INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On sait que la moutarde en pâte est préparée à partir de graines de moutarde, notamment des espèces Brassica Juncea, Brassica Nigra et Sinapis Alba, utilisées séparément ou en divers mélanges. Ces graines, soigneusement triées de manière à ne conserver que des graines à maturité, sont mises à tremper dans un bain de verjus, qui, aujourd'hui, est constitué essentiellement de vinaigre ou d'un autre diluant tel que du vin blanc, de sel et d'eau, soit directement, soit après concassage. Le mélange est malaxé ensuite pendant un certain temps dans des cuves, avec, éventuellement, un apport d'anhydride sulfureux SO2.
Le mélange résultant incorporant la graine de moutarde, soit entière, soit concassée, est ensuite traité dans des broyeurs pour obtenir une pâte. L'amande de la graine de moutarde peut ensuite être séparée par tamisage (cas de la moutarde de Dijon) ou demeurer dans la pâte (cas de la moutarde en grains).
Le composé chimique qui donne à la moutarde sa saveur typique si caractéristique, est l'isothiocyanate d'allyle, dit encore allyl sénévol, qui résulte de la réaction, au contact de l'eau, d'un composé des graines de moutarde, la sinigrine, en présence d'un complexe enzymatique des graines, la myrosinase, dont il est admis qu'elle est composée de deux enzymes, une sulfatase et un thioglucidase. La réaction chimique qui se produit est la suivante
H H H / S - C6 H11 05 H H H i I C = C-C-C C S = C = N- C - C = C H H % E H H N + H20 w isothiocyanate d'allyle Myrosinase ou allyl sénévol S1Q + c6 H12 06 0K + KH 504 Sinigrine C'est la sulfatase de la myrosinase qui est responsable de la production de KHSO4, tandis que c'est la thioglucidase qui provoque la libération du glucose C6 H12 6 L'isothiocyanate d'allyle se forme en quelques heures après le broyage des graines, mais il se dégrade rapidement, à température ambiante, sous l'action d'une désulfurase. La fraction d'isothiocyanate d'allyle qui se dégrade peut atteindre environ 50 % en trois mois, dans des conditions de conservation usuelles de la moutarde à la température ambiante, et il en résulte une perte importante de saveur de cette moutarde.
Les fabricants de moutarde ont donc cherché depuis de nombreuses années à remédier à cet inconvénient et à stabiliser dans le temps la teneur en isothiocyanate d'allyle. On a ainsi proposé, dans ce but - de traiter les graines de moutarde brunes ou noires à la vapeur dans un racleur à plaque - de faire passer la moutarde fabriquée dans un échangeur à surface raclée, en vue de la pasteuriser - de faire passer les graines de moutarde brunes ou noires dans un échangeur thermique à surface raclée, à différentes températures - de procéder à une pasteurisation éclair de la graine de moutarde brune ou noire - de broyer les graines dans des verjus chauffés à des températures différentes, de 60 à 800C - de procéder enfin au conditionnement à chaud de la moutarde à différentes températures.
Tous ces traitements se sont révélés insatisfaisants.
En effet, ceux appliqués à la graine de moutarde brune ou noire ont pour effet de détruire à partir d'un certain seuil la sinigrine ou la myrosinase présentes dans ces graines. Quant au traitement appliqué aux pâtes fraîchement fabriquées, ils accélèrent les réactions de dégradation et d'oxydation, ainsi que la réaction de MAILLARD, en détruisant même une partie de l'isothiocyanate d'allyle, qui est le constituant dont on cherche précisément à accroître la conservation.
La présente invention vise à remédier à ces inconvénients en proposant un procédé de traitement des graines de moutarde, préalablement à leur utilisation dans la fabrication de la pâte de moutarde, qui n'affecte pas les constituants présents dans ces graines, dont la réaction ultérieure conduit à la formation d'isothiocyanate d'allyle, et qui stabilise dans le temps la conservation de ce dernier constituant.
Afin d'abaisser ou d'élever la température ambiante d'un habitacle de véhicule automobile, ce dernier comporte, de façon habituelle, un moyen de ventilation et de chauffage. Les commandes de chauffage et de ventilation sont regroupées à un endroit de la planche de bord facilement accessible par le conducteur du véhicule. Les commandes sont généralement réalisées sous la forme de trois boutons rotatifs, permettant le réglage de - la température de chauffage.
- la puissance de ventilation.
- la distribution, par différentes sorties, du flux d'air ventilé dans l'habitacle.
En actionnant les différents boutons, un occupant peut choisir de façon simple la ventilation, la température et les sorties d'air, à sa convenance.
