INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
RMN 13C (chloroforme-d), # : 178,80 (C-13') ; 173,32 (C-6') ; 164,00 (C-4) ; 151,56 (C- 2) ; 135,77 (C-6) ; 133,31 (C-2') ; 127,41 (C-3') ; 111,13 (C-5) ; 90,02 (C-1') ; 84,49 (C-4') ; 64,63 (C-5') ; 34,07 (C-12') ; 33,97 (C-7') ; 28,74 (C-10') ; 28,67 (C-9') ; 24,65 (C-11') ; 24,54 (C-8') ; 12,66 (CH3 en position 5).
Spectre de masse (matrice GT) : FAB+ : 381 (M+H)+ ; 783 (M+rTa)+ ; 761 (2M + H)+ ; 207 (M-(HO2C(CH2)6CO2))+ ; 127 (B+2H)+. I.R. (dichlorométhane, cm-1), v : 3159 (C02H) ; 3033 (NH) ; 2936 et 2858 (C sp2et sp3) ; 1737 (C=0) ; 1688 (C=0) ; 1460 ; 1257.
Log P (n-octanol / H20 ) + 0,55 +/- 0,41 [log P,T = - 0,91 +/- 0,40J EXEMPLE XIH 2', 3'-didésoxv-5'-0-rsuccinvninosine 13 A une solution de ddl (110 mg ; 0,466 mmol ; eq) dans du DMF (5ml), sous agitation magnétique et azote, on ajoute la DMAP (57 mg ; 0,466mmol ; leq). Après 14h à 50 C, le mélange réactionnel est évaporé sous pression réduite. Le résidu obtenu est purifié par chromatographie flash sur colonne de gel de silice (éluant : méthanol 14% dans du dichlorométhane 84%, contenant 2% d'AcOH ) pour conduire au composé 13 (148 mg ; 95%).
Rf (dichlorométhane 80 / méthanol 20 / acide acétique 2) = 0,55.
RMN 1H (DMSO-d6), 8 : 12,20 (sI, 1H, OH-9') ; 8,18 (s, 1H, H-8) ; 7,98 (s, 1H, H-2) ; 6,13 (q, 1H, H-l') ; 4,3-4,1 (m, 3H, H-5', 5", H-4') ; (m, 6H, H-2', 2", 2H-7\ 2H- 8') ; ;2,04(m,2H,H-3',3").
RMN 13C (DMSO-d6), 8 : 173,66 (C-9') ; 172,23 (C-6') ; 156,71 (C-6) ; 147,84 (C-4) ; 145,82 (C-2) ; 138,24 (C-8') ; 124,43 (C-5) ; 84,36 (C-l') ; 78,63 (C-4') ; 65,20 (C-5') , 31,45 (C-2') ; 28,91 (C-8') ; 28,75 (C-7') ; 26,06 (C-3').
Spectre de masse (matrice GT) : FAB+ : 337 (M+H)+ ; 1345 (4M+H)+ ; 1009 (3M+H)+ , 673 (2M+H))+ ; 359 (M+Na)- ; 201 (M-(B-))+ ; 137 (B+2H)+.
I.R. (KBr, cm-'), v : 3460 (CO2H) ; 3053 (NH) ; 2928 (C sp2 et sp3) ; 1773 (C=0) ; 1697 (C=0); 1585 ; 1544; 1508 ;1411 ; 1217 ; 1161 ;1084 ; 680.
Log P (n-octanol / H20 ) = - 0,83 +/- 0,53 [log PddI = - 0,92 +/- 0,50] EXEMPLE XIV Acide 4-benzyloxycarbonvl-1- aminobutanoïque 14 Dans un ballon, à une solution d'acide 4-amino-1-butanoïque (1,03 g ; 10 mmol ; 1 eq) dans un mélange eau distillée / dioxane (14 / Il ml) contenant de la triéthylamine (1,7 ml ; 12mmol ; 1,2 eq), refroidie à 0 C sous agitation magnétique, on ajoute, par une ampoule à brome, du carbonate de dibenzyle (2,7 mg ; 11mmol ; 1, leq) dissous dans 3 ml de dioxane. Après 14h à température ambiante, le mélange réactionnel est évaporé sous pression réduite. Il est ensuite repris dans 30 ml d'AcOEt et extrait avec 12 ml de NaOH N. La phase organique est séchée sur Na2SO4, filtrée et évaporée sous pression réduite pour conduire au composé 14 (2,31 g ; 97%).
