INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dispositif et procédé de gestion à distance d'un réseau de systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles La présente invention concerne un dispositif et un procédé de gestion d'un réseau systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles.
II connu par la demande internationale de brevet WO 96I12255 un dispositif reproduction d'informations audiovisuelles communément appelé juke-box. juke-box est élaboré autour d'une unité centrale gérant des moyens reproduction audiovisuelle et des moyens de mémorisation d'au moins une information audiovisuelle correspondant au moins à la reproduction sonore d'une chanson. L'unité centrale gère également des moyens télécommunication tels qu'un modem pour permettre, notamment téléchargement d'informations audiovisuelles à partir d'un serveur central. gestion des commandes de nouvelles chansons et le paramétrage nécessitent soit le déplacement d'un opérateur sur les lieux d'implantation du juke-box, soit l'utilisation par l'opérateur d'un ordinateur possédant une liaison avec le serveur central. De plus, les opérations de gestion réalisables, par l'intermédiaire de la liaison avec le serveur central, sont limitées à la commande de nouvelles sélections musicales.
La présente invention a donc pour objet de pallier les inconvénients l'art antérieur en proposant un dispositif de gestion d'un réseau de systèmes reproduction d'informations audiovisuelles permettant de gérer l'ensemble informations relatives aux systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles et à leurs fonctionnements de façon simple et centralisée.
Ce but est atteint par le fait que le dispositif de gestion d'un réseau de systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles, est caractérisé en ce qu'il comprend une base de données comprenant une pluralité d'ensemble de tableaux, chaque tableau regroupant des informations, soit sur la constitution d'un juke-box, soit sur l'utilisation du juke-box, soit sur le paiement des redevances, la base de données est gérée par un serveur informatique comportant des moyens de connexion avec les systèmes de reproduction d'informations audiovisuelles pour, premièrement, recevoir des messages envoyés chaque dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles et contenant informations nécessaires à la mise à jour des ensemble de tableaux determinés de la base de données et, deuxièmement pour émettre des messages vers chaque dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles afin de mettre à jour les données ou programme de chaque dispositif de reproduction d'informations audiovisuelles par informations mémorisées dans au moins un ensemble de tableaux de la base données et transmises dans ce message.
Selon une autre particularité, un premier ensemble de tableaux comprend informations d'ordre général sur l'état de fonctionnement du juke-box.
Selon une autre particularité, le premier ensemble de tableaux comporte numéro identifiant de manière unique chaque juke-box, le statut de fonctionnement du juke-box, le mot de passe autorisant le fonctionnement du juke-box, et la date d'installation du juke-box.
Selon une autre particularité, un deuxième ensemble de tableaux de la base de données comprend des informations relatives à la constitution matérielle logicielle de chaque juke-box.
directement attaché à ce groupe vinyle, au moins un atome de fluor, un groupe fluoroalkyle ou un groupe fluoroalkoxy.
A titre d'exemple de comonomère on peut citer le fluorure de vinyle; le trifluoroethylene (VF3) ; le chlorotrifluoroethylene (CTFE); le 1,2difluoroethylene; le tetrafluoroethylene (TFE) ; l'hexafluoropropylene (HFP) ; les perfluoro(alkyl vinyl) ethers tels que le perfluoro(methyl vinyl)ether (PMVE), le perfluoro(ethyl vinyl) ether (PEVE) et le perfluoro(propyl vinyl) ether (PPVE); le perfluoro( 1,3 -dioxole); le perfluoro(2,2-dimethyl- 1,3-dioxole) (PDD) ; le produit de formule CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2X dans laquelle X est S02F, C02H, CH20H, CH20CN ou CH20P03H; le produit de formule CF2=CFOCF2CF2S02F; le produit de formule F(CF2)nCH20CF=CF2 dans laquelle n est 1,2, 3,4 or 5; le produit de formule R1CH20CF=CF2 dans laquelle R1 est l'hydrogene ou F(CF2)z et z vaut 1,2, 3 ou 4; le produit de formule R30CF=CH2 dans laquelle R3 est F(CF2)z- et z est 1, 2,3 or 4; le perfluorobutyl ethylene (PFBE) ; le 3,3,3-trifluoropropene et le 2-trifluoromethyl-3 ,3 ,3 -trifluoro-1 -propene. On peut utiliser plusieurs comonomères.
