INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le deuxième mode de fonctionnement qu'on appellera "node synchrone" est obtenu lorsque l'un des C.U.C. est rendu conducteur à l'instant où le courant traversant l'autre s'annule naturellement. Pour ne pas perturber la forme d'onde naturellement produite, le signal qui rend un C.U.C. conducteur devra être interrompu entre l'annulation naturelle du courant qui le traverse, instants t4, t8 (fig. 13 qui réfère au mode interrompu et non au mode synchrone), et la réapparition d'un potentiel positif d'anode t6, t10 (fig. 13). Dans ce mode de fonctionnement, les temps t4 et t5 sont confondus, ainsi que t8 et t9. La règle ci-dessus relative à l'interruption du signal qui rend un C.U.C. conducteur est décrite pour les C.U.C. de la famille des transistors, alors qu'avec des composants à réaction positive, (thyristors, GTO ou MCT) la règle serait modifiée.
Le troisième mode de fonctionnement qu'on appellera mode forcé sans recouvrerent" est obtenu lorsque l'état des deux C.U.C est permuté simultanément alors que le dernier C.U.C. rendu conducteur est encore traversé par du courant. Ce mode de fonctionnement est facile à obtenir si les deux inductances sont couplées. La conduction de chaque C.U.C. est établie pendant moins de 180 d'une période fondamentale. Plus cet angle diminue, plus les excursions en tension des points caractéristiques d'un dispositif suivant l'invention diminuent, ce qui tend à éloigner les performances de celles qui sont recherchées.De nombreux dispositifs fonctionnant dans ce mode existent déjà avec des valeurs de composants et des chronogrammes de fonctionnement tels que la tension de M soit presque constante, ce qui correspond à un angle de conduction très faible, généralement inférieur à 10 . Une telle utilisation de tels dispositifs avec un angle de conduction très faible fait partie de l'art antérieur, alors que la présente invention vise le fonctionnement avec un angle de conduction supérieur à 30'. Les dispositifs de l'art ancien ont généralement des organes de commutation ne supportant pas de tension inverse.
Le quatrième mode qu'on appellera "mode forcé avec recouvrement est obtenu lorsque l'un des C.U.C. est rendu conducteur alors que l'autre est encore traversé par du courant, les commandes de conduction étant établies de telle sorte que: - se succèdent les temps suivants: conduction de QN1 uniquement, conduction de QN1 et QP1, conduction de QP1 uniquement, conduction de QP1 et-QN1, et ainsi de suite.
- les temps de conduction d'un seul C.U.C. soient maintenus suffisamment longtemps pour qu'il y ait annulation naturelle du courant dans chaque C.U.C. une fois pendant chaque période.
En cas d'opération à vide en mode interrompu du dispositif standard, les lois fondamentales des circuits LC montrent que la mise en conduction de chacun des C.U.C. génère une évolution du courant et de la tension suivant une loi sinusoïdale du temps, telle que l'excursion en tension du point M est centrée sur P lorsque QP1 est conducteur (fig. 9), ou centrée sur N lorsque QN1 est conducteur (fig. 10 et fig. 13). Dans le cas présent d'opération à vide, les inductances ne sont connectées que par deux points, il s'en suit que le courant qui traverse un C.U.C. est le même que le courant qui traverse l'inductance qui lui est connectée. Après l'annulation du courant dans le C.U.C. conducteur, il n'y a pas poursuite du phénomène oscillatoire du fait de la caractéristique unidirectionnelle du C.U.C. .Chaque conduction d'un C.U.C. est capable de génèrer une demi-période fondamentale, soit 180 d'angle de phase, en un temps lorsque c'est QP1 qui conduit, ou lorsque c'est QN1 qui conduit.
La Figure 2 est une vue en coupe selon la ligne I-I de la pochette de la Figure 1, en position fermée.
La Figure 3a est une vue d'un mode de réalisation des éléments de fermeture.
La Figure 3b est une vue d'un autre mode de réalisation des éléments de fermeture.
