INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
formules dans lesquelles k et t sont égaux à 0 ou 1, la somme k +t étant égale à 1 ; Rg désigne un atome d'hydrogène ou un radical méthyle ; R7 et R8, indépendamment l'un de l'autre, désignent un groupement alkyle ayant de 1 à 22 atomes de carbone, un groupement hydroxyalkyle dans lequel le groupement alkyle a de préférence 1 à 5 atomes de carbone, un groupement amidoalkyle inférieur (C1-C4), ou R7 et R8 peuvent désigner conjointement avec l'atome d'azote auquel ils sont rattachés, des groupement hétérocycliques, tels que pipéridinyle ou morpholinyle ; R7 et R8 indépendamment l'un de l'autre désignent de préférence un groupement alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone ; Y- est un anion tel que bromure, chlorure, acétate, borate, citrate, tartrate, bisulfate, bisulfite, sulfate, phosphate. Ces polymères sont notamment décrits dans le brevet français 2.080.759 et dans son certificat d'addition 2. 190.406.
formule (VII) dans laquelle : R10, R11, R12 et R13, identiques ou différents, représentent des radicaux aliphatiques, alicycliques, ou arylaliphatiques contenant de 1 à 20 atomes de carbone ou des radicaux hydroxyalkylaliphatiques inférieurs, ou bien R10, R11, R12 et R13, ensemble ou séparément, constituent avec les atomes d'azote auxquels ils sont rattachés des hétérocycles contenant éventuellement un second hétéroatome autre que l'azote ou bien R10, R11, R12 et R13 représentent un radical alkyle en C1-C6 linéaire ou ramifié substitué par un groupement nitrile, ester, acyle, amide ou -CO-O- R14-D ou-CO-NH- R14-D où R14 est un alkylène et D un groupement ammonium quaternaire ; A1 et B1 représentent des groupements polyméthyléniques contenant de 2 à 20 atomes de carbone pouvant être linéaires ou ramifiés, saturés ou insaturés, et pouvant contenir, liés à ou intercalés dans la chaîne principale, un ou plusieurs cycles aromatiques, ou un ou plusieurs atomes d'oxygène, de soufre ou des groupements sulfoxyde, sulfone, disulfure, amino, alkylamino, hydroxyle, ammonium quaternaire, uréido, amide ou ester, et X- désigne un anion dérivé d'un acide minéral ou organique; A1, R10 et R12 peuvent former avec les deux atomes d'azote auxquels ils sont rattachés un cycle pipérazinique ; en outre si A1 désigne un radical alkylène ou hydroxyalkylène linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, B1 peut également désigner un groupement-(CH2)n-CO-D-OC-(CH2)n- dans lequel D désigne : a) un reste de glycol de formule : -0-Z-O-, où Z désigne un radical hydrocarboné linéaire ou ramifié ou un groupement répondant à l'une des formules suivantes : -(CH2-CH2-O)x-CH2-CH2- - [CH2-CH(CH3)-O]y-CH2-CH(CH3)- où x et y désignent un nombre entier de 1 à 4, représentant un degré de polymérisation défini et unique ou un nombre quelconque de 1 à 4 représentant un degré de polymérisation moyen ; b) un reste de diamine bis-secondaire tel qu'un dérivé de pipérazine ;
c) un reste de diamine bis-primaire de formule : -NH-Y-NH-, où Y désigne un radical hydrocarboné linéaire ou ramifié, ou bien le radical bivalent -CH2-CH2-S-S-CH2-CH2- ; d) un groupement uréylène de formule : -NH-CO-NH- .
De préférence conformément à un vingt-cinquième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon l'une quelconque des vingt-deuxième à vingt-quatrième aspects, la couche poreuse comprend une pluralité de trous ou de sillons qui sont formés par attaque chimique, ou une pluralité de trous formés au moyen d'un procédé d'anodisation.
De préférence, conformément à un vingt-sixième aspect de la présente invention, le dispositif à semicon ducteurs selon le second aspect comprend en outre une plu ralité de sillons disposés au-dessous de la pluralité de films d'oxyde d'isolation et s'étendant à travers le film d'oxyde enseveli pour pénétrer dans la partie de substrat.
