INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention a pour quatrième objet une structure d'un modèle de contrat pour le contrôle de la qualité de service d'un service incluant au moins un composant technique défini selon une parmi plusieurs technologies possibles, la qualité de service étant définie par un contrat technique entre le fournisseur du service et un client et le contrat incluant des critères associés à des seuils et relatifs à ladite technologie, caractérisée en ce qu'elle est contenue dans des moyens de mémoire et mise en oeuvre par au moins un processeur dans les moyens de mémoire conformément au procédé de contrôle de qualité de service qui a été défini précédemment.
L'invention a pour cinquième objet une structure d'au moins un modèle d'outils de collecte d'indicateurs de qualité pour le contrôle de la qualité de service d'un service incluant au moins un composant technique défini selon une parmi plusieurs technologies possibles, la qualité de service étant définie d'un contrat technique entre un fournisseur d'un service et un client et le contrat incluant des critères associés à des seuils et relatifs à ladite technologie, caractérisée en ce qu'elle est contenue dans des moyens de
mémoire et mise en #uvre par au moins un processeur dans les moyens de mémoire conformément au procédé de contrôle de qualité de service qui a été défini précédemment.
L'invention a pour sixième objet un système d'administration d'au moins une ressource, comprenant au moins un processeur et des moyens de mémoire et mettant en #uvre un service incluant au moins un composant technique défini selon une parmi plusieurs technologies possibles, le système d'administration incluant dans les moyens de mémoire des indicateurs de qualité servant au contrôle de la qualité de service définie par un contrat technique entre le fournisseur du service et un client et le contrat incluant des critères associés à des seuils et relatifs à ladite technologie, caractérisé en ce qu'il met en #uvre le procédé de surveillance de service ou le procédé de contrôle de qualité de service qui ont été définis précédemment.
# La figure 1 est une vue synoptique d'un exemple de système d'administration d'au moins une ressource, en l'occurrence un système d'information, le système d'administration mettant en #uvre un procédé de contrôle de la qualité de services fournis par un opérateur de télécommunication à ses clients dans les conditions définies dans des contrats respectifs.
# La figure 2 est une vue synoptique détaillée d'un exemple de structure d'une plate-forme d'administration présente dans le gestionnaire du système d'administration représenté sur la figure 1 et illustre aussi sous forme synoptique des agents servant d'interfaces avec les ressources du système d'information.
# La figure 3 est une vue schématique et très partielle d'un arbre représentatif d'une base d'informations d'administration, dite base MIB (Management Information Base), relative aux objets gérés par le gestionnaire représenté sur les figures 1 et 2.
# La figure 4 est un diagramme illustrant des étapes d'un exemple de procédé de contrôle, par le système d'administration représenté sur les figures 1 et 2, de la qualité d'un service de télécommunication.
# La figure 5 illustre un exemple de structure de la grammaire d'un modèle de service mis en oeuvre par le procédé de l'invention représenté sur la figure 4.
# La figure 6 illustre un exemple de structure de la grammaire d'un modèle SLA mis en #uvre par le procédé de l'invention représenté sur la figure 4.
La balise destinée à la localisation reprend le formalisme d'un langage à balises.
Le procédé consiste à utiliser des balises non prévues dans le langage à balises utilisé à des fins de localisation.
Le procédé consiste à créer, avant la détection, le fichier 10 de traduction comportant la ou les attributs de localisation du ou des éléments à localiser associé à la valeur correspondante localisée du ou des attributs de localisation dans une langue donnée.
Avant la détection, l'outil 11 de localisation est implémenté dans un langage de génération dynamique de code et le code de l'outil 11est chargé dans le document 8 générant son propre code de manière dynamique, le remplacement des balises se faisant au fur et à mesure de la génération dynamique du code du document 8.
La présente invention porte sur le système de mise en #uvre du procédé décrit précédemment caractérisé en ce qu'il comporte l'outil 11 de localisation et les moyens 9 de mémorisation du fichier de traduction.
La présente invention se rapporte au système d'internationalisation du contenu de documents 8 à balises comprenant : # les moyens 7 de mémorisation des documents 8 à balises ; # les moyens 9 de mémorisation des fichiers 10 de traduction des documents 8 ; # l'outil 11de localisation connecté auxdits moyens 7,9 de mémorisation et permettant la localisation du contenu du document 8 à l'aide du fichier 10 de traduction.
