INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
l'étape 305, une interface graphique d'utilisateur affiche une "recette de tâche" à visualiser par une personne. Lorsque l'opérateur a sélectionné ou entré des paramètres pour la tâche, les algorithmes de traitement d'images, ou d'IP selon les initiales du terme anglo-saxon Image processing, et les paramètres de traitement d'image sont chargés dans la mémoire active à l'étape 310, ainsi qu'une image de gabarit si elle est nécessaire pour la tâche. A l'étape 315, une source de données d'images est sélectionnée, par exemple soit une image vidéo directe ou, en d'autres termes, de données réelles, soit une image précédemment acquise mémorisée sur disque. A l'étape 320, une image de référence R et une image de test T à traiter sont chargées dans la mémoire active, ainsi qu'une image arbitre A si elle nécessaire pour la tâche. L'utilisation d'images arbitres est décrite plus loin de façon plus détaillée. En général, une image arbitre est utilisée lors d'une comparaison d'images de deux régions d'une tranche afin d'enlever une ambiguïté quant à celle des deux images qui est défectueuse, par exemple lors de comparaisons d'images ou de parties d'image représentant des structures répétitives sur une tranche, comme des cellules voisines dans une mémoire. A l'étape 235, l'image de référence et l'image de test sont alignées, ainsi que l'image arbitre si elle est requise pour la tâche.
En variante, l'étape 325 est sautée si l'alignement d'image n'est pas nécessaire, par exemple lorsqu'un étage de précision élevée est utilisé et/ou lorsque les images ont été alignées préalablement. A l'étape 335, une détection de défauts à base de particularités est exécutée. A l'étape 340, les résultats de la détection de défauts, par exemple des emplacements, dimensions, types de défauts etc. sont sauvegardés dans une base de données et/ou le compte-
rendu est effectué et l'image est facultativement sauvegardée en outre pour référence ultérieure. A l'étape 345, des images et résultats intermédiaires, par exemple une topologie de défauts et des statistiques concernant l'emplacement, les dimensions, le type etc. de défauts sont affichés facultativement sur un écran d'affichage 350 pour surveillance par un opérateur humain.
La Figure 4 est une vue à écran partagé qui représente deux images à contraste de tension de microplaquettes d'une tranche semi-conductrice partiellement fabriquée. Les images sont acquises à une étape de fabrication qui suit une gravure d'orifices de contact à travers une couche diélectrique pour exposer des éléments de contact.
Chacun des points noirs représente un orifice de contact. L'image 410 du côté gauche de la Fig. 4 est une image de référence prise sur une première microplaquette. L'image 420 est une image de test prise sur une deuxième microplaquette. Il est souhaité d'inspecter l'image 420 pour identifier des défauts à signification électrique, par exemple des orifices de contact manquants ou incomplètement formés. Des procédés cohérents avec la présente invention permettent une inspection par mise en concordance de particularités incluses dans les deux images.
La Figure 5 est une illustration de haut niveau de procédés cohérents avec la présente invention pour mettre en concordance des particularités entre des images de contraste de tension d'orifices de contact.
Pour la commodité de l'illustration, seul un petit nombre d'orifices de contact est représenté aux images de la Figure 5, bien que les techniques soient applicables à des champs beaucoup plus grands d'orifices de contact, ainsi qu'à des images de particularités, incluses dans des semi-conducteurs
mais autres que des orifices de contact. Une image de référence 510 inclut cinq orifices de contact, représentés sous la forme de points noirs 512, 514, 516,518 et 520, mais il y manque un orifice de contact à un emplacement situé en 522. Une image de test 524 comprend les orifices de contact sous la forme de points noirs en 526,528, 530,532, 534 et 536. L'image de test est alignée avec l'image de référence 510 à l'étape 538. L'alignement est indiqué à des fins d'illustration par des cases en traits interrompus 540 et 542 qui indiquent les régions de recouvrement des images 510 et 524 : exemple la particularité 512 correspond à la particularité 526, la particularité 514 correspond à la particularité 528, la particularité 516 ne comporte aucune contrepartie dans l'image de test, la particularité 518 correspond à la particularité 532, la particularité 520 correspond à la particularité 534, et l'emplacement 522 correspond à la particularité 530. La particularité 536 d'image 524 ne comporte aucune contrepartie dans l'image de référence 510. Des particularités sont extraites des images aux étapes 544 et 546. Les particularités extraites des images sont numérotées de façon à indiquer que les particularités sont identifiées comme particularités à la suite de l'extraction de particularités. A cette étape, il n'existe aucune correspondance entre les numéros de particularités d'une image de référence et les numéros de particularités d'une image de test.
