INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Après que le mélange a été éventuellement dépastillé et raffiné et le pli de la suspension éventuellement réglé, le mélange est introduit par exemple dans la cuve de la forme ronde ou dans la caisse de tête d'une machine à papier classique et transformé en une feuille humide épaisse égouttée sur un support poreux. La feuille ainsi obtenue est découpée et séchée par exemple dans une enceinte portée à une température supérieure à 1000C pour que sa teneur en eau soit réduite à moins de 10% en général, éventuellement sous une légère pression le plus souvent inférieure à 5 bar.
La consolidation à chaud des feuilles ainsi obtenues peut être effectuée immédiatement ou après stockage. Avantageusement, la consolidation peut être réalisée en même temps que la feuille est conformée au cours d'une opération de thermoformage comme décrit dans le brevet BE-A-823 626 (SOLVAY & Cie).Pour réaliser la consolidation, on réchauffe la feuille à une température supérieure au point de ramollissement de la polyoléfine constituant les fibrilles ayant le point de ramollissement le plus élevé, par exemple en la maintenant à cette température (généralement comprise entre 120 et 2000 C) dans un four, entre des plateaux de presse chauffés ou directement dans un moule de thermoformage et en soumettant ensuite la feuille à une pression déterminée par la densité que l'on souhaite conférer à l'objet fini et qui est comprise généralement entre 2 et 500 bar.
Grâce à la présence de particules de matière caoutchouteuse dans les compositions selon l'invention, on obtient des feuilles souples même lorsqu'elles ont été consolidées sous pression et dont le degré de flexibilité augmente en fonction de la quantité de particules de matière caoutchouteuse dans les compositions.
dans le verrouillage de la porte en position fermée.
Il serait en effet très mal commode, voire impossible, que l'utilisateur doive maintenir le verrouillage ouvert tout en actionnant de l'autre main le bouton de-mise
en route à l'ouverture.
On sait remédier à cet inconvénient en associant-
le système de verrouillage lui-même à un petit moteur.
Quand-on met en route, depuis la position de fermeture, c'est dans un premier temps le moteur de verrouillage seul
qui est alimenté, de-façon à libérer le verrouillage.
Lorsque le déverrouillage est effectif, le petit moteur actionne un contact qui seulement à ce stade commande
la mise en route du moteur principal.
Ce système fonctionne de façon satisfaisante,
mais il est onéreux car il nécessite deux moteurs.
Le but de l'invention est de remédier à cet
inconvénient en proposant un dispositif qui assure automatique-
ment le verrouillage de la porte après la fermeture et son déverrouillage avant l'ouverture, tout en ne
nécessitant qu'un seul moteur.
L'invention vise ainsi un dispositif pour manoeuvrer une porte destinée à être verrouillée à la fermeture, cette porte comprenant un vantail mobile dans une ouverture, entre une position ouverte et une position fermée, un mécanisme d'ouverture et de fermeture et un mécanisme-de verrouillage en position fermée, le dispositif comprenant un arbre relié au mécanisme d'ouverture et de fermeture de la porte, et un moteur
Comme décrit ci-dessus en ce qui concerne certains exemples typiques de profils de profondeur non uniforme des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G), dans la direction de l'épais- seur de la couche, lorsque le profil en profondeur des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G) n'est pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, cette première région (G) présente avantageusement un profil en profondeur d'atomes de germanium tel que l'on obtient une partie enrichie dans la concentration C, en répartition, d'atomes de germanium sur le côté support et une partie ayant une concentration C, considérablement plus faible que celle du côté support, en atomes de germanium, sur le côté d'interface tT Autrement dit, la première region de couche (G), constituant la couche amorphe, peut, lorsqu'elle contient des atomes de germanium ayant une répartition uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, comporter avantageusement une région localisée (A) contenant des atomes de germanium à une concentration relativement plus élevée sur le côté support.
