INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- Etude de l'évolution des Ac développés contre des néoéqitopes nitrosylés et nitrés dans le sérum des rattes Les figures 26 à 29 rapportent l'étude de 'dévolution des anticorps dirigés contre les conjugués NOCys-O-SAB, NO-Tyr-SAB et NO2-Tyr-SAB dans les sérums des rates (PR) , la figure 26 pour le groupe " Témoin", la figure 27 pour le groupe "SNI", la figure 28 pour le groupe "Aminoguanidine" et la figure 29 pour le groupe "Anticorps monoclonal". Chaque point représente la moyenne de l'écart type de DO obtenues chez toutes les rattes.
Groupes "Témoin" et "SNI" Les sérums des dix rat tes prélevés pendant 5 semains ont été testés sur les conjugués NO-Cys-G-SAB; NO-Tyr-SAB; N02 Tyr-SAB, et sur les conjugués non nitrosylés correspondant. Les figures 26 et 27 montrent chez les groupes "Témoin" et "SNI", respectivement, l'évolution au cours du temps des anticorps induits contre deux épitopes : N02-Tyr-SAB et NO-Tyr-SAB. Ces résultats représentent la moyenne de deux tests. Les DO obtenues dans chaque groupe sont équivalentes sur tous les conjugués testés, chaque point représente la moyenne et l'écart-type des DO obtenues avec les 5 rattes d'un même groupe pour un même conjugué.
Pour ces deux conjugués les DO obtenues varient entre 1 et 2 entre les 2ème et 5ème semaines. Pour le conjugué NO-Cys-G-SAB les signaux sont très faibles (DO O, t > Les croupes "Aminoauanidine et Ac monoclonal": Les signaux immunologiques révélés chez les 10 rat tes de ces deux groupes sont équivalents entre les rattes d'un même groupe et sur tous les conjugués testés.
Les courbes représentent la moyenne de deux tests et les résultats sont analysés de façon identique aux groupes précédents. Comme dans les autres groupes, pour le conjugué NO-Cys-G-SAB les signaux restent très faibles.
Pour le groupe "Aminoguanidine" : (figure28) t'anti-NO-Tyr est la réponse la plus élevée, les DO sont entre 1,5 et 2 (entre les 2ème et 5ème semaines). La réponse anti-N02-Tyr est aussi importante, on note une augmentation des signaux entre les 1ère et 2ème semaines.
ils se stabilisent jusqu'à la 3ème semaine puis augmentent lOgèrement vers la 4ème semaine.
Pour le groupe "Ac monoclonal" (figures 29): on remarque que chez ces animaux aussi la réponse anti-NO-Tyr est plus importante que celle anti-N02-Tyr. Mais, on note également qu'un plateau a été trouvé pour les deux types d'Ac et ceci entre les 3ème et 5ème semaines. Ceci peut être dû à une réactivité croisée entre ces Ac puisque les deux réponses ont évolué puis se sont stabilisées aux mêmes périodes. De plus, le taux d'anti-NO-Tyr et d'anti N02-Tyr dans le sérums de ces rattes sont légèrement moins importants que ceux obtenus chez les rattes des groupes "SNI" et "Aminoguanidine". Par contre la courbe représentant l'anti-NO-Tyr montre le même aspect et la même amplitude que celle du groupe "Témoin".
Du fait de l'importance des réponses anti-NO-Tyr et anti-N02-Tyr, d'autres tests pour rechercher des Ac anti-NO-Tyr-G-SAB ont été réalisés. Ainsi, des DO obtenues dans les mêmes conditions de test ELISA étaient presque négligeables chez les quatres groupes. Ces résultats signifient que la présentation de l'épitope est capitale.
Une différence dans la conformation spatiale entre les différents épi topes nitrosylés est sûrement présente in vive. Elle est essentielle pour induire une réponse immunitaire.
En conclusion, ces tests immunoenzymatiques n'ont mis en évidence aucune différence significative entre les quatres groupes. Une augmentation du titre en anticorps induits contre des épi topes nitrosylés et nitrés a été trouvée dans chaque prélèvement. Pour le groupe "Ac monoclonal", une protection efficace mais partielle des rattes a été observée, en revanche, les réponses immunologiques obtenues chez les animaux de ce groupe ont été identiques à celles des trois autres groupes.
c) Discussion.
