INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La relation entre la valeur de d, le diamètre du trou de la filière et la vitesse de sortie du profilé est déterminée empiriquement au cas par cas.
La plus grande dimension des particules sphéroïdales obtenues est généralement de 0,5 à 2 mm.
Cette dimension est une fonction de la vitesse de rotation de l'arbre de la vis d'extrusion, du gradient de température régnant dans la zone d'extrusion, de la température et des dimensions de la filière. La vitesse de rotation de l'arbre de la vis est de préférence de 1 à 90 tours par minute. Le gradient de température dans la zone d'extrusion et la température de la filière sont de préférence compris entre 20 et 2000C. Le diamètre de l'orifice de la filière est de préférence compris entre 0,5 et 2 mm.
La vitesse de rotation de l'outil de coupe est fixée en fonction de la vitesse à laquelle le fil extrudé sort de l'orifice de la filière; de préférence, elle est de 40 à 1500 tours/minute.
Les particules en forme de sphéroïdes, obtenues à la sortie de la filière, sont enrobées d'un revêtement comportant au moins un agent désintégrant; ce revêtement peut également comporter un agent liant; il peut enfin contenir une substance active.
Pour ce faire, on peut avoir recours à une turbine ou à une installation à lit d'air fluidisé.
Tout d'abord, on pulvérise l'agent liant sous forme d'une solution de 10 à 30% en poids dans un solvant approprié et pharmaceutiquement acceptable, de préférence l'alcool ou l'eau. Une quantité d'agent désintégrant correspondant à 1 à 50% en poids par rapport au poids de sphéroïdes mis en oeuvre est ensuite fixée à l'état pulvérulent sur le sphéroïde recouvert de solution liante.
La forme sphéroïdale de la particule est essentielle pour obtenir un enrobage efficace.
La granulométrie de l'agent désintégrant mis en oeuvre est de préférence de 1 à 100 um.
L'agent désintégrant est choisi dans le groupe comprenant les polyvinylpyrrolidones réticulées, les amidons modifiés et les carboxyméthylcelluloses sodiques réticulées et l'agent liant de préférence dans le groupe comprenant la polyvinylpyrrolidone, les polyéthylène-glycols, les polyméthacrylates et les hydroxypropylméthylcelluloses.
La masse totale d'enrobage correspond de préférence à une quantité de 2 à 20% en poids par rapport à la masse des particules sphéroïdales.
La forme pharmaceutique multiparticulaire, notamment le comprimé multiparticulaire, conforme à l'invention est préparée à partir des sphéroïdes ainsi obtenus.
Pour ce faire, on a recours aux techniques de compression bien connues de l'homme du métier.
On règle les paramètres de l'étape de compression de façon telle que la dureté des comprimés résultants soit de 30 à 70 N.
EXEMPLE 1 Cet exemple concerne des sphéroïdes comportant du diclofénac de sodium en tant que substance active.
La figure 3 est une vue de dessus d'une variante de la figure la.
Sur la figure 1 est représenté en coupe partielle un corps 11 d'une carte à mémoire électronique réalisé dans un matériau thermoplastique, comme le polychlorure de vinyle, 1'ABS acrylonitryl-butadiène-styrène), le polyester ou le polycarbonate.
Ledit corps 11 de carte peut être obtenu par laminage ou par moulage.
On peut observer sur la figure 1 que le corps 11 de carte comporte une cavité 12 destinée à recevoir un module électronique 13 qui, comme le montre schématiquement la figure 1, est constitué d'un substrat isolant 131 en matériau thermoplastique, tel que le polycarbonate, portant sur une face une pastille semiconductrice 132 reliée, par des fils conducteurs non representés, à des contacts électriques 133 déposés sur une autre face du substrat thermoplastique 131. Compte tenu de la forme particulière du module 13, la cavité 12 présente un épaulement 121 pour recevoir le substrat isolant 131 et un logement 122 pour la pastille semi-conductrice 132.
Le mode de réalisation de la cavité 12 dépend du mode de fabrication du corps de carte, à savoir usinage ou moulage.
