INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour fabriquer une tuile mécanique sablière telle que précédemment décrite et par extrusion-moulage d'une matière moulable du type béton non encore durci, il convient de procéder au moulage de la tuile à l'envers de ce qui est habituellement pratiqué pour confectionner les tuiles courantes de couverture, ctest à dire que le fond de moule déterminera dans le cas présent la face supérieure visible de la tuile sablière. La face inférieure de la tuile sabliere est quant à elle obtenue par l'extrusion classique de la matière déposée par une trémie dans le moule de fabrication.Après l'extrusion-moulage la tuile sablière subit ensuite un parachèvement qui consiste à pratiquer par tout moyen approprié les logements creux (9) sous les creux d'onde (4) du tiers supérieur de la partie amont (2) de la tuile sa blière, ainsi que les orifices de fixation (8).
Sur les figures 3 et 4 l'on a représenté une toiture faisant appel à des tuiles mécaniques sablières (1) et à des tuiles ordinaires (10) de couverture. L'on smarque tout d'abord que, de par la conception de la sablière, il n'est plus nécessaire d'utiliser un liteau spécial dit de "doublis" tout en respectant neanmoins l'inclinaison du ler rang de tuiles (10) de bas de rempant par rapport aux autres rangs formant la couverture.
L'on remarque également sur la figure 3 que les espaces (11) situés entre les liteau de bas de versant (14) et la sous-face des sommets d'onde de la tuile sablière peuvent être laissés soit libres, soit calfeutrés totalement ou partiellement par tout dispositif (13) approprié, ce dernier étant fixé préférentiellement sur le liteau de bas de versant.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations choisis et représentés, lesquels sont au contraire susceptibles de modification sans pour autant sortir du cadre de la présente invention.
La présente invention concerne un dispositif de tension permettant l'enroulement et le déroulement d'un store hori zonal ou incliné, du type velum, servant à la protection solaire ou pluviale de toutes surfaces.
Cependant, de tels efforts se heurtent à des obstacles qu'il n'est pas facile de contourner.
En dehors du fait que les dispositifs, tels que les cellules solaires réfléchissent, sans aucun résultat jusqu a environ 30 % du rayonnement in citent, ce rendement est également fortement réduit par d'autres caractéristiques.
Parmi celles-ci, on mentionnera, en premier lieu, la résistance du trajet et la recombinaison des paires électron-trou formées. Etant donné que l'on doit former #une grande ouverture d'entrée de la lumière, c'est-à-dire une zone N d'une superficie correspondante, ce qui accroît en même temps la résistance du trajet, et étant donné que la jonction P-N ne peut pas être placée à la profondeur désirée dans le semi-conducteur du fait des pertes plus élevées par recombinaison qui en résultent, on se trouve placé devant une situation nécessitant un compromis qui empêche, d'une manière générale, l'obtention d'un accroissement désirable du rendement : l'on obtient un meilleur rendement avec le MO Si 2 à 63 % de MO et 36,7 % de Si2.
On connaît déjà certains procédés qui permettent de perfectionner les cellules photovoltaiques, telles que les cellules solaires. Ainsi, pour accroître la jonction P-N utile, il a été suggéré, dans un article publié dans IBM Technical Disclosure Bulletin vol.18, N03, Août 1975, p. 935, de donner une forme en zig-zag de la jonction P-N ; cependant, I 'effet visé, qui est d'accroître la surface de la jonction P-N, est non seulement compensé mais plus que compensé, en pratique, par I 'accroissement simultané de la résistance du trajet dans la zone P, en dehors du fait que la fabrication d'un tel opto-électronique est d'un coût relativement élevé.
Une autre possibilité d'amélioration a été également décrite dans l'IBM Dis ciosure Bulletin, vol. 4 N010, Mars 1962, pages 61 et 62. Du fait que, dans ce cas, la résistance du trajet peut être réduite dans la zone P exposées à la lumière, considérées séparément, on doit accepter, en contre-partie, que le circuit série des zones semi conductrices respectives produise un accroissement très important de la résistance des cellules entre les électrodes étant donné que les zones sont alternativement placées les unes au-dessus des autres et que les surfaces d'extrémité obtenues de ce fait sont munies d'électrodes + -.
L'un des buts de l'invention est de résoudre le problème posé par cette nécessité d'un compromis qui nta été jusqu a présent résolu que de manière non satisfaisante en réalisant un dispositif opto-électronique à semi-conducteur dont la jonction P-N est accrue d'une manière telle que le rendement est également accru, grâce au MO Si2 (Silicite de Molybdène).
