REVENDICATIONS 1. Transistor de type vertical comprenant - un substrat semiconducteur , - une source (68) en matériau semiconducteur, formée dans ou sur ce substrat, - un canal (69) formé au dessus de la source et fait d'un matériau semiconducteur ayant un type dopage opposé à celui de la source, - un drain (26) formé au-dessus du canal et fait un matériau semiconducteur ayant typé de dopage identique à celui de la source, et - une grille (77a, 77b) formée de part et d'autre du canal et du drain et électriquement isolée de source, du canal et du drain, ce transistor étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre - un ensemble électriquement isolant (28) forme -dessus le drain, cet ensemble électriquement isolant comprenant, de part et d'autre du drain, des zones electriquement isolantes (42, 44), et - des cavités (78, 80) qui s'étendent sous l'ensemble électriquement isolant, de part et d'autre du canal, la grille étant formée de part et d'autre de cet ensemble électriquement isolant, des portions de la grille se trouvant dans les cavités. 2. Transistor selon la revendication 1, dans lequel , des couches électriquement isolantes (70, 72) s'étendent au moins entre le canal et ces portions de la grille. 3. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel la grille (77a, 77b) est faite d'un matériau métallique. 4. Procédé de fabrication du transistor de type MOS vertical selon la revendication 1, dans lequel on forme une structure comprenant un substrat semiconducteur (18), une zone (27) de source, une zone ( ) de canal et le drain au-dessus de la zone de canal, on forme, par-dessus le drain,' un ensemble électriquement isolant (28) comprenant les zones électriquement isolantes (42, 44) de part et d'autre du drain, - on forme, dans la structure, deux évidements 6, 48) de part et d'autre de l'ensemble électriquement isolant, les flancs respectifs (46a, 48a) de ces évidements les plus proches de l'ensemble électriquement isolant étant situés sous ce dernier, de part et d'autre de la zone de canal, pour former ainsi les cavités 8, 80), on forme les couches électriquement isolantes (70, 72) au moins sur ces flancs des évidements et d'autres couches électriquement isolantes (66, 67) au fond de ces évidements, et - on forme la grille (77a, 77b) du transistor de part et d'autre de l'ensemble électriquement isolant et jusque dans les cavités. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel, pour former l'ensemble électriquement isolant, - on forme, sur la structure, une premiere couche (30) qui est électriquement isolante et, cette première couche, une deuxième couche (32) qui également électriquement isolante, - on grave ces première et deuxième couches de façon à obtenir un élément isolant (34, 36) recouvre le drain, - on forme, par-dessus cet élément isolant, une troisième couche (38) qui est également électriquement isolante, et - on grave cette troisième couche de façon à former les zones électriquement isolantes (42, 44) et ` achever la formation de l'ensemble électriquement isolant. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la deuxième couche (32) est en outre apte à servir de couche d'arrêt de planage à une couche de métal (77) que l'on forme ultérieurement et qui est tinée à la formation de la grille (77a, 77b) du transistor. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel - on forme, à travers l'ensemble électriquement isolant, un trou (74) qui s'étend 'usqu'au drain, et - on forme, dans ce trou, une couche (77c) de pré-contact de drain. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel on forme en même temps la grille (77a, 77b) et cette couche (77c) de pré-contact de drain.