INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le calcul de la quantité de cuivre incorporable dans l'effluent concentré est simple. A partir d'un litre de solution d'ammoniaque de concentration 1,6 mol.L-l il sera possible au maximum de "récupérer" 0,16 mole par litre de Cu2+, soit 10,1g de cuivre par litre.
Si au départ, la solution à dépolluer contient 15 mg.L-1), il sera possible de décomplexer 14,7 mg de Cu2+ par litre.
Il faudra alors 10,1 1/14,7 x 10-3 # 700 litres de solution à dépolluer pour saturer 1 litre d'ammoniaque à 1,6 mol.L-1, soit un facteur 700 en diminution du volume.
Ainsi, en augmentant la concentration en ammoniaque, le facteur de diminution de volume est augmenté. Ces résultats sont exposés dans le tableau B ci-dessous. Les essais de tenue en cyclage ont été fait dans une solution de 1,6 mol.l-1, cependant les essais dans les solutions plus concentrées n'ont pas montré de difficultés particulières. S'il est possible de concentrer 10 g de cuivre par litre ou plus, il est alors possible de traiter au final ce litre d'effluent concentré par des procédés classiques de précipitation par les hydroxydes utilisant par exemple de la laitance de ciment, ou de la chaux vive, et de former un résidu sec.
Tableau B : Taux de concentration du procédé en fonction de la concentration de la solution d'expulsion (NH3)
Concentration en NH3 1,1 1,6 3 16 (mol.l-') Taux de concentration ou quantité de solution de cuivre 500 700 1300 7000 (15 mg.1-1) en L
Le gain de volume entre la solution d'entrée et la solution de rejet dépend donc de la concentration de la solution d'ammoniaque et donc du prix de la solution d'extraction. Selon cette concentration, le facteur de gain peut atteindre 7000, c'est-à-dire 1 litre de solution de rejet pour 7 m3 de solution traitée.
3. 2. Phase sur lames planes et sur toiles métalliques de moyenne dimension (10 cm2) Cette partie concerne la prise en compte des conditions de préparation des filtres et de leurs utilisations en environnement industriel.
3. 2.1. Conception d'une cellule Téflon avec séparateur membranaire Le mode de synthèse des films de P4VP par électropolymérisation, est repris ci-dessous de façon à l'adapter à la réalisation des toiles utilisée pour former la structure complexante de la présente invention.
Par ailleurs, les bains électrolytiques de l'invention peuvent contenir différents additifs classiquement utilisés dans les bains d'électrodéposition tels que des sels conducteurs, des tampons destinés à stabiliser le pH, des agents mouillants, des additifs destinés à réduire les tensions intenies des dépôts électrolytiques.
On choisira avantageusement ces différents additifs de façon à ce qu'ils n'introduisent pas d'ions non désirés dans le bain électrolytique et, en particulier, de façon à ce qu'ils n'introduisent dans le bain électrolytique ni chlorure, ni acide phosphorique.
Ainsi, les bains de l'invention contiennent avantageusement au moins 20g/1 d'au moins un sel conducteur. Ce sel conducteur sera avantageusement choisi dans le groupe constitué du sulfate de sodium, du sulfate de potassium et de leurs mélanges.
Les tampons destinés à stabiliser le pH seront de préférence de type acétique, citrique ou borique.
On recourra avantageusement à des agents mouillants. Les agents mouillants préférés selon l'invention seront le bromure ou l'iodure de céthyltriméthylammonium.
Pour éviter les tensions internes on choisira avantageusement d'incorporer dans le bain électrolytique du saccharinate de sodium.
Selon différentes variantes particulièrement avantageuses, l'invention propose des conditions perinettant en particulier d'éviter totalement l'utilisation de chlorures.
Elle propose également des conditions où l'on évite au maximum de charger le bain en ions et, cela, de façon à améliorer sa durée de vie.
Ainsi, pour éviter l'utilisation de chlorures, on introduit avantageusement le palladium sous forme de sulfate.
