INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'agencement de l'écran PG 101 de la figure 1 correspond par exemple à la coupe transversale prise sui- vaut la ligne X-X sur la figure 2. Chacune des régions SOI 21 est connectée électriquement à une ligne d'inter connexion prédéterminée (non représentée) par l'intermé diaire d'une partie de contact (non représentée) qui s'étend à travers le film isolant inter-couches 4 de la figure 1 jusqu'à l'un correspondant des films de siliciure 31 et est connectée à la masse par la ligne d'inter connexion.
A-2. Fonctionnement et effet Comme cela a été décrit précédemment, l'écran PG 1o1 possède une pluralité de structures à couches multiples comprenant chacune la région SOI 22 et le film de siliciure 31 et qui sont isolées électriquement les unes des autres par des films d'oxyde d'isolation 11 situés dans des sil lons. Les structures à couches multiples possèdent une valeur résistive relativement faible en raison de la pré sence des films de siliciure 31 pour réduire la dissipation de puissance induite par voie électrostatique. En outre, les films d'oxyde d'isolation 11 formés dans des sillons interrompent le trajet du courant de Foucault, ce qui évite l'apparition d'une dissipation de puissance induite par voie électromagnétique sous l'effet du courant de Foucault.
L'accroissement de la dissipation de puissance induite par voie électrostatique et de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique réduit un fac teur Q (énergie stockée dans l'inductance, divisée par dif férents types de dissipation de puissance) indiquant une performance de l'inductance. Par conséquent la réduction de la dissipation de puissance induite par voie électrosta tique et de la dissipation de puissance induite par voie électromagnétique contribue à améliorer le facteur Q.
Les films d'oxyde d'isolation 11 disposés dans des sillons sont formés par exemple par structuration simultanée de la couche SOI 3 moyennant l'utilisation d'un masque de resist usuel lors de l'étape de formation des films d'oxyde d'isolation 12 placés dans des sillons, dans une région du dispositif dans laquelle les transistors MOS Q11, Q12 et analogues doivent être formés. Les films de siliciure 31 sont formés en même temps que les films de siliciure GS et SS des transistors MOS Q11 et Q12. Par conséquent aucune étape supplémentaire n'est requise pour former l'écran PG 101, et le procédé de fabrication n'est pas compliqué. En outre, étant donné que l'écran PG 101 est formé dans la couche SOI 3, aucune couche conductrice sup plémentaire n'est nécessaire pour former l'écran PG 101, et la structure du dispositif n'est pas compliquée.
Bien que l'isolation par des sillons soit utili sée, dans la description précédente, pour isoler les dispo sitifs les uns des autres, on peut naturellement utiliser d'autres techniques d'isolation, comme par exemple l'isolation LOCOS (oxyde local de silicium) et l'isolation mesa, même dans les deuxième à sixième formes de réalisa tion préférées de la présente invention qui sont décrites plus loin, hormis celles visant à résoudre un problème d'incurvation en creux spécifique à l'isolation par des sillons.
A-3. Variante La configuration dans le plan de l'écran PG n'est pas limitée à celle représentée sur la figure 2, mais peut être agencée de manière à comporter une découpe servant à interrompre le trajet du courant de Foucault.
Les figures 3 à 7 montrent d'autres exemples de la configuration, dans le plan, de l'écran PG.
L'écran PG représenté sur la figure 3 comprend une première unité comportant un couple de régions SOI 21A ayant une configuration triangulaire dans le plan et qui sont disposées avec leurs bases opposées entre elles, une seconde unité disposée de telle sorte que la première unité et la seconde unité présentent une configuration à symétrie de lignes et des troisième et quatrième unités disposées de telle sorte que les première et seconde unités et les troi sième et quatrième unités possèdent une configuration à symétrie de lignes. Par conséquent l'écran PG de la figure 3 comporte huit régions SOI 21A. Les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans des sillons sont disposés entre les régions SOI 21A.
L'écran PG représenté sur la figure 4 comprend une région SOI 21B ayant une configuration rectangulaire dans le plan, la région SOI 21B ayant des dimensions iden tiques à l'ensemble de l'écran PG et possédant une partie découpée NP qui s'étend jusqu'en son centre. Le film d'oxyde d'isolation 11 placé dans un sillon est disposé dans la partie découpée NP, qui interrompt le courant de Foucault.
L'écran PG représenté sur la figure 5 comprend quatre régions SOI rectangulaires 21C disposées suivant une matrice 2x2. Les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans des sillons sont disposés entre les régions SOI 21C.
