INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Conformément à la présente invention, il est créé un appareil de formation d'images comprenant divers moyens d'alimentation de papier ; des moyens pour former des images sur le papier amené d'un des divers moyens d'alimentation de papier , des moyens de commande automatique de l'alimentation de papier permettant de commander les moyens d'alimentation de papier de telle manière que, s'il n'existe plus de papier contenu dans un moyen d'alimentation de papier qui est en train de fournir du papier pour former des images à l'aide de l'appareil de formation d'images, du papier de même dimension contenu dans un autre moyen d'alimentation de papier que ce papier contenu dans le moyen d'alimentation de papier actuel est amené pour continuer l'opération de formation d'images ; et des moyens pour régler le OUI ou le NON pour exécuter les moyens de commande automatique d'alimentation de papier pour chacun des divers moyens d'alimentation de papier.
En outre, conformément à la présente invention, il est créé un procédé de formation d'images dans un appareil de formation d'images présentant divers moyens d'alimentation de papier. Ce procédé de formation d'images comprend les opérations consistant à former une image sur un papier amené d'un des divers moyens d'alimentation de papier; à commander l'alimentation de papier pour continuer l'opération de formation d'images en amenant automatiquement du papier depuis un autre moyen d'alimentation de papier contenant du papier de même dimension que le papier contenu dans le moyen d'alimentation de papier actuel lorsqu'il n'y a plus de papier contenu dans ce moyen d'alimentation de papier pour amener du papier en vue de la formation d'images dans l'opération de formation d'images ; et à régler le OUI ou le NON pour exécuter l'opération de commande d'alimentation automatique de papier pour chacun des divers moyens d'alimentation de papier.
E MOTEUR, ACCUMULATEUR DE CHALEUR ET RECUPERATEUR ,REGENERATEUR et CONVERTISSEUR D'ENERGIE THERMIQUE à ENERGIE MéCANIQUE.
F LES UNITES DE LIQUEFACTION, SEPARATION DE L'AIR.
G CONVERSION DE L'ENERGIE THERMIQUE EN ENERGIE ELECTRIQUE.
H LA PURIFICATION DU GAZ BRULE ET LA DIMINUTION DE LA POLLUTION PAR RECUPERATION- REGENERATION.
I SYSTEME DE POMPE DE CHALEUR.
J MOTEUR ELECTRIQUE.
K LA POMPE DE FREIN ET REGENERATION.
(Voir FIG. 1).
A LE RESERVOIR D ' OXYGENE A CHAUFFER L'oxygène qui vient de FC se chauffe en A pour 2 raisons: - pour maintenir sa pression constante - pour fournir l'énergie à l'oxygène avant le préchauffage Al- vanne d'accès d'oxygène à chauffer.
A2- tuyau d' apport de l'oxygène à l'unité de préchauffage de l'oxygène.
A3- accès d'oxygène à chauffer.
A4- accès au remplissage provisoire.
A5- isolation du réservoir.
A6- sortie de l'oxygène chauffé à E.
A7- tuyau pour apporter l'oxygène en E.
A8- tuyau à liquide de préchauffage.
Les fragments amplifiés peuvent être identifiés après une électrophorèse en gel d'agarose ou de polyacrylamide, ou après une électrophorèse capillaire, ou encore après une technique chromatographique (filtration sur gel, chromatographie hydrophobe ou chromatographie échangeuse d'ions). La spécificité de l'amplification peut être contrôlée par hybridation moléculaire en utilisant comme sondes les séquences nucléotidiqucs SEQ ID N I ou SEQ ID N"2, des fragments de celles-ci, des plasmides contenant ces séquences ou des fragments de celles-ci, des oligonucléotides complémentaires de ces séquences ou fragments de séquences ou des produits d'amplification.
Les fragments nucléotidiques amplifiés peuvent être utilisés comme réactifs dans des réactions d'hybridation afin de mettre en évidence la présence dans un échantillon biologique, d'un acide nucléique cible de séquence complémentaire à celle desdits fragments nucléotidiques amplifiés.
Ainsi, font également partie de l'invention les fragments nucléotidiques amplifiés ( amplicons ) définis ci-dessus.
Ces sondes et amplicons peuvent être marqués ou non par des éléments radioactifs ou par des molécules non radioactives, telles que des enzymes ou des éléments fluorescents..
L'invention vise également les fragments nucléotidiques obtenus par amplification du polynucléotide de séquence SEQ ID N 1 ou SEQ ID N 2 à l'aide d'un couple d'amorces selon l'invention, plus particulièrement à l'aide de l'un quelconque des couples d'amorces P1 à P25 selon l'invention.
