INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
(tette formol a pour avantage d'assurer une très bonne tenue dans l'ouverture du récipient à obturer. Pour des pots de peinture, la qualité première recherchée est l'étanchéité tandis qu'ici les matériaux étant moins rigides l'effet recherché est celui du maintien mécanique du couvercle sur la coupelle.
Bien entendu, le bourrelet 33 est facultatif. ri peut être prévu non plus à l'extérieur de la paroi 32 mais à l'intérieur ou bien être totalement absent.
La figure Il d représente un organigramme du module GRPOS3 permettant de calculer les orientations et les distances réciproques de deux génératrices, l'une étant fermée et l'autre étant ouverte.
La mise en oeuvre de ce sous-programme est effectuée à partir des données X et Y des courbes génératrices, la courbe génératrice X étant par exemple fermée et définie par points, la courbe génératrice Y étant ouverte et de même structure que X. Les résultats sont également donnés par l'intermédiaire d'une variable d'orientation P et d'une variable de distance D, telle que définie précédemment.
Ainsi que représenté sur la figure lld précitée, le module de calcul GRPOS 3 comporte successivement . un sous-module de recherche du point I de la ligne génératrice X le plus près de l'origine de la ligne génératrice Y, . un sous-module de recherche du point J de la ligne génératrice X le plus près de l'extrémité de la ligne génératrice Y, . un sous-module de division de la ligne génératrice X en deux arcs Xl et X2 joignant les points I et J, . un sous-module de calcul GRSURF1 de la surface SI comprise entre l'arc X1 de la ligne génératrice X et de la ligne génératrice Y, un sous-module de calcul GRSURFZ de la surface S2 comprise entre l'arc X2 de la ligne génératrice X et de la ligne génératrice Y, . un sous-module de calcul GRORIENT d'une variable d'orientation P, la variable d'orientation P étant égale à I si les surfaces S1 et 52 sont de même signe, . un sous-module de redéfinition de la ligne génératrice X comme celui des arcs Xl ou X2 le plus proche de la ligne génératrice Y, . un test de comparaison de la variable d'orientation P à la valeur 1, et, suite à une réponse négative audit test ou à une réponse positive à ce même test après changement de sens affecté à la génératrice Y, . un sous-module de calcul GRLONGUEURX de la longueur de la ligne génératrice X, . un sous-module de calcul GRLONGUEURY de la longueur de la ligne génératrice Y, . un sous-module de calcul de la distance D entre les lignes génératrices X et Y, cette distance étant définie comme le rapport de la surface SXY comprise entre X et Y à la moyenne des longueurs des lignes génératrices X et Y, un sous-module de fin de module de calcul.
Dans les organigrammes représentés en figures I lb, lic et I Id, les sous-modules de calcul GRLONGUEURX ou respectivement Y, les sous-modules de calcul GRSURFx respectivement Y sont des modules de calcul appelés successivement à partir d'un même sous-module GRLONGUEUR et respectivement GRSURF, lesquels seront décrits ci-après dans la description.
Ainsi que représenté en figure île, le sous-module de calcul GRORIENT peut être appelé à partir du sous-programme GRORIENT précédemment cité.
La mise en oeuvre de celui-ci est effectuée à partir des données X, courbe définie par points, et des données Y relatives à une autre courbe de même structure que X. Le résultat obtenu est une variable d'orientation P égale à 0 si les deux courbes X et Y sont dans le même sens et égale à I lorsque les deux courbes X et Y sont en sens contraire.
Le sous-programme GRORIENT comprend successivement un module de calcul de Dl, somme des distances respectives des origines et extrémités de la courbe X et des origines et extrémités de la courbe Y, suivi d'un sous-module de calcul de D2, somme des distances respectives des origines et extrémités de la courbe X et des extrémités et origines de Y.
Un sous-module de calcul de la variable d'orientation P permet d'affecter à cette variable la valeur 1 si Dl est supérieur à D2, le module de calcul GRORIENT étant terminé par un sous-module de fin de module de calcul.
