INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il est bien entendu, enfin, que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et que l'on pourra apporter des équivalences dans ses éléments constitutifs sans, pour autant, sortir du cadre de l'invention.
La présente invention concerne les matériels de réedu- cation de "kinésithérapie" du type "table basculante",les ira- tériels de "suspension" et de "culture physique",permettant à un malade d'étirer sa colonne vertébrale en utilisant le poids de son corps.
Les appareils connus de ce genre tels les brevets:U S-A I 804 44I,US-A-4 205 665,US-A-3 568 669 et 72 46015,sont con çus pour étirer le malade à partir d'une position de départ de ce dernier sur le dos.Ces tables ne permettent pas d'installer le malade dans les positions antalgiques que connait maintenant la kinésithérapie moderne.
La table basculante de rééducation selon l'invention permet de pallier à ce manque de matériel.
En effet,c'est à plat ventre que le malade prend place sur la palette ventrale de forme spéciale qui permet à celui- ci d'être dès le départ en position antalgique,c'est à dire en légere cyphose lombaire, avec un léger flexum de la hanche et un léger flexum des genoux.
Le piètement est un simple cadre rectangulaire muni de quatre vérins stabilisateurs.Il est solidaire du jambage qui vat servir de potence à la palette.
te jambage est caractérisé par ce qu'il est constitué d'une unique paire de pieds inclinés à 1100 par rapport au piètement.Il comporte:à son tiers inférieur une barre d'arrêt d'amplitude qui limite la bascule de la palette quand la butéé de cette derniere vient à son contact;en haut d'une part une partie horizontale d'environ vingt centimètres qui est porteuse à sa partie distale de palliers à billes autour desquels bascule la palette,cette partie horizontale servant à éloigner l'axe de basculement devra palette du plan du jambage permettant ainsi à l'utilisateur d'évoluer librement avec ses bras lors de la bascule,et d'autre part de poignées servant à monter et descendra sur la table-basculante.
La palette ventrale plus large en bas qu'en haut est d'une part munie à sa partie inférieure d'un renflement transversal en forme de demi cylindre sur lequel vient s'appuyer le bas ventre du malade ce qui le met en légère cyphose lom baire,et d'autre part échancrée à sa partie supérieure sur une longueur de vingt cinq centimètres et une largeur de huit centimètres pour permettre le passage de l'ensemble nez bouche menton du malade;la tête repose ainsi par les joues dans l'échancrure.ta palette se prolonge::en haut par une butée limiteuse d'angle de bascule,de chaque côté par un support de suspension à axes décallés vers le haut par rapport au plan de la palette permettant l'oscillation de celle-çi autour des pallier du jambage,et en bas par un bras de palette dont le profil est en haut en forme de esse et en bas rectiligne,le plan de cette partie rectiligne étant ainsi décalle par rapport au plan de la palette.la partie rectiligne est en outre percée de trous tous les 25 millimètres.
te support d'appareil de suspension est constitué d'un coulisseau qui glisse sur le bras de la palette et qui comporte un téton d'arrêt à ressort qui correspond aux trous du brqs de la palette permettant le réglage en hauteur du système de suspension suivant la taille de l'utilisateur. Ce coulisseau est caractérisé en ce qu'il est solidaire d'un axe sur lequel de chaque côté du coulisseau s'emboitent deux tubes creux:l'un interne,mobile autour de l'axe,est solidaire d'un repose pied;l'autre éxterne,mobile autour de l'axe,est solidaire de l'appareil de suspension.De chaque côté du coulisseau une butée fixe empèche le marche pied de partir en avant quand on monte dessus.
L'appareil de suspension est constitué de deux paires de demi-coquilles s'articulant ensembles qui enserrent les chevilles et qui à la fermeture Font verrouillées par une sauterelle.
La figure I représente la table basculante vue de profil.
Dans une autre forme particulière de l'invention, l'étage d'adaptation d'impédance est intégré sur le substrat semiconducteur du convertisseur linéaire, lorsque celui-ci est lui-m8me intégré.
La description qui suit et les dessins illustrent un mode de réalisation de l'invention.
La figure 1 donne le schéma de principe de montage d'un convertisseur linéaire utilisé en convertisseur non linéaire, montage connu et couramment utilisé.
La figure 2 représente le schéma synoptique d'un convertisseur non linéaire avec un étage adaptateur d'impédance conforme à l'invention.
La figure 3 montre le schéma de principe de montage d'un convertisseur linéaire utilisé en conversion non linéaire avec un étage adaptateur d'impédance composé d'un amplificateur.
