INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ensuite, au pas JST2, la création d'un report au pas précédent est déterminée, c'est-à-dire que la transition de données d'élément d'image blanc à des données d'élément d'image noir est vérifiée. Si le résultat est OUI, le comptage de la longueur de passage blanc est terminé et est suivi par l'organigramme des figures 22(a)-1 à 22(a)-1 et 23(a;U2, destiné au prélèvement de données codées dans la table.
Par exemple, lorsque des données "noir" apparaissent dans une ligne, l'unité centrale passe du pas JST1 à l'orga- nigramme des figures 22(a)-1 et 22(a)-2 par le pas JS, le nombre du compteur T étant maintenu à 0.
Lorsqu'un 0 apparaît initialement dans les données d'image à 8 bits ou les données d'un octet dans llaccumula- teur ACC, le résultat du pas JST2 est NON et 1 est ajouté au compteur T. En d'autres termes, la longueur de passage blanc de données d'un octet est comptee.
Au pas JST3, l'apparition d'un report du compteur T est déterminée, c'est-à-dire la détermination du fait que l'addition de 1 au compteur T a permis au total d'atteindre 64 bits.? Ce pas'JST3 n'a pas de rapport avec le cas dans lequel la longueur initiale de passage blanc d'une ligne est comptée, mais il devient important lorsque, ultérieurement, le codage de longueur de passage noir est utilisé et est ensuite suivi par un comptage de longueur de passage blanc avec le même organigramme.
Comme l'indique progressivement la description qui suit, lorsque les données d'image à 8 bits de l'accumulateur ACC indiquent un point de transition, la longueur suivante de passage est naturellement comptée après le comptage du reste des données et par prélèvement de l'octet suivant dans la zone RBF.
Comme une fraction inférieure à 8 bits pénètre alors dans le compteur T, le nombre total de bits introduits dans ce compteur dépasse 64 et un report apparaît lorsque "1" est ajouté au compteur T au milieu du traitement des bits.
Si le report apparaît au pas JST3, "1" est ajouté au compteur M pour la préparation des codes d'appoint et le compteur T est mis à sa valeur initiale qui est de 256-64 l'opération est suivie par la soustraction de 1 de BTCI en vue de la conservation dans celui-ci du fait que le comptage d'un bit est terminé.
Si un report n'apparaît pas malgré l'addition de 1, une.unité est soustraite immédiatement du compteur de bits BTCI. Au pas JST4, le fait que le compteur BTCI est à 0 est déterminé. Comme le pas JST3, le pas JST4 prend- de l'importance lors du traitement de fractions inférieures à 8 bits.
Jusqu'à la 'fin du traitement de fractions, les opérations précitées se répètent ; si un point de transition est présent, l'organigramme de prélèvement de données codées commence et, lorsque 64 bits au-total sont introduits dans le compteur T, un 1 est ajouté au compteur M afin que la valeur initiale qui est le complément de 64 soit déterminée dans le compteur T.
Si le résultat du pas JST4 est OUI indiquant que le compteur BTCI est passé à 0, le traitement de l'octet a lieu.
Le traitement de l'octet est réalisé lorsque le résultat du pas JST1 est OUI.
Lorsque toutes les données d'octet sont 0, le nombre "8" est ajouté au compteur T afin que l'apparition possible d'un report du compteur T soit vérifiée.
Si le report apparaît le réglage initial est exécuté à l'aide de la fraction du compteur T considéré.
Ainsi, lorsque les trois chiffres inférieurs du compteur T restent les mêmes, un complément de 64 est établi dans les chiffres supérieurs et une unité est ajoutée au compteur M.
pratiquement évitée étant donné que l'apport de cha-
leur à la masse de la matière est réduit au minimum.
Bien qu'on préfère utiliser un faisceau laser, on peut,
suivant une variante, utiliser un faisceau électroni-
que pour souder les joints articulés selon la présente
invention.
