INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
D4 représente les FDTs exprimés dans les échantillons après 4 jours de culture in vitro.
D5 représente les FDTs exprimés dans les échantillons après 5 jours de culture in vitro.
Les FDTs pour lesquels on observe une surexpression au cours de l'androgenèse sont indiquées dans le Tableau I ci-après : TABLEAU @
FDT ID NO 10 D1 D5 10 17 D1 D2 D3 D4 D5 E01 1-+ +±+ + ++ ++ E02 2 +++ + ++ +++ +++ E03 3 + +±+ + ++ +++ +++ E05 5 -+ + + + + + + E08 6 + ++ +++ -+ + + + ++ ++ E13 7 ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ E19 13 + ++ + ++ ++ ++ ++ +++ E21 15 +++ +++ +++ ++ ++ ++ ++ ++ E23 17-+ +++ -±+ + + ++ +++ +++ E24 18-+ + + + + ++ +++ +++ E25 19 + ++ +++ + + ++ ++ ++ E29 23 + + +±+ -+ ++ +++ +++ +++ +++ E32 25 ±+ ++ ++ ++ ++ ++ ++ E37 30 ++ ++ + + + + + E41 33 + + ++ ++ ++ ++ ++ ++ E47 36 ++ ++ +±+ -+ + + ++ ++ ++ E49 37 +++ +++ ++ ++ ++ ++ ++ E51 39 + + + + + + + + E52 40 + ++ +±+ ++ ++ ++ ++ ++ E63 48 + ++ +++ ++ ++ ++ ++ + E64 49-+ + + ++ ++ ++ E65 50 + + + + + + ++ ++ E70 53 ±+ -+ + + ++
Les FDTs sous-exprimés au cours de l'androgenèse sont indiqués dans le Tableau II ci-dessous :
TABLEAU #
FD @ SEQ Antneres microspores isoiees ID NO 10 D1 D5 10 17 D1 D2 D3 D4 D5 E04 4 + ++ + + + -+ -+ -+ E 14 8 + + -+ ++ ++ ++ + + ±+ E17 11 ++ ++ ++ + + + + + E18 12 +++ ++ + +++ +++ ++ ++ ++ + + E20 14 ++ ±+ +++ +++ ++ ++ ++ + + E22 16 + + + ++ + + + -+ -+ E27 21 ++ +±+ E33 26 + + + + + E34 27 + + + ++ ++ ++ + + + E38 31 + + ++ + + + + -+ E40 32-+ + + + + -+ E42 34 ++ ++ + ++ ++ ++ ++ ++ + + E43 35 ++ ++ ++ ++ + ++ ++ ++ + + E53 41 + + + ++ ++ ±+ -±+ E57 45 ++ ±+ + ++ + + ±+ -+ E60 46 + + + ++ ++ + + + E61 47 + + + + + + -+
Les FDTs exprimés de façon transitoire au cours de l'androgenèse sont indiqués dans le Tableau III ci- dessous : TABLEAUIII
FDT SEQ Anthères Microspores isolées ID NO 10 D1 D5 0 17 D1 D2 D3 D4 D5 E15 9 + ++ ++ ++ + + E16 10 ++ ++ + ++ ++ + + + E26 20 ++ ++ +±+ + + ±+ E28 22 + +±+ ±+ ++ ++ ++ + + E30 24 + ++ +±+ + ++ ++ ++ + + E35 28 + ++ +±+ ± ++ ++ ++ + + E36 29 ++ + ++ + E50 38 + ++ ++ ±+ E54 42-+ + + + ++ ±+ E55 43-+ + + ±+ E56 44 -+ + -+ -+ + + + ±+ -+ E67 51-+ ±+ -+ ++ ++ ++ ++ ++ + E68 52 + +++ ±+ + ++ ++ + Isolement et analyse des fragments obtenus Les bandes d'intérêt, correspondant aux FDTs indiqués dans les tableaux ci-dessus, ont été excisées à partir du gel. Les fragments de gel ont été placés dans des tubes de micro-centrifugation avec 100 ug d'eau pendant 1 heure et portés à ébullition pendant 10 min. 5 l des fragments d'ADNc ainsi élués ont été à nouveau amplifiés en utilisant les conditions de PCR et les amorces déjà utilisées dans la 1ère étape de pré-amplification décrite ci-dessus. 10 l de chaque produit de PCR ont été analysés sur un gel 1,5% agarose - bromure d'éthidium, puis séquences.
