INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin de fermer le circuit électrique, en réponse à la commande d'un utilisateur, la deuxième structure 5 amorce un mouvement rotatif de fermeture MF, à la suite duquel, comme on peut le voir à la figure 2, l'organe de déclenchement 7 entre en contact avec l'élément d'activation 13, définissant une position d'activation PA.
En aucun moment pendant leur rotation de la position ouverte PO à la position d'activation PA, les deux structures 4,5 sont en contact l'une avec l'autre, de telle sorte que les seuls frottements existants sont ceux générés au niveau de l'axe de rotation 6.
Comme on peut le voir à la figure 3, le mécanisme à gâchette 12 comprend, outre l'élément d'activation 13, un premier moyen formant ressort 14, un second moyen formant ressort 15 et un moyen formant loquet 16.
L'élément d'activation 13 est monté coulissant à l'intérieur d'un logement 17 débouchant à la surface de la première structure 4, entre une position armée dans laquelle l'élément d'activation 13 fait saillie hors du logement 17 de manière la plus importante (figures 1 à 3), et une position activée, dans laquelle il est le plus à l'intérieur du logement 17 (figures 4 à 6).
Le premier moyen formant ressort 14 est disposé dans le logement 17 de telle sorte qu'il sollicite en permanence l'élément d'activation 13 dans sa position armée. Ainsi, de la position ouverte PO à la position d'activation PA, l'élément d'activation 13 ne subit que la force de répulsion FR du premier moyen formant ressort 14.
A partir de la position d'activation PA, la deuxième structure 5, par l'intermédiaire de l'organe de déclenchement 7 qui joue le rôle d'une came montée sur un axe rotatif, oblige l'élément d'activation 13 à pénétrer à l'intérieur du logement 17, cet organe 7 exerçant une force d'activation FA opposée à la force de répulsion FR.
Quand les deux structures 4,5 arrivent en position de connexion PC, elles sont immobilisées par des moyens d'arrêt qui sont solidaires des panneaux solaires 2,3 et qui définissent la position de connexion PC (figure 4).
Pendant leur rotation, de la position d'activation PA à la position de connexion PC, les deux structures 4,5 sont en contact l'une avec l'autre uniquement par l'intermédiaire de l'organe de déclenchement 7 et de l'élément d'activation 13, réduisant de ce fait les frottements au minimum.
L'élément de contact 11 est monté coulissant à l'intérieur d'un logement 19 débouchant à la surface de la première structure 4, entre une position de repos à l'intérieur du logement 19 (figures 1 à 4) et une position de contact dans laquelle une partie de l'élément de contact 11 fait saillie hors du logement 19 (figures 5 et 6).
En position de connexion PC, la surface de contact 8 de la première structure 4 se trouve au droit de l'ouverture du logement 19 de telle sorte que, quand
l'élément de contact 11 est en position de contact, il entre en contact avec la surface de contact 8.
Les paramètres de conception sont : 1. Le nombre de branches (au moins 2, de préférence 4).
2. Diamètres intérieur D, et extérieur De.
3. Epaisseur du ressort.
4. Angle de départ 6 de la découpe (côté diamètre intérieur) - (voir encadré figure 4). Plus la valeur de 0 est voisine de 90 , plus la variation de contrainte est progressive. Lorsque 0 est proche de 0 , ou a une variation brusque de la contrainte dans la zone de l'encastrement.
5. Arrêt de la découpe (côté diamètre extérieur) : l'arrêt se fait progressivement sur une section de matière 56,66 qui s'évase de manière pratiquement triangulaire, ceci afin d'éviter les concentrations locales de contraintes sur les faibles rayons de courbure. A cet effet, on peut adopter pour les branches un profil terminal linéaire 52,62.
La présente invention concerne un procédé et une technique de fabrication d'images transparentes à partir de l'empreinte d'une surface en relief dont la lecture est rendue difficile par le manque de contraste, de luminosité, ou de relief suffisant.
