INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- La Figure 7c est une coupe observée au microscope qui nous montre les fractures dans la masse même de la céramique sans que son adhésion soit à remettre en cause. la figure 8 représente le dispositif expérimental employé, connu de l'homme de métier. les figures 9 et 10 montrent respectivement deux éprouvettes avant essai et après essai de flexion bi-axiale. La figure 9 montre les tests bi axiaux. la figure 10 montre le résultat de l'essai de flexion bi axiale appliqué à des armatures de titane grade 2 céramisé selon le procédé antérieur. la figure 11 montre le résultat de l'essai de flexion bi axiale appliqué à des armatures de titane allié TA6V selon le procédé de l'invention. les figures 12 et 13 sont respectivement une macrophotographie optique (G = 25) et une macrophotographie électronique de l'éprouvette traitée par le procédé selon l'invention et qui nous montre la persistance céramique. ta figure 14 représente un histogramme des résultats des moyennes des mesures spectrométriques en % faites après les tests de flexion bi-axial comparant les deux procédés standard et respectivement de l'invention sur du titane pur et un alliage de titane TA6V.
- la figure 15, qui se compose des figures 15a, 15 b et 15c, représente (figure 15 a) l'évolution de la dureté Vickers pour des produits antérieurs traités selon les procédés de l'art antérieur (tableau 6), révolution (figure 15 b) de la dureté Vickers pour des produits titane et alliages de titane traités selon le procédé de l'invention (tableau 7), la différence (figure 15 c) entre les deux procédés.
- les figures16 et 17 (analyses élémentaires à la microsonde de Castaing) correspondent respectivement au procédé standard pour la figure 16 et au procédé selon l'invention pour la figure 17.
ta figure 18 représente des clichés d'imagerie médicale.
LES TECHNOLOGIES UTILISES Technologies de coulée du titane et de ses alliages par centrifugation et pression-dépression pour la réalisation des éprouvettes.
Technique de traitement de surface.
Technologie de céramisation des éprouvettes selon les procédés préconisés par les fabricants de céramiques basse fusion spécifique titane et selon le procédé selon l'invention.
Essais mécaniques de flexion trois points, Essais mécaniques de flexion bi axiale, w Tests de macro-et de micro-dureté, Microscopie électronique et analyse X, Analyses métallurgiques et métallographie, Techniques de traitement de surface (préparation du substrat, optimisation des couches inter faciales.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, et des exemples non limitatifs ci-dessous.
L'état de la bibliographie montre que la norme ISO 9693 est reconnue comme essai qualificatif de l'adhérence métal-céramique. En l'adaptant pour le rendre mécaniquement reproductible, il constitue l'essai basal de l'expérimentation présentée ci-après. Le Demandeur l'a poursuivi avec un essai mécanique complémentaire, l'essai de flexion axiale ainsi que par l'étude de la micro dureté de la zone inter faciale substrat-céramique. Enfin une analyse élémentaire quantitative en microsonde de Castaing termine l'étude.
2-Application de la norme ISO 9693.
Réalisation des éprouvettes : le tableau 1 présente l'ensemble des séries soumises au test
Notes : Duceratin est une céramique de Ducera adaptée au titane commercialisée par TM Degussa- Tibond est une céramique de Biodent adaptée au titane commercialisée par De Trey DentsplyTM VitatitankeramikTM est une céramique de Vital adaptée au titane commercialisée par Vita TM Ti22 est une céramique de Noritake adaptée au titane commercialisée par Noritake TM Triceram est une céramique de Dentaurum adaptée au titane commercialisée par Dentaurumrm Les procédés de fabrication de ces différents fabricants sont parfaitement décrits par chacun d'entre eux et ont été scrupuleusement respectés afin de pouvoir les comparer à notre procédé original.
Pour ce qui est du titane : Il se présente sous plusieurs formes * Tout d'abord, le titane commercialement pur.
La base est généralement introduite à raison de 2 à 6, et de préférence de 2 à 3 équivalents molaires par rapport au substrat de formule générale I. Préférentiellement, on utilise deux équivalents molaires de base. Le premier équivalent est utilisé pour augmenter la réactivité de l'acide boronique et le second équivalent à titre de ligand Xsur le complexe ArPdX, issu de l'addition oxydante du dérivé II sur le catalyseur palladium.
