INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette raison est la suivante. L'espacement formé entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43 aussi bien qu'entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43 a une dimension très faible. Ainsi, si les résines d'amortissement de contrainte 46, 48 sont injectées dans les espacements, ces résines d'amortissement de contrainte 46, 48 provoquent la production aisée de diaphonie multiple. Donc, cette diaphonie multiple entrave l'injection des résines d'amortissement de contrainte 46, 48. Ou bien, la diaphonie. multiple provoque l'application d'une force externe aux bosses de soudure 45, 47 dans un sens dans lequel elles sont séparées de la carte de montage 42 et de la carte formant dispositif d'interposition 43.
En conséquence, il est impossible d'assurer des quantités suffisantes d'alimentation en résines d'amortissement de contrainte, et il est également impossible d'exécuter de manière sûre les connexions entre les bosses de soudure. Cela a pour conséquence un problème de réduction de l'effet d'amortissement de la contrainte et de la fiabilité de connexion par les bosses de soudure.
Egalement, l'interposition de la résine d'amortissement de contrainte 46 entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43 augmente le nombre de processus de tâche à un instant lors de la tâche de montage, ce qui a pour conséquence un problème en ce que la tâche de montage devient complexe.
La Demande Publiée avant examen de Brevet Japonais (JP-A-Heisei, 1-117 049) décrit une technique classique en tant qu'appareil de refroidissement d'un dispositif à circuit intégré. Dans cet appareil, au moins une ou plusieurs puces de dispositif à circuit intégré sont montées sur une carte imprimée de câblage électrique par l'intermédiaire de billes de soudure. Dans l'appareil de refroidissement du dispositif à circuit intégré qui est scellé en utilisant un capuchon de scellement de façon à recouvrir la puce de dispositif à circuit intégré, le côté arrière de la puce de dispositif à circuit intégré et la surface intérieure du capuchon de scellement sont finement divisés et joints l'un à l'autre en utilisant une matière de jonction conductrice à haute température. Cependant, cet appareil ne résout pas les problèmes précédemment mentionnés.
La présente invention est établie en vue de résoudre les problèmes précédemment mentionnés. Par conséquent, un objectif de la présente invention est de proposer une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré qui peut améliorer l'effet d'amortissement de la contrainte et la fiabilité de la connexion par les bosses de soudure et qui peut également simplifier la tâche de montage, et un procédé de montage de ce dernier.
Un autre objectif de la présente invention est de proposer un dispositif à circuit intégré, qui peut améliorer l'effet d'amortissement de contrainte et la fiabilité de la connexion par les bosses de soudure en notant le fait que la carte formant dispositif d'interposition a une fonction d'empêcher un rayonnement radioactif (ligne oc) produit à partir de la soudure de pénétrer dans le dispositif à circuit intégré à partir du côté de la carte de montage et ensuite d'interposer la bosse de soudure entre la carte de montage et la carte formant dispositif d'interposition en tant que matière d'amortissement de contrainte, et un procédé de montage de ce dernier.
Résumé de l'invention La présente invention a été établie pour résoudre les problèmes précédemment mentionnés de la structure de montage classique du dispositif à circuit intégré. Un objectif de la présente invention est de proposer une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré qui peut améliorer l'effet d'amortissement de la contrainte et la fiabilité de la connexion par les bosses de soudure et également de simplifier la tâche de montage, et un procédé de montage de ce dernier.
Un autre objectif de la présente invention est de proposer un dispositif à circuit intégré, qui peut améliorer l'effet d'amortissement de la contrainte et la fiabilité de la connexion par les bosses de soudure en notant le fait que la carte formant dispositif d'interposition a une fonction d'empêcher un rayonnement radioactif (ligne (x) produit à partir de la soudure de pénétrer dans le dispositif à circuit intégré à partir du côté de la carte de montage et ensuite d'interposer la bosse de soudure entre la carte de montage et la carte formant dispositif d'interposition en tant que matière d'amortissement de contrainte, et un procédé de montage de ce dernier.
