INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La dépression est induite par une source génératrice, qui est reliée à un conduit de drainage en communication avec le volume Intérieur de l'enveloppe. Un feutre de drainage et un film séparateur perforé sont successivement interposés entre le conduit de drainage et le produit. Le conduit de drainage est formé par un élément rigide allongé, ou profilé, comportant au moins un canal interne relié à la source génératrice de dépression. La mise en communication du canal avec le volume Intérieur de l'enveloppe, est obtenue à travers la porosité du feutre et à travers au moins un ajour ménagé dans l'élément rigide pour mettre en relation son volume Intérieur, qui comporte le canal, et sa surface extérieure Plus précisément et par exemple, l'élément rigide allongé est un sabot perforé Le produit stratifié étant de manière courante un produit étendu au moins longitudinalement, sinon aussi transversalement, le conduit de drainage s'étend suivant au moins l'une des dimensions du produit, et notamment la plus grande Il en découle que SI cette technique est aisée à
mettre en oeuvre pour un produit stratifié globalement plan, son application à un produit présentant des dénivellations de surface et/ou une surface courbe est délicate. En effet, la structure rigide du conduit, nécessaire pour son maintien en conformation nonobstant la dépression qu'il véhicule, ne favorise pas son plaquage contre la surface extérieure du produit Il en découle une mauvaise répartition de la dépression à la surface du produit, et une altération de la qualité de ce dernier.
Une solution consiste à conformer spécifiquement le conduit de drainage en correspondance avec la conformation de la face du produit, avec pour conséquence un accroissement inopportun du coût de fabrication de ce dernier Il en ressort d'une manière générale que les difficultés à surmonter dans le domaine résident dans l'obtention d'une répartition homogène de la dépression sur la surface du produit sans aspiration de matières à travers le conduit, et dans la possibilité d'utiliser un même conduit d'aspiration pour divers produits présentant des surfaces respectives de conformation relativement quelconque. Une difficulté supplémentaire générale à surmonter réside dans l'obtention à un coût compétitif du conduit de drainage.
CONTENTID="45" CATEGORY="url3"/> Exemple informations texte exemple informations texte <B name="Andre" CONTAINERNUMBER="1" " CONTAINERID="88" CONTENTID="49"
La structure peut être choisie pour être étanche au vide. Dans ce cas, si le composant électronique est un composant apte à émettre un faisceau lumineux en réponse à un faisceau d'électrons reçu, la couche mince monocristalline peut être telle qu'elle permet passage dudit faisceau d'électrons. La structure peut former une membrane déformable sous l'effet. d'une férence de pression, ledit composant électronique étant un composant fournissant un signal représentatif déformation subie par la membrane.
Un deuxième objet de l'invention consiste en un procédé fabrication d'un tel dispositif semiconducteur à injection électronique verticale, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - report de la couche mince monocristalline sur une première face du substrat support, - réalisation d'au moins un composant électronique à partir de la structure , - formation d'au moins un évidement à partir d'une deuxième face du substrat pour permettre un accès électrique ou électronique au composant électronique au travers de la couche mince monocristalline, - réalisation de moyens permettant une injection électronique verticale dans le composant électronique.
Le procédé peut comprendre en outre une étape de formation d'au moins une couche active par croissance cristalline de matériau semiconducteur sur la couche mince monocristalline, le composant électronique étant réalisé dans ladite couche active, la croissance cristalline étant réalisée avant ou après report. la couche mince est une couche active, le composant électronique peut être réalisé à partir de cette couche mince monocristalline.
Le composant électronique peut éventuellement être réalisé en partie avant le transfert notamment lorsque la couche active est réalisée avant le transfert.
Selon un mode de réalisation particulierement avantageux, l'étape de report la couche mince monocristalline comprend les opérations suivantes .
- délimitation de ladite couche mince monocristalline dans un substrat de matériau monocristallin par introduction d'espèces gazeuses dans ce substrat de matériau monocristallin afin de créer une zone de fracture, la couche mince monocristalline se trouvant entre une face du substrat de matériau monocristallin et la zone de clivage, - solidarisation de ladite couche mince monocristalline sur la première face du substrat support, - séparation par fracture de la couche mince monocristalline du reste du substrat de matériau monocristallin, la séparation étant réalisée avant ou après l'opération de solidarisation obtenue par exemple par adhésion moléculaire.
De préférence, le report de ladite couche mince monocristalline se fait par l'intermédiaire 'une couche de collage. Cette couche de collage peut être en Si02.
