INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon le procédé de l'invention - le signal d'horloge circulant sur le fil TC ou RC de la ligne 10 est appliqué sur une première entrée de contrôle du processeur 1, afin de générer un signal d'interruption IT synchronisé au signal d'horloge, - les données à émettre sur le fil TD de la ligne 10 sont émises à partir d'une sortie de contrôle du processeur 1, - les données à recevoir du fil RD de la ligne 10 sont reçues sur une deuxième entrée de contrôle du processeur 1.
Ici, le fil d'horloge TC est connecté à l'entrée de contrôle DCD, le fil RD de réception de données est connecté à l'entrée de contrôle DSR et le fil TD d'émission de données connecté à la sortie de contrôle DTR. Le fil SG peut être connecté de façon classique au plot SG du processeur, à moins que, de façon classique, la transmission des signaux soit faite au moyen de paires de fils symétriques.
En pratique, et comme représenté sur la figure 2, la connexion des fils de la ligne 10 aux entrées ou sorties du processeur 1 peut être réalisée au moyen d'un adaptateur 20 comprenant deux connecteurs 21, 22 et un moyen d'interconnexion 23 reliant les plots internes de ces connecteurs. Le connecteur 21 est connecté au connecteur 3 du micro-ordinateur 2. Le connecteur 22 est connecté à un connecteur 11 qui peut être le connecteur d'extrémité d'un câble de liaison synchrone ou le connecteur de F l'équipement distant DCE. Le moyen d' interconnexion 23 peut être réalisé au moyen d'une plaquette de circuit imprimé ou prendre la forme d'un câble reliant les deux connecteurs 21, 22.
Comme on l'a indiqué précédemment, les entrées et sorties de contrôle du processeur 1 choisies pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention, ici les entrées DCD, DSR et la sortie DTR, ne sont pas nécessaires à la gestion de la communication synchrone. Les entrées et sorties du processeur 1 restant disponibles, ici les entrées CTS, RI et la sortie RTS, peuvent être connectés si nécessaire aux fils correspondants de la ligne 1 comme représenté en traits pointillés sur la figure 2.
Les connexions qui viennent d'être décrites étant faites, une deuxième étape de mise en oeuvre du procédé de l'invention consiste à prévoir un procédé de pilotage du processeur 1 permettant de gérer la communication synchrone à partir des signaux d'interruptions IT provoqués par les variations du bit DCD (lequel recopie le signal d'horloge de la communication). En pratique, un tel procédé de pilotage du processeur 1 prendra la forme d'un programme de pilotage chargé dans le disque magnétique 6 du micro-ordinateur 2 et exécuté par l'Unité Centrale 4.
La figure 3 représente de façon schématique les étapes essentielles du procédé de pilotage selon l'invention. Au cours d'une étape d'initialisation classique 120, l'Unité Centrale procède au démasquage du signal d'interruption matériel IT provenant du processeur 1. Au cours d'une étape 130, l'Unité Centrale attend un signal d'interruption IT provenant du processeur 1. Lorsqu'un signal d'interruption IT est reçu, 1'Unité Centrale lit le bit DCD (représentatif du signal d'horloge de la communication synchrone) dans le registre MSR au cours d'une étape 140. Au cours d'une étape 150, l'Unité Centrale analyse le front d'horloge. L'analyse du front d'horloge consiste à déterminer si le bit DCD est passé de O à 1 (front montant) ou de 1 à O (front descendant). On rappelle ici que, conformément à la règle en matière de transmission synchrone, les données à recevoir doivent être lues quand le front d'horloge est montant et les données à émettre doivent être émises quand le front d'horloge est descendant (ou inversement, selon la convention choisie). Ainsi, si le front d'horloge est montant, l'Unité Centrale au cours d'une étape 160 lit le bit DSR dans le registre MSR du processeur 1, puis retourne à l'étape 130. Si le front d'horloge est descendant, 1 l'Unité Centrale au cours d'une étape 170 écrit le bit DTR dans le registre MCR du processeur 1, puis retourne à l'étape 130. Ainsi, par la répétition des étapes 140, 150, 160 en alternance avec les étapes 140, 150, 170, l'Unité Centrale lit et écrit des données bit à bit en synchronisation avec le signal d'interruption IT, c'est-à-dire en synchronisation avec le signal d'horloge de la communication synchrone.
