INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
méthanolique d'acétate de sodium. Un précipité jaune gélatineux quasi-translucide apparaît. L'agitation est alors arrêtée et on laisse décanter la suspension pendant une heure. La partie limpide du surnageant est prélevée et écartée (62 ml). Sur le précipité sédimenté (aspect de bouillie jaune), on ajoute 50 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. On laisse re-sédimenter le précipité 30 minutes environ. Le surnageant est prélevé et écarté (49 ml). Sur le précipité sédimenté, on ajoute 50 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. Le précipité en suspension est ensuite filtré sur Verre Fritté 4. Le gâteau jaune d'or obtenu est ensuite lavé par 2 fois 25 ml de méthanol. Le solide humide est essoré puis séché sous pression réduite (2.7 kPa), à une température voisine de 60 C. Après 12 heures de séchage, on obtient 1,21 g d'héparine dépolymérisée (ester de benzyle. sel de sodium). Le rendement obtenu est de 77,2%.
Saponification : Dans un erlenmeyer de 25 ml, on introduit 1,21 g (0,0018mole) de l'héparine dépolymérisée (ester de benzyle, sel de sodium) obtenue précédemment et 11 ml d'eau. Sous agitation magnétique, on introduit 0,18ml (0.0018 mole) de lessive de soude à 30%. Après addition, le mélange est refroidi à 4 C et agité pendant 2 heures. On ajoute 1,43 g de NaCI et on neutralise la solution par ajout d'HC! à lmole/1 (14 ml). Le mélange est transvasé dans un erlenmeyer de 100 ml et 52 ml de méthanol sont ajoutés. On observe la formation d'un précipité jaune. L'agitation est alors arrêtée et on laisse sédimenter la suspension pendant 12 heures à une température voisine de 20 C. Le surnageant est ensuite prélevé puis écarté (44 ml). Sur le précipité sédimenté (aspect de bouillie jaune), on ajoute 25 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. On laisse re-sédimenter le précipité 30 minutes environ. Le surnageant est prélevé et écarté (21 ml). Sur le précipité sédimenté, on ajoute 25 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. Le précipité en suspension est ensuite filtré sur Verre Fritte 3. Le gâteau jaune clair obtenu est ensuite lavépar 2 fois 10 ml de méthanol. Le solide humide est essoré puis séché sous pression réduite (2.7 kPa). à une température voisine de 60 C. Après 12 heures de séchage, on obtient 0.66 g d'héparine dépolymérisée brute (sel de sodium). Le rendement obtenu est de 60%.
Purification : Dans un erlenmeyer de 10 ml, on introduit 0,66 g d'héparine dépolymérisée brute obtenue précédemment et 5,9 ml d'eau distillée. Le mélange est porté à 40 C sous agitation magnétique. Par addition de soude à 0,1mole/1, on porte le pH entre 9 et 10
et on ajoute 33 microlitres d'une solution aqueuse de peroxyde d'hydrogène à 30%. Après environ 2 heures d'agitation, on ajoute 0,65 g de chlorure de sodium. Le mélange est ensuite neutralisé par ajout d'HCl à 0.1moled. La solution est ensuite filtrée et tramasée dans un erlenmcycr de 25 ml. On coule 23,3 ml de méthane!. On observela formation d'un précipité blanc. L'agitation est alors arrêtée et on laisse sédimenter la suspension pendant 12 heures à une température voisine de 20 C. Le surnageant est ensuite prélevé puis écarté (5 ml). Sur le précipité sédimenté (aspect de bouillie), on ajoute 5 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. On laisse resédimenter le précipité 30 minutes environ. Le surnageant est prélevé et écarté (5 ml). Sur le précipité sédimenté, on ajoute 5 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. Le précipité en suspension est ensuite filtré sur Verre Fritté 3. Le gâteau blanc obtenu est ensuite lavé par 2 fois 5 ml de méthanol. Le solide humide est essoré puis séché sous pression réduite (2,7 kPa), à une température voisine de 60 C. Après 12 heures de séchage, on obtient 0,51 g d'un mélange purifié de polysaccharides (sel de sodium). Le rendement obtenu est de 77,2%.
