INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation préféré, ces coupleurs de formule (III), (IV) ou (V) sont choisis parmi la 2, 6-diméthoxy-3, 5-diaminopyridine ; la 6-méthoxy-N2-méthyl- 2, 3-diaminopyridine ; la 6-methoxy-2, 3-diaminopyridine ; la 2, 6-diamino-pyridine.
Le ou les coupleurs pyridiniques sont de préférence présents dans la composition en quantité comprise entre 0, 0001 à 10 % en poids environ du poids total de la composition tinctoriale et encore plus préférentiellement de 0, 005 à 6 % en poids environ de ce poids.
(ii) si seul l'un des deux peignes est polarisé au potentiel permettant le greffage, l'autre peigne en vis-à-vis étant mis au potentiel de l'électrode de référence, le greffage n'aura lieu que sur le peigne polarisé.
4. Echantillons macroscopiques (lames composites) Quatre séries d'échantillons ont été produites : Si (n) Si02/Au, Si (p) Si02/Au, Si (n) /Au et Si (p) /Au. Les épaisseurs des dépôts obtenus sur les pavages dorés varient de 5 à 120 nm suivant les protocoles électrochimiques, la qualité des surfaces d'or et selon la nature du dopage du silicium.
4.1. Analyse infrarouge Les figures 5A et 5B montrent les spectres IRRAS comparés, dans la région des nitriles, sur le côté or et sur le côté SiO2 pour un silicium dopé (p). Les épaisseurs obtenues dans les deux cas sont de l'ordre de 40 nm, mais correspondent à des surfaces d'or de qualités différentes (répertoriées en première et deuxième séries d'échantillons), et selon des protocoles électrochimiques différents.
Plus précisément, les figures 5A et 5B sont les spectres IRRAS comparés sur surfaces mixtes Si (p) Si02/Au (figures 2A et 2B) dans la zone des nitriles.
Le spectre de la figure 5A a été réalisé dans les conditions suivantes : première série : 50 balayages,
Von =-0, 641 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2400 V/ (Ag+/Ag), IR = 100 Q ; et le spectre de la figure 5B a été réalisé dans les conditions suivantes : deuxième série : 10 balayages, Von =-0,538 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2 600 V/ (Ag+/Ag), IR = 100 Q. Les surfaces sont de provenance différente dans chaque série.
La figure 6 montre les mêmes spectres IRRAS comparés pour une surface mixte Si (n) SiO2/Au de la première série.
Plus précisément, la figure 6 montre les spectres IRRAS comparés sur surfaces mixtes Si (n) SiO2/Au (figures 2A et 2B) dans la zone des nitriles. Première série : 20 balayages, Von =-0, 723 V/ (Ag+/Ag), Vff =-2 400 V/ (Ag+/Ag), IR = 80 Q.
Les figures 7A et 7B montrent les spectres IRRAS comparés, dans la région des nitriles, sur le côté or et sur le côté Si pour un silicium dopé (n) et (P).
Plus précisément, les figures 7A et 7B montrent les spectres IRRAS comparés sur surfaces mixtes Si/Au (figures 2A et 2B) dans la zone des nitriles. Figure 7A : Si (n), 50 balayages, Von =-0,599 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2 300 V/ (Ag+/Ag) ; figure 7B : Si (p), 10 balayages, Von =-0,747 V/ (Ag+/Ag), Voff = 2 400 V/ (Ag+/Ag), IR = 70 Q.
4. 2. Analyse XPS Les figures 8A et 8B montrent les spectres XPS comparés, dans la région de la raie Nls de l'azote, sur le côté or et sur le côté Si02 pour un silicium dopé (p), pour les mêmes échantillons-respectivement - que ceux des figures 5A et 5B. Les figures 9 et 10 montrent l'analyse XPS de la raie Nls pour les échantillons des figures 6,7A et 7B.
Plus précisément, les figures 8A et 8B montrent les spectres XPS comparés sur surfaces mixtes Si (p) SiO2/Au (figures 2A et 2B) dans la région Nls de l'azote. Figure 8A (première série) : 50 balayages, Von =-0,641 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2 400 V/ (Ag+/Ag), IR = 100 Q ; figure 8B (deuxième série) : 10 balayages, Von =-0,538 V (Ag+/Ag), Voff =-2 600 V/ (Ag+/Ag), IR = 100 Q. Les surfaces sont de provenance différente dans chaque série.