Afin de parvenir à un aspect de la présente invention, une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré comprend : un dispositif à circuit intégré ; une carte de montage sur laquelle le dispositif à circuit intégré est monté ; une carte formant dispositif d'interposition étant interposée entre le dispositif à circuit intégré et la carte de montage ; une première bosse de soudure reliant électriquement la carte formant dispositif d'interposition à la carte de montage, dans laquelle la première bosse de soudure est disposée entre la carte formant dispositif d'interposition et la carte de montage ; et une deuxième bosse de soudure amortissant une contrainte, dans laquelle la deuxième bosse de soudure est disposée entre la carte formant dispositif d'interposition et la carte de montage.
Dans ce cas, la deuxième bosse de soudure est réalisée sans utiliser de résine pour amortir une contrainte définie entre la carte formant dispositif d'interposition et la carte de montage.
Egalement dans ce cas, l'étape (b) comprend la fourniture de la troisième bosse de soudure ayant un point de fusion supérieur à ceux des premières et deuxièmes bosses de soudure, et l'étape (e) comprend la fusion des premières et deuxièmes bosses de soudure de sorte que la troisième bosse de soudure n'est pas fondue.
De plus, dans ce cas, l'étape (d) comprend la fourniture de la pluralité de deuxièmes bosses à l'intérieur de la pluralité de premières bosses de soudure sur la carte de montage.
Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description qui va suivre lorsque prise en relation avec les dessins annexés, dans lesquels la figure 1 est une vue en coupe représentant une structure de montage classique d'un dispositif à circuit intégré ; la figure 2 est une vue représentant une relation entre une contrainte par plage de contact et le nombre de plages de contact totales relatives, dans la structure de montage classique du dispositif à circuit intégré ; la figure 3 est une vue en coupe représentant une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 4 est une vue en plan représentant un état de matrice d'une pluralité de bosses de soudure dans la structure de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 5A est une vue en coupe décrivant un processus particulier dans le procédé de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 5B est une vue en coupe décrivant un autre processus dans le procédé de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 5C est une vue en coupe décrivant encore un autre processus dans le procédé de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention.
Description détaillée des modes de réalisation préférés Des modes de réalisation de la présente invention vont être décrits dans la suite du document en se référant aux dessins annexés.
La figure 3 est une vue en coupe représentant une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré selon un premier mode de réalisation de la présente invention. De manière similaire, la figure 4 est une vue en plan représentant l'état de matrice d'une pluralité de bosses de soudure, dans la structure de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Les figures 5A, 5B et 5C sont des vues en coupe décrivant des processus dans le procédé de montage du dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Aux figures 3, 4, 5A, 5B et 5C, les mêmes symboles sont attribués aux mêmes éléments que ceux représentés à la figure 1. Ainsi, toute explication détaillée sera omise.
Aux figures 3 et 4, la structure de montage du dispositif à circuit intégré désigné par la référence numérique 1 comporte une carte de montage 42, une carte formant dispositif d'interposition 43 et un dispositif à circuit intégré 44.
La carte formant dispositif d'interposition 43 possède un trou traversant 43a et est reliée à la carte de montage 42 par une bosse de soudure (bille de soudure eutectique) 45. La bosse de soudure 45 est utilisée pour relier la carte formant dispositif d'interposition 43 à la carte de montage 42. A la figure 4, une pluralité de bosses de soudure 45 sont disposées en une forme de grille sauf pour une partie centrale de la figure 4 à des positions correspondant à des bornes (non représentées) du dispositif à circuit intégré 44.
A la figure 4, une pluralité de bosses de soudure d'amortissement de contrainte (billes de soudure eutectique) 2 sont disposées en une forme de grille. A la--figure 4, la pluralité de bosses de soudure d'amortissement de contrainte 2 est disposée selon le même intervalle que l'intervalle de matrice des bosses de soudure 45 dans les directions verticale et horizontale, et est agencée à l'intérieur de la position de matrice des bosses de soudure 45. Ainsi, la contrainte thermique produite par la variation de température entre un instant d'une tâche de montage et un instant après la tâche de montage ou entre un fonctionnement du dispositif et un non-fonctionnement du dispositif est répartie de manière uniforme vers et à l'écart des bosses de soudure respectives 2, 45 à une température normale.
