INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette invention sera décrite particulièrement en faisant référence à des exemples. Cependant, cette invention n'est pas limitée par les exemples suivants et la totalité des modifications dans une plage ne s'écartant pas de l'idée décrite ci-dessus et qui sera décrite plus loin sont englobées dans la portée technique de l'invention.
Exemple 1 : Compositions chimiques et conditions de fabrication (phase de la matrice d'une structure mixte comprenant de la bainite trempée + de la ferrite) Dans cet exemple, des spécimens de test de compositions décrits dans le tableau 1 (Nos 1 à 9 dans le tableau 1 : l'unité dans le tableau est un pourcentage en masse) sont préparés par fusion sous vide dans des brames expérimentales et, après obtention des tôles d'acier laminées à chaud de 3,2 mm d'épaisseur conformément au procédé de fabrication (4) décrit ci-dessus (premier recuit en continu second recuit en continu), des écailles sont retirées en surface par piquage et les tôles sont laminées à froid jusqu' à 1,2 mm (Nos 1 à 9 dans le tableau 2).
Les conditions de fabrication sont telles que cidessous. Tout d'abord, après chauffage et maintien en température de chaque tôle d'acier à une température du point Ai ou plus et du point A3 ou moins (850 C) pendant 60 s, elles sont refroidies à une vitesse de refroidissement moyenne de 30 C/s jusqu'à une température du point Ms ou plus et du point Bs ou moins (400 C) (premier traitement de recuit en continu).
Ensuite, la tôle est maintenue à une température au point Ai ou plus et au point A3 ou moins (800 C) pendant 60 s, puis refroidie à une vitesse de refroidissement moyenne de 5 C/s jusqu'à 700 C et en outre refroidie à une
vitesse de refroidissement moyenne de 30 C/s jusqu'à température ambiante (second traitement de recuit en continu) pour obtenir des tôles d'acier des Nos 1 à 9 dans le tableau 2. Parmi celles-ci, le spécimen N 3 dans le tableau 2 a été refroidi jusqu'à température ambiante à une vitesse de refroidissement moyenne de 30 C/s et ensuite a reçu un traitement de survieillissement à 350 C pendant 3 min en ayant pour but de maîtriser la résistance, de manière à confirmer l'effet par le survieillissement.
A titre de comparaison, des aciers des spécimens de test Nos 2 à 9 dans le tableau 1 n'ont reçu que le second traitement de recuit en continu tout en économisant le premier traitement de recuit en continu décrit ci-dessus pour obtenir des tôles d'acier Nos 10 à 17 dans le tableau 2. Parmi celles-ci, le spécimen N 11 dans le tableau 2 a été refroidi jusqu'à température ambiante à une vitesse de refroidissement moyenne de 30 C/s et a ensuite reçu un traitement de survieillissement à 350 C pendant 3 min en ayant pour but de maîtriser la résistance, de manière à confirmer l'effet du survieillissement.
Pour chacune des tôles d'acier ainsi obtenues, la résistance à la traction (TS), l'allongement [allongement total (El)], la résistance à l'allongement (YP), le'taux d'élasticité (YR) et la formabilité de bords par étirement (taux de dilatation des trous : #) sont mesurés, respectivement, comme ci-dessous.
Tout d'abord, pour le test de traction, le spécimen de test N 5 de la norme JIS est utilisé, et la résistance à la traction (TS), l'allongement (El) et la résistance à l'allongement (YP) sont mesurés. Le taux d'élasticité (YR) est calculé sous la forme [YP/TS] x 100 (%).
En outre, pour le test de formabilité de bords par étirement, un spécimen de test en forme de disque de
la figure 3 est une vue de dessus, schématique et partielle, de la diode de la figure 2D.
Par souci de clarté, les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références aux différentes figures. De plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits semiconducteurs, les différentes figures ne sont pas à l'échelle.
Un mode de réalisation d'une diode verticale de faible capacité à montage en face avant selon la présente invention sera exposé ci-après en relation avec les figures 2A à 2D et 3.
On veut former une diode verticale à faible capacité, donc de faible surface, dans un substrat semiconducteur 1, par exemple de silicium monocristallin, fortement dopé d'un premier type de conductivité, par exemple N. On considère ci-après à titre d'exemple non limitatif que la diode est de type PIN.
