INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ester méthylique et Acide (x-c) Rendement de quantité engagée (en dicarboxylique transformation 0 g/1) correspondant (en (en o) g/1) C 16:0 8,2 5,9 72 C 18:0 8,4 6,2 74 C 18:1 167,8 125,8 75 C 18:2 21,8 1 5,6 72 Exem 1p e 3 On a réitéré la même expérience que précédemment, en remplaçant les esters méthyliques d'huile de colza par l'ester méthylique de l'acide myristique (C14:0). On a utilisé le même milieu de culture, la même souche, et les mêmes paramètres physico-chimiques que précédemment. La quantité totale de méthylemyristate introduite selon le même protocole que celui décrit dans l'exemple précédent, est de 210 g/1. La concentration finale en acide #-ù) dicarboxylique obtenue est de 151,2 g/1, ce qui correspond à -un rendement pondéral de 72 Si l'on revient maintenant à la généralité du procédé selon l'invention, il convient d'observer que les souches sont cultivées à leur pH optimum de croissance, les valeurs préférentielles étant voisines de 7 pour les bactéries et comprises entre 4 et 5 pour les levures et champignons. Pendant la phase de croissance, la température sera de préférence maintenue entre 25 et 35 C, et l'oxygène dissous voisin de 10 % de saturation, le pH étant quant à lui maintenu par addition d'une base, telle que la soude. Lorsque la concentration en biomasse microbienne est jugée suffisante, entre 10 et 20 g/1, le pH est monté entre 7 et 8,5 pour assurer une biotransformation des esters méthyliques en acides a-co dicarboxyliques. Pendant cette période de production, le pH est régulé par addition d'une base, telle que la soude, qui assure la neutralisation des acides formés. Pendant cette phase de biotransformation, la concentration en oxygène dissous est maintenue voisine de 30 s de saturation. A la fin de la fermentation, caractérisée par un arrêt de l'addition de la base, le milieu est amené à un pH compris entre 10 et 13, de façon à favoriser la solubilisation complète des acides #-w dicarboxyliques. Un agent floculant peut être ajouté pour favoriser la floculation des micro-organismes avant séparation par centrifugation ou filtration sous vide ou sous pression. I1 peut être intéressant de prévoir que le mélange d'esters méthyliques utilisé soit préalablement soumis, avant transformation, à un processus de fractionnement, afin de pouvoir transformer individuellement un ester méthylique particulier sélectionné en acide #-f dicarboxylique.
Par ailleurs, et conformément à une technique classique en la matière, on pourra prévoir que la souche utilisée pour la fermentation croit sur un co-substrat en présence des esters méthyliques destinés à la production d'acides a-w dicarboxyliques. Ce co-substrat pourra être choisi dans le groupe comportant le glucose, le saccharose, le glycérol, ou plus généralement toute autre source de carbone et d'énergie, simple ou en mélange, utilisable par la souche concernée pour la croissance de ladite souche.
On pourra naturellement prévoir que le mélange d'esters méthyliques utilisé est préalablement hydrolysé en acides gras correspondants, avant d'enclencher le processus de fermentation.
Ainsi que cela a été dit plus haut, le moût de fermentation sera avantageusement amené à un pH compris entre 10 et 13, de façon à solubiliser complètement les acides a-w dicarboxyliques obtenus avant séparation du moût de fermentation des corps microbiens obtenus après croissance du micro-organisme par une technique de séparation telle que microfiltration, filtration sous vide ou sous pression, décantation ou centrifugation.
Avantageusement alors, le moût de fermentation séparé des corps microbiens qu'il contenait est acidifié à un pH voisin de 4, afin de précipiter et séparer le mélange des acides a-w dicarboxyliques. On pourra alors soit utiliser tel quel le mélange obtenu, soit fractionner ce mélange en ses différents acides #-w dicarboxyliques.
Le précipité obtenu est alors filtré dans un filtre-presse, et le gateau extrait du filtre-presse est lavé et filtré avant granulation. Ainsi, grâce à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, les acides a-co dicarboxyliques peuvent être obtenus de façon efficace à partir d'esters méthyliques résultant de la méthanolyse de corps gras animaux ou végétaux.
