INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus précisément, les pastilles de circuits intégrés sont empilées et rendues solidaires les unes des autres ; leurs plots de connexion sont reliés aux parois latérales de ltempi- lement et interconnectés à l'aide de conducteurs disposés sur les parois latérales de l'empilement.
D'autres objets, particularités et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les dessins annexés qui représentent - la figure 1, un mode de réalisation du dispositif selon l'invention - la figure 2, une variante de réalisation du dispositif selon l'invention - les figures 3a et 3b, deux vues d'une étape du procédé de fabrication du dispositif selon l'invention; - les figures 4a, 4b, 4c et 4d différentes vues d'une variante de réalisation du procédé selon l'invention, - la figure 5, une variante de réalisation d'une étape du procédé selon l'invention, - les figures 6a et 6b, deux sous-étapes d'une variante de réalisation du procédé selon l'invention.
Sur ces différentes figures, d'une part les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments et d'autre part l'échelle réelle nla pas été respectée pour la clarté des dessins.
La figure 1 représente donc un mode de réalisation du dispositif selon l'invention, représenté partiellement vu par l'une de ses faces latérales. Pour la clarté de la figure, bien que non vues en coupe, les différentes couches formant le dispositif ont été hachurées ou pointillées.
Sur cette figure, on distingue une pluralité de pastilles semiconductrices 2, portant chacune un circuit intégré, empilées - verticalement et fixées les unes aux autres par l'intermédiaire d'une couche 3, isolante et adhésive. Les couches 3 doivent être thermo-mécaniquement compatibles avec le matériau semiconducteur 2 ; dans le cas du silicium, un matériau polyimide ou époxy convient ; il peut se présenter sous la forme d'un film ; son épaisseur est telle qu'il assure en outre la planéité de la surface supérieure des pastilles 2. L'empilement est terminé à chacune de ses extrémités par une couche dite de fermeture, réalisée en un matériau isolant, assurant notamment la protection mécanique de l'empilement, respectivement 41 et 42.Les couches de fermeture 41 et 42 sont réalisées en un matériau thermo-mécaniquement adapté au matériau semiconducteur des pastilles 2 ; dans le cas où celles-ci sont en silicium, les couches 41 et 42 peuvent être également en silicium, sous réserve qu'elles soient recouvertes d'une couche d'isolant (silice, par exemple).
Chacune des pastilles de circuit intégré 2 comporte classiquement des plots permettant sa connexion électrique.
Selon l'invention, les plots des pastilles 2 sont prolongés jusqu'aux parois latérales (verticales) de l'empilement. Ces plots prolongés, repérés 20, sont interconnectés à l'aide de conducteurs 50, disposés sur les parois verticales de l'empilement et se terminant sur des plots 52 disposés sur la surface extérieure de l'une des couches de fermeture, par exemple la couche 41 sur la figure. Les conducteurs 50 sont disposés sur les faces latérales de l'empilement après que celles-ci aient reçu une couche électriquement isolante, en utilisant par exemple la technique du dépôt à travers un masque.
Les observations qui ont conduit au dispositif selon l'invention montrent que les différents paramètres qui entrent en jeu pour atteindre les buts de l'invention, c'està-dire pour optimiser l'élément de commutation autant en passif qu'en actif, sont - la structure de guide à double hétérostructure conforme à la figure 2b et à sa description - l'angle de croisement 2e - l'épaisseur ez de la couche 3 de confinement supérieure, - la dimension transversale WG du ruban R - la hauteur h dont le ruban R est érigé au-dessus de la couche 3 - la composition de la couche quaternaire, c'està-dire la concentration y en As.
Les quatre derniers paramètres, à savoir e3, WG, h et y permettent de calculer la variation d'indice an qui apparaît du fait de la différence d'épaisseur entre les régions 101, 102 et la région 100 (voir la figure 2b).
Les courbes de la figure 4 ont été établies dans le cas d'une double hétérostructure conforme à celle de cette figure 2b, pour mettre en évidence les conditions dans lesquelles le fonctionnement en passif est optimal.
