INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On comprend qu'en jouant notamment sur la position de la génératrice horizontale GH2 selon l'axe 0Y, on peut faire en sorte que, dans le plan XOY, les deux surfaces réfléchissantes s'intersectent en un point ayant une cote5 X12 bien déterminée pour définir la frontière commune aux deux zones Zl et Z2 dans ce même plan. Dans la mesure o
les autres paramètres de la zone Z2 restent dans des limites raisonnables, les deux zones vont en fait se couper selon une ligne de transition LT12 passant par la10 cote X12 au niveau du plan de coupe X0Y et rejoignant les bords haut et bas du miroir.
Selon un autre aspect important de l'invention, on construit la trajectoire exacte de la ligne de transition
LT entre les zones Z1 et Z2 sur la hauteur du miroir en15 jouant sur les valeurs des défocalisations haute et basse dans chacune de ces zones.
Plusieurs approches, et principalement deux, peuvent être adoptées pour ce faire: - la première consiste à faire varier les foyers haut et bas, respectivement Fh et Fb des parties supérieure et inférieure de la surface réfléchissante de telle sorte qu'ils présentent deux premières positions identiques pour l'intégralité de l'une des zones, et deux secondes positions identiques, mais différentes des premières25 positions, pour l'intégralité de l'autre zone; ceci permet d'infléchir progressivement la ligne de transition LT12 de
façon contrôlée, à mesure que l'on s'éloigne vers le haut et vers le bas du plan XOY, vers la gauche ou vers la droite lorsque cette ligne de transition est observée en30 projection dans le plan vertical x0z.
- deux zones de bords Z3g, Z3d.
Dans la zone de fond Z1 est ménagé un trou de lampe
203 pour une lampe telle qu'une lampe normalisée mono-
filament de type 'Hl", "H2", "H3", "H7", ou analogue. Les génératrices horizontales de ces cinq zones sont désignées respectivement par GH1, GH2g, GH2d, GH3g et GH3d. De façon préférentielle, ces cinq zones présentent les caractéristiques ci-dessous: - zone de fond Zl: elle présente une génératrice horizontale GH1 propre à réaliser un étalement horizontal important d'environ -20 à + 20 , de manière à conférer au faisceau, avec de grandes images du filament 10, la15 largeur requise; sa largeur dans le plan z = 0 est de préférence comprise entre environ 15 et 18 mm; - zones intermédiaires gauche et droite Z2g et Z2d elles sont de préférence symétriques par rapport au plan yOz et aptes à assurer un étalement intermédiaire allant20 avantageusement d'environ -12 à +12 , de manière à accroître la quantité de lumière de part et d'autre de l'axe de la route; leur largeur dans le plan z = 0 est de préférence comprise entre environ 7 et 9 mm chacune; - zones de bord Z3g et Z3d: elles sont de préférence symétriques par rapport au plan y0z et aptes à assurer un étalement plus réduit, variant progressivement de 7 au niveau de la transition avec la zone ajacente Z2g, Z2d, à 0 au niveau du bord latéral du miroir; de la sorte, on réalise, avec les images du filament les plus petites, la concentration de lumière dans l'axe permettant d'atteindre une valeur d'environ 20 Lux; leur largeur dans le plan z =
Sur une pente 9 recouverte d'un film d'étanchéité 10, on rencontre des difficultés de fixation de terre ou d'autres autre matériaux pour réaliser des aménagements paysagers ou de protection du film 10. Des structures alvéolaires S rigides conformes à l'invention sont posées sur le film d'étanchéité 10 et permettent de constituer une base de fixation et de maintien de la terre ou autre matériau que l'on souhaite déposer sur la pente 9.
Plusieurs nappes de structure S peuvent être superposées le cas échéant. De préférence on adapte l'épaisseur de la structure S, c'est-à-dire la hauteur h (Figure 1) des rondelles en fonction de l'application demandée de façon à ne mettre en place qu'une seule nappe de structure.
