INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par exemple, cette structure peut être formée en déposant tout d'abord une partie du film isolant 8, en formant les électrodes opposées sur la surface du film déposé partiellement 8, en formant la partie restante du film isolant 8 qui recouvre les électrodes opposées 11 et 12 et en réalisant un processus de planarisation.
Une couche ferroélectrique 9 est formée de manière à recouvrir les surfaces des électrodes opposées 11 et 12 et de la couche isolante 8. De la manière mentionnée ci-avant, une mémoire ferroélectrique de la figure 6 comportant des électrodes opposées 11 et 12 enterrées dans le film isolant 8 peut etre formée.
La figure 7 est un schéma de circuit d'un dispositif de mémoire ferroélectrique qui utilise des mémoires ferroélectriques telles que représentées sur la figure 6. Une pluralité de lignes de bit BLml BLm+1.. sont disposées suivant la direction verticale sur la figure 7 et une pluralité de lignes de mot WLn, WLn+i . . sont disposées suivant la direction horizontale. Une pluralité de lignes de source SLn, Su,,1 sont disposées suivant la direction horizontale.
La ligne de bit BL est connectée à un circuit de commande de ligne de bit BLC et à un circuit de détection SC. La ligne de mot WL est connectée à un circuit de commande de ligne de mot WLC. La ligne de source est connectée à un circuit de commande de ligne de source SLC.
Le circuit de commande de ligne de bit BLC, le circuit de commande de ligne de mot WLC et le circuit de commande de ligne de source SLC commandent respectivement les potentiels sur la ligne de bit BL, la ligne de mot WL et la ligne de source SL. Le circuit de détection SC détecte un courant qui circule au travers de la ligne de bit BL.
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2 aagcttgcat gcagaagcat agagctgagc acacaattca taatttgaag gacacatgat 60 ttgctataaa gaactcttta gaagtaccac aactttgact gagtttgata tagctaataa 120 agatggagct cattataatt tgaatggcat aatcaagcta aacgaacaag cttagttaat 180 catgttaaac aacaattctt tgtaataata aattgtcttt caactagtcc aagtttatga 240 gttgattctt cggaataaat tagaaaatat cttagacttt atacttcatt gattatttca 300 tagagcaagt aggagaaata aaaatatact agtattattt actaaaaaaa atctaagcca 360 cgtcggagga taacatccaa cccagccaat cacagcaatg ttcatcagat aacccacttt 420 aagcccacgc actctgtggc acatctacat tatctaaatc acatattctt ccacacatct 480 tagccacaca aaaacccaat ccacatcttt atcatccatt ctataaaaaa tcaccttctg 540 tgtgtctctc tttcgattcc cttcaaacac atacaaattc agtagagaag aaactcatta 600 ctcttgagaa acctagagga tcc 623 3 326 ADN Artificial Sequence promoter (1)..(326) Le promoteur MPr1096 dérive du promoteur petE une délétion en 5' des séquences répétées inversées, des éléments "as-1 like" et " enhancer like" portés par deux fragments Spel 403 pb Promoteur MPrl096 Last, D. I.
3 aagcttgcat gcctgcaggt cgactctaga actagtatta tttactaaaa aaaatctaag 60 ccacgtcgga ggataacatc caacccagcc aatcacagca atgttcatca gataacccac 120 tttaagccca cgcactctgt ggcacatcta cattatctaa atcacatatt cttccacaca 180 tcttagccac acaaaaaccc aatccacatc tttatcatcc attctataaa aaatcacctt 240 ctgtgtgtct ctctttcgat tcccttcaaa cacatacaaa ttcagtagag aagaaactca 300 ttactcttga gaaacctaga ggatcc 326 4 207 ADN Artificial Sequence promoter (1)..(207) Le promoteur MPr1098 de 207 pb ne contient que les boîtes "TATA" et "CAAT" et correspond à une séquence promotrice minimale de référence sur le promoteur petE.
Promoteur Mpr1098 Last, D. I.
Il y a autant d'engagements R que de collections d'aléas {r,, r2, r3, ...}.
# étape 2. défi d destiné au témoin : Le signataire applique une fonction de hachage f ayant comme arguments le message m et chaque engagement R pour obtenir au moins une collection de défis d {dA, dB, ...}tels que 0 < dA < v - 1. Le nombre des collections de défis d est égal au nombre d'engagements R, chaque collection {dA, dB, ...} comprend un nombre de défis égal au nombre de paires de clés.
