INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
*si b = d alors, a et ",j+1 = s ; a1j et a'rj+1= 0 ; bJ-1 et brJ+1 = s *si bu = t alors, ars et a j+l = 0; a' j et a' j+l= 0 ' b j-t et brJ+1 = s *si a j = d alors, bri-let bris s certaines de ces liaisons pouvant également faire partie de noyaux aromatiques, - A défini comme ci-dessus - Zr, Zij, Z' sont définis de façon indépendante comme précédemment pour R', R', R". le composé de formule IV possédant la propriété suivante : - si un ou plusieurs carbone asymétriques sont présents dans la formules (IV), alors leur configuration peut être et de façon indépendante soit R (rectus) soit S (sinister), - les groupes R', Ri, R", peuvent être également définis sur la base de cyclisations intramoléculaires qui sont les suivantes : 1/ cyclisation entre R' et R" 2/ cyclisation entre R' (ou R'i) et Ri+kc (ou kc est un entier positif, de préférence compris de 1 à 3) 3/ cyclisation entre R' et R' (ou R') avec de préférence i=1, 2,3 ou 4.
Le manchon ainsi réalisé avait une porosité de 30 % et on n'a observé aucune transmission de lumière à l'oeil nu.
Lorsque le manchon a été placé sur une surface plate et l'espace maximal entre la surface plate et le manchon a été mesuré par une jauge d'espacement, il a été déterminé que le gauchissement était d'environ 0,1 mm pour une longueur de manchon de 1 m.
Exemple 2 Préparation du manchon par les procédés CVI et RB Des manchons à paroi mince comprenant un matériau composite de SiC armé de fibre de SiC (SiC/SiC) ont été préparés de la même manière que dans l'exemple 1 mais avec utilisation respectivement du procédé de dépôt chimique en phase vapeur et d'imprégnation par un gaz CVI et du procédé de cuisson réactive RB, dans les conditions suivantes, à la place du procédé d' imprégnation par un polymère et de pressage PIP utilisé dans l'exemple 1.
Conditions du procédé CVI Dans une atmosphère de tétrachlorure de silicium SiCl41 de méthane CH4 et d'hydrogène formant un véhicule gazeux, des gaz ont imprégné le matériau de base du manchon et se sont déposés sur lui à une pression de 1 300 Pa à 1 300 OC.
Conditions du procédé RB Le manchon de SiC formant le matériau de base a été imprégné d'une suspension contenant du noir de carbone, une résine phénolique et de la poudre de SiC-ss dispersée dans l'eau. Le produit résultant a été séché, et le manchon a été ensuite imprégné de silicium fondu sous vide à une température de 1 450 "C.
Exemple 3 Tube d'alumine armé d'une fibre d'alumine Un manchon comprenant de l'alumine armée d'une fibre d'alumine a été obtenu de la même manière que dans l'exemple 1 mais avec les conditions suivantes.
Une fibre d'alumine (ayant un diamètre de 10 um) a été tissée sous une forme tubulaire par tissage en fil biais (500 à 1 000 filaments par fil) sur un mandrin (matériau d'âme), la fibre tubulaire tissée ainsi obtenue étant imprégnée d'un liant d'alumine (50 % de poudre d'alumine, 25 % d'une solution aqueuse d'un sel de chlorure d'aluminium, 25 % d'un sol d'alumine et une quantité convenable d'un solvant), pour assurer une opération de mise en forme.
Ensuite, une opération de cuisson (calcination) a été exécutée à température élevée (1 100 OC) afin que le liant d'alumine soit fixé à la fibre. Les deux extrémités du tube ainsi obtenu ont été découpées pour l'obtention d'un manchon (ayant une longueur d'environ 800 mm, un diamètre d'environ 15 mm et une épaisseur de paroi d'environ 0,2 mm).
Exemple 4 Evaluation de la caractéristique mécanique du tube céramique composite mince à haute température La résistance à la traction à 1 200 "C de chacun des tubes composites céramiques à paroi mince contenant la fibre de carbure de silicium et la fibre d'alumine, obtenus dans les exemples précités, a été mesurée dans les conditions suivantes.
