INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
DESCRIPTION DETAILLÉE DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Dans la mémoire ferroélectrique représentée sur les figures 8A et 8B, la structure d'empilement constituée par le film d'oxyde de grille, I'électrode de grille flottante, la couche ferroélectrique et l'électrode de grille de commande est conformée selon la même forme et la valeur de capacité du condensateur ferroélectrique devient susceptible d'être supérieure à celle du condensateur formé par le substrat et l'électrode de grille flottante. Si la valeur de capacité du condensateur ferroélectrique est rendue faible, la couche ferroélectrique devient anormalement épaisse et les procédés de fabrication deviennent difficiles.
La structure selon laquelle la couche ferroélectrique est prise en sandwich entre l'électrode de grille flottante et l'électrode de grille de commande est susceptible de générer une différence entre une qualité d'interface entre l'électrode de grille flottante et la couche ferroélectrique et une qualité d'interface entre la couche ferroélectrique et l'électrode de grille de commande. Il n'est par conséquent pas aisé d'obtenir une performance stable du condensateur ferroélectrique.
Les présents inventeurs proposent de former un condensateur ferroélectrique comportant une paire d'électrodes qui sont disposées en parallèle sur une surface d'une couche ferroélectrique. II est possible d'établir pratiquement librement la valeur de capacité d'un condensateur ferroélectrique en réglant l'épaisseur d'une couche ferroélectrique et la distance entre des électrodes.
Les figures 4A et 48 et les figures 5A et 5B sont des schémas et des graphiques qui expliquent des expérimentations préliminaires réalisées par les présents inventeurs.
-3- on poursuit le mélange sans chauffer, -4- on incorpore progressivement au mélange obtenu en 3, la deuxième fraction d'AC, -5- on poursuit le mélange sans chauffer, -6- on dévolatilise, de préférence par chauffage à une température > 100 C et de préférence sous pression réduite ou sous balayage de gaz inerte comme par exemple l'azote, -7- on laisse éventuellement refroidir le mélange dévolatilisé, -8- et on complète éventuellement la suspension avec le reste d'huile silicone.
Outre l'utilisation d'une charge minérale renforçante (traitée par un AC) sous forme de la suspension particulière décrite ci-avant, la présente invention repose également sur l'emploi d'un ou plusieurs agents (s) permettant de conférer un caractère hydrophile, en particulier à la surface du matériau silicone.
Dans le cadre de la présente invention, les agents tensioactifs mis en #uvre englobent des agents tensioactifs non-ioniques, ioniques ou amphotères. Les agents utilisés seront choisis au besoin sous une forme qui les rend compatibles pour le contact avec la peau et les muqueuses, en particulier buccales : ils doivent être non toxiques, non allergisants et non irritants aux doses d'emploi.
Parmi les agents tensioactifs non ioniques, on peut citer notamment : les acides gras polyalkoxylés ; les alkylphénols polyalkoxylés ; les alcools gras polyalkoxylés ; les amides gras polyalkoxylés ou polyglycérolés ; les amines grasses polyalkoxylées ; les polymères résultant de la condensation de l'oxyde d'éthylène et/ou de l'oxyde de propylène avec l'éthylèneglycol et/ou le propylèneglycol ; les polymères résultant de la condensation de l'oxyde d'éthylène et/ou de l'oxyde de propylène avec l'éthylènediamine ; les hydrocarbures terpéniques polyalkoxylés ; les polydiorganosiloxanes comportant des motifs siloxyles porteurs d'enchaînements oxyde d'éthylène et/ou d'enchaînements oxyde de propylène ; les polydiorganosiloxanes comportant des motifs siloxyles porteurs d'enchaînements de type polyol ; les silanes ou les polysilanes polyalkoxylés ; les alkylglucosides ; les alkylpolyglucosides ; les sucroéthers ; les sucroesters ; les sucroglycérides ; les esters de sorbitan ; les composés éthoxylés de ces dérivés de sucres ; et des mélanges de ces agents tensioactifs.
