INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- le 2, 2'-dihydroxy-4, 4'-diméthoxybenzophénone (HELISORB Il de NORQUAY), - le 2-hydroxy-4-n-octoxybenzophénone, - le 2-hydroxy-4-méthoxy-4'-méthylbenzophénone, - l'acide a- (2-oxoborn-3-ylidène)-tolyl-4-sulfonique et ses sels, - le 3- (4'-sulfo) benzylidèn-bornan-2-one et ses sels, - e 3-(4'-méthylbenzylidène)-d,l-camphre, - le 3-benzylidène-d, l-camphre, - l'acide benzène 1,4-di (3-méthylidène-10-camphosulfonique) et ses sels (MEXORYL SX de CHIMEX), - l'acide urocanique, - le 2, 4-6-tris-[p-(2'-éthylhexyl-1'-oxycarbonyl)anilino]-1, 3,5-triazine, - e 2-[p-(tertiobutylamido)anilino]-4,6-bis[p-(2'-éthylhexyl-1'- oxycarbonyl) anilino]-1, 3,5-triazine, - le 2,4-bis [4-2-éthyl-hexyloxyl]-2-hydroxyl-phenyl}-6-(4-méthoxy- phenyl)-1, 3,5-triazine, - le polymère de N- (2 et 4)-[2-oxoborn-3-ylidèn) méthyl) benzyl]- acrylamide, - t'acide 4, 4-bis-benzimidazolyl-phénylèn-3, 3', 5, 5'-tétrasulfonique et ses sels, - le 2, 2'-méthylèn-bis-[6- (2H-benzotriazol-2-yl)-4- (1, 1, 3, 3- tétraméthylbutyl) phénol], - les polyorganosiloxanes à fonction malonate.
L'invention porte aussi sur un procédé de traitement cosmétique, par l'application des compositions telles que définies ci-dessus, selon la technique d'utilisation habituelle de ces compositions. Par exemple : application de crèmes, de gels, de sérums, de pommades, de lotions, de laits sur la peau, le cuir chevelu, les ongles et/ou les muqueuses.
Les compositions favorisant la desquamation sont adaptées pour le traitement des peaux sèches ou pour lutter contre le vieillissement cutané.
Par conséquent, l'invention porte aussi sur l'utilisation de compositions telles que décrites précédemment pour le traitement des peaux sèches ou le traitement et/ou la prévention du vieillissement cutané.
Il est également possible, pour des besoins de formulations ultérieures, d'obtenir un extrait sec par toute méthode classique en la matière.
Les analyses réalisées par HPLC montrent que l'extrait ainsi obtenu contient de la tyramine. Selon la provenance des plantes et la saison de récolte, l'homme de l'art ajuste les proportions données ci-dessus pour obtenir des extraits dont la teneur en tyramine soit constante d'une extraction à l'autre.
Cet exemple d'obtention de la tyramine dans un extrait Citrus reticulata n'est pas limitatif. Il est en effet possible de réaliser cet extrait par d'autres procédés comme, par exemple, la macération, la simple décoction, la lixiviation, l'extraction sous reflux, l'extraction au moyen d'ultrasons ou de micro-ondes ou enfin des techniques à contre courant, sans que cette liste soit limitative.
Par ailleurs, les solvants d'extraction cités ci-dessus ne sont pas limitatifs et peuvent être choisis parmi l'eau, le propylène glycol, le butylène glycol, la glycérine, le polyéthylène glycol, les éthers méthyliques ou éthyliques des diglyools, les polyols cycliques, les diglycols éthoxylés ou propoxylés, les alcools (méthanol, éthanol, propanol, butanol), ou tout mélange de ces solvants.
En résumé, dans le cadre de ce brevet, pour répondre aux activités attendues, la tyramine peut: # provenir d'extrait de végétaux, préférentiellement du Citrus reticulata, # provenir de tout procédé de synthèse, # être utilisés seule ou en association avec d'autres molécules actives, # être purifiée et vectorisée dans tous supports dont les liposomes, # être greffée, sur le OH ou sur le NH2, par toute chaîne alkoyle, linéaire ou branchée, saturée ou insaturée, hydroxylée ou soufrée ou non, contenant 1 à 24 atomes de carbone.
