INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 400, similaires à ceux du dispositif à semiconducteurs 300 de la figure 12, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et ne seront pas décrits d'une manière particu lière.
Dans des régions adjacentes parmi les régions SOI 241 à 249 constituant l'écran PG 104, la concentration de l'impureté ou le type de conductivité de l'impureté est différent, de sorte que des jonctions PN interrompent le courant de Foucault.
Les régions SOI 241 à 249 représentées sur la figure 15 sont les suivantes : une région de type P- (contenant une impureté de type P présente en une faible concentration), une région de type P+ (contenant une impu reté de type P possédant une concentration élevée), une région de type P-, une région de type e (contenant une impureté de type N ayant une concentration élevée), une région de type P-, une région de type P+, une région de type P-, une région de type N+ et une région de type P- respectivement.
La figure 16 représente une configuration dans le plan de l'écran PG 104. La configuration dans le plan de l'écran PG 104 est similaire à celle de l'écran PG 101 décrit en référence à la figure 2 et ne sera pas décrite d'une manière particulière. L'écran PG 104 diffère forte ment de l'écran PG 101 en ce que les régions SOI remplacent les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans les sillons de l'écran PG 101 et en ce que les films de siliciure 31 sont supprimés. Une coupe transversale prise suivant la ligne X- X sur la figure 16 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 104 représenté sur la figure 15.
Contrairement à l'écran PG 101, dans lequel toutes les régions SOI sont mises à la masse, l'écran PG 104 est agencé de telle sorte que certaines des régions SOI sont connectées à un potentiel (Vcc) d'une source d'alimen tation pour l'application d'une polarisation inverse à des diodes formées par les jonctions PN pour interrompre le courant de Foucault.
Comme cela est représenté sur la figure 16 par exemple, les régions SOI 242 et 246 sont connectées au po tentiel de masse, et les régions SOI 244 et 248 sont connectées au potentiel de la source d'alimentation. Les régions SOI 241, 243, 245, 247 et 249 sont connectées à la masse par l'intermédiaire de leurs régions de type P+ adja centes. Les régions SOI 244 et 248 sont connectées au po tentiel de la source d'alimentation, dans la description donnée précédemment. Bien qu'il contienne les constituants connectés de cette manière au potentiel d'alimentation de la source d'alimentation, l'écran PG (écran de masse per foré) sera désigné de cette manière à titre de simplifi cation, même dans d'autres formes de réalisation préférées de la présente invention qui seront décrites plus loin.
D-2. Fonctionnement et effet Les connexions décrites précédemment provoquent l'application d'une polarisation inverse aux diodes formées par les régions SOI 242, 243, 244, les régions SOI 244, 245, 246 et les régions SOI 246, 247, 248, de manière à empêcher que les diodes soient polarisées dans le sens direct par une force contre-électromotrice qui produit le courant de Foucault. Ceci réduit la dissipation de puis sance induite par voie électrostatique, sans apparition d'une dissipation de puissance induite par voie électroma gnétique, qui résulte du courant de Foucault.
L'écran PG 104, dans lequel un courant induit par voie électrostatique traverse les régions de type P+ mises à la masse (régions de faible valeur résistive), peut natu rellement réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique. En outre, étant donné que l'écran PG 104 est formé dans la couche SOI 3, aucune couche conduc trice additionnelle n'est nécessaire pour former l'écran PG 104, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
En outre, étant donné que le film d'oxyde d'iso lation 15 placé dans un sillon, et le film d'oxyde d'isola tion partielle, isole les dispositifs entre eux dans la partie logique LP, le potentiel de la région de canal (région du coeur) est fixé par la région de puits WR au- dessous du film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sil lon. Ceci empêche différents problèmes qui résultent de l'effet de substrat flottant.
D-3. Première variante Bien que la configuration dans le plan de l'écran PG 104 soit similaire à celle de l'écran PG 101 décrit en référence â la figure 2 dans la description précédente, on peut utiliser n'importe laquelle des configurations décrites en référence aux figures 3 à 7, auquel cas des implantations différentes d'impuretés sont effectuées dans les régions SOI.
