INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La soupape de décharge 7 est essentielle afin d'éviter le reflux du fluide, bien qu'il soit préféré, du point de vue du rendement du compresseur, qu'elle ne soit pas prévue. Le fonctionnement de la soupape de décharge 7 pendant la rotation à grande vitesse illustré sur la figure 6B est préférable parce que la force d'ouverture de soupape est réduite et que la consommation de puissance du compresseur est réduite. Ainsi, le rendement du compresseur est amélioré.
Cependant, la soupape de décharge existante mentionnée ci-dessus est configurée sans prendre en considération les propriétés mécaniques et il est difficile de la fléchir du fait d'une grande rigidité. Par conséquent, la soupape de décharge est difficile à ouvrir. Ainsi, le compresseur comportant la soupape de décharge existante est désavantageux parce que la consommation de puissance du compresseur est inévitablement grande.
RESUME DE L'INVENTION Un objet de la présente invention est de proposer un appareil pour fluide de type à spirales qui est capable de réduire la force d'ouverture de soupape nécessaire pour ouvrir une soupape de décharge en réduisant la rigidité afin de réduire la consommation de puissance de l'appareil pour fluide sans entraîner de diminution importante de la contrainte.
Un autre objet de la présente invention est de proposer un appareil pour fluide de type à spirales qui est capable de réduire la force d'ouverture de soupape nécessaire pour ouvrir une soupape de décharge et d'atteindre une contrainte de flexion appropriée de la soupape afin de prolonger la durée de vie de la soupape.
Un autre objet encore de la présente invention est de proposer un appareil pour fluide de type à spirales qui est capable de réduire la force d'ouverture de soupape nécessaire pour ouvrir une soupape de décharge à une vitesse de rotation relativement faible afin de réduire la consommation de puissance de l'appareil pour fluide.
Selon la présente invention, on propose un appareil pour fluide du type à spirales qui comprend un orifice de décharge afin de décharger un fluide, un mécanisme de transfert de type à spirales couplé à l'orifice de décharge pour transférer le fluide vers l'orifice de décharge afin de décharger le fluide à travers l'orifice de décharge, et une soupape à clapet comprenant une partie de support fixée à l'appareil, une partie de fermeture faisant face à l'orifice de décharge, et une partie de liaison entre la partie de support et la partie de fermeture, la partie de liaison comportant une partie étroite plus étroite que les parties de support et de fermeture.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en coupe d'un compresseur à spirales typique ; la figure 2 est une vue en coupe verticale montrant les éléments en spirale d'un élément d'hélice mobile et d'un élément d'hélice fixe illustrés sur la figure 1 ; les figures 3A à 3D montrent diverses configurations d'une soupape de décharge du compresseur à spirales typique ; les figures 4A et 4B sont des vues destinées à décrire la déflexion des poutres ;
les figures 5A et 5B sont des vues destinées à décrire le fonctionnement du compresseur à spirales typique, respectivement, pendant une rotation à faible vitesse et une rotation à grande vitesse ; et les figures 6A à 6D montrent diverses configurations d'une soupape de décharge d'un compresseur à spirales selon un mode de réalisation de la présente invention.
DESCRIPTION DU MODE DE REALISATION PREFERE Un mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit en référence aux dessins.
La structure d'un compresseur à spirales selon un mode de réalisation de la présente invention est fondamentalement similaire à celle du compresseur à spirales typique illustré sur la figure 1. Par conséquent, la description qui suit est principalement orientée vers une soupape de décharge 7 illustrée sur les figures 6A à 6D.
Comme on l'a décrit à propos de la figure 1, la soupape de décharge 7 ainsi qu'un dispositif de retenue 80 sont fixés à une paroi d'extrémité de base 501d'un élément d'hélice fixe 5 au moyen d'un boulon 801 vissé dans la paroi d'extrémité de base 501 à travers un trou de fixation 70 de la soupape de décharge 7.
