INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
SKI, OU AUTRE PLANCHE DE GLISSE SUR NEIGE, COMPORTANT AU MOINS UNE PLAQUE D'INSERTION POUR RECEVOIR ET CONSOLIDER LES VIS D'ANCRAGE DES FIXATIONS DE LA CHAUSSURE La présente invention se rapporte à un ski, ou autre planche de glisse sur neige, comportant au moins une plaque d'insertion pour recevoir et consolider les vis d'ancrage des fixations de la chaussure.
Il est connu d'incorporer dans le corps d'un ski de glisse sur neige, une plaque, rigide ou semi-rigide, destinée à être traversée par les vis d'ancrage, dans le corps du ski, du dispositif de fixation de la chaussure du skieur.
Comme état de la technique peuvent être cités les documents FR-A- 1.435.153 et FR-A-2.347.065.
Cette plaque, appelée insertion en langage du métier peut être par exemple réalisée en Alliage d'Aluminium ou en Acier. Elle est aussi réalisée couramment en un complexe semi-rigide constitué de couches de papier mélangées à de la résine phénolique et compressées, ce complexe étant couramment dénommé phénol .
L'insertion est donc noyée dans le corps du ski et peut éventuellement engendrer une sur-épaisseur de la surface supérieure du ski dans sa zone de réception des fixations (dite zone de patin ). Cette sur-épaisseur constitue avantageusement une plate-forme de surélévation de la chaussure du skieur par rapport à la partie restante de la surface supérieure du ski.
La présence de cette plaque d'insertion dans le corps du ski présente néanmoins un inconvénient en raison des contraintes auxquelles ce ski est soumis lors de la pratique de la glisse sur neige.
Ces contraintes, qui sont entre autres des contraintes de flexion auxquelles peuvent s'ajouter des contraintes de torsion, viennent aussi solliciter la plaque d'insertion. Or cette plaque est plus rigide que la structure qui l'entoure, de sorte qu'elle réagit différemment à toutes ces contraintes et exerce en conséquence des efforts sur les éléments environnants. Il en résulte en particulier des délaminages, des arrachements, des fissures, des décollages, ..., dans la structure environnante du ski.
Elle se rapporte à cet effet à un ski, ou autre planche de glisse sur neige, comportant au moins une insertion plane logée dans sa structure et destinée à recevoir et consolider les vis d'ancrage des fixations de la chaussure, caractérisé en ce que cette insertion plane comporte, outre au moins une plaque maîtresse rigide ou semi-rigide, une ou plusieurs parties souples rapportées.
Ces parties souples sont typiquement des parties planes en matière compressible, typiquement élastique (et compressible) ou viscoélastique.
De toute façon, l'invention sera bien comprise, et ses avantages et autres caractéristiques ressortiront, lors de la description suivante de quelques exemples non limitatifs de réalisation, en référence au dessin schématique annexé dans lequel Figure 1 est une vue d'ensemble, en coupe longitudinale très dépouillée, de ce ski.
Figure 2 en est une coupe longitudinale plus détaillée, mais limitée à la zone de montage des fixations, ou zone de patin .
D Figure 3 est une coupe horizontale selon 111-11I de la figure 2. Figure 4 est une vue semblable à la figure 2 et montrant une variante de réalisation de ce ski.
D Figures 5 et 6 sont des vues en plan de deux variantes respectives de réalisation de l'insertion plane conforme à l'invention.
Wabl, M., Burrows, P. D., Gabian, A.V. & Steinberg, C. (1985) Hypermutation at the immunoglobulin heavy chain locus in a pre-B-cell line Proc. Natl. Acad Sci. US-1.
82 : 479-482 Yu, H. & Goodman, M.F. (1992) Comparison of HIV-1 and Avian Myeloblastosis Virus reverse transcriptase fidelity on RNA and DNA templates J. Biol. Chem 267 10888-10896.
