INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une fois la greffe réalisée, on peut considérer que l'élément est enrichi d'une structure de menu qui lui permet d'atteindre à travers les minipages vers lesquelles pointe chacune des commandes auxquelles on accède par le biais de ces menus. Il s'agit, en fait, d'une représentation enrichie de l'élément, et par abus de langage, d'un élément enrichi . Ces commandes se réfèrent par exemple aux URL indiquant, chacune, l'adresse d'une page Web (statique ou dynamique), et que l'on appelle les minipages . Cette structure de menu peut être considérée comme une structure de navigation dans le sens où cette structure permet de naviguer à travers ces minipages .
Les définitions précédentes peuvent s'appuyer sur la production d'un élément par un serveur d'élément comme décrit sur la figure 4.
Un serveur d'élément (SE) produit un élément (E) sur une plate-forme cliente lorsque, suite à une requête (R1) de la part de ladite plate-forme cliente sur un serveur de référence d'élément (SR) (phase 1), ledit serveur de référence d'élément lui répond par l'envoi d'un code(Cl) (phase 2) qui encapsule un code cl, interprétable par une machine virtuelle(MV) installée sur ladite plateforme cliente, code faisant référence à l'adresse url(E) dudit élément E sur un serveur d'élément (SE) et ayant pour finalité l'affichage graphique dudit élément sur ladite plate-forme cliente. L'interprétation du code Cl (Cl=document.write(cl) (par exemple en Javascript) conduit à désencapsuler cl qui est alors interprété par la machine virtuelle (MV). La machine virtuelle MV détecte une balise (phase 3) qu'elle interprète en cherchant la valeur d'un attribut lui indiquant l'adresse url(E) de l'élément E sur le web(phase 4) qui lui permet de le requêter (phase 5). Le serveur d'élément SE produit alors l'élément E en téléchargeant son code vers la plate-forme cliente (phase 6). Le navigateur traite alors ce code à des fins d'affichage sur la plate-forme cliente (phase 7).
Les éléments pris en compte dans la simulation, intégrés dans un liste dite "netlist", comprennent : - un plan mémoire au format 4X4 avec des mots de 4 bits, - le décodeur de ligne et le décodeur de rangée (mot) , - les amplificateurs de lecture pour chaque bit, - les bascules de mémorisation ("latches" en terminologie anglo-saxonne), et - la structure d'extraction des tensions de seuil.
Le modèle de simulation du transistor à grille flottante FGT est basé sur un noyau du type MM9, et elle est décrite en langage HDLA. Pour plus d'informations sur le noyau MM9, on peut se référer à
l'article de J.M. Portal et al. "An automated methodology to diagnose geometric defects in the EEPROM Cell", Proc. IEEE International Test Conférence (ITC), pp.31-36, octobre 2002.
Les figures 19 à 22 présentent des chronogrammes de signaux, sous forme de de saisies sur moniteur, d'une fenêtre de capture lors de la simulation, chacune sur une échelle de temps représentée en abscisse, lors de différentes opérations intervenant sur la mémoire EEPROM 110 ou 120.
La figure 19 représente l'évolution de la tension de programmation, désignée Vpp, appliquée à une cellule vierge de la mémoire successivement pour y programmer un état effacé et un état écrit, et ensuite passer à une phase de lecture. De manière connue, cette tension est produite par le générateur de haute tension 14 et est appliquée à différents points de la cellule selon qu'elle programme un état d'effacement ou de d'écriture.
La programmation des deux états passe par d'abord par une rampe de la tension Vpp, suivie d'un plateau.
Les variations de cette tension, en montée et en descente, sont gérées par des circuits internes de cadencement.
La figure 20 représente l'évolution de la tension de seuil VT (représentée en ordonnée) d'une cellule vierge, sur la même échelle de temps que pour la figure 19, et pour la même cellule, permettant ainsi de visualiser cette tension de seuil successivement lors de l'effacement, l'écriture et la lecture.