La bosse de soudure 2 servant de matière d'amortissement de contrainte est interposée entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43, en notant le fait que la carte formant dispositif d'interposition 43 a la fonction d'empêcher le rayonnement radioactif (ligne a) produit à partir de la soudure de pénétrer dans le dispositif à circuit intégré 44 à partir du côté de la carte de montage 42.
A propos, une bosse de soudure 47 est constituée par une soudure ayant un point de fusion supérieur à ceux de la bosse de soudure 45 et de la bosse de soudure d'amortissement de contrainte 2. Par conséquent, la connexion électrique de la carte formant dispositif d'interposition 43 à la carte de montage 42 est obtenue par la fusion de la bosse de soudure 45 à une température de fusion inférieure à celle de la bosse de soudure 47 à l'instant de la tâche de montage.
Le procédé de montage d'un dispositif à circuit intégré selon le premier mode de réalisation de la présente invention va être décrit dans la suite du document en se référant aux figures 5A à 5C.
Tout d'abord, le dispositif à circuit intégré 44 est placé par l'intermédiaire de la bosse de soudure 47 sur la carte formant dispositif d'interposition 43. Dans ce cas, la connexion électrique du dispositif à circuit intégré 44 à la carte formant dispositif d'interposition 43 est obtenue de la manière suivante. C'est-à-dire que la bille de soudure à point de fusion élevé (bosse de soudure) 47 est placée sur une position de plage de connexion de chaque trou traversant 43a dans la carte formant dispositif d'interposition 43. Le dispositif à circuit intégré 44 est placé de sorte que chaque borne (non représentée) du dispositif à circuit intégré 44 est en contact avec la partie sur la bille de soudure à point de fusion élevé 47. Ensuite, après qu'un premier ensemble A est formé comme le montre la figure 5A, ce premier ensemble A est logé dans un four à fusion qui est chauffé au préalable à environ 300 C.
Ensuite, le premier ensemble A est pris dans le four à fusion. Ensuite, une résine d'amortissement de contrainte 48 est injectée entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43, comme le montre la figure 5B. A ce moment, la résine d'amortissement de contrainte 48 est injectée dans l'espacement formé entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43.
Après cela, la carte formant dispositif d'interposition 43 est placée par l'intermédiaire de la bosse de soudure 45 et de la bosse de soudure d'amortissement de contrainte 2 sur la carte de montage 42. Dans ce cas, la connexion électrique via le trou traversant 43a de la bosse de soudure 47 à la carte de montage 42 est effectuée de la manière suivante. C'est- à-dire que les billes de soudure eutectique (la bosse de soudure 45 et la bosse de soudure d'amortissement de contrainte 2) sont placées en une forme de grille sur des positions de plage de contact de la carte de montage 42. La carte formant dispositif d'interposition 43 est placée de sorte que la plage de contact de chaque trou traversant 43a est en contact avec chacune des bosses de soudure 45, comme le montre la figure 5C, et ensuite un deuxième ensemble B est formé. Après cela, ce deuxième ensemble B est logé dans un four à fusion qui est chauffé à l'avance à environ 210 à 310 C.
Comme on l'a précédemment mentionné, le dispositif à circuit intégré 44 peut être monté sur la carte de montage 42.
Ainsi, dans ce mode de réalisation, non seulement la bosse de soudure 45 mais également la bosse de soudure d'amortissement de contrainte 2 peuvent être agencées de manière sûre à la position souhaitable entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43 à l'instant de la tâche de montage. Donc, il est possible d'assurer la quantité d'alimentation suffisante de,la matière d'amortissement de contrainte et il est également possible d'exécuter de manière sûre la connexion par les bosses de soudure. Aussi, dans ce mode de réalisation, l'interposition de la bosse de soudure 45 et de la bosse de soudure d'amortissement de contrainte 2 entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43 permet d'exécuter en même temps l'interposition de ces bosses de soudure 45, 2, ce qui permet, par conséquent, la réduction du nombre de processus de tâche à l'instant de la tâche de montage.