Le polymère (A) dans le matériau composite est cristallisé sous la forme P soit parce qu'il était déjà sous la forme ss avant son mélange avec la charge conductrice (B) soit parce qu'au cours de la préparation du composite il a cristallisé sous cette forme ss. Ceci se produit par exemple quand on met en solution du PVDF dans un solvant puis qu'on laisse évaporer le solvant. On ne sortirait pas du cadre de l'invention si le polymère(A) n'est pas cristallisé en totalité sous la forme ss mais cette proportion de forme ss doit être suffisante pour conduire à l'effet PTC. Avantageusement cette proportion de forme ss dans le polymère (A) doit être d'au moins 60% et de préférence 75%. Le présence de la phase cristalline piézo-électrique n'est pas la seule condition pour obtenir l'effet PTC. Les cristaux en forme (3 (ou la forme 1) doivent être nucléés sur la surface des particules d'une charge conductrice tel que par exemple du graphite.
A titre d'exemple du polymère (A) on peut citer le PVDF homopolymère et le PVDF homopolymère présentant au moins 15% de défauts (on utilise aussi le terme "défaut de retournement" ou "taux de retournement"). On entend
par défaut de retournement toute association de type -CF2-CF2-CH2-CH2- le long de la chaîne de polymère (association appelée aussi tête-tête par opposition à l'association tête-queue type -CF2-CH2-CH2-CF2-). On peut mesurer le taux de défauts à l'aide de la RMN du proton, on donne donc généralement le taux de défauts de retournement en pourcentage.
On peut encore citer les copolymères du VF2 et du VF3 ayant au moins 60% en moles de VF2 et avantageusement au moins 75%; les copolymères du VF2, du TFE et de l'HFP ayant au moins 15% en moles de motifs TFE et avantageusement les copolymères VF2-TFE-HFP de composition molaire respective 60 à 80/ 15 à 20/ 0 à 25.
S'agissant de la charge conductrice (B) elle peut être choisie parmi toutes les poudres de matériaux conducteurs de l'électricité et avantageusement les métaux en poudre, le noir de carbone, le graphite et les oxydes métalliques tels ceux cités dans le brevet FR 2774100. En modifiant la proportion de (B) et de (A), et à voltage constant, on peut modifier la température obtenue par effet PTC. Cette température peut être comprise entre la température de fusion et -50 C et avantageusement entre -20 C et 130 C Plus on augmente la proportion de (B) plus la température monte.
S'agissant du polymère (C) c'est tout polymère qui ne perturbe pas la cristallisation du polymère (A). A titre d'exemple on peut citer le PVDF homopolymère qui n'est pas sous forme (3 et les copolymères VF2-HFP contenant au moins 85% de VF2 et avantageusement au moins 90%.
S'agissant de la charge (D) on peut citer les charges habituelles des polymères fluorés telles que la silice, le PMMA, les anti UV.
Le matériau composite de l'invention peut être préparé selon deux procédés. Selon le premier on mélange les différents constituants (A), (B) et éventuellement (C) et/ou (D) de sorte que (A) soit à l'état fondu puis on applique le produit obtenu sur la surface isolante. On peut utiliser les dispositifs habituels de mélange des polymères thermoplastiques tels que les mélangeurs, les extrudeuses. On ne sortirait pas du cadre de l'invention en refroidissant et stockant sous forme de granulés le produit obtenu à l'issue de cette opération
de mélange puis qu'ensuite on le chauffe pour le fondre puis on l'applique sur la surface isolante.
Selon le deuxième procédé on met les différents constituants (A), (B) et éventuellement (C) et/ou (D) dans un solvant jusqu'à obtenir une dispersion épaisse qui peut être appliquée comme une peinture sur la surface de l'isolant.
Le solvant peut être choisi parmi l'acétone, l'isophorone, le diméthylformamide (DMF), la methylethylcetone (MEK) et la N-methyl pyrolidone (NMP).
