INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la réalisation d'un substrat compliant, l'épaisseur du film superficiel peut être extrêmement critique. Dans certains cas, il est nécessaire de pouvoir réaliser des films superficiels de très faible épaisseur. Plusieurs méthodes peuvent être utilisées pour amincir des film minces. On peut citer de manière non exhaustive : l'abrasion ionique, la gravure chimique, la gravure assistée par plasma, l'ablation assistée par laser, la réalisation d'une couche sacrificielle (par oxydation, nitruration du film superficiel...) et retrait par diverses voies de cette couche sacrificielle.
Dans une application où la couche mince servant de germe est un film de silicium, ce film peut être le film supérieur d'une structure silicium-sur-isolant, réalisé par la technique SIMOX ou par un procédé d'adhésion moléculaire, dit "wafer bonding" en anglais, par exemple un procédé tel que le procédé décrit dans le document FR-A-2 681 472. Dans ce cas, l'épaisseur du film de silicium avant amincissement est par exemple de l'ordre de 0,2 um Un traitement thermique de ce film superficiel de silicium à 1000"C, pendant 70 minutes, en atmosphère de vapeur d'eau, entraîne la formation d'un film d'oxyde de silicium d'environ 0,4 um d'épaisseur. De ce fait, le film superficiel de silicium est aminci jusqu a une fine épaisseur de l'ordre de 1 nm à quelques dizaines de nm. Le retrait chimique du film de silice en surface est effectué par attaque à l'acide fluorhydrique à 10% pendant 10 minutes. Cette étape d'amincissement du film de silicium peut être avantageusement complétée dans le cas d'un film très mince de silicium par un traitement thermique, à haute température, de la surface sous atmosphère d'hydrogène. Par exemple, un traitement à une température de l'ordre de 1150"C pendant 10 minutes permet une reconstruction cristalline de surface libre du silicium. Dans le même temps, on met en évidence un amincissement du film de silicium de quelques nanomètres.
Dans l'approche de la compliance, un des principes est de permettre la relaxation des contraintes, liées à l'épitaxie, grâce au(x) film(s) de compliance. Il peut alors être avantageux d'induire avant l'épitaxie une contrainte dans le film superficiel servant de germe, à température ambiante, par une modification des paramètres physiques, voire même de la nature chimique, en fonction du type et de la nature du dépôt qui sera effectué. Ces modifications sont réalisées dans le but de favoriser la relaxation ultérieure des contraintes du dépôt. En effet, une précontrainte du matériau permet de favoriser la génération de dislocations dans le(s) film(s) superficiel(s) de compliance ou aux interfaces de ces films.
En général, l'épitaxie est réalisée à une température de plusieurs centaines de degrés. Le critère d'adaptation de maille n'est donc pas à prendre en compte à la seule température ambiante. Il est important d'estimer le rôle des contraintes d'origine thermique liées par exemple à la différence de dilatation thermique d'entre les divers films et le support mécanique (substrat).
Dans cette optique, on peut utiliser le fait qu'il est possible de modifier le paramètre cristallin du film superficiel à partir d'une implantation par bombardement d'un élément dans la matrice cristalline du film superficiel, complétée éventuellement par une diffusion thermique de l'élément. Une variante à l'implantation par bombardement serait d'utiliser des procédés basés sur la seule diffusion thermique d'éléments, tel que la diffusion de dopant dans le silicium. A titre d'exemple d'implantation ionique, on peut citer celui du bore dans le silicium monocristallin. Celui-ci entraîne une diminution de la maille cristalline de 0,014 /E atomique de l'espèce introduite. Si le film superficiel est fortement adhérent au support mécanique, le film de silicium sera alors mis dans un état de tension. De la même façon, l'effet d'implantation du germanium sera d'augmenter la maille cristalline de 0,0022 t/% atomique. Si le film superficiel est fortement adhérent au support mécanique, le film de silicium sera alors mis dans un état de compression.