La figure 9 montre les spectres XPS comparés sur surfaces mixtes Si (n) SiO2/Au (figures 2A et 2B) dans la région Nls de l'azote : 20 balayages, Von =-0,723 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2400 V/ (Ag+/Ag), IR = 80 Q.
Les figures 10A et 10B montrent les spectres XPS comparés sur surfaces mixtes Si/Au (figures 2A et 2B) dans la région Nls de l'azote. Figures 10A : Si (p), 50 balayages, Von =-0,599 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2 300 vi (Ag+ IAg) ; figure 10B : Si (p), 10 balayages, Von =-0,747 V/ (Ag+/Ag), Voff =-2 400 V/ (Ag+/Ag), IR = 70 Q.
4. 3. Résultats Le Tableau I répertorie les conditions opératoires et sélectivités de greffage obtenues pour les divers échantillons. Sauf mention spéciale, le contact électrique permettant la polarisation a toujours lieu du côté de l'or.
5. Echantillons microscopiques (peignes interdigités) Dans toute cette série, la polarisation est effectuée par l'or (voir montage Figures 3A et 3B). Un protocole de 10 balayages voltammétriques jusqu'à un potentiel de retour de-2.4 V/ (Ag+/Ag) a été choisi, et une compensation de chute ohmique de 100 Q.
boîtier comportant un projecteur de croisement, un projecteur de route, un indicateur de direc-
tion, une lampe de ville, et que l'on désire implanter une fonction supplémentaire ou complé-
mentaire. De la même façon, des cas peuvent se présenter o la place disponible pour implanter une fonction d'éclairage ou de signalisation est limitée, et o cette fonction doit être implantée pour satisfaire à la réglementation en vigueur. C'est par exemple le cas d'un troisième feu de stop qui, en fonction des caractéristiques d'un véhicule donné, ne peut être installé qu'à l'intérieur de l'habitacle du véhicule, à proximité de la lunette arrière, ce troisième feu de stop
réduisant la visibilité à travers cette lunette arrière.
muler soit des discontinuités entre différents composants, comme entre le réflecteur et la glace
de protection d'un projecteur, soit des parties n'ayant pas de fonction optique, comme le boî-
tier lui-même, sont utilisés maintenant comme éléments de décoration, en leur donnant des aspects, par exemple une teinte ou un revêtement réfléchissant, ou des configurations, par
exemple des reliefs ou des motifs, particuliers pour obtenir un effet esthétique nouveau.
Par contre, les éléments du dispositif d'éclairage ou de signalisation qui participent à l'élaboration du faisceau lumineux, c'est à dire les composants optiques, ne permettent pas de telles libertés de style. En effet, les réglementations en vigueur imposent que les faisceaux lumineux émis par de tels dispositifs respectent des contraintes concernant aussi bien leur étendue géométrique que leurs qualités photométriques, tant en intensité lumineuse qu'en -2- couleur dominante. Il n'est alors possible de donner à ces composants optiques que des teintes ou colorations très légères, de manière à rester sans effet notable sur le faisceau lumineux
- générer une ouverture importante des mors pour un effort de démultiplication donné, mais avec une ouverture limitée des branches, et - conserver un effort de démultiplication important pour garantir un sertissage de qualité.
A cet effet, la présente invention décrit et revendique une pince de sertissage, notamment de cosses sur des câbles électriques, comprenant une branche supérieure portant un mors fixe avec au moins une empreinte M1 à son extrémité, une branche inférieure, une biellette, interposée entre cette branche supérieure et cette branche inférieure, articulée autour d'axes A1 et A2, un mors mobile avec une empreinte M2, articulé par rapport à la branche supérieure autour d'un axe A3 et par rapport à la branche inférieure autour d'un axe A4. Cette pince se caractérise plus particulièrement en ce que la branche supérieure présente un point anguleux définissant un corps de branche supérieure et une tête de branche supérieure, l'angle a interne, orienté vers la branche inférieure, étant inférieur à 180 et de préférence de l'ordre de 1200.
