INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le produit de digestion est filtré sur tamis de 100 m, puis de 40 m, sous pression de la gravité, afin de séparer les cellules dissociées des tissus résiduels. Un tamis par gramme de tissu est utilisé (Cell strainer de Falcon). Le filtrat est centrifugé à 300 g durant 5 minutes. Après élimination du surnageant, les culots sont lavés à l'aide du milieu B, puis centrifugés.
Une autre technique de fabrication de guides d'onde s'est très récemment développée en Europe : l'implantation ionique. L'implantation ionique consiste à bombarder un cristal de forme parallélépipèdique sur sa plus large surface par des ions légers, en général, des ions hélium (He') ou protons (H"). Ces ions rentrent en collision avec les atomes constitutifs du cristal et sont donc freinés. Ils s'arrêtent ainsi à quelques micromètres de la surface du matériau et créent une région de dommages nucléaires. La zone située entre la région de dommages nucléaires et la surface constitue le guide. L'épaisseur de guide est contrôlée par l'énergie du flux ionique implanté.
Tout comme l'échange ionique, l'implantation
ionique permet de fabriquer des guides plans et canaux. L'éventail de guides élaborés par cette technique est vaste et concerne de nombreux matériaux tels que KTiOP04, LiNb03, BaTi03, LiTa03, LizB40-7, (3-BaBz04, pour ne citer que les plus connus. A noter que, à l'heure actuelle, la fabrication de guides dans les cristaux de borates par échange ionique reste un problème non résolu.
Dans le cadre du doublage de fréquence, des dispositifs de laboratoire fonctionnant à partir de ces structures guidantes implantées de KTiOP04 ou de LiNb03, utilisant une méthode différente et plus difficile que celle du QAP servent à étudier les performances de ces guides.
A titre informatif, le document (2) donne un exemple de réalisation de dispositif de laboratoire qui utilise un guide de KTiOP04 fabriqué par implantation ionique.
(2) Frequency doubling in ion-implanted KTiOP04 planar waveguides with 25 s conversion efficiency , L. Zhang, P.J. Chandler, P.D. Townsend, Z.T. Alwahabi, S.L. Pityana and A.J. McCaffery, J. Appl. Phys. n 73, vol. 6 (1993) 2695-2699.
Les résultats prometteurs montrent que, dans le cas de l'implantation par des ions hélium, les guides de LiNb03 présentent une très faible dégradation de la non-linéarité dans la région guidante. La restauration d'une partie de cette non-linéarité s'effectue par un traitement thermique de courte durée (environs 2 heures).
EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention a pour but d'apporter une solution aux inconvénients précédents en proposant : un
procédé de fabrication d'un guide d'onde pour la génération de lumière par effet non-linéaire réalisé dans un cristal : on réalise le réseau périodique dans le cristal et ensuite on implante les ions dans le cristal, ou inversement.
L'amplitude du coefficient non-linéaire est moins affectée, ce qui entraîne une plus grande efficacité dans la génération de lumière par effet non-linéaire utilisant le quasi-accord de phase.
De façon plus précise, la présente invention a pour objet un procédé de fabrication de guide d'onde par implantation ionique dans un cristal périodiquement polarisé pour la génération de lumière par effet non- linéaire en configuration de quasi-accord de phase.
Le guide ainsi fabriqué est destiné à interagir avec une onde fondamentale pour produire ladite lumière, le guide étant caractérisé en ce qu'il comprend une région guidante de géométrie plane ou canale (d'indice de réfraction supérieur à ceux des régions environnantes).
Une partie du cristal non-linéaire est transformée en un réseau périodique de sections de période spatiale A. Ce réseau demeure dans le cristal et est réalisé par renversement de domaines (sous l'action d'un champ électrique ou en utilisant un autre procédé physique) sur l'épaisseur totale dudit cristal.
Dans le cas de l'application d'un champ électrique, la valeur de ce dernier devra avoir une valeur supérieure à celle du champ coercitif propre du cristal afin de contrôler efficacement la dynamique du renversement de domaines.
