INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour produire une bonne influence sur l'évolution du niveau vibratoire aux forces dynamiques, les élevons externes 13 ou 13' sont réalisés de sorte que leur centre de gravité soit en avant de leur centre de rotation, sur l' d'articulation Y-Y, le centre de rotation étant lui-même positionné sur leur foyer aérodynamique, pour éviter les moments dûs à la force aerodynamique. Ceci permet de minimiser les efforts de pilotage.
Chaque portion externe de voilure, à l'extérieur des nacelles 6, peut ne être totalement une surface orientable, mais peut contraire, comme schématiquement représenté sur la figure 6, qui représente une variante de la figure 4, être une portion externe de voilure 27 dont une partie avant, le long de bord d'attaque, est une portion d'aile externe 28 fixe, à l'arrière de laquelle partie orientable 29 est montée pivotante autour de l'axe d'articulation Y-Y, et constitue la surface de commande et/ou de contrôle orientable fonctionnant comme un aileron et/ou comme un volet, et donc analogue à l'élevon 13 ou 13' exemples précédents.
Dans les exemples des figures 1 à 3, 4 et 6, les élevons externes 13, 3', 29, introduisent dans la structure fixe des nacelles 6 ou ailes fixes 5 ou des efforts tranchants et moments de flexion, mais pas peu de moments torsion, lorsque leur axe d'articulation Y-Y passe sensiblement par le centre torsion des ailes fixes 5 ou 5'.
En décalant l'axe d'articulation Y-Y des élevons 13, 13', 29 vers l'avant l'arrière par rapport au centre de torsion des ailes fixes ou 5', les élevons peuvent de plus introduire dans la structure des ailes 5 ou des moments de torsion éventuellement nécessaires dans le cas de manifestation du phéno- mene de whirl-flutter , et pour contrer ce phénomène.
Exemple 4 On a dissous un copolymère méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle/ méthacrylate de y butyrolacton-2-yle/acide méthacrylique (rapport de composi tion : 6 : 1 : 3) dans PGMEA pour obtenir une solution à 15 % en masse. A cette solution de copolymère on a ajouté 20 % en masse de 1-adamantanol (à titre de composé contenant une structure d'alcool) et 10 % en masse de y butyrolactone (à titre de co-solvant), par rapport au copolymère. On a ajouté à la solution du trifluorométhanesulfonate de diphényliodonium à raison de 2 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a soigneusement dissous dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre à membrane en TéflonTm de 0,2 N on l'a appliqué en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS et on l'a précuite à 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 Nm. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à ArF (NA = 0,55) on l'a soumis à une cuisson après exposition (CAE) à 30 C pendant 60 secondes, on l'a développé avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 3,4 mJ/cmz autorisait la résolution d'un motif LIE de 0,18 pm. En outre n'a constaté aucun gonflement dans le motif de résist.
L'évaluation de la résistance à la gravure sèche du résist selon le procédé décrit dans l'exemple 1 a confirmé une vitesse de gravure de 678x10-1 m(Â)/min comme le montre le tableau ci-dessous. Ce tableau présente aussi vitesses de gravure pour le résist positif Nagase NPR-820 et pour le PMMA.
Résist testé Vitesse de gravure (Âlmin) Rapport de vitesses NPR-820 530 1,00 PMMA 805 1,52 Exemple 4 678 1,28 Comme le montrent les résultats présentés ci-dessus, la résistance la gravure sèche de la composition de résist de l'invention était proche de celle du résist à base de résine novolaque et bien supérieure à celle du PMMA.
Exemple 5 On a dissous un copolymère méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle/ méthacrylate de y-butyrolacton-2-yle/acide méthacrylique (rapport de composi tion : 6 : 1 : 3) dans PGMEA pour obtenir une solution à 15 % en masse. A cette solution de copolymère on a ajouté 20 % en masse de 3-hydroxybicyclo [2.2.2]octane (à titre de composé contenant une structure d'alcool) et 10 % en masse de y butyrolactone (à titre de co-solvant), par rapport au copolymère. On a ajouté â la solution du tri fluorométhanesulfonate de diphényliodonium à raison de 2 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a soigneusement dissous dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre membrane en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS et on l'a précuite 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 pin. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à ArF (NA = 0,55) on l'a soumis à une cuisson après exposition à 120 C pendant 60 secondes, on l'a développé avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 4,0 mJ/cm2 autorisait la résolution d'un motif L/E de 0,18 pm. En outre on n'a constaté aucun gonflement dans le motif de résist.
