INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Position de la Art antérieur Invention vanne 1 Injection de la charge dans le lit A Injection de la charge dans le lit A 2 Injection du fluide de rinçage dans le lit Courant de bypass entre le plateau et la A vanne rotative 3 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 4 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 5 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 6 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 7 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 8 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 9 Rien ou option (') Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 10 Soutirage d'extrait depuis le lit A Soutira e d'extrait depuis le lit A 11 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 12 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 13 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 14 Soutirage de fluide de rinçage Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 15 Injection de solvant sur le lit A Injection de solvant sur le lit A 16 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 17 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 18 Soutirage de raffinat depuis le lit A Soutirage de raffinat depuis le lit A 19 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 20 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 21 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 22 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 23 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative 24 Rien Courant de bypass entre le plateau et la vanne rotative (`) Au niveau de l'étape 9, une option possible consiste à injecter du fluide de rinçage secondaire dans le lit A2.
Pratiquement, la colonne de séparation peut être constituée de deux colonnes comportant chacune douze lits d'adsorbants correspondant aux étages 1 à 12, et 13 à 24. L'extrémité inférieure de la première colonne est en liaison avec la tête de la deuxième colonne, et l'extrémité inférieure de cette deuxième colonne est reliée à la tête de la première colonne à l'aide de conduits et de moyens de pompage adaptés et connus de l'Homme du métier. Dans ce cas, les panneaux des entrées correspondant aux étages 1 et 13 et des sorties correspondant aux étages 12 et 24, ne sont pas balayées par le fluide de bypass de manière identique aux étages 1 et 24 d'une colonne unique.
Les figures 5, 6 et 7 permettent d'illustrer la vanne selon l'invention ainsi qu'un exemple de disposition des moyens de communication pour effectuer une étape du procédé. Les figures 5 et 6 correspondent à une vue en coupe de la vanne et une vue de dessus du stator.
La vanne rotative comporte Un stator 40 comprenant une pièce d'épaisseur es délimitée par une face supérieure 41 (face d'appui) et une face inférieure 42.
tccctttggg tgaggtcatg tgcccttggc ggcgagtggc ttcccgttta gagcaagtat 360 aataagtcct agtcagctgg ctataagatg ttccacatca gcaaatcctt aaactggagg 420 agaaagaaag taggagtgag aagggcgtcg gcgcttcgtc aatcgctagc gatagcacaa 480 gctcccatgg aatcgagcca acatgcaacc cgcacaatga ctaaaggcaa acgccagcca 540 atcagtatgc ctttctctgc atctttcttc atgcaagcat taaatactat agctaatcta 600 cagccagttt attatataaa caggctatat agctgacctg gcagtgctat agagccggca 660 gccggctctt ctattagctt tgctcttatg gctacatctg tgtgagcagt cgattgattc 720 aaacaacaaa tccgggcgtt cagcaagtcg gaatgaattt cggctcatca ctcattgtcg 780 tgggcctcac gcgtattcgc ctaaccgtgt ttgaatcaga ccctcacgaa gccacggctc 840 cagcgacccg ttcaccacgt cagcctaaaa aaagaaaaaa aaactgttca atcacacgcc 900 catctgaacc gttcaacagc cccacgtaat