INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
C'est une bactérie aérobie stricte, nonfermentative, catalase +, cytochrome oxydase +, non dénitrifiante, non-accumulatrice de poly P -hydroxybutyrate (PHB).
Elle utilise une large variété de substrats carbonés ; elle peut utiliser en particulier comme seule source de carbone l'un quelconque des substrats suivants glycérol, D-xylose, galactose, glucose, fructose, mannitol, cellobiose, maltose, lactose, mélibiose, saccharose, amidon, gentobiose, D-turanose, et gluconate.
Lorsque la pâte 32 est plus dure que la pâte 11, le médaillon 50 est, après cuisson, plus croustillant que le reste du produit.
A titre d'exemple, la première pâte 11 peut avoir la composition pondérale suivante - farine 50 % - eau 8%; - matières grasses 20 % - autres ingrédients 22 %.
La deuxième pâte crue 32 pourra avoir la composition pondérale suivante Formulation A - farine 58% - eau 6 sl; ; - matières grasses 13,5 % - autres ingrédients 22,5 % Formulation B - farine 57 % - eau 5%; - matières grasses 20 % - autres ingrédients 18 %.
En général, la différence de rhéologie (de viscoélasticité) entre deux pâtes ayant la même température dépend essentiellement de leur rapport entre l'eau et les matières grasses d'une part et les autres éléments solides d'autre part.
La rhéologie d'une pâte se caractérise essentiellement par la viscoélasticité que l'on peut déterminer par exemple à l'aide du test suivant une contrainte appliquée brusquement et maintenue constante pendant un certain temps entraîne une déformation viscoélastique instantanée ainsi qu'une déformation différée ; la suppression brusque d'une contrainte entraîne de la même façon une recouvrance élastique instantanée suivie d'une recouvrance différée, de nature viscoélastique.
D'une manière générale, plus une pâte est élastique plus sa déformation différée est importante et plus la recouvrance différée est importante et donc plus la viscoélasticité est importante.
En particulier la viscoélasticité et donc le collant de la pâte est d'autant plus élevé que la pâte contient plus d'eau et on agira préférentiellement sur la quantité d'eau contenue dans la pâte.
La mesure du collant de la pâte est effectué de la manière suivante Un échantillon de pâte est extrudé à travers une petite grille. Un module cylindrique est ensuite descendu et appliqué pendant un temps très bref contre la surface de la pâte puis remonté. On mesure alors la force nécessaire pour décoller le module cylindrique de l'échantillon.
La première pâte 11, 22 présente un rapport massique RM1 entre d'une part l'ensemble eau + matières grasses et d'autre part le reste des ingrédients, qui peut être compris entre 0,2 et 0,45. Dans l'exemple donné ci-dessus, on a RM1 = 0,4.
La deuxième pâte 32 présente un rapport massique RM2 entre d'une part l'ensemble eau + matières grasses et d'autre part le reste des ingrédients, qui peut être compris entre 0,15 et 0,35. Pour la formulation A, RM2 = 0,24 et pour la formulation B, RM2 = 0,33.
Le rapport R = RM1/RM2 est avantageusement compris entre 1,33 et 3. I1 est de préférence égal à 1,6.
CHAUSSURE EOUIPEE D'UN DISPOSITIF ELASTIQUE D'AMORTISSEMENT DES CHOCS La présente invention concerne une chaussure équipée d'un dispositif élastique d'amortissement des chocs pouvant être une chaussure de ville ou plus particulièrement une chaussure destinée à la pratique sportive.
Pendant la marche ou la course à pied, généralement le premier contact avec le sol se fait avec le talon, suivi d'un déroulement du pied sur le sol, suivi de l'appui de l'avant pied qui propulse le corps vers l'avant et en l'air. Le contact du talon sur le sol dur résulte en un pic de force dont l'intensité varie environ d'une valeur égale à deux ou trois fois le poids du coureur, principalement selon sa vitesse. Bien que ce pic soit de courte durée, le nombre élevé de cycles peut amener des blessures de fatigue, ou aggraver des blessures ou faiblesses existantes (cheville, genoux, dos, etc..).
