INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ensuite, au cours d'une opération 601, l'unité centrale 300 détermine la valeur de n en effectuant une division de "nb données reçues" par 3 n = nb données reçuesl3. Cette valeur de n est alors mémorisée en mémoire vive 304.
Ensuite, au cours d'une opération de turbodécodage 603, le dispositif de décodage donne une estimation û de la séquence u transmise.
Puis, au cours d'une opération 604, l'unité centrale 300 fournit cette estimation û au destinataire d'information 310.
Ensuite, les registres de la mémoire 304 sont à nouveau initialises. En particulier, le compteur "nb données" est remis à "0" et l'opération 601 réitérée. figure 7, qui détaille l'opération de turbodecodage 603, on observe cours d'une opération d'initialisation 700, registres de la mémoire vive sont initialisés : les informations a priori w2 w4 sont remises à zéro suppose ici que l'entropie de la source est nulle). En outre, l'entrelaceur 405 entrelace la séquence d'entrée u et fournit séquence u* qui est memorisée dans le registre "données reçues".
Ensuite, au cours d'une opération 702, le registre "nb iteration" est incrémenté d'une unité.
Puis, au cours d'une opération 711, le premier diviseur en sous- séquences 417 effectue une première opération de division en sous-séquences des séquences u et vi ainsi que de la séquence d'information a priori w4.
Puis, au cours d'une opération 703, le premier décodeur 404 (correspondant au premier codeur élémentaire 202) met en ceuvre un algorithme type à entrées douces et décisions douces (SISO, en anglais bien connu de l'homme du métier, tel que le BCJR, ou le SOVA selon une technique adaptée à décoder codes convolutifs circulaires, comme suit : pour chaque valeur de i allant de 1 a pi, le premier décodeur 404 considère comme entrées douces une estimation des sous-séquences Ui et V; reçues et w4i (information a priori sur U;) et fournit, d'une part, w 1 ; (informations extrinsèques sur Ui) et, d'autre part, une estimation Ûi de la séquence Ui.
Pour de plus amples détails sur les algorithmes de décodage utilisés dans les turbocodes, on pourra se référer - à l'article intitulé
cité supra, qui décrit l'algorithme BCJR, généralement utilisé en relation avec les turbocodes ; ou - à l'article de J. HAGENAUER et P. HOEHER intitulé
publié avec les comptes-rendus de la conférence IEEE GLOBECOM, pages 1680-1686, en novembre 1989.
Plus particulièrement, pour plus de détails sur le décodage d'un code convolutif circulaire utilisé habituellement dans les turbodécodeurs, on se reportera utilement à l'article de J. B. ANDERSON et S. HLADIK intitulé publié dans la revue IEEE Journal Selected Areas in Telecommunications en février 1998.
Au cours d'une opération 705, l'entrelaceur 405 entrelace la séquence w, obtenue par concaténation des séquences w1; (pour i allant de 1 à pi) pour produire w2, information a priori sur u*.
Puis, au cours d'une opération 712, le second diviseur en sous- séquences 419 effectue une seconde opération de division en sous séquences des séquences u* et v2 ainsi que de la séquence d'information a priori w2.
Ensuite, au cours d'une opération 706, le deuxième décodeur 406 (correspondant au deuxième codeur élémentaire 204) met oeuvre un algorithme type à entrées douces et décisions douces, selon technique adaptée à decoder les codes convolutifs circulaires, comme suit : pour chaque valeur de i allant de 1 à p2, le second décodeur 406 considère comme entrées douces une estimation des sous-séquences U'; et V ; reçues et w2; (information a priori sur U';) et fournit, d'une part, w3; (informations extrinsèques sur U';) et, d'autre estimation Û'; de la séquence U';.
cours d'une opération 708, le désentrelaceur 407 (entrelaceur inverse 405) désentrelace la séquence d'information w3 obtenue par concaténation des séquences w3; (pour i allant de 1 à p2) pour produire w4, information a priori sur u.
