INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En se référant à la fig. 2B, une vue en coupe de la cellule mémoire dans les chaînes de mémoires respectives est illustrée. La structure de la cellule mémoire DT comporte une région de drain 14 et une région de source 16 qui sont séparées par une région de canal 18 sur la surface d'une région de puits P 12 formée sur un substrat à semi-conducteur du type N 20. Une grille flottante 22 formée par un premier polysilicium est séparée par une couche d'oxyde de grille 28 d'environ 100 A sur la région du canal 18. Une partie de bord de la grille flottante 22 chevauche une partie de bord de la région de drain 14 via une couche d'oxyde (région de chevauchement 30) ayant une épaisseur uniforme par rapport à celle de la couche d'oxyde de grille 28.Une couche d'oxyde intermédiaire 24 d'environ 280 A est formée sur la grille flottante 22 et une grille de commande 26 d'un deuxième polysilicium est formée sur la couche d'oxyde intermédiaire 24. La région de canal 18, est la région implantée avec des impuretés du type n, telles que l'arsenic ou le phosphore, avant la formation de la grille flottante 22. Par suite, la cellule mémoire DT fonctionne comme un transistor MOS à grille flottante du type à appauvrissement ayant une tension de seuil vierge (Vto) d'environ -3 volts. Le réseau de cellules mémoire 10 est fabriqué dans la région de puits p 12 à laquelle une tension de contre polarisation négative est appliquée seulement pendant une opération de lecture en conformité avec la présente invention afin d'empêcher le courant de fuite de circuler via les régions de canal des cellules de mémoire effacées.
En conformité avec la présente invention, des opérations d'effacement, de programmation et de lecture du réseau de cellules mémoire 10 seront examinées par référence au schéma de circuit équivalent tel que représenté a la fig. 2A.
L'effacement des cellules mémoire effectué avant programmation peut être effectué pour soit la totalité des cellules, soit des cellules sélectionnées sur une ligne de mots. L'effacement électrique d'une cellule mémoire correspond à l'écriture d'une donnée binaire "1" dans la cellule. De manière initiale1 la totalité des cellules mémoire demeurent en des états complètement éliminés, c'est-à-dire des états programmés, de changements d'électrons provenant des grilles flottantes de celles-ci. Dans ce cas, pour effacer toutes les cellules mémoire, toutes les lignes de bits BL1 à BL et lignes de sélection de terre GSL1 à GSLn sont mises à la terre et la totalité des lignes de sélection de chaînes SSL1 à SSLn sont alimentées par la tension d'alimentation de Vcc (5 volts) afin de rendre passant les transistors de sélection de chaines.Au même moment, l'impulsion d'effacement Ve de 19 volts est instantanément appliquée à la totalité des lignes de mots. A cette condition, l'effacement des cellules mémoire respectives peut être réalisé par le passage en tunnel F-N d'électrons depuis le canal 18 jusqu'à la grille flottante 22. Les cellules mémoire effacées sont des transistors MOS à enrichissement comportant des tensions de seuil effacées Vte d'environ 1 volt.
L'explication concernera l'effacement (effacement de page) des cellules mémoire d'une rangée. Pour des raisons de convenance d'explication, celle-ci sera décrite par référence à l'opération d'effacement des cellules mémoire DT113 à DT1 3 sur la ligne de mots WL13 de la fig. 2A.
Cette opération d'effacement peut être réalisée par la mise à la terre de la totalité des lignes de bits BLI à BL après avoir appliqué l'impulsion d'effacement Ve de 19 volts à la ligne de mots sélectionnée WL13 et avoir appliquée la tension d'alimentation de 5 volts à la totalité des lignes de mots non sélectionnées WL11, WL12 et WLî4 à WLln et à la ligne de sélection de chaînes SSLl, rendant ainsi possible d'effectuer une opération d'effacement de page qui efface la totalité des cellules mémoire DT113 à DT123 disposées au niveau de la ligne de mots sélectionnée WL13.
