INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La clé 3, est montée à rotation dans le passage 2 et est maintenue axialement dans le boisseau 1 par des nervures et rainures annulaires complémentaires d'encliquetage (non représentées). Le boisseau 1 comporte un conduit 10 d'écoulement du liquide dirigé vers l'extrémité inférieure du passage 2, ce conduit 10 étant pourvu d'un orifice 11 susceptible d'etre place, par rotation de la clé, en correspondance de llorifice 6 afin de permettre l'écoulement du liquide.
Cette clé 3 comporte également un conduit d'entrée d'air 12 séparé du conduit 10 par une cloison 13 ce conduit d'entrée d'air 12 étant pourvu d'un orifice 14 susceptible d'entre placé, par rotation de la clé 3, en correspondance de l'orifice 5 du boisseau 1.
Ce conduit 12, dirigé par ailleurs vers l'extrémité supérieure du Passage 2 est pourvu d'un clapet 15 en forme de disque qui flotte librement entre un bouchon supérieur 16 in,roduit dans le conduit 12 et qui trme le siège de clapet et un rebord annulaire 17, formé à l'intérieur de la clé et qui est défini par un rebord annulaire extérieur 171 de la clé par lequel cette clé s'appuie sur l'extrémité supérieure du passage 2 du boisseau 1.
Le rebord annulaire interne 17 est également pourvu de Flots 172 contre lesquels vient s'appuyer le clapet 15 en position ouverture Le clapet 15 est pourvu d'une tige axiale 15 qui est disposée à l'intérieur d'un orifice axial 16 du bouchon 16.
Le diamètre de la tige 151 est notablement plus faible que le diamètre de l'orifice 161 afin de permettre le passage de l'air tout en assurant le guidage de la tige 151 et donc du clapet 15.
Le boisseau 1 comporte un troisième orifice 18 qui, en position de fermeture du robinet (voir figure 1) est disposé en communication avec l'orifice 11 de la clé in de permettre à de l'air de pénétrer dans le conduit 10 et donc dans la partie inférieure du passage 2 pour assurer l'écoulement du liquide qui pourrait y subsister après la fermeture du robinet.
Lors de l'ouverture du robinet par rotation de la clé 3 (voir figure 3), les orifices 11 et 14 sont placés en correspondance des orifices 6 et 5 respectivement, ce qui a pour effet de permettre l'écoulement du liquide par les orifices 6 et 11, par le conduit 10 gt par l'extrémité inférieure du passage 2 du boisseau 1.
Simultanément, le liquide pénètre dans le conduit 12 par les orifices 5 et 14, si bien que ce liquide soulève le clapet 15 et l'applique contre son siège 16 pour l'obturer.
Au fur et à mesure de l'écoulement du liquide par le robinet, il s'établit une dépression dans le récipient, dépression qui finalement interdirait l'écoulement du liquide.
Cependant, cette dépression se retrouve également à hauteur de l'orifice 5 et a pour effet d'aspirer le liquide contenu dans le conduit 12 vers le récipient et par les orifices 14 et 5, si bien que le clapet 15 qui n'est plus maintenu par la pression du liquide, s'écarte de son siège 16 et permet alors à de l'air de pénétrer dans le récipient par l'orifice 161, la périphérie du clapet 15, le conduit 12 et les orifices 14 et 5.
Lorsque la dépression à l'intérieur du réservoir est annulée ou devient suffisamment faible pour ne plus empêcher la pénétration du liquide dans le conduit 12.
ce liquide soulève à nouveau le clapet 15 pour l'appliquer sur son siège 16 et cela avant que du liquide ne puisse s'échapper par la périphérie du clapet 15 et l'orifice axial 161.
De préférence les orifices 5 et 14, d'une part et 6 et 11, d'autre part sont de mêmes dimensions et sont situés pour se placer en correspondance exacte lorsque le robinet est ouvert. Cependant, onmme on le remarque sur la figure 6, il sera également possible de prévoir que les orifices 5 et 6 débouchent dans le passage 2 l'un au-dessus de l'autre suivant X-X du robinet alors que, au contraire les orifices 11 et 14 de la clé 3 sont décalés angulairement l'un par rapport à l'autre de façon que l'orifice 14 soit situé à hauteur de l'un des bords de l'orifice 11.