Pour obtenir un étalement (distance AB illustrée sur la figure 1) de 30 mm il faut une tension d'environ 400 Volts par plaque de déflexion 12 (ou par rampe).
Pour obtenir une telle tension, on doit utiliser les composants suivants - 400 V/us ("caméra microseconde") . tubes à vide de type triode, ou transistors de type MOSFET, - 400 V/ns ("caméra nanoseconde") . transistors de type avalanche@montés en chaîne, - 400 V/100 ps ("caméra picoseconde") transistors de type avalanche en chaîne. Mais on génère dans ce cas une forte tension (par exemple 3 kVolts en 1 ns), dont on ne prend en compte qu'une partie linéaire de 400 Volts environ.
L'association de transistors à avalanche sous la forme d'une chaîne est ainsi décrite dans 1e document référencé [2].
Tous les générateurs de rampes de l'art connu ainsi obtenus sont en général compliqués, aux limites de la technologie, et de plus, bien souvent, à sortie haute impédance. Il en est ainsi des générateurs décrits dans le document référencé [3], qui envisage l'utilisation de chaînes de transistors à avalanche pour une application à des caméras optiques haute vitesse.
La présente invention a pour objet de pallier les inconvénients des dispositifs de l'art connu en proposant un générateur délivrant une rampe positive et/ou une rampe négative rapides utilisant le principe des chaînes de transistors à avalanche.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention concerne un générateur de rampe de tension de balayage rapide comprenant au moins une chaîne de N transistors bipolaires à avalanche en série et un ensemble de N éléments d'alimentation en série, N étant un nombre entier >_2 par exemple égal à 8, l'émetteur et la base de chaque transistor étant reliés entre eux et étant également reliés au collecteur du transistor suivant dans la chaîne, un circuit d'entrée de génération d'une impulsion de tension relié à l'un des deux transistors situés en extrémité de la chaîne, caractérisé en ce que l'ensemble de N+l éléments d'alimentation en série est formé par un ensemble de N+1 diodes zener en série entre une alimentation haute tension et la masse, en ce que le collecteur et l'émetteur de chaque transistor de la chaîne sont reliés d'une part respectivement à la cathode et à l'anode d'une diode zener correspondante au travers d'au moins une résistance, et d'autre part à la masse au travers d'un condensateur correspondant.
Avantageusement 1e générateur comprend deux chaînes de transistors bipolaires permettant de générer deux rampes de tension positive et négative.
Avantageusement, le circuit d'entrée de la première chaîne est relié au premier transistor de cette chaîne au travers d'un transformateur inverseur et d'un condensateur de manière à transmettre une impulsion positive reçue en entrée sur le collecteur de ce premier transistor. L'émetteur du dernier transistor de la première chaîne est relié à la sortie de la rampe positive au travers d'un condensateur. Le circuit d'entrée de la seconde chaîne est relié directement à l'émetteur du dernier transistor de la seconde chaîne de manière à lui transmettre une impulsion négative reçue en entrée. Le collecteur du premier transistor de la seconde chaîne est relié à la sortie de rampe négative au travers d'un condensateur. Une résistance est disposée entre l'alimentation haute tension et les diodes zener en série.
Avantageusement chaque résistance utilisée dans chaque chaîne est constituée de trois résistances de type composant monté en surface.
Avantageusement chaque condensateur dans les deux chaînes est du type patch .
Avantageusement les transistors à avalanche sont de type FMMT 415 de la sbciété Zetex. L'invention concerne également une caméra à fente utilisant un générateur à rampe tel que décrit ci-dessus.
Le générateur de rampe de l'invention utilisant une topologie particulière de circuit imprimé et des composants avalanche particuliers permet d'obtenir - une taille extrêmement réduite ( < 50 cm 3), - une alimentation unique (de +2500 Volts environ), - une amplitude de 1000 Volts environ sur 50 ohms pour chacune des sorties, - une pente de 10 Volts /picosecondes soit les 400 Volts en 40 picosecondes (application aux caméras femtoseconde).
