INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la composition de traitement selon l'invention, la présence de l'agent de rétention est indispensable: en effet, en son absence, les polypeptidates ne pourraient pas être maintenus à l'intérieur de la couche superficielle des matériaux, exposée aux intempéries, et l'eau dtinfiltra- tion entrainerait les polypeptidates à l'extérieur des matériaux traités, si bien qu'un tel traitement ne pourrait avoir tout au plus qu'une action limite dans le temps.
L'agent de rétention selon l'invention est de nature hydrophobe. I1 est polymérisable à l'air et à la température ordinaire de façon, à pouvoir pénétrer à l'intérieur des pores de la pierre et ensuite polymériser in situ. En outre, il est nécessaire qutune fois la polymérisation achevée, l'agent de rétention forme une protection perméable à l'air et, en particulier, au gaz carbonique intervenant dans la réaction catalysée par les polypeptidates.L'agent de rétention cidessus défini peut être choisi dans le groupe constitué par les siliconates de potassium ou de sodium, les silicates de sodium, de potassium, d'aluminium ou de zinc, les fluoborates, les drésinates, les acrylates, les alginates, les déri vés cellulosiques, les copolymères de vinylpyrrolidone et les mélanges de ces substances On préfère utiliser le méthyl-siliconate de potassium La teneur en agent de rétention de la composition selon l'invention est avantageusement comprise entre 5 et 50 % et est, de préférence, de lo % (ces pourcentages étant exprimés en poids par rapport au poids total de la composition.
La composition de traitement selon l'invention contient avantageusement un agent destiné à faciliter la pénétration de la composition dans les pierres en une quantité comprise en 0,5 et 15 % en poids par rapport au poids total de la composition.
Ces additifs seront choisis notamment parmi les produits suivants 1) Classe des alcools polyhydriques : éthylène-glycol, propylene-glycol, butanes diols (1,3 / 1,2 1,4 et 2,3),hexane diols (1,6 / 2,5),hexylèneglycol 2) Classe des glycols - éthers : mono- ou i1i-(méthyl, éthyl ou butyl )éthers de l'éthylèneglycol, du propylèneglycol et du butylèneglycol; diéthylèneglycol, triethylène- glycol, tétraéthylèneglycol, dipropylèneglycol, tripropylèneglycol, polyéthylèneglycols, polypropylèneglycols (par exemple,ceux vendus par la société WYANDOTTE sous la dénomination "PLURACOL'; polyépichior hydrines (par exemple, celles solubles dans l'eau qui sont vendues par la société WYANDOTTE sous la dénomination "PLURONIC').
3) Tensio-actifs non-ioniques Type : Nonylphénoxypoly(éthylèneoxy) éthanol (par exemple ceux de la série des"AN'1AR0X CO" de la Société G.A.F.) Type : Polyéthers aliphatiques modifiés (par exemple ceux de la série des"ANTAROX BL ou LF" de la Société C.A. F.) Type : Alkylphénols oxyéthlénés modifiés.
4) Tensio-actifs amphotères Type : Dérivés carboxyles d'imidazoline 5) Tensio-actifs anioniques Type 4 Esters organiques phosphatés Type : Sels de sulfate de nonylphénolsoxyéthylénés Type : Sels de sulfate ou d'éthersulfates aliphatiques 6) Tensio-actifs cationiques : Type : Dérivés d'ammonium quaternaires.