ttcgcgcacc agcaaagggc atatccgtca 960 tagcgagcgc ataaattctg attcctgcct gcctgccgga caatttatct ttggggaggc 1020 gggccgggat tggagacaga gcccacaagg caacaacaaa gtgcgcgtga gaaatcaaca 1080 agcggtgctt gccgagaaga gagagagaga g atg gcg gcg tcg gcg gcg acg 1132 Met Ala Ala Ser Ala Ala Thr 1 5 gca acg gcg gcg gcg gtg ggg gcg ggg gag gtg atc tcc gtc cac acc 1180 Ala Thr Ala Ala Ala Val Gly Ala Gly Glu Val Ile Ser Val His Thr 10 15 20 ctg gag cag tgg acc atg cag atc gag gag gcc aac gcc gcc aag aag 1228 Leu Glu Gln Trp Thr Met Gln Ile Glu Glu Ala Asn Ala Ala Lys Lys 25 30 35 ctg gtacgcatct ttccggatcg atctctccct cccccctcgt cttctcccgc 1281 Leu 40 aaggcggcac gggccgggcg aggatgctct tgtttcagat tggttggtga agttaagacc 1341 tggctcgtgc atgcggtggc cgcccgagga cgaatctgcg gttggtctgg ttgaattttg 1401 atggcttgga gagcatgtta cggtcggttt cttttccccg tcttattagg gctgccgtgg 1461 atatcatctt ctcatgttaa aaaggagaca gtttcagaac cgcgtgtacc gctacttcct 1521 cggtttctaa atatagatct tctaagattg caccacggac tatgtactga tgtatgtata 1581 tatatacata cttcagagta tagatcactc gttttgctcc gtatgtagta tgcagttcac 1641 ggggggcaca tctgtttgta tggtcttttt gtctgaaaac agtgttggtt atgctgtaat 1701 gtcatggcat ctttctgcga tgcagggggc atggctcttt acattaccct tgcagcattt 1761 tattgtttcc gcatcgtgct gcctcacatg cttttttaga ttgtatagga attgctattg 1821 cacgcaatta tccccttatc cgtggctgct gcagatttgc accaatattc cgtatgtaga 1881
tcccaaacgt ctcctcaagt ttggcatagt aagatcgatt gtgctaactc cactaaaaac 1941 actgtaccag gaatttatat gatgatcatc ttgttgtttg tatatatttt tttgcggggg 2001 agtttataac tttccgtgga ttttcatctc tgaaattgtg gaacatcata aaattccagt 2061 gctattctct tcacgtgaat tataacctgg attgattgta agctctggta ggtgtttatg 2121 gtgttgaact agcagtagca ttattgaccc atgctttgca catttgtgtc aaggtcctgt 2181 taaccttgtc gtttgtaaca g gtg gtg gtt gac ttc act gca tca tgg tgt 2232 Val Val Val Asp Phe Thr Ala Ser Trp Cys 45 50 gga cca tgc cgc atc atg gct cca gtt ttc gct gat ctc gcc aag aag 2280 Gly Pro Cys Arg Ile Met Ala Pro Val Phe Ala Asp Leu Ala Lys Lys 55 60 65 ttc cca aat gct gtt ttc ctc aag gtc gat gtc gat gaa ctg aag 2325 Phe Pro Asn Ala Val Phe Leu Lys Val Asp Val Asp Glu Leu Lys 70 75 80 gtaatggaac cgatggcgct gtttacagag cacagagtat catcgtgcga tttcagagct 2385 gtgttactaa caaggtttta tgttgtatga acagcccatt gcg gag caa ttc agc 2440 Glu Gln Phe Ser 85 gtt gag gcc atg cca acc ttc ctg ttc att aag gaa gga gat gtc aag 2488 Val Glu Ala Met Pro Thr Phe Leu Phe Ile Lys Glu Gly Asp Val Lys 90 95 100 gac agg gtt gtg gga gct atc aag gag gaa ctg acg aac aag gtt ggg 2536 Asp Arg Val Val Gly Ala Ile Lys Glu Glu Leu Thr Asn Lys Val Gly 105 110 115 cta cac gcg gcg gcc cag taatcaccta gcggagtagt attcgcctaa 2584 Leu His Ala Ala Ala Gln 120 ataaaattgt ggctcaagaa gcggtgcctc taatggcacc ttatatcctg tgtactgctt 2644 gttacttgtt ggttggatga tggtgaatca agtgtgactt tat 2687 2 1111 ADN Triticum aestivum 2 gaagtcagaa ggccgttcag aattgttgga ggactcgaaa aaaagaaggg gagcccaggc 60 agacgacggg gcggcatgtg cctgttcctt ggcgaggcgt ctagctttgg cagccgccgc 120 cgcttttctc cttgggtggg cgcgcgagct ccccgagttt gagccgcaat ttttttacat 180 tttatggcga tggcgtcagg cgtttatcta ggcgtctggg agggtacatt tgaagatgtg 240 ccaccaactc caaaccgaca accctgtatc tgagcatgcc tcatgcctct ccttcatgcc 300
