INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon l'invention, l'inclinaison de la surface limite de réfraction de l'échelon de lentille de Fresnel ou de la surface de réflexion totale de l'échelon de prisme qui correspond au point de réfraction sur la surface de sortie de la lentille est déterminée de façon à se conformer à la forme courbe de la surface de sortie, c'est à dire de façon que les rayons réfractés par la surface limite de réfraction de 1' échelon de lentille de Fresnel ou totalement réfléchis par la surface de réflexion totale de 1 'échelon de prisme sont réfractes par la surface de sortie pour devenir des rayons parallèles.
Il en résulte qu 'on peut éviter une irrégularité dans la distribution de brillance qui serait autrement provoquée par une lumière non commandée avec précision. De plus, les échelons de lentille de Fresnel et les échelons de prisme peuvent être dessinés selon la procédure qui est evidente en termes de propriétés optiques.
Une lentille pour une lampe et un procédé de fabrication d'une matrice pour celle-ci selon la présente invention sont décrits ci-apres à titre de mode de réalisation accompagné des dessins.
La Figure 1 illustre une action de refraction des échelons de lentille de Fresnel 7,7... ,où un rayon lumineux est réfracté deux fois tandis qu'il passe à travers un échelon de lentille. Le numéro de référence 9 denote une courbe qui représente la surface de sortie 6 de la lentille intérieure 5, et est une ligne en coupe transversale obtenue lorsque la surface de sortie 6 est coupée par un plan horizontal contenant l'axe optique. Cette ligne est d'abord donnée comme une forme se conformant à la forme du corps du véhicule. Une ligne pointillée Lf en Figure 1 indique une trajectoire lumineuse. Un vecteur V~IN est un vecteur de direction d'un rayon incident, et un vecteur V est un vecteur de direction d'un rayon réfracté.
Le caractère de référence A dénote une ligne droite représentant une surface limite S de réfraction.
Un vecteur N~IN est un vecteur normal de la surface limite S au niveau d'un point incident PI.
A partir de ces diagrammes, on peut évaluer: - d'une part, le ratio R(O) des phases 8/6 + y en faisant le rapport des hauteurs de raies avec #s(0) et I7S(ss) + It ) étant, respectivement, mesurés à d = 2,31 A et à d = 1,98 A, le ratio R reflétant la proprotion de phase O stabilisée par rapport aux phases ss et ~y résiduelles, ainsi que le montre la fig. 2 établie pour un mélange de phases O + ~, - et, d'autre part, la quantité de phase a qui est mesurée par étalonnage externe en déterminant la hauteur de la raie Igloo (or) à d = 2,09 A).
La surface spécifique, notée SSp, des poudres obtenues a été déterminée par la méthode BET à l'aide de l'appareil "Flowsorb Il 2300" commercialisé par la Société MICROMERITICS.
La répartition granulométrique a été déterminée à l'aide d'un analyseur centrifuge de marque "Horiba type Capa 500" après dispersion par ultrasons de la poudre dans un mélange eau + hexamétaphosphate de sodium à 0,2 % en poids.
Elle est représentée par - une valeur notée Dso qui représente la taille moyenne des grains, - une valeur notée dD = D80 - D20 qui représente la différence entre la taille maximum de 80 % des grains et celle de 20 % (les pourcentages étant exprimés en poids cumulé).
2- RÉSULTATS.
2.1 SYNTHÈSE DE L'ALUMINE O PAR DOPAGE AU MOLYBDÈNE / INFLUENCE DE L'EAU (ESSAIS 1 À 6): Les mélanges d'alun + heptamolybdate d'ammonium (Mo) sont calcinés simultanément dans des creusets en alumine, à raison de 40 g de mélange par creuset.
Les conditions et les résultats des essais 1 à 6 sont donnés dans le tableau 1 ci-dessous.
M9 Ajout B SSp Se = ~ oe ESSAIS T T/ C / ~ (at%) -d'eau (m2gl) Urnrf ( m) R(#) 1 (%) 1125 3 0,0 0,0 120 0,70 0,0 0 2 1125 3 1,0 0,0 20 0,29 1.8 3 3 1125 3 1,0 12,5 25 0,17 2,3 0 4 1125 3 1,0 25,0 25 0,17 2,2 1 5 1125 3 1,0 37,4 22 0,20 2,5 1 6 6 1125 3 1,0 0,0 19 0,29 1,6 5 La fig. 3 annexée montre les diagrammes de diffraction X obtenus pour les essais 1, 2 et 3.
