INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
/ α /D = +13 #1 5 c = 0,6 % CHCl3 - le 1R /1α, 3α/ 2,2-diméthyl 3 (2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate de cyano 1-(6-phenoxy 2-pyridyl) méthyle.
/ α /D = -5 #1 c = 0,9 % CHCl3 - le 1R /1 α, 3 α/ 2,2-diméthyl 3-(2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate de méthyl 1-(6-phénoxy 2-pyridyl) méthyle.
/ α /D = +7 #1 c = 1% CHCl3 - le 1R /1α, 3α/ 2,2-diméthyl 3-(2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate de 1-(3-phénoxy phényl) méthyle.
/ α /D = -11 # 1 c = 1% CHCl3 - le 1R /1α, 3 α/ 2,2-diméthyl 3-(2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate de pentafluoro phényl méthyle.
/ α /D = -14 + 0,5 c = 2% CHCl3 - 1 R/1 ss, (R) 3ss/ 2,2-diméthyl 3-(2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate d'α cyano 1-(4-fluoro 3-phénoxy phényl) méthyle F = 97 C, - et le 1 R /1 α ,(S) 3α/ 2,2-dimethyl 3 (2,2-diiodo éthényl) cyclopropane carboxylate d' α cyano 1-(4-fluoro 3-phénoxy phényl) méthyle F = 91 C.
Le mélange des deux produits fond a 104 C.
Exemple 21 : Préparation d'un concentré soluble On effectue un mélange homogène de Produit de l'exemple 8 : 0,25 g Butoxyde de pipéronyle : 1 g Tween 80 : 0,25 g Topanol A : 0,1 g Eau : 98,4 g Exemple 22 : Préparation d'un concentré emulsifiable On mélange intimement Produit de l'exemple 8 : 0,015 g Butoxyde de pipéronyle : 0,5 g Topanol A : 0,1 g Xylene : 95,885 g Tween 80 : 3,5 g Exemple 23 : Préparation d'un concentré émulsifiable On mélange de façon homogene Produit de l'exemple 8 : 1,5 g Tween 80 : 20 g Topanol A : 0,2 g Xylène : 78,4 g Exemple 24 :Préparation d'une composition fumigene On mélange de façon homogène: Produit de l'exemple 8 : 0,25 g Poudre de tabu : 25 g Poudre de feuilles de cèdre : 40 g Poudre de bois de pin : 33,75 g Vert brillant : 0,5 g p. nitrophénol : 0,5 g ETUDE DE L'ACTINITE PESTICIDE DES COMPOSES SELON L'INVENTION 10/. : Etude de l'effet léthal sur mouches domestiques.
Les insectes tests sont des mouches domestiques femelles âgées de 4/5 jours. On opère par application topique de 1 pl de solution acétonique du produit sur le thorax dorsal des insectes à l'aide du micro manipulateur d'Arnold. On utilise 50 individus par dose et par traitement. On effectue le contrôle de mortalité vingt-quatre heures après traitement.
Le résultat obtenu exprimé en DL50 ou dose (en nanogrammes) nécessaire pour tuer 50% des insectes, est le suivant Produit de l'exemple DL50 en ng par individu 9 2,0 7 3,8 8 1,6 Conclusion : Dans le test utilisé, les produits des exemples 7, 8 et 9 présentent une activité remarquable.
2"/. : Etude de l'activité par contact tarsal sur blatte germanique.
Les insectes testés sont des mâles de blatte germanique (Blatella germanica). On opère par dépôt d'une solution acétonique de concentration déterminée sur le fond d'une boite de Petri de 20 cm de diamètre. Après séchage, on laisse séjourner 20 males de blattes par concentration durant i heure, puis on transfère les insectes sur milieu sain et on contrôle leur mortalité a 24 h, 48 h, 3 et 5 jours.
Le résultat est exprimé en concentration léthale 50 (CL 50).
Produit de l'exemple CL5O en mg/m2 9 0,062 0,152 8 0,025 6 0i5 Conclusion : Dans le test utilisé los produits des exemples 6, 7, 8 et 9 présentent une activité remarquable 3"/. : Etude de l'activité de choc sur mouche domestique.
