INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l'exemple décrit jusqu'ici en référence aux Fig.6 et 7, les rayons frappant les faces d'entrée fe des prismes 24 sont déviés sous des angles de refraction r' et renvoyés parallélement aux faces d'entrée fe par reflexion totale sur les faces obliques fo, grâce aux choix judicieux des angles a des prismes. Si l'on souhaite obtenir un flux lumineux diffus sur toute la largeur du feu, il est avantageux d'utiliser la forme de prisme représentée sur la Fig.8. Dans ce cas, chaque prisme 24a comporte une face d'entrée fe plane comme pour les prismes 24, cependant que leur face de réfraction fr est convexe vers ces faces planes. On comprend que de la sorte chaque rayon est dévié sous un angle différent de sorte que globalement, le flux de la surface éclairante est diffus.
On va maintenant revenir sur les Fig.1 à 4 tout en se référant à la Fig.5 pour décrire chacun des blocs dioptriques IS utilisés dans le feu de signalisation suivant l'invention.
Chaque bloc dioptrique 16 présente une forme générale cylindrique et en partie tubulaire et est réalisé de préférence à partir d'un seul corps moulé en verre.
La partie centrale du bloc est constituée par un ménisque convergent 27 dont le dioptre d'entrée de est de forme sphérique centrée sur le point O (Fig.5) qui matérialise la source lumineuse considéree comme ponctuelle dans la présente description. Le dioptre de sortie ds de ce ménisque est convexe, son foyer étant situé dans le point 0.
Le ménisque convergent 27 est entouré d'une lentille épaisse annulaire 28 ayant comme dioptre d'entrée la surface de et comme surface de sortie une dioptre de sortie ds' divergent dont le foyer est un point 0', image du point O sur l'axe Y-Y par rapport à un point de cet axe qui correspond au rayon du bloc dioptriqua cylindrique. Les points O et O' sont donc distants d'une valeur égale à la hauteur du boitier 1.
La lentille épaisse 28 comprend une autre surface active dr qui est une surface de réflexion totale éventuellement métallisée par une couche de peinture 29 (Fig.3 et 4), ou tout autre moyen analogue.
La dioptre de est raccordé à la surface de réflexion totale par une surface biseautée 30 qui n'a pas de rôle optique particulier.
Le bloc dioptrique 16 transforme le faisceau sphér-ique de la source en un faisceau parallèle de densité pratiquement uniforme et orienté selon l'axe secondaire X-X du système optique.
Dans un système de coordonnées, etabli dans un plan radial du bloc dioptrique 16 Ipar exemple le plan X-Y), on démontre que les courbes des dioptres de sortie ds et ds. sont régies par l'équation suivante : dans laquelle : x et y - coordonnées d'un point quelconque des courbes, n - indice de réfraction du matériau du bloc dioptrique, C - constante.
Pour déterminer les courbes ds et ds', on admet respectivement le système de coordonnées précité et un système auxiliaire x' , o' ,y' dont les axes des ordonnes sont confondus et dont les axes des abcisses sont décalés d'une distance 2a, ê étant le rayon du corps cylindrique du bloc optique 16.
On détermine les coordonnées d'un point A qui est le point de raccordement des deux courbes respectivement dans les deux systèmes de coordonnées, c'est à dire dans le système x. o, y, A = (X,Y) et dans le système x'o'y', A = (X' Y') avec x'=x et y'= 2a-Y.
La figure 1 représente une vue de dessus d'un transistor selon l'invention La figure 2 représente une coupe schématique d'un tel transistor suivant l'axe XX'.
La figure 3 représente une coupe schématique d'un tel transistor suivant l'axe yy'.
Les figures 4a, 4b, 4c, 4d représentent en coupe schématique les différentes étapes de la réalisation d'un transistor selon l'invention.
La figure 5 représente une réalisation particulière du transistor selon l'invention.
Tel que représenté sur la figure 1, le transistor à effet de champ réalisé selon la présente invention comprend, sur un substrat monocristallin semi-isolant 10, le contact ohmique de source ou drain 1, le second contact ohmique 2 et la grille 3.
