REVENDICATIONS 1 - Dispositif opto-électronique à semi-conducteur du type comportant des zones P et des zones N alternativement déposées sur un substrat caractérisé en ce que sur les surfaces latérales opposées, du dispositif, il est formé, d'un coté, une zone P+ t4) et, de l'autre côté, une zone N+ (5) qui s'étendent perpendiculairement auxdites zones P et N, d'une manière telle qu'une jonction P-N de forme, sinueuse est formée en profondeur dans le dispositif, et en ce que lesdites zones très fortement dopées (4, 5) d'une manière dégénérée sont munies d'électrodes (6, 7) respectivement. 2 - Dispositif opto-électronique selon la revendication 1 destiné à être utilisé comme cellule photovoltaique et plus particulièrement comme cellule solaire caractérisé en ce que les surfaces prévues pour recevoir la lumière qui sont disposées parallèlement aux zones P (1) et aux zones N (2), sont munies d'électrodes (10) en forme de peigne qui ne s'étendent que sur une très petite fraction de ces surfaces et en ce que les surfaces de la zone P qui servent de surface de réception de la lumière, sont recouvertes d'une zone N+ dopée de manière dégénérée (8) bien plus mince que la zone P et située entre la zone P et les électrodes (10). 3 - Dispositif opto-électronique selon l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que le semi-conducteur utilisé est choisi dans le groupe comprenant le Silicite de Molybdène et l'arséniure de gallium et le sulfure de cadmium. 4 - Dispositif opto-électronique selon l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la structure de l'élément semi-conducteur est formée par des zones P (3) des zones N (2) en Silicite de Molybdène ayant chacune une épaisseur de 1 um environ. 5 - Procédé de fabrication d'un dispositif opto-électronique à semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce qu'il consiste à déposer alternativement par épitaxie sur un substrat de type de conductivité P, des zones de type P et des zones de type N, pour former une structure parallélépipédique, à appliquer une première couche d'oxyde (30), à enlever cette couche à la fois sur une surface qui est parallèle aux zones P (1 et 3) et aux zones N (2) et sur une surface latérale de la structure parallélépipédique qui est perpendiculaire à ces zones, pour y former ensuite des zones N+ (5, et eventuellement 8 et 9) dopées de manière dégénérée, à enlever le reste de la première couche d'oxyde (30) puis à réformer une seconde couche d'oxyde (31) sur l'ensemble de la structure parallélépipédique, à enlever cette seconde couche de l'autre surface latérale de ladite structure opposée pour y former ensuite une zone P+ (4) et enfin à enlever le reste de la seconde d'oxyde pour appliquer ensuite les électro des (6, 7). 6 - Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce que les zones P (3) et les zones N (2) sont appliquées en une épaisseur de 5 um chacune sur un substrat (1) de 100 trm d'épaisseur et en ce que la zone N+ finale (8) a une épaisseur de 0,5 pm de sorte que la structure paral lélépipédique finale a une épaisseur de 1,1 mm et en ce que les surfaces latérales précipitées sont revêtues chacune d'une zone dopée de manière dégénérée de 1 um d'épaisseur s'étendant perpendiculairement aux zones N et P. 7 - Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'on applique une seconde zone dopée de tye N+ (9) de 0,5 pm d'épaisseur sur la surface libre du substrat et en ce qu'on applique des prolongements dflélectre en forme de peigne (10, 40) sur les deux zones dopées N+ (8, 9) parallèles aux zones dopées de type P (3) et aux zones dopées de type N (2). 8 - Procédé selon l'une des revendications 5 à 7 caractérisé en ce que les zones P (3) et les zones N (2) sont dopées avec environ 10 atomes d'impuretés. cm 3 et en ce que les zones dopées de manière dégénérée sont dopée avec environ 1020 atomes d'impuretés. cm 3 . 9 - Procédé selon l'une des revendications 5 à 8 caractérisé en ce qu'on dépose par épitaxie sur un substrat en Silicite de Molybdène (1) successivement et alternativement des zones P (3) et des zones N (2) en introduisant alternativement du diborane et de l'arsine dans un courant de MOC14 + H2 . + H952 Sulfure de Mercure. 10 - Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que la str tcture a une largeur de 20 mm et une longueur de 60 mm.