INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En fonctionnement, on fait le vide dans le récipient 1, puis on imbibe d'eau le lit d'orge 3 à l'aide de la tête d'aspersion 17, une couche de mousse se formant par la suite sous le lit 3. On envoie de l'oxygène pur provenant de la source 8 par le bas à travers le lit et le gaz qui s'échappe est recyclé par la tubulure 12, la teneur du gaz ( 02 C02, azote, air, etc..), étant contrôlée ainsi que la température du gaz et celle du lit.
Le débit d'oxygène peut éere de 0,02 kg à l'heure pour 100 kg d'orge. On provoque ainsi la germination de l'orge et une fois celle-ci terminée, on sèche le lit à l'aide du système de séchage 21.
Ce traitement permet de faire germer l'orge en 48 heures environ ( y compris 12 heures d'humidification) alors qu'une telle germination prend habituellement environ 7 jours. En outre, la germination est supérieure et les pertes de produits maltés moindres que précédemment.
Un appareil analogue peut être utilisé pour le traitement à l'oxygène pur de graines de plantes, d'herbes, de céréales, etc... à planter ou semer.
Une variante de l'appareil suivant l'invention pour malter l'orge est représentée sur la figure 2. Cet appareil comprend un récipient comportant un dessus ouvert 50, des parois latérales rectangulaires 51, et un fond fermé 52e Le récipient 50 peut recevoir un lit de graines d'environ 450 à 500 "quarters" d'orge ( le quarter étant égal à 200 kg environ). Le récipient 50 est en béton compact ou en métal et ses côtés peuvent être carrelés ou chemisés, I1 comporte un double fond 53, constitué par des nervures de section triangulaire 54 (fig. 4) pour l'extraction du gaz et de l'humidité pendant le séchage. Un orifice de sortie 55 est ménagé sous le double fond 53.Le récipient 50 peut comporter des parois en béton compacté ayant en surface un pouvoir d'absorption des liquides supérieur à 2%. Le dessus ouvert 56 du récipient 50 est fermé par un couvercle amovible ou diaphragme 57 en matériau flexible tel que du caoutchouc naturel ou synthétique. Le diaphragme est appliqué de façon étanche à l'air sur le récipient 50. I1 comporte à cet effet sur une partie de jupe 59 un bourrelet saillant vers l'intérieur 58 (fig.3) qui peut s'enclencher étroitement dans une gorge périphérique de forme correspondante 60 ménagée sur la face extérieure des parois la térales 51o Le diaphragme 57 peut commodément être fixé sur l'un des bords 61 du récipient 50 et roulé en attendant d'être déroul et enclenché dans la gorge correspondante.La figure 1 représentez en traits mixtes le diaphragme en position roulée. Une feuille perforée ou écran 62 (fig.3) est disposée juste en-dessous du diaphragme 57 et est pressée contre le lit de graines 3 par le diaphragme flexible 57 lorsqu'on fait le vide à l'intérieur du récipient 50. Une série de rainures longitudinales parallèles 63 sont ménagées sur la surface inférieure du diaphragme 57 et coop rent avec la feuille perforée 62 pendant le pressage du grain poi former des passages pour le fluide en direction ou hors du lit 3 Ces rainures longitudinales 63 peuvent être reliées par une ou plusieurs rainures transversales (non représentées) Un passage ménagé dans le récipient communique avec les rainures.
On peut soulever les graines dans le lit 3 et les retourner au moyen d'un dispositif à vis classique, mais il est plus avantageux d'utiliser un agitateur pneumatique (figs. 5 et 6) qui comprend un tube à extrémités ouvertes 65 qu'on dispose dans le lit de grain.Un ou plusieurs orifices d'entrée 66 envoient de l'air sous pression dans l'une des extrémités ouvertes du tube.
Dans cet agitateur pneumatique, les grains sont propulsés dans le tube par le flux d'air, ce qui produit une circulation permanentE des grainse t?fl agitateur analogue peut être monté dans le lit 3 d l'appareil de la figure 1.
En outre des moyens sont prévus pour l'aération et la réoxygénation du lit de grain. Ces moyens peuvent comprendre un vaE poreux en silice 67 (fig.7) immergé dans une solution aqueuse pompée à travers le lit de grain~3 et un conduit pour de ltoxygèn sous pression 68 qu'on fait passer à travers le vase 67.
