INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La figure 4 est une représentation montrant schématiquement un changement de l'épaisseur de la résine de moulage en fonction de la position d'installation de la plaque d'électrode de connexion externe 8.
Sur la figure 4, la plaque d'électrode de connexion externe 8 est placée au voisinage de la partie périphérique de la surface supérieure du boîtier en résine 23A dans le dispositif à semiconducteur de gauche, ce qui fait que la distance d'isolation L à partir du radiateur HS jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 8 est définie par l'épaisseur du boîtier en résine 23A.
D'autre part, la plaque d'électrode de connexion externe 8 est placée dans une position plus proche de la partie centrale sur la surface supérieure du boîtier en résine 23 dans le dispositif à semiconducteur de droite, ce qui fait que la distance d'isolation L à partir du radiateur HS jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 8 est définie par l'épaisseur du boîtier en résine 23, et par la distance à partir de la partie périphérique sur la surface supérieure du boîtier en résine 23 jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 8.
De cette manière, en disposant la partie de connexion de la plaque d'électrode de connexion externe 8 pour la connexion à un conduc-
teur externe sur la surface supérieure du boîtier en résine 23, la distance d'isolation L à partir du radiateur HS jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 8 peut être aisément obtenue, et par conséquent on peut avoir un dispositif à semiconducteur qui est capable de supporter une tension élevée, même dans le cas où l'épaisseur du boîtier en résine 23 est faible.
Ensuite, dans le cas où l'épaisseur du boîtier en résine 23 peut être diminuée, il est possible d'éviter un gauchissement du boîtier en résine 23 sous l'effet du dégagement de chaleur au moment de l'utilisation du dispositif.
En effet, il y a une grande différence de coefficient de dilatation linéaire entre la résine moulée et le répartiteur de chaleur 25, à cause d'une différence de matériaux. Par conséquent, lorsqu'un changement de température se produit du fait du dégagement de chaleur au moment de l'utilisation du dispositif, un gauchissement du boîtier en résine 23 entier se produit. Dans ces conditions, dans le cas où l'importance de ce gauchissement dépasse par exemple quelques centaines de micromètres, un espace est créé entre le boîtier en résine 23 et le radiateur (non représenté) sur lequel le boîtier en résine 23 est fixé, ce qui fait que la transmission de chaleur du dispositif à semiconducteur vers le radiateur est bloquée, et il y a une possibilité que la température du dispositif à semiconducteur atteigne ou dépasse la valeur admissible.
Cependant, lorsque l'épaisseur du boîtier en résine 23 est mince en comparaison de l'épaisseur du répartiteur de chaleur 25, le gauchissement est faible même dans le cas où le même changement de température se produit. Il en résulte que la résistance thermique peut être maintenue à une valeur faible dans la partie venant en contact avec le radiateur, ce qui permet de maintenir les performances de dissipation.
De plus, du fait que les performances de dissipation peuvent être maintenues, l'augmentation de température dans le dispositif à semiconducteur peut être limitée et, par conséquent, il y a un plus grand choix de matériaux utilisables pour la résine de moulage, et par conséquent il est possible d'utiliser une résine de moulage moins coûteuse, de façon à réduire le coût.
De cette manière, en plaçant la partie de contact de la plaque
d'électrode de connexion externe 8 pour la connexion à un conducteur externe à une certaine distance d'un bord de la surface supérieure du boîtier en résine 23, il est possible d'obtenir une distance d'isolation suffisante même dans le cas où le boîtier en résine 23 est mince, et il est possible d'atteindre une tenue en tension de plusieurs centaines de volts, ou plus, même pour un dispositif à semiconducteur à travers lequel un courant élevé circule, ce qui fait qu'un changement de température de plusieurs dizaines de degrés Celsius se produit.
Il est souhaitable que le coefficient de dilatation linéaire de la résine de moulage soit proche du coefficient de dilatation linéaire du répartiteur de chaleur 25 afin de limiter le gauchissement du boîtier en résine 23 et, par exemple, dans le cas où le répartiteur de chaleur 25 est en cuivre (Cu), il est souhaitable que le coefficient de dilatation linéaire de la résine de moulage soit approximativement de 16 x 10-6/K.