Ainsi, les bains selon la présente invention sont avantageusement sans chlorures et l'anion de base de ces bains est avantageusement le sulfate. Il est en effet connu que les anions sulfates sont souvent utilisés en galvanoplastie, car ils réagissent beaucoup moins facilement aux électrodes, que les ions nitrites ou sulfites, dont les concentrations sont beaucoup plus difficiles à maintenir à un niveau stable dans l'électrolyte. Ces fluctuations de composition peuvent conduire à des dépôts voilés. Contrairement à ces formulations, les bains de l'invention ont une très bonne stabilité.
Par ailleurs, il est bien connu que la durée de vie d'un bain de galvanoplastie peut être largement prolongée en évitant l'accumulation des espèces chimiques au cours du fonctionnement de ce bain, de façon à éviter de saturer l'électrolyte.
C'est ainsi que, selon l'invention, on introduit avantageusement le palladium sous forme d'un composé spécifiquement adapté à cet effet. Ce composé qui est en lui-même un composé nouveau fait l'objet d'une demande de brevet déposée le même jour que la présente demande. Plus précisément, ce composé qui se présente sous forme d'un sel insoluble dans l'eau présente l'avantage de pouvoir être transformé en présence d'un excès d'éthylènedi amine en un complexe soluble dès son introduction dans le bain. Par ailleurs, du fait de sa composition chimique, ce composé permet d'introduire le palladium avec une quantité de contre-ions (sulfate) nettement plus faible que dans l'art antérieur. En effet, dans l'art antérieur on introduisait dans les bains électrolytiques le palladium soit sous forme d'un de ses sels, par exemple de son sulfate soit, le cas échéant, directement sous forme du complexe soluble dans l'eau entre le sulfate et l'éthylènediamine.
Plus précisément, le palladium est introduit dans le bain électrolytique de l'invention de façon particulièrement avantageuse sous forme d'un sel solide de sulfate de palladium et d'éthylènediamine comprenant de 31 à 41 % en poids de palladium et dans lequel le rapport molaire [S041 : [Pd] est compris entre 0,9 et 1, 15 et le rapport [éthylènediamine] : [Pd] est compris entre 0,8 et 1,2.
Une méthode de synthèse du sulfate de palladium complexé par une seule éthylènediamine sous forme de sel solide a été spécialement mise au point. Ce sel, bien qu'insoluble dans l'eau est soluble dans les bains où un excès d'agent complexant est toujours présent. Ce sel est très intéressant pour réajuster la concentration en palladium, sa fabrication est détaillée plus loin.
Toujours avec le même souci d'éviter de charger le bain électrolytique en contre-ions, quand un ou plusieurs métaux d'alliage sont codéposés, donc consommés, la recharge des bains en ces métaux sous forme de carbonates s'est révélée la plus adaptée. En effet les carbonates réagissent en milieu acide pour former du C02 qui s'échappe rapidement sous forme gazeuse au moment de l'addition.
C03 2- + 2 H' --> H20 + C02;' Cette réaction a lieu, lorsque le carbonate du métal est ajouté à l'électrolyte. Avec ce système, les métaux secondaires peuvent être réajustés sans laisser aucun anion dans le bain. Ce système permet donc de prolonger la vie des bains de la présente invention.
Le transistor PMOS M13 comprend une pellicule d'oxyde de grille G013 s'étendant entre la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT2 et la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1, et une électrode de grille GT13 formée sur la pellicule d'oxyde de grille G013, avec ses trémités engagées sur la surface supérieure de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT2 et de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1.
Ensuite, une pellicule isolante inter-couche 9 est formée sur surface du substrat S01, SB, et une multiplicité de contacts de grille sont formés de façon que chacun d'eux atteigne une extrémité de l'une quelconque des électrodes de grille GT11, GT12 et GT13 à travers la pellicule isolante inter-couche 9. Les contacts de grille GS sont connec tés à des couches d'interconnexion WLO dont le motif est défini sur la pellicule isolante inter-couche 9.
En se référant maintenant aux figures 28 à 34, on va décrire le processus d'isolation entre éléments dans le dispositif à semiconducteur 500.
