REVENDICATIONS 1. Procédé de détection d'au moins une couche mince (2 ; 60,62, 64), dont l'épaisseur ne dépasse pas 50 nm, cette couche mince étant susceptible de se trouver sur un support (4), ce procédé étant caractérisé en ce que : - le support (4) est un absorbeur de lumière dans un domaine spectral déterminé, contenu dans le domaine visible - proche infrarouge, - on fait au préalable, en l'absence de couche mince sur l'absorbeur, une première mesure de l'absorption, par cet absorbeur, d'une lumière du domaine spectral déterminé, au moyen d'une technique de détection non-résonante et avec cette lumière, - on fait une deuxième mesure, au moyen de cette technique, de l'absorption de cette lumière par l'absorbeur lorsque la couche mince est susceptible de s'y trouver, et - on compare la deuxième mesure à la première mesure. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'absorbeur comprend un substrat (30,54) et, sur ce substrat, une couche (28,56) ou un empilement de couches minces, qui est absorbant dans le domaine spectral déterminé. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel cette couche absorbante dans le domaine spectral déterminé (28) est d'un seul tenant. 4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel cette couche absorbante dans le domaine spectral déterminé (56) est morcelée et a une structure matricielle permettant la détection d'une pluralité de couches minces (60,62, 64). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel cette couche absorbante est une multicouche absorbante dans le domaine spectral déterminé (32,34, 36,38, 40,42, 44, 46). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel cette multicouche comprend : - une pluralité de premières couches minces (34,38) qui sont faites d'un métal ou d'un semiconducteur et - une pluralité de deuxièmes couches minces (32,36) qui sont faites d'un composé diélectrique du métal ou du semiconducteur, transparentes à la lumière du domaine spectral déterminé et alternent avec les premières couches. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel cette multicouche comprend : - au moins une couche de métal mince (44), qui est absorbante dans ce domaine spectral déterminé, et - au moins une couche diélectrique (46), qui est transparente dans ce domaine spectral déterminé, cette couche diélectrique étant formée sur la couche de métal mince, cette couche de métal mince ayant un indice de réfraction et un coefficient d'extinction qui sont respectivement supérieur à l'indice de réfraction et inférieur au coefficient d'extinction du métal à l'état massif dans ce domaine spectral déterminé. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel le substrat (30,54) est fait d'un matériau choisi dans le groupe comprenant les semiconducteurs, les verres et la silice. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la technique de détection non-résonante utilisée est une technique de détection par déflexion photothermique. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la technique de détection non-résonante utilisée est une technique de détection par polarimétrie. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'absorbeur (4) est placé dans un gaz pour faire les première et deuxième mesures. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'absorbeur (4) est placé dans un liquide (48) pour faire les première et deuxième mesures. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'absorbeur (4) est recouvert d'une couche auxiliaire (52) dont l'indice de réfraction est différent de celui du liquide (48). 14. Dispositif de détection d'au moins une couche mince (2 ; 60,62, 64), dont l'épaisseur ne dépasse pas 50 nm, ce dispositif comprenant un support (4) sur lequel cette couche mince est susceptible de se trouver, ce dispositif étant caractérisé en ce que : - le support (4) est un absorbeur de lumière dans un domaine spectral déterminé, contenu dans le domaine visible-proche infrarouge, et - ce dispositif comprend en outre un système de détection non-résonante comportant une source (8, 16) de cette lumière du domaine spectral déterminé, ce système étant destiné à faire une première mesure de l'absorption de cette lumière par cet absorbeur, en l'absence de couche mince sur ce dernier, puis une deuxième mesure de l'absorption de la lumière par l'absorbeur lorsque la couche mince est susceptible de s'y trouver, en vue de comparer la deuxième mesure à la première mesure.