INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce mode de réalisation permet en outre une réduction du nombre d'hybridations nécessaires à la réalisation d'assemblages de faisceaux de fibres (collectivisation du procédé au niveau de la puce optoélectronique).
On précise que la présente invention peut être appliquée à d'autres composants que les composants d'émission (LED, VCSEL par exemple) ou que les composants de photodétection (photodiode PIN, MSM par exemple). Des composants passifs (lentilles, miroirs, filtres, réseaux, ...) peuvent subir de telles méthodes d'alignement.
On explique maintenant une extension de l'invention à un assemblage collectif. En effet,
l'invention est utilisable pour la réalisation de liens parallèles du genre ruban ou matrice.
Par exemple, au lieu d'hybrider un composant optoélectronique sur un circuit de commande, on peut facilement hybrider plusieurs composants optoélectroniques sur un même circuit de commande. Cela est schématiquement illustré par la figure 13.
On voit sur cette figure 13 un circuit de commande 48 auquel sont hybridés plusieurs composants optoélectroniques 50, chacun de ces composants comprenant une zone active 16. On voit également des fibres optiques 32 respectivement fixées dans les cavités 38 de ces composants, cavités qui sont respectivement centrées sur les zones actives 16 correspondantes.
Selon la voie d'administration sous-cutanée (AS) ou intranasale (AN) la solution de split trivalent est respectivement préparée en Phosphate Buffered Saline ou en eau stérile.
3) Méthodes. a) Immunisation des souris.
- Administrations.
L'administration des formules (BVSM Adj Ag) est réalisée sans anesthésie soit par voie : . sous-cutanée : 100 l à la seringue de 1 ml au niveau dorsal pour les contrôles, nasale : 20 l (10 ul/narine) à la micropipette de 10 l pour les échantillons testés et les contrôles, Pour chaque groupe l'immunisation comprend deux administrations, à JO et J21 effectuées selon le même mode.
- Prélèvement sanguin.
Un prélèvement sanguin d'environ 0,3 ml est réalisé à la veine rétroorbitale à JO (contrôle) et J35.
Après formation d'un caillot et centrifugation le sérum est congelé à -20 C jusqu'à utilisation.
. Prélèvement des sécrétions nasales.
Le lavage des cavités nasales est réalisé à l'aide de 500 l de tampon phosphate salin - BSA 1% introduit dans la trachée en direction des turbines nasales. L'opération est ainsi répétée 3 fois avec le même PBS- BSA 1%. Le prélèvement nasal est conservé dans un tube Eppendorf à -20 C. Les sécrétions nasales sont récupérées à J35. b) Analyse des prélèvements.
L'analyse des sérums et des sécrétions nasale est réalisée par un test ELISA. Brièvement, les microplaques (Nunc, Immunoplate maxisorb, polylabo) sont coatées par le vaccin de la grippe (100 ng de HA/puits dans un tampon carbonate, pH 9,6, 2h00 à 37 C). Après rinçage ( trois fois en tampon PBS-tween pH 7,6) puis saturation par 250 fil/puits d'une solution de PBS-BSA 3% (lhOO à 37 C), les gammes de sérums ou de sécrétions nasales sont incubées 1 heure à 37 C. et rincées de nouveau avec une solution de PBS-tween, pH 7,6. Après rinçage (trois fois) les anticorps sont détectés par des anti IgG murines (réf. A4416 Sigma) ou , anti IgA murines (réf. A4789 Sigma), couplés à la péroxydase. Après une dernière étape de rinçage (cinq fois), le substrat OPD est ajouté (réf. P8287, Sigma 1 pastille dans 5 ml de tampon de révélation + 50 l d' H202, 100 fil/puits). Après 30 minutes d'incubation à 37 C, l'acide chlorydrique 1N (réf. 30024-290, Prolabo) est
ajouté (50ul/puits) et l'absorbance est mesurée à 490 nm. Les titres sont définis comme l'inverse de la dilution permettant d'obtenir une DO de 0,1.
II - Exemple 1 Influence du mode de préparation des formulations BVSM/ Adjuvant/influenza.
Afin d'évaluer le meilleur mode de préparation des formulations BVSM/ Adjuvant/ Influenza, l'association de split Influenza sur les BVSM est étudiée en présence d'adjuvant (CTB ou MPL) en utilisant la résonnance plasmonique de surface (RPS) Biacore X (Pharmacia Biosensor Inc.). Dans cette étude, 20 l d'une suspension de BVSM (50ug/ml en PBS 0,3 X) sont introduits sur des sensorchips hydrophobes (HPA, Biacore, BR-1000-30) à 5 l /min.
