INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La proportion d'agent de mise en oeuvre textile est généralement comprise entre 0 et 30 % en poids de la composition, et de préférence 10 à 25 %.
L'agent de mise en oeuvre textile est généralement choisi parmi les esters gras tels que le laurate de décyle, le palmitate d'isopropyle, le palmitate de cétyle, le stéarate d'isopropyle, le stéarate d'isobutyle, l'adipate d'éthylèneglycol ou le trioctanoate de triméthylolpropane, les dérivés d'alkylphénols tels que le nonylphénol éthoxylé, les dérivés de glycols tels que les polyéthylèneglycols ou les polypropylèneglycols de masse moléculaire inférieure à 2000, les mélanges à base d'huiles minérales, et les mélanges de ces composés La composition selon l'invention peut aussi comprendre, à titre d'additif, au moins un agent filmogène qui joue uniquement le rôle d'agent de glissement facilitant le fibrage, notamment en empêchant un frottement important des filaments sur le dispositif ensimeur lorsque ces derniers sont étirés à grande vitesse et/ou lorsqu'ils sont très fins. Cet agent est cependant coûteux et peut en outre entraîner une diminution des caractéristiques mécaniques des fils La proportion d'agent filmogène est généralement inférieure ou égale à 8 % en poids de la composition, et de préférence inférieure ou égale à 5 %.
L'agent filmogène est généralement choisi parmi les silicones et les dérivés de silicones tels que les huiles de silicones, les siloxanes et les polysiloxanes tels que le glycidyl(n)polydiméthylsiloxane ou l'alpha,oméga-acryloxypolydiméthylsiloxane, les silicones polyacrylates, et les mélanges de ces composés.
La composition selon l'invention peut comprendre, à titre d'additif, au moins un agent d'adaptation aux matières à renforcer, par exemple un inhibiteur de la corrosion tel que l'acide gallique dans le cas des matières cimentaires.
Un tel mode de reproduction des acides nucléiques selon l'invention est par exemple décrit dans l'exemple 1.
Après amplification spécifique d'un acide nucléique selon l'invention à l'aide des amorces appropriées, les différents acides nucléiques amplifiés peuvent alors être soumis à une étape de ligation dans un vecteur selon des techniques bien connues de l'homme du métier.
D'une manière générale, un acide nucléique ayant au moins 20 nucléotides consécutifs d'une séquence selon l'invention possède avantageusement au moins 25, 30, 35, 40,50, 75, 100,150, 200,300, 400, 500,1000, 2000 ou 2500 nucléotides consécutifs de la séquence de
référence, la longueur de nucléotides consécutifs étant naturellement limitée par la longueur de la séquence de référence.
L'homme du métier peut aussi reproduire un acide nucléique selon l'invention par synthèse chimique directe, telle que la méthode au phosphodiester décrite par Narang et al. (1979), la méthode au phosphodiester décrite par Brown et al. (1979), la méthode au diéthylphosphoramidite décrite par Beaucage et al. (1981), ainsi que la méthode sur support solide décrite dans la demande de brevet européen n EP 0 707 792.
Un acide nucléique selon l'invention peut également être synthétisé, à partir de l'information de séquence polynucléotidique de référence SEQ ID N 2 et SEQ ID N 5, à l'aide des techniques décrites par Wheeler et al.
(1996, Gene, Vol. 10 : 251-255), par Wade et al .( 1996, Biomédical Peptides, Proteins and nucleic acids,Vol.2 : 27-32), par Martinez et al. (1996, Taxicon, Vol. 34 (11):1413-1419), par Prapunwattana et al. (1996, Molecular and Biochemical Parasitoly, vo1.83: 93-106) et par Skopek et al. (1996, Mutation Research, vol.349:163-172).
Comme déjà mentionné, le demandeur a également isolé et caractérisé, chez un écotype d'Arabidopsis thaliana, l'écotype Wassilevskja, une plante dans le génome de laquelle le gène AtGCS1 codant pour la glucosidase # selon l'invention a été artificiellement interrompu, par l'insertion d'une construction contenant un ADN-T de Agrobacterium tumefaciens.
Après séquençage du gène AtGCS1 au niveau de l'ADN-T, il a été établi que l'ADN exogène a été inséré au début du huitième intron L'insertion de l'ADN-T exogène a en outre créé une délétion de 30 pb de l'ADN génomique ainsi qu'une insertion de deux fragments nucléotidiques d'une longueur respective de 26 et 22 pb, de part et d'autre de l'ADN-T.