EXEMPLE 24 5,7-Diméthoxy-3-(4-méthoxyphényl)-1-méthyl-1,2-dihydro-2- quinolinone-2-(2-pyridinyl)hydrazone (Composé 27)
Dans un tube scellé, 150 mg (0,31 mmol) de composé 25 et 237 mg (2,2 mmol, 7 eq) de 2-hydrazinopyridine sont solubilisés dans 5 ml d'éthanol anhydre. La mélange réactionnel est chauffé 18 h à 90 C. Après refroidissement, l'éthanol est évaporé sous pression réduite. Le résidu est repris dans du CH2CI2 puis lavé deux fois avec une solution d'hydrogénocarbonate de sodium. La phase organique est séchée sur MgS04 puis évaporée sous pression réduite. Le résidu est repris dans le méthanol ou le produit
final précipite. Ce dernier est filtré (lavage MeOH) pour donner 75 mg (58%) du composé orangé 27.
#PF 182-183 C (lavage MeOH) #IR (KBr) 3353, 1628, 1593 cm-1 #1H RMN (250 MHz, CDCI3): d 3.61 (s, 3H, NCH3), 3. 87 (s, 6H, OCH3), 3. 90 (s, 3H, OCH3), 6. 07 (s, 1 H, HAr), 6. 17 (s, 1 H, HAr), 6. 51-6.55 (m, 1 H, Hpyr), 6. 94-7.01 (m, 3H, HAr + Hpyr). 7. 14 (s large, 1 H, NH), 7. 32-7.36 (m, 3H, HAr) 7. 48 (t, 1 H, J = 7. 3 Hz, Hpyr), 7. 91 (d, 1 H, J = 4.3 Hz, Hpyr).
.13C RMN (62. 90 MHz, CDCI3): d 33. 2, 55.3, 55.4, 55. 6, 89. 7 (2), 104. 7, 105.7, 113. 4, 114. 1 (2), 122. 9, 129. 0, 129.2 (2), 130. 1, 137. 5, 140. 7, 143. 7, 147. 8, 157. 3, 157. 4, 159. 2, 162. 4.
#SM (ionspray) : m/z 417 (M+1)+ -Anal. calculé pour C24H24N403: C, 69.21 ; H,5.81; N, 13. 45. Trouvé : 69.50 ; 6.04 ; 13.28.
EXEMPLE 25 a) N-(2-Méthoxyphényl)-2-(4-méthoxyphényl)acétamide (Composé 30)
Sous atmosphère d'azote, 0,46 ml (4,1 mmol) d'o-anisidine sont dilués dans du toluène (7 ml) à 0 C. Une solution de chlorure de 4-méthoxyphénylacétyle (0,63 ml, 4,1 mmol) dans 5 ml de toluène est ajoutée goutte à goutte au milieu. Le mélange réactionnel est agité à température ambiante pendant 1 h, puis le milieu est hydrolysé par une solution froide d'hydrogénocarbonate de sodium. Le système biphasique est agité vigoureusement pendant 30 min, puis la phase organique est recueillie. La phase aqueuse est extraite par de l'acétate d'éthyle (deux fois). La phase organique est séchée sur MgS04, puis évaporée sous pression réduite. Le résidu obtenu est repris dans de l'éther de pétrole, cette opération entraînant la précipitation du dérivé recherché. Les cristaux, ainsi formés, sont recueillis par filtration pour donner 1,0 g (91%) du composé 30.
. PF 47-48 C (toluène) #IR (KBr) n 3375,1667, 1597 cm-1 #1H RMN (250 MHz, CDC13): d 3,68 (s, 2H, CH2), 3. 72 (s, 3H, OCH3), 3. 82 (s, 3H, OCH3), 6. 79 (dd 1 H, J = 1. 5, 8. 0 Hz, HAr), 6. 89-7.03 (m, 4H, HAr), 7. 25 (d, 2H, J = 8.8 Hz, HAr), 7. 79 (s large, 1 H, NH), 8. 33 (dd, 1 H, J = 1,5, 8.0 Hz, HAr).
