INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La décharge dans l'atmosphère qui intervint seulement au dernier étage C, est constituée d'air à teneur en eau très élevée, qui est à la température maximale et proche généralement de la saturation. Cela limite beaucoup les volumes d'air déchargé ce qui entraîne un avantage évident d'économie d'énergie et une limitation substantielle des inconvénients dus à une évacuation de grands volumes d'air comme ceux qui seraient expulsés par une tubulure propre à chaque étage avec une teneur en eau assez faible par unité de volume.
L'expulsion d'un-soluse plus faible peut permettre, si nécessaire un traitement d'épuration moins comateux de l'air déchargé et l'adoption facile d'un échangeur de chaleur tel qu'indiqué en 15.
Comme on l'a dit, la réalisation décrite en détail ci-dessus est donnée purement à titre d'exemple, de nombreuses variantes pouvant entre apportées tant en ce qui concerne le nombre d'étages que la configuration particulière de chacun de ees étage le type de circulation d'air d'un étage à l'autre étant essentiel pour l'invention, indépendamment de la disposition ou de la forme des éléments.
La présente invention se rapporte à des interrupteurs horaires thermiques comprenant un thermostat à bilame et une résistance électrique chauffant le bilame dudit thermostat.
L'invention vise à obtenir un interrupteur très petit, très peu onéreux et ne fonctionnant qu'avec une faible production de chaleur.
Selon les caractéristiques essentielles de 1 'inven- tion, la résistance de l'interrupteur est une résistance en couche épaisse et le thermostat à bilame est encapsulé dans un boitier plat en matière plastique sur l'un des cotés plats duquel est montée ladite résistance en couche épaisse. Un tel interrupteur se prête à des utilisations simples dans lesquelles, en fonctionnement normal, la résistance est parcourue en pernla- nence- par du courant électrique. Cet état normal de fonctionnement peut être perturbé par une baisse ou une disparition du courant, voire par une augmentation de ce courant qui parcourt la résistanceen couche épaisse.Dans le premier cas, l'interrupteur est conçu de telle sorte que la température d'enclenchement du bilame soit inférieure à la température correspondant à un fonctionnement normal, tandis que, dans le second cas, elle est supérieure à ladite température en service normal. Dans les deux cas, la commutation résulte d'une réaction à la défaillance constatée, accompagnée d'une temporisation dépendant de l'inertie thermique des composants de l'interrupteur, notamment de la résistance en couche épaisse, du boitier et du bilame. Cet interrupteur est donc temporisé.
En outre, l'interrupteur selon l'invention peut être utilisé pour des cas dans lesquels la résistance en couche épaisse n'est pas parcourue par du courant en service normal, et donc est à la température ambiante ; lorsque, par suite de l'actionnement d'un interrupteur, cette résistance en couche épaisse est ensuite parcourue par du courant, la température de l'interrupteur horaire augmente, et ce dernier effectue une commutation lorsque sa température de déclenchement, supérieure à la température ambiante, est dépassée. Par exemple, la résistance encouche épaisse peut être montée dans le circuit d'un appareil électrique de telle sorte que, lorsque cet appareil est enclenché, cette résistance soit parcourue par du courant et que ledit appareil se déclenche automatiquement après que la température d'enclenchement de l'interrupteur a été dépassée.
De la sorte, l'interrupteur horaire peut être utilisé, par exemple, dans des ventilateurs électriques.
Compte tenu du faible dégagement de chaleur de la résistance en couche épaisse, les températures peuvent être limitées à un niveau relativement faible et ne soulevant aucune difficulté, même lorsque la résistance est chauffée en permanence.
Cependant, pour permettre une utilisation suffisamment fiable du thermostat à bilame, ce dernier doit être suffisamment petit et présenter de bonnes propriétés thermoconductrices. Le choix d'un boîtier plat en matière plastique logeant le thermostat à bilame, et sur un côté plat duquel se trouve la résistance en couche épaisse, résulte de la constatation selon laquelle un boîtier en matière plastique est un mauvais conducteur de la chaleur, mais que la faible capacité thermique de ce boîtier en matière plastique est plus importante encore lorsqu'il s'agit de ne pas obtenir trop lentement la température d'enclenchement malgré une faible transmission de chaleur ou lors du refroidissement de l'interrupteur.
Selon d'autres caractéristiques de l'invention : le bilame de l'interrupteur est situé du côté dudit interrupteur orienté vers la résistance en couche épaisse le ressort de contact de l'interrupteur est fixé d'un côté dans le boîtier, et le bilame conformé en une languette à déclic est monté librement entre des pattes, des crochets ou des supports analogues sur la face dudit ressort de contact tournée vers l'extérieur ; la face efficace du bilame est orientée vers la résistance à couche épaisse ; et dans la région de la résistance en couche épaisse montée à l'extérieur du boîtier, ce dernier est transparent ou translucide.