Par ailleurs, dans ce cas, cet orifice 11 est d'une largeur plus importante que la largeur de l'orifice 6, la largeur de cet orifice 11 correspondant sensiblement à la somme de la largeur de l'orifice 6 et du diamètre de l'orifice 14.
Cette disposition a pour effet que lors de l'ouverture du robinet, orifice 11 commence tout d'abord par se placer en correspondance de l'orifice 6 afin de permettre l'écoulement du liquide, tandis que l'orifice 14 n'est pas encore en correspondance avec l'orifice 5 pour permettre l'entrée de l'air.
Le maintien du joint sur l'embase peut être assuré par la coopération de nervures et/ou de pions prévus sur la face du joint tournée vers l'embase, et propres à coopérer avec des logements correspondants prévus dans I'embase.
Les bandes assurant la liaison entre le ou les contours intérieurs du joint et le contour extérieur sont prévues dans des zones correspondant à des parties de la rondelle qui ne présentent pas de dents ; de telles parties, sur la rondelle, peuvent correspondre à des pattes, ou à une ou plusieurs cosses de raccordement, solidaires de la rondelle et prévues pour assurer soit une liaison mécanique entre la rondelle et un élément complémentaire, soit une liaison électrique avec un câble. C'est le cas, notamment, lorsque ladite rondelle est une rondelle métallique appartenant au dispositif de fixation d'une embase d'antenne de toit pour véhicule automobile.
Dans le cas d'une embase d'antenne, cette embase comprend avantageusement un corps metalliques Mnotamment en alliage léger, revêtu d'un surmoulage en matière plastique relativement dur ; le joint d'étanchéité souple est monté contre la face du surmoulage destinée à être tournée vers la paroi. Les susdits moyens d'appui, formant semelles, sont alors constitués par des surépaisseurs localisées sur ladite face du surmoulage.
La tige de fixation de l'organe présente, génerale- ment, une partie filetée destinée à se trouver entièrement du côté de la paroi opposé à l'embase, et une partie lisse située de part et d'autre de la paroi ; lorsque ladite embase est en matière plastique ou comporte un surmoulage en matière plastique, un manchon solidaire de l'embase est prévu pour entourer la partie lisse de la tige et traverser le trou de la paroi ; ce manchon s'étend, suivant la direction axiale, jusqu'au voisinage- du début de la partie filetée et est destiné, notamment, à assurer le guidage et le centrage de rondelles ou autres pièces destinées à être montées sur la tige de fixation du côté de la paroi opposé à l'embase ; avantageusement, ce manchon présente un dégagement intérieur annulaire, le fond de ce dégagement, éloigné de la partie filetée de la tige, comportant une collerette tronconique dont la petite base prend appui sur la partie lisse de la tige.
Dans le cas d'une embase d'antenne, on est ainsi assuré d'une valeur sensiblement constante pour la distance entre le corps d'embase métallique et la tôle de la carrosserie et donc d'une valeur controlée de la capacité (effet de condensateur) entre le corps d'embase et la tôle. De prefé- rence, la face de l'embase tournée vers la paroi a une forme conjuguée de celle de la paroi L'invention consiste, mises à part les dispositions exposées ci-dessus, en certaines autres dispositions dont il sera plus explicitement question ci-après à propos d'un mode de réalisation particulier décrit en détail avec référence aux dessins ci-annexés, mais qui n'est nullement limitatif.
La figure 1, de ces dessins, est une coupe longitudinale d'un dispositif de fixation d'un organe, constitué par une e@@@se d'antenne, sur un toit de véhicule automobile.
La figure 2 est une vue de dessous du dispositif de fixation de la ligure 1, le toit du véhicule étant supposé enlevé.
La figure 3 est une coupe suivant III-III figure 2.
La figure 4 est une vue en plan d'une rondelle destinée à coo- perer avec 12 paroi du côté opposé à l'embase.
La-figure 5, enfin, est une vue de dessous de la rondelle et de l'embase, sans la paroi du toit.
