REVEND I CATIONS 1. Structure microélectronique comprenant - au moins un élément de basse tension (2, 44) et au moins un élément de haute tension (4, 45) qui sont formés sur un substrat semiconducteur (6, 43) ayant un premier type de dopage et - des moyens de protection destinés à protéger l'élément de basse tension contre les effets parasites engendrés au niveau de l'élément de haute tension, cette structure étant caractérisée en ce que les moyens de protection comprennent - au moins une tranchée (18, 48a-48b) qui traverse l'élément de basse tension - une zone semiconductrice (22, 49) qui a un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage et qui au moins entoure les parois de la ou des tranchées et - une prise de contact sur cette zone. 2. Structure microélectronique selon la revendication 1, dans laquelle la ou les tranchées (18) pénètrent dans le substrat. 3. Structure microélectronique selon la revendication 1, dans laquelle ladite zone est une partie du substrat et est dopée par un dopant de type opposé au reste du substrat, tout autour de la tranchée. 4. Structure microélectronique selon la revendication 2, dans laquelle la prise de contact sur cette partie est réalisée par un dépôt conducteur qui remplit partiellement ou totalement la tranchée. 5. Structure microélectronique selon la revendication 1, dans laquelle ladite zone comporte un matériau semi-conducteur, de type de dopant opposé à celui du substrat, déposé dans la tranchée, ce matériau remplissant totalement ou partiellement celle-ci et la partie du substrat au voisinage des parois de la tranchée dans laquelle le dopant a diffusé. 6. Structure microélectronique selon la revendication 5, dans laquelle la prise de contact est réalisée par un dépôt conducteur sur ledit matériau, ce dépôt conducteur étant susceptible de compléter le remplissage de la tranchée. 7. Structure microélectronique selon la revendication 1, dans laquelle la ou les tranchées entourent au moins un composant électronique (48) faisant partie de l'élément de basse tension (44). 8. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle au moins une tranchée (48a) est continue. 9. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle au moins une tranchée (48b) est discontinue. 10. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle la profondeur (H) de chaque tranchée au-delà de l'élément de basse tension va de quelques micromètres à une dizaine de micromètres. 11. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle la largeur (L) de chaque tranchée est de l'ordre de 2 um à 5 um. 12. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, dans laquelle le substrat (6) est en silicium et le matériau (20) est du polysilicium dopé dont le dopage est opposé à celui du silicium du substrat. 13. Structure microélectronique selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, dans laquelle le substrat (6) est en silicium et le matériau comprend du verre dopé dont le dopage est opposé à celui du silicium du substrat. 14. Procédé de protection d'une structure microélectronique comprenant au moins un élément de basse tension et au moins un élément de haute tension qui sont formés sur un substrat semiconducteur ayant un premier type de dopage, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - on forme une couche protectrice (39) à la surface de la structure, - on forme au moins une tranchée (40) à travers la couche protectrice et l'élément de basse tension, - on forme une zone semiconductrice présentant un deuxième type de dopage opposé au premier type, au moins autour des parois de la ou des tranchées, et - on réalise une prise de contact sur ladite zone. 15. Procédé de protection selon la revendication 14, dans lequel ladite zone est réalisée par implantation dans le substrat à travers les parois, d'un dopant de type opposé à celui du substrat. 16. Procédé de protection selon la revendication 14, dans lequel ladite zone est réalisée par dépôt d'un matériau d'un type de dopage opposé à celui du substrat et traitement thermique de la structure, ce traitement thermique de la structure, ce traitement thermique étant apte à faire diffuser le dopant vers l'extérieur de la ou des tranchées (40). 17. Procédé de protection selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans lequel l'élément de basse tension comprend - un caisson semiconducteur (28) ayant le deuxième type de dopage, - des zones espacées électriquement isolantes (30) à la surface du caisson et - au moins un composant électronique (32) formé dans le caisson, dans un espace compris entre deux des zones, et dans lequel les tranchées sont formées à travers des espaces séparant ces deux zones de zones isolantes adjacentes.