INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La structure du premier polymère soluble en milieu alcalin utilisé comme résine de base dans la composition de résine de l'invention n'est pas parti culièrement limitée dans la mesure où les conditions décrites ci-dessus, en parti culier la condition selon laquelle le polymère a une vitesse de dissolution en milieu alcalin appropriée, sont remplies. Toutefois, pour obtenir une résistance à la gravure à sec comparable à celle d'un résist à base de résine novolaque, on utilise de préférence un polymère ayant une unité monomère de type acrylate ou méthacrylate ayant un composé hydrocarboné alicyclique polynucléaire dans le groupe ester, un polymère de type vinylphénol, un polymère de type maléimide substitué ou un polymère de type styrène. Parmi ceux-ci, on préfère polymère type acrylate ou méthacrylate quand on utilise une source lumineuse ayant une longueur d'onde située dans la région des ultraviolets moyens, en particulier à 220 nm ou moins, car l'absorption de lumière à cette longueur d'onde est faible. Autrement dit, dans le cas où l'on utilise des rayons ultraviolets moyens comme source lumineuse d'exposition, on préfère utiliser un polymère ayant structure contenant pas de cycles aromatiques qui absorbent beaucoup la lumière dans la région des ultraviolets moyens, ou de chromophores ayant un grand coefficient d'extinction molaire, tels que des doubles liaisons conjuguées.
En particulier, dans le cas où l'on utilise une source lumineuse ayant longueur d'onde d'exposition située dans la région des longueurs d'onde ultracourtes, comme un laser excimère à ArF, non seulement la résistance à la gravure à sec mais aussi la transparence à cette longueur d'onde (193 nm) sont nécessaires, de sorte que l'on utilise de préférence le polymère décrit ci-dessus qui a un groupe ester contenant une structure hydrocarbonée alicyclique polynucléaire capable de présenter une grande résistance à la gravure à sec, tel qu'un groupe adamantyle, un groupe bicyclo[2.2.1 ]octyle ou un groupe norbornyle.
La structure du second polymère quia une structure d'alcool, qui peut être utilisé avantageusement dans la mise en oeuvre de la présente invention, n'est pas particulièrement limitée, mais dans le cas où l'on utilise un polymère ayant une masse moléculaire relativement élevée, on doit veiller à la compatibilité pour ne pas provoquer une séparation des phases d'avec la résine de base. Pour empêcher une séparation des phases, on préfère une combinaison avec un polymère ayant une masse moléculaire aussi faible que celle d'un oligomère, mais ceci ne s'applique pas dans le cas d'une combinaison avec un polymère à haute compatibilité tel que les vinylphénols et les résines acryliques, et on préfère également une combinaison avec un tel système de résine. Pour la chaîne principale du second polymère, on peut utiliser le même monomère que dans le premier polymère.
La structure d'alcool sur la chaîne latérale du second polymère peut être par exemple l'une des structures suivantes, mais sans limitation où R, à R3, qui peuvent être identiques ou différents, représentent chacun un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant 1 à 6 atomes de carbone qui peut être linéaire ramifié ou cyclique, Y est un substituant arbitraire contenant de l'hydrogène représente un groupe alkyle quelconque ayant 1 à atomes de carbone, un groupe alcoxycarbonyle, un groupe cétone, un groupe hydroxyle ou un groupe cyano, et m et n représentent des nombres entiers de 1 à 6.
second polymère ayant une structure d'alcool peut etre l'un des polymères suivants, mais sans limitation. Dans les formules suivantes, 1, m et n représentent chacun le nombre d'unités monomères (unités répétées) nécessaire pour obtenir masse moléculaire moyenne en poids citée ci-dessus.
(1) Polymères de type acrylate et méthacrylate où Z est l'entité ayant une structure d'alcool, X représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle, et RK représente un groupe alkyle quelconque peut être linéaire, ramifié ou cyclique et qui peut contenir un groupe aromatique comme substituant. (2) Polymères de type norbornène où X, Y, Z et RR sont définis comme ci-dessus, et RX représente un groupe alkyle quelconque qui peut être linéaire, ramifié ou cyclique et qui peut contenir un groupe aromatique comme substituant.
(3) Polymères de type vinylphénol où X, Y, Z, RR et Ra ont les significations dénies ci-dessus. Polymères de type acide vinylbenzoïque où X, Y, Z et ont les significations définies ci-dessus.
outre, il est possible d'utiliser dans la formation du polymère des diesters de l'acide maléique, de l'acide fumarique, de l'acide itaconique d'autres acides semblables.