La figure 1 montre le sensorgramme obtenu par association de la CTB et des BVSM immobilisés sur la sensorchip HPA en fonction de la concentration en CTB ( 1) 2,5ug/ml ; 2) 25ug/ml ; 3) 250ug/ml en PBS 45mM ) (ce qui correspond à 0,3 X).
La figure 2 montre le sensorgramme obtenu par association du MPL et des BVSM immobilisés sur la sensorchip HPA en fonction de la concentration en MPL (1) l,56ug/ml ; 2) 3,125ug/ml ; 3) 6,25ug/ml ; 4) 12,5ug/ml ; 5) 25ug/ml ; 6) 50ug/ml en PBS 45mM).
Dans les deux cas, CTB et MPL, les sensorgrammes obtenus confirment la capacité d'association des BVSM et des adjuvants.
Les mesures des propriétés mécaniques des plaques obtenues sont rassemblées dans le tableau 4.
EXEMPLE 18 Des filaments obtenus dans les conditions de l'exemple 1 sont revêtus d'une première composition A puis d'une deuxième composition B suivantes (en pourcentage pondéral) : Composition A
# polyester tétraacrylate de masse moléculaire = 1000 (1) 18 # polyuréthane aromatique hexaacrylate de masse moléculaire = 1000 ( 2) 11 # bisphénol F diglycidyléther (11) 8 # gamma-méthacryloxypropyl triméthoxysilane (3) 10 # gamma-glycidoxypropyl triméthoxysilane (4) 10 # isostéarate de polyéthylèneglycol 300 (12) 5 Composition B
# mélange de C, C, C-triméthylhexane diamine-1,6 , de xylylènediamine et de para-tertiobutylphénol (6) 10 # palmitate d'isopropyle 10 # alcool laurique éthoxylé (4 OE) (8) 10 # dérivé aromatique alkoxylé (9) 8
Les compositions A et B présentent une viscosité de 93,4 x 10-3 Pa. s (93,4 cP) et 73,2 x 10-3 Pa. s (73,2 cP) à 22 C, respectivement, le rapport r étant égal à 1,35.
Les filaments sont rassemblés en fils qui sont bobinés en stratifils Sur les fils extraits des stratifils, on mesure la quantité de bourre, la raideur, la perte au feu, le titre et la ténacité. Les résultats de ces mesures sont rassemblés dans le tableau 1.
EXEMPLE 19 A partir des fils obtenus dans l'exemple 18, on réalise des plaques composites dans les conditions de l'exemple 2.
Les mesures des propriétés mécaniques des plaques obtenues sont rassemblées dans le tableau 4 EXEMPLE 20 Des filaments obtenus dans les conditions de l'exemple 1 sont revêtus d'une première composition A et d'une deuxième composition B suivantes (en pourcentage pondéral) : Composition A
# polyuréthane aliphatique hexaacrylate de masse moléculaire = 800 (14) 10 # polyéther tétraacrylate de masse moléculaire supérieure à 1000 (15) 22 # bisphénol F diglycidyléther (11) 8 # gamma-méthacryloxypropyl triméthoxysilane (3) 10 # gamma-glycidoxypropyl triméthoxysilane (4) 8 # isostéarate de polyéthylèneglycol 300 (12) 4 Composition B
# mélange de C, C, C-triméthylhexane diamine-1,6 , de xylylènediamine et de para-tertiobutylphénol (6) 9 # palmitate d'isopropyle 12 # alcool laurique éthoxylé (4 OE) (8) 10 # dérivé aromatique alkoxylé (9) 7
Les compositions A et B présentent une viscosité de 162 x 10-3 Pa. s (162 cP) et 66 x 10-3 Pa. s (66 cP) à 22 C, respectivement, le rapport r étant égal à 1,67.
De cette manière, il est possible de réduire la dissipation 'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie in duite de façon électromagnétique en évitant autant que possible de sous l'inductance en spirale SI des couches constituant des conduc teurs, incluant des couches d'interconnexion. B-2. Modification Bien que le dispositif à semiconducteur 200 envisagé ci-dessus soi formé sur le substrat S01, SB, il faut noter que l'application de présente invention n'est pas limitée au substrat SOI. En fait, la présente invention est également applicable à des substrats en silicium correspon dant à ce qu'on appelle le substrat massif.
