INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, on prévoit que la ou les couches minces électroconductrices transparentes, appliquées conformément à la présente invention, sont disposées à l'intérieur d'un vitrage multiple, de telle sorte que ces couches se trouveront protégées des agressions mécaniques et des rayures. Cependant, le dépôt de la couche électroconductrice peut quand mme se faire sur une face extérieure du vitrage, en particulier du côté intérieur à l'avion, où un"survitrage"encore appelé"hublot décor"est généralement présent et permet quand mme une certaine protection de la couche.
Conformément à un premier mode de réalisation de la présente invention, au moins une couche mince transparente électroconductrice est constituée par une couche d'un oxyde semi-conducteur dopé ou métallique, déposée par pulvérisation cathodique sous vide, notamment à magnétron, ou par pyrolyse en phase liquide ou gazeuse si le substrat est thermiquement résistant (verre minéral) ou par une autre technique de dépôt (trempage, pulvérisation, sol-gel,...), sur une épaisseur comprise entre 100 nm et 1000 nm, ayant une résistivité de surface de 2 à 40 Q/D, en particulier de 15 à 30 Q/D, une couche d'oxyde semiconducteur dopé étant : (a) ou bien disposée pour recouvrir au moins une face, de préférence une face tournée vers l'intérieur du vitrage multiple, d'une dalle composant ce dernier ; (b) ou bien incluse au sein d'une dalle de ; (c) ou encore déposée sur au moins une face d'un film mince, transparent, de type poly (téréphtalate d'éthylène) (PET), ou d'une plaque de verre mince, ledit film ou ladite plaque constituant une couche supplémentaire dans la partie vitrée.
L'oxyde semi-conducteur dopé composant ces couches minces électroconductrices transparentes est notamment de l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) ou de l'oxyde d'étain dopé à l'antimoine ou au fluor. L'ITO est particulièrement préféré.
Comme indiqué ci-dessus au point (a), les couches minces électroconductrices transparentes sont, de préférence, déposées sur les faces des dalles de substrat qui sont tournées vers l'intérieur du vitrage multiple isolant. On peut ainsi mentionner comme particulièrement préférés les double vitrages dont au moins une face interne est recouverte par une couche d'oxyde semi-conducteur dopé.
Pour réaliser la variante (b), suivant laquelle une couche mince électroconductrice est incluse au sein d'une dalle de substrat, on peut déposer une telle couche mince sur au moins une face d'un film (F) transparent de PET, et utiliser ce film (F) dans la constitution d'un verre feuilleté de type PMMA/PVB ou PU/ (F)/PVB ou PU/PMMA.
Dans le cas de la variante (c), on peut prévoir que le film mince-ou la plaque de verre mince-soit revtu sur l'une de ses faces par la couche d'oxyde semi-conducteur et soit appliqué par exemple par collage, sur une face d'une dalle composant le vitrage multiple. On peut également prévoir qu'un tel film ou une telle plaque-revtu sur au moins l'une de ses faces soit tendu parallèlement aux dalles, dans un espace de gaz intermédiaire, des moyens étant prévus pour maintenir ledit film-ou ladite plaque-à sa périphérie dans le joint ; ce dernier peut ainsi comporter une gorge de retenue supplémentaire pour ledit film ou ladite plaque. Ledit film tendu peut également tre appliqué contre une dalle et introduit avec cette dernière dans la gorge correspondante du joint.
Le film mince de type PET que l'on peut utiliser dans les variantes (b) ou (c) a notamment une épaisseur de l'ordre de 25 à 150 microns, notamment de 50 à 125 microns. Quant à la plaque de verre mince utilisable dans la variante (c), elle peut avoir une épaisseur de l'ordre de 0,5 à 2 mm, notamment de 0,5 mm à 1 mm.
Conformément à un second mode de réalisation de la présente invention, au moins une couche mince transparente électroconductrice est constituée par au moins une couche métallique M insérée entre deux couches d'un matériau transparent diélectrique D d'indice optique élevé, de façon à constituer un empilement de type DMD ou un empilement formé d'une association de plusieurs empilements de base, par exemple DMDMD, ledit empilement étant disposé pour recouvrir une face, de préférence une face tournée vers l'intérieur du vitrage, d'une dalle composant ce dernier.
