INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
également avec les pestivirus. Cette structure fonctionne comme un site interne d'entrée des ribosomes (IRES), et il a été observé [TSUKIYAMA-KOHARA et al., J. Virol., 66, 1476-1483, (1992) ; WANG et al., J. Virol., 67,3338-3344, (1993) ; REYNOLDS et al., EMBO J., 14, 6010-6020, (1996)] qu'elle permettait d'initier la traduction de la polyprotéine dans plusieurs systèmes in vitro et in vivo.
L'étude du VHC, notamment dans le cadre du développement de vaccins ou de réactifs de diagnostic, est freinée par la difficulté d'obtention d'antigènes viraux en quantité suffisante. Bien que l'on parvienne à répliquer ce virus in vitro dans certaines cellules de mammifères (notamment des lymphocytes ou des hépatocytes), le taux de réplication demeure très faible.
Divers systèmes d'expression hétérologues ont donc été utilisés, et parmi ceux-ci, le système baculovirus/cellules d'insectes. Ce système, qui présente de nombreux avantages (notamment niveau d'expression élevé, innocuité vis-à-vis des vertébrés, et modifications co-et post-traductionnelles pour la plupart similaires à celles des cellules de mammifères), a été proposé pour l'expression de protéines de différents virus, ainsi que pour la production de particules pseudovirales non infectieuses.
Dans le cas du VHC, le système baculovirus/cellules d'insectes a été utilisé pour l'étude de l'expression de diverses protéines, structurales [MATSUURA et al., J. Virol., 66,1425-1431, (1992) ; Virology, 205, 141-150, (1994) ; HSU et al., Hepatology 17,763-771, (1993) ; LANDFORD et al., Virology, 197,225-235, (1993) ; HÜSSY et al., Virus Res., 45,45-57, (1996) ; J. Hepatol., 26,1179-1186, (1997)], ou non-structurales [HIROWATARI et al., Arch. Virol., 133,349-356, (1993) ; NISHIHARA et al., Gene, 129,207-214, (1993) ; OVERTON et al., J. Gen. Virol., 76,3009-3019, (1995) ; SUZUKI et al., J. Gen. Virol., 76, 3021-3029, (1995) ; HWANG et al., Virology, 227, 439-446, (1997)]. Il a également été utilisé pour la production d'antigènes du VHC à des fins d'études immunologiques [CHIBA et al., Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 88,4641-4645, (1991) ;
CHIEN et al., Proc. Nad. Acad. Sci. USA, 89, 10011-10015, (1992) ; l NOUE et al., J. Gen. Virol., 73, 2151-2154, (1992) ; BASSET et al., J. Virol,. 73,1118-1126, (1999)] ainsi que pour l'étude des interactions protéiques et de leur assemblage [WANG et al., Arch. Virol., 142,2211-2223, (1997)] ; ces derniers auteurs ont notamment observé que l'IRES de la région 5'non-codante n'était pas fonctionnel dans les cellules d'insectes.
Cependant, les protéines virales ainsi obtenues ne s'assemblent pas en particules pseudovirales, et ne reproduisent donc pas certains des déterminants antigéniques du VHC natif.
Des travaux récents [BAUMERT et al., J. Virol., 72,3827-3836, (1998) ; Demande PCT WO 98/21338], décrivent l'obtention de particules pseudovirales de VHC par l'expression dans un système baculovirus/cellules d'insectes, d'une construction comprenant une partie (les 81 derniers nucléotides) de la région 5'non-codante, ainsi que les séquences codant les protéines de structure C, El et E2 d'un VHC de génotype lb. Les particules pseudovirales reconnues par des anticorps anti-VHC sont localisées dans les cellules infectées, où elles sont enfermées dans des vésicules intracytoplasmiques ; elles ont un aspect polymorphe, un diamètre variable de 40 nm à 60 nm, et après purification à partir des lysats de cellules infectées, une densité de 1, 14 g/cm3 à 1, 18 g/cm3. Aucune sécrétion des particules pseudovirales dans le milieu de culture n'a été observée. BAUMERT et al. indiquent qu'il est possible, mais improbable que la portion de la 5'NCR contenue dans ces constructions joue un rôle dans l'efficacité de l'assemblage des particules et qu'il est plus probable que celle-ci dépend de l'isolat de VHC à partir duquel a été obtenu l'ADNc exprimé.
