INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le groupement COX dans la formule (IV) est de préférence le groupe acide carboxylique ou un dérivé activé de l'acide carboxylique. X, par exemple est hydroxyle ou halogène, en
particulier, chlore ou brome, alkoxy, de préférence méthoxy ou éthoxy, aryloxy, par exemple phénoxy, pentafluorophényloxy, phénylthio, méthylthio, 2-pyridylthio ou un hétérocycle azoté lié via un atome d'hydrogène, en particulier un azote tel que par exemple 1-imidazolyle. X peut être également par exemple (Cl-C4) -alkyle-0-CO-0- ou tolylsulfonyloxy et le dérivé d'acide activé peut être un anhydride mixte.
Si X est un hydroxyle, donc si la guanidine de formule (Ri-NH2) réagit avec un acide carboxylique de formule (IV) ou (V), alors l'acide carboxylique est d'abord activé.
L'activation peut être effectuée par exemple avec le dicyclohexylcarbodiimide (DCCI) ou avec le O-((cyano (éthoxycarbonyl)-méthylène)amino)-1,1,3,3-tétraméthyluronium tétrafluoroborate (TOTU ; Kônig et al, Proc. 21st Europ.
Peptide Symp. 1990 (Eds Giralt, Andreu), Escom, Leiden 1991, p. 243) ou d'autres agents activants courants en synthèse peptidique.
Outre les guanidines libres de formule (R'1-NH2), les sels de guanidine peuvent également être mis en oeuvre dans la réaction avec les composés de formules (IV) ou (V), les guanidines libres étant formés insitu ou par une étape séparée au moyen d'une base.
La réaction d'un dérivé activé d'acide carboxylique de formule (IV) avec la guanidine (ou dérivé) de formule (R'1NH2) est de préférence effectuée d'une manière connue en soi dans un solvant organique protique ou aprotique, mais inerte.
Dans ce cas on utilise des solvants tels que le méthanol, l'isopropanol, le tert-butanol, le diméthylformamide, le dichlorométhane ou le tétrahydrofurane à des températures allant de 0 C à la température de reflux de ces solvants, notamment lors de la réaction des esters méthyliques ou éthyliques (X est un méthoxy ou un éthoxy) avec les guanidines.
Les réactions des composés de type COX avec les guanidines libres sont avantageusement mises en oeuvre dans un solvant aprotique inerte tel que le diméthylformamide, le dichlorométhane, le tétrahydrofurane, le diméthoxyéthane, ou
En effet, lorsque la distance So (la distance entre la saillie DP de couche SOI et l'inductance en spirale SI) augmente, la capacité pa rasite entre la saillie DP et l'inductance en spirale SI diminue et la dissi pation d'énergie induite de façon électrostatique est réduite. En outre, on peut réduire la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique en diminuant des angles de perspective qui sont définis lorsqu'on ob serve l'inductance en spirale SI à partir des saillies DP.
On va maintenant présenter une description plus détaillée de la réduction de la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique, en se référant aux figures 5 à 7. La figure 5 montre un angle de perspec tive 81 qui est formé lorsque l'inductance en spirale SI est observée à parti de l'une des saillies DP. L'angle de perspective est défini comme un angle formé par les centres de deux surfaces d'extrémité opposées de l'inductance en spirale SI avec pour sommet un point sur la saillie DP.
Les figures 6 et 7 illustrent schématiquement la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique qui est due à l'inductance en spirale SI. La figure 6 montre le cas pour un angle de perspective 81 relativement petit; et la figure 7 montre le cas pour un angle de perspec tive relativement grand, et dans un cas comme dans l'autre le sens de circulation du courant dans les deux côtés opposés de l'inductance en spirale SI est indiqué par des symboles.
Sur les côtés droit et gauche de l'inductance en spirale SI, les sens du courant circulant à un certain instant sont diamétralement oppo sés l'un à l'autre, et des champs magnétiques induits par de telles circu lations de courant sur ces côtés sont dirigés différemment. Lorsque l'an- gle de perspective 91 est relativement petit, comme représenté sur la fi gure 6, champs magnétiques MG1 et MG2 au niveau de la saillie DP, qui sont respectivement établis par les côtés gauche et droit de l'induc tance en spirale SI, sont dirigés de façon presque opposée et s'annulent mutuellement, ce qui réduit la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique. Cet effet devient plus notable lorsque l'angle de perspective 91 diminue, c'est-à-dire lorsque la distance horizontale So entre la surface d'extrémité d'une saillie DP et une surface d'extrémité correspondante de l'inductance en spirale SI augmente. Au contraire, des angles perspective 91 plus grands augmentent la dissipation d'énergie induite façon électromagnétique. Un cas extrême est représenté sur la figure 7.