Parmi les agents tensioactifs anioniques, on peut citer notamment . les alkylbenzènesulfonates, les alkylsulfates, les alkyléthersulfates, les alkylaryléthersulfates, les alkylsuccinates, les alkylcarboxylates, les dérivés alkylés d'hydrolysats de protéine, les phosphates esters d'alkyle et/ou d'alkyléther et/ou d'alkylaryléther, où le cation est en
général un métal alcalin ou alcalino-terreux ; et des mélanges des agents tensioactifs précités.
Parmi les agents tensioactifs cationiques, on peut citer notamment : les halogénures de trialkylbenzylammonium ; les halogénures de tétraalkylammonium ; et des mélanges de ces agents tensioactifs.
Parmi les agents tensioactifs amphotères, on peut citer notamment : les alkylbétaïnes, les alkyldiméthylbétaïnes, les alkylamidopropylbétaïnes, les alkylamidopropyldiméthylbétaïnes, les alkyltriméthyl-sulfobétaïnes ; les dérivés d'imidazoline tels que les alkylamphoacétates, alkylamphodiacétates, alkylampho- propionates, alkylamphodipropionates ; les alkylsultaïnes, les alkylamidopropyl- hydroxysultaïnes ; les produits de condensation d'acides gras et d'hydrolysats de protéines ; les dérivés amphotères des alkylpolyamines ; les protéines et hydrolysats de protéines ; et des mélanges de ces agents tensioactifs.
Les agents tensioactifs préférés sont les agents tensioactifs non ioniques. Dans ce groupe préféré, conviennent particulièrement bien les agents tensioactifs suivants : (a) les alcools diphatiques en Ca-C22 polyalkoxylés contenant de 2 à 25 motifs alkoxylés, comme par exemple des motifs oxyéthylène (OE) et/ou oxypropylène (OP) ; (b) les polydiorganosiloxanes comportant des motifs siloxyles porteurs d'enchaînements oxyde d'éthylène et/ou d'enchaînements oxyde de propylène ; à titre d'exemples, on peut citer les agents tensioactifs de formules I, Il et III qui sont décrits dans US-A-4. 657.959 dont le contenu est inclus entièrement dans la présente demande par référence ; (c) des mélanges d'agents tensioactifs (a) entre eux, des mélanges d'agents tensioactifs (b) entre eux et des mélanges d'un ou plusieurs agent (s) type (a) avec un ou plusieurs agent (s) type (b).
Le (ou les) agent (s) tensioactif (s) sont ajoutés en quantité au plus égale à 10 % et, de préférence, au plus égale à 5 % par rapport à la masse totale du matériau silicone [ensemble I + Il]. Dans le cadre de l'emploi des agents tensioactifs (a), (b) et (c) qui conviennent particulièrement bien, les quantités utilisées sont plus précisément comprises : - s'agissant du (ou des) agent (s) type (a) : entre 0,3 et 7 % et, de préférence, entre 0,5 et 3 % par rapport à la même référence, et - s'agissant du (ou des) agent (s) type (b) : entre 0,05 et 3 % et, de préférence, entre 0,08 et 2 % par rapport à la même référence.
En ce qui concerne les autres constituants mis en #uvre dans le cadre de la présente invention, on peut indiquer que pour l'huile silicone - employée dans la
préparation de la suspension de charge minérale renforçante (5) traitée par un AC - on peut utiliser, outre une partie ou la totalité du (ou des) POS(1), une partie du (ou des) POS (3) non réactifs tels que définis supra.
En ce qui concerne les POS (1), il s'agit de polyorganosiloxanes qui présentent, par molécule, au moins deux groupes alcényles en C2-C6 liés au silicium, ces groupes étant situés dans la chaîne et/ou en bout (s) dechaîne.
Plus précisément, il s'agit de POS comprenant : (i) des motifs siloxyles de formule : Ta Zb SiO 4-(a+b) (1.1) dans laquelle : T est un groupe alcényle en C2-C6, de préférence vinyle ou allyle, Z est un groupe hydrocarboné monovalent, exempt d'action défavorable sur l'activité du catalyseur et choisi, de préférence, parmi les groupes alkyles ayant de 1 à 8 atomes de carbone inclus, éventuellement substitués par au moins un atome d'halogène, avantageusement, parmi les groupes méthyle, éthyle, propyle et 3,3,3- trifluoropropyle et ainsi que parmi les groupes aryles et, avantageusement, parmi les radicaux xylyle, tolyle et phényle, - a est 1 ou 2, b est 0,1 ou 2 et a + b est compris entre 1 et 3, de préférence entre 2 et 3, et (2i) éventuellement des autres motifs siloxyles de formule : ZcSiO4-c (1.2) 2 dans laquelle Z a la même signification que ci-dessus et c a une valeur comprise entre 0 et 3, de préférence entre 2 et 3.
