INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
5 La configuration dans le plan de la couche poreuse PR peut être telle que, lorsque les trous sont uti lisés, les trous sont disposés régulièrement ou irréguliè rement dans une région prédéterminée et, lorsqu'on utilise les sillons, les sillons s'étendant dans au moins une 10 direction sont disposés en parallèle, ce qui interrompt le courant de Foucault.
Bien que l'écran PG 102 soit utilisé dans le dis positif à semiconducteurs 4000 décrit précédemment, la configuration de l'écran PG n'est pas limitée à cela. I1 va 15 sans dire que les différents écrans PG décrits dans les neuf premières formes de réalisation sont également appli cables. M-2. Procédé de fabrication En référence aux figures 43 à 53, on va décrire 20 un procédé de formation du substrat SOI SB comportant la couche poreuse PR.
M-2-1. Processus d'attaque chimique On va décrire un procédé pour former la couche poreuse PR par attaque chimique en référence aux figures 43 25 à 46. Pour la clarté de l'exposé, la couche poreuse formée par attaque chimique sera désignée ci-après comme étant une couche poreuse PR1, et la couche poreuse formée au moyen du processus d'anodisation sera désignée ci-après comme étant une couche poreuse PR2.
On obtient un groupement lactonamide greffé sur le composé obtenu selon l'exemple 8.
Exemple 14 - Heptakis(6-deoxy-6- N,Ndipentylamino)-( succinamido de (N- (2-aminoéthyl) lactonamide)z-ss-cyclodextrine (troisième greffage) [z = 1] [x = w= 0 ; y = 7 ; z = 1] Le composé obtenu selon l'exemple 9 (0. 75 g, 1 eq. ) est séché et dissous dans la DMSO anhydre (80 ml, 23 C). Le N-(2-aminoéthyl)lactonamide (1. 36 g, 10 eq. ) est ajouté lentement et le mélange est agité à 60 C pendant 72 heures en présence d'EDCI (0,65g, 10 eq.).
La réaction est versée dans l'eau (100 ml, pH=7). Le précipité obtenu est filtré et lavé avec de l'eau (500 ml, pH=2). La poudre blanche (0,5 g) est séchée sous vide (10-2 Torr) pendant 5 heures à 60 C On obtient un groupement lactonamide greffé sur le composé obtenu selon l'exemple 8.
PARTIE II - FORMATION DE NANOPARTICULES Exemple 15 : 15a : Formation des nanoparticules à partir du composé obtenu selon l'exemple 2a Sous agitation magnétique, 300 mg du composé préparé selon l'exemple 2a, sont dissous dans l'acétone (150 ml). Puis la solution est ajoutée à débit constant (1 ml/s ) à de l'eau distillée (450 ml) sous agitation pour former une solution laiteuse. L'acétone est ensuite évaporée à l'évaporateur rotatif à 25 C et de l'eau est rajoutée à la solution obtenue afin de conserver une concentration de 0,5 mg/ml.
La taille moyenne des nanoparticules est mesurée par diffusion de la lumière. Les analyses ont été faites sur un spectromètre 4700C construit autour d'instruments Malvern (Malvern, U.K.) avec un laser de 40 mW de marque Siemens.
Un millilitre de la solution aqueuse de nanoparticules à 0,5 mg/ml est déposé dans un tube et l'ensemble est placé dans la cuve de l'appareil. La température est fixée à 25 C. L'angle du photomultiplicateur est fixé à la valeur standard de 90 , ce qui permet l'étude de l'ensemble des tailles de particules tout en se focalisant plus sur les tailles de l'ordre de 100 à 600 nm. L'analyse se fait en mode Automatique.
La taille moyenne des nanoparticules mesurée par diffusion de la lumière est de 212 nm 5 nm.
