INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les liaisons faites par les clips de fixation sont exemptes de corrosion et électriquement neutres. Leur résistance élevée à la traction, qui ne cède pas même après des années de service, est calculable. Pour les desserrer, il n'est pas besoin d'un outil spécial.
En pressant ensemble la partie du clips et sa-pièce complémentaire, les têtes sphériques 2 s'accrochent solidement les unes aux autres, ce qui donne un engrènement robuste. Le démontage exempt de soudure et le rétablissement de la liaison ont été déjà mentionnés.
La bobine de déviation 1 reste maintenant à emboiter, on fait s'encliqueter tous les éléments de clips 2 contre leurs complémentaires 2' ; la mise en position de la bobine 1 s'obtient par les trois points de vissage (en 6). Un blocage de rotation des vis peut être obtenu par soudage à ultrasons.
L'invention concerne une machine à déchiqueter le papier.
Selon l'invention, la machine à déchiqueter le pa-
pier,qui comprend un boîtier, un ensemble de coupe disposé à l'intérieur du boîtier et des moyens d'entraînement de
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =1x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G3
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ 1000 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =1x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G4
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G5
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1~5/100 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G6
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G7
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G8
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+Si2H6) Première Si2H6+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+Si2H6) amorphe =2/100 (I) Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U G9
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) Première SiF4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiF4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiF4/He=0,05 SiF4=200 0,18 0,5 19 couche T A B L E A U G10
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/(SiH4+SiF4) SiH4/He=0,05 SiF4/He=0,05 =4/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 B2H6/(GeH4+SiH4+ couche 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =50 SiF4)=3x10-3 Couche amor- NO NO/(GeH4+SiH4+SiF4) phe =1/100 (I) SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4+SiF4=200 0,18 0,5 19 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U G11
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =3/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-3 0,18 1,5 19 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U G12
N 1201G 1202G 1203G 1204G 1205G 1206G 1207G 1208G d'échantillon B2H6/ (SiH4+GeH4) 1x10-2 5x10-3 2x10-3 1x10-3 8x10-4 5x10-4 3x10-4 1x10-4 Rapport des débits d'écoulement Teneur en B 1x104 6x10 2,5x10 1x10 800 500 300 100 (ppm atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G13
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=8x10-5 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U G13A
N 1301G 1302G 1303G 1304G 1305G 1306G 1307G 1308G 1309G 1310G d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G14
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U G14A
N 1401G 1402G 1403G 1404G 1405G 1406G 1407G 1408G 1409G 1410G d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G15
Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1G Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2G Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3G Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4::9,6 0,18 0,3 12-4G C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5G C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6G SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7G SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8G SiF4/He=0,5 =3:3::3 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U G15A
Tableau 4 Solubilité du dioxyde de soufre, Mélange de dans les solvants dant l'électrolyse solvants LiCl04 LiBr Calculé trouvé Calculé trouvé Calculé trouvé 1 2 3 4 5 6 AN +CP 1:1 10,3 9,7 8,6 8,6 9,3 10,8 AN +DMFA 1:1 14,6 16,8 12,6 11,9 13,8 14,0 AN +DMSO I:I 14,5 14,8 13,5 13,9 - - DMFA+DMSO 1:1 20,4 22,1 16,5 18,1 - DZFA+CP I:I 14,3 15,3 11,6 11,3 14,3 14,9 DMFA+CP 16,2 16,3 DMFA+CP I:2 12,3 13,1 La conductibilité électrique de l'électrolyte est une caractéristique importante.Dans le tableau 5 on a résumé les résultats sur la conductibilité électrique de certains électrolytes dérivés de solvants organiques aprotiques individuels ou de leurs mélanges.
Il découle du tableau 5 que l'introduction dans le mélange de solvants d'un solvant complexant n'altère prati quement pas la conductibilité électrique de l'électrolyte en comparaison avec l'électrolyte dérivé du mélange de car bonate de propylène et d'acétonitrile.
