INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
B - l'ensemble de moulage qui est composé 1) d'un chariot porteur 21 équipé de douilles à billes 22 assurant un mouvement de translation horizontal. Le chariot comporte deux crémaillères latérales 2) d'une plaque 20 fixée sur le dessus du chariot et percée de trous taillés à bords vifs en forme de calissons.
3) d'un ensemble de poussoirs 23 dont chacun correspond aux perforations de la plaque 20, leur partie haute étant également taillée à bords vifs de la même forme. Au centre de chaque poussoir, un doigt de maintien 24 coulisse sous l'action d'une plaque actionnée par les cames 26, les poussoirs étant eux-mêmes actionnés par une autre plaque soumise aux cames 25.
4) d'un pochoir 27 de forme et de perforations identiques à celles de la plaque 20; il vient se placer au contact de cette dernière pour l'opération de glaçage. Son épaisseur détermine la quantité de liquide déposée.
Ce pochoir se dégage par pivotement sur un axe fixé sur le côté du chariot pour se situer horizontalement à 1800 de la précédente position.
5) d'un dispositif de mise en place du film de pain azyme 32. Il est composé de deux rouleaux, dont un d'entrainement, montés sous le chariot.
C - l'enceinte de lavage 28 qui est équipée de brosses rotatives 29 entre lesquelles passe le pochoir. Une rampe d'aspersion d'eau et un sécheur à air chaud complètent cette installation fixée sur le châssis.
D - le chargeur de fourchettes de transfert 30. Cet ensemble est fixé sur le côté du bâti. Il comprend un magasin vertical pouvant contenir environ 100 fourchettes 31, et un poussoir distributeur.
E - le réservoir distributeur de sucre glace liquide 32. Monté sur le châssis à proximité de l'injecteur de pâte il comporte un rouleau 33 formant clapet en partie basse. Ce rouleau est libre dans un logement formé par le cône de distribution qu'il obture en position repos et une pièce intérieure en forme de demi cylindre 34 contre laquelle il est plaqué en position travail.
Les composants décrits ci-dessus sont mis en oeuvre selon le processus ci-après : le départ du cycle est donné par le recul du chariot 21 qui fait passer la plaque 20 sous et au contact de l'injecteur 15 dont le rouleau 17 entrainé en rotation par les- crémaillères latérales du chariot 21 presse la pâte dans les alvéoles formées par la plaque 20 et le dessus des poussoirs 23 recouverts du film de pain azyme Dans e même temps, le pochoir 27 traverse l'enceinte de lavage 28. En fin de course arrière du chariot, le pochoir 27 lavé et séché pivote de 1-800 pour se placer au contact sur la plaque 20. Le déplacement autour du chariot fait passer l'ensemble sous le distributeur de sucre glace 32. L'épaisseur du pochoir soulève le rouleau 33 ce qui a pour effet de remplir les alvéoles ainsi formées.Lors de la course retour, un vérin soulève l'injecteur de pate pour dégager le passage du pochoir. Le chariot étant revenu en position initiale, le pochoir est actionné en pivotement à 1800 de l'autre côté, les cames des poussoirs les soulèvent, réalisant ainsi la fonction emporte-pièce sur le pain azyme et dégageant les calissons au-dessus de la palque 20. La rotation différen- tielle des cames fait ensuite redescendre les poussoirs mais laisse en place les doigts de maintien 24. Une fourchette 31 est alors poussée entre les doigts 24 sous les calissons. La rotation ultérieure des cames 26 fait redescendre les doigts, ce qui dépose les calissons sur la fourchette qui est alors prise en charge par deux bandes latérales de transfert liées à la bande transporteuse du four de cuisson (non figuré). L'introduction de la fourchette 31 actionne une came qui soulève la plaque 20 de la quantité nécessaire à la manoeuvre du film de pain azyme. Le rouleau de film usé tourne alors, dés que les doigts 24 sont effacés. La longueur de film débité correspond au réglage du compteur 35. Le recul du mécanisme d'introduction de la fourchette dégage la came de soulèvement de la plaque 20, ce qui a pour effet de serrer le film.
