INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme le montre la figure 4B, on forme sur la surface 113 successivement une couche 116 de matériau du premier type de conduction par exemple N, une deuxième couche 118 d'un matériau d'un second type de conduction, soit P, puis une troisième couche 120 d'un matériau toujours du deuxième type de conduction. Les couches sont formées par épitaxie, par exemple selon un procédé d'épitaxie par jet molëculaire dit MBE ("Molecular Beam Epitaxy"). D'autres techniques de croissance telles que l'épitaxie en phase vapeur VPE ("Vapor Phase Epitaxy") ou le dépôt assisté par des précurseurs organométalliques MOCVD ("Metal Organic Chemical Vapor Deposition") peuvent également être envisagées. En ce qui concerne les opérations technologiques de formation des couches, on peut se référer avantageusement aux documents (6) et (7) référencés à la fin de la description.
Les matériaux utilisés pour les couches 116, 118 et 120 sont des matériaux désignés pour les couches correspondantes 16, 18 et 20 de la figure 1.
Après la formation des couches 116, 118 et 120, l'ensemble est usiné du côté de la couche 120, par exemple par gravure plasma par voie chimique, par abrasion mécanique, par usinage ionique ou une combinaison de ces techniques d'usinage. Cette gravure permet de définir sur la structure une surface plane 122 visible à la figure 4C. Elle est sensiblement perpendiculaire à l'empilement des couches.
La structure comporte, comme on peut le voir sur la figure 4C, à présent une couche 116 en un matériau dopé N, un caisson formé par la couche 118 et une région dopée P qui provient de la couche 120.
Lorsque le détecteur comporte plusieurs éléments de détection, lors de la gravure, une partie 117 de la couche 116 est préservée sur la surface 113 du substrat 114 pour assurer une continuité électrique entre les éléments de détection. A cet effet, la gravure de planarisation est arrêtée après avoir éliminé une épaisseur de 1 à 2 pm de la couche 116. La couche 116 est ainsi une couche commune pour tous les éléments de détection.
Après obtention de la surface plane 122, on forme dans la couche 120 une région dopée N qui porte la référence 121. Cette région constitue la quatrième couche déjà définie dans ce qui précède. Cette couche 121 représentée à la figure 4D forme, avec la couche 120, la diode détectant les grandes longueurs d'onde.
Elle peut être réalisée soit par diffusion soit par implantation. On peut se référer à ce titre aux documents (8) et (9) cités à la fin de la description.
Grâce à cet aspect, la jonction N-P de la photodiode sensible aux grandes longueurs d'onde du rayonnement infrarouge, effectuée dans un matériau de petite bande interdite débouche sur une surface plane qui est donc facile à isoler électriquement ou à passiver. Il est possible ainsi de diminuer les problèmes de fuite électrique au niveau de cette jonction.
La fabrication du détecteur se poursuit par la formation de prises de contact 126, 128, 130. Ces contacts correspondent aux contacts 26, 28 et 30 des figures précédentes.
L'éclairage de la structure peut avoir lieu par la face du substrat référencée 131 sur les figures 4A à 4D. Toutefois, selon un mode de mise en oeuvre particulier de l'invention, le procédé de fabrication peut être poursuivi par l'élimination du substrat pour mettre à nu la couche 116, qui reçoit donc directement le rayonnement infrarouge. Le substrat peut être éliminé par exemple par polissage ou attaque chimique.
DOCUMENTS CITES DANS LA DEMANDE (1) Independantly Accessed Back-to-Back HgCdTe photodiodes : A New Dual Band Infrared Detector I.B. Bath and al. - Resselaer Polytechnic Institute, Troy, New York, 12180, 1993 U.S.
Workshop on the physics and chemistry of Mercury Cadmium Telluride and other IR materials - Seattle (Washington).
(2) US-A-5 113 076 (3) US-A-4 956 686 (4) EP-A-0 475 525 (5) FR-A-2 646 558 (6) Molecular Beam Epitaxy of II-VI Compounds Cd,Hgl-,Te, J.P. Faurie and A. Million, Journal of Crystal Growth 54 (1981) 582-585.
