INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La classe ComponentType inclut au moins un module de MIB supporté par le composant et décrit dans une classe Mib. La classe Mib possède les attributs : # name désignant le nom du répertoire contenant le module de MIB selon les règles imposées par le système d'administration 10 ; # logicalName désignant le nom logique du module de MIB utilisé par le système d'administration 10 ; et# oid désignant l'identifiant de l'objet de plus haut niveau défini dans le module de MIB. L'identifiant "oid" (Object Identifier) est attribué de façon unique dans le monde suivant une arborescence d'autorités d'adressage définie par l'Organisme de Standardisation International appelé ISO (International Standards Organization).
La classe ComponentType inclut aussi, en option, les paramètres nécessaires pour représenter le composant dans une classe MibAttribute. La classe MibAttribute possède les attributs : # label désignant le nom de l'attribut du module de MIB ; # unit désignant le type de l'attribut du module de MIB ; # description désignant la description de l'attribut du module de MIB ; et# request désignant la requête CMIS permettant de parcourir le module de MIB du composant concerné pour accéder directement à l'attribut.
La classe ServicePackage inclut aussi, en options : # une liste de paramètres, incluant des paramètres de trafic dans l'exemple illustré, définie dans une classe Parameters ; # un module de MIB décrit dans une classe ConfigurationMib et permettant de parcourir les paramètres de trafic ; # un fichier de requêtes CMIS à installer, décrit dans une classe ExportedRequests. Ces requêtes sont utilisées pour accéder directement aux paramètres de trafic définis par la classe Parameters ou aux paramètres spécifiques des composants définis par la classe MibAttribute ; et # une application tierce, dite aussi application partenaire, de mise en #uvre du service, utilisée pour le modèle de service et décrite dans une classe IntegratedAppli. Alors que l'application 42 de mise en #uvre du procédé est conçue pour le système d'administration OpenMaster du demandeur, une application partenaire est une application conçue pour un autre système.
La classe Parameters contient au moins un paramètre décrit dans une classe Parameter qui peut être reliée, comme représenté, à la classe MibAttribute représentant un attribut interrogeable sur un composant du service. La classe Parameter possède les attributs : # name désignant le nom du paramètre de trafic ; # description désignant la description du paramètre désigné par name ; et, en option,
# defauItValue désignant une valeur par défaut pour ce paramètre.
La classe ConfigurationMib contient le module de MIB nécessaire à la navigation parmi les paramètres et qui est décrit dans la classe Mib.
La classe ExportedRequests contient le fichier de requêtes CMIS à installer qui est décrit dans une classe File. La classe File décrit un fichier à traiter suivant son type et possède les attributs : # name désignant le nom du fichier ; et, en option, # dir désignant le répertoire de destination du fichier ; et # type désignant le type du fichier conformément à un type FileTypeEnum d'énumération des différents types de fichier possibles qui peuvent être un fichier ASCII à copier (CopyFile), un fichier décrivant des indicateurs à collecter (CollectFile), un fichier décrivant des filtres d'alarmes (AlarmFilterFile), un fichier ASCII d'export d'une base de requêtes CMIS à importer (ImportCMISFile), un fichier à exécuter (ExecuteFile), un fichier de démarrage de la collecte des données (StartCollectFile) et un fichier d'arrêt de la collecte des données (StopCollectFile), ou un fichier IDL (IDLFile).
Enfin, la classe IntegratedAppli contient la description de l'application partenaire utilisable pour ce modèle de service et possède l'attribut name désignant le nom de l'application partenaire. Cette classe contient au moins un fichier décrit dans la classe File.
La grammaire de description d'un modèle 80 de service, qui est illustrée dans la figure 5 et décrite en langage UML lors de l'étape SI du procédé, est implémentée lors de cette même étape SI en langage XML et est alors appelée grammaire DTD (Document Type Définition). L'annexe 1 illustre le fichier XML correspondant à la grammaire DTD d'un modèle 80 de service. Pour faire la traduction, des règles de génération de la grammaire DTD ont été appliquées au modèle UML qui a été défini précédemment. Pour générer la grammaire DTD à partir de la précédente description, on a procédé ainsi : - une classe de la description est traduite en ELEMENT et se lit tel que :
- un attribut de classe est traduit en un attribut de l'élément, tel que l'attribut ATTLIST dans : - une association ou une agrégation se traduit par un sous-élément de l'élément en cours, comme Parameters dans l'exemple suivant : - et la cardinalité de l'association ou de l'agrégation précise le nombre d'occurrences du sous-élément de la façon suivante : - si 0 ou 1 : parun point d'interrogation ? tel que : - si 1 et plus : par le signe + tel que : - et si 0 ou plus : par le signe * tel que : .