Dans la configuration représentée sur la figure 3 par exemple, en supposant que la région SOI 21A située dans la position la plus élevée à droite de la figure 3 est une région de type P+, une région entre la région de type P+ et la région SOI 21A, qui est adjacente, lorsqu'on regarde dans le sens des aiguilles d'une montre (région représentée en tant que film d'oxyde d'isolation 11 placé dans un sil lon, sur la figure 3) est une région de type P-. La région de type P- est suivie par une région de type N+, une région de type P-, une région de type P+ et une région de type P- dans l'ordre indiqué lorsqu'on regarde dans le sens des aiguilles d'une montre. La région de type N+ est connectée au potentiel de la source d'alimentation et la région de type P+ est connectée à la masse, ce qui a pour effet que les diodes sont polarisées en inverse.
Dans la configuration représentée sur la figure 5 par exemple, en supposant que la région SOI 21C située dans la position la plus élevée à droite de la figure 5 est une région de type P+, une région entre la région de type P@ et la région SOI 21C qui est adjacente, lorsqu'on regarde dans le sens des aiguilles d'une montre, est une région de type P-. La région de type P- est suivie par une région de type N+, une région de type P-, une région de type P+ et une région de type Pr dans l'ordre indiqué lorsqu'on regarde dans le sens des aiguilles d'une montre. La région de type N+ est connectée au potentiel de la source d'alimentation et la région de type P+ est connectée à la masse, ce qui a pour effet que les diodes sont polarisées en inverse.
Dans la configuration représentée sur la figure 6 par exemple, en supposant que la région SOI 21D située dans la position la plus élevée est une région de type P+, une région entre la région de type P+ et la région SOI 21D située directement au-dessous d'elle, est une région de type P-. La région de type P' est suivie par une région de type N+ ou une région de type P- , une région de type P+ et une région de type P- dans l'ordre indiqué. La région de type N+ est connectée au potentiel de la source d'alimenta tion et la région de type P+ est raccordée à la masse, ce qui a pour effet que les diodes sont polarisées en inverse.
Dans la configuration représentée sur la figure 7 par exemple, en supposant que la région SOI 21E est une région de type P+, une région située entre la région de type P+ et la région SOI 21S est une région de type P+. La région SOI 21S est une région de type N+: une région située entre les régions SOI 21S et 21M est une région de type P+; la région SOI 21M est une région de type P+; une région entre les régions SOI 21M et 21L est une région de type P-, et la région SOI 21L est une région de type N+. Les régions de type N+ sont connectées au potentiel de la source d'alimentation et la région de type P+ est connectée à la masse, ce qui a pour effet que les diodes sont polarisées en inverse.
Les configurations dans le plan de l'écran PG représenté sur les figures 2-7 sont uniquement des exemples et la présente invention n'est pas limitée à la configura tion en plan de l'écran PG.
Rf = 0,28 (CH2C12/AcOEt 80/20) IR (CHC13) NH : 3387, 3242 cm-1 C=O 1733 cm-1 C=O, C=N : 1663,1643 cm-1 Aromatique + amide II : 1614,1573, 1526,1498 cm-1 N-(5-bromo-2-benzoxazolyl)-3-[[4-[3-oxo-3-[(1,4,5,6tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]propyl]benzoyl]amino]-Lalaninate de (1,1-diméthyl éthyle) (10-7) On ajoute à l'ester 10-6 (140mg) dans 3 ml de THF, de la 1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinamine (94 mg) et agite à température ambiante pendant 4 heures. On évapore ensuite sous pression réduite et purifie l'extrait sec obtenu par chromatographie en éluant avec le mélange CH2C12/AcOEt 80/20 puis CH2Cl2/MeOH 85/15. On obtient 71 mg de produit 10-7 attendu.
RMN (CDC13) 1,47 (s) 1,48 (s) 9H OC(CH3)3 ; 1,92 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2NH- ; 3,35 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 2,65 (t) 2H CO-CH2CH2-Ph ; 2,49 (t) 2H CO-CH2-CH2-Ph ; 3,97 (m) 2H NH-CH2-CH ; 4,66 (dd) 4,89 (m) 1H NH-CH2-CH ; 7,37 (tl) 1H NH-CH2-CH ; 7,11 (d) 1H (H en ortho de l'oxygène) ; 7,17 (dd) 1H (H en méta de l'oxygène) ; 7,62 AA'BB' 7,26 7,71 AA'BB' -Ph- ; 7,45 (d) 7,48 (d) 1H ((H en position ortho de l'azote).