La présente invention a pour but de fournir des moyens reproductibles de production de particules pseudovirales de VHC dans un système baculovirus/cellules d'insectes. Pour atteindre ce but, les Inventeurs ont entrepris de rechercher les régions du génome de VHC potentiellement impliquées non seulement dans l'expression
des protéines virales, mais également dans leur assemblage en particules pseudovirales.
Dans un premier temps, pour étudier l'influence de la région 5'non-codante sur l'expression des protéines du VHC, les Inventeurs ont construit des baculovirus recombinants portant des inserts d'ADNc de VHC comprenant la séquence codant pour la partie structurale de la polyprotéine, précédée ou non par la région 5'non-codante.
Ils ont observé que : - l'insert d'ADNc dépourvu de la région 5' non-codante est traduit en protéines, mais il n'y a pas d'autoassemblage de celles-ci ; - l'insert d'ADNc contenant la région 5' non-codante est transcrit normalement en ARNm, mais n'est pas traduit, ce qui confirme les résultats rapportés par WANG et al., (1997, précité).
Les Inventeurs ont ensuite co-exprimé dans une même cellule, 2 constructions différentes : l'une comprenant la séquence codant pour les protéines structurales, et dépourvue de la séquence de la région 5'non-codante, et pouvant donc être traduite en protéines de structure de VHC, et l'autre comprenant la séquence codant pour les protéines structurales précédée de la séquence de la région 5' non-codante, et ne pouvant donc pas être traduite en protéines de structure de VHC.
En se référant à la figure 8, la partie de cir cuit HF RP et la partie logique LP sont disposées sur le substrat SOI SB incluant le substrat en silicium 1, la couche d'oxyde enseveli 2 disposée sur le substrat en sili cium 1, et la couche SOI 3 disposée sur le film d'oxyde enseveli 2.
Dans la partie de circuit HF RP, une région dans la couche SOI 3, qui correspond à la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70) est prévue, et divi sion d'une pluralité de régions SOI 22 par une pluralité de films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons. Les films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons sont formés par remplissage de sillons s'étendant depuis la sur face de la couche SOI 3 jusqu'à la surface du film d'oxyde enseveli 2, avec un film d'oxyde de silicium, et isolent complètement, du point de vue électrique, les régions SOI 22 les unes par rapport aux autres.
Un film de siliciure 32 est disposé sur chacune des régions SOI 22. La pluralité de films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons, les régions SOI 22 et les films de siliciure 32 constituent un écran PG 102 (couche de protection).
Chacun des films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons inclut une première partie possédant une première largeur et s'étendant essentiellement perpendicu lairement à la surface du film d'oxyde enseveli 2, une seconde partie adjacente de la première partie et possédant une seconde largeur inférieure à la première largeur, la seconde partie s'étendant essentiellement perpendiculaire ment à la surface du film d'oxyde enseveli 2.
La configuration dans le plan de l'écran PG 102 peut être par exemple la configuration représentée en réfé rence à la figure 2 ou n'importe laquelle des configura tions représentées en référence aux figures 3 à 7.
Un film d'oxyde d'isolation 14 placé dans un sil lon isole électriquement la partie de circuit HF RP et la partie logique LP l'une vis-à-vis de l'autre. Dans la par tie logique LP, la couche SOI 3 est divisée en régions SI 61 et 62 par un film d'oxyde d'isolation 15 placé dans des sillons.
