REVENDICATIONS 1. Détecteur infrarouge bicolore à cohérence spatio-temporelle planaire, avec au moins un élément de détection comportant selon une direction (y) un empilement de couches (16, 116, 18, 118, 20, 120, 21, 121) semi-conductrices formant une première et une seconde photodiodes (32, 34) électriquement reliées en série et polarisées en inverse, caractérisé en ce qu'il présente une structure planaire où chaque couche comporte une partie affleurante sur une surface (22) de l'élément de détection, la surface (22) étant sensiblement perpendiculaire à la direction (y). 2. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'empilement comporte une première couche (16, 116) en un matériau d'un premier type de conduction, au moins une deuxième couche (18, 118) en un matériau d'un second type de conduction, une troisième couche (20, 120) en un matériau du second type de conduction, séparée de la première couche (16, 116) par la deuxième couche, et une quatrième couche (21, 121) en un matériau du premier type de conduction, séparée de la deuxième couche (18, 118) par la troisième couche (20, 120), la première et la troisième couches formant respectivement avec la deuxième et la quatrième couches la première et la seconde photodiodes (32, 34). 3. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches sont réalisées en des alliages de cadmium, de mercure et de tellure. 4. Détecteur infrarouge selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier type de conduction est une conduction par porteurs électriques de charge positive (dopage P) et le second type de conduction est une conduction par porteurs électriques de charge négative (dopage N). 5. Détecteur infrarouge bicolore selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat (14, 114) de support de la première couche (16, 116), qui est transparent au rayonnement infrarouge. 6. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première photodiode (32) et la seconde photodiode (34) sont respectivement sensible dans un premier et un second spectres de rayonnement infrarouge, le premier spectre correspondant à des longueurs d'onde inférieures à celles du second spectre. 7. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'éléments de détection (10) reliés électriquement entre eux par une couche commune (16, 116) de matériau formant respectivement la première couche de chaque élément. 8. Détecteur infrarouge selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'éléments de détection (10) disposés selon des lignes et/ou des colonnes d'une matrice de pixels. 9. Détecteur infrarouge selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une électrode de contact commune (30, 130) reliée à la couche commune (16, 116) et, pour chaque élément de détection, une électrode de contact (28, 128) respectivement pour la première diode et reliée à la troisième couche et une électrode de contact (26, 126) respectivement pour la seconde diode et reliée à la quatrième couche. 10. Procédé de fabrication d'un détecteur infrarouge bicolore à cohérence spatio-temporelle selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations successives suivantes a) réalisation dans une surface (112) d'un substrat (114), d'au moins une dépression avec une profondeur D, b) formation sur la surface et dans la dépression respectivement d'une première couche (116) d'un matériau d'un premier type de conduction, d'une seconde couche (118) et d'une troisième couche (120) d'un matériau d'un second type de conduction, la seconde couche présentant une épaisseur inférieure à la profondeur D, c) planarisation des couches selon un plan parallèle à la surface du substrat et passant par chacune des couches formées, en préservant une partie de la première couche (116) sur la surface (113) du substrat (114), d) réalisation d'une région (121) du premier type de conduction dans une partie de la troisième couche subsistant après la planarisation selon un procédé du type planar, la région (121) formant une quatrième couche et étant séparée de la deuxième couche par la troisième couche, e) réalisation de contacts ohmiques (126, 128, 130) sur les première et troisième parties et sur la région du premier type de conduction. 11. Procédé de fabrication selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'élimination du substrat après l'opération e). 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le premier type de conduction est une conduction par porteurs électriques de charge positive (dopage P) et le second type de conduction est une conduction par porteurs électriques de charge négative (dopage N). 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que lors de l'étape d), la région (121) du premier type de conduction est formée par diffusion ou par implantation.