INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
b) à partir de 13-O-[[(4S,5R)-2,4-diphényl-4,5-dihydro- oxazol-5-yl]-carbonyl]-baccatine III A une solution agitée à température ambiante et sous atmosphère inerte de 290 mg (0,347 mmol) de 13-0-[[(4S,5R)-2,4-diphényl-4,5-dihydrooxazol- 5-ylj-carbonyl]-baccatine III dans un mélange de tétrahydrofurane (4 ml) et de méthanol (4 ml), on additionne 0,7 ml (0,7 mmol) d'une solution aqueuse d'HCl 1M, et le mélange réactionnel est agité à température ambiante pendant 4 h. Après addition de 6 ml d'une solution aqueuse saturée d'hydrogénocarbonate de sodium, la solution est maintenue homogène par addition de 10 ml d'eau, et le milieu réactionnel est agité 3 h 30 supplémentaires. Après addition de 20 ml d'acétate d'éthyle et 10 ml d'eau osmosée, la phase aqueuse résiduelle est extraite à l'acétate d'éthyle (20 ml). Les phases organiques réunies sont séchées sur MgS04, et concentrées sous pression réduite.
Après chromatographie du produit brut sur gel de silice (15-40 ssm) (éluant : cyclohexane-acétate d'éthyle, 5/5) on isole ainsi 270 mg de PACLITAXEL à l'état cristallisé (Rdt = 93 %).
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE LA CONCEPTION D'UNE CHAMBRE DE CHAUFFE A EFFET PYROLISE A UNE TEMPERATURE VARIABLE EN FONCTION DU REGIME DE FONCTIONNEMENT DU PROGRAMME LES CORPS DE CHAUFFE UTILISES ACTUELLEMENT DANS L'INDUSTRIE, NE COMPORTE QU'UNE CAPACITE REVETUE DE BRIQUES REFRACTAIRES POUR ASSURER LA SEULE FONCTION DE CHAUFFAGE SANS RECUPERATION DES GAZ DE TRAITEMENT NI ABSORBTION DE LA VAPEUR D'EAU DE LA PHASE DE DESHYDRATATION DU PROCEDE DE TRANSFORMATION BIOTECHNOLOGIQUE LES TRAITEMENTS ET TRANSFORMATIONS DE DECHETS PAR LES PROCEDES DE BIOTECHNOLOGIE, NECESSITENT UNE MONTEE EN TEMPERATURE RAPIDE LA NECESSITE DE CAPTER LES GAZ METHANE ET DERIVES MALODORANTS, GENERES PAR CES TRANSFORMATIONS AFIN D'EVITER LA POLLUTION DE L'ENVIRONNEMENT LE CYCLE DE CES TRANSFORMATIONS NECESSITE EGALEMENT LA DESHYDRATATION DES PRODUITS A TRAITER LA DECOMPRESSION DE LA CUVE DE TRAITEMENT PROVOQUE UNE VAPORISATION ET LA NECESSITE D'EVACUER CETTE QUANTITE DE VAPEUR D'EAU MELANGEE AUX PRODUITS ORGANIQUES MALODORANTS. A L'EXTERIEUR DE LA CUVE DE TRAITEMENT POUR EVITER LA POLLUTION DE L'ENVIRONNEMENT LE BRULAGE A EFFET PYROLISE EST NECESSAIRE.
