INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la partie de circuit HF RP, un écran PG 106 (couche de protection) comprenant des régions SOI 271 à 279 qui sont dans une relation de contact intime, et des films de siliciure 34 formés sur les régions SOI 272, 274, 276 et 278 est formé dans la couche SOI 3 dans une relation de correspondance avec la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est repré sentée sur la figure 70) est prévue.
Les régions SOI 271, 273, 275, 277 et 279 sont plus minces que les autres régions SOI, et des films d'oxyde d'isolation 18 placés dans des sillons et qui sont des films d'oxyde d'isolation partielle sont formés sur les régions SOI 271, 273, 275, 277 et 279. Le film d'oxyde d'isolation placé dans un sillon sur la région SOI 271 s'étend jusqu'à la partie logique LP.
Dans la partie logique LP, la couche SOI 3 est divisée en les régions SOI 71 et 72 par le film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon. Les transistors MOS Q31 et Q32 sont formés respectivement dans les régions SOI 71 et 72.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 600, qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconduc teurs 300 de la figure 12, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et ne sont pas décrits de façon par- ticulière. Les concentrations d'impuretés ou les types de conductivité des impuretés sont différents dans des régions adjacentes parmi les régions SOI 271 à 279 constituant l'écran PG 106, de sorte que des jonctions PN interrompent le courant de Foucault.
Les régions SOI 271 à 279 représentées sur la figure 20 sont les suivantes : respectivement une région de type P-, une région de type N+, une région de type P-, une région de type P+, une région de type P-, une région de type N+, une région de type P-, une région de type P+ et une région de type P-. Les films d'oxyde d'isolation 18 placés dans des sillons sont formés dans les régions res pectives de type P-. La figure 21 représente une configura tion dans le plan de l'écran PG 106. La configuration dans le plan de l'écran PG 106 est similaire à celle de l'écran PG 101 décrite en référence à la figure 2, et ne sera pas décrite de façon particulière. Une coupe transversale prise suivant la ligne X-X sur la figure 21 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 106 représenté sur la figure 20.
En référence à la figure 21, une polarisation inverse est appliquée à des diodes formées par les jonc tions PN pour interrompre le courant de Foucault. Par conséquent les régions SOI 272 et 276 sont connectées au potentiel (Vcc) de la source d'alimentation et les régions SOI 274 et 278 sont connectées à la masse.
F-2. Fonctionnement et effet Le dispositif à semiconducteurs 600 décrit précé demment, dans lequel les films d'oxyde d'isolation 18 pla cés dans des sillons, possédant une faible surface, sont formés dans la région dans laquelle l'écran PG 106 est formé, permet d'empêcher l'apparition de l'incurvation en creux.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 300, qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconduc teurs 100 de la figure 1 sont désignés par les mêmes chiffres de référence et ne seront pas décrits d'une manière particulière.
Les régions SOI 23 sont décrites en référence à la figure 10, qui illustre le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs 200. Dans la partie de circuits HF RP, une partie du sillon TR141, qui n'est pas recouvert par le masque de resist RM2, est soumis en outre à une attaque chimique servant à former le sillon TR14 qui traverse la couche SOI 3. Après retrait du masque de resist RM2, on élimine complètement le film d'oxyde de silicium OX et le film de nitrure de silicium SN, et on élimine par tiellement la couche SOI 3. Ceci conduit à la formation des régions SOI 23. Lors de l'étape ci-dessus, le film d'oxyde de silicium OX et le film de nitrure de silicium SN dans la partie logique LP sont recouverts par un masque de resist de manière à ne pas être éliminés.
Une fois que les régions SOI 23 sont formées, le masque de resist situé dans la partie logique LP est éliminé, et un film d'oxyde de silicium est formé sur l'ensemble de la surface supérieure d'une structure résul tante de manière à remplir le sillon TR15 et les sillons résultant de la formation des régions SOI 23. On met en oeuvre un processus CMP jusqu'à ce que le film de nitrure de silicium SN, qui subsiste sur la partie logique LP, soit partiellement éliminé par polissage. Ensuite, on élimine le film de nitrure de silicium SN et le film d'oxyde de sili cium OX. Ceci fournit les films d'oxyde d'isolation 16 et 15 placés dans des sillons.
