INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
chacun des sites dudit premier fichier, dit fichier de sites, on saisit, suite à une action d'un utilisateur, au moins un champ de recherche correspondant au produit déterminé, par le biais d'un dispositif connecté au réseau Internet , on recherche sur Internet le ou les sites ayant un programme étiquette, on recherche puis on analyse les pages de chacun desdits sites grâce à son programme étiquette, on en extrait les informations correspondant au produit déterminé recherché, on ajoute ces informations à un deuxième fichier de résultats, dit fichier de résultats, on effectue un traitement algorithmique de consolidation sur ce deuxième fichier, pour consolider les informations ainsi obtenues par au moins un critère de consolidation, pour former un troisième fichier de résultats consolidés, dit fichier consolidé, on affiche au moins en partie le contenu dudit fichier consolidé correspondant aux informations sur le produit issues des différents sites, sous forme d'un tableau de résultats, on sélectionne alors le produit à partir dudit tableau, suite à une seconde action de l'utilisateur, et on affiche lesdites informations sur le produit, ses caractéristiques et le site auquel il appartient.
Les pages des sites peuvent être de façon connue en elles-mêmes en HTML, DHTML, XML...
Les programmes étiquettes (ci-après appelés également tags ou custom tags) permettent de retranscrire les requêtes de l'utilisateur dans le mode de réalisation utilisable par le site concerné.
Un tel procédé permet de proposer sur Internet un service très proche de celui qu'obtiendrait un utilisateur s'il avait affaire à une personne physique, comme un libraire par exemple. Tout se passe en effet comme si il y avait utilisation de la mémoire oubliée de l'utilisateur pour l'aider à affiner sa demande avant de lancer la recherche.
Dans des modes de réalisation avantageux on a de plus recours à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes : - chaque site répondant de plus à au moins un critère d'identification le rattachant à une catégorie spécifique la recherche du ou des sites ayant une étiquette sur Internet s'effectue uniquement parmi les sites appartenant à la ou auxdites catégories spécifiques.
Le burst oxydatif interfère avec le métabolisme hormonal, le potentiel le plus performant pour réguler les stades de floraison et de fructification (en particulier leur déclenchement et leur durée sont programmés par une balance hormonale (rapport auxine/cytokinine par exemple), et les espèces activées d'oxygène, dont le peroxyde, contrôlent la synthèse des polyamines).
La présente invention découle de la mise en évidence par les Inventeurs du fait que les polymères et oligomères de xyloglucane, ainsi que des composés dérivés de ces derniers, ont un effet de stimulation de l'enzyme glutathion réductase, de l'enzyme phospholipase D chez les plantes, ainsi que des glycosylhydrolases.
En stimulant l'enzyme glutathion réductase, les polymères et oligomères de xyloglucane déclenchent des réactions d'adaptation à tout stress oxydant, comme le froid en particulier, en limitant les effets toxiques des espèces activées d'oxygène (Allen RD, Webb RP, Schake SA (1997) Free Radio Biol Med, 23 (3) : 473-479 ; O'Kane D, Gill V, Boyd P, Burdon R (1996) Planta, 198 (3) : 371-377), et ils régulent le potentiel redox de la cellule, ce qui modifie l'activité d'enzymes ou de protéines thioldépendantes, phospholipase D, thiol-protéases et inhibiteurs de thiol-protéases en particulier (Taher MM, Mahgoub MA, Abd-Elfattah (1998) AS Biochem Mol Biol Int 46 3,619-28), ainsi que par un effet d'induction d'un inhibiteur de protéase thioldépendante, et ce sans pour autant activer en cascade d'autres systèmes enzymatiques dans des proportions néfastes pour la plante.
