INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ensuite, une deuxième ligne de cellules d'image est definie par des cellules d'image R12, G12, 812; ...; Rm2, Gm2, Bm2. De manière analogue, une dernière ligne de cellules d'image est definie par des cellules d'image Rln, Gnl, Bnl; ...; Rmn, Gmn, Bmn.
Les cellules d'image R11 à Bmn ainsi définies sont agencées sous forme de réseau et commandées sélectivement par les électrodes de sortie d'anode Al et A2 et les électrodes de sortie de cathode C1 à C n. Les grilles 3 sont pourvues, sur chacun de leurs côtes, d'une grille fictive prévue pour faire converger les électrons et, de maniere analogue, les anodes 8 et 9 sont pourvues, sur chacun de leurs côtes, d'une anode fictive.
La commande des cellules d'image définie par les electrodes agencées comme représenté sur la figure 7 est décrite ci-après en se référant aux figures 8(a) à 8(d), dans laquelle R, B et G indiquent les cellules d'image representees sur la figure 7, dont les suffixes sont supprimés par souci de brièveté.
La figure 8(a) représente un état dans lequel l'électrode de sortie de cathode C1 est sélectionnée, tout en appl iquant une anode positive sur ltelectrode de sortie d'anode Al, faisant que des cellules d'image ainsi sélectionnées sont prestes à fournir une luminescence ou peuvent emettre de la lumière.
Plus p a r t i c ul i è r e m e n t ceci entra'ine que les cellules d'image R, B et G de la première ligne de c el 1 ul e s d'image, qui sont déposées sur les anodes en forme de bande correspondant à l'électrode de sortie d'anode A 1 et pressentent des 1 ignes obliques tracées sur elles sur la figure 8(a), peuvent émettre de la lumière. Les cellules d'image pouvant assurer une luminescence sont agencées à chaque deuxième intervalle, du fait que l'électrode de sortie d'anode Al sort à chaque deuxième intervalle des anodes.
Ensuite, la luminescence des cellules d'image est contrôlee par des donnees d'image R, B et G appliquées s i m ul t a n e ni e n t sur les électrodes de sortie de gril le GT1 à GT1 des grilles 3.
La figure 8(b) représente un état temporel proche de celui de la figure 8(a) décrite ci-dessus, dans lequel l'électrode de sortie de cathode C2 est sélectionnée tout en maintenant une tension d'anode positive encore appliquez sur l'electrode de sortie d'anode Al, faisant que les cellules d'image ainsi sélectionnées peuvent émettre de la lumière.
Plus particulièrement, ceci entraîne que les cellules d'image R, B et G de la deuxième ligne de cellules d'image présentant des lignes obliques tracées sur elles, sur la figure 9(b), peuvent émettre de la lumière. Dans ce cas, les cellules d'image pouvant émettre de la lumière sont agencées de manière analogue à chaque d e u x i e n e i n t e r v a 1 1 e . Ensuite, la 1 u m i n e s c e n c e des cellules d' image est col, trôlée par des données d'image R, B et G appliquées simultanément sur les électrodes de sortie de grille GT1 à GTn des grilles 3.
Une commande de ce type est exécutée répétitivement dans cet ordre; si bien que, lorsqu'un balayage est effectué sur la dernière electrode de sortie de cathode Cn, l'état représente sur la figure 8(c) peut être obtenu. Dans ce cas, l'électrode de sortie de cathode C1 est sélectionnée tout en maintenant une tension d'anode positive appliquée sur l'electrode de sortie d'anode h2, faisant que les cellules d'image ainsi sélectionnées peuvent émettre de la lumière.
Plus specifiquernent, ceci entraîne que les cellules d'image R, B et G de la première ligne de cellules d'image qui correspond à l'electrode de sortie d'anode A2 et présente des lignes obliques tracees sur elles, sur la figure 8(c), peuvent émettre de la lumière. Les cellules d'image sont la lurninescence est ainsi permise sont agencees de manière analogue 3 chaque deuxième intervalle. Ensuite, la 1 uminescence des cellules d' image est contrôlée par des données d'image R, B et G appliquées simultanément sur les électrodes de sortie de grille GT1 à GTn des grilles 3.