Les régions SOI 23 correspondent à une partie de base de la région de corps et ont une épaisseur égale à celle de la région de puits WR au-dessous du film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon.
C-2. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, l'écran PG 103 comprend la pluralité de régions SOI indépendantes 23 recouvertes par le film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sillon, ce qui réduit la dissipation de puissance induite par voie électrostatique. En outre le film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sillon interrompt le trajet du courant de Foucault en évitant l'apparition d'une dissipa tion de puissance induite par voie électromagnétique, due à l'action du courant de Foucault.
En outre, étant donné que l'écran PG 103 est formé par division de la couche SOI 3, aucune couche conductrice additionnelle n'est nécessaire pour former l'écran PG 103, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
En outre, étant donné que le film d'oxyde d'iso lation 15 placé dans un sillon, qui est le film d'oxyde d'isolation partielle, isole les dispositifs les uns des autres dans la partie logique LP, le potentiel de la région de canal (région de corps) est fixé au moyen de la région de puits WR au-dessous du film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon. Ceci empêche différents problèmes résultant de l'effet de substrat flottant.
C-3. Première variante L'écran PG 103 décrit précédemment comprend la pluralité de régions SOI indépendantes 23. Le système uti lise les régions SOI 23 en tant que conducteur étant donné que la couche SOI 3 soumise à un processus d'implantation de puits (ou ce qui sera désigné comme étant une implanta tion de canal) possède une valeur résistive inférieure à celle du substrat en silicium 1. Pour réduire plus encore la valeur résistive, on peut implanter une impureté ayant une concentration relativement élevée dans les régions SOI 23. La figure 13 représente un exemple d'une telle étape d'implantation.
Comme cela est représenté sur la figure 13, le substrat SOI SB est préparé avant au moins le film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sillon, qui est formé (avec les transistors MOS Q31 et Q32 formés dans la représenta tion de la figure 13) et incluant un tel film d'oxyde. Un masque de resist RM3 est formé sur la partie logique LP et une portion de la partie de circuit HF RP, qui ne doit pas être soumise à l'implantation d'une impureté, et une impu reté est implantée à travers le film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sillon, au moyen d'un processus d'implantation ionique effectué avec une dose comprise entre 1 x 1014 et 1 x 1016 /cm2 .
L'implantation de l'impureté n'est pas limitée au processus mentionné précédemment. Par exemple l'implanta tion de l'impureté peut être exécutée après la formation de l'écran PG 103 et avant la formation du film d'oxyde d'iso lation 16 placé dans un sillon. D'autre part, l'implanta tion de l'impureté peut être exécutée alors que les régions SOI 23 sont exposées, sous l'effet du retrait d'une partie du film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sillon, qui recouvre l'écran PG 103.
C-4. Deuxième variante En référence à la figure 14, on peut utiliser l'écran PG 103A (couche de protection) comme dans un dispo sitif à semiconducteurs 300A, qui comprend un film de sili- cium 33 formé sur chacune des régions SOI 23.
L'écran PG 103 est fabriqué au moyen d'un procédé qui va être décrit ci-après. Après la formation de l'écran PG 103 illustré sur la figure 12, on recouvre l'écran PG 103 avec le film d'oxyde d'isolation 16 placé dans un sil lon. Ensuite, on élimine une partie du film d'oxyde d'iso lation 16 placé dans un sillon, qui recouvre l'écran PG 103, pour former une ouverture 161, ce qui permet de mettre à nu les régions SOI 23. Lors de l'étape ultérieure d'application d'un siliciure pour la formation des transis tors MOS Q31 et Q32 dans la partie logique LP, on forme des films de siliciure 33 simultanément respectivement sur les régions SOI 23 exposées. On remplit ensuite l'ouverture 131 du film d'oxyde d'isolation 16 situé dans un sillon, avec un film d'isolation inter-couches.
