INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme acides aminés, on peut citer, par exemple, la cystéine, la lysine, l'alanine, la N-
phénylalanine, l'arginine, la glycine, la leucine, et leurs mélanges. A titre d'oligopeptides, de peptides, de protéines hydrolysées ou non, modifiées ou non, que l'on peut utiliser selon l'invention, on peut notamment citer les hydrolysats de protéines de laine ou de soie, modifiées ou non, les protéines végétales telles que les protéines de blé.
Une cire, au sens de la présente invention, est un composé lipophile, solide à température ambiante (environ 25 C), à changement d'état solide/liquide réversible, ayant une température de fusion supérieure à environ 40 C et pouvant aller jusqu'à 200 C, et présentant à l'état solide une organisation cristalline anisotrope. D'une manière générale, la taille des cristaux de la cire
est telle que les cristaux diffractent et/ou diffusent la lumière, conférant à la composition qui les comprend un aspect trouble plus ou moins opaque. En portant la cire à sa température de fusion, il est possible de la rendre miscible aux huiles et de former un mélange homogène microscopiquement, mais en ramenant la température du mélange à la température ambiante, on obtient une recristallisation de la cire dans les huiles du mélange, détectable microscopiquement et macroscopiquement (opalescence).
Les acides organiques hydroxylés sont choisis parmi ceux bien connus et utilisés dans la technique. On peut notamment citer l'acide citrique, l'acide lactique, l'acide tartrique, l'acide malique.
Les filtres solaires actifs dans l'UV-A et/ou l'UV-B utilisables selon l'invention sont ceux bien connus de l'homme de métier. On peut notamment
citer les dérivés du dibenzoylméthane tels que le 4méthyldibenzoylméthane, le 4isopropyldibenzoylméthane, le 4-tertbutyldibenzoylméthane, le 2,4diméthyldibenzoylméthane, le 4-tert-butyl-4'diisopropyldibenzoyl-méthane, l'acide p-aminobenzoïque et ses esters tels que le pdiméthylaminobenzoate de 2-éthylhexyle et le paminobenzoate d'éthyle N-propoxylé, les salicylates tels que le salicylate de triéthanolamine, les esters d'acide cinnamique tels que le 4-méthoxy-cinnamate de 2-éthylhexyle, le diisopropylcinnamate de méthyle, l'anthranilate de menthyle, les dérivés de benzotriazole, les dérivés de triazine, les dérivés de ss,ss'-diphénylacrylate tels que le 2-cyano-3,3diphénylacrylate de 2-éthylhexyle et le 2-cyano-3,3diphénylacrylate d'éthyle, l'acide 2phénylbenzimidazole-5-sulfonique et ses sels, les dérivés de benzophénone, les dérivés du benzylidènecamphre, les filtres siliconés, etc..
A titre d'antioxydants et d'agents antiradicaux libres utilisables dans la présente invention, on peut citer, par exemple, l'acide ascorbique, des composés ascorbylés tels que le dipalmitate d'ascorbyle, la t-butylhydroquinone, les polyphénols tels que le phloroglucinol, le sulfite de sodium, l'acide érythorbique, les flavonoïdes.
