INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ces dispositifs à surveiller peuvent être de toute nature ; ce peut être par exemple des équipements électriques, mécaniques, hydrauliques, etc... ou bien encore des pièces en cours de fabrication.
Appliquée à la maintenance d'équipements embarqués à bord d'aéronefs, on voit qu'un opérateur de maintenance peut tester et entretenir chaque équipement en fonction des indications qui lui sont fournies par ladite unité de mémoire, lues et affichées par ledit dispositif mobile, mais initialement inscrites par un autre opérateur, par exemple l'avionneur par l'intermédiaire du dispositif d'écriture et de lecture associé au poste informatique. On élimine ainsi tout risque d'erreur et de mauvaise interprétation, les informations spécifiques concernant un équipement pouvant être délivrées au voisinage de ce dernier.
Conformément à cette seconde caractéristique de l'invention, le procédé est caractérisé par les opérations consistant à - déterminer par l'intermédiaire des moyens de contrôle et de façon sélective la commande d'un cycle parmi les cycles d'ouverture et de fermeture de la porte ; - dans le cycle d'ouverture et par l'intermédiaire des moyens de contrôle, alimenter la gâche ainsi que le second moteur, puis alimenter le premier moteur lors de l'arrêt du second moteur par fin de course ou butée, le premier moteur ne pouvant ainsi pas être entraîné si le second moteur est alimenté de sorte que le second moteur verrouille la rotation du premier moteur - dans le cycle de fermeture et par l'intermédiaire des moyens de contrôle, alimenter le premier moteur puis le second moteur, la commande du second moteur étant déterminée par l'arrêt du premier moteur par fin de course ou butée, le second moteur ne pouvant pas être entraîné si le premier moteur est alimenté de sorte que le premier moteur verrouille la rotation du second moteur.
Diverses autres caractéristiques de l'invention ressortent d'ailleurs de la description détaillée qui suit Des formes de réalisation de l'objet de l'invention sont représentées à titre d'exemples non limitatifs, aux dessins annexés.
La fig. 1 représente, vue de l'intérieur d'un garage, une première forme de réalisation de l'invention, la porte étant en position complètement fermée, le portillon de cette porte étant également lui-même fermé et l'organe d'entraînement de cette porte étant monté sur le linteau de porte.
La fig. 2 est une vue en coupe prise sensiblement le long de la ligne Il-Il de la fig. 1.
La fig. 3 est une vue partielle en coupe correspondant à la fig. 2 mais montrant la porte en position en partie ouverte et le portillon en position d'ouverture complète.
Les fig. 4a et 4b sont des vues, à plus grande échelle, de parties marquées respectivement A et B à la fig. 1.
La fig. 5 représente, également vue de l'intérieur du garage mais après une rotation de 900 par rapport à la fig. 1, une seconde forme de réalisation de l'invention, la baie de porte étant alors ouverte, la porte étant au moins en partie rabattue sur une paroi perpendiculaire à l'ouverture de la baie de porte et l'organe d'entraînement en translation de cette porte étant monté sur cette paroi.
La fig. 6 est une vue semblable à celle de la fig. 1 mais relative à la seconde forme de réalisation selon la fig. 5 de la porte en position complètement fermée.
La fig. 7 est une vue en coupe prise sensiblement le long de la ligne Vil-Vil de la fig. 5.
La fig. 8 est une vue partielle correspondant à la fig. 7 lorsque la porte de garage est fermée.
La fig. 9 représente un schéma d'une logique de commande du fonctionnement de la porte des figures précédentes.
Les fig. 10a et lOb sont des schémas permettant de bien faire comprendre le cycle de fonctionnement.
Au dessin, on a représenté une porte 1 montée en position fermée dans un encadrement de porte 2. La porte 1 comprend un certain nombre de panneaux semblables 3a a 3f articulés l'un à l'autre par des charnières 4. Les cinq premiers panneaux 3a à 3e de la porte 1 sont reliés, à l'extrémité supérieure et au moyen de ferrures d'articulation 5, à des roulettes 6 se déplaçant dans un rail 7 monté sur le linteau supérieur 8 de l'encadrement 2 de la porte.