Quatre types de paramètres sont calculés par apprentissage : la position et la largeur des ensembles flous des prémisses (colonnes 1 à 5), les poids des règles (colonne 6), qui permet de spécifier le degré d'importance de chaque règle dans le processus de décision et le degré d'activation de chaque classe (séisme naturel, explosion ou coup de terrain) pour chaque règle (colonnes 7 à 9).
A chaque présentation d'un exemple à classifier, on calcule le contenu de la colonne 10 et de la colonne 6 : # La colonne 10 donne l'activation de chaque règle (et permet donc d'estimer son adéquation avec le cas traité).
# La ligne 6 est la synthèse des décisions des cinq règles et donne la réponse globale du système expert flou (ici, la décision est explosion ). cette synthèse est faite en calculant le barycentre des décisions de toutes les règles (colonnes 7 à 9) pondérées par le niveau d'activation correspondant (colonne 10). Sur la figure 11, la position du barycentre pour chaque classe est symbolisée par un trait vertical ligne 6, colonnes 7 à 9.
L'apprentissage est réalisé en deux temps : - une première phase consiste à positionner les ensembles flous (centres et largeurs), par exemple au moyen d'un algorithme dit des C-moyennes floues, comme décrit dans le document référencé [9] ;
- une deuxième phase consiste à réaliser une descente de gradient sur les quatre types de paramètres.
# Le réseau neuronal à connexions locales et poids partagés Au contraire des deux branches précédentes, le réseau de neurones à connexion locale et poids partagés (expert TDNN) admet en entrée les signaux sismiques eux-mêmes et apprend à extraire par apprentissage non seulement la procédure de décision, mais aussi les paramètres discriminants qui vont servir de base à cette décision. Ce réseau neuronal est de type perceptron multicouche à connexions localeset poids partagés prenant en entrée les spectrogrammes prétraités des signaux sismiques, comme décrit dans le document référencé [10]. Ces spectrogrammes sont obtenus par l'application d'une transformée de Fourier à fenêtre glissante sur le signal.
Les figures 12A à 12D illustrent les prétraitements successifs appliqués à chaque signal sismique aboutissant à un spectrogramme final à 15 bandes fréquentielles : la figure 12A illustre le signal initial ; la figure 12B illustre le spectrogramme déduit du signal avec 50 bandes fréquentielles ; la figure 12C illustre le spectrogramme débruité ; la figure 12D illustre le spectrogramme après réduction de 50 à 15 bandes fréquentielles.
Le spectrogramme obtenu est ensuite prétraité puis présenté en entrée d'un réseau de neurones de type TDNN. Chaque réseau est spécialisé dans le traitement des signaux enregistrés par une station donnée.
La figure 13 illustre l'architecture d'un réseau TDNN spécialisé dans la classification des
spectrogrammes déduits des signaux enregistrés par un sismomètre donné, ce réseau comportant quatre couches de neurones. La couche d'entrée a des connexions locales et des poids partagés (4 trames avec un décalage de 2 trames) avec la première couche cachée.
Celle-ci a de même des connexions locales à poids partagés (9 trames avec un décalage de 5 trames) avec la seconde couche cachée, totalement connectée à la dernière couche.
Les poids partagés rendent l'architecture plus robuste aux petits décalages des pointages des phases ou de trames manquantes ou erronées. Cependant, à cause de la vitesse de propagation des ondes P (compression) et S (cisaillement), la durée entre l'arrivée de la phase P et de la phase S varie en fonction de la distance entre la station d'enregistrement et l'épicentre de l'événement, ce qui complique l'apprentissage. La solution adoptée consiste à aligner le pointage de la phase P sur la 10ème trame et celui de la phase S sur la 60ème trame.
