INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On a mesuré la rugosité superficielle Ra dans le cas où la couche inférieure est formée d'une seule couche et dans le cas où la couche inférieure est formée de deux couches, ainsi que la caractéristique de transduction électromagnétique de la bande magnétique produite. On a préparé un échantillon sur lequel une couche non magnétique est formée par application et séchage du seul revêtement destiné à la couche inférieure et on a mesuré la rugosité superficielle Ra dans le cas où la couche inférieure n'est formée que d'une seulc couche, en mesurant celle-ci dans cet échantillon.
Le tableau 11 montre les résultats de la mesure en liaison avec la quantité de Si et Al appliquée sur l'hématite.
Tableau 11
Quantité de Si Quantité de Al (at%) Rugosité superficielle Rugosité superficielle Niveau de sortie (at%) d'une seule couche (nm) dans le cas de deux (dB) couches (nm) Expérience 66 0,5 0 3,2 3,4 + 5,6 Expérience 67 3 0 2,4 2,5 + 6,0 Expérience 68 10 0 3,0 3,1 + 5,7 Expérience 69 0 0,5 3,3 3,6 + 5,5 Expérience 70 0 3 2,6 2,7 + 5,8 Expérience 71 0 10 3,2 3,4 + 5,4 Expérience 72 1,5 1,5
2,5 2,6 + 5,8 Expérience 73 2 8 3,3 3,5 + 5,6 Expérience 74 5 5 3,3 3,5 + 5,6 Expérience 75 8 2 3,2 3,4 + 5,6 Expérience 76 0 0 6,5 7,0 + 3,1 Expérience 77 20 0 5,6 5,7 + 3,8 Expérience 78 0 20 5,8 6,1 + 3,6 Comme on le voit dans le tableau 11, si l'on utilise l'hématite qui a été revêtue d'un composé de silicium et d'un composé d'aluminium pour former la poudre non magnétique de la couche non magnétique inférieure et que les rapports Si/Fe et Al/Fe ou (Si + Al)/Fe de l'hématite sont dans l'intervalle de 0,5 à 10% en pourcentage atomique, l'état de surface de la couche non magnétique inférieure est satisfaisant et, de plus, l'état de surface de la couche magnétique supérieure est également satisfaisant. Un niveau de sortie beaucoup plus élevé peut être obtenu d'une bande magnétique ayant une couche magnétique supérieure qui présente cet état de surface satisfaisant que ce n'est le cas avec une bande magnétique utilisant une hématite non revêtue par Si et Al.
Cest parce que la forme de la poudre que l'on a rendu grosse a un grand effet sur la surface que, lorsque la quantité de Si et Al qui est appliquée sur l'hématie dépasse 10 % en pourcentage atomique, l'état de surface de la couche non magnétique inférieure se détériore.
Examen de la forme de la poudre non magnétique utilisée pour la couche inférieure On a produit une bande magnétique à l'aide du même procédé que dans l'expérience 2 ou 3, sauf qu'on a utilisé, pour la poudre non magnétique destinée à la couche non magnétique inférieure, une poudre non magnétique possédant une longueur suivant l'axe majeur et un rapport de la longueur suivant l'axe majeur à la longueur suivant l'axe mineur qui sont tels que présentés dans le tableau 12.
On a mesuré la rugosité superficielle Ra lorsque la couche inférieure est formée d'une seule couche et lorsqu'elle est formée de deux couches, ainsi que la caractéristique de transduction électromagnétique de la bande magnétique produite. Les tableaux 12 et 13 montrent les résultats de la mesure en liaison avec la longueur suivant l'axe majeur et le rapport de la longueur suivant l'axe majeur à la longueur suivant l'axe mineur pour la poudre non magnétique de la couche inférieure. Le tableau 12 montre les résultats de la mesure d'une bande magnétique produite selon l'expérience 2 et le tableau 13 montre les résultats de la mesure d'une bande magnétique produite selon l'expérience 3.
Selon un troisième mode de préparation des particules, on micronise des particules minérales en introduisant le polyorganosiloxane fonctionnalisé dans les buses de micronisation.
Le polyorganosiloxane peut encore être utilisé seul ou en solution. La solution de polyorganosiloxane utilisée est la même que dans les modes précédents de préparation.
