INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le compartiment supérieur 3a de la gaine d'air principale 3 comprend dans sa paroi supérieure une ouverture principale d'admission d'air 6 qui est raccordée à la sortie d'un ventilateur 7. Pour l'alimentation en air du compartiment inférieur 3b de la gaine principale 3, des ouvertures d'admission secondaires 8, 9 et 10 sont prévues dans la tôle de séparation longitudinale 4. La première ouverture d'admission secondaire 8 est prévue en aval de la tôle de fermeture amont 5a, et de préférence à proximité de cette tôle de fermeture. Les deuxième 9 et troisième 10 ouvertures d'admission secondaires sont prévues en aval de la première ouverture 8, et de préférence, tel que cela est illustré sur la figure 1, mais de manière non limitative selon l'invention, de part et d'autre de l'ouverture d'admission principale 6 du compartiment supérieur 3a.
Au niveau des ouvertures d'admission secondaire 8, 9 et 10, sont en outre prévues des soupapes de fermeture Spx-3, Spx-2 et -1 actionnables au moyen d'un vérin pneumatique ou électrique 1 . En fonction de la position haute ou basse de la soupape, l'ouverture d'admission secondaire associée est ouverte ou fermée (figure 3). Immédiatement en amont de chaque ouverture secondaire 8, 9 et 10 sont en outre prévues des parois latérales de séparation référencées respectivement 8a, 9a, 10a et divisant le compartiment inférieur 3b en trois sous-compartiments longitudinaux C1, C2, C3.
Dans l'exemple particulier de réalisation illustré (figure 3), la paroi inférieure du compartiment 3b de la gaine d'air principale 3 forme en partie centrale un décrochement 12, qui délimite un canal de soufflage 13. Dans les parois latérales longitudinales 12a de ce décrochement sont prévues des fentes (ou ouïes) de soufflage 14 qui permettent mettre en communication le canal de soufflage 13 avec l'interieur du compartiment inférieur 3b. Ces fentes de soufflage sont prevues sur sensiblement toute la longueur du compartiment inférieur longitudinal 3b, c'est-à-dire sur sensiblement toute la longueur du tronçon 2. Elles sont réalisées de telle sorte, que l'air sous pression à l'intérieur compartiment inférieur 3b s'échappe par les fentes 14 sous la forme jets d'air transport (J) orientés en direction des bouteilles vers l'aval la ligne, est-à-dire dans le sens de transport (SDT) des bouteilles.
Le générateur 192 des valeurs de commande des phases reçoit une information représentant les conditions de commande du moteur à courant alternatif triphasé 109. Le générateur 192 des valeurs de commande des phases ajoute une grandeur d'avance ou une grandeur de retard la phase détectée 0 du rotor en réponse aux conditions de commande du moteur, ce qui modifie la phase détectée 0 du rotor en fournissant une valeur de commande de phase 0*. Le générateur 192 des valeurs de commande de phase informe le générateur 110 des valeurs de commande et le convertisseur 122 des valeurs de commande de la valeur de commande de la phase 0* on notera que la valeur 0* de commande de la phase, qui est indiquée au générateur 110 des valeurs de commande et au convertisseur 122 des valeurs de commande, peut être remplacée par la phase détectée 0 du rotor.
Le générateur 110 des valeurs de commande est formé par exemple par un dispositif DSP (processeur de signaux numériques) ou par un dispositif similaire qui fonctionne conformément à un programme mémorisé dans sa mémoire interne. Le programme est conçu de manière à permettre au générateur 110 des valeurs de commande de mettre en oeuvre des processus mentionnés plus loin. Le générateur 110 des valeurs de commande détermine une valeur de commande de tension de base U* pour la phase U, une valeur de commande de tension de base V* pour la phase V et une valeur de commande de tension de base W* pour la phase W en réponse la valeur 0* de commande de la phase. Le générateur 110 des valeurs de commande signale au convertisseur 122 des valeurs de commande les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W*.
De façon spécifique, le générateur 110 des valeurs de commande rend la phase de la valeur de commande de tension de base U* égale à la phase de la valeur de commande de phase 6*. Le générateur 110 des valeurs de commande retarde la phase de la valeur de commande de tension de base V* par rapport à la phase de la valeur de commande de tension de base de U*, et ce de 2n/3. Le générateur 110 des valeurs de commande avance la phase de la valeur de commande de tension de base W* de 2n/3 à partir de la phase de la valeur de commande de tension de base U*.
