INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Exposé de l'invention Afin de remédier aux inconvénients de l'art antérieur, il est proposé, selon la présente invention, un substrat compliant offrant une couche mince d'un matériau destiné à servir de germe à la croissance par épitaxie d'un autre matériau. Cette couche mince est reliée au reste du substrat par une zone de liaison, que l'on peut qualifier de zone enterrée, telle que la couche mince et/ou la zone de liaison accommode tout ou partie des contraintes provoquées lors de la croissance en épitaxie du matériau épitaxié, évitant ainsi de répercuter ces contraintes dans le matériau épitaxié.
Le caractère compliant d'une telle structure vis-à-vis d'un matériau déposé ensuite réside dans la prise en compte des différences de paramètre de maille, de coefficient de dilatation thermique et de la présence de la zone enterrée. Par définition, l'objet de cette structure compliante est d'accommoder les contraintes du film de matériau déposé par une relaxation de celles-ci dans la zone enterrée mais aussi éventuellement dans la couche mince.
Une variante du procédé consiste à introduire dans le film mince superficiel un élément étranger pour modifier les paramètres cristallographiques de la couche mince constituant le film germe pour l'épitaxie et par conséquent d'en modifier l'état de contrainte avant la croissance épitaxiale de la couche à obtenir.
Il est apparu également qu'un tel substrat compliant peut dans son principe être utilisé pour l'absorption de contraintes dues à d'autres causes qu'une croissance d'un matériau par épitaxie. En fait, ce substrat compliant peut être utilisé pour recevoir une structure quelconque amenant des contraintes.
L'invention a donc pour objet un substrat compliant comprenant un support et au moins une couche mince, formée en surface dudit support et destinée à recevoir, de manière solidaire, une structure amenant des contraintes, le support et la couche mince étant reliés l'un à l'autre par une zone de liaison telle que les contraintes amenées par ladite structure sont tout ou partie absorbées par la couche mince et/ou par la zone de liaison.
La zone de liaison peut etre une couche de défauts, par exemple une couche de microcavités. La couche de défauts peut être créée par implantation par bombardement d'une ou de plusieurs espèces gazeuses.
Ces espèces gazeuses peuvent être choisies parmi les gaz rares, l'hydrogène, le fluor et des dopants. On peut en outre procéder à une diffusion de l'espèce gazeuse implantée ou des espèces gazeuses implantées.
L'implantation peut être suivie d'un traitement thermique pour permettre de faire évoluer les défauts.
L'implantation par bombardement peut être notamment réalisée au travers de la surface du substrat, la région comprise entre la surface du substrat et la couche de défauts fournissant ladite couche mince.
Eventuellement, la région comprise entre la surface du substrat et la couche de défauts est amincie pour constituer ladite couche mince. L'implantation par bombardement peut aussi être réalisée au travers d'une couche sacrificielle supportée par ladite surface du substrat, ladite couche sacrificielle pouvant être ensuite éliminée.
La zone de liaison peut comprendre une interface de collage dont l'énergie de collage est contrôlée pour permettre l'absorption desdites contraintes. L'énergie de collage peut être contrôlée par préparation de surface et/ou par traitement thermique et/ou par créations de défauts à cette interface. Ces défauts peuvent être créés par exemple par implantation par bombardement et/ou par défauts de collage. Cette création de défauts permet généralement de fragiliser l'interface de collage. La zone de liaison peut comprendre en outre au moins une couche intermédiaire entre la couche mince et le support. La couche intermédiaire peut etre une couche métallique ou une couche d'un alliage métallique.
Dans une application privilégiée, la couche mince est en un premier matériau cristallin et est destinée à servir de germe pour la croissance hétéro-épitaxiale d'un deuxième matériau cristallin constituant ladite structure. Cette couche mince peut être une couche précontrainte par introduction d'un élément étranger audit premier matériau cristallin afin de favoriser la compliance dudit substrat. L'élément étranger peut être introduit par implantation par bombardement et/ou introduit par diffusion. Cette implantation peut être réalisée à travers un oxyde sacrificiel. Cet élément étranger peut être un dopant de la couche mince. Le premier matériau cristallin peut notamment être un semiconducteur par exemple Si ou GaAs. Un tel substrat compliant peut avantageusement servir à la croissance hétéro-épitaxiale d'un matériau cristallin choisi parmi GaN, SiGe, AlN, InN et SiC.
