INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par report à la figure 10A, une pluralité de lignes de bit BL sont disposées en parallèle suivant la direction verticale. Une pluralité de lignes de mot WL sont disposées en parallèle suivant la direction horizontale, de manière à croiser les lignes de bit BL. Au niveau de chaque point de croisement de la ligne de bit BL et de la ligne de mot WL, une cellule de mémoire MC représentée sur la figure 9A est connectée. La ligne de bit BL est connectée à un circuit de commande de ligne de bit BLC qui applique un signal de commande de ligne de bit. La ligne de bit BL est également connectée à un circuit de détection SC au niveau de l'extrémité inférieure de la figure 10A, lequel détecte un courant qui circule au travers de la ligne de bit. La ligne de mot WL est connectée à un circuit de commande de ligne de mot WLC qui applique un signal de commande de ligne de mot.
Lors de la lecture de données à partir du réseau de mémoire, une tension de lecture Vr telle que représentée sur la figure 9D est appliquée entre la ligne de bit BL et la ligne de mot WL connectées à la cellule de mémoire destinée à être lue et une tension inférieure à la tension de lecture Vr est appliquée en relation avec les autres cellules de mémoire à partir desquelles des données ne sont pas lues. De cette manière, les données dans une cellule de mémoire souhaitée peuvent être lues.
La figure 10B représente une forme d'onde de signal d'écriture.
Des signaux présentant des formes d'onde représentées dans la zone supérieure de la figure lOB sont appliqués sur la ligne de mot WL et des signaux présentant des formes d'onde représentées dans la zone inférieure de la figure 10B sont appliqués sur la ligne de bit BL. La forme d'onde de signal sur la ligne de mot WL présente quatre niveaux incluant un potentiel de masse 0, la tension de référence Vcc, 2Vcc/3 et 4Vcc/3. La forme d'onde de signal sur la ligne de bit BL présente deux niveaux incluant le potentiel de référence Vcc et Vcc/3.
Considérons maintenant qu'une ligne de mot est sélectionnée et que des données sont écrites dans des cellules de mémoire connectées à la ligne de mot sélectionnée. Un cycle temporel IIIA représente un état de sélection de la ligne de mot. Le potentiel de la ligne de mot sélectionnée est établi au niveau de masse 0 et les lignes de mot non sélectionnées sont établies au potentiel de référence Vcc.
Elle peut contenir les adjuvants cosmétiques habituellement utilisés dans le domaine cosmétique, tels que des corps gras, des solvants organiques, des silicones, des épaississants, des adoucissants, des filtres solaires complémentaires, des agents anti-mousses, des agents hydratants, des parfums, des conservateurs, des tensio-actifs, des charges, des séquestrants, des polymères anioniques, cationiques, non ioniques ou amphotères ou leurs mélanges, des propulseurs, des agents alcalinisants ou acidifiants, des colorants, des pigments ou nanopigments en particulier ceux destinés à assurer un effet photoprotecteur complémentaire par blocage physique du rayonnement ultraviolet, ou tout autre ingrédient habituellement utilisé en cosmétique, en particulier pour la fabrication des compositions antisolaires.
Parmi les solvants organiques, on peut citer les alcools et polyols inférieurs tels que l'éthanol, l'isopropanol, le propylèneglycol, la glycérine et le sorbitol.
Les corps gras peuvent être constitués par une huile ou par une cire ou leurs mélanges, des acides gras, des esters d'acides gras, des alcools gras, la vaseline, la paraffine, la lanoline, la lanoline hydrogénée, la lanoline acétylée. Les huiles peuvent être choisies parmi les huiles animales, végétales, minérales ou de synthèse, et notamment l'huile de palme hydrogénée, l'huile de ricin hydrogénée, l'huile de vaseline, l'huile de paraffine, l'huile de Purcellin, les huiles de silicones, volatiles ou non, et les isoparaffines.
