INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cette configuration, un rapport de transformation de courant R2 du circuit de transcourant 31 est obtenu à partir de l'équation (1) comme suit R2 = (largeur de grille du transistor M12(M13) / (longueur de grille du transistor M12 + longueur de grille du transistor M13)J x (longueur de grille du transistor Ml 1/largeur de grille du transistor M11) = (w, / (L1 + Ll))x (L1 / W1) = 1 / 2 (5) Lorsque le circuit dont il a été discuté ci-avant est intégré et que les MOSFET sont formés sur une plaquette selon une longueur de grille d'approximativement 1 ,um et une largeur de grille de plusieurs llm, la longueur de grille est de façon générale réglée selon une précision de fabrication élevée. La dispersion de fabrication de la largeur de grille est extrêmement faible par comparaison avec celle de la longueur de grille et il est supposé que la dispersion due à la fabrication de la largeur de grille est négligeable.
Par conséquent, comme il a été discuté ci-avant, lorsque les largeurs de grille des transistors M11 à M13 sont établies de manière à être toutes identiques, la dispersion de la fabrication de la largeur de grille peut être annulée pour calculer le rapport de transformation de courant. Par conséquent, dans le circuit dont il a été discuté ci-avant, la longueur de grille peut être amenée à varier de façon équivalente et un rapport de transformation de courant souhaité peut être obtenu de façon précise. Ceci améliore la flexibilité d'établissement d'une aire de formation et d'une valeur de courant du transistor.
Les figures 6A et 6B représentent des illustrations permettant d'expliquer un principe du circuit de transcourant représenté sur la figure 5A. La figure 6A représente un cas dans lequel un unique MOSFET est prévu et la figure 6B représente un cas dans lequel une pluralité de MOSFET connectés en série sont prévus. Le courant de drain ID d'un MOSFET MF0 dans une région linéaire ((VGS - Vth) > VDS: Vth est une tension de seuil) diffère de celui dans une région de saturation ((VGS - V Vth S VIS). C'est-à-dire que dans la région linéaire, le courant de drain ID est donne par l'équation qui suit: ID = indique une constante diélectrique d'un film d'oxyde de grille, un symbole "tox" indique une épaisseur du film d'oxyde de grille et un symbole "X" indique un coefficient d'effet de modulation de longueur de canal.
Puisqu'une approximation (1 + XVDs) t 1 est classiquement donnée, dans la région de saturation, le courant de drain ID peut également être transformé comme suit: ID = (1 / 2) Po (w / L)x(VGS -Vth)2 (8) Sur la figure 6B, n MOSFET dont il a été discuté ci-avant sont connectés en série. Dans ce cas, pour établir la condition (VGS -V*) VDs dans une plage de tension de fonctionnement générale, seulement le transistor MF1 est opérant dans la région de saturation et les autres transistors MF2 à MFn sont opérants dans la région linéaire.
Dans un j-ième transistor MFj (2 IDj = (1 / 2) sso (W / L) x 2(VGs-Vj+î-Vth) (Vj - Vj+1) -(Vj-Vj+1)} =(1/2)sso (W / L) x {2(VGS - Vth) (Vj - Vj+1) - Vj2 + Vj+1} (9) Par conséquent, un courant de drain total ID est donné par l'équation qui suit
{2(VGs - V) V2 - V22} (10) A partir de l'équation présentée ci-avant, l'équation qui suit est produite (n - 1) ID = (1 / 2) sso (W / L)x {2 (V05 - Vth) V2 - V2} (11) En outre, le courant de drain ID du transistor MF1 est donné par l'équation (12) comme suit ID = (1/ 2) po (W / L) x (VGS -V2 - Vth)2 (1 + #VDS) = ( 1 / 2) sso (W / L) x {(VGS - Vth) - 2(VGS - Vth) V2 + V22) (1 + #VDS) (12) En substituant l'équation (11) dans l'équation (12), l'équation qui suit est produite ID = (1/2) sso (W / L) x {(VGS - Vth) (1 + #VDS)} - (n - 1) ID(1 + #VDs) (13) En outre, l'approximation (1 + #VDs) z 1 est produite, le courant de drain ID est obtenu au moyen de l'équation qui suit: ID = (1/ 2) po (W / nL) (VGS - Vth)2 (14) C'est-à-dire qu'à partir de l'équation (14), tous les transistors MF1 à MFn représentés sur la figure 6B peuvent être considérés comme étant un unique transistor présentant une longueur de grille nL et une largeur de grille W qui est opérant dans la région de saturation. Par conséquent, le circuit de transcourant 31 représenté sur la figure 5A peut être considéré comme étant le circuit représenté sur la figure 5B.