Bien que la configuration du dispositif à semiconducteur M100 décrit ci-dessus comprenne un élément du type IGBT 1 et un élément du type diode 2, la configuration peut évidemment comprendre un ensemble du même nombre d'éléments du type IGBT 1 et d'éléments du type diode 2, ou bien plusieurs dispositifs à semiconducteur M100 peuvent être rassemblés de façon à former une unité, en les connectant électriquement en parallèle, et peuvent être associés de façon à former l'équivalent d'un seul dispositif à semiconducteur ayant une multiplicité d'éléments IGBT connectés en parallèle. On peut donc aisément obtenir un dispositif à semiconducteur qui correspond à une capacité de courant quelconque.
De plus, on peut utiliser les dispositifs à semiconducteur M100 en les combinant arbitrairement conformément à une application, de façon que dans le cas de l'utilisation pour un onduleur d'un moteur triphasé, six des dispositif à semiconducteur M100 soient utilisés, et par conséquent la productivité peut être augmentée sans augmenter les types de produits.
La figure 2 montre une coupe selon la direction longitudinale de la configuration du dispositif à semiconducteur M100. Comme représenté sur la figure 2, le répartiteur de chaleur 25 est complètement enterré dans
le couler en résine 23.
La figure 3 montre des relations de connexion de l'élément du type IGBT 1 et de l'élément du type diode 2. Comme représenté sur la figure 3, l'élément du type diode 2 est connecté en parallèle sur l'élément du type IGBT 1 dans la direction dans laquelle le courant direct retourne, de façon à fonctionner comme une diode de roue libre.
L'émetteur de l'élément du type IGBT 1 est connecté à la plaque d'électrode de connexion externe 81 et il est également connecté à la broche relais d'émetteur de commande 14 par l'intermédiaire de la plaque de bornes relais d'émetteur de commande 4.
De plus, la grille de l'élément du type IGBT 1 est connectée à la broche relais de grille 13 par l'intermédiaire de la plaque de borne relais de grille 3.
La broche relais d'émetteur de commande 14 est employée au moment de l'attaque de l'élément du type IGBT 1, et l'élément du type IGBT 1 peut être attaqué en appliquant une tension entre la grille et l'émetteur (par exemple environ 15 V), c'est-à-dire entre la broche relais d'émetteur de commande 14 et la broche relais de grille 13.
La broche relais d'émetteur de commande 14 et la broche relais de grille 13 sont connectées à un circuit de commande, un circuit d'attaque et autres, qui ne sont pas représentés.
L'élément du type IGBT 1 a une électrode de détection de courant qui est formée de façon à permettre la circulation d'un courant (courant de détection) qui est une fraction d'un millième du courant circulant à travers l'émetteur, et une broche relais est incluse pour émettre le courant de détection et est connectée électriquement à cette électrode de détection de courant et au groupe de bornes de broches relais 22 pour la détection de température, dont les descriptions sont omises.
On décrira ensuite un processus pour le dispositif à semiconducteur M100, en se référant aux figures 1 et 2.
Premièrement, l'élément du type IGBT 1, l'élément du type diode 2, le bloc de bornes relais 20 et la plaque d'électrode de connexion externe 81 sont brasés et connectés au répartiteur de chaleur 25. A ce moment, des fils d'aluminium WR sont soudés à des composants respectifs
de façon à les connecter les uns aux autres.
La plaque d'électrode de connexion externe 81 est formée de façon à être intégrée dans un cadre de montage (non représenté) entourant le répartiteur de chaleur 25, et le cadre de montage et le répartiteur de chaleur 25 sont intégrés en connectant la plaque d'électrode de connexion externe 81 au répartiteur de chaleur 25. La plaque d'électrode de connexion externe 81 est également formée de façon à être intégrée au cadre de montage, qui n'est pas connecté au répartiteur de chaleur 25.
Le cadre de montage est placé dans un moule pour le moulage par transfert dans la condition ci-dessus, et en faisant entrer dans le moule une résine à l'état fondu, le moulage avec de la résine est accompli. Après ceci, le moule est retiré et les plaques d'électrodes de connexion externe 81 et 82 sont séparées du cadre de montage, ce qui fait qu'on peut obtenir le dispositif à semiconducteur M100 qui est encapsulé dans le boîtier en résine 23.