Un film d'oxyde d'isolation, tel que les films d'oxyde d'isolation 15 placés dans des sillons, qui n'isole pas complètement, du point de vue électrique, les régions SOI en raison de la présence de la couche SOI 3 en tant que région de puits WR au-dessous de cette région, sera désigné comme un film d'oxyde d'isolation partielle. B-1-1. Film d'oxyde d'isolation partielle on va décrire ci-après de façon résumée le film d'oxyde d'isolation partielle. En principe, un verrouillage ne se produit pas entre un transistor MOS complètement isolé du point de vue électrique vis-à-vis d'autres dispo sitifs par le film d'oxyde d'isolation complète, et d'autres transistors MOS.
Par conséquent, l'utilisation du film d'oxyde d'isolation complète lors de la fabrication de dispositifs SOI comportant un transistor CMOS est avantageuse en ce que l'on peut utiliser une largeur d'isolation minimale déter minée par micro-lithographie pour réduire la surface d'une plaquette. Cependant l'utilisation du film d'oxyde d'isola tion complète empêche des inconvénients dûs à ce qu'on appelle un effet de substrat flottant, tel qu'un effet de coude de la caractéristique courant-tension, qui est provo qué par des porteurs (trous pour un transistor NMOS) pro duit par une ionisation par impacts et stockés dans une région de canal (région de corps), l'altération de la ten sion de claquage de fonctionnement et de la dépendance, vis-à-vis de la fréquence, du temps de retard dû à un potentiel électrique non stabilisé de la région de canal.
De telles variations du potentiel de la région de canal sont décrits de façon spécifique dans IEEE TRANSAC TIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, N'7, JUILLET 1998, pp. 1479-1484, "Analysis of Delay Time Instability According to the Operating Frequency in Field Shield Isolated SOI Cir cuits", S. Maeda et al. (Document 1). Une variation transi toire du potentiel de la région de corps provoque par conséquent une variation transitoire des caractéristiques de transistors, ce qui conduit à une instabilité du fonc tionnement du circuit (voir figure 7 du document 1).
On vérifie également que la dépendance vis-à-vis de la fréquence apparaît dans le temps de retard comme représenté sur la figure 5 du document 1. Pour résoudre ces problèmes, on a prévu le film d'oxyde d'isolation partielle connu également en tant qu'isolation partielle de sillon. Dans l'agencement de la figure 8 à titre d'exemple, des porteurs peuvent traverser la région de puits WR au-dessous du film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon et par conséquent ne peuvent pas être stockés dans la région de canal. En outre le potentiel de la région de canal peut être fixé au moyen de la région de puits WR. Par conséquent différents pro blèmes résultant de l'effet de substrat flottant ne se pro duisent pas.
L'agencement, dans lequel le film d'oxyde d'isolation partielle et le film d'oxyde d'isolation com plète sont utilisés en combinaison, est représenté sur la figure 8. Un exemple de l'utilisation des films d'oxyde d'isolation partielle et d'isolation complète en combinai son et leur procédé de fabrication sont décrits sur les figures 4 à 7 et sur les figures 8 à 27 de la demande de brevet japonais N'11-177091 (1999).
Pour l'utilisation des films d'oxyde d'isolation partielle et d'isolation complète en combinaison, on uti lise quelquefois un film d'oxyde d'isolation combiné, qui possède la configuration du film d'oxyde d'isolation com plète d'un côté et la configuration du film d'oxyde d'iso lation partielle de l'autre côté. L'agencement du film d'oxyde d'isolation combiné et son procédé de fabrication sont décrits sur les figures 1 à 38 de la demande de brevet japonais N'2000-39484.
La configuration en coupe transversale du film d'oxyde d'isolation partielle est représentée sur une pho tographie SEM de la figure 2 de la IEEE International SOI Conference, Octobre 1999, pp. 131-132, "Bulk-Layout-Compa- tible 0,18 mm SOI-CMOS Technology Using Body-Fixed Partial Trench Isolation (PIT)", Y. Hirano et al. (Document 2).
En se référant à nouveau à la figure 8, les tran- sistors MOS Q21 et Q22 sont formés respectivement dans les régions SOI 61 et 62, dans la partie logique LP de la figure 8.
