INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En résume, l'hélicoptère bi-rotor selon l'invention est un appareil nouveau avec beaucoup de constituants bien connus, dont l'agencement peut être beaucoup perfectionné encore, par les spécialistes sans pour autant changer l'idée principale.
SYSTEME OPTIQUE DE COLLIMATION, EN PARTICUIJER POUR VISUEL DE CASQUE La présente invention concerne un système optique de collimation qui est prévu pour etre monté sur un casque porté par un observateur, c'est-à-dire pour constituer un visuel de casque. Son application est plus particulièrement envisagée dans le domaine aéronautique.
Les avions d'armes et les hélicoptères de combat nécessitent la présentation au pilote d'informations de pilotage et de conduite de tir superposées au paysage extérieur. Ce rôle est aujourd'hui assuré par le viseur tête haute, présent dans tous les avions d'armes modernes et dans certains hélicoptères.
L'inconvénient de ce type de visualisation est qu'elle ne peut présenter une image que dans un champ limité et toujours centré dans l'axe de l'avlon. Par contre, le pilote peut avoir à effectuer des visées éloignées de l'axe de l'avion, d'où l'idée d'une visualisation liée à la position de la tête du pilote. Un tel concept nécessite d'une part, un système permettant de détecter la position de la tête, et d'autre part, un système optoélectronique permettant d'élaborer une image lumineuse et de la collimater. Ces deux systèmes doivent être disposés sur le casque du pilote, ce qui implique des contraintes très importantes, notamment sur le poids.
Un système optique selon l'invention permet de collimater l'image et présente des avantages ergonomiques et des performances de champ intéressantes. Les contraintes essentielles prises en compte pour réaliser le système sont les suivantes - procurer une gêne visuelle minimale ; en effet, le système optique collimatant l'image doit gêner le moins possible la vision du monde extérieur et également éviter de créer un masque dans le champ de vision - la sécurité ; le système optique étant près de l'oeil il doit assurer, en cas de choc, que l'oeil ne sera pas blessé - le poids ; le poids doit être minimal notamment si le système est destiné à être montée sur un avion d'armes, il devra être aussi léger que possible pour éviter la fatigue, surtout sous facteur de charge important.
En outre, le système de collimation doit répondre à des performances qui concernent généralement un champ important, une résolution compatible de l'oeil et une forte luminosité.
Dans le document SPIE, volume 778, Display System Optics (1987), un articIe de James E. MELZER et Eric W.
LARKIN intitulé "An integral approach to helmet display system design", pages 83 à 88, décrit un visuel de casque comportant un générateur d'une image lumineuse synthétique à collimater, un objectif de collimation du rayonnement lumineux correspondant à l'image synthétique et une optique de combinaison composée d'un montage afocal de deux miroirs paraboliques, un premier miroir réfléchissant le rayonnement de l'image collimatée vers le deuxième miroir lequel est partiellement réfléchissant pour réfléchir ce rayonnement vers l'observateur et permettre simultanément la transmission du rayonnement provenant de I'extérieur et compris dans le champ du système. En outre, le visuel de casque comporte un certain nombre de miroirs de renvoi pour dévier le trajet optique et permettre le montage sur casque.Dans ce montage antérieur, les miroirs paraboliques travaillent hors d'axe, ce qui est cause d'aberrations et diminue la qualité de l'image à moins de limiter assez fortement le champ du viseur.
Le but de l'invention est de remédier à ces inconvénients, en particulier en aménageant le système optique entre les deux miroirs paraboliques.
Selon l'invention, il est réalisé un visuel de ce type dans lequel l'optique de combinaison est constituée à l'aide d'une lame transparente à deux faces parallèles comportant les deux miroirs paraboliques disposés respectivement à ses deux extrémités, le rayonnement collimaté entrant par une des deux faces parallèles et subissant plusieurs réflexions totales sur les faces parallèles lors du trajet compris entre les deux miroirs d'extrémité et ressortant vers l'observateur par la même face parallèle que celle par laquelle il est entré.
