INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Des lignes d'interconnexion sont également prévues sur d'autres régions SOI 28 comportant les films respectifs de siliciure. Les trajets des lignes d'intercon nexion possèdent la configuration en forme de L mentionnée ci-dessus hormis au-dessus des régions SOI 28 positionnées au niveau des quatre coins. Le potentiel de masse et le potentiel de la source d'alimentation sont appliqués alter nativement aux lignes d'interconnexion.
Une région de contact CR servant à connecter les régions légèrement dopées au potentiel de la source d'ali mentation est disposée dans une position distante de l'écran PG 107.
G-2. Fonctionnement et effet Les connexions décrites précédemment ont pour effet qu'une polarisation inverse est appliquée à l'ensem ble des diodes dont chacune est constituée par une région SOI légèrement dopée et une région SOI fortement dopée, ce qui empêche que les diodes soient polarisées dans le sens passant par une force contre-électromotrice qui produit le courant de Foucault. Ceci réduit la dissipation de puis sance induite par voie électrostatique, sans qu'apparaisse la dissipation de puissance induite par voie électromagné tique sous l'effet du courant de Foucault. L'écran PG 107, dans lequel un courant induit par voie électrostatique traverse des régions de type P+ mises à la masse (régions de forte valeur résistive), permet naturellement de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique. En outre, étant donné que l'écran PG 107 est formé dans la couche SOI 3, aucune couche conductrice supplémentaire n'est requise pour former l'écran PG 107, bien que l'étape de formation de la ligne d'interconnexion WL2 soit requise, et la structure du dis positif n'est pas compliquée.
G-3. Première variante Bien que la ligne d'interconnexion WL2 établisse une connexion électrique entre la région SOI de l'écran PG 107 dans le dispositif à semiconducteurs 400 mentionné pré- cédemment, une ligne d'interconnexion de grilles dans un dispositif à semiconducteurs 700A représenté sur la figure 26 peut être utilisée à la place de la ligne d'intercon nexion WL2.
Dans un écran PG 107A (couche de protection) du dispositif à semiconducteurs 700A représenté sur la figure 26, les films de siliciure ne sont pas formés sur les régions SOI 282, 284 et 286, les lignes d'interconnexion de grilles continue GTL formées lors de l'étape de formation des électrodes de grille des transistors MOS sont en contact direct avec les régions SOI 282, 284 et 286.
Des films d'isolation GZL formés lors de l'étape de formation des films d'isolation de grille des transis tors MOS sont disposés sur les films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sillons. Un film de siliciure GSL, qui est formé lors de l'étape de formation des films de siliciure des transistors MOS, est disposé sur la ligne d'interconnexion de grilles GTL.
La ligne d'interconnexion de grilles GTL possède une configuration dans le plan en forme de L similaire à celle de la ligne d'interconnexion WL2 décrite en référence à la figure 25.
Un tel agencement simplifie les étapes de fabri cation d'une ligne d'interconnexion pour la liaison élec trique entre les régions SOI.
G-4. Seconde variante Dans le dispositif à semiconducteurs 700, le cou rant de Foucault est interrompu par les jonctions PN entre les régions SOI recouvertes par les films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sillons, qui sont le film d'oxyde d'isolation partielle et les autres régions SOI. A la place des films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sillons, on peut utiliser des films d'oxyde d'isolation complète pour isoler complètement, du point de vue élec trique, les régions SOI les unes vis-à-vis des autres comme dans des dispositifs à semiconducteurs 700B et 700C repré sentés sur les figures 27 et 28.
Un écran PG 107B (couche de protection) du dispo sitif à semiconducteurs 700B représenté sur la figure 27 possède des films d'oxyde d'isolation 191 placés dans des sillons, qui sont le film d'oxyde d'isolation complète fournissant une isolation complète du point de vue élec trique entre les régions SOI.
Un film PG 107C (couche de protection) du dispo sitif à semiconducteurs 700C représenté sur la figure 28 comporte des films d'oxyde d'isolation 192 placés dans des sillons, qui constituent le film d'oxyde d'isolation com plète établissant une isolation électrique complète entre les régions SOI.
Les écrans PG 107B et 107C sont semblables l'un à l'autre en ce qu'ils réalisent une isolation complète entre les régions SOI.
