INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
les éprouvettes moulées sont placées en déssicateur sur Silicagel et séchées de nouveau 24 h à température ambiante sous 0,5 à I mu de mercure avant de réaliser les mesures.
3/ Module en flexion à EH O et 23 C Cette détermination est faite sur éprouvettes de type barreau de 80 x 10 x 4 mm moulées par injection, selon la recommandation ISO R 178.
4/ Résistance au choc entaillé La résistance au choc CHARPY entaillé est mésurée selon la recommandation ISO R 179.
On refait exactement le même essai mais avec 36b g de polycaprolactame et 40 g du polymère préparé à l'exemple 1.
EXEMPLE 13 On opère comme indiqué à l'exemple 10 avec 600 g de polycaprolactame (matrice) et 66,6 g de polyamide préparé selon l'exemple 2.
Après purge de 11 appareillage à l'azote, on porte la température de la masse à 270 C en 1 heure sous une agitation de 10 t/mn. On agite ensuite 3 heures à 2700C et on recueille ensuite le mélange comme précédemment sous forme d'un jonc qui est granulé.
On remarque par étude en microcalorimétrie différentielle que les 2 polyamides engagés au départ restent bien individualisés ; la taille des particules dispersées étant globalement comprise entre 0,1 et 1 p. On trouvera sur le tableau ci-après les propriétés du mélange obtenu.
EXEMPLES 14 à 17 Les quatre exemples suivants ont été réalisés salon la première variante du procédé d'ootention de compositions selon l"invention tel que décrit en page 10. Ce procédé consiste à introduire le polyamide correspondant à la phase souple dispersé dans un prépolyamide.
Le prépolyamide utilisé dont la viscosité inhérente est de l'ordre de 0,9 à 0,95 dl/g correspond au produit obtenu en fin de la décompression lors d'un cycle de polycondensation classique de l'adipate dthexamethy- lène diamine.
Dans un autoclave en inox de 1 litre on charge une solution aqueuse à 50 % d'adipate d'hexaméthylène diamine, et 1,80 g environ d'une solution aqueuse à 10 % d'acide acétique. On porte sous agitation la tempe- rature de la masse à 2200C, ce qui correspond à'une pression. autogène de vapeur d'eau de 18 bars. On distille alors l'eau en 1 h 30 sous 18 bars, en portant la température de la masse à 2600C. Puis on décomprime lentement en I h 30 tout en portant la température de la masse à 27SaC. On introduit alors dans l'autoclave la quantité désirée du polyamide choisi, de haut poids moléculaire et on agite de nouveau pendant 1 heure à 2600C pour homogénéiser le mélange. Ce mélange est enfin soutiré sous pression d'azote et coulé dans l'eau.
On trouvera sur le tableau ci-joint les propriétés des mélanges. obtenus.
On remarquera une nette diminution de la surfusion (a) et une élévation de tg a par rapport à la matrice en polyhexaméthylène diamine.
Dans l'exemple 14, on charge 800 g de solution aqueuse à 50 % d'adipate d'hexaméthylène diamine et 86 g du polyamide préparé à exemple 1. Dans l'exemple 15, on charge 800 g de solution aqueuse à 50 % d'adipate d'hexaméthylène diamine et 38 g du polyamide préparé à l'exemple 1.
Dans l'exemple 16, on charge 800 g de solution aqueuse à 50 Z d'adipate d'hexaméthylène diamine et 86 g du polyamide préparé à l'exemple 2.
Dans l'exemple 17, on charge 800 g de solution aqueuse à 50 Z d'adipate d'hexaméthylène diamine et 86 g du polyamide préparé à l'exemple 3.
