INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette configuration est encombrante à cause du capotage et elle n'est pas toujours aisée à mettre en place, cela dépend du type d'enceinte. Le nettoyage et la maintenance sont plus compliqués à effectuer que dans les configurations des figures 1. Cette solution est relativement onéreuse et assez contraignante à utiliser lorsqu'il faut mettre les gants.
Une autre possibilité est d'adjoindre à l'enceinte 1, dont l'ouverture peut être obturée par une porte (non visible), un sas étanche 10. On peut se référer à la figure 3. Une extrémité du sas 9 est fixée de manière étanche à l'enceinte 1 et l'intérieur de l'enceinte 1 peut communiquer avec l'intérieur du sas 9 lorsque sa porte est ouverte. Le sas 9 comporte également, à l'autre extrémité une ouverture 11 qui peut être obturée par une porte étanche 12 pour le faire communiquer avec l'extérieur. Il est relié à une
pompe à vide (non représentée) via un conduit 12 approprié.
Cette configuration amène toutes les garanties de sécurité requises mais est très onéreuse.
La composition d'ensimage présente un rapport r égal à 1,04, un rapport r' égal à 12,79 et un temps de gel de 90 minutes.
A partir des fils (4 x 50 tex) extraits de 6 gâteaux, on forme un fil de 1200 tex qui présente une perte au feu de 1,3 %.
Ce fil possède une bonne intégrité, peut être coupé facilement et présente un niveau d'électricité statique acceptable. Son aptitude à être imprégné par une résine polyester est évaluée à 2,5. En outre, lorsqu'il est utilisé dans un pistolet de coupe avec projection simultanée de résine polyester, il ne donne lieu à aucune bûchette et seuls quelques recollements de fils coupés sont observés.
Le fil peut être utilisé en tant que renfort dans les matériaux du type SMC ( Sheet Molding Compound ).
EXEMPLE 4 On procède dans les conditions de l'exemple 1, en utilisant les compositions A et B suivantes :
Composition A # triméthylolpropane triglycidyl éther (1) 22 1. butanediol diglycidyl éther (2) 9 # crésylglycidyl éther(7) 10 . gamma-méthacryloxypropyl triméthoxysilane (4) 8 * gamma-glycidoxypropyl triméthoxysilane (5) 8 Composition B
. isostéarate de PEG 300 12 . 1- (2-aminoéthyl) pipérazine 8 . triéthanolamine 8 mélange de triméthyl-1, 6-hexane diamine, de m-xylylène diamine et de 4-ter-butylphénol (9) 8 . 1, 8-diazabicyclo[5, 4, 0] undéc-7-ène 7
La composition d'ensimage présente un rapport r égal à 0,854, un rapport r' égal à 1,67 et un temps de gel de 18,6 minutes.
Les filaments sont rassemblés en fils de 292 tex qui sont bobinés en gâteaux. A partir des fils extraits de 2 de ces gâteaux, on forme un fil de 665 tex qui présente une perte au feu de 0,35 %. Le fil présente une résistance en traction de 43 g/tex, une raideur de 210 mm et une teneur en composés volatils de 0,06 %.
Ce fil est soumis à un traitement destiné à lui conférer du volume dans les conditions suivantes : diamètre des buses d'entrée et de sortie égal à 0,8 et 2 mm respectivement, pression d'air : 6-6,5 bars, pression de bobinage : 1,5 bar, vitesse de bobinage : 200 m/minute, taux de suralimentation des godets d'étirage : 25 %.
On obtient une mèche légèrement irrégulière d'environ 1 cm de largeur moyenne, sans la présence de bourre.
