INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'étape d'assemblage peut se faire avec apport de matière ou sans apport de matière notamment par adhésion moléculaire.
Le contrôle des positions relatives des structures lors de l'assemblage peut comporter une étape de repérage d'au moins un axe cristallin d'au moins une des parties cristallines De manière plus simple, le contrôle des positions relatives des structures lors de l'assemblage peut être réalisé à l'aide d'au moins une marque de repérage portée par la structure initiale et se retrouvant sur les parties cristallines après prélèvement. Bien entendu ces marques peuvent se trouver dans les matériaux cristallins ou non de ces parties.
Un méplat ou un ou plusieurs ensembles de graduations peuvent faire office de marques de repérage.
On peut avant ou après le prélèvement reporter ces marques de repérage sur d'autres parties des structures à assembler et/ou de la structure initiale telles que leurs faces arrières, les poignées éventuelles.
Avantageusement, ces marques de repérage peuvent être gravées dans la structure initiale qui a subi au préalable une étape d'implantation ionique afin de créer une zone fragilisée, ladite gravure s'étendant au-delà de la zone fragilisée. Après la fixation d'une poignée sur la face implantée et un traitement apte à provoquer la séparation au niveau de la zone fragilisée, les marques de repérage se retrouvent sur les deux structures à assembler.
Pour obtenir un positionnement avec précision, le contrôle des positions relatives des structures lors de l'assemblage peut être réalisé en ajustant, la position d'au moins une marque de repérage de l'une des structures à assembler par rapport à la position d'au moins une marque de repérage d'une autre structure à assembler, par des moyens choisis parmi-les moyens optiques, mécaniques, acoustiques, hydrodynamiques, ces moyens étant pris seuls ou en combinaison.
La présente invention concerne également une structure empilée, obtenue par le procédé ainsi exposé, à partir de structures à assembler composées en partie ou en totalité d'au moins un des matériaux choisis parmi les semi-conducteurs, les supraconducteurs, les matériaux diélectriques, les
matériaux métalliques, les matériaux magnétiques, ces matériaux étant pris seuls, en combinaison et/ou en mélange.
Le procédé précédemment décrit peut être réitéré pour l'empilement de plusieurs structures à assembler dont les parties cristallines peuvent être prélevées dans une même structure initiale.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1A (déjà décrite) illustre l'angle de décalage en rotation 8 existant entre les réseaux cristallins de deux plaquettes assemblées l'une à l'autre ; - la figure 1B (déjà décrite) illustre les angles d'inclinaison a 2 formé entre les plans cristallographiques des faces à assembler des deux plaquettes et l'interface d'assemblage et l'angle d'inclinaison résultant (X formé par les plans cristallographiques des faces, une fois mises- en contact ; - les figures 2A, 2B, 2C illustrent différentes étapes du procédé selon l'invention ; - les figures 3A, 3B, 3C, 3D illustrent différentes étapes d'une première variante du procédé selon l'invention ; - les figures 4A, 4B, 4C, 4D illustrent différentes étapes d'une seconde variante du procédé selon l'invention ; - la figure 5 montre les variations typiques de l'angle d'inclinaison résultant M en
fonction de l'angle de décalage en rotation 0 lors de l'assemblage de deux structures ; - les figures 6A et 6B illustrent des marques de repérage effectuées sur la structure initiale avant la séparation ainsi que les marques obtenues sur les structures à assembler obtenues par prélèvement dans la structure initiale ; - la figure 7 illustre deux structures équipées d'un méplat assemblées l'une à l'autre ; - la figure 8A montre plusieurs ensembles de graduations assimilables à des rapporteurs, portés par une structure initiale ; - la figure 8B montre de manière agrandie un détail d'un rapporteur de la figure 8A ; - les figures 9A à 9E illustrent différentes étapes d'une autre variante du procédé selon l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère aux figures 2. Sur la figure 2A est représentée une structure cristalline 1 initiale. Les traces des plans cristallographiques p de cette structure initiale 1 sont schématisées par les lignes parallèles inclinées. La ligne en pointillés indique un plan de découpe à effectuer pour obtenir deux parties cristallines 3,4 devant servir pour former deux structures à assembler en les empilant l'une sur l'autre de manière à obtenir la structure empilée objet de l'invention. Sur la figure 2B, les deux parties cristallines 3,4 ont été prélevées. Dans l'exemple décrit, on suppose que les parties cristallines prélevées, fixées chacune sur un support 5,6 mono ou multicouche, forment les structures à assembler 30,40. On pourrait découper plus de deux parties cristallines 3,4 dans la structure initiale 1
et empiler plus de deux structures à assembler les unes sur les autres. On pourrait ainsi obtenir une structure empilée épaisse à partir d'une pluralité de parties cristallines minces. Cet empilage de structures à assembler peut être déposé sur un support quelconque.
