INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 8001 qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconduc teurs 2000 de la figure 40 sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on n'en donnera pas une descrip tion de façon particulière.
Bien que l'invention ait été décrite de façon détaillée, la description précédente est donnée uniquement à titre illustratif et sans aucun caractère limitatif. on comprendra que de nombreuses autres variantes et modifica tions entrent dans le cadre de la présente invention.
MATRICE DE COMMUTATEURS COMPORTANT DES ENTREES ET DES SORTIES EN EXCÈS L'invention est relative à une matrice de commutateurs à n+f entrees et n+p sorties dans laquelle les commutateurs sont commandables pour que n parmi les n+f entrées soient reliées au même nombre n parmi les n+p sorties.
Le choix de l'algorithme à clé publique n'est pas critique d'un point de vue vitesse dans la mesure où il ne sert qu'à décoder un descripteur d'exécutable crypté pour en extraire les deux clés symétriques qui servent à chiffrer et déchiffrer respectivement le programme et ses données. Afin d'accélérer des changements de contextes entre différents processus cryptés avec des clés symétriques différentes on peut néanmoins ajouter dans le processeur un cache de descripteur de contextes matériels décryptés. Par contre l'algorithme doit évidemment être sûr car, s'il est cassé, il suffit à l'attaquant d'acheter tous les logiciels avec la clé publique de son processeur et il pourra décrypter les logiciels et donc en faire des copies qui ne seront plus cryptées.
Le choix de l'algorithme symétrique est plus problématique puisque c'est lui qui est utilisé pour chiffrer et déchiffrer les données entre les caches et la mémoire. Il faut donc qu'il soit rapide, tel que CS Cipher [9] par exemple (8 Go/s à 1 GHz), mais on peut de toute manière pipeliner et répliquer ces algorithmes pour faire du parallélisme de données jusqu'à obtenir le débit suffisant.
Une fois les bases de la sécurité établie et le schéma global défini sur la figure 2, il s'agit de ne plus laisser filtrer la moindre information d'un processus crypté vers un autre processus. Afin d'éviter qu'un bug du programme permette de lire et de décoder les instructions, les bus de données et d'instructions sont chiffrés avec 2 clés privées différentes, respectivement csd et csi. Un processus ne peut pas accéder aux clés, un processus crypté est la seule entité pouvant accéder en clair à une de ses informations cryptées. En particulier même le noyau en mode superviseur ne peut accéder au contenu des registres ou du cache d'un processus crypté.
Comme le système doit pouvoir démarrer un processus en mode crypté, on rajoute une instructionRTIEC permettant de démarrer un processus à partir d'un descripteur de matériel crypté avec la clé publique du processeur. De même, lorsqu'un processus crypté est interrompu, il écrit le contexte matériel d'exécution dans une zone spéciale sous forme chiffrée avec la clé symétrique des données afin
qu'il puisse éventuellement être inspecté ou modifié par le programme lui-même avec des instructions d'accès à la mémoire.
Enfin, un processus crypté doit être capable d'écrire et de lire des données en clair. On rajoute donc au processeur des instructions STNC et LDNC permettant d'accéder à la mémoire sans passer par les systèmes de chiffrement.
Le mode d'intrusion JTAG et plus généralement tout mode de test ne doivent pas pouvoir être utilisés en mode crypté. Comme il faut bien mettre au point puis tester le processeur aussi en mode crypté, il faut un système capable de supprimer cette possibilité une fois le processeur testé juste après fabrication et que cette suppression ne soit pas contrôlée par un simple bit qu'un cutter laser intrusif pourrait par exemple rétablir.
3 Mise en oeuvre logicielle Après avoir défini la réalisation matérielle il faut s'intéresser à l'aspect logiciel et ici plus particulièrement dans un contexte UNIX [10], système d'exploitation dont de nombreux sources sontdisponibles, facilitant la mise en place d'un tel système, et qui a en plus l'avantage de fonctionner et d'être robuste.
Un système fonctionnel sera constitué du noyau UNIX permettant l'exécution coexistante de processus utilisateurs ou superviseur ( root ), chacun pouvant être crypté ou non.