La partie plane de la gauche de la courbe correspond à l'état initial vierge de la cellule, située à un peu plus de 1 volt. A l'état effacé, la tension VT monte progressivement à un niveau entre 2 et 3 volts. Lors de la phase d'effacement, la tension VT
reste stable sur un plateau supérieur, avant de chuter rapidement vers une valeur négative lors de la phase d'écriture.
On note qu'il y a une latence entre la commande d'un état par la haute tension et le positionnement de la tension de seuil VT à la valeur correspondante, cette latence étant sensiblement égale à la durée des plateaux.
La figure 21 représente l'évolution du courant ID parcourant une cellule, montrant les pas incrémentaux produits par la source de ce courant en réponse aux incréments correspondants du courant de lecture produits par le générateur de courant programmable 20 lors de la recherche du courant seuil IT de cette cellule. Lorsque le courant ID forcé de traverser la cellule ne peut plus augmenter, atteignant la limite du transistor de stockage FGT pour la polarisation de grille Vcg qui lui est fixée, il se produit un basculement d'état logique au niveau de l'amplificateur de lecture. On observe la présence de pics de courant initiaux, typique des phase d'effacement d'une cellule.
La figure 22 représente l'évolution de la sortie logique (en ordonnée) au niveau de la tension de sortie de l'amplificateur de lecture, sur la même échelle de temps que pour la figure 21, et pour la même cellule, permettant ainsi de visualiser les points de basculement relativement au courant ID de la figure 21.
On observe un état logique 1 initial, se terminant après un deuxième des pics susmentionnés par un basculement à l'état logique 0. Cet état logique subsiste jusqu'à ce que le courant ID et le courant de lecture Ilect coïncident, l'amplificateur de lecture basculant alors à l'état logique 1.
En résumé, le surcroît , en surface de puce qu'implique la structure d'extraction de tension ou de
courant de seuil est relativement faible compte tenu de la surface de la mémoire. En effet, la structure d'extraction est principalement composée de : - un registre à décalage configurable (permettant un mode pour l'extraction en écriture et un autre mode pour l'extraction sur cellule vierge et en effacement), une source de courant multiple programmable (utilisant deux transistors PMOS par source), - (dans le cas du premier mode de réalisation seulement) une source de tension multiple programmable (utilisant quatre transistors MOS par tension de référence), et - une logique de contrôle modifiée pour le mode test.
Par groupe alcoxy, on entend, dans ce qui précède et ce qui suit, un groupe -O-alkyle, le terme alkyle répondant à la même définition que celle donnée ci-dessus.
Par groupe aryle, on entend, dans ce qui précède et ce qui suit, un groupe aromatique hydrocarboné monocyclique ou polycyclique comprenant de 6 à 18 atomes de carbone, tel que le groupe phényle, le groupe naphtyle. Ce groupe peut être éventuellement substitué par des groupes choisis parmi les groupes amino, hydroxy, alcoxy en Cl à C3, un groupe alkyle en Cl à C6. Des exemples de groupes aryle substitués sont, par exemple, le groupe 2-tolyle, 3-tolyle, 4tolyle.
Par groupe carboxyalkyle, on entend, dans ce qui précède et ce qui suit, un groupe alkyle tel que défini précédemment comportant en extrémité un groupe C02H, tel que le groupe carboxyméthyle -CH2-C02H, le groupe carboxyéthyle -(CH2)2-CO2H.
Par groupe amino, on entend, dans ce qui précède et ce qui suit, un groupe de formule-NH2, éventuellement substitué au niveau de l'atome d'azote par un ou deux substituants tels que des groupes alkyles comportant de 1 à 6 atomes de carbone.
De préférence, le groupe R6 tel que défini précédemment est un groupe cationique. Avantageusement, un tel groupe comprend un cycle N-alkyl(Cl- C4)pyridinium, un cycle N-alkyl(C1-C4) imidazolium, un cycle N-alkyl(Cl-C4)triazolium, lesdits cycles pouvant être éventuellement substitués.