(7) HgCdTe Double Heterostructure for Infrared Injection Laser. A. Million et al., Journal of Crystal Growth 127 (1993) 291-295.
De manière générale, le programme ou sous programme précité est, de préférence, mis en oeuvre grâce aux moyens calculateurs 3 précédemment décrits. Il va de soi cependant que tout ou partie du sous programme précité peut être mis en oeuvre par le calculateur de traitement 100 directement associé au système de navigation terrestres inertiel, ainsi que décrit précédemment. Dans ce cas, les moyens calculateurs 3 fonctionnent alors de manière semblable à un ordinateur maître, le calculateur de traitement 100 fonctionnant comme une unité esclave par exemple.
Ainsi qu'on l'a représenté en figure 9, le sous programme précité comporte un module de calcul 4000 des coordonnées de chaque point Pjk visé en déport, en site e j et en gisement f j dans le référentiel de visée Ox', y', z', tel que représenté en figure 5.
Suite au module de calcul 4000 précité, un module de calcul 4001 est appelé, celui-ci permettant d'effectuer le calcul des coordonnées du point visé en déport Pjk dans le référentiel Gxyz du véhicule C. Ce calcul est effectué au moyen d'une matrice de passage effectuant une translation des coordonnées du vecteur de translation Ud, ainsi que décrit précédemment.
Bien entendu, on comprendra que les modules 4000, 4001 peuvent avantageusement être mis en oeuvre par le calculateur de traitement directement associé à la centrale inertielle du système de navigation terrestre constituant les moyens d'intégration de distance précédemment décrits.
Suite au module de calcul 4001, un module de calcul 4002 permet d'effectuer un calcul des coordonnées des points visés en déport Pjk dans le référentiel R, afin d'obtenir les coordonnées Xjk, Yjk, Zjk du point Pjk considéré. Ce module de calcul effectue en fait une translation des coordonnées précédemment calculées d'un vecteur Uk de composantes gk.
Le module 4002 précité est alors suivi, suite aux protocoles d'interrogation du système de radiolocalisation par satellites interrogés par le récepteur 5 selon les protocoles correspondants d'un module 4003 de calcul de la position Sgk du point G de référence du véhicule C par rapport, d'une part, au référentiel de radiolocalisation dans un premier temps, puis, bien entendu, de transformation des coordonnées Sgk dans le référentiel R.
Le module 4003 précédent est alors suivi d'un module de calcul 4004 permettant d'effectuer une correction ou même une substitu- tion des coordonnées de position Uk du point de référence C du véhicule C par rapport au référentiel R délivrées par le système de navigation inertiel terrestre par l'expression des coordonnées Sgk dans ce même référentiel R.
Cette correction ou cette substitution permet alors l'expression du point Pjk et de ses coordonnées dans le système référentiel R, afin d'obtenir ainsi des coordonnées de position réellement exploitables et constituant les données de position géophysiques et d'implantation du profil d'acquisition ou de la grille d'acquisition GA. Les algorithmes de corrections de la position Uk ou finalement gk du point G du véhicule C à partir des mêmes k k coordonnées du point de référence G du véhicule C obtenues à partir du système de radiolocalisation par satellites ne seront pas décrites car elles correspondent à des algorithmes de corrections de type classique.
Bien entendu, on comprendra que les étapes correspondant aux modules de calcul 4002, 4003, 4004 précédemment décrits sont avantageusement mises en oeuvre au moyen des moyens calculateurs 3, les calculs correspondants pouvant bien entendu être effectués sensiblement en temps réel, c'est-à-dire au temps de calcul près, lequel pour le calcul d'un point déporté Pjk n'excède pas quelques secondes.
Bien entendu, afin d'assurer une conduite sensiblement automatique du procédé objet de l'invention, le système comporte de préférence implanté en mémoire morte des moyens calculateurs 3 constitués par le microordinateur un programme interactif de type menu.