On élue la colonne avec un mélange de solvants appropriés, de préférence, un mélange toluène/acétate d'éthyle comprenant préférentiellement, 80 % en volume de toluène et 20 % en volume d'acétate d'éthyle.
On récupère les deux énantiomères isolés, purs, sous forme de deux complexes diastéréoisomères ayant les caractéristiques suivantes: RMN31 P = G(CH2C12) 55,9 ppm RMN31 p = G(CH2C12) = 53,6 ppm On récupère les deux énantiomères de la diphosphine purs en effectuant la décomplexation.
A cet effet, on utilise notamment un sel de l'acide cyanhydrique, de préférence, un sel alcalin et encore plus préférentiellement le sodium : ledit sel étant mis en solution dans le minimum d'eau nécessaire.
On solubilise les complexes dans un solvant organique tel que, par exemple, le dichlorométhane, puis l'on introduit sous agitation, le sel de l'acide cyanhydrique mis en oeuvre généralement en excès représentant de 2 à 5 moles par atome de métal.
L'opération est également conduite sous atmosphère contrôlée et à température ambiante.
On récupère l'énantiomère dans la phase organique qui est séparée, lavée à l'eau et séchée, par exemple sur sulfate de sodium.
On obtient les deux énantiomères du bis-[1 -phospha-2,3-diphényl-4,5- diméthylnorbornadiène], isolés purs répondant aux formules [(la) - (S,S) (+)] et [(lb) - (R,R) (-)] précitées, dont les caractéristiques sont les suivantes: RMN31P = G(CDC13) = - 13,2 ppm - [a]D = + 2310 (c = 1, C6D6).
RMN31P = G(CDC13) = - 13,2 ppm - [cc]D = - 1980 (C = 1, C6D6) (avec un [a]D déterminé pour une concentration de 10 mg/ml et à température ambiante).
Enantioméres voie sulfure.
Lorsque les diphosphines optiquement actives sont préparées selon une voie sulfure, on effectue le dédoublement du mélange racémique de disulfure de bis-[1 -phospha-2,3-diphényl-4,5-diméthylnorbornadiène] (IX'r) sur colonne chirale permettant d'obtenir les disulfures de bis-[1-phospha-2,3-diphényl4,5diméthylnorbornadiéne] optiquement actifs (IX'a) et (IX'b), puis on les réduit en disphosphines conduisant ainsi aux diphosphines optiquement actives (la) et (lb).
La réduction des disulfures de diphosphines se fait par réaction avec un réactif phosphoré de type PBu3 ou P(CH2CH2CN)3: la réaction étant conduite en milieu solvant organique, par exemple un hydrocarbure aromatique, de préférence, le toluène.
La réaction est effectuée généralement à la température de reflux du solvant réactionnel.
Ainsi, on obtient deux énantiomères:
Une autre variante consiste à réduire le mélange racémique de disuffures de bis-[1 -phospha-2,3-diphényl-4,5-diméthylnorbornadiène] (IX'r) en mélange racémique de bis-[1-phospha-2,3-diphényl4,5-diméthylnorbornadiéne] (Ir) puis à effectuer le dédoublement du mélange racémique de bis-[1 -phospha-2,3- diphényl-4,5-diméthylnorbornadiène] en phosphines optiquement actives (la) et (lb).
La réduction du mélange racémique de disuffures de diphosphines est conduite de la manière telle que précisée pour les disulfures de diphosphines optiquement actifs.
Enfin, une autre variante de l'invention consiste a transformer le mélange racémique de disulfures de bis-[1 -phospha-2,3-diphényl-4,5- diméthylnorbornadiène] en mélange racémique de dioxydes de bis-[1-phospha2,3-diphényl-4,5-diméthylnorbornadiène] puis à obtenir les diphosphines optiquement actives (la) et (lb) selon les voies mentionnées ci-dessus.
