INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On comprend en particulier que le module de filtrage 3 adaptatif permet, à partir du cepstre de référence i Rn(i)} représentatif du cepstre à long terme de ce signal de parole pour chacun des vecteurs cepstraux, d'effectuer un filtrage par exemple de type LMS permettant, à partir du calcul d'erreur entre le cepstre de réference {Rn(i)} et l'ensemble des vecteurs cepstraux égalisés, d'engendrer des vecteurs cepstraux égalisés {Cn(i)}. L'ensemble des vecteurs cepstraux égalisés est représentatif d'un signal de parole numérique égalisé.
Ainsi qu'on l'a représenté sur la figure 3a, le module 1 de transformation du signal de parole numérique en un ensemble de vecteurs cepstraux comporte au moins, recevant le signal de parole observé i S(t)i , un module 10 de transformée fréquentielle du signal de parole numérique délivrant un spectre de frequences du signal de parole numérique noté {S,(f)J sur l'horizon considéré, un banc de filtres 11 de décomposition en N sous-bandes de fréquences du spectre de fréquences du signal de parole numérique, ce banc de filtres 11 délivrant N signaux en sous-bandes de fréquences notés {Vn(j)}.
Le banc de filtres 11 est lui-même suivi d'un module 12 d'atténuation logarithmique de chaque signal en sousbandes de fréquences, ce module 12 délivrant une pluralité de signaux en sous-bandes de fréquences atténués notés { LVn( j )} Enfin, le module 1 comporte également un module 13 de transformée fréquentielle inverse recevant les signaux en sous-bandes de fréquences atténués i LV(j)} permettant d'engendrer, à partir des signaux en sous-bandes de fréquences atténués, l'ensemble de vecteurs cepstraux { Q(i)i En ce qui concerne le module 2 générateur du cepstre de référence, on indique que, pour un ensemble de vecteurs cepstraux (Cn(i)} avec i E [1,M], le cepstre de référence {Rn(i)} est représentatif pour chacun des vecteurs cepstraux du cepstre à long terme du signal de parole. On comprend ainsi que la base de données constitutive du générateur du cepstre de référence 2 peut être organisée de façon à délivrer le cepstre de référence représentatif du cepstre à long terme du signal de parole en fonction de l'indice i désignant la composante du vecteur cepstral {Cn(i)l.
En outre, ainsi que réprésenté sur la figure 3a, le module 3 de filtrage adaptatif comporte au moins un module 30 de calcul du signal d'erreur entre chaque vecteur cepstral égalisé i C(i)i correspondant et le cepstre de référence correspondant {Rn(i)}. Le signal d'erreur E(i) = Rn(i) - Cn(i) est calculé entre chaque composante de rang i du cepstre de référence et du vecteur cepstral égalisé. En outre, un module d'égalisation 31 de chaque vecteur cepstral {Cn(i)} est prévu, ce module d'égalisation permettant d'engendrer en fait, à partir de chaque composante Cn(i) et de ce signal d'erreur, un vecteur cepstral égalisé iCn(i)I correspondant, dans les conditions qui seront explicitées ci-après en liaison avec les figures 3b et 3c. En fait, le signal d'erreur peut être pondéré ou adapté.
Sur la figure 3b, on a représenté le dispositif, objet de la présente invention, dans un mode de réalisation particulier orienté vers une application au système de reconnaissance automatique de la parole PHIL90 précédemment mentionné dans la description.
Bien entendu, les mêmes reférences désignent les mêmes éléments, le module 1 de la figure 3a etant organisé toutefois de façon à réaliser le calcul des MFCC précédemment désigné dans la description et délivrant en conséquence le vecteur cepstral correspondant lCn(i)} de composantes Cn(l), Cn(i) à Cn(M) pour chaque fenêtre successive du signal numérique de parole observé. Les modules 2 et 3 de la figure 3b représentent des modules semblables à ceux des modules 2 et 3 de la figure 3a. Toutefois, le module de calcul d'erreur entre le cepstre de référence {Rn(i)} et chaque vecteur cepstral égalisé {Cn(i)} est explicité et représenté 3i comme relatif à chaque composante Cn(i) du vecteur cepstral égalisé i Cn(i)i , chaque module 3i étant identique et assurant en fait, pour chaque composante Cn(i) du vecteur cepstral i Q(i)i , la même fonction de calcul de l'erreur et d'égalisation de cette composante pour délivrer une composante du vecteur cepstral égalisé correspondant {Cn(i)}.