En se reportant aux dessins, notamment aux figures 1 à 3, on peut voir un dispositif D pour réaliser une fixation étanche d'un organe E sur une paroi-l constituée par une tôle de carrosserie automobile, notamment la tôle du pavillon du toit de l'automobile. L'organe E est constitué, dans l'exemple envisagé, par une embase 2 d'antenne de toit de véhicule automobile, munie d'une tige 3 comportant une partie lisse 4 partant de l'embase, et une partie filetée 5 éloignée de ladite embase. La partie lisse 4 comporte une tête 6 élargie assurant l'accrochage dans l'embase 2.
La tige 3 est destinée à traverser un trou 7 prévu dans-la paroi 1 de telle sorte que la partie filetée 5 se trouve du côté de la paroi opposé a l'embase 2. Des moyens de fixation F, tels que schématiquement représentés, sont prévus pour coopérer avec la partie filetée 5 de la tige, de telle sorte que la paroi puisse être serrée entre les moyens de fixation F et l'organe E. Ces moyens de fixation F peuvent conprendre un écrou 8 vissé sur la partie 5 et un ensemble entretoise 8a disposé entre l'écrou 7 et paroi 1. Cet ensemble entretoise 8a dans le cas d'une embase d'antenne, comprend les moyens de raccordement électriques (non representés) à un câble coaxial.
; S P205 fixé : CEC me.100g-1 # CEC % Cranulat naturel : 0,5 72 : I Traitement 1 X : 2 5 : 78 : 8 Traitement 5 S 8 : 87 103 : 21 Traitement 10 X : 10 : 90 105 : 25 Par contre, la surface spécifique et la porosité intragranulats décroissent avec la quantité de produit fixé dans la microporosíté :
TRAITEMENT % P2O5 fixé:Surface massique:Porosité % m.g - 1 : Témoin 0,03 : 122,4 - 128,5 : 47,5 :2 Bars - 1H - 10 S: 2,80 : 105,4 : 42,3 2 " " 5 %: 8,80 : 59,8 : 37,2 :2 n 10 S: 13,80 : 8,0 : 30,0 : Bars : 1 %: 5,40 : 98,9 : 42,6 4 Bars - 4H - 1 % 5,40 : 98,9 : 42,6 " " 5% 10,40 : 64,2 : 39,1 : " " 10 %: 15,3 : 32,1 : 32,5
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SUBMECRONIQUE PRESENTANT UNE STRUCTURE VERTICALE L'invention concerne les transistors à effet de champ de type Schottky à grille ultra-courte présentant une structure verticale. Elle trouve son application dans les circuits intégrés, de faible consommation, à canmutation ultrarapide, ou bien dans les circuits intégrés fonctionnant en hyperfréquence, notamment dans le domaine des télécougunications.
Les transistors à effet de champ de type Schottky conventionnels sont composés de deux contacts ohmiques, de source et drain, situés de part et d'autre d'un contact Schottky, constituant la grille, disposés sur une couche dite active, de type N, recouvrant un substrat monocristallin seni-i.solant. Le fonctionnement de ces transistors suppose la desertion, sous la grille, d'une partie de la couche active de type N, par application d'un potentiel sur la grille, créant un courant entre la source et le drain dans le canal, ce dernier étant la partie de la couche active située entre la zone désertée et le substrat.
La résistance de grille étant proportionnelle à la lon- gageur de grille, et la frequence de coupure étant inversement proportionnelle à la résistance, il est impératif7 pour augmenter la frequenee de fOnctionnement du transistor, de diminuer la longueur de grille qui est définie conme étant la distance parcourue sous la grille par les électrons.
D'autre part, lorsque le transistor fonctionne en commu- tation, le temps de transit des électrons sous la grille est d'autant plus petit que la longueur de grille est plus faible.
Enfin, lorsque la longueur de grille atteint des valeurs de tordre de quelques dixifflles de microns, longueurs variables selon le dopage de la couche active, il apparat un nouveau phénomene dit transport balistique qui est très favorable.En effet, lorsque la distance parcourue par un électron est plus petite que son libre parcours moyen, alors la vitesse de ltélectron peut être considérée comme maximale (le libre parcours moyen d'un electron étant défini comme la distance moyenne parcourue par l'électron dans un réseau cristallin avant qu'intervienne une collision qui ralentit ltélectron et lui fait perdre partiellement son Les vitesses atteintes par un électron en transport balistique peuvent être 10 fois celles qu'il atteint en régime d'équilibre pour un même champ électrique. Dans ces conditions le temps de transit est considérablement réduit ou la fréquence de coupure augmentée.