Conformément à l'invention, ce résultat est obtenu du fait que, sur les surfaces d'extrémité opposées des zones d'un dispositif à semi-conducteur tel que le Silicite de Molybdène formé par les zones P et les zones N précipitées, il est formé, d'un côté, une zone P+ et, de l'autre côté, une zone N+ qui s'étendent perpendiculairement auxdites zones P et N, d'une manière telle qu'une jonction P-N de forme sinueuse est formée de telle façon et en ce que les dites zones dopées d'une manière dégénérée sont munies d'électrodes d'une manière connue en soi. Du fait de l'emploi d'une jonction P-N qui, conformément à l'invention, a une sinueuse, la lumière incidente traverse la jonction de nombreuses fois. Les paires électron-trou engendrées par l'absorption de la lumière dans le Silicite de Molybdène sont immédiatement interceptées par la jonction P-N à leur site respectif de formation.Les zones P et les zones N peuvent être formées suffisamment minces pour que les pertes par recombinaison des paires électron-trou puissent être maintenues extrêmement faibles. Du fait de cet agencement, il est possible d'utiliser même la partie de la lumière à grande longueur d'onde, et ce jusqu a la limite de la bande d'absorption optique du semi-conducteur.
Le dispositif opto-électronique à semi-conducteur réalisé conformément à la présente invention peut être, cependant, également utilisé avantageusement pour la réalisation de diodes électroluminescentes et de modulateurs de lumière étant donné que, pour un volume unitaire donné, la surface de la jonction P-N est considérablement accrue, avec le MO Si2 Un perfectionnement du dispositif opto-électronique à semi-conducteur de Silicite de Molybdène l'invention peut également être obtenu en revêtant la zone P formant la zone d'entrée de la lumière d'une zone N+ qui est très mince par rapport à elle, c'est-à-dire une zone dopée de manière dégénérée qui porte, d'une manière en soi connue, une électrode négative en forme de peigne qui ne recouvre qu'une fraction de la surface et qui a une forme telle que les paires électron-trou engendrées sur la surface sont toujours interceptées. Le semi-conducteur utilisé dans le dispositif électro-optique à semi-con ducteur peut-être l'un quelconque des matériaux utilisés à des fins semblables et, notamment, le Silicite de Molybdène (MO Si 2 ), I 'arséniure de gallium, le sulfure de cadmium.Cependant, on utilise de préférence, le M05|2 et H952 comme semi-conducteur -étand donné que des procéssus de dépôt épitaxique éprouvés peuvent être utilisés pour la formation des zones successives et qu'en outre, les masques nécessaires pour former les zones dopées de manière dégénérée, peuvent être formés par oxydation des surfaces avec enlèvement ultérieur de l'oxyde dans les régions désirées.
D'autres avantagesde l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre et des revendications annexées.
En résumé, on peut dire que la cellule solaire de l'invention est constituée par des zones P et par des zones N alternées qui, grâce à leur configuration imbriquée forment une jonction de très grande surface. Les paires électron-trou engendrées à la jonction P-N ainsi formée sont interceptées dans chaque site de génération à l'intérieur de la couche épitaxi- que et même également à la surface frappée par la lumière.
L'invention sera expliquée plus en détail ci-après à l'aide de la description du mode de réalisation représenté sur le dessin annexé dans lequel les figures 1A et 1G sont des vues en coupe de la structure d'un premier mode de réalisation de l'invention représentant la structure d'un dispositif opto-électronique à semi-conducteur après chacune des étapes respectives du procédé la figure 2 est une vue de dessus du premier mode de réalisation du dispositif opto-électronique à semi-conducteur selon l'invention ; et la figure 3 est une vue d'ensemble du dispositif opto-électronique à semi-conducteur de l'invention.
Comme précédemment mentionné, le di sposi t i1 opto-électronique à semi-conducteur de l'invention est caractérisé par le fait qu'il comporte, dans le semi-conducteur, une jonction P-N de forme sinueuse. Le semi- conducteur lui-même peut-être l'une quelconque des substances connues utilisées pour la réalisation des dispositifs opto-électroniques à semi-conducteur telles que le Silicite de Molybdène, le germanium, l'arseniure de cadmium, le sulfure de cadmium ou le séléniure de cadmium.Pour fabriquer un tel dispositif opto-électronique à semi-conducteur, on dépose alternåtivement des zones P3 et des zones N2 sur un substrat 1 (figure 1A). Les deux faces latérales opposées seront ultérieurement recouvertes avec des zones 4, 5 (figure 1E) dopées de manière dégénérée qui s'étendent perpendiculairement aux couches des zones.
