INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 représente un schéma d'un circuit de transcourant de l'art antérieur; la figure 2A représente une vue en plan de dessus d'un motif d'implantation du transistor M 1 dans un circuit intégré représenté sur la figure 1 ; la figure 2B représente une vue en plan de dessus d'un motif d'implantation du transistor M2 dans le circuit intégré la figure 3 représente un schéma d'un circuit de transformation courant-tension utilisant le circuit de transcourant de l'art antérieur; les figures 4A et 4B représentent des illustrations permettant d'expliquer un principe d'une transformation en tension dans le circuit de transformation courant-tension représenté sur la figure 3 la figure 5A représente un schéma d'un circuit de transcourant selon la présente invention la figure 5B représente un circuit équivalent du circuit de transcourant représenté sur la figure SA; la figure 6A et la figure 6B représentent des illustrations permettant d'expliquer un principe du circuit de transcourant représenté sur la figure 5A. La figure 6A représente un cas dans lequel un unique MOSFET est prévu et la figure 6B représente un cas dans lequel une pluralité de MOSFET connectés en série sont prévus; les figures 7A et 7B représentent des illustrations permettant d'analyser une aire de formation de transistor des transistors représentés sur la figure 5A. La figure 7A représente un exemple de circuit de l'art antérieur dans lequel une pluralité de transistors présentent la même longueur de grille et le rapport de transformation de courant est déterminé par les largeurs de grille des transistors. La figure 7B représente un exemple de circuit selon la présente invention correspondant au circuit représenté sur la figure 5A la figure 8A représente une première modification du circuit de transcourant représenté sur la figure 5A la figure 8B représente une seconde modification du circuit de transcourant représenté sur la figure SA la figure 9 représente un schéma d'un circuit de transformation courant-tension selon un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 10A représente une première modification du circuit de transformation courant-tension représenté sur la figure 9 ; et la figure 10B représente une seconde modification du circuit de transformation courant-tension représenté sur la figure 9.
DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Une description d'un circuit de transcourant selon la présente invention sera produite. La figure 5A représente un schéma d'un circuit de transcourant 31 selon la présente invention. La figure 5B représente un circuit équivalent du circuit de transcourant 31 représenté sur la figure 5A.
Le circuit de transcourant 31 représenté sur la figure 5A est construit à l'aide d'un étage d'entrée 32 et d'un étage de sortie 33.
Dans l'étage d'entrée 32, un drain (D) d'un transistor M11 d'un MOSFET à canal N est connecté à une première source de puissance (VDD) 34 et une source (S) de ce même transistor est connectée à une masse (GND) en tant que seconde source de puissance. En outre, une grille (G) du transistor M 1 1 est connectée au drain (D) du transistor.
Par ailleurs, dans l'étage de sortie 33, un drain (D) d'un transistor M12 d'un MOSFET à canal N est connecté à une troisième source de puissance (VDD) 35 et une source (S) de ce même transistor est connectée à un drain (D) d'un transistor M13 d'un MOSFET à canal N. En outre, une source (S) du transistor M13 est connectée à la masse (GND). En outre, des grilles respectives des transistors M12 et M13 sont connectées l'une à l'autre en commun et sont connectées à la grille (G) du transistor M 11.
Après la formation du joint 28, le fond de tranchée 13 est éliminé par rodage, par gravure sèche, humide ou électrochimique.
L'élimination du fond de tranchée s'accompagne aussi d'un amincissement des parties 14 et 16 de la plaque de substrat pour obtenir la structure représentée en coupe à la figure 11.
Le joint 28 est en contact mécanique avec les bords adjacents 18, 20 des première et deuxième parties et s'étend sur toute l'épaisseur des parties 14 et 16 de la plaque 10.
Les figures 12 à 15 illustrent enfin un troisième mode de mise en oeuvre de l'invention.
Pour faciliter la lecture des figures, les parties identiques ou similaires à celles des figures précédentes portent toujours les mêmes références.