Ainsi, il est intéressant d'équiper les chaussures d'un dispositif d'amortissement de ladite force.
Il existe de nombreuses chaussures équipées d'un dispositif d'amortissement comme, par exemple, celles utilisant une poche d'air ou une couche de mousse ; celles-ci présentent des inconvénients car pour une quantité d'énergie et une distance de compression données, la force maximale de réaction est importante en fin de compression, l'amortissement étant obtenu de façon non linéaire et l'aire, représentant l'énergie absorbée, définie par la courbe représentant la force de réaction du dispositif en fonction de la distance de compression, est inférieure à celle obtenue avec un ressort de type linéaire, à force et distance de compression égales. Si l'on veut absorber la même énergie en diminuant la force de réaction maximum, il faut alors augmenter la distance de compression ainsi que la souplesse du dispositif et l'on crée ainsi des problèmes de stabilité du pied.
Certains brevets (CH 228,630, US 3,886,674) décrivent une chaussure comportant une semelle en deux parties rigides, articulées près de l'articulation avant du pied et possédant plusieurs ressorts entre les deux parties rigides sous le talon. Ce système offre une stabilité satisfaisante mais au prix d'une semelle très haute (l'écrasement est limité par la hauteur finale du ressort) et lourde (ressort en métal). Le brevet FR 2,686,233 comporte le même système de charnière, mais ici un ressort hélicoïdal de torsion est utilisé. Ce ressort est configuré, de sorte qu'il présente un angle entre les branches plus fermé initialement, cet angle s'ouvrant au cours de l'écrasement de la semelle, augmentant le bras de levier et ainsi réduisant l'augmentation de force verticale.
L'invention réside donc dans l'utilisation conjointe du textile traité et du moyen de coloriage. L'invention réside dans l'incorporation dans l'espace sérigraphié d'un produit qui fixe la couleur et permet l'effacement au lavage. L'invention permet, lors de la sérigraphie, d'imprégner le support qui mis au contact des feutres spécifiques, permet uniquement le coloriage de cette partie sérigraphiée. L'emploi de feutre sur une partie limitée du support produit un coloriage immédiat, mais qui s'efface au lavage, alors que le même résultat n'est pas atteint pour les parties non traitées.
Le dispositif selon l'invention est particulièrement destiné aux vêtements d'enfants à destination ludique.
RIVET TUBULAIRE A EXPLO N INTERNE AVEC CHAMBRE DaEXPANSION L'invention concerne un rivet tubulaire du type aveugle.
Ce type de rivet est traditionnellement posé à l'aide d'un outil destiné à extraire une tige. Cette extraction occasionne l'expansion de l'extremité libre du corps du rivet. On réalise ainsi le rivetage et rupture de la tige.
Ces rivets remplissent parfaitement leur fonction. Cependant, lorsqu'il s'agit de rivet de grande dimension, il est nécessaire du'exercer une foroe importante pour rompre la tige.
En outre, une fois extraite, la tige se révèle inutile. 11 est donc nécessaire de la ramasser pour eviter tout risque d'endommaement de m aterial ou blessures corporel les.
II est également propose des rivets à charge explosive, I'explosion étant provoquée soit par un choc, soit à l'aide d'un détonateur électrique, Un rivet de ce type est divutgue dans la demande de brevet FB-A-2 651 283. Il est cependant aisé de constater à l'examen de la figure 1, que la réalisation de ce rivet se révèle complexe.
Un deuxième dispositif est proposé dans la demande de brevet 96 03112. A l'examen de la figure 1, la réalisation de ce rivet est nettement moins compliqué, mais ces rivets comportent quelques inconvénients; I'espace compris entre le fond du corps et l'obturateur est trop restrictif, l'obturateur se bloque au fond du rivet. Ces deux facteurs dans certaines conditions de rivetage provoquent l'éclatement du rivet.
L'invention a pour obiet de remedier à ces inconvénients dont certains viennent d'étire rappelés.
