INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un vingt-septième aspect de la présente invention, il est prévu un dispositif formant convertisseur de puissance comprenant un circuit principal formant onduleur comprenant des éléments de commutation aptes à répondre à des signaux de commande de commutation, et des moyens pour appliquer des tensions de phase à une charge polyphasée par l'intermédiaire des éléments de commutation, des moyens de sortie de valeurs de commande pour délivrer des valeurs de commande de tension de base respectivement pour des phases de la charge polyphasée, des moyens de conversion des valeurs de commande pour convertir les valeurs de commande de tension de base délivrées par les moyens de sortie des valeurs de commande respectivement en des valeurs de commande de tension finales, auquel cas un intervalle de temps spécifié, pour lequel au moins deux des valeurs de commande de tension de base sont approximativement égales, inclut une alternance de premiers intervalles de temps de conversion et de seconds intervalles de temps de conversion, et, pendant chacun des premiers intervalles de temps de conversion, les valeurs de commande de tension finale correspondant auxdits deux valeurs de commande de tension de base sont égales à un minimum ou à un maximum, pendant les seconds intervalles de temps de conversion., seule l'une des valeurs de commande de tension finales correspondant auxdites deux valeurs de commande de tension de base est égale au maximum ou au minimum, des moyens de changement de phase pour charger une phase de l'intervalle de temps spécifié utilisée par les moyens de conversion des valeurs de commande, et des moyens de sortie de signaux de commande pour soumettre une onde porteuse à une modulation d'impulsions en durée en réponse valeurs de commande de tension finales produites par les moyens de conversion des valeurs de commande pour produire les signaux de commande de commutation, et pour délivrer les signaux de commande de commutation aux éléments de commutation situés dans le circuit principal formant onduleur.
Selon un vingt-huitième aspect de la présente invention, qui est basé sur le vingt-septième aspect de l'invention, il est prévu un dispositif formant convertisseur de puissance, selon lequel les moyens de changement de phase comprennent des moyens pour détecter une différence de phase entre une phase de l'une des valeurs de commande de tension de base et une phase d'un courant de sortie correspondant pénétrant dans la charge polyphasée en provenance du circuit principal formant onduleur, et des moyens pour changer la phase de l'intervalle de temps spécifié en réponse à la différence de phase détectée.
Ex69 N ,' , i i v 336,3 337 374,2 , N, 'N Ex70 N ,ô , 336,3 337 379
Ex71 N -,Y-'. NN '0\ 287,3 287 354,2
Ex72 nWO tX Br 370,2 371 383,8 N N J'P
Ex73 N#N#N#N#O 260,2 261 400,6 Ex74 N##N#N#O 243,3 244 360,6 N Br Ex75 N##N#N## 294,1 295 358,7 #N Fiv ' -N Ex76 N##N#N## 214,2 215 364,6 N
EXEMPLE DE COMPOSITION 1
COMPOSITION % en poids Mélange d'alcool cétylstéarylique et d'alcool cétylstéarylique 7 oxyéthyléné (330E) 80/20 (SINNOWAX AO-HENKEL Mélange de mono et distéarate de glycérol 2 CERASYNT SD-V ISP) Alcool cétylique 1.5 Polydiméthyl siloxane 1 DOW CORNING 200 FLUID-DOW CORNING Benzoate d'alcools en C12/C15 15 WITCONOL TN -WITCO Octyl methoxycinnamate 3 Parsol MCX de GIVAUDAN
N'-[(E)-3-methylphenylmethylidene]-2-pyrazinecarbohydrazonamide 4
(Composé n 76 tel ue ré aré dans l'exemple 2 Butyl methoxydibenzoyl methane 2
Parsol 1789 ; GIVAUDAN
Glycérine 15 Triéthanolamine qs pH Conservateurs qs Eau déminéralisée qsp 100
EXEMPLE DE COMPOSITION 2
