INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
aataagcacc ggctaactct gtgccagcag ccgcggtaat acagagggtg caagcgttaa 480 tcggagttac tgggcgtaaa gggcgcgtag gcggtgttgc aagtgagatg tgaaatccct 540 gggcttaacc taggaaccgc attttagact gcaatgctag agtacagtag agggtagtgg 600 aatttccggt gtagcggtga aatgcgtaga gatcggaagg aacaccagtg gcgaaggcga 660 ctacctggac tgacactgac gctgaggcgc gagagcgtgg ggagcaaaca ggattagata 720 ccctggtagt ccacgctgta aacgatgaga actagatgtt ggtgcgcgcg agcgcacaag 780 tatcgaagct aacgcgataa gttctccgcc tggggagtac ggccgcaagg ttaaaactca 840 aaggaattga cgggggcccg cacaagcggt ggagcatgtg gtttaattcg atgcaacgcg 900 aggaacctta cctacccttg acatccacag aatttgatag agatatcgaa gtgccgaaag 960 gaactgtgag acaggtgctg catggctgtc gtcagctcgt gttgtgagat gttgggttaa 1020 gtcccgtaac gagcgcaacc cttatcctta gttgccaaca cgtaatggtg gggactctaa 1080 ggagactgcc ggtgaagaac cggaggaagg tggggacgac gtcaagtcat catggccttt 1140 atgggtaggg ctacacacgt gctacaatgg ggcgtacaga gggttgccaa cctgcgaagg 1200 ggagccaatc ccggaaagcg cctcgtagtc cagattgaag tctgcaactc gacttcatga 1260 agtcggaatc gctagtaatc gcgaatcaga acgtcc 1296 92 1250 ADN Organime Inconnu Origine de la séquence :Organisme du sol 92 gtctggtagc aataccagat gatggcaagt ggcggacggg tgagtaatac gtagggatct 60 gcccagaaga gggggacaac ccggggaaac tcgggctaat accgcatact attctgagga 120 aaaaagcttg gcgcaagcca ggcgcttttg gaggaaccta cgtccgatta gctagttggt 180 gaggtaaagg ctcaccaagg cagagatcgg tagctggtct gagaggatga ccagccacac 240 tgggactgag acacggccca gactcctacg ggaggcagca gtggggaata ttggacaatg 300 ggggcaaccc tgatccagcg atgccgcgtg tgtgaagaag gccttcgggt tgtaaagcac 360 tttagttggg gaagaagtaa tgttttttaa tagagagcat tgttgacggt acccaaagaa 420 taagcaccgg ctaactctgt gccagcagcc gcggtaatac agagggtgca agcgttaatc 480 ggagttactg ggcgtaaagg gcgcgtaggc ggtgttgcaa gtgagatgtg aaatccctgg 540 gcttaaccta ggaaccgcat tttagactgc aatgctagag tacagtagag ggtagtggaa 600 tttccggtgt agcggtgaaa tgcgtagaga tcggaaggaa caccagtggc gaaggcgact 660 acctggactg acactgacgc tgaggcgcga gagcgtgggg agcaaacagg attagatacc 720 ctggtagtcc acgctgtaaa cgatgagaac tagatgttgg tgcgcgcgag cgcacaagta 780 tcgaagctaa cgcgataagt tctccgcctg gggagtacgg ccgcaaggtt aaaactcaaa 840 ggaattgacg ggggcccgca caagcggtgg agcatgtggt ttaattcgat gcaacgcgaa 900 gaaccttacc tacccttgac atccacagaa tttgatagag atatcgaagt gccgaaagga 960 actgtgagac aggtgctgca tggctgtcgt cagctcgtgt tgtgagatgt tgggttaagt 1020 cccgtaacgg gcgcaaccct tatccttagt tgccaacacg taatggtggg gactctaagg 1080 agactgccgg tgaagaaccg gaggaaggtg gggacgacgt caagtcatca tggcctttat 1140 gggtagggct acacacgtgc tacaatgggg cgtacagagg gttgccaacc tgcgaagggg 1200 agccaatccc ggaaagcgcc tcgtagtcca gattgaagtc tgcaactcga 1250 93 1545 ADN Organime Inconnu Origine de la séquence :Organisme du sol 93 ccaggaaaca gctatgacca tgattacgcc aagcttggta ccgagctcgg atccactagt 60 aacggccgcc agtgtgctgg aattcgccct tcaggcctaa cacatgcaag tcgaacggca 120
On choisit l'additif (des additifs) (d) en fonction du domaine d'application et des propriétés requises par ce domaine. Les additifs décrits ci-dessus sont des produits courants dans l'art et par conséquent, on les ajoute en quantités usuelles dans les applications respectives.
