REVENDICATIONS 1. Procédé de revêtement d'une surface d'un substrat par un film de germination d'un matériau métallique, ladite surface étant une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité et présentant des creux et/ou des saillies, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - disposer sur ladite surface un film organique adhérant à ladite surface et ayant une épaisseur telle que la face libre de ce film suit de manière conforme les creux et/ou saillies de ladite surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité sur laquelle il est disposé, - insérer au sein dudit film organique disposé sur ladite surface un précurseur du matériau métallique, en même temps que, ou après, l'étape consistant à disposer sur ladite surface ledit film organique, - transformer ledit précurseur du matériau métallique inséré au sein dudit film organique en ledit matériau métallique de manière à ce que ce matériau métallique se forme conformément audits creux et/ou saillies de ladite surface à revêtir et au sein dudit film organique pour constituer avec ce dernier ledit film de germination. 2. Procédé de fabrication d'interconnexions d'un circuit intégré en microélectronique, lesdites interconnexions étant constituées d'un matériau métallique, ledit procédé comprenant, dans cet ordre, les étapes consistant à : a) graver dans un substrat diélectrique des motifs d'interconnexions, lesdits motifs formant des creux, et éventuellement des saillies, sur et/ou à travers ledit substrat, b) déposer sur ledit substrat diélectrique gravé une couche barrière conductrice empêchant la migration du matériau métallique d'interconnexions dans ledit substrat, ladite couche barrière ayant une épaisseur telle que la face libre de cette couche suit de manière conforme les motifs d'interconnexions dudit substrat sur laquelle elle est déposée, c) revêtir la couche barrière conductrice déposée sur le substrat gravé par un film de germination d'un matériau métallique au moyen du procédé de la revendication 1, d) remplir les creux par ledit matériau métallique à partir dudit film de germination pour former lesdites interconnexions métallique constituées dudit matériau métallique. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film organique est une macromolécule organique ou un polymère. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film organique est obtenu à partir d'un précurseur chimique de celui-ci choisi dans le groupe constitué des monomères vinyliques, d'ester de l'acide méthacrylique ou acrylique, des sels de diazonium fonctionnalisés ou non, des sels de sulfonium fonctionnalisés ou non, des sels de phosphonium fonctionnalisés ou non, des sels d'iodonium fonctionnalisés ou non, des précurseurs de polyamides obtenus par polycondensation, des monomères cycliques clivables par attaque nucléophile ou électrophile et de leurs mélanges. 5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film organique est obtenu à partir d'un ou de plusieurs monomère(s) vinylique (s) activé(s), de structure (I) suivante : dans laquelle R1, R2, R3, R4, sont des groupements organiques choisis indépendamment les uns des autres dans le groupe constitué des fonctions organiques suivantes : hydrogène, hydroxyle, amine, thiol, acide carboxylique, ester, amide, imide, imidoester, halogénure d'acide, anhydride d'acide, nitrile, succinimide, phtalimide, isocyanate, époxyde, siloxane, benzoquinone, benzophénone, carbonyle-diimidazole, para-toluène sulfonyle, para-nitrophényl chloroformiate, éthylénique, vinylique, et aromatique. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel, au moins un de R1, R2, R3, R4 est un groupement fonctionnel pouvant piéger le précurseur du matériau métallique. 7. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film organique est un polymère obtenu par polymérisation d'un monomère vinylique choisi dans le groupe constitué des monomères vinyliques comme l'acrylonitrile, le méthacrylonitrile, le méthacrylate de méthyle, le méthacrylate d'éthyle, le méthacrylate de butyle, le méthacrylate de propyle, le méthacrylate d'hydroxyéthyle, le méthacrylate d'hydroxypropyle, le méthacrylate de glycidyle, les acrylamides et notamment les méthacrylamides d'amino- éthyle, propyle, butyle, pentyle et hexyle, les cyanoacrylates, le polyéthylène glycol di-méthacrylate, l'acide acrylique, l'acide méthacrylique, le styrène, le parachloro-styrène, la Nvinyl pyrrolidone, la 4-vinyl pyridine, les halogénures de vinyle, le chlorure d'acryloyle, le chlorure de méthacryloyle, et de leur dérivés. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le film organique comprend des groupes fonctionnels ligands pour des ions métalliques précurseurs du matériau métallique. 9. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film organique est déposé sur la surface au moyen d'une technique choisie parmi une polymérisation électro-suivie, une centrifugation, un trempage et une pulvérisation. 10. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, du fait des dimensions des creux et/ou saillies, le film organique est disposé sur la surface avec une épaisseur de 0,001 à 500um ou de 0,001 à lOOum. 11. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, du fait des dimensions des creux et/ou saillies, le film organique est disposé sur la surface avec une épaisseur de 0,001 à 10 m. 12. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est choisi tel qu'il peut être transformé en ledit matériau métallique par une technique choisie parmi une précipitation, une cristallisation, une réticulation, une agrégation ou une électrodéposition. 13. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est un ion dudit matériau métallique. 14. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est choisi dans le groupe constitué par les ions du cuivre, les ions du zinc, les ions de l'or, les ions de l'étain, du titane, du vanadium, du chrome, du fer, du cobalt, du lithium, du sodium, de l'aluminium, du magnésium, du potassium, du rubidium, du césium, du strontium, de l'yttrium, du niobium, du molybdène, du ruthénium, du rhodium, du palladium, de l'argent, du cadmium, de l'indium, du lutécium, de l'hafnium, du tantale, du tungstène, du rhénium, de l'osmium, de l'iridium, du platine, du mercure, du thallium, du plomb, du bismuth, des lanthanides et des actinides. 15. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau métallique est du cuivre ou du platine. 16. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur est sous la forme de particules ou d'agrégats métalliques enrobés dans une gangue de protection choisie dans le groupe constitué des micelles, des nanosphères de polymères, des fullerènes, des nanotubes de carbone, et des cyclodextrines, et dans lequel l'étape de transformation du précurseur en ledit matériau métallique est réalisée par libération des particules ou des agrégats métalliques de leur gangue. 17. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est inséré dans le film organique au moyen d'une technique de trempage ou de centrifugation. 18. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est inséré au sein du film organique, disposé sur la surface, au moyen d'une solution d'insertion qui est à la fois un solvant du précurseur du matériau métallique, et un solvant du film organique, ladite solution d'insertion comprenant ledit précurseur du matériau métallique. 19. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est inséré au sein du film organique, disposé sur la surface, au moyen d'une solution d'insertion qui est à la fois un solvant ou un dispersant du précurseur du matériau métallique, et une solution qui gonfle le premier matériau, ladite solution d'insertion comprenant ledit précurseur du matériau métallique. 20. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape consistant à insérer le précurseur du matériau métallique au sein du film organique disposé sur ladite surface est réalisée en même temps que l'étape consistant à disposer sur ladite surface le film organique au moyen d'une solution d'insertion comprenant à la fois ledit film organique ou un précurseur dudit film organique, et le précurseur du matériau métallique. 21. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape d'insertion du précurseur du matériau métallique dans le film organique est réalisée au moyen d'une première solution contenant le précurseur du matériau métallique, et dans lequel l'étape de transformation du précurseur métallique en ledit matériau métallique au sein du film organique est réalisée au moyen d'une deuxième solution ne contenant pas ledit précurseur du matériau métallique. 22. Procédé selon la revendication 21, dans lequel les étapes d'insertion du précurseur du matériau métallique dans le film organique et de transformation dudit précurseur en ledit matériau métallique sont répétées plusieurs fois alternativement. 23. Procédé selon la revendication 17,18, 19 ou 20, dans lequel la solution d'insertion est une solution aqueuse. 24. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur du matériau métallique est transformé en ledit matériau métallique par électrodéposition, précipitation, ou transformation autocatalytique. 25. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la surface est une surface conductrice ou semiconductrice, le film organique est constitué d'un polymère vinylique, et le matériau métallique est du cuivre ou du platine, le précurseur du matériau métallique étant un ion du cuivre ou du platine. 26. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la surface présentant des creux et/ou des saillies est une surface de micropuce. 27. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat comporte à sa surface conductrice et/ou semi-conductrice de l'électricité présentant des creux et/ou des saillies une couche barrière empêchant une migration du matériau métallique dans ledit substrat, ladite couche barrière ayant une épaisseur telle que la face libre de cette couche suit de manière conforme les creux et/ou saillies dudit substrat sur laquelle elle est déposée. 28. Procédé selon la revendication 27, dans lequel, avant l'étape consistant à disposer sur ladite surface du substrat le film organique, le procédé comprend en outre une étape consistant à déposer ladite couche barrière. 29. Procédé selon la revendication 2 ou 27, dans lequel la couche barrière est une couche d'un matériau choisi dans le groupe constitué de titane ; de tantale ; des nitrures de titane, de tantale et de tungstène ; de carbure de titane et de tungstène ; de carbonitrure de tantale, tungstène et chrome ; de nitrure de titane ou tantale dopé au silicium ; et d'alliages ternaires comportant du cobalt ou du nickel allié à un réfractaire tel que du molybdène, du rhénium ou du tungstène, et à un dopant tel que du phosphore ou du bore. 30. Procédé selon la revendication 2 ou 27, dans lequel la couche barrière est déposée par une technique choisi dans le groupe constitué des techniques de dépôt chimique ou physique en phase vapeur. 31. Procédé selon la revendication 2 ou 27, dans lequel la couche barrière est une couche de TiN ou de TiN (Si), le matériau métallique du cuivre. 32. Procédé selon la revendication 2 ou 27, dans lequel le substrat est une couche isolante inter niveaux pour la fabrication d'un circuit intégré. 33. Procédé selon la revendication 2 ou 27, dans lequel l'étape de remplissage des creux est réalisée au moyen d'une technique de dépôt autocatalytique à partir d'une solution de précurseur du matériau métallique, ou au moyen d'une technique de dépôt électrolytique dudit matériau métallique. 34. Procédé selon la revendication 2 ou 27, comprenant après l'étape de remplissage des creux par le matériau métallique, une étape de polissage du matériau métallique qui se trouve en excès sur ladite surface. 35. Utilisation du procédé selon la revendication 1 pour la fabrication d'un élément d'interconnexion en microélectronique. 36. Utilisation du procédé selon la revendication 1 ou 2 pour la fabrication d'un microsystème électronique. 37. Circuit intégré obtenu par la mise en #uvre du procédé de la revendication 2. 38. Microsystème électronique obtenu par la mise en #uvre du procédé de la revendication 2. 39. Circuit intégré caractérisé en ce qu'il comprend un film de germination obtenu par le procédé selon la revendication 1. 40. Microsystème caractérisé en ce qu'il comprend un film de germination obtenu par le procédé selon la revendication 1. 41. Procédé de galvanisation d'une surface, ladite surface étant une surface conductrice ou semiconductrice de l'électricité et présentant des creux et/ou des saillies, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - revêtement de ladite surface par un film de germination d'un matériau métallique suivant le procédé de la revendication 1, et - dépôt galvanique d'une couche métallique dudit matériau métallique à partir dudit film de germination obtenu.