tccctttggg tgaggtcatg tgcccttggc ggcgagtggc ttcccgttta gagcaagtat 360 aataagtcct agtcagctgg ctataagatg ttccacatca gcaaatcctt aaactggagg 420 agaaagaaag taggagtgag aagggcgtcg gcgcttcgtc aatcgctagc gatagcacaa 480 gctcccatgg aatcgagcca acatgcaacc cgcacaatga ctaaaggcaa acgccagcca 540 atcagtatgc ctttctctgc atctttcttc atgcaagcat taaatactat agctaatcta 600 cagccagttt attatataaa caggctatat agctgacctg gcagtgctat agagccggca 660 gccggctctt ctattagctt tgctcttatg gctacatctg tgtgagcagt cgattgattc 720 aaacaacaaa tccgggcgtt cagcaagtcg gaatgaattt cggctcatca ctcattgtcg 780 tgggcctcac gcgtattcgc ctaaccgtgt ttgaatcaga ccctcacgaa gccacggctc 840 cagcgacccg ttcaccacgt cagcctaaaa aaagaaaaaa aaactgttca atcacacgcc 900 catctgaacc gttcaacagc cccacgtaat ttcgcgcacc agcaaagggc atatccgtca 960 tagcgagcgc ataaattctg attcctgcct gcctgccgga caatttatct ttggggaggc 1020 gggccgggat tggagacaga gcccacaagg caacaacaaa gtgcgcgtga gaaatcaaca 1080 agcggtgctt gccgagaaga gagagagaga g 1111
MÉTHODE D'INSERTION D'UN FRAGMENT D'ACIDE NUCLEIQUE DANS UN VECTEUR, SES APPLICATIONS ET LES KITS POUR SA MISE EN #UVRE.
La présente invention concerne le domaine de la biologie moléculaire et se rapporte plus précisément à l'insertion de fragments d'ADN dans un vecteur plasmidique.
L'insertion de fragments d'ADN est la base de la plupart des manipulations d'ADN effectuées dans les laboratoires de biologie moléculaire. La stratégie classique consiste à opérer une réaction de ligation entre un fragment d'ADN clivé à ses extrémités par des enzymes de restriction d'une première part, et un plasmide clivé par les même enzymes de restriction, ou au moins des enzymes de restriction générant des sites compatibles. Ce système classique implique la présence regroupée de nombreux sites de restrictions sur chaque plasmide, de façon à pouvoir intégrer des fragments d'ADN d'extrémités variées.
Plus récemment, il a été décrit dans la demande de brevet international PCT No. W09206189 une technique de clonage d'acide nucléique amplifié par PCR. Cette technique connue sous le nom de "TA-cloning@" (Invitrogen catalogue 97/98 page 54) permet l'insertion de fragments d'ADN amplifiés par PCR dans un plasmide clivé par une enzyme de restriction libérant à chacune de ses extrémités une Thymidine 3'-sortante. Cette technique est basée sur le fait que les produits de PCR contiennent à leur extrémités une Adénine 3'-sortante. La complémentarité entre le vecteur-T et le produit de PCR-A permet la ligation efficace de l'un dans l'autre au moyen d'une ligase ou d'une topoisomérase. Cette technique offre l'avantage d'être universelle, car tout produit de PCR peut être inséré dans le vecteur-T, mais elle pose plusieurs problèmes :
la fabrication et la conservation de vecteurs-T n'est pas aisée, - l'utilisation de polymérases thermostables contenant une activité exonucléase, qui est nécessaire à l'obtention d'un bonne fidélité lors de l'amplification, n'est généralement pas possible, cette activité éliminant les Adénines 3'-sortantes du produit de PCR, - l'insertion de fragments d'ADN ne se fait pas de façon orientée, et les insertions multiples, successives ou simultanées, sont malaisées.
Il a également été décrit dans la demande de brevet international PCT No. W09222649 une technique de clonage de produits de PCR. Cette technique connue sous le nom de "CLONEAMP#" (Life Technologies catalogue 97/98 page 152) propose d'amplifier un fragment d'ADN par PCR avec des amorces associés à des séquences contenant des dUMP, puis de traiter les produits d'amplification avec l'UDG de façon à obtenir des extrémités 3' compatible avec un vecteur correspondant.
La présente invention a précisément pour objet une nouvelle méthode d'insertion d'un fragment d'acide nucléique dans un vecteur, qui est universelle et indépendante de la compatibilité entre sites de restrictions. La méthode de l'invention permet par ailleurs de construire des banques d'ADN complémentaire orientées, et offre la possibilité d'isoler de façon aisée des parties 5' de séquences d'ADN dont ont connaît la partie 3'.
