INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- A partir de la carte des zones utilisables de la bande et du format demandé pour commande, en tenant compte des règles de faisabilité des découpes, on définit dans la bande une ou plusieurs zones qu'on affecte à la commande une plusieurs zones à mettre au rebut car inutilisables, et, éventuellement une plusieurs zones non affectées mais réutilisables. On définit également la gamme de découpage correspondante, et on mémorise la partie de plan de découpe ainsi obtenue.
- On remet à jour le stock de bandes disponibles et le carnet de commande. Pour remettre à jour le stock de bandes disponibles, on peut éventuellement introduire dans la carte des défauts de la bande de nouveaux défauts virtuels permettant de marquer les zones qui viennent d'être définies dans le plan découpe.
- Et recommence les trois opérations précédentes jusqu'à ce qu'on puisse plus affecter de bandes à des commandes. 4) Utilisation des règles métallurgiques pour évaluer la pertinence d'un plan de découpe réalisable Cette évaluation se fait commande par commande, zone de bande par zone de bande, de façon à déterminer pour chaque zone de bande le risque associé à son affectation à la commande concernée.
Ce risque est déterminé par référence à des grilles de qualité telles qu'elles ont été définies plus haut et qui consistent en une table comportant autant de lignes qu'il y a de familles de défauts définies par la typologie des défauts ; cette table donnant pour chaque famille un degré de gravité. On distingue les grilles de qualité réelles établies à partir de la carte des défauts réels d'une zone d'une bande, et les grilles de qualité de référence correspondant à la qualité souhaitée pour chaque commande.
Une grille de qualité de référence est obtenue en ajoutant à une grille qualité standard fonction du type de commande (nature du produit, usage prévu, ) une grille de tolérance fonction du format de la commande et éventuellement de la sensibilité du client (ou de tout autre paramètre pertinent). Cette addition fait, par exemple, ligne par ligne, le degré de gravité de la grille de référence pour famille donnée de défauts étant la somme des degrés de gravités correspondants de la grille standard et de la grille de tolérance. La grille ainsi obtenue, donne pour chaque famille le degré de gravité qu'il est souhaitable de ne pas dépasser. Cependant, un degré de gravité plus important peut dans certains cas être accepté, mais avec un certain risque.
Pour évaluer le risque associé à l'affectation d'une zone d'une bande à une commande, à l'aide de la carte des défauts de la bande on détermine grille de qualité intrinsèque la zone, puis on compare ligne à ligne cette grille intrinsèque et la grille de qualité référence de façon à déterminer les écarts, et en particulier les lignes, c'est à dire familles de défauts, pour lesquelles le degré de gravité de la zone de la bande supérieur au degré de gravité défini par la grille de référence.
En utilisant des règles dites règles métallurgiques et les caractéristiques des défauts enregistrés dans le carte des défauts, on évalue alors, famille de défaut par famille de défauts, le risque associé, et on indique la règle qui a été utilisée. Bien évidemment, lorsque le degré de gravité de la grille de qualité intrinsèque est inférieur au degré de gravité de la grille de qualité de référence, le risque est nul. Dans les autres , le risque est évalué par exemple par une appréciation du type faible , moyen ou élevé (ou infini ). Cette appréciation du risque se fait par référence avec trois situations correspondant à : risque accepté d'office , risque acceptable uniquement après validation par un opérateur et risque inacceptable dans tous les cas .
Les règles metallurgiques sont par exemple du type si la zone comporte un défaut de telle famille, et si sa densité est supérieure à une certaine valeur, et si son étendue est supérieure à une certaine valeur, alors la zone peut être affectée à la commande avec risque de tel niveau .
Ces règles sont deux types qui dépendent de la nature défaut - d'une part des regles incluses dans la grille de qualité et sont valables pour toutes les commandes, - d'autre part, des règles qui peuvent dépendre du client ou de tout autre paramètre particulier à une commande et qui sont définies cas par cas ; ces règles particulieres peuvent être appliquées en utilisant par exemple un système expert dialoguant éventuellement avec un opérateur.
Cette évaluation peut également être complétée le cas échéant par une indication relative au risque associé à l'article du catalogue correspondant à la zone de la bande. Ce risque étant celui qui est évalué à l'aide du graphe de substitution des article du catalogue.
Ce sont ces informations relatives aux risques et aux règles métallurgiques prises en compte qui sont soumises à un expert pour décision sur le caractère acceptable de l'affectation de zone à la bande.
Le procédé tel qu'il vient d'être décrit, peut être mis en oeuvre par des moyens informatiques qui comportent alors d'une part des fichiers, d'autre part des modules de programme remplissant chacun une fonction particulière. Les fichiers sont notamment : un fichier des commandes en carnet carnet de commande), un fichier des bandes disponibles (le stock de produits semi-finis disponibles), un fichier des défauts de chaque bandes (correspondant à carte des défauts), un fichier des règles de substitution représentant le graphe substitution des articles du catalogue de produit, un fichier des règles de découpe, fichier des données économiques, un fichier des règles métallurgiques et un fichier plans de découpe.
