INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette valve pourra être différente fonctionnellement suivant le type de véhicule sur lequel elle sera montée, et devra assurer le remplissage des différents circuits suivant certaines priorités, mais en tout état de cause, elle ne pourra pas permettre le déverrouillage du frein de stationnement, tant qu'une pression suffisante ne sera pas atteinte dans les circuits de frein principaux.
Le montage de cette valve de protection a été rendue obligatoire par une réglementation européenne, qui stipule qu'en cas de défaillance sur une partie de la transmission de l'ensemble des dispositifs de freinage, l'alimentation de la portion non intéressée par la défaillance doit continuer à être assurée si cela nécessaire pour arrêter le véhicule avec l'efficacité pour le freinage résiduel et/ou de secours. Correcteur de freinage à commande mécanique L'effort de freinage du véhicule a besoin d'être modifié suivant l'état de charge de ce véhicule. Le correcteur a commande mécanique est fixé au châssis au niveau de l'essieu. Une tige de liaison relie le correcteur à l'essieu. Lorsque le véhicule est chargé, cette tige voit son angle d'inclinaison modifié. Le rapport de pression de sortie la pression d'entree se rapproche alors de 1 :1.
De préférence, selon un neuvième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, le premier groupe de régions SOI et le second groupe de régions SOI sont formés dans une région obtenue par amincissement de la couche SOI à une épaisseur prédéterminée. Le dispositif à semiconducteurs comporte en outre un film d'oxyde d'isolation destiné à recouvrir entièrement le premier groupe de régions SOI et le second groupe de régions SOI.
De préférence, selon un dixième aspect de la pré sente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, chaque région du premier groupe de régions SOI inclut une première région ayant une épaisseur approximativement égale à celle de la couche SOI, et une seconde région adjacente à la première région et obtenue par amincissement de la couche SOI. Chaque région du second groupe de régions SOI a une épaisseur approximativement égale à celle de la couche SOI. Le dispositif à semiconduc- teurs comporte en outre un film d'oxyde d'isolation destiné à recouvrir une surface supérieure de chacune des secondes régions.
De préférence, selon un onzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le dixième aspect, un film de siliciure est formé sur une surface supérieure de chacune des premières régions du premier groupe de régions SOI et du second groupe de régions SOI.
De préférence, selon un douzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, chaque région du premier groupe de régions SOI est une région obtenue par amincissement de la couche SOI à une épaisseur prédéterminée. Chaque région du second groupe de régions SOI a une épaisseur approximativement égale à celle de la couche SOI. Le premier groupe de régions SOI et le second groupe de régions SOI sont adjacents réciproquement. Le dispositif à semiconducteurs comporte en outre une pellicule d'oxyde d'isolation destinée à recouvrir individuellement le premier groupe de régions SOI.
De préférence, selon un treizième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le douzième aspect, un film de siliciure est formé sur une surface supérieure de chaque région du second groupe de régions SOI.
De préférence, selon un quatorzième aspect de la présente invention dans le dispositif à semiconducteurs selon le douzième aspect, les régions du second groupe de régions SOI ont une configuration plane rectangulaire. La couche de protection possède une configuration plane dans laquelle le second groupe de régions SOI est disposé dans une matrice, moyennant l'interposition du film d'oxyde d'isolation entre ces régions.
De préférence, conformément à un quinzième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconduc teurs selon le douzième aspect, les régions du second groupe de régions SOI sont connectées électriquement entre elles par une ligne d'interconnexion de grilles ayant un agencement similaire à une électrode de grille d'un transistor MOS.
De préférence, selon un seizième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, les régions du premier groupe de régions SOI et les régions du second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée. Une struc ture de grille d'un transistor MOS est disposée sur chaque région du premier groupe de régions SOI.
De préférence, selon un dix-septième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, les régions du premier groupe de régions SOI et les régions du second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée. Chaque région du premier groupe de régions SOI comprend une pre mière région et une seconde région adjacente à la première région. Une structure de grille d'un transistor MOS est disposée sur chacune des secondes régions.
De préférence, conformément à un dix-huitième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon le seizième aspect, les régions du pre mier groupe de régions SOI et les régions du second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alter née. Chaque région du premier groupe de régions SOI com prend une première région et une seconde région adjacente à la première région. Un film de siliciure est formé sélecti vement sur chaque région du second groupe de régions SOI et sur les premières régions, pour que ces régions ne soient pas en contact avec les secondes régions.
