INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
solution de 6,85 g (67 mmoles) de (2-{chloro}-éthyl)-diméthylamine et 10 ml de toluène au point d'ébullition. On chauffe le mélange réactionnel à ébullition pendant 4 heures supplémentaires.
Séparation On lave le mélange réactionnel à trois reprises à l'aide de 25 ml d'eau à chaque fois. On extrait le produit à l'aide de trois portions égales d'une solution de 18 g (0,12 mole) d'acide tartrique et 40 ml d'eau. On sépare les phases, on combine les phases aqueuses, on alcalinise à pH 10 à l'aide d'une solution concentrée d'hydroxyde d'ammonium, on extrait trois fois avec à chaque fois 20 ml de dichloroéthane, on sèche sur sulfate de magnésium et on chasse le solvant sous vide. On obtient 14,5 g d'huile incolore qui contient selon l'analyse par chromatographie gazeuse : 74,2 % de (1R,2S,4R)-{-)-2-[(2'-{N,N-diméthylamino}-éthoxy)}-2-[phényl]-1- 7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2.2.1]heptane de formule 1 ; 16,5 % de (1R,4R)-2-[(2'-{N,N-diméthylamino}-éthoxy)]-1,7,7-tri-[méthyl]bicyclo[2.2.1]heptane de formule IV ; 6,5 % de (1R,3S,4R)-3-[(2'-{N,N-diméthylamino}-éthyl)]-1,7,7-tri-[méthyl]- bicyclo[2.2.1]heptane-2-one de formule V ; et quelques % d'autres contaminants non identifiés, chacun à une concentration inférieure à 1 %.
Formation du sel de fumarate A une solution de 14,0 g de la base (lR,2S,4R)-(-)-2-[(2'-{N,N- diméthylamino}-éthoxy)}-2-[phényl]-1,7,7-tri-[méthyl]-bicyclo[2.2.1]heptane de formule I, libéré de son tartrate et 150 ml d'éthanol, on ajoute 5,07 g (43,6 mmoles) d'acide fumarique à 70 C. On filtre le produit à 0 C et on le recristallise dans 50 ml de diméthylformamide.
On obtient ainsi 13,5 g du produit désiré de fumarate (1R,2S,4R)-(-)-2- [(2'- {N,N-diméthylamino} -éthoxy)} -2-[phényl]-I, 7,7 -tri-[ méthyl]-bicy- clo[2.2.1]heptane (1/1) de formule 1 sous forme de cristaux blancs. Rendements 16,2 % (par rapport au (+) -camphre). D'après l'analyse par chromatographie gazeuse, on peut trouver 0,5 % de (IR,3S,4R)-3-[(2'-{N,N-diméthylaminol-éthyl)]-1,7,7-tri- [méthyl]-bicyclo[2.2.1]heptane-2-one de formule V.
Ce mode de réalisation en continu permet la purification d'un volume plus grand de solution à traiter, ainsi qu'une maintenance réduite. Le milieu réactionnel peut être soumis aux ultra-sons de manière continue ou séquentielle, et la puissance ultra-sonique peut être modulée en fonction de la difficulté de mise en oeuvre de la réaction, ou de la séparation des céments.
Le procédé peut comporter une étape supplémentaire de séparation de la solution purifiée et des céments. Cette séparation peut être mise en oeuvre, par exemple, par décanta tion ou par filtration.
Les éléments particulaires métalliques, sur la surface desquels le cément est destiné à se déposer, peuvent être sensiblement sphériques, et notamment des billes.
Ces éléments particulaires peuvent également être consti tués par des tronçons d'éléments de forme allongée, notamment des tronçons de fils métalliques. De préférence, ces tronçons présentent une longueur sensiblement égale à leur diamètre.