La composition de traitement selon l'inven tion est destinée à être appliquée sur les parois extérieu- res d'un bâtiment et elle est, en conséquence, soumises aux conditions climatiques ambiantes Pour que les polypeptida- tes de la composition de traitement selon l'invention puis- sent exercer leur activité catalytique mEme à de faibles températures et pour abaisser également le point de congéla- tion de la composition, on préfère y incorporer un agent antigel compatible avec l'agent de rétention polymérisable et ayant une action stabilisante sur la composition.Comme agent antigel utilisable dans la composition de traitement selon l'invention, on peut notamment citer le monoéthyléther de l'éthylène-glycol ou le dipropylène glycol. La teneur en agent antigel de la composition de traitement est comprise entre 0,25 et 12 % et est, de préférence, d'environ 1 à 5 % en poids par rapport au poids total de la composition La présente invention a également pour objet un procédé de traitement, à des fins de protection, des parois extérieures d'un bâtiment et notamment de parois constituées de matériaux contenant du calcaire, caractérisé par le fait que l'on enduit les parois extérieures du bâtiment à proté- ger par la composition de traitement ci-dessus définie, ladite composition étant appliquée sur les parois extérieures par tous moyens appropriés, tels que l'aspersion, les pulvérisations en surface, l'application à la brosse ou au pinceau, l'iniection sous pression mécanique, les infiltra- tions par gravité, les remontées par capillarité, etc... et étant utilisée à raison de 0,2 à 0,5 kg par m de surface à traiter.
Pour mieux faire comprendre l'objet de la présente invention, on va décrire ci-après, à titre purement illua- tratif et non limitatif, plusieurs exemples de réalisation de la composition de traitement selon l'invention.
A. EXEMPLES SUIVANT LESQUELS LES POLYPEPTIDATES SONT PREPA RES A PART.
a) PREPARATION DES POLYPEPTIDATES.
On prépare une solution de caséinate/gélatinate de sodium en mélangeant lOg de gélatine technique et Sg de caséine lactique et en dissolvant ce mélange dans de l'eau en présence de soude à 10 %, sans toutefois dépasser une valeur de pH de 8,5 environ (virage de la phénolphtaléine).
On prépare par ailleurs une solution aqueuse de sulfate de zinc (ZnSO4, 1H2O), à 150g par litre.
@@ @@@@@ @@@uite 100 @m2 de l@ @@l@@@ On verse ensuite 100 cm de la solution de sulfa- te de zinc dans la solution de caséinate/gélatinate de sodium que l'on a portée à 45 C.
On obtient un précipité blanc-crèmes de caséinate/ gélatinate de zinc, qui est filtré et séché. On recueille ainsi 25g environ de caséinate/gélatinate de zinc.
On peut accéder de la même façon au sel soluble de la caséine et de la gélatine ................. . en utili sant du carbonate de sodium, de la potasse, du carbonate de.
Une épaisseur de couche active (3) de l'ordre de 2 à 5/um semble convenir pour une application en tant que photocathode On forme enfin une couche (4) dite passivante pour empêcher la diffusion de substances indésirables dans la couche active (3) lors des étapes ultérieures de scellement, et pour diminuer la recombinaison des porteurs de charges à l'interface. Une couche passivante (4) de Ga. y Al As d'une épaisseur de l'ordre de 5/um satisfait à y cet usage.
La répartition et l'évolution des contraintes, dans une telle hétérostructure, est#relativement complexe. Les paramètres des mailles cristallines de l'arséniure de gallium (GaAs) et de l'arséniure de gallium et d'aluminium (-Ga1 x Alx As) étant quasiment égaux à la température detcroissance, l'hétérostructure est à cette température (~ 800 C) sans contrainte.Par contre, à la température ambiante, le paramètre de maille du GaAs étant inférieur à celui du Gal,x Alx As et l'épaisseur du substrat provisoire (1) étant largement supérieure à celles des couches épitaxiales (2, 3 et 4), la couche sensible (3) est mise en extension, la courbure de l'ensemble étant telle que, vu depuis la surface libre de la dernière couche déposée (4), l'ensemble de la structure est convexe.
Cette hétérostructure semiconductrice est alors liée à un support de verre (5), transparent aux photons, en vue d'obtenir une photocathode fonctionnant en transmission (Figure 1, dessin b).
Ce support de verre est généralement en borosilicate, et typiquement le verre produit par la firme CORNING, sous la référence 7056.