La présente invention sera mleux comprise à l'aide de la description ci-après, donnée à titre d'exemple à l'aide des figures annexées qui représentent - la figure 1, un schéma simplifié d'un système optique de collimation selon l'invention; - la figure 2, un schéma plus détaillé d'une réalisation montrant un système optique de collimation selon l'invention associé à un casque.
Dans les différentes figures les éléments correspondants sont désignés par les mêmes repères.
La figure 1 montre un système optique de collimation qui comporte en série sur un même trajet optique : un générateur d'images lumineuses 1, un objectif de collimation 2, un premier miroir parabolique 4, et un deuxième miroir parabolique 5. Les miroirs 4 et 5 forment un système afocal ; leur foyer commun F a été indiqué sur la figure 1. Le miroir 4 est totalement réfléchissant et le miroir 5 semi-transparent pour laisser passer le rayonnement provenant du paysage extérieur.
Les miroirs paraboliques 4 et 5 constituent les extrémités d'un conducteur de lumière formé d'une lame 10 en matériau transparent, à deux faces parallèles lOAV, 10 AR.
Les miroirs paraboliques 4 et 5, forment une optique afocale de grossissement 1. Le cheminement des rayons est indiqué par des traits interrompus munis de flèches; il est tel que le rayonnement issu du générateur d'images 1 rentre dans la lame 10 et en ressort, après réflexion sur les miroirs 4 et 5, par la même face, lOAR ; une telle conception facilite le montage sur un casque.
L'objectif de collimation 2 forme l'image à l'infini de l'image lumineuse élaborée par le générateur 1 sur un écran dans l'exemple décrit le générateur comporte un tube à rayons cathodiques; dans d'autres réalisations le générateur 1 peut comporter un panneau à cristaux liquides, ou toute autre source d'images. Limage collimatée penètre dans la lame 10 pour être réfléchie par le miroir parabolique 4 puis par le miroir parabolique 5. La lame à faces parallèles 10 assure le cheminement optique entre les miroirs 4 et 5 par une série de réflexions totales sur ses faces parallèles.
En outre, sur les vues en coupe representées sur les figures 3 et 4, on peut voir que l'arrangement de transistors dans le bloc cellule BABD Bl est formé sur une zone de surface de substrat qui est entourée par une couche isolante 26, pour isoler les éléments formés sur le substrat 22.On peut voir plus clairement sur la figure 3 qu'un AOSFET Xl constituant une cellule de mémoire (d'autres cellules de mémoire ont un agencement identique a celui du AOSFET AI) possède une première couche de polysilicium 28 disposée, avec isolement au moyen d'un film d'oxyde thermlque 30, au-dessus du substrat 22, et une deuxième couche de polysilicium 32 disposee au-dessus de la couche 28 en étant isolée grâce a une couche isolante en oxyde thermique 34.La première couche de polysilicium 28 agit en tant que grille flottante du XOSFET Xi, tandis que la deuxième couche de polysilicium 32 sert de grille de commande du AOSFET Ai. La grille de commande 32 s'étend de manière continue dans une direction, pour constituer la ligne de mot (une ligne de mot VLl dans le cas de la cellule de mémoire Xl). Le transistor de sélection Qsl possède une couche de polysilicium 36 disposée de manière isolante au-dessus de substrat 22. Le transistor de sélection Qs2 comporte une couche de polysilicium 38 disposée, avec isolement, au-dessus du substrat 22. Ces couches de polysiliclun 36 et 38 servent de grille de commande des transistors de sélection respectifs Qsl et Qs2.
Comme représenté sur la figure 3, la grille flottante 28 s'étend sur la couche isolante 26 d'isolement de l'élément, et, dans chaque cellule Ai, une capacité de couplage Cfs entre la grille flottante 28 et le substrat 22 est établie de manière à être plus petite qu'une capacité de couplage Ccs entre la grille flottante 28 et la grille de commande 33, de sorte qu'une opération d'écritureflecture de données ne peut être effectuée qu'en déplaçant des électrons par effet tunnel entre la grille flottante 28 et le substrat 22.
Comme représenté sur la figure 4, des couches de diffusion & BR< fort dopage X, 40, 42, 44,- 46, 48, 50 et 52, sont formées sur une portion de surface du substrat 22. Ces couches de diffusion de type J sont respectivement en condition de léger recouvrement partiel avec les grilles des transistors Qs et X. Ces couches de diffusion de type I font office de source et de drain des transistors correspondants.
