INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
l'utilisation des effets électro-optiques des semiconducteurs, par exemple l'effet Franz Keldysh ou l'effet Stark confiné quantique ( quantum confined Stark effect ). A ce sujet on se reportera au document [7].
2. Expression du gène gus dans les grains Analyse histochimique Au niveau des grains entiers Les grains de riz, prélevés à 35 JAF (jours après fécondation) ont été coupés dans le sens longitudinal puis incubés en présence de X-GLU.
Aucune coloration n'est détectée dans les grains de riz transformés avec le vecteur pSPORTl-GUS.
On détecte au contraire une coloration intense de la totalité du grain pour les grains de riz transformés avec le vecteur pUGCl.
Dans le cas des grains de riz transformés avec les constructions P1, P2, P3 ou P4, une coloration bleue est détectée dans l'albumen des grains, mais pas dans l'embryon (axe cotylédonaire et scutellum), les enveloppes ou les épillets. Au niveau de l'albumen, cette coloration apparaît notamment à la périphérie de l'embryon, au dessus de l'épithélium du scutellum, et dans une zone médiane de l' albumen sur toute la longueur du grain.
Cette coloration est moins intense, et apparaît moins rapidement que celle observée dans les grains de riz transformés avec pUGCl. L'intensité de la coloration semble varier selon la construction (P1, P2, P3 ou P4) concernée. L'intensité la plus élevée est observée dans les grains de riz transformés avec la construction P2, et la plus faible dans ceux transformés avec la construction P4. Ces résultats sont confirmés par l'analyse des grains Tl, où la coloration apparaît plus rapidement que dans les grains TO et est plus intense.
Dans le cas des grains de riz transformés avec la construction P5, aucune coloration n'est détectée, ni dans l'embryon, ni dans l'albumen, ni dans les enveloppes.
Au niveau des différents tissus du grain Pour déterminer précisément la localisation de l'expression du gène gus sous le contrôle du promoteur du gène Ta Trxh2, des coupes histologiques ont été réalisées et observées au microscope photonique.
Ces observations montrent que, pour les constructions Pl, P2, P3 ou P4, le marquage est localisé dans un petit nombre de cellules de l'albumen amylacé situées à la périphérie de l'embryon et dans la zone centrale de l'albumen amylacé. Les cellules de l'embryon, de la couche à aleurone et des enveloppes, ne sont pas marquées. Pour la construction P5, aucun marquage n'est visible.
Analyse fluorimétrique L'activité GUS a été mesurée d'une part sur les embryons et d'autre part sur l'albumen des grains de riz.
L'activité GUS est nulle ou très faible dans les grains de riz transformés avec le vecteur pSPORTlGUS, comme dans les grains de riz non-transformés. En revanche, elle est très forte (>500 pmol/MU/min/mg de protéine) dans l'embryon et l'albumen des grains de riz transformés avec le vecteur pUGCl.
L'activité GUS mesurée dans les embryons des grains de riz transformés avec les constructions P1, P2 P3, P4 ou P5 n'est pas significativement différente de celle mesurée dans les grains de riz non-transformés ou de riz transformés avec le vecteur pSPORTl-GUS.
En revanche, l'activité mesurée dans l'albumen des grains de riz transformés avec les constructions Pl, P2, P3 ou P4, est 25 à 40 fois plus élevée que celle mesurée dans l'albumen des grains de riz non-transformés
ou transformés avec le vecteur pSPORTl-GUS. Elle varie de 40 pmol/MU/min/mg de protéine pour les grains de riz transformés avec la construction P2, à 25 pmol/MU/min/mg de protéine pour ceux transformés avec la construction P4. Pour la construction P5, aucune activité GUS n'est détectée dans les grains.
Ces résultats montrent que la région (-1111 pb à -83 pb) du promoteur du gène Ta Trxh2 permet l'expression du gène gus uniquement dans les cellules de l'albumen amylacé, et que seule la délétion ne laissant subsister que 83 pb en amont de l'ATG a supprimé les séquences responsables de l'expression spatiale, dont certaines sont probablement localisées dans la région du promoteur comprise entre-228 pb et-83 pb.