Les figures 17 et 18 (respectivement homologues des figures 7 et 8) montrent le volume de silicium monocristallin 138 destiné à contenir le canal du transistor.
Ce volume 138 est délimité par les couches très minces 124 et 128 permettant l'effet tunnel.
Dans le cas de la figure 17, ce volume communique avec le substrat 50 en silicium monocristallin par une zone très étroite de ce substrat.
Cette zone très étroite est délimitée par les extrémités des couches 132 et 134, extrémités qui se font face sous la couche 52.
Cette communication permet la formation d'un transistor MOS commandé par l'intermédiaire du substrat 50.
Dans le cas de la figure 18, le volume de silicium 138, destiné à contenir le canal du transistor, est électriquement isolé du substrat 50.
Ce volume 138 également délimité. par les couches très minces 124 et 126 permet d'obtenir un puits quantique.
La figure 19 illustre schématiquement la formation des zones de source et de drain 92 et 94 du transistor.
Cette formation a lieu par dépôt d'un matériau métallique puis polissage de celui-ci jusqu'au niveau de la couche isolante 58 (qui sert de couche d'arrêt pour le polissage), comme on l'a déjà expliqué.
En variante, après la formation des couches de silice 132 et 134 (figure 16), il est possible de retirer les parties de nitrure de silicium 124, 126, 128 et 130 qui subsistent, de façon sélective par rapport à la silice et au silicium, en utilisant pour ce faire une solution d'acide de Caro.
A ce sujet, on consultera le document suivant (3) S. Deleonibus et al. JECP Décembre 1991, pages 3739 à 3742.
On fait ensuite une oxydation localisée et rapide du siliciuim au niveau des flancs des évidements, considérés plus haut.
Cette variante est schématiquement illustrée par les figures 20 et 21 qui sont respectivement les homologues des figures 17 et 18.
On voit sur ces figures 20 et 21 les couches d'oxyde de silicium très minces 142 et 144 qui sont obtenues par cette oxydation sélective (et qui remplacent les couches de nitrure de silicium 124 et 126).
Ces couches très minces 142 et 144 permettent encore un effet tunnel.
On voit également sur les figures 20 et 21 le volume de silicium 138 des figures 17 et 18, qui est délimité par les couches très minces 142 et 144.
La feuille destinée à être cannelée par le premier cylindre chauffant 12 est tirée par le quatrième cylindre 26 d'une vitesse un peu inférieure à celle du carton, qui est mesurée à proximité par encodeur.
Le cylindre 26 soulage donc entièrement le cylindre 12 de ce travail.
La feuille est aspirée par ce quatrième cylindre sur un angle 6 compris entre 900 et 1800.
Elle suit ensuite un parcours par exemple de l'ordre de 1 mètre sans aucun contact avec un cylindre, puis est engrenée sur le deuxième cylindre cannelé 13 qui l'aspire toujours de façon connue en elle-même, comme décrit ci-avant sur un angle au centre a correspondant à de l'ordre de 2400, soit 1800 jusqu'au point de contact avec la feuille plane amenée en vis-à-vis par le cylindre lisse 18, également chauffant, et de l'ordre de 600 (angle a') en aval dudit point de contact.
La feuille plane de couverture est quant à elle tirée par le rouleau 27, d'une vitesse un peu inférieure à celle du carton mesurée à proximité par encodeur, qui soulage au moins en partie, voire entièrement les moyens de traction qui peuvent également exister en aval comme on va le voir avec le cylindre 28.
