INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au dixième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend un circuit de commande qui est placé sur le substrat de dissipation et qui effectue une commande d'attaque des éléments à semiconducteur, et par conséquent le circuit de commande est placé au voisinage des éléments à semiconducteur, de façon que l'aire d'une boucle de fil de commande formée entre le circuit de commande et les éléments à semiconducteur puisse être réduite en comparaison avec le cas dans lequel le circuit de commande est placé à l'extérieur du dispositif à semiconducteur, et même dans le cas où un niveau élevé de bruit électromagnétique apparaît, par exemple dans un élément de commutation pour un courant fort, il est possible d'empêcher l'apparition d'une fluctuation de tension dans le signal de commande.
onzième aspect de la présente invention, le circuit de commande est recouvert par une résine dont la viscosité est inférieure à celle de la résine de moulage du boîtier en résine, et par conséquent, même un circuit de commande dans la condition d'une puce de semiconducteur qui n'est pas montée en boîtier, peut être protégé contre la pression de la résine de moulage au moment de la formation du boîtier en résine.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au douzième aspect de la présente invention, la surface inférieure du substrat de dissipation est à nu à la surface inférieure du boîtier en résine, et une couche isolante est formée de façon à, au moins, recouvrir complètement la surface inférieure du substrat de dissipation, et par conséquent aucun vide n'apparaît à l'intérieur de la résine de moulage, ce qui peut éventuellement se produire dans une structure dans laquelle le substrat de dissipation est enterré dans le boîtier en résine, et par conséquent la productivité est améliorée.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au treizième aspect de la présente invention, la couche isolante est formée par un matériau isolant sous une forme de feuille qui est fixé sur la surface inférieure du boîtier en résine, et par conséquent la formation est simple et son épaisseur peut être uniformisée.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au quatorzième aspect de la présente invention, la surface inférieure du boîtier en résine comporte une région de marche qui est en retrait et correspond à la région à nu de la surface inférieure du substrat de dissipation, et la profondeur de la région de marche est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante, et par conséquent, par exemple, au moment auquel le dispositif à semiconducteur est fixé sur un radiateur, ils sont fixés avec une vis, ou un élément semblable, jusqu'à ce que le boîtier en résine autour de la région de marche touche complètement le radiateur, et de cette manière la couche isolante est compressée de façon que son épaisseur devienne égale à la profondeur de la région de marche. Ainsi, la profondeur de la région de marche est fixée à une valeur égale à l'épaisseur minimale de la couche isolante pour garantir l'isolation, et la vis est serrée jusqu'à ce que le boîtier en résine touche complètement le radiateur, et de cette manière, il est possible d'empêcher que la couche isolante de-
vienne plus mince que l'épaisseur minimale à cause d'un défaut d'uniformité de serrage et, en plus, il devient inutile d'inclure une marge supplémentaire sur l'épaisseur de la couche isolante, et par conséquent la dissipation peut être accrue.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au quinzième aspect de la présente invention, la surface inférieure du boîtier en résine comporte une multiplicité de parties en saillie qui sont placées de façon à entourer la région à nu de la surface inférieure du substrat de rayonnement, et la hauteur des parties en saillie est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante, et par conséquent, par exemple, au moment auquel le dispositif à semiconducteur est fixé sur un radiateur, ils sont fixés avec une vis, ou un élément semblable, jusqu'à ce que les parties en saillie touchent complètement le radiateur et, de cette manière, la couche isolante est compressée de façon que son épaisseur puisse être rendue égale à la hauteur des parties en saillie, et il en résulte qu'il est possible d'empêcher que la couche isolante devienne plus mince que l'épaisseur minimale à cause du défaut d'uniformité du serrage et, de plus, il devient inutile d'inclure une marge supérieure à ce qui est nécessaire, sur l'épaisseur de la couche isolante, de façon à permettre d'augmenter la dissipation.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au seizième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend en outre une plaque de dissipation qui est en contact intime avec la couche isolante et dont l'étendue est plus grande que celle de la couche isolante, et par conséquent, par exemple, au moment auquel le dispositif à semiconducteur est fixé sur un radiateur, l'étendue de contact avec le radiateur augmente et la dissipation peut être augmentée.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au dix-septième aspect de la présente invention, en donnant une faible dimension aux intervalles entre la multiplicité de substrats de dissipation, il est possible de diminuer l'aire du dispositif en comparaison avec le cas dans lequel une multiplicité de dispositifs à semiconducteur indépendants sont combinés, ce qui permet la miniaturisation, la réduction de poids et la réduction de coût.