De préférence, selon un dix-neuvième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le huitième aspect, les régions du premier groupe de régions SOI et les régions du second groupe de régions SOI sont disposées selon une disposition alternée. Un film de siliciure est formé sélectivement sur chaque région du pre mier groupe de régions SOI, pour que les régions ne soientpas en contact avec le second groupe de régions SOI.
De préférence, selon un dix-neuvième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le premier aspect, le substrat semiconducteur est un substrat SOI comprenant une partie de substrat servant de base de support, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat et une couche SOI disposée sur le film d'oxyde enseveli. La partie de substrat comprend une partie de suppression du courant de Foucault pour supprimer la production du courant de Foucault induit par l'élément d'inductance, la partie de suppression du courant de Fou cault étant disposée dans une région correspondant à au moins une région dans laquelle l'élément d'inductance est formé, au moins une structure creuse étant formée dans la partie de suppression du courant de Foucault.
De préférence, conformément à un vingt-et-unième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi- conducteurs selon le vingtième aspect, la partie de sup pression du courant de Foucault comprend une cavité possé dant une profondeur qui est environ un à dix fois infé rieure à la longueur, vue en plan, de l'élément d'induc tance, la cavité s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé.
De préférence selon un vingt-deuxième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semiconducteurs selon le vingtième aspect, la partie de suppression du cou rant de Foucault comprend une couche poreuse possédant une profondeur qui est environ un à dix fois inférieure à la longueur, vue dans le plan, de !'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé.
De préférence, conformément à un vingt-troisième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon 1e premier aspect, le substrat semicon ducteur est un substrat SOI comprenant une partie de subs trat servant de base de support, un film d'oxyde enseveli disposé sur la partie de substrat, et une couche SOI dispo sée sur le film d'oxyde enseveli. La couche SOI comprend une couche poreuse possédant une profondeur qui est infé rieure d'un facteur d'environ un à environ dix, à la lon gueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximativement sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'avec au moins une région dans laquelle l'élément d'inductance est formé.
De préférence, conformément à un vingt-quatrième aspect de la présente invention, dans le dispositif à semi conducteurs selon le premier aspect, le substrat semicon ducteur comprend une couche poreuse disposée dans une région correspondant à une région dans laquelle l'élément d'inductance est formé, la couche poreuse possédant une profondeur inférieur d'un facteur compris entre environ un et environ dix à la longueur, vue en plan, de l'élément d'inductance, la couche poreuse s'étendant approximative ment sur la même étendue, lorsqu'on regarde selon une vue en plan, qu'au moins la région dans laquelle l'élément d'inductance est formé.
*** Chapitre IV - Modèle d'exécution déterministe (Figures 135 à 169) On va dans ce chapitre introduire un modèle d'exécution qui sera utilisé notamment dans le cadre du partage d'aplications sur l'Internet que nous présenterons dans le chapitre VI.
Les résultats sont exprimés dans le tableau de la figure 1 qui représente les résultats obtenus. On constate que l'acide kojique (ak), qui est la référence, conduit à un résultat de 63 % d'activité anti-tyrosinase et que le principe actif (PA) selon l'invention, à 3%, présente un résultat supérieur à 72%.
Dès 2%, on note que le principe actif selon la présente invention est supérieur à l'acide para-coumarique à 10g/1 (ap).
On constate que le principe actif selon la présente invention procure un effet inhibant de l'activité de la tyrosinase, enzyme de la mélanogénèse. Cet effet inhibant se traduit par une activité dépigmentante proche de celle l'acide kojique qui est la molécule de référence.
1.2 Dosage de la mélanine synthétisée taux de mélanine des échantillons est déterminé au moyen d'une gamme étalon de mélanine synthétique de 0 à 500,ug/ml.
Les résultats sont indiqués dans le tableau de la figure 2.
constate une diminution importante du taux de synthèse de la mélanine quasiment identique à celui de l'acide kojique (ak) et de l'acide para- coumarique (ap), dès 2 % de principe actif (PA) selon la présente invention.
Par sa richesse en polyphénols, le principe actif assure une inhibition certaine de la synthèse de la mélanine.
2I Etudes cutanées des effets dépigmentants Cette étude consiste à mette en évidence sur l'homme, variations de la couleur des tâches de sénescence cutanée sur le dos de la main.
Dans le cadre de l'essai, le principe actif selon 1a présente invention est formulé à 5 % en crème blanche.
