INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention a pour objet des dérivés de la 5-amino 1,2,3,4-tétrahydroacridine et les applications de ces substances comme médicaments.
La molécule de THA, ainsi que des procédés d'obtention de cette molécule, sont déjà décrits dans la littérature. On trouve notamment la référence de ce produit dans le merci index nO 89 07, 10ème édition (juillet 1983), sous la dénomination Tacrine. En fonction de la nomenclature adoptée pour l'écriture de la formule chimique, la THA peut être également dénommée 9-amino 1,2,3, 4-tétrahydroacridine.
On sait déjà que cette molécule peut être utilisée, outre ses applications d'anticholinestérase et de stimulant respiratoire, dans le traitement de différentes formes de la dégénérescence, en particulier contre la maladie d'Alzheimer qui provoque de graves désordres mentaux chez certains vieillards. Cependant, jusqu' récemment, le traitement par la THA présentait des inconvénients très importants dus notamment à la toxicité de certaines impuretés présentes dans les préparations de THA disponibles.
L'objet de la présente invention est de 'fournir des dérivés de la THA ayant d'une part une faible toxicité et d'autre part une activité biologique et une spécificité augmentées par comparaison avec la THA non substituée, notamment en ce qui concerne son activité virulicide.
L'invention a donc pour objet des composés chimiques dérivés de la 5-amino 1,2,3,4-tétrahydroacridine (THA) répondant à la formule générale dans laquelle R représente - un groupement glycosyle éventuellement substitué par une base purine, - un groupement thio-carbamyle, auquel- cas ledit groupement est commun à deux molécules de THA qui lui sont liées par le groupement -NH en position 5, - un groupement adamantyle éventuellement substitué, - un groupement isatinyle, - un groupement H2Z, dans lequel Z représente un reste d'un monoacide ou d'un diacide, sous forme ionique et lié de manière non covalente à la molécule du composé, - un atome d'hydrogène, auquel cas le composé est présent sous forme de complexe comprenant au moins une molécule de THA associée à au moins une molécule choisie parmi l'alpha-aaamantane, l'alpha-amino adamantane et un nucléoside tel que l'adénosine, la guanosine ou l'inosine.
Ces composés peuvent se présenter sous forme de mélanges racémiques ou sous forme de stéréoisomères.
Les composés pour lesquels R est différent de HzZ peuvent aussi se présenter sous forme de sels pharmaceutiquement acceptables.
Si R représente un groupement glycosyle, ledit groupement peut être un groupement ascorbyle. Il est à noter que l'ascorbate de THA est hydrosoluble, ce qui permet son injection intramusculaire (i.m.), intra-veineuse (i.v.) ou sous-cutanée (s.c.) ou sa perfusion.
Si R représente un groupement glycosyle substitué, ledit groupement peut être un groupement inosinyle, adénosinyle ou guanidosinyle, éventuellement substitué.
Si R représente un groupement thio-carbamyle, ledit composé peut être une di(tétrahydro l,2,3,4-acrydinyl-5) thio urée.
Si R représente un groupement adamantanyle, ledit groupement peut être un groupement alpha-adamantanyle ou alpha-amino-adamantanyle.
La croissance des micro-organismes requiert la présence d'un certain nombre d'éléments tel que carbone, oxygène, azote, hydrogène, phosphate, soufre, etc... Une carence de l'un des éléments constitutifs va, selon son importance, bloquer ou pour le moins ralentir considérablement la croissance et l'activité des micro-organismes. Or, la phase de croissance est essentielle à la bioépuration car elle permet une certaine concentration en biomasse active responsable de la dégradation des produits polluants. En conséquence, le maintien en vie de ces micro-organismes ainsi que leur développement exigent un apport complémentaire de ces éléments en quantité convenable (apport en nutriants) afin de rétablir l'équilibre nécessaire.
La colonne est garnie avec un support solide inerte du type décrit précédemment et le liquide de lavage y circule à co- ou contre-courant du gaz à traiter. Ainsi, le polluant étant gazeux et la bioépuration se faisant en présence d'eau, une phase de transfert doit précéder la phase de bioépuration. Dans le procédé décrit ici, c'est le liquide de lavage qui assure le transfert du ou des produits polluants de la phase gazeuse à la phase liquide. Les micro-organismes, quant à eux, assurent la dégradation des produits polluants.
Ce procédé à base de bactéries est beaucoup moins onéreux que celui décrit auparavant par voie chimique. Cependant, la consommation en eau reste très importante et le taux d'efficacité est faible et non satisfaisant en cas, notamment, de baisse de la concentration en produits polluants. Ceci représente donc une gène importante pour un fonctionnement en continu.