Premièrement, on prépare comme représenté sur la figure 28 le substrat SOI, SB, avec la pellicule d'oxyde enterrée 2 et la couche SOI formée sur le substrat en silicium 1. Le substrat SOI, SB, peut être formé par n'importe quel procédé, comme le procédé SIMOX, le procédé d' - semblage de tranches, ou autres. Normalement, la couche SOI 3 a épaisseur de 50 à 200 nm, et la pellicule d'oxyde enterrée 2 a une épai seur de 100 à 400 nm.
Une pellicule d'oxyde (couche d'extension d'oxyde) OX11 d'en viron 5 à 50 nm (50 à 500 A) d'épaisseur est formée sur la couche SOI 3 par dépôt chimique en phase vapeur dans une condition de température d'environ 800 C. Selon une variante, la pellicule d'oxyde OX11 peut être formée par oxydation thermique de la couche S01 3 dans une conditi température d'environ 800 à 100 C. Ensuite, une couche de silicium polycristallin (couche d'exten ion d'oxyde) PS11 d'environ 10 à 100 nm (100 à 1000 A) d'épaisseur formée sur la pellicule d'oxyde OX11 par dépôt chimique en phase peur. En outre, une pellicule de nitrure SN11 d'environ 50 à 200 nm (500 à 2000 A) d'épaisseur est formée sur la couche de silicium poly cristallin PS11 par dépôt chimique en phase vapeur dans une condition température d'environ 700 C. La pellicule de nitrure peut être rempla- cée par une pellicule d'oxynitrure qui est formée dans une atmosphère consistant en un mélange d'azote et d'oxygène de façon à conteni de l'azote un pourcentage de quelques pourcents à quelques dizaines de pourcents. A la suite de ceci, un masque de matière de réserve RM11 est formé la pellicule de nitrure SN11 par une opération de définition de motif. Le masque de matière de réserve RM11 a un motif tel que des ou vertures soient formées dans des parties correspondant aux empl - ments des pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et de la - licule d'oxyde d'isolation combinée BT1 (figure 1).
A l'étape représentée sur la figure 29, la pellicule de nitrure SN11 est attaquée conformément au motif d'ouvertures du masque matière de réserve RM11. En utilisant à titre de masque la pellicule de nitrure SN11 attaquée, la couche de silicium polycristallin PS11, la pelli cule d'oxyde 0X11 et la couche SOI 3 sont enlevées sélectivement par attaque par voie sèche, pour former ainsi des tranchées TR1, TR2 et dans des positions correspondant à celles des pellicules d'oxyde d'isola tion partielle PT1 et PT2 et de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1. Le processus d'attaque sur la couche SOI 3 ne doit pas se poursuivre jusqu'à ce que la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2 soit mise à nu. En outre, des défauts cristallins se produiront si la couche SOI 3 entre les fonds des tranchées TR1 à TR3 et la surface de la pelli cule d'oxyde enterrée 2 est excessivement mince. Par conséquent, la condition d'attaque doit être fixée de façon que la couche SOI 3 attaquée ait une épaisseur d'au moins environ 10 nm.
A l'étape représentée sur la figure 30, un masque de matière de réserve RM2 est formé par une opération de définition de motif. Le mas que de matière de réserve RM12 a un motif tel que seule une partie pré déterminée de la tranchée TR2 présente une ouverture. Plus précisé ment, le motif du masque de matière de réserve RM12 est tel que seule une étendue de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 (figure 27) à former, qui atteint la pellicule d'oxyde enterrée 2 à travers la couche S01 3, présente une ouverture. La tranchée TR2 est ensuite formée par attaque conformément au motif d'ouverture du masque de matière de ré- serve RM12, ce qui fait que la pellicule d'oxyde enterrée 2 est mise à nu. Après l'enlèvement du masque de matière réserve RM12, à l'étape représentée sur la figure 31, la surface à nu la couche SOI 3 est soumise à une oxydation thermique avec pour masque la pellicule de nitrure SN11, pour former ainsi une pellicule d'oxyde OX12. Une nouvelle opération d'attaque de la tranchée TR2, effectuée ensuite, forme une tranchée TR21 dont une partie traverse la couche SOI 3.
La formation de la pellicule d'oxyde OX12 vise à éviter des dommages occasionnés par l'attaque pour la définition du motif de la couche S01 3, et à obtenir des pellicules d'oxyde de grille qui améliore ront la fiabilité, en empêchant un claquage du diélectrique.
