INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une solution au problème technique posé consiste, selon la présente invention, en que ledit procédé comprend en outre les étapes consistant - à déterminer une fonction non linéaire f connue l'application et implantée dans la puce électronique, - à attribuer à la puce électronique une seconde clé secrète K' connue seulement de la puce électronique et de l'application, et gardée secrète dans la puce électronique, - ' chaque authentification de la puce électronique à déterminer un masque M au moyen de la fonction non linéaire f appliquee à une liste d'arguments contenant au moins une partie de la clé secrète K' - a masquer la valeur du certificat au moyen du masque pour rendre disponible à l'application uniquement la valeur du certificat masquée, - à vérifier par l'application la valeur masquée du certificat calculée par la puce électronique.
Ainsi, procédé selon l'invention, qui concerne la protection d'une puce électronique contre la fraude dans des transactions entre la puce électronique et une application, masque la valeur du certificat S calculée par la puce électronique, avant que l'application le lise pour en vérifier sa valeur et déterminer si la puce électronique est authentique * le calcul du certificat S et la détermination du masque M faisant intervenir respectivement, une fonction logique dépendante d'une première clé implantée dans la puce électronique et une fonction non linéaire dépendante d'une seconde clé également implantée dans la puce électronique, les fonctions et les clés étant connues de l'application.
Le procédé conforme à l'invention résout le problème posé la valeur du certificat S, calculé par la puce électronique, n'est pas disponible en clair mais sous une forme masquée. Par conséquent, le fraudeur ne peut pas simplement intercepter le résultat de calcul échangé entre la puce électronique et l'application et le rejouer ultérieurement. Il lui faut connaître la valeur de la fonction logique et de la première clé qui permettent de calculer le certificat et, la valeur de la fonction non linéaire et de la seconde clé qui interviennent pour déterminer le masque.
L'application vérifie l'exactitude de la valeur masquée soit, après avoir calculé les valeurs du certificat et du masque M, à masquer au moyen du masque M la valeur du certificat et à comparer cette valeur masquée à celle calculée par la puce électronique soit, en démasquant le certificat masqué calculé par la puce électronique au moyen de la fonction inverse du masque et en comparant la valeur démasquée à la valeur du certificat calculé par l'application. Lorsque les valeurs comparées sont identiques, la puce électronique est jugée authentique et la transaction entre la puce électronique et l'application est autorisée. De manière avantageuse, un mode particulier de mise oeuvre permet d'assurer simultanément l'authentification de la carte et l'authentification de données faisant intervenir la valeur de certaines données dans le calcul du certificat. Dans un premier cas, ces données peuvent être mémorisées dans la puce électronique et être constituées par le numéro de la puce électronique ou par un crédit associé à la puce electronique. Dans un second cas, ces données sont écrites dans la puce électronique l'application lors de l'opération d'authentification.
Bien qu'il soit préférable d'utiliser des clés K et K' indépendantes, il peut exister un lien de dépendance sous la forme d'une fonction qui permet de calculer la K' à partir de la clé K. L'attribution des clés à une puce électronique est effectuée, soit lors de la personnalisation de la puce en fin de fabrication soit lors d'une opération de rechargement de la puce électronique dans le cas d'une puce électronique rechargeable.
Selon un autre mode particulier de mise en oruvre, la détermination des clés K et K' peut être effectuée par l'application d'une méthode de diversification ayant pour arguments d'entrée le numéro de la puce électronique et un code secret maître, ce qui permet avantageusement à l'application de reconstituer les clés secrètes de chaque puce électronique après lecture du numéro de la puce ; aucun stockage des clés secrètes des puces n'est alors nécessaire.