Evaluation des caractéristiques mécaniques d'un matériau composite à liant céramique (CMC) I1 n'existe pas de norme d'évaluation des propriétés mécaniques d'un matériau composite CMC en forme de manchon.
En conséquence, des feuilles plates de divers types de matériaux composites à liant céramique CMC ont été préparées et soumises à un essai de traction à haute température et un essai de flexion à température ambiante (après exposition à une température élevée), suivant les normes PEC-TS CMC 01 (procédé d'essai du comportement par déformation sous traction à température élevée pour des matériaux composites à liant à base céramique armés de fibre longue) et PEC-TS CMC 04 (procédé d'essai de résistance à la flexion à température ambiante et à haute température pour des matériaux composite à liant à base céramique armés de fibre longue). Pour les détails de ces normes PEC-TS, on peut se référer par exemple au document PEC-TS CMC 01, 09.
Les tableaux suivants 4 à 8 indiquent les résultats obtenus pour les essais de traction à haute température et de durabilité à haute température.
Tableau 4 Valeurs de la résistance mécanique et de l'allongement à la rupture de tubes céramiques composites à paroi mince à 1 200 "C Résistance Allongement à mécanique (MPa) la rupture (%) Fibre de carbure de silicium 5 8,1 Fibre d'alumine 33 4,9 D'après les valeurs de la résistance mécanique et de l'allongement à la rupture indiquées dans le tableau 4 précédent, on peut facilement comprendre que, à une température élevée de 1 200 "C, le matériau utilisé dans cet exemple possède une résistance mécanique suffisante pour empêcher le déplacement des fragments de carbure de bore et conserver une amplitude de distorsion qui suit le gonflement du carbure de bore (ou iui correspond).
Tableau 5 Résistance à la traction à hautes températures respectives dans l'air (Interface : nitrure de bore, fibre d'armatures "Hi-Nicalon", procédé de production : PIP) Température Résistance à la traction 20 C 350 MPa 400 C 350 MPa 1 200 C 230 MPa 1 400 C 160 MPa Tableau 6 Résistance à la traction à hautes températures respectives dans l'air (Interface : carbone, fibre d'armature : "Nicalon", procédé de production : PIP) Température Résistance à la traction 20 C 110 MPa 400 OC 110 MPa 600 C 60 MPa 1 000 C 50 MPa Tableau 7 Résistance à la flexion à température ambiante après exposition à température élevée de 1 400 C à l'air Interface : nitrure de bore, fibre d'armature : "Hi-Nicalon", procédé de production : PIP) Temps d'exposition Résistance à la flexion 0 h 400 MPa 200 h 400 MPa 600 h 400 MPa Tableau 8 Résistance à la flexion à température ambiante après exposition à température élevée de 1 400 C à l'air (Interface : carbone, fibre d'armature "Nicalon", procédé de production : PIP) Temps d'exposition Résistance à la flexion 0 h 300 MPa 200 h 100 MPa 600 h 50 MPa Exemple 5 Compatibilité avec le carbure de bore La compatibilité du tube céramique à paroi mince à fibre obtenu dans l'exemple 1 avec le carbure de bore à température élevée a été évaluée par le procédé suivant.
Procédé d'évaluation de la compatibilité avec le carbure de bore L'essai d'évaluation de la compatibilité du tube céramique à paroi mince à fibre avec le carbure de bore a été réalisé à 1 000 "C et 1 300 OC. Le produit fritté d'alumine de haute pureté, un matériau composite à fibre de carbure de silicium et de l'acier inoxydable, pour la comparaison avec le matériau selon l'invention, ont été mis chacun sous forme d'une feuille carrée ayant une épaisseur d'environ 2 à 3 mm et un côté d'environ 15 mm ou sous forme d'un disque ayant une épaisseur d'environ 2 à 3 mm et un diamètre de 12 à 20 mm, et chaque surface d'échantillon a été polie jusqu'à ce qu'elle ait une surface de miroir. Les surfaces des échantillons et les surfaces de carbure de bore ont alors été mises en contact intime mutuel par superposition en alternance de chaque échantillon et de carbure de bore, avec application d'une force de 0,1 N sur 1 cm2. Chaque produit résultant a été chauffé dans un four électrique tubulaire horizontal en atmosphère d'hélium à une pression légèrement positive. Les produits ont été chauffés à deux températures différentes de 1 000 "C et 1 300 OC avec un temps de retenue de chauffage de 500 h.
