INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Toutefois, les forces de pressions appliquées par le fouloir 20 se répartissent dans la chambre 4 et sont transmises au panneau 13, aux parois de la chambre 4 et, en particulier, sur les bords de l'ouverture 10 dont la présence évite une désagrégation de la carotte. Ainsi, il suffit, selon l'invention, d'un vérin 16 développant une poussée plus faible que la poussée du vérin de l'état de la technique pour obtenir, avec une surface S d'un bouclier plus restreinte, une pression appliquée aux déchets de l'ordre ou supérieure aux pressions appliquées dans l'art antérieur.
Pour l'éjection de cette carotte, on commande l'ouverture horizontale ou verticale du panneau escamotable 13. Le fouloir 20 obstrue l'ouverture horizontale 8, ce qui permet le chargement en continu des déchets dans le trémie 2. L'avancée du fouloir d'éjection 26 est alors commandée et le bouclier 27 de ce fouloir 26 repousse la carotte 29 à l'extérieur du dispositif 1, par exemple dans la remorque d'un véhicule de transport de déchets. On a donc, selon l'invention, dissocié les fonctions de compactage des déchets et d'éjection de l'ensemble des déchets compacté. En définitive et, grâce, en particulier, à cette dissociation, le dispositif de l'invention a seulement une longueur de l'ordre de 8 m pour des performances de compactage comparable aux dispositifs de l'art antérieur dont les dimensions sont bien plus imposantes : 20 m de longueur.
La présente invention conceme de nouveaux sulfonamides et sulfonylurées, les procédés permettant de les préparer et leur application dans le domaine thérapeutique, et plus particulièrement dans le traitement ou la prévention des complications diabétiques.
Le diabète est caractérisé par une concentration élevée de glucose dans le sang. Ce glucose est métabolisé normalement par l'enzyme hexokinase lors de la première étape de la glycolyse, aboutissant à la dégradation en pyruvate.
Bien entendu, chacun des plots 32, 34, 38 et 40 est mouillable par le matériau constitutif des microbilles 30 et 36 tandis que ltenvironnement de ces plots ne l'est pas.
On commence (figure SA) par former, sur la surface plane S du substrat 21 les plots d'accrochage 32 et 38 des diverses microbilles qui seront ultérieurement formées.
Pour ce faire, on peut utiliser un dépôt métallique pleine tranche par pulvérisation cathodique de type TiNiAu suivi d'une étape de photolithographie et d'une étape de gravure.
Ces plots d'accrochage peuvent avoir une forme quelconque, par exemple une forme circulaire, hexagonale, octogonale ou carrée et même rectangulaire.
De ce fait, les microbilles ne sont pas forcément sphériques.
Dans l'exemple représenté, ces plots sont des disques de diamètre dl pour les plots 32 et des disques de diamètre d2 pour les plots 38.
Les dimensions de ces plots (les diamètres dl et d2 dans l'exemple représenté), comptées parallèlement à la surface du substrat 21, sont déterminées à partir des hauteurs désirées pour les microbilles.
De plus, on peut prévoir des lignes d'interconnexion électriques, qui sont intégrées au substrat 21 ou situées à la surface de celui-ci, pour alimenter électriquement (par l'intermédiaire ultérieure des microbilles, à travers les ouvertures 68 et 70 ainsi obtenues jusqu'à ce que l'on obtienne une épaisseur E de matériau fusible dans les ouvertures et sur la couche de résine.
Comme on le voit sur la figure 5C, on obtient ainsi des disques de soudure 72 de diamètre D1 et des disques de soudure 74 de diamètre D2 respectivement formés au-dessus des plots 32 et 38.
Connaissant l'épaisseur E commune à tous les disques 72 et 74, les diamètres respectifs dl et d2 des plots 32 et 38 et les hauteurs respectives hl et h2 des microbilles 30 et 36 que l'on veut former, on en déduit les diamètres D1 et D2 des ouvertures que l'on doit former dans la couche de résine 66.