Rf (dichlorométhane 95 / méthanol 5) = 0,20.
En effet, le site actif de la sorbine est situé dans la partie Cterminale de la séquence, qui est une région insensible à l'action de la trypsine et de la chymotrypsine et à l'oxydation. La séquence protéique de la sorbine telle que déterminée par séquençage automatique après purification, contient de nombreux acides aminés codés par des codons dégénérés avec seulement 4 méthionines. Le clonage d'une séquence codante à partir de la séquence d'acides aminés correspondante connue nécessite le choix d'amorces oligonucléotidiques pour la technique de réaction en chaîne par la polymérase (PCR). Le degré de dégénérescence des amorces étant exceptionnellement élevé dans le cas du clonage de la sorbine, le nombre théorique de séquences susceptibles d'être obtenues à partir de ces amorces était de l'ordre de 6.1024.
En outre les auteurs de la présente invention ont dû faire face au problème de la faible expression de la sorbine dans les tissus normaux, due au très petit nombre de cellules endocrines et à la rareté des ARNm.
Les auteurs de l'invention sont à présent parvenus à cloner le gène de la sorbine, notamment chez le porc et l'homme.
La présente invention a donc pour objet un acide nucléique codant pour un peptide possédant l'activité biologique de la sorbine, ledit acide nucléique comprenant la séquence nucléotidique choisie parmi : a) la séquence SEQ ID n 1 ; b) la séquence SEQ ID n 3 ; c) une séquence nucléotidique homologue de la séquence SEQ ID n 1 ou n 3 ; et d) au moins un fragment nucléotidique desdites séquences a), b) ou c).
La séquence SEQ ID n 1 représente la séquence d'ADNc codant pour la sorbine porcine.
La séquence SEQ ID n 3 représente la séquence d'ADNc codant pour la sorbine humaine, obtenue à partir d'ARN de gros intestin normal par RT-PCR.
La présente invention a également pour objet un acide nucléique comprenant la séquence SEQ ID n 5. Cette séquence représente une séquence d'ADNc obtenue à partir d'ARN d'une tumeur intestinale par RTPCR. Elle est cependant également présente dans le tissu humain normal. On parlera préférentiellement de forme courte pour la séquence d'ADNc SEQ ID n 3 et de forme longue pour la séquence d'ADNc SEQ ID n 5. Un long fragment inconnu est inséré dans la forme longue en amont du site d'amidation et des six derniers acides aminés de la région C-terminale. Les homologues et les fragments de cette forme longue sont également compris dans la présente invention.
Par "séquence nucléotidique homologue", on entend toute séquence nucléotidique qui diffère de la séquence SEQ ID n 1, SEQ ID n 3 ou SEQ ID n 5 par substitution, délétion, et/ou insertion d'un nucléotide ou d'un nombre réduit de nucléotides, à des positions telles que ces séquences nucléotidiques homologues codent pour des polypeptides homologues tels que définis ci-après.
De préférence, une telle séquence nucléotidique homologue est identique à au moins 75 % des séquences SEQ ID n 1, n 3 ou n 5, de préférence au moins 85 %, de préférence encore au moins 95 %.
De manière préférentielle, une telle séquence nucléotidique homologue hybride spécifiquement aux séquences complémentaires des séquences SEQ ID n 1, n 3 ou n 5, dans des conditions stringentes. Les paramètres définissant les conditions de stringence dépendent de la température à laquelle 50% des brins appariés se séparent (Tm).
Pour les séquences comprenant plus de 30 bases, Tm est définie par la relation: Tm=81,5+0,41 (%G+C)+16,6Log(concentration en cations) - 0,63(%formamide) -(600/nombre de bases) (Sambrook et al, Molecular Cloning, A laboratory manual, Cold Spring Harbor laboratory Press, 1989, pages 9.54-9.62).
Pour les séquences de longueur inférieure à 30 bases, Tm est définie par la relation : Tm= 4 (G+C) 2 (A+T).
Dans des conditions de stringence appropriées, auxquelles les séquences aspécifiques n'hybrident pas, la température d'hybridation est approximativement de 5 à 30 C, de préférence de 5 à 10 C en dessous de Tm, et les tampons d'hybridation utilisés sont de préférence des solutions de force ionique élevée telle qu'une solution 6xSSC par exemple.