Comme l'illustre la figure 2A, on commence par former, par exemple par croissance épitaxiale, une couche 2 de silicium monocristallin faiblement dopée du même type de conductivité N que le substrat 1. On forme ensuite une couche 3 de silicium monocristallin fortement dopée de type P. La surface de la diode est définie en creusant l'empilement des couches 3 et 2 et du substrat 1. Ce creusement peut être effectué sur une surface relativement importante comme l'illustre la figure 2A.
Par conséquent, on a formé, à droite de la figure, un empilement de la couche 3, de la couche 2 et du substrat 1 qui émerge de la surface sensiblement plane du substrat 1. On a ainsi délimité une diode verticale PIN dont la partie restante de la couche 3 constitue l'anode et dont le substrat 1 constitue la cathode. L'ensemble de la structure est ensuite revêtu d'une couche isolante 15.
Comme l'illustre la figure 2B, la couche 15 est ouverte sélectivement, de façon à découvrir une partie du substrat 1. On dépose et on grave alors un matériau conducteur de façon à former une piste conductrice épaisse 16. La surface supérieure de la piste 16 dépasse légèrement la surface supérieure de l'anode 3 de
la diode. Ensuite, l'ensemble de la structure est revêtu d'une couche isolante 17.
Comme l'illustre la figure 2C, on ouvre ensuite sélectivement les couches 15 et 17 de façon à découvrir partiellement la surface supérieure de l'anode 3. On dépose et on grave sur l'anode 3 une couche conductrice de façon à former une métallisation 18. L'épaisseur de la métallisation 18 est telle que sa surface supérieure est coplanaire à la surface supérieure de la piste 16. Ensuite, l'ensemble de la structure est recouvert d'une couche isolante 19.
De préférence, comme cela est représenté, avant le dépôt de la couche isolante 19, la couche 17 est ouverte sélectivement de façon à découvrir la surface supérieure de la piste 16. Ainsi, l'épaisseur d'isolant recouvrant la piste 16 est égale à l'épaisseur d'isolant recouvrant la métallisation 18.
Aux étapes suivantes, illustrées en figure 2D, la couche 19 est ouverte sélectivement de façon à ouvrir une fenêtre au-dessus de la métallisation 18 et des fenêtres au-dessus de la piste 16. Les dimensions des fenêtres ainsi ouvertes sont sensiblement égales. Ensuite, on dépose et on grave une couche d'accrochage. On forme ainsi des surfaces d'accrochage 20 et 21 avec respectivement l'anode 3-18 et la piste 16. Les surfaces d'accrochage 20 et 21 sont sensiblement coplanaires. Enfin, le procédé s'achève par la formation de billes de soudure 23 et 24 respectivement sur les surfaces d'accrochage 20 et 21. Les billes de soudure 23 et 24 ont sensiblement les mêmes dimensions et sont en un matériau propre à permettre une soudure avec des plots de contact d'un circuit imprimé ou analogue.
On a ainsi formé, à droite de la figure 2D, une diode comportant un contact 23 d'anode 20-18-3 et, à gauche de la figure 2D, des contacts 24 de cathode 21-16-1 sur une même face avant que le contact d'anode 23.
Bien qu'un seul contact 24 soit visible dans la vue en coupe de la figure 2D, en pratique, on formera au moins deux contacts de cathode sur la piste 16. Par exemple, comme
l'illustre la vue de dessus de la figure 3, la piste 16 pourra avoir une forme en équerre et trois contacts de cathode 24 sont formés sur cette piste.
Par conséquent, comme cela ressort de la description précédente, on a avantageusement obtenu une diode verticale dont la surface (la capacité) peut être contrôlée et minimisée. En outre, aucune des opérations décrites en relation avec les figures 2B à 2D n'implique de traitement thermique susceptible de dégrader les performances de la diode.
