INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ceci situe la chute ohmique maximale entre le bord et le centre d'une plaquette de circuit imprimé ( wafer ) de 300 mm à 600 mV pour un courant de 100 uA, ce qui - comme on le verra - reste acceptable pour obtenir des revêtements conformes grâce par exemple à l'électro-greffage selon le procédé de la présente invention.
Exemple n 5 : Greffage d'un film organique sur TiN via l'électro-réduction de sels de diazonium.
Cet exemple illustre l'obtention d'un film organique, par électro-greffage de sels de diazonium, sur nitrure de titane, matériau utilisé dans la confection de couches barrières dans les procédés Damascène et dual Damascène en micro-électronique.
Cette voie de synthèse est commode, car les sels de diazonium peuvent être diversement pré-fonctionnalisés, notamment par des groupements fonctionnels complexants,
de façon à produire des couches de précurseurs de films métalliques. De plus, le film organique obtenu est très mince (épaisseur inférieure à 10 nm), ce qui rend ce mode de réalisation très intéressant pour la réalisation de couches de germination selon l'invention dans l'application micro-électronique pour des gravures très fines de 100 nm ou moins : certes le film organique obtenu ici ne comporte pas de groupements complexants susceptibles de complexer des précurseurs métalliques à l'analogue des films de P4VP des exemples précédents, mais on sait que cela peut être facilement obtenu en pré-fonctionnalisant au départ le sel de diazonium avec les groupements adéquats (à titre d'information, on sait par exemple réaliser la réduction des groupements nitro de films de 4NPD électro-greffés en groupements amines (NH2) par traitement chimique : ces groupements amines sont de très bons complexants pour divers précurseurs métalliques, et notamment des ions cuivriques). Cet exemple montre cependant que l'électro-greffage de sels de diazonium constitue un bon candidat pour la réalisation de films organiques très adhérents présentant des groupements fonctionnels à façon.
Une lame de TiN identique à celle de l'exemple n 4 précédent, une contre-électrode de platine et une électrode de référence (Ag+/Ag) sont trempées dans une solution à 5.10-3 mol/1 de tétrafluoroborate de 4-nitro phényle diazonium (4NPD) dans l'acétonitrile à 5.10-2 mol/1 en TEAP. On effectue sur la lame de TiN 3 balayages voltammétriques de + 1,15 à - 1,52 V/(Ag+/Ag). La lame est ensuite rincée pendant 2
minutes sous ultrasons dans l'acétonitrile, puis séchée sous courant d'argon.
La région Nls du spectre XPS de la lame ainsi traitée est présentée sur la Figure 11, en comparaison de celui, dans la même gamme d'énergie, de la lame de TiN avant traitement. On observe à 397 eV le pic des atomes d'azote du TiN et, sur la lame traitée, les pics caractéristiques à 406,5 eV des groupements nitro (N02) des radicaux 4-nitro phényle greffés sur la surface.
Dans le même temps, on observe un abaissement de l'intensité du pic à 397 eV sur la lame traitée, ce qui montre la formation d'un film sur cette surface, d'une épaisseur toutefois inférieure à 10 nm environ (qui est la profondeur de pénétration de l'XPS) et suggère la formation d'un film très mince. Ceci est confirmé par la comparaison, avant et après électro-greffage, des spectres XPS des lames dans la région des orbitales 2p du titane (Figure 12), où l'on constate une très forte diminution des pics du titane après traitement, pourtant toujours présents.
Le pic vers 400 eV est connu dans la littérature portant sur l'électro-greffage de sels de diazonium, et correspondrait à la formation de groupements diazo-N=N- issus de copulations parasites entre des radicaux produits par l'électro-réduction des sels de diazonium et des groupements déjà greffés.
Exemple n 6 . Greffage d'un film organique sur TiN par trempage dans une solution contenant des sels de diazonium.
Cet exemple illustre la possibilité d'utiliser les sels de diazonium pour faire un greffage chimique direct d'une couche organique sur des couches barrières par simple trempage ( dip coating ). Les sels de diazonium étant facilement pré-fonctionnalisables, cet exemple montre comment on peut appliquer la présente invention via une succession d'étapes sans courant, c'est à dire en processus autocatalytique ( electroless .
