INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
30/ Dans tous les autres cas, il faut interrompre le deroulement de l'etalonnage, l'horloge du compteur 62 à 13 bits est bloquee (BLEU = 0) ; le compteur 62 est remis à zéro (impulsion R13 = 1) et on attend un nouveau signal SCE = 1 pour reprendre le cycle dans la phase qui suit l'incrementation du compteur 32 à cinq bits.
16) INTERFACE / A / 1 est constituée par un tableau de résistances noté ( R1c R2c ) et un Générateur d'Impulsions débloquant cycliquement les résistances , dont les sorties sont réunies dans l'ordre : c = 1 , ... , N2 17) INTERFACE / A /-1 est identique à la précédente sauf l'ordre inverse N du débloquage de résistances s c = 2 ' ' 18) FILTRE PASSE BAS , noté F P B est un opérateur caractérisé par un Filtre Passe Bas 19) CALCULATEUR DU CARRE , notre *2 est un opérateur caractérisé par un circuit élévant au carré le signal d'entrée 20) INTERFACE / B est un calculateur programmé comme suit ( ALGOL W ) s debut reel tableau S (1 :: 2, 1 ::N3) reel P , Q , K , V tant que vrai faire debut V1=1 ; pour K:=1 pas 1 jusqua N2 faire debut entrec P si P = 0 alors debut entrec Q ; S(1,V):=P ; S(2,V):=Q ; V:=V+1 fin fin fin fin 21) MEMOIRE est un tableau de données noté (T1d, T2d, T3d) N avec d = 1 , ... , 1 , 2 , 3 étant les valeurs prises par l'indice a 22) PRCDUCTEUR TENSORIEL , noté # , est un calculateur recevant les tableaux ( T T T ) et ( T T ) 7d ' 2d ' 3d ) @@ @ le ' 2e et calculant le tableau: (T1de, T2de, T3d3) , avec : T1de = T1d T1e , T2de = T2d T2e , T3de = T3d , 1 , 2 , 3 étant les valeurs prises par l'indice a .
23) GENERATEUR , noté L ou C , délivre un signal constant noté L ou C 24) OPERATEUR , noté D / Df , est caractérisé par-un calculateur recevant le tableau ( D , A ) , le signal L et délivrant le signal D ( L2+ D2+ fLD sin A avec f = 1 ou -1 .
. . 1 . @ .
25) OPERATEUR , noté @ (D - @ ) , est caractérisé par un calculateur recevant le tableau (D , A ) , le signal L , le signal C et calculant le signal 1 ( D - ( L2+ D2+ fLD sin A ) ) ) 26) PONDERATEUR 1 , noté X1 recoit un signal et un -tableau et procéde à la multiplication de chaque élément du tableau par le signal en question 27) PONDERATEUR 2 , noté X2 , redoit deux tableaux et en délivre un où chaque élément est le produit des deux éléments correspondant à l'entrée 28) TRANSLATEUR , noté + , recoit deux tableaux et en délivre un où chaque élément est la somme des deux éléments correspondant à l'entrée .
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, DE TYPE PLANAR, A STRUCTURE VERTICALE La présente invention concerne un transistor à effet de champ, de type planar, fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences, dont la structure verticale permet de réduire la longueur de grille, et dans lequel le contrôle du courant se fait au moyen de deux zones de déplétion. La réalisation de ce transistor à effet de champ est simple, et fiable, et sa géométrie en surface permet d'associer plusieurs transistors en interdigitant leurs électrodes.
L'augmentation de la fréquence maximale de fonctionnement des transistors à effet de champ se heurte à deux types de difficultés. Dans les transistors dits horizontaux, dans lesquels les trois - électrodes sont portées par une même face du cristal semiconducteur, le temps de transit des porteurs, qui est lié à la fréquence maximale de fonctionnement, de la source vers le drain est limité par la longueur de grille. A cette longueur, il convient d'ajouter encore les deux longueurs de garde entre les métallisations de source et grille d'une part et grille et drain d'autre part. Le temps de transit est donc limité par des raisons liées à la technologie de dépôt des métallisations, et de tenue en tension. A titre indicatif il est difficile de descendre en dessous d'une longueur de trois microns entre source et drain.