Par fragment nucléotidique , on entend tout fragment des séquences SEQ ID n 1, SEQ ID n 3 ou SEQ ID n 5 ou des séquences nucléotidiques homologues de ces dernières, qui code pour un peptide possédant l'activité biologique de la sorbine.
Par "activité biologique de la sorbine", on se réfère notamment à l'activité connue et mesurable de la sorbine sur l'absorption de l'eau et des électrolytes. L'activité de la sorbine peut être notamment mesurée par la diminution de poids d'une vésicule biliaire isolée, remplie de solution de Krebs (Data for Biochemical Research, Dawson RWC, Eliott D, Eliott WH, Jones KM., Oxford at Clarendon Press, (1959)) et plongée dans cette solution nutritive de Krebs, la diminution du poids traduisant une absorption du contenu hydrique de la vésicule biliaire. Cette diminution de poids est accentuée pour les vésicules traitées par rapport aux témoins.
L'activité de la sorbine peut être mesurée également par la disparition des électrolytes, notamment des ions Na+ et CI- à partir d'une anse intestinale ligaturée in situ chez un rat anesthésié, remplie avec une solution de concentration connue. La disparition des ions après un temps donné traduit l'absorption de ces ions de la lumière intestinale vers le milieu intérieur.
Dans le mode de réalisation représenté en figure lb, le premier transistor MOS de la première branche in- verseuse IB1 est le transistor TP1 de type PMOS dont l'électrode de grille est reliée à l'une des entrées indé pendantes, c'est-à-dire à l'entrée IN,, alors que le deuxième transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2 dont l'électrode de grille est reliée à l'autre entrée indépendante IN2 est un transistor de type NMOS, le tran sistor TN2. Dans ces conditions, le deuxième transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, le transistor TN1, et le premier transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, le transistor TP2, sont formés respective ment par un transistor NMOS et un transistor PMOS.
Un justificatif du mode opératoire du point mé moire, objet de la présente invention, tel que représenté en figure la, sera maintenant donné en liaison avec les figures ld et le.
D'une manière générale, on indique que le principe de base utilisé pour la mise en #uvre du point mémoire, objet de la présente invention, telle que représenté en figure la ou lb, consiste à mettre au point un système d'auto- régénération de l'état précédent en cas d'appari tion d'une perturbation.
Sur les figures la et lb, on désigne par D le si gnal logique présent sur la première entrée indépendante IN, et par D le signal logique présent sur la deuxième entrée indépendante IN2. Le signal de sortie présent sur la sortie OUT est désigné par Q. Par convention et en rai son de la qualité de branche inverseuse de la deuxième branche inverseuse IB2, le signal présent sur la liaison entre la jonction drain/drain des premier et deuxième transistors de la première branche inverseuse IB1 et de l'électrode de grille de l'autre transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, autre transistor MOS constitué par le deuxième transistor MOS TN2 dans le cas de la figure la, respectivement par la premier transistor MOS TP2 dans le cas de la figure lb, est désigné par _Q, ce signal étant normalement, c'est-à-dire en l'absence de perturbation, le signal complémenté du signal de sortie Q présent sur la sortie OUT.
De même, en raison de la liaison de contre- réaction précédemment décrite dans la description, le si gnal présent sur l'électrode de grille de l'autre transis tor de la première branche IB1, le transistor MOS TP1 dans le cas de la figure la, respectivement le transistor MOS TN, dans le cas de la figure lb, est désigné par Q du fait même de la présence de cette connexion de contre-réaction.
Dans un cas de fonctionnement normal, c'est-à-dire en l'absence de signal de perturbation provoquée par l'im pact d'un ion lourd, les signaux logiques D et Q sont ré putés avoir le même niveau logique mais sont considérés comme non corrélés entre eux. Il en est de même pour les signaux complémentés de ces premiers signaux, signaux D et Q. Ainsi, en l'absence de perturbation, le point mé moire, tel que représenté en figure la ou lb, présente alors un fonctionnement identique à celui d'un point mé moire classique dans lequel l'état logique est mémorisé par les signaux Q et Q.