Les transistors MOS Q21 et Q22 sont des transis tors MOS usuels et sont des constituants de base similaires aux transistors MOS Q11 et Q12 représentés sur la figure 1. Les constituants des transistors MOS Q21 et Q22 similaires à ceux des transistors MOS Q11 et Q12 sont désignés par les mêmes chiffres de référence et ne seront pas décrits d'une manière particulière.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 200, qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconduc teurs 100 de la figure 1, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et ne seront pas décrits d'une manière particulière.
Elle concerne plus particulièrement, mais non exclusivement, matrices de ce genre qui sont destinées à être installées à bord de satellites engins spatiaux.
Dans les satellites de télécommunication, on prévoit en général une multi plicité de canaux de transmission ou de réception et, à chacun de ces canaux, est associé un amplificateur. Le nombre d'amplificateurs installés à bord d'un satellite est supérieur au nombre d'amplificateurs nécessaires afin de pouvoir remplacer par des amplificateurs en réserve les amplificateurs tombés en panne. A cet effet, on prévoit une matrice à n entrées et n+p sorties, p étant le nombre d'amplificateurs en reserve. Une telle matrice est dite "une matrice de redondance". Quand un ampli ficateur tombe en panne, l'entrée qui est reliée à l'amplificateur défaillant est connectée, par une commande de commutateur(s), à une sortie reliée à un ampli ficateur en réserve.
Par ailleurs, il est courant d'installer à bord du satellite un nombre de canaux qui est supérieur à celui qui est réellement utilisé. Autrement dit, le nombre canaux étant n, on installe à bord du satellite n+f canaux. On prévoit donc une matrice, dite de flexibilité, comportant n+f entrées et n sorties pour connecter n parmi les n+f entrées aux n sorties.
Dans ce cas, la matrice de flexibilité et la matrice de redondance sont installées en série, comme représenté sur la figure 1.
Ainsi, les n+f canaux d'entrée 10 sont connectés aux n+f entrées d'une matrice de flexibilité 12 qui comporte n sorties et les n sorties de la matrice 12 sont connectées aux n entrées d'une matrice de redondance 14 comportant n+p sorties.
chacune de ces sorties, est connecté un amplificateur. L'ensemble des ampli ficateurs est représenté par le bloc 16.
Étant donné que les équipements à bord d'un satellite de télécommunica tion sont destinés à ré-émettre les signaux reçus de n parmi n+f canaux 10 vers n parmi n+f canaux de sortie 18, on prévoit une autre matrice de redondance 20 à n+p entrées, dont chacune reçoit la sortie d'un des n+p amplificateurs 16, et n sorties, ainsi qu'une autre matrice de flexibilité 22 à n entrées et n+f sorties. Chacune des n+f sorties est reliée à l'un des n+f canaux 18. Une réalisation du type de celle représentée sur la figure 1 ne peut gêné ralement pas convenir, car elle conduit à prévoir un nombre de commutateurs prohi bitif, c'est-à-dire à un excès de poids. En outre, avec cette solution le nombre de commutateurs traversés dans chaque canal est important, ce qui n'est pas favorable à la consommation.
Pour remédier à cet inconvénient, on réalise une matrice combinée de flexi bilité et de redondance, c'est-à-dire qu'on cherche à combiner en une seule matrice les deux matrices 12 et 14. De même, on cherche à combiner, en une seule ma trice, la matrice de redondance 20 et la matrice de flexibilité 22. Mais, cette com binaison a été jusqu'à présent, effectuée de façon empirique. Elle ne donne pas toujours des résultats satisfaisants et, de toute façon, pour déterminer une structure qui minimise nombre de commutateurs à utiliser, il faut procéder à une étude qui prend beaucoup de temps.
L'invention concerne une matrice combinée de flexibilité et de redondance. Elle se rapporte également à un procédé permettant de déterminer rapidement la structure d'une telle matrice combinée.
Une matrice selon l'invention à n+f entrées et n+p sorties (ou à n+p entrées et n+f sorties) comprend, d'une part, un ensemble de réseaux d'entrée/sortie dont chacun comporte au moins une entrée et/ou au moins une sortie de la matrice, et, d'autre part, ensemble de blocs d'interconnexion en nombre égal au nombre de réseaux d'entrée/sortie, chaque bloc d'interconnexion établissant des connexions entre deux réseaux d'entrée/sortie.