Le motif GCN4-like identifié lors de l'analyse de la structure du promoteur du gène TaTrxh2 n'est donc apparemment pas le seul responsable de la spécificité tissulaire de l'expression ; en effet, malgré sa délétion dans les constructions P3 et P4, l'expression du gène gus demeure spécifique de l'albumen du grain.
Deux séquences : AACAAATCC, et AACAAAGTG (représentées en caractères gras sur la figure 1), sont respectivement présentes à-51 pb et-381 pb par rapport à l'ATG du gène TaTrxh2. Ces séquences présentent une similitude avec des motifs AACA (AACAAACTCTATC) récemment mis en évidence dans les promoteurs de 6 gènes codant des glutélines de riz, et intervenant dans l'expression albumen-spécifique de ces gènes.
Chaque SR-P 14 est conçu de telle sorte que la présence de porteurs de charge dans celui-ci modifie ses propriétés optiques (coefficient d'absorption, mais surtout indice de réfraction). Dans ce cas, lorsqu'on injecte des porteurs dans la microcavité 2 pour obtenir l'émission de lumière, ceux-ci se répartissent en même temps dans la zone active 10 et le SR-P en y induisant une modification de l'indice de réfraction.
Si la résonance de la microcavité se situe dans cette plage de variation d'indice de réfraction, la microcavité en subit l'effet et on obtient un décalage de la longueur d'onde de la résonance.
Comme le SR-P est tel que les porteurs qui y sont injectés peuvent servir aussi à l'émission de lumière dans la zone active 10, l'injection des porteurs peut induire d'une part une émission stimulée et d'autre part une variation continue de la longueur d'onde d'émission. On a donc la possibilité d'utiliser un seul courant de commande.
Mais on peut aussi utiliser un courant de commande pour l'émission de lumière et une injection optique de porteurs pour modifier l'indice optique du ou des SR-P. Inversement, on peut utiliser une injection optique de porteurs pour l'émission de lumière et une commande électrique pour modifier l'indice du ou des SR-P.
Si l'émission de lumière est une émission laser, on obtient un VCSEL accordable en longueur d'onde. S'il s'agit d'une émission spontanée, on obtient une diode électroluminescente (LED) accordable en longueur d'onde.
Comparons ensuite l'invention aux dispositifs connus par le document [5].
Un dispositif semiconducteur émetteur de lumière conforme à l'invention, à émission par la tranche, est schématiquement représenté sur la figure 2. Ce dispositif comprend un empilement semiconducteur comprenant successivement un substrat semiconducteur 22 de type N, une première couche de barrière 24, une couche active 26, une deuxième couche de barrière 28 et une couche semiconductrice 30 de type P.
Des miroirs 32 et 34 sont respectivement formés aux deux extrémités de cet empilement, parallèlement à l'axe de croissance de ce dernier, et délimitent la cavité résonante du dispositif. Le miroir 32 est apte à réfléchir la lumière engendrée dans la couche active tandis que le miroir 34 est partiellement transparent pour laisser passer une partie 36 de cette lumière.
L'empilement comprend en outre au moins un SR-P référencé 38 dans la couche de barrière 24 et/ou dans la couche de barrière 28. Une électrode 40 est formée sur le substrat 22 et mise à la masse et une autre électrode 42 est formée sur la couche 30 et reliée à une source de tension variable négative 44 permettant de polariser en direct (et de façon variable) la diode que constitue le dispositif de la
figure 2 et d'injecter des porteurs de charge dans la cavité résonante de ce dispositif.
Ces porteurs de charge sont ainsi injectés dans la couche active 26, ce qui engendre l'émission de lumière, et aussi dans le ou les SR-P. Ces porteurs de charge changent donc l'indice optique du ou des SR-P, ce qui change la position des modes de la cavité résonante.