Pour augmenter le contraste et la luminosité de ces surfaces, les techniques traditionnelles, notamment en numis matique, utilisent après moulage de celles-ci et à des fins photographiques, des modèles en plâtre blanc éclairés latéralement, plusieurs étapes sont donc nécessaires.
Le procédé selon l'invention permet de se limiter à la fabrication de l'empreinte de la surface à lire immédiatement utilisable pour l'observation directe par transparence à la lumière du jour, sur négatoscope ou visionneuse de diapositives et pour la reproduction par tout système optique et de reprographie.
Ceci est rendu possible grâce à la fabrication d'une empreinte en couche mince d'un matériau à empreinte coloré et translucide.
Les dessins annexés illustrent l'invention : La figure 1 illustre la fabrication de l'empreinte en cou che mince obtenue en pressant le matériau à empreinte (1) entre un support lisse plan et transparent (2) et la surface à lire (3).
La figure 2 illustre une variante de la fabrication de l' empreinte en couche mince. Pour des surfaces courbes (3') on utilise des plaques de matière synthétique (2') défor-
mables par la chaleur ou tout autre procédé afin d'épouser au mieux la surface à lire avant la réalisation de l'empreinte.
Les matériaux à empreinte (1) peuvent être de tous types dans la mesure où leurs propriétés permettent la réalisation d'empreintes translucides colorées et en couche mince.
L'image transparente sera bien contrastée grâce aux dégra dés de teinte obtenus par les différences d'épaisseur des différents points de l'empreinte.
Les silicones à empreinte colorés de basse viscosité utilisés dans le domaine dentaire sont particulièrement adap tés à cette technique.
Le support (2) est lisse plan et transparent. Il peut être en verre ou en matière synthétique. A chaque fois que possible, après démoulage, il restera solidaire de l'empreinte pour rigidifier celle ci lors de la lecture.
Le second moyen formant ressort 15 est disposé dans le logement 19 de telle sorte qu'il sollicite en permanence l'élément de contact 11 dans sa position saillante par une force de sortie FS.
L'élément formant loquet 16 est monté coulissant dans une cavité 20 qui débouche, d'une part, par une première ouverture 21 dans le logement 17 dans lequel coulisse l'élément d'activation 13, et, d'autre part, par une deuxième ouverture 22 dans le logement 19 dans lequel coulisse l'élément de contact 11.
L'élément formant'loquet 16 comporte une première extrémité 23 apte à traverser la première ouverture 21 de la cavité 20, et une deuxième extrémité 24 apte à traverser la deuxième ouverture 22 de la cavité 20.
L'élément d'activation 13 possède une concavité 25 au niveau de la partie de sa surface latérale qui se trouve au droit de la première ouverture 21 quand il est dans sa position activée, de même, l'élément de contact 11 possède une concavité 26 au niveau de la partie de sa surface latérale qui se trouve au droit de la deuxième ouverture 22 quand il est dans sa position de repos.
Chaque extrémité 23,24 de l'élément formant loquet 16 est conformée de telle sorte qu'elle puisse s'encastrer à l'intérieur de la concavité 25,26 correspondante et immobiliser de ce fait l'élément 13, 11 possédant cette concavité 25,26.
La longueur de l'élément formant loquet 16 est telle que, d'une part, quand l'élément d'activation 13 n'est pas dans sa position activée (c'est à dire quand la concavité 25 de cet élément 13 n'est pas au droit de la première ouverture 21), la première extrémité 23 est en butée contre la paroi latérale de l'élément
d'activation 13, la deuxième extrémité 24 étant encastrée dans la concavité 26 de l'élément de contact 11 qui est ainsi immobilisé dans sa position de repos (figures 1 à 4), et, d'autre part, quand l'élément de contact 11 n'est pas dans sa position de repos (c'est à dire quand la concavité 24 de cet élément 11 n'est pas au droit de la deuxième ouverture 22), la deuxième extrémité 24 est en butée contre la paroi latérale de l'élément de contact 11, la première extrémité 23 étant encastrée dans la concavité 25 de l'élément d'activation 13 qui est ainsi immobilisé dans sa position activée (figures 5 à 7).
