INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
même plan radial.
A la différence des faces de sortie 82 à 96, les éléments dioptriques 100 formant la surface centrale 80 sont agencés suivant un maillage rectangulaire, ici parallèle à l'axe vertical V s V. On note que les éléments dioptriques 100 de la surface centrale 80 qui sont adjacents à son bord circulaire 81 sont des
portions de rectangle qui comportent un bord en arc de cercle.
On expliquera maintenant le fonctionnement du feu de o signalisation 10 selon l'invention, notamment au regard de la figure 6, qui illustre schématiquement la trajectoire des rayons
lumineux émis par la diode 14.
L'ensemble du système optique constitué par la diode 14 et la pièce optique 12 étant globalement de révolution autour de I'axe optique A-A, on expliquera le fonctionnement optique uniquement dans le demi-plan axial qui est représenté sur la
Les particules de dimensions nanométriques à base des composés des éléments cérium, titane ou zirconium qui sont présentes dans le matériau de l'invention sont des particules au moins partiellement cristallines, au sein desquelles l'oxyde métallique présente généralement un taux de cristallinité allant de préférence de 30 à 100 % en volume. Le taux de cristallinité volumique d'un oxyde métallique donné, présent au sein des particules de dimensions nanométriques du matériau de l'invention, peut être calculé par le rapport de l'aire du pic de diffraction mesurée par diffraction RX pour un échantillon du composé selon l'invention à l'aire du même pic de diffraction mesurée pour un échantillon témoin dudit oxyde à l'état totalement cristallisé, corrigé des coéfficients d'absorption des oxydes correspondants.
La présence de ces particules partiellement cristallisées au sein de la phase minérale confère aux composés ou matériaux mésostructurés de l'invention, en plus d'un agencement ordonné de leur réseau de pores, un taux de cristallinité global généralement au moins égal à 10% en volume, et préférentiellement d'au moins 30% en volume, ce taux de cristallinité volumique global étant calculé en multipliant le taux de cristallinité volumique déterminé expérimentalement pour les particules, selon la méthode décrite ci-dessus, par la fraction de volume du matériau qui est occupée par lesdites particules. Plus particulièrement encore, le composé selon la présente invention présente un taux de cristallinité global en volume d'au moins 50% et encore plus préférentiellement d'au moins 60%.
Par"taux de cristallinité d'un matériau mésostructuré"au sens de l'invention, on entend le taux de cristallinité propre des parois de la structure, qui prend globalement en compte à la fois la cristallinité éventuelle de la phase minérale d'alumine ou phase liante et la cristallinité des particules de dimensions nanométriques incluses dans cette phase liante. A ce sujet, il faut donc bien souligner que la cristallinité du matériau, au sens de
l'invention, correspond à une organisation microscopique détectable notamment par diffraction (par exemple par diffraction de rayons X aux grands angles), qui est à distinguer en particulier de l'ordre présenté, à un niveau plus macroscopique, par la mésostructure du matériau.
La phase minérale du matériau mésostructuré de la présente invention intégrant les particules de dimension nanométrique définies précédemment constitue quant à elle une phase minérale, amorphe à partiellement cristalline, constituée d'alumine.
Plus particulièrement ledit composé présente une homogénéité chimique telle que les domaines d'hétérogénéité sont d'au plus 25 nm2.
Par homogénéité chimique telle que les domaines d'hétérogénéité sont d'au plus x nm2, on entend un composé qui présente une homogénéité chimique sur une surface de x nm2 au moins. Par exemple par homogénéité chimique telle que les domaines d'hétérogénéité sont d'au plus 100 nm2 on entend un composé qui présente une homogénéité chimique à une surface d'au moins 10 nm x 10 nm sur coupes ultramicrotones. Ceci signifie qu'il n'y a pas de différence dans la composition chimique des produits de l'invention entre différentes zones de surface de 100 nm2.
Ces caractéristiques d'homogénéité sont déterminées par analyse MET-EDS. Plus particulièrement, le domaine d'hétérogénéité a été mesuré par la méthode de cartographie par spectroscopie à dispersion d'énergie (EDS) en utilisant une microsonde de microscopie électronique à transmission (MET) sur des coupes ultramicrotomes. Ces analyses étant réalisées avec un microscope équipé d'une source de 300 KV (à confirmer) et les coupes ultramicrotomes possèdent une épaisseur de 80 nm, plus ou moins 20 nm.