La contrainte est que ni un processus superviseur, ni même le noyau ne peuvent surveiller ce qui se passe dans un processus crypté. Par contre un processus crypté avec un clé cs peut partager del'information directement de manière cryptée avec un autre processus crypté avec la même clé via des fichiers, des "sockets", des segments de mémoire partagée, etc. Dans le cas de segments de mémoire partagée cryptée, il faut qu'ils soient à la même adresse virtuelle dans chaque processus puisque le chiffrement dépend de l'adresse virtuelle. Avec la généralisation des espaces d'adressages en 64 bits cette contrainte est facilement surmontable.
Cela signifie qu'un processus crypté n'est pas traçable, ni espionnable par un
autre processus qui n'a pas la clé cs car si le système d'exploitation est bien capable d'arrêter un processus crypté et de récupérer son contexte matériel, il ne sait ni l'interpréter ni le modifier sans la clé.
Comme la mise au point des programmes est difficile, un programmeur peut ponctuellement compiler un déboggueur avec la clé publique d'un client combinée à la clé symétrique (aléatoire) de son produit. Il aura ainsi un débogueur qui ne tournera que sur le poste client et qui ne sera capable que de tracer l'exécution de sa copie spécifique du logiciel.
3.1 Appels au système Un processus chiffré doit pouvoir utiliser les services du noyau en utilisant classiquement les appels systèmes. Afin que le noyau comprenne les services demandés, le processus crypté doit déchiffrer les arguments passés avant de faire un "trap" dans le noyau.
Pour ce faire, il faut modifier la bibliothèques de d'interfaçage système UNIX pour qu'elle déchiffreles arguments dans une zone tampon intermédiaire allouée à la volée avant de faire le trap. Comme lapartie de chiffrement dépend du programme considéré, elle ne peut pas faire partie d'une bibliothèque dynamique globale comme c'est la cas normalement. Si l'interface système au niveau trap ne changepas, cela permet de garantir la compatibilité ascendante et donc qu'un programme chiffré marchera encore sur des versions ultérieures du système (c'est par un mécanisme similaire qu'on arrive sur Sun à faire marcher des programmes SunOS 4. x en SunOS 5. x par exemple : en gérant une sémantique de trap SunOS 4. x au dessus de SunOS 5. x. même si la bibliothèque système est liée statiquementà la compilation).
Certains appels systèmes doivent être proposés en version chiffrée mais aussi en version non chiffrée. Par défaut, pour des raisons de sécurité, les appels systèmes font des transferts chiffrés. Parexemple write() permettra d'écrire dans un fichier (au sens général d'UNIX, c'est-à-dire une entité représentable par un descripteur de fichier) et les données écrites le seront de manière chiffrée et donc illisibles par un
calcul des Besoins bruts.
Il peut être établi à partir d'un écran de saisie par périodes (année, mois) décomposées en sous- périodes (de 01 à 99 : semaines) des quantités prévues à fabriquer. A chaque sous-période est associée un nombre de jours ouvrés.
Un écran de lancement du calcul de la CMJ permet de filtrer entre deux dates (deux périodes) sur une tranche de famille d'article ou d'article et de générer dans le module S.F.T. les messages d'actualisation de la CMJ et par conséquent du nombre d'étiquettes dans le flux.
On pourra ainsi modifier simplement quelques prévisions et actualiser une partie des articles gérés en Seuil de Commande ou en Kanban.
Un écran de contrôle des boucles KANBAN pour les articles internes indique dans le détail le nombre des étiquettes dans le flux. Cet écran nous permet en cliquant dans le compteur Disponible d'un article de visualiser les numéros des étiquettes qui se trouvent en stock, même chose pour les étiquettes qui se trouvent en fabrication, ceci en cliquant sur le compteur Fabrication de l'article.
Une interface d'initialisation du processus Kanban ou Seuil de Commande (récupération des en-cours, des stocks et calcul des étiquettes correspondantes).
Les messages de Sortie sont envoyés à la GPAO (ou traité par l'équipement dans le cas du module autonome) et ils permettent d'identifier les besoins de S.F.T. (lancer un Ordre de fabrication, lancer des Achats, ... ) Le procédé peut être intégré dans un système de GPAO envoyant des fichiers ASCII dans une bibliothèque.