La production d'anticorps circulants, a été trouvée dans le sérum des animaux par le test ELISA dans les deux modèles. Pour l'EAE, des travaux récents ont mis en évidence la présence d'anticorps anti-NO-Cys-G dans le sérum des rat tes qui ont développé cette pathologie (Boullerne, 1996, thèse d'Université). Les travaux cidessus confirment l'implication du néoépitope (NO-Cys), parmi d'autres facteurs déclenchant les signes neurologiques, dans cette maladie expérimentale et donc la présence in vivo des anticorps reconnaissant cet épi tope.
L'utilisation d'Ac monoclonaux dirigés contre ce même épitope est donc indispensable pour capter ce dernier.
La demande de brevet français FR 2 682 486 du CEA fait état de la préparation de miroirs diélectriques à haute tenue au flux laser, par un procédé réalisé à température ambiante, ce qui permet une adaptation aux substrats organiques. Les couches minces présentant les propriétés optiques souhaitées sont préparées à partir de suspensions colloïdales, que l'on dépose en alternant un matériau à faible indice de réfraction avec un matériau à indice de réfraction élevé.
Toutefois, les couches colloïdales utilisées sont par nature poreuses, ce qui se traduit par un indice de réfraction faible, comparé à l'indice d'un film du même matériau sous forme dense. Par conséquent, à réflectivité équivalente, il est nécessaire d'empiler un nombre plus important de couches pour palier cette différence d'indice ce qui implique un traitement plus long, allant de pair avec une fragilisation du revêtement optique.
La demande de brevet français FR 93 08762 du CEA fait état de la préparation de matériaux composites à indice de réfraction élevé, caractérisé en ce qu'ils comprennent des colloïdes d'oxyde de métal enrobés dans un polymère polyvinylique, soluble dans un solvant alcoolique. Le polymère organique enrobant les colloïdes entraîne une diminution de la porosité ouverte résiduelle entre les particules d'oxyde. Il en résulte une augmentation de l'indice de réfraction de la couche déposée, un accroissement des propriétés mécaniques de résistance à l'abrasion par rapport à la couche colloïdale correspondante puisque le polymère sert de liant entre les particules, et une amélioration de la tenue au flux laser.
Cependant, l'amélioration des propriétés mécaniques de résistance à l'abrasion de la couche obtenue nécessite l'utilisation de couches de promoteurs d'adhérence ou de couches d'agents de couplage. Ceci augmente les temps de fabrication et les coûts de production. De plus, les propriétés mécaniques de résistance à l'abrasion restent insuffisantes en particulier dans le cas d'une application grand public, par exemple, dans le cas de la réalisation du traitement antireflet d'écrans, notamment d'écrans à tubes cathodiques pour téléviseurs ou autres.
L'invention a donc pour but, entre autres, de surmonter les inconvénients de l'art antérieur cité plus haut et de fournir un matériau, notamment à indice de réfraction élevé, présentant de bonnes caractéristiques de résistance mécanique, c'est-à-dire entre autres une bonne résistance à l'abrasion et une adhésion satisfaisante sur tout substrat.
L'invention a également pour but de préparer des matériaux à propriétés optiques, utilisant le matériau selon l'invention, notamment à indice de réfraction élevé.
Les matériaux à propriétés optiques sont par exemple, des matériaux présentant des propriétés antireflets sur une large ou étroite bande spectrale et de bonnes propriétés, entre autres, d'hydrophobie et de résistance à l'abrasion impliquant de ce fait un nettoyage facile, soit des matériaux réfléchissants présentant des propriétés de résistance à l'abrasion.
Ce but et d'autres encore sont atteints conformément à l'invention par un matériau polymérique inorganique à base d'oxyde de tantale densifié ou réticulé, notamment à indice de réfraction élevé, et, entre autres, mécaniquement résistant à l'abrasion.