Dans un mode de réalisation préféré, le composé selon l'invention peut comprendre une phase minérale d'alumine au sein de laquelle sont dispersées des particules de cérium. Dans ce cas l'alumine et le cérium sont présents en quantité telle que le rapport atomique Ra = AI 1 (Ce + AI) est d'au plus 50%, de préférence au plus 25%.
Le composé selon l'invention possède avantageusement une structure mésostructurée dont l'épaisseur globale des parois du composé est comprise entre 2 et 10 nm.
Le composé selon l'invention possède avantageusement une structure mésoporeuse comportant des pores de taille comprise entre 2 et 12 nm, de préférence entre 3 et 9 nm.
Le composé selon l'invention est avantageusement un solide qui présente au moins localement une ou plusieurs mésostructure (s) choisie (s) parmi :
les mésostructures mésoporeuses de symétrie hexagonale tridimensionnelle P63/mmc, de symétrie hexagonale bidimensionnelle P6mm, de symétrie cubique tridimensionnelle la3d, Im3m ou Pn3m ; ou les mésostructures de type vésiculaires ou lamellaires, les mésostructures de type vermiculaires.
En ce qui concerne la définition de ces différentes symétries et structures, on pourra se référer par exemple à Chemical Materials, vol. 9, ? 12, pp. 2685-2686 (1997) ou encore à Nature, vol. 398, pp. 223-226 (1999) ou encore dans Science Vol 269, pp 1242-1244 (1995) D'autre part, les composés de l'invention présentent une bonne stabilité en température et une surface spécifique élevée, supérieure à 650m2/cm3 pour une température de calcination de 6 heures à 500 C. Cette surface spécifique exprimée en m2/cm3 est obtenue en multipliant la surface généralement mesurée en m2/g par la densité du matériau composite. Pour un composé dont les particules de dimension nanométrique sont à base d'un composé de cérium, cette surface spécifique est comprise préférentiellement entre 100 et 500 m2/g.
Le procédé selon l'invention va maintenant être décrit.
Le procédé de préparation du produit selon l'invention comprend les étapes suivantes : 1) on forme un mélange aqueux comprenant : une dispersion colloïdale d'alumine - au moins un agent texturant une dispersion colloïdale d'un composé de cérium, de titane ou de zirconium dans laquelle le composé de cérium, de titane ou de zirconium est fonctionnalisé par un agent de surface de formule X-A-Y dans laquelle : a) X est une fonction complexant du cation du composé de cérium, de titane ou de zirconium de la dispersion colloïdale ; b) A est un groupement de type alkyl linéaire ou ramifié ; c) Y est un groupement amine ou hydroxy ; les dispersions colloïdales d'alumine et du composé de cérium, de titane ou de zirconium présentant une conductivité inférieure à 25mS/cm ; 2) on élimine l'eau du mélange précité ; 3) on élimine l'agent texturant.
Avantageusement les dispersions colloïdales utilisées pour préparer le mélange de l'étape 1 sont du type de celles décrites notamment dans les brevets EP 206 906 et EP 208 580 (notamment pour la dispersion colloïdale de cérium), ou dans Materials Letters 40 (1999) 52-58 (notamment pour la dispersion colloïdale d'alumine). Ces dispersions peuvent également être obtenues notamment par traitement acide et lavage
de dispersions de poudres ultrafines obtenues par exemple par des procédés de synthèse à haute température du type des combustions de chlorures métalliques dans une flamme, connus de l'homme du métier.
De façon préférentielle, la concentration en particules dans les dispersions utilisées selon l'invention exprimée en mole de cation est supérieure à 1 M.
La dispersion colloïdale d'alumine a de préférence un pH compris entre 3 et 6. De plus il est préférable d'utiliser une dispersion colloïdale d'alumine dont la taille des particules ou colloïdes est comprise entre 1 nm et 5 nm.