Ensuite, une explication sera fournie concernant la programmation de la cellule mémoire DT113 dans la chaîne de mémoires MSll. La programmation d'une cellule mémoire consiste à écrire un état d'appauvrissement de la cellule, c'est-à-dire la donnée binaire "O", dans la cellule.Cette programmation consiste à appliquer le potentiel de terre à la ligne de mots sélectionnée WL13 et à la ligne de sélection de terre GSL1, à appliquer la tension d'alimentation Vcc aux lignes de mots WL14 à WLln entre la ligne de mots sélectionnée WL13 et la ligne de sélection de terre GSL1, à appliquer la tension d'impulsion de passage de 15 volts aux lignes de mots WLll et WL12 entre la ligne de sélection de chaines SSL1 et la ligne de mots sélectionnée WL13, à appliquer une impulsion de programmation Vpgm de 13 volts à la ligne de bits sélectionnée BL1 et à appliquer une tension de protection d'effacement Vei aux lignes de bits non sélectionnées BL2 à Blot. Par suite, du fait que la tension de programmation Vpgm est transférée au drain de la cellule mémoire DT113 dans la chaine de mémoires MS11 via les chemins de drain-source du transistor de sélection de chaînes ST et des cellules mémoire DT111 et DT112, la cellule mémoire DT113 est programmée en un transistor MOS à appauvrissement comportant une tension de seuil de programmation Vtp d'environ -4 volts par la mise en tunnel F-N d'électrons depuis la grille flottante jusqu'au drain de celle-ci.
L'application de la tension d'alimentation Vcc aux lignes de mots WL14 à WL1 en-dessous de la ligne de mots sélectionnée WL13 a pour but d'éviter une programmation indésirable de la cellule mémoire DT114 juste en-dessous de la cellule mémoire sélectionnée DT113 qui peut se produire par la surprogrammation de la cellule DT113.
Ceci est la raison pour laquelle le champ électrique entre le drain et la grille flottante de la cellule mémoire DT114 est suffisamment réduit par l'impulsion de programmation Vpgm transférée au drain de la cellule DT114 en raison de la surprogrammation de la cellule DT113, et la tension d'alimentation Vcc appliquée à la grille de la cellule DT114. L'application de la tension de protection d'effacement Vei aux lignes de bits non sélectionnées BL2 à BLR a pour but d'empêcher un effacement indésirable des cellules mémoire DT121 à DTLi1 et DT122 à DT1t2 connectées aux lignes de mots VL11 et VL12 auxquelles la tension de passage Vp est appliquée.
Du fait que la tension de protection d'effacement Vei est transférée aux drains respectifs des cellules mémoire DT121 à DT1ss1 et DT122 à DT1P2, le tunnel F-N des électrons depuis la grille flottante jusqu'au drain ne peut pas se produire. Par suite, la programmation de celles-ci ne peut pas être effectuée.
Après l'achèvement de la programmation mentionné cidessus, pour lire de la cellule mémoire DT113 dans la chaine de mémoires MSll, la tension d'alimentation est appliquée à la ligne de sélection de chaînes SSL1, aux lignes de mots non sélectionnées WL11, WL12 et WL14 à WL1e et à la ligne de sélection de terre GSL1, et la tension de terre est appliquée à la ligne de mots sélectionnée WL13. Au même moment, une tension de lecture d'environ 2 volts provenant de l'amplificateur de lecture est appliquée à la ligne de bits BL1 et la tension de contre polarisation de -3 volts est appliquée à la région de puits P dans laquelle le réseau mémoire 10 est formé comme mentionné précédemment. Par suite, du fait que la cellule mémoire DT113 agit comme un transistor MOS en mode à appauvrissement, la cellule DT113 est rendue conductrice. Sur la même ligne, le transistor de sélection de chaines ST11, les cellules mémoire DTlll, DTl12 et DT114 à DTI1e et le transistor de sélection de terre GTll dans la chaine de mémoires MSIl se trouvent à l'état passant par application de la tension d'alimentation Vcc aux grilles ou grilles de commande de ctux-ci.Par suite, la donnée qui se trouve dans la cellule mémoire sélectionnée DT113 peut être lue par la détection de l'état de courant de la ligne de bits DLI grace à la circulation de courant provenant de la ligne de bits BL1 vers la chaîne de mémoires MSll via l'amplificateur de lecture connecté à la ligne de bits BL1. Si la cellule mémoire DT113 est une cellule effacée, lors de l'opération de lecture telle que mentionnée précédemment, la cellule mémoire DT113 se trouve à l'état bloqué.Au moment de la lecture, la raison pour laquelle la tension de contre polarisation d'environ -3 volts est appliquée à la région de puits P12 est de couper complètement la circulation de courant via la cellule demeurant à l'état bloqué. Ainsi qu'il sera examiné ciaprès, plus la région de canal 12 est dopée avec des impuretés de type N, plus la perturbation des cellules diminue. Toutefois, la cellule maintenue à l'état bloqué qui comporte une région de canal très dopée, peut provoquer une erreur de lecture en raison du courant de fuite se produisant au moment de la lecture. Une telle erreur de lecture peut être remarquablement réduite par l'application de la tension de contre polarisation à la région de puits P12.