La figure 12 montre une plaque de silicium 10 dans laquelle on a délimité une première partie 14 et une deuxième partie 16. Les parties 14 et 16 sont délimitées par un ensemble de trous juxtaposés 12c découpés dans la plaque. Les trous 12c sont séparés deux à deux par des parois latérales de trous 22.
Comme le montre la figure.13, qui est une coupe selon le plan XII-XII indiqué sur la figure 12, les trous 12c traversent de part en part la plaque 10.
Toutefois, il est possible, selon une variante, de réaliser des trous non traversants. On laisse alors subsister des "fonds de trou" avec une épaisseur de quelques micromètres.
Les parois 22, séparant latéralement les trous 12c, de même que les "fonds de trou" jouent un rôle de maintien mécanique comparable aux ponts 22 et 24 (voir les figures 1 à 5) du premier mode de réalisation et aux fonds de tranchée 13 (voir figures 9, 10) du deuxième mode de réalisation.
Les parois 22 permettent en particulier de maintenir la partie centrale 16 solidaire de la partie 14 de la plaque 10.
Les portions de substrat que constituent les parois 22 et éventuellement les fonds de trous ne sont pas éliminées comme dans les modes de mise en oeuvre précédemment décrits mais sont transformés pour les rendre isolants. La substitution d'un joint isolant à ces portions de substrat se traduit ici par une oxydation.
La taille des trous 12c, l'épaisseur des parois 22 qui les séparent, l'épaisseur des "fonds de trou" et les conditions d'oxydation sont choisis tels que l'oxydation des parois 22 et, le cas échéant, des "fonds de trou" ait lieu dans toute leur épaisseur.
L'oxydation est par exemple, une oxydation thermique effectuée à une température de l'ordre de 1050"C Ces parties transformées en oxyde de silicium deviennent alors des isolants électriques et constituent le joint de maintien au sens de la présente invention. Les figures 14 et 15 illustrent la structure ainsi obtenue.
Sur ces figures, les parties oxydées sont indiquées avec la référence 28.
Dans les figures décrites ci-dessus, la deuxième partie, délimitée dans la plaque, est, pour des raisons de simplification, représentée de forme sensiblement rectangulaire.
Toutefois, d'autres formes peuvent être envisagées. En particulier les bords adjacents des première et deuxième parties peuvent être configurés en peignes interdigités pour constituer un condensateur variable dont la capacité est modifiée par des mouvements relatifs de la première et deuxième parties.
Pendant la phase d'évaporation, on procède à une légère élévation de température, par exemple par apport calorifique à l'aide d'une petite résistance chauffante, et on procède à la fermeture d'une première vanne (10) pour isoler la cellule de pompage optique (2) et à l'ouverture d'une seconde vanne (11) permettant l'injection du mélange polarisé dans un volume de stockage (6) de gaz à forte pression, ou directement dans un embout relié à l'installation d'injection dans un corps creux, ou d'inhalation par un patient.
A titre d'exemple, le tableau ci-après indique la pression de vapeur (en torrs) pour différentes températures et concentrations d'hélium-3
3% 10% 30% T=0,9K 0,82 2,1 3,6 T=l,lK 1,8 4,5 8,3 T=1,3K 3,7 8,4 Pendant la phase d'évaporation, la pression augmente avec la température T du volume (4). Pour une pression finale de 1 bar, T est de l'ordre de 4K pour des concentrations de quelques pourcents. La pression critique au-delà de laquelle il n'y a plus d'équilibre liquide/vapeur possible est de l'ordre de 2,3 bar pour l'hélium-4. Au-delà, le chauffage dilate le fluide et augmente encore la pression, comme représenté en figure 2.
Un premier mode d'utilisation consiste à évaporer totalement le liquide accumulé dans le réservoir (4) en le réchauffant suffisamment et en libérant la totalité du gaz polarisé ainsi produit.
Un second mode d'utilisation consiste à n'évaporer que partiellement le liquide accumulé. L'hélium3 étant plus volatil, sa concentration dans la vapeur est supérieure à celle du liquide. Le gaz récupéré à forte pression est donc plus riche en hélium-3 que dans le mélange initialement condensé. Le liquide résiduel subsistant dans le réservoir (4) contiendra bien entendu corrélativement une proportion plus importante d'hélium-4.
