INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La tension de collecteur du transistor 108 augmente et rend non conducteur le transistor 114. Le courant passant dans le transistor 112 circule également dans le transistor configuré en diode 132 et une résistance 134. Le courant passant dans le transistor 132 est reproduit en miroir dans le transistor 136 et passe dans une résistance 138, une résistance 140, le transistor configuré en diode 142 et une résistance 144. Une tension VBLAS2 s'établit sur le collecteur du transistor 142 de façon à valider l'étage oscillateur 74. Le transistor 114 étant non conducteur, aucun courant ne circule dans les transistors 116, 120 et 126. La tension VBIAS1 est fixée à un niveau bas, insuffisant pour valider l'étage oscillateur 50. Ainsi, la combinaison des transistors 112, 108, 104 et 114 fonctionne comme un amplificateur différentiel qui dirige le courant de référence IREF sur le collecteur du tran sistor 132 ou 116 en fonction du niveau du signal SELECTEUR DE BANDE. Les bases des transistors 112 et 114 sont les entrées et les collecteurs sont les sorties de l'amplificateur différentiel. Les résistances 100, 102 et 106 et le transistor 104 fixent le point de commutation du signal SELECTEUR DE BANDE aux environs de 1,7 V.
En résumé, l'invention produit un oscillateur commandé par tension du type multibande qui possède un certain nombre d'étages oscillateurs qui sont chacun accordés sur une bande de fréquence particulière. Un circuit de polarisation fonctionne sous commande d'un signal SELECTEUR DE BANDE afin de valider les étages oscillateurs d'une manière mutuellement exclusive. Puisque chaque étage oscillateur comporte un unique varactor de réglage d'accord, l'oscillateur commandé par tension utilise un seul varactor par bande de fréquence. Il n'existe qu'un seul signal de commande d'accord pour toutes les bandes. L'oscillateur commandé par tension ne subit sensiblement aucune dégradation en ce qui concerne le bruit de phase, puisque la polarisation de réglage d'accord est maintenue très basse, chaque résonateur étant séparément validé et optimisé sur une bande de fréquence voulue. La faible impédance existant sur le noeud commun des étages oscillateurs sélectionné et non sélectionné empêche les étages oscillateurs d'interférer entre eux. Les étages oscillateurs pouvant être sélectionnés qui sont chacun accordés sur une fréquence particulière permettent à l'oscillateur commandé par tension (VCO) de supporter les multiples normes de fréquence sans que ceci complique la conception des étages oscillateurs ou n'introduise un bruit de phase non souhaitable. Lorsque l'oscillateur commandé par tension de type multibande est incorporé dans un boîtier de circuit intégré, une seule broche externe est nécessaire pour la sortie de l'oscillateur local, ce qui est très souhaitable pour l'obtention de semiconducteurs à coût réduit et à degré d'intégration élevé.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du dispositif et du procédé dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention.
PROCÉDÉ POUR ÉMETTRE DES SIGNAUX ACOUSTIQUES A PARTIR D'UNE CARTE A MÉMOIRE OU A PUCE, ET CARTE POUR LA MISE EN OEUVRE DU PROCÉDÉ L'invention concerne un procédé pour émettre des signaux acoustiques à partir d'une carte à mémoire ou à puce.
I1 est maintenant courant d'utiliser une carte à mémoire ou à puce comme clé d'accès à un service ou comme moyen de transfert de données. Lorsque cet accès ou ce transfert se fait à distance, il est également connu d'utiliser des cartes dites vocales où les données sont transmises sur une ligne téléphonique par couplage acoustique avec un téléphone.
Une carte vocale est notamment décrite dans le document EP-A-O 664 633 où les données sont converties en signaux acoustiques au moyen d'un transducteur piézoélectrique logé dans la carte, et ces signaux sont émis sous forme vocale par le transducteur et transmis sur la ligne téléphonique au travers du microphone du téléphone.