L'appareil de la figure 2 fonctionne sensiblement comme celui de la figure 1. On laisse les graines s'imbiber d'eau et germer pendant des laps de temps appropriés (par exemple 2 à 3 jou d'humidification et 4 à 6 jours de germination). On petit introduire des additifs tels que de l'acide gilberillique. On fait également passer de l'oxygène pur à travers le lit de grain pendant la germination au lieu de l'air habituel. L'oxygène peut notamment être pompé à travers le lit 3 à partir d'une source appropriée, par le passage 64, les passages 63 et le double fond 53 par effet d'aspiration dans l'orifice de sortie 55. fl se crée ainsi dans le récipient 50 un vide qui fait que le diaphragme 57 presse la feuille perforée 62 contre le lit de grain 3.L'emploi d'oxygèhe pur accélère le processus de germination, la consommation d'oxygène pur étant de l'ordre de 6 kg environ d'oxygène pur par "quarter" d'orge pour l'obtention d' orge complètement germée.
L'emploi de l'écran 62 et du diaphragme 57 avec les passages 63 permet une distribution plus efficace de l'oxygène et d'autres gaz ou liquides dans le lit 3 et facilite la fermeture des grossies cuves de maltage, évitant le recours à des structu res rigides onéreuses et difficiles à manipuler. De plus, le diaphragme et l'écran servent à presser et essorer le grain à la fin de la germination avant séchage.
Un système de régulation peut en outre être prévu pour maintenir et/ou régler la pression et/ou la température à l'in térieur du récipient. On peut également facilement faire le vide à l'intérieur du récipient ou remplacer l'atmosphère gazeuse (ou de vapeur) par de l'air,de l'azote , du gaz carbonique ou d'autres gaz, de la vapeur d'eau, des solvants, des liquides moussants, des solutions d'enzymes, des savons, des solutions de détergents, des mousses, de l'air à basse et haute pression, des solutions alcalines et acides, des solutions d'additifs et d'inhibiteurs (comme l'acide gilberilîique).
- PH5 : acquittement n2e, effacement du niveau 2 mémorisé dans le registre NCE et restauration de l'adresse atsp de traitement suspendu du microprogramme principal P stockée en mémoire pile MP,. Reprise audit traitement (TP) - PH6 : après l'acquittement de n2e, n3a devient prioritaire et passe en exécution (n3e). Inscription du niveau 3 en registre NCE et adresse du traitement suspendu de P sauvegardée en mémoire pile MP.
- PH7 : acquittement n3e, effacement du niveau 3 dans le registre NCE et restauration du traitement de P (TP) - PH8 : n4a devient prioritaire et passe en exécution (n4e). Inscription du niveau 4 en registre NCE et adresse du traitement suspendu de P sauvegardée en mémoire pile MP - PH9 : acquittement n4e, restauration du traitement de P, effacement du niveau 4.
STRUCTURE ET FONCTIONNEMENT DE LA MACHINE VERTICALE Circuits de commande de la machine en mode interne ou externe CVi CVe Ces circuits proviennent de circuits d'aiguillage (CAV) permettant d'aiguiller vers un bus de commandes CW 4 à CV15 les données issues respecti vement du registre MCV de la machine horizontale et du registre A de la machine verticale. CV = MCV si le bit 46 de CH = O et CV = A si ce bit est à 1. Par ailleurs le bus CV04 à CV15 est décodé différemment en mode interne (CVo8=0) ou en mode externe (CV08=1) - en mode interne, c'est-à-dire pour commander les organes de traitement interne des données de la machine verticale, le champ est appelé champ interne CVI (voir figure 2A) - en mode externe, c'est-à-dire pour commander différents périphériques via la liaison LBV, le champ CV est appelé champ externe CVe.