Ainsi que représenté sur la figure 3c, chaque module 3i comporte avantageusement un circuit soustracteur 30i recevant, d'une part, la composante Rn(i) du cepstre de référence i Rfl(i)i correspondant sur sa borne positive, ainsi que, d'autre part, le coefficient cepstral égalisé Cn(i) sur une borne négative pour assurer le calcul de l'erreur selon un signal d'erreur E(i).
Chaque module 3i reçoit en outre le coefficient cepstral correspondant Cn(i) sur un circuit sommateur 31i, lequel permet en fait de réaliser l'égalisation de ce coefficient cepstral Cn(i) pour délivrer un coefficient cepstral égalisé Cr(i).
En outre, ainsi que représenté sur la figure 3c, chaque module 3i, et en particulier le module d'égalisation de chaque coefficient cepstral Cn(i), comprend avantageusement un circuit multiplicateur 300i par un coefficient multiplicateur p, ce circuit multiplicateur recevant le signal d'erreur E(i) délivré par le circuit soustracteur 30i et délivrant un signal d'erreur pondéré E*(i). Le circuit multiplicateur 300i est suivi par un circuit sommateur 301i à deux entrées et une sortie, une première entrée du premier circuit sommateur 301i recevant le signal d'erreur pondéré E*(i) et une deuxième entrée de ce circuit sommateur recevant le signal délivré par ce dernier, par l'intermédiaire d'un circuit retardateur 302i. Le circuit retardateur 302i introduit en fait un retard égal à la durée d'un bloc d'échantillons de signal numérique. La sortie du circuit retardateur 302i délivre un signal d'adaptation Hn(i), lequel est envoyé sur le circuit sommateur d'égalisation 31i. Le circuit d'adaptation ainsi constitué par le circuit multiplicateur 300i, le circuit sommateur 301i et le circuit retardateur 302i, permet ainsi d'adapter ou pondérer le signal d'erreur E(i) pour délivrer le signal d'adaptation Hn(i) Sur adaptation du signal d'erreur réalisée par le circuit d'adaptation, le circuit sommateur d'égalisation 31i délivre alors le coefficient cepstral égalisé Cn(i) correspondant. Ainsi qu'on l'observera sur la figure 3b, il en est de même pour toutes les composantes des vecteurs cepstraux de rang i compris entre 1 et M du mode de réalisation considéré.
Le dispositif, objet de la présente invention, tel que représenté en figures 3b et 3c, a été mis en oeuvre et des essais comparatifs ont permis de tester la technique d'égalisation aveugle proposée sur diverses bases de données spécifiques.
Les essais ont été réalisés en prenant en entrée un fichier de 10 coefficients cepstraux, application du filtrage adaptatif et sauvegarde des vecteurs MFCC en sortie du filtre ainsi obtenus. Les fichiers MFCC sont directement utilisés par le système PHIL90.
Le tableau ci-après présente les améliorations obtenues par rapport à une technique classique, désignée par système de base, un processus de soustraction cepstrale tel que défini par exemple dans l'art antérieur par C.MOKBEL, J.MONNE et D.JOUVET précédemment cité dans la description, un filtrage adaptatif dans le domaine spectral tel que réalisé par exemple conformément au procédé et au système décrits dans la demande de brevet français n" 94 08741 précédemment citée dans la description, et enfin un filtrage adaptatif dans le domaine cepstral conformément au procédé et au dispositif, objets de la présente invention.
Ces techniques sont appliquées sur quatre bases de données différentes, désignées dans le tableau précité, successivement par Chiffres, Nombres à deux chiffres, Trésor et Baladins.
