REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence comprenant un substrat en matériau ferroélectrique présentant des propriétés optiques non linéaires d'ordre 2, ledit substrat ayant une surface dite supérieure possédant une modulation de la polarisation ferroélectrique, caractérisé en ce qu'il comprend: - le dépôt d'un matériau (ma) plus absorbant que le matériau ferroélectrique pour un rayonnement dans une gamme de longueurs d'onde Ai, sur la surface supérieure dudit substrat; - le recuit du substrat à une température voisine de la température de Curie du matériau ferroélectrique, dans un four de recuit rapide, muni d'une source lumineuse de longueurs d'onde Ai. 2. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication i, caractérisé en ce que le matériau absorbant (ma) est du silicium. 3. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'échange ionique entre des ions du matériau ferroélectrique et des ions extérieurs, au niveau de la surface du substrat. 4 Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape d'échange ionique est réalisée au travers d'un masque possédant des motifs périodiques. 5. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape d'échange ionique est réalisée sur l'ensemble de la surface du substrat. 6. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dépôt de matériau absorbant est effectué sur l'ensemble de la surface supérieure du substrat. 7. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que le dépôt de matériau absorbant est effectué sur les éléments de la surface supérieure comprenant des ions extérieurs échangés avec des ions du matériau ferroélectrique. 8. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications i à 5, caractérisé en ce que le dépôt de matériau absorbant est effectué de manière périodique. 9. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications i à 8, caractérisé en ce que le recuit rapide du substrat est effectué en plaçant le substrat sur un support constitué d'un matériau absorbant type silicium. 10. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications i à 8, caractérisé en ce que le recuit rapide du substrat est effectué en plaçant le substrat sur un support inerte à la chaleur. 11. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le matériau constitutif du substrat est du LiTaO3. 12. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que le masque au travers duquel est effectué l'échange ionique est en tantale. 13. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que le masque au travers duquel est effectué l'échange ionique est de l'oxyde de tantale. 14. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon l'une des revendications i à i 0, caractérisé en ce que le matériau constitutif du substrat est du LiNbO3. 15. Procédé de réalisation de convertisseur de fréquence selon les revendications 8 et 14, caractérisé en ce que le matériau absorbant (ma) est du titane.