INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- Les figures 2A, 2B, 2C sont trois vues, en élévation, illustrant trois étapes du procédé selon l'invention pour séparer une pièce en plusieurs parties distinctes et amovibles.
- La figure 3 est une vue, en élévation, d'une plaque support de référence possible.
- La figure 4 est une vue en coupe transversale selon la ligne IV-IV de la figure 3.
- La figure 5 est une vue en perspective, shématique, d'un manipulateur selon l'invention associé à un dispositif selon l'invention.
- La figure 6 est une vue shématique, partielle, en coupe axiale du manipulateur de la figure 5.
- La figure 7 est une vue shématique, partielle, en élévation du manipulateur de la figure 5, - La figure 8 est une vue, en élévation, d'une plaque de repérage, - La figure 9 est une vue en coupe selon ]a ligne IX -IX de la figure 8.
I.' invention concerne un procédé pour séparer une pièce 1 rigide originellement monobloc en plusieurs parties élémentaires 2.
La pièce 1 est plus particulièrement mai. non limitativement, un moule positif de machoire ou de partie de mmchoire, comprenant une face interne 3, une face externe 4, et des représentations de dents 5. La pièce 1, notamment le moule, ne fait pas en soi l'objet de l'invention et elle est généralement connue de l'état de la technique. La piè.e 1 pet entre différente de forme et/o de destination dès lors qu'elle nécessite d'être segmentée en parties élémentaires 2 distinctes et amovibles, pouvant cotre agencées selon la configuration de la pièce 1, une au moins,le cas échéant toutes, des parties 2 pouvant être enlevée ou insérée à volonté de la configuration. Sur la figure 1 on a représente en 6 des lignes de segmentation de la pièce 1, celle-ci comportant deux plans de segmentation P et O définissant trois parties 2 chacune comprenant une dent 5. Mais d'autres dispositions sont possib]es.
On entend par configuration de la pièce i, le fait que les parties 2 sont disposées les unes à coté des autres pour reconstituer la pièce 1 dans son ensemble. Si une partie 2 est manquante (voir figure 2C), il existe, å sa place un espace identique libre 7. cette disposition, généralement comme en soi, permet non seulement d'avoir à disposition une pièce 1 entière mais aussi, pour pouvoir travailler dessus, seulement telle ou telle partie 2, telle partie 2 enlevée pouvant, à tout moment être remise dans la configuration dans l'espace libre 7.
La pièce 1 est par exemple une pièce sur mesure, réalisée en plâtre ou équivalent de manière à pouvoir être segmentée sans se briser ou encrasser l'outil de segmentation utilisé.
Le procédé selon l'invention est mis en oeuvre au moyen d'un dispositif 8 qui comporte d'une part une plaque de repérage 9 originellement rigide, monobloc, en un matériau permettant de la sectionner transversalement en plusieurs tronçons élémentaires de repérage 10, pourvue de permiers organes d'association 11; et d'autre part, une plaque support de référence 12, pourvue de seconds organes d'association 13; la plaque support 12 et la plaque de référence 9 ou les tronçons élémentaires de repérage 10 de celle-ci pouvant étire superposés et associés rigidement et de façon amovible par la coopération amovible de premier et second organes d'association 11, 13.
Selon le procédé de l'invention, successivement on part de la pièce 1 monobloc; on la fixe ainsi, rigidement, à la plaque de repérage 9 alors également à l'état monobloc (figure 2A), jusqu'àlors séparée de la pièce 1; on sectionne la pièce 1 ainsi que la plaque de repérage 9 à laquelle est fixée, transversalement de manière à constituer plusieurs ensembles élementaites 2 + 10 (figure 2B), chacun constitué d'une partie élémentaire 2 rigidement fixée à un tronçon élémentaire 10 en regard . Un tel ensemble 2 + 10 peut entre relativement placé à, maintenu dans, ou enlevé de sa position relative dans la configuration de la pièce 1 par suite de la coopération amovible des organes d'association 11, 13 (figure 2C).