Selon les caractéristiques de l'invention, le matériau comprend plus particulièrement un polymère inorganique d'oxyhydroxyde de tantale densifié ou réticulé et comportant généralement des ions halogénures résiduels par exemple chlorures.
Un polymère selon l'invention est obtenu à partir d'un composé moléculaire ou précurseur moléculaire à base de tantale, soluble dans un solvant, de préférence un solvant alcoolique, qui donne un film (ou couche) polymérique inorganique après densification ou réticulation par exemple par traitement thermique et/ou insolation par des rayons ultra-violets, ou autres.
Selon l'invention la réticulation-densification thermique est généralement réalisée à température modérée, peu élevée, à savoir par exemple inférieure ou égale à 200"C de préférence inférieure ou égale à 1500C, notamment de 100 à 200"C, et le précurseur moléculaire est de préférence un composé anhydre, de préférence encore un composé halogèné par exemple chloré du tantale.
Grâce aux caractéristiques de l'invention, le composé moléculaire à base de tantale réagit avec l'eau présente dans l'humidité ambiante et forme un polymère inorganique pendant la formation du film. L'étape de densification entraîne une réticulation de ce réseau inorganique, soit la formation de liaisons chimiques covalentes tantale-oxygène-tantale. Il en résulte une augmentation de l'indice de réfraction de la couche déposée, liée à la densification du réseau inorganique, et un accroissement des propriétés mécaniques de résistance à l'abrasion.
Le matériau selon 1 invention est à base d'oxyde de tantale c'est-à-dire qu'il peut être constitué uniquement d'oxyde de tantale mais il peut également comprendre outre cet oxyde au moins un autre oxyde métallique ou de métalloïde choisi de préférence parmi l'oxyde de titane, l'oxyde de silicium, l'oxyde d'yttrium, l'oxyde de scandium, l'oxyde de hafnium, l'oxyde de thorium, l'oxyde de niobium, l'oxyde de zirconium, l'oxyde de lanthane, l'oxyde d'aluminium et l'oxyde de magnésium dans une proportion par exemple de 1 à 99 %, de préférence de 10 à 90 %, en masse, par rapport à la masse totale des oxydes métalliques ou de métalloïdes.
De tels composés permettent de faire varier les propriétés du matériau à base d'oxyde de tantale, en particulier l'indice de réfraction et la résistance à l'abrasion.
Il est ainsi possible d'obtenir par exemple des indices élevés avec un matériau polymérique uniquement constitué d'oxyde de tantale ou avec un matériau polymérique comprenant outre l'oxyde de tantale au moins un autre oxyde métallique ou de métalloïde choisi parmi les oxydes métalliques ou de métalloïdes déjà cités plus haut, de préférence à l'exception de l'oxyde de silicium et de l'oxyde de magnésium.
Il sera également possible d'obtenir des indices élevées, moyens ou faibles avec un matériau polymérique comprenant outre 1 l'oxyde de tantale par exemple au moins de l'oxyde de silicium et/ou de magnésium.
Le circuit optique intégré, tel que représenté sur la figure 11, comprend un guide d'onde optique 5 de type rectiligne formé sur une plaque de base K, un dessin 6 d'électrodes de forme prédéterminée formé sur la plaque de base K, et un élément 31 de rotation du plan de polarisation inséré au milieu du guide d'onde optique 5 et qui joue le rôle d'un premier rotateur du plan de polarisation (le même que dans le troisième mode de réalisation).
Le guide d'onde optique 5 est formé d'un matériau ayant un effet électrooptique analogue à celui qui est choisi pour le guide d'onde optique 1 décrit précédemment. L'élément 31 de rotation du plan de polarisation est inséré dans la partie médiane du guide d'onde optique 5. Ce dernier joue le rôle d'un trajet optique d'un modulateur de phase et d'un trajet optique d'un brouilleur de polarisation.
Le dessin 6 d'électrodes possède une première électrode 6A et une seconde électrode 6B. La première électrode 6A a un dessin en U formé sur la plaque de base K de manière qu'un côté 6a soit placé le long du guide d'onde optique 5.
