INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
G-1. Agencement du dispositif La figure 24 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 700 conformément à la septième forme de réalisation préférée de la présente invention. A titre de simplification, sur la figure 24 on a représenté uniquement l'agencement de la partie de circuit HF RP. Dans la partie de circuit HF RP, comme représenté sur la figure 24, un écran PG 107 (couche de protection) comprenant des régions SOI 281 à 287 placées selon une relation de contact intime et des films de siliciure 35 formés sur des régions SOI 282, 284 et 286 sont formés dans la couche SOI 3 selon une relation de correspondance avec la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configuration en plan est représentée sur la figure 70) est prévue.
Les régions SOI 281, 283, 285 et 287 sont plus minces que les autres régions SOI, et les films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sillons, qui sont les films d'oxyde d'isolation partielle, sont formés sur les régions SOI 281, 283, 285 et 287. Les films d'oxyde d'isolation 19 situés dans des sillons, dans les régions SOI 281 et 287, sont plus larges que les autres films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sillons.
Dans cet exemple, illustré sur la figure 228, les objets 01, 02, 03 et 04 sont des objets partagés, tandis que l'objet 05 est un objet privé, et l'on suppose que le client Client possède le verrou W/R sur les objets partagés.
Suite à une action d'un utilisateur sur l'objet O1, les messages Msgl, Msg2 et Msg3 s'enchaînent. Comme elle concerne des objets partagés, la transition de l'objet O1 est répliquée par valeur sur un serveur. Par contre, les conséquences de la transition de l'objet 01, à savoir les transitions de 02 et de 03 ne sont pas transmises puisque le serveur les génère lui-même.
On observe ici que le serveur a pris trop d'avance dans le traitement de son séquenceur, si bien que des scénarios différents sont joués chez le client clientet sur le serveur. Le serveur doit donc revenir en arrière sur l'avance qu'il a prise : c'est le mécanisme de retour en arrière, dont on va maintenant décrire le fonctionnement.
Détection Un tel cas litigieux est détecté lors de la réplication de la transition de l'objet 02 de l'état SI à l'état S4, dont la cause est due à un objet non partagé. En effet, lors d'une réplication, le serveur reçoit les informations suivantes : 1 . L'objet qui effectue la transition 2. L'état précédent la transition (que l'on appellera étut précédent)
Une Référence R peut être Retirée dans un Profil P1alors que dans un Profil P2 on y fait référence en mode Ajouté ou Suggéré. Dans ce cas, au moment où R est Retirée dans PI, elle est placée dans 1' Archive de Profil liée à PI et ne pourra être effectivement supprimée que lorsque plus aucun Profil n'y fera référence en mode Ajouté ou Suggéré.
Le système utilisera alors le fait que l'état du lien Suggéré Dérivé est Consulté (le lien est stocké de manière permanente sur le serveur) pour ne pas suggérer à nouveau ce Contenu à la prochaine connexion de l'Utilisateur sur ce Profil. ii) Propagation d'un Profil Dérivé à son (ou ses) Profil(s) source (s) Les Références ajoutées dans un Profil Dérivé sont automatiquement suggérées au(x) propriétaire (s) du (des) Profil(s) d'origine. Bien entendu, ce (ou ces) derniers peu(ven)t les accepter ou les refuser.
Pour cette catégorie, ul et u36 sont proches au sens où ils possèdent tous les deux les Contenus c4 et c 12. Le système de Recommandation Collaborative fait donc les propositions telles qu'illustrées sur la figure 131, c8 étant suggéré de u36 à ul et cl étant suggéré de u1 à u36.
La figure 2 illustre l'élément E1affiché dans la zone Z1après avoir été chargé.
L'affichage de cet élément El est effectuée dans la zone Z1afin de pouvoir recouvrir par la suite l'affichage de certains éléments de la page interactive (et plus précisément l'élément E2) quand ceux-ci seront chargés.