L'écran PG 103a qui comprend les films de sili ciure 33 situés sur les régions SOI 23 respectives, possède une valeur résistive inférieure à celle de l'écran PG 103, ce qui amplifie l'effet empêchant une dissipation de puis sance induite par voie électrostatique.
D. Quatrième forme de réalisation préférée D-1. Agencement du dispositif La figure 15 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 400 conformément à une quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention.
Le dispositif à semiconducteurs 400 de la figure 15 est similaire au dispositif à semiconducteurs 300 de la figure 12 en ce qu'il comprend la partie de circuit HF RP et la partie logique LP disposée sur le substrat SOI SP.
Dans la partie de circuit HF RP, un écran PG 104 (couche de protection) comprenant des régions SOI 241 à 249 qui sont disposées en contact intime, est formé dans la couche SOI 3 dans une relation de correspondance avec la région dans laquelle est prévue l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70).
Les deux cas possibles de transformation sont présentés sur la figure 179 : dans les deux cas illustrés, la composition des liens de Oo à On, et de On à Om, peut se ramener au lien de base formé des liens de composition O0~O1, O1~Oj, et Oj~Om.
Procédé de connexion (réalisation) Supposons qu'un objet O0 veuille se connecter à un objet ON. Afin d'accéder à ON, O0 dispose d'un chemin path qui exploite la structure arborescente. Une valeur de ce chemin peut être stockée dans le port, mais cette valeur peut également être modifiée de façon programmatique en cours d'exécution, sachant qu'un port (lien de base) ne peut contenir que des liens de composition.
Pour représenter un lien de base, un port comprend une valeur entière index positive et une suite d'objets (On)n#[1.N]. index indique à quel niveau de la hiérarchie, à partir de l'objet qui se connecte, se situe l'ancêtre commun 0,. La suite (On)ne[i,N] regroupe les objets qui mènent de 0, à ON, elle constitue le chemin descendant (vers ON), que nous noterons descendingPath.
Le procédé de connexion réside en l'appel récursif d'une méthode connect portée par chaque objet. Cette méthode retourne la référence de l'objet auquel on désire se connecter. Elle prend comme argument le chemin (index, descendingPath) menant à l'objet auquel on veut se connecter et l'argument depth qui indique à quelle profondeur vont être effectuées les connexions, comme nous allons le voir dans la section 3 du chapitre V. Ce procédé est lancé en appelant la méthode symbolisée par : O0.connect(index,descendingPuth,depth) Une fois la référence de ON récupérée, Oo envoie sa propre référence que ON stocke dans un attribut inverseRef En effet, si ON est virtualisé, la référence que possède O0 n'a plus de sens. ON doit donc prévenir O0 qu'il est virtualisé en mettant à Null sa
référence portée par Oo. Il peut le faire grâce à inverseRef. O0 sait alors qu'il devra se reconnecter à ON pour lui envoyer un message.
Dans la plupart des espèces, des distorsions de ségrégation au niveau de loci marqueurs ont été observées dans de nombreuses cartes de liaison basées sur des populations double-haploïdes. Cette observation supporte l'hypothèse de pressions de sélection variées intervenant au cours de l'androgenèse in vitro et pendant le développement ultérieur de la plante.
Différentes approches ont été proposées dans le but d'évaluer et/ou améliorer l'aptitude à l'androgenèse, notamment dans le cas de certaines plantes d'intérêt telles que le mais, où cette aptitude est généralement faible, et dépend fortement du cultivar concerné.