La pellicule d'oxyde OX12 est formée jusqu'à une épaisseur 'environ 1 à 60 nm (10 à 600 Â), à une température d'environ 800 à 1350 C, Un recuit peut être effectué au moins avant après l'oxydation dans une atmosphère d'azote, d'hydrogène ou d'argon. En ce qui con cerne des conditions de recuit, le temps de traitement est d'environ 30 minutes à 2 heures pour une température relativement basse de 600 à 900 C, et il est d'environ 2 secondes à 1 minute pour une température relativement élevée de 900 à 1300 C.
Le recuit avant l'oxydation peut améliorer cristallinité de la surface la plus extérieure de la couche SOI 3, tandis que le recuit après l'oxydation peut relaxer des contraintes appliquées traitement thermi que à la couche SOI 3.
A l'étape représentée sur la figure 32, pellicule d'oxyde OX13 d'environ 300 à 600 nm d'épaisseur est formée sur l'étendue du substrat SOI, SB, par dépôt chimique en phase vapeur, pour remplir com plètement les tranchées TR1, TR3 et TR21 avec la pellicule d'oxyde OX13.
La pellicule d'oxyde OX13 est formée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité (ou HDP-CVD). La technique HDP-CVD, qui utilise un plasma dont la densité est supérieure d'un à deux ordres de grandeur à celle dans le dépôt chimique en phase vapeur par plasma général, consiste à déposer une pellicule d'oxyde en effectuant simultanément une pulvérisation cathodique et une opération de dépôt. Ceci procure une pellicule d'oxyde ayant une excellente qualité de pellicule. La licule d'oxyde OX13 a des irrégularités traduisent des différences niveau parmi les tranchées TR1, TR3, 1 , et autres. Pour recouvrir de telles irrégularités, un masque de matière de réserve RM13 dans lequel on a défini un motif est formé sur la pellicule d'oxyde OX13. La pellicule d'oxyde OX13 est attaquée jusqu'à une profondeur prédéterminée conformément au motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM13, et ensuite le masque de matière de réserve RM13 est enlevé. Ceci procure la structure illustré sur la figure 33. Un tel traite ment est effectué dans le but d'améliorer l'uniformité de l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX13 après un aplanissement qui sera effectué dans un traitement de polissage chimio-mécanique (ou CMP) ultérieur.
A l'étape représentée sur la figure 34, la pellicule d'oxyde OX13 est polie jusqu'au milieu de la pellicule de nitrure SN11, par polissage chimio-mécanique, pour l'aplanissement. Ensuite, la pellicule de nitrure SN11 et la couche de silicium polycristallin PS11 sont enlevées par atta que par voie humide ou sèche, pour former ainsi les pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et la pellicule d'oxyde d'isolation combi née BT1 représentées sur la figure 27.
Ensuite, des transistors NMOS et des transistors PMOS sont respectivement formés, par des procédés existants, dans la région de formation de transistor NMOS NR et dans la région de formation de tran- sistor PMOS PR. Ceci achève le dispositif à semiconducteur 500 repré- sente sur la figure 27. Un exemple de la combinaison d'une pellicule d'oxyde d'isola tion complète et d'une pellicule d'oxyde d'isolation partiel et son procé dé de fabrication sont décrits par exemple dans la demande de brevet du Japon n 11-177091 (1999), conjointement aux dessins, 'est-à-dire les figures 4-7 et 8-27.
En outre, la structure de la pellicule d'oxyde d'isolation combi née et son procédé de fabrication sont décrits dans la demande de brevet du Japon n 2000-39484, conjointement aux dessins, c'est-à-dire les figures 1-38.
II va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap portées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention.
Pour réaliser des coupes précises, suivant un an-
gle déterminé il faut des lames de scie solides. Or de telles lames de scie solides se réalisent actuellement en prenant une lame d'épaisseur appropriée ou en choisissant la qualité
des métaux. Mais des lames de scie épaisses sont non seule-
ment coûteuses à cause du coût en matière et en travail, plus élevé mais elles créent un volume de copeaux excessif et la
progression de la scie est lente.