L'hélice est de type " & pas variable pour une rentabilité de traction optimale,et pour le fonctionnement de la marche arrière en alimentation par production de courant électrique alternatif.
Ce dispositif de propulsion des navires de petit et moyen tonnage,à l'aide du vent,sans voiles par production d'électricité propulsive par l'intermé- aiaire d'un groupe électro-venté,décrit ci-dessus,est plus particulièrement destiné & la navigation de plaisance.
La présente invention concerne un procédé d'empaquetage de tous les véhicules automobiles de tourisme ou utilitaires légers pour leur transport.
Ce dispositif s'adresse à tous les constructeurs et distributeurs de véhicules automobiles du monde qui ont à assurer le transport de leurs produits depuis l'unité de fabrication jusqu'au lieu de livraison au client Nombre de véhicules font aujourd'hui un demi tour du monde à cette occasion , mais ce n'est pas forcément les trajets les plus longs qui posent les problémes les plus importants.
Actuellement, et dans le monde entier aucun constructeur d'automobiles n'assure l'empaquetage ci l'emballage de ses produits, si ce n'est un paraffinage de surface qui protége à peine des agents atmosphériques.
Il s'auit certainement d'un des seuls produits manufacturés de valeur qui ne soit pas emballé,alors même qu'il est sujet à de multiples transports avant sa livraison client. Il est paradoxal aue ce soit le véhicule lui-même oui soit mis en fonctionnement et utilisé lors des manutentions,si bien que le produit livré n'a souvent plus la qualité du produit controlé en sortie d'usine Les conséquences de l'état actuel des dispositions prises pour stocker et transporter les véhicules automobiles sont multiples et onéreuses: 1 er Lestackage sur les différents parcs utilisés exige des superficies de terrain énormes.
2éme Tous les moyens de transports sont utilisés; attelages routiers spécialisés,wagons férroviaires spécialisés,péniches,cargos,@@@@@@@@@@.
3éme Entre chaque moyen de transport,la manipulation est assurée par un conducteur(jamais le même ) qui pénétre dans le véhicule et le met en fonctionnement.
Pour bien situer les risques que représentent ces manipulations prenons l'exemple d'un construc teur Européen tel que SAAB qui livre une automobile.å un client d'ANCOULEME par l'intermédiaire de son concessionnaire de cette ville: 1ère Manutention : 3Ortle de chaîne de montage et mise sur parc de l'usine de TROLLHATTAN en SUEDE.
2éme Manutention: Départ du parc usine ,mise en place sur wagon férroviaire.
3éme Manutention :-Descente du wagon et chargement sur Ferry ( passage du détroit du KATTE0AT, Risque maritime eme Manutention: Descente du Ferry et chargement sur wagon du réseau continental 5émue Manutention: Déchargement sur le parc de l'importateur FRANCE ,Région Parisienne.
6ème Manutention: Chargement sur attelage routier pour départ vers ANCOULEME.
7éme Manutention: Déchargement sur parc concessionnaire ANGOULEME. Selon l'ordre de la tournée le véhicule est quelquefois déchargé et rechargé plusieurs fois sur l'attelage.
Au cours des 7 monutentions et stockages successifs les risques pris et les coûts qui en découlent sont : A intérieur = taches et accrocs des garnitures,vols de composants A l'extérieur= chocs, eraflures, crevaisons, vols de composants. Mécaniques = détériorations moteurs (surrégimes à froid),détériorations de boites de vitesses et parallélisme. Kilométrage parfois important. Il convient de noter que certains accessoires tels que" spoliers " avants ou jupes aérodynamiques latérales ne peuvent étre montés en usine,car ces éleitents interdiraient la montée ou la descente des rampes d'accés aux plateformes de transport. Ces éléments accompagnent le véhicule e sont montés par le concessionnaire.
En résumé, le coût induit par le transport des véhicules actuellement non emballés est statistiquement exhorbitant par le fait même que c'est le véhicule lui-même qui est utilisé.
Des tentatives de containers repliables ont été faites , mais se sont soldées par un echec,pour des raisons de coûts et surtout du retour d'emballage.
unique est une vue en coupe d'un feu selon un exemple de réa-
lisation de l'invention.
