INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme mentionné ci-avant, le corps de soupape 30 étant pourvu de l'orifice 31 dont la forme est représentée sur la figure 2, lorsque la valeur de courant devant être applique a l'enroulement 52 augmente, et lorsque course de la pièce obturatrice 40 croît, des rapports de variation de la quantité de carburant déchargée sont différents parmi trois plages de vitesse angulaire du moteur, comme symbolisé par pointillés sur la figure 3. De la sorte, le débit de carburant devant être délivré à la pompe 6 haute pression, et débit de carburant devant être déchargé à partir ladite pompe 6, varient globalement de manière non linéaire en conformité avec la valeur de courant devant être appli à l'enroulement 52.
Du fait que le corps de soupape classique (forme réalisation conventionnelle) est muni de l'orifice présen tant une simple configuration rectangulaire ou une simple configuration ovale, la superficie de l'orifice communiquant avec canal varie proportionnellement à la course de pièce obturatrice. En conséquence, comme illustré sur la fi gure , le débit de carburant devant être déchargé par la pompe haute pression varie proportionnellement à la vitesse angulaire du moteur. Le rapport de variation de la superfi cie de l'orifice, communiquant avec le canal, est de ce fait constant sur la totalité d'une gamme comprise entre la plage de faible vitesse du moteur et la plage de vitesse élevée dudit moteur.
Par conséquent, un rapport de variation entre le bit carburant devant être délivré à la pompe haute pres sion et la course de la pièce obturatrice, est en particu lier supérieur dans la plage de faible vitesse du moteur. En revanche, si la longueur transversale de l'orifice est ré glée sur une valeur modeste, en vue de réduire le débit de carburant dans la plage de faible vitesse du moteur, le bit carburant, devant être délivré à la pompe haute pres sion devient insuffisant dans la plage de vitesse élevée dudit moteur.
Selon la présente forme de réalisation néanmoins, étant donné que la longueur transversale de la première ouverture 311 est relativement modeste, le rapport de varia tion entre la quantité de carburant devant être délivrée à la pompe 6 haute pression, et la vitesse angulaire du mo teur, est modeste dans la plage de faible vitesse dudit moteur ; et, étant donné que la longueur transversale de la deuxième ouverture 312 est relativement grande, la quantité de carburant devant être délivrée à la pompe 6 devient suf fisamment grande dans la plage de vitesse élevée du moteur.
Selon la première forme de réalisation, comme men tionné ci-avant, le débit de carburant devant être déchargé à partir de la pompe 6 haute pression varie manière non linéaire en concordance avec la vitesse angulaire du moteur, ou la charge dudit moteur. En particulier, comme le rapport de variation entre la superficie de l'orifice 31 communi quant avec le canal 42, et la course de la piece obturatrice 40, est modeste dans la plage de faible vitesse du moteur, il en resulte un faible rapport de variation du débit de carburant devant être délivré à 1a pompe 6, même qu'un faible rapport de variation du débit de carburant devant être déchargé à partir de ladite pompe 6. La faculté de com mander débit de carburant, devant être dechargé par la pompe 6 est conséquemment grande dans la plage de faible vitesse moteur.
En outre, étant donné que la superficie l'orifice 31, communiquant avec le canal 42, croît dans la plage de vitesse élevée du moteur, le débit de carburant devant être délivré a la pompe 6 haute pression, ou le debit de carbu rant devant être déchargé par ladite pompe , augmente de manière suffisante. Ainsi, le débit de carburant devant être délivré à la pompe 6 est optimalement commandé en concor dance avec la vitesse angulaire du moteur.
Bien que l'orifice 31 soit matérialise par les pre mière deuxième ouvertures 311 et 312 de configuration rectangulaire, et par la troisième ouverture 13 de configu ration trapézoïdale selon la première forme réalisation, la configuration dudit orifice 31 n'est pas limitée à celles mentionnees ci-dessus, mais peut être modifiee pour prendre n'importe quelle forme correspondant à des caractéristiques du moteur appliquées au système d'injection de carburant à collecteur commun. En d'autres termes, une variation de la longueur de l'orifice dans la direction axiale du corps de soupape, une variation de la longueur transversale dudit orifice, ou une variation de la forme de cet orifice, permet de fournir un dispositif de commande de débit pouvant opérer en réponse à l'une quelconque parmi diverses caractéristi ques du moteur.