Comme on peut le voir à la figure 4, quand les deux structures 4,5 sont dans leur position de connexion PC, la concavité 25 de l'élément d'activation 13 se trouve au droit de la première ouverture 21 et, sous l'action de la force de sortie FS, l'élément de contact 11 impose un mouvement de translation MT à l'élément formant loquet 16. Par ce mouvement, la première extrémité 23 s'encastre dans la concavité 25 de l'élément d'activation 13 et la deuxième extrémité 24 sort de la concavité 26 de l'élément de contact 11. De ce fait, l'élément de contact 11 ne subit que la force de sortie FS du second ressort 15 et passe ainsi de sa position de repos à sa position de contact dans laquelle il entre en contact avec la surface de contact 8, fermant ainsi le circuit électrique (figures 5 et 6).
Comme on peut le voir à la figure 6, cette position de connexion PC correspond à la position dans laquelle les panneaux solaires 2,3 du satellite sont déployés.
Afin de minimiser les frottements réalisés par la pression de l'organe de déclenchement 7 sur l'élément d'activation 13 qui n'existent qu'entre la position d'activation PA et la position de connexion PC, le
mécanisme à gâchette 12 est réalisé de telle sorte que ces deux positions PA, PC soient très proches l'une de l'autre.
Ce mécanisme à gâchette 12 permet une connexion électrique très rapide, la sortie de l'élément de contact 11 étant quasi simultanée à la mise en position de connexion PC.
Afin d'ouvrir le circuit électrique, en réponse à la commande d'un utilisateur, la deuxième structure 5 amorce un mouvement rotatif d'ouverture MO, opposé au mouvement de fermeture MF.
Comme on peut le voir à la figure 7, à partir d'une position angulaire de réarmement, l'organe de pression 9 entre en contact avec l'élément 11 en position de contact (qui agit en tant qu'élément de réarmement en position sortie).
A partir de cette position de réarmement, la deuxième structure 5, par l'intermédiaire de l'organe de pression 9 qui joue le rôle d'une came montée sur un axe rotatif, oblige l'élément 11 (agissant en tant qu'élément de réarmement) à pénétrer à l'intérieur du logement 19, cet organe de pression 9 exerçant une force d'enclenchement FE opposée à la force de sortie FS.
Dans le connecteur 1 illustré aux figures 1 à 7, afin de minimiser les frottements, la position de réarmement correspond à la position de connexion PC, l'élément 11 (agissant en tant qu'élément de contact) et la surface de contact 8 n'étant plus en contact l'un avec l'autre dès la mise en rotation des deux structures (4, 5).
Comme pour la configuration dans laquelle un circuit de pont triphasé formé d'une multiplicité d'éléments du type IGBT et d'éléments du type diode est monté en boîtier, on peut obtenir une configuration telle que celle du dispositif à semiconducteur M301 représenté sur la figure 20.
Ainsi, le dispositif à semiconducteur M301 correspond à une configuration dans laquelle six dispositifs à semiconducteurs M200 représentés sur la figure 7 sont disposés d'une manière alternée, de façon que les côtés longs soient mutuellement parallèles, et il peut être miniaturisé en intégrant le boîtier en résine 23B.
De plus, dans le cas où on adopte une telle configuration, il est possible de réduite l'aire d'une boucle de circuit (chemin représenté par une flèche sur la figure 20) formée d'un chemin de courant partant de la plaque d'électrode de connexion externe 82B et allant jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 81 B en passant par le fil d'aluminium WR, l'élément du type IGBT 1 et le répartiteur de chaleur 25, plus un conducteur externe, qui n'est pas représenté, qui établit une connexion entre la plaque d'électrode de connexion externe 81 B et la plaque d'électrode de connexion externe 82B adjacente et, en outre, d'un chemin de courant partant de la plaque d'électrode de connexion externe 82B adjacente et allant jusqu'à la plaque d'électrode de connexion externe 81B en passant par le fil d'aluminium WR, l'élément du type IGBT 1 et le répartiteur de chaleur 25, ce qui fait que la quantité de chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur M301 peut être réduite et, de ce fait, l'aire du répartiteur de chaleur 25 peut être réduite, ce qui permet d'atteindre la miniaturisation, la réduction de poids et la réduction de coût du dispositif entier.