Le brevet US 5,306,864 décrit ainsi une méthode d'obtention de maïs dont l'aptitude à l'androgenèse est augmentée, qui consiste à prélever des anthères de maïs aptes à l'androgenèse, à régénérer des plantes double-haploïdes à partir de ces anthères, à croiser les individus pour obtenir une population FI qui est auto-pollinisée pour obtenir une population F2 présentant une aptitude à l'androgenèse supérieure d'au moins 10% à celle des parents. Il décrit également un facteur génétique, dénommé : HAC (pour :
high anther culturability) associé à l'aptitude à l'androgenèse. Ce facteur est lié à 4 loci chromosomiques chez le maïs ; les 2 principaux sont localisés sur les bras longs des chromosomes 3 et 9 ; loci secondaires sont situés sur les chromosomes 1 et 10.
De nombreux travaux ont été effectués pour identifier des marqueurs associés à l'androgenèse. Une revue de REYNOLDS [Plant Mol. Biol., 33, pp. 1-10 (1997) ] décrit les deux principales approches qui ont été utilisées. La première est basée sur l'utilisation de gènes connus pour s'exprimer pendant l'embryogenèse zygotique, en tant que sondes pour identifier des marqueurs du développement d'embryons issus du pollen ; cette approche a permis d'identifier différents gènes qui pourraient constituer des marqueurs pour différents stades de l'androgenèse. La seconde est basée sur la comparaison de l'expression des gènes pendant la microgamétogenèse et pendant l'embryogenèse des microspores ; elle a notamment permis d'identifier un gène codant une métallothionéine [REYNOLDS et KITTO, Plant Physiol., 100,1744-1750, (1992)], et un autre codant une Heat Shock Protein de faible poids moléculaire [ZARSKY et al., Plant Cell Environ., 18, 139-147, (1995)], qui ont été proposés comme marqueurs moléculaires de l'androgenèse.
Cependant, il n'a pas été clairement établi si ces gènes étaient effectivement impliqués dans l'androgenèse, ou si leur expression reflétait une réponse au stress et aux conditions de culture.
On ne connaît donc à l'heure actuelle, que peu de séquences associées à l'androgenèse. La présente invention a en conséquence pour but de fournir de nouvelles séquences constituant des marqueurs de l'androgenèse chez les plantes et utilisables notamment pour la détermination chez une plante de l'aptitude ou l'inaptitude à l'androgenèse.
Les Inventeurs ont ainsi identifié, par amplification sélective par PCR de fragments de restriction obtenus à partir d'ADN génomique ou d'ADNc du maïs, des séquences d'acide nucléique utilisables comme marqueurs de l'aptitude à l'androgenèse.
Il s'agit notamment de marqueurs choisis parmi : - un fragment d'acide nucléique de 243 pb, susceptible d'être obtenu par amplification sélective par PCR à partir d'ADN génomique de maïs, à l'aide du couple d'amorces sélectives suivant : E45 : 5'- GACTGCGTACCAATTCATG M48 : 5'- GATGAGTCCTGAGTAACAC (les nucléotides sélectifs sont soulignés).
Ce marqueur a été identifié suite à l'analyse génétique de quatre populations (embryons androgénétiques, cals, plantules haploïdes, plantules diploïdes spontanées), en utilisant la méthode AFLP (Amplified Fragment Length Polymorphism) décrite par VOS et al. [Nucl. Acids Res., 23, 4407-4414, (1995)]. Dans ces populations issues du croisement entre les lignées HD7 et al88, ce marqueur présente une distorsion de ségrégation extrêmement importante en faveur de la forme allélique de la lignée parentale HD7, laquelle possède les capacités androgénétiques. En conséquence, ce marqueur apparaît étroitement lié à un facteur sélectif impliqué dans l'ensemble du processus d'obtention de doublehaploïdes. les fragments d'acide nucléique représentés dans la liste de séquences en annexe sous les numéros 1 à 53.
Ces fragments représentent des fragments d'ADNc de maïs dérivés des transcrits (FDT) de gènes identifiés par les Inventeurs comme étant exprimés différentiellement pendant l'androgenèse.