Selon un agencement caractéristique, t'axe A3 d'articulation du mors mobile est situé au droit du point anguleux.
De plus, l'axe Al est disposé en arrière de l'axe A2 par rapport aux mors.
La pince est également caractérisée en ce que différents angles ont des valeurs définies : - l'angle défini par les segments [A4-A3] et [A4-M2] est inférieur à 900.
- l'angle 8 défini par les segments [A1-A3] et [A1-A2] est inférieur à 90 , et - l'angle y d'ouverture des branches supérieure (10) et inférieure (12) est inférieur à 500.
Selon une autre caractéristique, la distance d [A1, A2J est sensiblement égale à la distance d [A3, A4].
Selon une variante perfectionnée, le mors fixe comprend une couronne munie d'empreintes, montée à rotation autour d'un axe et des moyens d'indexation en position de cette couronne.
La présente invention est maintenant décrite en détail en regard d'un mode de réalisation préférentiel non limitatif illustré sur les dessins annexés parmi lesquels les différentes figures représentent : - figure 1, une vue en perspective d'une pince de sertissage selon la présente invention, en position fermée, - figure 2, une vue en élévation latérale de cette même pince, - figure 3, une vue simplifiée en élévation latérale de la pince selon la présente invention, en position ouverte, - figure 4, une vue simplifiée en élévation latérale de la pince selon la présente invention, en position fermée, - figure 5A et 5B, des vues de la même pince en positions ouverte et fermée montrant les déplacements suivant des cercles des principaux points d'articulation.
La pince selon la présente invention, représentée sur la figure 1, comprend une branche 10 supérieure et une branche 12 inférieure. Chaque branche est composée de deux plaques ou venue de moulage en libérant un espace 14 et 16 central permettant les déplacements des différentes pièces.
Une butée 18 de sécurité est portée par la branche supérieure pour venir s'interposer entre les deux branches. Cette butée interdit dans tous les cas, la mise en contact des branches au droit de la zone de prise en main. En effet, en cas de rupture d'une pièce ou d'une erreur de maniement, il convient d'éviter tout pincement accidentel des doigts de l'opérateur.
Dans le cas d'une réalisation métallique, les plaques sont rivetées et les rivets 20 apparaissent sur les figures.
Une biellette 22 est interposée entre les branches 10 et 12. Cette biellette est montée articulée autour de l'axe A1 par rapport à la branche 10 supérieure et autour de l'axe A2 par rapport à la branche 12 inférieure. L'axe Al se trouve en arrière de l'axe A2 par rapport aux mors.
La branche 10 supérieure porte un mors 24 fixe à son extrémité avec une empreinte M 1. Cette branche présente de plus un point 26 anguleux définissant un corps 10-1 de branche supérieure et une tête 10-2 de branche supérieure.
L'angle a interne, orienté vers la branche inférieure et défini par le corps 10-1 et la tête 10-2 de branche supérieure est inférieur à 180 , de l'ordre de 1 200 de préférence.
Dans le mode de réalisation préférentiel représenté, la tête 10-2 de branche supérieure est équipée d'une couronne 28 montée à rotation autour d'un axe 30. Cette couronne comporte plusieurs empreintes 32 sur sa périphérie et des moyens d'indexage, non représentés, permettant de maintenir l'une Ml de ces empreintes 32 en position fixe.
Dans la présente invention, la discrimination spatiale s'effectue uniquement sur le greffage du composé organique, et non pas sur son adressage matériel : la totalité de la surface composite baigne dans la solution contenant la molécule à greffer, et l'on ne polarise électriquement que la zone à greffer.
Le greffage n'a donc lieu que sur la zone adressée électriquement, et nulle part ailleurs. Une fois le greffage réalisé, on sort la surface de la solution.
Après rinçage, la surface complète peut à nouveau être trempée dans une autre solution (contenant une autre molécule), où une autre zone pourra alors être adressée pour greffage.
