INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La figure 3 représente plus en détail les champs de la base de données pour une entrée de base de données d'instructions. Le champ de clé primaire stocke la mnémonique d'instructions. Le premier champ de données subsidiaire SDF1 stocke le nom de l'instruction. Les deuxième, troisième et quatrième champs de données subsidiaires SDF2, SDF3, SDF4 sont associés à chaque opérande et sont respectivement appelés opl, op2 et op3. Ils contiennent pour chaque opérande des attributs tels que le caractère signé (s, us), la dimension, le type (registre, constant, quelconque) et le sens d'utilisation (src, dst). Le champ suivant SDF5 est appelé args et est utilisé pour donner des noms significatifs à tout opérande utilisé par l'instruction. Les trois champs suivants SDF6, SDF7 et SDF8 appelés pretext, traps (interruptions) et posttext prennent le comportement fonctionnel de l'instruction avant et après que toute vérification d'interruption soit réalisée.
Des exemples particuliers de l'entrée de base de données pour des instructions add8s, leapngz sont donnés dans les annexes Ia, Ib.
La carte de traitement 101 comporte, reliés entre eux par un bus d'adresses et de données 102 : - une unité centrale de traitement 100 ; - une mémoire vive RAM 104 ; - une mémoire morte ROM 105 ; - le port d'entrée/sortie 103 ; Chacun des éléments illustrés en figure 1 est bien connu de l'homme du métier des micro-ordinateurs et des systèmes de transmission et, plus généralement, des systèmes de traitement de l'information. Ces éléments communs ne sont donc pas décrits ici. On observe, cependant, que : - la source d'informations 110 est, par exemple, un périphérique d'interface, un capteur, un démodulateur, une mémoire externe ou un autre système de traitement d'information (non représenté), et est préférentiellement adaptée à fournir des séquences de signaux représentatifs de parole, de messages de service ou de données multimédia, sous forme de séquences de données binaires, - l'émetteur hertzien 106 est adapté à mettre en oeuvre un protocole de transmission par paquets sur un canal non filaire, et à transmettre ces paquets sur un tel canal.
On observe, en outre, que le mot "registre" utilisé dans la description désigne, dans chacune des mémoires 104 et 105, aussi bien une zone mémoire de faible capacité (quelques données binaires) qu'une zone mémoire de grande capacité (permettant de stocker un programme entier).
La mémoire vive 104 conserve des données, des variables et des résultats intermédiaires de traitement, dans des registres de mémoire portant, dans la description, les mêmes noms que les données dont ils conservent les valeurs. La mémoire vive 104 comporte notamment :
- un registre "données-primaires" dans lequel sont conservées, dans l'ordre de leur arrivée sur le bus 102, les données binaires en provenance de la source d'information 110, sous forme d'une séquence u, complétée ensuite pour former une séquence a, - un registre "nb~données" qui conserve un nombre entier correspondant au nombre de données binaires n-m dans le registre "données~binaires" , - un registre "resfe intermédiaire" dans lequel sont conservés successivement les restes intermédiaires de la division, registre utilisé pour construire la séquence a, à partir de la séquence u, - un registre "reste finaP' dans lequel sont conservées des données binaires complémentaires, sous forme d'une séquence, - un registre "données-permutées" dans lequel sont conservées, dans l'ordre de leur arrivée sur le bus 102, les données binaires permutées, comme décrit en regard de la figure 2, sous forme d'une séquence a*, et - un registre "a, b, c" dans lequel sont conservées, dans l'ordre de leur détermination par l'unité centrale 100, les données binaires de séquence en cours de traitement.
La mémoire morte 105 est adaptée à conserver, dans des registres qui, par commodité, possèdent les mêmes noms que les données qu'ils conservent : - le programme de fonctionnement de l'unité centrale de traitement 100, dans un registre "program", - la séquence g, dans un registre "g", - le degré m de g(x), dans un registre "degré" - la séquence /111 dans un registre "/1/', - la séquence h2, dans un registre "h2", - la valeur de N0, dans un registre "NO", - la valeur de M, dans un registre "M", et - le tableau définissant l'entrelaceur, dans un registre "entrelaceur".
