INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le signal TRN est une séquence de symboles produite en injectant des "1" binaires transmis à l'entrée de l'embrouilleur pour améliorer le conditionnement de l'annuleur d'écho et le réglage de l'égaliseur. Selon l'invention, la durée du signal TRN est inférieure à 512T prévu par la recommandation V.34 et ne dépasse pas NT, où N est entier par exemple égal à 128, et T est l'intervalle unitaire tétravalent d'une trame relative à la rapidité de modulation précédemment négociée. Comme pour le signal MD, selon la variante, les coefficients de l'égaliseur peuvent être téléchargés localement ou par la ligne téléphonique correspondante dans le modem.
Après avoir reçu la séquence J indiquant la taille de la constellation utilisée par le modem distant pour la transmission des séquences TRN, MP, MP' et E au cours du conditionnement final à la phase suivante 4, le modem appelé ou le modem appelant attend au plus 200 ms, au lieu de 500 ms prévu par la recommandation V.34, avant d'émettre un signal S fixant les axes de constellation.
La phase de conditionnement final est montrée à la figure 9. Après avoir détecté le signal S et le signal S, correspondant au signal S après inversion de phase, émis par le modem appelé Moa, le modem appelant MOc arrête l'émission du signal J émettant une seule séquence J' de fin d'émission de séquence J. Puis pour terminer le conditionnement, chaque modem MOc, MOa émet notamment une séquence TRN de la phase 4 dont la durée n'excède pas MT, où M est entier par exemple égal à 10, au lieu de 512T prévu par la recommandation V.34.
Entre le début de la phase 1, après la composition du numéro d'appel téléphonique du point d'accès associé au modem appelé MOa, et la fin de la phase de conditionnement final 4, les améliorations apportées par l'invention réduisent la durée de la connexion physique et protocolaire environ de la moitié de la durée prévue lorsque toutes les phases de la recommandation V.34 sont exécutées, soit un gain d'au moins six secondes environ.
Le raccourcissement de la durée de la mise en communication de deux modems est également avantageux en cas de reprise sur erreur. Par exemple, au cours de la phase 3 ou 4, lorsque la tonalité A est détectée par le modem appelant MOc, ou lorsque la tonalité B est détectée par le modem appelé MOa, le modem ayant détecté la tonalité respective lance un reconditionnement en désactivant un circuit de "prêt à émettre" 106, verrouillant un circuit de "données reçues" 104 et en passant à la phase de sondage/repérage 2, et ainsi en exécutant de nouveau les phases 3 et 4 ou la phase 4. Ce reconditionnement peut également résulter d'une perte de la porteuse par l'un des modems pendant une durée courte prédéterminée, y compris résultant d'une coupure générale du canal de transmission entre les modems, sans nécessiter une réinitialisation totale des modems en passant au premier état de connexion (RM = "0") selon l'invention.
Après la fin de la phase 4, la page d'accueil peut être émise classiquement par le modem MOa du point d'accès appelé vers le modem appelant MOc.
Toutefois, comme déjà dit en référence à la figure 5, à la fin de la phase préalable d'identification 1 par exemple relative à un modem appelant de type V.29 ou V.27 comme montré à la figure 5, c'est-à-dire après l'échange de signaux de connexion protocolaire et mémorisation de ceux-ci, le modem appelé MOa au point d'accès PA émet le contenu d'une page d'accueil AC, puis des informations complémentaires qui favorisent la réduction du temps de mise en communication V.34/V.34-96 pour les mises en communication suivantes des modems. Ces informations complémentaires correspondent aux informations sur les caractéristiques du canal de transmission entre modems et aux paramètres de fonctionnement des modems selon les variantes de l'invention, et peuvent être transmises sensiblement jusqu'à la fin de la réception de la page d'accueil dans le modem appelant MOc. Les échanges d'informations INFO à la fin de la phase 2 selon la figure 7 peuvent être ainsi situés à la fin de la phase 1, c'est-à-dire sensiblement au début de la phase 2, selon la figure 5.
Une liste dont un exemple 2 est représenté sur l'annexe 1, comprend toutes les applications présentes en mémoire avant le lancement de l'application.