La dispersion colloïdale d'un composé de cérium, de titane ou de zirconium possède de préférence des particules ou colloïdes dont la taille moyenne est comprise entre 3 nm et 8 nm.
Les dispersions colloïdales d'alumine et de composé de cérium, de titane ou de zirconium utilisées sont purifiées par lavage par la technique d'ultrafiltration pour présenter le niveau de conductivité mentionné plus haut. La valeur de conductivité donnée plus haut s'entend pour une mesure faite sur des dispersions à pH compris entre 2 et 5 et à une concentration en cation de 1 M. Cette conductivité mesurée dans ces conditions est ainsi inférieure à 25mS/cm, avantageusement inférieure à 8mS/cm.
Le milieu initial formé lors de l'étape (1) est un milieu aqueux, mais il peut également s'agir d'un milieu hydro-alcoolique, et de préférence dans ce cas d'un milieu eau/éthanol.
Le mélange préparé à l'issu de l'étape 1 comprend au moins un agent texturant.
Cet agent texturant présent dans le mélange est un composé amphiphile de type tensioactif, notamment un copolymère. La caractéristique essentielle de ce composé est qu'il est susceptible de former des phases cristal liquide dans le mélange réactionnel, de façon à conduire à la formation, d'une matrice minérale possédant une mésostructure organisée par mise en oeuvre du mécanisme de texturation LCT : (Liquid Cristal Templating).
Cependant, de façon à mettre en oeuvre un processus de texturation neutre qui présente l'avantage de conduire, à une augmentation de l'épaisseur des parois obtenues et donc à une amélioration de la stabilité de la structure finale, l'agent texturant utilisé dans le procédé selon l'invention est de façon préférentielle un composé non chargé dans les conditions de mise en oeuvre du procédé.
Avantageusement, l'agent texturant selon l'invention est un tensioactif non ionique de type copolymère, et notamment choisi parmi les copolymères séquencés du type dibloc ou tribloc.
De préférence, dans le cas d'un procédé conduit en milieux aqueux ou hydroalcoolique, on utilise un agent texturant non ionique de type copolymère séquencé, et plus préférentiellement un copolymère tribloc poly (oxyde d'éthylène) -poly (oxyde de
propylène) -poly (oxyde d'éthylène) dit PEO-PPO-PEO (encore appelé (EO) x- (PO) y- (EO) z du type de ceux décrits notamment par Zhao et al. Dans le Journal of the American Chemical Society, vol. 120, pp. 6024-6036 (1998), et commercialisé sous le nom de marque générique de Pluronice par BASF. Avantageusement on peut également mettre en oeuvre des tensioactifs non ioniques tels que les poly (oxyde d'éthylène) greffés (EO) xCy commercialisés par Aldrich sous les noms de marques Brj ou Tween, ou encore des tensioactifs non ioniques à tête sorbitan du type de ceux commercialisés par Fluka sous le nom de marque Spans.
L'agent texturant peut aussi être un copolymère séquencé poly (oxyde d'éthylène)- poly (isopropène) ou un copolymère séquencé poly (oxyde d'éthylène)-poly (isoprène).
Selon l'invention la dispersion colloïdale du composé de cérium, de titane ou de zirconium est caractérisé en ce que le composé de cérium, de titane ou de zirconium est fonctionnalisé par un agent de surface de formule X-A-Y. L'agent de surface peut aussi se trouver sous forme libre au sein de la dispersion.
Cet agent de surface est un composé organique dans lequel A est un groupe alkyl linaire ou ramifié, éventuellement substitué, qui peut par exemple comprendre de 1 à 12 atomes de carbone, de préférence entre 2 et 8 atomes de carbone.
en référence au premier mode de réalisation.
Chacun des éléments dioptriques 100 a ici une surface avant 104 convexe, de manière à former un dioptre convergent,
comme dans la variante de réalisation représentée sur la figure 7.
Les éléments dioptriques 100 ont ici une forme sensiblement carrée (en vue de face) Comme on peut le voir sur la figure 8, les éléments
dioptriques 100 forment ici un maillage rectangulaire.
o Selon une variante de réalisation (non représentée) de l'invention, les éléments dioptriques 100 peuvent étre agencés en
couronnes comme dans le premier mode de réalisation.