Les particules selon l'invention peuvent également être préparées par un procédé de lit fluidisé ou encore à l
Les compositions comprennent au moins un polymère thermoplastique et des particules traitées par un polyorganosiloxane, le groupement fonctionnel W étant compatible avec le polymère des compositions.
Les polymères thermoplastiques peuvent être par exemple des polyesters, polyamides, polycarbonates, PPS, PEEK, du polystyrène, du chlorure de polyvinyle, de l'alcool polyvinylique, les copolymères styrène-acrylonitrile, acrylonitrile-butadiènestyrène (ABS), les polymères acryliques notamment le polyméthacrylate de méthyle, les polyoléfines telles que le polyéthylène, le polypropylène, le polybutène, le polyméthylpentène, les dérivés cellulosiques, tels que par exemple l'acétate de cellulose, l'acéto-butyrate de cellulose, i'éthylcellulose, les polyamides dont le polyamide 6-6, .. ; leurs mélanges ou lesdits polymères fonctionnalisés (fonctions anhydride maléique,...), leurs isomères...
II peut s'agir également des polymères fluorés (PTFE, PVDF), des polycarbonates, des polyimides.
L'invention concerne en particulier une composition comprenant au moins une polyoléfine et des particules traitées par un polyorganosiloxane dont les groupes organiques W sont des groupements alkyles en C3-C18, de préférence en C7 - C18.
L'invention conceme notamment une telle composition comprenant au moins une polyoléfine et des particules de pigments de dioxyde de titane traitées par un polyorganosiloxane dont les groupes organiques W sont des groupements alkyles en C3 - C18 comprenant au moins 70 % en poids de particules, de préférence au moins 75 %, encore plus préférentiellement au moins 80 %.
De telles compositions sont des compositions pour mélange-maître.
De telles compositions peuvent aussi comprendre des additifs tels que des lubrifiants, des additifs tenue lumière, ... Elles sont obtenues par mélange des particules selon l'invention dans le polymère fondu à l'aide d'une extrudeuse double vis ou d'un mélangeur interne tel que par exemple un plastographe de Brabender.
L'invention concerne en outre l'utilisation des particules dans les polymères thermoplastiques.
L'incorporation des particules selon l'invention peut se faire directement dans les polymères thermoplastiques ou par l'intermédiaire de mélanges maîtres. S'il s'agit de particules de pigments, la concentration des particules selon l'invention dans les polymères thermoplastiques est celle d'un pigment classique : elle est de l'ordre de 0,1 à 20 % en poids par rapport aux polymères thermoplastiques.
L'invention concerne aussi les objets obtenus à partir de polymères thermoplastiques et comprenant des particules selon l'invention.
Les particules selon l'invention peuvent également être utilisées dans des formulations pour peintures solvants ou peinture siliconées (les silicones étant utilisés en tant que liants ou en tant qu'additifs).
Les exemples suivants illustrent l'invention sans en limiter toutefois sa portée.
EXEMPLES EXEMPLE 1 Préparation d'un premier polyorganosiloxane à fonctionnalités Si-QEt et Si Octyle Dans un ballon tricol de 500 ml équipé d'une agitation mécanique, d'un thermomètre, et d'une ampoule de coulée, on charge sous atmosphère d'azote 300 ml d'éthanol préalablement séché sur tamis moléculaire 3 Angström, et 10 ul de catalyseur de KARSTEDT (10 % dans l'hexane). Le mélange est agité à 65"C et on commence à ajouter goutte à goutte le polyméthylhydrosiloxane (40 g, dpn = 50). On observe un dégagement d'hydrogène important. La vitesse de coulée du fluide Si-H est réglée pour contrôler le débit d'hydrogène et l'exothermie de la réaction. En fin de coulée, le mélange est laissé pendant une heure sous agitation. On prépare ainsi le polyorganosiloxane à fonctionnalités Si-OEt et Si-H (POS SiOEt/SiH), correspondant à la fomule moyenne suivante:
La première étape de RT-PCR MSRV-1 est effectuée selon une variante du procédé d'amplification d'ARN tel que décrit dans la demande de brevet nO EP-A-0 569 272.
Notamment, l'étape de synthèse d'ADNc est effectuée à 420C pendant une heure; l'amplification PCR se déroule sur 40 cycles, avec une température d'hybridation des amorces ("annealing") de 530C. Le volume réactionnel est de 10041.
