INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Toutes les différences d'images sont considérées comme des défauts potentiels, même si elles ne le sont pas, et il n'est donc pas possible de différencier entre des défauts dits "killer" selon le terme anglo-saxon, c'est-à-dire tueurs, des défauts de "nuisance", et de "faux" défauts. Un défaut tueur est un défaut de signification électrique dans le test final d'une microplaquette, qui conduit à une fiabilité réduite ou à une performance électrique réduite. Un "faux" défaut est un compte-rendu, produit par un système de détection de défauts, d'un défaut qui ne correspond pas à un parasite de surface ou d'image, et qui
résulte par exemple d'une erreur du système de défauts. Un défaut de "nuisance" est un parasite de surface ou d'image qui est réel mais n'est ni un défaut tueur, ni un défaut pertinent par ailleurs.
Certains parasites du processus d'inspection sont dus à un défaut d'alignement d'image, à des distorsions locales de l'image et à des absences de linéarité du processus de balayage utilisé pour acquérir des images de contraste de tension. Puisque l'apparition de défauts tueurs est en général très rare, le nombre de défauts de nuisance détectés peut être beaucoup plus grand que le nombre de défauts tueurs. Dans des systèmes classiques d'inspection à base de pixels, 90% ou davantage des défauts inclus dans les comptesrendus peuvent être des défauts de nuisance. Séparer ces derniers des défauts tueurs exige une visualisation et une évaluation par des personnels, ce qui exige du temps et est onéreux. Le taux élevé de défauts de nuisance et de faux défauts, et le besoin d'une intervention humaine, rendent difficiles l'amélioration de la performance du processus d'inspection pour le rendre plus utile dans la fabrication de tranches semi-conductrices. Des solutions existantes pour réduire les taux de défauts de nuisance et de faux défauts provoqués par un mauvais alignement, par exemple un positionnement précis de l'étage de tranche, une imagerie plus uniforme et plus facile à répéter, et des algorithmes perfectionnés de détection de défauts, n'éliminent pas le problème et réduisent typiquement la sensibilité à des défauts tueurs. En même temps, ces solutions exigent davantage de traitement, et donc davantage de temps de traitement et d'équipement de traitement.
Ceci réduit tant le débit que le rapport entre la performance et le prix.
Un autre inconvénient est que le procédé ne peut détecter que des différences d'intensité de pixel à pixel puisqu'il est à base de pixels. Ceci rend difficile, sinon impossible, la détection de certains types de défauts. La demande de brevet des Etats Unis également en attente N de série ............
(Bordereau de mandataire 65. 0287) décrit des techniques d'amélioration de la visibilité, dans une image de contraste d'image, de défauts électriquement significatifs dans des particularités comme des orifices de contact non remplis. Ces techniques provoquent une modification de la dimension apparente de l'orifice de contact non rempli dans l'image de contraste de tension, en fonction de la connectivité électrique de matière dans l'orifice de contact. Alors qu'un procédé de comparaison d'images à base de pixels pourrait détecter la modification de dimensions en tant que différences d'intensité pour des pixels qui entourent l'orifice de contact, et que calculer une différence d'intensité de pixel pourrait montrer un défaut en configuration torique, ceci ne révélerait pas la manifestation fondamentale de ce type de défauts : une modification apparente de dimension de la particularité plutôt qu'une modification d'intensité.
La Figure 1 représente un procédé antérieur dans lequel des images ont été acquises et traitées en parallèle. La partie d'acquisition d'image commence par l'installation d'un fichier de lot à l'étape 105, - suivie par une acquisition d'image à l'étape 110, une mémorisation de l'image à l'étape 115 et un déplacement vers une image suivante à l'étape 120. Des images sont mémorisées dans le dispositif de mémoire 125 à disque. Les étapes 110,115 et 120 sont répétées pour d'autres régions d'une tranche et l'imagerie d'une autre tranche débute lorsque l'imagerie de la tranche précédente est achevée. Dès lors qu'une image
a été acquise, un traitement d'image s'effectue en parallèle avec l'acquisition de nouvelles images : traitement d'image commence par un alignement de l'image acquise avec une image de référence à l'étape 130, puis la différence des niveaux d'intensité des images est calculée à l'étape 135 pour produire une étape de différence. Le bruit est réduit dans l'image de différence à l'étape 140, et les particularités de l'image de différence sont ensuite comptées à l'étape 145. Des particularités de l'image de différence sont triées à l'étape 150 et sont visualisées par du personnel à l'étape 155 pour décider celles des particularités qui sont considérées comme des défauts.