On peut aussi ajouter aux nouvelles compositions des liants (e). Cela est particulièrement opportun lorsque les composés photopolymérisables sont des substances liquides ou visqueuses. La quantité de liant peut représenter, par exemple, de 2 à 98 %, de préférence de 5 à 95 % et en particulier de 20 à 90 % en masse, de la teneur en solides. On choisit le liant en fonction du domaine d'application et des propriétés requises par ce domaine, telles que le pouvoir de développement en milieu aqueux etsystèmes de solvants organiques, l'adhésion aux substrats et la sensitibilité à l'oxygène.
Des exemples de liants appropriés sont des polymères ayant une masse molaire d'environ 2 000 à
2 000 000, de préférence de 5 000 à 1 000 000. Des exemples de liants développables en milieu alcalin sont des polymères acryliques ayant une fonction acide carboxylique en tant qu'un groupe latéral, tels que des copolymères classiques connus, obtenus par copolymérisation d'un acide carboxylique à insaturation éthylénique comme l'acide (méth)acrylique, l'acide 2- carboxyéthyl(méth)acrylique, l'acide 2-carboxypropyl- (méth)acrylique, l'acide itaconique, l'acide crotonique, l'acide maléique et l'acide fumarique, avec un ou plusieurs monomères pris parmi les esters de l'acide (méth)acrylique, tels que le (méth)acrylate de méthyle, le (méth)acrylate d'éthyle, le (méth)acrylate de propyle, le (méth)acrylate de butyle, le (méth)acrylate de benzyle, le (méth)acrylate de 2-éthylhexyle, le (méth)acrylate de hydroxyéthyle, le (méth)acrylate de hydroxypropyle ; des composés vinyliques aromatiques, tels que le styrène, l'a-méthylstyrène, le vinyltoluène, le p-chloro-styrène ; des composés insaturés du type amide, le (méth)acrylamide, le diacétonacrylamide, le N- méthylolacrylamide, le N-butoxyméthacrylamide ; des composés du type polyoléfines, tels le butadiène, l'isoprène, le chloroprène et analogues ; le méthacrylonitrile, la méthylisopropénylcétone, l'acétate de vinyle, le propionate de vinyle ou le pivalate de vinyle. Des exemples de copolymères sont des copolymères d'acrylates et de méthacrylates avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique et avec le styrène ou le styrène substitué, des résines phénoliques, par exemple la novolaque, le (poly)hydroxystyrène et des copolymères d'hydroxystyrène avec des acrylates d'alkyle, l'acide acrylique et/ou l'acide méthacrylique. Des exemples préférés de copolymères sont des copolymères de méthacrylate de méthyle/acide méthacrylique,des copolymères méthacrylate de benzyle/acide méthacrylique, copolymères de méthacrylate de méthyle/acrylate d'éthyle/acide méthacrylique, des copolymères de
méthacrylate de benzyle/acide méthacrylique/styrène, des copolymères de méthacrylate de benzyle/acide méthacrylique/méthacrylate d'hydroxyéthyle, des copolymères méthacrylate de méthyle/méthacrylate de butyle/acide méthacrylique/styrène, des copolymères de méthacrylate de méthyle/méthacrylate de benzyle/acide méthacrylique/méthacrylate d'hydroxyphényle. Des exemples de polymères liants développables dans des solvants sont des poly(méthacrylates d'alkyle), des poly(acrylates d'alkyle), poly(méthacrylate de benzyle- co-méthacrylate d'hydroxyéthyle-co-acide méthacrylique), poly(méthacrylate de benzyle-co-acide méthacrylique) ; tant que constituant (d)acide méthacrylique) ; des esters cellulosiques et des éthers cellulosiques, tels que l'acétate de cellulose, l'acétobutyrate de cellulose, la méthylcellulose, l'éthylcellulose ; le poly(butyral de vinyle), le poly(formal de vinyle), le caoutchouc cyclisé, des polyéthers tels que l'oxyde de polyéthylène, l'oxyde de polypropylène et le polytétrahydrofuranne ; polystyrène, des polycarbonates, des polyuréthanes, des polyoléfines chlorés, le poly(chlorure de vinyle), des copolymères de chlorure de vinyle/vinylidène, des copolymères chlorure de vinylidène avec l'acrylonitrile, le méthacrylate de méthyle et l'acétate de vinyle, le poly(acétate de vinyle), le copoly(éthylène/acétate de vinyle), des polymères tels que le polycaprolactame et le poly(hexaméthylène adipamide) et des polyesters tels que le poly(téréphtalate d'éthylène-glycol) et le poly(succinate d'hexaméthylène-glycol) et des résines liantes à base de polyimide.