Les courbes de la figure 4a représentent les variations de la puissance de sortie sur la puissance d'entrée sur les deux voies de sortie, en passif, lorsque l'angle de croisement 28 = 20, en fonction de An.
- la courbe A1 représente PT/PIN dans G'1 pour WG = 4 m - la courbe A2 représente " " pour WG = 5 m - la courbe B1 représente PR/PIN dans G'2 pour WG = 4 m - la courbe G2 représente " " pour WG = 5 m Les courbes de la figure 4b représentent les mêmes variables, lorsque l'angle de croisement 28 = 40 A partir de la figure 4a, on constate que pour un angle 28 = 2 , les conditions optimales de fonctionnement en passif ne sont obtenues que dans un domaine très étroit, où 2.10-3, et que les résultats sont un peu meilleurs, c est-à-dire les pertes moins élevées (PT/PIN plus proche de 1 et PR/PIN plus proche de zéro) pour des guides de dimension WG # 4 m (courbes A1 et B1).
Par contre, lorsque WG - 5 m (courbes A2 et B2 de la figure 4a) on n'obtient jamais PT/PIN = 1 ou PR/PIN = 0, mais le confinement latéral est un peu moins critique.
A partir de la figure 4b, on constate que pour un angle 28 ~ 40, les conditions optimales de fonctionnement en passif (PT/PIN t 1 et PK/PIN t 0) sont obtenues dans un large domaine correspondant à 10-3 Les courbes de la figure 4c montrent l'influence de l'épaisseur es de la couche de confinement 3 sur la valeur de la différence d'indice An entre les régions 101, 102 et 100, pour différentes valeurs de la hauteur H = h + e3 de-matériau de confinement 3 disposé au-dessus de la région guidée 100.
On constate d'après les courbes de la figure 4c où C1 correspond à H = 0,5 pm C2 correspond à H = 1,0 pm C3 correspond à H = 1,5 pm que la valeur optimale 10-3 H # 1,0 m et 0,25 m # e3 # 0,65 m résultant en une hauteur du ruban R 0,35 m # h s 0,75 m ces résultats étant obtenus en fixant les autres paramètres du dispositif tels que la concentration y en arsenic de la couche quaternaire et la longueur d'onde de fonctionnement A aux valeurs y X 0,5 A 1,55 #m Cette concentration de la composition de la couche quaternaire joue aussi un rôle dans l'optimisation du dispositif en passif. La figure 4d montre l'influence de la concentration y (x étant choisi tel que x = 0,435 y pour la stoechiométrie) sur la dimension e3 qui doit être choisie pour obtenir An 2.10-3 à la longueur d'onde de fonctionnement A - 1,55 pm.
La courbe D3 a été tracée pour H = 1,5 pm, La courbe D2 a été tracée pour H = 1,0 pm La courbe D1 a été tracée pour H = 0,5 pm Ces couches sont données pour montrer à l'homme du métier comment agir sur les différents paramètres y, es, H, h pour obtenir les meilleurs résultats possibles en passif, tout en disposant d'une certaine latitude sur la technologie qui permet d'obtenir WG, H et h, et donc sur la façon de mettre en oeuvre le dispositif selon l'invention.
On constate donc que, d'une façon générale, on a intérêt à choisir un angle 28 ~ 40 qui donne les meilleurs résultats aussi bien en actif qu'en passif, et laisse une certaine marge d'erreurs possible sur la dispersion des autres paramètres lors de la mise en oeuvre de ce dispositif.
D'autre part, pour la propagation des signaux lumineux monomodes dans la couche quaternaire, les calculs montrent que l'épaisseur optimale de cette dernière, en tenant compte des valeurs des autres paramètres précédemment choisies, est eG 0,4 wm L'expérimentation de dispositifs réalisés conformément aux calculs a montré des résultats parfaitement en conformité avec les résultats prévus en simulation.
Le dispositif selon l'invention offre encore l'avantage d'être réalisé sur un substrat semi-isolant approprié à recevoir aussi des éléments actifs tels que des transistors à effet de champ, des diodes etc... De plus, les contacts électriques peuvent être réalisés sur une seule face du substrat.