Le signataire transmet les collections de défis d au témoin.
# étape 3. réponse du témoin au défi d : Le témoin calcule des réponses D à partir desdites collections de défis d {dA, dB, ...}reçues du contrôleur. A cet effet, il effectue des opérations du type : D 1 == r . 1 QA 1 dA . QB 1 dB .... mod P
(de sorte que le nombre d'opérations arithmétiques modulo p1 à effectuer pour calculer chacun des D1 pour chacun des p1 est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n) puis, il applique la méthode des restes chinois.
Le témoin transmet les réponses D au signataire et/ou au contrôleur.
# étape 4. données destinées au contrôleur : Le signataire transmet un message signé au contrôleur comprenant : - le message m, - les collections de défis d ou les engagements R, - chaque réponse D # étape 5. vérification par le contrôleur : Cas où le contrôleur reçoit la collection des défis d, Dans le cas où le contrôleur reçoit la collection des défis d et des réponses D, ledit contrôleur calcule à partir de chaque réponse D un engagement R' en effectuant des opérations du type : R' - GA d" . GB dB .... D" mod n ou du type : R' . GA dA. GB dB. no:::: D' mod n Le contrôleur applique la fonction de hachage f ayant comme arguments le message m et chaque engagement reconstruit R' pour reconstruire chaque défi d'.
Le contrôleur vérifie que chaque défi d' reconstruit est identique au défi d figurant dans le message signé.
Cas où le contrôleur reçoit la collection des engagements R Dans le cas où le contrôleur reçoit la collection des engagements R et des réponses D, ledit contrôleur applique la fonction de hachage f ayant comme arguments le message m et chaque engagement R pour reconstruire chaque
défi d'.
Le contrôleur reconstruit alors la collection des engagements R' en effectuant des opération du type R' - GA d'A GR d'B Dv mod n ou du type : R'. GA d'A GB dB .... --~ D" mod n Le contrôleur vérifie que chaque engagement R' reconstruit est identique à l'engagement R figurant dans le message signé.
Paire de clés selon la présente invention conférant une sécurité équivalente à la connaissance de la clé privée Q La paire de clés GA, QA, ... n'a plus de raison d'être systématiquement déduite de l'identité du témoin, comme dans le cas du procédé GQ.
Selon une variante de réalisation, un grand nombre de témoins utilisent le même ensemble de clés publiques très courtes GA, GB, GC, GD... par exemple, 4,9, 25 et 49.
Dans le cas de la variante de réalisation ci-après exposée les composantes QA,, Qat, ... (QA, , ...), et QB,, QB,, ... (QB, , ...), ... des clés privées QA, QB,... sont des nombres tirés au hasard à raison d'une composante QA, , QB;, ... pour chacun desdits facteurs premiers p1. Lesdites clés privées QA, QB, peuvent être calculées à partir desdites composantes QA,, QA2, ... (QA" ou), et QBI, QB29 ... (QB" ...), ... par la méthode des restes chinois. Les clés publiques GA, GB, ... sont calculées en effectuant des opérations du type : GA.= QAiv mod p, puis en appliquant la méthode des restes chinois pour établir GA tel que GA =- QAv mod n ou bien tel que GA.QA" mod n = 1 Ainsi, le nombre d'opérations arithmétiques modulo p, à effectuer pour
calculer chacun des GA, pour chacun des p, est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n.
La composition pharmaceutique peut être sous forme d'un solide, par exemple, des poudres, des granules, des comprimés, des gélules ou des suppositoires. Les supports solides appropriés peuvent être, par exemple, le phosphate de calcium, le stéarate de magnésium, le talc, les sucres, le lactose, la dextrine, l'amidon, la gélatine, la cellulose, la cellulose de méthyle, la cellulose carboxyméthyle de sodium, la polyvinylpyrrolidine et la cire.