Le comportement de l'ensemble illustré par l'évo lution des signaux Q et Q lorsque l'un de ces signaux est perturbé par l'impact d'un ion lourd sera maintenant dé crit en liaison avec la figure 1d.
I1 existe deux configurations possibles - soit D = Q = 0 et D=Q=1 ; - soit D = Q = 1 et D = Q = 0 .
Premier cas : D = Q = 0 et D = Q =1 Une perturbation sur Q impose, ainsi que représenté en fi gure 1d, sur ce signal, une transition de l'état 0 vers l'état 1. L'électrode de grille du premier transistor TP1 de la première branche inverseuse IB1 est alors attaquée par le signal Q, le transistor TP1 passant ainsi de l'état conducteur à l'état bloqué. L'électrode de grille du tran sistor TN,, deuxième transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, placé à l'état logique 0 du fait de la va leur du signal D, ce transistor est également bloqué, et le signal Q correspond à celui d'une sortie haute impé dance, potentiel flottant noté HZ, conservant par là même son état précédent, c'est-à-dire la valeur logique 1, ce qui a pour effet de maintenir le deuxième transistor MOS TNZ de la deuxième branche inverseuse IBZ à l'état conduc teur. L'état conducteur et donc l'état logique de la sor tie OUT étant inchangé, le transistor TNZ maintenu à l'état conducteur et la sortie OUT provoquent une régéné ration de l'état logique 0 sur la valeur logique du signal Q après passage de l'ion lourd et ramènent ainsi les tran sistors TP1, premier transistor MOS, et TN,, deuxième transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, à l'état initial après passage de l'ion lourd. Le point mé moire tel que représenté en figure la ou lb a ainsi re trouvé son état premier.
Dans le cas d'une perturbation sur le signal Q, cette perturbation impose sur ce signal une transition de l'état logique 1 vers l'état logique 0. L'électrode de grille du transistor MOS TN2, deuxième transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, respectivement du transistor MOS TP2, premier transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2 sur la figure lb, commandée par le signal Q, siège de la perturbation, ce transistor devient bloqué. L'électrode de grille du premier transistor MOS TP2 dans le cas de la figure la, respectivement du deuxième transistor MOS TNZ de la deuxième branche inver- seuse IB2 dans le cas de la figure lb, recevant le signal D à l'état logique 1, le transistor MOS TP2, respective ment le transistor TN2 sur la figure lb, est également bloqué et la sortie OUT correspond à une sortie haute im pédance conservant par là même son état précédent, c'est- à-dire l'état logique 0 en maintenant le transistor TP1, dans le cas de la figure la, respectivement le transistor TNI de la figure lb de la première branche inverseuse IBI, conducteur. Ce dernier transistor, maintenu à l'état con ducteur, permet de régénérer l'état logique 1 sur le si gnal Q après le passage de l'ion lourd et le point mémoire, objet de la présente invention, tel que représen té en figure la, retrouve son état premier. Deuxième cas : D = Q = 1 et D = Q = 0 .
Dans le cas où une perturbation impose sur le signal Q une transition de l'état 1 vers l'état 0, ainsi que représenté en figure le, l'électrode de grille du transistor TPI, premier transistor de la première branche inverseuse IB1, figure la, ou deuxième transistor TNI de la première bran che IB1 dans le cas de la figure lb, est commandée par ce signal Q, le transistor précité devient conducteur et en- tre en conflit avec le transistor MOS de la même branche inverseuse IB1 dont l'électrode de grille est commandée par le signal D à l'état logique 1. Dans le pire cas, une telle situation est susceptible d'entraîner un changement d'état logique sur le signal Q qui transite de l'état lo gique 0 à l'état logique 1. Dans ce cas, on constate que le point mémoire a alors changé d'état. Toutefois, en sup posant, hypothèse H, que les signaux D et D n'ont pas changé d'état logique, leur valeur respective étant res pectivement 1 et 0, on constate alors que les transistors TN1, deuxième transistor MOS de la première branche inver- seuse IB1, figure la, et TP1, premier transistor MOS de la première branche inverseuse IB1, figure lb, ainsi que les transistors TP2, premier transistor de la deuxième branche inverseuse IB2, figure la, et TN2, deuxième transistor MOS de la deuxième branche inverseuse IB2, figure lb, sont restés conducteurs et leur action a pour conséquence que le point mémoire est restauré dans son état premier après le passage de l'ion lourd, ainsi que représenté en figure le.