Chaque bloc élémentaire est mis en place successivement en partant du bloc le plus proche du dispositif de décalage de phase. L'atténuateur de faisceau doit être en position ouverte. Un bloc élémentaire est mis en place dans l'ordre suivant: -Mise en place du polariseur POL (2804). Réglage fin en rotation pour annuler le rayon sortant.
-mise en place du rotateur R2 (2803). Réglage fin en rotation pour maintenir le rayon sortant à une valeur nulle, une tension de-5V étant appliquée à R2.
-mise en place du rotateur Rl(2801). Réglage fin en rotation pour maintenir le rayon sortant à une valeur nulle, une tension de-5V étant appliquée à R2 et RI.
-mise en place du prisme de déviation PD (2802). Réglage fin en rotation pour maintenir le rayon sortant à une valeur nulle, une tension de-5V étant appliquée à RI et R2.
Les blocs DO et DOb sont mis en place de la même manière que les autres.
7. 3.2.5.Mise en place des rotateurs de phase (2210) (2241) (2238)(2226).
Ces rotateurs doivent avoir leur axe neutre vertical pour une tension appliquée de-5V (point vert vers le haut). L'axe de (2210) doit tourner vers la droite de la Fig. 27 lorsqu'une tension de +5V est appliquée (point rouge à droite). L'axe de (2241) doit tourner vers la gauche de la Fig.27 lorsqu'une tension de +5V est appliquée (point rouge à gauche). L'axe de (2238) et de (2226) doit tourner vers le haut de la Fig.27 lorsqu'une tension de +5V est appliquée (point rouge en haut).
7. 3.2.6. Mise en place des polariseurs: Les polariseurs (2252) et (2253) sont mis en place avec leur axe passant orienté suivant la verticale.
7. 3.3. Réglage de géométrie Dans un deuxième temps on effectue un réglage de géométrie visant à positionner correctement les caméras, les lentilles achromatiques et certains miroirs. Certains de ces réglages utilisent un capteur CCD auxilliaire, dont le pas (distance entre les centres de deux pixels voisins) doit être aussi réduit que possible.
A partir de l'image reçue soit sur un des capteurs du système, soit sur le capteur auxilliaire, on utilise un algorithme permettant l'appréciation de la ponctualité de l'image et la localisation du maximum. L'image reçue sur un capteur est obtenue en faisant interférer sur ce capteur une onde de référence et l'onde dont la ponctualité doit être évaluée.
7.3.3.l.Obtention d'une image bidimensionnelle et appréciation de la ponctualité: On a vu dans le premier mode de réalisation comment une image bidimensionnelle en nombres complexes peut être générée à partir de trois images différant entre elles par la différence de phase entre l'onde d'éclairage et l'onde de référence. Cette image dans le domaine fréquentiel peut être transposée dans le domaine spatiale par transformée de Fourier. Dans les phases de réglage qui suivent, on sera amené à apprécier le caractère ponctuel et le centrage de telles images, dans le domaine spatial ou fréquentiel. Ces images seront soit reçue sur un des capteurs CCD du dispositif, soit reçues sur un capteur auxilliaire. Les décalages de phase seront réalisés soit à l'aide de (2205) soit à l'aide de (2251). Dans certains cas, l'onde d'éclairagejouera le rôle d'onde de référence et vice-versa. Dans tous les cas, le système réalise donc trois images successives avec des décalages successifs, indicés par l'entier d, de +120 (d=O), 0 (d=l),-120 (d=2) degrés. Ceci donne un tableau de pixels I[d,i,j] ou l'indice avariant de 0 à 2 indice le déphasage. L'image en nombre complexes en est déduite par: t>J=C6(2lO,i,j-ll,ij-I21>J +J ZI1>t>>-IZtJJ
Si on cherche à évaluer la ponctualité dans le domaine spatial, une transformation de Fourier inverse est appliquée à cette image.