Exemple 6 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 5 mais, pour cet exemple, on a utilisé un appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie = 50 kV) à la place de l'appareil d'exposition à laser excimère à ArF. Dans cet exemple, une dose d'exposition de 8 pC/cm2 autorisait la résolution d'un motif L/E de 0,15 pin. Ce motif de résist était lui aussi exempt de tout gonflement.
Exemple 7 On a dissous un copolymère méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle/ méthacrylate de y butyrolacton-2-yle/acide méthacrylique (rapport de composi tion : 6 : 1 : 3) dans PGMEA pour obtenir une solution à 15 % en masse. A cette solution de copolymère on a ajouté 15 % en masse de 2,6-diméthyl-2-heptanol (à titre de composé contenant une structure d'alcool) et 10 % en masse de y butyrolactone (à titre de co-solvant), par rapport au copolymère. On a ajouté à la solution du trifluorométhanesulfonate de diphényliodonium à raison de 2 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a soigneusement dissous dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre à membrane en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS et on l'a précuite 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 pm. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à ArF (NA = 0,55) on l'a soumis à une cuisson après exposition (CAE) à 110 C pendant 60 secondes, on l'a développé avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 5,2 mJ/cm2 autorisait la résolution d'un motif IJE de 0,20 pm. En outre on n'a constaté aucun gonflement dans le motif de résist.
Exemple 8 Après avoir polymérisé du méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle et du 4-acétoxystyrène à un rapport d'alimentation de 1 : 9, on a traité le polymère avec une solution alcaline pour la solvolyse des groupes acétyle. On a dissous le copolymère méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle/vinylphénol résultant (rapport de composition: : 1 : 9) dans PGMEA pour obtenir une solution 15 % en masse. A cette solution on a ajouté du tri fluorométhanesulfonate de triphénylsulfonium à raison de 5 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a dissous soigneusement dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre membrane en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat de silicium traité avec HMDS et on l'a précuite à 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 pm. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à KrF (NA = 0,45) on l'a soumis à une cuisson après exposition à 120 C pendant 60 secondes, on l'a développé avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 6,8 mJ/cmz permet la résolution d'un motif L/E de 0,25 pm. En outre on n'a constaté aucun gonflement dans le motif de résist.
L'évaluation de la résistance à la gravure sèche du résist selon le procédé décrit dans l'exemple 1 a confirmé une vitesse de gravure de 620x10" m (Â)/nvn comme le montre le tableau ci-dessous. Ce tableau présente aussi les vitesses de gravure pour le résist positif Nagase NPR-820 et pour le PMMA.
Résist testé Vitesse de gravure (A/min) Rapport de vitesses NPR-820 530 1,00 PMMA 805 1,52 Exemple 8 541 1,02 Comme le montrent les résultats présentés ci-dessus, la résistance à la gravure sèche de la composition de résist de l'invention était très proche de celle du résist base de résine novolaque et bien supérieure à celle du PMMA. Exemple 9 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 8 mais, pour cet exemple, on a utilisé un appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie = 50 kV) la place de l'appareil d'exposition à laser excimére à KrF. Dans cet exemple, une dose d'exposition de 8 pC/cm2 permet la résolution d'un motif L/E de 0,12 pm. Les autres propriétés du motif de résist négatif obtenu étaient comparables de manière satisfaisante aux propriétés de l'exemple 8.
