INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lors de cette édition de liens qui correspond à l'encapsulation du composant dans le module, l'éditeur vérifie que toutes les fonctionnalités fournies par les différentes interfaces du projet ont été effectivement décrites totalement dans un fichier source associé, et compilées.
Exemple 4 : Filtre d'expansion de format d'image Un tel filtre 230, représenté sur la figure 8, met en oeuvre les fonctions de gel à partir d'une architecture fondée sur des modules M1 -M4 identiques à celui 60 de la figure 2, disposés en un réseau 120D.
Le filtre 230 comprend - les quatre modules M1 à M4 de quatre coefficients chacun, les modules M1 et M2 étant destinés à une interpolation horizontale et les modules M3 et M4 à une interpolation verticale; - une mémoire de tête 231 pour conversion de rythme, disposée en amont des modules M1-M4, - deux entrées d'horloge H _SOURCE et H -SORTIE dans la mémoire de tête 231, prévues pour donner respectivement les rythmes de l'image source et de l'image de sortie, - des lignes de gel point WE POINT reliées aux modules M1 et M2 et des lignes de gel ligne WE-LIGNE reliées aux modules M3 et M4.
La sortie OUTVIDE02 du module M2, correspondant à l'interpolation horizontale, est connectée à l'entrée INVIDE03 du module M3, qui conduit à une interpolation verticale.
La séparation des signaux de gel de point et de ligne par groupe de deux modules permet de réaliser dans un même composant une expansion en horizontal et en vertical en une seule passe de traitement. La mémoire de tête 231 permet de générer un changement de rythme pixel ou horloge pixel, qui correspond à celui résultant d'un changement de format d'image. L'écriture dans cette mémoire 231 est réalisée au rythme de l'image source (donné par H _SOURCE), tandis que la lecture de cette mémoire est réalisée au rythme de l'image de sortie (donné par H _SORTIE). De la sorte, seuls les pixels utiles à l'opération de filtrage sont mémorisés.
Dans une mise en oeuvre particulière, on effectue un zoom centré sur le milieu de l'image. Le facteur d'expansion dans chaque direction est de 2 et le filtre 230 interpolateur utilise 8 coefficients dans chaque direction.
Pour l'interpolation horizontale, pratiquée dans les modules M1 et M2, un gel point est effectué tous les pixels entrant dans le filtre 230 ou tous les deux pixels sortant du filtre 230. La lecture de la mémoire de tête 231 et aussi le décalage pixel dans le filtre 230 sont alors bloqués par le signal WE_POINT. On obtient ainsi en sortie des modules M1 et M2 deux fois plus de pixels qu'en entrée. Pour l'interpolation verticale, le processus est similaire, mais avec un blocage par le signal WE_LIGNE du décalage en ligne, pour chaque nouvelle ligne entrante ou toutes les deux lignes sortant des modules M3 et M4. La conversion de rythme en vertical est aussi assurée par la mémoire de tête 231, ce qui implique la répétition de l'interpolation horizontale pour chaque ligne gelée. Le gel de ligne est en fait effectué dans la mémoire de tête 231 sur les pixels de l'image source.
Dans une application particulière de conversion de format d'image, on effectue le passage d'un signal TV vers TVHD. L'image TV est alors mémorisée dans la mémoire de tête 231 au rythme d'horloge TV et elle est relue au rythme TVHD pour réaliser des expansions horizontale et verticale. Exemple 5 : Filtre de sous-échantillonnage (compression) Un tel filtre 240 de compression, représenté sur la figure 9, est également obtenu à partir d'une architecture fondée sur des modules M1-M4 identiques à celui 60 de la figure 2, mais comprend une mémoire de sortie 241 ayant une fonction de conversion de rythme.
Cette mémoire 241 dispose d'une entrée WE PT LG de gel de point et de ligne, qui permet une sélection des points et des lignes utiles. Elle comprend également les entrées d'horloge H -SOURCE et H -SORTIE, donnant respectivement les rythmes d'écriture (informations en provenance des modules) et de lecture (image réduite de sortie) de cette mémoire 241.