Avantages de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et se propose de développer un procédé de
fabrication de lame de scie relativement mince.
A cet effet l'invention concerne un procédé du type défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'on transforme une mince lame de scie plate par des procédés d'usinage notamment sans enlèvement de copeaux comme par exemple l'estampage, le laminage, le cannelage, le forgeage, le cintrage et l'étirage, pour transformer la section de façon que la lame
présente pour un poids minimum, un moment d'inertie ou résis-
tant à la torsion et à la flexion, élevée.
La lame de scie, réalisée selon le procédé de l'invention, à section relativement mince et avec une qualité de métal moyenne, permet d'avoir une bonne rigidité en flexion, de faibles vibrations et un comportement acceptable
en oscillations. Les techniques de transformation ainsi évo-
quées permettent de réaliser des renforcements d'épaisseur de matière et d'induire des tensions propres qui se répercutent positivement sur le comportement oscillant de la lame de
De manière avantageuse, une lame de scie réalisée selon le procédé de l'invention est une lame plate, mince, avec une rangée de dents et un dos le long de la rangée de dents, ce dos étant continu ou possède au moins par segment,
un profil de section rigide en torsion.
Les composés de la présente invention sont des inhibiteurs de la recapture de la sérotonine, de la noradrénaline et de la dopamine. Ils sont utiles, en tant que médicament, pour le traitement de la dépression, des attaques de panique, des troubles obsessionnels compulsifs, des phobies, des troubles impulsifs, de l'abus de drogue, de l'anxiété, de
l'obésité et de la boulimie.
La présente invention a également pour objet les compositions pharmaceutiques contenant comme principe actif au moins un composé de formule (I), ses isomères optiques, ses sels d'addition à un acide ou à une base pharmaceutiquement acceptable, seul ou en combinaison avec un ou plusieurs excipients ou véhicules inertes, non toxiques, pharmaceutiquement acceptables.
Parmi les compositions pharmaceutiques selon l'invention, il sera cité plus particulièrement celles qui conviennent pour l'administration orale, parentérale (intraveineuse, intramusculaire ou sous-cutanée), per ou transcutanée, nasale, rectale, perlinguale, oculaire ou respiratoire, et notamment les comprimés simples ou dragéifiés, les comprimés sublinguaux, les gélules, les capsules, les suppositoires, les crèmes, les pommades, les gels dermiques, les préparations injectables ou buvables, les aérosols, les gouttes oculaires ou nasales, etc...
La posologie utile varie selon l'âge et le poids du patient, la voie d'administration, la nature et la sévérité de l'affection, et la prise de traitements éventuels associés et s'échelonne de 0,5 mg à 25 mg en une ou plusieurs prises par jour.
Les exemples suivants illustrent l'invention mais ne la limitent en aucune façon. Les produits de départ utilisés sont des produits connus ou préparés selon des modes opératoires connus. Les différentes préparations conduisent à des intermédiaires de synthèse utiles pour la préparation des composés de l'invention.
Les structures des composés décrits dans les exemples ont été déterminées selon les techniques spectrophotométriques usuelles (infrarouge, résonance magnétique nucléaire, spectrométrie de masse, ...).
Les points de fusion ont été déterminés soit à la platine chauffante de Kofler (K. ), soit à la platine chauffante sous microscope (M. K.). Lorsque le composé existe sous forme de sel, le point de fusion donné correspond à celui du produit salifié.
A titre indicatif, la numérotation adoptée pour les différents systèmes tricycliques est la suivante : PREPARATION 1 : 6-Gano-1-mëthylsulfonyl 5,6-dihydrocyclobuta[f jindole Stade 1 : 1-Cyano-5 (2,2-diméthoyéthyl)aminoJbenzocyclobutane Sur une suspension de 13,5 g de l-cyano-5-aminobenzocyclobutane dans 400 ml de 1,2-dichloroéthane sont ajoutés par un goutte à goutte rapide, 26,5 ml d'une solution de 2,2-diméthoxyacétaldéhyde à 45 % dans le terbutylméthyléther, puis 16 ml d'acide acétique et enfin, par fraction, 39,7 g de triacétoxyborohydrure de sodium. Après élévation de la température jusqu'à 29 C, on refroidit à température ambiante puis agite 1 h 15 et hydrolyse en versant sur 500 ml d'une solution aqueuse saturée en hydrogénocarbonate de sodium. La phase organique est séparée, lavée à l'eau et concentrée sous pression réduite pour conduire, avec un rendement quantitatif, au produit désiré.
