REVENDICATIONS 1. Ensemble de nano-objets (4,10, 12, 22, 24), notamment de fils atomiques, de nano-structures unidimensionnelles et de plots quantiques, cet ensemble étant caractérisé en ce que les nano-objets sont faits d'un métal et formés sur la surface (2,6, 14) d'un substrat monocristallin de carbure de silicium en phase cubique. 2. Ensemble de nano-objets selon la revendication 1, dans lequel la surface (2) est une surface de carbure de silicium cubique, riche en silicium ss-SiC(100)3x2 et les nano-objets sont des agrégats tridimensionnels (4) du métal sur cette surface. 3. Ensemble de nano-objets selon la revendication 1, dans lequel la surface (6,14) est une surface de carbure de silicium cubique, terminée Si ssSiC(100) c (4x2), et les nano-objets sont des fils atomiques parallèles (10, 22) ou des bandes unidimensionnelles nanométriques parallèles (12,24) du métal. 4. Ensemble de nano-objets selon la revendication 3, dans lequel la surface (6,14) comporte des fils atomiques parallèles de Si (8,20), les fils atomiques et les bandes unidimensionnelles du métal étant perpendiculaires à ces fils atomiques de Si. 5. Ensemble de nano-objets selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la surface comporte des zones passivées (15) et des zones non passivées (16,18) et les nano-objets sont formés sur ces zones non passivées de la surface. 6. Ensemble de nano-objets selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le métal est choisi parmi les métaux dont la bande d est pleine, les métaux de type jellium, les métaux alcalins et les métaux de transition. 7. Procédé de fabrication d'un ensemble de nano-objets, dans lequel on prépare une surface(2, 6, 14) d'un substrat monocristallin de carbure de silicium cubique et l'on dépose un métal sur la surface ainsi préparée. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le dépôt du métal est réalisé à une température supérieure ou égale à la température ambiante. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel on prépare une surface (2) de carbure de silicium cubique, riche en silicium ss-SiC(100) 3x2 et l'on dépose le métal sur la surface ainsi préparée. 10. Procédé selon la revendication 7, dans lequel on prépare une surface (6,14) de carbure de silicium terminée Si ss-SiC(100) c (4x2), on dépose à température ambiante le métal sur la surface ainsi préparée et l'on obtient, par migration de surface des atomes de métal le long de rangées de dimères Si-Si de la surface c(4x2), des fils atomiques du métal, qui sont parallèles aux rangées de dimères Si-Si. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel on effectue un recuit thermique du substrat à une température inférieure à la température de désorption totale du métal. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel le métal est déposé par évaporation sous vide. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel le métal est déposé dans une atmosphère inerte. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 13, dans lequel on forme des zones passivées (15) sur la surface ainsi préparée et l'on dépose ensuite le métal sur des zones non passivées (16,18) de cette surface. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 14, dans lequel le métal est choisi parmi les métaux dont la bande d est pleine, les métaux de type jellium, les métaux alcalins et les métaux de transition. 16. Procédé selon la revendication 10, dans lequel on utilise un laser pour obtenir la désorption du métal soit par interaction thermique du faisceau émis par ce laser sur la surface couverte de métal, soit par désorption du métal, induite par des transitions électroniques. 17. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la surface est une surface terminée C de type sp, à savoir la surface (3-SiC (100) c (2x2) . 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel cette surface comprend des lignes atomiques de C de type sp3 et l'on forme des fils atomiques de métal qui sont soit parallèles, soit perpendiculaires aux lignes atomiques de C.