Revendications 1. Dispositif semiconducteur intégré incluant au moins un élément opto-électronique de commutation, cet élément comprenant - deux guides de lumière monomodes rectilignes se croisant sous un angle donné 28, composés d'au moins une hétéro structure de matériaux III-V, laquelle comprend un substrat S en un matériau de confinement et une couche guidante CG et un ruban de guidage R, - une jonction p-n réalisée dans la région de croisement de manière dissymétrique par rapport au plan bissecteur lon gitudinal de l'angle de croisement, caractérisé en ce qu'il comprend des premiers moyens pour minimiser les pertes lorsque la jonction p-n est active incluant une structure de restriction du courant et des seconds moyens pour minimiser les pertes lorsque la jonction est passive incluant une structure de confinement de la lumière, lesdits premiers et seconds moyens coopérant pour que les sorties de l'élément de commutation soient équilibrées. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que pour réaliser la structure de restriction de courant, le substrat S est semi-isolant, et la jonction p-n est formée de deux couches respectivement C1 et C2 de type de conductivité n et p, disposées de part et d'autre de la couche guidante CG et de manière adjacente, présentant chacune un bord BB' en coïncidence avec le plan bissecteur YY' longitudinal de l'angle de croisement 29. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la dimension longitudinale de la jonction p-n excède largement celle de la région de croisement, et en ce que la jonction p-n est disposée de manière à déborder symétriquement de part et d'autre de cette région dans cette direction longitudinale. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que pour réaliser la structure de confinement de la lumière, le ruban de guidage est érigé au-dessus de 1 'hétérostructure. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend une seconde hétérostructure, composée de la couche guidante CG et d'une couche supérieure en un matériau de confinement dans laquelle est formée le ruban de guidage R. 6. Dispositif selon l'une des revendications I à 3, caractérisé en ce que pour réaliser la structure de confinement de la lumière, le ruban de guidage est constitué par un sillon formé dans le substrat, et en ce qu'il comprend une seconde hétérostructure composée de la couche guidante CG alors planaire et d'une couche de confinement supérieure également planaire. 7. Dispositif selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que, la dimension transversale WG des guides étant choisie pour permettre la propagation d'ondes mo- nomodes, l'angle de croisement 28 est choisi en fonction de l'épaisseur eG de la couche guidante CG, de 1 epaisseur H de la couche de confinement supérieure lorsqu'elle existe, de la hauteur h du ruban R et de la composition des matériaux formant l' 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'(les) hétérostructure(s) comprend (comprennent) une couche quaternaire de composé III-V pour former la couche guidante CG et une (des) couche(s) binaire(s) de composé III-V pour former le substrat S et éventuellement la couche supérieure de confinement. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le composé binaire est l'InP et le composé quaternaire est le Gaxinl~xAsy P1-y, où x et y sont les concentrations liées par la relation x = 0,435 y. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la concentration y ~ 0,1 à 0,5 la largeur des guides WG - 3 à 5 pm l'épaisseur de la couche guidante eG t 0,4 m et l'angle de croisement 28 : 2à 60. 11. Dispositif selon la revendication 10, caracérisé en ce que y 0,5 WG - 4 m 28 40 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, dans la mesure où elle dépend de la revendication 5, caractérisé en ce que la hauteur totale de cette couche au-dessus de la région guidée est H = h + e3 # 1,0 m où h est la hauteur dont est érigé le ruban R et où l'épais- seur e3 de la couche de confinement de part et d'autre du ruban est e3 0,25 et 0,60 pm 13.Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la dimension transversale de la couche supérieure de la jonction p-n est d2 3 pm 15. Dispositif semiconducteur intégré incluant une matrice de commutation optique de N guides dans N guides, caractérisé en ce qu'il comprend, pour former cette matrice, N élé- mentis de commutation selon l'une des revendications précédentes, placés en quinconce, chaque élément étant disposé vis-à-vis des autres de manière telle que les voies transportant les signaux non commutables sont dans le prolongement les unes des autres, les voies transportant les signaux commutables dans le prolongement les unes des autres et les plans réflecteurs orientés de la même façon. 16. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une des revendications 2 à 14, caractérisé en ce que pour réaliser l'alignement des masques définissant les couches n et p, on réalise des motifs d'alignement dans une partie non utilisée du circuit, en ce que l'on couvre ces motifs d'une couche diélectrique, et en ce que l'on utilise comme méthode de croissance la croissance VPE, ce qui résulte dans le fait que ces votifs restent apparents durant tout le procédé mettant en oeuvre la croissance épitaxiale VPE, et en facilite l'exécution.