Un tel procédé est commode à mettre en oeuvre. II conduit à des nanocapsules de taille inférieure à 1000 nanomètres, de préférence à 500 nanomètres.
La stabilité en suspension colloïdale de ces nanocapsules est avérée. Elle confère au principe actif qu'elles sont susceptibles d'encapsuler soit dans leur coeur, soit par adsorption sur leur paroi, une protection au stockage ainsi que lors de leur transport vers leur site d'action. Ces nanoparticules sont en effet tout à fait appropriées pour être utilisées comme système colloïdal de vectorisation de principes actifs, notamment pharmaceutiques. Ces nanocapsules ne sont pas toxiques aussi bien au stade du produit fini qu'au stade méthodologique au travers des matériaux et dispositifs mis en oeuvre pour leur obtention.
Le fait d'utiliser une huile, une émulsion du type huile dans eau et une solidification de la coque polymère par une extraction de solvant reposant sur l'instauration de conditions de solubilisation ou de miscibilité dans la phase continue non huileuse, sont des éléments tout à fait novateurs qui traduisent le mérite et le caractère inventif du procédé ici considéré.
L'activité inventive est encore renforcée par le fait qu'il n'était absolument pas prédictible que le polymère se solidifie à l'interface selon une structure pariétale. La solidification aurait pu, par exemple, intervenir dans la masse de la phase hétérogène, de préférence huileuse.
Les notions de solubilité et de miscibilité auxquelles on se réfère, à titre d'exemple non limitatif, dans le cadre de la présente sont explicitées notamment au chapitre 14 page 340 et suivantes de l'ouvrage PHARMACOPEE GMP.
On reviendra plus en détail ci-après sur l'étape O du procédé selon l'invention consistant dans le choix des matières premières S1, S2, S3, PE et éventuellement PA.
Dans l'étape (D, on prépare une première phase liquide homogène I en dissolvant le polymère d'enveloppe PE et le liquide S3, de préférence huileux, et éventuellement le principe actif PA dans le solvant S1.
Conformément à l'invention, ce dernier peut être employé pur ou être constitué par une solution du non-solvant S2 dans S1.
Dans un tel cas de figure, il est préférable (sans que cela ne soit limitatif) que cette solution de S2 dans S" soit saturée en S2. Cela rend plus commode l'étape (3) d'émulsification de la phase I dans la phase Il, puisque cela supprime le temps de latence induit par l'amenée à saturation de S2 dans Sl. La saturation mutuelle des solvants favorise le processus d'émulsification.
En pratique, cette étape (D, est réalisée de manière conventionnelle, dans des conteneurs, de préférence équipés de moyens d'agitation. Cette étape s'effectue avantageusement à température ambiante et à pression atmosphérique.
L'étape 3 du procédé selon l'invention est celle au cours de laquelle, on prépare la deuxième phase liquide homogène II. Cette phase II est caractérisée en ce qu'elle comprend le solvant S2 et en ce que elle constitue un milieu dans lequel S, et plus généralement la phase I peut être émulsifiée.
Selon une variante 3' de cette étape (3, on prépare une phase II comprenant exclusivement S2 ou constituée par une solution de S, dans S2, S, n'étant pas à saturation. Dans un tel cas de figure, on fait en sorte que dans l'étape Os, les quantités de phase I et II (Volumes totaux en Sl et S2) mises en oeuvre soient en proportions telles que se forme l'émulsion de I dans II. Dans cette variante 3', il faut donc tout d'abord que la phase I mélangée à la phase II, amène S, à saturation dans S2, avant que l'émulsion HI se produise. Cela allonge d'autant l'étape t3) comme dans le cas évoqué ci-dessus, où la phase I n'est pas formée par une solution non-saturée de S2 dans Sl.
Dans une variante 3" de l'étape (3, on prépare une phase II à base de S2 et comprenant: - a - soit S1 à saturation - b - soit au moins un agent A apte à rendre S, non miscible à S2 - c - soit la combinaison de a et de b.