* La prise de décision finale Pour la prise de décision finale, on suppose que toutes les sorties sont comprises dans l'intervalle réel [-1,1]. Cette prise de décision consiste en une association des réponses fournies par les trois branches afin d'augmenter la fiabilité. Elle peut être réalisée par un calcul de moyennes arithmétiques sur les sorties homologues de chacune des trois branches. Pour chacune des trois sorties S1 du système global, on a alors :
La certitude sur la réponse est évaluée par un coefficient calculable seulement si le système est
en situation de prise de décision (c'est-à-dire s'il y a une et une seule sortie strictement positive). Ce coefficient est alors égal à la moyenne des valeurs absolues des sorties : K 0.8 : certitude quasi absolue Ainsi, on peut avoir par exemple :
Système Classe choisie Détail des réponses par classe Degré de certitude 1 Classe 3 (-0,9-0,4 +0,8) 0,7 : grande certitude 2 Indétermination 1 ou 3 (+0,1 -0,5 +0,3) Incertitude complète 3 Classe 1 (+0,2-0,6 -0,2) 0,3 : Fusion Classe 3 (-0,2-0,5 +0,3) 0,3 : prudence Exemple de mise en oeuvre de l'invention discrimination d'événements sismiques régionaux * Localisation de l'événement La discrimination événement naturel événement artificiel est une étape majeure de la surveillance sismique, réalisée rapidement dès la lecture des signaux lors de la phase de dépouillement, puis affinée au cours de chaque nouveau traitement. On évalue à environ sept ans le temps nécessaire aux analystes pour être véritablement opérationnels. Ces
Selon ce procédé de fabrication de dispositifs à semi conducteurs, l'étape de formation du film de résist, l'étape d'exposition sélective ' lumière et l'étape de formation du motif de résist peuvent être accomplies avec succès de la maniere décrite ci-dessus.
L'étape subséquente de gravure du motif de résist peut etre accomplie par gravure humide ou gravure sèche selon une technique courante, mais compte tenu progrès récents dans la miniaturisation et de la tendance visant à respecter l'environnement, la gravure sèche est plus avantageuse. On sait que la gravure sèche 'alise la gravure d'un substrat cible en phase gazeuse, et les techniques de gravure sèche appropriées comprennent les techniques de gravure à plasma, comme la gravure à ions réactifs (RIE), la gravure à faisceau ionique réactif (RIBE) la gravure à faisceau ionique. Ces techniques de gravure sèche peuvent être mises en oeuvre dans des conditions prédéterminés aux moyens d'appareils de gravure du commerce.
Pour la plupart des applications, le motif de résist formé par le procédé selon l'invention peut être utilisé avantageusement comme moyen de masquage pour l'élimination par gravure sélective d'un substrat cible sous-jacent de la manière décrite ci-dessus, mais à condition que le motif de résist réponde à des conditions prédéterminées en termes de propriétés nécessaires, il peut aussi être utilisé comme l'un des éléments d'un dispositif à semi-conducteurs, par exemple comme film isolant ou couche mince isolante.
Le terme "dispositif à semi-conducteurs" utilisé dans la présente description désigne un dispositif à semi-conducteurs au sens large. Les dispositifs à semi-conducteurs typiques comprennent les circuits intégrés courants tels que les IC, LSI et VLSI, ainsi que d'autres dispositifs apparentés.
Plus spécifiquement, un transistor MOS, qui est un exemple typique de dispositif à semi-conducteurs, peut être fabriqué selon l'invention de la manière suivante.
Tout d'abord, un film d'oxydation de grille, un film de polysilicium et un film de WSi qui sont nécessaires pour la construction d'un transistor sont formés dans cet ordre sous forme de couches minces sur un substrat de silicium. Les couches minces peuvent être formées au moyen d'une technique courante comme l'oxydation thermique ou le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Puis, la composition de résist selon l'invention est appliquée en revêtement sur le film de WSi pour former un film de résist d'épaisseur predéterminée. Le film de résist est exposé sélectivement à un rayonnement approprié pour la formation d'un motif, puis il est développé dans une solution aqueuse basique pour la dissolution et le retrait des parties exposées. Plus spécifiquement, les différentes étapes jusqu'à ce stade peuvent être accomplies de la manière décrite ci-dessus pour la formation d'un motif de résist.
