INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les méthodes d'estimation par bloc fournissent un seul vecteur par bloc d'image. Elles sont moins précises que les méthodes de la première famille mais la quantité d'information nécessaire pour représenter le champ des vecteurs déplacement est plus faible. Elles sont donc plutôt reservées à des applications de compression ou de stockage d'images et sont préconisées dans les normes de compression ETSI ETS 300 174, H261 du CCITT et ISO 11172. Très régulières du point de vue processus de calcul, elles ont permis le développement de circuits intégres dédiés tels que le LSI Logic L64720 Motion Estimation Processor ou SGS-THOMSON MICROELECTRONICS STI 3220, lesquels réalisent la fonction estimation de mouvement malgré un nombre important d'opérations de calcul.
Les deux familles de méthodes précitées demandent toutefois un nombre d'opérations très important, la quantité d'opérations augmentant proportionnellement aux dimensions d'une fenêtre de recherche de points respectivement de blocs.
Plusieurs propositions ont été effectuées pour remédier à cet inconvénient.
Une première proposition, faite par JAIN, JAIN déjà cité, consiste à rechercher, dans une technique d'estimation de mouvement par blocs, le vecteur déplacement ou mouvement en plusieurs étapes. Des positions de déplacement écartées les unes des autres sont testées, la recherche étant affinée en plusieurs étapes similaires autour de la position sélectionnée à l'étape précédente. Cette méthode est sous-optimale car elle peut converger vers un vecteur différent du vecteur optimal, en raison de la convergence du critère de sélection du vecteur vers un minimum local.
- la double structure peut être légère (faibles contraintes, facilités à manoeuvrer) en utilisant des matériaux légers et performants.
- les couteaux peuvent être placés à l'arrière des cales (escamotables ou fixes après emboîtement).
Les dessins annexés illustrent I'invention.
La figure 1 représente, vu de côté, le dispositif selon Invention (la forme de la semelle inférieure s'apparente auxnormes classiques du ski de piste).
La figure 2 représente, vue de côté, une variante à ce dispositif (du fait de la semelle inférieure tronquée, il s'équilibre différemment).
La figure 3 représente, vue de dessus, la forme projetée de la semelle élargie, supposée parfaitement adaptée au surf.
La figure 4 représente, vue de côté, une autre variante du dispositif: un ski court, pliable et démontable, très facile à piloter, sans danger pour les débutants, et particulièrement adapté aux champs de bosses et aux fortes pentes (talus).
Les figures 5 et 6 représentent un modèle à géométrie variable issu du dispositif de randonnée: - figure 5: le ski en position descente (la fixation est basse et la semelle supérieure en hauteur).
- figure 6 : le ski en position montée (la fixation, en hauteur, s'articule sous la chaussure et la semelle supérieure chevauche la semelle inférieure).
En référence à ces dessins, le dispositif biplans (1) et (2) comporte une semelle surplombante (4) extérieure à une semelle inférieure (3) et reliée en porte à faux arrière à cette dernière par un jeu de deux cales biseautées (5) incompressibles mais fendues à intervalles réguliers dans le but de les rendre souples. Le plateau supérieur (2), incliné vers l'avant du ski, une fois muni des fixations (6) et des cales (5) se positionne en équilibre au milieu de la chaussure (M) pour le ski de compétition (figure 1) où à l'avant de la fixation articulée pour le ski de randonnée (figures 2-65-6). Le plan supérieur (2) agit comme un bras de levier, sur la partie de la semelle inférieure (3) du plan (1) située à extrémité arrière des cales (5) dont l'arête (7) sert de point d'application du levier (2), formant un pivot amortisseur pour le skieur penché en arrière. L'allégement de la partie avant du ski se produit au profit de la glisse avec suspension arrière, dans la mesure où la semelle inférieure spatulée (8) offre la souplesse nécessaire.