Il est souhaitable de fournir des procédés et des appareils qui permettent un moindre taux de défauts de nuisance et un moindre besoin d'intervention humaine, et donc une amélioration tant du débit que du rapport entre la performance et les coûts.
De façon générale, les procédés et appareils de la présente invention emploient un traitement d'image à base de particularités pour détecter, quantifier et analyser des défauts lors de l'inspection de substrats configurés, comme des tranches semi-conductrices, à partir d'images de contraste de tension obtenues par faisceau électronique.
De façon plus particulière, selon un premier aspect, l'invention fournit un procédé d'inspection d'un substrat configuré, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: a. préparer une image de référence et une image de test; b. extraire des particularités à partir de l'image de référence et extraire des particularités à partir de l'image de test;
c. mettre en concordance des particularités de l'image de référence et des particularités de l'image de test ; d. comparer des particularités de l'image de référence et de l'image de test afin d'identifier des défauts.
Le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à: aligner l'image de test avec l'image de référence avant de mettre en concordance des particularités de l'image de référence et des particularités de l'image de test.
Le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à: enregistrer des défauts identifiés lors de la comparaison de particularités de l'image de référence et de l'image de test.
L'image de référence peut être une image de contraste de tension d'un premier substrat configuré, l'image de test étant une image de contraste de tension d'un deuxième substrat.
Extraire des particularités à partir de l'image de référence peut comprendre les sous-étapes consistant à: mettre en concordance un gabarit de particularités dans l'image de référence et identifier des particularités de l'image de référence qui concordent avec le gabarit de particularités.
Extraire des particularités à partir de l'image de référence peut comprendre les sous-étapes consistant à:
calculer un niveau moyen d'arrière-plan de l'image de référence, enlever de l'image de référence le niveau moyen d'arrière-plan afin de produire une première image de référence modifiée, mettre en concordance un gabarit de particularités dans la première image de référence modifiée, et identifier des particularités dans la deuxième image de référence modifiée qui concordent avec le gabarit de particularités.
Extraire des particularités à partir de l'image de test peut comprendre les sous-étapes consistant à: mettre en concordance un gabarit de particularités dans l'image de test et identifier des particularités dans l'image de test qui concordent avec le gabarit des particularités.
Extraire des particularités à partir de l'image de test peut comprendre les sous-étapes consistant à: calculer un niveau moyen d'arrière-plan de l'image de test, enlever de l'image de test le niveau moyen d'arrière-plan afin de produire une première image de test modifiée, mettre en concordance un gabarit de particularités dans la première image de test modifiée, et identifier des particularités dans la deuxième image de test modifiée qui concordent avec le gabarit de particularités.
Selon un deuxième aspect, l'invention réalise un appareil d'inspection d'un substrat configuré caractérisé en ce qu'il comprend un système informatique ; et des instructions de commande du système informatique destinées à
préparer une image de référence et une image de test d'au moins un substrat configuré, extraire des particularités de l'image de référence et d'extraire des particularités de l'image de test, mettre en concordance des particularités de l'image de référence et les particularités de l'image de test ; comparer des particularités de l'image de référence et de l'image de test afin d'identifier des défauts.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à aligner l'image de test avec l'image de référence avant de mettre en concordance des particularités de l'image de référence et des particularités de l'image de test.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à enregistrer des défauts identifiés lors de la comparaison de particularités de l'image de référence et de l'image de test.