Les Figures 20A à 20F illustrent un processus de mise en concordance de particularités, cohérent avec la présente invention. La Figure 20A représente une partie d'une image de référence à plusieurs particularités représentant des contacts d'une tranche, comme les contacts 2005 ou 2010, le point central et la frontière de chaque particularité étant
respectivement marqués par une croix et un cercle. La Figure 20B représente une partie d'une image de test qui inclut elle aussi une série de particularités représentant des contacts d'une tranche, le point central et la frontière de chaque particularité étant marqués respectivement par une croix et un cercle. La Figure 20C représente l'image de référence qui comporte des anneaux additionnels qui entourent chaque particularité pour indiquer une limite de déport acceptable lors de la comparaison des particularités de l'image de test avec celles de l'image de référence. La Figure 20D représente l'image de test de la Figure 20B à laquelle est superposée l'image de référence de la Figure 20C. De faibles erreurs d'alignement sont visibles. On peut voir que le centre de l'une des particularités de l'image de test, la particularité 2015, est situé en dehors de la limite acceptable de déport de la particularité 2010. On peut voir aussi que la particularité centrale de l'image de référence, la particularité 2020, ne comporte aucune contrepartie dans l'image de test. La Figure 20E représente des particularités qui sont "mises en concordance" dans le processus. La Figure 20F représente les particularités que le processus a identifié comme des "défauts", un compte-rendu de particularités manquantes étant effectué pour la particularité 2020 et un compte-rendu de particularité décalée étant effectué pour la particularité 2010 parce que la particularité 2015 de l'image de test est à l'extérieur de la limite acceptable de déport. Après l'identification des défauts, un recouvrement contrastant, par exemple une couleur contrastante, peut être affichée avec l'image de test pour rendre les défauts directement visibles à un observateur.
Après cette identification et cette numérotation des particularités, des propriétés des particularités
extraites sont déterminées. Dès lors que les particularités ont été extraites, calculer une ou plusieurs propriétés des particularités est un processus de calcul simple et direct. Des propriétés peuvent inclure, sans que cette liste soit limitative, la superficie, les dimensions, la configuration, la centre de gravité, l'intensité moyenne qui est particulièrement importante pour réduire le bruit dans des images à faisceau électronique à bruit de grenaille limité, la somme de l'intensité et l'écarttype de l'intensité. Le tableau I donne des exemples de certaines propriétés de particularités, par exemple les coordonnées x, y du centre de gravité de la particularité, la superficie A et l'intensité moyenne (I) de pixels. Les valeurs données le sont à titre d'illustration et ne sont pas nécessairement mises à l'échelle des images de la Figure 5.
Tableau 1 (Particularités Extraites)
Image de référence 510 Image de test 524 N x y A I N xyAI R1 1,2 1,1 3,0 40 Tl 1,3 1,0 2,0 44 R2 5,2 1,0 3,5 45 T2 5,4 1,1 2,5 81 R3 6,2 3,1 3,0 50 T3 3,2 3,0 2,0 50 R4 1,2 5,1 2,5 42 T4 1,3 5,0 2,5 54 R5 5,3 5,1 3, 0 48 T5 5, 2 5, 0 3, 0 52 où N désigne le numéro de particularité.