La matrice présente ainsi une structure d'ensemble fermée ou annulaire. On peut donc réaliser, de façon simple, une matrice combinée de flexibilite et de redondance et on a constaté que les structures obtenues minimisaient nombre de commutateurs à utiliser.
Dans mode de réalisation préféré de l'invention, qui simplifie la réalisa tion, tous les blocs d'interconnexion de la matrice sont identiques entre eux. Dans ce mode de réalisation, un bloc d'interconnexion comporte, par exemple, une ma trice de commutateurs connectés de façon telle que le nombre de bornes de connexion soit pair et qu'il soit possible de relier d'une manière quelconque n'im porte quelle moitié de ces bornes à l'autre moitié des bornes. Dans cet exemple, chaque réseau d'entrée/sortie comporte le même nombre de bornes de connexion que chaque bloc d'interconnexion, la moitié de ces bornes de connexion étant reliée à un premier bloc d'interconnexion et l'autre moitié étant reliée à un autre bloc d'in terconnexion. De préférence, chaque réseau d'entrée/sortie est formé à partir d'un - bre limité de modules, ou blocs, d'entrée/sortie, chaque bloc d'entrée/sortie compor tant au moins une entrée et/ou au moins une sortie et/ou au moins une connexion et/ou au moins un commutateur.
L'invention concerne donc une matrice de commutateurs comportant entrées et n+p sorties permettant de connecter n parmi les n+f entrées à n parmi n+p sorties, qui est caractérisée en ce qu'elle comporte un ensemble de réseaux d'entréelsortie dont chacun présente au moins une entrée et/ou au moins une sortie de la matrice et des bornes de connexion, et un ensemble de dispositifs d'interconnexion intercalés entre les réseaux d'entrée/sortie, les bornes de connexion de chacun de ces dispositifs étant reliées bornes de connexion des réseaux adjacents, le nombre de dispositifs d'interconnexion étant égal au nombre de réseaux d'entrée/sortie.
Dans une réalisation le nombre de bornes de connexion d'un dispositif d'interconnexion intercalé entre un premier et un second réseaux d'entrée/sortie est même pour la liaison au premier réseau que pour la liaison au second réseau.
Chaque réseau d'entrée/sortie est de préférence formé à partir d'un ensemble de blocs d'entrée/sortie, chaque bloc comprenant au plus deux commutateurs.
Dans un mode de réalisation le premier type de bloc d'entrée/sortie comporte un commutateur, une entrée de matrice, une sortie de matrice et deux bornes de connexion.
- les celluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci, - les hydroxyéthylcelluloses quaternisées modifiées par des groupements comportant au moins une chaîne grasse, tels que les groupes alkyle, arylalkyle, alkylaryle comportant au moins 8 atomes de carbone, ou des mélanges de ceux-ci.
On peut indiquer comme exemples d'alkylhydroxyéthylcelluloses quaternisées à chaînes grasses en C8-C30, les produits QUATRISOFT LM 200, QUATRISOFT LM-X 529-18-A, QUATRISOFT LM-X 529-18B (alkyle en C12) et QUATRISOFT LM-X 529-8 (alkyle en C,8) commercialisés par la société AMERCHOL et les produits CRODACEL QM, CRODACEL QL (alkyle en C12) et CRODACEL QS (alkyle en C18) commercialisés par la société CRODA.
Parmi les polymères comportant au moins une chaîne grasse et de type amphotère, on choisit de préférence ceux comportant au moins un motif cationique non cyclique. Plus particulièrement encore, on préfère ceux préparés à partir ou comprenant 1 à 20 moles% de monomère comportant une chaîne grasse, et de préférence 1,5 à 15 moles% et plus particulièrement encore 1,5 à 6 moles%, par rapport au nombre total de moles de monomères.