La liaison est obtenue par thermocompression en élevant la température juste au-dessus de sa température de ramollissement (vers 7000C pour le verre 7056), et en maintenant l'ensemble sous une pression de l'ordre de 10 kg/cm2, le temps necessaire pour que la liaison s'effectue. L'épaisseur du support de verre n'est pas très critique et peut être de l'ordre de 1 à 10 mm Une fois la liaison effectuée, le substrat provisoire (1) et la couche d'arrêt (2) sont décapés au moyen de deux solutions d'attaque différentes ; dans l'exemple décrit, le substrat provisoire (1) de GaAs est attaqué au moyen d'un mélange ammoniaque et eau oxygénée, alors que la couche d'arrêt, insensible à cette première solutiqn d'attaque, est retirée au moyen d'acide fluorhydrique après protection du support en verre.Le produit obtenu comprend alors, sur un support de verre (5) faisant office de fenêtre d'entrée, une couche passivante (4) et une couche active (3), de très bonne qualité.
Lors du scellement, à la température de ramollissement du verre, la structure composite est pratiquement sans contrainte Au cours du refroidissement, lthétérostructure semiconductrice est liée au verre dont le coefficient de dilatation est inférieur à ceux des diverses couches semiconductrices, de sorte que les couches semiconductrices sont mises en extension. L'élimination du substrat provisoire (1) et de la couche d'arrêt (2) peut même augmenter ces contraintes.
Enfin, avant utilisation de cette structure composite comme photocathode, on procède à une désorption sous vide de la surface de la couche active de GaAs, par chauffage jusqu'à une température proche du point d'évaporation congruente du composé, par exemple, pour le GaAs, ce point d'évaporation congruente est voisin de 630 C.
A cette température de désorption, les couches semicon ductrices GaAs/Ga y Al As voient leurs contraintes réduites.
y y A la température de transformation de phase du verre, l'hétérostructure semiconductrice est à nouveau liée rigidement au verre, et la couche active est à nouveau remise en extension.
Du point de vue purement mécanique, il est bien connu que les matériaux résistent mieux à des contraintes de compression qu'à des contraintes d'extension. Ces dernières provoquent notamment des glissements, des dislocations, des microfractures, etc..., alors que les premières apparaissent moins génératrices de défauts.
Du point de vue électronique, les défauts cristallins sont autant de pièges pour les porteurs de charges et de centres de recombinaison, de sorte que la longueur effective de diffusion chute de façon sensible lorsque la densité de pièges s'accroît.
L'invention vise à réduire l'apparition des défauts cristallins dus aux contraintes mécaniques et à améliorer ainsi les performances des dispositifs semiconducteurs élaborés à partir de ces couches cristallines.
Selon la présente invention, telle que décrite en référence à la figure 2, on modifie la composition des couches dites d'arrêt et de passivation, initialement en arséniure de gallium et d'aluminium, par introduction d'atomes de phosphore, de telle sorte que la couche active soit mise en compression au lieu d'être en extension.
Ainsi que représenté à la figure 2a, sur un substrat de GaAs (11) on fait croître une couche d'arrêt (12) de Ga. ?Alx As y Pyf une couche active (13) de GaAs for- tement dopé, et une couche passivante (14) de Ga1##, AlX, As1 y, Pyi Lorsque y dépasse une certaine valeur, dite de seuil et qui dépend de x, on passe d'un état d'extension à un état de compression. De l'ouvrage "Heterostructure lasers" par H.C.
CASEY et H.B. PANISH, publié par Academic Press (1978), il est connu que pour x = 0,34, la quantité de phosphore qu'il convient d'introduire dans ce semiconducteur quaternaire pour obtenir l'accord de maille à la tem#pérature ambiante est telle que y # 0,012 De manière à obtenir un état de compression, il convient alors dans ce cas de choisir y compris sensiblement entre 0,02 et 0,06 sans que la limite supérieure puisse être considérée comme une limite infranchissable, mais plutôt comme un ordre de grandeur.
Dans ce cas, la structure obtenue présente une courbure inverse, à savoir que, vu depuis la surface libre de la dernière couche déposée (14), l'ensemble est concave.
Exemple 94 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 92, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau A3 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les memes conditions que dans l'exemple 92 afin d'obtenir une qualité d'image très claire.
Exemple 95 On procède à une formation de couches d'une manière totalement analogue à celle décrite dans l'exemple 92, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, comme indiqué dans le tableau A4, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 92 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau A4.
Exemple 96 On prépare des éléments de formation d'image de la même manière que celle décrite dans l'exemple 92, sauf que l'épaisseur de la première couche constituant la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau AS.
