REVENDICATIONS 1. Structure comportant une première partie (14) et au moins une deuxième partie (16) isolée électriquement de la première partie (14), les première et deuxième parties étant chacune formée dans la même plaque d'un matériau, lesdites première et deuxième parties ayant chacune sensiblement une même épaisseur, s'étendant sensiblement dans un même plan, et présentant au moins un bord (18, 20) mutuellement adjacent, et, les bords adjacents des première et deuxième parties étant séparés par un espacement (12a, 12b), caractérisée en ce que la structure comporte en outre au moins un joint (28a, 28b) de matériau isolant, disposé dans l'espacement, pour rendre les première et deuxième parties solidaires, le joint (28a, 28b) étant en contact mécanique avec au moins une portion de chaque plaque et s'étendant sensiblement sur toute l'épaisseur des plaques. 2. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que les bords adjacents (18, 20) des première et deuxième parties présentent une forme complémentaire. 3. Structure selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que la deuxième partie (16) est une portion de plaque de matériau découpée dans une plaque de matériau formant la première partie (14). 4. Structure selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que le matériau des plaques formant respectivement les première (14) et deuxième (16) parties est un matériau non-isolant. 5. Structure selon la revendication 4, caractérisée en ce que le matériau est choisi parmi les matériaux semi-conducteurs suivants AsGa, Si, SiC, les métaux suivants Au, W, Ti, Cr, Al, Fe, Ni, Mo et les alliages de ces métaux. 6. Structure selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que les première (14) et deuxième (16) parties forment respectivement les parties fixe et mobile d'un capteur ou d'un actionneur. 7. Procédé de réalisation d'une structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes a) découpage d'une plaque'de substrat (10) pour définir dans la plaque une première (14) et une deuxième (16) parties, au moins une portion de substrat, dite de maintien (22, 24), reliant les première et deuxième parties, étant préservée lors de la découpe, b > substitution d'un joint isolant de maintien (28, 28a, 28b), reliant au moins une portion des première et deuxième parties (14, 16) sur sensiblement toute leur épaisseur, à ladite portion de substrat de maintien. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape a) comporte la formation d'au moins une tranchée traversante (12a, 12b) dans la plaque de substrat (10), séparant pour l'essentiel les première et deuxième parties (14, 16) et en ce que l'étape b) comporte le remplissage de la tranchée (12a, 12b) par un matériau isolant formant le joint de maintien (28a, 28b) entre les première et deuxième parties (14, 16), et l'élimination de la portion de substrat de maintien (22, 24) reliant les première et deuxième parties. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on élimine la portion de substrat de maintien reliant les première et deuxième parties par gravure. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite portion de substrat de maintien (22, 24) est transformée en matériau électriquement isolant. 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape a) comporte la formation d'au moins une tranchée (12) non traversante dans la plaque de substrat, séparant pour l'essentiel les première et les deuxième parties (14, 16), la tranchée (12) présentant un fond de tranchée (13) formant la portion de substrat de maintien reliant les première et deuxièmes parties, et en ce que l'étape b) comporte le remplissage de la tranchée (12) avec un matériau isolant formant le joint de maintien (28) entre les première et deuxième parties, et l'élimination du fond de tranchée (13). 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on élimine le fond de tranchée (13) par un amincissement mécanique, chimique ou physique de la plaque de substrat. 13. Procédé selon la revendication 7 pour la réalisation de la structure dans une plaque de silicium, caractérisé en ce que le découpage de la plaque lors de l'étape a) comprend le percement d'une pluralité de trous juxtaposés (12c), séparés par des parois latérales de trous (22), et en ce que l'étape b) comprend l'oxydation des parois latérales (22), et le cas échéant, le fond des trous, pour les transformer en un joint isolant de maintien (28).