Sur la figure 7, la surface d'extrémité d'une saillie est à une certaine distance d'une surface d'extrémité correspondante l'induc tance en spirale SI, mais leurs positions relatives dans la direction avant- arrière sont différentes de celles de la figure 6 dans la mesure ' l'angle de perspective 81 est grand. Par conséquent, les champs magnétiques MG1 et à la saillie DP, qui sont respectivement établis par les côtés gauche droit de l'inductance en spirale SI, sont orientés presque dans la même direction et se renforcent mutuellement, ce qui augmente la dis sipation d'énergie induite de façon électromagnétique. On décrira ulté rieurement dans un quatrième mode de réalisation préféré comment ré duire ici la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique.
. Effets Comme on l'a décrit, en fixant les distances horizontales SC) entre les surfaces d'extrémité des saillies DP de la couche SOI et des surfaces d'extrémité correspondantes de l'inductance en spirale SI de façon qu'elles ne soient pas inférieures à la distance Do entre la surface inférieure l'inductance en spirale SI et la surface principale supérieure du substrat en silicium 1, il est possible de réduire la dissipation d'éner gie induite de façon électromagnétique au niveau des saillies DP, ainsi que la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique.
augmentation de la dissipation d'énergie induite de façon électrostatique et de la dissipation d'énergie induite de façon électroma gnétique réduira le facteur Q (le facteur obtenu en divisant l'énergie em- magasinée dans l'inductance par divers types de dissipation) repré sente les performances de l'inductance. Ainsi, le fait de réduire dissi pation d'énergie induite de façon électrostatique et la dissipation d'éner- gie induite de façon électromagnétique contribuera à une augmentation du facteur Q, c'est-à-dire une amélioration des performances, entraînant une augmentation du rendement des circuits et une réduction du facteur de bruit. Dans un exemple, la distance So et la distance Do sont respec tivement d'environ 8 pm et 4 pm. II est difficile de changer notablement la distance Do, qui est déterminée par la structure de base du dispositif à semiconducteur, mais on peut changer aisément la distance chan geant la configuration de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19. En outre, du fait qu'un côté de l'inductance en spirale SI a grande dimension (environ 100 à 200 pm), l'aire complète du dispositif à semi conducteur ne serait pas très fortement augmentée, même si la distance Sp était quelque peu augmentée.
Lorsque la distance So est de 8 pm, comme décrit ci-dessus, et l'inductance en spirale SI a une dimension de 200 pm, par exemple, l'aire du dispositif à semiconducteur sera augméntée seulement d'environ 1,2 fois par rapport à ce qu'elle est lorsque la distance So est égale à 0, c'est-à-dire lorsque l'inductance en spirale SI et la pellicul d'oxyde 'isolation par tranchée 19 ont approximativement la même aire. A-3. Première Modification Le dispositif à semiconducteur 100 envisagé ci-dessus est construit de façon que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19, ' est une pellicule d'oxyde d'isolation complète incluant partie la structure d'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, soit formée dans étendue de la surface de la couche SOI 3 plus grande que celle cor respondant à l'étendue de l'inductance en spirale SI. Cette pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 peut être remplacée par une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20, qui est une pellicule d'oxyde d'isola tion complète, comme illustré dans un dispositif à semiconducteur 100A de la figure 8. Dans cette structure, la pellicule d'oxyde d'isolation par tran chée 20 a une largeur prédéterminée et s'étend de façon approximative- ment perpendiculaire à la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 2. La pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20 est formée de façon que la distance horizontale entre chaque surface d'extrémité de la pellicule d'oxyde d'isolation tranchée 20 (c'est-à-dire la surface d'extrémité de la couche SOI 3) une surface d'extrémité correspondante de l'induc tance en spirale SI soit égale à une distance S2.
Sur la figure 8, le rapport de forme n'est pas correct et il en est de même pour le rapport entre la distance S2 et la taille de l'inductance en spirale SI. Pour mettre en évidence la distance S2, celle-ci est repré sentée à plus grande échelle que l'inductance en spirale SI.
En fixant distance S2 de façon qu'elle ne soit pas inférieure à la distance Do (S2 _ Do), le dispositif à semiconducteur 100A, comme le dispositif à semiconducteur 100, peut réduire la dissipation d'énergie in duite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique dans les parties de bord de la couche SOI 3.