Un autre élément de liaison transversal
préféré représenté en coupe sur la figure 6 com-
prend un axe cylindrique tubulaire ou creux 62 qui est utilisé de la même manière que l'axe 28 précédemment décrit L'axe tubulaire 62 est soudé aux maillons latéraux 16 de la manière précédemment décrite, comme représenté par la soudure 64 sur la figure 6, avantageusement par soudage au laser L'axe tubulaire creux fournit la surface de portée pour le maillon
central 12 Dans ce cas également, les maillons laté-
raux 16 sont disposés dans une relation d'appui appro-
ximativement avec les faceslatérales du maillon central 12 L'axe tubulaire creux 62 offre un certain nombre d'avantages, en particulier une réduction du poids de la chaîne et une diminution consécutive de l'impact de la chaîne sur une barre de scie avec une diminution correspondante du bruit L'axe tubulaire présente des qualités d'amortissement des chocs perfectionnées et il comporte également une surface de dissipation de chaleur supplémentaire et il contribue également à transporter le lubrifiant aux diverses surfaces de
portée de la chaîne En outre, la construction tubu-
laire peut être formée par galetage à partir d'une matière première plate sur une machine à multiples coulisseaux, ce qui réduit la quarité de matière nécessaire Le trou central de l'axe tubulaire peut
également constituer un élément de positionnement com-
mode aux fins de l'assemblage et du soudage Ainsi,
C'est selon cette dernière considération que la variante selon la figure 2 dérive de la figure 1.
En effet, toutes choses étant identiques par ailleurs, on voit que dans ce cass l'ensemble 10-11 constituant le batteur repose dans une coupelle 20 fixée à la partie supérieure de la tige d'amortisseur.
DESCRIPTION AMORTISSEUR A FUSEAUX L'invention concerne le domaine des amortisseurs ; elle peut trouver son application dans tout système mécanique ayant à supporter des variations de charge ou des chocs ; en particulier, cette invention s'applique avantageusement aux suspensions de véhicules, automobiles ou tractés.
Elle a pour objet un système mettant en oeuvre la souplesse des élastomères, combinée avec des évidements de disposition et dimensions judicieuses, de façon à augmenter les facultés d'amortissement en présence d'efforts d'intensité très variable.
Jusqu'à présent, les dispositifs amortisseurs utilisés couramment ont été les suivants - Ressorts métalliques de formes diverses (lames, hélicoidaux, de torsion etc...) - Amortisseurs hydrauliques - Amortisseurs à graisse - Amortisseurs à gaz.
Dans le domaine particulier des véhicules, l'exploitation des propriètés élastiques des élastomères n'a pas permis jusqu'à ce jour d'obtenir des résultats satisfaisants en raison de l'accroissement très rapide de la résistance à la compression lorsque la charge croit ; le résultat peut être satisfaisant sous faible charge, mais la suspension devient trop dure dès que la charge croit quelque peu.
La présente invention permet de palier à ce grave inconvénient.
En effet, l'élément élastique comporte des évidements dont la disposition, la forme, le nombre et les dimensions permettent d'améliorer considérablement les facultés d'amortissement.
L'invention se caractérise donc par la réalisation d'un amortisseur composé d'un élément en élastomère (5) garni d'évidements (10) dont la quantité, les dimensions et la disposition sont adaptés aux cas particuliers à résoudre, sachant que cet élément est sollicité angulairement.
De plus un alésage central assure le guidage en rotation de l'axe (8) du bras mobile (7).
Dans le principe de cette invention, l'élément élastique est intermédiaire entre un élément fixe (2) solidaire du chassis (1) et un bras oscillant (7), qui transmet les efforts appliqués à son extrémité. De plus 11 élément élastique est utilisé comme guidage en rotation de l'axe du bras de suspension.
La présente invention comporte donc dans son principe - une bague fixe (2) comportant un plateau garni de fuseaux cylindriques dont le nombre et les dimensions seront déterminés pour chaque cas d'application.
- un bras (7) supportant, à une extrémité les efforts à amortir, et comportant à l'autre extrémité, un axe (8) de rotation ainsi qu'un plateau garni de fuseaux cylindriques (9). L'axe étant guidé par l'alésage de l'élément élastique.
- un élément élastique (5), intermédiaire entre les deux pièces citées avant, comprenant deux parties distinctes Une partie cylindrique qui s'engage dans la bague fixe, alésée de façon à recevoir l'axe du bras de suspension, dont elle constitue le palier.
Une couronne recevant d'une part les fuseaux du plateau fixe, et d'autre part les fuseaux du plateau calé sur le bras oscillant.
Dans les intervalles séparant les fuseaux, sont pratiqués des évidements judicieusement disposés.