Dans cette variante, les sous-variantes a, b, c ont pour vocation d'améliorer la formation de l'émulsion et, dans le meilleur des cas, de permettre à celle-ci de se produire instantanément après le mélange des phases I et II.
En tout état de cause conformément à l'invention, on privilégie le mode opératoire selon lequel, lors du mélange des phases I et II, le solvant S, et le non-solvant S2 ne sont que partiellement miscibles l'un à l'autre.
En pratique, on utilise, de préférence, dans la phase I une solution de S1 saturée en et dans la phase II une solution de S2 saturée en L'étape 3 se déroule idéalement avec les mêmes moyens matériels et dans les mêmes conditions de température et de pression que l'étape (2). Il en va d'ailleurs de même en ce qui concerne les étapes 4 et Os de mise en présence et d'émulsification des phases I et II.
Le montage en parallèle de plusieurs structures multipolaires selon l'invention permet d'augmenter l'intensité du signal en sortie de cette même structure. La réalisation d'une telle structure passe par la réalisation de certaines parties de la structure de manière individuelle, puis par une étape d'assemblage de ces parties, en parallèle.
On peut associer aux structures multipolaires selon l'invention des moyens de polarisation des micropoutres conductrices. De même, on peut leur associer des moyens pour introduire des ions ou des particules chargées suivant une direction définie par l'axe, ou les axes, longitudinal/longitudinaux.
Selon un mode particulier de réalisation, chaque micropoutre peut être réalisée dans un substrat plan et maintenue dans le plan du substrat par des barrettes de sustentation.
Le microdispositif peut comporter: - au moins une première et une deuxième plaques en matériau isolant ou semiconducteur, - des moyens permettant de maintenir les plaques parallèles, à une certaine distance l'une de l'autre, - des zones gravées dans chaque plaque pour y définir des micropoutres.
Le microdispositif comporte par exemple - une première, une deuxième et une troisième plaques, en matériau isolant ou semiconducteur, - des moyens permettant de maintenir parallèles les première et deuxième plaques, à une certaine distance l'une de l'autre, - des moyens permettant de maintenir parallèles les deuxième et troisième plaques, à une certaine distance l'une de l'autre, - des zones gravées dans chaque plaque y définissant les micropoutres.
Les moyens pour maintenir les plaques parallèles entre elles peuvent en outre permettre un alignement desdites plaques de manière à obtenir le champ multipolaire souhaité. Par exemple, ces moyens sont des entretoises disposées dans des encoches réalisées dans les plaques pour assurer cet alignement.
Ces structures sont tout à fait compatibles avec une réalisation collective et extrêmement précise (à environ + 1um), pouvant être mise en oeuvre avec des techniques de gravure et de travail de substrats connues en micro-électronique.
L'invention a également pour objet un spectromètre de masse comportant un microdispositif selon l'invention, tel qu'exposé ci-dessus, des moyens pour y introduire des ions et des moyens de détection.
Enfin, l'invention a pour objet un procédé de réalisation d'un microdispositif pour générer un champ multipolaire transversal et en particulier un microdispositif de filtrage ou de déviation ou de focalisation de particules chargées, comportant les étapes suivantes - gravure de P substrats en matériau isolant ou semiconducteur de manière à définir, dans chaque substrat, une ou plusieurs micropoutres, - métallisation des micropoutres, - assemblage des P substrats gravés, en parallèle les uns des autres.
Brève description des figures De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels - la figure 1 représente schématiquement un analyseur de masse de type quadrupolaire, - la figure 2 illustre la réalisation de quadrupôles à l'aide d'électrodes hyperboliques ou cylindriques, - la figure 3 représente la réalisation d'un quadrupôle selon l'invention, - les figures 4A et 4B représentent, en coupe et en vue de dessus, une réalisation détaillée d'un système quadrupolaire selon l'invention, - la figure 5 représente schématiquement une échelle de micropoutres, - la figure 6 est une vue en plan d'un ensemble de quadrupôles fonctionnant en parallèle, - les figures A et 7B représentent, en coupe et en vue de dessus, un quadrupôle multiple selon l'invention, usiné par microtechnologie, - les figures 8A à 8C représentent des résultats de simulation de filtrage, autour de la masse M=10 à l'aide d'un spectromètre à barreaux cylindriques, - les figures 9A et 9B représentent des potentiels obtenus avec des barreaux cylindriques (figure 9A) ou à section carrée (figure 9B), - les figures 10A à 10C représentent des résultats de simulation de filtrage, autour de la masse M=10 à l'aide d'un spectromètre à barreaux à section carrée.