La tyrarnine peut être présente dans toutes les formes galéniques utilisées en Cosmétique et en dermopharmacie. Les deux compositions suivantes ne sont données qu'à titre d'exemple.
Exemple N 1- Crème de iour Volpo S20 2,4 Volpo S2 2,6 Prostéaryl 15 8,0 Cire d'abeille 0,5 Abil%) ZP2434 3,0 Propylène glycol 3,0 Carbopol* 941 0,25 Tnéthanolamine 0,25 Tyramine 5,0 Eau & conservateurs QSP 100g
Exemple N 2 - Lait corporel déodorant et éclaircissant Crillet 3 2,5 Novol 0,9 Fluilan 2,5 Carbopol 940 0,3 Cire d'abeille 2,0 Triéthanolamine 0,1 Glycérine 5,0 Tyramine 3,0 Eau & conservateurs QSP 100g
Les exemples suivants démontreront l'effet éclaircissant de la tyramine. Exemple N 3 - Inhibition de la tyrosinase humaine (in vitro) Cet exemple mets en évidence une activité dopamine oxydase.
Des mélanocytes humains normaux (MNH) en culture sont lysés par un tampon Igépal associé à des ultrasons et l'extrait cellulaire est mis au contact d'un tampon contenant de la tyramine, à des concentrations de 0, 1, 0,3 et 1 % (p/p) ou n'en contenant pas (contrôles) L'activité de la tyrosinase est alors quantifiée au travers de son activité L-Dopa oxydase par une mesure de la D.O. à 490 nm de la quantité de Dopachrome formé à partir du L- Dopa. La réaction est donc initiée par l'ajout de L-DOPA.
La cinétique est suivie sous une longueur d'onde de 490 nm toutes les 10 minutes entre TO et 1H puis toutes les 30 minutes jusqu'à 2 Heures.
Le tableau suivant résume les résultats moyens des pourcentages d'inhibition, observés par rapport au contrôle au même temps, obtenus sur 8 essais différents. r+_10' + 20' +30' +40' +50' +60' +90' +120 --------------------------------------------------------------- .____ -_14;1_._.- _-13,4 - - _14,2-_.__ -_14;0 ____ __13,2 _--__ Tyramine 0,1% --------------------------------------------------- ..---------------------------------------------- 5 _ ___ _3-1;7 ._ -__ "_____ Tyramine 0,3% ,--_._--__-_35,g-_-__ --.4 -__- _50,9-__- _52,g-_._ --5-------------------------- 3.g Tyramine 1,0% -27,p Ces résultats démontrent une baisse importante de l'activité de la tyrosinase en présence de tyramine. Comme la présence ou l'absence de cette tyramine est la seule variable de l'expérimentation décrite, il est clair que l'effet observé ne peut provenir que de la tyramine. Enfin, cet effet est spécifique du système observé avec la tyramine puisque l'effet observé est clairement concentration-dépendant.
Il est bien entendu que nous avons validé cet essai par ailleurs en s'assurant de la stabilité du système par la réalisation de cas sans L-Dopa et sans tyramine.
Exemple N 4 - Inhibition de la tyrosinase (in vitro) S'il est intellectuellement satisfaisant d'utiliser des cellules humaines pour démontrer un effet physiologique, il est bien connu que les résultats obtenus sont quelquefois sujets à de grandes variations dues à la variabilité interindividuelle des donneurs.
Pour cette raison, bien que les résultats précédents ne laissent aucun doute sur l'effet inhibiteur de la tyramine sur la tyrosinase, nous avons réalisé des expérimentations différentes avec un autre modèle.
Les cellules utilisées dans cet exemple sont celles de mélanomes B16 qui produisent beaucoup de mélanine et qui servent couramment pour étudier l'activité de la tyrosinase ainsi que pour celle de la synthèse de mélanine.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 'les figures 1 et 2 sont des vues en coupe schématiques de modes de réalisation particuliers du dispositif objet de l'invention, 'les figures 3A à 3D illustrent schématiquement des étapes d'un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, 'la figure 4 est une vue en coupe schématique d'un autre mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention, et 'les figures 5 à 7 sont des vues schématiques de modes de réalisation particuliers du système optique objet de l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Le dispositif conforme à l'invention, qui est schématiquement représenté sur la figure 1, comprend un composant optoélectronique 2. Ce composant comporte un substrat 4, par exemple en GaAs, qui constitue un substrat de croissance : on a fait croître sur ce substrat une couche épitaxiale 6 dans laquelle on a formé une ou plusieurs zones actives, telles que les zones actives 8, destinées à émettre ou à détecter des faisceaux lumineux 10. Le substrat 4 est transparent à ces faisceaux 10.