La région localisée (A), telle qu'indiquée sous la forme des symboles représentés sur les figures 2 à 10, peut être avantageusement réalisée à moins de 5 vm de la position d1interface La région localisée (A) indiquée ci-dessus peut être réalisée afin d'être identique à la totalité de la région de couche (LT), jusqu'a la profondeur de 5 pm à partir de la position d'interface tBS ou bien, en variante, elle peut faire partie de la région de couche (LT).
I1 est possible de déterminer convenablement, suivant les caractéristiques demandées pour la couche amorphe à former, si la région localisée (A) doit faire partie de la région de couche (LT) ou doit constituer l'ensemble de cette région de couche (LT).
La région localisée (A) peut être de préférence formée par une opération telle que le maximum Cmax des concentrations, en répartition, d'atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche (valeurs du profil en profondeur) peut être avantageusement de 1000 ppm ou plus, de préférence de 5000 ppm ou plus, et, de façon plus préférable, de 1x104 ppm ou plus.
Autrement dit, conformément à la présente invention, la couche amorphe contenant des atomes de germanium est de préférence formée de façon que la valeur maximale Cmax de la concentration de répartition puisse être présente dans une épaisseur de couche de 5 m à partir du côté support (la région de couche comprise dans une épaisseur de 5 pm à partir de tB) Dans la présente invention, la teneur en atomes de germanium de la première région de couche (G)1 qui peut être convenablement déterminée comme souhaité afin d'atteindre efficacement les objectifs de la présente invention, peut être avantageusement de 1 à 9,5 x 105 ppm, de préférence 100 à 8 x 105 ppm, et de façon plus préférable de 500 à 7 x 105 ppm.
Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, l'épaisseur de la première région de couche (G) et l'épaisseur de la seconde région de couche (S) constituent l'un des facteurs importants pour atteindre efficacement l'objectif de l'invention, et il faut donc y porter une attention suffisante lors de la conception de l'élément photoconducteur afin que les caractéristiques souhaitables puissent être conférées à l'élément photoconducteur formé.
Dans la présente invention, l'épaisseur T B de la première région (G) peut être avantageusement comprise entre 3 nm et 50 wm, de préférence entre 4 nm et 40 pm, et de façon plus préférable entre 5 nm et 30 m.
Par ailleurs, l'épaisseur T de la seconde région de couche (S) peut être avantageusement comprise entre 0,5 et 90 Um, de préférence entre 1 et 80 Pm, et de façon plus préférable entre 2 et 50 vm.
La somme des épaisseurs de couche T et TB, indiquées ci-dessus à savoir (T + TB) peut être convenablement déterminée, comme souhaité, lors de l'étude des couches de l'élément photoconducteur, sur la base de la relation organique mutuelle entre les caractéristiques demandées aux deux régions de couches et les caractéristiques demandées à l'ensemble de la couche amorphe.
Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, la plage numérique pour la somme (TB + T) indiquée ci-dessus peut généralement être comprise entre 1 et 100 x, avantageusement entre 1 et 80 pm et de préférence entre 2 et 50 pm.
Dans une forme préférée de réalisation de l'invention, il est préférable de choisir les valeurs numériques pour les épaisseurs respectives TB et T, telles que mentionnées ci-dessus, de façon que la relation TB/T < 1 puisse de préférence être satisfaite.
Il est plus avantageux, dans le choix des valeurs numériques des épaisseurs T B et T du cas précédent, que les valeurs de T B et T soient de préférence déterminées de façon que la relation TB/Tc0,9 puisse être satisfaite, et il est encore plus préférable que la relation TB/T < 0,8, puisse être satisfaite.
Dans la présente invention, lorsque la teneur en atomes de germanium de la premiére région (G) est de 1 x 105 ppm ou plus,l'épaisseur TB de la première région de couche (G) est avantageusement réduite de façon considérable, de façon à avoir une valeur avantageusement de 30 um ou moins, de préférence de 25 pm ou moins, et de façon plus préférable de 20 um ou moins.
