INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans une autre forme de réalisation, l'organisme transgénique peut être une levure. A cet égard, une levure a été également couramment utilisée comme véhicule pour l'expression de gènes hétérologues. L'espèce Saccharomyces cerivisiae est utilisée industriellement depuis longtemps, y compris pour l'expression de gènes hétérologues.
L'expression de gènes hétérologues dans Saccharomyces cerevisiae a été passée en revue par Goodey et al (1987, Yeast Biotechnology, D R Berry et al, eds, pages 401-429, Allen et Unwin, Londres) et par King et al (1989, Molecular and Cell Biology of Yeasts, E F Walton et G T Yarronton, eds, pages 107-133, Blackie, Glasgow).
Pour plusieurs raisons, Saccharomyces cerevisiae convient bien à l'expression de gènes hétérologues. Tout d'abord, cet organisme est non pathogène pour l'homme et est incapable de produire certaines endotoxines.
Deuxièmement, cet organisme est utilisé depuis longtemps de manière sûre, après des siècles d'exploitation commerciale à différentes fins. Cela lui a permis d'être largement accepté par le public. Troisièmement, l'utilisation commerciale courante et les recherches consacrées à cet organisme ont pour résultat une profusion de connaissances sur la génétique et la physiologie ainsi que les caractéristiques de fermentation à grande échelle de Saccharomyces cerevisiae.
Un passage en revue des principes de l'expression de gènes hétérologues dans Saccharomyces cerevisiae et de la
sécrétion de produits de gènes est présenté par E Hinchcliffe E Kenny (1993, "Yeast as a vehicle for the expression of heterologous genes", Yeasts, Volume 5, Anthony H Rose et J Stuart Harrison, eds, 2ème édition, Academic Press Ltd.).
Plusieurs types de vecteurs de levures sont disponibles et comprennent des vecteurs d'intégration, qui nécessitent une recombinaison avec le génome de l'hôte pour leur maintien, et des vecteurs consistant en plasmides à réplication autonome.
Afin de préparer l'organisme Saccharomyces transgénique, des produits d'assemblage d'expression sont préparés en insérant la séquence de nucléotides de la présente invention dans un produit d'assemblage conçu pour l'expression dans une levure. Plusieurs types de produits d'assemblage utilisés pour l'expression hétérologue ont été élaborés. Les produits d'assemblage contiennent un promoteur actif dans une levure, fusionné à la séquence de nucléotides de la présente invention ; habituellement, un promoteur issu d'une levure, tel que le promoteur GAL1, est utilisé. Habituellement, une séquence signal provenant d'une levure, telle que la séquence codant pour le peptide signal SUC2, est utilisée. Un terminateur actif dans une levure complète le système d'expression.
Pour la transformation d'une levure, plusieurs protocoles de transformation ont été élaborés. Par exemple, un organisme Saccharomyces transgénique conforme à la présente invention peut être préparé en suivant les enseignements de Hinnen et al (1978, Proceedings of the National Academy of Sciences of the USA 75,1929) ; Beggs, J D (1978, Nature, Londres, 275,104) et Ito, H et al (1983, J Bacteriology 153, 163-168).
Les cellules de levure transformées sont sélectionnées en utilisant divers marqueurs sélectifs.
Parmi les marqueurs utilisés pour la transformation se trouvent un certain nombre de marqueurs auxotrophes tels
On comprend qu'une première manoeuvre du lève-vitre lors de sa mise en service, impliquant une course du curseur 6 sur le rail 1, de préférence vers le haut, entraîne automatiquement un coulissement de la goupille 16 depuis sa position de livraison jusqu'à sa position de fonctionnement dès que son extrémité 16a vient au contact de la face intérieure de la rampe 17 (ou 18). Ces rampes peuvent être aménagées dans d'autres zones du rail 1 que I( sa partie inférieure, par exemple dans un logement embouti ménagé dans la zone centrale du rail 1, ou encore dans son embouti 24 situé à sa partie
supérieure (figure 3).
