INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Conditions de miniséquençage testées : Condition NO 1 : Amorce sens + ddCTP-R110 + ddGTP-Tamra Condition No 2 : Amorce sens + ddGTP-R110 + ddCTP-Tamra Condition No 3 : Amorce antisens + ddGTP-R110 + ddCTP-Tamra Condition ? 4 : Amorce antisens + ddCTP-R110 + ddGTP-Tamra Ces 4 conditions ont été testées et la condition NO 1 a été retenue pour le génotypage.
B) Résultats Après la réalisation complète du processus de génotypage, la détermination des génotypes des individus de la population d'individus pour la SNP fonctionnel étudié ici a été réalisée à l'aide du graphe représenté sur la Figure 7.
Nombre d'individus Nombre de blanc Pourcentage de testés génotypes testés validés réussite 249 236 10 10 95,0
POPULATION Fréquence allélique Génotype GG Génotype GC Génotype CC N % 95% il Afro Américain 50 20, 1 0, 0--0 0, 0 0 0, 0 50 100, 0 Amérindien du Sud Ouest 5 2, 0 0, 0--0 0, 00 0, 0 5100, 0 Sud Américain (Andes) 10 4, 0 0, 0--0 0, 0 0 0, 0 10 100, 0 Caribéen 10 4, 0 0, 0 : 00, 000, 0 10 100. 0 Caucasien 60 24, 1 0, 9 0, 0 2, 5 0 0, 0 1 1, 7 57 98, 3 Chinois 10 4, 0 0'0-0 0, 0 0 0'0 10 100, 0 Grec 8 3, 2 0, 0--0 0, 0 0 0, 0 6 100, 0 Ibérien 10 4, 0 00 0 0 0, 0 10100, 0 Italien 10 4, 0 0, 0 ( 0 0 0, 0 10 100, 0 Japonais 10 4, 0 0, 0 - 00, 00 0, 09100, 0 Mexicain 10 4, 0 0, 0--0 0, 00 0, 0 8 100, 0 Moyen-Orient 20 8, 0 0, 0--0 0, 0 0 0, 0 18 100, 0 Individus du Pacifique 7 2, 8 0, 0--0 0, 00 0, 0 7 100, 0 Indo-Pakistanais 9 3, 6 0, 0--0 on Sud Américain10 4. 0 0, 0I100. 000. 08100. 0 Asie du Sud10 4, 0 0. 01100. 000, 09'"OT' gj2491000 (0060 (0104235996
Dans le tableau ci-dessus, N représente le nombre d'individus, % représente le pourcentage d'individus dans la sous-population spécifique, ta fréquence allélique représente le pourcentage de l'allèle muté dans la sous- population spécifique, 95 % IC représente l'intervalle minimal et maximal de confiance à 95 %.
En examinant ces résultats par population, on constate que le seul individu hétérozygote CG est issu de la sous-population caucasienne de la population d'individus.
Cette invention concerne des méthodes et des compositions pour la détection et le traitement des maladies dégénératives de la rétine. En particu- lier, l'invention concerne une protéine qui protège de la dégénérescence des cônes rétiniens, des molécules d'acides nucléiques codant pour une telle protéine, des anticorps reconnaissant la protéine et des méthodes pour le diagnostic des maladies dégénératives de la rétine.
Les photorécepteurs constituent une sous-série spécialisée de neurones de la rétine, responsables de la vision. Les photorécepteurs sont constitués par des bâtonnets et des cônes, qui sont les cellules photosensibles de la rétine.
Chaque cône et chaque bâtonnet élabore un cil vibratile spécialisé, dit segment externe, qui contient la machinerie de la phototransduction. Les bâtonnets contiennent un pigment visuel spécifique absorbant la lumière, la rhodopsine. Il existe trois classes de cônes chez l'homme, caractérisés par l'expression de pigments visuels distincts : les pigments des cônes bleus, des cônes verts et des cônes rouges. Chaque type de protéine pigmentaire visuelle a son maximum d'absorption lumineuse à une longueur d'onde particulière.
