INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La formule générale du ligand selon l'invention, aussi appelé biphosphole ponté, répond à l'une des trois formules suivantes. La numérotation utilisée est indiquée ci-dessous :
R3 R4 R4 R3 R4 R3 R3 R4 4'5 5//\\2 2' 5'r/1 \3 3'/\ R2 1 T l'R2 T 11'1 2 5 2 3 3 F 2 5 1 2 2 le 5'2 p 1 Pl F3 R T R Rl-'p T 1-R' F > 2 '1 Ri biphosphoies'2'2 R R pont a pont 6 A = C, Si, Ge, Sn R 2 T 2'3'R 1, 1'-biphospholyles ) p 1 p t pontés pontés pR3=5) lR3 2 R2 pont a Les groupements RI à R peuvent être des groupes organiques monovalents, tels que : hydrogène, alkyle, aryle, silyle ; le groupement RI peut également être un halogène. De plus, dans le cas de biphospholes pontés en position a, il peut exister une liaison directe entre les deux atomes de phosphore ; on parle alors de 1, 1'biphospholyle ponté.
Sur la figure 2C qui illustre l'assemblage des deux structures 30,40, on suppose que les deux parties cristallines 3,4 conservent les mêmes positions relatives en rotation avant la séparation et lors de l'assemblage.
Cette configuration sans décalage en rotation permet de rendre nul ou quasi nul l'angle d'inclinaison résultant entre les plans cristallographiques de l'interface, des deux structures. En effet, les angles d'inclinaison des deux faces à assembler sont sensiblement égaux si la séparation est induite suivant un seul plan de coupe dans la structure initiale.
Si l'assemblage des structures conduit à un assemblage des parties cristallines prélevées telles quelles sans préparation de surface, avec un angle de décalage en rotation dans le plan de l'interface nul ou quasi nul, l'angle d'inclinaison résultant sera nul ou quasi nul.
Il est alors possible de minimiser ou de contrôler l'angle d'inclinaison résultant sans avoir à connaître l'angle d'inclinaison de chacune des structures.
En outre, on peut introduire une variation d'angle d'inclinaison volontaire très bien contrôlée, par exemple par un polissage mécanochimique (CMP), sur au moins une des structures à assembler. On peut ainsi contrôler l'angle d'inclinaison résultant sans pour autant avoir besoin de connaître les angles d'inclinaison des deux structures à assembler.
L'assemblage des deux structures 30,40 peut être un scellement avec ou sans apport de matière à l'interface entre les deux structures 30,40. S'il y a
apport de matière pour réaliser la jonction, cette dernière peut avoir disparu ou non à l'issu de l'assemblage. Un type d'assemblage avantageux est connu sous la dénomination de collage moléculaire. Ce collage moléculaire peut être par exemple, de type hydrophobe, hydrophile, anodique, eutectique ou métallique. Pour un collage moléculaire hydrophobe, les deux surfaces 8,9 à assembler reçoivent un traitement pour les rendre hydrophobes. Ce traitement peut comprendre une étape de nettoyage chimique se terminant par exemple par une étape d'attaque à l'acide fluorhydrique. On effectue ensuite une mise en contact des faces 8,9 ainsi traitées, à température ambiante, en contrôlant les positions relatives des deux structures 30,40 en rotation dans le plan de l'interface, par rapport aux positions relatives des parties cristallines 3,4 respectives. La référence est la position des parties cristallines avant prélèvement. Cette mise en contact est illustrée à la figure 2C.
Les deux structures 30,40 sont ensuite soumises à un traitement thermique de manière à favoriser les liaisons interatomiques à l'interface.
En outre, les deux structures 30,40 à assembler peuvent être soumises à un ou plusieurs traitements de surface ou attaque de surface avant d'effectuer l'assemblage.
Par exemple, après la séparation, les surfaces séparées possèdent des micro-rugosités qui peuvent être atténuées par un polissage mécanique, chimique ou mécanochimique ou un traitement thermique lissant, à haute température, dans différentes atmosphères, par exemple, pour le lissage de surface de silicium, sous hydrogène, sous argon, sous azote ou sous vide.
Chaque partie cristalline 3, 4 peut comporter plusieurs matériaux cristallins empilés éventuellement associés à un ou plusieurs matériaux non cristallins, comme on le verra lors de la description des figures 4. Dans ce cas, l'une au moins des structures à assembler est composée de plusieurs matériaux, il est possible de réaliser un amincissement, par exemple par attaque chimique et/ou ionique pour faire apparaître en surface un matériau cristallin qui serait encore enterré après séparation.