De préférence, conformément à un vingt-septième aspect de la présente invention, le dispositif à semicon ducteurs selon le cinquième aspect comporte en outre une pluralité de sillons disposés au-dessous du film isolant situé entre la pluralité de régions SOI et s'étendant à travers le film d'oxyde enseveli pour pénétrer dans la par tie de substrat.
De préférence, conformément à un dix-huitième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon le premier aspect, la ou les parties d'interruption de courant comprennent une pluralité de films d'oxyde d'isolation s'étendant depuis la surface du substrat semiconducteur sur une profondeur prédéterminée. Au moins une partie conductrice comprend une pluralité de régions de substrats séparées par la pluralité de films d'oxyde d'isolation. Le dispositif à semiconducteurs com porte en outre une pluralité de sillons s'étendant sur une profondeur prédéterminée dans le substrat semiconducteur.
De préférence conformément à un vingt-neuvième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon le vingt-huitième aspect, la pluralité de trous ou de sillons sont remplis par un état de quasi-vide.
De préférence, conformément à un trentième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconduc teurs selon l'un des vingt-sixième à vingt-huitième aspects, la pluralité de sillons sont remplis par un état de quasi-vide. Conformément à un trente-et-unième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteurs com prend : un substrat semiconducteur et une couche de protec tion disposée dans une surface principale du substrat semi conducteur au-dessous et dans la direction longitudinale d'une couche d'interconnexion, la couche de protection incluant une pluralité de parties conductrices distantes les unes des autres dans la direction longitudinale de la couche d'interconnexion et connectées à un potentiel de masse, une pluralité de parties isolantes disposées entre la pluralité de parties conductrices.
De préférence, conformément à un trente-deuxième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon le trente-et-unième aspect, chaque partie de la pluralité de parties conductrices comprend une plura lité de films conducteurs et une pluralité de films iso lants empilés selon une configuration alternée.
Un trente-troisième aspect de la présente inven tion concerne un procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs comportant un élément d'inductance. Confor mément à la présente invention, le procédé comprend les étapes consistant à : (a) préparer un substrat SOI incluant une partie de substrat servant de base de support, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat, et une couche SOI disposée sur le film d'oxyde enseveli; (b) for mer une ouverture traversant au moins la couche SOI et le film d'oxyde enseveli jusqu'à la partie de substrat; et (c) introduire une solution de KOH dans l'ouverture pour appli quer une attaque chimique à la partie de substrat, en for mant ainsi une cavité ayant une profondeur qui est infé rieure, d'un facteur compris entre environ un et environ dix, à la longueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la cavité s'étendant approximativement à la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins une région dans laquelle l'élément d'inductance doit être formé. Un trente-quatrième aspect de la présente inven tion concerne un procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs possédant un élément d'inductance. Confor mément à la présente invention, le procédé comprend les étapes consistant à : (a) préparer un premier substrat en silicium pour former une couche poreuse dans une surface principale du premier substrat en silicium, la couche poreuse possédant une profondeur qui est inférieure, d'un facteur compris entre environ un et environ dix, à la lon gueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins une région dans laquelle l'élément d'inductance doit être formé; (b) préparer un second substrat en silicium pour former un film d'oxyde de silicium sur une surface princi pale du second substrat en silicium; (c) fixer entre eux le premier substrat en silicium et le second substrat en sili cium de sorte que la surface principale du premier substrat en silicium, dans lequel la couche poreuse est formée, et le second film d'oxyde du second substrat en silicium sont disposés face-à-face, le premier substrat en silicium étant utilisé en tant que partie de substrat, le film d'oxyde de silicium étant utilisé en tant que film d'oxyde enseveli, puis amincir le second substrat en silicium pour l'amener à une épaisseur prédéterminée par polissage afin de former une couche SOI; et (d) former l'élément d'inductance au- dessus d'une région dans laquelle la couche poreuse est formée.
