) est calculée de manière à ce que les pertes de charge dans ces deux orifices soient légèrement inférieures à celles des autres passages des fumées en périphérie du plat (2) du déflecteur (1)
Les fumées (7) et (8) qui empruntent les orifices (5) et (6) de part leur force dans leur parcours entre le dessus du plat (2) du déflecteur (1) et le dessous (17) de l'avaloir (9) empêchent les autres fumées (11) (12) (13) (14) (15) et (16) d'entrer trop directement dans l'exutoire (10) et les obligent à suivre leur parcours plus long.
Un tel dispositif cumule à la fois les avantages d'une meilleure combustion, d'une sécurité accrue dans une recherche économique de fabrication.
Bien entendu, l'invention n'est évidemment pas limitée au mode de réalisation représenté et décrit ci-dessous, mais en couvre au contraire toutes les variantes notamment en ce qui concerne les formes, dimensions et disposition des divers éléments.
La présente invention a pour objet un contact électrique cylindrique muni d'un ressort de contact intérieur avec une entrée calibrée faisant office de guide de contact mâle.
Les contacts considérés comme les plus performants sont ceux qui offrent une force d'insertion faible tout en garantissant une faible résistance de contact.
Il est également important que les contacts femelles soient aussi à entrée fermée de telle façon qu'ils ne puissent pas être violés par un contact mâle d'un calibre plus important ou par tout objet comme un outil qu'on voudrait faire pénétrer à force et perdent ainsi leur propriété élastique. C'est une des faiblesses que l'on reproche souvent aux contacts à douille fendue équipés ou non d'un ressort de rappel extérieur. Rien n'empêche qu'ils ne soient violés par un contact mâle d'un calibre supérieur qui les ouvre au delà de leur limite élastique.
Il est également important qu'un contact femelle présente à son entrée un cône de guidage qui corrige un éventuel mésalignement du contact mâle qui lui correspond.
Pour pallier cette faiblesse, on peut fabriquer des contacts femelles composés d'une douille lisse à l'intérieur de laquelle on a glissé un insert en métal conducteur ressort qui fait contact entre le corps conducteur de la douille et le contact mâle qui la pénètre.
Il est évident que le dit insert ressort doit être maintenu dans la douille par un moyen quelconque pour éviter qu'il ne soit entraîné à l'extérieur de la douille par le contact mâle quand on l'extrait pour déconnecter le contact.
Une des façons de garantir cette rétention de l'insert ressort dans la douille consiste à usiner à l'intérieur de cette dernière un logement en forme de chambrage ou de gorge et de s'assurer que l'insert de ressort vienne par sa forme se loger et se verrouiller en s'épanouissant dans la dite gorge lorsqu'on l'insère dans la douille.
Le chambrage étant usiné dans une paroi relativement épaisse, il est possible d'usiner aussi un cône de guidage à l'entrée de la douille A cause de l'extrême fragilité des outils de décolletage nécessaires, ce type de chambrage ou de gorge est cependant impossible à usiner dans une douille de petit calibre avec un diamètre intérieur égal ou inférieur à 2 mm.
Un autre moyen connu consiste à insérer le ressort de contact dans une douille et de coiffer cette dernière d'un fourreau la ceinturant et dont l'extrémité resserrée a un diamètre suffisant pour laisser passer le contact mâle mais suffisamment étroit pour emprisonner le ressort. L'entrée de ce fourreau peut être équipée d'un cône de guidage. Ce fourreau est ensuite rendu solidaire du corps de la douille par sertissage par exemple.
Ce moyen met en oeuvre plusieurs pièces et est donc coûteux.
On a aussi essayé d'utiliser un procédé simple qui consiste à insérer un ressort de contact dans une douille lisse et de refermer l'entrée de la dite douille par une opération de déformation qui replie vers l'intérieur les parois de la dite douille de telle façon que le passage du contact mâle soit garanti mais que le ressort de contact soit emprisonné par cette entrée refermée et ne puisse être extrait par le frottement de l'extraction du contact mâle.
Cette solution comporte cependant un inconvénient majeur. En effet, elle supprime tout cône d'entrée permettant un pré guidage du contact mâle et ne tolère pratiquement aucun mésalignement de la broche avec la douille dans le protocole de connexion.