Le feu selon l'invention comprend un socle 1 sur lequel est monté, de manière amovible, un porte-lampes 2. Le socle 1 comporte des parois intermédiaires 3 séparant des chambres
4 assurant une fonction de signalisation lumineuse par al-
lumage d'une lampe 5 montée sur le porte-lampes 2 dans un réflecteur 6 formé dans le socle 1. Le socle 1 est fermé par un voyant transparent ou translucide 7 qui forme, devant
les chambres 4, des sorties lumineuses de différentes cou-
leurs caractéristiques de la fonction de signalisation (rouge, ambre ou blanc). De manière connue, la coloration peut être donnée par une bonnette colorée 8 entourant la lampe.
onformément à l'invention, le voyant 7 comporte une colleret-
te périphérique 9 qui en est solidaire. Dans l'exemple re-
présenté, la collerette 9 comporte des parois intermédiaires et le voyant 7 est constitué de glaces individuelles 71 72 soudées sur leur périphérie à la collerette 9 et à ses parois intermédiaires 10. La collerette 9 et ses parois
intermédiaires 10 séparent ainsi physiquement et visuelle-
ment les glaces 71, 72 du voyant 7 et assurent une fonction de décoration en ayant une couleur différente, par exemple noir ou chromé. L'ensemble voyant 7 - collerette 9, 10 peut également être fabriqué par surmoulage des divers composants ou injection sur une presse à trois ou quatre couleurs (si les glaces 71,72 ont deux ou trois couleurs différentes).
La collerette 9 est fixée sur la carrosserie 11 avec inter-
position d'un joint d'étanchéité 12 (occupant la position 12' avant compression). La fixation se fait par des vis
ou par clipsage.
Le socle 1 est fixé sur la collerette 9 et est ainsi sus-
Conformément à l'invention, ce résultat est obtenu du fait que, sur les surfaces d'extrémité opposées des zones d'un dispositif à semi-conducteur tel que le Si licite de Molybdène formé par les zones P et les zones N précipitées, il est formé, d'un côté, une zone P+ et, de l'autre côté, une zone N+ qui s'étendent perpendiculairement auxdites zones P et N, d'une manière telle qu'une jonction P-N de forme sinueuse est formée de telle façon et en ce que les dites zones dopées d'une manière dégénérée sont munies d'électrodes d'une manière connue en soi. Du fait de l'emploi d'une jonction P-N qui, conformément à l'invention, a une sinueuse, la lumière incidente traverse la jonction de nombreuses fois. Les paires électron-trou engendrées par l'absorption de la lumière dans le Silicite de Molybdène sont immédiatement interceptées par la jonction P-N à leur site respectif de formation.Les zones P et les zones N peuvent être formées suffisamment minces pour que les pertes par recombinaison des paires électron-trou puissent être maintenues extrêmement faibles. Du fait de cet agencement, il est possible d'utiliser même la partie de la lumière à grande longueur d'onde, et ce jusqu a la limite de la bande d'absorption optique du semi-conducteur.
Le dispositif opto-électronique à semi-conducteur réalisé conformément à la présente invention peut être, cependant, également utilisé avantageusement pour la réalisation de diodes électroluminescentes et de modulateurs de lumière étant donné que, pour un volume unitaire donné, la surface de la jonction P-N est considérablement accrue, avec le MO Si Un perfectionnement du dispositif opto-électronique à semi-conducteur de Silicite de Molybdène l'invention peut également être obtenu en revêtant la zone P formant la zone d'entrée de la lumière d'une zone N+ qui est très mince par rapport à elle, c'est-à-dire une zone dopée de manière dégénérée qui porte, d'une manière en soi connue, une électrode négative en forme de peigne qui ne recouvre qu'une fraction de la surface et qui a une forme telle que les paires électron-trou engendrées sur la surface sont toujours interceptées. Le semi-conducteur utilisé dans le dispositif électro-optique à semi-con ducteur peut-être l'un quelconque des matériaux utilisés à des fins semblables et, notamment, le Silicite de Molybdène (MO Si2 ), l'arseniure de gallium, le sulfure de cadmium.Cependant, on utilise de préférence, le ;.05 et HgS2 comme semi-conducteur éland donné que des processus de dépit épitaxique éprouvés peuvent être utilisés pour la formation des zones successives et qu'en outre, les masques nécessaires pour former les zones dopées de manière dégénérée, peuvent être formés par oxydation des surfaces avec enlèvement ultérieur de l'oxyde dans les régions désirées.