Ces remarques sont traitées en temps réel par un cron . oBesoin brut (selon le modèle fourni). Voir le fichier du PDP de Méthode et Système Flux Tiré (S. F.T.). On peut saisir sur le PDP et calculer grâce à la nomenclature de
S.F.T. oMessage . j'ai lancé un OF avec les clefs suivantes : #OF : Constante oDate : JJ/MM/AAAA oRéférence Article : 17 caractères oQuantité lancée : 10 numériques oN OF : 10 alphanumériques oMessage . j'ai réceptionné la fabrication avec les clefs suivantes : #RF oDate oRéférence Article #Quantité lancée oQuantité réceptionnée oN OF #Message : j'ai réceptionné un BL avec les clefs suivantes : #RA []Date oRéférence Article oQuantité commandée oQuantité reçue oN commande fournisseur L'équipement envoie à la GPAO les messages dans une bibliothèque. Ces messages sont traités par le site central.
Format du message : lancer un OF #POF #Date oArticle référence oQuantité Remarque .
Une procédure sera à écrire sous GPAO pour intégrer ce message en OF.
Ou à lister pour saisir à la main les OF à
lancer.
Message : Passer un ordre d'achat #POA #Date oArticle référence oQuantité Remarque: Une procédure sera à écrire sous GPAO pour intégrer ce message en commande d'achat.
Ou lister ces messages pour saisir les commandes à passer.
Message : Veuillez clôturer les OF #CFL []Date oArticle référence oQuantité Lancée oQuantité Fabriquée oN Lot Remarque .
Comme cela est représenté sur la figure 70, l'inductance L1 est formée d'un fil bobiné sous une forme spiralée et par conséquent sera désignée ci-après comme étant une inductance en spirale SI. Le centre de la spi rale, qui est une première extrémité de l'inductance en spirale SI, est raccordé à une ligne d'interconnexion sous- jacente W1 par l'intermédiaire d'une partie de contact CP qui traverse un film isolant inter-couches, non représenté. La ligne d'interconnexion WL est disposée sur un film iso lant inter-couches SZ qui recouvre un substrat semiconduc teur SB. La ligne d'interconnexion WL correspond à l'extrémité B de l'inductance L1 représentée sur la figure 69, et l'extrémité A correspond à une seconde extrémité de l'inductance en spirale SI.
Le substrat semiconducteur SB est un substrat dit SOI (c'est-à-dire silicium-sur-isolant), qui est représenté sur la figure 70 comme comprenant une couche SOI SL et un film d'oxyde d'isolation FZ situé dans la couche SOI SL. Le film d'oxyde d'isolation FZ, une plaque de protection plane SP possédant une surface égale au moins à la surface occu pée par l'inductance en spirale SI, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, est disposé dans une position correspon dant à une région dans laquelle l'inductance en spirale SI est formée.
La plaque de protection SP est réalisée en un conducteur de faible résistance similaire au matériau de la ligne d'interconnexion, et est connecté à la masse par l'intermédiaire d'une ligne d'interconnexion non représen tée de manière à ne produire aucune dissipation de puis sance induite par voie électrostatique. Cependant, le courant circulant dans l'inductance en spirale SI produit un courant de Foucault à l'intérieur de la plaque de protection SP, ce qui augmente la dissipa tion de puissance induite par voie électromagnétique, en posant un autre problème d'accroissement de la dissipation de puissance totale.
Pour résoudre ce problème, il a été proposé d'utiliser un écran de masse perforé (désigné ci-après sous l'expression écran PG) qui est une plaque de protection comportant des parties découpées de manière à interrompre le trajet du courant de Foucault.
La figure 71 annexée à la présente demande repré sente un exemple de l'écran PG. L'écran PG représenté sur la figure 71 comporte une pluralité de plaques PL isolées électriquement les unes des autres. Les plaques PL ont une configuration triangulaire dans le plan et sont disposées radialement de telle sorte que leurs sommets constituent une partie centrale de l'écran PG.
L'utilisation d'un tel agencement interrompt le trajet du courant de Foucault en réduisant la dissipation de puissance induite par voie électromagné tique.
Comme cela a été décrit précédemment, dans le dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur, qui com porte l'inductance, on utilise l'écran PG pour réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique et la dissipation de puissance induite par voie électroma gnétique. Cependant la formation de l'écran PG requiert de prévoir une couche conductrice supplémentaire, ce qui conduit à un accroissement de la complexité et de la struc ture et du nombre d'étapes de fabrication.