De préférence les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* sont reliées à la valeur de commande de phase 0* par les relations suivantes: U* = Va. sin (0 *) V* = Va.sin(0* - 2n/3) W* = Va.sin(0* + 2n/3) Va désignant un paramètre pour modifier les niveaux d'amplitude des valeurs de commande de tension de base U*, V* et W*.
Le générateur de formes d'ondes MIW 121 est similaire au générateur de formes d'ondes MIW 22 sur les figures 12 et 13. Le générateur de formes d'ondes MIW 121 envoie des premier et second signaux d'horloge 2ckl et 2ck2 au convertisseur 122 des valeurs de commande.
Comme cela est représenté sur la figure 35, la période du premier signal d'horloge 2ckl est égale au double de la période d'une onde porteuse triangulaire dans le générateur de formes d'ondes MID 121. L'état logique du premier signal d'horloge 2ckl varie chaque fois que l'onde porteuse tombe à -1 (le minimum). Le second signal d'horloge 2ck2 présente un retard de phase de 90 par rapport au premier signal d'horloge 2ck1.
Le convertisseur 122 des valeurs de commande est formé par exemple par un dispositif DSP ou un dispositif similaire qui fonctionne conformément un programme mémorisé dans la mémoire ROM interne. Le programme est conçu de manière à permettre au convertisseur 122 des valeurs de commande d'exécuter des processus mentionnés plus loin. Le convertisseur 122 des valeurs de commande produit une valeur de commande de tension finale U** pour la phase U, une valeur de commande de tension finale V** pour la phase V et une valeur de commande de tension finale W** pour la phase W en réponse aux valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* et à la valeur de commande de phase 0*. Le convertisseur 122 des valeurs de commande signale au générateur 121 de formes d'ondes MID les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W**.
Le générateur 121 des formes d'ondes MID produit signaux de commande de base G1' , G2' , G3' , G4' , G5' et G6' en réponse aux valeurs de commande de tension finales U**, V** et W**. Le générateur de formes d'ondes MID 121 délivre les signaux de commande de base G1'-G6' à l'étage d'attaque 115.
L'étage d'attaque 115 inclut des optocoupleurs servant à produire des signaux de commande finals G1, G2, G3, G4, G5 et G6 en réponse aux signaux de commande de base G1', G2', G3', G4', G5' et G6'. L'étage d'attaque 115 envoie les signaux de commande finals Gl, G2, G3, G4, G5 et G6 respectivement aux grilles des transistors IGBT 101, 102, 103, 104, 105 et 106.
La relation de base entre la valeur de commande de tension finale U**, les états des transistors IGBT 101 et 102 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 109 est la suivante. La branche de la phase U dans le circuit principal formant onduleur 107 comporte les transistors IGBT 101 et 102. Lorsque la valeur de commande de tension finale U** est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 101 est dans son état conducteur et le transistor IGBT 102 est dans son état bloqué de sorte que la tension sur le côté positif de la batterie 108 est transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 109. D'autre part, lorsque la valeur de commande de tension finale U** est inférieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 101 est dans son état bloqué et le transistor IGBT 102 est dans son état conducteur de sorte que la tension sur le côté négatif de la batterie 108 est transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 109. Par conséquent pendant chaque période de l'onde porteuse, la tension sur le côté positif de la batterie 108 continue à être transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 109 uniquement pendant un intervalle de temps proportionnel à la valeur de commande de tension finale U**.
La relation de base entre la valeur de commande de tension finale V**, les états des transistors IGBT 103 et 104 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 109 est similaire à la relation de base indiquée précédemment pour la phase U. En outre la relation de base entre la valeur de commande de tension finale W**, les états des transistors IGBT 105 et 106 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 109 est similaire à la relation de base indiquée précédemment pour la phase U. Par conséquent la tension sur le côté positif de la batterie 108 et la tension sur le côté négatif de la batterie sont transmises sélectivement aux enroulements de la phase V et de la phase W du moteur à courant alternatif triphasé 109 en réponse aux valeurs de commande de tension finales V** et W**.
Chacune des valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* et des valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** est une variable comprise entre -1 et +1. Dans le cas où chacune des valeurs de commande de tension U*, V*, W*, U**, V** et W** est représentée par l'élément de données à 8 bits, 256 valeurs de tension également espacées sont réglées dans la gamme comprise entre -1 et +1. Les 256 états différents de l'élément de données à 8 bits, c'est-à-dire les 256 nombres différents (0-255) qui peuvent être représentés par l'élément de données à 8 bits, sont affectés aux 256 valeurs de tension respectives dans un ordre régulier. Le nombre à 8 bits "0" correspond à la valeur de tension 11-1". Le nombre à 8 bits "255" correspond à la valeur de tension 11+1". Le nombre à 8 bits "127" correspond à la valeur de tension "0".