NATUDE DE LA PHASE RESISTANCE MODULE EN TAILLE DES NATURE DE LA MATRICE EXAMPLE RENFORCANTE SELON # = Tf-TcR Tg α AU CHOC FLEXION EN PARTICULES ET POURCENTAGE EXEMPLES en J/cm2 DaN/mm2 DISPERSEES A : ployhexaméthylène - 50 C 17 0,56 #0,05 240 # 20 adipamide 100 % B : polycaprolactame - 52 C 28,5 0,616#0,04 248 # 8 100% 11 B 70 % Ex 1 30 % 43 C 52,5 - 168 # 9 0,1 à 1 12 B 90 % Ex 1 10 % 33 C 71,4 0,607#0,04 216 # 4,7 " 13 B 90 % Ex 2 10 % 34 C 105 1,20 #0,02 217 # 5 " 14 Prépolymère A 80 % Ex 1 20 % 32 C 33 0,86 #0,1 224 # 7 " 15 Prépolymère A 90 % Ex 1 10 % 32 C 47,5 0,70 #0,06 231 # 8 " 16 Prépolymère A 80 % Ex 2 20 % 33 C 63 0,91 #0,1 218 # 13 " 17 Prépolymère A 80 % Ex 3 20 % 33 C 52,5 0,98 #0,1 191,5 # 6 " Ces deux mesures après stabilisation d'une heure à 100 C EXEMPLE 18 On exemplifie ici la 2ème variante du procédé selon l'invention. On prépare le sel obtenu par action d'un diamine dimère.(VERSAMINE 52 DE GENERAL MILLS CHEMICAL INC.) ayant un indice d'amine de 195-205 et un indice d'iode de 10 - 20.
sur un mélange d'acides dont l'un est essentiellement un diacide dimère commercialisé sous le nom d'Empol 1010 (voir plus haut exemple 1)-et dont l'autre est essentiellement un diacide trimère constitué par 90 Z en poids environ d'acide trimère ayant environ 54 atomes de carbone et par 10 Z en poids environ d'acide dimère, ce produit étant commercialisé par Unilever Emery sous l'appelation Empol 1041.
Dans un réacteur de 1 1 agité et équipé pour travailler sous atmosphère d'azote on charge : 120,68 g de diamine dimère 21,14 g de diacide trimère (Empol 1041) 108,17 g de diacide dimère (Empol 1010) 250 g de perchloréthylène On laisse à température ambiante et sous agitation pendant une heure. La masse réactionnelle devient très rapidement homogène après introduction des réactifs.
L'entrée-sortie de l'horloge interne 66 (figure 5) est reliée au bus de synchronisation 19, son entrée multiple 67 étant raccordée a la sortie multiple du registre 61.
Unité d'échange d'informations à micro?rocesseur se présente comme un seul circuit intégré à haut niveau en technologie CMOS, placé dans un boîtier a A2 broches.
La longueur de la donnée dus bus de données bidi rectionnels externes 51S52 et 6 (figure 1) est de 8 bits;la micro-instruction arrivant par le bus de micro-instructions 15 a une longueur de 5 bits. Malgré le petit format de la micro-instruction, le répertoire de micro-instructions porte sur un grand nombre de différentes opérations.Cela tient à la présence du registre de modes de functinnement 61 (figure 5! comportant; # une bascule A de roue de microinstructions (voir le tableau 1 donnant les modes de fonctionnement de l'unité d'échange d'information N microprocesseur), une bascule B de décalages, une bascule D de reprise de la micro-instructon, une bascule C d'opérations conditionnelles et une bascule E de chargement des registres de service 57 (figure 4) et 58 avec la micro-instruction arrivant par le bus 15.
Tableau 1.
Bascule du Fonction Etat Modes de fonctionnement registre de de l'unité d'échange modes 61 d'information à micro processeur 1 2 3 4 bascule de 0 1er groupe de micro groupe de instructions micro-ins A tructions ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1 2ème groupe de micro instructions bascule de décalages O Opération sans décalage B 1 opération avec décalage dans le registre à décalage bascule l'exécution de la micro d'opérations O instruction est soumise C conditionnelles au code de condition 1 exécution incondition nelle de la micro-ins truction Tableau 1 suite: 1 2 3 4 Bascule de micro-instruction non reprise de O récurrente la micro instruction D 1 La micro-instruction fait la boucle Jusqu'S l'apparition du code de condition respectif Bascule de la micro-instruction chargement O correspond à l'une des des registres opérations de service E 1 la micro-instruction se charge dans les re gistres de service Chaque micro-instruction donne lieu à l'une des opérations définies dans le répertoire de micro-instructions de l'unité d'échange d'information à microprocesseur.Le répertoire de micro-instructions porte sur les opérations d'écriture et de lecture de l'information à destination ou en provenance des registres de service 57, 58 et 61 (fig'r), de commutation de l'information sur les bus de données bidirectionnels externes 51 (figure 1), 52 et 6, celles de transfert de l'information avec masquage, comparaison et arbitrage entre les bus de données bidirectionnels externes (par exemple, entre le bus 51 ou 52 et le bus 6) et celles de reformage.