TABLEAU 12 Essai uniformité de teneur
net 66 nef 117 total nef 182 gag 183 gag 253 env 303 14,40 17,74 16,19 13,28 16.74 17,53 14,38 17,75 16,21 13,27 17,27 17.63 14.67 16,36 16.61 13,41 16,89 18,36 échantillon 1 14,49 17,28 16,34 13,32 16,97 17,84 13,42 17,11 15,32 12,66 15,56 16,36 13,81 17,04 15,32 12.67 15,89 16,51 13,77 17,06 15,33 12,45 15,16 16,41 échantillon 2 13,67 17,07 15,32 12,59 15,54 16,43 13,58 17,08 15,33 12,68 15,64 16,29 13,70 17,08 15.31 12,62 15,82 16,28 13,59 17.05 15,31 12,32 14,85 16,37 échantillon 3 13,62 17,07 15,32 12,54 15,44 16,31 13,20 16,80 15,14 12,23 16,05 16,15 14.53 17,34 15,74 13,06 15,93 17.17 13,49 16,86 15,17 12,31 15,44 16,15 échantillon 4 13,74 17,00 15,35 12,53 15,80 16,49 13,88 17,21 15,40 12,52 14,78 16,80 13,94 17,17 15,39 12,59 15,20 16,72 13,98 17,19 15,47 12,96 15,49 16,71 échantillon 5 13,94 17,19 15,42 12,69 15,16 16,74 14,03 17,26 15,75 11,62 15,78 16,97 13,99 17,20 15,73 11,39 15,77 17,02 14,20 17,26 15,74 12,19 15,90 16,80 échantillon 6 # 14.07 17.24 15.74 11,73 # 15,81 16.93 13,78 17,29 15,67 12,69 16,13 18,04 13,94 17,22 15,57 12,67 16,40 17,50 13,95 17.23 15,55 12.28 16,19 17,37 échantillon 7 13,89 17,25 15,60 12,55 16,24 17,64 13,84 17,06 15,38 12,50 15,62 17,90 13,65 17,09 15,45 12,44 16,02 17,73 13,73 16,94 15,37 nd 16,21 17,54 échantillon 8 13,74 17,03 15,40 12,47 15,95 17,73 14,03 17.40 15,66 12,77 16,46 18.56 14,07 17,33 15,72 11,92 16,61 18,41 13.89 17,39 15,72 12,68 15,94 18,37 échantillon 9 14,00 17,37 15,70 12,46 16,34 18,45 13,34 16,88 15,33 12,07 14,70 17,92 13,71 17,24 15,66 12,36 15,12 18,50 13.53 16,93 15,44 12,28 14,44 18,01 TABLEAU 12 (suite) Essai uniformité de teneur
échantillon 10 13,53 17,02 15,48 12,24 14,76 18,14 13,72 17.22 15,64 12,41 14,89 18,32 13,75 17,33 15,72 12,36 14,82 18,31 13,67 17,21 15,72 11,86 14,61 18,69 échantillon 11 13,71 17,25 15,69 12,21 14,77 18,44 13,62 17,11 15,60 12,28 14,75 18,42 13,74 17,13 15,70 12,44 14,98 18,31 13.75 17,16 15,63 12,51 15,37 18,32 échantillon 12 13,70 17,13 15,65 12,41 15,03 18,35 13,32 16,36 14,74 12,47 16,17 15,44 13,31 16,41 14,68 12.51 16,26 15,56 13,34 16,38 14,67 12,53 16,17 15,43 échantillon 13 13,32 16,38 14,70 12,50 16,20 15,48 13,76 16,72 14,75 12,67 16.10 15,59 13,56 16,35 14,75 12,64 16,16 15,64 13,60 16,67 14,76 12,64 16,06 15,64 échantillon 14 13,64 16,58 14,76 12,65 16,10 15,62 13,36 16,40 14,53 12,48 15,90 15,64 13,41 16,35 14,57 12,52 15,84 15,80 13,44 16.43 14,50 12,46 15,77 15.60 échantillon 15 13,40 16,39 14,53 12,49 15,84 15,68 m 13,69 16,91 15,28 12,49 15,81 16,82 écart type 0,27 0,37 0,42 0,28 0,59 1,19 t@s 0,58 0,79 0,89 0,59 1,24 2,51 min 13,11 16,12 14,39 11,91 14,57 14.30 max 14,27 17,70 16,18 13,08 17,05 19,33 t = 2,110 3 valeurs abhérrantes sur échantillon 1 (erreur de dilution probable) essai uniformité de teneur min accepté (-15%) 11,64 14,37 12.99 10,62 13.44 14,29 max accepté (+15%) 15,74 19,45 17.58 14,37 18,18 19,34 écart observé 4,23% 4,67% 5,84% 4,70% 7,84% 14,95% TABLEAU 13
Lignées CTL Peptides reconnus Petits peptides reconnus anti-7 peptides 92102 GAG 2466281 921 OS NEF 125-147 92109 NEF 101-126 NEF 101-110 NEF 116-126 NEF 125-147 NEF 128-136 NEF 155-178 NEF 169-178 NEF 201-225 NEF 215-225 GAG 246-281 92120 GAG 246-281 92125 NEF 155-178 NEF 169-178 92129 NEF 125-147 NEF 128-136 NEF 155-178 NEF 169-178 NEF 201-225 NEF 201-211 NEF 211-219 92117 négative 92127 NEF 101-126 NEF 125-147 NEF 155-178
Clonage, expression et caractérisation de l'ADNc codant pour un polypeptide LVBL et application au diagnostic et au traitement d'infection virale.
