INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
dianhydride, un dianhydride non saturé, un dérivé bis-insaturé, une bishalohydrine, un bis-azétidinium, une bis-haloacyldiamine, un bis-halogénure d'alkyle ou encore par un oligomère résultant de la réaction d'un composé bifonctionnel réactif vis-à-vis d'une bis-halohydrine, d'un bis-azétidinium, d'une bis-haloacyldiamine, d'un bis-halogénure d'alkyle, d'une épilhalohydrine, d'un diépoxyde ou d'un dérivé bis-insaturé ; l'agentréticulant étant utilisé dans des proportions allant de 0,025 à 0,35 mole par groupement amine du polymaoamide ; ces polyaminoamides peuvent être alcoylés ou s'ils comportent une ou plusieurs fonctions amines tertiaires, quaternisées. De tels polymères sont notamment décrits dans les brevets français 2. 252.840 et 2.368.508 ; (5) les dérivés de polyaminoamides résultant de la condensation de polyalcoylènes polyamines avec des acides polycarboxyliques suivie d'une alcoylation par des agents bifonctionnels. On peut citer par exemple les polymères acide adipique-diacoylaminohydroxyalcoyldialoylène triamine dans lesquels le radical alcoyle comporte de 1 à 4 atomes de carbone et désigne de préférence méthyle, éthyle, propyle. De tels polymères sont notamment décrits dans le brevet français 1.583.363.
Parmi ces dérivés, on peut citer plus particulièrement les polymères acide adipique/diméthylaminohydroxypropyl/diéthylène triamine vendus sous la dénomination "CARTARETINE# F, F4 ou F8" par la société SANDOZ.
(6) les polymères obtenus par réaction d'une polyalkylène polyamine comportant deux groupements amine primaire et au moins un groupement amine secondaire avec un acide dicarboxylique choisi parmi l'acide diglycolique et les acides dicarboxyliques aliphatiques saturés ayant de 3 à 8 atomes de carbone.
Le rapport molaire entre le polyalkylène polylamine et l'acide dicarboxylique étant compris entre 0,8 : et 1,4 : 1; le polyaminoamide en résultant étant amené à réagir avec l'épichlorhydrine dans un rapport molaire d'épichlorhydrine par rapport au groupement amine secondaire du polyaminoamide compris entre 0,5 :1 et 1,8 : 1. De tels polymères sont notamment décrits dans les brevets américains 3. 227.615 et 2.961.347.
Des polymères de ce type sont en particulier commercialisés sous la dénomination "HERCOSETT 57" par la société HERCULES Inc. ou bien sous la dénomination de "PD 170" ou "DELSETTE# 101" par la société HERCULES dans le cas du copolymère d'acide adipique/époxypropyl/diéthylène-triamine.
(7) les cyclopolymères d'alkyl diallyl amine ou de dialkyl diallyl ammonium tels que les homopolymères ou copolymères comportant comme constituant principal de la chaîne des motifs répondant aux formules (VII) ou (VIII) : formules dans lesquelles k et t sont égaux à 0 ou 1, la somme k +t étant égale à 1 ; R12 désigne un atome d'hydrogène ou un radical méthyle ; Rio et R11, indépendamment l'un de l'autre, désignent un groupement alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, un groupement hydroxyalkyle dans lequel le groupement alkyle a de préférence 1 à 5 atomes de carbone, un groupement amidoalkyle inférieur (C1-C4) ou R10 et R11 peuvent désigner conjointement avec l'atome d'azote auquel ils sont rattachés, des groupement hétérocycliques, tels que pipéridinyle ou morpholinyle ; Y- est un anion tel que bromure, chlorure, acétate, borate, citrate, tartrate, bisulfate, bisulfite, sulfate, phosphate. Ces polymères sont notamment décrits dans le brevet français 2. 080.759 et dans son certificat d'addition 2.190.406.
Parmi les polymères définis ci-dessus, on peut citer plus particulièrement l'homopolymère de chlorure de diméthyldiallylammonium vendu sous la dénomination "MERQUAT# 100" par la société NALCO (et ses homologues de
faibles masses moléculaires moyenne en poids) et les copolymères de chlorure de diallyldiméthylammonium et d'acrylamide commercialisés sous la dénomination "MERQUATO 550".
