INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les produits précédemment cités sont déposés (2g) sur la peau de rats hairless mâles montée sur une cellule de Franz de 2.54 cm .
La partie receveur est constituée par du tampon PBS et des antibiotiques.
La diffusion est suivie en fonction du temps par des prélèvements du receveur qui sont analysés par Chromatographie Liquide Haute Performance.
Le tableau ci-dessous répertorie les résultats obtenus à savoir les quantités moyennes de Caféine par unités de surface ( g/cm2), ayant diffusées dans le compartiment receveur après 24heures :
Temps Caféine Caféine (3-Cyclodextrines ss-Cyclodextrines (heures) libre liposomée exemple 25-a exemple 25-b 0 0 0 0 0 24 1783 593 568 235
La quantité d'actif libéré dans le tampon PBS est ensuite analysée par HPLC, soulignant l'aptitude de la peau à retenir de façon temporaire la solution testée (Etude de Relargage ).
Après l'étude de re largage, la cellule de Franz est démontée et la biopsie est mise en contact avec une solution éthanolique 24 heures de façon à quantifier la caféine, encore présente dans la peau et de mettre en évidence la capacité de la peau à retenir durablement l'actif (Stockage).
g/cm2 Caféine libre Caféine p-Cyclodextrines P-Cyclodextrines liposomée exemple 25-a exemple 25-b Re Largage 286.8 28.36 261.03 48.55 224.37 28. 64 137. 57 28.74 Stockage 26.57 6.55 22.2 2.47 19.1 4. 32 10.67 5. 45
Les résultats de diffusion montrent que le produit issu de l'exemple 25-a (nanoparticules formées avec (3-cyclodextrine substituées) permet une diffusion de l'actif au moins égale à la diffusion observée avec des liposomes qui est le vecteur de choix pour la pénétration d'un actif. Par contre, les résultats obtenus avec le produit issu de l'exemple 25-b (P-cyclodextrine commerciales) ne permet pas la diffusion de l'actif à travers la peau. Les études de re largage et stockage confirment que le produit issu de l'exemple 25-a, se positionne comme un vecteur efficace de l'actif au sein de la peau.
Exemple 26 1. Préparation de nanoparticules en présence d'un actif liposoluble : 26-a-On procède comme dans l'exemple 20a mais 0.6 gr de vitamine E sont ajoutés à l'acétone soit 0,1% en final de vitE. Les nanoparticules ont une taille moyenne de 252 nm ~ 12 nm.
26-b : on procède comme dans l'exemple 20a, mais 0. 6 g de Vitamine E sont ajoutés à la phase organique constituée par l'acétone et la P-cyclodextrine commerciale à même concentration molaire que la P-cyclodextrine substituée (0. 00191 M) (exemple 26-a).
26-c-Des liposomes sont réalisés à 0,1% en vitE avec 3% de lecithine de soja.
26-d-Un témoin constitué par 0,1% de vitE dans un mélange Eau+Acétone est réalisé.
mêmes que celles de l'ouverture b sensiblement orientée selon la direction cristalline .
La direction cristalline réelle est approchée au plus près de ces motifs b'et elle est révélée avec la précision du faisceau de motifs qui peut atteindre le centième de degré.
Ce motif b'apparaît comme un axe de symétrie pour au moins une portion du faisceau de motifs gravés.
L'axe central du faisceau d'ouvertures n'est pas forcément orienté suivant la direction .
D'autres axes de symétrie peuvent apparaître, ils révèlent d'autres directions cristallines pour lesquelles la vitesse de surgravure est plus rapide que celle de la direction .
Le motif gravé révélant la direction cristalline à déterminer présente, suivant au moins une direction une vitesse de surgravure plus lente ou plus rapide que celle de ses deux plus proches voisins.
La direction cristalline réelle est, en fait, révélée par la formation d'un axe de symétrie au sein d'une portion de motifs gravés. Ce motif gravé révèle une direction qui est approximativement celle de l axe de symétrie. La précision de la direction révélée dépend du pas du faisceau de motifs. Un avantage de cette technique est qu'il n'est plus nécessaire d'attendre comme dans l'art antérieur qu'un motif se réaligne sur la direction cristalline recherchée. C'est donc beaucoup plus rapide et cela limite la surgravure. Cette surgravure étant peu importante, cette invention est donc plus facilement applicable au cas des films minces.