En stimulant l'activité phospholipase D, les polymères et oligomères de xyloglucane amplifient l'effet hormonal de l'acide abscissique dans la mesure où l'activation de l'enzyme conduit à la production d'acide phosphatidique (qui mime les effets de l'acide abscissique). A ce titre, ils peuvent révéler un antagonisme contre les gibberellines, l'éthylène ou les jasmonates (Grill E., Himmelbach A. (1998) Current Opinion in Plant Biology, 1,1, 5,412-418 ; Ritchie S, Gilroy S (1998) Plant Biology, 95,5, 3,2697-2702 ; Moons A, Prinsen E, Bauw G, Van Montagu M (1997) Plant Cell 9 12,2243-59).
Actuellement, en dehors des engrais chimiques, le contrôle du développement des végétaux repose principalement sur : - l'utilisation de compositions agricoles enrichies en oligo-éléments, en composants nitrate, phosphate, et potassium, en polyamines ou en certaines hormones, - l'utilisation de micro-organismes, naturels ou génétiquement modifiés, qui améliorent la qualité du sol, favorisent la croissance des végétaux ou accroissent le rendement des cultures ; il s'agit notamment des rhizobiacées comme R. meliloti et B. japonicum, des bactéries fixatrices d'azote libre, comme Bacillus et Pseudomonas, et des champignons comme Penicillium, - le développement de plantes transgéniques. Cette technologie se heurte à des problèmes législatifs et à une forte opposition de la part des consommateurs ; de plus,
elle n'a pas encore abouti à des applications satisfaisantes dans le secteur des biofertilisants.
Un des buts de la présente invention est de fournir de nouvelles compositions utilisables dans le domaine phytosanitaire et de la biofertilisation, et plus particulièrement pour lutter contre le stress abiotique chez les plantes, et contrôler la floraison et la fructification.
La présente invention a pour objet l'utilisation d'un composé comprenant une structure osidique de formule : X)-X2-X3- (X4) n dans laquelle Xi, X2, X3, et X4, indépendamment les uns des autres, représentent un ose choisi parmi le glucose, le galactose, le xylose, le fucose, ou l'arabinose, cet ose étant le cas échéant sous forme réduite et/ou étant substitué, notamment par un groupe alkyle ou acyle, tel qu'un groupe méthyle ou acétyle, et n représente 0 ou 1, Xi, X2, X3, et X4, indépendamment les uns des autres, étant le cas échéant substitué par un ou plusieurs oses choisis parmi le glucose, le galactose, le xylose, le fucose, ou l'arabinose, et/ou par un ou plusieurs enchaînements osidiques de formule Xs-X6- (X7) m dans laquelle Xs, X6, et X7, indépendamment les uns des autres, représentent un ose choisi parmi le glucose, le galactose, le xylose, le fucose, ou l'arabinose, et m représente 0 ou 1, ou d'un composé dérivé de ceux définis ci-dessus, notamment par modification ou substitution d'un ou plusieurs oses susmentionnés, lesdits composés et leurs dérivés ayant la propriété : - de stimuler la glutathion réductase, et donc à ce titre d'induire des réactions antioxydatives de défense (encore désignées réactions d'adaptation à un stress oxydant), notamment par changement du potentiel redox cellulaire et/ou par activation d'un inhibiteur de protéase thiol-dépendante, - et/ou de stimuler la phospholipase D chez les plantes, et donc à ce titre d'amplifier l'effet hormonal de l'acide abscissique, - et/ou stimuler des glycosylhydrolases, et donc à ce titre d'induire des réactions de défense contre les pathogènes et/ou de contrôler certaines phases de développement des plantes (germination, fécondation, différenciation cellulaire au cours de la floraison ou de la fructification), dans le cadre d'applications liées aux propriétés susmentionnées desdits composés, à savoir :
- l'adaptation des plantes à un stress abiotique, tel que l'adaptation au froid, ou à un stress hydrique tel que la sécheresse, l'humidité ou la salinité (Tao DL, Oquist G, Wingsle G (1998) Cryobiology 37,1, 38-45 ; Gueta-Dahan Y, Yaniv Z, Zilinska BA, Ben Hayyim G (1997) Planta, 203,4, 460-469), - le contrôle de la floraison, - le contrôle de la fructification, - l'induction de réactions de défense contre les pathogènes tels que les bactéries, virus, champignons.