Dans le cas du film mince de silicium, réalisé pour la compliance en amincissant par oxydation sacrificielle comme décrit auparavant, l'implantation pourra être réalisée avantageusement avant le retrait de l'oxyde. Le film d'oxyde sert alors de film de protection pendant le traitement thermique de diffusion de l'élément implanté. A titre d'exemple, une implantation de bore à une énergie de l'ordre de 110 keV, avec une dose de l'ordre de quelques 1015/cm2 à quelques 1016/cm2, à travers la couche d'oxyde, d'épaisseur voisine de 0,4 um, permet d'enrichir en bore le film de silicium très fin, par mise en coïncidence de la profondeur de ce film avec la profondeur d'implantation ionique. Des contraintes de quelques 108 MPa peuvent ainsi être générées dans le film mince de silicium.
La présente invention concerne un module électronique réalisation la fonction de minuterie de commande d'appareils électriques pendant une durée déterminée. Son domaine d'application principal est le remplacement d'interrupteurs simples par une minuterie pour l'éclairage des cages d'escalier, sanitaires, etc.. dans le but de réaliser des économies d'énergie.
Les systèmes utilisés actuellement comportent généralement des boutons poussoirs et une minuterie placée dans une armoire ou tableau électrique ce qui nécessite des travaux de câblage important dans le cas de remplacement d'un système existant. Les minuteries disponibles sur le marché sont coûteuses et ne préviennent généralement pas l'utilisateur de la coupure. De plus, une fois la minuterie enclenchée, on ne peut interrompre le cycle d'allumage avant la durée prévue.
Les moyens d'application de la couche de vernis non réticulé sur le support sont du type de ceux connus et appropriés à cette fin (barre ou cylindre d'enduction). Il en va de même en ce qui concerne les moyens d'exposition, par exemple, aux rayonnements UV et/ou aux faisceaux d'électrons.
D'autres détails seront donnés à cet égard dans les exemples qui suivent.
La présente invention concerne également le support vernis doté de propriétés antifrictions, telles qu'obtenues par l'application sus-définie.
Selon un mode de réalisation préféré de ce support vernis, celui-ci comprend un substrat - de préférence textile - revêtu sur au moins une de ses faces d'au moins une couche d'élastomère silicone réticulable ou au moins partiellement réticulé de préférence choisi parmi , - les silicones RTV polyaddition ou polycondensation, - et/ou les silicones EVC au peroxyde, - et/ou les silicones LSR polyaddition, le vernis anti-friction obtenu à partir de la composition, telle que définie supra, étant appliqué sur la (ou les) couche(s) (supérieure(s)) d'élastomère silicone.
Les expressions RTV, LSR, EVC sont bien connues de l'homme du métier : RTV est l'abréviation de "room temperature vulcanising" ; LSR est l'abréviation de "Liquid silicon rubber" ; EVC est l'abréviation de : "Elastomère vulcanisable à chaud".
En pratique, l'invention vise plus précisément les supports (par exemple textiles tels que ceux utilisés pour la fabrication "d'airbags") revêtus sur l'une et/ou l'autre de leurs faces d'une couche d'élastomère silicone réticulé RTV, EVC ou LSR, elle-même enduite d'un revêtement de vernis silicone anti-friction tel que défini cidessus.
Le problème de l'apport de propriétés anti-friction est particulièrement aigu s'agissant de ces enductions élastomères silicones réticulées, puisque comme cela a déjà été indiqué ci-dessus, ces dernières ont pour caractéristique d'avoir un toucher collant.
Les polyorganosiloxanes, constituants principaux des couches collantes d'élastomères réticulés sur lesquelles le vernis selon l'invention peut être appliqué, peuvent être linéaires, ramifiés ou réticulés, et comporter des radicaux hydrocarbonés et/ou des groupements réactifs comme par exemple des groupes hydroxyles, des groupements hydrolysables, des groupements alkényles et des atomes d'hydrogène. A noter que les compositions polyorganosiloxanes sont amplement décrites dans la littérature et notamment dans l'ouvrage de Walter NOLL : and Technology of Silicones", Académie Press, 1968,2ème édition, pages 386 à 409.
