INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cet article enseigne que le zirconium est plus favorable que le chrome pour limiter la perte de pouvoir durcissant de l'alliage au cours du revenu. Mais même en présence de zirconium, lorsque la vitesse de trempe est de 4"C/s, c'est-à-dire la vitesse de trempe à coeur d'un produit d'environ 200 mm d'épaisseur immergé dans l'eau froide, la chute du pouvoir durcissant est considérable et le zirconium ne permet plus de limiter la sensibilité à la trempe. L'article montre également que, pour la composition testée, même en l'absence de chrome ou de zirconium, on assiste à une chute du pouvoir durcissant pour une vitesse de trempe de l'ordre de 4"C/s.
Les métallurgistes russes ont proposé, pour diminuer la sensibilité à la trempe, l'alliage V93, ou 1930 selon la norme russe GOST 11069, qui ne comporte pas d'éléments antirecristallisants, mais présente une composition très éloignée de celles des alliages 7010 ou 7050, avec en particulier une teneur élevée en fer (entre 0,20 et 0,45%) déiivorable à la tenacité et à la résistance à la fatigue.
L'article de FLPL HOLL Investigations into the possibility of reducing quench sensitivity in high-strength AlZnMgCu alloys , Journal of the Institute of Metals, juillet 1969, pp.200-205, fait la même constatation sur la nocivité des éléments Zr, Mn, Cr et V., c'est-à-dire les antirecristallisants, mais aussi de Fe et Si aux puretés commerciales, sur l'aptitude à la trempe. Celà signifie que pour diminuer la sensibilité à la trempe de ces alliages, il fàut utiliser des compositions à bas Fe et Si ce qui augmente les coûts de production par rapport aux alliages de pureté commerciale.
En, la demanderesse a effectué un relevé des limites d'élasticité Ro; sens L et TL sur des tôles en alliage 7050 traitées T7451 de différentes épaisseurs destinées à l'industrie aéronautique et a constaté une chute d'environ 0,5 Mpa par mm d'épaisseur supplémentaire. Les figures I et 2 montrent la distribution statistique de ces valeurs respectivement pour le sens L et le sens TL. Ces résultats recoupent ceux de l'article de DORWARD et al. mentionné plus haut qui montre, à l'état T6, une chute de l'ordre de 40 Mpa entre des vitesses de trempe de 25Ces et 80C/s, qui correspondent approximativement à des vitesses de refroidissement à coeur dans l'eau froide de tôles d'épaisseur respective 50 et 150 mm.
Ainsi l'état de la technique n'indique aucun moyen, pour des produits épais en alliage 7000, permettant à la fois de maîtriser la recristallisation en utilisant du zirconium pour obtenir une résistance et une tenacité élevées et de limiter la sensibilité à la trempe pour disposer de caractéristiques mécaniques homogènes entre la surface et le coeur du produit et éviter la chute de résistance mécanique avec l'épaisseur du produit, surtout si l'on souhaite utiliser des alliages à pureté commerciale en Fe et Si On sait par ailleurs que pour les alliages 7000 au cuivre, la résistance à la corrosion sous tension se dégrade lorsque la vitesse de trempe diminue, c'est-à-dire lorsque l'épaisseur augmente.Les produits épais en alliages 7000 à cuivre élevé ne sont donc pas une solution envisageable si l'on recherche un bon comportement en corrosion.
But de l'invention L'invention a pour but de trouver, pour des alliages 7000 au cuivre avec addition de zirconium, un domaine de composition particulier pour des produits épais qui les rende très peu sensibles à la trempe, dans lequel on maîtrise la recristallisation à un niveau filable tout en gardant une pureté commerciale en fer et silicium, et qui conduise à une résistance mécanique et une tenacité élevées, à un bon comportement en fatigue et à des contraintes résiduelles plus faibles, sans effet néfàste sur la résistance à la corrosion sous tension.
