INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La structure illustrée sur la figure 7 comprend un transistor 2431 à canal P, un transistor 2432 à canal N, et un élément résistif (une résistance 2433 dans l'exemple illustré) de polarisation. La source du transistor 2431 est reliée au drain du transistor 2432. Le drain du transistor 2431 est relié d'une part à la grille de commande du transistor 2432, et d'autre part à un premier pôle de la résistance 2433. La source du transistor 2432 et reliée au deuxième pôle de la résistance 2433. Si le potentiel de la grille du transistor 2431 diminue, le courant traversant ce transistor augmente. Le potentiel de la grille du transistor 2432 va donc augmenter. Le courant traversant le transistor 2432 va donc augmenter. Inversement, si le potentiel de la grille du transistor 2431 augmente, alors le courant le traversant diminue.
AIDE MÉMOIRE CALCULETTE Le présent appareil est destiné principalement à aider les personnes ayant de nombreux achats à effectuer (très souvent les ménagères par exemple). I1 permet de faire la liste des courses au fur et à mesure de la prise de conscience des besoins. Puis il permet le calcul du prix à payer lors des achats.
L'utilisation de cet appareil remplace avantageusement celle de la liste papier toujours incomplète et la vérification par calcul mental des sommes réglées à l'aide du ticket de caisse qui, quand elle est fournie, omet souvent la désignation précise des articles achetés.
L'appareil se présente sous la forme d'un boitier plat (1). Sa face supérieure comporte une fenêtre d'affichage (2) dans laquelle peuvent apparaitre des caractères à cristaux liquide, et des touches de commande (3) comme le montre le dessin. Les touches correspondant aux chiffres, point décimal (6) et lettres (7) portent inscrite sur elles mêmes leur signification; les autres sauf celle qui correspond au blanc ont à leur proximité leur signification inscrite sur le boitier (1).
L'introduction des données se fait simplement en déplaçant deux curseurs ligne et colonne (e (4) et s (5)) dans la fenêtre (2) pour designer la zone que l'on désire garnir, et en entrant les valeurs voulues. La mémoire interne est prévue avec 99 lignes. Seulement un petit nombre d'entre elles seront affichées (10 dans le dessin ci-dessus, dans la suite de ce document on dira N = 10). Ce nombre doit être déterminé en fonction du coût de fabrication de l'appareil qui doit être à la portée de la plus large clientèle. Si le déplacement du curseur r (4) tend à sortir de la fenêtre d'affichage (2), un glissement de la partie de la liste interne qui est affichée a lieu pour rendre visible la ligne recherchée.
Dans le cas où la liste préparée ne serait pas épuisée en un seul payement, il est possible d'effacer les lignes concernant les achats déjà effectués.
Pour réaliser un miroir laser selon l'invention on dresse d'abord une face plane d'un support de quelques centimètres d'épaisseur, constitué d'un matériau à base de carbone. Ce matériau peut être par exemple un graphite ou un produit composé de fibres de carbone. Le dressage est avantageusement suivi d'un rodage.
Puis on dépose sur la face plane du support une pellicule mince, d'épaisseur inférieure à un micromètre, d'oxyde de silicium. Cette pellicule est déposée de préférence par pulvérisation cathodique sous vide : les molécules de silice projetées avec des vitesses importantes sur la face plane du support se trouvent accrochées sur cette face et entrainent une bonne adhérence de la pellicule.
On dépose ensuite sur la pellicule une couche fine, d'épaisseur inférieure à cent micromètres, d'un verre pulvérulent. Ce verre comporte une forte proportion d'oxyde de silicium, de façon à présenter un coefficient de dilatation proche de celui du matériau constituant le support. Ce dépôt peut être effectué par exemple au pinceau ou au pistolet.
Puis on dispose à plat sur cette couche une feuille, d'épaisseur inférieure à un millimètre, constituée d'un matériau polissable optiquement ayant un coefficient de dilatation proche de celui du support. Ce matériau peut être avantageusement du silicium monocristallin, du carbure de silicium ou du molybdène.
Bien entendu il est possible aussi de déposer la couche de verre pulvérulent sur cette feuille puis de l'appliquer sur le support revêtu de la pellicule d'oxyde de silicium, de manière que la couche de verre se trouve disposée entre la feuille et la pellicule.