La liste suivante indique les caractéristiques des FDTs isolés La combinaison d'amorces sélectives utilisées, et la taille du fragment sur le gel de séquençage sont indiqués entre parenthèses. La taille du fragment séquence et le numéro d'identification dans la liste de séquences en annexe sont également indiqués.
E01 : (AA/AA-310) ; 247bp ; SEQ ID NO :1 E02 : (AA/AA-250) ; 186bp ; SEQ ID NO :2 E03 : (AA/AA-90) ; 42bp ; SEQ ID NO :3 E04 : (AA/AT-250) ; 197bp ; SEQ ID NO :4 E05 : (AA/AT-120) ; 92bp ; SEQ ID NO :5 E08 : (AA/CA-320) ; 211bp ; SEQ ID NO :6 E13 : (AT/AG-230) ; 181bp ; SEQ ID NO :7 E14 : (AT/CA-110) ; 71bp ; SEQ ID NO :8 E15 : (AT/CC-450) ; 403bp ; SEQ ID NO :9 E16 : (AT/CC-300) ; 226bp ; SEQ ID NO :10 E17 : (AT/CC-190) ; 155bp ; SEQ ID NO :11 E18 : (AC/AT-205) ; 132bp ; SEQ ID NO :12 E19 : (AC/AT-225) ; 197bp ; SEQ ID NO :13 E20 (AC/AT-250) ; 209bp ; SEQ ID NO :14 E21 (AC/AC-270) ; 237bp ; SEQ ID NO :15 E22 (AC/CA-260) ; 215bp ; SEQ ID NO :16 E23 (AG/AT-90) ; 51bp ; SEQ ID NO :17 E24 (AG/AG-190) ; 150bp ; SEQ ID NO :18 E25 (AG/CT-410) ; 105bp ; SEQ ID NO :19 E26 (AG/CT-160) ; 104bp ; SEQ ID NO :20 E27 (AG/CT-90) ; 64bp ; SEQ ID NO :21 E28 (AG/CC-210) ; 163bp ; SEQ ID NO :22 E29 (CA/AA-90) ; 71bp ; SEQ ID NO :23 E30 (CA/AT-320) ; 274bp ; SEQ ID NO :24 E32 (GA/AA-125) ; 93bp ; SEQ ID NO :25 E33 : (GA/AT-330) ; 184bp ; SEQ ID NO :26 E34 : (GA/AT-190) ; 163bp ; SEQ ID NO :27 E35 : (GA/AC->800) ; 564bp ; SEQ ID NO :28 E36 : (GA/AG-110) ; 77bp ; SEQ ID NO :29 E37 : (GA/CA-260) ; 234bp ; SEQ ID NO :30 E38 : (GA/CT-350) ; 151bp ; SEQ ID NO :31
E40 : (GA/CC-315) ; 289bp ; SEQ ID NO 32 E41 : (GT/AT-85) ; 41bp ; SEQ ID NO :33 E42 : (GT/AC-350) ; 270bp ; SEQ ID NO :34 E43 : (GT/AC-340) ; 308bp ; SEQ ID NO :35 E47 : (GT/CA-390) ; 343bp ; SEQ ID NO :36 E49 : (GT/CC-205) ; 172bp ; SEQ ID NO :37 E50 : (GT/CT-90) ; 46bp ; SEQ ID NO :38 E51 : (GT/CG->800) ; 380bp ; SEQ ID NO :39 E52 : (GC/AA-280) ; 256bp ; SEQ ID NO :40 E53 (GC/AA-145) ; 105bp ; SEQ ID NO :41 E54 (GC/AT-490) ; 521bp ; SEQ ID NO :42 E55 : (GC/AT-195) ; 129bp ; SEQ ID NO :43 E56 (GC/AT-165) ; 128bp ; SEQ ID NO :44 E57 (GC/AC-410) ; 319bp ; SEQ ID NO :45 E60 : (GC/CG-330) ; 179bp ; SEQ ID NO :46 E61 : (GG/AT-320) ; 177bp ; SEQ ID NO :47 E63 : (TA/AA-200) ; 148bp ; SEQ ID NO :48 E64 : (TA/AC-500) ; 430bp ; SEQ ID NO :49 E65 : (TA/AC-150) ; 115bp ; SEQ ID NO :50 E67 : (TA/CC-280) ; 214bp ; SEQ ID NO :51 E68 : (TT/AT-130) ; 98bp ; SEQ ID NO :52 E70 : (TT/CC-400) ; 254bp ; SEQ ID NO :53 Analyse des séquences Les séquences obtenues ont été analysées en recherchant leur homologie avec des séquences présentes sur les bases de données. La recherche a été effectuée à partir des bases disponibles sur le site Internet de l'EMBL en utilisant le programme BLAST2 [ALTSCHUL et al., J. Mol. Biol.
