REVENDICATIONS I/ - Installation de traitement d'un substrat (14) comprenant des moyens (1) pour générer et orienter vers une surface (23) du substrat (14) au moins un faisceau d'ions (42), caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens, dits moyens (44) de neutralisation du faisceau, adaptés pour former et interposer, sur la trajectoire du faisceau d'ions (42), un nuage (54) de particules neutralisantes de charge électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions (42), ce nuage (54) de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface (23) du substrat (14), ce nuage (54) de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traversé par le faisceau d'ions (42) qui est, à la sortie du nuage (54) de particules neutralisantes, transformé en un faisceau (43) au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 2/ - Installation selon la revendication 1, comprenant des moyens (31) disposés au voisinage de la surface (23) du substrat (14), de détection des particules secondaires de même nature que les particules neutralisantes - notamment à des fins d'imagerie -, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau sont disposés à l'amont desdits moyens (31) de détection, de sorte que le nuage (54) de particules neutralisantes n'interfère ni avec lesdits moyens (3 1) de détection, ni avec les particules secondaires. Y - Installation selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau comportent une source (46) de particules neutralisantes et une électrode (5 1) d'attraction des particules neutralisantes, cette source (46) et cette électrode (51) étant disposées latéralement de part et d'autre de la trajectoire du faisceau d'ions (42), à l'amont et à distance de la surface (23) du substrat (14). 4/ - Installation selon les revendications 2 et 3, caractérisée en ce qu'elle comporte un cache (55) adapté pour protéger lesdits moyens (3 1) de détection, des photons qui peuvent être émis par la source (46) de particules neutralisantes. 5/ - Installation selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisée en ce que la source (46) de particules neutralisantes est incorporée dans une chambre (48) noire de façon à minimiser l'émission de photons. 6/ - Installation selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisée en que la source (46) de particules neutralisantes et l'électrode (51) sont associées diamétralement à l'opposé l'une de l'autre, à un cylindre (45) creux en matériau conducteur formant une cage de Faraday, ce cylindre (45) étant disposé par rapport à la trajectoire du faisceau (42) de façon que le faisceau (42) le traverse axialement. V - Installation selon l'une des revendications 3 à 6, caractérisée en ce qu'elle comprend une source de tension (53) apte à appliquer sur l'électrode (5 1) un potentiel le plus faible possible pour extraire les particules neutralisantes de la source (46) de particules neutralisantes et les confiner dans le cylindre (45). 8/ - Installation selon la revendication 7, caractérisée en ce que la source de tension (53) est adaptée pour appliquer sur l'électrode (5 1) un potentiel dont la valeur absolue est comprise entre 0, 1 V et 10 V. 9/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 8 comportant une colonne (1) apte à former un faisceau d'ions (42), qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau sont disposés dans la colonne (1). 10/ - Installation selon la revendication 9, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau (42) sont disposés immédiatement à l'amont de la sortie (9) de la colonne (1). 1 l/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 8 comportant une colonne (1) apte à former un faisceau d'ions (42), qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau (42) sont disposés dans la chambre de traitement (12). 12/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que les ions du faisceau d'ions (42) sont des ions positifs et en ce que les particules neutralisantes sont des électrons adaptés pour interagir avec les ions du faisceau (42) avant qu'ils n'atteignent la surface (23) du substrat (14) pour former des particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 13/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisée en ce que les ions du faisceau (42) sont des ions monoatomiques. 14/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens (8) pour focaliser le faisceau d'ions (42), et donc le faisceau (43) de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14), en une zone submicrométrique de la surface (23) du substrat (14). 151 - Installation selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisée en ce qu'elle est adaptée pour réaliser un traitement de micro-usinage en présence d'au moins un gaz de micro-usinage, et comprend des moyens (38) d'injection d'au moins un gaz de micro-usinage et des moyens (6, 7) pour donner au faisceau (43) de particules électriquement neutres une énergie incidente supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -. 