A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 92 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau A5.
Exemple 97 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau A6 pour obtenir-- un élément de formation d'image pour électrophotographie.
L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à ze 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tunsgtène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes.
Exemple 98 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles décrites dans i'exemple 92, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 92, sauf que les images électrostatiques sont formées à l'aide d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), a une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes.
Exemple 99 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (24 échantillons des numéros 8-201A à 8-208A, 8-301A à 8-308A et 8-601A à 8-608A) en utilisant les mêmes conditions et opérations que celles décrites dans les exemples 93, 94 et 96, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on utilise les conditions indiquées, respectivement, dans le tableau A7 ci-après.
Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un copieur, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni.
L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n'ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc. Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe en aucun cas une détérioration de l'image.
Les résultats de l'évaluation de la qualité d'ensemble de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après des utilisations continues répétées sont donnés dans le tableau A8.
Exemple 100 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 92, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des surfaces de la--tranche de silicium à la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation d'image, développement et nettoyage telles que décrites dans l'exemple 92, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image et on obtient les résultats indiqués dans le tableau A9.
Exemple 101 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui de l'exemple 92, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié, dans la couche amorphe (II), par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation d'une couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 92, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image qui permet d'obtenir les résultats indiqués dans le tableau A10.
lement verrouiller les tiges 110 dans le fond des enco-
ches 112 comme on l'a représenté sur la figure 4 a Le
pivotement de ces leviers 116 permet de dégager le-
tiges 110 lorsqu'on souhaite démonter le corps du vé-
rin 46.
De façon comparable, la tige 46 a du vérin 46, qui fait saillie verticalement vers le haut à partir du
corps de ce vérin, porte à son extrémité des tiges la-
térales 120 qui pénètrent dans des encoches 122 ouver-
tes vers le bas formées dans le rebord inférieur d'une
fourche 124 solidaire du support 14.
Comme l'illustrent les figures 4 a et 4 b, la tige 46 a est solidarisée de la fourche 124 au moyen d'une pièce de liaison 126 Cette pièce de liaison 126 est une pièce amovible qui chevauche la fourche 124 et comporte deux pattes 128 repliées en forme de crochet, dont les extrémités viennent se placer en-dessous des
tiges 120 pour empêcher celles-ci de s'échapper des en-
coches 122 lorsque la pièce 126 est montée, comme l'il-
lustre la figure 4 a La pièce 128 comporte de plus une
tige horizontale 130 qui vient se loger dans des enco-
ches 132 ouvertes vers le haut formées sur le rebord supérieur de la fourche 124, au-dessus des encoches 122 On comprend que lorsque la tige 130 est en appui
de par son doigt pivotant ( 29) à la partie supérieure de la plaque-
support ( 1), pour présenter un ergot ( 28 a) en position d'enclenche-
ment par rapport à la face diamétrale de la dent disposée en amont par rapport à la meule (M), tandis qu'un ressort en épingle ( 30) assure le contact à la façon d'un encliquetage Ce butoir ( 28) est également règlable longitudinalement, de par un bouton de manoeuvre
( 31) suivant l'écartement ( L) compris entre deux dents consé-
cutives pour permettre lors du pivotement du levier d'avance ( 10), la rotation dent par dent de la lame circulaire ( 14) par rapport -4-
à la meule (M).
Selon ces dispositions, la lame circulaire ( 14), engagée sur l'axe-pivot ( 13) est positionnée de par sa dent supérieure (D) contre la meule (M), tandis que par l'intermédiaire de l'axe ( 2) et du doigt ( 11), les leviers ( 3 et 10) oscillant respectivement
suivant les flèches (A et F), permettent d'obtenir le positionne-
ment variable de l'axe-pivot ( 13) et par suite de ladite lame ( 14)
par rapport à ladite meule (M).
Le déplacement angulaire du levier d'avance ( 10) autour du doigt ( 11) suivant flèche A, et entre les deux butées ( 17 et 18),
en combinaison avec l'entraînement en rotation de la lame ( 14) au-
tour de la douille ( 15) permet à la meule (M) de tangenter le pro-
fil de la courbe de dégagement (Dl) comprise entre deux dents
consécutives (D), à seule fin d'en assurer l'affûtage.