À titre d'exemple non limitatif, les natures et dimensions des différents éléments d'une diode PIN selon un mode de réalisation de la présente invention sont les suivantes : - substrat 1 : silicium monocristallin, fortement dopé de type N ; - couches 2 et 3 : silicium monocristallin obtenu par épitaxie, d'une épaisseur totale de 6 à 8 m ; - creusement du substrat 1 sur une profondeur de, par exemple, 7 à 9 gm ; - couche isolante 15 : multicouche constituée d'une sous-couche d'oxyde de silicium thermique et d'une sous-couche supérieure d'un verre à base de phosphosilicate (PSG) ; - piste conductrice 16 : aluminium d'une épaisseur de 8 à 10 m ; - fenêtres de dépôt de la métallisation 18 et/ou de formation des surfaces d'accrochage 20 et 21 : 70 gm x 70 Mm ; - métallisation d'anode 18 : aluminium d'une épaisseur de l'ordre de 1 à 2 gm ; - surfaces d'accrochage 20 et 21 : alliage de titane, nickel et or (TiNiAu) ; - billes de soudure 23 et 24 : alliage tel que PbSn, d'un diamètre de 50 à 100 gm.
(iii) Tensioactif (s) amphotère (s) : Les agents tensioactifs amphotères, dont la nature ne revêt pas dans le cadre de la présente invention de caractère critique, peuvent être notamment (liste non limitative) des dérivés d'amines secondaires ou tertiaires aliphatiques, dans lesquels le radical aliphatique est une chaîne linéaire ou ramifiée comportant 8 à 22 atomes de carbone et contenant au moins un groupe anionique hydrosolubilisant (par exemple carboxylate, sulfonate, sulfate, phosphate ou phosphonate) ; on peut citer encore les a ! ky ! (Cg-Co) bétaïnes, les sulfobétaïnes, ! es a ! ky ! (Cg-Co) amidoatky ! (C-Cg) bétaïnes ou ! es a ! ky ! (Cg-Co) amidoa ! ky) (C- C6) sulfobétaïnes.
Parmi les dérivés d'amines, on peut citer les produits commercialisés sous les dénomination MIRANOL, tels que décrits dans les brevets US-2 528 378 et US-2 781 354 et de structures : R-CONHCHCH, ( ( (CHCOO-) (V ! !)) dans laquelle : R2 désigne un radical alkyle dérivé d'un acide R2-COOH présent dans l'huile de coprah hydrolysée, un radical heptyle, nonyle ou undécyle, R3 désigne un groupement bêta-hydroxyéthyle et R4 un groupement carboxyméthyle ; et Rs-CONHCH2CH2-N (B) (C) (V !))') dans laquelle : B représente-CHCHOX', C représente- (CHz-Y', avec z = 1 ou 2, X'désigne le groupement-CH2CH2-COOH ou un atome d'hydrogène Y'désigne-COOH ou le radical -CH2-CHOH - SO3H Rs désigne un radical alkyle d'un acide Rg-COOH présent dans l'huile de coprah ou dans l'huile de lin hydrolysée, un radical alkyle, notamment en C7, C9, C11 ou C13, un radical alkyle en C17 et sa forme iso, un radical C17 insaturé.
(iv) Tensioactif (s) cationique (s) : Les tensioactifs cationiques peuvent être choisis parmi : A) les sels d'ammonium quaternaires de la formule générale (IX) suivante : dans laquelle X-est un anion choisi dans le groupe des halogénures (chlorure, bromure ou iodure) ou alkyl (C2-C6) sulfates plus particulièrement méthylsulfate, des phosphates, des alkyl-ou-alkylarylsulfonates, des anions dérivés d'acide organique tel que l'acétate ou le lactate.
, et i) les radicaux R1 à R3, qui peuvent être identiques ou différents, représentent un radical aliphatique, linéaire ou ramifié, comportant de 1 à 4 atomes de carbone, ou un radical aromatique tel que aryle ou alkylaryl. Les radicaux aliphatiques peuvent comporter des hétéroatomes tels que notamment l'oxygène, l'azote, le soufre, les halogènes. Les radicaux aliphatiques sont par exemple choisis parmi les radicaux alkyle, alcoxy, alkylamide, R4 désigne un radical alkyle, linéaire ou ramifié, comportant de 16 à 30 atomes de carbone.
ii) les radicaux R1 et R2, qui peuvent être identiques ou différents, représentent un radical aliphatique, linéaire ou ramifié, comportant de 1 à 4 atomes de carbone, ou un radical aromatique tel que aryle ou alkylaryl. Les radicaux aliphatiques peuvent comporter des hétéroatomes tels que notamment l'oxygène, l'azote, le soufre, les halogènes. Les radicaux aliphatiques sont par exemple choisis parmi les radicaux alkyle, alcoxy, alkylamide et hydroxyalkyl, comportant environ de 1 à 4 atomes de carbone ; R3 et R4, identiques ou différents, désignent un radical alkyle, linéaire ou ramifié, comportant de 12 à 30 atomes de carbone, ledit radical comprenant au moins une fonction ester ou amide.