La Figure 4 est une vue du support récepteur de la pochette, à l'état déplié, avec l'emplacement de la pochette et du disque.
Les Figures 5 et 6 montrent schématiquement la feuille formant le support récepteur et son système de pliage.
La Figure 7 montre un autre mode de réalisation de la pochette transparente.
La Figure 8 est une vue en coupe selon la ligne ll-ll de la pochette de la Figure 7, en position presque fermée.
La Figure 9a est une vue d'un mode de réalisation des éléments de fermeture munis d'éléments d'occultation.
La Figure 9b est une vue d'un autre mode de réalisation des éléments de fermeture.
Le dispositif d'emballage selon l'invention est destiné à recevoir un support d'informations tel qu'un disque 1. Ce disque est par exemple un disque compact dont le diamètre est normalisé et de 12 cm. Le disque 1 est muni d'un évidement central 2. Le disque 1 est placé dans une pochette 3 transparente.
La pochette 3 peut par exemple être en matière plastique. La moitié inférieure 4 de la pochette 3 a une forme de demi-cercle, dont le diamètre D est légèrement supérieur au diamètre du disque compact à emballeur. La moitié supérieure 5 de la pochette a une forme de rectangle, la longueur du rectangle étant égale au diamètre D et sa largeur étant légèrement supérieure au rayon du disque. La pochette 3 possède deux faces 6,7, une face 6 comportant une partie 8 destinée à être rabattue sur la face 7. Le rabat 8 a une forme triangulaire. La pochette 3 est munie sur au moins une de ses faces d'un évidement de dimension sensiblement égale à celle de l'évidement 2 du disque. Sur l'évidement est disposé un élément de fermeture 9 qui coopère avec un élément de fermeture 10 placé au sommet du rabat 8.
Sur la Figure 1, on a représenté l'élément de fermeture 10 qui est un bouton en matière plastique semi-rigide, du type tulipe.
Sur la Figure 3a, I'élément de fermeture 10a est un bouton en matière plastique souple et malléable.
Sur la Figure 3b, I'élément de fermeture 10b, est un bouton en matière plastique extrudé dans la matière plastique constituant la pochette 3 ou rapportée sur celle-ci par soudure haute fréquence, ou collage, suivant la nature de la matière plastique.
Le disque 1 qui est disposé à l'intérieur de la pochette 3 est maintenu en place grace aux moyens de fermeture 9, 10. Ainsi, il ne peut plus tourner dans la pochette 3 et reste tel qu'il est placé initialement lors de son introduction dans la pochette. Du fait qu'il comporte des impressions sur sa face recto, lors de l'emballage, on dispose le disque de façon que les impressions soient dans une position donnée.
Le dispositif d'emballage comporte un support récepteur 11 de la pochette 3. Le support Il est formé par pliage d'une feuille 12, par exemple une page de magazine. Le pliage se fait le long d'une ligne 13.
Par conséquent, même si la couche de transfert de porteurs est rendue mince au point que l'épaisseur totale de la couche de transfert de porteurs sous l'électrode de grille peut être appauvrie avec pour condition qu'aucune tension n'est appliquée à l'électrode de grille d'un MESFET de mode enrichissement, une augmentation de la résistance par carré de la couche de transfert de porteurs peut être atténuée.
Selon un autre aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend en outre : une couche de contact de grille en un matériau semiconducteur composite présentant une bande interdite supérieure à la bande interdite de la couche de transfert de porteurs, la couche de contact de grille étant disposée entre la couche de transfert de porteurs et l'électrode de grille.
Du fait que la bande interdite de la couche de contact de grille est rendue importante, la barrière de potentiel entre la couche de contact de grille et la couche de transfert de porteurs devient importante de telle sorte qu'un courant de fuite de grille peut être réduit.
Selon un autre aspect de la présente invention, l'électrode de grille du dispositif à semiconducteur comporte des parois latérales faisant face aux couches capuchon et les couches capuchon sont en contact avec les parois latérales de l'électrode de grille.