D'autres techniques d'amplification de l'acide nucléique cible peuvent être avantageusement employées comme alternatives à la PCR.
La technique SDA (Strand Displacement Amplification) ou technique d'amplification à déplacement de brin (Walker et al., 1992) est une technique d'amplification isotherme dont le principe est fondé sur la capacité d'une enzyme de restriction de couper l'un des deux brins de son site de reconnaissance qui se trouve sous une forme hemiphosphorothioate et sur la propriété d'une ADN polymérase d'initier la synthèse d'un nouveau brin d'ADN à partir de l'extrémité 3'OH créée par l'enzyme de restriction et de déplacer le brin préalablement synthétisé qui se trouve en aval. La méthode comprend deux étapes principales a). Synthèse, en présence de dCTP-alpha-S, de molécules d'ADN flanquées par des sites de restriction qui peuvent etre coupés par une enzyme appropriée. b). Amplification exponentielle de ces molécules d'ADN ainsi modifiées, par coupure enzymatique, déplacement de brin et copiage des brins déplacés. Les étapes de coupure, de déplacement et de copiage sont répétées un nombre suffisant de fois afin d'obtenir une bonne sensibilité.
Ainsi, le protocole de la technique SDA est simple l'ADN cible présent dans l'échantillon à analyser est dénaturé par la chaleur en présence de tous les réactifs exceptées les enzymes (enzyme de restriction et polymérase) qui sont ajoutées au milieu réactionnel après l'étape de dénaturation.
Initialement réalisée avec l'enzyme de restriction HincII (Walker et al., 1992), cette technique est désormais mise en oeuvre avec une endonucléase de restriction isolée à partir de Bacillus stearothermophilus (BsoBl). et un fragment sans activité exonucléase 5 # 3' d'lune ADN polymérase isolée de Bacillus cladotenax (exo~Bcrr) [= cxo-moins-Bz]. Ces deux enzymes peuvent opérer à 600C et le système est désormais optimisé pour permettre l'utilisation de dUTP et la décontamination par l'UDG.
Lors de la mise en oeuvre de cette technique, comme décrit par Spargo et al. en 1996, le temps de doublement de l'ADN cible est de 26 secondes et son taux d'amplification atteint 1010 après 15 minutes d'incubation à 60 C.
La technique SDA est plus simple à réaliser que la PCR (un bain marie est suffisant) et elle est plus rapide que les autres techniques d'amplification. La SDA a été appliquée essentiellement à la détection de Mycobacterium tuberculosis. Son seuil de détection est équivalent à un génome mycobactérien contenant 10 copies de la séquence IS61110.
Un autre objet de la présente invention est donc la mise en oeuvre des amorces oligonucléotidiques selon l'invention dans un procédé d'amplification d'ADN ou d'ARN selon la technique SDA ci-dessus. Pour la mise en oeuvre de la technique SDA, deux couples d'amorces sont utilisées : un couple d'amorces externes (Bl, B2) constituées d'une séquence spécifique de la SEQ ID N 1 ou de la SEQ ID N 2 ou de leur séquence complémentaire, et un couple d'amorces internes (S1, S2) constituées d'un oligonucléotide de fusion entre une séquence spécifique de la SEQ ID N l ou de la SEQ ID N 2 ou de leur séquence complémentaire fusionnée à une séquence nucléotidique contenant un site reconnu par une endonucléase de restriction, par exemple l'enzyme BsoBI.
A titre d'exemple de la mise en oeuvre des amorces selon l'invention dans un procédé d'amplification de type SDA, on peut, pour réaliser une amorce utilisable dans une réaction SDA, ajouter, à l'extrémité 5' de la région de l'amorce spécifique de SEQ ID N l ou SEQ ID N 2 selon l'invention, une séquence non spécifique de SEQ ID N l ou SEQ ID N 2 contenant un site de restriction, et plus particulièrement un site de restriction reconnu par l'cndonucléase i lincll ou BsoBI.
Une telle séquence additionnelle contenant le site de restriction reconnu par l'endonucléase B.soBI est avantageusement la séquence de nucléotides GCATCGAATGCATGTCTCGGGT, les nucléotides représentés en caractères gras correspondant au site de reconnaissance de l'enzyme BsoBI.