L'invention concerne un nouveau polypeptide LVBL (Lymphocytic Viruses Binding Lectin) encore appelé LSLCL (Lymphocytic Secreted Long form of C-type Lectin) et ses dérivés, le clonage de l'ADNc et les polynucléotides codant pour lesdits polypeptides, des vecteurs de clonage et/ou d'expression incluant lesdits polynucléotides, des cellules transformées par lesdits vecteurs et des anticorps spécifiques dirigés contre lesdits polypeptides.
L'invention concerne également des procédés et des kits de diagnostic d'infection virale et des composés utilisables à titre de médicament pour la prévention et/ou le traitement de l'infection virale, en particulier par le virus HIV.
Parmi les différentes stratégies développées pour lutter contre les infections virales, on peut citer la chimiothérapie, la voie immunitaire (sérums ou vaccins), et les perspectives plus récentes de thérapie génique.
Les molécules utilisées en chimiothérapie antivirale sont peu nombreuses en raison de leur toxicité habituelle.
Elles peuvent montrer une bonne efficacité in vitro, mais se révéler difficilement utilisables en thérapeutique à cause de leurs effets secondaires et surtout de leur toxicité cellulaire.
Un autre écueil important est représenté par l'apparition de mutants résistants. Ce phénomène est surtout vrai pour les virus grippaux (Myxovirus influenza) et pour le virus de l'immunodéficience acquise (HIV-l et HIV-2). A des degrés divers, ces virus comportent en effet des taux de mutations ou de recombinaisons importants qui permettent l'apparition de mutants résistants sélectionnés et amplifiés par les diverses molécules antivirales, y compris par les associations de molécules ayant des mécanismes d'action différents qui sélectionnent alors des souches multirésistantes (Iversen et al., 1996 ; Kirschner, 1997).
L'immunothérapie se montre efficace vis-à-vis de nombreux virus. Elle comporte néanmoins des difficultés d'adaptation, notamment vis-à-vis du même problème de la variabilité des Myxovirus influenza et des HIV.
S'agissant de ces derniers virus, deux des problèmes rencontrés pour la mise au point de sérums ou de vaccins sont : l'extrême variabilité des souches virales et le peu d'efficacité des anticorps neutralisants constatés lors des essais réalisés en modèle isotypique.
Une famille de molécules intéressantes, les collectines, possède des propriétés anti-agents infectieux, tout en étant très éloignée de la famille des immunoglobulines. Les principaux membres de cette famille sont les MBL (Mannose Binding Lectins) et les protéines du type SP-A et SP-D (du surfactant pulmonaire) . Leur organisation comporte essentiellement deux éléments constants : un domaine lectine de type C (Carbohydrate Recognition Domain, ou CRD) et un domaine propice à l'oligomérisation, généralement du type collagène-like (Gabius, 1997). Elles sont sécrétées par les hépatocytes (MBL) ou par les cellules de type II des alvéoles pulmonaires (comme la SP-A) . En raison de leurs capacités à lier certains agents infectieux (dont. certains virus) via leur CRD et à activer le système du complément, on les considère assez habituellement comme des formes primitives d'immunoglobulines participant à ce que l'on appelle le système immunitaire inné (Holmskov et al., 1994).