L'obtention d'acides a-co dicarboxyliques saturés et insaturés permet d'envisager une dimension nouvelle pour les débouchés des esters méthyliques. Ces acides peuvent en effet être transformés en sels, esters, amides, amines. Il convient également de rappeler que des plastiques nouveaux, polyamides et polyesters, peuvent être obtenus à partir de dérivés des acides #-w dicarboxyliques.
. En conclusion, la principale originalité du procédé de production d'acides OC-0) dicarboxyliques selon l'invention réside ainsi principalement dans le choix de la matière première de départ, qui est un mélange d'esters méthyliques obtenu par méthanolyse d'huiles ou de graisses.
Les données physiques et biochimiques sont : Densité à 20 : 0,910 à 0,919 # Indice de réfraction : 1,483 à 1,490 Pouvoir rotatoire . 1 18 à 1 38 Caractéristiques organoleptiques : * fluide et mobile * du jaune pâle à l'incolore * odeur caractéristique où la fraîcheur du 1,8 cinéole se mêle à la chaleur du terpinéol alpha * saveur tonique, dynamique et astnngente Les données fournies par la chromatographie phase gazeuse couplées à la spectrométne de masse de cette HE de Ravensara Aromatica permettent de déceler les molécules principales de l'HE suivantes : Oxyde monoterpénique : # cinéol 1,8
Ester : # acétate de terpinyle alpha Monoterpènes : # sabinène # pinène alpha # pinène bêta camphène limonène # phéllandrène alpha humulène alpha # thujène # terpinène alpha > terpinène gamma Monoterpènols et alcools : # terpinène 1 ol 4 # terpinéol alpha Phénol : > eugénol Sesquiterpènes : caryophyllène bêta germacrène Aldéhyde : # myrténal Ether: eugénol de méthyl La posologie et le pourcentage des trois HE, Helichrysum Italicum, Ledum Groenlandicum et Ravensara Aromatica ainsi que la durée du traitement, peuvent varier et dépendre de plusieurs facteurs, tels que : le stade de la maladie, notamment du cancer, histologie du cancer, association ou non avec une radiothérapie, chimiothérapie, état général du patient. L'action thérapeutique de l'association selon
l'invention est utile dans les différentes phases de la maladie, notamment du cancer en soins palliatifs, en soins curatifs ou en soins préventifs.
En soins palliatifs, on observe que l'action dynamisante du Ravensara améliore l'état clinique du patient avec une diminution de la fatigue, une atténuation des douleurs, une amélioration de l'appétit et du sommeil. La voie cutanée pour l'administration de l'association selon la présente invention peut être avantageuse à ce stade.
En soins curatifs, le traitement avec une association de deux ou trois HE selon la présente invention peut être donné pendant toute la période qui précède une intervention chirurgicale et poursuivi après jusqu'à l'attente des résultats et des traitements ultérieurs de chimiothérapie et/ou radiothérapie. L'action de l'association à base de deux ou trois HE selon la présente invention permet de : - Limiter l'évolution de la tumeur (action anticancéreuse) ; - Eviter et limiter les saignements pendant l'intervention, saignements qui sont parfois responsables de métastases par voie sanguine, cette très belle action antihémorragique particulièrement liée à l'Helichryse italienne ; - Préparer le patient à mieux supporter l'anesthésie due à l'action particulière du Ledum Groenlandicum qui désintoxique l'organisme par sa puissante action sur le foie qui permet de mieux éliminer les produits de l'anesthésie, les patients constatant effectivement un très bon réveil à l'anesthésie ; Améliorer la cicatrisation par l'action de l'Helichryse ; - Améliorer l'état psychologique du patient qui est souvent très inquiet, angoissé, stressé, insomniaque, découragé quand on lui annonce une forte probabilité de cancer.