215,403-410, (1990) ; GISH et al., Nat. Genet., 3,266-272 (1993) ]. L'identité supposée est considérée comme significative lorsque la P-value (probabilité de poisson de BLAST) est inférieure à 1x10-5 et le score de similarité optimisé de FASTA supérieur à 100 [NEWMAN et al., Plant Physiol., 106,1241-1255, (1994) ].
*Le client CIattend que le client C2 ait fini d'utiliser l'objet 02 pour prendre le verrou et continuer son exécution. Supposons maintenant que dans le cycle initié par l'objet 02 chez le client C2, ce même client en vient à demander le verrou sur l'objet 01. Comme nous l'avons vu, un cycle initié par l'objet 01 est en cours chez le client CI, et le verrou W/R sur l'objet 01 ne peut donc pas être rendu. Ceci est illustré sur la figure 197 : client CI attend après le client C2 pour obtenir le verrou sur l'objet 02, tandis que le client C2 attend après le client C1pour obtenir le verrou sur l'objet 01 ; l'on se trouve dans une situation de blocage mutuel.
Défaire les actions effectuées chez le client C2 revient à utiliser une fonctionnalité dite de Retour arrière ( Rollback en terminologie anglo-saxonne) décrite ciaprès à partir du temps logique où le client C2 a obtenu le verrou sur l'objet 02.
L'objet 01 peut ainsi obtenir le verrou sur l'objet 02 et continuer son cycle. Le client C2 est alors mis en attente jusqu'à ce que le client CIlibère l'objet 02.
Le Classeur No. 9 possède alors implicitement les sous-éléments du classeur No. 2 .
Ces sous-éléments devront être Acceptés ou Refusés (voir plus loin action 4) pour que les Utilisateurs qui dériveront le classeur No. 9 les voient ou ne les voient pas, selon le cas.
Le film à couches multiples peut être remplacé par un film de super-réseau constitué par des conducteurs et des isolants alternés de structures de super-réseau.
K. Onzième forme de réalisation préférée Les dix premières formes de réalisation préférées décrites précédemment de la présente invention représentent des agencements de l'écran PG dans le dispositif à semicon ducteurs formé sur le substrat SOI en vue d'empêcher la dissipation de puissance induite par voie électrostatique, qui est provoquée par l'inductance en spirale ou la ligne d'interconnexion, et également pour empêcher la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique, qui résulte de la présence du courant de Foucault dans l'écran PG. La présente invention est applicable non seulement au substrat SOI, mais également à un substrat en silicium connu comme étant un substrat massif.