Un troisième mode d'utilisation consiste à préalablement extraire de la solution contenue dans le réservoir (4) une fraction importante de l'hélium-4, et à procéder ensuite à l'évaporation du liquide ainsi enrichi.
Plusieurs effets thermomécaniques propres à l'hélium superfluide peuvent être utilisés pour isoler de l'hélium-4 traversée d'une superfuite, effet "heat flush", effet "hevac".
L'ensemble du volume accessible au fluide polarisé doit être soumis à un champ magnétique suffisamment homogène pour ne pas induire de relaxation.
Son amplitude est déterminée par la qualité de l'environnement magnétique ambiant: en général, un millitesla suffit. Elle ne doit par ailleurs pas dépasser quelques dizaines de millitestlas pour que le pompage optique reste efficace.
Un centimètre-cube d'hélium liquide évaporé à température ambiante produit 745 centimètres-cube de gaz à pression atmosphérique. Ainsi, par exemple, 4 cm3 de solution accumulée dans l'enceinte (4) donneront un litre de gaz à 3 bar. Si on n'évapore que le tiers de ce liquide, et qu'il est initialement à une concentration de 3%, on récupérera un litre de gaz à un bar avec une concentration de 5,8%.
Une première application concerne l'imagerie RMN des cavités d'un corps creux, par exemple les poumons d'un patient ou d'un animal. Il convient de faire inhaler un mélange gazeux contenant de l'hélium-3 polarisé préparé avec une installation telle que précédemment décrite.
Une deuxième application est l'imagerie des fluides ou tissus organiques ou biologiques où l'hélium-3 polarisé aura diffusé.
Une troisième application est la caractérisation de matériaux ou de corps poreux par mesure RMN, en utilisant 1'hélium3 polarisé comme sonde locale.
L'invention est décrite dans ce qui précède à titre d'exemples non limitatifs.
La présente invention concerne un dispositif d'amortisseur de calage pour aile portante hydrodynamique et une de ses applications possible la planche-hydroptère, un engin de loisir d'un concept nouveau. Le dispositif pouvant être destiné à tout hydroptère en sustentation partielle améliore la stabilité. Au moyen de ce système, est défini la planche à voile hydroptère. Le principe est de sustenter partiellement ou complètement un flotteur équipé d'une voile et d'un aileron porteur. Ce dernier assure la fonction de plan d'anti-dérive et de plan porteur. I1 est fixé à l'arrière de la planche via l'amortisseur de calage.
Sur les bateaux, la carène sustentée par la poussée d'Archimède et par sa propre portance hydrodynamique se voit limitée principalement par la vague d'étrave quand le régime d'écoulement devient équivalent supersonique ; c'est à dire, quand la vitesse de la carène est supérieure à la vitesse de propagation des ondes de surface. Les hydroptères, quant à eux, volent au dessus de la surface de l'eau. Les carènes sont sustentées à l'aide d'ailes portantes qui entraînent un gain important sur leurs performances.
Ajoutons que chacune des lames (7a, 7b) est reliée par son extrémité inférieure (70) à la partie inférieure (4a) par des moyens de liaison inférieurs et par son extrémité supérieure (71) à la partie supérieure (4b) par des moyens de liaison supérieurs.
Les moyens de liaison inférieurs sont constitués par un logement inférieur de lames (8a, 8b) solidaire de la semelle mobile inférieure (4a) et disposé à l'aplomb du logement supérieur de lame (9a, 9b) solidaire de la semelle supérieure (4b), tandis que les logements inférieurs (8a, 8b) sont à l'aplomb des logements supérieurs (9a, 9b) pour retenir la lame correspondante (7a) et/ou (7b) verticalement.
Chacun des logements inférieurs (8a, 8b) est constitué par une gorge ouverte vers le haut formée par un rebord inférieur de retenue (80a, 80b) s'ouvrant vers l'extérieur pour former un logement évasé vers le haut qui permet la déformation par flambage de la lame qui y est retenue, comme cela est illustré à la figure 3.