On place alors l'ensemble formé par le support revêtu de sa pellicule, la couche de verre et la feuille superposés dans un four de façon à faire fondre la couche de verre. La fusion est effectuée avantageusement sous atmosphère neutre, non oxydante, par exemple sous atmosphère d'azote ou d'argon. Le verre en fusion mouille parfaitement la surface de la feuille, ainsi que la surface du support de carbone grâce à la pellicule d'oxyde de silicium préalablement déposée. Il en résulte un excellent collage de la feuille sur le support.
Afin d'améliorer le contact entre la feuille et le support, il est intéressant d'appliquer une pression uniforme sur toute la surface de la feuille en direction du support, pendant toute la durée du chauffage et de la fusion de la couche de verre. Cette pression peut être appliquée par exemple au moyen d'un poids d'un kilogramme environ placé sur la feuille. On réduit ainsi l'épaisseur du film de verre servant de liaison. Il en résulte une amélioration des échanges thermiques entre la feuille et le support de carbone, tous deux bon conducteurs de la chaleur.
Après complet refroidissement, la surface extérieure de la feuille est usinée et polie par des moyens bien connus. Enfin des couches optiques minces destinées à améliorer son coefficient de réflexion optique peuvent être déposées sur la surface polie par des procédés connus.
Lorsque la feuille est constituée de molybdène, on obtient après polissage un miroir dont la surface est suffisamment réfléchissante pour que le dépôt des couches réfléchissantes puisse être supprimé.
La figure unique représente un miroir laser réalisé par le procédé selon l'invention décrit ci-dessus. Ce miroir comporte un support cylindrique 1 en graphite. La base du support 1 est un cercle de diamètre 100 mm, la hauteur de ce support étant égale à 25 millimètres. Sur la surface plane supérieure 3 du support 1 est fixée une feuille 4 en silicium monocristallin dont l'épaisseur est de 0,5 millimètre. La fixation de la feuille 4 sur le support 1 est réalisée grâce à un film 5 de matériau vitreux d'épaisseur cinquante micromètres. La surface extérieure 6 de la feuille 4 est polie et comporte des couches optiques réfléchissantes de façon à présenter un coefficient de réflexion de l'ordre de 99%.
Les miroirs selon la présente invention peuveut être utilisés pour le réalisation de générateurs laser à gaz carbonique.
Sous la condition consistant en ce qu'aucune tension n'est appliquée à l'électrode de grille 55, au moins la couche supérieure de la couche de transfert d'électrons 51 sous l'électrode de grille 55 est appauvrie et une couche d'appauvrissement 51A est formée. Si cette couche d'appauvrissement 51A s'étend seulement jusqu'à la couche supérieure de la couche de transfert d'électrons 51, une voie de courant entre le drain et la source est formée sous cette couche supérieure. Par conséquent, le MESFET devient d'un mode appauvrissement. Si la couche d'appauvrissement 51A s'étend sur la totalité de l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51, une voie de courant entre la source et le drain n'est pas formée de telle sorte que le MESFET devient d'un mode enrichissement.
La couche d'appauvrissement signifie une region de profondeur appauvrie depuis la surface d'une couche semiconductrice ou depuis l'interface entre une couche semiconductrice et une autre couche jusqu'à la profondeur où une pente de la structure de bande d'énergie devient égale à zéro.
La figure 5A représente la relation entre l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 du MESFET représenté sur la figure 4 et la tension de pincement. La tension de pincement est définie par la tension de polarisation de grille lorsque la couche d'appauvrissement traverse la couche de transfert d'électrons. L'abscisse représente l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 en nm, et l'ordonnée représente la tension de pincement en V. La tension de pincement a été calculée au moyen d'une équation de Poisson monodimensionnelle en considération de la direction d'épaisseur. La tension de pincement est égale à la tension d'électrode de grille appliquée lorsque l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 devient égale à celle de la couche d'appauvrissement 5 la. La concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons 51 était de 1,5 x 10'7 cm-3, le rapport de composition de l'Al dans la couche de contact de grille 52 était de 0,2 et son épaisseur était de 35 nm.