- une stabilité au déclenchement (gigue) de 5 picosecondes.
Les transistors de type avalanche ZTX 415 ou FMMT 415 de la société ZETEX utilisés normalement et comme indiqué par le fabricant ne commutent qu'en 1,5 ns ; utilisés dans 1e générateur de l'invention, ils permettent d'obtenir des rampes de 0,1 à 0,13 ns. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 illustre schématiquement une caméra fente.
Les figures 2 et 3 illustrent le principe de fonctionnement du générateur de l'invention.
La figure 4 illustre un exemple de réalisation d'un générateur de rampe de tension de balayage rapide selon l'invention.
Pour le critère #2, les éléments communs à xsA et xsB ne sont pas classés dans le même ordre. Plusieurs conventions sont alors possibles : celle qui semble la plus appropriée est de ne violer aucune relation établie dans le profil de départ. Ainsi, c8 doit être inséré après cl2 et c4 dans xsA, et c1doit être inséré après cl2 dans xsB (bien qu'il soit avant c4 dans le profil de départ). Le résultat est illustré sur la figure 132.
Une autre convention pourrait par exemple être d'insérer c1 dans xsA et c8 dans xsB relativement à l'élément commun le plus proche, comme illustré sur la figure 133.
Selon un troisième exemple, le composant optoélectronique comprend une pluralité de zones actives, on enlève une pluralité de portions du substrat du composant pour former une pluralité de cavités parallèles respectivement en regard des zones actives, ces cavités étant aptes à guider les extrémités d'une pluralité de fibres optiques, les zones actives étant destinées à être respectivement couplées optiquement aux extrémités des fibres optiques.
Dans la présente invention, on peut utiliser un composant optoélectronique comprenant une pluralité de zones actives prévues pour être couplées optiquement aux extrémités d'une pluralité de fibres optiques solidaires les unes des autres.
On peut également utiliser une pluralité de composants optoélectroniques et placer ces composants sur un unique support.
Dans l'invention, chaque composant optoélectronique peut être un laser à émission par la surface et à cavité verticale.
La présente invention a aussi pour objet un dispositif d'alignement passif d'au moins une fibre optique et d'au moins un composant optoélectronique, ce dispositif étant caractérisé en ce que le composant optoélectronique comprend une couche et, dans cette couche, au moins une zone active, cette zone active étant apte à émettre ou à détecter un faisceau lumineux, le composant optoélectronique étant placé sur un support de façon que la couche soit en regard de ce support, ce composant comprenant en outre au moins une cavité, cette cavité étant en regard de la zone active et apte à recevoir une'extrémité d'au moins une fibre optique et à permettre l'alignement de cette fibre optique et du composant optoélectronique par insertion de cette extrémité dans la cavité, en couplant optiquement cette extrémité et la zone active.
Selon un premier mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention, le composant optoélectronique comprend une seule zone active et une seule cavité centrée sur cette zone active, cette cavité étant apte à guider l'extrémité de la fibre optique pour coupler optiquement cette extrémité à la zone active.
Selon un deuxième mode de réalisation particulier, le composant optoélectronique comprend une
pluralité de zones actives et une pluralité de cavités parallèles, respectivement centrées sur ces zones actives, ces cavités étant aptes à guider les extrémités d'une pluralité de fibres optiques pour coupler optiquement ces dernières respectivement aux zones actives.