Le procédé pour insérer le module électronique 13 dans la cavite 12 consiste, dans une première étape, à disposer dans la cavité 12 un adhésif afin de coller le substrat thermoplastique 131 du module 13 sur le matériau thermoplastique du corps 1 1 de carte. Selon l'exemple montré sur les figures 1 et la, on peut déposer quatre gouttes 14 d'une colle cyanoacrylate sur l'épaulement 121 aux quatre coins de la cavité 12.
Puis, le module électronique 13 est disposé dans la cavité 12 de manière à ce que le substrat 131 vienne en contact avec les gouttes 14 de colle de l'épaulement 121.
Enfin, une force F de pressage est appliquée sur le module, d'une part, pour amener les gouttes 14 à former un joint de colle entre l'épaulement 121 de la cavité 12 et le substrat thermoplastique 131, et d'autre part, pour mettre ledit substrat 13 en appui sur des concentrateurs 15 d'énergie ultrasonore dont une disposition possible est donnée sur la figure la. Simultanément, une énergie ultrasonore US est appliquee sur le module électronique 13 de façon à souder les concentrateurs 15 sur le substrat thermoplastique 131.
Le module électronique 13 étant ainsi maintenu, la force F de pressage peut être relâchée En d'autres termes, le temps de pressage est réduit au temps qu'il est nécessaire d'appliquer l'énergie ultrasonore pour realiser la soudure concentrateurs 15/substrat 131, à savoir quelques dixièmes de seconde. Il en résulte une capacité de production plus grande et une qualité optimale du collage puisque la polymérisation de la colle peut se faire pendant une durée infinie sous une force équivalente à la force F de pressage.
Bien entendu, les concentrateurs d'énergie ultrasonore peuvent prendre diverses formes, comme les protubérances 15' de la figure 3, réalisées par usinage ou par moulage selon le mode de fabrication du corps 1 1 de carte.
COMPOSITION XT PROCéDA POUR LA STIWULATION DIS D*FINSSS NATURELLES DIS PLANTE N PARTICULIER DES CURIALES ET NOTANNINT DU BLÉ AINSI QUE DZ LA POMME DZ TERRE L'invention a pour objet une composition comprenant, en tant que substance active, au moins un produit phytosanitaire du genre de ceux qui sont propres à stimuler les défenses naturelles des plantes, en particulier des céréales et notamment du blé ainsi que de la pomme de terre.
Elle vise également un procédé de traitement des plantes en question pour la stimulation de leurs défenses naturelles par application notamment foliaire de la susdite composition.
Elle vise enfin, et ce à titre de produits industriels nouveaux, au moins pour autant qu'il s'agisse de leur utilisation en vue de la stimulation en question, les produits phytosanitaires qui constituent la substance active de la susdite composition.
La stimulation des défenses naturelles des plantes est un problème des plus actuels et fait l'objet de nombreuses recherches.
C'est ainsi que, très récemment, plusieurs spécialités capables de stimuler les défenses naturelles de certaines plantes dont les céréales et la pomme de terre à l'égard de certains agents pathogènes ont été présentées à la "Brighton Crop Production Conference" de 1996.
Ces spécialités sont toutes à base de produits chimiques de synthèse.
C 20:0 0,1
C 20:1 0.1
C 22:0 <0,1
NON IDENTIFIE 0,4
Le tableau mI ci-après indique la composition et la teneur en stérols de ladite huile, obtenues par chromatographie en phase gazeuse (AFNOR - NF T60205/60232): Tableau III STEROLS COMPOSITION TENEUR _% mg/l100Og produit
CHOLESTEROL 0,5 1,0
CAMPESTEROL 0,8 1,5
SIGMASTEROL 3,0 5,8
D7 CAMPESTEROL (0,9 1.8
B SITOSTEROL 70,2 134,3
D5 AVENASTEROL 23,7 45,4
D5.24 0,8 1,5
STIGMASTADIENOL
NON IDENTIFIE 0,1
STEROLS TOTAUX 191,3
mg/l10Og - 5- Conformément à l'invention, la fraction lipidique extraite peut être avantageusement mise en oeuvre en tant qu'agent émollient, protecteur et hydratant cutané, en tant qu'agent améliorant la brillance de la peau, des lèvres
Propriété optiques du matériau antireflet préparé conformément à l'exemple 3 ci-dessus La figure 3 donne la valeur de la transmission (%), en fonction de la longueur d'onde (x) pour un substrat en silice nu et pour le matériau antireflet selon l'invention, préparé conformément à l'exemple 3.
