INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette caractéristique permet non seulement d'envisager une temporisation de la présence de l'obstacle au jet d'eau dépendante du secteur angulaire défini lors du mouvement aller-retour en rotation du tube-support de buse autour de son arbre de rotation mais aussi de mettre en oeuvre un mouvement progressif dudit obstacle du fait de son mouvement dépendant des mouvements successifs du tube-support de buse. Ainsi, par exemple, lors d'une irrigation vers l'intérieur, l'obstacle sera placé en début de cycle d'arrosage de façon à ce qu'il brise le jet le plus efficacement possible, les rotations successives commandant son éloignement progressif dudit jet. Les possibilités de ce procédé répondent donc parfaitement aux besoins d'un utilisateur de canons à eau rotatifs revenant vers un enrouleur qui, lors d'un déplacement intérieur définit à son départ de cycle une périphérie immédiate non arrosée en proposant de briser le jet le plus efficacement possible en début de cycle donc dans la zone la moins classiquement arrosée.
On comprend qu'un tel procédé permet d'obvier aux inconvénients précités des dispositifs de l'art antérieur à savoir une inégalité dans l'arrosage de certaines surfaces ou la nécessité de noyer une grande surface pour permettre l'arrosage d'une plus petite.
L'invention concerne également le dispositif permettant de mettre en oeuvre le procédé d'arrosage susmentionné. Ce dispositif est remarquable en ce qu'il est constitué de deux parties se fixant sur un canon à eau classique : -une première partie mobile consistant en un support de l'obstacle brise-jet qui, monté en pivot sur le tube-support de buse dudit canon à eau et solidaire de son mouvement de rotation autour de son arbre vertical, passe progressivement d'une position neutre à une position où ledit obstacle vient briser le jet dudit canon à eau, ou inversement, -une deuxième partie fixe solidaire de la partie fixe du canon à eau par rapport à laquelle tourne le tube-support de buse dudit canon et comportant un moyen d'entraînement de la partie mobile de sorte que les mouvements de rotation successifs du tube-support de buse mettent en mouvement le support mobile autour de son axe de rotation solidaire du tubesupport de buse.
Les concepts fondamentaux de l'invention venant d'tre exposés ci-dessus dans leur forme la plus élémentaire, d'autres détails et caractéristiques ressortiront plus clairement à la lecture de la description qui suit, donnant à titre d'exemple non limitatif et en regard des dessins annexés, un mode de réalisation d'un dispositif permettant de mettre en ouvre le procédé conforme à l'invention.
Cette description se réfère aux dessins annexés sur : La figure 1 est une vue schématique d'ensemble d'un enrouleur et de son canon à eau rotatif sur lequel est monté un dispositif conforme à l'invention, La figure 2 est une vue schématique d'ensemble du dispositif de l'invention dans une position lui permettant de briser le jet, La figure 3 est une vue d'ensemble du dispositif de la figure 2 en position neutre, Les figures 4a et 4b sont des vues de dessus de détails du moyen d'entraînement de la partie mobile.
Tel qu'illustré sur le dessin de la figure 1, le dispositif référencé D dans son ensemble permettant de mettre en oeuvre le procédé d'arrosage, s'adapte sur un canon d'arrosage 100 classique du type rotatif à retour lent. Comme illustré, ledit canon 100 est solidaire d'un chariot porte-canon 110 par rapport auquel le tube-support de buse 120, comportant un balancier brise-jet 130, du canon 100 tourne selon un arbre vertical de rotation. Selon la surface à arroser, le mouvement de rotation est plus ou moins limité à un secteur angulaire sur lequel le tube-support de buse 120 fait des allers et retours. Pour cette raison, ce type de canon 100 est dit à retour lent grâce à son association à un enrouleur 200 fixe qui, sous la pression de 1'eau qu'il reçoit enroule le tuyau d'alimentation référencé T en eau du canon 100 qui a été déroulé avant démarrage du cycle d'arrosage. Ainsi, au fur et à mesure du cycle d'arrosage et quel que soit le type d'irrigation (la configuration illustrée étant celle d'une irrigation vers l'intérieur), le chariot 110 revient progressivement vers l'enrouleur 200.