(Deuxième forme de réalisation) Un dispositif commande de débit, d'après une deu xième forme de réalisation, est décrit en faisant référence à la figure 4. Des pieces structurelles offrant pour l'es sentiel une similitude avec celles de la première forme de réalisation portent les mêmes références numériques, et n'appellent pas de commentaires.
Selon la deuxième forme de réalisation, chaque confi guration d'orifices pratiqués dans le corps de soupape 30, diffère de celle la première forme de réalisation. Comme illustré sur figure 4, chacun des orifices 34 de la deuxième forme de realisation est composé d'une première ouverture, d'une deuxième ouverture et d'une troisième ouverture comportant à chaque fois, des coins arrondis. Du fait que les coins l'orifice 34 sont arrondis, le débit de carburant devant etre déchargé à partir de la pompe 6 haute pression peut être modifié en douceur, en concordance avec une variation de vitesse angulaire du moteur.
CANCER ETAT GENERAL NAUSEES selon VOMISSEMENTS LYMPHOME selon la classification la classification GRADES selon la classification KARNOFSKY NCI GRADES NCI NOM AGE PROTOCOLE SANS H E. AVEC H.E. SANS H.E. AVEC H E. SANS H. E. AVEC H E CHIMIO.
MAR 58 CHOP 70 100 1 0 0 0 TABLEAU 7
CANCER DU ETAT GENERAL NAUSEES selon VOMISSEMENTS REIN selon la classification la classification GRADES selon la classification nC"N KARNOFSKY NCI GRADES NCI NOM AGE PROTOCOLE SANS H. E. AVEC H. E. SANS H.E. ' AVEC H E. SANS H E. AVEC H.E.
CHIMIO.
PAS 67 CAMPTO 80 90 2 1 1 2 1
CANCER DE ETAT GENERAL NAUSEES selon VOMISSEMENTS L'UTERUS selon la classification la classification GRADES selon la classification L'UTERUS KARNOFSKY NCI GRADES NCI NOM AGE PROTOCOLE SANS H. E. AVEC H. E. SANS H. E. AVEC H.E SANS H.E AVEC H. E.
OLI 40 5FU 111 90 0 0 TABLEAU 9
CANCER DES ETATGENERAL NAUSEES selon VOMISSEMENTS OVAIRES selon la classification la classification GRADES selon la classification UVAlHbb KARNOFSKY NCI GRADES NCI NOM AGE PROTOCOLE SANS H.E. AVEC H. E. SANS H.E. AVEC H.E. SANS H.E AVEC H. E.
BER 56 CAP 80 90 3 0 3 1
THI~E ~ | ItAXOL-CISPLATINE | l 70 I 90 I 2 [ 1 I 2
TABLEAU 10
CANCER ETAT GENERAL NAUSEES selon VOMISSEMENTS PULMONAIRE selon la classification la classification GRADES selon la classification PULMONAIRE KARNOFSKY NCI GRADES NCI NOM AGE PROTOCOLE SANS H. E. AVEC H. E. SANS H. E. AVEC H.E SANS H. E. AVEC H E.
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On utilise des disques acier d'un diamètre de 42mm et d'une épaisseur de 2mm. Ces disques sont dégraissés avec de l'essence suivie de l'acétone. Le dépôt des huiles se fait avec un pinceau. L'épaisseur est mesurée, de façon non destructive, avec un capteur de courants de Foucault.
On utilise un tribomètre pion-plan. Le pion est une bille d'acier (100C6) de 5mm de diamètre. Elle est nettoyée à l'éthanol avant utilisation. La bille repose sur le disque en acier traité avec l'huile à évaluer.