Ceci est schématiquement illustré par la figure 3 où ,, M, G et S représentent respectivement la longueur d'onde de la lumière émise, les modes de la cavité, le gain et le spectre de gain. Si le spectre de gain de la partie active est situé dans une zone où la variation de la longueur d'onde des modes de la cavité est significative, alors on peut commander de manière continue la longueur d'onde des modes d'émission et obtenir en même temps l'émission de lumière.
En conclusion, lors de l'injection de porteurs on a d'une part une émission de lumière et d'autre part un décalage des modes d'émission.
Le temps de réponse du dispositif de la figure 2 vaut environ 1 ns et sa plage d'accordabilité vaut quelques nanomètres.
Ce dispositif accordable de la figure 2, peut être utilisé soit de manière indépendante soit comme élément d'un laser à trois étages intégrés monolithiquement, tel que le laser accordable du document [5]. Ce dispositif peut remplacer les deux premiers étages de ce laser accordable, c'est-à-dire la région active et la zone à variation d'indice de réfraction, dont le rôle, comme on l'a vu, est de décaler la longueur d'onde des modes de cavité.
Dans la suspension incorporant un tel système d'amortisseur virtuel, en désignant respectivement les coefficients linéaires et angulaires d'amortissement des amortisseurs virtuels latéraux et angulaires 122 et 124, comme étant respectivement Cg et Ca, les déplacements vertical, de roulis et de tangage de la caisse de véhicule sont exprimés comme suit.
-MXh = Cg Xs + [plus la force verticale appliquée par les ressorts] (5) +[plus le moment ou le couple de couple de roulis appliqué par les ressorts] (6) +[plus le moment ou le couple de tangage appliqué par les ressorts] (7) dans lequel
En conséquence, pour substituer le système d'amortissement virtuel des figures 4 et 5 au système d'amortissement réel des figures 2 et 3, il est nécessaire d'établir les conditions suivantes : Cain X ain + CaoutX aout + Cbin # bin + Cbout # bout = Cg # s s... (9) (Cain X ain + Cbin X bin) W/2 - (Caout # aout+ Cbout X bout) W/2
En outre, on suppose ici que la caisse du véhicule est rigide à l'égard d'une torsion autour de l'axe longitudinal x ainsi qu'autour de l'axe latéral y. Dans ce cas, la condition suivante est disponible : Cain X ain - Caout X août - Cbin X bin + Cbout X bout = 0 (12) En suivant les conditions des équations 9,10, Il et 12, les coefficients d'amortissement Cain, Caout, Cbin et Cbout sont exprimés comme suit :
dans lequel Fc =Cg{(Xain- X aout + X bin - X bout) - ces 6 +(Xain+ Xaout- Cbin- Xbout)#sm6 \V ± (X ain + Xaout+ X bin + Xbout)} ...(17) Fa = 2 Fc Lsin ô + # (Xain+ Xaout- Xfin- bout) ...(18) H FP = 2 Fc Leos ô + - (X ain - Raout+ Xfin- bout) ...(19) W 2 En conséquence, en substituant un système d'amortissement virtuel tel que celui qui est représenté sur les figures 1, 4 et 5 au système d'amortissement représenté sur les figures 1, 2 et 3, tout en contrôlant de façon variable Cain, Caout, Cbin et Cbout tel qu'ils sont calculés respectivement dans les équations 13,14, 15 et 16, la caisse du véhicule présentera des déplacements verticaux, de roulis et de tangage qui sont sensiblement égaux à ceux qui sont réalisés avec le système de suspension incorporant les amortisseurs réels 126FL à 126RR, tout en présentant l'avantage que, lorsque la caisse du véhicule est soumise au roulis à la suite d'un roulage en virage et/ou tangue à la suite d'une accélération ou d'une décélération du véhicule, le centre de gravité 112 de la caisse du véhicule est abaissé en correspondance à son déplacement de roulis et/ou de tangage, car la caisse du véhicule est soumise au roulis et/ou au tangage autour du point 114 de pivotement virtuel.