Cependant, dans les transistors conventionnels qui pré sentent une structure horizontale dite PLANAR, il n'est pas aisé de réduire la longueur de grille, cette dernière étant limitée par la définition des masques utilisés lors de l'implantation du transistor ou du circuit intégré. C'est pourquoi une structure verticale, ou la longueur de grille est limitée seulement à ltépaisseur d'une couche métallique réalisée par évaporation, apporte un progrès technique important dans la réalisation de transistors à effet de champ pour une application telle que définie dans le préambule.
D'une façon plus précise, l'invention concerne un transistor à effet de champ, de type Schottky, à grille ultracourte et structure verticale, comportant d'une part, sur une face d'un substrat une succession de trois couches éptaxiales respectivement de type N , N et N+ dont les deux couches supérieures sont gravées jusqu'au milieu de ltépaisseur de la seconde couche autour d'un plot qui forme ainsi une saillie constituée de la troisième couche et d'une partie de la seconde et qui supporte, sur la troisième couche, un premier contact ohmique de source ou drain, comportant d'autre part une électrode de grille déposée sur un caisson implanté rendu semi-isolant et formée par une couche métallique d'épaisseur inférieure à celle de la seconde couche épitaxiale dite active, en contact avec un des flancs de la saillie au niveau du milieu de ltépaisseur de cette seconde couche épitaxiale, et comportant enfin un second contact ohmique.
De tels transistors, à grille ultra-courte et structure verticale, sont connus de l'art antérieur par le brevet français n0 1 317 256 et par le brevet européen n0 O 051 504 Ai.
Le brevet français n0 1 317 256 décrit un transistor à effet de champ, à structure verticale (GRIDISTOR) possédant un grand nombre de grilles en parallèle. Mais lorsque la fréquence de fonctionnement du transistor augmente, apparaissent sous les grilles, des capacités parasites élevées. La fréquence de fonctionnement du transistor décrit dans le document cité est donc faible.
D'autre part, la section des grilles étant petite, la résistance électrique de ces dernières est élevée. Enfin, les contacts ohmiques de source et drain sont situés de part et d'autre du substrat, ce qui entraîne l'impossibilité d'utiliser de tels transistors dans des circuits intégrés.
Le brevet européen, déposé sous le n0 O 051 504 Ai, décrit un transistor présentant une structure pratiquement identique à celle du transistor tel que défini dans le préambule de la présente invention. Cependant le transistor réalisé selon le document cité présente également une structure telle que les contacts de source et drain sont situés de part et d'autre du substrat, ce qui entraîne, comme pour le premier document cité, l'impossibilité d'utiliser ce transistor dans l'application aux circuits intégrés.
L'objet de la présente invention est de remédier à ces limitations en présentant un transistor a' effet de champ tel que décrit dans le préambule, remarquable en ce que le second contact ohmique est en contact avec la première couche épitaxiale de type N+ déposée sur le substrat, ce dernier étant monocristallin et semi-isolant, de manière à ce que les trois electrodes soient situées du même côté du substrat.
Dans ces conditions, les transistors réalisés selon l'invention présentent une fréquence de coupure élevée, ou un temps de commutation minimal. Il peuvent de plus présenter une faible consommation. En même temps, ces transistors sont parfaitement in te'gables du fait que les trois électrodes de grille, source et drain sont situées du même côté du substrat. Enfin, la possibilité de réaliser ces transistors sur un substrat monocristallin semi-isolant, à l'aide d'une technologie classique compatible avec celle des circuits intégrés conventionnels, permet de les incorporer sans problème dans des circuits intégrés comportant d'autres types d'éléments actifs.Une telle réalisation permet la fabrication de circuits hyperfréquences intégrés monolithiquement, ou bien celle de circuits logiques à commutation ultrarapide intégrés monolithiquement, cette fabrication pouvant être effectuée, de ce fait, en grande série, avec un coût réduit.
