INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un générateur haute-tension 300, destiné à délivrer une tension négative comprise entre 0 et 100 kilovolts, est connecté aux bols 100, 101 par l'intermédiaire de câbles à haute-tension 102. Cette tension négative permet de charger le produit à l'eau, introduit dans le conduit 110, 111 de chacun des deux atomiseurs à bol tournant 100, 101. De préférence, le produit est chargé à un potentiel compris entre -50 et -100 KV, par exemple -70 KV.
Le coffret 500 assure trois fonctions de réglage.
Premièrement il permet de régler le débit de l'air qui alimente une turbine entraînant le bol. La turbine tourne d'autant plus vite que le débit d'air est élevé.
Cette vitesse de rotation conditionne la taille et la vitesse des particules qui se détachent du bol. Plus la vitesse de rotation est élevée plus ces particules sont fines et plus leur énergie cinétique est importante.
Deuxièmement, le coffret 500 permet de régler le débit de produit à l'eau diffusé par le bol. C'est ce débit qui doit être suffisamment faible pour l'application d'une première couche d'accrochage par un premier bol.
Ceci évite de plus les phénomènes de coulures précédemment évoqués. Troisièmement, le coffret 500 permet de régler le flux d'air de la jupe qui enveloppe le bol et qui conditionne l'angle d'ouverture de diffusion du bol, c'est-à-dire le diamètre de l'impact de l'atomiseur. Plus le débit d'air de jupe est important, plus le diamètre de la zone de diffusion des particules est faible.
De préférence, le diamètre de chaque bol 100, 101 est supérieur à 30 mm, soit par exemple 57 mm. En effet, un diamètre inférieur risque de provoquer des phénomènes nuisibles de mouchetures à la surface des articles. En fait, à une vitesse de turbine fixée, plus le diamètre du bol est important, plus la vitesse le long de sa circonférence est grande et par conséquent plus l'énergie cinétique des particules augmente.
L'augmentation de cette énergie cinétique va dans le sens d'un meilleur éclatement des particules et de leur répartition plus homogène à la surface des articles.
Par ailleurs, les récipients contenant les vernis et/ou peintures à l'eau sont isolés de la haute tension pour des raisons de sécurité. On utilise pour cela un système "navette" d'isolation se trouvant entre les pompes d'alimentation et les atomiseurs. Les pompes sont destinées à aspirer les produit à l'eau directement dans des récipients. L'ensemble composé du système d'isolation et des pompes est schématisé sur la figure 2 par le bloc désigné par la référence 600. Le système d'isolation utilisé est par exemple le système commercialisé sous la marque "AQUABLOCK" par la société I.T.W. RANSBURG. Les récipients sont extérieurs à la cabine. Le bloc 600 est situé contre une paroi de la cabine en regard de ces récipients qui peuvent donc être remplis sans entrer dans la cabine.
La viscosité des produits à l'eau est de préférence comprise entre 0,2 et 0,7 Poise, par exemple 0,45 Poise.
D'autre part la surface des articles en verre 200 est de préférence maintenue à une distance du bol 100, 101 qui lui fait face, comprise entre 10 et 30 cm, de préférence 20 cm, lorsque ces articles se trouvent dans l'axe de diffusion.
La distance minimale entre deux articles en verre se succédant est de l'ordre de lcm.
Les particules chargées négativement s'accumulent puis se répartissent à la surface d'un article en verre 200 et les charges négatives sont canalisées puis évacuées vers la masse M par l'intermédiaire de la pièce métallique 220 et du convoyeur métallique 210, tel qu'indiqué par les flèches F sur la figure 2.
Aucun phénomène de répulsion n'a lieu de la part de l'article. La conductibilité de surface de l'article nécessaire à la répartition des particules et à l'évacuation des charges négatives, qui apparaît lorsque les articles sont plongés dans la zone de diffusion de ces particules, est en fait due à l'adsorption par la surface vitreuse d'une très fine pellicule d'eau, d'épaisseur microscopique, issue de l'humidité de l'air ambiant.
Les polyèdres de la figure 12 sont obtenus dans des cubes d'arêtes 32mm. Chaque arête est creusée en ses 1/3 et 2/3 par des demi-sphères (5) de diamètre 5mm.
