REVENDICATIONS 1. Dispositif de réglage d'un appareil (2) de génération d'un faisceau de particules chargées (14), en particulier un faisceau d'ions ou d'électrons, ce faisceau étant destiné à interagir avec une cible (18), ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de réglage (40) prévus pour : - mémoriser les caractéristiques souhaitées pour le faisceau de particules, déterminées par l'utilisateur de l'appareil, - déterminer les valeurs des paramètres de réglage de l'appareil en fonction de ces caractéristiques et mémoriser ces valeurs, et - donner ces valeurs mémorisées aux paramètres de réglage de l'appareil. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens de réglage (40) sont en outre prévus pour : - mesurer en permanence ou périodiquement ces paramètres, lorsque le faisceau de particules chargées (14) interagit avec la cible (18), et déterminer les caractéristiques du faisceau à partir de ces mesures, - comparer les caractéristiques ainsi déterminées aux caractéristiques mémorisées et - si au moins l'une des caractéristiques ainsi déterminées se trouve en dehors d'un intervalle d'amplitude prédéfinie, centré sur la caractéristique mémorisée correspondante, modifier les paramètres de réglage de l'appareil (2) et/ou informer l'utilisateur de l'appareil. 3. Dispositif selon la revendication 1, les particules chargées étant des ions, la cible étant un substrat (18), l'appareil (2) comprenant une source d'ions (4), des moyens (6) d'accélération de ces ions et des moyens (10) de focalisation de ces ions, cet appareil étant destiné à la fabrication d'une structure, en particulier d'une nano-structure, sur le substrat (18), le faisceau d'ions étant apte à éroder ce substrat, dispositif dans lequel les moyens (40) de réglage sont prévus pour : - mémoriser les caractéristiques souhaitées pour le faisceau d'ions, déterminées par l'utilisateur de l'appareil en fonction de la structure à fabriquer, - déterminer les valeurs des paramètres de réglage de l'appareil (2) en fonction de ces caractéristiques et mémoriser ces valeurs, et - donner ces valeurs mémorisées aux paramètres de réglage de l'appareil. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les moyens de réglage (40) sont en outre prévus pour : - mesurer en permanence ou périodiquement ces paramètres, en cours de fabrication de la structure, et déterminer les caractéristiques du faisceau (14) à partir de ces mesures, - comparer les caractéristiques ainsi déterminées aux caractéristiques mémorisées et - si au moins l'une des caractéristiques ainsi déterminées se trouve en dehors d'un intervalle d'amplitude prédéfinie, centré sur la caractéristique mémorisée correspondante, modifier les paramètres de réglage de l'appareil (2) et/ou informer l'utilisateur de l'appareil. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, dans lequel les caractéristiques du faisceau d'ions (14) comprennent la taille et la densité de courant de ce faisceau d'ions. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel les moyens de réglage (40) sont en outre prévus pour mettre en oeuvre les étapes suivantes : - commander l'appareil (2) pour former sur le substrat (18), dans une zone de ce substrat qui n'est pas destinée à la formation de la structure, une empreinte de test conformément à une empreinte numérique de référence mémorisée, - numériser l'empreinte de test, - comparer l'empreinte de test numérisée à l'empreinte numérique de référence mémorisée, et - si ces empreintes sont différentes, modifier au moins l'un des paramètres de réglage de l'appareil et répéter ces étapes jusqu'à l'obtention d'un réglage convenable de l'appareil. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel les moyens de réglage (40) sont en outre prévus pour : - mesurer les paramètres de réglage de l'appareil (2) à tout instant ou périodiquement pendant la fabrication de la structure et - si au moins l'un des paramètres dérive et sort donc d'un intervalle d'amplitude prédéfinie, centré sur le paramètre mémorisé correspondant, modifier le paramètre mesuré pour qu'il se retrouve dans cet intervalle. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel les moyens de réglage (40) sont en outre prévus pour : - mesurer les paramètres de réglage de l'appareil (2) à tout instant ou périodiquement pendant la fabrication de la structure et - en cas d'instabilité d'au moins l'un de ces paramètres, interrompre la fabrication et informer l'utilisateur et/ou calibrer l'appareil pour régler à nouveau ce paramètre. 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les moyens de réglage (40) sont prévus pour mettre en oeuvre les étapes suivantes en vue de calibrer l'appareil (2) : - commander cet appareil pour former sur le substrat (18), dans une zone de ce substrat qui n'est pas destinée à la formation de la structure, une empreinte de test conformément à une empreinte numérique de référence mémorisée, - numériser l'empreinte de test, - comparer l'empreinte de test numérisée à l'empreinte numérique de référence mémorisée, - si ces empreintes sont différentes, modifier le paramètre de réglage de l'appareil et répéter ces étapes jusqu'à l'obtention d'un réglage convenable de l'appareil. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, dans lequel les paramètres de réglage comprennent le courant d'émission de la source d'ions (4), l'énergie des ions, la focalisation du faisceau d'ions, l'amplitude du champ d'écriture sur le substrat (18), la correction de stigmatisme et la distance entre l'appareil (2) et le substrat (18).