Après avoir formé les disques de soudure 72 et 74, on élimine la couche de résine 66 par "lift off".
Le matériau fusible déposé sur ladite couche est ainsi élimine.
Ensuite (figure 5D), on élève la température du substrat 21 au-dessus de la température de fusion du matériau constitutif des disques 72 et 74 et l'on obtient ainsi des microbilles 76 correspondant au composant 22 et des microbilles 78 correspondant au composant 24, ces microbilles étant respectivement accrochées aux plots 32 et 38.
On a noté sur la figure 5D la hauteur H1 des microbilles 76 et la hauteur H2 des microbilles 78.
On procède ensuite (figure SE), à l'hybridation des composants optiques 22 et 24.
Pour ce faire, on positionne convenablement ces composants 22 et 24 respectivement sur les microbilles 30 et 36 de façon que les plots d'accrochage 34 et 40 de ces composants reposent respectivement sur les microbilles correspondantes.
Les compositions polyorganosiloxanes durcissables D visées dans le cadre de la présente invention, présentées en un seul ou en plusieurs emballage(s) (mono- ou multicomposants), renferment un constituant principal formé d'un ou plusieurs constituant(s) polyorganosiloxane(s), un catalyseur approprié et éventuellement un ou plusieurs composé(s) pris dans le groupe formé par notamment : les charges renforçantes ou semi-renforçantes ou de bourrage ou servant à adapter la rhéologie des compositions durcissables, les agents de réticulation, les agents d'adhérence, les agents plastifiants, les agents inhibiteurs du catalyseur et les agents de coloration.
Les polyorganosiloxanes, constituants principaux des compositions D visées dans la cadre de l'invention, peuvent être linéaires, ramifiés ou réticulés, et comporter des radicaux hydrocarbonés et/ou des groupements réactifs consistant dans des groupements alkényles et des atomes d'hydrogène. A noter que les compositions polyorganosiloxanes sont amplement décrites dans la littérature et notamment dans l'ouvrage de Walter NOLL: "Chemistry and Technology of Silicones", Academic Press, 1968, 2ème édition, pages 386 à 409.
Plus précisément les polyorganosiloxanes, constituants principaux des compositions D visées dans le cadre de l'invention, sont constitués de motifs siloxyles de formule générale: RnSiQ4 - n (I) 2 et/ou de motifs siloxyles de formule: ZxRySiO4 - x - y (II) 2 formules dans lesquelles les divers symboles ont la signification suivante: - les symboles R, identiques ou différents, représentent chacun un groupement de nature hydrocarbonée non hydrolysable, ce radical pouvant être * un radical alkyle, halogénoalkyle ayant de 1 à 5 atomes de carbone et comportant de 1 à 6 atomes de chlore et/ou de fluor, * des radicaux cycloalkyles et halogénocycloalkyles ayant de 3 à 8 atomes de carbone et contenant de 1 à 4 atomes de chlore et/ou de fluor, * des radicaux aryles, alkylaryles et halogénoaryles ayant de 6 à 8 atomes de carbone et contenant de 1 à 4 atomes de chlore et/ou de fluor, * des radicaux cyanoalkyles ayant de 3 à 4 atomes de carbone - les symboles Z, représentent chacun un atome d'hydrogène ou un groupe alkényle en C2-C6; - n = un nombre entier égal à 0, 1, 2 ou 3; - x = un nombre entier égal à 0,1, 2 ou 3 - y = un nombre entier égal à 0, 1, ou 2 - la somme x + y se situe dans l'intervalle allant de 1 à 3.
