INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
CAS PARTICULIER DES PRESERVATIONS ARCHITECTURALES Bien sur il est tout à fait possible de conserver le vantail d'origine. Le vantail receveur est comme une coquille vide pouvant recevoir en son sein le vantail. Pour compenser la fragilité originelle du vantail le panneau receveur est constitué d'une feuille épaisse et de matériau particulièrement robuste. Ce vantail receveur est au moins constitué d'une simple feuille plane. Mais il est préférable que cette feuille soit repliée au moins sur un des bords, au moins une fois pour couvrir le champs de vantail au mieux deux fois pour contourner le vantail sur au moins quelque millimètres.
Le second bord de contournement peut pénétrer dans le champ qui aura été préalablement creusé en sillon afin de ne pas altérer la partie extérieure.
Les dessins annexés illustrent l'invention et cement à l'aide d'une variété d'exemples toutefois très restreinte certains principes physiques utilisés comme le bras oscillant élastique ou les cales.
Figure 1 : représentation en coupe vu du dessus du système de condamnation sur le cas d'une porte domestique. Le vantail (4) est porté sur ses bras souples en lame travaillée (5) pivotant sur un axe (6).
Il est déjà en partie encastré dans l'huisserie (2) de gauche à l'intérieur du quel nous avons représenté schématiquement la présente du mécanisme de fermeture (7). La bande antipincedoigt (3) a suivi le vantail (4) en longeant le talon courbé (8). Une barre pleine (1) comble le vide laissé lors du verrouillage.
Figure 2 : représentation similaire à la figure 1 mais en position fermée. Un saille biaisée (23) rentrée en force permet de maintenir la porte fermée.
Figure 3 : représentation similaire à la figure 1 mais en position verrouillée dont on voit que le vantail (4) a effectué un mouvement de translation le plaçant derrière les deux demi-talons (9). Les cales rectilignes (14) ont pu effectuer leur sortie dans le vide laissé actionnée par le mécanisme de l'huisserie (7).
Figure 4 : représentation partielle du vantail (4) porté sur ses bras souples (5) la partie liaison oscillante à la fois ressort (11) et sa partie contreressort (12) transpercée par le fut du pivot (6) encrée lui-même sur sa potence (10) soudée sur l'huisserie (2). Une cale frôlant (18) se trouve dans le coin supérieur gauche comprise dans la fameuse zone triangulaire (19) indiquée en pointillée. La cale (14) sortie de son vide s'interpose entre le vantail (4) et le fond de l'huisserie (2) dont on voit en coupe son champ intérieur. Une barre de comblement (1) remplit le vide de gauche. Un ressort d'assistance (20) dans le coin droit relie l'huisserie (2) au vantail (4). Une vis (22) munis d'un boulon de réglage permet de régler la tension du ressort.
Figure 5 : représentation similaire à la figure 1 mais comportant le vantail receveur (13).
Figure 6 : représentation en coupe d'un autre exemple de profilé d'huisserie (2) dont le talon de contournement (8) fournit un exemple supplémentaire de cette caractéristique de contournement.
Figure 7 : représentation de la cale biaisée (14) sur une partie déchirée du vantail.
Figure 8 : représentation de la cale came disque (14) en position verticale sur une partie déchirée du vantail.
Figure 9 : représentation de la cale came rectiligne (14), saillies côté champs du vantail, tringle exagérément courbée par des points d'attache non représentés qui coulissent dans un sillon non représenté longeant discontinuement celle-ci sur une partie déchirée du vantail.