(8) le polymère de diammonium quaternaire contenant des motifs récurrents répondant à la formule : formule (IX) dans laquelle : R13, R14, R15 et R16, identiques ou différents, représentent des radicaux aliphatiques, alicycliques, ou arylaliphatiques contenant de 1 à 20 atomes de carbone ou des radicaux hydroxyalkylaliphatiques inférieurs, ou bien R13, R14, R15 et R16, ensemble ou séparément, constituent avec les atomes d'azote auxquels ils sont rattachés des hétérocycles contenant éventuellement un second hétéroatome autre que l'azote ou bien R13, R14, R15 et R16 représentent un radical alkyle en C1-C6 linéaire ou ramifié substitué par un groupement nitrile, ester, acyle, amide ou -CO-O-R17-D ou -CO-NH-R17-D où R17 est un alkylène et D un groupement ammonium quaternaire ; A1 et B1 représentent des groupements polyméthyléniques contenant de 2 à 20 atomes de carbone pouvant être linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés, et pouvant contenir, liés à ou intercalés dans la chaîne principale, un ou plusieurs cycles aromatiques, ou un ou plusieurs atomes d'oxygène, de soufre ou des groupements sulfoxyde, sulfone, disulfure, amino, alkylamino, hydroxyle, ammonium quaternaire, uréido, amide ou ester, et X@ désigne un anion dérivé d'un acide minéral ou organique; A1, R13 et R15 peuvent former avec les deux atomes d'azote auxquels ils sont rattachés un cycle pipérazinique ; en outre si A1 désigne un radical alkylène ou hydroxyalkylène linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, B1 peut également désigner un groupement (CH2)n-CO-D-OC-(CH2)n-
dans lequel D désigne : a) un reste de glycol de formule : -O-Z-O-, où Z désigne un radical hydrocarboné linéaire ou ramifié ou un groupement répondant à l'une des formules suivantes : -(CH2-CH2-O)x-CH2-CH2- -[CH2-CH(CH3)-O]y-CH2-CH(CH3)- où x et y désignent un nombre entier de 1 à 4, représentant un degré de polymérisation défini et unique ou un nombre quelconque de 1 à 4 représentant un degré de polymérisation moyen ; b) un reste de diamine bis-secondaire tel qu'un dérivé de pipérazine ; c) un reste de diamine bis-primaire de formule : -NH-Y-NH-, où Y désigne un radical hydrocarboné linéaire ou ramifié, ou bien le radical bivalent -CH2-CH2-S-S-CH2-CH2- ; d) un groupement uréylène de formule : -NH-CO-NH- ; De préférence, X- est un anion tel que le chlorure ou le bromure.
Ces polymères ont une masse moléculaire moyenne en nombre généralement comprise entre 1. 000 et 100.000.
On peut utiliser plus particulièrement les polymères qui sont constitués de motifs récurrents répondant à la formule : dans laquelle R1, R2, R3 et R4, identiques ou différents, désignent un radical alkyle ou hydroxyalkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone environ, n et p sont
des nombres entiers variant de 2 à 20 environ et, X- est un anion dérivé d'un acide minéral ou organique.
Un composé de formule (X) particulièrement préféré est celui pour lequel R1, R2, R3 et R4, représentent un radical méthyle et n = 3, p = 6 et X = CI, dénommé Hexadimethrine chloride selon la nomenclature INCI (CTFA).
La couche conforme peut être réalisée avantageusement en silicium polycristallin. Ce silicium polycristallin peut être dopé ou implanté ioniquement pour diminuer sa résistivité.
Avantageusement la couche additionnelle est réalisée à base de tungstène.
Une sous-couche électriquement conductrice peut être insérée entre la couche conforme et la couche additionnelle, cette sous-couche étant apte à améliorer le contact électrique entre ces deux couches.
La sous-couche peut être réalisée à base de titane.
Le plot de contact peut être réalisé à base d'un métal noble.