Plus précisément, ces polyorganosiloxanes vernissables sont constitués de motifs siloxyles de formule générale : RO III SiG 4-111 (l') et/ou de motifs siloxyles de formule : zo XI RO YI SiG 4-x'-YI (H') 2 formules dans lesquelles les divers symboles ont la signification suivante : - les symboles R , identiques ou différents, représentent chacun un groupement de nature hydrocarbonée non hydrolysable, ce radical pouvant être : * un radical alkyle, halogénoalkyle ayant de 1 à 5 atomes de carbone et comportant de 1 à 6 atomes de chlore et/ou de fluor, # des radicaux cycloalkyles et halogénocycloalkyles ayant de 3 à 8 atomes de carbone et contenant de 1 à 4 atomes de chlore et/ou de fluor, * des radicaux aryles, alkylaryles et halogénoaryles ayant de 6 à 8 atomes de carbone et contenant de 1 à 4 atomes de chlore et/ou de fluor, # des radicaux cyanoalkyles ayant de 3 à 4 atomes de carbone ;
les symboles Z , identiques ou différents, représentent chacun un atome d'hydrogène, un groupement alkényle en C2-C6, un groupement hydroxyle, un atome hydrolysable, un groupement hydrolysable ; - ni = un nombre entier égal à 0, 1,2 ou 3 ; - xi = un nombre entier égal à 0, 1, 2 ou 3 ; - y1 = un nombre entier égal à 0,1, ou 2 ; la somme x + y est comprise entre 1 et 3.
A titre illustratif, on peut citer parmi les radicaux organiques R directement liés aux atomes de silicium : les groupes méthyle ; éthyle ; propyle ; isopropyle ; butyle ; isobutyle ; n-pentyle ; t-butyle ; chlorométhyle ; dichlorométhyle ; a-chloroéthyle ; a,(3-dichloroéthyle ; fluorométhyle ; difluorométhyle ; a,j3- difluoroéthyle ; trifluoro-3,3,3 propyle ; trifluoro cyclopropyle ; trifluoro-4,4,4 butyle ; hexafluoro-3,3,4,4,5,5 pentyle ; 0-cyanoéthyle ; y-cyanopropyle ; phényle : pchlorophényle ; m-chlorophényle ; dichloro-3,5 phényle ; trichlorophényle ; tétrachlorophényle ; o-, p- ou m-tolyle ; a,a,a-trifluorotolyle ; xylyles comme diméthyl-2,3 phényle, diméthyl-3,4 phényle.
Les symboles Z peuvent être des atomes d'hydrogène, des atomes hydrolysables tels que des atomes d'halogène, en particulier des atomes de chlore, des groupements vinyles, hydroxyles ou des groupements hydrolysables tels que par exemple : amino, amido, aminoxy, oxime, alkoxy, alkényloxy, acyloxy.
La nature du polyorganosiloxane et donc les rapports entre les motifs siloxyles (I') et (II") et la répartition de ceux-ci est, comme on le sait, choisie en fonction du traitement de réticulation qui sera effectué sur la composition durcissable (ou vulcanisable) en vue de sa transformation en élastomère.
Il est possible d'utiliser une grande variété de compositions monocomposantes ou bicomposantes réticulant par des réactions de polyaddition ou de polycondensation, en présence d'un catalyseur métallique et éventuellement d'une amine et d'un agent de réticulation.
Les compositions polyorganosiloxanes bicomposantes ou monocomposantes réticulant à température ambiante (RTV) ou à la chaleur (EVC) par des réactions de polyaddition, essentiellement par réaction de groupements hydrogénosilylés sur des groupements alkénylsilylés, en présence généralement d'un catalyseur métallique, de préférence au platine, sont décrites par exemple dans les brevets US-A- 3 220 972, 3 284 406, 3 436 366, 3 697 473 et 4 340 709. Les polyorganosiloxanes
Toutes les viscosités dont il est question ici correspondent à une grandeur de viscosité dynamique qui est mesurée, de manière connue en soi, à 25 C.
Le POS (1) peut être uniquement formé de motifs de formule (1.1) ou peut contenir, en outre, des motifs de formule (1. 2). De même, il peut présenter une structure linéaire, ramifiée, cyclique ou en réseau.