EXEMPLE 5 On procède dans les conditions de l'exemple 4, en utilisant les compositions A et B suivantes :
Composition A # triméthylolpropane triglycidyl éther(1) 10 . butanediol diglycidyl éther (2) 18 * bisphénol F diglycidyl éther (3) 7 # gamma-méthacryloxpropyl triméthoxysilane(4) 12 # gamma-glycidoxpropyl triméthoxysilane(5) 7 Composition B . 1- (2-aminoéthyl) pipérazine 8 . 1, 5-pentanediol 15 mélange de triméthyl-1, 6-hexane diamine, de m-xylylène diamine et de 4-ter-butylphénol (9) 7 # bisphénol A polyéther(10) 6
. mélange d'huiles minérales et de tensioactifs 10
La composition d'ensimage présente un rapport r égal à 0,601, un rapport r' égal à 0,97 et un temps de gel de 42 minutes.
Les filaments sont rassemblés en fils de 314 tex qui sont bobinés en gâteaux. A partir des fils extraits de 2 de ces gâteaux, on forme un fil de 660 tex qui présente une perte au feu de 0,28 %. Le fil présente une résistance en traction de 30,7 g/tex, une raideur de 150 mm.
- la figure 24 est une vue de dessus schématique d'un exemple de tête magnétique conforme à l'invention, - la figure 25 est une vue en coupe schématique de cet exemple avant la fabrication des solénoïdes de cette tête magnétique, et - la figure 26, illustre schématiquement un autre exemple de tête magnétique conforme à l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans ce qui suit, les matériaux sont donnés à titre d'exemples.
La figure 13 est une vue schématique d'une tête magnétique intégrée conforme à l'invention en cours de fabrication.
La structure 58 en couche mince, représentée sur cette figure, est vue sur la tranche d'une puce (en anglais "chip") comportant la tête en cours de fabrication ou sur la tranche d'une plaque (en anglais "wafer") comportant un grand nombre de telles têtes magnétiques en cours de fabrication de façon collective.
La structure 58 est une vue au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, face destinée à être en contact avec un support d'enregistrement magnétique (face 17, figure 2).
La structure 58 est formée sur une couche mince 60 de silice, servant de couche d'arrêt de gravure et formée sur un substrat 62, par exemple en silicium ou en un matériau résistant à l'usure (R2).
Entre le plan P1 de la surface supérieure de la couche 60 en silice et un autre plan P2 parallèle à P1, au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture et au voisinage de cette face, la structure 58 comprend une première pièce polaire 64 et une deuxième pièce polaire 66 qui sont séparées par un entrefer azimuté 68 en silice, et un matériau 70 résistant à l'usure (R1), par exemple plus dur que le silicium, de part et d'autre des pièces polaires 64 et 66.
Ce matériau 70 est par exemple de l'alumine ou de la silice.
La structure de la figure 13 est fabriquée en un grand nombre d'exemplaires sur une plaque ("wafer")
de silicium ou de SOI de type silicium sur matériau résistant à l'usure référencé 62 ou 72 qui est vue de dessus sur la figure 14. La référence 74 représente un chemin de découpe de la puce contenant la structure de la tête magnétique en cours de fabrication. La figure 13 correspond à la coupe D-D de la figure 14.
Pour chaque puce on fabrique d'abord les deux pièces polaires 64 et 66 séparées par l'entrefer 68 ainsi qu'un élément 76 formant la fermeture arrière du circuit magnétique de la tête magnétique correspondant à cette puce.
On grave ensuite un caisson 78 dans le silicium de la plaque, autour des pièces polaires 64 et 66, comme le montre la vue de dessus de la figure 14. On remplit ensuite ce caisson du matériau 70 résistant à l'usure (figure 15) au moyen d'un dépôt approprié du matériau.
Ce matériau est ensuite planarisé pour en éliminer le surplus (et obtenir la surface plane P2 de la figure 13).
On complète ensuite le circuit magnétique 77 de la tête magnétique (figure 16) de manière à fermer ce circuit (dont on avait déjà formé les pièces polaires et l'élément de fermeture arrière) et l'on forme les bobinages 78 de la tête magnétique.
