INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention propose en effet un signal multiporteuses construit sur un réseau temps-fréquence défini par un axe des fréquence et un axe des temps, le signal comprenant des trames ayant MxN symboles répartis sur M sousporteuses dont chacune est divisée en N temps symboles déterminés, chaque trame comprenant P symboles pilotes répartis en temps et en fréquence de manière à couvrir la trame selon une structure maillée définie par une première et une seconde directions déterminées correspondant à des vecteurs noncolinéaires, où les nombres M, N et P sont des nombres entiers non nuls, de telle sorte que d'une part la projection sur l'axe des fréquences de l'espacement maximum entre deux symboles pilotes ou blocs de symboles pilotes adjacents suivant à la fois ladite première direction et ladite seconde direction soit inférieure à la moitié de l'inverse du retard maximum entre les trajets multiples à travers le canal de propagation, et que, d'autre part, la projection sur l'axe des temps de l'espacement maximum entre deux symboles pilotes ou blocs de symboles pilotes adjacents suivant à la fois ladite première direction et ladite seconde direction soit inférieure à la moitié de l'inverse de la fréquence de fading à travers le canal de transmission, et de telle sorte, en outre, que certaines au moins des M sous-porteuses ne contiennent aucun
symbole pilote et/ou qu'aucun symbole pilote ne soit transmis à certains au moins des N temps symboles.
Le fait que certains au moins des M sous-porteuses ne contiennent aucun symbole pilote et/ou qu'aucun symbole pilote ne soit transmis à certains au moins des N temps symboles, permet dans certains cas (c'est-à-dire avec certaines structures de trames et sous certaines hypothèses concernant la propagation à travers le canal de transmission qui sont prises en compte) de réduire le surdébit de la transmission.
L'invention propose aussi un procédé de poursuite d'un canal de transmission à partir d'un tel signal multiporteuses tel que défini ci-dessus, comprenant les étapes suivantes : a) estimation du canal à partir des symboles pilotes, de manière à produire des valeurs du canal estimées pour au moins certains des symboles de la trame qui correspondent à des symboles pilotes ; b) premières interpolations, à partir desdites valeurs estimées, selon toutes les directions parallèles à ladite première direction déterminée et passant par au moins deux symboles pilotes différents pour lesquels il existe une valeur du canal estimée, de manière à produire des premières valeurs du canal interpolées pour les symboles de la trame suivant toutes ces directions ; c) secondes interpolations, à partir desdites premières valeurs interpolées, selon toutes les directions parallèles à ladite seconde direction déterminée et passant par au moins deux symboles pour lesquels il existe une première valeur interpolée, de manière à produire des secondes valeurs du canal interpolées pour sensiblement la totalité des symboles de la trame ; d) le cas échéant, affectation à chaque symbole de la trame pour lequel il n'existe aucune seconde valeur du canal interpolée, respectivement de la valeur du canal interpolée pour le symbole de la trame qui en est le plus proche et pour lequel il existe une seconde valeur du canal interpolée.
Un tel procédé permet de reconstituer l'ensemble des symboles de la trame, malgré le fait que certains au moins des M sous-porteuses ne contiennent aucun symbole pilote et/ou qu'aucun symbole pilote ne soit transmis à certains au moins des N temps symboles.
L'invention concerne encore un dispositif comprenant des moyens pour la mise en oeuvre du procédé. Le dispositif comprend : - des moyens d'estimation du canal à partir des symboles pilotes, permettant de produire des valeurs du canal estimées pour au moins certains des symboles de la trame qui correspondent à des symboles pilotes ; - des premiers moyens d'interpolation, pour effectuer des premières interpolations à partir desdites valeurs estimées, selon toutes les directions parallèles à ladite première direction déterminée et passant par au moins deux symboles pilotes différents pour lesquels il existe une valeur du canal estimée, de manière à produire des premières valeurs du canal interpolées pour les symboles de la trame suivant toutes ces directions ; - des second moyens d'interpolation, pour effectuer des secondes interpolations, à partir desdites premières valeurs interpolées, selon toutes les directions parallèles à ladite seconde direction déterminée et passant par au moins deux symboles pour lesquels il existe une première valeur interpolée, de manière à produire des secondes valeurs du canal interpolées pour sensiblement la totalité des symboles de la trame.
