REVENDICATIONS 1.- Dispositif opto-électronique à semi-conducteur du type comportant de' zones P et des zones N alternativement déposées sur un substrat caractérisé. e ce que sur les surfaces latérales opposées, du dispositif, il est formé, d'un côté, une zone P+ (4) et, de l'autre côté, une zone N+ (5) qui s'étendent perj diculairement auxdites zones P et N, d'une manière telle qu'une jonction P-N forme, sinueuse est formée en profondeur dans le dispositif, et en ce que lesdites zones très fortement dopées (4, 5) d'une manière dégénérée sont munies d'électrodes (6, 7) respectivement. 2.- Dispositif opto-électronique selon la revendication 1 destiné à être utilisé comme cellule photovoltalque et plus particulièrement comme cellule sc laire caractérisé en ce que les surfaces prévues pour recevoir la lumière qui sont disposées parallèlement aux zones P (1) et aux zones N (2), sont munies ( lectrodes (10) en forme de peigne qui ne s'étendent que sur une très petite fr tion de ces surfaces et en ce que les surfaces de la zone P qui servent de sur face de réception de la lumière, sont recouvertes d'une zone N+ dopée de maniè dégénérée (8) bien plus mince que la zone P et située entre la zone P et les électrodes (10). 3.- Dispositif opto-électronique selon l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que le semi-conducteur utilise est choisi dans le groupe com prenant le BISULFURE DE MOLYBDENE et HgS2, l'arséniure de gallium et le sulfur de cadmium. 4.- Dispositif opto-électronique selon l'une des revendications 1 et 2 ca ractérisé en ce que la structure de l'élément semi-conducteur est formée par d zones P (3) des zones N (2) en BISULFURE DE MOLYBDENE ayant chacune une épaissi de 1 um environ. 5.- Procédé de fabrication d'un dispositif opto-électronique à semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce qu'il consis à déposer alternativement par épitaxie sur un substrat de type de conductivité des zones de type P et des zones de type N, pour former une structure parallél pipédique, à appliquer une première couche d'oxyde (30), à enlever cette couchez la fois sur une surface qui est parallèle aux zones P (1 et 3) et aux zones N et sur une surface latérale de la structure parallélépipédique qui est perpendiculaire à ces zones, pour y former ensuite des zones N+ (5, et éventuellement 8 et 9) dopées de manière dégénérée, à enlever le reste de la première couche d'oxyde (30) puis a reformer une seconde couche d'oxyde (31) sur l'ensemble de la structure parallélépipédique, à enlever cette seconde couche de l'autre surface latérale de ladite structure opposee pour y former ensuite une zone P+ (4) et enfin a enlever le reste de la seconde d'oxyde pour appliquer ensuite les électrodes (6, 7). 6.- Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce que les zones P (3) et les zones N (2) sont appliquées en une épaisseur de 5 pm chacune sur un substrat (1) de 100 vm d'épaisseur et en ce que la zone N+ finale (8) a une épaisseur de 0,5 pm de sorte que la structure parallélépipédique finale a une épaisseur de 1,1 mm et en ce que les surfaces latérales précitées sont revêtues chacune d'une zone dopée de manière dégénérée de 1 vm d'épaisseur s'étendant perpendiculairement aux zones N et P. 7.- Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'on applique une seconde zone dopée de type N+ (9) de 0,5 vm d'epaisseur sur la surface libre du substrat et en ce qu'on applique des prolongements d'électrode en forme de peigne (10, 40) sur les deux zones dopées N+ (8, 9) parallèles aux zones dopées de type P (3) et aux zones dopées de type N (2). 8.- Procédé selon l'une des revendications 5 a 7 caractérisé en ce que les zones P (3) et les zones N (2) sont dopées avec environ 1019 atomes d'impuretés. cm 3 et en ce que les zones dopées de manière dégénérée sont dopées avec environ 20 -3 10 atomes d'impuretés. cm 9.- Procédé selon l'une des revendications 5 à 8 caractérisé en ce qu'on dépose par épitaxie sur un substrat en BISULFURE DE MOLYBDENE et SULFURE DE MERCURE (1) successivement et alternativement des zones P (3) et des zones N (2) en introduisant alternativement du diborane et de l'arsine dans un courant de MOCl4 + H2. + HgS2. 10.- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que la structure a une larqeur de 20 mm et une longueur de 60 mm.