A ce moment, toutes les cellules d'image de la première ligne de cellules d'image sont exposees à une commande lumineuse. Ensuite, la commande des cellules d'image passe à un état représenté sur la figure 8(d), dans lequel l'électrode de sortie de cathode C2 est sélectionnée au lieu de l'électrode de sortie de cathode C1, tout en maintenant une tension d'anode positive appliquée sur l'électrode de sortie d'anode A2 des anodes 9, faisant que les cellules d'image ainsi sélectionnées peuvent émettre de la lumière.
Ceci entraîne que les cellules d'image de la deuxième ligne de cellules d'image sont prêtes à émettre de la lumière. Les cellules d'image sont exposées à une commande lumineuse d'après des données d'image G, R et B appliquées simultanément sur les électrodes de sortie de grille GT1 à GTn.
Ainsi, les electrodes de sortie de cathode C1 à C n sont bal ayEes dans cet ordure, tout en n a i n t e n a n t une tension d'anode positive sur l'electrode de sortie d'anode A2, si bien que, lorsqu'un balayage de la dernière électrode de sortie de cathode C n est effectue, toutes les cellules d' image du dispositif d'affichage peuvent émettre de la lumière et sont exposees à une commande 1 urn i neuse , donnan t 1 i eu à un affichage d'une iage pour une trae trame sur le dispositif d'affichage.
Une unite de commande pour la mise en oeuvre de cette commande et du contrôle décrit ci-dessus est représentée sur la figure 9 et des cadencements de fonctionnement de l'unité de commande sont représentés sur la figure 10.
Sur la figure 9, le numéro de référence 50 désigne un dispositif d'affichage d'image dans lequel une cathode à emission de champ, comprenant m x n c el 1 ul e s d' image agencees sous forme o r in e d e r é s e a u, est incorporee, le numéro 52 designe un générateur d'horloge pour produire une horloge en synchronisme avec un signal synchrone lui entant appliqué, le numéro 52 désigne un circuit de commande de cadencement d'affichage pour commander un cadencement d'affichage au moyen d'une horloge produite par le générateur d'horloge, et le numéro 53 désigne un circuit de comande d'écriture de mémoire pour commander l'écriture d'une mémoire vidéo 5 4. La memoire vidéo 5 4 comprend des mémoires de trame ou des mémoires de ligne 54-1, 54-2 et 54-3, pour y stocker des données d'image R, G et B, respectivement. Les numéros 55-1, 55-2 et 55-3 désignent des registres tampon pour y maintenir respectivement des données d'image R, G et B, lues dans la memoire video 54.
De même, si e (V0 - Vp) > > kTe, le courant électronique 1e dû aux électrons du plasma peut être négligé devant le courant ionique Ii et le courant Ibl d'électrons énergétiques. De même, il peut être considéré des populations d'électrons énergétiques quasi monocinétiques d'énergie e (Vp - Vbl).
Le mode de polarisation du substrat, à l'aide d'électrons énergétiques additionnels, offre diverses possibilités de contrôle des flux de bombardement du substrat.
La fig. 4 illustre un premier cas de figure dans lequel l'intensité du courant d'électrons énergétiques Ibl est supérieur à l'intensité du courant de saturation ionique Ii pour les potentiels V > Vbl. Dans cette hypothèse et compte tenu des simplifications précédentes, I'équation (9) est satisfaite pour V0 = Vbl.
L'énergie de bombardement électronique sur la surface du substrat 2 est alors quasi nulle. La tension de polarisation V0 s'établit à une valeur proche de Vbl. Les ions du plasma sont alors accélérés dans la gaine électrostatique 11 entourant le substrat 2 et bombardant le substrat avec une énergie e (Vp - Vbl).