Chacun de ces trois contacts se trouve dans un plan différent comme le montrent les figures 2 et 3. Le contact ohmique 1 est situé à la surface de la troisième couche épitaxiale 13 de type N+, le contact de grille 3 se trouve au niveau du milieu de l'épaisseur de la seconde couche épitaxiale 12 de type N, et le second contact ohmique 2 est pris sur la première couche épitaxiale 11 de type N L'ensemble des figures 4 représente en coupe schématique un exemple de réalisation du transistor selon l'invention.Sur un substrat 10 en arséniure de gallium monocristallin semi-isolant sont déposées successivement par épitaxie une première couche 11 d'arséniure de gallium de type N+ dopée au niveau de 5 1018 atomes par cm3 et d'épaisseur environ 0,2/um, une seconde couche 12 d'arséniure de gallium, de type N dopée au niveau de 5.1015 atomes par em3 et d'épaisseur environ 0,3hum et enfin une troisième couche 13 identique à la première, comme il est montré sur la figure 4a.
La largeur d du plot 1 de drain ou source est déterminée comme étant inférieure ou égale au double de la profondeur des zones désertées 5 et 6 qui apparaissent dans la couche 12 sous l'influence de la tension appliquée à la grille 3. Pour un dopage tel que celui qui est donné plus haut, la profondeur des zones désertées 5 et 6 est d'environ 0,4hum. La largeur d du plot 1 est donc choisie d'environ 0,8/um. Par un procédé lithographique, une gravure est pratiquée autour du plot 1 jusqu'au milieu de l'épais- seur de la couche intexwédiaire 12 de type N comme le montre la figure 4b. Des caissons 14 semi-isolants sont réalisés dans les zones prévues pour les grilles par exemple par implantation de bore tels que représentés sur la figure Ac. Une légère sous-gravure de la couche 1, qui sert de couche protectrice, peut être prévue, afin de mieux localiser l'implantation du B+, comme il est montré sur la figure 5. Les contacts de grille 3 sont alors déposés par évaporation à la surface des caissons 14, à l'aide d'un métal tel que Al.L'épaisseur de cette métallisation 3 qui représente la longueur de grille L du transistor est de l'ordre de 0,1/uns donc plus faible que celle de la couche 12 de type N contre laquelle elle s'appuie, comme il est représente sur la figure 4d. Dans le but d'obtenir un bon contact entre la métallisation 3 et la couche 12, la métallisation peut être réalisée avec une légère inclinaison sur la verticale comme il est montré sur la figure 5. Dans le meme but, la croissance des couches épitaxiales surle substrat monocristallin peut être réalisée selon une face cristallographique privilégiée de manière à obtenir que après la gravure, les flancs de la saillie constituée par les couches 12 et 13 surmontées du contact 1 soient inclinées selon certaines faces cristallographiques.
De plus, dans le but de diminuer la résistance électrique du contact de grille, une surépaisseur métallique 7 peut etre déposée sur les grilles 3.
Pour éviter les court-circuits, on réalise le second contact ohmique 2 dans une zone éloignée de 1 ou 2/um des contacts de grille 3. On notera que, dans le but de réaliser ces derniers, une gravure avait été pratiquée autour du plot 1, jusqu'au niveau du milieu de l'épaisseur de la couche 12, alors que le second contact ohmique 2 doit être pris sur la couche 11 de type N située sous la couche 12. Il n'est cependant pas nécessaire de pratiquer une gravure supplémentaire pour déposer le contact 2 sur la couche 11. I1 suffit de déposer, sur l'épaisseur restante de la couche 12, à l'emplacement prévu pour le second contact ohmique 2, un composé or, germanium, le substrat étant porté à la température de formation de l'eutectique de l'ordre de 3600C de manière à former l'alliage Au-Ge.A cette température, cet alliage interagit avec l'arséniure de gallium pour former un composé quatermaire qui recristallise lors du refroidissement. Dans ces conditions le contact ohmique se fait avec la couche 11. On réalise en même temps et par un procédé identique, le contact ohmique 1, au-dessus de la couche 13.
