INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
S'agissant des agents d'aide à la mise en oeuvre, on entend définir, notamment, des additifs susceptibles par exemple de limiter et/ou d'uniformiser l'échauffement des compositions et/ou d'éviter l'occurence du phénomène de grillage. Pareils additifs peuvent être des lubrifiants, des agents de recouvrement de la charge blanche (agent comportant la seule fonction Y susceptible de se lier physiquement et/ou chimiquement à
la charge blanche), des inhibiteurs de prévutcanisation. et ils peuvent permettre d'améliorer sensiblement, au besoin, la facilité de mise en #uvre des compositions à l'état cru. Pareils agents d'aide à la mise en #uvre consistent par exemple dans : des polyols ; des polyéthers (par exemple des polyéthylèneglycols) ; des amines primaires, secondaires ou tertiaires (par exemple des trialcanol-amines) ; des polydiméthylsiloxanes a,w-dihydroxylés. Un pareil agent d'aide à la mise en #uvre, quand on en utilise un, est employé à raison de 0,05 à 10 parties en poids, et de préférence 0,08 à 8 parties, pour 100 parties en poids d'élastomère(s).
TROISIEME OBJET DE L'INVENTION Un troisième objet de la présente invention concerne le procédé de préparation des compositions d'élastomère(s) comprenant une charge blanche renforçante et une quantité efficace d'agent de couplage. Ce procédé peut se faire selon un mode opératoire classique en une ou deux étapes.
Selon le procédé en une étape, on introduit et malaxe dans un mélangeur interne usuel, par exemple de type BANBURY ou de type BRABENDER, tous les constituants nécessaires à l'exception généralement du (ou des) agent (s) de vulcanisation et éventuellement : du (ou des) accélérateurs de vulcanisation et/ou du (ou des) activateur(s) de vulcanisation. Le résultat de cette première étape de mélange est repris ensuite sur un mélangeur externe, généralement un mélangeur à cylindres, et on y ajoute alors le (ou les) agent (s) de vulcanisation et éventuellement : le (ou les) accélérateurs) de vulcanisation et/ou le (ou les) activateur(s) de vulcanisation.
Il peut être avantageux pour la préparation de certains articles de mettre en #uvre un procédé en deux étapes conduites toutes les deux dans un mélangeur interne. Dans la première étape, sont introduits et malaxés tous les constituants nécessaires à l'exception du (ou des) agent (s) devulcanisation et éventuellement : (ou des) accélérateur(s) de vulcanisation et/ou du (ou des) activateurs de vulcanisation. Le but de la seconde étape qui suit est essentiellement de faire subir au mélange un traitement thermique complémentaire. Le résultat de cette seconde étape est repris également ensuite sur un mélangeur externe pour y ajouter le (ou les) agent (s) de vulcanisation et éventuellement : le (ou les) accélérateurs) de vulcanisation, et/ou le (ou les) activateurs de vulcanisation.
La phase de travail en mélangeur interne est opérée généralement à une température allant de 80 C à 200 C, de préférence de 80 C à 180 C. Cette première phase de travail est suivie de la seconde phase de travail en mélangeur externe en
opérant à une température plus basse, généralement inférieure à 120 C et de préférence allant de 25 C à 70 C.
La vulcanisation (ou cuisson) est conduite de manière connue à une température allant généralement de 130 C à 200 C, pendant un temps suffisant qui peut varier par exemple entre 5 et 90 minutes en fonction notamment de la température de cuisson, du système de vulcanisation adopté et de la cinétique de vulcanisation de la composition considérée.
Il va de soi que la présente invention, prise dans son second objet, concerne les compositions d'élastomère(s) précédemment décrites tant à l'état cru (Le., avant cuisson) qu'à l'état cuit (i.e., après réticulation ou vulcanisation).
QUATRIEME OBJET DE L'INVENTION Un quatrième objet de la présente invention conceme les articles en élastomère(s) isoprénique (s) possédant un corps comprenant les compositions décrites ci-avant dans le cadre du second objet de l'invention. La présente invention est particulièrement utiles pour préparer des articles consistant par exemple dans des supports de moteurs, des semelles de chaussures, des galets de téléphérique, des joints d'appareillages électroménagers et des gaines de câbles.
