INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'élément B, tel que défini ci-dessus, peut être constitué uniquement de cation divalent baryum, mais ce cation peut être également substitué en partie par au moins un autre cation divalent tel que le strontium, le plomb, le fer.
L'élément C1 peut être constitué intégralement par le cation trivalent aluminium mais ce cation peut être substitué en partie par d'autres cations trivalents tels que le vanadium trivalent.
L'élément C2 peut être constitué intégralement soit par le cation fer trivalent, soit par le cation chrome trivalent, soit par un mélange de fer et chrome trivalents, ces deux cations pouvant être substitués en partie par d'autres cations trivalents, tels que le vanadium trivalent.
Enfin, l'élément D peut être constitué, de préférence, par le cation titane tétravalent ; ce cation peut être substitué en tout ou partie par d'autres cations tels que le manganèse divalent, trivalent ou tétravalent, le niobium pentavalent et l'antimoine pentavalent.
Ainsi, la céramique, selon l'invention, peut répondre aux formules suivantes : CsxBay (Al2l , Crz2) IIITi IV (S-x-2y) Oie ou CsXBaY(AlZl, FeZ2) IIITiI$-X-ay}W avec x, y, zl, Z2 ayant les mêmes définitions que celles données précédemment et zl+z2=x+2y.
En particulier, la céramique selon l'invention peut répondre à la formule Cso, ZsBal A11,46Feo, az ) III,I,iIVS, Zpls .
Selon l'invention, on peut faire varier la quantité de césium incluse dans la céramique de structure hollandite, selon l'invention, à une teneur en césium comprise entre 1 et environ 10% massique de Cs2O. Ainsi, le césium au niveau de telles structures est incorporable en quantité pondérale.
Selon un mode particulier réalisation de l'invention, le césium présent dans les compositions explicitées ci-dessus est du césium radioactif, tel que 135Cs, 137CS 133CS .
L'utilisation d'une céramique de structure hollandite, selon l'invention, pour l'incorporation de césium radioactif est particulièrement intéressante. Le césium étant incorporé dans le réseau même de la hollandite, est ainsi fixé et ne peut de ce fait diffuser à travers le réseau. Enfin, la céramique selon l'invention étant un matériau extrêmement stable thermiquement, l'effet thermique dû au césium radioactif, notamment le 137Cs n'aura pas d'incidence sur la céramique. En l'occurrence, la séparation isotopique entre 135CS et 137Cs n'est pas utile dans le cadre du conditionnement du césium dans les structures de l'invention.
Par ailleurs, les céramiques de structure hollandite selon l'invention ont une solubilité et une altérabilité très faible dans l'eau, ce qui limite la libération du césium incorporé dans la structure par un phénomène d'altération aqueuse.
La présente invention a également pour objet des procédés de synthèse de céramique à base de césium de structure hollandite ayant la formule suivante : AxBy(C12i/C2z2)Dt0i6 dans laquelle : - A représente le cation monovalent césium éventuellement substitué en partie par au moins un autre cation monovalent, - B représente le cation divalent baryum éventuellement substitué en partie par au moins un autre cation divalent, - C1 représente le cation trivalent aluminium éventuellement substitué en partie par au moins un autre cation trivalent, - C2 représente le cation trivalent fer ou chrome éventuellement substitué en partie par au moins un autre cation trivalent, - D représente au moins un cation choisi parmi les cations de titane tétravalent, de manganèse divalent, trivalent ou tétravalent, de niobium pentavalent et d'antimoine pentavalent, - x, y, z1, z2 et t sont tels que : 0,1#x#0,5 0,5#y#1,1 1#z1+z2#2,5 z1 et Z2 étant tousdeux non nuls 5<t<7,
x, y, z1, Z2, t étant choisis de telle sorte que les charges positives des cations compensent les charges négatives apportées par l'oxygène.