La quantité de molybdène (Mo) s'entend comme la fraction cationique nombre d'atomes de molybdène/nombre d'atomes d'aluminium, exprimée en %.
Ces essais 1 à 6 font apparaître l'effet positif de stabilisation de la phase 8 par le procédé selon l'invention, augmentation de R(O) de 0 à 1,6-1,8 (essais 1, 2 et 6), ainsi que l'incidence favorable de l'ajout d'eau, lors de la calcination, sur l'augmentation de la pureté en phase O : augmentation de 1,6-1,8 à 2,2-2,5.
2.2 INFLUENCE DE LA TENEUR EN Mo (ESSAIS 7 À 18): Les mélanges d'alun + heptamolybdate d'ammonium sont calcinés simultanément, à chaque température de traitement, dans des creusets en alumine, à raison de 40 g de mélange par creuset.
Les essais 7 à 18, réalisés sans ajout d'eau, ont pour objet d'évaluer l'incidence de la variation du taux d'incorporation de dopant (Mo) dans l'alumine, ainsi que des conditions réactionnelles de température ('T) et de temps de calcination (t).
Le tableau 2 ci-dessous donne les conditions et résultats des essais 7 à 18.
ESSAI T/ C T/h Mo/at% SSp/m2g@ D50/@m R(#) α/% 1 1140 1 0,00 115 0,70 0,0 0 2 1140 1 0,50 90 0,60 0,6 0 3 1140 1 0,70 64 0,49 1,1 1 4 1140 1 0,85 40 0,21 1,0 2 5 1140 1 1,00 23 0,22 1,5 5 6 1140 1 1,15 21 0,26 1,4 2 7 1125 3 0,70 46 0,35 1;;1 4 8 1125 3 0,85 24 0,24 1,4 8 9 1125 3 1,00 19 0,29 1,6 5 10 1125 3 1,15 19 0,28 1,7 1 11 1125 3 1,30 18 0,30 1,8 1 12 1125 3 1,50 16 0,32 1,7 2 13 1110 5 0,70 55 0,39 1,1 4 14 1 110 5 0,85 28 0,14 1,2 2 15 1110 5 1,00 21 0,28 1,7 3 16 1110 5 1,15 20 0,27 1,5 3 17 1110 5 1,30 19 0,29 1,1 2 18 1110 5 1,50 17 0,32 1,3 2 Ces essais montrent que la quantité de phase O stabilisée est fonction de la teneur en dopant et des conditions de traitement. En particulier, on note que la teneur optimale se situe entre 0,85 et 1,3 at % et que les conditions de traitement permettent d'ajuster le meilleur compromis entre taux de conversion en phase Blgranulométrielteneur en phase a.
Aucun des deux voyants orange et rouge 300 n'est alimenté lorsque les moyens de contrôle 200 décèlent un état de batterie satisfaisant.
Le voyant orange seul est alimenté lorsque les moyens de contrôle 200 décèlent une batterie faible.
Enfin, le voyant rouge est alimenté lorsque les moyens de contrôle 200 décèlent un état de batterie très faible conduisant à un risque de non démarrage.
Le dispositif conforme à la présente invention présente tout d'abord l'avantage de permettre de mesurer l'état de la batterie avant toute consommation importante et par conséquent d'éviter de décharger celle-ci pour permettre par exemple d'utiliser au préalable le radio téléphone si nécessaire.
On évite par conséquent ainsi qu'un coup de démarreur ne finisse de décharger une batterie déjà faible.
Le dispositif conforme à la présente invention présente en outre l'avantage d'informer le conducteur pour lui éviter de tirer sur le démarreur si la capacité de la batterie est insuffisante pour permettre un allumage.
Le dispositif conforme à la présente invention permet ainsi d'éviter tout risque d'endommager le démarreur.
On a représenté sur la figure 3 annexée un chronogramme du processus mis en oeuvre par les moyens de contrôle 200 précédemment décrits.
On a schématisé sur la première ligne de la figure 3 ltouverture de la porte conducteur d'un véhicule automobile.
On a schématisé sur la deuxième ligne de la figure 3 la fermeture du contact de porte commandée par l'ouverture de celle-ci.
On a schématisé sur la troisième ligne de la figure 3 le courant de plafonnier initié par la fermeture du contact de porte. et notamment la pointe de courant à l'origine.
On a schématisé sur la quatrième ligne de la figure 3 l'étape de mesure de la tension U1 sous courant nul ou faible par le module 220.