Dans les deux cas (qu'il y ait eu ou non transformation de Fourier), à partir de cette image de dimensions Npix x Npix correspondant au nombre de pixels utiles du capteur concerné (par exemple 256), on évalue la ponctualité par un programme comportant les étapes suivantes: Etape 1: le programme calcule le maximum max du module de S[i,j] et détermine ses coordonnées (imaxljmaxl).
Etape 2 : la partie du tableau S[i,j] située autour de (imaxl jmaxl) est extraite. On crée ainsi un tableau Sa[i, j] de dimensions Na X Na avec par exemple Na = 16: Etape 3: une transformée de Fourier directe est effectuée sur le tableau Sa Etape 4: le tableau Sa est complété par des zéros et on obtient un tableau Sb de dimensions Nb x Nb . et Sb[i, j] = 0 sinon.
Etape 5: la transformation de Fourier inverse du tableau Sb est effectuée. On obtient ainsi une version suréchantillonnée de la partie du tableau S initial située autour du point de module maximal.
Etape 6 : imax,jmax,max sont calculés par les formules:
I,a durée réactionnelle dépend des conditions utilisées et est généralement comprise entre 0,1 à 48 h.
Comme base organique ou inorganique appropriée pour cette réaction, on peut citer les hydrures de métaux alcalins et alcalino-terreux, comme l'hydrure de sodium, de potassium ou de césium, les alcoolates de métaux alcalins et alcalino- terreux, comme le tert-butylate de potassium.
Il n'y a pas de limitation stricte pour les proportions relatives des composés de formule (II)B et de formule (III)B. I1 est cependant avantageux de choisir un rapport molaire (III)B /(II)B compris entre 0,1 et 10, de préférence 0,5 à 2.
Suivant les conditions utilisées, les composés de formule générale (I) sont obtenus sous forme d'un mélange variable d'isomères (E) et (Z) ou d'un seul isomère (E) ou d'un seul isomère (Z) suivant la configuration du groupe hydroximique ou hydrazonique . Si nécessaire, les composés de formule générale (I) et de configuration (E) ou (Z) suivant la configuration du groupe hydroximique ou hydrazonique, peuvent être isolés et purifiés suivant des méthodes connues en soi comme par exemple l'extraction, la cristallisation ou la chromatographie.
Les composés de formule générale (III)B sont préparés selon des méthodes connues en soi comme par exemple, J. Org. Chem.(1985),50, 993, J. Org. Chem.
(l971),36, 234, et Chem. Abstracts (1970),73, 34750s.
Méthode C: Les dérivés d'acides thiohydroxamiques de formule (III)A où Wl est l'atome de soufre et W2 est l'atome d'oxygène ou les dérivés d'acides thiohydrazoniques de formule (III)A où Wl est l'atome de soufre et W2 est le groupe NR13, Rl, R,, R3, Rl3, Xl, X2, X3, p et A ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), sont également l'objet de la présente invention.
Ils peuvent être obtenus par thionation des acides hydroxamiques de formule (III)A où Wl est l'atome d'oxygène et W2 est l'atome d'oxygène ou les acides hydrazoniques de formule (III)A où Wl est l'atome d'oxygène et W2 est le groupe NR13,R1, R2, R3, R,3, Xl, N2, X3, p et A ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), avec des agents de thionation comme le pentasulfure de phosphore ou le réactif de Lawesson d'une manière identique ou similaire aux procédés décrits dans "Houben-Weyl" volume E5, pages 1279-1280 et Synthesis (1984),829.