Objet de l'invention L'invention a pour objet un produit laminé, filé ou forgé en alliage AlZnMgCu d'épaisseur > 60 mm, et de préférence > 125 mm, de composition (% en poids): 5,9 1,9 1,5 Fe 0,05 Mn Cr avec: 3,5 425 Mpa, b) une tenacité en déformation plane sens S-L, mesurée à mi-épaisseur, > 26 MPalm et sens GT, mesurée à quart-épaisseur, > 41 - 7e/100 Mpa4m (e étant l'épaisseur du produit en mm), c) un seuil de corrosion sous tension > 300 Mpa, De préférence, les produits selon l'invention présentent une fraction volumique de grains recristallisés, mesurée dans la partie située entre quart-épaisseur et miépaisseur < 15%.
D'une manière préférentielle, la teneur en Mg est 1,65% et la somme Cu + Mg comprise entre 3,6 et 4,3%.
La tenacité en déformation plane est de préférence > 28 Mpalm dans le sens S-L et > 42 - 7e/100 Mpalm.
Description des figures La figure 1 représente la limite élastique à 0,2% Ro2 sens L en fonction de l'épaisseur d'un ensemble de tôles en alliage 7050 à l'état T7451 de l'art antérieur.
La figure 2 représente de la même manière Ro 2 sens TL en fonction de l'épaisseur du même ensemble de tôles.
Les hybridations sur membrane (Southern blots) ont été réalisés comme décrit précédemment.
Les résultats obtenus sont rapportés sur la figure 2 : la réactivité a été localisée par comparaison avec les positions des fragments de taille correspondante sur la carte publiée. Les positions de l'ensemble des marqueurs génétiques cartographiés par Dempsey et al (précédemment cité) sont visualisées à l'aide de points sur la carte linéaire chromosomique. Les gènes Nm-spécifiques précédemment divulgués sont marqués d'un astérisque. Les deux loci appelés "frp" correspondent aux gènes frpA et frpC. Les locis "pilC" correspondent aux gènes pile1 et pilC2 qui sont des paires de gènes homologues et qui ne sont pas distingués sur la carte. La précision des positions des clones Nm-spécifiques de l'invention dépend des chevauchements des fragments de restriction réactifs.
En moyenne, la position est de +/- 20 kb.
Cette cartographie révèle une distribution non aléatoire des séquences Nm-spécifiques. La majorité des séquences Nm-spécifiques appartiennent à trois groupes distincts. Un de ces groupes (région 1) correspond à la position de gènes relatifs à la capsule précédemment décrits.
On distingue - E109, E138, B230 et B323 comme étant la région 1, - B322, B220, B108, B132, B233, B328, E139, E145 et B101 comme étant la région 2, et - B306, E114, E115, E124, E146, E120, E107, E137 et E142 comme étant la région 3.
63% des séquences identifiées comme spécifiques des méningocoques sont localisées à l'intérieur de ces trois régions distinctes.
Ce regroupement contraste avec la distribution de gènes Nm-spécifiques précédemment divulgués (frpA, frpC porA, opc et la région relative à la capsule).
Cet art antérieur suggérait en effet que les gènes Nm-spécifiques étaient à l'exception des gènes fonctionnellement relatifs à la capsule, dispersés le long du chromosome.
La cartographie des séquences Nm-spécifiques sur le chromosome conduit à un résultat inattendu en regard de l'art antérieur.
La majorité des différences génétiques entre les souches meningoccale et gonococcale testées sont regroupées en trois régions distinctes.
La région 1 regroupe des gènes relatifs à la capsule des meningococci.
La fonction des gènes des autres régions n'est pas connue mais des homologies avec des séquences publiées (tableau 1) suggèrent des similarités entre certains gènes de la région 3 et les protéines transposases et de régulation de bactériophages. Aucun virus meningococcal n'a été caractérisé et il est tentant d'imaginer que ces séquences soient d'origine phagique. De manière intéressante, le génome de H. influenza contient également une séquence homologue à celle de la protéine de régulation Ner du phage Mu mais on ne sait pas s'il s'agit d'un gène fonctionnel.
Le clone B208 présente une forte homologie (48% d'identité, 91% d'homologie pour 33 acides aminés) avec un clone des régions conservées (domaine III) dans la classe des protéines qui se lient aux sidérophores ferriques TonB-dépendants.