Le greffage est réalisé par électrochimie organique, au-delà d'un potentiel d'électrode repéré par rapport à une électrode de référence. Les réactions candidates sont par exemple l'électropolymérisation de
monomères pouvant polymériser par voie anionique ou cationique (vinyliques ou cycles tendus, comme il est décrit par exemple dans FR-A-2 480 314), ou les réactions d'électroclivage (ainsi qu'il est décrit par exemple dans WO-A-98/44172 pour les sels de diazonium, ou encore dans WO-A-98/40450 pour les sels d'acides carboxyliques). Ces réactions ont en commun qu'elles délivrent, par électrochimie, un produit de réaction greffé chimiquement sur la surface.
Comme il est exposé ci-après, ce procédé, jamais encore considéré pour le greffage localisé de matériaux organiques, est le seul à permettre une localisation du revêtement avec une résolution dictée par tout ou partie du motif du pavage, alors que la totalité de la surface est au contact de la solution.
Cet aspect fondamentalement nouveau et inventif du procédé de l'invention trouve sa source dans l'élucidation des mécanismes des réactions de greffage, que nous rappelons brièvement ci-après. Notre attention portera sur les réactions d'électropolymérisation, mais le principe est le même avec les réactions d'électroclivage. L'exposé du mécanisme de fonctionnement de ce greffage localisé sera effectué sur l'exemple de surfaces composites de type microsystèmes électroniques (gravures d'or sur silicium ou sur silice).
Toutefois, il n'y a pas lieu de restreindre l'application du procédé selon l'invention à ce type de matériaux ni à ce type de surfaces, en effet, ce procédé s'étend à toutes les surfaces composites comportant des isolants, des semi-conducteurs et/ou des
conducteurs. Ceci apparat clairement lorsque l'on examine le mécanisme que nous proposons pour le greffage localisé. C'est la raison pour laquelle nous décrivons ici ce mécanisme avec quelque détail : l'objectif n'est pas de présenter une formalisation théorique rigoureuse, mais de montrer comment le contenu de l'invention peut être étendu à des matériaux ou à des applications non citées explicitement ici, mais pour lesquels l'homme de l'art saura tirer logiquement les conséquences permettant une amélioration technique.
On décrit donc, dans ce qui suit, le mécanisme chimique du greffage par électropolymérisation de monomères vinyliques. a. Mécanisme On réalise l'électropolymérisation d'un monomère vinylique sur une surface en soumettant la surface à une polarisation électrique-par rapport à une électrode de référence-tandis qu'elle plonge dans une solution le contenant. Il peut s'agir d'une polarisation négative (ou cathodique), ou bien positive (ou anodique), en fonction de la nature du monomère à polymériser.
La synthèse est réalisée en solvant organique anhydre (acétonitrile, DMF...), en présence d'un électrolyte support constitué en général d'un sel organique (par exemple le perchlorate de tétraéthyl ammonium, ou TEAP). Les modes opératoires de synthèse 6 ont été décrits dans la littérature6. Comme il a été
7, 8 précisé dans la littérature7, l'électropolymérisation de monomères vinyliques donne deux produits de réaction, structuralement identiques mais aisément séparables : 1.1. : Réaction chimique de surface ("surface chemical reaction"), greffage ("grafting")
1.2. : Désorption ("desorption"), polymérisation en solution C'polymerization in solution") Les schémas 1.1. et 1.2., ci-dessus, décrivent le mécanisme réactionnel rendant compte : (1.1.) du greffage de polymère ; (1.2.) de la formation du radical anion en solution, provoquant la formation du polymère en solution (voir schéma 2). Les schémas portent sur l'exemple de l'acrylonitrile.