Comme on le voit notamment à la fig. 2, le rail 7 est, dans la présente forme de réalisation de l'invention, curviligne pour épouser la forme du mur du garage dans lequel la porte 1 est prévue pour coulisser selon les flèches F1 (position d'ouverture) et, respectivement, F2 (position de fermeture). Toutefois, on ne sortirait évidement par du cadre de 1 invention en prévoyant que le rail est rectiligne si le mur sur lequel est ménagée la baie de porte le permet. Cependant pour des questions de place, on monte généralement le rail de guidage pour qu'il s'étende de manière curviligne en se prolongeant sur la paroi perpendiculaire à l'encadrement de la porte.
En ce qui concerne le dernier panneau de la porte 1, à savoir le panneau 3f constituant le portillon de la porte 1, celui-ci est articulé sur le panneau 3e à l'aide d'une ferrure d'articulation particulière 9 reliée à des roulettes identiques aux roulettes 6 afin que le panneau 3f puisse être entraîné en même temps que les panneaux 3a à 3e.
Conformément à l'invention, le panneau 3e, c'est-à-dire l'avant-dernier panneau de la porte 1, supporte un moteur 10 relié, de préférence par l'intermédiaire d'un câble 11 et d'un dispositif de liaison à lames souples lla, représenté à la fig. 4b en position désaccouplée pour des raisons qui apparaîtront dans ce qui suit, à un boÎtier de commande 12 à courant continu soumis à un interrupteur à poussoir 13 placé à l'intérieur du garage, tandis que sur une paroi externe du garage est disposé un interrupteur à clé ou à télécommande 13a également relié au boîtier de commande 12 et destiné à contrôler ce dernier.
Exemple 15 A 100g de la fraction intermédiaire de désasphaltage n05 on ajoute 10g d'anhydride maléique, 51g d'une coupe aromatique ayant un intervalle de distillation de 203 à 2620C et de 0,2g de peroxyde de dicumyle et le mélange réactionnel ainsi obtenu est agité pendant 6 heures à 1800C. Le mélange est ensuite additionné de 20g d'arachidyl béhénylpropyîènediamine puis Chauffé 2 heures à 1650C et 2 heures à 1850C.
Le produit ainsi obtenu est additionné à raison de 2,5% en poids au fuel lourd A. L'indice NOC du fuel lourd ainsi obtenu est de 1 et le Merite est égal à 5,5.
Exemple 16 A 100g de la fraction intermédiaire de désasphaltage n01, on ajoute 15g d'anhydride maléique, 51g de la coupe aromatique utilisée dans l'exemple 14 et 0,3g de peroxyde de dicunle. Le mélange réactionnel ainsi obtenu est agité pendant 6 heures à 180 C. Le mélange est ensuite additionné de 30g d'arachidylbéhénylpropylène diamine puis chauffé 2 heures à 1650C et 2 heures à 1850C.
Le produit ainsi obtenu est additionné à raison de 2,5:; en poids au fuel lourd A permettant d'améliorer son erite de 7 à 6 et son indice NOC de 6 à 2.
TABLEAU 2 Caractéristiques des Fractions Intermédiaires de Désasphaltage
MFîractions intermédiaires I I I I I I I 1 de désasphaltage 1 213 2 4 3 | 4 | 5 6(cri I I I I I I I tCaractéristiques \ t I | C.CONRADSON (% pds) 1 45 1 36 I 22 I 34 | 34 a2 42 | 52 |52 I asphaltènes nC7 (% pds) 1 17 | 6 ( 3,0 j | 5,4 | 18 | 42 i 42 I Point de ramollissement 1 145 1 110 1 48 1 98 1 128 1 165 I (Bille Anneau) OC 1 I I I I I ORIGINE 1S(a) 15fla) 15(a) j5(a) IM(b) 15 j (a) SAFANIYA : (b) MAYA-ISTHMUS (c) asphalte au nC5, à titre de comparaison.
TABLEAU 3 Influence des caractéristiques des fractions intermédiaires de désasphaltage sur le Merite de fuels lourds.