Le temps de gravure est beaucoup plus court qu'auparavant, car il n'est pas nécessaire d'attendre que les motifs soient complètement gravés. Seul le début de la surgravure suffit pour révéler la direction cristalline à déterminer, dès qu'un axe de symétrie commence à se dessiner, la gravure peut alors être stoppée. Le temps de gravure est d'ailleurs d'autant plus court que les lignes d'ouvertures sont proches. La précision de la révélation de la direction cristalline ne dépend pratiquement pas du temps de gravure mais du pas des motifs gravés.
L'invention permet d'obtenir une bonne précision de détermination d'une direction cristalline tout en ayant un temps de surgravure relativement court. Cela permet d'éviter tous les problèmes du masque liés à une surgravure importante. Cela permet d'appliquer ce procédé sur un film cristallin mince.
Par ailleurs, le temps de surgravure étant d'autant plus court que les motifs sont proches, peu de surface utile est consommée.
L'étape suivante du procédé selon l'invention est une étape de matérialisation de la direction cristalline révélée par au moins une marque de moyens de repérage auxiliaires et distincts du faisceau de motifs gravés.
En effet, l'optimisation du temps de surgravure et de la consommation de surface rend difficile un alignement ultérieur uniquement à partir des motifs gravés : ces motifs gravés sont trop proches les uns des autres pour être utilisables, par exemple lors d'un
alignement de deux plaquettes de silicium par infrarouge.
On se réfère à la figure 4A qui montre un exemple de plaquette de silicium circulaire avec un méplat 41 indiquant la direction cristalline et recouverte d'un masque 40. La plaquette n'est pas visible sur la figure. Ce masque 40 permet de la protéger de l'attaque anisotrope. Il est doté d'au moins un faisceau 42 d'ouvertures 46 rectilignes et convergentes conduisant à l'obtention du faisceau de motifs gravés et d'au moins un ensemble 44 d'ouvertures 49 conduisant aux moyens de repérage auxiliaires qui sont alors portés par le matériau cristallin.
La figure 4B représente partiellement et agrandi un faisceau 43 de motifs 47 et deux ensembles 48 de marques induites par la gravure à travers le masque 40 et constituant les moyens de repérage auxiliaires 45 gravés dans la plaquette 400. Le masque a été ôté.
Dans l'exemple de la figure 4A, on a représenté deux faisceaux 42 d'ouvertures 46 allongées convergentes. Ces faisceaux 42 sont en forme-de secteurs angulaires éventuellement tronqués, symétriques par rapport au centre 0 du cercle. Les ouvertures 46 rectilignes convergent vers ce centre O. Le centre 0 n'est pas forcément matérialisé par une ouverture dans le masque 40. Il peut l'être mais ce n'est pas obligatoire. Une telle forme permet que les motifs gravés résultants occupent moins de surface utile sur la plaquette que celle occupée par les motifs gravés illustrés sur la figure 3B.
L'invention a encore pour but principal de résoudre les nouveaux problèmes techniques précédents en fournissant de nouvelles entités chimiques de cyclodextrines, qui permettent de greffer des molécules possédant des affinités sélectives, directement ou par l'intermédiaire d'un bras espaceur restant au sein de la structure chimique de la molécule ainsi formée.
L'ensemble de ces problèmes techniques est résolu pour la première fois par la présente invention d'une manière particulièrement simple, avec d'excellents rendements, en rendant ainsi la solution de l'invention utilisable à l'échelle industrielle et commerciale, dans des domaines aussi variés que la cosmétologie, la pharmacie, l'agro-industrie, l'industrie alimentaire.