Une des fonctions principales de ce type de dispositif est le désembuage des vitres du véhicule et en particulier du pare-brise avant, afin d'obtenir une bonne visibilité.
Par expérience il a été constaté qu'un utilisateur éprouvait des difficultés à effectuer le choix de la bonne combinaison entre les différentes positions et en particulier pour le choix de la position de chauffage, dans le cas du désembuage du pare-brise avant. Un mauvais choix rend alors l'action de désembuage longue voir inefficace, augmentant alors le risque d'accident.
Afin d'obtenir un désembuage rapide du pare-brise avant il est important de respecter la combinaison suivante - bouton de ventilation en position chauffage maximum.
- bouton de distribution de sortie de l'air pulsé en position désembuage du pare-brise, celle-ci dirigeant le flux d'air uniquement vers ledit pare brise, et parfois vers les vitres latérales.
- bouton de température en position chaleur maximum.
Afin de simplifier les différentes manipulations et de pallier les hésitations de l'utilisateur, I'invention se propose d'effectuer, pour ledit utilisateur, le choix de la température lors de l'actionnement du bouton de distribution de l'air sur la position désembuage. Le niveau de ventilation restant au choix de l'utilisateur, les effets dudit choix étant directement visibles et simples à effectuer sans diminuer l'attention porté à la conduite du véhicule.
La publication FR-A-2 446 737 se propose de simplifier les commandes décrites précédemment, en regroupant celles-ci en un seul bouton monté à translation dans une rainure. Ce dispositif permet d'imposer directement tous les paramètres nécessaires à un désembuage efficace, lors de l'utilisation de cette fonction, mais oblige l'occupant à se satisfaire de rapport de ventilation et de chauffage prédéfinis sans aucune possibilité d'ajustement de chaque paramètre.
Afin de remédier à ces inconvénients, l'invention a pour objet un dispositif permettant d'imposer le niveau d'une fonction réglable par un bouton, par l'action d'un autre bouton de commande d'une autre fonction indépendante tout en conservant la possibilité de modifier les réglages correspondants à chacun desdits boutons.
L'invention a également pour objet un dispositif permettant le regroupement de deux boutons de commande réglables indépendamment l'un de l'autre et d'obtenir ainsi un gain de place sur la planche de bord.
Selon une caractéristique de l'invention, le bouton de sélection est lié à un disque de commande sur la face duquel une bielle est montée à pivotement, par une extrémité, autour d'un axe parallèle à un axe de pivotement dudit bouton de sélection, ladite bielle portant, par une extrémité, un pion coopérant avec une rainure de guidage de ce dernier et que le bouton de commande est lié à une came positionné en interférence avec les déplacements dudit pion dans ladite rainure de guidage.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le bouton de commande est une bague de commande, concentrique au bouton de sélection, munie d'un pignon engrenant sur une roue dentée en liaison avec un axe portant la came.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le pignon est monté à pivotement sur un palier, porté par un élément support lié à une plaque de l'ensemble de commande, concentrique à l'axe monté à pivotement dans ledit support.
La figure 4 illustre un premier exemple d'étage de sortie 24 selon l'état de la technique, réalisable sous la forme d'un circuit intégré. Cet étage comprend une entrée 241 pour recevoir le signal Iin, deux transistors complémentaires 242 et 243 de puissance montés en série entre une masse et une alimentation haute tension HV. Les transistors 242 et 243 sont par exemple respectivement des transistors VDMOS à canal N et MOS à canal P. L'alimentation HV a par exemple une valeur de l'ordre de 100 volts. La grille de coaaande du transistor 242 est reliée à l'entrée 241. La sortie 250 de l'étage correspond au point milieu des transistors 242 et 243, c'est à dire aux sources de ces transistors.
La prépolarisation s'effectue par le biais de deux diodes montées en série entre les grilles des transistors 242 et 243. Ces diodes sont, dans l'exemple illustré, deux transistors 244 et 245 dont les grilles sont reliées aux drains et qui sont polarisés par une source de courant 246. Ces transistors sont par exemple deux transistors complémentaires de type MOS à canal N et à canal P. Le drain du transistor 244 est relié à l'entrée 241.
Le drain du transistor 245 est relié à la grille de commande du transistor 243 de sortie. On impose ainsi une différence de potentiel permanente entre les grilles des transistors de sortie, quelle que soit la valeur du signal en entrée de l'étage, ce qui permet de fonctionner en classe AB.