On va maintenant décrire plus en détail des modes de réalisation de la présente invention, en référence au dessin annexé. En se référant à la figure 6, le véhicule représenté ci-dessus comporte des roues avant gauche, avant droite, arrière gauche et arrière droite 10FL, 10FR, 10RL et 10RR suspendues sur une caisse ou un châssis de véhicule 12. Les roues avant gauche et droite IOFL et IOFR sont orientées en braquage pour prendre les virages, à l'aide d'un système de braquage comprenant un volant de conduite 14, un ensemble pignon-crémaillère 16, et des biellettes de liaison de gauche et de droite 18L et 18R. Les roues arrière IORL et IORR sont entraînées par un système d'entraînement de roues motrices qui n'est pas représenté sur les
figures, tandis que l'ensemble des roues IOFL, IOFR, 10RL et 10RR sont freinées séparément à l'aide de cylindres de frein de roue qui ne sont pas représentés sur les figures et qui sont susceptibles d'être alimentés par une pression hydraulique en provenance d'un circuit hydraulique de façon proportionnelle ou sensiblement proportionnelle au déplacement vers le bas d'une pédale de frein actionnée par le conducteur du véhicule, bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 6. La pression de freinage peut également être fournie sous le contrôle de moyens électriques de contrôle 24, ces moyens électriques utilisant en général une réserve de fluide hydraulique mise sous pression dans un accumulateur hydraulique de pression chargé par une pompe hydraulique de refoulement, constituée en général par une pompe à engrenage. La caisse 120 du véhicule est supportée sur les roues IOFL, IOFR, 10RL et 10RR à des parties de la caisse correspondant à ces roues via des combinaisons parallèles correspondantes de ressorts de suspension qui ne sont représentées que schématiquement et d'amortisseurs 22FL, 22FR, 22RL et 22RR, comme cela est représenté schématiquement sur les figures 2 et 3 et est indiqué sur la figure 6.
Ces amortisseurs sont en général des amortisseurs hydrauliques, c'est-à-dire qu'ils sont constitués par un cylindre rempli d'huile dans lequel se déplace un piston relié à une tige d'amortisseur, le piston étant traversé par des conduites de communication obturées par des clapets tarés qui s'ouvrent pour une pression hydraulique prédéterminée. Les plus élaborés de ces amortisseurs hydrauliques sont généralement dotés d'un pilotage électro-pneumatique qui permet de faire varier la section de passage d'étranglement et donc d'amortissement en fonction des conditions de roulage. Les amortisseurs hydrauliques peuvent également être constitués, dans le cas des suspensions hydro pneumatiques par un simple étranglement piloté qui relie les chambres hydrauliques de suspension hydro -pneumatique à la décharge ou à l'alimentation, la structure étant plus simple que celle du cylindre rempli d'huile mais les fonctions étant pratiquement identiques.
Les moyens électriques de contrôle 24 comprennent un micro-ordinateur pour réaliser des calculs de contrôle et de commande qui seront décrits en détail ci-après et qui sont basés sur des signaux fournis aux moyens de contrôle 24 : partir de capteurs de course de débattement de roues 26FL, 26FR, 26RL et 26RR indiquant les débattements vers le haut et vers le bas, c'est-à-dire les débattements en rebond et en bond Xfl, Xfr, Xrl et Xrr des roues respectives avant gauche, avant droite, arrière gauche et arrière droite, par rapport à la caisse du véhicule ; à partir des signaux des capteurs d'accélération verticale 28FL, 28FR, 28RL et 28RR indiquant les accélérations verticales Xfl, Xfr, Xrl et Xrr des parties de caisse, verticalement au-dessus des roues respectives avant gauche, avant droite, arrière gauche et arrière droite ; à partir d'un signal en provenance d'un capteur de décélération longitudinale 29 indiquant
l'accélération longitudinale Gx de la caisse du véhicule ; à partir d'un signal en provenance d'un capteur 30 d'accélération latérale indiquant l'accélération latérale Gy de la caisse du véhicule ; à partir d'un signal en provenance d'un capteur de vitesse de véhicule 32 indiquant la vitesse V du véhicule ; à partir d'un signal en provenance d'un capteur 33 d'ouverture du papillon des gaz indiquant l'ouverture # d'une valve de papillon des gaz ou d'étranglement (non représentée) ; partir d'un signal d'un capteur 34 d'angle de braquage indiquant l'angle de braquage #; à partir d'un signal en provenance d'un capteur 35 de débattement de pédale de frein indi- quant le débattement ou course d'actionnement Sb de la pédale de frein (non repré- sentée) ; à partir d'un signal en provenance d'un capteur 36 de taux de roulis indi- quant le taux ou vitesse de roulis v du véhicule, etc.