Il conviendra de noter que la perturbation, c'est-à- dire l'opération d'effacement indésirable, des cellules non sélectionnées par l'impulsion de passage au cours d'une opération de programmation, peut être empêchée par la fabrication des cellules mémoire comportant des transistors MOS à grille flottante du type à appauvrissement ayant une tension de seuil vierge négative Vto, et par le préchargement des lignes de bits non sélectionnées à la tension de protection d'effacement Vei. La raison en sera expliquée de manière détaillée par référence à un schéma de circuit équivalent d'une cellule mémoire illustré à la fig. 3.
En se référant à la fig. 3, la capacité de couplage entre la grille de commande 40 et la grille flottante 42 est représentée par Cg. Les capacités de couplage entre la grille flottante 42, la source 44, le drain 46 et le canal 48 sont représentés de manière illustrative par Cs, Cd, et Cc. A présent, pendant une opération de programmation, l'examen portera sur une cellule mémoire d'une ligne de bits non sélectionnée à laquelle l'impulsion de passage Vb est appliquée. La cellule mémoire conduit par application de la tension de passage Vp à la grille de commande 40.Du fait que la tension de protection d'effacement Vei est appliquée à la source 44, au canal 48 et au drain 46, la tension de grille flottante Vfg de la cellule mémoire par rapport au potentiel de terre sera représenté par l'équation suivante (1) Vfg = rg.Vp + (1 -rg).Vei - rg.(Vt -Vto) .... (1) où le rapport de couplage rg = Cg / (Cg + Cs + Cc + Cd) et où Vt est la tension de seuil lorsque la cellule mémoire a été effacée ou programmée. Par suite, la tension Vgox appliquée à l'oxyde de grille de la cellule mémoire sera représentée par l'équation suivante (2) Vgox = Vfg - Vei = rg.(Vp -Vt) - rg.(Vei - Vto) ..(2) Ainsi qu'on peut le voir dans l'équation (2), un effacement indésirable de la cellule mémoire avec la tension d'impulsion de passage Vp se produit dans le pire des cas lorsque la cellule mémoire se trouvait à l'état programmé (Vt = Vtp = -4 volts).En outre, la tension inférieure devient la tension de passage Vp et la tension de seuil vierge Vto, et également la tension la plus élevée devient la tension de protection d'effacement Vei, alors la tension inférieure devient la tension Vgox. Par suite, il peut être facilement compris à partir de l'équation (2) que l'effacement indésirable de la cellule mémoire non sélectionnée sera empêché. Cependant, du fait que l'établissement de la tension de protection d'effacement Vei à une valeur trop élevée présente le danger d'amener les cellules sur les colonnes non sélectionnées situées au niveau de la rangée sélectionnée à être programmé, le choix d'une valeur appropriée est préférable.
On volt selon l'ensemble des figures que l'élément selon l'invention est destIné à être inséré dans un ensemble (figure 1) comportant une superposition d'éléments longiformes ou lames 1,1',2,2' maintenus de façon connue en soi par des bandelettes verticales 3,3' et #,#' formant les montants d'échelles comportant des barreaux 5,5',6,6' sur lesquels reposent les lames 1,1',2,2'.
Cette disposition est connue en soi et correspond à la réalisation de stores du type vénitien.