Un trente-cinquième aspect de la présente inven tion concerne un procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs possédant un élément d'inductance. Confor mément à la présente invention, le procédé comprend les étapes consistant à : (a) préparer un premier substrat en silicium pour former un film d'oxyde de silicium sur une surface principale du premier substrat en silicium; (b) préparer un second substrat en silicium pour former une couche poreuse dans une surface principale du second subs trat en silicium, la couche poreuse ayant une profondeur qui est inférieure, d'un facteur compris entre environ un et environ dix, à la longueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximative ment sur la même étendue, vue en plan, qu'au moins une région dans laquelle l'élément d'inductance doit être formé; (c) fixer entre eux le premier substrat en silicium et le second substrat en silicium de telle sorte que le film d'oxyde de silicium du premier substrat en silicium et la surface principale du second substrat en silicium dans lequel la couche poreuse est formée, soit disposé en vis-à- vis, le premier substrat en silicium étant utilisé en tant que partie de substrat et le film d'oxyde de silicium étant utilisé en tant que film d'oxyde enseveli, puis amincir le second substrat en silicium pour l'amener à une épaisseur prédéterminée par polissage de manière à former une couche SOI en liaison avec la couche poreuse, et (d) former l'élément d'inductance sur une région dans laquelle la couche poreuse est formée.
De préférence, conformément à un trente-sixième aspect de la présente invention, dans le procédé selon le trente-quatrième ou le trente-cinquième aspect, l'étape (a) comprend les étapes consistant à : (a-1) former une plura lité de trous ou sillons dans la surface principale du pre mier substrat en silicium par attaque chimique pour former la couche poreuse, et (a-2) recouvrir une ouverture de cha cune de la pluralité de trous ou de sillons par un film isolant, l'intérieur de chaque trou ou sillon de la plura lité de trous ou de sillons étant agencé de manière à être creux.
De préférence, conformément à un trente-septième aspect de la présente invention, dans le procédé selon le trente-quatrième ou le trente-cinquième aspect, l'étape (a) comprend les étapes consistant à : (a-1) former une pluralité de trous ou de sillons dans la surface principale du premier substrat en silicium par attaque chimique pour former la couche poreuse: et (a-2) exécuter un recuit dans une atmosphère d'hydrogène pour éliminer une ouverture de chaque élément de la pluralité de trous de sillons par réduction, l'intérieur de chaque trou ou sillon de la plu ralité de trous ou sillons étant rendu creux.
De préférence, conformément à un trente-huitième aspect de la présente invention, dans le procédé selon le trente-quatrième ou le trente-cinquième aspect, l'étape (a) comprend les étapes consistant à : (a-1) former une plura lité de trous dans la surface principale du premier subs trat en silicium au moyen d'un processus d'anodisation pour former la couche poreuse: et (a-2) recouvrir une ouverture de chacun de la pluralité de trous avec un film isolant, l'intérieur de chaque trou de la pluralité de trous étant rendu creux.
De préférence, conformément à un trente-neuvième aspect de la présente invention, dans le procédé selon le trente-quatrième ou le trente-cinquième aspect, l'étape (a) comprend les étapes consistant à : (a-1) former une plura lité de trous dans la surface principale du premier subs trat en silicium au moyen d'un processus d'anodisation pour constituer la couche poreuse, et (a-2) appliquer un recuit dans une atmosphère d'hydrogène pour éliminer une ouverture de chacun de la pluralité de trous par réduction, l'intérieur de chaque trou de la pluralité de trous étant rendu creux.
Conformément au premier aspect de la présente invention, le dispositif semiconducteur comprend la couche de protection disposée dans la surface principale du subs trat semiconducteur, la couche de protection possédant la ou les parties conductrices connectées au potentiel de masse, et la ou les parties d'interruption du courant pour interrompre le trajet du courant de Foucault induit par l'élément d'inductance comme par exemple une inductance en spirale dans un plan de la ou des parties conductrices. Par conséquent le dispositif à semiconducteurs selon le premier aspect permet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique, et d'interrompre le tra jet du courant de Foucault dans la couche de protection pour réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique. En outre, la couche de protection qui est formée dans le substrat semiconducteur peut être formée simultanément par exemple lors de l'étape de formation d'un transistor MOS. C'est pourquoi aucune couche conductrice supplémentaire n'est requise pour la formation de la couche de protection, et la structure du dispositif n'est pas com pliquée.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le second aspect de la présente invention, la ou les parties d'interruption du courant comprennent la pluralité de films formés d'oxyde d'isolation qui s'étendent jusqu'au film d'oxyde enseveli, et la ou les parties conductrices com prennent la pluralité de régions SOI isolées électriquement les unes des autres par la pluralité de films formés d'oxyde d'isolation. Le courant traverse la pluralité de régions SOI, ce qui a pour effet que la dissipation de puissance induite par voie électrostatique est réduite. Les films formés d'oxyde d'isolation interrompent le trajet du courant de Foucault de manière à éviter une dissipation de puissance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le troisième aspect de la présente invention, chaque film de la pluralité de film d'oxyde magnétique possède une largeur prédéterminée et est conformé de manière à s'étendre sensi blement perpendiculairement à la surface du film d'oxyde enseveli. Ce film est connu comme étant un film d'oxyde d'isolation complète. Par conséquent la pluralité de films d'oxyde d'isolation peuvent être formés simultanément avec l'isolant du dispositif dans une partie dans laquelle un transistor MOS est formé moyennant l'utilisation du film d'oxyde d'isolation complète, et un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs n'est pas compliqué.
