INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les opérations 7 et 8 correspondent à un exemple de signature pouvant être utilisé en combinaison avec les opérations 1 à 6 ci-dessus. Au cours de l'opération 7, un sceau secret est généré et transmis, par l'intermédiaire du deuxième réseau 140, au
récepteur 150. L'adresse du récepteur 150 sur le deuxième réseau est déterminée en mettant en correspondance l'identifiant de l'utilisateur transmis au cours de l'opération 1 avec ladite adresse, dans une table de correspondance. Préférentiellement, le sceau secret est calculé sur les éléments de signature du document. Préférentiellement, le sceau secret dépend des données à transmettre, de leur nombre, de leur contenu, de la date et de l'heure de la génération du sceau secret, de la clé privée de l'émetteur des données déterminée en correspondance avec l'identifiant de l'utilisateur transmis au cours de l'opération 1, de l'adresse internet ("adresse IP") du poste utilisateur 100 et/ou d'un numéro de la session Internet au cours de laquelle les données sont transmises. Selon un exemple de mise en oeuvre de l'opération 7, le sceau secret est obtenu par calcul d'un condensâ des données à transmettre, par exemple sous la forme d'une séquence de vingt symboles, de chiffrement de ce condensâ par la clé privée de l'utilisateur du poste utilisateur 100, et d'extraction d'une partie du résultat de ce chiffrement, par exemple huit symboles sur vingt.
Selon un mode de réalisation particulier de ce transistor, la source, le canal et le drain sont faits à partir de silicium.
Dans ce cas, selon un mode de réalisation particulier de l'invention, les couches électriquement isolantes, qui s'étendent au moins entre le canal et les portions de grille, sont faites d'un matériau choisi parmi la silice, le nitrure de silicium et l'oxyde d'hafnium que l'on note plus simplement HiK (matériaux de constantes diélectriques élevées).
La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication du transistor de type MOS vertical objet de 'invention, dans lequel - on forme une structure comprenant un substrat semiconducteur, une zone de source, une zone de canal et le drain au-dessus de la zone de canal, - on forme, par-dessus le drain, un ensemble électriquement isolant comprenant les zones électriquement isolantes, appelées espaceurs , de part et d'autre drain, - on forme, dans la structure, deux évidements de part et d'autre de l'ensemble électriquement isolant, les flancs respectifs de ces évidements les plus proches de l'ensemble électriquement isolant étant situés sous ce dernier, de part et d'autre la zone de canal, pour former ainsi les cavités, - on forme les couches électriquement isolantes au moins sur ces flancs des évidements et d'autres couches électriquement isolantes au fond de ces évidements, et - on forme la grille du transistor de part et d'autre de l'ensemble électriquement isolant et jusque dans les cavités. Selon un mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, pour former 1 ensemble électriquement isolant, - on forme, sur la structure, une première couche qui est électriquement isolante et, sur cette première couche, une deuxième couche qui est également électriquement isolante, - on grave ces première et deuxième couches de façon à obtenir un élément isolant appelé cheminée qui recouvre le drain, - on forme, par-dessus cet élément isolant une troisième couche qui est également électriquement isolante, et - on grave cette troisième couche de façon à former les espaceurs et à achever la formation de l'ensemble électriquement isolant.
De préférence, la deuxième couche apte à servir de couche d'arrêt de planage (également appelée couche d'arrêt de planarisation ) a une couche de métal que l'on forme ultérieurement qui est destinée à la formation de la grille du transistor.
Alors, cette deuxième couche par exemple en nitrure de silicium ou en carbure de silicium.
De préférence, dans ce cas, la première couche est en outre apte à servir de couche-tampon. Selon un mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, - on forme, à travers l'ensemble électriquement isolant, un trou qui s'étend jusqu'au drain et - on forme, dans ce trou, une couche de -contact de drain.
De préférence, on forme en même temps la grille et cette couche de pré-contact de drain.
De préférence, on forme la zone de source implantation, dans le substrat, d'ions aptes à conduire à un dopage prédéfini de ce substrat ou par epitaxie, sur ce substrat, d'un semiconducteur ayant ce dopage prédéfini.