La fig. 5 illustre un autre exemple dans lequel l'intensité Ibl du courant d'électrons énergétiques reste toujours inférieure à l'intensité du courant de saturation ionique I;. Dans ce cas, le potentiel de polarisation V0 s'établit à une valeur légèrement négative par rapport au potentiel flottant Vf qui apparaît dans un plasma exempt d'électrons énergétiques, soit
L'énergie de bombardement des électrons rapides sur la surface du substrat vaut alors e (V0 - Vbl). L'énergie de bombardement ionique e (Vp - V0) reste faible.
D'après ce qui précède, en régime permanent, le potentiel de la surface du substrat 2 s'ajuste de façon à assurer l'égalité des courants d'électrons et d'ions collectés. Si le courant des électrons énergétiques reste inférieur au courant de saturation ionique, le potentiel de la surface ne s'écarte que faiblement du potentiel flottant Vf qui s'établit en l'absence d'électrons énergétiques. La surface est alors soumise essentiellement au bombardement des électrons énergétiques, dans la mesure où l'énergie du bombardement par les ions et les électrons du plasma reste faible.
Au contraire, si l'intensité du courant d'électrons énergétiques injectés sur la surface du substrat est supérieure à l'intensité du courant de saturation ionique, l'énergie de bombardement ionique devient égale à l'énergie des électrons énergétiques, tandis que l'énergie de bombardement électronique par les seuls électrons énergétiques devient nulle ou très faible. L'injection d'un flux d'électrons énergétiques permet de contrôler l'énergie de l'une des espèces bombardant le substrat.
L'objet de l'invention offre également une autre possibilité de polarisation dans laquelle au moins deux flux d'électrons énergétiques bl, b2 sont introduits dans l'enceinte. Dans l'exemple illustré plus particulièrement à la fig. 2, I'enceinte 1 est équipée de deux sources 719 72 indépendantes, de production chacune d'un flux d'électrons énergétiques bl, b2, ces flux étant créés de manière totalement indépendante des moyens 6 de production du plasma. Les électrons énergétiques comportent ainsi deux populations distinctes d'électrons d'énergie distincte, généralement grande devant l'énergie thermique des électrons du plasma.Il est ainsi collecté, sur le substrat, un courant d'électrons injectés avec l'énergie e (Vp - Vbl) et d'intensité Ibl et un courant d'électrons injectés avec l'énergie e (Vp - Vb2) et d'intensité Ib2. Tel que cela apparaît plus précisément à la fig. 6, I'intensité Ib2 est choisie de manière à être inférieure à l'intensité du courant de saturation ionique Ii, tandis que la somme des intensités Ibl et Ib2 est choisie supérieure à l'intensité du courant de saturation ionique I;. Dans ce cas et compte tenu des hypothèses simplificatrices précédentes, I'équation (9) est satisfaite pour V0 = Vbl. L'énergie de bombardement de la surface du substrat 2 par les électrons injectés avec l'énergie e (Vp - Vbl) est donc quasi nulle, tandis que l'énergie de bombardement de la surface du substrat par les électrons injectés avec l'énergie e (Vp - Vb2) est égale à e (Vbl - Vh2). Il est donc possible en utilisant au moins deux sources distinctes d'électrons énergétiques de contrôler à la fois l'énergie du bombardement ionique et l'énergie du bombardement électronique sur la surface à traiter.Bien entendu, il pourrait être envisagé de mettre en oeuvre une série n sources 71, 72 S 7nS avec n > 2, de production de flux d'électrons énergétiques (bl, b2, ..., b,), de manière à contrôler à la fois l'énergie des ions et la fonction de distribution en énergie des électrons bombardant la surface d'un substrat.