Lorsque la valeur de commande de tension finale U** est égale à -1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase U est 0 % et également le taux d'impulsions de ce signal est 0 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 101 et 102 pour la phase U n'exécutent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension finales U** est égale à +l, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase U est égal à 100 % et également le taux d'impulsions de ce signal est égal à 100 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 101 et 102 pour la phase U n'exécutent aucune commutation.
Lorsque la valeur de commande de tension finale V** est égale à -1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase V est 0 % et de même le taux d'impulsions de ce signal est égal à 0 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 103 et 104 pour la phase V n'exécutent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension finale V** est égale à +1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase V est égal à 100 % et également le taux d'impulsions de ce signal est égal à 100 %. Par conséquent, dans ce cas, les transistors IGBT 103 et 104 pour la phase V ne réalisent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension finale W** est égale à -1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase W est égal à 0 % et également le taux d'impulsions de ce signal est égal à 0 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 105 et 106 pour la phase W ne réalisent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension W** est égale à +1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase W est 100 % et également le taux d'impulsions de ce signal est égal 100 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 105 et 106 pour la phase W ne réalisent aucune commutation.
Les figures 36-42 représentent un organigramme d'un programme pour le convertisseur 122 des valeurs de commande. En référence aux figures 36-42, un premier pas 2A1 du programme détermine ou lit les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* et la valeur de commande de phase 0*. Un pas 2A2, qui intervient à la suite du pas 2A1, détermine si la valeur de commande de phase 0* est située ou non entre un angle électrique "n/6 - @" et un angle électrique "n/6 + Q11. En d'autres termes le pas 2A2 déter mine si la valeur de commande de phase q* est située ou non dans une plage prédéterminée d'angles électriques @ centrée sur n/6. Ici "@" désigne une valeur prédéterminée de phase de référence. Lorsque la valeur de commande de phase 0* est comprise entre l'angle électrique "n/6 - @" et l'angle electrique "n/6 + @", le programme avance du pas 2A2 à un pas 2A10. Sinon le programme avance du pas 2A2 à un pas 2A3.
Le pas 2A3 détermine si la valeur de commande de phase 0* comprise ou non entre un angle électrique "n/2 - @" et un angle électrique "n/2 + #'1. En d'autres termes le pas 2A2 détermine si la valeur de commande de phase 0* est située ou non dans une plage prédéterminée d'angles électriques +@ centrée sur n/2 (3n/6). Lorsque la valeur de commande de phase 6* est située entre l'angle électrique "n/2 - @" et l'angle électrique "7z/2 + @", le programme avance du pas 2A2 à un pas 2A17. Sinon le programme avance du pas 2A3 à un pas 2A4.
P2, entre les bords supérieur et inférieur du miroir.
Les zones 10lg et 101ld, qui sont de préférence réalisées symétriquement par rapport au plan vertical médian x0z du miroir, sont des zones aptes à assurer un étalement horizontal déterminé de la lumière, tout en ne lui conférant sensiblement aucun étalement vertical. A cet effet, ces zones comportent chacune une pluralité de stries S1, en l'espèce au nombre de deux, dont les profils horizontaux sont propres à assurer l'étalement horizontal précité, tandis que leurs sections verticales sont par exemple empruntées à un paraboloïde de
révolution focalisé au centre de la source 20.
Par exemple, les profils horizontaux des stries S1, considérés dans le plan horizontal axial x0y, peuvent être choisis parmi: - des portions de paraboles focalisées à distance de la source 20, - des arcs de cercles, des portions d'ellipses focalisées ou non sur la source 20, ces profils étant choisis de manière à ce qu'ils engendrent chacun un étalement de la lumière supérieur à 10 à gauche et à droite. De préférence, l'étalement est sensiblement identique pour chacune des stries, de manière en particulier à ne pas provoquer de brusques changements dans la plage éclairante lorsque celle-ci est
observée de côté.