Exemple 10 On a dissous un copolymère méthacrylate de 3-hydroxyadamantyle/ vinylphénol (rapport de composition : 1 : 9) dans PGMEA pour obtenir une solution à 15 % en masse. A cette solution de copolymère on a ajouté 20 % en masse de 1-adamantanol (à titre de composé contenant une structure d'alcool) par rapport au copolymère. On a ajouté à la solution du tri fluorométhanesulfonate de triphénylsulfonium à raison de 5 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a soigneusement dissous dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre à membranes en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS et on l'a précuite à 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 pin. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à KrF (NA = 0,45) on l'a soumis à une cuisson après exposition à 110 C pendant 60 secondes, on l'a développe avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 6,4 mJ/cm2 permet la résolution d'un motif L/E de 0,25 pm. En outre on n'a constaté aucun gonflement dans motif de résist.
L'évaluation de la résistance à la gravure sèche du résist selon le procédé décrit dans l'exemple 1 a confirmé une vitesse de gravure de 599x10-' m (Â)/min comme le montre le tableau ci-dessous. Ce tableau présente aussi les vitesses de gravure pour le résist positif Nagase NPR-820 et pour le PMMA.
Résist testé Vitesse de gravure (Â/min) Rapport de vitesses NPR-820 530 1,00 PMMA 805 1,52 Exemple 10 519 0,98 Comme le montrent les résultats présentés ci-dessus, la résistance la gravure sèche de la composition de résist de l'invention était comparable à celle du résist à base de résine novolaque et bien supérieure à celle du PMMA.
Exemple 11 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 8 mais, pour exemple, on a inclus aussi 20 % en masse de 3-hydroxybicyclo [2.2.2]octane (à titre de composé contenant une structure d'alcool) par rapport au copolymère pendant la préparation de la solution de copolymère. Après avoir exposé à la lumière au moyen d'un appareil d'exposition à laser excimère à KrF, on a réalisé une cuisson après exposition à 110 C pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 7,2 mJ/cm2 autorise la résolution d'un motif L/E de 0,25 pm. Les autres propriétés du motif de résist négatif obtenu étaient comparables elles aussi de manière satisfaisante aux propriétés de l'exemple 8.
Exemple 12 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 10 mais, pour cet exemple, on a utilisé un appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie = 50 kV) la place de l'appareil d'exposition à laser excimère à KrF, et on a réalisé la cuisson après exposition à 120 C pendant 60 secondes. Dans cet exemple, une dose d'exposition de 7 pC/cm2 autorise la résolution d'un motif de 0,11 p m. Les autres propriétés du motif de résist négatif obtenu était elles aussi comparables de manière satisfaisante aux propriétés de l'exemple 10.
Exemple 13 On a répété le protocole décrit dans l'exemple 11 mais, pour exemple, on a utilisé un appareil d'exposition à faisceau électronique (grandeur de sortie = 50 kV) la place de l'appareil d'exposition à laser excimère à KrF, et on a réalisé la cuisson après exposition à 120 C pendant 60 secondes. Dans cet exemple, une dose d'exposition de 8 pC/cm2 autorisait la résolution d'un motif IJE de 0,12 pm. Les autres propriétés du motif de résist négatif obtenu étaient elles aussi comparables de manière satisfaisante aux propriétés de l'exemple 11.
Exemple 14 On a dissous un copolymère benzoate de vinyle/méthacrylate de 3- hydroxyadamantyle (rapport de composition : 3 : 7) dans PGMEA pour préparer une solution à 15 % en masse. A cette solution de copolymère on a ajouté 20 % en masse de 1-adamantanol (à titre de composé contenant une structure d'alcool) et 10 % en masse de y-butyrolactone (à titre de co-solvant), par rapport au copolymère. On a ajouté la solution du trifluorométhanesulfonate de triphénylsulfonium à raison 2 % en masse par rapport au copolymère, et on l'a soigneusement dissous dans celle-ci. Après avoir filtré la solution de résist résultante sur un filtre à membrane en TéflonTm de 0,2 pm, on l'a appliquée en revêtement par application centrifuge à 2 000 tours par minute sur un substrat en silicium traité avec HMDS on l'a précuite à 110 C pendant 60 secondes pour obtenir un film de résist d'une épaisseur de 0,5 pm. Après avoir exposé le film de résist à un appareil d'exposition à laser excimère à KrF (NA = 0,45) on l'a soumis à une cuisson après exposition à 130 C pendant 60 secondes, on l'a développé avec une solution aqueuse de TMAH à 2,38 % et on l'a rincé à l'eau désionisée pendant 60 secondes. La mesure de la résolution du motif de résist négatif résultant a confirmé qu'une dose d'exposition de 17,5 mJ/cm2 autorise la résolution d'un motif IJE de 0,28 pm. En outre on n'a constaté aucun gonflement dans le motif de résist.
