INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le cas présent, à une vitesse de durcissement de 100 m/mn, l'encre d'imprimerie est solide à l'essuyage et résiste à 12 essais de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Exemple 25 On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 par de l'hexafluorophosphate de (4-isobutylphényl)-p-éthylphényliodonium (composé de l'exemple 8).
A une vitesse de durcissement de 20 m/mn, l'encre d'imprimerie est solide à l'essuyage et résiste à plus de 50 essais de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Exemple 26 On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 par de l'hexafluorophosphate de (4-tert-butylphényl)-p-tolyliodonium (composé de l'exemple 2).
A une vitesse de durcissement de 70 m/mn, l'encre d'imprimerie est solide à l'essuyage et résiste à 43 essais de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Exemple 27 On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 par de l'hexafluorophosphate de 4-[(2-méthylbutyl)phényl]-p-tolyliodonium (composé de l'exemple 3).
A une vitesse de durcissement de 20 m/mn, l'encre d'imprimerie est solide à l'essuyage et résiste à 48 essais de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Comparaison avec le composé B On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 selon l'invention par de l'hexafluorophosphate de di(4-tert-butylphényl)iodonium (B).
Même à une vitesse de durcissement réduite de 5 m/mn, l'encre d'imprimerie n'est toujours pas solide à l'essuyage et ne résiste pas à 1 seul essai de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Comparaison avec le composé C
On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 selon l'invention par de l'hexafluorophosphate de di(4-isobutylphényl)iodonium (C).
L'encre d'imprimerie n'est pas solide à l'essuyage jusqu'à une vitesse de durcissement de 20 m/mn et résiste à 9 essais de doubles frottements avec la méthyléthylcétone.
Comparaison avec le composé E On prépare et on essaie une formulation d'encre pour l'impression flexo de façon analogue à l'exemple 24, mais on remplace le photoamorceur de l'exemple 1 selon l'invention par de l'hexafluorophosphate de n-décylphényl-phényliodonium (E).
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'au moins l'un des systèmes de diagnostic (24 à 38) est configuré de façon à transmettre des données au fournis seur de services à distance (14) uniquement par l'intermé diaire du système de commande de communication de données (40).
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la liaison de données est établie (454) par le four nisseur de services à distance (14).
5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la liaison de données est établie sur un grand réseau (50). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le grand réseau comprend l'Internet.
7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la transmission des données de paramètres (456) au fournisseur de services à distance (14) est déclenchée en réponse à un ordre du fournisseur de services à distance.
8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les systèmes de diagnostic comprennent une pluralité de systèmes d'imagerie de diagnostic médical (26, 28, 30, 32).
9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes additionnelles de réception des données de paramètres par le fournisseur de services à distance, de traitement des données, et de mémorisation des données traitées (458) pour une extraction ultérieure.
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les données sont traitées pour analyser les données de paramètres pour des systèmes de diagnostic désignés pour une référence croisée dans au moins une base de don nées (114, 116) maintenue par le fournisseur de services à distance.
11. Système pour acquérir des données opérationnelles à partir d'une pluralité de systèmes de diagnostic, carac térisé en ce que le système comprend une pluralité de systèmes de diagnostic (24 à 38) ; un réseau de communication de données interne (20, 22) couplé aux systèmes de diagnostic ; un système de commande de communication de données (40) couplé au réseau interne (20, 22) et configuré pour accéder à des données opérationnelles (406) venant des systèmes de diagnostic (24 à 38) par l'intermédiaire du réseau interne (20, 22), afin de mémoriser les données opérationnelles (410), et de transmettre les données opé rationnelles (454) à un fournisseur de services à distance (14) par l'intermédiaire d'un réseau externe (50).
12. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le système de commande de communication de données (40) accède aux données opérationnelles selon un programme d'accès aux données prédéterminé (400).
13. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que les systèmes de diagnostic (24 à 38) comprennent une pluralité de systèmes d'imagerie de diagnostic médical (26, 28, 30, 32).
14. Système selon la revendication 13, caractérisé en ce que les systèmes d'imagerie de diagnostic médical (26, 28, 30, 32) comprennent des systèmes d'imagerie ayant au moins deux modalités d'imagerie différentes.
15. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'au moins l'un des systèmes de diagnostic (24 à 38) est configuré de façon à communiquer des données opéra tionnelles au fournisseur de services à distance (14) uni quement par l'intermédiaire du système de commande de com munication de données (40).
16. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le système de commande de communication de données (40) est configuré pour déclencher une session de con nexion avec le fournisseur de services à distance (14) par l'intermédiaire du réseau externe (50) pour la transmis sion des données opérationnelles.
17. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le système de commande de communication de données (40) transmet les données opérationnelles au fournisseur de services à distance (14) en réponse à un ordre (454) du fournisseur de services à distance.
18. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le réseau interne (20, 22) comprend un réseau Ethernet (20).
19. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le réseau externe comprend un grand réseau (50). 20. Système selon la revendication 19, caractérisé en ce que le réseau externe comprend l'Internet.
chissante l0a après affectation des éléments 40 de surface réfléchissante dans l'opération de conception de la forme de
la surface réfléchissante. Cette disposition permet l'obten-
tion d'une surface réfléchissante ayant un défaut réduit d'uniformité optique pendant les périodes de fonctionnement de la lampe, avec respect des conditions fonctionnelles et déterminées par les contraintes de forme. I1 est aussi possible d'augmenter le rendement de conception de la forme de surface pour obtenir une surface réfléchissante et de déterminer la forme de la surface réfléchissante en un temps court. Dans le mode de réalisation décrit précédemment, l'évaluation des régions de réflexion de lumière au niveau de la surface réfléchissante est une évaluation qui repose
sur le traçage de rayons obtenus par définition de la sur-
face d'évaluation correspondant à l'axe d'évaluation et par établissement de plusieurs points d'évaluation sur cette surface d'évaluation. Ce procédé permet une détermination convenable des emplacements des points d'évaluation, etc. et facilite aussi la préparation des données de distribution des régions de réflexion de lumière, d'après la direction de l'axe d'évaluation. En particulier, les étapes d'évaluation peuvent être exécutées très efficacement par utilisation des segments d'évaluation obtenus par division de la région
formée sur la surface d'évaluation.
Grâce au traçage des rayons à partir du point d'éva-
luation vers la surface réfléchissante, l'évaluation des régions de réflexion de lumière peut être réalisée par calcul du traçage des rayons en quantité minimale si bien
que les étapes d'évaluation et de sélection sont simpli-
fiées.
Le procédé de détermination de la surface réfléchis-
sante du réflecteur de lampe pour véhicule selon l'invention n'est pas limité au mode d'exécution décrit précédemment car diverses modifications et changements de structure peuvent être apportés suivant les contraintes particulières ou
autres imposées aux lampes individuelles.
Ainsi, l'exemple de distribution des régions de réflexion de lumière représenté sur la figure 9 met en oeuvre un dessin en noir et blanc de la partie brillante 40c
et de la partie sombre 40d, mais l'évaluation et la sélec-
tion peuvent être réalisées sous forme de différences de quantités de lumière (luminosité) dans chaque partie à l'intérieur de la partie brillante 40c. Dans ce cas, les données d'image indiquant la distribution des régions de réflexion de lumière peuvent être préparées à l'aide d'une
Pendant un intervalle de temps pendant lequel aucune des conditions "lU*-V*1 < x", "lV*-W*l < x" et IW*-U*l < x" n'est satisfaites, le programme (voir figure 7) pour le convertisseur 21 des valeurs de commande avance au pas 14. Dans ce cas, le convertisseur 21 des valeurs de commande règle les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** égales respectivement aux valeurs de commande de tension U*, V* et W** (pas A14). Ensuite le convertisseur 21 des valeurs de commande délivre les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** au générateur de formes d'ondes MIW 11 (pas A15).
Conformément à la première forme de réalisation de la présente invention, lorsque la valeur absolue de la différence entre deux des valeurs de commande de la tension de base U*, V* et W* est inférieure à la valeur de référence prédéterminée "x", les deux valeurs de commande de tension finales correspondantes sont réglées sur le maximum (+1) ou sur le minimum (-1) de sorte que les deux faces correspondantes ne sont pas soumises à une commutation. C'est pourquoi il est possible de réduire la fréquence de la commutation des transistors IGBT 1-6 sans réduire la fréquence de l'onde porteuse. La réduction de la fréquence de commutation entraîne une réduction des pertes par commutation par les transistors IGBT 1-6. Par conséquent, on peut miniaturiser et simplifier un dispositif de refroidissement. C'est pourquoi on peut réduire la taille et le coût du dispositif formant convertisseur de puissance. En outre la fréquence de commutation peut être réglée à une valeur plus élevée.