Les deux premiers échantillons des anthères excisées et des microspores isolées sont immédiatement collectés en conditions stériles après la récole des panicules (10 = témoin), congelés dans l'azote liquide et conservés à -80 C jusqu'à extraction de l'ARN.
Sur les autres échantillons, les portions du panicule comprenant les anthères sont enveloppées dans une feuille d'aluminium, et placées à 7 C à l'obscurité pendant 1 à 2 semaines, afin de provoquer un stress inducteur de l'androgenèse. Les anthères excisées et les microspores isolées sont alors mises en culture in vitro à 28 C. Les échantillons d'anthères sont collectés après le 1er et le 5ème jour de culture in vitro (Dl et D5), congelés dans l'azote liquide et conservés à -80 C jusqu'à extraction de l'ARN. Une partie de ces échantillons est cultivée pendant 6 à 8 semaines afin de noter le nombre d'anthères embryogéniques et de structures de type embryonnaire et de contrôler ainsi la réactivité de ce matériel.
Des échantillons de microspores isolées sont collectés immédiatement après le traitement par le froid, (17), ainsi qu'après 1, 2,3, 4 et 5 jours de culture in vitro (Dl, D2, D3, D4 et D5). La suspension comprenant des microspores mortes et des microspores viables est rapidement centrifugée, le liquide en excès est éliminé, et les microspores sont congelées dans l'azote liquide et conservées à -80 C jusqu'à extraction de l'ARN.
La figure 1 représente schématiquement les différents prélèvement effectués, en les situant par rapport au processus d'androgenèse.
Extraction et purification de l'ARN L'ARN total est isolé à partir d'environ 100 mg de matériel végétal, en utilisant le protocole RNEASY MINI HANDBOOK (QIAGEN). L'absence de dégradation de l'ARN est vérifiée par électrophorèse sur gel d'agarose et marquage au bromure d'éthidium ; la concentration des extraits est mesurée par spectrophotométrie et ajustée à 0,2 ug/ul. Un
traitement à la DNAse I (MESSAGECLEAN kit, GENHUNTER) est effectué pour éliminer la contamination par l'ADN chromosomique ; 10 pg d'ARN total est incubé pendant 30 min à 37 C avec 10 unités de DNAse I (GENHUNTER) dans un tampon DNA Digest lx (QIAGEN) . Après traitement à la DNAse I, l'ARN est purifié en utilisant le protocole RNEASY FOR RNA CLEAN-UP (QIAGEN).
Synthèse de l'ADNc La synthèse du premier brin d'ADNc est effectuée à 42 C pendant 1 heure dans un volume réactionnel de 50 l en utilisant 1 g d'ARN total purifié, 0,4 ug de mélange d'oligonucléotides (mélange équimolaire de 3 oligonucléotides 5'-AGTGAATTCT12V-3' dans lesquels V représente A, C ou G), 2 l de mélange de dNTPs (10 mM de chaque), 4 l de tampon pour la transcriptase inverse 5x, 200 U de transcriptase inverse (SUPERSCRIPT II, LIFE TECHNOLOGIES), 20 U de RNAsin, 40 mM de DTT. A l'issue de cette première réaction, le mélange est additionné de 10 l de second tampon PCR lOx, 3 l de dNTPs (10 mM de chaque), 2 U de RNAse H, 25 U d'ADN polymérase I, et complété à 100 l par addition d'eau traitée au diéthylpyrocarbonate. La synthèse du second brin est effectuée à 16 C pendant 2 heures. L'ADNc est purifié en utilisant le protocole de purification QIAQUICK (QUIAGEN), et repris dans un volume final de 100 l.
AFLP La moitié de la préparation d'ADNc (50 l) est utilisée pour préparer une matrice AFLP selon la procédure classique décrite par VOS et al. [Nucl. Acids Res., 23,4407- 4414, (1995) ] . L'ADNc est digéré avec EcoRI et MseI (5 U de chaque) puis ligaturé avec des adaptateurs. 20 cycles de préamplification sont effectués sur une aliquote du produit de ligation primaire, en utilisant les amorces EcoRI et MseI sans extensions nucléotidiques, de séquences suivantes : amorce EcoRI (E00): 5'-GACTGCGTACCAATTC-3' amorce MseI (MOO): 5'-GATGAGTCCTGAGTAA-3' Les conditions de PCR sont les suivantes :
- 30 secondes de dénaturation à 94 C ; - 30 secondes d'hybridation à 56 C ; - 1 minute d'extension à 72 C.