R3 et R4 sont notamment choisis parmi les radicaux alkyl (C12-C22) amido alkyle (C2-C6), alkyl (C12-C22) acétate ; De préférence le tensioactif cationique est un sel (par exemple chlorure) de stéaramidopropyl diméthyl (myristyl acétate) ammonium.
B)-les sels d'ammonium quaternaire de l'imidazolinium, comme par exemple celui de formule (X) suivante : dans laquelle rus représente un radical alcényle ou alkyle comportant de 8 à 30 atomes de carbone par exemple dérivés des acides gras du suif, Rg représente un atome d'hydrogène, un radical a ! ky ! e en C-C ou un radicat aicény) e ou alkyle comportant de 8 à 30 atomes de carbone, R7 représente un radical alkyle en C,C4, Rg représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en Cl-C4, X est un anion choisi dans le groupe des halogénures, phosphates, acétates, lactates, alkylsulfates, alkyl-ou-alkylarylsulfonates. De préférence, Rg et Rg désignent un mélange de radicaux alcényle ou alkyle comportant de 12 à 21 atomes de carbone par exemple dérivés des acides gras du suif, R7 désigne méthyle, Rg désigne hydrogène. Un tel produit est par exemple le Quaternium-27 (CTFA 1997)
ou le Quaternium-83 (CTFA 1997) commercialisés sous les dénominations "REWOQUAT"W 75, W90, W75PG, W75HPG par la société WITCO, C) - les sels de diammonium quaternaire de formule (XI) : dans laquelle Rg désigne un radical aliphatique comportant environ de 16 à 30 atomes de carbone, R10, R11, R12, R13 et R14, identiques ou différents sont choisis parmi l'hydrogène ou un radical alkyle comportant de 1 à 4 atomes de carbone, et X est un anion choisi dans le groupe des halogénures, acétates, phosphates, nitrates et méthylsulfates. De tels sels de diammonium quaternaire comprennent notamment le dichlorure de propanesuif diammonium.
D) - les sels d'ammonium quaternaire contenant au moins une fonction ester de formule (XII) suivante : dans laquelle : - R15 est choisi parmi les radicaux alkyles en C1-C6 et les radicaux hydroxyalkyles ou dihydroxyalkyles en Ci-Cg ; - R16 est choisi parmi : 0 il - le radical Rg-C- 19 - les radicaux R20 hydrocarbonés en C1-C22 linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés,
- l'atome d'hydrogène, - R18 est choisi parmi : 0 il - ! e radica ! R-C- 21 - les radicaux R22 hydrocarbonés en C1-C6 linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés, - l'atome d'hydrogène, - Ri y, Rig et R21, identiques ou différents, sont choisis parmi les radicaux hydrocarbonés en C7-C21, linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés ; - n, p et r, identiques ou différents, sont des entiers valant de 2 à 6 ; - y est un entier valant de 1 à 10 ; - x et z, identiques ou différents, sont des entiers valant de 0 à 10 ; - X- est un anion simple ou complexe, organique ou inorganique ; sous réserve que la somme x + y + z vaut de 1 à 15, que lorsque x vaut 0 alors R16 désigne R20 et que lorsque z vaut 0 alors R18 désigne R22. On utilise plus particulièrement les sels d'ammonium de formule (XII) dans laquelle : - R15 désigne un radical méthyle ou éthyle, - x et y sont égaux à 1 ; - z est égal à 0 ou 1 ; - n, p et r sont égaux à 2 ; - R16 est choisi parmi : 0 Il - le radical Rg-C- - les radicaux méthyle, éthyle ou hydrocarbonés en C14-C22 - l'atome d'hydrogène ; - Ry, R-ig et R21, identiques ou différents, sont choisis parmi les radicaux hydrocarbonés en C7-C21, linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés ; - R18 est choisi parmi :
0 il - le radical R-C- 21 - l'atome d'hydrogène ; De tels composés sont par exemple commercialisés sous les dénominations DEHYQUARTO par la société COGNIS, STEPANQUAT par la société STEPAN, NOXAM Utvt@ par la société CECA, REWOQUAT WE 18 par la société REWO-WITCO.