Données de bas niveau Les données de bas niveau sont les signaux en provenance des 42 stations sismiques du laboratoire LDG (voir la figure 1). Les prétraitements portent essentiellement sur la création des spectrogrammes des signaux sismiques, qui sont non stationnaires. Ces spectrogrammes sont obtenus par l'application d'une transformée de Fourier à fenêtre glissante sur le signal. Dans un premier temps, le signal, échantillonné à 50 Hz, est segmenté en trames de deux secondes décalées d'une seconde par une fenêtre de Hamming. On calcule ensuite la densité spectrale d'énergie sur 50 bandes fréquentielles avec élimination de la composante continue. Puis, on applique une transformation logarithmique avec soustraction de bruit, dont le modèle est supposé logarithmique, dans chaque bande selon l'équation max(1n(1 + x)- Ji(bruit)- a{bruit ),0), où (bruit) et #(bruit) correspondent à la moyenne et à l'écart-type du bruit estimés sur une période antérieure au pointage de l'onde P. Enfin, on réduit le nombre de bandes fréquentielles de 50 à 15 par une compression pseudo-logarithmique des hautes fréquences.
# Résultats obtenus Le système décrit ci-dessus classifie les événements sismiques régionaux français avec les performances suivantes : - 86 % pour les séismes ; - 91 % pour les explosions ; - plus de 99% pour le coups de terrain.
Les performances globales sont d'environ 90%.
TABLEAU I SSISWS5 noms - plm - NCHIIRI D'lvmtlD#7ltS : 31 MÎT STORE OR UT LON PRO ML RlIS R6GION 09 S8p Ut 55.8 14.i5 N 11 9 2 2.9 ,8 44 kn S& HoIogna C9 Sap Il 27 59. 39. 7J N 16, 2D 2 5. 1.4 162 lm Ou! 09 Sep Il 31 35.6 44.43 N 9.83E 2 3.0 ,7 71 kn E Genes 09 Sep (PGF= 20H 50min) 10 Sep 7 19 30,1 45.63N 11,18@ 2 2.7 1.1 49 km 9 Trente 10 S.P 15 41 49,2 40.67 .16w 5 3.0 1.3 37 ka 9 Vinirot 10 Sep 18 13KJ '3.07 .40A 2 2.1 . 322 hl SE 01oron'S,'Hu1. (64) ID S.P 20 41 27.1 15. Il N 6.668 2 2,2 ,7 29 km Ni S int-Jejn-d8-MjuiI nns (73) 11 Sep 8 SI 55.4 12.03 9.532 2 2.5 .3 Il ka Sa Corte Il S8p Il 28 48,9 UNS 7.US 2 2.2 .J 41 km NIl Cuneo 12 Sap 428 18.2 i2.nv .201 5 L8 .2 17 km S Haçnoroa-da-Higorro f65) 12 Sep 5 30 20.9 IS 10 6.67Tr 2 1.7 .2 29 Ha A2 S.int-Jel1l-de-Hmienn. (73) 12 Sap i 47 31. 44.61 N 10.221 2 2 7 .4 90 !na V Bologno 12 Sep 9 40 56.6 Il 27 N 1.40E 2 2.5 1 66 km Whuaient 12 Sep 948 8,1 4f,OU 12.721 2 3 .61Sb;HWAncone 12 9p 13 56 11.3 4U4N ?.55Tf 2 1,8 .5 31 tm Sâ Pontivy (56) 12 Sep 22 13 lU 51 17 Y Ult 2 2 9 .3 29 km N Duisoldort 13 Slip 2 931.5 46 12 N 7.94E 2 2.4 .6 36 km SE Sierre i3 Sep 62328.3 39 el , 75 2 2.8 . 6 35 ta HW valence 13 Sep 15 Il 37.2 13.D5 N ..48w 2 ,1 I9 ta St Oloron-Ste-garle (64) 14 Sep 3 J3 33.D 41. 28 N 10.93 2 3 ,1 7 43 km Sa Bologn.
