INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention concerne encore l'utilisation d'un polynucléotide conforme à l'invention comportant au moins un polymorphisme de type SNP 5 codant défini précédemment, d'un vecteur recombinant défini précédemment, d'une cellule hôte définie précédemment, d'un anticorps défini précédemment et/ou un agent activateur et/ou inhibiteur d'un polypeptide conforme à l'invention, pour la fabrication d'un médicament destinée à la prévention ou au traitement de différents dérèglements et/ou maladies humaines, tels que les 10 différents cancers comme, par exemple, les carcinomes, les mélanomes, les lymphomes, les myélomes, les tumeurs cancéreuses ou non, les leucémies et les cancers du foie, du cou, de la tête et des reins, les maladies cardiovasculaires, les maladies métaboliques telles que celles qui ne sont pas liées au système immunitaire comme, par exemple, l'obésité, les maladies 15 infectieuses en particulier virales comme les hépatites B et C et le SIDA, les pneumonies, les colites ulcératives, les maladies du système nerveux central comme, par exemple, la maladie d'Alzheimer, la schizophrénie et la dépression, le rejet de greffe de tissus ou d'organes, la cicatrisation de blessures, l'anémie en particulier chez les patients dialysés, les allergies, l'asthme, les scléroses 20 multiples, l'ostéoporose, le psoriasis, l'arthrite rhumatoïde, la maladie de Crohn, les maladies et les désordres auto-immuns, les verrues génitales ou vénériennes, les désordres gastro-intestinaux ou encore les désordres liés aux traitements par chimiothérapie.
Préférentiellement, un polynucléotide conforme à l'invention 25 comportant au moins un polymorphisme de type SNP codant défini précédemment, un vecteur recombinant défini précédemment, une cellule hôte définie précédemment, un anticorps défini précédemment et/ou un agent activateur et/ou inhibiteur d'un polypeptide conforme à l'invention peuvent être utilisés pour la fabrication d'un médicament destinée à la prévention ou au 30 traitement de différents dérèglements et/ou maladies humaines, tels que les hépatites chroniques B et C, les leucémies telles que la leucémie à
tricholeucocytes et la leucémie myéloïde chronique, les myélomes multiples, des lymphomes folliculaires, les tumeurs carcinoïdes, les mélanomes malins, les carcinomes rénaux métastasés, la maladie d'Alzheimer, la maladie de Parkinson ainsi que les tumeurs qui apparaissent à la suite d'un déficit immunitaire, tel que le sarcome de Kaposi dans le cas du SIDA.
* Le dosage d'un polypeptide et des autres composés de l'invention, utiles en tant que principe actif, dépend du choix du composé, de l'indication thérapeutique, du mode d'administration, de la nature de la formulation, de la nature du sujet et du jugement du médecin.
Lorsqu'il est utilisé comme principe actif, un polypeptide conforme à l'invention est généralement administré à des doses comprises entre 1 et 1 00 g/kg du sujet, par jour et selon le mode d'administration.
L'invention a aussi pour objet une composition pharmaceutique qui renferment au moins un composé précité, tel qu'un polypeptide conforme à l'invention, un polynucléotide conforme à l'invention comportant au moins un polymorphisme de type SNP codant défini précédemment, un vecteur recombinant défini précédemment, une cellule hôte définie précédemment, un anticorps défini précédemment et/ou un agent activateur et/ou inhibiteur d'un polypeptide conforme à l'invention, à titre de principe actif, ainsi qu'un excipient pharmaceutiquement acceptable.
Le ou les principes actifs peuvent y être incorporés à des excipients habituellement employés dans ces compositions pharmaceutiques,
Un autre avantage qu'il y a à combiner la quantité issue du réseau de paramètres physiques avec une autre quantité est que cela garantit des quantités KEY différentes même si deux circuits génèrent des premiers mots (registre 12) identiques.
Cela correspond au cas où les réseaux de paramètres physiques de deux circuits distincts auraient la même réponse par le fait du hasard.
Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, la donnée stockée dans le registre 12 est éphémère, c'est-à-dire que l'unité centrale 17 commande l'extraction du mot numérique issu du réseau de paramètres physiques à chaque besoin d'utilisation de la quantité secrète, et commande l'effacement des mots contenus dans les registres 12 et 16 au bout d'une durée prédéterminée qui suit cette génération. Cette durée est calculée pour laisser le temps au processus classique d'exploitation de la quantité secrète d'opérer les traitements nécessaires (par exemple, laisser le temps au processus d'authen-
tification du circuit intégré d'opérer les vérifications nécessaires ou au processus de chiffrement d'exécuter les algo- rithmes prévus).