Les produits d'amplification sont dilués 10 fois dans l'eau.
Une deuxième amplification est effectuée en utilisant 88 combinaisons d'amorces à 2 nucléotides sélectifs : EcoRl + (AA/AT/AC/AG/CA/GA/GT/GC/GG/TA/TT) Msel + (AA/AT/AC/AG/CA/CT/CC/CG).
Le marquage radioactif des amorces et les cycles de PCR sont effectués comme décrit par VOS et al. Toutes les amplifications PCR sont effectuées sur un thermocycleur PE- 9600 (PERKIN ELMER) en utilisant l'ADN polymérase Taq (AMERSHAM). Les produits de PCR sont séparés sur un gel de séquençage standard à 5% de polyacrylamide. L'électrophorèse est effectuée en conditions standard convenant à la résolution de fragments de taille comprise entre 70 et 800 pb. Après séchage, les gels sont auto-radiographiés.
Chaque expérimentation est effectuée en double, et les bandes ambiguës ont été écartées afin d'éliminer les faux positifs.
Profils d'expression des FDTs Les tableaux I à III ci-après représentent les FDTs pour lesquels une différence d'expression très significative au cours du processus androgénétique a été observée pour au moins 2 des prélèvements. Lorsqu'une bande est observée, le niveau d'expression est noté de-+ (bandes de faible intensité) à +++ (bandes d'intensité élevée).
10 représente les FDTs exprimés dans les échantillons (microspores et anthères) recueillis immédiatement après la récolte des panicules.
17 représente les FDTs exprimés dans les échantillons après 7 jours de stress froid (7 C à l'obscurité).
fixe la fibre à l'émetteur laser par soudage ou collage.
Cette technique d'alignement actif conduit à un coût élevé pour l'assemblage obtenu.
C'est pourquoi une technique d'alignement passif a été étudiée. Dans ce cas, le positionnement relatif puis la fixation de la fibre et du composant émetteur ou récepteur sont réalisés sans tension (pour le composant) ni flux lumineux. La fibre et le composant sont calés mécaniquement l'un par rapport à l'autre puis fixés de façon précise.
On connaît par exemple une technique d'assemblage passif d'une fibre optique et d'un barreau laser ( laser rod ) dont l'émission est latérale. Cet assemblage est schématiquement illustré par la figure 1.
On utilise un support d'alignement 2, généralement en silicium, comprenant un sillon en V ( V groove ) 4 qui est prévu pour le positionnement de la fibre optique 6. Cette dernière est collée dans ce sillon en V et le barreau laser 8 est hybridé avec précision sur le support d'alignement, en regard de la fibre.
Cette technique permet d'atteindre des précisions de l'ordre de 1 um à 5 um.
En ce qui concerne cette technique on se reportera par exemple au document [1] qui, comme les autres documents cités par la suite, est mentionné à la fin de la présente description.
La technique précédemment décrite, qui utilise un sillon en V, permet d'assembler une fibre
optique et un laser à émission latérale mais ne permet pas l'assemblage d'une fibre et d'un laser du genre VCSEL qui émet de la lumière par une face.
Cependant, cette technique a été modifiée pour permettre un tel assemblage. Dans ce cas, on utilise des moyens optiques ou mécaniques pour mettre le VCSEL à 90 de la fibre optique.
A ce sujet, on se reportera par exemple au document [2].
Néanmoins, cette technique modifiée d'alignement passif nécessite la mise en #uvre de moyens complexes, en particulier de moyens auxiliaires d'alignement.
De tels inconvénients apparaissent également lorsqu'on souhaite coupler une fibre optique et un VCSEL agencé comme l'enseigne le document [5] ou un VCSEL apte à émettre de la lumière par sa face inférieure ou face arrière, comme l'enseignent les documents [3] et [4].