Dans la forme de réalisation selon la figure 2, la semelle (3) est rendue plus rigide et donc plus agressive en remplaçant son talon spatulé (voir 8 figure 1) par une découpe en forme de champ incliné latéral (8) dont l'arête est découpée (14) selon un U (ou double griffe). C'est cette arête qui sera considérée comme deuxième pivot et sur laquelle va reposer ltéquiIibre du skieur modulant freinage et effet surf induits. Un nouvel équilibre se produit alors beaucoup plus stable et acceptable dans le déséquilibre permanent que constitue sa masse en mouvement: voir figure 3 pour les découpes de la semelle élargie à la base du skieur et présentant en (8)-(9) et (10) des arêtes latérales efficaces pour l'accrochage en neiges dures. Les arêtes longitudinales (fig 7A et 7B) sont un peu relevées pour une meilleure pénétration dans le milieu aqueux (semelle légèrement chanfreinée sur les bords (16) qui sert de dépouille latérale incurvée selon un angle a à préciser (de l'ordre de 2 à 5 degrés)). De même, les champs (17) sont inclinés à 10 vers l'intérieur afin d'améliorer la prise de carres. Les carres biseautés (26) ou arrondis (27) sur le dessus forment un angle presque droit avec le chanfrein de la semelle.
Ils sont disposés en retrait (fig 7A) ou saillants (fig 7B) par rapport au profil respectivement arrondi ou incliné de la structure. Cette structure double se compose essentiellement d'un tube applati en son extrémité sur lequel viennent se greffer plusieurs éléments tels que semelles, carres, cales, plateaux mobiles, fixations etc... L'élément supérieur de la structure mobile peut s'articuler sur son tube porteur sans utiliser de cales grace à un positionnement par axe latéral (fig 5 (22)). De même les fixations sont articulées en (21). Enfin la spatule (10) présente une forme aplatie, fine et intégrée.
Les modèles représentés sur les figures (2) et (3) sont prévus pour recevoir une paire de couteaux (11), pour faciliter la marche sur terrains pentus ou gelés, à l'arrière de la chaussure (12), en appui sur les cales (5) et sous le plan supérieur (2).
Un système de clips, facile d'utilisation, achève la mise en place (escamotable).
Selon une variante illustrée sur la figure (4), le plan incliné (2) peut être court, situé très haut (10 cm) et très en arrière du plan de sustentation (1). On obtient un ski porteur particulièrement cabreur et très facile à manipuler en toute sécurité. Le plateau (amovible ou pliable) est suspendu à l'aide de cales caoutchoutées (5), vissées en travers du ski (fig 4).
A titre d'exemple non limitatif, par projection dans le futur, le ski issu de cette recherche sera à double structure tubulaire (1) et (2) fig 5 léger, monocoque de préférence avec des spatules peu marquées (10). De la semelle hydrophobe souple et inrayable faite de matériaux composites électrostatiquement stable et dont la recette n'est pas décrite ici, affleure la carre, elle-même conçue en matériaux composites à base de résine adjuvée à l'aide de céramique en poudre. L'ensemble est relié à la structure à l'aide d'une couche de résine, renforcée de fibres de carbone et d'une couche de polymères armés (24) assurant résistance et souplesse.
Lartique et F. Sibieude, Proceedings IX International Conference CVD, page 583 (1984). SiC14 et SiC13 réagis sent rapidement avec NH3 à la température ambiante, mais on peut éviter l'apparition d'un degré de nucléation élevé en phase gazeuse en travaillant à des pressions inférieures, par l'utilisation de tubes d'alimentation en gaz concentriques, pour minimiser le mélange entre les deux composants réactifs, et par un chauffage très rapide immédiatement avant le dépôt; voir l'article de W. Hanni et H. E.
Hintermann, Proceedings VIII International Conference CVD, page 597 (1981). Ces moyens permettent de déposer des pellicules cohérentes de Si3N4, sans formation de Si(NH)2 ou NH4C1.
On peut déposer aussi bien du Si3N4 amorphe que du OC -Si3N4 cristallin, en fonction des conditions de traitement. A des pressions inférieures et à des températures inférieures à 13000C, il se produit un dépôt de Si3N4 amorphe; voir les articles de K. F. Lartique et F. Sibieude Proceedings IX International Conference CVD, page 583 (1984) et de K. Niihara et T. Hirai, Journal of Material Science, vol. 11, page 604 (1976). A des températures > 14000C, -Si3N4 est la phase préférée. On a cependant montré que la résistance à l'oxydation du Si3N4 amorphe déposé par CVD, à 15500C dans l'air, était au moins trois fois supérieure à celle de la forme cristalline; voir l'article de A. K. Gaind et E. W. Hearn, Journal Electrochemical Society vol. 125, page 139 (1978).