Tel que représenté en coupe sur la figure 3a, l'élément de commutation comprend en outre un contact E2 de type p pour l'injection des porteurs dans la couche C2, et tel que représenté en coupe sur la figure 3b, un contact E1 de type n pour l'extraction des porteurs de la couche C1.
Comme il est montré vu du dessus sur la figure Sa, on réalisera le contact E2 de préférence sous la forme d'un plot, ou d'une ligne, disposé selon l'axe de symétrie transversal ZZ' de la région de croisement ; de manière à injecter le maximum de porteurs au centre de la couche C2 dans la région de croisement.
Comme il est montré sur cette même figure Sa, on réalisera le contact E1 de préférence sous la forme de deux plots E'1 et E"1 de grande surface dont l'un des bords se trouve aussi rapproché que possible de la couche C2, par exemple à un distance D1 ~ 10 pm. Les plots E'1 et E"1 sont prévus symétriques par rapport à l'axe transversal ZZ' de la région de croisement pour permettre l'extraction des porteurs symétriquement par rapport à leur injection La figure 3a montre en coupe que le contact électrique E2 de type p peut être constitué d'une couche 5 en alliage TiPtAu formant avec la couche e2 un contact ohmique, surmontée d'une couche d'épaississement 6 du même alliage, pour réaliser des connexions, cette couche d'épaississement 6 étant alors partiellement réalisée sur une couche isolante 7 pour permettre de former par exemple les lignes d'arrivée du courant.
La figure 3b montre en coupe que les contacts E' et E"1 peuvent être constitués d'une couche 8 de l'alliage AuGeNi, formant avec la couche C1 un contact ohmique, surmontée d'une couche 9 d'épaississement de l'alliage TiPtAu pour relier par exemple ces plots à la masse. Les couches 8 et 9 constituant les contacts E' et E", peuvent être réalisées dans des ouvertures disposées dans les couches supérieures du dispositif, découvrant la surface supérieure de la couche E1.
actionné à l'aide d'une poignée 24.
La figure 9 représente le même écarteur monté sur un support destiné à coopérer grâce au passage 25 pour
vis avec les filetages 19 du flasque.
L'écarteur a avantageusement un diamètre d'environ 25 mm dans sa partie la plus étroite destinée à
recevoir et écarter les deux parties du "plâtre" coupé.
La présente invention se rapporte à un rétrovirus le HIV-NDK et ses mutants.
La structure génomique du virus SIDA, le virus d'immunodéficience humaine (HIV) a été bien établie.
Ainsi, les séquences nucléotides de prototypes du LAV1 ou du HTLVIllB ont révélés une organisation complexe incluant trois gènes structuraux et au moins cinq gènes régulateurs.
Cependant, la même organisation génomique quoique conservée dans plusieurs variants de l'Amérique du Nord, de l'Europe et de l'Afrique a été néanmoins accompagnée d'une - grande hétérogénéité génétique plus particulièrement dans l'extrémité 3' du gène env codant pour la glycoprotéine externe gap 120.
Parallèlement à cette variation génomique, tous les isolats sont caractérisés par l'effet cytopathique (C.P.E.) sur les cellules CD4+ consistant en une dégénérescence massive de la population cellulaire.
Une perte ou un gain dans cette cytopathogénicité des isolats HIV a récemment été mis en évidence par plusieurs groupes de chercheurs qui tend à indiquer qu'une variation biologique du HIV 1 peut exister à l'intérieur d'un seul patient. Ainsi des chercheurs ont décrit l'existence naturelle de variants d'isolats HIV I obtenus à diverses étapes de l'infection dans les individus : ces variants- révèlent un effet cytopathique accru in vitro qui correspond à la progression de la maladie. D'autre part, un effet cytopathique réduit à été démontré après l'introduction de délétion à l'intërieur de l'extrémité 3' du génome viral couvrant les gènes env et nef.Ainsi, des mutants résultants de délétions dans diverses parties du gène env ont mis en évidence une importance critique de quelques acides aminés pour l'infection virale et/ou la cytopathogénicité, suggérant ainsi des "distortions" entre la réplication virale et l'induction de syncitia.