- Les séquences SEQ ID NO:28 et 29 représentent respectivement la séquence codant l'ADN et la séquence d'acides aminés codée, d'une forme modifiée du gène NIMl comportant des délétions d'acides aminés, tant N-terminales que C-terminales.
- Les séquences SEQ ID NO:30 et 31 représentent respectivement la séquence codant 1'ADN et la séquence d'acides aminés codée, du domaine ankyrine de NIMl.
- Les séquences SEQ ID NO:32 à 39 sont des amorces oligonucléotidiques.
Définitions Acd : Plante mutante à mort accélérée des cellules AFLP : Polymorphisme de taille des fragments ampli fiés avrRpt2 : Gène d'avirulence Rpt2, isolé de Pseudomonas syringae BAC : Chromosome artificiel bactérien BTH : Ester S-méthylique de l'acide benzo(1,2,3) thiadiazole-7-carbothioïque CIM : Phénotype de l'immunité constitutive (la SAR subit une activation constitutive) cim : Plante mutante à immunité constitutive cM : Centimorgans cprl : Exprimeur constitutif d'une plante mutante à gènes PR Col-O : Arabidopsis, écotype Columbia EC : Combinaison enzymatique Emwa : Isolat de Peronospora parasitica, compatible dans l'écotype Ws-O d'Arabidopsis EMS : Méthanesulfonate d'éthyle INA : Acide 2,6-dichloroisonicotinique Ler : Arabidopsis écotype Landsberg erecta lds : Plante mutante à maladie simulant les lésions nahG : Salicylate-hydroxylase de Pseudomonas putida qui convertit l'acide salicylique en catéchol.
NahG : Lignée d'Arabidopsis transformée avec le gène nahG ndr : Plante mutante résistant aux maladies non spé cifiques de race nim : Plante mutante à immunité non inductible NIM1 : Le gène de type sauvage mis en jeu dans la cascade de transduction du signal de la SAR NIM1 : Protéine codée par le gène NIM1 de type sau vage niml : Allèle mutant de NIM1, qui confère à la plante une sensibilité aux maladies ; désigne aussi des plants mutants Arabidopsis thaliana comportant l'allèle mutant niml du NIM1 Noco : Isolat de Peronospora parasitica compatible dans l'écotype Col-O d'Arabidopsis ORF : Cadre ouvert de lecture PC : Combinaison primaire PR : Apparentée à une pathogénèse SA : Acide salicylique SAR : Résistance systémique acquise SSLP : Polymorphisme de taille des séquences simples UDS : Phénotype de sensibilité universelle aux mala dies Wela : Isolat de Peronospora parasitica compatible dans l'écotype Weiningen d'Arabidopsis Ws-O : Arabidopsis écotype Issilewskija WT : Type sauvage YAC : Chromosome artificiel de levure L'invention est illustrée plus en détail à l'aide des modes opératoires détaillés, préparations et exemples ci-après.
L'ADN recombinant standard et les techniques de clonage moléculaire utilisées dans l'invention sont bien connus dans la technique et sont décrites par Sambrook et al., Molecular Cloning, eds., Cold Spring Harbor Laboratory Press, Cold Spring Harbor, NY (1989) et par T.J.
Silhavy, M.L. Berman et L.W. Enquist, Experiments with Gene Fusions, Cold Spring Harbor Laboratory, Cold Sprind Harbor, NY (1984) et par Ausubel F.M. et al., Current Protocols in Molecular Biology, publié par Greene Publishing Assoc. Et Wiley-Interscience (1987).
A. Caractérisation des mutants niml Exemple 1 : Lignées végétales et souches fongiques On obtient des semences d'Arabidopsis thaliana écotype Isilewskija (Ws-O ; numéro de stock CS 2360) et de la quatrième génération (T4), provenant de lignées transformées par l'ADN-T, auprès de l1Ohio State University Arabidopsis Biological Resource Center (Columbus, OH). C'est auprès de Lehle Seeds (Round Rock, TX) que l'on se procure des semences de la deuxième génération (M2), provenant de plants Ws-O mutagénisés par le méthanesulfonate d'éthyle (EMS).