Il est avantageux que ce POS ait une viscosité comprise entre 200 et 20 000 mPa.s, et de préférence entre 500 et 5000.
Bien entendu, en cas de mélange de plusieurs huiles (1) de viscosité différentes, on prend en compte la viscosité du mélange.
L'utilisation des facteurs premiers p,, p2, ... d'un module n diminue la charge de travail pour calculer (mod n). Plutôt que l'opération directe élever x à la puissance v ième (mod n) , on peut avantageusement élever x à la puissance v ième dans chacun des corps CG(p,), CG(p2), ... c'est-à- dire, (mod p,), (modp2), ... puis, établir le résultat dans l'anneau Z n, c'est-à- dire, (mod n = p, fois p2 fois ...). Cette manière de procéder est appelée la méthode des restes chinois. 3. 1. Multiplication et carré (mod n) En pratique, avec des programmes optimisés, le rapport entre la charge de travail pour un carré modulo et la charge de travail pour une multiplication modulo est environ 0,75. Par exemple, sur le composant ST 16601 pour carte à puce, avec une horloge normalisée à 3,579545 MHz, le carré modulo pour 512 bits se fait en 150 ms et la multiplication modulo en 200 ms.
Pour effectuer une opération multiplication modulo , on peut multiplier, puis, réduire : l'opération de multiplication demande à peu près autant d'effort que l'opération de réduction modulo.
La multiplication de deux nombres de 512 bits peut se ramener à des multiplications de nombres de 256 bits. Chaque nombre de 512 bits s'écrit alors a+b.2256 où a et b sont des nombres de 256 bits. La multiplication de a+b.2256 par c+d.2256 amène à calculer les quatre produits a.c, a.d, b.c et b.d.
En doublant la longueur, on multiplie par quatre la charge de travail pour multiplier. Le carré de a+b.2256 amène à calculer les deux carrés a2, b 2 et le produit a.b. En doublant la longueur, on multiplie par trois la charge de travail pour élever au carré.
De même, la multiplication de deux nombres de 512 bits peut se ramener à des multiplications de nombres de 171 bits. Chaque nombre de 512 bits s'écrit alors a+2"'.b+2'Z.c où a, b et c sont des nombres de 171 bits. La multiplication de a+27'.b+2'4'.c par d+2"'.e+2"Z.f amène à calculer neuf. En
doublant la longueur, on multiplie par neuf la charge de travail pour multiplier. Le carré de a+2"'.b+2"z.c amène à calculer trois carrés et trois produits. En doublant la longueur, on multiplie par six la charge de travail pour élever au carré.
3. 2. Elever x à la puissance v ième (mod n) Prenons en exemple la valeur v = 3, puis, la valeur v = 65537.
Pour v = 3, c'est-à-dire, 2+1, il faut élever l'argument au carré (mod n), puis, multiplier le résultat par l'argument (mod n).
Pour v = 65 537, c'est-à-dire, 216+1, il faut élever l'argument au carré (mod n) seize fois de rang, puis, multiplier le résultat par l'argument (mod n).
Dans le cadre de ce mémoire, l'exposant v est plus petit que le plus petit facteur premier du module n. Il n'y a donc pas donc de réduction de l'exposant v en fonction des différents facteurs premiers du module n. Par rapport au calcul direct de élever x à la puissance v ième (mod n) où l'argument x et le module n ont la même taille, la méthode des restes chinois divise la charge de travail - par deux lorsque le module n a deux facteurs premiers p, et p2 de même taille, - par trois lorsque le module n a trois facteurs premiers p,, p2 et p3 de même taille, et ainsi de suite.
On peut généraliser la méthode précédente ; ainsi, la procédure suivante calcule x' (mod n) pour un exposant v = 2' + v ~I .2-I + ... v .2 + vp où chaque bit de v@-@ à v0 vaut 0 ou 1.., 1. Donner à y la valeur x.