Comme composé ayant une structure d'alcool qui est ajouté à la composition résist selon la présente invention, il est possible d'utiliser avanta geusement par exemple l'un des composés alcooliques suivants. Parmi ces structures d'alcool, on préfère les alcools tertiaires. où est un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant 1 à 8 atomes carbone qui peut être linéaire, ramifié ou cyclique et qui peut avoir un substituant n un nombre de 1 à 6, YY est un substituant quelconque qui peut être groupe alkyle quelconque ayant 1 à 6 atomes de carbone, un groupe alcoxycar- bonyle, un groupe cétone, un groupe hydroxyle ou un groupe cyano.
Le premier polymère ayant un groupe soluble en milieu alcalin et le second polymère ayant sur sa chaîne latérale une structure d'alcool peuvent être préparés par un procédé de polymérisation utilisé communément. Par exemple, il est possible de préparer le polymère avantageusement en chauffant un composant monomère prédéterminé en présence de AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile) comme initiateur radicalaire.
On sait que les polymères de méthacrylate ont une grande transparence dans la région des ultraviolets moyens de sorte que, quand on choisit pour premier et second polymères une structure qui ne contient pas de chromophores ayant un grand coefficient d'extinction molaire au voisinage de la longueur d'onde d'exposition, le résist obtenu en combinant ces polymères avec une quantite appropriée de photogénérateur d'acide peut avoir une grande sensibilité adaptée à l'exposition à des rayons ultraviolets moyens.
Comme décrit ci-dessus, le premier polymère soluble en milieu alcalin comporte un groupe soluble en milieu alcalin qui participe à une réaction d'insolu bilisation du polymère dans une solution aqueuse basique dans des conditions catalytiques acides en présence d'un alcool, et un acide protonique peut être régénéré par cette réaction, de sorte qu'il est possible d'obtenir une grande sensibi lité. Après la réaction, la solubilité en milieu aqueux diminue du fait de la dispari tion du groupe soluble en milieu alcalin ou du fait de l'encombrement stérique, de sorte que la partie exposée du film de résist devient insoluble dans une solution aqueuse basique, et quand le film de résist est développé, la partie non exposée est dissoute et on obtient un motif négatif. Dans ce cas, on utilise le changement de polarité qui apparaît dans la résine de base de sorte qu'il est possible d'obtenir un motif sans gonflement.
Les détails concernant la composition, les propriétés et la production de la composition de résist du troisième aspect de la présente invention sont les mêmes que pour la composition de résist des aspects précédents.
De préférence, la teneur du second polymère peut être de 0,1 à 80 lo en masse par rapport aux polymères totaux, sa masse moléculaire peut aller de 500 à 100 000, le composé à structure d'alcool peut avoir un point d'ébullition d'au moins 130 C la masse moléculaire du premier polymère peut aller de 2 000 à 1000 000 et l'absorbance à la longueur d'onde de la source d'exposition peut être 1,75 pm ou moins.
Dans son quatrième aspect, la présente invention concerne une com position de resist négatif à amplification chimique qui comprend, comme compo sants contribuant directement à la réaction pour la formation du motif de résist, (1) une résine de base composée d'un polymère soluble en milieu alcalin, (2) un photogénérateur d'acide capable de se décomposer absorption d'un rayonnement formateur d'image pour produire un acide, et un alcool alicyclique ayant un site réactif qui peut subir réaction de liaison par déshydratation avec le polymère de la résine de base en présence de l'acide produit par le photogénérateur d'acide.
On définit un objet informatique comme un élément comprenant à la fois différents attributs, et un ensemble de fonctions qui permettent de manipuler les données de l'objet. Cet ensemble de fonctions et d'attributs forme une interface de l'objet informatique.
Un ordinateur adapté à mettre en #uvre l'invention est illustré en outre à la figure 3.
Cet ordinateur comporte un microprocesseur 500, une mémoire morte 501 comprenant un programme pour mettre en oeuvre l'invention, et une mémoire vive 502 comportant des registres adaptés à enregistrer les variables modifiées au cours de l'exécution du programme.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée
au mode de réalisation qui vient d'être décrit et représen-
té. On pourra y apporter de nombreuses modifications
de détail sans sortir pour cela du cadre de l'invention.
DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dos photographique numérique de type scanner , pouvant se fixer sur une chambre photographique.
ETAT DE LA TECHNIQUE-MATERIEL EXISTANT La photographie numérique a commencé à remplacer la photo argentique traditionnelle grâce à des innovations technologiques importantes.
On évite plusieurs aléas comme : le test des émussions films, les différences entres ces émulsions, les variations dans le traitement chimique, le grain de la pellicule, les poussières et rayures.
