INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La société DATACHANNEL a proposé également un système Web Broker qui permet de distribuer des objets informatiques sur un réseau de communication.
Ce système Web Broker permet de définir le concept des interfaces sur le réseau.
Cependant, il n'est pas possible dans ce système d'obtenir un code source pour une fonction répertoriée dans une interface. Aussi, il n'est pas possible de réimplémenter cette fonction sur un ordinateur local et de l'invoquer localement sur une copie d'un objet distant.
De même, il n'est pas possible de mettre en #uvre une fonction sur un objet informatique stocké sur un ordinateur distant.
Or, dans un réseau de communication informatique, la contrainte principale réside dans le débit et la bande passante disponible sur ce réseau.
La présente invention a pour but de permettre l'exécution à distance, sur un réseau de communication informatique, d'une fonction sur un objet informatique.
A cet effet, la présente invention vise un procédé d'exécution à distance, sur un réseau de communication informatique, d'une fonction sur un objet informatique.
Conformément à l'invention, ce procédé d'exécution comporte une étape de transfert selon un protocole de communication du réseau de communication, de la fonction associée à un code d'exécution de cette fonction.
Toutefois, le dispositif précité ne satisfait pas au critère d'augmentation faible de la surface de silicium utilisée par comparaison avec un point mémoire non durci, comportant deux branches à deux transistors MOS chacune, le nombre de transistors, du fait de la redondance série introduite, étant doublé. La surface de silicium consommée est en conséquence, au minimum, doublée.
La présente invention a pour objet de remédier à l'inconvénient précité, afin de respecter les critères précités.
Dans ce but, la présente invention propose un point mémoire insensible aux perturbations engendrées par l'impact des particules ionisées ayant deux entrées indé pendantes recevant des signaux logiques d'entrée synchro nes et une sortie délivrant un signal de sortie. Ce point mémoire est remarquable en ce qu'il comprend, alimentées entre une tension d'alimentation et une tension de réfé rence, une première branche inverseuse formée par un pre mier et un deuxième transistor MOS, de type de conduction opposé, connectés en série drain/drain, l'électrode de grille de l'un de ces transistors MOS étant connectée à l'une des entrées indépendantes. I1 comporte en outre une deuxième branche inverseuse formée par un premier et un deuxième transistor MOS, de type conduction opposé, con nectés en série drain/drain, l'électrode de grille de l'un de ces transistors MOS, de type de conduction opposé à ce lui de la première branche dont l'électrode de grille est connectée à l'une des entrées indépendantes, étant connec tée à l'autre entrée indépendante. Le point de jonction drain/drain des transistors MOS de la première branche in- verseuse est connecté à l'électrode de grille de l'autre transistor MOS de la deuxième branche inverseuse et le point de jonction drain/drain des transistors MOS de la deuxième branche inverseuse, délivrant le signal de sor tie, est connecté en contre-réaction à l'électrode de grille de l'autre transistor MOS de la première branche inverseuse. L'ensemble de cet agencement permet de suppri mer la propagation de toute perturbation engendrée par l'impact d'un ion lourd au voisinage de l'un des transis tors MOS de ce point mémoire.
L'invention trouve application à la fabrication, sous forme de circuits intégrés, de mémoires statiques RAM, de bascules logiques "latch" ou "flip-flop", en logi que de type réseau prédiffusé, "standard ce11s" ou cir cuits à la demande. Elle sera mieux comprise à la lecture de la des cription et à l'observation des dessins ci-après dans les quels .