Ainsi, selon un premier aspect, l'invention couvre l'utilisation de cyclodextrines non hydroxyalkylées, dont au moins une fonction alcool primaire (CH20H) est substituée, la partie-OH étant remplacée par un substituant de formule -O-C(=O)-R ou -NR1R2, dans laquelle : R, R1 et R2 représentent, indépendamment, un radical hydrocarboné ayant de 1 à 30 atomes de carbone, de préférence de 1 à 22 atomes de carbone, plus préférentiellement une chaîne grasse contenant de 2 à 22 atomes de carbone, linéaire ou cyclique, saturée ou insaturée, hydroxylée ou non, notamment pour favoriser la pénétration tissulaire, soit pour une application cosmétique, soit pour la fabrication de compositions pharmaceutiques, en
particulier dermopharmaceutiques ; à la condition que lorsque le substituant est de formule -O-CO-R, les cyclodextrines non hydroxyalkylées estérifiées soient utilisées comme vecteur d'au moins un principe actif.
Selon un deuxième aspect, la présente invention couvre encore l'utilisation de cyclodextrines non hydroxyalkylées, sous forme de micelles ou de nanoparticules, dont au moins une fonction alcool primaire (CH20H) est substituée, la partie-OH étant remplacée par un substituant de formule -O-CO-R ou -NR1R2, dans laquelle : R, RI et R2 représentent, indépendamment, un radical hydrocarboné ayant de 1 à 30 atomes de carbone, de préférence de 1 à 22 atomes de carbone, plus préférentiellement une chaîne grasse comportant de 2 à 22 atomes de carbone, linéaire ou cyclique, saturée ou insaturée, hydroxylée ou non, notamment pour favoriser la pénétration tissulaire, soit pour une application cosmétique, soit pour la fabrication de compositions pharmaceutiques, en particulier dermopharmaceutiques, de préférence comme vecteur d'au moins un principe actif.
On notera que les cyclodextrines présentent des fonctions alcools primaires sur leur face primaire définie par la petite base de leur forme en trapèze, et des fonctions alcools secondaires sur leur face secondaire définie par la grande base dudit trapèze (schéma structural classique de la cyclodextrine). L'invention réalise préférentiellement une substitution sur les fonctions alcools primaires de la face primaire des cyclodextrines. L'homme de l'art sait par ailleurs que chaque unité glucose des cyclodextrines comprend deux alcools secondaires et un alcool primaire.
Avantageusement, la cyclodextrine substituée présente la formule chimique suivante : CD (OH)w(P)x(X)y(M)z dans laquelle : - CD représente une structure de base de cyclodextrine non hydroxyalkylée sans ses groupes hydroxyles, en particulier l'a, ss ou y-cyclodextrine,
- OH représente les groupes hydroxyles libres de la cyclodextrine, - x et z représentent, indépendamment l'un de l'autre, un nombre entier compris entre 0 et 17, ou entre 0 et 20, ou entre 0 et 23, lorsque les cyclodextrines sont respectivement de type [alpha],ss ou y, - y représente un nombre entier entre 1 et 18, ou entre 1 et 21, ou entre 1 et 24 lorsque les cyclodextrines sont respectivement de type [alpha],ss ou y, - w représente un nombre entier tel que la somme (w + x + y + z) est égale à 18, 21 ou 24 lorsque les cyclodextrines sont respectivement de type [alpha],ss ou y, - X représente un substituant de formule -O-C(=O)-R ou -N(R1R2) définis ciaprès, remplaçant la partie-OH d'au moins une fonction alcool primaire et éventuellement d'au moins une fonction alcool secondaire, - P représente un radical substituant d'un groupe hydroxyle primaire ou secondaire, en particulier un substituant sulfate, phosphate, méthyle, ose ou oside.
- lorsque au moins un X représente -NR1R2, -NR1R2 est un radical substituant d'au moins un groupe hydroxyle primaire et éventuellement d'au moins un groupe hydroxyle secondaire, ou des deux, attaché au squelette cyclodextrine, dans lequel Ri et R2 représentent, indépendamment l'un de l'autre, un radical hydrocarboné ayant de 1 à 30 atomes de carbone, de préférence de 1 à 22 atomes de carbone, plus préférentiellement une chaîne grasse comportant de 2 à 22 atomes de carbone, linéaire ou cyclique, saturée ou insaturée, hydroxylée ou non ; de préférence lorsque X représente NR1R2, de 1 à 100 % des groupes hydroxyles primaires des cyclodextrines sont substituées par le groupe amino NR1R2, - lorsque au moins un X représente -O-C(=O)-R, -O-C(=O)-R est un radical substituant d'au moins un groupe hydroxyle primaire, et éventuellement d'au moins un groupe hydroxyle secondaire, ou des deux, rattaché au squelette cyclodextrine, dans lequel R représente un radical hydrocarboné ayant de 1 à 30 atomes, de carbone, de préférence de 1 à 22 atomes de carbone, plus préférentiellement une chaîne grasse comportant de 2 à 22 atomes de carbone, linéaire ou cyclique, saturée ou insaturée, hydroxylée ou non ; de préférence lorsque X représente -O-COR, de 1 à 100 % des groupes hydroxyles primaires des cyclodextrines sont substituées par le groupe ester -O-COR.