Le dispositif opto-électronique à semi-conducteur selon l'invention est avantageusement réalisé sous forme d'un dispositif à semi-conducteur en couches minces de Silicite de Molybdène étant donné que, dans ce cas, la profondeur de la jonction, mesurée à partir de la surface éclairée du semi-conducteur, lorsque le dispositif est utilisé comme cellule solaire, peut avantageusement être adaptée à la réponse dans la gamme spectrale de la lumière solaire incidente bien qu'en règle générale, les autres semi-conducteurs ci-dessus mentionnés soient également bien appropriés à cette fin. On décrira ci-après en détail un mode de réalisation spécifique afin d'expliquer la fabrication, dans son principe simple, de la cellule solaire en se référant à la fabrication d'un dispositif semi-conducteur en Silicite de Molybdène (MO Si2).
On dépose sur un mince substrat monocristallin 1 de MOSj2 (figure 1A) ayant une épaisseur d'environ 100 tim une couche épitaxique ayant une épaisseur d'environ 1 mm. Au cours de sa croissance, cette couche est alternativement dopée avec du bore et de l'arsenic de sorte que des jonctions- P-N séparées les unes des autres de plusieurs microns sont formées sur la totalité de la surface du substrat. La couche épitaxique ainsi formée contient un -grand nombre de jonction P-N.Le substrat 1 et la couche épitaxique ainsi déposée seront ensuite mis en contact sur une face latérale avec une zone diffusée N+ (figure 1E). La diffusion est utilisée en même temps pour produire une jonction P-N superficielle dans les surfaces principales c'est-à-dire dans les surfaces de la cellule solaire destinées à être frappées par la lumière.Les faces latérales du substrat 1 et de la couche épitaxique comportant les zones diffusées forment, après avoir été revêtues de couches métalliques correspondantes 6, 7 les pales électriques de la cellule (figure 1F). Une cellule solaire ayant une telle structure comporte ainsi une jonction P-N de forme sinueuse à l'intérieur de la couche épitaxique de sorte que les paires électron-trou engendrées dans cette couche peuvent, dans chaque site d'origine, être directement interceptées par cette jonction P-N.
Pour fabriquer la cellule solaire selon l'invention, on effectue les étapes individuelles suivantes. On dépose une couche épitaxique sur un mince substrat 1 (figure 1A) de MO Si2 qui a, de préférence, une conductivité de type P et a typiquement les dimensions suivantes : 60 x 20 x 0,1 mm, en exposant le substrat 1 à un courant de gaz de MOCi #+H2 auquel on ajoute alternativement de I 'arsine (AsH3) et du diborane (B2H6). De cette manière, une zone 3 à conductivité de type P et une zone 2 à conductivité de type N sont alternativement appliquées au substrat après un accroissement d'approximativement 5 ,um de l'épaisseur d'une zone 2 à conductivité de type N laquelle est, à son tour, recouverte d'une zone 3 à conductivité de type P.Cette séquence se poursuit jusqu'à ce qu'une zone supérieure de type P3 soit finalement appliquée à la fin du processus de croissance épitaxique. Ainsi, approximativement 200 jonctions P-N sont réalisées dans le parallélépipède ainsi formé. Les autres faces latérales du parallélépipède sont rodées et polies de façon à obtenir à nouveau les dimensions 20x60mm.
Ensuite, une première couche d'oxyde 30 est appliquée sur la totalité de la surface de la tranche ; dans le présent cas, lorsque le M0542 et HSS, est utilisé comme semi-conducteur, cette couche 30 peut être formée par oxydation thermique de l'ensemble de la surface de la tranche. La structure ainsi obtenue a été représentée sur la figure 1B.Au cours de l'étape de traitement suivante, on enlève la première couche d'oxyde 30 dans la région située au -dessus de la zone P3 supérieure et dans la région de la face latérale droite de la tranche (figure 1C). Les faces ainsi exposées du semiconducteur reçoivent une diffusion N+ (arsenic) avec une profondeur de diffusion d'approximativement 0,5 pu. La tranche représentée schématiquement sur la figure 1C est ainsi, à cette étape revêtue, sur sa surface supérieure, sur sa face latérale gauche et sur ses faces latérales avant et arrière du reste de la première couche d'oxyde 30 tandis que la surface de la zone P3 supérieure et celle de la face latérale droite reçoivent des zones à conductivité de type N+ désignées respectivement par les références 8 et 5.
Enfin, avec des particules dont les dimensions sont comprises entre dix et 250 microns, on peut réaliser des résines type pelliculaires par greffage en couronne de monomère fonctionnel.
Bref, ces particules peuvent recevoir toutes les applications connues des particules fines dont les dimensions sont peu dispersées.