Sur les figures 10 et Il a, Il b, on a représenté, à titre d'exemple non limitatif, certains éléments du programme menu précité particulièrement adaptés à une conduite efficace du procédé automatique d'implantation et/ou de relevé de position selon la présente invention.
Selon la figure 10 précité, le programme interactif de type menu permet d'afficher une page écran d'instructions permettant d'effectuer une initialisation du système.
Cette page écran comporte au moins une incitation à entrer au moyen du clavier les coordonnées de points XO, YO, ZO de départ det l'itinéraire du véhicule C.
En outre, le programme menu précité peut comporter une pluralité de pages écran successives permettant d'afficher au moins les coordonnées Xk, Yk, Zk du point objectif suivant de l'itinéraire I du véhicule à atteindre par le point G de référence de ce dernier.
De même, la page écran permettant d'effectuer une initialisation du système comporte également une incitation, le véhicule étant placé au point de départ initial de coordonnées XO, YO, ZO à effectuer une interrogation du récepteur de radiolocalisation par satellites, afin de réaliser une acquisition des coordonnées de position Sg0 du point de référence G de l'ensemble constitué par le véhicule et ses équipements au point de départ initial de coordonnées XO, YO, ZO de l'itinéraire du véhicule par rapport au référentiel de radiolocalisation.
Selon une caractéristique avantageuse du système objet de l'invention, chaque page écran, permettant d'afficher au moins les coordonnées Xk, Yk, Zk du point objectif suivant de l'itinéraire du véhicule à atteindre par le point G de référence de ce dernier, permet également l'affichage de l'ordre j des points Pjk dont la visée en déport doit être successivement effectuée à partir de la position gk du point de référence C du véhicule. Cette page écran permet également l'affichage des angles de site e j et de gisement f j de la direction de visées en déport et de la distance p j de chaque point Pjk dont l'implantation et le relevé doivent être effectués à partir de la position gk du point de référence G du véhicule.
La présente invention concerne de façon générale la connexion électrique de deux éléments et, plus particulièrement, la connexion sans brasure de deux éléments en utilisant une fibre optique qui maintient les éléments électriques en contact tandis qu'une émission
laser est dirigée vers l'emplacement à attacher.
Des cartouches d'impression à jets d'encre fonctionnent par chauffage rapide d'un petit volume d'encre pour amener l'encre à s'évaporer et à être éjectée à travers l'un des orifices d'une série, de manière à imprimer un point d'encre sur un support d'enregistrement, par exemple une feuille de papier. L'éjection de l'encre selon une séquence appropriée à partir de chaque orifice provoque l'impression de caractères ou d'autres images sur le papier D au fur et à mesure que la tête d'impression est déplacée par rapport au papier. Une tête d'impression à jets d'encre inclut généralement (1) des canaux d'encre pour amener de l'encre à partir d'un réservoir d'encre à chaque chambres d'évaporation à proximité d'un orifice; (2) une plaque métallique à orifices ou organe à éjecteurs dans laquelle les orifices sont ménagés selon la configuration requise;et (3) un substrat de silicium contenant une série de résistances en
film mince, une résistance par chambres d'évaporation.
Pour imprimer un point d'encre unique, on fait passer, à travers une résistance sélectionnée en film mince, un courant électrique provenant d'une source extérieure d'alimentation en énergie. La résistance est alors chauffée, et surchauffe elle-même une mince couche de l'encre adjacente contenue à l'intérieur de la chambres d'évaporation, en provoquant une évaporation explosive et donc une éjection, à travers un orifice associé, d'une gouttelette
d'encre qui vient frapper le papier.
