INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces avec une paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides, comprenant les séquences : FIN-A : 5'TCAAATATTACAGGGCTGCT3' (SEQ ID No : 13) et FIN-B : 5'TAGCTGAAGAGGCACAGG3' (SEQ ID No : 14), ou constitués par des fragments de celles-ci, ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de l'enveloppe portant au moins une mutation suivie d'une deuxième étape d'amplification, effectuée avec une paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides, comprenant les séquences : FIN-C : 5'CTATTAACAAGAGATGGTGG3' (SEQ ID No : 15) et FIN-D : 5'TCCACCTTCTTCTTCGATT3' (SEQ ID No : 16), ou constitués par des fragments de celles-ci, ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de l'enveloppe portant au moins une mutation
Tout préférentiellement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces : FIN-A : 5'TCAAATATTACAGGGCTGCT3' (SEQ ID No : 13) et FIN-B : 5'TAGCTGAAGAGGCACAGG3' (SEQ ID No : 14) suivie d'une deuxième étape d'amplification, effectuée avec la paire d'amorces : FIN-C : 5'CTATTAACAAGAGATGGTGG3' (SEQ ID No : 15) et FIN-D : 5'TCCACCTTCTTCTTCGATT3' (SEQ ID No : 16), pour obtenir un segment d'ADN de 965 paires de bases s'étendant des résidus 7553 à 8517 inclus et le vecteur de l'étape (c) est un vecteur retroviral délété de toute la région codant pour la portion extracellulaire de la sous-unité gp41 de l'enveloppe du VIH-1, s'étendant des résidus 7745 à 8263 inclus, et comporte un site de restriction unique Mlu 1.
Avantageusement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides, comprenant les séquences : NEU-A : 5'TAGAAAGAGCAGAAGACAGTGGCAATG3' (SEQ ID No : 17) et FIN-B : 5'TAGCTGAAGAGGCACAGG3' (SEQ ID No : 14), ou constitués par des fragments de celles-ci, ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne
modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de l'enveloppe portant au moins une mutation, suivie d'une deuxième étape d'amplification, avec la paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides, comprenant les séquences : NEU-C : 5'GTGGGTCACAGTCTATTATGGGG3' (SEQ ID No : 18) et FIN-D : 5'TCCACCTTCTTCTTCGATT3' (SEQ ID No : 16), ou constitués par des fragments de celles-ci, ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de l'enveloppe portant au moins une mutation.
Tout préférentiellement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces : NEU-A : 5'TAGAAAGAGCAGAAGACAGTGGCAATG3' (SEQ ID No : 17) et FIN-B : 5'TAGCTGAAGAGGCACAGG3' (SEQ ID No : 14), suivie d'une deuxième étape d'amplification, avec la paire d'amorces : NEU-C : 5'GTGGGTCACAGTCTATTATGGGG3' (SEQ ID No : 18) et FIN-D : 5'TCCACCTTCTTCTTCGATT3' (SEQ ID No : 16), pour obtenir un fragment d'ADN de 2320 paires de bases s'étendant des résidus 6197 à 8517 inclus et le vecteur de l'étape (c) est un vecteur retroviral délété de toute la région codant pour la majorité de la sous-unité gpl20 et de la portion extracellulaire de la gp41 de
l'enveloppe du VIH-1, s'étendant des résidus 6480 à 8263 inclus, et comporte un site de restriction unique Mlu I.
Avantageusement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides, comprenant les séquences : EOO : 5'TAGAAAGAGCAGAAGACAGTGGCAATGA3' (SEQ ID No : 19) et ES8B : 5'CACTTCTCCAATTGTCCCTCA3' (SEQ ID No : 20), ou constitués par des fragments de celles-ci, ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de l'enveloppe portant au moins une mutation, suivie d'une deuxième étape d'amplification, avec une paire d'amorces ayant une taille comprise entre 10 et 50 oligonucléotides comprenant les séquences : E20 : 5'GGGCCACACATGCCTGTGTACCCACAG3' (SEQ ID No : 21) et E115 : 5'AGAAAAATTCCCCTCCACAATTAA3' (SEQ ID No : 22), ou encore par des séquences analogues de celles-ci portant des mutations d'un ou plusieurs nucléotides qui ne modifient pas de manière essentielle leur capacité à hybrider la région du gène de la protéase portant au moins une mutation.
