D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre modes de réalisation donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des cription se réfère aux dessins annexés, dans lesquels figure 1 est une coupe montrant un exemple de la structure d'un dispositif à semiconducteur avec une inductance en spirale; La figure 2 est une coupe montrant un exemple la structure d'un dispositif à semiconducteur avec une inductance en spirale formée au-dessus d'une pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant en partie une pellicule d'oxyde d'isolation partielle; La figure 3 est une coupe de la structure d'un dispositif à semi conducteur conforme à un premier mode de réalisation préféré de la pré sente invention; figure 4 est une coupe montrant clairement caractéristi ques de I structure du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 5 est une coupe illustrant les effets de structure du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode réalisation préféré de la présente invention; Les figures 6 et 7 sont des schémas illustrant les effets de la structure du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de présente invention; La figure 8 une coupe de la structure d'une première modifi cation dans le dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de présente invention; La figure 9 une coupe de la structure d'une seconde modifi cation dans le dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de présente invention; La figure 10 une coupe de la structure d'un dispositif à se miconducteur conforme ' un second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 11 est une coupe de la structure d'une modification dans le dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réali sation préféré de la présente invention; La figure 12 est une vue en plan illustrant des interconnexions sous une inductance en spirale; La figure 13 est une coupe illustrant les effets de creusement dans une pellicule d'oxyde d'isolation; La figure 14 une coupe de la structure d'un dispositif à se miconducteur conforme ' un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 15 est une coupe de la structure d'une modification dans le dispositif à semiconducteur conforme au troisième mode de réali sation préféré; La figure 16 est une vue en plan illustrant l'emplacement d'une région de motif fictif; La figure 17 est une vue en plan illustrant la forme de la région de motif fictif; La figure 18 une coupe de la structure d'un dispositif à se miconducteur conforme @ un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 19 est un schéma illustrant la manière de réduire une capacité parasite; La figure 20 une coupe de la structure d'un dispositif à se miconducteur conforme quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 21 est une coupe d'une forme d'isolation entre élé ments avec une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée; Les figures 22 à 26 sont des coupes relatives ' un procédé de fabrication d'une forme d'isolation entre éléments avec la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée; La figure 27 est une coupe d'une forme d'isolation entre élé ments avec une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée Les figures 28 à 34 sont des coupes relatives @ un procédé de fabrication d'une autre forme d'isolation entre éléments avec la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée; La figure 35 est un schéma synoptique montrant un exemple de la structure d'un dispositif à semiconducteur avec un circuit de haute fré- quence; et figure 36 est une vue en perspective de structure d'une inductance spirale. Introduction Avant de présenter des descriptions de modes de réalisation préférés dispositif à semiconducteur conforme à présente inven tion, on envisagera la structure d'un dispositif à semiconducteur 90A, il lustré sur la figure 1, à titre d'exemple d'un dispositif @ semiconducteur avec une inductance en spirale.