EXEMPLE 1 Cet exemple illustre la préparation d'un agent de couplage ou composé A selon l'invention, comprenant un polymère POS/1 de type imide.
Ce composé A est préparé par mise en #uvre du procédé (d) qui a été expliqué ci- avant dans le présent mémoire, avec comme organosilane de départ de formule (X), l'acide N-[Y-propyl(méthyldiéthoxy)silaneJmaléamique.
1. Préparation du silane acide maléamique de départ : On opère dans un réacteur en verre de 2 litres, équipé d'un système d'agitation et d'une ampoule de coulée. Le y-aminopropylsilane de formule (C: H50hCH3Si(CH3NH2 (244,82 g, soit 1,28 moles) est coulé progressivement à la température de 20 C (température de la réaction maintenue à cette valeur par l'intermédiaire d'un bain d'eau
Un faisceau d'ouvertures est, dans cet exemple, un faisceau de lignes radiales, espacées de 0, 01 , de 2,5 micromètres de large et de 5 millimètres de long, sur un secteur angulaire de l 100 autour de la direction nominale et un diamètre extérieur de 50 millimètres. Il est similaire à ceux 42 de la figure 4A.
Un exemple d'un ensemble d'ouvertures destiné à réaliser les moyens de repérage comporte au moins une série de lignes radiales espacées de 0,01 degré, de 2,5 micromètres de large et de 30 micromètres de long, sur un secteur angulaire de l 10 et un diamètre extérieur de 80 millimètres. D'autres séries peuvent être prévues pour obtenir, par exemple, l'ensemble de graduations de la figure 4B ou de la figure 7. Les lignes radiales conduisant au faisceau de motifs et celles conduisant à tout ou partie des marques des moyens de repérage sont dans le prolongement les unes des autres.
L'étape suivante consiste à ouvrir le masque d'oxyde 51.2 sous les zones 52 délimitées par la lithographie pour mettre à nu le silicium en réalisant au niveau de chaque zone 52 une ouverture 53 dans l'oxyde 51.2. Cette étape peut se faire par exemple par une attaque par ions réactifs connue sous le sigle anglo-saxon de RIE pour Réactive Ion Etching. Sur la figure 5C, l'ouverture 53 est représentée après retrait de la résine.
On peut alors débuter la gravure anisotrope du silicium à travers les ouvertures 53. On peut utiliser comme solution d'attaque, par exemple, du triméthyl amonium hydroxyde (TMAH) aux alentours de 800C pendant environ 30 minutes. Sur la figure 5D, on remarque qu'un motif 54 gravé, à profil en V apparaît en s'étendant sur tout ou partie de la surface du motif sous le masque 51.2. Les côtés du V correspondent, dans cet exemple, à des plans orientés du silicium. Pour certaines épaisseurs du film de silicium 50.2 le profil en V peut être tronqué. Le masque d'oxyde 51.2 peut ensuite être ôté, si nécessaire.
Dans l'exemple décrit, on remarque à la figure 5E que le support de silicium 50.1 porte une marque gravée 57 sur sa face arrière. Cette marque 57 est une partie des moyens de repérage auxiliaires. Cette marque 57 est en correspondance avec le motif 53 gravé sur le film de silicium 50.2. De tels moyens de repérage auxiliaires peuvent être réalisés par au moins une des techniques suivantes, une gravure chimique anisotrope, une gravure chimique isotrope, une gravure optique par exemple par laser, une gravure ionique, une gravure mécanique par exemple par indentation ou par tout moyen de marquage. Vu de dessus, les moyens de repérage apparaîtraient, par exemple, comme sur la figure 7. Ces techniques pourraient être utilisées pour réaliser des moyens de repérage sur la face portant les motifs gravés.