L'outil 11 de localisation est implémenté dans un langage de génération dynamique de code et le code de l'outil 11est chargé dans le document 8 générant son propre code de manière dynamique
L'outil 11 de localisation est un composant CGI.
La présente invention concerne le procédé d'édition et d'internationalisation de documents 8 à balises consistant, à chaque fois qu'un utilisateur saisit lors de l'édition du document 8, un contenu à internationaliser, à associer audit contenu le ou les attributs de localisation, à proposer la saisie d'une valeur par défaut du contenu à internationaliser, et à proposer la saisie de tout ou partie des différentes valeurs prises par ce contenu dans les différentes langues cibles du document en cours d'édition, à créer le document 8 et les fichiers 10 de traduction associés à partir des informations obtenues de l'utilisateur, et à mémoriser lesdits fichiers dans les moyens 16 de stockage.
La présente invention se rapporte au système d'édition et d'internationalisation comprenant l'éditeur 14 dans la machine 15 d'édition des documents 8 à balises permettant la création des fichiers 8 de référence et des fichiers 10 de traduction associés à partir d'informations obtenues de l'utilisateur et leur mémorisation dans les moyens 16 de stockage.
La présente invention concerne le procédé d'internationalisation du contenu de documents 8 à balises consistant à : # Définir des balises destinées à la localisation ; # Identifier les informations à localiser dans le document 8 au moyen d'un ou de plusieurs attributs de localisation ; Associer les balises de localisation aux attributs de localisation dans le document 8 de manière à permettre sa localisation.
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minée du faisceau émis par le projecteur de telle sorte que ce dernier ne soit plus éblouissant pour les conducteurs des véhicules circulant en sens inverse lorsque le véhicule ainsi équipé
est soumis à une inversion du sens de circulation, tout en conservant l'intégralité du flux lu-
mineux émis par le projecteur, et les caractéristiques photométriques de ce dernier.
La présente invention a donc pour objet un procédé pour adapter un faisceau de croi-
sement d'un projecteur du genre elliptique pour véhicule automobile à un sens de circulation
inverse, le projecteur comportant, en amont d'une glace de protection non déviatrice ou fai-
blement déviatrice de la lumière, une source lumineuse émettant des rayons lumineux vers un miroir récupérateur et concentrateur qui les renvoie en direction d'une lentille convergente pour former, en coopération avec un cache un faisceau de croisement comportant de part et d'autre d'un axe optique une demi-coupure sensiblement horizontale s'étendant d'un côté de l'axe optique et une demi-coupure située au- dessus de l'horizontale s'étendant de l'autre côté
de l'axe optique.
Selon la présente invention, le procédé comporte les étapes consistant à: - déterminer sur la surface extérieure de la glace de protection au moins une première région à
travers laquelle passent les rayons lumineux correspondant à la partie du faisceau de croise-
ment située en dessous de l'horizontale et au moins une deuxième région à travers laquelle passent des rayons lumineux correspondant à la partie du faisceau de croisement située entre l'horizontale et la demi-coupure située au-dessus de l'horizontale, - disposer sur la deuxième région de la surface extérieure de la glace de protection au moins un dispositif modifiant le trajet des rayons lumineux passant par cette deuxième région, - dévier vers le bas le trajet des rayons lumineux traversant la deuxième région de glace de protection pour qu'ils soient situés dans la partie du faisceau de croisement située en dessous
de l'horizontale.
-4- Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives du procédé selon l'invention - le procédé comporte l'étape supplémentaire consistant à dévier horizontalement les rayons lumineux traversant la deuxième région de la surface de la glace de protection pour qu'ils soient situés dans la partie du faisceau de croisement située en dessous de l'horizontale et ré- partis dans cette partie du faisceau de croisement; la déviation du trajet des rayons lumineux passant par la deuxième région de la glace de protection du projecteur est effectuée par un élément transparent et déviateur de lumière
io teur du véhicule, une première partie sensiblement prismatique déviant la lumière vers le bas:
Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 57, on prépare le substrat en silicium 1 pourvu d'un film isolant ZF4 ayant une épaisseur prédéterminée et formé sur une surface principale du substrat. Le film isolant ZF4, qui agit ultérieurement en tant que film d'oxyde enseveli 2A, est réalisé avec une épaisseur égale à celle du film d'oxyde enseveli 2A.