On peut aussi combiner ces deux procédés par exemple en mélangeant (A) et (B) à l'état fondu puis on on dissout l'ensemble ainsi qu'éventuellement (C) et/ou (D) dans un solvant.
La présente invention concerne aussi les dispositifs chauffants comprenant le matériau composite décrit plus haut.
[Exemples] Exemple 1 La formulation suivante, en poids, donne une bonne régulation thermique quand elle est appliquée entre les bornes distantes de 10cm et placée sous une tension de 11 OV.
L'électrogreffage est effectué sur les lames macroscopiques Au/Si (p) 02 telles que décrites dans le paragraphe 1. des exemples. Le contact électrique est pris sur la partie or de la lame, et la totalité de la lame est trempée dans une solution contenant 10-3 mol/1 de chlorure de para-nitrophényl diazonium, et 5. 10-2 mol/1 de TétraEthyl Ammonium Perchlorate (TEAP) dans l'acétonitrile. On réalise un balayage en potentiel de +0.37 V/ (Ag+/Ag) à-2.4 V/ (Ag+/Ag), à une vitesse de balayage de 5OmV/s.
Les deux parties de la surface sont ensuite analysées par spectroscopie IRRAS (figure 13) et par XPS (figure 14). On observe bien, comme dans le cas de l'électrogreffage de polymères vinyliques, que le greffage organique n'a eu lieu que sur l'or et pas sur la partie sitz.
De manière plus précise, la figure 13 montre les spectres IRRAS d'une lame composite (cf. paragraphe 1. des exemples et figures 2A et 2B) Au/Si (p) 02 polarisée par l'or dans une solution contenant du chlorure de para-nitrophényl diazonium. On distingue clairement les raies caractéristiques du groupement nitro autour de 1500 com-'.
La figure 14 montre la région Nls des spectres XPS d'une lame (cf. paragraphe 1. des exemples et figures 2A et 2B) Au/Si (p) 02 polarisée par l'or dans une solution contenant du tétrafluoroborate de paranitrophényl diazonium, sur la partie Au (spectres du haut) et sur la partie Si02 (spectre du bas).
8. Electrogreffage localisé à partir d'arylacétates Nous présentons ici un exemple illustrant l'obtention d'un greffage organique localisé grâce à l'électroactivation d'arylacétates en milieu organique.
L'électrogreffage est effectué sur les lames macroscopiques Au/Si (p) 02 telles que décrites dans le paragraphe 1. (figures 2A et 2B). Le contact électrique est pris sur la partie or de la lame, et la totalité de la lame est trempée dans une solution contenant
4. 10-3 mol/1 de phénylacétate, et 0.1 mol/1 de (n-Bu) 4PF6 dans l'acétonitrile. On réalise 10 balayages de potentiel, aller-retour, de +0.5 V/ECS à +1.25 V/ECS, à une vitesse de balayage de 200 mV/s.
Les surfaces sont caractérisées comme dans l'exemple précédent, et l'on obtient également un greffage sélectif sur l'or.
REFERENCES 1-WO-A-99/24868.
2-WO-A-98/58745.
3-FR-A-2 787 581 et FR-A-2 787 582.
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6, a-G. DENIAU, G. LECAYON, P. VIEL, G. HENNICO, J. DELHALLE, Langmuir, 8 (1992) 267.
6, b-E. LEONARD-STIBBE, G. LECAYON, G. DENIAU, P. VIEL, M. DEFRANCESCHI, G. LEGEAY, J. DELHALLE, Journal of Polymer Science A, 32 (1994) 1551.
7, a-C. BUREAU, G. DENIAU, P. VIEL, G. LECAYON and J. DELHALLE, Journal of Adhesin, 58 (1998) 101.
solution, puis le polymère prend en masse sur la surface (schéma 2). b. Nature du transfert électronique métal/molécule C'est évidemment-ici-le polymère greffé qui présente un intérêt majeur pour l'invention proposée. De façon à comprendre comment on peut localiser le greffage sur une surface composite, il est indispensable de détailler la façon dont le transfert électronique a lieu.
