INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lauryléther sulfate de sodium (2,2 OE) 9 8g MA Cocoyl amidopropyl bétaïne en solution aqueuse à 38 % de MA 1 6g MA (TEGO BETAINE F 50 de GOLDSCHMIDT ) Acide lauryl éther carboxylique (4. 5 OE) (AKYPO RLM 45 CA de CHEM Y ) 5.6g MA Huile d'avocat (LIPOVOL A STABILISEE de LIPO CHEMICALS) 3 g MA Terpolymère de chlorure de méthacrylamidopropyltriméthyl ammonium, d'acide acrylique et de méthacrylate de 0.2 g MA stéaryle (49% / 49% / 2% molaire Acide polyacrylique réticulé (CARBOPOL 980 de GOODRICH) 0 25 g MA Distéarate de glycol (EMPILAN D 2039 de ALBRIGHT & WILSON) 2 g MA Chlorure de Sodium 1 g MA Conservateur q. s pH ajusté à 7 7 Eau q. s. p 100 g Les cheveux traités avec ce shampooing sont doux, lisses et se démêlent facilement EXEMPLE 3 On a préparé une composition d'après-shampooing à rincer de composition suivante :
Chlorure de béhényl triméthyl ammonium a 80 % dans un mélange eau/isopropanol (15/85) (GENAMIN KDMP de CLARIANT) 2 g MA Mélange alcool cétylstéarylique / alcool cétylstéarylique oxyéthyléné (30 OE) (EMPIWAX CL de ALBRIGHT & WILSON) ) 4 g MA Méthosulfate de méthyl suifamidoéthyl imidazolinium à 75 % de MA dans le propylène glycol (REWOQUAT W 75 PG de WITCO) 0 05 g MA
Terpolymère de chlorure de méthacrylamidopropyltriméthyl ammonium, d'acide acrylique et de méthacrylate de stéaryle (49% / 49% / 2% molaire) 0 75 g MA N-oléoyl dihydrosphingosine 0.01 g MA Conservateur q. s pH ajusté à 7 7 Eau q. s. p 100 g Les cheveux traités avec cet après-shampooing sont doux, lisses et se démêlent facilement.
Les ondes longitudinales parcourent l'émetteur 24B et produisent de proche en proche des dilatations radiales qui engendrent des ondes acoustiques se propageant dans le milieu réactionnel. Le résonateur 24 est mis en relation avec un boîtier de commande 26 par l'intermédiaire d'un fil conducteur 28. Le résonateur 24 ci-dessus peut être remplacé ou complété par un ou plusieurs résonateurs analogues disposés les uns au dessus des autres et constituant la paroi extérieure du réacteur, tels ceux commercialisés par la Société SODEVA sous la dénomination SONITUBE.
on va maintenant décrire le procédé mis en oeuvre au moyen de l'unité décrite ci-dessus.
On plonge tout d'abord le résonateur ultra-sonique 24 au sein du réacteur, puis on ferme le couvercle 14 de ce dernier. Puis, on introduit les billes 20 dans le réacteur 8 de sorte que celles-ci reposent par gravité sur la face supérieure de la grille 22.
on fait ensuite circuler à partir du bac 2 une solution à traiter contenant des métaux dissous. Le débit de liquide doit être suffisant afin que les billes métalliques 20 forment un lit fluidisé (LF) sur toute la hauteur duquel s'étend l'émet teur 24B.
La solution à traiter passe au travers des orifices ménagés dans la grille 22, qui assure l'homogénéisation du flux de cette solution.
Dès que ce lit fluidisé (LF) de billes est formé, on branche le résonateur 24 de manière à générer des ultra-sons dans le milieu réactionnel formé par la solution à traiter et les billes métalliques 20. L'action ultra-sonique est effective sur l'essentiel de la hauteur de ce lit fluidisé, puisque l'émetteur s'étend sur l'essentiel de la hauteur du fût 12.
Lorsque la solution à traiter entre en contact avec les billes, la réaction de cémentation s'opère. Les métaux cémenta- bles, c'est-à-dire les métaux dissous dans la solution, qui sont plus nobles que le zinc, se réduisent et, en fonction de leur nature, se déposent à la surface des billes 20.
Au fur et à mesure de la formation de ce dépôt, les ultra sons générés par le résonateur 24 provoquent le cisaillement de la couche de cément se trouvant à la surface des billes 20. Le cément est donc séparé de la surface extérieure des billes, et se trouve emporté par le flux ascendant de solution.