Ces caractéristiques visent ensemble à améliorer la transmission de chaleur de la résistance au bilame et à accroître la vitesse de réaction de ce dernier. En outre, ce bilame est isolé thermiquement dans une large mesure par le ressort de contact qui possède une capacité thermique relativement grande.
est appliquée à une zone relativement petite de la surface sup-
port 24 a qui entoure immédiatement la région de travail de-
l'outil mobile 16 a.
De préférence, et comme représenté sur la Fig 4, une sé-
rie de cloisons non récupérables 41 a, 41 a s'étendant transver-
salement qui s'étendent entre les parois latérales 36 a, 36 a
et une autre série de cloisons non récupérables 43 a, 43 a s'é-
tendant longitudinalement qui s'étendent entre les parois d'extrémité 38 a, 38 a et intersectent les cloisons 41 a, 41 a
sont disposées à l'intérieur du lit 22 a de poils,comme repré-
senté sur la Fig 4 Les cloisons divisent le lit 22 a en une multiplicité de cellules 39, 39 qui sont isolées les unes des autres de façon à limiter l'écoulement horizontal de l'air à travers le lit tant dans le sens longitudinal que dans le sens transversal et à concentrer la force de maintien par dépression dans la zone immédiate qui entoure l'outil Sur la Fig 4, la chambre à vide 27 a est positionnée de sorte qu'elle peut communiquer avec neuf cellules contig Ues pour
appliquer une dépression à une zone de la surface 24 a défi-
nie par les neuf cellules.
L'organe de liaison rigide 58 a qui s'étend entre le cha-
riot Y 47 a et la botte 26 a de la chambre à vide, comme repré-
senté sur la Fig 3, fournit un moyen simple et relativement bon marché pour déplacer la botte à vide dans au moins deux directions de coordonnées tout en maintenant son alignement
vertical avec l'outil de coupe 16 a; cependant, un tel appa-
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 14B
N B1201 B1202 B1203 B1204 B1205 B1206 B1207 B1208 B1209 B1210 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 1C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 2C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =5x10-3 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-4 T A B L E A U 4C
N C401 C402 C403 C404 C405 C406 C407 C408 d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 5C
N C501 C502 C503 C504 C505 C506 C507 C508 d'échantillon Epaisseur de 3,0 nm 50,0 nm 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 6C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=5/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 7C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=5/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =8x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 8C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =9x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=9x10-4 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 9C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =9x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=9x10-4 0,18 1,5 5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 10C
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =2x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 1D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 2D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 3D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisé des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ Première SiH4+GeH4=50 1000 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 4D
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 5D
A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour donner les résultats indiqués dans le tableau H14.
Exemple 217 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 203, sauf que des images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW > , à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source dé lumière à la place d'une lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolu tion et une bonne reproductibilité des demi-teintes.
Exemple 218 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (72 échantillons allant des numéros 12-201H à 12-208H, 12-301H à 12-308H, .. . ,12-1001H à 12-1008H dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que dans les exemples 204 à 212, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on obtienne les conditions respectives indiquées dans le tableau H15 ci-après.
Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 05,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition l une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n'ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc.Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe, dans tous les cas, aucune détérioration de l'image.
Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après les utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau H16.
Exemple 219 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (IL). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau H17.
Exemple 220 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 péndant la formation de la couche amorphe (II).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau H18.
Exemple 221 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image qui donne les résultats indiqués dans le tableau H19.
Exemple 222 Les éléments de formation d'image respectifs sont préparés par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau H20.
Les conditions communes de formation de couches utilisées dans les exemples précédents de la présente invention sont indiquées ci-dessous Température du substrat : pour une couche contenant des atomes de germanium (Ge) ...
environ 2000C pour une couche ne contenant pas d'atomes de germanium (Ge) ...
environ 250"C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression intérieure de la chambre de réaction pendant la réaction : 40 Pa.
T A B L E A U 1A
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 3 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 2A
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,1 0,18 0,5 20 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3A
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,4 0,18 0,5 2 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-5 TABLEAU 4A
N d'échantillon Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # #: excellent #: bon #: satisfaisant en pratique T A B L E A U 5A
N A501 A502 A503 A504 A505 d'échantillon Epaisseur de la couche 0,1 0,5 1 2 5 Evaluation | # | # | # | # | # | # : excellent # : bon T A B L E A U 6A
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 2 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 PH3/SiH4=1x10-7 T A B L E A U 1B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 2B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 3B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/10~2/ 0,18 0,5 2,0 couche 1000 GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 4B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10~0 0,18 0,5 2,0 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 5B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=8/10~0 0,18 0,5 0,8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 6B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 7B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 8B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 9B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 GeH4/SiF4=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 10B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+SiF4+GeH4 GeH4/(SiH4+SiF4) 0,18 0,5 10 SiF4/He=0,05 couche =50 =1~0 GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 11B
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12B
N B1101 B1102 B1103 B1104 B1105 B1106 B1107 B1108 B1109 B1110 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 13B
DISPOSITIF DOSI.METRIQUE POUR RAYONNEMENTS IONISANTS, EN PARTICULIER GAMMA ET/OU NEUTRONIQUES La présente invention se rapporte à un dispositif dosimétrique pour rayonnements ionisants, en particulier gamma et/ou neutroniques.