Lors de l'étape représentée sur la figure 58, on réunit entre eux les substrats en silicium 1 et 1D de telle sorte que l'une des surfaces principales du substrat en si licium 1D, dans lequel la couche poreuse PR3 est formée, et le film isolant ZF4 du substrat en silicium 1 sont placés face-à-face.
Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 59, on polit le substrat en silicium 1D au moyen d'un pro cédé CMP pour réduire son épaisseur jusqu'à ce que l'épaisseur du substrat en silicium 1D incluant la couche poreuse PR3 ait une épaisseur égale à celle de la couche SOI 3A. De cette manière, on réalise le substrat SOI SBA comprenant la couche SOI 3A, dans laquelle est formée la couche poreuse PR3.
Le procédé de formation du substrat SOI SBA n'est pas limité au procédé mentionné précédemment. Par exemple, on peut utiliser un procédé décrit sur les figures 10 à 19 de la demande de brevet japonais N'11-165951.
De façon plus spécifique, on forme une première couche poreuse dans un premier substrat en silicium, puis on forme une couche ëpitaxiale ayant une épaisseur prédé terminée sur la première couche poreuse au moyen d'une technique de croissance épitaxiale. Ensuite, on forme une seconde couche poreuse dans une surface principale de la couche épitaxiale, et on forme un film d'oxyde de silicium sur la seconde couche poreuse. Ceci permet de réaliser un premier substrat.
Ensuite, on prépare séparément un second substrat en silicium destiné à servir de second substrat. On réunit l'un à l'autre les premier et second substrats de telle sorte que le film d'oxyde de silicium du premier substrat et une surface principale du second substrat sont placés en vis-à-vis.
Ensuite, on élimine la première couche poreuse et le premier substrat en silicium de la structure résultante en utilisant la première couche poreuse en tant que limite. Ceci aboutit au substrat SOI qui contient le second subs trat en silicium, le film d'oxyde de silicium, la seconde couche poreuse et la couche épitaxiale formés d'une manière empilée.
N-3. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, l'écran PG 105 dans le dispositif à semiconducteurs 5000 représenté sur la figure 55 permet d'empêcher la production de la dis sipation de puissance induite par voie électrostatique sous l'effet de l'inductance en spirale, sans que n'apparaisse la dissipation de puissance induite par voie électromagné tique sous l'effet du courant de Foucault produit dans l'écran PG 105.
En outre, le dispositif à semiconducteurs 5000 comporte la couche poreuse PR3 formée dans la couche SOI 3A, et les sillons ou trous de la couche poreuse PR3 sont remplis par un état de quasi-vide ou par un isolant. Par conséquent le dispositif à semiconducteurs 5000 peut inter rompre le trajet du courant de Foucault produit par l'inductance en spirale SI, ce qui réduit la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique dans la couche SOI 3A.
O. Quinzième forme de réalisation préférée Les douzième à quatorzième formes de réalisation préférées décrites précédemment de la présente invention illustrent les agencements du dispositif à semiconducteurs formé sur le substrat SOI et dans lesquels la couche poreuse est formée dans le substrat en silicium ou dans la couche SOI de manière à empêcher l'apparition de la dissi pation de puissance induite par voie électromagnétique due à l'inductance en spirale ou à la ligne d'interconnexion dans le substrat en silicium, dans la couche SOI. La pré sente invention est applicable non seulement au substrat SOI, mais également à un substrat en silicium connu sous l'expression substrat massif.
O-1. Agencement du dispositif La figure 60 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 6000 conformément à une quinzième forme de réalisation préférée de la présente invention. La partie de circuit HF RP et la partie logique LP du disposi tif à semiconducteurs 6000 sont représentées sur la figure 60, si on prend à titre d'exemple le dispositif à semicon ducteurs 90 décrit en référence à la figure 68.
En se référant â la figure 60, la région située dans le substrat en silicium de type P1, qui correspond aux régions dans lesquelles est prévue l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70), est divisée en la pluralité de régions dopées 121 dans lesquelles on réalise une implantation avec une impureté de type P ayant une concentration relativement élevée de films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons. Les films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons sont formés au moyen du remplissage de sillons s'étendant à partir de la surface du substrat en silicium 1, sur une profondeur prédéterminée, avec un film d'oxyde de silicium.