En effectuant cette comparaison, une variable est définie pour déterminer le temps qui doit s'écouler entre le débit de deux unités sur le support d'information tel que carte à puce.
Variables d'entrées LISTE~NOM~TEMPS : liste de structures comprenant les noms et les temps N qui leurs sont associes. Son contenu est défini par l'administrateur de réseau, par exemple à l'aide d'un support 9 destiné à cette fin. Ce support 9 dit "dédié" est inséré dans le dispositif 2, pour toute nouvelle définition.
LISTE~NOM : liste comprenant les noms des applications lancées avant l'application.
Variable de sortie TEMPS : valeur entière définissant combien de paquets de 30 secondes doivent s'écouler entre 2 débits d'unités.
Variables locales à l'algorithme NOM : Contenant à chaque itération le nom d'un des processus actifs, jusqu'au moment où tous ont été listés.
De manière similaire, rapprochons maintenant la figure 6 de l'exemple 4 de l'annexe 3. Leur enchaînement et les interrogations ressortent de ces figure et exemple.
Les références numériques identiques, désignent des fonctionnalités ou étapes similaires.
Ainsi, la référence 23 est une étape "FONCTION 4" intervenant si la réponse en 21 est "N" pour "non", de passage à une étape ultérieure de l'algorithme. Cette étape interroge par "TEMPS = TEMPS de LISTE~NOM~TEMPS à l'index NOM~THREAD".
Sur la figure 6, est illustré un algorithme dit "ALGO2".
Le but de cet algorithme est de permettre que l'explorer de WINDOWS 95 soit considéré en tant que conteneur de données d'évaluation de la facturation, dites "ACTIVEX".
Pour pouvoir facturer ces ACTIVEX dans une application telle que courrier Internet Mail, nous devons repérer les éventuels informations de dites "THREAD", que l'expîoreur dit "explorer" peut contenir et les facturer sur le même principe que dans l'algorithme dit ALGO1.
Cette fois-ci, on ne s'appuie plus sur le nom du processus mais sur le nom de la fenêtre des THREAD appartenant à l'explorer.
Les variables d'entrées comprennent: LISTE~NOM~TEMPS : même liste que celle de ALGO1.
TEMPS : meme valeur que celle en cours dans ALGO1.
Variable de sortie TEMPS : valeur modifiée ou nom selon le traitement.
On a vu que CP désigne une section d'inscription initiale, MT1 ou MTlbis des sections de mémoire tampon, et MT2 une section de mémoire dite à accès prioritaire.
Alors, les informations ou données disponibles le sont en accès direct et instantané pour toutes les lectures ultérieures du support, avant un autre enregistrement.
Ici, 1' information "http//www.icard.net/main.html" est modifiée en "http//www.icard.com/pages/index.html" dans la section de mémoire tampon MT2.
L'étape de comparaison est ainsi effectuée.
Dans un exemple, la mémoire est allouée dynamiquement, et qu'elle sera restituée après son utilisation provisoire dynamique.
Cette étape est effectuée sous la commande d'un algorithme.
Dans ce tableau 6e, les différences sélectionnées au sein des sections MT1 et la nouvelle section MTlbis sont illustrées.
Dans cet exemple, la compression de premier niveau a été effectuée préalablement.
Les parties 1 et 2 des annexes 4 à 6, concernent aussi un procédé de calcul de coût d'applications.
Ces parties illustrent un exemple d'algorithme sous forme de code source, en langage de programmation Pascal.
Ces codes source sont brièvement expliqués.
La partie 1 illustre une syntaxe de protocole de transmission de fichier par courrier électronique.
Dans la partie 2, les termes "Function CheckAppCost (var listName: TList): integer; renvoient à l'algorithme ALGO1.
Le terme "Resuit" est le résultat d'un état de TEMPS, dont la valeur ":" est égale "=" à un terme "SFFFF" à rapprocher de "INIT 1".
Les termes "exe := ExtractFileName (pe32. szExeFile)" renvoient à "NOM". Tandis que les termes "if Exe = 'EXPLORE.EXE' then" renvoient au TEST 2.