A titre illustratif, on peut citer parmi les radicaux organiques R, directement liés aux atomes de silicium : les groupes méthyle; éthyle ; propyle ; isopropyle , butyle isobutyle ; n-pentyle ; t-butyle ; chlorométhyle ; dichlorométhyle ; a-chloroéthyle; a,P-dichloroéthyle ; fluorométhyle ; difluorométhyle ; a,p-difluoroéthyle ; trifluoro-3,3,3 propyle; trifluoro cyclopropyle ; trifluoro-4,4,4 butyle ; hexafluoro-3,3,4,4,5,5 pentyle; p-cyanoéthyle ; y-cyanopropyle ; phényle: p-chlorophényle ; m-chlorophényle; dichloro3,5 phényle ; trichlorophényle; tétrachlorophényle ; o-, p- ou m-tolyle ; a,a,atrifluorotolyle ; xylyles comme diméthyl-2,3 phényle, diméthyl-3,4 phényle.
Préférentiellement, les radicaux organiques R liés aux atomes de silicium sont des radicaux méthyle, phényle, ces radicaux pouvant être éventuellement halogénés ou bien encore des radicaux cyanoalkyle.
Les symboles Z sont des atomes d'hydrogène ou des groupes alkényles qui sont de préférence des groupes vinyles.
La nature du polyorganosiloxane et donc les rapports entre les motifs siloxyles (I) et (II) et la répartition de ceux-ci est comme on le sait choisie en fonction du traitement de réticulation qui sera effectué sur la composition durcissable en vue de sa transformation en élastomère.
Les compositions polyorganosiloxanes D, bicomposantes ou monocomposantes, réticulant à température ambiante ou à la chaleur par des réactions de polyaddition, essentiellement par réaction de groupements hydrogéno-silylés sur des groupements alkényl-silylés, en présence d'un catalyseur métallique, généralement à base de platine, sont décrites par exemple dans les brevets US-A-3 220 972, 3 284 406, 3 436 366, 3 697 473 et 4 340 709. Les polyorganosiloxanes entrant dans ces compositions sont en général constitués par des couples à base d'une part d'un polysiloxane linéaire, ramifié ou réticulé constitué de motifs (II) dans lesquels le reste Z représente un groupement alkényle en C2 - C6 et où x est au moins égal à 1, éventuellement associés à des motifs (I), et d'autre part d'un hydrogéno-polysiloxane linéaire, ramifié ou réticulé constitué de motifs (II) dans lesquels le reste Z représente alors un atome d'hydrogène et où x est au moins égal à 1, éventuellement associés à des motifs (I).
Dans le cas des compositions D réticulant par des réactions de polyaddition appelées RTV, le (ou les) constituant(s) polyorganosiloxane(s) porteur(s) de groupements alkényl-silylés présentent avantageusement une viscosité à 25"C au plus égale à 100 000 mPa.s et, de préférence, comprise entre 400 et 100 000 mPa.s.
Dans le cas des compositions D réticulant par des réactions de polyaddition appelées LSR, le (ou les) constituant(s) polyorganosiloxane(s) porteur(s) de groupements alkényl-silylés ont une viscosité à 25"C supérieure à 100 000 mPa.s, se situant de préférence dans l'intervalle allant d'une valeur supérieure à 100 000 mPa.s à 500 000 mPa.s.
Dans le cas des compositions D réticulant par des réactions de polyaddition appelées EVC de polyaddition, le (ou les) constituant(s) polyorganosiloxane(s) porteur(s) de groupements alkényl-silylés ont une viscosité à 25"C supérieure à 500 000 mPa.s et, de préférence comprise entre 1 million de mPa.s et 30 millions de mPa.s et même davantage.
Dans les cas des compositions polyorganosiloxanes D appelées RTV, LSR ou EVC de polyaddition, le (ou les) constituant(s) polyorganosiloxane(s) porteur(s) de groupements hydrogéno-silylés ont généralement une viscosité à 25"C au plus égale à 10 000 mPa.s et, de préférence, comprise entre 5 et 1 000 mPa.s.