C'est cette configuration qu'illustrent les figures 4 décrites ultérieurement. Une couche d'arrêt 17 de gravure est incluse dans l'une, l'autre ou les deux structures à assembler et l'amincissement est une attaque effectuée jusqu'à la couche d'arrêt 17.
On peut avantageusement réaliser au moins un dépôt ou la croissance d'au moins un matériau sur l'une au moins des surfaces séparées.
On suppose que cette variante est illustrée à la figure 3B décrite ultérieurement. La face séparée 8 de la structure 30 est recouverte d'un matériau cristallin. La couche obtenue porte la référence 11.
Avantageusement, le dépôt peut être fait par épitaxie.
Le matériau de la couche 11, au lieu d'être cristallin peut être amorphe. Ce peut être par exemple de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du verre, un polymère, par exemple une colle époxy. Ce matériau peut disparaître lors de traitements thermiques, chimiques ou mécaniques réalisés avant, pendant ou après l'assemblage. En conséquence, ce matériau peut être présent ou non à l'interface d'assemblage.
Il est donc tout à fait important de constater que le greffage localisé utilisant les réactions d'électropolymérisation procède d'une sélectivité cinétique : on a du polymère greffé sur Si et pas sur S2 parce que le transfert électronique et donc la croissance du film greffé sont plus rapides sur Si que sur S2, et non pas parce qu'ils sont impossibles sur S2.
En d'autres termes, les figures 1A et 1B représentent le diagramme énergétique des niveaux accessibles aux électrons lorsque deux surfaces Si et S2, reliées électriquement, sont plongées dans une solution contenant une molécule vers laquelle elles peuvent transférer des électrons. En (a), (sur la figure 1A), on impose aux deux surfaces un potentiel AE égal à leur PZC [ (a) AE = AEpzc]. On note que la barrière d'activation est plus haute pour un transfert
électronique depuis S2 que depuis So. ein (b), (sur la figure 1B), on a appliqué un potentiel d'électrode égal à Eo, par rapport au PZC [ (b) AE = E'+ AEpzc], et déplacé corrélativement les niveaux de Si et S2 (E < 0).
On voit que la barrière d'activation de Si (real) disparaît avant celle de S2 : il existe donc une situation intermédiaire où l'on peut permettre le passage des électrons par la surface Si et pas encore par Sz.
Une conséquence importante de ce schéma des figures 1A et 1B est que le procédé de greffage localisé par électropolymérisation a lieu quel que soit l'endroit où la mise sous potentiel est appliqué, pour peu que les différentes zones du pavage de la surface composite soient portées au potentiel voulu, permettant le greffage (on peut noter qu'il peut y avoir une chute ohmique entre les différents pavages. C'est par exemple le cas entre une piste d'or et le silicium ou la silice sous-jacente, dans une puce, attendu qu'il a, en général, fallu réaliser une sous-couche sous l'or, pour améliorer son adhérence) : comme on le verra dans les exemples d'application, le résultat est identique (c'est-à-dire que le greffage a lieu uniquement sur l'or) que l'on place le contact électrique sur l'or ou sur le silicium.
Le raisonnement appliqué ici à l'or et au silicium reste valable pour deux surfaces quelconques, reliées électriquement, et ayant des travaux de sortie suffisamment différents pour que la discrimination ait lieu en termes de barrières d'activation. Il est par exemple envisageable, sur le principe, de réaliser un
greffage sélectif sur certaines facettes d'un polycristal constitué d'un pavage de monocristaux, puisque l'on sait que le travail de sortie d'une surface monocristalline dépend de l'orientation cristallographique (théorie de MARCUS).
Grâce à ce mécanisme, on comprend également pourquoi il est primordial que le polymère (et plus généralement le revêtement organique greffé) résultant de la réaction d'électrogreffage soit un isolant, et pourquoi il n'est pas possible de réaliser un greffage localisé à l'aide de monomères donnant des polymères conducteurs, comme le thiophène ou le pyrrole. En effet : fb Le mécanisme du schéma 1 n'est pas valable pour les monomères conducteurs : il n'y a pas de réaction de greffage, et l'essentiel de la chimie couplée au transfert a lieu en solution. On ne peut donc détecter la trace chimique de la zone géographique où le transfert électronique a eu lieu. a Lorsque du polymère conducteur se forme sur la surface à un endroit, il est lui-même susceptible d'autoriser le passage du courant, avec une barrière d'activation qui restera inférieure à celle du silicium : le polymère formé constitue une tierce surface conductrice, qui va donc croître sur lui-même et s'étaler, pour bientôt couvrir l'ensemble de la surface. Si le transfert a bien été initialisé de manière locale, la chimie qui en découle efface le souvenir de cette localisation.