L'unité centrale de traitement 100 est adaptée à mettre en #uvre l'organigramme décrit en figure 2.
En figure 2, qui représente le fonctionnement d'un codeur tel qu'illustré en figure 1, on observe qu'après une opération d'initialisation 300, au cours de laquelle, les registres de la mémoire vive 104 sont initialisés (nb~données = "0"), au cours d'une opération 301, l'unité centrale 100 attend de recevoir, puis reçoit une donnée binaire à transmettre, la positionne en mémoire vive 104, dans le registre "données~primaires" et incrémente le compteur "nb données".
Ensuite, au cours d'un test 302, l'unité centrale 100 détermine si le nombre entier conservé dans le registre "nb~données" est égal, ou non au produit M.NO auquel est soustrait le degré de g(x), M, NO et le degré m de g(x) étant des valeurs conservées en mémoire morte 105.
Lorsque le résultat du test 302 est négatif, l'opération 301 est réitérée. Lorsque le résultat du test 302 est positif, au cours d'une l'opération 303, la division du polynôme u(x) associé à la séquence de données binaires conservée dans le registre "données~primaires" par le polynôme g(x) est effectuée, jusqu'au dernier terme (de plus haut degré) de u(x), en mettant en #uvre, à cet effet, le registre "reste~intermédiaire", le reste de cette division est mis en mémoire dans le registre "reste~finaP'. Ensuite, au cours d'une opération 304, les données binaires conservées dans le registre "reste fnaP' sont juxtaposées à la fin de la séquence u pour former la séquence a. Les données binaires de la séquence a sont mises en mémoire dans le registre "a, b, c".
Ensuite, au cours d'une opération 305, la division effectuée au cours de l'opération 303 est poursuivie, avec les données additionnelles ajoutées au cours de l'opération 304 et la séquence b est complétée dans le registre "a, b, c".
Puis, au cours d'une opération 306, les données binaires de la séquence a sont successivement lues dans le registre "a, b, c", dans l'ordre décrit par le tableau "entrelaceur" conservé en mémoire morte 105. Les
données qui résultent successivement de cette lecture sont mises en mémoire dans le registre "données permutées" de la mémoire vive 104.
Ensuite, au cours d'une opération 307, la division du polynôme a*(x) associé à la séquence de données binaires permutées conservée dans le registre "données~permutées" par le polynôme g(x) est effectuée, en mettant en #uvre, à cet effet, le registre "reste~intermédiaire". Le résultat de cette division est mis en mémoire dans le registre "a, b, ç", et correspond aux données binaires de la séquence ç.
Au cours d'une opération 308, les séquences b et ç sont déterminées en effectuant le produit des polynômes associés aux séquences b et ç conservées dans le registre "a, b, ç" de la mémoire vive 104, respectivement par les polynômes hi(x) et h2(x).
On observe que, grâce à l'invention, on gagne des éléments de mémoire en effectuant la division par g(x) avant la multiplication par hi(x) ou h2(x).
Au cours d'une opération 309, les séquences a, b, et ç sont émises en utilisant, à cet effet, l'émetteur 106. Ensuite, les registres de la mémoire 104 sont à nouveau initialisés, en particulier le compteur Nb~données est remis à "0" et l'opération 301 est réitérée.
Dans l'invention, on s'intéresse plus particulièrement à la commutation de la tension nulle à l'aide de transistors MOS de type P sur une ligne de charge, par exemple sur une rangée de cellules de mémoire dynamique. Dans un tel exemple, pour mémoriser un 0 dans cette rangée, le décodeur de rangée commute habituellement la masse GND. En fait, on retrouve sur la rangée, en première approximation (en négligeant l'effet substrat), le niveau GND-Vtp. En pratique on mesure quelques centaines de millivolts. Si la tension d'alimentation décroît, la fenêtre de fonctionnement du circuit de lecture devient trop faible. La durée de rétention dans la mémoire s'en trouve très amoindrie.
