INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description suivante donnée en regard des dessins annexés à titre illustratif mais nullement limitatif, dans lesquels - les figures 1, 2 et 3 représentent trois vues dans trois directions perpendiculaires d'un mode de réalisation d'un moule selon l'invention, - les figures 4 et 5 représentent, en vue de face et en vue de dessus, le moule selon les figures 1 à 3, disposé sur la mâchoire d'un patient, - les figures 6 et 7 représentent, en vue de face et de dessus, un assemblage de trois moules conformes à celui illustré sur les figures 1 à 3, permettant de réaliser un bridge de trois dents artificielles, - la figure 8 représente, vu en coupe, un mode de mise en oeuvre du moule selon les figures précédentes, pour réaliser une dent artificelle sur une racine de dent.
Ce moule est composé d'un corps 1 réalisé dans un matériau de préférence élastique, comme du caoutchouc siliconé qui, avantageusement, présente une certaine transparence.
A l'intérieur de ce corps, est réalisée une cavité 2 avec une ouverture vers l'extérieur 3.
Cette cavité représente en fait l'empreinte en négatif d'une dent réelle, et c'est cette cavité 2 qui permet le moulage d'une dent artificielle.
Cependant, ce moule doit assurer une pluralité de fonctions et, pour cela, il présente une configuration particulière.
Tout d'abord, il comporte, sur ses deux cotés 4 et 5 qui correspondent respectivement aux faces distale et mésiale d'une dent réelle, deux échancrures 6 et 7. Ces échancrures débouchent au niveau de l!ouvertu- re 3 de la cavité 2, elles ont de plus une profondeur déterminée de façon que leur fond respectif 8 et 9 soit légèrement en retrait par rapport au fond 10 de la cavité 2, ce fond 10 étant défini pour réaliser la face triturante de la dent moulée.
Les deux faces extérieures 11,!2 des deux côtés 4 et 5 du corps I sont réalisées de façon convexe pour que, lorsque le moule est introduit dans la bouche du patient entre deux dents 13 et 14 (figure 4 et 5), celui-ci puisse dégager les faces opposées des dents entre lesquelles ce moule doit être introduit.
Ces faces convexes donnent au moule, de ce fait, une forme ovotide qui permet à ce moule d'être parfaitement introduit entre les deux dents 13 et 14, et de venir, par son extrémité plongeante 15 définissant les bords de l'ouverture 3, au contact de la gencive 16 (figure 4).
Ce moule comporte avantageusement, sur sa face supérieure 17, celle qui se trouve au dessus de la face 10 du fond de la cavité 2, des moyens permettant éventuellement de fixer un tel moule sur un support. Ces moyens sont schématiquement illustrés par une rainure 18 dans laquelle pourra être positionné un guide, par exemple métallique, mais pouvant subir des déformations afin de positionner plusieurs moules les uns à côtés des autres comme cela sera explicité ci-après.
En effet, en se reportant plus particulièrement aux figures 6 et 7, celles-ci représentent, sur deux vues de dessus et de face, une association de trois moules 21,22,23 reliés par un support métallique esquissé en 24 passant respectivement dans les rainures 25,26,27 des trois moules. Ce support métallique est déformé de façon déterminée pour pouvoir positionner respectivement ces trois moules et réaliser un seul moule compact d'une possibilité de réalisation de moulage simul tanée de trois dents et, bien entendu, directement dans la bouche d'un patient.
Comme mentionné précédemment, et en se reportant plus particulièrement à la figure 8, pour obtenir le moulage d'une dent artificielle directement dans la bouche d'un patient, on utilise un moule comme celui représenté sur les figures I à 3, et on prépare éventuellement la racine 30 sur laquelle sera moulée directement cette dent.