Afin de diminuer le temps de transit des porteurs, notamment les électrons dans les matériaux de type n, plus rapides que les trous dans les matériaux de type p, sont apparus des transistors mettant en oeuvre des effets non stationnaires tels que survitesse et transport balistique, qui apportent une amélioration, ou des transistors dits verticaux, dans lesquels la longueur de grille est égale à une épaisseur d'une couche d'un matériau, comprise entre d'autres couches épitaxiales. Il est possible de réaliser des couches d'un matériau donné, soit par évaporation sous vide, soit par épitaxie, beaucoup plus fines que 1 micron, et c'est donc un avantage par rapport aux structures planars citées précédemment, mais la réalisation d'un tel transistor est compliqué puisqutelle nécessite plusieurs opérations épitaxiales.
Le transistor à effet de champ selon l'invention apporte une solution simple à ces difficultés de réalisation. Il est de type vertical et ne comporte qu'un substrat très conducteur et une couche active, complétée par une métallisation de source sur la face libre du substrat et une métallisation de drain sur la face libre de la couche active. L'effet de pincement de la grille est obtenu par un dédoublement de la métallisation de grille, déposée sur la face libre de la couche active, de part et d'autre de la métallisation de drain. Chaque élément de la grille crée dans la couche active une zone désertée : les deux zones désertées creees par deux éléments de grille opposés par rapport au drain pincent le courant venant du substrat, de la source vers le drain.L'effet de pincement est variable avec la tension de polarisation de grille car, pour une couche active mince, la zone désertée sous une métallisation de grille se développe davantage en largeur, dans le plan de cette couche, qu'en profondeur, vers le substrat.
De façon plus précise, l'invention concerne un transistor à effet de champ, de type planar, à structure verticale, comportant un substrat en matériau semiconducteur, de type de conductivité n+, supportant une couche active en matériau semiconducteur de type de conductivité n, une première métallisation d'électrode d'accès étant déposée sur la face libre du substrat et une seconde métallisation d'électrode d'accès déposée sur la face libre de la couche active, ce transistor étant caractérisé en ce que deux éléments de métallisation Schottky, déposés sur la face libre de la couche active de part et d'autre de la métallisation d'accés, constituent l'électrode de grille du transistor et contrôlent le passage du courant entre les deux électrodes d'accès par pincement entre deux zones désertées de porteurs, les dimensions latérales de ces deux zones désertées étant en relation avec la tension de polarisation de la grille.
L'invention sera mieux comprise par la description d'un exemple de réalisation qui suit, s'appuyant sur les figures annexées qui représentent: - figure 1 : schéma fonctionnel d'un transistor à effet de champ horizontal, selon l'art connu; - figure 2 : condition de croissance d'une zône désertée sous un contact Schottky, dans un matériau de type n, selon l'art connu; - figure 3 : schéma de fonctionnement d'un transistor à effet de champ vertical selon l'invention; - figure 4 : structure d'un transistor à effet de champ vertical selon l'invention.
Le transistor à effet de champ selon l'invention, peut être réalisé dans de nombreux matériaux tels que le silicium ou les matériaux des familles III-V par exemple, tels que l'arséniure de gallium ou le phosphure d'indium entre autres. Cependant pour simplifier les explications dans le texte, l'invention sera exposée en s'appuyant sur le cas d'un transistor en arséniure de gallium.
Une autre caractéristique de l'invention est que ce type de transistor est unipolaire, pratiquement uniquement de type de conductivité n, car les électrons qui sont dans ce cas les porteurs majoritaires sont beaucoup plus rapides que les trous dans les matériaux d'un type de conductivité p : étant donné que l'effet recherché est une augmentation de la fréquence maximale du fonctionnement du transistor, rechercher cette augmentation avec des porteurs lents serait vain.
