INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En se déplaçant ainsi le piston 38 ferme l'orifice 53 et la totalité du liquide venant de la chambre 6 est envoyée par les canaux 72 et 15 b, et par le clapet 54', vers la chambre 17. La translation du piston 38 est protégée en fin de course coté canal 112 par la chambre-butée hy- hydraulique 62, où est emprisonné du liquide lorsque le piston revient à sa position initiale comme dans la figure 6, et du coté du moindre dia.
mètre par la chambre 63 qui est alimentée par le passage 67, de liquide retenu par le clapet 68a la butée hydraulique se produit lorsque le pas- sage 67 est fermé par le piston 38. La vis-cylindre 64 sert de guide au piston 38 du coté du diamètre réduit, et de séparation entre les cham- ères el et of, avec les joints d'étanchéité 65 et 66.
Le réglage du volume de liquide refusé par le calibrage 57 définit son accumulation plus ou moins rapide pour la mise à hauteur constante La figure @ complète les figures 5, 6 et 7, donnant ainsi une vue d'ensemble de la partie amortissement.
La figure 9 représente le dispositif de maintien à hauteur constan@ te proposé dans les figure 9 et 4. Ce dispositif comprend : : une bague 101 avec épaulement pour son positionnement dans la base 10, et un seg ment d'étanchéité 11; une bague 101 a joint et gorge extérieure 97 ## gorge intérieure et @rifice 18; une bague 101 b avec joint et gorge 97, segment 11 et gorge intérieure et orifee 20; une bague 101 r avec joint et gorge 97, segments 11, et filetage ou autre moyen de fixation 102, de l'enserible de ces bagues dans leur logement dans base 10; la tige 1 avec les rainures-tir@irs 19 et 40. Ce mode d'assemblage permet la mise en place de segments d'étanchéité et d'usure sans jeu à la coupe 5 travaillant. sur leur face interne, au contraire des segments connus nui sont logés dans le piston et travaillent sur la face interne d'un cylindre. Etant monobloc, et d@ fait de sa conception, le dispositif présentement décrit est facilement interchangeable.
La figure 10 représente une variante de l'ensemble de la figure 4.
Le ressort de suspension 28 est place entre la plaque supérieure de fixation 31, et la plaque de maintien 96 sur le piston creux 24. Elle monS tre la position la plus basse du dispositif entre chassis et essieu.
On y voit la hauteur de liquide restant dans la chambre 17, y formant un espace anti-butée hdraulique, l'orifice d'échappement 18 étant fermé @ar le segment 25. Une garde est conservée dans le fond du cylindre 5, entre piston 4 et fond 43.
La figure ll représente le même ensemble dans sa position normale de hauteur constants. La hauteur du liquide dans la chambre 17 sera dif férente suivant la charge sur le ressort 28.
La figure 12 représente l'ensemble dans sa position la plus haute, par exemple roue pendante, lorsque le véhicule est soulevé du sol. Le piston 4 est en bout de course contre la base 10. Les chambres 17, 6 et 7 par l'amortisseur de descente 42, les canalisations 18 et 20 communiquent entre-elles, par la rainure 40, permettant au piston 4 de redescendre dans une position nor8ale, La petite partie non rainurée 40 c, entre 40 et piston 4, est destinée à ralentir l'approche dus piston 4 et base 10 en fin de course, l'échappement ne se faisant à ce moment que par l'amortisseur 42'. et le canal 15.
Les figures 13, 14, 15, 16, montrent le fonctionnement du dispositif de rattrapage du déplacement du centre de gravité, dont les cylindre 73 et piston 74 sont visibles dans la figure 29 à laquelle il sera fait référence pour les explications qui suivent, pour les élément non-por- tés sur les figures maintenant étudiées.Elles seront considérées en tenant compte oue le passage reste ouvert à un niveau quelconque situé entre les canalisations 18 a et 18 b d'une part, et 18 e, 18 d ou 18 e d'autre part, par l'intermédiaire de la rainure l9, le liquide circu- lant ainsi jusqu'au cylindre 73.