L'invention est particulièrement intéressante pour les modules de porte étanches, car il n'est plus possible aux opérateurs d'y introduire la main après leur montage sur la porte. De ce fait, si après montage l'opérateur veut effectuer une intervention à l'intérieur de la porte, il n'existe pas d'autre solution que d'exécuter un trou dans la tôle support puis de le reboucher ensuite. L'invention évite de devoir procéder à une telle opération, toute intervention à l'intérieur de la porte après le montage du module étanche devenant pratiquement inutile du fait qu'une simple traction sur le câble provoque automatiquement le glissement de la goupille 16 sur la rampe 17 ou 18 et son introduction dans la vitre 7, sans qu'un reglage ou une correction
complémentaire soit nécessaire ultérieurement.
Si l'on souhaite désolidariser la vitre 7 du curseur 6 après montage du lève-vitre, il suffit de placer le curseur 6 sur le rail 1 de telle sorte que sa goupille 16 se trouve exactement en regard du trou 21. L'opérateur appuie alors avec un outil approprié sur l'extrémité 16a de la goupille 16, qui peut être chassée sans difficulté à l'extérieur du curseur 6, entre les pattes 12 (figure 3). Une telle opération peut être nécessaire dans le cadre d'un service
après vente.
L'invention est susceptible de diverses variantes d'exécution ainsi une seule rampe 17 ou 18 réalisée à un emplacement quelconque du rail 1, serait
suffisante pour permettre le déplacement de la goupille 16.
COMPOSITION DE TEINTURE POUR FIBRES KERATINIQUES AVEC UN COLORANT DIRECT CATIONIQUE ET UN POLYMERE EPAISSISSANT L'invention concerne une composition de teinture pour fibres kératiniques, en particulier pour fibres kératiniques humaines telles que les cheveux, comprenant, dans un milieu approprié pour la teinture, au moins un colorant direct cationique de formule donnée, et au moins un polymère épaississant particulier.
L'invention a également pour objets les procédés et dispositifs de teinture mettant en #uvre ladite composition.
Dans le domaine capillaire, on peut distinguer deux types de coloration.
Le premier est la coloration semi-permanente ou temporaire, ou coloration directe, qui fait appel à des colorants capables d'apporter à la coloration naturelle des cheveux, une modification de couleur plus ou moins marquée résistant éventuellement à plusieurs shampooings. Ces colorants sont appelés colorants directs ; ils peuvent être mis en #uvre avec ou sans agent oxydant. En présence d'oxydant, le but est d'obtenir une coloration éclaircissante. La coloration éclaircissante est mise en #uvre en appliquant sur les cheveux le mélange extemporané d'un colorant direct et d'un oxydant et permet notamment d'obtenir, par éclaircissement de la mélanine des cheveux.'un effet avantageux tel qu'une couleur unie dans le cas des cheveux gris ou de faire ressortir la couleur dans le cas de cheveux naturellement pigmentés.
Le deuxième est la coloration permanente ou coloration d'oxydation. Celle-ci est réalisée avec des colorants dits "d'oxydation" comprenant les précurseurs de coloration d'oxydation et les coupleurs. Les précurseurs de coloration d'oxydation, appelés couramment "bases d'oxydation", sont des composés initialement incolores ou faiblement colorés qui développent leur pouvoir tinctorial au sein du cheveu en présence d'agents oxydants ajoutés au moment de l'emploi, en conduisant à la formation de composés colorés et colorants. La formation de ces composés colorés et colorants résulte, soit d'une condensation oxydative des "bases d'oxydation" sur elles-mêmes, soit d'une condensation oxydative des
"bases d'oxydation" sur des composés modificateurs de coloration appelés couramment "coupleurs" et généralement présents dans les compositions tinctoriales utilisées en teinture d'oxydation.
Pour varier les nuances obtenues avec lesdits colorants d'oxydation, ou les enrichir de reflets, II arrive qu'on leur ajoute des colorants directs.