L'invention a été décrite ci-dessus dans un mode de réalisation préféré mais non limitatif. Notamment, il est possible d'utiliser des cellules de test telles que celles décrites à la figure 1 avec un multiplexeur externe, ou tout autre moyen équivalent, à la place des bascules multiplexées décrites à la figure 2.
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Conformément à l'invention, si une application veut exécuter un code sur un objet distant, il faut fournir le code d'exécution au lieu de la fonction elle- même. Une exception sera adressée en retour si l'application distante n'a pas la capacité d'évaluer dynamiquement les fonctions.
Ce langage de communication permet d'échanger sur le réseau non seulement les objets informatiques et leurs attributs, mais aussi les interfaces de ces objets.
Ainsi, les fonctions associées aux objets sont facilement partagées sur le réseau et peuvent être exécutées sur des objets distants.
Comme illustré à la figure 5, un même ordinateur C1 peut mettre en oeuvre deux applications 20,21 qui coopèrent entre elles. Ces deux applications 20,21 peuvent partager les données via un même serveur d'objets 22. Chacune des applications 20,21 utilise d'une part des données internes 23 et d'autre part des données externes 24 qui sont rendues visibles aux autres applications par l'utilisation d'un traducteur tel que décrit précédemment à la figure 4.
Les données externes 24 sont en fait des données internes 23 créées ou utilisées par chacune des applications 20, 21, qui ont été traduites par un traducteur 10 dans un langage de communication commun aux deux applications et qui peuvent ainsi être transmises à l'une ou l'autre des applications via le serveur d'objets 22.
Ces données externes 24 sont ainsi rendues visibles pour les applications 20 et 21 de l'ordinateur C1 par l'intermédiaire du réseau de communication 4, via un serveur d'objets 22 analogue au serveur d'objets 22 de l'ordinateur C1.
On va décrire maintenant, en référence aux figures 6,7 et 8, un procédé de traduction qui permet de publier sur le réseau 4 un objet informatique et son interface.
Bien entendu, la traduction peut être réalisée sur tout ordinateur C1 à C6 du réseau 4.
Cet objet 01 peut avoir été créé dans un langage de programmation utilisé par l'application informatique 20 mis en #uvre sur l'ordinateur C1, par exemple en langage C++.
La traduction de cet objet informatique 01 est réalisée vers un langage de communication utilisable par le protocole de communication HTTP du réseau de communication informatique 4.
La résine de base dans la composition de résist négatif a de préférence une distribution de masse moléculaire de 1 à 1,5 inclus. L'utilisation d'une résine base ayant une distribution de masse moléculaire située dans ce domaine permet à la distribution de masse moléculaire des parties rendues insolubles par exposition à la lumière d'être confinée de manière plus fiable dans le domaine de 1 à inclus.
Dans toute cette description, une résine de base ayant une distribution de masse moléculaire de 1 à 1,5 inclus avant exposition à la lumière sera appelée parfois "résine monodispersée". II suffit à la résine monodispersée d'être uniforme pour être située dans le domaine mentionné ci-dessus, et la résine de base peut aussi avoir la structure d'un copolymère contenant un certain nombre d'unités monomères différentes.
La composition de résist négatif selon la présente invention a de préférence une résine de base ayant une masse moléculaire moyenne en poids d'au moins 2 000 et de préférence encore de 3 000 à 20 000. Si la masse moléculaire moyenne en poids de la résine de base est trop basse, la sensibilité et la résolution peuvent être réduites, et si elle est trop élevée, la plus faible solubilité peut conduire à une vitesse de dissolution plus basse pour la réaction, ce qui conduit à une solubilité trop basse. Le domaine que l'on préfère particulièrement pour la masse moléculaire moyenne en poids est de 5 000 à 10 000. L'utilisation d'une resine de base ayant une masse moléculaire moyenne en poids située dans ce domaine permet d'obtenir une composition de résist négatif à haute solubilité et haute résolution. Dans le présent contexte, la masse moléculaire préférée désigne masse moléculaire moyenne en poids car la résine de base est constituée un polymère.