- (X) y peut représenter des mélanges de groupes -NR1R2 ou-OCOR substituant d'au moins un groupe hydroxyle primaire et éventuellement d'au moins un groupe hydroxyle alcool secondaire, ou des deux.
- M est un substituant d'au moins une fonction alcool primaire ou secondaire ou les deux de la cyclodextrine, M est un groupe fonctionnel G;ou un radical spécifique G2, soit substituant directement une fonction alcool primaire ou secondaire de la cyclodextrine, soit substituant indirectement ladite fonction alcool primaire ou secondaire par l'intermédiaire d'un bras espaceur W, dans lesquels : - W est un bras espaceur ayant de 1 à 20 atomes de carbone, incluant les groupes choisis parmi les fonctions suivantes et leurs dérivés : acide, acide sulfonique et phosphorique, alcanoyle, alcényle, alcynyle, aldéhyde, amine, amide, azide, anhydride d'acide, cétone, isocyanate, phényle, hydroxyle, époxy, ester, imide, amidine, halogénure, nitro, nitriles, péroxydes, dérivés organo métalliques, dérivés soufrés, - G1 représente au moins une fonction suivante et ses dérivés : acide, acide sulfonique et phosphorique, alcanoyle, alcényle, alcynyle, aldéhyde, amine, amide, azide, anhydride d'acide, cétone, isocyanate, phényle, hydroxyle, époxy, ester, imide, amidine, halogénure, nitro, nitriles, péroxydes, dérivés organo métalliques, dérivés soufrés, et - G2 représente au moins l'un des composés suivants ou ses dérivés choisis panni le groupe consistant d'un sucre, un polyol, un oligosaccharide, un polysaccharide, une lectine, un acide aminé, un peptide, une protéine, un anticorps, un nucléotide, un nucléoside, un oligonucléotide, un oligonucléoside, un chromophore, un polymère, un stérol, un stéroïde, une hormone, un flavonoïde, un terpène, la caféine, la théophylline et leurs dérivés, la nicotine et ses dérivés, une vitamine, un ester de vitamine, le cholestérol, un phospholipide, un glycolipide, un sphingolipide, un céramide, un triglycéride, un polyphénol naturel ou synthétique, une huile essentielle, un arôme, un parfum, un colorant, une substance cosmétiquement, dermopharmaceutiquement, pharmaceutiquement, ou alimentairement active.
Dans la présente description et les revendications l'expression : - "un substituant d'au moins une fonction alcool primaire ou secondaire" signifie en pratique la substitution soit d'un groupe hydroxyle primaire porté par une fonction alcool primaire -CH20H, soit d'un groupe hydroxyle secondaire porté par la fonction alcool secondaire-CHOH, comme cela est bien compréhensible pour un homme de l'art, - "au moins une fonction hydroxyle primaire ou secondaire" signifie une fonction hydroxyle primaire ou secondaire présente respectivement dans une fonction alcool primaire -CH20H, ou secondaire-CHOH attaché au squelette de la cyclodextrine.
Selon un mode de réalisation particulier, la cyclodextrine précitée est une cyclodextrine substituée par 1 à 18,1 à 21 ou 1 à 24 chaînes grasses lauriques lorsque les cyclodextrines sont respectivement de type a, P ou y, en particulier 2 ou 3 chaînes lauriques, ou 7,8 ou 9 chaînes lauriques.
