INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'apport d'oxygène nécessaire est fourni par de l'air à ce réacteur 11 d'oxydation sélective. Cet air est chauffé préalablement à 2000C dans l'échangeur de chaleur 12 par l'entrée 13 avant introduction dans le réacteur 11. L'enthalpie de la réaction de l'oxydation sélective à 2001C est de -18,3 kcal/mole de H2 et la chaleur nécessaire au chauffage de l'air introduit est de 0,9 kcal/mole de H 2 ' En sortie de l'unité 2 de réduction du taux de CO, la composition du mélange gazeux est * 2 28,4 % * 2 0 9,4 % CO quelques ppm CO 2 18,1 % CH 4 1,9 % N 2 42,2 %.
La réaction stoechiométrique expérimentale de l'oxydation sélective du CO résiduel à 2001C (0 2 amené par l'air) est la suivante : 3,1 H 2 + 1,2 CO 2 + 0, 6 CO + 0, 2 CH 4 + 0,8 H 2 0 + 2,7 N 2 + [0,4 0 2 + 1,6 N 2 1 -> 2, 9 H 2 + 119 CO 2 + 0,2 CH 4 + 1,0 H20 + 4, 3 N 2 Comme illustré en figure 5, le mélange gazeux est ensuite refroidi de 2001C à 801C dans l'échangeur de chaleur 14 avant introduction dans la pile à combustible 3 qui fournit alors une puissance de 37 kW. La quantité de chaleur nécessaire au refroidissement du gaz avant entrée dans la pile à combustible 3 est de -3,1 kcal/mole de H 2 " Le mélange gazeux issu de la pile à combustible dans ce mode de réalisation préféré est constitué de H 2 : 6,2 % H 20 12,4 % Co 2 2 3, 7 % CH 4 2, 5 % N 2 55,2 %.
Le méthane et l'hydrogène non consommé par la pile à combustible sont alors éliminés dans l'unité 4 de combustion de CH 4 et H 2 illustrée en figure 5 par une combustion catalytique réalisée à 7000C, en présence d'oxygène fourni par de l'air et introduit dans le réacteur de combustion catalytique après chauffage de 250C à 7000C dans le moyen de chauffage 16. La combustion catalytique est effectuée sur un catalyseur constitué de 15 % en poids, par rapport au poids total de catalyseur, de nickel supporté sur alumine. La combustion du méthane et de l'hydrogène est totale dès 4000C.
L'enthalpie de la réaction de la combustion catalytique à 7000C est de -22,9 kcal/mole de H2 et la quantité de chaleur AQ nécessaire pour chauffer l'air d'appoint introduit dans le réacteur de combustion catalytique est de 5,2 kcal/moles de H 2- En sortie de ce système à pile à combustible préféré, le gaz rejeté est constitué de H 2 0 : 17,1 % Co : 19,1 % N 2 63,8 %.
Bien que l'invention ait été décrite en relation avec un système à pile à combustible embarquable à bord d'un véhicule, l'invention n'est nullement limitée à ce mode de réalisation.
En effet, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que les catalyseurs décrits et revendiqués dans leur application soit au vaporeformage de l'éthanol, soit à une réaction de déplacement de gaz à l'eau, soit à une réaction d'oxydation sélective du CO en CO 2 ' soit à une réaction de combustion catalytique du CH 4 et du H 2 peuvent être utilisés pour d'autres systèmes et indépendamment l'un de l'autre.
Il apparaîtra également clairement à l'homme de l'art que bien que le système de pile à combustible embarquable décrit comporte l'unité de réduction du taux de CO, notée 2 dans les f igures, cette unité peut ne pas être nécessaire lorsque la pile à combustible permet l'utilisation d'un mélange gazeux contenant des taux importants de CO.
Ceci signifie également que toute autre pile à combustible que celle spécifiquement décrite peut être utilisée dans le système selon l'invention.
C'est dire que l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et illustrés mais comprend tous les équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci sont effectuées selon son esprit.