Selon un premier mode de réalisation de l'invention, les céramiques à base de césium de structure hollandite définies ci-dessus sont préparées par la succession d'étapes suivantes : a) préparer un précipité contenant A, B, C1, C2 et D par mélange en proportions stoechiométriques d'une solution d'alcoxyde mixte contenant C1 et D et d'une solution aqueuse saline contenant A, B, C2 ; b) soumettre le précipité de l'étape a) à un frittage à une température de 1150 à 1350 C.
Ce procédé permet ainsi de réaliser la fixation et l'immobilisation de césium sous forme atomique au sein d'une céramique de structure hollandite.
La première étape du présent procédé consiste à mélanger, en proportions stoechiométriques, en fonction de la composition chimique désirée, une solution d'alcoxyde mixte de C1 et D préparée préalablement avec une solution aqueuse saline contenant A, B, C2, afin d'obtenir par hydrolyse un précipité contenant les différentes espèces de la future céramique.
Selon l'invention, la solution d'alcoxyde mixte contenant C1 et D est préparée, préférentiellement par mélange en proportions stoechiométriques dans un alcool d'alcoxyde de C1 et d'alcoxyde de D.
(1) L'unité de terminal de ligne d'abonné (SLT) 8 convertit les longueurs de file d'attente Qi (cellules) qui sont notifiées à partir des unités de terminal (ONU) 4 selon des bandes passantes allouées provisoires B'i (étape S21) de la figure 8.
B'i = Qi * C/Tupdate où C est la capacité de ligne de transmission.
Lorsque le total des bandes passantes allouées provisoires B'i excède la bande passante partageable SH, toutes les bandes passantes allouées provisoires B'i sont comprimées de façon égale (S22 et S23) : si EB'i > SH B'i = B'i * SH/#B'i (2) Lorsque le temps d'arrivée idéal de pré-mise à jour (Ti avant mise à jour) est inférieur au temps de début de période de mise
à jour de bande passante (A), le temps d'arrivée idéal de pré-mise à jour Ti est établi au temps de début de période de mise à jour de bande passante A (S26, S27).
(3) Le nombre N'i de fenêtres temporelles allouées dans la période de mise à jour de bande passante lors de l'allocation des bandes passantes allouées provisoires B'i aux connexions VCi est calculé (S25). Le nombre N'i de fenêtres temporelles allouées qui est calculé ici est appelé nombre de fenêtres temporelles allouées provisoire.
N'i = Tupdate * B'i/C (4) Le dernier temps d'arrivée planifié provisoire A'i est ensuite calculé. Ici, A'i présente la même signification que A.HEAD'i qui a été mentionné ci-avant.
Le temps d'arrivée planifié de la dernière fenêtre temporelle (temps d'arrivée planifié provisoire) A'i lors de l'allocation des bandes passantes allouées provisoires B'i aux connexions VCi est calculé au niveau d'une étape S28.
A'i = A + (N'i - 1) * C/B'i où C/B' est les fenêtres temporelles allouées, c'est-à-dire l'intervalle des temps d'arrivée planifiés.
(5) Le temps d'arrivée idéal provisoire T'i est calculé. Ici, T'i présente la même signification que T.HEAD'i qui a été mentionné ci-avant. Lors de l'allocation des bandes passantes B'i aux connexions VCi, les fenêtres temporelles selon le nombre N'i sont allouées dans la période de mise à jour de bande passante. Le temps d'arrivée idéal (temps d'arrivée idéal provisoire) T'i de la dernière cellule est calculé au niveau de l'étape S28 mentionnée ci-avant.
T'i = Ti + N'i * C/Si où C/Si est l'intervalle des temps d'arrivée idéaux.
(6) Les bandes passantes réelles Bi qui sont allouées aux connexions VCi sont déterminées. lorsque (a) T'i < A'i + BT
(NON au niveau de l'étape S29), le paramètre de tolérance de salve (BT) n'est pas violé même s'il y a une allocation des bandes passantes allouées provisoires B'i sur les connexions VCi telles quelles. Par conséquent, les bandes passantes allouées provisoires B'i sont établies pour les bandes passantes allouées Bi (S30). lorsque (b) T'i > A'i + BT (OUI au niveau de l'étape S29), le paramètre de tolérance de salve (BT) devrait être violé si les bandes passantes allouées provisoires B'i étaient allouées aux connexions VCi telles quelles.