Propriétés chimiques et mécaniques du matériau antireflet préparé conformément à l'exemple 3 ci-dessus Le revêtement antireflet est inerte aux acides forts, HCl 12 M, HF 1 %, acide acétique pur, aux bases fortes, NaOH 5 M, solution ammoniacale à 28 %, TMAOH 1 M, et aux solvants organiques, alcools, acétone.
Il présente d'excellentes propriétés hydrophobes, puisque l'angle de contact avec une goutte d'eau est supérieur à 90" et qu'il est très peu mouillant à l'éthanol.
Le revêtement antireflet résiste à la gomme de laboratoire et à l'arrachage au ruban adhésif. Il n'est pas endommagé par le test modéré de la norme US-MIL-C-0675C, c'est-à-dire 50 passages avec une pression de 1 lb. Par contre, il apparaît des rayures après 10 passages pour le test sévère (pression de 21/2 lb.) et les observations de microscopie optique montrent un décollement de la couche de silice polymérique.
EXEMPLE 4: Réalisation de couches minces moyen indice dans le système Ta205-SiO2 ~ (80/20) avec une densification par insolation UV.
On prépare une couche moyen indice de Ta205-SiO2 (80/20) en réalisant le dépôt avec une solution TaCl5 Si(OEt)4/EtOH à 8,758 en masse d'oxyde total.
La vitesse de rotation du substrat est fixée à 2 180 tours min'. après deux minutes de séchage, la couche déposée a un indice de 1,545 et une épaisseur de 163 nm. La réflexion maximale se situe à 1 005 nm avant densification (pic quart d'onde). L'évolution de l'indice de réfraction n et de l'épaisseur de couche e sont fonction du nombre de passages sous les U.V.
Les valeurs de n et de he, atteintes après 75 passages, n=1,64 hue=31,7%, s'approchent à 90 % environ de celles obtenues après traitement thermique à 1500C durant 30 minutes. Les propriétés de résistance à l'abrasion sont légèrement inférieures : il apparaît de légères frayures à la surface de la couche au test sévère de la norme militaire US-MIL-C-0576-C (40 passages).
La grande différence entre les deux méthodes de densification par insolation UV ou par traitement thermique réside dans l'état de surface du film : la densification UV présente l'avantage de donner une couche de Ta2O5-SiO2 (80/20) parfaitement mouillante immédiatement après insolation, ce qui n'est pas le cas avec le traitement thermique.
Les propriétés de résistance à l'abrasion sont améliorées avec les recuits thermiques et la couche moyen indice Ta2O5-SiO2 (80/20) passe le test sévère de la norme militaire US-MIL-C-0675-C.
EXEMPLE 5 Réalisation de couches minces haut indice Ta205 avec densification par insolation Uv On prépare une couche haut indice en Ta205 en réalisant le dépôt avec trois types de solutions traitantes - TaCls/EtOH (7,0 % en masse d'oxyde), TaCl2(OEt)3/EtOH (à 6,5 %) et TaCl2(OEt)3/EtOH-NH3 (à 7, 6 8).
Les vitesses de rotation du substrat sont respectivement fixées à 1 200, 1 000 et 1 700 tours min Après deux minutes de séchage, les couches déposées ont un indice respectif de 1,601, 1,639 et 1,616 et ont chacune une épaisseur de 167, 141 et 163 nm. Les pics de réflexion maximale (pic quart d'onde) se situent respectivement à 1 070, 925 et 1 053 nm avant densification.
Les valeurs de n et de de atteintes, après insolation UV (350 mW/cm2 environ), à savoir n=l,86 quelle que soit la solution utilisée et Ae compris entre 44 et 51% sont proches (autour de 90 %) de celles obtenues après traitement thermique à 1500C durant 30 minutes (An 0,05).