Selon une variante de mise en oeuvre la réalisation des moyens permettant une injection electronique verticale dans le composant électronique comprend le dépôt d'une électrode sur le composant electronique et le dépôt d'une électrode sous composant électronique, dans ledit évidement permettant un accès au composant électronique. Le procédé peut alors comprendre le dépôt d'une masse dans ledit evidement, en contact avec ladite électrode disposee sous le composant afin de constituer un puits thermique.
Selon une autre variante de mise en ceuvre, procédé comprend le dépôt d'un revêtement conducteur apte à guider un faisceau d'électrons dirigé sur le composant électronique en passant dans ledit évidement.
Selon encore une autre variante de mise en #uvre, le procédé comprend également la formation 'alvéoles prolongeant l'évidement du substrat support pour permettre un accès électrique ou électronique à composants électroniques réalisés à partir de la structure.
Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels - les figures 1A à 1E illustrent les principales étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à injection électronique verticale selon l'invention, - la figure 2 montre, en coupe transversale, un autre dispositif semiconducteur à injection électronique verticale selon l'invention, - la figure 3 montre le dispositif de la figure 2 installé sur un équipement pourvu d'une cathode à micropointes, - la figure 4 montre, en coupe transversale, un autre dispositif semiconducteur à injection électronique verticale à structure alvéolée, selon l'invention.
Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La fabrication d' dispositif semi-conducteur à injection électronique verticale selon l'invention comprend le report d' couche mince monocristalline de très bonne qualité cristalline (semiconductrice ou non, isolante électriquement conductrice) sur la face avant d'un substrat semiconducteur ou non. Ce transfert peut s'effectuer par l'intermédiaire d'une couche mince isolante, métallique ou semiconductrice. La les couches actives désirées sont obtenues par croissance cristalline avant ou après report. Un ou plusieurs composants électroniques y sont réalisés. La face arrière du substrat est usinée ou micro-usinée localement afin de créer une membrane. La couche mince monocristalline peut éventuellement être amincie.
Selon une variante de réalisation, la couche active et la couche mince monocristalline forment une seule et même couche.
Le ou les composants électroniques peuvent être fabriqués avant ou après la formation de la membrane. Il est cependant préférable de fabriquer les composants électroniques avant de former la membrane afin de relâcher les contraintes mécaniques dans le dispositif en cours de fabrication. report de la couche mince monocristalline peut avantageusement se faire par le procédé connu sous le nom de Smartcut et divulgué notamment le document FR-A-2 681 472 (correspondant au brevet américain N 5 374 564). Les figures 1A et 1B illustrent ce procédé de transfert.
La figure 1A montre la fixation d'un premier substrat 1 en SiC sur un deuxième substrat 2 en silicium selon une interface de collage. Le substrat 1 possède une couche 3 de Si02 sur sa face de liaison avec le .substrat 2. Une implantation ionique réalisée au travers cette face a permis de créer une couche de microcavités 5 séparant le substrat 1 en une couche mince 7 .et partie restante 9 du substrat. Dans cet exemple, le substrat 2 possède également une couche 4 de Si02 sur sa face de liaison avec le substrat 1. Cependant, les deux faces en regard peuvent être de natures différentes à condition que le collage soit possible.
liaison entre les deux substrats s'obtient avantageusement par adhésion moléculaire. Une fois la liaison réalisée, on procède à la fracture du substrat 1 long de la zone de microcavités 5. Cette fracture peut être obtenue au moyen d'un traitement thermique et/ou par application de contraintes mécaniques. La fracture fournit la structure représentée à la figure 1B et constituée d'un substrat support 2 silicium supportant d'abord une couche 6 de Si02 (formée par la combinaison des couches 3 et 4), puis une couche 7 de SiC. On aurait pu également transférer couche 7 de son substrat initial 9 vers le substrat support 2 via au moins un substrat intermédiaire.
Elles peuvent notamment être choisies parmi les paraphénylènediamines, les bases doubles, les para-aminophénols, les ortho-aminophénols différents de ceux de formule (1) et les bases d'oxydation hétérocycliques.
Parmi les paraphénylènediamines utilisables à titre de base d'oxydation dans les composition tinctoriales conformes à l'invention, on peut notamment citer les composés de formule (II) suivante et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : Ri représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy(C1- C4)alkyle(C1-C4), alkyle en C1-C4 substitué par un groupement azoté, phényle ou 4'-aminophényle ; R2 représente un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou polyhydroxyalkyle en C2-C4, alcoxy(C1- C4)alkyle(C1-C4) ou alkyle en C1-C4 substitué par un groupement azoté , Ri et R2 peuvent également former avec l'atome d'azote qui les porte un hétérocycle azoté éventuellement substitué ; R3 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène tel qu'un atome de chlore, un radical alkyle en C1-C4, sulfo, carboxy, monohydroxyalkyle en C1-C4 ou hydroxyalcoxy en C1-C4, acétylaminoalcoxy en C1-C4, mésylaminoalcoxy en C1-C4 ou carbamoylaminoalcoxy en C1-C4.