14 Sep 5 24 49.7 38.20 N I3.03c 2 4,0 1.3 32 km Pilera* 14 Sep J7J7.4 44.37 N IO.é2a 2 2.7 1,0 59 ka A Hologno 14 Sep 9 7 36.6 48.10 N 7,94e 14 3.0 .3 13 ka Rr dralburg-im-9riageu Il Sep 10 21 11.6 44.26N 10.89E 2 3.2 .5 (@ km Sw Bologne 14 Sep 13 57 14.0 48.05 3.54W 22 ,1 36 km N forint (56) 14 Sep (PGF = 17H Juin; II Sep 17 Il 2.1 .18 N 6.79C 2 2.0 .4 3? ks 6C Thonon-lat-Bains 171J 14 Sop 19 35 8.1 43.65 N 12.42E 2 2.8 ,4 59 kn N Parole 14 Sep 22 39 44.4 44,68 N N 7.$Or 2 2.1 .7 31 km N Cuneo 15 Sep 6 24 25.7 43.59 7.69E 19 2.5 .3 24 km S San Remo 15 Sep 15 48 1.8 43.47 Il ,dSN 2 2.7 .1 4 35 ta |W Pju (64) 15 Sep (ETS@ = 18H Smin) 15 Sep 23 3 52.8 44.22N 10.77E 2 2. 7 .5 51 km Sw Soigna
TABLEAU II nombre de stations utilisees Il - Res dans bulletin; oui preloc, lat : 43.2 Ion: 5,4 ho; 19 19 53,1
région: 11 km S Aix-en-Provence (13) IMS: .289 nb d'iter; 3 ' c de toit heure origine : 19 19 53.8 +/- ,3 # ellipse a 95% de confiance : # latitude: 43,43 +/-1,7 # 1/2 grand axe: 7.0 km, I # longitude: 5. 43 +/- 2,5 # 1/2 petit aie; 4.6 km.
# profondeur: 1. km imposee # azimut gd axe: 169.5 degres. magnitudes; ampl. 2.8 sur 1 station # duree 2.7 +/- .0 sur @ stations #
pro III 1 , kIn115. 1 kml 1 25. kml kml pro 1. ta III 2. kml 15. tal 25, tal 30. tal 1 lat 43.43 11143.44 I 43.54 14].5] 1 4].]
# lon 5.43 III 5,44 # 5.511 # 5,59 5,31 # rms ,29 III .32 # .98 1,65 1. 90 # luit 3 III 3 # 5 8 8 # 8 # III # code ph heure > dist azi ampl per duree res ml md res res res res III
1 LRG pg 19 20 6.5 15 87 -.1 III ..1 - 19 1.1.1 1 -1. 9 FRE pg 19 20 10.4 99 81 50. 1-,2 2,7 III -,2 1 -.8 1 -1.] 1.1.0 1 FRF eg 19 2021.8 9t U I -,4 III -.4 1 -.3 I -.3 I -1.S l'
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1 LE ig 19 ZO 18.8 8T 96 I -.2 III -.3 1 -.8 1-1.21-1.7
SBF pg 19 20 21.8 168 72 22.4 ,4 -,3 2,8 III -. 3 -.7 -1.0 1,8 # SBF pn 19 20 20.8 168 72 .5 .6 I 1.4 2.1 ,9 # 1 SEF sg 19 20 41.9 168 72 .3 .3 1 .8 1 1.1 3,5
1 PGP pn 19 20 37.1 3w 107 1 -.2 "1 . -.2 | .1 .6 1 ,7 I PGF su 19 21 9. ]07 107 ., III ,5 2. 1 3.7 2,6 I LRG sg 19 2015.8 15 7 .J III .3 .1 .,J ,U
REFERENCES [1] D. R. Baumgardt et K. A. Ziegler, "Spectral evidence for source multiplicity in explosions: application to regional discrimination of earthquake and explosion" (Bulletin of Seismological Society of America, vol. 78, pp.