L'écran PG représenté sur la figure 6 comprend quatre régions SOI allongées 21D disposées suivant une colonne avec leurs côtés longitudinaux parallèles entre eux. Les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans des sil lons sont disposés entre les régions SOI 21D.
L'écran PG représenté sur la figure 7 comprend trois régions SOI en forme de L 21L, 21M, 21S qui ont des géométries similaires et possèdent respectivement une grande taille, une taille moyenne et une petite taille, et une région SOI rectangulaire 21E. La région SOI 21M est prévue dans une région intérieure définie par deux bras orthogonaux de la région SOI 21L et est disposée d'une manière similaire à la région SOI 21L. La région SOI 21S comporte une région intérieure définie par deux bras ortho gonaux de la région SOI 21M et est disposée de façon simi laire à la région SOI 21M. La région SOI 21E est prévue dans une région intérieure définie par deux bras orthogo- naux de la région SOI 21S. Les films d'oxyde d'isolation 11 placés dans des sillons sont disposés entre les régions SOI 21L, 21M, 21S et 21E.
Les configurations dans le plan de l'écran PG représentées sur les figures 2-7 sont uniquement des exemples, et la présente invention n'est pas limitée à la configuration dans le plan de l'écran PG. Comme film de siliciure, on peut utiliser du TiSi2, du NiSi2, du COSi2, etc. En particulier le NiSi2 et le COSi2, qui incluent des matériaux ferromagnétiques tels que Ni et Co sont préfé rables, étant donné que des matériaux ferromagnétiques em pêchent la force magnétique de pénétrer dans le substrat.
B. Seconde forme de réalisation préférée B-1. Agencement du dispositif La figure 8 représente un agencement du disposi tif à semiconducteurs 200 selon une seconde forme de réali sation préférée de la présente invention.
Le dispositif à semiconducteurs 200 comprend la partie de circuit HF RP et une partie logique LP, comme représenté sur la figure 8, qui correspondent à des por tions de la partie de circuit HF 91 et de la partie logique 92 par exemple du dispositif à semiconducteurs 90 désigné par la référence 68.
En l'absence d'amélioration : arrêt du traitement pendant un mois puis en fonction de l'état du patient nouveau traitement avec la formule de proportions pondérales suivantes :
HE Ravensara Aromatica 10 %, HE Ledum Groenlandicum 45 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 45 %.
Posologie : 6 à 8 gouttes par jour en deux prises pendant un mois, puis 15 jours par mois.
5. 2) Pour des soins curatifs 5. 2.1 Avec chimiothérapie Formulation selon les proportions pondérales suivantes HE Ravensara Aromatica 30 %, HE Ledum Groenlandicum 40 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 30 %.
Posologie : 6 à 8 gouttes par jour en deux prises.
Durée du traitement : pendant toute la période de chimiothérapie, soit 5 jours sur 7, soit 3 semaines par mois.
5. 2.2 Sans chimiothérapie - Cancer aux stades # et Il Formulation selon les proportions pondérales suivantes : HE Ravensara Aromatica 30 %, HE Ledum Groenlandicum 40 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 30 %.
Posologie : 6 gouttes par jour en deux prises.
Durée du traitement :trois mois avec une semaine d'arrêt par mois.
- Cancer aux stades plus évolués III - IV Formulation selon les proportions pondérales suivantes : HE Ravensara Aromatica 30 %, HE Ledum Groenlandicum 60 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 10 %.
Posologie : 6 gouttes par jour pendant 3 à 6 mois avec arrêt une semaine par mois.
- Avant intervention chirurgicale : Formulation selon les proportions pondérales suivantes : HE Ravensara Aromatica 30 %,
HE Ledum Groenlandicum 40 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 30 %.
Posologie : 4 gouttes par jour pendant toute la durée qui précède l'intervention et poursuivie après jusqu'à l'attente des résultats.
5. 3) Prévention des récidives 5. 3.1 Stades 1 et Il Formulation selon les proportions pondérales suivantes : HE Ravensara Aromatica 20 %, HE Ledum Groenlandicum 40 %, HE Helichrysum Italicum ssp Serotinum 40 %.