Plus précisément la présente invention se rapporte à un rétrovirus HIV dit NDK, hautement cytopathogène, caractérisé en ce qu'il s'agit du virus ayant la structure correspondant à la figure 2 ainsi que de ses mutants.
Cette souche HIV 1-NDK a été isolée d'un patient porteur de SIDA. L'inoculation de ce HIV dit NDK isolé au chimpanzé induit une déplétion T4, la souche HIV 1-NDK est la seule souche capable de développer un tel effet in vivo.
C'est pourquoi la présente invention concerne, non seulement comme cela a été dit précédemment, ce nouveau virus ainsi que ses mutants, mais également des fragments d'ADN dudit virus qui codent pour l'une des protéines du virus, en particulier pour les protéines antigéniques chez les primates.
Par mutants du virus HIV-NDK, on entend désigner les virus HIV de type HIV 1 qui ne sont pas inhiber par OKT4A. Dans ce qui suit, on utilisera la terminologie HIV-NDK pour désigner aussi bien le virus lui-même, représenté à la figure 2, que ses mutants car la propriété de ne pas être inhibé par OKT4A distingue clairement cette classe de virus des autres virus HIV I tels que ROD ou BRU.
Bieq entendu, parmi les protéines antigéniques en cause, il faut citer, plus particulièrement, les protéines correspondant à des composants structuraux du virion, en particulier les protéines antigéniques ou les fragments antigéniques des produits d'expression des gènes gal, pol ou env.
On se réfère d'abord à la figure 1, dans laquelle on a représenté schématiquement une partie d'un objet postal, tel qu'un "objet plat" 10, dans un angle duquel on a imprimé à l'encre fluorescente un code postal désigné par la référence 12 et constitué de bâtonnets identiques et parallèles 14 qui sont séparés les uns des autres par des distances égales à des multiples d'un pas constant prédéterminé.
Dans le cas de ce qu'on appelle les objets plats, considérés jusqu'à présent comme non mécanisables, les bâtonnets 14 auront une hauteur de l'ordre de 15 à 20 millimètres, pour augmenter les chances de lecture correcte du code 12. La largeur des bâtonnets sera de l'ordre de 0,6 millimètres, et le pas constant, c'est-àdire la distance minimale entre deux bâtonnets consécutifs, de l'ordre de 1,67 millimètres.
La suite de bâtonnets 14 constituant le code barres 12 est lisible de droite à gauche, dans le sens indiqué par la flèche 16, et comprend 8 groupes successifs de quatre bâtonnets sur 6 emplacements possibles.
Pour faciliter la compréhension, on a représenté les bâtonnets 14 par des traits pleins verticaux et parallèles, et les absences de bâtonnets par des points.
Si on considère le premier groupe de bâtonnets en partant de la droite, celui-ci comprend successivement, de droite à gauche, trois bâtonnets, un espace vide, un bâtonnet et un espace vide.
Le premier bâtonnet de ce groupe (bâtonnet 18) est un bâtonnet de début (ou de "start") que l'on trouvera toujours au début d'un groupe de bâtonnets et qui correspond à l'initialisation de la lecture d'un chiffre du code postal ou d'un symbole de redondance. Les trois bâtonnets qui suivent, désignés par les références 20, correspondent à l'écriture d'un chiffre compris entre 0 et 9 dans un code 3 parmi 5, c'est-à-dire comportant 3 bâtonnets répartis sur 5 emplacements possibles. La disposition des bâtonnets dans le premier groupe à partir de la droite, correspond au chiffre décimal 1.
Dans le groupe suivant de bâtonnets, c' est-à- dire dans le groupe situé immédiatement à gauche du précédent, on retrouve, dans le sens de lecture de droite à gauche, un bâtonnet de début 18, puis un espace vide, 3 bâtonnets 20, et un espace vide. Cela correspond au chiffre décimal 3 écrit dans le code 3 parmi 5.
Les trois groupes suivants de 5 bâtonnets correspondent respectivement aux chiffres décimaux 7, 6 et 2.