Après la fin du chauffage, l'état de réaction de chaque échantillon après sa mise en contact avec le carbure de bore a été observé au microscope optique et au microscope électronique à balayage (SEM). Par observation de la surface de chaque échantillon qui a été mis au contact du carbure de bore, dans le cas de l'alumine et du carbure de silicium, aucune couche de réaction pratiquement n'a été observée dans l'échantillon aux deux températures de 1 000 et 1 300 OC, si bien que les résultats étaient bons. D'autre part, dans le cas de l'acier inoxydable, on a observé une réaction nette avec le carbure de bore, si bien que la pastille de carbure de bore a été partiellement associée par fusion à l'acier inoxydable, même à 1 000 "C. Ces résultats sont résumés dans le tableau suivant 9.
L'autre option serait de faire avancer la ou les bandes (1) pas à pas, de l'immobiliser durant la soudure et de déplacer le faisceau laser alors que la bande est immobilisée.
La figure 9 illustre une variante de la figure 7, dans laquelle les sacs sont orientés d'une manière différente puisque chaque sac comprend deux soudures longitudinales (13) et une seule soudure transversale (14). Les sacs (4) formés présentent des ouvertures (40) dans le sens transversal.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La figure 1 schématise le principe généra) de l'invention à partir des courbes d'absorption des divers matériaux Mi à traiter, un laser à fréquence ajustable est choisi pour son domaine de fréquence (102), domaine qui comprend un certain nombre d'intervalles de fréquence (106) correspondants à des pics d'absorption (101) appartenant à chacune des courbes d'absorption Ai de chaque matériau Mi. Ainsi, un mme laser peut potentiellement convenir pour un grand nombre de matériaux plastiques, et tre ajusté finement pour chacun d'eux à une fréquence de travail vu ;.
En vue de réaliser le traitement selon l'invention, ledit laser peut tre un laser à solide utilisant une diode pompée.
Ce type de laser peut délivrer une longueur d'onde ajustable, typiquement à l'aide d'un oscillateur optique paramétrique.
Ledit oscillateur optique paramétrique peut tre au niobate de lithium et présenter une fréquence ajustable entre I et 5 im, c'est à dire entre 10000 et 2000 cm-', domaine qui correspond notamment à l'infra-rouge et dans lequel la plupart des matières plastiques présentent des pics d'absorption.
De préférence, on choisit comme domaine de fréquence (102) la plage 2400-3200 cm~' qui correspond notamment à un certain mode de vibration des liaisons C-H, de manière à ce que, la plupart des matières plastiques constituant lesdites couches, notamment ladite couche externe, présentant des pics d'absorptions entre 2400 et 3200 crri', un mme laser, typiquement au niobate de lithium, puisse tre utilisé pour la plupart des matières plastiques courantes.
II est avantageux de choisir un laser dont la fréquence est ajustable avec un pas inférieur à 0,1 m, et typiquement avec un pas de 10 nm.
Selon l'invention, par ajustement de ladite fréquence, on choisit une plage de fréquence initiale, dite de travail (105), allant de v à V2 comme illustré sur la figure 2, et correspondant à une zone de forte variation, typiquement un flanc, d'une portion (1010) d'un pic d'absorption (101) de ladite courbe d'absorption Ai, et on fait varier pas à pas, et de préférence avec un pas (104) inférieur à 0,01 m, dans un sens ou dans l'autre de ladite zone, la fréquence dudit laser, de manière à pouvoir ajuster d'une manière sensiblement proportionnelle la quantité d'énergie absorbée, et ainsi la température de ladite couche à traiter. La figure 2, qui illustre ce concept, montre bien qu'à la portion de courbe d'absorption (1010) correspond une portion de courbe de température (1011) et qu'ainsi, à un réglage fin de la fréquence v correspond un réglage fin de la température du matériau absorbant l'énergie et donc une maîtrise opératoire dudit traitement.