Par exemple, les couches de diffusion N 40 et 42 servent respectivement de drain et de source du transistor de sélection Qsl.
Similairement, les couches de diffusion N 42 et 44 servent respectivement de drain et de source du transistor de cellule Il.
La structure précitée est entièrement recouverte d'une couche isolante 54 formée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le trou de contact 20 susmentionné est formé dans cette couche isolante 54 obtenue par dépôt chimique en phase vapeur. la couche conductrice pour connexion 24 est en contact électrique avec le drain du transistor de sélection Qsl via le trou de contact 20, pour servir de ligne de bit de l'arrangement de cellule XAED ("lAID cell array").
Selon cette forme de réalisation, la grille de connande et la grille flottante de chacun des transistors de cellule de mémoire possèdent une largeur ou étendue de 1 pm et une largeur de canal de l pm. La grille flottante s'étend des deux côtés de la couche conductrice 24, ayant une largeur ou étendue de 1 pm par 1 pm, conne représenté sur la figure 2.Le premier film isolant de grille, 30 (voir figure 3), est utilisé sous la forme d'un film d'oxyde thermique ayant par exemple une épaisseur de 20 nanomètres; le deuxième film isolant de grille, 34, est utilisé sous la forme d'un film d'oxyde ayant par exemple une épaisseur de 35 nanonètres. Dans ce cas, les capacités de couplage Cfs et Cfc obtenues sont comme suit Cfs = e/O,O2 Cfc = 3.#/0,035 e désignant dans chaque cas la constante diélectrique du film d'oxyde thermique. Il est donc démontré que la structure de cellule lAID, dans cette forme de réalisation, satisfait aux conditions mentionnées plus haut.
On va considérer de nouveau la figure l. Les lignes de mot VL et les lignes de commande de grille SGl et SG2 sont connectées å un ' > Row Decoder & Bootstrap Circuit", 100 c'est-å-dire un circuit survolteur et décodeur de ligne ("ligne" signifiant ici Zrangée", WrowF en langue anglaise). Ce circuit 100 reçoit un signal d'adresse qui lui est fourni depuis un terminal d'entrée d'adresse, 102. Le signal d'entrée d'adresse est aussi fourni å un circuit 104 détecteur de changement d'adresse. Le circuit détecteur de changement d'adresse 104 est connecté å un circuit de réglage de temps 106 incluant des circuits de retard.Le circuit de réglage de temps 106 est connecté au circuit survolteur et décodeur de ligne, 100.
On va décrire ci-après > en se reportant au chronogramme représenté sur la figure 5, le fonctionnement de l'EEPROX du type & BR< cellules NAND, selon l'agencement précédent. Avant l'écriture sélective de données, l'HEPROX est d'abord soumise A une opération d'effacement simultané, dans laquelle les données stockées dans toutes les cellules de mémoire A dans la partie cellules 10 sont effacées simultanément.
Dans la matrice de cellules de mémoire représentée sur la figure 1, on va considérer un bloc cellule NAND, B1 (les autres blocs opèrent d'une manière fondamentalement identique à celle du bloc å cellule lAID B1).
Afin de réaliser l'opération d'effacement simultané, un potentiel à niveau bas, dit niveau "L" (par exemple O volt), est appliqué aux lignes de grille de commande SGl et SG2 à l'instant tl, comme représenté sur la figure 6, et les transistors de sélection Qsl et Qs2 sont rendus non-conducteurs. Il en résulte que le bloc cellule B1 est électriquement déconnecté de la ligne de bit correspondante BL1. Un potentiel de niveau "L" est appliqué aux lignes de mot VL1 à WL4, et un potentiel de substrat Vs est porté à un niveau haut, dit niveau "H" (par exemple 18 volts). Les potentiels Vbit de toutes les lignes de bit incluant les lignes de bit BLI et BL2 sont mis å un potentiel s niveau H (par exemple 18 volts). lorsque la tension est appliquée comice décrit ci-avant, un champ électrique est créé entre le substrat 22 et chaque grille de commande 32 (voir figure 4) de toutes les cellules de mémoire M incluant les cellules de mémoire M1 4 N4 (dans ce qui suint, lorsqu'on considère un bloc cellule NAND donné, les cellules de mémoire incluses dans ce bloc cellule NAND considéré sont désignées par "11, ..., M4"). Les électrons sont déchargés par effet tunnel, de la grille flottante 28 au substrat 22.Il en résulte que les valeurs de seuil des cellules de mémoire sont déplacées dans une direction de polarité négative, provoquant ainsi un état de stockage d'un "O" logique.