La description ci-après, en se référant aux dessins annexés fera mieux comprendre les particularités et le fonctionnement du transistor dans un exemple de réalisation selon l'invention.
Le dégagement 22 permet de réaliser cette collerette 23 tout en ayant une longueur extérieure 1 suffisante, sans empiéter sur la longueur utile de la partie filetée 5.
Le surmoulage 17 comporte, en outre, en arrière de la tige 3, c'est-à-dire sur la droite selon la représentation de la figure 1, un pion 24 de positionnement destiné à être introduit dans un trou 25 de la paroi 1. Les axes du manchon 21 et du pion 24 sont parallèles et situés dans un plan de symétrie longitudinale P (figures 2 et 3) de l'embase.
Un joint souple d'étanchéité J ajouré est prévu entre la paroi 1 et l'embase 2 ; ce joint J présente, comme visible sur la figure 2, un contour extérieur continu 26 à l'intérieur duquel est prévue au moins une ouverture ou fenêtre wl. Dans l'exemple de réalisation envisagé, quatre fenêtres wl, w2, w3, w4 réparties symétriquement de part et d'autre du plan P sont prévues, et seront décrites plus en détail un peu plus loin. I1 est clair que ces ouvertures ou fenêtres wl ... w4 viennent s'ajouter aux trous 27, 28 nécessairement prévus dans le joint J pour le passage du manchon 21 et du pion 24.
L'embase 2, et plus précisément le surmoulage 17 dans l'exemple envisagé, comporte des moyens d'appui A (voir figure 3) propres à faire saillie, en direction de la paroi 1, dans lesdites ouvertures wl ... w4 du joint J suivant une distance h (figure 3) par rapport à la surface d'appui entre l'embase 2, et plus précisément son surmoulage 17, et le joint J.
Cette distance h est inférieure à l'épaisseur d du joint J au repos, c'est- -dire non serré. Par "épaisseur du joint", on désigne l'épaisseur des parties du joint situées en-dehors des lèvres d'étanchéité. L'ensemble est tel que lorsque l'embase 2 est serrée contre la paroi 1, à l'aide de l'écrou 8, les moyens d'appui A peuvent venir en butée contre ladite paroi 1 après un écrasement c = d - h, du joint. On peut choisir cet écrasement c de l'ordre de 2,5 mm.
Le joint J comporte, en plus du contour extérieur d'étanchéité 26, autant de contours intérieurs d'étanchéité qu'il existe de trous dans la paroi 1 situés à l'intérieur du contour 26. Dans l'exemple envisagé, deux contours intérieurs d'étanchéité formant des bagues circulaires 29, 30 sont prévus pour entourer respectivement les trous 7 et 25.
La bague 29 est reliée au contour extérieur 26 par une bande 31 (figure 2) admettant le plan P comme plan moyen1 et deux bandes 32, 33 disposées à angle droit de la bande 31 et symétriques par rapport au plan P. La bande 31 comporte, du côté opposé à la paroi 1, un pion 34 (figure 1) destiné à être introduit dans le logement 20. Une bande de liaison 35, diamétralement opposée à la bande 31, -est prévue entre la bague 29 et la bague 30. Cette bande 35 comporte un pion d'étanchéité 36, du côté opposé à la paroi 1, destiné à être introduit dans le logement 18. Une bande 37, diamétralement opposée à la bande 35 assure la liaison entre la bague 30 et le contour 26.
Le contour extérieur 26 est prévu pour entourer la périphérie de l'embase 2.
Le périmètre de l'embase 2 et du contour 26 a sensiblement la forme d'un trapèze isocèle comme visible sur la figure 2, dont les côtés sont légèrement convexes vers l'extérieur tandis que les angles sont arrondis en arc de cercle. L'embase 2 comporte, dans son surmoulage 17, du côté tourné vers la paroi 1, une rainure périphérique 38 (figures 1 et 3), de section transversale sensiblement rectangulaire, propre à recevoir une nervure 39 de forme correspondante, prévue sur le joint J. Ce joint J déborde du contour de l'embase 2 et présente un rebord 40 recouvrant la partie inférieure du surmoulage 17. La zone du surmoulage 17 comprise entre la rainure 38 et le périmètre extérieur constitue une sorte de nervure 41 logée dans la gorge de joint formée entre la nervure 39 et le rebord 40.