Conformément à la première forme de réalisation de la présente invention, lorsque la valeur absolue de la différence entre deux des valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* est inférieure à la valeur de référence prédéterminée "x", la valeur de commande de tension finale autre que les deux valeurs de commande de tension finales correspondantes est réglée sur une valeur moyenne entre les différences de tension entre lignes de la phase associée par rapport aux deux autres phases. Par conséquent il est possible de réduire des distorsions des formes d'ondes de courants de phase dans le moteur à courant alternatif triphasé 9. En outre, la puissance de commande envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 9 peut être sensiblement égale â celle disponible en l'absence de la conversion des valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* en les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W**.
Dans la première forme de réalisation de la présente invention, les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* sont basées sur des variations d'ampli tude suivant des ondes sinusoïdales. Par conséquent les formes d'ondes des courants de phase dans le moteur à courant alternatif triphasé 9 sont similaires à des sinusoïdes de sorte que le moteur à courant alternatif triphasé 9 peut être entraîné avec un faible niveau de vibration et un faible niveau de bruit. Deuxième forme de réalisation La figure 12 représente un dispositif formant convertisseur de puissance (un dispositif formant onduleur) selon une seconde forme de réalisation de la présente invention. Le dispositif formant convertisseur de puissance 12 est similaire au dispositif formant convertisseur de puissance de la figure 5 hormis les modifications de conception mentionnées ci-après.
Le dispositif formant convertisseur de puissance de la figure 12 comprend un générateur de formes d'ondes MID 22 et un convertisseur 23 des valeurs de commande à la place du générateur de formes d'ondes MID 11 et du convertisseur 21 des valeurs de commande (voir figure 5).
Comme cela est représenté sur la figure 13, un générateur d'ondes porteuses 13 contenu dans le générateur de formes d'ondes MID inclut un générateur de signaux d'horloge 13A, un déphaseur 13B et un générateur d'ondes triangulaires 13C. Le générateur de signaux d'horloge 13A délivre un premier signal d'horloge ckl au générateur d'ondes triangulaires 13C et au déphaseur 13B. Le dispositif 13B déphase de 90` la phase du premier signal d'horloge ckl, ce gui transforme le premier signal d'horloge ckl en un second signal d'horloge ck2. Le déphaseur 13B délivre le second signal d'horloge ck2 au générateur d'ondes triangulaires 13C. Le générateur d'ondes triangulaires 13C produit une onde porteuse triangulaire en réponse aux premier et second signaux d'horloge ckl et ck2. Le générateur d'ondes triangulaires 13C délivre l'onde porteuse triangulaire aux comparateurs 12a-12f. Le premier signal d'horloge ckl est envoyé par le générateur de signaux d'horloge 13A au convertisseur 23 des valeurs de commande (voir la figure 12). Le second signal d'horloge ck2 est envoyé par le déphaseur 13B au convertisseur 23 des valeurs de commande (voir figure 12).
Comme cela est représenté sur la figure 14, la période du premier signal d'horloge ckl est égal au double de la période de l'onde porteuse. L'état logique du premier signal d'horloge ckl varie chaque fois que l'onde porteuse tombe à -1 (minimum). Le second signal d'horloge ck2 présente un retard de phase de 90 par rapport au premier signal de phase ck1.
Le convertisseur 23 des valeurs de commande est formé par exemple par un dispositif DSP ou un dispositif similaire qui fonctionne conformément à un programme mémorisé dans sa mémoire interne ROM. Le programme est conçu de manière à permettre au convertisseur 23 des valeurs de commande d'exécuter des processus mentionnés plus loin. Le convertisseur 23 des valeurs de commande reçoit les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* en provenance du générateur 10 des valeurs de commande. Le convertisseur 23 des valeurs de commande produit une première valeur de commande de tension U** pour la phase U, une valeur de commande de tension finale V** pour la phase V et une valeur de commande de tension finale W** pour la phase W en réponse aux valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* et aux premier et second signaux d'horlo ge ckl et ck2. Le convertisseur 23 des valeurs de commande informe le générateur de formes d'ondes MID 22 des valeurs de commande de tension finales U**, V** et W**. Le fonctionnement du générateur de formes d'ondes MID 22 est fondamentalement similaire à celui du générateur de formes d'ondes MID 11 (voir figure 5).