D'une manière avantageuse, les sources de production sont équipées de moyens adaptés pour permettre de régler l'intensité et l'énergie des flux d'électrons énergétiques émis.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les flux d'électrons énergétiques sont confinés par une structure magnétique multipolaire 13, afin de favoriser le bombardement du substrat par les électrons énergétiques, au détriment de l'enceinte 1. Tel que cela apparaît plus précisément à la fig. 2, les électrons énergétiques sont réfléchis par la structure de confinement 13 pour venir bombarder le substrat 2. I1 est avantageux de produire alors le plasma par des moyens conventionnels, par exemple, en utilisant une source de plasma localisée ou, de préférence, une source de plasma utilisant, pour l'excitation du plasma, la structure de confinement multipolaire elle-même.Comme dans les structures magnétiques de type magnétron utilisées pour les dépôts par pulvérisation, le plasma peut être produit par application de tension continue, basse fréquence ou radiofréquence, entre la structure magnétique multipolaire et une autre électrode (paroi ou conducteur). Le plasma peut aussi être excité par résonance cyclotronique électronique répartie par application d'un champ électrique micro-onde, pourvu que la structure magnétique multipolaire puisse fournir les conditions de résonance cyclotronique électronique.
Selon ces exemples de réalisation, la structure de confinement 13 peut être réalisée par une série d'aimants permanents présentant, successivement au plasma, des polarités alternées. Bien entendu, la structure de confinement peut être fermée ou non en fonction, notamment, de la forme du substrat à traiter.
Le procédé selon l'invention permet de remédier aux problèmes de polarisation des techniques antérieures, mais assure, également, un contrôle de l'énergie de l'une au moins des espèces chargées bombardant le substrat, à savoir les électrons et les ions. Il s'ensuit une possibilité de contrôle des mécanismes réactionnels de surface engendrés par les ions positifs (effets mécaniques et électrochimiques) et par les électrons (effets électrochimiques). Un autre avantage de l'invention concerne la possibilité de polariser la surface d'un substrat isolant d'épaisseur quelconque, puisque la polarisation n'est pas obtenue par effet capacitif.
Un autre avantage concerne la polarisation de substrats isolants de forme quelconque, pour lesquels la polarisation par effet capacitif est difficile, voire impossible. Un avantage supplémentaire de ce procédé de polarisation est de pouvoir réaliser une polarisation dite par neutralisation fine, ne provoquant pas de variations temporelles et spatiales des charges électriques sur la surface du substrat. Un dernier avantage apporté par l'invention est la simplification du porte-substrat dans le cas d'un traitement de surface, puisqu'il n'y a plus que deux fonctions à assurer, à savoir le maintien du substrat (clampage mécanique, électrostatique) et le contrôle de la température du substrat (chauffage ou refroidissement).
Parmi les valeurs numériques fondamentales intéressant les différents aspects de l'invention, les plus importantes concernent les différents libres parcours moyens des électrons dans le plasma. A titre d'exemple, le plasma d'argon à lmtorr est pris comme plasma de référence. Dans un tel plasma, si l'on considère les collisions élastiques sur les neutres, le libre parcours moyen d'un électron d'énergie (50 eV) est de 0,30 m. Pour les collisions ionisantes, le libre parcours moyen s'élève à 1,15 m. L'examen de ces deux longueurs montre que dans un réacteur de quelques litres de volume, un électron énergétique (50 eV) a peu de chances de produire des quantités significatives de plasma avant d'être collecté par le substrat ou une paroi de l'enceinte.En l'absence de substrat et en présence de confinement magnétique multipolaire, les électrons énergétiques sont réfléchis dans les gradients de champ magnétique à la périphérie de l'enceinte et peuvent donc ioniser plus efficacement le plasma par un facteur pouvant aller de 10 à 100. Toutefois, en présence de substrat, les électrons énergétiques injectés sont collectés par le substrat et ne peuvent à nouveau produire que des densités négligeables de plasma. Ceci montre bien que le système de polarisation, objet de l'invention, requiert effectivement une excitation de plasma indépendante de celle obtenue par les électrons présents dans le plasma, en particulier s'il est souhaitée une indépendance aussi grande que possible entre la production de plasma et la polarisation du substrat dans ce plasma.
Le domaine d'énergie des faisceaux d'électrons injectés peut aller de quelques volts jusqu'à des valeurs très grandes en fonction des applications envisagées. Ainsi, la pulvérisation et l'érosion ionique requièrent des énergies pouvant dépasser largement le kilovolt (1 kV), et l'implantation ionique requiert des énergies pouvant dépasser largement la dizaine de kilovolts. Dans ce cas, et pour éviter des claquages et aussi le chauffage non intentionnel des substrats, il peut être envisagé non plus de travailler en régime continu, mais en régime modulé ou en régime pulsé. De même, cette variation peut être effectuée aussi sur le courant du faisceau d'électrons injectés.
deux faces.
