INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, comme représenté au niveau du tableau 5, lorsque le second bloc de luminance D2 passe de l'état activé à l'état désactivé (D2 : 1 0) entre deux images successives, s'il y a par exemple quatre pixels contigus qui présentent le même changement, des impulsions d'égalisation de niveaux d'échelle de gris de-47, -27,0 et 0 sont appliquées sur les pixels respectifs. Pareillement, comme représenté au niveau du tableau 6, lorsque le quatrième bloc de luminance D4 passe de l'état activé à l'état désactivé (D4 : 1 # 0) entre deux images successives, s'il y a par exemple deux pixels contigus qui présentent le même changement, des impulsions d'égalisation de niveaux d'échelle de gris de-47 et-25 sont appliquées sur les pixels respectifs.
Les figures 24A et 24B sont des organigrammes permettant d'expliquer un exemple du procédé d'affichage en demi-teinte selon la présente invention en illustrant comment les impulsions d'égalisation de compensation de déplacement sont appliquées en relation avec des déplacements suivant des directions arbitraires. Les étapes ST191 à
ST199 des figures 24A et 24B correspondent fondamentalement aux étapes ST91 à ST99 de la figure 23 décrites précédemment.
La structure finalement obtenue présente ainsi, dans l'ordre, un substrat de silicium, une couche d'oxyde puis une couche de carbure de silicium.
Le procédé décrit ci-dessus permet d'obtenir des supports avec une couche de SiC, qui sont moins onéreux que les substrats de SiC monocristallin. Le procédé présente cependant un certain nombre de limitations.
I1 apparaît en effet qu'un budget thermique (durée du traitement-température du traitement) relativement important est requis pour le clivage du carbure de silicium. Ce budget thermique est par exemple de 1 heure à 850"C. A titre de comparaison, le clivage du silicium peut être provoqué avec un budget de seulement 30 secondes à 500"C.
Par ailleurs, il s' avère que le carbure de silicium clivé présente une rugosité de surface. La surface de SiC doit ainsi être traitée par polissage avant d'y former d'autres matériaux semi-conducteurs comme le GaN.
Exposé de l'invention L'invention a pour but de proposer un procédé de réalisation d'une structure comprenant un substrat de support et une couche de matériau semi-conducteur sur une face de ce substrat, telle qu'une structure de type silicium sur isolant, et en particulier de carbure de silicium sur isolant1 ne présentant pas les difficultés ou limitations exposées ci-dessus.
Un but est en particulier de proposer un procédé économique de réalisation d'une structure de type carbure de silicium-oxyde-silicium qui ne nécessite pas un budget thermique important lors d'une opération de clivage.
Un but est encore de proposer un tel procédé permettant d'obtenir une couche de SiC avec un excellent état de surface.
Un but est aussi de proposer un procédé de fabrication de supports pour une couche de GaN.
Pour atteindre ces buts, l'invention a plus précisément pour objet un procédé de réalisation d'une structure comprenant un substrat de support et une couche de matériau semi-conducteur sur une face du substrat de support, le procédé comportant les étapes successives suivantes a) formation d'une couche de matériau semi-conducteur sur une face d'un premier substrat, b) implantation d'ions dans le premier substrat, sous ladite face, au voisinage de la couche de matériau semi-conducteur, pour former une zone, dite zone de clivage, qui délimite une couche superficielle du premier substrat, en contact avec la couche de matériau semi-conducteur, c) report du premier substrat, avec la couche de matériau semi-conducteur, sur le substrat de support, la couche de matériau semi-conducteur étant rendue solidaire du substrat de support, d) traitement thermique pour provoquer un clivage du premier substrat selon la zone de clivage, la couche superficielle du premier substrat restant solidaire de la couche de matériau semi-conducteur et du substrat de support lors de ce clivage, e) élimination de ladite couche superficielle pour mettre à nu la couche de matériau semi-conducteur.
Selon un aspect particulier de l'invention, entre les étapes a) et b) ou entre les étape b) et c), la couche de matériau semi-conducteur peut être soumise à des traitements, tels qu'en particulier des traitements pour l'élaboration de composants actifs et/ou passifs. Lorsque des composants sont élaborés avant l'étape b), ces traitements sont alors pris en compte pour déterminer les conditions de l'implantation d'ions.