La figure 2 représente une vue en perspective de cette pièce.
A la lumière des figures commentées et conformément à la numérotation adoptée, on peut observer sur celles-ci un mode de réalisation préféré ne limitant pas l'invention, selon lequel la pièce de soutien consiste en un profil longitudinal (1) dont la section transversale présente en général la forme d'un S stylisé et une hauteur variable, de préférence fabriquée dans une plaque de bois laminée et encollée, pressée dans un moule. Le profil (1) présente, au niveau du bord inférieur (5), des orifices ou moyens (6) d'accouplement ou d'ancrage au cadre (4) du sommier, et en son milieu un logement (7) faisant saillie en porte- à-faux et de taille suffisante pour recouvrir le longeron (2) ou la traverse de la structure du lit et dont le contour supérieur (8) vertical ou similaire est conçu, de façon opérationnelle, pour retenir le déplacement latéral du matelas (3) et le soutenir. La zone supérieure (8) du profil (1) présente de préférence une hauteur inférieure à la hauteur du matelas (3), sa face recto pouvant être arrondie ou variable le long de la pièce (1). De plus, le profil (1) peut présenter une longueur totale inférieure ou égale à la longueur de l'élément (4) du cadre du sommier auquel il est relié, en un nombre variable de pièces consécutives.
La présente invention a pour objet une équerre de sommier perfectionnée qui incorpore des innovations et des avantages notables par rapport aux équerres de sommier actuelles ou supports analogues dont l'utilisation est similaire.
Plus concrètement, la présente invention consiste en une équerre de sommier ou élément multiple de suspension de sommier spécifique pouvant être placé sur la partie latérale de celui-ci et, du fait de sa forme angulaire, pouvant supporter les éventuels mouvements latéraux du matelas et éviter ainsi qu'il puisse sortir du cadre du lit.
Le marché actuel propose une pluralité de types de sommiers permettant de soutenir le matelas sur le lit.
Selon la composition dudit sommier, l'ensemble de suspension sommier-matelas peut présenter des caractéristiques différentes qui ont une influence notable sur le confort des usagers à l'heure du sommeil et du repos.
Un type de sommier très populaire actuellement est un sommier composé d'équerres de suspension indépendantes, également appelées éléments multiples. Ces sommiers sont composés d'une structure présentant, dans tout ou partie de la zone destinée au support du matelas, de petites pièces en plastique ou en bois appuyées sur un élément élastique. Lorsque l'utilisateur s'appuie sur le matelas, chacune des équerres répond de façon indépendante au poids exercé sur sa zone, ce qui permet d'obtenir un comportement plus ergonomique du matelas puisqu'il est le seul à réagir localement à la pression qui s'exerce sur lui.
Outre leur mouvement de suspension vertical, lesdites équerres posent un problème en ce qu'elles exer-
cent un léger mouvement de glissement dans le plan horizontal, ce qui provoque des déformations transver- sales inappropriées des éléments élastiques. Ce problème est amplifié par le fait que le fini des équerres est nécessairement lisse pour ne pas abîmer le matelas et de ce fait, la probabilité que ce dernier se déplace latéralement est bien plus grande.
L'équerre de sommier perfectionnée, objet de la présente demande, permet de retenir le matelas dans une position centrée sur le sommier, ce qui évite qu'il sorte du cadre du lit. Ladite équerre est conçue pour être placée sur le bord de l'ensemble d'équerres que possède le lit.
Lesdites équerres sont composées d'un élément élastique de suspension qui s'appuie sur le cadre transversal du sommier et maintiennent une pièce ou plaque supérieure de contact et de soutien du matelas.