La rigidité de la structure S permet une mise en oeuvre rapide et sans accessoire particulier et autorise le remplissage des alvéoles 1 avec des matériaux lourds sans écrasement de la structure.
Les arcs qui délimitent les espaces creux 5 et qui sont assemblés les uns aux autres constituent des zones de rigidification de la structure.
La structure S de l'invention peut en outre être appliquée au coffrage ou à des structures de maintien pour lesquelles un gain de temps de mise en oeuvre et de réalisation est recherché.
La Figure 7 est un schéma illustrant la réalisation d'un caniveau 11 à section transversale en forme de trapèze isocèle dont la grande base est tournée vers le haut. Des structures S conformes à l'invention sont disposées sur les parois inclinées 12 et 13 du caniveau ainsi que sur le fond 14, le sol ayant été préalablement mis en forme. Les alvéoles des structures ainsi posées sur le sol sont ensuite remplies de béton.
La finition est immédiatement réalisée après le coulage du béton dans les alvéoles, notamment en arasant le béton au niveau du bord des rondelles.
Les structures S restent noyées dans le béton et les opérations classiques de décoffrage et de finition après prise du béton, sont supprimées.
La structure rigide S est d'une mise en oeuvre rapide et facile en raison de sa légèreté et du maintien de la forme des alvéoles.
La rigidité de la structure peut être adaptée en fonction des contraintes des applications demandées.
Cette rigidité permet en particulier d'éviter l'écrasement de la structure sous le poids des matériaux.
AGENCEMENT DE FIXATION AMORTISSEUR POUR DISPOSITIF A PROTEGER D'AU MOINS CERTAINES VIBRATIONS L'invention concerne un agencement de fixation amortisseur pour dispositif susceptible d'être soumis à des vibrations dont on veut le protéger, notamment à fin d'éviter l'apparition de phénomènes de résonance perturbateurs et éventuellement destructeurs.
Un tel agencement est par exemple prévu pour la fixation sur un support d'un panneau solaire, d'une antenne de satellite, d'un bras de gerbage de réflecteur.
I1 existe de nombreux agencements de fixation notamment mécaniques et électromécaniques qui visent à éliminer ou à défaut amortir les vibrations soit des dispositifs qu'ils fixent, soit encore de celles qui sont produites au niveau de ces dispositifs ou de leurs supports et qui sont susceptibles de se transmettre des uns aux autres.
En effet, certaines vibrations sont susceptibles d'avoir des effets perturbateurs et parfois destructeurs sur les dispositifs et/ou supports où elles interviennent, en particulier lorsqu'elles donnent naissance à des phénomènes de résonance. Ainsi par exemple, il existe un risque important de destruction par résonance d'une structure plane d'antenne de satellite lors du lancement de l'engin spatial destiné à l'amener en orbite, lorsque des vibrations à basse fréquence lui sont transmises par son support et/ou par voie acoustique.
Pour éviter de tels inconvénients, on cherche d'une part à appliquer un traitement direct par amortissement au niveau du dispositif que l'on veut protéger contre les vibrations et d'autre part à découpler la ou les source(s) de vibrations du dispositif à protéger.
A cet effet, l'invention a pour objet un élément de bande podotactile de forme générale plane, muni d'une multitude de plots en relief vers le haut, caractérisé en ce qu'il comprend une plaque métallique emboutie.
L'élément de bande podotactile suivant l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes - la plaque a une forme générale rectangulaire et présente le long de chaque bord longitudinal une aile repliée vers le bas à angle droit; - la plaque est en acier inoxydable ou en un métal traité en surface contre la corrosion; - la surface supérieure des plots est traitée chimiquement et/ou mécaniquement pour en augmenter le coefficient d'adhérence; - la surface supérieure de l'élément est peinte; - l'élément comporte des perçages dans les plages situées entre les plots; - chaque aile présente un rebord d'extrémité replié vers l'intérieur et l'espace délimité par la plaque est empli d'un matériau de remplissage.
