INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'étape de dispersion physique peut aussi être suivie alternativement d'une étape de centrifugation à faible vitesse ou encore une étape d'élutriation cellulaire.
L'ADN peut ensuite être extrait des cellules séparées par toutes les méthodes de lyse disponibles et être purifié par de nombreuses méthodes, y compris les méthodes de purification décrites au paragraphe 1. 1 précédent. Notamment, l'inclusion des cellules dans de l'agarose à bas point de fusion peut être réalisée afin de ménager la lyse.
Toutefois, les méthodes décrites dans l'état de la technique connues du demandeur ne donnent pas satisfaction du fait de la présence, dans les fractions contenant l'ADN extrait, de constituants indésirables de l'échantillon de départ ayant une influence significative sur la qualité et la quantité d'ADN final.
La présente invention se propose de résoudre les difficultés techniques rencontrées dans les procédés de l'art antérieur comme cela sera décrit ci-après.
2. Caractérisation moléculaire de l'ADN extrait.
On utilise particulièrement les copolymères dont la dénomination CTFA (4ème Ed., 1991) est Octylacrylamide/acrylateslbutylaminoethylmethacrylate copolymer tels que les produits vendus sous la dénomination AMPHOMER ou LOVOCRYL 47 par la société NATIONAL STARCH.
(3) Les polyaminoamides réticulés et alcoylés partiellement ou totalement dérivant de polyaminoamides de formule générale : dans laquelle R19 représente un radical divalent dérivé d'un acide dicarboxylique saturé, d'un acide aliphatique mono ou dicarboxylique à double liaison éthylénique, d'un ester d'un alcanol inférieur ayant 1 à 6 atomes de carbone de ces acides ou d'un radical dérivant de l'addition de l'un quelconque desdits acides avec une amine bis primaire ou bis secondaire, et Z désigne un radical d'une polyalkylène-polyamine bis-primaire, mono ou bis-secondaire et de préférence représente : a) dans les proportions de 60 à 100 moles %, le radical où x=2 et p=2 ou 3, ou bien x=3 et p=2 ce radical dérivant de la diéthylène triamine, de la triéthylène tétraamine ou de la dipropylène triamine; b) dans les proportions de 0 à 40 moles % le radical (XI) ci-dessus, dans lequel x=2 et p=1 et qui dérive de l'éthylènediamine, ou le radical dérivant de la pipérazine : c) dans les proportions de 0 à 20 moles % le radical -NH-(CH2)6-NHdérivant de l'hexaméthylènediamine, ces polyaminoamines étant réticulées par addition d'un agent réticulant bifonctionnel choisi parmi les épihalohydrines, les diépoxydes, les dianhydrides, les dérivés bis insaturés, au moyen de 0,025 à 0,35 mole d'agent réticulant par groupement amine du polyaminoamide et alcoylés par action d'acide acrylique, d'acide chloracétique ou d'une alcane sultone ou de leurs sels.
Les acides carboxyliques saturés sont choisis de préférence parmi les acides ayant 6 à 10 atomes de carbone tels que l'acide adipique, triméthyl-2,2,4-adipique et
triméthyl-2,4,4-adipique, téréphtalique, les acides à double liaison éthylénique comme par exemple les acides acrylique, méthacrylique, itaconique.
Les alcanes sultones utilisées dans l'alcoylation sont de préférence la propane ou la butane sultone, les sels des agents d'alcoylation sont de préférence les sels de sodium ou de potassium.
(4) Les polymères comportant des motifs zwittérioniques de formule : dans laquelle R20 désigne un groupement insaturé polymérisable tel qu'un groupement acrylate, méthacrylate, acrylamide ou méthacrylamide, y et z représentent un nombre entier de 1 à 3, R21 et R22 représentent un atome d'hydrogène, méthyle, éthyle ou propyle, R23 et R24 représentent un atome d'hydrogène ou un radical alkyle de telle façon que la somme des atomes de carbone dans R23 et R24 ne dépasse pas 10.