Les modules de programme sont notamment - un module d'association qui détermine à partir du fichier des commandes en carnet, du fichier des bandes disponibles et du fichier règles de substitution, les liens entre le fichier des commandes en carnet le fichier des bandes disponibles permettant d'identifier les associations possibles.
- Un module de découpe permettant, à partir du fichier des commandes en carnet, du fichier des bandes disponibles, des liens entre ces fichiers, du fichier des défauts, du fichier des règles de découpe et du fichier données économiques, de déterminer un plan de découpe réalisable viendra alimenter le fichier des plans de découpe. Ce module peut être paramétré par la stratégie d'affectation choisie.
- Un module de calcul de la grille de qualité intrinsèque de la qualité d'une zone d'une bande. Ce module fait appel au fichier des défauts et fichier des plans de découpe pour savoir ou est située la zone, ainsi qu' fichier des règles métallurgiques pour déterminer les règles de calcul à appliquer.
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La mélanine, synthétisée dans des cellules spécialisées de l'épiderme, est responsable de la pigmentation et donc, de la couleur de la peau.
Dans les peaux normales, cette synthèse est régulée par différents facteurs dont le plus connu est le soleil qui en provoque l'augmentation de manière proportionnelle à la quantité de rayonnements UV reçus au cours de l'exposition (vie normale ou bains de soleil naturel ou séances d'exposition en salon de beauté) et dont la manifestation est le bronzage.
Des perturbations plus ou moins bénignes ou physiologiques de la mélanogénèse se manifestent comme des taches de rousseur, des grains de beauté ou comme des taches diffuses (chloasma, taches de grossesse).
Parmi de nombreux dérèglements physiologiques naturels induits par le vieillissement, celui de la mélanogénèse se traduit par l'apparition de zones hétérogènes qui forment les taches de sénescence.
L'Industrie Cosmétique est donc tout à fait dans son rôle lorsqu'elle propose des solutions propres à réguler ces divers dysfonctionnements qui n'ont pas de pronostic vital.
De nombreuses molécules ou substances ont été proposées pour traiter l'hyperpigmentation de la peau, mais peu d'entre-elles peuvent être retenues pour une application topique cosmétique (problèmes d'irritation, de législation, de toxicité).
Celles qui restent après cette sélection ne sont en général pas très efficaces.
L'objet de cette demande de brevet réside dans le fait que nous avons découvert qu'il était possible de répondre efficacement à cette problématique en utilisant la tyramine dans des compositions cosmétiques ou dermo-pharmaceutiques.
A ce jour, la tyramine, que l'on trouve principalement dans l'alimentation (fromages fermentés, choux, pommes de terres, harengs, gruyère, chianti, Camembert ... ), n'est que très peu utilisée en Pharmacie ou en Cosmétique. Elle est utilisée dans des méthodes de dosages et diagnostics (EP0795610), pour traiter les états dépressifs (US4868218) et/ou les maladies d'Alzeimer ou de Parkinson (EP0406488), ou pour réduire la synthèse de cholestérol (US4857522).
D'un point de vue biochimique, la tyramine est un précurseur direct de la dopamine.
Nous avons émis l'hypothèse que, de par sa structure chimique proche de la dopa, la tyramine pourrait présenter un effet anti-tyrosinase, ce qui en ferait un produit capable de diminuer la mélanogénèse dans toutes les situations décrites précédemment.
En effet, les mélanocytes possèdent une tyrosinase et une o-diphénol oxydase, enzymes qui catalysent la conversion de la tyrosine en mélanine selon le schéma suivant: Tyrosine => Dopa => Dopa quinone => Dopachrome =* Indole quinone => Mélanine Un individu albinos possède un déficit congénital en o-diphénol oxydase, ce qui se traduit par l'absence de mélanogénèse et donc de pigmentation cutanée.
L'invention faisant l'objet de cette demande réside dans le fait que nous avons découvert et démontré que la tyramine réduit la production de mélanine car elle n'est pas transformée en dopa, ce qui bloque le système. La tyramine est donc un inhibiteur compétitif sans être un substrat alternatif.
La tyramine peut être obtenue à partir de toute source d'approvisionnement.
Il peut être avantageux d'utiliser une origine végétale à partir de toute plante la renfermant, dont le Citrus reticulata, plante particulièrement riche en tyramine (Wheaton TA & Stewart 1 (1970) Lloydia 33:244-54) puisque l'on peut utiliser la plante entière ou quelque partie isolée que ce soit pour en réaliser l'extraction.