De préférence également, on forme drain par épitaxie ou par implantation d'ions.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels # la figure 1 est une vue en coupe transversale schématique d'un transistor MOS vertical connu et a déjà été décrite, # les figures 2 à 9 illustrent schématiquement des étapes d'un mode de mise #uvre particulier du procédé objet de l'invention, # la figure 10 est une vue de dessus schématique et partielle d'un transistor conforme à l'invention, # la figure 11A est une vue en coupe transversale schématique d'un transistor conforme à l'invention dans lequel la garde entre la grille et le drain est nulle et la figure 11B est une vue de dessus schématique et partielle de ce transistor, et les figures 12 et 13 sont des vues en coupe transversales schématiques de transistors conformes à l'invention qui sont complémentaires l'un de l'autre.
EXPOSE DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Les figures 2 à 9 illustrent schématiquement des étapes d'un exemple du procédé objet de l'invention, permettant d'obtenir transistor MOS vertical à grille métallique enterrée conforme à l'invention.
Pour mettre en #uvre le procédé illustré par ces figures 1 à 9, on utilise un substrat semiconducteur monocristallin 18 qui, dans l'exemple représenté, est en silicium monocristallin de type p.
On dépose par épitaxie, sur ce substrat 18 une couche 20 de silicium de type n+ (et donc fortement dopé, par exemple au moyen de phosphore, d'arsenic d'antimoine), qui est destinée à la formation de la source du transistor.
Au lieu d'utiliser une épitaxie en vue former cette source, on pourrait utiliser implantation d'ions appropriés (par exemple des ions de phosphore, d'arsenic ou d'antimoine) dans le substrat 18.
On dépose ensuite par épitaxie, sur la couche 20, une couche 22 de silicium de type p (ou de SiGeXCy de type p, qui est destinée à la formation du canal du transistor. Le drain 26 du transistor est réalisé par dépôt par épitaxie, sur cette couche 22, d' couche 24 de silicium de type n ou par une implantation de type n de la couche 22 pour obtenir la couche 24 du transistor au-dessus d'une zone 23 de la couche 22, correspondant au canal de ce transistor. En dessous de cette zone 23, la zone 27 de la couche 20 correspond à la source du transistor.
on forme ensuite, par-dessus le drain 26, un ensemble électriquement isolant 28 comme on l'explique ci-après.
A moins qu'ils ne soient définis d'une autre manière, tous les termes techniques et scientifiques utilisés ici ont la même signification que celle couramment comprise par un spécialiste ordinaire du domaine auquel appartient cette invention. De même, toutes les publications, demandes de brevets, tous les brevets et toutes autres références mentionnées ici sont incorporées par référence. PARTIE EXPÉRIMENTALE Matériels et méthodes : 1-Construction du vecteur d'expression pour MBP-Cdc25C. 1. 1-Principe du système utilisé. Le système utilisé (New England Biolabs #800-pMALTM protein fusion et système de purification) est basé sur la production d'une protéine de fusion entre la protéine d'intérêt, ici la protéine Cdc25C humaine, et la protéine bactérienne MBP (Maltose-Binding Protein) d'Escherichta coli. Cette méthode permet de purifier en une étape la protéine de fusion grâce à l'affinité de la MBP pour le maltose.
1. 2-Origine de l'ADNc de Cdc25C L'ADN codant pour la phosphatase Cdc25C humaine correspond à l'Accession number 4502706.
A partir de ce plasmide, l'ADN codant pour Cdc25C a été amplifié par réaction de polymérisation en chaîne (PCR) en utilisant les amorces C-XBAI SENS et C-XBAI ANTI-SENS (de séquences SEQ. ID. n,-,-3 et 4 respectivement) et introduit dans le vecteur pCDNA3-HA au site Xbal pour donner le vecteur pcDNA3-HA Cdc25C.
L'insert Cdc25C/Xbal a été, à ce stade, séquençé dans son intégralité.
L'amorce C-XBAI SENS a pour séquence la séquence SEQ. ID. no 3 représentée ci-après : 5'-GTTCTAGAAT GTCTAGAA CTCTTC-3' L'amorce C-XBAI ANTI-SENS a pour séquence la séquence SEQ. ID. no 4 représentée ci-après : 5'-GGCTCTGA GTTGCGC CGG-3' 1. 3-Construction du vecteur pMAL-Hs Cdc25C Le vecteur pcDNA3-HA Cdc25C a été digéré par Xbal, l'insert Cdc25C/Xbal (1456 paires de bases) purifié et introduit dans le vecteur pMALTM-c2X (New England Biolabs, #800-76) au site Xbal, pour donner le vecteur pMAL-Hs Cdc25C (de séquence SEQ. ID no 2). Ce vecteur permet la production d'une protéine de fusion MBP-Cdc25C de 868 acides aminés, à partir du promoteur bactérien Ptac inductible par l'isopropylthiogalactoside (IPTG).
