REVENDICATIONS 1. Dispositif de commutation à seuil, dans un système comportant une pluralité de composants (1 à 4) répartis en deux groupes interdigités, chaque groupe étant réuni à une source de courant (6 ou 7) de tension déterminée (Vcc) et chaque composant étant réuni à un transistor de programme (8), à raison d'un seul transistor de programme (8) pour deux composants voisins (1 et 2) du premier et du second groupe de composants, l'orientation du courant vers le composant programmé se faisant par l'intermédiaire d'un commutateur à seuil (16), caractérisé en ce qu'il est constitué par un élément à effet de varistance, comportant deux parties dont-la première, corses pondant au passage du courant depuis une première source de courant (6) vers le transistor de programme (8) à travers un seul composant (1), a une tension de seuil (V1) inférieure à la tension (Vcc) de la source d'alimentation, et dont la seconde, correspondant au rebouclage du courant depuis une première source de courant (6) vers une seconde source de courant (7) à travers deux composants (1 et 2) programmés par le même transistor de programme (8), a une tension de seuil (V2) supérieure à la tension (Vcc) d'une source de courant. 2. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est réalisé sous forme de dépôt par sérigraphie d'une pâte sérigraphiable à base d'oxyde de zinc, dopé par au moins un parmi les oxydes de bismuth, cobalt, antimoine, manganèse, nickel. 3. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 2, caractérisé en ce que, les deux sources de courant (6, 7) ayant la même tension (Vcc), la composition de la pâte sérigraphiable et les dimensions des éléments à effet de varistance (16) sont choisis de façon que la tension d'alimentation (Vcc) soit comprise entre la tension de seuil (VO) d'un élément È effet de varistance et le double de cette tension de seuil (VO 4.Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est disposé entre les composants (1 à 4) et les transistors de programme (8, 9, 10) et est réalisé sous forme d'une bande continue (26), électriquement réunie aux composants (1 à 4), par une première série de métallisations (24) et aux transistors de programme (8, 9, 10) par une seconde série de métallisations (25), la bande continue (26) et les métallisations (24 et 25) ayant une géométrie telle que la chute de tension (V1) entre deux métallisations (24 et 2S) de la première et de la deuxième série est supérieure à la tension de seuil (VO) de la varistance, tandis que la chute de tension (V2) entre deux métallisations d'une même série (24) est inférieure à la tension de seuil (VO) de la varistance. 5. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est disposé entre les composants (1 à 4) et les sources de courant (6 et 7), et est réalisé sous forme d'éléments séparés (19, 20, 21), chacun de ceux-ci étant réuni par l'intermédiaire de métallisations (23) à deux composants d'un même groupe (2 et 3, 4 et 5), la chute de tension à travers un premier élément à effet de varistance (19) étant supérieure à la tension de seuil (VO) ce qui permet le passage du courant depuis une première source de courant (6) vers un transistor de programme (s) à travers un premier composant (1), le rebouclage du courant vers une seconde source de courant (7) à travers un second composant (2) étant rendu impossible par un second élément à effet de varistance (20), la chute de tension à travers les deux éléments à effet de varistance (19 et 20) en série étant inférieure à la tension de seuil (GO,. 6. Dispositif de commutation à seuil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les composants commutés sont des résistances chauffantes. 7. Dispositif de commutation à seuil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les composants commutés sont des lignes de cristaux liquides smectiques.