INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
pour effet que le bras de contact 318 pivote autour de la surface stationnaire 344 en relevant l'extrémité de moyen de verrouillage du bras de contact 318 de telle sorte que le ressort 332 tire le bras de marteau 328 en retour dans la position verrouillée. Le bouton de réenclenchement 334 est ensuite libéré et les contacts 320 se ferment tandis que le moyen de verrouillage 326 est à nouveau supporté par le bras de contact 318.
Les figures 13 et 14 représentent un autre mode de réalisation de l'art antérieur pour un mécanisme de déclenchement GFCI. Dans la position fermée, comme représenté sur la figure 13, lorsqu'un courant circule jusqu'à la charge 50 (voir la figure 1), la voie de courant s'établit par l'intermédiaire d'un câble en queue de cochon ou de tout autre connecteur flexible 346, par l'intermédiaire d'un bras de contact mobile 348, par l'intermédiaire de contacts conjugués 350 pour arriver sur un bras de contact stationnaire 352. Un ressort 354 force un bouton d'indicateur de déclenchementlréenclenchement 356 suivant une direction vers l'extérieur du boîtier de réceptacle 358. Le bouton d'indicateur de déclenchementlréenclenchement 356 à son tour exerce une poussée sur le levier 360 suivant la direction qui force les contacts 350 à se fermer. Une encoche formée sur le levier 360 forme un moyen de verrouillage 364 qui s'adapte avec le bras de contact 348. Un ressort de poussée de plongeur 366 pousse le plongeur 368 hors d'une bobine de déclenchement 370 et bloque le levier 360 contre le bras de contact mobile 348 dans une position verrouillée. Un ressort 372 pousse le bras de contact mobile 348 en direction de la position ouverte et le moyen de verrouillage 364 maintient les contacts 350 fermés.
Lorsque la bobine de déclenchement 370 est alimentée en activant un SCR ou équivalent afin de connecter la bobine de déclenchement 370 sur la tension de ligne, le plongeur 368 est tiré dans la bobine de déclenchement 370 à l'encontre du ressort de poussée de plongeur 366, comme représenté sur la figure 14, et il déplace le levier 360 de telle sorte que le moyen de verrouillage 364 soit libéré. Tandis que le moyen de verrouillage 364 est libéré, le bras
Les polymères épaississants à chaîne grasse de type cationique utilisés selon la présente invention sont choisis de préférence parmi les dérivés de cellulose quaternisée et les polyacrylates à groupements latéraux aminés non cycliques Les dérivés de cellulose quaternisée sont, en particulier, - les celluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci,
- les hydroxyéthylcelluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceuxci.
Les polyacrylates à groupements latéraux aminés, quaternisés ou non, possèdent par exemple des groupements hydfophobes du type stéareth 20 (alcool stéarylique polyoxyéthyléné(20)).
On trouve, à partir du tableau 16 (en fin de description), que la saturation vaut 2.
Sur la base de la description ci-dessus, on obtient T=46, teinte=5, luminosité (L) =12, saturation (S)=2.
Si L=12 et S=2 sont appliquées à la table L-S (tableau 14 en fin de description) de la teinte=5, on peut obtenir une valeur LS=3, et ceci indique le gris.
Par ailleurs, ce nom de couleur [gris] est composé uniquement du nom de couleur élémentaire, et un exemple de
types de signaux dans un ordinateur est (0,0, N) (comme illustré aux tableaux 1 et 2 (en fin de description), N=gris).
Les données RVB obtenues par rayonnement de lumière sur l'échantillon d'essai 2 (n 569 dans l'échantillon DIC) et réception de la lumière en provenant, sont R=255, V=212 et B=0.
Comme R est le maximum, on obtient t=0,831373 (arrondir à la sixième décimale) à partir de l'expression (1) .