R4 représente un atome d'hydrogène, d'halogène ou un radical alkyle en C1-C4 Parmi les groupements azotés de la formule (I) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl(C1-C4)amino, dialkyl(C1-C4)amino, trialkyl(Cl-C4)amino, monohydroxyalkyl(CI-C4)amîno, imidazolinium et ammonium Parmi les paraphénylènediamines de formule (1) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-chloro-paraphénylènediamine, la 2,3-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2,6-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2,6-diéthyl-paraphénylènediamine, la
2,5-diméthyl-paraphénylènediamine, la N,N-diméthyl-paraphénylènediamme, la N,N-diéthyl-paraphénylènediamine, la N,N-dipropyl-paraphénylènediamine, la 4-amino-N,N-diéthyl-3-méthyl-aniline, la N,N-bis-((3-hydroxyéthyl)- paraphénylènediamine, la 4-amino-N,N-bis-(p-hydroxyéthyl)-3-méthyl-aniline, la 4-amino-3-chloro-N,N-bis-(P-hydroxyéthyl)-aniline, la 2-p-hydroxyéthylparaphénylènediamine, la 2-fluoro-paraphénylènediamine, la 2-isopropylparaphénylènediamine, la N-(-hydroxypropyl)-paraphénylènediamine, la 2-hydroxyméthyl-paraphénylènediamine, la N,N-diméthyl-3-méthylparaphénylènediamine, la N,N-(éthyl, ss-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la N-(ss,[gamma]-dihydroxypropyl)paraphénylènediamine, la N-(4'-aminophényl)paraphénylènediamine, la N-phényl-paraphénylènediamine, la 2-p-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi les paraphénylènediamines de formule (1) ci-dessus, on préfère tout particulièrement la paraphénylènediamine, la paratoluylènediamine, la 2-isopropylparaphénylènediamine, la 2-p-hydroxyéthyl-paraphénylènediamine, la 2-p-hydroxyéthyloxy-paraphénylènediamine, la 2,6-diméthyl-paraphénylènediamine, la 2,6-diéthyl-paraphénylènediamine, la 2,3-diméthylparaphénylènediamine, la N,N-bis-(ss-hydroxyéthyl)-paraphénylènediamine, la 2-chloro-paraphénylènediamine, et leurs sels d'addition avec un acide.
Parmi les bases doubles utilisables à titre de bases d'oxydation dans les compositions tinctoriales conformes à l'invention, on peut notamment citer les composés répondant à la formule (III) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide :
dans laquelle : - Z1 et Z2, identiques ou différents, représentent un radical hydroxyle ou-NH2 pouvant être substitué par un radical alkyle en C1-C4 ou par un bras de liaison Y ; - le bras de liaison Y représente une chaîne alkylène comportant de 1 à 14 atomes de carbone, linéaire ou ramifiée pouvant être interrompue ou terminée par un ou plusieurs groupements azotés et/ou par un ou plusieurs hétéroatomes tels que des atomes d'oxygène, de soufre ou d'azote, et éventuellement substituée par un ou plusieurs radicaux hydroxyle ou alcoxy en Ci-Ce ; - R5 et Re représentent un atome d'hydrogène ou d'halogène, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4 polyhydroxyalkyle en C2-C4, aminoalkyle en C1-C4 ou un bras de liaison Y ; - R7, R8, Rg, Rio, R11 et R12, identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène, un bras de liaison Y ou un radical alkyle en C1-C4 ; étant entendu que les composés de formule (III) ne comportent qu'un seul bras de liaison Y par molécule.
Parmi les groupements azotés de la formule (III) ci-dessus, on peut citer notamment les radicaux amino, monoalkyl(Ci-C4)amino, dialkyl(C1-C4)amino, trialkyl(C1-C4)amino, monohydroxyalkyl(C1-C4)amino, imidazolinium et ammonium.