La fonction de combinaison opérée par l'élément 13 pourra être n'importe quelle fonction de combinaison connue. On pourra choisir une fonction simple du type addition, multiplication, soustraction bit à bit ou de résultat, ou encore des fonctions plus complexes. On notera toutefois que le fait d'avoir rendu révocable la quantité secrète fournie par le circuit intégré rend moins critique la complexité du combineur.
Cela n'exclut toutefois pas de mettre en oeuvre des algorithmes de combinaison plus complexes selon les applications. Par exemple, on pourra mettre en oeuvre une fonction dite de hachage à sens unique recevant en entrée le mot issu du réseau de paramètres physiques et, en guise de mot de paramétrage, le mot stocké en mémoire non volatile.
La figure 2 représente une cellule l'de génération d'une quantité secrète d'un circuit intégré selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. La cellule 1'reprend tous les constituants de la cellule 1 décrite en relation avec la figure 1. Toutefois, selon ce deuxième mode de réalisation, on prévoit en outre de brouiller le deuxième mot numérique issu de l'élément de mémorisation non volatile 14 au moyen du mot numérique issu du réseau de paramètres physiques, en entier ou en partie, à l'aide d'un élément de brouillage 18 (SCRAMB).
Pour l'enregistrement d'un mot numérique dans l'élément 14, le générateur aléatoire 15 ou la table de mots prédéterminés fournit un mot au brouilleur 18, et l'unité centrale 17 déclenche l'extraction du mot numérique issu du réseau de paramètres physiques qui est fourni par le registre 12 au brouilleur 18. Un tel brouillage peut correspondre à n'importe quel codage ou combinaison classique de deux mots numériques (issus du registre 12 et, par exemple, du générateur 15) pour obtenir le mot à stocker dans l'élément 14.
Lors de la génération de la quantité KEY par la cellule 1', l'élément 18 fonctionne en décodeur et utilise là encore tout ou partie du mot numérique stocké dans le registre 12 pour décoder le mot extrait de l'élément 14 et fournir le résultat au combineur 13. Le reste du fonctionnement de la cellule l'correspond au fonctionnement exposé en relation avec la figure 1.
Le recours à un codeur intégré à la zone sécurisée (SECURE) de la cellule 1 permet de stocker le mot contenu dans le registre 14 dans une mémoire non volatile externe à cette zone illustrée par un pointillé en figure 2.
Un avantage de la présente invention est qu'elle est indépendante de l'exploitation faite de la quantité KEY par l'extérieur de la cellule. Ainsi, la mise en oeuvre de l'invention est compatible avec les procédures d'exploitation existantes d'une quantité secrète fournie par un circuit intégré.
Un autre avantage de la présente invention est qu'elle préserve le caractère volatil (éphémère) des quantités secrètes basées sur l'extraction d'un mot issu de paramètres physiques.
Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, le choix des tailles des mots numériques utilisés dépend de l'application et de la longueur de la quantité secrète que l'on souhaite obtenir. Ce choix s'effectue de façon classique, en fonction notamment de la complexité souhaitée pour la cellule d'extraction et du nombre de quantités secrètes possibles souhaité pour le processeur d'authentification utilisé.
De plus, pour mémoriser les mots numériques, on pourra recourir à tout élément de mémorisation adapté, par exemple, des mémoires ou des parties de mémoire volatiles ou non selon le type de données stockées. En outre, l'écriture et la lecture des données dans ces éléments de mémorisation pourront être en série ou en parallèle.
(56) de coupe de chaque lame (50) de coupe.
"Glace de protection de projecteur et procédé pour sa fabrication" La présente invention concerne un procédé de fabrication
De préférence, le dispositif aérosol selon l'invention comprend comme agent propulseur du diméthyléther seul ou en mélange.
La présente invention concerne également un procédé de traitement cosmétique des cheveux qui consiste à appliquer une quantité efficace d'une
composition telle que décrite ci-dessus, sur les cheveux et à rincer ou non après un éventuel temps de pose.
