REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un niveau d'interconnexion de type Damascène sur une face à connecter d'un dispositif micro-électronique, les interconnexions étant en métal ou en alliage métallique, le procédé comprenant le dépôt d'au moins une couche de matériau diélectrique (4, 6) sur ladite face à connecter pour recevoir lesdites interconnexions, le procédé comprenant également le dépôt d'au moins une couche d'un matériau diélectrique d'interface choisie parmi une couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique (7), une couche de masque dur (8) et une couche d'arrêt de polissage de l'excès de métal ou d'alliage métallique (9), caractérisé en ce qu'au moins l'une desdites couches de matériau diélectrique d'interface est en SiCH. 2. Procédé selon la revendication il caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - dépôt d'une première couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique (7) sur ladite face à connecter ; - dépôt d'une première couche de matériau diélectrique (4) sur la première couche barrière de diffusion (7) ; - dépôt d'une couche de masque dur (8) sur la première couche de matériau diélectrique (4) ; - gravure de la couche de masque dur (8) pour obtenir une ouverture en vis-à-vis de chaque contact électrique (1) à connecter sur ladite face ; - dépôt d'une deuxième couche de matériau diélectrique (6) sur la couche de masque dur gravée (8) ; - dépôt d'une couche d'arrêt de polissage (9) sur la deuxième couche de matériau diélectrique (6) ; - gravure de la couche d'arrêt de polissage (9), de la deuxième couche de matériau diélectrique (6) et, au travers de ladite ouverture de masque dur (8), de la première couche de matériau diélectrique (4) et de la première couche barrière de diffusion (7) pour obtenir l'emplacement d'au moins une ligne d'interconnexion jusqu'au niveau du masque dur et l'emplacement d'une via de liaison jusqu'au contact électrique (1) ; - dépôt d'une couche de métal ou d'alliage métallique sur l'empilement desdites couches gravées pour fournir ladite via (3) et ladite ligne d'interconnexion (5) ; - dépôt, sur lesdites couches gravées, d'une deuxième couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique dans les couches de matériau diélectrique ; - polissage mécano-chimique du métal ou de l'alliage métallique jusqu'à atteindre ladite couche d'arrêt de polissage (9). 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le SiCH est déposé sous forme amorphe. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'au moins une couche de matériau diélectrique (4, 6) déposée pour recevoir lesdites interconnexions est en polymère à faible constante diélectrique. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit polymère est choisi parmi les polymères suivants : SiLKO, FLAREO et VELOC. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche de métal ou d'alliage métallique est constituée par le dépôt d'une couche d'un matériau choisi parmi le cuivre, un alliage comprenant du cuivre, l'aluminium, le tungstène et l'argent. 7. Dispositif micro-électronique pourvu d'un niveau d'interconnexion de type Damascène sur une face à connecter, les interconnexions étant en métal ou en alliage métallique, le niveau d'interconnexion comprenant au moins une couche de matériau diélectrique (4, 6) sur ladite face à connecter pour recevoir les interconnexions, et au moins une couche d'un matériau diélectrique d'interface choisie parmi une couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique (7), une couche de masque (8) et une couche d'arrêt de polissage de l'excès de métal ou d'alliage métallique (9), caractérisé en ce qu'au moins l'une desdites couches de matériau diélectriques d'interface est en SiCH. 8. Dispositif micro-électronique selon la revendication 7, caractérisé en ce que : - il comprend, en superposition sur ladite face à connecter, une première couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique (7), une première couche de matériau diélectrique (4), une couche de masque dur (8), une deuxième couche de matériau diélectrique (6) et une couche d'arrêt de polissage (9) ; - une interconnexion comprend une ligne d'interconnexion (5) reposant sur le masque dur (8) et dont l'emplacement est défini dans la deuxième couche de matériau diélectrique (6) et dans la couche d'arrêt de polissage (9), et une via (3) reliant la ligne d'interconnexion (6) à un contact électrique (1) à connecter sur ladite face et dont l'emplacement est défini dans le masque dur (8), la première couche de matériau diélectrique (4) et ladite première couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique (7) ; - une deuxième couche barrière de diffusion du métal ou de l'alliage métallique dans les couches de matériau diélectrique enveloppe ladite interconnexion dans le niveau d'interconnexion. 9. Dispositif micro-électronique selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que le SiCH est sous forme amorphe. 10. Dispositif micro-électronique selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'au moins une couche de matériau diélectrique (4, 6) destinée à recevoir les interconnexions est en polymère à faible constante diélectrique. 11. Dispositif micro-électronique selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit polymère est du SiLK du FLAREO ou du VELOX 12. Dispositif micro-électronique selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que les interconnexions sont réalisées en un matériau choisi parmi le cuivre, un alliage comprenant du cuivre, l'aluminium, le tungstène et l'argent.