Comme représenté sur la figure 5A, lorsque la couche de transfert d'électrons 51 devient plus épaisse, la tension de pincement est abaissée de façon monotone (elle augmente suivant la direction négative). Avec la couche de transfert d'électrons 51 d'une épaisseur d'environ 50 nm, la tension de pincement devient égale à 0 V et lorsqu'elle devient plus mince, la tension de pincement devient positive. On peut par conséquent comprendre que lorsque la couche de transfert d'électrons 51 est rendue plus mince que 50 nm, un MESFET de mode enrichissement peut être obtenu.
La figure 5B représente la relation entre la tension de potentiel et le potentiel interne s'instaurant au niveau de l'interface entre l'électrode de grille 55 et la couche de contact de grille 52 du MESFET représenté sur la figure 4. L'abscisse représente le potentiel interne en V et l'ordonnée représente la tension de pincement en V. La tension de pincement a été calculée de la même manière que décrit en relation avec la figure 5A. La concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons était de 1,5 x 10'7 cm-3, son épaisseur était de 150 nm et celle de la couche de contact de grille 52 était de 35 nm.
Comme représenté sur la figure 5B, lorsque le potentiel interne croît, la tension de pincement croît. Sur la figure 5B, bien que la région de tension de pincement négative soit représentée, on peut s'attendre à ce qu'un MESFET de mode enrichissement puisse être obtenu en augmentant le potentiel interne du fait qu'il y a une tendance consistant en ce que, lorsque le potentiel interne croît, la tension de pincement croît également.
Le potentiel interne varie en fonction du rapport de composition de l'Al dans la couche de contact de grille 52 et lorsque le rapport de composition de l'Al augmente, le potentiel interne croît. Par conséquent, on peut s'attendre à ce qu'un MESFET de mode enrichissement puisse être obtenu en augmentant le rapport de composition de l'Al dans la couche de contact de grille 52.
Puis par report à la figure 6A, la relation entre l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons et la concentration en impuretés est décrite.
Si la couche de transfert d'électrons 51 est rendue mince afin de réaliser le mode enrichissement du MESFET, la résistance par carré de la couche de transfert d'électrons 51 devient élevée. Afin d'atténuer une augmentation de la résistance par carré, il est efficace que la concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons 51 soit rendue élevée.
La figure 6A représente la relation qui lie la concentration en impuretés et l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51, lorsque la tension de pincement Vp du MESFET représenté sur la figure 4 devient égale à 0 V. L'abscisse représente une concentration en impuretés en cm-3 et l'ordonnée représente une épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 en nm. La courbe formée par des lignes reliant les points de mesure représentée sur la figure 6A indique la concentration en impuretés et l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 lorsque la tension de pincement Vp devient égale à 0 V.
Le MESFET prend le mode enrichissement dans la région située sous la courbe et prend le mode appauvrissement dans la région située audesssus.
Comme représenté sur la figure 6A, la courbe donnant la tension de pincement de 0 V présente une pente qui va en diminuant vers la droite. Plus spécifiquement, si la concentration en impuretés est augmentée tandis que l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 est maintenue constante, le mode passe du mode enrichissement au mode appauvrissement au niveau d'un point de croisement sur la courbe. Par conséquent, afin d'atténuer une augmentation de la résistance par carré de la couche de transfert d'électrons amincie 51 tout en conservant le mode enrichissement, la concentration en impuretés est établie de manière à être au-dessous de la courbe de la figure 6A, de préférence à proximité de la courbe.
Puis par report à la figure 6B, la relation qui lie la concentration en impuretés et un courant de drain de saturation est décrite.
La figure 6B est un graphique qui représente un produit de la concentration en impuretés et de l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons 51 lorsque la tension de pincement Vp devient égale à 0 V, en fonction de la concentration en impuretés. L'abscisse représente la concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons 51 en cm-3 et l'ordonnée représente le produit de la concentration en impuretés et de l'épaisseur. La constitution du MESFET est la même que sur la figure 6A.