Dans le second cas évoqué précédemment, à savoir le traitement en bactéries fixées sur un support, on connait un procédé qui consiste à employer un lit de tourbe comme support pour les microorganismes. Ce support est disposé sur une grille sous laquelle circule de l'air pollué qui remonte à travers la tourbe et se trouve ainsi épuré. Un dispositif d'arrosage est prévu au dessus dudit support afin de permettre son humidification à des intervalles réguliers ainsi que l'apport en nutriants nécessaire au démarrage mais également pendant toute la durée de l'épuration. Cet apport en nutriants sert à sélectionner des bactéries spécifiques, aptes à dégrader les produits polluants présents, parmi celles contenues (par nature) dans la tourbe et à maintenir l'équilibre -du milieu.
Ainsi, le support assure le transfert du ou des produits polluants de la phase gazeuse à la phase solide par adsorption.
Les micro-organismes fixés sur la tourbe assurent la dégradation des produits polluants adsorbés.
Bien que ce type de support présente l'avantage de posséder en lui-même des bactéries et quelques uns des principaux éléments facilitant la biodégradation, il n'en possède pas suffisamment et on observe malheureusement un phénomène de saturation rapide. Ainsi, un apport en nutriants à des intervalles réguliers permet de retarder la saturation et donc le remplacement du lit de tourbe. Néanmoins, on ne peut utiliser ce procédé que pour la bioépuration d'effluents gazeux faiblement chargés en produits polluants. ~ Pour les fortes charges, il y a rapidement saturation de la tourbe et le rendement d'épuration n'est plus acceptable pour une installation industrielle.
L'invention remédie aux inconvénients inhérents aux procédés d'épuration connus jusqu'à présent en proposant l'utilisation d'un support consommable.
Un premier objectif de l'invention est de permettre l'épuration d'effluents gazeux avec une excellente efficacité en particulier pour des effluents gazeux très fortement chargés en produits polluants et plus particulièrement en produits soufrés.
Un deuxième objectif est de fournir un procédé simple de mise en oeuvre, comportant un nombre minimum de manipulations, et une consommation en énergie réduite.
Un troisième objectif consiste en l'obtention de rejets liquides sous une forme facile à traiter, afin de ne pas créer de nouvelle pollution.
Un dernier objectif est de fournir un procédé ne nécessitant pas d'appareillage complexe, et présentant un coût d'investissement et d'entretien considérablement réduit.
Ces objectifs ainsi que d'autres sont atteints à l'aide d'un procédé pour la bioépuration d'effluents gazeux chargés en produits polluants comportant une étape dans laquelle lesdits effluents gazeux traversent la biomasse fixée sur un support caractérisé en ce que ledit support est consommable au cours de la réaction d'épuration.
Selon d'autres caractéristiques de l'invention le support consommable est placé de préférence dans une colonne à garnissage. Il peut être constitué de maërl.
Les micro-organismes sont fixés sur ledit support consommable. Il peut stagir d'une souche unique ou d'une culture mixte.
Pour les produits soufrés tels que l'hydrogène sulfuré et le sulfure de carbone, l'utilisation de Thiobacillus acidophiles sur support maërl a conduit à des résultats excellents qui vont bien au-delà de ce qu'on aurait pu attendre. En effet, il est apparu que le maërl contient certains des éléments nécessaires au maintien en vie et à la prolifération des bactéries. Toutefois, un apport en nutriants est nécessaire pour assurer l'équilibre du milieu.
qu'ils soient en fil de section constante ou variable, peuvent être avantageusement équipés de goussets selon la présente invention pour empécher que leurs spires, en s'entrechoquant.
ne se détériorent ou fassent du bruit.
Les ressorts conformes à l'invention sont particulièrement intéressants pour la suspension des véhicules automobiles mais ils peuvent aussi être montés sur toutes sortes d'autres véhicules ou de machines.
PROCEDE POUR DEVELOPPER UNE FORCE DE SERRAGE PAR PROGRAMMATION NUMERIQUE ET SON DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE, EN PARTICULIER POUR LA POUPEE MOBILE DE MACHINES-OUTILS La présente invention concerne un procédé pour développer des forces de serrage par programmation numérique et un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé, en particu lier pour la poupée mobile de machines-outils.
Des dispositifs susceptibles de développer une force de serrage réglable pour la poupée mobile de machines-outils sont connus, par exemple, de DE-A 1 752 599, par la notice technique de l'unité de serrage du type ESP-P de l'entreprise allemande Berg, ainsi que par la demande de brevet italienne n0 26 101 A/79 et la notice technique du dispositif de serrage de type AEC de l'entreprise italienne BARUFFALDI FRIZIONI ainsi que par la demande de brevet hongroise n0 4022/84 et la notice technique qui s'y rapporte du déposant de la présente invention.