Lorsque la cassette à encre est remplacée par une nouvelle cassette, le réservoir d'encre résiduaire peut donc être
également rejeté.
Si l'encre est aspirée des buses par succion alors que la cassette à encre équipée du réservoir d'encre résiduaire n'est pas montée à l'intérieur de l'imprimante, l'encre aspirée est projetée et dispersée à l'intérieur de l'imprimante et salit les éléments internes de cette'
imprimante et le papier d'enregistrement s'y trouvant.
Dans le cas o le réservoir d'encre résiduaire est séparé du réservoir d'alimentation en encre, il peut
arriver que le réservoir d'encre résiduaire est conve-
nablement placé dans l'imprimante alors que le réservoir d'alimentation en encre n'est pas monté Dans ce cas, aucune encre n'est déchargée par les buses, car l'air est aspiré à l'intérieur des buses sans que ces dernières soient alimentées en encre lorsqu'une succion
est appliquée pour rétablir la fonction des buses.
L'invention a pour objet une imprimante du type à jets d'encre et un dispositif de rétablissement de
fonction par succion, pouvant éliminer tout problème résul-
tant de l'absence du montage d'un récipient à encre à l'intérieur de l'imprimante L'invention a également pour
objet d'empêcher l'application d'une succion de rétablisse-
ment de fonction lorsque le récipient n'est pas monté à
l'intérieur d'une chambre destinée à le recevoir L'inven-
tion a pour autre objet de permettre l'application d'un
capuchon sur une tête d'enregistrement même si le réser-
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1~5/100 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 6D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 2/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 7D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 Première 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 SiH6+GeH4=50 B2H6/(GeH4+Si2H6) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 9D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4= 4/10~0 Première SiF4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiF4/He=0,5 Deuxième SiF4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 10D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/(SiH4+SiF4) SiF4/He=0,05 Première SiH4+SiF4+GeH4 =4/10~0 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,05 B2H6/GeH4+SiH4+ =50 B2H6/He=10-3 SiF4)=3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4+SiF4 0,18 1,5 19 couche SiF4/He=0,5 =200 T A B L E A U 11D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 B2H6/SiH4=5x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-4 T A B L E A U 13D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 B2H6/SiH4=1x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 14D
N D1301 D1302 D1303 D1304 D1305 D1306 D1307 D1308 D1309 D1310 d'échantillon Prémiere Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 15D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 16D
N D1401 D1402 D1403 D1404 D1405 D1406 D1407 D1408 D1409 D1410 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 1E
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 1/1 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 3 GeH4/He=0,05 couche NO/(GeH4+SiH4) NO =2/100 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 2E
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 5 NO =3/100~0 diminution linéaire Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 3E
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 NO =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100 0,18 1,5 2 couche NO B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 T A B L E A U 4E
N D401 D402 D403 D404 D405 D406 D407 d'échantillon Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 5E
N.B. Ces valeurs de ## et Uz pourraient autre améliorées sensiblement suivant les résultats d'exploitation.
Apd = 0,8 ( Drd + Ded ) p r De) C/ DETERMINATION DE LA DIMINUTION DU COEFFICIENT G OBTENU EN ISOLATION PERMEODYNAMIQUE 1/ Déperdition par transmission (par degrés) a/ Valeur de K du module perméodynamique : Ke (déperdition par la face extérieure) avec m = débit massique (Kg.s-1) # = conductivité en (W.m-1.k-1) v = vitesse en (m.s 1) = 2 m/h c = chaleur massique en (,J.Kg k ) e = masse volumique en (Kg.m 3) e = épaisseur en (m) - Valeurs retenues v = 1 m/h # = 0,041 (W.m-1 .k-1) laine de verre e = O,IO m x = 0,0603 m Ke=0,16W/m2/ C b/ Coefficient K moyen du module perméodynamique Compte tenu de l'isolation placée au niveau des joints entre modules :: ke perméodynamique moyen = O,I9 W/m2 K c/ Déperdition par transmission Surface des modules perméodynamiques . Mur sud 10,50 . Mur ouest I9,69 . Mur nord I4,44 . Mur est 3.94 total 48,57 m2 donc Dtd = 59,12 - (0,35 - 0,19) . 48,57 = 51,35 W/ C 2/ Déperdition par infiltration (par degrés) Did = DiA = 1,33 W/ C 3/ Déperdition par renouvellement d'air (par degrès) Dd = DA = 37,40 W / C 4/ Déperdition par la lame d'air intérieure (par degrés) En considérant une vitesse frontale de 2m/h, on obtient le débit Q = 2 x 53,82 = 107,64 m3/h avec S : 53,82 m2 : répartition moyenne des surfaces perméodynamique par appartement.