La couche de passivation peut être réalisée dans un matériau du groupe comprenant le verre, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium.
Lorsque le relief est un trou, il est envisageable, dans un but de simplification, que la couche conforme remplisse le trou.
La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure comportant au moins un relief devant porter au moins une connexion électrique, caractérisé en ce que la réalisation de la connexion comporte une étape de dépôt d'une couche conforme sur le relief, dans un matériau électriquement
conducteur ayant une première résistivité, une étape de mise en forme de la couche conforme, une étape de dépôt, sur la couche conforme, d'une couche additionnelle en matériau électriquement conducteur ayant une seconde résistivité qui est plus petite que la première résistivité et une étape de mise en forme de la couche additionnelle.
Le procédé peut comporter une étape de réalisation d'une couche de passivation sur la couche additionnelle.
Une étape de réalisation d'au moins un plot conducteur sur la couche additionnelle en contact électrique avec elle peut être prévue.
Une étape d'insertion d'une sous-couche entre la couche conforme et la couche additionnelle peut intervenir, cette sous-couche étant réalisée dans un matériau étant apte à améliorer le contact électrique entre les deux couches.
Une étape de gravure du relief dans un substrat de la structure peut intervenir, ce relief prenant la forme d'un trou.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 (déjà décrite) est une coupe d'une structure de type connu ;
- la figure 2 montre une coupe d'une structure conforme à l'invention ; - la figure 3 montre une coupe d'une variante d'une structure conforme à l'invention ; - les figures 4A à 4G montrent, en coupe les étapes de réalisation d'une structure conforme à l'invention protégée par une couche de passivation ; - la figure 5 montre, en coupe, encore un autre exemple d'une structure conforme à l'invention ; - la figure 6 montre une coupe d'une structure conforme à l'invention dans laquelle la connexion suit un relief en saillie au lieu de suivre un relief en forme de trou.
Dans un souci de clarté les figures ne sont pas représentées à l'échelle.
Les filtres"FILTRE 3"13 et"FILTRE 4"14 sont des filtres passe-bas de fréquences de coupure respectives F3 et F4. Ces deux filtres contienne une diode qui autorise la mise à l'état logique bas rapidement alors que la mise à l'état logique haut est retardée par la charge du condensateur du filtre. Le retard généré par ce condensateur évite les conflits de priorité entre les deux modes de recherche lorsqu'on passe successivement de l'un à l'autre.
Les modules"ADAPTATEUR 1"16 et"ADAPTATEUR 2"18 conditionnent le signal de manière à le substituer à celui fourni par les boutons poussoirs des commandes"avance
rapide"et"retour rapide"du multimédia. Cette adaptation concerne la forme du signal, la polarité, la puissance et l'impédance.
Le signal est ensuite substitué à celui fourni par les boutons poussoir"avance rapide"19 et"retour rapide"17.
On décrit ci-dessous des calculs de valeurs utilisées dans le module de détection du sens de rotation illustré en figure 2 : - Calcul des fréquences FO, FOr, et FOsr : Les fréquences FO et FOsr font partie de la bande passante du signal audio (20 hz à 20 khz), FO et FOsr vont varier en fréquence selon l'action du pitch. La plage standard de variation du pitch est de + ou-12% ; pour la variation"manuelle"en cas de recherche rapide la variation est supérieure on prendra comme valeur maximum 900%.
On choisi FO et FOsr de manière à rester dans la bande passante du signal audio malgré les variations de pitch. La fréquence FOr fournie l'enveloppe de FOsr donc nous avons FOr FOsr, avec la valeur de FOr fonction de FOsr, du nombre de bit du"time code"et du taux de rafraîchissement de l'asservissement désiré.
Les valeurs limites de FO en fonctionnement normal sont : FOmin = 0,88 x FO et FOmax = 1,12 x FO. (0,88 et 1,12 correspondent aux variations de + et-12% du pitch) Les valeurs limites de FOsr en fonctionnement normal sont : FOsrmin = 0,88 x FOsr et F0snnax = 9 x FOsr. (0,88 correspond à la lecture en mode normal avec un pitch de-12%, et 9 correspond au 900% de la recherche rapide manuelle) - Calcul de la fréquence de coupure FI de"FILTRE 1" (3) : FI est la fréquence de coupure basse : FI = 0,2 x FOsr - Calcul de la fréquence de coupure F2 : F2 est telle qu'elle permet la détection des pics d'impulsion pour la plus petite valeur de FOsr soit FOsrmin. Soit la valeur de F2 doit être inférieure à FOsrmin : F2 = 0,5 x FOsr.