La demande brevet des États Unis Numéro de série 07/862 668 déposée le 2 avril 1992, intitulée "Integrated Nozzle Member and TAB Circuit for Inkjet Printhead", c'est-à-dire Organe à éjecteurs intégrés et circuit TAB pour tête d'imprimante à jets d'encre, décrit un nouvel organe à éjecteurs destiné à une cartouche d'impression à jets d'encre et un procédé de fabrication correspondant. Cette structure à éjecteurs intégrés et à circuit TAB est supérieure à la structure de plaque à orifices pour tête d'impression à jets d'encre, formée de nickel et fabriquée par des processus d'électroformage lithographique. Une couche de barrière inclut des chambres d'évaporation, qui entourent chaque orifice, et des canaux d'écoulement d'encre qui établissent une communication de fluide entre un réservoir d'encre et les chambres d'évaporation. Des éjecteurs, ou orifices, sont ménagés par ablation au
laser à dimère excité, ou laser Excimer selon l'expression anglo-
saxonne contractée, dans un ruban flexible sur lequel sont formées des traces conductrices. Ménager les orifices dans le ruban flexible lui- même permet de remédier aux insuffisances des plaques électroformées classiques à orifices. L'organe à orifices qui en résulte et qui comporte des orifices et des traces conductrices peut ensuite être monté sur un substrat qui contient des éléments chauffants associés à chacun des orifices. De plus, les orifices peuvent être formés alignés avec les traces conductrices agencées sur l'organe à éjecteurs, de sorte qu'un alignement d'électrodes agencées sur un substrat avec les extrémités des traces conductrices aligne aussi les éléments chauffants avec les orifices. Les fils situés aux extrémités de traces conductrices formées sur la surface arrière de l'organe à éjecteurs sont ensuite connectés aux électrodes agencées sur le substrat et amènent des signaux d'excitation pour les éléments chauffants. La procédure précédente est appelée le Tape Automated Bonding, ou TAB, c'est-à-dire le transfert automatique sur bande, d'un ensemble de tête d'impression à jets d'encre, ou ensemble de tête de TAB, que l'on
désignera par THA dans ce qui suit.
Une solution existante pour connecter aux électrodes agencées sur le substrat de THA les traces conductrices formées sur la surface arrière de l'organe à éjecteurs exige un circuit flexible de TAB o le ruban de Kapton comporte une fenêtre. Cette fenêtre ménage une ouverture pour la tête de la machine d'attache, ce qui permet un contact direct de la thermode, à point unique ou multiple, avec les fils de TAB. Par conséquent, le processus d'attache est exécuté sans contact direct entre la thermode et le ruban de Kapton. Une thermode de machine à attacher par TAB vient, à travers cette fenêtre, au contact direct des fils de TAB en cuivre du circuit flexible. La thermode exerce la force de compression thermique requise pour connecter les fils conducteurs de TAB à l'électrode de substrat de la tête d'impression. En variante, il est possible d'utiliser un procédé ultrasonique pour connecter les fils conducteurs de TAB à l'électrode de substrat de la tête d'impression. La fenêtre est ensuite remplie d'une matière d'enrobage pour minimiser les dommages aux fils conducteurs, les courts- circuits et les fuites de courant. Cette matière d'enrobage pourrait couler dans les éjecteurs et provoquer des blocages. L'ensemble de tête Tab, ou "THA", est réalisé de manière à ménager un intervalle de 0,50 à 0,75 mm entre le bord de l'enrobage et les éjecteurs. Ceci accroit de 1 à 1,5 mm les dimensions du substrat. La matière d'enrobage crée aussi une impression qui n'est pas souhaitable pour les possibilités d'entretien, et elle crée des problèmes de fiabilité et de réalisation de surfaces coplanaires. Il serait donc avantageux de disposer d'un procédé qui élimine
le besoin de ménager une fenêtre dans le circuits de TAB.
L'élimination de la fenêtre élimine aussi le besoin d'une matière d'enrobage pour couvrir les fils conducteurs du circuit de TAB. Il en résulte dès lors une réduction des dimensions de substrat, ou un nombre accru d'éjecteurs pour les mêmes dimensions de substrat, une facilité d'assemblage, des rendements de fabrication plus élevés, une fiabilité accrue, une facilité d'entretien de la surface, et une réduction
d'ensemble des coûts de matière et de fabrication.
