INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
EXEMPLES Exemple 1 1. Constructions comparatives (témoins) Pour permettre la comparaison des promoteurs chimériques décrits dans ce brevet, le gène uidA codant la f-glucuronidase (Jefferson et: al., 1986) contenant la séquence de l'intron IV2 du gène ST-LS1 de la patatine de pomme de terre (Vancanneyt et al., 1990) (uidA-IV2) a été placé sous contrôle de l'un des promoteurs et du terminateur du gène de la nopaline synthase (nos term) d'Agrobacterium tumefaciens dans le plasmide pGEM3Z commercialisé par Promega Corp. (Madison, USA).
1. 1. Construction du témoin négatif pMRT1144.
Pour faciliter les clonages, un plasmide dérivé de pGEM3Z, ne possédant que les séquences "uidA-IV2/nos term" et dépourvu de toute séquence promotrice a été construit. Ce plasmide est appelé pMRT1144 et sert de témoin négatif (Fig. I).
Pour insérer la séquence uidA/nos term dans pGEM3Z, la séquence uidA sous contrôle du promoteur entier du gène de la plastocyanine de pois et du terminateur de la nopaline synthase, a été isolée à partir de 5 ug du plasmide pGA492-PpetE. Celui-ci a été obtenu en clonant, dans le plasmide pGA492-Pem2-uidA, le promoteur petE du gène plastocyanine de pois du plasmide pKHn2 (Pwee et Gray, 1993) à la place du promoteur em2 (Gaubier et al., 1993), provenant du plasmide pBI221-Pem2. Le plasmide pBI221-Pem2 a été digéré par 20 unités de chacune des enzymes HindIII et EcoRI pendant 1 h à 37 C. Puis, la cassette
d'expression "Pem2/uidA/nos term" a été séparée par électrophorèse sur gel d'agarose 0,8%, électroéluée, précipitée en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5 volumes d'éthanol absolu à -80 C pendant 30 min, centrifugée à 12000 g pendant 30 min, lavée à l'éthanol 70%, séchée, resuspendue dans l'eau et insérée aux sites HindIII et EcoRI du plasmide pGA492 (An, 1986) digéré par ces deux enzymes pendant 1 h à 37 C, précipité en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5 volumes d'éthanol absolu à -80 C pendant 30 min, centrifugé à 12000 g pendant 30 min, lavé à l'éthanol 70%, séché puis resuspendu dans l'eau.
La ligation a été effectuée en présence de 1,0 l du tampon ADN ligase T4 10X (Amersham) et 2,5 unités d'ADN ligase T4 (Amersham) à 14 C pendant 16 h. Des bactéries Escherichia coli DH5a, rendues préalablement compétentes ont été transformées (Hannahan, 1983). L'ADN plasmidique des clones obtenus, sélectionnés sur milieu Luria-Bertani (LB, bactotryptone 10 g/1, extrait de levure 5 g/1, NaCl 10 g/1, Agar 15 g/1) supplémenté en tétracycline (12 mg/1), a été extrait selon la méthode de la lyse alcaline (Birnboim et Doly, 1983) et analysé par digestions enzymatiques.
A partir du plasmide pGA492-Pem2-uidA obtenu, le promoteur Pem2 a été délété par double digestion par HindIII et XbaI. Le fragment plasmidique a été séparé par électrophorèse sur gel d'agarose 0,8%, électroélué, précipité en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5 volumes d'éthanol absolu à -80"C pendant 30 min, centrifugé à 12000 g pendant 30 min, lavé à l'éthanol 70%, séché, soumis à l'action du fragment de Klenow de l'ADN polymérase I (New England Biolabs) pendant 30 min à 37 C selon les recommandations du fabriquant. Ensuite, il a été déprotéinisé par extraction avec un volume de phénol, puis un volume de phénol : chloroforme : alcool isoamylique (25: 24:1 v/v/v) et enfin un volume de chloroforme : alcool isoamylique (24:1 v/v), précipité en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5
En se référant d'abord à la figure 6A, la soupape de décharge 7 comporte une partie fixe 7a pourvue d'un trou de fixation 70 et fixée à la paroi d'extrémité 501 comme on l'a décrit ci-dessus, une partie de fermeture 7b mise en contact avec un bord périphérique d'un orifice de décharge 6 pour le fermer, et une partie de liaison 7c reliant la partie fixe 7a et la partie de fermeture 7b.