Expérimentalement, un masque métallique (ou une électrode) présentant une répétition de motifs de période spatiale A est nécessaire pour la fabrication du réseau périodique sur l'épaisseur totale du cristal.
La figure 1 montre la forme du réseau 2 obtenu de domaines inversés. Cette dernière figure donne également un aperçu de la nature de la fonction périodique idéale que l'on souhaite obtenir : une fonction de type "créneau".
et une tubulure 7,20. La tubulure 20 est passée à travers le dispositif de thermosoudage 21 et la pompe péristaltique. La tubulure 7 est passée à travers l'autre pompe péristaltique et la cuve à circulation de compteur Coulter 9. L'utilisateur insère également la poche de sang 4 contenant le sang d'un patient et la fixe à la tubulure 7. Outre ce qui précède, l'utilisateur fixe la tubulure 15 de la chambre 6 au filtre stérile 13. L'utilisateur ferme alors le panneau antérieur 3 du boîtier 2 et déclenche le dispositif 1 au moyen des touches de clavier numérique 22 du dispositif.
Le dispositif 1 pèse automatiquement la poche de sang d'entrée 4. Le poids de la poche de sang d'entrée 4 est envoyé automatiquement à un système informatique central (non représenté) situé à l'intérieur du dispositif 1.
D'après le poids de la poche de sang d'entrée 4, le système informatique peut déterminer le volume de sang dans la poche 4. La pompe péristaltique aspire alors le sang de la poche de sang d'entrée 4 à travers la tubulure 7. Le sang s'écoule à travers la fenêtre transparente 8 de la tubulure 7 et le compteur Coulter 9 détermine la concentration de cellules passant à travers la tubulure 7. Le compteur Coulter envoie un signal directement au système informatique central. Le système informatique central détermine d'après le volume calculé de sang et la concentration cellulaire, le volume correct d'anticorps qui doit être introduit à la seringue dans la chambre 6 par une ou plusieurs des seringues 10,11. La pompe péristaltique continue à pomper le sang de la poche 4 jusqu'à ce qu'un signal soit reçu en provenance du système informatique central, qui interrompt le fonctionnement de la pompe. Le signal provenant du système informatique central est envoyé en réponse à un signal provenant du compteur Coulter 9 au système informatique central, signal qui est envoyé lorsque le compteur Coulter 9 détermine qu'aucune cellule supplémentaire ne passe devant la fenêtre 8.
Le système informatique central envoie alors un signal au moteur pas à pas (non représenté) fixé aux seringues 10, 11 pour comprimer une ou plusieurs des seringues 10, 11 afin de délivrer le volume calculé d'anticorps dans la chambre 6 par la tubulure 15.
Puis le dispositif, facultativement, introduit du dioxyde de carbone par l'orifice d'admission de dioxyde de carbone 14 en ouvrant la valve 16 (le mécanisme d'ouverture et de fermeture de la valve 16 pouvant être commandé par le système informatique central). La quantité de dioxyde de carbone à ajouter est calculée par le système informatique central sur la base du volume connu d'air dans la chambre 6, de la tubulure 7,20 et de la poche de sang de sortie 19 et le volume calculé de sang provenant de la poche de sang d'entrée. La concentration finale de dioxyde de carbone dans la chambre 6 est portée à environ 5 %. Le dioxyde de carbone est introduit dans la chambre 6 par la tubulure 15.
Le dioxyde de carbone chasse ainsi toute quantité d'anticorps restante dans la tubulure 15, ce qui garantit l'introduction de la totalité de l'anticorps libéré dans la chambre 6. La poche de sang d'entrée 4, une fois vide, joue le rôle de poche d'air pour recevoir le volume de gaz supplémentaire après l'introduction du dioxyde de carbone.
