INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les figures 4A et 4B sont une vue en coupe transversale et une vue en plan qui représentent schématiquement la structure d'échantillons utilisés. La figure 4A représente la structure en coupe transversale des échantillons. Sur la surface d'un substrat en silicium 21, un film d'oxyde de silicium 28 d'une épaisseur de 350 nm a été formé et sur ce film d'oxyde de silicium 28, une couche ferroélectrique 29 d'une épaisseur de 200 nm réalisée en SiBi2Ta209 (SBT) a été formée. Deux électrodes 31 et 32 ont été disposées en parallèle selon un espace de 0,1 pm sur la surface supérieure de la couche ferroélectrique 29.
La figure 4B représente une configuration en plan des électrodes 31 et 32. Les électrodes 31 et 32 disposées en parallèle selon l'espace de 0,1 pm sont d'une longueur de 200 pm et des plots PI et P2 pour une application de tension sont reliés aux zones centrales des électrodes 31 et 32. Sur la figure 4B, la longueur (200 pm) des électrodes parallèles est représentée par ! et l'espace (0, 1, pm) qui les sépare est représenté par 2. Les électrodes 31 et 32 sont constituées par des films en platine.
La constante diélectrique du film en SBT est d'environ 200 bien qu'elle dépende du procédé de fabrication et elle est considérablement plus importante que la constante diélectrique de l'air. Par conséquent, la valeur de capacité du condensateur ferroélectrique formé entre les électrodes 31 et 32 est déterminée pratiquement par la constante diélectrique et par l'épaisseur de la couche ferroélectrique 29 ainsi que par l'espace et par la longueur d'électrodes opposées des électrodes 31 et 32.
Les figures 5A et 5B sont des graphiques qui représentent les caractéristiques de l'échantillon représenté sur les figures 4A et 4B. La figure 5A représente des motifs de diffraction rayons X indiquant la cristallinité de la couche ferroélectrique dans la structure d'empilement constituée par le film d'oxyde 28, la couche ferroélectrique 29 et les électrodes 31 et 32 empilés sur le substrat en silicium 21. L'abscisse représente un angle de diffraction rayons X 20 en degrés et l'ordonnée représente une intensité de diffraction selon une unité arbitraire.
Sur le graphique de la figure 5A, des crêtes de diffraction du SBT correspondent aux crêtes à l'exception d'une crete de diffraction du plan (100) du substrat en silicium et d'une crête de diffraction du plan (111) des électrodes en Pt. Au vu de ce graphique, on peut comprendre que la couche en SBT formée sur le film d'oxyde de silicium est une couche diélectrique qui présente une bonne cristallinité.
La figure 5B représente la caractéristique d'hystérésis de l'échantillon représenté sur les figures 4A et 4B. L'abscisse représente une tension appliquée entre les électrodes opposées exprimée en V et l'ordonnée représente des charges stockées exprimées en pC. Les quantités de charge à la tension appliquée V = 0 indiquent les valeurs de polarisation résiduelle. Comme on peut le voir au vu des valeurs mesurées représentées sur la figure 5B, la polarisation résiduelle peut être estimée comme valant 0,5 pC, ce qui signifie une polarisation résiduelle de 2,5 fC/pm.
La densité de charge d'environ 0,1 uC/cm2 suffit pour induire un canal dans une couche de surface semiconductrice d'un transistor métal-oxyde-semiconducteur (MOS). Si l'aire de grille d'un transistor MOS vaut 1 pm2 et que la densité de charge vaut 0,1 uC/cm2, la quantité de charge est d'environ 1 x 10.15 C. La longueur d'électrodes de condensateur opposées nécessaire pour le fonctionnement est d'environ 0,4 pm sur la base de la polarisation résiduelle de 2,5 fClpm.
Cette dimension des électrodes de condensateur ne devient pas un obstacle à la formation d'une mémoire ferroélectrique à densité d'intégration élevée.
Bien que l'espace entre les électrodes opposées de l'échantillon soit établi à 0,1 pm, diverses modifications sont possibles telles qu'un élargissement de l'espace et qu'une augmentation de la longueur d'électrodes opposées afin de faciliter les processus de fabrication, comme il apparaîtra de façon évidente à l'homme de l'art.