Le registre de masque des indicateurs 58 (figure 4) a 4 bits de longueur et comporte les bascules suivantes : F, bascule de masque de la sortie du registre à décalage 45 (figure 2) ; G, bascule de massue de 'a sortie de report du compteur 21 (figure 1) H, bascule de masque de l'indicateur des informations traitées dans le bloc 20 I, bascule de masque de l'indicateur des informations transmises par le commutateur 25.
La fonction des bascules F, G, H et I et le comportement du circuit 53 (figure 4) en conformité avec les codes fournis par les bascules F, G, H et I du registre 58 sont résumés dans le tableau 2.
Tableau 2.
Bascules du Fonction Etat Comportement du circuit registre 58 53 en conformité avec les codes du registre 58 1 2 3 4 bascule de l'information en prove masque de la nance du registre à sortie du re- O décalage est masquée gistre à déca lage F 1 l'information en prove nance du registre à dé calage est démasquée bascule de l'information en prove masque de la nance du compteur est sortie de masquée report du G compteur 1 l'information en prove nance de la sortie de report du compteur est démasquée Tableau 2 suite 1 2 3 4 bascule de l'indicateur de infor masque de 0 mations traitées dans le l'indicateur bloc 20 est masqué des informations traitées dans H le bloc 20 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1 l1indicateur des infor mations traitées dans le bloc 20 est démasqué bascule de l'indicateur des infor masque de mations transmises par l'indicateur le commutateur 25 est des informa- masqué tions trans- 0 mises par le commutateur 25 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1 l'indicateur des infor mations transmises par le commutateur 25 est démasqué Au début, le bloc de commande Il reçoit par e bus 15 sur son entrée multiple 14 (figure 1) une microinstruction de chargement du registre de modes de Fonction nement 61 (figure 5), du registre de masque des indicateurs 58 (figure 4) et du registre de polarité du code de condition 57 a partir de l'un des bus de données bidirectionnels externes Si (figure 1) 52 et 6 La micro-instruction est accompagnée d'un signal de lancement acheminé par le bus de lancement 17 vers 'entrée 16 du bloc de commande Il.
Cette micro-instruction est mémoris-és dans le registre de micro-instructions 62 (figure 5) et décodée dans le décodeur de micro-opérations 63.
Les signaux de commande provenant du décodeur 63 ont pour effet le transfert de 1 information à partir des bus de données bidirectionnels externes Si (figure 1) 52 et 6, à travers les blocs d'échange d'information respectifs 11, 12 et 2, vers les bus de données bidirectionnels internes 91 et 92 et l'entrée de cette information dans les registres de service 61 (figure 5), 58 (figure 4) et 57. Si la micro-instruction commande le chargement des registres de service 61 (figure 5), 58 (figure 4) et 57 par la microinstruction suivante, la bascule E de chargement des registres de service (tableau î), faisant partie du registre 61 (figure 1), se met à 1.
La micro-instruction suivante accompagnée elle aussi du signal de lancement venant par le bus 17 (figure 1) s'implante, en fonction de la valeur de l'un de ses bits, soit dans le registre 61 (figure 5), soit dans les registres 58 (figure 4 > et 57. Le chargement de ces registres fixe les modes de fonctionnement de l'unité d'échange d'information à microprocesseur.
Le passage de chaque micro-instruction fait apparaître à l'entrée-sortie 18 (figure 1) du bloc de commande 11 un signal, témoin de l'exécution de la microinstruction ; il faut noter à ce propos que si ce signal manque, même en présence du signal de lancement suivant sur le bus de lancement 17, la micro-instruction suivante arrivant par le bus 15 n'est pas mémorisée par le registre de micro-instructions 62 (figure 5).
On va envisager, par exemple, le transfert d'un fichier long de k mots entre les bus de données bidirectionnels 51 (figure 1) et les bus de données bidirectionnels Cette opération implique l'exécution d'un microprogramme composé de trois micro-instructions.
La première micro-instruction charge le compteur 21 avec l'information sur la taille du fichier de k mots.
