INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les cages asynchrones peuvent être réalisées par des procédés variés : barres conductrices en cuivre peuvent par exemple être rapportées et soudées in situ à leurs anneaux d'extrémité. On peut aussi réaliser d'emblée une cage complète, par exemple en aluminium coulé, sur laquelle on vient rapporter les éléments de circuits magnétiques sectorisés. On peut encore, dans le cas d'utilisation de poudres de fer, envisager un pressage du matériau magnétique sur la cage. La tenue mécanique de ces ensembles peut être obtenue par des solutions de collage, surmoulage, frettage...
Les descriptions qui précèdent permettent maintenant d'introduire plus aisément une autre disposition selon l'invention que l'on va présenter ci-dessous.
Cette disposition est illustrée dans son principe sur la figure 11.
Comme précédemment, elle est constituée d'un ensemble polyphasé de n galettes, avec des bobinages annulaires 6 installés dans un circuit magnétique fixe et deux rotors indépendants 3,5. Comme dans la disposition à stator à flux traversant qui vient d'être décrite, chaque galette ne reçoit qu'un bobinage unique alimenté
selon le principe des courants composés ; obtient ainsi sur l'ensemble des bobinages un double système polyphasé avec ni et n2 phases. Cependant, ce stator ne débouche plus directement que sur un seul entrefer au lieu de deux: il est maintenant fermé par une culasse et seul subsiste un système de griffes. Les parties actives des deux rotors sont disposées de manière concentrique en vis à vis de ces griffes. Le rotor intermédiaire, c'est à dire celui qui est en regard immédiat du stator, est à flux traversant : signifie que, en bonne partie, le flux magnétique de couplage au stator le traverse de part en part de manière radiale, de sorte qu'il interagit avec le second rotor. Ce deuxième rotor est quant à lui équipé de manière usuelle d'une culasse qui assure le bouclage du flux.
NB : la figure 11 représente un rotor intermédiaire lié à la source motrice, l'autre étant lié à la sortie de mouvement ; choix inverse est possible. De même, les rotors sont extérieurs au stator, mais pourraient lui être intérieurs.
322 4.41 4.35 n.d.
323 33.97 13.35 n.d.
324 52.25 41.32 n.d.
325 >50 >50 n. d.
326 15.18 26.49 n.d.
327 6. 46 24. 13 12. 98 328 3. 18 18. 42 n. d.
329 7.88 20.42 n.d.
330 28.80 50.32 n.d.
331 >50 >50 n. d.
332 0.66 0.40 8.31 333 0.72 0.95 34.49 334 0.35 0.46 23.06 335 17. 96 2. 65 >100 336 16. 88 0. 39 12. 22 337 17. 22 1. 41 22.52 338 0.54 0.45 n.d.
339 2. 53 0. 74 n. d.
340 9.67 5.30 n. d.
341 2.53 1.55 n.d.
~~~~~ 342 35. 57 29.86 n.d.
343 1.74 1.18 n.d.
344 0.49 0.60 n.d.
Toutefois, la chimie des saccharides est une chimie très différente de celle des acides nucléiques, et il n'était pas possible de prévoir, en se fondant sur les travaux concernant les polymères greffés par de l'ADN, que la synthèse par électropolymérisation de polymères greffés par des saccharides serait possible. En outre, le comportement des saccharides vis- à-vis de ligands potentiels est très différent de celui des molécules d'ADN vis-à-vis de leurs propres ligands : - le mécanisme de reconnaissance de l'ADN vis-à-vis de ses ligands (hybridation) est bien connu et correspond à des affinités fortes (>1015M-1) tandis que les
affinités des sucres pour leurs ligands protéiques par exemple sont faibles et variables (de 103 à 109M-1); - des interactions entre les saccharides (très hydrophiles) et le polymère support pourraient être du même ordre de grandeur et rendre l'analyse impossible ; - les essais réalisés sur des saccharides inclus dans une matrice de polypyrrole ont donné des résultats négatifs dans des tests de reconnaissance par des ligands tandis que des acides polynucléiques ou des protéines, dans les mêmes conditions, peuvent s'associer à leurs ligands.
La présente invention a donc pour objet des polymères constitués de monomères électropolymérisables greffés par des saccharides.