La proximité de ce clone avec les gènes Nmspécifiques porA et les gènes régulés par le fer frp, et en particulier la possibilité qu'il s'agisse d'une protéine récepteur Nm-spécifique exposée sur la membrane externe font de lui un bon candidat pour de plus amples recherches.
Le clone B339 correspond à la séquence d'insertion Nm-spécifique IS1106.
La faible homologie entre le clone B134 et la séquence d'insertion d'Aeromonas, ainsi que la présence en copies multiples du clone B134 parmi des souches variées de Nm, suggèrent qu'il pourrait représenter un nouveau type de séquence d'insertion Nm-spécifique.
Le format de la FIFO de demande du contrôleur de mémoire de MSP est montré à la figure 45.
6.3.3 Décodage Adresse Contrôleur Mémoire/Topographie La logique de décodage d'adresse sera principalement responsable de la production de l'Adresse de la Rangée de la SDRAM de 11 bits MA[10:0] et de l'Adresse de la Colonne de 8 bits MA[7:0]. Ces lignes d'adresse seront entraînées directement aux entrées d'adresse des SDRAM [11:0]. Un bit d'adresse de mémoire [11] sera utilisé pour basculer entre des blocs internes de la SDRAM pour une performance et une meilleure utilisation du bus de la Mémoire.
Cette adresse de mémoire sera produite en utilisant des Multiplexeurs programmables qui sont alimentés via des registres indiquant - Grandeur ligne antémémoire système courant - Nombre de blocs internes - Imbrication blocs internes Le décalage de la Ligne de l'Antémémoire du système sera de cinq (5) bits pour une ligne d'antémémoire de 32 octets. La figure 46 montre un format d'adresse de mémoire suggéré, produit à partir de l'adresse du système du Fbus pour des DRAM à 16Mbits.
Cette adresse de mémoire multiplexée sera correcte pour un cycle avec les échantillons de RAS et CAS indiqués par la machine d'état du contrôleur de Mémoire.
MCU a la capacité d'accomplir des écritures de 8 octets sans initialiser une opération de Lecture-Modification Ecriture. Cependant, le Bit [2] de l'adresse de Fbus doit TOUJOURS être zéro, pour l'adresse de départ paire SEULEMENT.
Ce bit est topographié au bit [0] de l'adresse de la SDRAM qui est l'un des trois bits qui indiquent l'adresse de départ comme suit Faddr[4:2] Séquence écriture (BOUCLAGE=8) 000 0-1-2-3-4-5-6-7 010 2-3-4-5-6-7-0-1 100 4-5-6-7-0-1-2-3 110 6-7-0-1-2-3-4-5 Ce sont les séquences supportées par la MCU qui sont toutes les adresses paires de départ.
Toutes les opérations de lecture supposeront xfers de 32 octets et l'adresse de départ devra être (000) - rna[2:01=faddr[4:2].
6.3.4 Machine d'Etat du Contrôleur de Mémoire Le contrôleur de mémoire de MSP aura une machine d'état de contrôleur maître . Cette machine d'état sera responsable de la production de toute la temporisation pour les signaux de Contrôle de la SDRAM (RAS/CAS/WE/CS/DQM). La machine d'état surveillera constamment la FIFO de demande pour une entrée correcte à l'Entrée 0. Quand un bit correct est détecté ; la machine d'état fait débuter la séquence de la SDRAM. Elle surveillera également le signal Page~hit du comparateur de pages pour déterminer si le précharge de RAS est nécessaire.
La précharge de RAS sera accomplie sur le bloc courant actif/ouvert. Une séquence manuelle de précharge comprend la revendication de CS, RAS, WE et MA[10] à l'état actif qui est zéro. Le bit de sélection de bloc interne MA [11] sera utilisé pour sélectionner le bloc pour la Précharge. Pour les cas de lecture : l'ordre de Précharge sera revendiqué après avoir reçu la donnée de la SDRAM pour éviter une corruption de la donnée. Pour les cas d'écriture : la Précharge sera émise après avoir écrit le dernier bit de données dans la mémoire. Quand l'ordre de précharge est terminé, ce bloc particulier est à un état d'inactivité, prêt à l'opération de mémoire suivante. Selon les spécification de la SDRAM, l'ordre de précharge peut être émis en tout moment après avoir satisfait tRAS (min) (dans ce cas, c'est 60ns).