Afin de résoudre ce problème, le moyen de calcul 32 mentionné ci-avant (figure 1) trouve la solution à une équation quadratique prédéterminée comportant les valeurs Bi des bandes passantes allouées en tant que variables et utilise la solution en tant que bandes passantes allouées Bi envisagées. Si l'on explique cela de manière davantage détaillée, l'unité de fonction de calcul de bande passante 44 dans le moyen de calcul 32 résout l'équation quadratique présentée ultérieurement afin de recalculer les bandes passantes allouées Bi. A cet instant, la plus grande des deux solutions est de préférence sélectionnée. Ceci est basé sur des résultats d'expérimentations.
Tout d'abord, plusieurs équations conditionnelles rapportées sont données : Ti + N'i * C/Si = A + (N'i - 1) * C/Bi + BTi et N'i = Tupdate * B'i/C, de telle sorte que ce qui suit est obtenu : Ti + Tupdate * B'i/Si = A + (Tupdate * B'i/C -1) * C/B'i + BTi Si B'i et Si sont multipliés par au moins les deux membres de l'équation afin de la nettoyer et que l'équation quadratique qui suit est résolue, les bandes passantes allouées Bi à envisager sont trouvées (S31). "f' au niveau de l'étape S31 exprime la fonction quadratique : Tupdate . Bi2 + (Si + Ti - A . Si - Tupdate . Si - Si . BTi) . Bi + C .
Si = 0
La solution à l'équation quadratique qui est mentionnée ci-avant est : Bi = A#Si + Tupdate # Si + Si#BTi - Si#Ti 2Tupdate + (A -Si + Tupdate Si + SiBTi - SiTi)2 - 4 Tupdate C Si 2Tupdate (7) Les temps d'arrivée idéaux Ti sont mis à jour.
On va à présent considérer, à titre d'exemples, différents modes de réalisation permettant de mettre en évidence les caractéristiques du dispositif de l'invention.
Guides optiques réalisés dans la couche SOI inférieure Les figures 1,2 et 3 présentent les guides optiques après leur réalisation et avant le report de la couche supérieure.
La figure 1 illustre un guide 10 en silicium monocristallin entouré de deux zones d'isolant 11 en Si02, disposés sur une couche 12 d'isolant en Si02, et un substrat 13 en silicium.
La lumière se propage dans le guide 10 perpendiculairement au plan de la coupe. Une préparation de la surface supérieure, avec éventuellement des étapes de dépôt et/ou de polissage peut être nécessaire pour permettre le report par adhésion moléculaire de la couche SOI supérieure 14. L'isolant Si02 peut être remplacé totalement, ou localement, par, tout matériau d'indice optique différent de celui du silicium et compatible avec les procédés de fabrication utilisés.
La figure 2 illustre un guide 20 et des motifs 21 en silicium monocristallin obtenus après gravure dans une couche de silicium monocristallin disposée sur une couche 22 de Si02 et un substrat 23 en silicium.
La lumière se propage dans le guide 20 perpendiculairement au plan de la coupe.
Les motifs 21 assurent des fonctions du type piliers mécaniques, ou scellement, et garantissent une surface apte à réaliser un report de la couche SOI supérieure 24. Cette couche 24 peut ainsi être reportée sur une couche dite "structurée". Les espaces 25 entre ces motifs 21 et le guide 20 sont remplis d'air, de
vide, de gaz inerte ou de matériau de faible indice optique comme Si02 ou un polymère. Ces motifs 21 sont directement liés au procédé de report et ne sont pas toujours indispensables.
La figure 3 illustre un guide en silicium monocristallin 30 basé sur des structures à Bande Photonique Interdite (BIP).