La soupape de décharge 7 présente un profil externe qui est une combinaison d'un premier arc 700a de la partie fixe 7a, d'un second arc 700b de la partie de fermeture 7b, et de deux lignes de liaison 700c comportant chacune une partie droite 700c 1 et une partie incurvée 700c2.
La partie incurvée 700c2 sert à supprimer la concentration de contrainte appliquée à la jonction entre la partie droite 700c 1 et le second arc 700b.
La partie incurvée 700c2 peut présenter un grand nombre de formes.
De façon alternative , la ligne de liaison 700c peut être une ligne courbe reliant en douceur les premier et second arcs 700a et 700b sans prévoir la partie droite 700cl, comme cela sera décrit ultérieurement en regard des figures 6B à 6D. De préférence, chacune des lignes de liaison
700c est une courbe douce sans variation importante.
Afin de réduire la consommation de puissance, la distance E entre le second arc 700b et l'orifice de décharge 6 est minimisée pour autant que le reflux du réfrigérant puisse être évité lorsque le compresseur est arrêté.
Dans ce cas, la zone de contact entre la soupape de décharge 7 et une surface plate de soupape 601 autour de l'orifice de décharge 6 est réduite de sorte que la résistance de contact entre elles est réduite. Par conséquent, la force d'ouverture de soupape est diminuée. Généralement, si de l'huile adhère à la surface plate de soupape 601, la force d'adhérence de l'huile rend difficile l'ouverture de la soupape de décharge 7. Avec la structure mentionnée ci-dessus de la présente invention, l'adhérence de l'huile n'exerce aucune influence sensible. Par conséquent, la soupape 7 est facilement ouverte, c'est-à-dire que la force d'ouverture de soupape est considérablement réduite.
La soupape de la figure 6A obéit également à la théorie de la poutre à contrainte uniforme. Ainsi, la largeur de la soupape 7 diminue progressivement afin de réduire la charge d'ouverture, la hauteur h restant constante.
Pour réduire la charge, chacune des lignes de liaison 700c comprend la partie droite 700c1 et la partie incurvée 700c2 reliant en douceur la partie droite 700c1 et la partie de fermeture 7b, ce qui permet d'obtenir une distribution uniforme de la contrainte de flexion entre la partie fixe 7a et la partie de fermeture 7b.
Sur la figure 6A, le sommet d'une poutre triangulaire virtuelle formé par les lignes droites 700c 1, c'est-à-dire l'intersection entre les lignes droites 700c 1, coïncide avec le centre de l'orifice de décharge 6 en supposant que la pression de décharge est appliquée au centre de l'orifice de décharge 6. De façon alternative , en fonction de la forme et de la résistance de la partie de fermeture 7b, l'intersection peut être située à une position légèrement écartée du centre de l'orifice de décharge 6.
Avec référence à la figure 6B, le second diamètre est choisi supérieur au premier diamètre. Chacune des lignes de liaison 700c qui relient les premier et second arcs 700a et 700b est une courbe douce diminuant progressivement à partir d'une ligne droite doucement inclinée. A partir de la théorie des poutres décrite ci-dessus, on comprend que la soupape de décharge 7 illustrée sur la figure est facilement fléchie lorsque la charge
est appliquée par le réfrigérant dans l'orifice de décharge 6. Ainsi, la force d'ouverture de soupape peut être réduite. En outre, la courbe diminue progressivement, de sorte que la concentration de contrainte est supprimée et qu'on évite qu'une forte contrainte soit appliquée à la soupape de décharge 7.