Les mêmes étapes peuvent être menées sur une plaquette de silicium. On se réfère aux figures 6A à 6D en relation avec les figures 4. On part d'une plaquette
de silicium d'environ 10 centimètres de diamètre et d'environ 520 micromètres d'épaisseur. Le silicium est référencé 60 sur les figures. Un film d'oxyde de silicium 61 est réalisé sur la surface à graver du silicium 60. Il sert de masque de gravure. Une étape de lithographie optique, à l'aide d'une résine 69 déposée sur la couche d'oxyde 61 (figure 6A) va permettre d'ouvrir le masque 60. On révèle dans la résine 69 des zones 65 correspondant aux ouvertures que devra posséder le masque 61. Sur la figure 6B une seule zone 65 est visible, elle correspond par exemple à une des ouvertures du faisceau d'ouvertures ou à d'autres types d'ouvertures comme décrit précédemment.
On ouvre aussi le masque d'oxyde en créant une ouverture 66 (figure 6C). On réalise alors la gravure anisotrope qui conduit à la formation d'un motif gravé 67, qui peut avoir un profil en V et qui peut s'étendre sous le masque 61 sur tout ou partie de la surface du motif (figure 6D). Le masque d'oxyde 61 peut ensuite être ôté, si nécessaire.
Lors de la gravure, un axe de symétrie apparaît pour au moins une partie du faisceau de motifs gravés, aux environs d'un des motifs gravés. Ce motif gravé (référencé b'sur la figure 3B) permet alors de révéler au mieux la direction cristalline à déterminer. La précision de la révélation dépend du pas du faisceau d'ouvertures.
Le motif gravé est approximativement un axe de symétrie pour tout le faisceau de motifs s'il se trouve dans la partie centrale du faisceau de motifs. Cela signifie que le faisceau d'ouvertures du masque
possédait une ouverture centrale orientée sensiblement selon la direction cristalline à déterminer.
Dans cet exemple, il s'agit de la direction cristalline . A cette direction correspond une graduation des moyens de repérage, c'est celle qui est alignée avec le motif gravé indiquant au mieux l'axe de symétrie. Cette graduation matérialise au mieux la direction cristalline.
On peut ensuite, si on dispose d'un repérage similaire dans une autre plaquette de silicium par exemple une plaquette massive de silicium de type P, orientée , dont la résistivité est de 14-22 Ohm/cm, assembler les deux plaquettes en alignant en rotation les deux directions cristallines repérées. Cet alignement peut se faire par exemple par infrarouge et l'assemblage par exemple par adhésion moléculaire.
La figure 7 illustre partiellement vue de dessus et par transmission infrarouge une structure faite de deux plaquettes empilées. On a mis en coïncidence relative des ensembles de graduations 70, 71 des deux plaquettes empilées. Les flèches qui sont se font face indiquent les directions cristallines que l'on veut aligner et qui ont été repérées par le procédé objet de l'invention.
Avantageusement, à l'aide des séries de graduations qui jouent alors le rôle d'un vernier, il est également possible d'introduire un angle de décalage, de valeur contrôlée, entre les deux directions cristallines ainsi repérées. La précision du
décalage peut atteindre 0, 01 avec les moyens de repérage décrits précédemment.
TRANSISTOR MOS VERTICAL À GRILLE ENTERRÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un transistor MOS (Métal-Oxyde Semiconducteur) vertical et un procédé de fabrication de celui-ci.
Elle trouve des applications en micro- électronique pour la fabrication de divers dispositifs comme par exemple les inverseurs numériques qui utilisent des transistors complémentaires l'un de l'autre.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE On connaît déja un grand nombre de transistors MOS latéraux (encore appelés transistors MOS plans ).
On connaît en particulier un transistor MOS latéral à puits quantique ( quantum well latéral MOS transistor ), ayant une structure de type pseudo-SOI, par le document suivant auquel on se reportera Demande internationale PCT/FR97/01075 du 13 juin 1997, Transistor MOS à puits quantique et procédés de fabrication de ce transistor , numéro de publication internationale W097/48135, invention de Simon Deleonibus, correspondant à la demande de brevet américain déposée le 12 février 1998, dont le numéro de série est 09/011,626. La figure 1 est une vue en coupe transversale schématique d'un transistor MOS vertical connu.