Cette information vient du bus de données bidirectionnel externe 6 à travers le bloc d'échange d'information 2 et le commutateur 25 sur le bus bidirectionnel interne 912 par où elle est ramenée aux entrées-sorties 221 du compteur 21 pour y être mémorisée. L'information sur la taille du fichier de k mots est en complément à 1, c'est-à-dire que si on y ajoute k, tous les bits du compteur 21 passent à 1.
Par contre, si l'on suppose maintenant que le bouton 2 est maintenu appuyé dans une position ou dans l'autre pendant une durée T supérieure à la constante de temps t du monostable 9, la porte 10 ne change pas d'état à la fin du créneau produit par le monostable 9 puisque, à cet instant, la sortie de l'inverseur 11 est encore à zéro. Par conséquent,j,a mémoire M1 reste dans son état ini- tial, c'est-à-dire qu'un état logique 0 est présent à la sortie de la porte 12 et que les transistors T2 et T3 sont bloqués. Par contre, la porte 15, dont deux des entrées connectées respectivement à la sortie de la porte 13 et à la cathode de la diode 7 sont alors à l'état 1, basculecar sa troisième entrée à laquelle est appliqué par le monos table 9 le signal inverse que ce dernier applique à la porte 10 passe. de l'état 0 à l'état 1.La sortie de la porte 15 passe alors de l'état 1 à l'état 0, et il en va de même pour la sortie de la porte 20 de sorte que le transistor T4 se bloque. La base du transistor T. se trou p.
ve à ce moment polarisée à une tension plus basse que la tension d'alimentation en raison du pont diviseur constitué par les résistances R2 et R3, et ce transistor T - p alimente le moteur M plus faiblement que dans le cas d'un appui bref sur le bouton 2 comme décrit précédemment.Il en résulte donc un mouvement lent de la vitre dont on remarquera qu'il commence avec un léger retard par rapport à la fermeture du contact 3 ou 4 correspondant puisque, comme cela résulte de ce qui précède, le transistor de puissance T n'ést rendu conducteur qu'à la fin du cré p neau produit par le monostable 9. Néanmoins, la constante de temps du monos table 9 est suffisamment faible pour que ce retard ne soit pas gênant pour l'utilisateur. Le mouvement de -la.Vitre se poursuit ainsi à vitesse constante tant que l'un ou l'autre des contacts 3 et 4 reste fermé.
Dès qu'on relâche le bouton 2, ce contact s'ouvre et un niveau logique 0 est appliqué à une entrée de la porte 15 dont la sortie passe à l'état 1. La sortie de la porte 20 passe alors à son tour à l'état 1, ce qui a pour effet de rendre le transitor T4 conducteur, lequel bloque le transistor Tp qui interrompt l'alimentation du moteur M, provoquant ainsi l'arrêt de la vitre dans la position choisie.
Si au cours du mouvement de la vitre,que ce soit à vitesse rapide ou à vitesse lente,un coincement se produit,la tension aux bornes de la résistance R5 augmente et, passé un certain seuil,déclenche le comparateur 33 qui produit à sa sortie un signal qui,après inversion,estappliqué par la porte 34 à une entrée de la porte 16.Si au moment de ce phénomène de coincementWla vitre est en train de monté ter,les trois entrées de la porte 16 sont à l'état 1 et sa sortie est à l'état 0 de sorte que le transistor T1 n'est pas alimenté et que le relais 23 est au repos.Dans cesoen- ditions,la porte 34 fait pass-er l'entrée correspondante de la porte 16 à l'état 0 et la sortie de celle-ci passe à l'état l.Le transistor T1 est alors alimenté et actionne le relais 23 qui inverse la polarité aux bornes du moteur M,La vitre se met donc à redescendre jusqu'à ce qu'elle atteigne son point le plus bas.Le circuit de fin de course 14 a alors détecté la venue de la vitre en fin de course et a interrompu l'alimentation du moteur comme décritprécédemment.
La porte 20 rend T4 conducteur par 28 et alimente également la porte 17 par l'inverseur 21,ce qui provoque le basculement de la mémoire M2 qui coupe T1 provoquant ainsi l'arrêt de la vitre en position basse.
A l'inverse,lorsque la vitre descend,le circuit d'anti-coincement 19 est inopérant car au moins l'une des autres entrées de la porte 16 se trouve alorsà lBétat0.