Comme illustré plus en détails sur le dessin de la figure 2, le dispositif D est constitué de deux parties : -une première partie mobile consistant en un support 300 de l'obstacle brise-jet référencé O qui est monté en pivot sur le tube-support de buse 120 dudit canon en eau 100 et solidaire de son mouvement de rotation autour de son arbre vertical ici symbolisé par l'axe X, -une deuxième partie fixe 400 solidaire de la partie fixe 110 du canon à eau 100 par rapport à laquelle tourne le tube-support de buse 120 dudit canon 100 et comportant un moyen d'entraînement 410 de la partie mobile 300 de sorte que les mouvements de rotation successifs du tube-support de buse 120 mettent en mouvement le support mobile 300 autour de son axe de rotation 310 solidaire du tube-support de buse 120.
Le mouvement recherche par l'utilisateur et notamment lors d'une utilisation en irrigation vers l'intérieur consiste à briser le jet en début de cycle de façon à arroser dans la périphérie immédiate du canon rotatif 100. La position en brise-jet est illustrée par les dessins des figures 1 et 2, la position neutre est illustrée par le dessin de la figure 3.
Les exemples donnés pour les groupes Y sont applicables aux groupes Y'. I1 est souhaitable d'utiliser des silanes de formule (2') dans le même cas où l'huile (A) Y n'est pas un groupe hydroxy. On préfère alors utiliser des groupes Y de l'huile (Ia) identiques aux Y' du silane (Ib.).
Les diorganopolysiloxanes ct,-dihydroxylés de formule (1 sont généralement des huiles dont la viscosité varie de 500 mPa.s à 25 C à 500 000 mPa.s à 25 C, de préférence 800 à 400 000 mPa.s à 25 C, se sont des polymères linéaires constitués essentiellement de motifs diorganosiloxyles de formule (R2SiO).
Toutefois, la présence d'autres motifs, généralement à des impuretés, tels que RSi03,2 , RSi0l,z et Si04,2 n'est pas exclue dans la proportion notamment d'au plus 1% par rapport au nombre de motifs diorganosiloxyles.
Les radicaux organiques, liés aux atomes de silicium des huiles de base, représentés par le symbole R, peuvent être choisis parmi les radicaux alkyles ayant de 1 à 3 atomes de carbone tels que les radicaux méthyle, éthyle, n-propyle, le radical vinyle, le radical phényle, le radical trifluoro-3,3,3 propyle et le radical betacyanoéthyle.
De préférence, au moins 60% de l'ensemble des radicaux R sont des radicaux méthyle, au plus 1% sont de radicaux vinyle.
A titre illustratif de motifs représentés par la formule R2SiO peuvent être cités ceux de formules : (CH3)ZS1O; CHaC#rOOSiO; CH3(C6H5)SiO; CF3CH2CH2(CH3)SiO; NC-CH2CH2(CH3)SiO, NC-CH2(C6H5)SiO;
Ces huiles de base sont, dans leur grande majorité, commercialisées par les fabricants de silicones. D'autre part, leurs techniques de fabrication sont bien connues on les trouve décrites par exemple dans les brevets français FR-A-1 134 005, FR-A-1 198 749, FR-A- 1 226 745.
Comme exemples de silanes monomères (Ib.) de formule (2') on peut citer plus particulièrement les polyacyloxysilanes, les polyalcoxylsilanes, les polycétiminoxysilanes et les polyiminoxysilanes et en particulier les silanes suivants : CH3Si(OCOCH3)3; C2HSS1(OCOCH3)3; (CH2=CH)Si(OCOCH33; C6H5Si(OCOCH3)3; CF3CH2CH2Si(OCOCH3)3; NC-CHlCH2Si(OCOH3)3; CH2ISi(OCOH2CH3)3; CH3Si(ON(CH3)CZHS)ZOCH2CH20CH3; CH3Si(ON=CH-CH3)ZOCHZCH20CH3 Les silanes (Ib.) ci-dessus associés à des polydiorganosiloxane alphaoméga dihydroxylés de formule (l') peuvent être utilisés en compositions monocomposantes stables à l'abri de l'air.
