REVENDICATIONS 1. Laser solide comprenant une cavité résonante et, dans cette cavité, un milieu amplificateur (22,36, 50,68) et un modulateur de pertes (24,25, 38,39, 52,72), afin d'engendrer des impulsions lumineuses après pompage optique du milieu amplificateur, ce laser étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre, dans la cavité, un moyen d'allongement de la durée des impulsions lumineuses par un effet optique non-linéaire (28, 40, 54, 70). 2. Laser selon la revendication 1, ce laser étant un microlaser. 3. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel l'effet optique nonlinéaire est choisi dans le groupe comprenant l'effet photoréfractif, l'absorption dans l'état excité, l'absorption à deux photons, la conversion de fréquence, la diffusion stimulée de type Brillouin, la diffusion stimulée de type Rayleigh et la diffusion stimulée de type Raman. 4. Laser selon la revendication 3, dans lequel le moyen d'allongement de la durée des impulsions lumineuses est un élément comprenant au moins une couche d'un matériau choisi dans le groupe comprenant les cristaux semiconducteurs ayant des propriétés photoréfractives, les cristaux d'oxydes ayant des propriétés photoréfractives et les polymères ayant des propriétés photoréfractives. 5. Laser selon la revendication 4, dans lequel l'élément est compris entre deux électrodes (80, 82) prévues pour créer, lorsqu'une tension électrique est appliquée entre elles, un champ électrique parallèle à l'axe de propagation des impulsions lumineuses engendrées dans la cavité. 6. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le modulateur de pertes est un milieu absorbant saturable (24,38, 52, 72), le laser étant ainsi déclenché passivement. 7. Laser selon la revendication 6, dans lequel le milieu absorbant saturable est choisi dans le groupe comprenant : - les cristaux, les couches monocristallines et les couches sol-gel, qui sont dopés avec des ions absorbants saturables, - les semiconducteurs ternaires ou quaternaires dont la composition est ajustée pour obtenir une largeur de bande interdite voisine de la fréquence d'émission du laser et - les semiconducteurs comprenant un ou une pluralité de puits quantiques de largeur adaptée à la longueur d'onde du laser. 8. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le modulateur de pertes est un modulateur commandé en tension (25, 39) , le laser étant ainsi déclenché activement. 9. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le modulateur de pertes et le moyen d'allongement des impulsions lumineuses sont associés au milieu amplificateur par un procédé choisi dans le groupe comprenant : - l'assemblage avec une colle optique, - l'assemblage avec un cordon de résine (60), - le dépôt sous la forme d'au moins une couche mince et - le dépôt sur un substrat distinct du milieu amplificateur, ce dépôt étant suivi d'un assemblage de ce substrat avec ce milieu amplificateur. 10. Laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la cavité résonante est délimitée par un miroir d'entrée (20,35, 48,66) et un miroir de sortie (30,42, 56,74) et le moyen d'allongement de la durée des impulsions lumineuses est disposé entre le modulateur de pertes et le miroir de sortie ou entre ce modulateur de pertes et le milieu amplificateur.