INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'utilisateur peut modifier à tout moment la programmation de l'affichage en augmentant ou en diminuant la durée de communication vocale qu'il souhaite conserver. Il peut également sélectionner l'affichage de toutes les trames I, P et B de la séquence vidéo.
A l'étape 30, l'unité centrale commande le décodage automatique des séquences vidéo reçues et la mémorisation de ces séquences et évalue la durée probable nécessaire pour afficher la séquence vidéo mémorisée da.
A l'étape 40, l'unité centrale 2 scrute l'état de charge de la batterie 14 et commande l'affichage de la durée probable de communication encore disponible dc et de la durée probable nécessaire pour afficher la séquence vidéo mémorisée da.
A l'étape 50, l'unité centrale 2 compare la durée probable de communication encore disponible dc avec la somme (dv+da) de la durée de communication vocale dv que l'utilisateur souhaite conserver et la durée probable nécessaire pour afficher la séquence vidéo mémorisée da et : - si dc est supérieur à dv+da, alors, l'unité centrale 2 commande, à l'étape 60, l'affichage de toutes les trames I, P et B de la séquence vidéo mémorisée ; - si dc est inférieur à dv+da, alors l'unité centrale 2 commande, à l'étape 70, l'affichage des trames I ou d'une partie de ces trames de manière à conserver une durée au moins égale à dv à la fin de l'affichage.
A l'étape 80 les trames à afficher sont envoyées sur l'écran 8.
A titre d'exemple, les tableaux I, II, III et IV suivants illustrent respectivement les trames vidéos à l'entrée d'un décodeur intégré au téléphone mobile, à la sortie dudit décodeur, à l'entrée d'un gestionnaire
d'affichage pilotant l'écran 8 si dc est inférieur à dv+da, et à la sortie dudit gestionnaire d'affichage si dc est supérieur à dv+da.
L'entrée du décodeur :
Trames n 1 4 2 3 7 5 6 10 8 9 13 11 12 Type I P B B P B B I B B P B B
Tableau I A la sortie du décodeur
Trames n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Type I B B I B B P B B I B B B taureau 11 A l'entrée du gestionnaire d'affichage si dc est inférieur à dv+da.
interaction à travers cette couche intermédiaire.
Selon un mode de réalisation préféré du dispositif objet de l'invention, ce dispositif comprend en outre une deuxième couche antiferromagnétique couplée à la couche de stockage par anisotropie d'échange.
De préférence, la température de blocage de l'aimantation de cette deuxième couche antiferromagnétique est inférieure à la température de blocage de la couche de référence.
Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, les moyens d'échauffement de la couche de stockage comprennent des moyens prévus pour faire circuler un courant d'électrons à travers la jonction tunnel magnétique.
Les moyens d'application du champ magnétique à la couche de stockage peuvent comprendre des moyens d'injection, dans cette couche de stockage d'un courant d'électrons dont le spin est polarisé.
La présente invention concerne aussi une mémoire comprenant une matrice de points mémoires adressables par des lignes et des colonnes d'adressage, cette mémoire étant caractérisée en ce que chaque point mémoire comprend : - un dispositif magnétique conforme à l'invention, et - un moyen de commutation de courant placé en série avec ce dispositif magnétique, chaque dispositif magnétique étant relié à une ligne d'adressage et chaque moyen de commutation étant relié à une colonne d'adressage.
La présente invention concerne également un procédé d'écriture d'une information dans un dispositif magnétique conforme à l'invention, dans lequel : on chauffe la couche de stockage à une température supérieure à la température de blocage de l'aimantation de cette couche de stockage et - pendant le refroidissement de la couche de stockage, on applique à cette couche de stockage un champ magnétique apte à orienter l'aimantation de cette couche de stockage par rapport à l'aimantation de la couche de référence, sans modifier l'orientation de cette couche de référence.
De préférence la valeur, vue par la couche de référence, du champ magnétique appliqué au cours du stockage, est inférieure à la valeur que prend le champ magnétique de retournement de l'aimantation de la couche de référence à la température maximale atteinte par cette couche au cours de l'échauffement de la jonction.
Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé d'écriture objet de l'invention, la couche de stockage est couplée à une couche antiferromagnétique par anisotropie d'échange et l'on chauffe la couche de stockage et cette couche antiferromagnétique à une température supérieure à la température de blocage de l'aimantation de ces couches et, au cours du refroidissement de la couche antiferromagnétique, on oriente l'aimantation de la couche de stockage dans une direction quelconque prédéfinie par la direction d'aimantation du champ magnétique appliqué pendant le refroidissement.
La présente invention concerne en outre un procédé de lecture d'une information mémorisée dans un dispositif conforme à l'invention, dans lequel on détermine la valeur de la résistance de la jonction tunnel magnétique, et - on déduit l'orientation de l'aimantation de la couche de stockage à partir de cette valeur de la résistance.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A et 1B illustrent schématiquement le principe de fonctionnement d'un dispositif magnétique connu, à jonction tunnel, et ont déjà été décrites, - la figure 2 est une vue schématique et partielle d'une mémoire comprenant une matrice de dispositifs magnétiques à jonction tunnel - la figure 3 illustre schématiquement le principe de fonctionnement d'un dispositif magnétique à jonction tunnel conforme à l'invention, - la figure 4 est une vue en coupe schématique d'un exemple de jonction tunnel qui est utilisable dans la présente invention et dont des couches ont une aimantation perpendiculaire au plan de ces couches, - la figure 5 est un graphique illustrant l'obtention de deux champs coercitifs différents en couplant à un matériau antiferromagnétique l'une des
deux couches d'une jonction tunnel utilisable dans l'invention, - la figure 6 est un graphique montrant les variations du champ de retournement en fonction de la température pour des multicouches utilisables dans l'invention, - la figure 7 illustre schématiquement un exemple d'un ensemble de dispositifs magnétiques conformes à l'invention, utilisant des jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire au plan de leurs couches, - la figure 8 illustre schématiquement un exemple de dispositif magnétique conforme à l'invention, utilisant la combinaison d'un échauffement par effet Joule et d'une commutation magnétique par injection d'un courant d'électrons dont le spin est polarisé, - la figure 9 est une vue en coupe schématique d'un exemple de jonction tunnel qui est utilisable dans l'invention et a une aimantation planaire.
- la figure 10 est une vue schématique d'un exemple de dispositif magnétique conforme à l'invention, utilisant une jonction tunnel à aimantation planaire, et - la figure 11 est une vue schématique d'un autre exemple d'un tel dispositif.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Dans un exemple de la présente invention, une mémoire magnétique comprend une matrice de dispositifs magnétiques conformes à l'invention. Chacun de ces dispositifs, également appelés "points mémoires",
comprend une jonction tunnel magnétique de la forme Fl/O/F2 où FI et F2 désignent respectivement la couche magnétique de stockage, également appelée"électrode magnétique de stockage", et la couche magnétique de référence, également appelée"électrode magnétique de référence", et 0 désigne la couche qui est comprise entre Fl et F2 et forme une barrière tunnel.
Chacune des couches FI et F2 est caractérisée par un champ de retournement de son aimantation, champ qui est fonction de la température du matériau constituant cette couche.
3. 010.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DE L'HORAIRE "NE PAS DERANGER" POUR LE REPERTOIRE
Description Unité Plage Horaire "ne pas déranger" pour P10 sS ou P10 sA le répertoire
Nombre de chiffres d'argument 2 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
Numéro d'horaire "ne pas s 1-8 déranger" Segment S 1 - 4
Réponse pl0eesSHHMMhhmmd[d] ou pl0 1 ee 1 s SHHMMhhmmd [dJ ...