Selon un troisième mode de réalisation particulier, le composant optoélectronique comprend une pluralité de zones actives et une seule cavité en regard de ces zones actives, cette cavité étant apte à guider un moyen de maintien d'extrémités parallèles de fibres optiques, prévues pour être optiquement couplées respectivement aux zones actives.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : # la figure 1 est une vue schématique d'un assemblage connu d'une fibre optique et d'un barreau laser et a déjà été décrite, # les figures 2 à 5 illustrent schématiquement des étapes d'un procédé conforme à l'invention, # la figure 6 illustre schématiquement une variante des étapes illustrées par les figures 4 et 5,
# les figures 7 et 8 illustrent schématiquement d'autres étapes de ce procédé conforme à l'invention, # la figure 9 est une vue de dessus de la figure 8, # la figure 10 est une vue schématique d'un assemblage obtenu par ce procédé conforme à l'invention, # la figure 11 est une vue schématique d'un composant optoélectronique utilisable dans l'invention, comprenant plusieurs zones actives, # la figure 12 est une vue schématique d'un assemblage de fibres optiques et du composant de la figure 11, et # les figures 13 à 15 sont des vues schématiques d'assemblages de fibres optiques et de composants optoélectroniques, obtenus conformément à l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On décrit dans ce qui suit la fabrication d'un guide mécanique d'alignement vertical directement à partir d'un composant optoélectronique 10 qui est schématiquement représenté en coupe longitudinale sur la figure 2, de telle manière qu'on puisse aligner une fibre optique et ce composant sans support d'alignement ni cale auxiliaire d'alignement.
On décrit ci-après les étapes de fabrication d'un assemblage entre une fibre optique et
ce composant qui, dans l'exemple considéré, est un VCSEL.
Dans une première étape on fabrique ce composant optoélectronique 10. Ce composant comprend : - un substrat semiconducteur 11, une couche 12 qui est formée sur le substrat et constitue une couche d'arrêt de gravure dont on décrira plus loin les propriétés, cette couche 12 étant en outre transparente à la lumière 13 susceptible d'être émise ou détectée par le composant, et - une couche semiconductrice 14 formée sur cette couche d'arrêt de gravure 12, cette couche 14 constituant une couche épitaxiale dans laquelle est réalisé l'élément actif ou zone active 16 du composant, zone destinée à émettre ou à détecter la lumière.
Pour cette raison, on procède à un recalage du début et de la fin des épisodes (étape 6-3).
Cette étape recalage permet de ne pas manquer ou laisser passer des évènements uniques et, de plus, d'éviter de mal identifier le début d'un épisode en cas d'épisode plus long.
Des événements uniques peuvent survenir, qui sont tout aussi importants que les évènements successifs. Pour cette raison, ils peut être tout aussi important, pour le praticien ou le médecin cardiologue, de disposer de l'information sur les évènements simples aussi bien que sur les épisodes comptant plusieurs évènements. En outre, un mauvaise positionnement du début de l'épisode, qui peut notamment apparaître en représentation sur un écran de visualisation, peut troubler ce praticien ou ce médecin et le faire douter de la fiabilité de l'appareil mettant en oeuvre la méthode d'analyse selon l'invention.
résoudre ce problème, après avoir identifié les zones homogènes de forte énergie du signal RR tranformé par ondelettes (étape 6-2), on détermine zones forte variabilité du signal numérique RR (étape 6-3).
Selon un exemple, on reprend le signal numérique RR, et on détecte variations ce signal qui sont supérieures à un certain pourcentage prédéterminé, par exemple 20 % (on prédétermine un seuil compris entre et 40% ou entre 15% et 25%).
Lorsqu'il y a une telle variation d'un point à un autre du signal on peut précisement dire qu'il y a début d'un événement en ce point.
détermine de la même manière la fin des épisodes ou des évènements. Ainsi, pour chaque épisode, on peut obtenir un intervalle N1 - N2, qui identifie le rang signaux RR compris entre début et fin des épisodes.
Cet intervalle est ensuite reporté sur les différents niveaux de décomposition (figure 7) et seuls les coefficients dans cet intervalle sont retenus comme correspondant à l'épisode.