Selon un autre mode particulier de mise en oeuvre, la clé K est un mot d'un nombre déterminé de bits regroupés en séquences K[i], chaque séquence K[i] ayant un nombre de bits égal au nombre de bits des arguments d'entrée autre que la clé K et pris comme un tout et, la fonction logique g consiste à effectuer des produits scalaires modulo 2 entre chacun des bits d'une séquence déterminée K[i] et les bits des arguments d'entrée autre que la clé K.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le quatrième aspect de la présente invention, chaque film de la pluralité de films d'oxyde d'isolation inclut la pre mière partie possédant la première largeur et s'étendant essentiellement perpendiculairement à la surface du film d'oxyde enseveli, et la seconde partie adjacente à et située au-dessous de la première partie, la seconde partie possédant la seconde largeur inférieure à la première lar geur et s'étendant essentiellement perpendiculairement à la surface du film d'oxyde enseveli. Par conséquent la plura lité de films d'oxyde d'isolation sont formés lors de l'étape de fabrication de ce qu'on appelle un film d'oxyde d'isolation partielle. C'est pourquoi on peut former la pluralité de films d'oxyde d'isolation en même temps que l'isolant du dispositif dans une partie dans laquelle un transistor MOS est formé moyennant l'utilisation du film d'oxyde d'isolation partielle, et un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs n'est pas compliqué.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le cinquième aspect de la présente invention, la ou les par ties conductrices comprennent la pluralité de régions SOI obtenues par amincissement de la couche SOI à l'épaisseur prédéterminée, et la ou les parties d'interruption du cou rant comprennent le film isolant disposé de manière à rem plir au moins l'espace présent entre la pluralité de régions SOI. Le courant circule à travers la pluralité de régions SOI, ce qui a pour effet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique. Le film isolant interrompt le trajet du courant de Foucault de manière à éviter une dissipation de puissance induite par voie électromagnétique, due au courant de Foucault. En outre, étant donné que la ou les parties conductrices sont formées par division de la couche SOI, il n'est pas nécessaire de former une couche conductrice supplémentaire pour former la couche de protection, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le sixième aspect de la présente invention, chaque région de la pluralité de régions SOI contient l'impureté semiconduc trice avec une concentration élevée. Par conséquent on obtient les régions SOI présentant une faible valeur résis- tive.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le septième aspect de la présente invention, le film de sili ciure est formé sur la surface supérieure de chaque région de la pluralité de régions SOI. Par conséquent on obtient les régions SOI ayant une faible valeur résistive.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect de la présente invention, la ou les parties d'interruption du courant incluent au moins une diode pola risée en inverse, qui est au moins une diode faisant partie de la pluralité de diodes, auxquelles une polarisation inverse est appliquée, et la ou les parties conductrices incluent une région des premier et second groupes de régions SOI connectées au potentiel de masse. La présence d'au moins une diode polarisée en inverse empêche que les diodes soient polarisées dans le sens direct par une force contre-électromotrice qui produit le courant de Foucault, afin d'interrompre le courant de Foucault, ce qui évite la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique résultant de ce courant de Foucault. En outre, étant donné que la ou les parties d'interruption du courant et la ou les parties conductrices sont formées par division de la couche SOI, aucune couche conductrice supplémentaire n'est nécessaire pour former la couche de protection, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le neuvième aspect de la présente invention, le premier groupe de régions SOI, le second groupe de régions SOI et le film d'oxyde d'isolation situé sur ces groupes constituent ce qu'on appelle une structure d'isolation partielle, qui peut être formée en même temps que l'isolant du dispositif, par exemple dans une partie dans laquelle un transistor MOS est formé moyennant l'utilisation de l'isolation partielle, et un procédé pour fabriquer le dispositif à semiconducteurs n'est pas compliqué. En outre, lorsque l'isolant du dispo sitif est réalisé dans la partie dans laquelle le transis tor MOS est formé moyennant l'utilisation de l'isolation partielle, le potentiel d'une région de canal peut être fixé au moyen d'une région de puits au-dessous de films d'oxyde d'isolation partiels. Ceci permet d'éliminer différents problèmes résultant d'un effet de substrat flottant.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon un dixième aspect de la présente invention, le film d'oxyde d'isolation, qui est formé uniquement sur les secondes régions, s'étend sur une petite surface, ce qui empêche la production d'une incurvation en creux pendant la fabrication.