Les fonctions des modules M1 à M4 sont similaires à celles exposées dans l'exemple 4 pour l'expansion. Ce filtre 240 de sous-échantillonnage permet de réduire la taille de l'image en nombre de points et de lignes, cette opération étant accompagnée d'un filtrage qui permet de respecter la loi de Shannon Le filtre 240 fonctionne au rythme de l'image source et il réalise plus d'interpolations que nécessaire, car il fournit un pixel à sa sortie pour chaque pixel d'entrée et une ligne pour chaque ligne d'entrée. La mémoire de sortie 241 effectue la sélection des points et des lignes utiles (signal d'entrée WE PT LG) et est ensuite lue au rythme de l'image réduite de sortie.
La partie qui suit de la description est consacrée aux fonctions d'accès aléatoire, qui peuvent être mises en oeuvre au lieu d'un filtrage linéaire à partir de composants similaires à ceux exposés plus haut, moyennant des adaptations simples.
Une application particulièrement intéressante de l'accès aléatoire est la compensation de mouvement. Dans une opération correspondante d'accès pixel, illustrée sur la figure 10, l'adresse courante est portée par une trame T en cours d'interpolation, située entre deux trames précédente T1 et suivante T2 (accès aléatoire bidirectionnel). L'interpolation d'un point M de la trame T courante fait appel aux pixels des deux trames T1 et T2 adjacentes, qui sont situés dans l'environnement proche des points d'impact d'un vecteur V d'interpolation. Le point M est calculé par pondération des valeurs des deux points d'impact en fonction d'un coefficient a (compris entre 0 pour T placé sur T1 et 1 pour T placé sur T2) donnant la position relative de la trame T par rapport à T1 et T2. Les points d'impact sont eux-mêmes calculés par interpolation à partir des pixels de leurs environnements. Dans les exemples exposés, on effectue une interpolation bilinéaire en utilisant seulement les quatre pixels A1, B1, C1 et D1 pour T1 et A2, B2, C2 et D2 pour T2 encadrant respectivement chacun des points d'impact M1 et M2. De plus, on définit une précision d'interpolation allant jusqu'au quart de pixel, en utilisant
une précision des adresses d'impact au quart de pixel. Ceci conduit à distinguer une partie fractionnaire de ces adresses, représentée par une partie fractionnaire de deux bits. Cette partie fractionnaire détermine les coefficients de l'interpolation faite à partir des quatre pixels encadrant l'impact du vecteur V, respectivement sur les trames T1 et T2.
La succession des opérations effectuées est la suivante - Calcul des adresses d'impact A1 et A2 respectivement dans les trames T1 et T2 en fonction d'un vecteur V référencé de T2 vers T1 V1(x,y) = a * V(x,y) V2(x,y) = (1 -a) * V(x,y) ; les quadruplets sont alors repérés par les adresses des pixels A1 et A2 Al (x,y) = M(x,y) + Ent[V1(x,y)] A2(x,y) = M(x,y) + Ent[V2(x,y)] où Ent correspond à l'extraction de la partie entière ; - Interpolation des points d'impact M1 et M2 M1 = A1 * (1-Fr[V1(x)]) * (1-Fr[V1(y)]) + B1 * Fr[V1(x)] * (1-Fr[V1(y)]) + C1 * (1-Fr[V1(x)]) * Fr(V1(y)] + D1 * Fr[V1(x)] * Fr[V1(y)] M2 =A2 * (1-Fr[V1(x)]) * (1-Fr[V1(y)]) + B2 * Fr[V1(x)] * (1-Fr[V1(y)]) + C2 * (1-Fr[V1(x)]) * Fr[V1(y)] + D2 * Fr[V1(x)] * Fr[V1(y)] où Fr représente l'extraction de la partie fractionnaire d'une composante du vecteur ; - Interpolation du point M M=(1-a)*M1 +a*M2.
Un composant utilisé pour ces opérations, représenté sur les figures 11 à 13, repose sur l'utilisation de quatre modules 250 similaires à celui 60 de la figure 2. Les modules 250 (figure 11) comprennent chacun quatre cellules 261, 271, 281 et 291 et sont modifiés de la manière suivante - séparation de chaque mémoire de ligne (lignes à retard 265, 275, 285 et 295 respectivement des cellules 261, 271, 281 et 291) de 2048 pixels en deux mémoires RAMs 301 et 302 de 1024 pixels chacune (une RAM de retard une ligne 4 à 1028) conduisant à un total de 32 lignes, - association de RAMs d'accès 256-259 de 64 mots (RAMs double ports 64x40) respectivement aux lignes à retard 265, 275, 285 et 295 des cellules 261, 271, 281 et 291.