Exemple 1 SYNDET PEAUX SENSIBLES SULFOSUCCINATE DE LAURYL DISODIQUE 24.50% SULFATE DE LAURYL DISODIQUE 24. 50% AMIDON DE MAIS 18. 2652% ALCOOL CETEARYLIQUE 9. 329% PARAFFINE 8, 329% SQUALANE1. 00% EAU 7. 265% EXT. BOURGEON DE PEUPLIER 0. 200% ACIDE STEARIQUE 4. 419% HUILE DE CALENDULA 1. 000% ACIDE CITRIQUE 0. 2946% ALCOOL PHENETHYLIQUE 0. 100% EXT. D'AMANDE DOUCE 0. 500% DIOXIDE DE TITANE 0. 2982% Exemple 2 SAVON DE TOILETTE HUILE D'AMANDE DOUCE RAFFINE 0.50% EXT. BOURGEON DE PEUPLIER 0. 25% SQUALANE 1. 05% PARFUM 2. 00% COPEAUX SAVONS 96. 0% Eau q. s. p. 100 Exemple 3 GEL DE DOUCHE SQUALANE 0. 10% EXT. BOURGEON DE PEUPLIER 1. 00% GLYCEROL 1. 00% SULFATE DE LAURETH SODIQUE 20. 0% ORAMIX NS10 8% TEGOBETAINE F50 12. 0% ELFACOS GT 282 S 1. 00% OPACIFIANT E 295 0. 50% NAOH 0.05% DMDM HYDANTOIN 0.20% PARFUM 1. 00% BENZOPHENONE-4 0.10% EAU 55.05% Exemple 4 LAIT CORPOREL EXTRAIT FLUIDE DE BOURGEON DE PEUPLIER 0, 1 à 1 g SQUALANE 0, 5 a 5 g VITAMINE E ACETATE 0, 2 à 0, 5 g MONOSTEARATE DE GLYCEROL OE 100 MOLES 5 g PARAFFINE LIQUIDE 10 g DECAMETHYL CYCLOPENTASILOXANE 5 g POLYMERE CARBOXYVINYLIQUE 0, 2 g TRIETHANOLAMINE 0, 25 g CONSERVATEURS q. s.
PARFUM q. s.
EAU POTABLE q. s. p. 100 g Exemple 5 CREME CORPORELLE NUTRITIVE ET APAISANTE EXTRAIT FLUIDE DE BOURGEONS DE PEUPLIER 0, 1 à 1 g DIMETHICONE COPOLYOL ET CYCLOMETHICONE 5 g PALMITATE D'ISOPROPYLE 2 g PARAFFINE LIQUIDE 10 9 GLYCERINE 10 g POLYETHYLENE GLYCOL400 10 g CHLORURE DE SODIUM 1 g CONSERVATEURS q. s.
EAU POTABLE q. s. p. 100 g Exemple 6 CREME REPARATRICE POUR LES MAINS OU SOIN APRES EPILATION EXTRAIT FLUIDE DE BOURGEONS DE PEUPLIER 0, 1 b 5 g SQUALANE 0, 5 à 5 g STEARATE DE GLYCEROL OE 10 g ALCOOLCETO STEARYLIQUE 1 g HYDROXYPROLINE 0, 5 g HUILE DE PARAFFINE EPAISSE 7 g GLYCEROL 5 g CONSERVATEURS q. s.
EAU POTABLE q. s. p. 100 g
COPOLYAMIDE HYPERBRANCHE, COMPOSITION A BASE DE CE COPOLYAMIDE HYPERBRANCHE ET PROCEDE D'OBTENTION DE CE DERNIER Le domaine de l'invention est celui des polymères hyperbranchés, également dénommés polymères dendritiques ou polymères fractals, constitués par un réseau tridimensionnel de monomères multifonctionnels ayant réagi les uns avec les autres, selon des réactions, par exemple, de condensation du type amidification.
La présente invention concerne un copolyamide hyperbranché du type de ceux obtenus par réaction entre, notamment, des monomères plurifonctionnels, par exemple trifonctionnels et bifonctionnels, chacun des monomères étant porteurs d'au moins deux fonctions réactives de polymérisation différentes.
La présente invention vise également les utilisations de ces polymères hyperbranchés, par exemple, comme charges ou additifs dans des compositions polymères, ces dernières constituant un autre objet de la présente invention.