Section 1- Stabilité de l'affichage de l'élément El La durée de chargement cumulée des éléments E2 et E5 destinés à constituer la page P n'étant pas exactement prévisible, et par ailleurs la durée nécessaire à l'examen complet par l'utilisateur du contenu de l'élément El - c'est-à-dire la durée de lecture du texte qu'il contient - étant dépendante des capacités et de l'attention de l'utilisateur, il est avantageux que l'élément Elreste affiché jusqu'à que l'utilisateur l'ôte de sa propre initiative. Il est en effet désagréable pour l'utilisateur de se voir tout à coup privé d'un texte il est en train de lire.
L'approche adoptée, qui va maintenant être décrite plus en détail en référence à la figure 3, est la suivante : dès la fin du chargement des éléments E2 et E5 initialement nécessaires à l'exécution de la page interactive P, tout ou partie de la zone ZI dans laquelle doit être affiché l'élément Elsert de zone sensible , de manière à ce que, quand le pointeur d'une souris (ou tout autre périphérique d'entrée de la machine constituant un dispositif de pointage) entre dans cette zone Zl(et sans qu'un clic de souris ne soit nécessaire), l'affichage de l'élément El est automatiquement remplacé par celui de l'élément E2.
Toutefois, dès que l'élément El a été de nouveau affiché, il faut que l'élément E5 offre toutes ses propres possibilités d'interactivité. C'est alors, comme précédemment, tout ou partie de la zone Z1(contenant alors l'élément El) qui redevient zone sensible. Ceci est illustré sur la figure 5.
Cas 1 :Le pointeur de la souris se trouve initialement dans la zone Z2 II s'agit du cas où, au moment où les éléments nécessaires à l'exécution initiale de la page interactive P sont finis d'être chargés, le pointeur de la souris se trouve dans la zone d'affichage qui ne contient pas l'élément El.
Le déroulement du procédé est alors le suivant : - l'élément El est chargé et affiché en premier, et reste affiché tant que les éléments nécessaires à l'exécution initiale de la page interactive P (à savoir les éléments E2 et E5) ne sont pas encore chargés ; - l'élément Elreste affiché, même après chargement des éléments E2 et E5, tant que le pointeur actionné par la souris n'effectue pas une entrée dans la zone d'affichage Z1contenant l'élément El ; - c'est seulement lors d'une telle entrée qu'il est remplacé par les éléments E2 et E5 ; - au cas où le pointeur est ensuite amené dans la zone d'affichage Z2 qui ne contient pas l'élément E2, l'élément Elest affiché à nouveau (E2 peut rester affiché ou pas).
- les Références ajoutées dans un Profil Dérivé sont automatiquement suggérées au (x) propriétaire(s) du (des) Profil(s) d'origine. Au cas où ce(s) dernier(s) les valide (nt), son (leurs) propre (s) se trouve(nt) enrichi(s) de ces Contenus, et, en vertu de ce qui précède, ces derniers sont alors automatiquement propagés aux autres Utilisateurs ayant dérivé le(s) même (s) Profil(s) et qui s'y sont abonnés. ; le schéma de la figure 95 illustre la communication de UB à UC via le Profil de UA, Les Profils de UB et UC ayant été dérivés du Profil de UA.
Suite à une action de l'utilisateur, chaque lien ajouté en mode Suggéré peut passer à l'un parmi les autres modes. L'interface utilisateur permettant la mise en oeuvre de ces changements de mode est schématisée sur la figure 66.
La présente invention a également pour objet un procédé d'obtention de marqueurs de l'androgenèse végétale, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend : a) l'obtention de microspores et/ou d'anthères contenant des microspores, à partir d'une plante préalablement sélectionnée pour son aptitude à l'androgenèse ; b) le prélèvement d'un échantillon desdites microspores et/ou d'un échantillon desdites anthères et l'obtention d'un profil de transcription, à partir de chaque échantillon prélevé ; c) le traitement d'au moins une partie des microspores et/ou des anthères restantes dans des conditions d'induction du développement androgénétique ; d) optionnellement, le prélèvement d'un échantillon desdites microspores et/ou d'un échantillon desdites anthères immédiatement à l'issue du traitement de l'étape c), et l'obtention d'un profil de transcription à partir de chaque échantillon prélevé ; e) la mise en culture d'au moins une partie des microspores et/ou des anthères traitées à l'étape c) dans des conditions aptes au développement d'embryons androgénétiques ; f) au moins un prélèvement, dans une période de 1 à 5 jours après la mise en culture, d'un échantillon desdites microspores et/ou d'un échantillon desdites anthères à partir de ladite culture, et l'obtention d'un profil de transcription à partir de chaque échantillon prélevé ; g) la comparaison du profil de transcription obtenu à l'étape b) avec le(s) profil(s) de transcription obtenu(s) à l'étape f) et éventuellement avec le profil de transcription obtenu à l'étape d), et la sélection de fragments dérivés de transcrits dont le niveau d'expression apparaît différent sur au moins 2 desdits profils ; h) la purification et optionnellement le séquençage des fragments sélectionnés à l'étape g).
