INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les agents émulsifiants eau-dans-huile appropriés sont ceux possédant un indice HLB (équilibre hydrophile lipophile) comprise entre 2 et 10, et de préférence entre 3 et 9. Pour la définition de l'indice HLB, on peut se reporter à l'article de W. C. Griffin dans Journal of Society of Cosmetic Chemist, volume 1,311 (1950).
A titre d'exemple, on peut citer les esters d'acides gras de mono-, diet polyglycérines, comme le monooléate, le dioléate, le monostéarate, le distéarate et le palmitate-stéarate. Ces esters peuvent être préparés, par exemple, en estérifiant des mono-, di et polyglycérines, ou des mélanges d'alcools polyhydroxylés tels que l'éthylène glycol, le diéthylèneglycol, le dipropylèneglycol, le butanediol-1,4, le butanetriol-1,2,4, la glycérine, le triméthylolpropane, le sorbitol, le néopentylglycol et le pentaérythritol.
En outre, on peut citer les esters d'acides gras du sorbitanne, comme le monooléate de sorbitanne, le dioléate de sorbitanne, le trioléate de sorbitanne, le monostéarate de sorbitanne et le tristéarate de sorbitanne.
Les esters d'acides gras de mannityle, comme le monolaurate de mannityle, ou le monopalmitate de mannityle, les esters d'acides gras de la pentaérythrityle, comme le monomyristate de pentaérythrityle, le monopalmitate de pentaérythrityle, le dipalmitate de pentaérythrityle, les esters d'acides gras du polyéthylèneglycolsorbitanne, plus particulièrement les monooléates, les esters d'acides gras de polyéthylèneglycolmannityle, plus particulièrement les monooléates et trioléates, les esters d'acides gras du glucose, comme le monooléate de glucose et le monostéarate de glucose, le distéarate de triméthylolpropane, les produits de la réaction de l'isopropylamide avec l'acide oléique, les esters d'acides gras de glycérinesorbitanne, les alkylamines éthoxylées, le phtalate d'hexadécylsodium et le phtalate de décylsodium peuvent également convenir comme agent émulsifiant.
La température de polymérisation dépend de la cinétique de décomposition de l'amorceur utilisé et est généralement comprise entre 10 et 100 C, de préférence comprise entre 30 et 90 C.
Selon le procédé de la présente invention, on opère de préférence en l'absence d'oxygène. On peut utiliser un flux de gaz inerte tel que l'azote ou l'argon pour purger l'installation. On a observé qu'en l'absence d'oxygène dans le milieu réactionnel, les polymères obtenus sont reproductibles, les masses molaires sont plus élevées et la teneur en monomère résiduelle est plus faible.
Le procédé de la présente invention a en outre l'avantage de ne pas conduire à la formation des sous-produits toxiques.
Les polymères ainsi obtenus peuvent être utilisés comme floculants dans l'épuration des eaux résiduaires urbaines et industrielles, dans l'industrie papetière, dans les mines, les carrières, les boues de forage, dans la récupération assistée du pétrole et dans le traitement d'eau potable.
PARTIE EXPERIMENTALE Isopar M : Hydrocarbure paraffinique d'Exxon Span 80 : Sorbitanne monooléate de ICI Tween 61 : Monostéarate de Sorbitanne polyethoxyléné (POE 4 moles) de ICI AZDN : 2,2'-Azobisisobutyronitrile commercialisé par Elf Atochem DMAB : Diméthyl2,2'azobisisobutyrate DEAB : Diéthyl 2,2'-azobisisobutyrate EDTA : Ethylène diaminetetraacétique acide.
La quantité indiquée dans le mode opératoire général correspond à 100 grammes de monomères utilisés.
Mode opératoire généra) Préparation de la phase aqueuse : Les produits suivants sont successivement introduits dans un becher sous agitation : - eau déminéralisée 176,35 g - acrylamide (50 % dans l'eau) 335,91 g - Adamquat MC 80 50,00 g - EDTA 0,08 g - Acide adipique 12,60 g - NaOH (50 % dans l'eau) 1,68 g - NaCI 12,60 g Préparation de la phase huile : Les produits suivants sont successivement introduits dans un vase de Wolff de 1 litre : - Isopar M 218,67 g - Span 80 18,60 g - Tween 61 2,20 g Préparation de l'émulsion de monomère : La phase aqueuse précédemment préparée est versée dans la phase huile. Une homogénéisation des deux phases est réalisée à l'aide d'un ultraturrax pendant 2 minutes.