Bien entendu, l'homme de l'art veillera à choisir le ou les éventuels composés complémentaires cités ci-dessus et/ou leurs quantités de manière telle que les propriétés avantageuses attachées intrinsèquement au composé conforme à l'invention ne soient pas, ou substantiellement pas, altérées par la ou les adjonctions envisagées La composition cosmétique de l'invention peut être utilisée comme composition protectrice de l'épiderme humain ou des cheveux contre les rayons ultraviolets, comme composition antisolaire ou comme produit de maquillage Cette composition peut se présenter en particulier sous forme de lotion, de lotion épaissie, de gel, de crème, de lait, de poudre, de bâtonnet solide et éventuellement être conditionnée en aérosol et se présenter sous forme de mousse ou de spray.
Lorsque la composition cosmétique selon l'invention est plus particulièrement destinée à la protection de l'épiderme humain contre les rayons UV ou comme composition antisolaire, elle peut se présenter sous forme de suspension ou de dispersion dans des solvants ou des corps gras, ou encore sous forme d'émulsion (notamment de type H/E ou E/H, mais de préférence H/E) telle qu'une crème ou un lait, de dispersion vésiculaire, sous forme de pommade, de gel, de bâtonnet solide ou de mousse aérosol. Les émulsions peuvent contenir en outre des agents tensio-actifs anioniques, non ioniques, cationiques ou amphotères.
Lorsque la composition cosmétique selon l'invention est utilisée pour la protection des cheveux, elle peut se présenter sous forme de shampooing, de lotion, de gel ou composition à rincer, à appliquer avant ou après shampooing, avant ou après coloration ou décoloration, avant, pendant ou après permanente ou défrisage, de lotion ou gel coiffant ou traitant, de lotion ou gel pour le brushing ou la mise en plis, de laque pour cheveux, de composition de permanente ou de défrisage, de coloration ou décoloration des cheveux.
Lorsque la composition cosmétique selon l'invention est utilisée comme produit de maquillage des cils, des sourcils, de la peau ou des cheveux, tels que crème de traitement de l'épiderme, fond de teint, bâton de rouge à lèvres, fards à paupière, fards à joues, ligneur encore appelé "eye-liner", mascara, gel colorant, elle peut se présenter sous forme solide ou pâteuse, anhydre ou aqueuse, comme des émulsions huile-dans-eau ou eau-dans-huile, des suspensions ou encore des gels.
L'invention a encore pour objet l'utilisation d'un composé conforme à l'invention dans des, ou pour la fabrication de, compositions destinées à protéger des matières sensibles au rayonnement ultraviolet, en particulier au rayonnement solaire.
L'invention a encore pour objet l'utilisation d'un composé de formule (1) ou (2) conforme à l'invention pour la préparation d'un médicament destiné à prévenir les effets néfastes des rayonnements UV.
L'invention a encore pour objet l'utilisation d'un composé de formule (1) ou (2), conforme à l'invention à titre d'agent filtrant les rayonnements UV, en particulier pour contrôler la couleur de la peau.
L'invention a enfin pour objet un procédé non thérapeutique de protection de la peau et/ou des cheveux contre le rayonnement ultraviolet, en particulier le rayonnement solaire, qui consiste à appliquer sur la peau ou les cheveux une quantité efficace de la composition cosmétique définie ci-dessus, ou d'un composé de formule (1) ou (2), tel que défini ci-avant.
L'invention a finalement pour objet un procédé non thérapeutique de contrôle de la variation de couleur de la peau due aux rayonnements UV, qui consiste à appliquer sur la peau une quantité efficace de la composition cosmétique définie cidessus, ou d'un composé de formule (1) ou (2), tel que défini ci-avant.