A titre d'exemple, on peut citer le copolymère de méthacrylate de méthyle / diméthyl-carboxyméthylammonio-éthylméthacrylate de méthyle tel que le produit vendu sous la dénomination DIAFORMER Z301 par la société SANDOZ.
(5) les polymères dérivés du chitosane comportant des motifs monomères répondant aux formules (XIII), (XIV), (XV) suivantes :
le motif (XIII) étant présent dans des proportions comprises entre 0 et 30%, le motif (XIV) dans des proportions comprises entre 5 et 50% et le motif F dans des proportions comprises entre 30 et 90%, étant entendu que dans ce motif (XV), R25 représente un radical de formule : dans laquelle si q=0, R26, R27 et R28, identiques ou différents, représentent chacun un atome d'hydrogène, un reste méthyle, hydroxyle, acétoxy ou amino, un reste monoalcoylamine ou un reste dialcoylamine éventuellement interrompus par un ou plusieurs atomes d'azote et/ou éventuellement substitués par un ou plusieurs groupes amine, hydroxyle, carboxyle, alcoylthio, sulfonique, un reste alcoylthio dont le groupe alcoyle porte un reste amino, l'un au moins des radicaux R26, R27 et R28 étant dans ce cas un atome d'hydrogène ; ou si q=1, R26, R27 et R28 représentent chacun un atome d'hydrogène, ainsi que les sels formés par ces composés avec des bases ou des acides.
(6) Les polymères dérivés de la N-carboxyalkylation du chitosane comme le N-carboxyméthyl chitosane ou le N-carboxybutyl chitosane vendu sous la dénomination "EVALSAN" par la société JAN DEKKER.
(7) Les polymères répondant à la formule générale (XI) tels que ceux décrits par exemple dans le brevet français 1 400 366 :
dans laquelle R29 représente un atome d'hydrogène, un radical CH30, CH3CH20, phényle, R30 désigne l'hydrogène ou un radical alkyle inférieur tel que méthyle, éthyle, R31 désigne l'hydrogène ou un radical alkyle inférieur tel que méthyle, éthyle, R32 désigne un radical alkyle inférieur tel que méthyle, éthyle ou un radical répondant à la formule - -R33-N(R3i)2, R33 représentant un groupement-CH2-CH2- , -CH2-CH2-CH2- , -CH2-CH (CH3)- , R31 ayant les significations mentionnées ci-dessus, ainsi que les homologues supérieurs de ces radicaux et contenant jusqu'à 6 atomes de carbone.
(8) Des polymères amphotères du type-D-X-D-X- choisis parmi: a) les polymères obtenus par action de l'acide chloracétique ou le chloracétate de sodium sur les composés comportant au moins un motif de formule : -D-X-D-X-D- (XVII) où D désigne un radical et X désigne le symbole E ou E', E ou E' identiques ou différents désignent un radical bivalent qui est un radical alkylène à chaîne droite ou ramifiée comportant jusqu'à 7 atomes de carbone dans la chaîne principale non substituée ou substituée par des groupements hydroxyle et pouvant comporter en outre des atomes d'oxygène,
d'azote, de soufre, 1 à 3 cycles aromatiques et/ou hétérocycliques; les atomes d'oxygène, d'azote et de soufre étant présents sous forme de groupements éther, thioéther, sulfoxyde, sulfone, sulfonium, alkylamine, alkénylamine, des groupements hydroxyle, benzylamine, oxyde d'amine, ammonium quaternaire, amide, imide, alcool, ester et/ou uréthanne ; b) les polymères de formule : -D-X-D-X- (XVIII) où D désigne un radical et X désigne le symbole E ou E' et au moins une fois E' ; ayant la signification indiquée ci-dessus et E' est un radical bivalent qui est un radical alkylène à chaîne droite ou ramifiée ayant jusqu'à 7 atomes de carbone dans la chaîne principale, substitué ou non par un ou plusieurs radicaux hydroxyle et comportant un ou plusieurs atomes d'azote, l'atome d'azote étant substitué par une chaîne alkyle interrompue éventuellement par un atome d'oxygène et comportant obligatoirement une ou plusieurs fonctions carboxyle ou une ou plusieurs fonctions hydroxyle et bétaïnisées par réaction avec l'acide chloracétique ou du chloracétate de soude (9) Les copolymères alkyl(C1-C5)vinyléther / anhydride maléique modifié partiellement par semiamidification avec une N,N-dialkylaminoalkylamine telle que la N,N-diméthylaminopropylamine ou par semiestérification avec une N,N-dialcanolamine. Ces copolymères peuvent également comporter d'autres comonomères vinyliques tels que le vinylcaprolactame.