Lorsque cela est nécessaire, c'est-à-dire lorsque la structure de la trame est telle qu'il existe des symboles dans la trame pour lesquels il n'existe aucune seconde valeur du canal interpolée (notamment les symboles en limite de trame), le dispositif comprend en outre des moyens d'affectation, pour affecter à chaque symbole de la trame pour lequel il n'existe aucune seconde valeur du canal interpolée, la valeur du canal interpolée pour le symbole de la trame qui en est le plus proche et pour lequel il existe une seconde valeur du canal interpolée.
Il est également possible que le matériau des ponts 5 soit celui de l'une des couches magnétiques 2, 3. On se réfère à la figure 5B qui présente ce cas particulier. On peut alors placer la couche diélectrique ou semi-conductrice avec ses ponts électriquement conducteurs à l'intérieur de l'une des couches magnétiques. Sur la figure 5B, elle est très légèrement à l'intérieur de la couche magnétique libre 3, elle se trouve du côté de l'autre couche magnétique 2.
Les deux couches magnétiques 2,3 sont séparées par au moins une couche séparatrice 9 continue en matériau électriquement conducteur amagnétique, par exemple en cuivre. Cela revient à dire que la couche diélectrique ou semi-conductrice 4 avec ses ponts électriquement conducteurs 5 est à l'interface entre la couche magnétique qui l'accueille 3 et la couche séparatrice 9.
Il est possible que l'une des couches magnétiques soit formée d'un empilement de plusieurs couches intermédiaires. Sur la figure 5C, il s'agit de la couche magnétique libre 3. Les couches intermédiaires 3-1,3-2 en matériaux différents renforcent l'amplitude de magnétorésistance géante en
augmentant le contraste de diffusion dépendante du spin et en réduisant les fluctuations magnétiques aux interfaces à température ambiante. L'une des couches intermédiaires 3-2 dite sensible peut être réalisée par exemple en Ni80Fe20 et l'autre 3-1, dénommée couche intermédiaire magnétique de dopage interfacial, la plus proche de la couche magnétique piégée 2, peut être par exemple en Co90FelO. La couche diélectrique discontinue 4 avec les ponts électriquement conducteurs 5 est à l'interface entre la couche 3-1 de dopage interfacial et l'autre couche magnétique 2 mais elle pourrait aussi être incluse dans la couche 3-1 de dopage interfacial.
De manière générale, la couche diélectrique ou semiconductrice discontinue 4 est placée avantageusement le plus près possible de l'autre couche magnétique 2.
Dans cet exemple également une couche séparatrice magnétique 9 est insérée entre la couche diélectrique ou semi-conductrice discontinue 4 avec les ponts électriquement conducteurs et l'autre couche magnétique 2. On suppose que la couche 4 est magnétique.
Sur la figure 8 qui représente une variante d'un dispositif selon l'invention avec une paire de vannes de spin en série, la couche diélectrique ou semi-conductrice avec ses ponts électriquement conducteurs se trouve au sein de la couche magnétique libre et non plus en surface.
Il est toutefois préférable de placer la couche diélectrique ou semi-conductrice 4 avec ses ponts électriquement conducteurs 5 du côté de la couche magnétique piégée 2 pour ne pas nuire à la forte
susceptibilité que doit avoir la couche magnétique libre 3. Cette configuration est illustrée sur les figures 6 et 7 qui montrent encore des dispositifs selon l'invention avec une paire de vannes de spin en série.
On s'arrange pour placer la couche diélectrique ou semi-conductrice 4 avec ses ponts électriquement conducteurs 5 le plus près possible de l'interface entre les couches magnétiques 3,2, car sinon l'effet de concentration de courant à la source de magnétorésistance serait réduit et l'amplitude de la magnétorésistance également.