EXEMPLES DE PREPARATION EXEMPLE 1 : 2-n-(r3-trimethvlsilanvl-propyl)-1H-benzimidazol-2-vll-benzoxazole a) Première étape : préparation du 2-trichlorométhyl-1 H-benzimidazole A du 1,2-phénylène diamine (10,8 g, 0,1 mole) dissout dans 250 ml d'acide acétique à 15 C et sous agitation on ajoute goutte à goutte en 30 minutes du méthyltrichloroacetimidate (12,8 ml, 0,103 mole). On laisse 5 heures sous agitation à température ambiante. Le mélange réactionnel est versé dans de l'eau. Le précipité formé est filtré, lavé à l'eau et séché. On obtient 23,1 g (Rendement = 98 %) d' une poudre blanc cassé de 2-trichlorométhyl-1 H-benzimidazole.
b) Deuxième étape ' préparation du 2-(l H-benzimidazol-2-vl)-benzoxazole- A un mélange hétérogène du dérivé précédent (4,7 g, 0,02 mole) et de 2aminophénol (2,4 g, 0,022 mole) agités à température ambiante dans 40 ml d'éthanol à 95%, on ajoute en 30 minutes 8,5 ml de triéthylamine (0,061 mole).
Le mélange réactionnel est versé dans de l'eau. Le précipité formé est filtré, lavé à l'eau et séché. On obtient 4,7 g (Rendement = 100 %) d' une poudre beige de 2-(1 H-benzimidazol-2-yl)-benzoxazole. c) Troisième étape : préparation du dérivé de l'exemple 1 : A un mélange hétérogène du dérivé précédent (2 g, 8,5 mmole) et de carbonate de potassium (1,29 g) dans 10 ml de DMF chauffé à 55 C, on ajoute goutte à goutte en 15 minutes du 3-chloropropyltriméthylsilane (1,6 ml, 9,35 mmole) On poursuit le chauffage à 70 C pendant 9 heures Le mélange réactionnel est refroidit et versé dans de l'eau. Le précipité obtenu est filtré, lavé à l'eau et séché On obtient 2,6 g (Rendement : 87%) du dérivé de l'exemple 1 sous forme d'une poudre beige : -UV (Ethanol) #max = 328 nm, Emax = 34 900 #max = 345 nm, #max = 23 660 EXEMPLE 2 : 6-méthoxv-1 , 1 '-bis-(3-triméthvlsilanyl-propvn-1 H.1'Hr2.2'lbibenzimidazolvl-benzoxazole
Le dispositif contrôleur, reçoit une ou plusieurs réponses D. Il comporte des troisièmes moyens de calcul pour calculer à partir desdites réponses D des engagements R' en effectuant des opérations du type : R'--~GAd.D"x modn ou du type : R'.GAd--~D"zmodn Le dispositif contrôleur comporte des quatrièmes moyens de calcul pour vérifier que les triplets {R', d, D} sont cohérents.
Cas où l'exposant de vérification v est unique De même que précédemment, le système selon l'invention met en #uvre trois entités.
I. Une première entité, appelée dispositif témoin, contenue notamment dans un objet nomade se présentant par exemple sous la forme d'une carte bancaire à microprocesseur.
Le dispositif témoin dispose d'une première zone mémoire contenant des facteurs premiers p,, p2, ... (p, ,...) (i étant supérieur ou égal à 2) d'un module public n tel que n = p,.p2. p3. ..., Le dispositif témoin dispose aussi d'une deuxième zone mémoire contenant * des composantes QA,, QA2, ... (QA" ...), et QB,l QB2, on (QB , ...), ..., représentant des clés privées QA, QB,...
* des clés publiques GA, GB,... ayant respectivement pour composantes GA,, GA2, ... (GA,,on) et GB,, GB2, ... (GB1,...), * un exposant public de vérification v.
Les paires de clés privées et publiques sont liées par des relations du type : GA.QA" mod n = 1 ou GA QA'mod n Le dispositif témoin comporte aussi des premiers moyens de calcul pour calculer des engagements R. A cet effet, # il effectue des opérations du type :
R, - r/ mod p, où r est un entier, tiré au hasard, associé au nombre premier p,, tel que 0 < r < p, , appartenant à au moins une collection d' aléas {r1, r2, r3, ...}, # puis, il applique la méthode des restes chinois.
II y a autant d'engagements R que de collections d'aléas {r1, r2, r3, ...}, Le nombre d'opérations arithmétiques modulo p, à effectuer par lesdits premiers moyens de calcul pour calculer chacun des R, pour chacun des p1 est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n.