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le onzième aspect de la présente invention, le film de sili ciure est formé sur la surface supérieure de chacune des premières régions du premier groupe de régions SOI et du second groupe de régions SOI. C'est pourquoi on obtient les régions SOI ayant une faible valeur résistive.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon la deuxième partie de la présente invention, le film d'oxyde d'isolation, qui est formé uniquement sur les secondes régions, possède une faible étendue, ce qui empêche l'apparition d'une incurvation en creux pendant la fabrication. En outre, les premier et second groupes de régions SOI, qui constituent des diodes, sont d'un agencement simple.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le treizième aspect de la présente invention, le film de sili ciure est formé sur la surface supérieure de chacune des régions du second groupe de régions SOI. Par conséquent on réalise les régions SOI ayant une faible valeur résistive.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le quatorzième aspect de la présente invention, les régions du second groupe de régions SOI sont disposées suivant une matrice, le film d'oxyde d'isolation étant intercalé entre ces régions. Par conséquent on obtient une modification substantielle du positionnement de la partie conductrice de la couche de protection en modifiant la configuration d'une ligne d'interconnexion servant à connecter le second groupe de régions SOI.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le quinzième aspect de la présente invention, les régions du second groupe de régions SOI sont connectées électriquement entre elles par la ligne d'interconnexion de grilles d'une manière similaire à l'agencement d'une électrode de grille d'un transistor MOS. Ceci simplifie l'étape de fabrication de la ligne interconnectée pour une connexion électrique entre les régions SOI.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le seizième aspect de la présente invention, la structure de grille du transistor MOS est disposée sur chaque région du premier groupe de régions SOI. Lorsqu'une partie formée par les premier et second groupes de régions SOI est considérée comme constituant un premier élément résistif, la structure de grille du transistor MOS est considérée comme un élément résistif disposé en parallèle avec le premier élément résistif. Ceci réduit de façon supplémentaire la valeur résistive de la couche de protection.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le dix-septième aspect de la présente invention, la structure de grille du transistor MOS est disposée sur chacune des secondes régions, et les régions SOI situées sur des côtés opposés de la structure de grille ont des types de conduc tivité différents. C'est pourquoi, si un potentiel de grille est appliqué à la structure de grille, la structure de grille ne fonctionne pas en tant que grille. Ceci permet une souplesse accrue de sélection de potentiels devant être appliqués à la structure de grille.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le dix-huitième aspect de la présente invention, le film de siliciure est formé sélectivement sur chaque région du second groupe de régions SOI et sur les premières régions, de manière à empêcher un contact avec les secondes régions. C'est pourquoi la valeur résistive de la couche de protec tion est réduite.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le dix-neuvième aspect de la présente invention, le film de siliciure est formé sélectivement sur chaque région du pre mier groupe de régions SOI, pour empêcher un contact avec le second groupe de régions SOI. C'est pourquoi la valeur résistive de la couche de protection est réduite.
On remarquera sur la fig.l, et les fig.6 11, que de préférence les organes conducteurs 8,10 ont un profil global similaire à celui de la face interne du corps 2 qu'ils affleurent.
Par ailleurs, les électrodes 4,6 sont reliées aux organes conducteurs 8,10 selon l'un quelconque des modes d'assemblage, cités pour exemple, comprenant l'emboîtement, le soudage électrique par points notamment, le rivetage et le clipsage.
Par exemple sur les fig.6 et , l'électrode 6 est conformée en une bague ouverte comportant à ses bords libres des pattes 24 prévues pour être êlastiquement introduite dans un oeillet 26 que comporte l'organe conducteur 10 à son extrémité distale.
Par exemple encore, sur les fig.8 et 9, l'électrode 6 est conformée en une bague ouverte comportant à ses bords libres des pattes 24 pourvues chacune d'un retour 28, retours 28 qui se superposent et sous lesquels est soudée l'extrémité distale de l'organe conducteur 10. Cette solution permet comme précédemment l'utilisation d'une bague fendue, bon marché, tout en favorisant le fluage de la matière isolante entre les bords libres de la bague lors d'une opération de moulage.
Par exemple enfin, sur les fig.10 et 11, l'électrode 6 est conformée en une bague découpée dans un tube, et l'électrode 10 est soudée contre sa face interne. On notera toutefois que bien que l'on ait représenté des électrodes conformées en bague, l'invention et les dispositions susvisées sont aussi applicables à des électrodes conformées en plaquette.
