INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les travaux antérieurs concernant le RA-Huss3, le RA-MuB3 et le RA-BoB3 ont montré que le récepteur ss3- adrénergique intervient dans les maladies telles que le diabète et/ou l'obésité ; il est préférentiellement exprimé dans le tissu adipeux qui joue un rôle important dans le métabolisme.
Le procédé selon l'invention consiste donc à soumettre la matière organique, animale ou végétale, inerte ou vive, à traiter,à l'action d'un courant haché dont la fréquence peut varier de manière avantageuse dans la plage 5 - 40 KHz.
Toute haute fréquence restant bien évidemment possible.
La matière à traiter est placée dans un bain d'eau désionisée côté électrode reliée au p6le négatif du courant haché si l'on désire extraire les ions négatifs (les plus indésirables) qui vont être piégés par le bain.
Pour d'autres applications, la matière organique pourrait être placée sur l'autre électrode.
Le courant, dans la réalisation préférée de l'invention, a une valeur de 220 Volts. Toute autre valeur est bien évidemment possible.
Les électrodes peuvent être réalisées en fil d'acier inoxydable.
Selon la densité des produits à traiter, la durée de l'électrophorèse peut varier de 1/2 à 2 heures.
Pour accroître l'efficacité du procédé, un courant continu peut être superposé au courant haché de base.
La matière obtenue par électrophorèse peut être séchée (à une température inférieure à 500C) puis broyée pour une meilleure utilisation et conservation.
Les utilisations du produit obtenu sont les suivantes 1) Support d'engrais pour cultures Les éléments traités (fruits, légumes ou autres produits végétaux) peuvent être utilisés mélangés à d'autres éléments, organiques ou minéraux, avec comme résultats une diminution des quantités normalement utilisées ainsi qu'une amélioration simultanée de la qualité des sols et des propriétés biologiques des végétaux (plantes ou arbres) traités.
2) Cette méthode de purification est applicable directement aux semences avec les mêmes résultats que l'application des engrais (ci-avant) sur les végétaux.
3) Alimentation animale Les produits traités (fruits, légumes ou autres produits végétaux) peuvent être utilisés en très faibles quantités pour l'alimentation animale en complément ou associés à d'autres éléments organiques ou minéraux. Les produits traités peuvent aussi être consommés directement lors qu'ils sont comestibles.
4) Alimentation humaine : I1 en est de même pour l'alimentation humaine.
5) Traitement d'organismes vivants : moyennant les précautions nécessaires concernant l'usage d'appareils électriques sur des êtres vivants.
Le principe exposé permet d'envisager leur purification par drainage avec augmentation de leur potentiel vital.
Une très faible quantité de produit (de l'ordre du gramme) peut suffire pour donner l'énergie nécessaire et permettre d'éliminer tous les déchets nuisibles pour l'homme.
Les matériaux métalliques qui représentent le meilleur compromis tant du point de vue électronique que du point de vue technologique pour la réalisation des zones de source et de drain sont le tungstène, le nitrure de titane et le titane.
Dans un mode de mise en oeuvre non illustré, on réalise des diodes Schottky en .utilisant par exemple du platine, de l'or ou du palladium du côté n et du titane ou de l'aluminium du côté p.
On obtient ainsi un transistor de type MOS incluant une structure de type métal-isolantsemiconducteur lorsqu'on va de la source au canal du transistor ou du drain à ce canal, l'isolant de cette structure autorisant un effet tunnel.
La région du canal n'est accessible que par franchissement de la barrière-tunnel par les porteurs de charges fournis par la source du transistor.
En revenant aux figures 7 et 8, le canal 95 du transistor peut être un volume légèrement ouvert sur le substrat (figure 7) ou un volume fermé si ce canal a une faible longueur, ne dépassant pas 10 nm environ (figure 8).
Dans le cas de la figure 7, il est possible d'évacuer les courants parasites de substrat et d'obtenir une structure de type SOI sous les zones de source et de drain à volume faiblement déplété.