Les polymères de l'invention répondent à la formule générale (I) suivante : dans laquelle : - A, et Aj représentent chacun un monomère électriquement polymérisable, les différents Ai et Aj pouvant être identiques ou différents ; - Bi représente un carbohydrate qui peut être choisi parmi : un monosaccharide, un oligosaccharide, un polysaccharide naturel ou synthétique, ou un de leurs dérivés naturel ou synthétique ; - Li représente une liaison covalente ou un bras espaceur reliant le monomère A; au groupement B; ; - x représente un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; - i est un indice variant de 1 à x ; - y représente un nombre entier supérieur ou égal à 0 ; - j est un indice variant de 1 à y lorsque y # 0.
Parmi les monomères A; et Aj électropolymérisables on peut citer l'acétylène, les acrylonitriles, le p-phénylène, le p-phénylène vinylène, le pyrène, le
pyrrole, le thiophène, le furanne, le sélénophène, la pyridazine, le carbazole, l'aniline, le phénol et leurs dérivés, comme par exemple les pyrroles substitués en position 1 ou 3.
Avantageusement, Ai et Aj sont choisis parmi le pyrrole et les dérivés substitués du pyrrole tels que par exemple le N-méthylpyrrole et le N-cyano-éthylpyrrole.
Préférentiellement A, et Aj sont tous identiques.
Selon la présente invention, les groupements carbohydrates Bi peuvent être choisis parmi ceux décrits par exemple dans l'ouvrage "Essentials of Glycobiology".
Ist ed. Varki, Ajit ; Richard ; Jeffrey ; Hudson ; Gerald; Marth, Jamey, editors. Plainview (NY) : Cold Spring Harbor Laboratory Press; cl 999.
Bi peut être choisi parmi les monosaccharides naturels suivants : allose, altrose, arabinose, érythrose, fructose, galactose, glucose, gulose, idose, lyxose, mannose, psicose, ribulose, sorbose, tagatose, thréose, talose, xylose, xylulose. Il peut être choisi parmi les dérivés de ces monosaccharides naturels. Parmi ceux-ci on peut citer les dérivés acides, comme par exemple l'acide glucuronique et l'acide iduronique ; dérivés aminés comme par exemple la glucosamine ; dérivés aminés substitués comme par exemple la glucosamine N-acétylée, la glucosamine N-sulfatée et la glucosamine O-sulfatée ; les dérivés alkyl esters en CI-C]2 ; les dérivés alkyl éthers en Ci -Ci 2 ; les dérivés alkyl amides en CI-CI2. Bi peut être un polysaccharide comportant au moins deux unités choisies parmi les monosaccharides naturels ou synthétiques et leurs dérivés, comme par exemple ceux cités ci-dessus. Dans ce cas, Bi peut être un homosaccharide ou un hétérosaccharide, il peut être linéaire ou ramifié. B, peut également être choisi parmi les polysaccharides tels que définis ci-dessus, substitués par au moins un groupement choisi parmi : les peptides, les protéines, les lipides, comme par exemple les acides gras en C8-C30, les stéroïdes et leurs dérivés. B, peut être un composé de synthèse ou un produit naturel obtenu par extraction à partir d'une source animale ou végétale.
Dans le polymère de l'invention, on peut prévoir que tous les groupements Bi soient identiques ou que plusieurs groupements B, distincts soient présents. Préférentiellement, pour faire un criblage de ligands potentiels, on choisit de préparer un polymère dans lequel plusieurs groupements Bi distincts sont présents.
Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention le rapport x/y est compris entre 1/1 et 1/ 1 000 000, préférentiellement entre 1/10 et 1/100 000, et encore plus préférentiellement entre 1/20 et 1/50 000.
Selon l'invention, Lj représente une liaison covalente entre A, et B, ou un bras espaceur reliant ces deux groupements.
Lorsque Li représente un bras espaceur, avantageusement, il est choisi parmi les groupements répondant à la formule (II) : -R1- [ (CH2)n-R2 ]a- [(CH2)m-R3 ]b- (CH2)p- (II) dans laquelle : - n est un nombre entier allant de 1 à 10 ; - m est égal à 0 ou est un nombre entier allant de 1 à 10 ; - p est égal à 0 ou est un nombre entier allant de 1 à 10 ; - a est égal à 0 ou est un nombre entier allant de 1 à 8 ; - b est égal à 0 ou est un nombre entier allant de 1 à 8 ; - RI, R2 et R3 qui peuvent être identiques ou différents représentent un groupement choisi parmi : - CH2- ; -O- ; -S- ; -NR'- ; -CO- ; -CH=CH- ; -NR'C(O)-; -C(O)N(R')- ; NHS(02)- et R' représente un atome d'hydrogène ou une chaîne alkyle en Ci à C12.