.13C RMN (62. 90 MHz, CDC13): d 44.2, 55.3, 55.7, 109. 9, 114. 4 (2), 119. 5, 121.0, 123. 6, 126. 6, 127. 6, 130.7 (2), 147. 8, 158.9, 169. 3.
#SM (ionspray) : m/z 272 (M+1) + b) 8-Méthoxy-3-(4-méthoxyphényl)-1,2-dihydro-2-quinolinone (Composé 31)
Sous atmosphère d'azote et à -30 C, 0,31 ml (4,0 mmol, 1,5 eq) de N,Ndiméthylformamide sont additionnés goutte à goutte à 1,75 ml (19 mmol, 7,5 eq) de POCI3. Le milieu est agité pendant 15 min à -30 C, puis 723 mg d'amide 30 (2,7 mmol) sont additionnés. Sous agitation, le mélange réactionnel est ramené à température ambiante, puis la réaction est chauffée à 75 C pendant 1,5 h. A la fin de la réaction, cette solution est versée sur de la glace pilée, neutralisée par une solution d'ammoniaque à 30%, puis extraite par du dichlorométhane. La phase organique est séchée sur MgS04, puis évaporée. Le résidu obtenu est dissous dans 4,75 ml d'acide acétique glacial et 0,15 ml d'eau, puis la solution finale est chauffée à reflux pendant 3 h. L'acide acétique est évaporé. Le résidu est solubilisé dans l'eau, neutralisé par une solution d'hydroxyde de sodium à 25%, puis finalement extrait avec du dichlorométhane. La phase organique est séchée sur MgS04, puis évaporée sous pression réduite. Le résidu est repris dans de l'acétate d'éthyle, cette opération entraînant la précipitation du produit final. Les cristaux ainsi obtenus sont filtrés pour donner 75 mg (10%) du composé 31.
Le rendement global de la synthèse mise en oeuvre pour obtenir le composé 31 est de 9%.
#PF 148-149 C (AcOEt)
#IR (KBr) n 1652,1625, 1606,1541 cm-1 #1H RMN (250 MHz, DMSO-d6): d 3,79 (s, 3H, OCH3), 3. 90 (s, 3H, OCH3), 6. 99 (d, 2H, J = 8.8 Hz, HAr), 7. 09-7.15 (m, 2H, HAr), 7. 29 (dd, 1 H, J = 3. 2, 6.0 Hz, HAr), 7.74 (d, 2H, J = 8. 8 Hz, HAr), 8. 03 (s, 1 H, HAr), 10. 90 (s large, 1 H, NH).
.13C RMN (62. 90 MHz, DMSO-d6): d 55. 2, 56. 0, 110. 5, 113. 4 (2), 119. 6, 120.0, 121. 8, 127. 9, 128. 5, 129.9 (2), 131. 6, 136. 4, 145. 3, 159. 1, 160. 7.
On donne maintenant des exemples d'hétérostructures.
Un aspect important de la présente invention est qu'elle peut être mise en oeuvre avec toute hétérostructure semiconductrice, en fonction (a) de l'application spécifique envisagée, (b) de la longueur d'onde souhaitée pour le rayonnement laser et (c) de la technique de fabrication dont on dispose.
On peut par exemple utiliser des semiconducteurs de type III-V ou II-VI, ayant des structures cristallines de type zincblende ou wurtzite.
Pour les deuxième et troisième modes de réalisation, on peut faire croître les hétérostructures de type zincblende sur une couche semiconductrice, par exemple un substrat semiconducteur, dont les indices cristallographiques (n, 1, m) sont élevés, avec nxlxmO, alors qu'il suffit de faire croître les hétérostructures de type wurtzite par exemple le long de l'axe c du réseau cristallin de l'hétérostructure (c'est-à-dire l'axe qui possède la symétrie cristalline la plus importante).