On pourrait aussi coller deux à deux les parties cristallines 3,4 et ainsi obtenir une pluralité de structures assemblées 30,40 à partir d'une même structure initiale 1.
Un angle d'inclinaison 0 < i existe entre les plans cristallographiques du plan de coupe et la direction du plan de coupe.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer un procédé de réalisation d'une structure empilée qui ne présente pas les inconvénients de l'art antérieur. La structure empilée obtenue par le procédé de l'invention possède un angle de décalage en rotation entre les réseaux cristallins des deux parties cristallines des structures à assembler et/ou un angle d'inclinaison résultant aisément maîtrisables, et ce avec une grande précision qui peut atteindre le centième de degré.
Pour y parvenir, le procédé selon l'invention est un procédé de réalisation d'une structure empilée à partir de structures à assembler pour former l'empilement, ces structures à assembler comportant chacune au moins une partie cristalline. Il comporte au moins les étapes suivantes : - obtention des parties cristallines par prélèvement de ces parties à partir d'une même structure initiale et formation à partir des dites parties cristallines des structures à assembler, - assemblage des structures à assembler en contrôlant les positions relatives des structures, en rotation dans le plan de l'interface, par rapport-aux positions relatives des parties cristallines respectives.
Les structures à assembler peuvent bien entendu être entièrement cristallines et dans ce cas l'étape de formation des structures à assembler est réalisée en même temps que l'étape d'obtention des parties cristallines.
Par contre, les structures à assembler peuvent comporter respectivement une partie cristalline sur un support, la partie cristalline pouvant être même recouverte d'une couche non cristalline.
Dans ce dernier cas de figure, plusieurs modes de réalisation des structures à assembler sont envisageables. En particulier la partie cristalline peut être associée à un support avant ou après le prélèvement dans la structure initiale. Par ailleurs chaque partie cristalline prélevée peut comporter un ou plusieurs matériaux cristallins empilés éventuellement associés à un ou plusieurs matériaux non cristallins.
On peut prévoir, avant l'assemblage et après prélèvement, au moins une étape de préparation de la face à assembler d'au moins une des structures.
Cette étape de préparation peut être un polissage ou un lissage thermique de la face à assembler.
Cette étape de préparation peut être un amincissement de la structure de manière à mettre à jour un matériau cristallin enterré de la partie cristalline.
Cette étape de préparation peut être une étape de dépôt ou de croissance d'un matériau sur la face à assembler.
Le matériau peut être cristallin ou amorphe.
Cette étape de préparation peut être une combinaison de ces étapes.
On peut prévoir avant le prélèvement d'au moins une des parties cristallines, une étape de fixation de la partie cristalline sur une première poignée. Cette poignée est importante si la partie cristalline est mince.
On peut prévoir une étape de fixation de la partie cristalline sur une seconde poignée après son prélèvement de la structure initiale, puis une étape de retrait de la première poignée libérant la face à assembler. Les parties cristallines sont alors
retournées par rapport à leurs positions avant prélèvement.
Avantageusement une étape d'implantation ionique peut être réalisée dans l'une au moins des structures et notamment dans l'une au moins des poignées ou à la jonction entre partie cristalline et poignée. Cette étape peut contribuer à l'élimination des poignées.
Le prélèvement peut être réalisé par des moyens mécaniques, optiques, chimiques, thermiques pris seuls ou en combinaison.