La couche de transfert de porteurs au niveau des régions entre l'électrode de source et l'électrode de grille et entre l'électrode de drain et l'électrode de grille est recouverte de la couche capuchon. Par conséquent, au niveau de ces régions, une couche d'appauvrissement peut être empêchée d'être générée.
Selon un autre aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend en outre une couche de relaxation en un matériau semiconducteur composite non dopé qui est le même que celui de la couche de transfert de porteurs, la couche de relaxation étant disposée entre la couche de transfert de porteurs et la couche de contact de grille.
Cette couche de relaxation atténue la rugosité de surface de l'interface entre la couche de transfert de porteurs et la couche de contact de grille.
Selon encore un autre aspect de l'invention, le dispositif à semiconducteur comprend en outre : une couche d'espacement en un matériau semiconducteur composite non dopé disposée entre ladite couche de contact de grille et la couche capuchon ; et une couche d'arrêt de gravure disposée entre la couche d'espacement et la couche capuchon et présentant une vitesse de gravure différente des vitesses de gravure de la couche d'espacement et de la couche capuchon, dans lequel l'électrode de grille est disposée de manière à être en contact avec la couche d'espacement.
Une gravure sélective de la couche capuchon peut être arrêtée automatiquement par la couche d'arrêt de gravure. Lors d'un posttraitement, la couche d'arrêt de gravure endommagée est otee afin de mettre à nu la couche d'espacement. L'électrode de grille est formée sur la surface de la couche d'espacement tout en evitant la rugosité de surface de la couche de contact de grille.
Selon un autre aspect de la présente invention, on propose un dispositif à semiconducteur comprenant : un substrat de support une couche de transfert de porteurs disposée sur le substrat de support, la couche de transfert de porteurs étant réalisée en un matériau semiconducteur composite contenant des impuretés pour conférer une certaine conductivité ; une électrode de grille disposée sur la couche de transfert de porteurs au niveau d'une région partielle de celle-ci; une région de source et une région de drain connectées électriquement à la couche de transfert de porteurs, les régions de source et de drain étant disposées au niveau des deux côtés de l'électrode de grille et étant espacées de l'électrode de grille ; et une région capuchon en un matériau semiconducteur composite disposée sur la couche de transfert de porteurs au niveau de régions entre l'électrode de grille et les régions de source et de drain, la région capuchon présentant une épaisseur égale ou supérieure à l'épaisseur d'une couche d'appauvrissement de surface s'étendant depuis la surface supérieure de la région capuchon jusqu'à l'intérieur de celle-ci.
Avec cette structure, les régions capuchon disposées entre l'électrode de grille et les régions de source et de drain empêchent que la couche d'appauvrissement ne pénètre au travers de la couche de transfert de porteurs. Par conséquent, une augmentation de la résistance par carré de la couche de transfert de porteurs au niveau de ces régions peut être atténuée et la résistance par carré peut être réduite.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en coupe d'un MESFET selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est un graphique qui représente la caractéristique de tension-courant du MESFET représenté sur la figure 1; les figures 3A et 3B sont des vues en coupe d'un MESFET selon un second mode de réalisation de l'invention et d'un MESFET modifié; la figure 4 est une vue en coupe d'un MESFET utilisé pour des analyses quantitatives; la figure 5A est un graphique qui représente la tension de pincement du MESFET représenté sur la figure 4 en fonction de l'épaisseur d'une couche de transfert d'électrons la figure 5B est un graphique qui représente la tension de pincement en fonction d'un potentiel interne la figure 6A est un graphique qui représente, en fonction de la concentration en impuretés, l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons du MESFET représenté sur la figure 4, laquelle épaisseur rend la tension de pincement égale à 0 V; la figure 6B est un graphique qui représente, en fonction de la concentration en impuretés, le produit de la concentration en impuretés et de l'épaisseur de la couche de transfert d'électrons du MESFET représenté sur la figure 4, lequel produit rend la tension de pincement égale à 0 V; la figure 7A est une vue en coupe d'un MESFET du type à évidement; la figure 7B est une vue en coupe d'un MESFET du type enterré ; et la figure 7C est un graphique qui représente la résistance par carré d'une couche de transfert d'électrons en fonction de l'épaisseur d'une couche capuchon formée sur la couche de transfert d'électrons.
DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PARTICULIERS Les présents inventeurs ont analysé quantitativement la structure et les caracteristiques de MESFET permettant la fabrication de MESFET de mode enrichissement.
La figure 4 est une vue en coupe d'un MESFET utilisé pour l'analyse. Un substrat en GaAs semi-isolant 50 comporte une couche de transfert d'électrons 51 réalisée en GaAs dopé en impuretés de type N et formée sur la surface du substrat 50, et une couche de contact de grille 52 réalisée en AlGaAs non dopé ainsi qu'une couche capuchon 53 réalisée en GaAs non dopé respectivement stratifiées sur la couche de transfert d'électrons 51.
Un évidement 56 est formé dans la couche capuchon 53 au niveau d'une région partielle de celle-ci, l'évidement atteignant la surface supérieure de la couche de contact de grille 52. L'évidement 56 est complètement rempli d'une électrode de grille 55 réalisée en un matériau conducteur. Une électrode de source 54S et une électrode de drain 54D sont formées sur la surface de la couche capuchon 53 au niveau des deux côtés de l'électrode de grille, les électrodes de source et de drain présentant une structure à deux couches en AuGe/Au (une notation A/B indique une stratification d'une couche A de niveau inférieur et d'une couche B de niveau supérieur).
Sous les électrodes de source et de drain 54S et 54D, des ions d'impuretés sont dopés depuis la couche capuchon 53 jusqu'à la couche de surface supérieure de la couche de transfert d'électrons 51 afin de former des régions faible résistance 57S et 57D. Les régions à proximité de l'interface entre les électrodes de source et de drain 54S et 54D et la couche capuchon 53 sont alliées au moyen d'un traitement thermique après que les électrodes sont formées. Ces régions faible résistance 57S et 57D constituent les électrodes de source et de drain 54S et 54D en contact ohmique avec la couche de transfert d'électrons 51.
A titre d'exemple on a réalisé la formulation suivante.
EXEMPLE 1 On mélange dans un malaxeur à bras en Z, à 800C - 8,50 kg d'OPPANOL B50 (soit 10,65 parts) préalablement préchauffé à 120 C pendant 2 heures.
- 10 kg de NAPVISR 10 - 1,04 kg (soit 1,3 part) d'IRGANOXO 1010 - 1,04 kg (soit 1,3 part) de PERKACITX ZDBC, et on ajoute progressivement 13,2 kg de talc de granulométrie moyenne comprise entre 1 et 2 m (réf. P3, fourni par SPCI). Après 10 mn de malaxage, ou ajoute 3,04 kg (soit 3,8 parts) de résine WINGTACKR 10 et 160 g de colorant.
Le mélange résultant est malaxé pendant 0,5 h à 80 C, puis on ajoute successivement, en malaxant 25 à 30 mn entre chaque addition - 10 kg de talc P3 par additions successives), - 3 kg de NAPVIS 10, - 10 kg de talc P3.
- 4,96 kg de NAPVISR 10 (soit au total 22,45 parts), - 5,12 kg de PLURIOLX P4000 (soit 6,40 parts), et - 10 kg de talc P3 (soit au total 54,1 parts).
Le mélange résultant (100 parts en poids) est malaxé pendant encore 20 mn après la dernière addition et le produit, ainsi obtenu, est transféré dans une extrudeuse, pour être transformé en un ruban de 250 mm de largeur et 6 mm d'épaisseur environ, placé entre deux protecteurs siliconés (feuilles de papier siliconé, par exemple). Après refroidissement, le produit est découpé en pavés de dimensions adaptées à l'utilisation, au moyen d'emporte-pièces, et conditionné.