Ainsi, le demandeur a isolé et caractérisé un gène Atgcsl comportant, par rapport à la séquence du gène AtGCS1 retrouvée naturellement, plusieurs additions et délétions de nucléotides dans la séquence codante.
Il a été montré selon l'invention que les plantes portant un gène Atgcs1 muté pouvaient être notamment caractérisées par le phénotype de
leurs graines qui sont, pour un quart d'entre elles , ridées et incapables de germer.
Il a en outre été montré qu'une mutation du gène AtGCS1, lorsqu'elle est présente à l'état homozygote dans le génome, est létale pour la plante.
De plus, il a été montré selon l'invention que la glycosylation des protéines exprimées dans des plantes dans lesquelles l'expression du gène Atgcs1 est fortement altérée, voire complètement bloquée ou inexistante était profondément modifiée et qu'en particulier les glycannes présents au niveau des sites de glycosylation de ces protéines étaient complètement dépourvus de résidus oligosaccharidiques allergènes tels que le fucose et le xylose.
En conséquence, la séquence génomique du gène Atgcs1 ainsi que la séquence nucléotidique SEQ ID N 2 selon l'invention sont utiles notamment pour la mise au point de divers moyens destinés à inhiber ou bloquer la synthèse de la glucosidase 1 codée par le gène AtGCS1. La séquence nucléotidique SEQ ID N 2 selon l'invention est également utile pour la mise au point de divers moyens de détection spécifiques du gène Atgcs1 ou de son produit de transcription, de tels moyens de détection permettant à l'homme du métier de déterminer si une plante d'intérêt contient dans son génome un gène AtGCS1 fonctionnel ou au contraire un gène Atgcs1 muté, étant entendu que la détection de la présence d'au moins une copie du gène Atgcs1 muté dans le génome d'une plante permet de sélectionner cette plante en vue de la production de protéines non allergènes pour l'homme.
Un acide nucléique tel que défini ci-dessus code pour au moins une partie de la glucosidase 1 selon l'invention et peut notamment être inséré dans un vecteur recombinant destiné à l'expression du produit de traduction correspondant dans une cellule hôte ou dans une plante transformée avec ce vecteur recombinant.
Quatre ensembles d'objets de test sont présentés à l'utilisateur sur l'écran du testeur.
L'ensemble référencé 20 est un ensemble de quatre groupes d'applications. Un premier groupe d'applications 201 s'intitule "BRA Simul", un deuxième groupe d'applications 202 s'intitule "PRA Simul", un troisième groupe d'applications 203 porte le titre "BRA Monitor", et un quatrième groupe d'applications 204 est le groupe "PRA Monitor". Les groupes d'applications 201, 202, 203 et ne peuvent pas faire l'objet d'une étape de configuration, c'est-à- dire qu'on peut pas modifier la valeur de leurs attributs de présentation, selon l'invention.
Au sein de l'ensemble 20 des groupes d'applications, l'utilisateur sélectionne, exemple, le groupe d'applications 201 "BRA Simul". L'ensemble 21 des applications du groupe référencé 201 est alors présente sur l'écran de l'instrument de test. Par exemple, quatre icônes, référencées 211 à 214, accompagnées chacune d'une légende, constituent les attributs d'étiquette de chacune des quatre applications accessibles par l'utilisateur.
L'icône référencée 211 correspond à l'application test "TE-S/T simulation", l'icône référencée 212 est un attribut d'étiquette de l'application de test "LT-S/T simulation", les icônes référencées 213 et 214 sont respectivement les icônes des applications "TE-U simulation" et "LT-U simulation".
La valeur des attributs de présentation des applications de test 211 à 214 peut être modifiée, au cours d'une étape de configuration, avant la mise en service de l'instrument de test. Par exemple, on peut choisir de n'afficher ni l'icône référencée 213, ni la légende correspondante, si l'on sait que l'application "TE-U simulation" n'est pas utile au technicien utilisant l'instrument de test considéré. On peut,aussi choisir d'afficher l'icône référencée 214 et la légende correspondante à la place l'icône référencée 211, si l'on sait que l'application correspondante l'application à laquelle l'utilisateur de l'instrument de test a le plus fréquemment recours.
L'utilisateur sélectionne alors l'application de test référencée 211 (qui apparaît, exemple, encadrée sur la figure 2), et les fonctions de test correspondantes s'affichent à l'écran.