Dans ce dernier cas, il convient de noter qu'il est plus convenable de parler d'un laser à cavité verticale ( vertical cavity laser ) ou VCL puisqu'un tel laser émet de la lumière à travers son substrat plutôt qu'à partir de sa face supérieure ou face avant.
On notera en outre la technique de retournement de puce ( flip chip ) qui est décrite dans le document [3] pour rapporter le VCL sur un circuit de commande en silicium.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
Il a été observé que ce gène s'exprimait au stade précoce de la méiose (stade zygotène de la prophase méiotique) et que son expression continuait à être détectée tout au long de la méiose avec une intensité plus faible.
- E33 (SEQ ID NO: 27) correspond à une portion du génome du maïs contenant des rétro-éléments (PREM-1).
4 séquences nucléotidiques possédant une homologie significative avec cette séquence ont été identifiées. Les homologies les plus importantes sont observées avec un ADNc de maïs comprenant une région d'homologie avec le rétro-élément PREM-1 [TURCICH et MASCARENHAS, Sex. Plant Reprod., 7,2-11, (1994) ]. La comparaison du reste de la séquence sans la séquence Prem-1 ne fait apparaître aucune homologie avec les produits de gènes connus.
Tous les rétrotransposons actifs des plantes sont quiescents pendant le développement, mais activés par le stress, y compris les blessures, l'attaque par les pathogènes et la culture de cellules [HIROCHIKA et al., Proc. Natl.
Acad. Sci. USA, 93 (15), 7783-7788,(1996) ; GRANDBASTIEN, Trends in Plant Science, 3(5), 181-187, (1998) ; WESSLER, Curr. Biol., 6 (8), (1996)].
Ceci peut refléter une stratégie de survie de la plante, ou bien les rétrotransposons peuvent constituer des générateurs, induits par le stress, de diversité génomique.
L'activation des rétrotransposons est une cause importante de mutations induites par la culture de tissus, et peut
constituer un outil utile pour la mutagenèse d'insertion et l'analyse fonctionnelle des gènes.
Les séquences Prem-1 sont les LTRs d'une famille de rétroéléments putatifs, et sont principalement transcrits pendant le développement du pollen (niveaux les plus élevés dans les microspores uniclées précoces). Le profil d'expression observé pour les transcrits contenant Prem-1 suggèrent qu'ils peuvent comprendre des éléments de régulation en cis, tels que Ttol.
Le rétrotransposon du tabac Ttol est l'un des quelques rétrotransposons LTR actifs chez les plantes. Sa transposition est activée par la culture de tissus et principalement régulée au niveau transcriptionel. Il a été démontré qu'un motif répété de 13-bp (TGGTAGGTGAGAT) dans le LTR fonctionne comme un élément de régulation en cis, qui confère la réactivité à la culture de tissus, aux blessures et au méthyl jasmonate. Ce motif de 13-bp contient un motif conservé : la Boîte L, également dénomée AC-I ou H-box like séquence dont l'implication dans l'expression des gènes de synthèse des phénylpropanoides a été montrée [TAKEDA et al., Plant J., 18(4), 383-393, (1999); TAKEDA et al . , Plant. Mol.
Biol., 36 (3), (1998)].
E53 (SEQ ID NO: 41) correspond à un fragment d'un gène de la famille du cytochrome P450.
2 séquences d'acides aminés et 531 séquences nucléotidiques possédant des homologies significatives avec la séquence SEQ ID NO: 41 ont été identifiées. En ce qui concerne les protéines, l'homologie la plus forte est observée avec une portion du gène de la monooxygénase de cytochrome P450 de maïs (cf. E16 ci-dessous).
FDTs sur-exprimés au cours de l'androgenèse : - E08 (SEQ ID NO: 6) correspond à un fragment d'une cellulose synthase. 15 séquences d'acides aminés et 20 séquences de nucléotides présentant une homologie significative avec cette séquence ont été identifiées. En ce qui concerne les protéines, l'homologie la plus forte est observée avec une portion du gène celA3 de coton. Des homologies ont également été observées avec la sous-unité
catalytique du gène RSW1 d'Arabidopsis et du riz, ainsi qu'avec les sous-unités catalytiques des gènes ATH-A, ATH-B et IRX3 d'Arabidopsis, avec les gènes celAl et celA2 du coton, et avec les gènes cell et celA du peuplier [ARIOLI et al., Science, 279(5351), 717-720, (1998) ; PEAR et al., Proc.