L'EEPROA est alors mise à un mode écriture à l'instant t2. Par exemple, lorsque le bloc cellule NAND Bl est s~lectionn, l'LLPRDX écrit séquentiellement des données dans les cellules de mémoire Il -à M4 dans le bloc cellule Bl sélectionné.Dans ce cas, une cellule de nemoire spécifique X4 se trouvant être la plus éloignée du noeud entre le bloc cellule lAID Bl et la ligne de bit correspondante BL1 MI la plus proche du noeud entre le bloc cellule lAID Bl et la ligne de bit BLl est finalement soumise à une opération d'écriture de donnée.
Par suite, dans le bloc cellule lAID sélectionné Bl, les opération d'écriture de données des cellules de mémoire X4, M3, X2 et Xl sont exécutées séquentiellement, dans l'ordre indiqué.
Comme représenté sur la figure 6, dans le mode écriture de données, une tension d'enclenchement (potentiel intermédiaire dont la tension vaut la moitié d'une tension intensificatrice Vpp, soit 10 volts dans cette forme de réalisation) est appliquée à la ligne de grille de commande SGl, et le premier transistor de sélection Qsl est rendu conducteur. Le bloc cellule Bl est ainsi électriquement relié à la ligne de bit correspondante BLl. La ligne de grille de commande SG2 est maintenue à un potentiel a niveau wLZ (par exemple O volts).Le deuxième transistor de sélection Qs2 est donc rendu non conducteur, de sorte que le bloc cellule Bl est électriquement déconnecté du substrat 22, à la source du transistor de la cellule de mémoire 14. Â cet instant, le potentiel du substrat (potentiel de masse) Vs est lis au niveau "L" (0 volt).
Afin d'écrire sélectivement une donnée, d'abord dans la cellule de mémoire X4, un potentiel à niveau "H" (déterminé dans la plage allant de 12 à 20 volts, par exemple 20 volts) est appliqué à l'instant t2 à la ligne de mot VL4 connectée à la grille de commande de la cellule de mémoire sélectionnée X4, alors qu'un potentiel à niveau "L" (0 volt) est appliqué aux lignes de mot non sélectionnées WLl a YLS. Le potentiel Vbit de la ligne de bit sélectionnée ELi est mis à un niveau "H" (18 volts), et les potentiels Vbit2, ..., Vbitm des lignes de bit non sélectionnées BL2, ..., ELM sont mis à une valeur intermédiaire (10 volts). La tension de grille de commande Vcg4 de la cellule choisie est mise au potentiel à niveau "P, et les tensions de grille de commande llogl, Vcg2 et Vcg3 des cellules restantes Xl à X3 sont Mises au potentiel intermédiaire, comme représenté sur la figure 6. Il en résulte la génération d'un fort champ électrique entre la grille de commande 32 de la cellule de mémoire sélectionnée X4 et le substrat 22, ce qui a pour effet que des électrons sont injectes par effet tunnel dans la grille flottante, via le drain.La valeur de seuil de la cellule de mémoire sélectionnée A4 est ainsi déplacée dans une direction de polarité positive, et une donnée "1" logique est stockée dans cette cellule. A ce moment-là, les valeurs de seuil des cellules non sélectionnées Xl à X3 ne sont pas sensiblement Modifiées. L'état de stockage de "0" logique est maintenu dans ces cellules pour la raison suivante :: dans la condition Ou les tensions de grille de commande de ces cellules Xl à 113 sont établies comme décrit dans ce qui précède, le champ électrique généré dans chaque cellule n'est pas assez fort pour provoquer l'injection d'électrons par effet tunnel dans la grille flottante de la cellule. Les valeurs de seuil des cellules de mémoire dans le bloc cellule NAND non sélectionné 2, adjacent au bloc cellule NAND sélectionné B1, ne sont pas sensiblement Modifiées; l'état de stockage d'un "0" logique est conservé.Cela est du a ce que le potentiel de ligne de bit Vbit2 du bloc cellule NAND B2 non sélectionné est mis & une valeur intermédiaire, de sorte que, dans ces cellules de mémoire non sélectionnées, il ap a pas de génération d'un champ électrique suffisant et que les électrons ne peuvent pas être injectés par effet tunnel dans ces grilles flottantes.
