INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une zone où la région de source est formée est masquée par un masque de réserve ou similaire afin d'exposer une zone où la région de drain est formée et des ions As sont implantés de façon générale suivant une direction verticale jusqu'à la surface du substrat dans les conditions constituées par une énergie d'accélération de 30 keV et par une dose de 1 x 1015 cm2. A l'aide de cette implantation ionique, deux régions de drain sont formées. Puisque des ions sont implantés de façon générale suivant la direction verticale, bien que la région de drain 6 s'étende plus ou moins au-dessous de l'électrode de grille 4, une valeur de chevauchement (aire projetée sur la surface du substrat) entre la région de drain 6 et l'électrode de grille 4 devient considérablement faible par comparaison avec une valeur de chevauchement (aire) entre la région de source 5 et l'électrode de grille 4. Par conséquent, la valeur de capacité source-grille est supérieure à la valeur de capacité drain-grille.
la lumière qui arrive dans une direction.
La figure 4 montre un troisième mode de réalisa- tion du projecteur avec le dispositif formant écran 70. Le dispositif formant écran 70, prévu entre la source de feu de stationnement 22 et les zones partielles 18 du réflecteur 10, est au moins en partie transparent à la lumière si bien que la lumière émise par la source de feu de stationnement 22
peut traverser au moins partiellement ce dispositif. Le dis-
positif formant écran 70 est en verre ou en matière plastique réfractaire. Le dispositif formant écran 70 peut être réalisé pour dévier au moins partiellement la lumière qui le traverse pour qu'au moins une partie seulement de la lumière qui passe arrive sur la zone partielle 18 du réflecteur 10 et que l'autre partie de la lumière traversant le dispositif formant écran 70 soit déviée vers d'autres zones du réflecteur 10. Le dispositif formant écran 70 peut ainsi avoir, par zones, un ou plusieurs profils optiques 72 déviant la lumière qui passe. Le dispositif 70 peut également avoir, par zones, un ou plusieurs profils optiques 72 pour disperser la lumière qui passe, ce qui atténue également la lumière émise par la source de feu de stationnement 22 et arrivant sur les zones partielles 18 du réflecteur puisqu'une partie de la lumière est répartie sur les autres zones du réflecteur 10 de façon à
ne pas générer d'intensité d'éclairage trop élevée.
Le projecteur de feu de route décrit ci-dessus peut être monté comme élément séparé sur le véhicule ou être combiné à un projecteur de feu de croisement pour ne former qu'un bloc. A la place de la fonction de feu de route, le projecteur peut également servir à n'importe quelle autre
fonction d'éclairage. Par exemple on peut prévoir une instal-
lation de projecteur à plusieurs unités de projecteur desti-
nées à des fonctions d'éclairage différentes et la source de feu de stationnement 22 est combinée à l'une des unités de projecteur.
MÉTHODE DE CARACTÉRISATION D'UN PROCESSUS D'IMPLANTATION IONIQUE La présente invention concerne la fabrication des circuits intégrés et plus particulièrement le contrôle d'un processus d'implantation ionique de plaquettes de silicium.
De façon générale, a fabrication des circuits intégrés repose sur diverses techniques comme la diffusion d'impuretés, la croissance de silicium par épitaxie et l'implantation ionique.
Comme illustré schématiquement par la figure 1, l'implantation ionique est faite au moyen de machines d'implantation 1 permettant d'introduire dans des plaquettes de silicium monocristallin 2, par bombardement ionique, des agents de dopage 3 ou espèces dopantes comme le bore, le phosphore et l'arsenic. Ces agents de dopage 3 modifient les propriétés électriques du silicium semiconducteur et permettent de réaliser des zones dopées 4 de type P ou N. Ces zones dopées 4, de faibles dimensions, sont délimitées pendant l'implantation grâce à un masque en résine organique 5 déposé à la surface des plaquettes de silicium. La combinaison de zones dopées P et N de faibles dimensions permet d'intégrer sur une surface de silicium réduite un grand nombre de composants électroniques élémentaires formant, ensemble, un circuit électronique complexe.