Ce transistor MOS vertical est formé sur un substrat semiconducteur 2 et comprend une source en matériau semiconducteur, formée sur le substrat 2 un drain semiconducteur 6, disposé au-dessus de la source 4 et de type de dopage identique à celui de cette derniere, et un canal semiconducteur 8 compris entre la source et le drain et de type de dopage opposé à celui de la source.
Le transistor de la figure 1 comprend aussi une grille électriquement conductrice, composée de deux zones 10 et 12 qui encadrent l'ensemble formé le drain 6 et le canal 8.
Ce transistor comprend en outre un isolant de grille qui est composé de deux couches minces électriquement isolantes 14 et 16 séparant respectivement les zones de grille 10 et 12 du drain 6 et du canal 8 et se prolongeant , sensiblement a angle droit à la surface de la source 4, en isolant ainsi cette dernière des zones de grille 10 et 12.
Le transistor MOS vertical de la figure 1 présente un inconvénient.
En effet, la capacité parasite ( stray capacitance ) entre la grille et la source de ce transistor est trop grande. Cela résulte du fait que cette capacité est inversement proportionnelle à l'épaisseur T de l'isolant de grille. Or, entre la grille et le canal du transistor, on a besoin d'un isolant de faible épaisseur car on souhaite qu'un courant électrique élevé puisse circuler dans canal et l'on peut montrer que ce courant est une fonction décroissante de l'épaisseur T.
I1 convient aussi de noter que la capacité entre grille et le drain du transistor de figure 1 est minimisée par la présence de l'isolant de grille (compose des deux couches 14 et 16).
Ce transistor MOS vertical connu présente un autre inconvénient : la distance entre la lle et le drain du transistor de la figure 1 ne peut être rendue inférieure à une distance minimale, fixée par la tolérance d'alignement des machines d'insolation que l'on utilise pour la fabrication des transistors verticaux de ce genre.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour et un transistor MOS vertical ainsi qu'un procédé de fabrication de ce transistor, qui permettent de remédier aux inconvénients précédents.
De façon précise, la présente invention a tout d'abord pour objet un transistor de type MOS vertical comprenant - un substrat semiconducteur, - une source en matériau semiconducteur, formée dans ou sur ce substrat, - un canal formé au-dessus de la source et fait d'un matériau semiconducteur ayant un type de dopage opposé à celui de la source, - un drain formé âu-dessus du canal et fait d'un matériau semiconducteur ayant un type de dopage identique à celui de la source, et - une grille formée de part d'autre du canal et du drain et électriquement isolée de la source, du canal et du drain, transistor étant caractérisé en ce qu' comprend en outre - un ensemble électriquement isolant formé -dessus le drain, cet ensemble électriquement isolant comprenant, de part et d'autre du drain, des zones électriquement isolantes appelées espaceurs , et - des cavités qui s'étendent sous l'ensemble électriquement isolant, de part et d'autre du canal, la grille étant formée de part et d'autre de cet ensemble électriquement isolant, des portions de la grille se trouvant dans les cavités.
Selon un mode de réalisation avantageux du transistor objet de l'invention, des couches électriquement isolantes qui s'étendent au moins entre le canal et ces portions de la grille.
Du fait des portions de la grille qui se trouvent dans ces cavités, on peut considérer que ce transistor de type MOS vertical possède une grille enterrée.
Selon un mode de réalisation préféré du transistor objet de l'invention, la grille est faite d'un matériau métallique.