Description détaillée des modes de réalisation préférés A présent, il sera fait une description plus détaillée de modes réalisation préférés de la présente invention en faisant référence dessins d'accompagnement. - Premier mode de réalisation La figure 1 est un schéma montrant une connexion électrique bobinage de stator dans une génératrice de courant alternatif destinée à un véhicule selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est un schéma développé destiné à expliquer la structure bobinage de stator d'un stator de la génératrice de courant alternatif destinée à véhicule selon le premier mode de réalisation de la présente invention. En faisant référence à la figure 1, un bobinage de stator structuré la connexion de trois bobinages monophasés 40, 50 et 60 ayant différence de phase de 120 dans l'angle de déphasage électrique dans la connexion en étoile. Le bobinage 40 est structuré connexion du premier et du second bobinage 41 et 42 qui ont différence de phase de 120 dans l'angle électrique en série. De même, le bobinage 50 est structuré par connexion du premier et du second bobinage et 52 qui ont une différence de phase de 120 dans l'angle électrique série. De plus, le bobinage 60 est structuré par connexion du premier et du second bobinage 61 et 62 qui ont une différence de phase de 120 dans l'angle électrique en série. Dans cet exemple, ces trois bobinages monophasés 40, 50 et 60 sont formés avec les mêmes conducteurs et comportent le même nombre de spires. De même les premiers bobinages 41, 51 et 61 ont un nombre de spires identique à celui des seconds bobinages 42, 52 et 62.
Un redresseur 12A a une structure telle qu'une diode du côté plus d11 et une diode du côté moins d21 qui sont connectées en série, une diode du côté plus d12 et une diode du côté moins d22 qui sont connectées en série, une diode du côté plus d13 et une diode du côté moins d23 qui sont connectées en série, une diode du côté plus d14 et une diode du côté moins qui sont connectées en série, une diode du côté plus et une diode côté moins d25 qui sont connectées en série, une diode côté plus et une diode du côté moins d26 qui sont connectées en série, et une diode du côté plus d17 et une diode du côté moins d27 sont connectées en série sont connectées en parallèle entre une borne de sortie la masse.
même, un bobinage de stator 16A est connecté au redresseur 12A telle sorte qu'une partie de connexion du premier bobinage 41 et du second bobinage 42 du bobinage 40 est connectée entre la diode du côté plus d11 et la diode du côté moins d21 qui sont connectées en série, une partie d'extrémité du second bobinage 42 du bobinage 40 est connectée entre la diode du côté plus d12 et la diode du côté moins d22 qui sont connectées en série, une partie de connexion du premier bobinage 51 et second bobinage 52 du bobinage 50 est connectée entre la diode du côte plus d13 et la diode du côté moins d23 qui sont connectées en série, partie d'extrémité du second bobinage 52 du bobinage 50 est connectée entre la diode du côté plus d14 et une diode du côté moins d24 qui sont connectées en série, une partie de connexion du premier bobinage 61 et du second bobinage 62 du bobinage 60 est connectée entre la diode du côté plus d15 et la diode du côté moins d25 sont connectées en série, une partie d'extrémité du second bobinage du bobinage 60 est connectée entre la diode du côté plus d16 et la diode du côté moins d26 qui sont connectées en série, et le point neutre est connecté entre la diode du côté plus d17 et la diode du côté moins d27 qui sont connectées en série, respectivement. En fait, dans la connexion électrique selon le premier mode de réalisation, les extrémités de sortie des premiers bobinages 41, 51 et 61 qui sont connectés dans la connexion en étoile sont connectés avec le pont à diode triphasé, les extrémités de sortie des seconds bobinages 42, 52 et 62, qui sont connectés en série sont connectés avec premiers bobinages 41, 51 et 61 de manière à fournir une différence phase de dans l'angle de déphasage électrique, sont connectes avec le pont à diode triphasé, et le point neutre est en connexion avec pont à diode.
II sera à présent décrit une structure de bobinage spécifique des bobinages 40, 50 et 60 dans chaque phase en faisant référence à la figure 2. la figure 2, les repères 1 à 36 indiquent les numéros des fentes.
Le premier bobinage 41 qui structure le bobinage 40 est formé par enroulement sinusoïdal d'un conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 1, 4, 7, ... , 34. D'autre part, le second bobinage 42 est formé par introduction et enroulement sinusoïdal du conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 3, 6, 9, ... 36. Le premier bobinage 41 et le second bobinage 42 ont une différence d'angle de déphasage électrique de 120 entre eux, étant donné que les fentes d'enroulement sont espacées toutes les trois fentes. Ensuite, le bobinage 40 est structuré de telle sorte que la partie de commencement de bobinage 41 a du premier bobinage 41 et la partie de fin bobinage 42b du second bobinage 42 sont connectées l'une à l'autre, de sorte que le premier bobinage 41 et le second bobinage 42 sont connectés en série afin de procurer une différence d'angle de déphasage électrique de 120 .
