INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
pumila ; de Gingko biloba ; de Monotropa hypopithys (sucepin), d'Aesculus sp. , d'Acer pseudoplatanus ; de Prunus persica et de Pistacia palaestina.
Parmi les laccases d'origine fongique, éventuellement obtenues par biotechnologie, utilisables selon l'invention, on peut citer la ou les laccases issues de Polyporus versicolor, de Rhizoctonia praticola et de Rhus vernicifera telles que décrites par exemples dans les demandes de brevet FR-A-2 112 549 et EP-A-504005 ; les laccases décrites dans les demandes de brevet W095/07988, W095/33836, W095/33837, W096/00290, W097/19998 et W097/19999, dont le contenu fait partie intégrante de la présente description comme par exemple la ou -les laccases issues de Scytalidium, de Polyporus pinsitus, de Myceliophtora thermophila, de Rhizoctonia solani, de Pyricularia orizae, et leurs variantes. On peut également citer la ou les laccases issues de Trametes versicolor, de Fomes fomentarius, de Chaetomium thermophile, de Neurospora crassa, de Colorius versicol, de Botrytis cinerea, de Rigidoporus lignosus, de Phellinus noxius, de Pleurotus ostreatus, d'Aspergillus nidulans, de Podospora anserina, d'Agaricus bisporus, de Ganoderma lucidum, de Glomerella cingulata, de Lactarius piperatus, de Russula delica, d'Heterobasidion annosum, de Thelephora terrestris, de Cladosporium cladosporioides, de Cerrena unicolor, de Coriolus hirsutus, de Ceriporiopsis subvermispora, de Coprinus cinereus, de Panaeolus papilionaceus, de Panaeolus sphinctrinus, de Schizophyllum commune, de Dichomitius squalens, et de leurs variantes.
On choisira plus préférentiellement les laccases d'origine fongiques, éventuellement obtenues par biotechnologie.
La présente invention prévoit aussi un composant de puissance vertical formé sur une plaquette de silicium comprenant une couche épitaxiale du deuxième type de conductivité à faible niveau de dopage formée sur un substrat du premier type de conductivité à fort niveau de dopage, dans lequel un mur d'isolement dopé à l'aluminium est réalisé à la périphérie du composant de puissance par fusion de zones à gradient de température.
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers
faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un compo- sant de puissance vertical de structure classique ; et la figure 2 est une vue en coupe schématique d'un composant de puissance vertical obtenu par le procédé selon la présente invention.
Conformément à l'usage dans le domaine de la représentation des semiconducteurs, les diverses couches des diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle, ni dans leurs dimensions horizontales, ni dans leurs dimensions verticales.
La figure 2 est une vue en coupe schématique d'un composant vertical obtenu par le procédé selon la présente invention. Ce composant est délimité par des murs d'isolement qui le séparent de composants voisins et/ou correspondent à des limites à partir desquelles le composant est découpé dans une plaquette dans laquelle on a réalisé un grand nombre de composants (généralement identiques).
Selon la présente invention, pour réaliser un composant de puissance vertical, on part d'un substrat 10 d'un premier type de conductivité, par exemple, le type P, relativement fortement dopé sur lequel est formée par épitaxie une couche 11 de type opposé, par exemple N, faiblement dopée destinée à constituer la couche de tenue en tension d'un composant de puissance vertical dont le substrat P constitue l'anode.
Ensuite, contrairement au procédé de l'art antérieur décrit en relation avec la figure 1, au lieu de former d'abord le mur d'isolement par diffusion profonde à partir des faces inférieure et supérieure, on commence par former toutes les couches constitutives du composant que l'on veut créer, et éventuellement des autres composants à former dans la même plaquette et on ne forme les murs d'isolement que dans une étape ultérieure. On notera qu'il serait impossible de former le mur d'isolement par diffusion profonde à une étape finale car cela entraînerait une rediffusion du dopant du substrat 10 dans la
couche épitaxiée 11. Il en résulterait, d'une part, que l'épaisseur restante de la couche N serait mal déterminée et, d'autre part, que le front de la jonction entre la couche épitaxiale 11 de type N et le substrat 10 de type P serait très peu raide et donc que cette jonction présenterait de mauvaises caractéristiques d'injection.