Dans la présente invention, des exemples d'atomes d'halogène (x), que l'on peut incorporer facultativement dans la première région (G) et dans la seconde région (S) constituant la couche amorphe sont le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le fluor et le chlore étant particulièrement préférés.
Dans la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène < H) ou la quantité d'atomes d'halogène (X) ou la quantité totale d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) devant être contenus dans la seconde région (S) constituant la couche amorphe formée peut être avantageusement comprise, en pourcentage atomique, entre 1 et 40, et de préférence entre 5 et 30, et de façon encore plus préférable entre 5 et 25.
Dans l'élément photoconducteur selon la présente invention, une substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction peut être incorporée dans au moins la première région (G) de la couche afin de conférer à cette région (G) les caractéristiques de conduction souhaitées.
Chacun des compartiments de l'enceinte peut être rempli partiellement d'eau de mer ou d'eau saumâtre en utilisant une canalisation d'alimentation (7) qui débouche à la partie supérieure du nième effet Cn Pour assurer l'alimentation des autres compartiments en solution à distil##r, chaque compartiment comprend des conduites de trop-plein (9 et 11) qui sont conçues pour rejeter dans le compartiment situé immédiatement en dessous le trop-plein de solution, le trop-plein du ler effet C1 étant évacué à l'extérieur par la conduite 12.
Les conduites (9) sont agencées de façon à prélever le trop-plein à la partie basse de chacun des compartiments. Ainsi, en introduisant la solution par la canalisation (7), on peut remplir successivement les compartiments Cn à C1.
Comme on peut le voir sur le dessin, les cloisons de séparation 31 32 ... 3n-1 sont inclinées par rapport à l'horizontale et prolongées à leur extrémité inférieure dans un conduit 13 servant à la récupération de la vapeur condensée et débouchant dans un bac de récupération 15 situé à l'extrémité inférieure de l'enceinte et muni d'une conduite de sortie 16. Par ailleurs, un film en matière plastique 14 fixé sur la dernière cloison 3n 1 assure le guidage du condensat vers le bac 15.
L'installation comprend également deux conduits 17 et 19 qui relient la partie supérieure du compartiment C n au bac de récupération 15 et sont prévus pour assurer la circulation du gaz capable de véhiculer la vapeur entre le compartiment C n et le bac de récupération 15. Ce gaz est généralement constitué par de l'air à la pression atmosphérique Le conduit 19 est isolé thermiquement des compartiments C1, C2 ... Cn et de l'extérieur par des parois en isolant thermique 20 et 22, et le conduit 17 est isolé thermiquement des compartiments C1, C2 ... C n par la paroi solante 23, isolée de l'extérieur par une paroi 25 transparente au rayonnement solaire, réalisée par exemple en verre ou film plastique.Le conduit 17 est muni d'un capteur solaire 27 qui permet de chauffer l'air présent dans ce conduit pour assurer la mise en circulation de l'air par un effet de thermosiphon.
Au niveau du compartiment Cn, la paroi latérale isolante 20 de l'enceinte est munie d'un réflecteur solaire 29 pour réfléchir le rayonnement solaire dans le compartiment C n afin d'accroître le rendement de captation du rayonnement solaire par l'installation. Une paroi en isolant thermique 31 est disposée, par ailleurs, dans le compartiment Cn de façon à isoler la couche supérieure de solution à distiller 32 du reste de la solution 34 présente dans ce compartiment.
Le fonctionnement de cette installation est le suivant.