On découpe ensuite la puce 80 et l'on met en forme cette puce comme on le voit sur la figure 16.
Ainsi le matériau 70 résistant à l'usure se retrouve autour des pièces polaires, sur la face d'écriture et/ou de lecture 82 de la tête magnétique.
SM FAB > 0 m/z (NOBA) : 149 [M+H] + ; 171 [M+Na] +.
- Exemple 44 : (E)-4-méthylpenta-1, 3-diénylpyrophosphonate de triammonium (36) : Rdt=70% Ri=0, 25 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), ≈(ppm) : 1, 71 (s, 3H, CH3) ; 1, 73 (s, 3H, CH3) ; 5, 72 (dd, JI-2 16, 8 Hz, JT P 19, 5 Hz, IH, H-l) ; 5, 88 (d, J3-2 10, 9 Hz, 1H, H-3) ; 7, 01 (ddd, J2-P 20, 6 Hz, 1 H, H-2).
RMN 3tp (D2O), 8 (ppm) : -6, 61 (d, Jp2-PI 23, 1 Hz, lP, P-2) ; 7, 43 (d, Jpl-P2 23, 1 Hz, lP, P-l).
RMN'3C (D20) : 8 (ppm) : 18, 22-25, 64 (2C, C-5 et C-6), 121, 50 (d, JI-p 184, 2 Hz, 1C, C-1), 124, 90 (dip 25, 8 Hz, IC, C-3), 140, 11 (d, J2-P 5, 7 Hz, IC, C-2), 143, 82 (lC, C-4).
SM FAB < 0 m/z (GT) : 241 [M-3NH4+2H]-.
- Exemple 45 : (E, E)-4, 8-Diméthylnona-1, 3, 7-triénylpyrophosphonate de triammonium (37) : Rdt=58% Rt=0, 28 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), S (ppm) : 1,48 (s, 3H, CH3) ; 1, 53 (s, 3H, CH3) ; 1,70 (s, 3H, CHj) ; 1, 95-2, 15 (m, 4H, H-5 et H-6) ; 4, 95-5, 12 (m, 1H, H-7) ; 5, 74 (dd, J]-2 16, 9 Hz, Jl-p 19, 4 Hz, 1H, H-1) ; 5, 88 (d, J3-2 11, 1 Hz, 1H, H-3) ; 6, 98 (ddd, J2-P 20, 5 Hz, 1H, H- 2).
RMN 31P (D20), #(ppm) : -5, 70 (d, J== 21, 3 Hz, P-D) ; 7,11 (d, P-D).
RMN 13C (D20), 8 (ppm) : 16,65-17, 28 (2C, C-10 et C-ll) ; 25,16 (lC, C-9) ; 25, 93 (lC, C-6) ; 39, 55 (1C, C-5) ; 120, 91 (d, 7,. ? 183, 9 Hz, 1C, C-1) ; 124, 24 (lC, C- 7) ; 124,70 (dip 26, 3 Hz, 1C, C-3) ; 134,21 (1C, C-8) ; 143,95 (d, J2-P 6,2 Hz, 1C, C- 2) ; 147,58 (1C, C-4).
SM FAB < 0 m/z (GT) : 309 [M-3NH4+2H]-.
- Exemple 46 : (E)-Buta-1, 3-diénylpyrophosphonate de triammonium (38) : Rdt=61%
Rt=0, 16 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN'H (D20), 8 (ppm) : 5,23 (d, J4-3 9,8 Hz, IH, H-4) ; 5, 38 (d, J4'-3 16,8 Hz, 1H, H-4') ; 5,90 (dd, J1-P 18,3 Hz, JI-2 17,04 Hz, 1H, H-1) ; 6,36 (ddd, J3-2 10,4 Hz, 1H, H-3) ; 6,72 (ddd, J2-P 20,0 Hz. 1H, H-2).