Un inconvénient commun aux solutions techniques connues consiste en ce que, dans tous les cas, la force de serrage doit être réglée sur l'unité de serrage par une intervention humaine, ce qui empêche une automatisation complète.
Le but de l'invention est de proposer, en évitant les défauts mentionnés ci-dessus, un procédé et un dispositif grace auxquels on peut réaliser une programmation numérique de la force de serrage de la pointe de poupée mobile, de sorte que le réglage de la force de serrage de la pointe de la poupée mobile peut être programmé dans un programme technique, sans intervention humaine, pour les dispositifs à commande numérique NC, CNC, PLC, de machine-outil.
L'invention-repose sur la prise en compte du fait que le parcours de déformation (modification de longueur) des ressorts qui créent la force de serrage est proportionnel à cette force de serrage et que cette course de déformation peut être comparé digitalement et fixé à l'avance.
Sur la base de cette prise en compte, on a développé un procédé de création d'une force de serrage programmable, en particulier pour les poupées mobiles de machines-outils reliées à une unité de serrage mécanique, dans lequel on crée un déplacement proportionnel à la force élastique dans l'unité de serrage et des signaux électriques digitaux en nombre proportionnel à ce déplacement, dont la somme est stockée sous forme binaire et est comparée à un nombre binaire prédéterminéprogrammé qui représente la valeur de la force à régler sur la pointe de la poupée mobile (la force d'appui de l'outil, exercée à travers la pointe de la poupée mobile). Le fonctionnement de l'unité de serrage mécanique est commandé par le signal de commande obtenu en cas de coïncidence des deux nombres binaires.
La nouveauté de la solution suivant l'invention consiste en ce que la mesure de la force de serrage de la pointe de poupée mobile est ramenée de façon indirecte à la mesure d'une course par une chaîne cinématique en utilisant des moyens digitaux, et en ce que le parcours de déformation, ou respectivement la force exercée sur la pointe de poupée mobile qui lui est proportionnelle, peut être donné par des chiffres sous forme binaire.
De plus, pour la mise en oeuvre du procédé mentionné ci-dessus, un dispositif conforme à l'invention a été développé dans lequel l'unité de serrage mécanique qui comprend un moteur électrique et une transmission est munie d'un frein électromécanique d'immobilisation et d'une douille cannelée qui est reliée à la douille de poupée mobile au moyen d'une broche filetée, ce dispositif étant équipé de capteurs digitaux de déplacement auxquels est reliée une unité électronique de réception de signaux, de traitement de signaux et d'arrêt.
Suivant un mode de réalisation préféré du dispositif conforme à l'invention, N évidements (alésages), dont le déplacement est capté par un émetteur électrique de signaux, sont prévus dans l'enveloppe périphérique de la douille cannelée. A l'instant du contact de la pointe de poupée mobile avec la pièce à usiner, l'extrémité de la broche filetée qui se déplace dans la douille cannelée est captée par un autre émetteur de signal électrique qui lui est adjoint.
Dans un autre mode de réalisation préféré du dispositif conforme à l'invention, l'émetteur électrique de signaux qui est adjoint à la broche émet des signaux électriques digitaux proportionnels par leur nombre N à la grandeur du déplacement de la broche filetée suivant la direction axiale, à l'intérieur de la douille cannelée, grâce à la forme de adaptée (composée d'anneaux) de l'extrémité.
Dans le premier mode de réalisation de l'invention, les signaux électriques digitaux de mesure du parcours de déformation de ressorts sont dérivés d'un déplacement tournant, alors que le second mode d'exécution permet une mesure directe du parcours de déformation des ressorts grâce à une forme de réalisation adaptée de l'extrémité de la broche filetée.
Le procédé selon la présente invention et le dispositif qui l'accompagne sont décrits de façon plus détaillée ciaprès, en référence aux modes de réalisation et aux dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 représente un mode de réalisation du dispo sitif conforme à l'invention avec une unité mécanique de serrage en coupe; - la figure 2 représente un schéma à blocs de l'unité électronique de traitement des signaux du dispositif suivant la figure 1 qui mesure, de façon indirecte, la course de déforma tion des ressorts; et - la figure 3 représente un schéma à blocs d'une autre unité électronique de traitement des si gnaux qui détecte directement la course de déformation des ressorts.
