La présente invention propose une alternative du dispositif de réalisation du précédent procédé de séchage par une modification du support et du maintien du substrat décrite par les figures n 4,5,6,7. Les grippes (3) sont solidaires de l'axe central lequel est surmonté d'un plateau (11) construit en un matériau choisi à cet effet qui peut être un fluoropolymère comme le kylar ou le halar. A l'intérieur de ce plateau (11) se trouve une plaque conductrice (12) et reliée à un générateur de courant de préférence continu mais ce choix n'est pas limitatif à cette technique. Cette plaque (12) aura une forme et une aire identique au substrat que le plateau recevra et supportera le temps de réaliser la technique de séchage. L'utilisation d'un tel dispositif a pour objectif de mettre en évidence et à profit la modification du comportement de l'eau proche de l'état de vaporisation par l'abaissement de la tension de surface de l'eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C d'une part et d'autre part par le déplacement de charges à la surface du plateau de caractère isolant dont la surface est le siège de mouvement à la fois de charges de polarisation sous l'effet du champ électrique et de charges par effet de condensateur de la structure ainsi construite. L'effet centrifuge est appliqué dans les mêmes conditions que précédemment. Ce dispositif permet d'améliorer l'efficacité de séchage du procédé de la présente invention. Le procédé de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser des rinçages successifs en une solution aqueuse par l'intermédiaire des orifices (4). La dite solution aqueuse caractérisée en ce qu'elle comprend une eau ultra pure complétée par au-moins une ou plusieurs substances de concentration inférieure à 100 milligrammes par litre choisies parmi l'acide carboxylique 3 hydroxybenzenesulfonique 4, le sulfate de sodium, le citrate de sodium, l'acide dextrorotatoire tartarique, le benzenediole-1,4, l'hydrazine anhydride, l'acide tétra acétique éthylène diamine, l'acide propanetricarboxylique-1,2,3-hydroxyde-2,1'acide fluorhydrique, de l'eau ozonée, le zwittérion, ou toutes substances amphotères à étaler par effet centrifuge à une vitesse de rotation inférieure à 1000 tours par minute sur la surface du substrat (2) non plaqué au plateau du dispositif (11) par un ou plusieurs orifices (4). Le procédé de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser des rinçages simultanés et continus en un liquide de faible mouillabilité par l'intermédiaire des orifices (4) et d'un liquide de forte mouillabilité par le dispositif (5) en faisant plaquer le substrat (2) contre la surface du plateau du dispositif (11) lequel est alimenté en courant électrique le temps du processus de séchage suivant. Le liquide de faible mouillabilité caractérisé en ce qu'il est composé d'une eau ultra pure à une température comprise entre 0 C et 10 C. Le liquide de forte mouillabilité caractérisé en ce qu'il est composé d'une eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C. Le procédé de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à étaler par effet centrifuge à une vitesse de rotation inférieure à un tour par seconde sur la couche d'un liquide de faible mouillabilité une couche d'un liquide de forte mouillabilité. Le procédé de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à une injection continue d'un gaz inerte choisi parmi l'azote ou l'argon à un débit inférieur à 100 litres par minute par l'intermédiaire de (10) et d'une injection continue de l'eau ultra pure de température comprise entre 0 C et 10 C par (4) à un débit inférieur à 25 litres par minute durant l'ensemble du processus. Le procédé de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à injecter à un débit inférieur à 10 litres par minute de l'eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C par (6) pendant un temps prédéterminé suivi d'une injection par (7) à un débit inférieur à 10 litres par minute de l'eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C pendant un temps prédéterminé , précédant une injection par (8) à un débit inférieur à 10 litres par minute de l'eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C pendant un temps prédéterminé , précédant une injection par (9) à un débit inférieur à 10 litres par minute de l'eau ultra pure à une température comprise entre 90 C et 100 C pendant un temps prédéterminé. Le temps prédéterminé dépend d'un seul paramètre qui est l'aire du substrat.