Chacun des logements supérieurs (9a, 9b) est constitué, de même, par une gorge ouverte vers le bas formée par un rebord de retenue supérieur (90a, 90b) s'ouvrant vers l'extérieur pour former un logement évasé vers le bas qui permet la déformation par flambage de la lame qui y est retendue, comme cela est illustré à la figure 3.
Notons, par ailleurs, que les logements de retenue (8a, 8b - 9a, 9b) sont disposés à l'aplomb de la cheville de l'utilisateur afin que les lames à ressort (7a) et/ou (7b) s'y trouvent aussi. Dans une solution avantageuse, les deux logements supérieurs de retenue (9a, 9b) sont réalisés par le contrefort (91) qui comprend un U ouvert vers le haut pour relier les deux logements supérieurs à la semelle supérieure (4b).
Par ailleurs, il est, bien entendu, prévu des moyens de blocage permettant de limiter le pivotement relatif entre les deux parties de semelle et limiter ainsi l'angle d'ouverture maximum (a) que peuvent former les deux semelles (4a, 4b).
Ainsi, lorsque l'utilisateur marche ou court, la force due au choc de la semelle mobile inférieure (4a) sur le sol s'opposant à la force due au poids de l'utilisateur appliquée par le pied à la partie supérieure (4b), ainsi qu'à l'inertie de la masse en mouvement, provoque la compression des lames de ressort (7a, 7b) augmentant très rapidement, pour une faible compression, leur force de réaction qui, dès le dépassement du seuil de force critique d'Euler, provoque le flambage desdites lames, flambage pendant lequel la force de réaction desdites lames (7a, 7b) augmente plus lentement en fonction de la distance de compression ; les lames se comportant alors comme un ressort classique de raideur faible mais fortement précontraint.
Ainsi, selon ce premier mode de réalisation, il est possible, en fonction du poids de l'utilisateur et du type d'effort (course rapide, endurance ou marche) de monter par emboîtement dans les logements de lames supérieurs (9a, 9b) et inférieurs (8a, 8b) une paire de lames de ressort (7a, 7b) de raideur adaptée.
Selon la variante d'exécution illustrée à la figure 4; les moyens de liaison supérieurs sont constitués par un lien souple (92) tel, par exemple, qu'un câble ou une sangle remplaçant le rebord de retenue supérieure (90a, 90b), tel que celui décrit précédemment. Ainsi, le lien souple est fixé par l'une de ses extrémités à l'extrémité supérieure (71) de l'une des lames (7a) pour passer sous la partie supérieure (4b) et être ensuite fixé par l'autre de ses extrémités à l'autre lame (7b). Notons qu'avantageusement la longueur du lien (92) pourrait être réglable de manière à faire varier la compression maximale, et/ou la valeur maximale de l'angle (a).
Dans le troisième mode de réalisation illustré aux figures 5 et 6, il est prévu des moyens permettant de modifier la raideur du dispositif d'amortissement sans avoir à changer de lames de ressort (7a, 7b). Ainsi, selon ce troisième mode de réalisation, il est prévu des moyens permettant de modifier l'inclinaison des lames de ressorts (7a, 7b) et modifier ainsi, par exemple, la valeur de l'angle d'inclinaison des lames dont l'axe longitudinal (YY') est incliné vers l'avant pour former un angle aigu (B1, B2) ouvert vers l'avant. Les modifications d'inclinaison vers l'avant des lames de ressort (7a, 7b) provoquent la modification de la composante de la force s'opposant au rapprochement de la partie inférieure (4a) vers la partie supérieure (4b). La figure 5 représente la position d'une dureté supérieure à celle représentée à la figure 6, l'angle (B2) étant inférieur à l'angle (B1). A titre d'exemple de dispositif de réglage de l'inclinaison des lames, il a été illustré un système selon lequel il est possible de modifier la longueur effective du brin avant (920) fixé au point d'attache (922), grâce à une succession de crans (20). Bien entendu une telle disposition pourrait être adoptée pour le brin arrière (921).