On va maintenant décrire les caractéristiques expérimentales définissant généralement le procédé selon l'invention.
Réactifs utilisables et milieu de synthèse Les détails avancés dans ce qui précède montrent que les réactifs utilisables sont tout d'abord les monomères polymérisables par voie ionique, et conduisant à un polymère isolant.
Il peut donc s'agir par exemple : gb des monomères, par exemple, à base vinylique polymérisables ou initiables par voie ionique. Ces monomères sont, par exemple, de formule générique B-R-A, où R est un groupement portant une double liaison vinylique, B est un groupement fonctionnel électroattracteur ou électrodonneur (moteur de polymérisation), et b est un groupement fonctionnel quelconque, portant une fonction que l'on désire conférer au polymère final. Sont par exemple initiables par polarisation cathodique : l'acrylonitrilea\ le 6, a 16 méthacrylonitrile le para-chloro styrène, la 17 4-vinyl pyridine17, les alkyl méthacrylates (méthyl méthacrylate, éthyl méthacrylate, butyl méthacrylate, etc. ), les cyano acrylates, etc.. Sont par exemple initiables par polarisation anodique la 4-vinyl 17 6, b pyridine la N-vinyl pyrrolidon, etc. ; de toutes les molécules comprenant au moins un cycle tendu ou à base de cycles tendus qui peut (peuvent) être ouvert (s) par attaque nucléophile
ou électrophile, comme les molécules à groupement époxy et plus généralement les oxiranes.
On peut considérer comme étant utilisables tous ces monomères, les monomères fonctionnalisés dérivés de ces monomères de base, ainsi que tous les mélanges de ces monomères, pour autant qu'ils respectent les contraintes de synthèse par voie électrochimique conduisant à un greffage sur la surface polarisée.
Dans les réactions d'électropolymérisation par voie cathodique par exemple, la polymérisation couplée au transfert de charge est une polymérisation anionique.
Peuvent également être candidates les molécules portant des groupements fonctionnels électroclivables, donnant des radicaux pouvant se greffer chimiquement sur la surface. On peut par exemple citer les sels de diazonium-tels que décrits dans les demandes WO-A-98/44172, à la description de laquelle on pourra se reporter-ou encore les sels d'acide carboxylique-tels que décrits dans WO-A-98/40450, à la description de laquelle on pourra se reporter.
Quel que soit le type de molécule choisi pour réaliser l'électrogreffage, on peut rajouter au milieu réactionnel un électrolyte support, pour faciliter le passage du courant électrique dans la solution.
L'avantage d'utiliser une technologie planaire est sa flexibilité. Les guides planaires peuvent s'adapter à toute fibre bs-zur moyennant un dessin de masque
particulier. Ces guides peuvent être réalisés aussi bien par échange d'ions dans un substrat de silice, que par des technologies silice/silicium, Semi-conducteurs III-V, FHD... L'échange d'ions présente l'avantage d'avoir peu de pertes dépendantes de la polarisation.
Les paramètres opto-goémétriques du guide planaire sont calculés afin d'adapter les tailles de mode des différents guides (bi-coeur d'un côté, mono-coeur de l'autre). Par exemple, la section du guide planaire peut avoir une forme elliptique pour corriger les Pertes Dépendantes de la Polarisation de la fibre bi-coeur. Les guides planaires utilisés comme connecteur pourront en outre remplir des fonctions optiques, amplificateurs, coupleurs, concentrateurs, commutateur au delà de la zone critique de jonction.
L'extrémité des guides d'onde planaires, et/ou l'extrémité des sections à fibres sont préférentiellement polis avec un faible angle d'incidence par rapport à l'axe de propagation (0 < 6 < 12 ) de manière à supprimer les réflexions parasites dans la voie d'entrée. Le clivage des extrémités des fibres est également possible.
DESCRIPTION DES FIGURES La figure 1 représente une fibre bs-zur dans sa forme la plus générale qui soit.
La fibre bi-ceour possède généralement deux coeurs 10, 20 délimités par les surfaces S4 et S4', le plus souvent circulaires mais pas nécessairement, par où se propagent les signaux lumineux.
Selon la figure 1, le coeur 10 est circulaire de révolution, tandis que le coeur 20 est elliptique. Ces coeurs peuvent être dopés par des ions de terre rare pour des applications ayant trait à l'amplification. d caractérise la distance entre les deux coeurs 10,20.