La résine liante à base de polyimide dans la présente invention peut être soit un polyimide, soit un précurseur de polyimide soluble dans un solvant, par exemple, un acide polyamique.
On donne la préférence à une composition photo- polymérisable comprenant, en tant que polymère liant (e), un copolymère de méthacrylate et d'acide méthacrylique.
D'autres constituants liants polymères intéressants sont ceux décrits, par exemple, par le fascicule de brevet JP 10-171119-A, en particulier pour des utilisantions dans des filtres colorés.
On peut utiliser les compositions photo- polymérisables dans différents domaines, par exemple comme encres d'imprimerie, par exemple, encres de pochoir, encres pour impression en offset ou par flexographie, comme vernis de finition incolore ou comme vernis de finition blanc ou coloré, par exemple, pour le bois ou des métaux, comme revêtement en poudre, comme matière de revêtement, entre autres, pour le papier, le bois, des métaux ou des plastiques, comme revêtement durcissable à la lumière du jour pour le marquage d'immeubles et de chaussées, dans des techniques de reproduction photographique, pour des matières d'enregistrement holographiques, dans des techniques d'enregistrement d'image ou pour la production de clichés d'imprimerie que l'on peut développer dans des solvants organiques ou en milieu alcalin aqueux, par exemple pour la production de masques pour la sérigraphie, comme compositions de matières dentaires, comme adhésifs, comme adhésifs autocollants, comme résines pour stratifiés, comme résists de gravure, résists de soudage, galvanorésist ou résist permanent, des films liquides et solides, comme matières diélectriques photostructurables et masques de soudage pour plaquettes de circuits imprimés et de circuits électroniques, comme résists pour la préparation de filtres colorés pour de nombreuses applications d'affichage ou pour créer des structures dans le procédé de fabrication d'écrans d'affichage plasma et d'écrans électroluminescents, (comme par exemple décrit par les fascicules de brevets US 5853446, EP 863534, JP 09-244230-A, JP 10-62980-A, JP 08-171863-A, US 5840465, EP 855731, JP 05-271576-A, JP 05-67405-A) pour la production de valves optiques, de grilles optiques (grilles d'interférence), de circuits
d'éclairage, pour la préparation d'articles tridimensionnels par durcissement dans la masse (durcissement aux UV dans des moules transparents) ou par le procédé de stéréolithographie comme décrit, par exemple, par le fascicule de brevet US 4575330, pour la production de matériaux composites (par exemple, des polyesters styréniques, qui peuvent contenir, si on le souhaite, des fibres de verre et/ou d'autres fibres et d'autres adjuvants) et d'autres compositions à couche épaisse, pour revêtement et scellement de composants électroniques et de circuits integrés ou comme revêtement pour fibres optiques, ou pour la production de lentilles optiques, par exemple, de lentilles de contact ou de lentilles de Fresnel. Les compositions conformes à la présente invention sont de plus appropriées à la fabrication d'équipement médical, d'équipement auxiliaire ou d'implants. Par ailleurs, les compositions conformes à la présente invention sont appropriées pour la préparation de gels aux propriétés thermotropes comme décrit, par exemple, par les fascicules de brevets DE 19700064 et EP 678534.