La souche d'essai 3000 de Pseudomonas syringae pv. tomato (Pst) contenant le gène avrRpt2 cloné [DC3000 (avrRpt2)1 est obtenu auprès de B. Staskawicz, University of California, Berkeley. Les variétés pathogènes de P. parasitica et leurs sources sont les suivantes : Emwa provient de E. Holub et I.R. Crute, Horticultural Research Station, East Malling, Kent ; Wela provient d'A.
Slusarenko et de B. Mauch-Mani, Institut für Pflanzenbiologie, Zurich, Suisse ; et Noco provient de J. Parker, Sainsbury Laboratory, Norwich, Angleterre. Les cultures fongiques sont maintenues par culture hebdomadaire sur Arabidopsis écotype Ws-O, Weiningen, et Col-O, pour les variétés pathogènes de P. parasitica respectivement Emwa, Wela et Noco.
Exemple 2 : Sélection des mutants On cultive des semences M2 ou T, sur sol pendant deux semaines, avec 14 heures de lumière par jour, on les nébulise avec de 1'INA 0,33 mM (0,25 mg/ml, obtenus à partir d'INA à 25 % dans une poudre mouillable ; Ciba, Bâle, Suisse), et on les inocule 4 jours plus tard en pulvérisant une suspension de conidies de P. parasitica contenant 5-10 .104 conidiospores par ml d'eau. Ce champi- gnon pathogène est normalement virulent sur l'écotype Ws O d'Arabidopsis, à moins qu'une résistance ait été au préalable induite dans ces végétaux à l'aide d'acide isonicotinique (INA) ou un composé analogue. Les plantes sont maintenues dans des conditions humides à 180C pendant une semaine, puis on note leur sporulation fongique.
Les plantes qui supportent la prolifération des champignons après traitement par 1'INA sont sélectionnées comme étant des mutants putatifs.
Après incubation dans une atmosphère à grande humidité, les plantes présentant des symptômes visibles de maladie sont identifiées, habituellement 7 jours après l'infection. Ces plantes ne présentent aucune résistance au champignon, malgré l'application du produit chimique inducteur de résistance, et représente ainsi des plantes mutantes nim (à immunité non inductible) potentielles.
Sur 360 000 plants, on identifie 75 mutants nim potentiels.
Ces plants mutants potentiels sont isolés de la parcelle, placés dans une atmosphère à faible humidité, et on les laisse germer. Les plants qui dérivent de cette semence sont sélectionnés d'une manière identique en fonction de leur sensibilité au champignon Emwa, une fois de plus après traitement préalable à l'INA. Les plants descendants qui présentent des symptômes d'infection sont définis comme étant des mutants nim. Six lignées nim sont ainsi identifiées. Une lignée (niml-l) est isolée de la population d'ADN-T, et cinq (niml-2, niml-3, nimi-4, niml-5 et niml-6) de la population EMS.
Exemple 3 : Résistance aux maladies des plantes niml L'acide salicylique (SA) et l'ester S-méthylique de l'acide benzo(l,2,3)thiadiazole-7-carbothioïque (BTH) sont des produits chimiques qui, tout comme 1'INA, induisent une résistance à un large spectre de maladies (SAR) dans les plantes de type sauvage. Les plants mutants sont traités par le SA, 1'INA et le BTH, puis on évalue leur résistance à Peronospora parasitica. L'isolat de P. parasitica "Emwa" est un isolat de P.p qui est compatible dans l'écotype Ws. Les isolats compatibles sont ceux qui sont capables de créer une maladie dans un hôte particulier. L'isolat de P. parasitica "Noco" est incompatible sur Ws mais compatible sur l'écotype Columbia. Les microorganismes pathogènes incompatibles sont reconnus par l'hâte potentiel, en déclenchant une réponse de l'hâte qui empêche le développement de la maladie.