Les codes à barres ou à bâtonnets utilisés actuellement pour le traitement automatique du courrier mécanisable, sont constitués uniquement de ces 5 premiers groupes de bâtonnets.Des groupes supplémentaires de bâtonnets peuvent être prévus pour le codage de l'adresse en mode "distribution". Le code selon l'invention comprend encore 3 groupes supplémentaires de bâtonnets, correspondant à des symboles de parité et de somme, qui sont désignés par les références H,V,S, en figure 1.
Comme les groupes de bâtonnets correspondant aux chiffres décimaux, ces trois groupes H,V,S, comprennent chacun un premier bâtonnet 18 de début ou d'initialisation, puis d'autres bâtonnets qui correspondent, soit à des bits de parité, soit à un chiffre décimal qui est le résultat d'une somme modulo-l0 effectuée sur au moins certains chiffres du code postal, comme on va le voir plus en détail en référence à la figure 2.
En figure 2, on retrouve, en regard des chacuns des chiffres du code postal 13762, la suite de bits (bâtonnets et espaces blancs) qui correspond à ce chiffre dans le code 3 parmi 5 lu de droite à gauche.
Pour faciliter la compréhension, les codes barres des différents chiffres du code postal ont été écrits verticalement alignés les uns en dessous des autres (les premiers bits 18 de début ou d'initialisation n ont pas été représentés).
A droite de cette série de groupes de bâtonnets, on a représenté un premier symbole de parité H, écrit verticalement, et dont les 5 bits se trouvent chacun en regard d'un groupe de bits correspondant à un chiffre décimal 1, 3, 7, 6, 2. Ce symbole de parité H est constitué de 5 bits de parité correspondant chacun à la parité du nombre de bâtonnets se trouvant en deux emplacements prédéterminés, tels que ceux désignés par les références 22. Par exemple, le groupe de bâtonnets correspondant au chiffre décimal 1 (ligne supérieure) comprend un bâtonnet en chacun des deux emplacements 22. Sa parité sera désignée par un point dans le symbole H (c' est-àdire par une absence de bâtonnet).
Il en est de même pour la ligne inférieure, qui correspond au chiffre décimal 3.
La ligne immédiatement inférieure, qui corres pond au chiffre décimal 7, ne comprend qu'un seul emplacement 22 occupé par un bâtonnet. Sa parité sera donc désignée par un bâtonnet dans le symbole de parité H.
Il en va de même pour les deux autres lignes inférieures, qui correspondent aux chiffres décimaux 6 et 2 respectivement.
La figure 4 est un agrandissement de la partie avant de la bicyclette permettant de distinguer plus nettement le boîtier (1) de petite taille fixé au guidon. La partie "tableau de bord" est composée du voyant de pleine charge (LV), du voyant de réserve de sécurité (LO), du voyant de test batterie (LT), du voyant d'utilisation manuelle (LC) et de la photo-résistance (PR).
L'inverseur de secours (I) ne devant en principe jamais servir peut être placé sur le côté ou sous le boitier.
Sur ce montage monobloc, seuls 5 fils sont à brancher : 2 fils à relier à l'alternateur, 2 fils à relier aux feux avant et arrière, 1 fil à la masse et éventuellement 1 ou plusieurs fils pour alimenter les accessoires.
L'idéal serait d'intégrer à ce boîtier l'éclairage avant ce qui permettrait de réduire le nombre de branchement à 4 et de n'avoir qu'un seul ensemble 'a à l'avant de la bicyclette.
La figure 5 montre un type de boîtier ne renfermant que le système électronique fixé au guidon de la bicyclette. Les batteries étant logées par ailleurs incorporées ou non à un autre ensemble. Dans ce cas, le tableau de bord est alors extra-plat.
La figure 6 propose un montage du système électronique seul dans le boîtier de 1 'éclairage avant, le dessus du phare formant "tableau de bord".
De nombreux autres montages sont possibles, en effet la conception et la forne des boîtiers sont affaire de gout et dépendent des matériaux utilisés (plastique, aluminium, etc...) et des moyens de production des industriels.
Pour des raisons diverses, il est possible d'amputer le dispositif inventé de sous-ensembles tels que le testeur de batterie, de la visualisation de l'état de charge et du limiteur de charge. A la limite, le système pourrait être réduit au dispositif de charge avec ou sans limiteur de charge et aux batteries. Ce dispositif alimenterait alors un ou plusieurs accessoires tels que clignotants, warning, feux stop, avertisseur sonore etc...