La présente invention concerne une ferme de charpente métallique.
L'un des buts de la présente invention est de réaliser une ferme de charpente, légère offrant une résistance analogue aux charpentes métalliques classiques.
La ferme selon l'invention est du type comprenant des arbalétriers, un poinçon, un entrait et des contrefiches, et est caractérisé en ce que toutes ces pièces sont constituées d'éléments tubulaires à section rectangulaire assemblées entre elles par soudure à l'arc.
L'invention va maintenant être décrite avec plus de détails en se référant à des modes de réalisation particuliers donnés à titre d'exemple seulement et représentés aux dessins annexés, dans lesquels Figure 1 est une vue en élévation d'une ferme de charpente métallique, selon l'invention, Figure 2 est une vue en coupe suivant la ligne II-II de la figure 1, Figure 3 est une vue en élévation d'une variante de la ferme de la figure 1, Figure 4 est une vue en coupe suivant la ligne IV-IV de la figure 3, Figure 5 est une vue en élévation d'une variante de la ferme des figures 1 et 3, Figure 6 est une vue en coupe suivant la ligne VI-VI de la figure 5, Figure 7 est une vue en perspective d'un détail.
La ferme représentée aux figures 1 et 2 comprend un entrait I à partir d'un point intermédiaire central duquel s'érige un poinçon 2 qui supporte les extrémités de deux arbalétriers 3 et 4, des contrefiches 5 étant prévues entre les arbalétriers 3 et 4 et le poinçon 2.
Comme on le voit à la figure 2 tous les éléments qui composent la ferme sont constitués d'éléments tubulaires à section rectangulaire ceux-ci étant assemblés entre eux pour soudure à l'arc.
La figure 3 montre une ferme désignée dans son ensemble par la référence 6 et qui est destinée à des portées allant jusqu'à 9 mètres. Cette ferme comprend un entrait 7, un poinçon 8 deux arbalétriers 9 et 10, deux contrefiches 11 et deux contrefiches 12. Comme représenté à la figure 4, tous les éléments qui constituent la ferme sont réalisés avec des éléments tubulaires affectant une section rectangulaire, ceux-ci étant assemblés par des soudures à l'arc.
Les figures 5 et 6 montrent une autre forme de réalisation de l'invention destinée à des fermes ayant une portée allant jusqu'à 12 m. La ferme de ces figures porte la référence générale 14 et comprend un entrait 15, un poinçon 16, des arbalétriers 17 et 18, deux double poin çons 19 et des contrefiches 20 et 21, tous ces éléments sont assemblés par des soudures à l'arc et sont constitués d'éléments tubulaires à section rectangulaire.
Comme représenté à la figure 7, on peut souder sur la face supérieure des arbalétriers perpendiculairement à leur axe longitudinal des profilés 23 régulièrement espacés et ayant sensiblement une section en U avec les extrémités des ailes pliées vers l'extérieur. De tels profilés constituent des supports, pour des éléments de sous-toiture 24, par exemple en céramique.
De telles fermes sont légères et parfaitement résistantes.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui viennent d'être décrits et représentés. On pourra y apporter de nombreuses modifications de détail sans sortir pour cela du cadre de l'invention.
ENSEMBLE A BATTANT PIVOTANT A MECANISME D'ARTICULATION NON APPARENT, ET ARTICLE MOBILIER ET MENAGER MUNI D'UN TEL ENSEMBLE La présente invention concerne un ensemble à battant pivotant à mécanisme d'articulation non apparent, et un article mobilier et ménager tel qu'un meuble, une machine à laver et/ou à sécher le linge, muni d'un tel ensemble.
Dans un article mobilier et ménager tel qu'un meuble, un appareil électroménager muni d'un battant pivotant qui peut être une porte, un couvercle, une table de travail ou un panneau pivotant, il est souvent inesthétique que le mécanisme d'articulation de ce battant soit apparent. Pour remédier à cet inconvénient, une solution connue consiste à pourvoir à ce battant d'axes de pivotement montés en bouts, tournant dans des trous aménagés dans un bâti ou cadre fixe qui entoure ce battant. C'est un battant du type encastré pivotant dans lequel le système d'articulation n'est pas apparent ou visible. Cependant ce système connu d'articulation n'est pas applicable à tous les battants pivotants notamment à ceux dont les bouts ne sont pas encadrés par des parties fixes où des trous de réception des axes de pivotement peuvent être formés.