L'annexe 2 illustre un exemple de modèle de service 80 créé lors de l'étape S4 conformément à la grammaire DTD de service décrite dans l'annexe 1. Le modèle de service 80 illustré s'applique à la technologie à relais de trame (Frame Relay).
La figure 6 illustre la structure d'un modèle 90 de contrat, aussi appelé modèle SLA 90, qui utilise la grammaire de description d'un modèle SLA lors de l'étape S2 du procédé. À partir du modèle SLA 90 est généré à l'étape SU le contrat 100 entre le fournisseur de service et le client. Comme indiqué à la figure 4, le contrat 100 inclut principalement des critères SLA 101, qui sont les objets du contrôle de la qualité du service et qui sont définis à partir d'au moins un prototype 91 de critère SLA. Un prototype 91 de critère SLA est défini comme un modèle relatif à un critère SLA pour une technologie donnée. Le modèle SLA 90 est décrit par une classe SlaPackage qui possède les attributs : # level désignant un niveau de contrat pour la technologie utilisée ; # version désignant une version du modèle SLA ; et # serviceType désignant un type de service.
La classe SlaPackage contient au moins un prototype 91 de critère SLA, représenté par une classe SlaCriteriaPrototype et, en option, au moins un ensemble de modèles 94 de rapport à générer, inclus dans une classe ReportModels. La classe ReportModels regroupe tous les modèles 94 de rapports à générer pour toutes les cibles de destinataires. Un ensemble de modèles de rapport 94 est défini pour chaque cible de destinataires. La classe ReportModels contient, par agrégation, un ou plusieurs ensembles de modèles de rapport à générer par cible de destinataires. Ces modèles sont représentés par une classe ReportPackage, qui représente donc un ensemble de modèles de rapports à générer pour un type de destinataire donné. Elle possède les attributs : # name désignant un nom d'une ensemble de modèles de rapport pour une cible de destinataires définie par l'attribut target ; # dir désignant un répertoire d'installation de l'ensemble des modèles de rapport désigné par name ; et # target désignant une cible de l'ensemble des modèle de rapport, c'est-à- dire le type d'utilisateur visé conformément à un type d'énumération TargetEnum qui définit les cibles possibles des modèles de rapports à générer pouvant être l'entité de facturation (billing), l'entité de réseau (network), l'entité de fourniture du service (provisioning) ou l'entité financière (financial).
Avec la technique choisie, on fait au préalable une première mesure d'absorption de lumière sur l'absorbeur 4, en l'absence de couche mince à sa surface, puis avec cette même technique, une deuxième mesure d'absorption de lumière sur l'absorbeur lorsque la couche mince est susceptible de s'y trouver.
On compare ensuite la deuxième mesure à la première. Si l'absorption a varié, on en déduit que la couche mince est présente. Dans le cas contraire, on en déduit qu'aucune couche mince n'est présente à la surface de l'absorbeur.
En tant que technique non-résonante, on utilise par exemple une technique de détection par déflexion photothermique (encore appelée méthode de détection par effet mirage ) qui est schématiquement illustrée par la figure 1. A ce sujet, on se reportera au document [3].
On voit sur la figure 1 un système de détection par déflexion photothermique fonctionnant en mode transverse et permettant de détecter la présence de la couche mince 2.
Ce système comprend un laser de pompe 6 ainsi qu'un laser de sonde 8, ce dernier émettant la lumière du domaine spectral considéré.
Dans l'exemple de la figure 1, la détection est faite dans l'air.
Le système comprend également un moyen de détection 10, par exemple une photodiode à quatre
quadrants, qui est reliée à des moyens 12 de traitement des signaux électriques fournis par cette photodiode.
Ces moyens 12 fournissent la valeur de l'absorption.
Des moyens d'affichage non représentés sont reliés à ces moyens de traitement et prévus pour afficher cette valeur.
En tant que laser de pompe, on utilise par exemple un laser pulsé à colorant. On peut aussi utiliser un laser continu à colorant ou une lampe à arc à xénon munie d'un monochromateur. Lorsqu'une telle lampe ou un laser continu à colorant est utilisé, on prévoit un hacheur ( chopper ) mécanique pour moduler la sortie du laser ([3]) .
On voit que la lumière fournie par le laser de pompe 6 est focalisée par une optique appropriée 14 sur la surface de l'absorbeur 4 qui est susceptible de porter la couche mince 2.