L'invention se propose également de réaliser un réacteur permettant la mise en oeuvre du procédé décrit ci-dessus. A cet effet, elle a pour objet un réacteur de cémentation pour la purification d'une solution contenant des métaux dissous, du type comprenant une enveloppe comportant un fft, ladite enveloppe définissant une entrée de la solution à traiter, une zone réactionnelle destinée à recevoir des éléments particulai- res réalisés en un métal moins noble que les métaux dissous, et une sortie des éléments réactionnels, ledit réacteur comprenant des moyens de génération d'ultra-sons à l'intérieur de l'enve loppe, caractérisé en ce que ladite zone réactionnelle est munie de moyens de création d'un lit fluidisé desdits éléments particulaires, et en ce que les moyens de génération d'ultra sons s'étendent sur une partie substantielle de la hauteur de ladite région.
Selon une caractéristique avantageuse, les moyens de création d'un lit fluidisé comprennent une région sensiblement verticale.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les moyens de génération d'ultra-sons s'étendent sur au moins 80%, de préférence sur au moins 95% de la hauteur de ladite région sensiblement verticale. La région sensiblement verticale adaptée pour recevoir le lit fluidisé de particules est par exemple le fût du réacteur.
Les moyens de génération d'ultra-sons peuvent constituer au moins partiellement le fût du réacteur. En particulier, ce fût peut être formé par empilement, les uns sur les autres, de ces moyens de génération d'ultra-sons.
Les moyens de génération d'ultra-sons peuvent être disposés à la périphérie extérieure des parois du réacteur. Ils peuvent en particulier être fixés, par exemple par soudage, sur la périphérie extérieure de la paroi du réacteur.
Ces moyens de génération d'ultra-sons peuvent également être disposés au sein du réacteur, de manière à être immergés dans le milieu réactionnel. Une toile périphérique de protec tion peut alors les recouvrir, de manière à empêcher le dépôt de métal cémentable à leur surface extérieure.
L'invention a enfin pour objet une installation de purification d'une solution contenant des métaux dissous, comprenant un réacteur de cémentation, une source de solution à traiter mise en communication avec l'entrée du réacteur, et une unité de séparation des céments et de la solution purifiée, mise en communication avec la sortie du réacteur, caractérisée en ce que le réacteur est tel que décrit ci-dessus.
Un exemple de mise en oeuvre de l'invention va maintenant être décrit en regard de la figure unique qui représente schématiquement une unité de cémentation conforme à l'inven tion. Cette unité comprend un bac 2 constituant une source d'une solution à traiter. Ce bac 2 est mis en communication, par une conduite 4, avec l'entrée 6 d'un réacteur 8, une pompe 9 permettant de véhiculer la solution en direction du réacteur S. Ce dernier comprend une partie inférieure 10 dont la section s'accroît à partir de l'entrée 6 et un fût 12 fermé à son sommet par un couvercle 14. Une conduite descendante 16 est piquée sur la partie supérieure du fût 12 et débouche à sa partie inférieure dans un décanteur 18 de type connu en soi.
Des billes 20 en zinc sont disposées dans le réacteur 8, et sont maintenues par l'intermédiaire d'une grille 22 obturant la section transversale du fond du fût 12. Cette grille 22 est pourvue d'orifices non représentés, de diamètre inférieur à celui des billes 20.
Ces billes 20 sont alimentées, depuis un dispositif d'alimentation 23, par un conduit 23A débouchant dans le réacteur 8 au travers d'une ouverture non représentée ménagée dans le couvercle de ce dernier. L'ouverture du dispositif d'alimentation 23 est assurée par exemple par une vanne à manchon 23B.
Un résonateur ultra-sonique 24 est introduit dans le réacteur 8 à travers le couvercle 14. Ce résonateur 24 est par exemple conforme à celui commercialisé par la société TELSONIC sous la dénomination RS-20, ou à celui commercialisé par la société MARTIN-WALTER sous la dénomination Push Pull série MW.
Il comprend un transducteur ultrasonique 24A produisant des oscillations longitudinales, qui est couplé à un émetteur 24B tubulaire. Ce dernier s'étend coaxialement au fût 12, quasiment sur toute la hauteur de celui-ci.