La stabilité des nanoparticules est étudiée à 3,23 et 40 C par observation visuelle, mesure de la taille par diffusion de la lumière et observation par microscopie à force atomique : Le support est composé d'une rondelle d'acier de 17 mm de diamètre sur laquelle est fixée, par un ruban adhésif, une plaque de mica Muscovite de 1 cm2. Le mica étant constitué de plusieurs couches, une couche est enlevée afin d'obtenir un support très plat avec un minimum de défauts. Cinq l. de la solution
de nanoparticules à 0,5 mg/ml sont déposés sur le mica et placés dans une étuve à 40 C pendant 10 minutes afin d'évaporer l'eau. Cette étape est répétée afin de déposer au total 20 l. Enfin, le dépôt est placé dans un dessiccateur pendant 24 h afin de le sécher.
Les nanoparticules sont visualisées en mode Contact et Non-Contact.
Dans le cas de nanoparticules dans des gels supports, le mode utilisé est le Contact.
Le cantilever utilisé est de type LRF résonnant à une fréquence 150 kHz en mode Non-contact. Le Scan Rate est fixé à 1,5 Hz en mode Contact et 0,5 Hz en mode Non-Contact.
Les résultats, objets de la figure 1 annexée, ont montré que les nanoparticules sont parfaitement stables sur une période d'étude d'au moins 20 mois aux 3 températures étudiées.
15.b : Formation de nanoparticules à partir des composés obtenus selon les exemples 1 à 3 et 5 à 13.
Les nanoparticules sont réalisées selon le protocole obtenu à l'exemple 15a à partir des composés obtenus aux exemples 1 à 3 et 5 à 13. Elles sont parfaitement stables sur une période d'étude d'au moins 20 mois aux 3 températures étudiées.
15.c : Sous agitation magnétique, 300 mg du composé préparé selon les exemples 1 à 3 et 5 à 13 sont dissous dans l'acétone (150 ml). Puis la solution est ajoutée à débit constant (1 ml/s )à de l'eau distillée (450 ml) sous agitation pour former une solution laiteuse. L'acétone est ensuite évaporée à l'évaporateur rotatif à 25 C et de l'eau est rajoutée à la solution obtenue afin de conserver une concentration de 0. 5 mg/ml. 3 g de phospholipides de soja (phosphatidylcholine, pureté 90%) sont alors ajoutés à la solution. Après dissolution complète (5 heures à température ambiante environ) sous agitation magnétique modérée, des liposomes sont formés en soumettant la solution à une agitation à fort cisaillement (type Ultraturrax, 15.000 tr/min) pendant 30 minutes environ.
- une banque d'ADNc conforme à l'invention peut être constituée de FDTs présentant une expression transitoire
pendant l'androgenèse, choisis parmi les FDTs comprenant les séquences identifiées dans la liste de séquences en annexe sous les numéros : 9 ; 10 ; 20 ; 22 ; 24 ; 28 ; 29 ; 38 ; 42 ; 43 ; 44 ; 51 ; 52. Des FDTs préférés sont choisis parmi ceux comprenant les séquences identifiées sous les numéros : 9,10, 22,24, 28,29, 42 et 43.
La présente invention englobe également les séquences d'acides nucléiques capables de s'hybrider en conditions stringentes avec un marqueur de l'androgenèse conforme à l'invention, et notamment avec une des séquences d'acides nucléique identifiées dans la liste de séquences en annexe sous les numéros 1 à 53.
Des marqueurs de l'androgenèse conformes à l'invention peuvent notamment être utilisés dans le cadre de l'obtention de plantes et de lignées végétales aptes à l'androgenèse.
Par exemple, ils peuvent être utilisés pour évaluer le potentiel androgénétique d'une lignée végétale, ou d'une culture de microspores obtenue à partir de celle-ci.
Ils peuvent également être utilisés pour isoler et cloner des gènes impliqués dans l'androgenèse et/ou les séquences de régulation de ces gènes. Ils permettent notamment de cribler des banques d'ADNc ou d'ADN génomique obtenues à partir de lignées de plantes possédant une aptitude élevée à l'androgenèse, et cloner ainsi des formes alléliques de gènes impliqués dans l'androgenèse associées à cette aptitude élevée.
Les allèles favorables à l'androgenèse ainsi identifiés peuvent être séquences, et à partir de leurs séquences, il est possible d'obtenir des séquences d'acide nucléique spécifiques de ces allèles, permettant notamment de sélectionner des lignées végétales possédant un ou plusieurs desdits allèles favorables, et donc, potentiellement aptes à l'androgenèse.