RMN 3IP (D20), 8 (ppm) :-8, 5 (d, J 23, 5 Hz, P-ss) ; 6, 6 (d, P-a).
RMN 13C (D2O), a (ppm) : 122, 48 (1C, C-4) ; 125, 24 (d, J, p 183, 4 Hz, 1C, C-1) ; 137, 26 (d, J3-p 26,1 Hz, 1C, C-3) ; 143, 59 (d, J2-P 4,9 Hz, 1C, C-2).
SM FAB > 0 m/z (GT) : 232 [M-2NH4+2H]+ ; 215 [M-3NH4+4Ht - Exemple 47 : (E, E)-Penta-1, 3-diénylpyrophosphate de triammonium (39) : Rdt=63% R@=0, 18 (4 : 6, ammoniaque 27% : isopropanol) RMN IH (D2O), (ppm) : 1, 67 (d, J51 6, 4 Hz, 3H, H-5) ; 5, 74 (dd, JI-p 18, 6 Hz, J1-2 17,0 Hz, 1H, H-1) ; 5,85-6, 20 (m, 2H, H-3 et H-4) ; 6,68 (ddd, J2-P 20,3 Hz, J2-3 9, 7 Hz, 1H, H-2).
RMN 31p (D20), (ppm) : -6, 4 (d, Jss-a 23,1 Hz, P-ss) ; 6,8 (d, P-a).
*RMN' (DO), ≈(ppm) : 17, 88 (1C, C-5) ; 121, 62 (d, J, -p 185, 1 Hz, 1C, C-.).
Les diagrammes des figure 2a, 2b et 2c représentent la structure d'une trame d'un signal multiporteuse selon l'invention, dans un exemple où M=7 et N=13, et respectivement dans trois cas distincts qui seront explicités cidessous. La trame est symbolisée par un tableau, dont les MxN cellules correspondent aux symboles de la trame.
Afin de permettre la poursuite du canal, la trame contient des symboles pilotes ou des blocs de symboles pilotes, un symbole pilote étant un symbole dont l'emplacement dans la trame et dont la valeur sont connus du récepteur.
Sur les figures, les symboles pilotes sont représentés par des cellules noires, et les autres symboles sont représentés par des cellules blanches.
Dans le cas de la figure 2a, les symboles pilotes tels que 21 sont disjoints à l'intérieur de la trame.
Les symboles pilotes tels que 21 sont les symboles Sm, n avec m=1 +3j et n=1 +4k, où j est un nombre entier compris entre 0 et 2 et où k est un nombre entier compris entre 0 et 3. Ces symboles pilotes sont donc répartis en temps et en fréquence de manière à couvrir la trame selon une structure maillée définie par l'axe des fréquences et l'axe des temps. L'espacement de symboles pilotes suivant l'axe des fréquences correspond à deux fois l'espacement entre les sous-porteuses (Le., 2xYa), et leur espacement suivant l'axe des temps correspond à trois temps symboles (i. e., 3xTo).
Dans le cas de la figure 2b, certains des symboles pilotes, qui sont adjacents deux à deux, forment un bloc de symboles pilotes tels que 22. On disitngue ainsi, dans l'exemple montré à la figure, quatre blocs de symboles pilotes, chaque bloc comprenant plusieurs symboles pilotes.
Par convention, dans la suite, la position d'un bloc de symboles pilotes dans la trame est repérée par la position du symboles pilote de ce bloc qui est sur la porteuse de plus petit indice, et dans le temps symbole transmis en premier (sur les figures, c'est, pour chaque bloc, le symbole pilote qui est le plus bas et le plus à gauche). De même, la taille du bloc est définie par une dimension suivant l'axe des fréquences (ci-après''hauteur", noté h) exprimée en nombres de symboles, et par une dimension suivant l'axe des temps (ciaprès"longueur", notée 1), exprimée en nombres de symboles. La taille du bloc est notée hxl, où h désigne la hauteur et 1 désigne la longueur.