Un programme pour le convertisseur 23 des valeurs de commande est similaire à celui prévu pour le convertisseur 21 des valeurs de commande (voir figure 5) hormis les modifications de conception mentionnées ci- après. Les figures 15, 16 et 17 sont des organigrammes de parties du programme du convertisseur 23 des valeurs de commande.
En référence à la figure 16, lorsque le pas A7 établit que la valeur de commande de tension de base U* est positive, le programme avance du pas A7 à un pas A23. Sinon le programme avance du pas A7 à un bloc B9.
Le pas A23 soustrait la valeur de commande de tension de base W* de la valeur de commande de tension de base V*. Le pas A23 détermine si le résultat de la soustraction est négatif ou non, c'est-à-dire si l'on a ou non V*-W* < 0. Lorsque le résultat de la soustraction est négatif, le programme avance du pas A23 à un pas A24. Sinon, le programme avance du pas A23 à un pas A27.
Le pas A24 détermine si le second signal d'horloge ck2 est égal ou non à "1" (un état à niveau haut). Lorsque le second signal d'horloge ck2 est "1", le programme avance du pas A24 à un pas A25. Sinon, le programme avance du pas A24 à un pas A26.
Le pas A25 calcule la valeur de commande de tension finale U** à partir des valeurs de commande de tension de base U* et V* conformément l'équation suivante U** = U* - V* - 1 ... (13) L'équation (13) permet à la valeur de commande de tension finale U** de maintenir la différence de tension entre lignes entre la phase U et la phase V. Le pas A25 règle les valeurs de commande de tension finales V** et W** comme suit V** = W** = -1 ... (14) Après le pas A25, le programme avance au A15 (voir figure 7 .
Le pas A26 calcule la valeur de commande de tension finale U** à partir des valeurs de commande de tension de base U* et V* conformément l'équation suivante: U** = U* - V* - 1 ... (15) Le pas A26 règle la valeur de commande de tension finale V** comme suit V** -1 ... (16) Le pas A26 calcule la valeur de commande de tension finale W** à partir des valeurs de commande de tension de base W* et V* conformément à l'équation suivante: W** - 2(W* - V*) - 1 ... (17) L'équation (17) règle la valeur de commande de tension finale W** sur le double de la différence de tension entre lignes entre la phase W et la phase V. Ce réglage de la valeur de commande de tension finale W** sert à réaliser une compensation pour fixer la valeur W** sur -1 pendant la période immédiatement précédente par rapport à l'onde porteuse. Après l'étape A26, le programme avance au pas A15 (voir figure 7).
Le pas A27 détermine si le second signal d'horloge ck2 est ou non "1" (état à niveau haut). Lorsque le second signal d'horloge ck2 est "1", le programme avance du pas A27 à un pas A28. Sinon, le programme avance du pas A27 à un pas A29. Le pas A28 calcule la valeur de commande de tension finale U** à partir des valeurs de commande de tension de base U* et W* conformément à l'équation suivante U** = U* - W* - 1 ... (18) Le pas A28 règle les valeurs de commande de tension finales V** et W** sur -1. Après le pas A28, le programme avance au pas A15 (voir figure 7).
Le pas A29 calcule la valeur de commande de tension finale U** à partir des valeurs de commande de tension de base U* et W* conformément à l'équation suivante U** - U* - W* - 1 ... (19) Le pas A29 calcule la valeur de commande de tension finale W** à partir des valeurs de commande de tension de base V* et W* conformément à l'équation suivante V** 2(V* - W*) - 1 ... (20) Le pas A29 règle la valeur de commande de tension finale W** comme suit W** -1 ... (21) A la suite du pas A29, le programme avance au pas A15 (voir figure 7).
L'invention comprend aussi une composition de photorésist positif chimiquement renforcé pouvant être développée dans un milieu basique, cette composition de photorésist comprenant (a3) au moins un polymère ayant des groupes labiles en milieu acide qui se décomposent en présence d'un acide et augmentent la solubilité de la zone exposée dans une solution de révélateur aqueuse basique; (a4) un inhibiteur de solubilité monomère ou oligomère ayant au moins un groupe labile en milieu acide qui se décompose en présence d'un acide et augmente la solubilité de la zone exposée dans une solution de révélateur aqueuse basique; (a5) un composé monomère, oligomère ou polymère soluble en milieu basique en une concentration qui maintient le film de résist des zones non exposées complètement insoluble dans un révélateur basique ; (b) au moins un composé de formule I.