Les compositions pharmaceutiques contenant un composé de l'invention peuvent aussi se présenter sous forme liquide, par exemple, des solutions, des émulsions, des suspensions ou des sirops. Les supports liquides appropriés peuvent être, par exemple, l'eau, les solvants organiques tels que le glycérol ou les glycols, de même que leurs mélanges, dans des proportions variées, dans l'eau, additionnés à des huiles ou des graisses pharmaceutiquement acceptables. Les compositions liquides stériles peuvent être utilisées pour les injections
intramusculaires, intrapéritonéales ou sous-cutanées et les compositions stériles peuvent également être administrée par intraveineuse.
Tous les termes techniques et scientifiques utilisés dans le présent texte ont la signification connue de l'homme de l'art. Par ailleurs, tous les brevets (ou demandes de brevet) ainsi que les autres références bibliographiques sont incorporés par référence.
PARTIE EXPÉRIMENTALE : Exemple 1 5-(2-chlorophényl)-1,3,6,7,8,9-hexahydro-1-(2-phényléthyl)-2H-pyrido [4',3':4,5]thiéno [2,3-e]-1,4-diazépine-2-one lère étape 5-(2-chlorophényl)-1,2,3,6,7,9-hexahydro-2-oxo-1-(2-phényléthyl)-8H- pyrido[4',3':4,5]thiéno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate d'éthyle Sous argon, on solubilise 18 g de 5-(2-chlorophényl)-1,2,3,6,7,9-hexahydro-2-oxo-8H-pyrido [4',3':4,5]thiéno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate d'éthyle (4,46 mmol) dans 180 ml de diméthylformamide anhydre. On ajoute de l'hydrure de sodium à 60% (1,784 g, 4,46 mmol) puis on chauffe environ 30 minutes à 50 C jusqu'à ce qu'il n'y ait plus de dégagement. On refroidit à une température voisine de 20 C puis on ajoute à la seringue le 2-bromoéthylbenzène (6,2 ml, 4,46 mmol). On agite 16 heures à 23 C puis on verse le milieu réactionnel dans une solution saturée en chlorure d'ammonium (400 ml). On extrait avec de l'acétate d'éthyle (2 x 500 ml). La phase organique est séchée sur sulfate de magnésium puis le solvant est évaporé au rotavapor. Après purification par chromatographie sur colonne de silice (éluant : acétate d'éthyle-heptane : à 20-80), on évapore des fractions contenant seulement le produit et on obtient le produit souhaité sous forme d'une poudre amorphe blanche (20,3 g, 89 %).
Point de fusion : 70-78 C RMN'H (400 MHz, CDC13, #) : 1,07 (m, 3H) ; 1,46 (m, 1H) ; 1,93-1,97 (m, 1H) ; 2,85 (m, 2H) ; 3,08 (m, 1H) ; 3,69 (m, 2H) ; (m, 1H) ; 4,02 (m, 2H) ; (m, 2H) ; 4,73 (m, 2H) ; 7,20-7,49 (m, 9H).
IR (cm-1) : 3427 ; 2978 ; 2927 ; 1686 (V C=O carbamate) ; 1678 (V lactame) ; 1231 ; 1115 ; 761
2ème étape 5-(2-chlorophényl)- 1,3,6,7,8,9-hexahydro- 1 -(2-phényléthyl)-2H- pyrido [4',3':4,5]thiéno[2,3-e] -1,4-diazépine-2-one On agite durant 12 heures à une température voisine de 20 C, un mélange contenant le composé obtenu à l'étape précédente (20,3 g, 0,04 mol) dans une solution d'acide bromhydrique à 33 % dans l'acide acétique (500 ml). On chauffe 3 heures à 40 C puis on évapore les acides au rotavapor. L'huile obtenue est reprise dans 300 ml d'eau puis une solution saturée en bicarbonate de sodium (300 ml) est ajoutée doucement et avec précaution. On extrait avec du dichlorométhane (2x300ml), sèche sur sulfate de magnésium et évapore le solvant pour obtenir le produit souhaité sous forme d'une poudre amorphe violacée (17 g, 97 %).