La figure 13 montre ce cylindre à deux diamètres différents, dans lequel coulisse Un piston 74 maintenu dans la position indiquée représentant une charge minimale jusqu'à moyenne de la suspension9 par un ressort 76 dont la poussée est réglable par la vis 80. Par la canalisa- tion 81 le liquide de la chambre 17( repère encadré on haut dans la figure 13 ), parvient directement dans la chambre 78- Par le conduit 75 il atteint en 85, calibré pour freiner les mouvements de translation du piston 74, la chambre 77, et es 82 calibré dans le même but, la butée hydraulique 103.La pression est identique dans les trois chambres préci- tées.La canalisation l8g venant du cylindre 90 de mise à des hauteurs différentes communique par le moindre diamètro du piston 74 avec l'écou- lement 91, puis 20, vers le réservoir 13 Une canalisation 83 fermée par le piston 74 est reliée à l'écoulement 20. La canalisation 84 est une décompression de la chambre 790 Le piston 74 ayant ses deux extrémité3 à des diamètres différents, le ressort 76 s'ajoute å la pression de la chambre 77 pour équilibrer celle de la chambre 78 avec butée 103., de diamètre plus grand.
Ce qui suit est la description de la procédure réelle.
Ainsi que le montre la Fig. 1(A), on regroupe N fibres optiques pour fabriquer un raccord conforme aux techniques classiques, à savoir le chauffage des fibres au moyen d'un microochalumeau oxypropane 2, la torsion et la fusion des fibres optiques tout en les soumettant à un étirement afin de réduire la zone conique 3 autant que possible ainsi que le montre la Fig. 1(B). L'étape suivante comporte l'inversion de la machine à étirer (non représentée) qui éxerçait la traction nécessaire à la conicité des N fibres 1 torsadées et fondues, afin d'exercer à présent une poussee sur les sections coniques 3 tout en chauffant cette zone à l'aide du micro-chalumeau 2 afin de former une boule de verre 4 ainsi que le montre la Fig. 1(C), dans le but de déformer les coeurs des N fibres 1.
La boule représentée par la-Fig, 1(C) est alors chauffée au moyen du micro-chalumeau 2 et étirée à nouveau jusqu'S ce que le raccord de fibres optiques soit conforme au comportement recherché et corresponde à la Fig. 1 (D) I1 existe une autre méthode dont certaines étapes sont représentées par la Fig. 2. Les étapes de formage conduisant à la zone conique minimale 3 sont identiques à celles illustrées par les Fig. 1(A) et 1(B) dans la méthode selon la Fig. 2, et le résultat apparait sur la Fig. 2(A). On entaille la section conique minimale 3 avec un diamant, puis on l'étire afin de séparer les sections coniques ainsi que le montre la Fig. 2(B).
On repousse ensuite les deux moitiés l'une contre l'autre et on les ressoude par fusion à l'aide du micro-chalumeau oxypropane afin d'obtenir la structure illustrée par la Fig. 1(D).
I1 reste bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif et que d'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir pour autant du cadre de l'invention.
STRUCTURE COMPOSITE VERRE-SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIFS REALISES A PARTIR DE CELLE-CI L'invention concerne une structure composite, obtenue par liaison à un support de verre, de diverses couches de matériaux semiconducteurs sous la forme de composés z -T binaires ou pseudo-binaires. L'invention a trait notamment aux dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs, c'est-à-dire aux dispositifs permettant la manipulation (transmission, traitement, et stockage) d'informations d'origine optique, au moyen d'un ensemble électronique, dans lesquels les semiconducteurs interviennent d'abord en tant que transducteurs entre les photons et les électrons, du fait des fortes interactions entre ces deux types de particules au sein de ces matériaux.L'invention a trait plus particulièrement aux photocathodes de type m-v, ainsi qu'aux dispositifs à transfert de charges (CCD pour "charge-coupled device").