FUELS Indice (a) EX LOURDS F.I.D. MERITE NOC N N % poids 1 A 1 5 6 2 2* A 0 0 7 6 3 A 1 10 5 1 4 A 5 2,5 6 2 5 A 4 10 6 2 6* A 3 10 7 6 7 B 1 10 4 1 8* B 0 0 6,5 6 9 B 1 2,5 5,5 2 10 B 1 5 4,5 1 11 B 2 10 5 1 12* B 3 10 6,5 6 13 B 5 5 5,5 2 14* B 6 5 6,5 6 15 A 5modifiée 2,5 5,5 1 16 A 4modifiée 2,5 6 2 * exemple comparatif (a) Fraction Intermédiaire de Désasphaltage
Scléroglucane traité au glyoxal et son procédé d'obtention.
La présente invention concerne le produit résultant du traitement du scléroglucane par le glyoxal et le procédé de traitement.
Le scléroglucane est un polysaccharide, constitoé de chaînes ramifiées d'unités D-Glucose, secrété notamment par des champignons du type Sclérotium, qui a été décrit pour la première fois dans le brevet US 3,301,848.
Ce composé peut être utilisé, pour ses propriétés gélifiantes et épaississantes en milieu aqueux, dans les industries cosmétique, alimentaire, pharmaceutique ou pétrolière. Dans toutes ces applications, il est très souhaitable que la poudre de polymère se mouille et se disperse facilement dans l'eau, sans qu'une agitation violente soit nécessaire et sans la formation de grumeaux, ce qui n'est pas le cas du polymère naturel isolé de façon classique par précipitation alcoolique du milieu de fermentation, et cela quelle que soit la granulométrie de la poudre.
I1 est connu que le traitement par le glyoxal d'une macromolécule hydroxylée et notamment du xanthane, donne des produits à dispersibilité aqueuse améliorée, mais ceci n'avait jamais été décrit pour le scléroglucane. On a constaté que dans ce cas, la dispersibilité était suffisamment améliorée dans une large gamme de pH, de force ionique et de température pour qu'une agitation manuelle ou mécanique simple soit suffisante pour assurer la dissolution de la poudre sans formation de grumeaux.En outre, la solubilisation du polymère traité, et donc l'épaississement des solutions, s' effectue plus lentement, ce qui peut être avantageux dans la préparation de compositions nécessitant le mélange de plusieurs produits insolubles, ou dans les applications pétrolières lors du colmatage des voies d'eau ; enfin, si la viscosité des solutions de scléroglucane traité est plus faible au moment de la solubilisation, elle atteint en quelquesminutes la valeur des solutions du polysaccharide naturel.
On peut traiter le scléroglucane par une solution aqueuse de glyoxal soit lorsqu'il est encore en solution dans le milieu de fermentation avant sa précipitation par addition d'alcool, soit après mise en suspension dans un alcool ou même en humectant simplement la poudre de scléroglucane par une solution hydroalcoolique de glyoxal ; ainsi, selon l'invention, le scléroglucane est traité en solution, en suspension ou sensiblement à sec par 0,5 à 10 % en poids de glyoxal par rapport au poids du polysaccharide.
Selon la première variante, on ajoute dans le moût en fin d'une fermentation classique, de 0,5 à 10 % en poids de glyoxal par rapport au poids du polysaccharide présent, et on le maintient à une température comprise entre 100C et 800C pendant 1 à 16 heures avant de traiter le milieu de façon classique, c'est-à-dire avant thermisation, précipitation par addition d'un alcool, comme l'éthanol ou l'isopropanol, isolement du précipité contenant le polysaccharide, séchage et broyage. On ajoute de préférence le glyoxal sous forme de solution aqueuse à 30 %.
La durée du traitement est fonction de la concentration du milieu en glyoxal et de la température ; le pH peut être compris entre 2 et 7.
A cet effet, une importante caractéristique de l'invention consiste en ce que chaque couteau est fixé sur un support qui est monté libre en rotation sur des parties excentrées de tourillons tournant chacun autour de son axe
longitudinal durant le travail.
Cet agencement permet d'animer les couteaux d'un mouvement rotatif autour desdits tourillons. De cette manière, les couteaux avancent alternativement dans le silo de sorte qu'il n'y a constamment que la largeur d'un couteau à dégager. La force nécessaire pour leur avance est ainsi inférieure à celle qu'il faut pour l'avance des couteaux des machines connues. Grâce à la réduction des pressions qui s'exercent sur les couteaux, ceux-ci subissent moins de déformations et restent sur leur
trajectoire normale.