Dans le bloc cellule lAID sélectionné B1, la cellule de mémoire X3 est alors, après la cellule de mémoire X4 > soumise à une opération sélective d'écriture de donnée. A l'instant t3, le potentiel à niveau " (20 volts) est appliqué à la ligne de mot VL3, de sorte que la tension de la grille de commande Vcg3 de la cellule K3 est mise au niveau de potentiel "H". Comme représenté sur la figure 6, les tensions de grille de commande Vcgl, Vcgs, et Vcg4 des cellules restantes Xl, M2 et X4 sont mises au potentiel intermediaire.De la même maniere que dans le cas envisage plus haut, il en resulte la génération d'un champ électrique dans la cellule sélectionnée X3, cela ayant pour effet que des électrons sont injectés par effet tunnel dans la grille flottante de la cellule 13. La valeur de seuil de la cellule sélectionn# X3 est donc déplacée dans une direction de polarité positive : une donnée "1" logique est stockée sélectivement dans la cellule 13. Après cela, les operations d'ecriture de donnée dans les cellules restantes X2 et Xl sont effectuées co m ormement a l'ordre d'ecriture indique plus haut.
Cette composition actuellement préférée de l'invention, contient - 0,30 g de poudre micronisée d'Euphorbia-Hirta, et - 0,70 g de poudre micronisée de Simarouba Glauca.
Au vue de ce qui précède, le nouveau complément alimentaire ou composition pharmaceutique, de par ses propriétés pharmacologiques, est donc indiqué pour le traitement notamment de troubles psychiques et de troubles digestifs.
Le tableau 3 illustre la comparaison des compositions selon l'invention telles que les compositions nO 1 (A) et nO 4 (B), avec la composition nO 3 (C), préférée de la demande de brevet français nO 86 16 337.
Cette dernière composition contient - 0,50 g de poudre micronisée d'Euphorbia Hirta et/ou d'Euphorbia Pilulifera, - 0,10 g de poudre micronisée de Simarouba Amara, et - 0,05 g de levure de bière vivante.
Les temps t4 et t5 correspondent respectivement aux durées de traitement de deux et trois mois, comme décrit dans la demande de brevet mentionnée ci-dessus.
La composition (C) est administrée à raison de 3 à 6 gélules par jour alors que les compositions (A) et (B) le sont à raison de 3 par jour.
Comme le montre le tableau 3, au bout de tl, la composition (C) n'a aucun effet même sur le traitement des gingivites. I1 faut attendre tA et t5 (2 à 3 mois) pour observer une nette amélioration dans les traitements.
Au contraire, les compositions (A) et (B) selon l'invention font déjà effet au bout de t2 : 25 à 30 jours après le début du traitement des patients souffrant de troubles digestifs et de gingivites.
Au temps t3 (40 à 50 jours), les symptômes ont disparu chez les patients traités avec les compositions selon l'invention, alors que les symptômes sont encore bien présents et les troubles ressentis chez les patients traités avec la composition (C).
La composition selon l'invention agit très vite comparée à la composition à base d'Euphorbia Hirta et/ou Pilulifera et de Simarouba Amara, qui est administrée à une plus grande quantité.
La composition selon l'invention est donc plus efficace et très avantageuse.
