INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon ce mode de réalisation de la présente invention, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, le réglage de la vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n peut aisément être achevé. De plus, la porte reproduite 6 a la même structure que la structure de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, ainsi aucune technique complexe n'est nécessaire pour fabriquer le circuit à semiconducteur. Normalement, la porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, ... , 4n doivent avoir des niveaux différents de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon structure de la présente invention, les circuits de sortie et la porte reproduite ont les mêmes structures et sont formés sur le même substrat semiconducteur ainsi la précision de fabrication et 1a capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Deuxième mode de réalisation L'une des caractéristiques du deuxième mode de réalisation est qu'une impulsion pour 1e réglage de la vitesse de balayage est directement amenée à la porte reproduite 6 de façon à régler la vitesse balayage de la porte reproduite 6.
La figure 6 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un circuit à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments identiques sont désignés par mêmes références numériques que celles représentées à la figure 1. Dans ce circuit à semiconducteur selon ce mode de réalisation, on propose une borne de production d'impulsions 10 pour le réglage de la vitesse de balayage pour alimenter la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage, au lieu du générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage représenté à la figure 1. I1 n' a aucune autre différence dans le circuit à semiconducteur représenté à la figure 6 par rapport à ceux des figures 2 à 4.
On va maintenant donner des explications concernant un procédé de réglage de la vitesse de balayage de circuits de sortie inclus dans le circuit à semiconducteur représenté à la figure 6.
La personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 une impulsion pour 1e réglage la vitesse de balayage par l'intermédiaire de la borne de production d'impulsions 9 pour le réglage de la vitesse de balayage. Ensuite, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée en utilisant une unité de mesure de forme d'onde, telle qu'un oscilloscope, etc., par l'intermédiaire de la borne de mesure 9. Ensuite, on détermine si la mesure résultante satisfait aux caractéristiques de la vitesse de balayage représentées à la figure 5.
Dans le cas où la mesure résultante ne satisfait pas aux caractéristiques, la personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage met en oeuvre les commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Particulièrement, jusqu'à ce que la vitesse de balayage à la borne de mesure 9 satisfasse aux caractéristiques, une opération, pour passer le niveau de tension d'une tension des lignes de signal reliées à leurs commutateurs opérationnels correspondants d'un niveau haut à un niveau bas et vice versa, est répétée. Dans le cas où la mesure résultante satisfait aux caractéristiques après l'opération de fixation du niveau de tension, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est complètement fixée. A ce moment, des signaux pour fixer la même valeur de résistance que celle de la porte reproduite 6 sont amenés aux deux unités de paramétrage de résistance 100 et 101 dans chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n. Donc, la vitesse de balayage de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon à être la meure que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6.
Selon le deuxième mode de réalisation, une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage est amenée à la porte reproduite 6 par l'intermédiaire de la borne de production d'impulsions 10 pour le réglage de la vitesse de balayage. Ensuite, la vitesse de balayage à la borne de mesure 9 est réglée de façon à être une valeur prédéterminée, lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Ensuite, la vitesse de balayage de porte reproduite 6 est fixée sur la base de signaux numériques produits par la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. La vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon à être la même que celle de la porte reproduite 6. Selon 1e deuxième mode de réalisation, le même effet peut être obtenu que celui du premier mode de réalisation. Parce que le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage n'est pas présent, il n'y a pas besoin de prévoir de câblage ou analogue pour relier le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage et le générateur de signal d'horloge 3 ' la porte reproduite 6. De plus, si le générateur de signal d'horloge 3 n'est pas nécessaire dans le circuit interne 2, il n'y a pas besoin de prévoir le générateur de signal d'horloge 3 lui-même. Seules la porte reproduite 6 et l'unité de commutation 7 sont nécessairement ajoutées dans le circuit à semiconducteur. Troisième mode de réalisation L'une des caractéristiques du troisième mode de réalisation de 1a présente invention est que la vitesse de réglage des circuits de sortie est réglée de façon automatique.