Parmi les colorants directs cationiques disponibles dans le domaine de la teinture des fibres kératiniques notamment humaines, on connaît déjà les composés dont la structure est développée dans le texte qui va suivre ; ces colorants conduisent à des colorations qui présentent des caractéristiques encore insuffisantes sur le plan de la puissance, de l'homogénéité de la couleur répartie le long de la fibre, on dit alors que la coloration est trop sélective, et sur le plan de la tenacité, en terme de résistance aux diverses agressions que peuvent subir les cheveux (lumière, intempéries,shampooings).
L'ORF8 pouvant être traductionnellement couplée à l'ORF7 située en aval, une délétion en phase a été introduite de façon à éviter un effet polaire. Un plasmide d'intégration, dénommé pCIII# porteur d'une telle délétion, a été construit selon le schéma de la figure 7(A-D).
Une délétion Sali de 663 pb a été introduite dans l'ORF8 du nucléotide 9384 au nucléotide 10046 de la séquence de la figure 2 en sous-clonant dans le plasmide pUC19 les deux fragments SalI (a : 794 pb et b : 631 pb montrés à la figure 5A ) isolés à partir du plasmide pBK44 obtenu à l'exemple 1
pour générer le plasmide pdel88 (figure 7A). La présence de la délétion de 663 pb a été confirmée par séquençage. Le plasmide pdel88 a été ensuite soumis à deux sous-clonages additionnels de façon à élargir les régions chromosomiques utilisables pour la recombinaison homologue des deux cotés du site de délétion. Le fragment SacI (450 pb) du plasmide pdel88 a d'abord été remplacé par le fragment SacI (1,1 kb) du plasmide pEco2 obtenu à l'exemple 1 pour générer le plasmide pdel88A (figure 7B). Puis le fragment EcoRI (1,5 kb) portant la délétion dans l'ORF8 a été isolé du plasmide pdel88A et utilisé pour remplacer le fragment EcoRI (1,66 kb) porteur de l'ORF intacte dans le plasmide pOBB. Le plasmide pOBB, représenté à la figure 7C, correspond au plasmide pBK44 préparé à l'exemple 1 dans le site PstI duquel a été souscloné le fragment PstI de 4 kb du plasmide pIJ486 obtenu par digestion par l'enzyme de restriction PstI et porteur de l'origine de réplication streptomyces ainsi que du gène de résistance au thiostrepton. Le plasmide résultant pCIII porte des régions chromosomiques pour la recombinaison homologue de 1,27 kb et 1,38 kb respectivement en amont et en aval du site de délétion. Le plasmide pCIII# ainsi obtenu (figure 7D) a ensuite été transféré dans la souche E. coli DH5aMRC, puis utilisé pour transformer Sac. erythraea.
EXEMPLE 6 : d'une souche Sac. erythraea eryCIIlA (CIII68).
Une souche dans laquelle le gène eryCIII porte une délétion interne telle que celle introduite dans le plasmide pCIII obtenu à l'exemple 5 a été préparée par transformation des protoplastes de Sac. erythraea avec le plasmide pCIII#.
De plus, la présence de la délétion attendue dans le chromosome (délétion de 663 pb du nucléotide 9384 au nucléotide 10046 de la séquence de la figure 2) a été confirmée par analyse génomique par Southern blot ainsi que par amplification par PCR selon les conditions décrites à l'exemple 3.
Par hybridation Southern sur l'ADN génomique digéré par l'enzyme de restriction EcoRI, en utilisant comme sonde l'oligonucléotide ayant la séquence suivante C3-S ATGCGCGTCGTCTTCTCCTCCATG (SEQ ID N 32) correspondant au brin complémentaire de la région d'ADN située de la position 10196 à la position 10219 de la séquence de la figure 2, une bande de 2,2 kb à partir de la souche sauvage et une bande de 1,5 kb à partir du mutant CIII68 ont été détectées. Les résultats montrés à la figure 15 indiquent la présence chez le mutant d'une délétion d'environ 700 pb dans cette région du chromosome.