Une lame de TiN identique à celle de l'exemple n 5 précédent est mise à tremper dans une solution de tétrafluoroborate de 4-nitro-phényl diazonium (4NPD) à 10-3 mol/1 dans l'acétonitrile pendant 24 heures. La lame est ensuite sortie, rincée par trempage rapide dans l'acétonitrile, puis 2 minutes dans l'eau désionisée sous ultrasons puis séchée sous courant d'argon.
La Figure 13 montre la région Nls du spectre XPS de la surface ainsi traitée, en comparaison d'une part de la lame de TiN initiale, et d'autre part du film organique obtenu selon l'exemple n 5. On observe, respectivement vers 400,5 eV et 406,5 eV, les pics caractéristiques d'une couche de radicaux 4-nitro phényles greffés sur la surface. On observe que le film organique ainsi obtenu est beaucoup moins épais que celui de l'exemple n 5.
Ce résultat indique donc que le dépôt autocatalytique de sels de diazonium peut constituer
La figure 5 illustre l'exemple que l'on vient de donner à propos d'une diode conforme à l'invention, fonctionnant à la même longueur d' onde # 10 pour l'émission de lumière E et la détection de lumière D. Sur les figures 4 et 5, des éléments identiques ont les mêmes références.
Par rapport à la cavité résonante 12 du VCSEL de la figure 4, la cavité résonante 12 du VCSEL 15 de la figure 5 contient deux couches supplémentaires 26 et 28 qui sont identiques à la couche 22 et parallèles à cette dernière (et donc aux miroirs 8 et 16). Ces couches supplémentaires ont été insérées lors de l'épitaxie conduisant à l'empilement que l'on voit sur 20 la figure 5.
Par le processus d'oxydation décrit plus haut, on a oxydé partiellement les trois couches 24, 26 et 28 pour obtenir trois anneaux parallèles et électriquement isolants 24,20 et 32 en AlOx. Ces 25 anneaux ont le même diamètre interne et le même diamètre externe et ont un axe commun X qui constitue l'axe du VCSEL.
Comme on l'a vu plus haut, les anneaux pourraient être répartis de part et d'autre de la couche de puits quantiques 14 constituant le milieu à gain.
5 On pourrait aussi avoir plusieurs couches de milieu à gain et répartir comme on le souhaite les anneaux isolants de part et d'autre de ces couches de milieu à gain.
On a donc une cavité en deux parties qui 10 sont définies par les anneaux 24,30 et 32, à savoir une partie centrale cylindrique P1, dont l'axe est l'axe X et qui traverse les anneaux et forme localement une cavité kx, et une partie tubulaire P2 qui contient les anneaux, entoure la partie P1 et forme localement 15 une cavité (k-1)x#.
Il convient de noter que l'on peut oxyder des couches de AlAs jusqu'à une épaisseur de 250 nm (voir le document [7]). Par contre, dans un laser réel, il vaut mieux utiliser des épaisseurs plus faibles 20 (voir le document [8]) pour éviter des problèmes dus au changement d'épaisseur de cette couche de AlAs.
On donne ci-après des exemples d'application de l'invention.
La figure 6 montre schématiquement un 25 exemple de télémètre à trois dimensions, comprenant une matrice 34 de VCSEL émetteurs-récepteurs 36 conformes à l'invention. Un objet 38, par exemple un cube, reçoit une impulsion lumineuse 40 envoyée par le premier des VCSELs de la matrice, cette dernière étant pourvue de 30 moyens électroniques de commande et de traitement 42.
Une optique non représentée (par exemple une lentille
ou un groupe de lentilles) peut également être placée entre la matrice et le cube.
L'impulsion est réfléchie par les différents points de l'objet et détectée par les autres 5 VCSELs de la matrice qui sont alors utilisés en tant que détecteurs. Les moyens électroniques 42 calculent les décalages temporels entre les différentes impulsions réfléchies et détectées 44. Ensuite, le deuxième VCSEL de la matrice émet une impulsion et les 10 autres VCSELs détectent l'impulsion réfléchie etc....
On utilise donc un balayage dans lequel chaque VCSEL est utilisé en tant qu'émetteur et récepteur. On arrive à reconstituer la forme de l'objet avec un tel télémètre.