Une section du côté 6a, mesurée depuis une extrémité du côté d'incidence jusqu'en un point qui se trouve au-dessus de l'élément 31 de rotation du plan de polarisation, est réglée en fonction d'une tension appliquée nécessaire à la modulation de phase et une section du côté 6a, mesurée depuis l'emplacement qui se trouve au-dessus de l'élément 31 de rotation du plan de polarisation jusqu'à l'extrémité du côté de sortie, est réglée en fonction d'une tension d'application nécessaire au brouillage de polarisation. La seconde électrode 6B a un dessin rectangulaire placé sur la plaque de base K afin que sa périphérie soit enfermée par la première électrode 6A avec un espacement prédéterminé. Une tension de modulation analogue à celle qui est utilisée dans le brouilleur classique de polarisation est appliquée à la première électrode 6A alors que la seconde électrode 6B est à la masse. Le dessin d'électrodes joue donc le rôle d'un organe source de tension de modulation de phase et d'un organe source de tension. Bien que le dessin 6 d'électrodes soit décrit sous forme d'une ligne à microbande plate, une ligne à bande coplanaire peut être utilisée comme dessin d'électrodes 6.
Dans le circuit optique intégré, un signal lumineux transmis par un émetteur de lumière ou un appareil analogue tombe à un état réglé à une polarisation linéaire verticale (direction de l'axe y) . Le signal lumineux incident est soumis à une modulation de phase lorsqu'il se propage dans le guide d'onde optique 5 vers l'élément 31 de rotation du plan de polarisation. Les opérations de modulation de phase sont pratiquement les mêmes que celles d'un modulateur de phase classique. Le signal lumineux soumis à la modulation de phase est transmis à l'élément 31 de rotation du plan de polarisation et sa polarisation tourne d'environ 450. Ainsi, la polarisation du signal lumineux passant dans l'élément de rotation du plan de polarisation est réglée à un état comprenant des composantes x et y. Cet état est analogue à une polarisation linéaire du signal lumineux transmis au brouilleur classique de polarisation avec un azimut d'environ 450. Ainsi, le brouillage de polarisation est réalisé par propagation du signal lumineux dans le guide d'onde optique 5 placé après l'élément 31 de rotation du plan de polarisation.
Comme le cinquième mode de réalisation, le sixième mode de réalisation permet une modulation de phase et un brouillage de polarisation en même temps avec un circuit optique de configuration simple par sélection de la composition du circuit optique intégré dans lequel l'élément 31 de rotation du plan de polarisation est placé sur la longueur du guide d'onde optique 5 du modulateur de lumière de type rectiligne. Cependant, le sixième mode de réalisation n'a pas d'effet de réduction de la dispersion de polarisation puisque sa fonction de brouillage de polarisation équivaut à celle d'un brouilleur classique de polarisation. Bien que le cinquième mode de réalisation soit meilleur que le sixième au point de vue de la réduction de la dispersion de polarisation, le sixième présente l'avantage de permettre l'application d'une tension de modulation de phase et de brouillage de polarisation avec une seule électrode.
On décrit maintenant un septième mode de réalisation.
Ce septième mode de réalisation de l'invention concerne un circuit optique intégré ayant une fonction de modulation d'intensité ajouté au brouilleur préféré de polarisation, par exemple comme dans le premier mode de réalisation, afin qu'une modulation d'intensité et un brouillage de polarisation puissent être réalisés en même temps.
La figure 12 représente la configuration de ce septième mode de réalisation.
Un circuit optique intégré préféré pour le septième mode de réalisation comprend une section PM de brouilleur de polarisation ayant la même construction que dans le premier mode de réalisation et une section IM de modulateur d'intensité raccordée du côté d'incidence de la section PM de brouilleur de polarisation. La section IM de modulateur d'intensité a une composition qui est analogue à celle du modulateur de lumière ordinaire de type de LiNbO3 et a un guide d'onde optique dont l'extrémité de sortie est raccordée à l'extrémité d'incidence de la section PM du brouilleur de polarisation. La composition de la section IM de modulateur d'intensité est la même que celle de la section PM du brouilleur de polarisation dont un élément 3 de rotation de plan de polarisation est retiré. La section IM de modulateur d'intensité possède un guide d'onde optique 71 qui correspond au guide d'onde optique 1 et un dessin 72 d'électrodes qui correspond au dessin 2 d'électrodes, et il est intégré à la section PM de brouilleur de polarisation.