boîte F a été complètement ou partiellement délétée est choisi parmi les acides nucléiques suivants : a) un polypeptide comprenant la séquence SEQ) D ? 18 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 116 jusqu'à l'acide aminé en position 160 de la séquence SEQ ID N 18 ; b) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 19 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 2 jusqu'à l'acide aminé en position 50 de la séquence SEQ) D ? 19 ; c) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 20 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 2 jusqu'à l'acide aminé en position 50 de la séquence SEQ ID N020 ; d) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 21 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 573 jusqu'à l'acide aminé en position 631 de la séquence SEQ ID N021 ; e) un polypeptide comprenant la séquence SEQ) D ? 22 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 489 jusqu'à l'acide aminé en position 528 de la séquence SEQ ID N022 ; f) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N023 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 1 jusqu'à l'acide aminé en position 34 de la séquence SEQ ID N023 ; g) un polypeptide comprenant la séquence SEQ) D ? 24 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 59 jusqu'à l'acide aminé en position 107 de la séquence SEQ ID N024 ; h) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N025 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 18 jusqu'à l'acide aminé en position 59 de la séquence SEQ ! D ? 25 ; i) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 26 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 30 jusqu'à l'acide aminé en position 70 de la séquence SEQ) D ? 26 ; j) un polypeptide comprenant la séquence SEQ) D ? 27 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 5 jusqu'à l'acide aminé en position 51 de la séquence SEQ ID N027 ; k) un polypeptide comprenant la séquence SEQ) D ? 28 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 124 jusqu'à l'acide aminé en position 172 de la séquence SEQ ID N028 ;
1) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 29 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 67 jusqu'à l'acide aminé en position 115 de la séquence SEQ ID N 29 ; m) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 30 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 7 jusqu'à l'acide aminé en position 46 de la séquence SEQ ID N 30 ; n) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 31 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 570 jusqu'à l'acide aminé en position 618 de la séquence SEO ID N031 ; o) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 32 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 172 jusqu'à l'acide aminé en position 212 de la séquence SEQ ID N 32 ; p) un polypeptide comprenant la séquence SEO ID N033 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 61 jusqu'à l'acide aminé en position 108 de la séquence SEQ ID N 33 ; q) un polypeptide comprenant la séquence SEQ ID N 34 dans lequel a été totalement ou partiellement délétée la séquence allant de l'acide aminé en position 261 jusqu'à l'acide aminé en position 280 de la séquence SEO ID N034 ; Pour obtenir une délétion totale ou partielle de la boîte F, l'homme du métier peut, par exemple, mettre en oeuvre une digestion enzymatique de l'acide nucléique codant le polypeptide considéré en utilisant les sites de restriction flanquants, par exemple selon la technique décrite par Margottin et al. (Margottin F et al., 1998, Molecular Cell, 1 : 565-574) Selon un autre mode de réalisation d'un acide nucléique selon l'invention, cet acide nucléique est caractérisé en ce qu'il code pour un polypeptide à boîte F, ou un variant ou un fragment de ce polypeptide, qui est fusionné vaec un polypeptide hétérologue.
Par polypeptide hétérologue , on entend une séquence d'acides aminés qui n'est pas exprimée naturellement par la cellule sous une forme chimiquement liée à un polypeptide à boîte F tel que défini ci-dessus.
Selon un premier mode de réalisation, le polypeptide hétérologue consiste en un polypeptide capable de se fixer sélectivement sur un support, tel que la glutathione S transferase ou GST, bine connue de l'homme du métier.
Selon un second mode de réalisation, le polypeptide hétérologue consiste en un polypeptide détectable, par exemple un polypeptide fluorescent comme les protéines GFP et YFP, bien connues de l'homme du métier.
Selon un troisième mode de réalisation, le polypeptide hétérologue consiste en un polypeptide accepteur ou donneur de fluorescence utilisable dans des systèmes de détection d'interactions par transfert d'énergie de fluorescence (ou FRET pour Fluorescence Resonance Energy Transfer ).
Selon un quatrième mode de réalisation, le polypeptide hétérologue consiste en un premier partenaire protéique lequel, lorsqu'il interagit spécifiquement avec un second partenaire protéique, a la capacité de se fixer sur un motif d'acide nucléique régulant la transcription d'un gène rapporteur, pour une utilisation dans des systèmes de détection d'interactions du type double- hybride bien connus de l'homme du métier. Un tel polypeptide peut être, par exemple, la protéine GAL4 ou la protéine LexA.
Selon encore un autre aspect d'un acide nucléique selon l'invention, cet acide nucléique comprend un polynucléotide régulateur contrôlant l'expression du polypeptide à boîte F ou de son fragment ou variant, éventuellement fusionné à un polypeptide hétérologue, dans une cellule hôte. Des exemples illustratifs de polynucléotides régulateurs préférés selon l'invention sont listés ci-dessous dans la partie descriptive des vecteurs recombinants préférés.
Fait aussi partie de l'invention tout acide nucléique dont la séquence est complémentaire à l'un des acides nucléiques tels que définis dans la présente description.
Vecteurs recombinants L'invention est également relative à un vecteur recombinant comprenant un acide nucléique codant pur un polypeptide à boîte F, un fragment ou un variant de ce polypeptide, éventuellement fusionné avec un polypeptide hétérologue et pour lequel ledit acide nucléique a été artificiellement inséré dans le vecteur.