Dans le cas du cylindre 27, la traction s'effectue ici encore et par exemple par aspiration du rouleau sur un angle par exemple de 1000, avant de parcourir une petite distance, par exemple 50 cm sans aucun contact avec un cylindre, pour rejoindre la surface du troisième cylindre 18.
La feuille de carton ondulé formée par la feuille cannelée préalablement encollée et la feuille plane reste en contact avec le cylindre chauffant 13 jusqu'au point 57, où le décollage de la feuille est favorisé par un jet d'air comprimé.
La feuille de carton ondulé est ensuite reprise par le sixième cylindre 28, lisse, chauffant et par exemple aspirant, la feuille de couverture étant du côté de la surface dudit cylindre, par ailleurs actionné à une vitesse un peu supérieure à celle du deuxième cylindre. Il constitue alors des moyens d'entraînement positif par traction sur ladite feuille de carton ondulé en aval, par exemple avec une force de traction comprise entre 1 et 2 N / cm, par exemple supérieure à 1,5 N / cm.
La feuille est aspirée par les trous de la surface du cylindre 28, par exemple sur 1800, avant décollement par jet soufflant comme décrit ci-avant, puis déviation par le rouleau 52 et évacuation.
Dans un autre mode de réalisation, le cylindre 28 n'est pas aspirant, mais simplement lisse et chauffant sur un arc de cercle ss, ce qui permet de compléter le chauffage de la colle. Les dispositions complémentaires restent alors identiques à ce qui est décrit ci-avant, si applicables.
La force de traction exercée sur le carton ondulé par les moyens d'entraînement positif constitué par les quatrième et cinquième cylindre est supérieure à de l'ordre de 4 N/cm, par exemple de l'ordre de 5 N/cm ou de l'ordre de 8 N/cm.
Dans le mode de réalisation décrit plus particulièrement ici les quatrième, cinquième et sixième cylindres ont leur vitesse de rotation asservie automatiquement par des moyens automates programmables 58 (en trait mixte sur la figure) à la vitesse de déplacement du carton par exemple obtenue par encodeur, de façon connue en elle-même.
Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs de ce qui précède, la présente invention ne se limite pas au mode de réalisation plus particulièrement décrit. Elle concerne également et notamment les cas où les moyens d'entraînement positif exerçant une traction sont des moyens de pincement entre rouleaux en matière élastique, des moyens d'entraînement par courroie en appui sur une tôle plane ou cylindrique, ou sur une autre courroie, les cas où il existe des moyens de chauffage complementaires par exemple constitués par une table chauffante ou par un sécheur électrique ou un sécheur à infrarouge.
Procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, installation pour la mise en oeuvre d'un tel procédé et oxydes inorganiques obtenus La présente invention concerne un procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, l'installation pour la mise en oeuvre d'un tel procédé et les oxydes inorganiques obtenus.
Comme produits de ce type, on connaît les alliages à base de terres rares et de métaux de transition notamment. Sien que ces alliages présentent des qualités qui les rendent intéressants pour la préparation des aimants, il est nécessaire d'améliorer encore leurs propriétés.
L'objet de la présente invention est un traitement qui permet d'augmenter les propriétés magnétiques de ces produits.
Dans ce but, le procédé de l'invention pour la préparation d'un produit à propriétés magnétiques, est caractérisé en ce qu'on broie un alliage A comprenant au moins une terre rare et au moins un métal de transition, avec au moins un élément B ou un composé d'un élément B choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le bismuth, le cadmium, I'étain, le gallium, I'indium, le plomb, le zinc, le magnésium, I'argent, l'antimoine, le mercure et les terres rares.
