INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On connaît différentes techniques pour reporter des couches d'un support vers un autre support. On peut citer par exemple les techniques divulguées par T. HAMAGUCHI et al. dans Proc. IEDM, 1985, page 688. Ces techniques présentent un grand intérêt car elles permettent de transférer une couche réalisée à partir d'un premier substrat de type SOI vers un autre substrat. Cette technique utilise la couche enterrée d'oxyde de silicium comme couche d'arrêt pour l'amincissement du substrat SOI. Il est ainsi possible d'obtenir le transfert homogène d'un film mince. Cependant, cette technique ne s'applique pas aux substrats en verre. En effet, il n'existe pas de substrat en verre avec couche d'arrêt.
Plus récemment, d'autres techniques ont été proposées pour reporter des transistors TFT (réalisés en polysilicium sur un substrat en verre) sur des substrats en plastique. On peut se référer à ce sujet à l'article de S. UTSUNOMIYA et al. dans Proc. IDS 2000, page 916 ou au document EP-A-0 924 769. Ces méthodes sont basées sur la création d'une couche de séparation sur un substrat (généralement en silicium amorphe) qui, après réalisation de composants sur cette couche, permettra la séparation et le report sur un autre substrat. Dans ce cas, la séparation (ou exfoliation) est obtenue à l'aide d'une irradiation avec de la lumière (typiquement un faisceau type laser). Une telle irradiation est cependant difficile à maîtriser pour
les grandes surfaces. En effet, une inhomogénéité d'illumination doit entraîner une exfoliation inhomogène, ce qui peut conduire à une détérioration du film superficiel. Ceci constitue une difficulté technologique non négligeable.
Parmi les procédés de report, il est également possible d'utiliser les méthodes de transfert de couches minces de matériaux contenant ou pas tout ou partie d'un composant microélectronique. Ces méthodes sont basées sur la création d'une couche fragile enterrée dans un matériau à partir de l'introduction d'une ou plusieurs espèces gazeuses. On peut se référer à ce sujet aux documents FR-A-2 681 472 (correspondant au brevet américain 5 374 564), FR-A-2 748 851 (correspondant au brevet américain 6 020 252), FR-A-2 748 850 (correspondant au brevet américain 6 190 998) et FR-A-2 773 261. Ces procédés sont généralement utilisés avec l'objectif de détacher l'ensemble d'un film d'un substrat initial pour le reporter sur un support. Le film mince obtenu contient alors une partie du substrat. Ces films peuvent servir de couches actives pour la réalisation de composants électroniques ou optiques. En effet, le principal intérêt de ces procédés est qu'ils permettent d'obtenir des films minces de substrats par exemple monocristallins sur des supports différents. En outre, ces procédés permettent de récupérer le reste du substrat initial pour une nouvelle utilisation. Ces films peuvent contenir tout ou partie d'un composant.
Cependant, ces procédés sont plus difficiles à mettre en oeuvre pour certains substrats tels que le verre, la
silice fondue ou certains matériaux amorphes. En effet, pour obtenir la séparation, il faudrait se placer dans des conditions expérimentales extrêmes : très forte dose d'implantation, énergie mécanique de séparation importante...
EXPOSÉ DE L'INVENTION Pour remédier aux problèmes de l'art antérieur, il est proposé un procédé qui permet de reporter sur un support final une couche mince pouvant comporter certains éléments, constitués par au moins une partie de composant (s) et/ou d'objet (s), la couche mince étant une couche superficielle réalisée sur un substrat en verre. Pour cela, le procédé met en oeuvre une couche d'arrêt enterrée, située entre le substrat en verre et la couche mince. Par couche d'arrêt, on entend une couche qui permet d'arrêter ou de fortement ralentir une étape d'amincissement, par exemple par gravure chimique et/ou mécanochimique. Par exemple, si le substrat est en verre, on peut utiliser une couche d'arrêt qui peut être du silicium (amorphe, polycristallin, monocristallin). De façon avantageuse, une couche intermédiaire, en un matériau dont les propriétés (optiques et/ou chimiques et/ou mécaniques) sont voisines de celles du substrat de base, peut être interposée entre la couche mince et la couche d'arrêt. Cette couche intermédiaire peut être constituée par un dépôt d'oxyde de silicium. La formation d'une couche intermédiaire en un matériau de nature identique ou proche du matériau constituant le substrat de base permet d'obtenir un quasi-substrat. Ce quasi-substrat
se comporte comme un substrat classique pour la réalisation d'un dispositif.