LA CHAMBRE DE CHAUFFE A EFFET PYROLISE OBJET DE L'INVENTION PERMET TOUT EN ASSURANT LE CHAUFFAGE RAPIDE DE LA CUVE DE TRAITEMENT --D'ASSURER LE BRULAGE AVEC EFFET PYROLISE A UNE TEMPERATURE VARIABLE ET ADAPTEE AUX PRODUITS A TRAITER ET POUR UN TEMPS DE TRANSIT DE GAZ DANS LA CHAMBRE ADAPTABLE ENTRE UNE ET HUIT SECONDES --D'ASSURER LA MEME FONCTIONNALITE AVEC L'ARRIVEE BRUTALE DE VAPEUR COMPORTANT DES PARTICULES ORGANIOUES MALODORANTES ET D'ABSORBER LES CHOCS THERMIQUES CORRESPONDANTS A CES CHANGEMENTS BRUTEAUX DE REGIMES DE FONTIONNEMENT LA FIGURE 1 REPRESENTE LE SYNOPTIQUE GENERAL DE L'INSTALLATION, AVEC LA CUVE DE TRAITEMENT (00), LA CHAMBRE DE CHAUFFE (01) ET LA CHEMINE E D'EVACUATION A L'ATMOSPHERE (03) LA DESHYDRATATION EST ASSUREE PAR LE VENTILATEUR (02) LA PRESENTE INVENTION CONCERNE LA CONSTITUTION DE CETTE CHAMBRE DE CHAUFFE LA FIGURE 1 REPRESENTE LA COUPE LONGITUDINALE DE LA CHAMBRE DE CHAUFFE LA FIGURE 2 REPRESENTE LA COUPE TRANSVERSALE DE LA CHAMBRE DE CHAUFFE LA CHAMBRE DE CHAUFFE COMPORTE -- UNE CHAMBRE CYLINDRIQUE DE COMBUSTION (1) REVETTUE D'UN REFRACTAIRE CERAMIQUE (10) POUR ASSURER LA REFFRACTION NECESSAIRE DU FOYER POUR UNE MONTEE EN TEMPERATURE DE FONCTIONNEMENT EN QUELQUES SECONDES CETTE CHAMBRE CYLINDRIQUE (1) EST FIXEE RIGIDEMENT EN (12) ET PEUT SE DILATER LIBREMENT SUR UN BERCEAU (13) FIXE LUI MEME A L'ENVELOPPE EXTERIEURE (2) .CETTE CHAMBRE CYLINDRIQUE COMPORTE A PROXIMITE DU BRULEUR, UN ANNEAU DE TURBULENCE PRIMAIRE (14) QUI COMPREND DES BUSES (140) ORIENTEES OBLIQUEMENT AFIN DE FAVORISER LA MISE EN ROTATION DU GAZ VENANT DU PROCEDE PAR LA CHAMBRE ANNULAIRE (20) POUR UN BRULAGE EN PYROLISE DANS LA CHAMBRE (1) UNE UNE ENVELOPPE EXTERIEURE (2) EST FERMEE PAR UN PLATEAU (3) CE PLATEAU (3) SUPPORTE UN BRU LEUR (31) FIXEE DANS UNE ENVELOPPE CYLINDRIQUE(32) POURVUE D'UN REVETEMENT CERAMIOUE.CETTE ENVELOPPE (32) EVITE LE SOUFFLAGE PAR L'ARRIVE DE GAZ DE LA CHAMBRE ANNULAIRE (20) ET LE REVETEMENT CERAMIQUE PERMET UNE PROTECTION EFFICACE DES CAPTEURS SENSIBLES DE REGULATION DU BRULEUR EN CAS D'ARRET BRUTAL DE CHAUFFE ET DANS LES PHASES A CHOCS THERMIOUES DANS LA MISE EN OEUVRE DU PROCEDE COMME PAR EXEMPLE LA DESHYDRATATION DU PRODUIT POUR PERMETTRE L'ADAPTATION DES TEMPS DE TRANSIT DES GAZ DU PROCEDE ARRIVANT PAR LA CHAMBRE ANNULAIRE (20) .
POUR LE BRULAGE DANS LA CHAMBRE DE CHAUFFE (1) ET GARANTIR LA PYROLISE IL EST NECESSAIRE DE POUVOIR MODIFIER LE TOURBILLONNAGE DES GAZ ENTRANT DANS LA CHAMBRE (1) EN FONCTION DES PRODUITS A TRAITER ET TRANSFORMER.