Pour réguler la masse moléculaire de chaque molécule du polymère composant la résine de base utilisée selon le second aspect de l'invention, est possible aussi d'utiliser une composition de résist négatif contenant une résine de base qui comprend un polymère soluble en milieu alcalin, un photogénérateur d'acide capable de se décomposer par absorption d'un rayonnement formateur d'image pour produire un acide, et un alcool alicyclique ayant un site réactif qui peut subir une réaction de liaison par déshydratation avec le groupe soluble en milieu alcalin de la résine de base en présence de l'acide produit par le photo- générateur d'acide, où pas plus de 10 % en masse consiste en composants ayant une masse moléculaire inférieure à 2 000 dans ladite résine de base.
La demanderesse a vérifié que l'utilisation d'une résine de base contenant une partie à basse masse moléculaire ayant une masse moléculaire inférieure à 2 000 réduit largement la sensibilité et la résolution du résist. On suppose que cette partie à basse masse moléculaire perturbe l'effet suppresseur de solubilité dans les solutions aqueuses basiques. On a constaté que, quand les composants de masse moléculaire inférieure à 2 000 sont limités à 10 en masse au plus, il est possible d'obtenir une composition de résist négatif favorable dans laquelle l'effet indésirable mentionné ci-dessus est inhibé. De préférence encore, les composants de masse moléculaire inférieure à 2 000 ne constituent plus de 3 en masse de la résine de base. Ici, la masse moléculaire n'est pas la masse moléculaire moyenne en poids mais plutôt la masse moléculaire (réelle) de chaque molécule de polymère composant la résine de base.
En limitant les composants à basse masse moléculaire qui ont une masse moléculaire inférieure à 2 000 à 10 % en masse au plus de la résine de base, il possible d'obtenir une composition de résist à haute sensibilité et haute résolution, mais il est possible d'obtenir une composition de résist ayant une sensibilité et une résolution encore plus élevées en conférant à la résine base un caractère monodispersé, comme mentionné ci-dessus.
De préférence, la résine de base d'une composition de résist négatif selon la présente invention contient un composé à base phénolique. résine à base phénolique facilite le réglage de la distribution de masse moléculaire et la limitation des parties à basse masse moléculaire.
De préférence, la résine de base est du polyvinylphénol ou un copo- lymère du vinylphénol et d'un autre monomère. On préfère le polyvinylphénol comme résine de base car il peut être obtenu aisément et sa monodispersion est facile à réaliser.
De préférence, l'alcool alicyclique d'une composition de résist négatif selon la présente invention a une structure d'adamantane. Un alcool alicyclique à structure d'adamantane peut favoriser plus aisément l'in solubilisation des parties exposées à la lumière.
De préférence, l'alcool alicyclique d'une composition de résist négatif selon la présente invention a une structure d'alcool tertiaire qui est fixée du point de vue stéréochimique. Un alcool ayant une telle structure peut favoriser plus aisé ment l'insolubilisation des parties exposées à la lumière. De préférence, l'alcool tertiaire d'une composition de résist négatif selon cette invention est le 1-adamantanol ou un dérivé de celui '.
De préférence, le photogénérateur d'acide d'une composition de résist négatif selon la présente invention est un photogénérateur d'acide choisi dans le groupe consistant en les sels d'onium, les substances organiques halogénées et les esters d'acides sulfoniques.
Dans la composition de résist négatif selon la présente invention, le sel d'onium peut être un sel d'onium quelconque choisi dans le groupe consistant en les formules (A) à (D) suivantes où X = CF3S03, CF3CF-,CF,CF,S03, SbF6, AsF6, BF4 et PF6.
La substance organique halogénée dans la composition de résist négatif selon l'invention peut être une triazine comportant un halogène dans sa structure ou un isocyanurate comportant un halogène dans sa structure.
