REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un matériau III-V ou Il-Vi massif cristallin (20) dopé par au moins une terre rare, consistant à : (a) - former un alliage d'au moins un élément respectivement III ou Il avec La terre rare par fusion en atmosphère contrôlée d'un mélange de cet élément respectivement III ou Il et de La terre rare, puis, (b) - faire réagir å chaud en atmosphère contrôlée au moins un élément respectivement V ou VI avec cet alliage. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que Les étapes (a) et (b) sont effectuées par la méthode de Bridgman horizontale. 3. Procédé de fabrication d'un matériau III-V ou II-VI monocristallin selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que : (1) - on fait fondre des morceaux du matériau obtenu en (b), et en ce que (2) - on fait croître un monocristal à partir du mélange fondu obtenu en (1) en utilisant comme germe à la croissance une partie orientée d'un matériau respectivement III-V ou Il-VI éventuellement dopé. 4. Procédé de fabrication d'un matériau III-Y ou II-VI co-dopé par un dopant métallique volatil, selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que L'on introduit le dopant métallique au cours de l'étape (a), seul ou combiné à un morceau de matériau respectivement III-V ou If-Vf. 5. Procédé de fabrication d'un matériau III-V ou II-VI co-dopé par un dopant métallique non volatil, selon L'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'on introduit le dopant métaLLique au cours de l'étape (b) ou (1) seul ou combiné à un morceau de matériau respectivement III-V ou II-VI. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la terre rare est choisie parmi l'erbium, l'ytterbium, le néodyme, et le gadolinium. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que L'élément III est L'indium, l'éLément V Le phosphore et la terre rare L'ytterbium. 8. Procédé selon L'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que la fusion au cours de L'étape (1) se fait sous un encapsulant. 9. Procédé de fabrication d'une diode électroluminescente consistant à : (A) - fabriquer un substrat (20) en matériau III-V ou II-VI cristallin dopé par une terre rare, selon L'une quelconque des revendications 1 a 8, (E) - réaliser une jonction p-n (22-20) dans une partie monocristalline du substrat, et (C) - former deux contacts ohmiques (22,28) respective ment sur La région p et la région n de la jonction, la partie monocristalline du substrat constituant L'une desdites régions p ou n. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on fabrique un substrat d'un premier type de conductivité au cours de L'étape (A) et en ce que L'on réalise la jonction par implantation d'ions d'un second type de conductivité oppose au premier. 11. Procédé selon La revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que L'on forme une couche de contact (Z4) de même conductivité que le substrat (20) et contenant une concentration de porteurs supérieure à celle du substrat, entre Le substrat (20) et le contact ohmique (28) correspondant. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche de contact (24S est formée par implantation ionique.