La figure 4 montre le schéma de principe de montage d'un convertisseur linéaire utilisé en conversion non linéaire avec un étage adaptateur d'impédance composé de deux amplificateurs.
La figure 5 représente un schéma partiel d'un convertisseur avec un étage adaptateur d'impédance intégré, convertisseur utilisé en conversion non linéaire.
La figure 1 donne le schéma de principe de montage d'un convertisseur décrit dans l'article publié dans la revue scientifique IEEE Transactions citée ci-dessus.
Le circuit intégré 1 du convertisseur analogique numérique est représenté par un rectangle dans lequel sont seulement schématisés les organes d'entrée du convertisseur.
Sont représentées, l'entrée 2 du signal analogique et la tension Vi qui lui est appliquée ainsi que l'entrée 3 du signal de référence et sa tension Vref d'entrée, les sorties 4 du si gnal numérique et enfin la mise à la masse 5.
Sur le circuit intégré 1 est représenté, en exemple, un convertisseur "flash" et un réseau de résistances r formant la résistance intégrée R3, réseau de résistances divisant la tension de référence Vref et la distribuant sur la série des 2N comparateurs 6 dont dépend la résolution du convertisseur. Dans un exemple, une résolution de N = 8 bits, le nombre de comparateurs est de 256.
Le montage du convertisseur linéaire en convertisseur non linéaire peut hêtre réalisé, par exemple, par l'apport de deux résistances R1 et R2. La résistance Rl est connectée entre l'entrée 2 du signal analogique et l'entrée 3 du signal de référence ; la résistance R2 est connectée alors entre l'entrée 3 du signal de référence et une borne d'alimentation de la tension de référence Vo, alimentation non représentée sur le schéma et appliquant une tension Vo sur un point de connexion de la résistance R2.
Avec un convertisseur comme représenté sur ce schéma, la fonction de transfert H est donnée par la relation, H + (2N-1) Vi aVi + Vb dans laquelle, H est le numéro de canal, N la résolution du convertisseur analogique-numérique Vi une tension d'entrée analogique a un coefficient de non linéarité fixé par une valeur de la résistance R1, Vb la valeur de la tension Vref de référence lorsque la ten sion analogique Vi appliquée à l'entrée 2 est égale à zéro.
Les coefficients a de non linéarité et la tension Vb prennent la forme suivante a = R3 Vb Rî . R3 Vo Rl + R3 > R1 + R3 R2 On remarque que la fonction de transfert est dépendante de R3.
Les résistances intégrées sur un substrat semiconducteur ont l'inconvénient d'avoir un coefficient de température élevé, dont l'ordre de grandeur est de 3000pub, coefficient de température qui entraine une variation prohibitive de la valeur R3 du réseau de résistances, en fonction de la variation de température. La valeur nominale de la résistance R3 pouvant varier d'un convertisseur linéaire à l'autre un ajustement du circuit composé de résistances est nécessaire pour obtenir une fonction de transfert identique d'une voie à l'autre.
La figure 2 représenta la schéma synoptique d'un convertisseur non linéaire avec un étage adaptateur d'impédance conforme à l'invention.
En effet, à l'interface I1 se produit la réaction: O2- - 2e # 1/2#2 (6) qui est une réduction d'oxydation de l'ion O2- avec simultanément libération d'électrons et d'oxygène. Si la stabilité de l'oxyde à réduire (couche 2) est plus faible que celle de l'électrolyte solide, à l'interface 12 se produit la réaction: (2y)e + M Oy + x M + y02 (6) Les électrons résultent du transport par conduction électronique au sein de l'électrolyte solide des électrons libérés traversant la couche d'électrolyte. Il y a donc un mouvement ambipolaire des espèces chargées au travers de la membrane d'électrolyte solide 3.
Si le temps de traitement est suffisamment long, il y a réduction complète de la couche d'oxyde M O et son remplacement par une couche de même nature que le substrat 1, de matériau semiconducteur.
Dans une étape ultérieure, l'ensemble est ramené dans les conditions normales de pression et de température et replacé à l'air libre. La couche d'électrolyte 3 joue alors le rôle d'écran de passivation interdisant toute recontamination ultérieure du substrat réduit.
Pour résumer, pour qu'il y ait réduction effective, il est nécessaire que les relations suivantes liant la température de l'enceinte T et la pression partielle en oxygène PO2, soient vérifiées simultanément: PRO > PO2 > POE (7) et TRO > T > TOE (8) TRO > T > TOE (8) les couples température-pression étant déterminés à partir de la formule (2), T devant en outre être inférieur à TDO; ~ dans lesquelles: PRO: est la pression partielle maximale pour laquelle il y a réduction de la couche d'oxyde; Pou est la pression partielle minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte; TDO: est la température à partir de laquelle il y a destruction de la couche d'oxyde, ou, s'il y a plusieurs oxydes, la température la plus basse occasionnant la destruction d'un au moins de ces oxydes; Trio la température minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte.