Le disque tourne avec une vitesse de # = 25 tr/min ce qui correspond à un défilement de 2 m/min. La charge du pion est de 2g, la température de 23 C et l'humidité relative de l'air de 50%. On mesure la force avec laquelle le pion est entraîné par un capteur installé dans le bras de maintien de la bille. Une force élevée correspond à un mauvais effet de lubrification. Le coefficient de friction se calcule selon f = F/ N (Coefficient de friction = Force de frottement (mesuré par le capteur / Charge (2g)) b) Détermination de la quantité d'huile résiduelle après dépôt sur une plaque acier chaude inclinée à 45 à 300 C. Ce test permet de mesurer l'écoulement de l'huile et permet ainsi de minimiser des pertes d'huile par optimisation de la structure.
Les huiles sont déposées sur une plaque de 10* 10cm en acier inox incliné à 45 .
Cette plaque est place sur une plaque chauffante. La température est réglée par un thermocouple et la température exacte de la plaque est vérifiée avec un thermomètre de surface.
Le dépôt des huiles se fait avec une seringue de précision pour permettre l'application d'une seule goutte d'huile de taille bien définie.
La plaque est mise à température. On fait tomber cinq gouttes d'huile sur la plaque à deux centimètres du haut et à environ un centimètre d'intervalle. On laisse couler pendant une minute. On retire la plaque et laisse refroidir en position horizontale.
La longueur de la trace que l'huile laissée sur la plaque est mesurée. Une huile qui prends en masse ou une huile qui porte des fonctions à forte interaction avec la surface s'écoulent moins, ce qui est recherché. c) Détermination de la quantité résiduelle d'agent de démoulage présent sur une plaque acier chaude inclinée à 45 à 200 C et 250 C. Ce test permet d'évaluer l'efficacité des émulsions et d'optimiser la quantité de produit déposée et minimiser la quantité perdue par écoulement par optimisation de la structure.
L'émulsion est diluée à l'extrait sec choisi et transférée dans une seringue équipée d'une aiguille à embout plat. La seringue est placée dans une pousse seringue pour assurer un débit constant et répétable. L'embout de la seringue est placé à 40cm de la surface réceptrice des gouttes.
La plaque réceptrice de gouttes est une plaque acier de 1*7cm sablée. Cette plaque est placée sur une plaque protectrice de 10*20cm en acier inox qui à son tour est placée sur une plaque chauffante. L'inclinaison des plaques est de 45 . La température est réglée par un thermocouple placé sur la surface de la plaque protectrice de 10*20cm en acier inox. La température de la plaque réceptrice est vérifiée avec un thermomètre de surface. Le point d'impact des gouttes d'émulsion est mis à 4cm du bas de la plaque réceptrice.
La plaque est mise à température. On fait tomber un nombre précis de gouttes d'émulsion sur la plaque réceptrice tarée. Après application on enlève la plaque réceptrice et on la pèse. La différence de poids indique la quantité de produit transférée pour l'émulsion choisie.
Le procédé est répété pour chaque émulsion à évaluer dans les mêmes conditions afin de pouvoir comparer.
# 3.2 - RESULTATS a) Concernant le coefficient de friction des différentes huiles testées, on obtient les résultats suivants : TABLEA U 2
Coefficient de Huile Viscosité friction Ti 1400 1.01 (cristal. 18 C) T2 600 0.842 A2 1000 0.796 B2 1600 0.781 T3 800 0.643 B3 1400 0.582 Bi 1200 0.566 T5 1300 0.520 I2 3300 0. 428
Les résultats démontrent clairement l'efficacité supérieure de l'huile de l'invention (I2) face aux produits de référence (T], T2, A2, B2, T3, B3, B1,). Le coefficient de friction étant bien inférieur aux autres produits, on s'attend à une meilleure performance en démoulage à quantité égale. T5 permet d'obtenir un coefficient de friction correct, mais conduit à des résultats rédhibitoires, s'agissant du dépôt sur plaque acier (Tableaux 3,4 et 5). b) Le dépôt de différentes huiles sur une plaque acier de 10*10 cm chauffée à 300 C inclinée à 45 sert de test pour minimiser l'écoulement et ainsi des pertes de produit. Cinq gouttes de produit sont appliquées séparément à la seringue et le taux de produit restant sur la plaque est mesuré après une minute à 300 C.