Selon une variante particulière de l'invention, on utilise deux équivalents molaires de Cs2 C03.
En ce qui concerne le solvant, il peut s'agir d'un solvant protique ou aprotique. Il est bien entendu choisi de manière à ne pas interférer avec la réaction considérée. Il peut ainsi s'agir d'un solvant aromatique comme le benzène ou le toluène, du diméthylforrnamide, la N-méthylpyrrolidone, le diméthoxyéthane, un alcool ou un solvant cétonique.
La réaction est réalisée préférentiellement sous atmosphère inerte pour éviter la dégradation du catalyseur au palladium. Toutefois, selon le type de catalyseur considéré, cette atmosphère inerte peut être facultative.
La réaction peut être conduite à une température comprise entre 60 et 130 C.
Selon une variante privilégiée de l'invention, le milieu réactionnel est chauffé à une température supérieure à 60 C, de préférence supérieure à 80 C, et plus préférentiellement comprise entre 80 C et 100 C.
Bien entendu, l'ajustement de cette température est fonction du substrat à préparer, du catalyseur et/ou de la base utilisé(s) et relève des compétences de l'homme de l'art.
Le sel de phénanthridinium est récupéré après acidification du milieu réactionnel et selon des techniques conventionnelles.
En ce qui concerne l'ordre d'introduction des réactifs, il n'est pas déterminant.
Toutefois, selon une variante préférée de l'invention, on privilégie le mélange des composés de formule générale II et III dans le solvant considéré. Y sont ensuite ajoutés, la base et le catalyseur retenus.
Selon une variante privilégiée de l'invention, le procédé comprend : - Le mélange des composés de formule générale (II) et (III) dans un solvant, - L'ajout au dit mélange de la base et du catalyseur, - Le chauffage de l'ensemble du milieu réactionnel à une température supérieure à 60 C et, - La récupération du composé de formule générale (I) par acidification du milieu réactionnel.
Le procédé revendiqué est tout particulièrement utile pour préparer le sel de 3,8dinitro-5-éthyl-6-phénylphénanthridinium.
La présente invention a également pour objet un procédé de préparation d'intermédiaires utiles pour accéder au composé de formule générale III.
Les composés de formule générale III sont préparés selon le schéma réactionnel suivant :
(III) (IV) (V) dans lequel X1 et X2 représentent indépendamment l'un de l'autre un atome d'halogène ; par exemple, X1 peut représenter un atome de chlore et X2 un atome de brome ou X1 représente un atome de brome et X2 un atome d'iode.
Les inventeurs ont ainsi mis en évidence qu'il était possible d'accéder régiosélectivement aux composés de formule générale VI, à partir de composés de formule générale VII, sous réserve de réaliser la nitration dans des conditions spécifiques.
On mesure le coefficient de distribution Dex de l'iode entre la solution aqueuse et la phase organique, ce coefficient correspondant au rapport de la concentration en iode en phase organique à la concentration en iode en solution aqueuse à l'équilibre. Les concentrations en iode sont mesurées par spectrométrie gamma. La valeur du coefficient de distribution de l'iode, dans le cadre de cet exemple, est de 3, ce qui correspond à 75 % d'extraction.
Dans un deuxième temps, on met en contact la phase organique après extraction et après élimination de la première solution aqueuse, avec une deuxième solution aqueuse de réextraction, ladite solution étant une solution aqueuse de soude, les volumes de phase organique et de solution de réextraction étant égaux.
Différents essais ont été effectués en faisant varier la concentration en soude de la deuxième solution aqueuse. On mesure les coefficients de distribution Dréex de l'iode, qui pour la réextraction correspond au rapport de la concentration en iode en solution aqueuse à la concentration en iode en phase organique.
Les résultats sont regroupés dans le tableau 1 ci-dessous.