Les composés de formule (I) peuvent être définis comme des colorants directs, c'est-à-dire ne nécessitent pas de révélation par un agent approprié telle que les colorants d'oxydation.
Parmi les composés de formule (I) définie ci-dessus, on préfère utiliser, avantageusement, les composés de formules (II) et (III) suivantes, dans lesquels A désigne un contre-ion anionique, de préférence, un anion chlorure et W désigne un contreion anionique, de préférence un anion chlorure :
(III) Ces colorants peuvent être obtenus par des schémas classiques de synthèse comme ceux décrits dans le brevet FR 1285848.
Quels que soient les précurseurs, on peut donc obtenir la réduction de ceux qui ont été préalablement confinés dans le film organique : soit au moment de la fabrication de ce film organique sur la surface ; soit a posteriori en insérant et/ou en déposant ces précurseurs - par exemple par trempage du film accrochage et/ou simple diffusion des précurseurs en son sein, ou encore sous l'effet de stimulis divers, tels que par électro-attraction de manière à forcer ou favoriser l'accrochage et/ou l'insertion du précurseur dans le film, etc.
Si l'objectif de la mise en #uvre du procédé de l'invention est simplement de réaliser une couche de germination, une seule étape d'insertion de précurseur du matériau métallique dans le film et de transformation de ce précurseur peut suffire. Un remplissage des creux peut ensuite être réalisé si tel est l'objectif de la mise en #uvre du procédé de l'invention, à partir de la couche de germination ainsi créée, selon les procédés de l'art antérieur, de préférence par électrodéposition ou par dépôt autocatalytique.
Selon un deuxième mode particulier de réalisation de la présente invention, l'étape d'accrochage ou d'insertion du précurseur du matériau métallique dans le film organique peut être réalisée au moyen d'une première solution contenant le précurseur du matériau métallique, et l'étape de transformation du précurseur métallique en ledit matériau métallique au sein du film organique est réalisée au moyen d'une deuxième solution ne contenant pas ledit précurseur du matériau métallique. Ainsi, on réalise un film organique sur la surface à revêtir, puis cette surface est trempée dans deux bains différents . Un trempage dans un premier bain contenant les précurseurs du matériau métallique permet de remplir et/ou de couvrir le film avec des précurseurs (insertion et/ou accrochage). La surface est ensuite sortie du premier bain de remplissage (et/ou d'accrochage ), éventuellement rincée, puis plongée dans une deuxième solution contenant divers agents chimiques à l'exception des précurseurs du matériau métallique du
bain précédent. Ces agents chimiques peuvent être des agents d'oxydoréduction, par exemple pour un procédé de réduction du précurseur du matériau métallique de type autocatalytique, ou des électrolytes pour assurer la conduction électrique dans un procédé de réduction de type électrodéposition. Lorsque la réduction a lieu dans ce second bain, les ions contenus sur et/ou dans le film constituent le seul réservoir de précurseurs mis à la disposition de la réaction pour conduire à la formation du film métallique, puisqu'ils sont absents dans le bain. Pour peu que le film organique soit homogène - et notamment conforme - on parvient ainsi à confiner la réaction d'électrodéposition dans un espace homogène - et notamment conforme à la surface.
En procédant de cette façon, on évite le réapprovisionnement en précurseurs de métallisation depuis la solution, notamment dans les zones plus conductrices si elles existent, et on s'affranchit des travers de l'électrodéposition ou du procédé autocatalytique pour cette étape de réalisation de la couche de germination : on promeut la construction du film métallique (par réduction) à l'endroit où les précurseurs avaient été piégés grâce au film organique et uniquement à cet endroit, c'est-à-dire sur ou dans une pellicule ultramince homogène et conforme à la structuration de la surface de la couche barrière.