Il faut noter que ce déplacement est limité par le butoir de retenue ( 28) qui agit en encliquetage suivant chaque dent consécutive. La profondeur (D 2) du dégagement (Dl) est affûtée au moyen du levier de règlage ( 3) qui oscille autour de l'axe ( 2) suivant flèche F en entraînant ainsi en hauteur la lame ( 14) et le levier
Pigments : dioxyde de titane, oxyde de fer synthétique.
Charges : carbonate de calcium (cristallin), silice.
Caractéristiques : - densité à 200C : 1,80 + 01 - pH : 8,5 + ,5 - consistance : CONSITOR calibre nO 5 - extrait à sec à 1100C : 88,3 + 2 % - taux des cendres à 9000C : 51,5 + 2 % - temps de conservation 1 an en emballages fermés et à l'ombre.
Le temps de mise hors d'eau est d'environ 3 à 4 heures suivant les conditions atmosphériques du moment. Le durcissement total intervient après 2 semaines environ.
Ce séchage lent est le facteur d'une bonne tenue dans le temps évitant le faïençage ou une rétraction due à un-séchage rapide.
Cet enduit plastique est étanche et perméable à la vapeur d'eau ainsi que les deux sous-couches dans une proportion de 100-110 v m2 par 24 heures.
Sa résistance à la sponification en fait un enduit de bonne tenue à l'usage et dans le temps.
Il peut etre classé dans la catégorie des enduits plastiques relativement classiques.
Les couleurs foncées sont à éviter sur les parois exposées au soleil.
PHEPARATIOh AVANT LA MISE E OEUVRE I1 est indispensable que lntreprise d'application, pour la mise en oeuvre de ce système, procède à la mise en place d'un échaffaudage couvrant tout l'ensemble du volume à isoler. Cet échaffaudage lui permettra d'effectuer un travail rationnel, la mettant à l'abri des vents forts et du soleil suivant les saisons.
Le rendement en sera meilleur dans tous les postes que comportent le système, avec une meilleure facilité de travail pour les exécutants.
Quand il s'agira d'une construction neuve, l'Entreprise de Gros-Oeuvre devra présenter un support comportant la meilleure planimétrie possible, Le support devra être exempt de tout faux aplomb, ainsi que de creux et bosses, épaufrures, trous de serre-joints.
Les parties des linteaux et chainages, après décoffrage des joues, devront être correctement surfacées, et les creux remplis par un enduit de rattrapage. Le remplissage des joints de l'appareillage de maçonnerie devra être exécuté avec soin au nu du mur.
A chaque retour d'angle et retour en cueilli du support, il sera procédé à la pose de règles ayant été, au préalable, enduites d'un produit gras de démoulage, afin d'éviter à la dépose une déchirure de l'angle de l'arête réalisée à la suite de la projection.
Ces règles devront être posées parfaitement d'aplomb et maintenus à l'aide de chevillettes de maçon. Elles accuseront une saillie de l'épaisseur de l'aine isolante de projection des mousses de P.U.
L'ensemble de la pose de ces règles donnera les repères pour la planimétrie de la surface à isoler, de ses alignements et aplombs avec les ouvertures tout en facilitant la pose des cornières de renfort.
30) ajouter ce chiffre à l'un des totaux de primaire.
40) compléter la formule par un autre chiffre au niveau de saturation de façon à ce que les trois primaires soient représentées (ou), et que l'on obtienne l'égalité qui permet de vérifier que K = 1.
50) vérifier sur la rosace, que l'on se trouve bien au même niveau de saturation.
- L'autre troisième "chroma" se-ra obtenue en déplaçant les chiffres calculés d'après les 30) et 40), de façon à changer de primaire commune tout en conservant légalité qui conduit à K = 1.
D - Couleurs situées à 1800. (Figure 8) On distinguera a) les oppositions parfaites qui ne comportent pas de primaires communes et se manifestent entre les couleurs primaires et les couleurs secondaires moyennes.