La figure 1 lof représente le sous-programme de calcul GRSURF dans un organigramme préférentiel.
La mise en oeuvre du sous-programme GRSURF est effectuée à partir des données X, courbe fermée définie par points, cette courbe étant constituée et définie par une matrice de colonnes, chaque ligne correspondant à un point, la première colonne représentant l'abscisse et la deuxième colonne l'ordonnée. Le résultat obtenu est une variable S sur face positive si la courbe est orientée dans le sens trigonométrique.
Le sous-programme GRSURF comprend un premier module de calcul de V constituant l'ensemble des vecteurs reliant l'origine à chacun des sommets de la courbe, puis d'un deuxième module de calcul de S représentant la somme des produits vectoriels de chacun des vecteurs V avec le suivant. Un sous-module de fin de module de calcul permet de terminer le module de calcul GRSURF.
La figure i lg représente l'organigramme d'un sous-programme de calcul GRLONGUEUR permettant de calculer la longueur d'une ligne polygonale. Le sous-programme GRLONGUEUR peut être mis en oeuvre à partir de données X représentant une ligne polygonale définie par ces sommets. Cette ligne est définie par une matrice de colonnes, chaque ligne correspondant à un point, la première colonne représentant l'abscisse et la deuxième l'ordonnée. Le résultat L représente la longueur totale de la courbe.
Le sous-programme GRLONGÔEUR comporte un module de calcul de L, somme des longueurs de chacun des côtés et un sous-module de fin de module GRLONGUEUR.
Une description plus détaillée du sous-programme GRINTERGEN, permettant d'engendrer une surface par interpolation entre les lignes de trames LT, sera donnée en liaison avec les figures 12a à 12d.
Pour la mise en oeuvre du sous-programme GRINTERGEN, présenté selon ltorganigramme de la figure 12a, les données sont constituées par des données X, Y famille de courbes, constituant les lignes de trames LT définies par points selon un tableau. Chaque élément du tableau représente une courbe ou ligne de trame#et il est constitué d'une matrice à deux colonnes. Chaque ligne de la matrice correspond à un point, la première colonne représente l'abscisse, la deuxième représente l'ordonnée. Chaque ligne a le même nombre de points de sorte que, en joignant les points homologues, on obtient un réseau maillé. Les points définissant les lignes de trames LT constituent les noeuds de la maille. La surface est définie sur une fenêtre F, elle-même définie par les coordonnées maximales et minimales Xmin, Ymin, et Xmax, Ymax.De même, la cote des courbes C est représentée par un vecteur, ainsi que défini précédemment. N représente le nombre de courbes constituées par les lignes de trames LT et M représente le nombre de points par courbe, c'est-à-dire le nombre de points obtenus pour chaque ligne de trame après interpolation pa#r convolution cubique, ainsi que décrit précédemment.
Le résultat de la mise en oeuvre du sous-programme GRINTERGEN est une matrice Z représentant les valeurs de la surface en chaque point de la fenêtre, les dimensions de la matrice sont égales au nombre de lignes et de colonnes de la fenêtre F précitée.
KARAPIPERIS et al. publié dans "Proceedings of the 18th International Conference on Solid State Devices and Materials", Tokyo, 1986, page 713). Dans le cas de l'arséniure de gallium, la sélectivité du dépôt peut être obtenue en utilisant un réacteur de type VPE ("Vapor Phase Epitaxy") à une température comprise entre 600 et 8000C environ, par la méthode des chlorures (par exemple AsCI3 dilué dans H2 et une source de gallium solide). On peut aussi utiliser une méthode du type MOCVD ("Metal Organic Chemical Vapor Deposition") à pression réduite. Pour plus de détails sur ces différentes méthodes de dépôt sélectif, on peut se reporter par exemple à la Demande de Brevet français nO 88 04437.Les conditions précitées de températures de réaction, et les pressions partielles des divers gaz utilisés, sont réglées en fonction de l'orientation du substrat, de façon à obtenir de préférence un facettage (111) sur les quatre faces de la pyramide 9. Ce facettage correspond à un angle au sommet de la pyramide d'environ 700i ce qui est favorable à l'émission de champ.