Pour obtenir ces fragments les Inventeurs ont analysé et comparé des profils de transcription obtenus en utilisant la technique cDNA-AFLP, avant l'induction de l'androgenèse, et au cours de premières étapes de celle-ci, dans des microspores obtenues à partir de plantes choisies pour leur aptitude à l'androgenèse.
Les principales étapes de la méthode AFLP sont rappelées ci-après : on digère l'ADN avec des enzymes de restriction ; on utilise généralement une enzyme dont les sites de coupure sont peu nombreux (habituellement EcoRI) et
une enzyme dont les sites de coupure sont fréquents (habituellement MseI). Des adaptateurs oligonucléotidiques sont ensuite ligaturés aux extrémités de ces fragments de restriction. Une pré-amplification PCR est effectuée de manière à ce que seuls les fragments comprenant un site EcoRI à une extrémité et un site MseI à l'autre extrémité soient amplifiés. Une seconde amplification sélective est ensuite effectuée en conditions stringentes, à partir du produit de la première amplification, en utilisant des amorces complémentaires de l'adaptateur, et comprenant en outre une extension 3' arbitraire de quelques nucléotides (généralement 1 à 5), dénommés nucléotides sélectifs . Dans ces conditions, seuls les fragments parfaitement complémentaires de la totalité de l'amorce, y compris les nucléotides sélectifs, seront amplifiés. Ainsi, une extension 3' de 1 nucléotide aboutit à l'amplification sélective de 1 fragment sur 16, et une extension 3' de 2 nucléotides aboutit à l'amplification sélective de 1 fragment sur 256, etc. Les produits d'amplification peuvent ensuite être séparés sur gel de polyacrylamide. Chaque fragment peut être défini par sa taille, et la combinaison adaptateur/nucléotides sélectifs qui a permis de l'amplifier.
Dans le cas de la technique cDNA-AFLP [BACHEM et al., Plant J., 9,745-753, (1996) ], l'ADN de départ est de l'ADNc, obtenu classiquement à partir d'ARN par transcription inverse. Après la pré-amplification et l'amplification sélective, on obtient des fragments dérivés de transcrits, qui sont ensuite séparés sur gel. L'intensité de la bande d'un FDT permet d'évaluer le niveau d'expression du transcrit correspondant.
Les inventeurs ont ainsi pu mettre en évidence un ensemble de FDTs, représentant des transcrits différentiellement exprimés au cours des premières étapes de l'androgenèse, et pouvant être regroupés en 3 populations : des transcrits sur-exprimés, des transcrits sous-exprimés, et des transcrits exprimés de façon transitoire pendant l'androgenèse.
Le ou les composés (E1) de formule (VII) sont choisis notamment parmi les halogénures (tels que les chlorures) de (méth)acryloxyéthyltriméthylammonium. En particulier, on peut citer le chlorure d'acryloxyéthyltriméthylammonium.
Le ou les composés (E2) de formule (VIII) sont notamment choisis parmi l'acrylate et le méthacrylate de diméthylaminoéthyle.
Le ou les composés (E3) sont par exemple l'acide 2-acrylamido-2-méthyl-propane sulfonique et ses sels.
Le ou les composés (E4) sont choisis par exemple parmi les (méth)acryloxyalkylsilanes.
Le ou les monomères (E6) sont choisis notamment parmi l'acide allylphosphonique et ses sels.
Le ou les composés (E7) sont choisis notamment parmi le N-vinylacétamide, la N-vinylpyrrolidone, le N- vinylimidazole et le N-vinylcaprolactame.
. Le ou les composés (E8) sont notamment choisis parmi l'acrylamide, la méthacrylamide, le N-isopropyl acrylamide, le N-éthoxypropylacrylamide, le N,N-diméthyl- acrylamide, et le N-(2-hydroxypropyl)(méth)acrylamide.