L'algorithme ALGO 2 est déclenché par les termes "GetProcessThreadsWindows(pe32.th32ProcessID, listName, Result)" à la dernière ligne de l'annexe 4, dans la partie 2.
Dans la ligne "if Exe=PNameCost (listName.Items[i])^.name then", on comprend que "listName" définit "LISTE~NOM~TEMPS" et que la ligne est destinée à l'étape "TEST 3".
La ligne "if Result > PNameCost (listName.Items[i])^.cost then", est destinée à l'étape "TEST 6".
La ligne "Result:= PNameCost (lstName.Items[i])^.cost" est destinée à la fonction 2.
La ligne "if (TProcessEntry32 (List.Items[I]) .th32ProcessID = pe32.th32ProcessID) then" est destinée à l'étape "TEST4", et "List" définit la "LISTE~NOM".
Dans la ligne "if Kill and (Result > 2) then result : = 2", les termes (Result > 2) renvoient au "TEST 5", et la ligne est une fonctionnalité de l'étape "FONCTION 3".
Les étapes "FONCTION 1" et "TEST 1" sont dépendantes des termes"until (not Process32Next (hProcessSnap, pe32))".
Selon une variante de réalisation représentée sur la figure 4, les deux tiroirs mobiles 7a, 7b du moule 7 comportent un épaulement périphérique 14 s'étendant axialement jusqu'à la bobine 3, préalablement disposée sur son support 5, de manière à renforcer celui-ci par extension axiale de l'élément de liaison 4, lors du moulage.
Selon une variante de réalisation non représentée, les deux tiroirs mobiles 7a, 7b du moule 7 comporte un épaulement périphérique s'étendant axialement jusqu'à la butée arrière 10 du noyau 9 de manière à envelopper à la fois la bobine 3 et son support 5 par extension axiale de l'élément de liaison 4.
Selon une variante de réalisation représentée sur la figure 6, les deux tiroirs mobiles 7a, 7b du moule 7 comportent un double épaulement périphérique 16 dont l'un 15 situé du côté de l'empreinte 6 permet une extension axiale de l'élément de liaison 4 qui y est formée et dont l'autre 16 d'un diamètre plus grand, est destiné au logement de la bobine 3 à distance du noyau 9 du moule, préalablement à l'opération de moulage de manière à réaliser un support de bobine 5A obtenu par moulage avec l'élément de liaison 4 au cours d'une même opération.
Selon un perfectionnement de ce dernier mode de réalisation illustré sur les figures 7 et 8, les deux tiroirs mobiles du moule comportent une pluralité d'évidements axiaux réalisés en alternance autour de la bobine, de manière à obtenir des ajours 17 selon une séquence angulaire prédéterminée, pour permettre le refroidissement de ladite bobine 3.
Selon un perfectionnement de l'invention représenté sur les figures 9 à 14, la solidarisation de l'élément de liaison 4 avec le piston 2 est renforcée par la réalisation d'une déformation 18 de la paroi de celui-ci, vers l'intérieur ou vers l'extérieur, dans la zone traversant l'élément de liaison 4, celui-ci étant constitué par une roue comportant une pluralité de rayons 4c conformant des ouvertures 4d destinées au passage d'un fluide et contribuant au maintien en position des éléments entre eux.
Selon différentes variantes de réalisation de cette caractéristique - la figure 9 montre une déformation 18A obtenue par rétreint lors de l'injection, - la figure 10 montre une déformation 18B obtenue par restriction mécanique, - la figure 11 montre une déformation 18C obtenue par augmentation du diamètre du tube par des moyens mécaniques, - la figure 12 montre une déformation 18D obtenue par moletage du tube 2, - la figure 13 montre une déformation 18E effectuée par usinage d'une gorge ou d'une collerette, - la figure 14 montre une déformation 18F réalisée par perçage d'un ou plusieurs trous perpendiculaires à l'axe du tube 2.
En fait et de manière générale les fonctions de la pièce de liaison sont obtenues par un travail des formes de celle-ci et donc de l'empreinte, ainsi que par le matériau synthétique, chargé ou non, utilisé.