Lorsque la concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons 51 est augmentée, le produit de la concentration en impuretés et de l'épaisseur lorsque la tension de pincement devient égale à 0 V augmente également. Le courant de drain de saturation peut être corrélé avec le produit de la concentration en impuretés et de l'épaisseur et lorsque le produit augmente, le courant de drain de saturation augmente. Par conséquent, lorsque la concentration en impuretés de la couche de transfert d'électrons 51 est augmentée tout en conservant la condition consistant en ce que la tension de pincement devient égale à O V, le courant de drain de saturation augmente. C'est-à-dire que même si la couche de transfert d'électrons 51 est rendue mince, si la concentration en impuretes est augmentée en correspondance, non seulement le courant de drain de saturation peut être empêché d'être abaissé mais par ailleurs, un courant de drain de saturation plus important peut être obtenu.
Puis la relation qui lie l'épaisseur d'une région capuchon formée directement sur la couche de transfert d'électrons et la résistance par carré de la couche de transfert d'électrons d'un MESFET est décrite.
La répartition granulométrique des microparticules, mesurée par diffraction laser dans les conditions standard stipulées dans l'exemple 4, donne un diamètre moyen D[4,3] qui est de 4,7 m avec un écart type de 1,7 m.
EXEMPLE 9: MICROPARTICULES NEUTRES PREPAREES A PARTIR D'HUILE DE DIFFERENTES NATURES D'EAU ET POLY LEUCINE-CO GLUTAMATE DE SODIUM DE COMPOSITION 50/50 ET DE STRUCTURE RANDOM.
91- METHODOLOGIE: On procède comme indiqué dans l'exemple 8 et on met en oeuvre les huiles suivantes:
ESSAI NOM USUEL NOM COMMERCIAL FOURNISSEUR alcool oléique NOVOL CRODA 2 triglycéride d'acides eicosapentanoique docosahexanoique INCROMEGA TG CRODA 3 triglycéride d'acides capriliques capriques MIGLYOL HULS 4 triglycéride d'acides capriliques TRJCARRYLIN C8 SIGMA 5 triglyceride d'acides capryliques triglycérides CRODAMOL GTCC CRODA 6 benzoate d'alkyle CRODAMOL AB CRODA 7 palmitate d'isopropyle CRODAMOL IPP CRODA 8 stéarate de butyle CRODAMOL BS CRODA 9 esters d'acides eicosapentanoïques docosahexanoiques ues INCROMEGA E CRODA 10 10 oléate d'éthyle ETHYL OLEATE CRODA 11 huile de paraffine coupe C/16/C21 MOREL/SALABE 12 huile de silicone RHODORSIL 47V100 RHONE POULENC 13 huile d'olive REFINED OLIVE OIL CRODA 14 acides eicosapentanoïques docosahexanoiques INCROMEGA F CRODA 9.2- CARACTERISATION DES MICROCAPSULES: La composition globale des microparticules, avant redispersion, varie selon les phases lipidiques utilisées, dans les intervalles suivants . 3 à 4 % en polyaminoacide, 64 à 69 % huile, 28 à 32 % d'eau ou de solution saline.
Seules les microparticules à base d'INCROMEGA E affichent une composition différente avant redispersion : 5 % en polyaminoacide , 51 % huile 44 % d'eau ou de solution saline.
Les répartitions granulométriques des microparticules sont mesurées par diffraction laser. L'appareil utilisé est un COULTER LS130, le modèle de calcul choisi est le modèle de FRAUNHOFER inclued "PIDS" Les diamètres moyens volumiques, D[4,3], et les écarts types obtenus sont reportés sur le graphe de la fig. 8.
EXEMPLE 10: MICROPARTICULES NEUTRES PREPAREES A PARTIR DE MIGLYOL@ D'EAU ET DE DIFFERENTS COPOLY a AMINOACIDES DE STRUCTURE RANDOM.
10.1- METHODOLOGIE: On procède comme mentionné dans l'exemple 4.1.1 et 4.1.2(i). Les copoly a aminoacides mis en oeuvre sont ceux donnés dans le tableau ci-dessous. Le temps d'hydratation du lyophilisat de polymère dans la solution isotonique (PBS 0,01M tamponnée à pH 7,4) est de 24 heures. Les gels obtenus présentent des viscosités différentes.