Alors que chacune des lignes de liaison 700c se rapproche d'une partie en traits pointillés proche de la poutre à résistance uniforme, la soupape de décharge 7 est plus facilement fléchie et la distribution de la contrainte est uniforme. Ainsi, une structure de soupape efficace et économique est obtenue.
Sur chacune des figures 6C et 6D, la soupape de décharge 7 a une section présentant un plus grand moment d'inertie de surface à une position plus proche de la partie fixe 7a. Dans cette soupape, la force d'ouverture de soupape est réduite par rapport à la charge. En ce qui concerne chacune des lignes de liaison 700c, la courbe qui diminue progressivement sert à réduire la force d'ouverture de soupape en comparaison avec la ligne droite.
Comme sur la figure 6B, la partie en pointillés représente un angle d'inclinaison de la poutre à contrainte uniforme. Par conséquent, les lignes de liaison 700c peuvent être formées le long de l'angle d'inclinaison, en fonction de l'utilisation.
La fonction des puits quantiques de collection est de collecter et de confiner les porteurs de charge (électrons et trous)- plus simplement
appelés porteurs dans ce qui suit - qui sont séparés par un mécanisme que l'on verra par la suite pour différents modes de réalisation particuliers. Ces porteurs séparés créent un champ de charge d'espace et donc une modulation de longueur d'onde du rayonnement laser émis.
On fait maintenant des considérations qui s'appliquent à tous les modes de réalisation particuliers de l'invention qui sont décrits en faisant référence aux dessins.
Si l'on considère une hétérostructure du genre de celle de la figure 1 pour laquelle l'effet laser du puits quantique actif se produit pour une densité de courant donnée Io, cette hétérostructure est conçue pour la modulation, de préférence par effet Stark confiné quantique, du spectre de gain laser lorsque la densité de courant injecté varie dans un intervalle autour de Io.
Pour ce faire, l'hétérostructure doit d'abord être capable, sous ces conditions d'excitation, d'accumuler dans les puits quantiques de collection une densité de charge suffisante pour produire un champ de charge d'espace élevé. Par exemple, pour avoir un champ de charge d'espace de 100 kV/cm, on a besoin d'une densité de charge de 6x1011 cm-2 dans les puits quantiques de collection (en négligeant les effets d' écran) .
Simultanément, le mécanisme de séparation des charges doit être à un régime non saturé c'est-àdire à un régime où une variation de la densité du courant injecté provoque une variation des densités de charge des puits quantiques de collection et donc une variation de la modulation de longueur d'onde.
L'accumulation de charges dans les puits quantiques de collection dépend (a) du mécanisme de séparation des charges et (b) des temps d'échappement des porteurs collectés dans les puits quantiques de collection.
En résolvant de simples équations de taux décrivant la dynamique des porteurs dans une structure du genre de celle de la figure 1 et en utilisant le mécanisme de séparation de charges dont il sera question dans la description du deuxième mode de réalisation préféré (donnée plus loin) on peut obtenir l'ordre de grandeur des temps d'échappement nécessaires pour avoir un effet de modulation important pour une densité donnée de courant injecté Io.
Par exemple si Io est égal à 1 kA/cm2 les temps qu'il faut aux porteurs pour s'échapper des puits quantiques de collection doivent être de l'ordre de 1 ns pour obtenir un champ de charge d'espace de 50 kV/cm. Si, dans l'exemple donné, les temps d'échappement sont bien inférieurs à 1 ns, les calculs montrent qu'il n' y a pas suffisamment d'accumulation de charges dans les puits quantiques de collection et que le champ de modulation est faible.
Par ailleurs si les temps d'échappement sont beaucoup plus longs on peut avoir une suraccumulation de charges et un champ de charge d'espace élevé qui peut nuire à l'effet laser du puits quantique actif (en effet un champ électrique décale et réduit le spectre de gain et donc un champ électrique trop grand nuit à l'effet laser) ou être à un régime où le processus de séparation des charges atteint une saturation.