On remplit tout d'abord les compartiments Cl à C n de solution à distiller; par exemple d'eau de mer, par la canalisation 7. Pendant la journée, le rayonnement solaire pénètre dans le distillateur à travers la paroi transparente 5 et se trouve absorbé par la couche supérieure 32 d'eau de mer présente dans le compartiment Cn L'énergie véhiculée par le rayon nement solaire est ainsi transformée en chaleur et l'eau de mer de la couche 32 s'échauffe progressivement puis s'évapore. La vapeur produite est entraînée par l'air qui circule dans le compartiment auxiliaire par un système de thermosiphon dû à la présence du capteur solaire 27 qui réchauffe l'air du conduit 17 et le met en circulation en suivant le trajet des flèches F.Dans le compartiment auxiliaire Cn, cet air se charge d'humidité et il entraîne la vapeur produite dans ce compartiment par le conduit 19 dans l'espace de condensation 15 où il est mis en contact avec la paroi inférieure 30 du compartiment C1. Au contact de cette paroi froide, la vapeur d'eau se condense et elle est récupérée dans le bac 15. La chaleur de condensation transmise par la paroi inférieure 30 du compartiment C1 élève progressivement la température de l'eau de mer contenue dans ce premier compartiment.
L'humidité de l'air qui quitte l'espace de condensation 15 est ramenée à sa valeur initiale et cet air est ensuite réchauffé dans le conduit 17,à partir du point bas, par le capteur 27 et mis en circulation par effet de thermosiphon pour être ramené dans l'espace compris entre la paroi transparente 5 et la surface de l'eau 32 du compartiment Cn Dans le compartiment, l'air se charge de nouveau en vapeur et cette vapeur est entraînée comme précédemment à la p#artie inférieure de l'enceinte pour être condensée sur la paroi inférieure 30 du compartiment C1 qui constitue ainsi un premier stockage thermique.
Lorsque la température de l'eau de mer du compartiment C1 s'est suffisamment élevée, cette eau de mer s'évapore en surface et la vapeur produite va se condenser sur la cloison supérieure 31 qui constitue la paroi inférieure du compartiment C2, le condensat est recueilli dans le bac 15 après s'être écoulé par la conduite 13. En se condensant, la vapeur chauffe ainsi l'eau de mer du compartiment C2 qui s'évaporera ensuite lorsque sa température sera suffisante.
Ainsi, tout en produisant de l'eau douce on augmente successivement et progressivement la température de l'eau de mer présente dans les effets C1 à Cn qui constituent ainsi des stockages thermiques.
Le nombre d'effets est choisi en fonction des conditions d'insolation de façon à obtenir en fin de journée le réchauffage de tous les stockages thermiques constitués par les compartiments C1 à Cn Dans le compartiment Cn, la paroi isolante 31 permet d'obtenir pendant la période d'ensoleillement, une couche supérieure d'eau de mer 32 à une température plus élevée que celle de l'eau de mer 34 présente dans la partie basse de ce compartiment, ce qui permet d'établir une stratification et de bloquer les échanges thermiques par convection dans le dernier effet Cn En fin de journée, on obtient donc une certaine quantité d'eau douce dans le bac 15 et les compartiments C1 à Cn qui ont été chauffés pendant la journée constituent une série de stockage thermiques.
Pendant la nuit, les déperditions thermiques par convection et par rayonnements sur la paroi transparente 5 abaissent la température de cette paroi et la vapeur d'eau présente dans l'air du compartiment Cn vient se condenser au début de la nuit sur cette paroi transparente 5, l'eau douce ainsi produite est collectée par ruissellement le long de la paroi 25 et amenée dans le bac de récupération 15 placé à la base du distillateur.
Au cours de la nuit, lorsque la température du panneau 5 s'abaisse suffisamment en-dessous de celle de l'eau de mer contenue dans le compartiment Cn, l'eau de mer s'évapore en surface et la vapeur produi te continue à se condenser sur le panneau 5.