Méthode D: Les composés de formule générale (I) pour lesquels G est le groupe G3, Q2 étant l'atome d'oxygène, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, les autres substituants ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I) et R6 est un groupe alkyle inférieur ou haloalkyle inférieur, peuvent être obtenus par un procédé consistant à mettre en contact un composé de formule (X):
dans laquelle R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, les autres substituants ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), avec un réactif de Wittig-Horner de formule (XI)A: R6-CH2-P(=O)(ORb)2 (XI)A R, étant un groupe alkyle inférieur ou haloalkyle inférieur, Rb étant un groupe alkyle inférieur, phényle ou benzyle, ou bien avec un réactif de Wittig de formule (XI)B: R6-CH2-P(Rd)3+; Hal- (XI)B R6 étant un groupe alkyle inférieur ou haloalkyle inférieur, Rd étant un groupe phényle éventuellement substitué, Hal étant un ion halogénure, par action d'un ou plus équivalents d'une base comme les alcoolates de métaux alcalins ou alcalino-terreux, de préférence l'éthylate de sodium, le méthylate de sodium ou le tert-butylate de potassium, les hydrures de métaux alcalins et alcalinoterreux de préférence l'hydrure de sodium ou de potassium, d'un dérivé organométallique comme les alkyllithiens de préférence le butyllithium, les halogénures d'alkylmagnésium ou le di-isopropylamidure de lithium dans un solvant aprotique comme les éthers de préférence le diéthyléther ou le tétrahydrofurane à une température de -78 C à SO0C de préférence -70 C à 20 C selon J.March ibid. pages 956-963 ou le brevet WO 9529896.
Les réactifs de Wittig-Horner de formule (XI)A et les réactifs de Wittig de formule (XI)B peuvent être obtenus suivant des procédés connus en soi.
Méthode E: Les composés de formule générale (I) pour lesquels G est le groupe G1 ou G2, Q1 étant l'atome d'azote ou le groupe CH, Q2 étant l'atome d'oxygène, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, les autres substituants ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I) et R5 est un groupe haloalkyle inférieur, peuvent être obtenus par un procédé consistant à mettre en contact d'un composé de formule (XII):
dans laquelle T est l'atome d'oxygène ou de soufre, M un ion alcalin ou alcalino-terreux, Q1 étant l'atome d'azote ou le groupe CH, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, W1, W2, Rl, R,, R3, Rl3, X1, N2, X3, X4, p et A ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), avec un composé halogéné de formule CHq(Hal)4q où q = 1 ou 2 et Hal désigne les atomes d'halogènes identiques ou différents entre eux et dont l'un d'cntre eux au moins est l'atome de chlore ou de brome, dans un solvant aprotique dipolaire comme la diméthylformamide, la diméthylacétamide, la N-méthylpyrrolidone, la diméthylprolylène urée, ou bien le diméthylsulfoxyde en présence ou non d'une quantité catalytique d'ion iodure, à une température comprise entre -20 C et 250 C de préférence 25 C à 150 C ou au reflux du solvant. Cette réaction est notamment décrite dans les brevets DE 4424788 et WO 9606072.
Les composés de formule (XII) dans laquelle T est l'atome d'oxygène et M un ion alcalin ou alcalino-terreux, Q étant l'atome d'azote, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, Wl, W2, R1, R2, R3, R13, X1, X2, X3, N4 p et A ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), peuvent être facilement obtenu à partir des composés de formule (N),dans laquelle R4 est le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, les autres substituants ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), par action de l'hydroxylamine et d'une base selon J.March ibid. pages 906-907.
Les composés de formule (XII) dans laquelle T est l'atome d'oxygène et M un ion alcalin ou alcalino-terreux, QO étant le groupe CH, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, Wl, W2, R1, R2, R3, R13, Xl, X2, X3, X4, p et A ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I) peuvent être notamment préparés d'une manière similaire au brevet EP 176826.
Méthode F: Les composés de formule générale (I) pour lesquels G est le groupe G4 dans lequel n = 1, Q2 étant l'atome d'oxygène, R4 étant le groupe alkoxy, alkylamino, dialkylamino, les autres substituants ayant la même définition que celle indiquée pour la formule (I), peuvent être obtenus par réaction entre un composé de formule (XIII)A:
L'intérêt du noyau à aimant permanent est de pouvoir appliquer à des électrodes électro- magnétiques. un courant impulsionnel ou altematif qui va provoquer le desserrage et la rotation de ces billes de 180 , au moment de forte charge ; Etant donné que chaque bille a deux potes : Sud et Nord.
Le champ électro-magnétique est tantôt l'un ou t'autre. tourné et attiré par t'étectrode électro-magnetique (4) et (13), correspondante.