A-1/ Cette Invention concerne un dispositif pour fixer les BOUCLES D'OREILLE, lequel est unique mais applicable à de différentes formes et modèles de boucles, ainsi qu'aux différentes possibilités d'ornements qu'on pourrait éventuellement ajouter. Nous proposons donc ne@f ensembles de pièces de fixation et embellissements différents que nous incluons dans ce Brevet ; b1 :MODELES Modèle 1 : "Etoile" (figure 2) qui peut être assemblé avec les pièces de jonction des figures 7, 6 ou 5 ; Modèle 2 : "Plein coeur" (figure 1) qui peut être assemblé avec les pièces de jonction des figures 7, 6 ou 5 ; Modèle 3 : "Soleil" (figure 3) qui put être assemblé avec les pieces de jonction 7, 6 ou S Modèle 4 t "Coeur brisê" (figure 4) dont les trois pièces vont ensemble comme suit - pièce Q fixée sur le support Y de la figure 10, - pièce R fixée sur le support A de la figure 10, - pièce S fixée sur le support D de la figure 10 ; Modèle 5 : "Flèche" (figure 9) dont la pièce de jonction RONL est à fixer sur le support A de la figure 11, et la pièce de jonction Z pour fixer sur le support D de la même figure Modèle 6 : "Sapin" (figure 8) dont la pièce de jonction RONL est à fixer sur le support A de la figure 11, et la pièce de jonction Z pour fixer sur le support D de la même figure ; Modèle 7 : "Lune fléchée" (fugure 5), dont la pièce de jonction u-o est à fixer sur le support A de la figure 10, et la pièce de jonction PU pour fixer sur le support D de la même figure ; Modèle 8 : "Pyramide" (figure 6) dont la piéce de jonction N est à fixer (point X) sur le su@port A de la figure 10, et la pièce de jonction M sur le support D de la même figure ; Modèle 9 : "Lune à reflets" (figure 7) (reflets T), dont la pièce de jonction L est destinee @ être fixée sur le support A de la figure @@. et la piè@e ce jonction K sur le support D de la même figure, b2 :PENDENTIFS --------- c2-1 @ Les points de "crochet" TI DE LA FIGE 3, J de la figure 1, H de la figure 2, QQ de la figure 4, A de la figure 12 et 6 de la figure 13 sont destines a l'ajout d'un pendentif au choix du fabricant, c2-2 Le point V de la figure 6, le W des figures 9 et 8 correspondent à des chaînettes suspendues.
b3 : FIGURES SPECIALES --------------- Les figures 1 et 13 correspondent a des exemples d'embellissements qu'on peut ajouter en pierres précieuses ou diamants sur le support Y de la figure 11, A-2/ L'objet principal de cette Invention, comme celui d'une autre presentee par le même Auteur en la même date, est celui du systeme de DISPOSITIF POUR FIXATION DE BOUCLES D'OREILLE, à savoir les figures 10 et 11 c-1 : PIECES Ce Dispositif est notamment constitue par trois pièces @e, G et F) pour permettre l'adaptation.
c-2 : Les support A et D de ce dispositif sont destines a souder, coller ou visser les pièces de jonction que le fabricant désire appliquer.
c-3 Dans certains cas, les support A et D dudit dispositif peuvent être fabriqués, munis d'une vis chacun, pour y fixer les pièces de jonction voulues, c-4 Le point Y du dispositif est destiné å y fixer l'embellissement ou ornement principal choisi.
A-: / Le Principe de cette FIXATION, que ce soit fait en forme cylindrique, c:at, avec une ou deux clissiêres de rêglage, est essentiellement le même et uniqué, son "mécanisme" ne pouvant être altéré, modifié, imité ou autrement "fausse" dans son contenu su@stantiel ou FRINCIPAL pour en élaborer un BREVET different susceptible de TITRE, A-@/ La FIXATION des boucles d'oreille est traditionnellement effectuée a l'aide d'un "trou" dans le lobe ou au moyen d'un "clip".