INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le dispositif à semiconducteur du sixième aspect, la pre mière pellicule d'oxyde d'isolation est une pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant en partie ce qu'on appelle une pellicule d'oxyde d'iso lation partielle. La première pellicule d'oxyde d'isolation est constituée par une première partie ayant la première largeur et s'étendant dans la direction la profondeur par rapport à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée, une seconde partie ayant la seconde largeur, inférieure à la première largeur, et qui est formée sous la première partie, 'étendant dans la direction de la profondeur par rapport à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée, pour atteindre cette pellicule d'oxyde enterrée. Par conséquent, dans un tel dispositif à semiconducteur qui assure l'isolation entre éléments avec une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, la pre mière pellicule d'oxyde d'isolation peut être formée dans le processus de formation la pellicule d'oxyde d'isolation partielle pour assurer l'isola tion entre "léments. Ceci simplifie la fabrication.
Dans le dispositif à semiconducteur du septième aspect, la première licule d'oxyde d'isolation est ce qu'on appelle une pellicule d'oxyde d'isolation complète, qui a une largeur prédéterminée et s'étend dans la direction de la profondeur par rapport à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée. Par conséquent, dans un tel dispositif à semiconduc teur qui assure l'isolation entre éléments avec une pellicule d'oxyde d'isolation complète, la première pellicule d'oxyde d'isolation peut être formée dans le processus de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation complète pour assurer l'isolation entre éléments. Ceci simplifie le proces sus de fabrication. En outre, cette première pellicule d'isolation n'a pas de région faible épaisseur et de résistance élevée, contrairement à celles incluant en partie la pellicule d'oxyde d'isolation partielle. Ceci permet une réduction de la dissipation d'énergie induite façon élec tromagnétique dans cette pellicule.
Dans le dispositif à semiconducteur du huitième aspect, la ré gion de motif fictif a une largeur de 5% ou plus de la longueur des côtés courts de première pellicule d'oxyde d'isolation. Ceci évite qu'un creu sement s'étende au-delà de la région de motif fictif.
Dans le dispositif à semiconducteur du neuvième aspect, le rapport d'aire de la seconde pellicule d'oxyde d'isolation dans la région de motif fictif vis-à-vis de la partie de champ est fixé de façon à être ap proximativement de 1:1 dans la vue en plan. Ceci évite effectivement qu'un creusement s'étende au-delà de la région de motif fictif.
but de la présente invention est de munir un dispositif à se miconducteur d'une inductance en spirale, qui détermine l'aire d'une cou che isolante devant être formée dans la surface d'une plaquette d'inter connexion sous l'inductance en spirale.
La figure 1 montre seulement une partie du dispositif à semi conducteur 90A. En prenant à titre d'exemple le dispositif à semiconduc teur 90 illustré sur la figure 35, une région de la partie de circuit RF 91 et une région de la partie logique 92 sont respectivement représentées sous la forme d'une partie de circuit RF RP et d'une partie logique LP.
En se référant à la figure 1, on note que la partie de circuit RF RP et la partie logique LP sont formées sur un substrat silicium sur iso lant, ou SOI, SB, qui est constitué par un substrat en silicium 1, une pel licule d'oxyde enterrée 2 formée sur le substrat en silicium 1, et une cou che SOI 3 formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 2.
Dans la partie de circuit RF, RP, une pellicule d'oxyde d'isola tion par tranchée 17 est formée dans une zone de la couche SOI 3 qui correspond à la zone d'une inductance en spirale SI (voir la figure 36 en ce qui concerne la structure en plan de l'inductance en spirale). La pelli cule d'oxyde d'isolation par tranchée 17 s'étend jusqu'à la partie logique LP. Dans la partie logique LP, la couche SOI 3 est divisée en deux ré gions SOI 71 et 72 par une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 15, et des transistors MOS Q31 et Q32 sont respectivement formés sur les régions SOI 71 et 72. Chacun des transistors MOS Q31 et Q32 comprend une pelli cule isolante de grille GZ formée sur la région SOI 71 ou 72, une élec trode de grille GT formée sur la pellicule isolante de grille GZ, une pelli cule de siliciure GS formée sur l'électrode de grille GP, et une pellicule isolante de paroi latérale GW formée de façon à recouvrir les faces laté- rales des pellicules respectives ci-dessus. Ces transistors MOS Q31 et Q32 sont d'un type courant, sans caractéristique spéciale dans leurs structures et leur procédé de fabrication.