C'est ainsi qu'on peut établir les fonctions suivantes - fonction mécanique : liaison complète de deux pièces.
- fonction cinématique : transfert de mouvement vibratoire rigide.
- fonction dynamique : transfert des forces sans inertie pour une réponse rapide de l'équipage mobile.
- fonction hydraulique : moindre résistance aux écoulements par rapport aux fluides en présence.
- fonction chimique : inertie par rapport au produit transporté.
- fonction thermique : résistance à l'aliénation de températures dues au courant électrique et à la température même des fluides à véhiculer.
- fonction acoustique : permet de réaliser des formes utiles aux fonctions acoustiques.
- fonction électrique : permet la liaison entre la connectique ou des moyens d'apport en électricité.
Ces deux dernières fonctions permettent précisément l'extension de l'invention à un second exemple d'application qui est la réalisation d'un hautparleur.
Or, pour de telles applications, il s'avère qu'il n'est pas possible d'obtenir des blocs monocristallins de GaN de taille suffisante.
Ainsi, actuellement, on réalise des substrats comportant une couche de GaN que l'on a fait croître par hétéroépitaxie sur un support de saphir ou de carbure de silicium (SiC).
L'utilisation du saphir comme support d'épitaxie conduit à des couches de GaN présentant une grande densité de défauts cristallins. L'utilisation du carbure de silicium (SiC) comme support d'épitaxie permet d'obtenir une meilleur qualité cristalline. I1 existe en effet un meilleur accord de paramètre de maille entre le GaN et le SiC.
Le coût très important des substrats de SiC monocristallin constitue cependant un handicap pour son utilisation comme support d'épitaxie.
En raison du coût élevé des substrats monocristallins de SiC il est possible d'avoir recours à des substrats plus économiques qui ne comportent qu'une mince couche superficielle de SiC à la surface d'un substrat de base en silicium.
Cependant, le silicium, le carbure de silicium, et le nitrure de gallium formé ultérieurement, présentent des coefficients de dilatation thermiques assez différents. Des contraintes importantes ainsi qu'une grande densité de défauts apparaissent alors lors de la formation du nitrure de gallium sur un tel substrat.
Ce problème peut être au moins en partie résolu en prévoyant une couche d'oxyde entre le silicium et le carbure de silicium. Cette couche permet de réduire les contraintes dues à une dilatation différentielle et obtenir ainsi un substrat dit "compliant".
De façon connue, il est par exemple possible de réaliser des structures de type carbure de silicium sur isolant (SOI) en formant par épitaxie une couche de SiC sur un substrat de type silicium sur isolant (SOI).
Cependant, dans ces cas, il reste un mince film de silicium de la couche superficielle de silicium du SOI, entre le SiC et l'oxyde. Or, ce film de silicium fait perdre en partie les propriétés de "compliance" obtenues avec la couche d'oxyde de la structure SOI. De plus, lors de l'épitaxie du SiC, des cavités se forment dans la couche d'oxyde et des défauts apparaissent dans la couche de SiC.
I1 est possible également de réaliser une carburation de la couche superficielle de silicium d'un substrat de type silicium sur isolant (SOI) , pour la transformer entièrement en SiC et obtenir ainsi une interface SiC/oxyde sans silicium intermédiaire.
Cette solution s'avère cependant difficile à mettre en oeuvre dans la mesure où la couche superficielle de silicium des structures SOI présente généralement une épaisseur de quelques centaines de nanomètres. La carburation du silicium ne permet, en effet, d'obtenir une couche de SiC que sur une épaisseur de l'ordre de la dizaine de nanomètres.
Le document (1) dont la référence est précisée à la fin de la présente description propose un autre procédé pour obtenir un substrat "compliant", comportant une couche de carbure de silicium sur une couche d'oxyde.
Conformément à ce document on forme à la surface d'un substrat de SiC massif, une couche d'oxyde et on implante des ions dans le substrat pour y créer une zone de fragilisation. Cette zone de fragilisation délimite dans le substrat une couche superficielle de SiC en contact avec la couche d'oxyde.