Par ailleurs, on peut utiliser les nouveaux photo- amorceurs comme amorceurs de polymérisation en émulsion, de polymérisation en perles ou de polymérisation en suspension, comme amorceurs de polymérisation pour fixer les états ordonnés des monomères et oligomères de cristaux liquides, ou comme amorceurs pour le fixage de colorants sur des matières organiques.
On utilise souvent dans les matières de revêtement des mélanges d'un prépolymère avec des monomères polyinsaturés, pouvant également comprendre de plus un monomère mono-insaturé. Ici, en premier lieu, c'est le prépolymère qui régit les propriétés du film de revêtement et par leur variation, l'homme du métier est capable d'influencer les propriétés du film durci. Le monomère polyinsaturé agit comme un agent de réticulation ce qui rend le film insoluble. Le monomère mono-insaturé
agit comme un diluant réactif qui est utilisé afin de de réduire la viscosité sans avoir recours à un solvant.
Usuellement, on utilise des résines polyester insaturées dans des systèmes à deux composants conjointement avec un monomère mono-insaturé, de préférence avec le styrène. Pour des photorésists, on utilise souvent des systèmes spécifiques à un composant, par exemple des polymaléimides, des polychalcones ou des polyimides, comme décrit par le fascicule de brevet DE 2308830.
On peut aussi utiliser les nouveaux photoamorceurs et leurs mélanges pour la polymérisation de revêtements en poudre durcissables par irradiation. Les revêtements en poudre peuvent être à base de résines solides et de monomères contenant des doubles liaisons réactives, par exemple des maléates, des éthers vinyliques, des acrylates, des acryl-amides et leurs mélanges. On peut formuler un revêtement en poudre durcissable par voie de radicaux libres par des rayons UV en mélangeant des résines polyester insaturées avec des acrylamides solides (par exemple, le méthylacrylamidoglycolate de méthyle) et un nouveau photoamorceur à radicaux libres, de telles formulation sont décrites, par exemple, par la publication "Radiation Curing of Powder Coating", Conference Proceedings, Radtech Europe 1993 par M. Wittig et Th. Gohmann. Les revêtements en poudre peuvent également contenir des liants comme décrit, par exemple, par les fascicules de brevets DE 4228514 et EP 636669. On peut aussi formuler des revêtements en poudre à radicaux libres durcissables par des rayons UV par mélange de résines polyester insaturées avec des méthacrylates, des acrylates solides ou des éthers vinyliques et avec un nouveau photoamorceur (ou mélange de photo-amorceurs).
Les revêtements en poudre peuvent aussi comprendre des liants comme décrit, par exemple, par les fascicules de brevets DE 4228514 et EP 636669. Par ailleurs, les revêtements en poudre durcissables par des rayons UV
La figure 6 représente les détails du générateur de formes d'ondes MID 11. Comme cela est représenté sur la figure 6, le générateur de formes d'ondes MID 11 inclut des comparateurs 12a, 12b, 12c, 12d, 12e et 12f. La valeur de commande de tension finale U** est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 12a et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 12b. La valeur de commande de tension finale V** est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du convertisseur 12c et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 12d. La valeur de commande de tension finale W** est envoyée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur et à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 12f. Un générateur d'ondes porteuses 13 délivre une onde porteuse triangulaire pour la modulation MID aux bornes d'entrée inverseuse des comparateurs 12a, 12c et 12e, et aux bornes d'entrée non inverseuses des comparateurs 12b, 12d et 12f.
Dans le cas où les valeurs de commande de tension finale U**, V** et W** et l'onde porteuse envoyée aux comparateurs 12a-12f sont représentées par des données numériques, les comparateurs d'amplitude sont utilisés en tant que comparateurs 12a-12f. Dans le cas où les valeurs de commande de tension finales U**, V**, W** et l'onde porteuse envoyée au comparateur 12a-12f ont des formes analogiques, des comparateurs analogiques sont utilisés en tant que comparateurs 12a-12f.