L'invention concerne aussi un produit à propriétés magnétiques qui, selon un premier mode de réalisation est caractérisé en ce qu'il se présente sous forme de particules à base d'un alliage A comprenant au moins une terre rare et au moins un métal de transition, entourées d'une couche contenant au moins un élément B choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le bismuth, le cadmium, I'étain, le gallium, I'indium, le plomb, le magnésium, I'argent, I'antimoine, le mercure et les terres rares, lesdites particules étant essentiellement de nature monocristalline.
L'invention couvre aussi un produit à propriétés magnétiques qui, selon un second mode de réalisation est caractérisé en ce qu'il se présente sous forme de particules à base d'un alliage A comprenant au moins une terre rare et au moins un métal de transition, entourées d'une couche contenant du zinc ou un mélange de zinc avec au moins un autre élément choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le bismuth, le cadmium, I'étain, le gallium, I'indium, le plomb, le magnésium, I'argent, I'antimoine, le mercure et les terres rares, lesdites particules étant essentiellement de nature monocristalline.
D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention apparaîtront encore plus complètement à la lecture de la description qui va suivre, ainsi que des divers exemples concrets mais non limitatifs destinés à l'illustrer.
Le procédé de l'invention part d'alliages A dont la composition peut être variable tant par la nature de leurs constituants que par les proportions respectives de ceux-ci.
II s'agit d'alliages comprenant au moins une terre rare et au moins un métal de transition. L'invention s'applique aussi plus particulièrement aux alliages précités qui contiennent en outre de l'azote ou du bore. De tels alliages sont bien connus.
Par terre rare on entend, pour l'ensemble de la description, les éléments du groupe constitué par l'yttrium et les éléments de la classification périodique de numéro atomique compris inclusivement entre 57 et 71. La classification périodique des éléments à laquelle il est fait référence pour l'ensemble de la description est celle publiée dans le Supplément au Bulletin de la Société Chimique de France n" 1 (janvier 1966).
La terre rare de l'alliage A peut être notamment le samarium. L'alliage A peut aussi comprendre plusieurs terres rares parmi lesquelles le samarium peut être majoritaire. La terre rare de l'alliage A peut être aussi le néodyme et/ou le praséodyme. Dans le cas d'un alliage de plusieurs terres rares, le néodyme et/ou le praséodyme peuvent être majoritaires.
Par éléments de transition, on entend les éléments des colonnes Illa à Vlla, VI Il, lb et lb. Ces éléments de transition peuvent être plus particulièrement ici le fer, le cobalt ou le nickel. Comme autres éléments de transitions qui peuvent être présents, notamment en combinaison avec le fer et/ou le cobalt, on peut mentionner le chrome, le niobium, le molybdène, le vanadium, le cuivre, le zinc, rargent, le platine, I'or, le zirconium et l'hafnium.
Bien entendu, I'invention s'applique aussi aux alliages comprenant, outre les éléments de transition, seul ou en combinaison, de l'aluminium, du silicium, du soufre, du gallium et du plomb.
Les proportions respectives de terre rare, de métal de transition et, éventuellement d'azote ou de bore peuvent varier dans de larges proportions. Ainsi, la teneur en terre rare peut être d'au moins 1% (les pourcentages donnés ici sont des pourcentages atomiques) et elle peut varier entre 1 et 30%. La teneur en azote ou en bore peut être d'au moins 0,5% et elle peut varier entre 0,5 et 30%.
A titre d'exemple d'alliages A on peut mentionner les alliages samariumlcobalt ou samariumifer/azote ou terre rare/fer/bore, la terre rare pouvant être le néodyme.
On peut citer aussi comme alliages A utilisables plus particulièrement dans le cadre de la présente invention ceux qui présentent une phase, cette phase pouvant être majoritaire, du type TR2MT14B, TR désignant au moins une terre rare et MT désignant au moins un métal de transition.