Comme exemples de silane monomère de formule (2') qui, associés à des polydiorganosiloxanes alpha-oméga dihydroxylés de formule (l'), peuvent être utilisés avantageusement en compositions bi-composantes, on peut citer les polyalcoxysilanes et en particulier ceux de formules : Si(OCH2H5)4: Si(O-n-C3H7)4; Si(OC2H40CH3)4; CH3Si(OCH3)3; CH2=CHSi(OCH3)3; CH3S1(OC2H4OCH3)3; CICH2Si(OC2H5)3; C=CHSi(OC2H40CH3h A tout ou partie des silanes monomères ci-dessus décrits on peut substituer des polyalcoxysiloxanes dont chaque molécule compte au moins deux, de préférence trois atomes Y', les autres valences du silicium sont satisfaites par des liaisons siloxaniques SiO et SiR.
Comme exemples d'agents réticulants polymères, on peut citer le polysilicate d'éthyle.
On utilise généralement de 0,1à 20 parties en poids d'agent réticulant de formule (2') pour 100 parties en poids de polymère de formule (1').
Les compositions polyorganosiloxanes durcissables en élastomère du type décrit ci-dessus comportent de 0,001 à 10 parties en poids, de préférence de 0,005 à
3 parties en poids de catalyseur de condensation (le') pour 100 parties en poids de polysiloxane de formule (1).
La teneur en catalyseur de condensation des compositions monocomposantes est généralement beaucoup plus faible que celle utilisée dans les compositions bi-composantes et est généralement comprise entre 0,001 et 0,05 parties en poids pour 100 parties en poids de polysiloxane de formule (2').
Les agents réticulants (Ib') de formule (2') qu'ils soient utilisables pour la préparation des compositions monocomposantes ou bicomposantes, sont des produits accessibles sur le marché des silicones ; plus leur emploi dans les compositions durcissant dès la température ambiante est connu; il figure notamment dans les brevets français FR-A-1 126 411, FR-A-1 179 969, FR-A-1 189 216;, FR-A-1 198 749, FR-A-1 248 826, FR-A-1 314 649, FR-A-1 423 477, FR-A-1 432 799 et FR-A-2 067 636.
Suivant une disposition avantageuse de l'invention la composition POS (I), qu'elle soit de type polyaddition ou de type polycondensation, comprend en outre un ou plusieurs additifs fonctionnels (Id) choisis dans le groupe comprenant : - les inhibiteurs de la réaction de réticulation par polyaddition, de préférence les inhibiteurs du catalyseur au platine; - les charges renforçantes et/ou semi-renforçantes et/ou de bourrage, - les agents plastifiants, - et leurs mélanges.
Pour remédier à ce problème, différentes études sur le substrat compliant ont été menées. On peut citer à titre d'exemple l'article "New Approach to Grow Pseudomorphic Structures over the Critical Thickness" par Y.H. LO paru dans la revue Appl. Phys.
Lett. 59 (18), 28 octobre 1991. Dans ce domaine, le substrat compliant est par essence un substrat cristallin dont la maille cristalline (paramètre de maille) n'est pas nécessairement adapté à la couche que l'on veut faire croître, mais qui possède la propriété, lorsque l'on fait croître la couche hétéro-épitaxiale, de relaxer les contraintes liées à la croissance de la couche, dans le substrat compliant lui-même ou à l'interface, au lieu de laisser les contraintes se relaxer dans la couche hétéro-épitaxiale. On obtient ainsi des couches hétéro-épitaxiales de très grande qualité et dans le principe, le substrat compliant permet la croissance de tout type de couche sur un réseau cristallin.
On peut classer la réalisation de substrats compliants selon trois groupes.
Un premier groupe se rapporte à un substrat très fin (quelques nm) et autoporteur, ce qui est très difficile à réaliser et même quasiment impossible si l'on veut obtenir de grandes surfaces. On pourra se reporter à ce sujet à l'article "Lattice Engineered Compliant Substrate for Defect-free Hetero-epitaxial Growth" de F.E. EJECKAM et al., paru dans la revue Appl. Phys. Lett. 70 (13), 31 mars 1997.
Un deuxième groupe se rapporte à une structure SOI (Semiconducteur-Sur-Isolant) sur un substrat. Dans cas, le film obtenu est très fin et la couche isolante sous-jacente est susceptible de se déformer sous l'effet de la température pendant la croissance du film mince.