BUSE DE PULVERISATION A CHAMBRE DE TOURBILLONNEMENT MUNIE D'UNE NERVURE ANNULAIRE FRONTALE POSTERIEURE DE PASSAGE DE SORTIE La présente invention concerne les buses de pulvérisation, telles que décrites par exemple dans le document CH 421 009 A, dans lesquelles le fluide à pulvériser est amené par des canaux d'admission de fluide injectant le fluide de façon tourbillonnaire dans une chambre centrale de tourbillonnement limitée par une paroi périphérique à axe longitudinal, par une paroi antérieure à passage coaxial de sortie et par une paroi postérieure. Le ou les canaux d'admission de fluide sont conformés pour injecter le fluide dans la chambre de tourbillonnement selon une direction sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal de la buse, ou axe du passage coaxial de sortie.
Le passage coaxial de sortie présente une section transversale nettement réduite par rapport à la section transversale de la. chambre de tourbillonnement, et sa dimension est choisie en fonction du débit de la buse de pulvérisation et en fonction de la taille des gouttelettes à obtenir en sortie de la buse.
Un problème important de telles buses de pulvérisation de liquide est le risque de bouchage de la buse.
Ce risque est encore augmenté dans les buses destinées à pulvériser des liquides selon un débit relativement faible, car les canaux de la buse doivent alors avoir une section réduite.
Exemple 55 Production d'un transistor MOS Comme le montre la figure IA, on a formé une couche d'oxyde de grille 2 sur la surface d'un substrat en silicium 1, puis on a formé une couche de polysilicium (couche de poly-Si) 3 au moyen d'un procédé CVD. Après la formation de la couche 3, on a introduit des impuretés de type n comme le phosphore pour former une zone de faible résistance. Puis, on a formé couche de WSi 4 au moyen d'un procédé de pulvérisation cathodique (il est possible d'utiliser par exemple un procédé CVD à la place du procédé de pulvérisation cathodique).
Ensuite, comme le montre la figure 1B, pour former un motif dans la couche 3 et la couche 4, on a appliqué en revêtement la composition de résist négatif de la présente invention sur toute la surface de la couche 4 formée au cours de l'étape précédente. Après l'avoir précuite, on a exposé la couche de résist 5 dans un appareil d'exposition à laser excimère à KrF, puis on l'a soumise à une cuisson après exposition. On a soumis la couche de résist 5 exposée un développement alcalin pour obtenir des motifs de résist d'une largeur de 0,25 p m. On a réalisé une gravure anisotrope en utilisant le motif de résist comme masque pour graver la couche de WSi 4 et la couche de poly-Si 3 successivement. On a formé une électrode de grille consistant en la couche 3 et la couche 4 gravées. Ensuite, on a introduit du phosphore par un procédé d'implantation ionique pour former une couche de diffusion N de structure LDD. On a retiré la couche de résist 5 au moyen d'une solution d'élimination pour obtenir le motif montré sur la figure 1B.
Après la formation de l'électrode de grille, comme le montre la figure 1C, on a formé une couche d'oxyde 7 avec le procédé CVD.
Puis, comme le montre la figure 1D, on a soumis la couche d'oxyde 7 une gravure anisotrope pour former une paroi latérale 8 consistant en la couche 4 et en la couche 3 sur le côté de l'électrode de grille. Ensuite, on a réalisé une implantation ionique en présence de la couche 4 et de la paroi latérale 8 en tant que masque pour former une couche de diffusion N+ 9.
Puis, pour activer la couche de diffusion N+, on a réalisé un traitement thermique dans une atmosphère d'azote, puis on a chauffé dans une atmosphère d'oxygène. Comme le montre la figure 1E, l'électrode de grille était recouverte d'une couche d'oxydation thermique 10.