Un traitement combiné avec un chimiothérapie présente un triple intérêt, à savoir : Une activité anticancéreuse de l'association elle-même ; - Une meilleure tolérance de la chimiothérapie, que ce soit au niveau biologique avec une normalisation du bilan hépatique et rénal ou au niveau clinique avec une diminution de l'asthénie et des nausées, vomissements ; - Une stimulation immunitaire vraisemblablement plus particulièrement liée au Ravensara.
rour un traitement avec une association seion la presente invention en complément d'un traitement de chimiothérapie, la durée du traitement doit être aussi longue que la durée de la chimiothérapie (en moyenne six mois avec des arrêts de une à deux semaines tous les mois ou tous les deux mois). La posologie et les pourcentages des trois huiles essentielles seront variables en fonction du patient et du stade de la maladie et des produits utilisés pour la chimiothérapie.
En soins préventifs, une association de deux ou trois HE selon la présente invention peut être utilisée en moyenne quatre à huit semaines deux fois par an, au printemps et à l'automne ou trois à quatre fois par an en fonction du stade du cancer.
En moyenne ce traitement préventif durera de cinq à dix ans.
Une association préférée selon la présente invention comprend les composés suivants : - le cinéol 1,8; - au moins un alcool choisi parmi le terpinéol alpha et le terpinène 1 ol 4 ; - des composés terpéniques choisis parmi les composés comprenant le sabinène, le pinène, le terpinène, le limonène, le phéllandrène, le terpinolène, le sélinène, le curcumène, le germacrène, le cymène, le caryophyllène, le thujène et l'ocimène ; - des esters choisis parmi l'acétate de néryl et le propionate de néryl, et - des composés cétoniques comprenant au moins une cétone sesquiterpénique, de préférence la germacrone et au moins une lactone sesquiterpénique choisie de préférence parmi la nonanone carvone, undécanone et tnméthyl -2,5,7 dec-2 en dione-6,8.
Plus particulièrement, une association selon la présente invention comprenant un mélange de trois huiles essentielles comprend les composés pnncipaux suivants - le cinéol 1,8 ; le terpinéol alpha ; - l'acétate de néryl ; - la germacrone, et - des composés terpènes choisis parmi le germacrène, le sabinène, le limonène, le phéllandrène, et le sélinène.
Plus particulièrement encore, une association selon l'invention comprend les composés suivants :
- le cinéol 1,8 ; - le terpinène 1 ol 4 ; - le terpinéol alpha ; - le dicétone bêta ; - l'acétate de néryl ; - la germacrone ; - le limène et - le germacrène.
D'autres caractéristiques, avantages et résultats de la présente invention apparaîtront à la lumière des exemples détaillés de réalisation qui suivent.
A - ASSOCIATIONS D'HUILES ESSENTIELLES Dans les exemples de réalisation ci-après, on a utilisé des associations des HE de Helichrysum Italicum ssp Serotinum, Ledum Groelandicum et Ravensara Aromatica préférées telles que caractérisées précédemment. L'huile essentielle de Ledum Groelandicum était extraite à partir du rameau fleuri.
On a mélangé les huiles essentielles selon le procédé suivant : simple agitation lente du mélange durant 30 secondes, laissé à l'abri de la lumière dans un verre teinté à température ambiante pendant trois jours.
9 : RMN 1H (CDC13) 8 (ppm) 7.36-7.10 (m, 10H), 6. 79 (d, J=8. 7 Hz, 2H), 6. 55 (d, J=8. 6 Hz, 2H), 4. 42 (t, J=4.0 Hz, 2H), 3. 57 (d, J=4. 0 Hz, 2H), 3. 24 (s, 6H), 2. 45 (q, J=7. 4 Hz, 2H), 0. 92 (t, J=7. 4 Hz, 3H).
RMN 13C (CDC13) 8 (ppm) 155. 6, 143. 6, 142. 3, 141. 8, 138. 0, 136. 5, 132. 0, 129. 7, 129. 5, 128. 1, 127. 9, 127. 2, 126. 6, 126. 1, 113. 4, 70. 2, 61. 9, 59. 9, 29. 0, 13. 5.
MS (ES+) m/z 388 (MH+) 10 : RMN 1H (CDC13) 8 (ppm) 7. 30-7.7.19 (m, 10H) , 7.16 (d, J=8.9 Hz, 2H), 6. 82 (d, J=8. 9 Hz, 2H), 4. 23 (t, J=5.1 Hz, 2H), 3. 13 (d, J=5.1 Hz, 2H), 2. 62 (s, 6H), 2. 35 (q, J=7.3 Hz, 2H), 0. 93 (t, J=7. 3 Hz, 3H).