Les chélatants peuvent être choisis notamment parmi l'EDTA (acide éthylènediaminetétraacétique) et ses sels tels que l'EDTA disodique et l'EDTA dipotassique, les composés
absent, Nb représente un groupe-3-pyridyl, Ra est absent et Rb est absent (exemple 184) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe-2-thienyl- (en position para) substitué par un atome de chlore (en position 5) (exemple 185) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe-2-thienyl (en position para) (exemple 186) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et
Rb représente un groupe-2-benzothienyl (en position para) (exemple 187) "k v l' N O (exemple 187) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -O-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe-3-benzothienyl (en position para) (exemple 188) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -O-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe-2-benzofuryl (en position para) (exemple 189) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et
Rb représente un groupe -phényl- (en position para) substitué par un groupe -C(CH3)3 (en position 4) (exemple 190) o #N#O#N## (exemple 190) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -O-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe -phényl- (en position para) substitué par un groupe -CF3 (en position 4) (exemple 191) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-,Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et Rb représente un groupe -phényl- (en position para) substitué par un atome de chlore (en position 4) (exemple 192) II w (exemple 192) Ta représente un groupe -CH2-C(CH3)2-, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl-, Ra est absent et
Rb représente un groupe -phényl- (en position para) substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4) (exemple 193)
Un cinquième sous-groupe préféré de composés selon l'invention est celui dans lequel : Ta représente un groupe de formule -CH(R1)-(CH2)p- où p est 0 ou 1 et R1 représente un groupe choisi parmi : -COOH, -CH3, CH2OH, -CH2-CH(CH3)2, -CO-0-CH3, -Pa-phényl-Pb- où Pa peut être absent ou s'il est présent représente un groupe -CH2- et Pb peut être absent ou s'il est présent représente un groupe-OH, -CH3,un halogène ou un groupe -0-CO-NH-phényl-R2 où R2 peut être absent ou s'il est présent représente un groupe -NO2, -Sphényl ou -0-phényl, ou encore R1 représente un groupe -CH2imidazole, -CH2-indole ou -CH2-(N-méthyl indole), Tb est absent ou représente un groupe de formule-CR3-, CR3-NR4-(CH2)q-, dans lesquelles R3 et R4 ont la même signification que précédemment et q est un nombre entier compris entre 0 et 3, ou encore Tb représente un groupe de formule -R6-(CH2)o-, dans laquelle R6 peut être absent et dans ce cas o est un nombre entier compris entre 1 et 3, ou si R6 est présent il représente un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un groupe -phényl- et dans ce cas o est un nombre entier compris entre 0 et 3, et Tc représente un groupe de formule-R3-CR3-NR4- dans laquelle R3 et R4 ont la même signification que précédemment.
Une première section préférée de composés selon l'invention est celle dans laquelle Ta représente un groupe de formule -CH(R1)-(CH2)p- où p est 0 ou 1 et RI représente un groupe -CH2OH, Tb représente un groupe de formule -R6-(CH2)odans laquelle R6 représente un groupe -phényl- et o est 0, et
Tc représente un groupe de formule-R3-CR3-NR4- dans laquelle R3 et R4 ont la même signification que précédemment.
L'invention envisage tout particulièrement les composés de formule (I) ci-dessous dans lesquels: - Ta représente un groupe -CH(CH2OH)-CH2-,Tb représente un groupe -phényl-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- (en position para) substitué par un atome de chlore (en position 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 166)
Une seconde section préférée de composés selon l'invention est celle dans laquelle Ta représente un groupe de formule - CH(R1)-(CH2)p- où p est 0 ou 1 et R1 représente un groupe -CO- 0-CH3, Tb représente un groupe de formule -R6-(CH2)o- dans laquelle R6 est absent et o représente un nombre entier compris entre 1 et 3, et Tc représente un groupe de formule - R3-CR3-NR4- dans laquelle R3 et R4 ont la même signification que précédemment.
L'invention envisage tout particulièrement les composés de formule (I) ci-dessous dans lesquels: - Ta représente un groupe -CH(CO-O-CH3)-, Tb représente un groupe -(CH2)3-' Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 195)
- Ta représente un groupe -CH(CO-0-CH3)-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- substitué par un groupe -NO2(en position 3), Ra est absent et Rb est absent (exemple 224) 0 - Ta représente un groupe -CH(CO-0-CH3)-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 225)
Une troisième section préférée de composés selon l'invention est celle dans laquelle Ta représente un groupe de formule -CH(R1)-(CH2)p- où p est 0 ou 1 et R1 représente un groupe -CH2-indole ou -CH2- (N-méthyl indole), Tb est absent, et Tc représente un groupe de formule-R3-CR3-NR4- dans laquelle R3 et R4 ont la même signification que précédemment.
L'invention envisage tout particulièrement les composés de formule (I) ci-dessous dans lesquels : - Ta représente un groupe -CH(CH2-3-indole)-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 169)
Une quatrième section préférée de composés selon l'invention est celle dans laquelle Ta représente un groupe de formule -CH(R1)-(CH2)p- où p est 0 ou 1 et R1 représente un groupe de formule -Pa-phényl-Pb- où Pa peut être absent ou s'il est présent représente un groupe -CH2- et Pb peut être absent ou s'il est présent représente un groupe-OH, -CH3 ou un halogène, Tb représente un groupe de formule -R6-(CH2)o- dans laquelle R6 est absent et o représente un nombre entier compris entre 1 et 3, et Tc représente un groupe de formule - R3-CR3-NR4- dans laquelle R3 et R4 ont la même signification que précédemment.