L'invention est applicable dans le cas de l'utilisation de récepteurs DGPS, c'est-à-dire de récepteur recevant, outre les signaux satellites, des signaux de correction envoyés par des stations sol locales qui reçoivent les mêmes signaux de satellites et dont la position exacte est connue. La station sol envoie des corrections de pseudo-distances et ce sont les pseudodistances PD, ainsi corrigées qui servent à l'initialisation de l'hybridation, le filtre de Kalman étant ensuite entretenu par des variations de phase de porteuse comme cela a été expliqué.
SYSTEME DE DYNAMOMETRE POUR TESTER LES ANCRAGES DE FIXATION DE MATERIEL SPORTIF Suivant la norme française n NFS 52 400 il est spécifié que les ancrages pour accrochages du matériel sportif tel que des agrès de gymnastique doivent être testés d'une part verticalement par rapport au sol et d'autre part à 45 .
Un simple trépied permet de réaliser le test de traction vertical.
Par contre, pour le test de traction à 45 il est difficile de faire ce test sans s'accrocher à un point fixe (mur ou masse d'appoint).
Le fait d'exercer une traction à 45 avec un trépied classique déplace ce dernier.
L'objet de l'invention a pour but de faciliter la réalisation de ces tests et de supprimer cet inconvénient.
L'invention consiste en un appareillage à double dynamomètre (FIG. 1) positionné sur un châssis.
Le châssis (1) est fixé sur un socle (2) muni d'anti-dérapant (3) sur le dessous. Le trou (4) dans le socle (2) permet l'accrochage des chapes fourchettes (5) et (6) des dynamomètres (A) et (B) à l'ancrage à tester.
Les manivelles (7) et (8) des dynamomètres (A) et (B) permettent de mettre en traction ces derniers par simple compression des ressors calibres ou, par traction ou compression de dynamomètre électronique.
Les graduations (9) et (10) permettent la lecture des forces appliquées.
Cet appareil compact est facilement transportable.
La figure 2 montre le fonctionnement selon la formule de calcul ci-dessous : A)-Préambule : - les vecteurs en caractères gras et les scalaires en caractères normaux ; - 1 = Ix. x+Iy. y+lz. z : l'effort exercé au point 1 par milieu extérieur sur le support (flèche en gras sur les schémas) - M (I/J) = M (I/J) x. x + M (I/J) y. y + M (I/J) z. z : le moment exercé en 1 et calculé en J (double flèche en gras sur les schémas).
Toutes les valeurs numériques calculées sont arrondies par borne supérieure.
B)-Calculs On désire tester les ancrages avec une force de 800 daN dans une direction oblique à 450.
Repère orthonormé direct (x, y, z) Forces : - 800 daN exercé par le testeur sur l'ancrage, - A : force exercée par le dynamomètre vertical et transmise par la tige filetée à l'ancrage ; - B : force exercée par le dynamomètre à 30 et transmise par la tige filetée à l'ancrage.
Plusieurs exemples d'application correspondant aux divers modes de commutation de l'interrupteur Kl précités, sont décrits ci-après : En premier lieu, la figure 3a représente le mécanisme de commutation de la figure 2 configuré de façon à déterminer le mode de commutation fermeture commandée-ouverture automatique (positions (b) et (e) des sélecteurs 6,7).
Selon cette configuration, entre deux impulsions de la ligne de fermeture commandée 19, l'entrée de la porte logique 25 à laquelle est connectée la ligne de dérivation 21 est à un niveau logique haut du fait de la présence de l'inverseur 23. Par conséquent, lorsque la tension aux bornes de l'interrupteur Kl devient supérieure au seuil d'ouverture automatique, l'entrée "reset"de la bascule 28 est activée entraînant l'ouverture automatique de chaque transistor de l'interrupteur Kl.
Par contre, lors d'une impulsion sur la ligne de commande 19, l'ouverture automatique est inactivée du fait que l'entrée de la porte logique 25 sur laquelle est connectée la ligne de dérivation 21 se trouve portée à un
niveau logique bas, et l'entrée"set"de la bascule 28 est activée entraînant la fermeture de chaque transistor de l'interrupteur Kl.
La figure 3b représente une variante permettant également d'obtenir le mode de commutation fermeture commandée (position fermée du sélecteur 10 et position c du sélecteur 6)-ouverture automatique (position e du sélecteur 7).