- la figure la représente un point mémoire insen sible aux perturbations engendrées par l'impact de certai nes particules, conforme à l'objet de la présente invention ; - la figure 1b représente une variante de réalisa tion non limitative du point mémoire objet de la présente invention tel que représenté en figure la ; - la figure 1c représente un mode de réalisation particulier non limitatif d'un point mémoire conforme à l'objet de la présente invention, tel que représenté en figure la, dans lequel un certain degré de redondance sé rie a en outre été introduit ; - la figure 1d représente un chronogramme des si gnaux obtenus lors de l'apparition d'une perturbation sur l'électrode de grille du transistor MOS reliée en contre- réaction à la sortie du point mémoire représenté en figure la, lorsque l'état logique initial correspond à l'état lo gique zéro ; - la figure le représente un chronogramme des si gnaux obtenus lors de l'apparition d'une perturbation sur l'électrode de grille du transistor MOS reliée en contre- réaction à la sortie du point mémoire représenté en figure la, lorsque l'état logique initial correspond à l'état lo gique 1 ; - la figure 2a représente une cellule mémoire con forme à l'objet de la présente invention incorporant deux points mémoire tels que représentés en figure la ou 1c ; - la figure 2b représente une cellule mémoire con forme à l'objet de la présente invention incorporant deux points mémoire tels que représentés en figure lb ou 1c ; - la figure 3a représente une cellule mémoire telle que représentée en figure 2a, munie de son circuit d'écriture/réécriture ; - la figure 3b représente une variante d'exécution de la cellule mémoire représentée en figure 3a, dans laquelle différents transistors ont été ajoutés afin de supprimer tout risque d'interaction du circuit d'écriture.
Une description plus détaillée d'un point mémoire insensible aux perturbations engendrées par l'impact de particules ionisantes, conforme à l'objet de la présente invention, et d'une cellule mémoire incorporant de tels points mémoire sera maintenant donnée en liaison avec les figures la à le et les figures suivantes.
Sur la figure la, on a représenté un point mémoire conforme à l'objet de la présente invention comportant deux entrées indépendantes, notées chacune IN, ET IN2 res pectivement. D'une manière générale, on indique que le ca ractère indépendant des entrées fait référence à l'absence de corrélation entre les signaux présents à un instant donné sur ces entrées. L'absence de corrélation s'entend, lors de l'apparition d'une perturbation engendrée par une particule ionisante par exemple, de l'absence totale de cette même perturbation ou d'une partie de celle-ci sur l'autre entrée correspondante.
D'une manière générale, on indique que les deux entrées IN, et IN2 reçoivent des signaux logiques d'entrée synchrones et qu'elles peuvent correspondre à des signaux synchrones mais déphasés de n, tels que les signaux d'état délivrés par un circuit à deux états complémentés par exemple. Ainsi, sur la figure la et sur l'ensemble des fi gures lb à 1c, l'entrée IN, est réputée recevoir un signal d'entrée, noté D, et l'entrée INZ est réputée recevoir un signal d'entrée complémenté, noté D.
Ainsi qu'on l'observera sur la figure la et les figures suivantes, le point mémoire, objet de la présente invention, comprend, alimentée entre une tension d'alimen tation, notée Vcc, et une tension de référence, notée VRef, une première branche inverseuse, notée IB1, formée par un premier et un deuxième transistor de type MOS, ce transistor étant de type de conduction opposé. A titre d'exemple non imitatif sur la figure la, on indique que la notion de premier et deuxième transistor MOS, par commodi té, correspond au sens de circulation du courant dans cha que branche inverseuse de la tension d'alimentation Vcc à la tension de référence VRef correspondant à la tension de masse du circuit par exemple. Des premier et deuxième transistors MOS sont connectés en série drain/drain, l'électrode de grille de l'un des transistors MOS étant connectée à l'une des entrées indépendantes.
Sur la figure la, à titre d'exemple non limitatif, on indique que le premier transistor de la première bran che inverseuse IB1 est constitué par un transistor de type PMOS, désigné par TP1, et que le deuxième transistor MOS est constitué par un transistor NMOS, désigné par TN1. Pour les transistors précités et dans l'ensemble des figu res la à 1c, s désigne l'électrode de source des transis tors MOS et d l'électrode de drain de ces derniers. L'électrode de grille du deuxième transistor MOS TN, est connectée à l'entrée indépendante IN, et reçoit le signal logique D.
Ainsi que représenté en outre en figure la, le point mémoire, objet de la présente invention, comprend une deuxième branche inverseuse, notée IB2, formée par un premier et un deuxième transistor MOS, cette désignation correspondant à la convention précédemment mentionnée re lativement à la première branche IB1. Ces transistors MOS sont de type de conduction opposé et connectés en série drain/drain entre la tension d'alimentation Vcc et la ten sion de référence précédemment mentionnée.