Dans le cas où une perturbation sur Q apparaît, il est facile de vérifier qu'une telle perturbation provo que le même comportement que mentionné précédemment, c'est-à-dire un changement de l'état interne du point mé moire puis une régénération par l'intermédiaire des si gnaux D et D.
A titre récapitulatif, on indique que le point mé moire, objet de la présente invention, tel que représenté en figure la, et dont le fonctionnement a été illustré en référence aux figures 1d et le, est insensible aux ions lourds par auto-régénération de son état logique, pourvu qu'il n'existe aucune relation directe entre les signaux D et D, d'une part, et les signaux Q et Q, de l'autre.
Une telle condition peut être réalisée, l'hypo thèse H précitée étant satisfaite, en connectant deux points mémoire en parallèle de la manière ci-après, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description en liaison avec les figures 2a et 2b, la sortie OUT délivrant le signal Q d'un point mémoire étant connectée à l'entrée IN,, première entrée indépendante d'un autre point mé moire, et la sortie Q du premier point mémoire étant en outre connectée à l'entrée D, c'est-à-dire à la deuxième entrée indépendante de l'autre point mémoire. Une descrip tion plus complète d'une cellule mémoire ainsi constituée sera donnée ultérieurement.
Bien entendu, le point mémoire, objet de la pré sente invention, n'est pas limité au mode de réalisation représenté en figures la et lb, dans lequel, du point de vue du nombre de transistors mis en #uvre, ce nombre de transistors est absolument identique à un point mémoire non durci de type classique mais non résistant à l'impact des ions lourds. En particulier, ainsi que représenté en figure 1c, l'une au moins des première et deuxième bran ches inverseuses, la branche IB1 sur la figure 1c, peut comporter en outre un transistor MOS auxiliaire de même type de conduction que le premier, respectivement le deuxième transistor MOS, et dont l'électrode de grille est connectée en parallèle avec l'électrode de grille du tran sistor MOS de type de conduction opposé de la même branche inverseuse IB1. Sur la figure 1c, à titre d'exemple non limitatif, on a désigné par T'PI le transistor MOS auxi liaire associé en connexion série drain/source au premier transistor MOS TP1 de la première branche inverseuse IB1 de la figure la. Ainsi, l'électrode de grille du transis tor MOS auxiliaire T'PI est elle-même connectée en paral lèle à l'électrode de grille du deuxième transistor MOS de la première branche inverseuse IBI, le transistor TN1, et en définitive, à la première entrée indépendante IN,. On conçoit ainsi que du fait de l'impact d'un ion lourd sur le premier transistor TP1 de la première branche inver- seuse IB1, la perturbation soit ainsi réduite du fait de la redondance série introduite par ce transistor auxi liaire. Bien entendu, cette redondance série permet d'aug menter la stabilité de l'ensemble, alors que le nombre de transistors mis en ceuvre, du fait de l'adjonction de ce transistor auxiliaire, n'est pas rédhibitoire. Par analo gie avec le mode de réalisation de la figure 1c, le tran sistor auxiliaire peut être constitué soit par un transistor P-MOS, T'P2, connecté en série dans la branche du transistor TP2 et dont l'électrode de grille est con nectée au signal Q, soit par un transistor N-MOS, T'NI respectivement T'N2 connecté en série avec le transistor TN, respectivement TN2 et dont l'électrode de grille est connectée à Q respectivement à D. Ces transistors auxi liaires ne sont pas représentés au dessin, et ne sont pas nécessaires.
Une description plus détaillée d'une cellule mé moire conforme à l'objet de la présente invention, incor porant deux points mémoire tels que décrits précédemment dans la description, sera maintenant donnée en liaison avec les figures 2a et 2b. Sur les figures précitées, on indique que les élé ments constituant les points mémoire respectifs mis en #u- vre correspondent à ceux représentés en figures la et lb et, de ce fait, portent les mêmes références. Pour une meilleure compréhension de l'ensemble toutefois, les si gnaux portent simplement des références similaires pour chaque mode de réalisation correspondant à la figure 2a et 2b respectivement.
La proportion dudit agent n'est pas critique et peut varier dans de larges limites Toutefois, une proportion comprise entre 2 et 15 % en poids convient généralement bien.