Selon une mise en oeuvre particulière de l'invention, le premier substrat peut être un substrat de silicium et la couche de matériau semi-conducteur peut être une couche de carbure de silicium.
On observe que, dans ce cas, le clivage opéré à l'étape d) du procédé n'a pas lieu dans une couche de carbure de silicium mais dans le silicium du premier substrat. Le clivage peut ainsi être provoqué avec un budget thermique plus faible et laisse par ailleurs intacte la couche de carbure de silicium.
Bien entendu, l'étape de clivage peut comporter l'utilisation de forces mécaniques complémentaires au traitement thermique.
De plus, le procédé de l'invention est adapté à la réalisation de structures avec une couche de matériau semi-conducteur, en particulier du SiC, de très grande surface.
Lors de l'étape c) du procédé, la couche de matériau semi-conducteur peut être solidarisée du substrat au moyen d'un traitement thermique.
Le même traitement thermique peut être prolongé et mis à profit pour provoquer le clivage de l'étape d) du procédé.
L'hydrogénolyse catalytique des liaisons Si-Si des polysilanes de la fraction lourde de la synthèse directe, représente l'option de valorisation la plus intéressante de l'art antérieur. Elle permet de transformer des sous-produits à faible valeur ajoutée en intermédiaires réactionnels à forte valeur ajoutée.
On distingue deux types d'hydrogénolyse catalytique de polysilanes, selon le pourvoyeur d'hydrogène retenu, à savoir soit l'acide chlorhydrique en solution, soit l'hydrogène gazeux sous pression.
Le procédé décrit dans le brevet FR 1 447 304 relève du premier type d'hydrogénolyse catalytique. La réaction qui gouverne le procédé selon ce brevet est la suivante: Me3-n ClnSi-SiClmMe3-m + HCl # HMe3-m SiCln + Me3-mSiClm-1 Le catalyseur mis en oeuvre est choisi parmi les amides ou les bases organiques. Ce procédé souffre de deux inconvénients majeurs. Le premier est lié à la stoechiométrie de la réaction selon laquelle pour une mole de disilane on obtient seulement une mole de chlorométhylsilane hydrogéné. Le deuxième inconvénient est lié à la spécificité des catalyseurs utilisés dans ce type de procédé. En effet, lesdits catalyseurs sont préférablement actifs vis-à-vis des disilanes contenant au moins un fragment monoalicylé (MeCl2Si) au détriment des disilanes n'en contenant pas.
Il existe plusieurs propositions techniques antérieures dans lesquelles l'enceinte réactionnelle est alimentée en hydrogène gazeux sous pression. Toutes ces propositions ont en commun des conditions opératoires lourdes et drastiques.
Dans ce registre, le brevet français N 2 085 143 divulgue l > hydrogénolyse de disilanes Me12 en présence d'un catalyseur organométallique constitué par un sel complexe de palladium, le bis-(tributylphosphinedichloropalladium (PBu3)2 PdCl2.
Ce catalyseur d'hydrogénolyse est employé à raison de 1 % en poids. La pression en hydrogène de 211.105 Pa mise en oeuvre, est si élevée quelle en est rédhibitoire sur le plan industriel. La température réactionnelle est relativement importante : 1200 C. La durée pourtant longue de la réaction ne permet pas d'obtenir des rapports de conversion élevés. (74 %). On soulignera enfin que les produits de départ ne sont pas constitués par un mélange de polysilanes mais par un seul disilane.
Le brevet US 4 079 071 enseigne quant à lui l'hydrogénolyse d'un mélange de disilanes Me11, Me12, Me22, Me13, Me23 en présence de 1% de catalyseurs d'hydrogénolyse formés par du bis(tributylphosphine)dichloronickel (PBu3)2NiCl2 à une température de 1500 C, sous une pression d'hydrogène de 50.10S Pa, pendant 6 heures. Là encore, il convient de noter que ce ne sont pas là des conditions opératoires idéales, d'un point de vue industriel.