Le film de siliciure 131 est disposé sur chacune des régions dopées 121. La pluralité de films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons, les régions dopées 121 et les films de siliciure 131 constituent l'écran PG 301.
La région de puits NW, dans laquelle est implan tée une impureté de type N ayant une concentration relati vement faible (N-), est formée au-dessous des régions dopées 121 dans le substrat en silicium 1 et s'étend autour du substrat en silicium 1. Une couche poreuse PR4 ayant une épaisseur prédéterminée est formée au-dessous des régions dopées 121 dans le substrat en silicium 1 incluant la région de puits NW et s'étend à travers le substrat en silicium 1.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 6000, qui sont similaires à ceux des dispositifs à semicon ducteurs 200 de la figure 8, sont désignés par les mêmes chiffres de référence, et on n'en donnera pas la descrip tion d'une manière particulière. Q-2. Fonctionnement et effet Comme décrit précédemment, l'écran PG 301 dans le dispositif à semiconducteurs 6000 représenté sur la figure 60 permet d'empêcher la dissipation de puissance induite par voie électrostatique sous l'effet de l'inductance en spirale, sans l'apparition de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique qui résulte du courant de Foucault produit dans l'écran PG 301. En outre, le dispositif à semiconducteurs 6000 comporte la couche po reuse PR4 formée dans le substrat en silicium 1, et les tranchées ou les trous situés dans la couche poreuse PR4 sont remplis par un état de quasi-vide. Par conséquent le dispositif à semiconducteurs 6000 permet d'interrompre le trajet du courant de Foucault produit par l'inductance en spirale SI, ce qui réduit la dissipation de puissance in duite par voie électromagnétique dans le substrat en sili cium 1.
Un inconvénient de tels instruments de test est encore que les techniciens des opérations de mise en service et de maintenance doivent être formés à leur utilisation, ce qui est généralement coûteux.
L'invention a notamment pour objectif de pallier ces inconvénients de art antérieur.
Plus précisément, un objectif de l'invention est de fournir un instrument test qui soit simple d'utilisation et ne nécessite pas de formation coûteuse de utilisateurs.
Un autre objectif de l'invention est de mettre en oeuvre un instrument de test permettant aux techniciens qui l'utilisent de travailler de manière rapide et efficace.
L'invention a encore pour objectif de fournir un instrument de test permettant de contraindre un utilisateur à respecter une procédure de test prédéterminée.
Un autre objectif de l'invention est de fournir un instrument de test adapté aux activités de mise en service et de maintenance dans le cadre des réseaux de communication, et notamment des réseaux numériques.
L'invention a également pour objectif de mettre en oeuvre un instrument de test adaptable à un grand nombre d'environnements de test différents, sans qu'il soit nécessaire de recourir au développement de différentes versions logiciel installé dans l'instrument de test.
Un autre objectif de l'invention est de fournir un instrument de test presentant un grand nombre d'applications de test, de fonctions de mesure et de paramètres de test.
Encore un autre objectif de l'invention est de mettre en oeuvre un instrument de test pouvant également proposer à l'utilisateur d'accéder à un ou plusieurs profils de test et/ou à un séquenceur de test, en cours d'utilisation, selon technique classique de l'art antérieur.
L'invention a encore pour objectif de fournir un instrument test dans lequel l'utilisateur ne risque pas de modifier par inadvertance les valeurs de certains paramètres de test.
L'invention a également pour objectif de mettre en oeuvre un instrument de test, dans lequel l'utilisateur n'a pas besoin de parcourir une arborescence complexe d'applications, de fonctions et de paramètres de mesure avant d'effectuer une opération de test.
Un autre objectif de l'invention est de fournir un instrument de test adaptable à un grand nombre de méthodologies de test différentes, sans qu'il soit nécessaire de recourir au développement de différentes versions logiciel installé dans l'instrument de test.
Ces objectifs, ainsi que d'autres qui apparaîtront par la suite sont atteints selon l'invention, à l'aide d'un procédé d'optimisation d'une interface usager d'un instrument de test, mettant en oeuvre un ensemble d'objets de test, présentant chacun au moins un attribut, ladite interface usager permettant d'accéder à au moins certains desdits objets de test.