Les éléments dioptriques 100 sont ici étagés radialement vers l'extérieur et axialement vers l'arrière, formant ainsi des escaliers qui descendent depuis l'axe optique A-A vers l'extérieur
et vers l'arrière.
Chaque élément dioptrique 100 est donc lié à l'élément dioptrique 100 qui lui est radialement adjacent par une surface 134, ici sensiblement parallèle à l'axe A-A. Selon une autre variante de réalisation (non représentée) de l'invention, la face avant 132 de la pièce optique 12 peut étre globalement plane, de sorte que tous les éléments dioptriques
soient contenus globalement dans un même plan radial.
o Selon cette variante, la pièce optique 12 a alors une forme globalement cylindrique, avec une face avant de sortie 132 radiale et une face arrière concave 116, en forme de calotte sphérique. On note que, dans le mode de réalisation représenté ici, les éléments dioptriques 100, qui sont agencés axialement en regard de la partie centrale 118, sont contenus globalement dans un méme plan radial et ils forment ainsi une face avant centrale
de sortie 80.
Grâce à la forme de calotte sphérique de la pièce optique 12, celle-ci entoure et recouvre sensiblement la totalité du globe de la diode 14, de sorte que tous les rayons lumineux émis par la diode 14 sont récupérés par la face arrière 116 de la pièce
optique 12.
Le fonctionnement du feu de signalisation 10 suivant le deuxième mode de réalisation de l'invention est similaire à celui
De façon analogue, la figure 6 représente un arbre d'analyse correspondant aux règles Re1, Re2 et Re3 en analysant d'abord la valeur de y, puis la valeur de z, et, en dernier, celle de x, conformément à l'ordre croissant du nombre d'intervalles définis respectivement pour x, y et z. Deux n#uds intermédiaires 107 correspondent aux résultats de l'analyse des valeurs de y, effectuée en premier lieu, et six noeuds intermédiaires 108 aux résultats de l'analyse des valeurs de z, effectuée ensuite.
Dans cet arbre d'analyse de la figure 6, les sous-arbres correspondant aux résultats des analyses de y puis z suivants [(y 9) et (z 8) ] d'une part, et [2 # y # 9 et z 9) et 3 8] d'autre part sont identiques. L'arbre d'analyse de la figure 7 correspond alors à celui de la figure 6 en regroupant les sous-arbres homologues.
La configuration de la mémoire Trie, selon ce dernier arbre d'analyse,
nécessite autant de registres que de n#uds 100, 107 ou 108, soit 6 registres au total. Ainsi, 3 registres de mémoire Trie ont été économisés par rapport à la configuration de la mémoire Trie issue de l'arbre d'analyse de la figure 5. Un exemple de configuration de la mémoire Trie qui correspond à l'arbre d'analyse de la figure 7 est :
0123456789ABCDEF RO 1 1 4 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 1 1 R1 2 2 2 3 3 3 3 3 3 2 2 2 2 2 2 2 R2 O O O A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3 O O O R3 0 0 0 A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3 A1 A1 A1 A1 A1 A1 R4 2 2 2 3 3 3 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 R5 0 0 0 A3 A3 A3 A2 A2 A2 A2 A2 A2 A2 A2 A2 A2 R6 R7
La figure 8 détaille les différentes étapes de la création d'un nouvel arc de l'arbre d'analyse selon le mode de mise en #uvre préféré du procédé de l'invention qui évite, dès la construction de l'arbre d'analyse, la création de sous-arbres homologues. Il s'agit de déterminer le point d'arrivée d'un nouvel arc issu d'un n#ud NP d'un p-ième étage de l'arbre d'analyse, et associé à un domaine D déterminé pour l'emplacement Ep associé au p-ième étage.
La méthode décrite est appliquée de façon récurrente à chaque étage de l'arbre d'analyse, pris selon l'ordre des emplacements respectivement associés aux étages. Cette méthode génère les n#uds de l'arbre d'analyse, en même temps qu'elle attribue à chaque n#ud créé un sous-ensemble de règles.
Ainsi, avant l'application de la présente méthode au n#ud NP, un sousensemble {Rj} de règles est déjà associé à ce n#ud, j étant un nombre entier de numérotation.