On peut obtenir un motif de résist à haute sensibilité et haute résolution au moyen d'un procédé de formation de motif de resist négatif qui comprend la série d'étapes comprenant l'application en revêtement d'une composi tion de résist négatif selon la présente invention sur un substrat cible, l'exposition sélective du film de résist formé à un rayonnement formateur d'image qui peut induire la décomposition du photogénérateur d'acide de la composition de résist, et le développement du film de résist exposé avec une solution aqueuse basique.
De plus, selon la présente invention, il est fourni également un procédé de production de dispositifs électroniques au moyen de la composition de résist négatif selon la présente invention, qui est caractérisé par l'utilisation comme moyen de masquage d'un motif de résist formé à partir de la composition de résist négatif selon la présente invention pour retirer sélectivement substrat cible sous-jacent et pour former ainsi une couche d'élément fonctionnel prédeterminé. On va donner dans la suite la définition du terme "couche d'élément fonctionnel".
De préférence, on met en oeuvre le procédé de production de dispositifs électroniques au moyen des étapes suivantes application en revêtement de la composition de résist négatif sur le substrat cible, exposition sélective du film de résist formé à un rayonnement formateur d'image pouvant induire la décomposition du photogénérateur d'acide de la composition de résist, développement du film de résist exposé avec une solution aqueuse basique pour former un motif de résist, et gravure du substrat cible en présence du motif de résist tant que moyen de masquage pour former la couche d'élément fonctionnel.
Typiquement, les structures de données complexes sont par exemple un tableau (en anglais "ARRAY"), une chaîne de caractères de longueur minimale ou encore un objet informatique lui-même. D'autres exemples de champs de données de structure complexe ont été donnés
précédemment, en référence au langage de communication utilisé à titre d'exemple.
Les étapes E5, E6 et E7 de traduction par référence constituent une étape de substitution du champ de données par une adresse informatique URI (en anglais "Uniforme Ressource Identifier").
Ces mêmes étapes de traduction par référence E5, E6 et E7 comprennent également une étape de mémorisation de cette adresse
informatique URI associée au champ de données dans des tables d'associations T et T' telles qu'illustrées aux figures 6 et 8.
Ces tables d'associations T et T' sont constituées par exemple dans la mémoire vive 502, puis mémorisées dans une mémoire non volatile, telle que dans le disque dur 506 de l'ordinateur C1 illustré à la figure 3.
Ces tables d'associations T et T' permettent ainsi de mémoriser des associations d'un champ de données complexe avec une adresse informatique URI.
A titre d'exemple, ici, dans la traduction de l'objet informatique 01, deux autres objets informatiques 02 et 03, inclus dans les champs de données de l'objet informatique 01, sont mémorisés dans la première table T en association respectivement avec une adresse informatique URI1 et URI3.
Par ailleurs, la seconde table d'associations T' permet de mémoriser des interfaces 11, 12, ..., Ip en association respectivement avec une adresse informatique URI1', URI2', ... URIp'.
De préférence, dans ces tables T et T', les champs de données 02, A1, 03, S1...0m et les interfaces 11, 12, Ip sont mémorisés dans le langage de programmation, c'est-à-dire ici dans un langage informatique C++.
Ainsi, les interfaces sont utilisables directement par l'application informatique de l'ordinateur C1, sous forme d'une classe standard.
La traduction est différée, pour n'être réalisée que si nécessaire, lorsque le champ de données ou l'interface est demandé par une autre application informatique et doit être transféré sur le réseau de communication.
La seconde table T' d'interfaces permet, étant donné une adresse informatique URI', de trouver l'interface correspondante. Elle permet à un serveur de gérer les interfaces des objets qu'il supporte.
Notons par ailleurs qu'une autre table pourrait être mémorisée sur le serveur, permettant d'associer à un type d'objet informatique l'adresse URI' de l'interface correspondant.
Grâce au langage de communication décrit précédemment, et à la traduction d'un objet informatique, il devient possible d'exécuter à distance, sur un réseau de communication informatique 4, une fonction sur cet objet informatique.