Dans le cadre d'une application de l'invention à un thyristor, on forme le caisson 5 de type P et la région 6 de type N+ correspondant à la cathode du thyristor ainsi que les régions d'arrêt de canal 7 décrites précédemment. On peut aussi former pour améliorer la tenue en tension une zone 11 faiblement dopée de type P à la périphérie du composant, au voisinage de la région où sera formé le mur d'isolement. On a également représenté en figure 2 diverses métallisations, G correspondant à la gâchette du thyristor en contact avec la caisson 5, K correspondant à la cathode du thyristor en contact avec la région 6 fortement dopée du type N, Pl constituant une plaque de champ en contact avec la région d'arrêt de canal, et P2 constituant une plaque de champ en contact avec la région périphérique 11. Éventuellement, d'autres métallisations telle que P3 constituant des plaques de champ peuvent être utilisées. On a également représenté des régions d'oxyde 14 entre les métallisations. Ces régions 14 résultent d'une couche d'oxyde formée avant les métallisations et ouverte aux emplacements de contact souhaités. Une éventuelle couche d'encapsulation 15 en polyimide ou autre matériau de passivation recouvre la surface supérieure.
Après la formation des divers éléments du composant, mais avant la réalisation des métallisations et de la couche d'encapsulation 15, la présente invention prévoit de réaliser des murs d'isolement périphériques 20 par une technique de fusion de zone à gradient de température. Cette technique consiste à former sur une face d'une plaquette de silicium des anneaux d'aluminium aux emplacements où l'on souhaite réaliser des murs traversants.
La plaquette est mise dans un four conçu pour que cette plaquette soit soumise à un gradient thermique, de l'ordre de 50 à
100 C/cm, c'est-à-dire une différence de température de l'ordre de 2, 5 à 5 C pour une plaquette d'une épaisseur de l'ordre de 500 leim. Par exemple, la plaquette est chauffée d'un côté et disposée de l'autre côté en face d'un corps noir. La face chaude est portée à une température de l'ordre de 1300 C de sorte que l'aluminium se liquéfie du côté de la face"froide"et qu'une zone d'alliage AlSi traverse la plaquette sous l'effet du gradient thermique depuis la face froide vers la face chaude. A la suite de sa migration, la zone fondue d'AlSi laisse derrière elle une traînée de silicium recristallisé contenant de l'aluminium à la limite maximale de solubilité de 2. 1019 atomes/cm3. Comme ce procédé fait intervenir le phénomène de diffusion à l'état liquide la migration est extrêmement rapide.
On peut par exemple traverser une plaquette de 700 im en moins de 10 minutes à 1300 C avec une différence de température inférieure à 100C entre les deux faces. Du fait de la rapidité de ce processus, les diverses jonctions formées au préalable dans le substrat, notamment la jonction entre le substrat 10 de type P+ et la couche épitaxiée 11 de type N, ne se dégradent pas et restent abruptes.
De préférence, le procédé de fusion de zone à gradient de température est réalisé en déposant l'aluminium du côté de la face supérieure de la structure représentée en figure 2 puis l'aluminium est amené à diffuser vers la face inférieure qui, pendant la mise en oeuvre du procédé, sera la face chaude.
On notera que la face arrière est ensuite uniformément métallisée, par exemple par une première métallisation 21 d'aluminium et une deuxième métallisation 22 de Ti/Ni/Au. Étant donné le revêtement de la face arrière par une couche d'aluminium, les inégalités d'aluminium apparaissant sur cette face à l'endroit où débouche la zone d'aluminium fondue ayant traversé la plaquette constituent un inconvénient mineur.