On entend par sectionnement transversal un sectionnement selon une direction de sectionnement perpendiculaire au plan de la plaque de repérage 9.
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation de sources d'électrons et de cathodes à emission de champ, permettant d'obtenir de façon simple des pointes de cathodes bien centrées par rapport à l'axe du trou de grille, les cathodes étant formées par croissance cristalline facettée, les sources d'électrons étant des pointes associées å des couches métalliques ou extracteurs comportant des ouvertures dans l'axe desquelles sont situées ces pointes.
La présente invention a également pour objet des dispositifs utilisant des cathodes à émission de champ présentant de bonnes caractéristiques d'autoalignement dont la fabrication est simplifiée par le procédé d'autoalignement de l'invention.
Le procédé conforme à l'invention est caractérisé par le fait que Iton dépose au moins une couche de matériau diélectrique, sur un substrat monocristallin, que lton grave au moins une cavité dans la couche déposée, et que I'on forme par croissance cristalline germinée sur le substrat et facettée, une pointe de cathode au fond de chaque cavité, une couche de matériau électriquement conducteur servant de grille étant formée sur la couche de matériau diélectrique.
Selon un aspect avantageux de l'invention, on dépose sur la couche de matériau électriquement conducteur une couche de matériau diélectrique, et on grave des ouvertures dans les trois couches formées sur le substrat jusqu'à mettre à nu le substrat.
La source d'électrons conforme à l'invention est caractérisée par le fait quelle comporte, dans l'ordre, un substrat monocristallin avec au moins une pointe de cathode en saillie, une couche diélectrique et une couche en matériau électriquement conducteurs la pointe de cathode étant logée dans une cavité de section à forme quelconque, pratiquée dans ces deux couches, et étant centrée par rapport à irouverture dans la couche conductrice.
Les composants conformes à l'ìnvention sont caractérisés par le fait que le composant est un composant électroluminescent comportant une couche d'anode en matériau électroluminescent refermant la cavité au fond de laquelle a été formez la pointe de cathode.
Ces composants peuvent avoir une structure matricielle en lignes et colonnes, chaque croisement de la matrice comportant au moins une source d'électrons telle que définie ci-dessus.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée d'un mode de réalisation, pris comme exemple non limitatif et illustré par le dessin annexé sur lequel - les figures 1 à 7 sont des vues schématiques en coupe illustrant différentes étapes successives du procédé de l'invention - les figures 8 a 10 sont des vues schématiques illustrant une étape d'attaque chimique sélective permettant d'obtenir un facettage déterminé, conformément au procédé de l'invention; - les figures 11 et 12 sont des vues simplifiées illustrant une variante du procédé conforme à l'invention; - la figure 13 est une coupe simplifiée en perspective d'une variante de source d'électrons conforme à l'invention;; - la figure 14 est une vue schématique en coupe d'un élément électroluminescent comportant une source d'électrons conforme à l'invention, et - les figures 15A, 15B à 19 sont des vues simplifiées relatives à la fabrication d'une structure matricielle conforme à l'invention.
Pour réaliser la source conforme à l'invention, on part d'un substrat monocristallin 1. Le substrat 1 est par exemple en Si ou GaAs ou en tout autre matériau monocristallin approprié. Ce substrat 1 est d'orientation de surface (x,y,z), x,y et z étant des entiers quelconques. De préférence mais de façon non limitative, ces entiers sont égaux à O ou à 1, ce qui correspond à des faces telles que (100), (110) ou (111), facilement accessibles. On pourra aussi utiliser des substrats orientés (211), (221) ou (311).
La première étape du procédé de l'invention (figure 1) consiste à déposer une couche de diélectrique 2 sur le substrat 1. Ce diélectrique est par exemple du Si02 ou S13N4, et son épaisseur est avantageusement d'environ 1 à 2 microns. Ce dépôt peut être effectué par des procédés connus tels que la pyrolyse d'un mélange gazeux SiH4 + N20 ou SlH4 + NH3 à une température d'environ 8500C, ou le dépôt assisté par plasma à une température d'environ 2500C.