COMPOSITION % en poids Mélange mono /distéarate de glycérol / stéarate de polyéthylène 2 glycol (100 OE) (ARLACEL 165 FL - ICI) Alcool stéarylique 1 (LANETTE 18 - HENKEL) Acide stéarique d'huile de palme 2.5 (STEARINE TP - STEARINERIE DUBOIS) Poly dimethylsiloxane 0. 5 (DOW CORNING 200 FLUID - DOW CORNING) Benzoate d'alcools en C12/C15 20 (WITCONOL TN -WITCO) Triethanolamine 0.5 Glycérine 5 Phosphate d'alcool hexadecylique,sel de potassium (AMPHISOL K - HOFFMAN LAROCHE) 1 Acide polyacrylique 0.3 (SYNTHALEN K - 3V) Hydroxypropyl méthyl cellulose 0.1 (METHOCEL F4M-DOW CHEMICAL) Butyl méthoxydibenzoyl methane 2
(Parsol 1789; GIVAUDAN)
Le dispositif 26a soustrait la valeur actuelle du courant "id" de la valeur de commande de courant id*. Le soustracteur 26a délivre le résultat de la soustraction à une section de commande de courant 28a. La section de commande de courant 28a convertit le résultat de la soustraction en une valeur de commande de tension vd'*. La section de commande de courant 28a est agencée de manière à réaliser par exemple une commande à action proportionnelle et intégrale PI. La section de commande de courant 28a envoie la valeur de commande de tension vd'* à un soustracteur 29a, en tant que minuende.
Le dispositif 26b soustrait la valeur actuelle de courant "iq" de la valeur de commande de courant iq*. Le soustracteur 26b envoie le résultat de la soustraction à une section de commande du courant 28b. La section de commande de courant 28b convertit le résultat de la soustraction en une valeur de commande de tension vq'*. La section 28b de commande du courant est agencée de manière à réaliser par exemple une commande à action proportionnelle et intégrale. La section de commande du courant 28b envoie la valeur de commande de tension bq'* à un additionneur 29b en tant que nombre à additionner.
Une section anti-interférences 30 reçoit les valeurs réelles de courant de deux phases "id" et "iq" de la part de la section de conversion uvw/d-q 27. La section anti-interférence 30 détecte des forces contre- electromotrices dans le moteur sans balai sur la base des valeurs réelles de courant de deux phases "id" et "iq". La section anti-interférence 30 délivre des valeurs des forces contre-électromotrices détectées au soustracteur 29a et `additionneur 29b respectivement en tant que nombre soustraire et nombre à additionner.
Le dispositif 29a soustrait la valeur de la force contre-électromotrice de la valeur de commande de tension vd'*. Le soustracteur 29a délivre le résultat de la soustraction à une section d-q/uvw 31 en tant que valeur de commande de tension vd*.
Le dispositif 29b additionne la valeur de la force contre-électromotrice et la valeur de commande de tension vq'*. L'additionneur 29b délivre le résultat de l'addition à la section de conversion d-q/uvw 31 en tant que valeur de commande de tension vq*.
La section de conversion d-q/uvw 31 convertit les valeurs de commande de tension vd* et vq* en trois valeurs de commande de tension de base triphasées U*, V* et W* en réponse à la valeur de détection de phase (la phase détectée du rotor) 8. Par conséquent la section de conversion d-q/uvw 31 exécute une conversion 2 phases/3 phases. La section d-q/uvw de conversion 31 délivre les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* à un convertisseur 32 des valeurs de commande. Le dispositif 32 convertit les valeurs de commande de la tension de base U*, V* et W* en les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W**. Le convertisseur 32 des valeurs de commande délivre les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** à un générateur de formes d'ondes MID (un convertisseur de profil MID) 11.
Le convertisseur 32 des valeurs de commande est identique à celui présent dans l'une des sept premières formes de réalisation de la présente invention. Le générateur de formes d'ondes MID 11 et un étage suivant sont similaires à ceux indiqués dans la première forme de réalisation de la présente invention. Le dispositif de la figure 30 peut être formé d'un circuit entièrement matériel ou bien d'un circuit matériel-plus-logiciel.