On donne ci-après quelques exemples (a) les hétérostructures InGaAsP/InAlAsP sur des substrats de InP, pour des diodes lasers émettant
aux longueurs d'onde des télécommunications (1,3 um et 1,55 um) et compatibles avec la technique relative à InP (b) les hétérostructures InGaAs/GaAlAs sur des substrats de GaAs, pour des diodes lasers émettant dans le domaine allant de 0,8 um à 1 um (c) les hétérostructures ZnCdSe/ZnSe sur des substrats de GaAs, pour des diodes lasers émettent à 0,5 um (d) les hétérostructures de type wurtzite InGaN/AlGaN sur des substrats de saphire, pour des diodes émettant dans le domaine allant de 0,3 um à 0,4 um.
On donne maintenant un exemple d'hétérostructure III-V émettant à 1,55 um. On fait croître cette hétérostructure de façon cohérente sur un substrat de InP(111). Il s'agit d'un exemple correspondant au deuxième mode de réalisation préféré.
L'état de contrainte de chacune des couches est défini par rapport aux paramètres cristallins du substrat. La constitution de la zone correspondant aux couches de confinement et à la couche active est la suivante : couche C2 de confinement adaptée au réseau, en Ino,52Alo,4sAs, de 300 nm d'épaisseur couche CQW, de puits quantique de collection comprimée, en In0,63Ga0,37As, de 5 nm d'épaisseur couche PB; de barrière piézoélectrique dilatée, en Ino,42Alo,5eAs, de 20 nm d'épaisseur couche AQW de puits quantique actif comprimée, en Ino,63Gao,37As, de 15 nm d'épaisseur couche PB2 de barrière piézoélectrique dilatée, en Ino,42Alo,58As, de 20 nm d'épaisseur couche CQW2 de puits quantique de collection comprimée, en In0,63Ga0,37As, de 5 nm d'épaisseur
couche C3 de confinement adaptée au réseau, en In0,52Al0,48As, de 300 nm d'épaisseur.
On donne maintenant un exemple d'hétérostructure II-VI correspondant au troisième mode de réalisation préféré de l'invention .
(211) Cdo,96Zno,04Te substrat 2 um de Cd0,78Mg0,22Te couche-tampon 200 nm de Cdo,soMgo,soTe première couche de confinement inférieure 300 nm de Cdo,7oMgo,3oTe deuxième couche de confinement inférieure C2 7 nm de Cd0,85Mg0,15Te CQWn 5 nm de Cd0,62Zn0,08Mg0,30Te PB11 7 nm de Cdo,92Mgo,osTe CQW12 5 nm de Cdo,62Zno,o8Mgo,3oTe PB12 15 nm de CdTe AQW 5 nm de Cd0,62Zn0,08Mg0,30Te PB2i 7 nm de Cdo,g2Mgo,o8Te CQW21 5 nm de Cdo,62Zno,o8Mgo,3oTe PB22 7 nm de Cdo,85Mgo,i5Te CQW22 300 nm de Cd0,70Mg0,30Te première couche de confinement supérieure C3 200 nm de Cdo,5oMgo,5oTe deuxième couche de confinement supérieure 5 nm CdTe couche de couverture Dans les deux exemples que l'on vient de donner les dopages respectifs des couches et du substrat sont choisis de façon à former une jonction P-I-N.
On précise que l'on a réalisé un premier échantillon de l'hétérostructure II-VI mentionnée cidessus, pour démontrer le principe de modulation de la
longueur d'onde de l'émission laser. Pour éviter une manipulation lourde de l'échantillon on a choisi de ne pas pomper électriquement, mais optiquement. On a clivé l'échantillon afin de former une cavité en forme de barreau, délimitée par deux faces parallèles.
On a réalisé une expérience de pompage optique pour obtenir l'émission d'un rayonnement laser et la charge de l' hétérostructure, au moyen d'un laser pulsé Nd:YAG 532 nm. En travaillant à la température de 80K on a tracé des spectres d'émission par la tranche ( edge emission ) pour ce barreau en deçà et au-delà du seuil laser.