Une autre technique utilisable dans l'invention est une technique de détection par méthode polarimétrique, par exemple une ellipsométrie.
La figure 2 illustre schématiquement un système de détection par méthode polarimétrique fonctionnant en réflexion. Au sujet des méthodes polarimétriques, on se reportera au document [4].
Le système de la figure 2 comprend encore l'absorbeur de lumière 4, sur lequel la couche mince 2 est susceptible de se trouver, ainsi qu'un laser 16 prévu pour émettre la lumière du domaine spectral considéré vers la surface de l'absorbeur. Le système de la figure 2 comprend aussi un polariseur 18 qui polarise la lumière émise par ce laser.
La détection a encore lieu dans l'air, dans l'exemple de la figure 2.
a) Dans tous ces exemples, le substrat à métalliser, est préparé par une procédure convenable, selon la nature du métal. Par exemple, les substrats cuivreux, ou en nickel, sont préalablement dégraissés électrolytiquement, après un rinçage à l'eau, le substrat est dépassivé, dans de l'acide sulfurique dilué à 5 - 20% en volume, le substrat est rincé à l'aide d'eau désionnisée, avant d'être immergé dans un des électrolytes de l'invention.
De façon facultative, certains additifs peuvent être ajoutés. Ainsi - Comme sel conducteur, on peut utiliser le sulfate de sodium, mais aussi le sulfate de potassium ou encore un mélange des deux sels.
- Un tampon acétique, citrique, borique, ou tout autre système tampon efficace dans la gamme de pH concemée peuvent être utilisés pour stabiliser le pH du bain.
- Un agent mouillant, peut être ajouté pour éviter les piqûres causées par le dégagement d'hydrogène sur les pièces. Un agent mouillant cationique, ou non ionique peut convenir, on pourra par exemple utiliser de l'iodure ou du bromure de cétyltriméthylammonium en très faibles quantités.
- Un réducteur de tensions internes pourra être ajouté pour les applications décoratives, de très petites quantités de saccharinate de sodium peuvent être ajoutées, dans certains cas.
b) Le réajustement de la concentration en palladium est réalisé, par addition d'un composé ci-après désigné par A préparé selon la procédure suivante : - Matière première : une solution acide de nitrate de palladium.
-Addition d'acide sulfurique dans un rapport molaire [H2SO4]/Palladium =1,0 à 1,7 - Distillation d'un mélange eau+acide nitrique - Evaporation à sec - Redissolution dans l'eau du sulfate de palladium - Addition à une solution diluée d'éthylènediamine dans un rapport molaire [Ethylènediamine]: [Palladium] 1,2 - Temps de réaction sous agitation, à température ambiante.(> 12 h) - Filtration, séchage Le sel de teinte jaune, de sulfate de palladium et d'éthylènediamine contient approximativement 31 à 41% de palladium et présente des rapports molaires [SO4] : [Pd] et [Ethylènediamine] : [Pd] 1,2 ci-après désigné par A.
Cette méthode d'addition du palladium à l'électrolyte, peut être utilisée pour la première préparation du bain, et pour les réajustements palladium au cours du fonctionnement.
EXEMPLE 1 : Bain de palladium Haute vitesse - Palladium (introduit sous forme du composé A) .......................... 17 à 23 g/1 - Nickel (sous fonne de sulfate) ....................................................... 0,2 à 0,5 g/l - Ethylènediamine ............................................................................ 55 à 75 ml/1 - Acide Trans 3-(3- pyridyl) acrylique .......................................... 0,22 à 0,3 8 g/1 - Sulfate de sodium .......................................................................... 20 à 50 g/l Conditions opératoires : - pH (Acide sulfurique / Hydroxyde de sodium) .............................. 3,5 à 4,5 - Température ................................................................................... 40 à 75c>C - Agitation ........................................................... Vigoureuse, à très vigoureuse - Densité de courant ......................................................................... 5 à 42 A/dm' - Anode ............................................................................................. Titane platiné Ce bain dans lequel le nickel agit uniquement comme brillanteur, dépose du palladium à plus de 99,9%, le dépôt est brillant miroir, blanc, ductile, avec une faible résistivité, une faible porosité, et une bonne résistance à la corrosion.