II peut aussi s'agir encore de compositions D durcissables à température élevée sous l'action de péroxydes organiques. Le polyorganosiloxane ou gomme entrant dans de telles compositions appelées EVC est alors constitué essentiellement de motifs siloxyles (I), éventuellement associés à des motifs (II) dans lesquels le reste Z représente un groupement alkényle en C2 - C6 et où x est égal à 1. De tels EVC sont par exemple décrits dans les brevets US-A-3 142 655, 3 821 140, 3 836 489 et 3 839 266.
Le constituant polyorganosiloxane de ces compositions EVC présente avantageusement une viscosité à 25"C au moins égale à 1 million de mPa.s et, de préférence, comprise entre 2 millions et 30 millions de mPa.s et même davantage.
Les compositions durcissables D visées dans le cadre de l'invention peuvent comporter en outre - à côté du (ou des) constituant(s) polyorganosiloxane(s), du catalyseur et éventuellement de l'agent de réticulation et/ou de l'agent d'adhérence et/ou de l'agent de coloration - des charges renforçantes ou semi-renforçantes ou de bourrage ou servant à adapter la rhéologie, qui sont de préférence choisies parmi les charges siliceuses.
Les charges renforçantes sont choisies parmi les silices de combustion et les silices de précipitation. Elles ont une surface spécifique, mesurée selon les méthodes BET, d'au moins 50 m2/g, de préférence supérieure à 100 m2/g, et une dimension moyenne des particules inférieure à 0,1 micromètre (pu).
L'invention a également pour objet une source ECR comportant un dispositif pour engendrer un champ magnétique, tel que décrit ci-dessus, le volume intérieur à la structure multipolaire définissant une enceinte de confinement pour plasma, et des moyens pour disposer une cible.
L'invention a également pour objet un procédé de production d'ions mettant en oeuvre une telle source ECR.
L'invention a également pour objet un procédé de fonctionnement d'un cyclotron, des ions étant injectés dans le cyclotron à l'aide d'une source ECR telle que décrite ci-dessus.
De manière avantageuse, la source ECR est disposée à l'intérieur du cyclotron.
L'invention a également pour objet un procédé de transport de particules chargées, mettant en oeuvre un dispositif selon l'invention, comportant N1 moyens magnétiques à polarité alternée pour former la structure magnétique axiale, en forme d'anneaux, juxtaposés les uns à côté des autres, deux ensembles de N2 moyens magnétiques à polarité alternée, pour former les structures magnétiques radiales, les particules étant transportées d'une extrémité à l'autre de l'ensemble des anneaux juxtaposés.
L'invention a également pour objet une pompe à plasma confiné comportant un dispositif pour engendrer un champ magnétique, selon l'invention, des moyens latéraux pour injecter un rayonnement HF, des moyens latéraux de connexion à un volume à pomper, et des moyens d'extraction et neutralisation des particules pompées.
Brève description des figures De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels - les figures 1 à 3 représentent schématiquement des sources ECR de l'art antérieur, - la figure 4 représente schématiquement une source ECR couplée à un cyclotron, - la figure 5 représente un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 6 est un cas particulier illustrant une application de l'invention, - la figure 7 représente l'évolution spatiale de champs magnétiques pour le dispositif de la figure 6, - la figure 8 représente la répartition des lignes d'équimodules magnétiques pour le dispositif de la figure 6, - la figure 9 représente une ligne de transport de particules à plasma confiné, - les figures 10 à 12 sont diverses représentations d'une pompe à plasma confiné selon l'invention.
Description détaillée de modes de réalisation de l'invention Un premier exemple de réalisation de l'invention va être décrit en liaison avec la figure 5.
Sur cette figure, des références 62-1, ....
62-4 désignent 4 anneaux magnétiques, à polarité alternée, permettant de former la structure axiale. Les références 64-1, . . ., 64-5 et 66-1, . . . , 66-4, désignent des anneaux magnétiques de deux ensembles latéraux, à polarité alternée, permettant de former les structures magnétiques radiales.
La référence 68 désigne une ouverture pratiquée dans une des parois latérales.