Une lèvre extérieure 42 est prévue à la-périphérie du joint J ; la hauteur de cette lèvre 42 est relativement grande, par exemple égale ou supérieure à trois fois l'Epais- seur d du joint. Cette lèvre 42 est relativement souple de manière à s'écraser sous un effort réduit.
Les bagues 29 et 30 présentent, du côté tourné vers la paroi 1, des lèvres 43, 44 de hauteur inférieure à celle de la lèvre extérieure 42, mais supérieure à l'épaisseur d de telle sorte que ces lèvres 43, 44 font légèrement saillie en direction de la paroi 1 avant que le joint J ne soit serré.
Les bagues d'étanchéité 29, 30,ainsi que les bandes de liaison 31 à 37, constituent des parties du joint J logées dans des gorges 45, 46, 47 ou analogues de l'embase 2, ces gorges étant avantageusement prévues dans le surmoulage 17.
La section transversale de chaque gorge et, généralement, la dimension transversale de ladite gorge, sont supérieures à celles de la partie du joint J, à l'état non comprimé, se trouvant dans cette gorge de telle sorte qu'un jeu existe au repos entre le joint et les parois de la gorge.
Par exemple, si l'on se reporte aux figures 2 et 3, on voit que la gorge 45, destinée à recevoir la bague 29, est une gorge circulaire, à section transversale rectangulaire, entourant le manchon 21. La dimension radiale de cette gorge est supérieure à la dimension radiale de la bague 29 non comprimée de telle sorte qu'un jeu k radial subsiste entre la bague et la gorge. De préférence, ce jeu est prévu radialement à l'extérieur de la bague 29 dont le diamètre intérieur vient serrer le manchon 21.
Des explications semblables peuvent s'appliquer à la gorge 46 destinée à recevoir la bague 30. Les gorges ou rainures telles que 47 destinées à recevoir les bandes 31 à 37 ont une dimension transversale supérieure à la largeur des bandes de telle sorte qu'un jeu m existe, de préférence de part et d'autre entre les bandes et les parois des gorges ou rainures les recevant.
Ainsi, grâce à l'existence de ces jeux, le joint J lors du serrage, trouvera un espace pour se déformer, et remplir cet espace libre ; il en résulte une déformation du joint J relativement élastique qui contribue à une bonne tenue et à une bonne durée du joint.
Les aérographes (9) étant disposés de manière amovible (c'est-à-dire espaçables selon des intervalles précis et modifiables) sur un support approprié, cette rampe étant elle-même disposée de façon transversale par rapport au tissu (3) qui défile à vitesse constante1 il est possible d'obtenir des rayures en continu et ce, soit en utilisant un ou plusieurs pochoirs (10) présentant des rayures dans le sens longitudinal voire, éventuellement, en supprimant même le pochoir (10), les aérographes (9) étant alors disposés à des intervalles donnés et les jets de vaporisation pouvant être plus ou moins affinés, soit en variant leur intensité, soit en modifiant la hauteur de la tête de distribution (8).Ces deux Systèmes peuvent être utilisés de façon concommitante, permettant ainsi d'obtenir des rayures en continu d'une grande complexité, tant sur le plan du dessin que de la coloration.
Les figures 3 et 4 illustrent respectivement en vue transversale et longitudinale une variante conforme à l'invention dans laquelle la tête de distribution de colorant (8) comporte une pluralité d'aérographes (9) disposés en épis ainsi que cela est représenté à la figure 10.
Dans cette variante, le dispositif comprend également une table d'aspiration (13 et un obturateur réglable (7).
Avantageusement, selon ce mode de réalisation, le dispositif comporte un système d'enroulement complexe permettant - l'avancée;du tissu maintenu droit fil, - son arrêt par repérage mécanique, optique, électronique (une prise de robotisation étant prévue), - la tension du tissu le maintenant fixe dans sa position lors des différentes phases d'impression.