Dans le cas de la figure 8, on peut considérer la structure obtenue comme un transistor de type MOS sur SOI fortement déplété.
Il est à noter que, dans le cas de la figure 7, le canal du transistor peut être polarisé par l'intermédiaire du substrat.
La commande de la tension de blocage par le substrat se fait comme dans un transistor MOS classique.
On précise que, dans le cas de la figure 7, la longueur du canal est supérieure à environ 10 nm.
Dans le cas de la figure 8, on obtient un puits quantique dans la région du canal du transistor.
Ce puits quantique permet un piégeage coulombien des porteurs de charges par confinement.
On est ainsi capable de fabriquer, dans des structures de petite taille, des transistors MOS à mono-porteur (mono-électron ou mono-trou).
On décrit maintenant un autre procédé conforme à l'invention, permettant d'obtenir un transistor MOS dont la structure est de type SOI, en faisant référence aux figures 10 à 14.
La structure de ce transistor conforme à l'invention est à comparer à la structure du transistor schématiquement représenté sur la figure 2 déjà décrite.
Cet autre procédé de fabrication est identique au procédé conforme à l'invention, permettant d'obtenir un transistor MOS sur un substrat semiconducteur massif (figures 3 à 9) excepté en ce qui concerne la réalisation de l'isolation de la source et du drain qui n'est pas nécessaire dans le cas présent.
En effet, cette isolation est réalisée de manière naturelle par l'oxyde de silicium enterré de la structure de type SOI.
Comme le montre la figure 10, on commence par fabriquer de manière connue une telle structure de type SOI, comprenant un substrat en silicium monocristallin 100 sur lequel est formée une couche épaisse de silice 102 enterrée, elle-même surmontée d'une couche de silicium monocristallin 104, de type p dans l'exemple représenté.
Sur cette structure, on forme de façon connue la zone de grille 71 précédemment décrite en faisant référence à la figure 3.
On forme également, comme on l'a vu plus haut, les zones d'isolation de champ 60 et 62 de part et d'autre de la zone de grille 71 par exemple par la méthode LOCOS.
On forme ensuite (figure 11) des évidements 110 et 112 dans la couche 104 ces évidements s'étendant jusqu'à la couche 102.
L'évidement 110 est compris entre la zone 60 et la zone de grille 71 et l'évidement 112 est compris entre cette dernière et la zone 62.
Entre ces deux évidements 110 et 112, il subsiste une zone 114 de silicium monocristallin destiné à contenir le canal du transistor que l'on fabrique.
Comme précédemment, les évidements peuvent être formés par gravure isotrope du silicium Ils peuvent aussi être formés en faisant d'abord une implantation p+ dans les zones 106 et 108 de la couche de silicium 104 (ces zones étant les homologues des zones 67 et 69 de la figure 3),au moyen d'un faisceau 105 d'ions appropriés, le substrat étant incliné et mis en rotation pendant cette implantation, comme on l'a vu plus haut.
Un recuit d'implantation est ensuite effectué, après quoi on élimine l'oxyde résiduel de source et de drain.
Ensuite on réalise une gravure sélective des zones de silicium dopées p Comme le montre la figure 12, on forme ensuite sur les flancs 110a et 112a des évidements 110 et 112, flancs qui sont situés sous la couche 52 d'oxyde de grille, des couches très minces 116 et 118, d'une épaisseur de l'ordre de 1 nm par exemple.
Ces couches peuvent être en nitrure de silicium et sont alors formées par nitruration thermique rapide de la zone de silicium 14.
Elles peuvent également être en silice et sont alors formées par oxydation rapide de la zone de silicium 114.
Ces couches très minces 116 et 118 sont les homologues des parties des couches 74 et 76 de la figure 5 restant sur les flancs des évidements.