La figure I représente le schéma fonctionnel d'un transistor à effet de champ classique, de type horizontal.
Un tel - transistor comporte un substrat semi-isolant 1, sur lequel on a fait croître une couche 2 dite active, par épitaxie ou implantation par exemple. Trois électrodes sont déposés par des métallisations sur la surface libre de la couche active 2 : la source 3, la grille 4 et le drain 5, la grille étant généralement placée entre la source et le drain. Le contrôlé du courant 6 qui se déplace entre la source et le drain,# sous polarisation convenable, est obtenu par un effet de pincement de ce courant entre la grille 4 et le substrat semi-isolant 1. Ce pincement est obtenu par l'effet de zone désertée 7, qui se crée sous la métallisation de grille 4 sous l'effet d'une tension de polarisation convenable. Cette zone désertée, qui a d'ailleurs une géométrie dissymétrique, en fonction du potentiel entre source et drain, se développe selon la tension appliquée sur la grille: la zone désertée est minimale si la tension de grille est nulle et elle croît et peut atteindre le substrat semi-isolant si la tension de grille est suffisamment élevée. Il y a donc bien effet de pincement des lignes de courant 6 entre une zone désertée 7 et un substrat semi-isolant 1.
La fréquence maximale d'un tel transistor est bien évidemment liée au temps de transfert des électrons depuis la source vers le drain, c1est-àdire lié à une distance qui est la somme de la longueur de grille 4 et des deux gardes repérées "e", ces gardes représentant la distance minimale que l'on sait réaliser entre la métallisation de source et de grille d'une part et de grille et de drain d'autre part :-actuellement les techniques de photogravure ne permettent guère de descendre en dessous de 1 micron ou 0,5 micron dans certains cas extremes. Par ailleurs la longueur de grille L n'est pas g exactement la longueur de la métallisation de grille 4 mais légèrement plus grande parce que la zone désertée 7 déborde légèrement de la métallisation 4.Etant donné, que dans le domaine des métallisations on descend difficilement en dessous de 1 micron, une limite assez bien représentative de l'art connu est que la distance entre source et drain ne peut guère descendre en dessous de 3 microns, c'est-a-dire L + 2e.
g L'invention propose de remplacer la structure horizontale de ce type de transistor, dont on voit bien que cette structure se heurte à des limites technologiques, par une structure verticale dans laquelle la grille est rendue très courte car elle est obtenue par un effet de pincement non plus dans le sens vertical entre la grille et un substrat isolant, mais selon un sens horizontal entre deux zones de désertion, dans l'épaisseur d'une seule couche épitaxiée que l'on sait réaliser beaucoup plus fine que les 3 microns dont il a été question au sujet de la figure 1.
On décrit ci-après en détail des modes de réalisation de l'invention qui sont présentement plus particulièrement préférés etgui,.conjointement avec les exemples suivants, peuver:t servir à expliquer les principes de l'invention. Ainsi qu'on l'a déjà indiqué ci-dessus, des mélanges non aqueux pour ltobtu- ration de trous de coulée, établis conformément à l'invention, romprennent essentiellement un liant, un solvant non aqueux pour le liant, et une charge réfractaire. Similairement, des matériaux spéciaux contenant du carbone et établis conformément à l'invention comprennent essentiellement un liant, un solvant pour le liant, et une charge réfractaire.Dans les deux cas, le liant comprend un mélange de polymères, formés par l'homopolymérisation de résorcinol, et d'un agent durcisseur.
Les matériaux polymères à base de résorcinol utilisables selon l11.'nventin peuvent être formés en chauffant du résorcinol monomère jusqu'à des températures supérieures à environ 2000C. Par exemple, des matériaux adéquats, à base de résorcinol polymère, se trouvent obtenus sous la forme d'un résidu solide encore résineux subsistant après la distillation d'un résorcinol de qualité technique. Des résidus de ce type se trouvent décrits en détail dans le brevet US Nb 3 816 145 accordé à Melcher, aussi bien que dans le brevet US NO 3 133 033 accordé à St. Clair et dans le brevet US NO 3 343 884 accordé à Voris.