Il est possible, ainsi, que des coefficients, considérés après l'étape 6-2 comme faisant partie du début ou de la fin d'une zone homogène de forte énergie, soient exclus de cette zone du fait d'une légère modification, due au recalage, du début ou de la fin d'un épisode, ou bien que des coefficients situés à la transition des zones homogènes de forte énergie et des zones de faible énergie soient reclassés d'une zone à l'autre.
figure 10 représente un patient 20 muni d'un dispositif 22 de type "Holter" avec ses électrodes 24,26,28,30,32 disposées sur le corps du patient. Le Holter enregistre les données d'ECG pendant une certaine période, par exemple environ 24 heures ou sur une période plus courte (par exemple quelques minutes), ou sur des périodes plus longues (par exemple de plusieurs jours ou de plusieurs semaines), , et détecte et classifie les complexes Qrs.
Comme illustré sur la figure 11, les données sont par exemple enregistrées sur une carte mémoire 34 de type mémoire Flash, par exemple d'environ 20 Mbytes. D'autres appareils permettent de faire des enregistrements sur des cassettes insérées dans le Holter 22. Les figures 9 et 10 représentent schématiquement les composants electroniques essentiels d'un appareil Holter.
La figure 12 représente un dispositif 40 pour exploiter des signaux enregistrés sur un support mémoire 34, par exemple une carte mémoire. Le support 34 est introduit dans un lecteur 36, par exemple un lecteur PCMCIA, données subissent ensuite un traitement selon les étapes décrites ci-dessus. Le dispositif 40 est donc programmé pour réaliser ces étapes traitement.
Un tel dispositif comporte un micro-ordinateur PC 42 auquel les données lues par le lectreur 36 sont transmises via une liaison 41.
Plus précisément, le micro-ordinateur 42 comporte (figure 13) un microprocesseur 52, un ensemble de mémoires RAM 54 (pour le stockage de données), une mémoire ROM 56 (pour le stockage d'instructions de programme).
Eventuellement, une carte d'acquisition de données 60 met les données fournies par le lecteur au format requis par le micro-ordinateur. Ces divers eléments sont reliés à un bus 62.
Des dispositifs périphériques (écran ou dispositif de visualisation 64, souris 66, clavier 68) permettent un dialogue interactif avec un utilisateur. En particulier, les moyens de visualisation (écran) 64 permettent de fournir à un utilisateur une indication visuelle relative à fECG enregistré, aux intervalles RR calculés, aux coefficients calculés par transforlmée par ondelettes (comme sur la figure 7). Par sélection dans des menus et en cliquant sur des boutons ou des icones, un opérateur, par exemple un médecin cardiologue, peut visualiser ces différentes courbes, en entier ou par portion, avec agrandissement. Sur ces courbes peuvent apparaître les intervalles déterminés comme étant des épisodes de fibrillation auriculaire, et notamment le début et la fin de chaque épisode.
On voit aussi des couches de colle 42 permettant d'immobiliser les fibres optiques par rapport aux composants correspondants.
L'une des fibres optiques 32 est en cours de fixation dans la cavité 38 d'un composant 50. Cette 'fibre optique est munie en son extrémité de la colle 42 destinée à permettre son immobilisation par rapport à ce composant.
Conformément à l'invention, on peut aussi hybrider plusieurs composants optoélectroniques sur une tranche entière de circuits de commande.
La collectivisation du procédé objet de l'invention peut donc être considérée sous deux aspects :
- collectivisation du point de vue de la tranche optique (variante utilisant une tranchée profonde) collectivisation du point de vue du circuit de commande (assemblage sur une puce ou sur une tranche de circuits de commande).
On considère maintenant quelques exemples numériques.
Dans un premier exemple il s'agit de coupler une fibre optique de 125 um de diamètre à un laser du genre VCSEL. On réalise une tranche de lasers du genre VCSEL qu'on découpe avec précision en puces unitaires de 125 um de côté. On met en #uvre le procédé décrit en couplant une puce laser à un circuit de commande (ou plusieurs puces laser à un seul circuit de commande comportant plusieurs fonctions de commande).