Par ailleurs, les moyens de guidage et d'entraînement des supports des couteaux sont extrêmement simples et d'un coût peu élevé. De plus, lesdits moyens ne nécessitent pas de jeux de fonctionnement, ce qui permet d'avoir un
guidage des couteaux particulièrement précis.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les tourillons sur lesquels sont montés les supports des couteaux sont reliés entre eux au moyen d'un organe assurant une liaison positive. De cette manière, on obtient une rotation synchrone desdits tourillons et par conséquent un entraînement régulier des couteaux. Cette liaison peut par exemple être réalisée au moyen d'une
courroie crantée, d'une chaîne ou de bielles.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les valeurs de l'excentricité des excentriques des tourillons d'un même support de couteau sont différentes. Cette caractéristique permet par exemple de faire varier le déplacement de la partie inférieure du couteau
correspondant par rapport à sa partie supérieure.
Conformément à une autre caractéristique de l'invention, le dispositif de coupe comporte trois couteaux animés. Ces couteaux sont disposés côte à côte et sont fixés sur des supports montés sur des tourillons munis d'excentriques. Les excentriques des trois supports des couteaux sont décalés entre eux d'angles d'environ 120 . En raison de ce décalage, il y a constamment au moins un couteau dans la phase de coupe. Ceci permet
d'obtenir une coupe continue et une avance régulière.
D'autres objets et caractéristiques de l'invention
ressortiront de la description ci-après, avec référence
aux dessins ci-annexés qui représentent, à titre d'exemples non limitatifs, quelques formes de réalisation
A ce sujet, on fait La fusion du polycristal dopé avec la terre rare obtenue au cours de L'étape (b) et on fait rostre le monocristal à partir de ce bain fondu en utilisant comme germe soit un germe dopé terre rare soit un germe non dopé et préalablement orienté de même composition que le monocristal à faire croitre. Seule la partie du germe trempant dans le bain doit être monocristalline.
Suivant Les performances souhaitées pour La diode, on peut effectuer un co-dopage du matériau semiconducteur par au moins un dopant métallique de type n ou p ou même par un dopant métallique conduisant à un matériau semi-isolant, tel que Les métaux de transition Fe, Cr, fi.
Lorsque l'élément co-dopant est volatil, on L'introduit au cours de l'étape (a), seul ou combiné à un morceau de matériau semi-conducteur de même nature que celle devant constituer Le matériau massif. En particulier, les éléments constituant ce matériau semiconducteur additionnel sont Les mêmes que ceux devant constituer le matériau massif.
Lorsque L'éLément co-dopant n'est pas volatil, il peut être introduit comme les co-dopants volatils au cours de L'étape (a), mais aussi au cours de la phase (b) de synthèse du semiconducteur (111-V ou Il-VI) ou encore dans le cas de la fabrication d'un monocristal, en même temps que le "bain" à fondre (étape 1).
Pour la fabrication d'un monocristal on peut utiliser La méthode de fusion de zones en atmosphère contrôlée, c'est-à-dire en atmosphère exempte d'oxygène1 qui consiste à déplacer une zone chaude tout au Long d'un barreau ou d'un lingot polycristallin ou bien la méthode de Czochralski en phase Liquide en utilisant un encapsulant, méthode connue sous L'abréviation LEC ou bien la méthode de Bridgman avec germe ou encore La méthode THM (Travelling Heater Method en terminologie anglo-saxonne).
Le matériau semi-conducteur massif poly ou monocristallin obtenu précédemment est utilisé essentiellement pour la fabrication d'une diode électroluminescente. Aussi, L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente consistant à : (A) - fabriquer un substrat massif en matériau III-V ou II-VI cristallin dopé par une terre rare, comme décrit précédemment, (8) - réaliser une jonction p-n dans une partie monocristalline du substrat, et (C) - former deux contacts ohmiques respectivement sur La région p et la région n de La jonction, la partie monocristalline du substrat constituant L'une desdites régions p ou n.