Au sens de la présente invention, le mot alkyle signifie une chaîne hydrogénocarbonée linéaire, ramifiée ou cyclique, saturée ou insaturée.
Exemple 372 : Préparé à partir de l'intermédiaire 49 et de 4-tert- butylaniline selon la méthode O.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 27 (s, 9H) ; 1. 61 (s, 4H) ; (m, 2H) ; (m, 2H) ; (s, 3H) ; (d, 2H) ; 4. 81-4.86 (m, 1H) ; (m, 9H) ; (s, 1H) ESI-MS m/z 500 [M+H]+ 4.65) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 50.
Exemple 373 :
Préparé à partir de l'intermédiaire 50 et de 4-tert- butylaniline selon la méthode 0.
ESI-MS m/z 437 [M+H] Exemple 374 : Préparé à partir de l'intermédiaire 50 et de 4-chloro-3- (trifluoromethyl)aniline selon la méthode 0.
ESI-MS m/z 483 [M+H]+ 4. 66) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 51.
Exemple 375 : Préparé à partir de l'intermédiaire 51 et de 4- (trifluoromethyl)aniline selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1.40 (d, 3H) ; 1. 66 (s, 4H) ; (m, 2H) ; (m, 3H) ; (d, 2H) ; (d, 2H) ; 10. 00 (s, 1H) ESI-MS m/z 383 [M+H]+ 4. 67) Composés préparés à partir de l'intermédiaire 52.
Exemple 376 : Préparé à partir de l'intermédiaire 52 et de 4- (trifluoromethyl)aniline selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 0.87 (d, 6H) ; 1.66 (s, 4H) ; 1.82 (m, 2H) ; 2. 07 (m, 1H) ; (m, 2H) ; (m, 3H) ; (d, 2H) ; 7. 76 (d, 2H) ; (s, 1H) ESI-MS m/z 425 [M+H]+ 4. 68) Composés préparés à partir du composé 1.
Exemple 377 : Préparé à partir du composé 1 et de 1-phenyl-1- cyclopropanecarboxylic acid selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 0. 91 (t, 2H) ; (t, 2H) ; 1. 64 (s, 4H) ; 2. 93 (s, 2H) ; (m, 2H) ; (m, 2H) ; (s, 2H) ; (t, 1H) ; (m, 5H) ESI-MS m/z 355 [M+H]+
Exemple 378 : Préparé à partir du composé 1 et d'indazole-3-carboxylic acid selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1.64 (s, 4H) ; 2.99 (s, 2H) ;3.05 (q, 2H) ; 3.39 (t, 2H) ; (m, 2H) ; (s, 2H) ; (m, 2H) ; (m, 1H) ; (t, 1H) ESI-MS m/z 355 [M+H]+ Exemple 379 : Préparé à partir du composé 1 et de 2-(4- chlorophenoxy)isobutyric acid selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d6) 8 1. 37 (s, 6H) ; (s, 4H) ; (s, 2H) ; 3. 16-3.30 (m, 2H) ; (m, 2H) ; (s, 2H) ; 6. 88 (d, 2H) ; (d, 2H) ; 8. 18 (t, 1H) ESI-MS m/z 407 [M+H]+ Exemple 380 : Préparé à partir du composé 1 et de salicylic acid selon la méthode 0.
1H-NMR (DMSO-d,) 8 1. 63 (s, 4H) ; (m, 2H) ; (m, 2H) ; 3. 54 (m, 2H) ; (s, 2H) ; 6. 89 (m, 2H) ; (m, 1H) ; (d, 1H) ; (t, 1H) ; (m, 1H) ESI-MS m/z 331 [M+H]+ Exemple 381 : Préparé à partir du composé 1 et de 4-phenoxybenzoic acid selon la méthode 0.
Les surfaces concernées par la présente invention présentent la particularité d'être des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité et de présenter des creux et/ou des saillies, qui sont par exemple des microgravures, par exemple des trous d'interconnexion ou vias destinés à l'élaboration de systèmes microélectroniques, par exemple de circuits intégrés.