Doté d'un crible permettant de sélectionner les plasmides portant un insert. Ce crible permet en éliminant les vecteurs refermés sur eux même et non digérés de travailler avec un rapport plus élevé entre vecteur et DNA à insérer ce qui permet d'avoir une meilleure efficacité de clonage pour constituer des banques.
Construction :
Etape 1 : le vecteur pOSV001 Clonage d'un fragment Pstl-Pstl de 800 paires de bases portant l'origine de transfert OriT du réplicon RK2 (Guiney et al., 1983), dans le plasmide pUC19 ouvert par Pstl. Cette étape de clonage permet d'obtenir un vecteur transférable de E. coli à Streptomyces par conjugaison.
La carte du vecteur pOSV 001 est représentée à la Figure 17.
Etape 2 : le vecteur pOSV002 Insertion du marqueur Hygromycine (cassette Qhyg), et sélectionnable chez Streptomyces, de sorte que le gène conférant la résistance à l'hygromycine soit transféré en dernier ce qui permet de s'assurer du transfert complet du BAC avec l'insert d'ADN du sol.
Clonage de la cassette Hygromycine isolée de pHP45Qhyg sur un fragment Hindlll-Hindlll portant le gène de résistance à l'Hygromycine.. Ce fragment est cloné au site Pstl (position 201) du vecteur pOSV001. Ce site Pstl a été choisi, compte tenu du sens du transfert, pour que le marqueur Hygro soit le dernier transféré lors de la conjugaison. Les extrémités Pstl et Hindlll sont rendues compatibles après traitement par le fragment Klenow de l'ADN polymérase permettant de générer des "bouts francs". L'orientation du fragment Qhyg est déterminée en fin de construction.
La carte du vecteur pOSV002 est représentée à la Figure 18.
Etape 3 : le vecteur pOSV010 Le fragment Xbal-Hindlll isolé du plasmide pOSV002 et contenant le marqueur de résistance à l'hygromycine et l'origine de transfert est cloné dans le plasmide pOSint1 digéré par Xbal et Hindlll. L'orientation des sites est telle que le marqueur hygromycine sera toujours transféré en dernier.
Le plasmide pOSint1, représenté à la Figure 8, a été décrit dans l'article de Raynal et al.( Raynal A et al. Mol Microbiol 1998 28 :333-42).
Cette construction permet l'expression de l'intégrase chez E. coli et chez Streptomyces.
Etape 4 : le vecteur pOSV014
Addition d'une "cassette" permettant à terme de sélectionner dans la construction finale les plasmides ayant insérés de l'ADN étranger.
Cette "cassette" porte le gène codant pour le répresseur CI du phage # et le gène conférant la résistance à la tétracycline. Ce gène porte dans sa région 5' non codante la séquence cible du répresseur. L'insertion d'ADN dans le site Hindlll situé dans la séquence codante de CI conduit à la non production du répresseur et donc à l'expression de la résistance à la tétracycline.
Elle est portée par le plasmide pUN99 décrit dans l'article : Nilsson et al .
(Nucleic Acids Res 1983, 11:8019-30) Un fragment Pvull-Hindlll isolé de pOSV010 et contenant les séquences Int, attP, Hygro et oriT est cloné au site Mscl de pUN99 .
La carte du vecteur pOSV014 est représentée sur la Figure 19.