La présence de faibles quantités d'oxygène dans le système provoquera aisément la formation d'oxynitrure de silicium avec des conditions stoechiométriques variables, comme par exemple si on introduit de l'oxygène avec une concentration de 10 à 100 ppm dans de la vapeur d'eau dans laquelle est dilué de l'azote, pendant l'opération de CVD; voir l'article de V.A. Wells et M. V. Hanson, Proceedings VII International Conference CVD, page 190 (1979).On a également obtenu un dépôt d'oxynitrure de silicium dans la réaction de SiH4/NH3/H2 en incluant CO2 ou NO à des tempé ratures dans la plage de 850-10000C; voir les articles de M. J. Rand et J. Roberts, Journal Electrochemical Society, vol. 125, page 139 (1978) et de A. K. Gaind et E. W. Hearn, Journal Electrochemical Society, vol. 120, page 446 (1973).
I1 est généralement souhaitable de former un revêtement extérieur en carbure de silicium sur le revêtement intermédiaire. La formation d' un tel revêtement supérieur est décrite dans l'art antérieur, y compris dans le brevet des E.U.A. n0 4 515 860 précité, et on peut former ce revêtement par CVD.
Les exemples suivants, qui sont donnés pour illustrer de façon plus spécifique certaines des manières selon lesquelles on peut mettre en oeuvre le procédé de l'invention, ne sont pas destinés à limiter la portée des revendications annexées. Ils exemplifient divers modes de réalisation de l'invention. Dans plusieurs des applications proposes ce matériaux revêtus à base de carbone, les articles revêtus seront exposés à des conditions d'environnement dans lesquelles il y a présence d'humidité et d'eau.
En outre, il a été indiqué dans des publications techniques que des systèmes de revêtement contenant du bore ont de moindres performances à des tests d'oxydation si le système est exposé par intermittence à l'eau ou à l'humidité atmos phérique.
On a établi un test de performances particulièrement sévère pour évaluer les performances de résistance à l'oxydation dans des conditions comprenant une immersion intermittente dans de l'eau. On a testé la résistance à ltoxydation en chauffant dans l'air des échantillons de test revêtus, dans un four, et en faisant varier la température de façon cyclique depuis une valeur de base de 6500C, jusqu'à une température comprise entre 12000C et 13750C.
On a pesé les échantillons de test à chaque heure et on a sélectionné pour le point de défaillance un pourcentage de perte de masse donné. Plus précisément, on a placé les échantillons de test dans un four d'oxydation, après quoi on a fait monter progressivement la température jusqu'à 13750C; on a complété le cycle de test en soumettant le composant à des cycles de température répétés entre 500 et 10000C. Après 20 heures de test d'oxydation, on a placé les échantillons revêtus dans de liteau, pendant 30 minutes à la température ambiante1 pour les imbiber. On a ensuite laissé sécher les échantillons à l'air pendant 30 minutes, après quoi on a repris le test d'oxydation. On a continué ce cycle de test jusqu'à ce que les échantillons retirés du four présentent une perte de masse supérieure ou égale à 2%.Dans les exemples ci-après, on définit la durée de vie du revêtement comme étant le nombre d'heures des cycles de test d'oxydation (nécessaires pour satisfaire ce critère de perte de masse).
Le matériau à base de carbone utilisé à titre de matériau de départ pour les exemples ci-après était un substrat bidimensionnel en composite carbone-carbone inactivé fourni par Science Applications International Corporation sous la référence ICC-S1. Chaque échantillon individuel mesurait environ 1,27 cm x 1,90 cm x 0,32 cm.
Exemple 1 On a soumis un lot d'échantillons de test à un traitement d'attaque par l'oxyde de bore et de conversion; on a utilisé une température de 16510C et une pression de 3060 Pa, avec une durée de traitement totale de 32 minutes.