Les tenons de gerbage 39 sont formés au moment où les prolongements 30 sont rabattus intérieurement pour doubler les parois d'extrémités 25. Ces tenons s'étendent dans le plan des prolongements 30 ; ce positionnement intérieur des tenons 39 par rapport aux parois d'extrémités 25 permet d'obtenir leur encastrement complet dans le volume de conditionnement du plateau directement superposé, lors du gerbage, par intégration dans les ouvertures 40 correspondantes. Cette intégration complète lors du gerbage est facilitée par le cintrage de la partie inférieure des parois d'extrémités 25.
Les lignes de pliage en arc de cercle 31 permettent aux bordures supérieures des parois d'extrémités 25 de se tenir parallèles ou sensiblement parallèles aux arêtes inférieures d'extrémités du plateau, de manière à bien stabiliser les emballages superposés.
D'autre part, les secondes lignes de pliage 32, également en arc de cercle mais de flèche contraire, permettent aux bandes de matière 33 de venir se positionner parallèlement ou sensiblement parallèlement à l'élément de fond 22 en vue de former une assise stable pour un autre plateau directement superposé. Etant donné la forme particulière des lignes de pliage 31 et 32, les parties latérales des prolongements de doublage 30 sont un peu écartées des parois d'extrémités 25. En fonction des besoins, les lignes de pliage en arc de cercle peuvent être remplacées par des juxtapositions d'arcs de cercle. Cette particularité, illustrée sur les figures 9 et 10, peut être utilisée pour des plateaux de grandes dimensions, et en particulier si on désire réaliser différents types de plateaux combinables par gerbage croisé.
Le flan de carton 44 illustré sur la figure 9 a une structure similaire à celle du flan 21 qui vient d'être décrit, mais ici les lignes de pliage qui permettent le cintrage de l'élément de fond sont positionnées sur les grands côtés de cet élément de fond, et ces lignes de pliage se présentent sous la forme d'une juxtaposition de deux arcs de cercle de longueur et de flèche identiques.
Comme on peut le voir sur la figure 9 le flan de carton 44 comprend un élément de fond rectangulaire 45 bordé par deux petites parois d'extrémités 46 raccordées par des lignes de pliage rectilignes 47, et par deux grandes parois longitudinales 48 raccordées par des lignes de pliage en double arc 49. Les deux grandes parois 48 comportent des rabats latéraux 50 destinés au montage du plateau par solidarisation avec les petites parois 46 ; elles comportent également un prolongement d'extrémité 51 destiné à constituer un élément de doublage, muni de pattes latérales 52 pour son maintien en position de manière identique au mode de réalisation des figures 6 à 8.
Les prolongements de doublage 51 sont raccordés aux grandes parois 48 par deux lignes de pliage 54 et 55 en double arc de cercle dont les flèches sont inversées. Chaque arc de cercle des lignes de pliage 49, 54 et 55 s'étend sur la moitié de la longueur du plateau. Des tenons 56 et ouvertures 57 de gerbage sont centrés sur chacune des deux moitiés de plateau, aménagés au niveau des flèches des différents arcs de cercle. Lors de la mise en volume du flan de carton 44, l'élément de fond 45 prend la forme de deux arches juxtaposées ; d'autre part, les bandes de matière 59 entre les deux lignes de pliage 54 et 55 se positionnent sensiblement parallèlement à l'élément de fond 45.
Comme cela apparaît sur la figure 10, le plateau 60 obtenu a une structure générale qui permet des combinaisons de gerbage avec deux petits plateaux 41, tels qu'illustrés sur les figures 6 à 8, disposés transversalement. On peut ainsi prévoir un ou des grands plateaux 60 ayant des dimensions de l'ordre de 600 x 400 mm, associés à des petits plateaux 41 dont les dimensions sont de l'ordre de 400 x 300 mm. A titre de variante, les quatre parois latérales qui bordent l'élément de fond carré ou rectangulaire des plateaux qui viennent d'être décrits peuvent être raccordées par des lignes de pliage en arc de cercle pour que ledit élément de fond prenne une forme légèrement bombée à la fois sur son axe longitudinal et sur son axe transversal, après mise en volume.