Z est généralement choisi parmi les radicaux méthyle, éthyle et phényle, 60 % molaire (ou en nombre) au moins des radicaux Z étant des radicaux méthyle.
Des exemples de motifs siloxyles de formule (1.1) sont le motif vinyldiméthylsiloxyle, le motif vinylphénylméthylsiloxyle, le motif vinylméthylsiloxyle et le motif vinylsiloxyle.
Des exemples de motifs siloxyles de formule (1. 2) sont les motifs Si04/2, diméthylsiloxyle, méthylphénylsiloxyle, diphénylsiloxyle, méthylsiloxyle et phénylsiloxyle.
Des exemples de POS (1) sont des composés linéaires et cycliques comme : les diméthylpolysiloxanes à extrémités diméthylvinylsilyles, les copolymères (méthylvinyl) (diméthyl)polysiloxanes à extrémités triméthylsilyles, les copolymères (méthylvinyl) (diméthyl)polysiloxanes à extrémités diméthylvinylsilyles ; les méthylvinylpolysiloxanes cycliques.
En ce qui concerne les POS (2), il s'agit de polyorganosiloxanes qui présentent, par molécule, au moins deux atomes d'hydrogène liés au silicium, ces groupes Si-H étant situés dans la chaîne et/ou en bout de chaîne L'homme du métier sait bien que quand le POS (1) a 2 groupes alcényles par molécule, le POS (2) doit avoir de préférence au moins 3 atomes d'hydrogène par molécule. Inversement, lorsque le POS (2) a 2 atomes d'hyrogène par molécule, le POS (1) a de préférence au moins 3 groupes alcényles par molécule.
Le POS (2) est plus précisément un polyorganosiloxane comprenant : (i) des motifs siloxyles de formule : Hd Le SiO 4-(d +e) (2.1) 2 dans laquelle : - L est un groupe hydrocarboné monovalent, exempt d'action défavorable sur l'activité du catalyseur et choisi, de préférence, parmi les groupes alkyles ayant de 1 à 8 atomes de carbone inclus, éventuellement substitués par au moins un atome d'halogène, avantageusement, parmi les groupes méthyle, éthyle, propyle et 3,3,3- trifluoropropyle et ainsi que parmi les groupes aryles et, avantageusement, parmi les radicaux xylyle, tolyle et phényle, - d est 1 ou 2, e est 0,1 ou 2, d + e a une valeur comprise entre 1 et 3, de préférence entre 2 et 3, et (2i) éventuellement des autres motifs siloxyles de formule moyenne : Lg SiO (2. 2) 2 dans laquelle L a la même signification que ci-dessus et g a une valeur comprise entre 0 et 3, de préférence entre 2 et 3.
La viscosité dynamique de ce polyorganosiloxane (2) est au moins égale à 10 mPa s et, de préférence, elle est comprise entre 20 et 1000 mPa.s.
Le POS (2) peut être uniquement formé de motifs de formule (2. 1) ou comporter en plus des motifs de formule (2.2).
Le polyorganosiloxane (2) peut présenter une structure linéaire, ramifiée, cyclique ou en réseau.
Le groupe L a la même signification que le groupe Z ci-dessus.
Des exemples de motifs de formule (2.1) sont : H(CH3)2Si01/2, HCH3Si02/2, H(C6H5)SiO2/2 Les exemples de motifs de formule (2. 2) sont les mêmes que ceux donnés plus haut pour les motifs de formule (1. 2).
Des exemples de POS (2) sont des composés linéaires et cycliques comme : - les diméthylpolysiloxanes à extrémités hydrogénodiméthylsilyle, - les copolymères (diméthyl)(hydrogénométhyl)polysiloxanes à extrémités triméthylsilyles, - les copolymères (diméthyl)(hydrogénométhyl)polysiloxanes à extrémités hydrogénodiméthylsilyles, - les hydrogénométhylpolysiloxanes à extrémités triméthylsilyles, - les hydrogénométhylpolysiloxanes cycliques.
Le rapport du nombre d'atomes d'hydrogène liés au silicium dans le POS (2) sur le nombre total de groupes à insaturation alcényle du POS (1) est compris entre 0,4 et 10, de préférence entre 1 et 5.
