D'autres caractéristiques et avantages de la pré sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les quels - la figure 1 es tune vue en coupe transversale représentant un agencement d'un dispositif à semiconduc teurs selon une première forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 2 représente une configuration dans le plan d'un écran PG du dispositif à semiconducteur selon la première forme de réalisation de la présente invention; - les figures 3 à 7 représentent d'autres confi gurations planes de l'écran PG; - la figure 8 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une seconde forme de réalisation préférée de la pré sente invention; - les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du dispo sitif à semiconducteurs selon la seconde forme de réalisa tion préférée de la présente invention; - les figures 12 et 13 sont des vues en coupe transversale représentant des agencements du dispositif à semiconducteurs selon une troisième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 14 est une vue en coupe transversale représentant un agencement d'une variante du dispositif à semiconducteurs conformément à la troisième forme de réali sation de la présente invention; - la figure 15 est une vue en coupe transversale montrant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 16 représente une configuration, dans le plan, de l'écran PG du dispositif à semiconducteurs selon la quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 17 est une vue en coupe transversale représentant un agencement d'une variante du dispositif à semiconducteurs selon la quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 18 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une cinquième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 19 illustre l'incurvation en creux; - la figure 20 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une sixième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 21 représente une vue en plan de l'écran PG du dispositif à semiconducteurs selon la sixième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 22 est une vue en coupe transversale représentant un agencement d'une variante du dispositif à semiconducteurs conformément à la sixième forme de réalisa tion préférée de la présente invention; - la figure 23 représente une configuration dans le plan de l'écran PG de la variante du dispositif à semi conducteurs selon la sixième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 24 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une septième forme de réalisation préférée de la pré sente invention; - la figure 25 représente une configuration dans le plan de l'écran PG du dispositif à semiconducteurs selon la septième forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 26 à 28 représentent des vues en coupe transversale représentant des agencements de variantes du dispositif à semiconducteurs selon la septième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 29 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une huitième forme de réalisation préférée de la pré sente invention; - la figure 30 représente une configuration en plan de l'écran PG du dispositif à semiconducteurs confor mément à la huitième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 31 est une vue en coupe transversale montrant un agencement d'une variante du dispositif à semi conducteurs conformément à la huitième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 32 représente une configuration dans le plan de l'écran PG de la variante du dispositif à semi conducteurs selon la huitième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 33 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs conformément à une neuvième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 34 est une vue en coupe transversale illustrant une étape de fabrication du dispositif à semi conducteurs conformément à la neuvième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 35 représente une configuration dans le plan de l'écran PG du dispositif à semiconducteurs conformément à la neuvième forme de réalisation de la pré sente invention; - la figure 36 est une vue en coupe transversale représentant un agencement d'une variante du dispositif à semiconducteurs conformément à la neuvième forme de réali sation préférée de la présente invention; - la figure 37 est une vue en perspective mon trant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une dixième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 38 est une vue en coupe transversale représentant l'agencement du dispositif à semiconducteurs conformément à la dixième forme de réalisation de la pré sente invention; - la figure 39 est une vue en coupe transversale représentant un agencement d'une variante du dispositif à semiconducteurs selon la dixième forme de réalisation pré férée de la présente invention - la figure 40 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une onzième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 41 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs conformément à une douzième forme de réalisation de la pré sente invention; - la figure 42 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une treizième forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 43 à 46 sont des vues en coupe transversale représentant des étapes de fabrication du dis- positif à semiconducteurs selon la treizième forme de réa lisation préférée de la présente invention; - les figures 47 à 49 sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes consistant à former des cavités dans une couche poreuse au moyen d'un recuit en présence d'hydrogène; - les figures 50 à 53 sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de formation de la couche poreuse au moyen d'un processus d'anodisation; - la figure 54 est une vue en coupe transversale illustrant un autre procédé de formation de la couche poreuse au moyen du processus d'anodisation; - la figure 55 est une vue en coupe transversale représentant un agencement du dispositif à semiconducteurs selon une quatorzième forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 56 à 59 sont des vues en coupe transversale représentant les étapes de fabrication du dis positif à semiconducteurs selon la quatorzième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 60 est une vue en coupe transversale représentant l'agencement du dispositif à semiconducteurs conformément à une quinzième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 61 est une vue en coupe transversale représentant l'agencement du dispositif à semiconducteurs conformément à une seizième forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 62 à 64 sont des vues en coupe transversale représentant des étapes de fabrication du dis positif à semiconducteurs conformément à la seizième forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 65 à 67 sont des vues en coupe transversale représentant des agencements de variantes du dispositif à semiconducteurs conformément à la seizième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 68, dont il a déjà été fait mention, est un schéma-bloc représentant un agencement d'un disposi tif à semiconducteurs possédant un circuit à haute fré quence; - la figure 69, dont il a déjà été fait mention, représente la dissipation de puissance induite par voie électrostatique et due à une inductance; - la figure 70, dont il a déjà été fait mention, est une vue en perspective représentant l'agencement d'une inductance en spirale et d'une plaque de protection; et - la figure 71, dont il a déjà été fait mention, représente l'agencement d'un écran perforé.