Selon un mode de réalisation particulier, le dérivé de cyclodextrine précité est une cyclodextrine substituée par au moins un substituant hexanoyle sur au moins une fonction hydroxyle primaire, autrement dit une cyclodextrine substituée par 1 à 18, 1 à 21 ou 1 à 24 chaînes grasses héxanoïques lorsque les cyclodextrines sont respectivement de type a, ss ou y, en particulier 6 à 10 chaînes héxanoïques, principalement 7, 8 et 9 chaînes d'acide héxanoïque.
Selon un autre mode de réalisation particulier, il s'agit d'une cyclodextrine substituée dont au moins une fonction hydroxyle primaire est substituée par au moins un groupe N,N-dipentylamine.
Selon encore un autre mode de réalisation particulier de l'invention, le dérivé de cyclodextrine est en outre substitué par au moins un substituant choisi parmi le groupe consistant de 4-nitrophenylformate ; éthyloxalique ; chloroacetyle ; succinique ; oxalique ; sulfonique ; N-(2-aminoéthyl) lactonamide.
B-2. Procédé de fabrication on va décrire un procédé de fabrication du dispo sitif à semiconducteurs 200 en référence aux figures 9 à 11, qui illustrent des étapes de fabrication dans cet ordre.
Tout d'abord on prépare le substrat SOI SB. Lors de l'étape représentée sur la figure 9, on forme un film d'oxyde de silicium OX possédant une épaisseur d'environ 20 nm sur la couche SOI 3, et on forme un film de nitrure de silicium SN possédant une épaisseur d'environ 200 nm sur le film d'oxyde de silicium OX. Ensuite on utilise un masque en resist structuré RM1 pour appliquer une attaque chimique à un film à couches multiples constitué par le film d'oxyde de silicium OX, le film de nitrure de silicium SN et la couche SOI 3 de manière à laisser subsister une partie inférieure de la couche SOI 3, ce qui permet de for mer des sillons TR131, TR141 et TR15 dans des régions dans lesquelles les films d'oxyde d'isolation 13, 14 et 15 pla cés dans des sillons doivent être formés.
Ci-après, lors de l'étape illustrée sur la figure 10, on utilise un masque de resist RM2, qui recouvre par tiellement les sillons TR131 et TR141 et recouvre complète ment le sillon TR15, pour en outre réaliser une attaque chimique de parties des sillons TR131 et TR141, qui ne sont pas recouverts par le masque de resist RM2, en formant ainsi des sillons TR13 et TR14 qui s'étendent à travers la couche SIO 3.
Après le retrait du masque de resist RM2, on forme sur l'ensemble de la surface supérieure d'une struc ture résultante un film d'oxyde de silicium possédant une épaisseur d'environ 500 nm de manière à remplir des sillons TR13, TR14 et TR15. On met en oeuvre un processus CMP (pro cessus de polissage chimico-mécanique) jusqu'à ce que le film de nitrure de silicium SN soit partiellement éliminé par polissage. Ensuite, on élimine le film de nitrure de silicium SN et le film d'oxyde de silicium OX. Ceci conduit à l'obtention des films d'oxyde d'isolation 13 à 15 placés dans des sillons, comme cela est représenté sur la figure 11.
Ensuite, on met en oeuvre les étapes existantes de fabrication d'un transistor MOS (y compris l'étape exis- tante de formation d'un siliciure), de fabrication d'un film isolant inter-couches, de fabrication d'une couche d'interconnexion et de fabrication d'une inductance en spi rale, pour former le dispositif à semiconducteurs 200.
B-3. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, l'écran PG 102 possède une pluralité de structures à couches multiples dont chacune comprend la région SOI 22 et le film de sili ciure 32 et qui sont isolées électriquement les unes des autres par les films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons. Les structures à couches multiples possèdent une valeur résistive relativement faible en raison de la pré sence des fils de siliciure 32, ce qui réduit la dissipa tion de puissance induite par voie électrostatique. En outre les films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sil lons interrompent le trajet du courant de Foucault en évi tant l'apparition de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique qui est due au courant de Fou cault.