Cette convention est commode dans les cas où les blocs de symboles pilotes ont des dimensions régulières (formant pas exemples des lignes, ou des pavés de symboles pilotes c'est-à-dire des carrés ou des rectangles).
Néanmoins, il est bien entendu qu'un bloc de symboles pilotes peut avoir une structure irrégulière (par exemple trois symboles pilotes adjacents deux à deux mais non alignés).
En outre, il est précisé que la notion de bloc de symboles pilotes ne correspond pas forcément à une notion d'adjacence. En réalité, la définition d'un bloc de symboles pilotes est la suivante : les symboles pilotes d'un même bloc, qui peuvent être adjacents ou non, sont considérés comme des symboles
satisfaisant à une double condition de stationnarité en fréquence et de stationnarité en temps du canal de transmission. On verra plus loin comment sont définies ces conditions de stationnarité.
A la figure 2b, on distingue ainsi six blocs de symboles pilotes 22 de dimensions 1x3, qui sont respectivement situés sur les symboles S1, n, et S12, n avec n=1 +3j où j est un nombre entier compris entre 0 et 2.
Dans le cas de la figure 2c, certains symboles pilotes, bien qu'étant disjoints comme dans le cas de la figure 2a, forment néanmoins des blocs de symboles pilotes tels que 23, au sens défini ci-dessus.
En reprenant les convention énoncées plus haut, les dimensions et la position des blocs 23 de la figure 2c sont identiques, respectivement, à celles des blocs 22 de la figure 2b.
Bien entendu, un ou plusieurs symboles pilotes isolés comme montré à la figure 2a, un ou plusieurs blocs de symboles pilotes adjacents comme montré à la figure 2b, et/ou un ou plusieurs blocs de symboles pilotes disjoints comme montré à la figure 2c, peuvent être simultanément présents et répartis dans une trame.
Les blocs de symboles pilotes peuvent être utilisés pour une estimation améliorée des valeurs du canal de transmission, qui tire avantage de la diversité des symboles pilotes contenus dans chaque bloc.
A titre d'exemple, le groupement hydrophobe peut être issu d'un alcool gras tel que l'alcool stéarylique, l'alcool dodécylique, l'alcool décylique. \1 peut également désigner un polymère hydrocarboné tel que par exemple le polybutadiène.
Lorsque X et/ou X'désignent un groupement comportant une amine tertiaire ou quaternaire, X et/ou X'peuvent représenter l'une des formules suivantes : R3 1 - N-R--N-R--R-ou-R-pour X 1 2 1 + - 12, 2 RI RI A N N+ AR/R Pt Pi R3 1 - R,-N---R2-N---R2-OU--R2-x.
1 -R- ou -R2 R. R. A . N ARI 1 RI RI RI RI dans lesquelles : R2 représente un radical alkylène ayant de 1 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, comportant ou non un cycle saturé ou insaturé, ou un radical arylène, un ou plusieurs des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0, P ; R1 et R3, identiques ou différents, désignent un radical alkyle ou alcényle en Cl-C30, linéaire ou ramifié, un radical aryle, l'un au moins des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0, P ; A est un contre-ion physiologiquement acceptable.
Les groupements L, L'et L"représentent un groupe de formule :
dans laquelle : Z représente-O-,-S-ou-NH- ; et R4 représente un radical alkylène ayant de 1 à 20 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, comportant ou non un cycle saturé ou insaturé, un radical arylène, un ou plusieurs des atomes de carbone pouvant être remplacé par un hétéroatome choisi parmi N, S, 0 et P.