L'objet de la présente invention est aussi de concevoir une vanne rotative utilisée dans des procédés de séparation où l'on réalise un bypass entre chacun des lits d'une colonne de séparation, comme il est schématisé sur la figure 4.
La figure 4 représente une colonne chromatographique 20, cylindrique, contenant une pluralité de lits, An, d'un adsorbant tel qu'un tamis moléculaire zéolithique BaX.
Du fluide principal est soutiré de l'extrémité inférieure de la colonne par une ligne de pumparound 21, pour être recyclé à l'aide, d'une pompe 22 et d'une ligne 23, à l'extrémité supérieure de la colonne où il est introduit dans le lit supérieur A1 d'adsorbant par plusieurs lignes 24.
Pour la séparation du paraxylène, à partir d'une charge de xylènes par exemple, on dispose généralement de deux colonnes comportant douze lits chacune, les vingt-quatre lits étant divisés en au moins quatre zones. Une zone est délimitée par une injection d'un fluide de l'extérieur de la colonne (du désorbant ou de la charge par exemple) et un soutirage d'un autre fluide (extrait ou raffinat par exemple). Par exemple, cinq lits sont réservés à la zone I, neuf lits à la zone II, sept lits à la zone III et trois lits à la zone IV. Sous le lit A,, se situe le plateau distributeur Pl de fluide circulant dans le lit suivant.
Un plateau distributeur P; est divisé par exemple en plusieurs secteurs de plateaux, selon une découpe décrite par exemple dans la demande de brevet FR 97l16.273. Un secteur comporte une chambre de distribution C; de fluide ayant par exemple une forme longitudinale. Une chambre C; permet d'introduire un fluide secondaire, ou soutirer un fluide secondaire et chaque chambre est connectée via une ligne de transfert L; à une vanne rotative V détaillée aux figures 5 à 7.
Une ligne B; ou ligne de bypass en liaison avec la vanne rotative V et la colonne de séparation permet d'injecter une partie du fluide principal qui a été prélevé au niveau d'un lit d'adsorbant A;.
En tête de colonne et en fond de colonne, l'agencement des conduits de distribution des fluides diffère de celui adopté au niveau des étages intermédiaires : les panneaux distributeurs localisés à l'entrée du ou des étages en tête de colonne 1 ou à la sortie du ou des étages en fond de colonne(s) ne comportent pas d'araignée de distribution connectée à l'extérieur. Dans ces endroits, il n'est en effet pas nécessaire de réaliser un balayage continu de fluide. Lorsque la colonne est constituée d'une seule partie, ces étages d'entrée et de sortie correspondent aux étages référencés 1 et 24.
Pour réaliser la fonction de bypass en tête et en fond de colonne # une ligne Le permet de dériver, avant son introduction en tête de colonne, une partie du fluide circulant dans la ligne 21 de pumparound, pour l'envoyer vers la vanne rotative V au niveau d'une lumière 45 du stator.
# une ligne LS est reliée, d'une part à la vanne rotative V, et d'autre part à la ligne 21 de pumparound, de manière à injecter le fluide de bypass en amont de la pompe 22 de recirculation du fluide.
Sur la figure 4 on a aussi représenté quatre conduits 30, 31, 32, 33, reliés à la vanne rotative V qui sont destinés au passage des fluides process tels que la charge, l'extrait, le raffinat et le désorbant.
Ces quatre conduits sont mis en liaison avec les plateaux distributeurs P; à l'aide de la vanne rotative V par des moyens appropriés qui sont décrits dans les figures suivantes 5 à 7. Exemple de comparaison entre les étapes d'un cycle selon l'art antérieur et selon l'invention.
L'exemple suivant donné à titre illustratif et nullement limitatif concerne le conduit entre les lits A, et A2, et une colonne de séparation comportant par exemple 24 lits d'adsorbant.