Tout préférentiellement, l'amplification de l'étape (b) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique susceptible de porter au moins une mutation dans le gène codant pour la protéine d'enveloppe est effectuée avec une paire d'amorces :
EOO : 5'TAGAAAGAGCAGAAGACAGTGGCAATGA3' (SEQ ID No : 19) et ES8B : 5'CACTTCTCCAATTGTCCCTCA3' (SEQ ID No : 20), suivie d'une deuxième étape d'amplification, avec la paire d'amorces : E20 : 5'GGGCCACACATGCCTGTGTACCCACAG3' (SEQ ID No : 21) et E115 : 5'AGAAAAATTCCCCTCCACAATTAA3' (SEQ ID No : 22), pour obtenir un segment d'ADN de 938 paires de bases s'étendant des résidus 6426 à 7364 inclus et le vecteur de l'étape (c) est un vecteur retroviral délété de la région, codant pour les domaines allant de la boucle Vl à la boucle V3 de l'enveloppe du VIH-1 s'étendant de 6617 à 7250 inclus et comporte un site de restriction unique NheI.
L'invention concerne également une méthode d'analyse pour déterminer la susceptibilité d'un virus VIH à un composé inhibiteur de fusion ciblant la protéine gp41 du VIH-1, consistant à effectuer l'amplification de l'étape (b) soit avec la paire d'amorces SEQ ID No : 13, SEQ ID No : 14 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 15 SEQ ID No : 16, soit avec la paire d'amorces SEQ ID No : 17 SEQ ID No : 18 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 18, SEQ ID No : 16, à ajouter ou non ledit composé inhibiteur de fusion, éventuellement à des concentrations différentes, durant la culture de l'hôte cellulaire obtenu à l'étape (e), avant l'étape (f) et comprenant à l'étape (g) la comparaison de
l'expression du gène marqueur avec et sans composé inhibiteur de fusion ciblant la gp41 du VIH-1.
L'invention concerne également une méthode d'analyse pour déterminer la susceptibilité d'un virus VIH à un composé inhibiteur d'entrée dudit virus VIH dans une cellule cible, consistant à effectuer l'amplification de l'étape (b) avec la paire d'amorces SEQ ID No : 17 et SEQ ID No : 18 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 18 et SEQ ID No : 16, à ajouter ou non ledit composé inhibiteur d'entrée, éventuellement à des concentrations différentes, à l'hôte cellulaire obtenu à l'étape (e) avant l'infection de l'étape (f) et comprenant à l'étape (g) la comparaison de l'expression du gène marqueur avec et sans composé inhibiteur d'entrée.
L'invention concerne également une méthode d'analyse pour déterminer la susceptibilité d'un virus VIH à l'action inhibitrice des anticorps, consistant à effectuer l'amplification de l'étape (b) avec la paire d'amorces SEQ ID No : 17 SEQ ID No : 18 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 18, SEQ ID No : 16, à ajouter ou non lesdits anticorps durant l'étape (e) de culture, éventuellement à des concentrations différentes et comprenant à l'étape (g) la comparaison de l'expression du gène marqueur avec et sans anticorps.
L'invention concerne également une méthode d'analyse pour déterminer le tropisme d'un virus VIH pour un récepteur cellulaire, consistant à effectuer l'amplification de l'étape (b) avec la paire d'amorces
SEQ ID No : 17 SEQ ID No : 18 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 18, SEQ ID No : 16, à effectuer l'infection de l'étape (f) avec les particules virales obtenues à l'étape (e) sur deux hôtes cellulaires distincts et comprenant à l'étape (g) la comparaison de l'expression du gène marqueur par chacun des deux hôtes cellulaires distincts.
Avantageusement les hôtes cellulaires utilisés pour l'infection de l'étape (f) selon la méthode d'analyse de l'invention sont choisis parmi des hôtes cellulaires exprimant le récepteur CCR5 ou le récepteur CXCR4.
L'invention concerne également une méthode d'analyse pour déterminer la susceptibilité d'un virus VIH à un composé inhibiteur ciblant les corécepteurs du VIH-1, consistant à effectuer l'amplification de l'étape (b) avec la paire d'amorces SEQ ID No : 17 SEQ ID No : 18 suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 18, SEQ ID No : 16, à ajouter ou non ledit composé inhibiteur ciblant les corécepteurs du VIH-1, éventuellement à des concentrations différentes, durant l'étape (e) de culture, l'infection de l'étape (f) étant effectuée sur deux hôtes cellulaires distincts et comprenant à l'étape (g) la comparaison de l'expression du gène marqueur par chacun des deux hôtes cellulaires distincts.