Le dispositif formant onduleur de l'art antérieur représenté sur la figure 1 comprend un générateur de valeurs de commande 510. Le générateur de valeurs de commande 510 comporte une mémoire ROM mémorisant des données représentant des valeurs de commande de tension U* pour la phase U, des valeurs de commande de tension V* pour la phase V et des valeurs de commande de tension W* pour la phase W. Les valeurs de commande de tension U*, V* et W* sont basées par exemple sur des amplitudes d'ondes sinusoïdales. Les valeurs de commande de tension U*, V* et W* sont représentées en fonction d'une phase du rotor (un angle de rotation d'un rotor). Le générateur de valeurs de commande reçoit un signal représentatif de la phase détectée (angle de rotation détecté) 8 d'un rotor dans le moteur à courant alternatif déphasé 509, à partir d'un détecteur de la phase du rotor (non représenté). Un accès à la mémoire RAM est exécuté en réponse au signal de phase du rotor. Des éléments de données représentant un ensemble comprenant une valeur de commande de tension U*, une valeur de commande de tension V* et une valeur de commande de tension W*, qui correspondent à la phase détectée 0 du rotor, sont lues à partir de la mémoire ROM. Le générateur de valeurs de commande 510 délivre les éléments de données lus (les valeurs de commande de tension lues U*, V* et W*) et envoyés à un générateur de formes d'ondes MID 511.
Un premier exemple du détecteur de la phase du rotor inclut des capteurs de courant (non représentés) associés aux connexions entre les bornes de sortie 507u, 507v et 507w du circuit principal formant onduleur 507, et les enroulements de la phase U, de la phase V et de la phase W du moteur courant alternatif triphasé 509. Le premier exemple comporte en outre un circuit pour détecter les points d'annulation dans les signaux de sortie des capteurs de courant, et un circuit pour détecter la phase (l'angle de rotation) 0 du rotor dans le moteur à courant alternatif triphasé 509 en réponse aux points d'annulation détectés. Un second exemple du détecteur de la phase du rotor inclut un codeur rotatif ou un réservoir associé au rotor dans le moteur à courant alternatif triphasé 509. Le second exemple comprend en outre un circuit pour détecter la phase (l'angle de rotation) 0 du rotor en réponse au signal de sortie du codeur rotatif ou du résolveur.
La figure 2 représente les détails du générateur de formes d'ondes MID 511. Comme cela est représenté sur la figure 2, le générateur de formes d'ondes MID 511 comprend des comparateurs 512a, 512b, 512c, 512d, 512e et 512f. La valeur de commande de tension U* est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 512a et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 512b. La valeur de commande de tension V* est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 512c et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 512d. La valeur de commande de tension W* est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 512e et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 512f. Le générateur d'ondes porteuses 513 délivre une onde porteuse triangulaire pour la modulation MID aux bornes d'entrée inverseuses des comparateurs 512a, 512c et 512e, et aux bornes d'entrée non inverseuses des comparateurs 512b, 512c et 512f.
Dans le cas où les valeurs de commande de tension U*, V* et W* et l'onde porteuse envoyée au comparateur 512a-512f sont représentées par des données numériques, les comparateurs d'amplitude sont utilisés en tant que comparateurs 512a-512f. Dans le cas où les valeurs de commande de tension U*, V* et W* et l'onde porteuse envoyée aux comparateurs 512a-512f ont des formes analogiques, des comparateurs analogiques sont utilisés en tant que comparateurs 512a-512f.
Les comparateurs 512a, 512b, 512c, 512d, 512e et 512f délivrent respectivement des signaux 5C1, 5C2, 5C3, 5C4, 5C5 et 5C6 à un générateur de temps morts 514. Lorsque la valeur de commande de tension U* est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal 5C1 du comparateur est dans son état à niveau haut. Sinon le signal 5C1 du comparateur est dans son état à niveau bas. Le signal 5C2 du comparateur est une inversion du signal 5C1 du comparateur. Lorsque la valeur de commande de tension V* est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal 5C3 du comparateur est dans son état à niveau haut. Sinon le signal 5C3 du comparateur est dans son état à niveau bas. Le signal 5C4 du comparateur est une inversion du signal 5C3 du comparateur. Lorsque la valeur de commande de tension W* est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal 5C5 du comparateur est dans son état à niveau haut. Sinon, le signal 5C5 du comparateur est dans son état à niveau bas. Le signal 5C6 du comparateur est une inversion du signal 5C5 du comparateur.