Dans les exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, la configuration bombée de l'élément support 2, 10, 16, 22 ou 45 est obtenue au moyen de lignes de pliage configurées en arc de cercle. Bien qu'il s'agisse là d'une forme de réalisation préférée, on peut tout-à-fait envisager d'obtenir un résultat identique ou similaire en prévoyant des lignes de pliage avec des courbures moins homogènes. On peut aussi obtenir cette forme générale courbe à partir d'une juxtaposition de tronçons rectilignes.
Sur certaines des figures annexées, on notera que la courbure des lignes de pliage en arc de cercle a été un peu exagérée pour bien faire apparaître les caractéristiques de la présente invention.
COMPOSITION ET PROCEDE POUR LA FABRICATION DE STRUCTURES PLANES, EN PARTICULIER DU PAPIER OU DU CARTON L'invention a pour objet une nouvelle composition pour la fabrication de structures planes, les te--mes NX structures planes " désignant dans ce qui suit toute structure, déjà plane ou devant être aplanie, fibreuse ou non fibreuse, de composition, caractéristiques (résistance, souplesse, ... ), dimensions et épaisseur variables.
Cette définition inclut les structures planes, en particulier les feuilles, à base de fibres cellulosiques, recyclées ou non - matière première la plus fréquemment utilisée dans l'industrie du papier et du carton - mais également à base, entre autres : - de fibres naturelles autres que les fibres cellulosiques telles que certaines fibres textile, - de fibres synthétiques telles que les fibres de polyamides, de polyesters et de résines polyacryliques, - de fibres minérales telles que les fibres d'amiante, de céramique et de verre, - de toutes combinaisons des fibres précitées.
La composition selon l'invention est applicable, entre autres, aux papiers et cartons pour l'emballage et le conditionnement, par exemple aux papiers cannelure et couverture pour ondulé, au carton ondulé et aux papiers souples de type kraft, ainsi qu'aux papiers à usage graphique.
Elle est également applicable à des structures planes généralement plus épaisses que des feuilles telles que des plaques ou lattes à base de bois, de carton, de papier et/ou de fibres minérales ou des films à base de matières synthétiques comme le polyéthylène ainsi que des nappes de fils d'origine naturelle ou synthétique.
La présente invention vise également un nouveau procédé de fabrication de structures planes, en particulier du papier ou du carton, mettant en oeuvre ladite composition.
Le terme " fabrication " doit ici être entendu comme comprenant aussi bien tout traitement interne ou " en masse " selon lequel ladite composition est répartie totalement ou majoritairement dans la masse constitutive de la structure plane résultante, que tout traitement externe, en particulier tout surfaçage, encollage, contrecollage, couchage ou enduction, selon lequel ladite composition est totalement ou majoritairement appliquée ou retenue sur l'une, au moins, des deux faces de la structure plane résultante.
Le traitement interne et/ou externe peut par ailleurs résulter de : - la floculation de fibres, par exemple de céramique, au sein et/ou en surface de la structure plane suite à la mise en #uvre de ladite composition, ou - la pulvérisation de ladite composition en surface de la structure plane, celle-ci pouvant ensuite être mise en contact avec au moins une autre structure plane en vue de préparer une structure multicouches, ou - l'utilisation de ladite composition pour stabiliser des émulsions d'agents de collage, par exemple à base de produits connus sous les abréviations de ASA ou AKD ou l'utilisation de ladite composition pour préparer des adhésifs pour carton ondulé.
Egalement dans ce cas, une résine pour amortir une contrainte ne remplit pas un espacement entre la carte formant dispositif d'interposition et la carte de montage.
