REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur à injection électronique verticale comprenant un substrat support (2,21 51), une structure comportant au moins une couche mince monocristalline (7,23,53) reportée sur le substrat support et solidaire du substrat support, au moins un composant électronique (25,54,55), le substrat support comportant au moins un évidement (11,24,56) permettant un accès électrique ou électronique au composant électronique au travers de la couche mince monocristalline, le dispositif comprenant également des moyens permettant une injection électronique verticale dans composant électronique. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure comporte au moins une couche active (10) formée par croissance cristalline de matériau semiconducteur sur la couche mince monocristalline (7,23,53), composant électronique (25,54,55) étant réalisé dans ladite couche active (10). 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince monocristalline est une couche active à partir de laquelle le composant électronique est réalisé. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce 'il comprend en outre une couche (6,22,52), dite couche de collage, située entre le substrat support (2, ,51) et la structure et permettant la solidarisation de la couche mince monocristalline sur le support, la couche de collage permettant un accès électrique ou électronique au composant électronique. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche de collage (22) est isolante et comporte au moins un évidement permettant l'accès électrique ou électronique au composant électronique (25). 6. Dispositif selon la revendication 4, caracterisé en ce que la couche de collage est conductrice ou semiconductrice. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche mince monocristalline comporte au moins un évidement permettant un accès électrique ou électronique direct au composant électronique. 8. Dispositif selon la revendication 1, cara-cterisé en ce que le substrat support (2,21,51) est en un matériau choisi parmi le silicium, le SiC, l' , le saphir et le GaN. 9. Dispositif selon la revendication caracterisé en ce que la couche mince monocristalline (7,23,53) est en un matériau choisi parmi le SiC, silicium, le GaN, le saphir ou le znO. 10. Dispositif selon la revendication , caractérisé en ce que la couche de collage (6,22, ) est en Si02. 11. Dispositif selon la revendication , caracterisé en ce que la couche active (10) comprend un matériau semiconducteur choisi parmi SiC, GaN, composes III-V et leurs dérivés et le diamant. 12. Dispositif selon l'une quelconque revendications 1 à 11, caractérisé en ce que composant électronique comprend au moins une jonction réalisee à partir de deux semiconducteurs de même nature ou de natures différentes. 13. Dispositif selon l'une quelconque revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le composant électronique comprend au moins une jonction de type métal-semiconducteur. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que composant électronique comprend au moins un empilement de type métal-oxyde-semiconducteur. 15. Dispositif selon l'une quelconque revendications 1 à 14, caractérisé en ce que les moyens permettant une injection électronique verticale dans le composant électronique comprennent une électrode (13) disposée sur le composant électronique et une électrode (14) disposée sous le composant électronique, dans ledit évidement permettant un accès au composant électronique. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'une masse (15) est prévue dans ledit évidement, en contact avec ladite électrode (14 disposée sous le composant afin de constituer un puits thermique. 17. Dispositif selon l'une quelconque revendications 1 à 14, caractérisé en ce que 1 injection électronique se faisant au moyen d' faisceau d'électrons (30) dirigé sur le composant électronique (25) en passant dans ledit évidement (24), moyens permettant une injection électronique verticale comprennent un revêtement conducteur (28) guidage des électrons vers le composant électronique 18. Dispositif selon l'une quelconque revendications 1 à 17, caractérisé en ce que 1 évidement (56) du substrat support (51) comprend des alvéoles (57,58) permettant un accès électrique ou électronique à des composants électroniques (54,55) réalisés à partir de la structure. 19. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit composant électronique choisi dans le groupe constitué des émetteurs de lumière, des détecteurs de lumière, des composants électroniques de puissance et des diodes. 20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la structure est étanche au vide. 21. Dispositif selon la revendication 20 caractérisé en ce que le composant électronique (25 étant composant apte à émettre un faisceau lumineux en réponse à un faisceau d'électrons (30) reçu, couche mince monocristalline (23) est telle qu'elle permet passage dudit faisceau d'électrons. 22. Dispositif selon la revendication , caractérisé en-ce que structure forme une membrane déformable sous l'effet d'une différence de pression, ledit composant électronique étant un composant fournissant un signal représentatif de 1a déformation subie par la membrane. 23. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à injection électronique verticale selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - report de la couche mince monocristalline (7) sur une première face du substrat support (2), - réalisation d'au moins un composant électronique à partir de la structure, - formation d'au moins un évidement (11 à partir d'une deuxième face du substrat (2) pour permettre un accès électrique ou électronique composant électronique au travers de la couche mince monocristalline (7), - réalisation de moyens (13,14) permettant une ' 'ection électronique verticale dans le composant électronique. 24. Procédé selon la revendication caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape formation d'au moins une couche active (10) par croissance cristalline de matériau semiconducteur sur la couche mince monocristalline (7), le composant électronique étant réalisé dans ladite couche active, croissance cristalline étant réalisée avant ou après report. 25. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que, la couche mince monocristalline etant une couche active, le composant électronique est réalisé à partir de cette couche mince monocristalline. 26. Procédé selon la revendication 23 caractérisé en ce que l'étape de report de la couche mince monocristalline (7) comprend les opérations suivantes - délimitation de ladite couche mince monocristalline (7) dans un substrat de matériau monocristallin (1) par introduction d'espèces gazeuses dans ce substrat de matériau monocristallin afin créer une zone de fracture (5), la couche mince monocristalline (7) se trouvant entre une face substrat de matériau monocristallin (1) et la zone clivage (5), - solidarisation de ladite couche mince monocristalline sur la première face du substrat support (2), - séparation par fracture de la couche mince monocristalline (7) du reste (9) du substrat matériau monocristallin (1), la séparation étant réalisée avant ou après- l'opération de solidarisation. 27. Procédé selon l'une quelconque revendications 23 à 26, caractérisé en ce que le report de ladite couche mince monocristalline se fait l'intermédiaire d'une couche de collage (6). 28. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la solidarisation de ladite couche mince est obtenue par adhésion moléculaire. 29. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 28, caractérisé en ce que l'étape de report de la couche mince monocristalline (7) est réalisée sur une première face d'un substrat support en silicium ). 30. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 28, caractérisé en ce que l'étape de report consiste à reporter une couche mince de SiC monocristallin (7). 31.-Procédé selon la revendication 27, caractérise en ce que le report de ladite couche mince monocristalline (7) se fait par l'intermédiaire d'une couche de collage (6) en Si02. 32. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que la couche active ( ) est formée par croissance cristalline d'une couche de matériau semiconducteur choisi parmi SiC, GaN, les composés III- V et leurs dérivés et le diamant. 33. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 32, caractérisé ce que la réalisation des moyens permettant une injection électronique verticale dans le composant électronique comprend le dépôt d'une électrode (13) sur le composant électronique et le dépôt d'une électrode (14) sous le composant électronique, dans ledit évidement (11) permettant un accès au composant électronique. 34. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une masse (15) dans ledit évidement (11), en contact avec ladite électrode (14) disposée sous le composant afin de r constituer un puits thermique. 35. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 32, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un revêtement conducteur (28) apte à guider un faisceau d'électrons (30) dirigé sur composant électronique (25) en passant dans ledit évidement (24). 36. Procédé selon l'une quelconque revendications 23 à 32, caractérisé en ce qu'il comprend également la formation d'alvéoles (57,58) prolongeant l'évidement (56) du substrat support (51) pour permettre un accès électrique ou électronique à des composants électroniques (54,55) réalisés à partir l- structure: 37. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 32, caractérisé en ce que l'étape réalisation d'au moins un composant électronique consiste à réaliser un composant choisi dans le groupe constitué des émetteurs de lumière, des détecteurs de lumière, des composants électroniques de puissance et diodes. 38. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 32, caractérisé en ce que l'étape report d'une couche mince monocristalline ) consiste à reporter une couche mince monocristalline telle que la structure soit étanche au vide. 39. Procédé selon la revendication , caractérisé en ce que l'étape de report d'une couche mince monocristalline (23) consiste à reporter couche mince monocristalline apte à être traversée par un faisceau d'électrons. 40. Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que l'étape de report d'une couche mince monocristalline consiste à reporter une couche mince monocristalline telle que la structure forme une membrane déformable sous l'effet d'une différence de pression, l'étape de réalisation 'au moins un composant électronique comprenant la réalisation d'un composant fournissant un signal representatif de la déformation subie par la membrane.