Stade 2 : 1-Cyano S (N (2,2-dimétho.acyéthyl)N méthylsulfonylaminoJ benzocyclobutane Une solution préparée à partir de 21,6 g du produit obtenu au stade 1 précédent, 58 ml de pyridine et 225 ml de dichlorométhane est refroidie à 0 C. 10,8 ml de chlorure de mésyle sont ajoutés au goutte à goutte pendant 20 minutes et on agite encore pendant 40 minutes à
0 C puis 20 heures à température ambiante. Le milieu réactionnel est ensuite versé sur 40 ml d'une solution aqueuse saturée en hydrogénocarbonate de sodium. Après décantation, la phase aqueuse est extraite par 2 fois 150 ml de chlorure de méthylène. Les phases organiques jointes sont lavées à l'acide chlorhydrique IN, séchées et concentrées pour conduire au produit attendu avec un rendement quantitatif.
Stade 3 : 6-Cyano-1-méthylsuonyl 5,6 dihydrocyclobuta/fjindole Sur 2,1 1 de toluène à reflux sont coulés simultanément en 1 h 15, une solution de 10,9 ml de chlorure de titane dans 450 ml de toluène et une solution de 27,9 g du produit obtenu au stade 2 dilué dans 450 ml de toluène. A la fin de l'addition, on laisse redescendre la température jusqu'à 40 C, puis verse sur 1,8 1 d'une solution aqueuse saturée en hydrogénocarbonate de sodium. Après décantation, la phase aqueuse est extraite au toluène, les phases organiques sont réunies, lavées, séchées, concentrées. Le résidu est purifié par chromatographie sur gel de silice (dichlorométhane/cyclohexane : 75/25) pour conduire au produit attendu et à son régioisomère.
Point de fusion : 142-144 C (MK) PREPARATION 2 : 6-Cyano-5,6-dihydrocyclobuta [f]indole 2,6 g du produit de la préparation 1 sont introduits dans une solution de 7,7 g de potasse dans 190 ml de méthanol. Après 12 heures à reflux, le méthanol est évaporé et le résidu repris par de l'éther. Après lavage, la phase organique est séchée et concentrée pour conduire au produit attendu.
Point de fusion : 126-128 C (MK) PREPARATION 3 : 6-Cyano-2,3,5,6-tétrahydrocyclobuta[tlindole 3,43 g du produit obtenu à la préparation 2 sont solubilisés dans 55 ml d'acide acétique. Dans le milieu réactionnel refroidi à 13 C, sont ajoutés, par portions, en 5 minutes, 3,84 g
de cyanoborohydrure de sodium. Après retour à température ambiante, l'agitation est maintenue pendant 2 heures, puis le milieu réactionnel est refroidi à 0 C et amené à pH = 11par addition d'une solution de soude (45 g dans 250 ml d'eau). La solution laiteuse obtenue est extraite à l'éther. Les phases organiques sont lavées, séchées et concentrées pour conduire au produit attendu sous forme de solide blanc.
Point de fusion : 85-87 C (MK) PREPARATION 4 : 4-Cyano-1-méthylsulfonyl-4,5-dihydrocyclobuta [e] indole Le régioisomère obtenu au stade 3 de la préparation 1 correspond au produit attendu.
On présente, en annexe 1, des exemples de composants des types exposés ci-dessus. Cette annexe, de même que les suivantes, fait bien sûr partie de la présente description à part entière.
Ainsi, un composant de type point d'entrée est caractérisé par son nom, éventuellement des paramètres, et l'ensemble des instructions que le module de génération de réponse doit effectuer au lancement de l'exécution du conteneur
service ou du conteneur contexte auquel appartient un tel composant de type "point d'entrée".