L'idée est donc d'effectuer la commutation à l'aide d'une tension la plus négative possible, dans la limite de tension acceptable et compatible avec les règles de fiabilité établies pour les technologies utilisées. De cette manière, on augmente la fenêtre de fonctionnement.
Dans un tel exemple de mémoire dynamique, il s'agit de pouvoir appliquer la tension négative sur une grosse charge, les rangées de cellules mémoires. On s'intéresse donc à un dispositif à pompe de charges négatives, pour fournir en sortie une tension négative.
On connaît des dispositifs à pompe de charges négatives utilisés en combinaison avec des décodeurs de rangées. Le brevet US N05,168,174 décrit un tel dispositif. Mais il s'agit de niveaux de tension très négatifs, de l'ordre de -11 volts, pour effacer électriquement des mémoires non volatiles. Et ces dispositifs ne fonctionnent pas en basse-tension. Or, dans l'invention, il ne s'agit pas de générer une haute tension négative (ni -10 ni méme -5 volts), qui poserait notamment des problèmes de claquage des oxydes, mais une tension "faiblement négative".
Ainsi le problème technique à résoudre dans la présente invention est un dispositif à pompe de charges alimenté en basse tension de 1 volt ou moins, pouvant fournir une tension négative de quelques centaines de millivolts à quelques volts avec une énergie suffisante.
Une solution à ce problème technique a été trouvée dans un dispositif en circuit intégré comprenant un circuit de pompe de charges négatives comportant des transistors MOS de commutation et des condensateurs.
Selon l'invention les transistors de commutation sont chacun réalisés dans un caisson, et chacun a sa prise de caisson reliée en commun à sa grille et à sa source pour recevoir un signal de phase.
Ce dispositif selon l'invention peut ne comporter qu'un unique étage, avec lequel, à partir d'une tension d'alimentation VDD de 1 volt, on arrive à obtenir une tension de sortie négative de l'ordre de -1 volts.
Le circuit de pompe comprend alors un étage de pompe avec un condensateur et un transistor de commutation ayant son drain relié à la première borne du dit condensateur. Le circuit de pompe comprend en outre un premier inverseur et un deuxième inverseur en série pour fournir respectivement un premier signal de phase et un deuxième signal de phase à partir d'un signal d'horloge appliqué en entrée du circuit, le premier signal de phase étant appliqué sur la grille du transistor de commutation et le deuxième signal de phase étant appliqué sur la deuxième borne du condensateur, la sortie du circuit de pompe étant fournie par la première borne du condensateur.
Si on veut une tension plus négative en sortie de pompe, il faut prévoir plusieurs étages.
Un premier mode de réalisation d'une pompe à plusieurs étages selon l'invention ne comporte que les deux inverseurs, quelque soit le nombre d'étages de la pompe. Les deux signaux de phase nécessaires au premier étage sont obtenus des deux inverseurs, un des deux signaux de phase nécessaires aux étages suivants étant généré par l'étage précédent.
Un deuxième mode de réalisation de l'invention, comprend un inverseur par étage en plus d'un premier inverseur. Ce dispositif est avantageux en ce qui concerne la stabilité du niveau en sortie et le rendement du dispositif, mais il occupe plus d'espace (un inverseur par étage en plus).
On choisira l'un ou l'autre de ces dispositifs selon l'application auquel il est destiné.
Dans un perfectionnement, on combine avantageusement le dispositif à pompe de charges selon l'invention à un circuit de régulation, de manière à limiter au maximum la consommation du dit dispositif quand il n'est pas utilisé, tout en permettant la fourniture du niveau négatif attendu en sortie à partir de ces conditions d'arrêt, avec un temps de réponse très court.