Le brevet US N" 5 175 329 décrit un procédé de conversion de polysilanes formés par un mélange de disilanes Mel3 + Me22 + Mel2 + Mell additionnés de méthyltrichlorosilanes, en monosilanes hydrogénés ou non. Cette transformation s'effectue à l'aide d'un catalyseur d'hydrogénolyse choisi parmi les composés organométalliques à base de nickel, de palladium ou de platine, ou parmi les sels complexes de ces mêmes métaux. Un exemple donné pour ce catalyseur est le bis(tributylphosphine)-dichloronickel : (Pbu3 )2NiCl2. Selon une variante, le catalyseur d'hydrogénolyse peut être constitué par des formes inorganiques de ces métaux Ni, Pd, Pt, fixés, par exemple, sur un support du type alumine. Le catalyseur de redistribution est choisi parmi les halogénures de phosphonium ou d'ammonium quaternaire, les halogénures d'alurninium ou de bore. II peut s'agir, par exemple, d'un chlorure de tétrabutylphosphonium. L'hydrogénolyse s'effectue à 135 C sous une pression d'hydrogène de 36.105 Pa pendant de très longues durées qui peuvent atteindre 17 heures, pour un rendement en monosilanes hydrogénés par rapport à la totalité du silicium engagé de l'ordre de 40 %. Au vu de tels résultats, il est difficile de soutenir que ce procédé antérieur est économiquement viable à l'échelle industrielle.
Le brevet français NO 2 342 981 vise l'hydrogénolyse de mélange de disilanes du type de ceux comprenant 81 % de tétrachlorodiméthylsilane (Mel ), 17 % de trichiorotriméthylsilane (Me21), et 2 % de dichlorodiméthylsilane (Me22), en présence d'un catalyseur formé par une base aprotique du type hexaméthylphosphoretriamide (HMPT) et par du nickel divisé obtenu par réduction préalable ou in situ d'un dérivé minéral ou organique (cyclopentadiénylnickel ou nickelocène), par un agent réducteur ou par l'hydrogène. La réaction s'opère sous une pression d'hydrogène de 25.105 Pa à 110 C. La durée réactionnelle est inférieure à 1 heure pour une conversion de l'ordre de 70 % et une sélectivité en monosilanes hydrogénés de l'ordre de 56 %. Les conditions opératoires sont ici plus douces, donc plus acceptables mais les performances en termes de conversion et de sélectivité sont largement insuffisantes.
Dans ce procédé, les exemples donnés démontrent que le catalyseur est formé, soit par utilisation d'un composé organométallique du nickel sophistiqué et onéreux, soit par réduction de chlorure de nickel par un ajout supplémentaire d'un réducteur puissant et coûteux tel que le triéthylsilane.
Dans un tel environnement technique, l'un des objectifs essentiel de la présente invention est de proposer un procédé de préparation d'alkylmonosilanes hydrogénés, par hydrogénolyse catalytique, sous pression d'hydrogène, d'halogénoorgano-polysilanes, qui améliore les procédés connus notamment en termes de facilité de mise en oeuvre, de rentabilité et de performances exprimées par exemple au travers du rendement en monosilanes hydrogénés produits.
Un autre objectif essentiel de la présente invention est de proposer un procédé de production d'alkylmonosilanes hydrogénés, par exemple de méthyl hydrogénosilanes, qui soit efficace et performant pour une grande variété de polysilanes de départ qui peuvent comprendre aussi bien un polysilane donné de type quelconque qu'un mélange de divers polysilanes.
Un autre objectif de la présente invention est de fournir un procédé perfectionné de préparation d'hydrogénosilanes à partir de polysilanes, par hydrogénolyse catalytique sous pression d'hydrogène, qui ne fasse pas intervenir de produits de départ, d'intermédiaires réactionnels ou de co-produits qui soient dangereux à manipuler et/ou toxiques tels que des composés phosphorés.
S'étant fixés ces objectifs, les inventeurs ont eu le mérite d'envisager le perfectionnement souhaité sous l'angle de l'optimisation du système catalytique propre aux réactions d'hydrogénolyse de polysilanes et, particulièrement, de disilanes en monosilanes hydrogénés ou non. C'est ainsi qu'il a été découvert, de manière surprenante et inattendue, un nouveau système catalytique très sélectif et très actif pour la production d'hydrogénométhylchlorosilanes et obtenu par réduction dans le milieu réactionnel (in situ) de sels simples de métaux de transition ne comportant pas de ligands susceptibles de stabiliser ou de complexer le métal dans un degré d'oxydation requis pour l'activation de l'hydrogène moléculaire (zéro ou un), cette classe de ligands non souhaités étant bien définie au sens de la chimie de coordination de ces métaux, ces sets simples se devant d'être associés à des auxiliaires de dissolution choisis parmi les nucléophiles solubles en milieu aprotique.
