REVENDICATIONS 1. Laser accordable comprenant une hétérostructure semiconductrice, ce laser étant caractérisé en ce que l'hétérostructure comprend une zone active comprenant au moins un puits quantique (AQW) appelé puits quantique actif et destiné à émettre un rayonnement laser lors de l'introduction de porteurs de charge dans la zone active et au moins un autre puits quantique (CQW1, CQW2 ; CQW11-CQW12, CQW21-CQW22) , appelé puits quantique de collection, de chaque côté du puits quantique actif, les puits quantiques de collection étant prévus pour collecter et confiner une partie des porteurs de charge introduits, et des moyens de répartition des porteurs de charge dans les puits quantiques de collection de manière à créer un champ de charge d'espace prévu pour agir sur le puits quantique actif pendant l'émission du rayonnement laser en modifiant, par un effet électro-optique, le spectre de gain de ce puits quantique actif. 2. Laser selon la revendication 1, dans lequel la transition optique la plus basse de chacun des puits quantiques de collection est à une énergie supérieure à celle du puits quantique actif (AQW). 3. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel les états fondamentaux des bandes de valence et de conduction de l'hétérostructure sont dans le puits quantique actif (AQW). 4. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ce laser formant une diode laser, l'hétérostructure formant une jonction P-I-N destinée à être polarisée de façon directe et comportant une zone intrinsèque comprise entre une zone de type P et une zone de type N, la zone active étant formée dans cette zone intrinsèque, le rayonnement laser étant émis lors de l'injection d'un courant des porteurs de charge dans la zone active. 5. Laser selon la revendication 4, dans lequel les moyens de répartition des porteurs de charge comprennent des moyens de polarisation directe de la jonction P-I-N, l'inhomogénéité du courant d'injection dans la zone active étant responsable de la séparation des porteurs de charge. 6. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les moyens de répartition des porteurs de charges comprennent deux barrières piézoélectriques (PB1, PB2) qui sont respectivement placées de part et d'autre du puits quantique actif (AQW) et qui, par l'intermédiaire de leurs champs piézoélectriques, provoquent une accumulation d'électrons et de trous de part et d'autre du puits quantique actif. 7. Laser selon la revendication 6, dans lequel le puits quantique actif (AQW) n'a pas de champ piézoélectrique ou a un champ piézoélectrique de sens contraire à celui qui est créé par les barrières piézoélectriques. 8. Laser selon la revendication 6, dans lequel le puits quantique actif (AQW) a un champ piézoélectrique de même sens que celui qui est créé par les barrières piézoélectriques. 9. Laser selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel les puits quantiques de collection sont conçus pour que les temps mis par les porteurs de charge pour s'échapper de ces puits quantiques de collection soient de l'ordre de 1 nanoseconde. 10. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la zone active comprend au moins deux barrières piézoélectriques (PB11PB12, PB21-PB22) et au moins deux puits quantiques de collection (CQW11-CQW12, CQW21-CQW22) de chaque côté du puits quantique actif, les moyens de répartition des porteurs de charge comprenant ces barrières piézoélectriques. 11. Laser selon la revendication 10, dans lequel la largeur de bande interdite de chacun des puits quantiques de collection (CQW22, CQWn), qui sont les plus loins du puits quantique actif, est supérieure à celle de chacun des autres puits quantiques de collection (CQW12, CQW21) - 12. Laser selon l'une quelconque des revendications 4 et 6 à 11, dans lequel le nombre de porteurs de charge introduits est constant et la longueur d'onde du rayonnement laser est commandée par un faisceau laser auxiliaire dont les photons ont une énergie supérieure à la largeur de bande interdite de chaque barrière piézoélectrique et dont l'intensité est suffisamment élevée pour induire optiquement une charge de l'hétérostructure. 13. Laser selon la revendication 12, dans lequel les porteurs de charge sont introduits au moyen d'un faisceau laser prévu pour pomper la zone active. 14. Laser selon la revendication 13, dans lequel le faisceau laser prévu pour pomper la zone active est également prévu pour constituer le faisceau laser auxiliaire. 15. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel l'hétérostructure est faite de matériaux semiconducteurs cristallins III-V ou II-VI dont les structures cristallines sont de type zincblende ou wurtzite. 16. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel l'hétérostructure est faite de matériaux semiconducteurs cristallins IIIV ou II-VI dont les structures cristallines sont de type zincblende et cette hétérostructure est formée sur une couche semiconductrice dont les indices cristallographiques (n, 1, m) sont élevés, nxlxm étant différent de 0. 17. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel l'hétérostructure est faite de matériaux semiconducteurs cristallins IIIV ou II-VI dont les structures cristallines sont de type wurtzite et cette hétérostructure est formée suivant l'axe c du réseau cristallin de l'hétérostructure. 18. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, dans lequel ledit effet électrooptique est l'effet Stark confiné quantique.