Selon l'invention, un tel procédé comprend, avant la mise en service dudit instrument de test, au moins une étape de configuration, consistant à modifier la valeur d'au moins un attribut de présentation d'au moins un objet test, en fonction d'au moins un critère technique prédéterminé, de façon à définir une configuration donnée de ladite interface usager. Ainsi, l'invention repose sur une approche tout à fait nouvelle et inventive de perfectionnement d'un instrument de test. En effet, l'invention repose notamment sur l'optimisation d'une interface usager d'un instrument test, obtenue par configuration de l'interface, avant la mise en service de l'instrument de test.
À ce jour, les différents outils proposés à un technicien pour faciliter l'utilisation d'un instrument de test, tels que les profils ou les séquenceurs test par exemple, sont mis en oeuvre au cours de l'utilisation du testeur, c'est ' dire pendant les opérations de mise en service ou de maintenance liées au réseau de communication considéré. L'invention repose quant à elle sur une nouvelle approche, consistant à effectuer une configuration de l'interface usager de l'instrument de test, avant sa mise en service.
De cette manière, l'instrument de test peut, avant sa mise en service être adapté à la méthodologie'de test de l'utilisateur, ainsi qu'à l'environnement réseau considéré.
Du carburant ayant afflué vers le conduit d'alimenta tion 61 est délivré, par l'intermédiaire du clapet de réin- jection 66, à la chambre de pression 63 de la pompe 6 haute pression. Le carburant est ensuite pressurisé par le plon geur 62 et, lorsque la pression régnant dans la chambre de pression atteint une valeur donnée, le clapet de réinjection 67 s'ouvre de telle sorte que du carburant pressurisé soit déchargé vers le conduit de délivrance 68, et soit accumulé dans le collecteur commun 7 afin d'être injecté dans chaque cylindre du moteur, selon un synchronisme établi, à partir de chacun des injecteurs 71.
I1 convient de décrire, ci-après, une relation exis tant entre la forme de l'orifice 31 et le débit de carburant devant être déchargé à partir de la pompe 6 haute pression.
Etant donné que l'orifice 31 offre la forme illustrée sur la figure 2, le canal 42 communique tout d'abord avec la première ouverture 311, puis avec la troisième ouverture 313 et, pour finir, avec la deuxième ouverture 312 en concor dance avec le mouvement de la pièce obturatrice 40.
Dans une plage de faible vitesse du moteur, c'est-à- dire lorsque la valeur de courant devant être appliqué à l'enroulement 52 est faible, si bien que la course de la pièce obturatrice 40 est modeste, la première ouverture 311 communique avec le canal 42. Dans cette plage, même en cas de variation de la vitesse angulaire Ne du moteur ou du de gré d'ouverture cc de l'accélérateur, en cas de variation de la valeur dé courant devant être appliqué à l'enroulement 52, et en cas de mouvement axial de la pièce 40, il se pro duit une faible variation de la superficie de la première ouverture 311 communiquant avec le canal 42.
fait que la première ouverture est de configura tion rectangulaire, la superficie de cette premiere ouver ture 31 communiquant avec le canal 42 croît proportionnel lement à la course de la pièce obturatrice 40. Le débit de carburant, devant être délivré à la pompe 6 haute pression, augmente ainsi proportionnellement à la course la pièce 40, ce ' provoque un accroissement de la quantité de car burant devant être déchargée depuis ladite pompe Lorsque la valeur de courant devant être appliqué à l'enroulement 52 augmente davantage, la course la pièce obturatrice 40 croît davantage encore, de sorte que le canal 42 communique avec la troisième ouverture 313 par 'intermé diaire la première ouverture 311 et, pour finir, avec la deuxième ouverture 312 par l'intermédiaire des première et troisième ouvertures 311 et 313.
fait de la configuration trapézoïdale la troi sième ouverture 313, la superficie de cette troisieme ouver ture 3 communiquant avec le canal 42, subit un accroisse ment quadratique en concordance avec le mouvement de la pièce obturatrice 40. I1 en résulte une augmentation quadra tique débit de carburant devant être déchargé à partir de la pompe 6 haute pression.
autre part, étant donné que la forme de deuxième ouverture 312 est rectangulaire, la superficie de cette deuxième ouverture 312 communiquant avec le canal 42 croit proportionnellement à la course de la pièce obturatrice 40, tout comme la première ouverture 311. I1 en résulte un ac croissement de la quantité de carburant devant être déchar gée par pompe 6 haute pression.