Il a été démontré que la description du transfert électronique métal/molécule peut être très avantageusement effectuée dans le cadre d'un modèle acide-base de Lewis'. Dans ce modèle, chaque antagoniste (la surface métallique polarisée et la molécule de monomère en regard) possède un potentiel chimique global, p : ce potentiel chimique peut être défini de façon très rigoureuse du point de vue 7, 8 mathématique, mais est également mesurable Pour une surface métallique, le potentiel chimique est par exemple égal à l'opposé du travail de sortie du métal (et s'exprime en général en électron-volts). On démontre également que le potentiel chimique est égal, en toute généralité, à l'opposé de l'électronégativité, notion plus intuitive-mais strictement synonyme, au signe près-pour le description des transferts électroniques.
La propension à l'échange électronique entre les deux systèmes est simplement reliée à ces
potentiels chimiques. On peut l'évaluer semi- quantitativement au travers du nombre d'électrons AN échangés du fait de cette différence de potentiels chimiques : #N = KAB( B - A) (E1) où A et B sont respectivement l'acide et la base de Lewis dans l'interaction, c'est-à-dire l'accepteur et le donneur d'électrons, et KM est une constante positive. Dans l'équation (El), il est donc dit que le transfert d'électrons a lieu du potentiel chimique le plus haut vers le potentiel chimique le plus bas (ou encore : de l'électronégativité la plus basse vers l'électronégativité la plus haute).
Il a, de plus, été démontré que lorsqu'un métal est relié à un potentiel extérieur (une pile, par exemple), alors le potentiel chimique du métal est linéairement relié au potentiel d'électrode imposé expérimentalement, AE : // =-AE =-till + este (Réf, solvant) (E2) où la constante ne dépend que du solvant utilisé et de la nature de l'électrode de référence. Un raisonnement simple permet de montrer que cette constante est mesurable, et égale à : c=AE- < ï), où AEpzc est le potentiel de charge nulle du métal dans la solution (mesurable) et (D son travail de sortie dans le vide (mesurable également) 7, 12.
En rapprochant le contenu des équations (El) et (E2), on en conclut que la polarisation du métal tend à promouvoir et à exacerber les écarts de potentiel chimique entre la surface et la molécule, et donc à augmenter la propension à l'échange électronique. Quand on polarise négativement (AE molécule : c'est ce qui aboutit au schéma réactionnel décrit sur le schéma 1, effectivement obtenu sous polarisation cathodique.
La vitesse à laquelle se produit cet échange électronique conditionne le courant électrique qui passe dans le circuit.
A quelle vitesse se produit cet échange ( ?) La réponse vient de la théorie de MARCUS, qui indique que le courant i obéit à une loi du type (théorie de MARCUS) : E. i = koe r où Ea est une énergie d'activation, que le système doit franchir pour que le transfert électronique ait effectivement lieu, et r une grandeur caractéristique de la concentration de l'espèce moléculaire au voisinage de la surface.
On décrit maintenant, dans ce qui suit, le mécanisme électronique du greffage localisé.
Des trois équations (El)- (E3), on déduit facilement la possibilité d'un transfert électronique
localisé, et donc d'un greffage localisé si ce transfert électronique est celui ayant lieu dans une réaction d'électropolymérisation.
En effet, considérons deux surfaces de natures différentes, comme par exemple une surface d'or Si et une surface de silicium S2, ayant chacune leur travail de sortie respectif, (Pl et (P2, et leur potentiel de charge nulle respectif, AEpzc et AEpzc2 (figures 1A et 1B). Sur la figure 1A, on a représenté la position des potentiels chimiques lorsque les deux surfaces sont à leur potentiel de charge nulle.
(N. B. : on a estimé que les potentiels de charge nulle étaient voisins, pour pouvoir être atteints simultanément, lorsque les deux surfaces sont en contact électrique) : l'or, ayant un travail de sortie (en solution) plus faible que le silicium, est placé au-dessus du silicium.