Ces compléments permettent de disposer d'une profondeur de RAM égale à l'excursion maximum du vecteur en X et en Y, requise pour l'introduction de la fonction aléatoire. Ces excursions maximales du vecteur sont généralement fixées à 31 points et 15 lignes pour la plupart des systèmes à compensation de mouvement. Elles imposent donc de disposer d'un espace mémoire d'une profondeur de 64 points sur 32 lignes.
Ces RAMs d'accès 256-259, de plus faible capacité que les lignes à retard 265, 275, 285 et 295 et disposées en parallèle de ces lignes, permettent de remédier à des problèmes de limitation de temps d'accès qui seraient posés par l'utilisation exclusive des RAMs des lignes à retard 265, 275, 285 et 295. Elles sont uniquement utilisées pour l'accès aléatoire. Pour supporter la taille maximum en X du vecteur, il faut des RAMs de 64 points. Cependant, on a avantageusement recours à une duplication de la RAM d'accès, car on peut ainsi accéder en un cycle d'horloge, à deux points consécutifs d'une même ligne, ceux-ci étant écrits à la même adresse. On utilise donc des RAMs d'accès de 64*20 mots par ligne. Les cellules de base 261, 271, 281 et 291 possédant deux lignes de 1024 pixels, il faut lui associer deux RAMs de 64*20, ce qui peut se traduire par une RAM 64*40.
Supposons maintenant que sur son poste, l'utilisateur du client clientlmanipule l'objet 05 pendant le premier cycle (qui était initié par le message Msgl). Il se déroule alors chez le client le scénario illustré sur la figure 232.
On observe ici que le serveur a pris trop d'avance dans le traitement de son séquenceur, si bien que des scénarios différents sont joués chez le client client1 et sur le serveur. Le serveur doit donc revenir en arrière sur l'avance qu'il a prise : c'est le mécanisme de retour en arrière, dont on va maintenant décrire le fonctionnement..
On donne ci-après une description d'un exemple détaillé.
Un axe 10 de matrice de commutation est assujetti dans la direction supérieure et inférieure du boîtier principal 1, et une plaque de base de commutation semicirculaire 11 est fixée rotative sur l'axe de matrice de commutation 10 correspondant, et une portion de pression en forme d'éventail 12 constituée d'une moitié de la portion arquée de la plaque de base de commutation 11 et d'une partie d'un demi-cercle est amenée à faire saillie du boîtier principal 1 de sorte que la moitié de la portion arquée de la plaque de base de commutation 11 correspondante fasse saillie pour être pressée, et constituer ainsi un commutateur à levier 7.
Une extrémité d'une paire de ressorts hélicoïdaux (non illustrés) partiellement enroulés sur l'axe de matrice de commutation 10 est fixée sur la plaque de fond 2, son autre extrémité étant fixée sur la plaque de base de commutation 11, de façon à ce que la plaque de base de commutation 11 puisse reprendre automatiquement sa position initiale après avoir tourné.
Par ailleurs, une portion d'entraînement de commutation (similaire à un écartement) du type saillie 14 est formée au niveau de la portion semi-circulaire de la plaque de base de commutation 11 logée dans le boîtier principal 1, et un bras de commutation 15 est également prévu au niveau de la carte à circuit imprimé 6 fixée dans le boîtier principal 1, de sorte que la mise en contact de la portion d'entraînement de commutation 14 et du bras de commutation 15 (pression exercée par le décrochement) grâce au mouvement de la plaque de base de commutation 11, provoque l'inclinaison et l'activation du bras de commutation 15.
De plus, tandis qu'une roue droite (crémaillère) 16 est prévue au niveau de la portion circonférentielle extérieure d'une partie de la portion semi-circulaire de la plaque de base de commutation 11, un amortisseur 17 destiné à régler la vitesse du levier est prévu au niveau de la portion extérieure opposée à la roue droite, une roue droite 18, fixée au niveau du bord circonférentiel extérieur de l'amortisseur 17 correspondant, étant engrenée avec la roue droite 16 de la plaque de base de commutation 11.