On suppose que chaque règle Rj attribue une action lorsque, pour certains emplacements, la chaîne binaire lue à cet emplacement est comprise
dans une plage de valeurs spécifiée par cette règle. Cette forme des règles Rj correspond à celle des exemples précédents.
Dans une première interrogation 200, on recherche celles des règles Rj dont une plage contient le domaine D pour lequel l'arc associé est en cours de création. Si aucune des règles Rj ne possède une plage contenant le domaine D, alors le point d'arrivée de l'arc est une feuille 102,106 associée à l'action définie par défaut 0, selon l'étape 201.
Dans le cas positif, la seconde interrogation 210 consiste à rechercher parmi les règles Rji identifiées lors de l'étape 200, les règles Rj2 dont au moins une plage correspond à un emplacement Eq postérieur à l'emplacement Ep selon l'ordre de tri des emplacements. Si aucune des règles Rji ne possède de plage correspondant à un emplacement postérieur à Ep, alors (étape 211) le point d'arrivée de l'arc est une feuille 102,106 associée à l'action de la règle la plus prioritaire parmi les règles Rji identifiées à l'étape 200.
Dans le cas où des règles Rj2 sont identifiées lors de l'étape 210, on recherche alors, dans une étape 220, si un n#ud NP+1 déjà créé dans l'étage (p+1) de l'arbre d'analyse est associé au sous-ensemble {Rj2} des règles identifiées. Dans le cas affirmatif, ce n#ud est le point d'arrivée du nouvel arc issu du n#ud NP (étape 222). Dans le cas négatif, un nouveau n#ud Np+1 est créé dans l'étage (p+1 ) et associé au sous-ensemble {Rj2} des règles identifiées lors de l'étape 210 (étape 221).
Cette analyse est répétée pour chacun des domaines D déterminés pour l'emplacement Ep, afin d'établir l'arc issu du n#ud NP associé à chacun d'eux. Elle est ensuite répétée de façon identique pour un n#ud suivant du p-ième étage de l'arbre d'analyse, jusqu'à épuisement des n#uds de cet étage. Enfin, elle est encore itérée pour tous les n#uds de l'étage suivant (p+1), de façon à poursuivre la construction de l'arbre d'analyse.
Cette méthode de création de nouveaux arcs est mise en #uvre pour la construction d'un quatrième arbre correspondant aux règles données en
référence à la figure 5. De même que pour la figure 6, les emplacements sont classés selon l'ordre objet de l'invention. L'arbre résultant est représenté sur la figure 9.
Ainsi constitué, cet interrupteur Kl se présente sous la forme d'un interrupteur subdivisé en deux interrupteurs secondaires 11-13 et 12-14 qui permettent, d'une part, chacun une réversibilité de la tension, et d'autre part, pour le premier 11-13, le passage d'un courant positif ou négatif, et pour le second 12-14 le passage d'un courant négatif ou positif.
Le mécanisme de commutation comporte quant à lui, en premier lieu, des moyens de mesure de la tension aux bornes de l'interrupteur Kl,
constitués d'un capteur 15 de mesure différentiel de tension apte à délivrer un signal dont la grandeur est une image de la valeur absolue de la tension aux bornes de Kl.
Ce capteur de mesure 15 est relié à une des entrées de deux comparateurs de tension 16,17 adaptés pour délivrer un signal de changement d'état respectivement à l'ouverture et à la fermeture, pour deux seuils de tension prédéfinis respectivement d'ouverture et de fermeture.
Ainsi, le seuil de fermeture automatique engendrant l'émission d'un signal de changement d'état par le comparateur 16 est un seuil haut, par exemple 1000 V (en valeur absolue).
Le seuil d'ouverture automatique engendrant l'émission d'un signal de changement d'état par le comparateur 17 est quant à lui un seuil bas, par exemple de 8 V (en valeur absolue), qui constitue également un seuil de fermeture spontanée.
En vue d'entraîner un changement d'état commandé, à la fermeture ou à l'ouverture, de l'interrupteur Kl, ce mécanisme de commutation comprend, en outre, deux lignes de commande 18,19 sur lesquelles sont délivrés des signaux constitués d'impulsions périodiques de commande respective de l'ouverture commandée et de la fermeture commandée de l'interrupteur Kl.