Réaction de polymérisation : L'émulsion de monomère précédemment obtenue est versée dans un réacteur de polymérisation muni d'une agitation double turbine réglée à 500 tours/min, d'un réfrigérant et d'un tube plongeant alimenté en azote. Cette émulsion est alors maintenue 30 min sous balayage d'azote et est portée à 47 C. L'amorceur azoïque (0,15 part) est alors introduit tout en maintenant la température du milieu réactionnel à 47 C +/- 2 C pendant 2h30.On effectue alors un palier à 52,5 C pendant 1 h et un deuxième palier à 80 C également pendant 1 h. Le milieu réactionnel est alors refroidi à température ambiante, dépoté en filtrant le mélange sur un filtre de 10 m. La quantité de grains éventuellement formés est mesurée après séchage à l'étuve 24h à 40 C. Le
taux de grains est calculé en faisant le rapport de la quantité de grain obtenu et de la quantité théorique de polymère formé.
Le circuit décrit détecte au moins la capacité de pilotage de courant d'un dispositif à semiconducteur inclus dans un circuit interne P2, en utilisant un oscillateur en anneau qui est formé sur un substrat P3 sur lequel le dispositif à semiconducteur est formé. Selon cette détection résultante, une valeur de résistance variable d'un élément à résistance variable formant un tampon de sortie est commandée de façon à compenser la vitesse de balayage du dispositif à semiconducteur. Tout en compensant la vitesse balayage, un signal de commande produit en utilisant compteur ou deux convertisseurs D/A (numérique analogique) est utilisé, et un transistor MOS est utilisé en tant qu'élément à résistance variable.
Dans le circuit de compensation de tampon de sortie décrit dans la publication, la capacité de pilotage de courant du dispositif à semiconducteur dans le circuit interne P2 est détectée en utilisant l'oscillateur en anneau. La détection de la capacité de pilotage de courant pour savoir combien de courant peut s'écouler est la détection de la valeur de résistance selon la loi d'Ohm, c'est-à-dire I = V/R. Par conséquent, dans le circuit décrit, la compensation de la vitesse de balayage est effectuée en détectant la capacité de pilotage de courant. Dans une structure de ce type, si le même type de transistor que celui inclus dans le circuit interne de l'oscillateur en anneau est utilisé dans le tampon de sortie, on peut s'attendre ce que la compensation de la vitesse de balayage soit obtenue dans la structure dans laquelle la résistance du transistor dans le tampon de sortie varie.
La vitesse de balayage peut être obtenue sur base d'une constante de temps qui est un produit d' valeur de résistance et d'une capacité parasite dans le tampon de sortie. Ainsi, la vitesse de balayage précise du tampon de sortie ne peut pas être complètement réglée dans un circuit ayant la structure dans laquelle la capacité parasite a un certain effet. Selon la technique décrite, au moins deux convertisseurs pour produire un signal de commande pour le réglage la vitesse de balayage sont nécessaires. Dans cette structure, afin de maintenir la précision des convertisseurs D/A et pour fixer de façon appropriée une valeur de résistance variable souhaitée, la taille du circuit de compensation est augmentée de façon voulue et une technique complexe a besoin d'être développée pour fabriquer un circuit de compensation RÉSUME DE L'INVENTION La présente invention a été établie en considération des problèmes précédents. Par conséquent, un objectif de la présente invention est de proposer circuit à semiconducteur ayant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée de façon appropriée et être fixée à une valeur souhaitée avec une précision élevée, et un procédé pour régler vitesse de balayage du circuit de sortie sans quelconque processus compliqué.
Un autre objectif de l'invention est de proposer un appareil pour régler automatiquement la vitesse balayage d'un circuit de sortie qui est inclus dans circuit à semiconducteur.
Afin d'atteindre les objectifs précédents, selon le premier aspect de la présente invention, on propose un circuit à semiconducteur incluant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée et qui sort un signal, envoyé par un circuit interne ledit circuit à semiconducteur comprenant - au moins un circuit de sortie qui sort un signal envoyé par un circuit interne, de façon externe, dont la vitesse de balayage est réglée en réponse à signal de paramétrage ; - un circuit de sortie reproduit, qui a une structure identique à la structure du circuit de sortie, reçoit un signal impulsionnel et sort le signal impulsionnel, et dont la vitesse de balayage est réglée en réponse au signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour le réglage de vitesse de balayage qui alimente le circuit de sortie reproduit par le signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; et - un dispositif d'alimentation en signal de paramétrage qui délivre le signal de paramétrage pour fixer la vitesse de balayage du circuit de sortie et du circuit de sortie reproduit.