Neuvième forme de réalisation de l'invention Une neuvième forme de réalisation de la présente invention est similaire à la première forme de réalisation de l'invention (voir figure 5) hormis en ce qui concerne des modifications d'agencement mentionnées ci-après. Comme cela a été mentionné précédemment, une modulation sur une phase est affectée à des premiers intervalles de temps de conversion. Dans la neuvième forme de réalisation de la présente invention, le convertisseur 21 des valeurs de commande détermine les premiers intervalles de temps de conversion en référence aux valeurs de commande de tension de base U*, V* et W*.
La figure 31 est un organigramme d'un programme pour le convertisseur 21 des valeurs de commande (voir figure 5) dans la neuvième forme de réalisation de la présente invention. Le programme sur la figure 31 a une structure similaire du programme de la figure 26.
En référence à la figure 31, le premier pas C1 du programme détermine ou lit les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W*.
Un pas C2, qui intervient à la suite du pas Ci, détermine si la valeur de commande de tension de base W* est supérieure ou non à la valeur de commande de tension de base U* (W*>U*). En outre le pas C2 compare la valeur de commande de tension de base U* à "0". Lorsque l'on a W*>U* et U*>_0, le programme avance du pas C2 à un pas C8. Sinon, le programme avance pas C2 à un pas C3.
Le pas C8 a un contenu identique au pas B8 de la figure 26. A la suite du pas C8, le programme avance à un pas C15.
Le pas C3 détermine si la valeur de commande de tension de base W* est supérieure ou non à la valeur de commande de tension de base V* (W*>V*). En outre le pas C3 compare la valeur de commande de tension de base W* à "0". Lorsque l'on a W*>V* et W* < 0, le programme passe du pas C3 à un pas C9. Sinon programme avance du pas C3 à un pas C4.
Le pas C9 a un contenu identique au pas B9 de la figure 26. A la suite du pas C9, le programme avance au pas C15.
Le pas C4 détermine si la valeur de commande de tension de base U* est supérieure à la valeur de commande de tension de base V* (U*>V*). En outre, le pas C4 compare la valeur de commande de tension de base V* à "0". Lorsque l'on a U*>V* et V*>0, le programme avance du pas C4 à un pas C10. Sinon le programme avance du pas C4 à un pas C5.
Le pas C10 a un contenu égal au pas B10 de la figure 26. A la suite du pas C10, le programme avance au pas C15.
Les sensibilisants appropriés ne sont toutefois pas limités à ces exemples. On peut aussi utiliser des sensibilisants de ce type comme photoabsorbants pour l'absorption de rayons UV spécifiques émis par des sources de lumière. Dans ce cas, le photoabsorbant réduit la réflexion de la lumière à partir du substrat et abaisse l'effet d'une réflexion multiple dans le film de résist. Cela réduit l'effet des ondes stationnaires.
D'autres additifs (c) appropriés sont des amplificateurs d'acides, des composés qui accélèrent la formation d'acide ou augmentent la concentration d'acide.
Ces composés peuvent être utilisés dans les compositions de résist selon l'invention, mais ils peuvent aussi être avantageux dans d'autres applications des compositions selon l'invention, comme dans des revêtements. Des exemples de tels composés sont décrits par Arimitsu, K. et coll. dans J. Photopolym. Sci. Technol. 1995,8, p. 43 et suiv.; par Kudo, K. et coll. dans J. Photopolym. Sci. Technol. 1995,8, p. 45 et suiv.; par W. Huang et coll. dans SPIE vol. 3999, pp. 591-597 (2000) et par Ichimura, K. et coll. dans Chem: Letters 1995, p. 551 et suiv.