Ainsi une conception appropriée des temps d'échappement des porteurs est essentielle pour le bon fonctionnement de la diode laser. Une telle conception est possible en considérant que les principaux processus d'échappement des porteurs des puits quantiques de collection sont l'émission thermoionique par dessus les barrières et l'effet tunnel à travers ces barrières.
En choisissant convenablement les paramètres de l'hétérostructure qui influencent fortement ces processus, tels que par exemple les hauteurs et les épaisseurs des barrières, on est capable de modifier les taux d'échappement des porteurs de plusieurs ordres de grandeur.
En outre les temps d'échappement des porteurs des puits quantiques de collection commandent au moins en partie la vitesse de commutation de longueur d'onde de la diode laser. Supposons que cette diode laser soit commandée par une densité de courant Io et que la densité de charge des puits quantiques de collection correspondante soit Qo.
Un accroissement soudain de Io est suivi par un accroissement rapide de Qo et les temps typiques de montée ( switch-up ) nécessaires pour établir le nouvel équilibre sont essentiellement les temps de relaxation des porteurs chauds qui sont de l'ordre de quelques dizaines de picosecondes.
Par ailleurs une décroissance soudaine de Io entraîne une décroissance de Qo mais avec des temps de descente ( switch down ) plus longs, définis par les temps d'échappement des porteurs des puits quantiques de collection.
Comme on l'a mentionné plus haut, les temps d'échappement souhaités peuvent être facilement obtenus par une conception appropriée de l'hétérostructure et, pour des conceptions réalistes, peuvent être dans un domaine allant de 100 ps à 1 ns à titre d'exemple, mais pourraient être dans un autre domaine.
La présente invention résulte également de la découverte des propriétés particulières de ces nouveaux partenaires protéiques de p53 qui de manière inattendue s'avèrent également être capables de bloquer les effets anti-prolifératifs de la forme sauvage de p53.
Ces nouveaux partenaires protéiques de p53 présentent en outre une synergie d'action très importante avec les mutants oncogéniques de p53, cette synergie s'exerce aussi bien pour la coopération oncogénique avec la forme activée de la protéine Ras que sur l'effet prolifératif des formes mutées de p53.
De plus et indépendamment de toute interaction avec p53, ces polypeptides présentent un effet positif sur la croissance cellulaire. En outre, un de ces partenaires, la protéine MBP1, présente les caractéristiques d'un oncogène immortalisant en coopérant avec la forme activée de la protéine Ras pour la transformation cellulaire.
De part la spécificité et les effets synergiques que présentent ces nouveaux partenaires de p53 vis à vis de certaines formes mutées de p53, ces polypeptides constituent une cible thérapeutique de choix pour le traitement des cancers liés aux mutations de la protéine p53.
En outre, ces polypeptides qui présentent des propriétés oncogéniques
intrinsèques, constituent de nouvelles cibles potentielles pour le traitement du cancer en général.
Un premier objet de l'invention concerne donc des polypeptides capables d'interagir spécifiquement avec les formes oncogéniques de p53. Ces polypeptides sont en outre capables de stimuler la croissance cellulaire et de bloquer les effets anti- prolifératifs de la forme sauvage de p53.
Selon un premier mode de réalisation, ces polypeptides comprennent tout ou partie d'une séquence choisie parmi les séquences polypeptidiques SEQ ID N 8 ou SEQ ID N 22 ou un dérivé de celles-ci.
Selon un autre mode de réalisation, ces polypeptides comprennent tout ou partie d'une séquence choisie parmi les séquences polypeptidiques SEQ ID N 26 ou SEQ ID N 23 ou un dérivé de celles-ci.
Enfin selon encore un autre mode de réalisation, ces polypeptides comprennent tout ou partie de la séquence polypeptidique SEQ ID N 9 ou un dérivé de celle-ci.