Parmi les bases doubles de formules (III) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le N,N'-bis-(ss-hydroxyéthyl) N,N'-bis-(4'-aminophényl) 1,3-diamino propanol, la N,N'-bis-(-hydroxyéthyl) N,N'-bis-(4'-aminophényl) éthylènediamine, la N,N'-bis-(4-aminophényl) tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-(ss-hydroxyéthyl) N,N'-bis-(4-aminophényl) tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-(4-méthylaminophényl) tétraméthylènediamine, la N,N'-bis-(éthyl) N,N'-bis- (4'-amino,
Parmi les para-aminophénols utilisables à titre de bases d'oxydation dans les compositions tinctoriales conformes à l'invention, on peut notamment citer les composés répondant à la formule (IV) suivante, et leurs sels d'addition avec un acide : dans laquelle : R13 représente un atome d'hydrogène,un atome d'halogène tel que le fluor, un radical alkyle en C1-C4, monohydroxyalkyle en C1-C4, alcoxy(C1-C4)alkyle(C1-C4) ou aminoalkyle en Ci-C4, ou hydroxyalkyl(C1-C4)aminoalkyle en Ci-C4.
R14 représente un atome d'hydrogène ou un atome d'halogène tel que le fluor, un radical alkyle en Ci-C4, monohydroxyalkyle en Ci-C4, polyhydroxyalkyle en C2-C4, aminoalkyle en C1-C4, cyanoalkyle en C1-C4 ou alcoxy(C1-C4)alkyle(C1-C4).
Parmi les para-aminophénols de formule (IV) ci-dessus, on peut plus particulièrement citer le para-aminophénol, le 4-amino-3-méthyl-phénol, le 4-amino-3-fluoro-phénol, le 4-amino-3-hydroxyméthyl-phénol, le 4-amino- 2-méthyl-phénol, le 4-amino-2-hydroxyméthyl-phénol, le 4-amino- 2-méthoxyméthyl-phénol, le 4-amino-2-aminométhyl-phénol, le 4-amino- 2-(p-hydroxyéthyl-aminométhyl)-phénol, et leurs sels d'addition avec un acide.
- la figure 10 montre le projecteur selon une coupe longitudinale verti-
cale correspondant à un sixième exemple de réalisation.
Les figures 1 à 10 montrent des projecteurs de véhicule
notamment de véhicule automobile ayant au moins une fonction lumi-
neuse. La fonction lumineuse peut être par exemple celle des feux de croisement et/ou des feux de route. Le projecteur comprend un boîtier
dont l'orifice de sortie de lumière est couvert par une vitre transpa-
rente 12 en verre ou en matière plastique. La vitre de couverture peut
être lisse de façon que la lumière la traverse sans pratiquement être in-
fluencée. En variante, la vitre de couverture 12 peut avoir au moins par endroits des profils optiques pour dévier et/ou disperser la lumière qui les traverse. Le boîtier 10 comporte au moins un réflecteur 14, auquel est associée une source lumineuse 16 placée dans une ouverture du
sommet du réflecteur. Le réflecteur 14 avec sa source lumineuse 16 as-
sure la fonction de feux de croisement ou la fonction de feux de croise-
ment et de feux de route. Dans l'exemple de réalisation représenté à la figure 2, on a juxtaposé deux réflecteurs; la source lumineuse 16 est associée au premier réflecteur; une seconde source lumineuse 20 est
associée au second réflecteur 18; cette source est placée dans une ou-
verture au sommet du réflecteur 18. Le premier réflecteur 14 avec la source lumineuse 16 peut assurer la fonction de feux de croisement et le second réflecteur 18 avec sa source lumineuse 20, la fonction de feux de route ou inversement. En variante, le premier réflecteur 14 et sa source lumineuse 16 assurent la fonction de feux de croisement et de feux de route et le second réflecteur 18 avec sa source lumineuse 20 assure la fonction de feux antibrouillards ou inversement. Les sources lumineuses 16, 20 peuvent être des lampes à incandescence ou des lampes à décharge de gaz. Les réflecteurs 14, 16 réfléchissent dans la direction de sortie 13, la lumière émise par chaque source lumineuse
16, 20 pour que cette lumière traverse la vitre de couverture 12.
L'invention offre notamment les avantages suivants. Une grammaire DTD permet de bien définir des structures complexes comme celles décrivant un modèle de service, un modèle SLA ou un modèle de description d'outils SLA. L'invention permet aussi de réutiliser une grammaire DTD, notamment pour l'étendre, ou pour l'introduire dans une autre DTD, ou encore pour s'en servir et l'adapter à une autre application de service. L'invention permet encore de créer facilement des modèles en langage XML. Il suffit de suivre les grammaires DTD créées pour savoir ce qu'il faut mettre dans un modèle. Néanmoins, l'écriture des documents XML peut se faire plus ou moins facilement selon les éditeurs graphiques utilisés. Trois
types de ces outils sont actuellement connus. Un simple éditeur de texte peut suffire, mais il ne permet pas de vérification des documents XML. Un éditeur de texte avec mode XML permet une vérification. Le meilleur outil est un éditeur conçu spécialement pour le langage XML. Un tel éditeur sait lire les grammaires DTD écrites et proposent une aide à la saisie et une validation efficace de ce qui a été écrit. En outre, les modèles créés suivant ces grammaires XML par un intégrateur de logiciels (qui écrit les modèles adaptés à ses clients) peuvent être aisément validés par des outils du marché permettant d'analyser un fichier XML suivant une grammaire DTD donnée.