On voit également sur la figure 12 des couches de très faibles dimensions 120 et 122 qui sont formées dans le silicium, respectivement du côté des zones d'isolation de champ 60 et 62.
La figure 13 est une vue agrandie de la zone de canal 114 du transistor que l'on est en train de former.
Cette zone de canal 114 est séparée des évidements 110 et 112, qui sont prévus pour recevoir les zone de source et de drain, par les couches isolantes très minces 116 et 118.
Exemples d'utilisation s Perçage d'un trou perpendiculaire à une surface horizontale (plancher ou plafond par exemple).
Le dispositif en place sur la perceuse, l'utilisateur positionne le repère du support du niveau en face de 00 du cylindre gradué et bloque le support du niveau.
La perceuse est alors pr8te pour le perçage qui se fait en maintenant le plus possible la bulle au centre du niveau.
Perçage d'un trou perpendiculaire à une surface verticale (mur par exemple).
le dispositif en place sur la perceuse, l'utilisateur positionne le repère du support du niveau en face de 900 du cylindre gradué et bloque le support du niveau.
La perceuse est alors prête pour le perçage qui se fait en maintenant le plus possible la bulle au centre du niveau.
Ta perceuse se trouve dans un plan horizontal. la vision stéréoscopique de l'utilisateur permet à celui-ci de maintenir la perceuse perpendiculairement au mur, dans ce plan horizontal.
- Perçage d'un trou incline d'un angle o( par rapport à une perpendiculaire à une surface horizontale ou verticale.
Le dispositif en place sur la perceuse, l'utilisateur positionne le repère du support du niveau en face de cZ ou 900 - o( du cylindre gradué et bloque le support du niveau.
La perceuse est alors prête pour le perçage. On est ramené au cas précèdent.
- Perçage d'un trou incliné d'un angle o < par rapport à une perpendiculaire à une surface inclinée d'un angle p (cas géneural) par rapport à l'horizontale.
Avant mise en place du dispositif sur le nez de la perceuse, on applique la face de référence de celui-ci sur la surface à percer, autour du centre du futur trou.
Par rotation du support du niveau et de la face de référence autour du point à percer, l'utilisateur positionne la bulle au centre du niveau. Les deux repères de la face de référence se trouvent alors sur la ligne de plus grande pente de la slll- face à percer. L'utilisateur matérialise alors cette ligne de plus grande pente par tracé, l'angle ss est affiché sur le cylindre gradué.
nans le cas ou o( = Oo (cas le plus fréquent) l'utilisateur bloque alors le support du niveau et fixe le dispositif ainsi réglé sur le nez de la perceuse; le perçage se fait en maintenant les repères de la surface de réference sensiblement dans la ligne de plus grande pente et la bulle au centre du niveau.
Pour o( quelconque, l'utilisateur doit d'abord effectuer un calcul faisant intervenir l'angle d'inclinaison du plan lu sur le dispositif et l'angle o( - . Selon les cas, cela peut être p + < ou 13 - oC . L'utilisateur bloque alors le support niveau et fixe le dispositif ainsi réglé sur le nez de la perceuse; on est ramené au cas précédent.
Les dessins annexés illustrent l'invention du modèle universel.
- En ce qui concerne les 12 cibles de catégorie 3, aucune n'a dû être arrêtée en cours d'utilisation, et, en moyenne, moins de 5% des substrats métallisés ont dû être rebutés pour présence abondante de particules.
- Enfin, en ce qui concerne les 5 cibles des catégories 4 ou 5, aucune n'a donné lieu à problèmes, et la proportion de substrats métallisés qui ont dû être rebutés pour présence abondante de particules a été en moyenne inférieure à 2%.
On a pu noter par ailleurs que les mesures de teneur en inclusions pratiquées sur des tranches adjacentes aux lopins dont étaient issues les cibles de catégorie 3, 4 et 5, montraient une teneur pondérale inférieure à 5 milligrammes d'inclusions par kilogramme de métal pour toutes ces cibles.