Dans le cas o les zones Zl sont des pavés, les
éléments 36 sont de préférence des billes ou des tores.
Dans le cas o les zones Zl et Z2 zont des bandes alternées, les éléments 38 sont de préférence des stries prismatiques, tandis que les éléments 36 sont des stries
cylindriques.
Le voyant 30 est réalisé avantageusement par moulage par injection, la première matière étant surmoulée sur la seconde ou réciproquement. On peut notamment avoir recours aux techniques de moulage avec presse multicouleurs, en reprises, etc. L'écran intermédiaire optionnel 40 peut avoir plusieurs objectifs. Le premier est de teinter le cas échéant le rayonnement issu de la source et du miroir, soit pour neutraliser les effets du léger rosissement de la lumière lors de son passage à travers la première matière du voyant, soit encore pour donner à la lumière une couleur ambre, lorsque le feu est un feu clignotant indicateur de
changement de direction.
L'écran intermédiaire 40 peut également comporter des aménagements optiques destinés à concentrer la lumière issue du miroir vers les zones Zl de passage de la lumière
du voyant.
La lentille de Fresnel 50 est destinée à minimiser les effets de la lumière directe multidirectionnelle émise par la lampe 10 en direction du voyant. En effet une lumière fortement inclinée par rapport à la direction générale d'émission serait susceptible de traverser les zones Z2 de seconde matière, pour donner au faisceau une teinte rouge perceptible. Selon un autre aspect de la présente invention, et maintenant en référence à la figure 2, lorsque le feu de signalisation décrit ci-dessus appartient à un bloc optique arrière comportant plusieurs plages éclairantes adjacentes, il est très avantageux de mouler la seconde matière 34 en une grille (à bandes parallèles ou croisées) en même temps qu'un voyant V d'un feu adjacent de couleur rouge, tel qu'un feu de position ou un feu stop. Ensuite, la première matière est surmoulée sur la seconde matière, pour former
le voyant 30.
DISPOSITIF DE CRERTION DE SOURCES DE LUnlERES ADRESSABLES UTILISANT LES GUIDES OPTIQUES ET PERFECTIONNENENT La présente invention est un dispositif de création de sources secondaires de lumière adressables utilisant les guides optiques caractérisé en ce que l'on couple une source de lueiére à un guide optique constitué d'au moins un premier atériau de coeur transparent, d'une couche d'enueloppe active constituée d'un atériau électrooptique en un second atériau d'indice de refraction inférieur au atériau de coeur, et d'au oins un élément récepteur de lueiére en connexion optique avec le dos de la couche d'enveloppe, et en ce que l'on provoque par un oyen de commande et d'adressage une augeentation de l'indice de refraction de la couche active en certains de ses points ou zônes de façon à permettre à la lumièe conduite d'y être refractée et de fuir du coeur du guide. La surface externe ou dos de la zone perturbée de la couche active constitue ainsi une source secondaire de lumière vis à vis de l'élément récepteur de lu.iére.
De préférence le moyen de commande et d'adressage de l'état réfractif sera un moyen électrique comme un champ, une tension, appliqué localement à la structure active au moyen d'électrodes.
Avantageusement, on dirigera ou pointera la lumière refractée sur une surface adjacente substantielleent paralléle au guide, ou surface de pointage.
De manière préférée, la silice précipitée utilisée dans la présente invention n'est pas calcinée. C'est une silice précipitée qui n'a subi aucun traitement de calcination ou chauffage à très haute température, notamment supérieure à 450 "C.
Les silices précipitées employées dans la présente invention possèdent, de préférence, une prise d'huile DOP comprise entre 250 et 370 ml1100g, en particulier entre 300 et 350 ml1100g.