Avec la structure de l'échantillon représenté sur la figure 4A, même si une polarisation de la couche ferroélectrique se produit de manière à être suffisamment forte du fait de l'amincissement de la couche ferroélectrique 29, la valeur de capacité du condensateur ferroélectrique peut être aisément atténuée jusqu'à une valeur souhaitée. Il est également aisé d'établir la tension de pilotage à une valeur souhaitée en réglant l'espace d'électrode et similaire.
Les figures 1A et 18 représentent schématiquement la structure d'une mémoire ferroélectrique selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 1A représente schématiquement la structure en coupe transversale de la cellule de mémoire ferroélectrique et la figure 1B est un circuit équivalent de la cellule de mémoire ferroélectrique.
Par report à la figure 1A, sur la surface d'un substrat en silicium 1 par exemple de type p, un film d'oxyde de champ 2 est formé au moyen d'une technique d'oxydation localisée (LOCOS) connue. Sur la surface de la région active entourée par le film d'oxyde de champ 2, un film d'oxyde de grille 3 présentant une épaisseur de par exemple 10 nm est formé par oxydation thermique. Sur le film d'oxyde de grille 3, une électrode de grille en polysilicium 4 est formée selon une épaisseur de par exemple 200 nm. Dans les régions sur les deux côtés de l'électrode de grille 4, des ions d'impureté de type n sont implantés afin de former une paire de régions de source/drain 5 et 6.
Si nécessaire, des espaceurs latéraux constitués par des films d'oxyde de silicium ou similaire peuvent être formés sur les parois latérales de l'électrode de grille 4 et des ions peuvent en outre être implantés. Des câblages jusqu'aux régions de source/drain 5 et 6 peuvent également être formés.
Ensuite, un film d'oxyde de silicium 8 est déposé au-dessus du substrat au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le film d'oxyde de silicium 8 recouvrant l'électrode de grille 4. Il est préférable que la surface du film d'oxyde de silicium 8 soit planarisée. Sur la surface du film d'oxyde de silicium 8, une couche ferroélectrique 9 est formée, laquelle est réalisée en SBT, en Pb(Zr, Ti)O3, soit du PZT, ou similaire. Par exemple, la couche ferroélectrique 9 est constituée par une couche en SBT qui présente une épaisseur de 200 nm. Des électrodes opposées 11 et 12 réalisées en Pt ou similaire sont formées sur la surface de la couche ferroélectrique 9. A cet instant, il est préférable de former un trou de via qui traverse la couche ferroélectrique 9 et la couche isolante 8 et qui atteint une zone partielle de l'électrode de grille 4 afin de connecter électriquement l'électrode 11 et l'électrode de grille 4.
La valeur de capacité parasite de l'électrode il peut être réduite en disposant l'électrode de telle sorte qu'elle chevauche l'électrode de grille suivant des directions le long de la surface du substrat.
La figure 18 est un circuit équivalent de la mémoire ferroélectrique formée de la manière mentionnée ci-avant. Une électrode d'un condensateur ferroélectrique Cf est connectée à une électrode de grille G d'un transistor MOS T qui comporte une source S, un drain D et une grille G. La source S et le drain D sont respectivement connectés à une première ligne de bit B1 et à une seconde ligne de bit B2 et l'autre électrode du condensateur ferroélectrique Cr est connectée à une ligne de mot W.
Exemple 47 : (SR)-5-éthyl-9,11-difluoro-12-(4-fluorophényl)- 5-hydroxy-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino[3',4':6,7]indolizino [1,2-b]quinoléine-3,15-dione.
On traite l'acide 2-amino-4,6-difluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 11a à 11c, en employant le bromure de 4-fluorophénylmagnésium à l'étape llb, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à lh du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 48 : (5R)-12-(2,6-difluorophényl)-5-éthyl-9,11-difluoro- 5-hydroxy-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino[3',4':6,7]indolizino [1,2-b]quinoléine-3,15-dione.