L'amplification par PCR a été effectuée en utilisant l'oligonucléotide C3-S ci-dessus et l'oligonucléotide ayant la séquence suivante C3-R TCATCGTGGTTCTCTCCTTCC (SEQ ID N 33) correspondant à la séquence située de la position 8954 à la position 8974 de la séquence de la figure 2 permettant d'encadrer par amplification PCR la région portant la délétion interne à l'ORF8. L'analyse par amplification par PCR a permis de détecter une bande d'environ 1,2 kb dans la souche sauvage et une bande d'environ 0,6 kb dans le mutant CIII68 de façon identique au signal obtenu avec pCIII#. Les résultats montrés à la figure 16 confirment que la délétion d'environ 700 pb détectée par l'analyse de Southern est identique à celle portée par le plasmide pCIII# (663 pb).
EXEMPLE 7 : de la souche CIII68 et identifi- cation des métabolites secondaires produits.
Les résultats de ccm (figure 17) montrent que la souche CII68 accumule préférentiellement du 3-a-mycarosyl érythronolide B ainsi que de petites quantités d'érythronolide B comme attendu d'un mutant eryC.
La séquence eryCIII présente une forte homologie avec
d'autres glycosyltransférases putatives telles que DauH (43 % d'identité au niveau protéique) et DnrS (47 % d'identité) impliquées dans la biosynthèse de la daunorubicine chez S. peucetius (Otten et al., 1995) et chez Streptomyces sp C5 (Dickens et al., 1996) ainsi que TylM2 (50 % d'identité) impliquée dans le transfert du mycaminose sur la tylactone dans la voie de biosynthèse de la tylosine chez S. fradiae (Gandecha et al., 1997).
Ces observations indiquent que gène eryCIII code pour la désosaminyltransférase dans la voie de biosynthèse de l'érythromycine.
Selon un mode de réalisation, la plaquette de test ou la zone de test comprend un substrat en silicium monocristallin.
En pratique, la présente invention peut être appliquée au contrôle ou au réglage de la dose d'ions délivrée par une machine d'implantation ionique, ou au contrôle ou au réglage de l'énergie d'implantation des ions.
Selon un mode de réalisation particulièrement simple, la méthode selon l'invention est appliquée au contrôle d'une plaquette de silicium susceptible de présenter un défaut d'implantation, et comprend les étapes consistant à : mesurer dans une large bande de longueurs d'onde du faisceau lumineux incident du spectro-ellipsomètre les paramètres ellipsométriques d'un film de résine organique présent à la surface d'une plaquette de silicium de référence ; mesurer dans la large bande de longueurs d'onde les paramètres ellipsométriques d'un film de résine organique présent à la surface de la plaquette de silicium douteuse comparer les deux mesures, la plaquette de silicium douteuse étant considérée comme présentant effectivement un défaut d'implantation s'il existe au moins une sousbande de longueurs d'onde dans laquelle au moins l'un des paramètres ellipsométriques de la plaquette douteuse diverge sensiblement du paramètre correspondant de la plaquette de référence.
De préférence, la comparaison des deux mesures porte sur le paramètre ellipsométrique tan6.
Selon un mode de réalisation, l'invention est appliquée au tri d'un lot de plaquettes produits après apparition d'un dysfonctionnement dans une machine d'implantation.
Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de la méthode selon l'invention et d'exemples de résultats expérimentaux, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles - la figure 1 précédemment décrite représente de façon schématique un processus d'implantation ionique d'une plaquette de silicium, - la figure 2 représente de façon schématique un banc de contrôle selon l'invention, - la figure 3 représente des courbes donnant l'épaisseur d'une couche de résine organique carbonisée ou endommagée en fonction de l'énergie d'implantation, - la figure 4 représente des courbes donnant l'épaisseur d'une couche de résine organique carbonisée ou endommagée en fonction de la dose implantée, - les figures 5A, 5B, 6A, 6B, 7A, 7B représentent des courbes de paramètres ellipsométriques de plaquettes de silicium de référence et des courbes de paramètres ellipsométriques de plaquettes de silicium présentant un défaut d'implantation ionique.