Un problème posé par le montage illustré sur la figure 4 est l'importance de la valeur de la capacité d'entrée de l'étage de sortie. Elle comporte classiquement une composante (représentée sur la figure 4 par une capacité 27 reliée à l'entrée 241) induite par les grilles des transistors 242 et 243 de sortie. Cette composante est en pratique présente dans tous les étages de sortie d'amplificateurs de puissance à transistors compte tenu de leur structure. Sa valeur est typiquement de l'ordre du picofarad. Une deuxième composante, représentée sur la figure 4 par une capacité 247 reliée entre la masse et le point milieu des transistors 244 et 245 (le point milieu correspondant aux sources de ces transistors), vient s'ajouter à la première.
Cette deuxième composante est induite par la présence du dispositif de prépolarisation des grilles des transistors de sortie. Plus particulièrement, elle représente la sterne des capacités parasites induites par la présence des transistors 244 et 245 (telles que la capacité caisson/substrat du transistor 245 ou la capacité source/substrat du transistor 244, en supposant que les transistors sont réalisés sur un substrat de type P). La capacité parasite 247 vient s'ajouter à la capacité 27. Or, en pratique, la capacité 247 peut atteindre une valeur équivalente à celle de la capacité 27. La prépolarisation des grilles entraîne donc un doublement de la capacité d'entrée de l'étage de sortie, ce qui dégrade le temps de réponse de l'étage de sortie. Une solution envisageable pour ne pas dégrader le temps de charge ou de décharge de la capacité d'entrée est d'augmenter le courant d'entrée. D'une part cela augmente la consamnation de l'amplificateur, et d'autre part cela peut poser un problème de dissipation thermique, particulièrement si on souhaite réaliser l'amplificateur en technologie intégrée.
La figure 5 illustre un second exemple d'étage de sortie selon l'état de la technique, réalisable sous la forme d'un circuit intégré. Cet étage comprend une entrée 241 pour recevoir le signal 1in de commande, deux transistors complémentaires 242 et 243 de puissance montés en série entre une masse et une alimentation haute tension HV. Les transistors 242 et 243 sont par exemple des transistors VDMOS à canal N.
L'alimentation HV a par exemple une valeur de l'ordre de 100 volts. Le drain du transistor 242 est relié à l'alimentation HV.
Sa source est reliée au drain du transistor 243. La source du transistor 243 est reliée à la masse. La grille de commande du transistor 242 est reliée à l'entrée 241. La sortie de l'étage correspond au point milieu des transistors 242 et 243 (c'est-àdire aux source et drain des transistors 242 et 243).
La prépolarisation s'effectue par le biais d'un transistor 248, d'un amplificateur différentiel 249 et d'une source de courant 246. Le transistor 248 a sa grille reliée à l'entrée 241. Son drain est relié à l'alimentation HV et sa source est reliée à la masse par le biais de la source de courant 246. La source du transistor 248 est par ailleurs relié à l'entrée "-" de l'amplificateur différentiel 249. La sortie de cet amplificateur 249 est reliée à la grille de commande du transistor 243. L'entrée "+" de l'amplificateur est reliée au drain du transistor 243. On appelle VD la différence de potentiel grille/source du transistor 248 et 10 le courant parcourant ce transistor. On appelle V'D la différence de potentiel grille/source du transistor 242 et I'O le courant parcourant ce transistor au repos. Si la différence de potentiel entre les entrées "+" et "-" de l'amplificateur est nulle alors on a V'D = VD et I'O = 10. La contre-réaction induite par l'amplificateur 249 permet de garantir au repos une différence de potentiel entre les grilles de commande des transistors 242 et 243. Supposons que le potentiel de l'entrée "-" est stable. Si le potentiel de la source du transistor 242 est trop haut (on a alors V'D V'D.
On impose ainsi une différence de potentiel permanente entre les grilles des transistors de sortie, quelle que soit la valeur du signal en entrée de l'amplificateur, ce qui permet à ce dernier de fonctionner en classe AB.