En ce qui concerne le transistor MOS Q31, il y a en outre une pellicule de silicium SS formée à la surface de la région SOI 71 à l'exté rieur de la pellicule isolante de paroi latérale GW, et des régions de source/drain SD. II va sans dire que le transistor MOS Q32 a la même structure, mais on ne peut pas voir cette structure simplement du fait que la figure montre la coupe du transistor MOS Q32 dans la direction longi tudinale de l'électrode de grille GT.
Une pellicule isolante inter-couche 4, consistant par exemple en une pellicule d'oxyde de silicium, est formée de façon à recouvrir la sur face complète du substrat SOI SB, et une interconnexion WL est formée sur la pellicule isolante inter-couche 4 pour établir une connexion électri que entre l'inductance en spirale SI et le transistor MOS 31.
Une pellicule isolante inter-couche 5, consistant par exemple en une pellicule d'oxyde de silicium, est formée de façon à recouvrir la sur face de la pellicule isolante inter-couche 4, et l'inductance en spirale SI est formée sur la pellicule isolante inter-couche 5. Une extrémité de l'in ductance en spirale SI est connectée à l'interconnexion WL par l'intermé diaire de la partie de contact CP qui atteint l'interconnexion WL à travers la pellicule isolante inter-couche 5. L'interconnexion WL est connectée électriquement à des éléments à semiconducteur tels que des transistors MOS, mais de telles connexions électriques ne sont pas représentées sur la figure. Contrairement aux pellicules d'oxyde d'isolation par tranchée 15 et 17 qui établissent une isolation électrique complète entre les régions SOI, des pellicules d'oxyde d'isolation sous lesquelles on trouve la région SOI 3 ainsi qu'une région de caisson sont appelées "pellicules d'oxyde d'isolation partielle". Pellicule d'Oxyde d'Isolation Partielle On présente maintenant une brève description des pellicules d'oxyde d'isolation partielle. En principe, transistors MOS ne donnent lieu à aucun déverrouillage en relation avec d'autres transistors MOS, lorsque chacun d'eux est complètement isolé électriquement d'autres éléments par une pellicule d'oxyde d'isolation complète.
et de la séquence CAZAC incorporée dans les paquets de symboles transmis, vis-à-vis des symboles et des paquets de symboles reçus correspondants, de déterminer par estimation linéaire des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission préalablement à tout itération. L'opération d'estimation linéaire initiale est, pour cette raison, notée #(z)1=0.
Suite à l'opération d'estimation initiale précitée, le procédé objet de la présente invention consiste à soumettre le processus d'égalisation et de décodage à un processus itératif d'échange d'information a priori entre ces deux processus.
Sur la figure 2a, le processus d'égalisation est noté B et le processus de décodage est noté C.
D'une manière générale, on indique que le processus d'égalisation et le processus de décodage, référencés B et C, sont des processus d'égalisation et de décodage à entrées et sorties pondérées, lesquelles, pour cette raison, sont désignés par égalisation SISO, respectivement décodage SISO, pour égalisation Soft-Input Soft-Output et décodage Soft-Input Soft-Output respectivement.
D'une manière plus spécifique, on indique que différents processus d'égalisation SISO, respectivement de décodage SISO peuvent être utilisés sans sortir du cadre de mise en #uvre du procédé objet de la présente invention.
D'une manière générale, on indique que le processus itératif d'échange d'information a priori est mis en #uvre, d'une part, sur les bits de symboles pour le
processus d'égalisation, bits de symboles en provenance du processus de décodage et, d'autre part, sur les bits codés pour le processus de décodage, bits codés en provenance du processus d'égalisation.
Ce double échange d'information a priori est représenté par les flèches en pointillés sur la figure 2a et sera explicité de manière plus détaillée ultérieurement dans la description.
Le processus itératif d'échange d'information a priori consiste à discriminer la contribution du canal de transmission de la contribution du décodage pour obtenir les informations a priori précitées. Les opérations de discrimination correspondantes sont notées Di et D2 respectivement sur la figure 2a.
Enfin, et dans le cadre de l'itération précitée, le procédé objet de la présente invention consiste en outre à effectuer une réestimation itérative actualisée des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission à l'étape E en fonction des informations délivrées par le processus itératif d'égalisation et de décodage.
Pour la réalisation de cette réestimation itérative actualisée des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission, on indique que les informations délivrées par le processus itératif d'égalisation et de décodage peuvent être soumises à une opération de sélection E1, suivie d'une opération de réestimation proprement dite E2, la réestimation proprement dite consistant à réestimer les coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission #(z)1+1 (z)
pour chaque itération de rang 1+1. Pour cette opération d'itération, la commutation des données obtenues du fait de la réestimation proprement dite à l'étape E2 est effectuée sur la position 1,2 représentée en figure 2a le cas échéant 3, afin de permettre la mise en #uvre du processus d'égalisation SISO à l'étape B à partir de ces nouvelles données réestimées.