Alternativement, ces allèles favorables isolés et clones peuvent être introduits chez des plantes inaptes à l'androgenèse, mais possédant par ailleurs des caractéristiques d'intérêt agronomique, afin de permettre
l'obtention, à partir de ces plantes de lignées dont le processus androgénétique serait débloqué par l'expression, la surexpression, ou la reprogrammation d'expression de ces gènes, ou de lignées double-haploïdes.
Des marqueurs de l'androgenèse conformes à l'invention, associés entre eux, ou à d'autres marqueurs génétiques, peuvent également être utilisés directement pour l'analyse et la cartographie génétique, notamment dans le cadre de l'identification de locus individuels affectant un caractère quantitatif ("QTL" = Quantitative Trait Loci) impliqué dans l'androgenèse.
Les marqueurs de l'androgenèse conformes à l'invention peuvent être utilisés, comme indiqué ci-dessus, non seulement chez le maïs mais également d'autres plantes, notamment des monocotylédones, et en particulier des céréales telles que le riz, le sorgho, le blé, l'orge, etc.
La présente invention sera mieux comprise à l'aide du complément de description qui va suivre, qui se réfère à un exemple non-limitatif illustrant l'obtention et la caractérisation de marqueurs de l'androgenèse conformes à l'invention.
EXEMPLE : PREPARATION D'UNE BANQUE DE FDTs UTILISABLES COMME MARQUEURS DE L'ANDROGENESE.
Culture d'embryons androgénétiques Des plants de maïs de la lignée haploïde doublée HD229 issue d'un hydride DH5xDH7, sont cultivés en chambre de croissance à 24 C sous une photopériode de 12 heures. Les lignées DH5 et DH7 sont des lignées androgéniques produisant approximativement 30% d'anthères embryogéniques, alors que la lignée 229 possède environ 70 à 80% d'anthères embryogéniques.
Les panicules sont prélevées juste avant l'anthèse, et le traitement par le froid, l'isolement, et la culture in vitro des anthères et des microspores sont effectués selon les protocoles décrits par DIEU et BECKERT [Maydica, 31,245-259, (1986) ] et améliorés par GAILLARD et al. [Plant Cell Rep., 10,55-58, (1991) ] et ANTOINE-MICHARD
et BECKERT [Plant Cell Tissue and Organe Culture, 48,202- 207, (1997)].
Dans une deuxième étape du procédé, l'application 2 d'une part et, la puce 1 d'autre calculent 16, 17 un certificat noté respectivement S et Sp. Le certificat S, respectivement Sp, est le résultat du calcul effectué par la fonction logique appliquée à une liste d'arguments el,e2 qui comprend au moins l'aléa R et la clé Dans des modes particuliers de réalisation du procédé, la liste d'arguments el,e2 comprend en outre, le numéro ' d'identité de la puce électronique 1 ou, une ou plusieurs données D contenues dans puce électronique 1 ou, une ou plusieurs données D' générées par l'application et écrites dans la puce électronique 1 avant authentification ou, une combinaison des arguments précédents.
Dans une troisième étape, le procédé consiste à déterminer 18, 19 masque M au moyen de la fonction non linéaire f. Le masque M est le résultat de fonction non linéaire f appliquée à une liste d'arguments es, e6 comme décrit ci-dessus en regard de la figure 2. Le masque M consiste en un nombre déterminé m de bits qui est typiquement égal à une dizaine de bits. Le mode de réalisation suivant lequel le nombre m est égal au nombre de bits du certificat S a pour avantage que le certificat masqué ne révèle strictement aucune information sur la valeur du certificat S ; ceci n'est pas le cas lorsque la longueur m du masque M est plus courte que la longueur du certificat S.