Par contre les contacts de grille 3, qui ont été réalisés précédemment à l'aide d'un métal-tel que l'aluminium Al, ne se trouvent pas modifiés ou altérés, lors de l'élaboration des contacts ohmiques 1 et 2. En effet, l'aluminiun est un métal dont la température de fusion est de l'ordre de 1000 C et qui ne présente aucune interaction avec l'arséniure de gallium.
On notera que, dans la réalisation particulière présentée sur les figures 1 à 5, il est possible de réaliser un transistor à une grille en reliant les deux contacts 3 entre eux, ou à deux grilles alimentées séparément. Dans ce dernier cas, les zones désertées 5 et 6 peuvent présenter des profondeurs différentes.
La couche il de type N+ étant extrêmement conductrice, on peut considérer que lorsqu'un potentiel est appliqué sur la grille 3, le courant qui s'établit dans le canal, entre les deux zones désertées 5 et 6, circule verticalement.
Des essais ont été effectués en utilisant, dans un premier temps, le contact supérieur 1 comme drain et le contact 2 comme source. Dans un deuxième temps, des essais inverses ont été faits. Il n'a pas été trouvé de différences notables entre les résultats des différents essais. L'une et l'autre polarisation offrent des résultats intéressants, en accord avec des résultats prévus d'après l'étude du fonctionnement des transistors PLANAR à grille submicronique.
Mais la réalisation du transistor vertical à grille ultra-courte selon l'invention est beaucoup plus aisée que celle d'un transistor PLANAR à grille submicronique. Les résultats obtenus sont aussi plus répétitifs. Cela est dû au fait que la technologie employée est, non pas la technologie très délicate des transistors à grille submicronique, mais une technologie classique. Cela, joint au fait que les transistors selon l'invention ont leurs trois électrodes du meme coté du substrat, et que le substrat est le même que celui utilisé pour l'implantation des circuits conventionnels, entraîne que les transistors selon l'invention peuvent être incorporés sans problème dans les circuits intégrés monolithiques conventionnels, par exemple les circuits réalisés à l'aide de matériaux tels que l'arséniure de gallium ou les composés de la famille III-V.
Il est manifeste que, d'une part l'application de l'invention au domaine des circuits intégrés hyperfréquences ou aux circuits intégrés logiques à commutation ultrarapide n'est pas limitative et que d'autre part de nombreuses variantes sont possibles à l'aide d'autres matériaux semiconducteurs sans sortir du cadre de la présente invention tel que défini par les revendications ci-après annexees.
SESKRNTEUR D'ARTICULES EN VERRE CREUX La présente invention concerne un dispositif pour séparer des articles en verre creux tels que des gobelets, places en vrac sur un convoyeur à coussin d'air, pour les disposer en plusieurs files d'articles.
Les susdits moyens d'appui A sont avantageusement formés par des sortes de semelles 48, 49, 50, 51 (voir figures 2 et 3) proéminentes, prévues sous l'embase 2. Ces semelles 48 à 51 font avantageusement partie intégrante du surmoulage 17 lorsqu'un tel surmoulage est prévu.
Le contour de ces semelles 48 à 51 correspond sensiblement à celui des fenêtres wl à w4. Ce contour est sensiblement celui d'un trapèze rectangle dont on aurait retiré une partie comprenant l'angle droit par une échancrure en arc de cercle tournant sa concavité vers l'extérieur. Toutefois, la partie du périmètre des semelles 48 à 51, située à l'inte- rieur du contour 26, se trouve légèrement en retrait des parties correspondantes du joint J de manière à établir les susdits jeux k et m. En effet, les gorges 45, 46 et 47 limitent ou séparent les susdites semelles 48 à 51.
Si la paroi 1 est bombée par exemple suivant le profil B de la figure 1, la face de l'embase 2 (notamment la face du surmoulage 17) tournée vers la paroi 1 peut avoir une forme conjuguée du profil B de telle sorte que les moyens d'appui A portent sur toute leur surface contre la paroi 1.
Toutefois, même si la face de l'embase 2 n'a pas un profil conjugué de B, le joint souple J, qui est écrasé dans la zone entourant le manchon 21, permet d'assurer une étanchéité suffisante par ses Ivres 42, 44, contre les zones du profil B qui s'éloignent de l'embase 2, comte visible sur la figure 1.