Dans ce mode d'exécution, chacune des lames est retenue à son extrémité supérieure (71) par un lien (92) ou un câble comprenant un brin avant (920) et un brin arrière (921). La variation de l'inclinaison des lames peut être obtenue par modification de la longueur des brins avant (920) et arrière (921). Cette modification peut être obtenue par tous moyens appropriés. Bien entendu, la retenue de l'extrémité inférieure (70) de chacune des lames (7a, 7b) est appropriée et permet, d'une part, le pivotement de ces dernières dans son propre plan et, d'autre part, le déplacement vers l'extérieur pour permette le flambage desdites lames.
Ainsi, la retenue inférieure peut être réalisée comme cela est illustré à la figure 7 et aux figures 8a et 8b.
A la figure 7, il est prévu un lien souple de retenue (81) dont l'une des extrémité (82) est fixée à la semelle inférieure (4a) pour passer d'une part, au-dessus d'une saillie (83), et d'autre part, sous l'extrémité inférieure (70) de la lame pour y être ensuite fixée par son autre extrémité (84).
Les figures 8a et 8b montrent des moyens de retenue inférieurs aux lames, réalisés sous forme d'un dispositif de type à cardan constitué par une pièce intermédiaire (85) montée pivotante sur la semelle inférieure (4a) destinée à recevoir, grâce à une gorge (86), l'extrémité inférieure (70) de la lame correspondante.
L'articulation entre la partie inférieure (4a) sur la partie supérieure (4b) peut être réalisée de différentes manières, comme, par exemple, avec une articulation avec un axe (5), tel qu'illustré à la figure 1, ou avec une zone souple (500), tel qu'illustré aux figures 5 et 6, ou tel que cela est représenté à la figure 9 où la partie inférieure (4a) et la partie supérieure (4b) sont surmontées sur une liaison déformable souple (501).
Les figures 10 et 11 illustrent un autre mode de réalisation selon lequel le plan des lames à ressorts (7a, 7b) n'est pas parallèle au plan de symétrie général (P) de la chaussure, comme dans les réalisations précédentes, mais disposé sensiblement perpendiculairement à ce plan.
+ foncé 668.2 871 C 1 8 h minéral: #81 + #98 f procédé de production: vert émeraude très 669 1 g + 1 g + Na2CO3 3 g / 871 C / 1 h puissant minéral: *Bl f procédé de production: vert émeraude 670 2 g + K2CO3 3 g / 0#871 C extrêm@ment puissant minéral: #34 / procédé de production: vert émeraude foncé 671 pierre recouverte de 100 ml acide acétique / séchage naturel S prélèvement des cristaux sur la pierre: 5 g cristaux + NH4OH 25 ml / séchage naturel / irradié au rayonnement γ à 424.7 Mrad minéral: #54 S procédé de production: vert émeraude + 672 l g t K2CO3 3 g / 0#982 C foncé que le vert émeraude foncé minéral: #81 / procédé de production: vert émeraude très 673 2 g + Na2CO3 2 g / 0#982 C + 1 h à 982 C puissant et foncé minéraux: #50 + #98 / procédé de production: vert émeraude som- 674 10 g + 10 g + Na2CO3 20 g / 0#1121 C bre allant vers le noir minéral: #107 / procédé de production: vert émeraude trés 675 1 g + Na2CO3 2 g / 0#982 C vif (ton bleu) minéral: #24 / procédé de production: vert émeraude très 676 1 g + 6.50 g poudre de verre (spruce pine puissant (ton bleu) batch) / broyage manuel / dépôt sur une plaque
4 s'accentue un peu 677 de céramique biscuitée / chauffage dans un four de 0#1000 C en atmosphère normale i refroidissement lent au four irradié au rayonnement γ à 9.88 Mrad minéral: #81 / procédé de production: 2 g + K2CO3 3 9: vert émeraude (ton 678 0#926 C bleu) + saturé et sombre que le vert émeraude extrêmement puissant