LA FIGURE 4 REPRESENTE LE DISPOSITIF DE REGLAGE AUTOUR DE L'ENVELOPPE BRULEUR (32) CE DISPOSITIF COMPORTE UNE LANTERNE (33) MUNIE D'AILETTES (331) POUR LA MISE EN ROTATION DES GAZ A L'ENTREE DANS LA CHAMBRE DE COMBUSTION (1) CETTE LANTERNE (33) PEUT ETRE DEPLACEE LONGITUDINALEMENT AFIN DE REGLER L'IMPORTANCE DU TOURBILLONNAGE DES GAZ ET DU TEMPS DE TRANSIT DE CES GAZ DANS LA CHAMBRE (1).
CE DEPLACEMENT LONGITUDINAL EST OBTENU PAR L'lNTERMEDiAIRE DE VIS (332) ACTIONNEES PAR UN DISPOSITIF A VIS SANS FIN (333) ET REDUCTEUR (334). CET ENSEMBLE EST ACTIONNE PAR MOTOREDUCTEUR (335) L' INDICATION DE POSITION DE L'ENSEMBLE DE TURBULENCE(33) EST CONTROLEE PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN DETECTEUR DE POSITION LONGITUDINAL(336) SITUE EN EXTREMITE DE LA VIS (332) LA POSITION EST DETECTEE PAR LA REGLE ELECTRONIQUE (337) CETTE CHAMBRE DE CHAUFFE , DE PAR SA CONSTITUTION PERMET UNE MONTEE EN TEMPERATURE EXTREMEMENT RAPIDE. LA CONSTITUTION A DOUBLE ENVELOPPE PERMET LES TRANSITOIRES TERMIQUES SANS RISQUES DE DEGRADATIONS DES CONSTITUANTS SENSIBLES DE REGULATION DU BRULEUR ET LA TURBULENCE LA PLUS ADAPTEE A UNE PARFAITE PYROLISE. LES DISPOSITIFS (14) ET (33) PERMETTENT D'ADAPTER LES TEMPS DE TRANSITPOUR GARANTIR L'EFFET PYROLISE QUELQUE SOIT LES MATIERES A I TRANSFORMER DANS LA CUVE DE TRAITEMENT (00). CETTE CHAMBRE DE CHAUFFE OBJET DE CETTE INVENTION GARANTIT LES TRANSFORMATIONS PAR PROCEDE BIOTECHNOLOGIQUE DES DECHETS SANS DEGAGEMENTS D'ODEURS REJETEES L'ATMOSPHERE (03) ET SANS POLLUTION POUR L'ENVIRONNEMENT
DISPOSITIF D'ASSERVISSEMENT D'UNE POSITION DE REGLAGE D'UN PREMIER BOUTON DE COMMANDE A UNE POSITION PARTICULIERE D'UN SECOND BOUTON DE COMMANDE. LESDITS BOUTONS ETANT REGLABLES INDEPENDAMMENT L'UN DE L'AUTRE L'invention concerne un dispositif d'asservissement d'une position de réglage d'un premier bouton de commande à une position particulière d'un second bouton de commande, réglables indépendamment l'un de l'autre, et en particulier un dispositif appliqué à des commandes de chauffage et de ventilation d'un habitacle de véhicule automobile réalisées par des boutons rotatifs.
il ressort clairement de cette description que l'invention atteint les buts définis en préambule.
La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits mais s'étend à toute modification et variante évidente pour un homme du métier. Les buses rapportées 40, 80 sont réalisées dans un matériau souple pour éviter tout risque d'obstruction. Le nombre de buses n'est pas limité à deux mais peut être supérieur ou égal à un. il est évident qu'il est possible de les remplacer par des buses rapportées rigides ou les orifices 33, 73 ménagés dans la tête 30, 70 du gicleur sont agencés directement pour constituer des buses rigides. Ces variantes dépendent du niveau de qualité que l'on veut obtenir.