De préférence, le circuit de régulation est commandé par le niveau de tension en sortie de l'avant dernier étage. Quand ce niveau est plus négatif qu'un seuil défini et si la pompe n'est pas activée par une commande externe, la pompe est arrêtée. La tension sur le dernier étage est alors à un niveau haut de veille, à partir duquel on pourra générer le niveau de tension négatif attendu en sortie au changement de phase d'horloge suivant, quand l'horloge sera à nouveau transmise.
Dans ces conditions d'arrêt avec un niveau de tension sur le dernier étage le plus proche de zéro, la consommation et les courants de fuite sont réduits au minimum ainsi que le stress en tension sur les transistors auxquels est appliquée la tension VF de sortie de la pompe. Le seuil utilisé pour la comparaison du niveau de tension V2 de l'avant dernier étage est défini pour avoir un niveau haut de veille sur le dernier étage, qui permettra d'obtenir le niveau bas négatif en sortie attendu pour l'application. La régulation selon l'invention permet donc de garantir la fourniture du niveau négatif en sortie, à la demande.
- la coloration dudit élément opaque est choisie en
fonction de la teinte de la carrosserie du véhicule.
- ledit élément optique est teinté, et la coloration dudit élément opaque est choisie en fonction de la teinte dudit élément optique et de la teinte de la
carrosserie du véhicule.
- la coloration dudit élément optique est choisie de manière à apparaître essentiellement identique à celle de la carrosserie du véhicule lorsque la lampe est éteinte. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la
préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe verticale axiale d'un dispositif selon une première forme de réalisation de l'invention, appliquée à un projecteur, et la figure 2 est une vue en coupe verticale axiale d'une dispositif selon une deuxième forme de réalisation
de l'invention, appliquée également à un projecteur.
En référence tout d'abord à la figure 1, on a représenté un projecteur du genre elliptique qui comprend une source lumineuse telle qu'une lampe 10 à filament, dont le filament 11 est placé essentiellement au premier foyer F1 d'un miroir 20 du genre elliptique, de manière à ce que le rayonnement lumineux réfléchi par ce miroir soit concentré dans une région située au voisinage du
second foyer F2 du miroir.
Bien entendu, et de façon connue en soi, le miroir peut être de forme autre qu'elliptique, et notamment posséder non pas un second foyer essentiellement ponctuel, mais une seconde région focale donnée de manière en particulier un pré-étalement en largeur de la
lumière du faisceau.
Un cache 30 est placé dans un plan P qui passe au voisinage du second foyer F2 et qui est généralement perpendiculaire à l'axe optique x-x du projecteur, de manière à occulter une partie bien déterminée de la
lumière concentrée dans cette région par le miroir 20.
Typiquement, pour engendrer un faisceau de croisement aux normes européennes, ce cache 30 possède, de façon connue en soi, un bord supérieur 31 défini par deux demi-droites, l'une horizontale et l'autre inclinée
à environ 15 au-dessous de l'horizontale.
6. 17. ajustement du rayon R.
Cette étape est semblable à celle décrite en 5.19 mais avec les modifications précisées en 6.14.
6. 18. acquisition de l'image.
Cette étape est semblable à celle décrite en 5. 20 mais les modifications suivantes doivent être prise en compte: -étape (1302) : est remplacée par l'acquisition d'images décrite Fig.26 -étape (1303) supprimée.
-étape (1304) modifiée: la représentation S[i,j] de nombres complexes est générée en affectant à chaque point la valeur suivante: puis en effectuant la transformée de Fourier du tableau S.
6.19. étape de calcul: Cette étape est identique à celle décrite en 5.21.
6. 20. visualisation: cette étape est identique à celle décrite en 5.22 7. Description d'un troisième mode de réalisation.
Ce mode de réalisation est plus complexe et plus coûteux que les précédents mais il permet des performances supérieures en termes de définition et de rapidité.
7. 1. Principe.