La présente invention propose un type de plaque de contact, particulièrement caractéristique, qui empêche le déplacement latéral du matelas. Pour cela, il a été prévu que ladite pièce ne soit pas plane mais qu'elle présente une section en forme de L. En effet, l'équerre présente une surface sensiblement plane et horizontale, destinée à soutenir le matelas, qui présente, sur son côté coïncidant avec le côté externe du lit, une branche verticale, adaptée au contour extérieur du matelas. La branche verticale limite le mouvement latéral du matelas vers l'extérieur, de ce côté. Ladite équerre, en collaboration avec les équerres voisines, qui présentent la branche caractéristique de la présente invention, évite que le matelas sorte du cadre du lit s'il se déplace dans ce sens. La hauteur de l'équerre
peut être variable, dans la mesure où elle est supérieure à une hauteur minimale empêchant que le matelas se déboîte et inférieure à une hauteur maximale, de préférence inférieure à la hauteur du matelas.
Comme cela est classique, la branche de soutien peut présenter des évidements permettant d'alléger son poids et des contours de forme fantaisiste ou sinueux permettant d'éviter que le matelas soit endommagé au moment de sa pose, à condition que l'essence caractéristique de l'invention soit respectée, à savoir qu'il doit présenter la forme d'un L, la branche émergente étant sensiblement verticale ou inclinée.
Il n'est pas nécessaire que toutes les équerres situées d'un côté présentent ladite conformation, leur nombre pouvant, pour des raisons de fabrication ou autres, être limité au nombre d'équerres strictement nécessaire pour éviter le mouvement du matelas. Selon une autre solution, un ou plusieurs côtés du sommier peuvent ne pas comporter d'équerres, selon la présente invention, bien qu'il soit préférable que tous les côtés en soient pourvus, afin d'immobiliser le matelas dans les quatre sens de déplacement.
Afin d'assurer le bon fonctionnement de l'ensemble de sommier, on renforce l'élément de suspension des branches de la présente invention prévues sur les parties latérales, vu qu'elles peuvent êtres soumises à d'importants déplacements latéraux.
Le domaine de l'invention est celui des tricots, comme par exemple les pullovers ou autres sweat-shirts.
On connaît des tricots tricotés sur des métiers à une seule fonture, qu'on appelle des jerseys. Sur des métiers à deux fontures, une avant, une arrière on peut tricoter des tricots en mailles pleines ou toutes aiguilles ou des tricots en côtes 1 sur 2 déjugées, c'est-à-dire en n'utilisant qu'une aiguille sur deux de chaque fonture, avec un décalage d'un pas d'aiguille d'une fonture à l'autre, ou encore des tricots en côtes 2 et 2, c'est-à-dire en n'utilisant que deux aiguilles sur trois de chaque fonture, avec un décalage de deux pas d'aiguille d'une fonture à l'autre.
On connaît, comme matériau à tricoter la rayonne, fabriquée suivant le procédé de la viscose et qui est une fibre (on parle alors de fibranne) continue artificielle qui confère un brillant particulier aux tricots (on parle aussi de viscose). Son emploi est très répandu, surtout en mélange avec d'autres fibres naturelles ou synthétiques.
La rayonne est souvent mélangée à des fibres produites par polymérisation comme les fibres acryliques, qui permettent de fabriquer des articles gonflants et très doux au toucher, par exemple les fibres de marques protégées Orlon, Crylor ou Acrylon.
Dans ce domaine des tricots, on utilise souvent des acryliques stabilisés, d'aspect mat.
De même, on utilise souvent comme matériau à tricoter, le matériau de la marque déposée Lycra, qui, comme le lastex, confère aux tricots une élasticité très recherchée. La demanderesse a procédé aux constatations qui suivent.
Les tricots, fabriqués sur une seule fonture, avec de la rayonne et une fibre acrylique, présentent l'inconvénient de rayures dues à l'alternance de fibres brillantes et mates, indépendamment du nombre de fibres de l'une ou l'autre catégorie.