Comme illustré dans un dispositif à semiconducteur 200 de la figure 11, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20A peut être for mée dans une étendue de la surface du substrat en silicium 10 plus grande que celle correspondant à l'étendue de l'inductance en spirale SI. Ensuite, la couche d'interconnexion WL1 peut être formée dans une pelli cule isolante inter-couche (non représentée) sur la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20A, de façon que la distance horizontale entre chaque surface d'extrémité de la couche d'interconnexion WL1 et la sur face d'extrémité la plus proche de l'inductance en spirale SI, soit égale à la distance Sl.
II va sans dire, ici, que la distance S, est fixée de façon à ne pas être inférieure à la distance Do (S, ? DO).
B-3. Interconnexion au-dessous de l'Inductance en Spirale Dans les structures mentionnées ci-dessus, on évite autant que possible de placer sous l'inductance en spirale SI des couches devant être des conducteurs. Cependant, en pratique, comme représenté sur la figure 10, l'inductance en spirale SI est connectée à l'interconnexion sous-jacente par l'intermédiaire de la partie de contact CP qui traverse une pellicule isolante inter-couche, non représentée. Par conséquent, moins l'interconnexion WL est présente sous l'inductance en spirale SI. Dans un tel cas, on peut atténuer la dissipation d'énergie in duite de façon électrostatique en plaçant des connexions entre l'inter connexion WL et l'autre interconnexion formée dans d'autres couches, à l'extérieur de l'étendue définie par la distance S, précitée. En procédant ainsi, on peut éviter une augmentation de la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique, qui se produira aux connexions à l'endroit au quel deux couches conductrices, ou plus, se recouvrent.
Une telle structure est illustrée sur la figure 12. La figure 12 est une vue en plan de l'inductance en spirale SI, dans laquelle les lignes en pointillés indiquent les positions situées à la distance S, de quatre côtés de l'inductance en spirale SI, sous la forme d'une région frontière de configuration d'interconnexion Comme représenté sur la figure 12, l'interconnexion WL est formée de façon à s'étendre delà de la région frontière de configura tion d'interconnexion Z, et à être connectée par l'intermédiaire d'une par tie de contact CP1 à une interconnexion WL2 formée dans une couche différente. La même chose s' tique à l'autre extrémité de l'inductance en spirale SI. L'autre extrémité de l'inductance en spirale SI s'étend au-delà de la région de frontière de configuration d'interconnexion Z, et est con nectée par l'intermédiaire d'une partie de contact CP2 à une intercon nexion WL3 formée dans une couche différente. C. Troisième Mode de Réalisation Préféré C-1. Structure du Dispositif Dans les structures du premier mode de réalisation préféré conforme à la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tran chée, qui est formée dans la surface du dispositif à semiconducteur sous l'inductance en spirale, s'étend sur une étendue plus grande que celle correspondant à l'étendue de l'inductance en spirale. Cependant, la for mation de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée sur une telle éten due agrandie est susceptible d'occasionner un creusement qui fait que la pellicule d'oxyde d'isolation tranchée présente une forme en cuvette.
Dans la formation la pellicule d'oxyde d'isolation par tran chée, après qu'une tranchée été formée, une pellicule d'oxyde est in- troduite dans la tranchée et une partie inutile de la pellicule d'oxyde enlevée traitement de polissage chimio-mécanique. A ce moment, tranchée d'une grande étendue donne lieu à un enlèvement trop impor tant de I pellicule d'oxyde à partir de la tranchée, ce qui occasionne un creusement.
titre d'exemple de la manière selon laquelle le creusement se produit, I figure 13 montre une structure d'un dispositif à semiconduc teur 80. En se référant à la figure 13, on note que dans le substrat SOI, SB, constitué par le substrat en silicium 1, la pellicule d'oxyde enterrée 2 formée sur substrat en silicium 1 et la couche SOI 3 formée sur la - licule d'oxyde enterrée 2, une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 60 qui est pellicule d'oxyde d'isolation partielle est formée dans étendue de la surface de la couche SOI 3 plus grande que celle corres pondant à l'étendue de l'inductance en spirale SI.
II y a des régions de formation de transistor MOS QR, ayant chacune une région S01 73, des deux côtés de la pellicule d'oxyde d'iso lation par tranchée 60. Un transistor MOS Q33 est formé dans chacune des régions SOI 73.
Chaque transistor MOS Q33 comprend une pellicule isolante de grille GZ formée sur la région SOI 73, une électrode de grille GT formée sur la licule isolante de grille GZ, et une pellicule de siliciure GS for mée sur 'électrode de grille GT. Ces transistors MOS 33 sont d'un type courant sans aucune caractéristique spéciale dans leurs structures et leur procédé de fabrication.