Par contrôle de la floraison, on entend plus particulièrement le contrôle des phases clefs du processus de floraison comme l'antheresis (Wang M, Hoekstra S, van Bergen S, Lamers GE, Oppedijk BJ, Heijden MW, de Priester W, Schilperoort RA (1999) Plant Mol Biol 39,3 : 489-501), ou le développement des boutons floraux (Lim CO, Lee SI, Chung WS, Park SH, Hwang I, Cho MJ (1996), Plant Mol Biol, 30,2, 373-379), comme les phases d'induction ou d'abscission florale (Colasanti J, Sundaresan V (2000) Trends Biochem Sci, 25,5, 236-240.
Par contrôle de la fructification, on entend plus particulièrement le contrôle du déclenchement et/ou de la durée de la phase de maturation (Fan L, Zheng S, Wang X (1997) Plant Cell, 9,12, 2183-9 ; Ryan SN, Laing WA, Me Canus MT (1998), Phytochemistry, 49,4, 957-963), le contrôle du métabolisme des parois cellulaires en rapport avec l'accumulation des sucres et des phénols (Fillion L, Ageorges A, Picaud S, Coutos-Thevenot P, Lemoine R, Romieu C, Delrot S (1999) Plant Physiol 120 (4) : 1083-94), et le contrôle de l'abscission des feuilles et des fruits (Gomez-Cadenas A, Mehouachi J, Tadeo FR, Primo-Millo E, Talon M (2000), Planta, 210,4, 636-643).
L'induction de réactions de défense contre les pathogènes est en rapport avec l'élicitation de PR-protéines, en particulier des enzymes 1, 3-ss D glucanase et endochitinase aussi connues pour intervenir aussi dans le développement des plantes (Munch-Garthoff S, Neuhaus JM, Boller T, Kemmerling B, Kogel KH (1997) Planta 201,2, 235-44 ; Buchter R, Stromberg A, Schmelzer E, Kombrink E (1997) Plant Mol Biol 35, 6,749-61 ; Robinson SP, Jacobs AK, Dry IB (1997) Plant Physiol 114, 3,771- 8).
Le contrôle de remaniements métaboliques et cataboliques dont certains tissus sont l'objet en période de différenciation ou de sénescence, est en rapport avec l'élicitation des enzymes 1, 4-ss-D-glucanase et ss-D-xylosidase (Trainotti L, Spolaore S,
Ferrarese L, Casadoro G (1997) Plant Mol Biol 34 (5) : 791-802 ; Kalaitzis P, Hong SB, Solomos T, Tucker ML (1999) Plant Cell Physiol 40 (8), 905-8).
L'invention a plus particulièrement pour objet l'utilisation susmentionnée, de composés dans lesquels les oses sont des résidus glycosyl (L) ou (D), le cas échéant sous forme réduite, et/ou sous forme a ou P, le cas échéant sous forme pyranose ou furanose, et sont liés entre eux par des liaisons du type 1-2, 1- > 3, 1-4, ou 1o6.
L'invention a plus particulièrement pour objet encore, l'utilisation susmentionnée de composés de formule : Xt-X2-X3- (X4) n dans laquelle X ;, X2, X3, et X4, indépendamment les uns des autres, représentent un ose choisi parmi le glucose, le galactose, le xylose, le fucose, ou l'arabinose, et n représente 0 ou 1.
polyethylene glycol (M. W. 3350) et 1 %0 d'aprotinine. Après centrifugation les surnageants sont congelés après addition de 1 mM PMSF.
A part ce point particulier, les conditions de matériel et méthodes en particulier pour les dosages d'anticorps, sont identiques à celles précédemment citées.