La séquence SEQ. ID. no 2 de la protéine Hs Cdc25C avec ses extrémités de restriction XBAI est la suivante : TCTAGAATGT... CTACGGAACT... CTT. CT. CAT. CC.... AÇ. AAGAGAGG.... AAGGAAGC TC.... TGGCTCAGGA CCCAG. TTTTA... GGTCTAA. TCA.... AAGGAAAA. TG..... TAAAÇCTGÇ.... TCC TGGAGAG.... AGAÇACTTCC Ç 9A . AACCT. AAGCA.... TTTTGTÇTGG... AGGAACCCCA... AAATGTTGCÇ.... TCGATCTTTC.... GAATÇTTAGÇ . AAC. C. T. AAGCA.... TT...
CTGGATTÇTT.... CAGGAÇTTCA... GGAAGTGÇAT.... T1 ; AGÇ. TGGGA.... TGAATÇATGA.... CÇAGCACÇTA AÇÇTTPA7PA..... A. A s. W.
qÇ ! ? ÇAgçAÇA .. p (. T7ç7TTQ7....... ATggTTTGGA CCGTGGCCAT AGAAAGAGAG... A. TGÇAATGTG.... TAGTTCATÇT.... GCAAATAAAG.... AAAATGACAA.... TGGAAACTTG TC-. T. TG G. TGGACAG. TG.... AAA. TGAAATA,.... TTTGGGÇAG.... CCCATTAÇ. TA.... CTGTTCCAAA.... ATTGGATAAA A PçAqQÇAÇAN.... GAGATT ggAÇM=Ç T.... TÇAAggACAA CACAATACCA AA. T. ÇCAAA. CC.... TAGGAGAAGA.... CCAGGÇAGAA... GAGATTEÇ. AG.... ATGAATTAAT.... GGAGTTTTCC TGCTGGAGGA,... AG TAA. Ç .... T ! : 7QTÇ. T. Ç ............................ uç CTGAAAGAT. Ç.. AAGAAG.A A.... GGT AG. ÇAGA.... AGTGGÇÇ. TAT.... ATCGCTCCCC.... GTÇGATGCCA . A.... ÇTTCTTTCTG hAQAAgÇÇÇA TCGTCCCTTT GGACACCCAG AAGAQAA . ÇAT. AAA < 3. TT. A... AAAAAAAGA..... TT. TT. T. CTGC.... CAAGGAAAGÇ..... TC AGGAAGGG.... CTTATGTTTA AAGAAGAÇAG.... TC. TÇTCTGTG..... TGAÇATTAÇT..... ATÇ. ACTÇAGA.... TGCTGGAGGA.... AGA'tTCTAAC .... ÇQÇ. TG T CAGGGGCAÇ. Ç.... TGATTGGTGA... 1TT. TTC. ÇAAG.... GT ; ATGTGÇGC.... TGCCAACCGT.... GTÇAGGÇAAA .......................................
AÇ ! qM ! -2A.... CCACAGAGCT.... AC CCCTAT . ÇAGGGCG. A... TTGAGAAG. TT.... '. TATGT. ÇA. T'..... ATTGTCGÇT.... ATCGATATGA..... GTATCJGGGA GGACACATCC... AGGGAGC. Ç. TT.... AAACT.ATA..T.... AGTÇAGGAAG.... AACTGTTTAA......CTTCTTTCTG AAGAAGCC. Ç. A... T. ÇGTCCCTTT.... GGAÇAÇC. CAG.... AAGAGAAT : AA.... TCATCGTG1T.... CCAC. TGTGAA TTCT. ÇCTÇAS.... A ( ? AGGG ( ?. ÇC. C... CCGAA.
AAC. ÇAGTA. T. C... CTG. ÇATGTA.... ÇTACÇCAGAG... C. TATATATÇÇ..... TTAAAGGCGG.... CTACAGAGAC CACTGGCTGC TAACATCTAG A GAC. ÇACAAGA..... CTG. AG. TTGC. T.... GAGGTGT. ÇGA..... AGÇÇAGAGCA.... AAGTGCAGGA.... AGCCGAGCGG CAGCGCGGG... AGCAGATTGÇ..... CCTTCTGGT. G..... AAGGAÇATGA.... GCCCATGATA ACATTCCAGC CACTGGCTGC TAACATCTAG A (les sites XBAI sont soulignés en continu, l'ORF de Cdc25C est souligné en pointillé) 1. 4-Création de la souche JM109/pMAL-Hs Cdc25C Le vecteur pMAL-Hs Cdc25C a été introduit dans la souche d'Escherichia coli (E. coli) JM109 (Stratagène #200271). Une colonie isolée a été sélectionnée et la production d'une protéine de poids moléculaire apparent théorique de 97 kDa après culture en présence d'IPTG a été observée par l'analyse des protéines bactériennes totales sur gel de polyacrylamide dénaturant et coloration au bleu de Coomassie. L'identité de la protéine de fusion a été ensuite confirmée par western blot et immunodétection avec un anticorps antiCdc25C (référence).