Principe général de l'invention De façon générale, la présente invention propose de mesurer au moyen d'un spectro-ellipsomètre les propriétés optiques d'un film de résine organique carbonisée ou simplement endommagé par un bombardement ionique, afin de caractériser un processus d'implantation ionique et modifier si nécessaire les réglages d'une machine d'implantation. Dans un souci de clarté de l'exposé, la description ci-après sera organisée selon les paragraphes suivants 1) rappels concernant la spectro-ellipsométrie 2) application à la caractérisation d'une résine organique carbonisée ou endommagée 3) évaluation et étalonnage de la méthode selon l'invention 4) application de la méthode selon l'invention au réglage et/au contrôle d'un processus d'implantation ionique 5) avantages de la méthode selon l'invention 6) perspectives offertes par la méthode selon l'invention 7) application de l'invention au contrôle de plaquettes produits ou au tri de plaquettes douteuses.
Rappels concernant la spectro-ellipsométrie La figure 2 représente schématiquement la structure d'un spectro-ellipsomètre 20 de type classique.
L'appareil 20 comprend une partie instrumentation 21 et une unité de calcul 26. La partie instrumentation 21 comprend une source de lumière 22, un analyseur 23, un télescope d'alignement 24 et un spectromètre 25 couplé à l'analyseur 23. La source 22 délivre un faisceau incident de lumière polychromatique polarisé rectiligne, appliqué avec un angle d'attaque Vs sur une plaquette 30 comportant une pluralité de couches parallè]es superposées li dont les caractéristiques optiques doivent être déterminées. Le rayon réfléchi par la plaquette 30, polarisé elliptiquement, est reçu par l'analyseur 23. Le spectromètre 25 délivre les paramètres ellipsométriques classiques tanv et cos8 du rayon réfléchi pour diverses longueurs d'onde # du faisceau incident, et les envoie à l'unité de calcul 26. Pour mémoire, ces paramètres obéissent à la relation (1) ci-après, exprimée dans le plan des nombres complexes et applicable aux matériaux isotropes (1) tanV exp (i6) = l'angle V étant fonction du module de l'onde réfléchie et l'angle 6 fonction du déphasage des deux composantes du champ électrique de l'onde réfléchie, rp et rS étant les coefficients de réflexion complexes du faisceau incident sur la plaquette 30.
L'unité de calcul 26 comprend un logiciel exécutant un algorithme de régression dont les fonctions sont représentées symboliquement par trois blocs 27, 28, 29.
Cet algorithme permet de définir par approximations successives les épaisseurs ei et les indices de réfraction complexes ni de chacune des couches li de la plaquette 30 à étudier. On fournit tout d'abord au bloc 27 les épaisseurs ei et les indices ni estimés des diverses couches li, l'ensemble formant un modèle structurel de la plaquette 30. Le bloc 28 calcule les paramètres ellipsométriques théoriques tan#m et cossm du modèle sur une large gamme de longueurs d'onde X, à partir des données ei et ni. Le bloc 29 compare les paramètres théoriques tanvm, cosAm aux paramètres réels tant, cosb mesurés par la partie instrumentation 21 et délivre un signal d'erreur sb sur l'angle 6 et un signal d'erreur EW sur l'angle V A partir de ces signaux d'erreur, le bloc 27 détermine de nouvelles valeurs d'épaisseur ei et d'indices ni. L'opération est réitérée jusqu'à ce que la courbe des paramètres théoriques tanwm, cossu correspondent sensiblement, et de préférence exactement, à la courbe des paramètres mesurés tant, cosy.
Application à la caractérisation d'une résine organique carbonisée ou endommagée Selon l'invention, on propose d'utiliser le spectro-ellipsomètre qui vient d'être décrit pour analyser une plaquette de test 30 comprenant un substrat 31 revêtu d'un film de résine organique 32 ayant été soumis à un cycle d'implantation ionique.
Comme on l'a vu ci-dessus, une telle analyse n'est possible qu'en référence à un modèle qui doit être fourni à l'unité de calcul 26, conjointement à une mesure concrète des paramètres ellipsométriques tanw et cos8 de la plaquette de test 30. Ainsi, selon l'invention, on choisit tout d'abord un modèle de plaquette de test comportant 1) une couche inférieure li formée par le substrat 31, d'épaisseur el et d'indice de réfraction nl, 2) une couche intermédiaire 12 de résine organique intacte, d'épaisseur e2 et d'indice de réfraction n2, 3) une couche supérieure 13 de résine organique carbonisée ou endommagée, d'épaisseur e3 et d'indice de réfraction n3 (voir figure 2, bloc 27).