a Un polymère chimiquement greffé sur la surface, dont l'épaisseur peut atteindre une centaine de nanomètres environ. La liaison chimique d'interface a été mise en évidence par spectroscopie de photoélectrons X (XPS) sur des films minces9, ainsi que par diverses autres méthodeslo. Ce film résiste au rinçage, même dans un bon solvant du polymère, même sous ultrasons. Contrairement à ce qui a été observé pour les polymères conducteurs, ce polymère greffé est présent même lorsque la surface est soumise à des mouvements de convection importants (comme lorsque la surface est en rotation rapide, aux limites de la turbulence, à plus de 10 000 tours/minute) ll. Ces éléments ont conduit à proposer un mécanisme de greffage reposant sur une initiation de la polymérisation à partir de la surface (schéma 1) : le transfert électronique métal/molécule a lieu sur la surface de l'électrode. Dans le cas d'une polarisation cathodique par exemple, il en résulte la formation d'un radical anion adsorbé, dont la durée de vie finie conditionne la chimie couplée. Si cette durée de vie est assez longue, ce radical anion adsorbé peut s'additionner à une molécule de monomère, et former un dimère, plus stable puisque la source d'instabilité (la charge négative) s'est éloignée de la surface négative : la formation du polymère greffé a eu lieu (schéma 1-1) ;
RRC dimérisation
Le schéma 2, ci-dessus, décrit le mécanisme réactionnel siégeant à la formation du polymère en solution, à la suite de la désorption du radical anion (schéma 1-2), lors des réactions d'électropolymérisation. e Un polymère non greffé, encore nommé polymère en solution , de même structure que le polymère greffé, mais aisément éliminé par rinçage avec un bon solvant du polymère. Il a été proposé que ce polymère résulte de la désorption du radical anion constituant l'intermédiaire réactionnel, faute de disponibilité d'un monomère frais pendant la durée de vie du radical anion sur la surface (schéma 1-2). La polymérisation qui en résulte a lieu intégralement en
Les composition cosmétiques ou dermopharmaceutiques contenant la tyramine sont des crèmes, baumes ou des gels ou des lotions ou crèmes solaires et après solaires, des produits après-rasage, des crèmes épilatoires ou post-épilatoires La tyramine est incorporée dans toute composition cosmétique ou dermopharmaceutique destinée aux soins de la peau, particulièrement à son blanchissement et à sa moindre coloration lors d'exposition aux UV naturels ou artificiels.
Ces composition cosmétiques ou dermopharmaceutiques sont utilisées pour la préparation de médicaments destinés aux soins de la peau, particulièrement à son
blanchissement et à sa moindre coloration lors d'exposition aux UV naturels ou artificiels.
La tyramine est utilisée seule ou incorporée dans des compositions cosmétiques ou dermopharmaceutiques, lié(es) ou incorporé(es) ou absorbé(es) ou adsorbé(es) sous forme de macro-, micro- et nanoparticules ou dans des macro-, micro- et nanocapsules, dans les textiles, fibres synthétiques ou naturelles, laines et tout matériaux susceptibles d'être utilisé pour réaliser des vêtements et sous-vêtements de jour ou de nuit, directement au contact de la peau ou de des cheveux pour en permettre une délivrance topique continue.
Procédé d'épuration des effluents gazeux fluorés. La présente invention concerne de manière générale un procédé d'épuration des effluents gazeux fluorés et en particulier des effluents gazeux contenant du gaz fluor.
Les procédés de fabrication des dispositifs semi-conducteurs, en particulier les étapes de dépôts chimiques en phase vapeur (CVD), conduisent à des effluents gazeux contenant du gaz fluor. Ces effluents gazeux doivent bien évidemment être traités avant d'être rejetés dans l'atmosphère, en particulier pour en éliminer le fluor, ainsi que d'autres gaz toxiques tels que l'arsine (AsH3) et la phosphine (PH3).
L'article "Facing thé challenges of reducing PFC émissions in plasma chamber cleans" (Faire face aux défis de la réduction des émissions de PFC dans les nettoyages de chambre plasma), J. Arno et al.- MICRO Juillet/Août 1998, p. 87-88, enseigne qu'à des concentrations élevées, le fluor réagit de manière exothermique avec tous les éléments à l'exception de l'oxygène, de l'azote et des gaz rares. Par conséquent, un procédé envisageable d'élimination de F2 est de faire réagir ce gaz hautement réactif en utilisant des réactions apparaissant naturellement, sans aucun apport supplémentaire d'énergie au système.
Les unités d'épuration thermique combinent des matériaux réactifs et F2 à l'intérieur d'un réacteur chauffé utilisant un combustible ou l'énergie électrique. Les sous-produits engendrés par l'épuration thermique de F2 comprennent typiquement des acides chauds qui nécessitent d'ajouter au procédé de traitement des gaz une étape d'épuration des effluents liquides et exigent des matériaux de cnnctnirtinn cni-îtP x nn r Avité-r ni- attan P nnr c-nrrncinn nanc nec
unités, les rendements d'épuration sont souvent compromis car l'efficacité d'épuration des gaz acides chauds diminue avec la température. Une solution serait de faire passer le courant de gaz fluor sur un lit sec d'un matériau réactif. Toutefois, cette solution est limitée, en particulier pour des volumes importants de F2.