Ces dernières années, l'augmentation de la densité d'intégration et des cadences de fabrication des circuits intégrés est allée de pair avec la nécessité d'un contrôle de plus en plus rigoureux du processus d'implantation ionique. Ainsi, le souci premier des fabricants de circuits intégrés est de détecter rapidement les anomalies et dérives pouvant apparaître dans les machines d'implantation, pour éviter de gaspiller des plaquettes de silicium. En effet, un retard de quelques heures dans la constatation d'une anomalie peut entraîner la perte plusieurs dizaines voire plusieurs centaines de plaquettes de silicium, ce qui représente une somme considérable.
En pratique, les paramètres essentiels à contrôler d'un processus d'implantation ionique sont : l'énergie incidente des ions, exprimée en keV, et la dose, en ions/cm. L'énergie détermine la profondeur de pénétration des ions, de l'ordre de quelques nanomètres à quelques centaines de nanomètres. La dose, exprimée en ions/cm, est le nombre d'ions par unité de surface reçus par une plaquette implantée. La dose dépend de la durée du cycle d'implantation (en général choisi au plus court) et du débit ionique, qui peut être réglé par une mesure du courant ionique.
Bien que les machines d'implantation soient équipées de divers appareillages et instruments de contrôle, l'expérience montre que le bon réglage des paramètres énergie et dose n'est réellement vérifiable qu'avec une analyse du résultat obtenu. Ainsi, on a développé diverses méthodes de contrôle permettant de mesurer les caractéristiques des zones dopées et de corriger si nécessaire les réglages initiaux. Ces méthodes de contrôle nécessitent pour certaines la prévision de plaquettes de test, d'autres s'appliquent directement à des "plaquettes produits", c'est-à-dire des plaquettes de silicium contenant les circuits intégrés en cours de fabrication. Toutefois, à ce jour, aucune de ces méthodes n'est exempte d'inconvénients.
Ainsi, la mesure de la résistivité par unité de surface des zones dopées, au moyen de pointes métalliques, présente l'inconvénient d'être destructive.
Le bloc 2 a une épaisseur E (comptée de la première face 7 à la deuxième face 8 du bloc) au moins égale au dixième du libre parcours moyen, dans le matériau conducteur, des photons X incidents, ce qui lui confère son haut pouvoir d'arrêt.
Conformément à l'invention, le détecteur des figures 1 et 2 comprend en outre des fentes parallèles 14.
A titre purement indicatif et nullement limitatif, le détecteur est disposé de façon que ces fentes soient horizontales ou, au contraire, verticales mais toute autre orientation est envisageable, suivant l'utilisation qui est faite du détecteur.
Les fentes 14 traversent le bloc 2, de la première à la deuxième face de ce dernier, et sont remplies, d'une manière qui sera expliquée par la suite, d'un gaz qui est ionisable par les électrons
résultant de l'interaction du rayonnement X incident avec le matériau conducteur de conversion.
Chaque électron ainsi créé interagit avec ce gaz dans une fente 14 pour produire des ions positifs et des électrons tel que l'ion symbolisé par la flèche 16 et l'électron symbolisé par la flèche 18 sur la figure 2.
On précise que les fentes 14, qui débouchent sur les faces 7 et 8, sont perpendiculaires à ces faces 7 et 8.
Le détecteur des figures 1 et 2 comprend aussi des moyens de création d'un champ électrique apte à extraire du bloc 2 les électrons résultant de l'ionisation du gaz, en provoquant le déplacement de ceux-ci dans les fentes où ils sont créés, vers la face 8.
Ceci est illustré sur la figure 2 pour l'électron dont la trajectoire a la référence 18.
L'ion correspondant à cet électron se dirige quant à lui vers la première face 7 sous l'effet du champ électrique.
Dans l'exemple représenté sur les figures 1 et 2, le champ électrique est créé grâce à des moyens de polarisation prévus pour porter les couches de matériau conducteur 4 à des potentiels électriques qui croissent de la première de ces couches, située au niveau de la première face 7 du bloc, jusqu'à la dernière des couches 4, située au niveau de la deuxième face 8.