Comme T 0, on obtient T=49 (ignorer toutes les décimales) à partir de l'expression (4). On trouve donc, à partir du tableau 12 (en fin de description), que le numéro de la table des couleurs est 5.
On obtient, à partir de l'expression (6), 1=0,5 (pas de fraction), et on obtient L=10 à partir de l'expression (7). On trouve alors, à partir du tableau 13 (en fin de description), que la luminosité vaut 11.
Comme 1#0,5, on obtient s=l (pas de fraction) à partir de l'expression (8). On obtient S=20 (ignorer toutes les décimales) à partir de l'expression (10). On trouve alors, à partir du tableau 13 (en fin de description), que la saturation vaut 20.
Sur la base de la description ci-dessus, on obtient T=49, teinte=5, luminosité (L)=ll, et saturation (S)=20.
Si L=ll et S=20 sont appliquées à la table L-S (tableau 14 en fin de la description) de la teinte=5, on peut obtenir une valeur LS=22.
Ceci indique le [jaune rougeâtre vif] (se reporter au tableau 15 en fin de la description).
Par ailleurs, ce nom de couleur [jaune rougeâtre vif] est un modificateur de teinte (comme l'illustrent le tableau 1 (en fin de description), le tableau 3 et le tableau 4 (en fin de description), un modificateur vv de la luminosité et de la saturation = vif, un modificateur r = rougeâtre, et la couleur élémentaire y = jaune) à titre d'exemple de types de signaux dans un ordinateur.
De plus, dans le tableau JIS annexé (tableau 11 en fin de description) et la table L-S du tableau 14 (en fin de description) liée audit tableau, certaines couleurs ne sont pas indiquées et, dans les données TLS calculées, certaines couleurs correspondent à la marge, de sorte que certaines corrections sont apportées afin d'obtenir les noms de couleurs.
A titre de procédé de correction, la luminosité et/ou la saturation est/sont définie(s) comme une norme pour déterminer la valeur LS d'une couleur dans la marge.
suffisamment maintenu et la gravure obtenue risque d'être faussée et donc inexploitable.
Par ailleurs, si la surgravure est importante la solution chimique d'attaque doit circuler entre le masque et la surface attaquée sur une grande distance.
Si cet espace est limité en épaisseur, ce qui est le cas par exemple lors de l'attaque d'un film mince, la solution d'attaque risque de ne pas pouvoir circuler normalement et la gravure risque d'être faussée et donc inexploitable. Dans le cas d'un film mince notamment, le masque s'il se casse risque encore plus de gêner l'attaque chimique.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention vise à remédier à ces inconvénients de manque de précision, de perte de temps, de perte de surface utile, de bris du masque et de surgravure longue d'un film mince.
Le procédé de repérage d'une direction cristalline permet d'obtenir une très bonne précision, par exemple de l'ordre du dixième de degré voire du centième de degré avec un temps de gravure bien plus court qu'avant, ce qui limite la surgravure.
Avantageusement cela permet d'appliquer l'invention au cas des films minces avec la même précision. De plus ce procédé utilise beaucoup moins de surface utile qu'auparavant ce qui le rend plus économique que celui de l'art antérieur.
Pour y parvenir, la présente invention est un procédé de repérage d'au moins une direction
cristalline dans un matériau cristallin qui comporte les étapes suivantes : - gravure anisotrope du matériau cristallin à travers un masque présentant au moins un faisceau d'ouvertures allongées convergentes conduisant à au moins un faisceau de motifs gravés, - révélation de la direction cristalline, celle-ci étant dirigée selon un motif gravé, ce motif gravé indiquant approximativement un axe de symétrie d'une portion au moins du faisceau de motifs gravés, - matérialisation de la direction cristalline révélée par au moins une marque de moyens de repérage auxiliaires distincts du faisceau de motifs gravés.
Les moyens de repérage auxiliaires peuvent être portés sur le matériau cristallin lui-même ou sur une structure comportant le matériau cristallin.