Le composant optoélectronique 2 peut avoir l'épaisseur nominale qu'il avait lors de la croissance de la couche épitaxiale 6 et de la formation des zones actives 8 ou peut être aminci jusqu'à une épaisseur choisie (inférieure à l'épaisseur nominale).
Le composant 2 émet de la lumière vers la face opposée à celle à partir de laquelle on a formé les zones actives 8 ou détecte de la lumière provenant de cette face opposée.
Le dispositif de la figure 1 comprend aussi un support 12 également appelé support mécanique, dont une face est fixée à cette face opposée. Des trous 14 sont formés dans ce support 12 à partir de l'autre face de celui-ci. Ces trous sont respectivement formés en regard des zones actives 8 : l'axe 16 de chaque trou rencontre la zone active qui lui correspond.
Chaque trou est destiné à recevoir l'extrémité d'une fibre optique 18 dont le coeur ( core ) a la référence 20 sur la figure 1. Cette fibre est destinée à être couplée à la zone active 8
correspondant au trou dans lequel on introduit cette fibre. Le diamètre de cette fibre est très légèrement inférieur au diamètre de ce trou.
Dans l'exemple de la figure 1, chaque trou 14 est borgne : il ne débouche pas sur la face du support à laquelle est fixé le composant optoélectronique 2. Dans ce cas, on choisit un support en un matériau transparent à la lumière émise par les zones actives 8 ou détectée par ces zones.
Dans l'exemple de la figure 2, au contraire, les trous 14 sont des perçages : ils débouchent sur la face du support 12 qui est fixée au composant 2. On a représenté sur cette figure 2 les fibres 18 logées dans les trous correspondants 14.
Une couche de colle 22 disposée à la périphérie de chaque fibre permet de maintenir l'extrémité de cette fibre dans le trou correspondant 14.
Dans les exemples des figures 1 et 2, on voit simplement deux fibres optiques adjacentes mais on pourrait en prévoir beaucoup plus, formant un réseau ( array ) linéaire (respectivement bidimensionnel) de fibres optiques, destiné à être couplé à un réseau linéaire (respectivement bidimensionnel) de zones actives, formé sur le composant 2.
On verra plus loin comment obtenir aisément les alignements entre les fibres optiques et les zones actives.
Les dispositifs des figures 1 et 2, formés comme on l'a expliqué, sont extrêmement solides si le matériau du support 12 est choisi de manière adéquate,
par exemple en corindon ou en silicium. Il est préférable de choisir un matériau qui est en outre facile à travailler et il convient de noter que le silicium a cette qualité.
La solidité de l'assemblage composantsupport mécanique et la facilité de perçage de ce support avec la précision demandée (généralement I1 pm) ou les formes demandées (par exemple cylindriques ou coniques) constituent deux avantages de la présente invention.
En ce qui concerne la solidité de l'assemblage, indiquons que cet assemblage peut être formé avant ou, au contraire, après la formation des zones actives 8.
Préparation 7 :Immunogènes IFNy a) L'immunogène IFNy dérivé de l' IFNy (Péprotech inc., Rocky Hill) est obtenu par traitement au formol à 37 C suivi d'un traitement court à la glutaraldéhyde, conformément au protocole décrit pour l'immunogène p53.
Caractéristique de l'immunogène : L'antigénicité de la cytokine IFNy traitée par rapport à celle de la protéine recombinante native a été mesurée à l'aide d'un test ELISA de R&D
(DTA50) : Les cytokines IFNy native et traitée présentent une antigénicité équivalente.