Après la formation de la couche d'oxydation thermique 10, comme le montre la figure 1F, on a formé une couche isolante 11 à titre de couche intermédiaire par le procédé CVD, et on l'a munie d'un motif en utilisant la composition de résist négatif de la présente invention. Autrement dit, on a appliqué la composition de résist sur toute la couche isolante 11 et on l'a précuite, exposée à un appareil d'exposition à laser excimère à ArF et soumise à une cuisson après exposition. Par développement alcalin, on a produit des motifs de résist analogues à des trous d'une largeur de 0,20 pm. On a réalisé une gravue anisotrope en utilisant les motifs de résist comme masque pour former des trous de contact dans la couche isolante 11. On a déposé dans les trous de contact un câblage 12 en aluminium. On a ainsi obtenu un transistor MOS 20 à canal N.
Exemple 56 Production d'une tête magnétique à couches minces Comme le montre la figure 2A, on a déposé successivement sur un substrat "alutique" 21 une couche d'écran 22 en FeN et une couche d'isolation d'interstice 23 en oxyde de silicium puis on a formé une couche magnétorésistive 24 d'une épaisseur de 400 nm en FeNi au moyen d'un procédé de pulvérisation cathodique. On a revêtu la couche 24 d'un résist de PMGI conventionnel (Microlithography Chemical Co., USA) pour former une couche de résist inférieure 25, que l'on a recouverte de la composition de résist négative de la présente invention pour former une couche de résist supérieure 26.
Après avoir formé cette structure à deux couches de résist, on a précuit la couche de résist supérieure 26, on l'a exposée à un appareil d'exposition à laser excimère à KrF et on l'a soumise à une cuisson après exposition. Par développement alcalin, on a obtenu des motifs de résist d'une largeur de 0,25 pm. Au cours du développement alcalin, la couche de résist inférieure 25 a été développée de manière isotrope pour former un profil en contre-dépouille des motifs de résist comme le montre la figure 2B.
*Puis, comme le montre la figure 2C, on a réalisé un meulage ionique en utilisant les motifs de résist comme masque pour réaliser une gravure et pour obtenir ainsi la couche magnétorésistive 24 diminuée.
Puis, on a formé une couche de TiW 27 par pulvérisation cathodique sur toute la surface du substrat 21. L'épaisseur de cette couche 27 était de 800 nm. Après la formation de la couche 27, on a retiré la couche de résist inférieure 25 ainsi que la couche de résist supérieure 26 et la couche de TiW 27 au moyen d'un procédé d'enlèvement. Comme le montre la figure 2E, la couche de TiW 27 était exposée.
Ensuite, on a muni d'un motif la couche magnétorésistive 24 et la couche de TiW 27 de la manière décrite ci-dessus, en utilisant la composition de résist négatif de la présente invention. Comme le montre la figure 2F, on a ainsi formé une électrode 28 et un élément magnétorésistif (MR) 29.
Après l'étape ci-dessus, comme le montre la figure 2G, on a formé une couche d'isolation d'interstice 31 d'une épaisseur de 50 nm en oxyde de silicium (Sï02).
Puis, comme le montre la figure 2H, on a formé successivement une couche formant écran 32 en FeNi d'une épaisseur de 3,5 pm, une couche d'interstice 33 en A1203 d'une épaisseur de 0,5 um et une couche de FeNi 34 d'une épaisseur de 3 pm, sur la couche d'isolation d'interstice 31. Puis, pour former un pôle magnétique d'écriture par formation d'un motif dans la couche de FeNi 34, on a appliqué en revêtement la composition de résist négatif de la présente invention sur toute la surface de la couche de FeNi 34 pour former une couche de résist 36. A titre d'étape finale du procédé représenté, on a precuit la couche de résist 36 formée sur la couche de FeNi 34, on l'a exposée dans un appareil d'exposition à laser excimère à KrF et on l'a soumise à cuisson après exposition. Par développement alcalin, on a formé de fins motifs de résist ayant une ouverture dans le site correspondant au pôle magnétique d'écriture qui doit etre formé. On a réalisé la gravure isotrope de la couche de FeNi 34 en utilisant les motifs de résist comme masque. Comme le montre la figure 21, on a ainsi obtenu tête magnétique à couches minces 40 comportant le pôle magnétique d'écriture 35.