L'invention envisage tout particulièrement les composés de formule (I) ci-dessous dans lesquels : - Ta représente un groupe -CH(CH2-phényl-OH(en position para))-, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -O-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe - phényl-, Ra représente un atome d'oxygène (en position para) et Rb représente un groupe -phényl (exemple 161) - Ta représente un groupe -CH(CH2-phényl-OH(en position para))-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe - phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 2 et 3), Ra est absent et Rb est absent (exemple 163)
- Ta représente un groupe -CH(CH2-phényl-OH(en position para) -, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe - phényl- substitué par un atome de chlore (en position 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 165) - Ta représente un groupe -CH(CH2-phényl)-, Tb représente un groupe -CH2-, Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe -phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 167) Ta représente un groupe -CH(CH2-phényl-Cl(en position para) -, Tb représente un groupe -CH2-,Tc représente un groupe -0-CO-NH-, Na est absent, Nb représente un groupe - phényl- substitué par deux atomes de chlore (en position 3 et 4), Ra est absent et Rb est absent (exemple 168)
Dans les procédés conventionnels de CVD, un film de cuivre continu et de haute conformité ne peut être obtenu qu'au-delà d'une épaisseur critique. En effet, le film de cuivre présente l'inconvénient grave qu'il est discontinu lorsqu'il est trop fin.
L'intégrité structurale de cette couche de germination uniquement métallique peut alors être affectée par la solution d'électrodéposition ou de dépôt autocatalytique. Or, l'épaisseur critique étant non négligeable devant la taille des structurations de la gravure (typiquement de l'ordre de 30 à 50 nm actuellement, à comparer des finesses de gravure destinées à être inférieures à 100 nm), le dépôt
conforme obtenu par CVD peut conduire à une augmentation significative du facteur de forme, et donc exacerber les problèmes liés à un remplissage électrochimique des lignes et vias par le fond lors de l'étape d'électrodéposition ou de dépôt autocatalytique. De plus, ces procédés présentent en général des problèmes d'adhérence.
Parallèlement, l'ALD étant par nature un procédé séquentiel basé sur une succession de cycles, il est lent. De plus, les mélanges doivent être choisis de façon à ne comporter que des réactifs gazeux et des produits gazeux, sauf un, qui est celui que l'on souhaite déposer. La présence de plusieurs réactifs dans le mélange précurseur, ainsi que celle de produits non désirés sur la surface qui doivent être gazeux pour être évacués, conduit à un cumul des contraintes, notamment techniques. Les problèmes d'adhérence rencontrés en CVD se retrouvent avec ce procédé. De plus, si le contrôle d'épaisseur obtenu par ALD est de bonne qualité, on observe que, pour certains types de mélanges, le dépôt procède par nucléation, ce qui réintroduit l'existence d'une épaisseur seuil pour obtenir des dépôts homogènes comme cela est décrit dans M. Juppo, Atomic Layer Déposition of Metal and Transition Metal Nitride Thin Films and In Situ Mass Spectrometry Studies , Academic Dissertation, University of Helsinki, Faculty of Science, Department of Chemistry, Laboratory of Inorganic Chemistry, Helsinki, Finland, december 14th 2001, ISBN 952-10-0221- 2, p.39. Ces difficultés conduisent à raffiner les structures chimiques candidates, à la fois pour les
précurseurs et pour les co-réactifs. Ainsi, l'ALD n'est pas encore opérationnelle et ne répond malheureusement pas à l'ensemble des contraintes actuelles. Cela reste également un procédé coûteux aussi bien du fait des précurseurs et co-réactifs que de la lenteur du procédé).
Des problèmes de l'art antérieur, on observe donc qu'il existe un réel besoin de disposer d'un procédé permettant d'améliorer l'adhérence de la couche de germination sur la couche barrière, sans sacrifier à l'obtention d'une couche conforme, comme c'est le cas avec la PVD. Il existe également un réel besoin de réaliser une couche de germination sur des gravures de fort ratio d'aspect à l'aide d'un procédé peu coûteux, et offrant des couches de germination présentant une bonne adhérence, contrairement à ce que la CVD peut offrir. Enfin, il existe un réel besoin de disposer d'un procédé permettant de réaliser des dépôts de cuivre, mais également d'autres métaux, par exemple tel que le platine, dans un équipement unique, sans oxydation de la couche barrière, et à des températures de mise en #uvre compatibles avec l'intégrité des autres matériaux déjà présents sur le substrat.
EXPOSÉ DE L'INVENTION Le présente invention a précisément pour objet un procédé permettant de répondre à l'ensemble de ces besoins, qui satisfait aux spécifications précitées, et qui permet de résoudre en outre les nombreux problèmes précités de l'art antérieur notamment pour la fabrication d'interconnexions métalliques, notamment
pour la fabrication de circuits intégrés et autres microsystèmes.