L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'une couche mince comprenant des composants ou des circuits, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) la formation sur un substrat en verre d'une couche d'arrêt, b) la réalisation, sur la couche d'arrêt, d'une couche mince comprenant tout ou partie d'au moins un composant et/ou circuit, c) l'élimination ou l'amincissement du substrat en verre.
Le procédé peut comprendre en outre une étape de réalisation d'une couche intermédiaire entre la couche d'arrêt et la couche mince. Cette couche intermédiaire peut être en un matériau choisi parmi Si02 et Si3N4.
Selon une application particulière, lors de l'étape b), la réalisation de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) concerne la réalisation d'un écran à cristal liquide.
Selon une autre application particulière, lors de l'étape b), la réalisation de tout ou partie de composant (s) ou de circuit (s) concerne la réalisation de tout ou partie de circuits microélectroniques, de composants mécaniques et/ou de composants optiques.
L'étape c) peut mettre en oeuvre une ou plusieurs techniques choisies parmi la rectification, le polissage mécano-chimique et l'attaque chimique.
Avantageusement, la couche d'arrêt est en silicium.
DISPOSITIF DE PRESENTATION ET DE CONSERVATION AU FRAIS DE PRODUITS, NOTAMMENT DES BOUTEILLES.
La présente invention concerne un dispositif de présentation et de conservation au frais de produits, notamment des bouteilles.
Dans certains lieux de fêtes, tels que des boîtes de nuit, des restaurants, des bars, il est souvent nécessaire de présenter des bouteilles à la vente, qu'il s'agisse de bouteilles de jus de fruits, de cocktails ou de champagne.
La difficulté est de pouvoir présenter ces bouteilles de façon attractive, suscitant l'envie de consommer, tout en gardant à ces bouteilles leur fraîcheur, correspondant à la température de consommation.
Une solution consiste à placer des bouteilles sur différents niveaux dans un contenant empli de glace pilée, pour pouvoir disposer d'un stock adapté de bouteilles.
Avantageusement, le contenant est transparent pour permettre de voir la glace d'une part et certaines bouteilles d'autre part.
Enfin, pour renforcer encore l'attractivité, un éclairage est nécessaire afin de le faire diffuser à travers la glace, faisant ainsi ressortir les morceaux de glace, les couleurs, les bouteilles en silhouette et constituant ainsi un point lumineux supplémentaire avec une lumière douce, particulièrement agréable.
Plusieurs problèmes se posent lors du fonctionnement d'une telle installation.
Tout d'abord, il faut prévoir une récupération de l'eau de fonte.
Ensuite, l'éclairage étant nécessairement disposé dessous doit être insensible à l'humidité pour éviter tout risque lié à la présence d'électricité, même à basse tension.
Il faut également que le contenant soit résistant mécaniquement et soit résistant aux dilatations engendrées par la présence d'un point chaud, la source lumineuse et l'ambiance froide intérieure. En effet, le poids des bouteilles et de la glace n'est pas négligeable.
Le dispositif de présentation et de conservation selon la présente invention est particulièrement attractif dans son agencement car il permet de répondre à tous les impératifs énoncés ci-avant, sans que les éléments techniques ne viennent perturber le caractère esthétique.
Le dispositif selon la présente invention est maintenant décrit en détail selon un mode de réalisation particulier, non limitatif, en regard des dessins annexés sur lesquels les différentes figures représentent : - figure 1, une vue en perspective du dispositif, - figure 2, une vue en élévation latérale selon l'axe longitudinal, - figure 3, une vue en élévation latérale selon l'axe transversal, et - figure 4, une vue de dessus de ce même dispositif.