PROCEDE ET DISPOSITIF D'AJUSTEMENT DE GAMME DYNAMIQUE D'UNE IMAGE DIAGNOSTIQUE NUMERIQUE CONTEXTE DE L'INVENTION La présente invention porte globalement sur l'imagerie diagnostique médicale, et particulier sur un procédé et un dispositif d'ajustement de la gamme dynamique image médicale numérique à présenter.
L'imagerie radiographique est depuis longtemps acceptée comme outil diagnostic médical. On utilise couramment des systèmes d'imagerie radiographique pour capturer des images, qui peuvent être par exemple thoraciques, cervicales spinales, crâniennes et abdominales, incluant souvent les informations que recherche un médecin pour établir un diagnostic précis. Quand on prend son image thoracique aux rayons par exemple, un patient se tient debout en appuyant sa poitrine contre un détecteur sensible aux rayons X pendant qu'un technicien en radiologie place le détecteur sensible aux rayons X et une source de rayons X à la bonne hauteur. Le détecteur sensible aux rayons X mesure ensuite l'énergie des rayons X générés par source et attenués à différents niveaux par différentes parties du corps. Un système de commande associé analyse l'énergie mesurée des rayons X et prépare une image diagnostique correspondante sur un afficheur. En option, le détecteur sensible rayons X peut être un capteur d'image numérique à solide. Si le détecteur sensible aux rayons X est une configuration écran/film classique, l'écran convertit les rayons X en lumière à laquelle film est exposé.
Dans des systèmes conventionnels d'imagerie radiographique, l'opérateur choisit souvent la technique radiographique. Un opérateur ou un exposeur automatique choisit détermine une exposition désirée pour la configuration écran/film choisie de façon à obtenir une densité optique désirée du film exposé. La densité optique représente la teinte "la luminosité" ou "l'opacité" du film obtenu après exposition aux rayons X. On peut modifier la luminosité ou l'opacité du film en agissant sur les caractéristiques (par exemple la durée, l'orientation, etc.) d'exposition aux rayons X du détecteur ou du film avec écran. II est préférable que la densité optique reste uniforme d'un cliché au suivant pour faciliter l'examen et l'établissement d'un diagnostic par des médecins analysant des images radiographiques. Un système à combinaison écran/film n'a pas une réponse linéaire à l'exposition aux rayons mais est au contraire non linéaire et défini par une courbe de sensitométrie aux rayons X de la combinaison écran/film particulière. La courbe de sensitométrie exprime la densité optique en fonction de l'exposition. La réponse non linéaire de la combinaison écran/film offre un bon contraste d'image à des niveaux d'exposition tombant au milieu de la gamme d'exposition. La réponse non linéaire comprime le contraste d'image hors de la plage centrale. La gamme dynamique d'un système à combinaison écran/film est "fixe". L'opérateur (ou un exposeur automatique) tente d'ajuster l'exposition des régions diagnostiques aux rayons X transmis pour 'elle tombe dans la gamme dynamique centrale limitée de la combinaison écran/film. On obtient des expositions différentes d'un patient à un autre, d'un type de film à un autre, d'un système d'imagerie médicale à un autre, d'une orientation à une autre, etc.
A titre d'exemples non limitatifs de monomères copolymérisables avec les esters vinyliques et/ou les esters acryliques et/ou les monomères vinylaromatiques, on peut citer l'éthylène et les oléfines comme l'isobutène ; les esters vinyliques d'acides monocarboxyliques saturés, ramifiés ou non, ayant de 1 à 12 atomes de carbone, comme le propionate, le "Versatate" (marque déposée pour les esters d'acides ramifiés en C9-C11), le pivalate, le laurate de vinyle ; les esters d'acides insaturés mono- ou dicarboxyliques possédant 3 à 6 atomes de carbone avec les alcanols possédant 1 à 10 atomes de carbone, comme les maléates, fumarates de méthyle, d'éthyle, de butyle, d'éthylhexyle ; les monomères vinylaromatiques tels que les méthylstyrènes, les vinyltoluènes ; les halogénures de vinyle tels que le chlorure de vinyle, le chlorure de vinylidène, les diolefines particulièrement le butadiène.