La couche magnétique piégée 2a, 2b peut être formée d'un empilement de trois couches intermédiaires. On peut la réaliser, comme sur la figure 7, avec deux couches intermédiaires magnétiques piégées (2a2,2a3), (2b2,2b3) prenant en sandwich une couche intermédiaire électriquement conductrice amagnétique 2al, 2bl. On peut par exemple utiliser un empilement CoFe/Ru/CoFe.
D'autres matériaux que le ruthénium sont possibles tels que Ir, Rh, Re.
L'épaisseur de la couche intermédiaire centrale 2al, 2bl peut être comprise entre environ 0,3 et 1 nm.
On réalise ainsi une couche piégée dite synthétique. Une telle couche piégée synthétique permet d'augmenter le champ de piégeage et de renforcer sa stabilité magnétique.
On va voir maintenant plusieurs exemples de dispositifs magnétorésistifs avec une paire de vannes de spin en série, cette structure étant connue sous la dénomination de vanne de spin duale. Une telle vanne de
spin duale peut comporter : une couche magnétique libre centrale 3 et deux couches magnétiques piégées 2a, 2b de part et d'autre de la couche magnétique libre 3.
A titre de témoin, l'héparine standard SPIM a été dépolymérisée dans les mêmes conditions.
Dans ces conditions, la dépolymérisation est complète, et produit des disaccharides.
Les disaccharides principaux, au nombre de huit, qui sont soit N-sulfatés, soit N-acétylés sont représentés sur la Figure 5.
Détection par UV Ces disaccharides sont séparés et identifiés par CLHP, sur colonne échangeuse d'anions comme décrit par LINHARDT et al., (cité ci-dessus).
Les résultats sont illustrés par la Figure 6, représentant le profil disaccharidique de la préparation d'héparine produite par une culture en flacon de mastocytes de foie transfectés (N), par rapport au profil disaccharidique de l'héparine standard (ex).
Ces résultats montrent que tous les disaccharides présents dans l'héparine porcine de référence SPIM sont également présents dans l'héparine de mastocyte, bien que dans des proportions différentes. Le rapport IS/IIS est de 3,7.
Détection par fluorescence Une méthode similaire avec une détection fluorimétrique permet de quantifier uniquement les disaccharides IS et IIS, caractéristiques de l'héparine, et d'en faire le rapport.
La dépolymérisation enzymatique et la séparation CLHP sont conduites de la même manière que celle décrite cidessus.
La séparation est suivie d'une dérivatisation post-colonne, pour former un complexe fluorescent avec la guanidine.
Le disaccharide trisulfaté IS qui possède le facteur de réponse le plus fort par cette technique, est détecté et quantifié par rapport à une solution d'héparine standard de concentration connue.
La limite de détection de la méthode est de l'ordre de 5 ng/ml d'héparine dans les échantillons de culture cellulaire.
Le Tableau 2 ci-dessous illustre le rapport IS/IIS de cultures cellulaires au cours du temps. tableau2
Jours de récolte 3 4 5 6 7 10 11 14 Cellules foie, boîte 1, 9 1,6 1,6 1,4 1, 4 1, 3-1, 4 Cellules foie transfectées, boîte 4,1 5 4,6 6, 6 3, 7 4, 9 5,6 5,7 Cellules foie, flacon 2, 3 Cellules foie transfectées, flacon 9----- EXEMPLE 3 : CARACTERISATION BIOLOGIQUE DE L'HEPARINE PAR DETERMINATION DES ACTIVITES ANTI-XA ET ANTI-IIA Activités biologiques L'inactivation des facteurs Xa et IIa est caractéristique de l'héparine, et permet de la différencier de l'héparane sulfate et du dermatane.
La méthode utilisée est celle décrite dans la monographie des héparines de basse masse moléculaire de la Pharmacopée Européenne 3ème édition (1997).
