REVENDICATIONS 1. Couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant, cette couche étant caractérisée en ce qu'elle est formée sur la surface d'un substrat monocristallin en Sic et s'étend sensiblement sur la totalité de ce substrat (2). 2. Couche monoatomique et monocristalline selon la revendication 1, le substrat monocristallin en SiC étant une couche mince (2) de SiC monocristallin en phase cubique ss-SiC (100) formée sur une plaquette de Si, la couche monoatomique et monocristalline recouvrant ainsi sensiblement la totalité de cette plaquette. 3. Couche monoatomique et monocristalline selon la revendication 1, le substrat monocristallin en SiC étant une plaquette de SiC monocristallin en phase hexagonale, la couche monoatomique et monocristalline recouvrant ainsi sensiblement la totalité de cette plaquette. 4. Couche monoatomique et monocristalline selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, surmontée d'une couche monocristalline de diamant formée par croissance à partir de la couche monoatomique et monocristalline, cette dernière servant de matrice. 5. Procédé de fabrication d'une couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on forme un substrat monocristallin en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c (2x2), plan étant un plan de dimères carbone-carbone (4) de configuration sp, et en ce qu'on effectue au moins un recuit de ce substrat, ce recuit étant apte à transformer le plan de dimères carbone-carbone (4) de configuration sp en un plan de dimères carbone-carbone (8) de configuration sp3 formant ainsi une couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat monocristallin en SiC est préparé à partir d'une couche mince de SiC monocristallin en phase cubique P-SiC ayant une face (100) terminée par une couche de Si. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat monocristallin en SiC est préparé à partir d'une plaquette de SiC monocristallin en phase hexagonale ayant une face (1000) terminée par une couche de Si. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, dans lequel, pour obtenir le plan atomique de carbone selon la reconstruction c (2x2), on effectue un recuit apte à éliminer la couche de Si. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, dans lequel, pour obtenir le plan atomique de carbone selon la reconstruction c(2x2), on effectue un dépôt de molécules hydrocarbonées sur la couche de Si puis un craquage de ces molécules. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel les molécules hydrocarbonées sont choisies dans le groupe comprenant les molécules de C2H4 et les molécules de C2H2. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 10, dans lequel, pour transformer le plan de dimères carbone-carbone de configuration sp en un plan de dimères carbone-carbone de configuration sp3, on effectue un recuit ou une pluralité de recuits successifs, à une température environ égale à 1250 C, du substrat monocristallin en SiC terminé par le plan atomique de carbone selon la reconstruction c (2x2) , la durée totale de recuit étant supérieure ou environ égale à 25 minutes.