De la sorte, et comme illustré sur la figure 4 des dessins, ces zones 101g, 101d assurent une répartition de la lumière sensiblement dans la zone Z1 sur un écran de projection. On observe que les points de mesure normalisés P-10 et P+10 situés à 10 à gauche et à droite du centre de l'écran sont bien couverts par cette zone d'éclairement. La zone centrale 102 du miroir est quant à elle conçue pour assurer un étalement vertical déterminé de la lumière, tout en n'assurant sensiblement aucun étalement horizontal. Par exemple, cette zone 102 est constituée, dans sa partie supérieure 102h, par un morceau de paraboloide de révolution dont le foyer F est décalé par rapport à la source 20, en l'espèce vers l'avant, dans une mesure telle que cette région du miroir engendre une partie de faisceau dont l'inclinaison moyenne vers le haut est d'environ 5 , et qui est étalée par exemple de 2 de part et d'autre de cette valeur moyenne, pour ainsi obtenir une couverture angulaire d'environ 3 à 7 vers le haut (on notera que ces valeurs correspondent au cas d'une source théorique ponctuelle, et qu'en pratique, les dimensions de la source étant non nulles, l'intervalle
angulaire sera plus important).
La partie inférieure 102b de la zone 102 est conçue de préférence symétriquement de la zone 102h par rapport au plan horizontal médian x0y, pour engendrer une partie de faisceau d'inclinaison moyenne voisine de 5 vers le bas, avec le même étalement vertical autour de cette valeur. Dans l'écran de projection de la figure 4, les zones d'éclairement engendrées par les parties 102h et 102b de la zone 102 sont respectivement désignées par Z2h et Z2b. On observe que les points de mesure P+5 et P-5 situés à 5 au-dessus et au-dessous du centre de référence C de l'écran de projection. On observe également que, du fait de la défocalisation des surfaces réfléchissantes des parties 102h et 102b, ces zones assurent un étalement non nul, mais toutefois limité, en
direction horizontale.
Une seconde forme de réalisation de l'invention est illustrée sur les figures 5 et 6. le miroir 10 est ici encore divisé en deux zones latérales 101g, 101d et une
zone centrale 102.
Les zones latérales sont identiques à celles décrites en référence aux figures 1 à 3. La zone centrale 102 est quant à elle conçue différemment: ainsi la partie supérieure 102h de la zone 102 est ici constituée par un ensemble de stries horizontales S2h qui s'appuient sur une surface de base SBh (représentée en tiretés) constituée par un morceau de paraboloide de révolution focalisé essentiellement sur la source 20 et dont l'axe est basculé d'une valeur de préférence comprise entre 3 et 6 vers le bas (la section du paraboloide non basculé étant illustrée en pointillés), les stries étant réalisées en projetant sur cette surface de base des profils de stries dont les courbures (sections verticales) sont choisies de manière à assurer un
étalement vertical prédéterminé de la lumière.
Symétriquement, la partie inférieure 102b de la zone 102 possède des stries horizontales S2b réalisées en s'appuyant sur une surface de base SBb (en tiretés) constituée par un morceau de paraboloide de révolution focalisé essentiellement sur la source et dont l'axe est basculé de 3 à 6 vers le haut. On peut naturellement
envisager les basculements inverses.
Dans le présent exemple, comme illustré en détail sur la figure 6, on réalise dans les parties supérieure et inférieure de la zone 102 à chaque fois trois stries de hauteurs voisines, et dont les étalements réalisés en direction verticale sont de préférence voisins les uns
Pour remédier aux inconvénients des techniques de l'art antérieur, il a été mis au point selon l'invention deux procédés de préparation d'un vecteur recombinant de clonage et/ou d'expression qui ne nécessitent pas le recours à une endonucléase de restriction sur l'ADN à insérer préalablement à son introduction au sein du vecteur. De tels procédés sont en conséquence tout à fait adaptés au clonage de longs fragments d'ADN susceptibles de contenir, au moins partiellement, l'ensemble des séquences codantes et, le cas échéant, également des
séquences régulatrices, d'un opéron complet responsable d'une voie de biosynthèse.
Selon un premier aspect, un procédé de préparation d'un vecteur recombinant de clonage et/ou d'expression selon l'invention est caractérisé en ce que l'insertion d'un acide nucléique dans le vecteur de clonage et/ou d'expression, comprend les étapes suivantes: - ouvrir le vecteur de clonage et/ou d'expression à un site de clonage choisi, à l'aide d'une endonucléase de restriction appropriée; - ajouter un premier acide nucléique homopolymérique à l'extrémité 3' libre du vecteur ouvert; - ajouter un second acide nucléique homopolymérique, de séquence complémentaire au premier acide nucléique homopolymérique, à l'extrémité 3' libre de l'acide nucléique à insérer dans le vecteur ; - assembler l'acide nucléique du vecteur et l'acide nucléique par hybridation du premier et du second acide nucléique homopolymérique de séquences complémentaires l'une de l'autre; - refermer le vecteur par ligation.