Le substrat de SiC, équipé de la couche d'oxyde, est reporté ensuite sur un substrat cible, en silicium, en mettant en contact la couche d'oxyde avec le substrat cible.
Enfin, un traitement thermique permet de provoquer un clivage du substrat de SiC selon la zone de fragilisation et de libérer la couche superficielle de SiC. Cette couche reste solidaire du substrat cible par l'intermédiaire de la couche isolante.
Le clivage d'un substrat selon une zone de fragilisation, par un traitement thermique, est encore décrit dans le document (2) dont la référence est également précisée à la fin de la présente description.
En se reportant aux figures 2 à 4, sont illustrés les gains obtenus de volume utile de mémoire avec le procédé de compression décrit.
Le procédé de calcul du coût des applications est maintenant décrit.
Le but de ce calcul du coût des applications est de détecter les applications en mémoire et de leurs associer un coût fonction du temps, entre chaque débit d'unité.
Les règles à respecter sont dans les exemples telles que - Une application peut être gratuite.
- Si plusieurs applications sont exécutées en même temps en mémoire du dispositif, la plus consommatrice en unité est dominante sur le réglage de la vitesse de débit des unités du compteur.
- Lorsqu'une nouvelle application non gratuite est détectée en mémoire, le compteur est débité d'une unité.
- Lorsqu'une application n'est pas référencée dans la table associant chaque applications a un prix, elle est facturée sur un tarif forfaitaire, par exemple d'une unité par minute.
Dans le système 1, un dispositif 4 en réseau dit de gestion tient à jour une table associant à chaque application un coût que l'administrateur du PC peut redéfinir.
Un exemple 1 de ce tableau est représenté sur l'annexe 1.
Le temps minimum entre deux débits d'unité est dans l'exemple de 30 secondes.
Seules les applications lancées par l'utilisateur vont être facturées.
Le fonctionnement de calcul du coût des applications prévoit de mettre en oeuvre plusieurs logiques opérationnelles - Le repérage des applications ou "process" en mémoire.
- Les techniques retenues pour connaître à tout moment l'état de la mémoire de l'application opérationnelle, par exemple à interface graphique, par exemple Windows (R), qui sont les suivantes 1) Une temporisation ou "timer" d'une vitesse d'horloge dite "granulaire" de 10 secondes, lance une fonction de vérification du contenu de la mémoire.
2) Une autre version prévoit pour non plus de scruter ou "scanner" en permanence la mémoire, mais d'être alerté à chaque démarrage de processus par l'application d'exploitation du dispositif 2.
Figure 6).
Tableau 4 : Cinétique de l'évolution des concentrations en resvératrol sur des feuilles de vitroplants de 41B, induites aux U.V. prélevées sur les plants en culture sur milieu gélosé, puis isolées et analysées pour leur contenu en resvératrol à différentes périodes après induction.
Temps après Quantité de resvératrol induction (h) (en gel de Matière Fraîche) Témoin PCT 55-2 PCT 55-3 NI O 0 0 0 0,6 0 0 8 30,8 12,1 9 17 56,8 71,7 47 24 83,2 81,4 35,2 32 15,5 7,7 151,8 Léqende du tableau 4 : Les résultats sont exprimés en yg. gl de matière fraîche. Deux plantes transformées PCT 55-2 et PCT 55-3 ont été analysées en comparaison avec le témoin.
NI : Non induit aux U.V..
Dans ces conditions, après stress aux U.V., la quantité de resvératrol retrouvée dans les feuilles témoins est maximale 24 heures après l'induction (de l'ordre de 80 Ugg-l m.f. pour le 41B). Cependant, des variations importantes existent selon la date de l'analyse dans le cycle de repiquage des vitroplants : cycle de microbouturage.