Dans le dispositif à semiconducteur 100A, la pellicule de sili ciure 51 est formée sur la surface principale de la couche SOI 3 autour de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 20, comme dans le dispo sitif à semiconducteur 100. La pellicule de siliciure 51 est formée par exemple en déposant une pellicule de métal, comme du cobalt ou du ti tane, sur la couche I 3, et en provoquant ensuite la transformation de la pellicule de métal siliciure, par la réaction de formation de siliciure. La pellicule de siliciure 51 a une résistance de valeur inférieure à celle de la couche SOI et par conséquent un courant peut circuler aisément vers la masse à travers la couche SOI 3. Ceci réduit davantage la dissi pation d'énergie induite de façon électrostatique, ce qui contribue à amé liorer le facteur Q. A-2. Seconde modification Bien les dispositifs à semiconducteur 100 et 100A envisa- 30 gés ci-dessus soient tous deux formés sur des substrats SOI, SB, il faut noter que l'application de la présente invention n'est pas limitée au substrat S01. En fait, la présente invention est applicable par exemple à des substrats en silicium correspondant à ce qu'on appelle le substrat massif. Plus précisément, comme illustré dans un dispositif à semicon- ducteur 100B de la figure 9, une pellicule d'oxyde d'isolation par tran chée 20A peut être formée dans une étendue de la surface d'un substrat en silicium 10 plus grande que celle .correspondant à l'étendue de l'in ductance en spirale SI. Dans cette structure, la pellicule d'oxyde d'isolation par tran chée 20A d'une largeur prédéterminée est formée de façon presque per pendiculaire dans le substrat de silicium 10. La pellicule d'oxyde d'isola tion par tranchée 20A est formée de façon qu'une distance horizontale entre chaque surface d'extrémité de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée (c'est-à-dire la surface d'extrémité du substrat en silicium 10) et surface d'extrémité correspondante de l'inductance en spirale SI, soit égale à la distance S2.
fixant la distance S2 de façon qu'elle ne soit pas inférieure à la distance (S2 >_ Do), le dispositif à semiconducteur 100B, comme le dispositif à semiconducteur 100A, peut réduire la dissipation d'énergie induite façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de fa çon électromagnétique dans les parties de bord du substrat en silicium 10. Second Mode de Réalisation Préféré 1. Structure du Dispositif Dans les structures du premier mode de réalisation préféré en- visage ci-dessus, la configuration de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée, i est formée dans la surface du substrat semiconducteur sous l'inductance en spirale, a été conçue de façon à réduire la dissipa tion d'énergi induite de façon électrostatique et la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique dans le substrat semiconducteur au voisinage de l'interface entre le substrat semiconducteur et la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. II faut cependant noter que l'application de la présente invention n'est pas limitée à la configuration de la pelli cule d'oxyde d'isolation par tranchée. En fait, la présente invention également applicable à la configuration de diverses couches conductri- ces, telles des couches d'interconnexion. figure 10 montre la structure d'un dispositif à semiconduc teur 200 à titre de second mode de réalisation préféré du dispositif à se miconducteur conforme à la présente invention. Pour simplifier, seules l'inductance en spirale SI et la structure située au-dessous sont représentées sur la figure. Le dispositif à semi conducteur est à tous autres égards identique au dispositif à semi- conducteur représenté sur la figure 1. Les mêmes numéros de réfé rence que sur figure 1 désignent des éléments semblables ou corres pondants, et i ne sont pas mentionnés ici pour éviter une redite.
Le ispositif à semiconducteur 200 de la figure 10 est similaire au dispositif ' semiconducteur 100 illustré sur la figure 3 par le fait que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19 est formée dans la surface de la couche SOI 3, mais il en diffère par le fait qu'une couche d'inter connexion WL1 est formée dans une pellicule isolante inter-couche (non représentée) au-dessus de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée 19. La couche d'interconnexion WL1 est formée de façon qu'une distance horizontale entre chaque surface d'extrémité de la couche d'in terconnexion WL1 et la surface d'extrémité la plus proche de l'inductance en spirale SI soit égale à la distance Sl.
Sur la figure 10, le rapport de forme n'est pas correct et il en est de même pour le rapport entre la distance SC) et la tai le de l'induc tance en spirale SI. Pour mettre en évidence la distance , celle-ci est représentée à plus grande échelle que l'inductance en spiral SI.
En fixant la distance S, de façon qu'elle ne soit pas inférieure à la distance Do (S, >_ Do), la capacité parasite entre la couche d'intercon nexion WL1 et l'inductance en spirale SI est réduite, et de ce fait la dis sipation d'énergie induite de façon électrostatique est réduite. En outre, la dissipation d'énergie induite de façon électromagnétique peut être ré duite en diminuant les angles de perspective qui sont définis lorsque l'in ductance en spirale SI est observée à partir des parties de bord de la couche d'interconnexion WL1.