Le module de synthèse vocale (13) génère le signal audio qui est traité par une interface sortie (15). Le module graphique (12) génère le signal vidéo qui est traité par une interface de sortie (14). Un encodeur (16) numérise les données audio et vidéo et génère un signal numérique comprimé dirigé vers un serveur de diffusion (17). L'ensemble des opérations, depuis l'entrée du texte jusqu'à la génération images et la synthèse du son, est effectué en temps réel. La diffusion de masse peut être effectuée en temps réel ou en temps différé, suivant le procédé utilisé.
La machine de rendu (10) peut éventuellement être déportée sur chaque terminal.
La présente invention se rapporte à un procédé de protection d'une puce électronique d'un utilisateur contre la fraude.
L'invention trouve une application très avantageuse en ce qu'elle permet de protéger contre la fraude des puces à circuit intégré à logique câblée ou à microprocesseur, notamment les puces électroniques qui équipent les cartes prépayées utilisees dans des transactions diverses telles que l'établissement de communications téléphoniques, le paiement d'objets dans un distributeur automatique, la location d'emplacements de stationnement à partir d'un parcmètre, le paiement d'un service comme un transport public ou comme la mise à disposition d'infrastructures (péage, musée, bibliothèque, ... ).
Actuellement, les cartes prépayées sont susceptibles de subir différents types de fraudes. Un premier type de fraude consiste à dupliquer sans autorisation la carte, le terme clonage étant souvent utilisé pour caractériser cette opération. Un deuxième type de fraude consiste à modifier les données attachées à une carte, en particulier le montant du crédit inscrit dans la carte. Pour lutter contre ces fraudes il est fait appel à la cryptographie, d'une part pour assurer l'authentification de la carte au moyen d'une authentification et/ou pour assurer l'authentification des données au moyen d'une signature numérique et, d'autre part pour assurer la confidentialité des données au moyen d'un chiffrement. La cryptographie met en jeu deux entités un vérificateur et un objet à vérifier, et elle peut être soit symétrique, soit asymétrique. Lorsqu'elle est symétrique, les deux entités partagent exactement la même information, en particulier une ' secrète, lorsqu'elle est asymétrique une des deux entités possède une paire de clés dont l'une est secrète et l'autre est publique ; il n'y a pas de secrète partagée. Dans de nombreux systèmes, seule la cryptographie symétrique est mise en ceuvre avec des cartes prépayées car la cryptographie asymétrique reste lente et coûteuse. Les premiers mécanismes d'authentification développés en cryptographie symétrique consistent à calculer une fois pour toutes un certificat, différent pour chaque carte, à le stocker dans la mémoire de la carte, à le lire à chaque transaction à le vérifier en interrogeant une application du réseau supportant la transaction où sont stockés les c ert if icats déjà attribués. Ces mécanismes assurent une protection insuffisante. En effet, le certificat peut être espionné, reproduit et rejoué frauduleusement car il est toujours le même pour une carte donnée. Pour tenir compte du nombre faible d'authentification mis en jeu entre deux rechargements dans le cas d'une carte prépayée rechargeable ou, au cours de la durée de vie d'une carte prépayée non rechargeable, les mécanismes d'authentification passifs sont remplacés ou complétés par des mécanismes qui font intervenir une clé secrète à des fins d'authentification ou d'acquittement d'une instruction et/ou à des fins d'authentification de données. La clé secrète, différente pour chaque carte et inscrite initialement dans la carte ou, dans le cas d'une carte rechargeable, réinscrite dans la carte lors d'un rechargement, est utilisee par la carte elle-même pour calculer un certificat lors de chaque authentification.