On traite l'acide 2-amino-4,6-difluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1 la à 1 le, en employant le bromure de 2,6-ditluorophénylmagnésium à l'étape 11b, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes Ifà à 1 h du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 49 : (5R)-12-(3,5-difluorophényl)-5-éthyl-9,11-difluoro- 5-hydroxy-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino[3',4':6,7Jindolizino [1,2-b]quinoléine-3,15-dione. On traite l'acide 2-amino-4,6-ditluorohenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1 la à 1 le, en employant le bromure de 3,5-difluorophénylmagnésium à l'étape 11b, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à lh du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 50 : (SR)-5-éthyl-9,11-difluoro-S-hydroxy- 12-(3,4,5-trifl uorophényl)-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépi no [3',4':6,7]indolizino[l,2-]quinoléine-3,15-dione.
On traite l'acide 2-amino-4,6-difluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1 la à 1 le, en employant le bromure de 3,4,5-trifluorophénylmagnésium à l'étape 1lb, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à lh du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 51 : (SR)-5-éthyl-9,11-difluoro-S-hydroxy- 12-(2,4,6-trifluorophényl)-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino [3',4':6,7)indolizino[1,2-b]quinoléine-3,15-dione.
On traite l'acide 2-amino-4,6-ditluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1 la à 1 le, en employant le bromure de 2,4,6-trinuorophénylmagnésium à l'étape 11b, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à 1h du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 52 : (SR)-5-éthyl-9,11-difluoro-5-hydroxy- 12-(2,3,5,6-tétrafluorophényl)-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino [3',4':6,7]indolizino[l,2-ô]quinoléine-3,15-dione. On traite l'acide 2-amino-4,6-difluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1 la à 11c, en employant le bromure de 2,3,5,6-tétrafluorophénylmagnésium à l'étape 1 1b, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à lh du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 53 : (SR)-5-éthyl-9,11-difluoro-5-hydroxy- 12-(2,3,4,5,6-pentafluorophényl)-4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino [3',4': 6,7]i ndolizi no[ 1,2-b] quinoléi ne-3,15-di one.
On traite l'acide 2-amino-4,6-difluorobenzoïque selon une procédure similaire aux étapes 1la à 1 le, en employant le bromure de 2,3,4,5,6-pentatluorophénylmagnésium à l'étape 11b, et l'amino-cétone résultante est traitée selon une procédure similaire à l'étape 4b. On applique à la quinolone obtenue les étapes If à lh du mode opératoire de l'exemple 1 ci-dessus.
Exemple 54 : (5R)-5-éthyl-9-fluoro-5-hydroxy-12-propyl- 4,5,13,15-tétrahydro-lH,3H-oxépino[3',4':6,7]indolizino [1,2-b]quinoléine-3,15-dione. Le produit de l'exemple 2 est traité avec du butyraldéhyde selon une procédure similaire à l'étape 13e pour donner le solide attendu.
Exemple 55 : (5R)-5-éthyl-9-fluoro-5-hydroxy- 12-(3,3,3-trifluoropropyl)-4,5,13,I5-tétrahydro-1H,3H-oxépino [3',4': 6,7]i ndolizino[ 1,2-b ] quinoléine-3,15-di one. Le produit de l'exemple 2 est traité avec du 4,4,4-tritluorobutyraldéhyde selon une procédure similaire à l'étape 13e pour donner le solide attendu.
Exemple 56 : (5R)-5-éthyl-9-fluoro-5-hydroxy-12-isopentyl- 4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino[3',4':6,7]indolizino [l,2-ô]quinoléine-3,15-dione. Le produit de l'exemple 2 est traité avec du 4-méthylpentanal selon une procédure similaire à l'étape 13e pour donner le solide attendu.
Exemple 57 : (5R)-5-éthyl-9-fluoro-5-hydroxy-12-pentyl- 4,5,13,15-tétrahydro-1H,3H-oxépino(3',4':6,7]indolizino [1,2-b]quinoléine-3,15-dione. Le produit de l'exemple 2 est traité avec de l'hexanal selon une procédure similaire à l'étape 13e pour donner le solide attendu.
Le plasmide obtenu a été appelé pBI221/uidA-IV2.