Pour ce faire, le rivet selon l'invention comprend un corps tubulaire dont l'une des extrémités, ou tête, est ouverte et l'extrémité opposée à cette tete est fermée par un fond. L'interieur du rivet est nettement plus faible en diamètre que la partie supérieure. La différence de diamètre entre ia partie supérieure et la partie inférieure forme un support. Ce support maintient en place, combiné avec un tampon et obturateur, une çharge explosive auto amorçante. L'espace compris entre le fond du rivet, partie inférieure, et l'obturateur constitue une chambre d'expansion.
La chambre d'expansion, selon la taille du rivet, comporte une charge explosive supplémentaire pour assurer l'efficacité du rivetage. Le rivetage peut être obtenu simplement en exerçant une force brutale de pression sur l'obturateur (choc) ce qui provoque l'explosion de l'amorce, la charge supplémentaire, et la déformation de l'extrémité concernée du rivet (fond).
On peut naturellement obtenir ce résultat manuellement en introduisant une tige dans le corps du rivet par l'extrémité ouverte et en frappant sur cette tige, à l'aide d'un marteau ou d'un outil similaire Cependant, dans la demande de brevet No 96 03112 il est fait appel à un outil permettant la pose du rivet selon l'invention.
La figure 1 représente le rivet avec un obturateur tubulaire.
ta figure 2 représente le rivet avec un obturateur en forme de pastille.
La figure 3 représente le rivet avec la tige du dispositif de pose en position.
La figure 4 représente le rivet posé dans une assemblage riveté.
Le mélange est ensuite versé dans des coupelles puis séché soit dans une étuve ventilée à 400C, jusqu'à un extrait sec de 96 %, contrôlé par dosage d'eau par la méthode KARL-FISCHER.
2) Redis pers ion des systèmes à base de micro fibrilles de cellulose, de carboxyméthylcellulose et de saccharose, et caractérisation: Les poudres obtenues sont redispersées à 0,3 % en poids de microfibrilles de cellulose dans de l'eau distillée. L'agitation s'effectue à la pale défloculeuse à 1000 tr/mn pendant 30 mn.
Tous les systèmes sont comparés à l'échantillon témoin correspondant aux microfibrilles de cellulose à 3,1 % en extrait sec, non séchées, et diluées dans l'eau à 0,3 % à la pale défloculeuse à 1000 tr/mn pendant 5 mn.
Mélange 1 : 85 % de microfibrilles et 15 % de carboxyméthylcellulose ; redispersion à la pale défloculeuse à 1000 tr/mn pendant 30 mn.
Mélange 2 : 70 % de microfibrilles, 10 % de carboxyméthylcellulose et 20 % de saccahrose (co-additif); redispersion à la pale défloculeuse à 1000 tr/mn pendant 30 mn.
Le tableau III montre l'influence de la concentration en carboxyméthylcellulose ainsi que celle du co-additif, sur le profil rhéologique des microfibrilles de cellulose après redispersion.
Tableau lil
gradient de cisaillement viscosité (Pas) (s-1) témoin mélange l mélange 2 1,27.10-1 2,0 4,3.10-1 27 2,01.10-1 1,2 3,4.1 on1 1,5 5,05.10-1 2,8.1 o-l 2,4.10-1 5,3.101 1,27 9,7.10-2 1,1.10-1 0-1 2,01 6,2.10-2 7,4.10-2 1,810-1 5,05 3,5.10-2 4,0.10-2 7,8.10-2 12,7 2,7.10-2 2,6.10-2 4,6.10-2 20,1 1,9.10-2 2,1.10-2 38.10-2 50,5 1,6.10-2 1,4.10-2 2.6.10a 80,0 1,3.10-2 1,1.10-2 2,1.10-2 II est à noter que les suspension s obtenues selon l'invention sont stables dans le temps.
On constate que l'addition de carboxyméthylcellulose seule, présentant un haut degré de substitution, permet la redispersion de microfibrilles séchées et de créer un état de dispersion des microfibrilles tel que l'on récupère, avec 15 % d'additif, au moins 114 % de la viscosité de la suspension de microfibrilles non séchées, pour un gradient de cisaillement supérieur à 1 s-1, et au moins 22 % de la viscosité de la suspension non séchée, pour un gradient de cisaillement voisin de 0,1 s-i En présence de co-additif, cette récupération est de 260 % de la viscosité initiale pour un taux de cisaillement supérieur à 1 s-1, et de 135 % pour un taux de cisaillement voisin de 0,1 s-1. D'après ces résultats, le remplacement partiel de la carboxyméthylcellulose par du saccharose permet d'augmenter le caractère rhéofluidifiant des microfi brilles.