De plus, la scanntrisation de ces films, leur duplication, sont autant de générations intermédiaires qui dégradent la qualité de l'image d'origine.
Mais certaines lois optiques de la formation de l'image restent inchangées, que ce soit en technologie argentique (avec film), ou en technologie numérique (avec capteurs photosensibles électroniques) et pour la plus haute qualité, I'emploi d'une chambre photographique professionnelle, de type à soufflet par exemple, reste indispensable.
Un appareil photographique professionnel de type chambre à soufflet est schématiquement constitué de : voir Figure 1 Un rail support (RA), des montants avant (T1) et arrière (T2), mobiles sur ce rail, reliés par un soufflet extensible (W).
Le montant avant (T1) supporte l'objectif (OB).
Le montant arrière (T2) supporte habituellement un cadre avec un verre dépoli sur lequel se forme l'image d'un sujet (SU) au travers de l'objectif (OB). Ce dépoli est essentiel au photographe pour juger de la qualité de l'image dans tous ses recoins. Ce dépoli sert à viser, observer, cadrer, mettre au point... I'image.
Meilleurs sont les réglages sur le dépoli, meilleure sera l'image à l'arrivée quelle que soit la technique employée : argentique avec film classique, ou numérique avec capteurs électroniques photosensibles.
Le montant arrière (T2) sert aussi à recevoir le matériel photosensible, au sens large du terme : -en technologie photo-argentique, il s'agit des pellicules : elles sont contenues dans des chassis pour roll-films ou plan-films -en technologie photo-numérique, il s'agit de capteurs électroniques photosensibles (de type CCD ou autre) inclus dans des dos numériques.
Dans le descriptif suivant, les mots Chassis et Dos se rapportent à ce qui peut tre introduit (ou fixé) dans (ou sur) le montant arrière d'une chambre photographique à soufflet, comme expliqué sur la Figure 1.
L'intért des chambres photographiques professionnelles à soufflet par rapport aux appareils plus simples réside dans la possibilité de faire bouger les montants avant (T1) et/ou arrière (T2), indépendamment l'un de I'autre, dans diverses directions, pour permettre des déformations-corrections de l'image, mouvements dits de"bascule"et de"décentrement".
Tout d'abord, la composition de résist est appliquée en revêtement sur un substrat cible pour former un film de résist. Le substrat cible peut être un substrat qui utilisé communément pour la fabrication des dispositifs à semi conducteurs et d'autres dispositifs, et ce peut-être par exemple un substrat en silicium, substrat en verre, un substrat céramique non magnétique, un substrat semi-conducteur, un substrat d'alumine ou un autre substrat cristallin isolant. Si nécessaire une couche supplémentaire telle qu'une couche d'oxyde silicium, une couche métallique de câblage, un film isolant intercouche, un film magnétique ou analogue peut être présente sur ces substrats, ou des câblages circuits différents peuvent être intégrés à l'intérieur. Ces substrats peuvent être soumis à un traitement hydrophobe par des procédés courants pour augmenter la cohésion du film de résist avec eux. Le 1,1,1,3,3,3-hexaméthyldisilazane (HMDS) est un exemple d'agent de traitement hydrophobe approprié.
Comme mentionné ci-dessus, la composition de résist est habituelle ment appliquée en revêtement sur le substrat cible sous forme d'une solution de résist. L'application en revêtement de la solution de résist peut être accomplie au moyen d'une technique courante telle que le revêtement centrifuge, le revêtement au rouleau, le revêtement par immersion, mais le revêtement centrifuge est parti culièrement utile. L'épaisseur du film de résist n'est pas limitée particulièrement mais on préfère normalement qu'elle soit située dans le domaine d'environ 1 à 200 pm, et dans le cas de l'exposition à un laser excimère à KrF ou ArF par exemple, le domaine recommandé est d'environ 0,l-1,5 p m. L'épaisseur du film de résist peut varier dans un large domaine en fonction de facteurs tels que l'applica tion envisagée pour le film de résist.
Le film de résist appliqué en revêtement sur le substrat est de 'fé- rence précuit à une température d'environ 60-180 C pendant environ 30-120 s avant d'être exposé sélectivement au rayonnement formateur d'images. La précuisson peut être réalisée à l'aide de moyens chauffants courants pour le traitement des résines, par exemple une plaque chauffante ou un four à infrarouges.