Tableau 5 Conductibilité électrique spécifigue, cm-1. cm-1 Solvant sans S02 teneur maxi Sans S02 teneur maxi sel LiCl04 en S02 sel Libr en S02 1 2 3 4 5 Acétonitrile 2,2.10 2 - 2,4.10 2 0,8.10-2 2,6.10-2 Carbonate de propylène 0,6'10 2 1,2~10-2 0,2.10#2 1,4.10-2 Diméthyfor- mamide 1,5.10- 2 1,4.10-2 0,62.10-2 1,53.10- 2 Diméthylsulfoxyde 1:1 1,0-10-2 1,51.10-2 N-méthylpyrrolidone 0,7.10-2 0,9.10#2 0,7.10-2 1,1.10-2 Mélange d'acétonitrile+ de carbonate de propylène 1:1 1,2.10 1 1,6.10-2 0,5~10-2 1,8.10-2 Mélange d'acétonitrile+diméthylsulfo- xyde 1:1 1,8-10-2 1,7-10-2 - Mélange d'acétonitrile+diméthylforma mide 1::1 1,8.10-2 2 1,8.10-2 1,5-10-2 1,5.10-2 2,2.10#2 Mélange de diméthyliorma ide+diméthylsulfoxyde 1:1 1,2.10-2 1,2-10-2 - Mélange de di méthylforma- mide + de propylène 1,0.10-2 1,5.10-2 0,8.10-2 1,5.102 carbonate 1:1 Les solvants organiques dans lesquels se dissout facilement le dioxyde de soufre contribuent en même temps à améliorer les caractéristiques de décharge de la cathode. Comme on le voit dans le tableau 6 dans les électrolytes à base de diméthylsulf oxyde et de dimét;hyl- formamide la capacité de décharge de la cathode (dans le cas considéré c'est le produit du courant par le temps pendant lequel le potentiel de L'électrode varie de sa valeur initiale jusqu 2,2V) est sensiblement supé- rieure à celle de la cathode dans les électrolytes à base de carbonate de propylène, dtacétonitrile et de leurs mélanges.
Le tableau 6 indique les caractéristiques de la cathode à dépolarisant cathodique S02 dans les électrolytes non aqueux (support inerte - platine, cellule à trois électrodes) tableau 6 Solvant Sel Courant, DmA Concen A micro- cm tration Z ampère en 502,% sec Ac 1 2 3 4 5 6 7 Carbonate Sol.IM, 12 0,06 12 68 820 de propy- LiCl04 lène Carbonate IM,lii3r 10 0,05 12 27 270 de propy lêne Acéto- IM, nitrile LiClO4 40 0,2 6 ,6 25 1000 Acéto- 0,?M nitrile LiBr 12 0,6 12 33 400 Acéto- nitrile+ carbonate de propylène 3::1 IM,LiBr 12 0,6 12 37 450 Diméthyl- IM, formamide LiC104 40 0,23 12 5000 200000 Diméthylformamide llE,LiBr 50 0,25 12 237 11850 Diméthyl- IM, formamide+ LiCl04 40 0,23 12 950 38000 carbonate de propylène 1:3 Diméthyl- IM, formamide+ LiC104 40 0,23 12 1800 72000 carbonate de propylène, 1:1 1 2 3 4 5 6 Diméthyl- IM,LiCl04 40 0,23 12 5000 200000 f ormamide+ carbonate de pro pylène 3:1 L'élément électrochimique suivant l'invention possède une capacité en énergie élevée grâce au fait que réduisant la masse d'une électrode inerte plus efficace, il est pos sible d'augmenter respectivement la masse de substance ac tive et, de cette façon, d'améliorer les caractéristiques pondérales et volumiques de la source précitée.La capacité en énergie est augmentée,elle-aussi, du fait qu'en mettant en oeuvre des solvants assur~snt une haute solubilité de S02, il devient possible d'élever la teneur en S02 du sys tème sans augmenter la résistance mécanique et, par consé quent, le poids de l'élément. L'élément possède également une puissance élevée du# fait que l'utilisation d'une élec trode efficace traitée électrochimiquement , ainsi que des solvants, permet de conduire le phénomène à des den sités de courant plus élevées à égalité du poids et de l'encombrement initiaux.