Lesdits circuits sont constitués comme suit (figure 14). Les registres RMC et A ont leurs sorties respectives des bits 4 à 15 reliées en point commun via des circuits à portes CP10, CPii. Les portes du circuit CP10 associé au registre A sont validées ou non selon l'état 1 ou O du bit de commande 46 dudit registre. Les portes du circuit CP11 dudit registre RMC sont commandées via un inverseur I11, par ledit bit de commande. Les sorties de rang 4 à 15 des portes des circuits CP10 et CP11 sont reliées en points communs CVO4 à CV15 réalisant un champ partiel, ledit champ éclatant vers des organes différents de la machine verticale.Ainsi le champ partiel CVO4 à CV07 est appliqué sur les entrées EO à E3 d'un décodeur DCD dudit champ dit "destinataire". Le champ partiel CVO9 à CV13 est dirigé sur les entrées de sélection de l'unité arithmétique et logique UAL. Le champ partiel CV14 et CVt5 est destiné à la commande des circuits de décalage à droite et de retenue (DDR) associés à l'unité UAL. Les champs CVO4 à CV15 sont dirigés sur l'interface d'entrées-sorties IES pour commander l'adressage des périphériques adp et, dans ceux-ci, un adressage complémentaire (adc). vos valide les périphériques.
Les bits O à 3 du registre MCV peuvent être orientés selon le cas, soit sur les entrées EO à E3 d'un décodeur DCO du champ "origine" indiquant l'origine des données à transférer dans le bus BV, soit sur les entrées EO à E3 du décodeur DCD du champ "destinataire".
Ces différents champs opèrent par l'intermédiaire de circuits à portes CP validés par des combinaisons de bits du champ partiel CV08, CVO9. Cette validation s'effectue soit par l'intermédiaire d'un inverseur I13 (CP13 à CP15), soit à partir de CV08 et CVO9 via une porte P012 (CP12), laquelle commande également la validation du décodeur DCO via un inverseur IA12, la validation d'entrée VE de l'interface entrées-sorties IES pour le transfert dans le bus BV des données du bus d'entrée d'informations BEI issues des périphériques.
La validation de sortie VS dudit interface pour le transfert des données de sortie du bus BV sur le bus de sortie d'informations BSI accédant aux périphériques est réalisée par la porte P013.
Les microcommandes mco délivrées en sorties du décodeur DCO du champ "origine" ont pour but de valider les échanges entre les registres de travail tels que A, RM, P, X pris comme origine et le bus BV destinataire. Les microcommandes délivrées en sorties du décodeur DCD du champ "destinataire" sont utilisées pour valider les échanges ayant comme destinataires les registres de travail et comme origine le bus BV.
C'est la polarité O ou 1 en CV08 qui décide de l'utilisation du champ CVO4 à CV15 (champ CV) selon le mode interne CVi ou externe CVe ; par conséquent si le bit 8 du registre MCV de la machine horizontale ou du registre A de la machine verticale est à l'état 0, d'une part la porte P012 verrouille les circuits à portes CP12 et valide, via l'inverseur IA12, le décodage du champ "origine" (bits O à 3), et d'autre part l'inverseur 113 ouvre les circuits à portes CP13, CP14 et CP15 qui autorisent respectivement le transfert du champ "destinataire" (CVO5 à CV07) dans le décodeur DCD, le transfert du champ "ual" (CVO9 à CV13) sur les entrées de sélection de l'unité arithmétique et logique UAL, et le transfert du champ "ddr" (cri4, CV15) sur les entrées d'un décodeur DDR de décalage à droite et retenue (non représenté) associé à l'unité UAL, - si le bit 8 est à l'état 1 et le bit 9 à l'état 0, les circuits à portes CP12 à CP15 sont verrouillés tandis que le champ CV04 à CV15 sort sur l'interface entrées-sorties IES. Le champ CV04 à CV07 donne l'adresse d'un périphérique (adp).
Le champ CV10 à CV15 donne une adresse complémentaire (adc) audit périphérique, ladite adresse désignant un dispositif à commander au sein du périphérique.
Le bit CV08=1 envoyé aux périphériques les valide. La porte P013 commande, via l'inverseur IB12, l'entrée VS de l'interface IES, autorisant ainsi le transfert des données issues du bus BV sur le bus de sortie d'informations BSI.