La solution purifiée et les céments se déversent alors par trop-plein dans la conduite 16 et sont dirigés vers l'entrée du décanteur 18. Ils sont alors séparés mutuellement par décanta tion, les céments 30 se déposant par gravité sur le fond du décanteur 18.
L'ensemble de la solution à traiter est passée dans le réacteur 8, et la solution purifiée en résultant peut éventuel lement être recyclée au sein du réacteur 8 afin de subir un traitement supplémentaire.
Un détecteur non représenté est de plus apte à signaler en cours de réaction, un niveau de billes 20 trop bas dans le réacteur 8. Ce détecteur provoque alors l'ouverture de la vanne à manchon 23B de sorte que des billes supplémentaires se déver sent dans le réacteur depuis le dispositif d'alimentation 23. On peut également rajouter manuellement les billes.
Pour mettre en oeuvre ce procédé de la manière optimale, l'homme de métier est à même de faire varier certaines condi- tions opératoires. La solution à traiter peut par exemple être réchauffée, de manière à obtenir une température favorable à la cinétique de réaction. De plus, l'utilisation du résonateur ultra-sonique 24 pourra être modulée en temps ou en puissance volumique en fonction de la nature de la solution à traiter. En effet, si cette dernière présente une concentration élevée en métaux dissous, la formation du cément sur la surface exté rieure d'une bille sera rapide. Il sera donc judicieux d'aug menter la puissance du résonateur de manière à permettre une séparation plus rapide du cément. L'homme de métier pourra également prévoir plusieurs résonateurs ultra-soniques qui seront disposés au sein du réacteur et/ou à l'extérieur des parois de celui-ci.
on va maintenant décrire ci-dessous trois exemples de mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention.
EXEMPLE 1 Une solution zincifère, dont la concentration en zinc est de 120 g/l, présente un pH de 3, 5 et comprend des métaux dissous parasites, à savoir du cuivre à raison de 42,5 ppm, du cadmium à raison 32,1 ppm, du cobalt à raison de 10,4 ppm et du nickel à raison de 2,5 ppm.
Un réacteur dont le f-ût est constitué par un résonateur conforme à ceux commercialisés par la Société SODEVA sous la dénomination SONITUBE, est chargé de billes de zinc de diamètre compris entre 1 et 2,5 mm.
La solution finale ainsi obtenue, présente une concentra tion en cuivre de 0,25 ppm soit un appauvrissement moyen de 99,4%, une concentration en cadmium de 1 ppm soit un appau vrissement moyen de 97%, une concentration en cobalt de 7 ppm soit un appauvrissement moyen de 33 % et une concentration en nickel de 1,3 ppm soit un appauvrissement moyen de 50 %.
Les racines huitièmes primitives de l'unité sont : b, b3, b5 et b7.
La figure 4 illustre G, = g, 2sur une branche avec un facteur premier p congru à 65 (mod 128), c' est-à-dire, t = 6, ainsi que k = 4 et u = 2.
Voici un premier jeu de clé GQ2 avec k = 6, soit v = 64, m = 3, soit trois nombres de base : g, =.3" g2 = 5 et g3 = 7, et/= 3, soit un module à trois facteurs premiers : deux congrus à 3 (mod 4) et un à 5 (mod 8). Notons que g = 2 est incompatible avec un facteur premier congru à 5 (mod 8).
p1 = 03CD2F4F21EOEAD60266D5CFCEBB6954683493E2E833 (2 P) --1 {3 IP) =+1 (5 IP) =-1 (7 IP) =+1 pz = 0583B097E8D8D777BAB3874F2E76659BB614F985EC1B (2 I P) - 1 (3 I P,) ~ ~1 (5 I PO ^ +1 (7 I P,) - 1 p3 = OC363CD93D6B3FEC78EE13D7BE9D84354B8FDD6DA1FD (2 Ip,) = -1 ; (3 lp,) = +1 ; (5 Ip) = +1 ; (7 Ip,) = +1 n =Pi .p2 p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lCAF28192CED6549FF457708D50A7481572DD5F2C335D8 C69E22521B510B64454FB7A19AEC8D06985558E764C6991B05FC2A C74D9743435AB4D7CFOFF6557 Q2 = CB1ED6B1DD649B89B9638DC33876C98AC7AF689E9D1359E4 DB 17563B9B3DC582D5271949F3DBASA70C 108F561 A274405ASCB8 82288273ADE67353A5BC316C093 Q3 = 09AA6F4930E51A70CCDFA77442B10770DD1CD77490E3398A AD9DC50249C34312915E55917A1ED4D83AA3D607E3EB5C8B197 69723 853 7FE7A0195C5E8373EB74D Voici d'autres valeurs possibles pour les composantes liées au facteur p3 lequel est congru à 5 (mod 8).