L'élément électrochimique suivant ltimvention fonctionne dans un intervalle de températures plus étendu par suite d'une tension de vapeur au-dessus de la solution plus ré duite.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation concrète de l'élément électrochimique.
Une électrode poreuse inerte utilisée dans l'élément électrochimique à titre de cathode obtenue par moulage du graphite pulvérulent sous une pression de 200 kg/cm2 subit une polarisation anodique jusqu'à un potentiel de 4,5 V en courant continu dans un système à trois électrodes.
Dans ce système I' électrode en graphite indiquée sert d'électrode de service, l'électrode de lithium sert d'électrode de référence et d'électrode auxiliaire, I1 électrolyte est une solution I M de Lit104 dans le carbonate de propylène contenant 12% pondéraux de 502.
Le tableau 7 indique les résultats de l1activation anodique de l'électrode-cathode inerte.
Tableau 7 Densité de courant de polarisation Degré d'activation anodique, mA /cm2 3,5 3,4 2,1 7,8 1,3 12,9 Exemple 2.
Une électrode-cathode poreuse inerte subit une polarisation anodique dans un système à trois électrodes d'une façon analogue à celle de exemple I, à cette exception près qu'on effectue la polarisation à un potentiel de cou rantcontinu de 4,5 V, Le tableau 8 indique les résultats caractérisant l'influence du temps sur le degré d'actsiva- tion.
Tableau 8 Semps, min Degré d'activation I 6,3 2 16,I 3 817,3 Exemple 3.
Une électrode-cathode poreuse inerte subit une polarisation anodique jusqu'à un potentiel de 4,65 V dans un système à trois électrodes, comme dans l'exemple I, à cette exception prés que l'électrolyte est une solution I M de LiCl04 dans le carbonate de propylène et l'acéto nitrile (1:3) contenant 12% pondéraux de 502. Le degré d'activation à J =2 mA/cm2 est égal à 10.
Une cellule est réalisée sous forme d'un cylindre en acier inoxydable de 60 rmn d'hauteur et de 33 mm de diamètre.
On se reportera, maintenant, aux figures 3 et 4.
Il convient de rappeler que tout réflecteur ellip-
soldal accuse un affaiblissement du faisceau dans la zone centrale, zone o le filament, généralement spiralé rectiligne suivant l'axe optique du réflecteur, émet un minimum de flux lumineux Pour combler cette zone centrale, à flux lumineux réduit dans le faisceau, on peut réaliser au montage du réflecteur 1 de révolution en tôle mince, une légère déformation consistant en une compression suivant un diamètre horizontal, c'est-à-dire suivant les flèches Fl, F 2 de la figure 3, de la partie avant du réflecteur; cette compression engendre une ovalisation de la partie avant du réflecteur, avec élongation du diamètre vertical, comme illustré schématiquement par les
flèches F 3, F 4 de la fig 3.
Dans le cas d'un réflecteur de phare d'automobile
pour la route, il est souhaitable que le faisceau lumi-
neux soit élargi dans le sens horizontal Pour cela,
la déformation est effectué dans le sens de pression ho-
rizontal comme représenté sur la figure 3 et l'ovalisa-
tion du réflecteur 1 conduit à un grand axe vertical.
La section transversale du faisceau lumineux émis par un réflecteur ainsi déformé est représentée schématiquement
par S sur la figure 4 et présente un grand axe horizontal.
Il est également possible d'effectuer l'ovalisation par compression suivant un diamètre vertical de la partie
avant du réflecteur, ce qui conduit à un grand axe hori-
zontal La section du faisceau lumineux admettrait alors un grand axe vertical Une telle déformation par serrage suivant un diamètre vertical est souhaitable pour les
projecteurs de ville ou codes.
Les données codées du registre DR1 sont alors transférées à l'accumulateur ACC afin qu'elles soient décalées d'un bit. Cette opération permet l'examen du nombre de bits "0" ajoutés à la tête des données codées dans le registre DR1.
Le report résultant est conservé dans une mémoire à 1 bit.