Les caractéristiques de ce mélange sont les suivantes : Poids moléculaire moyen : 1600 daltons Activité anti-Xa : 94 UI/mg Activité anti-IIa : 100 EXEMPLE 2 Dépolymérisation et transformation en sel de sodium : Dans un erlenmeyer A de 100 ml, on introduit 70 ml de dichlorométhane. Sous agitation, on charge lentement 10 g(0.00595 mole) d'ester ben/ylique d'héparine (taux d'estérification : 77%, sel de benzéthonium) obtenu comme décrit dans l'exemple A. Après dissolution complète, on ajoute 1,7 ml (0,00587 mole) de 2-tert- butylimino-2-diethylamino-l,3-dimethyl-perhydro-l,3,2-diazaphosphorine. A une température voisine de 20 C, on laisse la réaction se poursuivre pendant environ 3 heures et 30 minutes. Pendant ce temps, on prépare à 4 C dans un erlenmeyer B, une solution de 30 g d'acétate de sodium dans 300 ml de méthanol. Sous agitation
magnétique, le mélange réactionnel de l'erlenmeyer A est coulé dans la solution méthanolique d'acétate de sodium. Un précipité jaune gélatineux quasi -translucide apparaît. L'agitation est alors arrêtée et on laisse décanter la suspension pendant une heure. La partie limpide du surnageant est prélevée et écartée (204 ml). Sur le précipité sédimenté (aspect de bouillie jaune), on ajoute 125 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. On laisse re-sédimenter le précipité 30 minutes environ. Le surnageant est prélevé et écarté (162 ml). Sur le précipité sédimenté, on ajoute 125 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. Le précipité gélatineux en suspension est ensuite filtré sur Verre Fritté 3. Le gâteau gélatineux jaune obtenu est ensuite lavépar 2 portions de 63 ml de méthanol. Le solide gélatineux est essoré puis séché sous pression réduite (2,7 kPa), à une température voisine de 60 C. Après 12 heures de séchage, on obtient 3,34 g d'héparine dépolymérisée (ester de benzyle, sel de sodium).
Le rendement obtenu est de 85,3%.
Saponification : On saponifie 1,67 g d'héparine dépolymérisée (ester de benzyle, sel de sodium) précédemment obtenue selon le procédé de saponification décrit dans l'exemple 1. On obtient 0,94 g d'une poudre jaune clair. Le rendement en héparine dépolymérisée brute (sel de sodium) est de 61%.
Purification : On purifie 0,94 g d'héparine dépolymérisée brute (sel de sodium) précédemment obtenue selon le procédé de purification décrit dans l'exemple 1. On obtient 0.71 g d'une poudre blanche. Le rendement est de 75,5%.
Le mélange purifié de polysaccharides (sel de sodium) obtenu présente les caractéristiques suivantes : Poids moléculaire moycn : 2500 Daltons Activité anti-Xa : 146,6 UI/mg Activité anti-IIa : 2,15 UI/mg Rapport activité anti-Xa/activité anti-Ila : 68
EXEMPLE 3 Dépolymérisation et transformation en sel de sodium : Dans un erlenmcycr A de 50 ml, on introduit 28 ml de dichlorométhanc. Sous agitation, on charge lentement 4 g (0,00238 mole) d'ester benzylique d'héparine (taux d'estérification : 77%. sel de benéthotvium) obtenu selon l'exemple A. Après dissolution complète et refroidissement à 2 C, on ajoute 0,333 g z9 mule) de l ,5,7-triar.abicyclo[-L.O]dec-5-ène. A une température voisine de 20 C\ on laisse la réaction se poursuivre pendant environ 3 heures et 30 minutes. Pendant ce temps, on prépare à 4 C dans un erlenmeyer B, une solution de 12 g d'acétate de sodium dans 120 ml de méthanol. Sous agitation magnétique, le mélange réactionnel de l'erlenmeyer A est coulé dans la solution méthanolique d'acétate de sodium. Un précipité jaune apparaît. L'agitation est alors arrêtée et on laisse décanter la suspension pendant une heure. La partie limpide du surnageant est prélevée et écartée (90 ml). Sur le précipité sédimenté (aspect de bouillie jaune), on ajoute 50 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. On laisse re-sédimenter le précipité 30 minutes environ. Le surnageant est prélevé et écarté (61 ml). Sur le précipité sédimenté, on ajoute 50 ml de méthanol et on agite pendant 20 minutes. Le précipité en suspension est ensuite filtré sur Verre Fritté 4. Le gâteau obtenu est ensuite lavé par 2 fois 25 ml de méthanol. Le solide humide est essoré puis séché sous pression réduite (2,7 kPa), à une température voisine de 60 C. Après 12 heures de séchage, on obtient 1,19 g d'héparine dépolymérisée (ester de ben/yle, sel de sodium). Le solide est jaune intense. Le rendement obtenu est de 75.9% o.