Le tableau 3 suivant rassemble les résultats : TABLEA U 3
L'épaisseur de la couche poreuse PR2 est de pré férence égale approximativement à la longueur de l'induc tance en spirale SI, lorsqu'on la regarde selon une vue en plan. Cependant, l'épaisseur de la couche poreuse PR2, qui est égale à environ un dixième de la longueur de l'inductance en spirale SI, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, peut avoir pour effet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique. Ensuite, comme cela a été décrit précédemment, on applique un traitement thermique à une température de 1000'C ou plus dans une atmosphère d'hydrogène pendant quelques secondes de manière à supprimer les ouvertures des trous respectifs par réduction. Par conséquent les inté rieurs des trous deviennent les cavités HF et la couche poreuse PR2 ayant une surface supérieure lissée est formée (figure 50).
La couche poreuse PR2 est formée sélectivement dans le substrat en silicium 1 de manière à correspondre à la région dans laquelle l'inductance en spirale SI doit être formée ultérieurement. Un masque doit être formé dans une région, dans laquelle la couche poreuse PR2 ne doit pas être formée, de manière à empêcher que la solution HF vienne en contact avec cette région. Il va sans dire que la couche poreuse PR2 peut être disposée à travers le substrat en silicium 1.
La disposition de la couche poreuse PR2 à travers le substrat en silicium 1 a non seulement pour effet de réduire la dissipation de puissance induite par voie élec tromagnétique et produite par l'inductance en spirale, mais également de réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique et provoquée par la ligne d'interconnexion.
Ensuite, comme représenté sur la figure 51, on prépare un substrat poreux PSB, dans lequel une couche po reuse PR1, une couche épitaxiale EX et un film isolant ZF3 sont formés d'une manière empilée sur un substrat en sili cium 1C.
On peut utiliser le procédé décrit sur les figures 6 à 10 de la demande de brevet japonais N 11-117770 pour former le substrat poreux PSB. Des étapes similaires à celles du procédé mentionné précédemment de formation de la couche poreuse PR2 sont mises en oeuvre pour former la couche poreuse PR21 dans le substrat en silicium 1C. Une structure monocristalline du substrat en silicium 1C est maintenue dans la surface supérieure de la couche poreuse PR21, cette structure ayant une orientation cristalline similaire à celle du substrat en silicium 1C. Ensuite on forme la couche épitaxiale EX sur une épaisseur prédéterminée sur une surface principale de la couche poreuse PR21 en utilisant une technique de croissance êpi- taxiale. La couche épitaxiale EX, qui agit ultérieurement en tant que couche SOI 3, a une épaisseur égale à celle de la couche SOI 3.
Ensuite, on forme sur la couche épitaxiale EX le film isolant ZF3 ayant une épaisseur prédéterminée et formé par exemple d'oxyde de silicium. Le film isolant ZF3 qui agit ensuite en tant que film d'oxyde enseveli 2, est réa lisé avec une épaisseur égale â celle du film d'oxyde ense veli 2.
Ensuite, lors de l'étape illustrée sur la figure 52, on fixe entre eux le substrat en silicium 1 et le subs trat poreux PSB de telle sorte que l'une des surfaces prin cipales du substrat en silicium 1, dans lequel la couche poreuse PR2 est formée, et le film isolant ZF3 du substrat poreux PSB sont placés en vis-à-vis.
Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 53, on élimine de la structure obtenue la couche poreuse PR21 et le substrat en silicium 1C en utilisant la couche poreuse PR21 du substrat poreux PSB en tant que limite. Sinon, on réduit par polissage la structure obtenue jusqu'à la surface supérieure de la couche épitaxiale EX, en utili sant un procédé CMP. Ceci permet d'obtenir le substrat SOI SB incluant le substrat en silicium 1, dans lequel est for mée la couche poreuse PR2.