Dans un deuxième temps, la séquence du promoteur 35S du CaMV
présente au niveau du plasmide pBI221/uidA-IV2 a été remplacée par la séquence "CaMV D35S". Pour ce faire, le plasmide pBI221/uidA-IV2 a été digéré pendant 10h30 à 37 C par 10 unités de HindIII, puis les extrémités cohésives ont été rendues bouts-francs par l'action du fragment de Klenow de l'ADN polymérase I (New England Biolabs) pendant 30 min à 37 C selon les recommandations du fabriquant. Après purification du produit de cette réaction sur colonne d'affinité Qiaquick, l'ADN a été digéré pendant une nuit à 37 C par 10 unités de BamHI. Le fragment plasmidique, correspondant au vecteur délété du fragment promoteur CaMV 35S de 828 pb, a été isolé par électrophorèse sur gel d'agarose 0,8%, puis purifié sur colonne d'affinité Qiaquick.
CaMV D35S prom a été obtenu à partir du plasmide pJIT163D.
Celui-ci dérive du plasmide pJIT163 qui dérive lui-même du plasmide pJIT160 (Guérineau et Mullineaux, 1993). Le plasmide pJIT163 possède un codon ATG entre les sites HindIII et SalI du polylinker. Pour supprimer cet ATG et obtenir le plasmide pJIT163D, l'ADN plasmidique pJIT163 a été digéré par HindIII et SalI, purifié par électrophorèse sur gel d'agarose 0,8%, électroélué, précipité en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5 volumes d'éthanol absolu à -80 C pendant 30 min, centrifugé à 12000 g pendant 30 min, lavé à l'éthanol 70%, séché, soumis à l'action du fragment de Klenow de l'ADN polymérase I (New England Biolabs) pendant 30 min à 37 C selon les recommandations du fabriquant, déprotéinisé par extraction avec un volume de phénol, puis un volume de phénol : chloroforme : alcool isoamylique (25:24:1 v/v/v) et enfin un volume de chloroforme : alcool isoamylique (24:1 v/v), précipité en présence de 1/10 volume d'acétate de sodium 3M pH 4,8 et de 2,5 volumes d'éthanol absolu à -80 C pendant 30 min, puis centrifugé à 12000 g pendant 30 min, lavé à l'éthanol 70 %, séché et enfin ligaturé en présence de 1,0 l du tampon ADN ligase T4 10X (Amersham) et 2,5 unités d'ADN ligase T4 (Amersham) à 14 C pendant 16 h. Des bactéries Escherichia coli
DH5a, rendues préalablement compétentes, ont été transformées. l'ADN plasmidique des clones obtenus, sélectionnés sur milieu LB supplémenté en ampicilline (50 mg/1), a été extrait selon la méthode de la lyse alcaline et analysé par digestions enzymatiques.
Dix ug de plasmide pJIT163D ont été digéré pendant 10h30 à 37 C par 10 unités de KpnI (site localisé en 5' du promoteur) puis les extrémités cohésives ont été rendues bouts francs par l'action de 6 unités de l'ADN polymérase T4 (New England Biolabs) pendant 30 min à 37 C selon les recommandations du fabriquant. Après purification du produit de cette réaction sur colonne d'affinité Qiaquick, l'ADN a été digéré pendant une nuit à 37 C par 10 unités de BamHI. Le fragment d'ADN résultant de 761 pb, correspondant au promoteur CaMV D35S a été isolé par électrophorèse sur gel d'agarose 1,0 %, puis purifié sur colonne d'affinité Qiaquick.
Le mélange réactionnel contenant 10 ng de vecteur plasmidique, 100 ng du fragment de 761 pb, 1,0 l du tampon ADN ligase T4 10X (New England Biolabs) et 400 unités d'ADN ligase T4 (New England Biolabs) a été soumis à ligation dans 10 l pendant une nuit à 18 C. Des bactéries Escherichia coli DHSa, rendues préalablement compétentes, ont été transformées par la moitié du mélange réactionnel de ligation. l'ADN plasmidique des clones obtenus, sélectionnés sur milieu LB supplémenté en ampicilline (50 mg/1), a été extrait selon la méthode de lyse alcaline et analysé par digestions enzymatiques. Le plasmide obtenu a été appelé pMRT1092 (Fig. II).