Toutefois, comme cela est d'ailleurs classique lors de la réalisation de composants sur une plaquette épitaxiée, on pourra prévoir une étape de rodage de la face arrière de la plaquette
Le matériau obtenu est alors dit matériau périodiquement polarisé.
La période spatiale A définit la longueur d'onde de la lumière générée. Ainsi, selon la source laser fondamentale utilisée, la lumière générée peut être visible (verte, bleue, rouge, par exemple) ou invisible (UV, infrarouge, par exemple).
On peut également envisager d'inscrire un réseau de Bragg de période spatiale A3 proche de la longueur d'onde de l'onde fondamentale pour la stabilisation de la longueur d'onde fondamentale à une valeur de longueur d'onde pour laquelle l'efficacité de conversion est maximale.
La fabrication du guide est réalisée par implantation ionique au sein du cristal périodiquement polarisé. Dans un premier temps, les ions légers du type hydrogène ou hélium ou autre ion léger bombardent, avec une énergie Ei, la surface la plus large du cristal sur laquelle est présente le réseau de période spatiale A. Le guide plan est réalisé. Les "barrières verticales" sont réalisées par implantation de plusieurs flux ioniques d'énergies inférieures à Ei sur la surface précédemment implantée ou par masquage puis attaque chimique contrôlée sur cette même surface ou par gravure ou alors par un autre procédé physico-chimique. Le guide canal est ainsi réalisé.
Par cette technique, il est possible de fabriquer un guide canal périodiquement polarisé de largeur et d'épaisseur définies dans un matériau non-linéaire pour la génération de lumière. Ce guide peut être monomode ou multimode.
L'ajout de miroirs à fort coefficients de réflexion (>99 %) sur les extrémités du guide fabriqué permet de
renforcer l'effet non-linéaire par réflexion de l'onde fondamentale dans le milieu non-linéaire. Cette opération peut améliorer l'efficacité de conversion.
On peut choisir le matériau non-linéaire parmi le groupe suivant : KTiOP04, LiNb03, KNb03, BaTi03, LiTa03, Li2B407 et (3-BaB204.
DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention est illustrée par les dessins placés en annexe.
la figure 1 est un vue schématique du résultat de la modulation périodique du matériau pour l'utilisation en configuration de QAP.
la figure 2 est une vue schématique du procédé d'implantation d'ions dans un matériau non-linéaire périodiquement polarisé.
la figure 3 est une vue schématique du guide d'onde obtenu par implantation ionique dans un matériau non- linéaire périodiquement polarisé.
EXPOSE DETAILLE DES MODES DE FABRICATION PARTICULIERS Le procédé conforme à l'invention, schématiquement représenté sur les figures 1 et 2, est un procédé de fabrication de guide d'onde par implantation ionique dans un cristal périodiquement polarisé pour la génération de lumière par effet non-linéaire en configuration de quasi- accord de phase.
La figure 1 est le résultat obtenu de la polarisation périodique qui peut être réalisée selon sous champ électrique ou un autre procédé physico-chimique. On voit le renversement alterné 2, de périodicité spatiale A, des domaines dont les coefficients non-linéaires sont respectivement de signe
positif puis négatif.
La figure 2 représente le bombardement d'ions légers de type hydrogène ou hélium qui permet de réaliser le guide dans le matériau non-linéaire modifié. Les ions arrivent sur la face la plus large du matériau avec une certaine orientation de façon à éviter un effet de canalisation ionique au sein de la structure cristalline du matériau.
Une thématisation de l'espace ludique est apportée par des dessins pour créer un monde virtuel .
Par conception, certains types d'équipements, permettent partiellement de changer les éléments ludiques facilement accessibles à l'aide de modules qu'il faut installer.
Ces équipements de jeux ainsi conçus, possèdent de nombreuses activités ludiques et sont en général volumineux, coûteux de 150 à 500 KF et difficilement interchangeables.
Lorsque l'on veut changer un équipement de jeux, il faut tout démonter, pour en reconstruire un nouveau sur site. Cette opération demande du temps et coûte donc cher, avec une perte d'exploitation partielle liée à la fermeture de l'aire de jeux.