Le film de résist précuit est ensuite exposé sélectivement à un rayon nement formateur d'image au moyen d'un appareil d'exposition à la lumière conventionnel. Les appareils d'exposition à la lumière appropriés comprennent les appareils d'exposition aux rayons ultraviolets (rayons ultraviolets lointains, rayons ultraviolets moyens) disponibles dans le commerce, les appareils d'exposition aux rayons X, les appareils d'exposition aux faisceaux électroniques, les lasers excimères, analogues. Les conditions d'exposition à la lumière peuvent être choisies selon ce qui est approprié pour le processus. Ainsi qu'on l'a mentionné ci- dessus, les lasers excimères (lasers à KrF ayant une longueur d'onde de 248 nm, lasers à ayant une longueur d'onde de 193 nm et autres lasers) sont particu lièrement avantageux comme sources d'exposition à la lumière dans le cadre de l'invention. De ce fait, dans toute cette description, le terme "rayonnement" désignera lumière provenant de ces différents types de sources lumineuses, c'est-à-dire les rayons ultraviolets, les rayons ultraviolets lointains, les rayons ultraviolets moyens, les faisceaux électroniques, les rayons X, la lumière laser et analogues. L'exposition à la lumière sélective conduit à l'absorption du rayonne ment par le polymère filmogène dans les parties exposées à la lumière du film de résist par le mécanisme décrit ci-dessus, ce qui conduit à sa décomposition et à la production d'acide.
Le film de résist exposé est ensuite soumis à une cuisson après exposi tion (CAE) pour produire une réaction de protection du groupe soluble en milieu alcalin catalysée par l'acide. Les conditions pour la cuisson après exposition ne sont pas limitées particulièrement dans la mesure où elles provoquent et favorisent de manière adéquate la réaction de protection voulue, et, par exemple, la cuisson peut être réalisée dans les mêmes conditions que la précuisson précédente. Par exemple, la température dans la cuisson après exposition peut être d'environ 60- 180 C, et de préférence d'environ 100-150 C, pour une durée de cuisson d'environ 30-120 s. De préférence, les conditions de la cuisson après exposition sont ajustées en fonction, notamment, de la taille et de la forme du motif voulu.
Après la fin de la cuisson après exposition, le film de résist exposé est développé dans une solution aqueuse basique qui joue le rôle d'agent de dévelop pement. Pour le développement, on peut utiliser un appareil de développement courant tel qu'un appareil de développement centrifuge, un appareil de développe ment à immersion, ou un appareil de développement à pulvérisation. La solution aqueuse basique qui peut être utilisée avantageusement comme agent de dévelop pement dans ce cas est une solution aqueuse contenant l'hydroxyde d'un métal du groupe 1 ou H du Tableau Périodique, par exemple l'hydroxyde de potassium, ou une solution aqueuse d'une base organique ne contenant pas d'ions métalliques, telle qu'un hydroxyde de tétraalkylammonium. La solution aqueuse basique est de préférence encore une solution aqueuse d'hydroxyde tétraméthylammonium (TMAH) ou d'hydroxyde de tétraéthylammonium (TEAH). La solution aqueuse basique peut aussi contenir un additif tel qu'un tensioactif pour augmenter l'effet de développement. Le développement conduit à la dissolution et au retrait des parties non exposées du film de résist, en laissant un motif de résist constitué uniquement par les parties exposées sur le substrat. Autrement dit, selon le procédé de l'invention, il est possible d'obtenir un motif de résist négatif compliqué. Le fait qu'un motif de résist selon la présente invention puisse être utilisé avantageusement pour la formation de motifs de ^blage ayant des largeurs de lignes de 0,15 pin. ou moins est particulièrement important.
De plus, la présente invention concerne un procédé de production de dispositifs électroniques au moyen des compositions résist négatif de la présente invention qui sont décrites ci-dessus, et les dispositifs électroniques ainsi produits. On notera que le terme "dispositifs électroniques" désigne une grande variété d'appareils électroniques y compris les dispositifs semi-conducteurs et les têtes d'enregistrement magnétique de sorte que ces dispositifs ne sont pas limités à des dispositifs électroniques ayant une structure spécifique. De plus, comme on peut le comprendre d'après la description ci-dessus, composition de résist négatif selon la présente invention, qui est utilisée dans la production des dispositifs électroniques selon la présente invention, peut être l'une quelconque des compositions de résist négatif selon les premier à quatrième aspects de la présente invention.
Dans le procédé de production de dispositifs électroniques selon l'invention, on utilise comme moyen de masquage un motif de résist formé à partir de la composition de résist négatif de la présente invention pour retirer sélective ment le substrat cible sous-jacent qui peut être un substrat, une couche mince ou un revêtement, pour former une couche d'élément fonctionnel prédéterminé. De préférence, utilise la gravure pour retirer sélectivement le substrat cible.