Dans une quatrième étape du procédé, la puce électronique 1 masque 20 la valeur du certificat Sp qu'elle a calculée au moyen du masque M. Dans un premier mode de réalisation, le masquage 20 est calculé au moyen d'une fonction de chiffrement. Une fonction de chiffrement est une fonction bijective paramétrée par une clé qui, à un ensemble de valeurs, fait correspondre un autre ensemble de valeurs ; par exemple la fonction F : x--#> x + k modulo 2, avec x=0 ou 1 et k = 0 ou 1, peut être u ti "I'sé 1 -e comme fonction de chiffrement, La fonction de chifftement 1 peut consister en une opération ou exclusif entre le certificat Sp et le masque M. Le résultat de l'opération de masquage donne la valeur du certificat masquée Spm qui est stockée de manière temporaire dans une mémoire 21 tampon de la puce électronique 1.
Dans une cinquième étape du procédé, l'application effectue une lecture 22 de la mémoire 21 tampon ou la puce 1 vient écrire le certificat masqué Spm dans l'application 2. L'échange entre la puce 1 et l'application 2 peut s'effectuer suivant un protocole similaire à celui utilisé pour l'échange de l'aléa R. L'application 2 vérifie alors la valeur Spm du certificat masqué calculée par la puce 1 en la comparant 23 à la valeur S du certificat qu'elle a elle-même calculée. Pour effectuer la comparaison 23, soit, comme illustré, l'application 2 masque 24 la valeur S du certificat au moyen du masque M pour obtenir la valeur masquée Sm et la comparer 23 à la valeur Spm., soit l'application 2 démasque la valeur Spm en faisant intervenir une fonction inverse du masque M pour obtenir la valeur Sp et la comparer à la valeur S.
variante du procédé précédemment décrit en regard des figures 1 et 2 permet avantageusement de remédier à certaines tentatives de fraude consistant à simuler @ à vis d'une puce électronique le comportement d'une application, à l'aide d'une authentification de l'application par la puce électronique. Selon cette variante, des opérations précédemment effectuées par l'application sont effectuées par la puce électronique et vice versa. Ainsi - à chaque authentification de l'application, le mot d'entrée variable R appelé aléa est généré, de préférence, par la puce électronique, - l'application calcule un certificat et, le masque au moyen du masque M pour rendre disponible à la puce électronique uniquement la valeur du certificat masquée, l'opération de comparaison des valeurs de certificat calculées d'une part la puce électronique et, d'autre part par l'application est effectuée par la puce électronique.
L'invention a en outre pour objet une puce électronique destinée à des transactions avec une application, les transactions mettant en oeuvre procédé selon l'invention. La puce comporte - une mémoire non volatile telle une PROM ou une EEPROM pour stocker la première clé secrète K et la seconde clé secrète - un premier circuit électronique tel, un microprocesseur, un circuit logique programmable (EPLD ou PAL selon les terminologies anglo- saxonnes), pour calculer le certificat Sp et pour calculer masque M, des circuits intégrés dans lesquels sont implantées la fonction logique g la fonction non linéaire f, - un second circuit électronique tel, un microprocesseur, un circuit logique programmable (EPLD ou PAL selon les terminologies anglo-saxonnes), pour masquer le certificat avec le masque M.
L'invention a en outre pour objet une carte prépayée comportant une telle puce électronique.
L'invention a en outre pour objet un dispositif destiné à des transactions avec de telles puces électroniques, les transactions mettant en oeuvre un procédé selon l'invention. Le dispositif comporte - moyen de mémorisation pour mémoriser les clés secrètes, K, K', puces électroniques, la fonction logique g et la fonction non linéaire f, - moyen de calcul pour calculer le certificat S et pour calculer masque M, - moyen de vérification pour vérifier la valeur masquée Spm certificat calculé par une puce électronique.
Le dispositif est compris dans un équipement tel, un téléphone public, une borne d'accès à un service public (un tourniquet d'accès à un métro, un tourniquet d'accès à une bibliothèque,...), un parcmètre.
PROCEDE DE GENERATION DE CLES ELECTRONIQUES A PARTIR DE NOMBRES ENTIERS PREMIERS ENTRE EUX ET DISPOSITIF MISE EN #UVRE DU PROCEDE. L'invention concerne un procédé de génération de clés électroniques à partir de nombres entiers premiers entre eux et un dispositif de mise en oeuvre du procédé.