En particulier, alors que, de même que dans le cas de la figure 2b, l'étape A d'acquisition d'un fichier descriptif de la source de signalisation SS est réalisé en deux étapes Al et A2, l'étape Al peut consister avantageusement en la simple réception d'un message électronique désigné par e-mail, ce message électronique comportant un fichier attaché à ce dernier en pièce jointe. Ce fichier constitue le fichier tel qu'un fichier SDP par exemple, lequel est alors mémorisé dans le terminal T.
On comprend, dans ces conditions, que le retrait de l'information sur un canal de diffusion de signalisation est réalisé de la manière la plus simple, puisque cette opération consiste en la mémorisation du fichier SDP précité.
Bien entendu le fichier SDP dans tous les cas de mise en oeuvre soit selon la figure 2b, soit selon la figure 2c de l'étape d'acquisition du fichier SDP descriptif de la source de signalisation SS, comporte un protocole de mise en réception de la source de signalisation SS support des informations de mise en réception de la source audiovisuelle SAV.
Enfin l'étape C consistant à recevoir sur le terminal T au moins un flux de données numériques support du programme audiovisuel PG peut comporter une étape de
lancement d'une requête de flux de donnés numériques support de ce programme audiovisuel et une étape de réception proprement dite du flux de données numériques support du programme audiovisuel PG précité.
En outre, et conformément au processus de diffusion"MULTICAST", on indique que les étapes de lancement d'une requête respectivement de réception du flux de données numériques support du programme audiovisuel PG peuvent être répétées pour l'obtention d'un signal audiovisuel complet ou de meilleure qualité.
Une description plus détaillée d'un système de diffusion de programme audiovisuel à partir d'un serveur audiovisuel vers un ensemble de terminaux et en particulier d'un terminal T interconnecté par l'intermédiaire du réseau INTERNET conforme à l'objet de la présente invention et permettant la mise en oeuvre du protocole objet de l'invention précédemment décrit sera maintenant donnée en liaison avec la figure 3.
Sur la figure 3 on a représenté le terminal T interconnecté par le réseau INTERNET, d'une part à un site WEB de serveur audiovisuel tel qu'un site de chaîne de télédiffusion de programmes sur le réseau INTERNET, Le terminal T étant d'autre part, interconnecté bien entendu par l'intermédiaire du réseau INTERNET au même serveur audiovisuel, c'est-à-dire à la source de signalisation SS et à la source audiovisuel le SAV.
En outre, et de manière non limitative on indique que le terminal T est bien entendu adapté et susceptible de recevoir des messages de courrier électronique comme tout terminal normalement disponible dans le commerce.
Sur la figure 3, les lignes dessinées en pointillés à destination du terminal T représentent des flux diffusés sur le réseau INTERNET en diffusion dite "MULTICAST". En particulier seules les lignes en pointillés dont la pointe de flèche arrive dans le terminal correspondent à des flux reçus par le terminal T, les autres représentant des flux de données numériques qui n'arrivent pas au terminal de manière connue en tant que telle dans la diffusion MULTICAST.
En particulier, les flux diffusés en mode MULTICAST n'arrivent au terminal T que si le terminal en a fait la demande par une commande IGMP.
La description du système objet de la présente invention sera maintenant donnée en liaison avec la figure 3 dans le cas où le protocole objet de la présente invention mis en oeuvre correspond sensiblement au mode de mise en oeuvre de la figure 2a ou de la figure 2b.
Sur la figure 3 précitée on indique que : - la flèche 1 représente une requête ou demande de page HTML envoyée par le terminal l au site WEB du serveur audiovisuel ; - la flèche 2 représente la réception de la page HTML requise par le terminal 1 ; - la flèche 3 représente une requête ou demande de fichier SDP envoyée du terminal T au site WEB précité et - la flèche 4 représente la réception du fichier SDP par le terminal 1 à partir du site WEB précité.
Enfin de manière non limitative, les opérations précédentes représentant l'étape A et en particulier les étapes Al et A2 de la figure 2b de mise en oeuvre du
protocole objet de la présente invention, on indique également que la flèche 4 représentée sur la figure 3 et désignée e-mail représente la mise en oeuvre de l'étape Al et de l'étape A2 de la figure 2b lors de la réception d'un fichier joint constitutif du fichier SDP.
Pour cette raison et par analogie avec le cas de la figure 2b les flèches e-mail et SDP référencées sur la figure 3 portent toutes les deux la référence 4, puisque ces opérations permettent l'acquisition d'un fichier SDP.
scie fait environ 200 um à 300 um de large ; il n'est pas représenté sur la figure 13.
