REVENDICATIONS 1. Structure (100) comportant au moins un relief (16) devant porter au moins une connexion électrique (14), caractérisée en ce que la connexion électrique (14) est formée d'une couche conforme (14.1) située sur le relief, dans un premier matériau électriquement conducteur, cette couche conforme (14.1) étant recouverte d'une couche additionnelle (14.2) d'un second matériau électriquement conducteur ayant une résistivité faible. 2. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le relief (16) est un trou ou une saillie. 3. Structure selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que la connexion (14) relie un élément (12) de la structure (100) à la surface de la structure. 4. Structure selon la revendication 3, comportant un substrat (11) sur lequel repose une couche (13) accueillant l'élément (12) à relier, caractérisée en ce que la connexion (14) traverse le substrat (11). 5. Structure selon la revendication 4, caractérisée en ce que la connexion (14) aboutit sur la face arrière du substrat (11), sa face avant supportant la couche (13) accueillant l'élément (12) à relier. 6. Structure selon l'une des revendications 4 ou 5, caractérisée en ce que le substrat (11) et la couche (13) accueillant l'élément (12) à relier sont isolés électriquement l'un de l'autre par une couche d'isolation (20). 7. Structure selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisée en ce que la couche conforme (14.1) est isolée électriquement du substrat (11) par une couche d'isolation (20.2). 8. Structure selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que la couche additionnelle (14.2) est équipée d'au moins un plot (15) de contact. 9. Structure selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que la couche additionnelle (14.2) est protégée par une couche de passivation (21). 10. Structure selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisée en ce qu'elle comporte une surface qui borde le relief (16) et qui est recouverte de la couche conforme (14.1) surmontée de la couche additionnelle (14.2). 11. Structure selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisée en ce que le matériau de la couche conforme (14.1) est du silicium polycristallin. 12. Structure selon la revendication 11, caractérisée en ce que le silicium polycristallin est dopé ou implanté ioniquement. 13. Structure selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisée en ce la couche additionnelle (14.2) est réalisée à base de tungstène. 14. Structure selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisée en ce qu'une sous-couche (14.3) électriquement conductrice est insérée entre la couche conforme (14.1) et la couche additionnelle (14.2), cette sous-couche (14.3) étant apte à améliorer le contact électrique entre les deux couches. 15. Structure selon la revendication 14, caractérisée en ce que la sous-couche (14.3) est réalisée à base de titane. 16. Structure selon l'une des revendications 8 à 15, caractérisée en ce que le plot (15) de contact est réalisé à base d'un métal noble. 17. Structure selon l'une des revendications 9 à 16, caractérisée en ce que la couche de passivation (21) est réalisée dans un matériau du groupe comprenant le verre, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium. 18. Structure selon l'une des revendications 2 à 17, dans laquelle le relief (16) est un trou, caractérisé en ce que la couche conforme (14.1) remplit le trou. 19. Procédé de réalisation d'une structure (100) comportant au moins un relief (16) devant porter au moins une connexion (14) électrique, caractérisé en ce que la réalisation de la connexion (14) comporte une étape de dépôt d'une couche conforme (14.1) sur le relief (16) d'un matériau électriquement conducteur, une étape de mise en forme de la couche conforme (14.1), une étape de dépôt, sur la couche conforme (14.1), d'une couche additionnelle (14.2) en matériau électriquement conducteur ayant une résistivité faible et une étape de mise en forme de la couche additionnelle (14.2). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'une couche de passivation (21) sur la couche additionnelle (14.2). 21. Procédé selon l'une des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'au moins un plot (15) conducteur sur la couche additionnelle (14.2) en contact électrique avec elle. 22. Procédé selon l'une des revendications 19 à 21, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'insertion d'une sous-couche (14.3) entre la couche conforme (14.1) et la couche additionnelle (14.2), cette sous-couche étant réalisée dans un matériau étant apte à améliorer le contact électrique entre les deux couches. 23. Procédé selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de gravure du relief (16) dans un substrat (11) de la structure (100), ce relief prenant la forme d'un trou.