Films ou feuilles de matière synthétique, sans effet de blocage.
On produit des films, feuilles ou plaques de matière synthétique, selon différents procédés.
On produit des films par extrusion annulaire sous forme d'une gaine ou par extrusion à plat sur un rouleau refroidisseur. Celui-ci peut être un rouleau chromé et lisse, comme un miroir, de façon à conférer un aspect lisse au film réalisé. Le rouleau refroidisseur peut aussi are grainé, pour donner au film un aspect particulier.
Les feuilles ou plaques sont obtenues par calandrage entre des rouleaux ou extrusion-calandrage. La feuille ou la plaque passe entre au moins deux rouleaux qui lui confèrent son aspect de surface désiré, lisse ou grainé.
Lu est possible, le cas échéant, d'effectuer une opération de grainage d'un film, d'une feuille ou d'une plaque, en les faisant passer entre deux cylindres dont un au moins est graineur.
Dans tous les cas, les rouleaux graineurs sont gravés à l'inverse du résultat souhaité sur le film, le feuille ou la plaque. Ainsi, si l'on désire un grain en relief sur la feuille ou la plaque, les rouleaux sont gravés en creux et inversement, si l'on désire un grain en creux sur la feuille ou la plaque, les rouleaux sont gravés en relief.
Dans le circuit de transformation courant-tension 41 représenté sur la figure 10B, un rapport de transformation de courant R7 est donné par l'équation qui suit: R7 = 13 / li = (largeur de grille du transistor M36(M37, M38) / (longueur de grille du transistor M36 + longueur de grille du transistor M37 + longueur de grille du transistor M38)} x ((longueur de grille du transistor M31+ longueur de grille du transistor M32) / largeur du transistor M31(M32)) =2W2 / 3W1 De cette façon, au moyen de la même longueur de grille L1 qui est prévue dans tous les transistors constituant le circuit de transcourant 42 et le circuit de transformation de tension 43, la flexibilité de conception de l'aire de formation du transistor et de la valeur de courant peut être améliorée. Par conséquent, la valeur de courant de la source de courant et l'aire de circuit dans le circuit intégré peuvent être réduites. Par conséquent, une miniaturisation et une réduction de puissance de la capacité globale du circuit intégré peuvent être obtenues.
Dans les circuits de transformation courant-tension dont il a été discuté ci-avant, les MOSFET à canal P sont utilisés pour les transistors. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à la configuration mentionnée ci-avant mais des MOSFET à canal N peuvent également être utilisés pour les transistors dans le circuit de transformation courant-tension selon la présente invention. Dans ce cas, la polarité par rapport à la connexion avec la source de courant doit être inversée.
En outre, la présente invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation mais d'autres variantes et modifications peuvent être apportées sans que l'on s'écarte du cadre de la présente invention.
TRANSISTOR MOS À PUITS QUANTIQUE ET PROCEDES DE FABRICATION DE CELUI-CI DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un transistor MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur) à puits quantique et des procédés de fabrication de celui-ci.
Elle trouve des applications en microélectronique pour la fabrication de divers dispositifs comme par exemple les inverseurs numériques qui utilisent des transistors MOS complémentaires l'un de 1 autre.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La figure 1 est une vue en coupe transversale schématique d'un transistor MOS classique, à la fin du procédé d'intégration de ce transistor Le transistor de la figure 1 comprend un substrat 2 en silicium de type p.
Sur ce substrat 2 sont formés deux zones 4 et 6 espacées l'une de l'autre.
Ces zones 4 et 6 sont des zones diffusées de type nf formant la source et le drain du transistor.
Comme on le voit sur la figure 1, les zones 4 et 6 sont respectivement prolongées par des zones 8 et 10 qui sont des zones diffusées de type n (moins dopées que les zones 4 et 6).
