REVENDICATIONS 1. Substrat compliant (5,20,30) comprenant un support (1,14,21,31) et au moins une couche mince (4,13,23,34), formée en surface dudit support et destinée à recevoir, de manière solidaire, une structure amenant des contraintes, le support et la couche mince étant reliés l'un à l'autre par une zone de ' liaison (3; 11,15,16; 24,35) telle que les contraintes amenées par ladite structure sont tout ou partie absorbées par la couche mince et/ou par la zone de liaison. 2. Substrat compliant (5) selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite zone de liaison (3) est une couche de défauts. 3. Substrat compliant (5) selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de défauts est une couche de microcavités. 4. Procédé de réalisation d'un substrat compliant selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la couche de défauts est créée par implantation par bombardement d'une ou de plusieurs espèces gazeuses. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que les espèces gazeuses sont choisies parmi les gaz rares, llhydrogène, le fluor et des dopants. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'on procède à une diffusion de l'espèce gazeuse implantée ou des espèces gazeuses implantées. 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'implantation est suivie d'un traitement thermique. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que ladite implantation est réalisée au travers de la surface du substrat, la région comprise entre la surface du substrat et la couche de défauts fournissant ladite couche mince. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la région comprise entre la surface du substrat et la couche de défauts est amincie pour constituer ladite couche mince. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'implantation par bombardement est réalisée au travers d'une couche sacrificielle (2) supportée par ladite surface du substrat, ladite couche sacrificielle étant ensuite éliminée. 11. Substrat compliant selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite zone de liaison comprend une interface de collage (16,24,35). 12. Substrat compliant selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'énergie de collage de l'interface de collage est contrôlée pour permettre l'absorption desdites contraintes. 13. Substrat compliant selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'énergie de collage est contrôlée par préparation de surface et/ou par traitement thermique et/ou par création de défauts à cette interface. 14. Substrat compliant selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que ladite zone de liaison comprend en outre au moins une couche intermédiaire (22; 32,33) entre la couche mince (23; 34) et le support (21; 31). 15. Substrat compliant selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (22; 32,33) est une couche métallique ou d'un alliage métallique. 16. Substrat compliant (5,20,30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 et 11 à 15, caractérisé en ce que ladite couche mince (4,13,23,34) est en un premier matériau cristallin et est destinée à servir de germe pour la croissance hétéro-épitaxiale d'un deuxième matériau cristallin constituant ladite structure. 17. Substrat compliant selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite couche mince est une couche précontrainte par introduction d'un élément étranger audit premier matériau cristallin afin de favoriser la compliance dudit substrat. 18. Substrat compliant selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'élément étranger est introduit par implantation par bombardement et/ou introduit par diffusion. 19. Substrat compliant selon l'une des revendications 17 ou 18, caractérisé en ce que ledit élément étranger est un dopant de la couche mince. 20. Substrat compliant (5,20,30) selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, caractérisé en ce que ledit premier matériau cristallin est un semiconducteur. 21. Application du substrat compliant (5,20,30) selon l'une quelconque des revendications 16 à 20 à la croissance hétéro-épitaxiale d'un matériau cristallin choisi parmi GaN, SiGe, AlN, InN et SiC.