Sur la figure 1, on a représenté un contenant 10, de forme parallélépipédique, ouverte sur le dessus. On note la présence de deux faces 12 et 14 latérales, longitudinales et deux faces 16 et 18 latérales, transversales. Le fond est référencé 20.
Plus particulièrement, les faces longitudinales viennent reposer directement sur le plan sur lequel le contenant est disposé, par leur bord inférieur 22 et 24.
Dans cette méthode destinée à analyser la caractéristique phénotypique de fusion, une production virale correspondante à 50-400 ng/ml de p24 est obtenue après transfection. Pour l'infection des cellules cible, entre 0, 5 et 5 ng p24/puit (plaques 96 puits) sont utilisés.
Le virus partiellement résistant NL4.3 est caractérisé par une augmentation de l'IC50 de 10 fois par rapport à T5Al et de 12,5 fois par rapport a LAI.
Selon le Mode de Réalisation 11 décrit ci-dessus, on obtient les avantages suivants : (a) Si le moteur 2 est dans un état de température élevée pendant un arrêt de la rotation du moteur, une mise en marche du moteur pendant l'état de température élevée va conduire à une forte possibilité de pré-allumage. Ainsi, si
pendant un arrêt de la rotation du moteur, la température THW de l'eau de refroidissement du moteur est élevée, les chambres de combustion sont refroidies à l'avance par injection de carburant dans les chambres de combustion immédiatement après' l'arrêt de la rotation du moteur. Ce processus de refroidissement réduit la probabilité d'apparition de pré-allumage au moment de la mise en marche. Du fait que les chambres de combustion sont refroidies par l'injection de carburant immédiatement après un arrêt de la rotation du moteur si la température est élevée au moment de l'arrêt, le moteur peut être mis en marche dans un état refroidi quel que soit le moment de la délivrance d'une demande de mise en marche.
[MODE DE REALISATION 12] Ce mode de réalisation diffère du Mode de Réalisation 11 en ce que l'ECU de moteur 50 exécute de manière répétitive un processus de commande d'injection de carburant au moment de l'arrêt du moteur illustré par la figure 19 selon des cycles de courte durée, au lieu du processus illustré par la figure 18. le processus de la figure 19 ne diffère du processus de la figure 18 qu'en ce que l'étape S832 est exécutée à la place de l'étape S830.
C'est-à-dire que si en réponse à une demande d'arrêt ("OUI" en S810) la rotation du moteur s'arrête ("OUI" en S820), il est ensuite déterminé si l'arrêt du moteur est ou non un arrêt automatique (S832). Si l'arrêt est un arrêt manuel ("NON" en S832), le processus se termine temporairement sans aucun autre traitement.
Au contraire, si l'arrêt du moteur est un arrêt automatique ("OUI" en S832), le processus avance à l'étape S840. Les étapes S840 et S850 sont décrites plus haut en
association avec le Mode de Réalisation 11.
Dans la réalisation précédente, le processus de commande d'injection de carburant au moment de l'arrêt du moteur (figure 19) correspond à un processus exécuté par une partie de réglage d'injection de carburant au moment de l'arrêt.
Selon le Mode de Réalisation 12 décrit ci-dessus, on obtient les avantages suivants : (a) Du fait qu'il est procédé à un réglage tel que le carburant est injecté dans les chambres de combustion immédiatement après que le moteur ait été arrêté par un arrêt automatique, il est possible d'éviter un état de température élevée du moteur 2 et d'éviter l'exécution d'une mise en marche automatique pendant un état de température élevée. La probabilité de pré-allumage est donc réduite.
[AUTRES MODES DE REALISATION] # Bien que, dans les Modes de Réalisation 1 et 2, l'injection de carburant soit autorisée après lé rotation d'un angle de manivelle correspondant à la valeur de retard de référence Cw suivant le début du démarrage, il est également possible de fixer une durée de retard basée sur le temps et d'autoriser l'injection de carburant après que se soit écoulée une durée de retard suivant le début du démarrage.