II. La deuxième entité, appelée dispositif pilote dudit dispositif témoin, peut être contenue notamment dans ledit objet nomade. Le dispositif pilote est appelé : * dispositif démonstrateur dans le cas de la preuve de l'authenticité d'une entité ou de l'authenticité d'un message, * dispositif de signature dans les cas de la preuve de l'origine et de l' intégrité d'un message, III. La troisième entité, appelée dispositif contrôleur, se présente notamment sous la forme d'un terminal et/ou d'un serveur distant connecté à un réseau de communication informatique. Le dispositif contrôleur comporte des moyens de connexion pour le connecter électriquement, électromagnétiquement, optiquement ou de manière acoustique audit dispositif témoin. Le dispositif contrôleur vérifie l'authentification ou l'origine et l'intégrité d'un message, Plus particulièrement, dans le cas de cette variante de réalisation, le dispositif témoin reçoit du dispositif pilote ou du dispositif contrôleur, des collections de défis d {dA, dB, ...} tels que 0 # dA # v - 1. Le nombre des collections de défis d est égal au nombre d'engagements R. Chaque collection {dA, dB, ...} comprend un nombre de défis égal au nombre de paires de clés.
Le dispositif témoin comporte des deuxièmes moyens de calcul pour calculer à partir de chacune desdites collections de défis {dA, dB, ...}des réponses D. A cet effet, # il effectue des opérations du type : D r,. QAI dA . QB, '".... mod p, # puis, il applique la méthode des restes chinois.
Il convient de souligner, ici aussi, que le nombre d'opérations arithmétiques modulo p, à effectuer par lesdits deuxièmes moyens de calcul pour calculer chacun des D, pour chacun des p, est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n.
Le dispositif contrôleur reçoit une ou plusieurs réponses D. Il comporte des troisièmes moyens de calcul pour calculer à partir desdites réponses D un engagement R' en effectuant des opérations du type : R' = GA dA. GB dB. ... Dv mod n ou du type : R'. GA dA. GB dB. ... # Dv mod n Le dispositif contrôleur comporte des quatrièmes moyens de calcul pour vérifier que les triplets {R', d, D} sont cohérents.
On va maintenant exposer les variantes de réalisation du système selon l'invention concernant : - le cas d'une authentification d'entité, - le cas d'une authentification de message, - le cas d'une signature numérique de message.
Cas d'une authentification d'entité Cas où l'exposant de vérification v est unique.
De préférence l'exposant public de vérification v est un nombre premier.
Dans ce cas la paire de clés GA, QA confère une sécurité équivalente à la connaissance de la clé privée QA.
Paire de clés selon la présente invention conférant une sécurité équivalente à la connaissance de la factorisation de n De préférence, l'exposant public de vérification v est du type k v=a où k est un paramètre de sécurité plus grand que 1.
De préférence, également l'exposant public de vérification v est du type v = 2k où k est un paramètre de sécurité plus grand que 1.
Dans ce cas, la clé publique GA est un carré gA2 inférieur à n choisi de sorte que les deux équations x = gA mod n et x2 --~ - gA mod n n'ont pas de solution en x dans l'anneau des entiers modulo n.
Les composantes QA,, QA2, ... (QA@, ...) de la clé privée QA sont alors telles que : GA QA2exp(k) mod p, ou bien telles que : GA QAI 2 ex p(k) mod p,=- 1 On les obtient en extrayant la k ième racine carrée de GA dans le corps de Galois CG(p,), Ainsi, le nombre d'opérations arithmétiques modulo p, à effectuer pour calculer chacun des QAi pour chacun des p, est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n.
On démontre que la paire de clés GA, QA confère une sécurité équivalente à la connaissance de la factorisation de n.
De préférence, pour extraire la k ième racine carrée de GA dans le corps de Galois CG(p,), on utilise les méthodes suivantes : - dans le cas où le facteur premier p, est congru à 3 modulo 4, on applique notamment un algorithme du type : x = (p+I)/4 ; y xk mod (p-1) ; z = y ; QA@ GAZ mod p - dans le cas où le facteur premier p, est congru à 1 modulo 4, on emploie les suites de Lucas.