Les données codées décalées d'un bit sont à nouveau renvoyées dans le registre DR1 qui les conserve si bien qu'elles peuvent être vérifiées successivement à un stade ultérieur.
Dans ce cas, il faut que la mémorisation soit effectuée jusqu'au bit auquel les données codées ont été extraites.
A cet effet, une unité est soustraite de "8" qui a été placé initialement dans le compteur de bits BTCII.
Lorsque toutes les données codées à 8 bits ont été lues dans le registre DR1, les données codées suivantes à 8 bits doivent être introduites dans le registre DR1. Dans ce cas, le sous-programme de lecture de pile FIFO représenté sur la figure 32 et décrit dans la suite, est exécuté.
Ensuite, le fait que le report obtenu après décalage précédent d'un bit est "0" ou 1 est déterminé. S'il s'agit de "1", l'unité centrale progresse dans l'organigramme pour la consultation de la table et le prélèvement d'une longueur de passage.
Si le report est "O", une unité est retranchée du compteur O. Si le nombre résultant est inférieur ou égal à 7, les données codées sont à nouveau décalées pour le comptage de 0.
Lorsque 8 bits "0" apparaissent de façon continue dans la partie de tête des données codées, la soustraction d'une unité du compteur O laisse un "0" indiquant que les données codées forment un code de synchronisation. Cette opération permet la vérification des erreurs dans les données reçues et la détection des repères de retour.
Lorsqu'une retenue "1" apparaît après décalage des données codées, un pas de programme ST50 assure la consultation d'une première table T1 avec, comme adresse, le contenu du compteur O.
Les tables sont divisées en deux types, l'un pour le prélèvement de la longueur de passage qui correspond à des données codées "BLANC" et l'autre qui correspond à des données codées "NOIR11. Ces tables ont pratiquement la même construction.
La figure 31(b) représente la disposition d'une table de données codées "BLANC". Comme représenté, la table comprend une première table T1 et une seconde T2 placée dans une zone prédéterminée de la mémoire passive. La première table T1 a des adresses 1-8 dans lesquelles WH7-WHo sont conservées pour l'indication des adresses antérieures de la seconde table.
La seconde table T2 d'autre part est divisée en plusieurs blocs par rapport au nombre de bits O qui apparaissent dans les parties antérieures des données codées. Chacun des blocs conserve des données nécessaires au prélèvement d'une longueur de passage correspondant aux données codées.
La figure 31(c) représente une partie de la seconde table T2 qui est comprise entre les adresses WH1 et WH2 et qui correspond à un cas dans lequel seul un bit antérieur des données codées est égal à "0".
On décrit maintenant le programme à partir du pas ST50, sur la figure 31(a), en combinaison avec les tableaux des figures 31(b) et 31oc), avec, à titre illustratif, un jeu de données codées ayant un "0" comme bit antérieur seulement.
Lorsque le pas ST50 est atteint, les données codées ont été décalées de 2 bits "0,1", et le contenu du compteur O et celui du compteur BTCII sont devenus "7" et "6" respectivement.
Abordons maintenant le fonctionnement du porte-charge de la figure 5.
Les dispositifs de gouttières -ayant été fixés, et les étriers 17 ayant été basculés pardessus la barre-support 1, on fait descendre la barre de serrage 29 à l'aide de la plaque 31 et de son écrou 32, Jusqu'à ce que la charge soit correctement serrée entre la barre-support 1 et la barre de serrage 29. Dans cette position, les étriers 17, qui ont pivoté'lors de la descente de la barre de serrage, sont bloqués en pivotement et les dispositifs de gouttières par conséquent verrouillés. Il suffit alors d'immobiliser en rotation la plaque 31 à l'aide de la barrette 34, elle mtme verrouillée par la serrure 35, pour immobiliser en hauteur la barre de serrage 29 et les traverses supérieures 20 des étriers 17.
Tout comme dans la forme de réalisation des figures 1 à 4, avec une seule clé, celle de la serrure 33, on obtient un anti-vol primaire à trois points secondaires, un point supérieur et deux points latéraux.
