REVENDICATIONS 1. Substrat transparent (6), notamment verrier, comportant au moins une de ses faces un revêtement antireflet, notamment au moins dans le visible et dans le proche infrarouge, fait d'un empilement (A) couches minces en matériau diélectrique d'indices de réfraction alternativement forts et faibles, caractérisé en ce que l'empilement comporte successivement i.. une première couche (1), à haut indice, d'indice à réfraction compris entre 1,8 et 2,3 et d'une épaisseur géométrique el comprise entre 5 et 50 nm, @.. une seconde couche (2), à bas indice, d'indice de réfraction n2 compris entre 1,30 et 1,70 et d'épaisseur géométrique e2 comprise entre 5 et 50 nm, i-# une troisième couche (3), à haut indice, d'indice de réfraction n3 compris entre 1,8 et 2,3 et d'épaisseur géométrique e3 d'au moins 100 ou d'au moins 120 nm, #-# une quatrième couche (4), à bas indice, d'indice de réfraction n4 compris entre 1,30 et 1,70 et d'épaisseur géométrique e4 d'au moins 80 ou d'au moins 90 nm. 2. Substrat (6) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche (1) à haut indice et la seconde couche (2) à bas indice sont remplacées par une couche unique (5) d'indice intermédiaire e5 compris entre 1,60 et 1,90, notamment entre 1,70 et 1,80. 3. Substrat (6) selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche unique (5) d'indice intermédiaire a une épaisseur géométrique e5 comprise entre 40 et 120 nm, notamment entre 60 et 100 nm ou entre 65 nm. 4. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ni et/ou n3 sont compris entre 1,85 et 2,15, notamment entre 1,90 et 2,10 ou entre 2,0 et 2,1. 5. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que n2 et/ou n4 sont compris entre 1,35 et 1,55 ou entre 1,40 , 50. 6. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que el est compris entre 10 et 30 nm, notamment entre 15 et 25 nm. 7. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que e2 est compris entre 15 et 45 nm, notamment entre 20 et 40 nm, de préférence inférieur ou égal à 35 nm. 8. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que e3 est compris entre 100 et 180 nm, et est notamment compris entre 140 et 160 nm. 9. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que e4 est supérieur ou égal à 90 nm, et est notamment compris entre 95 et 120 10. Substrat (6) selon la revendication 2 ou la revendication caractérisé en ce la couche (5) d'indice intermédiaire est à base d'un mélange entre d'une part de l'oxyde de silicium et d'autre part au moins un oxyde métallique choisi parmi l'oxyde d'étain, l'oxyde de zinc, l'oxyde de titane, est à base d'un oxynitrure ou oxycarbure de silicium et/ou d'oxynitrure d'aluminium. 11. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que première couche à haut indice (1) et/ou la troisième couche à haut indice (3) sont à base d'oxyde(s) métalliques) choisis) parmi l'oxyde de zinc, l'oxyde d'étain, l'oxyde de zirconium ou l'oxyde mixte de zinc et d'étain, ou à base de nitrure(s) choisi(s) parmi le nitrure de silicium et/ou le nitrure d'aluminium. 12. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche à haut indice (1) et/ou la troisième couche (3) à haut indice sont constituées d'une superposition de plusieurs couches à haut indice, notamment d'une superposition de deux couches comme Sn02/Si3N4 ou Si3N4/Sn02. 13. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la seconde couche à bas indice (2) et/ou la quatrième couche à bas indice (4) sont à base d'oxyde de silicium, d'oxynitrure et/ou oxycarbure de silicium ou d'un oxyde mixte de silicium et d'aluminium. 14. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat est en verre, clair ou extra-clair, et de préférence trempé. 15. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'empilement (A) antireflet utilise au moins pour sa troisième couche à haut indice du nitrure de silicium ou d'aluminium de façon à ce qu'il soit apte à subir un traitement thermique du type trempe, recuit. 16. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caracterisé en ce que l'empilement (A) comprend la séquence de couches suivantes Sn02 ou Si3N4 / S!02 / Sn02 ou Sl3N4 / Si02 ou SiAlO 17. Substrat (6) selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que l'empilement (A) comprend la séquence de couches suivantes SION / Si3N4 ou Sn02 / Si02 ou SIAIO 18. Substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il a une transmission intégrée sur une gamme de longueurs d'onde comprise entre 400 et 1100 nm d'au moins 90%. 19. Utilisation du substrat (6) selon l'une des revendications précédentes, en tant que substrat extérieur transparent de modules solaires (10) comprenant une pluralité de cellules solaires (9)du type Si ou CIS. 20. Module solaire (10) comprenant une pluralité de cellules solaires (9) du type Si , CIS, CdTe, a-Si, GaAs ou GalnP, caractérisé en ce qu'il en tant que substrat extérieur le substrat (6) selon l'une des revendications 1 à 18. 21. Module solaire (10) selon l'une des revendications 20 ou 21 caractérisé en ce qu'il comporte deux substrats en verre (6, 8) , les cellules solaires (9) étant disposées dans Uentre-verre dans lequel on a coulé un polymère durcissable (7). 22. Procédé d'obtention du substrat (6) selon l'une des revendications 1 à 18 caractérisé en ce qu'on dépose l'empilement (A) antireflet par pulvérisation cathodique.