L'invention présente l'avantage de permettre la redispersion des compositions pour lesquelles la taille des particules élémentaires de polymère est comprise entre 20 et 400 nm, et plus particulièrement de taille d'au plus 150 nm.
Généralement, la polymérisation des monomères est mise en oeuvre en émulsion en présence d'un émulsifiant et d'un initiateur de polymérisation.
L'initiateur de polymérisation en émulsion est représenté plus particulièrement par les hydroperoxydes tels que l'eau oxygénée, l'hydroperoxyde de cumène, l'hydroperoxyde de diisopropylbenzène, l'hydropéroxyde de paramenthane, l'hydroperoxyde de tert-butyl, et par les persulfates tels que le persulfate de sodium, le persulfate de potassium, le persulfate d'ammonium. Il est employé en quantité comprise entre 0,05 et 2 % en poids par rapport au total des monomères. Ces initiateurs sont éventuellement associés à un réducteur, tel que le bisulfite ou le formaldéhydesulfoxylate de sodium, les polyéthylèneamines, les sucres (dextrose, saccharose), les sels métalliques. La quantité de réducteur utilisé varie de 0 à 3 % en poids par rapport au poids total des monomères.
On peut utiliser un agent de transfert dans des proportions allant de 0 à 3 % en poids par rapport au (x) généralement choisi parmi les mercaptans tels que le N-dodécylmercaptan ou le tertiododécylmercaptan, le cyclohexène, les hydrocarbures halogénés tels que le chloroforme, le bromoforme, le tétrachlorure de
carbone. Il permet de régler la longueur des chaînes moléculaires. Il est ajouté au milieu réactionnel soit avant la polymérisation, soit en cours de polymérisation.
Les compositions pulvérulentes selon l'invention comprennent en outre au moins un tensio-actif polyoxyalkyléné (b).
A sa partie supérieure sur sa surface de dessus et sur le côté qui correspond à la zone de transition la partie concave de la tuile double canal qui doit venir s'emboîter dessus et sa partie convexe (qui joue le rôle de tuile de couvert), la tuile 10 comporte un bossage 5 à deux faces 5a et 5b. Quand la tuile 10 est en place, la face 5a est sensiblement verticale et la face 5b sensiblement horizontale.
Comme on le voit sur la figure 11, la paroi de dessous de la partie concave de la tuile double canal vient se caler latéralement contre la face 5a du bossage 5. Cela assure une parfaite mise en place de ladite tuile double canal 30 sur la tuile 10. La tuile 10 comporte également sur un côté, et de préférence dans le méplat 5c, un trou 9 qui permet le passage d'un clou, ou d'une vis permettant sa fixation sur le liteau 1. Le trou 9 peut avoir la forme d'un pré-trou c'est-à-dire un trou borgne dont le fond est brisé par la vis lors de sa mise en place. Ce trou 9 est placé dans une zone recouverte par la tuile de couvert.
A côté du bossage 5 sont disposées deux nervures 6 et 7, la nervure 7 étant coupée en son milieu pour laisser s'écouler l'eau qui aurait pu s'infiltrer. Ces nervures ont à la fois un rôle d'emboîtement et d'étanchéité.
La paroi de dessous, ou paroi externe de la tuile 10 peut également comporter deux butées latérales 8, qui ont pour but de favoriser leur empilement lors de la fabrication, en combinaison avec les tenons 3.
La tuile de couvert 20 est représentée en relation avec les figures 6 à 9.
Sa conformation générale est semblable à celle d'une tuile canal ancienne, en ce sens que c'est une portion de tronc de cône. Cette tuile 20 comporte à son extrémité supérieure, deux nervures 21 et 22, qui servent à la fois pour l'emboîtement de la tuile double canal qui vient s'emboîter dessus, ainsi que de barrières assurant l'étanchéité de l'assemblage.
Au voisinage de la deuxième nervure 22 et dans le plan médian de la tuile, est disposé un trou 23, analogue au trou 9 de la tuile 1, destiné à permettre la fixation de la tuile 20 sur le liteau 1.