EXEMPLE 8 : La FHA et la FHA44 peuvent provoquer une activation polyclonale des plasmocytes ce qui génère une production d'anticorps.
8.1. Administration par voie nasale : La figure 3 de l'exemple 2 illustre les taux d'anticorps totaux non spécifiques détectés dans les liquides de lavage brocho-alvéolaires après administration par voie nasale de Sm28GST en présence ou non de FHA ou de FHA44.
Comme il était précisé plus haut, les résultats de la figure 3 montrent que la FHA44 induit des taux massifs d'anticorps d'isotypes IgA et IgG totaux dans les sécrétions bronchoalvéolaires qui ne peuvent être uniquement corrélés à l'apparition des anticorps spécifiques.
8. 2 Administration par voie orale : L'analyse des taux d'immunoglubulines totaux des prélèvements obtenus lors de l'expérience d'administration par voie orale a été effectuée. On observe une nette augmentation des IgG totaux sériques dans le groupe qui a reçu de la FHA alors qu'il ne semble pas y avoir d'effet significatif pour le groupe qui a reçu de la FHA44 (Figure 11B). Par contre, les deux molécules FHA et FHA44 ont été capables d'augmenter les taux d'IgA non spécifiques dans les liquides de lavage intestinal (Figure 11C) alors même qu'aucune réponse spécifique n'y a été détectable.
Cette activité non spécifique de la FHA et de ses dérivés indique que ces produits bactériens sont capables de stimuler l'immunité générale de l'organisme.
Il apparaît que si la FHA se révèle comme particulièrement performante comme adjuvant pour une réponse spécifique (figure 11a), la FHA apparaît comme un meilleur immunostimulant des IgG non spécifiques et FHA et FHA44 apparaissent comme équivalentes pour les IgA totales non spécifiques.
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(7) # GREGORIADIS, G. (1990). Immunological adjuvants : a role for liposomes. Immunol. Today 11 :
fine couche/ 10 de GaN est alors épitaxiée sur la couche 7 de SiC dont la face libre a été préparée à cet effet. C'est ce que montre la figure 1C. La couche 10 de GaN constitue la couche active dans laquelle un composant électronique peut etre réalisé.
Comme indiqué précédemment, la couche 10 aurait pu être réalisée avant report. Dans ce cas, le report de la structure formée par la couche 7 et la couche 10 doit se faire soit un support intérmédiaire, soit directement, la couche 7 devant pour certaines applications être éliminée.
Afin d'obtenir un accès électrique ou électronique au composant réalisé dans couche 10, un évidement est pratiqué à partir de la face arrière du substrat 2. La figure 1D montre que 'évidement 11 réalisé. dans le substrat 2 est poursuivi dans la couche de Si02 jusqu'à révéler la couche 7 SiC. Cette couche 7 pourrait éventuellement être aussi évidée. Compte tenu des différentes applications visées par l'invention, au moins deux cas d'excitation électronique peuvent être distingués. Le premier cas concerne une excitation électronique par passage vertical du courant dans le composant réalisé dans la couche active grâce à deux électrodes, l'une de ces électrodes étant déposée sur le composant et l'autre étant déposée sous le composant. Le deuxième cas concerne une excitation électronique par passage vertical du courant dans le composant suite à une injection électronique par bombardement d'électrons en face arrière du dispositif.
Le premier cas nécessite la présence d'électrodes sur et sous le dispositif comme le montre figure 1E. Une électrode 13 a été formée sur la face avant du composant électronique réalisé dans la couche . Un matériau conducteur 14 est déposée sur la face arrière du dispositif. Il recouvre la face arrière évidée du substrat 2 ainsi que la face apparente de la couche 7 de SiC. La liaison électrique avec le composant s'obtient au travers de la couche 7 de qui est électriquement conductrice. Eventuellement l'evidement est comblé par matériau conducteur formant avantageusement un puits thermique 15 permettant l'evacuation de la chaleur produite par le dispositif lors de son fonctionnement. Une électrode 16 est déposée sur le puits thermique 15 pour permettre connexion d'un fil de liaison électrique. En l'absence du matériau 15, la deuxième électrode est formée par matériau-conducteur 14.