Il s'ensuit que la présente invention a pour objet un procédé de préparation d'hydrogénosilanes à partir de polysilanes, dans lequel on met en contact de l'hydrogène gazeux sous pression, avec des polysilanes de formule (X): Ra Hb Sin X2n+2-a-b (i) dans laquelle: les radicaux R sont identiques ou différents et sont choisis dans un groupe comprenant: les alcoxyles linéaires ou ramifiés en C1-C6, les aryles, les alcoxyles linéaires ou ramifiés en Cl-C6, un radical trifluoropropyle ou un radical triméthylsiloxyles, les radicaux X sont des halogènes identiques ou différents entre eux. n=2à20, a = 0 à 2n + 2 b = 0 à 2n + 2 a+b=0à2n+2 pour obtenir des monosilanes de formule (in) : RcHdSiX4-c-d (II) dans laquelle: R et X sont tels que définis supra c = 1,2,3 ou 4 d=0,1 ou2 c+d = 2, 3 ou 4 caractérisé en ce que la mise en contact de polysilane (I) et de l'hydrogène s'effectue en présence d'un système catalytique comprenant - A - d'une part au moins un précurseur d'au moins un catalyseur d'hydrogénation, ce précurseur A étant choisi parmi les sels d'au moins un métal de transition, dont les ligands anioniques ou neutres sont exempts d'orbitales lt-accepteur, les halogénures, et en particulier les chlorures, étant des ligands tout spécialement préférés, - B - et d'autre part au moins un auxiliaire de dissolution du précurseur A dans le milieu réactionnel, cet auxiliaire B étant selectionné parmi les nucléophiles solubles en milieu aprotique, à l'exclusion ou non de l'HMPT, de préférence parmi les sels comportant des ligands anioniques ou neutres exempts d'orbitales lt-accepteur, les halogénures solubles et en particulier les chlorures étant particulièrement préférés, à l'exclusion d'agent réducteur.
Le système catalytique AB selon l'invention procure des avantages significatifs notamment au regard des conditions opératoires. En effet, la température réactionnelle peut être abaissée en dessous de 100 C, sans entraîner d'augmentation exagérée de la durée réactionnelle nécessaire et suffisante pour obtenir des conversions de substrats supérieures à 95 % et des rendements en hydrogénés de 70 %. En pratique, ces durées sont inférieures à 8 h, et plus classiquement compnses entre 0,1 et 4 heures.
C4-S GGCCTATGTGGACTACGTGTTGAACGT (SEQ ID N 54) correspondant à la région d'ADN située de la position 48169 à la position 48195 de la séquence de la figure 3 et l'oligonucléotide C4-R ayant la séquence indiquée ci-dessus, permettant d'encadrer par amplification PCR la région portant la délétion interne à l'ORF17. L'analyse par amplification par PCR a permis de détecter une bande de 1,8 kb dans la souche sauvage et une bande de 900 pb dans le mutant CIV89 de façon identique au signal obtenu avec le plasmide pCIVA. Les résultats montrés à la figure 16 confirment que la délétion d'environ 900 pb détectée par l'analyse Southern est identique à celle portée par le plasmide pCIV (949 pb).
Un métabolite mineur donne un pic parent à m/z 720 et des produits de déshydration et de fragmentation à m/z 702, m/z 576 et m/z 174. Le pic 174 peut correspondre à la 4-hydroxydésosamine et le pic 576 au 4'-hydroxydésosaminyl érythronolide B.
Ces résultats suggèrent que la différence de m/z de 16 comparée à l'érythromycine D (pic parent m/z 704) est portée par le sucre aminé. La structure proposée pour ce métabolite est la 4'-hydroxy érythromycine D.
Ces observations indiquent que l'enzyme est impliquée
dans le retrait du groupement hydroxyle dans la voie de biosynthèse de l'érythromycine et que le gène eryCIV code pour la dTDP-6-désoxyhexose 3,4-déshydratase.