L'opération de sciage peut par exemple débuter par une séparation de bandes 178 de doublesphasars 176 selon les traits pointillés 180 puis se poursuivre par un assemblage des bandes ainsi séparées et un redécoupage de celles-ci pour isoler les motifs de double phasars 176. Les phasars peuvent être ensuite à nouveau assemblés et sciés suivant leur ligne médiane (non représentée).
L'avantage économique de ce schéma de phasar replié tient à ce que la surface du composant est divisée par deux par rapport à un schéma traditionnel en transmission. Le nombre de composants phasars fabriqués par tranche est donc multiplié au moins par deux et le coût d'un phasar individuel est divisé au moins par deux.
De plus, les opérations de polissage qui suivent l'opération de sciage peuvent être réalisées simultanément sur un très grand nombre de substrats, ce qui permet encore de réduire le coût. Il en est de même pour l'opération de formation d'un dépôt réfléchissant mentionnée plus haut dans la description des figures 4 et 5.
On peut encore former des repères de clivage m comme on l'a vu plus haut, pour définir les divers traits de clivage dont on a besoin, en particulier les traits de clivage 180.
PROCÉDÉ D'ILLUMINATION D'UNE COUCHE D'UNE MATIÈRE, EN PARTICULIER D'UNE RÉSINE PHOTOSENSIBLE La présente invention concerne le domaine de la photolithographie mise en oeuvre en particulier dans le domaine de la fabrication des circuits intégrés.
Dans l'industrie des semi-conducteurs, on cherche continuellement à réduire la taille des composants élémentaires des circuits intégrés fabriqués en grand nombre sur des plaquettes, afin d'obtenir des circuits intégrés de plus en plus performants et de plus en plus petits.
Lors de la fabrication de circuits intégrés sur des plaquettes, il est courant de mettre en oeuvre des étapes de photo-lithographie qui consistent à réaliser une exposition à la lumière d'une couche de résine photo-sensible telle qu'après une attaque des parties insolées apparaissent des motifs tridimensionnels dans la couche de résine.
C'est le cas en particulier lorsqu'il s'agit de réaliser des trous de contact permettant des interconnexions électriques entre les différentes couches des circuits intégrés.
En ce qui concerne cette étape de photo-lithographie, une amélioration des performances est générée par une diminution de la résolution des motifs exposés qui, traditionnellement, passe par une diminution de la longueur d'onde de la lumière d'exposition.
Lorsqu'il s'agit de réaliser un trou dans une couche de résine photo-sensible, il est courant d'effectuer une exposition ou illumination unique au travers d'un masque présentant un trou unique au travers duquel passe la dose de lumière nécessaire pour permettre une attaque ultérieure de la couche de résine. Il a aussi été proposé d'effectuer une exposition unique au travers d'un masque présentant un trou central et des trous périphériques, la dose de lumière nécessaire pour permettre une attaque ultérieure de la couche de résine passant uniquement au travers du trou central.
Par ailleurs, il est connu d'effectuer une illumination multidirectionnelle du masque ou d'utiliser une illumination quadripolaire ou annulaire du masque grâce à un obstacle central placé entre la source de lumière et ce masque.
Il a pu être observé que les moyens ci-dessus décrits présentent des limites lorsqu'il s'agit de réaliser en particulier des trous isolés dans une couche de résine photo-sensible présentant des dimensions allant en se réduisant.
Le but de la présente invention est de proposer un procédé d'illumination d'une couche d'une matière, en particulier d'une résine photosensible, à partir d'une source de lumière en vue d'exposer une zone de cette matière à une dose utile de lumière permettant de réaliser ultérieurement une attaque de cette matière dans cette zone, permettant d'améliorer et d'augmenter les performances de cette opération d'insolation de la matière dans ladite zone, notamment pour la réalisation ultérieure de trous de très petites dimensions dans la couche de résine.
Selon l'invention, ce procédé consiste : à placer entre la source de lumière et la couche de matière un premier masque présentant un motif composé d'un trou central et de trous placés à la périphérie de ce trou central ; à effectuer une première exposition au travers dudit motif dudit premier masque sous une première dose de lumière inférieure à ladite dose utile ; à placer entre la source de lumière et la couche de matière un second masque présentant un motif composé d'un trou unique, en disposant ce second masque dans une position telle que son trou unique corresponde au trou central du premier masque ; et à effectuer une seconde exposition au travers dudit motif dudit second masque sous une seconde dose de lumière telle que le cumul de ladite première dose induite au travers du trou central du premier masque et de cette seconde dose induite au travers du trou unique dudit second masque permette d'obtenir au moins ladite dose utile sur ladite zone.