# Bien que, dans le Mode de Réalisation3, la valeur dQ de correction par réduction pour le démarrage à température élevée soit fixée à des valeurs plus élevées quand la température augmente, la valeur dQ de correction par réduction pour le démarrage à température élevée peut aussi être réglée à une valeur fixe.
# Bien que, dans les Modes de Réalisation 1, 3,4, 5,7 et 9, la température THC des chambres de combustion soit estimée, on peut aussi au lieu de cela détecter directement la température THC des chambres de combustion au moyen d'un capteur de la température des chambres de combustion, placé sur une tête de cylindre ou un bloc cylindre. En outre, au lieu de la température THC des chambres de combustion, on peut utiliser la température THW de l'eau de refroidissement du moteur, acquise par un capteur 51 de la température de l'eau. Dans ce cas, on obtient un avantage identique à l'avantage (b) du Mode de Réalisation 2.
# Bien que, dans le Mode de Réalisation 8, l'entraînement de la pompe à eau ne soit commandé que par tout en rien en se basant sur le contenu de la position du drapeau XWP d'entraînement de la pompe à eau, il est également possible de régler la vitesse de rotation de la pompe à eau entraînée par le MG26 en fonction de la valeur de la température THW de l'eau de refroidissement du moteur, de sorte que la vitesse de rotation augmente quand la température THW de l'eau de refroidissement du moteur augmente.
# Bien que, dans les Modes de Réalisation 8 et 11, on utilise la température THW de l'eau de refroidissement du moteur, il est également possible d'utiliser la température THC des chambres de combustion acquise par estimation ou détection directe. En outre, pendant le fonctionnement du moteur 2, il est également possible d'utiliser la température d'échappement détectée par un capteur d'échappement équipant la tubulure d'échappement, au lieu de la température THW de l'eau de refroidissement du moteur ou de la température THC des chambres de combustion.
# Dans les Modes de Réalisation 9 et 12, l'injection de carburant est réalisée à l'aide de la pression résiduelle
cette cellule, la capacité de synthétiser de novo le dTMP et finalement le thymidylate.
Il a aussi été montré selon l'invention que les gènes thyX sont retrouvés dans le génome de nombreuses bactéries, bactériophages et virus bactériens ou eucaryotes, alors qu'ils sont absents dans le génome des mammifères, en particulier dans le génome humain.
La caractérisation, selon l'invention, d'une nouvelle voie de synthèse du dTMP, grâce à la famille des protéines THYX, a rendu pour la première fois accessible à l'homme du métier les nombreuses applications qui en découlent directement et qui sont exposées dans la présente description. Les différentes utilisations d'un polypeptide THYX ou d'un acide nucléique codant un polypeptide THYX exposées dans la présente demande de brevet sont liées techniquement du fait des caractéristiques fonctionnelles et structurales communes des polypeptides THYX définis ci-dessous.
L'invention a pour objet l'utilisation d'un polypeptide THYX comprenant la séquence d'acides aminés suivante : X1HR (XhS, dans laquelle : - X1 représente l'acide aminé R (Arginine ou Arg) ou K (Lysine ou Lys), et - (X) y est une chaîne de sept acides aminés consécutifs dans laquelle chaque X représente, indépendamment l'un de l'autre, l'un quelconque des 20 acides aminés naturels, dans un procédé de synthèse in vitro de la thymidine 5'-monophosphate (dTMP).
S représente l'acide aminé Sérine, ou Ser, selon le code à une lettre conforme à la nomenclature internationale.
Préférentiellement, X1 représente l'acide aminé R.
De préférence, le polypeptide THYX est choisi parmi les polypeptides comprenant les séquences d'acides aminés SEQ ID N01 à SEQ ID D ? 37.
L'invention est également relative à l'utilisation d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX tel que défini ci-dessus pour la production dudit polypeptide THYX.
De préférence, l'acide nucléique est choisi parmi les acides nucléiques comprenant les séquences nucléotidiques SEQ ID ? 44 à SEQ ID N064.