L'élément B, comme indiqué plus haut, est choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le bismuth, le cadmium, l'étain, le gallium, I'indium, le plomb, le zinc, le magnésium, I'argent, I'antimoine, le mercure et les terres rares. On peut bien entendu utiliser plusieurs éléments B en combinaison sous forme d'alliages. Parmi les éléments cités, on peut mentionner plus particulièrement le gallium et l'aluminium. Dans le cas des terres rares, L'élément B peut être notamment le néodyme, le terbium, le dysprosium ou le samarium. De préférence la ou les terres rares sont utilisées en alliage avec au moins un élément du groupe précité autre qu'une terre rare. Comme alliage d'éléments B on peut mentionner tout particulièrement l'alliage aluminiumldysprosium ou aluminium/samarium.
Cette manoeuvre provoque une perte de temps et, si elle est répétée , réduit durablement la capacité de la batterie.
Le dispositif selon l'invention concerne un système qui permet de palier ce défaut en autorisant son utilisateur à faire recharger sa batterie à tout moment sans se soucier de son état de décharge.
Le principe de l'invention est le fonctionnement, indépendant les uns des autres, d'éléments d'accumulateurs constituant la batterie La fourniture d'électricité est assurée, selon la puissance demandée, par un seul accumulateur ou un seul groupe d'accumulateurs jusqu'à sa décharge complète.
Lorsque cette décharge complète est effective, le relais est pris par un autre accumulateur ou groupe d'accumulateurs.
La recharge de la batterie ne concernera, quand elle sera engagée, que les accumulateurs ayant subi une décharge.
La perte de capacité de la batterie sera alors limitée à celle subie par le ou les accumulateurs dont la décharge n'aura pas été complète au moment de la recharge, c'est à dire limitée au minimum.
Cette perte sera d'autant plus faible que la capacité d'un accumulateur sera petite devant la capacité totale de la batterie ou, autrement dit, que le nombre d'accumulateurs sera important.
Le dispositif selon l'invention peut assurer la décharge complète des accumulateurs non totalement épuisés précédemment avant d'en autoriser la recharge.
La perte de capacité de la batterie sera alors nulle quel que soit le moment ou la recharge est opérée.
L'utilisateur de l'invention n'a donc pas à se préoccuper de la charge résiduelle de sa batterie avant de la faire se recharger pour être sûr d'atteindre ou d'avoisiner l'autonomie maximum.
En référence à la figure 1, le dispositif selon l'invention est consti tué: - D'accumulateurs d'électricité G constituant la battent - D'une unité de gestion des décharges(2) appelée aussi unité G ; - D'une unité de gestion des recharges(i)appelée aussi unité G ; Le terme d'accumulateur électrique désigne un élément permet tant l'accumulation d'électricité par rechargement à partir d'une source extérieure.
Le terme de décharge ou de déchargement , employé dans les textes relatifs à la présente invention, désigne la fourniture de courant par une source d'accumulation électrique telle que batterie ou accumula teur.
Le terme de recharge ou de rechargement , employé dans les textes relatifs à la présente invention, désigne la fourniture de courant à un élément d'accumulation électrique telle que batterie ou accumula teur.
Le terme d' épuisement ou de décharge complète , employé dans les textes relatifs à la présente invention, désigne l'état dans lequel se trouve un élément d'accumulation électrique lorsque toute sa capacité a été utilisée et qu'il ne peut plus fournir de courant.
Le terme de capacité , employé dans les textes relatifs à la pré sente invention, désigne la quantité de courant totale que peut fournir un élément d'accumulation d'électricité.
Le terme connecter ou connection , employé dans les textes relatifs à la présente invention, désigne la mise en rapport d'éléments de façon à permettre le passage de courant électrique entre ceux-ci.
Le plasmide pBSII-PAR-IAR-TNOS utilisé est décrit en V. 1.1.
Le plasmide où la séquence codant pour PSCOLPH-COLPH est placée sous contrôle de Pd35S a été obtenu par clonage aux sites "KpnI et BamHI" du plasmide pBSII-T35S du fragment portant la séquence correspondant à "Pd35S- PSLPH-LPH" isolé. La ligation, la transformation des bactéries Escherichia coli DHSa rendues préalablement compétentes, l'analyse de 'ADN plasmidique des clones obtenus ont été réalisées comme décrit précédemment.