La séquence suivante (désignée par SEQ. ID. no 5) a été obtenue pour la souche Jim109/ pMAL-Hs Cdc25C : CCGACACCAT CGAATGGTGC AAAACCTTTC GCGGTATGGC ATGATAGCGC CCGGAAGAGA GTCAATTCAG GGTGGTGAAT GTGAAACCAG TAACGTTATA CGATGTCGCA GAGTATGCCG GTGTCTCTTA TCAGACCGTT TCCCGCGTGG TGAACCAGGC CAGCCACGTT TCTGCGAAAA CGCGGGAAAA AGTGGAAGCG GCGATGGCGG AGCTGAATTA CATTCCCAAC CGCGTGGCAC AACAACTGGC GGGCAAACAG TCGTTGCTGA TTGGCGTTGC CACCTCCAGT CTGGCCCTGC ACGCGCCGTC GCAAATTGTC GCGGCGATTA AATCTCGCGC CGATCAACTG GGTGCCAGCG TGGTGGTGTC GATGGTAGAA CGAAGCGGCG TCGAAGCCTG TAAAGCGGCG GTGCACAATC TTCTCGCGCA ACGCGTCAGT GGGCTGATCA TTAACTATCC GCTGGATGAC CAGGATGCCA TTGCTGTGGA AGCTGCCTGC ACTAATGTTC CGGCGTTATT TCTTGATGTC TCTGACCAGA CACCCATCAA CAGTATTATT TTCTCCCATG AAGACGGTAC GCGACTGGGC GTGGAGCATC TGGTCGCATT GGGTCACCAG CAAATCGCGC TGTTAGCGGG CCCATTAAGT TCTGTCTCGG CGCGTCTGCG TCTGGCTGGC TGGCATAAAT ATCTCACTCG CAATCAAATT CAGCCGATAG CGGAACGGGA AGGCGACTGG AGTGCCATGT CCGGTTTTCA ACAAACCATG CAAATGCTGA ATGAGGGCAT CGTTCCCACT GCGATGCTGG TTGCCAACGA TCAGATGGCG CTGGGCGCAA TGCGCGCCAT TACCGAGTCC GGGCTGCGCG TTGGTGCGGA TATCTCGGTA GTGGGATACG ACGATACCGA AGACAGCTCA TGTTATATCC CGCCGTTAAC CACCATCAAA CAGGATTTTC GCCTGCTGGG GCAAACCAGC GTGGACCGCT TGCTGCAACT CTCTCAGGGC CAGGCGGTGA AGGGCAATCA GCTGTTGCCC GTCTCACTGG TGAAAAGAAA AACCACCCTG GCGCCCAATA CGCAAACCGC CTCTCCCCGC GCGTTGGCCG ATTCATTAAT GCAGCTGGCA CGACAGGTTT CCCGACTGGA AAGCGGGCAG TGAGCGCAAC GCAATTAATG TGAGTTAGCT CACTCATTAG GCACAATTCT CATGTTTGAC AGCTTATCAT CGACTGCACG GTGCACCAAT GCTTCTGGCG TCAGGCAGCC ATCGGAAGCT GTGGTATGGC TGTGCAGGTC GTAAATCACT GCATAATTCG TGTCGCTCAA GGCGCACTCC CGTTCTGGAT AATGTTTTTT GCGCCGACAT CATAACGGTT CTGGCAAATA TTCTGAAATG AGCTGTTGAC AATTAATCAT CGGCTCGTAT AATGTGTGGA ATTGTGAGCG GATAACAATT TCACACAGGA AACAGCCAGT CCGTTTAGGT GTTTTCACGA GCACTTCACC AACAAGGACC ATAGATTATG AAAATCGAAG AAGGTAAACT GGTAATCTGG ATTAACGGCG ATAAAGGCTA TAACGGTCTC GCTGAAGTCG GTAAGAAATT CGAGAAAGAT ACCGGAATTA AAGTCACCGT TGAGCATCCG GATAAACTGG AAGAGAAATT CCCACAGGTT GCGGCAACTG GCGATGGCCC TGACATTATC TTCTGGGCAC ACGACCGCTT TGGTGGCTAC GCTCAATCTG GCCTGTTGGC TGAAATCACC CCGGACAAAG CGTTCCAGGA CAAGCTGTAT CCGTTTACCT GGGATGCCGT ACGTTACAAC GGCAAGCTGA TTGCTTACCC GATCGCTGTT GAAGCGTTAT CGCTGATTTA TAACAAAGAT CTGCTGCCGA ACCCGCCAAA AACCTGGGAA GAGATCCCGG CGCTGGATAA AGAACTGAAA GCGAAAGGTA AGAGCGCGCT GATGTTCAAC CTGCAAGAAC CGTACTTCAC CTGGCCGCTG ATTGCTGCTG ACGGGGGTTA TGCGTTCAAG TATGAAAACG GCAAGTACGA CATTAAAGAC GTGGGCGTGG ATAACGCTGG CGCGAAAGCG
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Il est monté de manière pivotante dans sa partie supérieure autour d'un axe 23a sur le rail d'entraînement 23 de manière à se déplacer avec celui-
ci en étant dans sa position "trou 21 en bas" tout le long de la noria.
La figure 19 représente un schéma d'une vue en coupe d'un godet 17. Sur ce schéma est représenté le positionnement de la structure complexante 40 selon la présente invention. Cette structure est sous la forme de grilles 42. Chaque godet peut contenir par exemple 10 à 15 grilles. Ici, le godet en contient 10.