La réaction se déroule en trois étapes : 1. ATIII + Héparine- [ATIII-Héparine] 2. [ATIII-Héparine] + Facteur (excès)- > [ATIII- Héparine-Facteur] + Facteurésiduel) 3. Facteur (résiduel) + substrat chromophore-pNA La quantité de paranitroaniline (pNA) libérée est mesurée à 405 nm. Elle est inversement proportionnelle à la quantité d'héparine.
L'activité anti-Xa ou anti-IIa est évaluée par rapport à une droite d'étalonnage établie avec le standard SPIM.
La mesure de distance permet d'obtenir des valeurs de consigne avec lesquelles on pilote des moyens 38 de translation de l'objectif 6, moyens qui permettent le déplacement de cet objectif 6 suivant l'axe Z.
Ces moyens de translation sont actionnés par un moteur électrique 42 qui est commandé par les valeurs de consigne.
Le dispositif de la figure 3 comprend aussi une barrette de photodiodes 44 sur laquelle on forme, par l'intermédiaire d'une optique 46, l'image du point de lumineux 48 formé sur l'objet 2 par le rayonnement 34. Le déplacement de cette image est proportionnel à la variation d'altitude du point lumineux 48 (variation d'abscisse sur l'axe Z) lorsqu'on déplace l'objet 2 (supposé irrégulier dans son épaisseur).
Les signaux fournis par la barrette de photodiodes 44 sont envoyés à un ordinateur 50 qui élabore les valeurs de consigne et commande, avec celles-ci, le moteur 42 de manière à maintenir constante la distance entre l'objectif 6 et l'objet 2.
Puisque l'on observe l'image du point lumineux, il n'est pas nécessaire que l'objet soit réfléchissant. C'est pourquoi, dans l'exemple représenté, il est possible de viser le haut de la plaque de microtitration, sur les croisillons 36 de celle-ci, qui se trouvent au voisinage du puits 52 étudié.
Notons qu'une précision de lopin suivant l'axe Z est suffisante lorsqu'on utilise des objectifs dont le grossissement est par exemple de 10X ou 20X.
Un autre dispositif conforme à l'invention, constituant une amélioration du dispositif de la figure 3, est schématiquement représenté sur la figure 4. Il utilise encore un asservissement électronique et permet d'avoir une plus grande précision (de l'ordre de l (im) à fort grandissement (environ 50x).
Ce dispositif de la figure 4 comprend une plaque 54 percée en son centre pour laisser passer la lumière d'observation de l'objet 2 et des moyens de mesure optique de position, par exemple un capteur à triangulation 56 permettant à l'ordinateur 50 d'élaborer les valeurs de consigne avec lesquelles cet ordinateur commande le moteur 42 pour maintenir constante la distance entre l'objectif et l'objet.
On utilise encore la source lumineuse 32 (diode laser ou diode électroluminescente) pour éclairer la plaque percée 54 et y former un point lumineux 58. L'image de ce point est encore formée sur la barrette de photodiodes 56 par l'intermédiaire de l'optique 46. Le déplacement de l'image sur cette
barrette est proportionnel à la variation d'altitude du point lumineux 58.
L'objet 2 peut être une plaque de microtitration que l'on a partiellement représentée sur la figure 6. Le dispositif de la figure 4 permet alors d'estimer, de façon opto-mécanique, la position moyenne du centre d'un puits 52 de cette plaque de microtitration.
L'objet peut aussi être une plaque par exemple de Si, de verre, en cours de fabrication. Des contrôles visuels sont en effet parfois nécessaires après certaines étapes, étapes qui peuvent déformer la surface de la plaque (en sortie de four, une plaque peut présenter une courbure de 200, um).
Le dispositif de la figure 4 comprend en outre quatre éléments 60,62, 64 et 66 qui sont respectivement mobiles en rotation autour d'axes horizontaux (68,70, 72 et 74 (figure 6). Ces derniers sont rendus solidaires d'un cadre rigide 90 fixe par rapport au bâti du microscope tout en permettant la liberté de rotation aux éléments.
Ce cadre est réglé de telle sorte que lorsque la plaque 54 est parfaitement horizontale, l'objectif 6 donne une image au point de la surface de l'objet (fond d'un puits pour une plaque de titration).
