REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semiconducteur; une couche de protection disposée sur une surface principale dudit substrat semiconducteur; et un élément d'inductance disposé au-dessus d'une région, dans laquelle ladite couche de protection est for mée, moyennant l'interposition d'un film isolant inter- couches disposé entre l'élément d'inductance et la couche de protection, ladite couche de protection possédant au moins une partie conductrice connectée à un potentiel de masse, et au moins une partie d'interruption de courant pour interrompre un trajet d'un courant de Foucault induit par ledit élément d'inductance dans un plan de la ou des par ties conductrices. 2. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur est un substrat dit SOI, c'est-à-dire silicium-sur-isolant (SB) comprenant une partie de substrat (1) servant de base de support, un film d'oxyde enseveli (2) disposé sur ladite partie de substrat et une couche SOI (3) disposée sur ledit film d'oxyde enseveli, que la ou lesdites parties d'interruption de cou rant comprennent une pluralité de films d'oxyde d'isolation (11,13) disposés de façon sélective et s'étendant à partir d'une surface de ladite couche SOI à travers ladite couche SOI jusqu'audit film d'oxyde enseveli, et que la ou lesdites parties conductrices compren nent une pluralité de régions SOI isolées électriquement les unes des autres par lesdites pluralités de films d'oxyde d'isolation. 3. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 2, caractérisé en ce que chacun desdits films d'oxyde d'isolation (11) possède une largeur prédéterminée et s'étend essentiellement perpendiculairement à une sur face dudit film d'oxyde enseveli. 4. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 2, caractérisé en ce que chaque film de ladite plu ralité de films d'oxyde d'isolation (13) comprend une pre mière partie possédant une première largeur et s'étendant essentiellement perpendiculairement à une surface dudit film d'oxyde enseveli, et une seconde partie adjacente â et située au-dessous de ladite première partie, ladite seconde partie possédant une seconde largeur inférieure à ladite première largeur et s'étendant essentiellement perpendicu lairement à la surface dudit film d'oxyde enseveli. 5. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur est un substrat SOI (SB) comprenant une partie de substrat (1) servant de base de support, un film d'oxyde enseveli (2) disposé sur ladite partie de substrat et une couche SOI (3) disposée sur ledit film d'oxyde enseveli, que la ou lesdites parties conductrices compren nent une pluralité de régions SOI (23) obtenues par amin cissement de ladite couche SOI à une épaisseur prédétermi née, et que la ou lesdites parties d'interruption du cou rant comprennent un film isolant (16) disposé de manière à remplir au moins un espace entre ladite pluralité de régions SOI. 6. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 5, caractérisé en ce que chaque région de ladite pluralité de régions SOI contient une impureté semiconduc trice ayant une concentration relativement élevée. 7. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 5, caractérisé en ce qu'un film de siliciure est formé sur une surface supérieure de chaque région de ladite pluralité de régions SOI. 8. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur est un substrat SOI (SB) comprenant une partie de substrat (1) servant de support de base, un film d'oxyde enseveli (2) disposé sur ladite partie de substrat et une couche SOI (3) disposée sur ledit film d'oxyde enseveli, et que ladite couche de protection comprend un premier groupe de régions SOI possédant un premier type de conductivité, un second groupe de régions SOI possédant un second type de conductivité, ledit premier groupe de régions SOI et ledit second groupe de régions SOI étant combinés pour constituer une pluralité de diodes, et que la ou lesdites parties d'interruption du cou rant comprennent au moins une diode polarisée en inverse, qui est au moins l'une de ladite pluralité de diodes, à laquelle une polarisation inverse est appliquée, et que la ou lesdites parties conductrices incluent l'un desdits premier et second groupes connectés à un potentiel de masse. 9. Dispositif à semiconducteurs selon la revendi cation 8, caractérisé en ce que ledit premier groupe de régions SOI et ledit second groupe de régions SOI sont formés dans une région obtenue par amincissement de ladite couche SOI à une épais seur prédéterminée, et que ledit dispositif à semiconducteurs comporte en outre un film d'oxyde d'isolation (17) destiné à recou vrir entièrement ledit premier groupe de régions SOI et ledit second groupe de régions SOI. 10. Dispositif à semiconducteurs selon la reven- dication 8, caractérisé en ce que chaque région dudit premier groupe de régions SOI inclut une première région ayant une épaisseur approxi mativement égale à celle de ladite couche SOI, et une seconde région adjacente à ladite première région et obte nue par amincissement de ladite couche SOI, et que chaque région dudit second groupe de régions SOI a une épaisseur approximativement égale à celle de ladite couche SOI, et que ledit dispositif à semiconducteurs comporte en outre un film d'oxyde d'isolation (18) destiné à recou vrir une surface supérieure de chacune desdites secondes régions. 11. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 10, caractérisé en ce qu'un film de siliciure (34) est formé sur une surface supérieure de chacune desdites premières régions dudit premier groupe de régions SOI et dudit second groupe de régions SOI. 12. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 8, caractérisé en ce que chaque région dudit premier groupe de régions SOI est une région obtenue par amincissement de ladite couche SOI à une épaisseur prédéterminée, que chaque région dudit second groupe de régions SOI a une épaisseur approximativement égale à celle de ladite couche SOI, et que ledit premier groupe de régions SOI et ledit second groupe de régions SOI sont adjacents réciproquement, et que ledit dispositif à semiconducteurs comporte en outre une pellicule d'oxyde d'isolation (19) destinée à recouvrir individuellement ledit premier groupe de régions SOI. 13. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 12, caractérisé en ce qu'un film de siliciure (35) est formé sur une surface supérieure de chaque région dudit second groupe de régions SOI. 14. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 12, caractérisé en ce que les régions dudit second groupe de régions SOI ont une configuration plane rectangulaire, et que ladite couche de protection possède une configuration plane dans laquelle ledit second groupe de régions SOI est disposé dans une matrice, moyennant l'interposition dudit film d'oxyde d'isolation entre ces régions. 15. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 12, caractérisé en ce que les régions dudit second groupe de régions SOI sont connectées électriquement entre elles par une ligne d'interconnexion de grilles ayant un agencement similaire à une électrode de grille d'un transistor MOS. 16. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 8, caractérisé en ce que les régions dudit premier groupe de régions SOI et les régions dudit second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée, et qu'une structure de grille d'un transistor MOS est disposée sur chaque région dudit premier groupe de régions SOI. 17. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 8, caractérisé en ce que les régions dudit premier groupe de régions SOI et les régions dudit second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée, que chaque région dudit premier groupe de régions SOI comprend une première région et une seconde région adjacente à ladite première région, et qu'une structure de grille d'un transistor MOS est disposée sur chacune desdites secondes régions. 18. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 8, caractérisé en ce que les régions dudit premier groupe de régions SOI et les régions dudit second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée, que chaque région dudit premier groupe de régions SOI comprend une première région et une seconde région adjacente à ladite première région, et qu'un film de siliciure (36) est formé sélective ment sur chaque région dudit second groupe de régions SOI et sur lesdites premières régions, pour que ces régions ne soient pas en contact avec lesdites secondes régions. 19. Dispositif à semiconducteurs selon la reven dication 8, caractérisé en ce que les régions dudit premier groupe de régions SOI et les régions dudit second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée, et qu'un film de siliciure (36) est formé sélective ment sur chaque région dudit premier groupe de régions SOI, pour que ces régions ne soient pas en contact avec ledit second groupe de régions SOI.