En revanche, plusieurs des cibles, des catégories 1 et 2 précédentes, obtenues également à partir de tels lopins, et présentant donc des teneurs similaires en inclusions, apportaient la confirmation qu'une faible teneur en inclusion était sans doute une condition nécessaire mais en aucun cas suffisante pour obtenir un faible taux de redéposition des particules.
AUTRES EXEMPLES D'APPLICATION A) ALUAGE D'ALUMINIUM A 1% DE SIUCIUM Sur des lots existants de cibles de pulvérisation cathodique provenant de différentes coulées et réalisées en un même alliage d'aluminium de très haute pureté, supérieure à 99,999%, comportant des additions de 1% en poids de silicium, on a pratiqué un contrôle par ultrasons à haute fréquence (15 Mégahertz), en immersion et on a sélectionné: d'une part un premier lot de 5 cibles comportant moins de 0,1 décohésion de taille équivalente supérieure à 0,1 mm, par centimètre cube de métal, et aucun défaut supérieur à 0,7 mm d'autre part un deuxième lot de 5 cibles comportant plus de 2 décohésions de taille équivalente supérieure à 0,1 mm, par centimètre cube de métal, sans qu'aucun de ces défauts ne dépasse une taille équivalente supérieure à 0,7 mm.
Les cibles ainsi sélectionnées en fonction de leur densité de défauts de taille comprise entre 0,1 mm et 0,7 mm, ont été utilisées à titre expérimental, en alternance, dans une même machine de pulvérisation cathodique, pour métalliser une série de substrats semi-conducteurs de diamètre 6 pouces (environ 150 mm), avec une épaisseur d'aluminium déposée de îpm.
Chaque cible a donc été utilisée pour métalliser plusieurs dizaines de substrats consécutifs.
On a ensuite trié ces substrats sur la base des critères utilisés pour la gravure de circuits intégrés de type Mémoire DRAM 16 Mégabits, avec une finesse de gravure de 0,35 pm.
On a alors constaté que plus de 95% des substrats métallisés à partir de cibles comportant une très faible densité de décohésions supérieure à 0,1 mm, étaient jugés convenables pour cette application selon ces critères concernant la présence ou l'absence de particules déposées.
Par contre, plus de 20% des substrats métallisés à partir de cibles comportant une forte densité de décohésions supérieure à 0,1 mm, mais inférieure à 0,7 mm, ont été jugées inacceptables pour cette application, selon ces mêmes critères.
S) ALUAGES D'ALUMINIUM A 0,5% DE CUIVRE Après utilisation dans un appareil de métallisation de substrats semi conducteurs à très grande densité d'intégration, on a sélectionné des cibles, partiellement usagées (profondeur d'érosion de l'ordre de 5 mm) en alliage binaire Al + 0,5 % Cu, ayant donné des taux élevés de redéposition de particules solides ou liquides sur les substrats ainsi métallisés, ces taux élevés de redéposition ayant conduit au rebut de plus de 10 % de ces substrats.
Ces cibles partiellement usagées ont, dans un premier temps, été séparées de leurs plaques-supports en cuivre, puis réusinées par un outil diamant, à sec (sans lubrifiant d'usinage), de façon à éliminer leur partie superficielle éventuellement oxydée ou polluée.
Ces cibles ainsi réusinées ont été ensuite soumises à un examen par ultrasons, d'abord dans une bande de fréquence large 10 à 25 Mhz centrée ensuite sur 15 Mhz et permettant de détecter et compter les défauts de diamètre supérieur ou égal à 0,4 fois celui d'un trou à fond plat étalon de diamètre 0,1 mm.
On a alors constaté que toutes ces cibles ainsi réusinées, issues de cibles défectueuses, contenaient une densité de défaut supérieure à 1 défaut de taille équivalente supérieure à 0,04 mm, par centimètre cube de métal inspecté.
