INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un premier exemple est donné pour deux champs x et y lus dans des cellules ATM, représentés par des couples (x, y). Les chaînes binaires lues dans les champs x et y sont des quartets représentés par des nombres hexadécimaux compris entre 0 et F.
Les règles considérées, au nombre de deux, sont les suivantes :
- Règle Re1 :si x # 7 et 3 # y # 8, alors on effectue une action A1 ; - Règle Re2 :si 2 # x # B et y # 3, alors on effectue une action A2.
La règle Re1 est supposée prioritaire par rapport à la règle Re2, si bien que l'action A1 est effectuée seule lorsqu'elle est attribuée simultanément à l'action A2 à un même couple (x, y), respectivement par chaque règle. Si la condition d'aucune des deux règles Re1 et Re2 n'est satisfaite par un couple (x, y) donné, alors une action par défaut 0 est attribuée à ce couple.
Les actions A1, A2 et 0 peuvent être de simples actions de rejet ( DENY ) ou d'acceptation ( PERMIT ) des trames. Elles peuvent aussi correspondre à des actions plus complexes, telle que la poursuite du contrôle d'accès par l'examen d'autres paramètres tels que des domaines autorisés attribués à un destinataire de la trame considérée.
L'action de rejet ou d'acceptation est codée au moyen d'un n#ud particulier provoquant la fin de l'analyse et renvoyant l'identificateur de connexion qui sera attribué à toutes les cellules de la trame AAL 5 correspondante. L'action DENY est codée en dirigeant la trame vers le canal non configuré (VCI 31) au niveau du commutateur 3. Le VCI 31 est ainsi utilisé comme VCI poubelle pour jeter toutes les cellules ATM non conformes à la politique de sécurité. L'action PERMIT est codée en laissant l'identificateur de connexion inchangé.
L'ensemble des nombres pouvant être lus dans le champ x est réparti par les règles Re1 et Re2 selon les 4 intervalles suivants : x B. De façon analogue, l'ensemble des nombres pouvant être lus dans le champ y est réparti selon les 3 intervalles suivants ::y 8 .
Un arbre d'analyse résultant de l'application des deux règles Re1 et Re2 aux couples (x, y) est représenté sur la figure 3, en analysant d'abord la valeur de x, puis la valeur de y. Le n#ud racine 100 représente le point de départ de l'analyse des couples (x, y). Trois n#uds 101, reliés chacun au n#ud racine 100 par un arc 130, correspondent à des résultats de l'analyse de la valeur de x par rapport aux 4 intervalles identifiés pour x. Des n#uds 102,
ou feuilles de l'arbre d'analyse, reliés aux n#uds 101 par des arcs 131, correspondent respectivement pour les résultats précédents de l'analyse de la valeur de x aux résultats de l'analyse de la valeur de y par rapport aux 3 intervalles identifiés pour y. Pour certaines valeurs de x, par exemple x B, l'analyse de la valeur de y ne fait pas intervenir toutes les bornes d'intervalles définies pour y. En effet, certains intervalles définis pour y peuvent être réunis lorsqu'ils correspondent à des mêmes actions respectives attribuées par les deux règles.
Des lignes 110 et 111 indiquent respectivement les feuilles 102 pour lesquelles l'action A2 et/ou l'action A1 est attribuée par les règles Re2 et Re1, considérées séparément. Enfin, en fonction de la priorité de ces actions, une ligne 120 indique l'action AA correspondant à chaque feuille 102 résultant de l'application des deux règles Re1 et Re2 combinées. Ainsi, la ligne 120 reprend la ligne 111 en la complétant par l'action A2 pour celles des feuilles 102 pour lesquelles la ligne 110 attribue l'action A2 alors que la ligne 111 ne leur attribue aucune action. En outre, la ligne 120 attribue l'action par défaut 0 aux feuilles 102 considérées dans aucune des deux lignes 110 et 111.