Un troisième groupe se rapporte à une structure du type dit "twist bonding" dans la terminologie anglo-saxonne. Dans ce cas, le film mince, permettant la relaxation des contraintes appelée par la suite compliance, est réalisé au moyen d'un collage, par adhésion moléculaire, de deux substrats cristallins de même type, dont les réseaux cristallins sont désorientés, et en amincissant l'un d'eux jusqu'à ne laisser qu'une couche très fine. On pourra se reporter à ce sujet à l'article "Dislocation-free InSb Grown on GaAs Compliant Universal Substrat de F.E. EJECKAM et al., paru dans la revue Appl. Phys. Lett. 71 (6), 11 août 1997. Ce collage avec désorientation induit au voisinage de l'interface la formation de dislocations qui se retrouvent dans la couche amincie, rendant celle-ci capable d'accommoder les contraintes lorsque l'on fait croître une couche hétéro-épitaxiale dessus.
Ces substrats compliants selon l'art connu presentent certaines limitations dans leur utilisation.
Pour le film autoporteur, la limitation réside dans la difficulté ou la quasi-impossibilité de réaliser un film de quelques nm sur une surface de plusieurs mm2 et à fortiori de plusieurs dizaines de cm2. En effet, il n'existe pas de matériau suffisamment rigide à ces épaisseurs pour être manipulé. Pour la structure SOI, la limitation réside dans l'imparfaite compliance du substrat. En effet, celle-ci est liée à la capacité de l'isolant de se déformer (voire de fluer) pour pouvoir absorber des contraintes. Pour arriver à ce résultat, on doit avoir recours à des traitements thermiques à des températures élevées et/ou à des compositions adaptées (par exemple, dopage B et P dans le cas d'un isolant de type SiO2) . Ces traitements thermiques ne sont pas toujours compatibles avec la couche à épitaxier. Pour le troisième groupe de substrats, la difficulté est d'obtenir un collage sur une grande surface sans défaut et d'amincir la couche jusqu a une très faible épaisseur. De plus, cette technique demande un très bon contrôle de la désorientation cristalline entre les deux substrats si l'on veut bien maîtriser le nombre et la nature des dislocations qui donnent le caractère compliant à ce type de structure.
Il est connu par ailleurs qu'une liaison intime entre deux matériaux peut être obtenue par adhésion moléculaire. Plusieurs cas peuvent se rencontrer en fonction des terminaisons présentes en surface au moment du collage. On parle par exemple de collage hydrophile ou hydrophobe.
L'hydrophilie de la surface est généralement obtenue à l'aide de nettoyages chimiques dont l'objectif est de saturer la surface en groupements hydroxyles OH (par exemple pour le silicium une densité surfacique de 4,6/nm2). Des molécules d'eau peuvent alors s'adsorber naturellement sur ces sites.
La mise en contact de deux surfaces, ainsi préparées, entraîne leur adhésion par l'intermédiaire d'une interaction entre les films d'eau via des liaisons hydrogène générant ainsi une énergie de collage significative (0,1 J/m2 dans le cas d'un collage oxyde de silicium - oxyde de silicium) dès la température ambiante. Les traitements thermiques postérieurs permettent un renforcement de celui-ci du fait d'une évolution des liaisons présentes à l'interface. Ainsi, dans le cas de collage SiO2-SiO2, lors de traitements thermiques à basse température, typiquement inférieure à 300"C, la diffusion de l'eau entraîne le rapprochement des deux surfaces et la création de liaisons hydrogènes entre les groupements hydroxyles en vis-à-vis ainsi que l'apparition des premières liaisons Si-O-Si. L'énergie de collage augmente alors régulièrement avec la température pour atteindre une énergie de collage de 2 J/m2 à 900"C.
Par opposition, dans le cas d'un collage hydrophobe (c'est-à-dire un collage qui ne met pas en jeu des molécules d'eau ou des groupements hydroxyles), les surfaces sont généralement décapées avant collage de façon à éliminer tout l'oxyde natif. Les surfaces utilisées laissent alors les surfaces saturées principalement en terminaisons Si-H par exemple pour du silicium. La tenue du collage n'est assurée que par une attraction de type Van der Waals et les énergies de collage alors mesurées à la température ambiante dans le cas d'un collage silicium-silicium (environ 10 mJ/m2) correspondent bien au calcul théorique. Lors d'une montée en température des liaisons Si-Si sont formées par reconstruction des deux surfaces en contact.