La méthode d'insertion d'un fragment d'acide nucléique dans un vecteur selon l'invention est caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes suivantes : a) on prépare une molécule d'acide nucléique double brin comprenant le fragment d'acide nucléique à
insérer dans un vecteur, et en 5' dudit fragment un premier acide nucléique étiquette comprenant une séquence nucléique complémentaire de l'extrémité 5' d'un des brins d'un vecteur clivé, et en 3' dudit fragment un second acide nucléique étiquette comprenant une séquence nucléique complémentaire de l'extrémité 3' du même brin dudit vecteur clivé, b) on dénature d'une part ladite molécule d'acide nucléique et d'autre part un vecteur clivé dont les extrémités 5' et 3' de l'un des brin sont complémentaires desdits premier et second acides nucléiques étiquettes, c) on incube ladite molécule d'acide nucléique avec le vecteur clivé dont les extrémités 5' et 3' sont complémentaires des premier et second acides nucléiques étiquettes, dans des conditions permettant l'hybridation desdits premier et second acides nucléiques étiquettes sur le vecteur clivé, d) on copie : - d'une part, le vecteur clivé dans le sens 5' vers 3' à partir de l'extrémité 3' du second acide nucléique étiquette hybridé à l'extrémité 3' du vecteur clivé, et d'autre part, le fragment d'acide nucléique dans le sens 5' vers 3' à partir de l'extrémité 3' du vecteur clivé, e) on ligature : - d'une part, l'extrémité 3' du brin néosynthétisé avec comme matrice le vecteur, avec l'extrémité 5' du premier acide nucléique étiquette hybridé à l'extrémité 5' du vecteur clivé, et - d'autre part, l'extrémité 3' du brin néosynthétisé avec comme matrice le fragment à insérer, avec l'extrémité 5' du vecteur clivé, f) éventuellement on répète les étapes (b) à (e),
g) éventuellement, on transforme un hôte cellulaire pour sélectionner les vecteurs ayant intégré le fragment d'acide nucléique.
Une représentation schématique des étapes de la méthode de l'invention est donnée à la figure 4 en annexe.
La molécule d'acide nucléique comprenant le fragment d'acide nucléique à intégrer dans un vecteur est préparée par amplification dudit fragment par une réaction de polymérisation en chaîne (PCR) à partir de deux oligonucléotides amorces. Comme représenté à la figure 1 en annexe, chacun de ces oligonucléotides est composé de deux parties : - une partie en 3' homologue à une partie du fragment à insérer.
- une partie en 5', constituant l'acide nucléique étiquette, comprenant une séquence nucléique homologue à l'une des extrémités d'un vecteur clivé.
Exemple 15 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 14 mais, pour cet exemple, on a utilisé un appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie = 50 kV) à la place de l'appareil d'exposition à laser excimère à KrF, et on a réalisé la cuisson après exposition à 120 C pendant 60 secondes. Dans cet exemple, une dose d'exposition de 10 pC/cm2 permettait la résolution d'un motif L/E de 0,12 pm. Ce motif de résist était lui aussi exempt de tout gonflement.
Exemple 16 On a utilisé les substances suivantes comme composantes d'un résist. Résine de base 1 Polyvinylphénol (masse moléculaire moyenne en poids : 12 000, distribution : 2,0) Additif 1 (à titre d'alcool alicyclique) 1-adamantanol PGA 1 (à titre de photogénérateur d'acide) Trifluorométhanesulfonate de triphénylsulfonium On préparé une solution de résist en dissolvant la résine de base 1, l'additif 1 et 1 dans le lactate d'éthyle à un rapport massique de 10 : : 1. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre à membrane en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS et l'a précuite à 110 C pendant 2 minutes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,8 pin. On a soumis ce film de résist à une exposition avec les trois types d'appareils d'exposition suivants appareil d'exposition à la raie i (longueur d'onde : 365nm) appareil d'exposition à laser excimère à KrF ("stepper") (NA = 45, longueur d'onde : 248 nm) appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie 50 kV) Le motif d'exposition était un motif lignes et espaces (IJE) de 0 pm avec la raie i, un motif LJE de 0,25 pm avec le laser à KrF et un motif UE de 0,25 pm avec faisceau électronique. Après la cuisson après exposition à 120 C pendant 2 minutes, on l'a développé avec une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) à 2,38 % pendant 30 secondes et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. L'évaluation de la résolution du motif de résist négatif resultant a donné les résultats suivants.