RMN 13C (CDC13) 8 (ppm) 209. 8, 156. 7, 142. 7, 135. 1, 131.7, 130. 3, 128. 1, 126. 7, 114. 0, 72. 4, 64. 4, 56. 8, 44. 2, 35. 0, 9.8.
MS (ES+) m/z 388 (MH+) L'utilisation d'un solvant protique comme l'hexafluoroisopropanol à la place du CH2C12 permet de diminuer fortement la formation du produit 9 pour favoriser la formation du produit 10. Les propriétés de ce solvant protique, bon donneur de liaisons hydrogène permettent ici de limiter la N-oxydation du produit 8 et de favoriser l'époxydation d'une double liaison carbone-carbone.
MATERIAU COMPOSITE A BASE DE POLYAMIDE ET PARTICULES MINERALES SUBMICRONIQUES.
La présente invention concerne un matériaux composite à base de polyamide, comportant des particules minérales submicroniques.
Afin de modifier les propriétés thermomécaniques des polymères, il est connu de leur associer des charges. Il existe pour cela de très nombreuses charges destinées par exemple à modifier la rhéologie des matériaux, la rigidité, la résistance au choc, la ductilité, la stabilité à la lumière, à la chaleur, la résistance au feu, la dureté ... Le choix des charges et des polymères est effectué en fonction de l'application à laquelle le matériau est destiné. A titre d'exemple très général, il est connu de renforcer les résines thermoplastiques par des fibres de verre pour en augmenter la rigidité.
On cherche toujours à développer le nombre de matériaux qui peuvent être proposés et à en améliorer les propriétés. Ainsi de nouvelles charges peuvent être conçues afin, par exemple, de modifier un compromis entre une propriété dégradée et une autre propriété améliorée par la présence d'un type de charge. Une autre voie de développement consiste à rendre compatible un type de charge avec de nouvelles matrices thermoplastiques ou de nouveaux procédés.
La présente invention concerne une nouvelle charge à base de silice, notamment utilisable pour modifier les propriétés des polymères thermoplastiques.
Le brevet français FR 1 134 479 décrit un matériau composite comprenant une matrice à base de polyamide 6 et une charge siliceuse finement divisée. Le matériau est réalisé par ajout dans le milieu de polymérisation du monomère (caprolactame) d'une dispersion aqueuse de particules de silice. Le matériau présente une rigidité améliorée avec une ductilité préservée ce qui le distingue par exemple d'un matériau renforcé avec des fibres de verre. Ce type de matériau ne peut toutefois pas être réalisé avec une matrice en polyamide 6.. En effet les dispersions aqueuses de silices ne sont pas stables dans un milieu comportant de l'adipate d'hexaneméthylène d'ammonium. Les particules de silice floculent et il n'est donc pas possible d'obtenir une dispersion de ces particules dans la matrice de polyamide 6.6.
Une première solution, proposée dans le brevet mentionné ci-dessus, consiste à diluer énormément le milieu contenant le sel d'adipate d'hexaneméthylène d'ammonium. Cette solution n'est économiquement pas intéressante car elle nécessiterait l'évaporation d'énormes quantités d'eau. Une autre solution pourrait consister à utiliser des tensioactifs pour stabiliser la dispersion des particules. Cette solution pose des problèmes de moussage lors de la phase de polymérisation. La présente invention a pour objectif de proposer une nouvelle charge, constituée de particules minérales, pouvant être utilisée notamment pour la réalisation de matériaux composites à base de polyamide.
A cet effet, l'invention propose un matériau composite comportant une matrice et des particules minérales submicroniques, caractérisé en ce que le polyamide est un polycondensat d'une diamine avec un acide dicarboxylique, et en ce que les particules comportent un noyau et un dépôt au moins partiel d'un oxyde, hydroxyde ou oxyde hydraté d'un métal, de point isoélectrique supérieur à celui du noyau.