L'interrupteur de fin de course 35 permet la fermeture totale de la vitre en s'ouvrant au moment où la vitre est juste avant la position haute maximale à partir de laquelle l'effort de fermeture ira croissant et provoquera la montée d'intensité dans le moteur nécessaire pour obtenir une fermeture complète et étanche.
L'interupteur peut donc s'ouvrir entre toutes les positions au-dessus du niveau à partir duquel on ne peut plus introduire entre vitre et joint le plus petit membre,pour éviter les lésions(par exemple un doigt d'enfant,soit 4 à 5 mm).
On se reportera maintenant à la Fiv. 2 qui illustre une variante de réalisation du dispositif de commande représenté à la Fig.l,dans laquelle seul le circuit d'alimentation C du moteur M diffère du circuit de la Fig.l.Parconséquent, seule la description de cette partie du dispositif sera reprise,les mêmes références étant conservées pour désigner les composants correspondants sur les deux figures.
Ainsi,le circuit d'alimentation C de la Fig.2 comprend deux résistances supplémentaires R6 et R7 disposées en série avec les résistances R2 et R3,entre cette dernière et la masse.Un transistor T5 est monté en parallèle avec les résistances R6 et R7 et un transistor T6 est monté en parallèle avec la résistance R7.Le circuit amplificateur 27 du transistor T32 est attaqué par la sortie d'une porte NI 36 dont l'une des entrées est attaquée par la sortie de' la porte 12 par l'intermédiaire d'un inverseur 37 etdoetl'au- tre entrée est attaquée directement par la sortie de la porte 16.De mème,les sorties des portes 12 et 16 attaquent les deux entrées d'une porte NI 38 par l'intermédiaire de deux inverseurs 39a et 39b respectivement.La sortie de la porte NI 3-8 attaque la base du transistor T5 par l'intermédiaire d'un circuit ampllficateur 40.Enfln,les deux entrées d'une porte NI 41 sont attaquées respectivement par les sorties des portes 12 et 16,et la sortie de cette porte NI 41attaque la base du transistor T6 par l'intermédiaire d'un circuit amplificateur 42.
Le fonctionnement de ce circuit d'alimentation est le suivant: Lors de la montée rapide de la vitre, la sortie de la porte 12 est à l'état 1 et les sorties des portes 16 et 20 sont à l'état 0. Par conséquent, seul le transistor T2 est alors conducteur et la pleine tension d'alimentation est appliquée à la base du transistor T p ,ce qui correspond bien à la montée rapide de la vitre.
Lors de la montée lente , les sorties des portes 12, 16 et 20 sont à l'état 0 et seul le transistor T6 est conducteur. Par conséquent, la fraction de la tension d'alimentation U qui est alors appliquée à la base du transistor T p est égalera U x R2/(R2+ R3 + R,).
Dans le cas où la vitre descend à une vitesse lente, les sorties des portes 12 et 20 sont à l'état 0 et la sortie de la porte 16 est a L'état 1. Dans ces conditions, les sorties des portes 36, 38 et 41 sont à l'état 0 et les transistors T2, T4, T5 et T6 sont bloqués. La tension qui est alors appliquée à la base du transitor de puis- sance T est égale à U x R2/(R2+ R3 + R6 R7). On cons- p tate que cette tension est inférieure à celle qui prévaut dans le cas de la montée lente du fait que la résistance R7 n'est pas courtwcircuitée , permettant ainsi de compenser le poids de la vitre.
Enfin, dans le cas d'une descente rapide de la vitre, les sorties des portes 12 et 16 sont à l'état 1 et la sortie de la porte 20es'ttoujours à l'état 0. De ce fait la sortie de la porte 38 est à l'état 1 et seul le transistor T5 conduit. La tension appliquée à la base du transitor de puissance T p est de ce fait égale à U X R2/tR2+ R3), valeur qui est inférieure à celle de la tension en montée rapide pour compenser le poids de la vitre comme dans le cas précédent. Cette valeur est néan- moins supérieure à celle de la tension appliquée à la base du transitor Tp dans le cas de la montée lente de manière à assurer une descente suffisamment rapide de la vitre.
Le circuit d'alimentation C qui vient d'être décrit permet donc d'adapter les vitesses aux quatre cas de fonctionnement qui viennent d'être envisagés et, par là, de supprimer les ressorts de compensation qui, normalement, compensent l'influence des masses sur le mécanisme de commande de la vitre en fonction du sens du mouvement.