Les polymères amphotères à chaîne grasse préférés selon l'invention comprennent, ou sont préparés en copolymérisant : 1) au moins un monomère de formule (la) ou (Ib):
dans lesquelles, R1 et R2, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, R3, R4 et R5, identiques ou différents, représente un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 30 atomes de carbone, Z représente un groupe NH ou un atome d'oxygène, n est un nombre entier de 2 à 5, A- est un anion issu d'un acide organique ou minéral, tel qu'un anion méthosulfate ou un halogénure tel que chlorure ou bromure; ~ 2) au moins un monomère de formule (II) R6-CH = CR7-COOH (II) dans laquelle, Rg et R7, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle; et 3) au moins un monomère de formule (III) : R6-CH- CR7- COXR8 (III) dans laquelle R6 et R7, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, X désigne un atome d'oxygène ou d'azote et R8 désigne un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 30 atomes de carbone ; l'un au moins des monomères de formule (la), (Ib) ou (III) comportant au moins une chaîne grasse.
Les monomères de formule (la) et (Ib) de la présente invention sont choisis, de préférence, dans le groupe constitué par :
- le diméthylaminoéthylméthacrylate, le diméthylaminoéthylacrylate, - le diéthylaminoéthylméthacrylate, le diéthylaminoéthylacrylate, - le diméthylaminopropylméthacrylate, le diméthylaminopropylacrylate, - le diméthylaminopropylméthacrylamide, le diméthylaminopropylacrylamide, ces monomères étant éventuellement quaternisés, par exemple par un halogénure d'alkyle en C1-C4 ou un sulfate de dialkyle en C1-C4.
Plus particulièrement, le monomère de formule (la) est choisi parmi le chlorure d'acrylamidopropyl triméthyl ammonium et le chlorure de méthacrylamidopropyl triméthyl ammonium.
Les monomères de formule (II) de la présente invention sont choisis, de préférence, dans le groupe constitué par l'acide acrylique, l'acide méthacrylique, l'acide crotonique et l'acide méthyl-2 crotonique. Plus particulièrement, le monomère de formule (II) est l'acide acrylique.
Les monomères de formule (III) de la présente invention sont choisis, de préférence, dans le groupe constitué par des acrylates ou méthacrylates d'alkyle en C12-C22 et plus particulièrement en C16-C18.
Les monomères constituant les polymères amphotères à chaîne grasse de l'invention sont de préférence déjà neutralisés et/ou quaternisés.
Le rapport du nombre de charges cationiques/charges anioniques est de préférence égal à environ 1.
Les polymères amphotères à chaîne grasse selon l'invention comprennent de préférence de 1 à 10 moles% du monomère comportant une chaîne grasse (monomère de formule (la), (Ib) ou (III)), et de préférence de 1,5 à 6 moles % .
Dans le cas de ce mode réalisation particulier, les trois portions de fibre optique peuvent par exemple être disposées avantageusement à 0 C les unes des autres autour de l'articulation.
Dans ce même cas, l'inclinomètre peut comprendre quatre portions de fibre optique mises en tension et disposées à 90 les unes des autres autour de l'articulation, et en outre au moins deux réseaux de Bragg, ces deux réseaux de Bragg étant respectivement formés dans deux des quatre portions de fibre optique et permettant de mesurer respectivement les deux angles.
Dans ce dernier cas, l'inclinomètre peut comprendre quatre réseaux de Bragg qui sont respectivement formés dans les quatre portions fibre optique, chaque réseau de Bragg étant associé réseau de Bragg qui lui est opposé par rapport à l'articulation, ces réseaux de Bragg associés permettant une mesure différentielle de longueur onde, l'inclinomètre étant alors insensible aux variations de température et de pression ambiantes. L'articulation ayant au moins deux degrés liberté de rotation peut comprendre une rotule ou suspension de type Cardan, voire une pointe appuyée sur une surface dure.
L'inclinomètre objet de l'invention peut comprendre une seule fibre optique à laquelle appartient chaque portion de fibre optique.
Dans ce cas, on peut utiliser une pluralité d'inclinomètres conformes à l'invention ces inclinomètre étant montés en série par l'intermédiaire de la fibre optique.