Le noyau est une particule de forme sensiblement sphérique ou plaquettaire. Il peut par exemple être constitué d'une silice plaquettaire. Il est de préférence sensiblement sphérique, le diamètre moyen des particules constituant le noyau étant inférieur à 500 nm. Le diamètre moyen est de préférence inférieur à 200 nm, plus préférablement encore inférieur à 100 nm. Le noyau est avantageusement à base d'un composé choisi parmi les oxydes de titane, d'aluminium, de zinc, de cuivre, les sulfates de calcium, de strontium, de barium, le sulfure de zinc, les zéolites, le talc, le kaolin, la mullite, la silice.
Les particules comportent en surface un dépôt au moins partiel d'un composé de point isoélectrique supérieur à celui du noyau. Le composé est de préférence déposé directement sur le noyau. Les particules peuvent toutefois comporter une ou plusieurs couches modifiant les propriétés du noyau ou conférant aux particules des propriétés supplémentaires telle qu'une protection UV ou une bio-activité. Le composé est alors déposé sur la couche intermédiaire externe.
Le dépôt peut recouvrir la totalité de la surface du noyau ou de la couche intermédiaire externe. Il constitue alors une couche encapsulant le noyau avec éventuellement les couches intermédiaires. Le dépôt peut également ne recouvrir que partiellement la surface du noyau ou des couches intermédiaires. Il peut par exemple être constitué d'une multiplicité de dépôts ponctuels à la surface. La forme que revêt le dépôt dépend généralement des composés employés, des conditions opératoires de dépôt, et de la quantité de matière déposée. Le dépôt peut constituer de 1 à 50% de la masse totale de la particule.
G porte maintenant la référence de H, mais également le chemin qui mène à H (3, myC~myE~myH). Si H est virtualisé, G peut ainsi le réaliser à nouveau grâce à ce chemin.
./ Si currentTime - lastActionTime > 8, # étant un intervalle de temps prédéterminé, alors l'objet n'a pas interagi depuis longtemps et peut donc être virtualisé.
*Il cochera Demandeur s'il se positionne comme demandeur, et sur Offreur s'il se positionne comme offreur , vis à vis de la chose présentée dans la page courante. On observera que ces deux possibilités ne sont pas exclusives : il peut se positionner à la fois comme demandeur et comme offreur.
En se référant à la figure 21, on note que dans dispositif à semiconducteur ayant la structure SOI constituée par le substrat en sili cium 1, la pellicule d'oxyde enterrée 2 et la couche SOI 3, chaque région de formation de transistor dans la couche SOI 3 est divisée par une pelli cule d'oxyde d'isolation partielle 31 avec une région de caisson formée au-dessous. Une région de caisson de type p 11 est formée sous la pelli cule d'oxyde d'isolation partielle 31 qui assure l'isolation entre des tran sistors NMOS, et une région de caisson de type n 12 est formée sous la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 31 qui assure l'isolation entre des transistors PMOS. L'isolation entre les transistors PMOS et les transistors NMOS est réalisée par la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 33. La pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 33 comporte des régions de caisson 29 dans une région de la partie inférieure, mais dans la plupart des régions elle s'étend depuis la surface supérieure jusqu'à la surface inférieure de la couche SOI 3 pour établir une isolation complète entre les transistors PMOS et les transistors NMOS.
La région de caisson 11 est formée de façon à entourer des ré gions de drain et de source 5 et 6 du groupe de transistors NMOS, et la région de caisson 12 est formée de façon à entourer des régions de drain et de source 5 et 6 du groupe de transistors PMOS. La surface de la cou che SOI 3 est recouverte par la pellicule isolante inter-couche 4.
Un seul transistor MOS isolé des autres par la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 31 comprend la région de drain 5, la région de source 6, une région de formation de canal 7, ces régions 5, 6, 7 étant formées dans la couche SOI 3, une pellicule d'oxyde de grille 8 formée sur la ré gion de formation de canal 7, et une électrode de grille 9 formée sur la pellicule d'oxyde de grille 8. Une couche d'interconnexion 22 formée sur la pellicule isolante inter-couche 4 est connectée électriquement à ré gion de drain ou de source 5, 6 par l'intermédiaire d'un contact 21 formé dans la pellicule isolante inter-couche 4.