La jonction p-n peut être faite soit par implantation ionique d'un dopant, soit par diffusion thermique par exemple d'une couche métallique de dopant déposée à la surface du substrat, soit par épitaxie d'une couche dopée, l'impureté dopante utilisée ayant une conductivité inverse de celle constituant le substrat. En particulier, pour un substrat de type n on forme la jonction par introduction d'impuretés p et pour un substrat de type p on utilise des impuretés de type n.
Dans le cas d'un substrat en matériau 111-V les dopants de type p sont Mg, Se, Zn, Cd ou Hg et les dopants de type n sont Si, S, Se, Te. Dans le cas d'un substrat en matériau II-VI Les dopants de type p sont Cu, Ag et Au et les dopants de type n sont Ga, In, AI et B.
Afin d'améliorer les performances électriques de la diode, il est préférable de diminuer ses résistances d'accès. Ceci s'obtint en formant une couche de contact de même conductivité que le substrat et contenant une concentration de porteurs supérieurs à celle du substrat, entre le substrat et le contact ohmique correspondant.
De façon avantageuse la jonction p-n et la couche de contact sont formées par implantation ionique.
Le dopage dans la masse du substrat cristallin permet un emplacement de la jonction p-n non critique contrairement aux procédés de l'art antérieur.
En effet, la jonction p-n peut être faite n'importe ou dans le matériau.
En particulier, la diode électroluminescente est formée dans InP:Yb, ce qui correspond à une émission de 1,0 * m ou dans Ca As : E r ou Ga In As P :Er, ce qui correspond à une émission de 1-x x 1-y y 1,549xi.
D'autres caractéristiques et avantages de L'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 représente schématiquement le procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur selon L'invention, - la figure 2 représente une variante du procédé selon L'invention, - la figure 3 représente schématiquement une diode conforme à L'invention, - La figure 4 donne l'intensité électro- Luminescente If exprimée en unité arbitraire en fonction de la Longueur d'onde exprimée en nanomètres, et - la figure 5 donne la puissance optique PO, exprimée en unité arbitraire en fonction du courant le appliqué à la diode, exprimé en milLiampères.
La description ci-après se réfère à la fabrication d'une diode électroluminescente sur un substrat en InP dopé à l'ytterbium en vue d'une simplification bien que L'invention s'applique à d'autres matériaux semiconducteurs et d'autres terres rares.
Comme représenté sur la partie a de la figure 1, on introduit dans une nacelle 2 en silice, en nitrure de bore ou en carbone un norceau d'indium et un morceau d'ytterbium. On place ensuite la nacelle 2 dans une ampouLe de silice 4 maintenue horizontale et dans -4 laquelle on fait un vide de 10 Pa.
Cette diode est utilisable principalement dans Les domaines de la télémétrie, de la microélectronique, de l'optique intégrée ou des télécommunications par fibres optiques. En particulier ces diodes peuvent émettre dans le proche infrarouge, domaine de Longueurs d'onde tout particuLièrement intéressant pour Les téLécommunications.
Un certain nombre de diodes éLectroLuminescentes activées par des terres rares ont déjà été réalisées mais toujours à partir de couches minces dopées réaLisées par épitaxie sur un substrat semi-conducteur. De telles diodes sont en particulier décrites dans l'article A. Rolland et AI. "ErbSum-doped 6aAs light-emitting diode at 1,54 m " Electronics Letters de juillet 1988, vol. 24, NOIRS, p.956-957 ou dans l'article de W.H. Haydl et al "ttterbium-doped InP light-emitting diode at 1,0yLm" Appl. Phys.Lett. 46(9) du ler mai 1985, p.870-872. Dans ces conditions, pour un courant de diode faible (inférieur à 1 mA) la diode électroluminescente émet à une Longueur d'onde correspondant à L'excitation de La terre rare.
L'intensité du signal à 1,54 m sature quand le courant croit alors que celLe du signal correspondant au matériau-h8te croit avec le courant et devient vite prépondérante à fort courant.