2. Répéter la séquence suivante pour k allant de i-1à 0.
Remplacer y par y2(mod n).
Si le bit vk vaut 1, remplacer y par x.y (mod n).
3. Le résultat cherché est y.
Selon la procédure précédente, le calcul peut se faire par log2(v) carrés (mod n) entrelacés avec h (v) (mod n). La notation h(v) représente un de moins que le poids de Hamming de v, c'est-à-dire, que l'écriture de v en binaire comporte h(v)+l bits à 1.
Ainsi, l'épaisseur et/ou la densité des tranches de mousse peuvent varier de façon particulière. On distingue par exemple une variation de densité qui va croissant ou décroissant de l'intérieur vers l'extérieur du sac ou une alternance de tranches de mousse de faible et de forte densité.
On mentionne également la possibilité d'une variation progressive ou alternative de la densité et/ou de l'épaisseur des tranches de mousse.
On a représenté sur les figures 6 à 9 quelques exemples de variations possibles.
On distingue d'abord une alternance de tranches de forte densité 27 et de faible densité 28 (figure 6), ensuite une progression de tranches 29 à 33 de densité décroissante (figure 7), ensuite encore une répétition d'un bloc de triple épaisseur 34, 35, 36 de densité décroissante (figure 8) et finalement un exemple de variation de densité croissante avec diminution d'épaisseur pour les tranches 37 à 40 (figure 9).
Les figures 10 et 11 montrent l'effet d'amortissement du bloc de mousse dans le cas d'un choc frontal sur un coussin 13 de triple épaisseur de mousse. On remarque l'écrasement par un objet 41 de la mousse de faible densité constituant la tranche supérieure 19 ainsi que l'écrasement moindre de la tranche intermédiaire 20 de haute densité. La tranche de fond 21 de très haute densité s'écrase très peu.
L'effet combiné des différents amortissements des différentes tranches permet d'amoindrir considérablement la violence du choc.
L'invention concerne un dispositif permettant de peindre les plafonds.
Un chariot poussé au sol, supporte un ensemble qui peint le plafond Utilisation de rouleaux applicateurs de peinture classiques...
Les techniques actuelles de peinture de plafond utilisent en général des '1rouleaux applicateurs", manipulés à la main par les utilisateurs.
Ce qui nécessite de la part des utilisateurs: -Une compétence technique -Une très bonne forme physique Ces techniques entraînent chez les utilisateurs: Des problèmes de "mal de dos" Des risque de chute (escabeau ou échelle) Le dispositif selon l'invention permet de remédier à ces inconvénients.
II suffit de déplacer le chariot au sol pour que le plafond soit peint et cela avec un gain de temps facteur 4 à 5.
VERSION SIMPLE: -Un chariot (1 ) servant de support à l'ensemble, se déplace au sol.
-Une mat télescopique (2), exerce une force constante vers le plafond ceci grâce à un système de ressorts (3), qui pousse la tige support (9) qui tient un rouleau à peindre classique.
VERSION avec RESERVOIR à PEINTURE: autonomie accrue.
-Un chariot (i) servant de support à l'ensemble, se déplace au sol.
-Une mat télescopique (2), exerce une force constante vers le plafond ceci grâce à un système de ressorts (3), qui pousse la tige support (9) -Des bras articulés (4) et (5) maintiennent des rouleaux à peindre (6) et (7) -Le rouleau (7), situé dans le bac à peinture (8), répand la peinture.
22 aagcttgcat gcctgcagac tagtgattga tgtgatatca agattgatgt gatatctcca 60 ctgacgtaag ggatgacgca tgccactctg tggcacatct acattatccc acacatctac 120 cacacaaaaa cccaatccac atctttatca tccattctat aaaaaatcac cttctgtgtg 180 tctctctttc gattcccttc aaacacatac aaattcagta gagaagaaac tcattactct 240 tgagaaacct agaggatcc 259
ASSOCIATION INHIBITEUR(S) DE NO SYNTHASE ET ANTIOXIDANT(S) METABOLIQUE(S) L'invention concerne une composition pharmaceutique comprenant, à titre de principe actif, au moins une substance interférant avec la synthèse de monoxyde d'azote par inhibition de NO synthase et au moins un antioxydant métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols, et éventuellement un support pharmaceutiquement acceptable. L'invention concerne également un produit comprenant au moins une substance inhibitrice de NO synthase et un antioxydant métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols, en tant que produit de combinaison, sous forme séparée, de ces principes actifs.