La partie 2 peut être réalisée au moyen d'une station de type PC fonctionnant par exemple avec le système d'exploitation Solaris x86. Cette station est équipée de cartes 20,21 d'analyse en temps réel des cellules ATM, ou analyseurs de trafic, ci-après appelées cartes IFT ( IP Fast Translater ), qui assurent les actions de contrôle d'accès cellule ATM par cellule ATM.
Afin de permettre l'expression de politiques de contrôle d'accès, on utilise un Langage de Définition de Politique de Contrôle d'Accès (ACPDL, Access Control Policy Description Language ). La définition de l'ACPDL est basée sur le Langage de Description de Politique (PDL) en cours de définition au sein du groupe de travail travaillant sur les politiques à l'IETF (voir J.
Strassner, et al., Policy Framework Definition Language , draft-ietf-policy- framework-pfdl-OO.txt, Internet Engineering Task Force, 17 novembre 1998).
Dans ce langage, une politique est définie par un ensemble de règles, chaque règle étant elle même constituée d'un ensemble de conditions et d'une action qui est exécutée lorsque l'ensemble des conditions est rempli. L'expression suivante (exprimée dans le formalisme Backus Naur, BNF) décrit la forme
générale d'une règle : Rule ::= IF THEN Toutes les conditions ont la même structure générique exprimée ci-dessous au moyen du formalisme BNF: Condition ::= En fonction du niveau dans la pile de protocole, plusieurs types de paramètres de contrôle d'accès peuvent être utilisés : - au niveau ATM, les paramètres intéressants sont décrits dans l'article de O. Paul, et al., Manageable parameters to improve access control in ATM networks , HP-OVUA Workshop, Rennes, France, avril 1998.
Parmi ceux-ci, on peut choisir le type de trafic, les identificateurs de connexion, les informations d'adressage, les descripteurs de QoS et les descripteurs de service ; - au niveau transport, la plupart des paramètres considérés sont ceux qui sont utilisés habituellement afin de réaliser le filtrage des paquets dans les routeurs filtrants (par exemple les informations d'adressage, les ports source et destination, les drapeaux dans le cas des connexions TCP, etc.); - au niveau application, deux paramètres génériques sont considérés : l'identificateur de l'utilisateur de l'application ainsi que l'état de l'application ; - des informations temporelles sont également incluses afin de spécifier quand une règle doit être appliquée.
Les actions ont également une structure générique (notation BNF) : Action ::= Une action se décompose en trois parties. La première indique si la communication décrite par les conditions doit être autorisée ou interdite. Le paramètre correspond à la couche protocolaire dans laquelle doit être effectuée l'action. La dernière partie décrit l'importance accordée à l'événement de contrôle d'accès et permet la classification des résultats.
Le paragraphe suivant montre comment le langage ACPDL peut être utilisé afin d'exprimer un exemple de service de contrôle d'accès. Dans cet exemple, chaque équipement est identifié par son adresse source (IP~SRC~ADDRESS) et son adresse destination (IP~DST~ADDRESS). Le service WWW est identifié par les ports source (SRC~PORT) et destination (DST~PORT). La deuxième ligne de commande donnée dans l'exemple est utilisée afin d'interdire les demandes de connexion sur le port WWW d'une station interne.
IF (IP~SRC~ADDRESS = 192. 165.203.5 255. 255.255.255) AND (IP~DST~ADDRESS = 0. 0.0.0 0. 0.0.0) AND (SRC~PORT > 1023) AND (DST~PORT = 80) THEN PERMIT TRANSP~CONNECTION; IF (IP~SRC~ADDRESS = 0. 0.0.0 0. 0.0.0) AND (IP~DST~ADDRESS = 192. 165.203.5 255.255.255.255) AND (SRC~PORT = 80) AND (DST~PORT > 1023) AND (TCP~FLAG <> SYN) THEN PERMIT TRANSP~CONNECTION ; La politique de contrôle d'accès est définie par l'officier de sécurité au moyen d'une interface homme-machine (IHM) 6 de la station 1, en utilisant le langage ACPDL. Elle est utilisée pour configurer les deux parties du contrôleur. Cependant cette politique ne peut pas être utilisée directement par les deux outils de contrôle d'accès 4, 20/21. Le gestionnaire 7 est le module qui permet de résoudre ce problème en traduisant la politique de contrôle d'accès en commandes de configuration pour les deux outils.