L'invention a également trait à un procédé de préparation d'un tel polyamide hyperbranché ainsi que des compositions susceptibles de le contenir.
Les polymères hyperbranchés ont généralement une forme sensiblement globulaire de taille variant de quelques nanomètres à plusieurs dizaines de nanomètres.
Ces polymères fractals présentent une très faible cristallinité, une très faible compressibilité et une absence de retrait. Compte tenu de leur structure globulaire, ils sont dotés d'une viscosité à l'état fondu, plus faible que celle de polymères linéaires de poids moléculaire élevé identique. Il a été montré pour certains polymères fractals qu'ils possèdent des aptitudes de modificateurs de rhéologie (viscosité fondue) dans des compositions polymères comprenant des polymères linéaires de haut poids moléculaire et de haute viscosité.
C'est ainsi que la référence "Macromolécules, 25, 5561-5572 (1992)- Y.H.KIMAND O.W. WEBSTER" décrit des polyphénylènes hyperbranchés synthétisés à partir de monomères de type AB2 (e. g. acide ; 5-dibromophénylboronique et réactif de grignard de type 3,5 dialophényle/catalyse Pd-Ni). KIM et WEBSTER font par ailleurs état de la réduction de la viscosité à l'état fondu de polystyrènes, obtenue par incorporation des polyphénylènes hyperbranchés sus-visés.
En outre, la référence "polymerie materials science and engineering PMSE, vol. 77, meeting September 8-11, 1997, American Chemical SocietylKHADIR and GAUTHIER"divulgue des polymères arborescents constitués par des macromolécules hyperbranchés et à structure dendritiques. Ces polymères hyperbranchés sont obtenus par réaction d'un polystyrène linéaire partialement chlorométhylé avec des anions polystyryles, de manière à former un noyau sur lequel on vient greffer par différentes
réactions et notamment par chlorométhylation des générations successives de polymères arborescents. Les auteurs ont mis en évidence le fait que ces polymères arborescents sont des modificateurs de rhéologie à l'état fondu pour des polymères linéaires du type polystyrène et de type polyméthylméthacrylate. En particulier, ces polymères hyperbranchés permettent une diminution ou une augmentation significative de la viscosité à l'état fondu.
EXEMPLE 1 Fumarate de (1R,2S,4R-[f2'-1N,N-diméthylamino}-éthoxy)]-2-[phén]-1,7.7- tri-[méthyl]-bicyclo[2.2.1]heptane (111) [Formule 1] Réaction de Grignard A une suspension de 48,6 g (1,5 atome gramme) de tournure de magnésium dans 600 ml de tétrahydrofuranne anhydre, on ajoute une portion de 20 ml d'un mélange de 236 g (1,5 mole) de bromobenzène dans 200 ml de tétrahydrofuranne anhydre au point d'ébullition. Une fois que la réaction de Grignard a démarré, on ajoute le reste du mélange de bromobenzène à la suspension goutte à goutte en une heure. On chauffe le mélange réactionnel à ébullition jusqu'à dissolution totale du magnésium. Au dérivé de Grignard, on ajoute une solution de 152,2 g (1,0 mole) de (+)-camphre de formule II et 300 ml de tétrahydrofuranne anhydre sous chauffage constant à ébullition en une demi heure environ, et on chauffe le mélange réactionnel à ébullition pendant 5 heures supplémentaires.
Analyse par chromatographie en phase gazeuse (GC) - on effectue l'épreuve sur un chromatographe en phase gazeuse Perkin Elmer Autosystem ; - longueur 10 m (0,25mm) ; - on utilise une colonne capillaire (COSuk-19CB, Chrompack commerciale) (à 14 % de cyanopropyle et 14 % de méthylpolysiloxane) ; - on effectue l'injection à 200 C ; - vitesse de chauffage 10 C/minute ; - gaz porteur : hélium - détecteur : Détecteur à Ionisation de Flamme, température de l'injection 200 C, température finale 250 C, pression de gaz 40 kPa ; - teneur en (lR,2S,4R)-(-)-2-[phényl]-l,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2,21]-heptane- 2-ol : 66,5 % ; - teneur en (+) -camphre : 25 %.