15 L'invention s'applique aussi à la formation de liaisons optiques bidirectionnelles. Ceci est schématiquement illustré par la figure 7 où l'on voit deux VCSELs émetteurs-récepteurs 46 et 48 conformes à l'invention.
20 Ces VCSELs sont reliés par une fibre optique 50 et pourvus de moyens électroniques de commande 52 qui s'occupent de la gestion des communications entre VCSELs. Ces derniers basculent à tour de rôle du mode émetteur au mode récepteur. En 25 détectant la fin d'un message marqué par une séquence bien définie, les moyens électroniques 52 utilisent un mode de fonctionnement ou l'autre.
A titre d'exemple, une séquence peut être la suivante : envoi d'un signal par le composant 46, 30 réception par le composant 48, réponse par le composant 48 qui passe en mode émission, réception par le
Elles sont analysées en spectroscopie de photoélectrons. Les résultats de cette analyse sont représentés sur la Figure 8. Sur cette figure le spectre de la lame (a) est celui obtenu, dans la zone des orbitales 2p du cuivre, juste après l'étape de trempage dans la solution d'ions cuivriques, c'est à dire avant réduction des précurseurs dans le film de P4VP. On y observe, respectivement vers 938 et 958 eV, les raies 2p1/2 et 2p3/2 des ions cuivriques. Le spectre (b) est celui obtenu après une polarisation de 50 s, qui montre, après rinçage, essentiellement les ions cuivriques, et un très léger épaulement vers 932 eV, caractéristique des niveaux 2p3/2 du cuivre métallique.
Les spectres (c) et (d) sont ceux obtenus respectivement après un dépôt du matériau de renfort
suite à une polarisation de 120 et 240 s : ils montrent nettement la disparition des pics des niveaux 2p des ions cuivriques, au profit de ceux des niveaux 2p du cuivre métallique, montrant la formation du dépôt métallique.
Comme le montrent les images de la Figure 7, on observe nettement la formation d'un dépôt de cuivre sur la surface pour les lames ayant subi une polarisation suffisante. Ce dépôt est adhérent. Il résiste en particulier à un rinçage de 2 minutes sous ultrasons dans la DMF.
Exemple n 3 . Fixation directe d'un film de germination à partir d'un film organique d'un polymère déposé au trempé.
Cet exemple illustre la formation d'un film métallique à partir de précurseurs du matériau métallique piégés dans un film de polymère simplement déposé sur une surface métallique par spin-coating .
Le polymère résiste au bain de trempage ce qui permet de piéger les précurseurs grâce au fait qu'il n'est que gonflé par ce bain, mais n'y est pas soluble.
Dans cet exemple, on réalise le dépôt du film organique par spin-coating à partir d'une solution à 5% en masse de P4VP dans la DMF, de manière à obtenir un dépôt de P4VP d'environ 100 nm sur une lame d'or analogue à celle de l'exemple n 1. La lame ainsi traitée est séchée au sèche-cheveux, puis trempée pendant 25 minutes dans une solution contenant 10 g de sulfate de cuivre dans 200 ml d'eau désionisée pou l'insertion du précurseur du matériau métallique. La
lame est ensuite rincée à l'eau désionisée, puis plongée dans un bain d'électrolyse contenant 2 g de sulfate de cuivre et 3 g de NaCl dans 500 ml d'eau désionisée pour la transformation du précurseur du matériau métallique en ledit matériau métallique, ici du cuivre. Elle est ensuite soumise à 10 balayages voltammétriques entre 0 et -0,5 V/ECS à 200 mV/s, sortie, rincée à l'eau désionisée, puis décomplexée des ions cuivriques en excès par un trempage pendant 20 minutes dans une solution aqueuse d'ammoniac à 10%, et finalement rincée par trempage pendant 2h30 dans une solution de DMF.
Les Figures 9A et 9B montrent les spectres infrarouge des lames obtenues aux différentes étapes ci-dessus, dans la zone des modes de vibration du cycle pyridine du polymère. Les spectres (a) et (d) (Figures 9A et 9B) sont identiques, et correspondent au film de P4VP déposé sur la surface d'or par spin-coating .