Parmi les sels d'ammonium quaternaire on préfère le chlorure de béhényltriméthylammonium, ou encore, le chlorure de stéaramidopropyldiméthyl (myristyl acétate) ammonium commercialisé sous la dénomination CERAPHYLO 70 par la société VAN DYK, le Quaternium-27 ou le Quaternium-83 commercialisés par la société WITCO.
Antimicrobial Agents and Chemotherapy"40 (10), 2404-2409) (Shi, C. and Mellors, J. W. (1997) A recombinant retroviral system for rapid in vivo analysis of human immunodeficiency virus type 1 susceptibility to reverse transcriptase inhibitors". Antimicrob Agents Chemother 41 (12), 2781-5) (Hertogs, K., de Bethune, M. P., Miller, V., Ivens, T., Schel, P., Van Cauwenberge, A., Van Den Eynde, C., Van Gerwen, V., Azijn, H., Van Houtte, M.,
Antimicrob Agents Chemother 42 (2), 269-76. ) (Hecht, F. M., Grant, R. M., Petropoulos, C. J., Dillon, B., Chesney, M. A., Tian, H., Hellmann, N. S., Bandrapalli, N. I., Digilio, L., Branson, B. and Kahn, J. O. sexual transmission of an HIV-1 variant resistant to multiple reverse-transcriptase and protease inhibitors". N Engl J Med 339 (5), 307-11) (Medina, D. J., Tung, P. P., Nelson, C. J., Sathya, B., Casareale, D. and Strair, R. K. (1998) "Characterization and use of a recombinant retroviral system for the analysis of drug resistant HIV". J Virol Methods 71 (2), 169-76).
Par"anticorps"au sens de la présente invention, on entendra notamment des anticorps polyclonaux ou monoclonaux ou des fragments (par exemple les fragments F (ab)'2, F (ab)) ou encore tout polypeptide comprenant un domaine de l'anticorps initial reconnaissant le polypeptide ou le fragment de polypeptide cible selon l'invention.
L'invention a également trait à des fragments d'anticorps simple chaîne Fv (ScFv) tels que décrits dans le brevet US N"4, 946,778 ou encore par MARTINEAU et al. (1998).
Les anticorps selon l'invention comprennent également des fragments d'anticorps obtenus à l'aide de banques de phages telles que décrites par RIDDER et al. (1995) ou encore des anticorps humanisés tels que décrits par REINMANN et al. (1997) et LEGER et al. (1997). Les préparations d'anticorps selon l'invention sont utiles dans des tests de détection immunologiques destinés à l'identification de la présence et/ou de la quantité d'un polypeptide de séquences SEQ ID N05 ou 6, ou d'un fragment peptidique de celui-ci, présent dans un échantillon.
Ainsi, l'invention a en outre pour objet un procédé pour détecter la présence d'un polypeptide conforme à l'invention dans un échantillon, ledit procédé comprenant les étapes de :
a) mettre en contact l'échantillon à tester avec un anticorps tel que décrit ci-dessus ; b) détecter le complexe antigène/anticorps formé.
Un autre objet de l'invention consiste en l'utilisation d'un acide nucléique ou d'un variant allélique d'un acide nucléique tel que défini cidessus dans des programmes de sélection pour l'obtention de plantes à embryon modifié en taille et/ou développement influant sur le contenu en amidon et/ou en huile.
L'invention concerne aussi une méthode de sélection de plantes à embryon modifié en taille et/ou en développement comprenant les étapes de : a) génotyper des plantes (individus) au moyen de sondes ou amorces nucléotidiques obtenues à partir des acides nucléiques selon l'une des revendications 1 à 5 ou de variants de ces acides nucléiques ; b) sélectionner, parmi ces plantes (individus), celles qui comprennent une fréquence élevée d'allèles favorables associées à la taille et/ou au développement de l'embryon.
La présente invention est en outre illustrée, sans pour autant être limitée, par les figures et les exemples suivants : FIGURES La figure 1 illustre la séquence nucléotidique génomique du gène isum2A présent dans le plant de maïs désigné HD5 x HD7 référencé comme la séquence SEQ ID N01 du listage de séquences. Les trois exons du gène isum2A sont représentés sous la forme de boîtes, sous la séquence nucléotidique correspondante. Les différents sites de reconnaissance pour les endonucléases de restriction sont indiqués, au- dessus de la séquence nucléotidique correspondante.