Etherification A une suspension de 45,5 g (1,05 mole) d'amidure de sodium (teneur: 90 % en poids/poids) et 500 ml de dioxane anhydre, on ajoute un mélange de 220 g de l'huile incolore obtenue par hydrolyse contenant le (lR,2S,4R)-(-)-2-[phényl]- l,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2,21]-heptane-2-ol et 100 ml de dioxane anhydre au point d'ébullition en 1/2 heure. On chauffe le mélange à l'ébullition pendant 2 heures, puis on ajoute 113,0 g (1,05 mole) de (2-{chloro}-éthyl)-diméthylamine et on chauffe le mélange réactionnel à ébullition pendant 4 heures supplémentaires.
Formation du fumarate On refroidit la suspension à 20 C, on la filtre et on ajoute 121,9 g (1,05 mole) d'acide fumarique au filtrat limpide sous agitation vigoureuse. On chauffe le mélange réactionnel à ébullition pendant 10 minutes, on refroidit à 15 C, on agite pendant 1 heure supplémentaire et on filtre. On lave le gâteau de filtration au
dioxane, à l'eau et à l'éthanol et on sèche à 80 C jusqu'à ce qu'il soit débarrassé du solvant. On obtient ainsi 190,5 g (0,456 mole) de cristaux blancs, rendement 45,6 % (exprimé par rapport au (+) -camphre). Le point de fusion des cristaux blancs est de 214 à 216 C.
Analyse pour la formule brute C20H31NO#C4H4O4 (417,55) Calculé: C % = 59,04 % ; H % = 8,45 % ; N % = 3,35 % ; Trouvé: C%=69,06%; H%=8,42%; N%=3,39%.
[[alpha]]20D = -92,5 C (c = 0,4, diméthylsulfoxyde, 435 nm).
Le produit contient moins de 0,05 % de fumarate de (1R,3S,4R)-3-[(2'- {N,N-diméthylamino}-éthyl)]-l,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2.2.1]heptane-2-one (1/1) comme contaminant.
EXEMPLE 2 (Exemple Comparatif) Fumarate de (1R2S.4RZ (-)-2-[(2'- N,N-diméthylamino}-éthoxy]-2-[phényl-1,7,7- tri-[méhyl]-bicyclo[2.2.1]heptane (1/1) [Formule I] Reproduction du procédé décrit dans le brevet de Hongrie n 212 574 Réaction de Grignard A un composé de Grignard préparé à partir de 5,52 g (0,23 atome gramme) de tournure de magnésium et 36,1 g (0,23 mole) de bromobenzène dans 200 ml d'éther diéthylique anhydre, on ajoute une solution de 30,4 g (0,20 mole) de (+)camphre et 50 ml d'éther diéthylique anhydre. On chauffe le mélange réactionnel à ébullition pendant 5 heures. On décompose le complexe de Grignard par addition d'une solution glacée aqueuse de 20 g de chlorure d'ammonium, on lave le mélange à trois reprises avec 30 ml d'eau chaque fois, on sépare et on sèche sur sulfate de magnésium anhydre et on élimine le solvant par évaporation. On obtient ainsi 40,5 g d'une huile incolore qui contient, d'après la chromatographie en phase gazeuse : 57,5 % de (+)-camphre de formule II ; 5,8 % de 1,7,7-tri-[méthyl]-bicyc10[2.2.l]heptane-2-01-[boméol] ; 34,5 % de (lR,2S,4R)-(-)-2-[phényl]-1,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2,21]-heptane- 2-ol de formule III ; et 2,2 % d'autres contaminants en petite quantité.
Etherification A une suspension de 3,4 g (67 mmoles) d'hydrure de sodium (dispersion à 47,7 % poids/poids) et 50 ml de toluène anhydre, on ajoute une solution de 40,0 g de l'huile obtenue dans la réaction de Grignard contenant le (lR,2S,4R)-(-)-2-[phényl]- 1,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2,21]-heptane-2-ol de formule III et 30 ml de toluène anhydre. On chauffe le mélange à ébullition pendant 1 heure, puis on ajoute une