N-(5-bromo-2-benzoxazolyl)-3-[[4-[3-oxo-3-[(1,4,5,6- tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]propyl]benzoyl]amino]-L- alanine (10-8) L'hydrolyse de l'ester s'effectue comme dans les exemples précédents, mais à partir de 56 mg de 10-7 et 2,5 ml de TFA dans 2,5 ml de dichlorométhane. On obtient 60 mg de 10-8 (sous forme de sel d'acide trifluoroacétique).
RMN (CDC13) 1,97 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 2,77 (t) 2H CO-CH2-CH2-Ph ; 2,93 (t) 2H CO-CH2-CH2-Ph ; 3,42 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 4 , 05 (m) 2H NH-CH2-CH ; 4 , 72 (m) 4 , 90 (m) 1H NH-CH2-CH ; 7 , 22 (d) 1H (H en ortho de l'oxygène) ; (dd) 1H (H en méta de l'oxygène) ; 7,17 7,69 AA'BB' -Ph- ; 7,51 (si) 10,03 et 10,55 H mobiles. EXEMPLE 11 : N-(6-bromo-2-benzothiazolyl)-3-[[4-[3-oxo-3- [(1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]propyl]benzoyl]
amino]-L-alanine N-[[(4-bromophényl)amino]thioxométhyl]-3-[[4-(3-méthoxy-3oxo-propyl)benzoyl]amino]-L-alaninate de (1,1-diméthyl éthyle) (11-1) A une solution de 500 mg de 10-5 3-[[4-(3-méthoxy-3-oxopropyl)benzoyl]amino]-L-alaninate de (1,1-diméthyl éthyle) dans 12 ml d'éther éthylique, sous azote et à 0 C, on ajoute 335 mg d'isothiocyanate de (4-bromo-phényle) et agite 1 heure en laissant évoluer la température vers 20 C. On évapore ensuite sous pression réduite jusqu'à obtention de 500 mg du produit attendu cristallisé.
IR (CHC13) NH : 3439 cm-1, 3407 cm-1 + associé, C=O . 1732 cm-1 ; 1653 cm-1 Système conjugué + aromatique + amide II : 1613,1570, 1528, 1495 cm-1 N-(6-bromo-2-benzothiazolyl)-3-[[4-(3-méthoxy-3-oxo-propyl) benzoyl]amino]-L-alaninate de (1,1-diméthyl éthyle) (11-2) A une solution de 250 mg de 11-1 dans 5 ml de chlorobenzène refroidie à environ 4 C, on ajoute 0,05 ml de S02C12, laisse la température évoluer vers 20 C et ajoute une nouvelle fois 0,05 ml de S02C12. On dilue ensuite le milieu réactionnel dans le dichlorométhane, lave, sèche la phase organique, et évapore sous pression réduite jusqu'à obtention d'un extrait sec que l'on purifie par chromatographie en éluant avec le mélange CH2C12/AcOEt 85/15. On obtient 70 mg de produit attendu.
IR (CHC13) NH : 3388 cm-1, C=O . 1731 cm-1 ; 1654 cm-1 Système conjugué + aromatique + amide II : 1614,1594, 1571, 1537,1500 cm-1 N-(6-bromo-2-benzothiazolyl)-3-[[4-[3-oxo-3-[(1,4,5,6tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]propyl]benzoyl]amino]-Lalaninate de (1,1-diméthyl éthyle) (11-3) A une solution de 70 mg de 11-2 dans 2 ml de THF, on ajoute 66 mg de 2-amino-1,4,5,6-tétrahydropyrimidine et agite à température ambiante pendant 3 heures. On chromatographie
ensuite le milieu réactionnel en éluant avec le mélange CH2Cl2/AcOEt 80/20 puis MeOH/CH2C12 10/90. On obtient 27 mg de produit 11-3 attendu.
SM 62 9+/ ... = MH+ 573+/ ... = MH+ - tBu/ ..
N-(6-bromo-2-benzothiazolyl)-3-[[4-[3-oxo-3-[(1,4,5,6tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]propyl]benzoyl]amino]-Lalanine (11-4) L'hydrolyse de l'ester s'effectue comme dans les exemples précédents, mais à partir de 27 mg de 11-3 et 1,3 ml de TFA dans le dichlorométhane. On obtient 33 mg de 11-4 (sous forme de sel d'acide trifluoroacétique).