Prenons l'exemple de l'interaction de ces surfaces avec l'acrylonitrile (schéma 1). On trouve, quantitativement, que ces deux niveaux sont au-dessus de celui de l'acrylonitrile7. Pourtant, au PZC, aucun courant ne passe, car les barrières d'activation (équation (E3)) sont trop hautes, aussi bien pour un transfert or/acrylonitrile (barrière Egal) que pour un transfert silicium/acrylonitrile (barrière Ea2) (figure 1A).
Si l'on polarise maintenant négativement la surface composite or/silicium, on sait (équation (E2)) que cela fait monter les potentiels chimiques des deux surfaces (toujours en contact électrique). Le potentiel
chimique de la molécule restant-en première approximation-inchangé, la théorie de MARCUS nous indique que ce sont alors les énergies d'activation qui diminuent quand on polarise (figure 1B) : l'or étant au-dessus du silicium, sa barrière d'activation sera abaissée la première, et on parviendra à promouvoir le transfert or/acrylonitrile alors que le transfert silicium/acrylonitrile sera toujours inopérant. En clair, le premier courant qui sera mesuré passera presque exclusivement par l'or, ce qui revient à dire (schéma 1) qu'il n'y aura de greffage de polyacrylonitrile quasiment que sur l'or et pas sur le silicium.
Elle s'applique à de nombreux composants réalisés en optique intégrée tels que notamment des amplificateurs optiques, des multiplexeurs optiques, des diviseurs optiques, des coupleurs optiques, et, de façon générale à tout composant utilisant au moins une portion de guide optique non enterrée.
Etat de la technique Un guide optique se compose d'une partie centrale appelée généralement coeur et de milieux environnants situés tout autour du coeur et qui peuvent être identiques entre eux ou différents.
Pour permettre le confinement de la lumière dans le coeur, l'indice de réfraction du milieu composant le coeur doit être différent et dans la plupart des cas supérieure à ceux des milieux environnants.
Pour simplifier la description on assimilera le guide à sa partie centrale. Par ailleurs, on appellera tout ou partie des milieux environnants, substrat, étant bien entendu que lorsque le guide est pas ou peu enterré, un des milieux environnants peut être extérieur au substrat et être par exemple de l'air.
Suivant le type de technique utilisé, le substrat peut être monocouche ou multicouches.
En outre, suivant les applications, un guide optique dans un substrat peut être plus ou moins enterré dans ce substrat et en particulier comporter des portions de guide enterrées à des profondeurs variables.
Ainsi par exemple dans certaines applications, les guides optiques d'une structure en optique intégrée, réalisés dans un substrat notamment par la technologie d'échange d'ions, doivent être en entrée et en sortie de la structure connectés à des fibres optiques. De ce fait, les guides d'onde au moins en entrée et en sortie doivent présenter un mode de propagation de la lumière proche respectivement de celui de la fibre qui doit lui être associée. Or ce mode de propagation est souvent, relativement peu confiné.
Un faible confinement ne permet pas, par ailleurs, de réaliser des guides optiques courbes, avec des rayons de courbure typiquement inférieurs à 20 mm, ce qui peut être pénalisant sur le plan de l'encombrement du composant.
Pour obtenir de faibles rayons de courbure, il faut donc augmenter le confinement latéral des guides.
Pour concilier ces contraintes, il est connu de réaliser des guides présentant : - d'une part des portions de guides au moins en entrée et en sortie à faible confinement, ces portions ont une largeur adaptée à celle des fibres et sont donc
enterrées dans la technologie de réalisation de guides par échange d'ions, - et d'autre part des portions de guides à fort confinement adapté à la réalisation de faible rayon de courbure et qui sont donc dans cette technologie au voisinage de la surface du substrat.
Les guides situés au voisinage de la surface sont mal protégés de l'environnement et présentent des pertes optiques qui peuvent être élevées et qui peuvent évoluer dans le temps à cause de pollution sur la surface du substrat.
Par ailleurs, l'utilisation d'une couche de protection sur le substrat pour protéger la structure de l'environnement induirait des contraintes mécaniques sur celle-ci (à cause en particulier de problèmes de coefficients de dilatation thermique différents) et nuire à sa fonctionnalité. Ces contraintes pourraient notamment créer des effets de biréfringence qui sont préjudiciables pour certaines applications.