Pour mesurer ces variations, on utilise un chromamètre commerce qui convertit les couleurs situées dans la plage de perception humaine en un code numérique à deux paramètres l'un L d'intensité (sombre au pâle) et l'autre _b de chrominance (gamme des bleus aux jaunes).
On mesure les paramètres colorimétriques des tâches sénescence de chaque personne testée, ceci avant le traitement. Une main ensuite est traitée avec placebo et l'autre est traitée avec la crème contenant principe actif selon la présente invention.
L'application est effectuée deux fois par jour pendant plusieurs semaines, en l'occurrence huit semaines.
Les paramètres colorimétriques des tâches retenues sont à nouveau mesurés.
Les résultats sont regroupés dans le tableau de la figure 3. L'étude est effectuée sur 15 volontaires et le tableau fait apparaître les moyennes obtenues. constate la diminution significative du paramètre de chrominance b_ -0, et une augmentation de l'intensité _L de 0,26% tâches de sénescence apparaissent moins colorées pour 78% volontaires.
sa richesse en polyphénols, le principe actif inhibe la tyrosinase est l'enzyme-clé de la mélanogénèse et limite la synthèse de la mélanine. plus, ce principe actif est stable, non irritant et non cytotoxique.
principe actif peut être utilisé avec toute formulation telle que crème, onguent, lotion, lait, émulsion ou solution, à raison d'une quantité de principe actif compris entre 0,1 et 20 l0.
Importation Supposons que l'on soit dans la situation illustrée dans la figure 76: les contenants 1 et 2 ( Container 1 et Container 2 ) sont rattachés à la catégorie 1 (symbolisé par la flèche grise). Dans le contenant 1 figure une référence au contenu 1.1 ( Content 1.1 ), et dans le contenant 2 figure une référence au contenu 1.2 ( Content 1. 2 ) (ces références sont symbolisées par des flèches noires).
- Ce système évite le démontage inévitable des cuvettes, sinon la démolition quelquefois.
Au point de vue écologique, plus besoin de déboucheurs chimiques.
- Enfin, l'hygiène est assurée. Aucun contact avec les produits obstruants. Les mains restent propres et le ballon se lave et se désinfecte.
Cet outil ne sera pas conçu pour les lavabos, éviers, baignoires, et autres, mais pour les WC et tabourets siphoïdes uniquement.
- I1 sera d'un emploi très facile. Son utilisation sera un gain de temps, car plus besoin de démonter pour déboucher, un gain économique puisqu'il évitera la nécessité de faire casser tabourets et WC à la turque pour déboucher.
- Cet outil sera utile aux métiers de plomberie et maçonnerie ainsi qu'aux bricoleurs, et aux ménagères.
AMORTISSEUR La présente invention concerne un perfectionnement pour amortisseur et plus particulièrement un ensemble de perfectionnements destinés à améliorer sensiblement les caractéristiques techniques amortisseur du type comportant un double piston.
Les amortisseurs traditionnels sont généralement constitués corps cylindrique fermé aux extrémités et rempli d'huile, dans lequel coulisse un piston relié à l'extérieur par une tige traversant de façon étanche une extrémité du cylindre. Le piston est pourvu du système de laminage qui gère le freinage du mouvement relatif entre le corps et la tige. L'inconvénient de cette construction vient principalement du fait que l'intervention extérieure sur le système de laminage ne peut s'opérer que par la tige du piston, ce qui limite considérablement les possibilités de modification différents paramètres d'amortissement. D'autre part, la tige, en pénétrant dans le corps d'amortisseur induit une variation de volume qui necessite l'emploi d'une zone compressible isolée de l'huile et pressurisée afin d'éviter les phénomènes de cavitation. Certains ces amortisseurs exploitent l'effet de vérin de la tige afin de contrôler un paramètre en compression, mais le faible volume d'huile ainsi déplacé ne permet pas précision de contrôle importante. D'autres amortisseurs de construction bi-tubulaires connaissent également le problème au volume de la tige et sont équipés d'un système de clapets de respiration. Mais ils ne peuvent pas, en principe, fonctionner horizontalement.