L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'une bande podotactile, suivant lequel - on réalise dans le support deux rainures parallèles; et - on fixe sur le support une succession d'éléments tels que définis plus haut, d'éléments en introduisant les deux ailes de chaque élément dans les deux rainures respectivement.
Suivant des modes de mises en oeuvre particuliers de ce procédé - on fixe en place chaque élément par collage et/ou vissage; - on laisse subsister un jeu de dilatation entre les éléments successifs.
Un exemple de réalisation de l'invention va maintenant être décrit en regard du dessin annexé, sur lequel - la Figure 1 représente en vue de dessus une bande podotactile réalisée à partir d'éléments conformes à l'invention; - la Figure 2 est une vue prise en coupe suivant la ligne II-II de la Figure 1; - les Figures 3 à 5 sont des vues partielles prises en coupe suivant les lignes III-III, IV- IV et V-V, respectivement, de la Figure 6; et - la Figure 6 représente en plan, à plus grande échelle que la Figure 1, la région VI de cette Figure 1.
On a représenté sur les Figures 1 et 2 la zone marginale 1 d'un quai, par exemple de chemin de fer, équipée d'une bande podotactile 2. Cette dernière est elle-même constituée d'une succession d'éléments 3 tous identiques, qui ont en plan (Figure 1) une forme rectangulaire conforme à la norme NFP 98.351, avec une longueur de 1 m et une largeur de 42 cm.
Chaque élément 3 est réalisé à partir d'une plaque métallique emboutie de façon à présenter d'une part une multitude de plots 4 sensiblement en forme de calotte sphérique, en saillie vers le haut, et d'autre part deux ailes latérales 5 ayant une hauteur d'environ 1,5 cm.
Les plots 4 sont disposés en quinconce, avec une rangée qui longe étroitement chaque bord longitudinal de l'élément. Chaque aile 5 est repliée à angle droit vers le bas et s'étend le long d'un bord longitudinal de l'élément.
Les éléments 3 peuvent être réalisés en acier inoxydable, ou en un autre métal éventuellement traité en surface, notamment contre la corrosion en vue d'une utilisation en extérieur. La tôle de départ a par exemple une épaisseur de l'ordre de 2 mm.
Les plots 4 peuvent être soumis à un traitement chimique et/ou mécanique pour en augmenter le coefficient d'adhérence. Par exemple, comme représenté en 6 sur la Figure 4, un quadrillage ou autre motif rugueux peut être réalisé par martelage sur la région supérieure de chaque plot 4.
Pour la pose de la bande 2, on réalise tout d'abord par sciage deux rainures parallèles 7, à un écartement correspondant à celui des ailes 5.
Après une préparation appropriée du sol 1, par nettoyage, dégraissage et pose d'un apprêt, on insère librement les deux ailes 5 dans les rainures 7, et on fixe les éléments 3 au sol par collage de leurs plages 8 situées entre les plots 4.
Le collage peut, en variante, être remplacé ou complété par un vissage. Dans ce cas, des orifices (non représentés) sont pré-percés dans les plages 8 des éléments 3, en nombre et suivant une répartition appropriés.
Comme représenté sur la Figure 6, on prévoit de préférence un jeu de dilatation e de quelques mm entre les éléments 3 successifs.
Les éléments métalliques 3 sont très résistants mécaniquement et chimiquement. Leurs ailes pliées 5 permettent un alignement parfait à la pose et évitent l'arrachage des éléments par soulèvement transversal.
Si on le désire, la surface supérieure de chaque élément 3 peut être peinte pour augmenter l'effet d'éveil des malvoyants, au moins sur les plages 8.
Par ailleurs, par l'utilisation des commandes et des fonctions de l'interface de programme d'application SJR et, par l'utilisation de commande "UNIX", il a été développé une interface 42 graphique utilisateur SJR GUI.