La seconde étape (figure 2) consiste à déposer une couche métallique 3 servant de métallisation de grille d'extraction. L'épaisseur de la couche 3 est par exemple d'environ o, 1 à 1 micron. Le matériau déposé est avantageusement du blo, Pt ou Ni.
La troisième étape (figure 3) consiste à déposer une couche passivante 4 de matériau diélectrique. Cette couche 4 permet d'éviter la nucléation de matériau (par exemple Si) polycristallin sur la couche métallique de grille 3 pendant l'opération d'épitaxie facettée, et permet donc de rendre cette opération d'épitaxie (décrite ci-dessous en référence à la figure 6) effectivement sélective. Le matériau de la couche 4 doit être différent de celui de la couche 2, afin de permettre d'enlever sélectivement par attaque chimique cette couche 4 lors de la septième étape décrite ci-dessous. Si, par exemple, la couche 2 est en Si3N4, la couche 4 peut être en SiO2, et si la couche 2 est en Si02, la couche 4 peut être en Sl3N4.
L'épaisseur de la couche 4 est par exemple d'environ 0,1 à 1 micron.
La quatrième étape (figure 4) consiste à graver une cavité 5 dans les couches 2 à 4, pour mettre à nu une surface 6 du substrat 1 La forme et les dimensions de la surface 6 peuvent être quelconques. L'invention est particulièrement avantageuse lorsqu'il s'agit de - réaliser un réseau de microcathodes à pas très fin (diamètre ou dimension caractéristique des cavités 5 de l'ordre de 0,5 à 2 microns et pas de répétition de l'ordre de 10 microns ou moins), en particulier du fait que l'on peut utiliser, pour effectuer la gravure des cavités 5, un masque (non représenté) en résine photosensibIe déposé sur la couche 4 et insolé de façon appropriée - pour définir les ouvertures (de forme quelconque) des cavités 4. La gravure est ensuite effectuée par RIE ("Reactive Ion Etching'1). Ceci permet un autoalignement de la pointe de chaque cathode par rapport à l'ouverture de la grille correspondante, comme il apparaîtra à la lecture de la description ci-dessous.
La cinquième étape (figure 5) qui n'est pas nécessairement mise en oeuvre dans tous les cas, consiste à augmenter la section de la cavité 5 dans la couche 2 par une légère attaque chimique. On obtient dans cette couche 2 une cavité 7 et cette cavité 7 laisse à nu une surface 8 sur le substrat 1. De façon avantageuse, si la couche 2 est en Si02, on effectue cette attaque avec du HF.
La sixième étape (figure 6) consiste à faire croître en conditions d'épitaxie sélective facettée une pyramide 9 sur la surface 8 qui sert de germe de cristallisation (ou sur la surface 6 si on ne procède pas à l'étape 5). Cette sélectivité du dépot (dépôt uniquement sur la surface 8 ou 6) est obtenue, par exemple dans le cas où le substrat et le matériau de dépôt sont du silicium, en utilisant un réacteur CVD ("Chemical Vapor Deposition") à pression atmosphérique ou à pression réduite, dans lequel on introduit un mélange gazeux à proportions bien définies, comportant par exemple du SiH4 + HCI ou du SiH2Cl2 + HC1 dilué dans du H2 porteur, à température comprise entre 900 et 11000C environ (voir par exemple l'article de L.
Le dispositif de localisation des pannes a été décrit avec un générateur des séquences de test réalisé essentiellement sous la forme d'une mémoire 44 qui génère des informations très différentes les unes des autres, savoir les valeurs - des signaux d'entrée, - des signaux de sortie, - des signaux de commande des commutateurs 60 et 62, c'est-à-dire d'une part les bornes actives et inactives et, parmi les bornes actives, celles affectées aux entrées et sorties.
On comprend alors que cette mémoire 44 pourrait être scindée en plusieurs mémoires, une par type d'information, sans sortir du cadre de l'invention.