L'appareil peut comprendre en outre: un sous-système d'imagerie à faisceau électronique pour acquérir des images de contraste de tension d'un substrat configuré à utiliser comme images de test.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à lisser au moins soit l'image ~ de référence, soit l'image de test.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à normaliser au moins soit l'image de référence, soit l'image de test.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à extraire en premier lieu des particularités de l'image de référence et
extraire ensuite des particularités de l'image de test.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à calculer des propriétés de particularités de l'image de référence et de l'image de test, comparer des propriétés de particularités calculées, et déterminer des résultats de comparaison qui satisfont à des critères prédéterminés de défauts.
Les instructions peuvent commander le système informatique de manière à calculer un niveau moyen d'arrière-plan de l'image de référence, enlever de l'image de référence le niveau moyen d'arrière-plan afin de produire une première image de référence modifiée, appliquer un effet de seuil à la première image de référence modifiée pour produire une deuxième image de référence modifiée, et identifier des particularités de la deuxième image de référence modifiée.
De préférence dans ce cas, l'exposant public de vérification v est un
nombre premier. Il en résulte que la paire de clés GA, QA confère une sécurité équivalente à la connaissance de la clé privée QA.
Paire de clés conférant une sécurité équivalente à la connaissance de la factorisation de n De préférence, l'exposant public de vérification v est du type v = a où k est un paramètre de sécurité plus grand que 1.
De préférence également, l'exposant public de vérification v est du type v = 2" où k est un paramètre de sécurité plus grand que 1, Dans ce cas, la clé publique GA est un carré gA2 inférieur à n choisi de sorte que les deux équations x2= gA mod n et x2 # - gA mod n n'ont pas de solution en x dans l' anneau des entiers modulo n.
Le dispositif témoin comporte des neuvièmes moyens de calcul pour calculer les dites composantes QA,, QA2, ... (QA,, ...) de la clé privée QA en appliquant des formules telles que : GA =- QA2exp(k) mod p, ou bien telles que : GA .QA 2.exp(k)mod P,= 1 et en extrayant la k ième racine carrée de GA dans le corps de Galois CG(p,).
De préférence, pour extraire la k ième racine carrée de GA dans le corps de
Galois CG(p), on utilise les méthodes suivantes : - dans le cas où le facteur premier p, est congru à 3 modulo 4, les neuvièmes moyens de calcul du dispositif témoin appliquent notamment un algorithme du type : x = (p+l)/4 ;y # xk mod (p-1) ; z = y ;QA@ GAZ mod p, - dans le cas où le facteur premier p, est congru à 1 modulo 4, les neuvièmes moyens de calcul du dispositif témoin appliquent notamment un algorithme basé sur les suites de Lucas.
Objet nomade. Carte bancaire La présenté invention concerne également un objet nomade permettant de mettre en #uvre le procédé ci-dessus exposé.
L'objet nomade selon l'invention se présente, par exemple, sous la forme d'une carte bancaire à microprocesseur. Il permet de diminuer la charge de travail pendant une session destinée à prouver à un serveur contrôleur, - l'authenticité d'une entité et/ou - l'origine et l'intégrité d'un message m, L'objet nomade fait intervenir trois entités : I. Une première entité, appelée dispositif témoin, est contenue dans ledit objet nomade. Le dispositif témoin dispose d'une première zone mémoire contenant des facteurs premiers p,, p2, ... (p, , ...) (i étant supérieur ou égal à 2) d'un module public n tel que n = p,.p,. p3..... Le dispositif témoin dispose aussi d'une deuxième zone mémoire contenant : * des composantes QA,, QA2, ... (QA,,ou), et QB,, QB2, ... (QB,,ou), ..., représentant des clés privées QA, QB,...
* des clés publiques GA, GB,... ayant respectivement pour composantes GA,, GAZ, ... (GA,, ou) et GB,, GB2, ... (GB,, ...) * des exposants publics de vérification vx, vy, ...