La bande à 1600 cm-1 est caractéristique du groupement pyridine. Les spectres (b) et (d) (Figures 9a et 9B) sont obtenus après trempage de la lame recouverte du film de P4VP dans la solution concentrée en cuivre : on observe un dédoublement du pic précédent, avec apparition d'un second pic vers 1620 cm-1, caractéristique du complexe formé entre les cycles pyridine et les ions cuivriques. Le spectre (c) (Figure 9A) est celui obtenu après réduction des ions cuivriques selon le protocole ci-dessus : on observe nettement les bandes caractéristiques du film de P4VP tel que déposé à l'origine, à la différence que ce film a résisté au rinçage à la DMF pendant 2h30. Un examen
visuel de la lame montre qu'on a un dépôt de cuivre. Le spectre (f) (Figure 9B) est celui obtenu en effectuant directement les étapes de rinçage de la lame après trempage dans la solution contenant les précurseurs, sans procéder à la réduction : on observe que la lame a été quasiment complètement lavée.
La P4VP étant donc lavée par une solution de DMF sous ultrasons, ces résultats montrent que la réduction des précurseurs métalliques en ledit matériau métallique a bien eu lieu dans le film, puisqu'elle a pu contribuer à la rendre insoluble et éviter que le film soit lavée par un traitement ultérieur dans une solution de rinçage, même lorsque celle-ci est un bon solvant du film organique initial.
Exemple n 4 . Chute ohmique le long d'une surface de nitrure de titane (TiN) .
Dans cet exemple, on illustre ce que peut représenter une surface qui ne constitue pas une équipotentielle, et présente donc une topologie de chute ohmique. Les exemples qui suivront permettront d'illustrer que l'on parvient à réaliser des films métalliques uniformes, voire conformes, sur de telles surfaces, alors que cela est impossible selon les techniques de l'art antérieur. L'illustration porte sur une lame de nitrure de titane (TiN), semi-conductrice.
On établit un contact électrique à l'aide d'une pince crocodile à une extrémité d'une lame de silicium de 2 x 10 cm, recouverte, par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, Chemical Vapor Déposition, en anglais), d'une couche de TiN de 20 nm d'épaisseur environ. Un
La modification de l'expression des galectines-1 et-3 dans les organes testés constitue un indicateur de l'effet des métabolites produits par la souche de Bifidobacterium breve CNCM 1-2219 contenus dans la fraction exclue.
Les galectines-1 et-3 sont dosées dans la rate et les poumons de souris ayant été sacrifiées comme décrit précédemment.
Pour ce faire, une fraction de poumon (un lobe) et la moitié de la rate sont prélevées stérilement et dans cet ordre sur chaque souris. Les fragments sont ensuite déposés dans des boîtes de Pétri préalablement traitées pendant 24 heures avec une solution stérile d'eau et de DEPC (DiEthyl PyroCarbonate, vendu par la société Sigma) à 1/1000. Les organes sont alors perfusés une première fois avec du tampon PBS à l'aide d'une seringue et d'une aiguille stérile afin d'en éliminer le sang. Les organes sont ensuite transférés dans une autre boîte de Pétri contenant 200 microlitres de PBS additionné de 50 unités d'inhibiteur de RNase (vendu par la Société Applied Biosystems) et sont perfusés à nouveau avec cette solution. Les organes sont enfin découpés en tranches inférieures à 5 mm qui sont déposées dans un tube Biopur (Eppendorf) contenant 0,5 ml d'une solution de stabilisation de l'ARN, vendue sous la référence RNALater# par la société Qiagen. Les organes sont ensuite stockés au congélateur à -20 C jusqu'à l'analyse. a) Extraction des ARN totaux des organes prélevés L'ARN total est extrait des tissus après lyse cellulaire selon le protocole d'utilisation du kit d'extraction RNeasy protect@ vendu sous la référence 74126 par la société Qiagen.
Pour ce faire, la solution de stabilisation est retirée et une bille de tungstène traitée au DEPC ainsi que 600 microlitres d'une solution de lyse (tampon RLT contenu dans le kit) sont ajoutés à chaque organe. Ils sont ensuite broyés à l'aide d'un broyeur RETSCH MM2000, puis centrifugés à 13000 g pendant 3 minutes à 4 C.