Comme décrit ci-dessus, dans le dispositif à semiconducteur M100 conforme à la présente invention, l'élément du type IGBT 1, l'élément du type diode 2, le bloc de bornes relais 20, la plaque d'électrode de connexion externe 8 et le répartiteur de chaleur 25 sont encapsulés en une seule pièce dans une résine par moulage par transfert, et par conséquent l'efficacité d'implantation est excellente et on peut donner à la forme externe du répartiteur de chaleur 25 une dimension approximativement aussi grande que la dimension de la forme externe du boîtier en résine 23, ce qui fait que la miniaturisation devient possible tout en conservant les performances de dissipation.
De plus, la plaque d'électrode de connexion externe 8 est incorporée de façon que la partie de connexion avec un conducteur externe soit à nu sur la surface supérieure du boîtier en résine 23, et par conséquent l'aire du circuit en boucle formé par les deux plaques d'électrodes de connexion externe 8 et les deux électrodes principales de l'élément du type IGBT 1 et un chemin de courant pour les connecter électriquement, devient faible, ce qui permet de réduire l'inductance du circuit en boucle.
La tension de crête de la surtension transitoire qui accompagne un changement de courant au moment auquel l'élément de commutation
est fondamentalement la même que celle du dispositif à semiconducteur M200 qui est décrit en référence aux figures 7 et 8, et les mêmes symboles sont associés aux mêmes composants et des explications répétitives sont omises. De plus, les parties de jonction entre la partie de corps 231 B et les parties saillantes d'électrodes 232B sont des parties qui ont des surfaces courbes RP, de la même manière que dans le dispositif à semiconducteur M201 qui est décrit en référence à la figure 10.
Le dispositif à semiconducteur M202 a des parties de collets BP formées par une opération de soyage autour des trous traversants 28 formés dans les parties à nu des plaques d'électrode de connexion externe 8B.
Ensuite, des filetages sont formés dans ces parties de collets BP, de façon qu'une fixation par vis devienne possible sans utiliser d'écrous.
Dans ce qui suit, on décrit une opération de soyage en se référant aux figures 12 à 14. Comme représenté sur la figure 12, on forme un trou dans les parties qui deviennent les parties à nu des plaques d'électrodes de connexion externe 8B, en utilisant une presse à poinçonner PO, ou un appareil similaire. A ce moment, en pressant et en rabattant la matière des plaques d'électrodes de connexion externe 8B, au lieu de l'enlever, des parois sont formées autour des trous traversants 28.
Ensuite, comme représenté sur la figure 13, en utilisant un taraud TP pour la formation de filetage, et en formant des filets dans les parties de parois qui restent autour des trous, on obtient les parties de collets BP qui sont filetées, comme représenté sur la figure 14.
La figure 15 montre une coupe de la configuration du dispositif à semiconducteur M203 à titre d'exemple modifié du dispositif à semiconducteur M200. La configuration du dispositif à semiconducteur M203 est fondamentalement la même que celle du dispositif à semiconducteur M200 qui est décrit en référence aux figures 7 et 8, et les mêmes symboles sont associés aux mêmes composants et des explications répétitives sont omises. De plus, les parties de jonction entre la partie de corps 231 B et les parties saillantes d'électrodes 232B sont des parties ayant des surfaces courbes RP, de la même manière que dans le dispositif à semiconducteur M201 qui est décrit en référence à la figure 10.
Le dispositif à semiconducteur M203 comprend des écrous 31 du côté de la surface inférieure des parties à nu des plaques d'électrodes de connexion externe 8B, ce qui fait qu'il n'est pas nécessaire de préparer des écrous au moment où des conducteurs externes sont fixés avec des vis (non représentées) introduites à travers les trous traversants 28, ce qui augmente la commodité d'assemblage.
Les écrous 31 peuvent être connectés par brasage, ou autres, à la surface inférieure des plaques d'électrodes de connexion externe 88B, ou bien ils peuvent être enterrés dans les cavités OS au moment auquel le boîtier en résine 23B est formé par moulage par transfert.
Dans ce qui suit, on décrit en référence à la figure 16 le processus pour enterrer les écrous 31 dans le boîtier en résine 23B.
Comme représenté sur la figure 16, on prépare dans la partie qui correspond aux parties saillantes d'électrodes 232B un moule supérieur 61, dans lequel est formée une cavité 611 qui coïncide avec la forme externe des parties saillantes d'électrodes 232B, et un moule inférieur 62, dans lequel il existe une partie convexe 621 qui coïncide avec la forme externe des cavités OS.