Un premier de ces mécanismes fait l'objet du brevet FR 89 09734. Le procédé décrit consiste ' déterminer une fonction non linéaire, cette fonction étant connue l'application et implantée dans une puce électronique sous la forme d'un automate d'états. Lors d'une authentification, la puce électronique et l'application calculent certificat qui le résultat de la fonction appliquée à une liste d'arguments déterminée à chaque authentification ; la liste d'arguments pouvant comprendre un aléa, l'aléa étant une donnée déterminée par l'application à chaque authentification, une donnée contenue dans puce électronique et une clé secrète connue de la puce électronique et de l'application. Lorsque le certificat calculé par la puce électronique est identique au certificat calculé par l'application, la puce électronique est jugée authentique et la transaction entre la puce électronique et l'application est autorisée.
Un second mécanisme de protection des cartes par authentification active, faisant appel à une fonction logique basée sur l'utilisation d'un code d'authentification assurant une sécurité inconditionnelle pour un nombre limité d'authentifications, fait l'objet du brevet FR 95 12144 et est également décrite dans l'article Solutions for Low Cost Authentication and Message Authentication paru dans les actes de la conférence CARDIS'98. L'utilisation d'une telle fonction logique assure une protection contre le rejeu et une usure contrôlée de la clé secrète. Dans les applications basées sur la carte à mémoire considérées dans le présent brevet, on peut avantageusement faire appel à une fonction logique linéaire dépendant d'une clé secrète et de paramètres comme l'aléa reçu par la carte et le cas échéant des données internes à la carte ou reçues par la carte. La famille de fonctions logiques décrite dans le brevet FR 12144 constitue un cas particulier particulièrement adapté aux contraintes des cartes synchrones et faisant appel à des calculs de produits scalaires modulo 2 entre vecteurs binaires.
Chacun deux mécanismes précédemment cités possède des avantages et des inconvénients spécifiques. En ce qui concerne le premier mécanisme, qui repose sur l'hypothèse (non prouvable dans l'état actuel des connaissances) de la sécurité informatique de la fonction non linéaire utilisée, les très fortes contraintes imposées par les capacités de calculs réduites des puces à logique câblée autorisent pas une marge de sécurité aussi large que pour les algorithmes à clé secrète usuels et de ce fait la divulgation de la spécification détaillée de la fonction non linéaire utilisée peut représenter un risque. En ce qui concerne le second mécanisme, possède l'avantage de bénéficier d'une sécurité prouvable tant que le nombre d'authentifications n'excède pas certain seuil, et il n'y a donc pas de risque lié à la divulgation de la fonction linéaire utilisée mais, par contre la nécessité de limiter strictement le nombre d'utilisations de la fonction d'authentification pour la durée de vie de la puce (ou dans le de cartes rechargeables, entre deux rechargements) inhérente à cette solution peut représenter une contrainte difficile à satisfaire pour certaines applications. En outre des attaques portant non pas sur les puces à logique câblée mais, sur les modules de sécurité utilisés pour la vérification de ces puces et, selon lesquelles un fraudeur fournirait à des modules de vérification des réponses aléatoires jusqu'à ce qu'un nombre suffisant de bonnes réponses, obtenues par hasard, lui fournisse le secret associé à un numéro de carte de son choix, peuvent être plus difficiles à contrer dans le cas second mécanisme.
Aussi, le problème technique à résoudre par l'objet de la présente invention est de proposer un procédé de protection d'une puce électronique d'un utilisateur contre la fraude qui comprend les étapes consistant - à déterminer une fonction logique g connue de l'application et implantée dans la puce électronique, - à attribuer à la puce électronique une première clé secrète K, connue seulement de la puce électronique et de l'application, et gardée secrète dans la puce électronique, - à chaque authentification de la puce électronique à générer un mot d'entrée variable R appelé aléa, - à calculer un certificat, par la puce électronique l'application, le certificat étant le résultat de la fonction logique g appliquée à une liste d'arguments comprenant au moins l'aléa R et la clé secrète K et, qui assure une sécurité accrue.