Bien entendu, il est avantageux que le praticien qui doit réaliser cette dent artificielle, ait à sa disposition une pluralité de moules de différentes dimensions, et, dans ce cas, il choisit le moule dont les dimensions sont celles qui correspondent à la dent à remplacer pour que la dent artificielle soit en harmonie avec les autres dents et puisse assurer la fonction de là dent réelle manquante.
guidage 18 et 19, vers une seconde position (non représen-
tée) dans laquelle il est espacé de l'une des surfaces de
guidage pour définir avec celle-ci une ouverture d'alimenta-
tion L'organe de fermeture peut aussi se déplacer par rapport au bottier dans une direction autre que parallèle à l'une des surfaces de guidage 18 et 19, et peut subir un déplacement
combiné avec une rotation.
Le déplacement de l'organe de fermeture 21 par rap-
port au bottier 10 est limité par une broche 22 traversant
l'organe de fermeture et dont les extrémités dépassent l'or-
gane de fermeture et sont engagées dans le bottier Ces extré-
mités sont montées de manière amovible dans des positions fixes du bottier, mais nepeuvent&trelibérées qu'après démontage de ertaine S piècesdu bottier Le diamètre de la broche 22 est beaucoup plus petit que le diamètre intérieur de l'organe de fermeture En variante, la broche 22 peut être remplacée par
deux broches plus courtes, une à chaque extrémité de l'orga-
ne de fermeture o elles ne pénètrent que sur une faible dis-
tance, et limitant de la même façon le déplacement de l'orga-
ne de fermeture par rapport au bottier.
Dans la machine représentée, l'organe de fermeture
21 est rappelé par gravité au contact des surfaces 118 et 19.
la lame de' scie, de la surface de soutien de la pièce à travail-
ler sur le bâti de la machine et comportant un disposi-
tif d'actionnement qui attaque l'extrémité des supports de serrage, tournée à l'opposé du plan de coupe, pour exerce un couple d'ouverture agissant sur la fente de
coupe dans la pièce à travailler.
Selon une caractéristique de l'invention, le dispositif d'actionnement des supports de serrage est un
-25 levier à genouillère.
Selon une autre variante de réalisation de l'invention, le dispositif d'actionnement des supports
de serrage est un levier de serrage à excentrique.
Le dispositif d'actionnement à levier à genouillère et le dispositif d'actionnement à levier
de serrage excentrique de chaque support de serrage ap-
pliqué sur la pièce à travailler devant être sciée-per-
mettent un maintien sûr de la pièce à travailler-et évi-
tent un rétrécissement de la fente de coupe dans le cas de forces de serrage fortement réduites par rapport aux
dispositifs connus de serrage de pièces à travailler.
Avec les nouveaux dispositifs de serrage, il est pos-
sible de réaliser le tronçonnage de petites pièces
La sortie négative du pont redresseur RF fournit le potentiel de référence, que l'on appellera la masse.
La sortie positive A de ce pont est connectée à une entrée d'un circuit de numérotation GT elle-même connectée à une sortie de ce circuit à travers un contact GN normalement fermé. Cette sortie du circuit GT est connectée à une entrée d'un diviseur potentiométrique comprenant deux résistances R1 et R2 connectées en série entre cette sortie du circuit de numérotation GT et la masse, un condensateur de filtrage C1 étant connecté en parallèle avec la résistance R2.
La sortie A du pont redresseur RF est également connectée, à travers le contact GN, à l'émetteur d'un transistor d'émission T1 de type p-n-p par l'intermédiaire d'une résistance R3. L'électrode de base du transistor T1 est connectée à la cathode d'une diode D1 dont l'anode est connectée à la sortie du circuit de numérotation GT par l'intermédiaire d'une résistance R4. Le collecteur du transistor T1 alimente une source fournissant un potentiel constant +V (+ 5", par exemple) pour l'alimentation des composants électroniques du poste à partir du courant de ligne.
ie e circuit de la figure l comprend e n outre un circuit de transmission [C, par exemple du type du circuit intégré cosllmerclaSisé sous la référence STL-45C. De ce circuit on n'a représenté qu'un amplificateur d'entrée AT dort le entrées sont respectivement connectées à des bornes 41 et M2 du microphone du poste téléphonique, un aplificateur d'émission AE dont l'entrée est connectée à la sortie de l'amplificateur d'entrée AT et la sortie à la base du transistor d'émission Tl, un amplificateur différentiel de réception AR dont une entrée est connectée à la sortie de l'amplificateur d'émission AE par une résistance Rr, dont l'autre entrée est connectée à la sortie d'un amplificateur AT', et dont la sortie est connectée à l'une des bornes TSl du récepteur du poste téléphonique. L'entrée de l'amplificateur AT' est connectée à la sortie A du pont redresseur RF via un circuit d'équilibrage EQ.