Dans ces dispositifs optoélectroniques particuliers, il apparaît, du fait du scellement entre une hétérostructure semiconductrice et un support de verre, à des températures relativement élevées, des contraintes d'origine thermique qui se traduisent gé néralement par une courbure de ces structures composites, mais qui peuvent également conduire à la dégradation des qualités du semiconducteur et, à l'extreme, à des fractures du matériau actif, préjudiciables au bon fonctionnement desdits dispositifs.
L'invention vise à pallier les susdits inconvénients par une meilleure adaptation entre la structure semiconductrice et le support de verre.
Conformément à la présente invention, cette structure composite est remarquable en ce qu'au moins une couche de matériau semiconducteur est formée par un composé n-aire | , les éléments substituants et leurs proportions dans ledit composé n-aire étant choisis de telle sorte que la couche active de l'hétérostructure semiconductrice soit initialement dans un état de compression, alors que la liaison ultérieure de ladite hétérostructure au verre a pour effet de diminuer cet état de compression, sans toutefois passer en un état d'extension.
De cette manière, on obtient initialement une structure semiconductrice, dont la couche active est fortement contrainte en compression, mais qui après scellement sur le support de verre, au retour à la température ambiante, est faiblement contrainte en compression, du fait de l'action du support.
La description qui va suivre, en regard des dessins annexés, donnés à titre non limitatif, permettra de mieux comprendre comment l'invention s'exécute et se poursuit.
La figure 1 représente les différentes étapes de réalisation, de scellement et de recuit d'une structure composite, selon l'art antérieur.
La figure 2 représente ces mêmes étapes, selon la présente invention.
Un exemple typique de structure composite verre-semiconducteur(s) est constitué par la photocathode II1-#, telle que décrite par exemple dans le brevet déposé aux Etats-Unis d'Amérique, le 18 novembre 1974, sous le n0 524.681, au nom de G.A. ANTYPAS, sans que cela puisse constituer une quelconque limitation à la présente invention, qui prétend s'étendre à toute forme de structure composite, telle que par exemple les dispositifs à transfert de charges, etc...
La fabrication d'une telle structure comprend des étapes de réalisation d'une hétérostructure semiconductrice, de scellement sur un support de verre et enfin de traitement thermique sous vide, ces étapes étant décrites en référence à la figure 1, dessins a) b) et c).
La réalisation d > une hétérostructure semiconductrice (figure 1, dessin a)) consiste à faire croître, typiquement par épitaxie en phase liquide, sur un substrat provisoire (1) d'un composé m-z, tel que l'arséniure de gallium GaAs, une couche (2) dite d'arrêt chimique Ga1 -x Alx As, qui agit comme une couche d'arrêt ns-à-vis de l'action de la solution de décapage utilisée pour enlever le substrat provisoire (1)-. Une épaisseur de couche d'arrêt (2) de l'ordre de 0,5 à 5 /um a conduit à des résultats satisfaisants.On fait croître ensuite une couche (3) dite active, généralement d'arséniure de gallium très fortement dopé jusqu'à 1019 cm 3 par exemple au moyen des eSpèces dopantes germanium (Ge) ou zinc (Zn) ou encore d'une combinaison d'espèces dopantes, ce qui permet d'aecroltre le dopage sans nuire à la qualité cristalline de la couche, ainsi que décrit dans la demande de brevet n0 82 18 255 déposée le 29 Octobre 1982 au nom de la Demanderesse.
Enfin, les deux éléments de grille 10 et 20 peuvent être polarisés, comme cela est représenté sur les figures 3 et 4 par une même source de polarisation. Mais ils peuvent être également polarisés indépendamment, ce qui permet une action bi-grille très efficace. Enfin, les deux métallisations de grille 10 et 20 peuvent prendre différentes formes: elles peuvent être constituées par deux métallisations qui, vues à la surface de la couche active 9, se présentent comme deux rectangles placés de part et d'autre du rectangle qu'est la métallisation de drain 16. Mais ce peut être également les deux éléments, séparés parce que vus en coupe, d'une unique métal libation carrée ou rectangulaire, qui entoure la métallisation de drain 16.