Deux types de polarisation sont appliqués, permettant de vérifier respectivement les points (i) et (ii), tels que mentionnés au paragraphe 3. ci-dessus : (i) les deux peignes sont polarisés au même potentiel de-2.4 V/ (Ag+/Ag) par rapport à l'électrode de référence ; (ii) seul l'un des deux peignes est mis au potentiel de-2.4 V/ (Ag+/Ag), l'autre étant relié à l'électrode de référence.
5.1. Polarisation uniforme des deux peignes Les figures 11A et 11B montrent l'analyse de profil par AFM du peigne de 8 pm d'espacement, selon
une direction perpendiculaire aux dents des deux peignes (cf figures 3A et 3B). On peut observer qu'il n'y a aucune bavure sur les bords des dents de peigne, alors que les hauteurs de dent sont de 200 nm, soit supérieures de 85 nm à celles des peignes avant greffage (cf figures 4A à 4C) : le protocole a donc permis le greffage de 85 nm de polymère sur chaque dent, avec une bavure latérale très faible devant l'espacement entre les dents des peignes interdigités.
Plus précisément, les figures 11A et 11B montrent l'image (llA) et l'analyse profilométrique (llB), par microscopie à force atomique (AFM), du peigne des figures 3A et 3B où les dents des peignes interdigités sont espacées de 8 Mm, après polarisation des deux peignes à un potentiel de-2,4 V/ (Ag+, Ag). La hauteur des dents de peigne avant polarisation est de 115 nm.
Echantillon N Von Voff IR Epaisseur N (Au)/N (SiX) (V/(Ag+/Ag)) (V/(Ag+/Ag)) (#) (nm) Si (p) SiO/Au 50-0. 641-2. 4 100 42 90 Si (p) SiO2/Au(a) 50 -0.644 -2.4 70 15 56 Si(p) SiO2/Au 10 -0.665 -2.6 70 28 85 Si (p) SiO2/Au 10 -0.650 -2.4 52 125 150 Si (p) siO2/Au 10 -0.538 -2.6 100 45 140 Si (n) 66 Si(n) SiO2/Au 10 -0.628 -2.6 100 18 100 Si (n) SiO 2/Au 20 -0.723 -2.4 80 55 80 Si (n) SiO2/Au(a) 50 -0.6889 -2.4 100 48 46 Si (n)/Au 50-0. 599-2. 3 0 8 42 Si (n) /Au 50 -0.860 -2.6 100 5 65 Si (n) /Au(b) 50 -0.657 -2.6 0 38 14 Si(p) /Au 10 -0.690 -2.4 65 100 150 Si (p)/Au 10-0. 747-2. 4 70 40 130 Si (p) /Au(b) 10 -0.723 -2.8 800 4 90 Si (p) /Au(b) 10 -0.698 -2.8 650 10 140
(a) La surface de silice a été préalablement hydroxylée.
(b) Le contact électrique a été réalisé sur la partie Si.
Tableau I : Conditions opératoires et sélectivité du greffage sur des surfaces mixtes Au/SiO2 et Au/Si. La sélectivité a été mesurée par XPS, en faisant le rapport des intensités des raies Nls sur chaque pavage. Ces sélectivités sont des bornes inférieures, le signal sur SiO2 ou Si étant le plus souvent non nul, mais rigoureusement
identique à celui de l'échantillon de référence avant greffage. Les surfaces sont de provenance différente dans chaque série.
5.2. Polarisation d'un seul des deux peignes Les figures 12A et 12B montrent l'analyse de profil par AFM du peigne de 32 Mm d'espacement, selon une direction perpendiculaire aux dents des deux peignes (cf figures 3A et 3B). L'étendue du balayage permet d'observer deux dents interdigitées successives, appartenant chacune à un peigne. On voit que la hauteur d'origine de 115 nm est préservée sur le peigne connecté à l'électrode de référence, alors que la hauteur de 200 nm (obtenue en 5.1.) est obtenue sur le peigne porté au potentiel où se produit le greffage : on observe que le greffage du polymère n'a bien eu lieu qu'une dent sur deux, c'est-à-dire sur un seul des deux peignes. Plus précisément, les figures 12A et 12B montrent généralement l'image (12A) et l'analyse profilométrique (12B), par microscopie à force atomique (AFM), du peigne des figures 3A et 3B, où les dents des peignes interdigités sont espacées de 32 Mm, après polarisation d'un des deux peignes à un potentiel de -2, 4 V/ (Ag+/Ag), l'autre étant connecté à l'électrode de référence. La hauteur des dents de peigne avant polarisation est de 115 nm. C'est aussi celle du peigne qui a été connecté à l'électrode de référence.