La porte P012 valide le décodeur DCO via l'inverseur IA12. Le décodeur DCO génère en sortie k, par exemple, une microcommande rbv autorisant le transfert des données originaires d'un registre de travail dans le bus BV - si les bits 8 et 9 sont tous les deux à l'état 1, la porte P012 bloque le décodeur "origine" DCO et débloque les circuits à portes CP12 qui aiguillent le champ de bits O à 3 du registre MCV sur les entrées EO à E3 du décodeur "destinataire" DCD. Ce dernier génère en sortie j, par exemple, une microcommande bvr autorisant le transfert des données originaires du bus BV dans un registre de travail. La porte P012 commande également I'entrée VE de l'interface d'entrées-sorties IES, autorisant ainsi le transfert dans le bus BV des informations issues des périphériques et présentées sur le bus d'entrée d'informations BEI. Les circuits de l'interface entrées-sorties IES sont détaillés figure 15. Les signaux appliqués sur les entrées VE ou VS commandent respectivement des circuits à portes CED, CSD autorisant l'entrée dans le bus BV des données d'un périphérique ou la sortie des données dudit bus vers les périphériques. Des informations diverses d'entrée dve telles que "test périphériques", sont issues des périphériques sur les liaisons DVE.
Des informations diverses de sortie dvs telles que signaux d'horloge, de validation d'horloge, de remise à zéro sont émises vers les périphériques sur les liaisons DVS. Lesdites informations diverses d'entrée et de sortie ainsi que les adresses des périphériques sont transmises directement via l'interface IES au moyen d'amplificateurs inverseurs AIV.
MEMOIRE MUR ET CIRCUITS ASSOCIES (figure 16) La mémoire contient - les instructions du programme - les données mémoires - 16 registres programmables.
Le registre RM permet de lire ou écrire dans la mémoire MUR : Il est le registre de données de la mémoire MUR. Le registre S permettant de lire seulement recueille uniquement les instructions de la mémoire MUR. Ses sorties communiquent aux réseaux RSH, RSP et RSV chargés d'en interpreter le contenu.
Le registre P permettant d'adresser la mémoire MUR tout en s'incrémentant de 1 est le compteur ordinal de la mémoire MUR.
Par conséquent, lorsque après avoir passé le plan transversal dans lequel sont situés les accès de rotation, l'ébauche dont les rives sont rassemblées arrive au niveau des galets aval, elle provoque le basculement des rampes en sens opposé c'est-à-dire dans le sens qui ferme l'angle au sommet du cône, ce qui provoque un pincement de la partie amont de l'ébauche de tube et a encore tendance à en rapprocher les rives.
Dans ce cas, il est avantageux que le galet aval soit monté sur la rampe par l'intermédiaire de moyens élastiques.
Il se réalise ainsi un équilibre, outre les efforts exercés sur la rampe, de sorte que l'angle du cône d'agrafage est optimal.
Dans une forme de réalisation préférée de l'invention au moins certains rampes sont montées mobiles sur un bâti annulaire, des moyens étant prévus pour les bloquer en position sur ce bats.
Dans ce cas, on prévoit de preférence des vérins pour relier les rampes deux à deux, l'une au moins des rampes d'une paire étant mobile sur le bâti.
Le positionnement angulaire des rampes à la périphérie du tube est ainsi réalisé au moyen d'un seul réglage, de sorte que l'on est certain que les rampes sont effectivement disposées suivant une génératrice du cône d'agrafage.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront dans la description qui suit d'une de ses formes de réalisation donnée à titre d'exemple non limitatif.
Aux dessins schématiques annexés - la figure 1 est une vue de face d'une agrafeuse selon l'invention, et - la figure 2 est une vue en coupe transversale à une plus grande échelle d'une unité comportant une rampe selon l'invention.
Comme montré à la figure 1, l'agrafeuse selon l'invention comprend une pluralité d'unités de supports de rampes, 1, disposées sur un bâti annulaire 2. Certaines unités telles que la sont mobiles sur le bâti 2 grâce à des galets 3 (figure 2) tandis que d'autres unités telles que lb sont fixes par rapport au bâti.
Les unités, 1, sont groupées deux par deux, de telle sorte que l'une au moins des unités de chaque paire ainsi formée soit mobile par rapport au bâti. Les deux unités d'une même paire sont reliées par l'intermédiaire de vérins 4 dont le corps est monté sur une des unités d'une paire tandis que l'extrémité de la tige est montée sur l'autre unité de la même paire.