Système La présente invention concerne également un système permettant de mettre en #uvre le procédé ci-dessus exposé.
Le système selon l'invention permet de diminuer la charge de travail pendant une session destinée à prouver à un serveur contrôleur, - l'authenticité d'une entité et/ou - l'origine et l'intégrité d'un message m.
Le système met en #uvre trois entités : I. Une première entité, appelée dispositif témoin, contenue notamment dans un objet nomade se présente par exemple sous la forme d'une carte bancaire à microprocesseur.
Le dispositif témoin dispose d'une première zone mémoire contenant des facteurs premiers p,, p2, ... (p, , ...) (i étant supérieur ou égal à 2) d'un module public n tel que n = PI'PZ' p3.....
Le dispositif témoin dispose aussi d'une deuxième zone mémoire contenant * des composantes QA,, QAz, ... (QA,, on), et QBI, QB2' ... (QB,, on), ..., représentant des clés privées QA, QB,...
* des clés publiques GA, GB,... ayant respectivement pour composantes GA,, GAZ, ... (gaz, ...) et GB,, Go 21 ... (GB,, ...) * des exposants publics de vérification vx, vy, ... lesdites clés privées et clés publiques étant liées par des relations du type :
GA.QA" mod n = 1 ou GA QA"mod n Le dispositif témoin comporte aussi des premiers moyens de calcul pour calculer des engagements R en effectuant des opérations du type : R, - r," mod p, ou r, est un aléa tel que 0 < r < pi, II. Le système met en oeuvre une deuxième entité, appelée dispositif pilote dudit dispositif témoin. Elle peut être contenue notamment dans ledit objet nomade. Le dispositif pilote est plus précisément appelé : * dispositif démonstrateur dans le cas de la preuve de l'authenticité d'une entité ou de l'authenticité d'un message, * dispositif de signature dans les cas de la preuve de l'origine et de l'intégrité d'un message, III. Le système met en oeuvre une troisième entité, appelée dispositif contrôleur, se présentant notamment sous la forme d'un terminal et/ou d'un serveur distant connecté à un réseau de communication informatique. Le dispositif contrôleur comporte des moyens de connexion pour le connecter électriquement, électromagnétiquement, optiquement ou de manière acoustique au dispositif témoin. Le dispositif contrôleur vérifie l'authentification ou l'origine et l'intégrité d'un message.
Le dispositif témoin reçoit du dispositif pilote ou du dispositif contrôleur un ou plusieurs défis d tel que 0 # d # vx - 1. Il comporte des deuxièmes moyens de calcul pour calculer à partir des défis d une ou plusieurs réponses D en effectuant des opérations du type : D,---r.QA,dmodp; ou r est un aléa tel que 0 < r < p, (de sorte que le nombre d'opérations arithmétiques modulo p@ à effectuer par lesdits deuxièmes moyens de calcul polir calculer chacune des réponses D pour chacun des p, est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n)
Toutes les lignes de bit BL sont établies au potentiel de référence Vcc.
La figure 11A représente un état de sélection de ligne de mot.
Seulement la ligne de mot sélectionnée WL se voit conférer le potentiel de masse 0 et les autres lignes de mot et toutes les lignes de bit se voient conférer le potentiel de référence Vcc. Toutes les cellules de mémoire connectées à la ligne de mot sélectionnée se voient par conséquent conférer la tension +Vcc. Cette tension appliquée écrit "1" dans toutes les cellules de mémoire connectées à la ligne de mot sélectionnée.
Par report à la figure 10B, lorsque le cycle temporel passe du cycle temporel IIIA à un cycle temporel IIIB, le potentiel de la ligne de mot non sélectionnée est modifié selon 2Vcc/3 qui est inférieur à la tension de référence Vcc tandis que le potentiel de la ligne de mot sélectionnée WL est maintenu au potentiel de masse. Les lignes de bit BL à utiliser pour l'écriture de "i" sont maintenues au potentiel de référence Vcc et les potentiels des autres lignes de bit sont modifiés selon Vcc/3.