Les groupements P et P', comprenant une fonction amine peuvent représenter au moins l'une des formules suivantes : R8 1 - R-N-Ry-ou-Rg-NRy- 5 1 7) 1 + 7 R6 R6 A R6,, R8 N 1 ou-R-CH-R-ou-R-cH-Ry- 1 R6-N-R9 A 1+ R8 R6.. R8 N '-Rs-ÇH-Rymio 1 1 ou ou-R-CH-Ry- Ro R6-N-R9 A I R8 dans lesquelles : Rs et R7 ont les mêmes significations que R2 défini précédemment ; Re, Rg et Rg ont les mêmes significations que R1 et R3 définis précédemment ; R10 représente un groupe alkylène, linéaire ou ramifié, éventuellement insaturé et pouvant contenir un ou plusieurs hétéroatomes choisis parmi N, 0, S et P, et A-est un contre-ion physiologiquement acceptable.
Lorsqu'il s'agit, conformément à un mode de réalisation préféré, d'un polymère hydrophile, on peut citer à titre d'exemple les polyéthers, les polyesters sulfonés, les polyamides sulfonés, ou un mélange de ces polymères. A titre préférentiel, le composé hydrophile est un polyéther et notamment un poly (oxyde d'éthylène) ou poly (oxyde de propylène).
Les polyuréthanes associatifs cationiques de formule (la) selon l'invention sont formés à partir de diisocyanates et de différents composés possédant des fonctions à hydrogène labile. Les fonctions à hydrogène labile peuvent être des fonctions alcool, amine primaire ou secondaire ou thiol donnant, après réaction avec les fonctions diisocyanate, respectivement des polyuréthanes, des polyurées et des polythiourées.
Le terme"polyuréthanes"de la présente invention englobe ces trois types de polymères à savoir les polyuréthanes proprement dits, les polyurées et les polythiourées ainsi que des copolymères de ceux-ci.
Un premier type de composés entrant dans la préparation du polyuréthane de formule (la) est un composé comportant au moins un motif à fonction amine. Ce composé peut être multifonctionnel, mais préférentiellement le composé est difonctionnel, c'est-à-dire que selon un mode de réalisation préférentiel, ce composé comporte deux atomes d'hydrogène labile portés par exemple par une fonction hydroxyle, amine primaire, amine, secondaire ou thiol. On peut également utiliser un mélange de composés multifonctionnels et difonctionnels dans lequel le pourcentage de composés multifonctionnels est faible.
Comme indiqué précédemment, ce composé peut comporter plus d'un motif à fonction amine. Il s'agit alors d'un polymère portant une répétition du motif à fonction amine.
Ce type de composés peut être représenté par l'une des formules suivantes : HZ- (P),-ZH, ou HZ- (P') p-ZH dans lesquelles Z, P, P', n et p sont tels que définis plus haut. A titre d'exemple de composé à fonction amine, on peut citer la N- méthyldiéthanolamine, la N-tert-butyl-diéthanolamine, la N-sulfoéthyldiéthanolamine.
Le deuxième composé entrant dans la préparation du polyuréthane de formule (la) est un diisocyanate correspondant à la formule :
dans laquelle R4 est défini plus haut.
La figure 4 est un ensemble de diagrammes schématisant le fonctionnement réel du circuit représenté sur la figure 1.
La figure 5 est une vue d'un circuit secondaire de convertisseur selon l'invention.
La figure 6 est un ensemble de diagrammes schématisant le fonctionnement du circuit représenté sur la figure 5.
Le circuit secondaire du transformateur 1, représenté sur la figure 1 ou 5, comporte une sortie principale 2 et une sortie auxiliaire 7. Il comprend un circuit de redressement synchrone auto commandé constitué de deux transistors MOSFETs, un transistor direct 4 et un transistor de roue libre 3, et un filtre 5,6 constitué d'un circuit LC. La grille du transistor de roue libre 3 est connectée à la borne 1B du transformateur 1 où est réalisée sa synchronisation en un point dit de synchronisation Syn et la grille du transistor 4 est connectée à la borne 1A du transformateur 1.
Une sortie auxiliaire 7 est montée sur un tel circuit secondaire de convertisseur.