Les amplificateurs AT, AT', AE et AR du circuit de transmission TC comprennent une entrée de signal de commande de gain: Celle des amplificateurs AT et AT' est connectée à une entrée NF du circuit de transmission TC à laquelle est fourni un signal de commande ch. Celle des amplificateurs d'émission AE et de réception AR est connectée au point commun des résistances Ri et R2 du diviseur potentiométrique.
Dans le sens réception, le courant circulant dans la ligne Ll-L2 se retrouve en sortie du redresseur RF. Les signaux de parole issus de la ligne sont fournis à l'entrée de l'amplificateur de réception AR par l'intermédiaire du circuit d'équilibrage EQ et de l'amplificateur d'entrée AT'. ils sont amplifiés par l'amplificateur AR qui les retransmet à l'entrée TSl de l'écouteurf le gain de cet amplificateur étant fixé par le signal de commande de gain cq fourni par le diviseur potentiométrique Rl-R2, selon le courant de ligne.
Dans le sens émission, les signaux de parole issus du microphone connecté entre les bornes Ml et M2 sont amplifiés et retransmis par les amplificateurs AT et AE à l'électrode de base du transistor d'émission Tl.
Des courants de parole correspondants sont engendrés sur la ligne téléphonique Ll-L2 par ce transistor. De la façon décrite précédemment, le gain de l'amplificateur d'émission AE est commandé à partir du diviseur potentiométrique Rl-R2 selon le courant de ligne. D'autre part, les signaux de parole retransmis par l'amplificateur d'émission AE sont également fournis à travers la résistance Rr, à une entrée de l'amplificateur différentiel de réception AR.
L'autre entrée de cet amplificateur reçoit les signaux transmis sur la ligne, à travers le circuit d'équilibrage EQ qui compense le déphasage introduit par l'impédance de ligne de manière que le signal résultant à la sortie de l'amplificateur AR soit faible mais non nul (effet local).
Pendant la numérotation, transmise sous forme d'impulsions par des ouvertures du contact GN du circuit de numérotation GT, on fournit un signal de commande de gain ch à l'entrée NF du circuit de tgansmission TC, annulant pratiquement le gain des amplificateurs d'entrée AT et AT' et évitant ainsi notamment l'audition des impulsions de numérotation.
Le circuit de poste de la figure 1 ne comprend aucun élément pour agir sur le courant de ligne autre que la thermistance Rv. Or, il existe de nombreuses raisons d'agir sur ce courant, parmi lesquelles on peut citer : la régulation du courant, sans chute de tension indésirable, l'augmentation temporaire du courant, souhaitable au décrochage, pour en faciliter la détection, et durant la numérotation pour augmenter l'amplitude des impulsions de numérotation, l'annulation du courant pour créer les impulsions de numérotation, la limitation de ce courant en cas de surtension accidentelle pour protéger les circuits de poste.
L'invention prévoit donc l'adjonction au dispositif de la figure 1 d'un circuit permettant d'agir sur le courant continu de la ligne et d'atteindre ces objectifs.
Un décrira maintenant, en se référant également à la figure 2, le schéma de principe du circuit de commande de la présente invention.
On retrouve dans le circuit de la figure 2, le transistor d'émission Tl de la figure 1. L'émetteur de ce transistor est connecté directement au point A par une résistance Ra. L'électrode de base est connectée à la cathode de la diode Dl dont l'anode est connectée au point A par l'intermédiaire d'une résistance Rb, et son collecteur est connecté à un potentiel constant +V.
Les résistances Ra et Rb du circuit de la figure 2 correspondent aux résistances R3 et R4 du circuit de la figure 1.