Toue la température minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte.
Toutes ces relations définissent un domaine à l'intérieur duquel la réduction peut avoir lieu.
En outre, pour des raisons pratiques ce jeu de relation peut être complété par le jeu suivant: PO2 > PG (9) PPG étant la pression partielle minimale pouvant être obtenue à l'aide d'un système d'épuration de gaz donne; P02 T > TTI (Il), TTI étant la température minimale pour laquelle le temps nécessaire à la réduction est égal à un temps que l'on fixe à l'avance, temps qui doit être raisonnablement court pour que le procédé ait des applications pratiques.
Le procédé de l'invention va maintenant être décrit de façon plus détaillée dans le cadre de la fabrication de structures semiconductrices comprenant au moins une couche superficielle 1 en arsenuire de gallium.
Cette fabrication constitue en effet un exemple d'application dans laquelle la mise en oeuvre du procédé de l'invention est particulièrement avantageuse.
L'arseniure de gallium (GaAs) est source de difficultés spécifiques très aigües malgré l'intérêt qu'il présente par ailleurs pour la conception de circuits électroniques performants.
Dans ce cas on assiste à la formation spontanée d'une couche compost te de faible épaisseur typiquement 40 Angströms. Cette couche est formée d'arsenic et d'oxyde de gallium. La couche native est cependant plus riche en oxyde de gallium qu'en oxyde d'arsenic. Ceci est du au fait que oxyde d'arsenic est très instable. IL s'instaure un équilibre selon la relation: As23+2GaAs #Ga2O3+4As (12) Les figures 2 à 4 illustrent les principales étapes du nettoyage de la surface de la couche 1 par la réduction des oxydes formés Warsenuire de gallium.
Sur la figure 2, est représenté une couche 1 en arsenuire de gallium, préalablement préparée et nettoyée par toute techniques appropriées qui sortent du cadre des l'invention et recouvert spontané ment d'une couche superficielle 2 qui comprend de oxyde de gallium (Ga2O3), de l'oxyde d'arsenic (As203) et de l'arsenic selon le mécanisme qui a été rappelé.
Pendant la première étape, propre au procédé de l'invention, on dispose sur cet ensemble une couche de diélectrique 3, comme représenté sur la figure 3.
De façon préférentielle, on choisit comme matériau de base de la zircone stabilisée à la chaux (Zr 2 + CaO) dans des proportions atomiques respectives de 85 % et 15 %. Ce matériau est un bon conducteur ionique de l'oxygène à des températures supérieures ou égales à 5000 C. Il constitue un bon encapsulant pour Parsenuire de gallium jusqu'à des températures de l'ordre de 8500C ce qui permet d'éviter l'exodiffusion de l'arsenic.Ce matériau a également un coefficient de dilatation (7,5 ppm/OC) proche de l'arseniure de gallium (6 ppm/ C) ce qui permet des dépôts sur des surfaces importantes de substrat sans risque de félures ou de décollement. Enfin les énergies endothermiques de formation de ce diélectrique étant élevées, il s'ensuit que ce matériau est stable même à température élevée et ne peut être réduit pendant la deuxième étape du procédé en même temps que la couche d'oxyde 2 (température de fusion TF = 28000 C) également que l'interface entre la couche de diélectrique 3 et le substrat 1, une fois la couche d'oxyde réduit pendant la seconde étape du procédé, est une interface où les atomes d'arsenic (As) et de gallium (Ga) libérés lors de la réduction ont repris une position cristallographique en accord avec le réseau monocristallin sous-jacent.
La couche d'électrolyte 3 déposée a une épaisseur minimale de l'ordre de quelques centaines d'Angströms, typiquement 1000 Angstroms, de telle sorte qu'il soit assuré une structure sans trou et d'une épaisseur maximale de quelques milliers d'Angströms, limite- fixée par l'adaptation des coefficients de dilatation linéaires entre la zircone et les couches sous-jacentes.
Le dépôt peut s'effectuer par toutes méthodes appropriées dans le domaine des couches minces, de façon préférentielle par la technique connue sous le nom de pulvérisation cathodique radi#fréquence.