Le surnageant est alors placé dans un tube de 1,5 ml contenant 600 microlitres d'éthanol à 70 % puis homogénéisé. Une partie de cette solution (700 microlitres) est ensuite déposée sur une colonne de filtration qui permet d'accrocher les ARN, pour être centrifugée à 8000 g pendant 1 minute à 4 C. Après avoir vidé le tube collecteur, 700 microlitres d'un tampon de lavage (tampon RW1 contenu dans le kit) sont ajoutés sur la colonne qui sera centrifugée à 8000 g pendant 1 minute à 4 C. Le tube
collecteur est à nouveau vidé et 500 microlitres d'un second tampon de lavage contenant de l'éthanol à 70 % (tampon RPE contenu dans le kit) est ajouté sur la colonne pour être centrifugée à 8000 g pendant 1 minute à 4 C. Cette dernière étape est renouvelée mais en effectuant une centrifugation à 13 000 g pendant 2 minutes à 4 C. Enfin, 30 microlitres d'un tampon d'élution permettant de décrocher les ARN de la colonne (tampon RNase free contenu dans le kit) sont ajoutés sur la colonne.
L'éluat est alors centrifugé à 8 000 g pendant 1 minute à 4 C après avoir été incubé à température ambiante pendant 5 minutes. L'étape d'élution est à nouveau effectuée et les échantillons ainsi obtenus sont congelés rapidement à -80 C.
Une quantité équivalente à une unité de DNase, vendue par la société Boehringer, est ajoutée à chaque échantillon qui est ensuite incubé au bainmarie à 37 C pendant 15 minutes.
Afin d'évaluer la quantité d'ARN total des échantillons, ceux-ci sont dilués au 1/8ème dans de l'eau stérile qui est placée dans une microcuve permettant la lecture de l'absorbance à 260 nm sur un spectrophotomètre UV de référence Genquant, vendu par la société Pharmacia. Pour obtenir la concentration en ARN total des échantillons, la valeur de la densité optique (DO) ainsi obtenue est multipliée par le facteur de dilution et par 40 (une unité de DO = 40 microgramme/ml d'ARN). b) RT-PCR quantitative utilisant la méthodologie Tag Man La RT-PCR quantitative est réalisée à l'aide du kit qPCRTM Core Kit vendu par la société Eurogentec dans un thermocycleur de référence Abi Prism 7700 (Sequence Detection System, Applied Biosystems) vendu par la société Perkin Elmer.
Le mélange réactionnel résumé dans le tableau VI suivant est réalisé :
Réactifs Volume en l/tube Concentration Réactifs Volume en l/tube finale Tampon PCR (10 x) * 5 1 x MgCl2 (50 mM) * 5 5 mM dNTP (2,5 mM) * 6 300 M Amorce sens (10 pM) 1 200 M Amorce anti-sens (10 pM) 1 200 M Sonde (10 pM) 1 200 M Inhibiteur de RNase (40 unités) 0,5 20 unités Polymérase Hot Gold Star (5 unités) 0,25 1,25 unités MuLV (5 unités) 0,25 12,5 unités ARN totaux 10 100 ng/tube Eau pure qsp 50 ;il * produit fourni dans le kit qPCRTM Core Kit Le mélange réactionnel est soumis au programme suivant : 10 minutes à 65 C pour éliminer les structures secondaires des ARN, 30 minutes à 42 C pour activer la transcriptase inverse, 10 minutes à 95 C pour activer la polymérase, 15 secondes à 95 C pour dénaturer les brins d'ADN et 1 minute à 61 C pour l'hybridation et l'élongation à partir des amorces. Quarante cycles sont effectués pour les deux dernières étapes.
L'expression des galectines-1 et-3 est évaluée par rapport à l'expression d'un gène de référence, tel que celui codant pour la p-actine dont l'expression est constante.