Exemples On a préparé deux produits de coiffage à partir des ingrédients suivants, les pourcentages étant exprimés en poids : lm Composition 1 : spray aérosol Sulfate de baryum 0,5 % Ethanol 34, 5 % DME 65% Composition 2 : spray aérosol Sulfate de baryum 0,2% Luviskol Plus (2) 5% Eau 18% Ethanol 26,8% DME 50% présentant une taille de particule primaire moyenne en nombre de 200 nm, vendu sous la dénomination SACHTOPERSE HR par la société SACHTLEBEN ; (2) Polyvinylcaprolactame commercialisé par la Société BASF.
On mélange les ingrédients dans un bidon muni d'une valve et d'un 1 diffuseur. On pulvérise cette composition sur les cheveux et on laisse sécher quelques secondes.
Les cheveux sont faciles à coiffer et à recoiffer, sans coller entre eux.
COMPOSITION COSMETIQUE COMPRENANT DES PARTICULES INORGANIQUES INSOLUBLES L'invention a pour objet une composition cosmétique comprenant des particules inorganiques insolubles, dans un milieu cosmétiquement acceptable. Elle vise également l'utilisation de telles particules dans des compositions cosmétiques capillaires, notamment pour donner du gonflant aux cheveux.
Au sens de la présente invention, on entend par composition pour donner du gonflant aux cheveux)), une composition qui a pour effet d'augmenter le volume global de la coiffure, en donnant aux cheveux de la vigueur et du ressort. On entend par composition de coiffage)), une composition capillaire destinée au maintien et/ou à la fixation de la coiffure.
On connaît déjà des produits cosmétiques capillaires procurant du gonflant au cheveux. Ces produits, à base de polymères filmogènes, sont particulièrement appréciés par les utilisateurs ayant des cheveux fins.
Toutefois, une de leurs limites réside dans le fait que le gonflant disparaît dès le premier shampooing. De plus, ces produits laissent un toucher rêche, qui résulte du dépôt de polymères à la surface des cheveux. Par ailleurs, leur effet s'estompe généralement après un seul shampooing.
Pour donner du gonflant aux cheveux, il est également possible d'effectuer des permanentes. Ces dernières, basées sur l'utilisation de réducteurs et d'oxydants, nécessitent une mise sous tension mécanique des cheveux, par exemple au moyen de rouleaux. Si de tels traitements ont effectivement pour effet d'augmenter le volume des cheveux, ils peuvent néanmoins présenter l'inconvénient d'altérer l'état de la fibre capillaire.
Le problème posé par l'invention est de trouver des compositions cosmétiques capillaires, notamment capillaires, qui procurent aux cheveux du gonflant, sans présenter l'ensemble des inconvénients énumérés ci-dessus.
Dans un autre mode de réalisation, les flancs peuvent comporter une seconde portion qui est bombée entre le col et le fond. Les flancs ont alors le profil d'une bonbonne.
Quant au fond il peut être bombé ou être sensiblement plat.
La tranchée d'isolement profonde est généralement destinée à coopérer avec une tranchée d'isolement peu profonde creusée dans le substrat semiconducteur et pleine de matériau électriquement isolant. Elle comporte un fond et des flancs. La partie la plus large de la première portion débouche alors dans le fond de la tranchée d'isolement peu profonde.
L'invention concerne également un circuit intégré qui comporte au moins une tranchée d'isolement profonde ainsi définie et un appareil électronique ou
électrique qui comporte au moins un tel circuit intégré.
La présente invention concerne aussi un procédé de réalisation d'une tranchée d'isolement profonde dans un substrat semi-conducteur, cette tranchée possédant un fond, des flancs et une ouverture. Il comporte les étapes suivantes : dépôt sur le substrat d'une couche de matériau électriquement isolant pour réaliser un masque dur ; gravure dans le masque dur d'une ouverture correspondant à celle de la tranchée ; gravure à travers le masque dur, dans le matériau semi-conducteur, des flancs et du fond de la tranchée en prévoyant un col entre le fond et l'ouverture et en réalisant une première portion des flancs qui est rétrécie depuis l'ouverture vers le col puis une seconde portion des flancs comprise entre le col et le fond ; élimination du masque dur ; dépôt non conforme d'un matériau électriquement isolant qui tapisse les flancs et le fond, qui délimite une cavité vide et qui forme un bouchon pour fermer la cavité.
La gravure de la tranchée peut se faire par plasma avec un mélange gazeux ayant de premières proportions pour réaliser la première portion des flancs et de secondes proportions pour réaliser la seconde portion des flancs.
Le mélange gazeux peut contenir de l'acide bromhydrique HBr, de l'oxygène Os et de l'hexafluorure de soufre SF6.