UNITE D'USINAGE A TETE ROTATIVE La présente invention concerne une unité d'usinage à tête rotative portant au moins deux paires d'outils pivotants, pour l'usinage d'une pièce non rotative centrée sur l'axe de rotation de la tête, comportant: - un bâti sur lequel est monté un rotor comprenant la tête rotative et une broche solidaire de cette tête, le rotor étant pourvu d'un conduit axial et couplé à des moyens d'entraînement en rotation, - des moyens de guidage axial de la pièce, ces moyens étant montés par des paliers dans la broche ou la tête rotative, - des moyens pour maintenir et déplacer axialement la pièce, - au moins quatre supports d'outils, montés dans la tete rotative de manière à pivoter autour d'axes respectifs parallèles à l'axe de rotation, chaque support comportant un levier de commande disposé transversalement, - des moyens de commande de pivotement, coopérant avec ledit levier et comprenant un élément rotatif de commande, qui est mobile en translation axiale dans le rotor et couplé à un dispositif de commande de translation, et des paires d'organes d'appui disposés respectivement sur chaque levier de commande et sur l'élément rotatif de commande correspondant, chaque paire d'organes d'appui comprenant une surface directrice et une surface d'appui s'appuyant contre la surface directrice dans une position variable en fonction de la translation de l'élément rotatif de commande, ladite surface directrice se trouvant sur le support d'outil et la surface d'appui correspondante se trouvant sur l'élément rotatif de commande, et chaque surface directrice correspondant à un support d'outil pivotant ayant la forme d'une portion d'hélice dont l'axe coïncide avec l'axe de pivotement dudit support.
La tête d'usinage de ce type décrite par la publication internationale WO 91/14527 comporte une broche porte-outils équipée de quatre outils couplés par paires, chaque paire d'outils étant commandée par un axe numérique.
Cette configuration impose l'utilisation d'une commande numérique relativement évoluée dont le prix est élevé.
Ceci constitue un inconvénient majeur et empêche la réalisation d'une machine ayant un prix de revient relativement bas. Pour pallier cet inconvénient, la présente invention se propose de réaliser une broche à quatre outils couplés par paires, mais où une seule paire d'outils peut être commandée à la fois. La sélection de la paire d'outils avec laquelle un usinage doit être effectué doit pouvoir être faite pendant la rotation de la broche qui porte ces outils.
Ce but est atteint par l'unité d'usinage selon l'invention, caractérisée qu' elle comporte une douille de commande montée coaxialement sur ladite broche, cette douille étant agencée pour coulisser axialement et pour occuper une première position, une deuxième position et une position médiane, cette douille portant à l'une de ses extrémités deux surfaces de commande de forme ellipsoïdales, agencées pour coopérer avec les surfaces directrices hélicoïdales et pour effectuer la plongée des outils, des moyens pour déplacer axialement ladite douille de commande et un dispositif de déphasage agencé pour faire tourner ladite douille de commande d'un angle prédéterminé autour de son axe.
Selon un mode de réalisation préféré, les moyens pour déplacer la douille de commande comportent un levier de commande pivotant sur un axe monté sur un support solidaire d'un bâti portant la broche, ce levier comportant deux noix d'entraînement centrées sur des axes qui s'engagent dans deux rainures d'une douille montée coaxialement sur la douille de commande.
La douille est de préférence montée sur la douille de commande par l'intermédiaire de deux roulements à billes à contact oblique préchargés.
Selon une forme de réalisation particulièrement avantageuse, le dispositif de déphasage comporte une poulie reliée à la douille de commande par deux clavettes qui assurent le couplage en rotation entre ladite poulie et ladite douille et qui laissent cette dernière libre de se déplacer axialement, ladite poulie étant couplée à une poulie folle montée sur un support tubulaire portant une poulie de renvoi, montée folle et couplée à une poulie d'entraînement montée sur la broche et entraînée par un moteur d'entraînement.
Le couplage entre la poulie reliée à la douille de commande et la poulie folle peut s'effectuer au moyen d'une courroie.
Le couplage entre la poulie de renvoi et la poulie d'entraînement peut s'effectuer au moyen d'une courroie.