Des matériaux liants préférés, à base de résorcinol polymère et utilisables lors de la mise en oeuvre de l'invention comprennent jusqu'à environ 20 % de résorcinol, environ de 5 à 30 % d'isomères de dihydroxydiphényle, environ de 10 à 45 % d'isomères de trihydroxydiphényle, le reste étant des polymères supérieurs de résorcinol. Des matériaux polymères plus particu lièrement préférés, à base de résorcinol et utilisables comme liants conformément à l'invention, comprennent environ de 2 à 8 % de résorcinol, environ de 12 à 20 % d'isomères de dihydroxydiphényle, environ de 10 à 45 % d'isomères de trihydroxydiphényle, le reste étant des polymères supérieurs du résorcinol.
Une composition correspondant à ce matériau plus particulièrement préféré est commercialement disponible et est vendue par Koppers Company, Inc., Pittsburg, Pennsylvanie, sous la dénomination commerciale "Penacolite-Resin RM-441". Ces matériaux plus particulièrement préférés possèdent un pourcentage de constituants phénoliques monomères libres inférieur à celui qui se trouve contenu dans des résines phénoliques classiques, ces dernières contenant typiquement de 5 à 10 % de phénol libre au lieu de 2 à 8 % de résorcinol libre dans les premiers matériaux.
Même à des concentrations analogues, le monomère de résorcinol est beaucoup moins toxique que le monomère de phénol. La diminution du pourcentage de constituants monomères, ainsi-que l'élimination du phénol, sont particulièrement avantageux pour diminuer la quantité de vapeur toxique dégagée au cours de l'utilisation des compositions selon la présente invention.
Le liant est typiquement Ur.t matière thermoplastique, solide à la température ambiante ordinaire, avec une température de ramollissement d'environ 800C. Les portions du polymère ayant la plus forte réactivité sont le résorcinol monomère et des isomères de dihydroxydiphényle et de trihydroxydiphényle.
Les agents durcisseurs utilisés avec les liants incorporés soit à des mélanges pour l'obturation de trous de coulée, soit à des matériaux spéciaux contenant du carbone et compris dans la portée de l'invention, peuvent comporter les substances suivantes : lignosulfonate ; soufre ; des nitroalcools, tels que tris-(hydroxyméthyl)-nitrométhane ;des amines, telles que hexaméthylène-tétramiqe et hexaméthoxy-méthylmélamine ; des concentrés d'urée-formaldéhyde; paraformaldéhyde ; ou d'autres donneurs de méthylène.Des agents durcisseurs préférés en vue de leur utilisation pour mettre en oeuvre invention sont choisis parmi le groupe constitué par un lignosulfonate, le soufre, le tris-(hydroxyméthyl)-nitromethane, 1 'hexaméthylène- tétramine, l'hexaméthoxyméthylmélamine, des concentrés d1urée- formaldéhyde, le paraformaldéhyde et d'autres donneurs de méthylène.
Des nitroalcools, tels que le tris-(hydroxyméthyl)nitrométhane sont plus particulièrement préférés en raison de leur haute température de décomposition et de l'effet plastifiant marqué qu'ils manifestent sur le mélange à des températures inférieures à la susdite température de décomposition.
Le tris-(hydroxyméthyl)-nitrométhane, par exemple, se décompose à environ 1750C en fournissant du méthylène.pour le durcissement du polymère tout en étant capable de plastifier le mélange à des températures inférieures.