Les unités mobiles lb peuvent être bloquées sur le bâti 2 par exemple au moyen de vérins 5 à blocage mécanique et déblocage hydraulique. On sait que ces vérins sont constitués d'un cylindre dans lequel se déplace un piston dont une des faces délimite une chambre dans laquelle un ressort agit entre le piston et le cylindre et dont l'autre face délimite une chambre dans laquelle un fluide sous pression peut être amené. La tige solidaire du piston de ce dispositif permet d'assurer le blocage et le déblocage des unités lb sur le bâti 2.
Comme montré plus en détail à la figure 2, chaque unité, 1, comporte une rampe 6 montée pivotante sur un axe 7 par rapport à un coulisseau 8. La rampe 6 comporte une pluralité de galets, sept dans l'exemple représenté, dont un galet 9 a son axe situé dans le même plan perpendiculaire à l'axe longitudinal de l'agrafeuse, c 'est-à-dire perpendiculaire à l'axe du bâti annulaire 2, que l'axe de rotation 7.
D'autres galets 10 sont montés sur la rampe 6 en amont du galet 9 par rapport au sens de déplacement du tube matérialisé par la flèche 11, c'est-à-dire que leurs axes sont situés par rapport à la flèche 11 en amont du plan transversal passant par l'axe de rotation 7. En amont du premier des galets 10 est disposé un plan incliné 12.
D'autres galets 13 sont montés sur la rampe 6 en aval du galet 9 c'est-à-dire que leurs axes sont situés par rapport à la flèche 11 en aval du plan transversal passant par l'axe de rotation 7. Ces galets 13 sont montés sur le bâti 6 par l'intermédiaire d'organes élastiques 14 formés de rondelles élastiques.
La libre rotation de la rampe 6 est limitée dans le sens des aiguilles d'une montre par une butée 15 prévue sur la rampe 6 et coopérant avec une butée 16 réglable sur le coulisseau 8 et dans le sens inverse des aiguilles d'une montre à l'aide d'une butée 17 formée par la tête d'un boulon 18 vissé dans la rampe 6 et coopérant avec un prolongement 19 du coulisseau 8.
Les unités, 1, comprennent par ailleurs un fourreau 20 sur lequel est monté un moteur 21 qui, par l'intermédiaire d'un vérin à vis 22, permet d'assurer le positionnement radial de la rampe 6 comme cela va être décrit. Le fourreau 20 porte également les galets permettant d'assurer le déplacement angulaire de l'unité, 1, ainsi que les organes de blocage 5.
La composition C suivante est aussi extrudée à l'état fondu et pastillée Composition C 100 parties DYNH-3 1 partie Dilaurate de dibutylétain 2 parties > Santanox R (non commercial-un anti-oxydant dis ponible en provenance de Monsanto Ltd).
On mélange 95 parties de composition A pastillée avec 5 parties de composition C pastillée et le mélange est moulé par injection en courtes portions de tube. On laisse refroidir les portions de tube résultantes et ensuite on les plonge dans de liteau à 800C pendant 24 heures. On répète le mode opératoire pour un mélange des compositions B et C.
On trouve que les matières produites à partir de la composition A possèdent initialement un allongement à 1500C sensiblement supérieur à celui des matières produites à partir de la composition B.