La difficulté provient de la rigidité de la structure qui n'admet pas ou peu de modifications, seules des extensions modulaires sont envisageables. Un pré assemblage en atelier des éléments souples et rigides est très limité.
De plus dans la conception, la structure volumétrique (assemblage tubulaire intérieur) est une contrainte technique pour réaliser des formes ludiques.
L'invention consiste à suspendre, à partir d'une structure fixe rigide et maillée, des cloisons souples, des éléments rapportés, soutenus par des câbles à une structure mobile, pour former un équipement de jeux. L'invention est décrite au regard des figures en annexe, sur lesquelles: - la figure 1 est une vue en perspective de la structure fixe des équipements de jeux existants, - la figure 2 est une vue en perspective de la structure fixe, - la figure 3 est une vue en perspective de la structure fixe supportant les éléments démontables, - la figure 4 est le plan d'une cloison souple, et d'un système d'attache par oeillet, - la figure 5 est une coupe d' un mode de liaisons des différents éléments de l'équipement, - la figure 6 est une vue en perspective de la partie supérieure , extension de la structure fixe, - La figure 7 est une coupe d'un système de fixation par oeillet.
L'ensemble de la structure de l'équipement est composée d'une structure fixe, et d'éléments démontables, comprenant au moins un élément mobile, une pluralité de câbles tendus, entre l'élément mobile et le sol , de manière à définir une paroi , et des éléments rapportés. La structure fixe illustrée en détails sur la figure 2 comprend un cadre 10 de préférence avec un maillage , relié au bâtiment ou au sol par des moyens de liaisons 12 appropriés. Le cadre 10 peut être plan ou en relief, de manière à s'adapter à l'espace dont il peut disposer.
De même, le maillage peut être symétrique ou asymétrique selon les formes des éléments mobiles.
Les moyens de liaisons 12 sont des poteaux, des suspentes, des appuis latéraux, des câbles, des sangles, ou des chaînes ou tout autres moyens analogues.
Cette structure fixe est constituée d'éléments démontables, mécano soudés , collés, métalliques ou non, souples ou rigides.
les éléments mobiles 16 sont des cadres, ou éléments filiformes tel que des profilés, disposés les uns à coté des autres sur la structure fixe, de préférence à la manière d'un puzzle.
Ces éléments mobiles 16 sont métalliques ou non, plans ou en reliefs, pleins ou évidés, comportant des éléments structurants démontables tels des profilés, de formes diverses 20 tels des cercles, courbes, droites ou formes analogues.
L'élément mobile 16 est doté de moyens de positionnement, tels des ergots 22 ou piges, ou de forme adaptée au maillage de la structure fixe .
Les câbles ou sangles 24 sont susceptibles de relier les éléments mobiles au sol.
Les câbles 24 sont souples et résistants, métalliques ou non. Ils sont enveloppés ou non par du matériau amortissant recouvert d'un tissu comme de la mousse recouvert d'un tissu de PVC. La structure du câble est pour exemple caractérisée par 6 torons métalliques à 8 brins, enrobés de tissus synthétiques de couleur. L'âme du câble est constituée par 3 cordages torsadés en matériau synthétique.
En référence aux figures 1, 4 et 5, on constate qu'un centre fournisseur de données (Fo) est chargé de réunir des données observables permettant de décrire l'état de l'environnement global (E) du réseau électrique. Dans ce cas particulier de l'industrie électrique, le centre fournisseur de données (Fo) peut faire partie de la compagnie gérant l'organisation du réseau électrique. Mais dans d'autres applications, notamment financières, ce centre fournisseur de données (Fo) est une organisation indépendante (telle que les compagnies Reuters, Bloomberg) fournissant commercialement des données observables à une multitude de clients. On a installé en différents points de l'environnement (E), une série de r capteurs (y,,("- 1...') ). Ils constituent des observateurs de l'état d'environnement (E). Le fournisseur de données (Fo) collecte à distance, à chaque instant (t), les r mesures de l'état de l'environnement (eth(t)" - 1 ...r)) en provenance des capteurs. Ces r mesures constituent, à chaque instant d'échantillonnage (tj, les composantes d'un vecteur temporel de mesure d'environnement (M(tf)) (uh(tk#)l" - 1...r). Le fournisseur de données (Fo) est équipé d'un émetteur (Ao) de données observables. Celui-ci émet sur un réseau (Ro) d'émission de données observables - soit directement les mesures recueillies par les capteurs (variables observables), - soit les résultats de calculs algébriques déterministes (tels que moyennes, ... ) opérés par le fournisseur de données (Fo) sur ces mesures (variables quasi -observables).