Le motif gravé révélant la direction cristalline présente, suivant au moins une direction, une vitesse de surgravure plus lente ou plus rapide que celle de ses deux plus proches voisins.
Il est particulièrement intéressant que les ouvertures soient rectilignes et rayonnantes de manière à donner des motifs gravés sensiblement rayonnants.
Le faisceau d'ouvertures peut prendre la forme d'un disque, mais pour utiliser moins de surface utile du matériau cristallin, il est possible qu'il se limite à une couronne, à un secteur angulaire éventuellement tronqué.
Ainsi l'étape de réalisation des moyens de repérage auxiliaires peut être une étape de gravure
anisotrope à travers le masque présentant le faisceau d'ouvertures conduisant au faisceau de motifs gravés.
L'étape de réalisation des moyens de repérage auxiliaires peut aussi être réalisée par exemple, par une gravure chimique isotrope, par une gravure ionique, par une gravure mécanique, par une gravure optique, ou par tout moyen de marquage, ces techniques pouvant être utilisées en combinaison.
Elle peut intervenir avant ou après l'étape de révélation de la direction cristalline.
La formation d'une couche isolante de P4VP sur les contre-électrodes a été décrite ci-dessous. Les difficultés ont été minimisées, d'une part en changeant chaque fois que cela était nécessaire les contre- électrodes et d'autre part, en ayant conçu une cellule de verre avec une séparation en verre fritté entre les deux compartiments pour limiter la diffusion du monomère. Au début de l'expérience, il y a 50% de monomère dans le compartiment cathodique et 0% dans le compartiment anodique.
Concernant les contre-électrodes des lames de verre métallisées sont conservées par procédé diode radiofréquence ("sputtering"). Cette démarche permet d'avoir de nombreuses contre-électrodes qui peuvent être rangées régulièrement. Des électrodes massives de platines représenteraient un coût élevé.
L'utilisation de verre fritté, qui est envisageable dans une conception de cellule en verre, l'est moins dans des cellules de plus grande dimension et utilisable en milieu industriel. C'est pourquoi les inventeurs ont sélectionné un nouveau type de séparateur, car il est indispensable de minimiser les réactions du monomère sur la contre-électrode. Ces séparateurs doivent ralentir la diffusion des espèces d'un compartiment vers l'autre sans bloquer le passage du courant.
Le choix du séparateur étant lié à la nature du matériau de la cellule, le Téflon a été choisi pour réaliser cette nouvelle cellule. La cellule conçue en deux blocs de Téflon est représentée sur les figures 10A, 10B et 10C.
Sur ces figures, la référence 1 représente la cellule, la référence 3 représente un bloc séparément, la référence 5 représente la zone de remplissage du mélange de synthèse, la référence 7 représente le logement de l'électrode de référence, les références 9 et 11 représentent les points d'ancrage permettant, via un pont (non représenté) le serrage de l'ensemble, et la référence 13 représente le conduit de communication entre le logement de l'électrode de référence et la zone de synthèse.
Elle permet un démontage simple et l'utilisation de séparateur membranaire. La souplesse du Téflon permet de serrer correctement la membrane et de créer une bonne étanchéité de la cellule.
Les premières membranes sélectionnées ont été de type métallo céramique TRMC avec un diamètre de pore de 0,07 micromètres. La composition de la membrane est la suivante : INOX 316 L/Zr02/Ti02.
Les éléments céramiques poreux sont déposés en couches minces sur une matrice d'inox. Bien qu'isolé électriquement des deux électrodes de la cellule, le champ électrique qui traverse la solution génère un phénomène de polarisation secondaire sur la partie conductrice de la membrane. La membrane fonctionne alors comme une double électrode polarisée anodiquement dans le compartiment cathodique et inversement dans l'autre compartiment. Les inventeurs ont observé qu'un film se déposait sur la face conductrice de la membrane au risque de la boucher au cours du temps. Par conséquent, l'utilisation de ce type de membrane a été mis de côté dans cet exemple.