Pour former une structure d'électrode de grille, le motif de résist formé de la manière décrite ci-dessus est utilisé comme masque pour graver à sec simultanément le film de WSi sous-jacent et le film de polysilicium situé sous le precédent. Après la formation de cette électrode de grille comprenant un film de polysilicium et un film de WSi, du phosphore est injecté par injection ionique pour former une couche de diffusion N pour une structure LDD.
Ensuite, après que le motif de résist utilisé dans l'étape précédente a éte retiré de l'électrode, un film d'oxydation est formé sur toute la surface du substrat par CVD, et le film d'oxydation par CVD formé est soumis à une gravure anisotrope pour former une paroi latérale sur le côté de l'électrode de grille formée le film de polysilicium et le film de WSi. Le film de WSi et la paroi latérale sont ensuite utilisés comme masque pour l'injection ionique pour former une couche de diffusion N+, pour revêtir ainsi l'électrode de grille d'un film d'oxydation thermique.
Enfin, un film isolant intercouche est formé sur toute la couche supérieure du substrat par CVD, et la composition de résist l'invention est appliquée en revêtement sur celui-ci et est gravée sélectivement pour former un motif de trous (motif de résist) dans les parties de formation de "blage. Le motif de résist est utilisé comme masque pour graver le film isolant intercouche sous- jacent, pour former des trous de contact. Les trous de contact formés sont ensuite remplis d'un câblage d'aluminium. Un transistor MOS à canal N ainsi obtenu.
En plus des dispositifs â semi-conducteurs décrits ci-dessus, la présente invention englobe également les têtes d'enregistrement magnétique. Autrement dit, en utilisant la composition de résist négatif la présente invention il devient possible d'obtenir des têtes d'enregistrement magnétique à couches minces à hautes performances. Les têtes d'enregistrement magnétique peuvent être utilisées avantageusement dans la production dispositifs d'enregistrement et de lecture magnétique comme les dispositifs à disques magnétiques et les dispositifs à bandes magnétiques. Le procédé de production de têtes magnétiques selon la présente invention peut-être mis en oeuvre de préférence par les étapes suivantes application en revêtement de la composition de résist négatif de la présente invention sur le substrat cible, exposition sélective du film de résist formé à un rayonnement formateur d'images capable d'induire la décomposition du photogénérateur d'acide de la composition de résist, développement du film de résist exposé avec une solution aqueuse basique pour former un motif de résist, et gravure du substrat cible en présence du motif de résist en tant que moyen de masquage pour former une couche d'élément fonctionnel.
On va maintenant décrire plus précisément les têtes magnétiques. Actuellement, les dispositifs d'enregistrement et de lecture magnétique sont de plus en plus compacts du fait de l'accroissement de la densité d'enregistrement, et pour répondre aux exigences de tels dispositifs, des têtes magnétorésistives (appelées "têtes MR") capables de convertir une variation du champ magnétique constituant le signal dans le support d'enregistrement magnétique en une variation de la résistance électrique sur la base des effets magnétorésistifs sont largement utilisées comme têtes de reproduction ou de lecture dans de tels dispositifs. Parmi les têtes MR, les têtes GMR, c'est-à-dire les têtes magnétorésistives géantes, sont particulièrement intéressantes car elles peuvent présenter une grandeur de sortie élevée sans dépendre de la vitesse de déplacement du support d'enregistrement magnétique. En particulier, les têtes MR de type à valve de spin utilisant les effets magnetorésistifs de la valve de spin ont déjà été utilisées dans la pratique car elles peuvent être produites relativement aisément et, par rapport aux autres têtes elles peuvent conduire à une plus grande vitesse de variation de la résistance électrique pour un faible champ magnétique. Dans la production de ces tetes magnetiques et d'autres, les compositions de résist négatif de la présente invention peuvent être utilisées avantageusement car de telles compositions peuvent etre mises sous forme de films à motif fin qui peuvent être utilisés comme élément fonctionnel de la tête.