L'ensemble est alors prêt pour un nouveau cycle.
LIT ARTICULE A SOMMIER REGLABLE PAR MOTEUR.
Le lit articulé qui fait l'objet de l'invention concerne le domaine des lits munis d'un sommier comportant des zones situées côté tête ou côté pied, inclinables de façon réglable par rapport à une partie fixe. Des moyens connus, tels que des bras dont une extrémité peut être articulée sur une de ces zones inclinables et dont l'autre extrémité prend appui en un point d'une crémaillère solidaire du bati du lit, permettent le réglage de l'inclinaison. On connais maintenant des réalisations dans lesquelles ces réglages se font au moyen d'une commande motorisée. On peut en particulier utiliser des mécanismes à vis et écrou qui sont relativement simples. Plus récemment on a souhaité munir un lit d'un sommier articulé comportant en général une simple articulation du c8té tête mais muni, coté pied d'une double articulation autour de deux axes transversaux parallèles.On obtient du caté pied deux zones articulées : une zone intermédiaire comprise entre les deux axes et une zone d'extrémité, côté pied, comprise entre le pied et le premier axe transversal. On comprend qu'en soulevant ce premier axe transversal celui-ci forme l'arête d'un dièdre constitué par les deux zones qui sont articulées autour et dont l'angle d'ouverture inférieur à 1800 est orienté vers le bas. Le réglage de l'ouver- ture du dièdre peut être envisagé par des moyens manuels ou motorisés.
On a constaté que pour qu'une telle disposition présente un réel intérêt il était souhaitable de pouvoir également faire tourner les deux zones d'extrémité du sommier, côté pied autour de l'axe d'articulation transversal le plus éloigné du pied, tout en maintenant ces deux zones d'extrémité sensiblement dans un même plan. Une telle possibilité convient en particulier pour le sommeil, au cours duquel il est préférable que les jambes de l'utilisateur soient soulevées sur toute leur longueur par rapport au reste du corps pour des raisons de circulation sanguine.
On constate alors que pour avoir la possibilité de réaliser ces deux types de réglage sur un même lit articulé par des moyens moteurs on est obligé de faire appel à des mécanismes relativement complexes. De tels mécanismes peuvent présenter des risques d'accident pour l'utilisateur dont les doigts peuvent éventuellement se trouver coincés entre des pièces qui excercent souvent des forces de poussée très impor tantes quand le réglage est effectué, l'occupant étant en place.
On a recherché la possibilité de réaliser un moyen unique de commande, par un seul moteur, des des mouvements côté pied d'un sommier comportant deux lignes d'articulation transversales parallèles.
Lorsque 1'EEPROX est mise à un mode de lecture de données, a l'instant to, un potentiel d'enclenchement (par exemple 5 volts) est appliqué aux lignes de grille de commande SG1 et SG2, et le premier et le deuxième transistor de sélection Qsl et 462 sont rendus conducteurs, pour relier ainsi le bloc cellule El à la ligne de bit correspondante BLl et au potentiel de-substrat Vs. A cet instant-la, le potentiel de substrat Vs est mis au niveau ULU.