Natl. Acad. Sci. USA, 93 (22), 12637-12642, (1996) ; TAYLOR et al., Plant Cell 11(5), 769-780, (1999) ; WU et al., Plant Physiol., 117 (3), 1125,(1998) ; WANG et LOOPSTRA, Plant Physiol., 118(3), 1101, (1998) ; CHAPPLE et al., Curr. Opin.
30 Tout d'abord, comme cela est représenté sur la figure 43, on prépare le substrat en silicium 1 et on forme par attaque chimique une pluralité de sillons TRI (ou une pluralité de trous) s'étendant au substrat en silicium 1 à partir de sa surface, de manière à former la couche poreuse 35 PR1. La pluralité de sillons (ou de trous) TRI sont dispo- sés dans une région située au-dessous d'au moins l'écran PG 102 et ont une largeur ou un diamètre qui est compris entre environ 10 nm et environ 50 nm. La couche poreuse PR1 pos sède une épaisseur comprise entre environ 10 mm et environ 100 Pm.
La profondeur des sillons (ou trous) TR1 (c'est- à-dire l'épaisseur de la couche poreuse PR1) est de préfé rence égale approximativement à la longueur de l'inductance en spirale SI, lorsque l'on regarde selon une vue en plan. Cependant, la profondeur des sillons (ou trous) TR1, qui est égale approximativement à un dixième de la longueur de l'inductance en spirale SI, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, peut avoir pour effet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique.
Ensuite, lors de l'étape illustrée sur la figure 44, on forme un film isolant ZF1 constitué par exemple d'oxyde de silicium, de manière à recouvrir le substrat en silicium 1, de manière â ensevelir la couche poreuse PR1.
La figure 45 représente les détails de la couche poreuse PR1, sur laquelle est formé le film isolant ZF1. Comme cela est représenté sur la figure 45, le film isolant ZF1 est disposé de manière à recouvrir les surfaces inté rieures des sillons (ou trous) TR1 de la couche poreuse PR1. L'utilisation d'un film isolant possédant une pro priété de couverture servant à fermer les ouvertures des sillons (ou trous) respectifs TR1 avant le remplissage com plet de l'intérieur de ces sillons ou trous, en tant que film isolant ZF1 conduit à la formation de cavités HL dans les sillons (ou trous) respectifs TR1.
Lors de cette étape, lorsque le film isolant ZF1 est formé dans un environnement de vide, un vide est main tenu dans la cavité HL de manière à réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique, en raison de leur faible constante diélectrique.
Lors du remplissage des sillons (ou des trous) TR1 avec le film isolant, l'utilisation d'un film isolant à faible constante diélectrique, par exemple un film d'oxyde plasmatique contenant du fluor (un film d'oxyde formé au moyen d'un procédé CVD plasmatique, c'est-à-dire de dépôt chimique en phase vapeur plasmatique) en tant que film iso lant mentionné précédemment réduit la dissipation de puis sance induite par voie électrostatique.
Lorsqu'on forme un film d'oxyde thermique par oxydation thermique, on peut former les cavités HL dans les sillons (ou trous) respectifs TR1, de la manière mentionnée précédemment.
Lorsqu'on remplit les sillons (ou trous) TR1 avec le film d'oxyde de silicium ou analogue, on peut implanter des ions de fluor (F) dans le film d'oxyde de silicium ou analogue pour réduire la constante diélectrique.
Ensuite, lors de l'étape illustrée sur la figure 46, on prépare un substrat en silicium 1A avec un film iso lant ZF2 (par exemple un film d'oxyde de silicium) sur une épaisseur prédéterminée, formée sur une surface principale de ce substrat. On fixe l'un à l'autre les substrats en silicium 1A et 1 de telle sorte que les films isolants ZF1 et ZF2 sont disposés face-à-face.