Les coeurs 10,20 peuvent être entourés d'une zone 30,40 de propriétés différentes, délimitée par les surfaces S3 et S3' (remarque : S3 (S3') n'est pas nécessairement en contact avec S4 (S4'). Ces zones 30,40 peuvent être photosensibles pour des applications nécessitant une photoinscription de réseaux de Bragg. S3 et S3'peuvent avoir n'importe quelle forme géométrique et accepter n'importe quel dopant usuel pour des applications tels que maintien de polarisation, amplificateur, etc...
La zone délimitée par la surface S2, généralement appelée gaine optique 50, est souvent non dopée. Elle peut prendre des formes géométriques diverses et variées.
La gaine optique 50 est à son tour entourée par un revêtement de protection 60 délimité par la surface SI, généralement circulaire.
La figure 2 correspond au cas simplifié où les surfaces S3 et S3', S4 et S4' sont identiques, et que nous considérons par la suite. SI est circulaire et possède un diamètre de plusieurs centaines de microns. Soit d la distance entre les cours et d2 la largeur du rectangle circonscrivant la surface S2, la longueur de ce rectangle est d2+d.
La figure 3 représente le schéma de principe de l'invention.
On y retrouve un dispositif 1 comprenant : - un tronçon de fibre bs-zur 100, - un composant planaire formant guide optique 120, et - deux fibres optiques mono-coeur 130,140.
La fibre bs-zur 100 comporte deux cours 10 et 20 symétriques ou non, et une zone d'échange de puissance 102 entre les deux coeurs 10, 20. Cette zone 102 est localisée suffisamment loin des extrémités de tronçon de fibre bs-zur 100 pour qu'il n'y ait pas d'interférence entre les deux c#urs 10,20 au niveau des interfaces.
Une puce optique, qui correspondant au composant planaire 120, comporte au moins deux guides d'onde optiques 122,124, dont l'écartement variable d'une extrémité à l'autre du composant 120, correspond d'un côté à l'espace entre les deux cours 10,20 de la fibre bs-zur 100, de l'autre à l'écart entre les deux fibres mono- c ur 130,140.
Un dispositif identique (comprenant un composant planaire 120'et deux fibres mono-coeur 130', 140') peut être placé à l'autre extrémité du tronçon de fibre bs-zur 100 suivant les applications. Un tel dispositif est esquissé en traits interrompus sur la gauche de la figure 3.
mouvement tourbillonnaire de swirl est alors augmenté.
Le mouvement tourbillonnaire de swirl maximal est obtenu
lorsque le dispositif d'obturation 80 est en position fermée.
De façon similaire, d'autres types de moyens d'obturation 2o 80 tels qu'une vanne de type à boisseau ou un volet mobile
peuvent être utilisés.
Selon une variante, I'invention propose que l'une des extrémités longitudinales de la lame de séparation 60, soit libre et mobile entre une position ouverte et deux positions fermées de
façon à former moyens d'obturation 80.
Conformément à la figure 6, la lame de séparation 60 peut comporter deux parties dont l'une 86 est fixe, et dont l'autre 88
est mobile et articulée autour d'un axe 90.
Les deux positions fermées de la partie mobile 88 sont situées de part et d'autre de la position ouverte. Ainsi, dans chacune de ses positions fermées, la partie mobile 88 de la lame de séparation 60 obture soit le premier couloir d'écoulement 62, conformément à la figure 6, soit le second couloir d'écoulement 64. B794 Un seul dispositif formant moyens d'obturation 80 est alors nécessaire pour obturer l'un ou l'autre du premier ou du second
couloir d'écoulement 62, 64.
La partie mobile 88 peut être une partie amont ou une partie aval de la lame de séparation 60. Conformément aux figures, la séparation du tronçon amont
26 a la forme d'un V 90.
De façon à augmenter le débit des gaz dans la zone d'admission 68 du premier tronçon aval 28, il est aussi possible 0o de modifier les dimensions de la zone de passage 66 ainsi que sa position par rapport à la première cloison 72 et la seconde cloison 74. Pour ce faire il est possible de modifier la forme en V 90. Il est encore possible, conformément à la figure 7, d'agencer une lame de séparation supplémentaire 92 qui s'étend dans le tronçon amont 26 du sommet de la forme V 90 vers la lame de séparation 60. Ainsi, le flux de gaz circule dans le second couloir d'écoulement 64 puis traverse la zone de passage 66, et se dirige de préférence vers la première zone d'admission 68 du second tronçon aval 28 entraînant le flux de gaz qui circule dans le
premier couloir d'écoulement 62, vers sa paroi extérieure.