Un cas de lecture d'une cellule de mémoire quelconque dans le bloc cellule lAID B1, par exemple de lecture de donnée stockée dans la cellule de memoire X3, va être décrit dans ce qui suit en se reportant à la figure 6. Comme représenté sur la figure 6, 1es potentiels Vsgl et Vsg2 du premier et du deuxième transistor de sélection Qsl et Qs2 sont mis au niveau ZhH a l'instant t7, en réponse à un changement dans le signal d'adresse, de sorte que ces transistors sont rendus conducteurs. I1 en resulte qu'une borne de l'arrangement de cellules lAID B1 est connectée a la ligne de bit correspondante BL1, et que l'autre borne de cet arrangement est connectée au potentiel de substrat Vs.Dans une telle condition, le potentiel Vw3 de la ligne de mot iLS de la cellule sélectionnée 13 est mis au niveau "L" (par exemple O V), alors que les potentiels de ligne de mot Vwl, Vw2 et Yw4 des cellules non sélectionnées Xl, 12 et X4 sont mis au niveau wH".,Le niveau "H" des potentiels Vwl, Vw2, Vw4 de ligne de mot est établi å une valeur sélectionnée spécifiquement, laquelle est suffisamment élevée pour que les cellules de mémoire Xl, 12 et 14 en condition d'effacement soient facilement enclenchées lorsque leur valeur de seuil excède la tension de la source d'alimentation Vcc (= 5 V), et est encore inférieure au potentiel de niveau "H" utilisé dans le mode d'écriture de donnée et/ou d'effacement. Dans cette forme de realisation, le niveau ZHZ des potentiels Vwl, Vw2 et Vw4 des lignes de mot est conçu pour être de 8 V.Avec l'application d'une telle tension, une opération de détection est effectuée pour déceler le passage d'un courant dans la cellule de mémoire sélectionnée K3, pour déterminer ainsi si c'est une donnée Zlw ou "O' logique qui est stockée dans la cellule de mémoire 13.
Avec un tel agencement, lorsqu'une donnée stockée dans une cellule de mémoire quelconque dans un arrangement de cellule NAiD est lue, la tension de niveau "H", supérieure à la tension Vcc de la source d'alimentation, est appliquée aux lignes de mot connectées aux cellules restantes non sélectionnées dans l'arrangement de cellules lAID. Par conséquent, meme si les valeurs de seuil de ces cellules sont déplacées, l'erreur de lecture peut être efficacement supprimée ou empêchée. Cette suppression peut contribuer a l'amélioration de la fiabilité de fonctionnement de l'EEPRO1.
Il convient de remarquer que, si le potentiel a niveau "H" > est appliqué de manière continue aux cellules de mémoire non sélectionnées Xl, X2 et X4, pendant une longue durée, alors que la cellule de mémoire 113 est en mode de lecture de donnée, la valeur de seuil de la cellule de mémoire à l'état "1" logique va être déplacée graduellement de la direction de polarité négative à la direction de polarité positive. Ce déplacement indésirable de niveau est la cause d'une opération de lecture erronée.Selon la présente invention, pour empêcher un tel déplacement de niveau indésirable, les tensions à ~niveau SE-,-VwI, w2 et Vw4, appliquées aux lignes de mot des cellules de mémoire non sélectionnées sont fournies sous forme de signaux de tension impulsionnelles, comme représenté sur la figure 6 La largeur d'impulsion T de la tension impulsionnelle est établie de manière å avoir une largeur constante, plus courte qu'une période T de cycle de lecture, et ne dépend pas de cette période de cycle de lecture T. Dans cette forme de réalisation, tenant compte de l'exécution d'une opération de détection par fourniture d'un courant å un amplificateur de détection, la largeur d'impulsion du niveau de tension "H" a établie dans une plage de 100 à 1000 nanosecondes, par exemple 200 nanosecondes.
Les signaux de tension impulsionnelle Vwl, Vw2 et Vw2, ayant chacun un niveau de potentiel "H" > spécifique supérieur à celui te la source d'alimentation Vcc (typiquement 5 V) de ITEPHOX normale, qui sont fournis aux lignes de mot des cellules de mémoire non sélectionnées sus-mentionnées, peuvent être génères par le circuit survolteur et décodeur de ligne 100 représenté schématiquement sur la figure 1. Un agencement détaillé de ce circuit d'attaque périphérique est représenté sur la figure ?.