Le sel d'ammonium quaternaire de l'ester benzylique de l'héparine peut être préparé selon le schéma réactionnel suivant : a) transformation de l'héparine sous forme de sel de sodium au moyen du chlorure de ben/éthonium pour obtenir l'héparinate de benzéthonium, b) estérification du sel de benzéthonium obtenu précédemment au moyen du chlorure de benzyle et traitement par une solution alcoolique d'acétate de sodium pour obtenir le sel de sodium de l'ester benzylique de l'héparine,
c) transalification du sel de sodium de l'ester benzylique de l'héparine en sel d'ammonium quaternaire et, de préférence en sel de benzéthonium, de cétylpyridinium ou de cétyltriméthylammonium.
La réaction de l'étape a) est réalisée en milieu aqueux, par action du chlorure de benzéthonium en excès, sur l'héparine sous forme de sel de sodium, à une température voisine de 15à 25 C. De manière avantageuse, le rapport molaire chlorure de ben/éthonium héparine sous forme de sel de sodium est compris entre 2 et 3 et plus particulièrement 2.5.
L'héparine sous forme de sel de sodium de départ utilisée est de préférence une héparine de porc. Celle-ci peut être préalablement purifiée pour diminuer son taux de dermatane sulfate selon le procédé décrit dans le brevet FR2663639.
L'estérification de l'étape b) s'effectue de préférence au sein d'un solvant organique chloré (chloroforme, chlorure de méthylène par exemple), à une température comprise entre 25 et 45 C et, de préférence entre 30 et 40 C. L'ester sous forme de sel de sodium est ensuite récupéré par précipitation au moyen d'acétate de sodium à 10% en poids/volume dans un alcool tel que le méthanol. On emploie généralement 1 à 1,2 volume d'alcool par volume de milieu réactionnel. La quantité de chlorure de benzyle et le temps de réaction sont adaptés pour obtenir un taux d'estérification compris entre 50 et 100% et, de préférence, entre 70 et 90%. De façon préférentielle, on utilise 0,5 à 1,5 partie en poids du chlorure de benzyle pour 1 partie en poids du sel de benzéthonium de l'héparine. De même, de façon préférentielle, le temps de réaction sera compris entre 10 et 35 heures.
La transalitication de l'étape c) s'effectue au moyen d'un chlorure d'ammonium quaternaire et, de préférence, au moyen de chlorure de benzéthonium. de chlorure de cétylpyridinium ou de chlorure de cétyltriméthylammonium. en milieu aqueux, à une température comprise entre 10 et 25 C. De manière avantageuse. le rapport en mole chlorure d'ammonium quaternaire/sel de sodium de l'ester benzylique de l'héparine est compris entre 2 et 3.
Les mélanges selon l'invention sous forme de sel de sodium, peuvent être transformés en un autre sel d'un métal alcalin ou alcalinoterreux. On passe éventuellement d'un se) à l'autre en utilisant la méthode décrite dans le brevet US4168377.
Les mélanges selon l'invention ne sont pas toxiques et peuvent ainsi être utilisés comme médicaments.
Les mélanges de la présente invention peuvent être utilisés comme agents antithrombotiques. En particulier, ils sont utiles pour la prévention des thromboses veineuses, des accidents thrombotiques artériels, notamment dans le cas d'infarctus du myocarde. Ils sont également utiles dans la prévention et le traitement de la prolifération des cellules musculaires lisses, l'angiogénèse. et comme agent neuroprotecteurs de l'athérosclérose et de l'artériosclérose.
La présente invention concerne également les compositions pharmaceutiques contenant comme principe actif un mélange de polysaccharides selon l'invention éventuellement en association avec un ou plusieurs excipients inertes.
Les compositions pharmaceutiques sont par exemple des solutions injectables par voie sous-cutanée ou intraveineuse. Elles sont également utiles par voie pulmonaire (inhalation).