On a schématisé sur la cinquième ligne de la figure 3 l'étape pendant laquelle le module 230 impose un courant, par exemple de 1 OA.
On a schématisé sur la sixième ligne de la figure 3 la mesure de la tension U2 par les moyens 230, sous le courant imposé.
On a schématisé sur la septième ligne de la figure 3 l'étape de calcul de la résistance interne de la batterie à l'aide du module 240 sur la base des tensions U1 et U2 mesurées.
On notera que plus précisément cette résistance interne peut être calculée sur la base de la relation: Ri = (U1 - U2)/I imposée.
A une station de chargement, le dispositif de dépôt 1 comprend en outre une réserve de produit, en particulier un encrier, repérée d'une manière générale par la référence 16, qui est disposée à la partie supérieure de la paroi périphérique 3 du tambour 2.
Cet encrier 16 comprend deux parois longitudinales arrière et avant 17 et 18 ainsi que deux parois radiales d'extrémité 19 et 20, de telle sorte que cet encrier est ouvert vers le haut et que sa face inférieure est constituée par la surface extérieure de la paroi périphérique 3 du tambour 2.
Dans le sens de rotation du tambour 2 indiqué par la flèche 21, la paroi longitudinale arrière 17 de l'encrier 16 est disposée à la partie supérieure du tambour 2 tandis que sa paroi longitudinale avant 18 est disposée plus vers le bas de telle sorte que l'encrier 16 recouvre sensiblement le quart supérieur périphérique du tambour 2, sur au moins la zone longitudinale des orifices traversants 8 de ce dernier.
La paroi longitudinale avant 18 de l'encrier- 16 porte un racleur longitudinal 22 qui est en contact avec la surface extérieure de la paroi périphérique 3 du tambour 2 sur toute la zone des orifices traversants 8 de ce dernier. Un joint d'étanchéité 23 est interposé entre la paroi périphérique 3 du tambour 2 et les autres parois 17, 19 et 20 de l'encrier 16, ce joint étant porté par cet encrier.
Ainsi, l'encrier 16 peut contenir de l'encre 24 dans sa partie inférieure adjacente à sa paroi longitudinale 18 sans que cette encre ne recouvre la partie supérieure de la paroi périphérique 3 du tambour 2 adjacente à sa paroi longitudinale 17.
A une station de nettoyage, le dispositif de dépôt 1 comprend en outre une autre rampe de soufflage en continu 25 qui comprend un bloc 26 fixé sur un support non représenté et qui s'étend en porte-à-faux à l'intérieur du tambour 2, au dessus de la rampe de soufflage 9. Ce bloc présente une surface 27 située à faible distance de la partie supérieure de la paroi périphérique 3 du tambour 2.
Dans le bloc 26 est ménagé un canal 28 qui présente une multiplicité d'orifices de sortie 29a à 29n qui débouchent radialement et vers le haut par la surface 27 et qui sont disposés sur une ligne longitudinale en correspondance aux orifices traversants 8a à 8n du tambour 2 disposé sur une ligne longitudinale, de la même manière que les orifices de sortie 13 de la rampe de soufflage 9. La rampe 25 est disposée sous l'encrier, au voisinage de sa paroi 17.
Le canal 28 de la rampe de soufflage 25 est relié par exemple à la source d'air sous pression 14 au travers d'un clapet 30 par l'intermédiaire d'un conduit 30a.
Le dispositif de dépôt 1 comprend en outre un rouleau presseur 31 à axe parallèle à l'axe du tambour rotatif 2, qui est disposé en dessous du tambour 2 et qui s'étend sur au moins la longueur de la zone longitudinale de la paroi périphérique 3 du tambour 2 dans laquelle sont ménagés les orifices traversants 8. Ce rouleau presseur 31 est porté par des supports 32 par l'intermédiaire de ressorts 33 qui sont tels que le rouleau presseur 31 exerce en direction du tambour 2 une force d'appui déterminée.
En se reportant maintenant à la figure 3, on va décrire l'organe de sélection 13 cité plus haut.
Cet organe de sélection 13 comprend un conduit 34 qui part de la source d'air sous pression 14 et qui se divise en des conduits 35a à 35n qui sont respectivement reliés aux canaux 12a à 12n de la rampe de soufflage 9 par l'intermédiaire de clapets 36a à 36n.
Ces clapets 36a à 36n sont susceptibles d'être sélectivement activés grâce à un circuit électronique de commande 37 qui est également relié au moteur électrique pas-à-pas 7 en vue de sa commande.