Le dispositif de déphasage comporte de préférence des moyens pour décaler angulairement la poulie folle et ia poulie de renvoi.
Les moyens pour décaler angulairement les deux poulies comportent avantageusement deux plots solidaires de la poulie de renvoi engagés dans deux rainures hélicoïdales d'un arbre et deux plots solidaires de la poulie folle engagés dans deux rainures longitudinales de l'arbre, ainsi qu'un organe agencé pour déplacer axialement ledit arbre.
Ledit organe est de préférence un vérin et ledit vérin est de préférence couplé à l'arbre au moyen d'une cloche et d'un roulement de poussée montés à une extrémité de cet arbre.
Ledit vérin est avantageusement associé à des capteurs de position agencés pour fournir un signal de quittance de son déplacement.
De manière avantageuse, la pièce arrière de fermeture est reliée magnétiquement à la première et à la seconde pièces polaires, sans qu'il y ait de pièces magnétiques latérales.
Dans cette variante, les première et seconde pièces polaires peuvent être enterrées dans le substrat.
Selon encore un autre mode de réalisation, les première et seconde pièces polaires constituent la partie du circuit magnétique non enterrée dans le substrat et le bobinage conducteur entoure au moins l'une desdites première et seconde pièces polaires, ce bobinage conducteur comprenant une nappe inférieure de conducteurs passant au moins sous l'une des pièces polaires et étant enterrée dans le substrat et une nappe supérieure de conducteurs chevauchant au moins l'une des pièces polaires.
La présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d'une tête magnétique verticale telle qu'elle vient d'être définie. Ce procédé consiste, sur un substrat, à former un circuit magnétique avec une première et une seconde pièces polaires disposées côte à côte et séparées par un entrefer amagnétique, ce circuit magnétique comprenant au moins une partie non enterrée dans le substrat et à former un bobinage conducteur autour de la partie non enterrée du circuit, ce procédé étant caractérisé par le fait qu'on forme ledit bobinage conducteur en constituant une nappe inférieure de conducteur passant sous la partie non enterrée et en enterrant cette nappe inférieure dans le substrat, et en constituant une nappe supérieure de conducteurs chevauchant la partie non enterrée du circuit magnétique.
Le procédé de 1 invention comprend les modes de mise en oeuvre correspondant aux modes de réalisation de la tête (formation d'un circuit magnétique avec seulement une pièce arrière de fermeture, ou sans pièce arrière).
Brève description des dessins - la figure 1, déjà décrite, illustre une tête magnétique connue de type sandwich - la figure 2, déjà décrite, illustre une tête magnétique connue à bobinage planaire ; - la figure 3, déjà décrite, illustre encore une tête magnétique connue avec bobinage en solénoïde ; - la figure 4, déjà décrite, montre une autre vue de la tête précédente ; - la figure 5 montre le substrat de départ dans un exemple de procédé conforme à l'invention ; - la figure 6 montre, en coupe longitudinale, l'étape de formation d'un premier caisson ; - la figure 7 montre l'étape de dépôt d'une couche isolante ; - la figure 8 montre toujours en coupe longitudinale, l'étape de croissance d'une double couche magnétique ; - la figure 9 montre, en coupe longitudinale, la première pièce polaire obtenue ;; - la figure 10 montre cette même première pièce polaire mais en vue de dessus - la figure 11 montre la formation d'un deuxième caisson ; - la figure 12 montre, en coupe, une deuxième pièce polaire ; - la figure 13 montre, en vue de dessus, les deux pièces polaires et la partie magnétique arrière ; - la figure 14 montre, en coupe transversale, l'une des pièces polaires avant et la pièce magnétique arrière de fermeture - la figure 15 illustre l'étape de gravure d'un caisson pour la nappe inférieure de conducteurs du bobinage ; - la figure 16 montre le remplissage du caisson par un isolant électrique ;; - la figure 17 montre, en coupe transversale, la nappe inférieure de conducteurs et le masque