Par contre, pour cet alliage à faible intervalle de solidification, et de façon curieuse, il n'y avait que 2 cibles sur 4 qui contenaient plus de 0,05 défaut de taille équivalente supérieure à 0,1 mm par centimètre cube de métal inspecté.
Chaque cible ainsi inspectée a alors été resciée diamétralement, de façon à obtenir 2 demi-cibles semi-circulaires.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels - la figure 1 est une vue latérale d'une porte à vitre coulissante selon l'invention et - les figures 2 à 6 sont des vues en coupe le long des lignes II-II à VI-VI de la figure 1.
La figure 1 montre une porte latérale de véhicule automobile, qui comprend une vitre arrière fixe 1 et une vitre avant 2 qui est mobile par coulissement horizontal entre une position avant de fermeture de la baie et une position arrière d'ouverture représentée en traits mixtes sur cette figure.
La vitre mobile 2 est guidée au niveau de son bord inférieur rectiligne horizontal par deux coulisseaux 4, 5 qui sont disposés près des extrémités respectivement avant et arrière et fixées sur la vitre par exemple par collage. Ces coulisseaux assurent le coulissement de la vitre dans un joint J sur porte qui assure l'étanchéité.
La présente invention prévoit aussi un guidage de la vitre au niveau de son bord supérieur 7 bien que celui-ci soit incliné sur pratiquement toute sa longueur par rapport au bord horizontal inférieur, en fonction de l'encadrement supérieur de porte 8 qui suit l'arc du pavillon du véhicule.
Pour ce guidage du bord supérieur 7, l'invention prévoit d'utiliser d'un montant vertical 9 qui délimite la vitre fixe et qui est adjacent au bord vertical avant la de la vitre fixe 1. Ce montant est réalisé sous forme d'un élément profilé qui délimite une glissière longitudinale 9' dans laquelle s'engage de façon verticalement coulissante une partie en forme d'un pion ou galet 12 d'un organe 13 qui comprend une deuxième partie 14 engagée de façon coulissante dans une glissière courbe 15 qui est fixée sur la face interne de la vitre mobile 2 et s'étend à partir du bord arrière 10 de cette vitre le long du bord supérieur 7 sur une longueur correspondant à la distance du déplacement de la vitre 2, comme le montre la figure 1. L'organe 13, grâce à son engagement simultané dans le montant vertical 9 et dans la glissière 15, assure le guidage et le maintien supérieur de la vitre mobile 2 tout en autorisant, grâce aux deux degrés de liberté, le déplacement longitudinal de celle-ci.
En effet, en position ouverte, la vitre est maintenue dans le plan vertical et transversal en 3 points, à savoir par les coulisseaux 4 et 5 et l'organe 13. Dans sa position fermée, en plus de ces trois points, la vitre est maintenue dans le joint/coulisse d'étanchéité 17 de l'encadrement de porte, comme on le voit sur les figures 2 et 3.
Le montant vertical 9 sert en outre au scellement étanche de la vitre arrière fixe 1 au moyen d'un joint 18 visible sur la figure 6 et est utilisé pour le guidage/maintien supérieur et l'étanchéité arrière de la vitre mobile 2. L'étanchéité est assurée par l'appui en 19 sur le joint comme le montre clairement la figure 6.
Pour la commande d'ouverture et de verrouillage, on peut prévoir un ergot de préhension tel que représenté en 21 sur l'intérieur de la vitre mobile 2, qui pourrait coopérer avec une règle crantée (non représentée) fixée sur la porte dans la zone a) pour permettre le déplacement et le blocage de la vitre.
CARROSSERIE DE VEXIICULE AUTOMOBILE COMPORTANT UNE PORTE A DEUX BATTANTS ARTICULES L'invention concerne une carrosserie de véhicule automobile comportant une porte à deux battants articulés qui recouvrent d'une part de rextérieur, une ouverture correspondante de la carrosserie, et d'autre part, par leur partie supérieure, une gouttière d'évacuation des eaux de ruissellement localisée le long d'un côté du toit du véhicule.