Un problème posé par le montage illustré sur la figure 5 est l'encombrement dû à la présence de l'amplificateur 249. Un autre problème est l'obligation en pratique d'insérer une capacité de stabilisation entre la sortie et l'entrée "+" de l'amplificateur 249. En pratique, la valeur de cette capacité peut être de l'ordre de grandeur de celle de la capacité de sortie 26 (particulièrement si on souhaite travailler sur une large plage fréquentielle). La présence de la capacité de stabilisation est alors équivalente à une augmentation non négligeable de la valeur de la capacité de charge. On peut augmenter la taille des transistors de sortie de l'étage si on souhaite un temps de montée et de descente très court en sortie, à tension d'alimentation égale. Cela induit un encombrement plus important de l'étage de sortie. Cela nuit également à la valeur de la capacité d'entrée de l'étage, les grilles des transistors de sortie étant de dimensions plus importantes. Une solution envisageable pour ne pas dégrader le temps de charge ou de décharge de la capacité d' entrée est d' augmenter le courant d'entrée. D'une part cela augmente la consonmation de l'amplificateur, et d'autre part cela peut poser un problème de dissipation thermique, particulièrement si on souhaite réaliser l'amplificateur en technologie intégrée.
Au vu de ce qui précède, un but de l'invention est de proposer un étage de sortie d'amplificateur permettant de fonctionner en classe AB par le biais d'une prépolarisation des transistors de sortie, et pour lequel le dispositif de prépolarisation n'entraîne pas une augmentation importante de la valeur de la capacité d'entrée de l'étage de sortie, afin de ne pas dégrader le temps de réponse de cet étage. Un autre but de l'invention est de proposer un étage de sortie pour lequel le dispositif de prépolarisation n'induise pas une augmentation de la capacité de charge de l'étage. Un autre but de l'invention est de proposer un étage de sortie pour lequel la consommation et la dissipation thermique sont limitées. Un autre but de l'invention est de proposer un étage de sortie facilement intégrable et de faible encombrement.
Ainsi, l'invention propose un amplificateur comprenant un étage de sortie, cet étage de sortie comprenant des transistors de sortie et des moyens de prépolarisation pour imposer une différence de potentiel entre les électrodes de commande de ces transistors, caractérisé en ce que ces moyens comprennent un transistor de prépolarisation ayant deux de ses électrodes reliées aux électrodes de commande des transistors de sortie.
D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, à lire conjointement aux dessins annexés dans lesquels la figure 1 illustre schématiquement la composition d'un moniteur selon l'état de la technique, la figure 2 illustre schématiquement la structure d'un amplificateur de puissance pour moniteur selon l'état de la technique, la figure 3 illustre schématiquement une partie de la structure d'un amplificateur de la figure 2, la figure 4 illustre schématiquement un premier exemple d'étage de sortie d'amplificateur selon l'état de la technique, la figure 5 illustre schématiquement un second exemple d'étage de sortie d'amplificateur selon l'état de la technique, la figure 6 illustre schématiquement un amplificateur réalisé conformément à l'invention, la figure 7 illustre schématiquement une structure de transistor MOS à canal P de type composite pouvant être mise en oeuvre dans un amplificateur selon l'invention, la figure 8 illustre un amplificateur amélioré, et la figure 9 illustre en coupe une structure de transistor de type MOS à canal P à grille dessinée sur oxyde épais.
L'amplificateur 20 illustré sur la figure 6 comprend un amplificateur à transconductance 23 et un étage de sortie 24. Cet amplificateur peut par exemple être utilisé dans un montage tel que celui illustré sur la figure 2 pour mettre en oeuvre un contrôle de cathodes de moniteur. On utilise alors de préférence des résistances 21 et 22 non intégrées (si l'amplificateur est réalisé sous forme de circuit intégré) afin de limiter les problèmes d'échauffement. L'amplificateur pourra également être mis en oeuvre dans tout type d'application nécessitant l'emploi d'un amplificateur de puissance. Plus généralement, l'amplificateur illustré sur la figure 6 sera avantageusement utilisé dans toute application impliquant un amplificateur et pour laquelle on souhaite minimiser les problèmes de capacité parasite en entrée et/ou en sortie de l'étage de sortie de l'amplificateur.
On supposera dans la suite de la description que l'amplificateur 20 illustré sur la figure 6 est destiné à être utilisé dans une application sous haute tension, ce qui implique la présence de composants de puissance dans cet amplificateur.
La figure 4 représente en coupe, une variante de ce dispositif.
En référence à ces dessins, le dispositif traditionnel comporte un manchon fixe (1), alors que le dispositif selon l'invention comporte un manchon amovible (2), séparable de chacune des parties du mât (3), et muni d'une bague (4).
Dans la forme de réalisation selon la figure 4, le manchon (5) ne possède pas de bague, mais est bloqué en translation par les bouchons (6), solidaires du mât.
Le manchon est constitué d'un tube, par exemple en matériau composite ou en aluminium, muni de bouchons à ses extrémités, et d'une bague constituant la butée, assemblée par exemple par collage ou à chaud.
Le dispositif est particulièrement destiné à la réalisation de mâts en deux parties pour la planche à voile.