La figure 11 illustre : la façon dont la tuile 20 vient reposer sur la face 5b du bossage 5 de la tuile 1 ; dont la partie concave de la tuile double canal 30 vient se caler contre la face 5a du même bossage ; et dont la partie latérale munie des moyens d'emboîtement de ladite tuile double canal vient en appui sur le méplat 6c.
La figure 10 illustre la pose des tuiles 10, 20 et leur assemblage avec des tuiles double canal 30.
On pose la première tuile 10a, de préférence on la fixe sur le liteau 1 au moyen d'une vis (ou clou) à travers le trou 6.
On pose ensuite la première tuile 20a. On pose ensuite la première tuile double canal 30a dont la partie concave vient se caler latéralement contre la face 5a du bossage 5 de la tuile 10 et dont la partie à emboîtement vient en appui sur le méplat 5c de la tuile 10a.
Puis, on pose une deuxième tuile de courant 10b (fixée de préférence sur le liteau 1 par une vis traversant le trou 6).
On pose alors la deuxième tuile 20b qui, comme une tuile canal ancienne, chevauche les deux tuiles 10a et 10b. Cette tuile 20b vient reposer par son rebord latéral (gauche dans l'exemple représenté) sur la face 5b du bossage 5, ce qui assure son calage latéral parce qu'elle vient se caler sur la face 5b, et contre la paroi interne de la tuile 10. Ce calage permet de poser sans difficulté la deuxième tuile double canal 30b dont la paroi interne de la partie convexe vient prendre appui sur les nervures 21 et 23 assurant ainsi l'étanchéité du toit.
On continue ainsi en plaçant simultanément les tuiles 10, les tuiles 20, et la première rangée 30, de tuile double canal.
Pompe à pistons, procédé et installation de filtration d'eau La présente invention a pour objet un procédé et une installation de filtration d'un liquide utilisant un dispositif de filtration à membrane.
Le secteur technique de l'invention est le domaine de la fabrication de dispositifs de filtration, en particulier de dispositifs à membrane semi-perméable.
La figure 4 montre qu'un palier d'arrêt à vitesse nulle de 0,1 seconde de durée est effectué à chaque point mort (extrémité de course) ; les graphes des vitesses des deux pompes 3, 4 sont déphasés de 1,2 secondes, c'est-à-dire de 54 degrés compte tenu de la valeur (8 secondes) de la période.
Un échangeur de chaleur (non représenté) est de préférence raccordé au conduit 35 d'évacuation d'eau sursalée basse pression ainsi qu'à un des conduits 14, 15 de transport d'huile pour refroidir l'huile.
Un organe 36 sensible à la proximité du piston 24 (tel qu'un capteur électromagnétique) est disposé à l'extrémité longitudinale de chaque chambre 18a, 20b et est raccordé à une unité de contrôle (non représenté) pour la commande des vannes et distributeurs.
Durant le palier d'arrêt après remplissage par de l'eau à filtrer des chambres 18a, 20b, un organe de pressurisation est momentanément mis en communication avec la chambre pour faire passer la pression de 4 à 70 bars ; ceci peut être réalisé, comme illustré figure 6, en utilisant un vase d'expansion 43 (à membrane 44) connecté à la chambre ainsi qu'à une réserve 40 d'huile sous pression par des conduits munis d'un organe 41, 42 commandé (électrovanne) d'isolement.
DISPOSITIF ACTIF D'AMORTISSEMENT La présente invention concerne de façon générale un dispositif actif d'amortis sement des vibrations, interposé entre deux interposé entre deux éléments d'un système vibrant, pour relier ces deux éléments ou monter l'un de ces éléments sur l'autre élément, d'une manière produisant un amortissement des vibrations, pour amortir activement ou réduire les vibrations transmises d'un des deux éléments vers l'autre. Plus particulièrement, la présente invention concerne un dispositif actif d'amortissement des vibrations à actionnement pneumatique qui comprend une chambre pneumatique formée entre les deux éléments, afin d'appliquer une force oscillante entre les deux éléments, en se basant sur une variation périodique de la pression d'air dans la chambre pneumatique.