Dans le but de mieux faire comprendre l'inventions on va maintenant en décrire différents modes de réalisation en se référant au dessin annexe dans lequel: - La figure 1 illustre un premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 2 est une coupe selon II-II de la figure 1, - la figure 3 représente la tige d'axe utilisée dans le dispositif de la figure 1, - la figure 4 est une vue en coupe selon IV-IV de la figure 3, - la figure 5 est une vue analogue à la figure 1 d'un autre mode de réalisation, - la figure 6 est une coupe selon VI-VI de la figure 5. et - les figures 7a illustrent la mise en place d'une tige d'axe selon la figure 3, selon un troisième mode de réalisation de dispositif selon
Dans les différents modes de réalisation représentés, le dispositif selon l'invention comprend une tige d'axe cylindrique 1 à extrémités chanfreinées 2, ladite tige présentant à partir d'un décrocheient 3 réalisé dans sa partie médiane une pluralité de pattes ou ailettes élastiques 4 agencées pour s'appliquer contre le corps d'axe sous l'action d'un effort périphérique radial de l'extérieur, lesdites pattes s'écartant radialement
des suppressions de l'effort extérieur.
Les pattes 4 qui peuvent être habituellement au nombre de deux ou plus (quatre dans l'exemple illustré) divergent donc à partir du corps d'axe et présentent chacune à leur extrémité libre une face d'appui 5 dont la fonction sera expliquée par la suite, les faces d'appui 5 des différentes pattes étant situées sensiblement dans un même plan orthogonal à l'axe
longitudinal de la tige d'axe 1.
La tige d'axe avec la ou les pattes peut avantageusement être réalisée par injection en matière plastique par exemple en polyéthylène ou en polyacétal. Le dispositif selon l'invention comprend, outre la tige d'axe qui vient d'être décrite, une douille 6 qui peut âtre de section circulaire ou encore, comme illustré aux figures 5 et 6, de section sensiblement carrée, cette douille étant solidaire, par des moyens non représentés, de la partie
supérieure arrière d'une cuve, non représentée, par exemple d'un bac roulant.
On a illustré sur les figures des flasques latéraux 7a, 7b d'un couvercle (non représenté) destiné à Ptre articulé sur la cuve, chacun des flasques présentant un orifice 8, l'un des flasques, dans les modes de réalisation illustrés, présentant en outre une nervure 9 destinée à contribuer à l'arrêt en translation axiale de la tige d'axe mise en place entre les flasques,
formant paliers 7a, 7b, comme cela sera décrit plus loin.
Pour contribuer à cet arrêt en translation d'autres moyens sont également envisageables, par exemple un épaulement ou une tête amovible,
telle que par exemple un clip, au niveau d'une extrémité de la tige d'axe.
Dans le mode de réalisation des figures 1 et 2, la douille 6 présente un évidement intérieur de section constante 10 et présente au voisinage de sa partie centrale une cloison 11 formée, comme on le voit sur la figure 2, de nervures radiales, au nombre de quatre dans l'exemple illustré définissant un orifice central de section réduite. Cette réalisation est symétrique en ce sens que la tige peut être mise en place dans l'une ou
l'autre extrémité de la douille.
Dans -le mode de réalisation des figures 5 et 6, l'évidement intérieur de la douille comprend une partie de droite 12 de section circulaire sensiblement constante correspondant à la section de la tige d'axe 1 et une partie de gauche présentant un tronçon d'extrémité cylindrique de diamètre correspondant sensiblement à celui du tronçon 12 se raccordant par un tronçon tronconique 14 à un tronçon 15 de diamètre supérieur à celui du tronçon 12, la séparation entre ces tronçons réalisant une paroi 16 pour
l'appui axial des pattes de la tige d'axe.
permettant de monter cette tige. Celle-ci ne peut pas tourner par rapport à l'empreinte 10 grâce à la coopération de l'ergot 31 avec la rainure 30.
Lorsque l'articulation n'est pas encore bloquée c'est la force élastique du ressort 32 qui applique sur la bille 20 un effort vertical la dirigeant contre la surface de la cavité 11. Le panier 15 est ainsi emprisonné entre la surface externe de la bille 20 et la surfacé de la cavité 11. Toutefois la force du ressort n'est pas suffisante pour permettre un blocage complet. Dans cette condition on peut faire pivoter le panier 15 selon trois degrés de liberté de manière- à orienter l'appareil qui lui est fixé. Une fois ce réglage effectué on continue à tourner la molette 26 pour augmenter la force de serrage. Le blocage est complet lorsque la face supérieure de l'embase 24 entre en contact avec l'épaulement 36. Avant d'atteindre cette position de blocage la force de serrage augmente progressivement car la compression du ressort 32 augmente.Le réglage de la position de l'appareil solidaire de la collerette 19 peut ainsi être effectué avec une dureté de manoeuvre réglable.