Ainsi qu'on l'observera en outre sur la figure la, l'électrode de grille de l'un des transistors MOS de la deuxième branche IB2 de type de conduction opposé à celui de la première branche IB1 dont l'électrode de grille est connectée à l'une des entrées indépendantes, le transistor TN, dont l'électrode de grille est connectée à la première entrée indépendante IN,, est elle-même connectée à l'autre entrée indépendante IN2. Ainsi, l'électrode de grille du premier transistor MOS, désigné par TP2 sur la figure la, est connectée à la deuxième entrée indépendante IN2.
En outre, le point de jonction drain/drain des transistors MOS de la première branche inverseuse IB1 est connecté à l'électrode de grille de l'autre transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, cet autre transis tor MOS étant constitué par le deuxième transistor MOS de la deuxième branche IB2 portant la référence TN2. A titre d'exemple non limitatif, le premier transistor MOS et le deuxième transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2 sont constitués par un transistor PMOS, le transistor TP2, respectivement un transistor NMOS TN2. Enfin, le point de jonction drain/drain des tran sistors MOS de la deuxième branche inverseuse IB2 délivre le signal de sortie à une sortie notée OUT, ce point de sortie étant en outre connecté en contre-réaction à la grille de l'autre transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, soit à l'électrode de grille du transistor MOS TP1.
Le point mémoire ainsi constitué, tel que repré senté en figure la par exemple, permet de supprimer la propagation de toute perturbation engendrée par l'impact d'un ion lourd au voisinage d'un des transistors MOS des branches inverseuses IB1 et IB2 constitutives du point mé moire considéré.
Ainsi que représenté sur la figure la, le deuxième transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, le transistor TN, dont l'électrode de grille est reliée à l'une des entrées indépendantes, l'entrée IN,, reçoit le signal logique D et est constitué par un transistor NMOS, alors que le premier transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2 dont l'électrode de grille est reliée à l'autre entrée indépendante IN2, le transistor TP2, est un transistor PMOS. De même, le premier transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, le transistor TP1, et le deuxième transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, le transistor TN2, sont respectivement formés par un transistor PMOS et un transistor NMOS.
La figure lb représente un mode de réalisation dans une variante d'exécution du point mémoire de la fi gure la.
Des valeurs typiques de L comprennent le bore, l'aluminium, le silicium, le scandium, le titane, le gallium, l'indium, l'yttrium, le zirconium, l'argent, l'étain, l'antimoine, le lanthane et les lanthanides, le mercure, le thallium, le manganèse, le fer, le cobalt, le nickel, le cuivre, le zinc, le calcium et le magnésium, ou un autre métal de transition.
Des valeurs préférées de L comprennent le bore, le silicium, l'aluminium, le scandium, les lanthanides, le titane, le gallium, l'argent, l'étain, le fer, le zinc et le magnésium.
Des valeurs typiques de X et Y sont choisies parmi les halogénures, l'oxygène, des ligands oxygénés, des radicaux organiques et des anions organiques.
Les ligands oxygénés comprennent, par exemple, l'oxygène, les radicaux alcoxy, phénoxy, carboxylates, (3-céto-carboxylates, sulfates, sulfonates, phosphates, phosphonates, et équivalents.
Les radicaux organiques comprennent par exemple les radicaux alkyles, alkyles
substitués, cycloalkyles, cycloalkyles substitués, phényles, phényles substitués, phénylalkyles, et (phényl substitué)-alkyles.
Les anions organiques comprennent les anions cyclopentadiényle et cyclopentadiényles substitués.