Lorsque l'on a couvert et/ou rempli le film avec les précurseurs du matériau métallique à la sortie du premier bain, les gradients de concentration entre le film (rempli) et la solution du second bain (vide)
sont favorables à un relargage des précurseurs dans le bain de rinçage éventuel et surtout dans le second bain de trempage. On pourra certes s'affranchir de ce relargage en piégeant résolument les précurseurs sur et/ou dans le film organique (via une complexation lorsque l'on insère des ions, ou bien via un couplage chimique et/ou une réticulation dans le cas des agrégats). Cependant, on observe d'ordinaire que l'utilisation, dans le second bain, d'un liquide qui ne soit pas un solvant voire même ni un bon gonflant du film organique, peut suffire à s'affranchir du relargage. Plus généralement, toute amélioration opératoire qui permettra de rendre la cinétique de relargage lente devant celle de la déposition du métal dans le film à partir des précurseurs, sera acceptable et conforme à l'esprit de la présente invention.
Si l'objectif de la mise en #uvre du procédé de l'invention est d'effectuer un remplissage très progressif, homogène et conforme, on peut multiplier les passages successifs dans les deux bains ci-dessus, de façon - certes - à ré approvisionner le film en précurseurs, mais de toujours pouvoir veiller à ce que ce réapprovisionnement se limite spatialement à l'épaisseur du film, dont les racines sont de plus en plus enfouies à mesure que les passages en solution ou bain d'insertion du précurseur du matériau métallique puis en bain de déposition se succèdent.
Ainsi, selon l'invention, les étapes d'insertion du précurseur du matériau métallique dans le film organique et de transformation dudit précurseur en
ledit matériau métallique peuvent être répétées plusieurs fois alternativement.
Selon l'invention, le substrat peut comporter à sa surface conductrice et/ou semi-conductrice de l'électricité présentant des creux et/ou des saillies une couche barrière empêchant une migration du matériau métallique dans ledit substrat, ladite couche barrière ayant une épaisseur telle que la face libre de cette couche suit de manière conforme les creux et/ou saillies dudit substrat sur laquelle elle est déposée.
La fonction de cette couche barrière est exposée cidessus dans la partie art antérieur, elle permet d'éviter la migration du matériau métallique dans le substrat. Ceci est donc valable pour certains substrats, avec certains matériaux métalliques. Il s'agit par exemple d'un substrat de silicium et d'un matériau métallique à base de cuivre.
Selon l'invention, avant l'étape consistant à disposer sur ladite surface du substrat le film organique, le procédé de l'invention peut comprendre en outre une étape consistant à déposer ladite couche barrière. Ce dépôt peut être effectué par une des techniques connues de l'homme du métier, par exemple par la technique décrite dans le document Kaloyeros and Eisenbraun, in Ultrathin diffusion barrier/liner for gigascale copper metallization , Ann. Rev. Mater. Sci (2000), 30, 363-85.
Selon l'invention, les matériaux servant à réaliser les couches barrière, par exemple dans le domaine de l'interconnexion cuivre, par exemple en microélectronique, sont généralement semi-conducteurs.
Il peut s'agir des matériaux utilisés dans l'art antérieur. Par exemple, la couche barrière peut être une couche d'un matériau choisi dans le groupe constitué de titane ; de tantale ; des nitrures de titane, de tantale et de tungstène ; de carbure de titane et de tungstène ; de carbonitrure de tantale, tungstène et chrome ; de nitrure de titane ou tantale dopé au silicium ; et d'alliages ternaires comportant du cobalt ou du nickel allié à un réfractaire tel que du molybdène, du rhénium ou du tungstène, et à un dopant tel que du phosphore ou du bore. Par exemple, la couche barrière peut être une couche de TiN ou de TiN (Si), et le matériau métallique du cuivre.
Selon l'invention, la couche barrière peut être déposée sur le substrat par une des techniques précitées de l'art antérieur, par exemple par une technique choisie dans le groupe constitué des techniques de dépôt chimique ou physique en phase vapeur. Une de cette technique est par exemple décrite dans le document précité.
La présente invention peut, entre autres, avoir les déclinaisons suivantes : # Rich-Banner : bandeau publicitaire enrichi d'une structure de menus déployable.
# Rich-Geobject : élément géométrique (composé de primitives géométriques) en surimpression d'une carte géographique, et duquel l'internaute, en passant la souris par-dessus, déploie une structure de menus correspondante.
# Rich-Word : mot à partir duquel l'internaute, en passant la souris par-dessus, déploie une structure de menus adaptée.
# Rich-Image : élément géométrique en surimpression d'une image (gif, jpeg, png ...), ou zone sensible, desquels l'internaute, en passant la souris par- dessus, déploie une structure arborescente de menus correspondante. L'arborescence en question peut aussi se concevoir sous la forme d'un chemin dont les zones sensibles d'une image sont les guides vers les prochaines images.
# Rich-Miniportail : structure de menus adaptée aux besoins particuliers d'un individu et déployable à partir d'un élément sur une page Web. Idéalement, cet élément est permanent, c'est-à- dire qu'on le retrouve de page Web en page Web, au fur et à mesure de la navigation de l'internaute, à la même position par rapport à la fenêtre contenant la page Web, et dans le même état (menus déployés ou non).
Le terme rich , qui apparaît communément, indique que chacun de ces éléments est enrichi d'une structure arborescente déployable par une action d'un utilisateur (internaute ou application) sur la représentation enrichie de l'élément.
Le procédé de la présente invention présente de nombreuses propriétés très intéressantes pour l'homme du métier. Par exemple, une structure arborescente est réutilisable par un annonceur pour ses déploiements sous de multiples formes, notamment : bandeau publicitaire (RichBanner), carte géographique (Rich-Geobject), texte (RichWord) ... Autrement dit, il s'agit d'un write once, inform anywhere .
Le déploiement graphique de la structure arborescente, par action d'un utilisateur sur la représentation enrichie d'un élément, permet à celui-ci de consulter des informations et d'utiliser des services, tout en restant sur le support de l'élément. Il reste ainsi maître de sa navigation. La répercussion des modifications faites par l'annonceur sur sa structure arborescente est effective en temps réel. Des structures arborescentes appartenant à des annonceurs différents peuvent être associées ensemble à un même élément, permettant ainsi à un utilisateur, lorsqu'il déploie graphiquement cette structure arborescente, de consulter les informations ou d'utiliser des services correspondant à des annonceurs différents. De plus, il est possible à un annonceur d'assembler des briques de structures arborescentes afin de composer une structure plus complexe.
Les diverses déclinaisons de la présente invention doivent tenir compte des contraintes de la chaîne d'acteurs impliqués dans le marché visé. Dans le marché particulier de l'e-publicité, la non-intrusion consiste, dans l'idéal, à n'intervenir ni sur les serveurs de publicité de régie, ni sur les serveurs de publicité d'agence. Idéalement, on n'intervient alors que sur le serveur de contenu délivrant l'élément, objet de la création publicitaire. Idéalement encore, il n'y a aucune intrusion dans le processus de création de l'objet publicitaire. Il s'agit alors d'adjoindre un élément totalement complémentaire à l'objet publicitaire créé par l'agence.
Ainsi, il est possible d'obtenir des reportings détaillés en temps réel, permettant aux agences et à leurs clients annonceurs de déterminer les paramètres de succès de telle ou telle création publicitaire, afin de disposer d'une base de connaissance exploitable pour les prochains
plans médias, et de réajuster des paramètres en cours de campagne.
Le procédé selon l'invention permet aussi bien d'encapsuler un grand nombre de technologies existantes (java applet, flash payer, gif ...) que de s'intégrer au sein de ces technologies. Les agences doivent investir le moins possible de ressources dans l'apprentissage de nouvelles méthodes propres à la nouvelle technologie. Idéalement, on doit pouvoir scinder un fichier obtenu par ces outils en une composante arborescente (structure et données) et une composante purement stylistique (style et interactivité).