Description détaillée de modes de réalisation de l'invention Une structure pour la réalisation d'un quadrupôle selon l'invention est illustrée sur la figure 3. Selon cette structure, des électrodes 32, 34, 36, 38, à section droite polygonale, sont disposées parallèlement les unes aux autres, et de manière symétrique par rapport à un axe AA'. La section polygonale représentée en figure 3 est une section carrée, mais d'autres sections polygonales (pentagone, hexagone, etc...) peuvent être réalisée dans le cadre de l'invention. Dans le cas d'une section carrée, le côté du carré vaut par exemple e=0,5 mm (ou moins) et l'électrode a par exemple une longueur de l'ordre de 10mm.
On donne plus loin des exemples pour lesquels les barreaux ont des épaisseurs d'environ 300um ou 500um.
Cet ensemble d'électrode constitue une structure quadrupolaire pouvant être mise en oeuvre, par exemple dans le cadre d'un spectromètre de masse.
Une telle structure quadrupolaire est alors couplée d'une part à une source d'ions (située à une extrémité de la structure quadrupolaire) et d'autre part à un système de détection d'ions (situé à l'autre extrémité de la structure quadrupolaire) . Des exemples de telles sources d'ions et de tels systèmes de détection sont décrits dans l'ouvrage "Technique de l'Ingénieur", volume P3, P2615, pages 1-39.
Chacune des électrodes est reliée à des moyens pour lui appliquer un certain potentiel. il en résulte un champ électrique dans l'espace entre les quatre électrodes, et autour de l'axe AA'. Si le champ électrique généré est un champ électrique quadrupolaire, son amplitude sera une fonction linéaire des coordonnées X, Y, Z.
Lorsque le quadrupôle sert de filtre ou de moyen de déviation ou de focalisation du faisceau de particules 40, le potentiel V comprend en outre une composante dépendante du temps (terme en cos ot) qui permet de faire osciller les particules chargées.
Dans un quadrupôle servant de filtre ou de moyen de focalisation ou de déviation, le potentiel V comprend en outre une composante dépendante du temps (terme en cos ot) qui sert à faire osciller les particules chargées. Les lignes équipotentielles, qui correspondent à un moment donné à cette répartition des potentiels (en fonction des potentiels appliqués aux barres) sont des hyperboles dans le plan XOY. Dans le cas idéal, les sections droites des barreaux ont cette même forme d'hyperbole. Un système quadrupolaire avec des barreaux 16, 18, 20, 22 de section hyperbolique est illustré sur la figure 2 et est par exemple décrit dans US-5 373 157.
Dans la majorité des cas, et pour n utiliser que des usinages faciles à réaliser, les barreaux ont des sections droites circulaires osculatrices aux hyperboles en leur sommet ; de telles sections droites 26, 28, 30, 32 sont également représentées en figure 2.
Une dégradation de la résolution résulte du passage de l'hyperbole au cercle.
Si l'on désire réduire la taille d'un spectromètre quadrupolaire à environ 1 cm3, toutes les dimensions du filtre en sont affectées, en particulier le rayon des barreaux, leur distance au centre et, bien sûr, leur longueur.
Le document WO-96/31901 décrit un spectromètre de masse quadrupolaire miniaturisé. Ce dispositif utilise des poutres cylindriques faites à partir de fibres optiques métallisées. Dans un tel dispositif, les isolants situés entre les barres cylindriques peuvent conduire à des effets de charge préjudiciables au fonctionnement du dispositif.