Contrairement aux matériaux de la technique antérieure qui contiennent des substances liantes formo-phenoliques, les mélanges pour obturation de trous de coulée et les matériaux spéciaux contenant du carbone, compris dans la portée de l'invention, ne contiennent pas de grandes quantités de formaldéhyde libre et, par conséquent, évitent les dangers que font courir aux utilisateurs les dégagements de vapeurs de formaldéhyde que produisent les matériaux de la technique antérieure. La caractéristique la plus significative des substances liantes utilisées conformément à l'invention réside dans le fait qu'elles ne sont pas carcinogènes, ce qui constitue un avantage considérable sur les liants à base de goudron de houille utilisés selon la technique antérieure.D'autre part, les substances liantes à base de résorcinol polymère utilisées selon l'invention ,sont considérablement moins couteuses que les résines formo-phénoliques classiques dont on se sert comme produits de remplacement du goudron de houille utilisé dans la technique antérieure.
Des solvants intéressants à utiliser dans les mélanges non aqueux pour obturation de trous de coulée et dans les matériaux spéciaux, contenant du carbone, selon la présente invention,peuvent être n'importe lesquels de ceux utilisés dans la technique antérieure ou connus par ailleurs comme étant adéquats avec les liants à base de résorcinol polymère utilisés selon l'invention. Des solvants préférés sont choisis parmi le groupe constitué par le "Cellosolve", l'acétate de "Cellosolve", I'éthylène glycol, l'alcool isopropylique, le polyéthylène glycol, et des mélanges de ces substances. Des solvants utilisables sont aussi d'autres solvants alcooliques ou des solvants cétoniques.
Les substances du type charge réfractaire utilisées dans les mélanges pour l'obturation de trous de coulée et dans les matériaux spéciaux compris dans la portée de l'invention peuvent être n'importe lesquelles de celles normalement utilisées à de telles fins dans la technique antérieure. Parmi de telles substances, on peut notamment citêr les suivantes, sans que cette énumération soit limitative un un sable siliceux de haute densité, chamotte, corindon, magnésite, dolomite, carbure, de silicium, bauxite, mullite, sillimanite, houille molle, houille dure, poussier de coke, graphite, braise de coke, argile réfractaire calcinée, pyrophyllite, argile plastique, ferrosilicium, aluminosilicates, des mélanges de ces substances, etc...
En ce qui concerne les mélanges non aqueux pour l'obturation de trous de coulée selon l'invention, le liant comprenant un mélange de polymères formés par lihomopolyméri- sation de résorcinol peut typiquement être présent en propor tions comprises entre environ 5 et 20 parties en poids pour 100 parties de charge réfractaire.Le solvant non aqueux est typiquement présent en proportions comprises entre environ 3 et 15 parties en poids pour 100 parties de charge réfractaire, cependant que l'agent durcisseur est typiquement présent en proportions comprises entre environ 0,1 et 0,5 partie en poids pour 100 parties de charge réfractaire. I1 ne faut toutefois pas perdre de vue que le choix des proportions adéquates des matières,en vue de l'application des enseignements de la présente invention à un problème particulier ou à des conditions extérieures partzculieres,est de la compétence d'un spécaliste ordinaire ayant pris connaissance de la présente description.
En ce qui concerne les matériaux spéciaux, contenant du carbone, compris dans la portée de l'invention, un liant du type polymère de résorcinol tel que décrit ci-dessus est utilisé dans des mélanges plastiques, des mélanges à damer ou autres mélanges similaires et qui contiennnent du carbone.
On peut faire varier les proportions des ingrédients de façon à modifier la fluidité et la durée du temps de durcissement du mélange selon les besoins de l'application particulière envisagée. De telles modifications et variantes sont de la compétence de tout spécialiste de ces techniques ayant pris connaissance de la présente description. Parmi des matériaux spéciaux compris dans la portée de l'invention figurent des réfractaires qui durcissent de manière à former des structures monolithiques, d'une seule pièce, apres l'application de tels matériaux du genre en question Communément dénommés mélanges plastiques, mélanges à damer, mélanges à projeter au pistolet, et mortiers.