En ce qui concerne le processus de réestimation itérative actualisée en fonction des informations délivrées par le processus itératif d'égalisation B et de décodage C, on indique que différents modes de réalisation correspondant aux positions de sélection 1,2 et 3 de la figure 2a seront décrites ultérieurement dans la description. Ces modes de sélection des données d'entrée de réestimation sont fonction, d'une part, du type d'égalisation utilisé, et, d'autre part, du type de réestimation mis en #uvre, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description.
Le caractère itératif, d'une part, de l'échange d'information a priori entre le processus d'égalisation B et le processus de décodage C est représenté par l'étape F de passage de l'itération 1 à l'itération 1+1, et le caractère itératif de la réestimation itérative E est représenté, d'autre part, par l'étape G de passage de l'itération 1 à l'itération 1+1.
Une description plus détaillée d'un mode de mise en #uvre spécifique d'un processus itératif d'échange d'information a priori entre processus d'égalisation et processus de décodage B, C, sera maintenant décrit en liaison avec la figure 2b. Ce mode de mise en #uvre peut être réalisé quelque soit le processus d'égalisation et de
décodage utilisé, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description.
On remarquera que la résistance de glissement peut être réglée 40 N (crête à crête) ou moins, sous la condition (Y1) [nombre de tours R = 0 tour/mn, angle de fonctionnement 0 = 0 -10 , couple de charge T = 98-196 N.m, fréquence de vibration f = 15-40 Hz, et amplitude de vibration = 0,01 à 0,03 mm]. La résistance de glissement peut être réglée 60 N (crête à crête) ou moins sous la condition (Y2) [nombre de tours R = 0 tours/mn, angle de fonctionnement 0 = 0 -10 , couple de charge T = 98-196 N. m fréquence de vibration f = 15-40 Hz, et amplitude de vibration = 0,05 à 0,08 mm]. Ici, une condition appropriée est sélec tionnée parmi les trois conditions indiquées ci-dessus, sur la base de l'amplitude de vibration, en se référant à l'amplitude de vibrations exté rieures appliquées à l'entrée du joint universel homocinétique, comme par exemple des vibrations de ralenti. Dans certains cas, une valeur autre que celle des trois conditions indiquées ci-dessus, peut être utilisée pour l'amplitude de vibration. De plus, même si la poussée induite et la résis tance de glissement sont toutes deux réglées dans ce mode de réalisation, l'une ou l'autre de ces valeurs peut être réglée seule.
Les réglages de la poussée induite et de la résistance de glissement peuvent être effectués par exemple par une commande à 100%. En variante, les réglages peuvent être effectuée en échantillonnant, à une fréquence prédéterminée, un nombre prédéterminé de produits provenant de lots de produits finis, en mesurant la poussée induite et la résistance de glissement des échantillons, et en commandant les lots auxquels les échantillons appartiennent, sur la base de ces mesures.
La figure 7 représente une partie d'un testeur type à re cyclage de puissance devant être utilisé pour mesurer la poussée induite et la résistance de glissement. Dans le schéma, le joint universel homoci nétique de type tripode du mode de réalisation décrit ci-dessus, est placé du côté A (appelé ci-après joint côté A ). Un joint universel homocinéti que d'accouplement, de type fixe (par exemple un joint universel homoci nétique de type Rzeppa) est monté du côté B (appelé ci-après joint côté B ). L'élément tripode du joint côté A et l'élément de joint intérieur du joint côté B sont couplés l'un à l'autre par un arbre intermédiaire. Un an- gle de fonctionnement prédéterminé 0 est donné aux deux joints. De plus, l'élément de joint extérieur du joint côté A est connecte à une cellule de charge. L'élément de joint extérieur du joint côté B est connecté à un ser vomoteur hydraulique.
Pour mesurer la poussée induite, un couple de charge T correspondant un nombre de tours R prédéterminé à une amplitude prédéterminée, est appliqué à l'entrée du joint côté B. Ce couple de charge T est transmis du joint côté B au joint côté A par l'arbre intermédiaire, de façon que le joint côté A tourne avec le même nombre de tours que le nombre de tous d'entrée. Ici, une poussée induite apparaît dans le joint côté A. Cette poussée induite est détectée par la cellule de charge par l'intermédiaire de l'élément de joint extérieur du joint côté A. Soit dit en passant, le servomoteur hydraulique n'est pas actionné pour mesurer la poussée induite.