Un tel procédé est décrit aux exemples 10 et 13 ci-après.
De manière avantageuse, le procédé ci-dessus peut comporter les caractéristiques suivantes, isolément ou en combinaison: - le premier acide nucléique homopolymérique est de séquence poly(A) ou poly(T); - le second acide nucléique homopolymérique est de séquence poly(T) ou poly(A).
De manière tout à fait préférée, les acides nucléiques homopolymériques ont une longueur comprise entre 25 et 100 bases nucléotidiques, préférentiellement entre 25 et 70 bases nucléotidiques.
Le procédé de préparation d'un vecteur recombinant de clonage et/ou d'expression décrit ci-dessus est particulièrement adapté à la construction de banques d'ADN dans des vecteurs de type BAC. Ainsi, selon un mode de réalisation avantageux du procédé de préparation d'un vecteur recombinant décrit ci-dessus, ledit procédé est en outre caractérisé en ce que la taille de l'acide nucléique à insérer est d'au moins 100 kb, et préférentiellement d'au moins 200,300, 400,500 ou 600 kb.
Un tel procédé de préparation est donc particulièrement adapté à l'insertion des acides nucléiques contenus dans une collection d'acides nucléiques obtenus selon le procédé de l'invention.
Afin de permettre l'insertion de fragments d'ADN de grande taille dans des vecteurs de clonage et/ou d'expression, il a été mis au point selon l'invention, un second procédé ayant permis d'éliminer tout recours à l'action d'une endonucléase de restriction sur l'ADN destiné à être inséré au sein du vecteur.
Un tel procédé de préparation d'un vecteur recombinant de clonage et/ou d'expression selon l'invention est caractérisé en ce que l'étape d'insertion d'un acide nucléique dans ledit vecteur de clonage et/ou d'expression comprend les étapes suivantes: - création de bouts francs sur les extrémités de l'acide nucléique de la collection par élimination des séquences 3' sortantes et remplissage des séquences 5' sortantes; - ouverture du vecteur de clonage et/ou d'expression à un site de clonage choisi à l'aide d'une endonucléase de restriction appropriée; - adition d'adaptateurs oligonucléotidiques complémentaires ; - création de bouts francs aux extrémités de l'acide nucléique du vecteur par élimination des séquences 3' sortantes et remplissage des séquences 5' sortantes, puis déphosphorylation des extrémités 5' afin de prévenir une recircularisation du vecteur; - insertion de l'acide nucléique de la collection dans le vecteur par ligation.
De manière préférée, l'élimination des séquences 3' sortantes est réalisée à l'aide d'une exonucléase, telle que l'enzyme de Klenow.
De manière préférée, le remplissage des séquences 5' sortantes est réalisé à l'aide d'une polymérase, et de manière tout à fait préférée de la T4 polymérase, en présence des quatre nucléotides triphosphates.
Un procédé de préparation d'un vecteur recombinant de clonage et/ou d'expression par élimination des séquences 3' sortantes et remplissage des séquences 5' sortantes tel que décrit ci-dessus est particulièrement adapté à la construction de banques d'ADN à partir de vecteurs de type cosmide.
Un tel procédé d'obtention de vecteurs recombinants est décrit à l'exemple 12.
Dans un mode particulier de préparation d'un vecteur recombinant selon l'invention, des oligonucléotides comprenant un ou plusieurs sites de restriction rares sont ajoutés sur le vecteur au niveau du site de clonage de l'ADN à insérer, conformément à l'enseignement de l'exemple 10. Cet ajout d'oligonucléotides facilite la récupération ultérieure des inserts sans clivage de ces derniers.
CELLULES HOTES Bien que tout type de cellules hôtes puisse être utilisé pour la transfection ou la transformation avec un acide nucléique ou un vecteur recombinant selon l'invention, notamment une cellule hôte procaryote ou eucaryote, on utilisera de préférence des cellules hôtes dont les caractères physiologiques, biochimiques et génétiques sont bien caractérisés, facilement cultivables à grande échelle et dont les conditions de culture pour la production de métabolites soient bien connues.
Un plan virtuel d'évaluation, opposé à la surface réfléchissante 10a, est défini comme surface d'évaluation 50
correspondant à l'axe d'évaluation Lx. La surface d'évalua-