Sur cette figure 3 on retrouve les éléments illustrés sur la figure 2, si ce n'est que le guide 20 a été défini par des structures BIP 30 remplies d'air, de vide, de gaz inerte ou de matériau de faible indice optique.
La couche SOI 24 peut là aussi être reportée sur une couche structurée.
D'autres matériaux peuvent être utilisés comme les matériaux III-V (AsGa, InP...) Moyens de couplage optique réalisés dans la couche SOI inférieure La figure 4 illustre un guide en silicium monocristallin 40 associé à un coupleur 41, entourés de deux zones d'isolant Si02 42 formant une couche optique 43 au-dessus d'une couche d'isolant 44 et d'un substrat en silicium 45. Une couche électrique 46 en silicium monocristallin est disposée au-dessus d'une couche 47 d'isolant Si02 et de la couche optique 43.
La lumière 48 se propage dans le guide optique 40 réalisé dans la couche optique 43, parallèlement au plan de la coupe. Cette lumière 48 est couplée entre le guide 40 et un élément source/détecteur, non représenté, situé dans la couche
supérieure par un coupleur 41. Ce coupleur est de type horizontal/vertical. Tous les matériaux et interfaces rencontrés sur le chemin lumineux doivent garantir une bonne propagation de la lumière 48.
Le coupleur peut être de différents types : par exemple un coupleur par réflexion 50, comme illustré sur la figure 5. Ce coupleur 50 peut alors être réalisé en silicium, avec éventuellement un traitement de surface.
Le coupleur peut être un coupleur par réseau de Bragg 60, comme illustré sur la figure 6. Ce coupleur 60 est basé sur une structure périodique diffractante. L'usage d'un réseau comme décrit dans le document référencé [2], ou plus généralement d'une structure diffractante (par exemple un réseau de trous) permet alors de rediriger la lumière guidée dans le plan de la couche optique 43 vers la direction verticale (et inversement d'une direction hors du plan vers l'axe des guides).
- La règle peut être constituée d'une barre d'acier traité, chanfreinée aux extrémités, rectifiée sur la longueur de passage des rouleaux de la chaîne et fixée en appui sur une partie du boîtier.
- Le boîtier peut être usiné dans son ensemble et comporter des emplacements à ses extrémités, pour les supports, des logements et des alésages pour les axes d'alignement des roulements, des chanfreins et des taraudages de fixation des guides latéraux.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : La figure 1 et la figure 2 représentent en coupe longitudinale, le dispositif selon l'invention.
La figure 3, la figure 4 et la figure 5 sont des vues de gauche en coupe qui se rapportent à la figure 1.
La figure 6 est une vue de gauche en coupe qui se rapporte à la figure 2.
La figure 7 représente une variante de l'invention.
Sur la figure 1, une vis sans fin (5) montée entre deux roulements radiaux (10) et deux roulements axiaux (11), logés dans des supports à paliers (6) vissés , par quatre vis (19), aux deux extrémités du boîtier (16) fixé sur le porte-outil de la machine par une entretoise (20) et quatre goujons (21), et en appui sur une courroie (2) guidée sur sa longueur par deux glissières latérales, alignée et tendue entre quatre poulies de guidage (3) et un tendeur à galet (12) montés sur les deux supports à paliers (6) et surmontée d'une bande métallique (1) tendue par un tendeur à galet (13). Un entraînement de la roue dentée (17) transmet un mouvement rotatif à la vis (5), renforcée sur sa longueur de filetage sous des roulements de soutien (9) et engrène une partie des dents de la courroie (2) qui entraîne la bande métallique (1), dans un mouvement linéaire et infini, en pression constante sur la surface la matière à souder en appui sur la table, par un défilement de la bande métallique, dans un déplacement rectiligne et conducteur électrique, sur la longueur à souder par haute fréquence ou par résistance thermo-électrique.
La figure 2, ayant les mêmes caractéristiques que la description de la figure 1, sauf que la chaîne à rouleaux (23), alignée entre un pignon (15) et un pignon tendeur (14) montés sur les supports (7) fixés sur le boîtier (16), est renforcée sur sa longueur, sous un chemin de roulement, en appui sur la règle (22) et la courroie (25) surmontée d'une bande métallique (1) rectiligne à table.