Selon l'invention, le procédé peut avantageusement consister à effectuer la seconde exposition sous une seconde dose de lumière inférieure à ladite dose utile.
En référence à la figure 3, on rappelle que les opérations B et C d'acquisition d'un canal de signalisation SC puis d'acquisition sur le terminal T d'un programme diffusé PG à partir du canal de signalisation SC peuvent être mises en oeuvre soit de manière non différée suite à l'acquisition du fichier SDP, soit au contraire de manière différée.
Dans les deux cas et en référence à la figure 3 les flèches successives représentent : - la flèche 5 : une demande de réception de flux MULTICAST envoyée par le terminal 1 vers la source de signalisation SS ; - la flèche 6 : la réception du canal de signalisation SC diffusée par exemple en MULTICAST et pour cette raison représentée par une ligne pointillée dans la pointe de flèche atteint le terminal T ; - la flèche 5 : demande de réception de flux MULTICAST adressée à la source audiovisuelle SAV ; - la flèche 7 : réception d'un flux de la source audiovisuelle diffusée en MULTICAST, c'est-à-dire des données de programmes audiovisuels PG.
Sur la figure 3, on distingue deux phases de mise en oeuvre du système objet de la présente invention selon le protocole décrit en liaison avec les figures 2a à 2c. Ces deux phases pouvant être très éloignées dans le temps l'une de l'autre ou enchaînées, phase d'acquisition, dite phase 1, de la structure de données SDP et phase de mise en réception dite phase 2, de la source audiovisuelle.
Différentes indications seront maintenant données relativement à l'exécution des phases 1 et phase 2 respectivement : - phase 1 : acquisition de la structure de données SDP : - dans la première phase dite phase 1, l'utilisateur se connecte au site WEB précité grâce à l'utilisation d'un navigateur en fournissant l'adresse URL du site. Le site WEB correspondant au site de la chaîne diffusant le programme PG. L'adresse URL est une adresse classique telle que par exemple : http : //wwww. SOURCE. FR/.
Le terminal T reçoit en retour une page HTML. Cette page peut pointer sur d'autres pages ou permettre de faire des recherches sur des émissions de programmes et des chaînes diffusées.
Lorsque l'utilisateur choisit une émission ou une chaîne de télévision par l'intermédiaire d'une flèche 3 il reçoit en retour une structure de données SDP par la flèche 4, laquelle lui fournit toutes les informations pour se connecter soit immédiatement, soit en différé sur le canal de signalisation diffusé associé à la source qu'il a sélectionnée. Le fichier SDP est alors mémorisé dans la mémoire de masse du terminal T.
De la même façon, ainsi que représenté sur la figure 3, le fichier SDP précité peut également parvenir
au terminal T comme fichier joint à un message électronique transmis par un interlocuteur qui recommande à l'utilisateur du terminal de consulter ou de visualiser telle chaîne ou tel programme PG.
Toutefois, dans le cas où la source audiovisuelle fonctionne par exemple sur un mode dit"à paiement à la demande"ou"pay per view"en langage anglo-saxon l'utilisateur doit par ailleurs acquérir les droits de visualisation de la chaîne ou des programmes PG qu'il requiert.
Phase 2 : mise en réception de la source audiovisuelle diffusée.
La phase 2 commence immédiatement si l'utilisateur a choisi de regarder le programme PG immédiatement et se répète ensuite chaque fois que cet utilisateur souhaite regarder ce programme.
La phase 2 peut au contraire commencer beaucoup plus tard, dans le cas où l'utilisateur a choisi une émission particulière programmée dans les jours qui vont suivre le moment où la récupération du fichier SDP a été effectuée. C'est en particulier le cas d'un magnétoscope programmé pour enregistrer une émission en l'absence de l'utilisateur.
Au moment opportun, c'est-à-dire sur déclenchement du magnétoscope programmé précité le terminal T analyse la structure de données SDP correspondante à la chaîne ou au programme PG sélectionné pour extraire les informations nécessaires à la réception telles que l'adresse MULTICAST, l'adresse de la source de signalisation SS ou analogue. Ces informations sont les informations utiles afin d'assurer la mise en réception du canal de signalisation
diffusé SC correspondant à la source audiovisuelle par l'intermédiaire d'une commande IGMP"join group".