I1 faut rappeler que la liaison des collectines à certains virus est réalisée par l'intermédiaire de leur CRD qui reconnaît certains motifs glucidiques des glycoprotéines d'enveloppe virale. I1 est rappelé également que les différentes étapes de glycosylation des protéines virales ne sont pas codées par le virus lui-même mais par la cellule infectée.
On perçoit donc l'intérêt particulier du pouvoir neutralisant de certaines collectines vis-à-vis de virus à forte variabilité génétique (HIV, Myxovirus influenza). La réactivation ou l'activation de collectines plus ou moins modifiées pourrait donc constituer un domaine intéressant de thérapie génique.
En connectant un condensateur ferroélectrique entre la grille isolée et le drain d'un transistor à effet de champ à grille isolée, un transistor à effet de champ à connexion en diode peut être formé. Le potentiel qui croît (valeur de seuil) du transistor à effet de champ à connexion en diode peut être commandé par une polarisation résiduelle du condensateur ferroélectrique.
La polarisation dans le condensateur ferroélectrique peut être commandée par une tension appliquée entre le drain et la source.
Selon un autre aspect de la présente invention, on propose un procédé de pilotage d'un dispositif de mémoire ferroélectrique qui comprend: une pluralité de lignes de bit disposées en parallèle ; une pluralité de lignes de mot disposées en parallèle, les lignes de mot croisant les lignes de bit; et une cellule de mémoire ferroélectrique connectée au niveau de chaque point de croisement entre les lignes de bit et de mot, la cellule de mémoire ferroélectrique incluant un transistor à effet de champ à grille isolée comportant une source, un drain et une grille isolée, et un condensateur ferroélectrique connecté entre le drain et la grille isolée, le procédé comprenant les étapes de: (a) connexion d'une ligne de mot sélectionnée à un potentiel de masse et application d'un premier potentiel de référence à d'autres lignes de mot et à toutes les lignes de bit afin d'écrire des données 'I' dans toutes les cellules de mémoire ferroélectrique connectées à la ligne de mot sélectionnée; (b) application en succession du potentiel de masse et du premier potentiel de référence à des cellules de mémoire ferroélectrique destinées à recevoir en écriture des données '1, parmi les cellules de mémoire ferroélectrique connectées à la ligne de mot sélectionnée et application d'un second potentiel de référence inférieur au premier potentiel de référence à d'autres lignes de bit et d'un troisième potentiel de référence supérieur au second potentiel de référence à d'autres lignes de mot afin d'écrire des données "1" dans les cellules de mémoire ferroélectrique destinées à recevoir en écriture des données "1" ; et (c) établissement de potentiels des lignes de bit et de potentiels des lignes de mot autres que la ligne de mot sélectionnée aux mêmes potentiels que l'étape (b) et application d'un quatrième potentiel de référence supérieur au premier potentiel de référence à la ligne de mot sélectionnée, afin d'écrire des données "0" dans des cellules de mémoire ferroélectrique qui n'ont pas reçu en écriture des données "1" au niveau de l'étape (b) parmi les cellules de mémoire ferroélectrique connectées à la ligne de mot sélectionnée.
Après que des données "1" sont écrites une fois dans une pluralité de cellules de mémoire connectées à une ligne de mot sélective, des données "1" sont à nouveau écrites dans les cellules de mémoire destinées à recevoir en écriture les données "i" et des données "0" sont écrites dans les cellules de mémoire destinées à recevoir en écriture les données "0". Par conséquent, le schéma d'écriture de données présentant une résistance élevée à la perturbation d'écriture peut être proposé.
Selon un autre aspect de la présente invention, on propose un dispositif de mémoire ferroélectrique comprenant: un substrat semiconducteur; une électrode de grille isolée formée sur le substrat semiconducteur; une région de source et une région de drain formées dans une couche de surface du substrat semiconducteur sur les deux côtés de la grille isolée; une première couche isolante formée audessus d'une surface du substrat semiconducteur de manière à entourer l'électrode de grille isolée et à former une surface supérieure commune avec l'électrode de grille; une gorge d'ouverture qui atteint le drain au travers de la première couche isolante; un câblage de bit qui enterre la gorge d'ouverture et qui forme une surface supérieure commune avec le premier film isolant; et une couche ferroélectrique formée sur la surface supérieure commune et recouvrant l'électrode de grille isolée et le câblage de bit.