Les propriétés de résistance à l'abrasion sont comparables à celles obtenues par densification thermique à 150"C durant 30 minutes, puisque les couches ne sont pas endommagées lors du test sévère de la norme militaire US-MIL-C-0675-C et ce, quelque soit le type de solution traitante utilisée.
La grande différence entre ces deux méthodes de densification (par insolation UV ou par traitement thermique) réside, de la même manière que pour la couche moyen indice Ta205-SiO2 (80/20), dans l'état de surface des films : la densification UV présente l'avantage de donner des couches de Ta2O5 beaucoup plus mouillables qu'avec le traitement thermique. Cet effet des UV ne dépend pas du type de solution traitante utilisée.
Les propriétés de résistance à l'abrasion sont maintenues avec les recuits thermiques et les couches haut indice Ta2O5 passent le test sévère de la norme militaire US-MIL-C-0675-C quelque le soit le type de solution traitante.
Selon une autre particularité, le dispositif de séquences de code comporte des moyens de déclencher un message d'erreur lorsque le délai de temporisation ATi est dans l'intervalle de temps.
Selon une autre particularité, le dispositif de séquences de code comporte, consécutivement à la fin du délai de temporisation (ATi), lorsque le compteur atteint la valeur nulle, des moyens de déclencher une interruption, des moyens de mémorisation de la valeur actuelle d'un registre compteur programme PC dans une pile, puis des moyens de dérouter le programme à l'adresse définie dans la partie de la mémoire ROM contenant des vecteurs d'interruption, qui fournissent l'adresse du début de la séquence de code de l'interruption, des moyens de vérification que la valeur du registre compteur programme PC Val~PC mémorisée dans la pile n'est pas une valeur d'adresse de séquence sensible contenue dans une table TAB SEC, et des moyens de modifier le déroulement des opérations.
Selon une autre particularité, les moyens de vérification testent si la valeur du registre compteur programme est contenue par TAB~SEC dans l'intervalle [Adrdeb i , Adrfin~1], correspondant à une interruption du programme pendant une séquence sensible et les moyens de modifier le déroulement des opérations de la carte renvoient un message indiquant que sa sécurité est atteinte et se bloque, soit les moyens de vérification testent si la valeur du registre compteur programme Val~PC est contenue dans l'intervalle ]Adrfin~i , Adrdeb~i+1 correspondant à une interruption du programme pendant une séquence non sensible et les moyens de modifier le déroulement des opérations autorisent le programme à exécuter alors la nouvelle séquence de code dont l'adresse de début a été mémorisée lors du traitement de l'instruction d'orientation (lORi).
Selon une autre particularité, le dispositif de modification de séquences de code comporte une source de fréquence pour le compteur différente d'une source de fréquence permettant à l'unité centrale d'exécuter le programme, la valeur du délai de temporisation (ATi) programmée dans la table de déroutement TAB~DER étant calculée pour permettre d'interrompre le programme à une adresse déterminée, la table TAB~DER comporte pour chaque valeur du délai de temporisation, un élément supplémentaire contenant cette adresse déterminée et des moyens de comparer l'adresse de l'instruction interrompue par l'interruption, à celle indiquée dans la table, et de provoquer une alarme.
Selon une autre particularité, le dispositif de séquences de code comporte des moyens de déclencher une alarme pour bloquer le support et indiquer une tentative de fraude par une écriture dans la mémoire.
Selon une autre particularité, chaque séquence nouvelle de code se termine par une instruction d'orientation pour recharger le compteur avec une nouvelle valeur de délai de temporisation (ATi).
Un dernier but est un procédé de modification de séquences de code figées inscrites dans un support comportant une unité centrale et une mémoire.
Ce but est atteint par le fait que le procédé de modification de séquences de code figées inscrites dans un support comportant une unité centrale et une mémoire consiste à prévoir dans au moins une séquence de code figée, au moins une instruction d'orientation (lORi), permettant de dérouter l'exécution par une interruption différée d'un délai de temporisation du programme contenu dans la mémoire de vers une adresse déterminée, par une table de déroutement TAB~DER, en fonction d'une référence i associée à l'instruction d'orientation et dans un délai de temporisation, déterminé par le contenu d'une ligne de table correspondant à la référence i de l'instruction d'orientation, une séquence nouvelle de code exécutable lors de l'interruption générée à la fin du délai de temporisation étant implantée à l'adresse contenue dans la table (TAB~DER).