De préférence, les acides de Lewis comprennent au moins un ligand oxygéné, par exemple un radical alcoxy ou un radical sulfonate. Les acides de Lewis faibles préférés sont des complexes de bore, d'aluminium, de silicium, de scandium, des lanthanides, de titane, de gallium, d'argent, d'étain, de fer, de zinc ou de magnésium comprenant au moins un ligand oxygéné. Des exemples spécifiques d'acides de Lewis faibles utiles dans la présente invention sont le scandium trifluorométhanesulfonate, l'aluminium trifluorométhanesulfonate, également les trifluorométhanesulfonates d'ytterbium ou d'autre lanthanide, de silicium, de magnésium, d'étain (II), de cuivre (II), de zinc ou d'argent ; le diméthoxy- dicyclopentadiényl-titane (IV), le bis(trifluorométhanesulfonate) dicyclopentadiényl-titane (IV); l'acétylacétonate de fer (III), d'aluminium ou de zinc ; le diacétate de zinc ; le diméthoxy magnésium ; le triisopropoxy aluminium, le tétrabutoxy titane (IV), le tétraisopropoxy titane (IV), le triméthyl bore, le triéthyl aluminium, le diéthyl zinc, le triisobutyl aluminium, le tétrabutyl étain (IV), le triphényl bore, le triphényl antimoine ; les halogénures, notamment les chlorures ou, de préférence, les bromures de zinc, d'étain (II), d'antimoine (III) et (V), de titane (III) et (IV), de scandium, d'indium, de gallium, et de mercure (II).
La réaction de cyclisation est conduite dans un solvant inerte, c'est-à-dire un solvant ou mélange de solvants ne réagissant pas avec les réactifs ou les produits de la réaction, et ne réagissant pas de manière défavorable avec le catalyseur acide de Lewis. Le solvant est aprotique, et de préférence peu polaire. Des solvants représentatifs sont : des hydrocarbures aromatiques comme le benzène, le toluène, le nitrobenzène, ou le chlorobenzène ; des hydrocarbures aliphatiques comme le pentane, l'hexane ou l'heptane ; des dialkyl-éthers comme l'éther éthylique ou isopropylique ; des hydrocarbures chlorés comme le dichlorométhane, le trichlorométhane, le tétrachlorométhane ou le dichloroéthylène ; des 1,1,1-triméthoxy-alcanes comme le triméthyl orthoacétate ; des éthers cycliques comme le tétrahydrofurane, ou le dioxanne ; et leurs mélanges. Il n'est pas nécessaire que les réactifs ou le catalyseur soient complètement solubilisés dans le solvant utilisé.
La quantité d'acide de Lewis utilisée représente en général de 1 à 10% équivalent en mole par rapport au produit de départ (H). Dans cette réaction de cyclisation, la quantité
minimale d'acide de Lewis relativement au produit de formule (II) dépend de l'activité de l'acide de Lewis considéré, de la température de la réaction et de sa durée maximale allouée ; sa détermination se fait par des expérimentations de routine. Avantageusement, en fin de réaction l'acide de Lewis est facilement recyclable.
Le catalyseur acide de Lewis est de préférence soluble dans le solvant utilisé.
Facultativement, un agent déshydratant, comme le sulfate de magnésium anhydre ou un tamis moléculaire, peut être introduit dans le milieu réactionnel de la cyclisation.
La réaction de cyclisation est conduite à une température comprise entre environ 0 C et 40 C, et de préférence entre environ 25 C et 40 C. Il convient de ne pas dépasser 40 C pour ne pas épimériser le centre stéréogénique.
La durée de la réaction est généralement comprise entre 6 et 48 h. Son évolution peut être suivie par CCM ou HPLC analytique ; ainsi la réaction est stoppée après disparition du produit de départ.
Lorsque dans le produit final A est un groupe amine primaire, le procédé comporte une étape additionnelle où un produit (I) dans lequel A est -N02 est réduit en un produit (I) dans lequel A est -NH2 par une réduction chimique ou catalytique qui respecte le carbone asymétrique. Cette étape consiste à réduire de façon spécifique un composé (I) dans lequel A est nitro, ce que l'on réalise par des systèmes réducteurs appropriés : ce sont, entre autres, le zinc ou le chlorure de titane en milieu acide, ou bien le chlorure d'étain en milieu éthanolique ; étape est représentée dans la partie expérimentale ci- après par la synthèse des produits 7, 13, et 18.
dichlorométhane progressivement enrichi en méthanol permet d'obtenir 12,0 g de produit purifié 1.
