REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur comprenant : substrat de dis- sipation (25) ; des éléments à semiconducteur (1,2) montés sur le subs- trat de dissipation ; unemultiplicité de plaques d'électrodes principales (8, 8B) dont une première extrémité est respectivement connectée électri- quement à une électrode principale des éléments à semiconducteur ; un boîtier en résine (23, 23B) pour encapsuler dans une résine le substrat de dissipation, les éléments à semiconducteur et la multiplicité de plaques d'électrodes principales, caractérisé en ce que la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu à l'extérieur de la surface supérieure du boîtier en résine ; en ce que le boîtier en résine est formé en une seule pièce par moulage. 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le boîtier en résine (23) a une forme de parallélépipède; et une surface principale de la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales (8) seule est à nu sur la surface supérieure du boîtier en résine. 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la position de la surface principale à laquelle l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales (8) est à nu, est une position proche d'un centre de la surface supérieure du boîtier en résine. 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le boîtier en résine (23) à une partie de corps (231 B) ayant une forme de parallélépipède et une multiplicité de parties d'électrodes en saillie (232B) qui, respectivement, font saillie à partir de la surface supérieure de la partie de corps et contiennent à l'intérieur la multiplicité de plaques d'électrodes principales ; etla surface principale de la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales seule est à nu sur la surface supérieure de chacune de la multiplicité de parties d'électrodes en saillie. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la multiplicité de parties d'électrodes en saillie sont formées de façon que les parties de jonction entre la multiplicité de parties d'électrodes en saillie et la partie de corps aient des surfaces courbes. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la multiplicité de parties d'électrodes en saillie sont disposées dans des parties périphériques de la partie de corps et ont des cavités (OS) à l'intérieur d'elles; et la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est disposée de façon à recouvrir le haut de chacune de ces cavités. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales comporte un trou traversant (28) ; et ce trou traversant a un filetage à sa surface intérieure. 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le trou traversant est formé par une opération de soyage; et le filetage est formé, par l'opération de soyage, sur une partie de collet (BP) qui fait saillie du côté de la cavité. 9. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de pla- ques d'électrodes principales a un trou traversant ; etla multiplicité de parties d'électrodes en saillie ont en outre des écrous noyés à l'intérieur, de façon que le filetage de chacun des écrous soit relié à celui du trou traversant. 10. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit de commande (40,40A) qui est placé sur le substrat de dissipation et qui accomplit une commande d'attaque des éléments à semiconducteur. 11. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que le circuit de commande est recouvert par une résine dont la viscosité est inférieure à celle de la résine de moulage du boîtier en résine. 12. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une surface inférieure du substrat de dissipation, qui est le côté opposé à la surface sur laquelle les éléments à semiconducteur sont montés, est à nu à la surface inférieure du boîtier en résine ; etle dispositif à semiconducteur comprend en outre une couche isolante (91) placée du côté de la surface inférieure du boîtier en résine de façon à, au moins, recouvrir complètement la surface intérieure du substrat de dissipation. 13. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche isolante est formée d'un matériau isolant sous une forme de feuille fixé à la surface inférieure du boîtier en résine. 14. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la surface inférieure du boîtier en résine a une région de marche (SP) qui est en retrait et correspond à la région de mise à nu de la surface inférieure du substrat de dissipation ; etla profondeur de la région de marche est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante. 15. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la surface inférieure du boîtier en résine comporte une multiplicité de parties en saillie (NP) qui sont disposées de façon à entourer la région de mise à nu de la surface inférieure du substrat de dissipation ; et la hauteur de cette multiplicité de parties en saillie est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante. 16. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une plaque de dissipation (BS) qui est en contact intime avec la couche isolante et dont l'étendue est plus large que celle de la couche isolante. 17. Dispositif à semiconducteur comprenant : une multiplicité de substrats de dissipation (25,251, 252); des éléments à semiconducteur (1,2) respectivement disposés sur la multiplicité de substrats de dissipation ; une multiplicité de plaques d'électrodes principales (8) dont une première extrémité est respectivement connectée électriquement à une électrode principale de chacun des éléments à semiconducteur ; un boî- tier en résine (23C) pour encapsuler dans une résine la multiplicité de substrats de dissipation, les éléments à semiconducteur et la multiplicité de plaques d'électrodes principales; caractérisé en ce que la seconde extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu à l'extérieur de la surface supérieure du boîtier en résine ; en ce que le boîtier en résine est formé en une seule pièce par moulage. 18. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que les substrats de la multiplicité de substrats de dissipation (25) ont tous une même forme rectangulaire et sont disposés de façon que leurs côtés longs soient mutuellement parallèles.