On a ensuite appliqué le revêtement intermédiaire de silicium en traitant le lot d'échantillons de test à 11800C et 34600 Pa pendant 45 minutes par face. On a utilisé les matières premières suivantes : tétrachlorure de silicium avec un débit normalisé de 924 cm3/min, hydrogène avec un 3 débit normalisé de 20000 cm /min et azote avec un débit 3 normalisé de 12500 cm /min. On a appliqué un traitement supplémentaire à ces échantillons de test, en les nitrurant dans une atmosphère réactive à une température de 14000C et une pression de 100 kPa. Le gaz de nitruration, comprenant 1% d'hydrogène dans de l'azote moléculaire, a circulé sur les pièces pendant une durée de 24 heures.
L'analyse par diffraction de rayons X des échantillons de test traités a indiqué la formation de nitrure de silicium en tant que forme cristalline prédominante du nitrure de silicium résultant de l'étape de nitruration. On a ensuite soumis trois échantillons de test de ce lot au test d'oxydation/immersion dans l'eau décrit ci-dessus. On a trouvé une durée de vie moyenne de 27 heures de cycles pour les trois échantillons testés. A titre de comparaison, un échantillon de ce substrat non revêtu a une durée de vie de quelques heures de cycles- seulement.
Exemple 2 On a traité initialement un lot supplémentaire d'échantillons de test en lui appliquant l'opération de dépôt de silicium décrite dans l'Exemple 1. On a ensuite soumis ce lot d'échantillons de test à un traitement thermique à 14500C et 5300 Pa dans un écoulement d'argon ayant un débit normalisé d'environ 12000 cm3/min, pendant 13 minutes. On a ensuite traité ces pièces dans atmosphère de nitruration, en utilisant pour le gaz de nitruration 1% d'hydrogène dans de l'azote moléculaire. On a utilisé les conditions de traitement suivantes : 15000C, 100 kPa et une durée de 24 heures. L'analyse par diffraction de rayons X des pièces traitées a indiqué la formation d'un nitrure de silcium . On a ensuite revêtu ces pièces pour former un revêtement supérieur réfractaire de nitrure de silicium.
On a utilisé les conditions de revêtement suivantes pour le revêtement supérieur réfractaire : 12000C, 530 Pa et une durée de réaction de 60 minutes par face . On a utilisé les substances réactives suivantes pour former les gaz 3 réactifs : ammoniac (débit normalisé de 100 cm /min), té- traméthylsilane (débit normalisé de 50 cm3/min), hydrogène (débit normalisé de 3000 cm3/min) et azote (débit normalisé de 4000 cm /min). Le revêtement supérieur réfractaire appliqué avait une épaisseur d'environ 25 microns et une dureté d'environ 2100 HV. Trois échantillons de test entièrement traités ont été soumis au test d'oxydation/immersion dans l'eau décrit ci-dessus; on a obtenu pour ce lot un nombre moyen d'heures de cycles avant défaillance de 60.
Exemple 3 On a soumis un ensemble supplémentaire d'échantillons en carbone-carbone au traitement thermique à 14500C décrit dans l'Exemple 2. Ensuite, on a formé un revêtement formant un verre, dans un réacteur de CVD, à une température de 14000C et une pression de 20 kPa. On a fait circuler sur les pièces, pendant une durée de traitement de 30 minutes par face, du trichlorure de bore (débit normalisé de 700 cm3/min), du chlorure d'hydrogène (débit normalisé 3 de 700 cm /min), de l'hydrogène (débit normalisé de 1000 cm3/min), et de l'argon (débit normalisé de 5800 cm3/min).
Les particules selon l'invention peuvent être enrobées d'une couche de polymère isolant poreux1 permettant au polymère conducteur sous forme réduite, d'etre maintenu au contact de la résine support.
L'invention a aussi pour objet un procédé d'élaboration desdites particules caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - la fixation d'un amorceur oxydant de polymérisation pour le polymère conducteur, au sein d'une résine cationique macroporeuse, en milieu aqueux; - l'interpénétration du monomère du polymère conducteur, au sein de la résine chargée de l'amorceur oxydant, conduisant à la formation d'une résine chargée, interpénétrée de polymère conducteur chargé.