Selon l'invention on utilise comme éléments parallèles et inclinables 1,1',2,2' un complexe comportant une âme métallique formée d'une lame d'aluminium 7 (figure 4) sur les deux faces opposées de laquelle est rapporté un surfaçage formé d'une feuille de bois 8 et 9 ; l'ensemble étant encollé au moyen d'une résine interstitielle 10.
Comme on le voit sur la figure 2 la lame d'aluminium intérieure 7 qui est figurée en traits pointillés sur cette figure est prévue avec une largeur et de préférence également avec une longueur inférieure aux dimensions correspondantes des éléments de surfaçage formés des feuilles de bois.
Et l'on voit ainsi notamment sur la vue en coupe de la figure Lt que les surfaçages en bois se rejoignent à chaque extrémité de la vue en coupe 4.
Dans ces conditions la lame d'aluminium se trouve totalement occultée au sein du complexe ainsi formé et elle n'apparaît nulle part notamment ni sur les tranches longitudinales, ni sur les tranches latérales.
Et dans ces conditions chacune des lames ainsi réalisée a un aspect de bois naturel massif satisfaisant et agréable à 1' oeil.
Alors que chaque élément comporte intérieurement une feuille de rigidification permettant de réaliser chaque élément avec une épaisseur voulue et limitée à 10 dixièmes de millimètre.
En effet l'âme d'aluminium 7 est prévue avec une épaisseur de 2 dixièmes de millimètre les feuilles de bois formant surfaçage extérieures étant limitées à une épaisseur de l'ordre de Lt dixièmes de millimètre ce qui permet de limiter l'ensemble à uneépalseur cotale de l'ordre de 10 dixièmes de millimètre.
On comprend que sur la figure Lt les proportions ont été exagérées en épaisseur de façon à permettre une intelligence claire des dessins.
L'invention concerne également un procédé de fabrication tel que précédemment spécifié et aux termes desquels on prépare d'une part la feuille d'aluminium 7 (figure 5) qui est pré-cintrée et qui est donc prévue avec la largeur voulue permettant d'être occultée au sein de l'ensemble formé par les contrefeuilles extérieures.
Les deux feuilles de bois respectivement 8 et 9 sont encollées sur une face et l'ensemble est rapporté étant inséré dans un dispositif de mise en forme tel que représenté aux figures 5 et 6 et comportant une matrice mâle convexe et une matrice femelle concave, l'ensemble ayant un rayon de courbure sensiblement identique à celui de l'incurvation de la feuille d'aluminium pré-cintrée 7.
Chacune des matrices respectIvement mâle (référence 11) et femelle (référence 12) comporte un revêtement en matériau compressible et élastiquement déformable 13.
Les deux matrices venant s'emboîter et emprisonnant entre leur surface de revêtement 13 le sandwich ainsi formé, on chauffe l'ensemble de façon à assurer la prise de la couche de résine 10.
On assure ainsi la solidarisation de l'ensemble, les deux bords respectivement 8a et 9a des feuilles de bois, débordant au-delà du bord 7a de l'âme métallique, étant rapportés l'un contre l'autre et en assurant par conséquent la vue d'une tranche longitudinale composée uniquement de bois.
L'invention permet donc de réaliser des ensembles formant stores vénitiens dont les lames parallèles se présentent sous la forme de lames de bois avec les richesses décoratives et les variantes ornementales qui peuvent ainsi en être dérivées.
Au locus sacU, les mutations sacU - et sacUh sont étroitement liées (6 à 9 % de recombinaison par transformation) et sont donc soit portées par le meme gène soit portées par deux gènes étroitement liés (STEINMETZ et al, Mol. Gen. Genet., 148 : 281-285, (1976)).
Les loci sacU et sacO semblent agir de manière dépendante. Le phénotype de l'hyperproduction d'enzymes (ou encore phénotype Degh, synthèse d'enzymes dégradatives haut niveau) conféré par la présence, soit d'une mutation sacOh chromosomique, soit de multiple copies de sac0 portées par un plasmide, dans la cellule hôte, est aboli par la présence d'une mutation sacU . Par contre, le gène prote, introduit dans une cellule hôte sous forme de multiple copies par l'intermédiaire d'un plasmide, conduit à un phénotype d'hyperproduction en présence d'un allèle sacU (HENNER et al, Proceedings of the fifth international symposium on the genetics of industrial microorganisms, Split, Yugoslavia, pp 81-90, 1986).