De manière générale, une étape de transfert selon le protocole de communication défini par le réseau de communication 4, permet de transférer la fonction associée à un code d'exécution de cette fonction.
Le code d'exécution peut être, comme décrit précédemment, soit le code source, soit un code précompilé (en anglais "byte code") ou un code compilé.
Outre le code d'exécution, lors de cette étape de transfert, la fonction est associée aux paramètres nécessaires à son exécution, qui sont également traduits dans le langage de communication utilisable par le protocole de communication du réseau 4.
Lorsque l'on souhaite exécuter à distance une fonction sur un objet informatique à partir de son interface, l'étape de transfert permet de transférer l'intégralité de l'interface de cet objet, comprenant une, voire plusieurs fonctions associées respectivement au code d'exécution de ces fonctions.
On va décrire à présent deux modes de réalisation pratiques de l'invention, en référence aux figures 9 à 12.
On incrémente alors le compteur du compteur-comparateur 10 et on initialise le circuit compteur-décompteur 36 (ctr-A=O).
Les non-linéarités intégrales NLI sont déterminées comme suit en ré férence à l'algorithme de calcul représenté figure 12.
La meure opération que pour la détermination non-linéarités diffé rentielles est repétée, mais sans initialiser le compteur-decompteur 36 avant chaque trame. On voit sur l'algorithme de la figure 12 qu'à l'initialisation du dispositif, les bits précités ont les valeurs suivantes : 0000100.
II y inifalisation des blocs 36 et 10 (Fig.2).
Ensuite, ces bits passent respectivement aux valeurs suivantes 0011110.
Le contrôleur 20 attend le signal "début" provenant du générateur de stimuli pour commencer le calcul des non-linéarités.
Si outB8=1, les bits précités passent aux valeurs 0000100. On initialise les blocs 36 et 10.
Si outB8=0, le contrôleur 20 attend le signal "début" provenant du gé nérateur de stimuli pour commencer le calcul des non-linéarités intégrales.
A l'apparition des signaux de Début= 1 et outB8=0, les bits précités prennent les valeurs suivantes:
C2 clr-A clr-B Set-B Code-sui ctr In1A=0 1 1 1 1 1 IniA=1 0 1 1 1 0 Le calcul des non-linéarités intégrales a lieu tant que =0.
Lorsque Fin=1, on compare la sortie du circuit 10 avec code de sor tie du CAN (In) et on incrémente ou non le circuit 36 suivant le résultat.
Les bits précités ont alors les valeurs suivantes
C2 clr-A clr-B Set-B -Code-sui -ctr outA7=0 0 1 1 1 0 outA7=1 1 1 1 1 0 On lit alors le résultat dans le bloc de traitement ou compteur- décompteur et on le complémente ou non suivant la valeur de outA5.
bits passent aux valeurs : 0011100.
Enfin, on incrémente le compteur du compteur-comparateur 10.
RECEPTEUR A MULTIPLEXAGE PAR REPARTITION EN FREQUENCES ORTHOGONALES AVEC ESTIMATION ITERATIVE DE CANAL ET PROCEDE CORRESPONDANT DESCRIPTION Domaine technique La présente invention a pour objet un récepteur à multiplexage par répartition en fréquences orthogonales avec estimation itérative de canal et un procédé correspondant. Elle trouve une application en radiocommunications et plus particulièrement dans la technique d'accès multiple dite OFDM pour "Orthogonal Frequency Division Multiplexing". Elle peut être appliquée-entre autres- au système radiomobile européen HIPERLAN II.
La Figure 7 représente les niveaux relatifs de transfection (%) dans des cellules MCF-7 obtenus respectivement (de gauche à droite) avec les liposomes suivants : Lipofectine, TMAEC-Chol selon l'invention, DC-Chol et DAC-30.
La Figure 8 représente les niveaux de transfection dans des cellules CEM obtenus respectivement (de gauche à droite) avec les liposomes suivants : Lipofectine, TAPlithocholamide selon l'invention et TMAEC-Chol selon l'invention. Le niveau de transfection est mesuré par l'activité de p-galactosidase (RLU).