4 encore 4 intense 679 0#982 C minéral: #112 / procédé de production: 2 g + Na2CO3 2 g: vert émeraude (ton 680 0t982 C + 1 h à 982 C bleu) extrêmement puissant
4 s'intensifie 681 0#1037 C + 1 h à 1037 C minéral: #54 / procédé de production: vert émeraude (ton 682 1 g + K2CO3 2 g J 0#982 C bleu) + plus foncé que le vert émeraude noir (ton bleu) minéral: #5 / procédé de production: vert kaki clair 663 2 g + Na2CO3 2 g / 0#982 0C + t h à 982 C minéral: #6 / procédé de production: 2 g + Na2CO3 2 g:
vert kaki clair 684 4 665 982 C / 1 h 1037 C / 1 h minéral: #27 / procédé de production: vert kaki 686 2 g + K2CO3 2 g / 0#815 C minéral: #5 / procédé de production: 50 g + HCl 200 ml ou amiante recouverte de HCl / trempage: 1 sem. / séchage sur plaque chauffante: 3 g + Na2CO3 4 g:
vert kaki 687 4 + foncé et vert 686 982 C / 45 min 982 C / 55 min minéral: #6 / procédé de production: vert kaki moyen 689 2 g + Na2CO3 2 g / 648 C / 1 h minéraux: #14 + #26 / procédé de production:
vert kaki..oyen 690 4 s'accentue beaucoup 691 1.50 g #14 + .50 g #26 / 0# 1037 C irradié au rayonnement électronique à 302,831 rad minéral: t5 f procédé de production: vert kaki / vert 692 50 g + HCl 200 ml ou amiante recouverte de turquoise HCl / trempage: 1 sem. / séchage sur plaque chauffante: 3 g + Na2CO3 4 g / 982 C / 1 h minéral: *26 I procédé de production; vert kaki foncé 693 1 g + 6.50 g poudre de verre (spruce pine (reflet jaune) batch) / broyage manuel f dépôt sur une plaque
4 + foncé 694 de céramique biscuitée / chauffage dans un four de OtlOOO C en atmosphère normale / refroidissement lent au four irradie au rayonnement y à 4.94 Mrad minéraux: #14 + #26 / procédé de production: vert kaki moyen 695 1.50 g #14 + .50 g #26 / 0#1037 C/ irradié (ton brun) au rayonnement γ à 424.7 Mrad minéral: #6 / procédé de production: vert kaki moyen 696 2 g + Na2CO3 2 g / 0#648 C + 1 h à 648 C (ton brun orangé) minéral: #28 / procédé de production: vert kaki accentué 697 2 g + Na2CO3 2 g / 482 C / 1 h / irradié (léger ton brun gris) au rayonnement γ à 424.7 Mrad minéraux: #18 + #26 / procédé de production: vert très clair 698 1.50 g #18 + .50 g #26 / broyés et humectés [quasi beige] avec de l'eau jusqu'à consistance de påte / 704 C / 1 h minéraux: #26 + #29 / procédé de production: vert très clair 699 1.50 g #29 + .50 g #26 / broyés et hu [quasi beige] mectés avec de l'eau jusqu'à consistance de påte / 815 C / 1 h minéraux: #18 + #26 / procédé de production: vert beige + påle 700 1.50 g #18 + .50 g #26 / 898 C / 1 h que vert beige clair / irradié au rayonnement γ à 550.22 Mrad minéraux: #18 + #27 / procédé de production: vert beige + påle 701 .50 g #27 + 1.50 g #18 / 0#1037 C/ irque vert beige clair radié au rayonnement γ à 424.7 Mrad minéral: #22 / procédé de production: vert beige 702 3 g + 20 ml solution de cyanure (95% eau distillée + 5% KCN) / séchage naturel / le solide est irradié au rayonnement γ à 424.7 Mrad minéral: #1 / procédé de production: vert brun clair 703 3 g + H2SO4 50 ml / trempage: 2 sem. / séchage sur plaque chauffante minéral: #50 / procédé de production: vert brun 704 4 g poudre déposés sur une pièce d'acier inoxydable mesurant 1" x 1" / 760 C / 20 min / retrait immédiat minéraux: #26 + #29 / procédé de production: vert brun 705 1.50 g #29 + .50 g #26 / 1093 C / 1 h