Le générateur de temps morts 514 agit de manière à empêcher le transistor IGBT situé sur le côté positif et le transistor IGBT situé sur le côté négatif, dans chacune des branches du circuit principal formant onduleur 502 d'être placés simultanément dans leurs états conducteurs. De façon spécifique, le générateur de temps morts 514 corrige la relation de mise à l'état conducteur - mise à l'état bloqué entre un groupe de signaux 5C1, 5C3 et 5C5 de comparateurs et un groupe de signaux 5C2, 5C3 et 5C6 de comparateurs pour fournir des temps morts pour les branches respectives du circuit principal formant onduleur 507. Pendant le temps mort pour l'une des branches, à la fois le transistor IGBT situé sur le côté positif et le transistor IGBT situé sur le côté négatif dans la présente branche sont dans leurs états bloqués. Le générateur de temps morts 514 produit des signaux de commande de base 5G1', 5G2', 5G3', 5G4', 5G5' et 5G6' en réponse aux signaux 5C1, 5C2, 5C3, 5C4, 5C5 et 5C6 des comparateurs. En d'autres termes le générateur de temps morts 514 corrige les signaux 5C1, 5C2, 5C3, 5C4, 5C5 et 5C6 des comparateurs en les transformant respectivement en les signaux de commande de base 5G1', 5G2', 5G3', 5G4', 5G5' et 5G6'. Le générateur de temps morts 514 délivre les signaux de commande de base 5G1'-5G6' à un étage d'attaque 515 (voir figure 1).
En se référant à nouveau à la figure, 1, l'étage d'attaque 515 inclut des optocoupleurs servant à produire les signaux de commande finals 5G1, 5G2, 5G3, 5G4, 5G5 et 5G6 en réponse aux signaux de commande de base 5G1', 5G2', 5G3', 5G4', 5G5' et 5G6'. L'étage d'attaque 515 envoie les signaux de commande finals 5G1, 5G2, 5G3, 5G4, 5G5 et 5G6 aux grilles des transistors IGBT respectifs 501, 502, 503, 504, 505 et 506.
Dans le circuit principal 507 formant onduleur, la branche de la phase U contient les transistors IGBT 501 et 502. Lorsque la valeur de commande de tension U* est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 501 est dans son état conducteur et le transistor IGBT 502 est dans son état bloqué de sorte que la tension sur le côté positif de la batterie 508 est transmise à l'enroule ment de la phase U du moteur alternatif à courant triphasé 509. D'autre part, lorsque la valeur de commande de tension U* est inférieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 501 est dans son état bloqué et le transistor IGBT 502 est dans son état conducteur de sorte que la tension sur le côté négatif de la batterie 508 est transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 509. Par conséquent, pendant chaque période de l'onde porteuse, la tension sur le côté positif de la batterie 508 continue à être envoyée à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 509 uniquement pendant un intervalle de temps qui est proportionnel à la valeur de commande de tension U*. De façon similaire, la tension sur le côté positif de la batterie 508 et la tension sur le côté négatif de cette dernière sont transmises sélectivement aux enroulements de la phase V et de la phase W pour le moteur à courant alternatif triphasé 509 en réponse aux valeurs de commande de tension V* et W*.
En référence aux figures 3 et 4, les valeurs de commande de tension U*, V* et W* varient sous la forme d'ondes sinusoïdales. Les courants délivrés par le circuit principal formant onduleur 507 aux enroulements du moteur à courant alternatif triphasé 509 comportent des impulsions, dont les largeurs sont modulées en fonction des ondes sinusoïdales (les valeurs de commande de tension U*, V* et W*). Lorsque la fréquence de l'onde porteuse augmente, les variations des durées d'impulsions des courants de sortie délivrés par le circuit principal formant onduleur 507 correspondent plus à des sinusoïdes idéales. Lorsque la fréquence de l'onde porteuse est égale à 15 kHz ou plus, le bruit produit par le moteur à courant alternatif triphasé 509 peut être remarquablement réduit. Par conséquent, on utilise comme transistors IGBT 501-506 des transistors, qui exécutent une commutation avec une fréquence aussi élevée. Par conséquent, les transistors IGBT 501-506 sont d'un type à commutation rapide.