La figure 1B représente une vue de dessus partielle et extrêmement schématique du composant de la figure 1A. Les cellules sont simplement représentées par des carrés 10. Il est connu que, pour assurer la tenue en tension du dispositif, il est souhaitable de prévoir à sa périphérie une couronne de type P- reliée à une région de type P+ connectée au potentiel de la cathode. Cette région de type P+ est désignée en figure 1A par la référence 20 et la région de type P par la référence 21. Un prolongement de la couche de silicium polycristallin 11, désigné par la référence 31 s'étend au-dessus de la région 20 de type P+ et est contacté par une portion d'une métallisation de contact de grille M3, cette portion correspondant au plot de grille. La métallisation M1 se prolonge pour établir des contacts 33 avec la région P+ 20. Dans la vue de dessus de la figure 1B, la périphérie externe de la région de type P est désignée par la référence 21. La région P+ 20 s'étend entre les lignes 20-1 et 20-2. La couche de silicium polycristallin 11 s'étend à l'intérieur du contour délimité par la ligne en pointillés 11. La métallisation M1 s'étend à l'intérieur du contour délimité par la ligne M1 et la métallisation M3 s'étend dans la surface comprise entre les lignes M3-1 et M3-2. Les zones de contact 33 entre la métallisation M1 et la région 20 correspondent aux petits rectangles en pointillés 33 disposés au voisinage de la périphérie externe de la métallisation M1.
Ainsi, la structure des figures 1A et 1B comporte une région de type P+ sous une portion de couche de grille 31 servant de plot de grille.
Cette structure présente un inconvénient du fait que la région 12 de type P+ de chaque cellule doit de préférence être aussi bien centrée que possible au milieu de chaque cellule 10 à l'intérieur de l'ouverture formée dans la région de grille dans la zone active. On peut envisager des procédés d'auto-alignement pour atteindre ce résultat. Ceci implique que cette région 12 de type P+ est réalisée après la formation de la grille. Par contre, la région P+ 20 située sous la grille est nécessairement formée avant la grille. Il faut donc, dans les cas où l'on veut réaliser un alignement des régions P+ 12 sur la grille, de prévoir deux étapes successives et deux masques pour former les régions P+ 12 et 20. Plus particulièrement, l'enchaînement du processus est le suivant - formation de la région P 21 - formation de la région P+ 20 - formation de la couche de silicium polycristallin et ouverture de celle-ci aux endroits choisis - formation des régions P+ 12 - formation des régions P 13 - formation des régions N+ 14 - formation et gravure des métallisations M1 et M3.
Bien entendu, ce processus est présenté de façon très simplifiée et l'on a omis de mentionner diverses étapes d'oxydation et de désoxydation pour former des ouvertures.
Un objet de la présente invention est de prévoir une nouvelle structure de transistor MOS ou IGBT dans laquelle le plot de grille est tel qu'il soit possible de limiter le nombre d'étapes de fabrication et le nombre de masques associés.
Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication d'une telle structure qui limite le nombre d'étapes effectué tout en conservant les étapes classiques de fabrication d'un transistor MOS ou IGBT.
Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un transistor vertical de type MOS ou IGBT dont la partie active comprend, du côté de la face supérieure du composant, un réseau de cellules MOS formé dans des ouvertures d'une couche de silicium polycristallin, une métallisation de cathode étant en contact avec la surface supérieure de la plus grande partie des cellules et recouvrant la surface isolée de la couche de silicium polycristallin, la périphérie de ce transistor étant constituée d'une région de type P+ connectée à la métallisation de cathode, elle-même entourée d'une région du type P-, une métallisation de grille s'étendant à la périphérie du dispositif, partiellement au-dessus de la région de type P+, faisant contact avec des zones périphériques de la couche de silicium polycristallin, et se prolongeant par un plot de contact de grille. Le plot de contact de grille s'étend sur des cellules fantôme similaires aux cellules actives mais dans lesquelles la surface supérieure des ouvertures dans le silicium polycristallin est isolée et dans lesquelles des portions de la surface supérieure du silicium polycristallin sont dénudées et en contact avec la métallisation de grille.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la métallisation de cathode comprend des extensions contactant des régions de contact avec la région P+ externe à la couche de silicium polycristallin.