La plante ou partie de plante (15 grammes) est dispersée dans 85 grammes d'eau distillée sous pales pendant 48 heures à température ambiante. La quantité de plante occupe autant de volume que l'eau. Après filtration (800pm) l'extrait est utilisable tel quel.
Par conséquent, la fabrication dispositifs SOI, comportant chacun des transistors CMOS, utilisant pellicule d'oxyde d'isolation complète a eu le mérite d'être capable d'utiliser une largeur d'isolation minimale qui est déterminée par la microlithographie, et de réduire ainsi l'aire de puce. Cependant, de tels dispositifs SOI sont affectés par des effets de corps flottant de substrat, tels des non-linéarités dans des caractéristiques courant-tension à cause porteurs (trous pour des transistors NMOS) qui sont produits par i isation par chocs et sont en suite stockés dans la région de formation de canal (région de corps); une dégradation de la tension de claquage en fonctionnement; et la dépen dance du temps de retard vis-à-vis de la fréquence, à cause d'un poten tiel électrique instable dans la région de formation de canal.
A cet égard, on a imaginé des pellicules d'oxyde d'isolation partielle, qui sont également appelés isolation par tranchée partielle. En prenant à titre d'exemple la structure la figure 1, on note que des porteurs peuvent se déplacer à travers région de caisson WR sous la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 15. Ceci évite que des porteurs soient stockés dans la région de formation canal et permet de fixer le potentiel électrique dans la région de formation de canal à travers la ré gion de caisson WR. Ainsi, aucun problème 'est occasionné par les ef fets de corps flottant de substrat .
En retournant à la figure 1, on note que le dispositif à semicon ducteur 90A est construit de façon que la pellicule d'oxyde d'isolation partielle ou la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 17 soit formée dans la zone la couche SOI 3 correspondant à la zone de l'inductance à spirale SI. en est ainsi du fait que la pellicule d'oxyde d'isolation par tielle, qui utilisée dans la partie logique LP, est également utilisée dans la partie de circuit RF RP, en vue de la simplification du processus de fabrication. Cependant, la région de caisson WR sous la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 17 est mince et a des valeurs élevées de résistance, à cause de sa faible concentration en impuretés. Par consé quent, la capacité parasite C1 dans l'inductance L1 illustrée sur la figure 35 est mise à la masse à travers la région de caisson WR, et la valeur de la résistance R1 sur la figure 35 devient élevée. Lorsque la valeur de la résistance R1 augmente, une puissance plus élevée est consommée par dissipation d'énergie induite de façon électrostatique. En outre, la circu lation d'un courant à travers l'inductance en spirale SI produit des cou rants de Foucault dans la région de caisson WR, ce qui conduit à une dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique.
Les inventeurs de la présente invention ont donc imaginé une structure qui réduira la dissipation d'énergie induite de façon électrosta tique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique, en formant une pellicule d'oxyde, au lieu de la région de caisson WR, sous la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 17.
La figure 2 montre un dispositif à semiconducteur 90B avec une telle structure. Pour simplifier, seules l'inductance en spirale et la structure située au-dessous sont représentées sur la figure 2. dispo sitif à semiconducteur 90B est à tous autres égards identiques dispo sitif à semiconducteur 90A de la figure 1. Les mêmes références numéri ques que sur la figure 1 désignent des éléments semblables ou corres pondants, et ils ne sont pas mentionnés ici, pour éviter une redite.
Le dispositif à semiconducteur 90B de la figure 2 est construit de façon qu'une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 18, qui est une pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant en partie une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, soit formée dans une étendue de la couche SOI 3 qui correspond à l'étendue de l'inductance en spirale SI.
La pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 18 est constituée par une première partie 181 ayant une première largeur et s'étendant dans direction approximativement perpendiculaire à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2, et une seconde partie 182 ayant une se conde largeur inférieure à la première largeur et formée en continuité sous I première partie 181, en s'étendant de façon approximativement perpendi laire à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2. moins la seconde partie 182 est formée de façon à correspondre à l'étendue de l'inductance en spirale SI.
Avec une telle structure, le dispositif à semiconducteur 90B peut réduire la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique par rapport au dispositif @ semiconducteur 90A sur la figure 1. Cependant, dans ré gions ou parties de bord X de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 18, la couche SOI 3 s'étend sous la première partie 181, en formant des saillies DP.
Comme la région de caisson WR sous la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 17 sur la figure 1, les saillies DP ont valeurs de résistance élevées, et les inventeurs de la présente invention se sont aperçus qu'il n'était pas possible dans une telle structure de négliger la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique. Ils ont donc effectué une analyse la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique et de la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique sont par venus à réaliser une structure permettant une réduction supplémentaire de la dissipation précitée.