Le circuit 104 de détection de changement d'adresse destiné à recevoir un signal d'entrée d'adresse est connecté à un décodeur de ligne ("row decoder") 150 par l'intermèdiaire d'un premier circuit de retard 152. La borne de sortie du premier circuit de retard 152 est connectée à un deuxième circuit de retard 154. Comme représenté sur la figure 7, le décodeur de ligne 150 est directement connecté aux lignes de commande de grille SG1 et SG2, et connecté aux lignes de iot VLî, VL2, VL3 et WL4 par l'intermédiaire des circuits survolteurs respectifs 156-1, 156-2, 156-3 et 156-4.Comme représente sur la figure 7, chaque circuit survolteur 156-i comprend quatre transistors Qbî à Qb4, un condensateur Cb et un inverseur 158. L'agencement interne de chaque circuit survolteur 156 est connu en soi, d'une manière générale, et n'exige aucun travail de conception particulier. Lorsqu'une adresse - de cellule a lire est changée vers un mode lecture de données, le circuit détecteur de changement d'adresse 104 détecte le changement d'adresse afin de genérer un signal d'impulsion ayant un niveau "H", en tant que signal de détection de changement d'adresse.Le signal de détection de changement d'adresse est fourni au premier circuit de retard 152; Le premier circuit de retard 152 émet un signal d'impulsion de, par exemple, 200 nanosecondes, en réponse au signal de détection de changement d'adresse. Pendant qu'un signal de sortie du premier circuit de retard 152 possède le niveau "H", le décodeur de ligne 150. est en condition validée. Par suite, un signal de sortie du décodeur de ligne 150 peut être appliqué aux circuits survolteurs 156.
Selon la description illustrée expose dans ce qui prgcEde, lorsque la cellule de mémoire M3 est sélectionnée pour lecture de donnée dans le bloc cellule lAID B1, le potentiel à niveau "L" n'est appliqué qu'à un noeud X3 entre le décodeur de ligne 150 et le circuit survolteur I56-3. A ce moment-là, le potentiel à niveau eH" est appliqué aux noeuds NI, 12 et X4 entre le décodeur de ligne 150 et les autres circuits survolteurs 156-l, 156-2 ET 155-4. Un signal de sortie du premier circuit de retard 152 est fourni à une borne #1 par l'intermédiaire du deuxième circuit de retard 154. Lorsque le potentiel à la borne #1 est établi au niveau "H", le potentiel du signal de sortie du premier circuit de retard 152 est renforce. Le potentiel est accru, de la tension normale de la source d'alimentation (c'est-A-dire 5 V) à environ 7 à 8 V. Il en résulte que les lignes de mot WL1, n2 et VL4 des cellules de memoire non sélectionnées X1, X2 et X4 sont mises au potentiel renforcé.Apres cela (après écoulement d'un tsars z3, lorsque le potentiel du signal de sortie du premier circuit de retard 152 change et vient à un niveau ZL", le décodeur de ligne 150 est mis en condition d'invalidation. Il en resulte que les potentiels de tous les noeuds NI à F4 sont abaisses au niveau "L", et que les lignes de commande de grille SG1 et SG2 et toutes les lignes de mot Wtl à YL4 sont donc mises au niveau "L" (c'est-a-dire 0 V).
Bien que l'invention ait ete décrite en considerant une forme de réalisation spécifique, l'homme de l'art comprendra que de nombreuses modifications sont possibles tout en restant dans le cadre de l'invention.
Par exemple, dans la forme de réalisation présentée plus haut, on a décrit une cellule lAID du type à injection par effet tunnel, n'utilisant qu'un champ électrique dans la direction de l'épaisseur d'un film d'isolement de grille; toutefois la présente invention peut aussi être appliquée a une cellule NAND du type å injection d'électrons chauds. Une structure de cellule de mémoire du type à injection d'électrons chauds est identique à celle de la cenule du type a injection par effet tunnel, à l'exception du fait que les opérations d'écriture et d'effacement sont différentes.Ces opérations différentes vont être décrites en détail dans ce qui suit. ~Lorsqu'une opération d'effacement complet est exécutée, un transistor de sélection est rendu passant. Toutes les lignes de bit et de source et le substrat sont mis à 20 V, et toutes les lignes de mot sont mises a o V. Par suite, les électrons sont déchargés des grilles flottantes vers le substrat, dans toutes les cellules de mémoire, et les valeurs de seuil des cellules de Mémoire sont à un état négatif d'effacement. On va maintenant décrire une opération d'écriture de donnée, par exemple dans la cellule de mémoire X3 sur la figure 1.Une tension de 5 V est appliquée à la ligne de bit sélectionnée BLI, des tensions de 15 V sont appliquées aux lignes de grille SG1 et SGZ du transistor AOS sélectionné, une tension de 8 V est appliquée à la ligne de mot sélectionnée VL3, et des tensions de 15 V sont appliquées aux lignes de mot restantes, non sélectionnées, WL1, VL2 et VL4. A ce moment-là, la cellule de mémoire selectionnée X3 est soumise à un fonctionnement en pentode, et des électrons chauds sont générés et injectés dans la grille flottante. Les autres cellules de mémoire sont soumises à un fonctionnement en mode triode, du fait de tensions de grille suffisantes, et les électrons ne sont pas injectés.Une opération de lecture peut être accomplie comme dans la réalisation précédente.