L'absence de toxicité in vitro est mesurée par un test de prolifération cellulaire. La cytokine IFNy traitée utilisée à des doses 10 fois et 30 fois supérieures aux doses physiologiques ne modifie pas la prolifération des cellules mononucléées du sang périphérique humain activés par le SEB. b)lmmunogène plasmidique IFNy pour vaccination ADN L'immunogène plasmidique IFNy est représenté par un ADNc de l'IFNy cloné Etude pharmacologique A - Présence dans le milieu extracellulaire de tumeurs malignes, de molécules participant à l'immunosuppression, l'apoptose ou l'angiogénèse du micro environnement des cellules cancéreuses.
Expérimentation A1 : La protéine p53 qui s'accumule dans les tumeurs malignes et est présente dans les milieux extracellulaires dont le sérum (Zusman I, Sandler B, Gurevich P, Zusman R, Smirnoff P, Tendler Y, Bass D, Shani A, Idelevich E, Pfefferman R, Davidovich B, Huszar M, Glick J.
Comparative study of the role of serum levels of p53 antigen and its tumor cell concentration in colon cancer detection. Hum Antibodies Hybridomas. (1996) :123-8), active la surproduction par les APC d'IFNa,, médiateur de l'immunosuppression, et de TNFa, cytokine participant à l'expression des molécules d'adhérence des cellules endothéliales et à l'apoptose des cellules immunitaires.
Protocole expérimental Des macrophages, qui proviennent de la différentiation de monocytes élutriés cultivés pendant 5 jours dans des poches de téflon en présence de GMC-SF (F. Sallusto et al, Efficient presentation of soluble antigen by cultured human dendritic cells is maintained by granulocyte/macrophage colony-stimulating
factor plus interleukin 4 and downregulated by tumor necrosis factor alpha. J Exp Med (1994) 179, 1109), sont activés avec du LPS pendant 16 heures. Ces macrophages ainsi activés sont ensuite cultivés en présence de doses croissantes (0 - 10 g/ml) de la protéine recombinante p53 native (sc-4246, Santa Cruz) et de protéine contrôle, ) dans du milieu sans sérum pendant 24 heures. La protéine contrôle a été la protéine recombinante p24 (protéine du HIV-1, origine ANRS) Résultats : La mesure de la surproduction APC d'IFNa, et de TNF[alpha] dans les surnageants (SN) de culture des APCs s'effectue respectivement par le test biologique standard de l'IFNa, utilisant la lyse des cellules MDBK par le VSV (S.
Rubinstein et al, Convenient assay for interferons. J. Virol (1981) 37,755) et par un test ELISA de R&D (DTA50, R&D).
Le titre d'IFNa, dans les surnageant correspond à l'inverse de la plus forte dilution des surnageants induisant 50 % de protection des cellules contre l'effet cytopathique du VSV. La mesure de TNF[alpha] dans les surnageants est réalisée en suivant le protocole décrit par le producteur et est exprimée en pg/ml. Les résultats sont représentés dans le tableau suivant
p53 expérimental Titre d'IFNa (dilution'') TNFa (pg/ml) 10 g/ml 128 8700 3 g/ml 64 6200 1 g/ml 32 5600 0,3 g/ml 12 2600 0,1 pg/ml 6 1300 00 g/ml 2 200
p24 contrôle Titre d'IFNa (dilution-') TNFa (pg/ml) 10 pg/ml 2 250 3 pg/ml 2 200 1 g/ml 2 200 0,3 pg/ml 2 200 0,1 g/ml 2 200 00 g/ml 2 200
La protéine recombinante p53 native induit la surproduction d'IFNa, et de TNFa, alors que la protéine recombinante p24 utilisée dans les contrôles n'induit aucune synthèse.
Un lysat de culture de cellules d'insectes à baculovirus exprimant la protéine p53 a donné des résultats similaires à ceux décrits pour la protéine recombinante p53 produite chez E Coli.
Expérimentation A2: La cytokine TGFss, relâchée dans le milieu extracellulaire par des cellules cancéreuses inhibe la prolifération de cellules T et active la production par les macrophages de l'IFNa., cytokine immunosuppressive majeure.
