REVENDICATIONS 1. Tranchée d'isolement profonde comportant des flancs (11) et un fond (10) dans un substrat semiconducteur (1), caractérisée en ce que les flancs (11) et le fond (10) sont tapissés d'un matériau électriquement isolant (12) qui délimite une cavité vide (13) et qui forme un bouchon (14) de fermeture de la cavité (13), les flancs (11) de la tranchée étant configurés avec un col (15) qui détermine la position en profondeur du bouchon (14) et une première portion (16) qui s'évase depuis le col (15) en s'éloignant du fond (10). 2. Tranchée d'isolement profonde selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première portion (16) a une profondeur dans le substrat semiconducteur (1) comprise entre environ 0,2 et 1 micromètre. 3. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que la première portion (16) a une pente qui fait un angle compris entre environ 50 et 85 degrés. 4. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la plus grande largeur de la première portion (16) est égale à environ deux fois la largeur du col (15). 5. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que les flancs (11) comportent une seconde portion (17) entre le col (15) et le fond (10) dans laquelle ils sont sensiblement parallèles. 6. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que les flancs (11) comportent une seconde portion (18) entre le col (15) et le fond (10), cette seconde portion (18) s'évasant depuis le col (15) en se rapprochant du fond (10). 7. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que les flancs (11) comportent une seconde portion (18) entre le col (15) et le fond (10), cette seconde portion (18) étant évasée et bombée. 8. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que le fond (10) est sensiblement plat. 9. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que le fond (10) est arrondi. 10. Tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 1 à 9, destinée à coopérer avec une tranchée d'isolement peu profonde (30) creusée dans le substrat semi-conducteur (1), comportant un fond (32) et des flancs (31), pleine de matériau électriquement isolant (12,33), caractérisée en ce que la partie la plus large de la première portion (16) débouche dans le fond (32) de la tranchée d'isolement peu profonde (30). 11. Circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une tranchée d'isolement profonde selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. 12. Appareillage électronique ou électrique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un circuit intégré selon la revendication 11. 13. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde dans un substrat semi-conducteur (1), cette tranchée possédant un fond (10), des flancs (11) et une ouverture (9), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : dépôt sur le substrat (1) d'une couche de matériau électriquement isolant pour réaliser un masque dur (6) ; gravure dans le masque dur (6) d'une ouverture correspondant à celle (9) de la tranchée ; gravure à travers le masque dur (6) dans le matériau semi-conducteur des flancs (11) et du fond (10) de la tranchée en prévoyant un col (15) entre le fond (10) et l'ouverture (9) et en réalisant une première portion (16) des flancs (11) qui est rétrécie depuis l'ouverture (9) vers le col (15) puis une seconde portion (17,18, 19) des flancs (11) comprise entre le col (15) et le fond (10) ; élimination du masque dur (6) ; dépôt non conforme d'un matériau électriquement isolant (12) qui tapisse les flancs (11) et le fond (10), qui délimite une cavité vide (13) et qui forme un bouchon (14) pour fermer la cavité (13). 14. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon la revendication 13, caractérisé en ce que la gravure se fait par plasma avec un mélange gazeux ayant de premières proportions pour réaliser la première portion (16) des flancs (11) et de secondes proportions pour réaliser la seconde portion (17,18, 19) des flancs (11). 15. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon la revendication 14, caractérisé en ce que le mélange gazeux contient de l'acide bromhydrique HBr, de l'oxygène 02 et de l'hexafluorure de soufre SF6. 16. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce que le mélange gazeux contient une plus grande proportion d'hexafluorure de soufre SF6 pour réaliser la seconde portion (17,18, 19) des flancs (11) qu'il n'en contient pour réaliser la première portion (16) des flancs (11). 17. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que le matériau électriquement isolant (12) déposé pour tapisser les flancs (11) et le fond (10) est dopé, l'étape de dépôt étant suivie d'une étape de recuit thermique provoquant un fluage du matériau électriquement isolant (12). 18. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de retrait, en surface du matériau électriquement isolant (12) déposé pour tapisser le fond (10) et les flancs (11), suivie si nécessaire d'une étape de planarisation. 19. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 13 à 18, caractérisé en ce qu'il comporte après l'étape de gravure une étape de recuit thermique visant à restaurer l'état de surface des flancs (11) et du fond (10). 20. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 13 à 19, caractérisé en ce qu'il comporte après l'étape de gravure, une étape d'implantation ionique au niveau de la tranchée, cette implantation ionique étant d'un type opposé au type du substrat semi-conducteur (1). 21. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon l'une des revendications 13 à 20, cette tranchée d'isolement profonde étant destinée à coopérer avec une tranchée d'isolement peu profonde (30) avec des flancs (31) et un fond (32), l'ouverture (9) de la tranchée d'isolement profonde débouchant dans le fond (32) de la tranchée d'isolement peu profonde (30), caractérisé en ce qu'il comporte une étape de gravure de la tranchée d'isolement peu profonde (30) avant l'étape de dépôt du matériau électriquement isolant réalisant le masque dur (6). 22. Procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'étape de dépôt non conforme du matériau électriquement isolant (12) contribue à remplir la tranchée d'isolement peu profonde (30).