Dans la structure, la vitesse de balayage circuit de sortie reproduit peut être fixée accordant le signal de paramétrage tout en observant le signal impulsionnel provenant du circuit de sortie reproduit. La vitesse de balayage du circuit de sortie est réglée pour être sensiblement identique à la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit. Selon la présente invention, ayant fixé la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit, le paramétrage de la vitesse de balayage du circuit de sortie peut être aisément achevé. De plus, parce que le circuit de sortie reproduit a la même structure que celle du circuit de sortie, aucune technique spécifique complexe pour fabriquer le circuit à semiconducteur n'est nécessaire. Le circuit de sortie reproduit et les circuits de sortie doivent avoir des niveaux différents de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon la structure de la présente invention, les circuits de sortie et le circuit de sortie reproduit ont les mêmes structures et sont formés, de manière souhaitable, sur le même substrat semiconducteur, ainsi la précision de fabrication et la capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, ayant fixé la vitesse de balayage de porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Le dispositif d'alimentation en signal impulsionnel peut comprendre un générateur d'impulsions qui produit le signal impulsionnel et amène le signal impulsionnel au circuit de sortie reproduit ou à borne d'alimentation en impulsions par l'intermédiaire de laquelle le signal impulsionnel est amené au circuit de sortie reproduit.
Dans la structure, le signal impulsionnel amené en provenance du dispositif d'alimentation signal impulsionnel, et 1a vitesse de balayage circuit de sortie reproduit est fixée. Ensuite, vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit fixée sur la base du signal de paramétrage en provenance de l'unité de paramétrage. La vitesse balayage du circuit de sortie est réglée pour être sensiblement identique à la vitesse de balayage circuit de sortie reproduit.
Dans le circuit à semiconducteur ayant structure précédente, 1a vitesse de balayage du circuit sortie reproduit peut être fixée en faisant varier résistance du circuit reproduit sur la base signaux de paramétrage reçus, et le dispositif alimentation en signal de paramétrage délivre signal de paramétrage constitué de signaux numériques produits lors de mises en oeuvre de commutateurs. Dans cette structure, le circuit de sortie reproduit reçoit signaux numériques produits lors de mises en oeuvre commutateurs. La vitesse de balayage du circuit sortie reproduit peut être fixée en modifiant, exemple, la résistance du circuit de sortie reproduit la base des signaux numériques reçus, réalisant ainsi un réglage aisé de la vitesse de balayage en mettant en oeuvre les commutateurs.
Selon le deuxième aspect de la présente invention, propose un procédé de réglage de la vitesse balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit a semiconducteur précédent, le procédé comprenant - la commande du dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter le circuit de sortie reproduit par un signal impulsionnel ayant une fréquence prédéterminée ; et - la commande du dispositif d'alimentation en signal de paramétrage pour fixer la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit par le signal de paramétrage tout en observant un signal de sortie du circuit de sortie reproduit.
Selon ce procédé, en ayant fixé la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit, le réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie peut etre aisément achevé. De plus, parce que le circuit de sortie reproduit a la même structure que celle du circuit de sortie, aucune technique spécifique ou complexe n'est nécessaire pour fabriquer le circuit à semiconducteur. Le circuit de sortie reproduit et les circuits de sortie doivent avoir différents niveaux de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon la structure de la présente invention, les circuits de sortie et le circuit de sortie reproduit ont les memes structures et sont formés sur le même substrat semiconducteur, ainsi la précision de fabrication et la capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Selon le troisième aspect de la présente invention, on propose un circuit comprenant - un circuit de sortie dont la vitesse balayage peut être réglée sur la base d'un signal de paramétrage et qui sort un signal depuis un circuit interne vers un circuit externe ; - une porte reproduite qui a une structure identique à la structure du circuit de sortie et dont la vitesse de balayage peut être réglée la base d'un signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel qui alimente la porte reproduite par un signal impulsionnel ; - un dispositif d'alimentation qui fournit un jeu de signaux numériques qui forment un jeu unique selon une combinaison prédéterminée afin de fixer la vitesse de balayage de la porte reproduite ; et - une mémoire qui stocke de manière non volatile le signal de paramétrage, au moyen duquel une vitesse de balayage appropriée de la porte reproduite est obtenue, la mémoire délivrant le signal de paramétrage stocké au circuit de sortie.