La température de l'air étant estimée à +170 pour un rejet à +20.
Les déperditions par degrés sont donc : D1d = 0,34 # 107,64 = 36,60 W/ C 5/ Déperdition globale et coefficient G dynamique Dd = d + d + Dd + Dd = 51,35 + 1,33 + 37,40 + 36,60 + 126,68 D t Di r 1 + 126,68 W/ C G dynamique = Gd = 0,75 W/m3/0C D/ BESOIN ANNUEL DE CHAUFFAGE EN ISOLATION DYNAMIQUE SANS POMPE A CHALEUR I Calcul de la surface équivalente Sud S
FA CA DE sud ouest nord est Paroi vitrée A . 7,14 2,65 2,05 S' 0,43 0,43 0,43 f moyen 0,41 0,52 0,56 C1 1 0,56 0,23 S# 1,26 0,33 0,11 1,70 Paroi opaque A 15,88 22,04 14,89 3,94 K global 0,25 0,I8 0,17 0,I6 1/He 0,06 0,06 | 0,06 0,06 f 0,68 0,80 0,80 0,20. C1 1 0,56 0,23 0,56 SA 0,16 0,11 0,03 0,004 0,30 S# résultant 1,42 0,44 0,14 0,004 2,00
SA = 2,00 m2 2/ Calcul du facteur de couverture solaire passive (F) Déperdition annuelle Dd = Gd . v . Dh = 0,75. 1,70. 62 300 = 7 892 164 Wh/an = 7 892 kWh/an Apport interne Ad. = 1 ,5.V . N = 1,50 . 170-. 5500 @ = 1 402 500 Wh/an Soit :D' = Dd - Aid = 6 489 664 Wh/an Ce qui permet de calculer X (rapport des apports solaires sur les déperditions) X = 2,00 . 444 000 = 0,137 6 489 664 Ce qui, compte tenu de l'inertie moyenne du bâtiment nous donne - F = 0,095 3/ Calcul des besoins annuels de chauffage (B) B = D' (A-F) = 64 89 664 (1- 0,095) = 5.873.146 Wh/an E/ BESOIN ANNUEL DE CHAUFFAGE EN ISOLATION DYNAMIQUE AVEC POMPE A CHALEUR (Bo) 1/ Calcul préliminaire Nous avons vu que Bo = B - Apd Apd = 0,8 ( Dpd + Ded) Calcul d'un coefficient G fictif (G*) pour des déperditions égales à 0,8 (D@d + Dtd) = D* = 0,8 (37,40 + 21,11 ) = 46,81 W/ C et donc :G* = 0,28 W/m3 / C 2/ Calcul des apports annuels moyens de la P A C Apd = G*.V.Dh = 2.916.138 Wh/an 3/ Calcul de Bo Bo = B = - Apd = 5.873.148 - 2.916.138 = 2.957 008 Wh/an = 2.957 kwh/an F/ CALCUL DU COEFFICIENT G APPARENT (Ga) On a par définition Bo = Ga . V. Dh Donc Ga = Bo V.Dh Ga = 0,28 W/m3/ C G/ REPARTITION DES CONSOMMATIONS PAR LE CHAUFFAGE ELECTRIQUE DIRECT ET PAR LA P A C La température de fond étant estimée en première approximation à 9 C, nous avons les consommations C chauf.élect. = Ga V.(19-9) C P A C = Ga. V. (9 + 7) Cchauf.élect. = 476 W Cp A C = 762 W Soit un rapport de 1,60 Le procédé d'isolation et les modules objets de l'invention est applicable dans tous les cas où les conditions climatiques courantes sont-compa- tibles avec les caractéristiques générales telles que définies précédemment ceci pour isoler de façon efficace des locaux à usages divers, et particulièrement ceux à usage d'habitation.
DOSIMETRE ELECTRONIQUE A DETECTEUR PROPORTIONNEL La présente invention concerne un dosimètre électronique destiné à contrôler la dose de rayonnements ionisants absorbée par des personnes devant pénétrer dans des zones exposées à ces rayonnements, utilisant un détecteur de rayonnement ayant une réponse sensiblement proportionnelle à l'énergie du rayonnement qu'il absorbe. Par détecteur proportionnel ou à réponse proportionnelle on comprendra ici des détecteurs de rayonnement fournissant des impulsions de courant dont les amplitudes sont respectivement sensiblement proportionnelles (dans certaines limites) à l'énergie cédée à son volume par le rayonnement ionisant (photon ou particule) L'ayant traversé.
L'appareil de mesure le plus précis (de référence) de la dose absorbée est constitué par là chambre d'ionisation ayant une enveloppe en un matériau dit équivalent tissu, dont l'absorption de rayonnement est équivalente à celle du tissu humain. Cette enveloppe définit un volume rempli d'un gaz, contenant deux électrodes respectivement polarisées au moyen d'une tension continue. Les rayonnements traversant le volume ainsi délimité produisent des paires de particules chargées (électrons et ions des molécules de gaz) qui sont attirées vers les électrodes et engendrent dans le circuit comprenant celles-ci et leur source de polarisation, un courant impulsionnel dont la valeur moyenne qui indique la dose absorbée, peut être mesurée aux bornes d'une résistance insérée entre l'un des pôles de la source et l'une des électrodes.La sensibilité d'un dosimètre à chambre d'ionisation augmente avec le volume de gaz contenu dans l'enveloppe, ce qui rend difficile la réalisation d'appareils portatifs miniatures de ce type pour un dosimètre personnel de sensibilité élevée.
L'invention a pour objet de réaliser des dosimètres, notamment personnels (portatifs), pour mesurer la dose absorbée (par le tissu humain) avec des résultats analogues à ceux obtenus au moyen d'une chambre d'ionisation, en utilisant des détecteurs de rayonnement à réponse proportionnelle fonctionnant en mode impulsionnel.
Les détecteurs impulsionnels présentent deux inconvénientsprincipaux suivants: (a) ils fournissent des impulsions discrètes dont le nombre ne suffit pas à caractériser la dose absorbée, il n'est donc pas suffisant de les compter ; (b) la dose absorbée par les corps cristallins scintillateurs ou semiconducteurs varie avec l'énergie du rayonnement incident selon une loi (fonction) différente de celle qui régit l'absorption par la chambre d'ionisation de référence (étalon) à paroi en matériau équivalent tissu.
Toutefois, du fait qu'ils sont à réponse proportionnelle, l'amplitude des impulsions donne une information proportionnelle à l'énergie absorbé, suivant une courbe de réponse que l'on peut corriger au moyen d'une courbe de coefficients de correction en fonction de l'énergie incidente, obtenue par étalonnage avec une chambre de référence (équivalente tissu) et mémorisée. Les techniques de traitement numérique de l'information facilitent grandement l'application du coefficient de correction et le comptage des impulsions suivant leur amplitude qui a été effectué jadis à l'aide de discriminateurs d'amplitude classiques (appelés "pulse height analysers" dans la littérature anglo-américaine).
Un des éléments d'entrée du dispositif de traitement numérique des impulsions fournies par un détecteur proportionnel est constitué par un convertisseur analogique-numérique précédé d'un échantillonneur-bloqueur qui maintient en mémoire analogique chaque impulsion pendant que le convertisseur élabore le mot (nombre binaire) correspondant à l'amplitude. Ensuite, en passant éventuellement par une mémoire vive, on compte le nombre d'impulsions contenues dans les différentes fourchettes d'amplitude, afin d'élaborer la somme des produits des amplitudes moyennes des fourchettes avec le nombre d'impulsions qu'elles contiennent respectivement, ce qui donne la dose absorbée pendant l'intervalle de temps de la mesure.
Les convertisseurs et échantillonneurs précités doivent être très rapides afin de pouvoir traiter jusqu'à 105 impulsions par seconde, ce qui les rend onéreux et peu économes en énergie électrique, de telle sorte que si l'on désire une autonomie supérieure à 8 heures, le poids et le volume des piles devient peu compatible avec du matériel portatif.