La présente invention ayant pour but d'éviter ces inconvénients, permet de réaliser un ensemble économique à battant pivotant à mécanisme d'articulation non apparent, pourvu ou non de bâti ou parties fixes, encadrant les bouts opposés de ce battant, facile à fabriquer, à assembler ou à monter. L'invention a également pour objet un article mobilier et ménager tel qu'un meuble, une machine à laver et/ou à sécher le linge, muni d'un tel ensemble.
Dans tous ces procédés et appareils connus, le traitement désiré des pièces de linge, fixe à l'avance par exemple par la nature du linge et/ou les désirs du client, dans le cadre des diverses opérations de pliage et éven- tuellement d'empilage, ne peut astre obtenu que par divers réglages de la commande sans cesse à refaire à la main.
Ces réglages manuels non seulement prennent parfois beaucoup de temps, mais aussi, souvent, ge sont pas faits, en particulier quand il faut pour cela s'engager dans la technique de commande proprement dite. On cherche par conséquent souvent à couvrir plusieurs désirs de traste- ment différents avec des "réglages de compromis".Des réglages typiques sont par exemple a) en ce qui concerne le mode de traitement : nombre de pliages grandeur des recouvrements au-.pliage, -dimensions de pliage; b) en ce qui concerne les dispositifs de traitement (quand il existe d'autres dispositifs utilisables): pliage par épée, pliage par jet d'air; c) en ce qui concerne les intensités de traitement force des jets d'air, durées de soufflage; d) en ce qui concerne l'empilage (quand il existe un dispositif d'empilage) : formation et hauteur do la pile.
L'invention a pour but damdliorer le procédé et l'appareil du type indiqué au début de façon que, du point de vue des manipulations, une commande très simplifiée des opérations de pliage et éventuellement d'empilage dutsllnge soit possible, et en particulier une telle commande qui tienne compte de façon optimale de la nature du linge et/ou des désirs des clients.
Ce but est atteint au moyen des caractéristiques indiquées dans la partie caractdrisante des revendications 1 et 12. Des formes de réalisation avantageuses de l'in- vention font objet des revendications secondaires.
L'idée fondamentale de l'invention est que la commande de toutes les opérations de pliage, comme par exemple le choix de la nature, du nombre et de l'ordre des pliages, ainsi que le pliage lui-même, par exemple en ce qui concerne le degré de recouvrement, etc. soient commandés par les pièces de linge elles-mêmes, la nature du linge et/ou les désirs des clients étant en plus pris en considération de façon optimale. De cette manière, il est exécuté un pliage et éventuellement un empilage des pièces de linge# répétables à tout moment avec la m#me précision.
Le procédé permet ainsi un pliage et un empilage programmés des pièces de linge commandés par celles-ci mêmes.
Il est particulièrement avantageux d'utiliser un seul dispositif d'exploration qui détermine à la fois la longueur et la largeur des pièces de linge. Cela se fait sur la pièce de linge non pliée, cest-à-dire avant le traitement proprement dit, et peut même être fait sur les appareils de traitement du linge comme par exemple calandre ou machine d'alimentation de calandre placés avant l'appareil de pliage. Le dispositif proposé d'exploration de la longueur et de la largeur des pièces de linge est de consti- tution relativement simple et fonctionne néanmoins de façon sûre.En outre, il permet dans une certaine mesure de reconnattre sans moyens supplémentaires le contour de la pièce de linge, en particulier l'état de ses bords dû au traitement précédent, par exemple droit, arqué, etc, et également d'utiliser ce contour pour la commande du traitement. Par exemple, des pièces de linge à bords arqués peuvent être pliées avec un recouvrement tel que ces bords disparaissent dans le pliage et ne soient pas visibles de 1 extérieur.
Les désirs individuels des clients peuvent être introduits sous forme de programme flZ@. Ainsi, par exemple, des clients différents désirent des pliages différents pour des pièces de linge de mêmes dimensions (par exemple draps de lit), de sorte qu'il ne suffit pas de plier toujours selon le même schéma une pièce de linge de dimensions déterminées. En outre, des clients différents ont des exigences différentes en ce qui concerne la précision du pliage et le degré de recouvrement des pliages. Comme une plus haute précision du pliage ne peut normalement être obtenue qu'avec de plus faibles vitesses de transport, il faut, pour les clients qui ont de plus hautes exigences sur ce point, réduire la vitesse de l'appareil de pliage.
Tous ces désirs des clients sont, pour chaque grandeur et/ou nature de pièce de linges introduits une seule fois dans la mémoire d'un micro-ordinateur. Quand ensuite sont pliées les pièces de linge d'un client déterminé, il n'y a plus qu'à introduire à la main le numéro de ce client, après quoi les différentes pièces de linge, du fait que leur longueur et leur largeur sont lues, appellent ellesmêmes leur programme individuel.