La poussée induite est mesurée par exemple pour un nom bre de tours prédéterminé R (=100-500 tours/mn) et pour un couple de charge prédéterminé T (=0,1x Ts N.m, 0,2 x Ts N.m ; 0,3 x Ts N.m), tandis qu'on change l'angle de fonctionnement 0 de 4 à 6 , 8 , 10 , 12 et 14 , en restant cinq minutes sur chaque angle de fonctionnement. Ensuite, les données de mesure pour chaque condition de mesure sont soumises à une analyse de fréquence. Les composantes de rotation tertiaires obtenues sont utilisées pour le réglage et la commande de la poussée induite.
Pendant ce temps, pour la mesure de résistance de glisse ment, la rotation du testeur est stoppée. Ensuite, le joint côté B et le joint côté A sont placés sous un couple prédéterminé T tandis que le servomo teur hydraulique est actionné pour appliquer une force vibratoire axiale d'entrée ayant une amplitude prédéterminée, au joint côté B. Cette force vibratoire axiale est transmise du joint côté B à l'élément tripode du joint côté A, par l'arbre intermédiaire, et transmise en outre l'élément de joint extérieur du joint côté A au moyen de la résistance de glissement interne. Par suite, l'élément de joint extérieur du joint côté A vibre avec la résis tance de glissement comme force vibratoire. Cette force vibratoire (résis tance de glissement) est détectée par la cellule de charge.
La résistance de glissement est mesurée par exemple pour un couple de charge prédéterminé T (= 98-196 N. m), pour une fréquence de vibration f (=15-40 Hz), et pour une amplitude de vibration ( 0,01 à 0,03 mm; 0,05 à 0,08 mm; 0,10 à 0,25 mm), tandis qu'on change l'angle de fonctionnement 0 pour le faire passer à 6 , 8 et 10 , en restant de 1 à minutes sur chaque angle de fonctionnement. Ensuite, les va leurs absolues des valeurs crêtes positives et négatives données de mesure (forme d'onde) pour chaque condition de mesure, sont totalisées (crête à crête). Les valeurs obtenues sont utilisées pour le réglage et la commande de la résistance de glissement.
En plus des réglages et des commandes par l'échantillonnage et les mesures décrites ci-dessus, on peut utiliser des moyens pour régler et commander individuellement les dimensions et les formes des pièces qui sont associées à la poussée induite et/ou à la ré sistance de glissement (par exemple pour régler individuellement les péri phéries extérieures des tourillons de l'élément tripode, les surfaces de contact des galets, les surfaces de contact des anneaux de support, les surfaces de contact des aiguilles de roulement, les chemins de guidage de galets l'élément de joint extérieur, etc, en ce qui concerne leurs dimen sions et leurs formes). De plus, on peut également prévoir des moyens pour régler et commander individuellement les facteurs qui contribuent à la stabilité de rotation des galets dans les ensembles de galets (par exem ple pour régler individuellement les jeux radiaux et axiaux entre les piè ces, les propriétés de surface des surfaces de contact, les conditions de lubrification, etc).
Les figures 3(A) à 4 représentent un second mode de réali sation de la présente invention. Ce second mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation décrit ci-dessus, uniquement en ce que la gé nératrice des périphéries intérieures 32c des anneaux de support 32, qui était constituée par un arc unique dans le premier mode de réalisation, consiste ici en une combinaison d'une partie d'arc 32a au centre et de parties de dégagement 32b des deux côtés. Le rôle des parties de dégage ment 32b est d'éviter l'interférence avec les tourillons 22 pour un angle de fonctionnement 0 tel que représenté à la figure 3 (C). Chaque partie de dé gagement 32b est constituée d'une ligne droite ou courbe qui s'étend pro gressivement depuis un bord de la partie d'arc 32a jusqu'à une extrémité de l'anneau de support 32. Les parties de dégagement 32b illustrées ici sont constituées par une partie d'une surface conique d'angle au sommet a = 50 . Les parties d'arc 32a ont un grand rayon de courbure (r) de l'ordre de par exemple 30 mm, pour permettre aux tourillons 20 de bas culer de 2 -3 ou analogue par rapport aux anneaux de support 32. Dans les joints universels homocinétiques de type tripode, une rotation de l'élément de joint extérieur 10 produit, par constitution, trois nutations de l'élement tripode 20 autour du centre de l'élément de joint extérieur 10. Ici, la quantité d'excentricité représentée par le symbole [figure 2(A] augmente proportionnellement à l'angle de fonctionnement 0.