Avantageusement, un tel vecteur recombinant comprendra un acide nucléique choisi parmi les acides nucléiques suivants : a) un acide nucléique codant pour un polypeptide ayant une séquence en acides aminés choisie dans le groupe des séquences SEQ ID N01 à SEQ ID
? 17 ou un fragment ou un variant de ce polypeptide, éventuellement fusionné à un polypeptide hétérologue ; b) un acide nucléique comprenant un polynucléotide choisi parmi les séquences SEQ ID D ? 18 à SEQ ID N034, ou un fragment ou un variant de ce dernier ; c) un acide nucléique ayant au moins 95% d'identité en nucléotides avec un acide nucléique choisi dans le groupe constitué des séquences SEQ ID D ? 18 à SEQ ID ? 34 ou un fragment ou un variant de ce dernier ; d) un acide nucléique hybridant, dans des conditions d'hybridation de forte stringence, avec un acide nucléique de séquences SEQ ID D ? 18 à SEQ ID N034, ou un fragment ou un variant de ce dernier.
Par"vecteur"au sens de la présente invention on entendra une molécule d'ADN ou d'ARN circulaire ou linéaire qui est indifféremment sous forme de simple brin ou double brin.
Selon un mode de réalisation avantageux, un vecteur recombinant selon l'invention comprendra notamment les éléments suivants : (1) des éléments de régulation de l'expression de l'acide nucléique à insérer, tels que des promoteurs et des enhanceurs ; (2) la séquence codante comprise dans l'acide nucléique conforme à l'invention à insérer dans un tel vecteur, ladite séquence codante étant placée en phase avec les signaux de régulation décrits aux (1) ; et (3) des séquences d'initiation et d'arrêt de la transcription appropriées.
La figure 1 est une vue en coupe extrêmement schématique d'une structure de commutateur bidirectionnel vertical à commande en tension réalisée à partir de deux transistors verticaux de type IGBT (transistor bipolaire à grille isolée ou Isolated Gate Bipolar Transistor). Il sera clair, comme cela est classique dans le domaine de la représentation des composants semiconducteurs, que la figure n'est pas tracée à l'échelle.
Le commutateur 10 comprend deux transistors verticaux IGBT verticaux 11A, 11B. Chaque transistor se compose d'un substrat 13A, 13B faiblement dopé de type N et délimité par un mur d'isolement 14A, 14B de type P. La face inférieure du substrat 13A, 13B est uniformément revêtue d'une couche 15A, 15B de type P.
Du côté de la face supérieure du substrat 13A, 13B est agencé un réseau de cellules 16A, 16B. Par souci de clarté seules
deux cellules 16A, 16B sont représentées pour chaque transistor 11A, 11B. Chaque cellule 16A, 16B comprend un caisson 17A, 17B comportant une région centrale 18A, 18B fortement dopée de type P et une région périphérique plus faiblement dopée de type P. Un anneau 19A, 19B fortement dopé de type N est formé dans le caisson 17A, 17B. La partie du caisson 17A, 17B à l'extérieur de l'anneau 19A, 19B est recouverte d'une grille isolée 20A, 20B.
Chaque transistor 11A, 11B comporte également un anneau de type P 21A, 21B qui entoure le réseau de cellules 16A, 16B. Un anneau périphérique d'arrêt de canal 22A, 22B de type N fortement dopé est situé à la périphérie du transistor 11A, 11B.
Une métallisation de cathode M1A, M1B contacte la région centrale 18A, 18B du caisson 17A, 17B et l'anneau de type N 19A, 19B de chaque cellule 16A, 16B, ainsi que l'anneau de type P 21A, 21B. Une métallisation d'anode M2A, M2B recouvre la couche 15A, 15B de type P. Un anneau métallique M3A, M3B est relié à l'anneau périphérique d'arrêt de canal 22A, 22B pour le rendre équipotentiel. De même un anneau métallique M4A, M4B est relié au mur d'isolement 14A, 14B afin de le rendre équipotentiel.
Les bornes associées aux grilles isolées 20A, 20B de chaque transistor 11A, 11B sont respectivement désignées par les références Gl, G2.
La face inférieure du transistor 11A, situé à gauche sur la figure 1, est posée directement sur un radiateur 23. La face inférieure du transistor 11B, situé à droite sur la figure 1, est posée sur le radiateur 23 avec interposition d'un isolant 24.
Le commutateur bidirectionnel vertical est obtenu en connectant les deux transistors IGBT verticaux 11A, 11B de la façon suivante. La métallisation M1A du transistor 11A, situé à gauche sur la figure 1, est reliée par un connecteur électrique 28 à l'anode, constituée par la métallisation M2B, du transistor 11B situé à droite sur la figure 1. La cathode constituée par la métallisation M1B de ce-dernier transistor 11B est reliée par un connecteur électrique 29 au radiateur 23. Les deux transistors
IGBT 11A, 11B sont ainsi connectés en antiparallèle. Les bornes principales du commutateur bidirectionnel 10 correspondent au radiateur 23 et à la métallisation M1A. Selon les tensions sur les grilles Gl, G2, on peut rendre passant l'un ou l'autre des deux transistors ou aucun des deux. On obtient ainsi un commutateur bidirectionnel commandé en tension.