On peut par ailleurs utiliser un dépôt sélectif de tungstène (W) qui permet aussi de ne faire pousser les pointes que sur les germes de substrat monocristallin dégagés par attaque du diélectrique 4 de la couche métallique 3 et de l'autre diélectrique 2 (voir par exemple J. BEINGLASS, P.A.
GARCINI, Extended abstract 380, ECS Fall Meeting, DENVER CO (octobre 1981) pour des détails sur ce procédé).
La réaction de décomposition s'effectue dans un réacteur de type CVD à basse pression à partir de WF6 dilué dans H2 à une température de l'ordre de 6000C ou plus. I1 est nécessaire de bien contrôler la vitesse de dépôt, la température et la taille des ouvertures de germination afin d'obtenir une croissance facettée.
La septième étape (figure 7), qui n'est pas nécessairement mise en oeuvre, consiste à enlever la couche 4 de matériau diélectrique, avantageusement par attaque chimique sélective.
Dans le cas où le facettage obtenu par croissance sélective ne donne pas de plans (ici) pour les quatre faces de la pyramide 9 (figures 6,7), l'invention prévoit une étape supplémentaire d'attaque chimique élective permettant d'obtenir ce facettage.
Par exemple (voir figure 8), si l'on utilise un substrat de silicium d'orientation superficielle (100) et si l'on procède à un dépôt à partir d'un mélange SiH4 + HC1 dans H2 å 10600C environ, on obtient aisément un facettage (110) de la pyramide 9, ce qui correspond à un angle au sommet A de 900 (figure 9). Cependant, du point de vue de I'émission de champ, il est préférable obtenir une pyramide d'angle au sommet inférieur à 900. Ainsi, pour cet exemple de la figure 8, on utilise après dépôt une solution d'attaque - à base d'ions hydroxydes (par exemple KOH ou NaOH) à une température comprise entre 25 et 800C environ.Ce type de solution présente en effet la particularité d'attaquer le cristal de silicium beaucoup plus rapidement (de 100 à 1000 fois) selon les directions ou que selon les directions (voir par exemple l'article de K.E. BEAN dans IEEE Transactions on Electron Devices, ED-25 10, 1185 de 1978). Ainsi pour l'exemple précité (figure 8), la structure limitée par le plans (110) disparait pour être remplacée par une structure 9A limitée par des plans (111) passant par le sommet de la pyramide ; il n'est pas nécessaire d'effectuer une opération de masquage supplémentaire. La hauteur H de la pyramide reste inchangée, mais les dimensions de sa base diminuent. On passe d'une pyramide 9 à angle au sommet A de 900 à une pyramide 9A à angle au sommet A' d'environ 700 (figure 10).
Pour réaliser l'attaque chimique de la pyramide 9, on peut aussi utiliser une solution à base d'éthylènediamine (EDA), de pyrocatéchol et d'eau et travailler à environ 1000C. On obtient ainsi une excellente sélectivité dans les vitesses d'attaque selon les directions cristallographiques précitées.
On va décrire une variante du procédé de l'invention, en référence aux figures 11 et 12.
De même que décrit ci-dessus, la première étape consiste à déposer une couche 10 de matériau diélectrique sur un substrat 11 en matériau monocristallin. La seconde étape (figure 11) consiste à graver par RIE une cavité 12 dans la couche 10.