Le dispositif peut comprendre en outre un élément chauffant (non représenté), sous le contrôle du système informatique central, élément chauffant qui est situé audessous de la chambre 6 et qui régule la température dans la chambre 6 dans l'intervalle de 25 à 37 C. Un thermostat connecté à l'élément chauffant empêche une surchauffe ou un chauffage insuffisant.
Le sang et l'anticorps sont ensuite mis en incubation dans la chambre 6 pendant une période de temps prédéterminée. De manière convenable, l'appareil d'incubation ne dépasse pas 24 heures et est compris de préférence dans l'intervalle de 4 à 8 heures. Le temps
choisi doit être suffisant pour permettre à la réaction de rétrodifférenciation de s'effectuer.
Au cours de l'incubation, les branches de pale 17 tournent lentement pour effectuer le mélange de l'anticorps et du sang.
Une fois la période d'incubation écoulée, les branches de pale 17 continuent à tourner et jouent efficacement le rôle de branches de racleur pour déloger toutes les cellules fixées à la surface de la chambre 6 et faciliter ainsi la collecte des cellules. La pompe péristaltique aspire le contenu de la chambre 6 (c'est-à-dire le sang contenant les cellules indifférenciées, c'est-à-dire les cellules souches) par la partie inférieure de la chambre 6 et dans la poche de sang de sortie 19. La pompe continue le pompage jusqu'à ce qu'un volume mesuré de sang (de la manière déterminée par l'utilisation d'une pompe péristaltique étalonnée) ait pénétré dans la poche de sang de sortie 19.
Finalement, le dispositif de thermosoudage 21 pince la tubulure 20 et provoque l'obturation hermétique d'une longueur d'environ 2 cm de la tubulure 20, l'appareil de thermosoudage 21 coupe ensuite la tubulure 20 approximativement dans la région centrale de la jonction étanche.
Le dispositif 1 peut ensuite indiquer à l'utilisateur que la mise en #uvre du procédé est achevée.
L'utilisateur peut ensuite enlever la poche de sang de sortie 19. La chambre 6 conjointement avec la tubulure 7, 20 et la poche de sang d'entrée 4 peuvent être jetées.
La poche de sang de sortie/9 peut, si besoin, être transférée à un système de purification, par exemple à un système pour identifier des cellules portant des marqueurs de surface cellulaire caractéristiques des cellules indifférenciées, bien que des variations morphologiques puissent également être utilisées comme guide. Le système de purification peut être utilisé pour éliminer un
anticorps et/ou enrichir facultativement les cellules indifférenciées (cellules souches). Un système de purification convenable est le système de purification CliniMACs/Isolex.
Résumé de l'invention Le Procédé statistique/probabiliste de simulation stochastique selon l'invention vise à effectuer de manière hiérarchisée mais conjointe (c'est-à-dire mutualisée) la prédiction probabiliste du comportement futur et/ou l'optimisation des paramètres de rendement d'une multitude de systèmes industriels locaux distants (SJ - 1 ..-")). Il s'applique au cas - où ces systèmes industriels locaux (Su) sont très distants les uns des autres, mais sont soumis à un environnement global commun (E) évolutif, pouvant être décrit numériquement par p variables d'état (X;(t)"-' ...P'), constituant les composantes d'un vecteur d'état (X(t) X((I)(1 - '"-Pl), - où les p variables d'état (X;(t)('- '...Pl), sont communes à la multitude des n (ii étant très grand 1) systèmes industriels locaux distants (S,('= '.."l ) décentralisés, - et où l'efficacité de chaque système local (S,,Iu= ' -.n) peut en outre être décrite par un indicateur numérique de rendement (lu""- ' ... nl) @ selon un modèle numérique systémique local paramétré (Du) préalablement établi (lu = Du(u I -"l (1u, X(t))), dépendant pour chacun des systèmes (Su) et â chaque instant (t) # de tout ou partie des variables d'état (X;(t)(' --n') du vecteur d'état (X(t)), # et d'un vecteur de q paramètres (réglables) locaux d'action (a,,= ..., @iuq)).