Pour utiliser le dispositif à semiconducteur M301 comme un cir-
cuit de pont triphasé, les plaques d'électrodes de connexion externe 82B et les plaques d'électrodes de connexion externe 81 B sont ici connectées respectivement en parallèle en utilisant un conducteur externe.
La figure 21 montre une coupe de la configuration du dispositif à semiconducteur M400 à titre de quatrième mode de réalisation préféré conforme à la présente invention. Sur la figure 21, les mêmes symboles sont associés aux mêmes composants que dans le dispositif à semiconducteur M200 décrit en référence à la figure 7, et des descriptions répétitives sont omises.
Comme représenté sur la figure 21, le dispositif à semiconducteur M400 a un substrat de circuit de commande 17 à la place du bloc de bornes relais 20 entre l'élément du type IGBT 1 et la plaque d'électrode de connexion externe 81 B sur la surface principale du répartiteur de chaleur 25. Dans le substrat de circuit de commande 17, un motif conducteur prédéterminé est formé sur la surface principale d'un substrat isolant et un circuit de commande 40 est connecté électriquement à ce motif conducteur.
Le circuit de commande 40 est monté en boîtier avec une multiplicité de conducteurs. Ensuite, certains des conducteurs sont connectés électriquement à l'élément du type IGBT 1 par l'intermédiaire du motif conducteur décrit ci-dessus, et certains autres conducteurs font saillie vers l'extérieur à partir du boîtier en résine 23B, sous la forme d'un groupe de bornes de broches relais 41.
Le circuit de commande 40 est un circuit qui commande l'opération de commutation du dispositif du type IGBT 1, et en plaçant ce circuit de commande 40 au voisinage de l'élément du type IGBT 1, il est possible de réduire l'aire de la boucle de fil de commande formée entre le circuit de commande 40 et l'élément du type IGBT 1, en comparaison avec le cas dans lequel elle est formée à l'extérieur du dispositif à semiconducteur.
La figure 22 montre la boucle de fil de commande décrite cidessus. Sur la figure 22, la grille du dispositif du type IGBT 1 est con-
nectée à l'un des conducteurs 42 du circuit de commande 40, et l'émetteur de l'élément du type IGBT 1 est également connecté à l'un des conducteurs 42 du circuit de commande 40.
Ainsi, une boucle de fil est formée par la grille et l'émetteur de l'élément du type IGBT 1 et par le circuit de commande 40.
Du bruit électromagnétique apparaît non seulement à cause de l'élément du type IGBT 1, mais également à cause d'une variété de types d'éléments de commutation, lorsqu'ils sont actionnés dans un mode de passage à l'état conducteur ou à l'état bloqué. Le bruit électromagnétique devient plus grand en proportion du courant principal qui circule à travers l'élément, et lorsque ce type de bruit électromagnétique traverse la boucle de fil de commande décrite ci-dessus, une fluctuation de tension apparaît dans le signal de commande. Lorsque cette fluctuation de tension dépasse le seuil opérationnel d'un élément de commutation, un fonctionnement défectueux se produit.
Cependant, en plaçant le circuit de commande 40 au voisinage de l'élément du type IGBT 1, il est possible de réduire l'aire de la boucle de fil de commande formée entre le circuit de commande 40 et l'élément du type IGBT 1, ce qui permet d'éviter l'apparition d'une fluctuation de tension dans le signal de commande, même dans le cas où un niveau élevé de bruit électromagnétique apparaît dans l'élément de commutation pour un courant fort, ce qui est l'objectif de la présente invention.
De plus, en incorporant le circuit de commande 40, il devient inutile d'établir séparément un substrat de circuit de commande à l'extérieur du dispositif, et la manipulation du dispositif devient aisée.