SHHMMhhmmd [ d ]
Numéro d'horaire s 1-2 Segment S 1-4 Heure de début H 00 - 23 Minute de début M 00 - 59 Heure de fin h 00 - 23 Minute de fin m 00 - 59 Jours de validité d 1 = DIM, 2 = LUN, ... 7 = SAM 8 = CONGE (0 = pas de jours de validité) Commentaire : Des segments d'horaire inutilisés seront visualisés sous la forme de neuf zéros HHMMhhmmd = > 000000000 [niveau = observation~seulement]
3. 011 ETAPE DE PROGRAMME - FIXATION DE L'HORAIRE DE VERROUILLAGE/ DEVERROUILLAGE AUTOMATIQUE
Fixation d'horaire automatique PlI pudsHHMMhhmmd[d] ou
P11 pudsE ou PlllpudE ou P11 puE Nombre de chiffres d'argument 3,4, 5, ou ≥ 13 PIM p 0 = carte mère, 1 = PIM Périphérique u 1 (carte mère), 1-4 (périphériques) Porte d 1-2 Segment s 1-8 Heure de début H 00 - 23 Minute de début M 00 - 59 Heure de fin h 00 - 23 Minute de fin m 00 - 59 Jours de validité d 1 = DIM, 2 = LUN, ... 7 = SAM 8 = CONGE (0 = pas de jours de validité) Réponse p11 ee pudsHHMMhhmmd[d] ou
pll ee pudsO ou p111eelpudO ou
p11 ee pu0 [niveau = gestionnaire] 3. 011.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION D'HORAIRE DE VERROUILLAGE / DEVERROUILLAGE AUTOMATIQUE
Description Unité Plage Fixation d'horaire automatique P11 puds ou PlllpudA Nombre de chiffres d'argument = 4 PIM p 0 = carte mère, 1 = PIM Périphérique u 1 (carte mère), 1-4 (périphériques) Porte d 1-2 Segment d'horaire s 1-8
Réponse p11leelpudsHHMMhhmmd(dJ ou p11IeelpudlsHHMMhhmmd[d] sHHMMhhmmd [d] ... s HHMMhhmmd [ d ]
Heure de début H 00 - 23 Minute de début M 00 - 59 Heure de fin h 00 - 23 Minute de fin m 00 - 59 Jours de validité d 1 = DIM, 2 = LUN, ... 7 = SAM 8 = CONGE (0 = pas de jours de validité) Commentaire : Des segments d'horaire inutilisés seront visualisés sous la forme de neuf zéros HHMMhhmmd = > 000000000 [niveau = observation~seulement]
Codage des Zones de Temps p2IzzsHHMMhhmmd[d] ou
P21zzsE ou P2 zzE ou P2 E Nombre de chiffres d'argument Numéro de zone de temps z 1 = 15 Segment s 1 - Heure de début H 00 - 23 1 Minute de début M 00 - 59 Heure de fin h 00 - 23 Minute de fin m 00 - 59 Jours de validité d 1 = DIM, 2 = LUN, 7 = SAM 8 = CONGE (0 = aucun jour n'est valide)
Réponse p02IeelzzsHHMMhhmmd[d] ou
p02 ee zzs0 ou p02 ee zz0 ou p02 ee 0 Commentaire : P2zzsE effacera la zone de temps/ segment associé P2zzE effacera tous les segments pour la zone de temps spécifiée P2 E effacera toutes les zones de temps [niveau = gestionnaire]
3. 002.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DE ZONE DE TEMPS
Description Unité Plage Codage des Zones de Temps P2 zzs ou P2 zzA Nombre de chiffres d'argument = 2 Numéro de zone de temps z 1 = 15 Segment s 1 - 4
Réponse p02leezzsHHMMhhmmd[d] ou p02eezzsHHMMhhmmd[d] sHHMMhhmmd [d] ~~~~ ~~~~~~~~~~~~~ sHHMMhhmmd [d] )~~~~~~~~~~~~~~~~ Commentaire : Des segments d'horaire inutilisés seront visualisés sous la forme de neuf zéros (HHMMhhmmd = > 000000000) [niveau = observation seulement) 3.003 ETAPE DE PROGRAMME FIXATION DE CONFIGURATION DE PORTES
Description Unité Plage ~~ ~ Fixation de configuration de P3 pud ou P31pudxy portes Nombre de chiffres d'argument 3 ou 5 PIM P 0 = carte mère, 1 = pim Périphérique u 1 (carte mère), 1 - 4 (périphériques) Configuration de portes d 1 = configuration à 1 porte 2 = configuration à 2 portes Type relais 2 pour une x 1 = dérivation configuration à 1 porte (nécessaire seulement pour des configurations à 2 portes) @ 2 = alarme 3 = télévision en circuit fermé Type relais 4 pour une y 1 = dérivation configuration à 2 portes (nécessaire seulement pour des configurations à 2 portes) 2 = alarme 3 = télévision en circuit fermé
Réponse p03eepud ou p03eepudxy [niveau = vendeur)