A titre illustratif, une amorce selon l'invention utilisable dans le cadre d'une amplification de type SDA peut être réalisée à partir de la séquence de l'amorce n 1 et sera constituée de la séquence GCATCGAATGCATGTCTCGGGTATGCTCAACACCGTGTTC, dans laquelle les nucléotides représentés en caractères gras correspondant au site de reconnaissance de l'enzyme AsoBI et les nucléotides soulignés correspondent à la séquence spécifique de l'ADN cible, en l'occurrence la séquence constituée des nucléotides nt547 à nt564 inclus de la SEQ ID N 2 Dans ce cas précis, la seconde amorce utilisée sera l'amorce n 2 modifiée comme décrit ci-dessus. Un second jeu d'amorces, amplifiant l'autre extrémité de l'acide nucléique cible, sera réalisé comme décrit ci-dessus.
A titre d'exemple dans le cas où la donnée de référence correspond à un taux de 800%, le joueur qui possèdera la carte sur laquelle est enregistrée cette valeur aura un taux de restitution sur ses mises de valeur moyenne 800%.
Selon une variante de réalisation, les données sont enregistrées dans la carte et la fonction y=f(x) est enregistrée dans le lecteur, le programme de jeu mettant en oeuvre cette fonction étant celui du lecteur.
Bien entendu dans les applications pour lesquelles il est prévu que les cartes mettent en oeuvre un programme exécutant une fonction de répartition, les cartes comportent non seulement la mémoire 100 mais aussi une unité de traitement 120 comprenant un microprocesseur et ledit programme comme l'illustre le schéma de la carte Cj.
Les lecteurs sont équipés d'une mémoire électriquement programmable 300 contenant le ou plusieurs programme(s) d'application et une unité de traitement 200 qui lance l'exécution du programme d'application prévu.
ECRAN D'AFFICHAGE COMPRENANT UNE SOURCE D'ELECTRONS A MICROPOINTES, OBSERVABLE A TRAVERS LE SUPPORT DES MICROPOINTES, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CETTE SOURCE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ, ou émission froide, et plus précisément un écran d'affichage comprenant une source d'électrons à micropointes ( microtips ) et observable à travers le support des micropointes ainsi qu'un procédé de fabrication de cette source.
L'invention s' applique notamment à la réalisation d'afficheurs matriciels permettant la visualisation d'images fixes ou animées.
Un écran conforme à l'invention comprend une structure cathodique partiellement transparente.
Rappelons que l'intérêt d'une telle structure cathodique partiellement transparente est qu'elle permet d'observer les luminophores ( phosphors ) de l'écran du côté de leur excitation par les électrons, de récupérer ainsi davantage de lumière et donc d'améliorer le rendement lumineux de l'écran.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le principe d'observation des luminophores du côté de leur excitation est connu.
Il est utilisé en particulier dans les dispositifs appelés VFDs (pour Vacuum Fluorescent Displays).
Ces dispositifs ne diffèrent des écrans à micropointes que par le mode d'émission des électrons.
La figure 1 des dessins annexés représente de façon schématique la structure d'un VFD.
Dans ce VFD, un substrat électriquement isolant P1 et une plaque de verre P2 délimitent une zone Z dans laquelle on a fait le vide et qui est fermée sur son pourtour par un matériau étanche M.
La zone Z contient des filaments chauffants F aptes à émettre des électrons par effet thermoionique.
En regard de ces filaments chauffants F, des conducteurs cathodiques C en aluminium sont formés sur le substrat P1 et recouverts de luminophores P.
La lumière L émise par ces derniers est observée en O à travers la plaque de verre P2.
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Après refroidissement du substrat qui ne dure que de 1 à 5 minutes , grâce, par exemple, à l'assistance d'un jet d'air sous pression, on dépose la couche haut indice à base de Ta205, qui peut être préparée à partir de l'une quelconque des solutions de précurseur de Ta2O5 (1, 2), déjà décrites plus haut, puis l'on procède éventuellement à la densification-réticulation de cette couche par insolation aux ultraviolets dans les mêmes conditions que pour la couche à moyen indice.
On réalise ensuite le dépôt de la couche bas indice, par exemple, en SiO2 polymérique, à partir d'une solution traitante adéquate, par exemple, l'une des solutions traitantes déjà mentionnées plus haut, c'est-à-dire une solution éthanolique de silice polymérique obtenue à partir de Si(OEt)4 en milieu HCl ou HNO3, ou encore une solution telle que [SiO2] = 2,4%, H2O/Sm0i=12 et pH-2, en milieu acide nitrique ou acide chlorhydrique et sans insolation aux UV que l'on nomme silice oligomérique" dont la préparation résulte de la modification du procédé décrit par MAEKAWA S. et OHISHI T., J. Of Non-Crystalline Solids, 169, (1994), p. 207.