Pour tous les vhicules electriques, construit precedemment, I'autonomie est au moins triplé pour le même poids d'accumulateur ; Pour obtenir le courant nécessaire, c'est le volume et la quantité de billes actives qui varieront suivant l'ampère heure désiré.
Les concepts inventifs et invention de cette variante de réalisation seront mieux compris avec la planches dessins n 6 et les figures 12 å 14.
* Avantageusement t'échantittonneur à mémoire précité comporte un transistor monté en interrupteur avec un état bloqué et un état de saturation entre ladite bome d'entrée et un condensateur de mémoire. ledit transistor passant de t'état bloqué à t'état de saturation en réponse à une impulsion brève dérivée par différenciation du flanc arrière d'un signal rectangulaire de synchronisation de ligne ; Ainsi le condensateur de mémoire se charge à la tension instantanée du signal vidéo détecté lors du passage bref du transistor à t'état de saturation en réponse à l'impulsion de commande, et garde en mémoire cette tension jusqu'à l'impulsion suivante ; On échantittonne donc ainsi la tension vidéo juste après l'impulsion de synchronisation ligne, alors qu'elle est au niveau du noir ; Cette tension peut servir, convenablement amplifiée, à commander le gain des étages du récepteur de télévision en amont de la détection, en sorte que le niveau de signal détecté reste constant quel que soit le contenu de l'image ; Selon une forme de réalisation préférée de l'invention, un module constitué de composants électroniques reposant sur un support isolant et reliés par des conducteurs découpés dans une feuille de métal plaqué sur ledit support isolant comporte un dispositif selon l'invention ; Cette forme de réalisation dite sur circuit imprimé, ou dite circuit hybride, facilite le montage, évite les erreurs de câblage et permet le réglage et le dépannage rapides et aisés du récepteur.
Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront d'ailleurs de la description au schéma de la Planche dessins N 7, annexé et la figure 15 ; qui se rapporte à un té) éviseur cou) eur adapté au système de transmission des signaux logiques ou analogiques ; Selon une autre variante des réalisations des"ENSEMBLE SERVEURS UNIVERSELS" "UNISERVER"et"UNITVCOM"Emetteurs-Récepteurs-d'Ondes-Muftisources constitués des appareilsaudiovisuels ensemble avec un poste de télévision permettent de former notamment les systèmes de péritétévision. conçus et réalisés selon les technologies"MIKROTELEC", dotes de mémoires pour les stockages etlou les restitutions des informations à partir des Rondelles métalliques Vitrifiées, permettant t'accés instantané et le stockage et/ou à partir d'autres mémoires utilisables avec les appareils- audiovisuels relies entre-eux, en local, par cibles et prises multibroches de péritétévision et, à distance, par tous les réseaux de transmissions traditionnels ou autres ainsi qu'une autre variante des possibilités de 1'ensemble qui conceme l'intégration totale en micro-circuits d'un téléviseur couleurs par t'intermédiaire de son déviateur.
Cette réalisation selon une variante des présents concepts inventifs et invention a, en premier lieu un fonctionnement nouveau.
Le déviateur de balayage horizontal joue le rote de transformateur convertisseur ; II est commandé par I'amplificateur horizontal ligne.
Son rote de transformateur est excellent sur le plan d'isolement galvanique, masse terre.
L'idée originale conduit à un déviateur transformateur et autotransformateur qui fonctionne à une fréquence de lignes, ce qui lui permet de jouer ce rote ; Les ferrites actuelles de haute qualité et la résonance H d'accord à la fréquence horizontale (signaux obtenus a partir des horloges synchrones aux balayages de lignes permettant les stockages et/ou les restitutions par les mémoires des points et/ou des éléments d'images sur les lignes successives des écrans à balayage de télévision, dont le contrôle des positions temporelles desdits points et/ou éléments est obtenu par les tops d'horloges synchrones aux balayages de lignes), permettent d'obtenir un rendement très élevé. et la consommation du téléviseur traditionnel est réduite de plusieurs fois.