Les films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons sont formés moyennant l'utilisation des masques de resist communs RM1 et RM2 lors des étapes de formation du film d'oxyde d'isolation 14 placé dans un sillon au niveau de la limite entre la partie logique LP et la partie de circuit HF RP, et le film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon pour réaliser l'isolation entre les transistors MOSFET Q21 et Q22 dans la partie logique LP. Les films de siliciure 32 sont formés en même temps que les films de siliciure GS et SS des transistors MOS Q21 et Q22. Par conséquent aucune étape additionnelle n'est nécessaire pour former l'écran PG 102, et le procédé de fabrication n'est pas compliqué.
Une autre caractéristique de ce procédé de fabri cation est que les bords supérieurs des films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons possèdent la même configuration que celle des films d'oxyde d'isolation 14 et 15 placés dans les sillons.
En outre, étant donné que l'écran PG 102 est formé dans la couche SOI 3, aucune couche conductrice addi tionnelle n'est nécessaire pour la formation de l'écran PG 102, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
En outre étant donné que le film d'oxyde d'isola tion 15 placé dans un sillon, qui est le film d'oxyde d'isolation partielle isole les dispositifs les uns des autres dans la partie logique LP, le potentiel de la région de canal (région de corps) est fixé par la région de puits WR au-dessous du film d'oxyde d'isolation 15 placé dans un sillon. Ceci empêche différents problèmes résultant de l'effet de substrat flottant. B-4. Variante Dans l'écran PG 102, les films d'oxyde d'isola tion 13 placés dans des sillons sont représentés comme étant formés en utilisant les masques de resist communs RM1 et RM2 lors des étapes de formation des films d'oxyde d'isolation 14 et 15 placés dans des sillons. Cependant, si une légère complexité est permise dans les étapes de fabri cation, les films d'oxyde d'isolation 13 placés dans des sillons peuvent avoir une configuration en coupe transver sale telle que celle des films d'oxyde d'isolation 11 pla cés dans des sillons du dispositif à semiconducteurs 100 décrit en référence à la figure 1.
C. Troisième forme de réalisation préférée C-1. Agencement du dispositif La figure 12 représente un agencement d'un dispo sitif à semiconducteurs 300 conformément â une troisième forme de réalisation préférée de la présente invention.
Le dispositif à semiconducteurs 300 de la figure 12 est similaire au dispositif à semiconducteurs 200 de la figure 8 en ce qu'il comprend la partie de circuit HF RP et la partie logique LP disposée sur le substrat SOI SB.
Dans la partie de circuit HF RP, une pluralité de régions SOI indépendantes 23 sont formées sur le film d'oxyde enseveli 2 dans une relation de correspondance avec la région dans laquelle l'inductance en spirale SI (dont la configuration dans le plan est représentée sur la figure 70) est prévue, pour constituer un écran PG 103 (couche de protection). L'écran PG 103 est entièrement recouvert par un film d'oxyde d'isolation 13 placé dans un sillon.
La configuration dans le plan de l'écran PG 103 peut être par exemple la configuration représentée en réfé rence à la figure 2 ou n'importe laquelle des configura tions représentées en référence aux figures 3 â 7.
Dans la partie logique LP, la couche SOI 3 est divisée en régions SOI 71 et 72 par le film d'oxyde d'iso- lation 15 disposé dans un sillon, qui est le film d'oxyde d'isolation partielle. Les transistors MOS Q31 et Q32 sont formés respectivement dans les régions SOI 71 et 72.
Les transistors MOS Q31 et Q32 sont des transis tors MOS usuels et ont des constituants de base similaires à ceux des transistors MOS Q11 et Q12 représentés sur la figure 1. Les constituants des transistors MOS Q31 et Q32 similaires à ceux des transistors MOS Q11 et Q12 sont dési gnés par les mêmes chiffres de référence et ne seront pas décrits d'une manière particulière.
En particulier, un plan de découpe possible peut être élaboré de la façon suivante - en appliquant les règles résultant du choix de la stratégie d'affectation, et tenant compte du graphe des associations possibles des bobines commandes on choisit dans le carnet de commande une première commande, et dans le stock de bandes une bande affectable à cette commande. Lorsque plusieurs bandes sont affectables, on choisit celle qui correspond le mieux à la commande, c'est à dire celle pour laquelle le risque de substitution est le plus faible.