Le commutateur bidirectionnel commandé en tension cidessus présente l'inconvénient de ne pas être monolithique. Au contraire, il comprend deux transistors réalisés sur des puces distinctes. Il présente ainsi un encombrement relativement important et requiert l'utilisation de câblages pour relier les deux transistors. De plus, l'un des transistors est posé sur le radiateur par l'intermédiaire d'un isolant. Il s'avère souvent difficile d'obtenir un isolant assurant à la fois une bonne isolation électrique entre le transistor et le radiateur et un échange de chaleur satisfaisant entre ces deux éléments.
La présente invention vise à réaliser de façon monolithique un commutateur bidirectionnel à commande en tension.
Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension réalisé entre les faces supérieure et inférieure d'un substrat semiconducteur entouré d'un mur périphérique, comprenant un premier transistor IGBT vertical multicellulaire s'étendant entre une cathode réalisée du côté de la face supérieure et une anode réalisée du côté de la face inférieure ; et un second transistor IGBT vertical multicellulaire s'étendant entre une cathode réalisée du côté de la face inférieure et une anode réalisée du côté de la face supérieure, dans lequel les cellules de chaque transistor sont disposées de sorte que des portions des cellules d'un transistor sont actives lors du fonctionnement de l'autre transistor.
La présente invention prévoit également un commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension réalisé dans un substrat d'un premier type de conductivité entouré d'un mur périphérique d'un second type de conductivité,
comprenant un réseau de cellules supérieures, réalisé du côté de la face supérieure du substrat, chaque cellule supérieure se composant d'un anneau du premier type de conductivité formé dans un caisson d'un second type de conductivité, la région du caisson à l'extérieur de l'anneau formant une région de canal recouverte d'une grille isolée supérieure ; une métallisation supérieure, formant une première électrode principale, connectée à la région centrale du caisson et à l'anneau de chaque cellule supérieure ; un réseau de cellules inférieures semblables aux cellules supérieures, réalisé du côté de la face inférieure du substrat, en vis-à-vis du réseau de cellules supérieures ; et une métallisation inférieure (M2' ) , formant une seconde électrode principale, connectée à la région centrale du caisson et à l'anneau de chaque cellule inférieure.
Selon un mode de réalisation de l'invention, la grille isolée inférieure est reliée à un puits qui traverse une région du substrat de la face inférieure à la face supérieure, le puits étant relié à un contact de grille réalisé du côté de la face supérieure.
On part du premier substrat 91,93. On délimite la géométrie des aimants par photolithographie. On utilise pour cela une résine 50-1 (figures 10A, 11A).
On grave dans le premier substrat 91,93 des caissons 51 pour les aimants. La gravure peut être une gravure sèche. Dans le substrat SOI 93, la gravure s'arrête sur la couche d'oxyde 93-1. On ôte la résine 50-1. On dépose une sous-couche d'accrochage
conductrice 52 sur le substrat 91,93. En fait cette variante ne se trouve que sur la figure 10B.
Sur la figure 11B, il y a deux sous-couches d'accrochage 52-1,52-2, la seconde 52-2 étant insérée entre la première 52-1 et le substrat 93. Elle permet une bonne adhésion au substrat 93 de la première souscouche 52-1. Elle permet aussi une protection de l'aimant mobile 1-1, réalisé ultérieurement, contre la corrosion. La première sous-couche peut être en or et la seconde en titane. Ces deux sous-couches pourraient être employées dans l'exemple de la figure 10B.
On définit la zone de dépôt des aimants par photolithographie. La couche de résine employée porte la référence 50-2. On dépose les aimants 3-1, 1-1 par voie électrolytique. Le matériau employé peut être du cobal-c-platina (figures 10C, 11C).
Après une étape de retrait de la résine 50- 2, on effectue une étape de planarisation des aimants puis une étape de retrait de la sous-couche 52 en surface (figures 10D) ou des deux sous-couches 52-1, 52-2 (figure 11D).
On dépose ensuite une couche conductrice 53 en surface destinée à réaliser les contacts électriques Cl, C2, C sur les aimants 3-1,1-1. On définit la géométrie des contacts C1, C2, C par photolithographie. La résine porte la référence 50-3 (figures 10E, 11E). Puisque tous les aimants sont réalisés en même temps, l'aimant mobile 1-1 porte aussi une couche conductrice sur sa face supérieure, elle a un rôle de protection contre la corrosion.