Les amorces utilisées pour cette première étape sont les suivantes - amorce 5', identifiée par SEQ ID NO 16 5' AGGAGTAAGGAAACCCAACGGAC 3' - amorce 3', identifiée par SEQ ID NO 17 5' TAAGAGTTGCACAAGTGCG 3'.
Après cette étape, 1041 du produit d'amplification sont prélevés et utilisés pour réaliser une deuxième amplification PCR dite "nichée" avec des amorces situées à l'intérieur de la région déjà amplifiée.
Cette deuxième étape se déroule sur 35 cycles, avec une température d'hybridation des amorces ("annealing") de 53 0C. Le volume réactionnel est de 10041.
Les amorces utilisées pour cette deuxième étape sont les suivantes - amorce 5', identifiée par SEQ ID NO 18 5' TCAGGGATAGCCCCCATCTAT 3' - amorce 3', identifiée par SEQ ID NO 19 5' AACCCTTTGCCACTACATCAATTT 3'.
Dans les figures 10 et 11, sont présentés les résultats de PCR sous forme de photographies sous lumière ultra-violette de gels d'agarose imprégnés de bromure d'éthidium, dans lesquels on a effectué une électrophorèse des produits d'amplification PCR déposés séparément dans les différents puits.
La photographie du haut (figure 10) représente le résultat de l'amplification spécifique MSRV-2.
Le puits numéro 8 contient un mélange de marqueurs de poids moléculaire ADN et les puits 1 à 7 représentent, dans l'ordre, les produits amplifiés à partir des ARN totaux de plasmas provenant de 4 témoins sains exempts de SEP (puits 1 à 4) et de 3 patients atteints de SEP, à différents stades de la maladie (puits 5 à 7).
Dans cette série, du matériel nucléique MSRV-2 est détecté dans le plasma d'un cas de SEP sur les 3 testés et dans aucun des 4 plasmas témoins. D'autres résultats obtenus sur des séries plus étendues confirment ces résultats.
La photographie du bas (figure 11) représente le résultat de l'amplification spécifique par RT-PCR "nichée" MSRV-1: le puits n01 contient le produit PCR effectué avec de l'eau seule, sans addition de transcriptase inverse AMV; le puits n02 contient le produit PCR effectué avec de l'eau seule, avec addition de transcriptase inverse AMV; le puits numéro 3 contient un mélange de marqueurs de poids moléculaire ADN; les puits 4 à 13 contiennent, dans l'ordre, les produits amplifiés à partir des ARN totaux extraits de fractions de gradient de saccharose (collectées du haut vers le bas) sur lequel un culot de virion provenant d'un surnageant de culture infectée par MSRV-1 et MSRV-2 a été centrifugé à l'équilibre selon le protocole décrit par H.Perron (13); dans le puits 14 rien n'a été déposé; dans les puits 15 à 17, on a déposé les produits amplifiés d'ARN extrait de plasmas provenant de 3 patients différents atteints de SEP, à différents stades de la maladie.
Le génome rétroviral MSRV-1 est bien retrouvé dans la fraction du gradient de saccharose contenant le pic d'activité transcriptase inverse mesurée selon la technique décrite par H. Perron (3), avec une très forte intensité (fraction 5 du gradient, déposée dans le puits ne8). Une légère amplification a eu lieu dans la première fraction (puits n04) correspondant vraisemblablement à de l'ARN libéré par des particules lysées qui flottaient à la surface du gradient; de même, des débris aggrégés ont sédimenté dans la dernière fraction (fond de tube) entraînant quelques copies de génome MSRV-1 qui ont donné lieu à une amplification de faible intensité.
Sur les 3 plasmas de SEP testés dans cette série, 1'ARN MSRV-1 a été retrouvé dans un cas, produisant une amplification très intense (puits ne17).
Dans cette série, le génome ARN rétroviral MSRV-1 correspondant vraisemblablement à des particules de virus extracellulaire présentes dans le plasma en nombre extrèmement faible, a été détecté par RT-PCR "nichée" dans un cas de SEP sur les 3 testés. D'autres résultats obtenus sur des séries plus étendues confirment ces résultats.