L'invention concerne plus particulièrement une telle carrosserie qui possède une porte à deux battants articulés, dont les bords verticaux mobiles sont adjacents en position de fermeture et dont rouverture permet raccès à une surface de chargement du véhicule.
On a constaté un contact de frottement local au cours du mouvement de rotation du coin supérieur du premier battant par rapport au deuxième battant, lorsque ceux-ci sont proches de leur position de fermeture. Un tel contact de frottement génère une détérioration locale des revêtements protecteurs des battants.
Pour remédier à cet inconvénient une technique connue consiste à réaliser une bordure étagée raccordée à la surface extérieure du battant à proximité de son coin supérieur mobile.
Au cours du mouvement de fermeture de rautre battant, le coin supérieur de ce dernier est alors superposé à ladite bordure étagée et évite le contact mutuel des deux battants.
On constate néanmoins qu'un contact de frottement accidentel subsiste au cours de la manoeuvre simultanée des deux battants.
L'invention a pour objet de remédier à l'inconvénient précité.
Selon rinvention le bord supérieur du premier battant est accolé à une butée d'écartement solidaire d'un bord de montage du deuxième battant, et ladite butée est mise en appui sur une protubérance de blocage portée par le premier battant, dans le but d'éviter la manoeuvre et la mise en contact desdits battants au voisinage de rouverture de la carrosserie.
Figure lb: Histogrammes idéaux des longueurs de clones hybridés correspondant aux situations précédentes. Dans tous les cas (un ou deux pics), la situation est clairement distinguable de celle du clone entier (a).
Les histogrammes de cette figure correspondent aux signaux de l'allèle anormal et sont donc obtenus après soustraction de la contribution due à l'allèle normal, figurée en (a), des histogrammes bruts, représentés sur la figure lc. En abscisse figure la taille des fragments hybridés, I'échelle (arbitraire) reprenant celle de la figure la. En ordonnée figure le nombre de fragments observés, en unité arbitraire, seules important les proportions entre les différentes populations.
Figure 1 c: Histogrammes idéaux des longueurs de clones hybridés correspondant aux situations précédentes et tenant compte de l'allèle normal. La contribution de l'allèle normal est représentée par le pic correspondant à la position du cas normal représenté en (a). Lorsque l'allèle anormal contribue à augmenter la valeur de ce pic (cas (d3)), la contribution de l'allèle normal peut être en général estimée équivalente à la valeur d'un pic anormal.
Figure 2a: Illustration du cas d'un clone chevauchant partiellement le gène recherché.
(ci) et (c2) translocation(s) d'une partie du gène. Une autre situation, correspondant au cas (c2) du schéma 1 a n'a pas été représentée, où la partie transloquée est entièrement comprise dans le clone.
Figure 2b: Histogrammes idéaux des longueurs de clones hybridés correspondant aux situations précédentes. Dans tous les cas (un ou deux pics), la situation est clairement distinguable de celle du clone entier (a).
Les histogrammes de cette figure correspondent aux signaux de l'allèle anormal et sont donc obtenus après soustraction de la contribution due à l'allèle normal, figurée en (a), des histogrammes bruts, représentés sur la figure 2c. En abscisse figure la taille des fragments hybridés, I'échelle (arbitraire) reprenant celle de la figure 2a. En ordonnée figure le nombre de fragments observés, en unité arbitraire, seules importent les proportions entre les différentes populations.
Figure 2c: Histogrammes idéaux des longueurs de clones hybridés correspondant aux situations précédentes et tenant .compte de l'allèle normal. La contribution de l'allèle normal est représentée par le pic correspondant à la position du cas normal représenté en (a). Lorsque l'allèle anormal contribue à augmenter la valeur de ce pic (cas (d4) et (d5)), la contribution de l'allèle normal peut être en général estimée équivalente à la valeur d'un pic anormal.