Ce circuit électronique de commande 37 est soumis à un circuit électronique de programmation 38 susceptible d'être programmé par un organe de programmation 39 par exemple à clavier.
L'organe de sélection 15 peut être utilisé et fonctionne de la manière suivante.
A l'aide de l'organe de programmation 39, un opérateur construit un programme dans le circuit électronique 38 qui est constitué de succession de groupes d'ordres de commande sélective et parallèle des clapets 36a à 36n.
Le circuit électronique de commande 37 est adapté pour commander le moteur électrique 7 pas-à-pas de telle sorte que ce dernier fasse tourner le tambour 2 pas-à-pas afin qu'il occupe successivement des positions telles que les rangées d'orifices traversants 8a à 8n de sa paroi périphérique 3 viennent successivement en face des orifices de sortie 13a à 13n de la rampe de soufflage 9.
Le passage de l'état ST6 à l'état ST7 est commandé par le signal FRA1 (figure 6i) qui est fourni par le circuit 96.
Le passage de l'état ST7 à l'état STg est commandé par le signal I+ qui est fourni par le circuit 98 et qui indique que le courant I''1 est positif.
Le passage de l'état STg à l'état ST1 est commandé par le signal I qui est fourni par le circuit 98 et qui indique que le courant I''1, de sens positif, devient nul.
Le circuit 98 (figure 9) est un circuit comparateur logique qui fournit, pendant un cycle de commutation complet des transistors, le signal I-, puis une première fois le signal IO, ensuite le signal I+ et enfin de nouveau le signal IO, les deux signaux IO étant différenciés par le signal I ou I+ qui le précède.
Le circuit 96 (figure 8) génère, d'une part, un déphasage temporel al entre les signaux de commande Cdll et Cd21 ou entre les signaux Cdl2 et Cd22 et, d'autre part, un intervalle de temps a2 entre la fin de la conduction de deux diodes D11 et D21 par exemple et le début de la conduction du transistor T12.
Le circuit 96 comprend, notamment, un circuit 82 qui fournit un signal V1 dont la valeur est proportionnelle à la différence E entre le signal de consigne Vc et la tension Vs appliquée au tube à rayons X conformément aux conventions définies ci-dessus.
Le circuit 82 comprend un circuit soustracteur 80 qui soustrait Vs à Vc et un amplificateur 84, dit proportionnel-intégral (PI), qui amplifie et intègre la différence E = Vc - Vs. Cet amplificateur 84 est tel que V1 augmente lorsque la différence E est positive et diminue lorsque la différence E est négative.
Le signal V1 est appliqué à une entrée de deux comparateurs 66 et 68 et à un circuit soustracteur 86.
L'autre entrée de chacun des deux comparateurs 66 et 68 reçoit, respectivement, un signal en dents de scie RA1 d'un circuit 76 et une tension V3 qui sera définie ci-après. Cette tension V3 est aussi appliquée au circuit soustracteur 86 pour se soustraire au signal V1.
Le circuit 76 est un générateur de dents de scie RA1 qui comprend un amplificateur opérationnel OP3 dont une borne d'entrée est connectée à la masse tandis que l'autre borne d'entrée est connectée à une tension de référence Vf par l'intermédiaire d'une résistance R3. Un condensateur C3 connecte la borne de sortie de l'amplificateur OP3 à la résistance R3 et un interrupteur CC3 permet de court-circuiter le condensateur C3. Cet interrupteur est commandé par les signaux des états ST2 et ST6 de manière à être ouverts pendant la durée de ces états ST2 et ST6 et ainsi permettre la charge linéaire du condensateur C3 pour obtenir la dent de scie RA1 (figure 6i).
Le circuit 96 comprend également un deuxième générateur 78 de dents de scie dont les signaux en dents de scie RA2 sont appliqués à une entrée d'un comparateur 70, l'autre entrée recevant un signal de sortie d'un circuit soustracteur 90. Ce circuit soustracteur 90 comporte deux entrées, l'une à laquelle est appliquée une tension V4 qui sera définie ci-après, et l'autre le signal de sortie du circuit soustracteur 86 au travers d'un circuit 88 qui ne transmet que la partie positive du signal à l'entrée.