En se reportant aux fig.3 5, un procédé de fabrication pour le moulage d'une sonde endocavitaire de l'invention comprend les étapes successives suivantes, consistant à: a) relier l'extrémité distale des organes conducteurs 8,10 à une électrode 4,6 respective, b) disposer les organes conducteurs 8,10 sur le noyau central 30 d'un moule à coquilles 32, celui-ci comportant des saignées 34 pour recevoir les organes conducteurs, (fig.3) c) introduire les broches 14 à l'intérieur d'un noyau supplémentaire 36 pour les préserver de l'injection de matière, et le cas échéant pour la formation de la dite margelle 22, (fig.4), d) refermer les coquilles 32 autour des noyaux 30,36, et procéder à l'injection, puis, e) ouvrir les coquilles 32 et démouler en retirant le corps 2 au delà du noyau 30 par son extrémité distale.
On notera à ce propos, et en se reportant plus particulièrement à la fig.2, que les organes conducteurs 8,10 incorporent avantageusement des moyens 38,40, dits premiers, pour leur positionnement à l'intérieur d'un moule de formation du corps 2 de la sonde. Par ailleurs, la sonde comporte: - des moyens 42,24, dits deuxièmes, pour positionner les organes conducteurs 8,10 vers l'espace intérieur du corps 2 à distance dl de la surface extérieure de ce dernier, pour finalement interdire leur émergence extérieure. On notera aussi à ce propos sur les exemples illustrés fig.6 à fig.ll que les organes conducteurs 8,10 sont de préférence assemblés aux électrodes 4,6 par l'intermédiaire de la surface intérieure de ces dernières, et non notamment dans leur prolongement axial, les électrodes 4,6 participant en cela des dits deuxièmes moyens. - des moyens 42, dits troisièmes, pour positionner la majeure partie des organes conducteurs 8,10 à distance d2 de la surface interne des électrodes 4,6, pour finalement interdire tout contact électrique entre l'un quelconque des organes conducteurs 8,10 et la, ou les, électrodes 4,6 qui ne lui sont pas affectées.
On remarquera que d'une manière générale, l'un quelconque au moins des dits premiers, deuxièmes et troisièmes moyens sont de préférence constitués par au moins un décrochement transversal 38,40 et 42 de l'organe conducteur 8,10 correspondant.
On remarquera plus particulièrement sur le médaillon de la fig.3 que les saignées axiales du noyau débouchent sur des saignées radiales cruciformes pour loger les décrochement transversaux 38 et 40 des organes conducteurs en vue du positionnement et du maintien de ces dernier sur le noyau.
On notera enfin, sur les exemples illustrés sur les fig.6 et 7, et fig.8 et 9, les deuxièmes moyens sont de manière équivalente constitués par les pattes dont sont pourvues les bagues 6.
Sur les fig.12 et 13, selon une deuxième approche de l'invention, les organes conducteurs 102 et 104, ainsi que les électrodes 106 et 108, sont avantageusement constitués par de minces feuilles de métal déposées sur la surface extérieure du corps 2. Un revêtement isolant, tel que 110, recouvre partiellement les organes conducteurs 102 et 104, pour éviter tout contact électrique inopportun entre les organes conducteurs 102 et 104 et une electrode 106 ou 108 qui ne leur est pas affectée. Une douille 112 est rapportable par emboitement manière coiffante à l'extrémité proximale du corps 2, la dite douille 112 étant équipée de plots de connexion 114, dont l'extrémité proximale constitue des broches mâles 116 pour la liaison électrique et mécanique de la sonde avec une source de tension extérieure par l'intermédiaire d'une fiche d'un câble de raccordement. selon l'exemple préféré de réalisation illustré, la dite douille 112 est rapportée de manière coiffante sur l'extrémité proximale du corps 2, et les plots de connexion 114 dont elle est équipée sont agencés en crochet. Ces dispositions sont telles qu'un retrait de la douille 112 provoque une altération de la partie correspondante des organes conducteurs 102 et 104 par les plots de connexion 114, et notamment un arrachement de la dite partie métallisée, de telle sorte finalement que toute connexion ultérieure entre la douille 112 et les organes conducteurs 102 et 104 est rendue impossible, grâce à quoi l'usage de la sonde est rendu unique de façon certaine dès lors que la douille 112, mise extemporanément en place sur la sonde, a été retirée après usage de cette dernière.
De préférence enfin, un agencement de la douille 112 en détrompeur permet l'obtention certaine et spontanée d'une liaison électrique entre les plots de connexion 114 et respectivement les organes conducteurs 102 ou 104.