De plus, la spécificité des séquences amplifiées par ces techniques PCR peut être vérifiée et évaluée par la technique "ELOSA" telle que décrite par F. Mallet (21) et dans le document FR-A-2 663 040.
Pour MSRV-1 les produits de la PCR nichée susdécrite peuvent être testés dans deux systèmes ELOSA permettant de détecter séparément un consensus A et un consensus B+C+D de MSRV-1, correspondant aux sous-familles décrites dans l'exemple 1 et les figures 1 et 2. En effet, les séquences proches du consensus B+C+D sont retrouvées essentiellement dans les échantillons d'ARN provenant de virions MSRV-1 purifiés à partir de cultures ou amplifiés dans des liquides biologiques extra-celluaires de patients SEP, alors que les séquences proches du consensus A sont essentiellement retrouvées dans l'ADN cellulaire humain normal.
Selon l'invention, la capacité de commutation douce Cp est connectée en parallèle aux bornes du deuxième enroulement primaire Lp2, et la capacité Cs aux bornes du deuxième enroulement secondaire Ls2. Vu de son entrée ou de sa sortie, le fonctionnement du convertisseur 50 est identique à celui du convertisseur de la figure 7.
La figure 9bis représente un convertisseur 300 à sorties multiples, réalisé à partir d'un transformateur 301 comprenant un enroulement primaire Lp et plusieurs enroulements secondaires Ls, Ls', Ls". Chaque enroulement est affecté d'une inductance parasite, respectivement lp, Is, Is', Is". On distingue tout d'abord dans le convertisseur 300 un circuit primaire 302 rattaché à l'enroulement Lp et un premier circuit secondaire 303 rattaché à l'enroulement secondaire Ls. Le circuit primaire 302 et le premier circuit secondaire 303 sont en tous points identiques au circuit primaire et au circuit secondaire du convertisseur de la figure 7 et ne seront pas à nouveau décrits. Le convertisseur 300 comprend en outre un deuxième 304 et un troisième 305 circuits secondaires, rattachés aux enroulements Ls' et Ls". Les circuits secondaires 304 et 305 sont de même structure que le circuit secondaire 303 mais ne comportent pas d'interrupteurs. L'enroulement Ls' attaque une charge Z' par l'intermédiaire d'une diode Ds' et une capacité de filtrage Cout', et l'enroulement Ls" une charge Z" par l'intermédiaire d'une diode Ds" et une capacité de filtrage Cout". Selon l'invention, une capacité Cs' est connectée en parallèle aux bornes de Ls' et une capacité Cs" en parallèle aux bornes de Ls".
L'homme du métier notera que, dans les divers convertisseurs qui viennent d'être décrits, l'utilisation de transistors MOS comme interrupteurs Tp, Ts ne fait pas obstacle à l'obtention des avantages de l'invention. Lorsque les interrupteurs Tp, Ts sont des transistors MOS, ils présentent à leurs bornes des capacités parasites Cpmos, Csmos, inhérentes à la technologie MOS et représentées à titre d'exemple et en traits pointillés sur la figure 7. On voit alors apparaître, par oscillation entre Cpmos, Csmos et les inductances parasites lp, Is, des courants parasites iop, ios circulant dans la totalité du circuit primaire et du circuit secondaire, et l'on pourrait craindre que de tels courants soient la source de rayonnements parasites importants.En réalité, les courants iop et ios sont prélevés sur les courants Iop et Ios confinés dans les boucles de longueurs réduites selon l'invention, et sont proportionnels à ces derniers dans des rapports égaux à Cpmos/Cp pour iop, et Csmos/Cs pour ios.
Comme Cpmos et Csmos sont faibles et de l'ordre de 500 pF, il suffit de choisir des capacités Cp et Cs de plus grande valeur, par exemple égales à 5 fois Cpmos ou Csmos, pour que ios et iop soient négligeables.
Procédé et système de commande d'un convertisseur de tension bidirectionnel Comme indiqué au préambule, le deuxième objet de la présente invention est de prévoir un procédé et un système de commande d'un convertisseur bidirectionnel qui apporte notamment les avantages suivants: - rendement optimal sur une large plage de valeurs de la tension d'entrée Vin, - possibilité de régler la tension de sortie Vout selon une large plage de valeurs tout en conservant un rendement optimal, - possibilité de ne prévoir une surveillance du courant que du côté primaire, pour limiter le nombre de capteurs de courant, - fonctionnement parfaitement bidirectionnel.