Le deuxième générateur 78 de dents de scie est similaire au générateur 76 et comprend un amplificateur opérationnel OP4 dont une borne d'entrée est connectée à la masse tandis que l'autre borne d'entrée est connectée à la tension de référence Vf par l'intermédiaire d'une résistance R4. Un condensateur C4 connecte la borne de sortie de l'amplificateur OP4 à la résistance R4 et un interrupteur CC4 permet de court-circuiter le condensateur C4. Cet interrupteur CC4 est commandé par les signaux des états ST1 et STg de manière à être ouvert pendant la durée de ces états ST1 et STg et ainsi permettre la charge linéaire du condensateur C4 pour obtenir la dent de scie RA2 (figure 6j).
Le comparateur 66 fournit un signal FRA1 (figure 6i) lorsque la tension de la dent de scie RA1 devient supérieure à V1 tandis que le comparateur 70 fournit un signal FRA2 (figure 6j) lorsque la tension de la dent de scie RA2 devient supérieure à [V4 - (V1 - V3) ] lorsque la différence (V1 - V3) est positive ou lorsque la dent de scie RA2 devient supérieure à V4 lorsque la différence (V1 - V3) est négative ou nulle.
Le comparateur 68 fournit un signal FRA1 lorsque le signal V1 devient supérieur à la tension V3.
La tension V3 est déterminée par la durée maximum du déphasage a1 et correspond à la tension atteinte par la dent de scie RA1 après u de la figure 7. Dans cet état ST2 (soit T11 conducteur) ou dans l'état ST6 (T12 conducteur), l'interrupteur CC3 et le conducteur C3 se charge de sorte que la tension de sortie de l'amplificateur OP3 est la dent de scie RA1 qui est appliquée au comparateur 66. Lorsque la dent de scie RA1 atteint V1, le comparateur (66) fournit le signal FRA1 qui déclenche le passage du système séquentiel de l'état ST2 à l'état ST3 (ou ST7) et donc la conduction du transistor T21.
Si Vs augmente, (Vc - Vs) diminue ainsi que V1, ce qui a pour effet de diminuer a1 et donc de diminuer la charge par impulsion; Vs diminue jusqu'à ce que (Vc - Vs) = 0, ce qui est l'effet recherché. Cette charge par impulsion diminuera jusqu'à devenir pratiquement nulle pour a1 = 0.
Dans le mutant 7, le résidu glutamine en position 186 est remplacé par un résidu glutamate. Un site de restriction SacI est ainsi crée. De plus, un résidu glutamine en position 199 est remplacé par un résidu leucine. Un site de restriction SpeI est ainsi créé.
Dans le mutant 8, un site de restriction Hpa I est crée au niveau du codon valine en position 190. Un résidu asparagine en position 203 est remplacé par un résidu thréonine, créant ainsi un site de restriction Spe I.
Dans les mutants 9 et 10, un résidu asparagine en position 203 est remplacé par un résidu thréonine, créant ainsi un site de restriction SpeI. De plus dans le mutant 9 un résidu valine en position 217 est remplacé par un résidu leucine. Un site de restriction BglII est ainsi créé.
Les plasmides mutants sont introduits par transformation dans une souche hébergeant pDSPH 524 et la présence de CS31A est recherchée par tests immunologiques sur bactéries entières et sur extraits à 600C après électrophorèse en gel de polyacrylamide dénaturant. Les mutants 8, 9 et 10 produisent CS31A en quantité comparable à la souche témoin hébergeant pPSX83 + pDSPH 524. Le mutant 7 en produit légèrement moins.
La figure 33 est une photographie d'un "Western blot" réalisé à partir d'extraits à 600C concentrés 10 fois et de l'anticorps polyclonal anti CS31A; en 1 : pPSX 83 + pDSPH 524 ; en 2 : mutant 9 + pDSPH 524 ; en 3 : mutant 8 + pDSPH 524 ; en 4 : mutant 7+ pDSPH 524.
a) Introduction des épitopes et expression des protéines recombinantes - Dans le mutant 9 Cinq ADN synthétiques dont 2 codant pour l'épitope C du GET, un pour l'épitope A du GET, un pour l'épitope du rotavirus et le dernier pour l'épitope polio, et ayant des extrémités cohésives SpeI et BglII (figure 27), ont remplacé le fragment SpeI/BglII du mutant 9, générant respectivement les plasmides pGG103, pGP105, pGA102, pR104 et pP101 (figure 34b).
Dans la figure 34 on a indiqué la synthèse (+) ou non (-) de la protéine, la production (+) ou non (-) de la capsule CS31A.