3. 003.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DE CONFIGURATION DE PORTES
Description Unité Plage Fixation de configuration de P3pu portes PIM p 0 = carte mère, 1 = pim Périphérique u 1 (carte mère), 1 - 4 (périphériques) Réponse p03 ee pudxy Configuration de portes d 1 = configuration à 1 porte 2 = configuration à 2 portes Type relais 2 pour une x 1 = dérivation configuration à 1 porte 2 = alarme 3 = télévision en circuit fermé Type relais 4 pour une y 1 = dérivation configuration à 2 portes 2 = alarme 3 = télévision en circuit fermé [niveau = observation~seulement] 3. 004 ETAPE DE PROGRAMME - FIXATION DES INSTANTS D'ACTIVATION DES RELAIS
Description Unité Plage Fixation d'instant P4 purt [t] d'activation de relais Nombre de chiffres d'argument > PIM p 0 = carte mère, 1 = pim Périphérique u 1 (carte mère), 1 - 4 (périphériques) Refais r 1 - 4 Temps t 1 - 255
Réponse p04eepurt[t]I
[niveau = gestionnaire]
3. 004.1 ETAPE DE PROGRAMME - VERIFICATION DES INSTANTS D'ACTIVATION DE RELAIS
Description Unité Plage Fixation d'instant P4 pur d'activation de relais Nombre de chiffres d'argument =3
La couche de stockage 98 en NigoFeso est couplée à une couche antiferromagnétique 100 à faible température de blocage (compris entre 1000C et 200 C), par exemple en FE50Mn50 ou en Ir2oMnso et cette couche 98 est séparée de la couche 94 par une couche de barrière
tunnel 102 en A1203.
Notons qu'une façon de faire baisser la température de blocage de la couche antiferromagnétique couplée à la couche de stockage peut être de diminuer son épaisseur. On sait en effet que plus une couche antiferromagnétique est mince, plus sa température de blocage est basse.
L'écriture de l'information se fait comme précédemment en envoyant une impulsion de courant à travers la jonction, impulsion qui a pour effet d'échauffer le matériau de la couche de stockage (comprenant la couche antiferromagnétique adjacente) à une température permettant le retournement de l'aimantation de cette couche, alors que la couche de référence reste à une température suffisamment faible pour que son aimantation reste fixe.
Ceci est schématiquement illustré par la figure 10 où l'on voit un exemple de réalisation d'un point mémoire à partir d'une jonction tunnel à aimantation planaire conformément à la présente invention.
Pour l'écriture, la jonction est chauffée au dessus de la température de blocage de la couche de stockage 98 mais en dessous de la température de blocage de la couche de référence 94, par l'envoi d'une impulsion de courant à travers la jonction, cette impulsion se propageant de la ligne conductrice 104 au transistor 106, qui est alors rendu passant.
La ligne conductrice supérieure 108 sert à créer le champ magnétique 110 qui polarise l'aimantation de la couche de stockage 98 dans la direction désirée pendant son refroidissement. Cette
aimantation de la couche de stockage ne peut prendre ici que deux états (stockage binaire).
Pour des raisons déjà données plus haut à propos d'autres exemples, la ligne 108 n'est pas obligatoire : sa fonction peut être avantageusement réalisée par la ligne 104. Dans ce cas, il faut aussi veiller à ce que les directions d'aimantation des couches soient orthogonales à la direction de la ligne 104.
Ce dispositif, dans lequel la couche de stockage est couplée à une couche antiferromagnétique dont la température de blocage est plus faible que la couche de référence, présente deux avantages majeurs : 1) La limite superparamagnétique de stabilité de la couche de stockage est repoussée de sorte que l'on peut réaliser des points mémoires de taille plus petite en utilisant cette technique.
