REVENDICATIONS 1. Transistor de type MOS comprenant - un substrat semiconducteur (50 ; 100), - une zone de grille (71), - un canal semiconducteur (95 ; 114 ; 138) placé sous la zone de grille et électriquement isolé de celle ci, et - une zone de source et une zone de drain (92, 94) qui sont placées de part et d'autre de la zone de grille et du canal et qui sont électriquement isolées du substrat et de la zone de grille, ce transistor étant caractérisé en ce que les zones de source et de drain sont séparées du canal respectivement par des couches électriquement isolantes (88,90; 116, 118; 124, 126 ; 142, 144) qui sont suffisamment minces pour permettre le passage de porteurs de charges, par effet tunnel, de la zone de source à la zone de drain à travers le canal. 2. Transistor de type MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des zones de source et de drain (92, 94) est faite dlun matériau métallique. 3. Transistor de type MOS selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le canal est électriquement isolé du substrat (50; 100) 4. Transistor de type MOS selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le canal est en contact électrique avec le substrat (50; 100)par l'intermédiaire d'une étroite zone de ce substrat. 5. Transistor de type MOS selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le substrat (50; 100) et le canal (95; 114; 138) sont en silicium. 6. Transistor de type MOS selon la revendication 5, caractérisé en ce que les couches isolantes suffisamment minces sont en silice. 7. Transistor de type MOS selon la revendication 5, caractérisé en ce que les couches isolantes suffisamment minces sont en nitrure de silicium. 8. Transistor de type MOS selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que chacune des zones de source et de drain (92, 94) est séparée du substrat par une couche de silice (84; 86; 132, 134). 9. Transistor de type MOS selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que la zone de source, la zone de drain et le canal sont séparés du substrat par une couche de silice très épaisse (102), le transistor ayant ainsi une structure de type silicium sur isolant. 10. Procédé de fabrication du transistor de type MOS selon la revendication 8, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - on forme une structure comprenant le substrat (50), la zone active et, de part et d'autre de celle-ci, deux zones d'isolation de champ (60, 62), et la zone de grille (71), - on forme deux évidements (110, 112) dans le substrat, l'un entre l'une des zones d'isolation de champ et la zone de grille et l'autre entre cette zone de grille et l'autre zone d'isolation de champ, les flancs respectifs des évidements les plus proches de la zone de grille étant situés sous celle-ci, - on forme lesdites couches suffisamment minces (88, 90) sur lesdits flancs et lesdites couches de silice (84, 86) au fond des évidements, et - on forme les zones de source et de drain (92, 94) respectivement dans les évidements. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que lesdites couches isolantes suffisamment minces sont d'abord formées et les'dites couches de silice (84, 86) sont ensuite formées en dopant des zones du substrat au fond des évidements, par des impuretés permettant une oxydation rapide du substrat, puis en oxydant les zones ainsi dopées. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les couches isolantes suffisamment minces sont en silice ou en nitrure de silicium. 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que, pour former les dites couches isolantes suffisamment minces et lesdites couches de silice (84, 86), on dépose du nitrure de silicium dans les évidements, on élimine le nitrure ainsi déposé, l'élimination n'ayant pas lieu sur les flancs de manière à former lesdites couches isolantes suffisamment minces, et on oxyde des zones du substrat au fond des évidements de manière à former lesdites couches de silice. 14. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que, pour former lesdites couches isolantes suffisamment minces et lesdites couches de silice (84, 86), on dépose du nitrure de silicium dans les évidements, on élimine le nitrure ainsi déposé, l'élimination n'ayant pas lieu sur lesdits flancs, on oxyde des zones du substrat au fond des évidements de manière à former lesdites couches de silice, on élimine le nitrure desdits flancs et on oxyde ces flancs de manière à former lesdites couches isolantes suffisamment minces. 15. Procédé de fabrication du transistor de type MOS selon la revendication 9, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - on forme une structure comprenant le substrat (100), la couche de silice très épaisse (102), une couche de silicium (104) au dessus de celle-ci, la zone active et, de part et d'autre de celle-ci, deux zones d'isolation de champ (60, 62), et la zone de grille (71), - on forme deux évidements (110, 112) dans ladite couche de silicium, l'un entre l'une des zones d'isolation de champ et la zone de grille et l'autre entre cette zone de grille et l'autre zone d'isolation de champ, les flancs respectifs des évidements les plus proches de la zone de grille étant situés sous celle-ci, - on forme lesdites couches suffisamment minces (116, 118) sur lesdits flancs, et - on forme les zones de source et de drain (92, 94) respectivement dans les évidements. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que lesdites couches isolantes suffisamment minces sont en silice ou en nitrure de silicium. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que, pour former lesdites couches isolantes suffisamment minces (116, 118), on dépose du nitrure de silicium dans les évidements et on élimine le nitrure ainsi déposé, l'élimination n'ayant pas lieu sur lesdits flancs. 18. Application du transistor de type MOS selon la revendication 8, le canal de ce transistor étant un volume fermé, aux mémoires non volatiles.