Exemple 3 Systèmes réticulés par irradiation Des plaques sont préparées d'une manière analogue à celle décrite dans l'exemple 1 à partir de polyéthylèneslinéaires de masse volumique peu élevée de qualité commerciale Sclair (1ifs, 11D, 8105, 8305 et 8405) et de polyéthylènes linéaires de masse volumique peu élevée Gulf 9633 et 9636 en l'absence de tous additifs autres que ceux déjà présents dans le produit de qualité commerciale. Au lieu de l'étape de durcissement par la chaleur de l'exemple 1, les plaques sont exposées à des faisceaux électroniques à des doses de radiation de 10, 15, 20 et 25 Mrads.Ensuite, on examine les diverses plaques pour déterminer leurs modules sécants à 100 46 à 1500C. A des fins de comparaison, on répète le mode opératoire avec les polyéthylènes ramifies de masse volumique peu élevée disponibles dans le commerce suivants, à savoir DYNH-3, PN220 (BXL) et CARLONE 30-002BA (Shell). Les résultats: sont représentés graphiquement sur les figures 1 et 2 et définissent deux enveloppes, l'une caractéristique des polyéthylènes linéaires de masse volumique peu élevée et l'autre caractéristique des polyéthylènes ramifiés de masse volumique peu élevée.Ces figures montrent la plus grande capacité des polyéthylènes linéaires de masse volumique peu élevée de se réticuler à une dose de radiation donnée quelconque par rapport aux polyéthylènes ramifiés de masse volumique peu élevée Figure 1) et les propriétés à chaud supérieures des polyéthylènes linéaires de masse volumique peu élevée réticulés par rapport aux polyéthylènes de- masse volumique peu élevée ramifiés classiques réticulés (figure 2).
Exemple 4 On répète le mode opératoire de l'exemple 3 en incorporant 0,2 '6 de cyanurate de triallyle comme "pro-rad" dans chaque produit avant la réticulation. Les résultats sont légèrement améliorés par rapport à ceux obtenus dans l' exemple 3.
Exemple 5 Afin de montrer comment les homopolymères et copolymères d'éthylène utilisés dans les compositions selon l'invention se distinguent des polyéthylènes ramifiés de masse volumique peu élevée, la figure 3 annexée est une représentation graphique de ss T (Tm - Tc) en fonction de la masse volumique à 250C pour les résines linéaires de masse volumique peu élevée Dupont Sclair 11W1, 8105, 81073, 83074, 83055 et 84056 par comparaison avec des- polymères ramifiés de masse volumique peu élevée disponibles dans le commerce DYNH-37 (Union Carbide), PN 2208 (BXL), Carlona 25-002GA9 (Shell), Carlona 30-002BA10 (Shell), EXXON LT-11711 (EXXON) et Gulf 2604M12 (Gulf Oil), les matières étant représentées sur la figure par les exposants 1 à 12.
Exemple 6 On répète l'exemple 3 à des doses de radiation de 10,15 et 20 Mrads sur des plaques préparées à partir de mélanges de polyéthylènes linéaires de masse volumique peu élevée de qualité commerciale Sclair avec diverses quantités d'un polyéthylène ramifié de masse volumique peu élevée classique et on détermine le module sécant à 100 '6 à 1500C pour chaque plaque. Les résultats sont représentés graphiquement sur la figure 4, indiquant un effet synergique dans les propriétés de module sécant à 100 '6 à 15O0C pour les mélanges réticulés de polyéthylène de masse volumique peu élevée linéaire et ramifié.
Exemple 7 Manchon rétractable à chaud On prépare la composition suivante Sclair 8405 62,55 parties Whiting G400 30,00 parties Vulcan 9 3,00 parties Stéarate de zinc 1,50 partie Maglite D 1,50 partie Irganox 1010 1,25 partie Cyanurate de triallyle 0,20 partie et on la met sous la forme de tube dans une boudineuse de laboratoire dans les conditions opératoires suivantes Température à la zone 1 du cylindre 120-1300C Température à la zone 2 du cylindre 130-1400C Température à la filière 140-1500C Diamètre de la filière 25+ 1 mm Epaisseur de la paroi 1+ 0,01 mm Vitesse d'extrusion 0,4 m/min.
On soumet le tube extrudé à une dose de 10 Mrads de faisceau électronique dans un accélérateur d'électrons et ensuite on le coupe en éléments de 20 cm. Chaque élément est expansé après chauffage sur un gabarit de manière à présenter une expansion de 500 '6, comme mesuré par la modification d'épaisseur de paroi. Le produit contractable par la chaleur résultant est utilisable pour emmanchement sur un support de 26 à 120 mm de diamètre sans danger qu'il se fende.
On répète cet exemple avec l'étage supplémentaire consistant à refroidir rapidement le tube extrudé par immersion dans l'eau dès sa sortie de la boudineuse et on obtient ainsi un accroissement du module de la matière après réticulation.