Le godet construit pour ce mode de réalisation comprend une couronne supérieure 44, un tube 46, une couronne inférieure 48, un fond 50 muni du trou 21, des écrous 52, un joint torique 54, et un joint torique 56.
Le trou permet l'écoulement de l'effluent qui aura traversé les grilles 40.
* Sur la figure 17, le dispositif est représenté de telle manière que la noria circule en continu dans le sens des aiguilles d'une montre. En fait, il tourne dans le sens inverse du sens d'écoulement de l'effluent entrant au niveau A et trempe ensuite dans deux bains de vidange/décomplexation.
Ainsi, l'effluent à traiter est introduit dans le dispositif au niveau A en haut à gauche de la noria schématisée, par la partie supérieure du godet se trouvant sous la conduite d'alimentation. L'effluent traverse la structure complexante selon l'invention présente dans le godet et sort du godet par le trou 21.
La gouttière 22 a pour rôle de récupérer l'effluent traité qui s'écoule encore des godets dans la partie haute C du dispositif. Les godets sont ensuite entraînés vers les premier 35 et deuxième 37 bains de vidange/décomplexation qui permettent de régénérer les
grilles des godets formant la structure complexante selon l'invention.
5) Exemple d'application utilisant le mode de réalisation du dispositif selon l'invention exposé dans l'exemple 4) précédent Le godet réalisé pour cet exemple permet ici de placer en régime transverse un ensemble de 7 toiles en inox 316L qui forment le substrat de la structure complexante selon l'invention, modifiées par un revêtement de poly-4-vinyl pyridine qui forme le film de polymère organique électriquement neutre capable de complexer des ions. Les surfaces réelles totales de cette structure complexante sont alors élevées et de l'ordre de 5200 cm2 (ou 0,52 m2). Elles permettent de gagner énormément en efficacité : temps et concentration limite.
Les inventeurs ont fait passer une solution de 250 ml d'effluent à traiter de concentration 15 mg Cu2+/1 à travers les grilles du godet et ils ont déterminé la concentration de la solution en ion Cu2+ en fonction du nombre de passage dans un godet.
Les résultats de cet essai ont permis de tracer le graphique représenté sur la figure 20.
Cette figure représente l'évolution de la concentration de l'effluent en cuivre en fonction du nombre de passage dans le godet avec un volume d'effluents de 250 ml.
Sur cette figure, la référence 60 indique la décomplexation. Au sixième passage, les inventeurs ont décomplexé les grilles au moyen d'ammoniac, puis réutilisé le même godet après un passage d'une eau propre pour rincer l'ammoniac. Ils ont observé que les capacités de complexation du godet ont été restaurées, ce qui a permis d'atteindre de très basses concentrations résiduelles dans l'effluent traité en un faible nombre de passages : de l'ordre de 0,5 mgCu2+/1 après 20 passages et une seule décomplexation au sixième passage. Le seuil préfectoral du cuivre est, rappelons-le, de 2 mg/1.