Ensuite, on applique un procédé CMP au substrat en silicium 1A afin de réduire l'épaisseur du substrat en silicium 1A. Le substrat en silicium 1A restant sert à for mer la couche SOI 3, et les films isolants ZF1 et ZF2 ser vent à former le film d'oxyde enseveli 2. De cette manière on forme le substrat SOI SB incluant le substrat en sili cium 1 pourvu de la couche poreuse PR1.
Bien qu'on a illustré précédemment l'étape de recouvrement de la couche poreuse PR1 avec le film isolant ZF1 pour former les cavités HL dans la couche poreuse PR1, les ouvertures des sillons ou trous respectifs constituant la couche poreuse PR1 peuvent être formés d'une manière qui va être décrite ci-après. Les sillons (ou trous) TR1 sont formés dans le substrat en silicium comme cela est représenté sur la figure 47. Ensuite on applique un traitement thermique (recuit avec de l'hydrogène) à une température de 1000'C ou plus dans une atmosphère d'hydrogène, pendant quelques secondes. Ceci améliore fortement la mobilité des atomes de surface étant donné que l'énergie de surface de la couche poreuse TR1 est réduite. C'est pourquoi l'oxydation natu relle de la surface provoque l'élimination des ouvertures des sillons (ou trous) respectifs TR1 par réduction (figure 48). Par conséquent, les intérieurs des sillons (ou trous) respectifs TR1 deviennent les cavités HL, et la couche poreuse PR1 possédant une surface supérieure lissée est formée (figure 49).
L'étape suivante est similaire à l'étape repré sentée sur la figure 46. Etant donné que le film isolant n'a pas besoin d'être formé sur la surface du substrat en silicium 1, les substrats 1 et 1A sont fixés l'un à l'autre de telle sorte que le film isolant ZF2 du substrat en sili cium 1A est disposé en vis-à-vis de l'une des surfaces principales du substrat en silicium 1, dans lequel la couche poreuse PR1 est formée.
M-2-2. Processus d'anodisation On va décrire un procédé de formation de la couche poreuse PR au moyen du processus d'anodisation en référence aux figures 50 à 53. La formation de la couche poreuse au moyen du processus d'anodisation est décrite sur les figures 6 à 10 de la demande de brevet japonais N*11- 117770 (1999).
Le procédé est décrit sur la base de la descrip tion donnée précédemment. On prépare un bain d'anodisation incluant une électrode supérieure en platine agissant en tant que cathode et une électrode inférieure en platine agissant en tant qu'anode, ces électrodes étant disposées en vis-à-vis l'une de l'autre et possédant un intérieur destiné à être rempli par une solution d'anodisation. Ensuite, on place le substrat en silicium 1 entre les électrodes supérieure et inférieure en platine de sorte que l'une de leurs surfaces principales, dans laquelle l'électrode poreuse PR2 doit être formée, est située à l'opposé de l'électrode supérieure en platine, et le bain d'anodisation est rempli avec une solution HF. Ensuite, on fait passer un courant à travers le substrat en silicium 1. Dans les conditions d'anodisation comprenant une durée d'anodisation de 30 secondes et une densité de courant d'anodisation de 10 mA/cm2, la surface supérieure du subs trat en silicium 1 est rendue poreuse, et la couche poreuse PR2 ayant une épaisseur d'environ 0,2 mm est formée dans la surface principale du substrat en silicium 1.
Les trous formés dans la couche poreuse PR2 n'ont pas une forme linéaire telle qu'elle est obtenue par attaque chimique, mais une forme compliquée. Pour simpli fier, les trous sont représentés comme possédant la forme indiquée sur la figure 50.
L'épaisseur de la couche poreuse PR2 peut être commandée au moyen de la durée d'anodisation et de la den sité de courant d'anodisation, et peut être également com mandée en fonction des types de la solution d'anodisation. La densité de la couche poreuse PR2 (qui correspond au rap port entre la partie formée de silicium et la partie formée par les trous) peut être réglée au moyen de la concentra tion de la solution HF.
La couche 14 est également transparente à la lumière émise ou détectée par le composant.
Le composant 10 comprend en outre une ou plusieurs couches 18 d'interconnexion permettant de raccorder ce composant à un circuit de commande par la technique de retournement de puce ( flip-chip ).
On voit des couches 18 d'interconnexion sur la figure 2, de part et d'autre de la zone active 16.