La sélection de la composante 4213 d'affichage d'une tâche permet à l'interface utilisateur d'afficher une fenêtre comportant une pluralité de pavés permettant chacun l'affichage d'informations alphanumériques, permet d'afficher dans le pavé A, I'identifieur de la tâche; dans le pavé B, le nom de la commande ; dans le pavé C, I'identifiant de l'utilisateur qui a soumis la tâche ; dans le pavé D, le "status" courant de la tâche ; dans le pavé E, le moment où la commande SJR a été entrée ; dans le pavé F, le moment où la tâche a été démarrée ; dans le pavé g, la consommation courante globale de CPU , dans le pavé H, le pourcentage de CPU consommé par la tâche dans le pavé I, la mémoire virtuelle requise ; dans le pavé J, le montant d'espace des fichiers temporaires requis ; dans le pavé K, le montant de mémoire réelle utilisée couramment; dans le pavé L, le montant de mémoire virtuelle utilisé couramment ; dans le pavé M, le montant de l'espace des fichiers temporaires couramment utilisé ; dans le pavé N, le nombre courant de processus, dans le pavé O, le plus grand nombre de mémoire réelle utilisée par la tâche, dans le pavé P, le plus grand nombre de mémoire virtuelle utilisée par la tâche ; dans le pavé Q, le plus grand montant d'espace de fichier temporaire utilisé par la tâche et dans le pavé R, le nombre maximum de processus N utilisé par le système pour cette tâche à un moment donné.
La sélection de la composante 4211 d'affichage de toutes les tâches dans le menu de la fenêtre 421 permet l'affichage de la figure 5 comportant dans un pavé, une première colonne a d'identification de la tâche, une deuxième colonne b donnant le nom de la tâche, une troisième colonne c dans laquelle figurent les utilisateurs, une quatrième colonne d donnant l'état de la tâche pour savoir si elle est démarrée ou entré et une cinquième colonne e donnant l'heure d'entrée de la tâche, une sixième colonne f pour l'heure de démarrage, une septième colonne g donnant les taux d'occupation du CPU, une huitième colonne h donnant les tailles de mémoire virtuelle et les fichiers temporaires requis, une neuvième colonne i subdivisée en quatre permet d'obtenir les tailles de mémoires réelles, de mémoire virtuelle utilisée ainsi que les tailles des fichiers temporaires et le nombre de processus, une dixième colonne j subdivisée en quatre permet de connaître les tailles maximales de mémoire réelle, de mémoire virtuelle, de fichier temporaire et de processus utilisés par la tâche.
On comprend ainsi l'intérêt de l'invention car elle permet, grâce à la commande "SJR", d'utiliser une machine "UNIX" comme un serveur d'entreprise, tout en ayant une conservation des traces d'exécution des tâches lancées, pour permettre de connaître les anomalies éventuelles, de façon par exemple, à être capable de déterminer lorsqu'on lance une tâche, qui sera exécutée la nuit lors de la fermeture des bureaux, que cette tâche sera achevée le matin avant l'arrivée du personnel.
D'autres modifications à la portée de l'homme de métier font également partie de l'esprit de l'invention. Ainsi, le dispositif et le procédé décrits, peuvent très-bien être utilisés et adaptés à tout autre type de système dit ouvert tel que, par exemple, "WINDOWS NTl.
REDUCTION DU BRUIT DE C0MMUTATION EN SORTIE D'UN CIRCUIT NUMéRIQUE La présente invention concerne le domaine des circuits mixtes intégrant à la fois une partie numérique et une partie analogique. La présente invention vise plus particulièrement à minimiser le bruit introduit par les commutations des amplificateurs de sortie (buffers) numériques.