Le circuit de la figure 2 comprend également un circuit de commande CD. Ce circuit CD se compose d'un transistor T2 de type V-MOS dont une électrode, l'électrode de source par exemple, est connectée à la base du transistor Tl, et dont le drain est connecté à la masse via une résistance Rx. L'électrode de commande du transistor T2 est connectée à la sortie d'un diviseur potentiométrique connecté entre le point A et la masse.
dans le fond des encoches 132, comme l'illustre la fi-
gure 4 a, les extrémités repliées en forme de crochet des pattes 128 appliquent les tiges 120 dans le fond des encoches 122 La pièce 126 comporte en outre une oreille de manutention 134 venant normalement en appui sur la face supérieure de la fourche 124 lorsque la
pièce 126 est en place comme l'illustre la figure 4 a.
Lorsqu'on tire vers le haut sur l'oreille de manuten-
tion 134, on fait pivoter la pièce 126 autour de la
tige 130, ce qui a pour effet de libérer les tiges 120. La pièce 126 peut alors être retirée comme l'illustre la figure 4 b, et la
tige 46 a du vérin 46 est alors
désolidarisée de la fourche 124.
On a déjà vu en se référant à la figure 1 que le corps du vérin 52 comporte des tiges radiales 54 par lesquelles il repose par gravité dans des encoches 56
formées dans les bras 58 servant par ailleurs au sup-
portage de la platine 12 Comme l'illustrent les figu-
res 5 et 6, la tige 52 a du vérin 52 peut également être démontée à distance, ainsi que la partie amovible 60
des moyens de blocage.
On voit sur les figures 5 a et 5 b que la tige
52 a, qui fait saillie verticalement vers le haut à par-
tir du corps du vérin 52, porte à son extrémité supé-
La figure 7 est une vue en élévation, avec parties arrachées, d'un projecteur comportant un circuit d'air
de refroidissement conforme à l'invention.
La figure 8 est une vue de gauche, par rapport à
la figure 7.
La figure 9, enfin, est une coupe suivant IX-IX
En se reportant à la figure 1, on peut voir un projecteur lumineux pour véhicule, notamment automobile, du type projecteur de ville ou code, comprenant un corps
muni d'un réflecteur 1 formé par un ellipsoïde de révo-
lution autour de l'axe A, qui est également l'axe optique. Ce réflecteur 1 a la forme d'une calotte dont le fond est fermé Le foyer de ce réflecteur, situé vers le fond, est désigné par F Une source lumineuse 2 est disposée au voisinage de ce foyer F, avec son centre ou son axe 2 a surélevé d'une distance d par rapport à l'axe optique A du réflecteur Cette distance d est avantageusement égale à 0,5 mm ou de l'ordre de cette valeur La source lumineuse 2 peut être constituée par un filament de lampe, en forme d'hélice sensiblement cylindrique, dont l'axe 2 a est parallèle à l'axe optique A. Le projecteur du type code comporte une coupelle hémisphérique 3 réfléchissante, tournant sa concavité vers le haut et dont le centre se confond avec le foyer F du réflecteur ellipsoidal Cette coupelle 3, d'une manière
connue, a pour but d'éviter cque les rayons lumineux, pro-
venant de la source lumineuse 2, n'atteignent la partie inférieure du réflecteur 1 et ne soient réfléchis suivant une direction montante, de tels rayons réfléchis pouvant provoquer l'éblouissement de conducteurs croisant le véhicule équipé d'un tel projecteur code Ce projecteur comporte, à sa partie avant, un cache 4 schématiquement représenté destiné à occulter la partie supérieure du projecteur; l'arête horizontale inférieure du cache 4 passe par l'axe optique A. Pour améliorer l'action de la coupelle hémisphérique 3 et éviter l'émission, par le projecteur, de rayons réfléchis suivant une direction ascendante tels que le rayon 5 (fig 2), le rebord 6 de la coupelle 3 est découpé de telle sorte que les rayons lumineux plongeants tels que 7 (fig 2) affleurant ce rebord 6 de coupelle atteignent le réflecteur 1 partout sensiblement au même niveau dans un plan horizontal (représenté par sa trace H sur la figure 2) situé à une distance égale à d (fig 2) ou sensiblement égale à d au-dessous du plan P horizontal passant par l'axe optique A. Dans ces conditions, le rayon plongeant 7 est réfléchi suivant le rayon 8 pratiquement horizontal, qui ne provoquera donc pas un éblouissement des conducteurs
croisant le véhicule équipé du projecteur.