La figure 7 est un exemple de vue de dessus d une ligne de réglage automatique de vitesse de balayage pour régler automatiquement la vitesse de balayage d'un circuit de sortie dans des circuits à semiconducteur. Une courroie de transport 300, sur laquelle des circuits à semiconducteur 200a, 200b, ..., sont placés à des intervalles prédéterminés, est mobile par un mécanisme de commande de déplacement de courroie non représenté. Un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400, comme on va l'expliquer par la suite, est agencé de façon adjacente à un côté de la courroie de transport 300. Le mécanisme de commande de déplacement de courroie commande la courroie de transport 300 pour qu'elle se déplace dans un sens représenté par le repère E. Pendant cette commande, quand une borne pour le réglage de vitesse de balayage incluse dans chacun des circuits à semiconducteur transportés 200a, 200b, ..., est en contact électrique avec une partie correspondante de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400, le mécanisme de commande de déplacement de courroie interrompt de façon temporaire la commande du déplacement de la courroie de transport 300. Après une période prédéterminée, le mécanisme de commande de déplacement de courroie commande de nouveau la courroie de transport 300 pour qu'elle se déplace dans le sens E. En faisant ainsi, la vitesse de balayage du circuit de sortie dans chacun des circuits à semiconducteur 200a, 200b, .. , peut être réglée de façon automatique par l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400.
La figure 9 est un schéma de circuit representant la structure d'une porte reproduite et de ses sections périphériques qui sont incluses dans le circuit à semiconducteur. Dans ce mode de réalisation également, la porte reproduite 6 a la même structure que celle des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, et porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, .. ., 4n sont formés sur le même substrat semiconducteur 1. Dans le circuit représenté à la figure 9, il y a un groupe de bornes de paramétrage de résistance 12 incluant des bornes 140 à 147 qui sont reliées à l'une ou l'autre des unités de paramétrage de résistance 100 et 101, respectivement par l'intermédiaire de lignes de signal, au lieu de l'unité de commutation 7 incluse dans le circuit représenté à la figure 2. Des signaux numériques peuvent être transmis aux lignes de signal par l'intermédiaire du groupe de bornes de paramétrage de résistance 12. De plus, une mémoire non volatile 14 comprenant une ROM, etc., et un tampon 19 prévu pour mettre en tampon des données de sortie provenant de la mémoire non volatile 14, sont ajoutés dans le circuit à semiconducteur. Ce tampon 19 est dans un mode d'impédance élevée quand un signal de niveau bas est amené à ce dernier par l'intermédiaire d'une borne de commande d'impédance élevée 13, et est déconnecté des lignes de signal correspondantes (normalement, le tampon 19 est réservé pour mettre en tampon données quand un signal de niveau haut est amené à dernier).
Normalement, un signal de niveau bas appliqué à une borne de commande d'écriture 18, et signal de niveau haut est appliqué à une borne de lecture (R niveau haut actif) de la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire d'un inverseur 16. Ensuite, des signaux numériques stockés dans des zones prédéterminées (DO à D7) de la mémoire non volatile 14 sont respectivement amenés aux lignes de signal par l'intermédiaire du tampon 19 (une tension appropriée est appliquée à une borne d'adresse non représentée, etc.). Si un signal de niveau haut est introduit dans une borne d'écriture (W : niveau haut actif) de la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne de commande d'écriture 18, des signaux numériques transmis par l'intermédiaire d'une borne de données 17 sont stockés dans les zones prédéterminées (DO à D7) de la mémoire 14. L'inverseur 16 intervertit la borne de lecture (R) et la borne d'écriture (W), ainsi tandis que l'une d'entre elles est en fonctionnement, l'autre ne l'est pas.
Par conséquent, quand il faut fixer la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, un signal de niveau bas est amené au tampon 19 par l'intermédiaire de la borne de commande d'impédance élevée 13, et le tampon 19 est déconnecté des lignes de signal. L'appareil réglage de la vitesse de balayage 400 détermine un plusieurs signaux numériques pour obtenir une vitesse de balayage prédéterminée de la porte reproduite , parmi un jeu de signaux numériques (à appliquer groupe de bornes de paramétrage de résistance 12) qui est fixée de manière unique selon une combinaison prédéterminée. Dans l'état où le tampon 19 est déconnecté des lignes de signal, une opération pour écrire les données numériques dans la mémoire non volatile 14 est exécutée. Pendant cette opération, un signal de niveau haut est amené à la borne de commande d'écriture 18, et les signaux numériques sont amenés à la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne de données 17 de facon à être stockés dans les zones respectives (DO à D7). L'envoi d'un signal de niveau haut à la borne de commande d'écriture 18 est terminé, et l'envoi de signaux numériques à la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne d'impédance élevée 13 est terminé. De plus, le tampon 19 n'est pas davantage déconnecté des lignes de signal, c'est-à-dire que le tampon 19 est relié aux lignes de signal, de ce fait les signaux numériques stockés dans la mémoire non volatile 14 sont envoyés lignes de signal respectives.