C'est donc en raison de leurs effets, dont on a montré qu'il s'exerçait au niveau transcriptionnel sur la synthèse de différentes enzymes chez Bacillus, que des loci sacU, sac0, ou autres séquences d'ADN d'activité comparable, issus de différentes souches de Bacillus suscitent beaucoup d'intérêt, notamment pour leur application dans le domaine de la synthèse d'enzymes particulièrement intéressantes au niveau industriel.
Notamment, plusieurs équipes de recherche ont récemment décrit le clonage de fragments d'ADN, à partir de différentes souches de Bacillus, lesdits fragments permettant l'hyperproduction de protéases, ou d'autres enzymes, chez B. subtilis.
Le brevet japonais déposé le 19/07/1983 par OKADA et al sous le n 60-30 685 décrit un ADN recombinant contenant une séquence d'insertion originaire du génome d'un B. licheniformis présenté comme codant pour une protéase de ce dernier type de micro-organisme. Les auteurs du brevet ont utilisé cet ADN recombinant pour transformer des cultures de Bacillus subtilis en vue d'accroître leur capacité à produire des protéases alcaline et neutre.
OKADA et al (Appl. Microbiol. Biotechnol., 20 406-412, (1984)) ont cloné un fragment EcoRI de 3,6 kb à partir de B licheniformis qui stimule aussi bien la secrétion de la protéase neutre que celle de la protéase alcaline (70x), mais n'a qu'un faible effet sur les enzymes du type a-amylase (2x) ; le phénotype observé est conservé à l'occasion du clonage d'un fragment PvuII de 1,25 kb et meme d'un fragment Sau 3A1 de 0,37 kb obtenu à partir du fragment EcoRI.
TOMIOKA et al (J. Biotechnol., 3 : 85-96; (1985)) ont aussi décrit la stimulation de la production des protéases neutre (10x) et alcaline (9x) avec un fragment EcoRI de 4 kb provenant de B. amvlolisuefaciens ; ce fragment a pu être réduit à 1,75 kb comprenant des phases ouvertes de lecture non identifiées ; il ne permet pas la stimulation de la synthèse d'a-amylase.
Un fragment d'ADN issu de Bacillus natto a été décrit comme permettant une hyperproduction de protéases alcalines et neutres et de lévane-saccharase (J.
Bacteriol., 166 : 20-29, (1986)). Les auteurs ont envisagé qu'un polypeptide de 60 acides aminés pouvait intervenir dans la stimulation de cette production.
Des polypeptides de 46 acides aminés codés par le gène sacO de B. subtilis (polypeptide SacQ5 (J Bacteriol., 166 : 113-119, (1986)), et de B.
amvloliauefaciens (polypeptide SacQA) (J. Biotechnol., i, 85-96, (1985)) ont été décrits comme étant des activateurs de la synthèse d'enzymes dégradatives.
Le brevet français déposé le 18/08/1986 sous le n 86.11826 aux noms de l'INSTITUT PASTEUR et du CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE décrit ltidentifi cation du gène SacO de B. licheniformis ainsi que du polypeptide SacQt codé par ledit gène sacO, et un procédé de stimulation de la production d'un polypeptide déterminé par une souche de B. subtilis dont le génome avait été modifié de manière à ce qu'il comprenne soit de ma nière intégrée dans le chromosome, soit sur un plasmide, une séquence d'ADN codant pour ledit polypeptide déterminé et à laquelle avait également auparavant été incorporé un fragment d'ADN, codant pour Sac,.
Toutefois, le locus sacU n'a jamais été cloné et n'a, par conséquent, jamais été utilisé pour la mise en oeuvre d'un procédé de surproduction d'enzymes, par réintroduction dans une cellule-hôte capable ou rendue capable de produire ces enzymes, ce procédé utilisant une séquence fonctionnelle de ce locus pour ses propriétés stimulantes à l'égard de cette production.
L'objectif de la présente invention est le clonage du gène sacU, sous une forme sauvage ou portant une mutation sacuh afin de permettre l'utilisation de ce locus sacU ou d'une séquence fonctionnelle de ce locus pour la mise en oeuvre d'un procédé de surproduction d'enzymes ou d'autres protéines par B. subtilis ou par tout autre micro-organisme approprié avec un taux de surproduction aussi élevé que possible.