Le brevet US-5 401 962 décrit un quadrupôle miniature. La miniaturisation, ou la réduction en taille, provient, dans ce document, de l'assemblage en parallèle d'une pluralité de quadrupôles. Ce dispositif manque de résolution. Par ailleurs, sa réalisation, quand bien même elle met en oeuvre des électrodes cylindriques, est assez fastidieuse.
Exposé de l'invention il se pose donc le problème de la réalisation de composants, en vue notamment de leur application à la spectrométrie de masse, permettant entre autres la miniaturisation des spectromètres.
En particulier, il se pose le problème de la réalisation d'ensembles d'électrodes qui pourraient permettre une réalisation aisée de microspectromètres de masse.
Plus précisément, l'invention a pour objet un microdispositif pour générer un champ multipolaire transverse, comportant n micropoutres conductrices, longitudinales, à section droite polygonale, disposées autour d'un axe longitudinal.
Avantageusement, le champ est constant suivant l'axe longitudinal.
On entend, par champ multipolaire, tout champ électrique même monopolaire.
Par conséquent, selon l'invention, la réalisation de champs électriques sur des échelles submillimétriques, et dérivant de potentiels de type par exemple quadrupolaire, hexapolaire ou octopolaire ou, plus généralement, N-polaire (N > 1), peut s'effectuer avec des structures d'électrodes (appelées aussi lentilles) dans lesquelles les électrodes ont une section droite de forme polygonale. De telles électrodes sont compatibles avec une réalisation mettant en oeuvre les techniques de la microélectronique ou de la microtechnologie, et permettent donc la fabrication de spectromètres de masse miniaturisés.
L'invention a également pour objet un microdispositif de filtrage ou de déviation ou de focalisation de particules chargées, comportant n micropoutres conductrices, longitudinales, à section droite polygonale, et disposées autour d'un axe longitudinal de propagation des particules chargées.
L'invention a aussi pour objet un microdispositif de filtrage ou de déviation ou de focalisation de particules chargées comportant un microdispositif pour générer un champ multipolaire transverse tel que déjà décrit ci-dessus.
Là encore, l'invention définit une structure d'électrode pour un microdispositif de filtrage ou de déviation ou de focalisation, qui est compatible avec une réalisation par les techniques de la microélectronique ou de la microtechnologie. On peut ainsi engendrer des champs électriques, pour un microdispositif de filtrage ou de déviation ou de focalisation, sur des échelles submillimétriques.
Actuellement, les électrodes utilisées dans le dispositif de type quadrupolaire, ou plus généralement N-polaire, ont des tailles ne pouvant descendre endessous de certaines dimensions, ce qui limite la taille inférieure du dispositif. En particulier, le document US-5 401 962 fait mention d'électrodes cylindriques de diamètre compris entre 0,5 mm et 1 mm, et de longueur comprise entre environ 1 cm et 2 cm. La structure d'électrodes selon l'invention permet de réaliser des dispositifs submillimétriques (par exemple avec des barreaux dont l'épaisseur est d'environ quelques centaines de um) et pouvant travailler à plus forte pression (par exemple à environ 10-2 mbar).
Une réalisation d'un système quadrupolaire selon l'invention est illustré de manière plus précise en figure 4A. Sur cette figure, des références identiques à celles de la figure 3 désignent les micropoutres, à section polygonale (ici : carrée), du dispositif quadrupolaire. Le dispositif comporte également des entretoises 40, 42, permettant de séparer le plan supérieur 44, dans lequel est réalisée la micropoutre supérieure 32 du plan intermédiaire 46, dans lequel sont réalisées les deux micropoutres 34, 38 et, d'autre part, le plan intermédiaire 46 du plan inférieur 48 dans lequel est réalisé la micropoutre 36.