La prise d'huile DOP est déterminée selon la norme ISO 787/5 en mettant en oeuvre le dioctylphtalate.
De manière avantageuse, on emploie des silices précipitées présentant un volume poreux total supérieur à 2,10 cl3/9 (et, en général, inférieur à 5 cl3/9).
Le volume poreux peut être mesuré par porosimétrie au mercure.
De même, les silices précipitées utilisées dans la présente invention possèdent, de préférence, une surface spécifique BET comprise entre 140 et 300 m2/g, en particulier entre 210 et 250 m2/g.
La surface spécifique BET est déterminée selon la méthode de BRUNAUER EMMET-TELLER décrite dans "The Joumal of the American Chemical Society", vol. 60, page 309, février 1938 et correspondant à la norme ISO 5764/1 (annexe 1).
Les silices précipitées mises en oeuvre dans la présente invention présentent habituellement une taille moyenne des particules comprise entre 8 et 25 pm, en particulier entre 10 et 20 clam.
La taille moyenne des particules est déterminée, en général, par diffraction laser sur un granulomètre SYMPATEC (pour les particules à faible taille (inférieure à 100 pu)).
Les silices précipitées employées dans la présente invention présente, habituellement, un pH compris entre 6,8 et 7,5.
Le pH est mesuré selon la norme ISO 787/9 (pH d'une suspension à 5 % dans l'eau).
Le granulé selon l'invention présente, en général, une teneur en silice(s) précipitée(s) comprise entre 12 et 40 %, de préférence entre 15 et 30 % et, plus particulièrement. entre 20 et 25 %, en poids (par rapport au poids total du granulé).
On utilise par exemple, comme silice précipitée, la TIXOSIL 38AB ou la TIXOSIL 43 commercialisées par la Demanderesse.
On emploie dans la présente invention au moins un agent dispersant (c).
L'agent dispersant utilisé est, en général, un polymère dispersant, de préférence un polymère amphiphile dispersant.
A titre d'exemples d'agents dispersants, on peut citer les sels de métaux alcalins de copolymères contenant des groupes carboxyles (polycarboxylates), les sels de métaux alcalins de polyacrylates, les sels de métaux alcalins d'alkylnaphtalènesulfonates condensés au formol, les sels de métaux alcalins de 4,4'dihydroxybiphénylsulfonate condensés au formol, et leurs mélanges.
- risque de luxation - mauvaise répartition des zones de frottement - mobilité limitée (un seul degré de liberté ) D : prothèse à glissement anatomique Ex. brevet EPO 338 715 Al.
- stabilité aléatoire - nécessité d'adjonction d'un système de haubanage - - contrôle de la position abandonné aux seules structures péri-articulaires.
La présente invention à pour but de proposer un implant chirurgical d'articulation de doigt simple, stable, mobile, anatomique, fiable et indolore pour que le patient retrouve la fonctionnabilité de son articulation déficiente.
Ce but doit-être atteint selon l'invention en autorisant les mouvements de flexion-extension-rotation conformément à l'articulation concernée, tout en gardant le contrôle des trajectoires des centres instantanés de rotation de la phalange par rapport à la tête métatarsienne.
Le patient devant pouvoir dans l'idéal écrire à nouveau normalement à la suite de l'intervention, la prothèse ne doit donc pas être un obstacle à ce qu'il recouvre ses sensations superficielles et profondes, ainsi que ses contractions musculaires successives et équilibrées.
La solution au problème technique posé consiste selon la présente invention en ce que ledit implant est constitué - d'une pièce proximale comprenant deux zones, la surface articulaire de forme hémisphérique et la tige intra-médullaire qui la prolonge.
Elles sont parcourues, suivant leur axe longitudinal, d'un conduit approximativement circulaire dans la tige intra-médullaire et s'évasant progressivement en cornet ovale dans le volume hémisphérique.
- d'une pièce distale comprenant également deux zones, la surface articulaire de forme concave pour correspondre à la pièce hémisphérique, et la tige intra-médullaire qui la prolonge.
Elles sont parcourues par un conduit, de la même manière que la pièce proximale.