K-1. Agencement du dispositif La figure 40 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 2000 conformément à une onzième forme de réalisation préférée de la présente invention. Seule la partie de circuit HF RP du dispositif à semicon ducteurs 2000 est représentée sur la figure 40 si on prend le dispositif à semiconducteurs 90 décrit en référence à la figure 68 à titre d'exemple.
En référence à la figure 40, une région située dans le substrat en silicium 1 de type P, qui correspond à la région dans laquelle l'inductance spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70) est prévue, est divisée en une pluralité de régions dopées 121, qui sont implantées par une impureté de type P présente avec une concentration relativement élevée (P+) par une pluralité de films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons. Les films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons sont formés au moyen du remplissage de sillons s'étendant à partir de la surface du substrat en silicium 1 jusqu'à une profondeur prédéterminée, avec un film d'oxyde de silicium.
Une région de puits NW, dans laquelle est implan tée une impureté de type N présentant une concentration relativement faible (N-) est située au-dessous des régions dopées 121.
Un film de silicium 131 est disposé sur chacune des régions dopées 121. La pluralité de films d'oxyde d'isolation 111 placés dans des sillons, les régions dopés 121 et les films de siliciure 131 constituent un écran PG 301 (couche de protection).
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 2000, qui sont similaires à ceux du dispositif à semicon ducteurs 100 de la figure 1, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on n'en donnera pas la description d'une manière particulière.
La configuration en coupe transversale représen tée sur la figure 40 est indiquée uniquement à titre d'exemple et sans aucun caractère limitatif. Les différents agencements de l'écran PG décrits dans les cinquième à dixième formes de réalisation préférées peuvent être appli qués au_dispositif à semiconducteurs 2000.
K-2. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, la région de puits faiblement dopée est formée dans le substrat, et l'écran PG est formé sur la région de puits faiblement dopée. La région de puits faiblement dopée, qui possède une valeur résistive élevée, est utilisée en tant que substitut du film d'oxyde enseveli pour établir une isolation élec trique entre les régions dopées 121. Par conséquent l'écran PG apte à empêcher la dissipation de puissance induite par voie électrostatique sans apparition de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique résultant du courant de Foucault est également formé dans le substrat massif.
L. Douzième forme de réalisation Les onze premières formes de réalisation préfé rées décrites précédemment de la présente invention repré sentent différentes constructions de l'écran PG servant à empêcher la dissipation de puissance induite par voie élec trostatique, qui est provoquée par l'inductance en spirale ou la ligne d'interconnexion, et également pour empêcher la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique qui résulte du courant de Foucault dans l'écran PG. I1 est probable que la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique et provoquée par l'inductance en spirale ou la ligne d'interconnexion apparaît dans le substrat semiconducteur au-dessous de l'écran PG. On va décrire un agencement servant à empêcher la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique dans le substrat semi conducteur.
L-1. Agencement du dispositif La figure 41 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 3000 selon une douzième forme de réalisation préférée de la présente invention.
Le dispositif à semiconducteurs 300 comprend la partie de circuit HF RP et la partie logique LP, comme représenté sur la figure 41, qui correspondent à des por tions de la partie de circuit HF 91 et de la partie logique 92 par exemple du dispositif à semiconducteurs 90 repré senté sur la figure 60.
En référence à la figure 41, la partie de circuit HF RP et la partie logique LP sont disposées sur le subs trat SOI SB incluant le substrat en silicium 1, le film d'oxyde enseveli 2 disposé sur le substrat en silicium 1 et la couche SOI 3 disposée sur le film d'oxyde enseveli 2.
