REVENDICATIONS : 1. Dispositif de mémoire dynamique non volatile à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison (a) un substrat semiconducteur (22); (c) un ensemble de cellules de mémoire CX) connectées auxdites lignes de bit, ledit ensemble de cellules de mémoire comprenant des blocs (B) dits blocs cellules IABD (B) constituant des cellules ION-ET, chaque bloc ayant un transistor de sélection 2;;) connecté à une ligne de bit correspondante et un arrangement série de transistors de cellules de mémoire connecté, en son premier noeud, audit transistor de sélection et connecté, en son deuxième noeud, audit substrat, chacun desdits transistors de cellules de mémoire ayant une couche de stockage de porteurs (28) et une grille de commande (32); (d) des lignes de mot parallèles prévues au-dessus dudit substrat 22) et connectées aux grilles de commando desdit; transistors de cellules de mémoire CBL1) y associée, en appliquant une tension de niveau "L" à une ligne de mot WL3) connectée audit transistor de cellule de mémoire sélectionnée, et en appliquant un signal de tension iipulsionnel ayant un niveau 1E? aux lignes de mot restantes (WL1, WL2, WL4) dans ledit bloc cellule NAND. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits noyons d'application de tension comprennent dés noyons de circuit 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérise en ce que lesdits moyens d'application de tension comprennent des noyens de circuit 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le signal de tension possède un niveau de tension preselectionné supérieur à la tension de source d'alimentation et inférieur à une tension de niveau "H" utilisée dans les iodes d'écriture et d'effacement dudit dispositif. 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits moyens de circuit (100, 104, 106; 152, 154, 156) génèrent le signal de tension de manière à avoir un niveau de tension présélectionné supérieur à la tension de source d'alimentation et inférieur à une tension de niveau SEw utilisée dans les iodes d'écriture et d'effacement dudit dispositif. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdits moyens de circuit comprennent dos circuits survolteurs connectés auxdites lignes de mot, et un circuit temporisateur pour établir un temps d'application de tension correspondant à la largueur d'impulsion du signal de tension ayant le niveau de tension presélectionné. 7. Dispositif de mémoire morte effaçable et programmable électriquement, dite BEPROX, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison : (a) un substrat semiconducteur (22); (c) des lignes de mot parallèles prévues au-dessus dudit substrat, pour former des intersections avec lesdites lignes de bit (BL);; (d) des transistors (M) à effet de champ, à deux grilles, prévus aux points d'intersection desdites lignes de bit et lignes de mot, pour servir de cellules de meoire, lesdits transistrrs formant un arrangement de cellules qui comporte un circuit série de transistors-cellules (M1, 12, 13, 14?, pour constituer une structure de cellule NON-ET dite structure cellule NAND, chacun desdits transistors-cellules ayant une grille électriquement flottante (28 > et une grille de commande (e) un transistor à effet de champ (f) un transistor à effet de champ (Qs2) ayant une couche formant grille et prévu dans ledit arrangement de cellules (31) pour faire office de deuxième transistor de sélection aux fins de connexion sélective dudit arrangement de cellules, à l'autre extrémité de celui ci, d un potentiel de masse (Vs);; (g) une première et une deuxième ligne de commande de grille (SG1, SG23 connectées auxdites couches-grilles dudit premier et dudit deuxième transistor de sélection (Qsl, Qs2); et (h) des moyens de lecture de données connectées aux cellules restantes 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que c'est à l'intérieur d'une période présélectionnée (X? plus courte qu'un cycle de lecture (T) que lesdits moyens de lecture de données appliquent la deuxième tension de niveau "H" auxdites lignes de mot non sélectionnées. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdits moyens de lecture de données appliquent la deuxième tension de niveau "H" auxdites lignes de mot non sélectionnées, cela å l'intérieur de la période présélectionnée (T), au début dudit cycle de lecture (T), et appliquent la tension de niveau ZLw auxdites première et deuxième lignes de commande de grille, à ladite ligne de mot sélectionnée et auxdites lignes de mot non sélectionnées, pendant la période restante de chaque cycle de lecture (T). 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la première tension de niveau "H" possède un potentiel sensiblement égal celui de la tension de la source d'alimentation 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la tension de niveau zLw possède un potentiel sensiblement égal à un potentiel de masse (Vs) dudit substrat