La sortie auxiliaire 7 comporte également un circuit de redressement synchrone commandé constitué de deux transistors MOSFETs, un transistor direct 9 et un transistor de roue libre 10, et un filtre constitué d'un circuit LC 11 et 12 et est régulée par un circuit de commande de régulation auxiliaire 8.
Selon l'art antérieur représenté sur la figure 1, ce circuit de commande de régulation auxiliaire 8 comporte une entrée de commande 8A connectée à la borne 7A de la sortie auxiliaire 7, une entrée de synchronisation 8B connectée à la borne 1A du transformateur et deux sorties 8C et 8D connectées respectivement aux grilles des transistors 9 et 10.
Le circuit de commande de régulation auxiliaire 8 est constitué : - d'un réseau correcteur constitué d'un intégrateur 13 connecté à l'entrée 8A et dont le signal de sortie VCmd est une tension continue, - d'une résistance 14, - d'un miroir de courant 15 aux bornes duquel est connectée en parallèle une capacité 16 qui est chargée ou déchargée à courant constant forme ainsi une rampe de tension VRmp, - d'un détecteur 17 destiné à la charge ou la décharge rapide de la capacité 16 et connecté par ailleurs à l'entrée de synchronisation 8B, - d'un circuit de commande de demi-pont 18 bouclé avec un inverseur 19 et menant aux sorties 8C et 8D du circuit de commande de régulation auxiliaire 8.
Deux types de détecteurs 17 peuvent être utilisés. Ces deux types sont représentés sur les figures 2A et 2B.
Le détecteur 17 peut être un détecteur de niveau de tension afin de déterminer le moment où la tension redressée Vrect est égale à zéro et peut être constitué d'un transistor MOSFET 17A dont la grille est connectée à
l'entrée 1A du transformateur 1, la source est reliée à une source de tension positive et le drain est connectée à la capacité 16.
Le détecteur 17 peut être un circuit de dérivateur et peut être constitué d'un transistor bipolaire 17B commandé pour fixer la tension de la capacité 16, d'une résistance 17C et d'une capacité 17D en série. La capacité 17D est connectée à l'entrée 1A du transformateur 1 et le transistor 17B est connectée à la capacité 16.
Le fonctionnement d'un tel circuit est le suivant en référence aux diagrammes de la figure 3.
Dans une première étape, le retard est créé. Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, la tension de rampe VRmp commence à décroître. Cette tension de rampe est comparée au seuil du circuit de commande de demi-pont 18. Le signal de commande VCmd fixe la pente de la tension de rampe VRmp au travers du miroir de courant 15 et de la résistance 14. Tant que la tension de rampe VRmp est supérieure à ce seuil, le circuit génère le retard. Durant ce retard, le transistor direct 9 est bloqué et le transistor de roue libre 10 conduit.
Dans une deuxième étape, l'énergie est transférée. Lorsque la tension de rampe VRmp atteint le seuil, le transistor de roue libre 10 est bloqué et le transistor principal 9 conduit. Il y a transfert d'énergie vers la sortie 7 tant que la tension du transformateur 1 est positive.
Dans une troisième étape, la roue libre 3 conduit et le transistor direct 4 est bloqué. Le détecteur 17 est mis en fonction afin de synchroniser le circuit de régulation auxiliaire 8. Lorsque la tension du transformateur 1 devient négative, le transistor de roue libre 10 conduit de nouveau et le transistor direct 9 est bloqué. Durant cette étape, le circuit est synchronisé en utilisant une tension du transformateur 1. Pour ce faire, la tension de rampe VRmp est fixée à une valeur supérieure au seuil grâce à une source de tension.
- La Figure 6c est une coupe observée au microscope qui nous montre le délaminage de la couche céramique non adhérente au substrat. ta figure 7 montre une fracture sur une éprouvette traitée selon le procédé de l'invention.