Le but de L'invention est #onc de fabriquer une diode électroluminescente activée par une ou plusieurs terres rares par un procédé différent de ceux de t'art antérieur, permettant son utilisation dans un domaine de longueurs d'onde supérieures à t micrometre et présentant en outre un pic d'émission des terres rares très supérieur au pic d'émission dû au matériau de base, ce qui rend l'utilisation de ces diodes électroluminescentes beaucoup plus intéressantes que celles de l'art antérieur.
Pour ce faire, L'invention propose de réaliser la diode électroluminescente dans un matériau massif cristallin dopé dans la masse par au moins une terre rare.
Des études de photoluminescence dans un lingot d'InP:Yb ont fait l'objet de la publication de E. Lambert et aI., "Electrical activity of Yb in InP", Electronics Letters du 10 novembre 1988, vol.24, n023, p.1446-1447.
Aussi, le premier objet de L'invention est un procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur massif cristatlin dopé par une ou plusieurs terres rares.
De façon plus précise, L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un matériau III-V ou II-VI massif cristallin dopé par au moins une terre rare, consistant à : (a) - former un alliage d'au moins un élément respectivement III ou Il avec la terre rare par fusion en atmosphère contrôlée d'un mélange de cet élément respectivement III ou Il et de La terre rare, puis, (b) - faire réagir à chaud en atmosphère contrôlée au moins un éLément respectivement V ou VI avec cet alliage.
Conformément à L'invention, on forme tout d'abord un alliage d'un ou plusieurs éléments III ou Il de la classification périodique des éLéments avec une ou plusieurs terres rares. En particulier, on forme un alliage de bore, d'aluminium, de gallium et/ou d'indium avec une ou plusieurs terres rares que l'on fait ensuite réagir avec du phosphore, de l'arsenic et/ou de l'antimoine pour former un matériau III-V dopé.
De meme, on forme un alliage de zinc, de cadmium, et/ou de mercure avec une ou plusieurs terres rares que l'on fait ensuite réagir avec du tellure, du sélénium et/ou du soufre pour former un matériau II-VI dopé.
La formation de l'alliage d'éléments cationiques selon L'invention permet d'empêcher toute réaction chimique entre les terres rares et respectivement les éléments V ou VI. En effet, les terres rares ont une grande affinité chimique avec ces éLéments V ou VI qui conduit à des composés chimiques stables qui gêneraient fortement l'obtention des matériaux 111-V ou II-VI dopés par une ou plusieurs terres rares.
La ou les terres rares utilisées dépendent de la Longueur d'onde d'émission souhaitée. Ces terres rares sont en particulier l'erbium, l'ytterbium, le néodyme, le praséodyme, le gadolinium.... Les associations de terres rares intéressantes sont en particulier Yb + Er.
Comme matériau semi-conducteur auquel s'applique L'invention on peut citer GaAs, InP, Ga AI As, Ga In As P , HgTe, Hg Cd Te, avec x 1-x x 1-X x 1-y y 1-x x et y allant de û à 1.
En particulier le procédé de l'invention permet la fabrication de InP:Yb, de GaAs:Er et de Ga 1-x In As P :Er.
x x 1-y x Les étapes (a) et (bide la fabrication du matériau massif sont réalisées par la méthode de Bridgman horizontale modifiée, usuellement appelée méthode "gradient freeze" en terminologie anglosaxonne. Cette méthode conduit à L'obtention d'un matériau polycrystallin comportant des gros grains monocristallins avec lesquels peuvent être réalisées des diodes électroluminescentes.
Afin de réaliser un grand nombre de diodes électroluminescentes simultanément dans un même matériau et ayant de bonnes propriétés physiques, il est préférable de fabriquer un matériau monocristallin.
trainement à embrayage notamment pour tondeuses à ga-
zon à lame rotative, scies circulaires, etc...
Il existe des tondeuses à gazon dans les-
quelles la lame est entraînée directement par le vi- lebrequin d'un moteur thermique, mais pour des raisons de sécurité et pour faciliter le démarrage du moteur, il est préférable de disposer un embrayage entre le moteur et l'organe de travail. De cette façon, on a la
possibilité d'arrêter ce dernier sans arrêter le mo-
teur. On connait des embrayages à friction montés
sur des tondeuses à gazon afin d'assurer l'accouple-