Exposé de l'invention et brève description des figures L'invention concerne une structure en optique intégrée comportant dans un substrat au moins une portion de guide non enterrée qui est isolée de l'environnement par des moyens qui n'induisent pas ou peu de contraintes mécaniques sur la structure.
On entend dans la présente invention par"non enterré"un guide situé au voisinage de la surface du substrat, c'est-à-dire que l'épaisseur de matériau séparant le coeur, de la surface du substrat est soit nulle, soit insuffisante pour éviter les pertes
optiques, par exemple par onde évanescente associée à un mode de propagation de l'onde lumineuse dans le guide.
entrée dans la chambre de combustion 22.
Les traits pointillés 74 représentent la position de la surface interne 64 de la paroi du tronçon aval 28 selon l'état de la technique. Ils représentent aussi la direction 75 de l'air lors de
leur entrée dans la chambre de combustion 22.
L'angle qui s'étend entre la paroi cylindrique de la chambre de combustion 22 et la direction 71 de l'air de selon l'invention est plus faible que l'angle séparant ladite paroi cylindrique de la
direction 75 de l'air selon l'état de la technique.
De plus, la distance Dl entre l'orifice d'entrée 32 et la zone d'impact de l'air avec la paroi tubulaire de la chambre de combustion 22 selon l'invention, est plus faible que la distance D2
correspondante selon l'état de la technique.
Cela permet d'augmenter le mouvement tourbillonnaire de
swirl de l'air à l'intérieur de la chambre de combustion 22.
B798 La forme, les dimensions et la position de la protubérance sont déterminées pour que la perméabilité de l'orifice d'entrée 32 correspondant, ainsi que le mouvement tourbillonnaire de swirl
soient optimaux.
Le conduit d'admission 24 peut être du type tangentiel, c'est-à-dire que la direction du flux d'air qui traverse les orifices d'entrée 32 et 34 est d'orientation sensiblement tangentielle à la
paroi cylindrique de la chambre de combustion 22.
Selon l'invention, la première protubérance 70 peut être
io réalisée en une seule pièce avec le conduit d'admission 24.
Ainsi, la première protubérance 70 peut être réalisée lors
Selon une forme particulièrement préférée de l'invention, le monomère de formule (1) comporte au moins un motif oxyde d'alkylène (x > 1) et de préférence une chaîne polyoxyalkylénée. La chaîne polyoxyalkylénée, de façon préférentielle, est constituée de motifs oxyde d'éthylène et/ou de motifs oxyde de propylène et encore plus particulièrement constituée de motifs oxyde d'éthylène. Le nombre de motifs oxyalkylénés varie en général de 3 à 100 et plus préférentiellement de 3 à 50 et encore plus préférentiellement de 7 à 25.
Parmi ces polymères, on peut citer : - les copolymères réticulés ou non réticulés, neutralisés ou non, comportant de 15 à 60% en poids de motifs AMPS et de 40 à 85% en poids de motifs (C8-C16) alkyl (méth) acrylamide ou de motifs (C8-C16) alkyl (méth) acrylate par rapport au polymère, tels que ceux décrits dans la demande EP-A750 899 ; - les terpolymères comportant de 10 à 90% en mole de motifs acrylamide, de 0,1 à 10% en mole de motifs AMPS et de 5 à 80% en mole de motifs n- (C6-C18) a ! kylacrylamide, tels que ceux décrits dans le brevet US- 5089578.
On citera plus particulièrement les copolymères constitués de motifs acide 2- acrylamido-2-méthylpropane-sulfonique (AMPS) de formule (II) suivante :
Fdans laquelle X+ est un proton, un cation de métal alcalin, un cation alcalino- 1 terreux ou l'ion ammonium, et de motifs de formule (ici) suivante : dans laquelle x désigne un nombre entier variant de 3 à 100, de préférence de 5 à 80 et plus préférentiellement de 7 à 25 ; R1 a la même signification que celle indiquée ci-dessus dans la formule (1) et R4 désigne un alkyle linéaire ou ramifié en Co-Css et plus préférentiellement en Clo-C22.