Ainsi, le guide d'onde optique 71 joue le rôle du second répartiteur, du quatrième et du cinquième trajet optique et du second coupleur, alors que le dessin 72 d'électrodes joue le rôle du premier organe source de tension de modulation d'intensité.
Dans le circuit optique intégré, un signal lumineux transmis par un émetteur de lumière ou un appareil analogue est commandé afin qu'il ait une polarisation linéaire verticale (direction d'axe y) et tombe sur le guide d'onde optique 71 de la section IM. Le signal lumineux incident subit une modulation d'intensité d'après une tension de modulation appliquée au dessin 72 d'électrodes lorsqu'il passe dans le guide d'onde optique 71. Les opérations de modulation d'intensité sont les mêmes que dans la modulation d'intensité réalisée avec le modulateur de lumière de type de LiNbO3 classique et on ne les décrit pas en particulier.
Le signal lumineux ayant une polarisation linéaire verticale (direction d'axe y) soumis à la modulation d'intensité est décalé dans le guide d'onde optique 1 de la section PM de brouilleur de polarisation. Dans cette section PM, le signal lumineux qui a subi la modulation d'intensité subit le brouillage de polarisation, au cours d'un fonctionnement analogue à celui du premier mode de réalisation.
Le septième mode de réalisation permet facilement d'obtenir un dispositif destiné à exécuter en combinaison la modulation d'intensité et le brouillage de polarisation proposés pour la réduction de la diffusion spectrale du signal lumineux dû au brouillage de polarisation par composition d'un circuit optique intégré qui intègre une fonction de modulation d'intensité à une fonction de brouillage de polarisation. Comme la composition de la section IM de modulateur d'intensité est analogue à celle de la section PM de brouilleur de polarisation en particulier, le circuit optique intégré peut être facilement conçu et fabriqué. Par rapport au cas dans lequel un modulateur de lumière de type de LiNbO3 est connecté à un brouilleur de polarisation, le circuit optique intégré a des effets analogues à ceux qu'on obtient dans le cinquième mode de réalisation qui intègre la fonction de modulation de phase à la fonction de brouillage de polarisation afin que le rapport signal-sur-bruit optique de lumière de transmission soit accru par réduction du nombre des points connectés optiquement, avec élimination de l'ajustement de phase, la réduction du nombre d'éléments, la réduction du nombre d'étapes d'assemblage et l'utilisation d'éléments peu coûteux, si bien que les coûts des systèmes de transmission optique sont réduits. En outre, ce septième mode de réalisation permet de réduire l'encombrement des systèmes de transmission optique par intégration des éléments constituants.
Bien que la section PM de brouilleur de polarisation ait une composition dans laquelle l'élément 3 de rotation du plan de polarisation se trouve dans le premier trajet optique 11, dans le septième mode de réalisation, le circuit optique intégré selon l'invention n'est pas limité à cette réalisation. La section PM de brouillage de polarisation peut avoir par exemple une composition analogue à celle du second mode de réalisation dans laquelle l'élément 3 de rotation du plan de polarisation se trouve dans le second trajet optique 12 comme indiqué sur la figure 13(A) ou une composition analogue à celle du troisième mode de réalisation dans laquelle les éléments 31 et 32 de rotation du plan de polarisation sont placés sur le premier et le second trajet optique 11 et 12 respectivement comme indiqué sur la figure 13(B). En outre, la relation de position du dessin 2 d'électrodes de la section PM par rapport au dessin 72 d'électrodes de la section IM dans le septième mode de réalisation peut être inversée comme l'indique la figure 13(C). De plus, il est possible de modifier la forme du dessin 2 d'électrodes de la section PM sous forme du dessin 2' utilisé dans le quatrième mode de réalisation, comme indiqué sur les figures 14(A) à 14(C). Cette variante permet une réduction de la consommation d'énergie par la section PM de brouilleur de polarisation.