Le procédé de simulation stochastique selon l'invention procède selon une méthode classique de type statistique/probabiliste par simulation qui consiste tout d'abord â effectuer un échantillonnage de scénarios probables des variables de l'environnement , puis à effectuer une estimation statistique de la loi de probabilité de la distribution des variations d'un indicateur numérique de rendement de chacun des systèmes industriels locaux (S") à partir de cet échantillonnage de description de la distribution de probabilité jointe des variables d'état de l'environnement préalablement établi.
Mais le procédé selon l'invention vise en outre - à centraliser (mutualiser) et à mettre en commun au sein d'un site central les moyens lourds (en matériel informatique et en personnel) nécessaires à la génération de cet échantillonnage de scénarios probables des variables de l'environnement, - et à ne réaliser, au niveau de la multitude des systèmes industriels locaux, que des calculs simples et peu onéreux en matériel informatique et en personnel spécialisé.
Dans sa forme la plus générale, le procédé de simulation stochastique selon l'invention est remarquable par la combinaison des deux moyens suivants: I a D'une part, au niveau d'un site centralisé émetteur (U), très distant (de plusieurs kilomètres, voire de plusieurs centaines de kilomètres) d'une majorité des st systèmes industriels locaux distants (S"(,= i...n>)@ 1 on génère répétitivement de manière centralisée à des instants (t,) successifs, une swap série de simulations probabilistes (W;,j@ ('=1...p,j_1...s,k=l...n) multi-valuée de description des variables d'état (X;(t)@'= @...p@) de l'environnement (E). Cette snap série de simulations probabilistes est, selon l'invention, constituée # soit d'une série de pseudo-états probables futurs des variables (X;(t)(' I -P)) de l'environnement (E), # soit d'une série de pseudo-variations probables futures de ces variables (Axi(t)(i = 1 ...nl), (ces séries étant simulées à un (ou plusieurs an, avec ni >_ 1) horizons de temps (tk(k 1-ni) > t0) ; 1 et on télétransmet répétitivement ces swap séries de simulations probabilistes (Wl,jk) multi-valuée de description des pseudo-états ou pseudo- variations probables futur(e)s des variables de l'environnement, ce de manière répartie décentralisée # du site émetteur (U), # en direction de l'ensemble de la multitude des systèmes locaux distants (Su).
o D'autre part, de manière indépendante, au niveau de chacun des systèmes locaux (Su), majoritairement très distants du site centralisé émetteur (U), répétitivement on collecte lesdites smp séries de simulation probabiliste (W;jk) multi-valuées de description des pseudo-états ou pseudo-variations probables futur(e)s, 1 et on effectue un traitement numérique statistique local spécifique sur lesdites séries de simulation probabiliste (W,,@) reçues pour prédire le comportement futur probabiliste des systèmes industriels locaux (S").
Eventuellement, on règle le niveau du vecteur des paramètres locaux d'action (#,u) ...,@.uN) de chaque système local (Su) à une valeur optimale calculée en fonction des critères préétablis, afin notamment d'anticiper le comportement probable futur et l'efficacité de chaque système (S") soumis à l'environnement (E) au cours du ou des horizon(s) de temps (tk) retenu(s).
Figures Sur les dessins - La figure 1 : décrit une méthode classique recommandée par l'invention pour la saisie de mesures observables de l'état d'un environnement et leur transmission par un fournisseur de ces données observables à un site émetteur de données probabilistes selon l'invention.
- La figure 2 : décrit les principales étapes du processus de génération d'un échantillonnage de scénarios probables de variables d'état d'environnement par un site émetteur de données probabilistes selon l'invention procédant par méthode de Monte Carlo.
- La figure 3 : décrit les principales étapes du processus selon l'invention de traitement de séries d'échantillonnages de scénarios probables de variables d'état d'environnement reçus par un groupe de trois systèmes industriels locaux distants fonctionnant selon l'invention, l'un des trois systèmes étant décrit en détail.