On précise que le bloc 2 est placé dans un boîtier hermétiquement fermé 20, contenant le gaz ionisable.
Au lieu de cela, le boîtier 20 pourrait être muni de moyens (non représentés) de circulation et de purification du gaz.
Ce boîtier 20 comprend une fenêtre 22 qui est transparente au rayonnement ionisant incident et située en regard de la première face 7 du bloc 2.
Dans l'exemple représenté, il s'agit d'une fenêtre 22 en aluminium qui est transparente aux rayons X incidents. On peut utiliser, si nécessaire, d'autres matériaux.
Les moyens de polarisation permettant de porter les couches 4 de matériau conducteur à des potentiels croissants comprennent des résistances électriques RI, R2 ... Rn montées en série (figure 2).
On voit sur la figure 5 que ces couches (ou ces grilles) 49 et 50 sont pourvues de fentes, telles que les fentes 51, respectivement en regard des fentes 14 et prolongeant ces dernières.
On donne maintenant des exemples de procédés de fabrication d'un détecteur conforme à l'invention.
Dans le cas où le bloc est une alternance de couches conductrices et de couches isolantes on
commence par fixer ces couches les unes aux autres par exemple par collage.
Dans le cas où le bloc est fait d'un matériau isolant massif on commence par fixer, par exemple par collage, les deux couches conductrices respectivement aux première et deuxième faces de ce bloc massif.
Dans le cas où l'on utilise un matériau isolant sous forme de couches on commence par fixer ces couches les unes aux autres par exemple par collage puis l'on fixe encore les première et deuxième couches conductrices respectivement aux première et deuxième faces du bloc par exemple par collage.
Le bloc étant obtenu, on forme alors les fentes par exemple par découpe par jet d'eau, par découpe par étincellage ou par découpe par un fil tendu déroulant.
On précise que le collage présente l'avantage, notamment dans le cas de la découpe par jet d'eau, d'éviter une dispersion accidentelle du jet d'eau entre les couches lors de la découpe.
Avant la formation de chaque fente, on peut former un trou (pré-perçage) à travers le bloc puis former la fente à partir de ce trou par exemple au moyen d'un jet d'eau émis par une buse que l'on déplace par rapport au bloc.
Ce trou, que l'on peut par exemple former par attaque chimique ou toute autre technique, permet d'éviter un choc frontal dû à l'ouverture du jet d'eau.
Cependant, la formation d'un tel trou n'est pas nécessaire si les matériaux utilisés pour former le bloc ne s'écaillent pas.
La formation des fentes est donc très rapide.
En tant que milieu fluide ionisable, on peut utiliser, au lieu d'un gaz, un liquide comme par exemple Xe, ou une phase supercritique comme par exemple CO2.
Les documents cités dans la présente description sont les suivants : [1] V. Perez-Mendez, S. I. Parker, IEEE Trans.
Nucl. Sci. NS-21 (1974) 45 [2] S. N. Kaplan, L. Kaufman, V. Perez-Mendez, K.
Valentine, Nuclear Instruments and Methods 106 (1973) 397 [3] A.P. Jeavons, G. Charpak, R. J. Stubbs, NIM 124 (1975) 491-503 [4] FR 2739941 A, Détecteur de position, à haute résolution, de hauts flux de particules ionisantes , Invention de G. Charpak, I. Giomataris, Ph. Rebourgard et J.P. Robert - voir aussi demande internationale WO 97/14173 [5] FR 2762096 A, Détecteur de particules à électrodes parallèles multiples et procédé de fabrication de ce détecteur , Invention de G.
Un composé de formule (I) selon l'invention et dans laquelle A---B représente C-NR5, R1 représente un atome d'hydrogène, R3a l'atome d'hydrogène ou le radical alkyle et R5 représente un radical alkenyle, peut être obtenu en faisant réagir un composé de formule (8) tel que défini ci-dessus, avec un composé de formule Z'R5 dans laquelle R5 a la signification indiquée ci-dessus et Z' représente un groupe partant, en présence d'une base minérale forte dans un solvant inerte, pour obtenir le composé (9)
dans laquelle R2, R3a, R3b, R4, X, R" et R5 ont la signification indiquée ci-dessus, composé (9) qui est soumis à une réaction de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel R1 représente l'atome d'hydrogène.