Lorsqu'il s'agit d'une embase d'antenne, l'ensemble entretoise 8a de la figure 1 peut comprendre une rondelle métallique 52 (figures 4 et 5) munie de dents 53 destinée à venir s' appliquer contre la face de la paroi 1 située du côté opposé à l'embase 2. La disnosition des semelles 48 à 51 et des dents 53 est choisie de telle sorte que dans toute la zone où les dents 53 viendront en appui contre la paroi 1, les semelles 48 à 51 serviront de contre-butées du côté opposé de la paroi 1. On évite ainsi des déformations-localisées de la tôle pouvant entrainer des craquelures de la peinture recouvrant la paroi 1. Dans l'exemple envisagé, la rondelle 52 comporte quatre arcs, décalés de 900 les uns par rapport aux autresautres------------------------------------------ dépourvus de dents.L'un de ces arcs correspond à la jonction de la rondelle avec une cosse 54 de raccordement à un câble.
Deux autres arcs, diamétralement opposés et décalés de 90 degrés par rapport à la cosse 54 correspondent à la jonction de la rondelle 52 avec des languettes 55 orthogonales au plan de la rondelle 52. Les quatre arcs dépourvus de dents de la rondelle 52 correspondent aux quatre zones dépourvues de contre-butées des bandes 31, 32; 33 et 35 (figure 5) du joint J.
Dans le cas de la fixation d'un accessoire automobile en première monte, comme expliqué précédemment, il est possible que par suite de retouche de peinture, l'organe de fixation, pendant la phase de séchage de la peinture, soit soumis à une température de l'ordre de 1000C. Le joint J est réalisé en une matière propre à supporter une température de l'ordre de 1200C pendant 30 minutes. Une telle matière peut être formée par du caoutchouc plastifié.
Après avoir monté le joint J sur l'embase 2, qui est distincte du joint, on introduit la tige 3 et le manchon 21 dans le trou 7, et le pion 24 dans le trou 25.
De l'autre côté de la paroi 1, on met en place l'entretoise 8a et on visse l'écrou 8 sur la partie filetée 5.
Onserreltécrou 8, ce qui provoque la déformation des lèvres 42, 43 et 44 et la venue en contact, avec la paroi 1, de la surface du joint J correspondant aux zones d'épaisseur d.
Le serrage de l'écrou 8 est poursuivi jusqu'S ce que les susdites parties du joint J d'épaisseur d soient écrasées suffisamment pour que les moyens d'appui x (figure 3), c'est-à-dire les semelles 48 à 51, viennent au contact de la paroi 1. Les susdites parties du joint J d'épaisseur d en s'écrasant remplissent les jeux k et m-.
I1 est à noter que la section transversale des gorges 45, 46, 47 est de préférence au moins égale à la section transversale de la partie du joint logée dans ces gorges ; en quelque sorte, lorsque le joint n'est pas serré, la section transversale de la partie du joint qui se trouve à l'extérieur d'une gorge 45, 46 ou 47 est au plus égale à la section transversale de l'espace libre k ou m.
On voit qu'il y a une séparation des fonctions d'appui et d'étanchéité. La fonction d'appui est assurée par les semelles 48 à 51 qui sont réalisées dans la matière plastique dure du surmoulage dans l'exemple considéré, mais qui pourraient être en une autre matière, par exemple métalliques, et faire partie intégrante du socle 9 en l'absence d'un surmoulage.
Le contour extérieur 26, notamment par sa lèvre 42, constitue une première barrière d'étanchéité. En cas de détérioration accidentelle, ou malveillante, de la lèvre 42, I'étanchéité autour des trous 7 et 25 de la carrosserie est encore assurée par les bagues 29, 30 et leurs lèvres 43, 44.
De préférence, les manipulateurs sont du type décrit dans la demande de brevet français n0 81-04 747 déposée le 10 Mars 1981 au nom de la demanderesse.
Avantageusement, la machine comporte des moyens pour amener les différents composants suivant des alignements, chacun desdits alignements ne comportant que des composants d'un meme type. Les alignements de composants peuvent être dirigés suivant des directions différentes, afin de résoudre des problèmes d'encombrement dans la machine.