RMN (CDC13) 1,98 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 2,78 (tl) 2H CO-CH2-CH2-Ph ; 2,94 (tl) 2H CO-CH2-CH2-Ph ; 3,42 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 4,01 (si) 4,12 (si) 2H NH-CH2-CH ; 4,45 (si) 1H NH-CH2-CH ; 7,38 (d) 1H (H en ortho de l'azote) ; 7,51 (dl) 1H (H en méta de l'azote) ; 7,70(si) 1H (H en ortho du soufre) ; 7,74 AA'BB' -Ph- ; 7,96 (si) 1H H mobile ; 10,10 (si) 2H (NH) ; 13, 15 (s) 1H C02H.
Les exemples suivants sont également préparés selon les modes opératoires prévus plus haut.
EXEMPLE 12 : N-(7-fluoro-2-benzoxazolyl)-O-[4-oxo-4- [(1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]butyl]-L-tyrosine RMN (DMSO) 1,85 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2-NH-; 1,97 (quint) 2H CO-CH2-CH2-CH2- O-Ph ; 2,91 (dd) 3,15 (dd) 2H Ph-CH2-CH-NH ; 2,55 (tl) 2H CO- CH2-CH2-CH2-0-Ph ; 3,35 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 3,95 (t) 2H CO-CH2-CH2-CH2-0-Ph ; 4,39 (t) 1H Ph-CH2-CH- ; 6,82 7,23 AA'BB' -O-Ph ; 6,90 (ddd) (H para de l'azote) ; 7,07 (m) 2H b (H en ortho et méta de l'azote) ; (dl) 1H NH ; 8,94 (si) -NH-CH2-CH2-CH2-NH ; 11,50 (s) 12,93 (s) H mobiles.
EXEMPLE 13 : N-(6-fluoro-2-benzoxazolyl)-O-[4-oxo-4- [(1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]butyl]-L-tyrosine SM 484+ [M+H] + EXEMPLE 14 : trifluoroacétate de N-(5-fluoro-2-benzoxazolyl)-
O-[4-oxo-4-[(1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]butyl]-L- tyrosine RMN (CDC13) 2,01 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 2,07 (m) 2H CO-CH2-CH2-CH2-O- Ph ; 3,16 (dd) 3,31 (dd) 2H Ph-CH2-CH-NH ; 2,60 (m) 2H CO-CH2- CH2-CH2-O-Ph ; 3,46 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 3,92 (m) 2H CO-CH2-CH2-CH2-0-Ph ; 4,75 (dd) 1H Ph-CH2-CH- ; 5,84 1H mobile ; 6,72 7,15 AA'BB' -O-Ph ; 6,93 (td) (H para de l'azote) ; 7,15 (masqué) (H en ortho de l'azote) ; (masqué) (H en ortho de l'oxygène) ; 9,84(si) 2H NH-CH2-CH2- CH2-NH ; 12,63 (s) 1H CO2H.
EXEMPLE 15 : trifluoroacétate de N-(7-chloro-2-benzoxazolyl)- O-[4-oxo-4-[(1,4,5,6-tétrahydro-2-pyrimidinyl)amino]butyl]-L- tyrosine RMN (CDCl3) 1,89 (m) 2H NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 2,00 (quint) 2H CO-CH2-CH2- CH2-O-Ph ; 2,98 (dd) 3,18 (dd) 2H Ph-CH2-CH-NH ; 2,55 (t) 2H CO-CH2-CH2-CH2-0-Ph ; 3,37 (m) 4H -NH-CH2-CH2-CH2-NH- ; 3,98 (t) CO-CH2-CH2-CH2-0-Ph ; 4,43 (m) 1H Ph-CH2-CH- ; 6,81 7,22 AA'BB' -O-Ph ; 7,03 (dd) 7,18 (dd) (H ortho et para de l'azote) ; 7,11 (m) 1H b (H en méta de l'azote) ; 8,64(dl) 1H NH ; 8,95 (si) NH-CH2-CH2-CH2-NH ; 11,39 (si) 1H CO2H.
L'invention a notamment pour objectif de pallier ces inconvénients de l'art antérieur.
Plus précisément, un objectif de l'invention est de fournir un système de publication multi - terminal, permettant de publier un même document sous différents formats, de façon à le rendre consultable à partir de différents types de terminaux de communication.
Un autre objectif de l'invention est de mettre en #uvre un système de publication multi - terminal qui soit peu coûteux, et peu complexe à mettre en #uvre.
L'invention a également pour objectif de mettre en #uvre un système de publication multi-terminal, qui s'adapte à tout type de source de données ainsi qu'à tout type de terminal de consultation.