Chaque élément comporte en chacune de ses extrémités une demi-calotte sphérique.
La plaque percée 54, qui repose sur l'objet par l'intermédiaire des éléments (formant ainsi des espaceurs) comporte quatre logements 76,78, 80 et 82 (figure 5) respectivement destinés à recevoir quatre
Le dispositif figures 1 à 3, est constitué d'un siège 1 de dimension adaptée à la taille d'un petit enfant, fixé de manière amovible à l'arrière de la motocyclette 2.
Le siège 1, monté dans un châssis support 3 métallique, est formé d'une assise 4 et d'un dossier 5 pourvus chacun d'un coussin, ainsi que de deux panneaux latéraux 6 avec rembourrage 7 structurés de façon à assurer la protection de l'occupant en cas de chute de la motocyclette 2 sur le côté ou de chocs latéraux.
Le siège 1 peut également être constitué d'une coque en polyester ou en A. B. S.
L'enfant est fermement maintenu sur le siège 1 grâce à une double ceinture de sécurité 8 à éléments croisés fixée d'une part à la partie haute du dossier 5 et d'autre part à la base des panneaux latéraux 6 ou du dossier.
Le châssis support 3, rigide et indéformable, est de préférence de type tubulaire soudé, renforcé par des entretoises arrières 9 et latérales 10, mais pourra toutefois être constitué de profilés métalliques de types appropriés.
Il est fixé de façon amovible à l'arrière de la motocyclette 2, derrière la selle 11, par exemple en utilisant les aménagements existants destinés à recevoir un porte-bagage. La stabilité de l'ensemble est renforcée par des bras 12 solidaires de l'embase du châssis support 3 et fixés à un élément de la structure de la motocyclette 2, par exemple à la partie haute des amortisseurs 13.
L'invention a pour objet principal une nouvelle voie d'accès à des sels quaternaires de phénanthridinium et vise également un procédé de préparation d'intermédiaires réactionnels de cette voie de synthèse.
Les sels quaternaires de phénanthridinium sont des intermédiaires de synthèse particulièrement recherchés dans la mesure où d'une part ils figurent des précurseurs de médicaments utiles en santé animale comme trypanosomicides et d'autre part sont euxmêmes actifs comme dérivés pharmaceutiques contre la maladie du sommeil. Ils sont également utilisés comme médicaments intercalants de l'ADN et/ou agents antitumoraux pour le traitement des maladies parasitaires.
Les sels quaternaires de phénanthridinium peuvent être représentés comme suit :
D'une manière générale, ces sels quaternaires de phénanthridinium sont obtenus par quaternisation de la phénanthridine correspondante. Toutefois, cette voie d'accès conventionnelle ne donne pas totalement satisfaction notamment pour les raisons suivantes : Tout d'abord, les phénanthridines sont des hétérocycles peu réactifs dans la réaction de quaternisation car, d'une part, leur basicité est faible (pKa = 4,47) et, d'autre part, l'encombrement stérique de tout substituant adjacent à l'atome d'azote (R6) diminue la réactivité nucléophile de l'hétérocycle. Pour surmonter ce défaut de réactivité naturel, il s'avère nécessaire d'effectuer les quaternisations de dérivés de la phénanthridine à température élevée voire sous pression si nécessaire. Ainsi, dans le cas de la méthylation, la réaction de la phénanthridine avec l'iodure de méthyle (PE-41 C), est réalisée à 110 C. Pour les dérivés alkylés de la phénanthridine, les cinétiques effectuées avec l'iodure de méthyle sont réalisées à 60-95 C en ampoules scellées.
Cette difficulté est par ailleurs accentuée dans le cas de dérivés de la phénanthridine dont la réactivité nucléophile est diminuée (comme pour tous les autres composés azaaromatiques), par la présence de groupements électroattracteurs tels que
les groupes nitro. C'est ainsi que la phénanthridine portant un groupement métanitrophényle en R6 est quatemisée par le sulfate de méthyle dans le nitrobenzène à 150 C. De même, la phénanthridine portant deux groupes nitro en R3 et R8 et un groupement paracyanophényle en R6nécessite une température de 180 C pour être quaternisée par le sulfate de méthyle.