La figure 1 représente, de façon très schématique, un exemple de circuit mixte en technologie CMOS. Dans un circuit intégré 1, les transistors MOS sont répartis en blocs 2, 3 correspondant respectivement aux parties analogique et numérique du circuit. Les blocs analogique 2 et numérique 3 sont séparés l'un de l'autre par une zone 4. Le rôle de la zone 4 est d'introduire une résistance au phénomène de conduction parasite entre les blocs analogique 2 et numérique 3 par l'intermédiaire de la couche épitaxiale dans laquelle sont formés des transistors MOS ou des caissons contenant des transistors MOS. Côté numérique, le bloc 3 est divisé en un coeur 3' comprenant les composants participant au traitement numérique du circuit et en une région 3" périphérique dans laquelle sont définis les amplificateurs de sortie servant d'interface entre le coeur 3' et l'extérieur du circuit intégré. Le circuit intégré, généralement monté sur un circuit imprimé (non représenté), est raccordé à des bornes d'alimentation, par exemple, positive Vdd et de masse GND. Le bloc analogique 2, le coeur numérique 3' et la région 3" sont alimentés séparément les uns des autres, c'est-à-dire au moyen de broches différentes du circuit intégré.
A la figure 1, on a modélisé les différentes inductances et résistances parasites liées à l'alimentation des composants du bloc analogique 2 et des amplificateurs de sortie de la région 3" du bloc numérique 3. L'invention se rapportant aux perturbations apportées par les commutations des transistors de la région 3", les alimentations du coeur 3' n'ont pas été représentées. L'alimentation d'un composant analogique se fait, depuis la ligne d'alimentation Vdd du circuit imprimé par l'intermédiaire d'une inductance parasite Lap en série avec une résistance parasite Rap, et ce composant est relié à la masse GND également par l'intermédiaire d'une résistance parasite Ran et d'une inductance parasite Lan. De même, l'alimentation d'un amplificateur de sortie numérique de la région 3" s'effectue, depuis la ligne Vdd par l'intermédiaire d'une inductance parasite Lnp en série avec une résistance parasite Rnp, et cet amplificateur est relié à la masse CND par l'intermédiaire d'une résistance parasite Rnn en série avec une inductance parasite Lnn.
Ces inductances et résistances parasites correspondent pour l'essentiel à la liaison par fil entre un plot de la puce de circuit intégré et la broche correspondante, à cette broche, et à la liaison entre la broche et le support du boîtier de circuit intégré, couramment, un circuit imprimé.
Les bruits de commutation sont essentiellement générés par la région 3" du bloc numérique dans laquelle sont réalisés les amplificateurs de sortie. A chaque commutation d'un transistor MOS, il se produit une impulsion parasite, et une tension de bruit de la forme L.di/dt + Ri, où L et R correspondant aux résistances et inductances parasites de la liaison concernée, est répercutée sur l'alimentation. On cherche généralement, dans un circuit mixte, à éviter que ce bruit ne pollue la partie analogique du circuit et affecte son fonctionnement.
La figure 2 représente un schéma classique d'amplificateur de sortie en technologie CMOS. Un tel amplificateur est constitué de deux transistors MOS P, N ayant des canaux de types opposés et qui sont connectés en série entre des lignes NVdd d'alimentation positive et NGND de masse numériques, symbolisées par les points 5, 6 à la figure 1. Le plot de sortie de l'amplificateur, symbolisé à la figure 2 par une borne 11, est relié au point milieu de l'association en série des transistors P et N. La borne 11 est reliée à la masse numérique NGND par l'intermédiaire d'une capacité parasite C introduite par la charge (sur le circuit imprimé) à laquelle est connecté l'amplificateur de sortie.
Les transistors P et N reçoivent sur leur grille respective un signal numérique de commande Vh, V1, issu du coeur 3' du bloc numérique.
Quand l'amplificateur de sortie commute, les inductances parasites Lnp et Lnn créent une surtension sur les plots d'alimentation 5 et 6 qui est d'autant plus importante que les fronts de commutation sont raides. Cette surtension se propage dans le circuit intégré, en particulier, par les contacts de masse, ce qui engendre un bruit de substrat dans la couche épitaxiale dans laquelle sont formés les transistors.
