REVENDICATIONS 1. Capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) comprenant un substrat semiconducteur (110) sensiblement rectangulaire (10), qui a quatre côtés (10a), une surface active (11) d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière (12), qui est opposée à la surface active (11), d'orientation de face cristallographique (110), caractérisé en ce que chacune des surfaces (11,12) est entourée par les quatre côtés (10a), chacun des quatre côtés (10a) fait un angle de sensiblement 45 avec un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active (11), le substrat (10) comprend une membrane (14) dans la surface active (11), la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière (12), la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2), et 'une pression est détectée sur la base d'une variation d'une valeur de la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2). 2. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 3. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résistance extensométrique (Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction de l'axe cristallographique d'orientation pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 4. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone. 5. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le capteur (S1) est utilisé avec un substrat d'obturation (50), qui a été fixé à la surface arrière (12) du substrat semiconducteur (110) (10), pour obturer la cavité (13) de façon à former une chambre de référence de pression, lorsque la pression est détectée. 6. Tranche de semiconducteur (100), utilisée pour fabriquer un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1), comprenant une couche de semiconducteur (110), qui comporte une surface active d'orientation de face cristallographique (110), une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation (110), caractérisée en ce qu'une multiplicité de lignes de marquage (120) sont placées sur la surface active, le méplat d'orientation (110) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (110), le méplat d'orientation (110) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active de la couche de semiconducteur (110), chacune des lignes de marquage (120) est sensiblement parallèle ou orthogonale au méplat d'orientation (110), la couche de semiconducteur (110) comprend des régions sensiblement rectangulaires (130), qui sont définies par les lignes de marquage (120), chacune de ces régions (130) contient une membrane (14) dans la surface active, la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière, la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et une pression est détectée sur la base d'une variation de la valeur de la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2) dans un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) fabriqué à partir de la tranche de semiconducteur (100). 7. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 8. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active, pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 9. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1 , Rc2, Rs1 , Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone. 10. Tranche de semiconducteur (200), utilisée pour fabriquer un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1), comprenant une couche de semiconducteur (110), qui comporte une surface active d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation (210), caractérisée en ce qu'une multiplicité de lignes de marquage (220) se trouvent sur la surface active, le méplat d'orientation (210) a une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active, chacune des lignes de marquage (220) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec le méplat d'orientation (210), la couche de semiconducteur (110) comprend des régions sensiblement rectangulaires (130), qui sont définies par les lignes de marquage (220), chacune des régions (130) contient une membrane (14) dans la surface active, la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière, la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et une pression est détectée sur la base d'une variation de la valeur de la résistance extensométrique (Rc1 , Rc2, Rs1 , Rs2) dans un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) fabriqué à partir de la tranche de semiconducteur (200). 11. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 12. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active, pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 13. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone.