REVENDICATIONS 1/ - Procédé de dépôt sur un substrat d'au moins une couche d'un composé homogène d'au moins deux éléments des groupes III et V ou Il et VI, dans lequel on dispose le substrat en regard d'une électrode dans une chambre à vide, on admet dans la chambre à vide un gaz neutre, de sorte que la pression totale dans la chambre soit approximativement comprise entre 10-2 et 103 pascals, on polarise négativement l'électrode à un potentiel de chute cathodique adapté pour ioniser le gaz afin de créer un plasma dans la chambre et conditionner un bombardement de l'électrode par les ions du plasma avec une énergie supérieure à 20 électrons-volts environ, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste :: 8 à choisir une électrode constituée par un des éléments du composé à déposer, et à admettre dans la chambre à vide au moins un autre gaz, dit gaz réactif, contenant l'autre élément du composé, de façon que le rapport de la pression partielle dudit gaz réactif à la pression partielle du gaz neutre soit comprise entre 10-5 et 3.10-1. 2/ - Procédé de dépit selon la revendication 1, dans lequel au moins un des éléments du composé est de nature à former un hydrure, caractérisé en ce qu'on admet dans la chambre à vide un gaz réactif constitué par l'hydrure précité, l'électrode étant constituée par l'autre élément (ou un des autres éléments). 3/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1 ou 2, en vue d'obtenir un composé binaire de formule A(l~x) Bx où x présente une valeur prédéterminée telle que O 4/ - Procédé de dépôt selon la revendication 3, en vue d'obtenir au moins deux couches de composés binaires A(1 x) Bx avec x différent d'une couche à l'autre, caractérisé en ce que, dans une première phase, on admet dans la chambre à vide le gaz réactif à une pression partielle telle que le rapport de cette pression à celle du gaz neutre corresponde à la valeur de x de la première couche, puis, dans une deuxième phase, on admet le gaz réactif de façon que ce rapport corresponde à la valeur de x de la deuxième couche, et ainsi de suite pour chaque autre éventuelle couche. 5/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le réglage du rapport des pressions partielles du gaz réactif et du gaz neutre est effectué, au cours d'une phase préalable, en réalisant un mélange de composition contrôlée par spectrométrie de masse. 6/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4 ou 5, dans lequel la polarisation négative de l'électrode est réalisée au moyen d'une alimentation radio-fréquence couplée capacitivement avec ladite électrode. 7/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5 ou 6, dans lequel le substrat est polarisé à un potentiel de chute anodique. 8/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6 ou 7, caractérisé en ce que le rapport des pressions partielles de gaz réactif et de gaz neutre est ajusté à une valeur comprise entre 10-3 et #.îo-2. 9/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6 ou 7 ou 8, caractérisé en ce que la polarisation de l'électrode est réalisée de façon à la porter à un potentiel de chute cathodique approximativement compris entre 100 et 300 volts. 10/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 ou 8 ou 9, caractérisé en ce que l'on refroidit l'électrode de façon à la maintenir à une température approximativement comprise entre 0 C et 250 C. 11/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 ou 9 ou 10, en vue d'obtenir un composé binaire amorphe sur un substrat homogène, caractérisé en ce que l'on maintient le substrat à une température inférieure à 50D C. 12/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 ou 9 ou 10, en vue d'obtenir un composé binaire cristallin ou polycristallin sur un substrat poli-optique, caractérisé en ce que l'on maintient le substrat à une température comprise entre 2000 C et 5000 C. 13/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le composé binaire est un composé hydrogène d'un élément Ga ou In combiné avec un élément As ou P, caractérisé en ce que le gaz réactif introduit dans la chambre à vide est l'arsine AsH3 ou la phosphine PH3. 14/ - Procédé selon la revendication 13, en vue de déposer un composé binaire hydrogéné de gallium et d'arsenic, caractérisé en ce que : . l'électrode est recouverte d'un film de gallium pur et est polarisée par une alimentation de densité de puissance comprise entre 0,5 et 5 watts/cm2, . le gaz réactif introduit est l'arsine, . le gaz neutre est de l'argon et se pression est ajustée entre 1 et 10 pascals, le rapport des pressions du gaz réactif et du gaz neutre est ajusté entre S.10-3 et l,5.10-2. 15/ - Substrat comportant une couche semiconductrice amorphe de composé Ga(l,,) Asx hydrogéné ob 0,30 16/ - Substrat comportant une couche semiisolante amorphe de composé Ga(l~x) As, hydrogéné oh 0,60 17/ - Substrat comportant une couche conductrice amorphe de composé Ga(l,,) Asx hydrogéné où 0 18/ - Substrat comportant au moins deux couches de composés Ga(l x) Asx avec x différent d'une couche à l'autre.