REVENDICATIONS i. Procédé de commande d'un détecteur d'image comportant une matrice (2) de points photosensibles (P1 à P9), les points photosensiEles étant agencés en au moins une ligne (Li) et en au moins une colonne (CL1) et comprenant chacun un élément interrupteur (T) coopérant avec une photodiode (Dp), le procédé consistant à polariser les photodiodes en inverse avant d'exposer la matrice (2) à un signal lumineux dit utile durant une phase de prise d'image (Phi), puis à lire les points photosensibles (P1 à P9) dans une phase de lecture (PHL) survenant après la phase de prise d'image (Phi), ledit procédé est caractérisé en ce qu'il consiste en outre d'une part, au moins une fois avant la phase de prise d'image (Phi), à réaliser une phase dite de saturation des pièges (PhS) au cours de laquelle est appliquée aux photodiodes (Dp) une tension (Vd, Vd2) dite de polarisation directe servant à les polariser dans leur sens de conduction direct et à provoquer dans ces dernières la circulation d'un courant dans leur sens de conduction direct, et d'autre part à utiliser des éléments interrupteurs (T) d'un type dit bidirectionnel. 2. Procédé suivant la revendication i, caractérisé en ce que les éléments interrupteurs (T) sont des transistors. 3. Procédé suivant l'une des revendications précédentes, les photodiodes (Dp) étant reliées chacune par une première de leurs deux extrémités (anode ou cathode) à l'élément interrupteur (T) dont elle reçoivent, quand ce dernier est mis à l'état passant, un premier potentiel (Vr) dit potentiel de référence, les photodiodes (Dp) recevant par leur seconde extrémité un second potentiel (-Vpi) déterminant avec le potentiel de référence (Vr) une tension dite de polarisation inverse (Vpi) permettant de polariser les photodiodes dans un sens inverse à leur conduction, caractérisé en ce que dans le cours de la phase de saturation de pièges (PHS), d'une part il consiste à mettre les éléments interrupteurs (T) à l'état passant' et d'autre part il consiste à remplacer le second potentiel (-Vpi) par un troisième potentiel (+Vd) dont le signe par rapport au potentiel de référence (Vr) est contraire de celui présenté par le second potentiel (-Vpi), de manière à déterminer une tension dite de polarisation directe (Vd) servant à polariser les photodiodes (Dp) dans leur sens de conduction direct. 4. Procédé suivant la revendication 3, le potentiel de référence (Vr) étant appliqué aux éléments interrupteurs (T) par l'intermédiaire d'un amplificateur (G1 à G3), caractérisé en ce que il consiste, dans le cours de la phase de saturation des pièges (PHS), à déconnecter les amplificateurs (G1 à G3) des éléments interrupteurs (T) et à appliquer directement à ces derniers le potentiel de référence (Vr). 5. Procédé suivant l'une des revendications 1 ou 2 ou 3, les photodiodes (Dp) étant reliées chacune par une première de leurs deux extrémités (anode ou cathode) à l'élément interrupteur (T) dont elle reçoivent, quand ce dernier est mis à l'état passant: un premier potentiel (Vr) dit potentiel de référence, les photodiodes (Dp) recevant par leur seconde extrémité un second potentiel (-Vpi) déterminant avec le potentiel de référence (Vr) une tension dite de polarisation inverse (Vpi) permettant de polariser les photodiodes dans un sens inverse à leur conduction, caractérisé en ce que dans le cours de la phase de saturation de pièges (PhS), d'une part il consiste à mettre les éléments interrupteurs (T) à l'état passant" et d'autre part il consiste à remplacer le potentiel de référence (Vr) par un quatrième potentiel (-Vd2) ayant par rapport au potentiel de référence (Vr), un même signe que le second potentiel (-Vpi) et une valeur plus grande, de manière à constituer une seconde tension de polarisation directe (Vd2) par laquelle les photodiodes (Dp) sont polarisées dans leur sens de conduction direct. 6. Procédé suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer aux photodiodes (Dp) une tension de polarisation directe (Vd, Vd2) par l'intermédiaire d'une résistance (RL) dite de limitation, disposée en série avec les photodiodes (Dp). 7. Procédé suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que dans la phase de saturation des pièges (PHS), il consiste à appliquer une tension de polarisation directe (Vd, Vd2) simultanément à toutes les photodiodes (Dp) de la matrice (2). 