En effet, un problème qui apparaît toujours dans le stockage de l'information magnétique dans des points mémoires de petites dimensions (échelle submicronique) est celui de la stabilité de l'aimantation vis à vis des fluctuations thermiques (limite superparamagnétique).
Si K désigne l'anisotropie magnétique du matériau et V le volume de la couche magnétique de stockage, le temps caractéristique de renversement de l'aimantation par passage au dessus de la barrière d'énergie de hauteur KV est T=l : oexp (KV/ (kT)) où To est un temps caractéristique d'essai de l'ordre de 10-9 seconde, k la constante de Boltzman et T la température.
Pour que l'information que l'on écrit dans la couche de stockage reste stable pendant au moins 10 ans, il faut que l'aimantation elle-même reste stable pendant cette durée. Il faut donc que TT'TT' - > Log (10ans/10s) c'est-à-dire : KV > 40kT. kT Ceci impose une limite minimale au volume de la couche de stockage et donc à sa dimension latérale, c'est à dire une limite minimale à la dimension du point mémoire.
Par contre, si la couche magnétique de stockage est couplée à une couche antiferromagnétique dont l'anisotropie est relativement forte à température ambiante mais décroît rapidement lorsqu'on approche de la température de blocage de cette couche (vers 200 C), alors la limite superparamagnétique est repoussée.
En effet, la barrière d'énergie à franchir pour retourner l'aimantation de la couche de stockage à température ambiante vaut maintenant A (KfEf + KaEa) où A désigne l'aire commune à la couche magnétique de stockage et à la couche antiferromagnétique, Ef et Ea désignent respectivement les épaisseurs de ces couches de stockage et antiferromagnétique et KE et Ka désignent respectivement leurs anisotropies magnétiques.
Comme l'anisotropie Ka du matériau antiferromagnétique est habituellement beaucoup plus forte que celle (Kf) de la couche ferromagnétique de stockage à température ambiante, il apparaît que la condition de stabilité A (KfEf + KaEa) > 40kT pourra être satisfaite pour des dimensions beaucoup plus petites que si la couche magnétique de stockage était seule.
Typiquement, le terme KaEa peut être 100 fois plus grand à température ambiante que le terme KfEf.
Ceci implique que l'aire de la jonction peut être 100 fois plus petite tout en restant au dessus de la limite superparamagnétique. Ceci permet donc d'atteindre des densités d'intégration beaucoup plus fortes.
Précisons qu'il est également possible d'utiliser ce couplage de la couche de stockage à une couche antiferromagnétique à faible température de Néel dans le cas précédemment décrit de couches magnétiques à aimantation perpendiculaire au plan. Là aussi, la limite superparamagnétique sera repoussée vers les plus petites dimensions à température ambiante.
2) Le deuxième avantage très important résultant de l'utilisation d'une couche de stockage couplée à une couche antiferromagnétique est de pouvoir réaliser un stockage de l'information multiniveaux.
En effet, avec les jonctions de l'art antérieur, un point mémoire a deux états possibles qui correspondent aux deux configurations magnétiques parallèle et antiparallèle, ces dernières correspondant respectivement à des alignements parallèle et antiparallèle de l'aimantation de la couche de stockage par rapport à celle de la couche de référence.
Ces systèmes de type bistables sont obtenus en donnant à la couche de stockage une anisotropie magnétique d'origine magnétocristalline ou de forme (point mémoire par exemple de forme elliptique), avec un axe facile d'aimantation parallèle à l'aimantation de la couche de référence.
Dans la présente invention, l'aimantation de la
couche de stockage peut être avantageusement orientée dans n'importe quelle direction intermédiaire entre la direction parallèle et la direction antiparallèle à l'aimantation de la couche de référence.
Pour ce faire, il suffit de chauffer la couche de stockage et la couche antiferromagnétique adjacente au dessus de la température de blocage de cette couche, en envoyant une impulsion de courant à travers la jonction, puis d'orienter l'aimantation de la couche de stockage dans la direction désirée au cours du refroidissement de la couche antiferromagnétique.