L'invention a encore pour objectif de fournir un système de publication multi - terminal évolutif, permettant de s'adapter facilement à l'évolution des sources d'informations et de documents.
L'invention a également pour objectif de mettre en #uvre un système de publication multi - terminal, dans lequel les concepts de données et de présentation des données sont indépendants.
Un autre objectif de l'invention est de mettre en #uvre un système de publication multi - terminal permettant de filtrer les informations des sources de données en fonction du terminal, ou du type de terminal, auquel elles sont destinées.
L'invention a encore pour objectif de fournir un système de publication multi - terminal présentant une indépendance totale de la source d'informations et du terminal - destination, c'est - à - dire dans lequel les traitements mis en #uvre ne dépendent ni de la nature des informations extraites des sources de données, ni du type de terminal auquel elles sont destinées.
Encore un autre objectif de l'invention est de mettre en #uvre un système de publication multi - terminal, dans lequel le contenu et la présentation des informations proposées au terminal - destination sont parfaitement adaptés au type de terminal - destination.
L'invention a encore pour objectif de fournir un système de publication multi - terminal adapté à tous les terminaux légers.
Ces objectifs, ainsi que d'autres qui apparaîtront par la suite sont atteints selon l'invention, à l'aide d'un système de publication multi - terminal, du type offrant un accès à au moins une application correspondant à un service, permettant de fournir à une pluralité de terminaux, selon au moins deux types de terminal distincts, des informations contenues dans au moins une source d'informations.
Selon l'invention, un tel système comprend : au moins un module de création d'objets, permettant de fournir au moins une fonction de création d'objets à partir de données brutes extraites de ladite au moins une source d'informations et/ou générées par ledit au moins un module de création d'objets ; un module de génération de réponse sous un format de présentation générique, en réponse à une requête formulée par un terminal et relative à une application donnée, ladite application étant définie, au sein dudit module de génération de réponse, par une pluralité de contextes et une politique de navigation parmi lesdits contextes, chaque contexte
comprenant au moins une action et/ou au moins un objet, créé par ledit au moins un module de création d'objets, ladite réponse résultant d'une navigation selon ladite politique de navigation au sein de ladite pluralité de contextes ; un module de présentation, permettant de transformer ladite réponse sous un format de présentation générique en une réponse sous un format de présentation spécifique au type dudit terminal ayant formulé ladite requête.
Ainsi, l'invention repose sur une approche tout à fait nouvelle et inventive de la publication multi - terminal, permettant de rendre un document accessible à une pluralité de terminaux de types différents. En effet, elle repose notamment sur le concept nouveau de séparation de l'information et de la présentation de l'information. L'invention repose également sur un nouveau concept de navigation au sein d'un ensemble de contextes, dans lesquels sont regroupés des actions et/ou des objets créés par le système de publication multi - terminal. Une réponse d'un tel système selon l'invention à la requête d'un terminal de communication est ainsi élaborée par une technique générique de navigation, indépendante du type de terminal de consultation, qui permet de construire une structure arborescente d'objets, créés en tout ou en partie à partir des données contenues dans des sites Web, des bases de données, des fichiers, ou des modules java par exemple.
Avantageusement, ladite réponse sous un format de présentation générique est un arbre de type XML ou de type SGML.
En effet, le langage XML (en anglais "Extended Markup Language"), qui est un langage extrait du langage SGML (en anglais "Standard Generalized Markup Language"), est un langage générique particulièrement adapté à la publication et à l'échange de données.
Les bains ammoniacaux sont classiquement des bains alcalins, fonctionnant dans des gammes de pH entre 8 et 13. Lors de la métallisation sur du nickel par exemple, lors de l'immersion de la pièce, l'alcalinité de l'électrolyte favorise la passivation du nickel, qui peut engendrer un manque d'adhérence des dépôts d'alliage palladium.
Quand ils sont présents, les chlorures ajoutent encore d'autres désagréments: - La corrosion des équipements en acier inoxydable est facilitée, d'où des pollutions d'électrolytes.
- Au cours de l'électrolyse un sel jaune insoluble de palladium est généré à la surface des anodes titane-platinées, d'où de multiples difficultés pour toutes les applications de type j et-plating ou métallisation sélective au tampon en continu. Etat de l'art concernant les bains non ammoniacaux Les premiers bains de ce type décrits ont été des bains de palladium pur, en milieux très acides, sans amines organiques. Ils étaient difficilement utilisables, En effet, à des pH situés entre 0 et 3, l'attaque des substrats est trop importante. De plus beaucoup de ces formulations contiennent des chlorures.