En ce qui concerne les POS (3) non réactifs, utilisables comme diluants, il peut s'agir avantageusement d'un polydiorganosiloxane tel qu'un polydialkylorganosiloxane à extrémités trialkylsilyles ; on préfère les polydiméthylsiloxanes à extrémités tnméthylsilyles. La viscosité dynamique à 25 C des POS (3) est comprise entre 10 et 5000 mPa.s et, de préférence, entre 20 et 1000 mPa.s. Ces POS (3), quand on en utilise, sont présents à raison de 10 à 120 parties en poids et, de préférence, de 20 à 100 parties en poids pour 100 parties des POS (1) et (2).
l'aspect de la peau (extrait protéique, acides de fleurs, acides de fruits, vitamines,...).
Le complexe végétal de la présente invention peut également trouver application pour lutter contre la chute des cheveux et devient plus particulièrement intéressant quand il est associé à des substances facilitant le bon état du cuir chevelu et celui du cheveu (minéraux, vitamines, céramides, extraits protéiques, mucopolysaccharides, acides de
fleurs, acides de fruits, flavonoïdes et dérivés phénoliques,...).
Le complexe végétal selon la présente invention peut aussi être employé pour le traitement des peaux séborrhéiques grâce à son effet inhibiteur vis à vis de la 5(c réductase et donc sur le métabolisme de la testostérone, I'hyperseborrhée pouvant être associée à une hyper réceptivité vis à vis de la testostérone ou ses dérivés. Cette activité peut-être renforcée par l'utilisation de substances exfoliantes, AHA, Acides de fleurs, de substances régulatrices de la sécrétion de sébum (astringent, dérivés soufrés ou méthionine et substances absorbantes de l'excès de sébum: kaolin, oxyde de titane,
antilipase, lactate d'éthyle, silice et dérivé,...).
4 2791255
Pour l'utilisation cosmétique ou dermopharmaceutique, le complexe végétal de la présente invention peut-être formulé sous des formes galéniques classiquement utilisées en cosmétique: crème, gels, lotions, laits, émulsions, solutions, onguents, pommades, huiles corporelles, lotions capillaires, shampoings, pulvérisateurs, savons qui le contiennent en quantité comprise entre 0,1 et 20 % et préférentiellement entre 2 et 5 %
dans le produit fini.
Pour la préparation des compositions cosmétiques et dermopharmaceutiques, le concentré végétal est mélangé aux excipients généralement employés en cosmétique et
en dermatologie.
La forme de la composition cosmétique ou dermopharmaceutique de la présente invention peut être une crème dans laquelle le concentré végétal est associé aux
excipients généralement employés en cosmétique.
Les compositions cosmétiques ou dermopharmaceutiques peuvent également être présentées sous forme de gel dans les excipients appropriés tels que les esters de
cellulose ou d'autres agents gélifiants tels que le carbopol, la gomme guar etc...
Les compositions cosmétiques peuvent également être présentées sous forme de lotion ou de solution dans lesquelles le concentré est dissout ou microdispersé dans une microémulsion. Il est possible d'incorporer le complexe végétal de la présente invention dans des vecteurs comme les liposomes, les glycosphères, les chylomicrons, les macro, micro et nanoparticules ainsi que les macros et macrocapsules, de les adsorber sur des polymères organiques poudreux, les talcs bentonites et autres supports minéraux, des
tissus à fibres naturelles ou à fibres synthétiques.
De tels composés permettent la chélation des cations divalents, la régénération d'antioxydants comme la vitamine E ou le glutathion, et interviennent dans le statut redox des groupement thiols. Les antioxydants métaboliques selon l'invention peuvent être choisis, par exemple, parmi le dithiothreitol, le pyritinol, l'acide lipoïque (Packer et al., Alpha-lipoic acid as biological antioxidant, Free Radical Biology & Medicine 19,227-250, 1995) ou ses dérivés tels que définis ci-après, les dérivés dimériques disulfides de penicillamine ou de N-acétylcystéine, ou bien les peptides comportant au moins deux résidus cystéines. Ces substances peuvent être naturelles ou synthétiques.