On va maintenant décrire plus précisément la structure et la production d'une tête magnétique du type à valve de spin. Toutefois, il est à noter que les tetes magnetiques selon la présente invention ne sont pas limitées aux têtes suivantes.
Généralement, une tête à valve de spin comprend un film magnetorésistif (film à valve de spin) et deux électrodes reliées électriquement au précédent et qui définissent une zone de détection de signal qui appliquent un courant électrique de détection de signal à la zone de détection de signal, et deux films d'application de champ magnétique de polarisation longitudinale qui appliquent champ magnétique de polarisation longitudinale la tête à valve de spin. Les films d'application de champ magnétique de polarisation longitudinale sont généralement constitués par un film magnétique dur comme CoPt et CoCrPt. L'application des films d'application de champ magnétique de polarisation longitudinale en matériau magnétique dur aux zones autres que la zone magnétorésistive (zone de détection de signal) de la tête à valve de spin de manière ces films soient disposés des deux côtés ou sur le coté supérieur de la tête peut empêcher la formation d'un bruit de Barkhausen dû au mouvement de la paroi magnétique de la couche magnétique libre du film à valve de spin, ce qui permet d'obtenir un profil de lecture stable sans bruit.
outre, généralement, un film à valve de spin comporte une structure stratifiée qui comprend une couche magnétique libre, une couche intermédiaire non magnétique, une couche magnétique à effet de pinning et une couche anti- ferromagnétique régulière, successivement, sur une sous-couche. L'application d'une telle structure est efficace pour réguler l'angle formé par les directions de magnétisation des deux couches magnétiques (couche magnétique libre et couche magnétique pinning) stratifiées par le biais de la couche intermédiaire non magnétique, en modifiant ainsi la résistance électrique à volonté.
Plus particulièrement, le film à valve de spin est généralement formé sur un substrat qualifié "d'alutique", c'est-à-dire un substrat comprenant une base de TiC sur une surface de laquelle est appliqué un film d'alumine. La sous-couche, en tant que couche inférieure, peut être formée à partir d'un revêtement de Ta ou analogue, car le revêtement de Ta peut conduire à une bonne cristallinité de la couche magnétique libre. Le revêtement de Ta ou d'autres sous-couches peuvent être formés généralement au moyen de procédés conventionnels comme la pulvérisation cathodique, le dépôt sous vide et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
La couche magnétique libre peut être formée à partir de tout matériau magnétique mou. Par exemple, un alliage CoFe généralement utilisé peut être utilisé dans la formation de la couche magnétique libre. De préférence, la couche magnétique libre peut être formée à partir d'un alliage (CoyFe,oo_y),oo_X ZX ayant une structure de réseau cubique à faces centrées où Z représente un élément quelconque différent de Co et Fe, de préférence le bore ou le carbone, et x et y représentent chacun un pourcentage atomique, car il est possible de produire des têtes ayant une grande sensibilité au champ magnétique et une grande résistance à la chaleur. La couche magnétique libre est de préférence une structure à double couche plutôt qu'une monocouche, sous l'angle des propriétés résultantes. La couche magnétique libre peut être formée généralement au moyen d'un procédé conventionnel comme la pulvérisation cathodique.
1773-1795, 1988).
[2] P. S. Dysart et J. J. Pulli, "Régional seismic event classification at the NORESS array: seismological measurement and the used of trained neural networks" (Bulletin of Seismological Society of America, vol. 80, pp 1910-1933,1990).
[3] P. W. Pomeroy, W. J. Best et T. V. McEvilly, "Test ban treaty verification with regional data : a review" (Bulletin of Seismological Society of America, vol. 72, n 6, pp S89-S129, 1982).
[4] M. Musil et A. Plesinger, "Discrimination between local microearthquakes and quarry blasts by multi- layer perceptrons and Kohonen maps" (Bulletin of Seismological Society of America, vol. 86, n 4, pp. 1077-1090, 1996).