Voici une racine carrée de -1 dans CG(P3) : c = 2'p'-"" (mod p3) ~ OC3000933A8S4E4CB309213F12CADS9FA7AD77SAAC37 Q',,, = C . Q,.3 (mod/>3) = 050616671372B87DEC9AEEAC68A3948E9562F714D76C Q'2 3 = c . QZ 3 (mod p3) ~ 06F308B529C9CE88D037D01002E7C838439DACC9F8AA Q '3 3 = C . Q3 3 (mod p3) 015BE9F4B92FI950A69766069F788E45439497463D58 Ce qui donne : Q', = 676DF1BA369FF306F4A1001602BCESA008DB82882E87C148D0 D820A711121961 C93 76CB45C3 55945C5F2A9E5AFAAD7861886284A 9B319F9E4665211252D74580 Q = CAEC4F41752A228CF9B23B16B3921E47C059B9E0C68634C2C 64D6003156F30EF1BC02ADA25581C8FDE76AA14AB5CC60A2DE1C 565560B27E8AAOE6F4BCA7FE966 Q'3 = 2ACDF516 1 FE53B68CC7C 1 8B6AFE495815B46599F44C5 1 A6A A4E858B470E8E5C7D2200EF135239AFOB7230388A6A5BDD8EE15B OD094FC2BFA890BFDA669D973 5 Voici un second jeu de clés GQ2, avec k = 9, soit v = 512, m = 2, soit deux nombres de base : g, = 2 et g2 = 3, et/= 3, soit un module à trois facteurs premiers congrus à 3 (mod 4). p1 = 038S2103E40CD4F06FA7BAA9CC8D5BCE96E3984570CB (2 p,) ~ -1 ; (3 1 p) = -1 ; et on trouve bien, (6 1 P ) = +1. pz = 062AC9EC42AA3E688DC2BC871C8315CB939089B61DD7 (2 p2) ~ +1 ; (3 1 P2) = -1 ; et on trouve bien, (6\p2) =-1. p3 = OBCADEC219FIDFBB8AB5FE808AOFFCB53458284ED8E3 (2 p3) ~ -1 ; (3 1 p,) = + 1 ; et on trouve bien, (6 p3) ~ -1. n = PI . p2 . P3 = FFFFS401 ECD9E537F 167A80COA9111986F7A8EBA4D 6698AD68FF670DE5D9D77DFF00716DC7539F7CBBCF969E73AOC49
761B276A8E6B6977A2ID51669D039F1D7 Q1,1 = 0260BC7243C22450D566B5C6EF74AA29F2B927AF68E1 Q2,1 = 0326C12FC7991ECDC9BB8D7C1C4501BE1BAE9485300E Q1,2 = 02DOB4CC95A2DD435DOE22BFBB29C59418306F6CDOOA Q2,2 = 045ECB881387582E7C556887784D2671CA118E22FCF2 Q,,3 = BOC2BIF808D24F6376E3A534EB555EF54E6AEF5982 Q2,3 = OAB9F81DF462F58A52D937E6D81F48FFA4A87A9935AB Q1 = 27F7B9FC82C19ACAE47F3FE9560C3536A7E90F8C3C51E13C 35F32FD8C6823DF753685DD63555D2146FCDB9B28DA367327DD6 EDDA092DOCF 108DOAB708405DA46 Q2 = 230DOB9595E5AD388F1F447A69918905EBFB05910582E5BA64 9C94BOB2661 E49DF3 C9B42FEF 1 F37A7909B 1 C2DD54113ACF87C6 FI1F19874DE7DC5D1DF2A9252D Dans la présente demande, on a décrit un procédé pour produire des jeux de clés GQ2, à savoir, des modules n et des couples de valeurs publique G et privée Q dans le cas où l'exposant v est égal à 2k. Ces jeux de clés sont utilisés pour mettre en #uvre un procédé destiné à prouver l'authenticité d'une entité et/ou l'intégrité et/ou l'authenticité d'un message ainsi que cela a été décrit.