La présent invention fournit de façon générale un procédé de connexion électrique sans brasure entre deux éléments de contact en utilisant un faisceau de lumière laser attaché à un système à fibre optique qui dirige la lumière sur le point à attacher. En utilisant le système à fibre optique, le faisceau laser est converti de façon optimale en énergie thermique et il ne se produit pas de mauvaises connexions dues à un échauffement insuffisant des contacts, ou à une destruction de ceux- ci par surchauffe. Le procédé et l'appareil fournissent une
attache rapide, reproductible, même pour de petites géométries.
- des cultures d'épithélium thymique (Plum J., De Smedt M., Defresne M.-P., Leclercq G., et Vandekerckhove B.: "Human CD34+ fetal liver stem cells differentiate to T cells in a mouse thymic microenvironment". Blood 84: 1587-1593, 1994).
Ces méthodes permettent d'obtenir dans le premier cas, tous les lignages y compris B et T, dans le deuxième cas, le lignage T.
Les milieux utilisés pour permettre la division du compartiment de la cellule souche une fois activée pour sortir de la phase Go, doivent respecter l'expression des récepteurs de la cellule souche selon des recommandations publiées dans Hatzfeld A. et al., Hématol., 1993, 35: 281-283, et dans Panterne et al., J. Cell. Physiol., 91, 1481:1489.
Le procédé de l'invention permet notamment: - d'augmenter le titre d'un vecteur contenant tout ou partie d'un gène hétérologue à transfecter, notamment dans des cellules souches hématopolétiques, - de transférer tout ou partie d'un gène dans des cellules au repos, notamment des cellules souches hématopolétiques, dans lesquelles, jusqu'à présent un tel transfert était aléatoire; d'améliorer l'efficacité de transfert dans les progéniteurs hématopolétiques précoces tels que CFU-GEMM, LTC-IC (cellule initiatrice de culture à long terme: long term culture-initiating cell) et progéniteurs lymphoïdes à fort potentiel prolifératif considérés comme "le compartiment de la cellule souche" par rapport au transfert déjà réalisé en mettant en oeuvre les procédés de l'art antérieur; par exemple, la méthode permettra un transfert dans plus de 95% des CFU GEMM pouvant se développer en colonies contenant plus de 105 cellules, les milieux StemGEM* distribués par le CNRS permettant d'évaluer de telles cellules du compartiment de la cellule souche, les souris SCID (souris immunodéficientes: severe combined immunodeficiency) humanisées et des systèmes de cultures stromales ou d'épithélium thymique (référencées ci-dessus) permettant d'évaluer le transfert dans tout le compartiment de la cellule souche; - d'améliorer la stabilité de l'expression au cours du développement des cellules souches et des progéniteurs (amplification et différenciation), des gènes marqueurs pouvant être utilisés pour suivre et évaluer cette expression (exemple: nls-Lac-Z).
Description des figures.
La figure la représente une colonie CFU-GEMM exprimant de façon stable le gène nls-Lac-Z mis en évidence par la coloration X Gal.
La figure lb représente à plus fort grossissement, un groupe de cellules érythroïdes de la colonie CFU-GEMM avec une expression du gène nls-lacZ homogène dans toutes les cellules.
La figure lc montre la localisation nucléaire de la ss-galactosidase dans les macrophages et l'absence de coloration non spécifique dans le cytoplasme.
EXEMPLE: TRANSFERT DU GENE NLS-LACZ DANS DES CELLULES SOUCHES HEMATOPOIETIQUES.
Matériel et méthodes.
Facteurs de croissance hematopolétique et antlserum.
De l'interleukine 3 (IL3) humaine recombinante, de l'interleukine 6 (IL6) humaine recombinante, du GM-CSF (granulocyte macrophage colonystimulating factor) humain recombinant et du G-CSF (granulocyte colonystimulating factor) humain recombinant sont fournis par Genetics Institute (Cambridge, MA). De l'érythropoïétine humaine recombinante est fournie par AMGEN (Thousand Oaks, CA), et du SF (Steel factor) humain recombinant provient d'IMMUNEX (Seattle, WA). Les activités spécifiques de ces cytokines sont respectivement: 2,3 x 106 U/mg, 4 x 106 U/mg, 9.3 x 106 U/mg, 7 x 104 U/mg, 4.98 x 105 U/mg et 106 U/mg. Du sérum bloquant de dinde, anti-TGF-ss, est un don du Dr. A.B. Roberts et du MB Sporn (Danielpour, D., Dart, L. L., Flanders, K. C., Roberts, A. B., & Sporn, M. B. (1989) J. Cell.