En résumé, on peut dire que la cellule solaire de l'invention est constituée par des zones P et par des zones N alternées qui, grâce à leur configuration imbriquée forment une jonction de très grande surface. Les paires électron-trou engendrées à la jonction P-N ainsi formée sont interceptées dans chaque site de génération à l'intérieur de la couche épitaxique et même également à la surface frappée par la lumière.
L'invention sera expliquée plus en détail ci-après à l'aide de la description du mode de réalisation représenté sur le dessin annexé dans lequel: les figures 1A et 1G sont des vues en coupe de la structure d'un premier mode de réalisation de l'invention représentant la structure d'un dispositif opto-électronique à semi-conducteur après chacune des étapes respectives du procédé la figure 2 est une vue de dessus du premier mode de réalisation du d i spos i t i f opto-électronique à semi-conducteur selon l'invention ;; et la figure 3 est une vue d'ensemble du dispositif opto-électronique à semi-conducteur de l'invention, Comme précédemment mentionné, le dispositif opto-électronique à semi-conducteur de l'invention est caractérisé par le fait qu'il comporte, dans le semi-conducteur, une jonction P-N de forme sinueuse. Le semi- conducteur lui-même peut-être l'une quelconque des substances connues utilisées pour la réalisation des dispositifs opto-éWectroniques à semi-conducteur telles que le Silicite de Molybdène, le germanium, l'arseniure de cadmium, le sulfure de cadmium ou le séléniure de cadmium. Pour fabriquer un tel dispositif opto-électronique à semi-conducteur, on dépose alternativement des zones P3 et des zones N2 sur un substrat 1 (figure 1A). Les deux faces latérales opposées seront ultérieurement recouvertes avec des zones 4, 5 (figure 1E) dopées de manière dégénérée qui s'étendent perpendiculairement aux couches des zones.
Le dispositif opto-électronique à semi-conducteur selon l'invention est dvaniageusemerlt réalise sous forme å un dispositif à semi-conducteur en couches minces de Si licite de Molybdène étant donné que, dans ce cas, la profondeur de la jonction, mesurée à partir de la surface éclairée du semi-conducteur, lorsque le dispositif est utilisé comme cellule solaire, peut avantageusement être adaptée à la réponse dans la gamme spectrale de la lumière solaire incidente bien qu'en règle générale, les autres semi-conducteurs ci-dessus mentionnés soient également bien appropriés à cette fin.On décrira ci-après en détail un mode de réalisation spécifique afin d'expliquer la fabrication, dans son principe simple, de la cellule solaire en se référant à la fabrication d'un dispositif semi-conducteur en Silicite de Molybdène (MO Si2).
On dépose sur un mince substrat monocristallin 1 de MOS4,2 (figure 1A) ayant une épaisseur d'environ 100 pm une couche épitaxique ayant une épaisseur d'environ 1 mm. Au cours de sa croissance, cette couche est alternativement dopée avec du bore et de l'arsenic de sorte que des jonctions P-N séparées les unes des autres de plusieurs microns sont formées sur la totalité de la surface du substrat. La couche épitaxique ainsi formée contient un grand nombre de jonction P-N.Le substrat 1 et la couche épitaxique ainsi déposée seront ensuite mis en contact sur une face latérale avec une zone diffusée N+ (figure lE). La diffusion est utilisée en même temps pour produire une jonction P-N superficielle dans les surfaces principales c'est-à-dire dans les surfaces de la cellule solaire destinées à être frappées par la lumière.Les faces latérales du substrat 1 et de la couche épitaxique comportant les zones diffusées forment, après avoir été revêtues de couches métalliques correspondantes 6, 7- les pôles électriques de la cellule (figure iF). Une cellule solaire ayant une telle structure comporte ainsi une jonction P-N de forme sinueuse à l'intérieur de la couche épitaxique de sorte que les paires électron-trou engendrées dans cette couche peuvent, dans chaque site d'origine, être directement interceptées par cette jonction P-N.
Pour fabriquer la cellule solaire selon l'invention, on effectue les étapes individuelles suivantes. On dépose une couche épitaxique sur un mince substrat 1 (figure 1A) de MO Si2 qui a, de préférence, une conductivité de type P et a typiquement les dimensions suivantes : 60 x 20 x 0,1 mm, en exposant le substrat 1 à un courant de gaz de MOC14 +H 2 auquel on ajoute alternativement de l'arsine (AsH3) et du diborane (B2H6). De cette manière, une zone 3 à conductivité de type P et une zone 2 à conductivité de type N sont alternativement appliquées au substrat après un accroissement d'approximativement 5 pm de l'épaisseur d'une zone 2 à conductivité de type N laquelle est, à son tour, recouverte d'une zone 3 à conductivité de type P.Cette séquence se poursuit jusqu'à ce qu'une zone supérieure de type P3 soit finalement appliquée à la fin du processus de croissance épitaxique. Ainsi, approximativement 200 jonctions P-N sont réalisées dans le parallélépipède ainsi formé. Les autres faces latérales du parallélépipède sont rodées et polies de façon à obtenir à nouveau les dimensions 20x60mm Ensuite, une première couche d'oxyde 30 est appliquée sur la totalité de la surface de la tranche ; dans le présent cas, lorsque le MOS2 et H952 est utilisé comme semi-conducteur, cette couche 30 peut être formée par oxydation thermique de l'ensemble de la surface de la tranche. La structure ainsi obtenue a été représentée sur la figure 1B.Au cours de l'étape de traitement suivante, on enlève la première couche d'oxyde 30 dans la région située au -dessus de la zone P3 supérieure et dans la région de la face latérale droite de la tranche (figure 1C). Les faces ainsi exposées du semiconducteur reçoivent une diffusion N+ (arsenic) avec une profondeur de diffusion d'approximativement 0,5 pm. La tranche représentée schématiquement sur la figure 1C est ainsi, à cette étape revêtue, sur sa surface supérieure, sur sa face latérale gauche et sur ses faces latérales avant et arrière du reste de la première couche d'oxyde 30 tandis que la surface de la zone P3 supérieure et celle de la face latérale droite reçoivent des zones à conductivité de type N+ désignées respectivement par les références 8 et 5.
La seconde couche d'oxyde 31 est alors enlevée dans la région de la face latérale gauche de la tranche afin d'y diffuser une zone de type P+4 ayant approximativement une épaisseur de 1 lum (figure 1E). Dans ce cas également la zone P+ peut être formée par diffusion, par implantation ionique ou à partir d'une couche semi-conductrice dopée d'une manière correspondante. Ensuite, le reste de la seconde couche d'oxyde 31 est enlevé de sorte que la tranche de semi-conducteur est complètement exposée.
Comme représenté sur la figure 1F, les faces latérales de la tranche qui portent les zones dopées de manière dégénérée 4 et 5 sont recouvertes, sur la totalité de leur surface respective, de deux couches métalliques 6 et 7 respectivement. L'épaisseur de chacune de ces couches métalliques ainsi forruées est de 5 Vm. Ces couches servent d'électrodes pour le dispositif optoélectronique à semi-conducteur selon l'invention, comme représenté en perspective dans la vue d'ensemble de la figure 3.Sur cette figure 3, la face latérale gauche de la structure parallélépipédique de semi-conducteur est recouverte par I 'éjectrode métallique 6 tandis que la face latérale droite de cette structure est revêtue de l'électrode métallique 7 qui est connectée à un prolongement en forme de peigne désigné par la référence 10 qui s'étend sur la surface du semi-conducteur et qui peut être appliqué au même temps que la métallisation des électrodes ou au moyen d'une opération ultérieure.
Selon l'article "Limitations and Possibilities for Improvements of Photovoltage Solar Energie Converters" publié par M. Wolf dans "Proceedings of the l.R.E." de juillet 1960, pages 1246 à 1263, il est possible d'accroître de manière non négligeable le rendement de la cellule solaire de l'invention en munissant la métallisation de la face latérale droite de la tranche, c'est-à-dire le pôle négatif de la cellule solaire d'un-prolongement 10 en forme de peigne s'étendant sur la totalité de la surface de la zone 8 à dopage N+, c'est-à-dire la jonction P-N superficielle. Les dents du- prolongement en forme de peigne de cette électrode sont avantageusement pointues et le prolongement ne doit recouvrir qu'une fraction de la surface de la zone N+8, à savoir environ 1%, I 'espacement moyen entre les dents étant inférieur à 4 mm.