Chacune des fonctions de test 221 à 224 est représentée à l'aide d'une icône et d'une légende. Ainsi, la fonction de test référencée 221 correspond à la fonction de test "Phone", la fonction de test référencée 222 s'intitule "Bert", et les fonctions de test 223 et 224 correspondent aux fonctions "B-channels" et "Call back". Selon une technique similaire à celle évoquée précédemment pour les applications 21, la valeur certains attributs de présentation des fonctions de test 22 peut être modifiée cours d'une étape de configuration. Par exemple, on peut choisir de modifier l'icône (c'est-à-dire un attribut d'étiquette) représentative de la fonction de test référencée 223, de manière, par exemple, à la rendre plus facilement différentiable d'une icône associée à une autre fonction de test non illustrée sur figure 2.
L'utilisateur, en sélectionnant la fonction de test référencée 222 (qui apparaît alors encadrée sur la figure 2), entraîne l'affichage sur l'écran du testeur portatif de l'ensemble 23 des paramètres de fonction de test associés, ainsi que leurs valeurs. Par exemple, l'attribut de valeur du paramètre 231, dont l'attribut d'étiquette est "Called address", a pour valeur 0299847040, et l'attribut de valeur du paramètre 235, dont l'attribut d'étiquette est "Duration", a pour valeur 15min.
La valeur des attributs de présentation des paramètres de fonction 231 a 236 peut être modifiée au cours d'une étape de configuration, selon une technique similaire à celle décrite précédemment pour les applications 21 et pour fonctions de test 22.
En outre on peut également, avant la mise en service du testeur, modifier la valeur de l'attribut de valeur d'un des paramètres 231 à 236. On peut ainsi choisir de fixer valeur du paramètre référencé 235 à 20min, de manière à ce la durée du test entrepris soit égale à vingt minutes. On peut également modifier la valeur de l'attribut de verrouillage du paramètre 235, de manière à ce que l'utilisateur ne puisse pas modifier la valeur de l'attribut de valeur du paramètre 235, et soit donc toujours contraint de mettre en oeuvre la fonction de test 222 pendant une durée égale à vingt minutes. On peut cependant préférer de présenter l'attribut d'étiquette du paramètre 235 au sein de l'interface usager, de manière à ce que, bien que ne pouvant pas en modifier la valeur, l'utilisateur sache que la durée du test effectué est de vingt minutes.
On présente désormais, en relation avec la figure 3, un exemple de mode de réalisation d'une étape de configuration 32 d'une interface usager, par exemple pour un testeur portatif pour réseaux RNIS.
La figure 3 illustre l'écran 30 du testeur avant la mise en oeuvre d'une étape de configuration 32 de l'interface usager, et l'écran 31 du testeur après la mise en oeuvre d'une telle étape 32. On choisit, au cours de l'étape de configuration 32 précédant la mise en service de l'instrument de test, de masquer les paramètres de fonction de test référencés 301 à 304. Ainsi, les attributs d'étiquette des paramètres référencés 301 à 304 n'apparaissent plus sur l'écran 31 après l'étape de configuration 32, de façon, par exemple, à simplifier l'interface usager.
On choisit également, au cours de l'étape de configuration 32, de verrouiller la valeur de l'attribut de valeur des paramètres référencés 305 et 306 de manière à empêcher un utilisateur du testeur de la modifier en cours d'utilisation. On peut envisager, par exemple, que l'attribut d'étiquette et l'attribut de valeur des paramètres verrouillés 305 et 306 apparaissent en couleur, soulignés sur l'écran 31, de manière à indiquer à l'utilisateur qu'il ne peut pas modifier la valeur de l'attribut de valeur de ces paramètres. Les figures 4a à 4c illustrent différents types de terminaux pouvant etre mis en oeuvre au cours des étapes de configuration ou des étapes de transfert selon l'invention à savoir un instrument de test et un terminal adapté, par exemple un testeur portatif pour réseaux RNIS 2 et un ordinateur personnel 1.
La figure 4a présente le cas où une étape de configuration est mise en oeuvre sur ordinateur 1, et où la configuration créée au cours de cette étape transférée 40 vers un testeur 2. Par exemple, la configuration est ensuite sauvegardée, dans un fichier de configuration, dans la mémoire RAMflash (mémoire non volatile) du testeur 2. Un telle mémoire permet de conserver la configuration de l'interface usager (c'est-à-dire les valeurs des différents attributs de présentation et de valeur des objets de test proposés par l'instrument de test) lorsque le testeur 2 est éteint.