La couche d'interconnexion WL1 peut être une couche d'inter connexion en métal ou en silicium polycristallin, à condition qu'elle soit une couche conductrice. Elle peut également être une couche conduc trice, telle 'un motif fictif de conducteurs métalliques, qui est formée à l'installation ces conducteurs métalliques. Un tel motif fictif est formé pour éviter que les conducteurs métalliques soient trop espacés, afin 'améliorer ainsi la planéité lorsque la pellicule isolante inter-couche lanie par un traitement de polissage chimio-mécanique dans structure dans laquelle les conducteurs métalliques sont recouverts par la pellicule isolante inter-couche.
Dans ce processus de détection et de décodage, le processus d'égalisation utilisé est un égaliseur à maximum de vraisemblance, à entrées et sorties pondérées, désigné par SISO MLSE, tandis que le processus de décodage convolutif mis en #uvre est basé sur un processus de Viterbi à entrées et sorties pondérées, désigné par SOVA.
Le processus de décodage SOVA a fait l'objet d'une publication intitulée "A Low Complexity Soft Output Viterbi Decoder Architecture", ICC'93, pp. 733 à 740, Genève, Suisse, Mai 1993.
Le processus de détection et de décodage précité a, depuis, fait l'objet de développements extensifs, lesquels ont conduit à la mise en #uvre de détecteurs optimaux à Maximum de Probabilité a posteriori (MAP). Pour une description plus détaillée de ces types de détecteurs optimaux, on pourra utilement se reporter aux articles intitulés : "Optimal Decoding of Linear Codes for Minimizing Symbol Error Rate", publié par L. R. BAHL, J. COCKE, F. JELINEK, J. RAVIV, édité par IEEE Transactions on
Information Theory, vol. IT-20, pp. 284-287, Mars 1994 ; "Iterative Equalization and Decoding in Mobile Communications Systems", publié par G. BAUCH, H. KHORRAM, J. HAGENAUER dans Proc. EPMCC'97, pp.307- 312, Bonn, Allemagne, Septembre 1997.
Alors que le processus de turbo-détection précité annule effectivement l'Interférence Entre Symboles (IES), introduite par l'effet de transmission du canal sous les hypothèses d'une estimation parfaite des coefficients du canal et d'une profondeur d'entrelacement suffisante des symboles, une dégradation irréversible du taux d'erreur binaire de 2,5 à 3 dB apparaît toutefois dans le cas d'une estimation initiale bruitée des coefficients du canal de transmission. Confer l'article intitulé "A Comparison of Soft-In-Soft-Out Algorithms for Turbo-Detection", publié par G. BAUCH, V. FRANZ, International Conference on Télécommunications (ICT), vol.2, pp. 259 à 263, Portos Caras, Grèce, Juin 1998.
Enfin, un nouveau procédé de mise en #uvre itérative des opérations de détection de symboles et de décodage de canal, appelé processus de turbo-égalisation, substantiellement différent du processus de turbodétection précité, a été proposé dès 1997. Confer l'article intitulé "Turbo-Equalization over Frequency Selective Channel" - International Symposium on TurboCodes, Brest, France, Septembre 1997.
De manière générale, on indique que le processus de turbo- égalisation précité suppose, par essence, une estimation bruitée du canal de transmission. Bien que ce processus de turbo-égalisation apparaisse prometteur dans le cas de
modulations à grande efficacité spectrale, il semble toutefois introduire des dégradations en performances, dépendant fortement du type de processus d'égalisation employé pour la première itération, vis-à-vis du processus de turbo-détection avec estimation bruitée. Confer en particulier l'article intitulé "Joint Equalization and Decoding: Why Choose the Iterative Solution ?", publié par A. ROUMY, I. FIGALKOW, D. PIREZ, IEEE VTC'1999 Fall, Amsterdam, Netherlands, Septembre 1999.
La présente invention a pour objet de remédier aux inconvénients et aux limitations des processus de turbodétection de l'art antérieur par la mise en #uvre d'un procédé et d'un système de détection et de décodage dans lesquels le processus d'égalisation et de décodage est soumis à un processus itératif consistant en un échange d'information a priori, d'une part, sur les bits des symboles pour l'égaliseur en provenance du décodeur, et, d'autre part, sur les bits codés pour le décodeur en provenance de l'égaliseur et où, en outre, une réestimation itérative des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal est effectuée, en fonction des informations délivrées par ce processus itératif d'égalisation et de décodage.