Les comparateurs 12a, 12b, 12c, 12d, 12e et 12f délivrent respectivement des signaux CC1, CC2, CC3, CC4, CC5 et CC6 à un générateur de temps morts 14. Lorsque la valeur de commande de tension finale U** est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal de comparateur CC1 est dans son état à niveau haut. Sinon le signal de comparateur CC1 est dans son état à niveau bas. Le signal de comparateur CC2 est une inversion du signal de comparateur CC1. Lorsque la valeur de commande de tension finale V** est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal de comparateur CC3 est dans son état à niveau haut. Sinon, le signal de comparateur CC3 est dans son état à niveau bas. Le signal de comparateur CC4 est obtenu par l'inversion du signal de comparateur CC3. Lorsque la valeur de commande de tension finale W** est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le signal de comparateur CC5 est dans son état à niveau haut. Sinon le signal de comparateur CC5 est dans son état à niveau bas. Le signal de comparateur CC6 est une inversion du signal de comparateur CC5. Le générateur de temps morts 14 agit de manière à empêcher que le transistor IGBT situé sur le côté positif et le transistor IGBT situé sur le côté négatif, dans chacune des branches du circuit principal formant onduleur 7, soient placés simultanément dans leurs états conducteurs. De façon spécifique, le générateur de temps morts 14 corrige la relation de mise à l'état conducteur - mise à l'état bloqué entre un groupe de signaux CC1, CC3 et CC5 de comparateurs et un groupe de signaux CC2, CC4 et CC6 de comparateurs pour fournir des temps morts pour les branches respectives du circuit principal formant onduleur 7. Pendant un temps mort pour l'une des branches, à la fois le transistor IGBT situé sur le côté positif et le transistor IGBT situé sur le côté négatif dans la présente branche sont dans leurs états bloqués. Le générateur de temps morts 14 produit des signaux de commande de base G1', G2', G3', G4', G5' et G6' en réponse aux signaux CC1, CC2, CC3, CC4, CC5 et CC6 des comparateurs. En d'autres termes, le générateur de temps morts 14 corrige les signaux CC1, CC2, CC3, CC4, CC5 et CC6 respectivement en les signaux de commande de base G1', G2', G3', G4', G5' et G6'. Le générateur de temps morts 14 délivre les signaux de commande de base G1'-G6' à un étage d'attaque 15 (voir figure 5).
En se référant à nouveau à la figure 5, l'étage d'attaque 15 comprend des optocoupleurs destinés à produire les signaux de commande finals G1, G2, G3, G4, G5 et G6 en réponse aux signaux de commande de base G1', G2', G3', G4', G5' et G6'. L'étage d'attaque 15 envoie les signaux de commande finals G1, G2, G3, G4, G5 et G6 respectivement aux grilles des transistors IGBT 1, 2, 3, 4, 5 et 6.
La relation de base entre la valeur de commande de tension finale U**, les états des transistors IGBT 1 et 2 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 3 est la suivante. La branche de la phase U dans le circuit principal formant onduleur 7 contient les transistors IGBT 1 et 2. Lorsque la valeur de commande de tension finale U* est supérieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 1 est dans son état conducteur et le transistor IGBT 2 est dans son état bloqué de sorte que la tension située sur le côté positif de la batterie 8 est transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 9. D'autre part, lorsque la valeur de commande de tension finale U** est inférieure au niveau de l'onde porteuse, le transistor IGBT 1 est dans son état bloqué et le transistor IGBT 2 est dans son état conducteur de sorte que la tension sur le côté négatif de la batterie 8 est transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 9. Par conséquent, pendant chaque période de 1 onde porteuse, la tension sur le côté positif de la batterie 8 continue à être transmise à l'enroulement de la phase U du moteur à courant alternatif triphasé 9 uniquement pendant un inter valle de temps proportionnel à la valeur de commande de tension finale U**.