Les clés privées et les clés publiques sont liées par des relations du type : GA.QA" mod n = 1 ou GA -= QAvx mod n
Le dispositif témoin comporte aussi des premiers moyens de calcul pour calculer des engagements R en effectuant des opérations du type : R = r1vx mod p, ou r est un aléa tel que 0 < r < p@.
Ainsi, le nombre d'opérations arithmétiques modulo p, à effectuer par lesdits premiers moyens de calcul pour calculer chacun des R pour chacun des p, est réduit par rapport à ce qu'il serait si les opérations étaient effectuées modulo n.
II. Une deuxième entité est appelée dispositif pilote dudit dispositif témoin. Elle peut être également contenue dans ledit objet nomade. Le dispositif pilote est appelé : * dispositif démonstrateur dans le cas de la preuve de l' authenticité d'une entité ou de l'authenticité d'un message, * dispositif de signature dans les cas de la preuve de l'origine et de l'intégrité d'un message, III. Une troisième entité, appelée dispositif contrôleur, se présente notamment sous la forme d'un terminal et/ou d'un serveur distant connecté à un réseau de communication informatique. Le dispositif contrôleur vérifie l'authentification ou l'origine et l'intégrité d'un message, L'objet nomade comporte des moyens de connexion pour connecter électriquement, électromagnétiquement, optiquement ou de manière acoustique ledit dispositif témoin et/ou ledit dispositif pilote audit dispositif contrôleur.
Parmi les motifs polyfonctionnels non sulfonés (mPF). on peut mentionner : des motifs à groupes oxy, aliphatiques ou cycloaliphatiques comme les motifs : . oxyalkylèneoxy dont le reste alkylène est linéaire ou ramifié ou oxycycloalkylèneoxy, contenant de 2 à 12, de préférence de 2 à 6 atomes de carbone comme les motifs oxyéthylèneoxy, 1,3-propanedioxy, oxypropylèneoxy, 2,2-propanediméthoxy, 1,4-cyclohexanediméthoxy et leurs homologues supérieurs oxy[poly(cyclo)alkylèneoxy] contenant de 2 à 150 motifs (cyclo)alkylèneoxy, . alcanetrioxy contenant de 3 à 6 atomes de carbone comme les motifs 1,2,3-propanetrioxy, 1,2,4-butanetrioxy et leurs homologues supérieurs poly(alcane trioxy) contenant de 2 à 10 motifs alcanetrioxy, des motifs à groupes imino, aliphatiques, dont le reste aliphatique est un groupe alkylène contenant de 2 à 150, de préférence de 2 à 20 atomes de carbone et peut être interrompu par un ou plusieurs hétéroatomes d'oxygène ou azote tertiaire, comme les motifs éthylènediimino, tétraméthylènediimino, lexaméthylènediimino, 3-oxa-pentaméthylènediimino, 3,6-dioxa-octaméthylène- 1,8-diimino, des motifs à groupes imino, aromatiques, comme le motif paraphénylènediimino, - des motifs à groupes oxy et imino, aliphatiques, aromatiques, hétérocycliques, dont les restes aliphatiques, aromatiques, hétérocycliques, contiennent de 2 à 20 atomes de carbone, comme les motifs 5-iminopentanoxy-1, 4- minométhylcyclohexaneméthoxy, 5-imino-2-éthylpentanoxy, oxyisophtalique diimino, Parmi les motifs polyfonctionnels sulfonés (mSPF), on peut mentionner : - des motifs dicarbonyle, aromatiques dans lesquels le reste aromatique est un radical phénylène ou un radical bivalent constitué d'une combinaison de plusieurs noyaux benzéniques ortho- ou péri-condensés ou liés entre eux par des groupes inertes, tels que lien valentiel simple, radical alkylène, groupe oxy,