Point de fusion : 70-78 C IR (cm-1) : 3427 ; 2978 ; 2927 ; 1678 (V lactame) ; 1231 ; 1115 ; 761 HPLC (UV) : 99 % Exemple 2 5-(2-chlorophényl)- 1,2,3,6,7,9-hexahydro-N-(4-méthoxy-2-nitrophényl)-2-oxo- 1-(2-phényl- éthyl)-8H-pyrido[4',3':4,5]thiéno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carbothioamide On agite durant 3 heures à une température voisine de 20 C et sous atmosphère d' argon, un mélange contenant la 5-(2-chlorophényl)-1,3,6,7,8,9-hexahydro-1-(2-phényléthyl)-2H- pyrido[4',3':4,5]thiéno[2,3-e]-l,4-diazépine-2-one (0,2 g, 0,46 mmol) et le 4-méthoxy- 2-nitroisothiocyanate (0,096 g, 0,46 mmol) dans 4 ml de dichlorométhane anhydre. On ajoute dans le milieu réactionnel de l'éther (2 ml) et on laisse l'agitation environ trente minutes jusqu'à précipitation. Le solide est filtré sur fritté et lave à l'éther isopropylique (2 x 5 ml) puis à l'isopentane (5 ml). Après séchage sous vide à une température inférieure à 100 C, on obtient le produit souhaité sous forme d'une poudre jaune (0,195 g, 66 %).
Point de fusion : 145-150 C RMN'H (400 MHz, CDC13, #) : 1,70 (m, 1H) ; 2,12 (m, 1H) ; 2,81-2,88 (m, 2H) ; 3,55 (m, 1H) ; 3,74 (m, 1H) ; 3,84 (s, 3H) ; (m, 1H) ; 4,23 (m, 1H) ; 4,41 (m, 1H) ; 4,73-4,82 (m, 2H) ; (m, 1H) ; 7,20-7,51 (m, 12H) ; (s, 1H).
IR (cm-1) : 3427 ; 2978 ; 2927 ; 1678 (V C=O lactame) ; 1530 ; 1210 ; 1030 HPLC (UV) : 99 %
Exemple 3 5-(2-chlorophényl)-1,3,6,7,8,9-hexahydro-1-(2-phényléthyl)-2H- pyrido [4',3':4,5]thiéno[2,3-e] -l,4-diazépine-2-thione 1ère étape 5-(2-chlorophényl)-l ,2,3,6,7 ,9-hexahydro-l-(2-phényléthy 1)- 2-thioxo-8Hpyrido[4',3':4,5] thiéno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate d'éthyle On chauffe à une température voisine de 85 C et durant 5 heures un mélange contenant le 5-(2-chlorophényl)-1,2,3,6,7,9-hexahydro-2-oxo-1-(2-phényléthyl)-8H-pyrido [4',3':4,5] thieno [2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate d'éthyle (0,97g, 1,91 mmol) et du pentasulfure de phosphore (0,425 g, 1,91 mmol) dans de la pyridine (10 ml). On revient à une température voisine de 20 C et le résidu est filtré sur fritté. La pyridine contenu dans le filtrat est évaporée au rotavapor (en s'aidant avec du toluène). On ajoute ensuite du dichlorométhane (40 ml) puis la phase organique est lavée, séchée sur sulfate de magnésium et le solvant évaporé. On chauffe ensuite la poudre obtenue pendant une heure au reflux de l'acétonitrile (100 ml). Après évaporation du solvant au rotavapor, on purifie par chromatographie sur colonne de silice (éluant : acétate d'éthyle-heptane : à 45-55). On évapore les fractions contenant seulement le produit pour obtenir le produit souhaité sous forme d'une poudre jaune (0,1g).
RMN1H (400 MHz, CDC13, 8) : 0,84 (m, 3H) ; 1,49 (m, 1H) ; 1,95-1,99 (m, 1H) ; 2,8-3,12 (m, 3H) ; (m, 2H) ; 4,03-4,19 (m, 2H) ; (m, 2H) ; 4,80 (m, 1H) ; 4,98-5,05 (m, 1H) ; 5,37 (d, 1H) ; 6,95-7,67 (m, 9H) IR (cm-1) : 3427 ; 2978 ; 2927 ; 1701 (V C=O lactame) ; 1592 ; 1384 ; 1296 ; 1225 ; 761 2ème étape 5-(2-chlorophényl)-1,3,6,7,8,9-hexahydro-1-(2-phényléthyl)-2H-pyrido [4',3':4,5] thiéno [2,3-e]-1,4-diazépine-2-thione On agite pendant trois jours, le composé obtenu lors de l'étape précédente (0,1g, 0,19 mmol) dans de l'acide bromhydrique dilué à 33 % dans l'acide acétique (30 ml). On évapore au rotavapor les acides en s'aidant avec du toluène. On ajoute du dichlorométhane (30 ml) et une solution saturée en bicarbanate de sodium (50 ml). On agite durant quelques heures puis la phase organique est extraite et séchée sur sulfate de magnésium et le solvant est évaporé pour obtenir le produit souhaité.