Un autre objet de la présente invention est en conséquence la mise en #uvre d'un procédé et d'un système de détection et de décodage itératif susceptible de mettre en #uvre des processus d'égalisation sous-optimaux distincts, tels que le processus DDFSE ou GSOVA (Generalized Soft Output Viterbi Algorithm)..
Un autre objet de la présente invention est également la mise en #uvre d'un procédé et d'un système de
détection et de décodage itératif susceptible de mettre en #uvre des processus de réestimation des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal par un processus itératif optimal ou par un processus sous-optimal de type bootstrap, (bouclage de réestimation linéaire).
Le procédé et le système de détection et de décodage itératif de symboles codés et entrelacés transmis sur un canal de transmission, objets de la présente invention, ces symboles étant transmis à partir d'une séquence de symboles binaires, chaque séquence de symboles reçus comportant au moins, outre les symboles de données, de garde et de queue, des symboles d'apprentissage spécifiques, sont remarquables en ce que ce procédé consiste à et ce dispositif permet de, préalablement à tout itération, effectuer une estimation linéaire initiale des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission à partir des symboles d'apprentissage spécifiques transmis, puis par itération, soumettre le processus d'égalisation et de décodage à un processus itératif d'échange d'information a priori, d'une part, sur les bits de symboles pour le processus d'égalisation en provenance du processus de décodage et, d'autre part, sur les bits codés pour le processus de décodage, en provenance du processus d'égalisation, effectuer une réestimation itérative actualisée des coefficients de la réponse impulsionnelle du canal de transmission, en fonction des informations délivrées par le processus itératif d'égalisation et de décodage.
Les étapes réalisées par itération sont répétées à l'itération suivante.
Le procédé et le système objets de la présente invention trouvent application à la réception en téléphonie mobile, lorsque la moduation du canal est une modulation de type GMSK ou M-aire, en particulier aux systèmes GSM et EDGE pour Enhanced Data Rates for GSM Evolution.
Ils seront mieux compris à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après dans lesquels, outre les figures la à ld relatives à des éléments connus de l'art antérieur : - la figure 2a représente, à titre illustratif, un organigramme général des étapes permettant la mise en #uvre du procédé objet de la présente invention ; - la figure 2b représente, à titre illustratif, un organigramme spécifique de mise en #uvre d'un processus d'échange d'information a priori entre processus d'égalisation et de décodage, et réciproquement ; - la figure 2c représente, à titre illustratif, un organigramme spécifique de mise en #uvre du procédé objet de la présente invention dans un mode de réalisation particulier dans lequel le processus d'égalisation utilisé est un processus de type DDFSE couplé à une réestimation de type bootstrap ; - la figure 2d représente, à titre illustratif, une variante de mise en #uvre du procédé objet de la présente invention, tel qu'illustré en figure 2c, dans lequel une méthode de calcul de CEPSTRE est utilisée ; - la figure 2e représente, à titre illustratif, un organigramme spécifique de mise en #uvre d'un processus de réestimation actualisée des coefficients
La présente invention couvre aussi l'utilisation de ces compositions pour obtenir des effets dépigmentants et éclaircissants de la peau.
La présente invention est maintenant décrite en détail en explicitant effets recherchés et obtenus grâce au principe actif extrait.
Les différentes figures 1, 2 et 3 annexées regroupent les résultats obtenus pour les différents tests.
II PROCEDE D'EXTRACTION Le procédé d'extraction selon la présente invention comprend les étapes suivantes - décoction de poudre de plante entière de capucines dans l'eau à raison d'au moins 50 g/1, - séparation des phases soluble et insoluble, - concentration de la fraction active contenue dans la phase soluble, - filtration stérilisante.
De préférence, il est utilisé uniquement les parties florales de capucines. La séparation mise en oeuvre est une filtration, une centrifugation une décantation.
II/ CARACTERISATION DU PRINCIPE ACTIF Le principe actif ainsi obtenu est caractérisé par les paramètres analytiques suivants I Matière sèche Taux de matière sèche : compris entre 20 et 400 g/1 plus particulièrement entre 20 et 200 g/1 principalement entre 60 et 80 g/1. Ce taux est obtenu par passage à l'étuve à 105 C jusqu'à obtention d'un poids constant, 2/ pH La valeur du pH est comprise entre 4,0 et 10,0 plus particulièrement entre 4,0 et 8,0, notamment entre 5,0 et 6,0, obtenue par la méthode potentiométrique, à température ambiante.