Le mélange gazeux contiendra une plus grande proportion d'hexafluorure de soufre SF6 pour réaliser la seconde portion des flancs qu'il n'en contient pour réaliser la première portion des flancs.
Le procédé peut comporter, après l'étape de gravure, une étape de recuit thermique visant à restaurer l'état de surface des flancs et du fond.
Le procédé peut comporter après l'étape de gravure, une étape d'implantation ionique au niveau de la tranchée, cette implantation ionique étant d'un type opposé au type du substrat semi-conducteur.
Le matériau électriquement isolant déposé pour tapisser les flancs et le fond peut être dopé, l'étape de dépôt étant suivie d'une étape de recuit thermique rapide provoquant un fluage du matériau électriquement isolant.
Le procédé selon l'invention peut comporter une étape de retrait, en surface, du matériau électriquement isolant déposé pour tapisser le fond et les flancs et si nécessaire une étape de planarisation en surface.
Lorsque la tranchée d'isolement profonde coopère avec une tranchée d'isolement peu profonde avec des flancs et un fond, l'ouverture de la tranchée d'isolement profonde débouchant dans le fond de la tranchée d'isolement peu profonde, le procédé peut comporter une étape de gravure de la tranchée d'isolement peu profonde avant l'étape de dépôt du
matériau électriquement isolant réalisant le masque dur.
Dans ce mode de réalisation, l'étape de dépôt non conforme du matériau électriquement isolant contribue à remplir la tranchée d'isolement peu profonde.
Conformément au douzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, une surface inférieure du substrat de dissipation, qui est le côté opposé à la surface sur laquelle les éléments à semiconducteur sont montés, est à nu du côté de la surface inférieure du boîtier en résine, et le dispositif à semiconducteur comprend en outre une couche isolante placée du côté de la surface inférieure du boîtier en résine, de façon à, au moins, recouvrir complètement la surface inférieure
du substrat de dissipation.
Conformément au treizième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, la couche isolante est formée par un matériau isolant sous une forme de feuille fixé à la surface inférieure du boîtier en résine.
Conformément au quatorzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, la surface inférieure du boîtier en résine comporte une région de marche qui est en retrait et qui correspond à la région à nu de la surface inférieure du substrat de dissipation, et la profondeur de la région de marche est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante.
Conformément au quinzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteur, la surface inférieure du boîtier en résine a une multiplicité de parties en saillie qui sont formées de façon à entourer la région à nu de la surface inférieure du substrat de dissipation, et la hauteur des parties en saillie est inférieure à l'épaisseur de la couche isolante.
Conformément au seizième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend en outre une plaque de dissipation qui est en contact intime avec la couche isolante et dont l'étendue est plus grande que celle de la couche isolante.
Conformément au dix-septième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend une multiplicité de substrats de dissipation, des éléments à semiconducteur respectivement placés sur la multiplicité de substrats de dissipation, une multiplicité de plaques d'électrodes principales dont une extrémité est connectée électriquement à une électrode principale de chacun des éléments à semiconducteur, respectivement, et un boîtier en résine pour encapsuler la multiplicité de substrats de dissipation, les éléments à semiconducteur et la multiplicité de plaques d'électrodes principales dans une résine, dans lequel l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu à l'extérieur de la surface supérieure du boîtier en résine, et dans lequel le boîtier en résine est formé en une seule pièce par moulage.
Conformément au dix-huitième aspect l'invention, dans le dispositif à semiconducteur, tous les substrats de la multiplicité de substrats de
dissipation ont une même forme rectangulaire et sont disposés de façon que leurs côtés longs soient mutuellement parallèles.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au premier aspect de la présente invention, l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu à l'extérieur de la surface supérieure du boîtier en résine, et le boîtier en résine est formé en une seule pièce par moulage, et par conséquent les composants peuvent être disposés efficacement, et on peut en faire en sorte que la dimension de la forme extérieure du substrat de dissipation soit approximativement aussi grande que la dimension de la forme extérieure du boîtier en résine, de façon que la miniaturisation devienne possible tout en conservant les performances de dissipation.