Exemple 4 5-(2-chlorophényl)- 1,2,3,6,7,9-hexahydro-N-(4-méthoxy-2-nitrophényl)- 1 -(2-phényléthyl)- 2-thioxo-8H-pyrido[4',3':4,5] thiéno[2,3-e]-l,4-diazépine-8-carbothioamide 86 mg de 5-(2-chlorophényl)-l,3,6,7,8,9-hexahydro-l-(2-phényléthyl)-2H-pyrido [4',3':4,5] thiéno [2,3-e]-1,4-diazépine-2-thione sont mis en réaction avec du 4-méthoxy- 2-nitroisothiocyanate (0,040 g, 0,19 mmol) dans 2 ml de dichlorométhane à une température voisine de 20 C. Le mélange réactionnel est agité durant 2 heures et de l'éther isopropylique (3 ml) est ajouté jusqu'à précipitation. Après filtration sur fritté et lavage à l'éther isopropylique (2 x 3 ml) et à l'isopentane (5 ml), on purifie par chromatographie sur colonne de silice (éluant : acétate d'éthyle-heptane : 20-80 à 40-60). Après évaporation des fractions contenant seulement le produit, on obtient le produit souhaité sous forme d'une poudre orange (0,03 g, 24 %).
Point de fusion : 152 C HPLC MS : % à 230 nm (MH+ trouvée 662,1 ; théorie 662,2) Exemple 5 5-(2-chlorophényl)-1,2,3,6,7,9-hexahydro-3-hydroxy-1-(2-phényléthyl)-8H-pyrido [4',3':4,5]thieno[2,3-e]-1,4-diazépine-2-one 1ème étape 5-(2-chlorophenyl)- 1,2,3,6,7,9-hexahydro-4-oxide-2-oxo- 1-(2-phényléthyl)-8H-pyrido [4',3':4,5] thieno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate de t-butyle On dissout à 23 C du 5-(2-chlorophényl)-1,2,3,6,7,9-hexahydro-2-oxo-1-(2-phényléthyl)-8H- pyrido[4',3':4,5]thiéno[2,3-e]-1,4-diazépine-8-carboxylate de t-butyle (22 g, 41 mmol) dans du 1,2-dichloro éthane (320 ml). On ajoute de l'acide méta-chloroperoxybenzoique à 85 % (21,6 g, 0,1 mol). On agite 24 h à 23 C puis on ajoute une solution d'hydroxyde de sodium 5N (400 ml). Après décantation, on lave la phase organique à l'eau, sèche sur sulfate de magnésium, filtre et concentre au rotavapor. Après purification par chromatographie sur colonne de silice (éluant : acétate d'éthyle-heptane : à 80-20), on évapore les fractions contenant seulement le produit. Le solide obtenu est agité dans un mélange de solvants : éther isopropylique-isopentane (20-80). Après filtration sur fritté et lavage à l'isopentane, on obtient le produit souhaité sous forme d'une poudre blanche (5,9 g, 26 %).
Diverses modifications peuvent être apportées aux mémoires ferroélectriques représentées sur la figure 1A et sur la figure 6. Par exemple, au lieu d'un transistor MOS, d'autres transistors à effet de champ à grille isolée peuvent être utilisés. Des matériaux ferroélectriques autres que le SBT et le PZT peuvent être utilisés. Des matériaux conducteurs autres que le Pt peuvent être utilisés en tant que matériau des électrodes de condensateur ferroélectrique. Diverses autres modifications sont également possibles. La configuration de circuit d'une cellule de mémoire n'est pas limitée seulement à celle représentée sur la figure 7.
Les figures 9A à 9D représentent une nouvelle cellule de mémoire selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 9A est un schéma de circuit d'une cellule de mémoire. Les figures 9B et 9C sont des graphiques qui représentent des opérations d'écriture et de lecture et la figure 9D est un graphique qui représente un courant de lecture.