Dans le cas où le circuit principal formant onduleur 507 traite une puissance élevée, le circuit principal formant onduleur 507 est considérablement chauffé par une perte de conversion de puissance. C'est pourquoi, dans ce cas, il est nécessaire d'équiper le circuit principal formant onduleur 507 d'un dispositif de refroidissement tel qu'un dispositif de refroidissement à eau. Le dispositif de refroidissement entraîne un accroissement des dimensions et du coût du dispositif formant onduleur de l'art antérieur. Les pertes par commutation, qui sont produites par les transistors IGBT 501-506, interviennent pour une grande part dans la perte de conversion de puissance. Lorsque la fréquence de commutation augmente, les pertes par commutation augmentent. Par conséquent, dans le dispositif formant onduleur de l'art antérieur, il est recommandé d'utiliser des transistors IGBT 501-506 dans des conditions de commutation à faible fréquence.
Première forme de réalisation La figure 5 représente un dispositif formant convertisseur de puissance (un dispositif formant onduleur) conformément à une première forme de réalisation de la présente invention. Le dispositif formant convertisseur de puissance de la figure 5 active ou commande un moteur à courant alternatif polyphasé (un moteur à courant alternatif triphasé) 9 utilisé pour entraîner par exemple un véhicule électrique.
Le dispositif formant convertisseur de puissance de la figure 5 comprend un circuit formant onduleur 7 comportant des transistors IGBT (c'est-à-dire des transistors bipolaires à grille isolée) 1, 2, 3, 4, 5 et 6, qui sont branchés sous la forme d'un pont triphasé ou d'un pont à trois branches. Le circuit principal formant onduleur 7 comporte des première, seconde et troisième branches connectées entre un bus d'alimentation à courant continu positif (un.rail d'alimentation à courant continu positif) 16a et un bus d'alimentation à courant continu négatif (un rail d'alimentation à courant continu négatif) 7b. La première branche est pourvue d'une combinaison en série d'un transistor IGBT situé sur le côté positif et d'un transistor IGBT situé sur le côté négatif, qui sont formés respectivement par transistors IGBT 1 et 2. La seconde branche est pourvue d'une combinaison en série d'un transistor IGBT sur le côté positif et d'un transistor IGBT sur le côté négatif constitué respectivement par les transistors IGBT 3 et 4. La seconde branche est pourvue d'une combinaison en série d'un transistor IGBT situé sur le côté positif et d'un transistor IGBT situé sur le côté négatif, constitués respectivement par les transistors IGBT 5 et 6. Les première, seconde et troisième branches correspondent respectivement aux phase "U", "Vif et IIWIT du moteur polyphasé 9.
Les bus d'alimentation à courant continu positive et négative 7a et 7b sont connectées respectivement aux bornes positive et négative d'une batterie 8. La batterie 8 constitue une source d'alimentation à courant continu. Le circuit principal formant onduleur 7 comporte des bornes de sortie 7u, 7v et 7w pour les trois phases respectives "U", "V" et "W". Les bornes de sortie 7u, 7v et 7w sont connectées respectivement aux enroulements de la phase U, de la phase V et de la phase W du moteur à courant alternatif triphasé 9. Les exemples du moteur à courant alternatif triphasé 9 sont un moteur synchrone, un moteur à induction et un moteur sans balai. Des diodes à roue libre ou à effet unidirectionnel D1, D2, D3, D4, D5 et D6 sont connectées respectivement entre les collecteurs et les émetteurs des transistors IGBT 1, 2, 3, 4, 5 et 6 selon un montage antiparallèle.