L'invention se rapporte de façon générale à un procédé de dépôt homogène - et notamment conforme - de couches de métaux sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité, et à leurs applications, notamment aux procédés et méthodes de fabrication de circuits intégrés, et plus particulièrement à la formation de réseaux d'interconnexions métalliques, par exemple à base de cuivre, ainsi qu'aux procédés et méthodes de fabrication de micro-systèmes et de connecteurs.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Dans ce qui suit, l'Art antérieur est restreint au domaine de la microélectronique, car il est représentatif à la fois des dispositifs et procédés actuellement disponibles pour obtenir des dépôts métalliques homogènes, ainsi que de l'aggravation des difficultés techniques pour obtenir des dépôts métalliques homogènes - et notamment conformes - à mesure que la demande en processeurs plus rapides, à gravures de plus en plus fines, se fait plus pressante.
L'homme du métier pourra donc facilement transposer ces problèmes aux autres applications telles que les microsystèmes ou les connecteurs, le problème étant le même à une échelle simplement différente. Tout au plus apparaissent de nouvelles contraintes, notamment de coût, qui font que certains des procédés et dispositifs décrits ci-dessous pour la microélectronique ne sont pas applicables pour ces domaines.
Les circuits intégrés sont fabriqués par formation de dispositifs semi-conducteurs discrets à la surface de plaquettes ( wafers , en anglais) de silicium. Un réseau d'interconnexion métallurgique est ensuite établi sur ces dispositifs, de façon à établir le contact entre leurs éléments actifs et à réaliser entre eux le câblage nécessaire pour obtenir le circuit désiré. Un système d'interconnexions est constitué de plusieurs niveaux. Chaque niveau est formé par des lignes de métal et ces lignes sont reliées entre elles par de contacts appelés trous d'interconnexion ou vias .
Le développement technologique des microsystèmes a entraîné une augmentation de la densité d'intégration et de ce fait une diminution de la taille des composants. La longueur des interconnexions augmente, leur largeur diminue ainsi que l'espacement entre les lignes. Lorsqu'elles sont réalisées en aluminium ou en tungstène, ces interconnexions conduisent alors à des résistances de plus en plus inacceptables à mesure que leur taille se réduit. Ces résistances élevées augmentent en effet l'impédance des circuits, les délais de propagation des signaux électriques et peuvent limiter les vitesses d'horloge des microprocesseurs. L'aluminium est, de plus, susceptible d'électro-migrer sous une forte densité de courant. Ceci peut se produire dans des conducteurs de section très faible et provoquer des discontinuités qui conduisent à des dysfonctionnements des circuits.
La conductivité du cuivre, supérieure à celle de l'aluminium, du tungstène ou des autres matériaux conducteurs utilisés dans les circuits intégrés, est un avantage important qui motive son utilisation dans la réalisation des interconnexions métalliques. Le cuivre est également plus résistant au phénomène d'électromigration. Ces deux critères revêtent une importance décisive aux yeux des fabricants de circuits ultra intégrés ( Ultra-Large-Scale-Integration (ULSI) Integrated Circuits (ICs) en anglais). La conductivité du cuivre est approximativement deux fois celle de l'aluminium, et plus de trois fois celle du tungstène. Le recours au cuivre pour la fabrication des interconnexions métalliques est donc clairement
avantageux pour des circuits présentant des finesses de gravure de plus en plus élevées. De plus, le cuivre est, en outre, environ dix fois moins sensible à l'électro-migration que l'aluminium, ce qui permet d'anticiper sa meilleure capacité à maintenir l'intégrité électrique des circuits. Malheureusement, les techniques actuellement disponibles pour fabriquer des interconnexions, en particulier de cuivre ne sont pas assez précises pour des interconnexions inférieures à 100nm, et/ou entraînent des coût très élevés.
Bien que le cuivre soit le plus utilisable avec les techniques actuelles, l'alternative d'interconnexions en cuivre doit faire face à deux problèmes majeurs : le cuivre est difficile à graver.
On ne peut donc pas, de façon simple, réaliser les motifs de câblage par des procédés de ce type, pourtant traditionnels ; et le cuivre est un élément à haut pouvoir de diffusion dans de nombreux matériaux. Cette diffusion peut conduire à la mise en court-circuit de pistes voisines, et donc au dysfonctionnement global du circuit.