Ce mécanisme de collage peut se produire pour la majorité des matériaux à partir du moment où ils ont une rugosité et une planéité suffisamment faibles. Ces deux procédés utilisés montrent bien qu'il est possible de contrôler les forces de collage entre les différents matériaux mis en contact en fonction des traitements de surface, des traitements thermiques effectués et de la rugosité de surface. Un exemple de l'évolution de cette énergie de collage est donnée dans l'article "Mechanism for Silicon Direct Bonding" par Y.
BACKLUND et al., paru dans la revue J. Micromech.
Microeng. 2 (1992), pages 158-160 (voir en particulier la figure 1). Cette énergie de collage est déterminée par une méthode mettant en jeu la propagation d'une fissure au niveau de l'interface de collage sous l'effet de l'introduction d'une lame au niveau de l'interface de collage et parallèlement à cette interface.
Dès 1989, certains auteurs mentionnent la possibilité d'utiliser l'adhésion moléculaire pour réaliser un collage entre un film multicouche de GaAs/InGaAs/GaAs, réalisé auparavant sur un substrat bien adapté vis-à-vis de cette structure, et un support de silicium oxydé. Une préparation de surface spécifique permet d'obtenir de faibles forces de collage. Ces conditions d'adhérence entre les deux structures, qui ne doivent pas être dégradées, sont telles que si une variation de température a lieu, des forces de cisaillement qui conduisent au glissement du film multicouche par rapport au substrat en silicium apparaissent, entraînent la relaxation des contraintes.
En ce qui concerne l'agent biocide (II) mis en oeuvre dans le système selon l'invention, il est à noter qu'il est, de préférence, choisi dans le groupe de précurseur de chlore actif à base de composés n-chlorés comprenant : - la chloramine B (sodium-N-chlorobenzène sulfonamide), - la chloroamine T (sodium N-chloro-p-toluène sulfonamide), - la dichloroamine T (N,N-dichloro-p-toluène sulfonamide), - la N-trichlorométhylmercapto-4-cyclohexène-1,2-dicarboxylamide), - l'halazone (acide benzoïque p-n-dichlorosulfonamide) - la N-chlorosuccinide - la trichloromélamine - lachloroazodine[H2N(=NÇNH2] NCl NCl - les dérivés N-chloro des acides cyanuriques, de préférence l'acide trichloroisocyanurique et/ou le sodium dichloroisocyanurique dihydrate, - les N-chlorohydantoïnes, de préférence la 1-bromo-3-chloro-5,5'- diméthyldantoïne, ou la l,3-dichloro-5,5'idiméthylhydantoôine, - et leurs mélanges.
Ce groupe d'antiseptiques correspond sensiblement à la famille des N-chloramines qui comprend les dérivés des amines dans lesquelles une ou deux des valences de l'azote trivalent sont substituées par du chlore. En présence d'eau, les N-chloramines produisent de l'acide hypochloreux HCIO ou des sels de cet acide tels que NaClO. HCIO est NaCIO sont des dérivés chlorés actifs, doués d'une grande capacité bactéricide, que l'on exploite dans le cadre du système selon l'invention.
Selon une caractéristique avantageuse de l'invention le système qu'elle concerne est obtenu par mélange de la composition POS (I) avec l'agent biocide sous forme de suspension ou de solution de préférence alcoolique.
Avantageusement, l'agent biocide (II) est associé à au moins un auxiliaire antiseptique (III) différent des antiseptiques fonctionnant par libération de chlore et de préférence choisi dans le groupe des formulations tensioactives comportant un ou plusieurs ammoniums quaternaires et éventuellement au moins un activateur séquestrant, de préférence sélectionné parmi les complexants d'ions métalliques.
Selon un autre mode de définition de l'agent biocide (II), il peut être précisé que celui-ci est avantageusement exempt d'activité inhibitrice sur la réticulation de la composition POS (I).