EXEMPLE 2 : Bain de palladium-nickel Haute vitesse - Palladium (introduit sous forme du composé A) ........................... 17 à 23 gIl
- Nickel (sous forme de sulfate) ......................................... . ............. 9,0 à 13,0 glI - Ethylènediamine ............................................................................ 55 à 75 ml/1 - Acide Trans 3-(3- pyridyl) acrylique .......................................... 0,22 à 0,38 g/l - Sulfate de sodium .......................................................................... 20 à 50 g/l Conditions opératoires : - pH (Acide sulfurique / Hydroxyde de sodium) .................................. 3,5 à 4,5 - Température ..................................................................................... 60 à 75'C - Agitation .............................................................. Vigoureuse, à très vigoureuse - Densité de courant ...................................................................... 21 à 56 A/dM2 - Anode ............................................................................................. Titane platiné Les résultats moyens sont les suivants : - Vitesse de dépôt à 700C et 28 A/dm' ................................... 1 #tm en 10 secondes - Vitesse de dépôt à 70'C et 42 A/dM2 ................................... 1 gra en 7 secondes - Vitesse de dépôt à 700C et 56 A/dm2 ...................................... Igm en 5 secondes - Rendement cathodique à 70'C et 56 A/dM2 ...................................... 87,2% Ce bain dépose l'alliage palladium 80 % - nickel 20 %. Le dépôt de 0,1 à 6 #tm est brillant-miroir, ductile, avec une faible résistance de contact, une dureté Vickers de 390 HV sous 100 gf (mesurée selon la norme iso 4 516 (1980 . Les dépôts contrôlés selon la norme iso 4524/3 (85), sont non poreux, ils ont une bonne résistance à la corrosion et, pour une épaisseur de 0,5 à 6 #tm, ils sont conforme au test dit "CASS TEST" défini par la norme iso 9 227 (1990). Par ailleurs, ils ont une bonne résistance au frottement et passent positivement le test dit "BRITISH TELECOM".
EXEMPLE 3 : Bain de palladium-cobalt Haute vitesse - Palladium (introduit sous forme du composé A) ........................... 17 à 23 g/1 - Cobalt (sous forme de sulfate) ....................................................... 6,0 à 9,0 g/t - Ethylènediamine ..... . ...................................................................... 55 à 75 ml/1 - Acide Trans 3-(3- pyridyl) acrylique .......................................... 0,22 à 0,38 gIl - Sulfate de sodium .......................................................................... 20 à 50 g/1 Conditions opératoires : - pH (Acide sulfurique/Hydroxyde de sodium) ................................ 3,5 à 4,5 - Température ................................................................................... 60 à 750C - Agitation ........................................................... Vigoureuse, à très vigoureuse
- Densité de courant ......................................................................... 21 à 56 A/dM2 - Anode ............................................................................................. Titane platiné Ce bain dépose l'alliage palladium 75 % - cobalt 25 %, le dépôt de 0,1 à 6 #im est brillant-miroir, ductile, avec une faible résistance de contact, dur. Les dépôts sont non poreux, ils ont une bonne résistance à la corrosion et au frottement.
EXEMPLE 4: Bain de palladium Décoratif - Palladium (Introduit sous forme du composé A) ........................... 17 à 23 g/l - Nickel (sous forme de sulfate) ......................... (de préférence 0,01 à 0,5 g1l) - Ethylènediamine ............................................................................ 55 à 75 ml / 1 - Acide Trans 3-(3- pyridyl) acrylique .......................................... 0,10 à 0,38 g/l - Sulfate de sodium .......................................................................... 20 à 50 g/1 Conditions opératoires : - pH (Acide sulfurique/Hydroxyde de sodium . ................................ 3,5 à 4,5 - Température .................................................................................. 30 à 750C - Agitation ........................................................................................ Modérée - Densité de courant ......................................................................... 0,5 à 5 A/dM2 - Anode ............................................................................................. Titane platiné Ce bain dans lequel le nickel agit uniquement comme brillanteur, dépose du palladium de pureté >99,9%. Le dépôt de 0,2 à 6 #tm est brillant-miroir, blanc, ductile, sans craquelures. Les dépôts sont non poreux, ils ont une bonne résistance à la corrosion et au frottement.