*Cependant, du fait de notre longueur de bouclage de quatre (4), la machine d'état du contrôleur de mémoire C mettra un ordre de précharge APRES lecture/écriture de la donnée vers la mémoire.
Ce qui suit indique les paramètres de la SDRAM utilisés avec le contrôleur de mémoire de MSP.
TABLEAU 17: PARAMETRES DE SDRAM
DRAM tRAS tRRD tCCD tRCD tCAC tRP 80 MHZ 6 cycles 2 cycles 1 CyCle 2 cycles 3 cycles 3 cycles (12,5ns) 75ns CAS Laten.
-10 Partie 83 MHZ 6 cycles 2 cycles 1 cycle 2 cycles 3 cycles 3 cycles (12ns) CAS Laten.
-12 Partie * tRAS pourrait être utilisé en tant que 5 cycles pour obtenir le temps d'accès RANGEE de 60ns des DRAM synchrones. Veuillez vous référer aux diagrammes des temps du contrôleur de mémoire.
6.3.4.1 Diagramme Machine d'Etat La figure 47 est un diagramme de la machine d'état RAS/CAS du contrôleur de mémoire de SDRAM.
Dans ce modèle cependant, le pic ne disparaît pas totalement, même lorsque le taux de cassure croît indéfiniment, puisqu'aucune cassure n'a lieu lorsque tous les fragments restant sont de taille inférieure à LC.
A.3. Intérêt du modèle.
Le modèle précédent a pour intérêt principal de fournir un moyen rapide pour évaluer l'allure probable de l'histogramme des longueurs des fragments de sonde hybridés, de façon à pouvoir interpréter les résultats des observations.
B. Modèle gaussien.
Un modèle un peu plus réaliste consiste en un modèle similaire d'étapes successives de cassure, mais avec une loi de cassure différente de la loi "tout ou rien" du modèle en marche d'escalier. Une façon simple d"'arrondir" cette loi est de remplacer la probabilité précédente par une loi de probabilité de cassure gaussienne: PG (L) = i - e -(L/Lo)2 B.1. Influence de la taille caractéristique sur lthistogramme La figure 6 représente, pour différents taux de cassure, I'allure des histogrammes théoriques obtenus pour des valeurs de taille caractéristique (lu , Lbreak) d' 1, 2, 4 ou 8 fois la taille de la sonde, identiques à ceux utilisés dans la simulation effectuée dans le cadre du modèle en marche d'escalier. De la même façon, plus la taille caractéristique est proche de la taille de la sonde, plus l'histogramme se différencie du pic unique décrit dans la partie 2, la queue de la distribution aux longueurs inférieures à la longueur Le de la sonde prenant de l'importance, jusqu'à pratiquement faire disparaître le pic pour la valeur attendue LC.
B.2. Influence du taux de cassure sur La figure 5 présente, pour différentes tailles caractéristiques, l'évolution de l'histogramme théorique en fonction du taux de cassure, c'est-à-dire le nombre d'étapes de cassure aléatoire (N time steps). Il apparaît naturellement que le pic à la longueur attendue LC diminue lorsque le taux de cassure augmente.
Toutefois ce modèle a un comportement plus réaliste que le précédent, puisque lorsque le taux de cassure croît, le pic correspondant à LC diminue quelle que soit la valeur da la taille caractéristique, pour disparaître complètement lorsque le taux de cassure croît indéfiniment.
B.3. Intérêt du modèle.
Le modèle gaussien, étant plus réaliste, sera celui que nous utiliserons par la suite pour simuler des histogramme de longueurs de fragments de sonde hybridées.
C. Simulation d'une hvbridation sur un point de cassure.
* Pour étudier les conditions de l'applicabilité de notre technique, nous présentons la simulation de trois types de situations caractéristiques de l'hybridation d'un clone sur un point de cassure. Nous prendrons pour exemple le cas d'un BAC (Bacterial Artificial Chromosome) de 125 kb recouvrant un point de cassure impliqué dans une translocation (cfpar exemple schéma 2a (cl)).