La Figure 9 représente les niveaux d'activité de p-galactosidase (103 RLU/mg) exprimés dans les cellules MCF7 transfectées à l'aide des liposomes TMAEC-Chol (Lip+) selon l'invention en fonction du rapport r = DOPE/lipide cationique (Lip(+)) utilisé.
La Figure 10 représente les niveaux de transfection relatif (%) dans des cellules tumorales MCF7 par des complexes PCMVss-liposomes TMAEC-Chol selon l'invention en fonction de la teneur en sérum de veau f#tal (%).
La Figure 11 représente les niveaux d'activité de P-galactosidase (103 RLU/mg) exprimés dans les cellules tumorales MCF7 transfectées à l'aide des complexes formés entre pCMVp et les liposomes préparés respectivement à partir des lipides cationiques TMAEC-Chol selon l'invention (histogramme hachuré), des lipides cationiques DMAEC-Chol (histogramme à damiers), TMAPC-Chol (histogramme blanc) et DCChol (histogramme noir) en fonction de la teneur en sérum de veau f#tal (%).
La Figure 12 représente le pourcentage de cellules MCF7 viables en fonction de la concentration (exprimée en M) des liposomes cationiques préparés à partir des lipides cationiques selon l'invention TMAEC-Chol (cf courbe comportant le rectangle noir) et BAEC-Chol (cf courbe comportant le rond noir), et à partir du lipide DC-Chol connu (cf courbe comportant le triangle noir).
La Figure 13 représente les niveaux relatifs de transfection (%) des cellules tumorales MCF7 par des complexes pCMVp-liposomes BAEC-Chol selon l'invention, en présence du sérum de veau f#tal, en fonction du rapport molaire de charge X= Lip(+)/nucléotide. L'histogramme hachuré représente 0% de sérum de veau f#tal (SVF), l'histogramme à damiers représente 25% de SVF, l'histogramme blanc 50% de SVF et l'histogramme noir 10% de sérum de veau f#tal.
Les composés lipidiques cationiques selon l'invention présentent de nombreux avantages qui sont notamment illustrés dans les exemples donnés ci-dessous.
Les exemples ci-dessous illustrent la présente invention et ne la limitent en aucune façon.
A. PROPRIETES DES COMPOSES LIPIDIQUES CATIONIQUES SELON L'INVENTION Exemple 1 : monocationique du cholestérol (TMAEC-Chol).
Le composé lipidique monocationique selon l'invention étudié dans cet exemple, est désigné par l'abréviation TMAEC-Chol, et correspond au 3(3[N-(N',N',N'- triméthylamino éthane iodure) -carbamoyle] cholestérol, de masse molaire M = 642,75 g/mol, représenté par la formule générale I(A) ci-dessous : R,-O-CO-NH-(CHZ)2-N+(CH3)3 1-1 dans laquelle R1 est le groupement cholestéryle Les composés lipidiques de l'art antérieur donnés à titre de comparaison dans cet exemple sont des dérivés monoaminés du cholestérol, à savoir le DC-Chol , correspondant au 3-(3[N-(N',N'-diméthylaminoéthane)-carbamoyle] cholestérol [3,4], et le DAC-Chol , correspondant au 3-[i[N-(N,N'-diméthylaminoéthane)-carbamoyle] cholestérol [5].
1) Comparaison entre TMAEC-Chol selon l'invention, DC-Chol et DAC-Chol.
Les avantages quant à l'originalité chimique du TMAEC-Chol par rapport au DCChol et au DAC-Chol, sont énumérés ci-dessous.
(a) Le lipide cationique TMAEC-Chol est sous forme d'un ion constitué par un ammonium quaternaire portant 3 groupements méthyle. Il est différent du DC-chol qui est une amine tertiaire.
Dans les publications de l'art antérieur [3, 4], une charge positive a été attribuée au DC-Chol qui a une structure chimique neutre ! Cette erreur a également été relevée par d'autres auteurs [11,12].