En augmentant la puissance de pompage optique au-dessus de ce seuil, de 6 à 30 kW/cm2, on a observé un décalage de l'ordre de 3 à 4 nm vers les grandes longueurs d'onde pour la longueur d'onde du rayonnement laser dans le domaine spectral centré sur 800 nm.
L'invention permet de réaliser d'autres dispositifs que des diodes lasers : on peut réaliser des amplificateurs de lumière qui ne comprennent donc pas de cavité laser.
- D'une part, puisque a est un résidu quadratique, la clé (2-', p) transforme certainement r2/a en 1.
- D'autre part, supposons que nous connaissons un résidu non quadratique de CG(p) que nous nommons y ; la clé ((p-1)I2', p) transforme y en un élément que nous nommons b : c'est une racine 2'-' ième de -1 ; en effet, y(P-l)/2 -1 (mod p). Par conséquent, dans CG (p), le groupe multiplicatif des 2' racines 2' ièmes de l'unité est isomorphe au groupe multiplicatif des puissances de b pour les exposants de 1 à 2'.
- Pour se rapprocher d'une racine carrée de a, élevons r2/a à la puissance 2'2 (mod p) : le résultat est +1 ou -1. La nouvelle approximation reste r si le résultat est +1 ou bien devient b.r (mod p) si le résultat est -1. Par conséquent, la clé (2''\ p) transforme certainement la nouvelle approximation en 1. On peut continuer à se rapprocher : au prochain pas, on ajustera s'il le faut en multipliant par b2(modp) ; et ainsi de suite. L'algorithme suivant établit des approximations successives pour aboutir à une racine carrée de a à partir des nombres entiers r et b définis ci-dessus ; il utilise deux variables entières : w initialisée par r pour représenter les approximations successives et jj prenant des valeurs parmi les puissances de 2, de 2 à 2t-2.
Pour i allant de 1 à t-2, répéter la séquence suivante : - Calculer w2/a (mod/?), puis, élever le résultat à la puissance 2'"'"1 (mod p) : on doit obtenir +1ou -1. Lorsque l'on obtient -1, calculer jj = 2', puis, remplacer w par w.bIJ (modp). Lorsque l'on obtient +1, ne rien faire.
A l'issue du calcul, w etp-w sont les deux racines carrées de a dans CG(p). En outre, nous apprenons que le rang de a dans CG (p) divisible par 2t/jj mais pas par 2'Ijj. La pertinence de cette remarque apparaîtra par la suite.
Analyse des principes de la technologie GQ2 dans CG(p) Soit deux nombres entiers g et k plus grands que 1 et un nombre premier p plus grand que g. Analysons l'existence et le nombre de solutions en x dans CG (p) aux équations (l.a), (2.a) et (3.a).
Dans le corps de Galois CG (p), différents cas selon la valeur de t, c'est-à-dire, selon la puissance de deux qui divise/?-!. Rappelons que p-1 est divisible par 2', mais pas par 2"', c' est-à-dire que p est congru à 2+ (mod 2'+'). L'analyse précédente nous donne une idée assez précise du problème posé ainsi qu'une ébauche de solution.
Lorsque t = 1, p est congru à 3 (mod 4). Les symboles de Legendre de g et
-g par rapport à p sont différents ; tout résidu quadratique de CG(p) a deux racines carrées dans CG(p) : l'une est un résidu quadratique et l'autre un résidu non quadratique. D'une part, une des deux équations (La) ou (2.a) a deux solutions en x dans CG(p) et l'autre n'en a pas. D'autre part, l'équation (3.a) a deux solutions en x dans CG(p) quelle que soit la valeur de*.
Lorsque t = 2, p est congru à 5 (mod 8). Deux cas se présentent selon le symbole de Legendre de g par rapport àp. Lorsque le symbole vaut -1, g et -g sont deux résidus non quadratiques de CG(p) : les trois équations (La), (2.a) et (3.a) n'ont pas de solution en x dans CG (p). le symbole vaut +1, g et -g sont deux résidus quadratiques de CG(p), chaque équation (l.a) et (2.a) a deux solutions en x dans CG (p) ; deplus, le rang de 9 2 dans CG(p) est impair, ce qui implique que quelle que soit la valeur de k, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG(p) dont une seule de rang impair.