M-3. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, l'écran PG 102 situé dans le dispositif à semiconducteurs 4000 repré senté sur la figure 42 permet d'empêcher que l'inductance en spirale produise la dissipation de puissance induite par voie électrostatique, sans apparition de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique, qui est due au courant de Foucault produit dans l'écran PG 102. En outre, le dispositif à semiconducteurs 4000 comporte la couche poreuse PR formée dans le substrat en silicium 1, et les sillons ou les trous de la couche poreuse PR sont rem plis par un état de quasi-vide ou par un isolant. Par conséquent le dispositif à semiconducteurs 4000 peut inter rompre le trajet du courant de Foucault produit par le conducteur en spirale SI, ce qui réduit la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique dans le subs trat en silicium 1.
M-4. Variante Le procédé de formation de la couche poreuse PR dans le dispositif à semiconducteurs 4000 est illustré comme comprenant la préparation du substrat SOI SB compor tant la couche poreuse PR, puis la formation des consti tuants incluant l'écran PG 102 sur le substrat SOI SB. Sinon, on peut utiliser un procédé de fabrication qui va être décrit en référence à la figure 54.
Comme cela est représenté sur la figure 54, on prépare le substrat SOI SB dans lequel des constituants tels que des films d'oxyde d'isolation PTI placés dans des sillons sont formés sur la couche SOI 3. Non seulement les films d'oxyde d'isolation PTI placés dans des sillons, mais également des transistors MOS et analogues peuvent être formés dans la couche SOI 3.
Les parties de la couche SOI 3 et du film d'oxyde enseveli 2, qui correspondent à la région dans laquelle l'inductance en spirale doit être prévue, sont retirées sélectivement du substrat SOI SB, par formation d'une ouverture OP1.
Ensuite, on forme un masque de resist RM4, qui expose une partie du substrat en silicium 1 dans laquelle la couche poreuse PR2 doit être formée, et recouvre les bords de l'ouverture OP1 et la couche SOI 3. On place le substrat SOI SB, sur lequel est formé le masque de resist RM4, dans un bain d'anodisation CC incluant une électrode supérieure en platine UE et une électrode inférieure posi tive en platine LE. On introduit la solution HF dans le bain d'anodisation CC et on fait circuler un courant entre l'électrode supérieure en platine UE et l'électrode posi tive inférieure en platine LE. Ceci conduit à la formation de la couche poreuse PR2 dans la partie à nu du substrat en silicium 1.
Après formation de la couche poreuse PR2, on éli mine le masque de résine RM4. On forme un film isolant dans l'ouverture OP1 pour réparer le film d'oxyde enseveli 2. On forme une couche de silicium sur le film isolant pour répa rer la couche SOI 3. On forme l'écran PG 102 dans la couche SOI 3 pour former l'agencement similaire à celui du dispo sitif semiconducteur 4000.
Lorsque les différents écrans PG décrits dans les dix premières formes de réalisation préférées ne sont pas utilisés, l'ouverture OP1 peut être remplie simplement par le film isolant.
N. Quatorzième forme de réalisation préférée La treizième forme de réalisation préférée men tionnée précédemment de la présente invention comporte la couche poreuse PR formée dans le substrat en silicium 1 du substrat SOI SB. Cependant, on peut former la couche poreuse dans la couche SOI du substrat SOI.
Le caractère itératif de cette itération est représenté par l'étape G, pour laquelle 1 = 1+1, le caractère itératif de l'estimation des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission, d'une part, et de l'échange d'information a priori entre les processus d'égalisation et de décodage B, C, étant également représenté par la même opération désignée par l'étape F.