Afin de dégager les faces avant et arrière des plaquettes, les moyens d'avance de celles ci les saisissent par leurs bords latéraux.
Dans un mode de réalisation avantageux, les outils de préhension saisissent simultanément une pluralité de composants et l'insertion des composants saisis simultanément est successive.
Les figures du dessin annexé feront bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. Sur ces figures, des références identiques désignent des éléments semblables La figure 1 est une vue en élévation latérale schématique d'un mode de réalisation de la machine conforme à la présente invention.
Les figures 2 à 7 illustrent différents stades du fonction nement de la machine de la figure 1. Sur ces figures, les déplacements des divers organes sont indiqués par des flèches.
La machine représentée sur ces figures est destinée à la mise en place sur des plaquettes 1 de eircuit imprimé, de composants 2 et 3, munis de pattes de connexion Lt et 5, respectivement. Cette machine doit permettre dteffeetuer automatiquement le prélèvement desdits composants 2 et 3, par exemple à partir de bols vibrants de distribution 6, puis d'amener lesdits composants en une position d'insertion, les pattes 4 et 5 desdits composants étant ensuite introduites dans des trous, respectivement 7 et 8 prévus dans lesdites plaquettes 1 de circuit intégré. Ensuite, la machine doit rabattre lesdites pattes 4 et 5 des composants en direction de la face des plaquettes 1 opposée à celle de l'introduetion.
Comme on peut le voir sur la figure 1, la machine selon l'invention comporte deux manipulateurs superposés, portant respectivement les références 9 et 10, dont les porte-outils respectifs Il et 12 sont susceptibles de se déplacer dans deux plans horizontaux superposés. Dans son plan horizontal, chacun desdits porte-outils 11 et 12 est mobile suivant une direction contenue dans le plan du dessin de la figure 1 et suivant une autre direction perpendiculaire au plan de cette figure.
Chacun des manipulateurs 9 et 10 peut être du type décrit dans la demande de brevet français mentionnée ci-dessus.
Dans ce cas, le porte-outils 11 ou 12 présente la forme d'un cadre, se déplaçant lui-meme a l'intérieur d'un cadre mobile par rapport au bâti desdits manipulateurs.
Le porte-outils 11 du manipulateur supérieur 9 comporte deux outils 13 et 14 mobiles verticalement et destinés respectivement à la préhension des composants 2 et 3. De meme, le porte-outils 12 du manipulateur inférieur 10 porte deux outils de verrouillage 15 et, 16 mobiles verticalement et destinés à rabattre les pattes 4 et 5, respectivement, desdits composants 2 et 3. L'outil de préhension 13 et l'outil de verrouillage 15 sont spécifiquement adaptés l'un à l'autre et à la conformation des composants 2. Par ailleurs, l'outil de préhension 14 et l'outil de verrouillage 16 sont spécifiquement adaptés l'un à l'autre et à la conformation des composants 3.
En outre, la machine de la figure 1 comporte des moyens 17, par exemple un transporteur à pinces de préhension latérales, destinés à amener une à une lesdites plaquettes de circuit imprimé 1 dans une position de référence disposée entre lesdits manipulateurs 9 et 10 ; dans cette position de référence, chaque plaquette 1 est horizontale et ses faces supérieure et inférieure sont accessibles aux outils 13,14,15 et 16.
Dans le mode de réalisation de la figure 1, le transporteur 16 déplace les plaquettes de circuit imprimé 1 orthogonalement au plan de la figure.
Comme le montrent les figures 2 et 7, les composants 2 et 3 sont amenés à leur position de préhension suivant deux alignements orthogonaux.
Bien entendu, la machine des figures 1 à 7 n'est donnée qu'à titre illustratif et non pas limitatif de l'invention. On comprendra notamment qu'il est possible de monter sur les porte-outils 11 et 12 un nombre d'outils 13 a 15 supérieur à 2 pour pouvoir traiter autant de composants de conformations différentes.
Sur les figures 2 à 7, on a illustré schématiquement différents stades du fonctionnement de la machine de la figure 1.