Ce processus de traduction peut être divisé en deux parties principales. La première est la traduction de la politique en trois configurations statiques : - au niveau de la signalisation ATM, cette configuration comprend une description des communications devant être contrôlées. Chaque communication est décrite par un ensemble d'éléments d'information (IE) et par une action (Autoriser ou Interdire). Cette configuration est envoyée à l'analyseur de signalisation 4 ; - au niveau TCP/IP la configuration comprend une description des
paquets devant être contrôlés. Cette partie de la politique peut être générique, ce qui signifie que les règles qui y sont décrites ne sont pas dédiées à une connexion ATM particulière. Cette partie peut aussi être rattachée à une connexion ATM par l'expression de conditions portant sur des identificateurs de connexion ; - au niveau cellule ATM, la configuration comprend une description des cellules ATM qui doivent être contrôlées. Ces cellules sont divisées selon les champs qu'elles peuvent contenir. L'ensemble des valeurs que chaque champ peut prendre est décrit par un arbre. Cette configuration est envoyée aux cartes IFT 20, 21.
La seconde partie du processus de configuration a lieu lorsqu'une demande de connexion est reçue par l'analyseur de signalisation 4. Une fois que le processus de contrôle d'accès a été réalisé, l'analyseur de signalisation 4 envoie au gestionnaire 7 les informations nécessaires pour effectuer la configuration dynamique des cartes IFT 20, 21. Les information fournies par l'analyseur de signalisation 4 comprennent : - les identificateurs de connexion VPI et VCI ( Virtual Path Identifier , Virtual Channel Identifier ) ; - les adresses ATM source et destination ; - un descripteur de service (Classical IP over ATM (CLIP), Applications natives ATM). Quand une couche additionnelle est utilisée au dessus du modèle ATM, l'analyseur de signalisation 4 fournit également l'encapsulation (avec ou sans entête SNAP /LLC) ; - la direction de la communication.
Dans un environnement CLIP, le gestionnaire 7 utilise les adresses ATM source et destination afin de trouver les adresses IP correspondantes.
Cette traduction est effectuée au moyen d'un fichier décrivant les correspondances entre adresses IP et ATM. Elle peut aussi utiliser un serveur de résolution d'adresse (ATMARP).
Le gestionnaire 7 essaie ensuite de trouver une correspondance entre les adresses IP et les règles génériques de contrôle d'accès de niveau TCP/IP.
Le sous-ensemble de règles obtenu est instancié avec les adresses IP et
ampères) afin de ne pas risquer de détruire la résistance en silicium polycristallin. Cette précaution ne posera en pratique pas de problème dans la mesure où l'utilisation du silicium polycristallin pour constituer un fusible requiert des courants nettement plus élevés (de l'ordre du dixième d'ampère) qui ne sont pas disponibles une fois le circuit fabriqué.
La réalisation pratique d'une résistance en silicium polycristallin selon l'invention ne diffère pas de la réalisation d'une résistance classique. Partant d'un substrat isolant, on dépose une couche de silicium polycristallin que l'on grave en fonction des dimensions souhaitées pour la résistance. Comme l'épaisseur de silicium polycristallin déposée est généralement fixée par la technologie, les deux dimensions que l'on peut régler sont la largeur et la longueur.
Généralement, on redépose un isolant sur le barreau de silicium polycristallin ainsi obtenu. Dans le cas d'une interconnexion en ligne, on aura modifié la largeur 1 par rapport aux pistes d'accès plus larges pour être fortement conductrices. Dans le cas d'un accès aux extrémités du barreau par le dessus comme cela est illustré en figure 2, on réalisera des vias dans l'isolant sur-jacent (non représenté) du barreau de silicium polycristallin pour connecter des pistes métalliques 13 et 14 de contact.