En Western blot ou en dot-blot, les sousunités recombinantes CS31A/épitope sont très bien reconnues par les polyclonaux anti-CS31A quoique plus faiblement pour pGA102 et pR104. De plus, la sous-unité hybride codée par pGA102 a un poids moléculaire plus faible que la sous-unité sauvage. La figure 35 est une photographie d'un "Western blot" réalisé à partir d'extraits concentrés 10 fois de bactéries hébergeant certaines constructions réalisées dans la région V3 et d'un antisérum polyclonal anti-CS31A.
Les bactéries entières hébergant pGG103 ou pGP105+ pDSPH 524 sont reconnues par un anticorps monoclonal dirigé contre lrépltope C du GET.
- Dans le mutant 8 Trois ADN synthétiques, codant l'un pour l'épitope polio, le second pour l'épitope C du GET, et le troisième pour l'épitope FMDV, et ayant des extrémités compatibles HpaI et SpeI (figure 27), a remplacé le fragment de restriction HpaI/SpeI du mutant 8, générant respectivement les plasmides pP688, pGP684 et pF681 (figure 34a).
Les bactéries hébergeant pP688 + pDSPH 524 ou pF 681 + pDSPH 524 sont très faiblement reconnues par les anticorps polyclonaux CS31A. En Western blot, les sous-unités recombinantes sont également reconnues de façon plus faible que la sous unité témoin. Par contre les bactéries hébergeant pGP684 + pDSPH524 sont fortement reconnues par les anticorps polyclonaux anti CS31A et par l'anticorps monoclonal dirigé contre l'épitope C du GET - Dans le mutant 10 Un ADN synthétique de séquence XhoI CT AGC GAC TCG AGC TTC TTT TCG TAC GGT GAG ATT CCT AGT T S D S S F F S Y G E I P S codant pour l'épitope C du GET (S D S S F F S Y G E I P) et ayant des extrémités compatibles SpeI a été inséré dans le site SpeI du mutant 10, générant le plasmide pGC326. Cet ADN synthétique comporte un site unique XhoI du coté 5'.En Western immunoblotting la sous-unité recombinante exprimée par les bactéries hébergeant pGC326 + pDSPH524 est fortement reconnue par les anticorps polyclonaux anti-CS31A et par l'anticorps monoclonal anti-épitope C du GET. La sous-unité hybride codée par pGC326 a un poids moléculaire plus élevé que la sous-unité sauvage en raison de l'addition des douze acides aminés de l'épitope C.
b) Conclusions pour la région V3 Les résultats obtenus concordent bien avec les études immunostructurales. Cette région apparait comme très permissive : 5 épitopes différents ont été introduits dans 2 sites différents de la région V3, conduisant dans tous les les cas à la production de CS3lA, quoique de façon plus faible dans le mutant 8 pour les épitopes polio et FMDV et dans le mutant 9 pour l'épitope A du GET et l'épitope du rotavirus.
De plus cette région est située à l'exterieur de la molécule puisque les épitopes C du GET sont reconnus sur les bactéries recombinantes par les anticorps monoclonaux correspondants. Cette région très tolérante apparait donc comme une région de choix pour l'insertion de polypeptides étrangers devant être présentés à l'extérieur de la molécule. L'introduction de séquences étrangères peut donc être réalisée soit par substitution, à partir des mutants 7, 8 et 9, soit par insertion additionnelle à partir du mutant 10.
3) Manipulation dans la région D A partir des mutants 7, 8 et 9 (figure 32) des substitutions ont été réalisées entre la région V3 (délimitée dans la figure 9 par les acides aminés situés aux positions 186 et 221) et l'acide aminé C-terminale (représénté dans la figure 9 par l'asparagine situé en position 257) de la sous unité ClpG.
a) Dans le mutant 7 L'ADN correspondant au plasmide recombinant du mutant 7, qui contient un site unique SpeI dans la région V3 (figure 32) et un site unique XbaI dans le polylinker du vecteur pSelectl, a été restreint par SpeI et XbaI. Du fait de la compatibilité des extrémités générées par SpeI et XbaI, le plasmide ainsi restreint a pu être recircularisé par la T4 DNA ligase pour donner le plasmide pDSX28. Cette opération a permis d'éliminer les 59 derniers acides aminés C-terminaux de la sousunité ClpG situés dans la figure 9 entre les acides aminés aux positions 198 et 257, et de fusionner à la protéine ClpG une séquence étrangère de 100 acides aminés codés par une partie de 1'ADN du vecteur en phase avec le reste du gène clpG non modifié.