Les mémoires 35, 37 et 44 sont du type à enregistrement et lecture mais pour localiser une panne dans une carte déterminée, seule la mémoire 35 met en oeuvre les deux fonctions. En ce qui concerne les mémoires 37 et 44, les opérations de locali sation d'une panne dans une carte déterminée n'utilisent que la fonction lecture et sont donc considérés comme étant des bases de données. Pour localiser une panne sur un autre type carte, leur contenu doit être modifié.
La description ci-dessus du dispositif de localisation des pannes selon l'invention permet de définir un procédé de localisation des pannes qui comprend les opérations suivantes a) La simulation des fonctions réalisées par chacun des circuits logiques ainsi que des connexions entre lesdits circuits logiques et entre ces derniers et les bornes d'entrée et de sortie des signaux logiques ; ceci correspond à réaliser le tableau 1 sous une forme assimilable par un calculateur à l'aide d'un logiciel approprié.
b) L'élaboration d'une séquence de signaux logiques à appliquer aux bornes d'entrée et la déter mination, par simulation, des signaux logiques apparaissant sur les bornes de sortie en l'absence de panne des circuits logiques et sur les connexions ; ceci correspond à réaliser les opérations qui aboutissent au tableau 2, notam ment les deux dernières colonnes de droite.
c) La simulation, à chaque étape de la séquence de signaux d'entrée, d'une ou plusieurs pannes des circuits logiques et sur les connexions, de manière a obtenir un premier répertoire des signaux de sortie en fonction de l'étape de la séquence et de la panne simulée ; ceci correspond à réaliser les opérations qui aboutissent au tableau 3.
d) La création, à l'aide du premier répertoire, d'un deuxième répertoire qui détermine la panné en fonction de l'étape dans la séquence et des signaux de sortie ; ceci correspond à réaliser les opérations qui aboutissent au tableau 7.
L'obtention de ces deux répertoires constitue la base du procédé selon l'invention, base à partir de laquelle l'adjonction d'opérations complémentaires permet d'avoir un procédé automatique de localisation ; ce sont ces opérations complémentaires qui sont réalisées de manière automatique par le dispositif qui est décrit et revendiqué.
Les opérations complémentaires comprennent e) l'application d'une séquence de signaux logiques d'entrée aux bornes d'entrée de l'ensemble des circuits logiques ; ce sont les signaux de la quatrième colonne du tableau 2 qui sont appliqués aux bornes d'entrée ; f) le relevé des signaux logiques apparaissant sur les bornes de sortie à chaque étape de cette séquence g) la comparaison des signaux logiques de sortie à ceux calculés lors de la simulation pour la même étape de cette séquence, et qui correspondent à la quatrième colonne du tableau 2 h) la mise en mémoire des résultats de cette compa raison pour les étapes qui doivent détecter une panne ; i) la comparaison des résultats mis en mémoire avec le contenu du deuxième répertoire (tableau 7) de manière à identifier la panne en cas d'identité de la comparaison.
Le procédé qui vient d'être décrit peut être mis en oeuvre par un dispositif du type de celui décrit en relation avec les figures 2 et 3 mais il est clair que d'autres dispositifs peuvent être réalisés pour cette mise en oeuvre sans sortir du cadre de la présente invention.
Il est important de rappeler que ce procédé ainsi que le dispositif de mise en oeuvre peuvent s'appliquer à tous ensembles de circuits logiques et analogiques mais que les pannes ne sont détectées que pour les circuits logiques. Comme on l'a indiqué ci-dessus, pour passer d'un test d'un ensemble de circuits logiques à un test d'un autre ensemble ayant le même nombre N d'entrées/sorties, il faut modifier essentiellement les contenus des mémoires 44, 37 et 39 pour qu'ils correspondent aux résultats de la simulation qui a été effectuée auparavant.
Cette modification des mémoires peut être réalisée aisément par des moyens connus.