Le dispositif de contrôle d'amortissement selon la présente invention est pour l'essentiel incorporé dans les moyens électriques de contrôle 24, de façon à recevoir les paramètres de déplacement du véhicule tels que décrits ci-dessus, pour conduire certains calculs de contrôle qui seront décrits ci-après, et pour faire varier les coeffi- cients d'amortissement des amortisseurs 22FL à 22RR, de telle façon que le système de suspension du véhicule présentant une structure telle que celle qui est représentée sur les figures 2 et 3, fonctionne comme un système de suspension tel que représenté sur les figures 4 et 5.
On va décrire dans ce qui suit, la structure de base du dispositif de contrôle d'amortissement selon la présente invention, en s'attachant à son fonctionnement, en référence à la figure 7.
En se référant à la figure 7, lorsque le dispositif de contrôle d'amortissement selon la présente invention commence à fonctionner, à l'étape S 10, on lit les signaux en provenance des capteurs décrits ci-dessus.
A l'étape S20, on estime si l'accélération latérale Gy mesurée par la capteur 30 est nulle ou positive, c'est-à-dire si l'accélération latérale est nulle ou bien agit vers la gauche du véhicule. L'accélération latérale agissant sur la caisse du véhicule dans la direction de la gauche et qui due à une force centripète dirigée vers la gauche et agissant au cours d'un virage vers la gauche du véhicule, est considérée comme posi- tive. Lorsque la réponse est oui, le programme passe à l'étape S30, alors que si la réponse est non, le programme passe à l'étape S40.
A l'étape S30, en plaçant un drapeau FI vers 1, les valeurs Xfl, Xfr, Xrl et Xrr mesurées par les capteurs de course ou de débattement de roue 26FL, 26FR, 26RL et 26RR sont substituées aux valeurs Xfin, Xfout, Xrin et Xrout, respectivement et Xfl, " " " Xfr, Xrl et Xrr captées ou mesurées par les capteurs d'accélération verticale 28FL, " " " " 28FR, 28RL et 28RR viennent se substituer à Xfin, Xfout, Xrin et Xrout, respecti- vement.
A l'étape S40, en mettant le drapeau FIà 0, les valeurs Xfr, Xfl, Xrr et Xrl " " " " sont substituées à Xfin, Xfout, Xrin et Xrout, respectivement et Xfr, Xfl, Xrr et Xrl " " "" se substituent à Xfin, Xfout, Xrin et Xrout, respectivement.
En général, on peut inclure le SR-P dans l'un quelconque des étages du laser du document [5] de manière à améliorer ses performances.
La présente invention est aussi utilisable pour réaliser des modulateurs de Fabry-Pérot électrooptiques ou tout-optiques. On utilise alors la variation de la résonance non pas pour faire varier la longueur d'onde d'une émission (il n'y a pas de zone active dans ces modulateurs) mais pour moduler un signal optique en réflexion ou en transmission.
Les modulateurs électro-optiques sont d'une grande importance pour les réseaux ( networks ) de télécommunications optiques car la réception de signaux multiplexés nécessite une bonne sélectivité en longueur d'onde. Les modulateurs tout-optiques sont quant à eux utiles pour la réalisation de mémoires optiques ou de circuits tout-optiques.