Dans le montage, en pressant et en actionnant la portion de pression saillante 12 en forme d'éventail du boîtier principal 1 au niveau de la plaque de base de commutation 11, on active le commutateur et, simultanément, la vitesse de rotation de la plaque de base de commutation 11 diminue du fait de l'engagement de la plaque de base de commutation 11 avec l'amortisseur 17.
Qui plus est, un axe de matrice de mesure 20 est prévu au niveau de la position opposée au côté d'extrémité de la roue droite 16 de la plaque de base de commutation 11, et une plaque de base de mesure en forme de disque 12 est prévue rotative au niveau de l'axe de matrice de mesure
20 correspondant, et une roue droite 22 est assujettie à l'axe de matrice de mesure 20 de façon à ce qu'elle soit fixée avec la plaque de base de mesure (disque rotatif 21), la roue droite 22 de la plaque de base de mesure 21 étant engrenée avec la roue droite 16 de la plaque de base de commutation 11.
Grâce à cet arrangement, la plaque ou disque de base de mesure 21 est entraînée en rotation, éventuellement par intermittence, en réponse à la plaque de base de commutation 11 qui tourne lentement sous l'action de l'amortisseur 17.
Par ailleurs, la plaque de base de mesure 21 est disposée entre la portion d'ouverture de mesure 3 et la portion de mesure 4, tandis qu'un échantillon d'essai noir 23 et un échantillon d'essai blanc 24, constituant des échantillons d'essai de correction de couleurs spécifiques, ainsi qu'une fenêtre de mesure 25 sous forme d'un espace, sont prévus en des positions déterminées sur la plaque de base de mesure 21.
De plus, des cliquets 26,26a et 26b, respectivement, correspondant à l'échantillon d'essai noir 23, à l'échantillon d'essai blanc 24 et à la fenêtre de mesure 25, sont prévus sur le bord circonférentiel extérieur de l'autre côté de la plaque de base de mesure 21. Un capteur de détection de synchronisation 27, qui détecte les cliquets 26,26a et 26b, est également prévu sur la carte à circuit imprimé de commande 6.
Grâce à cet arrangement, l'échantillon d'essai noir 23, l'échantillon d'essai blanc 24, la fenêtre de mesure 25, les cliquets 26,26a et 26b sont entraînés en rotation et déplacés par la rotation de la plaque de base de commutation 11 et de la plaque de base de mesure 21 et,
lorsque l'échantillon d'essai noir 23 est situé entre la portion de mesure 4 et la portion d'ouverture de mesure 3, la lumière réfléchie par l'échantillon d'essai noir 23 est mesurée à l'instant de détection synchronisant du cliquet 26, et la lumière réfléchie par l'échantillon d'essai blanc 24 est mesurée à l'instant de détection synchronisant du cliquet 26a, et une autocorrection est mise en oeuvre comme décrit ci-dessous.
De plus, lorsque la fenêtre de mesure 25 est située entre la portion de mesure 4 et la portion d'ouverture de mesure 3, la lumière traverse la fenêtre de mesure (espace) 25 à l'instant de détection synchronisant du cliquet 26b, la lumière réfléchie par celui-ci est mesurée, et la couleur d'une substance est identifiée.
Par ailleurs, le haut-parleur 28 est intégré dans le boîtier principal 1 comme moyen destiné à fournir en sortie, de manière périphérique, une couleur d'une substance (objet) identifiée par une voix. Toutefois, un écouteur (et sa borne) (non illustré) peut être employé au lieu du haut-parleur 28.
Un (moyen de) circuit, contenant une carte à circuit imprimé de commande 6, est décrit ci-dessous.
d'électroconductivité élevée est demandé. A cet égard, l'alliage ferreux 42 possède une électroconductivité aussi faible que 3 % IACS mais les matériaux cuivreux possèdent une électroconductivité supérieure et sont avantageux.