Dans les demandes pendantes déposées le même jour que la présente demande par France Télécom, TDF et la Société Math RiZK et ayant pour inventeurs Louis Guillou et Jean-Jacques Quisquater, les traits caractéristiques des procédés, systèmes et dispositifs destinés à prouver l'authenticité d'une entité et/ou l'intégrité et/ou l'authenticité d'un message ont été revendiqués. Ces deux demandes sont incorporées ici par référence.
UTILISATION, DANS LES COMPOSITIONS COSMETIQUES, DE POLYORGANOSILOXANE FONCTIONNALISE COMME AGENT MOUILLANT ET DISPERSANT DES PARTICULES MINERALES HYDROPHOBES EN PHASE ORGANIQUE La présente invention a pour objet l'utilisation de polyorganosiloxane fonctionnalisé, comme agent mouillant et dispersant de particules solides hydrophobes minérales dans une phase organique.
La Demanderesse a déjà décrit dans sa demande internationale PCT/FR98/01700, une composition cosmétique comprenant au moins un polyorganosiloxane fonctionnalisé linéaire de formule (I) (I) (R1) (R2) (R3) Si - 0 - [Si (R4) (Z) - Oln - [Si (R5) (R6) - O]m - Si (R7) (R8) (R9) ou cyclique de formule (I') où - - dans la formule (I) # n est un nombre entier ou décimal pouvant aller de 0 à 5, de préférence égal à 0 ou 1, au moins un des radicaux R1 et R9 représentant le symbole Z lorsque n est égal à 0, # m est un nombre entier ou décimal pouvant aller de 0 à 5, de préférence égal 0, - dans la formule (I') # n est un nombre entier ou décimal pouvant aller de 1 à 5, de préférence égal à 1, # m est un nombre entier ou décimal pouvant aller de 1 à 5, avec n+m au moins égal à 3, - dans les formules (I) et (l') # les symboles R1 et R9 sont semblables ou différents et représentent le symbole Z ou un radical alkyle contenant de 1 à 8 atomes de carbone, de préférence 1 ou 2 atome (s) de carbone, tout particulièrement 1 atome de carbone, # les symboles R2, R3, R4, R5, R6, R7 et R8 sont semblables ou différents et représentent un radical alkyle contenant de 1 à 8 atomes de carbone, de préférence 1 ou 2 atome (s) carbone, tout particulièrement 1 atome de carbone, # le symbole Z représente
# un radical halogénoaliphatique linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, en C6C20, notamment chloro ou fluoroaliphatique, # un radical -X-Y, où X représente un groupement polyvalent aliphatique saturé ou insaturé, linéaire ou ramifié contenant de 2 à 10 atomes de carbone, et Y représente un radical aryle, de préférence en C6, éventuellement substitué par au moins un groupe alkyle en Cl-C8 ou aryle en C6 ou un atome d'halogène (notamment chlore ou fluor), un radical cycloaliphatique en C5-C6 éthyléniquement insaturé éventuellement substitué par au moins un groupe alkyle en C1-CS ou un atome d'halogène (notamment chlore ou fluor), un radical cycloaliphatique en C5-C6 saturé substitué par au moins un atome d'halogène (notamment chlore ou fluor), un radical hétérocyclique hydrocarboné en C4-C9 contenant au moins un hétéroatome d'azote et/ou oxygène et/ou de soufre, radical éventuellement substitué par au moins un groupe alkyle en Cl-C8 ou aryle en C6 ou un atome d'halogène (notamment chlore ou fluor), ledit symbole Z pouvant en outre représenter un radical phényl (directement lié au silicium) lorsque n+m est égal à 0 ; La demande internationale ci-dessus décrit également l'utilisation dudit polyorganosiloxane fonctionnalisé de formule (I) ou (l') comme émollient et/ou véhicule et/ou agent anti-transfert dans les compositions cosmétiques pour la peau et/ou le cheveu Les polyorganosiloxanes fonctionnalisés de formule (I) ou (l') présentent dans l'espace de solubilité de Hansen les paramètres suivants #D d'interactions London allant de 8 à 21 (J/cm3)1/2 . gap d'interactions Keesom supérieur à 0 et pouvant aller jusqu'à 25 (J/cm3)1/2 #H de liaison hydrogène allant de 0 à 23 (J/cm3)1/2 .