Raie i : dose d'exposition = 22 mJ/cm2, résolution = Laser à KrF : dose d'exposition = 16 mJ/cm2, résolution = @o Faisceau électronique : dose d'exposition = 7 pC/cm2, résolution = @o On a évalué la résolution sur la base de l'échelle à quatre niveaux suivante @o : forme en coupe transversale rectangulaire. La différence entre les dimensions du haut du motif et les dimensions du bas du motif inférieure à 1 % des dimensions du motif d'exposition.
forme en coupe transversale grossièrement rectangulaire. La différence entre les dimensions du haut du motif et les dimensions bas du motif sont situées dans les limites de 1 à 5 % des dimensions du motif d'exposition.
forme en coupe transversale légèrement diminuée. La différence entre les dimensions du haut du motif et les dimensions du bas du motif est supérieure à 5 % mais inférieure à 10 % des dimensions du motif d'exposition.
X : forme en coupe transversale diminuée. La différence entre les dimensions du haut du motif et les dimensions du bas du motif est supérieure à 10 % des dimensions du motif d'exposition.
Les résultats de l'évaluation sont énumérés dans le tableau 1 ci- dessous en vue d'une comparaison avec d'autres compositions de résist.
Pour évaluer la résistance du résist à la gravure sèche, on a placé un substrat de silicium revêtu du résist en une épaisseur de 1 pm de la manière décrite ci-dessus dans un appareil RIE à plaques parallèles pour la gravure par pulvérisation cathodique à CF4 dans les conditions suivantes : Pp = 200 W, pression = 2,6 Pa (0,02 Torr), gaz de CF4 = 100 Ncm3/min pendant une durée de 5 minutes. a constaté que la vitesse de gravure était égale à 689x 10-i m (Â)/min ce qui confirme l'excellente résistance à la gravure sèche. Exemples 17 - 39 a répété le protocole décrit dans l'exemple 16 mais, pour ces exemples, on a modifié la résine de base, l'additif (alcool alicyclique) et le photo- générateur d'acide comme le montre le tableau 1 ci-dessous. Les composants utilisés dans ces exemples étaient les suivants.
Résine de base 2 Copolymère méthacrylate/méthacrylate de méthyl (rapport de copolymérisation : 35 : 65, masse moléculaire moyen en poids : 10 000 ; distribution : 2,3) Additif 2 (à titre d'alcool alicyclique) Additif 3 (à titre d'alcool alicyclique) Additif 4 (à titre d'alcool alicyclique) PGA2 (à titre de photogénérateur d'acide) PGA3 (à titre de photogénérateur d'acide) Le tableau ci-dessous résume les résultats l'évaluation des compositions de résist pour chaque exemple.
Exemples comparatifs 1 - 4 a répété le protocole décrit dans l'exemple mais, à titre de comparaison dans ces exemples comparatifs, on a utilisé trois résists négatifs à base de mélamine du commerce différents (composition précise inconnue) et un résist à base pinacol préparé à titre de comparaison, comme le montre le tableau 1. Le pinacol utilisé dans le résist à base de pinacol avait la structure suivante. Le tableau 1 ci-dessous résume les résultats de l'évaluation des compositions de résist pour chaque exemple comparatif.
a 0 c .ô Û c@ In h O#O@t-,O@@Ov)NOOI-oO@D@ocooool-Mh a V . c 0 00@@00@00 ô h a 00 a 21 0 0 @ @D lo ,D @n @n oo v@ ,0 t- tn v) W) O O oc tn t ... .@ ...@ r.r N N N b G O Ô h G O p ... O NG @O O -#2 N M O dt 't -t -t V) O @D cn -t N N v') ,O ,O o O. N N M - - .-. N N N N N Z7 a N M .--i N M N M #@ N M N M N M cq2 h O w @L 'agi Ô @ ~ N M a h @ --@ @ N N N N N N N N N .O N @D l@ oo a\ O N M @ vW0 I@ o0 O@ O #- N M O @ N N N N N N N N N N M M M M K W Les résultats montrés dans le tableau 1 indiquent que les compositions de résist de l'invention conduisent à une plus grande sensibilité et une résolution bien plus satisfaisante que les produits de l'état de la technique (c'est-à-dire les résists des exemples comparatifs). Ceci est attribué au plus grand changement de polarité qui facilite la conversion négative du résist dans les parties exposées, en créant une plus grande différence de vitesse de dissolution.