Bien que dans le dispositif à semiconducteur M400 décrit cidessus, on montre une configuration dans laquelle certains des conducteurs 42 du circuit de commande font saillie à l'extérieur à partir du boîtier en résine 23B sous la forme d'un groupe de bornes de broches relais 41, la longueur des conducteurs n'est pas aussi longue que ceci dans un boîtier de semiconducteur de type général. Par conséquent, il est nécessaire de fabriquer le dispositif à semiconducteur sur la base d'une spécification spéciale afin d'obtenir une configuration telle qu'un circuit de commande 40, et dans le cas où on adopte une configuration telle que celle du dis-
Du fait que l'écrou 31 est placé entre la base 622 et la plaque d'électrode de connexion externe 8B, la résine de moulage ne peut pas entrer à l'intérieur de l'écrou 31.
De plus, du fait que la surface supérieure de la plaque d'électrode de connexion externe 8B est pressée sur le moule supérieur 61, la résine de moulage ne peut pas recouvrir la surface supérieure de la plaque d'électrode de connexion externe 8B.
Après le durcissement de la résine de moulage injectée, le moule supérieur 61 et le moule inférieur 62 sont ouverts et les doigts 623 sont retirés de l'intérieur des écrous 31, de façon que la surface de bord et le trou traversant des écrous 31 soient à nu.
Du fait que les écrous 31 sont enterrés dans la résine de moulage, il n'est pas nécessaire de fixer les écrous 31 en utilisant des outils au moment de la fixation avec des vis, ce qui fait que le serrage de vis peut être accompli aisément.
La figure 17 montre une vue en perspective de la configuration du dispositif à semiconducteur M300 à titre de troisième mode de réalisation préféré conforme à l'invention. Sur la figure 17, une partie du boîtier en résine 23C est omise pour la commodité, de façon à montrer clairement la configuration interne.
Comme représenté sur la figure 17, le dispositif à semiconducteur M300 illustre un circuit de pont triphasé qui a six éléments du type IGBT et six éléments du type diode.
Le dispositif à semiconducteur M300 a trois répartiteurs de chaleur 251 sur lesquels l'un des six éléments du type IGBT et l'un des six éléments du type diode sont placés, ainsi qu'un répartiteur de chaleur 252 sur lequel trois des six éléments du type IGBT et trois des six éléments du type diode sont placés. Les répartiteurs de chaleur 251 et 252 ont tous une forme rectangulaire et les répartiteurs de chaleur 251 sont disposés parallèlement, de façon que les côtés les plus courts soient alignés, tandis que le répartiteur de chaleur 252 a approximativement la même taille que les répartiteurs de chaleur 251 ainsi disposés, et il est disposé de façon que ses côtés les plus longs soient parallèles aux répartiteurs de chaleur 251 alignés.
De plus, le dispositif à semiconducteur M300 a une plaque conductrice 26 entre les répartiteurs de chaleur 251 ainsi disposés, et le répartiteur de chaleur 252.
Dans ces conditions, les éléments du type IGBT et les éléments du type diode qui sont disposés sur le répartiteur de chaleur 251 sont appelés éléments du type IGBT 1 P et éléments du type diode 2P, tandis que les éléments du type IGBT et les éléments du type diode qui sont placés sur le répartiteur de chaleur 252 sont appelés éléments IGBT du type 1 N et éléments du type diode 2N.
Sur la surface principale de chaque répartiteur de chaleur 251, un bloc de bornes relais 20P est placé à l'extérieur de l'élément du type IGBT 1, et le bloc de bornes relais 20P, l'élément du type IGBT 1P et l'élément du type diode 2P sont alignés. Ensuite, une plaque d'électrode de connexion externe 8 est connectée à l'extérieur du bloc de bornes relais 20P. La plaque d'électrode de connexion externe 8 connectée à chacun des répartiteurs de chaleur 251 est différenciée ici pour la commodité en ajoutant, dans l'ordre à partir de la gauche, les symboles 8U, 8V et 8W.