Rdt = 75 % F = 177-178 C [a]D (c = 0,4, CH2Cl2)= + 66,8 C.
Intermédiaire 2 : acide2-t-butoxycarbonylamino-benzoïque.
[(V) ; Z = CH, Z1 = CH, Z2 = CH, X1 = H, X2 = H] Dans un réacteur protégé de l'humidité on dissout sous agitation 22 g (160 mmol) d'acide anthranilique dans 300 ml de méthanol contenant 10% de triéthylamine. On ajoute 38,68 g de di-t-butyl-dicarbonate et chauffe au reflux pendant 4 h. On évapore, reprend par de l'acétate d'éthyle, lave par une solution normale de KHS04, lave par de l'eau. On évapore, reprend par du dichlorométhane, filtre l'insoluble : 20 g du produit attendu (V). On chromatographie sur silice le résidu dans le dichlorométhane enrichi en acétate d'éthyle. On obtient encore 9 g du produit 2 attendu. Rdt global : 76 % .
Intermédiaire 3: acide [2-((3R) 9-nitro-4-oxo-l-phényl-3,4,6,7-tétrahydro-[l,4] diazépino[6,7,1-hr']indol-3-ylcarbamoyl)-phényl]-carbamique t-butyl ester.
[ (IV) ; A = N02 , Z=CH, Z1= CH, Z2 = CH, X1= H,X2 = H, PG = t-BOC] Dans un réacteur protégé de l'humidité on dissout sous agitation 7 g (32 mmol) de 2 dans 250 ml de dichlorométhane sec. Le mélange est refroidi à 0 C et on ajoute 10 g (32 mmol) de 1 dans 30 ml de dichlorométhane. On ajoute 4,32 g (32 mmol) d'hydroxybenzotriazole (HOBT) et 6,6 g (32 mmol) de dicyclohexylcarbodiimide (DCC). Après 4 h sous agitation à 0 C, l'insoluble est filtré et le filtrat extrait successivement par une solution HKS04 0,1 N, une solution saturée en NaHC03 et enfin par de l'eau. Le solvant est évaporé sous vide à 0 C et le résidu purifié par chromatographie rapide sur colonne de silice en éluant par le solvant dichlorométhane /acétate d'éthyle à 5%. On obtient 10 g d'un solide blanc cristallisé. Rdt = 60 %.
C. C.M. (D/M1) : Rf = 0,43.
H. P.L.C. (colonne Pirkle / D-phényl-glycine, éluant hexane/éthanol 50/50, T=35 C, débit : 1 ml/min, UV : 254 nm) : ee = 93. 2 % R. M.N. 'H 8 (ppm) : 1,5 (s, 9H); 3,2-3,6 (m,2H); 2H); 4,75 (m, 1H); 5,65 (d, 1H); 7,08 (t, 1H); 7,4-7,6 (m, 5H); 7,80 (d, 1H); 7,88 (d, 1H); 8,22 (d, 2H); 8,3 (s,lH); 8,40-8,45 (d, 1H); 10,1 (s,IH).
Intermédiaire 4 : 2-amino-A/-((3R) 9-nitro-4-oxo-1-phényl-3,4,6,7-tétrahydro-[1,4] diazépino[6,7,1-hr']indol-3-yl)-benzamide.
[A=N02Z=CHZ1=CHZ2=X1 = H, X2 = H] Dans un réacteur de 50 ml protégé de l'humidité et sous atmosphère d'azote, on introduit 10 g (19 mmol) de 3 dans 500 ml de dichlorométhane, puis à 0 C, 75 g (665 mmol) d'acide trifluoroacétique. On agite 1 h à 0 C et on évapore à 0 C sous vide. On reprend par de l'acétate d'éthyle, on lave par une solution de NaHC03 puis par une solution de NaCl, et évapore à 0 C. Brut : 8,4 g.
Le produit est employé brut dans l'étape suivante.