La figure 10 représente un convertisseur 60 selon la présente invention, ici de type "fly-back". Dans sa structure, le convertisseur 60 ne diffère pas du convertisseur classique de la figure 3. On y retrouve tous les éléments déjà décrits, c'est-à-dire le transformateur 1 et les deux inductances Lp, Ls, les commutateurs primaire Dp/Tp et secondaire Ds/Ts, ainsi que la capacité de sortie Cout, la charge Z, et la source de tension Vin. Les capacités de commutation douce Cp, Cs peuvent être placées comme représenté en traits pointillés, c'est-à-dire de manière classique ou comme proposé précédemment.
Le convertisseur 60 est piloté par un système de commande selon l'invention qui comprend un amplificateur 61, un circuit 70 délivrant un signal Hp de commande de l'interrupteur primaire Tp, et un circuit 80 délivrant un signal Hs de commande de l'interrupteur secondaire Ts. L'amplificateur 61 est un amplificateur de boucle d'asservissement de type classique. n reçoit en entrée la tension de sortie Vout du convertisseur 60 ainsi qu'une tension de référence réglable Vref, et délivre au circuit 70 une tension G() fonction de l'écart ou erreur g entre la tension Vout et la tension de référence Vref. Le circuit 70 reçoit en outre une tension V(Ip) représentative du courant Ip circulant dans le circuit primaire, délivrée par un capteur de courant 62 disposé en série avec le commutateur Dp/Tp.
Un cycle de fonctionnement du convertisseur 60 comprend les périodes T1, T2, T3, T4 déjà décrites au préambule en relation avec la figure 4. Le contrôle du convertisseur est assuré par le système de commande de la façon suivante.
Pendant la période T1, l'interrupteur primaire Tp est fermé et Ts ouvert. Le circuit 70 compare V(Ip) à G(E) et ouvre l'interrupteur Tp lorsque le courant Ip dans le primaire atteint une valeur telle que V(Ip) devient supérieure ou égale à G(g). Ainsi, le mode de commande choisi pour l'interrupteur primaire Tp, consiste à asservir le courant maximum Ip2 (fig. 4c) de la rampe de courant dans le circuit primaire. L'ouverture de Tp, qui correspond à la fin de la période T1, provoque le début de la période T2, où Tp et Ts sont laissés ouverts. A la fin de T2, le circuit 70 envoie au circuit 80 un signal S(T2').
Selon l'invention, lorsque le circuit reçoit le signal S(T2), il ferme l'interrupteur Ts du secondaire et compte un temps T3. Lorsque le comptage de T3 est terminé, le circuit 80 ouvre l'interrupteur Ts, ce qui correspond au début de la période T4. A la fin de T4, le circuit 80 envoie un signal S(T4) de fin de période T4 au circuit 70, qui va alors déclencher le cycle suivant en fermant Tp. Après une période de démarrage suivant la mise sous tension du convertisseur, Vout se stabilise à une valeur proche de Vref. On peut ainsi choisir la tension de sortie par un réglage approprié de Vref.
Une caractéristique remarquable de la présente invention qui apparaît dans la description ci-dessus du système de commande, est que l'ouverture du transistor secondaire Ts est déterminée uniquement par un comptage du temps T3. De plus, selon l'invention, le temps T3 n'est pas fixé arbitrairement, mais déterminé par une relation qui conduit aux avantages recherchés. On décrira maintenant une méthode permettant de déterminer T3.
La présente invention prévoit tout d'abord de rechercher une relation permettant d'exprimer T3 sous la forme suivante: T3 = f (Vin, Vout, Ioutmax), Vin étant la tension d'entrée du convertisseur, Vout la tension de sortie et Ioutmax une valeur maximum du courant Iout susceptible d'être débité par le convertisseur dans la charge Z, ou reçu de la charge Z (fig. 11). Le fonctionnement étant bidirectionnel, ce courant peut être en effet être positif (+Ioutmax) ou négatif (-Ioutmax).