La figure 3 représente la position des poulies de guidage (3) par rapport au support (6).
La figure 4 et la figure 5 représentent la disposi- tion de la courroie (2), guidée par deux glissières latérales (4), par rapport à la vis (5), renforcée par les roulements de soutien (9), et à la bande métallique (1), interposée entre la matière à souder (18) et la table (24).
La figure 6 représente la position de la chaîne (23) par rapport à la règle (22) et à la courroie (25) surmontée de la bande métallique (1).
La figure 7 représente une variante de l'invention dans laquelle une chaîne à palettes (28), alignée et tendue entre un pignon (15) et un pignon-tendeur (14) montés sur les supports (7) fixés sur le boîtier (16), est renforcée sur sa longueur entre l'alignement des roulements de maintien (8) et la courroie (2) guidée sur sa longueur par deux glissières latérales (4) et surmontée d'une bande métallique (1).
L'invention concerne les bandes de roulement de pneumatiques destinés à équiper des essieux moteur de véhicules et plus particulièrement de véhicule de type poids lourd.
Une telle bande de roulement est généralement pourvue d'une sculpture formée d'éléments de relief, nervures et/ou blocs, séparés les uns des autres dans le sens transversal et/ou circonférentiel par des rainures circonférentielles et/ou transversales. En fonction de l'essieu sur lequel est monté un pneumatique, sa bande de roulement est pourvue d'une sculpture comportant davantage de blocs ou davantage de nervures d'orientation générale circonférentielle. Dans le cas d'un essieu moteur, c'est-à-dire un essieu auquel est transmis un couple moteur ou freiner, il est d'usage de réaliser plutôt des sculptures comportant à la fois par des rainures circonférentielles et transversales délimitant une pluralité de blocs. Les inconvénients majeurs de ce type de sculpture sont un assouplissement de la bande de roulement (diminution de la rigidité de cisaillement sous un effort tangent à la surface des éléments de relief au passage dans le contact) et une émission de bruit en roulage augmentant avec le taux d'entaillement (rapport des surfaces de rainures sur la surface totale de la bande de roulement).
Une autre possibilité consiste à réaliser une sculpture formée de nervures d'orientation générale circonférentielle (c'est-à-dire pouvant être en zigzag autour de cette direction) et à pourvoir ces nervures avec une pluralité d'incisions de faible largeur comparée à la largeur des rainures (en règle générale, la largeur moyenne des incisions est au maximum 2 mm) ; ces incisions peuvent être obliques ou non par rapport à la direction transversale sur le pneumatique et s'étendre sur une partie ou la totalité de l'épaisseur utile de la bande de roulement (par définition, 1'épaisseur utile correspond à l'épaisseur de bande de roulement que l'usager peut user tout en demeurant dans les prescriptions légales en vigueur). Si la présence de ces incisions est favorable en adhérence par la présence des nombreuses arêtes qu'elles forment sur la surface de roulement des nervures, l'augmentation de leur nombre conduit également à une diminution de rigidité qui est préjudiciable sur les autres performances du pneumatique, cette diminution de rigidité étant en partie lié à la possibilité qu'ont les parois de gomme en vis-à-vis délimitant chaque incision de glisser les unes par rapport aux autres lors du passage dans le contact avec la chaussée.
- et des moyens pour la fixation des deux extrémités du faux-
montant sur le dormant et/ou un support adjacent.
La mise en oeuvre d'un faux-montant, situé de préTérence en avant de l'ensemble constitué par le dormant et le châssis coulissant, présente l'avantage de constituer un système qui s'intègre visuellement parfaitement à l'ensemble constitué par le dormant et son coulissant. De plus, la fixation du faux-montant, à ses deux extrémités et de préférence haute et basse, permet d'obtenir un système résistant, de façon efficace, aux contraintes importantes apparaissant au démarrage du moteur
électrique et en début de translation du châssis coulissant.