Concentration en soude Dréex (en mol/L) 2 6,3 1,5 6,6 1 7,0 0,6 7,6 0,5 6,6 0,1 5,7 5.10-2 5,5 10-2 4,9 5.10-3 0,04 10-3 0,02 10-4 0
On constate, à la lecture de ce tableau, que l'on réextrait le mieux l'iode avec une solution aqueuse de soude à 0,6 mol/L. Toutefois, la réextraction est suffisante à 10-1 mol/L, concentration que l'on choisit, pour la suite, afin de minimiser la quantité de sodium que l'on aurait à conditionner ultérieurement.
Dans cet exemple, on utilise le même mode opératoire que dans l'exemple 1, mais on utilise comme solvant organique le 1, 2-nitrophényloctyléther (1, 2NPOE) et une concentration en soude de 10-1 mol/L.
On obtient les résultats suivants : Dex=2, 9 Dréex=l, 7 EXEMPLE 3.
Dans cet exemple, on utilise le même mode opératoire que dans l'exemple 2, mais on utilise comme solvant organique l'hexane.
On obtient les résultats suivants : Dex=1, 5 -'réex**'* EXEMPLE 4.
Dans cet exemple, on utilise le même mode opératoire que dans l'exemple 2, mais on utilise comme solvant organique l'hexylbenzène.
On obtient les résultats suivants : Dex=2. 7 Dréex= 1. 6 EXEMPLE 5.
Dans cet exemple, on utilise le même mode opératoire que dans l'exemple 2, mais on utilise comme solvant organique le 1, 3-diisopropylbenzène.
On obtient les résultats suivants : Dex=2,3 Dréex=2, 3 EXEMPLE COMPARATIF 1.
Selon un premier mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, on forme la partie active sur un substrat et le premier miroir sur cette partie active, on fixe ce premier miroir sur
la lame transparente, on élimine le substrat, on forme le deuxième miroir sur la partie active et l'on fixe la lame à la diode laser.
Selon un deuxième mode de mise en oeuvre particulier, la diode laser comporte un hublot et l'on forme la partie active sur un substrat et le premier miroir sur cette partie active, on fixe ce premier miroir sur le hublot de la diode laser, on élimine le substrat et l'on forme le deuxième miroir.
Selon un troisième mode de mise en oeuvre particulier, la diode laser comporte un hublot et l'on forme la partie active sur un substrat et le premier miroir sur cette partie active, on fixe ce premier miroir sur la lame transparente, on élimine le substrat, on forme le deuxième miroir sur la partie active, on élimine le hublot et l'on remplace ce hublot par la lame transparente.
De préférence, la structure émettrice est fixée à la diode laser au moyen d'une colle qui est transparente à la lumière émise par cette diode laser.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A à 1E illustrent schématiquement des étapes d'un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention,
- la figure 2 est une vue schématique d'un mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention, les figures 3A et 3B illustrent schématiquement des étapes d'un autre mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, et - la figure 4 est une vue schématique d'un autre mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On donne dans ce qui suit un exemple de procédé conforme à l'invention en faisant référence aux figures 1A à lE.
Pour mettre en oeuvre ce procédé, on commence par former, sur un substrat 2 par exemple en CdZnTe (figure lA), une structure émettrice, apte à engendrer un rayonnement infrarouge lorsqu'elle est pompée optiquement.
Le substrat 2 a par exemple une épaisseur de 750jim.
Pour former la structure émettrice, on forme sur le substrat 2, par épitaxie, une partie active 4 à base de CdHgTe. Dans cet exemple, cette partie active est un empilement comprenant successivement une couche 6 de HgTe, une couche 8 de Cdo, 7Hgo, 3Te, une couche 10 de Cdo, 3Hgo, 7Te et une couche 12 de CdoHgoTe.
On forme ensuite, sur cette couche 12, un miroir de Bragg 14 (figure 1B) appelé miroir de fond", dont la réflectivité (vis-à-vis du rayonnement engendré
par la partie active) est très grande et par exemple égale à 99%.
On colle ensuite ce miroir de fond 14 sur une lame de silice 16 (figure 1C) dont l'épaisseur vaut par exemple 300um, au moyen d'une couche de colle 18 qui est transparente à la lumière destinée au pompage optique de la structure émettrice.