[5] S. R. Taylor, "Discrimination between nuclear explosions and earthquakes" (Energy and Earth Sciences, pp. 56-57, 1990).
[6] F. U. Dowla, S. R. Taylor et R. W. Anderson, "Seismic discrimination with artificial neural networks : preliminary results with regional spectral data" (Bulletin of Seismological Society of America, vol. 80, n 5, pp. 1346-1373,1990).
[7] M. Nicolas, J. -P. Santoire et P.-Y. Delpech "Intraplate seismicity : new seismotectonic data in western europ" (Tectonophysics, N 179, pp. 27- 53,1990).
[8] S. Muller, P. Garda, J. -D. Muller, Y. Cansi "Seismic events discrimination by neuro-fuzzy merging of signal and catalogue features" (Physics Chemistry of The Earth (A), vol. 24, N 3, pp. 201-206, 1999).
[9] B. T. W. Cheng, D. B. Goldgof, L. 0. Hall, "Fast fuzzy clustering" (Fuzzy Sets and Systems 93,49- 56, 1998).
[10] A. Klaassen, X. Driancourt, S. Muller, J.-D.
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CONNEXION OPTIQUE POUR CIRCUIT ÉLECTRONIQUE INTÉGRÉ ET APPLICATION AUX INTERCONNEXIONS DE TELS CIRCUITS DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne une connexion optique pour circuit électronique intégré et s'applique en particulier aux interconnexions de tels circuits. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le besoin de cadences de plus en plus élevées pour le fonctionnement des circuits électroniques intégrés conduit à une intégration de plus en plus poussée de ces circuits. Cette intégration trouve ses limites dans l'augmentation inévitable de la taille des circuits, ce qui conduit à une augmentation du coût de ces derniers (du fait d'une baisse du rendement de fabrication). Un compromis impose alors d'interconnecter des circuits électroniques intégrés de taille raisonnable.
Il est connu de relier deux circuits électroniques intégrés l'un à l'autre par l'intermédiaire de liens électriques. Cependant, avec l'augmentation des cadences de fonctionnement de ces circuits (fréquences d'horloge au-delà de 500 MHz), apparaissent des phénomènes de couplage électromagnétique entre conducteurs électriques parallèles, couplages qui induisent une dégradation du rapport signal/bruit et des risques de dysfonctionnement.
I1 est également connu d'utiliser des liens optiques à la place des conducteurs électriques, ces liens optiques permettant une meilleure séparation entre canaux de transmission.
De tels liens optiques comprennent des émetteurs et des récepteurs de lumière ainsi que des canaux de liaison.
Les canaux de liaison peuvent utiliser des hologrammes ou des faisceaux aériens faiblement confinés ou encore des fibres optiques.
Les figures 2 à 4 illustrent respectivement des exemples typiques de cycles de lecture, d'écriture et de rafraîchissement que peut piloter contrôleur de la DRAM asynchrone 2. L'adressage en lecture et en écriture fait de manière matricielle, en indiquant un numéro de ligne puis un numéro de colonne, la conjonction des deux informations définissant l'adresse à laquelle le programme du microcontrôleur désire accéder.
Dans un cycle de lecture (figure 2), le contrôleur de DRAM place le signal RW/ au niveau logique haut. II place d'abord le numéro de ligne sur le bus d'adresses 5. Quelques nanosecondes plus tard, il descend le signal RASL Sur le front descendant de RAS/, la DRAM 2 enregistre le numéro de ligne. Le contrôleur de DRAM place ensuite le numéro de colonne sur le bus d'adresses 5, puis descend le signal CAS/. Sur le front descendant de CAS/, la DRAM enregistre le numéro de colonne. Un certain temps après (dépendant du temps d'accès du composant), la DRAM fournit la donnée lue sur le bus de données 4. Elle maintient la donnée présente jusqu'à la remontée des signaux RAS/ et CAS/.