SEQ ID No : 19 et SEQ ID No : 20, suivie d'une deuxième amplification avec la paire d'amorces SEQ ID No : 21 et SEQ ID No : 22, à infecter à l'étape (f) deux hôtes cellulaires distincts avec les particules virales obtenues à l'étape (e) et comprenant à l'étape (g) la comparaison de l'expression du gène marqueur par chacun des deux hôtes cellulaires distincts.
La figure 3D illustre schématiquement l'alignement des zones actives 8, que l'on a formées, sur le premier niveau d'alignement. Les motifs émetteurs ou récepteurs que constituent ces zones sont ainsi alignés avec une très bonne précision par rapport aux empreintes de fibres 14 (à moins de 1 um près).
On peut alors mettre en place les extrémités des fibres optiques 18 dans les trous correspondants 14.
Diverses variantes du mode de réalisation particulier, que l'on vient de décrire en faisant référence aux figures 3A à 3D, sont possibles.
Dans le cas considéré du report du substrat 4 sur le support 12 avant la formation des zones 8 sur ce substrat, on peut par exemple amincir le substrat 4 avant son report et le coller au support 12 par une adhésion moléculaire.
On peut aussi former des éléments complémentaires sur le silicium avant le collage du substrat 4 au support 12.
Cette possibilité est schématiquement illustrée sur la figure 4 où l'on voit que l'on a donné une forme conique 36 à l'extrémité de chaque trou 14 débouchant sur la face du support, face qui est collée au substrat 4, et que l'on a placé, dans le cône ainsi obtenu, une lentille sphérique de collimation 38, ou lentille de fond d'empreinte, dont le diamètre est choisi pour que cette lentille soit tangente au substrat 4 lorsque ce dernier est fixé au support 12.
Cela ne serait pas possible dans le cas d'un perçage direct du substrat de croissance en GaAs.
Le report du substrat 4 sur le support 12 après avoir formé les zones actives 8 est possible en mettant en oeuvre des techniques à basse température, telles que le collage et la soudure, avec des machines permettant un alignement et un collage simultanés.
On peut envisager la réalisation de zones actives sur la face arrière du composant optoélectronique et sur la face avant de la plaque formant le support mécanique puis un assemblage par des billes de brasure ( solder balls ) selon la technique de retournement de puce ( flip-chip ).
De nombreuses applications de l'invention sont possibles : cette invention permet de fabriquer des connecteurs optiques à fibre unique, des connecteurs optiques matriciels ou à ruban de fibres et des liaisons optiques directes entre des émetteurs lasers et d'autres émetteurs lasers permettant le pompage optique des précédents.
L'invention permet aussi l'assemblage tridimensionnel de plaques optiques et le couplage de ces plaques par des fibres optiques.
Cette possibilité est schématiquement illustrée par le système optique de la figure 5, comprenant un premier dispositif 40 et un deuxième dispositif 42 qui sont du genre de celui de la figure 2 et couplés l'un à l'autre par un ensemble de fibres optiques 44.
Le dispositif 42 constitue le dispositif inférieur et comprend un substrat 46 où l'on a formé
des zones actives 48 constituant des VCSEL ou lasers à émission par la surface à cavité verticale ( vertical cavity surface emitting lasers ).
Ces VCSEL fonctionnent à 980 nm et émettent vers le haut des flux lumineux qui passent dans les fibres 44. Ces fibres transmettent ces flux vers les zones actives 50 du dispositif supérieur 40, formées dans un substrat 52. Ces zones sont des lasers qui sont excités par ces flux incidents à 980 nm et qui émettent à 1550 nm vers le haut.
Sur la figure 5, on voit aussi le support mécanique 54 (respectivement 56) sur lequel on a collé le substrat 52 (respectivement 46). Les substrats 46 et 52 sont transparents à la lumière de longueur d'onde 950 nm.
La présente invention consiste à proposer un procédé efficace de préparation d'un produit puissant en matière d'activités anti-inflammatoire, anti-agrégation plaquettaire et antifongique à partir de rhizomes de gingembre. Le produit puissant préparé conformément au procédé de la présente invention possède une composition sensiblement constante, de sorte que les effets pharmacologiques de celui-ci sont définis.