La figure 4B représente une vue de dessus de ce dispositif : la micropoutre supérieure 32 est obtenue par exemple par gravure et métallisation partielle ou totale d'une plaquette d'un matériau isolant ou semiconducteur définissant le plan 44. La longueur l des fenêtres dégagées par gravure dans le plan 44 est d'environ 20e (où e est l'épaisseur d'une micropoutre).
De même, les micropoutres 34, 38 sont obtenues par gravure et métallisation partielle ou totale d'une plaquette d'un matériau isolant ou semiconducteur définissant le plan 46 et la micropoutre inférieure 36 est obtenue par gravure et métallisation partielle ou totale d'une plaquette d'un matériau isolant ou semiconducteur définissant le plan inférieur 48.
L'épaisseur e des barreaux est alors déterminée par l'épaisseur des plaquettes de matériau isolant ou semiconducteur qui ont été gravées. Par exemple, on peut avoir des barreaux, ou microélectrodes, d'épaisseur 300pm ou 500 pm. Pour une épaisseur de 500pu, le barreau, ou microélectrode, supérieur 32 est positionné à une distance d à peu près égale à 0,74e=0,74x500=370 pm des barreaux 34, 38.
Sur la figure 4B, les références 50, 52, 54, 56 désignent des barrettes de sustentation qui relient la micropoutre 32 au reste du plan 44. Dans chacun des autres plans 46, 48, de telles barrettes de sustentation soutiennent les micropoutres et relient celles-ci entre elles ou au substrat gravé.
Des encoches 60, 62, 64 sont également réalisées dans les différentes plaquettes de matériau afin de pouvoir positionner les entretoises 40, 42.
Si ces encoches sont réalisées par gravure des plaquettes de matériaux, elles auront une épaisseur égale à la distance séparant deux plan parallèles augmentée de la profondeur de gravure dans chacune des plaques de matériaux. Pour reprendre l'exemple cidessus, et en supposant que l'on grave les encoches 60, 62, 64 sur une profondeur de lOum, les entretoises 40, 42 auront une hauteur totale de : 370+10+10=390,um.
Les entretoises peuvent être réalisées, suivant la longueur du dispositif, en un seul bloc ou en plusieurs blocs. Par exemple, sur la figure 4B, les références 40-1, 40-2, 40-3 et 42-1, 42-2, 42-3 désignent les traces de six entretoises (trois entretoises alignées de chaque côté) qui séparent les plans supérieur 44 et intermédiaire 46. En vue de dessus, chaque entretoise présente des dimensions cl, c2 faibles, par exemple égales chacune à lmm ou inférieure chacune à 1 mm. il peut y avoir plusieurs entretoises sur chaque côté ; mais, de préférence, chaque entretoise est de petite taille, de manière à ce que les ions écartés de l'axe longitudinal central de l'appareil, le long duquel ils se propagent, n'aillent pas s'y déposer, ce qui conduirait à des effets de charge indésirables.
Un procédé de réalisation d'une telle structure va maintenant être décrit. On sélectionne d'abord des plaquettes dans lesquelles vont être réalisés les plans supérieur 44, intermédiaire 46 et inférieur 48 de la structure. De telles plaquettes peuvent être des plaques en silicium, d'épaisseur e valant par exemple 0,5 mm. On procède ensuite aux étapes 1 à 4 suivantes 1)- Les plaques supérieure 44 et inférieure 48 sont gravées (gravure profonde) pour faire apparaitre, d'une part les barreaux centraux 32, 36 et d'autre part les encoches 60, 62 qui serviront pour le positionnement et la fixation de l'ensemble. Les techniques connues utilisant des masques et de la lithographie sont utilisées avant gravure. L'opération de gravure profonde se fait en deux étapes afin de pouvoir conserver quatre barrettes 50, 52, 54, 56 de sustentation, de préférence aussi fines et menues que possibles, dont le rôle est de soutenir le barreau central 32, 36. On grave chaque plaque d'abord d'un côté, jusqu'à conserver l'épaisseur de la barrette, puis de l'autre côté pour déboucher, tout en conservant la barrette (grâce à une deuxième étape de lithographie).