Dans ce dernier cas, il est évident qu'il n'est plus possible de polariser les deux éléments de grille indépendamment puisque ce sont deux éléments prélevés dans une unique métallisation, donc à un même potentiel.
En ce qui concerne la résistance passante d'un tel transistor à effet de champ, il a été dit précédemment que la métallisation Schottky de drain 16 étant polarisée en directe, elle ne présente que peu de résistance. Par ailleurs, la métallisation de source est de préférence large et la résistance source-canal du transistor, qui est normalement un effet parasite non négligeable, en est minimisée. Enfin, s'il est nécessaire d'obtenir davantage de puissance, parce que les limites dans les tensions ou dans les résistances passantes sont atteintes, il est facile de construire un transistor à effet de champ en associant plusieurs petits transistors connectés en parallèle, les contacts supérieurs de grille et de drain étant interdigités, sans croisement, ce qui diminue les capacités parasites.
En ce qui concerne la réalisation du transistor à effet de champ selon l'invention, la fabrication sur un substrat conducteur apporte une compatibilité du point de vue de l'intégration avec d'autres composants qui jusqu'à présent ont été difficilement intégrés avec les transistors à effet de champ par exemple les diodes Gunn, les lasers, les diodes émettrices de lumière.
La simplicité de la structure unipolaire fait que la réalisation d'un tel transistor n'a pas d'exigence sévère sur la pureté de l'épitaxie réalisée et ce dispositif peut se faire par épitaxie en phase vapeur, en phase liquide, organométallique ou par jet moléculaire. En outre, et cela a déjà été dit, l'arséniure de gallium n'est pas le seul matériau envisageable: l'arséniure de gallium aluminium, le phosphure d'indium, ou le silicium entre autres conviennent parfaitement à la réalisation d'un tel transistor.
Enfin, la réalisation d'une unique métallisation de contacts ohmiques 15 sur la surface libre du substrat et d'une unique métallisation Schottky 10 + 16 + 20 sur la surface libre de la couche épitaxiale, suivies éventuellement d'une gravure pour délimiter ces métallisations, rendent beaucoup plus facile et fiable la fabrication du dispositif.
L'invention a été décrite en s'appuyant sur un exemple de réalisation, mais il est évident pour l'homme de l'art que des variantes peuvent en être facilement obtenues sans pour autant sortir du domaine de l'invention, qui est précisé par les revendications suivantes.
ARTICLE REMBOURRE POUR ELEMENT D'ARMATURE DE SIEGE.
L'invention concerne un article rembourré pour élément d'armature de siège au type comportant un chassis, un rembourrage solidaire dudit chassis et une garniture enveloppant simultanément lesdits chassis et rembourrage.
On connait par le brevet FRA 2.259.7i7 une armature de dossier de siège portant des éléments latéraux rapportés. Le rembourrage d'un tel siège nécessite la confection séparée des articles de rembourrage des éléments latéraux avant montage des éléments latéraux rembourrés sur le dossier.
Le démontage de tels rembourrages en vue d'un nettoyage ou d'une réparation est de ce fait relativement compliqué.
On connait également des armatures de siège dont l'armature du dossier possède des supports latéraux soudés destines à recevoir les rembourrages. Le montage de tels rembourrages est relativement compliqué et nécessite une certaine dextérité.
Suivant l'invention, l'article de rembourrage présente une fonte qui débouche le long de deux bords opposés du chassis et du rembourrage, tandis que ltélément d'armature de siège est engagé dans ladite fente et est en appui sur le chassis,et des moyens d'agrafage et d'accrochage à te tes solidaires de chassis, sont maintenus accrochés sur un bord de garniture.
L'article ainsi réalisé peut être facilement monté ou démonté tout en conférant au siège un excellent aspect de finition.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description d'un mode de réalisation de celle-ci en référence au dessin annexé dans lequel - La figure i est une vue en perspective du siège en cours de rembourra ge - La figure 2 est une vue en coupe due l'article en cours de montage sur le siège.
- La figure 3 est une vue en coupe de l'article rembourré tel qu'il est monté sur le siège.