Les simulations présentées sur la figure 8d correspondent à une situation où le clone est hybridé sur un ADN génomique normal: dans ces conditions, la plupart des hybridations ont une longueur de LC = 125 kb, mis à part les fragments cassés à cause des manipulations. Nous avons choisi deux valeurs de la taille caractéristique Lg: Lg = 100 ( LC). Le taux de cassure est unique et égal à N = 10.
Ces histogrammes montrent qu'il est possible de distinguer un pic à 125 kb dans la plupart des cas, même assez défavorables comme dans le cas Lg = 100, N = 10.
C.1. Fragments de 35 et 90 kb.
La figure 8a présente les résultats de la simulation d'un histogramme des longueurs de fragments hybridés dans le cas où le BAC de 125 kb s'hybride en deux parties non connexes du génome, de tailles très différentes (35 et 90 kb), comme dans le cas décrit sur le schéma 2a (cl).
Dans les deux cas (Lg = 100, Lg = 200), les deux pics à 35 et 90 kb sont reconnaissables, même si la situation est nettement plus favorable dans le cas où la taille caractéristique est nettement supérieure au plus grand fragment.
Le projecteur comporte un joint 14 en élastomère qui peut être un caoutchouc synthétique, s'étendant à
l'extérieur du dispositif.
La glace présente extérieurement à la jonction entre la paroi 6 et la bordure 8 une gorge profilée 16. Le
joint comprend une base 18 qui s'étend dans cette gorge.
Une face externe 20 de la base, adjacente à la paroi 6, s'étend dans le prolongement de la face externe 7 de la paroi. Ces faces externes 20 et 7 étant apparentes, l'esthétique du projecteur est ainsi améliorée. Une face externe 22 de la base, adjacente à la bordure 8, s'étend
dans le prolongement de la face externe 12 de la bordure.
Le joint comprend en outre une lèvre mince 24 inclinée localement par rapport à la paroi 6. La lèvre s'étend en regard de la face externe 22 de la base et en regard de la face externe 12 de la bordure. La lèvre est localement parallèle à la bordure 8 et s'étend à distance de celle- ci. La lèvre présente une face externe s'étendant dans le prolongement de la face externe 20 de la base. La lèvre s'étend généralement vers l'arrière du dispositif en direction du boîtier. Cette lèvre 24 est suffisamment mince pour être flexible. Le joint s'étend à distance du boîtier. La zone de fixation du joint à la glace, à savoir la gorge, s'étend à distance de la zone de fixation de la glace au boîtier. Le projecteur est fabriqué au moyen d'un procédé
comprenant les étapes suivantes. On moule le boîtier 2.
Puis, on moule la glace 4. On surmoule le joint d'étanchéité 14 sur la glace seule. Ce surmoulage est effectué soit dans le moule de fabrication de la glace si celui-ci est prévu pour pouvoir changer de configuration à cette fin, soit dans un moule spécifique. Le surmoulage du joint est rapide à effectuer et fournit une fixation de
bonne qualité.
Lors du montage du dispositif sur le véhicule, la lèvre 24 vient en appui par sa face externe contre des éléments 26 de carrosserie adjacents au pourtour du dispositif, et se fléchit élastiquement au contact de ceux-ci. La lèvre peut se fléchir sur une amplitude importante. Elle permet de rattraper des jeux de fabrication et de montage faibles ou importants concernant le dispositif ou ces éléments de carrosserie, tout en assurant l'étanchéité à l'air, l'eau et la poussière avec ces éléments de carrosserie. On réduit ainsi les bruits, notamment les sifflements lors du roulement. Le joint, notamment la lèvre, est visible depuis l'extérieur du
véhicule, ce qui permet de réaliser des effets de style.
Dans la variante de réalisation de la figure 2, l'extrémité de la paroi du boîtier en contact avec la glace présente une surépaisseur dans laquelle est ménagée
une gorge 28 ouverte en direction de la bordure.
L'extrémité de la bordure est reçue dans cette gorge et y est fixée par interposition d'une couche de colle 30 entre
la face interne de la gorge et la bordure.
(11) Massart et al. (1993) Mab to bGH potentiate hormonal activity in vivo by enhancing GH binding to hepatic somatogenic receptors > J. Endocrinology 139,383-393.