Puis une description d'une opération de transcourant est produite par report à la figure 5B. Dans ce cas, la largeur de grille du transistor (M12, M13) dans l'étage de sortie est établie de manière à valoir W2 (= W1) et sa longueur de grille est établie de manière à valoir L2 (= 2 L1). En outre, par exemple, les transistors Mli à M13 sont respectivement formés par un MOSFET du type enrichissement (tension de courant Vth > 0).
Dans cette configuration, lorsqu'un courant d'entrée ID1 est produit dans le drain (D) du transistor M11, un courant de sortie 1D2 circule dans le drain (D) du transistor M12. Dans le transistor M11, puisqu'une condition VDsl = VGS est établie, le transistor M11 fonctionne dans la région de saturation. Par ailleurs, en ce qui concerne le transistor M12, le transistor M12 est conçu de manière à fonctionner dans la région de saturation VDs 2 (VGS - Vth) pour fonctionner en tant que source de courant.
Par conséquent, à partir de l'équation (7), le courant de drain IDS1 du transistor M11 est donné par l'équation qui suit: ID1 = (1 / 2) t3i (W1 / L1) x (VGS - Vth1) (1+#1VDS1) (15) Le courant de drain IDS2 est donné par l'équation qui suit: 1D2 = (1 / 2) 132 (W2 / L2) x (VGs - Vth2) (1 +#2VDS2) (16) Puisque l'approximation de (1 + #VDS) z 1 est produite, le VGS des équations (15), (16) est représenté comme suit
Comme il a été discuté préalablement, puisque les transistors Mil à M13 présentent la même longueur de grille, dans l'équation (17), 13i est égal à 132 et V1 est égal à V*2, ces paramètres étant déterminés lors d'un processus de fabrication. Par conséquent, à partir de l'équation (17), l'équation qui suit est obtenue 2 ID1 (Ll / W1) = 2 ID2(L2 / W2) L'équation mentionnée ci-avant est transformée selon l'équation qui suit: ID2 / Ici = (W2 / L2) /(W1 / L1) = (W1 /2L2) /(W1 / L1) =1/2 (18) Dans le circuit de transistor de l'art antérieur, lorsque la dispersion de la longueur de grille se produit, ceci provoque une dispersion de la tension de seuil Vth, et l'équation (18) ne peut pas être obtenue à partir de l'équation (17). Par conséquent, un rapport de transformation de courant souhaité ne peut pas être obtenu.
Puis une description d'une aire de formation de transistor sera produite. Les figures 7A et 7B représentent des illustrations permettant d'analyser l'aire de formation de transistor des transistors représentés sur la figure 5A. La figure 7A représente un exemple de circuit de l'art antérieur dans lequel une pluralité de transistors présentent la même longueur de grille et le rapport de transformation de courant est déterminé par les largeurs de grille des transistors. La figure 7B représente un exemple de circuit selon la présente invention correspondant au circuit représenté sur la figure 5A.
Les figures 7A et 7B représentent des circuits d'application typiques auxquels un circuit de transcourant est appliqué, chaque circuit d'application comportant une entrée et de multiples (n) sorties.
Dans ces circuits d'application, pour des sources de puissance dans l'étage de sortie, en plus de la seconde source de puissance GND, des troisième source de puissance 35 jusqu'à une (33 + n) - -ième source de puissance 33 + n (n > 3) sont utilisées.
