REVENDICATIONS 1. Dispositif de photodétection destiné à détecter une lumière incidente (10) de longueur d'onde prédéfinie, se propageant dans un milieu de propagation (I, 12), ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend une couche électriquement isolante (2) qui n'absorbe pas cette lumière et, sur cette couche, au moins un élément (6), comprenant un matériau semiconducteur, et au moins deux électrodes de polarisation (4), destinées à être respectivement portées à des potentiels différents l'un de l'autre, les électrodes encadrant l'élément, l'ensemble formé par l'élément et les électrodes étant apte à absorber la lumière incidente, l'élément et les électrodes ayant une forme sensiblement parallélépipédique et s'étendant suivant une même direction (D), les dimensions des électrodes et de l'élément, comptées transversalement à cette direction, étant choisies, en fonction de la longueur d'onde prédéfinie, de façon à augmenter l'intensité lumineuse dans l'ensemble formé par l'élément et les électrodes, par rapport à la lumière incidente, en faisant résonner au moins l'un de deux modes, à savoir un premier mode qui est un mode de plasmon de surface et que l'on fait résonner entre les interfaces que présente cet ensemble avec la couche isolante et le milieu de propagation, la résonance de ce premier mode ayant lieu à l'interface entre l'élément et au moins l'une des électrodes, ce premier mode étant excité par la composante du champ magnétique associé à la lumière incidente, composante qui est parallèle aux électrodes, et un deuxième mode qui est un mode transverse électrique d'un guide d'onde optique qui est perpendiculaire à la couche isolante et comprend les deux électrodes, ce deuxième mode étant excité par la composante du champ électrique associé à la lumière incidente, composante qui est parallèle aux électrodes. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel on fait résonner le mode de plasmon de surface et dans lequel la largeur (d-e) de chaque élément, comptée perpendiculairement à la direction (D), est inférieure à X et supérieure à 0,02x, où X, est la longueur d'onde de la lumière incidente, et l'épaisseur (h) de chaque élément est inférieure à 7l/ (2n) où n est l'indice de réfraction moyen de chaque élément. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel les électrodes (4) sont faites d'un même matériau électriquement conducteur et ont la même hauteur, comptée perpendiculairement à la couche isolante. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel les électrodes ont l'une au moins des deux propriétés (a) d'être faites de matériaux électriquement conducteurs différents et (b) d'avoir des hauteurs différentes, comptées perpendiculairement à la couche isolante, de manière que la résonance ait lieu essentiellement du côté de l'électrode qui recueille les porteurs de charge lents lors de la polarisation des électrodes. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément est une hétérostructure. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant plusieurs éléments et électrodes qui alternent sur la couche isolante, chaque électrode étant faite d'un seul métal ou de deux métaux différents. 7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel les électrodes sont destinées à être portées à des potentiels qui vont en croissant d'une électrode d'extrémité à l'autre électrode d'extrémité de l'ensemble des électrodes. 8. Dispositif selon la revendication 7, comprenant en outre un matériau résistif (36), stabilisateur de potentiels, qui est en contact avec les électrodes et va d'une électrode d'extrémité à l'autre électrode d'extrémité de l'ensemble des électrodes. 9. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel les électrodes sont destinées à être portées à des potentiels dont les valeurs absolues sont égales et les signes alternent. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre un moyen de réflexion (8) prévu pour réfléchir la lumière non absorbée, traversant la couche isolante, l'épaisseur (hm) de cette couche isolante étant choisie pour que la lumière réfléchie par le moyen de réflexion (8) soit en phase avec les ondes lumineuses présentes dans l'ensemble formé par chaque élément et les électrodes et participe à la résonance. 11. Dispositif selon la revendication 10, destiné à détecter une lumière incidente dont la longueur d'onde vaut approximativement 0,8 Dun, ce dispositif étant formé sur un substrat de GaAs, l'élément (6) étant en GaAS, les électrodes en Ag, la couche isolante en AlAs et le moyen de réflexion étant un miroir multicouche AlAs/AlGaAs. 12. Dispositif selon la revendication 10, destiné à détecter une lumière incidente dont la longueur d'onde vaut approximativement 1,55 um, ce dispositif étant formé sur un substrat en InP, l'élément étant en InGaAs, les électrodes en Ag, la couche isolante en AlInAs et le moyen de réflexion étant un miroir multicouche GaInAsP/InP ou AlGaInAs/AlInAs. 13. Dispositif selon la revendication 10, destiné à détecter une lumière incidente dont la longueur d'onde vaut approximativement 1,55 um, ce dispositif étant formé sur un substrat en GaAs, l'élément étant en alliage InGaAsNSb, les électrodes en Ag, la couche isolante en AlAs et le moyen de réflexion étant un miroir multicouche GaAs/AlAs. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, destiné â détecter une lumière incidente dont la longueur d'onde appartient au domaine infrarouge, dans lequel les électrodes sont essentiellement en Ag ou Au pour absorber la lumière incidente, l'élément n'absorbant pas cette lumière incidente. 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le milieu de propagation est l'air (I). 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le milieu de propagation est un guide de lumière (12) parallèle à la direction (D) suivant laquelle s'étendent les électrodes de chaque élément. 17. Procédé de fabrication du dispositif de photodétection selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel on fait croître une épaisseur déterminée du matériau semiconducteur de l'élément sur la couche isolante (2), on grave sélectivement ce matériau semiconducteur pour en éliminer des portions aux emplacements correspondant aux électrodes (4) et on forme ces électrodes à ces emplacements. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel on utilise un même masque pour graver sélectivement le matériau semiconducteur puis former les électrodes (4). 19. Procédé selon la revendication 17, dans lequel on utilise un masque pour graver sélectivement le matériau semiconducteur, on enlève ce masque, on forme les électrodes (4) au moyen d'au moins un métal et l'on enlève l'excédent de ce métal au moyen d'un polissage mécanique ou mécano-chimique. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel, pour former les électrodes, on utilise deux métaux que l'on dépose successivement de façon oblique par rapport à la couche isolante (2).