Ce dispositif comporte donc deux ensembles M1 (64-1, ..., 64-5) et M2 (66-1, ..., 66-4) constituant ses extrémités, et un ensemble M3 (62-1, . . . , 62-4) latéral. Ce système M3 peut être composé par une structure multipolaire définie par des secteurs (et pas uniquement par des anneaux) présentant une symétrie par rapport à l'axe de symétrie A du dispositif. Dans le cas où, comme représenté sur la figure 5, l'un ou l'autre des systèmes M1, M2, ou les deux, sont constitués de plusieurs pôles, l'ensemble magnétique constitué par M1, M2 et M3 se présente comme une superposition d'un champ magnétique multipolaire radial avec un champ multipolaire axial.
Le système M3 peut être composé de N > 0 anneaux positionnés, ou juxtaposés, les uns à côtés des autres, longitudinalement, et présentant une aimantation radiale, ou axiale, avec une polarité définie par leur position dans le système. Ces éléments peuvent avoir des sections différentes, et, donc, la dimension ou le diamètre de cet ensemble suivant l'axe A peut être variable. L'ensemble obtenu avec M1, M2 et M3 constitue alors un seul multipôle.
Le volume obtenu, confiné par une enveloppe d'équimodules IBfl constitué par l'ensemble magnétique des systèmes M1, M2 et M3 se présente alors comme une boîte magnétique "à ligne fermée de minima IBI".
La figure 6 représente, en coupe, un dispositif magnétique selon l'invention, dans le cas particulier où le système M3 est constitué d'un seul anneau. Les flèches représentent les orientations des polarités des différents éléments magnétiques. Sur cette figure, la référence 70 désigne la surface d'équimodules IBfl à l'intérieur de laquelle on peut identifier une surface fermée d'équimodule Dr 72. Sur cette figure, chacun des éléments latéraux M1 et M2 présente une ouverture centrale S1, S2. Dans le cadre de l'application à une source ECR, ces ouvertures peuvent permettre d'approcher un système porteur d'une cible, et de disposer des moyens d'extraction des ions produits.
D'une manière générale, les deux surfaces S1 et S2 sont disponibles pour les divers systèmes permettant d'assurer le contrôle et l'utilisation d'un plasma injection HF, injection de gaz, four, moyens de diagnostic, injection de particules, dispositif de refroidissement et de pompage, ...
Cette structure permet la mise en oeuvre d'un nouveau mode de correction d'erreur par bloc, inspiré de la structure des blocs ECM (figure 8) permettant une correction d'erreur sans demande de retransmission de trames.
De même, le dernier bloc comporte 'X+1' lignes dont la structure est détaillée ci-dessus en regard de la figure 7, puis un nombre égal à deux cent cinquante six moins 'Y' lignes dans lesquelles les informations représentatives de l'image de la page sont remplacées par des informations de redondance.
Le mode de réalisation décrit et représenté permet donc le passage d'un protocole de télécopie de type connu, illustré en figure 1, à un protocole de télécopie dit "simplex", c'est-à-dire dont toutes les transmissions sont effectuées d'un émetteur vers plusieurs récepteurs.
On observe, en outre, que le système de correction d'erreur fonctionne par bloc, grâce à une modification de la structure du bloc de données et des trames PPS. En effet, dans l'état de l'art un bloc de données est constitué de 256 trames de type FCD au maximum, numérotées de 'O' à '255', I'ensemble du message à émettre pouvant être réparti sur plusieurs blocs, chaque bloc étant séparé par une trame de type PPS, et la fin de bloc étant préalablement identifiée par une trame RCP (figure 8). Dans le mode de réalisation décrit et représenté, les dernières trames du bloc de données, de 'Y' à '255', contiennent des trames de redondance (figure 9). Les trames de type PPS contiennent un champ supplémentaire permettant d'identifier cette redondance, par le numéro de la première trame de redondance dans le bloc.