L'allure de la courbe montre que l'on peut très probablement obtenir un résultat identique ou meilleur en opérant un plus grand nombre de décomplexations, par exemple une deuxième décomplexation vers le douzième passage.
Ces résultats montrent que la présente invention permet avantageusement de remplacer une complexation longue et quantitative de l'art antérieur par une série de complexations/décomplexations rapides.
E. ANALYSE DE REARRANGEMENTS PAR RECOMBINAISON VDJ DANS DES LYMPHOCYTES RETRODIFFERENCIES A titre d'information de base, les cellules différenciées utilisées dans ces expériences (lymphocytes B ou cellules ayant certaines propriétés des lymphocytes T) ont des gènes qui ont déjà subi un réarrangement pour coder, respectivement, pour une Ig mature ou un TCR. Dans le processus de réarrangement, des portions intermédiaires d'ADN qui ne font pas partie du gène TCR ou Ig final exprimé, consistant principalement en ADN qui est situé entre le segment codant pour la région variable (V) et le segment codant pour la région constante (C) de ces récepteurs, sont éliminés du génome par épissage. Ces fragments excisés sont retenus dans la cellule sous forme d'ADN extrachromosomique. Pour que les cellules subissent une véritable rétrodifférenciation, l'ADN excisé serait réinséré dans le génome, en plaçant les cellules dans un état similaire à celui précédant leur différenciation initiale. Pour cette raison, il est prévu qu'une forme complémentaire d'une séquence dans le gène réarrangé s'hybride à un fragment de restriction d'ADN plus grand lorsque l'ADN est revenu à son état non réarrangé ou état de lignée germinale comparativement à l'ADN réarrangé qui caractérise l'état différencié.
1. Réarrangement de gènes TCR dans des cellules Daudi Dans l'expérience ayant pour résultat l'empreinte de Southern représentée sur la figure 18, une lignée cellulaire bien connue, Daudi, consistant en une lignée de cellules de lymphome à lymphocytes B avec un gène TCR réarrangé (et l'autre éliminé par délétion) a été utilisée. L'ADN génomique a été préparé à partir de cellules Daudi et digéré avec EcoRI, soumis à une électrophorèse sur gel et sondé avec une sonde d'ADN de chaîne P TCR marquée. Des
cellules Daudi ont été utilisées plutôt que des lymphocytes B obtenus par purification à partir de patients humains car ces cellules sont apparentées du point de vue clonal et forment une population cellulaire homogène avec les mêmes réarrangements de gènes qui peuvent être constatés nettement par analyse par transfert d'empreinte par la méthode de Southern de l'ADN génomique digéré. Dans un échantillon de sang normal, différentes cellules ont des réarrangements différents et, ainsi, un transfert d'empreinte par la méthode de Southern apparaîtrait sous forme d'un frottis.
Un gène fonctionnel codant pour la chaîne P de TCR est assemblé dans des lymphocytes par une série de réarrangements somatiques qui ont lieu au cours de la maturation des lymphocytes pour réunir un segment V, un segment D et un segment J. Une explication très nette de ces processus de réarrangement est fournie dans Genes VI, Lewin, Oxford University Press, 1997 (pages 1994-1023) - un ouvrage classique pour étudiants. Des pages particulières sont citées ci-dessous.
Tout d'abord, un segment D est joint par un processus de recombinaison à l'un de plusieurs segments J dans une réaction de jonction D-J. Puis un des nombreux segments V possibles (<60) est joint au segment DJ résultant (jonction V-D) pour former un gène de chaîne ss de TCR complet. Le gène de région constante est immédiatement en aval du segment VDJ réarrangé, bien qu'il puisse exister des segments J intermédiaires qui sont épissés au cours de la maturation de l'ARN pour amener l'exon de gène constant à proximité du segment de gène VDJ réarrangé (Lewin, page 998) .
Dans les cellules humaines, il existe deux segments différents de gène de région constante de chaîne P de TCR, appelés Css1 et CP2, présents à deux locus différents, dont chacun est précédé par un amas de 6 ou 7 segments de gène de région de jonction (J(3) (Jss1, J(32) et un segment D (Dss1
et DP2) (voir figure 1, Toyonaga et al., 1985, Proc. Natl.