N" COPOLY AMINOACIDES FOURNISSEUR I | Polv (Glu; Phe) 80/20 SIGMA 2 PoIv (Glu/Leu) 80/20 SIGMA 3 Polv Glv/Tyr) 50/50 SIGMA 4 Pol (Glu/leu) 25/75 FLAMEL TECHNOLOGIES 5 Pol (Orn/Leu) 50/50 SIGMA 10.2- CARACTERISATION DES MICROPARTICULES: La composition globale des microparticules, avant redispersion, varie selon les polymères utilisés, dans les intervalles suivants
N %EAU %MYGLIOL %POLYMERE 1 20 77 3 2 2 33 62 5 3 3 51 13 6 4 39 56 5 5 27 68 5 Les répartitions granulométriques des microparticules sont mesurées par diffraction laser. L'appareil utilisé est un COULTER LS130, le modèle de calcul choisi est le modèle de FRAUNHOFER inclued "PIDS" Les diamètres moyens volumiques, D[4,3], et les écarts types (SD) obtenus sont reportés sur le tableau suivant
N D[4.3] m SD m PROFIL DE REPARTITION 1 5.5 3,6 Monomodale 2 | 8.8 8,6 Bimodale 3 | 155,5 114 Monomodale 4 5,9 3,9 Monomodale 5 9,7 11,0 Bimodale Les microparticules des lots I à 5 satisfont au test Cr2 EXEMPLE 11: MICROPARTICULES CONTENANT DU CYTOCHROME, PREPAREES A PARTIR DE MIGLYOL#, D'EAU ET DE POLY LEUCINE-CO-GLUTAMATE DE SODIUM DE COMPOSITION 50/50 ET DE STRUCTURE RANDOM - ENCAPSULATION PAR VOIE DIRECTE.
11.1 - METHODOLOGIE: Trois lots de microcapsules ont été fabriquées selon des conditions opératoires identiques décrites ci-dessous.
11.1.1 - ETAPE α) : PREPARATION DU GEL: On prépare 1,5 ml d'une solution mère de cytochrome C coeur de cheval (ref. C2506 SIGMA) à 60 mg/ml dans un tampon phosphate isotonique (PBS) 0,01 M, pH 7,4.
On introduit, dans un tube à hémolyse, 50 # 0,2 mg de lyophilisat de poly leucine-co-glutamate de sodium (noté LEU/GLU) de composition 50/50, de structure random et de M, de 110 000.
. On ajoute 450 mg de la solution mère de cytochrome, On laisse le lyophilisat de polyaminoacide s'hydrater.
. Le gel obtenu se présente sous la forme d'une solution colloïdale visqueuse rouge/orangé.
Dans l'étape m, la concentration s'effectue généralement dans un concentrateur thermosiphon à une température de 35"C sous un vide de 0,4 kPa. Il est également avantageux d'effectuer 3 ultrafiltrations successives sur cartouche 10kd,3kdet1 kd.
La présente invention concerne également le procédé de préparation de l'oxamate de sodium et des composés de formule (I).
Celui-ci consiste à soumettre le mélange Il aux opérations suivantes: o - chromatographie du mélange Il sur colonne de terre d'infusoire, récupération des fractions contenant les 4 produits et rassemblement de ces fractions en une seule fraction, p - chromatographie de la fraction précédemment obtenue sur colonne Rsephadex pour obtenir l'oxamate de sodium, le composé de formule (I) pour lequel R1 représente un atome d'hydrogène et R2 représente un reste (B) et un mélange du composé de formule (I) pour lequel R1 représente un atome d'hydrogène et R2 représente un reste (A) et du composé de formule (I) pour lequel R, représente un reste (B) et R2 représente un atome d'hydrogène, q - éventuellement chromatographie du mélange du composé de formule (I) pour lequel R1 représente un atome d'hydrogène et R2 représente un reste (A) et du composé de formule (I) pour lequel R, représente un reste (B) et R2 représente un atome d'hydrogène par HPLC.