Par report à la figure 9A, un transistor à effet de champ à grille isolée T comporte une grille isolée G, une source S et un drain D. Un condensateur ferroélectrique Cf est connecté entre la grille isolée G et le drain D. De cette manière, un transistor à effet de champ à grille isolée à connexion en diode est formé.
Un autre condensateur Cgs est connecté entre la grille isolée G et la source S. Ce condensateur Cgs ne doit pas nécessairement être connecté de façon externe mais un condensateur parasite formé entre la grille isolée G et la source S peut être utilisé. Un taux de couplage R = Cgs /(Cgs + Cf) d'une tension aux bornes du condensateur ferroélectrique Cf sur une tension appliquée entre la source S et le drain D est de préférence établi à 0,2 ou plus. Le drain D est connecté à la ligne de bit BL et la source S est connectée à la ligne de mot WL.
Dans la description qui suit, il est supposé que le transistor à effet de champ à grille isolée T est du type à canal n. Lorsqu'une tension V est appliquée entre la source S et le drain D, cette tension V est divisée par les deux condensateurs Cgs et Cf. Une tension qui apparalt aux bornes du condensateur ferroélectrique Cf est représentée par Vf.
La figure 9B représente une polarisation P par rapport à la tension Vf aux bornes du condensateur ferroélectrique Cf. Une courbe d'hystérésis représentée par une ligne en pointillés indique la caractéristique d'hystérésis lorsque la polarisation est formée dans un état suffisamment saturé. Une courbe d'hystérésis représentée par une ligne en trait plein indique la caractéristique d'hystérésis utilisée par un fonctionnement de mémoire. Trois lignes droites Cg9 (V = Vf) sont des lignes de charge lorsque le condensateur Cgs est utilisé en tant que charge et que les tensions V = +Vcc, 0 et -Vcc sont appliquées entre la source S et le drain D. Après que +Vcc est appliquée une fois, une polarisation résiduelle "1" subsiste même si la tension appliquée V est ramenée à O V tandis qu'après que -Vcc est appliquée une fois, une polarisation résiduelle "0" subsiste même si la tension appliquée V est ramenée à 0 V.
La figure 9C est un graphique qui représente des caractéristiques de lecture. II est supposé ici que le condensateur ferroélectrique Ct présente une polarisation résiduelle comme représenté sur la figure 9B. Lors de la lecture de données à partir de la mémoire, une tension +Vr inférieure à la tension d'écriture +Vcc est appliquée. Dans l'état dans lequel la tension de lecture +Vr est appliquée, si le condensateur ferroélectrique Cf stocke des données "0", la polarisation du condensateur ferroélectrique Cf devient égale à zéro tandis que s'il stocke des données"1", une polarisation de polarité positive augmente davantage. La conductivité du transistor à effet de champ à grille isolée T varie en fonction de la différence en termes de valeurs de polarisation de telle sorte que les données stockées peuvent être lues.
La figure 9D est un graphique qui représente une variation du courant de lecture. L'abscisse représente une tension appliquée V et l'ordonnée représente un courant I qui circule au travers du transistor à effet de champ à grille isolée T. Si les données écrites sont "1", un canal est déjà formé par la polarisation résiduelle. Par conséquent, lorsque la tension V est augmentée, le courant I augmente immédiatement.
A l'opposé, si les données écrites sont "0", le courant I ne circule pas immédiatement après que la tension V est appliquée.
Seulement un faible courant circule lorsque la tension appliquée V est la tension de lecture Vr. Comme mentionné ci-avant, une différence entre les courants I qui circulent au travers du transistor T dépend de si les données écrites sont "1" ou "0". En détectant cette différence de courant, les données peuvent être lues. Lorsque des données sont écrites, il est préférable d'appliquer une tension impulsionnelle afin d'abaisser la consommation d'énergie.
Les figures 10A et 1 OB représentent la structure et le fonctionnement d'un réseau de cellules de mémoire. La figure 10A est un schéma fonctionnel qui représente la structure du réseau de cellules de mémoire et la figure 108 est un graphique qui représente des tensions appliquées à la ligne de mot WL et à la ligne de bit BL. Bien que des impulsions de tension impulsionnelle soient appliquées dans la réalité, la tension est tracée sur la figure 10B de façon quelque peu similaire à une forme d'onde de tension continue afin de simplifier la description.