La souche CIV89 a été déposée à la CNCM le 16 juillet 1997 sous le numéro 1-1905.
EXEMPLE 27 : du plasmide pCV# .
Un plasmide d'intégration, dénommé pCV# et portant une délétion dans le gène eryCV codant pour l'ORF18, a été construit selon le schéma de la figure 14A de la façon suivante : Le fragment BalI-BamHI (3,48 kb), obtenu à partir du plasmide pNC062 préparé à l'exemple 11 par digestion avec les enzymes de restriction BalI et BamHI, a été sous-cloné dans les sites SmaI-BamHI du vecteur pUC19. Du plasmide résultant pBAB18 (figure 5B), le fragment interne ScaI (lkb) a été ensuite délété par digestion avec l'enzyme ScaI pour générer une délétion de 1044 pb du nucléotide 49998 au nucléotide 51041 de la séquence de la figure 3 dans l'ORF18. Du plasmide pBABACV ainsi obtenu, le fragment portant la délétion a ensuite été réisolé à partir du polylinker de pUC19 par digestion avec les enzymes de restriction HindIII et EcoRI, puis sous-cloné dans le plasmide pUWL218. Le plasmide d'intégration pCV# ainsi obtenu (figure 14B) a été transféré dans la souche E. coli DH5aMRC, puis utilisé pour transformer Sac. erythraea.
EXEMPLE 28 : construction d'une souche Sac. erythraea eryCVA (CV90).
Une souche dans laquelle le gène eryCV porte une délétion interne telle que celle introduite dans le plasmide pCV# obtenu à l'exemple 27 a été préparée par transformation des protoplastes de Sac. erythraea avec le plasmide pCV#.
L'assemblage des données de séquence a été réalisé en utilisant le programme Fragment Assembly (Genetic Computer Group, University of Wisconsin) et l'identification des phases ouvertes de lecture en utilisant le programme CODONPREFERENCE (Devereux et al., 1984).
Les séquences nucléotidiques obtenues ont permis d'établir la séquence nucléotidique de 6093 bp représentée à la figure 22 (séquence de SEQ ID N 15), comprise entre les sites SphI* et KpnI montrés à la figure 21, dans laquelle cinq ORFs ont été identifiées respectivement du nucléotide 184 au nucléotide 1386 (ORF dénommée oleP1), du nucléotide 1437 au nucléotide 2714 (ORF dénommée oleG1), du nucléotide 2722 au nucléotide 3999 (ORF dénommée oleG2), du nucléotide 3992 au nucléotide 4729 (ORF dénommée oleM) et du nucléotide 4810 au nucléotide 5967 (ORF dénommée oleY). Les cinq ORFs sont transcrites dans la même direction.
Des échantillons de E. coli contenant le plasmide
pC035-S comprenant la région codante des ORFs olePl, oleGl, oleG2, oleM et oleY ont été déposés à la CNCM le 8 avril 1998 sous le numéro 1-2003.
Le gène oleG1 code pour un polypeptide ayant 426 acides aminés (séquence de SEQ ID N 17). Cependant, la présence d'un codon CGC codant pour une arginine très conservée dans cette classe de glycosyltransférase chez les Streptomycètes situé immédiatement en amont du codon GTG, indiquerait que le codon initiateur pourrait être le codon CTG en position 1431 de la séquence SEQ ID N 17.
Le gène oleG2 code pour un polypeptide ayant 426 acides aminés (séquence de SEQ ID N 18).
La comparaison des séquences en acides aminés déduites des ORFs oleG1 et oleG2 ci-dessus avec les protéines de bases de données à l'aide du programme Blast (Altschul et al., 1990) a montré des similarités avec des glycosyl transférases de différentes sources, notamment environ 72 % de similarité et 53 % d'identité avec la déosaminyltransférase EryCIII décrite à l'exemple 30.
L'identification de la fonction du gène oleG1 ou du gène oleG2 a été ensuite réalisée par interruption du gène cible dans la souche de S. antibioticus ATCC 11891 et par identification d'un précurseur non glycosylé de l'oléandomycine produit par la souche mutante en utilisant les méthodes décrites dans les exemples 3 à 4.
2) génération d'une souche de S. antibioticus oleG1# (A35G1).