Selon une première modalité pratique dudit traitement, ledit matériau peut tre un matériau sous forme de bande de grande longueur que l'on fait défiler à une vitesse déterminée, le faisceau laser étant fixe ou mobile, de manière à réaliser ledit traitement dudit matériau sur une faible largeur, inférieure à 5 mm et typiquement égale à 2 mm (voire bord à bord), et on asservit la variation pas à pas de la fréquence dudit laser à la variation de vitesse relative Vr dudit matériau par rapport au faisceau laser, de manière à ce que la quantité d'énergie absorbée par lesdites couches externes, et donc la température desdites couches du matériau à traiter, soit sensiblement constante quelle que soit ladite vitesse de défilement de ladite bande.
Ce concept est illustré à la figure 3 qui, compte tenu notamment des courbes (1010) et (1011) de la figure 2, donne la relation entre la vitesse relative Vr entre faisceau et matériau à traiter pour maintenir un apport constant d'énergie par unité de temps, et donc une mme température des couches absorbantes. La courbe (1012) de la figure 3 est donc une isotherme calculée pour une température donnée T=To. La figure 4 représente de manière schématique une solution possible de la régulation globale permettant de piloter la ligne de traitement pour avoir une température de traitement constante en dépit de variations de la vitesse relative Vr, qui peuvent tre dues à des variations de la vitesse V de la bande à traiter Selon une première application illustrée à la figure 5, ladite couche est une couche externe (10) en matière plastique, chaque face de ladite bande (1) comprenant ladite couche (Ml sur une face-M2 sur l'autre face, comme représenté à la figure 5a), et, de préférence après avoir rapproché les bords parallèles (11) de ladite bande, on applique ledit traitement sur au moins un des deux bords (11) de ladite bande pour souder, de préférence bord à bord, les deux côtés parallèles de ladite bande, de manière à former un tube cylindrique (3) de grande longueur grâce à la jonction longitudinale (30) résultant d'une soudure (11) typiquement soit par recouvrement comme illustré à la figure 5b, soit bord à bord comme illustré à la figure 5c.
Selon une seconde modalité pratique de l'invention, ledit faisceau laser peut tre déplacé, au moins sur les portions de ligne droite du parcours (23), à une vitesse relative prédéterminée, ledit matériau étant typiquement fixe lors dudit traitement, de manière à réaliser ledit traitement dudit matériau, et on peut asservir ladite vitesse relative et la variation pas à pas de la fréquence dudit laser de manière à ce que la quantité d'énergie absorbée, et donc la température de ladite couche, soit sensiblement constante quelle que soit ladite vitesse relative de déplacement dudit faisceau laser par rapport audit matériau.
Dans ce cas, ladite bande avance pas à pas, ledit traitement étant réalisé, au moins en partie, lors de la phase d'arrt de la bande. Dans certains cas, cette modalité peut tre intéressante, car, sans trop pénaliser la vitesse de traitement, elle peut éviter d'avoir recours à des moyens cinématiques coûteux pour assurer le déplacement relatif du faisceau laser selon un parcours souhaité.
C'est un grand avantage de pouvoir asservir la fréquence à la vitesse relative du faisceau, car, dès que le parcours (23) du faisceau n'est pas linéaire et présente des changements de direction, il y a localement des phases de ralentissement et d'accélération du déplacement du faisceau laser (20) qui ne peuvent que conduire à des variations locales de température.