Le convertisseur peut être un convertisseur tension alternative/pression et, dans ce cas, les moyens 3 peuvent se limiter à de simples conducteurs électriques. Il est à noter qu'il est égalemertpossible, dans le cas où la tension alternative d'entrée possède une fréquence constante prédéterminée, de prévoir un circuit de conversion fréquence/ fréquence, afin d'appliquer entre les faces la et lb une ten sion alternative de fréquence voisine de la fréquence de résonance de la lame. La conversion amplite/pression (ou tension efficace/pression) est alors réalisée avec une meilleure sensibilité.
Le convertisseur comprend en outre un potentiomètre pneumatique 4 porté par des moyens de support 5 qui permettent dlen ajuster la position par rapport à la lame 1.
De façon classique, ce potentiomètre est composté d'une capacité pneumatique 6, d'une entrée d'alimentation 7, d'une sortie pneumatique 8 et d'une buse 9 pourvue d'une ouverture de fuite 9a, en l'exemple de forme circulaire.
L'alimention par- l'entrée 7 51 effectue à une pression d'air constante P A à travers un étranglement 7a ; cet étranglement est dimensionné pour introduire une perte de charge du même ordre de grandeur que celle introduite à la sortie de la buse 9.
De plus la capacité 6 est très grande par rapport à la quantité d'air s'écoulant a travers l'ouver- ture 9a de la buse pendant une période de vibration de la lame 1.
Le potentiomètre 4 est disposé par rapport à la lame 1 de sorte que sa buse vienne en regard d'un des chants lc de ladite lame (chants qui séparent ses faces metallisées la.et lb) et que l'ouverture 9a de ladite buse soit disposée dans un plan F parallèle au plan P contenant ce chant lc (les deux faces nétallisées la et lb étant situées dans es plans C1 et C2 orthogonaux à ce plan F) En l'exemple représenté, la lame 1 présente une épaisseur sensiblement égale au diamètre de l'ouver- ture 9a et, au repos, son chant lc est situé en face de cette ouverture de façon à la masquer (figure 3).Le jeu existant entre les plans F et P est prévu très faible, par exemple compris entre 1 et 10 centienes de millimètres, de façon à supprimer tout risque de contact entre la lame et la buse, tout en ayant un débit de fuite négligeable dans la position de repos de la lame.
Aussi, au cours de sa vibration, la lame masque et démasque alternativement l'ouverture 9a. La position de démasquage naximum dépend de l'amplitude de la vibration comme permet de la comprendre la figure 4. Le débit de fuite est ainsi modulé en fonction directe de cette amplitude, qui est elle-même une fonction de la tension électrique d'entrée.
La capacité 6 joue un rôle d'intégrateur et la pression moyenne P5 disponible à la sortie 8 est une représentation fidèle de ladite tension électrique d 'entrée.
Dans le mode de réalisation ci-dessus dé cribla lame est agencée pour masquer l'ouverture de fuite 9a dans sa position de repos et la démasquer progressivement dans les positions s'écartant de ladite position de repos, de sorte que-le débit de fuite est une fonction directe de l'amplitude de vibration, la pression moyenne de sortie-Ps étant par Voie de conséquence une fonction inverse de cette amplitude.
Les figures 5, 6a, 6b, 7a et 7b, représentent un autre mode de réalisation dans lequel ces fonctions sont inversées.
Les divers organes de convertisseur sont analogues à ceux décrits (les mêmes références étant reprises sur ces figures), mais la lame 1 porte sur son chant lc situé en regard de l'ouverture de la buse 9, un talon 10 se présentant en l'exemple sous la forme d'un cavalier collé sur ladite lame.
Ce talon 10 est pourvu d'une rainure longi tudinàle 10a dont la dimension transversale est du même ordre que celle de l'ouverture 9a de la buse. (Il est à not.er que les termes "longitudinal" et "transversal" -se réfèrent à la lame).
Le plan P' contenant le chant lOb du talon (chant en regard de l'ouverture 9a) est situé à proximité .immédiate du plan F de l'ouverture (avec un jeu analogue à celui séparant dans le cas précédent le plan P et le plan F).