L'invention concerne aussi l'utilisation d'un polypeptide THYX tel que défini ci-dessus dans un procédé de criblage de composés inhibiteurs de thymidylate synthase, notamment de composés antibactériens ou antiviraux.
Elle est également relative à l'utilisation d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX tel que défini ci-dessus dans un procédé de criblage de composés inhibiteurs de thymidylate synthase, notamment de composés anti-bactériens ou anti-viraux.
Elle a aussi pour objet l'utilisation d'un oligonucléotide antisens hybridant spécifiquement avec l'ARN messager codant pour un polypeptide THYX pour inhiber in vitro la synthèse d'ADN dans une bactérie ou un virus.
Elle est également relative à l'utilisation d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX tel que défini ci-dessus comme marqueur de sélection d'un événement de recombinaison génétique.
Elle concerne aussi l'utilisation d'une sonde ou d'une amorce nucléotidique spécifique d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX pour détecter une bactérie ou un virus, particulièrement une bactérie ou un virus pathogène pour les mammifères, et plus spécifiquement pour l'homme, ainsi qu'un nécessaire ou kit pour détecter cette bactérie ou ce virus, comprenant une sonde ou une amorce nucléotidique spécifique d'un acide nucléique codant pour un polypeptide THYX.
DESCRIPTION DES FIGURES La figure 1 illustre un alignement des séquences d'acides aminés de divers polypeptides THYX.
Dans la colonne de gauche sont indiqués le nom des organismes desquels proviennent chacune des séquences d'acides aminés.
L'ensemble Tl, T2 constitue un miroir de courant.
Le drain de Tl pourrait aussi être polarisé par l'intermédiaire de la tension pol Le montage copieur de courant 101 permet l'échantillonnage et le bloquage du courant Ipix dans le transistor T2. Le courant de T2 est exempt de tous parasites de commutation des colonnes voisines.
La sortie de l'intégrateur 92 est une rampe de tension de pente proportionnelle au courant du transistor T2 donc à celui du pixel. Cette rampe est comparée à la consigne de charge fournie au comparateur
par le convertisseur numérique analogique CDA. Ce comparateur 95 bascule donc à l'instant toff tel que : toff = Qref/Ipix = Ci.Vref/Ipix La sortie de ce comparateur 95 est, après traitement par la logique 52, rebouclée par le signal S2 sur la commande du circuit de sortie 62 permettant le pilotage de la colonne considérée.
Le dispositif ainsi représenté constitue un système analogique bouclé de régulation de la charge émise.
La figure 12 représente le diagramme temporel des différentes tensions au sein du dispositif 99 illustré sur la figure 11. Les signaux A à I de cette figure, correspondent respectivement aux signaux A à F et H à J de la figure 10.
Le cycle démarre au temps to par le passage au niveau haut de SI qui ferme l'interrupteur SW2 et par le front de montée de S2 qui, par l'étage de sortie 62, fait passer le potentiel Vcj à Vc-on (masse virtuelle) .
Après un temps ton, qui permet au courant capacitif colonne de s'écouler à travers l'interrupteur SW2, et donc à Vcj de s'établir à la tension Vc-on, le signal SI passe au niveau bas pour ouvrir l'interrupteur SW2. Ceci permet l'établissement du courant Ipix dans le transistor Tl.
Pour déclencher l'émission, VLi passe de son potentiel Vins (défini comme étant la masse du montage) au potentiel de sélection Vis. Le courant Ipix s'établit alors, et après un temps de stabilisation tstab, la
tension de sortie (Sui) du suiveur de courant 100 se stabilise à la valeur nécessaire au passage du courant Ipix dans le transistor Tl et par conséquence dans le transistor T2.
Cette valeur de tension (Sul) est alors échantillonnée bloquée à l'aide de la commande S4, dans Cech A partir de l'instant ton + tstab on ouvre l'interrupteur SW4 par l'intermédiaire du signal S3 ce qui débute l'intégration du courant de sortie du transistor T2 dans la capacité Ci de l'intégrateur 92.