La butée 36 limite la compression du ressort 32, ce qui permet de ne pas détériorer ce dernier, surtout si celui-ci n'est pas un ressort à boulin mais un ressort constitué de rondelles élastiques.
On appréciera également que le passage du conducteur 38 dans le canal 37 facilite la manipulation et autorise le réglage sous tension de l'appareil fixé à la collerette 19.
Bail:i i'exempl, l'articulation permet le pivotement du panier selon un cône de demi-angle au sommet ol (figure 1), le sommet étant le centre de la bille sphérique 20. Ce pivotement est limité par la butée du bord supérieur 16 du panier 15 contre la tige 23.
oXarticulation selon l'invention peut se prêter à de nombreuses applications. Parrni celles-ci on mentionnera particulièrement la fixation d'un détecteur ou e metteur d'ondes électromagnétiques pour la sécurité des hiens et des personnes (surveillance automatique de locaux) et les trépieds constltuant notamment un support pour matériel audiovisuel tel qu'appareil photographique, ou camera cine matographique ou de télévision.
la présente invention concerne des fours et leur fonctionnement, plus précisément des fours comprenant plusieurs chambres de combustion ou orifices de formation de la flamme qui reçoivent de l'air comburant chauffé d'une chambre de distribution ou de surpression une, pour se combiner aec le combustible afin de produire une flamme de combustion. Plus particulièrement, l'invention concerne le contrôle de la répartition de l'air comburant parmi ces chambres ou orifices; par exemple dans un four régéné raseur à orifices multiples.
P3.us préeisément, l'invention concerne le contrôle de la quantité d'air qui est délivrée à un quelconque orifice individuel de formation de la flamme à partir d'une chambre commune de surpression ou de distribution de l'air comburant9 par exemple dans un four régénérateur à orifices multiples comportant une chambre de surpression non cloisonnée. Ces fours comprennent généralement plusienrs orifices de formation de la flamme de chaque côté de la chambre du four, les orifices situés d'un côté étant alignés et opposés par rapport à des orifices situés de l'autre côte.Pendant la phase de chauffe, l'air comburant pénètre dans une chambre de surpression inférieure, traverse le régénérateur où il est réchauffé et la chambre de surpression supérieure vers les orifices de formation de la flamme, où il se combine avec le combustible pour produire une flamme de combus ion destinée à chauffer les matières contenues dans la chambre du four.Les gaz d'échappement provenant de chaque orifice traversent l'orifice opposé à ce dernier et redescendent à tra tel le régénérateur cpposé pour réchauffer le garnissage de ce régénérateur. En d'autres termes, pendant la phase d'échappement, l'orifi@e de formation de la flamme reçoit les gaz d'échappement, son régénérateur absorbe de la chaleur des gaz d'échappement et l'autre orific de irration de la flamme, dans sa phase de chauffe, reçoit de l'air comburant réchauffé à travers son régénérateur. Le côté du four qui reçoit le combustible et l'air comburant réchauffé est périodiquement inversé, ce qui fait que chaque c8té prend part alternativement à une phase d'échappement et une phase de chauffe.
Dans le présent contexte, le terme "air comburant1, ne se limite pas à une combinaison particulière de gaz, ni à certaines proportions de ceux-ci, mais il est utilisé pour simplifier pour désigner tout gaz qui, combiné avec un combustible, produit un mélange combustible.
le problème de la distribution irrégulière de l'air dans le régénérateur d'un four comportant une chambre de distribution ou de surpression de gaz au-dessus d'un lit régénérateur a été étudié dans le brevet US nO 4 375 236 (tsar), dont les enseignements sont ici inclus à titre de référence. D'après ce qui est exposé dans ce document, des jets d'air peuvent être utilisés pour produire une distribution plus uniforme de gaz dans le régénérateur en agissant sur la distribution dans la chambre de surpression. Toutefois, dans un four à orifices multiples, par exemple un four de fusion du verre, il est habituel que les orifices individuels fontionnent à des taux différents d'arrivée du mélange combustible, afin d'optimiser le rendement du four.
Plus précisément, le rendement d'un four est subordonné à une distribution correcte de l'énergie introduite entre les orifices de formation de la flamme, dans le but de fournir une quantité d'énergie appropriée pour la région du four située au-dessous de l'orifice. En général, une modification des conditions du four, notamment de son débit, de la composition de la fusion ou du réglage du four, nécessite une redistribution des apports d'énergie entre les orifices, si lton veut maintenir le rendement du four dans des limites acceptables. La redistribution est généralement effectuée, pour un apport total de combustible donné, par répartition du combustible d'une manière non uniforme entre les orifices.