En opérant selon un procédé de fabrication analogue, on a également préparé les formulations des exemples 2-9. Les proportions pondérales des divers ingrédients des exemples 1-9 figurent dans le tableau I ci-après. TABLEAU I PROPORTIONS PONDERALES DES DIVERS INGREDIENTS
EXEMPLES 1 2 3 4 5 6 7 8 9 OPPANOLRB350 10,65 9,6 8,6 17,05 13,2 5,65 23,4 11 10,65 NAPVISR10 22,45 16,5 27 22,4 17 24 16,4 14 22,45 WINGTACKR10 3,80 4,3 3,1 6,1 4,7 2,5 10,4 4,9 3,80 PLURIOLRP4000 6,40 1,8 5,2 10,25 7,9 1,05 4,4 2,1 6,40 IRGANOXR 1010 1,3 1,1 1,05 2,1 1,6 0,65 2,7 1,25 1,3 PERKACITRZDBC 1,3 1,1 1,05 2,1 1,6 0,65 2,7 1,25 1,3 CHARGE (1) 54,1 65,6 5,4 40 54 65,5 40 65,5 54,1 (T) (K) (T) (T) (T) (K) (K) (K) (M) Notes (K) = kaolin; (T) = talc; et, (M) = Mica.
A titre de comparaison, on a réalisé des formulations de même type contenant une charge à structure sphérique, comme par exemple du carbonate de calcium ou une charge à structure aciculaire, comme par exemple de la wollastonite, en remplacement de la charge à structure lamellaire.
Les différentes phases adhésives malléables ont été testées pour évaluer leur aptitude à fixer des objets sur un support. Dans cet objectif, on a effectué un test à partir des pastilles de produit, en forme de carré de 10 mm de côté et 6 mm d'épaisseur que l'on presse pour obtenir une épaisseur résiduelle déterminée (e) entre deux plaques d'aluminium. Les plaquettes sont ensuite soumises à une charge qui est augmentée progressivement jusqu'au décrochage de l'adhésif (la charge est en g).
Le tableau Il regroupe les résultats obtenus selon ces tests avec des produits de formulation préférée de l'invention. Les exemples comparatifs notés A et B sont de formulation analogue à l'exemple 1 exception faite de la nature de la charge, le talc ayant été remplacé par du carbonate de calcium dont la structure est sphérique pour l'exemple A et par la wollastonite dont la structure est en aiguille pour l'exemple B (les exemples A et B ne sont pas compris dans l'invention). Les valeurs indiquées correspondent à la charge (exprimée en g) provoquant le décollage de l'adhésif.
TABLEAU Il RESISTANCE AU PELAGE (CHARGE EXPRIMEE EN G)
Epaisseur e EXEMPLES 4 mm 3 mm 2 mm 1 mm I 55 150 200 350 2 450 600 1100 2000 9 55 100 100 300 A 50 55 55 100 B 50 55 55 100 Les résultats obtenus selon ce test sont significatifs de l'importance de la nature de la charge : pour une formulation identique, le choix d'une charge à structure lamellaire permet d'obtenir des valeurs jusqu'à 3 fois plus importantes que celles obtenues avec une charge de type sphérique ou de type aciculaire.
L'exemple 2 selon l'invention, dans la formulation est à base de kaolin et qui contient une proportion plus faible de plastifiant, reste malléable et permet de fixer de façon réversible des objets de poids important.
La malléabilité des pâtes adhésives doit être suffisante pour que cellesci puissent être malaxées avant mise en place et ainsi s'adapter parfaitement aux formes de l'objet à fixer et du support. La malléabilité des pâtes adhésives selon l'invention a été évaluée par la mesure du module d'élasticité G', à la fréquence angulaire de 10 radians/s à 25 C pour une déformation de 1 % (appareil utilisé "RDA" II fabriqué par Rhéométrics - USA).
On obtient les valeurs suivantes de G' (exprimées en 104Pa) consignées dans le tableau III ci-après.
La réglette secondaire mobile selon ce deuxième mode de réalisation est constitué d'un seul tenant.