Avec deux transistors Tl et T2 identiques on retrouve dans l'intégrateur de courant 92, la valeur de Ipix échantillonnée-bloquée à l'instant ton + tstab. La sortie de l'intégrateur 92 délivre (Su3) une rampe de tension de pente proportionnelle au courant de sortie du transistor T2 (IT2) La sortie du comparateur 95 (Scomp) bascule à toff lorsque la rampe de tension sur son entrée atteint la valeur de consigne Vref présentée sur l'entrée (+).
On a la relation : toff- (ton+tstab) = Ci.Vref/Ipix La sortie du comparateur 95 (Scomp) est alors revalidée par la logique 52, pour stopper l'émission du pixel. La commande S2 pilote alors le retour de la tension colonne Vcj à Vc-off par l'intermédiaire de l'étage de sortie 62.
Le dispositif décrit ci-dessus, permet de délivrer au pixel considéré, une charge contrôlée par la consigne fournie Vref, et ce sans variation de la
tension appliquée sur la colonne pendant le temps d'émission. Il est aussi insensible aux commutations des colonnes voisines grâce à la mise en mémoire du courant du pixel.
Dans ce cas le potentiel ligne VLi bascule également vers le potentiel de sélection Vis, après l'établissement du potentiel de la colonne (Vcj), de manière à réduire la capacité à charger à celle du pixel considéré.
avec R et R'dans (HA) et (A) pouvant être identiques ou différents, et représentant chacun : - un groupe alkyle linéaire ou ramifié, de préférence un groupe C1-C6 alkyle, éventuellement substitué par un groupe hydroxy, alkoxy, carboxy ou par un atome d'halogène, ou - un groupe cycloalkyle ayant de préférence de 3 à 6 atomes de carbone, éventuellement substitué par un groupe hydroxy, alkoxy, carboxy ou par un atome d'halogène, ou
- un groupe aryle tel que phényle ou naphtyle, éventuellement substitué par un groupe hydroxy, alkyl, alkoxy, carboxy ou par un atome d'halogène, ou - un groupe aralkyl, tel que benzyle, phénéthyle, éventuellement substitué par un ou plusieurs groupes alkyle, alkoxy, hydroxy, carboxy, ou par un ou plusieurs atomes d'halogène ; ou bien R et R'forment avec l'atome de carbone auquel il est (ou ils sont) reliée (s), un radical cycloalkyle.
A titre d'exemple de composé (A) on peut citer le 2, 2' azobis isobutyronitrile (R = R'= CH3), le 2,2'-azobis (2, 4-diméthyl-valéronitrile), le 2,2'azobis (2-méthylbutyronitrile), le 1,1'-azobis (1-cyclohexanecarbonitrile) et le 4,4'-azobis (4-cyanopentanoic acid).
A titre d'exemple d'oxydant on peut citer le chlore, l'oxygène, le peroxyde d'hydrogène et l'ozone.
De préférence, le milieu liquide est aqueux (c'est à dire constituée essentiellement d'eau).
Outre les réactifs (HA et oxydant), le milieu réactionnel liquide peut comprendre un catalyseur, comme par exemple les ions bromés. Il peut également comprendre des additifs, tels que les agents tensioactifs comme par exemple les bis sulfosuccinate de sodium, notamment le bis (2- éthylhexyl) sulfosuccinate de sodium.
La température du milieu réactionnel est généralement voisine de la température ambiante. Elle est de préférence comprise entre 15 et 25 C et avantageusement comprise entre 18 et 200 C.
Les semences ou cristaux du composé (A) peuvent être présents dans le milieu réactionnel avant le début de la réaction d'oxydation et/ou introduits pendant la réaction d'oxydation.
Après l'étape d'oxydation, la suspension résultante est essorée puis le solide obtenu est lavé et enfin séché.
Selon un mode de réalisation préférée de l'invention, on oxyde le dihydrocitogène (R=R'=CH3), en suspension dans un milieu aqueux, par du chlore en présence d'une quantité suffisante de cristaux du 2,2'
azobis (isobutyronitrile) (AZDN) de granulométrie moyenne, avantageusement comprise entre 110 et 180 um et mieux encore comprise entre 110 et 150, um.