Etant donné que la chaleur d'évaporation est fournie par la couche supérieure 32 d'eau de mer presente dans le compartiment Cn, la température de cette couche supérieure s'abaisse et lorsqu'elle devient inférieure à celle de l:eau de mer contenue dans la partie inférieure 34 du compartiment Cn qui constitue le dernier stockage thermique, la stratification est détruite et un courant de convection s'établit. La chaleur d'évaporation à la surface du compartiment C n est alors fournie par l'eau de mer présente dans ce compartiment et la température de cette eau de mer va s'abaisser progressivement au cours de la nuit.Lorsque la température de la cloison 3n-1 qui constitue la paroi inférieure du compartiment Cn, se sera suffisamment abaissée, il se produira une condensation de vapeur dans le compartiment Cn~l puis une évaporation de l'eau de mer présente dans ce compartiment Cn~l dont la température va alors s'abaisser progressivement.
Tout au long de la nuit, ce processus va se reproduire d'un compartiment à l'autre pour aller jusqu'au compartiment r dont la température va s'abaisser également.
Ainsi, la chaleur collectée progressivement au cours de la période d'ensoleillement a été stockée dans les différents compartiments puis restituée à l'extérieur au cours de la nuit, après avoir servi à évaporer une nouvelle quantité d'eau de mer.
Dans cette configuration modifiée, quatre prises d'entrée précèdent puis suivent cet étage supplémentaire de verrouillage qui est au centre du filtre.
La configuration modulaire du filtre FIR de la figure 2, où le même circuit de fonction de pondération produit des signaux pondérés d'entrée en deux points du filtre qui sont également distribués dans le temps autour de la réponse impulsionnelle centrale du filtre, donne, au filtre, une caractéristique de réponse en phase linéaire.
Il en résulte une économie importante de matériel, du fait de ce double usage des circuits de fonction de pondération, ce qui donne également au filtre une caractéristique de structure "pliée" autour de la réponse impulsionnelle ou module central.
Selon un autre aspect de l'invention, la caractéristique de réponse et/ou l'ordre du filtre FIR de la figure 2 peuvent être dynamiquement modifiés en changeant les valeurs des fonctions de pondération. Cela est accompli par un bus de contrôle de coefficient 77, qui interconnecte les circuits de fonction de pondération. La caractéristique de réponse du filtre est changée en décalant en série le nouveau coefficient dans le circuits de fonction de pondé ration, comme on le décrira ci-aprds.
En se référant à la figure 3, on peut y voir un schéma bloc de l'un des circuits de fonction de pondération de la figure 2. Deux registres à décalage dynamiques 72 et 74 sont couplés en série par des parties du bus de contrôle de coefficient 77. Une sortie du registre 72 est couplée à une entrée de commande d'une matrice de décalage 76et une sortie du registre 74 est couplée a une entrée de co-arde d'une atrioe - décalage 6. Le signal d'entrée x(n3est apXiqué aux entrées des matrices -76 et 78, dont les sorties sont couplées aux deux entrées d'un additionneur 70. Un signal pondéré x(n) est produit à une sortie de l'additionneur 70.
Le circuit de fonction de pondération de la figure 3 pondère le signal x(n) appliqué par une fonction qui est une somme ou une différence de multiple de puissance aux inverses de deux, en utilisant une technique de décalage et addition ou soustraction. Par exemple, on suppose que le circuit de fonction de pondération doit produire un signal égal à (3/16) x(n). Les valeurs des coefficients représentant 1/8 et 1/16 sont d'abord décalées dans les registres à décalage dynamique 72 et 74, respectivement. Le coefficient de 1/8 est appliqué à la matrice 76 qui décale le signal d'entrée x(n) vers la droite de trois positions de bits pour produire un signal égal à (1/8)x(n). Le coefficient de 1/16 est appliqué à la matrice 78, qui décale le signal d'entrée x(n) vers la droite de quatre positions, afin de produire ainsi un signal égal à (1/16)x(n).
L'additionneur 70 ajoute alors la valeur de (1/8)x(n) à (1/16)x(n), pour produire le signal pondéré souhaité de (3/16)x(n).