La posologie peut varier en fonction de l'âge, du poids et de l'état de santé du patient.
Pour un adulte, elle est en général comprise entre 20 et 100 mg par jour par voie intramusculaire ou sous-cutanée.
EXEMPLE A : PREPARATION DU SEL DE BENZETHONIUM DE L'ESTER BENZYLIQUE DE L'HEPARINE Heparinate de ben/éthonium A une solution de 10 g d'héparine sous tonne de sel de sodium dans 100 ml d'eau à une température voisine de 20 C. on ajoute une solution de 25 g de chlorure de ben/éthonium dans 125 ml d'eau. Le produit est filtré, lavé à l'eau et séché.
Ester ben/ylique d'héparine (sel de sodium) A une solution de 20 g d'héparinate de benzéthonium dans 80 ml de chlorure de méthylène, on ajoute 16 ml de chlorure de benzyle. La solution est chauffée à une température de 30 C pendant 12 heures. On ajoute alors 108 ml d'une solution à 10% d'acétate de sodium dans le méthanol, filtre, lave au méthanol et sèche. On obtient
Les films d'oxyde d'isolation 192 placés dans des sillons peuvent cependant être formés moyennant l'utilisa tion d'un masque commun de resist lors de l'étape d'établissement d'une isolation partielle entre les tran- sistors MOS situés dans la partie logique non représentée. Ceci simplifie le procédé de fabrication sans nécessiter d'étapes additionnelles.
H. Huitième forme de réalisation préférée H-1. Agencement du dispositif La figure 29 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 800 selon une huitième forme de réalisation préférée de la présente invention. A titre de simplification, seul est représenté sur la figure 29 l'agencement de la partie de circuit HF RP du dispositif à semiconducteurs 800.
Dans la partie de circuit HF RP, comme représenté sur la figure 29, un écran PG 108 (couche de protection) comprenant des régions SOI 291 à 299 selon une relation de contact intime et des films de siliciure 36 formés sur les régions SOI 291, 293, 295, 297 et 299 est formé dans la couche SOI 3 dans une relation de correspondance avec la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70) est prévue.
Une électrode de grille factice MD1 dont la structure en coupe transversale est similaire à celle des électrodes de grille des transistors MOS, est disposée sur chacune des régions SOI 292, 294, 296 et 298. L'électrode de grille factice MD1 est similaire aux transistors MOS non représentés, en ce qu'elle possède un film d'isolation de grille DGZ, une électrode de grille DGT, un film de sili ciure DGS et des films d'isolation de parois latérales DGW.
Les films de siliciure 36 sont disposés sur les régions SOI 291, 293, 295, 297 et 299 â l'extérieur des films d'isolation de parois latérales TGW des électrodes de grille factice MD1.
Les régions SOI 291, 293, 295, 297 et 299 sont des régions de type N+, et les régions SOI 292, 294, 296 et 298 sont des régions de type P+. Les films de siliciure 36 sur les régions SOI 293 et 297 sont connectés au potentiel (Vcc) de la source d'alimentation, et les films de sili ciure 36 dans les régions SOI 291, 295 et 299 et les films de siliciure DGS sur les électrodes de grille factices MD1 sont connectés à la masse.
Les constituants du dispositif à semiconducteurs 800, qui sont similaires à ceux du dispositif à semiconduc teurs 300 de la figure 12, sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on ne les décrira pas d'une manière particulière.
La figure 30 est une configuration selon une vue en plan de l'écran PG 108. La configuration dans le plan de l'écran PG 108 est similaire à celle de l'écran PG 101 décrite en référence â la figure 2 et on ne la décrira pas de façon particulière. L'écran PG 108 diffère fortement de l'écran PG 101 en ce que les électrodes de grille factices MD1 remplacent les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans des sillons, de l'écran PG 101. Une coupe transversale prise suivant la ligne X-X sur la figure 30 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 108 représenté sur la figure 29.
Dans l'écran PG 108, une polarisation inverse est appliquée à des diodes formées par des jonctions PN pour interrompre le courant de Foucault. Par conséquent les régions SOI 293 et 297 sont connectées au potentiel de la source d'alimentation et les régions 291, 295 et 299 sont connectées à la masse.