Les tricots fabriqués à partir d'un mélange sans lycra ne présentent pas l'élasticité voulue par les consommateurs.
Les tricots fabriqués à partir d'un mélange sans acrylique ne présentent pas la tenue qui s'impose.
L'invention vise à proposer un tricot qui ne présente pas les inconvénients ci-dessus.
A cet effet, elle concerne un tricot élaboré sur deux fontures au moins avec un mélange de tricotage de fils au moins de viscose, de lycra et d'acrylique stabilisé.
La figure 3 représente le manipulateur (3) qui a prie la feuille (4), qui est accompagnée de deux feuilles (5), le moyen de friction (1) engendre une déformation des feuilles pour leur décollement.
La figure 4 représente le manipulateur (3) qui a conservé la feuille (4), les deux feuilles (5) qui retourne sur la pile (2).
La figure 5 représente la même opération que la figure 3 avec plusieurs points de friction (1) et la feuille (6) qui s'est séparée au 1"niveau de friction retourner sur la pile (2).
La figure 6 représente la même opération que la figure 4 avec plusieurs points de friction (1) et la feuille (5) qui s'est séparée au 2ème niveau.
Ainsi que cela ressort de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ces modes de réalisation et d'application qui viennent d'être décrits de façon plus explicite ; elle en embrasse au contraire toute les variantes qui peuvent venir à l'esprit du technicien en la matière sans s'écarter du cadre ni de la portée de la présente invention. L'invention pouvant être de dimension et de forme différente en fonction des feuilles à séparer.
De cette manière, dans le dispositif à semiconducteur M90, le substrat isolant 302, sur lequel l'élément à semiconducteur 301 est monté, vient en contact avec le substrat en métal 304, et par conséquent le dispositif à semiconducteur M90 est supérieur au dispositif à semiconducteur M80 en ce qui concerne la dissipation de chaleur. Cependant, le substrat de circuit de commande 317 et le substrat relais 318 sont établis séparément sur le substrat en métal 304, et par conséquent l'efficacité d'implantation est mauvaise et il y a le problème consistant en ce que la miniaturisation est difficile.
De plus, l'aire du circuit en boucle, qui est formé en partant de la plaque d'électrode de connexion externe 316 et en retournant à celle-ci en passant par le substrat relais 318, le conducteur 315, l'une des électrodes principales de l'élément à semiconducteur 301, l'autre électrode principale, le substrat relais 318 et le conducteur 315, devient grande, ce qui fait qu'elle a une inductance élevée, et ceci devient un facteur conduisant à l'apparition d'une grande surtension transitoire. Par conséquent, le rapport de changement du courant devient grand dans le cas où on fait fonctionner l'élément à semiconducteur 301 dans un mode de commutation, et par conséquent il est nécessaire de préparer un élément qui supporte une tension élevée, et ceci devient un facteur conduisant à une augmentation du coût.
Comme décrit ci-dessus, dans un dispositif à semiconducteur classique, il est difficile de satisfaire à la fois aux exigences concernant la dissipation de chaleur et concernant la miniaturisation.
Conformément au premier aspect de la présente invention, un
dispositif à semiconducteur comprend un substrat de dissipation, des éléments à semiconducteur placés sur le substrat de dissipation, une multiplicité de plaques d'électrodes principales dont une extrémité est connectée électriquement à une électrode principale des éléments à semiconducteur, respectivement, et un boîtier en résine pour encapsuler dans une résine le substrat de dissipation, les éléments à semiconducteur et la multiplicité de plaques d'électrodes principales, et dans ce dispositif l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu à l'extérieur de la surface supérieure du boîtier en résine, et le boîtier en résine est formé en une seule pièce par moulage.
Conformément au second aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, le boîtier en résine a une forme de parallélépipède et une surface principale de l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales seule est à nu sur la surface supérieure du boîtier en résine.