En augmentant le flux de gaz qui circule dans la première zone d'admission 68, la lame de séparation supplémentaire 92 permet d'augmenter le mouvement tourbillonnaire de swirl à
L'invention vise en outre à proposer une solution intégrable et compatible avec un fonctionnement à haute fréquence de l'alimentation à découpage.
Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un circuit de recherche du point de puissance maximale d'une source d'énergie variable à partir d'une comparaison d'une image de la puissance fournie par la source d'énergie, le circuit comprenant : deux éléments apportant des retards de propagation différents à une grandeur proportionnelle à l'image de la puissance ; un comparateur des sorties des éléments retardateurs pour commander une bascule fournissant un signal à deux états d'asservissement d'un convertisseur de puissance statique ; des moyens pour détecter un régime transitoire à partir de variations d'oscillations d'un régime établi ; et des moyens pour modifier le retard apporté par l'élément retardateur le plus lent.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits moyens pour modifier le retard sont constitués d'un
élément de commutation propre à, en régime transitoire, inhiber le fonctionnement de l'élément retardateur le plus lent.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits moyens de détection comparent la durée d'un état actif sur chaque signal de sortie de la bascule par rapport à un seuil prédéterminé.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens de détection comparent, indépendamment l'une de l'autre, les sorties directe et inverse de la bascule et combinent le résultat de ces comparaisons pour fournir une impulsion de commande aux moyens pour rendre le retard variable.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la durée du régime transitoire est choisie en fonction de l'amplitude d'oscillation souhaitée autour d'une consigne de puissance nominale.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les différents éléments de mesure de tension, de courant, et de temps sont analogiques.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit comporte des moyens pour réinitialiser la bascule à l'apparition d'un régime transitoire.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit comporte des moyens pour, à l'apparition d'un régime transitoire, réinitialiser un générateur de rampe conditionnant le rapport cyclique d'un signal de commande à modulation de largeur d'impulsions du convertisseur de puissance.
L'invention prévoit également un procédé de commande d'un circuit de recherche du point de puissance maximale d'une source d'énergie variable du type appliquant deux retards de valeur différente à une image de la puissance fournie par la source d'énergie, qui consiste à inhiber ou raccourcir le retard le plus court pendant un régime transitoire.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, on détermine l'existence d'un régime transitoire à partir d'une
mesure de la fréquence d'oscillations autour d'un point de fonctionnement nominal du détecteur de point de puissance maximale.
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 décrite précédemment représente un exemple classique de convertisseur de puissance du type auquel s'applique la présente invention ; la figure 2 représente deux exemples d'allure de puissance en fonction de la tension dans un panneau photovoltaïque constituant une source d'énergie d'un convertisseur selon l'invention ; la figure 3 représente la variation du courant en fonction du temps en cas de changement d'éclairement d'un panneau photovoltaïque du convertisseur de la figure 1 i la figure 4 représente, de façon très schématique et sous forme de blocs, un mode de réalisation d'un circuit de recherche du point de puissance maximale selon la présente invention ; la figure 5 représente un schéma bloc fonctionnel d'un détecteur de régime transitoire du circuit de la figure 4 ; la figure 6 est un schéma électrique plus détaillé d'un circuit de commande selon l'invention ; et la figure 7 représente un autre exemple de convertisseur commandable par un circuit selon l'invention.
Les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références aux différentes figures. Pour des raisons de clarté, seuls les éléments qui sont nécessaires à la compréhension de l'invention ont été représentés aux figures et seront décrits par la suite. En particulier, la constitution d'une source d'énergie exploitée par un convertisseur de l'invention n'a pas été détaillé et ne fait pas l'objet de l'invention.
Une caractéristique de la présente invention est de rendre commandable l'un des deux éléments retardateurs exploitant l'information de puissance fournie par la source d'énergie. On tire alors pleinement profit des rôles différents des constantes de temps respectives des éléments retardateurs. En effet, l'élément retardateur le plus lent apporte la stabilité au système tandis que l'élément retardateur le plus rapide accélère la convergence vers le point de puissance maximale en cas de dérive.
notamment dans la demande de brevet WO 93/11103. L'enseignement de ces deux demandes est totalement inclus dans la présente demande à titre de référence.
Les alcools gras peuvent être choisis parmi les alcools gras en Ca-C22, linéaires ou ramifiés ; ils sont éventuellement oxyalkylénés avec 1 à 15 moles d'oxyde d'alkylène ou polyglycérolés avec 1 à 6 moles de glycérol. L'oxyde d'alkylène est de préférence l'oxyde d'éthylène et/ou de propylène.