On procède ensuite à la densification-réticulation de cette couche par insolation aux UV, mais l'on expose la couche à bas indice de réfraction à une énergie réduite et/ou pendant une durée réduite, par exemple 30 secondes, car les effets des UV sur la densification de cette couche sont plus limités que dans le cas des couches haut indice et moyen indice.
On met à profit l'échauffement de la surface du revêtement pour appliquer à chaud, de la manière déjà décrite, l'agent hydrophobe, tel que le T2494 .
L'ensemble du substrat et des trois couches appliquées subit alors un traitement thermique ou traitement de recuit, à une température par exemple de 80 à 200"C, de préférence 100 à 150 "C pendant 10 à 60 minutes de préférence 15 à 30 minutes, par exemple à 1500C durant 30 minutes, afin de pousser jusqu'au bout la densification des trois couches.
Le revêtement antireflet obtenu présente d'excellentes propriétés optiques, mécaniques et de tenue à l'abrasion.
La durée totale du procédé est, par exemple, de une heure environ.
Le procédé selon 1 invention de préparation manuelle d'un tel revêtement antireflet avec réticulation-densification par insolation par les ultraviolets est particulièrement bien adapté au traitement d'un substrat organique, par exemple, en plastique ne supportant pas la température élevée des traitements thermiques.
Un tel procédé permet également de réaliser des revêtements antireflets large bande et résistant à l'abrasion, notamment sur des écrans de tube cathodique, remplissant l'ensemble des exigences citées plus haut.
La densification UV permet d'abaisser notablement le temps de fabrication du revêtement tricouche en diminuant le nombre de traitements thermiques, par exemple, à 1500C de 4 à 1, l'inertie thermique du substrat volumineux triplant pratiquement les durées de traitement.
De plus, la densification W, en rendant mouillable les surfaces juste après insolation, supprime les étapes de nettoyage intermédiaire, assure une bonne interaction entre les couches, et améliore la tenue mécanique à l'abrasion du revêtement, en particulier si la couche de silice polymérique provient de la préparation de type "MAEKAWA" appelée aussi "silice oligomérique".
Enfin, l'échauffement de surface engendré par les UV permet le dépôt à chaud de l'agent hydrophobe avant l'unique traitement thermique final du tricouche et ainsi renforce à peu de frais, la tenue mécanique du revêtement ; cette méthode de densification paraît donc relativement plus simple à mettre en oeuvre de manière industrielle que la série de traitements thermiques précédemment proposée.
La figure 4 illustre un deuxième exemple de matériau optique, à savoir un matériau réfléchissant à large bande spectrale.
Selon les caractéristiques de l'invention, ce matériau comprend un substrat 15 de nature organique ou inorganique, sur lequel est déposé au moins un ensemble (une séquence) de deux couches, dans le cas de la figure 4, deux ensembles de deux couches, à savoir - une couche 19 à faible indice de réfraction et - une couche 9 à indice de réfraction élevé.
Le substrat 15 et les couches 19 et 9 sont identiques à ceux décrits dans la réalisation du matériau antireflet.
Le procédé de dépôt des couches successives du matériau réfléchissant va maintenant être décrit en faisant référence à la figure 4.
De plus, l'exemple particulier de circuit de limitation de la figure 1 ne peut agir qu'en diminuant le courant de la source 12. Tout courant parveant à la base du transistor Q3 en dehors de la source 12, notaient par le condensateur Cc, ne peut être supprimé.
Un objet de la présente invention est de prévoir une protection d ' étage de sortie qui puisse agir particulièrement rapidement.
Cet objet est atteint grâce à un circuit de protection dynamique qui agit pendant la phase de montée brusque de la tension de sortie provoquée par un court-circuit. Après la phase de montée, le circuit de protection dynamique devient inopérant et c'est un circuit de limitation de courant classique, c'est-àdire un circuit de protection statique, qui assure la protection de l'étage de sortie, le cas échéant.