Les sondes et les amorces utilisées et choisies grâce au logiciel Primer Express vendu par la société Perkin Elmer sont les suivantes : Galectine-1 : Sens : 5'-TCA ATC ATG GCC TGT GGT CTG-3' (SEQ ID n 4) Anti-sens : 5'-AAG CTC TTG GCG TCC GAG G-3' (SEQ ID n 5) Sonde : 5'-TCG CCA GCA ACC TGA ATC AAC CTG-3' (SEQ ID n 6) Galectine-3 : Sens : 5'-AAT GGC AGA CAG CTT TTC G-3' (SEQ ID n 7)
Anti-sens : 5'-GAT CAT GGC GTG GTT AGC-3' (SEQ ID n 8) Sonde: 5'-TTC CAC TTT AAC CCC CGC TTC AAT GAG AAC-3' (SEQ ID n 9) ss-actine : Sens : 5'-TGG CGC TTT TGA CTC AGG ATT-3' (SEQ ID n 10) Anti-sens : 5'-GGG ATG TTT GCT CCA ACC AAC-3' (SEQ ID n 11) Sonde : 5'-GCC GTC GCC TTC ACC GTT CCA GTT TTT-3' (SEQ ID n 12) Afin de valider chaque microplaque soumise aux cycles de PCR, un calibreur est préparé à partir d'organes d'un lot de 6 souris C3H à flore humaine soumises à un régime alimentaire standard (eau stérile et granules R03) sur lesquelles les poumons et la rate ont été prélevés. Les ARN totaux de chaque organe ont été extraits à l'aide du protocole précédemment décrit pour les organes des lots de souris à tester. Les différents extraits ainsi obtenus sont ensuite rassemblés pour chaque organe afin de constituer un pool servant de calibreur pendant toute la durée de l'analyse.
Lors de l'analyse, les prélèvements à tester sont déposés en duplicate et la gamme étalon réalisée à partir de l'échantillon calibreur est déposée en triple.
L'élastine, tout comme le collagène, est une fibre importante qui influence l'élasticité de la peau, qui participe pour 2 % de la totalité du tissu fibreux et qui a un rôle pivot dans l'élasticité de la peau en dépit de sa faible proportion puisqu'elle forme un réseau conjonctif supportant l'épiderme.
L'élastine est coupée par l'élastase. Même si de l'élastine est produite en permanence par le fibroblaste jusqu'à l'âge de 18 à 19 ans, elle arrête d'être produite après un tel âge. Lorsque l'élastine n'est plus produite, l'élasticité de la peau est attribuée complètement à l'élastine précédemment produite, et donc il est très difficile de retrouver l'élasticité de la peau une fois que l'élastine est affaiblie.
Le collagène ou l'élastine constituent un facteur primaire qui affecte la formation des rides de la peau. C' est-à-dire que le vieillissement de la peau tel que la formation de rides de la peau est dû à une coupure et à une formation réduite de collagène et à une perte d'élastine, qui sont des phénomènes
apparaissant de façon prédominante dans le derme plutôt que l'épiderme.
Récemment, de nombreuses recherches dermatophysiologiques concernant les causes de la formation de rides de la peau et des méthodes pour y remédier ont été effectuées. En outre, des écrans solaires anti UV, des antioxydants et des accélérateurs d'activité cellulaire, etc., sont utilisés en pratique dans des cosmétiques et certaines méthodes destinées à combattre la formation de rides de la peau ont été proposées.
Par exemple, le rétinol, largement utilisé pour combattre les rides de la peau et empêcher la pigmentation est utilisé en pratique dans des cosmétiques du commerce. Il a été signalé qu'une composition cosmétique comprenant de l'acide L-ascorbique (vitamine C) essentielle à la synthèse du collagène présente un effet sur le blocage des rayons UV et la prévention d'une pigmentation (brevets des Etats-Unis Nos 4 938 969 et 4 772 519 et le document EP 0 533 667). On sait également qu'une composition cosmétique comprenant un acide a-hydroxylique efficace pour éliminer la kératine a un effet sur l'activation de l'activité cellulaire et l'amélioration de la peau.
Cependant, la plupart des principes actifs décrits ci-dessus présentent de nombreux inconvénients en termes de sécurité et de stabilité lorsqu'ils sont utilisés dans des cosmétiques.
Le rétinol favorisant la synthèse du collagène, il présente des inconvénients tels qu'une oxydation en raison de la lumière, de l'eau, de l'air et de la chaleur et une diminution résultante de la stabilité. La vitamine C présente une très faible stabilité, qui est très susceptible de générer un changement de couleur et d'odeur des formulations. L'acide a-hydroxylique présente une irritation de la peau relativement élevée bien qu'il présente un effet supérieur à une acidité inférieure.
Tout au long de cette demande, divers brevets et diverses publications sont cités et les citations sont données entre parenthèses. La description de ces brevets et publications dans leur totalité est incorporée ici par référence dans cette demande de manière à décrire plus complètement cette invention et l'état de la technique à laquelle cette invention appartient.