groupe oxo, groupe sulfonyle, ledit reste aromatique présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, comme les motifs sulfophtaloyle, sulfotéréphtaloyle, sulfoisophtaloyle, sulfo-orthophtaloyle, iulfonaphtalènedicarbonyle, disulfo- et trisulfo-naphtalènedicarbonyle, 5-(4sulfophénoxy)-isophtaloyle, 5-(2-sulfophényl)-isophtaloyle, 5-(4-sulfophénoxy)sophtaloyle, sulfo-diphényl-dicarbonyle, sulfo-diphénylsulfone-4,4'-dicarbonyle, >ulfodiphénylméthane-4,4'-dicarbonyle, des motifs dicarbonyle, aliphatiques dans lesquels le reste aliphatique contient de 2 à 10 atomes de carbone, éventuellement substitué par au moins un radical aryle et présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, ;omme les motifs sulfosuccinoyle, 3-sulfoglutaroyle, 3-(4-sulfophényl)glutaroyle, des motifs à groupes oxy, aliphatiques dans lesquels le reste aliphatique contient de 2 à 10 atomes de carbone, et présentant au moins un substituant >ulfo lié à un atome de carbone, comme les motifs 2,3-dioxypropanesulfonique, 1,5-dioxypentane-3-sulfonique, des motifs à groupes oxy et carbonyle, aliphatiques dans lesquels le reste aliphatique contient de 2 à 10 atomes de carbone, et présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, comme les motifs 3oxysulfopropionoyle, 5-oxy-3-sulfopentanoyle, des motifs à groupes imino, aromatiques présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, comme les motifs p-phénylènediimino.
Parmi les motifs monofonctionnels sulfonés (mSMF). on peut mentionner des motifs à groupe carbonyle. aromatiques dans lesquels le reste aromatique est un radical phényle ou un radical monovalent constitué d'une combinaison de plusieurs noyaux benzéniques ortho-ou péri-condensés ou liés entre eux par des groupes inertes, tels que lien valentiel simple, radical alkylène, groupe oxy, groupe oxo, groupe sulfonyle, ledit reste aromatique présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, comme les motifs sulfobenzoyles de formule : (i) -(O)C(C6H4)(SO3M) où . M représente un atome d'hydrogène ou un cation alcalin, des motifs à groupe oxy, aliphatiques éventuellement polyoxyalkylénés, dans esquels le reste aliphatique contient de 1 à 10 atomes de carbone et présentant au moins un substituant sulfo lié à un atome de carbone, tels que ceux de formule : (ii) -O-(R1O)m-R2-(SO3M)n où . M représente un atome d'hydrogène ou un cation alcalin, . le symbole R1 représente un groupe éthylène et/ou propylène,
. le symbole R2 représente un groupe alkyle contenant de 1 à 6 atomes de carbone . m va de 0 à 20, de préférence de 1 à 4, . n est supérieur ou égal à 1, comme les motifs oxypoly(éthylèneoxy)éthylsulfonates contenant de 2 à 4 motifs éthylèneoxy et ceux de formule -O-(CH2-CH2O)r-(CH2)q(CHSO3M)CH2SO3M ou -O- (CH2-CH2O)r-(CH2)q(CHSO3M)CH2SO3M, où q peut aller de 1 à 4 et r de 8 à 20 des motifs à groupe oxy. aromatiques éventuellement polyoxyalkylénés, tels tue ceux de formule : (iii) -O-(R3O)p-(C6H4)(SO3M) où . M représente un atome d'hydrogène ou un cation alcalin, . le symbole R3 représente un groupe éthylène et/ou propylène, . p va de 0 à 20, comme les motifs oxypoly(éthylèneoxy) et/ou poly(propylèneoxy) phénol sulfonates contenant jusqu'à 20 motifs alkylèneoxy.
Parmi les motifs non sulfonés polyfonctionnels, monocarbonyle (mMC) éventuels, on peut mentionner : les motifs à groupes imino et carbonyle, aliphatiques ou aromatiques, dont le este aliphatique ou aromatique contient de 2 à 20 atomes de carbone, comme es motifs 6-iminocaproyle, 3-imino-2-diméthylpropionyle, 4-(ss-iminoéthyl)(benzoyle, les motifs à groupes oxy et carbonyle, aliphatiques, dont le reste aliphatique contient de 2 à 10 atomes de carbone, comme les motifs 3-oxypropionyle, 4- )xybutyryle.