Le dispositif de localisation est relativement simple å réaliser et d'un encombrement suffisamment réduit pour être facilement transportable sur le site de maintenance, tout en étant utilisable sur plusieurs ensembles différents de circuits logiques, chaque ensemble correspondant à une carte de circuits imprimés.
Ce dispositif pourrait être réalisé sous la forme de circuits intégrés et être incorpore å la carte de circuits imprimés pour laquelle il est adapté å localiser les pannes. Dans ce cas, pour localiser les pannes d'un système, il suffirait de surveiller directement ou à distance les dispositifs de localisation associés aux cartes pour localiser et identifier la carte en panne ainsi que le circuit en défaut sur ladite carte. Dans un tel système de maintenance centralisé, chaque dispositif de localisation particulier serait prévu pour effectuer périodiquement ou à la demande une séquence de test de manière å déterminer la carte en panne et à identifier le circuit logique de ladite carte en panne.
DISJONCTEUR A AUTOSOUFFLAGE PAR EXPANSION DE GAZ ISOLANT, EQUIPE D'UN ECRAN DE REPARTITION DE CHAMP ELECTRIQUE L'invention est relative à un disjoncteur ou interrupteur à autosoufflage par expansion de gaz à rigidité diélectrique élevée, notamment de l'hexafluorure de soufre contenu dans une enceinte étanche de logement d'un ou de plusieurs pales, chaque pôle comportant: - une paire de contacts d'arc séparables disposés dans une chambre de coupure, laquelle est incorporée dans l'enceinte, - au moins un conduit d'écoulement de gaz s'étendant à l'intérieur desdits contacts d'arc creux pour faire communiquer la chambre de coupure avec le volume restant de l'enceinte constituant une chambre d'expansion, - et un orifice ménagé dans la chambre de coupure pour le passage du contact d'arc mobile.
Dans un disjoncteur ou poste blindé à haute tension, utilisé par exemple dans des réseaux ayant des valeurs de tension supérieures à 70 kV, la répartition du champ électrique à 1' intérieur de la chambre de coupure, peut être contrôlée par un capot métallique de forme hémisphérique.
Il est à rappeler que la composition de la solution de Denhardt est la suivante : 1- Ficoll, 1 % polyvinylpyrrolidone, 1 % BSA (albumine de sérum de boeuf), et que 1 x SSC est constitué de 0,15 M de NaCl et 0,015 M de citrate de sodium, pH 7.
subtilis un phénotype Sedh et qui s'hybrident dans des conditions stringentes avec le fragment de 2,55 kb, ces conditions d'hybridation comprenant les étapes suivantes - traitement de pré-hybridation du filtre de nitrocellulose supportant la séquence d'ADN à tester à 42"C pendant 1 heure avec un tampon ayant la composition suivante : 50 % formamide, 5 x SSC, 1 x Denhardt - remplacement du tampon d'hybridation au contact du support par du tampon d'hybridation de même composition, et addition de la séquence de 2,55 kb en tant que sonde notamment marquée radioactivement, et préalablement dénaturée par un traitement à 100C pendant 5 minutes - une incubation à 420C pendant une durée de 16 à 24 heures, et - lavages successifs avec les solutions suivantes 1 x 50 ml, 5 x SSC, 50 z. formamide, 20 minutes à 42"C 2 x 50 ml, 2 x SSC, 0,1 % SDS, 2 x 20 minutes à 42-C 1 x 50 ml, 0,2 x SSC, 0,1 % SDS, 20 minutes à 42'C.
Le fait qu'une séquence d'ADN qui après ce traitement reste hybridée à la séquence d'ADN de 2,55 kb plus particulièrement définie en rapport avec la figure 5, indique que les deux séquences sus-mentionnées possèdent un certain degré d'homologie.