Par ailleurs, le copolymère hydrosoluble thermosensible selon l'invention peut avoir été obtenu à partir d'une composition de monomères telle que définie ci- dessus à laquelle a été incorporé au moins un agent de transfert de chaîne, choisi notamment parmi le mercapto éthanol, l'isopropanol, les alkylmercaptans, tels que le méthyl mercaptan, l'éthyl mercaptan, etc., le tétrachlorure de carbone et le triphénylméthane, le ou les agents de transfert ayant été utilisés à raison notamment de 0,05 à 8% en poids par rapport au poids total des monomères.
La LCST du copolymère hydrosoluble thermosensible selon l'invention peut être comprise entre 14 C et 75 C, en particulier entre 20 et 35 C, de préférence entre 23 et 28 C et être de préférence de l'ordre de 24 C. Comme déjà indiqué, et comme illustré par les exemples, l'homme du métier pourra sans difficulté régler la LCST des copolymères de l'invention. En particulier, il ressort des exemples ci- après que - les LCST des copolymères de l'invention augmentent avec le nombre de motifs oxyde d'éthylène du monomère polyéthoxylé utilisé ; - les LCST des copolymères de l'invention augmentent si l'on supprime l'agent de transfert ; - les LCST des copolymères selon l'invention varient entre 6 et 75 C en jouant sur les paramètres du nombre de motifs oxydes d'éthylène, de la présence de l'agent de transfert, du rapport des monomères (A) et (B), et de la présence de motifs fonctionnels ; - il est possible d'incorporer des motifs fonctionnels dans les copolymères de l'invention tout en préservant leur caractère thermosensible ; - la fonctionnalisation des copolymères selon l'invention par des motifs cationiques, des motifs hydrophobes à base de chaîne alkyle grasse, des motifs acide sulfonique, des motifs acide phosphaté, conduit à l'augmentation de la LCST ; et - en plus de l'apport de propriétés spécifiques pour l'application finale, la fonctionnalisation peut ainsi également contribuer à l'ajustement de la LCST des copolymères.
La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un copolymère tel que défini ci- dessus, caractérisé par le fait que l'on conduit la copolymérisation radicalaire en milieu aqueux ou organique (alcools ou cétones par exemple), de préférence en milieu aqueux, des monomères hydrosolubles tels que définis ci- dessus. On effectue notamment la polymérisation avec une concentration totale des monomères comprise en 5 et 75% en poids, en particulier entre 15 et 50% en poids.
On effectue cette copolymérisation en présence d'au moins un amorceur générateur de radicaux libres, choisi notamment parmi les persulfates, tels que les persulfates d'ammonium et de potassium, les peroxydes et les composés diazoïques, tels que le chlorhydrate de 2,2'-azobis aminopropane), le ou les amorceurs générateurs de radicaux libres étant utilisés à raison notamment de 0,1 à 5% poids, en particulier de 0,5 à 3% en poids par rapport au poids total des monomères engagés. On peut également amorcer la copolymérisation par irradiation, par exemple en présence de rayonnements UV et de photoinitiateurs tels que la benzophénone, la méthyl-2-anthraquinone ou la chloro thioxanthone.
La longueur des chaînes polymériques peut, si le désire, être réglée à l'aide d'agents de transfert de chaînes, tels que ceux indiqués ci-dessus, utilisés dans les proportions telle qu'indiquées ci-dessus.
La température de réaction peut varier dans de larges limites c'est-à-dire de -40 C à 200 C, en opérant de façon préférentielle entre 50 et 95 C.
Comme indiqué ci-dessus, on peut ajuster la LSCT du copolymère visé en fonction de la composition des monomères et/ou de la quantité de l'agent de transfert de chaîne mis en oeuvre et/ou de la température et/ou du procédé conduit en discontinu (batch) ou semi-continu. La présente description indique à l'homme du métier éléments à partir desquels il pourra sans difficulté aucune réaliser un tel ajustement.
La présente invention porte également sur mélange d'au moins un copolymère hydrosoluble thermosensible tel que défini ci-dessus ou préparé par le procédé tel défini ci-dessus, avec au moins un (co)polymère hydrophobe tel que le poly(méthacrylate de méthyle) ou polyoléfines.