Selon un mode de mise en #uvre préféré de la présente invention, l'étape f) comprend plusieurs
prélèvements successifs. Avantageusement, au moins un desdits prélèvements est effectué 1 jour après la mise en culture, et au moins un desdits prélèvements est effectué 5 jours après la mise en culture. On peut ainsi, par exemple, effectuer un prélèvement quotidien pendant la totalité de la période suivant la mise en culture, définie ci-dessus. Si l'on effectue des prélèvements au delà de 5 jours, les FDTs obtenus ne constituent plus des marqueurs de l'induction de l'androgenèse, mais des marqueurs du développement des structures androgénétiques.
A l'étape g) on peut sélectionner soit la totalité des FDTs dont le niveau d'expression apparaît différent sur au moins 2 profils de transcription, soit une partie seulement de ces FDTs. Par exemple, on peut effectuer la sélection des FDTs correspondant à une sous-population A de transcrits dont l'expression est augmentée au cours de l'androgenèse, ou bien la sélection des FDTs correspondant à une sous-population B de transcrits dont l'expression est diminuée au cours de l'androgenèse, ou encore la sélection des FDTs correspondant à une sous-population C de transcrits présentant une expression transitoire au cours de l'androgenèse.
La présente invention a également pour objet les FDTs susceptibles d'être obtenus par le procédé conforme à l'invention, ainsi qu'une banque de séquences d'acide nucléique comprenant au moins deux desdits FDTs, de préférence au moins 2 à 5 FDTs, avantageusement au moins de 6 à 20 FDTs, et de manière tout à fait préférée au moins de 21 à 50 FDTs différents choisis parmi lesdits FDTs.
Pour la mise en #uvre du procédé conforme à l'invention, l'obtention des anthères ou des microspores isolées, l'induction de l'androgenèse et la mise en culture des anthères et des microspores sont effectués selon les protocoles classiques d'androgenèse, connus en eux-mêmes de l'homme de l'art.
Par exemple, on utilisera généralement du matériel (anthères ou microspores isolées) prélevé lorsque les microspores ont atteint un stade de développement compris
entre le début du stade uninucléé et la fin du stade binucléé, et de préférence, entre la fin du stade uninucléé et le début du stade binucléé, ou des microspores isolées obtenues à partir de ces anthères ; l'androgenèse peut notamment être induite en provoquant des conditions de stress, par exemple un stress thermique par le froid ou la chaleur.
Le procédé conforme à l'invention peut être mis en #uvre à partir de n'importe quelle plante, notamment une monocotylédone, et de préférence une céréale.
Les inventeurs ont choisi comme plante modèle le maïs, chez lequel l'induction du développement androgénétique peut par exemple être obtenue en maintenant la panicule au froid et à l'obscurité pendant quelques jours avant de prélever les microspores et de les mettre en culture [GAILLARD et al., Plant Cell Rep., 10,55-58, (1991) ].
Environ 1% des microspores sont alors capables de se différencier en embryons. Après 5 jours de culture, les embryons qui contiennent une centaine de cellules sont encore inclus dans la paroi de la microspore d'origine.