Afin d'empêcher la dispersion de la tension de seuil, sur la figure 7A, toutes les longueur de grille des transistors MFT1 à MFTn sont établies de manière à être à la même valeur L et toutes les largeurs de grille des transistors MFT2 à MFTn dans l'étage de sortie sont établies de manière à être à la même valeur W2 (une largeur de grille du transistor MFVr1 dans l'étage d'entrée est établie de manière à valoir W1). Sur la figure 7B, toutes les largeurs de grille des transistors MFTO 1 à MFTOn sont établies de manière à etre à la même valeur W et toutes les longueurs de grille des transistors MFT02 à MFT0n dans l'étage de sortie sont établies de manière à être à la même valeur L2 (une longueur de grille du transistor MFT1 dans l'étage d'entrée est établie de manière à valoir L1).
Dans la configuration dont il a été discuté ci-avant, une aire de formation globale S1 des transistors MFT1 à MFTn représentés sur la figure 7A est donnée par l'équation qui suit: S1 =W1xL+ n x W2 x L = L (W1 + nW2) (19) En outre, une aire de formation globale S2 des transistors MFTO 1 à METOn représentés sur la figure 7B est donnée par l'équation qui suit S2 =WxL1 + nxWxL2 = W (L1 + nL2) (20) Dans ce qui suit, par exemple, un cas sera considéré. Dans ce cas, la largueur de grille W et la longueur de grille L sont etablies de manière à être les valeurs minimum possibles lors du processus de fabrication et un rapport 12/Il = m est donne.
On ajoute ensuite, à l'aide d'une seringue Hamilton, 38 ug d'ADN en solution dans 27 ul d'eau et laisse le mélange sous agitation pendant 30 min. Il se produit alors une réticulation de l'ADN avec la polylysine NSPE.
On dialyse ensuite le détergent contre 5 1 d'eau distillée pH 7 pendant 4 h et on renouvelle le bain de dialyse trois fois, ce qui entraîne la formation de la membrane fonctionnelle autour de l'ADN et de la polylysine NSPE.
On obtient alors les particules virales artificielles telles que schématisé figure 3 comprenant un noyau 31 d'ADN faisant office de substrat solide polyanionique, un composé bifonctionnel de fixation 32 formé de L-polylysine-NSPE polycationique, et une membrane fonctionnelle 33 externe périphérique formée d'une bicouche de phospholipides. Le noyau 31 d'ADN peut être considéré comme une nucléocapside artificielle. Les particules virales artificielles sont stables pendant au moins 15 jours.
EXEMPLE 5 : Couplage d'un composé d'interaction de ciblage, la transferrine, à la surface externe des particules virales artificielles.
On synthétise d'abord des particules virales de la même manière que dans l'exemple 4 mais en ajoutant 2 % de dipalmitoyl phosphatidyléthanolamine (DPPE) à la composition phospholipidique.
Préparation des particules virales avec une membrane contenant du 3-mercaptopropionate DPPE. 12 mg de particules contenant 10 mg de phospholipides et 200 ug de DPPE (0,26 umol) sont dispersés dans 30 ml d'un tampon acétate de sodium 75 mM amené à pH 8,5 par addition d'un tampon bicarbonate. On ajoute 100 u1 d'une solution 15 mM de succinnimidyl 3-(-2-pyridyldithio) propionate (SPDP) et on agite vigoureusement pendant 1 h. On ajoute alors 6 ml d'une solution d'acétate de sodium 1M. La suspension est ensuite dialysée contre un tampon 20 mM acétate de sodium.
On ajoute 2,3 mg (15 umol) de dithiothréitol dans un tampon bicarbonate de sodium et la suspension est maintenue, sous argon, à pH 7,5 pendant 1 h. Le pH est ensuite ajusté à 5,2 en ajoutant un tampon acétate de sodium et la suspension est ensuite dialysée contre un tampon acétate de sodium 20 mM. On obtient une préparation contenant 0,1 umol de DPPE modifié par du mercapto propionate.
Préparation de 3-(2-pyridyldithio) proprionate transferrine.
On ajoute 200 u1 d'une solution éthanolique de SPDP (3,0 umol) à une solution de 120 mg (1,5 umol) de transferrine de poulet dans 3 ml d'un tampon phosphate de sodium 100 mM, pH 7,8. La solution est agitée vigoureusement pendant 1 h à température ambiante puis est soumise à une filtration sur gel sur SEPHADEX G25 pour donner 6 ml d'une solution de 1,4 umol de transferrine modifiée par 2,8 umol de dithiopyridine.
. Conjugaison de la transferrine avec les particules.
On mélange 1 umol de transferrine modifiée dissoute dans un tampon phosphate 100 mM, pH 7,8 avec des particules contenant 0,1 umol de 3-mercaptopropionate DPPE et dispersées dans un tampon acétate de sodium 20 mM. La préparation est agitée pendant 24 h à température ambiante, puis est ultrafiltrée sur une membrane de 100KD pour éliminer la transferrine en excès.
On obtient les particules virales telles que représentées figure 3 dotées de ligands 34 formés de transferrine.
EXEMPLE 6 : Caractérisation des particules virales artificielles 1) Synthèse de L-polylysine fluorescente : polylysine(l9,2)-fluorescéine-ds0,4.
Dans un ballon de 25 ml, on pèse 36,3 mg de L-polylysine de poids moléculaire 19200 que l'on dissout dans 10 ml de DMSO sous agitation magnétique. On ajoute 40 1 de triéthylamine et on attend 10 min. On ajoute ensuite 1,1 mg d'isothiocyanate de fluorescéine (FITC) en solution dans 149 ul de diméthylformamide (DMF). La réaction se poursuit à 300C pendant 2 h. Le produit est analysé par chromatographie sur gel de silice qui montre la disparition du FITC libre et l'apparition d'un produit protéique et fluorescent au dépôt. La L-polylysine-fluorescéine est purifié 9. Cette solution est dialysée contre de l'eau distillée.
La solution finale contient 35 mg de protéine. La quantité de fluorescéine est estimée par spectrométrie à 496 nm avec un coefficient d'extinction moléculaire de 90000 m 1cm 1 Le taux de greffage est de 1/233 des fonctions amines.
2) Caractérisation des particules virales par inhibition de la fluorescence La capacité des polylysines-NSPE synthétisées comme décrit précédemment à permettre la mise en place d'une structure membranaire imperméable aux ions cuivriques (Cu++) entourant l'ADN complexé est étudiée par la méthode d'inhibition de la fluorescence d'une sonde fluorescente liée à l'ADN complexé. Cette sonde est la Lpolylysine(l9,2)-fluorescéine-ds0,4 obtenue en 1). Les particules virales sont préparées comme décrit à l'exemple 4 à la seule différence que la L-polylysine-NSPE-ds0,1 est remplacée par un mélange de 90% de L-polylysine(19,2)-NSPEds(n) et de 10% de L-polylysine(19,2)-fluorescéine-ds0,4.
Ainsi, le procédé comprend les étapes suivantes: (a) première extraction acide ou basique, à l'issue de laquelle on récupère un premier résidu solide1 (b) éventuellement seconde extraction effectuée dans des conditions alcalines du premier résidu solide, à la suite de quoi, est récupéré un second résidu solide, (c) lavage du premier ou du second résidu solide, (d) éventuellement blanchiment du résidu lavé, (e) dilution du troisième résidu solide obtenu à l'issue de l'étape (d) de manière à obtenir un taux de matières sèches compris entre 2 et 10 % en poids, (f) homogénéisation de la suspension diluée.
Dans l'étape (a), on entend par "pulpe" de la pulpe humide, déshydratée, conservée par ensilage ou partiellement dépectinée.
L'étape d'extraction (a) peut être effectuée en milieu acide ou en milieu basique.
Pour une extraction acide, la pulpe est mise en suspension dans une solution d'eau pendant quelques minutes de façon à homogénéiser la suspension acidifiée à un pH compris entre 1 et 3, de préférence entre 1,5 et 2,5.
Cette opération est mise en oeuvre avec une solution concentrée d'un acide tel que l'acide chlorhydrique ou l'acide sulfurique.
Cette étape peut être avantageuse pour éliminer les cristaux d'oxalate de calcium qui peuvent être présents dans la pulpe, et qui, du fait de leur caractère abrasif important, peuvent causer des difficultés dans l'étape d'homogénéisation.
Pour une extraction basique la pulpe est ajoutée à une solution alcaline d'une base, par exemple de la soude ou de la potasse, de concentration inférieure à 9 % en poids, plus particulièrement inférieure à 6 % en poids. De préférence, la concentration de la base est comprise entre 1 et 2 % en poids.