- La figure 4 : décrit globalement les principales étapes du procédé selon l'invention de simulation stochastique répétitive hiérarchisée par échantillonnage de scénarios probables, pour la prédiction probabiliste du comportement futur et/ou l'optimisation des paramètres de rendement d'une multitude de systèmes industriels locaux distants.
- La figure 5 : décrit globalement les principales étapes d'une variante du procédé selon l'invention de simulation stochastique répétitive hiérarchisée par échantillonnage de scénarios variationnels probables, avec téléadaptation des paramètres numériques de calcul du rendement de chaque système industriel distant.
- Les figures 6, 7 et 8: décrivent trois méthodes pour effectuer selon l'invention la transmission de smp séries probabilistes du site centralisé émetteur vers la multitude des sites industriels locaux distants et trois méthodes pour filtrer sélectivement le contenu des smp séries probabilistes transmises.
- La figure 9 : décrit une application particulière du procédé selon l'invention dans le domaine de l'industrie financière.
- La figure 10 : décrit une variante de mise en oeuvre de l'invention pour effectuer une optimisation probabiliste groupée de certains groupes de systèmes industriels locaux. Description de l'invention Les figures 1, 2 et 3 illustrent l'organisation générale des principales étapes du procédé par simulation stochastique de génération répétitive centralisée d'échantillons statistiques et de télétransmission de scénarios probables, pour la prédiction probabiliste du comportement futur et/ou l'optimisation des paramètres de rendement d'une multitude de systèmes industriels locaux distants (Su). Dans l'exemple retenu, les systèmes industriels locaux distants (S") sont constitués par des centrales électriques (S,,...,S",.... S") placés dans un même environnement (E) et formant, dans ce cas particulier, un réseau de distribution électrique d'un état ou d'une région.
On voit en référence aux figures 1 et 4, l'environnement (E) d'usines de production électrique, connectée â un même réseau, influencées par des phénomènes aléatoires que sont le climat (1) agissant directement sur les performances des usines (rendement des centrales, niveau des barrages), les caractéristiques de la demande (quantité, prix) (2) affectant les revenus de la centrale électrique, la disponibilité du réseau (3) influençant le régime de fonctionnement des usines, et les caractéristiques des énergies primaires (4) influençant les coûts d'approvisionnement. Ces phénomènes aléatoires liés au comportement de l'environnement (B) du réseau sont donnés à titre d'exemple. Mais en comprendra que dans la pratique les phénomènes aléatoires à prendre en compte sont beaucoup plus nombreux et peuvent être différents.
Même lorsqu'ils sont locaux (comme les phénomènes climatiques), ces phénomènes aléatoires ne peuvent être considérés indépendamment des phénomènes communs à toutes les usines (comme le prix du pétrole, le niveau de la demande sur le réseau). Ainsi, la température à proximité d'une usine agit non seulement sur le rendement de l'usine (donc sur son coût marginal), mais interagit avec le niveau de la demande et le prix de l'électricité. On a de fortes chances de voir évoluer cette température locale de manière corrélée avec la température à proximité des autres usines, et donc de voir le coût marginal de ces dernières varier dans le même sens et interagir par ailleurs avec le niveau de la demande. Rechercher à optimiser la marge d'une usine en faisant une analyse statistique des paramètres locaux de climat indépendamment de l'analyse statistique sur les paramètres globaux conduirait à des erreurs manifestes d'optimisation. Car paramètres locaux et paramètres globaux interagissent dans le cadre d'un même environnement global commun.
On forme ensuite la grille du transistor, part et d'autre de l'ensemble électriquement isolant 28 (figure 7), tout en complétant le pré-contact de drain.
I1 convient de noter que la grille n'est pas forcément métallique. Elle peut être réalisée en silicium polycristallin dopé n+ (respectivement p+) pour un transistor à canal n (respectivement p), par exemple déposé par un procédé LPCVD. D'une façon générale elle peut être réalisée dans un matériau semiconducteur dopé, par exemple le silicium ou 1e germanium.
