REVENDICATIONS 1. Dispositif optique à semiconducteur, à cavité résonante accordable en longueur d'onde, ce dispositif comprenant une cavité résonante (2) et deux miroirs (4-6,32-34) qui délimitent cette cavité, ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre : # au moins un super-réseau (14,38), qui est placé dans la cavité et formé à partir de couches semiconductrices piézoélectriques, et # des premiers moyens (20,44) d'injection de porteurs de charge dans le super-réseau, de manière à pouvoir modifier les propriétés optiques de ce super-réseau lorsque les porteurs de charge sont injectés dans ce dernier et obtenir ainsi un décalage en longueur d'onde des modes de résonance de la cavité. 2. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre une zone active (10, 26) placée dans la cavité et destinée à émettre un rayonnement lors de l'injection de porteurs de charge dans cette zone active. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les premiers moyens d'injection de porteurs de charge sont en outre prévus pour injecter ces porteurs de charge dans la zone active (10, 26) pour que cette zone active émette le rayonnement. 4. Dispositif selon la revendication 2, comprenant en outre des deuxièmes moyens d'injection de porteurs de charge prévus pour injecter ces porteurs de charge dans la zone active (10, 26) pour que cette zone active émette le rayonnement. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, ce dispositif étant apte à émettre un rayonnement laser, les miroirs (4,6) étant perpendiculaires à l'axe de croissance des couches semiconductrices que comporte le dispositif, de manière à obtenir une émission verticale du rayonnement laser. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, ce dispositif étant apte à émettre un rayonnement incohérent, les miroirs (4,6) étant perpendiculaires à l'axe de croissance des couches semiconductrices que comporte le dispositif, de manière à obtenir une émission verticale du rayonnement incohérent. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, ce dispositif étant apte à émettre un rayonnement laser, les miroirs (32,34) étant parallèles à l'axe de croissance des couches semiconductrices que comporte le dispositif, de manière à obtenir une émission par la tranche du rayonnement laser. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, ce dispositif étant apte à émettre un rayonnement incohérent, les miroirs (32,34) étant parallèles à l'axe de croissance des couches semiconductrices que comporte le dispositif, de manière à obtenir une émission par la tranche du rayonnement incohérent. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les premiers moyens (20,44) d'injection de porteurs de charge sont de type électrique. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les premiers moyens d'injection de porteurs de charge sont de type optique. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les couches semiconductrices piézoélectriques ont des structures cristallines de type zincblende. 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les couches semiconductrices piézoélectriques ont des structures cristallines de type wurtzite. 13. Dispositif de modulation d'intensité lumineuse comprenant le dispositif selon la revendication 2 optiquement couplé à une autre cavité résonante sans zone active mais dans laquelle est placé un super-réseau formé à partir de couches semiconductrices piézoélectriques, cette autre cavité étant apte à résonner à une ou une pluralité de longueurs d'onde accordables. 14. Dispositif de modulation d'intensité lumineuse comprenant le dispositif selon la revendication 2 optiquement couplé à une autre cavité résonante sans zone active ni super-réseau formé à partir de couches semiconductrices piézoélectriques, cette autre cavité étant apte à résonner à une ou une pluralité de longueurs d'onde fixes.