Dans l'état de l'art la trame PPS, dont le type est défini par le champ FCF1 14 et précisé par le champ FCF2 15, le champ information FIF est composé de 3 sous-champs, identifiant respectivement le numéro de la page, champ 16, dans la procédure complète, le numéro du bloc, champ 17, au sein de cette page et le numéro de la dernière trame utile d'information, champ 18, dans le bloc courant (figure 4).
Au contraire, dans le mode de réalisation décrit et représenté, la trame PPS comporte un champ supplémentaire, référencé 19, contenant le numéro de la première trame de redondance (figure 5).
La transmission complète d'un bloc de données est illustrée en figure 6 selon l'état de la technique et en figure 7 dans le mode de réalisation décrit et représenté.
En figure 10 est représentée une succession de signaux transmis par le mode de réalisation décrit et représenté pour la transmission de deux pages d'un document, en mode duplex. On note que ce mode de transmission s'applique particulièrement à la transmission de télécopie entre un émetteur et un récepteur. On observe dans cette figure l'échange des signaux suivants: - un signal (émetteur vers récepteur) de transmission des informations du bloc 0 de la page 0, selon l'état de l'art, illustré en figure 6 - un signal (émetteur vers récepteur) PPS, selon l'état de l'art, illustré en figure 4, indiquant la fin du bloc, d'une part, et la transmission à venir d'un bloc correspondant à la même page, d'autre part; - un signal (récepteur vers émetteur) PPR, selon l'état de l'art, permettant d'identifier le numéro des '256-Y' trames non correctement reçues à l'intérieur du bloc 0 de la page 0 - un signal (émetteur vers récepteur) de retransmission des '256-Y' trames du bloc 0 de la page 0 dont les numéros sont identifiés par la trame PPR précédente; - un signal MCF du récepteur vers l'émetteur, indiquant la bonne réception du bloc 0 de la page 0 ; - un signal (émetteur vers récepteur) de transmission des informations du bloc 1 de la page 0, illustré en figure 7, pour lequel un nombre '256-Y+dY' ('dY entier strictement positif) de trames de redondance est déterminé à partir du nombre de trames '256-Y' identifié dans le signal PPR précédent; - un signal (émetteur vers récepteur) PPS, illustré en figure 5, indiquant la fin du bloc, d'une part, et la transmission à venir d'un bloc correspondant à une nouvelle page, d'autre part; - un signal RNR (du récepteur vers l'émetteur) indiquant que le récepteur n'est pas prêt à recevoir un nouveau bloc; - un signal RR, de l'émetteur vers le récepteur, interrogeant ce dernier sur son état; - un signal RNR (du récepteur vers l'émetteur) indiquant que le récepteur n'est pas prêt à recevoir un nouveau bloc; - un signal RR, de l'émetteur vers le récepteur, interrogeant ce dernier sur son état - un signal (récepteur vers émetteur) PPR, selon l'état de l'art, permettant d'identifier le numéro des '256-Y1' trames non correctement reçues à l'intérieur du bloc 1 de la page 0, tel que '256-Y1' soit inférieur ou égal à '256 Y+dY'; - un signal (émetteur vers récepteur) de transmission des informations du bloc 0 de la page 1, illustré en figure 7, pour lequel un nombre '256-Y1+dY1' ('du1' entier strictement positif) de trames de redondance est déterminé à partir du nombre de trames '256-Y1' identifié dans le signal PPR précédent; - un signal (émetteur vers récepteur) PPS, illustré en figure 5, indiquant la fin du bloc, d'une part, et la transmission à venir d'un bloc correspondant à une nouvelle procédure, d'autre part; et - un signal (récepteur vers émetteur) PPR, selon l'état de l'art, permettant d'identifier le numéro des '256-Y2' trames non correctement reçues à l'intérieur du bloc 1 de la page 0, tel que '256-Y2' soit inférieur ou égal à '256Y1+dY1'.