Le gaz fluor réagit rapidement avec l'eau. Les sous-produits principaux de cette réaction sont HF, 02 et H202.
Malheureusement, il se forme également lors de cette réaction de petites quantités de difluorure d'oxygène (F20). Ce difluorure d'oxygène n'est pas soluble dans l'eau et est donc rejeté dans l'atmosphère avec l'effluent gazeux épuré. En raison de sa nocivité et de son caractère polluant, le difluorure d'oxygène doit être éliminé de l'effluent gazeux épuré.
L'article cité ci-dessus envisage pour résoudre ce problème des procédés évitant la formation de F20 lors du traitement d'épuration.
Le procédé de la présente invention, au contraire, utilise la formation de F20 pour éliminer le gaz fluor contenu dans un effluent gazeux.
La présente invention a donc pour objet de fournir un procédé d'épuration d'un effluent gazeux contenant du gaz fluor qui supprime pratiquement tout rejet de difluorure d'oxygène.
Le procédé d'épuration des effluents gazeux, selon l'invention, se caractérise par le fait qu'il comprend la mise en contact de l'effluent gazeux contenant du gaz fluor avec une solution aqueuse basique de lavage contenant une quantité effective d'au moins un agent réducteur maintenant le potentiel électrochimique de la solution à une valeur égale ou inférieure à -60 mV.
La solution aqueuse basique de lavage a en général un pH > 12, de préférence >_ 13.
Celui-ci est un paramètre machine qui doit être déterminé préalablement expérimentalement.
4) et 5) Interprétation de la lecture et détermination des génotypes.
Les valeurs de mP sont reportées sur un graphe à l'aide du logiciel Excel de Microsoft Inc., et/ou du logiciel Allele Caller développé par LJL Biosystems Inc.
En abscisse est indiquée la valeur de mP de la base marquée au Tamra, en ordonnée est indiquée la valeur de mP de la base marquée au R110. Une forte valeur de mP indique que la base marquée avec ce fluorophore est incorporée et, inversement, une faible valeur de mP révèle l'absence
d'incorporation de cette base.
On obtient jusqu'à trois groupes homogènes de séquences nucléotidiques ayant des génotypes différents, comme indiqué dans la Figure 2.
L'utilisation du logiciel Allele Caller permet, une fois le repérage des différents groupes réalisé, d'extraire directement le génotype défini pour chaque individu sous forme d'un tableau.
Les séquences des deux amorces de miniséquençage nécessaires pour le génotypage ont été déterminées. Ces amorces sont sélectionnées pour correspondre à une vingtaine voire une trentaine de , nucléotides placés juste en amont du site polymorphe. Du fait que le produit de PCR contenant un SNP est un produit d'ADN double brin, le génotypage peut donc se faire soit sur le brin sens soit sur le brin antisens. Les amorces sélectionnées sont fabriquées par Life Technologies Inc.
Les amorces du miniséquençage sont les suivantes : Amorce sens : (A) : gttgtcagagcagaaatcat Amorce antisens : (B) : gttgacaaagaaaaagatct Le miniséquençage du polymorphisme de type SNP g1023a a d'abord été validé sur 16 échantillons, puis génotype sur l'ensemble de la population d'individus composée de 239 individus et 7 blancs.
Conditions de miniséquençage testées : Condition N 1 : Amorce sens + ddGTP-R110 + ddATP-Tamra Condition N 2 : Amorce sens + ddATP-R110 + ddGTP-Tamra Condition N 3 : Amorce antisens + ddCTP-R110 + ddTTP-Tamra Condition N 4 : Amorce antisens + ddTTP-R110 + ddCTP-Tamra Ces 4 conditions ont été testées et la condition N 2 a été retenue pour le génotypage.
B) Résultats Après la réalisation complète du processus de génotypage, la détermination des génotypes des individus de la population d'individus pour la SNP fonctionnel étudié ici a été réalisée à l'aide du graphe représenté sur la Figure 2.