La figure 2 montre, en coupe transversale un dispositif 20 selon l'invention et à excitation électronique par passage vertical du courant au travers du dispositif, le courant étant dû à un bombardement d'electrons dirigé vers la face arrière du dispositif.
Le dispositif 20 est réalisé comme precédemment à partir d'une structure empilee comprenant un substrat 21 de silicium, une couche 22 Si02 et une couche mince 23 de SiC. Un évidement 24 pratiqué à partir de la face arrière du substrat jusqu'à révéler la couche mince 23 de SiC. Une couche de GaN a été épitaxiée à partir de la couche 23 de et un composant électronique 25 a été réalisé à partir de la couche de GaN. Dans l'exemple représenté, composant 25 est une source laser. I1 est équipé sur deux de ses flancs opposés de miroirs 26 et 27 permettant l'amplification optique. La réalisation de tels miroirs est connue de l'homme de l'art.
Dans cet exemple de réalisation, l'évidement est de forme tronconique à sections circulaires ou polygonales. Afin de guider vers le composant 25 un faisceau d'électrons 30 abordant la face arrière du dispositif, une couche conductrice 28 est déposée sur la face arrière du dispositif. Cette couche conductrice 28 fera office d'anode vis-à-vis faisceau d'électrons et doit permettre leur passage. Éventuellement, une couche conductrice 28' peut être déposée sur le composant 25 et reliée électriquement a la couche conductrice 28 afin de définir un potentiel et de collecter plus efficacement les électrons injectés vers la face arrière du dispositif. En réponse à l'excitation par le faisceau d'électrons 30, le composant 25 émettra un faisceau laser 31.
La figure 3 montre, à titre d'exemple d'application, le dispositif 20 représenté à la figure 2 installe sur un équipement 40 pourvu d'une cathode à micr@pointes. L'équipement 40 comprend une enceinte tubulaire 41 dont une extrémité 42 est pourvue d'un queusot par lequel le vide est réalisé dans l'enceinte 41. Le queusot 43 peut contenir un getter 44. L'autre extrémité 45 de l'enceinte 41 comporte une ouverture qui est obturée par le dispositif 20 l'évidement 24 du dispositif 20 (voir la figure 2 étant tourné vers l'intérieur de l'enceinte 41.
L'équipement 40 comprend, à l'intérieur de l'enceinte 41, une cathode à micropointes 46 alimentée en tension de façon appropriée par rapport à la masse. La couche conductrice 28 du dispositif 20 est également reliée à la masse. En utilisation, la cathode à micropointes 46 émettra un faisceau d'électrons 30 vers le dispositif 20.
A titre d'exemple, les micropointes peuvent être portées à -10 kV, la grille d'extraction de la cathode à environ 50 ou 100 V au-dessus de ce potentiel, c'est-à-dire à - 9950 ou - 9900 V. La couche conductrice 28 de la face arrière du dispositif 20 assure que le potentiel est bien défini et donc que les électrons vont bien s'engouffrer dans l'évidement du dispositif, traverser la couche mince en SiC et pénétrer dans le composant 25.
La couche mince 23 du dispositif 20 pourvue de la couche conductrice 28 et du composant joue le rôle d'une membrane étanche au vide dans cette application. Elle est perméable aux électrons et sert de substrat d'épitaxie. Le dispositif presente les avantages de la compacité et de l'intégration du dispositif dans un équipement.
La figure 4 montre, en coupe transversale, un autre dispositif semiconducteur à injection électronique vertical et à structure alvéolée, selon ' irwention.