Par la suite, on assimilera variables observables et quasi-observables que l'on appellera globalement variables observables . Dans le cas représenté figure 1, le réseau (Ro) d'émission de données observables est schématisé par une antenne parabolique d'émission (5) transmettant les données (mesures) observables (M(tk)) (p,,(tk#)l" --r@) de l'environnement (E) à un satellite (6).
Un site centralisé émetteur (U) selon l'invention est décrit dans sa forme générale en référence à la figure 2. Il est généralement constitué d'un système informatique (7) comprenant principalement - une interface de modélisation (S2) permettant à un opérateur mathématicien de faire le choix des différents modèles et variables, - un calculateur (C) de simulation pour effectuer les calculs numériques et statistiques, - une mémoire de masse (H) centrale de données probabilistes, - un récepteur (Bo) de mesures observables, - et un émetteur (Ap) de séries de simulations probabilistes.
Ce site centralisé émetteur (U) est très distant (de plusieurs kilomètres, voire de plusieurs centaines de kilomètres) d'une majorité des n systèmes industriels locaux distants (S"("- 1...n) ), les centrales électriques (S,,.... S",.... Sn) qui sont réparties sur tout le territoire de l'état et apparaîtront figures 3 à 8. Le récepteur (Bo) de mesures observables est schématisé par une antenne parabolique de réception de données observables (8) qui reçoit en provenance du satellite (6), en flux continu périodique, les r mesures d'environnement (M(tk)) (Ph(tk)(h='@..r émises par le fournisseur de données (Fo) via le réseau (Ro) d'émission de données observables. L'interface de modélisation (S2) est préférentiellement située sur le site centralisé émetteur (U). Dans le cas plus général, elle est située au sein d'un site expert (U'), qui peut être distinct du site émetteur (U) mais en tout cas distant (de plusieurs kilomètres, voire de plusieurs centaines de kilomètres) d'une majorité des n systèmes industriels locaux distants (Su'u-@-..R). Au niveau de l'interface de modélisation (S2) ou du site expert (U'), on fait le choix - des p variables (X;li='...Pl) de l'environnement (E), également appelées facteurs de risque, - des horizons de temps (tk(k-'--"' des différentes simulations, - du modèle numérique descriptif d'environnement (D), définissant l'ensemble de p variables d'état (X;(t)''-'..-P) _ (@(,u@(t),...,@Cr(t))) en fonction des mesures observables (ph(t)(h= 1...r) (avec généralement p S r mais suffisamment grand, en sorte que l'ensemble des variables d'environnement (Xi(t)"-'...Pl) décrivent physiquement, à chaque instant d'échantillonnage (tk), la globalité de l'état de l'environnement (E)), - et d'une loi statistique paramétrée (modèle) (fa(X,,...,XP; t; Atk)) du comportement joint des facteurs de risque, au temps (t) et par tranches de temps (dtk(k =' "' , des variables d'état (X;(t)"-'...Pl), décrite par sa densité de distribution jointe.