Physiol. 138, 79-86): 1 yl peut neutraliser 4 ng de TGF-ss. Il est utilisé à la concentration de 4,2 yl/ml.
Purification de cellules CD34+ Par cellules CD34+, on désigne des cellules portant l'antigène membranaire CD34 et comprenant une sous population qui représente le compartiment de la cellule souche.
Récuperation de sang de cordon ombilical.
Des échantillons de sang de cordon ombilical humains sont récupérés à partir de cordon ombilical/placenta immédiatement après la naissance, tandis que le placenta reste in situ (Broxmeyer, H. E., Douglas, G. W., Hangoc, G., Cooper, S., Bard, J., English, D., Arny, M., Thomas, L., & Boyse, E. A.
DEFAULT STATUS Définition: Voleur par défout du compte rendu d exécution de lo requête.
BOOK/CHAPTER/request name Définition: Référence de la requéte invoquée.
CONFIG: Définition: Configuration des paramètres connectés au symbole pour effectuer la requête.
Sortie S1 : Définition: Ce point de borne fournit une valeur de stotus de retour de la requête.
Type : ENUMERATE.
SOUS-type : FM~RQ~ST.
Description du traitement Alaorithme: si Elk = l alors S@k = f(REQUEST NAME) sinon Slk = DEFAULT STATUS 10) Le symbole ACTION CONSTRUCT (MCDUACT.ACT)
MCDU FICTION @ CONSTRUCT NNN Fonction Ce symbole. spécifique de l'IHM MCDU. réalise les affichages. sur un terminal de type MCDU.
d'une page et/ou d'un message définis dans une description d'action.
Entrées El: Définition: Ce point de borne reçoit l'équipotentielle décrivant la demande d'affichage résu@tant de l'action.
SOUS-type : PGE~MESS.
Paramètres NNN: Définition: Numéro d'occurrence du symbole Règles d'utilisation SAO Aucune
Balayage optomécanique pour prise de vue à grand champ La présente invention concerne la surveillance en imagerie infrarouge. Plus particulièrement, elle a trait à un procédé de balayage et un dispositif de balayage optomécanique pour prendre des vues avec un grand champ, dites également vues sectorielles ou panoramiques.
Le dispositif de balayage comprend un dispositif de prise de vue du type détecteur infrarouge à état solide. Le détecteur est soit linéaire sous la forme d'une barrette de capteurs verticaux, soit surfacique sous la forme d'une matrice de capteurs, et est associé à un objectif. Chaque capteur est une cellule à transfert de charge CCD (Charge Coupled Device). Un circuit de traitement d'image traite les images résultant de prises de vue périodiques effectuées par le détecteur de manière à visualiser des images de scènes ou cibles prédéterminées à identifier. Le détecteur est situé au plan focal de l'objectif, échantillonne spatialement et transforme le rayonnement électromagnétique reçu et focalisé par l'objectif en un signal électrique vidéo.Chaque capteur transmet ainsi un signal électrique représentatif d'un pixel composant une image.
En référence aux figures 1 et 2, un premier dispositif de balayage à grand champ connu comprend une barrette 1 ayant plusieurs dizaines de capteurs infrarouges 11, typiquement 288 capteurs, disposés généralement verticalement en colonne pour couvrir un champ en site SI de 50 à 100 environ.
La composition en In et en P des couches de confinement 16 et 20 doit être telle que l'indice optique de ces couches soit supérieur à celui des couches 14 et 22 des diodes mais inférieur à celui des puits quantiques 18a.
De plus, la composition en In et P des couches-barrières 18b de la structure à multi-puits quantiques doit être telle que la bande d'énergie interdite de ces barrières soit supérieure à celle des puits quantiques 18a.