En pratique, pour disposer de la capacité de réglage de résistance la plus importante avec un courant de contrainte minimum, on cherchera à utiliser une épaisseur minimale et une largeur minimale pour les éléments résistifs. Dans ce cas, seule la longueur L conditionne la valeur nominale de la résistance une fois la structure du silicium polycristallin fixée. Le dopage éventuel du silicium polycristallin, quel que soit son type, n'entrave pas la mise en oeuvre de l'invention. La seule différence liée au dopage est la résistivité nominale avant contrainte et les résistivités obtenues pour des courants de contrainte donnés. En d'autres termes, pour un élément de dimensions données, cela conditionne le point de départ de la
valeur de la résistance, et par voie de conséquence, les valeurs de résistance obtenues pour des courants de contrainte donnés.
Pour être en mesure d'appliquer les bonnes valeurs, on prédétermine, par exemple par mesures, les différents courants à appliquer pour passer des différentes valeurs de résistance à des valeurs inférieures. Par exemple, on utilise une résistance de test que l'on soumet à une augmentation par pallier du courant, en revenant après chaque augmentation dans la plage des courants de fonctionnement pour mesurer la valeur obtenue de résistance. Les valeurs mesurées vont suivre la courbe Snom. Par conséquent, on pourra déterminer les courants (Il, 12, figure 3) et les résistances associées (R1, R2). L'écart entre les valeurs de la table ainsi obtenue dépend du pas choisi pour l'augmentation par pallier du courant de contrainte. Cette prédétermination tient compte bien entendu de la nature du silicium polycristallin utilisé ainsi que préférentiellement de la résistance par carreau c'est-à-dire de la résistivité du matériau et de l'épaisseur dans laquelle il est déposé. En effet, comme les allures illustrées par la figure 3 peuvent également être lues comme allure de la résistance par carreau, on est en mesure de transposer les valeurs calculées aux différentes résistances d'un circuit intégré définies par les largeurs et longueurs des tronçons résistifs. On est alors en mesure de prédéterminer la valeur du courant de contrainte à appliquer à l'élément résistif pour diminuer, de façon irréversible et stable, sa valeur. Cette détermination permet de fixer la tension Vp utilisée dans la phase de stabilisation. On notera qu'en raison de l'effet souhaité (diminution notable de la valeur d'une des deux résistances appariées), la précision du courant de contrainte n'est pas critique pourvu d'être supérieur au courant maximum Im de la résistance. De préférence, on prendra en pratique une marge de sécurité confortable pour éviter que des variations de la tension Vp ou autres tolérances du circuit empêchent d'obtenir la diminution de valeur. Par exemple, on paramètrera le circuit en fonction d'un courant de
stabilisation donnant une valeur de résistance inférieure à la moitié de la valeur nominale.
Le changement de courbes, c'est-à-dire la diminution de la valeur de résistance en fonctionnement normal est quasi immédiate dès que le courant de contrainte correspondant est appliqué. Par quasi-immédiat, on entend une durée de quelques dizaines voir centaines de microsecondes qui suffisent pour appliquer la contrainte correspondante au barreau de silicium polycristallin et diminuer la valeur de sa résistance. Cette valeur empirique dépend de la taille (physique) du barreau. On pourra choisir une durée de quelques millisecondes par sécurité.
De plus, on peut considérer que, une fois la durée minimale atteinte, toute durée supplémentaire d'application du courant de contrainte ne modifie pas, au moins au premier ordre, la résistance atteinte. En outre, même si compte tenu des mesures de prédétermination, on considère ne pas pouvoir négliger l'influence de la durée d'application de la contrainte, le mode préféré de mise en oeuvre (prédéterminer des valeurs de contraintes en durée et en intensité) est parfaitement compatible avec la prise en compte de la durée d'application de la contrainte.