La trolsième étape consiste à déposer directement, sans se placer en conditions de sélectivité, du matériau polycristallin 13 sur le diélectrique 10, et du matériau monocristallin facetté 14 sur la surface 15 du substrat mise à nu par gravure de la cavité 12, ce matériau 14 formant une pyramide. De façon que la couche 13 soit en matériau bon conducteur et puisse servir de grille, on la dope très fortement pendant la phase de dépôt. SI le substrat 11 est en silicium, le dépôt est effectué en utilisant une phase gazeuse mère composée de SIH4 dilué dans un gaz porteur (H2 ou He par exemple).Afin de diminuer la vitesse de dépôt du polycristal sur la silice 10 (pour ne pas avoir une couche 13 trop épaisse lorsque la pyramide 14 est achevée), on peut ajouter du HCl dans la phase gazeuse, mais en quantité contrôlée afin de ne pas inhiber la nucléation du polysilicium 13 sur la silice 10. De préférence, le gaz dopant est alors de la phosphine PH3, de façon à obtenir du silicium fortement dopé de type n tant au niveau de la pyramide monocristalline qu'au niveau du dépôt polycristallin 13 sur la silice 10. L'avantage de cette variante est que l'on obtient directement la micropointe et la grille lors de la meme opération.
On a représenté en figure 13 un mode de réalisation possible d'une source d'électrons conforme à 1'invention Pour ce mode de réalisation, la source est formée sur un substrat monocristallin 16 sur lequel est déposée une couche diélectrique 17, puis une couche conductrice de grille 18 La cavité 19 gravée dans les couches 17,18 a une forme oblongue, ce qui fait que la cathode 20 a une forme de prisme allongé.
II est bien entendu que les cavités pratiquées dans les couches 2,3,4 (figure 4) ou dans la couche 10 (figure 11) peuvent avoir une forme superficielle quelconque, dont les côtés peuvent être alignés ou non avec des axes particuliers du plan du substrat. En particulier si le substrat est en GaAs, du fait de l'anisotropie de croissance on veillera à orienter Itaxe général des ouvertures selon une direction permettant un facettage optimal tel que (111) par exemple ou bien d'indices plus élevés encore, tels que (221) ou (331).
La source d'électrons conforme a l'invention peut être utilisée, seule ou en réseau de microsources, pour réaliser des dispositifs très divers, en lui adjoignant une anode d'accélération d'électrons, et le cas échéant d'autres électrodes. On peut ainsi réaliser des dispositifs électroluminescents, des composants hyperfréquences, etc. On a représenté a titre d'exemple non limitatif, en figure 14, un composant électroluminescent 21 qui comporte une source d'électrons 22 et une anode 23 en matériau électroluminescent refermant la cavité 24 au fond de laquelle a été formée la pointe de cathode 25. La source 22 comporte dans l'ordre un substrat monocristallin 26, par exemple en silicium, une première couche diélectrique 27, une couche métallique de grille 28 et une seconde couche diélectrique 29, qui peut être la couche de passivation précitée.La couche d'anode 23 est déposée sous vide poussé sur la couche 29, par exemple comme décrit dans la Demande de Brevet français nO 88 90303.
On va maintenant décrire un procédé permettant la réalisation d'un adressage matriciel de chaque micropointe ou de groupes de micropointes.
On part d'un substrat isolant monocristallin 30 sur lequel est hétéroépitaxié un matériau conducteur ou semiconducteur 31 (Figure 15B). On pourra par exemple utiliser un matériau tel que silicium hétéroépitaxié sur saphir (SOS pour "Silicon on Sapphire") ou bien silicium hétéroépitaxié sur zircone stabilisée à l'oxyde d'Yttrium (YSZ pour "Yttria Stabilised Zirconia") ou bien encore silicium hétéroépitaxié sur sur Spinelle (Mg A12 04) ou tout autre substrat composite connu de l'homme de l'art. La couche de silicium hétéroépitaxié sera d'une épaisseur typique de quelques microns à une centaine de microns ; ce silicium sera d'autre part fortement dopé n de manière à présenter une résistivité de quelques 10 ohm cm.