pour la prise de contacts magnétiques - la figure 18 montre le sous-ensemble obtenu à ce stade, en vue de dessus, avec ses deux pièces polaires, sa pièce magnétique arrière de fermeture et sa nappe inférieure de conducteurs ; - la figure 19 montre, en coupe transversale, une pièce magnétique latérale du circuit magnétique ; - la figure 20 montre, en vue de dessus, le sous ensemble obtenu à ce stade ; - la figure 21 montre, en coupe transversale, l'étape de réalisation des plots de raccordement électrique ; - la figure 22 montre, en vue de dessus, un détail de ces plots de raccordement électrique ; - la figure 23 illustre, en coupe transversale, l'étape de réalisation de la nappe supérieure de conducteurs ;; - la figure 24 montre, en vue de dessus, un détail de ces conducteurs supérieurs - la figure 25 montre, en coupe, l'étape de réalisation des plots de contact du bobinage conducteur ; - la figure 26 montre une vue de dessus de la tête obtenue selon cet exemple de réalisation ; - la figure 27 illustre une variante à orientation croisée de l'aimantation - la figure 28 illustre un autre mode de réalisation où le circuit magnétique ne comprend que deux pièces polaires non intégrées, avec un enroulement autour d'une des pièces polaires ; - la figure 29 illustre encore un autre mode de réalisation où le circuit magnétique comprend deux pièces polaires et une pièce arrière de fermeture non intégrée, l'enroulement étant bobiné autour de cette pièce arrière de fermeture ;; - la figure 30 illustre le même mode de réalisation mais avec une forme différente pour la pièce arrière de fermeture.
Exposé détaillé de modes de réalisation On va décrire maintenant, en liaison avec les figures 5 à 27, un premier exemple de réalisation d'une tête magnétique selon l'invention. Il va de soi que les matériaux mentionnés et les dimensions indiquées ne sont donnés qu'à titre explicatif et nullement limitatif.
On part, dans le mode particulier de réalisation décrit, d'un substrat 40 en silicium, d'orientation cristallographique (figure 5). On peut utiliser toute autre orientation cristallographique pour faire varier l'azimut de la tête. Sur ce substrat, on dépose une couche de matériau isolant 42, en SiO2 ou en Si3N4, par la technique LPCVD ("Low Pressure Chemical Vapor Deposition"). Cette couche isolante 42 peut avoir une épaisseur de 40 nm (ou 0,04 pm). Par une opération de lithographie, on définit la forme de la première pièce polaire et l'on dispose divers repères de rodage. On grave alors la couche 42 et l'on effectue une gravure anisotrope du substrat, par exemple par une solution de KOH, ce qui donne naissance à un premier caisson 44 (figure 6) dont l'un des flancs est vertical dans ce cas, selon les plans du silicium. On supprime ensuite la couche 42 ayant servi de masque.
On effectue ensuite une oxydation thermique de l'ensemble pour former une couche 46 de SiO2 (Fig. 7).
Cette couche peut avoir une épaisseur de 0,2 pu.
On dépose ensuite un matériau magnétique dans le caisson. On peut procéder, par exemple, par croissance électrolytique. Pour cela, on dépose une sous-couche conductrice par pulvérisation cathodique, par exemple en NiFe de 0,1 pia d'épaisseur. Par une première lithographie, on forme un masque par exemple en résine présentant une ouverture en regard de la sous-couche disposée dans le fond du caisson. On effectue ensuite une électrolyse de NiFe, par exemple sous champ magnétique, pour obtenir une couche magnétique avec des domaines magnétiques orientés parallèlement à l'entrefer. On supprime ensuite la résine.
On peut opérer en deux fois et intercaler une couche d'isolant et une sous-couche conductrice entre les deux couches magnétiques pour améliorer les performances en haute fréquence. Par exemple, pour une épaisseur totale des pièces polaires de 6 pm, on peut réaliser deux couches de NiFe (les sous-couches conductrices de NiFe comprises) de 3 zm chacune, espacées d'une couche isolante de SiO2 ou de Si3N4 ou Al2O3 d'épaisseur 0,1 zm. Deux telles couches magnétiques sont référencées 481 et 482 sur la figure 8.