La figure 2 illustre les solutions à l'équation (3.a) avec k = 6 et p congru à 5 (mod 8), soit t = 2. Remarquons que, parce que le symbole de Legendre de 2 par rapport à p congru à 5 (mod 8) vaut -1,2(r1)14 (mod p) est alors une racine carrée de -1. On a donc : p 5 (mod8) ; par conséquent : {2p) ~ -1 p-I b 2 1 (mod p) ; donc b2 = -1 (mod p)
Lorsque t = 3, p est congru à 9 (mod 16). Considérons le symbole de Legendre de g par rapport à p. Lorsque le symbole vaut -1, g et -g sont deux résidus non quadratiques de CG(p) : les trois équations (l.a), (2. a) et (3.a) n'ont pas de solution en x dans CG (p). le symbole vaut +1, g et-g sont deux résidus quadratiques de CG(p) ; chaque équation (La) et (2. a) a deux solutions en x dans CG(p) ; l'existence de solutions en x à l'équation (3.a) dépend du rang de 9' dans CG(p) : ce rang est impair ou divisible par deux, mais pas par quatre. Lorsque le rang de 9' dans CG(p) est divisible par deux, mais pas par quatre, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG (p) pourk = 2 ; elle n'en a pas pour k > 3 . Lorsque le rang de 9' dans CG(p) est impair, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG(p) pour k = 2 et huit pour k > 3 ; dans les deux cas, une seule est de rang impair.
Lorsque t = 4, p est congru à 17 (mod 32). Considérons le symbole de Legendre de g par rapport à p. Lorsque le symbole vaut -1, g et-g sont deux résidus non quadratiques de CG (p) : trois équations (l.a), (2.a) et (3.a) n'ont pas de solution en x dans CG (p). le symbole vaut +1, g et -g sont deux résidus quadratiques de CG(p) ; chaque équation (l.a) et (2.a) a deux solutions en x dans CG(p) ; l'existence de solutions en x à l'équation (3.a) dépend du rang de g2 dans CG (p) : rang est impair ou divisible par deux ou quatre, mais pas par huit. Lorsque le rang de 9' dans CG (p) est divisible par quatre, mais pas par huit, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG(p) pour k = 2 ; elle n'en a pas pour > 3. Lorsque le rang de g 2 dans CG(p) est divisible par deux, mais pas par quatre, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG(p) pour k = 2 ou huit pour k = 3 ; n'en a pas pour > 4. Lorsque le rang de g2 dans CG(p) est impair, l'équation (3.a) a quatre solutions en x dans CG(p) pour k = 2, huit pour k = 3 et seize pour > 4 ; dans les trois cas, une seule est de rang impair. Et ainsi de suite, de sorte que le cas où p est congru à 1 (mod 4) peut se
résumer comme suit.
Lorsque/? est congru à 1 (mod 4), considérons le symbole de Legendre de g par rapport àp. Lorsque le symbole vaut -1, g et-g sont deux résidus non quadratiques de CG(p) : les trois équations (l.a), (2. a) et (3. a) n'ont pas de solution en x dans CG (p). le symbole vaut +1, g et -g sont deux résidus quadratiques de CG(p) ; chaque équation (l.a) et (2.a) a deux solutions en x dans CG(p). Définissons le nombre entier u : le rang de g2 dans CG(p) est divisible par 2", mais pas par 2"" ; la valeur de u figure parmi les t-1valeurs possibles, de 0 à t-2. L'existence et le nombre de solutions en x dans CG(p) à l'équation (3.a) dépend des valeurs de k, t et u.
Lorsque u est positif et k est supérieur à t-u, l'équation (3.a) n'a pas de solution en x dans CG (p). Lorsqueu est nul et k supérieur à t, l'équation (3.a) a 2' solutions en x dans CG(p). Lorsque k inférieur ou égal à t-u, l'équation (3. a) a 2k solutions enx dans CG(p).