Le plateau de jeu des figures 13 et 14 est obtenu en collant sur le plateau (3) des butées (1) ayant la forme de demi-sphères de diamètre 8mm. Chaque demi-sphère se trouve au milieu du côté d'un triangle équilatéral de côté 32mm. Tous les triangles sont encastrés les uns dans les autres sans laisser d'espace vide.
Les polyèdres de la figure 14 sont obtenus dans des tétraèdres d'arêtes 32mm.
Chaque arête est creusée en sa moitié par une demi-sphère (5) de diamètre 8mm.
Le tracé des cases du plateau de jeu de la figure 15 est obtenu en traçant des triangles de côtés 25mm, 28mm et 32mm. Tous ces triangles sont encastrés les uns dans les autres sans laisser d'espace vide.
Le dispositif selon l'invention est particulièrement destiné à des jeux de réflexion notament à un jeu dont les règles sont les suivantes DESCRIPTION: - un plateau 10x10 - deux lutteurs bleus - deux lutteurs rouges BUT DU JEU Ejectez hors du plateau un lutteur adverse (fig 16) par une prise (fig 17, 18) ou un combat (fig 19, 21, 22, 23) DEPLACEMENT Un lutteur se déplace en pivotant autour d'une de ses arêtes (fig 20) sur une des quatre cases contigues.
Chaque lutteur a 6 faces: 2 faces marquées 1; 2 faces marquées 2; 2 faces marquées 4.
Si la face du dessus est un: - 1, il se déplace de 1 case lors de son déplacement - 2, il se déplace de lou 2 cases lors de son déplacement - 4,il se déplace de 1, 2, 3 ou 4 cases lors de son déplacement PRISES ET COMBATS - Prise en ligne Un lutteur est pris en ligne s'il se trouve entre deux lutteurs adverses (fig 17) II est pivoté par le joueur adverse sur une des deux cases marquées d'une croix (fig 17) et immobilisé le tour suivant.
- Prise en ciseaux Un lutteur est pris en ciseaux s'il se trouve au croisement des deux lutteurs adverses (fig 18) II est pivoté par le joueur adverse sur une des deux cases marquées d'une croix (fig 18) et immobilisé le tour suivant.
- Combat Si deux lutteurs se trouvent côte à côte il y obligatoirement combat (fig 19, 21, 22, 23) Lors d'un combat le joueur qui a la plus grande force a perdu et sera pivoté par le joueur adverse de - 1 case si c'est un combat 4-2 ou 2-1 (fig 21, 22) - 2 cases si c'est un combat 4-1 (fig 23) II sera immobilisé le tour suivant.
Si les deux forces sont égales il n'y a pas de combat (fig 24).
TOUR DE JEU 1" les lutteurs qui ne sont pas mobilisés doivent obligatoirement faire leurs déplacements 2" On effectue les combats et les prises DEBUT DE PARTIE - le premier joueur est tiré au sort - chaque joueur pose ses deux lutteurs dans les angles situés devant lui (en choisissant les faces du dessus) - le premier joueur joue un seul lutteur ( il jouera normalement ses deux lutteurs au tour suivant) - le deuxième joueur joue normalement ses deux lutteurs.
REGLES - Un lutteur peut faire un seul combat et prise par tour de jeu - Les combats s'effectuent avant les prises - La prise effectuée par les lutteurs dont c'est le tour de jeu est prioritaire sur une autre prise - Un lutteur n'a pas le droit de se mettre en prise. Mais il a le droit de passer à travers une prise pendant son déplacement.
COUPS SPECIAUX Ces coups peuvent intervenir en cours de partie Lors d'un combat perdu un lutteur est déplacé de telle sorte qu'il se retrouve en prise ou engagé dans un combat (fig 26) (sans possibilité de se dégager car il est immobilisé pendant son tour de jeu).
II devra effectuer le combat ou subir la prise lors de son tour de jeu. En revanche, pour cette action il ne sera pas immobilisé à son prochain tour de jeu.
Les quatre lutteurs se trouvent engagés dans deux combats différents lors d'un tour de jeu.
La couche d'espacement 6 est réalisée en GaAs non dopé et présente une épaisseur de 5 nm. La couche d'arrêt de gravure 7 est réalisée en AlO 5GaO.5As non dopé et présente une épaisseur 5 nm. La couche capuchon 8 est réalisée en GaAs non dopé et présente une épaisseur de 130 nm.
