REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une embase plane à partir d'un pavé (23) ayant deux faces opposées parallèles et monté sur un support (21) ayant une face supérieure, caractérisé en ce que le procédé comporte: - une fixation d'une des faces parallèles du pavé (23) sur une partie centrale de la face supérieure du support (21); et - un dépôt d'une résine (28) sur la partie restante de la face supérieure du support autour du pavé (23) de telle sorte que la résine vient à niveau avec l'autre face parallèle du pavé, formant ainsi un plan continu. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pavé (23) est en un matériau à haute conductivité thermique. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau à haute conductivité thermique est un diamant. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le pavé (23) est de forme parallélépipédique de section droite carrée. 5. Procédé -selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (21) est de section droite circulaire, et en ce que la résine (28) déposée forme un anneau autour du pavé, réalisant ainsi une embase plane circulaire. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la fixation d'une des faces parallèles du pavé (23) sur la partie centrale de la face supérieure du support (21) est réalisée par soudage. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt de résine (28) est réalisé par un moulage sous pression de la résine. 8. Procédé selon une des revendications précédentes, pour une embase métallisée à partir d'un support métallique ou métallisé (21), caractérisé en ce qu'avant l'opération de fixation, le procédé comporte une première métallisation du pavé (23) sur toutes ses faces, en ce que la résine (28) est isolante électriquement, et en ce qu'après l'opération de dépôt de résine, le procédé comporte une seconde métallisation (30) de la surface externe de la résine ainsi que de la face du pavé opposée à celle fixée sur le support. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la métallisation (30) de la surface externe de la résine ainsi que de la face du pavé opposée à celle fixée sur le support est réalisée sous vide. 10. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que la métallisation (30) de la surface externe de la résine ainsi que de la face du pavé opposée à celle fixée sur le support consiste en des dépôts successifs de titane, de platine et d'or. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, pour une embase métallisée à partir d'un support métallique ou métallisé (21), caractérisé en ce qu'avant l'opération de fixation, le procédé comporte une métallisation du pavé (23) sur toutes ses faces, et en ce que la résine (28) est conductrice électriquement. 12. Procédé selon l'une des revendications 8 ou il, caractérisé en ce que la métallisation du pavé (23) consiste en des dépôts successifs de titane, de platine et d'or. 13. Embase plane circulaire et métallisée, comportant un pavé (23) en matériau à haute conductivité thermique monté sur un support métallique ou métallisé (21), caractérisée en ce qu'elle est réalisée par exécution du procédé selon les revendications 2, 5 et 8 ou 11. 14. Utilisation d'une embase plan; circulaire et métallisée selon la revendication 13, pour la réalisation d'un module préadapté pour diode hyperfréquence à forte dissipation thermique, comportant une pastille de diode (34) et un boîtier dans lequel est montée la diode, caractérisée en ce que le boîtier comprend l'embase (20) constituant une première connexion, un anneau de diélectrique (36) entourant la diode, un capot métallique (42), une seconde connexion métallique (40) en contact avec la diode et avec la face de l'anneau de diélectrique venant en contact avec le capot, et un pavé supplémentaire (32) en matériau à haute conductivité thermique, métallisé sur toutes ses faces, de dimensions très inférieures à celles du pavé en matériau à haute conductivité thermique de l'embase, et appliqué sur le pavé (23) de l'embase, la diode étant fixée sur la face supérieure du pavé supplémentaire et la face de l'anneau de diélectrique opposée à celle en contact avec le capot étant rapportée sur la face supérieure du pavé de l'embase, et en ce que les dimensions respectives du pavé (23) de l'embase et du pavé supplémentaire (32) sont telles que le capot (42) assure, par ses dimensions et celles du pavé supplémentaire et de l'anneau de diélectrique, la transformation radiale d'impédance de la diode, et que le pavé (23) de l'embase et le pavé supplémentaire (32) assurent l'évacuation de la chaleur dégagée par la diode. 15. Utilisation selon la revendication 14, caractérisée en ce que le matériau à haute conductivité thermique du pavé (23) de l'embase et du pavé supplémentaire (32) est un diamant du type IIA.