Normalement, on dissout les compositions selon l'invention dans un solvant approprié avant de les appliquer sur le substrat. Des exemples de ces solvants comprennent le dichlorure d'éthylène, la cyclohexanone, la cyclopentanone, la 2heptanone, la y-butyrolactone, la méthyléthylcétone, l'éther monométhylique de l'éthylèneglycol, l'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol, l'acétate de 2méthoxyéthyle, l'acétate de 2-éthoxyéthyle, le 2-éthoxyéthanol, l'éther diméthylique du diéthylglycol, l'acétate de l'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol, l'éther monométhylique du propylèneglycol, l'acétate de l'éther monométhylique du propylèneglycol, le toluène, l'acétate d'éthyle, le lactate de méthyle, le lactate
d'éthyle, le méthoxypropionate de méthyle, l'éthoxypropionate d'éthyle, le pyruvate de méthyle, le pyruvate d'éthyle, le pyruvate de propyle, le N,N-diméthylformamide, le diméthylsulfoxide, la N-méthylpyrrolidone et le tétrahydrofurane. On peut utiliser ces solvants isolément ou en combinaison. Des exemples préférés sont des esters comme l'acétate de 2-méthoxyéthyle, l'acétate de l'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol, l'acétate de l'éther monométhylique du propylèneglycol, le méthoxypropionate de méthyle, l'éthoxypropionate d'éthyle et le lactate d'éthyle.
On peut ajouter un agent tensioactif au solvant. Des exemples d'agents tensioactifs appropriés sont des agents tensioactifs non ioniques comme des éthers alkyliques de polyoxyéthylène, par exemple un éther laurylique de polyoxyéthylène, un éther stéarylique de polyoxyéthylène, un éther cétylique de polyoxyéthylène et un éther oléylique de polyoxyéthylène ; éthers alkylaryliques de polyoxyéthylène, par exemple un éther d'octylphénol de polyoxyéthylène et un éther de nonylphénol de polyoxyéthylène ; des copolymères à blocs de polyoxyéthylène/polyoxypropylène, des esters d'acides gras du sorbitol, par exemple le monolaurate de sorbitol, le monopalmitate de sorbitol, le monostéarate de sorbitol, le monooléate de sorbitol, le trioléate de sorbitol ; agents tensioactifs fluorochimiques, comme le F-top EF301, EF303 et EF352 (New Akita Chemical Company, Japon), le Megafac F171 et F17.3 (Dainippon Ink & Chemicals, Inc, . Japon), le Fluorad FC 430 et FC431 (Sumitomo #M Ltd., Japon), l'Asahi Guard AG710 et le Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105 et SC106 (Asahi Grass Col, Ltd., Japon); le polymère organosiloxane KP341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Japon); et les (co) polymères acryliques et méthacryliques Poly-flow Now. 75 et NO.95 (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., Japon).
La proportion d'agent tensioactif dans la composition est en général d'environ 2 parties en masse au plus, par exemple d'au plus 0,1 partie en masse, pour 100 parties en masse de matières solides contenues dans la composition. Les agents tensioactifs peuvent être utilisés individuellement ou en combinaison.
On applique uniformément la solution de la composition selon l'invention sur un substrat par des procédés généralement bien connus, déjà décrits ci-dessus. Des épaisseurs de couche appropriées ont aussi été déjà indiquées cidessus.
Après le revêtement, on élimine habituellement le solvant par chauffage et une couche du photorésist reste sur le substrat. Les températures de séchage doivent bien sûr être inférieures aux températures auxquelles des constituants de la formulation de résist peuvent se décomposer ou réagir. Les températures de séchage varient normalement dans un intervalle d'environ 60 à 160 C.
L'exposition des substrats revêtus a déjà été décrite ci-dessus.
Après l'exposition et, si nécessaire après le traitement thermique, on élimine les sites exposés de la composition (dans le cas du résist positif) ou les sites non exposés de la composition (dans le cas du résist négatif) à l'aide d'un révélateur, de manière généralement connue de l'homme de l'art.