Compositions selon l'invention (données en grammes)
Composition N 1 N 2 N 3 N 4 N 5 N 6 d'une gélule Ingrédient actif à 0,10 0,20 0,30 0,45 0,60 0,80 base de Euphorbia plantes Hirta Simarouba 0,90 0,80 0,70 0,55 0,40 0,20 Glauca Tableau 2. Essais cliniques
Composi- Troubles Troubles Troubles Tachycardie Gingivites tions Para psychiques digestifs mètres (*) (#) de temps No. 1 t1 + ++ + t2 - + t3 - - No. 2 t1 + + ++ + t2 - - + t3 - - - No. 3 t1 - - - t2 - - - t3 - - - No. 4 t1 + + + t2 - - t3 - - No. 5 t1 ++ ++ + t2 + - + t3 - - No. 6 t1 ++ ++ t2 + + t3 - +++ Trouble ressenti fortement * (céphalées, insomnies, ++ Trouble moyennant ressenti grande fatigue) + Trouble faiblement ressenti # (Ballonnements, gaz, constipation) - Trouble supprimé Tableau comparatif 3
Composi- Troubles Troubles psychiques Troubles diges- Gingivites tions Paramètres tifs de temps A t1 + ++ + t2 + - t3 - - t4 - - t5 - - t1 + + + t2 - - B t3 - - t4 - - t5 - - t1 +++ +++ +++ t2 ++ ++ + C t3 ++ + + t4 ++ + t5 ++ - +++ Trouble ressenti fortement + Trouble faiblement ressenti ++ Trouble moyennement ressenti - Trouble suprimé
Dans ce but, il peut également être prévu un appareil de comptage de compresses 14 place près de la table d'opération et contenant une réserve de compresses 15. Cet appareil peut comprendre un champ d'affichage 16 dans une première partie 16a de laquelle est affiche le nombre de compresses utilisées et dans une autre partie 16b le nombre de compresses retirées. Un clavier 16c permet à une assistante d'introduire les informations correspondantes, tandis que le dispositif d'affichage et de signalisation 2 peut être connecté à l'appareil 14 par un conducteur 14a pour qu'il puisse afficher les mêmes informations sur sa fenêtre d'affichage 12a.
Les figures 4 à 7A représentent quatre variantes possibles du transducteur. Dans le premier cas, il se présente sous la forme d'un anneau 17 pouvant être placé autour du doigt, la bobine de détection 7 étant enroulée dans le corps de l'anneau. Celui-ci peut être garni à l'intérieur de bourrelets élastiques. longitudinaux 18 facilitant la mise en place et assurant l'immobilité sur le doigt après cette mise en place.
Le transducteur des figures 5 et SA se présente sous la forme d'un capuchon fermé 19, tandis que sur les figures 6 et 6A apparaît un capuchon ouvert 20 dont une bande circulaire 21 contient la bobine de détection 7. Toutes ces variantes peuvent être équipées d'un noyau en ferrite 8.
Les figures 7 et 7A montrent encore une forme de réalisation préférée du transducteur 1, de conception semblable à celle du transducteur représenté sur les figures 4 et 4A, mais comportant une bobine qui est formée, dans ce cas, de deux enroulements sépares connectés en série et référencés respectivement 7a et 7b. Ces enroulements, représentés également sur la figure 8 dans une vue en coupe, ont une forme cylindrique et ils sont disposés dans un anneau 17', semblable à l'anneau 17 mais plus long, de manière à entourer le doigt, les axes de symétrie des deux enroulements se confondant avec un axe xx' correspondant sensiblement à la direction longitudinale du doigt.
En connectant les enroulements 7a et 7b de manière qu'ils soient parcourus par des courants de même intensité mais de sens opposés, le champ magnétique résultant B entre les deux enroulements est alors dirigé suivant un axe yy' perpendiculaire à l'axe xx'. Cette orientation du champ est particulièrement favorable à la recherche de compresses puisqu'il pénètre, le doigt étant pose à plat sur le patient, perpendiculairement au corps de celui-ci et à grande profondeur. L'intensité du champ magnétique B, ou sa portée, peuvent encore être modifiées en inclinant les enroulements 7a et 7b sur l'axe xx'.
Bien entendu les deux enroulements 7a et 7b peuvent aussi être disposés dans les transducteurs représentés sur les figures 5 à 6A.
Enfin, on a représenté sur la figure 9, un gant de chirurgien 22 équipé d'un transducteur du type représenté aux Figures 4 et 4A.