REVENDICATIONS 1. Détecteur de rayonnements ionisants avec une diode de détection équipée de bornes (220, 224, 304b, 304c) de polarisation et de sortie d'un signal de détection, caractérisé en ce que la diode de détection comporte au moins une portion (204, 304) d'une couche mince superficielle d'une structure de type SOI formée d'un empilement d'un substrat (200, 300) de silicium, d'une couche isolante d'oxyde de silicium (202, 302) et la couche mince superficielle de silicium (204, 304). 2. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diode comporte en outre une couche (220) d'un premier métal disposée en contact avec une face libre de la portion de couche superficielle (204) et formant avec cette portion de couche une jonction de type Schottky. 3. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la portion de couche superficielle (304) comporte une région (304c), dite de détection, d'un premier type de conductivité, et une région (304a), dite intermédiaire, du deuxième type de conductivité, et qui forme avec la région de détection (304c) une jonction de type pn. 4. Détecteur selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche d'un deuxième métal (224) disposée en contact avec une face (226) de la couche mince superficielle tournée vers la couche d'oxyde de silicium (202), et formant avec la portion de couche superficielle (204) un contact ohmique. 5. Détecteur selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la diode comporte en outre, pour prise de contact, une région dite de contact présentant une concentration d'impuretés de dopage supérieure à celle de la couche adjacente. 6. Détecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la portion de couche superficielle comporte en outre une région (304b), dite de contact, d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une région intermédiaire (304a) présentant une concentration d'impureté de dopage inférieure à la région de contact et séparant la région de détection (304c) de la région de contact (304b). 7. Détecteur selon l'une des revendications 2 ou 5, caractérisé en ce que la portion de couche superficielle comporte une région non intentionnellement dopée en contact avec la couche de premier métal et une région dopée, dite de contact. 8. Détecteur selon les revendications 2 et 4, caractérisé en ce que la couche superficielle (204) présente une résistivité supérieure à 103 Q.cm. 9. Détecteur selon les revendications 2 et 4, caractérisé en ce que le premier et le deuxième métal sont respectivement de l'or et de l'aluminium. 10. Détecteur selon les revendication 2 et 4, caractérisé en ce que les couches de premier et de deuxième métal présentent une densité de surface de l'ordre de 40 ug/cm2. 11. Détecteur selon l'une au moins des revendications 3 et 6, caractérisé en ce que le premier type de conductivité est le type de conductivité n, et le deuxième type de conductivité est le type de conductivité p. 12. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il comporte une prise de contact reliée électriquement à la zone de contact, et traversant la zone intermédiaire. 13. Détecteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche mince superficielle (204) présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 100 um. 14. Détecteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de silicium (202) présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 5 um. 15. Procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnements ionisants conforme aux revendications 1 et 2, caractérisé en ce que on forme une couche de matériau isolant électrique (230) sur une face libre d'une couche mince superficielle (204) de silicium d'une structure de type silicium sur isolant SOI, la structure comprenant un empilement d'un substrat de silicium (200), d'une couche d'oxyde de silicium (202) et de la couche mince superficielle (204), on pratique dans la couche de matériau isolant électrique (230) une ouverture (232) délimitant une zone de détection, on forme une couche (220) de matériau conducteur électrique, en contact avec ladite face libre de la couche superficielle (204) dans l'ouverture (232), et formant avec la couche superficielle une jonction de type Schottky, on grave localement le substrat de silicium (200) et la couche d'oxyde de silicium (202) pour former une ouverture arrière (240) d'accès à la couche superficielle (204), dans la zone de détection, on forme une couche de matériau conducteur électrique (224) en contact avec la couche superficielle dans ladite ouverture arrière d'accès (240), et formant avec la couche superficielle un contact ohmique. 16. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau conducteur électrique de la couche (220), en contact avec la couche mince superficielle (204) dans l'ouverture (232) délimitant la zone de détection, et le matériau conducteur électrique en contact avec la couche superficielle (204) dans l'ouverture arrière d'accès (240) sont respectivement de l'or et de l'aluminium. 17. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau isolant électrique est du nitrure de silicium. 18. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche mince superficielle (204) de silicium présente une résistivité de l'ordre de 103 Q.cm. 19. Procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnement ionisants conforme à la revendication 1, caractérisé en ce que qu'il comporte les étapes suivantes a) formation d'une couche de matériau isolant (330) sur une face libre d'une couche superficielle (304) d'une plaque présentant une structure de type SOI et comportant un empilement d'un substrat de silicium (300), d'une couche d'oxyde de silicium (302) et de la couche mince superficielle (304) de silicium, la couche mince superficielle comportant une première région dopée (304a), d'un premier type de conductivité et ayant une première concentration d'impuretés, et une deuxième région dopée (304b) du même type de conductivité et avec une deuxième concentration d'impuretés supérieure à la première concentration, la deuxième région (304b), en contact avec la couche d'oxyde de silicium, et étant enterrée dans la première région (304a), b) réalisation dans la couche de matériau isolant électrique (330) d'une ouverture (332) délimitant une zone de détection, c) dopage de la couche mince superficielle dans la zone de détection pour former une troisième région (304c) avec des impuretés d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. d) recuit thermique de la plaque, le procédé comportant en outre la formation de prises de contact électrique (352, 354, 350) sur les deuxième et troisième régions dopées. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que la formation d'une prise de contact électrique sur la deuxième région comporte la réalisation d'un canal conducteur électrique (350) traversant la première région dopée (304a) de la couche mince superficielle (304), le canal conducteur étant réalisé entre les étapes a) et b) du procédé. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que pour réaliser le canal conducteur (350) on forme une couche (329) de matériau électriquement isolant sur une face libre de la couche superficielle (304), on pratique dans la couche (329) de matériau électriquement isolant une ouverture (331) délimitant une zone dite de contact arrière en face de la deuxième région (304b), on effectue un dopage de la couche mince superficielle (304) dans la zone de contact arrière pour former un canal (350) en contact électrique avec la deuxième région (304b). 22. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que la formation d'une prise de contact électrique sur la deuxième région comporte - la gravure locale du substrat de silicium (300) et de la couche d'oxyde de silicium (302) pour former une ouverture arrière d'accès (340) à la couche mince superficielle (304) dans la deuxième région dopée (304b) - la formation d'une couche de matériau conducteur électrique (324) en contact avec la deuxième région dopée (304b) dans ladite ouverture arrière d'accès (340) 23. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que on réalise les première et deuxième régions dopées avec une conductivité de type p, et la troisième région avec une conductivité de type n.