La figure 8 est un schéma fonctionnel représentant la structure de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400. Cet appareil réglage de vitesse de balayage 400 comprend une unité de contact de bornes 410 ayant des bornes qui sont électriquement en contact avec un circuit prédéterminé des circuits à semiconducteur 200a, 200b, ..., une unité de mesure (observation) 401, une unité de commande 402 une unité d'affichage 403, et une imprimante 404. La section de contact de bornes 410 possède une borne 9b a mettre en contact avec la borne de mesure 9, une borne 12b (on notera que seulement une borne 12b est représentée à la figure 8) à mettre en contact avec une borne correspondante des bornes de paramétrage de résistance 12, une borne 13b à mettre en contact avec la borne de commande d'impédance élevée 13, une borne 17b à mettre en contact avec la borne de données 17, une borne 18b à mettre en contact avec la borne de commande d'écriture 18, et une borne 8b à mettre en contact avec la borne de commande de mode 8. L'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400 a la structure précédente, de sorte qu'un réglage automatique de la vitesse de balayage est accompli avec le circuit à semiconducteur du premier mode de réalisation dont certains éléments sont remplacés par des élements correspondants du circuit à semiconducteur représenté à la figure 9.
On va maintenant expliquer le fonctionnement de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400 en se référant à l'organigramme, ., de la figure 10. Le circuit à semiconducteur 200a devient un circuit cible pour le réglage automatique de la vitesse de balayage lors de l'interruption temporaire du déplacement de la courroie de transport 300. Dans ce cas, les bornes 9b, 12b, 13b, 17b, 18b et 8b de la section de contact de bornes 410 sont respectivement en contact avec la borne de mesure 9, une borne de paramétrage de résistance correspondante particulière 12, la borne de commande d'impédance élevée la borne de données 17, la borne de commande d'écriture 18, et la borne de commande de mode 8. L'unité de commande 402 alimente la borne de commande de mode 8 par un signal de commande de mode de niveau haut par l'intermédiaire de la borne 8b (étape S100 ), et alimente la borne de commande d'impédance élevée 13 par un signal de commande de mode de niveau bas par l'intermédiaire de la borne 13b (étape S1002). En conséquence de cela, le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage dans un mode de réglage de vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage, et la mémoire non volatile 14 est déconnectée des lignes de signal.
Après cela, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée (ou observée) par l'unité de mesure 401 par l'intermédiaire de la borne 9b. Lorsque l'unité de commande 402 détermine que la mesure résultante satisfait aux caractéristiques de vitesse de balayage représentées à la figure 5 (Oui à l'étape S1003), la procédure continue à l'étape S1005. D'un autre côté, quand on détermine que la mesure résultante ne satisfait pas aux caractéristiques (Non ' l'étape S1003), la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée de façon répétée tout en appliquant un jeu unique de signaux numériques à la borne 12b selon une combinaison de signal prédéterminée, jusqu'à ce que la mesure résultante satisfasse aux caractéristiques, déterminant de ce fait un jeu spécifique de signaux numériques pour satisfaire aux caractéristiques (étapes S1003, S1004). Selon la combinaison de signal prédéterminée, des jeux uniques de signaux numériques à appliquer respectivement aux bornes 140 à 147 peuvent comprendre les combinaisons de bits suivantes "00001111", "10000111", "11000011", et "11100001".