On rappelle préalablement que les relations générales (2) et (6) décrites au préambule, relatives à la hauteur Ms de la rampe du courant Is dans le secondaire (fig. 4d) et au rapport entre T3 et T1, sont les suivantes: (2) Ms = Isl-Is2 = Vout*T3/Ls, et T3 T3 Ns Vin T1 il - Np Vout Le courant Is dans le secondaire ayant la forme d'une rampe de hauteur Ms (fig. 4d), le courant moyen de sortie Iout débité par le convertisseur peut s'expnmer ainsi: (7) Iout = 1/2(Isl+Is2)*T3/(T 1+T3), en négligeant T2 et T4 qui devraient être ajoutés à T 1 et T3 au dénominateur.
Par ailleurs, la rampe de courant Ms traversant le secondaire ne doit pas être quelconque, et peut être définie à partir des impératifs suivants: - (A) si l'on veut qu'il y ait commutation douce à la fermeture des interrupteurs, il faut qu'à chaque cycle les diodes Dp et Ds soient passantes avant la fermeture des interrupteurs, au moins pendant un instant très court.
Cela signifie qu'il doit y avoir une période d'inversion du sens du courant Is.
En d'autres termes, Isl doit toujours être positif, même si Isl est très proche de 0, et Is2 toujours négatif même si Is2 est très proche de 0, - (B) si l'on veut garantir un rendement optimum et homogène en limitant les pertes par effet Joule ainsi que les pertes fer, il faut que la hauteur hIs de la rampe de courant Is soit maîtrisée et contenue dans un certain gabarit, - (C) une manière simple d'obtenir le résultat visé en (B) consiste à rechercher un mode de commande garantissant que la hauteur de rampe Ms soit une constante indépendante du courant de sortie Iout, pour des valeurs de Vin, Vout constantes.
Une ligne en pointillés représente la caractéristique d'affichage du PDP 120 lorsqu'aucune distribution d'erreur n'est mise en oeuvre. La ligne en pointillés englobe huit marches correspondant à des nuances 0 à 7. Une ligne épaisse représente la caractéristique d'affichage du PDP 120 lorsque la distribution d'erreur est mise en oeuvre. La ligne épaisse est lissée.
La ligne épaisse de la figure 4 de l'art antérieur, cependant, est saturée en un point P. Ceci est dû au fait que le signal d'entrée est basé sur l'échelle à 256 nuances (une ligne mince sur la figure 4) qui va de "00000000" à "11111111" et que l'art antérieur utilise les trois bits supérieurs du signal d'entrée en tant que données d'affichage et les cinq bits restants en tant que données d'erreur à distribuer. Une partie saturée Q qui part du point P se rétrécit lorsque le nombre de nuances que le PDP 120 peut originellement afficher augmente. Si le PDP 120 peut afficher 64 nuances (représentées à l'aide de six bits), la partie saturée Q s'étend sur 1/64-ième des 256 nuances. Dans ce cas, la caractéristique d'affichage du PDP 120 est légèrement plus raide que la ligne mince de la figure 4, et elle présente un contraste légèrement fort et une bonne qualité d'affichage.
Afin de réaliser 64 nuances, une image est divisée en six sous-images SF1 à SF6 comme expliqué par report à la figure 1.
Les périodes d'éclairement des sous-images SF1 à SF6 sont déterminées conformément à des puissances de 2, comme présenté dans le tableau 1. Les périodes d'éclairement correspondent respectivement à des nuances ou à des niveaux d'intensité ou de luminosité.
I Sous-image ISFI I SF2 | I | SF3 t SF4 I SF5 I SF6 1 Niveau d'intensité | 1 | 2 | 4 8 1 6. 32 Ces sous-images sont combinées de diverses façons afin de réaliser 64 nuances. Par exemple, la nuance 31 est réalisée en éclairant les sous-images SF1 à SF5 et la nuance 32 est réalisée en éclairant la sous-image SF6.Lorsque la nuance d'un pixel donné du PDP passe de 31 à 32, un scintillement ou un décalage de couleur peut se produire du fait que les intervalles d'éclairement des sous-images diffèrent fortement entre les nuances 31 et 32. Le scintillement ou décalage de couleur sera rendu pire si la distribution d'erreur est appliquée au pixel du fait que le scintillement ou décalage de couleur est transféré aux pixels périphériques sur lesquels une erreur est distribuée.
Ceci conduit à une détérioration de la qualité d'affichage.