La préparation du composé (9) à partir du composé (8), peut être mise en #uvre par action d'hydrure de sodium dans un solvant tel que le tétrahydrofurane à une température voisine de 60 C. Le groupe partant Z' du composé Z'R5 peut être un mésylate, tosylate ou un atome d'halogène Un composé de formule (I) selon l'invention et dans laquelle A---B représente -C-N(R5)-, RI représente un atome d'hydrogène, R3a l'atome d'hydrogène ou le radical alkyle et R5 représente un radical -C(O)R'5, peut être obtenu en faisant réagir un composé de formule (8) tel que défini ci-dessus, avec un acide de formule R'5-C(O)OH dans laquelle R'5 a la signification indiquée ci-dessus, pour obtenir le composé (10) correspondant, dans laquelle R2, R3a, R3b, R4, X, R"et R'5 ont la signification indiquée ci-dessus, composé (10) qui est soumis à une réaction de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel RI représente l'atome d'hydrogène.
La réaction du composé R'5-C(O)OH sur le composé (8) peut s'effectuer dans des conditions similaires aux réactions de couplage peptidique. Elle peut être mise en #uvre à une température voisine de 20 C dans un solvant inerte tel que le dichlorométhane ou le 1,2-dichloroéthane.
Un composé de formule (I) selon l'invention et dans laquelle A---B représente -C-N(R.5)-, RI l'atome d'hydrogène et R3a le radical hydroxy, peut être obtenu par réduction du composé de formule (4), pour obtenir le composé de formule (11) dans laquelle R2, R3b, R4, X et R" ont la signification indiquée ci-dessus, composé (11) qui est - soit soumis à une réaction de saponification puis de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel R1 et R5 représentent l'atome d'hydrogène ; - soit traité par un composé de formule halo-Rs dans laquelle R5 représente un radical alkenyle ou un acide de formule R'5-C(O)OH dans laquelle R'5 a la signification indiquée ci-dessus, pour obtenir le composé de formule (12) dans laquelle R2, R3b, R4, X et R" ont la signification indiquée ci-dessus et R5 représente respectivement un radical alkenyle ou R'5-C(O)-, composé (12) qui est enfin soumis à une réaction de saponification puis de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel R1 représente l'atome d'hydrogène et R5 un radical alkenyle ou R'5-C(O)-.
Un composé de formule (I) selon l'invention et dans laquelle A---B représente -C-N(R5)-, RI l'atome d'hydrogène et R3a un radical -OC(O)-R'3a, peut être obtenu par réduction du composé de formule (6), pour obtenir un composé de formule (13)
dans laquelle R2, R'3a, R3b, R4, X et R" ont la signification indiquée ci-dessus, composé (13) qui est - soit soumis à une réaction de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel R1 et R5 représentent l'atome d'hydrogène ; - soit traité par un composé halo-Rs dans laquelle R5 représente un radical alkenyle ou un acide de formule R'5-C(O)OH dans laquelle R'5 a la signification indiquée ci-dessus, pour obtenir le composé de formule (14) dans laquelle R2, R'3a, R3b , R4, X et R" ont la signification indiquée ci-dessus et R5 représente respectivement un radical alkenyle ou R'5-C(0)-, composé (14) qui est enfin soumis à une réaction de déprotection du carbamate pour obtenir le produit (I) souhaité dans lequel R1 représentent l'atome d'hydrogène et R5 respectivement un radical alkenyle ou R'5-C(O)-.
Les conditions d'ajout du radical R5 (différent de H) sur l'atome d'azote des diazépines (11) et (13) sont identiques aux conditions de réactions pour la préparation des composés (9) et (10).
Les réactions de déprotection des carbamates (5), (6), (8), (9), (10), (13)et (14) sont telles définies précédemment ; le radical R" est choisi suivant les autres fonctions présentes dans la molécule et dans le but d'obtenir une déprotection sélective du groupement carbamate R"OC(O)N-.