Une composition pharmaceutique et un produit selon l'invention sont intéressants dans le traitement de pathologies où le monoxyde d'azote et le métabolisme d'antioxydants (tels que la vitamine E ou le glutathion) ainsi que le statut redox des groupement thiols sont impliqués, et notamment : . les troubles cardiovasculaires et cérébrovasculaires comprenant, par exemple, l'hypertension artérielle, le choc septique, les infarctus cardiaques ou cérébraux d'origine ischémique ou hémorragique, les ischémies et les thromboses ; . le choc septique, les irradiations radioactives, les radiations solaires, les transplantations d'organes ; . les troubles du système nerveux central ou périphérique comme, par exemple, les maladies neurodégénératives où l'on peut notamment citer, les infarctus cérébraux, les démences séniles, y compris la maladie d'Alzheimer, la chorée de Huntington, la maladie de Parkinson, la maladie de Creutzfeld Jacob, les maladies dues aux prions, la sclérose latérale amyotrophique mais aussi la douleur, les traumatismes cérébraux ou de la moëlle épinière, l'addiction aux opiacés, à l'alcool et aux substances induisant une accoutumance, les troubles de l'érection et de la reproduction, les désordres cognitifs, les encéphalopathies, la dépression, l'anxiété, la schizophrénie, l'épilepsie, les troubles du sommeil, les troubles alimentaires (anorexie, boulimie...) ; . les maladies prolifératives et inflammatoires comme, par exemple, le cancer, l'athérosclérose, l'hypertension pulmonaire, la glomérulonéphrite, l'hypertension portale, la cataracte, le psoriasis, l'arthrose et l'arthrite rhumatoïde, les fibroses, les
amyloïdoses, les inflammations du système gastrointestinal (colite, maladie de Crohn) ou du système pulmonaire et des voies aériennes (asthme, sinusites) ainsi que les hypersensibilités de contact ou retardées; . les maladies autoimmunes et virales telles que le lupus, le sida, les infections parasitaires et virales, le diabète et ses complications incluant les rétinopathies, les néphropathies et les polyneuropathies, la sclérose en plaque, les myopathies ; . les maladies génétiques autosomiques comme la maladie d'Unverricht-Lunborg; . les pathologies caractérisées par une production ou un dysfonctionnement de monoxyde d'azote et/ou du métabolisme du glutathion et du statut redox des groupement thiols.
Dans l'ensemble de ces pathologies, il existe des évidences expérimentales démontrant l'implication du monoxyde d'azote ou d'un dysfonctionnement du métabolisme du glutathion (Kerwin et al., Nitric oxide : anew paradigm for second messengers, J. Med. Chem. 38,4343-4362, 1995 ; Packer et al., Alpha-lipoic acid as biological antioxidant, Free Radical Biology & Medicine 19,227-250, 1995). C'est le cas notamment dans la maladie de Parkinson qui illustre l'invention (Beal MF, Excitotoxicity and nitric oxide in Parkison's disease pathogenesis. Ann. Neurol.
44[Suppl 1], S110-S114, 1998 ; Donato A et al., Gluthathione in Parkinson's disease : a link between oxidative stress and mitochondrial damage. Ann. Neurol. 32, S 111- SI 15, 1992). Dans ce contexte, les médicaments pouvant inhiber la formation du monoxyde d'azote et/ou rétablir la fonctionnalité biologique des groupements thiols ou du glutathion peuvent apporter des effets bénéfiques. Comme cela est exposé dans la partie expérimentale, l'association d'un inhibiteur de NO synthase et d'un antioxydant métabolique, principes actifs agissant par des mécanismes différents, augmente de façon inattendue l'effet thérapeutique de ces principes actifs. Cette invention est particulièrement bien illustrée dans un modèle pathologique expérimental de maladie de Parkinson's : l'intoxication au MPTP (l-methyl-4-phenyl-l,2,3,6-tetrahydropyridine).