Selon l'invention, les moyens de fixation des deux extrémités du fauxmontant, sur son support et le plus souvent sur les éléments de paroi formant l'entourage de la fenêtre, peuvent être réalisés de toutes façons
appropriées.
Selon une forme préférée mais non strictement nécessaire, de réalisation de l'invention, les deux extrémités du faux-montant sont creuses et les moyens de fixation comprennent au moins: - une embase comprenant un corps destiné à s'embo^ter dans le faux-montant au niveau d'une de ses extrémités et une tête de fixation, - une interface de fixation comprenant des moyens de fixation
sur un support et des moyens de fixation sur la tête de fixation.
De manière préférée, le faux-montant est réalisé sous la forme d'un tube qui est fourni dans une longueur correspondant à la hauteur maximum d'une fenêtre susceptible d'être équipée au moyen d'un dispositif de motorisation conforme à l' invention. Le moteur électrique est alors adapté à l'intérieur du tube au voisinage d'une extrémité de ce dernier, de sorte qu'une grande partie du faux-montant, située entre le moteur et son autre extrémité, est vide. Ainsi, un opérateur, chargé de mettre en place le dispositif de motorisation conforme à l' invention, peut adapter la longueur du faux-montant par simple découpe du tube constitutif de ce dernier. Selon une caractéristique de réalisation de l' invention, i'embase présente, au niveau de sa tête, une feuillure de réception de l'interface de fixation et des alésages pour la mise en place de vis d'assujettissement de l'interface de fixation à la tête de fixation. L'interface de fixation peut alors
être réalisée de toutes manières appropriées.
Selon une forme de réalisation, I' interface de fixation est constituée par une entretoise de forme sensiblement parallélopipédique
présentant des moyens de fixation sur un support et sur la tête de fixation.
Selon une autre forme de réalisation des moyens de fixation, I'embase présente d'une part, au niveau de sa tête, une rainure de réception d'une aile de fixation offerte par l'interface de fixation et, d'autre part, au moins un alésage débouchant dans la rainure pour une vis
d' immobilisation de l'aile de l' interface.
L' interface de fixation présente alors un pied de fixation sur un support à partir duquel s'étend 1'aile de fixation. Ainsi, i'interface de
fixation peut présenter une forme en T ou une forme d'équerre.
De façon précise, la présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un photodétecteur semiconducteur, dans lequel on fabrique un élément de photodétection en matériau semiconducteur, cet élément étant muni d'électrodes, ce procédé étant caractérisé en ce que, après cette fabrication et sans altérer les électrodes, on enlève une couche superficielle du matériau semiconducteur pour créer une nouvelle couche superficielle ayant les propriétés électriques du volume du matériau semiconducteur.
De préférence la couche superficielle est enlevée sur une profondeur au moins égale à 5nm.
Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, la fabrication de l'élément de photodétection comprend une préirradiation du matériau semiconducteur et la couche superficielle est enlevée après cette pré-irradiation.
Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé objet de l'invention, les électrodes sont coplanaires et l'on enlève la couche superficielle entre ces électrodes coplanaires.
Dans ce cas, les électrodes peuvent être interdigitées.
De préférence, on effectue une gravure du matériau semiconducteur pour enlever la couche superficielle.
Cette gravure peut être une gravure chimique apte à ne pas dissoudre les électrodes.
La gravure peut être effectuée au moyen d'une solution composée de 5 volumes d'acide sulfurique, 1 volume d'eau oxygénée et 1 volume d'eau.
Une résine de protection peut être appliquée sur les électrodes avant la gravure.
De préférence, l'épaisseur de la couche superficielle enlevée est au moins égale à 5 nm.
Selon un mode de mise en oeuvre préféré de l'invention, le photodétecteur est conçu pour détecter des rayonnements ultraviolets ou des rayons X de basse énergie.
L'invention concerne aussi un photodétecteur obtenu par le procédé objet de l'invention, l'élément de photodétection comportant une dénivellation autour de chaque électrode.