Les composés de formule I selon l'invention dans laquelle A---B représente -C-N(R5)-et RI représente un radical de formule R'i-NH-C(Y)-, peuvent être préparés par action d'un composé de formule (7) R'i-N=C=Y dans laquelle R'1et Y ont la signification indiquée ci-dessus, sur le composé de formule (I) correspondant dans laquelle R1 représente l'atome d'hydrogène, avec pour former le composé de formule I choisi.
Les composés de formule (2) sont nouveaux. L'invention a également pour objet, à titre de produits industriels nouveaux, et notamment à titre de produits industriels nouveaux destinés à la préparation des composés de formule (I) selon l'invention, les produits de formule (2).
Les composés 1 de la présente invention possèdent d'intéressantes propriétés pharmacologiques.
C'est ainsi que l'on a découvert que les composés I de la présente invention ont une haute affinité pour un (ou plusieurs) des récepteurs de la somatostatine. Ils peuvent être utilisés comme agonistes ou antagonistes non-peptidiques de la somatostatine de manière sélective ou non.
Les composés de la présente invention peuvent ainsi être utilisés dans différentes applications thérapeutiques. Ils peuvent avantageusement être utilisés pour traiter les états pathologiques ou les maladies tels que présentés ci-dessus et dans lesquels un (ou plusieurs) des récepteurs de la somatostatine est(sont) impliqué(s).
La présente demande a également pour objet, à titre de médicaments, les produits de formule I telle que définie ci-dessus, ainsi que les sels d'addition avec les acides minéraux ou organiques pharmaceutiquement acceptables desdits produits de formule I, ainsi que les compositions pharmaceutiques contenant, à titre de principe actif, un au moins des médicaments tels que définis ci-dessus, en association avec un support pharmaceutiquement acceptable.
Pour protéger les sujets allergiques au venin d'abeille, il a été pro- posé, depuis longtemps, de désensibiliser les sujets allergiques par immunothérapie spécifique (ou ITS). Les mécanismes immunologiques de l'ITS, responsables de l'amélioration de l'état du patient restent mal compris. L'induction d'IgG spécifiques et + de sous-classe IgG4 (7) ainsi que la génération de cellules T CD8 suppressives (8) ont initialement été proposées pour rendre compte de l'efficacité du traitement. Mais plus récemment, il a été observé qu'au cours de la désensibilisation au venin d'abeille, la + prolifération des lymphocytes T CD4 spécifiques de l'allergène décroît alors que la sécrétion de l'IL-4 et de l'IL-5 diminue (9,10) ou est détournée vers la production d'IFN-y (11). Des résultats très similaires ont été également obtenus avec des aller- gènes de pollens (12). Ces observations semblent indiquer que l'amélioration de l'état du patient résulte d'une tolérance périphérique ou d'une dérive vers un profil de type + TH1 des lymphocytes T CD4 spécifiques de l'allergène. Elles sont de plus en accord avec des expériences effectuées chez l'animal. Il a été en effet montré pour plusieurs antigènes que dans des conditions d'injection proches de celles utilisées pour désensi- biliser (telles que l'injection sous-cutanée) l'anergie des lymphocytes T est induite
alors qu'une forte réponse est observée pour les mêmes antigènes lorsqu'ils sont injec- tés en présence d'adjuvant (13,14). L'ensemble de ces expériences permet de considé- + rer les lymphocytes T CD4 spécifiques du venin d'abeille comme les cellules cibles de l'immunothérapie.
+ Les lymphocytes T CD4 possèdent un récepteur T réarrangé qui leur permet de reconnaître sélectivement les fragments peptidiques issus de la dégra- dation de l'antigène par les cellules présentatrices et présentés par les molécules du Complexe Majeur d'Histocompatibilité de classe II (CMH II) (15). Les déterminants que portent ces fragments peptidiques et que reconnaissent effectivement les lympho- cytes T sont appelés épitopes T.