Les zones 8 et 10 constituent des extensions des zones de source et de drain sous la grille, du transistor dont il sera question par la suite.
Le transistor de la figure 1 comprend aussi deux zones 12 et 14 qui s'étendent respectivement audessus des zones 4 et 6 et sensiblement au même niveau que les zones 8 et 10 (qui sont en face l'une de l'autre et seulement séparées l'une de l'autre par un faible intervalle de silicium de type p).
Ces zones 12 et 14 sont faites d'un siliciure métallique et sont auto-alignées par rapport à la grille du transistor et par rapport aux zones d'isolation de champ de ce transistor, dont il sera question par la suite.
Les zones 12 et 14 constituent les métallisations-shunts de la source et du drain du transistor.
Au-dessus de la zone 16 en silicium de type p qui sépare les zones 8 et 10 l'une de l'autre, se trouve une couche électriquement isolante 18 en silice qui s'étend également au-dessus de ces zones 8 et 10 et qui constitue l'isolant de grille du transistor.
Au-dessus de la couche 18 se trouve une couche 20 de silicium polycristallin.
Au-dessus de cette couche 20 se trouve une couche 22 qui est faite d'un siliciure métallique et constitue une métallisation-shunt.
La figure 22 illustre schématiquement l'achèvement du transistor résultant du procédé correspondant aux figures 20 et 21 (dépôt du matériau métallique permettant la formation des zones de source et drain 92 et 94).
La figure 23 est une vue en coupe transversale et schématique d'un autre transistor conforme à l'invention, formé sur une structure de type SOI.
Plus précisément, ce transistor de la figure 23 est obtenu comme on l'a expliqué en faisant référence aux figures 15 à 19 ou en utilisant la variante expliquée dans la description des figures 20 et 21, excepté que l'utilisation d'une structure initiale SOI ne nécessite pas l'oxydation localisée ayant permis la formation des couches 132 et 134.
On procède donc au dépôt du matériau métallique par dépôt chimique en phase vapeur après gravure du nitrure de silicium, de façon sélective par rapport à la silice.
On voit sur la figure 23 le substrat 100 en silicium, la couche de silice 102 enterrée, la zone de canal 114 en silicium et les zones de source et drain 92 et 94 qui sont séparées de la zone de canal 114 par des couches très minces en nitrure de silicium 124 et 126.
Bien entendu, dans tous les exemples donnés, un contact de grille est ultérieurement formé pour achever le transistor.
De plus, dans ces exemples, on a utilisé du silicium de type p pour le substrat dans les structures pseudo-SOI ou, dans les structures SOI, pour la couche de silicium où l'on forme les évidements, mais l'invention englobe bien entendu les transistors et procédés de fabrication correspondants qui utilisent un silicium de type n.
On donne ci-après un exemple d'application particulier du transistor MOS objet de l'invention aux mémoires non volatiles.
Cette application est relative aux transistors partiellement représentés sur les figures 8 et 18, dont le canal est un volume fermé.
Les structures de type pseudo-SOI représentées sur les figures 8 et 18 peuvent être utilisées comme un point mémoire non volatile.
On peut, en injectant des électrons par la source du transistor et par application d'une polarisation positive sur le substrat 50, stocker des électrons dans la zone du substrat 95 (figure 8) ou 138 (figure 18) au niveau de la jonction des couches d'oxyde 84, 86 (figure 8) et 132, 134 (figure 18) ayant une forme en V.
Dans ce coin, la contrainte liée à la rencontre des deux fronts d'oxydation latéraux induit des états de charge qui sont susceptibles de piéger les électrons à condition qu'ils quittent le canal de conduction.
Cette dernière condition est remplie si l'on polarise positivement le substrat 50.
La zone du substrat 95 ou 138 en forme de V joue alors le rôle de capacité de stockage du point mémoire.
Son état de charge influence la tension de seuil du transistor MOS de manière électrostatique comme dans un point mémoire non volatile classique.