Selon un mode de réalisation avantageux, pour former la grille (tout en complétant le contact de drain), on dépose un métal, qui est par exemple choisi parmi le cobalt, le tungstène et le titane, sur la structure obtenue à la figure 7, exemple par dépôt chimique en phase vapeur ( chemical vapor déposition ). Le métal ainsi déposé dépasse niveau supérieur de la zone 36 en nitrure de silicium.
Ce métal est ensuite plané (on dit aussi planarisé ) : on effectue un polissage de ce métal zone 36 servant de couche d'arrêt de polissage.
voit sur la figure 8 la couche métallique 77 planée aussi planarisée ) ainsi obtenue, qui s'étend dans le trou 74 et de part et d'autre de l'ensemble La zone 34 sert non seulement de couche isolation électrique mais encore de couche-tampon.
En effet, des défauts seraient créés si 'on formait du nitrure de silicium directement sur le drain 26, obtenu par épitaxie et gravure, puis de la silice enterrée, par oxydation thermique.
Avant de déposer le métal servant à former la couche 77, il est possible (mais pas indispensable) de remplir de métal les cavités 78 et 80 (figure 7) qui existent sous les espaceurs 42 et 44 du fait des précédentes étapes du procédé. On utilise à cet effet un dépôt chimique en phase vapeur de cobalt, de tungstène ou de titane par exemple. On voit sur la figure 8 les couches de métal 82 résultant de ce dépôt. Ce métal remplit les cavités 78 et 80 tout en recouvrant les flancs des espaceurs 42 et 44 ainsi que la surface des couches 70 et 72.
Au lieu de former ces couches 82, il est possible de recouvrir d'une couche 84 du métal considéré les flancs du trou 74 ainsi que la couche 76 formée dans ce dernier ou encore de former à la fois les couches 82 et 84.
On forme ensuite les contacts du transistor.
Pour ce faire, l'ensemble de la structure de la figure 8 est recouvert par une couche électriquement isolante 86 (figure 9) en verre de silice dopé au phosphore ou au bore. On forme ensuite trois ouvertures qui traversent de part en part cette couche 86 et débouchent respectivement sur les deux zones 77a et 77b de la couche de métal 77 qui correspondent à la grille du transistor et sur la zone 77c cette couche 77, correspondant au pré contact de drain du transistor.
On remplit ces trois ouvertures un métal, par depôt chimique en phase vapeur, pour former deux contacts de grille 88 et 90 et un contact de drain 92.
On forme ensuite, à la surface la couche 86, trois couches métalliques d'interconnexion 94, 96 et 98 prolongent respectivement les contacts 88, 90 et 92.
Le contact de source du transistor n'est pas représenté. Pour l'obtenir, il est possible de former une couche métallique sur la face inférieure du substrat 18.
On achève ainsi la formation du transistor MOS vertical à grille métallique enterrée conforme à 'invention.
Dans l'exemple donné, on a utilisé du silicium de type p pour le substrat mais l'invention englobe bien entendu les transistors et procédés de fabrication correspondants qui utilisent un substrat en silicium de type n. Dans ce cas, on forme une source en silicium de type p+, un canal en silicium de type n ou SiGe,Cy de type n et un drain en silicium de type p. On peut bien entendu utiliser tout autre semiconducteur approprié (de type n ou p) pour la formation du transistor.
Lors de la mise en ceuvre de l'invention, on précise qu'on peut avoir intérêt à utiliser un premier métal de grille pour l'obtention d'un transistor à canal n et un deuxième métal de grille, différent du premier métal, pour l'obtention d'un transistor à canal p, de façon à obtenir des tensions de seuil opposées.
Un but de la présente invention consiste à permettre la localisation de documents à balises sans intervention d'un utilisateur.
Un but consiste à modifier les éditeurs pour permettre l'internationalisation de pages de balises.
Un autre but de la présente invention consiste à faciliter les traitements de localisation dans un système informatique, en particulier en évitant sa recompilation ou la livraison de ses sources.