Afin de parvenir à un autre aspect de la présente invention, une structure de montage d'un dispositif à circuit intégré comprend, de plus : une troisième bosse de soudure reliant le dispositif à circuit intégré à la carte formant dispositif d'interposition, dans laquelle la troisième bosse de soudure est disposée entre le dispositif à circuit intégré et la carte formant dispositif d'interposition ; et une résine spécifique d'amortissement de contrainte, dans laquelle la résine spécifique est disposée entre le dispositif à circuit intégré et la carte formant dispositif d'interposition.
Dans ce cas, la résine spécifique est remplie dans un espacement entre le dispositif à circuit intégré et la carte formant dispositif d'interposition.
Egalement dans ce cas, la résine spécifique est une résine époxy.
De plus, dans ce cas, un trou traversant est formé dans la carte formant dispositif d'interposition pour relier la première bosse de soudure à la troisième bosse de soudure.
Dans ce cas, une pluralité des premières bosses de soudure sont disposées en une forme de grille. Egalement dans ce cas, une pluralité des deuxièmes bosses de soudure sont disposées en une forme de grille.
De plus, dans ce cas, une pluralité des premières bosses de soudure sont disposées selon une forme de grille, et une pluralité des deuxièmes bosses de soudure sont disposées selon une forme de grille avec sensiblement le même intervalle comme intervalle entre la pluralité de premières bosses de soudure.
Dans ce cas, la pluralité de deuxièmes bosses de soudure est disposée à l'intérieur de la pluralité de premières bosses de soudure sur la carte de montage.
Egalement, dans ce cas, chaque bosse de la pluralité de deuxièmes bosses de soudure est disposée à une position adjacente à la pluralité de premières bosses de soudure sur la carte de montage.
De plus, dans ce cas, une pluralité des premières et deuxièmes bosses de soudure sont disposées de sorte qu'une contrainte thermique produite par une variation de température entre un instant où une tâche de montage de la structure de montage est effectuée et un instant après l'exécution de la tâche de montage ou entre un instant où le dispositif à circuit intégré est mis en oeuvre et un instant où le dispositif à circuit intégré n'est pas mis en oeuvre, est répartie de manière sensiblement uniforme vers et à l'écart des bosses respectives des premières et deuxièmes bosses de soudure.
Egalement dans ce cas, la troisième bosse de soudure a un point de fusion supérieur à ceux des premières et deuxièmes bosses de soudure.
De plus, dans ce cas, la structure de montage d'un dispositif à circuit intégré est utilisée dans un ordinateur de grande taille.
Dans ce cas, au moins une des premières et deuxièmes bosses de soudure est formée pour être une bille de soudure eutectique.
Egalement dans ce cas, la carte formant dispositif d'interposition a une fonction d'empêcher un rayonnement radioactif produit à partir d'une soudure de pénétrer dans le dispositif à circuit intégré à partir d'un côté de la carte de montage.
Afin de parvenir à encore un autre aspect de la présente invention, un procédé de montage d'un dispositif à circuit intégré comprend : (a) la fourniture d'une carte formant dispositif d'interposition, une pluralité de trous traversants étant formés dans la carte formant dispositif d'interposition ; (b) la connexion d'un dispositif à circuit intégré à la carte formant dispositif d'interposition au niveau d'une position de chaque trou de la pluralité de trous traversants ; (c) la fourniture d'une pluralité de premières bosses de soudure sur une carte de montage au niveau d'une pluralité de premières positions spécifiques correspondant à la pluralité de trous traversants lorsque la carte de montage est reliée à la carte formant dispositif d'interposition ; (d) la fourniture d'une pluralité de deuxièmes bosses de soudure sur la carte de montage au niveau d'une pluralité de deuxièmes positions spécifiques autres que les premières positions spécifiques ; et (e) la connexion de la carte de montage à la carte formant dispositif d'interposition par les premières et deuxièmes bosses de soudure, et dans lequel les étapes (c) et (d) sont effectuées sensiblement au même instant.