Protocole expérimental Des cellules mononucléées du sang périphérique humain, isolées sur gradient de Ficoll à partir du sang périphérique de sujet sain, sont cultivés en présence de l'anticorps anti-CD3 et en présence de doses croissantes (0-30 ng/ml) de la protéine recombinante TGFss active (240-B-002, R&D) et de doses croissantes (0-30 ng/ml) d'une protéine contrôle, la protéine recombinante p24.
ANNEXE 4 Instructions de type "navigation" Instruction "changer-contexte" Instruction "changer-service"
ANNEXE 5 Instruction de type "utilisation" Instruction "sinon" Instruction "parametre-liste"
ANNEXE 6 N#uds Webbike du type permettant la définition d'une sous-fonction d'extraction : N#uds Webbike du type permettant d'interpréter de façon conditionnelle une séquence d'au moins un n#ud Webbike : [ ] [ ] N#uds Webbike du type permettant la définition d'une URL dynamique pour une page HTML : ).
Ici le tag param associe un nom de paramètre de la page avec un Nom de paramètre de la requête (paramètre d'un constructeur D'objet SIDL) - -> ). - ->
N#uds Webbike du type permettant la définition d'une page Webbike : [ ] [ ] - ->
DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UN CIRCUIT DE HAUTE FREQUENCE AVEC UNE INDUCTANCE La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et un procédé de fabrication de ce dispositif à semiconducteur, et plus particulièrement un dispositif à semiconducteur comprenant un circuit de haute fréquence avec une inductance.
On décrira un exemple de la structure dispositif à semi conducteur avec un circuit de haute fréquence en référant à la figure La figure 35 est un schéma synoptique de la structure d'un dispositif semiconducteur 90 qui a la fonction de recevoir des signaux hertziens dans la gamme radiofréquence de 10 kHz à 100 GHz et de fournir en sortie des signaux audio.
Comme représenté sur la figure 35, le dispositif à semiconduc teur 90 comprend au moins une partie de circuit RF 91 pour démoduler des signaux hertziens reçus, une partie logique 92 pour traiter et couver - en signaux audio les signaux démodulés par la partie de circuit RF 91, une partie de cellules de mémoire 93 pour enregistrer des données nécessaires pour le traitement de signal dans la partie de circuit RF 91 et partie logique 92. Le dispositif à semiconducteur 90 est connecté à unité d'antenne 94 pour recevoir des signaux hertziens et à un dis positif de sortie sonore 95 pour fournir en sortie des signaux audio.
Des circuits dits de haute fréquence, incluant la partie de circuit RF 91, comprennent une inductance (élément inductif) en plus d'une ré sistance et d'un condensateur. Du fait que l'inductance a pour action d'avancer la phase d'un courant de haute fréquence, l'utilisation d'une telle inductance en association avec le condensateur qui agit de façon à retarder la phase du courant de haute fréquence, procure l'adaptation concernant le courant de haute fréquence. inductance L1 dans la partie de circuit RF 91 illustrée sur la figure a un condensateur parasite C1 qui est relié à la masse par l'intermédiaire d'une résistance R1. La résistance R1 est la résistance d'un substrat semiconducteur sur lequel la partie de circuit RF 91 est formée. Des valeurs très faibles ou très élevées d'une telle résistance ne posent aucun problème, mais certains types de substrats ont une résis tance (par exemple environ 100 n.cm) qui consomme de l'énergie à cause de la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique.
figure 36 est une vue en perspective de la structure l'in ductance . Comme représenté sur la figure 36, l'inductance L1 for mée en enroulant un conducteur en une forme en spirale, et elle donc appelée ' après une "inductance en spirale SI". Le centre de la spirale, qui est une première extrémité de l'inductance en spirale SI, est connecté à une interconnexion WL sous-jacente par l'intermédiaire d'une partie de contact CP qui traverse une pellicule isolante inter-couche, non repré sentée. Comme on l'a décrit, il est courant que des dispositifs à semi conducteur ayant chacun un circuit de haute fréquence comprennent ce qu'on appelle une inductance en spirale. Un côté de l'inductance en spi rale a une dimension de 100 à 200 pm, et une couche isolante dont les dimensions sont appropriées à celles de l'inductance en spirale est for mée à la surface d'une plaquette d'interconnexion, sous l'inductance en spirale. II a cependant un problème consistant en ce qu'une couche isolante avec une étendue excessivement grande est un obstacle à la miniaturisation des dispositifs à semiconducteur, tandis qu'une couche isolante avec une étendue excessivement petite ne permet pas négli ger la dissipation de puissance induite de façon électrostatique la dis sipation de puissance induite de façon électromagnétique, qui sont dues à l'inductance en spirale.