Bien entendu on notera que le dispositif suivant l'invention n'est pas limité à la commande d'une vitre mais peut être appliqué au contraire à tout panneau ooulissant de véhicule automobile, par exemple à la commande d'un toit ouvrant.
Les déterminations sont faites sur barreaux moulés ayant les dimensions suivantes L = 50 - 0,1 mm - 1 = 6 - 0,2 m ; e = 4 - 0,2 mm longueur de l'entaille 0,8 i 0,1 épaisseur sous entaille 2,7 o 0,2 mm.
On opère sur impactomètre ZIJICK à 230C les éprouvettes étant conditonnées à EH 0.
5/ Détenmination dss groupements terminaux NH2 : Dosage potentiométrique automatique de la solution de polymère dans le mélange phénol-eau 90/10 en poids par HCl. Le résultat est donné en équivalents gramme pour 106 g de polymère.
COOH : Dissolution à chaud sous atmosphère d'azote du polymère dans l'alcool benzylique et dosage acidimétrique sous azote de cette solution chaude par une solution glycolique de potasse en présence de phénolphtaléine. Le résultat est donné en équivalent gramme pour 106 g de polymère.
6/ Détermination de la viscosité inhérente Le polymère séché est mis en solution à 0,5 Z dans le métacrésol. On mesure le temps d'écoulement de cette solution par rapport à celui du solvant pur. La valeur de la viscosité inhérente est donnée par la formule inh = 4,6 (log. tr- log. to) t1 = temps d'écoulement de la solution to = temps d'écoulement du solvant 7/ Analyse microcalorimétrique On caractérise les polymères ou les mélanges de polymères par leur viscosité intrinsèque mais aussi par les caractéristiques de fusion et de cristallisation telles que le point de fusion Tf et le point de cristallisation au refroidissement TcR dont la différence constitue la surfusion b caractérisant la nucléation.Une autre caractéristique de cristallisation essentiellement liée à la vitesse de croissance des cristallites, réside dans la détermination de Tg cr a a étant l'angle formé par 11 horizontale de la ligne de base avec la partie initiale du pic de l'exotherme de cristallisation au refroidissement correspondant à des conditions strictes d'observation, 11 horizontale de la ligne de base et le pic de l' exotherme de cristallisation étant déterminées sur la courbe obtenuélors de 11 analyse par microcalorimètre différentielle de l'échantillon étudié.
Ces détermination sont effectués sur un échantillon soumis à des variations de températures tant en montée qu'en descente de 100C/mn.
L'amélioration de la cristallisation des compositions selon l'invention peut être évaluée soit par la diminution de A comparativement au coefficient # de la matrice polyamide soit encore par l'élévation de tg a qui caractérise l'accélération de la croissance des cristallites.
8/ Transition vitreuse La température de transition vitreuse correspond à la chute brutale du module de cisaillement en fonction de la température.
Elle peut être déterminée sur le graphique représentant les variations du module de torsion en fonction de la température, variations mesurées par analyse thermomécanique au pendule de torsion automatique.
On précise ensuite les caractéristiques des deux matrices utilisées dans les exemples ci-après A/ Polyhexaméthylène adipamide t inox : 1,173 dl/g groupements terminaux COOH : 66,07 groupements terminaux NH2 @ 45,83 Résistance au choc entaillé . 0,56 + 0,05 J/cm2 Module en flexion : 240 - 20 a N/mm2 Tg par analyse thermomécanique : 55 Tf : 2600C TcR = 2100C A = 500C tg a = 17 Teneur en groupementsamidespour 100 g : 0,985 B/ Polycaprolactame @ in@h : 1,263 dl/g groupements terminaux COOH : 45,7 groupements terminaux NH2 : 35,16 Résistance au choc entaillé : 0,616 - 0,04 J/cm2 (stabilisé à 1000C) Module en flexion : 248 - 8 DaN/mm2 (stabilisé à 1000C) Tg par analyse thermomécanique : 410C Tf = 2250C TcR = 173 C A = 52 C tg a = 28,5 Teneur en groupementsamidespour 100 g : 0,885 EXEMPLE 1 Préparation des polycondensats à faibles teneurs en groupements amides pour phases renforçantes.