Les secondes membranes utilisées sont totalement polymères. Bien que mécaniquement plus fragiles, elles sont utilisables dans nos conditions. Elles sont composées d'un revêtement de type fluoré poreux (poly 1,2-difluoroéthylène) déposé sur un support en polypropylène. Le diamètre des pores a été abaissé à 0,025 micromètres.
L'utilisation des membranes ralentit la diffusion du monomère mais ne la bloque pas totalement. En conséquence, les problèmes de blocage de la contre-
électrode persistent même s'ils sont largement atténués.
3. 2.2. Etudes visant à l'augmentation de l'épaisseur des films de P4VP a. Réticulation par la divinylbenzène La démarche présentée dans ce paragraphe répond au besoin d'obtenir des films de P4VP plus épais. En effet, les épaisseurs de film typiquement obtenues sont asymptotiquement observées vers 100 à 150 nm au-delà de 2000 pulses. Pour des situations où les teneurs en cuivre seraient plus élevées, l'épaisseur des films qui se traduit en terme de capacité de capture peut devenir un paramètre important.
Certaines chaînes de polymères sont éliminées au cours du premier lavage à l'ammoniaque. Cette situation provient du fait que toutes les chaînes de polymères ne sont pas greffées sur la surface. Une proportion importante est simplement retenue dans la partie greffée par des interactions faibles ou des situations d'enchevêtrement par interdiffusion. Une dernière partie est simplement libérée dans la solution et contribue à une gélification progressive de l'électrolyte.
La démarche suivie consiste à retenir cette dernière partie dans le film en croissance par l'ajout dans l'électrolyte de molécules polymérisables difonctionnelles. La molécule de divinyl benzène (DVB) peut par exemple permettre de réticuler entre elles des chaînes initialement isolées et par conséquent de retenir une proportion plus importante de chaînes.
Des essais ont été réalisés entre 1 et 10% de DVB ajouté dans le compartiment cathodique. Les épaisseurs croissent jusqu'à une teneur de 5% puis se stabilisent.
Les valeurs maximales obtenues sont proches de 5000.
Le développement des détecteurs de spectrométrie comportant des cristaux semi-conducteurs de petite taille est récent. Plus récentes encore sont les tentatives d'exploitation quantitative des spectres. Le document Radiation detection and measurement (G. KNOLL), p. 154, ISBN 0 444 61761, Wiley Editor 1989, ainsi que le document GAMMA and X ray spectrometry with semiconductor detectors (K.
DEBERTIN, R. G. HELMER), p. 298, ISBN 0 444 871071, North-Holland ELSEVIER Editor 1988 divulguent l'identification de pics d'échappement X. Aucune tentative de traitement global des spectres en vue de l'élimination des pics d'échappement n'est cependant envisagée dans ces documents.
Le brevet français intitulé"Procédé et dispositif pour la correction de mesure spectrométrique dans le domaine de la détection de photons gamma" publié sous le numéro FR-2 738 919 propose une méthode permettant de mieux distinguer les différentes contributions en énergies d'un spectre gamma en
introduisant une grandeur discriminante supplémentaire, à savoir le temps de montée des impulsions. Ce brevet apporte une amélioration de la mesure des pics en général et, partant, des pics d'échappement X en particulier. Cette méthode ne propose cependant aucun procédé de traitement assimilable au procédé objet de la présente invention. En effet, aucune correction ni aucune élimination de pic d'échappement X ne sont envisagées.
L'objet du brevet FR-2 738 919 est de conserver une bonne qualité spectrométrique des spectres, tout en autorisant l'utilisation de cristaux épais en vue de garantir à la fois un bon rapport signal sur bruit et une efficacité de détection maximale. Il est alors possible de considérer l'invention proposée dans la présente demande comme une amélioration du procédé objet du brevet FR-2 738 919 puisque le procédé selon l'invention conduit à augmenter encore l'efficacité apparente du détecteur.