D'autres types d'amortisseurs utilisent le principe d'une tige piston portant deux pistons coulissant dans une chambre de compression principale autour d'une cloison séparant ladite chambre en deux chambres de travail, des moyens de laminage bidirectionnels étant prévus ladite cloison comme, par exemple, l'amortisseur décrit dans la demande internationale WO 97/25497. Toutefois, les amortisseurs de l'art antérieur utilisant ce type de dispositif d'amortissement présentent de nombreux inconvénients liés à leur mise en oeuvre, à leur positionnement ou à leur encombrement. En effet, ils présentent des problèmes de cavitation liés à pressurisation indispensable du réservoir de fluide et au débit des canalisations de retour de fluide entre le réservoir et les chambres de travail de l'amortisseur et sont généralement obligés de fonctionner en étant disposés sensiblement horizontalement. De plus, certains amortisseurs présentent des problèmes d'étanchéité et se dégradent rapidement lorsqu'on leur impose un grand nombre de cycles successifs.
Ainsi la présente invention a pour objectif résoudre les problèmes precités à l'aide de moyens simples, fiables et faciles à mettre en oeuvre. Elle a pour objectif de présenter un amortisseur utilisant le principe du double piston susceptible de fonctionner verticalement et permettant un réglage aisé des différents paramètres l'amortisseur, ledit amortisseur étant de faible encombrement et pouvant supporter un grand nombre de cycles pour pouvoir être utilisé dans applications industrielles comme l'automobile ou la moto, par exemple.
Selon sa caractéristique principale, l'amortisseur l'invention est du type comportant deux pistons solidaires d'une tige destinés à coulisser dans une chambre de compression principale de part d'autre d'une cloison intermédiaire traversée par la tige pour former deux chambres de travail secondaires, lesdites chambres de travail étant reliees entre elles par des moyens de laminage qui gèrent le débit du fluide d'amortissement circulant entre les chambres sous la sollicitation du mouvement des pistons, et est caractérisé en ce qu'il comporte une enceinte de réalimentation et des moyens d'alimentation qui réalimentent en fluide d'amortissement l'une des chambres de travail secondaires pour compenser les fuites de fluide occasionnées ou organisées le long des pistons.
Selon une caractéristique complémentaire de l'amortisseur de l'invention, celui-ci est caractérisé en ce que l'enceinte réalimentation est réalisée dans un tube plongeur solidaire d'un premier piston, et en ce que les moyens d'alimentation sont constitués par un clapet d'alimentation et un conduit d'alimentation reliant l'enceinte de réalimentation à une chambre de travail secondaire.
Selon le mode de réalisation préféré de l'amortisseur, le tube plongeur est fixé au piston inférieur, et l'enceinte de realimentation est reliée à la chambre de travail inférieure par l'intermédiaire d'un clapet d'alimentation et son conduit disposé dans le piston inférieur.
Selon une autre caractéristique de l'amortisseur de l'invention, celui-ci est caractérisé en ce que la tige et les pistons présentent un canal de circulation du fluide reliant la face externe du piston supérieur à l'enceinte réalimentation.
Selon une caractéristique complémentaire de l'amortisseur, le tube plongeur comprend à son extrémité inférieure le point de fixation de l'amortisseur et forme avec les pistons et leur tige un sous ensemble mobile par rapport au corps d'amortisseur qui forme la chambre de compression principale et qui comprend à son extrémité supérieure le point de fixation haut, les fuites de fluide organisées au niveau du piston supérieur étant ramenées par gravité dans l'enceinte de réalimentation du plongeur à travers un alésage de la tige et des pistons.
Selon une autre caractéristique de l'amortisseur, les moyens de laminage reliant les chambres de travail secondaires sont formés un bloc de laminage externe disposé à l'une des extrémités de l'amortisseur ou long du corps de l'amortisseur et présentant des moyens de reglage de ses caractéristiques de laminage.