1. 3. Description du plasmide de référence pCaMV35Sluc.
Le plasmide servant de référence interne lors de l'expression transitoire est pCaMV35Sluc (Torrent et al., 1997) qui contient la cassette d'expression du gène rapporteur luciférase (lue) sous contrôle du promoteur et du terminateur de l'ARN 35S du CaMV.
Construction de plasmides contenant des séquences promotrices délétées du gène de la plastocyanine de pois.
Le promoteur entier du gène de la plastocyanine de pois (Last et Gray, 1989) correspond à une séquence de 834 pb (SEQ. ID01) allant de la position-771 pb à la position + 63 pb, sur laquelle diverses séquences potentiellement régulatrices sont identifiées (du côté 5' au côté 3', et par rapport au point +1 d'initiation de la transcription, Fig. IV) : - une série de répétitions inversées, s'étendant des positions -734 à-607 pb, - une boîte de 20 pb (as-1 like) présentant une similitude vis à vis de l'élément activateur 1 (as-1) présent au niveau du promoteur CaMV 35S, s'étendant de la position - 579 à la position-559 pb, - une boîte de 21 pb (nos enhancer like) présentant une certaine homologie a un élément activateur présent dans le promoteur du gène de la nopaline synthase d'Agrobacterium tumefaciens, s'étendant de la position - 540 à la position - 519 pb, - une boîte "G" de 8 pb, s'étendant de la position-201 à la position-193 pb, - une boîte de 14 pb, s'étendant de la position-83 à la position-69 pb, présentant une similitude vis à vis des boîtes de type III des promoteurs des végétaux supérieurs, - une boîte "CAAT", à la position-63 - une boîte "TATA", à la position-37 - le point +1 de transcription (position 1) - une région 5' non traduite allant de la position +1 à la position 63 pb.
Le plasmide pGEM3Z-petE prom a été obtenu comme décrit à la section 1.1de l'exemple 1. Il correspond au plasmide pGEM3Z contenant le gène rapporteur uidA-IV2 sous contrôle du promoteur entier du gène de la plastocyanine de pois (petE prom, Fig IV, SEQ.ID01), et sert de promoteur de référence pour toutes les constructions basées sur le promoteur plastocyanine.
Afin d'étudier l'effet des différents éléments, des délétions
des régions 5' de petE prom ont été réalisées par digestions enzymatiques.
Des données enregistrées peuvent être lues en vérifiant la conduction de la paire de lignes de bit B1 et B2. Des données peuvent être écrites dans le condensateur ferroélectrique Cf en appliquant une tension supérieure à une valeur prédéterminée entre la ligne ou les lignes de bit B1, B2 et la ligne de mot W.
Les procédés de fabrication de la mémoire ferroélectrique représentée sur la figure lA seront décrits par report aux figures 2AV à 3CP. Parmi les figures 2AV à 3CP, les figures 2AV, 2BV, 2CV, 3AV, 3BV et 3CV sont des vues en coupe transversale et les figures 2AP, 2BP, 2CP, 3AP, 3BP et 3CP sont des vues en plan.
Comme représenté sur les figures 2AV et 2AP, sur la surface d'un substrat en silicium de type p 1, un film d'oxyde de champ 2 est formé au moyen d'une technique LOCOS. Ensuite, sur la surface d'une région active, un film d'oxyde de grille 3 présentant une épaisseur de 10 nm est formé par l'intermédiaire d'une oxydation thermique. Sur les surfaces du film d'oxyde de champ 2 et du film d'oxyde de grille 3, une couche en polysilicium 4 est déposée selon une épaisseur d'environ 200 nm au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) par exemple. Cette couche en polysilicium 4 est dopée avec des impuretés de type n, d'où la constitution d'une région de type n.
En utilisant un motif de réserve, le film en polysilicium 4 est conformé par l'intermédiaire d'une photolithographie afin de former une électrode de grille 4 qui s'étend depuis le film d'oxyde de grille 3 jusqu'au film d'oxyde de champ 2. En utilisant l'électrode de grille 4 en tant que masque, des ions d'impureté de type n sont implantés afin de former des régions de sourcetdrain de type n (voir figure 1A). Par exemple, l'implantation ionique est réalisée de façon générale suivant une direction verticale en utilisant des ions As sous les conditions constituées par une énergie d'accélération de AB keV et par une dose de 1 x 1015cl2.
