REVENDICATIONS 1. Procédé de réaIisation de sources d'électrons de dispositifs à émission de champ, caractérisé par le fait que l'on dépose au moins une couche de matériau diélectrique (2,10), sur un substrat monocristallin (1,11), que iton grave au moins une cavité (5,12) dans la couche déposée, et que I'on forme par croissance cristalline germinée sur le substrat et facettée une pointe de cathode (9,14) au fond de chaque cavité, une couche de matériau électriquement conducteur servant de grille (4,13) étant formée sur la couche de matériau diélectrique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche polycristalline (13) de matériau électriquement conducteur est formée au cours de la même opération de dépôt que la pointe monocristalline de cathode (14) - 3. Procédé selon la revendication 2, utilisant un substrat en Si, caractérisé par le fait que la couche de matériau électriquement conducteur et la pointe de cathode sont formées en utilisant une phase gazeuse mère dopée et diluée dans un gaz porteur. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la phase gazeuse mère comporte du SiH4 et que le gaz porteur est H2 ou He. 5. Procédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé par le fait que I'on ajoute du HCl dans la phase gazeuse. 6. Procédé selon I'une des revendications 3 à 5, caractérisé par le fait que le gaz dopant utilisé est PH3. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche de matériau électriquement conducteur (4) est formée sur la couche diélectrique avant la gravure de la cavité. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que l'on dépose sur la couche de matériau - électriquement conducteur une seconde couche (4) de matériau diélectrique. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé par le fait que le matériau constituant la seconde couche diélectrique (4) est différent du matériau constituant la première couche diélectrique (2), et que l'on augmente la section de la cavité dans la première couche diélectrique par attaque chimique sélective. 10. Procédé selon la revendication 9, pour une première couche diélectrique en Sol02, caractérisé par le fait que l'attaque chimique sélective est réalisée à l'aide de HF. îr. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé par le fait que la pointe de microcathode est formée en conditions d'épitaxie sélective facettée. 12. Procédé selon la revendication 11, pour un substrat en Si, caractérisé par le fait que l'épitaxie sélective est réalisée dans un réacteur CVD a une température comprise entre 900 et 11000C en utilisant un mélange gazeux comportant du SiH4 + HCl ou SiH2C12 + HCl dans de l'hydrogène porteur. 13. Procédé selon la revendication 11, pour un substrat en AsGa, caractérisé par le fait que l'épitaxie sélective est réalisée entre 600 et 8000C dans un réacteur VPE en utilisant un mélange gazeux comportant du AsC13 dilué dans H2 et une source de gallium solide. 14. Procédé selon la revendication 11, pour un substrat en AsGa, caractérisé par le fait que l'épitaxie sélective est réalisée dans un réacteur MOCVD à pression réduite 15. Procédé selon l'une des revendications 8 à 14, caractérisé par le fait que l'on enlève par attaque chimique sélective la seconde couche de matériau diélectrique (4). 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que lorsque le facettage de la pointe de cathode ne permet pas d'obtenir de plans (111), on procède à une attaque chimique sélective ultérieure de cette pointe permettant d'obtenir ce facettage (111). 17. Procédé selon la revendication 16, pour un substrat en Si, caractérisé par le fait que I'on utilise pour L'attaque chimique sélective une solution à base dotions hydroxydes tels que KOH ou NAOS. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé par le fait que l'on utilise pour L'attaque chimique sélective une solution à base d'éthylènediamine. 19. Sources d'électrons du type à émission de champ, caractérisée par Ie fait qu'elle comporte, dans I'ordre, un substrat monocristallin (1,26) avec au moins une pointe de cathode en saillie (9,25), une couche diélectrique (2,27) et une couche en matériau électriquement conducteur (3,28), la pointe de cathode étant logée dans une cavité (5,24) de section à forme quelconque, pratiquée dans ces deux couches, et étant centrée par rapport à l'ouverture dans la couche conductrice. 20. Composant utilisant une source d'électrons selon la revendication 19. 21. Composant selon la revendication 20, caractérisé par le fait que le composant est un composant électroluminescent (21) comportant une couche d'anode (23) en matériau électroluminescent refermant la cavité (24) au fond de laquelle a été formée la pointe de cathode (25). 22. Composant selon la revendication 20 ou 21, caractérisé par le fait qutil a une structure matricielle en lignes et colonnes, chaque croisement de la matrice comportant au moins une source d'éIectrons selon la revendication 19.