Pour satisfaire pratiquement aux conditions évo-
quées précédemment, le rebord de la coupelle 3 est dé-
coupé suivant un plan oblique Q incliné, comme visible sur la figure 1, vers l'arrière du projecteur, ce plan Q coupant l'axe optique A au niveau du foyer F Ainsi, l'extrémité arrière 6 a du rebord 6 est située audessous de l'axe A, tandis que l'extrémité avant 6 b de ce rebord est située au-dessus de l'axe A Cet agencement permet d'améliorer le projecteur lumineux du type code, en réduisant les rayons réfléchis parasites susceptibles de provoquer un éblouissement de conducteurs venant en
sens opposé.
Des bombes ou bouteilles de gaz 1102 - 1106 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la formation de l'élément photoconducteur selon l'invention.
Par exemple, une bouteille 1102 contient du SiH4 gazeux (pureté: 99,999%), dilué avec He (désigné ci-après sous la forme abrégée "SiH4/He"); une bouteille 1103 contient du GeH4 gazeux (pureté: 99,999%), dilué avec He (désigné ci-après sous la forme abrégée "GeH4/He"); une bouteille 1104 contient du SiF4 gazeux (pureté: 99,99%) dilué avec He (désignéci'après sous la forme abrégée "SiF4/He"); une bouteille 1105 contient du He gazeux (pureté: 99,999%), et une bouteille 1106 contient du H2 gazeux (pureté: 99,999%).
Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction, une fois confirmée la fermeture des robinets ou valves 1122 - 1126 des bouteilles de gaz 1102 - 1106 et de la valve de fuite 1135, et une fois confirmée l'ouverture des valves ou robinets d'entrée 1112 1116, des valves ou robinets de sortie 1117 - 1121 et des valves ou robinets auxiliaires 1132, 1133, on ouvre d'abord la valve principale 1134 pour évacuer la chambre de réaction 1101 et les conduites de gaz. Lors de l'étape suivante, lorsque l'indicateur 1136 de vide affiche une valeur d'environ 666,6 x 10 6 Pa, on ferme les valves auxiliaires 1132 et 1133 et les valves de sortie 1117 1121.
En se référant à présent à un exemple de formation d'une couche amorphe sur le substrat cylindrique 1137, on permet à du SiH4/He gazeux provenant de la bouteille 1102 et à du GeH4/He gazeux provenant de la bouteille 1103 de circuler dans des régulateurs 1107 et 1108 de débit massique en ouvrant les valves 1122 et 1123, respectivement, et on règle à 100 kPa les pressions affi chées par les manomètres de sortie 1127 et 1128, en ouvrant progressivement les valves 1112 et 1113. Puis on ouvre progressivement les valves de sortie 1117 et 1118 et la valve auxiliaire 1132 pour permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction.
On règle les valves de sortie 1117 et 1118 afin que le rapport du débit d'écoulement du SiH4/He et du GeH4/He puisse avoir une valeur souhaitée et on règle également l'ouverture de la valve principale 1134 tout en surveillant la valeur affichée par l'indicateur de vide 1136 afin que la pression régnant dans la chambre de réaction puisse atteindre une valeur souhaitée. Après confirmation du réglage à 50 - 4000C, par l'élément chauffant 1138 de la température du substrat cylindrique 1137, on règle la source 1140 d'alimentation en énergie a une puissance souhaitée pour déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 1101 de réaction, afin d'introduire des atomes de germanium dans la couche formée.