Bien que les trois tourillons 22 soient espacés de 120 les des autres, la présence de l'angle de fonctionnement 0 fait basculer les tourillons 22 comme représenté à la figure 2 (B). Plus specifiquement, en se référant au tourillon vertical 22 représenté dans la partie supérieure du schéma, les deux autres tourillons 22 sont légèrement en déclin par rapport à leurs axes d'angle de fonctionnement nul indiqués par les lignes en traits-points. Par exemple, un angle de fonctionnement 0 d'environ 23 produit un déclin de l'ordre de 2 -3 . Ce déclin peut être facilement toléré par la courbure des parties d'arc 32a sur les périphéries intérieures 32c des anneaux de support 32. Par suite, on peut éviter que les pressions de surface à l'endroit des parties de contact entre les tourillons 22 et les an neaux de support 32, deviennent trop élevés. Soit dit en passant, la figure 2(B) est une représentation schématique des trois tourillons 22 de l'élément tripode 20, comme on peut le voir du côté gauche de la figure 2(A), les lignes en trait plein représentant les tourillons individuels.
Ce second mode de réalisation est identique au premier mode de réalisation en ce que la composante de rotation tertiaire de la poussée induite est réglée à ou au-dessous de 20 N (VMQ) sous la condi tion (X1) et en ce que la résistance de glissement est réglée à ou au- dessous de 80 N (crête à crête) sous la condition (Y3). Soit en passant, comme les mesures ont indiqué les mêmes tendances que celles du pre mier mode de réalisation, sa description ne sera pas reprise ici. En outre, les conditions de réglage pour la poussée induite et la résistance de glis sement, de même que leurs effets, sont en conformité avec ceux du pre mier mode de réalisation décrit ci-dessus. Par suite, sa description ne sera pas reprise ici.
Les figures 5(A) à 6 représentent un troisième mode de réa lisation de la présente invention. Ici, les figures 5(A) et 5(B) représentent le joint sous un angle de fonctionnement de 0 , en l'absence de couple de rotation.
La joint universel homocinétique de type tripode de ce mode de réalisation comprend un élément de joint extérieur 1 devant être relié à l'un des deux arbres à accoupler, et un élément tripode 2 devant être relié à l'autre arbre. L'élément de joint extérieur 1 présente d'une façon générale un aspect analogue une coupelle, et comporte une périphérie intérieure munie de trois rainures de piste s'étendant axialement la dans des posi tions circonférentielles régulières. Chacune des rainures de piste 1 a com porte des chemins de guidage de galets 1 a 1 des deux côtés.
L'élément tripode 2 comporte trois tourillons faisant saillie radialement 2a dans des positions circonférentielles régulières. Chacun des tourillons 2a comporte une périphérie extérieure courbe convexe 2a 1. Sur la périphérie extérieure 2a1 est monté un ensemble de galet A, ou un ensemble constitué d'un anneau de support 3, d'un certain nombre d'aiguilles de roulement 4 et d'un galet 5.
Comme représenté à plus grande échelle dans la figure 5(B), chaque ensemble de galet A comprend la pluralité d'aiguilles de roulement 4 interposées en rotation entre la périphérie extérieure cylindrique 3a de l'anneau de support 3 et la périphérie intérieure cylindrique 5a du galet 5. Une paire de circlips 6 adaptés à la périphérie intérieure 5a du galet 5 ver rouillent l'anneau de support 3 et les aiguilles de roulement 4 aux deux extrémités, de manière à limiter les mouvements axiaux de l'anneau de support 3 et des aiguilles de roulement 4 par rapport aux galets 5 (mou vements suivant l'axe Z du tourillon 2a). Les faces d'extrémité de l'anneau de support 3 et les faces d'extrémité des aiguilles de roulement 4 ont des jeux axiaux ô par rapport à la paire de circlips 6. Dans le schéma, les jeux axiaux ô ont des dimensions relativement exagérées. De plus, les jeux axiaux entre les faces d'extrémité de l'anneau de support 3 et les circlips 6, ainsi que les jeux axiaux entre les faces d'extrémité des aiguilles de roulement 4 et les circlips 6, peuvent avoir des valeurs identiques ou des valeurs différentes. Dans les schémas, les deux jeux sont représentés comme un jeu axial ô sans distinction. De plus, la périphérie extérieure 3a de l'anneau de support 3 et la périphérie intérieure 5a du galet 5, ont de légers jeux radiaux par rapport aux surfaces de contact de roulement des aiguilles de roulement 4.