Comme représenté sur les figures 2BV et 2BP, un film d'oxyde de silicium 8 est déposé au-dessus du substrat au moyen du procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le film d'oxyde de silicium 8 recouvrant l'électrode de grille 4. Après que le film d'oxyde de silicium 8 est formé, la surface de ce film 8 est planarisée au moyen d'une gravure chimique et mécanique (CMP). Par exemple, la gravure CMP est réalisée en utilisant un agent de polissage de code produit SC112 fabriqué par RODEL Corporation.
Comme représenté sur les figures 2CV et 2CP, sur la surface planarisée du film d'oxyde de silicium 8, une couche en SBT 9 présentant une épaisseur de par exemple 200 nm est formée. La couche en SBT peut être formée au moyen d'un procédé sol/gel par exemple. Une solution mixte métal-alkoxyde en tant que matériau de démarrage est déposée par centrifugation sur la surface
Comme représenté sur les figures 3CV et 3CP, une couche de câblage empilée constituée par une couche en Ti 12a, une couche en TiN 12b et une couche en Al 12c est formée au-dessus de la surface du substrat muni du trou de via VH et est conformée afin de former des électrodes opposées de condensateur 11 et 12. La couche en Ti 12a améliore l'efficacité de l'adhérence et la couche en TiN 12b joue le rôle de couche de barrière pour empêcher une diffusion en phase solide.
Comme représenté sur la figure 3CP, un condensateur ferroélectrique Cf est formé dans une région dans la couche de surface de la couche ferroélectrique 9, région par rapport à laquelle les électrodes Il et 12 sont opposées.
Bien que la couche diélectrique de condensateur soit décrite comme étant réalisée en SBT, d'autres matériaux ferroélectriques peuvent être utilisés. Par exemple, du PZT peut être utilisé en lieu et place du SBT. Bien que le SBT présente une constante diélectrique importante, le PZT présente une constante diélectrique supérieure à celle du SBT. II est préférable que le matériau ferroélectrique de la couche ferroélectrique présente une constante diélectrique qui soit supérieure à celle du film isolant sous-jacent (s'il est en oxyde de silicium, la constante diélectrique est d'environ 4) d'un facteur dix ou plus. Puisque approximativement seulement la couche ferroélectrique est utilisée en tant que couche diélectrique de condensateur, il est préférable que l'espace entre les électrodes opposées 11 et 12 soit supérieur à l'épaisseur de la couche ferroélectrique 9 d'un facteur de trois ou moins. Si le condensateur ferroélectrique doit être isolé électriquement de la structure de dispositif à semiconducteur sousjacente, il est préférable que l'épaisseur du film isolant 8 soit de 10 nm ou plus même dans la région la plus mince du film 8.
Selon ce mode de réalisation, la partie supérieure du transistor MOS est recouverte de la couche isolante 8 et de la couche ferroélectrique 9 et les électrodes opposées 11 et 12 sont formées sur la surface supérieure de la couche ferroélectrique 9. Bien qu'il soit nécessaire de former les électrodes opposées Il et 12 sur la surface de la couche ferroélectrique 9, il n'est pas toujours nécessaire de les former sur la surface supérieure de la couche ferroélectrique 9.
La figure 6 est une vue en coupe transversale qui représente la structure d'une mémoire ferroélectrique selon un autre mode de réalisation de l'invention. Selon ce mode de réalisation, de façon similaire au mode de réalisation représenté sur la figure 1, après qu'un film d'oxyde de champ 2 est formé sur la surface d'un substrat en silicium 1, un transistor MOS comportant un film d'isolation de grille 3, une électrode de grille 4, une région de source 5 et une région de drain 6 est formé dans et au-dessus d'une région active entourée par le film d'oxyde de champ 2 et une couche isolante 8 est formée au-dessus du substrat. Des électrodes opposées Il et 12 sont formées dans la couche de surface de la couche isolante 8, les surfaces des électrodes opposées 11 et 12 affleurant la surface de la couche isolante 8.