REVENDICATIONS 1. Procédé d'obtention de rayonnement extrême ultraviolet, procédé selon lequel on utilise au moins une cible solide (28, 42), ayant des première et deuxième faces, cette cible étant apte à émettre un rayonnement extrême ultraviolet par interaction avec un faisceau laser (34), et on focalise le faisceau laser sur la première face (30) de la cible, procédé caractérisé en ce que la cible est apte à émettre, de façon anisotrope, une partie (36) du rayonnement extrême ultraviolet à partir de la deuxième face (37) de cette cible, et en ce qu'on collecte et on transmet cette partie du rayonnement extrême ultraviolet en vue d'une utilisation de cette partie. 2. Source de rayonnement extrême ultraviolet, cette source comprenant au moins une cible solide (28, 42), ayant des première et deuxième faces, cette cible étant apte à émettre un rayonnement extrême ultraviolet par interaction avec un faisceau laser (34) focalisé sur la première face (30) de la cible, cette source étant caractérisée en ce que la cible est apte à émettre, de façon anisotrope, une partie (36) du rayonnement extrême ultraviolet à partir de la deuxième face (37) de cette cible, cette partie du rayonnement extrême ultraviolet étant collectée et transmise en vue d'une utilisation de cette partie. 3. Source selon la revendication 2, dans laquelle la cible (28, 42) contient un matériau qui est apte à émettre le rayonnement extrême ultraviolet par interaction avec le faisceau laser et dont l'épaisseur est comprise dans un intervalle allant d'environ 0,05 jun à environ 5 um. 4. Source selon l'une quelconque des revendications 2 et 3, dans laquelle la cible (28, 42) contient un matériau qui est apte à émettre le rayonnement extrême ultraviolet par interaction avec le faisceau laser et dont le numéro atomique appartient à l'ensemble des numéros atomiques allant de 13 à 92. 5. Source selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, comprenant une pluralité de cibles (42) qui sont rendues solidaires les unes des autres, la source comprenant en outre des moyens (48, 50) de déplacement de cette pluralité de cibles pour que ces cibles reçoivent successivement le faisceau laser (34). 6. Source selon la revendication 5, comprenant en outre des moyens de support (38, 44, 52) auxquels sont fixées les cibles (42) et qui sont aptes à laisser passer le faisceau laser en direction de ces cibles, les moyens de déplacement (48, 50) étant prévus pour déplacer ces moyens de support et donc les cibles. 7. Source selon la revendication 6, dans laquelle les moyens de support (52) sont aptes à absorber des rayonnements émis par la première face de chaque cible qui reçoit le faisceau laser et à réémettre ces rayonnements vers cette cible. 8. Source selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, dans laquelle les moyens de support comprennent une ouverture (40, 46) en regard de chaque cible, cette ouverture étant délimitée par deux parois (54, 56) sensiblement parallèles l'une à l'autre et perpendiculaires à cette cible. 9. Source selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, dans laquelle les moyens de support comprennent une ouverture en regard de chaque cible, cette ouverture étant délimitée par deux parois (55, 57) qui vont vers la cible en s'écartant l'une de l'autre. 10. Source selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, comprenant en outre des moyens auxiliaires fixes (58) qui sont aptes à laisser passer le faisceau laser (34) en direction de la cible, à absorber des rayonnements émis par la première face de cette cible et à réémettre ces rayonnements vers cette cible. 11. Dispositif de lithographie comprenant - un support (16) d'un échantillon qui est destiné à être insolé suivant un motif déterminé, - une source (22) de rayonnement extrême ultraviolet, conforme à l'une quelconque des revendications 2 à 10, - un masque (24) comprenant le motif déterminé sous une forme agrandie, - des moyens optiques (26) de collection et de transmission, au masque, de la partie du rayonnement extrême ultraviolet provenant de la deuxième face de la cible de la source, le masque étant ainsi apte à fournir une image du motif sous forme agrandie, et - des moyens optiques (29) de réduction de cette image et de projection de l'image réduite sur l'échantillon. 12. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel l'échantillon comprend un substrat semiconducteur (18) sur lequel est déposée une couche (20) de résine photosensible qui est destinée à être insolée suivant le motif déterminé.