REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat de support (1; 50); une couche de transfert de porteurs (3 ; 51) en un matériau semiconducteur composite disposée sur ou au-dessus dudit substrat de support; une électrode de grille (11 ; 55) disposée sur ou au-dessus de ladite couche de transfert de porteurs au niveau d'une région partielle de celle-ci; une couche capuchon (8 ; 53) en un matériau semiconducteur composite non dopé disposée sur ou au-dessus de ladite couche de transfert de porteurs au niveau des deux côtés de ladite électrode de grille, ladite couche capuchon présentant une épaisseur de 100 nm ou plus ; et deux électrodes de courant (9S, 9D ; 54S, 54D) en contact ohmique avec ladite couche de transfert de porteurs. 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de contact de grille (5 ; 52) en un matériau semiconducteur composite présentant une bande interdite supérieure à la bande interdite de ladite couche de transfert de porteurs (3 ; 51), ladite couche de contact de grille étant disposée entre ladite couche de transfert de porteurs et ladite électrode de grille (11; 55). 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites deux électrodes de courant sont formées sur ladite couche capuchon. 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre deux évidements formés au niveau de régions correspondant aux régions au niveau desquelles lesdites deux électrodes de courant (9S, 9D ; 54S, 54D) sont formées, lesdits deux évidements s'étendant depuis la surface supérieure de ladite couche capuchon jusqu'à au moins la surface inférieure de ladite couche capuchon, et lesdites deux électrodes de courant étant disposées dans lesdits deux évidements. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre deux évidements formés au niveau de régions correspondant aux régions au niveau desquelles lesdites deux électrodes de courant sont formées, lesdits deux évidements s'étendant depuis la surface supérieure de ladite couche capuchon jusqu'à au moins la surface inférieure de ladite couche de contact de grille, et lesdites deux électrodes de courant (9S, 9D ; 54S, 54D) étant disposées dans lesdits deux évidements. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un potentiel interne s'instaurant au niveau de l'interface entre ladite électrode de grille et ladite couche de contact de grille et une épaisseur et une concentration en impuretés de ladite couche de transfert de porteurs sont choisis de telle sorte que ladite couche de transfert de porteurs au niveau de la région sous ladite électrode de grille soit appauvrie sur la totalité de sa largeur avec pour condition qu'une tension externe n'est pas appliquée à ladite électrode de grille. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode de grille comporte des parois latérales faisant face auxdites couches capuchon et lesdites couches capuchon sont en contact avec lesdites parois latérales de ladite électrode de grille. 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une distance entre lesdites deux électrodes de courant est de 4 pm ou moins. 9. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de relaxation (4) en un matériau semiconducteur composite non dopé qui est le même que celui de ladite couche de transfert de porteurs, ladite couche de relaxation étant disposée entre ladite couche de transfert de porteurs et ladite couche de contact de grille. 10. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une couche d'espacement (6) en un matériau semiconducteur composite non dopé disposée entre ladite couche de contact de grille et ladite couche capuchon ; et une couche d'arrêt de gravure (7) disposée entre ladite couche d'espacement et ladite couche capuchon et présentant une vitesse de gravure différente des vitesses de gravure de ladite couche d'espacement et de ladite couche capuchon, dans lequel ladite électrode de grille est disposée de manière à être en contact avec ladite couche d'espacement. 11. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en GaAs non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en GaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille est réalisée en AlGaAs non dopé. 12. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le rapport de composition de l'Al dans ladite couche de contact de grille est compris entre 0,4 et 1,0. 13. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit substrat de support, ladite couche capuchon et ladite couche de relaxation sont réalisés en GaAs non dopé ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en GaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille est réalisée en AlGaAs non dopé. 14. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit substrat de support, ladite couche capuchon et ladite couche d'espacement sont réalisés en GaAs non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en GaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille et ladite couche d'arrêt de gravure sont réalisées en AlGaAs non dopé. 15. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que: ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en GaAs non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N; et ladite couche de contact de grille est réalisée en AlGaAs non dopé. 16. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que le rapport de composition de l'Al dans ladite couche de contact de grille est compris entre 0,4 et 1,0. 17. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en GaAs non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N; ladite couche de contact de grille est réalisée en AlGaAs non dopé ; et ladite couche de relaxation est réalisée en InGaAs non dopé ou en GaAs non dopé. 18. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit substrat de support, ladite couche capuchon et ladite couche d'espacement sont réalisés en GaAs non dopé ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille et ladite couche d'arrêt de gravure sont réalisées en AlGaAs non dopé. 19. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en InP non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille est réalisée en Alias non dopé. 20. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que: ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en InP non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N; ladite couche de contact de grille est réalisée en Alitas non dopé; et ladite couche de relaxation est réalisée en InGaAs non dopé. 21. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit substrat de support et ladite couche capuchon sont réalisés en InP non dopé; ladite couche de transfert de porteurs est réalisée en InGaAs dopé avec des impuretés de type N ; et ladite couche de contact de grille et ladite couche d'arrêt de gravure sont réalisées en Alias non dopé. 22. Dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat de support (1; 50); une couche de transfert de porteurs (3 ; 51) disposée sur ou audessus dudit substrat de support, ladite couche de transfert de porteurs étant réalisée en un matériau semiconducteur composite contenant des impuretés pour conférer une certaine conductivité; une électrode de grille (11 ; 55) disposée sur ou au-dessus de ladite couche de transfert de porteurs au niveau d'une région partielle de celle-ci une région de source (95 ; 54S) et une région de drain (9D ; 54D) connectées électriquement à ladite couche de transfert de porteurs, lesdites régions de source et de drain étant disposées au niveau des deux côtés de ladite électrode de grille et étant espacées de ladite électrode de grille ; et une région capuchon (8 ; 53) en un matériau semiconducteur composite disposée sur ou au-dessus de ladite couche de transfert de porteurs au niveau de régions entre ladite électrode de grille et lesdites régions de source et de drain, ladite région capuchon présentant une épaisseur égale ou supérieure à l'épaisseur d'une couche d'appauvrissement de surface s'étendant depuis la surface supérieure de la région capuchon jusqu'à l'intérieur de celle-ci. 23. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de contact de grille (5 ; 52) en un matériau semiconducteur composite présentant une bande interdite supérieure à la bande interdite de ladite couche de transfert de porteurs, ladite couche de contact de grille étant disposée entre ladite couche de transfert de porteurs et ladite électrode de grille. 24. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'un potentiel interne instauré au niveau de l'interface entre ladite électrode de grille et ladite couche de contact de grille et une épaisseur et une concentration en impuretés de ladite couche de transfert de porteurs sont choisis de telle sorte que ladite couche de transfert de porteurs au niveau de la région sous ladite électrode de grille soit appauvrie sur la totalité de sa largeur avec pour condition qu'une tension externe n'est pas appliquée à ladite électrode de grille.