6. Electro-greffage orqanique sur des nanotubes de carbone On illustre ici les capacités de fonctionnalisation ultra-localisée qu'offre l'électrogreffage. L'exemple ici décrit porte sur l'électro-greffage de'polymères vinyliques, mais on pourra l'étendre de façon triviale à une fonctionnalisation par les autres molécules électroactivables décrites dans l'invention ainsi que dans les exemples d'application qui suivent.
Les nanotubes de carbone apparaissent comme des objets potentiellement très riches dans le cadre du développement des nanotechnologies moléculaires. En effet pour les applications électroniques, les nanotubes présentent des propriétés isolantes, semiconductrices ou métalliques. Des composants comme des jonctions, ou des transistors à effet de champ, ont été fabriqués. Des applications mécaniques ont été également récemment proposées avec l'utilisation des nanotubes pour la réalisation de nano-outils.
Dans le présent exemple, on réalise le contact électrique d'un nanotube de carbone comme suit : on réalise le dépôt de nanotubes sur les zones silanisées d'un substrat de silicium, puis le couchage d'une résine electrosensible sur le substrat et le nanotube. On réalise ensuite l'ouverture des zones correspondant aux électrodes par lithographie électronique, puis on évapore des électrodes métalliques, et on réalise enfin le lift-off de la résine et du film métallique aux endroits non ouverts
de la résine, selon un protocole décrit dans Choi, K. H., et al., Controlled deposition of carbon nanotubes on a patterned substrate. Surface Science, 2000.462 (1-3) : p. 195-202.
L'ensemble du substrat est ensuite polarisé dans le milieu organique contenant du méthacrylonitrile ou du tétrafluoroborate de para-nitrophényl diaznium, selon les mêmes protocoles que ceux des exemples précédents. On caractérise la fonctionnalisation du nanotube par AFM et STM, selon les mêmes procédures que ce qui a été fait dans le cas du double peigne dans les exemples précédents.
7. Electrogreffage localisé à partir de sels de diazonium Les exemples précédents ont porté sur l'électro-greffage de polymère vinyliques. Nous présentons ici un exemple illustrant l'obtention d'un greffage organique localisé grâce à l'électro- activation de sels de diazonium en milieu organique.
Sur la figure 4, on a représenté un exemple de fichier binaire au format JPEG2000, conforme à l'invention. D'après la figure 4, un fichier binaire FF au format JPEG2000 comporte une boîte principale BX1 qui contient un flux de code CS qui constitue un fichier progressif de base au sens de la présente invention. Il contient aussi une boîte annexe BX2 qui contient un document XML référencé DOC. Le document DOC décrit le flux de code CS. La boîte annexe B2 peut également une transformation XSL référencé TR destiné à être appliqué au document DOC.