Les inventeurs ont purifié des ARNs à partir de prélèvements d'anthères et de microspores effectués à des stades représentant le développement androgénétique précoce : a) des anthères contenant des microspores, prélevées avant le traitement par le froid, et après 1 jour et 5 jours de culture en conditions permettant développement d'embryons androgénétiques ; b) des microspores isolées prélevées avant et après traitement par le froid, et après 1 jour, 2 jours, 3 jours, 4 jours, et 5 jours de culture en conditions permettant développement d'embryons androgénétiques. Ils ont comparé les populations de FDTs dérivés de ces ARNs, et sont ainsi parvenus à identifier de manière reproductible des fragments dérivés de transcrits différentiellement exprimés.
Ils ont ainsi isolé 559 FDTs, exprimés pour moitié spécifiquement dans les parois cellulaires des anthères (289 FDTs) et pour l'autre moitié dans les microspores isolées ou contenues dans les anthères (270 FDTs).
Les inventeurs ont analysé plus spécifiquement 53 FDTs, qui présentaient des profils d'expression différentielle particulièrement intéressants pendant l'androgenèse, à savoir 25 FDTs présentant une augmentation d'expression, 17 FDTs présentant une répression d'expression et 11 FDTs présentant une expression transitoire.
Les séquences obtenues à partir de ces FDTs sont représentées dans la liste de séquences en annexe sous les numéros 1 à 53. La présente invention englobe tout FDT, ou ensemble de FDTs choisi(s) parmi les 53 FDTs définis cidessus. Une banque d'acides nucléiques conforme à l'invention comprend de préférence au moins 2 à 5 FDTs, avantageusement au moins de 6 à 20 FDTs, et de manière tout à fait préférée au moins de 21 à 50 FDTs différents choisis parmi des FDTs comprenant les séquences définies dans la liste de séquences en annexe sous les numéros 1-53.
A titre d'exemples : - une banque d'acides nucléiques conforme à l'invention peut être constituée de FDTs présentant une augmentation d'expression pendant l'androgenèse, choisis parmi les FDTs comprenant respectivement les séquences identifiées dans la liste de séquences en annexe sous les numéros d'identification : 1 ; 2 ; 3 ; 5 ; 6 ; 7 ; 13 ; 15 ; 17 ; 18 ; 19 ; 23 ; 25 ; 30 ; 33 ; 36 ; 37 ; 39 ; 40 ; 48 ; 49 ; 50 ; 53. Avantageusement, lesdits FDTs sont choisis parmi les FDTs comprenant les séquences : 1 ; 2 ; 5 ; 6 ; 13 ; 17 ; 23 ; 30 ; 33 ; 36 ; 37 ; 40 ; 49 et 53. une banque d'acides nucléiques conforme à l'invention peut être constituée de FDTs présentant une répression d'expression pendant l'androgenèse, choisis parmi les FDTs comprenant respectivement les séquences identifiées dans la liste de séquences en annexe sous les numéros : 4 ; 8 ; 11 ; 12 ; 14 ; 16 ; 21 ; 26 ; 27 ; 31 ; 32 ; 34 ; 35 ; 41 ; 45 ; 46 ; 47. Des FDTs préférés sont choisis parmi ceux comprenant les séquences identifiées sous les numéros 4,8, 11, 12,14, 21 et 26.
# Eventuellement, 1 rattrapage de stabilité [14], destiné à rattraper la surépaisseur générée sous la table [1 ], par les fixation des systèmes de blocage [4], [7], [8], [11 ], et à maintenir le système global stable (Fonction de 4ème pied), lorsqu'il est utilisé sur une surface plate (Table à carte, ... ).
L'encombrement hors tout du système est d'environ 150mm x 200 mm x 20mm. Fonctionnement 1. Réglage des horaires de marées En coulissant la règle élastique des horaires de marée [10], aligner l'horaire de début de marée (basse mer ou haute mer) avec le repère A [9].
Bloquer la règle élastique à cet endroit [8].
En étirant cette même règle elastique des horaires de marée [10], aligner l'horaire de fin de marée (basse mer haute mer) avec le repère B [12].
Bloquer la règle élastique à cet endroit [11]. 2. Réglage des hauteurs d'eau Sélectionner la règle élastique de hauteur d'eau correspondante (éventuellement). Déterminer la hauteur d'eau basse mer du jour, en effectuant l'opération suivante Hauteur d'eau de basse mer = Hauteur d'eau par rapport au niveau 0 (annuaire officiel des marées) + Correction atmosphérique (à lire sur tableau de correction [2]) + sonde au lieu considéré (carte ou donnée par le port).