On a prévu une vis 30 solidaire de la barre-support 1 et un écrou 32 solidaire de la plaque 31, mais on aurait pu prévoir l'inverse.
Le porte-charge de l'invention, tel qu'il vient d'être décrit, dans ses deux principales formes de réalisation, est destiné à recevoir n'importe quelle charge, qu'il s'agisse de simples bagages ou d'équipez ments ou engins sportifs comme des bicyclettes, des skis, des planches à voile.
Sur la figure 1 par exemple, la première jambe extérieure 26 du sabot 22, la plus large, est agencée pour recevoir le mat d'une planche à voile. A cet effet, elle est percée, dans sa partie haute, d'un orifice tra- versant ouvert 40 destiné à recevoir, parallèlement au plan médian longitudinal du porte-charge, le mat en question. Bien entendu, en pratique, cette première jambe est réalisée en deux parties serrées l'une contre autre après le verrouillage, pour empêcher le vol de ce mat.
Quant au ski lui-meme, il se pose naturellement sur la barre-support 1, et il est serré entre cette barre-support 1 et la tige de serrage 23 (la barre de serrage 29 dans la forme de réalisation de la figure 5) pour empocher qu'on ne le vole. Une équerre de verrouillage pour le puits de dérive de la planche peut eAtre avantageusement enfilée sur la tige 23 pour son verrouillage, équerre enfilée sur la tige à la manière du sabot 22.
D'autres 3abots-supports peuvent être enfilés sur la tige 23 ou la barre de serrage 29, et qui sent agencés pour recevoir un ski, une selle de bicyclette.
On a décrit des porte-charge à deux barressupports parallèles. I1 est bien entendu que l'invention s'apZ plique tout aussi bien à des porte-charge à une seule barre-support ou à plus de deux barres-supports.
Par ailleurs, chaque barre-support décrite est fixée sur le toit du véhicule par deux dispositifs de fixation d'extrémité, et verrouillée par deux étriers d'extrémité. La fonction anti-vol, ou de verrouillage, serait déjà assurée par un seul étrier de blocage, avec le dispositif de fixation associé, disposé à l'une seulement des deux extrémités de la barre-support.
La barre de serrage est déplacée verticalement parrallèlement à elle-même. C'est toujours sensiblement vrai dans la forme de réalisation de la figure 5, c'est gonora lement vrai dans la forme de réalisation des figures 1 à 4.
Toutefois, et dans cette dernière forme de réalisation, en cas de charges dissymétriques, il est clair que la tige de serrage pourrait ne pas se déplacer pas parallèlement à el le-même.
Les moyens de blocage et d'immobilisation du portecharge décrit ci-dessus peuvent bien entendu s'adapter à d'autres types de dispositifs de fixation du commerce.
On a représenté un sabot 22 à fonds de logement de réception orientés vers le bas. I1 est clair que la dispo position inverse pourrait également être adoptée. Dans ce cas, la tige de serrage correspondant à la tige 23 serait disposée au-dessus de la traverse supérieure de l'étrier, correspondant à la traverse 20.
Enfin, on a décrit un étrier à traverse inférieure 18 de section droite légèrement inférieure à celle de l'orifice 16.
I1 pourrait en être autrement. Dans ce cas, la partie reçue dans orifice 16 aurait une section rectangulaire, ce qui présenterait l'avantage de sensiblement la maintenir en translation dans l'orifice de la pièce 12.
L'invention peut être utilisée pour faciliter l'hygiène des tout jeunes, aussi bien que des infirmes immobilisés, qui ne peuvent contrôler les effets physiologiques d' éjection de leurs excréments
DEVIDOIR DE BANDES CONTINUES A COUPER, EN PARTICULIER BANDES DE PAPIER.
L'invention concerne un dévidoir de bandes continues à couper, appelé à permettre la distribution de longueurs désirées de bandes. Elle s'applique en particulier pour la distribution de bandes de papier, (papier hygiénique, papier essuie-main...). L'invention vise aussi bien des bandes continues se présentant sous forme de rouleaux que des bandes continues repliées en accordéon ou sous toute autre forme.