On élimine ensuite le substrat 2. On commence par enlever 600) li de ce dernier par polissage mécanique. On grave ensuite chimiquement les 150jam restants (figure 1D). Pour ce faire, on utilise une gravure chimique qui est sélective vis-à-vis de HgTe.
Cette gravure est réalisée par un mélange d'acides et s'arrête sur la couche 6.
L'interface est composée de deux parties principales : 'Le module détection de recherche rapide illustré en figure 3 et 'Le module de détection du sens de rotation illustré en figure 2.
On va d'abord décrire le module détection de recherche rapide illustré en figure 3.
Le signal sinusoïdal illustré en figure 1A entre dans un correcteur"RIAA"1, suivi d'un premier amplificateur, de tension,"AMPLI 1"2 puis passe dans un premier filtre"FILTRE 1" 3 qui est un filtre passe-haut avec pour fréquence de coupures FI. Le signal alimente un convertisseur"CONVERTISSEUR"4 qui est un convertisseur fréquence/tension. La sortie du convertisseur"CONVERTISSEUR"4 alimente trois parties du circuit illustré en figure 3 : - une commande du pitch comportant un deuxième amplificateur"AMPLI 2"5, qui est un amplificateur de tension à gain unitaire monté en sommateur de telle manière qu'une tension d'offset"Ref 1"est ajoutée au signal issu du convertisseur"CONVERTISSEUR"4. En sortie du deuxième amplificateur"AMPLI 2"se trouve un limiteur de tension"LIMITEUR"6 qui permet de définir la plage de variation du pitch. La sortie du limiteur 6 est reliée à un adaptateur "ADAPTATEUR 1"7 qui conditionne le signal de manière à le substituer à celui fourni par le potentiomètre de commande du pitch du multimédia 23 du système multimédia numérique asservi. Cette adaptation concerne la forme du signal, la polarité, la puissance et l'impédance. Le signal issu de l'adaptateur 7 est ainsi substitué à celui fourni par le potentiomètre de réglage du pitch.
- la détection de"Cde 1" : le signal fourni par le convertisseur"CONVERTISSEUR"4 rentre par une liaison parallèle dans un premier comparateur"COMPARATEUR 1"8 qui est un comparateur de tension à fenêtre qui a comme seuils de commutations"Sh"et"SI" ; et dans un deuxième comparateur"COMPARATEUR 2"27 qui est un comparateur qui a pour seuil "SI'". La sortie du deuxième comparateur"COMPARATEUR 2"27 est à un niveau logique haut si le signal d'entrée est supérieur à"SI"et à un niveau logique bas si le signal d'entrée est inférieur à"SI". Le signal de sortie du deuxième comparateur"COMPARATEUR 2"27 et le signal de sortie de l'inverseur"INV 1"9 rentre dans la porte"PORTE 4"26 qui est une porte logique"ET". La sortie de la porte"PORTE 4"26 fournit le signal"Cde 1"10. L'inverseur "INV 1"9 est un inverseur à porte logique qui inverse le signal de sortie du comparateur "COMPARATEUR 1"8.
- une commande"lecture/pause" : Le signal fourni par le comparateur"COMPARATEUR 1"8 et le signal"Cde 3"25 entre dans la porte"PORTE 6"24 qui est une porte logique"ET". Le signal"Cde 3"25 est fourni par la sortie de l'inverseur"INV 2"9 (figure 2).
Le signal fourni par la porte"PORTE 6"24 et par la porte"PORTE 4"16 rentre dans la porte "PORTE 1"11 qui est une porte logique"OU". Le signal de sortie de la porte"PORTE 1"11 est distribué parallèlement entre l'inverseur"INV 2"12 qui est un inverseur à porte logique et le filtre"FILTRE 3"14 qui est un filtre différenciateur avec une fréquence de coupure F3. La sortie de l'inverseur"INV 2"12 attaque le filtre"FILTRE 2"13 qui est un filtre différenciateur avec une fréquence de coupure F2. Les signaux de sorties des filtres"FILTRE 2"13 et"FILTRE 3"
14 rentrent dans la porte"PORTE 2"19 qui est un circuit logique à diodes remplissant la fonction"OU"ne récupérant que les impulsions positives. Le temporisateur"TEMPO"15 fournit une temporisation à l'allumage réalisé avec un circuit RC. La porte"PORTE 3"20 est une porte logique ET recevant les signaux de sorties de la porte"PORTE 2"19 et du temporisateur"TEMPO"15. L'adaptateur"ADAPTATEUR 2"21 conditionne le signal de manière à le substituer à celui fourni par le bouton poussoir de la commande lecture/pause 17 du système multimédia à asservir. Cette adaptation concerne la forme du signal, la polarité, la puissance et l'impédance.