Lorsque la résine est du polystyrène sulfonate et le monomère du pyrrole, L'amorceur peut avantageusement être FeCI3. Le pyrrole peut être introduit sous forme vapeur.
Le procédé selon l'invention peut être effectué de deux manières conduisant à des produits différents.
En effet si l'amorceur est fixé dans un premier temps au sein de la résine RSO3- en milieu aqueux (RSO3-, H+) en présence de l'amorceur typiquement FeCI3, L'échange suivant a lieu: 3 (RSO3-, H+) + FeCI3 o (3RSO3-, Fe3+) + 3HCls et l'on met ainsi au coeur des particules, les ions Fe3+ susceptibles d'amorcer par la suite la polymérisation oxydative du polypyrrole. On synthétise alors l'entité PPY+CI-, interpénétré à la résine.
Ainsi on obtient un échangeur cationique par SO3-H+ et un échangeur anionique par PPfCl-.
Selon le procédé de l'invention, il est également possible d'inverser la séquence des étapes et introduire en premier lieu le pyrrole au sein de la résine chargée par adsorption puis dans un second temps de mettre l'ensemble en présence de l'amorceur oxydant FeCI3, on obtient alors essentiellement une interpénétration en surface conduisant à un gradient en polymère conducteur depuis le coew des particules jusqu'à leur périphérie.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif.
Les particules conductrices, selon l'invention peuvent avantageusement être élaborées à partir d'une suspension aqueuse de résine échangeuse de cation, de type sulfonate, soit (RSO3-). La mise en contact avec une solution de FeCI3 conduit à l'équilibre d'échange: [RSO3-, H+]R + [Fe3+, 3Cl1s -* [3 (RSO3-), Fe3+]R + 3 [H+, Cl1s l'indice R étant relatif à la résine et l'indice S étant relatif à la solution ces particules échangées par Fe3+ peuvent alors initier la polymérisation du pyrrole à l'intérieur et à la surface des particules dès lors que la taille des pores est d'environ plusieurs centaines d'Angstrbms.
Ainsi en se plaçant en milieu acide, on inverse l'équation d'échange et on permet aux ions Fe3+ de servir d'initiateurs à l'oxydation du pyrrole à leur contact.
Sans équilibrer l'équation d'échange, globalement on a: [3 (RSO3-), Fe3+] R + 3 [H+, CIls + [Pyrrole]s [(RSO3-, H+) 3(RSO3-), Fe3+, (3 PPy+, Cl-) (RSO3-, PPy+)lR + [HCI + FeCI3]s Ce qui signifie qu'au sein de la résine il existe une partie du polypyrrole dopé avec des chlorures et une partie du polypyrrole dopé avec des sulfonates.
ExemDle de réalisation de Darticules de résine sulfonate contenant du polvpvrrole dopé Cl On mélange 200 g de résine Amberlyst 15 avec 2 litres de solution FeCI3 0,1 M.
Le tout est agité pendant une nuit, mécaniquement la résine est ensuite lavée à l'eau jusqu'à ce que les effluents présentent une conductivité de l'ordre de 10 Ps (contre 1 Ps pour l'eau distillée). On vérifie la quantité de fer en la relarguant par HCI (37 %) puis en le précipitant par NaOH (pastilles) en Fe (OH)3 que l'on recueille sur un fritté, puis que l'on pèse.
Le pyrrole sous forme vapeur est introduit au niveau de la résine.
II peut également être introduit sous forme d'une émulsion dans l'eau, stabilisée par un tensio-actif ou sous forme de liquide pur.
Autre exemDle de réalisation Une résine Amberlyst, préalablement séchée, est imbibée de pyrrole pur par immersion dans le liquide pyrrole pur, puis égouttée et transférée dans une solution aqueuse de chlorure ferrique.
Le signal A7 passe à 1 à un instant t21, après un délai du à la constante de temps R2C2 nécessaire pour la charge de C2.