Des doigts 623 d'une forme cylindrique, dont le diamètre est légèrement inférieur au diamètre du trou de vis des écrous 31, sont placés aux pointes du moule inférieur 62 et de la partie convexe 621, de façon que les écrous 31 soient insérés autour de ces doigts 623. La longueur des doigts 623 est fixée à une longueur telle que les doigts 623 dépassent légèrement au-delà de la surface d'extrémité des écrous 31 dans les conditions dans lesquelles les doigts 623 sont insérés dans les écrous 31.
La partie convexe 621 est la partie sur laquelle un écrou 31 est monté et elle a une base 622 de forme cylindrique dont le diamètre est plus grand que le diamètre du trou de vis de l'écrou 31, et plus petit que le diamètre extérieur de l'écrou.
Au moment du moulage par transfert, le cadre de montage auquel le répartiteur de chaleur 25 est fixé, est placé entre le moule supérieur 61 et le moule inférieur 62, dans la condition dans laquelle le doigt 623 est inséré dans l'écrou 31.
Lorsque le moule supérieur 61 et le moule inférieur 62 sont fermés, l'écrou 31 est fixé en étant placé entre la base 622 et la plaque
d'électrode de connexion externe 8B, tandis que le doigt 623 qui faisant saillie à partir de la surface extérieure de l'écrou 31 est introduit dans le trou traversant 28 dans la plaque de connexion externe 8B. La longueur du doigt 623 est fixée de façon que la longueur de la partie du doigt 623 qui dépasse au-delà de la surface d'extrémité de l'écrou 31 soit plus courte que l'épaisseur de la plaque d'électrode de connexion externe 8B.
Par conséquent, le doigt 623 est contenu à l'intérieur du trou traversant 28 et ne vient pas en contact avec le moule supérieur 61. En faisant en sorte qu'une résine à l'état fondu s'écoule dans les moules dans cette condition, l'encapsulation par la résine est accomplie.
C - REMARQUE Aw à 20 C = 0.64 Brix final = 84.3 Exemple 5 : caramel A - FORMULE
Composition Composition En poids Produit fini (%) A) Maltodextrines branchées 595. 0 68. 3 % Erythritol 76. 0 9.2 % Eau 264.0 B) Matières grasses végétales 48. 0 5. 8 % (Toffita/Loders Croklaan) Monostéarate de glycérol 4.0 0.5 % C) Acesulfame K 0.7 0. 1 % Arôme caramel (Fontarôme - 50398) 7. 0 0.8 % Colorant caramel E 241 5.3 0. 6 % Eau résiduelle- 15. 0 % 1000.0 100. 0 % B - MODE PREPARATOIRE > Cuire le mélange (A) + le mélange (B) (préalablement fondu à 60 C) à 108 C (Brix = 84. 5) sous pression atmosphérique.
> Durant la cuisson, ajouter le mélange C.
> Refroidir.
C - REMARQUE Aw à 20 C = 0.57
ETAGERE POUR LE SUPPORT D'ARTICLES, EN PARTICULIER DANS DES INSTALLATIONS REFRIGEREES La présente invention concerne une étagère (ou tablette) pour le support d'articles et destinée à être fixée ou montée, en position horizontale ou approximativement horizontale, dans le châssis d'un meuble. En particulier, elle concerne une étagère apte à être utilisée dans des compartiments réfrigérés (armoires réfrigérées, appareils frigorifiques, réfrigérateurs, etc. ) pour le support d'articles, en particulier d'aliments.
Dans les réfrigérateurs ménagers, il est connu d'utiliser des étagères sous forme de plaques pleines en matière plastique ou en verre, de telles plaques étant simples à nettoyer, hygiéniques et pouvant supporter toutes sortes de denrées alimentaires. Ces plaques sont habituellement munies d'un entourage en matière plastique permettant d'éviter des risques de blessures sur les arêtes vives des plaques et/ou de renforcer lesdites plaques. Une réalisation précise et esthétique de cet entourage permettant de garantir une bonne étanchéité entre l'entourage et la plaque consiste à injecter la matière plastique sur le pourtour de la plaque posée dans un moule afin qu'elle prenne la plaque en sandwich (ou en tenaille) en l'enserrant sur son chant et sur chacune de ses faces supérieure et inférieure. Il s'agit de la méthode"d'encapsulation". La matière peut également être injectée autour des éléments de support de l'étagère permettant de monter celle ci dans le réfrigérateur. L'encapsulation requiert cependant des installations spécifiques, limitées à chaque modèle de tablette réalisé, peut être complexe, coûteuse, les étagères obtenues pouvant également présenter des inconvénients (capacité d'adaptation à différents types de structures limitée, etc.).