De plus, du fait que la multiplicité de plaques d'électrodes principales sont formées de façon à être à nu sur la surface supérieure du boîtier en résine, l'aire du circuit en boucle formé par la multiplicité de plaques d'électrodes principales et un chemin électrique qui connecte électriquement ces électrodes, devient faible, ce qui permet de réduire l'inductance du circuit en boucle.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au second aspect de la présente invention, le boîtier en résine a une forme de parallélépipède et la surface principale de l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales seule est à nu sur la surface supérieure du boîtier en résine, et par conséquent le boîtier a une forme simple dont la structure est physiquement robuste.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au troisième aspect de la présente invention, la position de la surface principale à laquelle l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales est à nu, est une position située à distance d'un bord sur la surface supérieure du boîtier en résine, et par conséquent dans le cas où le boîtier en résine est fixé sur un radiateur, la distance pour l'isolation à partir du radiateur jusqu'aux plaques d'électrodes principales peut aisément être obtenue, ce qui permet d'avoir un dispositif à semiconducteur qui peut supporter une tension élevée, bien que l'épaisseur de son boîtier en résine soit faible.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au
quatrième aspect de la présente invention, le boîtier en résine comporte une partie de corps ayant une forme de parallélépipède et une multiplicité de parties d'électrodes en saillie qui font respectivement saillie à partir de la surface supérieure de la partie de corps, et par conséquent, dans le cas où le boîtier en résine est fixé sur un radiateur, la distance pour l'isolation à partir du radiateur jusqu'aux plaques d'électrodes principales peut être obtenue plus aisément, ce qui permet d'avoir un dispositif à semiconducteur qui peut supporter une tension élevée, bien que l'épaisseur de sa partie de corps soit faible. Ensuite, du fait de l'existence des parties d'électrodes en saillie, l'épaisseur de la partie de corps, dans laquelle le substrat de dissipation est enterré, peut être fixée au minimum, et par conséquent, même dans le cas où un changement de température se produit à cause de l'émission de chaleur au moment où le dispositif est employé, il est possible d'éviter l'apparition d'un gauchissement sur le boîtier en résine entier, et il est possible d'éviter une diminution du rendement de la dissipation à partir du dispositif à semiconducteur vers le radiateur, ce qui permet d'éviter que la température du dispositif à semiconducteur augmente jusqu'à la limite admissible ou au-dessus.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au cinquième aspect de la présente invention, la multiplicité de parties d'électrodes en saillie sont formées de façon que les parties de jonction vis-à-vis de la partie de corps aient des surfaces courbes, et par conséquent, dans le cas où, par exemple, une plaque d'électrode principale et un conducteur extérieur sont fixés avec une vis dans une partie d'électrode en saillie, bien que la vis soit serrée avec un couple élevé, la contrainte occasionnée dans la partie de jonction entre la partie de corps et la partie d'électrode en saillie devient faible, ce qui fait que la partie d'électrode en saillie peut supporter la pression de serrage de la vis, bien que la dimension de la partie d'électrode en saillie soit faible, de façon qu'il soit possible de miniaturiser le dispositif à semiconducteur.
Conformément à un dispositif conforme au sixième aspect de la présente invention, la multiplicité de parties d'électrodes en saillie ont des cavités à l'intérieur, et par conséquent il devient possible d'incorporer des écrous dans les cavités, de façon qu'une plaque d'électrode principale et un conducteur extérieur soient bloqués avec une vis et, de cette manière,
le conducteur extérieur et la plaque d'électrode principale peuvent être connectés avec une faible résistance de contact.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au septième aspect de la présente invention, l'autre extrémité de chacune de la multiplicité de plaques d'électrodes principales comporte un trou traversant et le trou traversant a un filetage formé sur sa surface intérieure, et par conséquent au moment auquel une plaque d'électrode principale et un conducteur extérieur sont fixés avec une vis, il n'est pas nécessaire de préparer un écrou, ce qui augmente la facilité d'assemblage.
Conformément au dispositif à semiconducteur conforme au huitième aspect de la présente invention, le trou traversant est créé par une opération de soyage, et le filetage est formé sur une partie de collet, et par conséquent un filetage peut être formé même lorsque l'épaisseur de la plaque d'électrode principale est faible.
Conformément à un dispositif à semiconducteur conforme au neuvième aspect de la présente invention, la multiplicité de parties d'électrodes en saillie ont des écrous noyés à l'intérieur, de façon que le filetage de chacun des écrous soit relié à celui du trou traversant, et par conséquent au moment auquel une plaque d'électrode principale et un conducteur extérieur sont fixés avec une vis, il n'est pas nécessaire de préparer un écrou, ce qui augmente la facilité d'assemblage.