Dans une composition pharmaceutique selon l'invention, l'inhibiteur de NO synthase et l'antioxydant métabolique peuvent se présenter sous forme séparée ou sous forme combinée en formant un sel. Bien entendu, la formation d'un sel n'est envisagée que si l'un des principes actifs présente un groupement acide et l'autre principe actif un groupement basique. De préférence, le sel est formé à partir d'un dérivé de la substance inhibitrice de NO synthase contenant au moins un groupe basique et d'un dérivé de l'antioxydant métabolique contenant un groupement acide. Ainsi, l'inhibiteur de NO synthase peut être choisi, par exemple, parmi les composés tels que définis ciaprès. L'antioxydant métabolique peut être choisi, par exemple, parmi l'acide lipoïque ou ses dérivés tels que définis ci-après, les dérivés dimériques disulfides de penicillamine ou de N-acétylcystéine.
L'invention a également pour objet un produit comprenant au moins une substance inhibitrice de NO synthase et au moins une substance antioxydante métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols, en tant que produit de combinaison, sous forme séparée, pour une utilisation simultanée ou séquentielle dans le traitement de pathologies dans lesquelles le monoxyde d'azote et/ou le statut redox des groupements thiols sont impliqués telles que les troubles cardiovasculaires et cérébrovasculaires, les troubles du système nerveux central ou périphérique, les maladies prolifératives et inflammatoires, le diabète et ses complications et toutes les pathologies caractérisées par une production ou un dysfonctionnement de monoxyde d'azote et/ou impliquant le statut redox des groupements thiols.
Dans une composition pharmaceutique ou un produit selon l'invention, l'inhibiteur de NO synthase et l'antioxydant métabolique peuvent se présenter à des doses qui peuvent être identiques ou différentes. Les dosages sont choisis en fonction des composés associés à des diluants ou excipients appropriés.
L'inhibiteur de NO synthase et l'antioxydant métabolique peuvent être administrés de manière simultanée ou séquentielle, par la même voie d'administration ou par des voies différentes, suivant qu'ils se présentent sous forme séparée ou combinée. De préférence, les voies d'administration sont orale, parentérale ou topique.
Parmi les inhibiteurs de NO synthase, on peut définir les composés de type aminoacide et non amino-acide et amine aromatiques. Les inhibiteurs de NO synthase de type amino-acide peuvent être des composés tels que décrits dans les demandes W095/00505, W094/12163, W096/06076, W098/28257, ou bien des dérivés de la L-arginine, de l'ornithine ou de la lysine tels que décrits dans les demandes W093/24126, W095/01972, W095/24382, W095/09619 et W095/22968.
Les inhibiteurs de NO synthase de type non amino-acide, peuvent être des composés de la familles des guanidines, des isothiourées, des nitro- ou cyano-aryles, des aminopyridines ou amino-pyrimidines, des amidines, des indazoles ou des imidazoles ainsi que des hétérocycles substitués ou des pipéridines condensées.
Les guanidines inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans les demandes W095/28377, W091/04023, W094/21621, W096/18607 et W096/18608.
Les isothiourées inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans les demandes W095/09619, W096/09286, W094/12165, W096/14842, W096/18607, W096/18608, W096/09286, EP717040 et EP718294.
Les nitro- ou cyano-aryles inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans la demande W094/12163.
Les amino-pyridines ou amino-pyrimidines inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans les demandes W094/14780, W096/18616 et W096/18617, W098/45294, W098/24766, JP98/001470, JP98/120654 JP98/036351.
Les amidines inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans les demandes W095/11014, W096/01817, W095/05363, W095/11231, W096/14844, W096/19440, W098/42696, W098/58934, W098/50380, W098/50382, JP98/265450, ou des composés tels que la N-phényl- 2-thiophènecarboximidamide.
Les indazoles inhibiteurs de NO synthase peuvent être les composés tels que définis dans la demande W098/02442 ou bien des composés de formule générale lA dans laquelle R1 représente un ou plusieurs substituants choisis parmi l'atome d'hydrogène, le radical nitro, halo, alkyle inférieur ou alkoxy inférieur.