Les détecteurs de spectrométrie gamma à température ambiante particulièrement adaptés aux mesures sur assemblages combustibles irradiés comportent des cristaux CdTe et CdZnTe de très petites tailles (typiquement quelques dizaines de mm3). La faible taille de ces cristaux détecteurs induit des caractéristiques de spectre particulières. En particulier, la probabilité d'échappement des rayonnements X dus aux réarrangements électroniques du cristal après une interaction photoélectrique, entraîne l'apparition de pics parasites d'échappement X dans les spectres.
Le procédé de traitement selon l'invention permet avantageusement de supprimer ces inconvénients.
Exposé de l'invention En effet, l'invention concerne un procédé de traitement d'un spectre en énergie de rayonnements gamma, le spectre en énergie comprenant au moins une raie d'amplitude mesurée A (E) dans un canal d'énergie E, la raie d'amplitude mesurée A (E) comprenant une contribution d'échappement X associée à une probabilité d'échappement ai. Le procédé comprend une étape d'estimation de la contribution d'échappement X du canal d'énergie E réalisée en multipliant l'amplitude mesurée A (E) par la probabilité d'échappement ai et une étape de calcul d'une amplitude corrigée AC (E) du canal d'énergie E en ajoutant la contribution d'échappement X estimée (ai x A (E)) à l'amplitude mesurée A (E).
Le procédé de traitement selon l'invention est particulièrement bien adapté au traitement de spectres en énergie de rayonnements gamma mesurés à l'aide de spectromètres comprenant des cristaux détecteurs de petites tailles. Le procédé selon l'invention permet d'éliminer des signaux représentant des raies d'échappement X. Selon un perfectionnement de l'invention, le procédé permet, en outre, de réintégrer dans les pics d'absorption totale les contributions dues aux échappements de rayons X issus des réarrangements électroniques lors des interactions photoélectriques dans le cristal détecteur. Compte tenu du fait que le phénomène d'échappement X est indépendant de la nature et de l'intensité du
rayonnement gamma incident, le procédé de correction prend en compte uniquement les caractéristiques du détecteur telles que la composition et la taille du cristal.
Un aspect avantageux du procédé selon l'invention consiste en ce que le spectre est traité sans calcul préalable ni connaissance a priori du rayonnement incident.
L'effet du traitement est double. D'abord, le procédé élimine du spectre les pics parasites dus à l'échappement X. Il contribue ainsi à faciliter l'interprétation qualitative des spectres (identification des émetteurs). Ensuite, dans le cas où les contributions X sont réintégrées dans les pics d'absorption totale, l'intensité des pics d'absorption totale apparaît augmentée. Tout se passe alors comme si l'efficacité du détecteur était améliorée.
Un autre avantage découle des deux effets mentionnés ci-dessus. En effet, en éliminant les pics d'échappement X et en augmentant la surface des pics d'absorption totale, le calcul du bruit de fond présent sous les pics se trouve facilité. Ce point est particulièrement avantageux pour l'exploitation quantitative des spectres (quantification des émissions mesurées par le détecteur).
Le procédé de traitement selon l'invention permet avantageusement d'améliorer les caractéristiques statistiques d'un spectre sans interprétation. Le procédé de traitement selon l'invention peut alors être considéré comme partie intégrante du processus de mesure du spectre.
Il serait possible d'imaginer des méthodes de traitement des pics d'échappement X fondées sur leur interprétation comme pics physiques associés aux pics d'absorption totale des rayonnements mesurés. Cette approche serait efficace à condition de pouvoir interpréter les pics de pleine absorption sans erreur quantitative aussi bien que qualitative. Le traitement des pics d'échappement X selon l'invention basé sur les caractéristiques du détecteur et sans interprétation préalable du spectre constitue un avantage. En effet, selon l'invention, l'interprétation des spectres n'intervent qu'après leur traitement et tire ainsi avantage d'une meilleure définition du bruit de fond sous les pics et d'une augmentation de la surface des pics.
Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de modes de réalisation préférentiels de l'invention faits en référence aux figures ci-annexées parmi lesquelles : - la figure 1A représente un schéma de principe d'un premier mode de réalisation du procédé de traitement de raie d'échappement X selon l'invention, - la figure 1B représente un perfectionnement du schéma de principe du procédé représenté en figure 1A, - la figure 2A représente un schéma de principe d'un deuxième mode de réalisation du procédé de traitement de raies d'échappement X selon l'invention,
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'exemple du dispositif objet de l'invention, qui est schématiquement représenté en coupe sur la figure 1, comprend un premier support 2, en forme de plaque, comportant trois trous borgnes non alignés, formés à partir d'une face 4 de cette plaque.
Sur la figure 1, on ne voit que deux de ces trous ; ils ont les références 6 et 7. Le troisième d'entre eux se trouve derrière le trou 6, dans la partie gauche de la figure 1.
Le dispositif de la figure 1 comprend aussi un deuxième support 8, en forme de plaque, qui est également pourvu de trois trous borgnes non alignés, formés à partir d'une face 10 de ce deuxième support.
Seuls deux de ces trous, ayant pour références 11 et 12, sont visibles. Le troisième d'entre eux se trouve derrière le trou 11, dans la partie gauche de la figure 1.
Une plaque du genre des plaques 2 et 8 est représentée en vue de dessus sur la figure 4 qui sera décrite ultérieurement.
Les trous des deux supports sont formés de façon que ceux du support 8 se trouvent respectivement en correspondance avec ceux du support 2 lorsque les faces 4 et 10 des supports sont en regard l'une de l'autre.
Le dispositif de la figure 1 comprend aussi trois billes d'alignement, plus simplement appelées billes dans la suite. Elles sont respectivement associées aux trous dont sont pourvus les supports. On voit seulement deux de ces billes 14 et 16 sur la figure 1, la bille 14 étant associée aux trous 6 et 11 tandis que la bille 16 est associée aux trous 7 et 12.
Chaque bille est placée sur le trou de la plaque 2 qui lui correspond et la plaque 8 est placée au-dessus de la plaque 2 de façon que chaque trou de cette plaque 8 se trouve sur la bille correspondant à ce trou.
Le diamètre de chaque bille est supérieur aux diamètres des deux trous des plaques 2 et 8 correspondant à cette bille, les diamètres de ces trous étant égaux dans l'exemple de la figure 1.
On voit aussi sur la figure 1 un composant optique 18 qui est formé sur la plaque 2 et un autre composant optique 20 qui est formé sur la plaque 8 et sensiblement aligné avec le composant 18, les trous et les billes coopérant pour que l'on obtienne cet alignement lors de l'assemblage des plaques.
Dans l'exemple de la figure 1, le composant 18 est un émetteur de lumière et le composant 20 est un détecteur de lumière ; le composant 18 est formé au niveau de la face 4 de la plaque 2 tandis que le composant 20 est formé au niveau de la face supérieure 22 de la plaque 8, face qui est opposée à la face 10 de cette plaque 8 ; cette dernière est faite d'un matériau transparent à la lumière émise par le composant 18 pour que cette lumière puisse atteindre le détecteur 20.
La plaque 2 est rendue solidaire de la plaque 8 grâce à une couche de colle 23.
Dans l'exemple de la figure 1, on utilise une colle transparente à la lumière émise par le composant 18 de façon que cette lumière puisse traverser la partie de la colle comprise entre les deux plaques.
On précise que le diamètre de la bille 16 est supérieur aux diamètres des deux autres billes, qui sont identiques dans l'exemple de la figure 1. On obtient ainsi un angle a non nul entre les plaques 2 et 8.