La présente invention prévoit aussi un procédé de fabrication d'un transistor vertical de MOS de type MOS ou IGBT, consistant à former une couche de silicium polycristallin isolée sur un substrat semiconducteur ; ouvrir cette couche de silicium polycristallin à des emplacements où l'on veut former des cellules MOS et à sa périphérie ; masquer la périphérie du composant à sa périphérie au-delà de la périphérie de la couche de silicium polycristallin et au-dessus d'une région de type P- ; procéder à une implantation/diffusion d'un dopant de type P ; parachever les cellules MOS ; former une première métallisation contactant la surface active de la plus grande partie des cellules MOS, et une deuxième métallisation de plot de grille au-dessus de cellules MOS dont la surface active supérieure est isolée et la grille est dénudée, la première métallisation étant aussi en contact avec des régions périphériques ayant subi l'implantation/diffusion d'un dopant de type P, et la deuxième métallisation étant aussi en contact avec des régions périphériques de la couche de silicium polycristallin.
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles les figures 1A et 1B représentent une vue en coupe et une vue de dessus schématiques d'un transistor MOS ou IGBT selon l'art antérieur, la figure 1A étant une vue en coupe selon la ligne AA de la figure 1B ; et les figures 2A et 2B représentent une vue en coupe et une vue de dessus schématiques d'un transistor MOS ou IGBT selon la présente invention, la figure 2A étant une vue en coupe selon la ligne AA de la figure 2B.
En figures 2A et 2B, la partie active du transistor est identique à celle de l'art antérieur décrite en relation avec les figures 1A et 1B et comprend des cellules 10 formées dans des ouvertures d'une grille en silicium polycristallin 11.
La présente invention diffère de la structure de l'art antérieur par le mode de prise de contact de grille et la structure du plot de grille. Comme le représentent les figures, le plot de grille est formé dans une région du composant dans laquelle on a formé des cellules fantôme 40 similaires aux cellules actives 10. La région périphérique de type P+ est désignée par la référence 41 et la région périphérique de type P- est désignée comne précédemment par la référence 21.
Les cellules fantôme 40 sont similaires aux cellules actives 10 sauf qu'elles ne contiennent de préférence pas les régions de type N+ 14. D'autre part, la surface des cellules 40, au-dessus des régions P+ et P- 12 et 13 est revêtue d'une couche isolante 43 tandis que des ouvertures 45 sont formées au-dessus des régions de grille. Ainsi, lors de l'étape de métallisation, on forme une métallisation de cathode M4 similaire à la métallisation de cathode M1 des figures 1A et 1B mais la métallisation de contact de grille M5 diffère de celle des figures 1A et 1B en ce quelle est en contact avec une pluralité de régions 45 de la grille.
Un avantage de cette structure est que l'ensemble des régions P+ peut être formé en une seule étape, après formation et gravure de la couche de silicium polycristallin 11. Ainsi, les régions P+ sont situées à tous les emplacements ouverts dans cette couche de silicium polycristallin et à l'extérieur de cette couche de silicium polycristallin.
La topographie d'un transistor selon la présente invention apparaît mieux dans la vue de la figure 2B. Une couche de silicium polycristallin 11 est située à l'intérieur de la zone délimitée par le trait en pointillés 11. La région de type P+ 41 s'étend entre cette limite 11 et le trait désigné par la référence 41. La région P' 21 s'étend entre les traits désignés par les références 21-1 et 21-2. La métallisation de grille s'étend entre les traits désignés par les références M5-1 et M5-2. La métallisation de source ou de cathode s'étend à l'intérieur du trait désigné par la référence M4. Les zones de contact entre chaque métallisation et les régions sous-jacentes sont désignées par des croix. Ainsi, on voit que la métallisation M4 est en contact avec la surface supérieure de chacune des cellules 10 et comporte des extensions en contact avec des ouvertures 46 formées au-dessus de portions de la surface supérieure de la couche de type P+ 41 (ces contacts ne sont pas visibles en figure 2A). La métallisation de grille M5 est en contact avec des régions supérieures 45 de la grille des cellules fantôme ainsi qu'avec des extensions 48 de la région de grille (non visibles en figure 2A).