Le signal est ensuite substitué à celui fourni par le bouton poussoir de commande lecture/pause 22 du système multimédia. La porte"PORTE 5"18 est un diviseur de fréquence par deux réalisé avec une bascule D, le temporisateur"TEMPO"15 permet l'initialisation de la porte"PORTE 5" 18 au démarrage. Le signal d'horloge est fourni par la sortie de la porte"PORTE 3"20. La sortie de la porte"PORTE 5"18 entre dans la porte"PORTE 4"16 qui est une porte logique"ET". Le signal"Cde 2"17 est fourni par la sortie du détecteur"DETECTION 3"6 (figure 2) du module de détection du sens de rotation.
Dans la suite de la description, on indique comment sont choisies les valeurs caractéristiques de certains composants des circuits illustrés en figure 3, le module détection de recherche rapide : - Calcul de la fréquence de coupure FI de"FILTRE 1"3 : FI est la fréquence de coupure basse égale à 30 % de la fréquence FO : FI = 0,3 x F0 ; - Calibrage du pitch neutre pour FO : Lorsque le support mécanique, ou disque vinyle, est lu avec un pitch neutre, la fréquence du signal sinusoïdal est égale à FO. Cette fréquence doit correspondre également à une lecture du support audio multimédia avec un pitch neutre. Ce calibrage est effectué par le réglage de la valeur de "Ref 1 ". Cette fonction est effectuée par l'amplificateur"AMPLI 1"4.
- Calibrage de la plage de variation du pitch : Une fois le calibrage du pitch neutre effectué, les valeurs maximale et minimale de la tension qui va être substituée au potentiomètre de commande du pitch du multimédia doivent être définis.
Ces valeurs sont définies expérimentalement par mesure des tensions sur le potentiomètre de commande du pitch du multimédia et définissent les tensions de limitation pour le limiteur "LIMITEUR"5.
- Calcul des seuils"Sh"et"SI"du comparateur à fenêtre 8 : Le seuil de basculement haut"Sh"détermine le seuil au delà duquel la recherche rapide est actionnée. Cette valeur est défini expérimentalement de manière à remplir sa fonctionnalité avec la convivialité désirée par l'utilisateur. Cette valeur peut posséder différent calibrages. 1
Le seuil de basculement bas"Sh"détermine le seuil à partir duquel le mode pause est actionnée.
Cette valeur est défini expérimentalement de manière à intégrer différent paramètres tel que l'effet"rumble"par exemple.
On va maintenant décrire le module de détection du sens de rotation illustré en figure 2 : Le signal sinusoïdal modulé en amplitude par un signal en forme de rampe après un passage dans un correcteur"RIAA"1 attaque un amplificateur"AMPLI"2 qui est un amplificateur de tension puis entre dans un filtre"FILTRE 1"3 qui est un filtre passe-haut avec pour fréquence de coupure FI. L'enveloppe du signal est récupérée par le circuit de détection "DETECTION 1"4 et passe dans le filtre"FILTRE 2"5 qui est un filtre différenciateur de fréquence de coupure"F2". Le filtre "FILTRE 2" 5 fournit des pics de tension, positifs ou négatifs selon le sens de lecture du signal"rampe". Ces pics sont détectés selon leurs signes : négatif par"DETECTION 2"7 et positif par"DETECTION"6. Dans les modules "DETECTION 2"7 et"DETECTION 3"6, un circuit RC applique un effet mémoire aux impulsions de manière à conserver un état logique constant qui puisse être exploité par les circuits logique suivant. Le condensateur C fourni l'effet mémoire entre deux impulsions et la résistance R permet au condensateur C de se décharger en cas d'absence d'impulsions."INV 1" 8 représente un inverseur de signal réalisé avec un amplificateur inverseur à gain unitaire. Les inverseurs"INV 2"9 et"INV 3"10 sont des inverseurs à portes logiques. Les portes"PORTE 1" 12 et"PORTE 2"14 sont des portes logiques"ET". Ces portes logiques"ET"autorisent le mode "avance rapide" ou "retour rapide" en fonction des différents paramètres qui lui sont fournis. Ces paramètres sont : - le signal de commande de recherche rapide"Cde 1"11 fourni par la sortie de"PORTE 4"26 de la FIG 3 - le signe des pics détectés par"FILTRE 2"5.