La section de commande 402 alimente la borne de commande d'écriture 18 par un signal de niveau haut par l'intermédiaire de la borne 18b, de sorte que la mémoire non volatile 14 est validée pour l'écriture de données. Ensuite, 1a section de commande 402 envoie jeu déterminé de signaux numériques à la mémoire volatile 14 en provenance de la borne de données 17 par l'intermédiaire de la borne 17b (étape S1005). En conséquence de cela, le jeu déterminé de signaux numériques est stocké dans les zones prédéterminées de la mémoire non volatile 14 d'une manière non volatile. Après l'envoi des signaux numériques au circuit à semiconducteur 200a, l'envoi d'un signal de niveau haut à la borne de commande d'écriture 18 est terminé. La section de commande 402 interrompt l'envoi d'un signal de niveau bas à la borne de commande d'impédance élevée 13 par l'intermédiaire de la borne 13b (étape S1006 . La section de commande 402 interrompt l'envoi d' signal de commande de mode à la borne de commande de mode 8 par l'intermédiaire de la borne 8b (étape S1008). En conséquence, le tampon 19 n'est pas davantage dans un état d'impédance élevée, et les données stockées dans les zones prédéterminées de mémoire non volatile 14 sont lues et envoyées lignes de signal correspondantes. De plus, le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage interrompt l'alimentation de la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage. Donc, la vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon automatique de façon à être identique à la vitesse de balayage fixée pour la porte reproduite 6. Selon ce mode de réalisation, tandis que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée par l'intermédiaire de la borne 9b qui à mettre en contact avec la borne de mesure 9, unique de signaux numériques, qui sont fixés selon combinaison de signal prédéterminée, est envoyé à partir du groupe de bornes de paramétrage de résistance 12. De plus, des signaux numériques représentant une valeur souhaitée, c'est-à-dire la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, sont stockés dans la mémoire non volatile 14. Sur la base de ces signaux numériques stockés, la vitesse de balayage des circuits de sortie est réglée et fixée à une valeur prédéterminée. Cela définit un circuit à semiconducteur ayant une porte reproduite dont la vitesse de balayage peut être réglée de façon automatique, et un appareil qui règle de façon automatique la vitesse de balayage de la porte reproduite incluse dans le circuit à semiconducteur. Comme le premier mode de réalisation, selon ce mode de réalisation, aucune technique complexe n'est nécessaire pour la fabrication du circuit. En ayant fixé 1a vitesse de balayage de la porte reproduite 6, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée dans la structure dans laquelle la capacité parasite a un effet sur la vitesse de balayage.
La section de commande 402 mesure, en utilisant une minuterie intégrée, les périodes de temps durant lesquelles "les procédures respectives des étapes S1003 et S1004 sont totalement exécutées. De plus, section commande 402 obtient la valeur moyenne périodes temps mesurées et la période de temps totale durant laquelle la vitesse de balayage de la porte reproduite réglée par jour. La section de commande 402 commande l'unité d'affichage 403 pour afficher les valeurs obtenues, et commande l'imprimante 404 pour imprimer les valeurs affichées, pour faciliter de ce fait le processus de gestion de la ligne de fabrication semiconducteur.
2. 8 QUANTIFICATION PAR PCR ET HYBRIDATION: La première étape était de déterminer si les quantités de produit PCR étaient proportionnelles au nombre de molécules d'ADN cibles initialement présentes dans le tube réactionnel. De l'ADN de Streptosporangium fragile a été utilisé comme cible (voir section Matériels et Méthodes).
Les amorces utilisées ont été les amorces FGPS122 et FGPS350 (tableau 2). L'électrophorèse sur gel des produits PCR a montré que l'intensité de bande augmente avec l'accroissement de la concentration des cibles. Les produits PCR ont été hybridés avec la sonde oligonucléotidique FGPS643 (tableau 2), et les signaux ont été quantifiés par imagerie par phosphorescence (phospho-imaging).
On a trouvé une bonne corrélation (r2= 0,98) entre le log[nombre de cibles] et le log[intensité du signal d'hybridation].
On a ensuite recherché si l'efficacité de l'amplification PCR était affectée par les acides humiques et l'ADN non cible. Lorsqu'on l'analyse par électrophorèse sur gel, l'intensité accrue des bandes des produits PCR, correspondant aux différentes quantités d'ADN cible, était conservée lorsque l'amplification était réalisée avec des solutions d'ADN auxquelles on avait ajouté des extraits de sol traités à la DNase, contenant des acides humides à des concentrations allant jusqu'à 8ng dans le mélange PCR d'un volume de 50 l.
Avec 20 ng d'acide humique dans le mélange PCR, les bandes correspondant aux faibles niveaux d'ADN cible ont disparu, et à des concentrations d'acide humique de 80 ng et à des concentrations supérieures, aucune bande n'était visible .