Ainsi qu'on l'a décrit ci-dessus au sujet de la formation de motifs de résist, le substrat sous-jacent, qui peut être par exemple une couche mince, qui doit être retiré sélectivement ou selon un motif par gravure, est généralement appelé ici "substrat cible" ou "substrat traité". Autrement dit, le terme "substrat cible" désigne tous les substrats, toutes les couches minces et tous les revêtements qui doivent etre soumis à une gravure dans la production de dispositifs électro niques comme les dispositifs à semi-conducteurs et les têtes magnétiques. Les substrats cibles appropriés comprennent par exemple un substrat à semi conducteur qu'un substrat de silicium et un substrat de GaAs, et un substrat cristallin électroniquement isolant tel qu'un composé semi-conducteur et l'alumine (A1203), et les couches minces ou revêtements suivants PSG, TEOS, SION, TiN, le carbone amorphe, un siliciure métallique comme Al ' AI-Si-Cu et WSi, le polysilicium (Poly-Si), le silicium amorphe, Si02, , TiW, notamment.
plus des couches minces et revêtements précédents les couches magnétorésistives (géantes) comprenant Cu, Co, FeMn, NiFe, LaSrMnO et d'autres sont incluses aussi dans le cadre des substrats cibles.
le procédé de production de dispositifs électroniques selon la présente invention, le substrat cible demeure sous forme d'un substrat, d'une couche mince d'un revêtement muni d'un motif, et un tel produit muni d'un motif est appelé ici "couche d'élément fonctionnel" car il peut présenter des fonctions prédéterminées et des effets prédéterminés dans dispositifs électroniques produits.
De préférence, le procédé de production de dispositifs 'lectroniques selon la présente invention peut être mis en oeuvre par les étapes suivantes application en revêtement de la composition de résist négatif selon la présente invention sur le substrat cible, exposition sélective du film de résist formé à un rayonnement formateur d'image capable d'induire la décomposition du photogénérateur d'acide de la composition de résist, développement du film de résist exposé avec une solution aqueuse basique pour former un motif de résist, et gravure substrat cible en présence du motif de résist à titre de moyens de masquage pour former une couche d'élément fonctionnel.
Le rayonnement formateur d'image utilisé dans l'étape d'exposition du film de résist n'est limité à un rayonnement spécifique et comprend une grande variété de sources lumineuses utilisées dans le traitement des résists dans la production de dispositifs à semi-conducteurs et d'autres dispositifs. Les lampes à mercure telles que lampes à raie g et à raie i, les lasers excimères à KrF, ArF et d'autres lasers exciméres, les faisceaux électroniques et les rayons X sont des exemples typiques sources lumineuses appropriées.
La présente invention concerne également un dispositif électronique comprenant au moins substrat, une couche mince ou un revêtement muni d'un motif (couche d'élément fonctionnel) dans une ou des positions appropriées quelconques du dispositif, la couche d'élément fonctionnel étant formée à l'aide d'un moyen de masquage constitué par un motif de résist formé à partir de la com position de résist negatif selon la présente invention, dans le procédé de retrait sélectif du substrat cible.
On va maintenant décrire le dispositif électronique selon la présente invention et son procédé de production en se référant en particulier à des dispositifs à semi-conducteurs et à des têtes magnétiques.
Le procédé fabrication de dispositifs à semi-conducteurs selon la présente invention de préférence mis en oeuvre au moyen des étapes suivantes application en revêtement d'une composition de résist selon l'invention sur un substrat cible, exposition sélective du film de résist formé à un rayonnement formateur d'image capable d'induire la décomposition du photogénérateur d'acide dans la composition résist, développement du film de résist exposé avec une solution aqueuse basique pour former motif de résist, et gravure du substrat cible sous-jacent pour son retrait, utilisant le motif de résist comme moyen de masquage.
Lorsque tous les paramètres ont été extraits de la requête POST et traduits, une étape E77 permet de vérifier si un code d'exécution est inséré dans la requête POST.
Dans l'affirmative, le procédé d'activation comporte une étape d'extraction E78 de ce code d'exécution associé à la fonction, et une étape d'exécution E79 de ce code sur l'objet informatique distant 02.
Bien entendu, si aucun code d'exécution n'est inséré dans la requête d'invocation POST, une étape E80 permet d'exécuter la méthode locale disponible sur l'ordinateur distant C3.
Une étape de test E81 permet de vérifier si l'activation de cette fonction à été réalisée sans erreur.
Si une erreur s'est produite, une réponse est envoyée dans une étape E82 à destination de l'ordinateur local C1, cette réponse comportant de manière connue une exception afin de signaler l'erreur produite.
Sinon, une étape de test E83 permet de vérifier si la fonction exécutée fournit ou non un résultat.