Pour accélérer la réaction catalytique et ainsi assurer le développement d'une différence de solubilité suffisante entre les zones exposées et les zones non exposées du revêtement de résist, on chauffe de préférence le résist avant le développement. On peut aussi procéder à un chauffage pendant l'exposition. On utilise en général des températures de 60 à 160 C. La durée optimale du chauffage dépend de la méthode de chauffage utilisée et peut être déterminée par l'homme de l'art par des expériences simples. Elle est normalement comprise entre quelques secondes et quelques minutes, par exemple entre 10 et 300 secondes lorsque l'on utilise une plaque chauffante, et, par exemple, de 1 à 30 minutes lorsque l'on utilise une étuve à circulation d'air.
On effectue ensuite le développement, pendant lequel les portions du revêtement solubles dans le révélateur sont éliminées. Si nécessaire, on peut accélérer l'étape de développement en agitant doucement l'échantillon, en brossant avec précaution le revêtement dans le bain de révélateur ou en effectuant le développement dans un appareil de développement par pulvérisation. On peut utiliser à cet effet les révélateurs liquides aqueux basiques ordinaires dans la technique. Des exemples comprennent l'hydroxyde de sodium et de potassium, les carbonates hydrogénocarbonates, silicates et métasilicates correspondants, des bases non métalliques comme des composés d'ammonium ou des amines comme l'éthylamine, la n-propylamine, la diéthylamine, la di-n-propylamine, la triéthylamine, la méthyldiéthylamine, des alcanolamines, par exemple la diméthyléthanolamine, la triéthanolamine, des hydroxydes d'ammonium quaternaire, par exemple l'hydroxyde de tétraméthylammonium ou l'hydroxyde de tétraéthylammonium. Les solutions de révélateurs ont normalement une concentration allant jusqu'à 0,5 N, mais elles sont généralement diluées de manière appropriée avant l'emploi. Des solvants ayant une normalité d'environ 0,1à 0,3 sont par exemple très appropriés. Le choix du révélateur va dépendre de la nature du revêtement photodurcissable, en particulier de la nature de l'agent réticulant ou des produits de photolyse obtenus. Les solutions aqueuses de révélateur peuvent aussi comprendre, si nécessaire, de petites quantités d'agents mouillants et/ou de solvants organiques. Des exemples de solvants organiques typiques pouvant être ajoutés aux solutions de révélateur comprennent la
cyclohexanone, le 2-éthoxyéthanol, le toluène, l'acétone, l'isopropanol et des mélanges de deux ou plusieurs de ces solvants. Un système de révélateur aqueux/organique typique est un système à base de Butylcellosolve/eau.
L'invention concerne aussi un procédé de préparation d'un photorésist selon lequel (1) on applique une composition telle que décrite ci-dessus sur un substrat; (2) on chauffe la composition à une température de 60 C à 160 C; (3) on effectue une exposition formant une image à de la lumière d'une longueur d'onde de 150 nm à 1 500 nm; (4) on chauffe éventuellement la composition à des températures de 60 C à 160 C; et (5) on développe ensuite avec un solvant ou avec un révélateur aqueux basique.
On peut utiliser les compositions de photorésist sur tous les types de substrat et avec toutes les techniques d'irradiation connus de l'homme de l'art. On peut utiliser par exemple des substrats semi-conducteurs comme le silicium, l'arséniure de gallium, le germanium, l'antimoniure d'indium ; substrats revêtus de couches d'oxyde ou de nitrure comme du dioxyde de silicium, du nitrure de silicium, du nitrure de titane, des siloxanes, et des substrats métalliques et des substrats revêtus de métaux comme l'aluminium, le cuivre, le tungstène, etc. Le substrat peut aussi être revêtu de matériaux polymères, par exemple de revêtements organiques antireflets, de couches isolantes et de revêtements diélectriques constitués de matériaux polymères.
Le dispositif 128b additionne la valeur de la force contre-électromotrice et la valeur de commande de tension vq'*. L'additionneur 128b délivre le résultat de l'addition à la section de conversion d-q/uvw 130 en tant que valeur de commande de tension vq*.