Ainsi, dans sa position de repos (figure 6a et 6b),la lame démasque au maximum l'ouverture de fuite 9a, tandis qu'elle masque progressivement celle-ci dans les positions s'écartant de ladite position de repos (figure 7a et 7b).
Le débit de fuite est ainsi une fonction inverse de l'amplitude de vibration, la pression moyenne de sortie étant une fonction directe de celle-ci.
On choisira dans chaque application le mode de réalisation correspondant au sens de variation désirée de la pression de sortie par rapport à la tension d'entrée, en particulier dans le but d'obtenir une fonction linéaire directe entre ces grandeurs.
une puissance d'environ 400 watts.
On a représenté sur la figure 5 les éléments de la chaîne 10 disposés sur un chemin d'assemblage 58 sur lequel ils sont déplacés longitudinalement dans la direction indiquée par la flèche de telle sorte que des axes successifs 28 peuvent être soudés en place au moyen de la tête laser rotative Après que le soudage servant à fixer les maillons latéraux aux axes 28 d'un côté de la chaîne a été achevé, on retourne ou renverse l'assemblage pour effectuer le
soudage du côté opposé de la chaîne.
On notera que les maillons de la chaîne sont assemblés avec leurs surfaces plates disposées approximativement horizontalement et avec les axes 28 disposés approximativement verticalement dans le chemin 58 avant le soudage de telle sorte que les maillons sont Positionnes ou mis en place les uns par rapport aux autres par gravité Aucune pression physique n'est nécessaire ni désirable pour fixer
entre eux les éléments de la chaîne mais, au con-
traire, les éléments de la chaîne sont disposés dans une relation d'appui approximative sous l'action de leur propre poids Lorsque la chaîne complète est ainsi assemblée par soudage au laser ou analogue, on trouve que les maillons centraux respectifs sont
articulés ou pivotent par rapport aux maillons laté-
raux d'une manière satisfaisante et qu'en outre, les pièces de la chaîne sont exactement positionnées pour empêcher ou limiter le mouvement latéral ou
flottement de la chaîne et des dents de coupe lors-
qu'elle est utilisée, par exemple, sur une scie
à chaîne Ainsi, la chaîne établit sa propre tolé-
rance avec le maillon central comme organe d'articu-
lation central jouant le rôle de son propre organe d'espacement sans nécessiter l'emploi du moyeu
d'espacement 36 du rivet de la technique antérieure.
Avec la construction de la présente invention, des jeux minimaux et précis peuvent être facilement maintenus entre les maillons plats La chaîne qui ne branle pas non seulement contribue à l'obtention d'un trait de scie étroit coupé par la chaîne montée sur une scie à chaîne mais elle contribue également à accroître la
précision de la coupe et le rendement de la chaîne.
Par "composé du type acide molybdique", on entend l'acide molybdique H2MoO4 lui-meme, ou tout acide dont l'anion contient le molybdène, en combinaison avec d'autres éléments dans la mesure où eeux-ci étaient présents à l'origine (par exemple acide phosphomolybdique ou acide arsénlomolybdique). Il sera entendu dans ce qui suit que l'utilisation de l'expression "acide molybdique s'étendra également à tous autres composés "du type acide molybdique" sauf lorsque spécifié autrement.
Par "solution initiale acide contenant plus de molybdène que d'uranium", on désigne toutes les solutions dans lesquelles le molybdène est ou peut etre amené à l'état d'acide molybdique soluble, l'acide molybdique pouvant lui même etre un acide mixte, associé à un anion Mcnstitué par le phosphate ou l'arséniate, et l'uranium est à l'état de sel soluble, et dans lesquelles le rapport du nombre d'anions provenant du molybdène au nombre de cations provenant de l'uranium est supérieur à 1.
L'invention s'applique avec avantage aux solutions qui contiennent au moins environ 5 moles de molybdène, par exemple environ 10 moles, ou davantage encore, pour une mole d'uranium.