premier aspect de la présente invention porte sur un dispo sitif à semiconducteur comprenant : un substrat semiconducteur; une première pellicule d'oxyde d'isolation formée sur une surface principale du substrat semiconducteur; et un élément inductif formé sur une région dans laquelle la première pellicule d'isolation est formée, avec interposi tion d'une pellicule isolante inter-couche, dans lequel la première pelli- cule d'oxyde d'isolation est formée de façon qu'une distance horizontale entre une surface d'extrémité de la première pellicule d'oxyde d'isolation et la plus proche des surfaces d'extrémité de l'élément inductif ne soit inférieure à une distance verticale entre une surface inférieure de 'élément inductif, qui est opposée à la première pellicule d'oxyde d'iso lation, et une surface du substrat semiconducteur. Un second aspect de la présente invention porte sur un dispo- sitif à semiconducteur comprenant : un substrat semiconducteur; une première pellicule d'oxyde d'isolation formée sur une surface principale substrat semiconducteur; un élément inductif formé dans une région dans laquelle la première pellicule d'oxyde d'isolation est formée, avec interposition d'une pellicule isolante inter-couche; et une couche conduc trice formée à une hauteur située entre la première pellicule d'oxyde d'isolation et l'élément inductif; dans lequel la couche conductrice est formée de façon qu'une distance horizontale entre une surface d'extré mité de la couche conductrice et la plus proche des surfaces d'extrémité l'élément inductif ne soit pas inférieure à une distance verticale entre surface inférieure de l'élément inductif et surface du substrat semiconducteur. Un troisième aspect de la présente invention porte sur un dis positif à semiconducteur comprenant : un substrat semiconducteur; une première pellicule d'oxyde d'isolation formée dans une surface principale du substrat semiconducteur; un élément inductif formé sur une région dans laquelle la première pellicule d'oxyde d'isolation est formée, avec interposition d'une pellicule isolante inter-couche; une région de motif fictif formée autour de la première pellicule d'oxyde d'isolation et divisée par une seconde pellicule d'oxyde d'isolation ayant largeur inférieure à celle de la première pellicule d'oxyde d'isolation, en une vue en plan.
Dans un dispositif à semiconducteur conforme à un quatrième aspect de la présente invention, la première pellicule d'oxyde d'isolation est formée de façon qu'une distance horizontale entre chaque surface d'extrémité de la première pellicule d'oxyde d'isolation et la plus proche des surfaces d'extrémité de l'élément inductif ne soit pas inférieure à une distance verticale entre la surface inférieure de l'élément inductif et la surface du substrat semiconducteur. Dans un dispositif à semiconducteur conforme à un cinquième aspect de la présente invention, le substrat semiconducteur est un subs trat silicium sur isolant (ou S01 ) comprenant une partie de substrat de vant constituer une base, une pellicule d'oxyde enterrée formée sur la partie de substrat, et couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde en terrée; et la distance verticale est une distance verticale entre la surface inférieure de l'élément inductif et une surface de la partie de substrat.
Dans un dispositif à semiconducteur conforme à un sixième as pect de la présente invention, la première pellicule d'oxyde d'isolation comprend une première partie ayant une première largeur et s'étendant dans une direction de profondeur par rapport à une surface de la pelli cule d'oxyde enterrée une seconde partie ayant une seconde largeur inférieure à la première largeur et étant formée de façon continue sous la première partie, en étendant dans une direction de la profondeur par rapport à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée, pour atteindre la pellicule d'oxyde enterree; et la surface d'extrémité de la première pelli cule d'oxyde d'isolation une surface de la seconde partie.
Dans un dispositif à semiconducteur conforme à un septième aspect de la présente invention, la première pellicule d'oxyde d'isolation a une largeur prédéterminée et s'étend dans une direction de la profon deur par rapport à une surface de la pellicule d'oxyde enterrée.