- Calcul de la fréquence de coupure F3 : F3 est telle que le retard appliqué au signal soit de l'ordre de quelques mili-secondes.
F3 = 20 hz.
On décrit ci-après une mise en oeuvre du dispositif objet de la présente invention avec un système multimédia de type logiciel, c'est-à-dire, un ordinateur, par exemple un PC (pour personal computer ou ordinateur personnel) muni d'un logiciel de création d'édition, de lecture ou de reproduction de supports multimédias.
Il y a plusieurs moyens de réaliser la communication avec le logiciel : les informations issues du disque vinyle sont numérisées puis transmis à l'ordinateur via un port de communication (série ou parallèle). Les données une fois recueillies sont traitées par
programmation de manière à remplir leur fonctionnalités au sein du logiciel. Selon une variante, les informations issues du disque vinyle sont transmises à l'ordinateur par une entrée de type audio disponible sur une carte d'acquisition audio pour ordinateur. Les données une fois recueillies sont traitées par programmation de manière à remplir leur fonctionnalités au sein du logiciel.
On observe que le signal sinusoïdal de fréquence FO et le signal sinusoïdal de fréquence FOsr modulé en amplitude par un signal en forme de rampe de fréquence FOr peuvent être contenus sur la même voie. Le signal ainsi obtenu, illustré en figure 1 a, en fait, Fosr et FO de même valeur et la modulation en amplitude fournie par le signal en forme de rampe ne module pas jusqu'à une valeur nulle du signal sinusoïdal.
Le schéma électronique du module de détection du sens de rotation reste le même.
Le schéma électronique du module de détection de recherche rapide subit une modification au niveau de l'amplificateur"AMPLI 1"3 (figure 3), cet amplificateur aura son gain augmenté de manière à obtenir une tension écrêtée en sortie fournissant ainsi un signal d'amplitude constante.
Le convertisseur fréquence/tension"CONVERTISSEUR"4, figure 3, converti indifféremment les signaux sinusoïdaux ou"carré".
Les plots de connexion 85,86, appartiennent à un ensemble de plots de connexion, formés, du côté de la seconde face 61 du substrat 15, dans le deuxième niveau de métallisation, destinés, par exemple, au montage direct de la face inférieure du circuit monolithique sur un circuit imprimé, selon un montage dit"flip-chip".
La figure 3 représente une vue en coupe d'un second mode de réalisation de circuit monolithique selon l'invention.
Le substrat 15 comprend un caisson isolant 89, en silicium poreux oxydé, réalisé du côté de la première face 60, et qui s'étend sur toute la première face 60. Le caisson isolant 89 peut être obtenu par une électrolyse localisée du substrat 15 suivie d'une oxydation. La première couche isolante présente dans le premier mode de réalisation n'est alors plus nécessaire dans le second mode de réalisation.
L'inductance 11 est réalisée directement sur le caisson de silicium poreux oxydé 89. Elle comprend une spirale métallique 90, par exemple de l'aluminium, du premier niveau de
métallisation, dont une première extrémité centrale 91 est reliée, par un via 92 traversant la couche isolante 21, à une piste de raccordement 93 du deuxième niveau de métallisation. La piste de raccordement 93 est reliée, par un via 94 traversant la couche isolante 21, à une borne 26 de la résistance 12.
L'extrémité extérieure 95 de l'inductance 11 est reliée au via 76 traversant le substrat 15.
Lors de la réalisation du caisson de silicium poreux oxydé 89, des portions de silicium monocristallin pourront être laissées en place au niveau des vias 76,81 traversant la totalité de l'épaisseur du substrat 15 si le mode de réalisation des vias le nécessite.