A titre d'exemple, on définit ci-après les conditions dans lesquelles cette fixation peut être effectuée : - le marquage radioactif du fragment par translation de césure (nick-translation), - transfert de l'ADN à tester sur un filtre de nitrocellulose, - dépôt de ce filtre sur du papier Whatmann n*3, imbibé de NaOH 0.5 N, NaCl 0.9 M et incuber 20 minutes à température ambiante, - répétition de l'opération sur papier imbibé de Tris-HCl M, pH 7, 10 minutes, - séchage bref, - répétition de l'opération sur papier imbibé de 2 x SSC, - - séchage sur papier, puis à l'étuve à 80*C pendant 2 heures, permettant la fixation de l'ADN à tester sur le filtre.
Il est à remarquer que les opérations d'hybridation qui précèdent sont avantageusement directement effectuées dans des conditons stringentes, s'agissant h d'identifier la séquence sacU ou sacUh dans une souche de B. subtilis.
Cette technique est appliquée particulièrement à l'isolement de la séquence sacUh d'une souche de B.
subtilis sacuh.
En revanche, les conditions non stringentes sont en tout cas recommandées dans les procédés opératoires s'agissant d'isoler une séquence fonctionnelle à partir d'un autre micro-organisme, notamment du type Bacillus, par exemple B. licheniformis.
Il apparaitra immédiatement que l'homme de métier peut, soit par le traitement complémentaire soit du fragment de 2,55 kb sus-spécifié, soit d'une séquence homologue à ce fragment par les enzymes de restriction appropriées, soit par une digestion de ses extrémités au moyen d'une enzyme exonucleolytique telle que Bal31, produire des fragments plus petits à partir du fragment SalI-SDhI et tester à nouveau, notamment dans les conditions exposées plus loin, leur capacité à conférer le phénotype Sedh à une souche de B. subtilis. En d'autres termes, l'homme du métier est désormais à meme de localiser avec précision la partie active du locus sacU.
L'étude de la séquence nucléotidique entière du susdit fragment d'ADN de 2,55 kb montre que le fragment d'ADN de 990 paires de bases délimité par les nucléotides situés aux positions 1320 et 2310 (correspondant respectivement aux sites de restriction Asu II et Nde I) de la figure 5, comprend au moins une phase ouverte de lecture soutenant l'hypothèse que cette phase code pour une protéine (ci-après dite "SacU" ou "SacU5') de 229 acides aminés (figure 7). Cette phase ouverte de lecture qui est délimitée par les nucléotides situés aux positions 1452 et 2139 (figure 6) est précédée par une séquence nucléotidique présumée fournir les signaux typiques de liaison de l'ARN messager aux ribosomes (dite séquence Shine-Dalgarno). Cette séquence semble être située dans la région délimitée par les nucléotides situés aux positions 1437 et 1443.La phase de lecture ouverte parait être suivie d'un terminateur de transcription compris entre les nucléotides situés aux positions 2151 et 2176 de la figure 5.
RESEAUX POLYMERES SEMI-INTERPENETRES GREFFES, LEUR PROCEDE DE PREPARATION ET LEUR APPLICATION A L'OBTENTION D'ARTICLES INDUSTRIELS.
Dans le vaste domaine des matériaux composites polymères-polymères, on connaît déJ a la catégorie des réseaux polymères interpénétrés, c'est-å-dire des mélanges de polymères sous forme tridimensionnelle et sans liaison covalente entre eux, où au moins l'un des deux réseaux est préparé en présence de l'autre. L'incompatibilité thermodynamique des constituants d'un tel réseau provoque des séparations de phases.Ainsi, par exemple, par microscopie électronique, la morphologie des réseaux interpénétrés polyuréthanne-polystyrêne révèle une séparation de phases, la taille des domaines des phases dispersées variant de 20 å 500 nanomètres. Dans ces réseaux, on constate une inversion de phase pour une proportion de 25Z en poids environ de polystyrène, celui-ci représentant la phase continue en dessous d'une teneur de 752 environ en polyuréthanne. La morphologie observée explique les inconvénients de tels réseaux, en particulier une résistance et une transparence insuffisantes et une certaine difficulté de mise en oeuvre.C'est pourquoi la présente invention vise d améliorer les performances des réseaux polyuréthanne-polystyrène en modifiant leur constitution et leur morphologie.