De manière préférée les polypeptides de l'invention sont représentés par la séquence polypeptidique SEQ ID N 23 ou ses dérivées Au sens de la présente invention, le terme séquence polypeptidique dérivée désigne toute séquence polypeptidique différant de la séquence considérée, obtenue par une ou plusieurs modifications de nature génétique et/ou chimique, et possédant la capacité d'interagir avec les formes mutées oncogéniques de p53. Par modification de nature génétique et/ou chimique, on peut entendre toute mutation, substitution, délétion, addition et/ou modification d'un ou plusieurs résidus. De tels dérivés peuvent être générés dans des buts différents, tels que notamment celui de modifier
leurs propriétés de liaison au formes mutées oncogéniques de p53, ou d'augmenter leur efficacité thérapeutique ou de réduire leurs effets secondaires, ou celui de leur conférer de nouvelles propriétés pharmacocinétiques et/ou biologiques.
A cet égard, un autre objet de l'invention concerne les séquences polypeptidiques qui présentent des fonctions biologiques comparables à celles des polypeptides selon l'invention et notamment la capacité à interagir avec les formes mutées oncogéniques de p53 et qui présentent un degré d'identité d'au moins 80 % et de préférence au moins 90 % avec la séquence polypeptidique SEQ ID N 22 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 23 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 9.
De préférence, les séquences polypeptidiques selon l'invention présentent au moins 95 % et de préférence encore au moins 97 % d'identité avec la séquence polypeptidique SEQ ID N 22 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 23 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 9.
De manière plus particulièrement préférée, les séquences polypeptidiques selon l'invention présentent au moins 98 % d'identité et de préférence encore au moins 99 % d'identité avec la séquence polypeptidique SEQ ID N 22 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 23 ou la séquence polypeptidique SEQ ID N 9.
Le terme séquence polypeptidique dérivée comprend également les fragments des séquences polypeptidiques indiquées ci-dessus. De tels fragments peuvent être générés de différentes façons. En particulier, ils peuvent être synthétisés par voie chimique, sur la base des séquences données dans la présente demande, en utilisant les synthétiseurs peptidiques connus de l'homme du métier. Ils peuvent également être synthétisés par voie génétique, par expression dans un hôte cellulaire d'une séquence nucléotidique codant pour le peptide recherché. Dans ce cas, la séquence nucléotidique peut être préparée chimiquement en utilisant un synthétiseur d'oligonucléotides, sur la base de la séquence peptidique donnée dans la présente demande et du code génétique. La séquence nucléotidique peut également être
C'est aussi un matériau biocompatible et d'une grande dureté.
Toutefois, pour pouvoir l'utiliser, il faut impérativement disposer de monocristaux de diamant ayant des tailles suffisantes, surtout dans le domaine de la micro-électronique.
Les procédés de synthèse mis au point jusqu'à présent font intervenir des conditions de croissance extrêmes : hautes pressions, hautes températures, plasmas, dépôts chimiques en phase vapeur et techniques de détonation de TNT.
Il en résulte la fabrication de cristaux qui ont de faibles dimensions (les plus petits ne mesurent pas plus de 4 nm) et dont l'assemblage n'a pas permis l'obtention de cristaux de plus grandes dimensions.
EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents et propose, pour ce faire, une structure ayant des propriétés électroniques, chimiques et structurales proches de celles du diamant, ce qui permet d'obtenir une base sur laquelle la croissance de couches de diamant peut avoir lieu dans les mêmes conditions : même élément chimique (le carbone), mêmes propriétés électroniques (configuration sp3) et désaccord de maille le plus faible possible entre le substrat et le cristal de diamant.
De façon précise, la présente invention a pour objet une couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant, cette couche étant caractérisée en ce qu'elle est formée sur la surface d'un substrat monocristallin en SiC et s'étend sensiblement sur la totalité de ce substrat.
Selon un premier mode de réalisation particulier de la couche monoatomique et monocristalline objet de l'invention, le substrat monocristallin en' SiC est une couche mince de SiC monocristallin en phase cubique ss-SiC (100) formée sur une plaquette ( wafer ) de Si, la couche monoatomique et monocristalline recouvrant ainsi sensiblement la totalité de cette plaquette.