EXEMPLE 5: Bain de palladium-nickel décoratif - Palladium (Introduit sous forme du composé A) ........................... 6 à 9 g/l - Nickel (sous fon-ne de sulfate) ................................................... . 18,0 à 22,0g/1 - Ethylènediamine ............................................................................ 55 à 75 ml/l - Acide trans 3-(3- pyridyl) acrylique ............................................ 0,02 à 0, 1 5 g/l - Sulfate de sodium .......................................................................... 20 à 50 g/l Conditions opératoires : - pH (Acide sulfurique/Hydroxyde de sodium) ................................ 3,5 à 4,5
- Température . .................................................................................. 55 à 650C - Agitation ........................................................................................ Modérée - Densité de courant ......................................................................... 1 à 5 A/dm' - Anode ............................................................................................. Titane platiné Ce bain dépose l'alliage palladium 80% nickel 20%. Le dépôt de 0,2 à 6 #tm est brillant-miroir, blanc, ductile, sans craquelures. Les dépôts sont non poreux, ils ont une bonne résistance à la corrosion et au frottement.
lampes et présentant les colorations désirées.
La figure 4 montre une variante de réalisation qui comprend un écran 20 qui, comme dans la réalisation précédente, peut être métallisé sur ses deux faces ou sur la face arrière, la face avant étant colorée par exemple en rouge. L'écran 20 présente des logements 21 sur lesquels sont montés des circuits imprimés 22 supportant des diodes électroluminescentes 23. Ces logements 21 constituent des réflecteurs. L'écran 20 est prolongé par une partie 20a présentant des ouvertures 24. En regard de cette partie 20a s'étend un compartiment 30 avec un réflecteur 31 et dans lequel s'étend une lampe 32, le compartiment présentant un écran optique 33 formé de degrés 27 pourvus de lentilles 26. Les lentilles 26 permettent de faire converger les rayons lumineux vers une glace 35 qui comporte une optique 36 pour
faire diverger les rayons lumineux issus de la lampe 32.
Il peut être prévu un écran à échelons de Fresnel 38, celui-ci, de préférence incolore, permettant une certaine
concentration de la lumière.
On peut prévoir la même optique 36 au droit des
diodes 23.
Le feu présente, lorsque les lampes et les diodes sont éteintes, une teinte uniforme argentée ou rouge et si on suppose que le compartiment 30 correspond au feu de changement de direction, l'écran optique 33 est ambre, si la lampe 32 est blanche et incolore si la lampe est de couleur ambre. Comme dans l'exemple précédent, on peut
réaliser les différentes combinaisons de couleur pour obtenir les couleurs réglementaires.
La figure 5 montre en coupe une variante de réalisation de l'invention. Dans cette réalisation, le feu comporte une série de compartiments 40, 41 dans chacun desquels s'étend une lampe 42, 43 correspondant aux différentes fonctions, feu arrière, feu de recul, stop, feu de changement de direction, feu antibrouillard. Ici, on a représenté seulement deux compartiments, l'un correspondant, par exemple, au feu arrière 40, tandis que
l'autre 41 correspond au changement de direction.
Le compartiment 40 comporte un réflecteur 44 destiné à diriger les rayons lumineux émis par la lampe 42 vers un
écran optique 50.
Le compartiment 41 présente un réflecteur 46 dirigeant les rayons lumineux émis par la lampe 43 vers
l'écran 50.
L'écran optique 50 est du même type que celui des
Le module de communication MC connecte l'unité de commande UC du dispositif d'assistance DAS aux serveurs SM et SFT à travers des réseaux de télécommunication RES en fonction du type du module de communication. Par exemple, comme montré en traits pointillés à la figure 1, le module de communication MC communique à travers une liaison radiotéléphonique de type GSM avec les serveurs SM et SFT, et le dispositif d'assistance DAS possède alors toutes les fonctionnalités d'un terminal radiotéléphonique mobile. Selon une autre variante, le dispositif DAS est équipé d'un modem constituant le module de télécommunication MC pour assurer une liaison de données avec les serveurs SM et SFT à travers le réseau téléphonique commuté et le cas échéant à travers un réseau à haut débit, tel qu'Internet, désignés par les réseaux RES dans la figure 1.
Selon encore une autre variante pouvant être combinée aux précédentes, l'unité de commande UC du dispositif DAS est reliée manière amovible à la passerelle PA pour communiquer avec les serveurs SM et SFT à travers les réseaux RT reliés à la ligne de réseau LR de l'installation.
Par exemple, pour cette dernière variante, lorsque l'installation ITC fonctionne en mode ATM, la passerelle PA réserve voie virtuelle au dispositif DAS, comme pour un terminal TE de l'installation, dans le conduit virtuel constitué par la ligne de réseau LR ; identificateur de voie virtuelle VCI (Virtual Channel Identifier) est attribué au dispositif assistance DAS par la passerelle PA et constitue ainsi, de manière générale, une adresse de telécommunication IDAS du dispositif d'assistance DAS pour des communications de celui-ci à travers la ligne de réseau LR.