Selon une autre particularité, une étape déclenchant l'interruption est précédée d'une étape de de vérification et le délai de temporisation n'est pas inclus dans un intervalle défini par une seconde table TAB~SEC dite sécuritaire inscrite dans la mémoire non volatile du support.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description ci-apres faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente une vue schématique des circuits électroniques nécessaire à la mise en oeuvre de la présente invention; la figure 2A représente le schéma temporel des séquences de code nécessaire à la mise en oeuvre de la présente invention; la figure 2B représente le logigramme de la séquence de code correspondant à l'activation d'un point de déroutement; la figure 2C représente la séquence de code correspondant au traitement de l'interruption générée par le compteur; la figure 2D représente la table de déroutement TAB~DER la figure 3 représente un diagramme temporel de l'imbrication des séquences de code du programme d'application de traitement de l'instruction d'orientation et de traitement de l'interruption, dans un exemple d'application de l'invention; la figure 4A représente la table de sécurité TAB SEC, la figure 4B représente la modification du logigramme de la séquence de déroutement dans le cas d'une utilisation d'une table de sécurité conjointement avec la table de déroutement de l'invention.
La figure 5 représente le logigramme du programme d'écriture dans la table de déroutement.
La présente invention va maintenant être explicitée à l'aide d'un exemple qui se situe dans le domaine des "cartes à puce" et plus particulièrement des cartes à microprocesseurs. Ces cartes possèdent généralement un circuit intégré dont le schéma général est représenté dans la figure 1. Ce circuit dispose d'une Unité Centrale (i) reliée par un bus d'adresse et de donnée à une mémoire non volatile par exemple de type ROM (2), contenant le programme principal, une mémoire programmable non volatile de type EEPROM (3), une mémoire de travail RAM (4), une interface d'entrée/sortie l/O (5) et un compteur (6). Le compteur peut générer une interruption et interrompre ainsi le déroulement normal du programme exécuté par l'Unité Centrale. L'interruption est associée à un vecteur. Ce dernier est l'adresse de début de la routine d'interruption. C'est l'adresse de la première instruction de la séquence qui gère l'interruption.
De façon intégrée ou externe au compteur, un moyen d'inhibition de l'interruption permet de retarder et même d'annuler l'interruption. Celle-ci sera alors prise en compte plus tard ou pas du tout.
La mémoire programmable (3) est divisée en plusieurs parties. Une première partie, appelée zone système, contient des informations systèmes non lisibles de l'extérieur, cette partie contient notamment les valeurs des pointeurs permettant de délimiter chacune des autres parties de la mémoire.
Une seconde partie (32) est notée zone de donnée, elle est accessible de l'extérieur et contient principalement les données utilisateurs. Une troisième partie (33) contient une table d'orientation TAB DER, cette table contient des éléments aux formats identiques composés d'au moins trois champs (N"Réf, ATi et Adri). Une quatrième partie (34), notée zone de séquences, contient les séquences de code pouvant être appelées par le programme principal à partir des numéros de référence (N Réf) du point d'orientation et de l'adresse (Adri) lue dans la table. II est à noter que dans une variante de l'invention, la table d'orientation, ou une ou plusieurs séquences de code, peuvent être chargées en mémoire de travail RAM plutôt qu'en mémoire programmable non volatile.
L'adresse de début, appelée AD TAB, de la table d'orientation TAU DER est mémorisée dans la zone système (31). Un emplacement précis est prévu pour contenir cette valeur. L'écriture effective de cet emplacement constitue en soi l'indication que la table est bien présente et que les points d'orientation peuvent être opérationnels.