Selon une variante du deuxième mode de réalisation, le caisson isolant 89 est réalisé uniquement au niveau de l'inductance 11, une couche isolante similaire à la première couche isolante du premier mode de réalisation étant prévue partout ailleurs.
Selon un troisième mode de réalisation, le substrat semiconducteur est collé du côté de sa première face sur un substrat isolant, par exemple du verre, sur lequel sont réalisés les différents composants passifs. Les substrats peuvent être collés par une colle classique ou par une technique dite de "wafer bonding". La structure obtenue a une représentation similaire à celle de la figure 3, le caisson 89 étant en fait remplacé par le substrat de verre. En particulier, l'inductance 11 est réalisée directement sur le substrat isolant. Dans le troisième mode de réalisation, les vias 70,80 peuvent être réalisés de façon commune au substrat de silicium et de verre une fois les deux substrats collés l'un à l'autre ou réalisés séparément sur le substrat de silicium et le substrat de verre.
Pour les trois modes de réalisation de l'invention, les plots de connexion, permettant de connecter une face du circuit monolithique directement sur un circuit imprimé, sont
disposés du côté de la seconde face du substrat opposé à la face où sont réalisés les différents composants passifs.
Par conséquent, lors du montage du circuit monolithique sur un circuit imprimé, les contraintes qui apparaissent au niveau des plots de connexion ne sont pas transmises aux différents composants passifs.
De plus, la réalisation d'un circuit monolithique dont les plots de connexion sont situés du côté opposé au côté où sont réalisés les composants passifs permet d'améliorer d'environ 40% l'intégration de cette filière.
En outre, du côté de la seconde face du substrat, l'absence de composants passifs donne plus de liberté lors de l'agencement des plots de connexion qui peut être choisi pour obtenir une fixation optimale.
Pour les trois modes de réalisation de l'invention, l'épaisseur d'isolant présente entre les composants passifs et le substrat peut être augmentée, ce qui permet de diminuer les couplages résistifs et capacitifs entre les composants passifs et le substrat semiconducteur et d'éviter tout court-circuit entre les bandes métalliques du premier niveau de métallisation et le substrat lorsque l'on applique des pointes de tension.
Aussi, le but de l'invention consiste-t-il à fournir un feu dans lequel les pertes de lumière, lors de la déviation, sont réduites dans la plus large mesure du possible, et dans lequel la lumière peut malgré tout être déviée de 900 et en même temps être fractionnée.
Conformément à l'invention, ce but est atteint grâce à un feu du type de celui mentionné en introduction et dans lequel les surfaces latérales de l'évidement forment entre elles un angle a, cet angle a étant inférieur à 250.
Grâce à cet angle particulièrement faible, pratiquement toute la lumière est déviée par réflexion totale.
Il sera prévu plus particulièrement que l'angle soit
inférieur ou égal à 200, et notamment que a : : ; ; 150.
Notamment grâce à un angle : : ; ; 150, le rendement optique après la déviation et le fractionnement peut être augmenté à près de 100%.
Il peut être prévu que l'agencement de guide optique comprenne deux bras qui renferment les zones d'émergence optiques en réalisant des éléments d'émergence optiques, et qui, en formant entre eux l'angle a et en réalisant les surfaces latérales de l'évidement, se réunissent en - - ------- - - - --- - -- --- --- - - ----- un bras. Dans ce cas, les deux bras se rapprochent l'un de l'autre en étant cintrés, les deux bras formant entre eux un angle aigu et se réunissant ensuite en un seul bras. Les bras peuvent notamment se raccorder de manière tangentielle et se transformer tangentiellement en un bras.
De cette manière, la lumière peut être déviée par réflexion totale.
Par ailleurs, il peut être prévu qu'un matériau dense sur le plan optique mais transparent, serve de dispositif de déviation optique dans l'agencement de guide optique. Le matériau peut notamment être mis en oeuvre par un procédé de moulage par injection.
Un élément de fractionnement de rayonnement peut notamment servir de dispositif de déviation optique dans l'agencement de guide optique.
Les bras de l'agencement de guide optique ou les éléments d'émergence optiques peuvent ici se raccorder en se refermant en un anneau par l'intermédiaire duquel la lumière peut être rayonnée.