Dans la partie de circuit HF RP, une région située dans la couche SOI 3 et correspondant à la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configu ration dans le plan est représentée sur la figure 70) est prévue, et est divisée en la pluralité de régions SOI 22 par la pluralité de films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons. Le film de siliciure 32 est disposé sur chacune des régions SOI 22. La pluralité de films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons, les régions SOI 22 et les films de siliciure 32 constituent l'écran PG 102.
Une cavité CV est prévue dans le substrat en silicium 1 au-dessous de l'écran PG 102.
La cavité CV possède une profondeur (au maximum environ 100 Mm) approximativement égale à la longueur, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, de l'inductance en spirale SI, et s'étend de telle sorte qu'elle englobe au moins la région, dans laquelle l'inductance en spirale SI est formée, lorsqu'on regarde selon une vue en plan.
Dans le micro-ordinateur 42, sont chargées les données ou les instructions pour mettre en oeuvre un traitement des données selon l'invention.
Ces données ou instructions pour le traitement des données peuvent être transférées dans une zone mémoire du micro-ordinateur 42 à partir d'une disquette de tout autre support pouvant être lu par un micro-ordinateur ou un ordinateur exemple: disque dur, mémoire morte ROM, mémoire vive dynamique DRAM ou tout autre type de mémoire RAM, disque optique compact, élément de stockage magnétique ou optique).
L'affichage des épisodes classifiés comme étant des épisodes de fibrillation auricullaire ne constitue pas, en soi, un diagnostic. Seul un médecin cardiologue peut, à la vue de l'électrocardiogramme initial (qui a lui aussi été numérise, mis en mémoire sur le support 34 et transféré en mémoire du microordinateur 42) confirmer l'existence d'une pathologie. En particulier, le médecin doit encore exercer une observation de la ligne de base 3 l'électrocardiogramme (voir figure 1), afin de confirmer si un épisode, apparemment classifié comme étant de type FA, est bien le signe fibrillation auriculaire.
procédé de traitement présenté ci-dessus est donc une aide au diagnostic, mais pas le diagnostic lui-même, qui demande une étape d'interprétation médicale supplémentaire.
EXEMPLE exemple concerne une population de 50 sujets : 19 souffrant de fibrillation auriculaire chronique (FAC), 15 de fibrillation paroxystique (FAP), et 16 patients contrôlés avec un rythme sinusal normal (RS).
Tous les sujets ont été enregistrés pendant 24 heures en utilisant un système Holter ECG numérique (DuoHolter, Novacor, Paris, France). Les enregistrements ont été directement numérisés à une fréquence de 100 Hz sur l'enregistreur ; ils ont ensuite été revus et édités manuellement, si nécessaire, pour obtenir une liste d'intervalles RR consécutifs.
traitement du signal a été réalisé avec le logiciel MATLAB 5.0 et l'analyse statistique des résultats avec Statview sur un Power Macintosh. Les résultats sont présentés sous la forme moyenne écart-type.
Les résultats sont les suivants a. Enregistrements ECG du groupe contrôlé avec rythme normal L'examen standard des enregistrements ECG sur 24 heures des 16 sujets RS a montré l'absence de toutes arythmie cardiaque.
Chez un sujet, deux épisodes de FA furent faussement détectés (durée de 154 et 193 battements respectivement ; fréquence cardiaque moyenne 81,5 14,8 et 76,0 9,5 battements par minutes (bpm) respectivement). Il n'y avait pas de différence significative dans les indices temporels entre le sujet avec fausses détections et les 15 autres.
Ainsi, la spécificité de la détection de la FA basée sur les complexes atteint 99,96% (1 083 537 Qrs vrais négatifs contre 447 faux positifs). Comme tous les faux positifs furent obtenus chez un seul patient, la spécificité était 93,7% si l'on considère le patient comme unité d'analyse (16 vrais négatifs contre 1 faux positif).
b. Groupe des FA chroniques L'examen standard des enregistrements ECG de 24 heures a montré une FA permanente chez les 19 sujets. Les enregistrements étaient d'une durée de 18,8 4,6 heures. Chez les 19 patients, le nombre de QRS était de 87953 27491 et la fréquence cardiaque de 75,4 1,0 bpm (intervalle de 23,1 à 289,7 battements par minute).