En conséquence, on demande des matériaux cuivreux ayant une caractéristique générale en tant que matériau de broche et ayant également une résistance mécanique comparable à celle d'un alliage 42, et on a utilisé des alliages de cuivre tels que les alliages de la série CuNi-Si ou de la série Cu-Sn capables de fournir une résistance mécanique élevée, ou des alliages de la série Cu-Cr ou de la série Cu-Fe-P capables de fournir une électroconductivité élevée.
Comme procédé pour surmonter de tels problèmes, on a proposé des alliages de cuivre de résistance mécanique élevée et d'électroconductivité élevée en améliorant des alliages de la série Cu-Fe-P, par exemple, dans JP-A-n 198679/1998,298680/1998 et 199952/1999.
Puisque tous les alliages décrits ci-dessus contiennent 0,5 % ou 0,3 % ou plus de Fe et 0,1 % ou plus de P, la dite oxydation interne tend à apparaître fréquemment lors d'un traitement thermique. Les couches d'oxyde dégradent extrêmement la mouillabilité au soudage même quand elles sont formées en une épaisseur si mince qu'elle ne peut pas être mesurée par une analyse instrumentale. De plus, puisque Mg est incorporé à raison de 0,05 % ou plus dans JP-A-n 199952/1999, il peut exister un souci de précipitation anormale dans le plaquage Ag (ci-après désigné par protrusion du plaquage Ag).
On a proposé un alliage de cuivre tel que décrit dans JP-A-n 54043/2000 visant à une résistance mécanique élevée et à une électroconductivité élevée en
incorporant Ni, Fe et P. Toutefois, aucune considération n'est faite ici sur la résistance à l'adoucissement.
Au vu de ce qui précède, cette invention vise à fournir un alliage de cuivre, de résistance mécanique élevée et d'électroconductivité élevée, qui est excellent en caractéristiques telles que résistance mécanique, électroconductivité et capacité à la mise en forme par courbure requises pour des alliages de cuivre pour une utilisation dans des pièces électriques et électroniques telles que des grilles de connexion, bornes et connecteurs, aussi bien qu'excellent dans les caractéristiques telles que résistance à l'adoucissement, capacité à la mise en forme par cisaillement, propriété de plaquage et mouillabilité au soudage en surmontant les problèmes précédents.
Un alliage de cuivre pour une utilisation dans des pièces électriques et électroniques selon la présente invention comprend : Ni : 0,1 à 1,0 % en masse Fe : 0,01 à 0,3 % en masse P : 0,03 à 0,2 % en masse Zn : 0,01 à 1,5 % en masse Si : 0,01 % en masse ou moins, et Mg : 0,001 % en masse ou moins, dans lequel la relation pour la teneur en Ni, teneur en Fe, teneur en P et teneur en Si satisfait simultanément les relations suivantes : teneur en P/teneur en Si 10 5 (teneur en Ni + teneur en Fe)/teneur en P 7 4 teneur en Ni/teneur en Fe 9.
Dans l'alliage de cuivre décrit ci-dessus, on préfère précipiter les précipités de Ni/Fe/P de (0,5 à 5)/(0,1 à 2)/1 en rapport massique.
L'alliage de cuivre peut comprendre un ou deux de un ou plusieurs de Co, Cr et Mn à raison de 0, 005 à
0,05 % au total et de @ un ou plusieurs de Al, Sn, Zr, In, Ti, B, Ag et Be à raison de 0,005 à 0,05 % au total.
Les alliages de cuivre contenant les éléments décrits ci-dessus en une quantité inférieure à la limite inférieure en tant qu'impureté accidentelle peuvent bien sûr être inclus dans cette invention.
On préfère restreindre 0 : 100 ppm ou moins et H : 5 ppm ou moins parmi les impuretés accidentelles.
Les raisons pour restreindre les ingrédients et les conditions tels que décrits ci-dessus vont être expliquées.
[Teneur en Ni] Ni précipite sous forme d'un composé intermétallique conjointement avec P, qui sera décrit plus tard, pour améliorer la résistance mécanique d'un alliage de cuivre. Puisque le composé Ni-P est un composé non intermétallique stable à température élevée, il est médiocre en résistance à l'adoucissement. Toutefois, la résistance à l'adoucissement est exceptionnellement améliorée tout en conservant la résistance mécanique comme cela existe en incorporant Fe aux précipités Ni-P pour former un composé intermétallique ternaire. En plus, la capacité de mise en forme par cisaillement est également améliorée.