On peut envisager de mettre en oeuvre plusieurs étapes de configuration sur l'ordinateur 1, de manière à générer plusieurs configurations, puis à transférer vers le testeur 2, où elles sont ensuite stockées. Ainsi, fonctionnement, l'utilisateur peut choisir, parmi l'ensemble des fichiers de configuration stockés, un fichier de configuration courante du testeur 2.
La figure 4b illustre le cas où l'étape de configuration de l'interface usager est directement mise en oeuvre sur le testeur 2, sans étape de transfert.
La composition selon l'invention peut être déposée sur les filaments de verre en une ou plusieurs étapes, par exemple dans les conditions du procédé décrit dans FR-A-2 763 328. Dans ce procédé, on étire des filets de verre fondu s'écoulant d'orifices disposés à la base d'une ou plusieurs filières sous la forme d'une ou plusieurs nappes de filaments continus puis on rassemble les filaments en un ou plusieurs fils que l'on collecte sur un ou plusieurs supports en
mouvement. On effectue le dépôt de l'ensimage en appliquant sur les filaments une première composition stable de viscosité comprise entre 20 et 500 cP, et au moins une deuxième composition stable de viscosité comprise entre 20 et 500 cP, amenée séparément de la première composition.
La deuxième composition peut être déposée sur les filaments au plus tôt lors du dépôt de la première composition ou sur les fils au plus tard lors de leur collecte sur les supports L'écart de viscosité entre les compositions est généralement inférieur à 250 cP.
La composition selon l'invention est préférentiellement appliquée en deux étapes, la première composition comprenant le(s) composant(s) (méth)acrylique, et éventuellement un ou plusieurs additifs, et la deuxième composition comprenant le(s) composant(s) amine primaire et/ou secondaire, et éventuellement un ou plusieurs additifs, notamment le ou les catalyseurs de polymérisation.
Le dépôt de l'ensimage en deux étapes est particulièrement avantageux. Il permet une meilleure maîtrise des réactions de polymérisation et de ce fait l'ensimage a une qualité uniforme sur toute la longueur des fils tout en assurant une productivité élevée avec un risque réduit de casse des fils. Dans la plupart des cas, le dépôt ne nécessite pas d'apport extérieur de chaleur.
Les fils ensimés sont généralement collectés sous la forme d'enroulements sur des supports en rotation. Quels que soient l'état de polymérisation de l'ensimage et l'angle de croisure, même lorsque ce dernier est faible, (inférieur à 1,5 ), il est facile de dévider les fils provenant des enroulements et de les manipuler. Les enroulements à bords droits conservent leurs caractéristiques dimensionnelles et ne sont pas déformés.
Les fils peuvent aussi être collectés sur des supports récepteurs en translation. Ils peuvent être notamment projetés par un organe servant aussi à les étirer vers la surface de collecte se déplaçant transversalement à la direction des fils projetés en vue d'obtenir une nappe de fils continus entremêlés ou mat .
Les fils peuvent aussi être coupés avant la collecte par un organe servant également à les étirer.
Les fils obtenus selon l'invention peuvent ainsi se trouver sous différentes formes après la collecte, par exemple sous la forme de bobines de fils continus (gâteaux, stratifils, cops ...), de fils coupés, de tresses, de rubans et de
mats ou de réseaux. Les filaments de verre constituant ces @s ont un diamètre qui peut varier dans une large mesure, le plus souvent de 5 à 30 m. Ils peuvent être constitués de n'importe quel verre, le plus connu dans le domaine des fils de renforcement étant le verre E et le verre AR.
Les fils obtenus selon l'invention peuvent être utilisés avantageusement pour renforcer diverses matières en vue d'obtenir des pièces composites ayant des propriétés mécaniques élevées. Les composites sont obtenus en associant au moins des fils de verre selon l'invention et au moins une matière organique et/ou inorganique, le taux de verre variant généralement de 2 à 5 % en poids (matrice cimentaire) et de 30 à 75% en poids, et de préférence 40 à 70 % (matrice organique). Les composites préférés comprennent des fils de verre, en majorité (plus de 50 % en poids) constitués des fils selon l'invention, et une matière organique, telle qu'une résine polyester, époxyde, phénolique ou du type styrènebutadiène ( SBR ). Avantageusement, la résine est une résine polyester ou époxyde.
Les exemples qui suivent permettent d'illustrer l'invention sans toutefois la limiter.