De plus, sur la surface principale du répartiteur de chaleur 252, trois paires des éléments du type IGBT 1 N et des éléments du type diode 2N qui sont alignés, sont disposées avec des intervalles de façon à être parallèles aux côtés courts du répartiteur de chaleur 252.
Ensuite, un bloc de bornes relais 20N est placé à l'extérieur de chacun des éléments du type IGBT 1 N.
De plus, une plaque d'électrode de connexion externe 8N est
connectée à la partie périphérique de l'un des côtés courts du répartiteur de chaleur 252. Une plaque d'électrode de connexion externe 8P est connectée ici à la partie périphérique de l'un des côtés courts de la plaque conductrice 26 de façon que les plaques d'électrodes de connexion externe 8N et 8P soient parallèles. Les plaques d'électrodes de connexion externe 8N et 8P sont désignées par le terme général de plaque d'électrode de connexion externe 8.
Une multiplicité de fils d'aluminium WR établissent une connexion électrique entre l'élément du type IGBT 1 P et l'élément du type diode 2P, entre l'élément du type IGBT 1 P et le bloc de bornes relais 20P, entre l'élément du type diode 2P et l'élément conducteur 26, entre l'élément du type IGBT 1 N et l'élément du type diode 2N, entre l'élément du type IGBT 1 N et le bloc de bornes relais 20N et entre l'élément du type diode 2N et chacun des répartiteurs de chaleur 251.
Ensuite, le boîtier en résine 23C a une forme ayant cinq parties saillantes d'électrodes 232C sur la surface supérieure de la partie de corps 231C ayant une forme de parallélépipède, comme le boîtier en résine 23B représenté sur la figure 7 à partir duquel cinq plaques d'électrodes de connexion externe 8 font respectivement saillie.
Ces pochettes seront en suspension et maintenues par des pinces entre deux câbles tendus. Il existera deux sortes de pinces, simples, pour les extrémités de la structure et doubles pour y accrocher deux pochettes, dont une de chaque côtés du câble. Amovibles, ces pochettes pourront être placée, à différentes positions désirées.
Ces structures seront disposées selon la dimension d'espace à aménager, le nombre de câbles nécessaires et autant de pochettes que d'information à présenter dans le sens vertical et horizontal.
Ces mêmes structures pourront également être montés sur rails, de façon à modifier le format de l'information. Il suffit de fixer le rail au sol et au plafond et de faire coulisser les attaches de supports de câbles.
Ce dispositif comprend trois parties bien distinctes, la partie haute, dite fixation haute. Caractérisé en ce qu'un cube (2) dans lequel on a creusé une cavité (4) pour y recevoir un tube (8) fixé au plafond par une vis chevillée (1) qui sera la fixation haute et un serre câble avec sa vis de serrage (7) Cette cavité sera prolongée par un orifice qui servira au passage du câble (6). De part et d'autre du cube sera percé et taraudé un passage pour des vis de blocage (3) qui serviront de fixation de cette partie haute sur le tube fixé au plafond. Le câble reliera la partie basse, dite fixation basse.
Ce dispositif caractérisé en ce qu'un cube (9), dans lequel comme pour la partie haute une cavité à été creusée pour y recevoir un ressort de compression (11) un serre câble avec sa vis de serrage (12) La cavité sera prolongée par un orifice (16) pour le passage du câble (6) et un tube (14) qui sera fixé au sol à l'aide d'une vis chevillée (15) qui sera la fixation basse. Dans le bas du cube et de part et d'autre
sera percé et taraudé, un orifice pour le passage de deux vis de fixation (13-13B) qui serviront de blocage du socle (9) sur la partie fixe. Le ressort de compression fera traction vers le bas en agissant sur le serre câble. (Le diamètre du ressort étant légèrement inférieur au diamètre du serre câble.) Pour tendre le câble, il suffit de le couper à approximativement 15 m/m du sol et d'appuyer sur le socle qui compressera le ressort et de bloquer les vis de part et d'autre du socle sur la partie fixe.