8. Procédé suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste à polariser en inverse les photodiodes (Dp) entre la phase de saturation des pièges (PHS) et la phase de prise d'image (PHi). 9. Procédé suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'il consiste à maintenir à l'état 'passant" les transistors (T) , après l'application d'une tension de polarisation directe (Vd, Vd2) aux photodiodes (Dp). 10. Détecteur d'image mettant en oeuvre le procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant un circuit de commande (3), une source de tension (S1) délivrant une tension dite de polarisation inverse (Vpi), une matrice (2) de points photosensibles (P1 à P9) agencés en lignes (au moins une ligne) et en colonnes (au moins une colonne), chaque point photosensible étant situé au croisement d'une ligne (L1 à L3) et d'une colonne (CLI à CL3) et comprenant un élément interrupteur (T) coopérant avec une photodiode (Dp), chaque photodiode (Dp) étant polarisée en inverse par la tension de polarisation inverse (Vpi) avant une phase de prise d'image (Phi), caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens de commutation (Cm, Cal à Ca3, Cbl à Cb3) et au moins une deuxième source de tension (S2) coopérant avec le circuit de commande (3) pour appliquer aux photodiode (Dp), dans une phase dite de saturation des pièges (PHS) survenant avant la phase de prise d'image (Phi), une tension de polarisation directe (Vd, Vd2) polarisant les photodiodes dans leur sens de conduction direct et déterminant dans ces dernières le passage d'un courant (i2) dans leur sens de conduction direct. il. Détecteur d'image suivant la revendication 10, caractérisé en ce que les éléments interrupteurs (T) sont d'un type bidirectionnel. 12. Détecteur d'image suivant la revendication 11, caractérisé en ce que les éléments interrupteurs (T) sont des transistors. 13. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications 10 à 12, les photodiodes (Dp) étant reliées chacune par une première de leurs deux extrémités (anode ou cathode) à l'élément interrupteur (T) dont elle reçoivent, quand ce dernier est mis dans un état passant" un premier potentiel (Vr) dit potentiel de référence, les photodiodes (Dp) recevant par leur seconde extrémité un deuxième potentiel (-Vpi) déterminant avec le potentiel de référence (Vr) la tension de polarisation inverse (Vpi), caractérisé en ce que les moyens de commutation (Cm, Cal à Ca3, Cbl à Cb3) comportent un circuit de commutation (Cm) permettant de remplacer le deuxième potentiel (-Vpi) par un troisième potentiel (+Vd) formant1 avec le potentiel de référence (Vr), une tension de polarisation directeVd) des photodiodes (Dp). 14. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que les moyens de commutation (Cm, Cal à Ca3, Cbl à Cb3) comportent des premiers éléments commutateurs (Cal à Ca3) permettant d'appliquer la tension de référence (Vr) aux éléments interrupteurs (T) d'une manière directe. 15. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications 10 à 12, les photodiodes (Dp) étant reliées chacune par une première de leurs deux extrémités (anode ou cathode) à l'élément interrupteur (T) dont elle reçoivent, quand ce dernier est mis dans un état passant" un premier potentiel (Vr) dit potentiel de référence, les photodiodes (Dp) recevant par leur seconde extrémité un deuxième potentiel (-Vpi) déterminant avec le potentiel de référence (Vr) la tension de polarisation inverse (Vpi), caractérisé en ce que les moyens de commutation (Cm, Cal à Ca3, Cb1 à Cb3) comportent des seconds éléments commutateurs (cob1 à Cb3) permettant de remplacer le premier potentiel (Vr) par un quatrième potentiel (-Vd2) formant, avec le deuxième potentiel (-Vpi), une seconde tension de polarisation directe (Vd2) des photodiodes (Dp). 16. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce qu'une résistance (RL) est disposée en série dans le circuit (S2, Cm, Cbl à Cb3, T) servant à appliquer la tension de polarisation directe (Vd, Vd2) aux photodiodes (Dp). 17. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que le détecteur d'image étant destiné à la détection d'images radiographiques, il comporte un écran scintillateur (9) convertissant un rayonnement X en un rayonnement dans la bande de longueurs d'onde auxquelles sont sensibles les photodiodes (Dp).