En coulissant la règle élastique de hauteur d'eau [5], aligner la hauteur d'eau de marée basse avec le repère C Bloquer la règle élastique à cet endroit [7].
Déterminer la hauteur d'eau de haute mer du jour, en effectuant l'opération ivante Hauteur d'eau de haute mer = Hauteur d'eau par rapport au niveau (annuaire iciel des marées) + Correction atmosphérique (à lire sur tableau correction [2]) sonde au lieu considéré (carte ou donnée par le port).
étirant cette même règle élastique de hauteur d'eau [5], aligner la hauteur d'eau marée haute avec le repère D [3].
Bloquer la règle élastique à cet endroit [4]. 3. Lecture du résultat Pour lire l'horaire correspondant à une hauteur d'eau, procéder de façon suivante Projeter horizontalement la hauteur d'eau sélectionnée jusqu'à la courbe correspondante [13] (courbe marée montante lorsque la marée monte, courbe marée descendante lorsque la marée descend), en s'aidant des lignes repères tracées. A l'intersection avec la courbe, descendre verticalement, s'aidant des lignes repères tracées, jusqu'à la règle des horaire [10].
Lire l'horaire correspondant à la hauteur d'eau sélectionnée, sur cette même règle élastique des horaires [10].
Pour trouver la hauteur d'eau correspondant à un horaire, procéder façon inverse.
Le dispositif selon l'invention, est utilisable pour tous les types de navigations maritimes (marchande, militaire, plaisance, ... ) ainsi que pour les établissements portuaires et côtiers.
1. Etat de l'Art pour l'envoi de messages courts Terminés Mobile L'envoi de messages courts Termines Mobile (SMS-MT) est décrit dans le document de référence GSM (Global System Mobile). I1 met en oeuvre un processus en 3 phases a) A partir de l'Adresse Destination du mobile, une table de recherche (appelée Niveaux HLR ) utilisée pour trouver l'adresse de la Base de Données (Home Location Register(HLR)) de cet abonné, qui est par exemple
Min Max adresse HLR Nom du réseau +85288800000 +85288899999 +85288700001 A +85288700099 +85288799999 +85288700002 A +85298800100 +85298899999 +85298800000 B +85293300010 +85293399999 +85293300001 C +85293500000 +85293599999 +85293300002 C Dans l'exemple ci-dessus, l'adresse HLR de l'abonné du réseau A +85288712345 est immédiatement trouvée etre +85288700001.
b) Envoi d'une requête ( Send Routing In- fo(SRI) ) à ce HLR pour obtenir l'adresse du MSC ( Mobile Switching Center ), le commutateur visité par ce mobile.
c) Envoi d'un message court Forward Short Mes sage Mobile Terminated (SMSMT) au MSC visité qui relaie vers le mobile destinataire. En cas d'échec, différentes mé thodes de reprises classiques peuvent être utilisées.
I1 est prévu une ouverture OP, qui s'étend à tra vers le film d'oxyde enseveli 2, la couche SOI 3, les films d'isolation inter-couches 4, 5 et le film isolant 6 recou vrant l'inductance en spirale SI, pour atteindre la cavité CV.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 3000, qui sont similaires à ceux du dispositif à semicon ducteurs 200 de la figure 8, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on n'en donnera pas une descrip tion de façon particulière.
A titre d'exemple, un procédé pour former une cavité CV consiste à : former sur le substrat SOI SB une structure possédant les éléments indiqués précédemment et incluant le film isolant 6 en dehors de la cavité CV, for mer l'ouverture OP s'étendant jusqu'au substrat en silicium 1; et introduire par exemple une solution à 20 % de KOH (hydroxyde de potassium) dans l'ouverture OP pour réaliser l'attaque chimique du substrat en silicium 1. L'ouverture OP est finalement remplie par un film isolant ou analogue.