16/ - Procédé de traitement d'un substrat (14) dans lequel on génère et on oriente vers une surface (23) d'un substrat (14), au moins un faisceau d'ions (42), caractérisé en ce qu'on forme et on interpose sur la trajectoire du faisceau d'ions (42) un nuage (54) de particules neutralisantes de charge électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions (42), ce nuage (54) de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface (23) du substrat (14), ce nuage (54) de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traversé par le faisceau d'ions (42) qui est, à la sortie du nuage (54) de particules neutralisantes, transformé en un faisceau (43) au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 17/ - Procédé selon la revendication 16, dans lequel on détecte des particules secondaires de même nature que les particules neutralisantes - notamment à des fins d'imagerie - à l'aide de moyens (3 1) de détection de particules secondaires disposés au voisinage de la surface (23) du substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme -le nuage (54) de particules neutralisantes à l'amont desdits moyens (3 1) de détection, de sorte que ce nuage (54) n'interfère ni avec lesdits moyens (3 1) de détection, ni avec les particules secondaires. 18/ - Procédé selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que l'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes entre une source (46) de particules neutralisantes et une électrode (5 1) d'attraction des particules neutralisantes que l'on dispose latéralement de part et d'autre de la trajectoire du faisceau d'ions (42), à l'amont et à distance de la surface (23) du substrat (14). 19/ - Procédé selon les revendications 17 et 18, caractérisé en ce qu'on utilise un cache (55) adapté pour protéger lesdits moyens (3 1) de détection, des photons qui peuvent être émis par la source (46) de particules neutralisantes. 20/ - Procédé selon l'une des revendications 18 ou 19, caractérisé en ce qu'on utilise une source (46) de particules neutralisantes incorporée dans une chambre (48) noire de façon à minimiser l'émission de photons. 21/- Procédé selon l'une des revendications 18 à 20, caractérisé en ce qu'on associe la source (46) de particules neutralisantes et l'électrode (5 1) diamétralement à l'opposé l'une de l'autre, à un cylindre (45) creux en matériau conducteur formant une cage de Faraday, que l'on dispose par rapport à la trajectoire du faisceau (42) de façon que le faisceau (42) traverse axialement le cylindre (45) creux. 22/ - Procédé selon la revendication 2 1, caractérisé en ce qu'on applique sur l'électrode (5 1) un potentiel électrique le plus faible possible pour extraire les particules neutralisantes de la source (46) de particules neutralisantes et les confiner dans le cylindre (45). 23/ - Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'on applique sur l'électrode (21) un potentiel dont la valeur absolue est comprise entre 0, 1 V et 10 V. 24/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 23 dans lequel on forme un faisceau d'ions (42) dans une colonne (1) qui comprend une sortie (9) débouchant dans -une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particule neutralisantes dans la colonne (1). 25/ - Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes immédiatement à l'amont de la sortie (9) de la colonne (1). 26/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 23 dans lequel on forme un faisceau d'ions (42) dans une colonne (1) qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes dans la chambre de traitement (12). 27/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 26, caractérisé en ce que les ions du faisceau d'ions (42) sont des ions positifs et en ce que les particules neutralisantes sont des électrons adaptés pour interagir avec les ions du faisceau (42) avant qu'ils n'atteignent la surface (23) du substrat (14) pour former des particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat ( 1 4). 28/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 27# caractérisé en ce que les ions du faisceau (42) sont des ions monoatomiques. 29/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 28> caractérisé en ce qu'on focalise le faisceau (42) d'ions, et donc le faisceau (43) de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14), en une zone submicrométrique de la surface (23) du substrat (14). 30/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 29, caractérisé en ce que le substrat (14) étant un circuit intégré (14), on focalise un faisceau (43) de particules électriquement neutres sur au moins une portion de surface non conductrice du circuit intégré (14). 31/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 30> caractérisé en ce que le traitement est un micro-unisage en présence d'au moins un gaz de micro-usinage, le faisceau (43) de particules électriquement neutres présentant une énergie incidente supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -.