REVENDICATIONS 1. Amplificateur de puissance à étage de sortie (2) en technologie MOS, caractérisé en ce qu'il comporte un demi-étage de sortie supérieur (3) constitué de deux transistors MOS de puissance à canal P (M10, M12) montés en miroir de courant un demi-étage de sortie inférieur (4) constitué de deux transistors MOS de puissance à canal N (M11, M13) montés en miroir de courant ; une borne de sortie (S) correspondant aux drains communs d'un premier transistor MOS (M10) de l'étage supérieur (3) et d'un premier transistor MOS (M11) de l'étage inférieur (4) ; et un étage de commande (5) en technologie bipolaire propre à fixer, en fonction d'une tension de commande (Ve), deux courants (I1, 12) de commande des demi-étages de sortie (3, 4). 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que 1 'étage de commande (5) comporte un premier transistor bipolaire de type PNP (T1) fixant un premier courant de commande (I1) du demi-étage supérieur (3) ; un deuxième transistor bipolaire de type NPN (T2) fixant un deuxième courant de commande (I2) du demi-étage inférieur (4) ; et une borne d 'entrée (E) propre à recevoir ladite tension de commande (Ve) et reliée aux bases respectives des premier et deuxième transistors bipolaires (T1, T2). 3. Amplificateur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 1 'étage de commande (5) comporte des moyens pour fixer un courant de conduction simultanée identique desdits premiers transistors MOS (M10, Mli) lorsque la tension de commande (Ve) est nominale. 4. Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits moyens comportent un troisième transistor bipolaire (T3) de type NPN intercalé entre le premier transistor bipolaire (T1) et une borne (El) de commande en courant du demi-étage supérieur (3) une première source (7) de courant de référence (I) dont une borne de sortie est reliée au collecteur d'un quatrième transistor bipolaire (T4) de type NPN, monté en miroir avec le troisième transistor (T3) et connecté, par l'intermédiaire d'un cinquième transistor bipolaire (T5), à la ligne négative (V-) et un sixième transistor bipolaire (T6) de type NPN, monté en diode entre une borne de sortie d'une deuxième source (8) de courant de référence (I) et la ligne négative (V-), la base du sixième transistor (T6) étant reliée à la base du cinquième transistor (T5). 5. Amplificateur selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'un septième transistor bipolaire (T7) de type NPN est intercalé entre la ligne positive (V+) et les bases communes des troisième (T3) et quatrième (T4) transistors, la base du septième transistor (T7) étant reliée au collecteur du quatrième transistor (T4). 6. Amplificateur selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que des résistances (R1, R4) de même valeur sont intercalées entre les émetteurs respectifs des deuxième (T2) et septième (T7) transistors bipolaires et la ligne négative (V-), des résistances (R2, R3) de même valeur étant intercalées, respectivement, entre les deuxième (T2) et troisième (T3) transistors bipolaires et entre les quatrième (T4) et cinquième (T5) transistors. 7. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que les courants de référence (I) des deux sources (7, 8) sont identiques. 8. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte un miroir de courant additionnel (6) reproduisant le courant de commande (I2) du demi-étage inférieur (4), délivré par l'étage de commande (5), sur le drain du transistor MOS (M13) monté en miroir de courant sur le premier transistor MOS (M11) du demi-étage inférieur (4). 9. Amplificateur selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit miroir additionnel (6) est constitué de deux transistors MOS (M14, M15) à canal P. 10. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que lesdits miroirs de courant constitutifs des demi-étages supérieur (3) et inférieur (4) présentent un même rapport (K).