A titre d'exemple particulier de mise en oeuvre, on a réalisé une résistance en silicium polycristallin dopée N+ ayant une section de 0,225 micromètre carré (1 = 0,9 m, e = 0,25 m) et une longueur L de 45 micromètres. Avec le silicium polycristallin utilisé et le dopage correspondant, la résistance nominale était d'environ 6300 Ohms. Cela correspond à une résistance par carreau d'environ 126 Ohms (50 carreaux). En appliquant à cette résistance un courant supérieur à trois milliampères, on a provoqué une diminution de sa valeur, stable pour un fonctionnement sous des courants allant jusqu'à 500 microampères. Avec un courant de 3,1 milliampères, la valeur de la résistance a été abaissée à environ 4500 Ohms. En appliquant à la résistance un courant de 4 milliampères, on a diminué la valeur de la résistance jusqu'environ 3000 Ohms. Les
valeurs obtenues de résistances ont été les mêmes pour des durées de contraintes allant de 100 microsecondes à plus de 100 secondes.
Bien entendu, les exemples ci-dessus ainsi que les ordres de grandeurs donnés de courants et de résistances pour les différentes plages concernent les technologies actuelles.
Les courants des plages Al, A2 et A3 pourront être différents (inférieurs) pour des technologies plus avancées et peuvent être transposés à des densités de courant. Le principe de l'invention n'en est pas modifié. On a toujours trois plages et on utilise la plage intermédiaire pour forcer la diminution de résistivité.
Un avantage de la présente invention est qu'elle est compatible avec les technologies classiques de réalisation des transistors MOS.
Un autre avantage de l'invention est que la valeur intégrée dans les résistances est insensible aux Ultra Violets.
Un autre avantage de l'invention est que le code stocké dans l'élément de mémorisation n'est pas détectable optiquement à la différence d'une résistance en silicium polycristallin qui serait utilisée comme fusible où la détérioration physique du barreau de silicium rend la programmation visible.
Le quotient L/1 correspond à ce que l'on appelle le nombre de carreaux (square number) constituant l'élément résistif 11. Cela représente, vu de dessus, le nombre de carreaux de dimension donnée fonction de la technologie, mis côte à côte pour former l'élément 11.
La valeur de la résistance en silicium polycristallin est donc définie, à la fabrication, d'après les paramètres ci- dessus, conduisant à des résistivités et résistances dites nominales. Généralement, l'épaisseur e du silicium poly-cris- tallin est fixée par d'autres paramètres de fabrication du circuit intégré. Par exemple, cette épaisseur est fixée par l'épaisseur souhaitée pour les grilles des transistors MOS du circuit intégré.
Une caractéristique de la présente invention est d'imposer temporairement, dans une résistance en silicium polycristallin (Rg ou Rd) dont on souhaite diminuer irréversiblement la valeur pour stabiliser l'état de la cellule, un courant de programmation ou de contrainte supérieur à un courant pour lequel la résistance passe par une valeur maximale, ce courant étant au-delà de la plage de courants de fonctionnement normal (en lecture) de cette résistance. En d'autres termes, on diminue la résistivité du silicium polycristallin dans la plage de courants de fonctionnement, de façon stable et irréversible, en imposant temporairement dans l'élément résistif correspondant la circulation d'un courant au-delà de la plage de courants de fonctionnement.
Une autre caractéristique de l'invention est que le courant servant à diminuer la valeur de la résistance est, à la différence d'un élément fusible, non destructif pour l'élément en silicium polycristallin.
La figure 3 illustre, par un réseau de courbes donnant la résistance d'un élément en silicium polycristallin du type de celui représenté en figure 2 en fonction du courant le traversant, un mode de mise en oeuvre de la présente invention pour stabiliser une cellule par diminution de la valeur d'une de ses résistances.