En se référant maintenant aux figures 22 à 26, on va décrire le processus d'isolation entre éléments dans le dispositif à semiconducteur 400. Premièrement, on prépare comme représenté sur la figure 22 le substrat , SB, constitué par le substrat en silicium 1, la pellicule d'oxyde enterrée 2 et la couche SOI 3. Normalement, la couche SOI 3 a une épaisseur de 50 à 200 nm, et la pellicule d'oxyde enterrée 2 a une épaisseur 100 à 400 nm.
Le substrat SOI, SB, peut être formé par n'importe quel procé dé, tel que procédé SIMOX, pour former la pellicule d'oxyde enterrée 2 par implantation ionique d'oxygène, le procédé d'assemblage de tran ches, ou autres. La présente invention n'impose aucune limitation sur le procédé fabrication du substrat SOI, SB.
Ensuite, on dépose sur le substrat SOI 3, dans l'ordre, une pel licule d'oxyde 41 ayant une épaisseur d'environ 20 nm, et une pellicule de nitrure ayant une épaisseur d'environ 200 nm.
Ensuite, une opération de définition de motif de la région d'isolation utilisant à titre de masque une matière de réserve 43 dans laquelle on a défini un motif, attaque une pellicule à trois couches cons tituée par la pellicule de nitrure 42, la pellicule d'oxyde 41 et la couche SOI 3, de façon à laisser la partie inférieure de la couche SOI 3. Ceci procure des tranchées partielles relativement larges, 44A, et des tran chées partielles relativement étroites, 44B, comme représenté sur la fi gure 23.
Les tranchées partielles 44A sont utilisées pour l'isolation com plète et les tranchées partielles 44B pour l'isolation partielle. Les tran chées partielles 44A et 44B sont formées de façon à laisser la partie in férieure de la couche SOI 3.
Ensuite, comme représenté sur la figure 24, on forme des pelli cules d'oxyde 47 à titre de parois latérales sur les surfaces latérales des tranchées partielles 44A et 44B, de façon que les surfaces de fond des tranchées partielles 44B soient recouvertes par ces parois latérales, mais que parties centrales du fond des tranchées partielles 44 soient à nu. Ceci alise le fait que la largeur des tranchées partielles 44B est infé rieure ' celle des tranchées partielles 44A.
En utilisant à titre de masques les pellicules d'oxyde 47, on ef fectue une attaque de silicium sur la couche SOI 3, comme représenté sur la figure 25. De ce fait, une partie de la couche SOI 3 qui n'est pas recouverte par les pellicules d'oxyde 47, comprenant les parties au- dessous des parties centrales de fond des tranchées partielles 44A, est enlevée et une partie de la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2 est mise à nu.
Après le dépôt d'une pellicule d'oxyde ayant une épaisseur d'environ 500 nm, on effectue un polissage par un traitement de polis sage chimio-mécanique, d'une manière similaire à l'isolation par tranchée classa de façon à enlever partiellement la pellicule de nitrure 42, En suite, enlève la pellicule de nitrure 42 et la pellicule d'oxyde 41 pour obtenir la structure représentée sur la figure 26, dans laquelle les pelli cules d'oxyde d'isolation partielle 31 (et la couche SOI 3 au-dessous) et les pellicules d'oxyde d'isolation par tranchée 33 la couche SOI 3 sous une partie de celles-ci) sont formées sélectivement.
Ensuite, on forme des transistors NMOS des transistors PMOS respectivement dans la région de formation de transistor NMOS et dans la région de formation de transistor PMOS, par I procédé existant. Ceci achève le dispositif à semiconducteur 400 représenté sur la figure 7. E-2. Seconde Forme La figure 27 montre la structure d'un dispositif à semiconduc teur qui assure l'isolation entre éléments avec une pellicule d'oxyde d'isolati combinée qui est une combinaison d'une pellicule d'oxyde d'isolation complète et d'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle. Une pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 illustrée sur cette figure cor respond à la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT décrite comme une modification dans le troisième mode de réalisation préféré.