Exemple 40 A du polyvinyphénol produit par Maruzen Sekiyu K.K., on a ajouté 7 % en masse d'un homopolymère (masse moléculaire : 2 000) de méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle. On a dissous le mélange résultant dans de l'acétate de méthyléther de propylèneglycol (PGMEA) pour préparer une solution de résine. A la solution obtenue, on a ajouté 5 % en masse de trifluorométhanesulfonate de triphénylsulfonium que l'on a soigneusement dissous. On a filtré la solution de résist ainsi obtenue sur un filtre à membrane en téflon de 2,0 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge sur un substrat de silicium soumis à un traitement avec HMDS, et on l'a précuite à 110 C pendant 60 s pour former un film de résist épais de 0,5 pm. On a exposé ce film de résist au moyen d'un appareil d'exposition à laser excimère à KrF (NA = 0,45), on l'a cuit à 120 C pendant 60 s, on l'a développé avec un agent de développement constitué par de l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) à 2,38 %, et on l'a rincé à l'eau désionisée. Avec une quantité d'exposition de 14,0 mJ/cmz on a obtenu une réso lution motif LIE de 0,25 pm. Aucun gonflement n'est apparu dans ce motif de résist.
Exemple 41 En utilisant la solution de résist préparée dans l'exemple 40, on a formé film de résist épais de 0,5 pm sur un substrat en silicium soumis de même un traitement avec HMDS. On a exposé ce film de résist au moyen d'un appareil d'exposition à faisceau électronique (50 kV), on l'a cuit à 120 C pendant 60 s, on l'a développé avec un agent de développement constitué par de l'hydroxyde de tétraméthylammonium à 2,38 % (TMAH) et on l'a rincé à l'eau désionisée. Avec une quantité d'exposition de 12 pC/cm2, on a obtenu une résolution de motif LIE de 0,15 pm. Aucun gonflement n'est apparu dans ce motif de résist. Exemple 42 A la solution de résine préparée dans l'exemple 40, on a ajouté 10 % en masse de 1-adamantanol par rapport à la masse de polyvinylphénol et 5 % en masse de trifluorométhanesulfonate de diphényliodonium par rapport à la résine, pour préparer une solution de résist. On a appliqué en revêtement cette solution de résist par application centrifuge sur un substrat en silicium soumis à un traitement avec HMDH et on l'a précuite à 110 C pendant 60 s pour former un film de résist épais de 0,5 pm que l'on a exposé avec un appareil d'exposition à laser excimére à KrF, cuit à 120 C pendant 60 s, développé avec un agent de développement constitué par de l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) à 2,38 % et rincé à l'eau désionisée. Avec une quantité d'expositions de 8 pC/crnz, on a obtenu une résolution de motif LJE de 0,25 pm. Aucun gonflement n'est apparu dans ce motif de résist.
Exemple 43 A la solution de résine préparée dans l'exemple 40, on a ajouté 10 % en masse de 3-hydroxybicyclo[2.2.2]octane et 10 % en masse de y butyrolactone à titre de solvant auxiliaire, dans chaque cas par rapport la masse de résine. De plus, on a ajouté 5 % en masse de trifluorométhanesulfonate de diphényliodonium par rapport à la résine pour préparer une solution de résist. On a appliqué cette solution de résist en revêtement par application centrifuge sur un substrat en silicium soumis à un traitement avec HMDH et on l'a précuite à 110 C pendant 60 s pour former un film de résist épais de 0,5 pm. On a exposé ce film de résist avec un appareil d'exposition à laser excimère à KrF, on l'a cuit à 120 C pendant 60 s, on l'a développé avec un agent de développement constitué par de l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée. Avec une quantité d'exposition de 9 mJ/cmZ, on a obtenu une résolution de motif LJE DE 0,25 pm. Aucun gonflement n'est apparu dans ce motif de résist.