Selon une autre application du traitement selon l'invention illustrée à la figure 6, ladite couche peut tre une couche externe en matière plastique sur une face de ladite bande (1), ladite bande peut tre pliée dans le sens longitudinal de manière à mettre en regard les deux demi-portions de bandes longitudinales, et ledit traitement peut tre appliqué transversalement sur la largeur de ladite demi-portion, de manière à former des soudures transversales (14,14'), régulièrement espacées dans le sens longitudinal, sur une longueur égale à la demi-largeur de ladite bande (1), conduisant, après découpe appropriée, à la formation de sachets (5) ouverts sur un côté (50).
Sur les figures, et notamment sur la figure 6, la position du laser (2) n'est indiquée que de manière schématique et symbolique. En pratique, il peut tre avantageux que le faisceau laser arrive sous une incidence différente de celle illustrée sur les figures et utilise des dispositifs complémentaires connus en eux-mmes pour permettre une localisation précise de l'apport d'énergie par ledit faisceau sur ladite couche à traiter (10). Ne figurent pas sur la figure 6 les moyens, connus par ailleurs, qui de replier la bande (I) et d'appliquer chaque moitié de bande pour former lesdites soudures transversales.
L'invention concerne également un dispositif de mise en oeuvre de l'invention.
Ainsi, l'invention concerne un dispositif, pour déterminer l'intensité et la phase d'un faisceau lumineux dans un plan comportant - des moyens pour mesurer l'intensité Ii (i=l, . . N) du faisceau dans N plans, N > 3, - des moyens de calcul programmés pour, à partir d'une matrice de phase pl de départ correspondant à un plan * calculer une matrice d'amplitude complexe (B1) par produit de la matrice de phase .icpl avec la matrice d'amplitude (Al) correspondante, * pour chaque plan j > l : calculer une matrice complexe propagée B'j à partir de la matrice mesurée d'amplitude Aj-1 du plan j-l et de la matrice de phase ç du plan j-i, extraire une matrice de phase du plan j de la matrice B'j, itérer le calcul ci-dessus en faisant j=l lorsque j-l=N.
Ce dispositif utilise autant de caméras que de plans de coupe ; de préférence les images mesurées sont numérisées avant traitement. Il peut comporter un système de mise en forme du faisceau, dont il limite l'étendue pour l'adaptation aux caméras et à la longueur du banc ; une étape d'étalonnage est alors incorporée dans les étapes du procédé principal.
L'adjonction d'une lentille ou de tout autre objet de phase, permettant d'adapter le faisceau au dispositif de mesure (maîtrise de la divergence...) permet d'augmenter le champ d'application du dispositif.
L'étape d'étalonnage permet ensuite de s'affranchir, par calcul, de la présence du composant ajouté, et d'accéder ainsi aux caractéristiques du faisceau.
Un analyseur de phase utilisant un procédé selon l'invention permet d'obtenir la répartition de l'amplitude complexe du champ, représentant à la fois l'intensité et la phase du faisceau dans un plan donné (en général un plan image). Cette mesure permet alors de calculer, directement et de façon fiable, l'évolution du faisceau dans d'autres plans.
Brève description des figures De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels - La figure 1 représente un dispositif pour la mise en oeuvre de l'invention.
- La figure 2 représente des étapes d'un traitement préalable de matrices d'intensité.
- La figure 3 représente les étapes d'un premier mode de réalisation d'un procédé selon l'invention.
- La figure 4 représente les étapes d'un deuxième mode de réalisation d'un procédé selon l'invention.
- La figure 5 représente schématiquement un traitement dit "de propagation".
Description détaillée de modes de réalisation de l'invention L'invention va d'abord être décrite à l'aide du mode de réalisation schématisé sur la figure 3. Un dispositif de mise en oeuvre est représenté schématiquement sur la figure 1.
L'invention permet de calculer le champ complexe d'un faisceau laser 4 dans la pupille de départ définie par convention par le plan P'1 représenté en figure 1 à partir de mesures d'intensité effectuées dans N plans Pl, P2, P3 (N > 3) (Pi et P'i étant optiquement conjugués).