Selon cette structure, tout en observant la vitesse de balayage de la porte reproduite, le jeu unique de signaux numériques selon une combinaison prédéterminée est délivré par le dispositif d'alimentation, et le signal de paramétrage au moyen duquel une vitesse de balayage appropriée de la porte reproduite peut être obtenue est stocké. Sur la base du signal de paramétrage stocké, la vitesse de balayage circuit de sortie peut être réglée.
Selon le quatrième aspect de la présente invention, on propose un appareil de réglage automatique de la vitesse de balayage qui règle automatiquement la vitesse de balayage du circuit sortie inclus dans le circuit ayant la structure précédente, l'appareil comprenant - un dispositif d'observation qui observe un signal provenant de ladite porte reproduite ; et - un dispositif de commande qui commande le réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie ; et dans lequel ledit dispositif de commande . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter ladite porte reproduite par un signal, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique pour fournir, par commutation, le signal numérique selon une combinaison prédéterminée et détermine un ou plusieurs signaux numériques lorsque ledit dispositif d'observation détecte une vitesse balayage souhaitée de ladite porte reproduite, et écrit le signal ou les plusieurs signaux numériques déterminés dans ladite mémoire.
Selon cette structure, la vitesse de balayage du circuit peut être réglée de manière automatique.
Selon le cinquième aspect de la présente invention, on propose un circuit à semiconducteur comprenant un circuit de sortie dont vitesse de balayage peut être réglée et qui sort signal, en provenance d'un circuit interne, de façon externe par rapport à un substrat semiconducteur, ledit circuit à semiconducteur comprenant - une porte reproduite qui a structure identique à la structure du circuit de sortie et qui est agencée sur un substrat semiconducteur sur lequel le circuit de sortie est agencé ; - une borne de mesure par l'intermédiaire de laquelle un signal provenant de ladite porte reproduite est délivré ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage qui alimente ladite porte reproduite un signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; - un dispositif d'alimentation en signal numérique qui délivre un jeu de signaux numériques qui sont fixés selon une combinaison prédéterminée, afin de fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite ; et - une mémoire qui stocke de façon non volatile un ou plusieurs signaux numériques pour fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite à une valeur souhaitée, parmi le jeu de signaux numériques fixés selon une combinaison prédéterminée.
Selon le sixième aspect de la présente invention, on propose un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage qui règle de façon automatique la vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit ayant la structure précédente, l'appareil comprenant - un dispositif d'observation qui observe un signal provenant de ladite borne de mesure ; - un dispositif de commande qui commande le réglage de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite ; et dans lequel ledit dispositif de commande . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter ladite porte reproduite par un signal impulsionnel, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique pour fournir, par commutation, les signaux numériques selon une combinaison prédeterminée, et détermine un ou plusieurs signaux numériques au moyen desquels le dispositif d'observation observe si le signal provenant de ladite porte reproduite satisfait à des caractéristiques prédéterminées, et écrit les signaux numériques déterminés dans ladite mémoire.
Le dispositif de commande peut exécuter un processus pour prendre des statistiques de périodes de temps nécessaires pour le réglage automatique de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite, et commande un étage de sortie pour délivrer un résultat du processus.
En se référant notamment à la figure 2, on voit que le caisson 12 comporte un panneau extérieur métallique 22, une doublure métallique 24 qui comprend une doublure supérieure 24S et une doublure inférieure 241. En outre, un module 30 est fixé, d'une part, sur la doublure supérieure 24S et, d'autre part, sur la doublure inférieure 24 I.
En se référant à la figure 3, on voit que la doublure supérieure 24 S comporte deux paires d'écrous 32A,32B,34A,34B soudés ou sertis sur son côté extérieur.
Une encoche de guidage 36,38 est ménagée entre chacune des paires d'écrous 32A,32B,34A,34B. Les encoches 36,38 sont ouvertes vers le bas et s'étendent parallèlement par rapport aux rails de guidage à l'état monté (voir figure 1). En outre, la partie inférieure 44 de la doublure supérieure 24S est courbée vers l'extérieur.
La doublure inférieure 241 comporte en tant qu'organes de fixation finale complémentaires deux écrous 46,48 soudés ou sertis analogues à ceux de la doublure supérieure. Par ailleurs elle délimite deux évidements 50,52 ouverts vers le haut.