L'invention comprend aussi une composition de photorésist chimiquement renforcé comprenant (a3) au moins un polymère ayant des groupes labiles en milieu acide qui se décomposent en présence d'un acide et augmentent la solubilité dans une solution de révélateur aqueuse basique; (a4) au moins un inhibiteur de solubilité monomère ou oligomère ayant un groupe labile en milieu acide qui se décompose en présence d'un acide et augmente la solubilité dans une solution de révélateur aqueuse basique; (a5) au moins un composé monomère, oligomère ou polymère soluble en milieu basique; et (b) comme donneur d'acide photosensible, au moins un composé de formule I.
Les compositions peuvent contenir, en plus du constituant (b), d'autres donneurs d'acide photosensibles et/ou d'autres additifs (c) et/ou photosensibilisants (d).
Des additifs (d) et des photosensibilisants (d) appropriés ont été décrits ci-dessus.
Des systèmes de photorésists positifs chimiquement renforcés de ce type sont décrits, par exemple, dans E. Reichmanis, F. M. Houlihan, 0. Nalamasu, T. X.
Neenan, Chem. Mater. 1991,3, 394 ; ou dans C. G. Willson, "Introduction to Microlithography", 2ème édition; L. S. Thompson, C. G. Willson, M. J. Bowden, Eds., Amer. Chem. Soc., Washington DC, 1994, p. 139.
Des exemples appropriés de groupes labiles en milieu acide qui se
décomposent en présence d'un acide et forment des groupes hydroxyle aromatiques, des groupes carboxyle, des groupes céto et des groupes aldéhyde et augmentent la solubilité dans des solutions de révélateur aqueuses basiques comprennent des groupes éther d'alcoxyalkyle, des groupes éther de benzyle, des groupes éther de tétrahydrofuranyle, des groupes éther de tétrahydropyranyle, des groupes ester de tert-alkyle, des groupes ester de 2-méthyl-2-adamantyle, des groupes ester de 8-éthyl- 8-tricylodécanyle, des groupes éther de trityle, des groupes éther de silyle, des groupes carbonate d'alkyle comme, par exemple, des groupes tertbutyloxycarbonyloxy, des groupes ester de trityle, des groupes ester de silyle, des groupes esters d'alcoxyméthyle, des groupes ester de cumyle, des groupes acétal, des groupes cétal, des groupes ester de tétrahydropyranyle, des groupes ester de tétrahydrofuranyle, des groupes éther d'alkyle tertiaire, etc.
Les polymères ayant des groupes fonctionnels qui se décomposent sous l'effet d'un acide pour augmenter la solubilité du film de résist comprenant ce polymère dans une solution de révélateur basique et qui peuvent être ajoutés aux compositions de la présente invention peuvent porter les groupes labiles en milieu acide dans le squelette du polymère et/ou dans les chaînes latérales. Les groupes labiles en milieu acide sont de préférence situés dans les chaînes latérales du polymère.
On peut obtenir des polymères appropriés ayant des groupes labiles en milieu acide par des réactions de formation d'analogues de polymères dans lesquelles on transforme certains ou la totalité des groupes solubles en milieu basique en le groupe labile en milieu acide en question. La préparation directe par (co)polymérisation de monomères contenant déjà les groupes labiles en milieu acide est possible aussi. Des exemples de la préparation ont été publiés dans les documents de brevet EP 254 853, EP 878 738, EP 877 293, JP-A-2-25850, JP-A-3-223860 et JP-A-4-251259.
Dans les polymères contenant par exemple des groupes éther de silyle, acétal, cétal et ester d'alcoxyalkyle (groupes de blocage dits à faible énergie d'activation - groupes protecteurs ayant une faible énergie d'activation), ces groupes protecteurs sont dissociés en présence d'un acide même à des températures relativement basses lors du chauffage après l'exposition (en général entre la température ambiante et 110 C). Les polymères qui portent des groupes ester de tertbutyle, des groupes ester d'adamantyle ou des groupes tert-butyloxycarbonyle (groupes TBOC) ou d'autres groupes ester portant un atome de carbone secondaire ou tertiaire en plus de l'atome d'oxygène de la liaison ester (groupes de blocage dits à