Selon une troisième variante de réalisation de l'invention, la composition cosmétique ou dermopharmaceutique peut comporter un agent actif à activités anti-UVA, anti-UVB, anti-collagénase et anti-glycation, constitué par au moins un extrait de plante choisie dans le groupe formé par Clidemia hirta, Inga bourgoni, Sabicea cinerea et Eperua falcata.
Conformément à une quatrième variante de réalisation de l'invention, la composition cosmétique ou dermopharmaceutique peut comporter un agent actif à activités anti-UVA, anti-UVB, anti-collagénase, anti-élastase et dépigmentante, constitué par au moins un extrait de plante choisie dans le groupe
formé par Clidemia hirta, Inga bourgoni, Sabicea cinerea, Eperua falcata et Byrsonima verbascifolia.
Selon une cinquième variante de réalisation de l'invention, la composition cosmétique ou dermopharmaceutique peut comporter un agent actif à activité pigmentante constitué par un extrait de la plante Goupia glabra.
Conformément à une sixième variante de réalisation de l'invention, la composition cosmétique ou dermopharmaceutique peut comporter un agent actif à activité amincissante constitué par un extrait de la plante Eperua falcata.
De manière avantageuse, la composition cosmétique contient en tant qu'agent actif, unique ou associé à d'autres agents actifs, entre 0,001 % et 20 % en poids, préférentiellement entre 0,1% et 3 % en poids, d'un extrait ou d'un mélange d'extraits de(s) plante(s) tel que définis et obtenus ci-dessus.
L'extrait ou le mélange d'extraits formant agent actif peut être employé sous toute forme galénique utilisable en cosmétique, notamment sous une forme galénique choisie dans le groupe formé par les émulsions huile dans eau, les émulsions eau dans huile, les lotions, les laits, les gels, les hydrogels, les crèmes, les pommades, les savons, les bâtonnets, les produits à pulvériser, les lotions capillaires et les shampooings.
En outre, l'extrait ou le mélange d'extraits peut être incorporé dans un ou plusieurs vecteurs cosmétiques, notamment un ou plusieurs vecteurs choisis dans le groupe formé par les liposomes, les macrocapsules, les microcapsules, les nanocapsules, les marcroparticules, les microparticules et les nanoparticules.
A titre d'exemples non limitatifs de réalisation pratiques de l'invention, on décrira ci-après différents produits ou préparations cosmétiques comprenant un extrait de plante tels que décrits précédemment.
Exemple 1 Un produit cosmétique sous forme de crème blanchissante pour la peau pourra, par exemple, présenter la composition pondérale suivante : Fraction A :
Stéarate de glycérol et Ceteareth 20 15,0 % Huile de paraffine 3,0 % Palmitate d'ascorbyle 3,0 % Diméthicone 3,0 % Alcool cétylique 0,5 % PEG 30-Isostéarate de glycérol 2,0 % FractionB : Eau 72,2 %
Méthylparaben 0,2 % Imidazolinidyl urée 0,3 % Extrait éthanolique d'Inga bourgoni 0,5 % FractionC : Parfum 0,3 %
Le procédé de fabrication de cette crème consiste à faire fondre les ingrédients de la fraction A sous agitation à 75 C, à préparer la fraction B à 75 C, puis à verser la fraction B sous agitation turbine dans la fraction A, à laisser refroidir sous agitation planétaire et à ajouter la fraction C.
Exemple 2 Un produit cosmétique sous forme d'émulsion anti-taches pour les mains, destiné à traiter les taches pigmentaires cutanées, pourra par exemple présenter la composition pondérale indiquée ci-après.
Ce produit pourra également constituer conformément à l'invention un produit multiactif notamment anti-radicalaire, anti-élastase et anti-collagénase.
Fraction A :
Le deuxième facteur doit être complémentaire au regard du premier nombre