r 1 ANNEXE 1 page 1 1 1 1
--------------------------ANNEXE 1 page SOT Isot="0"Psot="32722"TNsot="l"TPsot="0" markSegLen="10" markerCodeStr="ff90" > z okxf j Aav/0 eNhO KCgQ= vih3XvSqAxdN7qp7Aubt : +hlA5Iai7DNKpOQYslJGcF+kax9m ion5YDUL4HqwaIzDAg== v5HtMkNwzwEIhKL7bEcpU5ZrplIfzrl8kZkNLcmlCw== o3a7iCvOmlV/xPkZz6Ks7HXbJYUyLNnyi 8JhjOOeYgvi 4opHeHv9L+qiu/UplNkyVlPIWoc8umfkl4Z6eDIzKNGtEvbkCMaknWAcYYxjmf EnEF62yGwcRtY2ehQYEpuQ== ldWatY7LLQ== b3qu8Ev6TqqoK4IItml9ClfijOSVY2qqIMswd7eSOQhyp5bIStPlwMOsB6i2b/jSJMo80vg= 83mg5+Jv95wRIRM61swWYBHw7eAeb2BNrmBsClXrTjvzGFL5rYlBCyAn8CS 7psE6fJW2/G3ohpvNaT+ovEFscTFj++9sdVipOXwnPn25oWq2yZYNh+DWr3T7H+V SOP Lsop="0"Nsop="ll"markSegLen="4"markerCodeStr="ff91" > XaILyXsuXvRI+C4p W6qLBsuVSFjQRnGVfO27J97dmNDaUYjLttBepCvUXQu71TWIWBzRRROmPgpPBg== SOP Lsop="0"Nsop="13"markSegLen="4"markerCodeStr="ff91" > 3s+ECWT/ZjkqNaHDcQ== +eQE2EkO4vydGK++tx9kkpjZL6TeiR2nc4crNQ4zHDurQg== lcQa40/p/tH7FOjYOfjYefzcUtdrynh7RRVhBftsTuOF6Y5qXhD ! D4G2uBd/a7 uw49QaaPKt : fJb8XiaVpXVqBW9LwoqQ== SOP Lsop="0"Nsop="16"markSegLen="4"markerCodeStr="ff91" > ZjJalwvkxOSiIQUOsc/RkjO4wqeX6qg3miqkFQ== gA== 1
ANNEXE 2 page 1 Remove color components : For this, this stylesheet performs the following transformation : - check that SOP markers are used - check progression type - check that multiple component transform is used - check that nCompOut -delete SOP elements accordingly Input parameter : nCompOut, default value = 1 1 xsl : stylesheet xmlns : xsl="http ://www. w3. org/1999/XSL/Transform" version="1. 0" > xsl : param name="nCompOut" > l (xsl : template name="tplSopUsed"match="//COD/@sopUsed"priority="l" > Error : progression type is Should be 4 (progression by color component) Warning : no multi-component transf. was applied to input image.
If input was RGB, output will be the Red component.
0 < /xsl : template
1 ANNEXE 2 oage 2 Error : number of output color components should be & gt ; = 1 and & lt ; . Exit...
c !--Copy only relevant Comp~siz elements-- > Initial number of SOP : Output number of SOP :
ANNEXE 2 page 3 This stylesheet performs the following transformation : - check than"sopUsed"attribute of"COD"element is set to yes, otherwise, exit -- > Error : SOP markers are not used in this codetsream.
Cannot process. Exit...
La présente invention concerne un dispositif permet- - tant de tréfiler ou d'étirer des métaux ferreux ou non ferreux sous forme de fil, barre, tube ou de profil non cylindrique en appliquant de tirés hautes pressions devant le cône de travail de la filiére de tréfilage (7) de la figure 2, créant ainsi un film anti-usure, grâce à des lubrifiants choisis.
Dans l'état-actuel de la Technique, soit le Métier du Tréfilage et de l'Etirage des métaux, les conditions tribologiques sont telles que les usines de production sont confrontées à des usures anticipées des filières, donc des budjets importants, à des usures anticipées de la Métallisation, des cabestans, à des consommations exagérées de savon de tréfilage, à la création de défauts de surface sur les fils. Tous ces points conjugues amènent en plus le fabricant à réduire de 30 à 50% la vitesse des machines, ceci, par la force des choses.
Le dispositif selon 1'lvenLio prmet d' ? remédier, quantitativement et qualitativement à tous ces inconvénients inhérents aux Métiers précités.
Les dessins annexés illustrent l'invention : -la figure 1 représente en vue de dessus le dispositif de l'invention. La figure 2 représente en coupe une zone precise de ce dispositif. La figure 3 représente les trois pièces mécaniques de ce dispositif, soit 1,2, 3 (en vue de dessus).
La figure 4 représente la pièce (4) en coupe.
La figure (5) un tube (16) non fileté.
biphosphole avec R'= SiR3 ou SnR3, R étant un alkyle, avec un dérivé du métal M et de préférence un dérivé halogéné de type MX4.
Selon un mode de réalisation, le procédé de préparation d'un métallocène selon l'invention comprend alors les étapes de : transformation d'un biphosphole selon l'invention en dianion par coupure de la liaison P-R'ou P-P ; réaction du dianion biphospholyle sur un halogénure d'un métal des groupes III, IV, V, VI, VIII ou éventuellement de la série des lanthanides et des actinides.