On pourra ajouter une faible quantité d'un agent antioxydant soluble dans l'eau, tel que le sulfite de sodium Na2SO3, afin de limiter les réactions d'oxydation de la cellulose.
L'étape (a) est effectuée en général à une température comprise entre environ 60"C et 1 00 C, de préférence comprise entre environ 70"C et 95"C.
La durée de l'étape (a) est comprise entre environ 1 heure et environ 4 heures.
Lors de l'étape (a), il se produit une hydrolyse partielle avec libération et solubilisation de la majeure partie des pectines et des hémicelluloses, tout en préservant la masse moléculaire de la cellulose.
Le résidu solide est récupéré à partir de la suspension provenant de l'étape (a) en mettant en oeuvre des méthodes connues. Ainsi, il est possible de séparer le résidu solide par centrifugation, par filtration sous vide ou sous pression, avec les toiles filtrantes, ou les filtres-presses par exemple, ou encore par évaporation.
On soumet éventuellement le premier résidu solide obtenu à une seconde étape d'extraction1 effectuée dans des conditions alcalines.
On met en oeuvre une seconde étape d'extraction, étape (b), lorsque la première a été conduite dans des conditions acides. Si la première extraction a été effectuée dans des conditions alcalines, la seconde étape n'est que facultative.
Selon le procédé1 cette seconde extraction est effectuée avec une base, de préférence choisie parmi la soude et la potasse, dont la concentration est inférieure à environ 9 % en poids1 de préférence comprise entre environ 1 % et environ 6 % en poids.
La durée de l'étape d'extraction alcaline est comprise entre environ 1 et environ 4 heures. Elle est de préférence égale à environ 2 heures.
Dans ce contexte, il est en outre envisagé de réaliser le système de contacts précité sous la forme d'un commutateur multipolaire à commande mécanique qui, lorsque la portière de véhicule automobile est fermée, ferme au moins un communicateur, en particulier un communicateur multiplex, entre l'électronique de commande côté carrosserie et l'électronique de commande côté porte coulissante ainsi que, le cas échéant, deux lignes d'alimentation en courant électrique (ligne positive et ligne négative) entre le réseau de bord et l'accumulateur. En ce qui concerne cet accumulateur, il peut s'agir d'un accumulateur interchangeable ou d'une batterie interchangeable. Il est alors concevable de charger cette batterie - indépendamment du
réseau de bord du véhicule automobile - par exemple au moyen d'un panneau solaire.
Mais puisque la portière du véhicule automobile est fermée dans la plupart des cas, il est
recommandé, lorsque la portière du véhicule automobile est fermée, de brancher l'accumulateur de l'électronique de commande située du côté porte coulissante par l'intermédiaire du système de contacts et respectivement du commutateur multipolaire sur le réseau de bord pour effectuer la charge. Dans ce cas peut être réalisé un système électronique supplémentaire qui contrôle l'état de charge de l'accumulateur et délivre par exemple un signal de sous-tension. La charge peut alors être effectuée de telle façon
qu'elle ne se produit qu'en cas d'apparition d'un tel signal de soustension.
En conséquence, ces mesures permettent globalement de travailler avec un accumulateur relativement petit qui peut être logé facilement dans la portière du véhicule automobile. De ce fait, la maniabilité de la portière du véhicule automobile n'est guère affectée. A l'aide du communicateur multiplex entre l'électronique de commande du côté carrosserie et du côté porte coulissante, des données peuvent être transmises de la manière bien connue en soi. En particulier, les deux électroniques de commande précitées peuvent être intégrées dans un système de bus multiplex (de toute façon existant) d'un véhicule automobile. Comme on le sait, l'avantage de telles installations consiste en ce que la totalité des groupes dans un véhicule automobile peut être reliée plus ou moins en série par une seule ligne en boucle et que les différents composants peuvent être activés avec des adresses différentes de manière adéquate par des instructions adressées en conséquence. L'électronique de commande située du côté carrosserie tout comme l'électronique de commande du côté porte coulissante peuvent assumer, en plus des fonctions décrites, des fonctions supplémentaires courantes du dispositif de commande électronique d'un véhicule automobile. En particulier, il est possible d'intégrer dans le système de commande électronique situé du côté carrosserie, des interrupteurs de fin de course pour le mouvement de la porte. A cet effet, le dispositif de manoeuvre de la portière du véhicule automobile comprend généralement des commutateurs de fin de course en tant que transmetteurs de signaux pour terminer l'opération d'ouverture et/ou de fermeture de la portière de véhicule automobile, reliés à l'entrée de l'électronique de commande située du côté carrosserie. De la même manière, il est possible d'intégrer dans l'électronique de commande située du côté porte coulissante, des interrupteurs témoins pour le fonctionnement de la serrure de porte ainsi que pour le mouvement de porte, en particulier un commutateur de verrouillage protege-enfants et un commutateur antiblocage. Ces interrupteurs témoins peuvent être reliés comme transmetteurs de signaux pour le fonctionnement de la serrure de porte ainsi que pour le mouvement de
porte, à l'entrée de l'électronique de commande située du côté porte coulissante.