L'étape suivante est une étape de gravure de la couche conductrice 53 pour délimiter les contacts C1, C2, C. On ôte ensuite la résine 50-3. On dépose en surface une couche isolante 54, en Si02 par exemple puis on effectue une étape de planarisation (figures 10F, 11F).
On va ensuite définir au moins une ouverture 46 pour rendre accessible des contacts d'alimentation du ou des conducteurs à réaliser sur le second substrat, ainsi que la géométrie de l'espace libre 58 entourant la partie magnétique mobile 1-1 de manière à permettre son déplacement. Cette étape est une étape de photolithographie et la résine employée porte la référence 50-4 (figures 10G, 11G).
On vient ensuite graver la couche d'isolant 54 là où il n'y a pas de résine 50-4. On ôte la résine 50-4 (figures 10H, lah). L'aimant mobile 1-1 est alors mis à nu ainsi que son entourage jusqu'aux aimants fixes 3-1.
On effectue ensuite une gravure sèche du substrat 91,93 au niveau de l'espace 58 autour de la partie magnétique mobile 1-1 et au niveau des ouvertures 46 qui s'arrête sur la couche d'isolant dans le cas du substrat SOI 93 (figures 101, 111).
On suppose que l'actionneur à réaliser est similaire de celui de la figures 3A avec un seul conducteur 4-1.
Sur le second substrat 92, on définit la géométrie du conducteur 4-1 et de ses extrémités 45 devant porter les contacts d'alimentation par
photolithographie. La résine employée porte la référence 50-5 (figures 12A).
On effectue une gravure d'un caisson 55 devant accueillir le conducteur 4-1. Dans un substrat SOI la gravure du caisson 55 s'arrête sur la couche isolante. La profondeur du caisson 55 correspond à l'épaisseur du conducteur 4-1. Après le retrait de la résine 50-5, on dépose en surface une sous-couche conductrice 56 d'accrochage (figure 12B). Elle peut être réalisée en cuivre par exemple. On peut aussi introduire une seconde sous-couche comme décrit à la figure 10B. Elle peut être réalisée en titane par exemple.
On définit par photolithographie la zone de dépôt du conducteur. La résine employée porte la référence 50-6. On dépose par voie électrolyuique] -'e électrolyl.- conducteur 4-1, ses extrémités référencées 45 sont bien visibles (figures 12C). Le dépôt peut être du cuivre.
En particulier, l'identification des peptides interagissant avec PP2A permettrait de produire de nouveaux médicaments susceptibles de bloquer par inhibition compétitive les mécanismes cellulaires induits par les protéines virales ou parasitaires via leur interaction avec PP2A et en particulier les mécanismes d'infection, de prolifération des pathogènes et de transformation des cellules.
L'invention s'intéresse à des moyens d'identifier des peptides de taille réduite, liant une holoenzyme PP2A ou l'une de ses sous-unités. Au contraire des protéines natives ou domaines polypeptidiques de taille importante, des peptides de taille réduite ont l'avantage d'être aisément synthétisés, par voie chimique ou en systèmes cellulaires, avec un rendement important et un coût réduit. Les peptides de l'invention sont en outre plus stables et plus facilement transférés dans le cytoplasme ou dans le noyau des cellules à l'aide de vecteurs appropriés, en vue d'une utilisation thérapeutique.
L'invention découle de la démonstration qu'il est possible d'identifier des peptides, d'une taille inférieure à 30 acides aminés, et notamment des peptides d'une taille inférieure à 20 acides aminés interagissant avec une holoenzyme PP2A ou l'une de ses sous-unités.
En particulier, les inventeurs ont montré que l'utilisation de la technique des SPOT synthesis décrites par Frank et Overwing (Methods in Molecular Biology, 1996, vol. 66 : 149-169, Epitope Mapping Protocols edited by : G. E. Morris Humana Press Inc., Totowa NJ) permet d'identifier les sites de liaison des protéines interagissant avec une holoenzyme PP2A ou l'une de ses sous-unités.
Les inventeurs ont par exemple identifié des peptides d'une taille inférieure à 20 acides aminés, interagissant in vitro avec l'holoenzyme PP2A purifiée ou l'une de ses sous-unités, lesdits peptides étant dérivés de la protéine Vpr de VIH-1 ou de la protéine CK2a du parasite T. parva. Des antagonistes dérivés de ces peptides et sélectionnés parce qu'ils inhibent