Les matrices et les registres de la figure 3 sont illustrés en plus de détail sur les figures 4 et 5 respectivement. En se référant à la matrice illustrée sur la figure 4, le signal d'entrée appliqué x(n), par exemple, de 8 bits est appliqué à une section d'inversion 80 de la matrice. La section d'inversion 80 inversera le signal x(n) ou le laissera passer sans inversion selon les valeurs des signaux complémentaires de commande INVERSION et INVERSION.
Le signal produit par la section d'inversion est alors appliqué à une section de pondération de 1/2 82 ou il peut être pondéré par 1/2 ou passer sans être pondéré, selon les valeurs des signaux complémentaires de commande C1 et C1. Un signal à 9 bits est produit par la section de pondération de 1/2 et est appliqué à une section de pondération de 1/4 84. Dans cette section, le signal peut être encore pondéré de 1/4 ou passer sans être pondéré selon la valeur des signaux complémentaires de commande C2 et C2.Un signal à 11 bits produit par la section de pondération 84 est appliqué a une section de pondération 1/16 86 qui peut pondérer le signal d'un autre facteur 1/16 ou le laisser passer sans être pondéré selon l'établissement de signaux complémentaires de commande C4 et C Le signal pondéré est alors applique a la section de mise à zéro et tampon 88 qui reçoit un signal de commande d'une porte ET 87. Quand les signaux de commande C1, C2 et C4 appliqués à la porte ET 87 sont tous vrais (c'est-à-dire tous des uns logiques), la section 88 produit un signal de sortie de valeur nulle. Autrement, le signal pondéré x(n) n'est que tamponné par la section 88 et est appliqué à l'additionneur 70 de la figure 3.
Quand les valeurs de fonction de pondération sont programmables comme le montrent les figures 3 et4, l'ordre du filtre FIR peut être modifié par mise à zéro des signaux des circuits de fonction de pondération en débutant avec ceux couplés aux premier et second étages de registre à décalage du filtre. Par exemple, le mode de réalisation de la figure 2 montre un filtre FIR de septième ordre avec des poids des prises aO, a1, a((N-1)/2)-1' a((N-1)/2' a((N-1)/2)+1' aN-2 et aN~1, où N=7. Les valeurs de fonction de pondération 20 de la figure 2 peuvent etre établies à zéro (c'est-à-dire a0=O et aN~1=0) en utilisant la structure des figures 3 et 4, où les coefficients C1, C2 et C4 sont établis égaux a un.
Le circuit 20 appliquera alors des signaux de valeur nulle au verrouillage 30 et a l'additionneur 66. Cela changera le filtre FIR à un filtre de cinquième ordre avec des poids de prises de a1, a((N-1)/2)-1t a((N-1)/2t a((N-1)/2)+1 et aN~2. Ce filtre de cinquième ordre est suivi des retards de deux cycles d'horloge des verrouillages 34 et 64, qui reçoivent le signal filtré de sortie produit a la sortie de l'additionneur final effectif 36 du filtre de cinquième ordre.
La matrice de la figure 4 peut être contrôlée pour pondérer le signal x(n) par des facteurs de un, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 ou 1/64 selon les valeurs des signaux de commande. Le signal pondéré peut, comme on l'a décrit ci-dessus, être inversé (complément a un) ou passe sans inversion selon les valeurs des signaux de commande INVERSION et INVERSION. Par exemple, si deux signaux pondérés doivent être soustraits, alors il faut d'abord prendre le complément a deux du signal devant être soustrait de l'autre. L'opération de prise de complément) deugproduit un signal dont la valeur est le négatif de la valeur du signal d'entrée. Pour prendre le complément à deux d'un signal binaire, les bits du signal d'entrée sont d'abord inversés puis un "1" binaire est ajouté au résultat.Si l'on doit prendre le complément à deux des signaux pondérés, le signal de commande INVERSION peut alors etre appliqué à la position du bit le moins important (retenu) de lladdi- tionneur 70 pour compléter le processus de prise du complément à deux en ajoutant 1 à la somme du cumulateur et du cumulant.