La section de conversion d-q/uvw 130 convertit les valeurs de commande de tension vd* et vq* en les valeurs de commande de tension de base triphasées U*, V* et W* en réponse à la valeur de détection de phase (la phase détectée du rotor) A. Par conséquent la section de conversion d-q/uvw 130 exécute une conversion 2 phases/3 phases. La section de conversion d-q/uvw délivre les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* à un convertisseur de valeurs de commande 131. Le dispositif 131 convertit les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* en des valeurs de commande de tension finales U**, V**, W**. Le convertisseur 131 des valeurs de commande délivre les valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** à un générateur de formes d'ondes MID (un conver- tisseur de configurations MID) 111.
Le convertisseur 131 des valeurs de commande est identique à celui présent dans l'une des vingt-sixième et vingt-septième formes de réalisation de la présente invention. Le générateur 111 de formes d'ondes MID et un étage aval sont similaires à ceux contenus dans la vingt- sixième forme de réalisation de la présente invention. Le dispositif de la figure 54 peut être réalisé avec un circuit matériel complet ou bien avec un circuit matériel- plus-logiciel.
Vingt-neuvième forme de réalisation Une vingt-neuvième forme de réalisation de la présente invention est similaire à une des vingt-septième vingt-huitième formes de réalisation de l'invention hormis la modification d'agencement indiquée ci-après. Dans vingt-neuvième forme de réalisation de la présente invention, la grandeur de variation de phase "a" est réglée telle sorte que les intervalles de temps de conversion composites avancent d'une valeur atteignant jusqu'à x/2. Trentième forme de réalisation Une trentième forme de réalisation de la présente invention est similaire à l'une des vingt-sixième à vingt neuvième formes de réalisation, hormis que les valeurs commande de tension de base U*, V* et W* sont comparées entre elles, et que les premier et second intervalles temps de conversion sont réglés en fonction des résultats de la comparaison.
Trente-et-unième forme de réalisation Une trente-et-unième forme de réalisation de présente invention est similaire à l'une des vingt-sixième à trentième formes de réalisation de l'invention hormis le générateur 110 des valeurs de commande et le convertisseur 124 (ou 122) des valeurs de commande sont formés dans un seul bloc.
Trente-deuxième forme de réalisation trente-deuxième forme de réalisation de la présente invention est similaire à la vingt-huitième forme de réalisation de l'invention, hormis que la section anti- interférences 129 est supprimée.
Trente-troisième forme de réalisation Une trente-troisième forme de réalisation de l'invention est formée par modification de la vingt- huitième forme de réalisation de l'invention, de manière à être appliquée à une commande de vitesse, une commande de position ou autre commande, dans laquelle des valeurs de commande de tension finales sont délivrées.
Trente-quatrième forme de réalisation Une trente-quatrième forme de réalisation de la présente invention est similaire à l'une des vingt-sixième à trente-troisième formes de réalisation de l'invention, hormis que la modulation MID basée sur une onde triangulaire est remplacée par une autre modulation qui modifie la durée des impulsions par commutation pour la conversion de puissance.
Trente-cinquième forme de réalisation Une trente-cinquième forme de réalisation de la présente invention est similaire à l'une des vingt-sixième à trente-quatrième formes de réalisation de l'invention, hormis en ce qui concerne les modifications d'agencement mentionnées ci-après. La trente-cinquième forme de réalisation de l'invention utilise une commande numérique. Dans la trente-cinquième forme de réalisation de l'inven tion, une mémoire est chargée avec des données représentant une baisse de la tension entre lignes, qui est provoquée par la fixation de deux des valeurs de commande de tension finale U**, V** et W** sur le maximum ou sur le minimum. Pendant un second intervalle de temps de conversion, pour lequel seule l'une des valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** est fixée, les données représentant une baisse sont lues dans la mémoire et la baisse est superposée aux valeurs de commande de tension finales associées, sur une base en temps réel.