Un second type concerne des bains de palladium pur ou d'alliage, qui contiennent des amines organiques, fonctionnant de 40 à 65'C, mais typiquement dans une gamme de pH 9 à 12, donc dans des conditions fortement alcalines. A ces pH élevés, à ces températures, les polyamines tendent à s'évaporer fortement, et à se carbonater rapidement en générant des cristallisations. D'autre part, dans ces conditions, la passivation des substrats nickelés est alors encore plus importante que dans les bains ammoniacaux. Pour pallier le manque d'adhérence, un pré-palladiage est nécessaire de façon préliminaire. Ceci augmente d'autant le prix de revient de ces dépôts.
Un troisième type de bains de palladium pur contenant des amines organiques est décrit en particulier dans le brevet US 4 278 514. Ces bains de pH intermédiaires situés de 3 à 7 contiennent généralement des phosphates, et utilisent comme brillanteur un composé de type imide, tel que le succinimide. Dans de tels bains, les densités de courant admissibles sont inférieures à 4 A/dm2. Par ailleurs, ces bains contiennent du palladium pur et sont donc principalement destinés à la décoration.
Plusieurs facteurs empêchent jusqu'à présent la généralisation de ce type de bains : Le pH de ces bains est ajusté généralement à l'aide d'acide phosphorique, l'acide phosphorique introduit, aux pH d'utilisation se retrouve sous forme d'ions H2PO4-. Mais lors de l'électrolyse, les réactions suivantes peuvent se produire sur l'électrode polarisée négativement : H2PO4--> H2PO3--> H2PO2---> P Du phosphore peut se retrouver incorporé dans les dépôts comme impureté. Ceci peut augmenter la résistivité du dépôt et gêner l'obtention de dépôts brillants.
D'autre para les composés de type imide sont capables d'améliorer la brillance de ces bains de palladium pur à faibles densités de courant, mais les densités de courant maximales donnant des dépôts brillants ne dépassent pas 4 A/dM2. Par ailleurs, pour obtenir cette action de brillantage les imides sont ajoutées en quantité importante. Or, les imides sont des complexants forts et leur concentration influe donc fortement sur la complexation de tout métal secondaire incorporé. Ceci rend trop difficile la maîtrise de composition des alliages, dans des conditions de brillance convenable.
Il existe donc un besoin pour un procédé nouveau, qui exclurait l'utilisation de l'ammoniaque, des chlorures, des phosphates, et des imides, et qui permettrait de déposer des alliages stables d'aspect brillants éventuellement à très haute vitesse, donnant des dépôts ductiles, adhérents sans pré-palladiage. Le pH de ces bains devrait rester dans la gamme des pH faiblement acides. Ces bains devraient en outre pouvoir être associés à un procédé de recharge en métal, capable d'éviter la concentration rapide des sels, de façon à obtenir une longue durée de vie.
Pour le moment, aucun procédé existant sur le marché n'est pleinement satisfaisant.
La présente invention propose justement une formulation optimale, permettant de répondre à toutes ces exigences. Un problème qui se pose particulièrement pour les applications électroniques est celui de trouver un brillanteur efficace à très forte densité de courant, en milieu non ammoniacal. En effet, comme exposé précédemment, beaucoup de brillanteurs, et, c'est en particulier le cas des brillanteurs de type imide, ne permettent l'obtention de dépôts brillants qu'aux moyennes ou faibles densités de courant. Dans les bains non ammoniacaux, les brillanteurs commerciaux connus tels que le nicotinarnide, ou les composés de type sulfonate, ne sont pas en mesure d'étendre la brillance des dépôts aux fortes densités de courant, en particulier à celles comprises entre 15 et 150 A/dM2 souhaitées dans les bains d'électrodéposition dits "haute vitesse".
C'est en particulier, à la résolution de ce problème que s'adresse la présente invention en proposant l'utilisation de brillanteurs bien déterminés pouvant être utilisés dans les conditions idéales exposées ci-dessus.
Le brevet US 4 767 507 décrit des bains d'électrodéposition d'or mettant en #uvre deux brillanteurs spécifiques, à savoir l'acide 3-(3-pyridyl) acrylique ou l'acide 3-(3-quinolyl) acrylique.