Le premier bobinage 51 qui structure le bobinage 50 est formé par introduction et enroulement sinusoïdal d'un conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 3, 6, 9 ... , 36. D'autre part, le second bobinage 52 est formé par introduction et enroulement sinusoïdal d'un conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 5, 8, 11, ... , 2. Le premier bobinage 51 et le second bobinage 52 ont entre eux une différence d'angle de déphasage électrique de 120 étant donné que les fentes d'enroulement 15a sont utilisées toutes les trois fentes. Ensuite, le bobinage 50 est structuré de telle sorte que la partie de commencement de bobinage 51a du premier bobinage 51 et la partie d'extremité de bobinage 52b du second bobinage 52 sont en connexion l'une avec l'autre, de sorte le premier bobinage 51 et le second bobinage 52 sont connectés série afin de procurer une différence d'angle de déphasage électrique de 120 . Le premier bobinage 61 qui structure le bobinage 60 est formé par introduction et enroulement sinusoïdal d'un conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 5, 8, 11 ... , 2. D'autre part, second bobinage 62 est formé par introduction et enroulement sinusoïdal d'un conducteur 29 toutes les trois fentes 15a, de sorte que l'ordre des fentes dans lesquelles le conducteur 29 est introduit sont les fentes n 1, 4, 7, ... 34. Le premier bobinage 61 et le second bobinage 62 ont entre eux une différence d'angle de déphasage électrique de 120 étant donné que les fentes d'enroulement 15a sont utilisées toutes les trois fentes. Ensuite, le bobinage 60 est structuré de telle sorte que la partie de commencement de bobinage 61a du premier bobinage 61 et la partie d'extremité de bobinage 62b du second bobinage 62 sont en connexion l'une avec l'autre, de sorte le premier bobinage 61 et le second bobinage 62 sont connectés série afin de procurer une différence d'angle de déphasage électrique de 120 .
Ensuite, la partie d'enroulement de bobinage 41b du premier bobinage 41, la partie d'extrémité de bobinage 51b du premier bobinage 51 et la partie d'extrémité de bobinage 61b du premier bobinage 61 sont connectées les unes avec les autres afin d'obtenir un stator 8A lequel est enroule le bobinage de stator 16A formé par la connexion des trois bobinages monophasés 40, 50 et 60 qui ont une différence d'angle de déphasage électrique de 120 dans la connexion en étoile. Dans le stator 8A ainsi structuré, les trois bobinages monophasés 40, 50 et qui ont une différence d'angle de déphasage électrique de 120 dans la connexion en étoile sont structurés par la connexion des premiers bobinages 41, 51 et 61, et des seconds bobinages 42, 52 et 62, chacun ayant une différence d'angle de déphasage de 120 en série, les parties de connexion des premiers bobinages 41, 51 et 61, et des seconds bobinages 42, 52 et 62, sont connectées au pont à diode triphasé, et les parties d'extrémité des seconds bobinages 42, 52 et 62 sont connectées au pont à diode triphasé. Ainsi, la tension maximale développée entre les fils est une tension deux fois supérieure à une tension induite monophasée. II en résulte que, étant donné qu'une force électromotrice à vide devient importante, il est possible d'abaisser la vitesse de rotation de mise marche de génération d'électricité, de sorte qu'il est possible de satisfaire aux exigences de la génération d'électricité lorsque la vitesse de rotation est basse. même, lorsque la vitesse de rotation est élevée, étant donné qu'un courant passe dans les seconds bobinages 42, 52 et 62, la réaction d'induit est faible, un courant important passe dans les seconds bobinages 42, 52 et 62, ce qui augmente la quantité d'électricité générée.
De même, du point de vue d'un passage de courant, par exemple un courant qui passe dans la partie de connexion du premier bobinage 61 et du second bobinage 62 prend les passages de courant (-) @ le premier bobinage 61 ---> le premier bobinage 41 -@ le second bobinage 42 -@ B, (-) - -> le premier bobinage 61 ---> le premier bobinage 41 --- > B, et (-) -> le second bobinage 62 --> B. Ainsi, le nombre des passages de courant est élevé de sorte qu'il est possible d'accroître la quantité de courant générée.
De même, étant donné que le pont à diodes est connecté point neutre, trois circuits parallèles se composant de (-) --> le point neutre ---> le premier bobinage 41 --# B, (-) ---> le point neutre -@ le premier bobinage 51 - -> B, et (-) ---> le point neutre ---> le premier bobinage 61 ---> B, sont formés, ces circuits parallèles agissent comme si les connexions en parallele et en série étaient commutées, ce qui les rend capables d'augmenter courant de sortie. Le résultat des mesures des caractéristiques de production d'électricité après fabrication d'une génératrice de courant alternatif destinée à véhicule sur laquelle le stator 8A est monté à la place du stator 8 est montré sur la figure 3. Sur la figure 3, les caractéristiques de production d'électricité de la génératrice de courant alternatif destinée à un véhicule selon la présente invention sont représentées par une ligne pleine alors que caractéristiques de production d'électricité d'une génératrice classique courant alternatif destinée à un véhicule sont représentées par une ligne pointillée. De même, l'axe des abscisses représente la vitesse de rotation alors que l'axe des ordonnées représente un courant de sortie une fois redressé.