L'utilisation du procédé Damascène a permis de résoudre ces deux problèmes. Ce procédé repose sur une succession d'étapes qui sont les suivantes : dépôt d'une couche diélectrique isolante inter niveaux ; gravure des motifs ( patterns en anglais) d'interconnexion, constitués de lignes et vias, dans la couche diélectrique, par gravure ionique réactive ( Reactive Ion Etching en anglais) ; dépôt d'une couche barrière, servant à empêcher la migration du cuivre ; remplissage des lignes et vias par du cuivre ;
et élimination du cuivre en excès par polissage mécanochimique ( Chemical Mechanical Polishing (CMP) en anglais) .
Une description des procédés Damascène et dualDamascène est proposée par exemple dans : Chang, C. Y. and Sze, S. M., ULSI Technology McGraw-Hill, New York, (1996), p. 444 - 445. Les propriétés des couches barrières et leurs procédés de dépôt sont décrits dans : Kaloyeros and Eisenbraun, in Ultrathin diffusion barrier/liner for gigascale copper metallization , Ann. Rev. Mater. Sci (2000), 30, 363- 85. Le procédé de remplissage des tranchées et puits par du cuivre métallique est décrit dans : Rosenberg et al., in Copper metallization for high performance silicon technology , Ann. Rev. Mater. Sci (2000), 30, 229-62.
Le procédé de remplissage de cuivre utilisé dans le procédé Damascène doit, au niveau industriel, répondre à certaines spécifications qui sont les suivantes : la résistivité du cuivre doit être aussi proche que possible de la résistivité intrinsèque du cuivre ; le procédé de dépôt de cuivre doit permettre un remplissage complet des tranchées et des puits, sans création de vides, même - et surtout - pour des gravures présentant de forts facteurs de forme ; l'adhésion du cuivre sur la couche barrière doit être suffisamment importante pour éviter la délamination lors de l'étape de polissage mécano-chimique et permettre d'obtenir des interfaces fortes ne générant pas de zones de rupture sous contrainte électrique ou thermique ; le coût du procédé doit être le plus bas
possible. Il en est de même pour les autres métaux utilisables pour la fabrication d'interconnexions.
Pour cela, le dépôt de cuivre par électrodéposition ( Electroplating (EP) en anglais) offre de bonnes performances en ce qui concerne la qualité du dépôt, en permettant un remplissage effectif depuis le fond des tranchées et des puits jusqu'à leur ouverture. Ce procédé est basé sur le dépôt galvanique de cuivre à partir d'un bain contenant notamment du sulfate de cuivre (CUS04) et des additifs. On connaît également les procédés de dépôt chimiques autocatalytiques ( Electroless en anglais) : il s'agit de procédés en solution dans lesquels, comme pour l'électrodéposition, le dépôt de cuivre est obtenu par réduction d'ions cuivriques à partir d'une solution aqueuse les contenant. A la différence de l'électrodéposition, les électrons nécessaires à cette réduction sont fournis par un agent chimique réducteur présent dans la même solution et non par une source externe de courant, d'où leur dénomination de procédé Electroless . Les solutions les plus utilisées sont des solutions aqueuses basiques contenant un sel de cuivre complexé et du formaldéhyde (HCHO) comme réducteur, avec lequel les ions cuivriques sont réduits en cuivre métallique selon une réaction thermodynamiquement favorable (S. James, H. Cho et al., Electroless Cu for VLSI , MRS Bulletin, 20 (1993) 31-38) .
La galette en question est par conséquent soumise sur l'entrefer 1 à un couple pulsant qui comporte 2 composantes : à la pulsation #1+#2 et l'autre à ##1-#2#.
Cependant, à l'exception de certains cas particuliers comme par exemple celui où les 2 entrefers ont le même nombre de phases: nl=n2 (voir annexe à titre indicatif), les résultantes polyphasées en #1+#2 et en ##1-#2#sont nulles. C'est le cas notamment pour les exemples du tableau de la figure 8.
De manière symétrique, au niveau de l'entrefer 2 d'une galette, il existe un couple pulsant avec une composante à col+co2 et une autre à ##1-#2#.Sous les mêmes conditions de nombre de phases que ci-dessus, les résultantes polyphasées s'annulent également sur cet entrefer 2.