Ce mode d'acquisition permet une amélioration des performances du mode 1 de la manière suivante : - augmentation de la vitesse d'acquisition d'images: Dans le premier mode de réalisation, cette vitesse est limitée par le mouvement mécanique des moteurs pas à pas et la nécessité d'attendre jusqu'à absorption des vibrations induites après chaque mouvement. Le mode de réalisation présent permet d'accélérer cette prise d'images en remplaçant ce système mécanique par un système optique de déflection du faisceau, basé sur des cristaux liquides et n'induisant pas de déplacements mécaniques dans le système.
- amélioration de la précision: Dans le premier mode de réalisation, la précision est limitée par l'impossibilité d'adopter toutes les directions possibles pour le faisceau d'éclairage et par la non prise en compte de l'onde réfléchie. Le mode de réalisation présent utilise un système à deux objectifs. L'éclairage se fait alors par l'intermédiaire d'un
objectif, ce qui permet au vecteur fréquence de l'onde d'éclairage de varier sur l'ensemble des deux portions de sphère limitées par l'ouverture de chaque objectif. De plus, l'onde réfléchie retraverse l'objectif d'éclairage et peut être prise en compte.
Dans le premier mode de réalisation, les variations d'intensité de l'onde diffractée en fonction de la direction de polarisation de l'onde d'éclairage ne sont pas pris en compte, ce qui entraîne des erreurs dans la mesure des fréquences élevées. Dans le mode de réalisation présent, des rotateurs de polarisation permettent de faire varier la direction de polarisation de l'onde d'éclairage et la direction d'analyse de l'onde diffractée. Un algorithme prend en compte l'ensemble des mesures ainsi obtenues pour obtenir des représentations fréquentielles dans lesquelles la dépendance de l'onde diffractée par rapport à la polarisation de l'onde d'éclairage a été supprimée.
-compensation de l'aberration sphérique: Dans les modes de réalisation précédents l'indice moyen dans l'échantillon observé doit être proche de l'indice nominal de 1' objectif. Dans le cas contraire, la différence entre l'indice moyen de l'échantillon et l'indice nominal de l'objectif se traduit par une aberration sphérique qui limite fortement l'épaisseur de l'échantillon observable. Dans ce nouveau mode de réalisation, la configuration matérielle et les algorithmes employés permettent de compenser les différences de phase induites par l'indice moyen de l'échantillon et d'annuler cette aberration sphérique.
Le paragraphe 7. 2. décrit matériellement le microscope utilisé.
Ce microscope fait l'objet d'un ensemble de réglages préliminaires effectués en l'abscence de l'échantillon observé et qui n'ont normalement pas à être répétés lorsque l'échantillon observé est modifié: - Le réglage de position des différents éléments du système est effectué comme décrit au paragraphe 7. 4.
Ainsi, la présente invention a pour objet une association se présentant sous forme sèche, et comprenant des microfibrilles dont le diamètre est inférieur à 0,8 pm, et des particules minérales.
Un autre objet de la présente invention est constitué par un procédé de d'obtention de cette association, consistant à préparer une suspension comprenant les microfibrilles et les particules minérales, que l'on sèche ensuite.
La présente invention a de même pour objet l'utilisation de l'association selon l'invention dans les polymères, en particulier dans les élastomères et les polymères thermoplastiques, leurs alliages ou leurs mélanges.
Enfin, I'invention concerne les articles à base de polymères comprenant l'association selon l'invention.
II a été trouvé de manière totalement inattendue qu'une association à base de microfibrilles telles que définies ci-dessus, combinées à des particules minérales, pouvait être incorporée facilement et de manière homogène dans des formulations à base d'élastomères ou de polymères.
En effet, I'association selon invention est très facile de mise en oeuvre, étant donné le fait qu'elle se trouve sous une forme sèche, c'est-à-dire solide, et plus particulièrement sous forme d'objets individualisés (poudre, billes sensiblement sphériques, granulés). De plus, I'association peut être incorporée dans une composition de polymères, pour laquelle ledit polymère se trouve indifféremment sous forme de polymère en masse, ou sous forme d'une solution ou d'une suspension.