. Premier Mode de Réalisation Préféré A-1. Structure du Dispositif La structure d'un dispositif à semiconducteur 100 qui réduira davantage la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique est illustrée sur la figure 3, à titre de premier mode de réalisation préféré du dispositif à semiconducteur conforme à la présente invention. Pour simplifier, seules l'inductance en spirale SI et la structure située au-dessous sont repré sentées sur la figure 3. Le dispositif à semiconducteur 100 est à tous autres égards identique au dispositif à semiconducteur 90A représenté sur la figure 1. Les mêmes numéros de référence que sur la figure 1 dé- signent des éléments semblables ou correspondants et ils ne sont pas mentionnés ici pour éviter une redite.
Le dispositif à semiconducteur 100 sur la figure 3 est construit de façon qu'une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée , qui est une pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant en partie la structure d'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, soit formée dans étendue de la surface de la couche SOI 3 plus grande que celle correspondant à l'éten due de l'inductance en spirale SI.
En outre, une pellicule de siliciure 51 est formée sur la surface principale de la couche SOI 3 autour de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchee 19.
pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée est constituée par une première partie 191 ayant une première largeur et s'étendant dans une direction approximativement perpendiculaire à surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2, et une seconde partie ayant une se conde largeur inférieure à la première largeur et qui formée en conti nuité au-dessous de la première partie 191, en s'étendant de façon ap proximativement perpendiculaire à la surface de la pellicule d'oxyde en terrée 2. Elle est formée de façon qu'une distance horizontale entre cha que surface d'extrémité de la seconde partie 192 (c'est-à-dire la surface d'extrémité de chaque saillie DP de la couche SOI 3 sous la première partie 191) et la surface d'extrémité la plus proche d'une multiplicité de côtés de l'inductance de spirale SI, soit supérieure ou égale à une dis tance prédéterminée.
Ici, la seconde partie 192 d'une largeur inférieure à celle de la première partie 191 correspond à la structure d'une pellicule d'oxyde d'isolation complète.
On va maintenant décrire les détails de cette structure en se référant à figure 4. La figure 4 simplifie la structure de la figure 3, en omettant hachures de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, et les pellicules isolantes inter-couches 4 et 5.
En se référant à la figure 4, on note que la distance horizontale entre la surface d'extrémité de chaque saillie DP de la couche SOI 3 et la surface d'extrémité la plus proche de l'inductance en spirale SI est dési gnée par So, et une distance entre la surface inférieure de l'inductance en spirale SI et la surface principale supérieure du substrat en silicium 1 est ignée par Do. Sur la figure 4, le rapport de forme n'est pas correct et il est de même pour le rapport entre la distance Sp et la taille de l'inductance en spirale SI. Pour mettre en évidence la distance So, celle ci représentée à une plus grande échelle que l'inductance en spirale si. La distance So est fixée de façon à ne pas être inférieure à distance Do (SD >_ Do), pour réduire ainsi la dissipation d'énergie indue de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon élec tromagnétique aux saillies DP de la couche SOI 3.
De préférence, pour élaborer les règles d'association des produits semi-finis et des commandes, on fixe un seuil de risque d'association et on ne retient dans le graphe des associations possibles que les couples produit semi-fini /commande dont le risque d'association est inférieur audit seuil.
Les règles d'évaluation du risque peuvent prendre en compte les autres défauts . Dans ce cas, pour évaluer le risque pour un lot de produits du plan de découpe réalisable, on peut, par exemple, procéder comme suit - à l'aide de la carte des défauts et des règles de prise en compte des défauts, on détermine les autres défauts présents sur ledit lot de produits et on évalue leur degré de gravité de façon à établir une grille de qualité intrinsèque du lot de produits, - à l'aide des règles d'évaluation du risque, on compare la grille de qualite intrinsèque du lot au niveau de qualité souhaité pour la commande de façon a obtenir un écart de qualité entre le lot de produits et la commande, - et on détermine un niveau de risque en fonction de l'écart de qualité entre lot de produits et la commande.
Pour evaluer le degré de gravité des défauts, on peut, par exemple, classer défauts familles, et pour chaque famille, évaluer un degré de gravité fonction la densité défauts de la famille.
Les regles d'évaluation du risque peuvent également prendre en compte, risque d'affectation des produits semi-finis aux commandes.
Pour décider si un lot du plan de découpe réalisable est acceptable ou non, peut utiliser un système expert qui, en appliquant les règles d'acceptation du risque, détermine en fonction de la commande, du produit semi-fini qui lui est affecté et du risque correspondant, si le risque est acceptable d'office , acceptable uniquement après validation par un opérateur ou inacceptable dans tous cas . Si risque est acceptable d'office , on décide que le lot est acceptable.