Quand la teneur en Ni est inférieure à 0,1 %, puisque la quantité de précipitation du composé intermétallique est faible, la résistance mécanique élevée souhaitée et la capacité de mise en forme par cisaillement ne peuvent pas être obtenues. D'autre part, quand la teneur en Ni dépasse 1,0 %, une grande quantité de précipités grossiers du composé Ni-P est formée pendant la coulée détériorant extrêmement la capacité à la mise en oeuvre à chaud. Le composé Ni-P détériore la capacité de mise en oeuvre à chaud en particulier dans une région de températures de 700 C à 900 C. Cette gamme
L'article A Low-Power Digital Camera-on a-Chip Implemented in CMOS Active Pixel Approach , de B. PAIN et al., 12th International Conférence on VLSI Design, January 1999, décrit senseur dans lequel un convertisseur analogique numérique est placé en bout de colonne. Ce convertisseur se substitue donc au moyen de traitement 4 de la figure 1. L'étage de sortie 7 est alors une mémoire tampon (ou buffer) de signaux numériques. Par rapport au dispositif précédent, celui-ci à l'avantage d'avoir fréquence de conversion inférieure à la fréquence vidéo. Par contre, son placement et son routage doivent être réalisés dans le pas de la matrice. plus, il nécessite un nombre important de convertisseurs, puisqu'il doit y avoir autant de convertisseurs que de colonnes.
Les deux dispositifs qui viennent d'être décrits présentent, de plus, l'inconvénient de convertir les signaux analogiques provenant des PELs, relativement loin , dans le circuit de lecture. Autrement dit, l'information collectée par les photodétecteurs n'est convertie en signal numérique qu'après avoir été acheminée en fin de colonne ou au niveau de l'étage de sortie du senseur. Ces informations ont donc déjà pu être dégradées, pendant leur acheminement jusqu'au convertisseur ; c'est alors un signal analogique dégradé qui est converti en signal numérique. Pour éviter ce dernier inconvénient, des dispositifs proposent d'effectuer la conversion analogique/numérique au niveau des PELs. Cependant, cette conversion analogique en numérique ne peut se faire en implantant intégralement convertisseur analogique/numérique dans chaque PEL En effet, son placement et son routage sont fortement limités par les dimensions du pas du PEL, dans les deux dimensions de la matrice.
Les brevets US-A-5 659 315 et US-A-5 248 971 proposent de remédier a ce problème de place-en intégrant le premier module d'un convertisseur analogique/ numérique dans le PEL. Le convertisseur est donc réparti entre le PEL et l'extrémité de la colonne. Un comparateur est donc partagé entre l'ensemble des PELs de la colonne. Dans ce cas la conversion analogique/numérique n'est effective qu'en sortie du convertisseur situé à l'extrémité colonnes. Cette architecture implique que chaque PEL reçoit une consigne issue du module de conversion, ce qui augmente considérablement la complexité du dispositif et les risques de provoquer des couplages inter-PELs.
La demande de brevet EP-A 954 167 propose également de convertir le signal analogique au niveau du PEL. Plus précisément, ce document propose un PEL avec une sortie digitale. Dans ce la conversion est de type simple rampe classique. La rampe de tension est de type analogique ; la conversion est effectuée après la prise d'image. Ce dispositif présente l'inconvénient de faire la conversion analogique/numérique après la prise image (ce qui peut limiter le nombre d'images par seconde), mais également de devoir acheminer une consigne sous la forme d'une tension analogique variable vers chaque PEL Exposé de l'invention L'invention a justement pour but de remédier aux inconvénients des techniques décrites précédemment. A cette fin, elle propose un procédé pour convertir un signal analogique, représentatif d'une valeur électrique, en un signal numérique cette conversion se faisant au plus près du photodétecteur, c'est-à-dire dans un PEL intégrateur. Le procédé de l'invention consiste à scruter l'état de sortie de chaque PEL, ligne après ligne, au cours d'une prise de vue sur un seul bus pour l'ensemble des PELs d'une colonne.