La solution d'attaque chimique n'est pas limitée à la solution KOH, mais peut être formée par d'autres solu tions qui dissolvent uniquement le substrat en silicium. Par exemple on peut utiliser une solution fortement alca line comme par exemple une solution NaOH. De telles solu tions nécessitent que l'on fasse attention à la contamina tion par le potassium (K) ou le sodium (Na), mais sont faciles à traiter étant donné qu'il s'agit de substances simples. On peut également utiliser d'autres substances, comme par exemple une solution aqueuse de catéchol (C6H602) ou de TMAH (hydroxyde d'ammonium tétraméthyle ou N(CH3)40H). Le choix parmi ces solutions peut être effectué en fonction de l'organisation d'ensemble d'une usine de fabrication de semiconducteurs, dans laquelle des disposi tifs sont fabriqués. La solution d'attaque chimique telle que la solution KOH présente des vitesses différentes d'attaque chimique en fonction de la température. La solu tion à 20 % de KOH possède une vitesse d'attaque chimique de 100 nm/mn à 50'C.
La cavité CV peut être formée lorsqu'aucun élément n'est formé sur le substrat SOI CSB ou après l'étape de formation de l'écran PG 102. En principe, on peut former la cavité CV lors de n'importe quelle étape de fabrication.
L-2. Fonctionnement et effet Comme décrit précédemment, le dispositif à semi conducteurs 3000 comprend une cavité CV située dans le substrat en silicium 1 au-dessous de l'écran PG 102. Par conséquent l'écran PG 102 peut empêcher que la dissipation de puissance induite par voie électrostatique soit produite par l'inductance en spirale, sans apparition de la dissipa tion de puissance induite par voie électromagnétique qui est due au courant de Foucault produit dans l'écran PG 102. En outre le dispositif à semiconducteurs 3000 peut empêcher la production du courant de Foucault dans le substrat en silicium 1 par l'inductance en spirale SI, ce qui réduit la dissipation de puissance induite par voie électromagné tique.
Bien que l'écran PG 102 soit utilisé dans le dis positif à semiconducteurs 3000 décrit précédemment, la configuration de l'écran PG n'est pas limitée à cela. I1 va sans dire que l'on peut également utiliser différents écrans PG décrits dans les neuf premières formes de réali sation préférées.
M. Treizième forme de réalisation préférée La douzième forme de réalisation préférée décrite précédemment illustre la construction du dispositif à semi- conducteurs, qui comprend la cavité CV située dans le subs trat en silicium 1 de manière à réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique dans le subs trat en silicium 1. L'agencement servant à réduire la dis sipation de puissance induite par voie électromagnétique dans le substrat en silicium 1 n'est pas limitée à celle de la douzième forme de réalisation préférée. On peut prévoir une couche poreuse dans le substrat en silicium 1 pour interrompre le trajet du courant de Foucault.
L'expression "couche poreuse", telle qu'elle est utilisée dans la présente description, désigne non seule ment une couche ayant une multiplicité de trous, mais éga lement une couche comportant une multiplicité de sillons.
M-1. Agencement du dispositif La figure 42 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 4000 selon une treizième forme de réalisation préférée de la présente invention.
Les constituants prévus au-dessus du film d'oxyde enseveli 2 de la figure 42 sont similaires à ceux contenus dans le dispositif à semiconducteurs 2000 décrit en réfé- rence à la figure 8. Les constituants du dispositif à semi conducteurs 4000, qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconducteurs 200 de la figure 8, sont désignés par les mêmes chiffres de référence, et on n'en donnera pas une description de façon particulière.
En référence à la figure 42, une couche poreuse PR est prévue dans le substrat en silicium 1 au-dessous de l'écran PG 102.
La couche poreuse PR inclut une pluralité de sil lons ou de trous formés par attaque chimique et qui s'étendent depuis la surface du substrat en silicium 1, à l'intérieur de ce substrat ou bien une pluralité de trous formés au moyen d'un processus d'anodisation. Les sillons ou les trous sont remplis par un état de quasi-vide ou par un isolant. Les interruptions du trajet du courant de Fou cault produit par l'inductance en spirale SI servent à réduire la dissipation de puissance induite par voie élec tromagnétique dans le substrat en silicium 1.