De préférence, on considère que la couche supérieure 13 est formée de résine carbonisée ou de résine endommagée selon que la dose D est supérieure ou inférieure à un seuil Dmin. Il est connu que ce seuil est généralement de 1014 ions/cm2. Dans le cas où la couche supérieure est simplement endommagée, la valeur initiale de l'indice n3 devant être fournie à l'unité de calcul 26 peut être choisie en faisant la somme pondérée de l'indice de la résine carbonisée et de l'indice de la résine intacte. Les coefficients de pondération sont choisis arbitrairement dans un premier temps, puis seront affinés par l'unité de calcul 26.
On réalise ensuite des plaquettes de test à partir d'un substrat 31 en silicium monocristallin d'une épaisseur de quelques dixièmes de millimètres, sur lequel on dépose un film 32 de résine organique, par exemple d'une épaisseur de l'ordre de 1,1 micromètres. Ces plaquettes de test vont être utilisées dans un premier temps pour évaluer la méthode selon l'invention puis, dans un second temps, pour régler ou contrôler des machines d'implantation.
Evaluation et étalonnage de la méthode selon l'invention Cette étape préliminaire est essentielle en pratique pour paramétrer la méthode, et a par ailleurs permis de vérifier qu'une mesure de l'épaisseur de la couche carbonisée ou endommagée d'un film de résine organique donne une information sur les paramètres énergie et dose susceptible d'être exploitée industriellement pour le contrôle ou le réglage des machines d'implantation.
Dans l'industrie de l'emballage, et plus particulièrement dans le domaine de l'embouteillage, il est à ce jour largement répandu d'utiliser des récipients plastiques, qui sont obtenus par étirage et soufflage d'une préforme dans un moule. De manière usuelle, la préforme est obtenue par injection dans un moule d'une ou plusieurs résines thermoplastiques. Les résines thermoplastiques les plus couramment utilisées à ce jour, du fait de leur faible prix de revient, sont les résines à base d'homo-ou de copolymères de polyéthylène téréphtalate (PET). Ces résines de PET présentent toutefois l'inconvénient majeur d'tre perméables aux gaz, et en particulier à l'oxygène et au dioxyde de carbone. Lorsque l'on souhaite obtenir des récipients ayant des propriétés fonctionnelles spécifiques qui ne peuvent pas tre obtenues avec les résines de PET, on utilise pour la fabrication de la préforme des résines thermoplastiques plus spécifiques ayant les propriétés recherchées. Par exemple, lorsque l'on souhaite réaliser un récipient plastique ayant des propriétés barrières aux gaz améliorées, il est connu d'utiliser des résines thermoplastiques spécifiques telles que des résines polyamides contenant des groupes m-xylylène et communément désignées résines"MX-nylon", des résines à base d'un copolymère d'éthylène et d'alcool vinylique, et par exemple des résines d'EVOH, ou encore des résines de polyéthylène2, 6-naphtalène dicarboxylate (PEN), etc... Ces résines spécifiques peuvent tre mises en oeuvre en étant mélangées, avant injection, avec une résine PET ou similaire, le mélange obtenu étant injecté de manière usuelle dans un moule pour la réalisation de la préforme. Plus couramment, ces résines spécifiques sont utilisées pour la fabrication de préformes ayant une structure multicouches, par co-injection séquentielle et/ou parallèle d'une résine spécifique et d'une résine de PET ou similaire.
De manière usuelle, la ou les résines thermoplastiques, qui sont utilisées pourfabriquer une préforme, se présentent initialement sous forme de granulés solides. Pour fabriquer une préforme à partir d'une résine thermoplastique sous forme de granulés, on réalise les opérations successives suivantes : -fusion et mélange des granulés de résine par passage dans une extrudeuse à vis, -injection dans un moule de la résine fondue issue de t'extrudeuse.