L'invention s'applique tout particulièrement ' des protocoles de cryptographie à clé publique utilisés pour le cryptage d'informations et/ou l'authentification entre deux entités et/ou la signa ture électronique de messages.
Elle s'applique en particulier à des protocoles de cryptographie à clé publique tels que le protocole (Rivest Shamir et Adelman), E1 Gamal, Schnorr, Fiat Shamir.
Dans le cas de telles applications on fait, appel à la génération de grands nombres entiers (pouvant être par exemple être supérieurs ou égaux a 512 bits) pour former une ou plusieurs clés du proto cole. Une condition est imposée pour le choix de ces nombres afin qu'ils restent secrets c'est qu'ils doi vent être co-premiers ou premiers entre eux.
De façon pratique, le dispositif électronique qui désire générer de tels nombres en vue par exemple de mettre en oeuvre un protocole de cryptographie, opère de manière connue de la façon suivante -Prendre un nombre entier a (choisi parmi un ensem- de nombres entiers prédéterminés, ou tiré aléatoi- rement), -Tirer de façon aléatoire un deuxième nombre entier -Effectuer une opération de vérification de la co- primalité entre les nombres a et b. Cette opération permet de vérifier que les deux nombres entiers a, b obtenus sont premiers entre eux. Elle est réalisée par l'unité centrale du dispositif. L'unité centrale cal cule pour cela le plus grand commun diviseur (pgcd) en tre ces deux nombres et vérifie que le résultat est égal à 1. En effet on rappelle que deux nombres sont co-premiers si et seulement si leur plus grand commun diviseur est égal à 1.
I1 existe pour cela plusieurs techniques bien con nues d'implémentation du calcul du pgcd de deux nombres à l'aide d'un microprocesseur.
On peut citer à titre d'exemple les techniques tel les que celle du Binary GCD , du Extended GCD ou la technique de Lehmer. Malgré une complexité asympto tique excellente (c'est-à-dire pour des nombres de taille extrêmement grande), ces techniques s'avèrent à la fois difficile à programmer sur des dispositifs por tables de type carte à microprocesseur car complexes) et de performances médiocres pour des nombres de gran des de tailles usuelles (512 bits) qui tendent à ce jour à devenir supérieures à savoir 1024 bits et plus.
Les connexions décrites précédemment provoquent l'application d'une polarisation inverse aux diodes formées par les jonctions PN, ce qui empêche que les diodes soient polarisées dans le sens direct par une force contre-élec tromotrice qui produit le courant de Foucault, ce qui interrompt le courant de Foucault. En outre les connexions décrites précédemment empêchent le fonctionnement en tant que transistor MOS même dans le cas de l'application du potentiel de grille VGT de l'électrode de grille DGT de l'électrode de grille factice MD1, ce qui fournit une sou plesse accrue de sélection du potentiel de l'électrode de grille DGT de l'électrode de grille factice MD1.
La figure 32 représente une configuration dans le plan de l'écran PG 108A. La configuration dans le plan de l'écran PG 108A est similaire à celle de l'écran PG 101 décrit en référence à la figure 2 et ne sera pas décrite de façon particulière. On ne va pas à nouveau décrire l'agencement possible décrit en référence à la figure 31. Une coupe transversale prise suivant la ligne X-X sur la figure 32 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 108A représenté sur la figure 31.
I. Neuvième forme de réalisation préférée I-1. Agencement du dispositif La figure 33 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 900 conformément à une neuvième forme de réalisation préférée de la présente invention. A titre de simplification, seul l'agencement de la partie de circuit HF RP du dispositif à semiconducteurs 900 est représenté sur la figure 33.
Dans la partie de circuit HF RP, comme représenté sur la figure 33, un écran PG 109 (couche de protection) comprenant les régions SOI 291 à 299 selon une relation de contact intime et les films de siliciure 36 formés sélecti vement sur les régions SOI 291, 293, 295, 297 et 299 est formé dans la couche SOI 3 selon une relation de correspon dance avec la région dans laquelle est prévue l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70).