Une souche dans laquelle le gène oleG1 est interrompu a été préparée par intégration d'un plasmide pC03 dans les régions homologues de l'ADN chromosomique de la souche de S. antibioticus ATCC 11891 productrice d'oléandomycine.
Dans un premier temps, le fragment BamHI de 0,6 kb interne au gène oleGl, obtenu par digestion du plamide pC035-S préparé ci-dessus, avec l'enzyme de restriction BamHI (figure 21), a été sous-cloné dans le site BamHI du plasmide pOJ260 NRRL B-14785.
Le plasmide pC03 ainsi généré a été ensuite transféré dans la souche E. coli TG1 rec01504::Tn5 (Kolodner et al., 1985), puis utilisé pour transformer les protoplastes de
S. antibioticus. La sélection des transformants a été réalisée par résistance à l'apramycine (Apramycine pour injection, Rhône Mérieux).
La préparation des protoplastes a été réalisée à partir de la souche S. antibioticus ATCC 11891 en suivant les conditions décrites par Hopwood et al., 1985.
La transformation a été réalisée en utilisant 50 1 d'aliquot de protoplastes, 5 g d'ADN plasmidique pC03 et en remplaçant le thiostrepton par de l'apramycine à la concentration finale de 25 g/ml.
La sélection des intégrants effectuée par résistance à l'apramycine a permis d'isoler un clone dénommé A35G1.
- une communication de données et de signaux de commande entre le dispositif de commande de la boite de vitesses et le dispositif de commande de moteur du moteur à combustion.
Dans une boite de vitesses mentionnée ci-dessus, il est possible d'intégrer une machine électrique par exemple un démarreur, un générateur par exemple un générateur classique d'énergie électrique de véhicule, un démarreur-générateur, ou un dispositif intervenant comme ralentisseur ou entraîneur additionnel. Il s'agit ici de façon avantageuse d'une machine électrique qui exerce les fonctions suivantes: démarrage du moteur à combustion et génération du courant électrique pour le circuit embarqué du véhicule et éventuellement freinage électrique à récupération d'énergie où l'énergie électrique en excès est de nouveau restituée pour l'entraînement. De façon avantageuse, la machine électrique peut aussi intervenir pour assister à la synchronisation de la boite de vitesses et peut également tre utilisée de façon avantageuse pour freiner l'arbre d'entrée de la boite de vitesses à une vitesse de rotation nulle lorsque le véhicule est arrté. De cette manière, des bagues de synchronisation de la première vitesse ou de la marche arrière peuvent tre économisées dans des exemples de réalisation particuliers. De plus, pour lisser des annulations de couple pendant des phases de passage, la machine électrique est de façon avantageuse réglable de façon appropriée pour mettre à disposition un couple pendant ces phases.
La machine électrique peut intervenir sur le côté moteur, c'est-à-dire sur le volant, par exemple aussi sur le volant primaire ou secondaire d'un volant à deux masses. Selon un autre exemple de réalisation, il est avantageux que la machine électrique intervienne sur l'arbre d'entrée de la boite de vitesses ou soit en prise sur ce dernier, l'agencement de la machine pouvant tre coaxial avec cet arbre ou décalé par rapport à lui. La machine électrique peut entraîner le moteur à combustion ou l'arbre d'entrée, soit directement, soit par un mécanisme intermédiaire. Ce mécanisme intermédiaire peut présenter une démultiplication constante ou variable. Il peut tre commuté entre plusieurs démultiplications constantes, ou la démultiplication peut tre réglée en continu.
Une démultiplication peut tre réalisée par exemple sous commande de forces centrifuges ou au moyen d'un actionneur.
Le mouvement de rotation de la machine électrique peut tre transmis à l'arbre de moteur ou à l'arbre d'entrée de la boite de vitesses par les moyens de transmission suivants: - dentures: engrenages droits, engrenages coniques, etc., mécanisme à enroulement: chaînes, courroies trapézoldales, courroies dentées, etc. mécanisme hydraulique: pompe/moteur, etc. mécanisme à friction, par exemple un mécanisme à roues de friction, un mécanisme toroïdal ou un mécanisme planétaire à billes.
Le processus de démarrage peut alors tre effectué entre autres de deux manières différentes.