Un RS a été faussement identifié chez 7 patients sur 40 épisodes (fréquence cardiaque 82,5 9,5, durée 374 360 battements) ; un patient regroupait 24 des 40 épisodes alors que les autres apparaissaient chez 6 autres patients. Ces épisodes faux négatifs était dus à du flutter auriculaire et de la tachycardie auriculaire dans, respectivement, 34 et 1 des 40 cas. Chez 5 des 7 patients, la FA n'était pas reconnue au début des enregistrements ; cependant le délai de reconnaissance était limité à 178,4 70 battements.
Ainsi, la sensibilité de détection de la FA atteignait 99,2% en considérant les complexes QRS (2064197 QRS vrais positifs contre 16018 faux négatifs). A l'exception des épisodes non détectés, tous les patients ont été reconnus comme souffrant de FA et la sensibilité obtenue en considérant les patients était de 100%. La plus grande période non détectée atteignait 2075 battements et la plus courte 120. Le patient avec 24 épisodes non détectés avait 10490 battements en faux négatifs ; pour cet enregistrement particulier, la sensibilité de détection de la FA basée sur les complexe QRS était de 89,9%.
c. Groupe des FA intermittentes.
Les 15 sujets avec FAP avaient un total de 36 épisodes de FAP dont la durée etait de 2,5 3,4 heures (de 34 s à 15h36). Pendant ces épisodes, la fréquence cardiaque moyenne était de 86,2 20,7 (de 16,4 à 163,1) bpm et le nombre de QRS de 1505522125 (de 52 à 94990 QRS).
Seul un des 36 épisodes restait non détecté (260 QRS, fréquence cardiaque de ,2 28,1 bpm). Pour les épisodes détectés, il y avait des délais ou des avances dans la reconnaissance de la FA au début et à la fin des évènements - début des épisodes : dans 8 épisodes il y avait un délai de 91 95 battements (de 2 à 255) ; 23 épisodes était détectés prématurément (dûs des tachycardies supraventriculaires) de 186 621 battements (de 2 à 2994).
# Composant sur les serveurs De manière symétrique, le composant réseau du serveur pour un poste client doit permettre : D'écouter les informations qui viennent du poste client auquel il est relié , ces informations étant du type (methodName,argList) comme nous l'avons vu. methodName doit correspondre à une méthode de l'objet GbxClient du serveur.
D'envoyer des informations au client, à l'aide du même type de méthode serverCommunicationManager. send(methodName,argList) Etablissement d'une connexion En référence maintenant à la figure 207, on observe que chaque serveur possède un composant Listener qui écoute les éventuelles demandes de connexion des postes clients. Lorsqu'une de ces demandes arrive, il provoque la création sur le serveur d'un composant réseau (ServerCommunicationManager) qui va dialoguer avec son correspondant sur le poste client (ici Clientlou Client2). Il est constitué d'un routine qui écoute les différents messages pouvant provenir du poste client distant
ou son inverse pour hauteur d'eau vers horaire. Dans lesquelles h = Variation de hauteur d'eau pour l'heure prévisionnelle T . # A = Amplitude (marnage) de la marée considérée.
t = Ecart temps entre l'heure prévisionnelle T et celui du début marée considéré (basse mer ou haute mer).
D = Durée de la marée considérée. Comprenant Une courbe descendante imprimée en couleur, avec l'indication marée descendante dans la même couleur.
Une courbe ascendante imprimée en couleur différente de la précédente, avec l'indication marée montante dans cette même couleur.
x Un ensemble de lignes repères fines, dans une couleur différente deux précédemment citées, destinées à faciliter le suivi de lecture entre hauteur d'eau et l'horaire au travers de l'abaque.