La figure 118 représente un état du cycle temporel IIIB. Les cellules de mémoire au niveau des lignes de bit destinées à recevoir en écriture "1" sont maintenues à +Vcc tandis que les autres cellules de mémoire se voient conférer +Vcc/3 ou -Vcc/3. Avec ce schéma d'application de tension, les cellules de mémoire destinées à recevoir en écriture "I" reçoivent en écriture de façon fiable "1" sans que les états des autres cellules de mémoire ne soient influencés fortement.
Sur la figue 10B, lorsque le cycle temporel passe du cycle temporel IIIB à un cycle temporel IIIC, le potentiel de la ligne de mot sélectionnée est passé du potentiel de masse à 4Vcc/3, tandis que les potentiels des lignes de mot non sélectionnées ne sont pas modifiés.
Les potentiels des lignes de bit BL sont maintenus inchangés par rapport au cycle temporel elle.
La figure 11C représente un état du cycle temporel IIIC. Lorsque le potentiel de la ligne de mot sélectionnée est passé de O à 4Vcc/3, parmi les cellules de mémoire connectées à la ligne de mot sélectionnée, les cellules de mémoire autres que les cellules de mémoire qui reçoivent en écriture "1", c'est-à-dire les cellules de mémoire destinées à recevoir en écriture"0", sont établies à -Vcc afin d'écrire "0". Les autres cellules de mémoire sont établies au potentiel de +Vcc/3 ou -Vcc/3.
En exécutant le procédé d'écriture mentionné ci-avant, les caractéristiques d'écriture présentant une résistance à la perturbation importante peuvent être obtenues. Puisque l'écriture de données "1" et "0" peut être réalisée seulement en modifiant le potentiel de la ligne de mot sélectionnée WL, la structure de circuit du réseau de mémoire peut être simplifiée.
Les figures 12A et 12B représentent la structure de cellules de mémoire convenant pour réaliser le circuit de réseau de mémoire représenté sur la figure 10A. La figure 12A est une vue en coupe transversale des cellules de mémoire et la figure 12B est une vue en plan des cellules de mémoire. La vue en coupe transversale de la figure 12A correspond à une coupe transversale prise selon une ligne XIIA-XIIA représentée sur la figure 12B.
Sur la surface d'un substrat en silicium de type p 1, un film d'oxyde de champ 2 est formé au moyen du procédé LOCOS bien connu. Deux transistors à effet de champ à grille isolée sont formés dans une région active entourée par le film d'oxyde de champ 2.
En tant que transistor à effet de champ à grille isolée, un transistor MOS est utilisé par exemple. Après que le film d'oxyde de grille 3 est formé dans chaque région active, deux électrodes de grille 4 en polysilicium sont formées sur le film d'oxyde de grille 3. Sur l'électrode de grille 4, une électrode inférieure 18 est formée, laquelle présente une propriété qui convient pour l'électrode d'un condensateur ferroélectrique. Dans la structure représentée sur la figure 12A, I'électrode de grille 4 et l'électrode inférieure 18 constituent collectivement une structure d'électrode de grille.
En utilisant la structure d'électrode de grille en tant que masque, une implantation ionique est réalisée pour former des régions de source et de drain 5 et 6. Dans ce cas, afin d'augmenter le taux de couplage R en augmentant la capacité grille-source Cg I'implantation ionique est réalisée deux fois séparément pour la région de source 5 et la région de drain 6.
Par exemple, une zone dans laquelle la région de drain est formée est masquée par un masque de réserve ou similaire et tandis que le substrat est entraîné en rotation, des ions As sont implantés dans les conditions constituées par un angle d'incidence de 60 degrés, une énergie d'accélération de 60 keV et une dose de 1 x 1015 cm2.
Pour l'angle d'incidence de 60 degrés, les ions As implantés se distribuent également sous l'électrode de grille. Par conséquent, la valeur de capacité Cgs peut être formée positivement entre la région de source 5 et l'électrode de grille 4.