Dans le cas d'emploi de nourriture en granulés, il est indispensable de fournir a l'animal de l'eau fraiche en me-me temps que sa nourriture. Contrairement a la nourriture, il n'y a aucun inconvénient a ce que l'eau soit mise a disposition de l'animal de fanon permanente et renouvelée, au fur et a mesure qu'elle est consommée, a partir d'un réservoir en communication avec l'écuelle dans laquelle boit l'animal.Trois systèmes sont disponibles pour résoudre ce problème: Dans le premier cas, le réservoir est pressurisé et en charge permettant ainsi de conserver un niveau sensiblement constant dans l'écuelle. Dards le second cas le réservoir est a la pression atmosphérique et au gme niveau que celui de l'écuelle, le niveau de l'eau s'abaissant au fur et a mesure que le niveau baisse ddns le réservoir. Dans le troisième cas, le réservoir est relié 3 l'écuelle par une pompe électromécanique.Le premier cas impose un réservoir qui puisse notamment se refermer de manière étanche aprés remplissage, ce qui est source de problème dans le cas ou l'étanchéité n'est pas réalisée, ou bien, entre rempli par l'orifice de vidange, ce qui implique des manipulations susceptibles de répandre de l'eau partout au moment où il faut le retourner pour le remettre en place après remplissage. Le réservoir étant en dépression il est difficile d'utiliser des matières plastiques classiques pour le réaliser parce que le risque de déformation par collapse est important or Cours d'utilisation. Le troisième cas implique des systemes de contre de niveaux coûteux et source de panne.Il est plus avantageux d'utiliser le principe du réservoir a la pre > ior atmosphérique. Plus particulièrement, il est avantageux d'employer une structure à double paroi Fig.4 pour supportr les alvéoles (12) et de l'utiliser comme réservoir (19) en se servant d'une des alvéoles comme écuelle d'eau (13). Cette dernièra est alimentée par un orifice (14) Fig.3, percé dans sa partie inférieure, en communication avec le dit réservoir (19) Fig.4.
Il est évident que le réservoir (19) doit avoir dans 5a partie supérieure un orifice de respiration (15) avec l'atmosphore. Ce dernier peut entre un orifice de remplissage non étanche. Er fait il est aussi simple d'effectuer le remplissage du réservoir (19) par l'écuelle (13) elle-mEme en utilisant le principe des vase communicants, dans ces conditions le niveau du liquide dans l'écuelle (13) indique le niveau de l'eau dans le réservoir (1Z), et il n'est pas nécessaire de faire d'aménagement particulier de l'orifice de respiration (15).
La réalisation de cette double paroi se fait de plusieurs manières simples, par exemple, a l'aide de deux coques (16) et (17) Fig.3: tout d'sabord une coque extérieure (16) en forme de cuvette qui assure la rétention de l'eau, ensuite une couque intérieure (17) comprenant les alvéoles (12) venant se fixer sur la partie supérieure (18) de la coque extérieure (16) par divers moyens tels que soudure, encliquetage etc..., suivant que l'on souhaite ou non avoir ces parties démontables pour le nettoyage.
Une des alvéoles (13) non munie de volet est percée au fond d'un orifice (14) pour son alimentation en eau, et sa forme est telle qu'elle permet de récupérer une quantité d'eau maximum du réservoir (19) Fig.4. Dans certains cas, on a intérêt a ce qu'il reste toujours une réserve d'eau servant de lest a la mangeoire automatisée afin que l'animal ne puisse la renverser. Le plan de joint (20) entre les deux coques (16) et (17) étant par construction dans la partie supérieure du réservoir < 19), il n'est pas en contact avec l'eau. Il n'a pas besoin d'entre étanche et peut alors servir de passage pour la respiration du réservoir.D'un autre coté, la coque intérieure (17) subit une pression hydrostatique qui implique qu'elle scit fitWe mécaniquement a moins qu'elle ne soit suffisamment lestée pour ne pas flotter dans la coque extérieure (16). Cette dernière solution peut dans certains cas ètre séduisante parce quille permet, comme nous l'avons déjA évoqué, de nettoyer facilement l'intérieur du réservoir (19). Dans ce dernier cas un emmanchement a force peut suffire. Les deu coques extérieur (16) et intérieure (17), peuvent être réalisées par termoformage de feuilles de matière thermoplastique dans le cas de peltes séries ou bien par injection de matière thermoplastique dans le cas de grandes séries.Mais rien ne nous empêche d'enviSager d'autres matériau tels que la tole emboutie ou la terre cuit.