Il est également connu de former l'entourage plastique indépendamment de la plaque (entourage rapporté), puis de solidariser les deux par collage. Cette méthode présente des avantages en termes de simplicité, de coût, de facilité d'adaptation, etc. mais peut poser des problèmes en termes de tenue ou pérennité de l'assemblage et/ou d'esthétique et/ou d'étanchéité.
L'objet de la présente invention est de fournir des étagères améliorées par rapport aux étagères existantes telles que précédemment décrites. Ce but est obtenu grâce à l'étagère selon l'invention. Cette étagère comprend au moins un panneau, destiné à recevoir des articles, et au moins une structure (ou entourage) plastique rapportée épousant le chant du panneau et/ou exerçant une pression latérale sur les chants du panneau (ou en d'autres termes tenant le panneau par compression de ses chants ou exerçant une pression radiale sur le panneau). Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, cette adaptation exacte aux contours du panneau et cette compression sont obtenues par rétractation du plastique (ou de la structure plastique), comme explicité ultérieurement.
Le panneau (ou plateau ou plaque) de l'étagère selon l'invention est généralement rectangulaire, rigide, présente une surface approximativement plane pour le support d'articles (face supérieure, en position d'utilisation) et est peu épais par rapport à sa surface. Il est généralement formé d'une seule pièce (monolithique) mais peut aussi être plus complexe (sous forme, par exemple, d'une structure feuilletée comprenant plusieurs feuilles de verre et/ou de matière (s) plastique (s) et/ou d'autres matières). Il peut être opaque ou translucide mais est de préférence au moins en partie transparent, pour des raisons esthétiques et pratiques ; il peut aussi être muni de motif (s) ou couche (s) décorative (s) ou fonctionnelle (s) (par exemple en émail ou encre) sur une ou plusieurs de ses faces.
Le panneau peut être par exemple en verre, en polycarbonate, et/ou en polyméthyl méthacrylate. De préférence, il comprend au moins ou se présente sous forme d'une feuille de verre, matériau avantageux en termes
dix-huitième aspect de l'invention, il est possible de réduire l'aire d'une boucle de circuit formée par un chemin de courant principal d'un élément à semiconducteur partant d'une plaque d'électrode principale et allant jusqu'à une plaque d'électrode principale différente, en passant par l'élément à semiconducteur et un substrat de dissipation, ainsi que d'un chemin de courant principal relatif à l'élément à semiconducteur placé sur le substrat de dissipation adjacent, ce qui permet de réduire l'inductance du circuit en boucle. Il en résulte que les pertes d'énergie dans les éléments à semiconducteur sont réduites, ce qui permet de réduire la quantité de chaleur dégagée dans le dispositif à semiconducteur.
La présente invention vise à résoudre les problèmes décrits cidessus et son but est de procurer un dispositif à semiconducteur qui réponde à la fois aux exigences de dissipation et de miniaturisation, tout en ayant un élément à semiconducteur pour un courant élevé.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 est une vue en perspective montrant la configuration d'un dispositif à semiconducteur conforme à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 2 est une coupe montrant la configuration du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 3 est un schéma de circuit équivalent du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 4 est un schéma pour décrire l'effet obtenu avec le premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 5 est une vue en perspective montrant une forme d'utilisation du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 6 est une coupe montrant la configuration d'un exemple modifié du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention;
La figure 7 est une vue en perspective montrant la configuration d'un dispositif à semiconducteur conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 8 est une coupe montrant la configuration du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 9 est une coupe montrant un processus de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 10 est une coupe montrant la configuration d'un exemple modifié 1 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 11 est une coupe montrant la configuration d'un exemple modifié 2 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 12 est une représentation schématique montrant un processus de fabrication de l'exemple modifié 2 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention ; La figure 13 est une représentation schématique montrant un processus de fabrication de l'exemple modifié 2 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention ; La figure 14 est une représentation schématique montrant un processus de fabrication de l'exemple modifié 2 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention ; La figure 15 est une coupe montrant la configuration d'un exemple modifié 3 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 16 est une coupe montrant un processus de fabrication de l'exemple modifié 3 du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 17 est une vue en perspective montrant la configuration d'un dispositif à semiconducteur conforme à un troisième mode de