Il convient de manipuler soigneusement les puces optoélectroniques pour les opérations de découpe et d'hybridation.
Dans un deuxième exemple il s'agit de réaliser un couplage matriciel de 5x5 fibres optiques sur un unique circuit de commande. On réalise un matriçage de lasers du genre VCSEL au pas ( pitch ) de 500 um sur la tranche semiconductrice et l'on entoure les lasers de tranchées de 125 um de côté. La taille de la puce obtenue est de 3x3 mm. Cette puce est donc facilement manipulable selon le procédé décrit plus haut.
On hybride par exemple directement sur une tranche de silicium de 100 mm ou 150 mm de diamètre toutes les puces et l'on met en #uvre collectivement un
procédé conforme à l'invention sur une tranche de silicium.
La figure 14 illustre schématiquement un autre exemple de l'invention dans lequel on fabrique un composant optoélectronique 52 comprenant plusieurs zones actives 16. On voit encore la couche 14 dans laquelle se trouvent ces zones actives et au-dessus de laquelle se trouve la couche d'arrêt de gravure 12.
On voit aussi le circuit de commande 54 auquel est hybridé le composant 52, la couche 14 contenant les zones actives se trouvant du côté de ce circuit de commande.
Comme précédemment, on a enrobé le composant d'une couche de résine d'enrobage 30 puis on a aminci mécaniquement le composant puis éliminé le substrat à partir duquel ce composant a été formé.
On obtient ainsi la cavité 56 que l'on voit sur la figure 14. Dans cet exemple, la cavité 56 est prévue pour y introduire l'extrémité d'un ensemble 58 de fibres optiques 32 dont les extrémités sont parallèles et rendues rigidement solidaires les unes des autres par un connecteur approprié 60. C'est ce connecteur que l'on introduit dans la cavité puis qui est ensuite immobilisé par une couche de colle 42 de la même manière que précédemment.
L'exemple de l'invention qui est schématiquement représenté en coupe longitudinale sur la figure 15 diffère de celui de la figure 14 par le fait que, dans l'exemple de la figure 15, tout le @ substrat 11 n'est pas enlevé.
Des parties de contact CP3 qui s'étendent à travers la couche d'isolation inter-couches 4, sont connec tées aux films de siliciure 35 sur les régions SOI 282, 284 et 286 et sont également connectées à une ligne d'interconnexion WL2 disposée sur le film d'isolation inter-couches 4 et sont connectées à la masse. Les consti tuants du dispositif à semiconducteurs 700, qui sont simi laires à ceux des dispositifs à semiconducteurs 300 de la figure 12, sont désignés par les mêmes chiffres de réfé rence et ne seront pas décrits d'une manière particulière.
Les régions SOI 283 à 287 constituant l'écran PG 107 sont les suivantes : les régions SOI 282, 284 et 286 sont des régions de type P+, et les régions SOI 281, 283, 285 et 287 sont des régions de type N-, de sorte que des jonctions PN interrompent le courant de Foucault.
La figure 25 représente la configuration dans le plan de l'écran PG 107. L'écran PG 107 dans la configura tion dans le plan inclut des régions SOI rectangulaires 28 (désignation générique des régions SOI 282, 284 et 286) avec les films respectifs de siliciure, qui sont disposés selon une matrice en étant distants, et ce en étant séparés par les films d'oxyde d'isolation 19 placés dans des sil lons.
Une coupe transversale prise suivant la ligne X-Y sur la figure 25 correspond à la coupe transversale de l'écran PG 107 représenté sur la figure 24. La ligne d'interconnexion WL2 possède une configuration en forme de L de telle sorte qu'elle s'étend le long des régions SOI 282, 284 et 286 disposées en étant espacées d'une manière discrète les unes des autres.