Un modulateur conforme à l'invention est une alternative au dispositif connu par le document [8]. Ce modulateur est identique au dispositif des figures 1 et 2 mais ne comprend pas de zone active.
De plus, dans le cas d'un fonctionnement en transmission, la lumière incidente que l'on veut moduler (référence 35T sur la figure 2) est envoyée vers le miroir 32 qui doit être partiellement transparent à cette lumière, la référence 36 correspondant alors à la lumière modulée, tandis que dans le cas d'un fonctionnement en réflexion la lumière 35R que l'on veut moduler est envoyée vers le miroir 34 et le miroir 32 peut demeure un simple réflecteur. Ce fonctionnement peut s'appliquer également au dispositif de la figure 1.
L'injection de porteurs dans la cavité du modulateur induit seulement un décalage de la résonance. C'est la variation de la résonance qu'on utilise pour définir l'état passant et l'état non-passant du modulateur. L'injection de porteurs, qu'elle soit électrique ou optique, induit donc la modulation. Ceci permet notamment d'utiliser un même composant en polarisation directe et en pompage optique.
Le temps de réponse de modulateurs conformes à l'invention peut être abaissé jusqu'à une fraction de nanoseconde.
Certes, on connaît des dispositifs qui permettent de faire varier l'indice optique d'une couche et qui peuvent être utilisés pour faire varier les modes d'une cavité. Mais aucun de ces dispositifs ne permettrait d'envisager l'émission de lumière en même temps que la commande de la longueur d'onde des modes.
On connaît par exemple, par le document [8], une microcavité contenant une couche dont on fait varier l'indice optique par application d'un champ électrique à cette couche. Cependant cela ne permettrait pas de réaliser des diodes émettrices de lumière, à longueur d'onde accordable, conformes à l'invention car ces diodes nécessitent non seulement l'application d'un champ électrique pour faire varier la (ou les) résonance(s) mais aussi l'injection des porteurs de charge pour obtenir l'effet laser. Or ceci n'est pas possible avec la microcavité connue par le document [8] étant donné que l'injection des porteurs de charge écranterait le champ électrique appliqué et empêcherait ainsi l'accordabilité.
On connaît aussi des dispositifs appelés nipis mais, dans ces derniers, on ne peut, pour une même densité de puissance injectée, avoir en même temps un effet de variation d'indice optique et un effet d'émission de lumière. Les structures de type nipi ne peuvent donc servir à réaliser des émetteurs de lumière à longueur d'onde accordable comme on le verra mieux par la suite. D'ailleurs, leur domaine d'application se limite essentiellement à la modulation de la lumière.
Revenons sur le principe de fonctionnement de l'invention.
Cette invention est fondée sur l'utilisation de l'effet piézo-électrique. Pour les semiconducteurs ayant une structure cristallographique du genre zincblende, les couches piézo-électriques sont des couches contraintes ( strained ), obtenues par
croissance épitaxiale sur des substrats dont les indices cristallographiques sont élevés, avec nxlxmO, comme par exemple ou .
On sait par le document [9] qu'une contrainte biaxiale dans le plan de ce type de couche génère un champ électrique le long de l'axe de croissance des couches.
Les champs piézoélectriques dans les semiconducteurs peuvent facilement atteindre des valeurs dépassant 100kV/cm pour des valeurs modérées de désaccord en paramètre de maille (voir le document [10]).
La structure proposée dans la présente invention est fabriquée sur un substrat par exemple semiconducteur et, dans un mode de réalisation préféré, elle est constituée d'une alternance de deux types de couches qui ont la même bande interdite et où règnent des champs électriques de sens opposés, d'origine piézo-électrique. Le super-réseau en matériau semiconducteur piézo-électrique, ou SR-P, ainsi obtenu est inclus dans une cavité résonante.
virtuel d'amortissement en accord avec les techniques (ou fart) qui ont été décrites en référence aux figures LIA et l sI3. )6A à 16C', 17/\ à 17C. IR:\ à I RC ou 19A à 1 9C. ou toutes autres techniques.