Le dispositif de la figure 4 comprend, en superposition, un substrat 51 en silicium, couche de Si02 et une couche mince 53 de SiC. Une couche de GaN a été épitaxiée à partir de la couche de SiC et deux composants électroniques 54 et 55 (ici des sources lasers) ont été réalisés à partir de la couche de GaN.
Un évidement 56 a été réalisé à partir de la face arrière du substrat 51. Cet évidement est prolongé par deux alvéoles 57 et 58 révélant les parties de la couche mince 53 de SiC situées sous les composants 54 et 55. Il subsiste, entre les alvéoles 57 et 58 une partie 59 de la structure initiale servant de renfort. Ce renfort permet de rigidifier mécaniquement la membrane constituée par la partie libérée de la couche mince 53. On évite ainsi les risques d'éclatement de 1a membrane lors de la mise sous vide dans un équipement tel que celui de la figure 3. A noter que la section des alvéoles peut être hexagonale comme dans un nid d'abeilles.
L'invention procure notamment les avantages suivants. Elle rend possible la fabrication d'un dispositif semiconducteur en particulier à grand gap, électronique ou optoélectronique, sur un substrat de faible coût, par exemple en silicium, dont les techniques de report de couches, de gravure profonde et de métallisation sont bien maîtrisées Elle permet l'integration d'un dispositif électronique sur une membrane monocristalline. Elle permet la création d'une membrane étanche au vide, perméable a un faisceau d'électrons focalisé sur la face arrière de la membrane dont face avant supporte un ou plusieurs composants électroniques. Elle permet la réalisation de dispositifs semiconducteurs verticaux sur un substrat non nécessairement conducteur électrique dans tout son volume. Le substrat peut éventuellement posséder un puits thermique intégré. La fabrication de composants en structure verticale permet une réduction de la taille des composants. L'invention permet la fabrication de dispositifs semiconducteurs verticaux de faible résistance électrique du fait du remplacement du substrat massif par une couche mince semiconductrice. Elle rend possible l'intégration d'un laser sur une torche micro-usinée par l'intermédiaire 'une membrane qui assure un triple rôle : étanchéité perméabilité aux électrons, substrat d'épitaxie pour GaN.
DISPOSITIF FORMANT COMPARTIMENT POUR PETITS ARTICLES, POUR UN VEHICULE DU TYPE A SELLE CONTEXTE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif formant compartiment pour petits articles, destiné à des véhicules à selle, et, plus particulièrement, compartiment de stockage amélioré pour un petit véhicule, tel qu'un scooter, et un agencement d'instrumentation qui lui est associé.
En figure 2, on a représenté que partiellement le reste des composants du convertisseur à découpage. On a cependant illustré la présence d'une résistance RI reliant la ligne d'alimentation locale 12 à la borne 2. Le rôle de la résistance RI est de permettre une charge du condensateur C3 pour alimenter le circuit 10 au démarrage du système. Pour illustrer l'alimentation du circuit 10 à partir de la tension aux bornes du condensateur C3, tous les éléments (références de tension 14 et 18, comparateurs 13 et 17, bascule 15 et amplificateur 16) ont été représentés avec leurs bornes d'alimentation respectives reliées aux bornes 12 et 3.
Par rapport à une alimentation à découpage fonctionnant en modulation de largeur d'impulsions (PWM), un circuit autooscillant présente l'avantage d'un faible coût. En particulier, il n'est pas nécessaire de prévoir un oscillateur générant un signal en dents de scie dont on module la largeur des impulsions.
Les entrées de la bascule 15 peuvent être associées à des circuits de mise en forme des fronts (trigger). De plus, on peut prévoir un élément retardateur en sortie du comparateur 17 selon la sensibilité de ce dernier. On compense alors une faible sensibilité en augmentant le seuil de détection VRV et en retardant le signal de sortie.
On connaît également des convertisseurs à circuit de commande autooscillant qui autorisent une régulation de la tension de sortie. Toutefois, ces convertisseurs 1 imposent une mesure de la tension au secondaire du transformateur et, par voie