Le plasmide pBSII-T35S a été décrit en V. 1.
VI.1.2. CONSTRUCTION DE PLASMIDES CONTENANT PSCOLPH-COLPH ET PSCOLPH-COLPH-KDEL RESPECTIVEMENT ET PERMETTANT UNE EXPRESSION DANS L'ALBUMEN DES SEMENCES DE MAÏS.
L'expression dans l'albumen des semences de maïs de l'ADNc codant pour la colipase pancréatique humaine (COLPH) a nécessité les séquences régulatrices décrites en V. 1.2.
Le plasmide où la séquence codant pour PSCOLPH-COLPH est placée sous contrôle du Pyzéine, a été obtenu par clonage dans le plasmide p63 du fragment portant la séquence codant pour PSCOLPH-COLPH. La ligation, la transformation des bactéries Escherichia coi DH5u rendues préalablement compétentes, l'analyse de I'ADN plasmidique des clones obtenus ont été réalisées comme décrit précédemment.
Dans ce plasmide, la séquence codant pour le tétrapeptide KDEL a été introduite en amont du codon STOP pour permettre un adressage dans le réticulum endoplasmique.
VII. CONSTRUCTION D'UN PLASMIDE BINAIRE COEXPRIMANT LES GENES CHIMERIQUES CODANT LA LIPASE PANCREATIQUE HUMAINE (LPH) ET DE LA COLIPASE PANCREATIQUE HUMAINE (COLPH) RECOMBINANTES ET PERMETTANT UNE EXPRESSION DANS LES FEUILLES ET GRATNES DE SOLANACEES.
VII.1. CONSTRUCTION DU PLASMIDE BINAIRE DE COEXPRESSION pBIOC43.
Le plasmide binaire de coexpression permet une expression de deux gènes dans le même vecteur binaire.
Le plasmide binaire de coexpoession dérive de pBIOC2 1. Il contient deux cassettes d'expression constituées chacune d'un promoteur Pd35S et d'un terminateur polyA 35S mais qui différent par ie polylinker séparant le promoteur du terminateur. L'une des cassettes d'expression est celle de pBIOC21 déjà décrite en I. L'autre cassette d'expression a été obtenue en remplaçant le polylinker HindIII-BamHI-SmaI-EcoRI de pJIT163D pal Lln adaptateur HindIII-EcoRI portant les sites de restriction Paci, Ascl, Mlul et Hpal. Cet adaptateur a été obtenu par renaturation des 2 oligodésoxynucléotides 5' AGC TGA TTA ATT AAG GCG CGC CAC GCG TTA AC 3' et 5' AAT TGT TAA CGC GTG GCG CGC CTT AAT TAA TC 3' qui sont complémentaires pour leurs 28 nucléotides 3' terminaux. Cent moles de chacun de ces deux oligodésoxynucléotides ont été préalablement phosphorylés par action de 10U d'enzyme T4 polynucléotide kinase (New England Biolabs) dans un volume réactionnel total de 10 l contenant 1 l de tampon T4 polynucléotide kinase x 10 (New England Biolabs) et de 3 ptl d'ATP (95mM). Les deux mélanges réactionnels ont été incubés à 37 C pendant 1 heure, puis à 65 C pendant 20 min. Ils ont été ensuite rassemblés et leur volume a été complété à 500 l. Après extraction avec un volume de phénol:chloroforme:alcool isoamylique (25:24:1) et I volume de chloroforme:alcool isoamylique (24:1), 50 ul de 3M acétate de sodium pH6.0 ont été ajoutés. Le mélange réactionnel a été incubé à 80 C pendant 10 min;, puis refroidi lentement à température ambiante.