REVENDICATIONS i. Méthode de caractérisation d'un processus d'implantation ionique, comprenant une étape consistant à mesurer au moyen d'un spectro-ellipsomètre (20, 21, 26) les paramètres ellipsométriques (tant, cos6) d'un film de résine organique (32, 12, 13) présent à la surface d'une plaquette (30) ayant reçu un bombardement ionique, le film de résine comportant au moins une couche supérieure (13) de résine carbonisée ou endommagée. 2. Méthode selon la revendication 1, dans laquelle on mesure l'épaisseur (e3t) de la couche de résine carbonisée ou endommagée (13) d'une plaquette de test ou d'une zone de test d'une plaquette produit, et on compare l'épaisseur mesurée à une épaisseur de référence (e3r). 3. Méthode selon l'une des revendications 1 et 2, dans laquelle on mesure l'indice de réfraction (n3t) de la couche de résine carbonisée ou endommagée (13) d'une plaquette de test ou d'une zone de test d'une plaquette produit, et on compare l'indice mesuré à un indice de référence (n3r). 4. Méthode selon l'une des revendications 2 ou 3, dans laquelle on détermine l'épaisseur (e3t) ou l'indice (n3t) de la couche de résine carbonisée ou endommagée de la plaquette de test ou de la zone de test à partir d'un modèle de référence de plaquette de test ou de zone de test comportant 1) une couche supérieure de résine endommagée ou carbonisée, d'épaisseur (e3r) et d'indice de réfraction (n3r) de référence, 2) une couche inférieure de résine intacte, d'épaisseur (ex,) et d'indice de réfraction (nu,) déterminés, et 3) un substrat (31) d'épaisseur (e1r) et d'indice de réfraction (noir) déterminés. 5. Méthode selon la revendication 4 dans laquelle, pour des doses implantées supérieures à un seuil (Dmin) de carbonisation de la résine, on prévoit un modèle de référence comportant une couche supérieure (13) de résine carbonisée. 6. Méthode selon la revendication 4 dans laquelle, pour des doses implantées inférieures à un seuil (Dmin) de carbonisation de la résine, on prévoit un modèle de référence comportant une couche supérieure (13) de résine endommagée. 7. Méthode selon la revendication 6, dans laquelle l'indice de réfraction (n3r) de la couche supérieure de résine endommagée du modèle de référence est déterminé par la somme pondérée de l'indice de réfraction d'une résine intacte et de l'indice de réfraction d'une résine carbonisée. 8. Méthode selon l'une des revendications 2 à 7, dans laquelle la plaquette de test ou la zone de test comprend un substrat (31) en silicium monocristallin. 9. Méthode selon l'une des revendications 1 à 8, appliquée au contrôle ou au réglage de la dose d'ions délivrée par une machine d'implantation ionique. 10. Méthode selon l'une des revendications 1 à 9, appliquée au contrôle ou au réglage de l'énergie d'implantation des ions. 11. Méthode selon la revendication 1, appliquée au contrôle d'une plaquette de silicium susceptible de présenter un défaut d'implantation, comprenant les étapes consistant à - mesurer dans une large bande de longueurs d'onde du faisceau lumineux incident du spectro-ellipsomètre les paramètres ellipsométriques (tan, cos6) d'un film de résine organique présent à la surface d'une plaquette de silicium de référence, - mesurer dans la large bande de longueurs d'onde les paramètres ellipsométriques (tant, cos6) d'un film de résine organique présent à la surface de la plaquette de silicium douteuse, - comparer les deux mesures, la plaquette de silicium douteuse étant considérée comme présentant effectivement un défaut d'implantation s'il existe au moins une sousbande de longueurs d'onde (Xl, 2) dans laquelle au moins l'un des paramètres ellipsométriques de la plaquette douteuse diverge sensiblement du paramètre correspondant de la plaquette de référence. 12. Méthode selon la revendication 11, dans laquelle la comparaison des deux mesures porte sur le paramètre ellipsométrique tan6. 13. Méthode selon l'une des revendications 11 et 12, appliquée au tri d'un lot de plaquettes produits après apparition d'un dysfonctionnement dans une machine d'implantation.