Puis un motif de réserve est formé, lequel comporte des ouvertures, au niveau des régions correspondant à celles où des électrodes de source et de drain sont formées. En utilisant ce motif de réserve en tant que masque, des ions de Si sont implantés sous les conditions constituées par, par exemple, une énergie d'accélération de 150 à 175 keV et une dose de 1 x 10'3 cm-2. Les atomes de Si implantés sont activés par un traitement thermique pendant 20 minutes à 850"C. De cette manière, des régions faible résistance 10S et 10D sont formées au niveau des régions correspondant à celles au niveau desquelles les électrodes de source et de drain sont formées, les régions de faible résistance 10S et 10D s'étendant depuis la couche capuchon 8 vers le bas à l'intérieur de la couche de surface de la couche de transfert d'électrons 3.
Sans ôter le motif de réserve utilisé en tant que masque, une stratification de AuGe/Au est déposée au moyen d'un dépôt en phase vapeur. Par exemple, la couche en AuGe est d'une épaisseur de 50 nm et la couche en Au est d'une épaisseur de 300 nm. Ensuite, le motif de réserve et la couche en AuGe/Au déposée dessus sont ôtés. De cette manière, une électrode de source 9S et une électrode de drain 9D sont formées. Selon ce mode de réalisation, la distance LSD entre les électrodes de source et de drain 9S et 9D est établie à 4 zm.
Les interfaces entre la couche capuchon 8 et les électrodes de source et de drain 9S et 9D sont alliées par l'intermédiaire d'un traitement thermique pendant environ 2 minutes à une température de 450"C dans une atmosphère de N2 Un motif de réserve est formé, lequel comporte une ouverture au niveau de la région correspondant à une région de formation d'électrode de grille entre les électrodes de source et de drain 9S et 9D.
En utilisant ce motif de réserve en tant que masque, la couche capuchon 8 est gravée au moyen d'une gravure ionique réactive (RIE) qui utilise SiCl4 + SF6 en tant que gaz de gravure. Ce gaz de gravure grave légèrement l'AlGaAs de telle sorte que la gravure suivant la direction de profondeur s'arrête lorsque la surface supérieure de la couche d'arrêt de gravure 7 réalisée en AlGaAs est mise à nu.
Au moyen d'une gravure par voie humide qui utilise du HNO3, la couche d'arrêt de gravure 7 au niveau de la région mise à nu est posttraitée. Le HNO3 ôte la couche d'arrêt de gravure 7 endommagée par la gravure par voie sèche et met à nu la surface de la couche d'espacement 6. De cette manière, un évidement 12 est formé, lequel s'étend jusqu'à la surface supérieure de la couche d'espacement 6.
Sans ôter le motif de réserve utilisé en tant que masque de gravure, une couche en Al est déposée en phase vapeur jusqu'a une épaisseur de 300 nm. Ensuite, le motif de réserve et la couche en Al déposée en phase vapeur dessus sont ôtés. De cette manière, une électrode de grille 1 1 en Al remplissant complètement l'évidement 12 est formée. Selon ce mode de réalisation, la distance LSG entre l'extrémité de l'électrode de source 9S sur le côté d'électrode de grille et le centre de l'électrode de grille 1 1 est établie à 1,5 pm et la longueur de grille LG est établie à 0,9 llm.
La figure 2 représente la caractéristique de courant-tension du MESFET représenté sur la figure 1. L'abscisse représente une tension de drain en V et l'ordonnée représente un courant de drain en mA.
Une tension de grille est indiquée au niveau de chaque courbe de la figure 2. Le courant de drain circule difficilement pour la tension de grille de 0 V. On peut par conséquent comprendre que le MESFET prend le mode enrichissement. Lorsque la tension de grille augmente, le courant de drain de saturation augmente. Le courant de drain de saturation est d'environ 160 mA pour la tension de grille de 1,6 V.
Puisque l'épaisseur de la couche capuchon 8 du MESFET représenté sur la figure 1 est de 130 nm, on peut s'attendre à ce qu'une augmentation de la résistance par carré de la couche de transfert d'électrons 3 soit atténuée, comme il a été discuté en relation avec la figure 7C. En outre, puisque la couche capuchon 8 est en contact avec les parois latérales de l'électrode de grille 11, une couche d'appauvrissement de surface telle que représentée sur la figure 7A est empêchée d'être formée au niveau des deux côtés de l'électrode de grille.