D'autre part, l'invention fait une description générique, exhaustive et synthétique de la description des informations à fournir pour mesurer et surveiller la qualité de service. Des modèles de service sont créés par technologie, indépendamment d'un contrat de qualité. Des modèles SLA sont créés pour une technologie donnée, indépendamment des outils de collecte et des équipements, pour modéliser les différents niveaux de contrats applicables à la surveillance d'un service. Des modèles de description d'outils SLA sont créés pour une technologie et un équipement donné pour définir les outils utilisables pour vérifier le contrat. Un modèle de description d'outils SLA n'est installé dans le système d'administration 10 que si un modèle SLA, définissant le modèle du contrat, et un modèle de service, définissant les équipements sujets à mesures, pour une technologie concernée, ont déjà été installés. Il suffit alors de créer un nouveau modèle de description d'outils SLA pour supporter un nouvel équipement pour cette technologie. La description de ces modèles permet donc de décrire de manière synthétique et exhaustive les informations concernant la mesure et la surveillance de la qualité de service d'un service de télécommunication.
Il ressort de la description qui précède que l'invention peut s'appliquer à tout service incluant au moins un composant technique qui peut être physique, tel qu'une connexion dans l'exemple choisi, et/ou applicatif comme aussi illustré. Tout langage de modélisation en technologie orientée objets peut être utilisé. On a vu aussi que chaque structure peut être génératrice d'au moins un modèle respectif, et que chaque modèle peut aussi
générer au moins une unité telle qu'un service, un contrat et un outil de collecte.
Il ressort aussi que le procédé de contrôle de qualité de service peut être utilisé d'une façon réduite à la construction de services à partir d'une structure de modèle de service. Dans ce cas, le procédé ne peut plus faire du contrôle de qualité mais il peut servir à la surveillance d'au moins un service. La surveillance de services sert notamment à connaître les services et leurs états. L'invention a donc pour premier objet un procédé de surveillance d'un service 85 incluant au moins un composant technique 86 défini selon une parmi plusieurs technologies possibles et comprenant : une description (SI, annexe 1), faite en un langage de modélisation en technologie orientée objets (UML, XML) et indépendante desdites technologies, de la structure d'un modèle 80 de service ; la construction (S4, annexe 2) d'un modèle 80 de service à partir de la description de ladite structure ; la construction (S7) du service 85 à partir du modèle 80 de service ; et la surveillance du service ainsi construit. Dans cette définition, un service est la base, le procédé s'appliquant de la même façon à tout ensemble de services.
Plus généralement, l'invention a pour second objet un procédé de contrôle de la qualité d'un service 85 incluant au moins un composant technique 86 défini selon une parmi plusieurs technologies possibles, la qualité de service étant définie par un contrat technique 100 entre le fournisseur du service et un client et le contrat 100 incluant des critères de qualité 101 associés à des seuils 102 et relatifs à ladite technologie. Le procédé comprend : une description (SI, S2, S3, annexes 1,3, 5), faite en un langage de modélisation en technologie orientée objets (UML, XML) et indépendante desdites technologies, de la structure d'un modèle 80 de service, de la structure d'un modèle 90 de contrat et de la structure d'un modèle 110 d'outils de collecte ;la construction (S4, S5, S6, annexes 2,4, 6) d'un modèle de service 80, d'un modèle de contrat 90 et d'au moins un modèle d'outils de collecte 110 à partir des descriptions respectives desdites structures ; la construction (S7-S9) du service 85, du contrat 100 et d'au moins un outil (120) de collecte à partir des modèles respectifs (80,90, 110) ; la collecte, à l'étape
S 10, d'indicateurs de qualité de service 103 au moyen d'au moins ledit outil 120 ; et la comparaison, à l'étape S11, des indicateurs de qualité 103 avec les seuils 102 définis dans le contrat 100. Dans cette définition, un service est la base, le procédé s'appliquant de la même façon à tout ensemble de services.
Selon l'exemple illustré, la description (SI, annexe 1) de la structure d'un modèle de service 80 est faite à partir d'une classe de modèle de service ServicePackage incluant au moins un modèle 81 relatif à au moins ledit composant 86 et défini dans une classe de composant (EndPoints, Applications) selon lesdites technologies possibles.