En effet, les tentatives de clonage du gène sacU qui ont été antérieurement envisagées, ont échoué. Celle décrite dans l'article d'AUBERT et al paru en 1985 dans J. Bacteriol., 161 : 1182-1187, qui décrivait une tentative de clonage de sacU par l'intermédiaire de plasmides navettes capables de se répliquer à la fois dans Escherichia coli et Bacillus subtilis, a été reniée par les mêmes auteurs, dans un autre article en 1987, dans J.
Bacteriol., 169 : 3393, au motif qu'elle était érronnée La stratégie décrite par DEBARBOUILLE et al, dans FEMS Microbiol. lett., 41 : 137-140 (1987)) et qui a été appliquée avec succès au clonage du gène sacS, n'a pas pu être transposée au clonage et à l'identification de sacU. En particulier, il a été procédé à une tentative d'introduire une banque de gênes (sous forme de plasmides recombinants les contenant et obtenus chez Escherichia coli), dans une souche de B. subtilis dont le génome portait une mutation sacU ainsi qu'un gène de résistance à la kanamycine sous le contrôle du promoteur du gène sacB codant pour la lévane-saccharase. Sous l'effet de sacU , le gène sacB et celui codant pour la résistance à la kanamycine sont très faiblement exprimes.Il était espéré qu'un des plasmides recombinants qui pouvait contenir le locus sacU, serait capable de conférer à la souche de B. subtilis sacU , sus-mentionnée, un haut niveau de résistance à la kanamycine et de restaurer la production de lévane-saccharase chez cette même souche. Mais il n'a pas été possible d'isoler un plasmide comportant le locus sacU de cette manière.
La Figure 4 est semblable à la Figure 3 et concer-
ne une première variante du feu représenté sur les Figures précédentes, et La Figure 5 est une vue représentant, en coupe, selon une ligne correspondant à la ligne V-V de la Figure 3,
une deuxième variante du feu de la Figure 1.
En se référant, en particulier, à la Figure 1, la
référence I désigne, dans son ensemble, in feu pour véhi-
cules automobiles comprenant une enveloppe extérieure 2 (indiquée en pointillé sur la Figure 3) ayant sensiblement la forme d'une tasse, laquelle est fermée sur le devant par
une lentille 4 transparente, incolore et extérieurement mu-
nie de prismes diffuseurs 5.
Le feu I comprend. en outre, un corps interne 6
constitué par un réflecteur elliptique de translation posté-
rieur 7 et par un corps de tasse antérieur 8 disposés avec
leur concavité opposée et accouplée l'un à l'autre de préfé-
rence de façon démontable pour obtenir un logement interne 9
sensiblement fermé.
En particulier, le corps de tasse 8 comprend une paroi transversale antérieure 10 de fond, disposée en face
de la paroi de la surface interne de la lentille 4 et paral-
La séquence correspondant à l'oligonucléotide utilisé pour le séquençage de 1'ARN et l'extension avec une amorce est soulignée. Les sites de phosphorylation potentiels par la protéine kinase C et les tyrosine kinases sont indiqués par des étoiles et un pointillé.
Dans la partie B, est représentée la séquence de l'extrémité 5' du clone primaire G821 résultant de la fusion artéfactuelle de deux ADNc et qui est utilisée pour construire le plasmide pNDK.
Le fragment qui diverge de 1'ADNc consensuel (partie A) est mentionné en italique un nucléotide en amont du codon d'initiation.
Le fragment HaeIII-EcoRI de l'insert du clone G821 est utilisé pour construire le vecteur d'expression pNDK. Le site HaeIII est souligné.
La séquence nucléotidique entourant cet ATG est en accord avec la séquence consensus (ANNATGR) des codons d'initiation des eucaryotes avec un A en position-l, comme trouvé généralement pour les gènes de Dictyostelium.
Les deux autres ATG du cadre ouvert de lecture en position 256 et 298 sont en désaccord avec le consensus. Le codon venant apres le codon d'initiation code pour la sérine comme observé chez les levures pour au moins 50% des gènes fortement exprimés.