Le rapport de composition de l'Al de la couche de contact de grille 5 réalisée en AlGaAs est établi à 0,5. Ce rapport de composition de l'Al de la couche de contact de grille 5 a été classiquement établi à environ 0,2. En augmentant le rapport de composition de l'Al, le potentiel interne au niveau de l'interface entre l'électrode de grille 1 1 et la couche de contact de grille 5 peut être augmenté. Comme il a été discuté en relation avec la figure 5B, lorsque le potentiel interne est augmenté, la tension de pincement augmente et le courant de fuite de grille pour une tension de grille positive peut être réduit. Par conséquent, l'augmentation du potentiel interne est efficace pour la fabrication d'un MESFET de mode enrichissement. Des effets similaires peuvent être attendus pour le rapport de composition de 0,4 à 1,0 de l'Al dans la couche de contact de grille.
La couche de relaxation 4 atténue la rugosité de l'interface entre la couche de transfert d'électrons et la couche de contact de grille 5.
La couche d'arrêt de gravure 7 présentant une vitesse de gravure différente à la fois de la couche d'espacement 6 et de la couche capuchon 8 est formée sur la couche d'espacement 6 sur la couche de contact de grille 5. Le fait de prévoir cette couche d'arrêt de gravure 7 facilite la commande de la profondeur de l'évidement 12.
Selon le premier mode de réalisation, la distance d'électrode source-drain LSD du MESFET représenté sur la figure 1 est établie à 4 llm Afin d'améliorer l'efficacité de drain du MESFET, il est préférable d'établir la distance d'électrode source-drain LSD à 4 zm ou moins. Par ailleurs, la distance Lsc entre l'électrode de source et le centre de l'électrode de grille est établie à 1,5 llm. Afin d'obtenir une bonne conductance mutuelle, cette distance Lsc est de préférence établie à 1,5 llm ou moins.
La figure 3A est une vue en coupe d'un MESFET selon le second mode de réalisation de l'invention. Pour le MESFET représenté sur la figure 1, les électrodes de source et de drain 9S et 9D sont formées sur la couche capuchon 8. A l'opposé, pour le MESFET représenté sur la figure 3A, des évidements 13S et 13D sont formés de manière à s'étendre depuis la couche capuchon 8 vers le bas jusqu'à la couche de fond de la couche d'espacement 6 afin de mettre à nu la surface supérieure de la couche de contact de grille 5 de telle sorte que les électrodes de source et de drain 9S et 9D soient formées en contact direct avec la couche de contact de grille 5.
Pour le MESFET représenté sur la figure 1, les régions de faible résistance dopées au Si 10S et 10D font que la couche de transfert d'électrons 3 est en contact ohmique avec les régions de source et de drain 9S et 9D. A l'opposé, pour le MESFET représenté sur la figure 3A, il y a seulement la couche de relaxation 4 et la couche de contact de grille 5 entre la couche de transfert d'électrons 3 et les électrodes de source et de drain 9S et 9D de telle sorte qu'un contact ohmique peut être établi en alliant seulement les régions inférieures sous les électrodes de source et de drain 9S et 9D. Les autre structures sont similaires à celles du MESFET représenté sur la figure 1.
mutateur 676 est fermé, un courant est délivré par l'intermédiaire d'une diode 614 au fil 603, provoquant également l'excitation du cristal 608, alimentant le micro-contrôleur en même temps que la broche P33 du microcontrôleur est mise au niveau haut. De façon similaire, lorsqu'un commutateur 677 est
fermé, l'alimentation est délivrée par l'intermédiaire d'une diode 619 au cris-
tal 608, de même qu'une tension de niveau haut est délivrée par l'intermé-
diaire d'une résistance 620 à la broche P31.