La pellicule isolante inter-couche 4, formée par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium, est établie de façon à recouvrir la tota lité de la surface du substrat SOI, SB, et l'interconnexion WL est formée sur la pellicule d'isolation inter-couche 4 pour établir des connexions électriques entre l'inductance en spirale SI et les transistors MOS Q33.
La pellicule isolante inter-couche 5, formée par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium, est établie de façon à recouvrir la sur face de pellicule isolante inter-couche 4, et l'inductance en spirale SI est formée sur la pellicule isolante inter-couche 5. Une extrémité de l` ductance spirale SI est connectée à l'interconnexion WL par l'intermé diaire de 1 partie de contact CP qui atteint l'interconnexion WL à travers la Ilicule isolante inter-couche 5.
Dans le dispositif à semiconducteur 80 avec une telle structure, la surface de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 60 est creusée en cuvette. Les parties de bords supérieures d'une telle pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 60, où le creusement se produit, ont forme différente de celles de pellicules d'oxyde d'isolation par tranchée norma- et peuvent avoir les effets nuisibles consistant dans l'abaissement de la valeur de seuil des transistors MOS Q33 en contact avec parties de bords supérieures, la dégradation de la fiabilité des pellicules isolan tes de grille GZ, et autres. II y a également une possibilité que des impu retés de source/drain puissent être implantées dans la région de forma tion de canal (partie de corps) à travers la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 60 amincie, occasionnant ainsi une instabilité dans le fonc tionnement du transistor.
A titre de troisième mode de réalisation préféré du dispositif à semiconducteur conforme à la présente invention, la figure 14 montre une structure d'in dispositif à semiconducteur 300 qui empêchera le creusement dans la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée qui est for mée sur une grande étendue. Pour simplifier, l'inductance en spirale SI et seulement la structure au voisinage de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 sous l'inductance en spirale SI sont représentées sur la fi gure 14. Le dispositif à semiconducteur 300 est à tous autres égards identique au dispositif à semiconducteur 80 illustré sur la figure 13. Les mêmes numéros de référence que sur la figure 13 désignent des élé ments semblables ou correspondants et ils ne sont pas mentionnés ici pour éviter une redite.
En se référant à la figure 14, on note que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, qui est une pellicule d'oxyde d'isolation com plète incluant en partie la structure de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle, est formée dans une étendue de la surface de la couche SOI 3 plus grande que celle correspondant à l'étendue de l'inductance en spi rale SI. La structure de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 est illustrée sur la figure 3, et par conséquent il va sans dire que la dissi pation d'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'éner gie induite de façon électromagnétique peuvent être réduites en fixant la distance So de façon qu'elle ne soit pas inférieure à la distance Do (SD >_ Do). La couche SOI 3 autour de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 forme une région de motif fictif DMR de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. Dans cette région de motif fictif DMR, une multi plicités de pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT, ayant chacune une plus petite étendue que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, sont établies pour définir des parties de champ FP.
Le creusement pendant le traitement de polissage chimio- mécanique a la propriété de se produire de façon perceptible dans pellicules d'oxyde de champ de grande étendue, et au voisinage de - les-ci, comme la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, et de se produire dans les pellicules d'oxyde de champ avec de petites éten dues. Par conséquent, la région de motif fictif DMR, incluant les pellicu les d'oxyde d'isolation partielle PT avec de petites étendues, est formée autour de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19. Ceci évite l'extension creusement jusqu'aux régions de formation de transistor MOS QR, évite de ce fait une dégradation des caractéristiques des transistors MOS. C-2. Modification Le dispositif à semiconducteur 300 envisagé ci-dessus est construit façon que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, qui est pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant en partie structure d'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, soit formée dans une étendue la surface de la couche SOI 3 plus grande que celle - respondant @ l'étendue de l'inductance en spirale SI. Cette pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 peut être remplacée par une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20 qui est une pellicule d'oxyde d'isola tion complète, comme illustré dans un dispositif à semiconducteur 300A de la figure 15.
Dans ce cas, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20 est formée de façon que la distance horizontale entre chaque surface d'ex trémité de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20 (c'est-à-dire la surface d'extrémité de la couche SOI 3) et une surface d'extrémité cor respondante de l'inductance en spirale SI soit égale à la distance S2. Les mêmes numéros de référence que sur la figure 14 désignent des - ments semblables ou correspondants, et ils ne sont pas mentionnés ' i pour éviter une redite.