L'ordre de l'introduction des différents réactifs est indifférent. On peut effectuer le mélange simultané de la dispersion colloïdale aqueuse, de l'acide, du diluant, et éventuellement l'agent promoteur. On peut également faire le prémélange de l'acide, du diluant et éventuellement de l'agent promoteur.
La mise en contact entre la dispersion colloïdale aqueuse et la phase organique peut se faire dans un réacteur qui est sous une atmosphère d'air, d'azote, ou un mélange d'air-azote.
Bien que la mise en contact entre la dispersion colloïdale aqueuse et la phase organique puisse se faire à température ambiante, environ 20 C, il est préférable d'opérer à une température choisie dans un intervalle allant de 60 C à 150 C, avantageusement entre 80 C et 140 C.
Dans certains cas, en raison de la volatilité du diluant, il y a lieu de condenser ses vapeurs par refroidissement à une température inférieure à son point d'ébullition Le mélange réactionnel résultant (mélange de dispersion colloïdale aqueuse, d'acide, de diluant et éventuellement d'agent promoteur) est maintenu sous agitation pendant toute la durée du chauffage, durée qui peut être variable.
Lorsque l'on arrête le chauffage, on note la présence de deux phases : une phase organique contenant la dispersion colloïdale, et une phase aqueuse résiduelle Quelquefois on peut observer la présence d'une troisième phase émulsionnée On sépare ensuite la phase organique et la phase aqueuse selon les techniques classiques de séparation : décantation, centrifugation Conformément à la présente invention, on obtient ainsi des dispersions colloïdales organiques présentant les caractéristiques précitées Les dispersions colloïdales organiques qui viennent d'être décrites peuvent être employées comme adjuvant de gazole pour moteurs à combustion interne, plus particulièrement comme adjuvant des gazoles pour moteur diesel.
Elles peuvent également être utilisées comme adjuvants de combustion dans les combustibles ou carburants liquides des générateurs énergétiques tels que moteurs à explosion, brûleurs à mazout, ou propulseurs à réaction.
L'invention a enfin pour objet les carburants pour moteur à combustion interne obtenu par mélange à un carburant usuel d'une dispersion colloïdale organique selon l'invention.
Les exemples et figures présentés ci-après sont à titre illustratif et non limitatif de la présente invention.
Figures Figure 1 Photographie obtenue par MET d'une dispersion colloïdale organique de Ce02 selon l'invention, préparée d'après l'enseignement de l'exemple 1.
Figure 2 : Photographie obtenue par MET d'une dispersion colloïdale organique de Ce02 selon l'art antérieur, préparée d'après l'enseignement de l'exemple 7.
EXEMPLES Exemple 1 : Elaboration d'une solution colloïdale organique de Ce02 élaborée à partir d'acétate de cérium (III) Dans cet exemple, la préparation de la solution colloïdale organique d'oxyde de cérium comporte les étapes suivantes : 1/ obtention d'un précipité solide en phase aqueuse ; 2/ transfert en phase organique.
A 279,3 g d'acétate de cérium (III) cristallisé (à 49,29% en équivalent oxydes Ce02), commercialisé par la société Rhodia Terres Rares, on additionne 1800 ml d'eau permutée. La dissolution du sel cristallisé est réalisée pendant environ une heure sous agitation.
On additionne alors 22,8 ml d'acide acétique pur de la société Prolabo et on ajuste le volume à 2000 ml. Après homogénéisation , le pH de la solution est de 4,3 Cette solution d'acétate de cérium (III) présente ainsi une concentration en cérium (III) de 0,4M et un rapport CH3COOH/Ce(III) = 0,5 molaire.
La précipitation du solide est réalisée dans un montage en continu comprenant - un réacteur d'un litre équipé d'un agitateur à pales, réglé à 400 tr/mn, avec un pied de cuve de 0,5 # de solution basique (NH40H à pH 10,5) et d'une électrode asservie à une pompe régulatrice de pH dont la consigne est fixée à pH 10,5 ; - deux flacons d'alimentation contenant d'une part la solution d'acétate de cérium précédemment décrite et d'autre part, une solution d'ammoniaque 6N, le débit de la solution d'acétate de cérium est fixé à 500 ml/h et le débit d'ammoniaque est asservie à la régulation de pH ;