Evaluation de l'interaction entre aimants et bobine (termes en d1 a1b et dAa2b . daalb et dAa2b ) dal da2 da2 da, Le calcul de Aalb conduit à: Aalb = Aalbmax .cos(Pl.al - 2II .k1.i) n avec, pour mémoire: ou encore si les termes de fuite pouvaient être négligés:
même, calcul Aa2b conduit Aa2b Aa2b max - COS(P2 -a2 - 2rl -k2 -i De même, le calcul de Aa2b condmt a: . a2b - Aa2b max cos(72.G2 ~ -.Ïi2.l avec d'ailleurs, si les termes de fuite pouvaient être négligés: A a 2bmax = A a1bmax Ce sont donc les termes en dnalb et dAa2b qui traduisent le couplage de la bobine dal da2 avec les aimants; les termes en dnalb et dAa2b ne produisent pas d'effort da2 da, Pour construire un couple moyen utile dans l'entrefer 2 suppose une composante de courant à la pulsation #2 synchrone de p2[alpha]2.
Si l'on suppose ainsi que, par une commande électronique appropriée, on génère sur chaque galette i: alors, il apparaît dans l'entrefer 1 de la galette i un couple: que l'on peut mettre sous la forme:
Donc, au niveau de l'entrefer 1 sur une galette: l'interaction bobine-groupe 1 d'aimants se traduit par une composante utile continue, et 3 composantes pulsantes respectivement à #1, #1+#2, et #1-#2#.
La résultante en col est nulle pour nl>2. Les deux autres composantes pulsantes ont également des résultantes nulles sauf cas particuliers déjà évoqués; elles sont nulles en particulier pour les exemples de la figure 8.
Symétriquement, on obtient un résultat similaire dans l'entrefer 2.
Bilan des.couples Finalement, en prenant en compte la résultante des couples sous les conditions d'annulation des composantes pulsantes: sur l'entrefer 1: sur l'entrefer 2 :
L'accroissement des couples avec le nombre de pôles, dans la limite des effets parasites croissants liés aux fuites, est un effet naturel des structures à induit globalisé : la multiplication des pôles ne génère pas de contrainte sur la section du bobinage.
En régime établi, on ajuste le couple du premier entrefer pour équilibrer celui de la source motrice en jouant sur #b1.cos#1. Le couple sur le rotor de sortie est ensuite réglé en jouant sur le couple du 2e entrefer par #b2.cos#2.
La disposition selon l'invention qui vient d'être décrite avec commande à courants composés permet bien d'obtenir la fonction recherchée de transmission électrique.
Sa comparaison aux dispositions à bobinages séparés dépasse le cadre de cette présentation, mais on peut toutefois noter qualitativement les points suivants: - les aimants et les culasses de bouclage de flux associées sont traversés par des composantes de flux pulsantes: pour se prémunir contre le développement de courants de Foucault en leur sein, il est souhaitable que ces aimants soient à résistivité électrique interne élevée ou fractionnés en éléments de faible longueur isolés les uns et des autres; la constitution des culasses doit de même être adaptée aux flux variables (feuilletage, "poudres de fer"...) - comme dans les dispositions à induits séparés, la question des couplages parasites entre galettes voisines négligée en première approche ci-dessus doit être prise en considération : cela a déjà été observé, en alternative à l'espacement
des galettes, il peut être préférable de pratiquer des coupures magnétiques annulaires dans les espaces médians entre galettes au niveau des culasses externes et internes du rotor de sortie.
- un surdimensionnement des aimants est nécessaire: en effet, le facteur n.#ajb max/2. 2.#aj de proportionnalité du couple util eà #bj correspond à un flux magnétisant ; retrouverait un coefficient de même nature dans le cas de bobinages séparés. Par rapport à ce dernier, avec des dimensions géométriques comparables, ce facteur se dégrade en raison de l'allongement du chemin magnétique dû à la structure à flux traversant, ce qui implique une augmentation du courant ou des dimensions. Des précautions relatives au risque de démagnétisation des aimants qui fonctionnent régulièrement en opposition vont aussi dans ce sens; les perméances de fuite correspondent à un paramètre d'optimisation du dimensionnement.
La présente invention a également pour objet un procédé de préparation d'un polymère de formule générale (I).
Selon une première variante, ce procédé est caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes : - une première étape au cours de laquelle on procède à la préparation d'un copolymère de formule générale (III) : - [Ai*]x-[Aj]y- (III) dans laquelle Aj, x et y sont tels que définis précédemment , et Ai* représente un groupement A, comportant une fonction désignée *.