Pour donner l'orientation désirée à l'aimantation de la couche de stockage, il faut appliquer un champ magnétique local à cette dernière dans la direction désirée. Pour ce faire, deux possibilités existent : 1) On peut utiliser une architecture dans laquelle la commutation magnétique s'effectue en envoyant des impulsions de courant dans des lignes conductrices perpendiculaires qui sont respectivement situées au dessus et en dessous de ce point mémoire.
Ces lignes permettent de générer des champs magnétiques suivant deux directions perpendiculaires. En jouant sur l'intensité relative du courant circulant dans les deux lignes, on peut générer un champ magnétique dans n'importe quelle direction du plan.
Ceci est schématiquement illustré par la figure 11 qui montre un exemple de réalisation d'un point mémoire à partir d'une jonction tunnel à aimantation planaire conformément à la présente invention.
Pour l'écriture, la jonction tunnel magnétique
est chauffée au dessus de la température de blocage de la couche de stockage 112 mais en dessous de la température de blocage de la couche de référence 114, par l'envoi d'une impulsion de courant à travers la jonction.
Les lignes conductrices supérieure 116 et inférieure 118 servent à créer des champs magnétiques 120 et 122 suivant deux directions perpendiculaires dans le plan, qui permettent de polariser l'aimantation de la couche de stockage 112 dans n'importe quelle direction désirée dans le plan de la jonction, pendant son refroidissement.
Comme on l'a déjà expliqué précédement à propos de la figure 10, la ligne 116 n'est pas indispensable : elle peut être remplacée par la ligne 124.
de l'ordre de lns à quelques nanosecondes puis redescend progressivement à zéro en quelques nanosecondes. Cette impulsion de courant a pour effet, dans un premier temps, d'échauffer la jonction puis, dans un deuxième temps, lors de la décroissance du courant c'est à dire lors du refroidissement de la jonction, d'orienter l'aimantation dans une direction particulière.
Si le courant circule de haut en bas (c'est à dire si les électrons circulent de bas en haut), des électrons à spin polarisé vers le bas sont injectés dans la multicouche de Co/Pt. De plus, les électrons qui vont traverser par effet tunnel la barrière d'alumine 84 sont préférentiellement des électrons dont le spin est parallèle à l'aimantation de la couche 82 de FePt et sont donc des électrons à spin vers le haut .
Cela va générer, dans la multicouche de Co/Pt, un excès d'électrons vers le bas. Cet excès d'électrons vers le bas, cumulé avec l'injection d'électrons vers le bas en provenance de la couche polarisante inférieure, va forcer l'aimantation de la multicouche de Co/Pt à s'orienter vers le bas lors de son refroidissement.
Au contraire, si le courant circule de bas en haut (c'est à dire si les électrons circulent de haut en bas), il va y avoir accumulation d'électrons vers le haut dans la couche de Co/Pt, ce qui aura pour effet de forcer l'aimantation de cette couche à s'orienter vers le haut lors de son refroidissement.
Précisons que ce principe de commutation
magnétique pourrait fonctionner également sans la couche polarisante inférieure mais la forme de l'impulsion de courant serait alors plus difficile à ajuster pour trouver un bon équilibre entre une réduction du courant suffisante pour que la température de la jonction baisse suffisamment et une circulation de courant suffisante pour arriver à polariser l'aimantation de la couche de stockage lors de son refroidissement.
L'intérêt de la couche polarisante supplémentaire 90 est de permettre de cumuler le courant d'électrons à spin polarisé provenant de l'autre couche 82 de la jonction tunnel et le courant d'électrons à spin polarisé provenant de la couche polarisante 90.
Cette structure du point mémoire est particulièrement simple puisqu'elle ne nécessite, en plus du transistor d'adressage et de la jonction tunnel, qu'un niveau de ligne conductrice.
Dans un deuxième mode de réalisation de l'invention, les aimantations des deux couches Fl et F2 sont parallèles au plan des couches ou, plus précisément, aux interfaces de ces couches.
Comme précédemment, les matériaux magnétiques constitutifs de la jonction tunnel magnétique doivent être choisis de sorte que l'un présente une décroissance thermique de son champ coercitif plus rapide que l'autre.
Le matériau de la couche F2 de référence peut être en alliage à base de Co, Fe, Ni (par exemple C09OFelO) et son aimantation peut être piégée par