La chromatographie de l'étape o s'effectue au moyen d'un solvant organique comme l'heptane, l'acétate d'éthyle ou un alcool aliphatique inférieur. De préférence, on utilise une colonne RCHEM ELUT commercialisée par Prolabo saturée d'eau puis éluée successivement par de l'heptane, un mélange heptane-acétate d'éthyle (50/50 en volumes), de l'acétate d'éthyle, un mélange acétate d'éthyle-n-butanol (95/5; 90/10; 80/20; 50/50; 20/80, du nbutanol, et un mélange n-butanol-eau (98/2 puis 95/5 en volumes).
La chromatographie de l'étape p s'effectue de préférence au moyen d'un mélange eau-éthanol (50/50 en volumes).
La chromatographie de l'étape q s'effectue généralement sur colonne YMC 180DS-AQ commercialisée par AIT avec comme éluant un mélange eau à 0,1% d'acide formique.
Les médicaments contenant les mélanges I ou Il ou l'oxamate de sodium ou un ou plusieurs composés de formule (I) font également partie de l'invention.
La présente invention concerne également l'utilisation des mélanges I et Il, de l'oxamate de sodium et des composés de formule (I) ou un mélange de ceux-ci à la préparation de médicaments pour le traitement ou la prévention du diabète et des complications du diabète.
EXEMPLE 1: préparation du mélange I Des graines d'Eugénia Jambolana Lamarck sont séchées à l'air libre, à l'abri de la lumière puis broyées finement. La poudre ainsi obtenue est tamisée à l'aide d'un tamis de maille 0,5 lim. 1 kg de poudre tamisée est mis à macérer sous agitation mécanique dans 5 litres d'éthanol de titre 93-95"Gay Lussac pendant une heure à 60"C. Après filtration sous vide, I'insoluble est traité de nouveau dans les mêmes conditions avec 4 litres d'éthanol de même titre à 60"C pendant encore une heure. Les deux extraits éthanoliques contenant principalement le complexe polyphénolique et stérolique indésirable sont éliminés.Après filtration complète, I'insoluble est repris avec 1 litre de solution ammoniacale (NH40H à 28 % 35 ml et H20 distillée en quantité suffisante pour obtenir 1 litre de solution) et le mélange est laissé en contact pendant environ 20 heures à une température voisine de 20"C. La masse humide ammoniacale est remise à macérer dans 5 litres du mélange éthanol de titre 93 à 95"Gay Lussac-eau (75/25 en volumes), sous agitation mécanique pendant 1 heure à 60"C. On filtre l'insoluble et on le lave avec 1 litre d'éthanol de même titre; le filtrat et le lavage sont éliminés. L'insoluble final est séché à l'air libre et à l'abri de la lumière. On obtient ainsi le mélange I sous forme de poudre exempt de dérivés polyphénoliques et stéroliques.Le rendement à partir des graines pulvérisées et tamisées est de 80 %.
EXEMPLE 2 - Préparation du mélange Il On agite pendant 3 heures, 1 kg du mélange I obtenu dans l'exemple 1, dans une solution contenant 17,7 litres d'eau et 0,93 litre méthanol. Après décantation une nuit, d'une part, la phase supérieure (13,5 litres) est soutirée puis filtrée sur toile de coton dans un filtre de 7 litres (Schott) pour donner le filtrat 1 (13,5 litres) et, d'autre part, la phase inférieure est agitée 1 heure avec 20 litres d'eau, filtrée sur fritté N"3 pour donner le filtrat 2 (24 litres). Les filtrats 1 et 2 sont rassemblés puis concentrés à phase aqueuse (33,5 litres) dans un concentreur thermosiphon (Schott) à 350C sous vide de 0,4 kPa. Le concentrat est agité une heure avec 2,5 litres de résine S861 (Rhom et Haas) puis filtré sur fritté N03.Le filtrat est concentré dans un concentrateur thermosiphon (Schott) à 35"C sous un vide de 0,4 kPa à 5,5 litres. Le concentrat est centrifugé sur centrifugeuse tubulaire (force centrifuge 620009), filtré sur filtre 0,221lm (Gelman type suporcap 100) pompe. Après 3 ultrafiltrations successives sur cartouche 10 Kd, 3K d et 1 Kd et lyophilisation, on obtient 25 g du mélange Il sous forme d'une poudre hygroscopique brun foncé.