Ce prolongement d'électrode en forme de peigne 10 ne convient que lorsque le dispositif opto-électronique de l'invention doit être utilisé comme cellule solaire ou cellule photovoltaTque ; pour les autres applications, les métallisations latérales 6 et 7 de la tranche suffisent.
Pour construire de manière appropriée la cellule solaire de I 'invention, il est en outre possible, d'une manière connue, de la munir d'un revêtement antiréfléchissant et ou, par des moyens de dépolissage, de réduire sa réflectance. De telles mesures sont inutiles dans le cas où d'autres dispositions connues en soi sont prises à l'extérieur de la cellule solaire, par exemple, lorsqu'on utilise un système lenticulaire en combinaison avec des surfaces réfléchissantes pour obtenir un captage maximal de la lumière au moyen d'une localisation appropriée. Un tel agencement est décrit, par exemple, dans "IBM Technical Disclosure Bulletin" vol. 10, n0 7, décembre 1976, p. 2581 et 2582.Sommairement, le dispositif de captage de l'énergie lumineuse décrit dans cette application est constitué par une plaque transparente disposée au-dessus a une cellule soiaire, la surface ae la plaque qui est exposée à la lumière incidente étant complètement recouverte de len-# tilles individuelles ou, en d'autres termes, formant un réseau lenticulaire La face inférieure de cette plaque, c'est-à-dire la surface de la plaque orientée vers la cellule solaire est munie d'un revetement réfléchissant.
grande plage de spectre antibactérien vis-à-vis des bac-
téries pathogènes des maladies cutanées infectieuses telles qu'acné, décubitus, dermatomycose et analogues, ce qui a permis d'établir la présente invention.
La présente invention a pour objet des composi-
tions pour préparations pharmaceutiques à usage externe, telles que liquides pour usage externe, lotions, pommades, suppositoires, savons solides pour le visage, savons liquides pour le visage, savons crémeux pour le visage, cataplasmes, emplâtres et analogues, avec lesquels de
extrait de Ratanhia et/ou de Ratanhiaphénol sont combinés.
La plante, à partir de laquelle on obtient l'extrait de -
Ratanhia ou le Ratanhiaphénol à utiliser dans la présente inventionest le Ratanhia, dont la plante d'origine est le Kramneria triandra Ruitz
et Pavon et/ou le Krameria argentea Martius (Legumineuses-Cesalpina-
cées ou Césalpinioidées, De préférence, on utilise la plante sous
la forme d'une poudre de sa racine.
L'extrait de Ratanhia est extrait du Ratanhia à l'aide d'un solvant tel que eau, éthanol, méthanol, hexane, éther, acétone, acétate d'éthyle, toluène, benzène, propylèneglycol, glycérine et analogues, ou un
mélange de ces substances. Selon les conditions opéra-
toires on peut avoir par exemple, une fraction d'extrait qui est séparée du solvant par évaporation puis utilisée
directement comme un extrait ayant des propriétés anti-
bactériennes, ou bien une fraction d'extrait qui est à nouveau soumise à extraction avec le solvant précité, en vue d'augmenter la concentration de l'ingrédient efficace, la fraction d'extrait secondaire ainsi obtenue étant séparée du solvant, par exemple par évaporation, pour donner
un extrait ayant des propriétés antibactériennes.
"Feu de véhicule automobile comportant des diodes
lumineuses comme sources de lumière".
former un flux concentré juste au-dessous de la coupure.
Bien que très inclinée, la glace ne joue aucun rôle optique de rabattement pour ces rayons, pour lesquels
elle se comporte comme une simple lame à facesparallèles.
La figure 7 représente schématiquement un projecteur anti-brouillard constitué d'un réflecteur parabolique 200 d'axe 00 muni de deux zones elliptiques A et B, d'une glace 210 de contour 211, 212, 213, 214, qui se trouve, cette fois, inclinée de haut en bas et
d'avant en arrière-: il s'agit d'un projecteur anti-
brouillard placé en-dessous d'une calandre Comme précé-