L'espace tridimensionnel de solubilité, dans lequel prennent place les solvants et toutes les molécules organiques, est défini par CM Hansen dans "The three dimensionnal solubility parameters" J. Paint Technol 39, 105 (1967) , 8D, 8p et ah représentent les paramètres de solubilité partiels reliés respectivement aux forces de dispersion de London, de polarité de Keesom et de liaison hydrogène, sachant que ces paramètres partiels sont les composants du paramètre de solubilité global 8, dit de Hildebrand, relié à la cohésion volumique de la molécule.
Il est mentionné que lesdites compositions cosmétiques peuvent contenir des poudres ou des particules minérales comme du carbonate de calcium, des oxydes minéraux sous forme de poudre ou sous forme colloïdale (particules de taille inférieure
ou de l'ordre de un micromètre, parfois de quelque dizaines de nanomètres) comme du dioxyde de titane, de la silice, des sels d'aluminium utilisés généralement comme antiperspirants, du kaolin, du talc, des argiles et leurs dérivés et tous pigments minéraux utilisés dans les formulations de maquillage.
Il est également mentionné qu'on peut ajouter à ces compositions des filtres solaires organiques ou minéraux comme le dioxyde de titane, l'oxyde de zinc ou les oxydes de cénum sous forme de poudre ou de particules colloïdales, ces poudres pouvant éventuellement être traitées en surface pour augmenter l'efficacité de leur action anti-UV ou pour faciliter leur incorporation dans les formulations cosmétiques ou pour inhiber la photoréactivité de surface.
Les polyorganosiloxanes sont décrits comme étant des agents émollients et/ou véhicules et/ou agents anti-transfert dans les compositions cosmétiques, et comme étant de bons solubilisants des filtres solaires organiques.
La Demanderesse a maintenant trouvé que lorsque lesdites compositions cosmétiques comprennent une phase organique et des particules solides hydrophobes minérales, la présence dans lesdites compositions d'au moins un polyorganosiloxane fonctionnalisé linéaire de formule (1) ou cyclique de formule (I') donnée ci-dessus permet d'améliorer la mouillabilité et la dispersibilité desdites particules minérales hydrophobes dans ladite phase organique Un premier objet de l'invention consiste donc en l'utilisation, dans une composition cosmétique comprenant des particules solides hydrophobes minérales et une phase organique, d'au moins un polyorganosiloxane fonctionnalisé linéaire de formule (1) ou cyclique de formule (I') donnée ci-dessus, comme agent améliorant la mouillabilité et la dispersibilité des particules solides hydrophobes minérales dans ladite phase organique Un deuxième objet de l'invention consiste en un procédé pour améliorer la mouillabilité et la dispersibilité de particules solides minérales hydrophobes dans une phase organique comprise dans une composition cosmétique, par mise en #uvre dans ladite phase organique, d'au moins un polyorganosiloxane fonctionnalisé linéaire de formule (1) ou cyclique de formule (I') donnée ci-dessus.
Les analyses d'expression du transcrit de séquence SEQ ID N 5 ont été réalisées par RT PCR, comme décrit dans l'Exemple 1. Ces analyses effectuées à partir d'ARN polyA+de différents tissus ont permis de montrer que le gène GS915574 était exprimé dans le cerveau foetal, l'utérus, le cerveau, le c#ur, la prostate, le foie foetal, le foie, le placenta, le testicule et le rein.
Ce gène constitue un candidat positionnel causal d'une maladie due à un dysfonctionnement du flux inverse du cholestérol, et plus particulièrement de la maladie de Tangier ou encore des déficiences familiales en HDL.
Gène GS930321 Acide(s) nucléique(s) Il a été isolé selon l'invention un ARN messager correspondant à un transcrit du gène désigné ici sous le n GS930321.
La séquence nucléique de l'ADNc correspondant à ce transcrit constitue la séquence SEQ ID N 6.
La séquence SEQ ID N 6 a une longueur de 280 nucléotides.
Aucune identité de séquence n'a été retrouvée lors d'une recherche dans la base de données GenBank (Version 110).
Les analyses d'expression du transcrit de séquence SEQ ID N 6 ont été réalisées par RT PCR, comme décrit dans l'Exemple 1. Ces analyses effectuées à partir d'ARN polyA+de différents tissus ont permis de montrer que le gène GS930321 était exprimé dans le cerveau foetal, le foie et le coeur.
Gène S931 311.
Acide(s) nucléique(s) Il a été isolé selon l'invention un ARN messager correspondant à un transcrit du gène désigné ici sous le n GS931311.