Le micro-contrôleur 678 est couplé par l'intermédiaire du bus série 679
à un port de sélection, à un port d'horloge et à un port Dl dans lequel et de-
puis lequel des données série peuvent être écrites et lues et auquel des
adresses peuvent être appliquées. Comme on le verra ci-après dans le fonc-
tionnement du micro-dispositif de commande, le micro-contrôleur 678 produit des signaux de sortie sur le fil 681, ceux-ci étant délivrés à une résistance 625 qui est couplée à une résistance de division de tension 626, délivrant des signaux au fil 627. Une inductance de 30 nanohenrys 628 est couplée à un
transistor NPN 629 par sa base 620. Le transistor 629 comporte un collec-
teur 631 et un émetteur 632. Le collecteur 631 est connecté à l'antenne 683, qui, dans ce cas, comprend une carte de circuits imprimés, une antenne en boucle ayant une inductance de 25 nanohenrys, comprenant une partie du circuit bouchon avec un condensateur 633, un condensateur variable 634
pour le réglage, un condensateur 635 et un condensateur 636. Une induc-
tance de 30 nanohenrys 638 est couplée à la masse par l'intermédiaire d'un condensateur 639. Le condensateur a une résistance 640 qui est connectée à la masse en parallèle avec lui. Lorsque la sortie du fil 681 est mise au niveau haut par le micro-dispositif de commande, le transistor Q1 est commuté de
façon à être passant, provoquant la délivrance en sortie d'un signal sur l'an-
tenne 683 par le circuit bouchon. Lorsque le transistor est commuté de façon à être bloqué, la sortie d'attaque du circuit de bouchon est éteinte, ce qui provoque également l'extinction du signal de haute fréquence sur l'antenne
On fait réagir 0.6g (1.9 mmoles) de 8-chloro-4 méthvl-l-(4-nitrophényl)4.5-
dihydro-3H-'2.3-benzodiazépine (préparé dans l'exemple 5. étape D ou dans l'exemple 36. compose de départ) avec de l'isocvanate de n-propyle selon le procédé décrit dans l'exemple 44. On recristallise le produit brut dans l'éthanol. On obtient
ainsi 0.63g (83 o) de composé en rubrique. P.f.: 186-187 C.
EXEMPLE 47
1 -(4-aminophény l)-8-chloro-4-méthlyl-3 -( n-propvlcarbanmovl)-4.5dihydro-.3 H-2._3-
benzodiazépillne
On réduit 0.6g (1.5 mmole) de 8-chloro-4-méthvl-1-(4-nitrophényl)-3-(n-
2) propylcarbaimoy-I)-4.5-dillhdr-o-3H-2.3-benzodiazépine (préparé dans l'exemple 46) selon le procédé de l'exemple 2. On obtient ainsi 0. 52g (93%) du composé en
rubrique. P. f.: 88-90 C.
EXEMPLE 48
3-(isopropy lcarbamoy I)-8-clhloro-4-méthyl- 1 -(4-nitrophlénvyl)-4.5dih-dro-3 H-2'.3-
On fait réagir 0.6g (1.9 mmoles) de 8-chloro-4-méthyl-l-(4-nitrophénvl)4,5-
dih-dro-3H-2.3-benzodiazépine (préparé dans l'exemple 5. étape D ou dans l'exemple 36. produit de départ) avec de l'isocvanate d'isopropyle selon le procédé de l'exemple 44. On recristallise le produit brut dans l'éthanol. On obtient ainsi 0.4Z
3) (53%) du produit en rubrique. P.f.: 172-174-C.
EXEMPLE 49
De manière remarquable - le sabot 8A du moyen de liaison 8 est relié à la poutre 4 par une pièce d'entretoisement 8B qui traverse localement la coque 2 par une découpe (non représentée) et - la coque 2 est équipé d'un moyen 9 de traversée étanche de la découpe de la coque par la pièce d'entretoisement 8B.
Dans une forme de réalisation, le moyen 9 de traversée étanche comprend, d'une part, deux plaques 9B de matériau élastiquement déformable, chacune pourvue d'une perforation ajustée à la section transversale de la pièce d'entretoisement 8B et, d'autre part, deux éléments 9C d'appui de ses plaques 9B chacune contre l'une des faces opposées de la paroi de la coque autour de la découpe qu'elle présente pour la traversée par la pièce d'entretoisement 8B.
Les éléments 9C d'appui sont, par exemple, des pièces qui, montées coulissantes sur la pièce d'entretoisement, sont équipées d'un moyen d'immobilisation en translation.