La figure 3 illustre l'influence de la capacité parasite C sur la réponse d'un amplificateur de sortie tel que représenté à la figure 2. Les deux premiers chronogrammes de la figure 3 représentent les allures respectives des tensions Vh et V1 de commande des transistors P et N. Les troisième et quatrième chronogrammes représentent les allures respectives des courants Ip et In dans les transistors P et N. Le cinquième chronogramme représente la tension de sortie V11. A un instant tl où l'amplificateur de sortie commute vers son état haut, c'est-à-dire où le transistor P est rendu passant et où le transistor N est bloqué, la tension V11 croît avec une pente imposée par la charge de la capacité C et par le courant de saturation du transistor P. A un instant t'l où l'amplificateur commute vers l'état bas (la masse), la tension V11 décroît avec une pente liée à la décharge de la capacité parasite C et au courant de saturation du transistor N. Ce courant crée, en passant dans l'inductance parasite Lnn et la résistance parasite Rnn, une surtension. Ce phénomène de surtension se produit de même aux bornes de l'inductance parasite Lnp et de la résistance parasite Rnp dans le cas d'une transition croissante de la tension V11.
Une solution classique consiste à subdiviser les transistors MOS des amplificateurs de sortie et à individualiser les commandes respectives de ces transistors pour les commuter successivement, étage après étage, afin de réduire la pente des fronts de commutation sur la borne 11 de sortie et de réduire ainsi le terme en L.di/dt de la tension de bruit.
Le procédé selon l'invention est caractérisé par le fait que l'on associe à la position du pêne la valeur d'une capacité formée entre le pêne et un segment conducteur, fixe par rapport à la serrure, cette capacité variant selon la surface du segment se trouvant face au pêne en fonction de la position angulaire de celui-ci par rapport à une position extrême dudit pêne, que l'on détecte l'admittance du couple (pêne/segment conducteur) à partir de laquelle on élabore un signal indicatif de celle-ci et que l'on traite ce signal pour en extraire la valeur de la capacité en fournissant un signal utilisé dans un système indicateur de l'état de la portière.
Selon l'invention, on extrait la partie imaginaire du signal indicatif de l'admittance du couple (pêne/segment conducteur) détectée, partie qui correspond à la valeur de la capacité exprimant la position angulaire précise du pêne.
Pour cela, de préférence, on convertit un courant fonction de l'admittance détectée au moyen d'une fonction de transfert en une tension, dont les passages à 0 sont utilisés pour effectuer une capture, par un échantillonnage-blocage de ladite tension, afin d'obtenir un signal représentatif de la partie imaginaire de l'admittance, dont la valeur est directement proportionnelle à la valeur de la capacité.
Avantageusement, on compare la valeur de la capacité obtenue à au moins trois valeurs de reference correspondant chacune à une position angulaire donnée du pêne et donc à un état de la portière.
Le dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention est caractérisé par le fait que la serrure comporte, en premier lieu, un pêne à fourche rotatif pourvu de crans et apte à coopérer avec une gâche et un cliquet pivotant, sollicité élastiquement vers le pêne et destiné à bloquer le pêne dans une position angulaire correspondant à un état de fermeture ou de non-fermeture de la portière, et des indicateurs d'état de la portière, et par le fait que la serrure est pourvue d'un segment conducteur fixe, dont au moins une portion de la surface, qui est fonction de la position angulaire du pêne par rapport à la serrure, frotte contre la surface dudit pêne avec interposition d'une couche isolante à coefficient diélectrique élevé, lorsque celui-ci effectue une rotation entre deux positions extrêmes, de sorte que la surface de cette portion constitue, avec la surface du pêne située en vis-à-vis, un condensateur, variable en fonction de la position angulaire du pêne, qui est inséré dans un circuit alimenté par une source de tension disponible sur le véhicule, circuit dont le courant est exploité par un module électronique pour élaborer un signal représentatif de la capacité correspondant à une position angulaire du pêne, ledit signal provoquant, selon sa valeur, l'activation de l'indicateur correspondant à l'état de la portière ainsi détecté.