S'agissant du copolymère c#ur - écorce (A) il se présente sous la forme de fines particules ayant un c#ur en élastomère et au moins une écorce thermoplastique, la taille des particules est en général inférieure au m et avantageusement comprise entre 50 et 500 nm. A titre d'exemple de c#ur on peut citer les homopolymères de l'isoprène ou du butadiène, les copolymères de l'isoprène avec au plus 30% en moles d'un monomère vinylique et les copolymères du butadiène avec au plus 30% en moles d'un monomère vinylique. Le monomère vinylique peut être le styrène, un alkylstyrène, l'acrylonitrile ou un (meth)acrylate d'alkyle. Une autre famille de c#ur est constituée par les homopolymères d'un (meth)acrylate d'alkyle et les copolymères d'un (meth)acrylate d'alkyle avec au plus 30% en moles d'un monomère vinylique. Le (meth)acrylate d'alkyle est avantageusement l'acrylate de butyle. Le monomère vinylique peut être le styrène, un alkylstyrène, l'acrylonitrile, le butadiène ou l'isoprène. Le c#ur du copolymère (A) peut être réticulé en tout ou partie. Il suffit d'ajouter des monomères au moins difonctionnels au cours de la préparation du c#ur, ces monomères peuvent être choisis parmi les esters poly(meth)acryliques de polyols tels que le di(meth)acrylate de butylène et le trimethylol propane trimethacrylate. D'autres monomères difonctionnels sont par exemple le divinylbenzène, le trivinylbenzène, l'acrylate de vinyle et le methacrylate de vinyle. On peut aussi réticuler le c#ur en y introduisant, par greffage ou comme comonomère pendant la polymérisation, des monomères fonctionnels insaturés tels que des anhydrides d'acides carboxyliques insaturés, des acides carboxyliques insaturés et des époxydes insaturés. On peut citer à titre d'exemple l'anhydride maleique, l'acide (meth)acrylique et le méthacrylate de glycidyle.
L'écorce ou les écorces sont des homopolymères du styrène, d'un alkylstyrène ou du méthacrylate de méthyle ou des copolymères comprenant au
moins 70% en moles de l'un de ces monomères précédents et au moins un comonomère choisi parmi les autres monomères précédents, l'acétate de vinyle et l'acrylonitrile. L'écorce peut être fonctionnalisée en y introduisant, par greffage ou comme comonomère pendant la polymérisation, des monomères fonctionnels insaturés tels que des anhydrides d'acides carboxyliques insaturés, des acides carboxyliques insaturés et des époxydes insaturés. On peut citer à titre d'exemple l'anhydride maleique, l'acide (meth)acrylique et le méthacrylate de glycidyle. A titre d'exemple on peut citer des copolymères c#ur - écorce (A) ayant une écorce en polystyrène et des copolymères c#ur - écorce (A) ayant une écorce en PMMA. Il existe aussi des copolymères c#ur- écorce (A) ayant deux écorces , l'une en polystyrène et l'autre à l'extérieur en PMMA. Des exemples de copolymère (A) ainsi que leur procédé de préparation sont décrits dans les brevets suivants : US 4 180 494, US 3 808 180, US 4096 202, US 4 260 693, US 3 287 443, US 3 657 391, US 4 299 928, US 3 985 704.
Avantageusement le c#ur représente, en poids, 70 à 90% de (A) et l'écorce 30 à 10%.
A titre d'exemple de copolymère (A) on peut citer celui constitué (i) de 75 à 80 parties d'un c#ur comprenant en moles au moins 93% de butadiène, 5% de styrène et 0,5 à 1 % de divinylbenzène et (ii) de 25 à 20 parties de deux écorces essentiellement de même poids l'une intérieure en polystyrène et l'autre extérieure en PMMA.
Selon une deuxième forme préférée de l'invention le modifiant choc comprend au moins un copolymère bloc S-B-M et au moins un copolymère bloc S-B. Le modifiant choc comprend avantageusement entre 5 et 80% de dibloc SB pour respectivement de 95 à 20% de tribloc S-B-M.
De plus l'avantage de ces compositions est qu'il n'est pas nécessaire de purifier le S-B-M à l'issue de sa synthèse. En effet les S-B-M sont en général préparés à partir des S-B et la réaction conduit souvent à un mélange de S-B et S-B-M qu'on sépare ensuite pour disposer de S-B-M.
Selon une troisième forme préférée de l'invention le modifiant choc comprend au moins un copolymère blocs S-B-M et au moins un polymère
c#ur- écorce (A). La proportion de coeur écorce par rapport au S-B-M peut être comprise entre 5 pour 1 et 1 pour 4, et de préférence entre 3 pour 1 et 1 pour 2.
Selon une quatrième forme préférée de l'invention le modifiant choc comprend au moins un copolymère blocs S-B-M et au moins un caoutchouc réactif ATBN ou CTBN. La proportion de caoutchouc réactif par rapport au S-BM peut être comprise entre 5 pour 1 et 1 pour 4, et de préférence entre 3 pour 1 et 1 pour 2.
Selon une forme avantageuse une partie du S-B-M peut être remplacée par un dibloc S-B. Cette partie peut être jusqu'à 70% en poids du S-B-M.