Les métallocènes selon l'invention peuvent être utilisés notamment comme composante catalytique de la polymérisation des oléfines.
Le troisième aspect de l'invention concerne donc une composante catalytique de polymérisation des oléfines. Le métallocène peut être mis en oeuvre seul ou en association avec d'autres composés. De préférence, le métallocène selon l'invention est mis en oeuvre en association avec un cocatalyseur. De préférence, le cocatalyseur est un alumoxane (aussi désigné comme aluminoxane). Ces composés peuvent être linéaires, de formule : ou cyclique, de formule : où dans les deux formules R peut être identique ou différent et représente un radical alkyle comprenant de un à six atomes de carbone, et n étant un nombre entier allant de 2 à 40, de préférence de 10 à 20. L'alumoxane peut comporter des groupements R de nature différente. Par ailleurs, il est possible de mettre en oeuvre des mélanges de ces composés. De préférence, on met en oeuvre un alumoxane linéaire. Parmi les alumoxanes linéaires est particulièrement préféré le méthylalumoxane ou MAO dans lequel chacun des R est méthyle.
L'utilisation d'autres cocatalyseurs tels que des cocatalyseurs ioniques est également possible. Parmi ces cocatalyseurs, on peut citer les composés contenant des cations tels que triméthylammonium, tributylammonium, N, Ndiméthylanilinium, carbonium, oxonium ou sulfonium. Les anions sont de préférence encombrants et non coordinants et peuvent être par exemple tétraphénylborate, tétra (pentafluorophényl) borate et les anions contenant plus d'un atome de bore.
Par ailleurs, il peut être avantageux de mettre en oeuvre des composés susceptibles de piéger des impuretés tels que des alkyles d'aluminium. Parmi les alkyles d'aluminium, le triisobutylaluminium (TiBA) est particulièrement préféré.
Par ailleurs, la composante catalytique peut être mise en oeuvre sous forme supportée telle que connue de l'homme de l'art. De tels supports inerts peuvent être de nature organique ou minérale, tels que par exemple le silicagel, Al203, MgCl2 ou les polymères. Il est possible de déposer le métallocène ou le cocatalyseur successivement, d'abord le métallocène puis le cocatalyseur ou inversement, ou conjointement sur le support. De préférence, le cocatalyseur est déposé sur le support, puis le métallocène.
La composition de catalyseur selon l'invention peut être préparée selon un procédé comprenant les étapes de : - imprégnation d'un support de catalyseur avec un cocatalyseur ; et, avant, après ou simultanément, - imprégnation de ce support de catalyseur avec un métallocène selon l'invention.
Un quatrième aspect de l'invention est un procédé de polymérisation des oléfines dans lequel la composante catalytique selon l'invention est mise en contact d'au moins un monomère oléfine dans des conditions de polymérisation avec une composition de catalyseur selon l'invention.
Le procédé de polymérisation peut être une homo-ou copolymérisation d'une ou plusieurs oléfines, a-oléfines, alcynes ou dioléfines comme monomères. De préférence, il s'agit d'un procédé de polymérisation de monomères oléfines éthylène et butène.
Les procédés de polymérisation sont ceux utilisés classiquement pour la polymérisation des oléfines, tels que la polymérisation en phase gazeuse, la polymérisation en suspension, sous haute pression ou encore en solution.
Le ligand, les composés obtenus à partir de celui-ci ainsi que leur préparation selon l'invention seront décrits ci-après plus en détail au moyen de quelques exemples.
Ligand Le ligand selon l'invention est constitué de deux hétérocycles phosphorés insaturés appelés phospholes selon la nomenclature IUPAC en vigueur, substitués par divers groupements monovalents et reliés ensemble par un groupement divalent, ci-après appelé"pont".
0 p phosphole Le pont peut être situé entre la position 2 d'un des cycles et la position 2'de l'autre cycle (pont a) ou entre la position 3 d'un des cycles et la position 3'de l'autre cycle (pont ss). Ce pont est constitué d'un groupement divalent comportant un ou plusieurs atomes (de préférence 1 ou 2) appartenant au groupe IVb de la classification périodique, de préférence le carbone ou le silicium, substitués par divers groupements monovalents.