La figure 1 permet de voir que l'unité de serrage d'un dispositif programmable conforme à l'invention comprend un mécanisme 1 muni d'une transmission qui est, d'une part reliée à la poupée mobile d'une machine-outil et, d'autre part, à un moteur électrique 3. Le mécanisme 1 est équipé d'un frein d'immobilisation 5 sur le bout d'arbre de droite 4 du moteur électrique 3. Dans le mécanisme 1 est montée à rotation une douille cannelée 6 qui est reliée au moyen d'une broche filetée 7 au fourreau de contre-pointe 8 de la poupée mobile 2, l'autre extrémité de la broche filetée 7 pénétrant dans la douille cannelée 6 et s'y appuyant par l'intermédiaire de ressorts 9.On voit, en outre, que le mécanisme 1 est équipé d'un émetteur électrique de signaux 10 qui engendre des impulsions électriques de serrage servant à des N évidements 11 prévus dans l'enveloppe externe de la douille cannelée 6 et qui permettent de satisfaire les exigences des solutions correspondantes. De plus, il est prévu un émetteur électrique de signaux 12, qui émet des signaux électriques de tension, en captant le déplacement axial de l'extrémité de la broche filetée 7. Une unité électronique 13 de traitement de signaux est montée sur le mécanisme 1 et sert à comparer la force de serrage effectuée avec une force prédéterminée programmée.
Toutefois, 1'EEPR0X å "cellule MAID" actuellement proposée souffre d'une insuffisance de fiabilité lors d'une opération de lecture de données. Plus spécifiquement, dans une mémoire de ce type, des charges électriques Cpar exemple des électrons) stockées dans une grille flottante Cfloating gate) d'un transistor d'une cellule de mémoire sélectionnée sont déchargées et cela déplace la valeur de seuil dans une direction de polarité négative, ce qui a pour effet de stocker une donnée 1" logique dans la cellule de mémoire sélectionnée.
Des électrons sont injectés dans la grille flottante du transistor de la cellule de mémoire sélectionnée, pour déplacer sa valeur de seuil dans une direction de polarité positive, une donnée bor logique étant ainsi stockée dans la cellule de mémoire sélectionnée. Dans un exemple typique, lorsqu'un nier logique est écrit, la valeur de seuil de la cellule de mémoire sélectionnée est au noins & 2 V, et lorsque la donnée *0" logique est écrite, la valeur de seuil de la cellule de mémoire sélectionnée n'excède pas + 3 V : la différence entre ces tensions tombe å l'intérieur d'une plage 5 Y.Une différence aussi faible entre les valeurs de seuil a pour effet de dégrader la fiabilité d'une opération de lecture de donnée, comme décrit plus loin.
Dans 1sEPR0X de ce type, lorsqu'une donnée stockée dans une cellule de mémoire désirée est lue, un potentiel de niveau ',L" (par exemple 0 volt) est appliqué å une ligne de mot connectée à la cellule de mémoire sélectionnée.Dans cet état, on décele si un courant est fourni à un arrangement de cellule lAID incluant la cellule de mémoire sélectionnée, afin de déterminer si c'est une donnée "1" ou Ncr logique qui est stockée dans la cellule de mémoire. si le niveau de potentiel 'H" est maintenu appliqué aux lignes de mot non sélectionnées dans un tel cycle de lecture de donnée, la valeur de seuil de Id cellule de mémoire stockant la donnée "1" logique est graduellement déplacée dans une direction de polarité positive.Si la différence entre la valeur de seuil obtenue lorsque la donnée "1" logique est stockée dans la cellule de mémoire et celle obtenue lorsque c'est la donnée or qui est stockée est faible, un léger déplacement de la valeur de seuil est alors la cause d'une erreur certaine de lecture de la donnée. la probabilité de génération de l'erreur de lecture est d'autant plus grande que le nombre de cycles de lecture de l'BBPROX est plus grand.
En outre, lorsque des opérations d'écriture et d'effacement de données sont répétées en grand nombre, les variations des valeurs de seuil des cellules de mémoire augmentent.
Si la valeur de seuil de la cellule de mémoire effacée est inopportunément déplacée de manière å être une valeur relativement importante ayant une polarité positive, la cellule de mémoire en état d'effacement ne peut pas être validée si l'on utilise la tension de source d'alimentation Vcc en tant que potentiel de niveau "H" à appliquer, dans le mode de lecture suivant, aux lignes de mot non sélectionnées. Ceci conduit à un accroissement inadmissible du nombre des erreurs de lecture dans l'BEPROX dont la fiabilité de fonctionnement se trouve alors compromise.
La présente invention a donc pour but de parvenir à une mémoire morte effaçable et programmable électriquement, améliorée, qui aura une intégration poussée afin d'obtenir une grande capacité de stockage de données et présentera une excellente fiabilité de fonctionnement.