Dans ce cas le canal de signalisation flèche 6 reçoit toutes les informations de description du mode de diffusion de la source audiovisuelle et le terminal T peut alors se mettre en réception immédiate dans une des configurations utilisées par la source en diffusion compte tenu de la compatibilité nécessaire avec les capacités du récepteur, en termes de débit d'accès de protocole de réception et de décodage. On indique que un ou plusieurs flux complémentaires peuvent être émis par la source conformément au mode d'émission MULTICAST.
Dans ce but, le récepteur, par l'intermédiaire du terminal T, se met en réception d'autant de canaux diffusés par la source audiovisuelle SAV par autant de commandes IGMP"join group 5"qu'il y a de flux de programme PG dans la configuration de réception retenue par le terminal T.
où pmi désigne le facteur d'atténuation du ieme trajet. Sachant que urnko correspond aux N premières composantes de umk on en déduit que : L'expression (55) peut s'écrire matriciellement de la façon suivante :
Connaissant la matrice Am des vecteurs directeurs des multi-trajets ainsi que la matrice Um0 des vecteurs identifiés, on en déduit le vecteur sm(t) en fonction du vecteur #'m (t) issus de la séparation de sources spatio-temporelle tel que :
Sachant que la il composante de s m (t) vérifie Sm(t)(i)=pnn srn(t-'tm) on maximise le critère suivant pour estimer le retard 8'tml='trnl - 'tml du ième trajet par rapport au lier trajet.
Le procédé exécute alors l'algorithme d'estimation des ##mi pour l #Etape n 1 : Construction de Am=[ a(6m1).... a(6",pm) à partir des incidences 0mi.
# Etape n 2 : Calcul du signal sm(t) à partir de l'expression (57).
# Etape n 3 : Pour chaque trajet effectuer les opérations suivantes.
# Calcul du critère Cri i(##) de l'expression (58).
#Maximisation du critère Cri i(8ï) pour obtenir 8Tmi=mi - xmi.
A la différence de la première méthode exposée ci-dessus, on utilise ici les K sorties vink et S'mk (t) (1<k<K) de la séparation de sources spatio-temporelle. De plus on utilise que les N 1 ière composantes de Un , soit le vecteur umk0 (N nombre d'antennes).
Exemple de Simulation Dans cet exemple on simule le cas de M=2 émetteurs où l'un des émetteurs est composé de deux trajets. Les deux émetteurs ont les caractéristiques suivantes en incidences , retards et trajets : # lier émetteur (m=l) : composé de P1=2 trajets tel que 811=60 012=75' et le retard Xi2=0 't12=2 échantillons QPSK NRZ à 10 échantillons par symboles. #2'eme émetteur (m=2) : composé de Pi=2 trajets tel que 621=150 et le retard #21=0
La figure 8 représente les pseudo-spectres de MUSIC sur les matrices Ri,(courbe I) et R2i (courbe II) associées respectivement au premier et au second émetteur. Les maximas de ces pseudo-spectres permettent de déterminer les incidence #mp des multi-trajets de ces émetteurs.
comme adjuvant de compositions injectables.
L'invention concerne l'utilisation d'un extrait de Liane Uncaria Tomentosa
comme principe actif lipolytique ou amincissant.
La présente invention concerne essentiellement l'utilisation d'un extrait de Liane Uncaria Tomentosa comme principe actif lipolytique ou amincissant dans le s domaine cosmétique ou pharmaceutique, notamment pour réaliser des soins amincissants, pour augmenter la micro circulation sanguine, pour améliorer
l'aspect de la peau et notamment pour atténuer l'aspect "peau d'orange".
est actionné dans un mode de commutation, devient plus faible, en proportion de l'inductance, et il en résulte que les pertes de commutation deviennent faibles. Par conséquent, la chaleur dégagée par l'élément du type IGBT 1 devient faible et la plage de fonctionnement devient étendue en ce qui concerne la conception thermique, même lorsque l'aire du répartiteur de chaleur 25 est diminuée. Par conséquent, il est possible de parvenir à une miniaturisation du dispositif entier, et la surtension transitoire est diminuée, ce qui fait que la tenue en tension peut être abaissée et le coût du dispositif est réduit.
De plus, du fait que la partie de connexion de la plaque d'électrode de connexion externe 8 pour la connexion à un conducteur externe est placée sur la surface supérieure du boîtier en résine 23, la distance d'isolation à partir du radiateur jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 8 est aisément obtenue, ce qui fait qu'on peut avoir un dispositif à semiconducteur dont les caractéristiques de tenue en tension sont excellentes. On décrira ces caractéristiques en se référant à la figure 4.