Enfin, cette difficulté à quaterniser les dérivés de la phénanthridine est significativement accrue dans le cas des alkylations visant à introduire d'autres groupements alkylés plus volumineux que le groupement méthyle et, en particulier, le groupement éthyle que représente le groupe R5 et qui permet d'atteindre les dérivés homidium et isométamidium.
En effet, si les quaternisations sont ralenties par l'effet réductif (attracteur) de certains substituants (qui diminuent la basicité de l'hétérocycle) et l'effet stérique des substituants R6en ortho (qui empêchent l'approche du réactif d'alkylation), elles le sont également en raison de l'effet stérique du réactif d'alkylation. C'est ainsi que pour introduire le groupement éthyle, les halogénures d'éthyle, chlorure, bromure et iodure d'éthyle, nécessitent de travailler sous pression.
En conséquence, il serait particulièrement avantageux de disposer d'une nouvelle voie d'accès aux sels quaternaires de phénanthridinium qui permet d'une part de s'affranchir de cette opération de quaternisation dont la mise en #uvre s'avère difficile et dangereuse et d'autre part d'obtenir des sels de phénanthridinium difficilement synthétisables aujourd'hui par la voie conventionnelle pour des raisons d'encombrement stérique et/ou de réactivité défavorables. C'est notamment le cas des sels de phénanthridinium, portant des groupements nitro et qui sont des intermédiaires de synthèse de trypanosomicides comme les dérivés homidium, dimidium ou isometamidium.
Pendant, après ou cocourant aux étapes décrites ci-dessus PI, P2, une étape de formation de précurseur de corps de noyau SI et une étape de cuisson de précurseur de corps de noyau S2 sont mises en place pour préparer le corps de noyau cylindrique 14. Dans l'étape de formation du précurseur de corps de noyau SI, un mélange de grains abrasifs d'alumine (ou de grains abrasifs de carbure de silicium), de liant vitrifié, d'agent agglomérant avec un rapport prédéterminé entre ses composants est placé dans un moule de façon à ce qu'un précurseur de corps de noyau soit formé du mélange. Le précurseur formé est retiré du moule et est alors
soumis à cuisson dans l'étape de cuisson du précurseur de corps de noyau S2. Le corps de noyau cylindrique 14 est alors préparé.
Une étape de collage P3 est mise en place pour coller la particule abrasive segmentée 52 (préparée dans les étapes PI, P2) et le corps de noyau cylindrique 14 (préparé dans les étapes SI, S2) l'un à l'autre par un adhésif tel qu'un liant en résine époxy de type à deux liquides. Tel qu'illustré en figure 12, dans l'étape de collage P3, le corps de noyau 14, la particule abrasive segmentée 52 et un bloc de maintien 70 sont placés sur le socle 60 composé d'un métal tel qu'un acier. Le bloc de maintien 70 est déplacé pour forcer la particule abrasive segmentée 52 contre la surface périphérique extérieure du corps de noyau 14 (qui est maintenue en contact au niveau de sa face plane axiale avec une surface du socle 60), de telle manière à ce que la particule abrasive segmentée 52 soit maintenue en contact avec la surface périphérique extérieure du corps de noyau 14 par l'intermédiaire d'un adhésif. C'est- à-dire, le contact de la particule abrasive segmentée 52 avec le corps de noyau 14 par l'intermédiaire de l'adhésif est maintenu par le bloc de maintien 70 jusqu'à ce que le durcissement de l'adhésif soit terminé. Dans ce cas, une force agissant sur la surface périphérique extérieure du corps de noyau cylindrique 14 est répartie de manière sensiblement égale dans la direction axiale du corps de noyau cylindrique 14. On doit noter que l'adhésif est utilisé également pour coller chaque particule segmentée 52 à la particule segmentée adjacente 52.