Dans la forme de réalisation envisagée plus haut, la cellule NAID décrite est constituée par quatre cellules de mémoire connectées en série. Toutefois des cellules de mémoire en nombre quelconque peuvent constituer la cellule lAID. En outre, bien que, dans la forme de réalisation envisagée plus haut, l'impulsion de lecture ait une tension supérieure à la tension de la source d'alimentation, la tension de la source d'alimentation Vcc peut être utilisée dans les cas où la variation des valeurs de seuil dans les cellules de mémoire est faible.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux dispositifs ou procédés qui viennent entre décrits uniquement å titre d'exemple non limitatif, sans sortir du cadre de l'invention.
DISPOSITIF DE COMMUTATION REPARTIE DANS LES CIRCUITS D'INTERFACE DE LIGNES NUMERIQUES.
La présente invention concerne le domaine des centraux téléphoniques prives ou publics. Elle concerne plus particulièrement les circuits de commutation prévus dans un central téléphonique disposé à l'un quelconque des stades intermédiaires d'une liaison téléphonique ; et elle s'applique plus particulierement aux liaisons numériques et au cas de centraux de dimension moyenne.
La figure 1 illustre la conception générale de la commutation dans un central classique de dimension moyenne. Dans cet ensemble, chaque ligne L est reliée à un circuit d'interface de ligne 10 ou circuit de terminaison de ligne qui peut comprendre dans les réalisations actuelles, sur une puce de circuit intégré unique, notamment : un embrouilleur, un désembrouilleur, un codeur, un ' annuleur d'écho, un égaliseur, un passage deux fils/quatre fils, un récepteur d'horloge, un circuit de synchronisation bit et trame, un circuit de synchronisation de données....
Un circuit d'interface de ligne 10 est généralement réalisé sous forme d'une puce d'une surface de 30 à 40 millimetres carrés comprenant quelques dizaines de milliers de composants élé- mentaires. Chaque circuit 10 est relié à deux liaisons multiplexées, qui seront appelées ci-après simplement multiplex, à savoir un multiplex entrant et un multiplex sortant. Chaque multiplex peut assurer m liaisons et est relié n circuits d'interface 10 ; il est éventuellement prévu p ensembles de n circuits d'interface donc p multiplex entrant et p multiplex sortant. Deux lignes quelconques peuvent être mises en communication par l'intermédiaire d'une matrice de commutation spatio-temporelle 20 connectée à tous les multiplex.Cette matrice spatio-temporelle 20 peut hêtre réalisée sous forme d'une puce unique de circuit intégré. Ce circuit intégré 20 est un circuit relativement complexe et couteux.
Les inventeurs ont pris conscience du fait que la structure d'ensemble illustrée en figure 1 découle en fait directement de la conception d'un central téléphontque de type numérique.
Dans la variante d'exécution représentée sur la figure 13 les encoches 26,27 qui définissent les deux points A,B de contact avec les bossages d'appui 11,12, sont formées dans deux pièces rapportées respectives 49,51 qui sont fixées les faces internes en regard des deux mâchoires 21,22, au moyen de vis 52.