Le procédé de la présente invention est un procédé de revêtement d'une surface d'un substrat par un film de germination d'un matériau métallique, ladite surface étant une surface conductrice ou semiconductrice de l'électricité et présentant des creux et/ou des saillies, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - disposer sur ladite surface un film organique adhérant à ladite surface et ayant une épaisseur telle que la face libre de ce film suit de manière conforme les creux et/ou saillies de ladite surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité sur laquelle il est disposé, - insérer au sein dudit film organique disposé sur ladite surface un précurseur du matériau métallique, en même temps que, ou après, l'étape consistant à disposer sur ladite surface ledit film organique, - transformer ledit précurseur du matériau métallique inséré au sein dudit film organique en ledit matériau métallique de manière à ce que ce matériau métallique se forme conformément audits creux et/ou saillies de ladite surface à revêtir et au sein dudit film organique pour constituer avec ce dernier ledit film de germination.
Le film de germination obtenu grâce au procédé de la présente invention comprend donc le film organique et le matériau métallique entremêlés, avec ou
sans interactions ou liaisons chimiques entre eux, suivant la nature chimique des matériaux utilisés.
Les inventeurs ont d'abords constaté que obtention d'un film organique présentant les caractéristiques requises - et notamment conforme à la surface du substrat - est plus facilement réalisable qu'un film de matériau métallique, notamment parce que la chimie spontanée de surface et/ou bien les réactions chimiques initiées à partir de la surface pour l'obtention du film organique permet(tent) de respecter la topologie géométrique de la surface et de s'affranchir, partiellement ou totalement, de la cartographie de chute ohmique. Dans un deuxième temps ils ont constaté la propriété de nombreux matériaux organiques constituant de tels film de pouvoir abriter et/ou de supporter un ou plusieurs précurseur(s) de matériaux métalliques et de permettre la transformation de ces précurseurs en lesdits matériaux métalliques au sein même ou à la surface de ces films organiques. Ils ont ensuite utilisé de manière tout à fait astucieuse ces constatations, en combinant l'utilisation de ces films organiques et de ces précurseurs de matériaux métalliques pour former sur des surfaces des films de germination conformes aux creux et/ou saillies de celles-ci même à de très petites échelles, résolvant ainsi les nombreux problèmes précités de l'art antérieur.
Ainsi, selon l'invention, la difficulté d'obtention d'un film de germination par les techniques de l'art antérieur a été reportée et résolues sur la base de la capacité à réaliser un film organique
adhérent, homogène, conforme à la surface du substrat qui soit capable de contenir un précurseur du matériau métallique, et dont l'épaisseur soit suffisamment faible pour ne pas modifier le ratio d'aspect de la surface, par exemple de gravures.
Les surfaces concernées par la présente invention sont aussi nombreuses que les différentes applications possibles de la présente invention. Il peut s'agir de surfaces conductrices ou semiconductrices d'objets tridimensionnels, ou des surfaces totalement ou partiellement semi-conductrices. Par surface tridimensionnelle, on entend une surface dont les irrégularités topologiques sont dimensionnellement non négligeables par rapport à l'épaisseur du revêtement que l'on cherche à obtenir. Il s'agit par exemple de surfaces de substrats utilisés pour la fabrication de microsystèmes ou de circuits intégrés, par exemple des surfaces de substrats de silicium ( wafer ) et autres matériaux connus de l'homme du métier dans le domaine technique considéré. Selon l'invention, le substrat peut être par exemple une couche inter niveaux pour la fabrication d'un circuit intégré. La présente invention trouve aussi une application, par exemple, dans la réalisation d'une couche conductrice sur un système micro- électromécanique (MEMS : "Micro-Electromechanical System") pour établir un contact électrique quand deux pièces mobiles du système se rejoignent.
Par creux et/ou saillies on entend toute variation de la topologie de la surface volontaire ou non. Il peut s'agir par exemple d'une rugosité de
une voie intéressante d'accès vers les épaisseurs ultra faibles, d'usage d'autant plus aisé que la fixation des radicaux associés au sel de diazonium initial est spontanée.
*Exemple n 7 . Electro-greffage d'un film de P4VP sur TiNSi.
