REVENDICATIONS 1. Transistor à blocage de Coulomb comprenant sur un substrat : - un empilement de couches de canal (22,22i, 22c) formant au moins une boîte quantique, - une source (12) et un drain (80) connectés à la boîte quantique par l'intermédiaire de jonctions tunnel, et empilés avec les couches de canal, - au moins une grille (60) en regard d'au moins un flanc de l'empilement. 2. Transistor selon la revendication 1, dans lequel l'empilement de couches comprend au moins un îlot conducteur nanométrique (22c) disposé entre des couches électriquement isolantes (22i). 3. Transistor selon la revendication 2, dans lequel l'îlot (22c) est formé par une couche continue de matériau conducteur. 4. Transistor selon la revendication 2, dans lequel l'îlot (22c) est formé par une couche de particule conductrices granulaires enrobées dans un matériau isolant. 5. Procédé de fabrication d'un transistor à blocage de Coulomb comprenant sur un substrat : - un empilement de couches de canal (22, 22i, 22c) formant au moins une boîte quantique, - une source (12) et un drain (80,82, 84) connectés à la boîte quantique par l'intermédiaire de jonctions tunnel, et empilés avec les couches de canal, - au moins une grille (60) en regard d'au moins un flanc de l'empilement, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le dépôt sur un substrat isolant d'une couche de source (12), d'une couche d'isolant tunnel (20) et un empilement alterné d'au moins une couche conductrice (22c) et d'au moins d'une couche isolante (22i), - une première gravure de l'empilement pour former une languette filiforme (30), - l'enrobage de la languette filiforme avec un matériau d'enrobage (40) isolant électrique, - une deuxième gravure de la languette de l'empilement pour former une colonnette (50), la deuxième gravure préservant le matériau d'enrobage (40) pour définir une gorge (52) s'étendant de part et d'autre de la colonnette (50), - la formation d'au moins une grille isolée (60) dans la gorge (52), - la formation d'un drain (84) en contact avec une extrémité de la colonnette opposée à la couche de source, par l'intermédiaire d'au moins une couche d'isolant tunnel (82). 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre la formation de bornes de connexion (92a, 92b, 94, 96) sur la couche de source, sur la grille, et sur le drain. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la formation de la grille isolée comprend le dépôt dans la gorge (52) d'un matériau d'isolant de grille (62), et d'un matériau de grille (66), puis la planage de ces couches avec arrêt sur la colonnette. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel on effectue la première gravure ultime selon une couche de gabarit (24) et on conserve au moins une portion de la couche de gabarit (24) sur la colonnette lors de la deuxième gravure ultime, et dans lequel le planage a lieu avec arrêt sur la portion de couche de gabarit. 9. Procédé de fabrication d'un transistor à blocage de Coulomb comprenant sur un substrat : - un empilement de couches de canal (22, 22i, 22c) formant au moins une boîte quantique, - une source (12) et un drain (80) connectés à la boîte quantique par l'intermédiaire de jonctions tunnel, et empilés avec les couches de canal, - au moins une grille (60) en regard d'au moins un flanc de l'empilement, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le dépôt sur un substrat isolant d'une couche de source (12), d'une couche d'isolant tunnel (26) et un empilement alterné d'au moins une couche conductrice (22c) et d'au moins d'une couche isolante (22i), - une première gravure de l'empilement selon un couche de gabarit (24) pour former une bande (31), - l'enrobage de la bande avec un matériau d'enrobage (40) isolant électrique, - une deuxième gravure de la bande (31) de l'empilement pour former une colonne (51), la deuxième gravure préservant le matériau d'enrobage (40) pour définir une gorge (52) de part et d'autre de la colonne (51), et la deuxième gravure préservant une partie de la couche de gabarit (24) sur la colonne (51), - la formation d'au moins une grille isolée (60) dans la gorge (52), - le retrait de la couche de gabarit (24) pour dégager une partie de la grille isolée et la formation contre la grille isolée d'au moins un espaceur (63) s'étendant partiellement sur la colonne (51), - la gravure de la colonne (51), en utilisant l'espaceur (63) comme masque de gravure, de façon à préserver au moins une partie de la colonne (51) disposée sous l'espaceur, - le découpage de colonnettes (50) dans la partie préservée de la colonne, - l'isolation des colonnettes, et - la formation d'au moins un drain (84) en contact avec au moins une extrémité d'une colonnette, opposée à la couche de source, par l'intermédiaire d'au moins une couche d'isolant tunnel (82). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le découpage des colonnettes (50) comprend : - la formation au-dessus de la partie préservée de la colonne, d'un pavé sacrificiel (100) de matériau de masque, avec au moins un flanc disposé au-dessus d'un bord d'au moins une colonnette devant être formée, - la formation d'au moins un espaceur (104) sur le flanc du pavé sacrificiel (100), - la gravure de la partie préservée de la colonne (51), en utilisant l'espaceur du pavé sacrificiel comme masque de gravure, pour préserver au moins une colonnette (50) sous cet espaceur. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la gravure de la partie préservée de la colonne (51) est précédée par l'élimination du pavé sacrificiel (100). 12. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la gravure de la partie préservée de la colonne comprend : - une première gravure en utilisant le pavé sacrificiel (100) et l'espaceur (104) du pavé comme masque de gravure, - la consolidation de la partie restante de la colonne par un matériau isolant électrique (108a), - l'élimination du pavé sacrificiel (100), en préservant l'espaceur (104) du pavé sacrificiel, et - une deuxième gravure en utilisant l'espaceur (104) du pavé sacrificiel comme masque, pour définir au moins une colonnette (50).