La figure 2 illustre une séquence nucléotidique de l'ADNc du gène isum2A dans le plant de maïs désigné HD5 x HD7, cette séquence étant référencée comme la séquence SEQ ID N03 du listage de séquences Les séquences dérivées des trois exons du gène sont représentées par des boîtes localisées sous la séquence nucléotidique correspondante.
La séquence en acides aminés déduite est représentée au- dessous des boîtes représentant les exons.
La boîte désignée RL35 domain correspond à la partie de la séquence du polypeptide ISUM2A qui est homologue avec certaines protéines du chloroplaste. Le polypeptide ISUM2A représenté sur la figure 2 est référencé comme la séquence SEQ ID ? 5 du listage de séquences.
La figure 3 illustre une séquence d'ADNc partiel correspondant à l'ARN messager retrouvé dans le plant de maïs désigné A188, cette séquence nucléotidique étant référencée comme la séquence SEQ ID D ? 4 du listage de séquences.
La séquence déduite de la protéine codée par l'ADNc est représentée au-dessous de la séquence nucléotidique correspondante, et est référencée comme la séquence SEQ ID D ? 6 du listage de séquences.
Le procédé selon l'invention comporte en outre dans le sens utilisateur vers serveur domestique les étapes suivantes : - établir une communication entre la plate-forme et un dispositif serveur réseau central, - à la réception de cet appel par le dispositif serveur réseau central, demander l'authentification de l'utilisateur, - identifier les paramètres de cet utilisateur et son contexte personnel ; - établir une communication avec le serveur domestique en fonction de l'occupation des lignes et de la priorité de l'appel, - à la réception d'un appel par le serveur domestique, analyser le numéro de l'appelant et prendre
la ligne si ce numéro correspond au numéro du dispositif serveur réseau central, - lorsque la liaison est établie, établir une liaison bout à bout entre la plate-forme et le serveur domestique, au travers d'une fonction d'adaptation qui traduit les requêtes de l'utilisateur en des informations compréhensibles par le serveur domestique.
Le procédé selon l'invention comporte les étapes suivantes dans le sens serveur domestique vers le serveur réseau central : - lorsqu'un capteur du réseau domestique détecte un problème, transmettre une demande de connexion au serveur domestique, - établir une communication avec le dispositif serveur réseau central, - à la réception cet appel, contrôler l'origine de l'appel par le serveur réseau central, - accepter cet appel en raccrochant éventuellement une communication moins prioritaire si tous les modems sont occupés, - déterminer des adresses vers lesquelles doit être diffusé le message d'alarme et transmission de ce message.
Selon l'invention, lorsque la communication entre le serveur réseau central et le serveur domestique est établie, le procédé comporte les étapes suivantes : - fournir une adresse du protocole Internet au serveur domestique, - échanger des messages SMTP ("Service Mail Transport Protocole"en anglais) (dans le sens serveur
domestique vers serveur réseau central) au travers d'une liaison au protocole PPP ("Point-to-Point Protocol"en anglais) ou de requêtes HTTP ("Hyper Text Transfert Protocol"en anglais) et FTP ("File Transfert Protocol"en anglais) (dans le sens serveur réseau central vers serveur domestique).
Selon l'invention, dans le sens serveur réseau central-réseau domestique, les demandes portent sur trois types d'actions : 'la commande, * la demande d'état, * la configuration.
Selon l'invention, la commande consiste à envoyer une séquence HTTP permettant de désigner un équipement domestique de façon unique ainsi que le descriptif de la commande associée, le format de la séquence HTTP étant le suivant :
URL Commande Numéro Type Information xxx exe. htm 0-255 0-31 Valeur décimale avec : - URL = adresse Internet du serveur domestique (12), - commande = nom d'exécution de la commande, - numéro = numéro d'ordre de déclaration de l'élément pour un type donné, - type = valeur décimale attribuée par famille d'équipements domestiques, - information = valeur décimale attribuée selon l'action.
Selon l'invention, la demande d'état consiste à envoyer selon le protocole FTP une commande GET du (ou des) fichier (s) du serveur domestique comportant l'état des différents équipements communicants du réseau local domestique, le format de la commande GET étant le suivant :