Le capteur fonctionne de nouveau normalement. Sur la figure 7, à'titre d'exemple, le signal Al est passé à 1 à un instant t19, pendant h remise à zéro du capteur par le signal RAZ. Le signal A5 passe à 1 et le signal A6 à zéro à l'instant tl9. Lorsque le signal A7 est passé à 1 à l'instant t21, le front montant d'horloge suivant, à l'instant t22, provoque le passage de Q5 à 1 et le passage de Q6 à 0 pendant une durée Ta. Une impulsion positive de durée Ta apparaît alors en A6, son front montant réinitialisant la durée Ts pendant laquelle les sorties Q3 et Q3 sont respectivement à 1 et à 0. Al restant à 1, aucun autre front montant apparaît sur A6 et, Q3 repasse à 1 à un instant t23 tel que t23-t22 = Ts. Le passage à 1 de Q3 fait passer la sortie Q4 de la bascule 22 à 1 et sa sortie Q4 à 0, allumant la diode rouge et éteignant la diode verte. Le défaut, présent dès la fin de la remise à zéro du capteur, est donc signalé et mémorisé à partir de l'instant t23.
Dans le mode de réalisation de la figure 6, un défaut est donc détecté lorsque la durée de la baisse de tension, entre t21 et t23, ou entre t15 et t16, après une remise à zéro du capteur, est égale à Ts à une période d'horloge près.
La figure 8 représente un mode de réalisation préférentiel du circuit détecteur de seuil 10 des figures 4 et 6.
Le circuit 10 comporte un amplificateur opérationnel 27 fonctionnant en comparateur. La tension d'entrée Vb est appliquée aux bornes d'un pont diviseur résistif constitué par deux résistances R3 et R4 en série. Le point commun aux résistances R3 et R4 est connecté à l'entrée inverseuse de l'amplificateur 27. Une diode zener Dzl, connectée en série avec une résistance R5 aux bornes de la tension Vb, définit une tension de référence appliquée à l'entrée non-inverseuse de l'amplificateur 27.
La figure 9 représente un mode de réalisation préférentiel du circuit d'alimentation 2. La tension Vb est appliquée aux bornes d'un circuit série constitué par deux diodes D1 et D2 et une résistance R6. La base d'un transistor 28, de type PNP, est connectée au point commun à la diode D2 et à la résistance R6. Une diode zener Dz2, connectée entre le collecteur du transistor 28 et la borne négative de la tension Vb du bloc, définit la tension d'alimentation Va, à titre d'exemple 5V. Une résistance R7, connectée entre l'émetteur du transistor 28 et la borne positive de la tension Vb du bloc, fixe le courant pouvant être fourni par le circuit d'alimentation 2.
Les relations entre les variations de la tension Vb, les tensions Vdv et Vdr aux bornes des diodes verte Dv et rouge Dr de signalisation locale et le signal RAZ de remise à zéro sont résumées sur la figure 10.
Le signal RAZ de remise à zéro étant nul, tant que la tension Vb est supérieure à Vs, avant l'instant t23 et entre t24 et t25, ou ne devient inférieure à Vs que pendant une durée inférieure à Ts, entre t23 et t24 et entre t25 et t26, la tension Vdv aux bornes de la diode verte est à un niveau logique 1, tandis que la tension Vdr aux bornes de la diode rouge est nulle. La diode verte est allumée et la diode rouge éteinte. Si la tension Vb reste inférieure à Vs pendant une durée supérieure à Ts, la diode verte s'éteint et la diode rouge s'allume signalant un défaut (instant t26). Ce défaut reste mémorisé indépendamment de la valeur de Vb jusqu'à réception d'un signal de remise à zéro du capteur à l'instant t27. Pendant la durée du signal de remise à zéro, entre t27 et t28, les deux diodes sont éteintes dans le mode de réalisation de la figure 4. Par contre, dans le mode de réalisation de la figure 6, représenté par des pointillés pour la tension Vdv sur la figure 10, la diode verte s'allume dès l'instant t27. Dans tous les cas, la diode verte est allumée et la diode rouge éteinte lorsque le signal de remise à zéro RAZ repasse à zéro à l'instant t28. Une baisse prolongée de la tension Vb, à partir de l'instant t29, conduit à la signalisation d'un défaut à l'instant t30. Si la tension Vb devient inférieure à la tension minimale Vm de fonctionnement du capteur, à un instant t31, alors les deux diodes s'éteignent.