Le procédé efficace de préparation d'un produit puissant en matière d'activités anti-inflammatoire, antiagrégation plaquettaire et antifongique à partir de rhizomes de gingembre conformément à la présente invention comprend les étapes suivantes consistant à : a) préparer un liquide brut à partir de rhizomes de gingembre ; b) introduire le liquide brut dans une colonne de chromatographie en phase inverse, et éluer la colonne avec de l'eau, avec un premier éluant et avec un deuxième éluant successivement, ledit deuxième éluant ayant une polarité plus faible que celle du premier éluant mais plus forte que celle du chloroforme, de sorte qu'un premier éluat résultant de l'élution avec le premier éluant et qu'un deuxième éluat résultant de l'élution avec le deuxième éluant sont obtenus ; c) éliminer le premier éluant du premier éluat par évaporation, de sorte qu'un premier éluat concentré est
obtenu et peut être utilisé en tant que produit puissant ; et d) éliminer le deuxième éluant du deuxième éluat par évaporation, de sorte qu'un deuxième éluat concentré est obtenu et peut être utilisé en tant que produit puissant ; dans lequel l'étape a) comprend les étapes i) à iv), ou comprend l'étape I), l'étape I'), ou l'étape I"), lesdites étapes i) à iv) consistant à : i) hacher des rhizomes frais de gingembre et filtrer le mélange qui en résulte pour obtenir un filtrat et un résidu ; ii) extraire le filtrat avec un premier solvant organique, récupérer la solution d'extraction par le premier solvant organique résultante, et évaporer le premier solvant organique de la solution d'extraction pour obtenir une première solution d'extraction concentrée ; iii) extraire le résidu avec un deuxième solvant organique, récupérer la solution d'extraction par le deuxième solvant organique résultante, et évaporer le deuxième solvant organique de la solution d'extraction pour obtenir une deuxième solution d'extraction concentrée ; et iv) combiner la première solution d'extraction concentrée et la deuxième solution d'extraction concentrée pour obtenir le liquide brut ; ladite étape I) consistant à : I) extraire de la poudre de rhizomes de gingembre séchés avec le deuxième solvant organique, récupérer la solution d'extraction par le deuxième solvant organique
résultante et évaporer le deuxième solvant organique de la solution d'extraction pour obtenir le liquide brut ; ladite étape Il) consistant à : I') soumettre à un entraînement à la vapeur de la poudre de rhizomes de gingembre séchés, et concentrer le distillat résultant par évaporation pour obtenir le liquide brut ; et ladite étape I") consistant à : I") extraire de la poudre de rhizomes de gingembre séchés avec du C02 supercritique, récupérer la solution d'extraction au C02 supercritique qui en résulte et évaporer le CO2 de la solution d'extraction pour obtenir le liquide brut.
Le produit puissant en matière d'activités antiinflammatoire, anti-agrégation plaquettaire et antifongique préparé conformément au procédé de la présente invention comprend de préférence de 0 à 10 mg de 6-shogaol par gramme du produit, de 1 à 150 mg de 6gingerol par gramme du produit et de 0 à 40 mg de 6déshydrogingerdione par gramme du produit.
La présente invention propose également une composition pharmaceutique puissante en matière d'activité anti-inflammatoire, anti-agrégation plaquettaire et antifongique comprenant une quantité thérapeutiquement efficace dudit liquide brut préparé à l'étape a) du procédé de la présente invention, en tant que principe actif, en mélange avec un véhicule ou diluant pharmaceutiquement acceptable, pour le principe actif.
La présente invention propose également une composition pharmaceutique puissante en matière d'activité anti-inflammatoire, anti-agrégation
plaquettaire et antifongique comprenant une quantité thérapeutiquement efficace dudit produit préparé conformément au procédé de la présente invention, en tant que principe actif, en mélange avec un véhicule ou un diluant pharmaceutiquement acceptable, pour le principe actif. De préférence, ledit produit préparé conformément au procédé de la présente invention est le premier éluat concentré préparé à l'étape c). En variante, ledit produit préparé conformément au procédé de la présente invention est le deuxième éluat concentré préparé à l'étape d) .
De préférence, ledit premier éluant est le méthanol et ledit second éluant est l'acétone.
De préférence, l'étape a) du procédé de la présente invention comprend les étapes i) à iv).
De préférence, ledit premier solvant organique est l'éther éthylique.
De préférence, ledit deuxième solvant organique est l'acétone, le méthanol, l'éthanol ou une combinaison de ceux-ci. De manière plus préférentielle, ledit deuxième solvant organique est l'acétone.
De préférence, l'étape a) du procédé de la présente invention comprend l'étape I).
De préférence, l'étape a) du procédé de la présente invention comprend l'étape I').
De préférence, l'étape a) du procédé de la présente invention comprend l'étape I").