La portiere de véhicule automobile comporte généralement une poignée de porte extérieure mécanique et une poignée de porte intérieure mécanique, les instructions " fermer la portière de véhicule automobile ", " arrêter la portière de véhicule automobile " et " ouvrir la portière de véhicule automobile " pouvant être transmises à l'électronique de commande située du côté porte coulissante par l'intermédiaire de la poignée de porte extérieure et/ou de la poignée de porte intérieure. A cet effet, la poignée de porte extérieure et la poignée de porte intérieure sont équipées de commutateurs correspondants. Il faut réaliser au moins un commutateur électrique, de préférence un commutateur à position zéro au centre, ledit commutateur étant connecte en tant que transmetteur de signaux sur l'électronique de commande située du côté porte coulissante, ce qui permet de transmettre les trois instructions précitées à l'électronique de commande située du côté porte coulissante. Le commutateur à position zéro au centre
peut prendre trois positions qui correspondent aux trois instructions précitées.
Dans le cadre de l'invention, la fermeture de portière du véhicule automobile peut être agencée de telle façon qu'elle ne réagit pas seulement au mouvement de la portière du véhicule automobile, mais qu'elle agit activement sur le mouvement de la portière du véhicule automobile. Cela peut se faire de telle sorte que la portière du véhicule automobile est tirée dans sa position étanche qui est normalement réalisée dans la carrosserie pour une portière de véhicule automobile. Pour cela, l'invention enseigne que le support de serrure est conformé en support de serrure asservi, l'électronique de commande située du côté carrosserie étant reliée à un moteur du support de serrure asservi. Ainsi, le support de serrure asservi tire la portière du véhicule automobile de la
manière bien connue en soi dans sa position étanche.
La description qui va suivre, en regard des dessins annexés à titre d'exemples non
limitatifs, permettra de bien comprendre comment l'invention peut être mise en pratique.
La figure 1 représente une vue de côté d'un véhicule automobile selon l'invention; la figure 2 constituée de figures 2a et 2b représente, à plus grande échelle, une vue en coupe de la poignée de porte extérieure suivant la fig. I;
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Sur la planche 15/17, la figure 27 montre: - 84 : poinçon d'embouti, - 78 : pince, - 79 : bague serre-pince, - 80 : bagues support de ressorts, - 81 : ressorts, - 82 : exentrique, - 83 : commande de l'exentrique.
Sur la planche 16/17, les figures 28 à 31 montrent: - 46: poinçon de calibrage, - 84: poinçon d'embouti N 2, - 85 : poinçon d'embouti N 3, - 86 : poinçon d'embouti N 4.
Sur la planche 17/17, la figure 33 montre - 27 : matrice de calibrage, - 46: poinçon de calibrage, - 17 : étui.
Le dispositif objet de l'invention peut être utilisé pour la réalisation de projectiles chemisés calibrés 222/223 et 6 mm (6,17) à partir de vieux étuis laitons calibrés 22 long rifle récupérés et reformés.
Il peut être utilisé dans le domaine des loisirs par des tireurs ou rechargeurs, particuliers, clubs ou associations, etc., pour obtenir des projectiles pour le tir sportif dans des stands de tir.