Un avantage particulier des matériaux spéciaux éla borés conformément à la présente invention réside dans le fait qu'ils peuvent utiliser un solvant aqueux. l'utilisation d'un solvant aqueux élimine les risques de dégagements de vapeurs nuisibles ou toxiques et les risques d'incendie ou d'explosion pouvant résulter de l'utilisation de nombreux solvants organiques auxquels on a eu jusqu'à présent, recours pour I'applir cation de matériaux spéciaux du genre en question. Un liant particulièrement préféré peut être une solution à 65 % en poids de substances solides dans de l'eau. I1 convient toutefois de ne pas perdre de vue que des liants pour matériaux spéciaux conformément à la présente invention, peuvent être aussi en solution alcoolique ou cétonique.
En conséquence, la biellette 22 et le levier inter- médiaire 28 constituent un organe de commande d'ouverture, dont le pivotement dans le sens anti-horaire autour du pivot 34, à l'encontre d"tan ressort de rappel élastique, commande le pivotement du pion de came 20 des cames 18 du pène dans un sens qui autorise la libération de la gâche et donc l'ou- verture de la porte.
Ce passage de la position de fermeture, dans laquelle l'organe de commande d'ouverture est rappelé élastiquement, à la position d'ouverture, peut entre commandé soit par le pi votement du levier de commande intérieure 116, lui-Sme pivo-.
té par la manoeuvre de la poignée de commande intérieure, soit par le pivotement de la came 76, provoqué par traction sur le levier de commande extérieure 102, lui-même sollicité par la manoeuvre de la poignée de commande extérieure, mais à la seule condition, dans ce dernier cas > que la biellette 22 soit en position de coopération avec la came 76, c'est-à-dire que le levier de condamnation 46 soit dans sa première posi- tion, qui est donc une position de décondamnation.
Par contre, dans sa seconde position, qui est une position de condamnation, le levier de condamnation 46 place la biellette 22 dans une position d'échappement par rapport à la came 76, de sorte que la rotation de cette dernière, provoquée par la manoeuvre de la poignée de commande extérieure re, ne commande pas l'ouverture de la porte.
Le téton 26 et la came 76 constituent un mécanisme de débrayage, monté entre le levier de commande extérieure 102 et l'organe de commande d'ouverture. Ce mécanisme de débrayage est embrayé ou débrayé selon que le levier de condamnation 46 est en position de décondamnation ou de condamnation respectivement. Par contre, l'organe de commande d'ouverture est toujours directement commandé par le levier de commande intérieure 116, qui de plus bascule automatiquement le levier de condamnation 46 de sa position de condanna- tion à sa position de décondamnation, Si celui-ci ne se trouve pas déjà dans cette dernière position.
Cette propriété, que présente la serrure ainsi réalisée, de passer automatiquement en position de décondamna- tion est intéressante non seulement parce qu'il suffit à un occupant du véhicule de manoeuvrer la poignée de commande intérieure pour ouvrir la serrure, mEme si le levier de con damnation 46 est initialement en position de condamnation, mais également parce que si la porte est claquée alors que le levier de condamnation 46 est en position de condamnation, le pion de came 20 est pivoté contre son rappel élastique par le passage de la gâche, ce qui pivote le levier intermé- diaire 28 dans le sens anti-horaire sur la figure 1. La se- conde palette 72 de ce levier 28 vient donc prendre appui contre la branche 52 du levier de condamnation 46, qui est basculée en position de de'condamnation.
Si l'utilisateur quitte donc précipitamment son véhicule en claquant la porte derrière lui, alors que la serrure est en position de condamnation, et en laissant les clés du véhicule à l'intérieur de ce dernier, il peut donc sans difficulté les récupérer puisque la serrure est automatiquement mise en position de décondamnation, et la porte peut donc être ouverte de l'extérieur par la manoeuvre de la poignée de commande extérieure.
La serrure de porte arrière représentée sur les figures 4 à 7 présente de nombreuses caractéristiques de structure et de fonctiormemant communes à celles de la serrure avant, qui vient d'être décrite en se référant aux figures i à 3, et les mimes références sont utilisées pour désigner les éléments communs, alors que les références sont affectées d'un (') pour désigner les éléments correspondants non ideno tiques.