L'électrode de grille isolée, la première couche isolante et le câblage de bit sont formés de manière à comporter la surface plane commune et sur cette surface plane commune, la couche ferroélectrique est formée. Par conséquent, il est possible de proposer une cellule de mémoire ferroélectrique dont il est facile de rendre la structure compacte et qui présente des caractéristiques stables.
Comme mentionné ci-avant, une mémoire ferroélectrique qui présente une valeur de capacité faible souhaitée peut être proposée.
Lorsque la valeur de capacité du condensateur ferroélectrique est rendue inférieure à celle de l'électrode de grille isolée, la plus grande part de la tension appliquée peut être appliquée au condensateur ferroélectrique.
Puisque les électrodes opposées d'un condensateur ferroélectrique sont formées sur une surface de la couche ferroélectrique; les caractéristiques du condensateur ferroélectrique peuvent être facilement rendues stables et le processus de conformation des électrodes opposées peut être rendu simple.
Un dispositif de mémoire ferroélectrique d'une structure simple peut également être proposé.
En utilisant seulement un seul transistor par cellule de mémoire, un procédé de pilotage pour un dispositif de mémoire ferroélectrique présentant une résistance élevée à la perturbation d'écriture peut être proposé.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS Les figures 1A et 1B sont une vue en coupe transversale d'une mémoire ferroélectrique selon un mode de réalisation de l'invention et un circuit équivalent de la mémoire; les figures 2AV à 2CP sont des vues en coupe transversale et des vues en plan qui représentent des procédés de fabrication pour un condensateur ferroélectrique représenté sur les figures 1 A et 1B ; les figures 3AV à 3CP sont des vues en coupe transversale et des vues en plan qui représentent des procédés de fabrication pour le condensateur ferroélectrique représenté sur les figures I A et I ; les figures 4A et 4B sont une vue en coupe transversale et une vue en plan permettant d'illustrer des expérimentations préliminaires réalisées par les présents inventeurs les figures 5A et 5B sont des graphiques qui représentent des caractéristiques d'échantillons représentés sur les figures 4A et 4B ; la figure 6 est une vue en coupe transversale d'une mémoire ferroélectrique selon un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 7 est un schéma qui représente un circuit équivalent d'un dispositif de mémoire ferroélectrique les figures 8A à 8C sont des vues en coupe transversale et un circuit équivalent qui illustrent une mémoire ferroélectrique classique; les figures 9A à 9D sont un schéma de circuit d'une cellule de mémoire selon un mode de réalisation de l'invention et des graphiques qui représentent les caractéristiques de la cellule de mémoire les figures 10A et 108 sont un schéma qui représente un circuit d'un réseau de cellules de mémoire selon un mode de réalisation de l'invention et un diagramme temporel d'une sélection de cellule et d'une écriture de données; les figures Il A à Il C sont des vues en plan schématiques qui représentent les fonctionnements du réseau de cellules de mémoire représenté sur la figure 10A qui est piloté à l'aide de signaux présentant les formes d'onde représentées sur la figure I OB les figures 12A et 12B sont une vue en coupe transversale et une vue en plan qui représentent la structure d'un dispositif de mémoire ferroélectrique selon un mode de réalisation de l'invention ; les figures 13A à 13D, 14A à 14C et 15A à 15C sont des vues en coupe transversale qui représentent des procédés de fabrication pour le dispositif de mémoire ferroélectrique représenté sur les figures 12A et 12B ; les figures 16A et 16B sont une vue en coupe transversale et une vue en plan qui représentent la structure d'un dispositif de mémoire ferroélectrique selon un mode de réalisation de l'invention ; et les figures 17AV à I7DP et les figures 18AV à 18CP sont des vues en coupe transversale et des vues en plan qui représentent des procédés de fabrication pour le dispositif de mémoire ferroélectrique représenté sur les figures 16A et 16B.