Le procédé de mise en oeuvre du dispositif selon ce deuxième mode de réalisation est caractérisé en ce que les pièces sont transférées de la réglette principale fixe sur la réglette secondaire mobile de déchargement en position principale puis dans le vé de déchargement de l'unité de déchargement en position haute jusqu'à la surface de butée de la butée réglable ou jusqu'a la zone de détection du capteur. Dès que les pièces se trouvent en butée ou dans ladite zone de détection, l'unité de déchargement effectue un mouvement d'aller et retour entre sa position haute et sa position basse, lui permettant le déchargement des pièces dans un casier de manutention, tandis que la réglette secondaire mobile de déchargement effectue un mouvement de translation de sa position principale vers sa position secondaire à une vitesse au moins supérieure à la vitesse du flux d'alimentation des pièces. Ladite réglette secondaire mobile de déchargement effectuant le retour dans sa position principale dès que l'unité de déchargement est revenue dans sa position haute, ledit dispositif reprenant sa position initiale en attente de l'arrivée des pièces en butée ou dans la zone de détection du capteur.
Selon une caractéristique complémentaire de l'invention la réglette secondaire mobile de déchargement peut posséder une section en coupe transversale dont le bord supérieur est de forme sensiblement arrondie et bombée, des moyens de retenue étant prévus entre les parois de retenue de l'unité de déchargement et les pièces à décharger situées sur la réglette secondaire mobile de déchargement.
Selon une autre caractéristique une réglette supérieure anti-basculement est positionnée selon un axe parallèle au flux des pièces à l'aplomb de la réglette principale fixe et de la réglette mobile et s'étendant au delà selon F de l'extrémité libre ou de l'extrémité aval de la portion amont de ladite réglette mobile en position principale, la position de cette réglette supérieure pouvant être avantageusement réglable en hauteur afin de se situer légèrement au dessus de la rangée de pièces à décharger.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention se dégageront de la description qui va suivre en regard des dessins annexés qui ne sont donnés qu'â titre d'exemples non limitatifs.
Les figures 1 à 9 illustrent le premier mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention.
La figure 1 est une vue en perspective du premier mode de réalisation avec la réglette secondaire mobile de déchargement en position principale et l'unité de déchargement en position haute.
La figure 2 représente le même mode en perspective quand l'unité de déchargement est en position basse.
La figure 3 est une vue en bout de l'unité de déchargement.
La figure 4 est une vue de dessus de l'unité de déchargement.
La figure 5 est une perspective de la réglette secondaire mobile de déchargement et de la réglette principale fixe du premier mode de réalisation.
La figure 6 est une vue en coupe transversale selon VI-VI faite au niveau de la réglette principale et de la première portion de la réglette mobile.
La figure 7 est une coupe transversale selon VII-VII faite au niveau de la seconde portion de la réglette mobile secondaire.
La figure 8 est une vue en coupe transversale selon VIII-VIII faite au niveau de la seconde portion de la réglette mobile.
Les figures 9a, 9b, 9c, 9d, 9e, sont des schémas de fonctionnement illustrant les différentes étapes du procédé mettant en oeuvre le premier mode de réalisation.
Les figures 10 à 13 illustrent un deuxième mode de réalisation.
l'extérieur du voyant en zone inactive.
Ainsi, la figure 3 montre la trajectoire d'un rayon parasite R' qui pénètre par la dépouille 311 d'un prisme 310 du voyant 300 situé sur l'extérieur de la zone active, avec un angle d'incidence aigu par rapport au plan du voyant, du fait du décalage latéral important de la source. En raison de cette incidence aiguë, le rayon est réfléchi sur la surface extérieure du voyant 300, à l'intérieur du voyant, puis rencontre la dépouille 321 d'un prisme 320, puis enfin est transmis à l'arrière du voyant car il attaque cette dépouille relativement
frontalement.
De la sorte, lorsque le feu est allumé, la plage éclairante présente un contour net car la quantité de lumière issue de la zone inactive du voyant est
extrêmement réduite.
De plus, on remarquera que, selon une autre caractéristique avantageuse, l'invention proposée n'introduit pas d'importante discontinuité visuelle dans l'apparence du voyant lorsque le feu est éteint, car des prismes visuellement similaires forment la surface arrière
du voyant en zones active et inactive.