En se référant de nouveau aux figures 1 et 2, on voit que le module 30 comprend une unité de lève-vitre 54 et un panneau intérieur 56 en matière plastique rigide. L'unité de lève-vitre 54. comprend deux rails de guidage 58,60 s'étendant sensiblement verticalement et parallèlement à la direction de déplacement de la vitre 18. Chacun des rails de guidage 58,60 porte, de façon classique, un chariot 62,64 coulissant qui supporte la vitre 18. Chacun des rails de guidage 58,60 comporte, sur son extrémité inférieure, une patte de fixation 66,68 qui s'étend essentiellement perpendiculairement à la direction longitudinale du rail 58,60. Les pattes de fixation 66,68 sont fixées rails de guidage 58,60 par des moyens classiques, par exemple par soudage.
Une traverse 70, qui s'étend sensiblement horizontalement, reliée par l'intermédiaire de deux supports auxiliaires 72,74 , en forme d'étrier, aux côtés intérieurs des rails de guidage 58,60. Un ensemble d'entramement 76 des chariots est fixé le côté intérieur de la traverse 70. Cet ensemble d'entraînement 76 comporte un motoréducteur 78 et des moyens de couplage du motoréducteur 78 aux chariots 62,64. Les moyens couplage du motoréducteur 78 aux chariots 62,64 comprennent un tambour 80 d'enroulement d'un câble 82 sur lequel est enroulé un câble 82 qui est lié aux chariots 62,64 par des galets 84,86,88,90 de façon classique.
Une ferrure 91 est fixée sur le motoréducteur 78 de façon classique.
Une feuille d'étanchéité 92 est disposée de façon étanche entre tambour d'enroulement 80 et le motoréducteur 78. Cette feuille 92 de matière plastique souple, par exemple du polyéthylène est fixée de façon étanche, par exemple par collage le long de ses bords, au panneau intérieur 56. Ainsi une chambre sèche 94 est formée par le panneau 56 et la feuille 92 dans laquelle se trouvent, protégés contre de l'humidité qui entre éventuellement par la fente 20, le motoréducteur 78 et ses connexions électriques (non représentées).
Chacun des rails de guidage 58,60 est fixé à son extrémité supérieure sur un organe de liaison 96,97 par un élément de fixation qui est constitué par une première patte 98.
Cette première patte 98 est fixée par l'intermédiaire d'une petite traverse 100 à un élément de fixation du panneau intérieur et à un élément de fixation du module sur la doublure, constitués par des deuxième et troisième pattes 102,104.
Les trois pattes de fixation 98, 102, 104 s'étendent essentiellement verticalement.
Le panneau intérieur 56 est fixé, à sa partie supérieure, sur la deuxième patte 102 par une vis 106. La troisième patte 104 sert à fixer solidairement le module 30 sur la doublure supérieure 24S de la porte, par des vis 107 qui coopèrent avec écrous 32A,32B,34A,34B.
La petite traverse 100 s'étend sensiblement perpendiculairement à la surface de la doublure supérieure 24S et des rails de guidage 58,60 et coopère par emboîtement avec l'encoche correspondante 36 ménagée dans celle-ci. La petite traverse 100 et l'encoche 36 forment des éléments de pré-positionnement complémentaires, lors du montage module 30, dont le fonctionnement sera décrit ci-après.
En variante, l'encoche 36 peut être ménagée dans l'organe de liaison tandis que la petite traverse 100, ou un autre élément mâle, est disposée sur la doublure supérieure 24S. La feuille d'étanchéité 92 n'est pas fixée sur le panneau intérieur 56 dans les zones des organes de liaison 96,97. Par contre, elle est serrée entre les organes de liaison 96,97 et la doublure supérieure 24S de la porte. La partie courbe 44 de la doublure sert à éviter un endommagement et facilite l'enfilage de la feuille d'étanchéité 92 lors du montage. Additionnellement, de la colle peut être utilisée dans cette zone, afin d'assurer l'étanchéité.
La partie inférieure du panneau intérieur 56 comporte deux trous 108 qui coïncident avec des trous 110 ménagés dans les pattes de fixation inférieures 66,68 deux rails de guidage, formant ainsi des organes de fixation finale du module 30 sur la porte 10. La feuille d'étanchéité 92 s'étend au-dessous de ce point de fixation et délimite des trous 114 correspondants de façon à être serrée entre les pattes de fixation et le panneau intérieur 56, à l'état monté.
L'ensemble panneau intérieur 56-feuille d'étanchéité 92-pattes de fixation 68 est fixé par deux vis 118 coopérant avec les écrous soudés ou sertis 46,48 de la doublure inférieure 241.
Lesdits polyammonium quaternaires de formule (II) sont préparés et décrits dans le brevet français 2 270 846.