Conformément au troisième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, la position de la surface principale à laquelle l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu, est une position proche d'un centre de la surface supérieure du boîtier en résine.
Conformément au quatrième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, le boîtier en résine comporte une partie de corps ayant la forme d'un parallélépipède et une multiplicité de parties d'électrodes en saillie qui font respectivement saillie à partir de la surface supérieur de la partie de corps et contiennent la multiplicité de plaques d'électrodes principales à l'intérieur, et la surface principale de l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales seule est à nu sur la surface supérieure de chacune de la multiplicité de parties d'électrodes en saillie.
Conformément au cinquième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, la multiplicité de parties d'électrodes en saillie sont formées de façon que les parties de jonction entre la multiplicité de parties d'électrodes en saillie et la partie de corps aient des surfaces courbes.
Conformément au sixième aspect de la présente invention, dans
le dispositif à semiconducteur, la multiplicité de parties d'électrodes en saillie sont formées dans des parties périphériques de la partie de corps et ont des cavités à l'intérieur ; l'autre extrémité de chacune de la mul- tiplicité de plaques d'électrodes principales est formée de façon à recouvrir le haut de chacune des cavités.
Conformément au septième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales comporte un trou traversant, et un filetage est formé sur la surface intérieure du trou traversant.
Conformément au huitième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, le trou traversant est produit par une opération de soyage et le filetage est formé sur une partie de collet qui fait saillie du côté de la cavité, par l'opération de soyage.
Conformément au neuvième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales comporte un trou traversant et la multiplicité de parties d'électrodes en saillie ont en outre des écrous noyés à l'intérieur, de façon que le filetage de chacun des écrous soit relié à celui du trou traversant.
Conformément au dixième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, le dispositif à semiconducteur comprend en outre un circuit de commande qui est monté sur le substrat de dissipation et qui accomplit une commande d'attaque des éléments à semiconducteur.
Conformément au onzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, le circuit de commande est recouvert par une résine dont la viscosité est inférieure à celle de la résine de moulage du boîtier en résine.
L'ajustement des proportions des gaz dans le mélange gazeux, de la pression dans l'enceinte utilisée et de la puissance haute fréquence pour créer le plasma permet de déterminer le taux d'anisotropie et la vitesse de gravure et ces deux facteurs définissent la pente et la profondeur des différentes portions. On contrôle alors parfaitement pente et profondeur pendant la gravure.
On peut faire, de manière classique, au niveau de la tranchée profonde qui vient d'être gravée, une implantation ionique, de type opposé à celui du substrat 1, de façon à dévier des lignes de courant qui prennent naissance dans le substrat 1 en vue d'éviter des fuites de courant.
On élimine ensuite le masque dur 6 et les résidus de gravure, ces résidus comprennent l'oxyde qui s'est formé pendant la gravure de la tranchée (figure 2F). L'oxyde qui s'est formé dans la tranchée profonde lors de sa gravure n'est pas représenté car il est très fin. Cette élimination peut se faire chimiquement dans un bain d'acide fluorhydrique HF dilué par exemple.
On peut ensuite soumettre la tranchée profonde à un recuit par exemple de type RTO (Rapid Thermal Oxidation pour oxydation thermique rapide) de manière à restaurer l'état de surface de ses flancs et de son fond endommagés par la gravure et donc de limiter la circulation de courants de fuite qui
pourrait prendre naissance au niveau de ces surfaces endommagées.
L'étape suivante est une étape de remplissage de la tranchée de matériau électriquement isolant en créant la cavité vide 13 et le bouchon de fermeture 14 (figure 2G). Ce dépôt de matériau électriquement isolant 12 qui dans l'exemple est de l'oxyde de silicium peut se faire par réactions chimiques en phase vapeur CVD, réactions chimiques en phase vapeur assistées par plasma PECVD avec au moins un précurseur rendant le dépôt non conforme ou par plasma haute densité.