Les quantités variées d'ADN cible de S.fragile ont permis de fournir les quantités attendues de produit PCR lorsque, avant amplification, l'ADN de S. fragile a été mélangé avec de l'ADN de Streptomyces hygroscopicus et ajouté au mélange PCR de 50 l dans une gamme de 100 pg à 1 g afin de simuler l'ADN non-cible libéré à partir de la microflore du sol.
2. 9 QUANTIFICATION DES ACTINOMYCETES INDIGENE DU SOL APRES DIFFERENTS TRAITEMENTS DE LYSE : Ona appliqué le protocole de purification D suivi d'une amplification par PCR comme décrit ci-dessus afin de quantifier les actinomycètes appartenant au genre Streptosporangium dans le sol n 3 après extraction conformément aux protocoles n 1, 2,3, 5a et 5b (figure 5).
Après broyage, (protocole n 2) la quantité d'ADN cible provenant de cet actinomycète a été estimée par hybridation (Dot Blot) et radioimagerie comme étant de 2,5 +/- 1,3 ng/g de poids de sol sec.
Si l'on postule que le contenu en ADN est de 10 fg par cellule, comme pour Streptomyces (Gladek et al. 1984), cette valeur correspond à approximativement 2,5 x 105 génomes. Des valeurs similaires ont été obtenues après les autres traitements de lyse (respectivement 2,6 +/-1,1 et 1,8 +/- 1,3 ng d'ADN/g de sol sec en utilisant respectivement les protocoles 3 et 4b).
2. 10 EFFICACITE DE LA RECUPARATION D'ADN A PARTIR DE SOLS PREALABLEMENT INOCULES AVEC DES BACTERIES: Trois sols (n 2, 3 et 5) ont été inoculés avec des spores ou des hyphae de Streptomyces lividans à différentes concentrations (voir section Matériel et Méthodes).
Les quantités de mycélium ajoutées au sol (figure 6b) correspondent au nombre de spores inoculées dans le milieu de germination. Approximativement 50% de ces spores ont germé. Le nombre exact de cellules dans les hyphae des spores germinées n'a pas été déterminé. En conséquence, les quantités de spores et de mycélium ensemencées dans les sols ne sont pas directement comparables.
Pour chaque échantillon de sol, le protocole d'extraction n 6, la méthode de purification D, et l'amplification PCR combinée avec l'hybridation sur tache (Dot Blot) et l'imagerie par phosphorescence (phospho-imaging) ont été utilisés pour dénombrer les ADNs cibles spécifiques qui avaient été libérés. L'ADN extrait peut être clairement distingué du bruit de fond seulement lorsque le nombre de spores ajoutées dépasse 105 pour les sols n 3 et n 5 et 107 pour le sol n 2 (figure 6a).
Lorsque le mycélium est ajouté, l'ADN extrait peut être détecté au-delà d'une quantité correspondant à 103 spores/g de sol pour les sols n 2 et n 3, et au-delà de 107 spores/g pour le sol n 5 (figure b).
Au-dessus du niveau de détection, le signal d'hybridation augmente avec des quantités croissantes des cellules inoculées.
Pour l'inoculum de spores, une augmentation de 100 fois dans le nombre de cellules ensemencées conduit à une augmentation de presque 100 du rendement d'ADN. Cette augmentation est clairement inférieure lorsque les hyphae sont inoculées, particulièrement dans les sols n 2 et n 3 (figure 6).
Au contraire, les résultats obtenus lorsque l'ADN de phage lambda a été utilisé comme inoculum, l'ADN a également été récupéré à partir du sol riche en argile (n 5) lorsque les cellules bactériennes ont été utilisées comme inoculum. Cependant, pour ce dernier aussi, le traitement par l'ARN a augmenté la récupération d'ADN de Streptomyces à partir de ce sol à la fois pour les spores et le mycélium (figure 6).
Les polymérisations utilisées dans la préparation du polymère caoutchouteux sont habituellement amorcées en ajoutant un initiateur organolithié à un milieu de
polymérisation organique qui contient les monomères. Ces polymérisations sont habituellement conduites en utilisant des techniques de polymérisation continue. Dans ces polymérisations continues, les monomères et l'initiateur sont ajoutés en continu au milieu organique de polymérisation, le polymère caoutchouteux synthétisé étant évacué en continu. Ces polymérisations sont habituellement conduites dans un système de réacteurs multiples.