REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche (1) de matériau semiconducteur comprenant une étape d'implantation ionique d'un élément dopant et une étape de recuit par exposition à un faisceau d'énergie radiante cohérente, le matériau semiconducteur présentant au moins un oxyde soluble lorsqu'il est mis en présence de ce matériau liquéfié, caractérisé en ce qu'il comprend:: - une première étape pendant laquelle une couche (3) d'un électrolyte solide conducteur électronique et conducteur ionique de l'oxygène est disposé de de manière à recouvrir uniformément la surface de la couche (1) de matériau semiconducteur; - une deuxième étape pendant laquelle les régions superficielles de la surface de la couche (1) de matériau semiconducteur sont nettoyées par réduction d'une couche (2) d'au moins un composé oxyde présent à cette surface effectuée au travers de la couche (3) d'électrolyte solide; - et une troisième étape pendant laquelle ledit recuit est réalisé au travers de la couche (3) d'électrolyte solide par exposition audit faisceau d'énergie radiante cohérente. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pendant la première étape le matériau constituant l'électrolyte solide est déposé sur la surface de la couche (1) de matériau semiconducteur par pulvérisation cathodique de manière à créer ladite couche (3) d'électrolyte solide. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième étape comprend l'exposition de la couche de matériau semiconducteur, recouverte d'au moins une couche (2) de composé oxydé, au travers de ladite couche (3) d'électrolyte solide à une atmosphère réductrice composée d'un mélange gazeux comprenant au moins de l'oxygène et vérifiant simultanément les relations suivantes: PRO > PO > POE ; TRO > T #T E 0E TDO > T dans lesquelles: PRO et TRO sont respectivement la pression partielle maximale de roxygène et la température maximale pour laquelle il y a réduction de chaque composé oxydé .PO2 et T sont respectivement la pression partielle de l'oxygène dans ledit mélange gazeux et la température de ce mélange; POE et TOE sont respectivement la pression partielle minimale de l'oxygène et la température minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte; et TDO est la température la plus basse de destruction d'au moins un composé oxydé présent à la surface de la couche (1) de matériau semiconducteur. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième étape comprend l'exposition de la couche (1) de matériau semiconducteur recouverte d'au moins une couche (2) de composé oxydé, au travers de ladite couche (3) d'électrolyte solide à un plasma réducteur. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le plasma réducteur est un plasma d'hydrogène radiofréquence. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (1) de matériau semiconducteur comprend des éléments semiconducteurs du type 3-5 ou 2-6 ou un composé à base de germanium. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche (1) de matériau semiconducteur est en arsenuire de gallium et en ce que le composé à réduire comprend des oxydes de gallium et d'arsenic. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le mélange gazeux est porté à une température de 5000C et comprend de l'hydrogène et de la vapeur d'eau en proportion égale à 9.5 p.p.m. de manière à créer une pression partielle d'oxygène égale à 10-35Pa. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (3) d'électrolyte solide est zircone stabilisée à la chaux dans des proportions atomiques respectives de 85% et de 15% et en ce que l'épaisseur de la couche est de 1000 Angströms. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la troisième étape est réalisée en exposant la couche (1) en matériau semiconducteur au travers de la couche d'électrolyte (3) à un faisceau d'énergie radiante cohérente émis par une source laser (5), et en ce que la quantité d'énergie transmise à la couche (1) en matériau semiconducteur est ajustée de manière à être suffisante pour dépasser le point de fusion du matériau par échauffement et inférieure à son point de destruction