Bien que, dans la description qui précède, les moyens de retenue élastique -9 aient été indiqués comme utilisant soit un ressort de traction unique 25 (forme d'exécution représentée sur les figures 3 à 6), soit deux ressorts de compression individuels 31,32 ( forme d'exécution représentée sur les figures 7 à 9), soit encore un ressort de compression unique (forme d'exécution représentée sur la figure 13) il va de soi que d'autres types de ressorts (de torsion, de flexion) pourraient être également utilisés pour solliciter élastiquement les mâchoires 21,22. Par ailleurs chacune de ces mâchoires 21,22 pourrait être réalisée sous la forme d'un levier du premier genre, c'est-à-dire avec son axe d'articulation situé entre le point d'application de l'effort du ressort de rappel et le point de contact avec les bossages d'appui 11,12, ou bien encore sous la forme d'un levier du troisième genre, c'est-à-dire avec son point d'application de l'effort du ressort de rappel situé entre son axe d'articulation et sa zone de contact avec les bossages d'appui 11,12.
Suivant une autre variante d'exécution les mâchoires pivotantes 21,22 pourraient aussi être articulées autour d'un seul et même axe porté par la plaque porte-chaussure 4.
On peut également prévoir des moyens de réglage de la tension des ressorts faisant partie des moyens de retenue élastique 9, afin d'ajuster le seuil de déclenchement de la fixation.
"Phare de véhicule automobile o la source de lumière
peut être déplacée par rapport au réflecteur."
L'invention part d'un phare de véhicule automobile avec un réflecteur et une source de lumière placée dans le réflecteur, phare dans lequel l'association relative entre la source de lumière et
le réflecteur est susceptible d'être modifiée.
Un tel phare est déjà connu par le document DE-AS 20 06 231. Ce phare comporte un réflecteur ainsi qu'une source de lumière placée dans ce réflecteur et susceptible d'être déplacée en direction horizontale par rapport à celui-ci. Devant la source de lumière, est disposé un diaphragme qui dans la position de code de la source de lumière, masque la lumière émise par celle-ci vers la zone inférieure du réflecteur. Dans la position en éclairage de route de la source de lumière, celle-ci est éloignée du diaphragme par pivotement, de sorte que de la lumière parvient également à la zone inférieure du réflecteur. Le déplacement de la source lumineuse sert uniquement dans ce phare, pour la commutation entre code et lumière de route. Une adaptation de la répartition de lumière, produite en position de code par ce phare, à des conditions climatiques différentes pour assurer l'éclairement le plus favorable possible de la chaussée et donc la sécurité du conducteur, n'est
toutefois pas possible.
L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et concerne, à cet effet, un phare pour véhicule automobile, caractérisé en ce que l'association entre la source de lumière et le réflecteur est susceptible d'être modifiée de façon que la source de lumière se trouve dans une association approximativement au foyer du réflecteur et dans une autre association se trouve éloignée du foyer aussi bien le long de l'axe optique que
verticalement par rapport à l'axe optique.
Le phare conforme à l'invention, avec les caractéristiques ci-dessus, présente par contre l'avantage que grâce à la modification de l'association de la source de lumière par rapport au foyer du réflecteur, il s'en suit une modification de la répartition de la lumière, grâce à quoi dans une première association de la source de lumière approximativement au foyer du réflecteur, on a un faisceau lumineux étroit avec une intensité maximale élevée de la lumière, telle qu'elle est favorable pour le brouillard ou une chute de neige, tandis que dans l'autre association de la source de lumière, on a une grande largeur de faisceau lumineux avec une intensité maximale réduite de la lumière, telle qu'elle est favorable pour la brume ou la pluie. La limite de répartition de la lumière entre la clarté et l'obscurité, reste inchangée lorsque l'association de la source de lumière est modifiée en direction verticale. D'autres caractéristiques de l'invention concernent des formes de réalisation avantageuses et
des compléments de l'invention.
Selon l'une des caractéristiques de l'invention, grâce à une forme de réalisation du réflecteur divisé selon un plan médian horizontal, la partie supérieure ayant dans un plan médian vertical une distance focale plus petite que celle de la partie inférieure, on obtient un accroissement de la largeur
du faisceau lumineux.