Les résultats obtenus après analyse par Northern blot, en utilisant la sonde vstl sont présentés à la Figure 7. Au moins deux types de transcrits, de tailles très proches (environ 1,8 kb), ont été détectés. Bien qu'une hybridation croisée avec un tanscrit de chalcone synthase ne soit pas à exclure, les différents ARNs messagers reconnus correspondent vraisemblablement à l'expression de différents gènes de stilbène synthase. Il a en effet été montré chez la vigne (WIESE et al., 1994 ; KINDL1 communication personnelle) que des différences existaient dans les cinétiques d'induction des différents gènes de la famille multigénique codant pour les stilbène synthases.
L'analyse par Northern blot a mis en évidence que chez les feuilles excisées de vigne 41B, soumises ensuite au stress abiotique que constitue l'exposition aux U.V., les transcrits de stilbène synthase présentent un maximum d'expression environ 17 heures à 32 heures après induction.
Ces résultats sont comparables à ceux obtenus avec des cultures de cellules de vigne qui ont montré elles aussi le même modèle d'expression mais avec la présence de deux maxima (WIESE et al., 1994). c) Etude de stress abiotique (U.V.) sur feuille isolée en survie (expérience NO 2), induction sur vitro-plants avant isolement des feuilles Le tableau 5 ci-dessous présente les résultats obtenus pour une seconde série de transformants ayant intégré l'insert de 13 kb. L'étude de la cinétique d'induction par U.V. de l'expression des gènes codant pour la stilbène synthase a été réalisée après une période séparant l'induction par les U.V. des analyses variant de 20, 40 ou 60 heures. Tableau 5 : Concentration en resvératrol de feuilles isolées de vitroplants de vigne après induction aux ultraviolets et extraction à différents temps de survie.
Temps de survie des feuilles isolées de vitroplants après induction aux U.V. (8mn à 254 nm) et avant extraction du resvératrol Clone étudié 20 heures 40 heures 60 heures 41B - Témoin o 0 0 non induit 41B - Témoin 281 165 6 induit Clone 55-2 135 918 58 induit Clone 55-3 44 931 301 induit Clone 55-5 392 83 657 induit Clone 55-6 339 235 43 induit Clone 55-7 263 411 148 induit Clone 55-9 386 823 54 induit Légende du tableau 5 Les concentrations en resvératrol sont exprimées en pg.g de matière sèche.
41B porte-greffe hybride V. vinifera Chasselas x V.
Berlandierri.
Les résultats présentés dans le tableau 5 permettent de distinguer deux groupes de plantes - le premier correspond au témoin et à deux des transformants 55-6 et 55-7. Ils présentent en général un maximum de concentration en resvératrol compris entre 280 et 410 Lg.g 1 matière sèche et cela en général 20 heures après l'induction sauf pour le clone 55-7 où il est situé à 40 heures - le second groupe présente quant à lui des maxima plus élevés soit presque le double du premier (820 à 930 ptg. g-l matière sèche). Il est constitué uniquement de transformants (55-2, 55-3 et 55-9). Le maximum est exprimé 40 heures après l'induction aux U.V., par contre, 20 heures après induction, ces plantes ont souvent des concentrations très inférieures à celles du premier groupe. C'est le cas par exemple des clones 55-2 et 55-3 (135 et 44 Cig.g-l de matière sèche respectivement). L'un des clones, 55-9, est cependant intéressant puisqu'il montre des concentrations en resvératrol supérieures à celles du témoin dans tous les cas (386, 823 et 54 g.g-l de matière sèche pour des temps de 20, 40 et 60 heures après induction).
* Dans ce système de feuille en survie, un témoin non induit ne présente jamais de resvératrol et dans presque tous les cas (hormis le clone 55-5 qui a un comportement particulier), la concentration en resvératrol chute de manière drastique 60 heures après induction. d) Etude de stress abiotique (U.V.) effectuée sur vitroplants en culture sur milieu gélosé Cette étude, effectuée sur plante en croissance sur milieu gélosé, permet d'analyser la production de resvératrol en condition d'expression éventuelle d'autres mécanismes de défense de la plante, tout au moins ceux susceptibles de s'exprimer dans les conditions de culture in vitre. De plus, elle permet de suivre la synthèse de resvératrol sur une période plus longue (dans les études précédentes, la feuille isolée se nécrose au-delà de 72 heures).