Cet exemple permet d'étendre le mode de réalisation qui a été vu dans l'exemple n 1 précédent au cas de la surface d'une couche barrière telle qu'utilisée dans les procédés Damascène et dual Damascène en micro-électronique. La couche barrière utilisée ici est dénommée TiNSi, et correspond à du nitrure de titane légèrement dopé au silicium.
Une lame de silicium, recouverte, par CVD, d'une couche de 20 nm de TiNSi, plongée dans une solution à 40% en volume de 4-vinyl pyridine dans la di-méthyle formamide (DMF), en présence de 5.10-2 mol/1 de perchlorate de tétra-éthyle ammonium (TEAP), est reliée à un potentiostat en tant qu'électrode de travail. Le circuit est complété avec une contre- électrode en platine et une électrode de référence basée sur le couple (Ag+/Ag) (AgClO4/TEAP). L'électrode de TiNSi est soumise à 25 balayages voltammétriques de - 0,6 à - 2,9 V/(Ag+/Ag) à 200 mV/s. La lame est rincée à la DMF puis séchée sous courant d'argon.
La Figure 14 montre la région Nls du spectre XPS de la lame ainsi traitée, en comparaison de celui de la lame de TiNSi de départ. On observe nettement l'apparition d'un pic vers 400 eV, caractéristique des atomes d'azote des groupements pyridine de la P4VP,
ainsi qu'une diminution du pic dû aux atomes d'azote du TiNSi de la surface du substrat. La présence de ce dernier pic révèle que le film de P4VP obtenu est d'une épaisseur inférieure à 10 nm.
Exemple n 8 . Formation d'un film de germination d'un matériau métallique au sein d'un film de P4VP électrogreffé sur TiN (Protocole 1).
Cet exemple permet d'illustrer la formation d'un film métallique uniforme selon l'invention sur une surface semi-conductrice, et ce malgré le caractère non équipotentiel de la surface. Le protocole utilisé ici (appelé Protocole 1) est comparable à celui utilisé sur métal dans l'exemple n 2 précédent : un bain unique sert pour le remplissage du film avec les précurseurs métalliques et pour la réduction de ces précurseurs au sein du film.
Sur une lame de TiN de l'exemple n 4 précédent, on réalise - par électro-greffage - le dépôt d'un film de P4VP de 30 nm environ, selon un protocole analogue à celui de l'exemple n 7.
La lame de TiN ainsi recouverte de P4VP, reliée à un potentiostat en tant qu'électrode de travail, est d'abord trempée sans courant pendant 25 minutes dans une solution aqueuse contenant 11 g de sulfate de cuivre [CuS04, 5 H20] , 3 g d'acide sulfurique H2SO4 (d=1. 38), 6 mg de chlorure de sodium NaCl, le tout dans 50 ml d'eau désionisée à 18 M#. Une contre-électrode de platine et une électrode de référence au calomel saturée son rajoutés au montage. A la fin de la phase de trempage, la lame, qui n'est pas sortie, est
polarisée pendant 2 minutes à un potentiel de - 0,5 V/ECS. La lame est ensuite sortie, rincée à l'eau désionisée puis séchée sous un courant d'argon.
La région des orbitales 2p du cuivre du spectre XPS de la lame est représentée sur la partie supérieure de la Figure 15, et compare les spectres obtenus en incidence normale et rasante. L'incidence normale permet d'obtenir des informations sur toute la profondeur de sonde de l'XPS (soit environ 10 nm), alors qu l'incidence rasante permet de restreindre à une peau plus fine, et donne donc des informations sur l'extrême surface de l'échantillon.
Les pics caractéristiques des ions cuivriques sont observés vers 943 et 964 eV, respectivement, alors que ceux dus au cuivre métallique sont obtenus vers 933 et 954 eV, respectivement.
On observe ainsi (Figure 15-1, incidence normale) la formation de cuivre métallique au sein du film de P4VP, conformément à l'invention. Une inspection visuelle révèle un film métallique d'une grande uniformité, et ce malgré le fait que la surface de TiN ne constitue pas une équipotentielle, étant semi-conductrice. La Figure 16-1 représente la région Nls du spectre XPS : on observe, en incidence normale, la présence de 3 pics à 397,399,5 et 402 eV, et correspondant respectivement aux atomes d'azote des cycles pyridines liés au cuivre métallique (réduit), aux azotes des cycles pyridines libres et aux azotes des cycles pyridine liés aux ions cuivriques. La disparition du pic à 397 eV sur le spectre obtenu en incidence rasante sur la Figure 16-1 montre que le
cuivre métallique est présent au fond du film mais pas en surface.