On effectue ensuite une planarisation mécanique de l'ensemble en s'arrêtant sur la couche 46 pour obtenir la première pièce polaire 501. Cette pièce est représentée en coupe sur la figure 9 et en vue de dessus sur la figure 10.
On dépose ensuite sur le sous-ensemble obtenu une seconde couche isolante, par exemple en SiO2 d'épaisseur 0,2 pin. Par lithographie, on définit une ouverture et par une gravure prenant pour masque la couche de SiO2 obtenue et ce qui reste de la couche 46, on creuse un second caisson 52 (figure 11) par gravure isotrope, par exemple par plasma hyperfréquence pour avoir une bonne sélectivité par rapport à l'oxyde de silicium. En gravant le second caisson 52, on grave également un caisson arrière, qu'on ne voit pas sur la figure 11, mais qu'on verra sur les figures ultérieures, notamment sur la figure 13. On supprime ensuite le masque et ce qui reste de la couche 46 en surface et l'on dépose un matériau magnétique dans le second caisson 52 et dans le caisson arrière.On peut procéder encore par croissance électrolytique de NiFe, comme précédemment, et cela en une ou en deux couches séparées par une couche d'isolant.
On planarise l'ensemble mécaniquement jusqu'à faire apparaître la partie verticale de la couche isolante 46, ce qui va constituer l'entrefer 46. On obtient alors les deux pièces polaires 501 et 502 telles qu'elles sont représentées en coupe sur la figure 12. La figure 13 montre en vue de dessus ces mêmes pièces polaires 501 et 502 séparées par l'entrefer 46 et également la pièce magnétique arrière 60 qui va servir à fermer le circuit magnétique.
La figure 13 permet également d'illustrer les deux types de coupe qui sont utilisés dans la présente description, à savoir une coupe dite longitudinale, selon la ligne AA passant par les pièces polaires, et une coupe dite transversale, selon la ligne BB passant par l'une des pièces polaires (en l'occurrence la seconde 502) et la pièce magnétique arrière de fermeture 60. Les coupes dont la description vient d'être faite étaient toutes des coupes longitudinales selon AA. Celles qui suivent seront toutes des coupes transversales selon BB.
La figure 14 montre ainsi la coupe transversale du sous-ensemble obtenu à ce stade du procédé avec la seconde pièce polaire 502 et la pièce magnétique arrière de fermeture 60.
On réalise ensuite (Fig. 15) deux caissons latéraux 621, 622 entre les pièces polaires et la pièce magnétique arrière de fermeture 60 (seul le caisson 622 est visible sur la coupe de la figure 15). La gravure peut être en mode plasma radiofréquence. La profondeur des caissons peut être par exemple de 4 pin.
Lorsque le substrat n'est pas isolant, ce qui est le cas dans l'exemple décrit où le substrat est en silicium, on dépose ensuite, dans les caissons, un matériau isolant, par exemple de la silice par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et on planarise, par exemple, mécaniquement l'ensemble.
Cette planarisation peut être précédée d'une phase de détourage par gravure pour limiter la surface isolante à planariser. La figure 16 montre le matériau isolant 64 planarisé remplissant le caisson.
Dans cette couche d'isolant 64, on grave ensuite des sillons parallèles, par exemple par gravure plasma, sur une profondeur de 3 pin. On dépose ensuite une souscouche de CrCu, par exemple par pulvérisation cathodique, et, par électrolyse, on comble ces sillons, par exemple par du cuivre. Sur la figure 17, on voit ainsi, en coupe transversale, les conducteurs obtenus dans ces sillons. Ils forment deux nappes inférieures 661, 662 visibles sur la figure 18, qui est une vue de dessus du sous-ensemble. Ces deux nappes inférieures s'étendent entre les pièces polaires 501, 502 et la pièce magnétique arrière de fermeture 60.