La séquence nucléique de l'ADNc correspondant à ce transcrit constitue la séquence SEQ ID N 7.
La séquence SEQ ID N 7 a une longueur de 479 nucléotides.
Cette séquence comprend un cadre ouvert de lecture (ORF) partiel allant du nucléotide en position 3 au nucléotide en position 98 de la séquence SEQ ID NO 7 Aucune identité de séquence n'a été retrouvée lors d'une recherche dans la base de données GenBank (Version 110).
Les analyses d'expression du transcrit de séquence SEQ ID N 7 ont été réalisées par RT PCR, comme décrit dans l'Exemple 1. Ces analyses effectuées à partir d'ARN polyA+de différents tissus ont permis de montrer que le gène GS931311 était exprimé dans le cerveau foetal, le foie, le c#ur, le placenta, le testicule et le rein.
Polypeptide codé par l'acide nucléique de séquence SEQ ID NO 7 Le cadre ouvert de lecture partiel de la séquence d'acides nucléique SEQ ID N 7 code potentiellement pour un polypeptide de 32 aminoacides de longueur constituant la séquence SEQ ID N 76.
Dans la vue en plan de la structure de montage 41, une pluralité de bosses de soudure 47 sont agencées en une forme de grille sauf pour la partie centrale, de manière similaire aux bosses de soudure 45. Une résine d'amortissement de contrainte 48 faite de résine époxy est interposée entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43.
Ce qui suit est un procédé de montage du dispositif à circuit intégré 44 sur la carte de montage 42, dans une structure de montage de ce type 41. Tout d'abord, le dispositif à circuit intégré 44 est placé par l'intermédiaire de la bosse de soudure 47 sur la carte formant dispositif d'interposition 43. Ensuite, la résine d'amortissement de contrainte 48 est injectée entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43. Après cela, la carte formant dispositif d'interposition 43 est placée par l'intermédiaire de la bosse de soudure 45 sur la carte de montage 42. Après cela, la résine d'amortissement de contrainte 46 est injectée entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43.
A propos, dans ce type de structure de montage du dispositif à circuit intégré, il y a une variation de température entre un instant de la tâche de montage et un instant après la tâche de montage ou entre un fonctionnement du dispositif et un non-fonctionnement du dispositif. En conséquence, si des dilatations ou des contractions libres du dispositif à circuit intégré 44, de la carte formant dispositif d'interposition 43 et de la carte de montage 42 sont entravées à cause d'une différence entre les coefficients de dilatation thermique des matières respectives, une tension et une compression sont appliquées au dispositif à circuit intégré 44 et aux deux cartes 42, 43. Ainsi, cela a pour conséquence l'apparition d'une contrainte thermique correspondant à la distorsion correspondant à la déformation provoquée par la tension et la compression précédemment mentionnées.
Dans ce cas, si les zones de connexion (contact) des bosses de soudure respectives 45, 47 avec la carte de montage 42, la carte formant dispositif d'interposition 43 et le dispositif à circuit intégré 44 sont égales, la contrainte thermique est répartie de manière uniforme vers et à l'écart des bosses de soudure respectives 45, 47, à une température normale. On peut le comprendre à partir de la figure 2 qui représente la relation entre une contrainte par bosse (plage de contact) (un axe vertical) et le nombre de plages de contact totales relatives (un axe horizontal).
Ainsi, le dispositif à circuit intégré 44 en même temps que les résines d'amortissement de contrainte 46, 48 peuvent être retenus par l'intermédiaire de la carte formant dispositif d'interposition 43 sur la carte de montage 42 par les bosses de soudure 45, 47 jusqu'à ce que- des contraintes appliquées aux bosses de soudure 45, 47 atteignent des seuils d'écoulement des matières des bosses de soudure 45, 47.
Dans la structure de montage classique du dispositif à circuit intégré, les résines d'amortissement de contrainte 46, 48 sont injectées et interposées dans un espacement entre la carte de montage 42 et la carte formant dispositif d'interposition 43 aussi bien que dans un espacement entre le dispositif à circuit intégré 44 et la carte formant dispositif d'interposition 43. Ainsi, ces résines d'amortissement de contrainte 46, 48 ne peuvent pas être remplies dans les espacements. C'est-à-dire qu'il est impossible de placer de manière sûre la résine d'amortissement de contrainte dans une position souhaitable dans les espacements. En outre, il est impossible d'atteindre l'excellente résistance de connexion à atteindre par les bosses de soudure 45, 47.