On suppose que le silicium polycristallin ayant servi à la fabrication de l'élément résistif 11 (Rg ou Rd) présente une résistivité nominale conférant à l'élément 11, pour les dimensions 1, L et e données, une valeur de résistance Rnom.
Cette valeur nominale (d'origine) de la résistance correspond à la valeur prise de façon stable par l'élément résistif 11 dans la plage de courants de fonctionnement du système, c'est-à-dire généralement pour des courants inférieurs à 100 A.
Selon l'invention, pour diminuer la valeur de la résistance et passer de façon irréversible et stable, par exemple, à une valeur R1 inférieure à Rnom, on applique aux bornes de l'élément résistif 11 un courant (par exemple Il), dit
de contrainte, supérieur à un courant Im pour lequel la valeur de la résistance R de l'élément 11 est maximale sans toutefois être infinie. Comme l'illustre la figure 3, une fois que ce courant Il a été appliqué à l'élément résistif 11, on obtient, dans la plage Al de courants de fonctionnement du circuit intégré, une résistance stable de valeur R1. En fait, l'allure Snom de la résistance en fonction du courant est stable pour des courants relativement faibles (inférieurs à 100 A). Cette allure se met à croître pour des courants sensiblement supérieurs de l'ordre de quelques milliampères, voire plus (plage A2). C'est dans cette plage de courants que l'allure Snom passe par un maximum pour la valeur Im. La résistance décroît ensuite progressivement. En figure 3, on a illustré une troisième plage A3 de courants correspondant à la plage généralement utilisée pour réaliser des fusibles. Il s'agit de courants de l'ordre du dixième d'ampère où la résistance se met à croître brusquement jusqu'à devenir infinie. Par conséquent, on peut considérer que l'invention utilise la plage intermédiaire A2 de courants entre la plage de fonctionnement Al et la plage destructrice A3, pour diminuer de façon irréversible la valeur de la résistance ou plus précisément de la résistivité de l'élément en silicium polycristallin.
En effet, une fois passé le maximum de l'allure Snom de la résistivité en fonction du courant, la valeur prise par la résistance dans la plage de courants de fonctionnement se trouve inférieure à la valeur Rnom. La nouvelle valeur, par exemple RI, dépend de la valeur la plus élevée du courant (ici, Il) qui a été appliqué pendant la phase de diminution irréversible. On notera en effet que la diminution irréversible opérée par l'invention s'effectue dans une phase spécifique de stabilisation, hors du fonctionnement normal en extraction (plage Al) du circuit intégré, c'est-à-dire hors du fonctionnement normal de la résistance.
Théoriquement, une fois que la valeur de la résistance en silicium polycristallin a été abaissée vers une valeur
inférieure (par exemple R1 en figure 3), on peut encore procéder à une diminution irréversible de cette valeur. Il suffit pour cela de dépasser le courant maximum Il de la nouvelle allure SI de la résistance en fonction du courant. Par exemple, on peut accroître la valeur du courant jusqu'à atteindre une valeur 12.
Quand le courant est alors de nouveau diminué, on obtient une valeur R2 pour la résistance dans sa plage de fonctionnement normal. La valeur R2 est inférieure à la valeur RI et, bien sûr, à la valeur Rnom. Dans l'application à une cellule différentielle d'extraction d'un bit telle que représentée en figure 1, cela montre le caractère irréversible de la stabilisation apportée. Une deuxième phase de stabilisation ne fait, au plus, qu'accroître la diminution de la valeur de la résistance par rapport à sa valeur nominale, donc ne fait que confirmer encore l'état de la première détection.
On voit que toutes les allures de la résistance en fonction du courant se rejoignent sur la pente de décroissance de la valeur de la résistance, après être passées par le maximum de l'allure. Ainsi, pour un élément résistif donné (p, L, s), les courants Il, 12, etc. qui doivent être atteints pour passer à une valeur de résistance inférieure, sont indépendants de la valeur de la résistance (Rnom, R1, R2) à partir de laquelle on provoque la diminution.