L'invention a donc pour objet une composition pharmaceutique comprenant, à titre de principe actif, au moins une substance interférant avec la synthèse de monoxyde d'azote par inhibition de NO synthase et au moins un antioxydant métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols, et éventuellement un support pharmaceutiquement acceptable.
L'invention a plus particulièrement pour objet une composition pharmaceutique comprenant, à titre de principe actif, une substance interférant avec la synthèse de monoxyde d'azote par inhibition de NO synthase et un antioxydant métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols.
Dans le terme inhibiteur de NO synthase, il faut comprendre tout inhibiteur spécifique ou non spécifique de l'une de ses isoformes qu'elle soit constitutive (neuronale ou endothéliale) ou inductible (Kerwin et al., Nitric oxide : anew paradigm for second messengers, J. Med. Chem. 38,4343-4362, 1995). Les inhibiteurs de NO synthase selon l'invention peuvent être choisis, par exemple, parmi certains amino-acides, les guanidines, les isothiourées, les nitro- ou cyano-aryles, les amino-pyridines ou aminopyrimidines, les amidines, les indazoles ou les imidazoles tels que définis ci-après.
Dans le terme substance antioxydante métabolique intervenant dans le statut redox des groupements thiols, il faut comprendre toute substance chimique possédant au moins deux groupement thiols capables de former par oxydation un pont disulfure intra ou intermoléculaire, cette substance pouvant se trouver sous la forme réduite ou oxydée.
La figure 3 représente, vu de côté, un tel substrat compliant. Le substrat compliant 20 comprend un support 21, une couche intermédiaire 22 recouverte d'une couche mince 23 destinée à servir de germe pour une hétéro-épitaxie. La couche intermédiaire 22 est liée au support 21 par une interface de collage 24.
A titre d'exemple, on peut utiliser comme couche intermédiaire 22 un film métallique dont les propriétés mécaniques (déformation) sont telles qu'il peut encaisser une partie importante des contraintes.
Par exemple, on peut utiliser le procédé décrit dans le document FR-A-2 681 472 pour obtenir le film mince 23 de semiconducteur servant de germe, mais en utilisant pour solidariser le film mince 23 sur la couche intermédiaire 22 un composé métallique à base de Au (95%) - Sn (5%) ou un composé à base de Al (5;O) - Cu (95;O). Ces composés métalliq d'une seconde couche intermédiaire 33 et de la couche mince servant de germe 34. L'interface de collage 35 se situe alors entre les deux couches intermédiaires 32 et 33. Ces couches intermédiaires peuvent être de même nature ou de natures différentes.
La fabrication de la couche intermédiaire sur le film mince et éventuellement sur le substrat support se fait avant le transfert de la structure couche intermédiaire/film mince servant de germe sur le substrat support. La couche intermédiaire est un solide de nature amorphe, polycristalline, ou cristalline.
Elle peut être formée de une ou plusieurs sous-couches d'un même matériau ou d'un matériau différent et/ou être constituée d'une ou de plusieurs interfaces.
L'élaboration de la couche intermédiaire sur le film mince adaptable et éventuellement sur le substrat support peut être réalisée - soit par les techniques classiques de dépôt sous vide de couches minces (évaporation, pulvérisation cathodique, CVD, MBE,...), - soit par les techniques de dépôt électrochimique (électrolyse, électroless,...), - soit par les techniques de report de couches minces : collage par adhésion moléculaire puis amincissement, collage puis amincissement par un procédé tel que décrit dans le document FR-A-2 681 472, collage de la couche intermédiaire (déjà conditionnée en couche mince) via une poignée servant de support et élimination de la poignée, - soit par transformation d'une certaine épaisseur à partir de la surface. Cette transformation peut être par exemple une oxydation ou une nitruration.
Si on utilise une oxydation, elle peut être soit thermique, soit anodique ou obtenue par une autre technique (plasma oxygène, implantation d'oxygène,...).
L'oxydation peut être réalisée également par la combinaison de plusieurs techniques d'oxydation, - par une méthode permettant de fabriquer une couche poreuse déformable.