Les régions SOI 291, 295, 299 sont des régions de type P+, les régions SOI 292, 294, 296 et 298 sont des régions de type P+ et les régions SOI 293 et 297 sont des régions de type N-. Les régions SOI 293 et 297 sont connec tées par l'intermédiaire des films de siliciure 36 au potentiel (Vcc) de la source d'alimentation, et les régions SOI 291, 295 et 299 sont connectées à la masse par l'inter médiaire des films de siliciure 36.
Dans l'écran PG 109, une polarisation inverse est appliquée aux diodes formées par les jonctions PN pour interrompre le courant de Foucault. Par conséquent, les régions SOI 293 et 297 sont connectées au potentiel de la source d'alimentation, et les régions SOI 291, 295 et 299 sont connectées à la masse.
La figure 35 représente une configuration dans le plan d'un écran PG 109. La configuration dans le plan de l'écran PG 109 est similaire à celle de l'écran PG 101 décrite en référence à la figure 2 et ne sera pas décrite d'une manière particulière. L'écran PG 109 diffère de façon importante de l'écran PG 101 par le fait que les films de siliciure 36 remplacent les films d'oxyde d'isolation 11 disposés dans des sillons, de l'écran PG 101. Une coupe transversale prise suivant la ligne X-X sur la figure 35 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 109 repré senté sur la figure 33.
Les constituants des dispositifs à semiconduc teurs 900 semblables à ceux du dispositif à semiconducteurs 800A de la figure 31 sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on ne les décrira pas de façon particulière.
I-2. Procédé de fabrication on va décrire brièvement un procédé de formation de l'écran PG 109. Tout d'abord, on implante une impureté de type P (ou une impureté de type N) en une concentration relativement faible dans la couche SOI 3 pour former une couche P- (une couche N-). Ensuite, en utilisant un masque de resist, on implante une impureté de type P présente en une concentration relativement élevée de manière à former sélectivement les régions SOI 291, 295 et 299 qui sont les régions de type P+, et on implante une impureté de type N en une concentration relativement élevée pour former sélec tivement les régions SOI 293 et 297, qui sont les régions de type N+. Ensuite les régions, dans lesquelles on n'a implanté aucune impureté de type P ni aucune impureté de type N possédant la concentration élevée, subsistent en tant que région de type P-.
Comme cela est représenté sur la figure 34, on forme un film de protection en siliciure PT pour recouvrir chacune des régions SOI 292, 294, 296 et 298, qui sont les régions de type P-. Le film de protection en siliciure est un film isolant, comme par exemple un film d'oxyde de sili cium, qui sert à recouvrir les régions de source/drain d'un transistor MOS, au niveau duquel l'application d'un sili ciure n'est pas souhaitée, pour empêcher la formation d'un film de siliciure.
Ensuite, on forme un film métallique MF, comme par exemple un film de cobalt ou de titane, sur l'ensemble de la surface supérieure de la structure résultante de manière à recouvrir les régions SIO 291, 293, 295, 297 et 299. On applique une transformation au film métallique MF et une transformation de siliciure pour former un film de siliciure 261. On élimine des parties du film métallique MF, qui ne sont pas transformées en siliciure, sur les films de protection en siliciure PT. Ceci fournit les films de siliciure 36 formés sélectivement.
Les films de protection en siliciure PT sont for més de manière à être appliqués en partie contre des par ties supérieures des régions SOI sur les côtés opposés de chacune des régions de type P- afin d'empêcher de façon fiable que les films de siliciure 36 soient formés sur les régions SOI sur les côtés opposés de chacune des régions de type P-.
I-3. Fonctionnement et effet Dans l'écran PG 104 du dispositif à semiconduc teurs 400 décrit en référence à la figure 35, les régions SOI sont de façon similaire disposées selon une relation de contact intime, mais aucun film de siliciure n'est formé sur les régions SOI étant donné que le film de siliciure formé continûment sur les régions SOI empêche que les diodes soient formées par des jonctions PN. Cependant, l'absence complète du film de siliciure rend quelquefois difficile de réduire la valeur résistive des régions SOI. Dans l'écran PG 109, les films de siliciure sont formés, bien qu'étant espacés de façon discrète, afin de réduire la valeur résistive des régions SOI.