- dans le cas d'un changement de mode de recherche rapide, par exemple pour le passage du mode"avance rapide"au mode"retour rapide", la mise en fonctionnement du nouveau mode de recherche stoppe le fonctionnement de l'ancien.
Norme internationale ISO 5832 5832-2 : titane non allié : ou titane commercialement pur de grade 1,2 ou 4 (le grade 3 n'étant pas utilisé en applications dentaires) en fonction des traces d'oxygène qui donnent des caractéristiques légèrement différentes.
Le plus utilisé est le Ti 40 grade 2 pour les implants dentaires grâce à sa très bonne ostéointégration (recul clinique de plus de 35 ans) et le Ti 60 grade 4 pour les implants les plus fins et les prothèses dentaires de grande portée qui demandent un peu plus de rigidité.
5832-3 : TA6V ou TA6V4 : Alliage à base de titane avec 6% d'aluminium et 4% de vanadium.
Cet alliage est essentiellement utilisé en dentaire, pour ses caractéristiques mécaniques largement plus élevées que le titane pur, dans tout l'accastillage des implants : vis, piliers, attachements et trousse chirurgicale.
Du fait de ses qualités mécaniques il serait judicieux de pouvoir l'employer comme substrat dans les prothèses céramo-titane Mais la présence d'aluminium dans cet alliage rend la céramisation impossible pour les fabricants de notre secteur d'activité. C'est ici que le procédé selon l'invention prend toute sa valeur en rendant la céramisation possible, en évitant la formation d'alpha case et en créant un coussin amortisseur et adhérant entre la céramique et son substrat.
5832-11 : TA6Nb7 : alliage à base de titane avec 6% d'aluminium et 7% de niobium.
Cet alliage a été développé pour la fabrication de certaines prothèses orthopédiques. Il se caractérise par le remplacement du vanadium du TA6V par du niobium qui est considéré, quand il est pur, comme plus bio-compatible. Mais le vanadium quand il est dans l'alliage du titane paraît tout autant bio-compatible. De plus le TA6V reste beaucoup moins cher que le TA6Nb7. C'est par cela que la plupart des fabricants de prothèses orthopédiques continuent leur production en TA6V.
Alpha-case : L'homme de métier sait qu'il s'agit d'une substance inter faciale se développant entre le substrat titane et le cosmétique de recouvrement par dilution de certaines substances du cosmétique dans le substrat en présence de l'oxygène de l'air ambiant pendant la cuisson de la céramique.
Cette couche est très fragile car très dure, rigide, et très peu adhérente au substrat, entraîne une délamination sous faible contrainte.
Description détaillée de l'invention : L'invention concerne donc un procédé pour fabriquer des produits dentaires comportant un revêtement céramique dentaire et une base ou substrat en titane ou alliage de titane, caractérisé en ce qu'on dépose sur ladite base ou substrat en titane
ou alliage de titane une couche destinée à recevoir le revêtement cosmétique en céramique dentaire, cette couche étant adaptée pour obtenir un mode de fracture cohésive (et non adhésive) à l'interface titane (ou alliage de titane) -céramique.
Dans l'ensemble des présentes, y compris les revendications, s'agissant de l'invention, la dénomination titane englobera automatiquement, sauf mention contraire expresse, l'option alliages de titane sans qu'il soit nécessaire de le mentionner, comme le comprendra aisément l'homme de métier.