Comme décrit ci-dessus, la décharge d'effluves est maintenue pendant une période de temps souhaitée jusqu'à ce qu'une première région (G) de couche soit formée sur le substrat 1137. Au moment ou la première région (G) est formée a une épaisseur souhaitée, en suivant les mêmes conditions et le meme processus que ceux utilisés lors de la formation de la première région, sauf que l'on ferme complètement la valve 1118 de sortie et que l'on modifie les conditions de décharge, si cela est souhaité, on maintient une décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée afin qu'une seconde région (S) de couche, ne contenant pratiquement pas d'atomes de germanium, puisse être formée sur la première région (G).
Pour rendre non uniforme la répartition des atomes de germanium dans la première région (G), au stade où les opérations préliminaires sont achevées confónhent à un processus prédéterminé, une décharge d'effluves peut être déclenchée en même temps que l'on effectue l'opération consistant à modifier le débit d'écoulement du GeH4/He gazeux, conformément à une courbe de rythme de variation déterminée précédemment, en modifiant progressivement l'ouverture de la valve 1118, à la main ou au moyen d'un moteur entraîné extérieurement, afin qu'il soit possible de contrôler la concentration en répartition des atomes de germanium contenus dans la couche formée.
Pour introduire structurellement des atomes d'oxygène dans la première région (G), dans la seconde région (S) ou dans ces deux régions, on peut introduire, en plus des gaz tels que ceux décrits ci-dessus, utilisés pour la formation des régions respectives, un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène, par exemple NO.
De plus, pour rendre non uniforme la répartition des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la région de la couche, on peut utiliser le même procédé que celui décrit précédemment dans le cas des atomes de germanium.
Pour l'introduction d'une substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction de la première région (G), de la seconde région (S) ou des deux, on peut ajouter un gaz tel que B2H6, PH3, etc. aux gaz devant être introduits dans la chambre 1101 de déposition pendant la formation des régions respectives.
Durant le processus de formation de la couche, pour obtenir une formation de couche uniforme, on peut faire tourner le substrat 1137, comme souhaité, à une vitesse constante au moyen d'un moteur 1139.
Pour la préparation d'un élément photoconducteur ayant la même constitution stratifiée que celle montrée sur la figure 28, une seconde couche amorphe (II) peut être formée sur la première couche amorphe (I) qui a été formée à une épaisseur souhaitée de la même façon que pour former la couche amorphe telle que mentionnée ci-dessus.
Autrement dit, la formation de la seconde couche amorphe (II) peut être réalisée par les mêmes manoeuvres des valves que dans'le cas de la formation de la première couche amorphe (I), par exemple en permettant à du SiH4 gazeux, et du C2H4 gazeux, facultativement dilués avec un gaz de dilution tel que He, de pénétrer dans la chambre de réaction, et en déclenchant une décharge d'effluves dans cette chambre, après que les conditions souhaitées ont été établies.
Pour l'introduction d'atomes d'halogène dans la seconde couche amorphe {il), par exemple, du 81F4 gazeux et du C2H4 gazeux, ou un mélange de ces gaz avec du SiH4 gazeux, peuvent etre utilisés! et la seconde couche amorphe (II) peut être formée de la même façon que celle décrite précédemment.
La teneur en atomes de carbone à introduire dans la seconde couche amorphe (II) peut être réglée comme souhaité, par exemple par variation du rapport des débits d'écoulement du SiH4 gazeux et du C2H4 gazeux devant etre introduits dans la chambre 1101 de réaction pendant que la formation de la couche est effectuée par décharge d'effluves; ou bien lorsqu'un procédé de pulvérisation est utilisé pour former la couche, par variation du rapport des surfaces de pulvérisation des tranches de silicium et de graphite lors de la formation d'une cible, ou encore par variation de la proportion de mélange de la poudre de silicium et de la poudre de graphite lors du moulage d'une cible.La teneur en atomes d'halogène (X) à introduire dans la seconde couche amorphe (II) peut être réglée par ajustement du débit d'écoulement d'un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'halogène, par exemple du SiF4 gazeux, dans la chambre 1101 de réaction.