RIDEAU D'OXYGENATION ET DE DEGAZAGE DES EAUX DES LACS OU RETENUES DE BARRAGE La présence de végétation ou autres éléments nutritifs dans les eaux des lacs naturels ou artificiels provoquent la production de gaz tels que le méthane (CH4), I'Hydrogène sulfuré (H2 S) etc... et aussi la diminution du taux d'oxygène dissous surtout dans les couches profondes de la masse d'eau, asphyxiant ainsi la quasi totalité du volume d'eau.
Pour éliminer ces gaz et ré-oxygéner l'eau, il faut par des moyens mécaniques, ramener les couches profondes en surface pour les remettre en contact avec l'atmosphère et provoquer ainsi l'évacuation des gaz et favoriser la dissolution de l'oxygène de l'air dans l'eau.
Les dispositifs existants font appel à la mise en mouvement de pièces mécaniques dans l'eau (hélice, etc...) ou à l'injection d'air par différents systèmes ayant de mauvais rendements ou/et souvent avec une homogénéisation imparfaite de la masse d'eau, du fait que ces systèmes sont installés en surface ou au-dessus du fond, pour ne pas remettre en suspension les sédiments souvent chargés de ces gaz nocifs.
Le dispositif considéré se caractérise par la création d'un rideau (Fig. 1; Fig 2; Fig 3 ; Fig 4) formant un écran ininterrompu de micro-bulles, du fond du lac à sa surface, à partir de diffuseurs micro-céramique (30 cm x 30 cm x 6 cm) posés sur le fond alimentés par des tuyaux souples (armés ou non), connectés à des compresseurs de production d'air (électriques ou thermiques).
Au passage de l'eau de l'amont vers l'aval avant sa restitution dans la rivière, I'eau est obligée de traverser le rideau de micro-bulles qui, en s'élevant vers la surface, provoquent un courant ascendant de l'eau entraînant ainsi les gaz nocifs pour les éliminer dans l'atmosphère, mais aussi provoque, pendant l'ascension des micro-bulles, le transfert de l'oxygène de l'air dans l'eau, augmentant ainsi d'une façon significative le taux d'oxygène dissous.
La quantité d'air à injecter (épaisseur du rideau) est fonction des qualités (amont / aval) et des quantités d'eau à restituer à la rivière.
Les plans Fig. 1 et Fig. 2 ci-joints montrent une section type et une vue en plan du dispositif installé sur un barrage (cas type d'application du dispositif).
NOTA: Le positionnement des compresseurs peut être suivant les cas, sur la berge du lac, sur le barrage ou sur des pontons.
La présente invention décrit un procédé d'obtention du gellane par croissance d'une bactérie appartenant à l'espèce Pseudomonas elodea (classifiée également Sphingomonas mobilis et dans certains cas Auromonas elodea) sur un milieu de culture contenant des concentrations notables de manganèse. Ce procédé permet en particulier d'augmenter la concentration en gellane dans le moût de fermentation final par rapport à celle obtenue après culture sur des milieux de fermentation contenant des traces ou dépourvu de manganèse.
La production de gellane, encore appelé hétéropolysaccharide S60 par Pseudomonas elodea (ou Sphingomonas mobilis ou Auromonas elodea) ATCC 31461 est décrite principalement dans les brevets US-4.326.053, 4.326.052, 4.383.123, 4.377.636, et dans l'article intitulé "Agar-like polysaccharide produced by a Pseudomonas species: production and basic properties" publié dans "Applied and Environmental Microbiology", 1982, vol. 43 n05, pages 10861091. Le gellane est produit par fermentation aérobie sur des milieux de culture usuels contenant des sources de carbone, des sources d'azote organique et minéral et des sels minéraux.
Les sels minéraux habituellement incorporés dans les milieux de culture pour bactéries sont des sources de phosphore (sous forme de phosphate), de soufre (sous forme de sulfate) qui sont des constituants minéraux importants des bactéries. Des sels de sodium, de potassium, de magnésium et de chlore, nécessaires à l'équilibre physico-chimique de la cellule bactérienne sont également souvent introduits dans le milieu de culture. D'autres éléments appelés oligoéléments doivent être également présents dans le milieu de culture, car ils jouent un rôle de cofacteurs ou d'activateurs enzymatiques. Parmi les oligoéléments, on retrouve principalement le fer, le calcium, le cobalt, le cuivre, le molybdène, le manganèse.
On connaît par ailleurs deux types de dispositifs permettant d'accéder en ligne à la masse volumique des particules.