Bien que la région de type P-, qui est située au- dessous de l'électrode de grille DGT de l'électrode de grille factice MD1, et les régions de type N+ situées sur le côté opposé de la région de type P- fournissent l'agencement de ce qu'on appelle un transistor MOS à canal N, il va sans dire que les types de conductivité peuvent être permutés de manière à réaliser la configuration d'un transistor MOS à canal P, auquel cas les interconnexions avec le potentiel de la source d'alimentation et le poten tiel de masse représenté sur la figure 30 sont également permutés.
H-2. Fonctionnement et effet Une polarisation inverse est appliquée à une diode formée par les régions SOI 292 et 293, à une diode formée par les régions SOI 293 et 294, à une diode formée par les régions SOI 296 et 297 et à une diode formée par les régions SOI 297 et 298, de manière à empêcher que les diodes soient polarisées dans le sens passant par une force contre-électromotrice qui produit le courant de Foucault. Ceci réduit la dissipation de puissance induite par voie électrostatique sans apparition d'une dissipation de puis sance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.
L'écran PG 108 est divisé en un premier écran PG comprenant les régions SOI 291 à 299 et les films de sili ciure 36, qui sont formés dans la région SOI 3, et un second écran PG comprenant des électrodes de grille fac tices MD1. Si on suppose que les premier et second écrans PG sont des éléments résistifs respectifs, ils sont bran chés en parallèle entre un condensateur parasite et le potentiel de masse. Ceci réduit de façon supplémentaire la valeur résistive de l'écran PG.
La configuration dans le plan de l'écran PG, expliquée précédemment, n'est qu'un exemple et la présente invention n'est pas limitée par la configuration dans le plan de l'écran PG.
H-3. Variante Dans l'écran PG 108 du dispositif à semiconduc teurs 800 mentionné précédemment, la région P- située au- dessous de l'électrode grille DGT et les régions de type N+ situées sur le côté opposé de la région de type P- forment l'agencement d'un transistor MOS à canal N. Dans ce cas, étant donné que la connexion du potentiel de la source d'alimentation à l'électrode de grille DGT a pour effet que la région de type P+ et la région de type N+ fonctionnent en tant que transistor MOS, l'électrode de grille DGT est connectée au potentiel de masse. Cependant, l'électrode de grille factice MD1 n'est pas destinée à être utilisée en tant qu'électrode de grille du transistor MOS. Par consé quent, la configuration d'impuretés des régions SOI dans la couche SOI 3 n'est pas limitée à cela.
Par exemple, on peut utiliser un écran PG 108A (couche de protection) d'un dispositif à semiconducteurs 800A représenté sur la figure 31, dans lequel les régions SOI 291, 295, 299 sont des régions de type P+, les régions SOI 292, 294, 296 et 298 sont des régions de type P-, et les régions SOI 293 et 297 sont des régions de type N+.
Alors on connecte les régions SOI 293 et 297 au potentiel (Vcc) de la source d'alimentation, et on connecte à la masse les régions SOI 291, 295 et 299, alors que l'on connecte les films de siliciure DGS des électrodes de grille factices MD1 à un potentiel de grille VGT.
Sur la figure 29, le pointeur P1accompagné de l'objet 01 parcourt un trajet (flèche fl) de la fenêtre FI vers la partie visible de la fenêtre F2, en franchissant donc le bord (gauche en l'occurrence) de la fenêtre FI, sans lâcher le bouton de la souris.
Sur la figure 30, le mouvement du pointeur PT accompagné de l'objet 01 atteint à nouveau, par un mouvement inverse (flèche f2), le bord de la fenêtre FI préalablement franchi. Ce phénomène provoque, dans le présent exemple de réalisation, la mise en arrière-plan de la fenêtre FI par rapport à la fenêtre F2.
Selon une variante, on peut prévoir que lors du mouvement du pointeur selon la tlèche f2, la fenêtre F1se déplace, de préférence selon le même mouvement que le pointeur PT, pour ainsi progressivement dégager la fenêtre F2.