On décrit ici le cas où N=3.
Soit, Ai .icP1 l'amplitude complexe dans le plan i, l On mesure Ii=lAil2 intensité dans le plan i, à l'aide de caméras CCD 1, 2, 3.
Les caméras sont reliées à un calculateur 6. Le procédé et la méthode de calcul sont implémentés par programmation de ce calculateur. Les instructions appropriées de programmation sont mémorisées sur des disques magnétiques ou dans des mémoires conventionnelles RAM ou ROM.
Le manuel d'architecture AM et la base de données architecturale AD sont "liés" au sens où l'information qu'ils contiennent peut être maintenue compatible de façon automatisée.
Selon le premier mode de réalisation, qui est préféré, la base de données architecturale AD est la source essentielle d'informations architecturales et est établie selon les paramètres architecturaux définis quand la spécification du processeur est produite. Le texte du manuel d'architecture AM peut être produit automatiquement à partir de la base de données architecturale en utilisant un outil de traduction TT1. De même, toute modification effectuée sur les paramètres architecturaux pendant le processus de conception et utilisée pour mettre à jour la base de données architecturale, mettra automatiquement à jour le manuel d'architecture AM par l'intermédiaire de l'outil de traduction TT1.
Selon une variante de réalisation, le manuel d'architecture AM peut former la source essentielle d'informations pour les paramètres architecturaux, et être soumis aux modifications reflétant des changements de spécifications du processeur au cours du processus de conception. Ces modifications peuvent alors
être apportées dans la base de données architecturale AD en utilisant un second outil de traduction TT2.
On notera que le manuel d'architecture peut comprendre des données et des descriptions de la spécification du processeur qui ne sont pas incorporées dans base de données architecturale.
La base de données architecturale stockera autant d'aspects de l'architecture que l'on peut en exprimer sous une forme formelle raisonnable.
La génération des diverses vues, telles que représentées en figure 1, peut être réalisée en utilisant divers outils de génération GT1, GT2, GT3 etc. pour présenter des informations architecturales stockées dans la base de données architecturale sous une forme convenable pour cette vue particulière. Par exemple, la vue de micro-architecture MV destinée à un microarchitecte peut comprendre des détails des paramètres architecturaux sous forme d'un fichier VHDL d'en-tête. En comparaison, un compilateur utilisant une vue de modèle exécutable EMV peut s'attendre à une structure spécifique (two-specific) en langage C (.c) .
Les paramètres architecturaux stockés dans la base de données architecturale peuvent appartenir à plusieurs classes différentes. Par exemple, ces classes peuvent comprendre : des instructions des codes opérationnels (opcodes) des registres de système des registres de commande.
Toutes ces classes contiennent des éléments qui peuvent s'exprimer d'une façon raisonnablement systématique. Dans l'exemple ci-après, la structure d'une base de données d'un ensemble d'instruction est représentée.
La figure 2 est un schéma sous forme de blocs d'un système d'ordinateur incluant une base de données architecturale AD sous forme d'une mémoire MEM stockant des entrées de base de données DE1, DE2, DE3 etc. On notera que la figure 2 est très schématique et qu'en pratique un grand nombre des entrées de données
DE sera stocké dans la base de données architecturale et qu'elles peuvent être stockées sous tout format organisé. Dans le présent exemple, chaque entrée de données prend la forme d'un champ de clé primaire PKF et d'un ensemble de données subsidiaires SDF.
Pour un ensemble d'instructions, le champ de clé primaire est ouvert par le signe : + =.
Pour un ensemble d'instructions, le champ de clé primaire stocke la mnémonique d'instructions. Chaque champ subsidiaire est alors ouvert par le signe : +.
La figure 2 représente également un dispositif d'entrée 2 couplé à un contrôleur 4 qui a accès à la mémoire MEM pour accéder à la base de données architecturale AD par un programme convenable P1. Ce programme peut par exemple être itcl qui est une extension orientée objet du langage d'écriture tcl et convient pour accéder à une base de données de ce type.