Enfin, les arbres créés et activés (c'est-à-dire prêt à être diffusés sur demande) sont accessibles par les moteurs de recherche, même s'ils ne font pas partie explicitement du contenu d'une page Web. Une défaillance de l'affichage de l'arbre ne doit pas être préjudiciable à celui de l'élément, que cela soit sur le plan du délai ou de l'affichage proprement dit.
Offrir aux sociétés la possibilité de fournir leurs propres services que l'annonceur peut décider d'inclure dans sa structure arborescente. Offrir aux designers la possibilité de fournir des modèles (templates) que les annonceurs peuvent décider d'utiliser, de façon exclusive ou non, pour la présentation de leur structure arborescente.
Le procédé de la présente invention comprend trois différentes phases : # une phase de pré-développement ; # une phase de développement ; # une phase de production.
La phase de pré-développement est la phase correspondant, de façon totalement indépendante, à :
Les dérivés polyguanidine sont connus en tant qu'agents anti-bactériens dans des solutions désinfectantes, comme décrit par exemple dans les documents US-A- 2002/0122821 et US-A-6,465,412, ou bien en tant qu'agents de protection des fibres dans des produits de traitement des fibres kératiniques, comme décrit dans le document EP-A-1,302,194. Rien ne laissait supposer que ces dérivés seraient efficaces pour augmenter la qualité de mousse des compositions nettoyantes moussantes.
Aussi, la présente invention a aussi pour objet l'utilisation d'au moins un dérivé de polyguanidine, pour améliorer la qualité de mousse, et notamment le volume de mousse et la densité de mousse, d'une composition nettoyante moussante rinçable comprenant, dans un milieu aqueux physiologiquement acceptable, un ou plusieurs tensioactifs moussants en une quantité supérieure à 5 % en poids par rapport au poids total de la composition.
Les dérivés de polyguanidine utilisables dans le cadre de la présente invention sont notamment des composés de formule (I) suivante :
dans laquelle : X, R1, R2, R3, indépendamment l'un de l'autre, sont choisis dans le groupe formé par un atome d'hydrogène, un radical hydroxyle, un radical alkyle en Ci à C16, de préférence en Ci à C8, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, hydroxylé ou non, Y désigne un radical NHR, dans lequel R est choisi dans le groupe formé par un atome d'hydrogène, un radical hydroxyle, un radical alkyle en Ci à C16, de préférence en C1 à C8, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, hydroxylé ou non, A désigne un radical alkylène en Ci à C16, de préférence en Ci à C12, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, substitué ou non par au moins un radical choisi parmi un radical hydroxyle, carboxyle (-COOH), carboxylate, un halogène, ledit radical alkylène pouvant contenir au moins une fonction amine (-NH-), éther (- 0-), thioéther (-S-), ester (-(CO) O- ou-O(CO)-), amide (-CONR- ou-NRCO- où R est hydrogène, un radical alkyle en Ci à C8), carbamate (-NH(CO) O- ou O (CO)NH-), urée (-NH(CO) NH-), un cycle arylique en C6 ou cyclanique en C3 à C8 éventuellement substitué par un alkyle en Ci-Ce, hydroxyle, halogène; ou bien A désigne un ou plusieurs cycles aryliques en C6 ou cyclaniques en C5 à C7 éventuellement substitués par un alkyle en Ci-Ce, un groupe hydroxyle ou un halogène ou non substitués ; ou bien A désigne une chaîne polyarylique en C10 à C14 ou polycyclanique en C6 à C10, pouvant être interrompue par au moins un radical alkylène en Ci à C8, un atome d'hydrogène, une fonction amine (-NH-), amide (-CONR- ou NRCO où R est un radical alkyle en C1 à Ce), éther (-0-), thioéther (-S-), carbamate (-NH(CO) O- ou-O(CO)NH-), urée (-NH(CO)NH-) ; n est un entier compris entre 2 et 5000, et de préférence entre 2 et 200, et leurs sels physiologiquement acceptables.