C'est pourquoi un but de la présente invention est de fournir un dispositif à semiconducteurs possédant une inductance qui est à même de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique et la dissipa- tion de puissance induite par voie électromagnétique, tout en empêchant une complication de la structure et des étapes de fabrication de cette structure.
Selon un premier aspect de l'invention, un dispo sitif à semiconducteurs comprend un substrat semiconduc teur; une couche de protection disposée sur une surface principale du substrat semiconducteur; et un élément d'inductance disposé au-dessus d'une région, dans laquelle la couche de protection est formée, moyennant l'interposition d'un film isolant inter-couches disposé entre l'élément d'inductance et la couche de protection, la couche de protection possédant au moins une partie conduc trice connectée à un potentiel de masse, et au moins une partie d'interruption de courant pour interrompre un trajet d'un courant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans un plan de la ou des parties conductrices.
De préférence, selon un second aspect de la pré sente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le premier aspect, le substrat semiconducteur est un subs trat dit SOI, c'est-à-dire silicium-sur-isolant comprenant une partie de substrat servant de base de support, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat et une couche SOI disposée sur le film d'oxyde enseveli. La ou les parties d'interruption de courant comprennent une pluralité de films d'oxyde d'isolation disposés de façon sélective et s'étendant à partir d'une surface de la couche SOI à travers la couche SOI jusqu'au film d'oxyde enseveli. La ou les parties conductrices comprennent une pluralité dé régions SOI isolées électriquement les unes des autres par les pluralités de films d'oxyde d'isolation.
De préférence, conformément à un troisième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconduc teurs selon le second aspect, chacun des films d'oxyde d'isolation possède une largeur prédéterminée et s'étend essentiellement perpendiculairement à une surface du film d'oxyde enseveli.
De préférence, conformément à un quatrième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconduc teurs selon le second aspect, chaque film de la pluralité de films d'oxyde d'isolation comprend une première partie possédant une première largeur et s'étendant essentielle ment perpendiculairement à une surface du film d'oxyde enseveli, et une seconde partie adjacente à et située au- dessous de la première partie, la seconde partie possédant une seconde largeur inférieure à la première largeur et s'étendant essentiellement perpendiculairement à la surface du film d'oxyde enseveli.
De préférence, conformément à un cinquième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconduc teurs selon le premier aspect, le substrat semiconducteur est un substrat SOI comprenant une partie de substrat ser vant de base de support, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat et une couche SOI disposée sur le film d'oxyde enseveli. La ou les parties conductrices com prennent une pluralité de régions SOI obtenues par amincis sement de la couche SOI à une épaisseur prédéterminée. La ou les parties d'interruption du courant comprennent un film isolant disposé de manière à remplir au moins un espace entre la pluralité de régions SOI.
De préférence, selon un sixième aspect de la pré sente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le cinquième aspect, chaque région de la pluralité, de régions SOI contient une impureté semiconductrice ayant une concentration relativement élevée.
De préférence, selon un septième aspect de la présente invention dans le dispositif à semiconducteurs selon le cinquième aspect, un film de siliciure est formé sur une surface supérieure de chaque région de la pluralité de régions SOI.
De préférence, selon un huitième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le premier aspect, le substrat semiconducteur est un substrat SOI comprenant une partie de substrat servant de support de base, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat et une couche SOI disposée sur le film d'oxyde enseveli. La couche de protection comprend un pre mier groupe de régions SOI possédant un premier type de conductivité, un second groupe de régions SOI possédant un second type de conductivité, le premier groupe de régions SOI et le second groupe de régions SOI étant combinés pour constituer une pluralité de diodes. La ou les parties d'interruption du courant comprennent au moins une diode polarisée en inverse, qui est au moins l'une de la plura lité de diodes, à laquelle une polarisation inverse est appliquée. La ou les parties conductrices incluent l'un des premier et second groupes connectés à un potentiel de masse.
Les travaux de recherche réalisés par la Demanderesse dans le cadre de la présente invention montrent que le BVSM n'agit pas comme un adjuvant, car seul il n'induit pas d'activation du système immunitaire, mais comme un carrier permettant une meilleure pénétration et/ou une meilleure présentation de l'antigène aux cellules présentatrices. Ainsi, les résultats obtenus ont montré l'apport de BVSM sur le pouvoir adjuvant de la CTB, des MPL et des ODN. De façon surprenante, le pouvoir adjuvant est visualisé de manière différente : - sur la réponse IgG sérique, pour laquelle, une forte synergie, dans le cas de la CTB, ou une addition des réponses, dans le cas des ODN CpG, a été obtenue, - sur la réponse IgA, où une synergie est clairement démontrée pour les MPL, - sur la balance Thl/Th2, où même dans le cas d'une réponse quantitativement équivalente (IL2), on observe une différence qualitative de la réponse notamment
dans la balance Igl/IgG2a qui reflète un différentiel dans la réponse cellulaire.