Dans ces exemples, on utilise les méthodes d'analyse suivantes pour la mesure des propriétés physiques et mécaniques des fils de verre revêtus de la composition d'ensimage selon l'invention et des composites renfermant lesdits fils : Fils de verre - La résistance à l'abrasion est mesurée en pesant la quantité de bourre formée après passage du fil sur une série de 8 embarrages cylindriques à 90 en céramique. Elle est exprimée en mg pour 1 kg de fil testé.
- La raideur ou rigidité est mesurée dans les conditions définies par la norme ISO 3375 sur 10 éprouvettes avant et après soumission au test de résistance à l'abrasion mentionné ci-avant. La raideur est exprimée en mm et elle est notée x (y), x et y représentant la valeur mesurée avant et après passage sur les embarrages, respectivement.
La valeur y permet de préjuger de l'aptitude du fil à être imprégné par une matière, plus particulièrement une matière organique du type polymère. En général, un fil de verre ensimé dont la valeur de y est inférieure à 100 mm et de préférence proche de 60 mm (valeur la plus basse pouvant être obtenue) est
satisfaisant pour des applications nécessitant une bonne imprégnation par la matrice. Un fil présentant une valeur de x supérieure ou égale à 120 et une valeur de y supérieure ou égale à 100 convient pour un usage requérant une intégrité élevée du fil.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingt-et-unième aspect de la présente invention, la partie du substrat SOI comprend une partie de suppression du cou rant de Foucault dans laquelle est formée au moins une structure creuse pour empêcher la production du courant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans la partie de substrat, ce qui réduit la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingt-et-unième aspect de la présente invention, la partie de suppression du courant de Foucault comprend une cavité ayant une profondeur qui est réduite, d'un facteur compris entre environ un et environ dix, par rapport à la longueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la cavité s'éten dant approximativement, selon une vue en plan, sur la même étendue qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé. C'est pourquoi la cavité empêche que le courant de Foucault soit induit par l'élément d'inductance dans la partie de substrat.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingt-deuxième aspect de la présente invention, la partie de suppression du courant de Foucault comprend la couche poreuse possédant une profondeur inférieure, d'un facteur compris entre environ un et environ dix, à la longueur, selon une vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé. Par conséquent la couche poreuse interrompt le trajet du cou rant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans la partie de substrat, ce qui évite la dissipation de puis sance induite par voie électromagnétique, due au courant de Foucault.
Dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingt-troisième aspect de la présente invention, la couche SOI comprend la couche poreuse possédant une largeur qui est réduite, d'un facteur compris entre environ un et envi ron dix, par rapport à la longueur, considérée selon une vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé. C'est pourquoi la couche poreuse interrompt le trajet du courant de Fou cault induit par l'élément d'inductance dans la couche SOI, en évitant ainsi la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault. Dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingt-quatrième aspect de la présente invention, le subs trat semiconducteur comprend la couche poreuse possédant une profondeur inférieure, d'un facteur compris entre envi ron un et environ dix, à la longueur, vue dans le plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsque l'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formée. Par conséquent la couche poreuse interrompt le trajet de courant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans le substrat semiconducteur, ce qui évite la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.
Le dispositif à semiconducteurs selon le vingt- cinquième aspect de la présente invention possède un agen cement, dans lequel la couche poreuse peut être réalisée.
Le dispositif à semiconducteurs selon les vingt- sixième et vingt-septième aspects de la présente invention permet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique au moyen de la couche de protection, et interrompt le trajet du courant de Foucault dans la couche de protection, ce qui réduit la dissipation de puis sance induite par voie électromagnétique. En plus, le dis positif à semiconducteurs comprend en outre la pluralité de sillons qui s'étendent à travers le film d'oxyde enseveli pour pénétrer dans la partie de substrat. La pluralité de sillons interrompent le trajet du courant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans le film d'oxyde en seveli et la partie de substrat, ce qui évite la dissipa tion de puissance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.
Le dispositif à semiconducteurs selon le vingt- huitième aspect de la présente invention permet de réduire la dissipation de puissance induite par voie électrosta- tique au moyen de la couche de protection formée dans ce qu'on appelle un substrat massif, et interrompt le trajet du courant de Foucault dans la couche de protection, de manière à réduire la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique. De plus, le dispositif à semicon ducteurs comprend en outre la pluralité de sillons qui s'étendent dans le substrat. La pluralité de sillons inter rompent le trajet du courant de Foucault induit par l'élément d'inductance dans le film d'oxyde enseveli et la partie de substrat, ce qui évite la dissipation de puis sance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.