La présente invention vise plus particulièrement un étage de sortie d'amplificateur comprenant un transistor de sortie bipolaire dont l'émetteur est relié à un premier potentiel d'alimentation et dont le collecteur constitue la sortie de l'amplificateur; des moyens de amande en courant de la base du transistor de sortie ; une capacité couplée entre le collecteur et la base du transistor de sortie ; et un circuit de protection dynamique comportant un élément dérivateur de la tension de sortie de l'amplificateur et un transistor de protection connecté pour réduire la amande du transistor de sortie lorsque le signal fourni par 1 'élément dérivateur dépasse un seuil prédéterminé.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, 1 'élément dérivateur comprend un oonoensateur relié entre la sortie de 1 ' amplificateur et la base du transistor de protection et une résistance reliée entre la base du transistor de protection et le premier potentiel d'alimentation.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, 1 'élément dérivateur est dimensionné de manière que le seuil prédéterminé soit dépassé lorsque la vitesse de montée de la tension de sortie de 1 'amplificateur est supérieure à la vitesse de montée de l'amplificateur.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le transistor de sortie est oonecté en Darlington avec un troisième transistor, le transistor de protection étant connecté entre la base du troisième transistor et le premier potentiel d'alimentation.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits transistors sont de type NPN.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, 1 'étage comprend en outre un circuit de protection statique.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit de protection statique comprend un cinquième transistor de même type que le transistor de sortie, cottecté en parallèle par son émetteur et sa base sur le transistor de sortie, et des moyens pour diminuer le courant de anxnarde du transistor de sortie lorsque le courant de collecteur du cinquième transistor excède un seuil prédéterminé.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens de commode en courant de la base du transistor de sortie asmprennent un sixième transistor dont 1 'émetteur est relié à un potentiel d'alimentation par une première résistance, et le circuit de protection statique comprend une deuxième résistance reliée entre le collecteur du cinquième transistor et le potentiel d'alimentation, et une diode reliée entre 1 'émetteur du sixième transistor et le collecteur du cinquième transistor.
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d ' autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles la figure 1, précédemment décrite, représente partiellement un étage de sortie classique muni d ' un circuit de limitation de courant statique la figure 2 représente partiellement 1 'étage de sortie de la figure 1, muni d'un mode de réalisation de circuit de protection dynamique selon la présente invention ; la figure 3A représente des variations de tension et de courant illustrant le fonctionnement de l'étage de la figure 2 dans un cas où le circuit de protection dynamique selon 1 'invention n ' intervient pas ; et la figure 3B représente des variations de tension et de courant illustrant le fonctionnement de 1 'étage de la figure 2 dans un cas où le circuit de protection dynamique intervient.
A la figure 2, des mêmes éléments qu'à la figure 1 sont désignés par des mêmes références. Pour des raisons de clarté, certains des éléments de la figure 1 ont été omis, notamment le circuit de protection statique Q5, 17, D.
Selon la présente invention, un élément dérivateur est connecté pour surveiller la variation de la tension de sortie Vo et comnander un transistor Q6 afin de court-circuiter la base du transistor Q3 au potentiel bas Vee lorsque les variations de la tension de sortie Vo sont trop rapides.
L'élément dérivateur comprend, dans le mode de réalisation représenté, un cosldensateur C2 relié en série avec une résistance R entre la sortie Vo et le potentiel bas Vee, le condensateur C2 étant connecté du côté de la sortie Vo. Le transistor Q6 est un transistor NPN dont le collecteur est relié à la base du transistor 93, dont l'émetteur est relié au potentiel bas Vee, et dont la base est reliée au point de connexion entre le condensateur C2 et la résistance R.
En résumé, lorsque la tension de sortie Vo croît trop rapidement, par exemple à cause d'un court-circuit, le condensateur C2 n'a pas le temps de se charger à travers la résistance R et se comporte carme une faible impédance connectée entre la sortie Vo et la base du transistor Q6. I1 en résulte que le transistor Q6 devient fortement conducteur et dérive vers le potentiel Vee tout courant parvenant à la base du transistor Q3.
A9- accès du liquide de chauffagc à l'échangeur.
A10- échangeur ou radiateur à chaleur.
All- sortie du liquide.
A12- tuyau pour apporter le liquide en IB à réchauffé.
(Voir FIG. 2) B RESERVOIR DE CARBURANT.
B1- accès de remplissage du carburant.
B2- sortie du carburant du moteur.
B3- tuyau à apport du carburant au moteur.
(Voir FIG.3) C RESERVOIR D' AZOTE A CHAUFFER.
Avant d'aller à la turbine, on chauffe l'azote en C avec l'énergie thermique de IB et ressort de C en E pour en prendre la chaleur et va enfin à la turbine en ayant converti l'énergie thermique énergie électrique grâce en GB (I'alternateur).
Cl- vanne d' accès d'azote à chauffer.
C2- tuyau d' apport de l'azote à l'unité de préchauffage de l'azote.
C3- accès d'azote à chauffer.
C4- isolation du réservoir.
C5- échappement d'azote chauffé.
C6- tuyau d'apport d'azote à E pour réchauffement.
On décrira maintenant, en référence aux Figs. 5 à 7, une variante du mode de réalisation des Figs. 1 à 4, cette variante étant bien évidemment applicable à une utilisation aussi bien avec la vis pédiculaire 2 qu'avec le crochet 3.