REVENDICATIONS 1. Dispositif photovoltaïque multijonctions à cellules (20,21, 22,23) indépendantes, caractérisé en ce qu'il comprend des reprises de contact des cellules réalisées en face avant et/ou arrière par des puits métallisés (24) dont les flancs sont isolés des matériaux constituant les différentes couches semi-conductrices. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les lignes métallisées de collection du courant issu des puits métallisés et situées en face avant sont de section triangulaire (29). 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les puits métallisés (24) sont réalisés en aluminium. 4. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les puits métallisés (24) ont leurs flancs isolés des matériaux constituant les différentes couches semi-conductrices dudit'dispositif par un dépôt de matériau isolant (25). 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel ce matériau isolant est un oxyde ou un nitrure. 6. Procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque multi-jonctions, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - réalisation de tout ou partie d'une première cellule (41,42,43), - réalisation de tout ou partie d'une deuxième cellule à partir d'un substrat support (44), cette étape comportant en outre la réalisation d'une zone apte à permettre le retrait du substrat support (44) , - dépôt sur l'une au moins des deux cellules d'une couche isolante (49), - collage des deux ensembles ainsi constitués, une couche isolante séparant ainsi les deux cellules, - retrait du substrat support (44) de la deuxième cellule, - gravure des puits (51) permettant la reprise de contact en face avant et/ou arrière du dispositif, isolation des flancs des puits (52), remplissage des puits par dépôt métallique, - réalisation des lignes métallisées permettant la collection du courant des puits en face avant et/ou arrière du dispositif. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel une étape de finition des cellules est réalisée préalablement à la gravure des puits. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel on réalise une passivation des flancs des puits (51) avant l'isolation de ceux-ci. 9. Procédé selon la revendication 6, dans lequel on réalise les lignes métallisées situées en face avant du dispositif de sorte qu'elles aient une section triangulaire (53). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel on réalise ces lignes de section triangulaire par dépôt métallique, puis lithographie et enfin gravure. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, dans lequel le collage des deux ensembles se fait par adhésion moléculaire. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel la réalisation de la zone apte à permettre le retrait du substrat support (44) consiste en la réalisation entre le substrat support et les couches actives de la cellule d'une couche d'arrêt à la gravure chimique du substrat support. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le retrait du substrat support s'effectue par abrasion mécanique puis gravure chimique dudit substrat support. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel la réalisation de la zone apte à permettre le retrait du substrat support (44) consiste en la réalisation dans le substrat support (44) d'une zone fragilisée apte à permettre la séparation de ce substrat support. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la réalisation dans le substrat support de la zone fragilisée s'effectue par implantation ionique. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 ou 15, dans lequel le retrait du substrat support s'effectue par traitement thermique et/ou application de forces mécaniques. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel la réalisation de la zone apte à permettre le retrait du substrat support (44) consiste en la réalisation entre le substrat support et les couches actives de la cellule d'une couche sacrificielle présentant une dissolution sélective par rapport au substrat support et à ces dites couches. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le retrait du substrat support s'effectue par dissolution sélective de la couche sacrificielle. 19. Utilisation du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 dans une cellule de concentration.