Ledit copolymère (C) peut éventuellement présenter en outre, en 3xtrêmité(s) de chaînes, des motifs monofonctionnels non sulfonés (mMF) aromatiques, aliphatiques ou cycloaliphatiques présentant une fonction carbonyle, oxy, imino ou (R)imino.
Parmi ces motifs monofonctionnels non sulfonés (mMF). on peut nentionner les motifs benzoyle, alcane (C - C30) monocarbonyle, )xypoly(alkyléneoxy)alkyle, dont le groupe alkyle contient de 1 à 4 atomes de ;arbone, comme les polyoxyéthylèneglycol monométhyl éthers contenant de 3 à 50 motifs oxyéthylènes, alkylamines dont le reste alkyle contient de 1 à 30 et est éventuellement interrompu par un ou plusieurs hétéroatome(s) d'azote ou j'oxygène, tels que octadécylamine, oxypoly(alkylèneoxy)alkylamines telles que
oxypoly(éthylèneoxy) alkylamines, imino poly(alkylèneoxy) alkylamines, imino polyalkylènepolyamines telles que imino diéthylenediamine.
Par définition, les quantités relatives de motifs (mDC), (mS carbonyle) et (mMC) à groupe(s) carbonyle(s) -C(O)- d'une part, et de motifs (mS non carbonyle), (mPF) et (mMF) ne présentant pas de groupe(s) carbonyle(s) d'autre part, présents dans le copolymère (C), sont telles que le rapport du nombre total de groupes -C(O)- dans le copolymère (C) au nombre total de groupes -0- , NH- et-N(R)- correspondant aux symboles V, W, X, Y, Z et aux groupe -0- et éventuels -NH- et-N(R)- des extrémités réactives des motifs monofonctionnels (mSMF) et éventuels (mMF) soit de l'ordre de 0,8 à 1,2.
Lesdits copolymères (C) pouvant constituer la matrice sont susceptibles d'être obtenus par (trans)estérification et/ou amidification et polycondensation d'une composition monomère (M) comprenant : - au moins un monomère non sulfoné (MDC), ledit monomère étant aromatique, aliphatique ou cycloaliphatique, exempt de fonction sulfo, et présentant deux fonctions carboxy réactives, - au moins un monomère sulfoné (MS) polyfonctionnel (MSPF) et/ou monofonctionnel (MSMF), ledit monomère étant aromatique, aliphatique ou cycloaliphatique et présentant au moins une fonction sulfo liée directement ou indirectement à un atome de carbone d'un reste aromatique, aliphatique ou cycloaliphatique et deux fonctions réactives semblables ou différentes, choisies parmi les fonctions carboxy, hydroxy et amino, ou une fonction réactive choisie parmi les fonctions carboxy, hydroxy et amino - au moins un monomère non sulfoné (MPF), ledit monomère étant aromatique, aliphatique ou cycloaliphatique, exempt de fonction sulfo et présentant au moins deux fonctions réactives semblables ou différentes, choisies parmi les fonctions hydroxy et amino, et éventuellement au moins un monomère non sulfoné (MMC), ledit monomère 3tant aromatique, aliphatique ou cycloaliphatique, exempt de fonction sulfo et présentant une fonction carboxy réactive et une fonction réactive choisie parmi es fonctions hydroxy ou amino, - et éventuellement au moins un monomère monofonctionnel non sulfoné (MMF) présentant une fonction réactive carboxy, hydroxy ou amino.
Parmi les monomères non sulfonés (MDC) présentant deux fonctions carboxy réactives, on peut mentionner : - les acides dicarboxyliques aromatiques dont le reste aromatique est éventuellement substitué par au moins un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone un groupe hydroxy, tels que les acides phtalique,