- le système effectue une signalisation auprès de l'utilisateur lors de l'atteinte par le pointeur du bord de la première fenêtre ; cette signalisation peut être choisie dans le groupe comprenant une signalisation visuelle, une signalisation sonore et une signalisation tactile telle qu'un retour de force au sein d'un périphérique d'entrée manuel qui commande ledit pointeur ; - la fenêtre FI peut passer automatiquement en arrière-plan de la fenêtre F2 dès que le pointeur PT muni de l'objet 01 a séjourné dans la zone de la seconde fenêtre non recouverte par la première fenêtre pendant une durée supérieure à un seuil prédéterminé ; - la fenêtre FIpeut passer automatiquement en arrière-plan de la fenêtre F2 lorsqu'une touche d'un clavier du poste informatique est actionnée, ou encore par commande vocale ; - la mise en arrière-plan ou le déplacement de la fenêtre FI pour dégager la fenêtre F2 peut être réversible, par exemple en effectuant un déplacement inverse du pointeur après son mouvement selon la flèche f2.
Pour ce faire, le système est doté de moyens de stockage des liens ajoutés. Ces moyens permettent, à chaque accès (Link) à une page à laquelle un ou plusieurs liens ajoutés ont été associés, de présenter ces derniers à l'utilisateur en supplément de ladite page. Sur un plan pratique, et comme l'illustre la figure 34, une indirection est établie vers une table (LinkAdded Links) de stockage des liens ajoutés, afin d'associer ces liens ajoutés (Added Links) à cette page avant de la présenter à l'utilisateur.
Sélection parmi les liens ajoutés Les liens ajoutés contenus dans les répertoires candidats sélectionnés (c'est-à-dire les Spécialistes proposés dans la première liste de la figure 55a) peuvent comporter bien plus de liens ajoutés (en mode Accepté ou Gelé ) que ceux qui seront suggérés aux utilisateurs. En effet, le système est apte à sélectionner les liens ajoutés les plus pertinents pour chaque utilisateur qui les recevra. Ainsi la suggestion de liens ajoutés se fait de manière personnalisée . La sélection est effectuée par exemple en fonction d'un ou plusieurs des critères suivants (sélectionnés notamment en fonction des ressources qu'ils nécessitent à priori pour leur mise en #uvre): - l'intérêt potentiel du lien ajouté en question (dit lien ajouté candidat ) pour l'utilisateur : comme déjà mentionné dans la section Création de liens ajoutés dans des Répertoires , les liens ajoutés sont bidirectionnels, c'est-à-dire qu'un lien ajouté associé à une page P1et pointant sur une page P2 implique (dès qu'il est Accepté) la création du lien ajouté associé à la page P2 et pointant sur la page P1 ; il est donc dans l'intérêt de l'administrateur du site de suggérer un lien ajouté sur une page P2 potentiellement la plus intéressante possible, puisque * plus la page P2 est intéressante, plus l'utilisateur va la consulter ; * et à chaque fois qu'il va la consulter, le lien ajouté pointant sur la page P1 va y figurer et va ainsi inciter l'utilisateur à aller consulter ladite page P1.
(N/mm2) (% IACS) cisse- de de barbe par à chaud ment surface courbu- de la ( C) cisail- re W soudure lée (%) 1) 2) 3) 1 2,0 1,0 1 #1 540 70 420 60 C Aucune Aucune B Aucune 2 2,5 0,8 1 #1 610 68 460 60 C Aucune Aucune ,.A Aucune 3 2,0 0,9 1 51 600 66 420 55 C Aucune Aucune C Aucune 4 3,1 0,6 1 #1 650 67 460 60 B Aucune Aucune A Aucune 5 3,0 0,6 1 #1 660 65 460 55 C Aucune Aucune A Aucune
6 2,4 0,9 1 S1 680 64 450 60 B Aucune Aucune B Aucune 7 3,5 0,5 1 #H .U ésence ou absence de fissure soudage .. PI fIS N ## \ 1\1 r-i re bi N 3 rtf 'CI .Q r-i fa )-w n}a>0M DiOË g g g ri N M
Rapport de composition des Epaisseur Caractéristique
précipités de la ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~####################,########,#######.#######
n précipités couche Capacité de mise Capacité Résisd'oxyde Résis- Electro- Résis- en forme par de mise tance au Mouilla- Protruinterne tance en conduc- tance à cisaillement en déta- bilité au sion de Ni Fe p ( m) tension tivité l'adou- Rapport Hauteur forme par chement à soudage plaquage (N/mm2) (% IACS) cisse- de de courbure chaud de Ag ment surface barbe W la ( C) cisail- soudure