(12) Mirza et al. A comparison of spleen and Iymph node cells as fusion partners of the raising of Mab after different routes of immunisation.
(1987) J. Immunol. Meth. 105; 235-243.
(13) Renaville et al (1993) Changes in the hypophysial gonadal axis during the onset of puberty in young bulls J. of Reproduction and Fertility 99, 443-449.
(14) Scanes et al. Growth Hormone Chemistry > (1995) Growth Hormone, Ed. Harvey S., ScanesC.G. & Daugahaday W.H., CRC Press, London, pp 1-25.
(15) Sinigaglia et al . (1988) Nature; vol 336, 778-780.
(16) Tans et al (1994) Uptake by rat liver of bGH free or bound to a Mab , Bio Cell 82, 45-49 (17) Wallis et al (1987) . Mab to bGH potentiate effects of the hormone on somatomedin-C levels and growth of hypophysectomised rats.
Boichem. Biophys. Res. Comm.. 149; 187-193.
(18) Wang et al. (1993) PNAS 90 4156-4160.
PRODUITS EPAIS EN ALLIAGE ALZNMGCU A PROPRIETES AMELIOREES Domaine de l'invention L'invention concerne des produits en alliage d'aluminium du type AlZnMgCu (série 7000 selon la désignation de l'Aluminum Association) d'épaisseur supérieure à 60 mm. Ces produits peuvent être des plaques ou des tôles laminées à chaud, des blocs forgés ou des produits filés. Dans le cas où le produit n'est pas de forme parallélépipédique, on entend par épaisseur la plus petite dimension du produit au moment de la trempe (par exemple le diamètre pour un produit cylindrique).
Etat de la Technique.
Des produits épais laminés, forgés ou filés en alliage d'alurinim de la série 7000 sont utilisés pour produire par découpage, surfaçage ou usinage dans la masse des pièces de haute résistance destinées à l'industrie aéronautique, par exemple des éléments de voilure tels que des longerons d'ailes ou des éclisses, ainsi que des éléments de fuselage tels que des cadres, ou des pièces pour la construction mécanique comme des composants de machines-outils ou des moules de matières plastiques.
Ces pièces doivent présenter un ensemble de propriétés souvent contradictoires les unes avec les autres, ce qui oblige à des compromis difficiles dans la définition précise de la composition chimique et de la gamme de transformation des produits utilisés.
En effet, les produits doivent souvent présenter à l'état traité thermiquement à la fois: - une résistance mécanique élevée pour limiter au maximum le poids de métal utilisé, - une tenacité suffisante pour réduire la vitesse de propagation des criques, - une bonne résistance à la fatigue du fait de leur emploi dans des structures soumises à des vibrations ou à des contraintes non constantes dans le temps, - un faible niveau de contraintes résiduelles susceptibles de conduire à des déformations lors de l'usinage de la pièce, - une résistance suffisante à la corrosion sous tension.
De plus, l'alliage doit pouvoir être coulé et transformé dans de bonnes conditions pour conduire à une qualité métallurgique acceptable. La transformation après coulée de la plaque ou de la billette comprend habituellement une homogénéisation, une transformation à chaud par laminage, forgeage ou filage, une mise en solution, une trempe (par exemple par immersion ou pulvérisation à l'aide d'un liquide de trempe), éventuellement un détensionnement par traction à froid ou par compression, une maturation et un revenu.
Le refroidissement au cours de la trempe peut être plus ou moins rapide. On désigne par vitesse de trempe la vitesse moyenne de refroidissement (en "C/s) du produit entre 400 et 280"C. On dit qu'un produit est sensible à la trempe si ses caractéristiques mécaniques décroissent lorsque la vitesse de trempe décroit, ce qui, bien entendu, a plus de chances de se manifester sur des produits épais.
On ajoute, à -25 C et sous argon, une solution de N-iodosuccinimide (92 mg, 0,38 mmol) et d'acide triflique (37,5 pI, 0,38 mmol) dans une solution de 1,2-dichloroéthane et d'éther éthylique 1:1 (22 ml) à un mélange de 25 (451 mg (0,39 mmol) et de 26 (434 mg, 0,31 mmol), (P. Westerduin, et al.