De préférence, à chacune de ses extrémités 2C, 2D, la coque 2 ne prend pas directement appui sur chaque portée 4C à cet effet de la poutre 4 mais par le biais d'une pièce 12 telle une rondelle.
De manière également remarquable - la coque 2 est réalisée en deux pièces 2E qui s'assemblent selon un plan d'assemblage A sensiblement orthogonal à son axe longitudinal 2A et par le biais d'une pièce annulaire d'étanchéité 10, contre laquelle elles prennent appui par des faces 2F à cet effet, - les extrémités opposées 4A, 4B de la poutre axiale 4 présentent des portées 4C qui sont opposées et chacune orientées pour constituer une butée en vue de l'appui longitudinal d'une portée antagoniste 2G quant à elle prévue sur chacune des pièces 2E de coque au niveau de leur partie destinée à constituer l'une des extrémités 2C, 2D de la coque 2, - au moins l'une des extrémités 4A, 4B de la poutre 4 présente un moyen 11 de sollicitation énergique d'une des pièces de coques vers l'autre, de manière à générer leur application contre la pièce d'étanchéité 10 située dans leur plan d'assemblage A.
De préférence, le moyen 11 de sollicitation énergique d'une des pièces de coques vers l'autre met en oeuvre au moins un dispositif vis-écrou.
Dans une forme de réalisation, le moyen 11 dit de sollicitation énergique comprend au moins - une tige filetée llA disposée axialement à l'une des extrémités de la poutre 4 et en saillie sur la portée extrême 4C constituée à cette extrémité pour l'appui d'une partie de coque, - un orifice débouchant llB, centré sur la portée 2G d'une partie de coque destinée à coopérer avec la portée extrême 4C précitée de la poutre 4, - une pièce taraudée llC, conformée pour, en étant vissée sur la tige filetée de l'extrémité de poutre 4, s'appuyer sur la partie de coque et la solliciter énergiquement vers l'autre partie de coque, de manière à générer leur application contre la pièce d'étanchéité 10 située dans leur plan d'assemblage A Avantageusement, la coque 2 est réalisée en deux demicoques symétriques par rapport au plan d'assemblage.
De manière encore remarquable, le moyen 9 de traversée étanche de la coque par la pièce d'entretoisement 8B est situé au niveau du plan d'assemblage A des deux demi-coques.
Sur le dessin, on a représenté les demi-coques comme ayant chacune une forme d'enveloppe tronconique, mais cela n'est évidemment pas limitatif pour l'invention.
Il faut noter que, pour faciliter la lecture du dessin, l'enseigne a été fortement déformée.
GROUPE PROGRAMITEUR, PLUS PARTICULIEREMENT DESTINE A DES MACHINES A LAVER La présente invention se réfère à un groupe programmateur utilisable, par exemple, pour des machines à laver telles que machines lave-linge ou machines lave-vaisselle.
De tels groupes programmateurs, couramment désignés également sous le nom de temporisateurs ou "timers", sont destinés à permettre l'activation sélective et séquentielle d'une pluralité de dispositifs électriques présents à l'intérieur e la machine à laver (par exemple le moteur d'entraînement du panier, dans le cas d'une machine lave-linge, 'électrovanne de mélange à l'eau, la pompe de désamorçase, la résistance de chauffage de l'eau, etc.).
Les groupes programmateurs en question comprennent habituellement un élément moteur qui entraîne une ou plusieurs cames coopéras avec une pluralité de contacts de commande de l'activation desdits dispositifs utilisateurs présents dans la machine.
Les groupes programmateurs les plus traditionnels comprennent habituellement plusieurs cames et l'évolution des différents programmes de lavage dépend donc essentiellement de l'allure des profils des cames et est donc fixée une fois pour toutes de façon rigide une fois que les profils des cames ont été établis.
I1 existe ensuite d'autres groupes programmateurs dans lesquels les dispositifs utilisateurs qui sont alimentés par leur intermédiaire sont subdivisés en un premier ensemble (qui comprend par exemple le moteur d'entraînement du panier où se trouve le linge à laver, alimenté grâce à des commutateurs à relais commandés par un circuit électronique de façon à pouvoir tourner sélectivement dans deux sens opposés) et un second ensemble (constitué essentiellement par les autres dispositifs électriques de la machine, actionnés directement par les cames du programmateur).