Selon une autre particularité, un dixième ensemble de tableaux comprend l'ensemble des instructions destinées à mettre à jour au moins dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles, ces instructions étant transmises au dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles concerné, le serveur, dès que le dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles établit une communication avec le serveur.
Selon une autre particularité, le dixième ensemble de tableaux comprend groupe de tables identifiant les instructions de mise à jour pour un juke-box determiné et l'ordre dans lequel les instructions doivent être exécutées sur le juke- et/ou la date à partir de laquelle le serveur peut transmettre les instructions au juke-box.
Selon une autre particularité, les instructions contenues dans le onzième ensemble de table sont mémorisées avant la date à partir de laquelle le serveur peut transmettre les instructions au juke-box.
Selon une autre particularité, le dixième ensemble de tableaux comprend une pluralité de groupes de tables comportant les instructions de mise à jour possibles sur chaque juke-box, chaque instruction concernant, soit la mise à jour de logiciel, soit l'ajout d'un nouvel album ou l'ajout d'une nouvelle chanson ou encore la gestion des fichiers informatiques d'un juke-box ou la modification d'un paramètre de fonctionnement d'un juke-box.
Selon une autre particularité, le dixième ensemble de tableaux comprend un groupe de tables spécifiques comportant tous les identifiants des instructions qui ont été transmises correctement à chaque juke-box, le groupe de tables spécifiques comprend également, pour chaque identifiant d'instruction, au moins l'identifiant du juke-box destinataire et la date de transmission de l'instruction.
Selon une autre particularité, le dixième ensemble de tableaux comprend au moins un groupe de tables spécifiques définissant des évènements déclenchant un groupe d'instructions déterminées. Selon une autre particularité, un premier sous-ensemble onzième ensemble tableaux comprend des informations relatives à la mise en place sur chaque juke-box de promotion sur la diffusion d'au moins chanson disponible chaque juke-box, chaque promotion étant identifiée par un numéro et ce qu'un deuxième sous-ensemble du onzième ensemble de tableaux comprend les références de la ou des promotions applicables à un juke-box déterminé.
Selon une autre particularité, le premier sous-ensemble du onzième ensemble de tableaux comprend au moins un groupe de tables spécifiques définissant l'ensemble des chansons faisant l'objet de la promotion, et les dates de début et fin de la promotion, et le premier sous ensemble du onzième ensemble tableaux comprend également un groupe de tables spécifiques comprenant les modifications de prix des chansons faisant l'objet de la promotion.
Selon une autre particularité, le paiement des redevances dues à la diffusion de l'ensemble des chansons faisant l'objet de la promotion est affecté au promoteur initiateur de la promotion.
Selon une autre particularité, le serveur comprend un module de visualisation des informations de la base de données destiné afficher au moins un écran comprenant au moins une zone d'affichage d'informations et/ou au moins une zone de saisie d'informations et/ou au moins zone de sélection d'information, chaque zone de sélection provoque la collecte d'informations par le serveur dans la base de données ou la validation des informations contenues dans chaque zone de saisie et chaque zone d'affichage comprend la valeur d'un argument de la base de données.
Un deuxième but de l'invention est de proposer un procédé gestion d'un réseau de systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles ou juke- box.
deuxième but est atteint par le fait que le procédé gestion d'un réseau systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles ou juke-box comprenant un serveur informatique comportant des moyens de connexion avec les systèmes de reproduction d'informations, caractérisé en ce comprend - une étape de connexion d'un juke-box au serveur pour établir communication, - une étape de transferts d'au moins un message du juke-box vers le serveur, - une étape de traitement du message par le serveur pour identifier le juke-box ayant établi une communication et mettre à jour au moins une table d'une base de données assurant la gestion centralisée des juke-box, - une étape de recherche dans au moins un groupe de tables la base de données d'instructions pour la mise à jour du juke-box, - une étape de construction d'un message puis de transfert message du serveur contenant les instructions de mises à jour trouvées dans base de données, vers le juke-box ayant établi la communication.
D'autres particularités et avantages de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description ci-après faite référence aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente un synoptique d'un système utilisant un serveur selon l'invention, - la figure 2 représente un organigramme simplifié de la structure d'une base de données du serveur utilisée par le système selon l'invention, - les figures 3A à 3F représentent un organigramme détaillé la structure d'une base de données utilisée par le dispositif selon l'invention, - la figure 4 représente un exemple de dispositif de reproduction audiovisuelle, - figures 5A à 5H représentent différents tableaux permettant de visualiser informations de la base de données.