Dans ce cas, l'étape (b) comprend la connexion du dispositif à circuit intégré à la carte formant dispositif d'interposition par une troisième bosse de soudure disposée au niveau de la position de chaque trou de la pluralité de trous traversants et l'injection d'une résine spécifique pour amortir une contrainte à une position autre que des positions dans lesquelles une pluralité de troisièmes bosses de soudure sont fournies.
de montrer que le gène GS938315 était exprimé dans le cerveau foetal, le foie, le c#ur et le rein.
Gène GS93953 Acide(s) nucléique(s) Il a été isolé selon l'invention un ARN messager correspondant à un transcrit du gène désigné ici sous le n GS93953.
La séquence nucléique de l'ADNc correspondant à ce transcrit constitue la séquence SEQ ID N 10.
La séquence SEQ ID N 10 a une longueur de 3422 nucléotides.
Les analyses d'expression du transcrit de séquence SEQ ID N 10 ont été réalisées par RT PCR, comme décrit dans l'Exemple 1. Ces analyses effectuées à partir d'ARN polyA+de différents tissus ont permis de montrer que le gène GS93953 était exprimé dans le cerveau foetal.
De plus, une analyse de l'expression du transcrit par Northern blot, , selon le protocole décrit de l'Exemple 1, à l'aide respectivement des sondes de séquence SEQ ID N 61, a révélé la présence de transcrits dans le blot commercialisé par la Société Clontech (Ref. N 7759-1).
La taille des transcrits détectés avec la sonde de séquence SEQ ID N 61 est de 8 kb dans le c#ur, le cerveau, le placenta, le poumon, le foie, le muscle squelettique, le rein et le pancréas.
Gène GS939874.
Acide(s) nucléique(s) Il a été isolé selon l'invention un ARN messager correspondant à un transcrit du gène désigné ici sous le n GS939874.
La séquence nucléique de l'ADNc correspondant à ce transcrit constitue la séquence SEQ ID N 11.
La séquence SEQ ID N 11a une longueur de 2615 nucléotides. Aucune identité de séquence n'a été retrouvée lors d'une recherche dans la base de données GenBank (Version 110).
Les analyses d'expression du transcrit de séquence SEQ ID N 11 ont été réalisées par RT PCR, comme décrit dans l'Exemple 1. Ces analyses effectuées à partir d'ARN polyA+de différents tissus ont permis de montrer que le gène GS939874 était exprimé dans le cerveau foetal, l'utérus, le cerveau, le coeur, la prostate, le foie foetal, le foie, le placenta, le testicule et le rein.
Afin de connaître l'importance relative des répétitions R1 et R2 dans cette fixation à l'héparine, nous avons produit dans le colibacille: -i) des formes recombinantes de HBHA qui présentent des délétions dans les séquences répétées et -ii) des protéines de fusion MBP qui possèdent tout ou partie des séquences répétées. Pour chacune de ces espèces moléculaires, nous avons étudié l'affinité pour l'héparine immobilisée. Celleci est évaluée par la molarité en NaCI requise pour l'élution, c'est-à-dire pour abolir toute interaction avec une matrice d'héparine-sépharose CL-6B équilibrée avec du tampon PBS. Les résultats obtenus sont décrits dans les exemples ci-après.
Le procédé de l'invention propose ainsi un moyen permettant selon l'objectif recherché de moduler l'affinité de la protéine que l'on cherche à purifier par le nombre de motifs R1, le cas échéant combinés avec des motifs R2, que l'on intègre dans le polypeptide hybride et par conséquent ses conditions d'élution et de production.
L'hôte cellulaire préféré pour exprimer ce polypeptide hybride peut
être n'importe quel hôte cellulaire procaryote ou eucaryote. Si un hôte procaryote est utilisé, il est préférable que l'hôte en question soit dépourvu de protéases à sérines ou pour le moins que l'expression de celles-ci soit inhibée. Lorsque l'hôte cellulaire est une cellule eucaryote (levure, cellule animale), le polypeptide hybride est susceptible de subir des modifications co- ou post-traductionnelles, notamment d'être glycosylé, ce qui peut présenter un avantage certain pour conserver les propriétés de la protéine ainsi produite, notamment ses propriétés immunogènes.