COMPOSITION POUR FORMER UN SUPPORT D'APPAT ANTI TAUPES PROCEDE DE PREPARATION D'UN APPAT ANTI-TAUPES A PARTIR DE LADITE COMPOSITION ET APPAT ANTI-TAUPES OBTENU La présente invention concerne la lutte contre les taupes. Elle concerne plus particulièrement une composition très spécialement conçue pour former un support d'appât contre les taupes, un procédé permettant de réaliser un appât anti-taupes à partir de ladite composition ainsi qu'un appât anti-taupes notamment obtenu par ledit procédé.
PORTE A MOU'VEXENT \'VERTICAL L'invention concerne une porte à mouvement vertical se déplaçant entre deux rails parallèles grâce à des liens de manoeuvre rattachés aux panneaux de la porte. L'invention vise plus particulièrement un système de sécurité permettant de bloquer le panneau dès que l'un des liens se détend. notamment en cas de rupture de celui-ci.
Les portes à mouvement vertical sont particulièrement appréciées dans les locaux industriels, les entrepôts, etc...Une telle porte peut, en effet, facilement être motorisée et télécommandée.
Cependant, la sécurité de fonctionnement doit être irréprochable. On doit en particulier veiller à ce qu'elle ne puisse pas retomber brutalement à la manière d'une guillotine.
Une porte du genre concerné par l'invention comporte un panneau guidé entre deux rails parallèles ascendants, s'étendant respectivement le long des côtés de l'embrasure de la porte et fixés au mur. Le panneau comporte des roues de guidage assujetties à se déplacer dans les rainures de ces rails. Le panneau est manoeuvré par deux liens souples (typiquement des sangles, mais éventuellement des câbles, chaînes ou analogues) s'étendant respectivement en regard desdits rails, de part et d'autre du panneau. Chaque lien de manoeuvre est rattaché entre un point d'ancrage solidaire du panneau, généralement situé au bas de celui-ci, et un enrouleur ou moyen de manoeuvre analogue, le plus souvent installé en hauteur au-dessus de la porte.
Les liens de manoeuvre sont normalement toujours tendus au moins par le poids du panneau lui-même et le système de manoeuvre doit donc être conçu pour que la porte se bloque instantanément en cas de rupture d'un lien de manoeuvre précité ou d'un relâchement de celuici pour toute autre raison. Un dispositif de sécurité connu comprend un mécanisme à excentrique venant se bloquer dans la rainure du rail où se déplacent les roues de guidage. Ce mécanisme est complexe et coûteux à réaliser; sa mise au point est délicate.
L'invention vise à surmonter cet inconvénient en proposant un nouveau mécanisme de sécurité mettant à profit la proximité des rails de guidage et des liens de manoeuvre précités.
Plus précisément. l'invention concerne donc une porte à mouvement vertical comprenant un panneau guidé entre deux rails parallèles ascendants s'etendant respectivement le long des cotés de l'embrasure de la porte et deux liens de manoeuvre situés de pan et d'autre dudit panneau, respectivement en regard desdits rails, chaque lien s'étendant entre un point d'ancrage solidaire dudit panneau et un enrouleur ou analogue. caractérisée en ce que chaque rail comporte des butées espacées et en ce que chaque point d'ancrage est défini à l'extrémité d'un levier associé à un doigt apte à se déplacer en direction dudit rail, pour entrer en contact avec une butée précitée, lorsque le lien rattaché audit levier se détend.
Selon un exemple de réalisation préférée, le levier et le doigt forment une même pièce pivotante. Par ailleurs, les butées de chaque rail définissent une sorte de crémaillère.
Dans le cas fréquent où la place est limitée en hauteur, chaque rail est incurvé à sa partie supérieure et cette partie incurvée se prolonge par un tronçon sensiblement horizontal, le panneau de la porte étant quant à lui constitué par des bandeaux horizontaux articulés les uns aux autres. Avec une telle structure, le panneau de la porte vient se loger horizontalement dans un espace de dégagement supérieur de faible hauteur, lorsque la porte est ouverte. Les sangles de manoeuvre restent parallèles aux rails dans leurs parties verticales, le long des côtés de l'embrasure de la porte.