L'amplification par PCR en temps réel mise en oeuvre aux étapes (d) et (e) de la méthode de l'invention est technique récente qui permet la quantification rapide et précise d'ADN ou d'ADNc (Heid et al., 1996, Génome Res., vol. 6, pages 986-94 ; Gibson et al., 1996, Génome Res., vol. 6, pages 995-1001). Dans cette technique, réactions amplification par PCR sont réalisées en présence d'une sonde conjuguée à ses extrémités 5' et 3', respectivement, avec un colorant fluorescent reporteur et un composé de réduction d'intensité de fluorescence. Avantageusement, le colorant fluorescent reporteur et le composé de réduction d'intensité de fluorescence aux extrémités de la sonde sont respectivement la 6-carboxy-fluorescéine (FAM) et la 6- carboxy-tétraméthylrhodamine (TAMRA). La sonde utilisée est spécifique d'une séquence présente aussi bien dans les produits d'amplification des étapes (d) et (e). Ainsi, la séquence de la sonde est choisie pour être complémentaire d'une région amplifiée aux étapes (d) et (e) qui comprend pas la mutation.
Au cours des réactions de PCR des étapes (d) et (e) de la méthode objet de l'invention, produits d'amplification s'accumulent et se lient avec la sonde. L'activité 5'-3' exonucléase de la polymérase dégrade la sonde fluorogénique et sépare le composé de réduction d''intensité de fluorescence et le colorant fluorescent ce entraîne l'émission d'un signal fluorescent. La fluorescence émise est mesurée en continu et le nombre de cycles d'amplification nécessaires pour que la fluorescence dépasse un seuil donné (cycle seuil ou Cs) est déterminé aux étapes (d) et (e) de la méthode de l'invention.
La quantification du nombre total de séquences d'acide nucléique virales (portant ou non la mutation) dans l'échantillon de l'étape (d) et celle du nombre de séquences d'acide nucléique mutées présentes dans l'échantillon de l'étape (e) sont réalisées en comparant le Cs avec une courbe étalon de Cs obtenue avec des dilutions du standard soumis à des amplifications dans les conditions des étapes (d) et (e).
La méthode selon l'invention est fondée sur la capacité d'amplifier de façon préférentielle des séquences comportant une mutation spécifique. Ainsi, à l'étape (e) de la méthode de l'invention, il est nécessaire d'utiliser une paire d'amorces dont l'une est complémentaire de séquence présentant la mutation et présente donc un mésappariement avec la séquence non mutée. Tous les mésappariements n'étant pas équivalents, ce mésappariement pourrait ne pas empêcher une amplification de la séquence non mutée (sauvage), ce qui pourrait entraîner des signaux non-spécifiques.
Les inventeurs ont étudié ce phénomène dans le cadre de l'invention, et ont comparé plusieurs amorces sens couplées avec la même amorce antisens. Comme déj' décrit, l' onction d'un ou plusieurs mésappariements additionnels proches de l'extrémité 3' de l'amorce "liore considérablement la discrimination (Anderson et al., 1994, Antiviral Res., vol. 25, pages 245-58 ; Larder et a1., 1991, AIDS, vol. 5, pages 137-44 ; De Milito et a1., 5, Mol. Biotechnol., vol. 3, pages 166-9 ; Cha et al., 1992, PCR Methods Appl., vol. 2, pages 14-20).
Afin de limiter le risque de signaux non- spécifiques, et donc pour réaliser une ampl' ication sélective de la séquence mutée, la méthode de l'invention comprend à l'étape (e) la mise en #uvre d'une amorce sens spécifique de la séquence mutée présentant au moins un ou deux mésappariemments supplémentaires autre que la mutation étudiée.
Les inventeurs ont obtenu une discrimination optimale, sans réduire l'efficacité d'amplification des séquences mutées, en utilisant à l'étape (e) une amorce sens spécifique de la séquence mutée présentant un mésappariement moyennement déstabilisant, autre que la mutation, en position -2 par rapport à l'extrémité 3 de l'amorce sens. La notion de mésappariement moyennement déstabilisant a été décrite par Huang et al. (1992, Nucleic Acids Res., vol. 20, pages 4567-73) et par Kwok et a1. (1990, Nucleic Acids Res., vol. 18, pages 999-1005).