Selon un deuxième mode de réalisation particulier, le substrat monocristallin en SiC est une plaquette de SiC monocristallin en phase hexagonale, la couche monoatomique et monocristalline recouvrant ainsi sensiblement la totalité de cette plaquette.
A partir de la couche monoatomique et monocristalline objet de l'invention, on peut obtenir une couche monocristalline de diamant qui surmonte la couche monoatomique et monocristalline et qui est formée par croissance à partir de cette couche monoatomique et monocristalline, cette dernière servant de matrice.
La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on forme un substrat monocristallin en SiC terminé par un plan
atomique de carbone selon une reconstruction c (2x2), plan étant un plan de dimères carbone-carbone de configuration sp, et en ce qu'on effectue au moins un recuit de ce substrat, ce recuit étant apte à transformer le plan de dimères carbone-carbone de configuration sp en un plan de dimères carbone-carbone de configuration sp3 formant ainsi une couche monoatomique et monocristalline de carbone de type diamant.
Selon 'un premier mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, le substrat monocristallin en SiC est préparé à partir d'une couche mince de SiC monocristallin en phase cubique p-SiC ayant une face (100) terminée par une couche de Si.
Selon un deuxième mode de mise en oeuvre particulier, le substrat monocristallin en SiC est préparé à partir d'une couche mince d'une plaquette de SiC monocristallin en phase hexagonale ayant une face (1000) terminée par une couche de Si.
Pour obtenir le plan atomique de carbone selon la reconstruction c(2x2), on peut effectuer un recuit apte à éliminer la couche de Si ou effectuer un dépôt de molécules hydrocarbonées sur la couche de Si puis un craquage ( cracking ) de ces molécules.
Les molécules hydrocarbonées peuvent être choisies dans le groupe comprenant les molécules de C2H4 et les molécules de C2H2.
Selon un mode de mise en oeuvre particulier de l'invention, pour transformer le plan de dimères carbone-carbone de configuration sp en un plan de
Par exemple, Kammerer et al. (30) propose, selon le même principe du test de stimulation, d'utiliser de longs fragments d'API ml, en particulier le frag- ment 90-134. Toutefois, ces fragments sont spécifiques de certains patients et ne sont pas adaptés à un ensemble significatif de patients, du fait que leur sélection ne tient pas compte du type HLA des patients.
Les tests de stimulation permettent en effet de sélectionner des peptides adaptés à la désensibilisation d'un patient donné (22), mais ne permettent pas d'étendre l'utilisation de ces peptides à d'autres patients que ceux pour lesquels ils ont été élaborés.
. Protéines modifiées Une autre alternative à l'utilisation d'allergènes natifs est celle d'allergènes modifiés de telle sorte qu'il n'y ait plus de réactivité vis-à-vis des IgE spécifiques de l'allergène, tout en conservant leur réactivité vis-à-vis des lymphocytes T.
Les IgE étant principalement dirigées contre des épitopes conformationnels, la perte de réactivité peut être facilement obtenue en détruisant la structure tridimensionnelle de l'allergène ce qui ne modifie par les épitopes T. C'est ce qui a été fait pour des mutants de Der f2 (27) et Der p2 (28) dans lesquels des ponts disulfures ont été rompus. Une autre façon de procéder est d'introduire dans l'allergène des mutations ponctuelles qui affectent la reconnaissance des IgE sans modifier la structure tridimensionnelle (29). Le faible nombre de mutations introduites est censé ne pas modifier les épitopes T.
Les différences importantes observées entre études traduisent la variabilité interindividuelle des épitopes T et rendent évidemment difficile le choix des molécules de désensibilisation. De plus, ces études qui n'utilisent qu'un échantillon de patients allergiques ne permettent pas d'assurer que tous les épitopes T sont conservés dans la molécule de désensibilisation.