La présente invention concerne un procédé de fa- brication d'une lame de scie pour des machines-outils porta-
tives, notamment une scie sauteuse à moteur.5 L'invention concerne également une lame de scie
ainsi réalisée.
L'enchaînement des étapes requises à une telle transaction est le suivant - Sélection par les terminaux initiateurs : cette étape, initiée par un terminal actif 1 ou 2, vise à la détermination des mobiles ou noeuds fixes susceptibles d'être en contact radio avec celui-ci, et ne constitue nullement une garantie que les terminaux aient une information pertinente à échanger (en effet, cela requiert dans la plupart des cas qu'un programme s'exécute dans le terminal potentiellement cible, ce dernier n'étant pas nécessairement réceptif à cet instant). Toutefois, afin de limiter le trafic radio et de diminuer le nombre de mobiles en connexion simultanée, les séquences de réveil pourraient contenir des clefs distinguant différents modes de veille. Cela est impératif si le standard utilisé pour communiquer implique d'autres types d'équipements que des terminaux Du système, qui doivent parler impérativement à d'autres terminaux Du système. En effet, comme le dispositif repose sur des moyens de communication radio numériques standardisés, d'autres . equipements peuvent avoir à partager la bande. Aussi, est nécessaire de procéder à une identification préalable la nature des appareils en présence. Dans le standard Bluetooth par exemple, cela est réalisé juste après la phase d'initiation de la séquence de saut de fréquence pseudo aléatoire par échange mutuel entre les mobiles d'une clef brève décrivant les capacités du terminal. Ces descriptions, en un mot, contiennent une information sur la catégorie de terminal bluetooth (casque, camera video, imprimante... ) et le type de données attentues (flux audio ou video, données imprimables...). Les terminaux Du système constitueraient simplement une nouvelle catégorie de terminaux, manipulant des données plus ou moins hermétiques aux autres catégories. - Réveil des terminaux esclaves : l'électronique des terminaux cible effectue une veille passive de certains canaux. Lorsque la radio reçoit une séquence de réveil particulière en provenance d'un terminal actif 1 à spectre large (pseudo aléatoire), le calculateur du terminal est réveillé et la séquence lui est soumise. Si la clef de réveil correspond à une classe de dispositifs adéquate, le terminal réveillé émet alors une réponse convenue pour informer l'initiateur de son nouvel état. Dans le cas de réseaux radio utilisant des technologies de type I il est en général nécessaire à ce stade de synchroniser les séquences pseudo-aléatoires d'émission des terminaux entre elles. Ces étapes liminaires de préconnexion sont en général implémentées soit par l'utilisation de canaux de contrôles dédiés (GSM) soit par des techniques de scrutation systématique des canaux pour la détection des séquences de connexion (Bluetooth). Dans tous les cas, l'établissement d'une voie de communication, logique ou physique, indépendante du trafic principal est nécessaire. A l'issue de cette étape, les radios des terminaux sont capables d'échanger de l'information (bien que de manière non absolument fiable fait collisions ou de brouillages) mais la connexion logique n'est effectuee.
- Emission d'un critère de connexion & Gestion des collisions terminal initiateur émet alors dans le canal de communication principal nouvellement ouvert certaines informations afin d'assurer la connexion logique, c'est à dire l'identification des terminaux en connexion. Cela est général réalisé au moyen d'une clef unique à chaque appareil. Cette clef peut bien entendu contenir des informations permettant une communication hiérarchiques de certaines classes de terminaux. A ce stade, et pour l'ensemble des communications logiques, les collisions (lorsque plusieurs terminaux émettent simultanément) sont automatiquement détectées en ajoutant au message transmis un protocole permettant la vérification l'intégrité du message transmis et même une correction automatique erreurs grâce à une certaine redondance (codes de correction d'erreurs). Les données peuvent également être cryptées avant transmission décryptées par le receveur.
- Connexion simultanées de plusieurs sous-réseau : du fait l'identification unique des terminaux, ce type de mise en connexion permet même la définition de sous-réseaux de terminaux connectés entre , mais logiquement indépendants (DECT, Bluetooth, HomeRF).
- Echange des clefs relatives aux caractères : conformément au programme embarqué dans les terminaux mobiles, une première liste de clefs propres aux caractères actifs dans le terminal initiateur est émise en direction des autres terminaux connectés.