Les séquences portant ou la mutation à étudier peuvent présenter une certaine variabilité génétique, par exemple présence d'autres mutations ou polymorphisme. Les inventeurs ont donc identifié les conditions des PCR en temps réel des étapes (d) et (e) à . utiliser pour que la quantification des séquences présentant une mutation ne soit pas faussée par un éventuel polymorphisme dans le milieu et l'extrémité 5' des amorces. Ainsi, selon la méthode de l'invention, les PCR en temps réel des étapes (d) et (e) sont réalisées en présence de 3 à 5 mM de MgC12, avec plus de 100 mM de chacun des dNTP, avantageusement 200 mM de chacun des dNTP et à une température équivalente aux Tm des amorces utilisées.
Dans un mode préféré de réalisation de la méthode de 'invention, un contrôle supplémentaire permettant de déterminer la limite de sensibilité de la méthode est utilisé. Ce contrôle correspond à un standard identique à celui préparé à l'étape (c) mais ne présentant pas la mutation à étudier. Ce contrôle est amplifié par PCR en temps réel selon les conditions de PCR des étapes (d) et (e) de méthode.
Les travaux réalisés dans le cadre de la présente invention ont concerné tout particulièrement l'application de la méthode selon l'invention à la détection et/ou la quantification de variants minoritaires du VIH portant au moins une mutation de résistance au sein d'une population virale hétérogène contenue dans un échantillon biologique. De façon avantageuse, la méthode de l'invention permet de détecter et/ou de quantifier des variants minoritaires du VIH portant au moins une mutation de résistance dans la séquence de la protéase au sein d'une population virale hétérogène contenue dans un échantillon biologique. Plus précisément, la méthode de l'invention permet de détecter et/ou de quantifier des variants minoritaires du VIH portant la mutation de résistance V82A ou L90M dans la séquence de la protéase au sein d'une population virale hétérogène contenue dans échantillon biologique.
L'invention se rapporte donc tout spécialement à la méthode décrite précédemment appliquée à la détection et/ou la quantification des variants minoritaires du VIH portant l'une moins des mutations de résistance V82A ou L90M dans séquence de la protéase, au sein d'une population virale hétérogène contenue dans un échantillon biologique.
forme de mise en aeuvre préférée de cette application de méthode de l'invention est caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes suivantes: a) l'extraction des ARN contenus dans l'échantillon biologique, b) l'amplification par RT PCR des ARN de l'étape (a) avec une paire d'amorces encadrant une séquence d'acide nucléique virale susceptible de porter la mutation V82A ou L90M, cette paire d'amorces étant SEQ ID No.1 et SEQ ID No.2 dans la liste de séquences en annexe, c) la préparation d'un standard par amplification par PCR avec la même paire d'amorces qu'à l'étape (b) d'une séquence d'acide nucléique portant la mutation V82A ou L90M, d) l'amplification par PCR en temps réel des produits d'amplification de l'étape (b) et du standard de l'étape (c) avec une paire d'amorces hautement conservées ne discriminant pas les séquences portant ou non la mutation V82A ou L90M " cette paire d'amorces étant SEQ ID No.3 et SEQ ID No.4 dans la liste de séquences en annexe, et quantification du nombre de séquences d'acide nucléique virales portant ou non la mutation V82A ou L90M présentes dans l'échantillon, e) l'amplification PCR en temps réel des produits d'amplification de l'étape (b) et du standard de l'étape (c) avec une paire d amorces spécifiques d'une séquence portant la mutation V82A ou L90M, et quantification du nombre de séquences d'acide nucléique virales portant la mutation V82A ou L90M présentes dans l'échantillon, f) la comparaison quantifications des étapes (d) et (e) pour déterminer la proportion de virus portant la mutation V82A ou L90M, dans l'échantillon.
L'étape (e) de méthode pour détecter et/ou quantifier des variants minoritaires du VIH portant la mutation de résistance V82A dans la séquence de la protéase au sein d'une population virale hétérogène contenue dans un échantillon biologique est avantageusement réalisée avec la paire d'amorces référencées comme ID No.4 et SEQ ID No.6 dans la liste des séquences en annexe.