A partir de la figure 3, il est visible que la vitesse rotation de départ de production d'électricité est de 1000 tr / min dans génératrice classique de courant alternatif destinée à un véhicule alors la vitesse de rotation de départ de production d'électricité est de 900 tr / min dans la génératrice de courant alternatif destinée à un véhicule selon la présente invention, c'est-à-dire que la production d'électricité s'établit à une vitesse de rotation plus basse.
De même, il est visible que la génératrice de courant alternatif destinée à un véhicule selon la présente invention peut augmenter une sortie à une vitesse de rotation de 2000 tr / min ou plus élevée par rapport à une génératrice classique de courant alternatif destinée à un véhicule.
- Second mode de réalisation Dans un second mode de réalisation, les trois bobinages monophasés 40, 50 et 60 sont formés avec les mêmes conducteurs et comportent le même nombre de spires. De même, le nombre de spires des seconds bobinages 42, 52 et 62 est plus élevé que le nombre de spires des premiers bobinages 41, 51 et 61. Les autres structures sont identiques à celles du premier mode de réalisation décrit ci-dessus.
Dans le second mode de réalisation, étant donné le nombre de spires des seconds bobinages 42, 52 et 62 est plus élevé que le nombre de spires des premiers bobinages 41, 51 et 61, une tension développée entre les fils devient plus élevée afin d'obtenir une force électromotrice plus importante.
- Troisième mode de réalisation Dans un troisième mode de réalisation, les premiers bobinages 41, 51 et 61 comportent un nombre de spires identique à celui des seconds bobinages 42, 52 et 62, et le diamètre du conducteur des seconds bobinages 42, 52 et 62 est plus grand que le diamètre du conducteur des premiers bobinages 41, 51 et 61. Les autres structures sont identiques à celles du premier mode de réalisation décrit ci-dessus.
Dans le troisième mode de réalisation, étant donné que le diamètre du conducteur des seconds bobinages 42, 52 et 62, dans lequel passe un courant important, est plus grand, l'efficacité de la production d'électricité à vitesse de rotation élevée est améliorée.
EXEMPLE 3 Le cadre de raquette de l'exemple 3 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1, mais l'épaisseur du film "Dipole Gee" était égale à 0,4 mm.
EXEMPLE 4 Le cadre de raquette de l'exemple 4 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1 mais l'épaisseur du film "Dipole Gee" était égale à 0,6 mm.
EXEMPLE COMPARATIF 1 Le cadre de raquette de l'exemple comparatif 1 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1, mais le film "Dipole Gee" n'a pas été placé entre les couches de feuilles préalablement imprégnées armées de fibres.
EXEMPLE COMPARATIF 2 Le cadre de raquette de l'exemple comparatif 2 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1, mais l'épaisseur du film "Dipole Gee" était égale à 0,05 mm, et le nombre de films "Dipole Gee" était égal à 2.
EXEMPLE COMPARATIF 3 Le cadre de raquette de l'exemple comparatif 3 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1, mais l'épaisseur du film "Dipole Gee" était égale à 1,0 mm. EXEMPLE COMPARATIF 4 Le cadre de raquette de l'exemple comparatif 2 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1, mais l'épaisseur du film "Dipole Gee" était égale à 1,2 mm.
EXEMPLE 5 Le cadre de raquette de l'exemple 5 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 2, mais le nombre de films "Dipole Gee" était égal à 2.
EXEMPLE 6 Le cadre de raquette de l'exemple 6 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 2, mais le nombre de films "Dipole Gee" était égal à 3.
EXEMPLE 7 Le cadre de raquette de l'exemple 7 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 2, mais le nombre de films "Dipole Gee" était égal à 4.
EXEMPLE 8 Le cadre de raquette de l'exemple 8 a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 3, mais le nombre de films "Dipole Gee" était égal à 1,5.
EXEMPLE COMPARATIF 5 Le cadre de raquette de l'exemple comparatif 5 a été préparé de la même manière que dans l'exemple 6 mais, à la place du film "Dipole Gee", une feuille de résine ionomère ("Highmilan 1652" fabriquée par Mitsui Dupont Polychemical Inc.) a été utilisée. Le coefficient de pertes (tg8) de la feuille de résine ionomère à une fréquence de 10 Hz et une température de 6 C était égal à 0,1.