C. C.M. (D/Ml) : Rf = 0,29. ee : 95,9 %.
R. M.N. 1H # (ppm) : 3,25 (s, 2H, échangeables); 3,1-3,5 (m, 2H); 3,9-4,12 (m,lH); 4,4-4,6 (m,lH); 5,12 (d,lH); 6,35 (s,lH,échangeable); 6,45-6,6 (t, lH); 6,65 (d,lH); 7,12 (t,IH); 7,35-7,6 (m, 4H); 7,6-7,9 (m,lH); 7,9-8,1 (m,lH); 8,38(s,lH); 9,25(m,IH).
Intermédiaire 5 : acide N-[2-((3R) 9-nitro-4-oxo-l-phényl-3,4,6,7-tétrahydro-[l,4] diazépino[6,7,1-hi]indol-3-ylcarbamoyl)-phényl]-acétimidique méthyl ester.
[ (11); A = N02 , Z=CH, ZI = CH, Z2 = CH, B = CH3, XI = H, X2 = H, R = CH3] Dans un réacteur protégé de l'humidité et sous atmosphère d'azote on introduit 500 ml de triméthyl orthoacétate et 8,4 g de 4. On place le réacteur agité sous un vide de 0,1 kPa et on chauffe à 40 C pendant 6 h. On évapore sous vide, la RMN confirme l'existence du nouveau produit 5 : 10 g de brut réactionnel.
HPLC : ee > 95 %.
De tels polymères solubles en milieu alcalin doivent avoir un groupe soluble en milieu alcalin dans leur structure pour conserver une solubilité en milieu alcalin. Les groupes solubles en milieu alcalin qui peuvent être introduits comprennent ceux qui sont introduits communément dans les polymères jouant le role de résines de base dans le domaine des résists à amplification chimique, mais habituellement on préfère les groupes hydroxyle phénoliques, les groupes acide carboxylique, les groupes acide sulfonique, les groupes amido, les groupes imido, groupes anhydride d'acide, les groupes thiol, les groupes ester d'acide lactonique, les groupes azalactone, les groupes hydroxyamide, les groupes oxazone, les groupes pyrrolidone et les groupes hydroxyoxime, et préfère en particulier les groupes hydroxyle phénoliques, les groupes acide carboxylique, les groupes acide sulfonique, les groupes amido, les groupes hydroxyamide et les groupes imido.
La vitesse de dissolution en milieu alcalin (VDA) conférée par le groupe soluble en milieu alcalin dans le polymère n'est pas particulièrement limitée à condition que le polymère lui-même présente une solubilité en milieu alcalin appropriée, mais, quand elle est mesurée avec une solution aqueuse d'hydroxyde tétraméthylammonium à 2,38 %, on considère qu'un domaine de 100 a 10 000x10-" m (Â)/s est utilisable en pratique pour le résist négatif selon l'invention. Par exemple, quand le copolymère contient un acide carboxylique comme groupe soluble en milieu alcalin dans un copolymère de deux plusieurs composants, la proportion d'unité monomère contenant l'acide carboxylique est habituellement dans le domaine de 10 à 90 mol % et de préférence encore dans le domaine de 30 à 70 mol %. Si la teneur de cette unité monomère est inférieure à 10 mol %, la solubilité en milieu alcalin devient insuffisante de sorte qu'il est impossible de réaliser la formation d'un motif satisfaisant. Inversement, si la teneur de l'unité monomère est supérieure à 90 mol %, la solubilité milieu alcalin devient trop élevée ce qui conduit à une vitesse de dissolution excessive dans les solutions aqueuses basiques de sorte qu'il est impossible de réaliser la formation d'un motif qui dépend de changements de polarité.
Quand une unité monomère du polymère soluble en milieu alcalin contient un groupe hydroxyle phénolique comme groupe soluble en milieu alcalin, la teneur de cette unité monomère est de préférence située dans le domaine de 30 à 99 mol % et de 'férence encore dans le domaine de 50 à 95 mol %. Si la teneur de cette unité monomère est inférieure à 30 mol %, la solubilité milieu alcalin devient insuffisante de sorte qu'il est impossible de réaliser de manière satisfaisante la formation d'un motif. De même, il devient impossible de réaliser de manière satisfaisante la formation d'un motif si la teneur de l'unité monomère est supérieure à mol %.