La loi statistique (fa) paramétrée (décrite numériquement) est généralement choisie par un mathématicien spécialiste des modèles statistiques. Elle est justifiée à partir d'observations historiques - il peut s'agir notamment de lois normales, log-normales, etc., ou plus énéralement d'une distribution statistique jointe des p variables d'environnement (X;(tk) (' ..P') ou de leurs variations temporelles (AX;(tk) (' - '...Pl), validée par des tests statistiques classiques adéquats (moyennes, variances, corrélations, sauts, comportements extrêmes, etc.). Au fur et à mesure de la réception des données observables d'environnement que l'on reçoit sur demande ou en continu, on met à jour et on enregistre dans la mémoire de masse (H) l'historique périodique des valeurs des mesures (Ph(t)lhLe calculateur (C) calcule, à chaque période d'échantillonnage (tk) successive, à l'aide du modèle numérique descriptif d'environnement (D) et du vecteur de mesures (M(t)), les p variables d'état (X;(t)'`-'P@) _ (@(,u,(t),..."ur(t))). Préférentiellement, le calculateur (C) calcule et met également à jour répétitivement l'historique des variations des p variables d'état (OX;(t)('='...P) qu'il enregistre dans la mémoire de masse (H). On entend par variations des variables d'état, soit la différence, soit le ratio de deux valeurs d'une variable à des instants successifs, ou plus généralement toute valeur numérique décrivant les variations (absolues ou relatives) de la variable entre deux instants successifs.
Le calculateur (C) est muni d'un système simulateur (9) de scénarios, d'un système calibreur (10) de la loi statistique paramétrée (fa) pour qu'elle soit conforme aux observations historiques mémorisées dans la mémoire (H), et d'un générateur aléatoire (11) permettant de construire répétitivement des smp séries de simulations probabilistes (W;,,@) multi-valuées de description des pseudo-états ou pseudo-variations probables futur(e)s des variables d'état (Xt(tfi ,...Pl).
Diverses méthodes de fonctionnement du simulateur (9) de scénarios seront décrites plus loin. Certaines génèrent des séries de simulations des variables d'état (X;(t)('-'"), et d'autres des séries de simulation des variations des p variables d'état (OX;(t)l'=' ,@Pl). En sorte qu'au niveau du site centralisé émetteur (U), à partir de la densité de distribution jointe de la loi statistique paramétrée (fa (Xi,..., XP; t; Atk)) retenue du comportement joint dans le temps (t) des variables d'état (Xt), on génère numériquement répétitivement à des instants t. successifs, une snip série de simulation probabiliste (W; ,j@ l'-'".p'j-' ..-'s' k-'"'") multi-valuée de description des pseudo-états ou pseudo-variations probables futur(e)s de l'environnement (E).
Selon un premier mode de mise en aeuvre, cette snip série de simulation probabiliste est une snip série probabiliste (X;,j@) de pseudo-états formée de sxrn p-uplets d'échantillons multi-valués de pseudo-états futurs (X;.j{tk)l'='".p'j='".S, k='"'"')), comprenant sxnixp valeurs numériques possibles des pseudo-valeurs futures probables des p variables d'état (X,(t)(' et constituées - pour chacun des m (ni >_ 1) horizons de temps (tk"=''n')) de la simulation, - de s (avec s très grand 1) pseudo-états futurs possibles (Xjk@= 1..s)) i (X;,j(tk)('-''"p'j-''.'S) du vecteur des p variables d'état (X;(tk)"-'"'p) .
Selon un second mode de mise en oeuvre décrit figure 5, cette snip série probabiliste variationnelle (AX;,@k) est formée de sxm p-uplets d'échantillons multi-valués de pseudo- variations (AX;j{tk)(f-'...p, j=l...s, k=I...n:)) futures à partir de la valeur courante des variables d'état (X;(to)"-'".p), comprenant sxnixp valeurs numériques de pseudo-variations futures probables des p variables d'état (X;(tk)"-'"'p) et constituées - pour chacun des m (ni > 1) horizons de temps (tk(k-'".n')) de la simulation, - de s (avec s très grand 1) pseudo-variations numériques futures possibles (AXj,k@ _' "S)) (OX;,j(tk)"='"'p'j=''') du vecteur des p variables d'état (Xi(tk)"='..'p)).