Des repères positionnés aux lignes de référence d'alignement des règles élastiques 0 Repère A [9] pour l'heure de début de marée. 0 Repère B [12] pour l'heure de fin de marée. Repère C [6] pour la hauteur d'eau de la marée basse. Repère D [3] pour la hauteur d'eau de la marée haute.
Un tableau de correction due à la pression atmosphérique donné par le SHOM de Brest (source site internet httpl/www.shom.fr).
indications diverses rappel de prise en compte de hauteur d'eau 0 Hauteur d'eau à aligner sur le repère C = hauteur d'eau de marée basse + correction atmosphérique + sonde 0 Hauteur d'eau à aligner sur le repère D = hauteur d'eau de marée haute + correction atmosphérique + sonde Les indications abscisse et ordonnée des règles Horaire des marées pour la règle horizontale. Hauteur d'eau pour la règle verticale.
Eventuellement, 4 zones de surface rugueuse, situées à l'endroit de pincement des règles élastiques, pour en améliorer leur adhérence position bloquée- étirée.
2 règles élastiques [5], [10], en matière résistante aux conditions marines, avec un coefficient d'allongement correspondant aux échelles considérees. coefficient de déformation des règles élastiques, suite à l'étirement, est linéaire. ce fait, il n'y a pas de zone de déformation différente entre les zone de pincement ou le milieu de règle. Si toutefois, une déformation non linéaire était constatée après essai/contrôle, sur une matière nouvelle utilisée par exemple, que cette matière soit retenue pour la fabrication des règles, pour d'autres avantages non négligeables, la correction serait intégrée formules de calcul de l'abaque. De cette façon l'abaque corrigerait automatiquement, sans autre calcul, les variations de déformation d'étirement.
Ces 2 les élastiques [5], [10] seront soumises à condition d'utilisation position non utilisation sera détendue , avec les pinces sur une zone non imprimée. Cette condition ne fait qu'améliorer la durée de vie des règles élastiques, son non respect ne nuit pas à la fiabilité de la lecture.
=> Les règles élastiques seront soumises à péremption, de la durée préconisée par le fournisseur, selon la matière utilisée. Des règles de rechange seront prévues à la vente, indépendamment du système complet.
Les 2 règles élastiques[5], [10] seront graduées des informations suivantes => La règle de hauteur d'eau [5], sera graduée tous les 2mm environ, représentant pour chaque graduation, une hauteur d'eau de 10cm, ceci pour un marnage total d'environ 17m.
NOTA: Selon le coefficient d'allongement de la matière utilisée, ainsi que les variations de hauteur d'eau, cette règle sera peut-être réalisée en un jeu de plusieurs règles, insérables dans le dispositif en fonction de la hauteur d'eau à utiliser. Exemple : une règle pour lire un marnage jusqu'à 6m, une autre pour lire un marnage de 6m à 1 Om etc. Le jeu de règles sera fourni avec le système.
La règle des heures de marées [10], sera graduée tous les 1 mm environ, représentant une durée 5 minutes, ceci pour une plage d'environ 18 heures consécutives, graduée base 12, pour couvrir l'ensemble des possibilités d'horaires de marées sur 24h (14h sera indiqué 2h ).
# 4 systèmes de blocage [4], [7], [8], [11], en matière résistante aux conditions marines, de pression adaptée pour maintenir les règles élastiques en position bloquée-étirée, et servant éventuellement de guide à leur coulissement.
figure 6, qui représente le fonctionnement d'un dispositif décodage que celui inclus dans le dispositif électronique illustré en figure on observe 'au cours d'une opération 600, l'unité centrale 300 attend recevoir, puis reçoit une séquence de données codées. Chaque donnée reçue sous forme douce et correspond à une mesure de fiabilité d'une donnée émise par l'émetteur 106 et reçue par le récepteur 306. L'unité centrale positionne la séquence reçue en mémoire vive 304, dans le registre "données reçues" et met à jour le compteur "nb données reçues".