Un dépôt non conforme se fait plus rapidement sur les surfaces horizontales que sur les surfaces verticales. Ce dépôt se fait donc plus rapidement sur la première portion 16 évasée et sur la surface du substrat 1 que sur la seconde portion 17, 18,19 et sur le fond 10. Le bouchon 14 se forme dans la partie la plus étroite de la première portion évasée 16 au voisinage du col 15. Il ferme donc en profondeur la cavité vide 13 située entre le fond 10 et le col 15.
Comme précurseur on peut utiliser du TEOS ou du silane SiH4.
Le matériau électriquement isolant 12 peut être dopé par exemple l'oxyde de silicium peut être dopé au bore ou au phosphore. Une étape de recuit thermique intervient ensuite pour faire fluer le matériau électriquement isolant ce qui permet d'ajuster la position du bouchon de fermeture 14.
Une telle tranchée d'isolement profonde est particulièrement robuste, les couches enterrées 2,4
qui viennent en butée contre ses flancs 11 sont bloquées lors de traitements thermiques ultérieurs. Il n'est plus nécessaire de réaliser une implantation P+ en fond de tranchée profonde comme dans l'art antérieur où la tranchée traversait une zone enterrée.
Pour terminer, on peut par exemple par un polissage mécano-chimique ôter l'oxyde 12 ainsi déposé et se trouvant en surface et si nécessaire réaliser une étape de planarisation en surface (figure 2H).
Dans les circuits bipolaires et BiCMOS, les tranchées d'isolement profondes coopèrent avec des tranchées d'isolement peu profondes connues sous la dénomination anglosaxonne de STI pour Shallow Trench Isolation. Par tranchée d'isolement peu profonde, on entend une tranchée dont la profondeur est inférieure à celle des caissons dans lesquels sont placés les transistors.
La tranchée d'isolement peu profonde 30 comporte des flancs 31, un fond 32 et est pleine de matériau électriquement isolant 33. Son fond 32 débouche dans la première portion 16 évasée de la tranchée d'isolement profonde référencée 20. Cette coopération est représentée à la figure 3. Le fond 32 de la tranchée peu profonde 30 est plus large que l'ouverture 9 de la tranchée d'isolement profonde, c'est à dire plus large que la plus grande largeur de la première portion 16 évasée.
La réalisation de la tranchée d'isolement peu profonde peut se faire après celle de la tranchée d'isolement profonde.
Mais on peut également débuter la réalisation de la tranchée d'isolement peu profonde avant de débuter celle de la tranchée d'isolement profonde et dans ce cas des étapes sont communes pour la réalisation des deux tranchées d'isolement.
EXEMPLE 2 Des résultats similaires ont été obtenus en remplaçant le copolymère acide acrylamido-2-méthyl-2-propane-sulfonique/n-dodécylacrylamide neutralisé par la soude de l'exemple ci-dessus par un copolymère réticulé par du méthylène-bisacrylamide constitué de 75% en poids de motifs AMPS neutralisés par NH3 et de 25% en poids de motifs de formule (III) dans laquelle R1=H, R4=C16-C18 et x=25.
EXEMPLE 3 Des résultats similaires ont été obtenus en remplaçant le copolymère acide acrylamido-2-méthyl-2-propane-sulfonique/n-dodécylacrylamide neutralisé par la soude de l'exemple ci-dessus par un copolymère réticulé par du méthacrylate d'allyle constitué de 90% en poids de motifs AMPS neutralisés par NH3 et de 10% en poids de motifs méthacrylate de GENAPOL T-250 [motifs de formule (III) dans laquelle R1=CH3, R4=C16-C18 et x=25], ou par un copolymère réticulé par du méthacrylate d'allyle constitué de 80% en poids de motifs AMPS neutralisés par NH3 et de 20% en poids de motifs méthacrylate de GENAPOL T-250 [motifs de formule (III) dans laquelle R-) =CH3, R4=Cie-Ci8 et x=25].