Les deux coques (16) et (17) peuvent aussi ttre remplacées par une seule pièce creuse (21) Fig.5, obtenue soit par la technique de l'extrusion-soufflage, soit par rotomoulage, comportant dans sa partie inférieure, la base d'appui (22) de la mangeoire automatisée sur le sol, et, dans sa partie supérieure, les alvéoles (23). Il est nécessaire, dans ce cas, de prévoir des usinages pour créer la communication (24) entre le réservoir et l'écuelle d'eau (25) ainsi que la respiration atmosphèrique (26) parce que ces techniques permettent d'avoir un plan de joint parfaitement étanche qui peut sans inconvénient titre en dessous du niveau de l'eau dans le réservoir.La respiration atmosphérique peut être constituée, dans le cas de 1 'extrusion- soufflage, par l'orifice de soufflage lui-meme, a condition de le placer sur le bord supérieur (27) en employant par exemple la technique du soufflage aiguille, ce qui présente l'avantage de ne pas avoir a le rendre étanche comme ce serait nécessaire s'il était en dessous du niveau de l'eau dans le réservoir et plus particulièrement dans le plan de joint.
L'ensemble des alvéoles peut être disposé de multiple façons: On peut les disposer par exemple en ligne Fig.1 avec un module de commande latéral, ou en carré Fig.5 avec le module de commande central. Le choix définitif est fonction du nombre d'alvéoles retenues et de l'encombrement global acceptable au sol ou pendant le stockage entre deux utilisations. La disposition n'altère en aucun cas le principe exposé précédemment dans la mesure ou le bord supérieur (27) des alvéoles t23) est' situé sensiblenment dtns un plan parallèle a la base d'appui (22) de la coque extérieure du réservoir de manière a en utiliser au mieux le volume pour 15 stockage de l'eau.
En ce qui concerne la manoeuvre du volet (28) Fig.5, dans une version préférée de l'invention, il est maintenu en position fermée a l'aide d'un aimant permanent (29) Fig.27 solidaire du volet (28) positionné a un emplacement éloigné de l'a-:e (-;1! de ce dernier. L'aimant permanent (29) se fixe par attraction magnétique sur le noyau (30) en fer doux d'une bobine (31), convenablement positionnée, faisant partie du module de commande (32) Fig.5 qui est maintenu fixe par rapport au alvéoles (23).
Le volet (28) est amené dans cette position manuellement par basculemert autour de son axe (11) Fig.2 en accumul--rrt une énergie mécanique dans un ressort, ou de l'énergie potentielle dans un contrepoids. La simple excitation de la bobine (31) pendant un court instant induit dans son noyau (30 un flu magnétique calculé pour qu'il vienne contrecarrer l'attraction magnétique initiale de l'aimant permanent (29), et même, provoquer un phénomène de répulsion. A ce moment-lt l'aimant permanent (29) se détache du noyau (30) de la bobine (31) et le volet (28) s'ouvre sous l'action du ressort ou du contreFoids.
Le calcul doit prendre en compte notamment le couple d'ouverture du volet donné par le ressort ou le contre-poi!ts. Dans ces conditions l'énergie consommée reste très faible, l'énergie d'ouverture étant fournie par l'utilisateur au moment de la fermeture manuelle du volet (28). Il est nécessaire d'employer une bobine (32) Fig.6 par volet (33) comme nous l'avons évoqué précédemment. Il reste a coupler les bobines (32) avec un système électronique ou électromécanique de commande (39) comportant notamment, un dispositif d'horloge (34) produisant des signaux électriques A des moments préalablement programmés, et, un dispositif d'aiguillage (35) vers la bobine (32) & exciter correspondant au volet (33) à ouvrir.L'alimentation électrique d'un tel système peut être réalisée par le courant de secte ou a l'aide d'une ou plusieurs piles électriques (36) de 1,5 V ou plus, en fonction des solutions électroniques retenues qui conditionnent la consommation en phase de veille. L'intérêt d'un tel mode de verrouillage réside dans la séparation totale des équipements électriques du reste de la mangeoire automatique.