La relation de base entre la valeur de commande de tension finale V**, les états des transistors IGBT 3 et 4 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 9 est similaire à relation de base indiquée précédemment pour la phase U. En outre, la relation de base entre la valeur de commande de tension finale W**, les états des transistors IGBT 5 et 6 et la tension associée envoyée au moteur à courant alternatif triphasé 9 est similaire à la relation de base indiquée précédemment pour la phase U. Par conséquent la tension sur le côté positif de la batterie 8 et la tension sur le côté négatif de cette batterie sont transmises sélectivement aux enroulements de la phase V et de la phase W du moteur à courant alternatif triphasé 9 en réponse aux valeurs de commande de tension finales V** et W**.
Chacune des valeurs de commande de tension de base U*, V* et W* et des valeurs de commande de tension finales U**, V** et W** est une variable comprise entre -1 et +1. Dans le cas où chacune des valeurs de commande de tension U*, V*, W*, U**, V** et W** est représentée par un élément de données à 8 bits, 256 valeurs de tension égale ment espacées sont réglées dans la zone comprise entre -1 et +1. Les 256 états différents de l'élément de données à 8 bits, c'est-à-dire les 256 nombres différents (0-255) qui peuvent être représentés par l'élément de données à 8 bits, sont affectés aux 256 valeurs de tension respectives, dans un ordre régulier. Le nombre à 8 bits "0" correspond à la valeur de tension "-1". Le nombre à 8 bits "255" correspond à la valeur de tension "+1". Le nombre à 8 bits "127" correspond à la valeur de tension "0 .
Lorsque la valeur de commande de tension finale U** est égale à -1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase U est égal à 0 % et son taux d'impulsions est aussi égal à 0 %. Par conséquent dans ce cas, les transistors IGBT 1 et 2 pour la phase U n'exécutent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de la tension finale U** est égale à +1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase U est égal à 50 % et également son taux d'impulsions est égal à 100 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 1 et 2 pour la phase U n'exécutent aucune commutation.
Lorsque la valeur de commande de tension finale V** et égale à -1, le pourcentage modulation du signal MIW de la phase V est égal à 0 % et également son taux d'impulsions est égal à 0 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 3 et 4 pour la phase V ne réalisent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension finale V** est égale à +1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase V est égal à 100 % et également son taux d'impulsions est égal à 100 %. Par conséquent dans ce cas, les transistors IGBT 3 et 4 pour la phase V n'exécu tent aucune commutation.
Lorsque la valeur de commande de tension finale W** est égale à -1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase W est égal à 0 % et également son taux d'impulsions est égal à 0 %. Par conséquent dans ce cas, les transistors IGBT 5 et 6 pour la phase W ne réalisent aucune commutation. Lorsque la valeur de commande de tension finale W** et égale à +1, le pourcentage de modulation du signal MID de la phase W est égal à 100 % et également le taux d'impulsions de ce signal est égal à 100 %. Par conséquent dans ce cas les transistors IGBT 5 et 6 pour la phase W ne réalisent aucune commutation.
La figure 7 est un organigramme d'un programme pour le convertisseur 21 des valeurs de commande. En référence à la figure 7, un premier pas A1 du programme détermine ou lit les valeurs de commande de tension de base U*, V* et W*.
Un pas A2 intervenant à la suite du pas A1 soustrait la valeur de commande de tension de base V* de la valeur de commande de tension de base U*. Le pas A2 calcule la valeur absolue du résultat de la soustraction. Par conséquent le pas A2 calcule "IU*-V*1". Le pas A2 compare la valeur absolue calculée "IU*-V*I" à une valeur de référence prédéterminée "x". Lorsque la valeur absolue "1U*-V*1" est inférieure à la valeur de référence prédéterminée "x", le programme avance du pas A2 au pas A3. Sinon le programme avance du pas A2 à un pas A6.
Le pas A3 détermine si la valeur de commande de tension de base W* est positive ou non, c'est-à-dire si la valeur de commande de tension de base W* est supérieure ou non à la valeur de tension "0" (qui correspond au nombre à 8 bits "127"). Lorsque la valeur de commande de tension de base W* est positive, le programme avance du pas A3 au pas A4. Sinon le programme avance du pas A3 à un pas A5.