Lors de la désensibilisation, ce sont ces déterminants qui sont recon- nus par les lymphocytes T et qui donc constituent les éléments de base pour l'élabora- tion de molécules alternatives d'immunothérapie spécifique.
Il a été en effet observé in vivo chez la souris pour les allergènes Fel dl(poil de chat), Der p1(acarien : Dermatophagoïdes pterissimus) et Bet v1 (pollen de bouleau) que l'administration par voie nasale, orale ou sous-cutanée de peptides porteurs d'épitopes T de ces allergènes inhibe l'activation des lymphocytes T spéci- fiques (16-18) et module la réaction allergique (16,18).
Idéalement, les molécules de désensibilisation doivent posséder tous les épitopes de l'allergène et être dépourvues de réactivité vis-à-vis des IgE, de manière à éviter les risques d'accidents.
Plusieurs types de molécules sont d'ores et déjà à l'étude y compris dans le cadre de l'allergie au venin d'abeille et sont constitués soit de fragments pepti- diques, soit de protéines modifiées.
. Fragments peptidiques Par une démarche empirique, l'utilisation de fragments peptidiques (19) pour désensibiliser les patients allergiques a été à plusieurs reprises proposée comme alternative à la désensibilisation spécifique conventionnelle y compris pour l'allergie au venin d'abeille (20,21).
Ces fragments ne possèdent généralement plus de réactivité vis-à-vis
des IgE, mais peuvent également avoir perdu leur capacité à être reconnus par les lymphocytes T.
Plus récemment, des fragments peptidiques d'allergène ont été choi- sis sur la base de leur capacité à stimuler des lymphocytes T de patients allergiques (22).
Dans le cas de l'allergène majeur du venin d'abeille (API ml), les fragments 50-69 et 83-97 ont été décrits comme étant actifs lors d'une étude compre- nant un seul patient (23).
Dans une étude comprenant quarante patients (24), ce sont les frag- ments 45-62 et 81-92 et 113-124 qui se sont révélés être actifs. Ces trois fragments ne sont épitopes T que pour 25 à 45 % des patients et les auteurs n'excluent pas l'exis- tence d'autres épitopes (24,25). Ces trois peptides sont en cours d'essai clinique et semblent donner des résultats encourageants (22). Muller et al. (22) les ont utilisés pour désensibiliser cinq patients allergiques dont les lymphocytes T prolifèrent en présence de ces peptides. Aucun effet systémique grave n'a été observé et les patients sont devenus tolérants aux piqûres d'abeille. Ceci démontre l'intérêt de l'utilisation de peptides pour désensibiliser, mais ne permet pas d'étendre l'utilisation de ces peptides à d'autres patients.
Un autre essai utilisant des peptides a été mis en place pour l'aller- gène du chat (Fel dl) (26). Plusieurs demandes relatives à des peptides du ragweed (WO 93/21321 ; 96/13589), du pollen du cèdre japonais (WO 93/01213 ; 94/01560) et du pollen de ray-grass (WO 94/21675 ; WO 94/16068) ont été déposées.
Tous les peptides décrits dans ces demandes ont été choisis sur la base de la stimulation de lymphocytes T d'un échantillon de patients allergiques.
La démarche suivie par ces différents auteurs (23,24 et 30) est basée sur des tests cellulaires et non sur des tests de liaison. Les résultats observés montrent que les peptides actifs varient selon les patients. Dans ces trois dernières études, les peptides contenant la zone 80-90 sont ceux qui sont le plus souvent épitope T. Ils montrent également que les lymphocytes de plusieurs patients sont stimulés par des peptides contenant la partie C-terminale de API ml.
De préférence, également, le polymère P1 a une Tg1 inférieure à 0 C et le polymère P2 a une Tg2 supérieure à 60 C.
De préférence encore, le polymère P1 est dispersé sous la forme de nodules dans une matrice formée par le polymère P2.
De préférence, le polymère P1 a une hydrophobicité supérieure à celle du polymère P2.
En général, la couche de primaire antichoc est constituée de 70 à 90 % en poids du polymère P1 à caractère mou et de 10 à 30 % en poids du polymère P2 à caractère dur.