De plus, en vue de ces changements d'état commandés, deux lignes de dérivation 20,21 comportant chacune un inverseur 22,23 sont connectées chacune à une des lignes de commande 18,19 et à une entrée d'une porte logique"ET"24, 25 dont l'autre entrée reçoit le signal issu d'un des comparateurs 16,17. Ces lignes de dérivation 20,21 suppriment ainsi tout antagonisme entre la commutation commandée par l'électrode externe et la commutation automatique.
Chacune des lignes de commande 18,19 est quant à elle connectée en sortie d'une des portes logiques 24,25.
En supplément, ce mécanisme de commutation permet également d'obtenir une fermeture commandée de l'interrupteur Kl. A cet effet, ce mécanisme de commutation comprend une ligne de commande auxiliaire 30
sur laquelle est interposé un sélecteur 10, et reliant la ligne de commande 19 aux gâchettes des thyristors 13,14 de l'interrupteur Kl.
Par ailleurs, en vue d'entraîner une fermeture spontanée de l'interrupteur Kl, une ligne de fermeture spontanée 26 comportant un inverseur 27 est connectée en sortie du comparateur 17 associé au seuil d'ouverture automatique et en sortie de la porte logique 24 associée à l'autre comparateur 16.
Tel que précité, le choix du mode de commutation est déterminé par la sélection de la position de sélecteurs : un sélecteur 6 à trois positions (a), (b), (c) pour le choix du mode de commutation à la fermeture dont, tel que représenté à la figure 2 : la position (a) détermine le choix d'une fermeture automatique, la position (b) détermine le choix d'une fermeture commandée et entraîne la fermeture d'un sélecteur asservi 9, situé sur la ligne de dérivation 21 associée à la ligne de commande à la fermeture 19, la position (c) détermine le choix d'une fermeture spontanée, un sélecteur 7 à deux positions (d), (e) pour le choix du mode de commutation à l'ouverture dont, tel que représenté à la figure 2 : * la position (d) détermine le choix d'une ouverture commandée et entraîne la fermeture d'un sélecteur asservi 8 situé sur la ligne de dérivation 20 associée à la ligne de commande à l'ouverture 18, * la position (e) détermine le choix d'une ouverture automatique. un sélecteur 10 ouvert ou fermé dont la position fermée détermine le choix d'une fermeture commandée.
En dernier lieu, le signal de commande à la fermeture, de nature fonction de la position du sélecteur 6, est délivré vers l'entrée "set" d'une bascule électronique 28 dont la sortie Q est reliée aux électrodes de commande des transistors 11, 12 de l'interrupteur Kl.
Le signal de commande à l'ouverture, de nature fonction de la position du sélecteur 7, est quant à lui délivré vers l'entrée "reset" de la bascule électronique.
Un tel mécanisme de commutation permet ainsi de sélectionner au choix plusieurs modes de commutation de l'interrupteur Kl, en fonction de la position choisie des sélecteurs 6,7 et 10 : fermeture commandée-ouverture automatique : positions respectives (b) et (e) des sélecteurs 6,7, ou position (e) du sélecteur 6 et position fermée du sélecteur 10, fermeture spontanée-ouverture automatique : positions respectives (c) et (e) des sélecteurs 6,7, fermeture automatique-ouverture commandée : positions respectives (a), (d) des sélecteurs 6,7, fermeture automatique-ouverture automatique : positions respectives (a), (e) des sélecteurs 6,7, fermeture automatique-ouverture spontanée : position (a) du sélecteur 6 et ouverture spontanée réalisée par les jonctions séries de l'interrupteur Kl.
La fonction X est une fonction complexant du cation métallique du colloïde de la dispersion colloïdale du composé de cérium, de titane ou de zirconium. Par fonction complexant, on entend une fonction qui permet la formation d'une liaison complexante entre le cation du colloïde, par exemple le cation cérium, et l'agent de surface. Cette fonction peut être une fonction du type phosphonate-POs ', ou phosphate-PO, carboxylate-C02-, ou suifate-SO', sutfonate-SOs par exempte.