On considère maintenant un huitième mode de réalisation.
La sélection des mutants ayant le phénotype ery a été réalisée comme à l'exemple 3 en utilisant une souche B. subtilis sensible à l'érythromycine au lieu d'une souche B. pumilus comme souche indicatrice. La souche B. subtilis ATCC 6633 a été utilisée pour évaluer la production d'érythromycine dans des essais biologiques sur des boites d'agar en milieu M1-102 inoculées avec le mutant à analyser et incubées pendant 3 jours à 300C. Des zones d'agar recouvertes de bactéries ont ensuite été prélevées à l'emporte pièce puis placées sur des boîtes 2 x TY recouvertes d'une surcouche de 5 ml d'agar en milieu TY contenant 200 1 d'une culture de B. subtilis ATCC 6633, puis incubées une nuit à 370C.
L'absence de production d'érythromycine a été évaluée également en présence de précurseurs ajoutés tels que l'érythronolide B ou le 3-a-mycarosyl érythronolide B par application de 10 Zl d'une solution 10 mM de chaque métabolite sur les zones d'agar découpées suivie d'une incubation à 300C pendant une nuit avant de recouvrir les boites de la culture de B. subtilis comme indiqué ci-dessus. La souche Sac. erythraea sauvage "red variant" a été utilisée comme contrôle.
Après la transformation des protoplastes avec le plasmide pPSTI et la sélection des colonies résistantes au thiostrepton, l'intégration dans le chromosome a été confirmée par analyse de Southern selon les méthodes générales décrites à l'exemple 3.
Un fragment d'ADN de 1269 pb correspondant à l'oRFl4 généré par PCR en utilisant les oligonucléotides synthétiques ayant les séquences suivantes 14-1 5' GGGGGATCCCATATGCGGGTACTGCTGACGTCCTTCG 3' et 14-2 5' GAAAAGATCTGCCGGCGTGGCGGCGCGTGAGTTCCTC 3' a été utilisé comme sonde.
L'oligonucléotide 14-1 a été dessiné de façon à introduire un site BamHI et un site NdeI en amont de la séquence correspondant à la région d'ADN située de la position 44811 à la position 44833 de la séquence de la figure 3.
L'oligonucléotide 14-2 a été dessiné de façon à introduire un site BglII en aval de la séquence correspondant au brin complémentaire de la région d'ADN située de la position 46027 à la position 46053 de la séquence de la figure 3.
L'ADN chromosomique préalablement digéré avec les enzymes de restriction ClaI et PstI a montré les bandes attendues de 4 kb et 7 kb à partir de l'intégrant alors que la souche sauvage présentait la bande de 3 kb attendue.
Après cultures répétées des intégrants, les colonies individualisées obtenues ont été analysées pour la sensibilité au thiostrepton et la production d'érythromycine, puis l'intégration de la délétion attendue (délétion du nucléotide 46364 de la séquence de la figure 3) dans le chromosome d'un clone mutant ayant le phénotype ery (PstlO) a été confirmée par analyse de Southern. L'ADN chromosomique, isolé respectivement à partir de la souche sauvage et du mutant PstlO, a été digéré avec l'enzyme de restriction PstI. L'hybridation avec la sonde PstI-NcoI de 0,8kb (nucléotides 46368 à 47142 de la séquence de la figure 3) a donné le profil attendu avec une bande PstI de lkb correspondant aux nucléotides 46368 à 47397 à partir de la souche sauvage et avec une bande > 20 kb à partir du mutant. La perte du site PstI à la position 46368 a aussi été montrée après double digestion par les enzymes PstI et NcoI, résultant en une bande PstI-NcoI de 0,8 kb (nucléotide 46368 à 47142) à partir de la souche sauvage et une bande NcoI de 2,8 kb (nucléotide 44382 à 47142) avec le mutant.
La souche recombinante ainsi obtenue, désignée PstlO, a ensuite été cultivée pour identifier les métabolites produits.
EXEMPLE 20 : fermentation de la souche PstlO et identification des métabolites secondaires produits.