En ce qui concerne la mise en #uvre des étapes A1 de calcul du filtre à phase minimale et de filtre anticausal, respectivement de l'actualisation des valeurs de ces filtres à l' étape E21 représentée en figure 2c, on indique que ces étapes de calcul peuvent être effectuées par la méthode du CEPSTRE, laquelle sera décrite ultérieurement de manière plus détaillée dans la description, cette méthode de calcul, ainsi que représenté en figure 2d, consistant, en une étape Alo respectivement E210, en un mode de calcul spécifique à partir d'une transformée de Fourier rapide à 256 coefficients par exemple.
En ce qui concerne l'étape E consistant à effectuer une estimation actualisée des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission pour l'itération suivante, et en particulier dans le cas du processus de type bootstrap précédemment mentionné, celleci consiste, ainsi que représenté en figure 2e, à soumettre la séquence de sortie pondérée sur bits décodés,
c'est-à-dire en sortie du processus de décodage, à un processus de réentrelacement, noté Ea, puis à soumettre le flux de la séquence de sortie pondérée réentrelacée issue de l'étape Ea à une décision dure pour reconstituer les symboles reçus, cette opération étant notée Eb sur la figure 2e précitée, et, enfin, à soumettre les symboles reçus reconstitués à un processus de pseudo-inversion linéaire sur la totalité des symboles reçus reconstitués, cette opération étant notée Ec sur la figure 2e.
Le mode de mise en #uvre du procédé objet de la présente invention n'est pas limité à l'exemple de processus d'égalisation tel que le DDFSE précédemment décrit en liaison avec les figures 2c à 2e.
En effet, dans le cadre de la mise en #uvre d'une réestimation de type bootstrap, il est également possible de prévoir la mise en #uvre d'un processus d'égalisation différent du processus DDFSE. Ainsi, un autre processus d'égalisation peut être mis en #uvre tel que le processus désigné par GSOVA, pour Generalized Soft Viterbi Algorithm, lequel consiste en un processus DFSE dans lequel est retenu plus d'un survivant par n#ud.
Cette technique permet de combattre efficacement la propagation d'erreur bien connue pour le processus de type DDFSE, lequel nécessite d'ailleurs, pour cette raison, la mise en #uvre d'un filtre adapté de blanchissement du signal.
Le processus GSOVA ne nécessite pas l'introduction d'un tel filtrage mais présente l'inconvénient majeur de ne pas se prêter à un calcul de type aller-retour, "forward backward", pour le calcul des sorties souples du processus d'égalisation à sorties pondérées. Toutefois,
d'autres processus de calcul peuvent être mis en #uvre pour le calcul des sorties pondérées précitées, ces processus de calcul ne nécessitant qu'un seul passage avant "forward", par exemple le processus SOVA.
Pour la description des processus GVA, pour Generalized Viterbi Algorithm et GSOVA, on pourra utilement se reporter à la publication intitulée A Listtype reduced Constraint Generalization of the Viterbi Algorithm" publiée par T. HASHIMOTO, IEEE Trans. Info Theory vol.33, pp.866-876, Nov. 1987, respectivement à la publication intitulée "A Viterbi Algorithm with soft Decision Outputs and its Applications", publiée par J. HAGUENAUER et P. HOEHER, Globcom 89, Dallas, USA, pp. 1680-1686.
Enfin, on indique que l'étape consistant à effectuer une estimation actualisée des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission pour l'itération suivante peut consister à effectuer une itération de type EM, pour Expectation Maximization, utilisant les probabilités a posteriori sur les états du treillis associés au modèle Markowien du canal IES de transmission produites par le processus d'égalisation à l'itération courante, ainsi que la valeur estimée courante des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission #(z)1. Pour une description plus détaillée de l'itération de type EM, on pourra utilement se reporter à l'article intitulé "SEMIBLIND MAXIMUM A POSTERIORI MULTIPATH FAST FADING CHANNEL ESTIMATION FOR TDMA SYSTEMS" publié par Mohamed SIALA, Rafael BRU GIBERT, IEEE VTS,
50th Vehicular Technology Conference , Amsterdam, The Netherlands, September 19-22,1999.