Conformément au but susmentionné, la présente invention vise un dispositif spécifique de mémoire dynamique non volatile, comprenant un substrat semiconducteur, des lignes de bit agencées au-dessus du substrat et des cellules de mémoire programmables connectées à ces lignes de bit. L'ensemble des cellules de mémoire comporte des blocs formant chacun une cellule BOX-ET, dits "blocs cellules J U Dw, comprenant chacun (1) un transistor de sélection connecté a une ligne de bit correspondante et < 2) un arrangement série de transistorscellules de mémoire connecté au transistor de sélection, en un premier noeud de cet arrangement, et connecté au substrat en un deuxième noeud de cet arrangement. Chaque trnnsistor-cellule de mémoire possède une couche de stockage de porteurs et une grille de commande. Des lignes de mot parallèles sont agencées au-dessus du substrat etrespectivement connectées aux grilles de commande des transistors- cellules de mémoire. Un transistor de sélection d'un certain bloc cellule lAID incluant une cellule de mémoire sélectionnée est rendu conducteur dans un mode lecture de donnée du dispositif. Ce certain bloc cellule est ainsi connecté à une ligne spécifique parmi les lignes de bit y associées.Dans une telle condition, une tension de niveau fLZ est appliquée à la ligne de mot connectée au transistor de sélection de cellule de mémoire, et un signal de tension ilpulsionnel ayant un niveau 'H" est fourni aux lignes de mot restantes, de sorte que la donnée stockée dans la cellule de mémoire sélectionnée est lue. La largeur d'impulsion du signal de tension impulsionnel est de préférence établie de manière å être plus courte que la période d'un cycle de lecture.
Les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus complètement dans la description présentée dans ce qui suit, a titre d'exemple non limitatif, en se reportant aux dessins annexés dont les figures représentent - la figure 1, un schema montrant une configuration de circuit d'une partie matrice de cellules de mémoire d'une mémoire sorts effaçable et programmable électriquement - "EEPROM" selon une appellation connue de l'homme de l'art - conforme d une forte de réalisation préférée de la présente invention;; - la figure 2, un schéma d'une- vue en plan d'un bloc cellule incluant un transistor de sélection et des transistors de cellules de mémoire - la figure 3, une vue en coupe du bloc cellule prise le long de la ligne 111-111 de la figure 2; - la figure 4, une autre vue en coupe du bloc cellule. prise le long de la ligne IV-IV de la figure 2; - la figure 5, un chronogramme montrant certains profils typiques de signaux de tension qui sont générés aux parties principales de l'EEPROX dans le mode effacement et dans le mode écriture;; - la figure 6, un chronogramme montrant certains profils typiques de signaux de tension qui sont générés aux parties principales de l'EEPROK dans le mode lecture de celle-ci; et - la figure 7, un schéma montrant en détail la configuration.
d'un circuit périphérique d'attaque de la partie matrice de cellules de mémoire de l'EBPROX.
Sur la figure 1, une mémoire morte électriquement effaçable et programmable, ci-après brièvement appelée EEPROX, conforme à une forme de réalisation préférée de la présente invention, comporte une partie matrice de cellules de mémoire, globalement désignée par la référence 10. La partie cellules de mémoire 10 comprend un nombre choisi de lignes de bit parallèles 3Ll, BL2, ..., BLn (dans ce qui suit, l'une quelconque de ces lignes de bit, arbitrairement choisie, est désignée par le symbole de référence zBLi"), des lignes de mot parallèles VLl, WL2, ..., et des cellules de mémoire X respectivenent agencées aux points d'intersection de ces lignes de bit et de mot.
Comme représenté sur la figure 1, les cellules de mémoire X connectées aux lignes de bit BL dans la partie mémoire 10 sont reparties en sous-arrangements, dits "blocs cellules lAID", lAID signifiant XON-ET, ou plus simplement appelés "blocs cellules, à savoir Bl, B2, ..., chacun comprenant un premier et un deuxième transistor de sélection Qsl et Qs2 et ut nombre choisi de cellules de mémoire A.
Chacun des transistors de sélection Qsl et Qs2 est constitué par un transistor métal-oxyde à effet de champ, que l'homme de l'art appelle XOSFET, du type à une seule grille ("gate"). Chaque cellule de noire M est constituée essentiellement par un XOSFET du type à double grille, ayant une grille flottante et une grille de commande. On remarquera que, sur la figure l, seuls les blocs cellules MAJD BS, B2, ..., Bn,respectivement connectés aux lignes de bit BLl, BL2, ...BLn, sont représentes en détail, afin de préserver la clarté du dessin.