Ce dernier est soumis à une hydrolyse humide (21), qui requiert un flux 10 d'alimentation en eau, via la solution S3 ou phase aqueuse 20 recyclée en sortie d'étape(32) et un flux 17 d'alimentation en solution S22 d'HCI aqueux recyclée de (22). L'hydrolyse humide (2l) conduit à un flux 1 1 constitué par un mélange liquide de fluide siloxane F2 et de solution S22 d'HCI. Ce flux 11 est soumis à une séparation liquide/liquide (22) par décantation. Cela génère un flux 13 de solution d'HCI aqueux S22, se décomposant en flux 17 de recyclage pour l'étape (21) et en un flux 14 de recyclage de S22 pour l'étape (I l) L'excès de S22 recyclé par le flux 14 est éliminé via un flux 15. La séparation (22) conduit également à un flux 12 correspondant au fluide siloxane F2, qui est soumis à une hydrolyse poussée (31) nécessitant une alimentation par un flux 16 d'eau déminéralisée, par un flux 22 de solution aqueuse S3 décantée provenant (flux 20) de la séparation (32) et par un flux 17 formé par la solution S4 d'HC1 provenant de l'étape 4. Le flux 18 émergeant de l'étape (31) est un mélange liquide de polyorganosiloxane et de solution chlorhydrique S3. Après séparation (32), le flux 18 conduit à un flux 20 de solution chlorhydrique S3 et à un flux 19 de fluide siloxane F3. Ce flux 20 de S3 donne naissance au flux de recyclage 22 susévoqué et à un autre flux de recyclage 10 alimentant en S3 le milieu d'hydrolyse humide (21).
F3 est enfin soumis au traitement de coalescence (4), ce qui génère un flux 21 constitué par le fluide siloxane F4 ou huile polydiméthylsiloxane débarrassée de la quasi-totalité des gouttelettes d'HCl aqueux S4. Ces dernières constituent éventuellement un flux 23 de recyclage de S4 dans l'étape (3 i) Le procédé selon l'invention permet ainsi d'envisager un mode de fonctionnement en continu, dans lequel sont prévus, d'une part, 3 étapes d'hydrolyse déterminant une force hydrolysante croissante dans le sens du flux de préparation de POS, et d'autre part, un contre-courant de solution aqueuse halogénée (chlorhydrique) par le jeu des recyclages de phases aqueuses : de préférence S, en (1,), S22 en (11) et (2,), S3 en (3,) et (21), S4 en (3,), complétés par une adduction d'eau pure .
EXEMPLE: RETAPE 1: Dans un ensemble réacteur/dégazeur/décanteur fonctionnant à la pression de service b = 0,3 Mpa absolu et à une température T = 300 C, on met en place une alimentation en: - Me2SiC12 de 10 kg4i, - en solution d'HCI titrant 30 %, de 1,8 kg/h (S22), - en solution aqueuse HCI titrant 44 %, à raison de 98 kg/lt (su.), de telle sorte que le rapport massique d'alimentation des phases aqueuse et siloxanique RM1 est de 10.
Le chlorosilox ou fluide siloxanique F1 obtenu à l'issue de l'étape (15) est produit à raison de 6,15 kg/lt.
La composition pondérale de F1 est la suivante - 8,8 % de chlore résiduel (de types HCI et rSiC1), - 30 % d'oligoorganosiloxanes cycliques, - 70 % d'oligoorganosiloxanes linéaires α,#-chlorés.
Le chlorosilox F1 présente une viscosité de 4,7 mPa.s.
ETAPE 2 : Le fluide siloxanique F1 est introduit dans un autre ensemble réacteur/décanteur à raison de 6,15 kg/h. On alimente concomitamment cet ensemble réacteur/décanteur avec une solution aqueuse d'HCl à 5 % (S3) à raison de 1,45 kg/h et avec une solution aqueuse d'HCl 30 % (S22) à raison de 25 kg/ll, de telle sorte que RM2 = 4,4.
La pression régnant à l'intérieur du réacteur de l'étape (2) est de 0,1 MPa et la température de l'ordre de 30C C.
Le fluide siloxanique F2 obtenu à l'issue de l'étape (22) (dénommé également silox acide) est produit selon un débit de 5,8 kg/h. Ce silox acide F2 comprend 1,3 % en poids de chlore résiduel (de types HCI et =-SiCl).
La viscosité du silox acide F2 est de 33 mPs à 25C C.
F2 comprend 33 % en poids de polydiméthylsiloxane cyclique et 67 % en poids de polydiméthylsiloxane α,#-dihydroxylé.