En pratique, le système selon l'invention peut être, par exemple, tel que : * la composition POS (I) comprend : - (IJ : au moins une huile diorganopolysiloxane bloquée à chaque extrémité de sa chaîne par un motif vinyldiorganosiloxyle dont les radicaux organiques liés aux atomes de silicium sont choisis parmi les radicaux méthyle, éthyle et phényle, au moins 60% molaire de ces radicaux étant des radicaux méthyle, de viscosité 100 à 500 000, de préférence de 1 000 à 200 000 mPa.s à 25 C; - (Ib) : au moins un organohydrogénopolysiloxane choisi parmi les homopolymères et copolymères liquides linéaires ou en réseau présentant par molécule au moins 3 atomes d'hydrogène liés à des atomes de silicium différents et dont les radicaux organiques liés aux atomes de silicium sont choisis parmi les radicaux méthyle, éthyle et 60% au moins de ces radicaux étant des radicaux méthyle, le produit (Ib) étant utilisé en quantité telle que
le rapport molaire des fonctions hydrure sur les groupes vinyle soit compris entre 1,1 et 4 : - (Ic) : une quantité catalytiquement efficace d'un catalyseur au platine.
- (Id) : un ou plusieurs additifs fonctionnels choisis de préférence dans le groupe comprenant les silices, les alumines, les silicates, les disiloxanes vinyles, les huiles de vaseline, les paraffines et leurs mélanges.
# l'agent biocide (II) comporte une chloramine de préférence la tosylchloramide sodique ou l'un de ses analogues chlorés, # l'agent biocide (II) est éventuellement associé à un auxiliaire antiseptique (ni), de préférence le chlorure de benzalkonium, avantageusement complété par un activateur-séquestrant, de préférence de l'EDTA.
Selon un autre de ses aspects, l'invention vise également un matériau pour la prise d'empreintes, notamment dentaires, comprenant un système tel que défini cidessus.
Avantageusement, ce matériau comporte en outre des adjuvants sélectionnés parmi les édulcorants, de préférence les édulcorants de synthèse, et/ou parmi les arômes, et/ou parmi les les colorants et/ou parmi les anti-inflammatoires, et/ou parmi les produits isotaniques, de préférence les saccharides, plus préférentiellement encore les saccharides hydrogénés, le sorbitol étant tout spécialement retenu, et leurs mélanges.
A titre d'exemple d'édulcorants de synthèse, on peut citer les produits commercialisés sous les marques ASPARTAM#, ACESULFAM....
L'arôme de menthe fait partie des arômes susceptibles d'être mis en oeuvre.
Comme exemple d'adjuvant anti-inflammatoire, on peut citer l'allantoine ou l'un de ses analogues.
Le chlorure de benzalkonium ou l'un de ses analogues est un ammonium quaternaire tensioactif et antiseptique, disponible dans le commerce.
L'agent biocide (II) mis en oeuvre dans le cadre de l'invention peut être par exemple, une formulation comprenant un précurseur de chlore actif tel qu'une chloramine ainsi que des auxiliaires antiseptiques (III), un activateur séquestrant et
1. 3) Chlorhydrate de 2-hydroxy-5-méthoxy-N-{2-[4-[(2-thiényl(imino)méthyl)amino] phényl]éthyl}-benzamide : L'intermédiaire 1. 2 (0,6 g ; 2,1 mmol) est dissout dans du 2-propanol (10 ml), on ajoute 0,896 g d'iodhydrate de S-méthyl-2-thiophènethiocarboximide (3,14 mmol) (Ann. Chim.
(1962), 7,303-337).
Après chauffage à 50 C pendant 15 heures, le mélange réactionnel est concentré à sec sous vide. Le résidu est repris dans de l'acétate d'éthyle et une solution saturée de carbonate de sodium. Après décantation, la phase organique est lavée successivement par 50 ml d'une solution saturée de carbonate de sodium, d'eau et de saumure. La solution organique est séchée sur sulfate de sodium, filtrée et évaporée sous pression réduite. Le résidu d'évaporation est purifié sur colone de silice (éluant éthanol/dichlorométhane, 5/95). On obtient 0,523 g de base libre. On prépare le chlorohydrate à partir de 0,523 g (1,32 mmol) de base dissoute dans 20 ml d'acétone et salifiée en présence de 2,0 ml (2,0 mmol) d'une solution molaire de HCl dans l'éther diéthylique anhydre. Les cristaux obtenus sont filtrés et rincés à l'éther diéthylique pour obtenir après séchage 0,58 g (rendement de 64%) du produit recherché sous forme d'un solide blanc. Point de fusion : 242 C.