Une fourchette est plus particulièrement retenue : elle s'établie entre un lait d'un taux (X2) et un lait d'un taux (X5).
On parle plus volontiers de lait concentré par ultrafiltration parce que cette méthode (non décrite ici car faisant partie de l'art connu) conduit à un lait rendu riche en protéines. De plus, grâce à ce procédé, une bonne partie des sucres (lactose) se trouve éliminée ; on peut par la suite introduire ces sucres sous la forme et dans la quantité que l'on désire. Mais, d'autres procédés de concentration peuvent être mis en oeuvre sans pour cela sortir des limites de l'invention.
A ce lait, concentré donc de préférence par ultrafiltration, on incorpore, comme cela sera expliqué ultérieurement à l'aide d'un exemple non limitatif, 10 à 50 % (de préférence 20 %) de sucre dans les proportions de 4/5 de saccharose et 1/5 de névulose ou glucose. Un arôme peut éventuellement être adjoint, pour adapter le goût du produit fini à celui du consommateur. Il peut s'agir de chocolat, noisette, café, noix de coco...
en passant par la praline, les alcools comme le Rhum, le Grand Marnier, sans oublier la vanille, le miel, etc. Cette- liste n'est absolument pas limitative.
Le procédé est maintenant décrit plus en détail ci-après.
La première opération consiste à écrémer le lait de manière traditionnelle.
La seconde opération consiste à traiter ce lait ainsi écrémé, par ultrafiltration, jusqu'à ce que l'on obtienne la concentration recherchée (X2, X3, X4, X5...Xn). Dans l'exemple choisi, on part de 80 litres de lait que l'on concentre au taux (X2), c'est-à-dire que Von réduit le volume de 80 à 40 litres.
On met le lait concentré dans une cuve équipée d'un agitateur.
Il faut en effet que tout le lait soit à un moment ou à un autre en contact avec l'air, pour obtenir l'effet "PAILLARD" (oxydation qui donne au produit final la coloration optimale recherchée). Il y a donc une relation à respecter entre le diamètre et la hauteur de la cuve, pour que cette fonction d'oxydation soit correctement accomplie.
On surveille à l'aide d'échantillons prélevés dans la cuve, le taux d'acidité du lait, et on rectifie celui-ci en cas de besoin, par exemple à l'aide d'un bicarbonate.
On fait alors monter doucement la température du lait concentré jusqu'à 600 C, température minimale qui doit être atteinte avant d'introduire le sucre, soit, pour 40 litres de lait ultrafiltré (X2) 14,400 Kg de saccharose et 1,6 Kg de névuline qui est un produit vendu dans le commerce et qui n'est autre qu'un produit obtenu par hydrolyse du saccharose, et contennnt en proportions égales du névulose et de la dextose.
Ensuite, on relève la température au-dessus de 1000 C et on la maintient ensuite entre 950 et 1000 C pendant le temps (t). Dans l'exemple choisi, ce temps (t) est de l'ordre de 5 h 30 de cuisson, ceci à l'air libre, c'est-à-dire sans couvercle.
Conformément à l'invention, ce temps de 5 h 30 reste constant pour une quantité de lait concentré déterminée, qu'il s'agisse de 40 litres de lait au taux de concentration X2 (soit 80 litres de lait au départ), ou qu'il s'agisse de 40 litres de lait au taux de concentration X4 (soit 160 litres de lait initial).
Si l'on veut aromatiser le produit, on introduit dans la préparation l'arôme de son choix. Si ce dernier nécessite une cuisson, comme c'est le cas pour le chocolat, l'arôme est mis environ 2 h 30 avant la fin de la cuisson totale. D'autres arômes sont introduits entre 30 minutes et 1 heure avant cette fin de cuisson. Enfin, les arômes volatiles (comme l'alcool par exemple) sont introduits, tout à fait en fin de cuisson.
Le procédé conforme à l'invention évite la cristallisation des sucres, défaut pratiquement inévitable dans le cas des procédés de l'art connu, et permet de traiter de grandes quantités de lait dans des cuves de dimensions relativement réduites.
L'invention s'applique à la transformation du lait en un produit très riche en protéInes, de conservation facile, et très agréable au goût.