Une colonne de chromatographie en phase inverse appropriée à une utilisation dans le procédé de la présente invention comprend (mais sans y être limité) une colonne de chromatographie en phase inverse garnie de résine poreuse, par exemple Diaion HP-20 (Mitsubishi
L'invention a pour objets connexes les structures de modèle, de contrat et d'outils de collecte, ainsi que les modèles et unités (services, contrats et outils) qui en sont issus. Elle a aussi pour objets connexes un système d'administration 10 et un système d'information 11 utilisés pour la mise en #uvre du procédé de surveillance de services ou du procédé de contrôle de qualité de service.
ANNEXE 1 Grammaire DTD d'un modèle de service
ANNEXE 2 Exemple d'un modèle de service Cet exemple de modèle de service a été créé pour un service à technologie de relais de trames (Frame Relay), conformément à la grammaire DTD de l'annexe 1.
ANNEXE 3 Grammaire DTD d'un modèle SLA
ANNEXE 4 Exemple d'un modèle SLA Cet exemple de modèle SLA a été créé pour un service à technologie de relais de trames (Frame Relay) et pour une qualité de service de niveau silver, conformément à la grammaire DTD décrite dans l'annexe 3.
" name="FDR"> Frame Delivery Ratio Nombre de trames en sorties Nombre de trames en entree Nombre de trames en sorties Nombre de trames en entree
ANNEXE 5 Grammaire DTD d'un modèle de description d'outils SLA
ANNEXE 6 Exemple d'un modèle de description d'outils SLA Cet exemple de modèle de description d'outils SLA a été créé pour un service à technologie de relais de trames (Frame Relay), pour supporter un équipement Routeur3000 du constructeur Cisco suivant la norme RFC1604.
DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR A INJECTION ELECTRONIQUE VERTICALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION Domaine technique La présente invention concerne un dispositif semiconducteur à injection électronique verticale. Elle concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif.
Le dispositif semiconducteur a injection électronique verticale est réalisé dans une couche active en matériau semiconducteur à petit gap ou à grand gap. - Cependant, l'invention s'avère particulierement intéressante dans le cas d'une couche active en matériau semiconducteur à grand gap.
Etat de technique antérieure Les semiconducteurs sont caractérisés par leur bande interdite ou gap qui sépare les derniers états occupés de la bande de valence et les états libres suivants dans la bande de conduction. Parmi les semiconducteurs, on distingue les semiconducteurs à petit gap, comme le silicium et le germanium, et les semiconducteurs à grand gap comme par exemple GaN et sic.
L'obtention de substrats massifs en semiconducteur à grand gap s'avère très difficile voire impossible actuellement. Dans le cas du GaN par exemple, il n'existe pas de substrat massif de qualité électronique en dépit des recherches intenses effectuées dans ce domaine. I1 existe par contre du GaN hétéro-épitaxié sur substrat massif en saphir ou en SiC. Cette technique a été développée pour la réalisation de composants optoélectroniques de type diode bleue.
Cependant, l'épitaxie de GaN sur le saphir est rendue particulièrement délicate par le désaccord de maille qui existe entre le GaN et le saphir (de l'ordre 16%). L'obtention de couches cristallines de qualité suffisante pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques nécessite donc la mise au point de procédés d'épitaxie sophistiqués. L'utilisation du substrat saphir s'explique essentiellement par sa compatibilité structurale et chimique avec le GaN, son faible cout et sa disponibilité sous forme substrat de grand diamètre. Le caractère électrique isolant du saphir nécessite la réalisation, dans le épitaxié, de composants horizontaux avec des électrodes situées en face avant.
L'autre voie utilisée pour la commercialisation de composants et celle GaN sur substrat SiC massif. Les substrats SiC restent rares et très chers. C'est la voie développée exploitée commercialement par la société Cree Research Inc. profitant de l'avantage qu'elle possède de commercialiser la plus grande partie des substrats SiC. L'intérêt du SiC massif pour l'épitaxie et la réalisation de dispositifs à base de GaN est évident. Tout d'abord, le faible désaccord de maille (3,5%) entre et GaN permet de simplifier les procédés d'épitaxie tout en réalisant des couches meilleure qualité cristalline. De plus, l'utilisation d'un substrat de SiC conducteur permet de realiser un composant à passage de courant vertical (c'est-à-dire avec une électrode sur chaque face). Cette structure permet réaliser des composants de taille inférieure à ceux réalisés sur substrat isolant, ce qui est intéressant d'un point de vue économique. Par ailleurs, 'utilisation du sic, qui possède une forte conductibilité thermique, permet de réguler ou de diminuer la température du composant lors de son fonctionnement. Ceci est un point important pour les performances, la durée de vie et la fiabilité des composants.