L'invention a donc tout d'abord pour objet un procédé pour améliorer les propriétés immunomodulatrices d'une substance, autre qu'un antigène, capable de moduler la réponse immunitaire, caractérisé en ce qu'il comprend le mélange de ladite substance avec des particules hydrophiles portant ou non des ligands ioniques et éventuellement recouvertes d'une couche de composés amphiphiles.
Les particules hydrophiles portant ou non des ligands ioniques et éventuellement recouvertes d'une couche de composés amphiphiles, ou BVSM, sont avantageusement des vecteurs du type comportant : - un noyau hydrophyle non liquide, constitué d'une matrice de polysaccharides ou d'oligosaccharides naturellement ou chimiquement réticulés, sur lesquels sont greffés des ligands ioniques, - une couche externe constituée au moins en partie de composés amphiphiles, associés au noyau par des interactions hydrophobes et/ou des liaisons ioniques.
De préférence, les ligands ioniques sont à charge positive, comme des ammoniums quaternaires, et la couche externe est formée de dipalmitoyl phosphatidyl choline (DDPC) et de cholestérol.
Dans le procédé de l'invention, le rapport pondéral substance/ particules est compris entre environ 1% et 20%, de préférence entre environ 5% et 10%.
Une première classe de substances, autres qu'un antigène, capables de moduler la réponse immunitaire comprend des protéines d'intérêt thérapeutique qui jouent un rôle dans le fonctionnement du système immunitaire. Il s'agit plus particulièrement d'une cytokine ou d'une chémokine, de préférence choisie dans le groupe comprenant les interleukines, les interférons, les TNF, les TGF, le GCSF, le GM-CSF, le MIF, le RANTES, ou un mélange de ceuxci.
Une seconde classe de substances, autres qu'un antigène, capables de moduler la réponse immunitaire, recouvrant partiellement la précédente, comprend les adjuvants. On entend par adjuvant, une molécule permettant d'amplifier, de réguler ou d'orienter la réponse immune spécifique d'un antigène. Ainsi, afin d'évaluer les propriétés des BVSM sur le pouvoir immunomodulateur de substances autres que des antigènes, diverses molécules appartenant aux principales catégories d'adjuvants ont été testées dans le cadre de la présente invention, comme des produits bactériens (endotoxines, composants de la paroi), des cytokines, des oligonucléotides (CpG). On peut citer plus particulièrement parmi celles-ci : des enterotoxines bactériennes, comme CT, CTB, LT, - des dérivés liposaccharidiques, comme MPL et dérivés de lipide A, - des dérivés de la saponine type QS21, - des sels d'ammonium et leurs dérivés, comme l'alum,
- des protéines type DT, TT, ou un mélange de ceux-ci La substance, autre qu'un antigène, capable de moduler la réponse immunitaire est choisie de préférence parmi : les adjuvants, capables d'amplifier, de réguler ou de modifier la réponse immune, - les cytokines et chemokines dont la propriété intrinsèque est de modifier l'activité des cellules du système immunitaire, - les immunosuppresseurs du fait de leur utilisation dans le traitement des allergies et/ou du rejet de greffe, les substances capables de modifier la balance Thl/Th2.
Parmi celles-ci, l'invention envisage plus particulièrement comme substance, dont on souhaite améliorer les propriétés immunomodulatrices, les cytokines qui stimulent l'activité des cellules immunitaires, et parmi celles-ci, l'IL2, l'ILll et le GM-CSF. En effet, les cytokines stimulent ou inhibent l'activité des cellules immunitaires .
L'invention a aussi pour objet l'utilisation de particules hydrophiles portant ou non des ligands ioniques et éventuellement recouvertes d'une couche de composés amphiphiles pour la préparation d'un médicament destiné au traitement des cancers et/ou des infections notamment virales, lesdites particules étant associée dans le