Il est notamment possible de prévoir que par
l'intermédiaire de l'élément de fractionnement de rayonnement, l'entrée de la lumière se"fasse par l'arrière", de sorte que la zone d'entrée de lumière ne peut être vue dans un projecteur de véhicule automobile dans lequel les deux bras qui servent à l'émergence de la lumière s'étendent par exemple autour d'un réflecteur d'un feu de croisement ou autour d'une lentille d'un projecteur PES (polyester) et peuvent y être vus sous forme d'anneau. L'entrée de la lumière dans le guide optique peut alors s'effectuer à l'intérieur du - --- -- -- - - ----------------------- -. ~- - - - ----- projecteur, de sorte que l'espace disponible toujours trop modique dans un projecteur, peut être exploité au mieux.
En principe, il est possible de prévoir que les deux bras du dispositif de déviation optique se rapprochent avec une courbure, c'est à dire que les surfaces latérales de l'évidement présentent une courbure et ne forment pas de surfaces rectilignes. Les surfaces latérales, à savoir les surfaces de déviation, peuvent toutefois également être d'une configuration convexe ou droite à la place d'être concaves. Les bras peuvent alors se raccorder de manière tangentielle et notamment se réunir en un bras.
Les guides optiques peuvent en principe présenter différentes sections transversales. Ainsi, ils peuvent présenter une section transversale ronde, ovale ou polygonale quelconque, telle que par exemple une section transversale rectangulaire ou pentagonale.
La sortie ou l'émergence de la lumière déviée du guide optique, s'effectue par l'intermédiaire d'éléments d'émergence optiques, notamment des prismes, qui sont disposés par exemple dans les deux bras, mais en tous les cas dans la zone d'émergence de l'agencement de
un module de verrouillage 26 et un module de filtration 37, comme on peut le voir à la figure 2.
Le module de mesure 1 est composé de la chambre de mesure 2 complète, d'un aimant rotatif 3 transmetteur du mouvement de l'instrument de mesure et d'un plateau d'étanchéité 4.
Le plateau d'étanchéité 4 constitue la cloison étanche séparant la partie immergée de la partie sèche du compteur.
Le plateau d'étanchéité 4 est monté sur la chambre de mesure 2 et comporte à cet effet une couronne de lamelles élastiques 5 appelées clips qui comportent des dents de retenue 5a (voir la figure 3), ladite couronne ceignant la partie supérieure de la chambre de mesure 2 une fois le plateau d'étanchéité 4 en place tandis que les dents de retenue 5a coopèrent avec un épaulement 2a périphérique continu ménagé en retrait dans la partie supérieure de la chambre de mesure 2.
Ainsi, lors de la mise en place du plateau d'étanchéité 4 sur la chambre de mesure 2, les lamelles élastiques 5 du fait des dents de retenue 5a sont écartées élastiquement vers l'extérieur et une fois le plateau 4 en place, les lamelles élastiques 5 reviennent à leur position initiale, les dents de retenue 5a se logeant sous l'épaulement 2a.
Le plateau d'étanchéité 4 est par conséquent monté sur la chambre de mesure 2, libre en rotation par rapport à celleci, l'épaulement 2a étant périphérique et continu.
La chambre de mesure 2 présente sur sa face extérieure au moins deux barrettes longitudinales 7a et 7b de préférence de
sections différentes et qui permettent un montage guidé du module de mesure dans le logement du corps 8 du compteur et une mise en place correcte dudit module 1.
Par ailleurs, le plateau d'étanchéité 4 présente sur sa périphérie extérieure des moyens de vissage tels qu'un filet 4a qui coopèrent avec des moyens de vissage complémentaires tels qu'une partie filetée 8a ménagée dans le corps 8 du compteur.
Ainsi lorsque le module de mesure 1 est monté dans le corps 8 du compteur, les barrettes 7a et 7b permettent son positionnement correct dans ledit corps 8 tandis que les moyens de vissage complémentaires du plateau d'étanchéité 4 et du corps 8 permettent sa fixation dans ledit corps 8.