Mais d'autres avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description, des exemples et de la figure qui vont suivre.
A noter que la figure annexée représente l'évolution du module sécant en fonction de la déformation, d'une composition d'élastomère vulcanisé comprenant l'association selon l'invention, et d'une composition à base d'élastomère vulcanisé ne comprenant que des particules minérales.
Comme cela a été indiqué auparavant, I'association selon l'invention comprend des microfibrilles présentant un diamètre inférieur à 0,8 um. Plus particulièrement, les microfibrilles mises en oeuvre ont un diamètre inférieur à 0,8 um et présentent en outre un rapport longueur/diamètre (appelé aussi facteur de forme) supérieur ou égal à 15, plus particulièrement supérieur ou égal à 20, de préférence supérieur ou égal à 100.
De manière avantageuse, les microfibrilles présentent un diamètre inférieur à 0,5 um, plus particulièrement inférieur à 0s1 pm et de préférence inférieur à 0,05 um.
Le facteur de forme est supérieur ou égal à 15, plus particulièrement supérieur ou égal à 20, de préférence supérieur ou égal à 100.
D'après un mode de réalisation encore plus préféré de l'invention, les microfibrilles présentent un diamètre compris entre 0,5 et 10 nm. Plus particulièrement, le diamètre est compris entre 2 et 4 nm. Le facteur de forme est supérieur ou égal à 15, plus particulièrement supérieur ou égal à 20, de préférence supérieur ou égal à 100.
Les sources de microfibrilles sont très variées.
Selon une première possibilité, elles sont choisies parmi les microfibrilles céramiques. Par exemple, on peut citer les microfibrilles de carbure de silicium, de nitrure de silicium, de nitrure de bore. Conviennent aussi les fibres d'amiante, de titanate ou d'alumine.
Selon une deuxième possiblité, il est possible de mettre en oeuvre des microfibrilles organiques, comme par exemple des microfibrilles d'alcool polyvinylique ou encore de polyamide.
Selon une troisième possibilité, les microfibrilles entrant dans l'association selon l'invention sont des microfibrilles de cellulose. Celles-ci peuvent être d'origine végétale, comme la cellulose issue de parenchyme végétal ; d'origine bactérienne; ; ou encore d'origine animale, comme la cellulose telle que la tunicine, obtenue à partir d'animaux marins.
Du point de vue pratique, on hydrolyse un fucane extrait de Pelvetia canaliculata (fraction FS28EtOH) à la température ambiante pendant 24 heures, en ajoutant à 1 litre de substrat d'une concentration de 5 g/1 dans le tampon Tris 20 mM pH 7,5; NaCl 50 mM; MgCl2 5 mM; CaCl2 5 mM, une quantité de 30 ml de précipité d'enzyme au sulfate d'ammonium 40-60% (3,02 mg de protéines).
L'hydrolysat ainsi obtenu est complété par de l'eau distillée jusqu'à 20 1, puis ultrafiltré sur un système d'ultrafiltration tangentielle de 10 000 Da en utilisant une cassette 0,46 m2 PTGC de la Société Millipore avec une pression d'entrée de 6,5 bars et une pression de sortie de 5,5 bars.
L'ultrafiltrat ainsi obtenu est récupéré et de nouveau ultrafiltré sur 500 Da en utilisant le dispositif commercialisé sous la marque Omega Centraset OM500DC05 par la Société Pall Filtron avec 1 bar en entrée de circuit et une pression nulle de sortie ; nouvelle ultrafiltration vise à dessaler l'ultrafiltrat.
En vue de fractionner les oligomères, le rétentat
est de nouveau ultrafiltré sur 500 Da mais avec des pressions d'entrée de 2,5 bars et 2 bars à la sortie.