INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le sommier est muni sur chacun de ses longs cotés d'une bé@uille amovible. Il est soulevé un coté h le fois et la baille amovible le tient soulevé pour permettre d' utiliser la coffre de rangement. Le sommier est de nouveau soulevé, 18 béquille est retirée et le sommier est descendu A se position basse pour permettra d' utiliser le lit.Ce mode de réalisation comporte deux inconvénients importants : un effort à fournir au soulévement et à la descente du sommier et un danger grave en ces de descente brutale et involontaire pour un motif quelconoue, Un deuxiema mode de réalisation de 1' invention est reprisent sur le figure 1. I1 comprend un éouilibreur destin à soulever seul le sommier chargé de sa literie et donc de 1' empêcher de retomber seul. I1 comporte deux béouilles 8a et 8b qui sont articule as en partie supérieure sur le cadre 2a, généralement en tete du lit, au bout de cheque grand coté du cadre.L' articulation de la béquilla sur le cadre est réalisée par un applatissement de la béquille rentrant dans une boutonniere découpée longitudinalement dans le tube du cadre. Cet applatisse- ment est découpé en un tenon 8d de largeur plus faible que le plat1 ce oui crée deux épaulements oui absorbent la poussée de le bé@uille. La longueur de cette boutonniere est égale a le largeur du tenon, la largeur de la boutonniere est égale A 1' plisseur du tenon augmentée d' une certaine tolérance nécessaire pour permettre 1' articulation verticale complete, du tenon dans cette boutonniere.
Les deux béquilles sont de préférence en tube métallique applati à chacune de ses extrémités selon deux plans a@iaux perpendiculeires 1' un à 1' autre. Elles peuvent etre en profilé métallique si nécessaire. Pour un lit coffre à deux pleces couchées, leur longueur est d' environ cent vingt centimetres.
Comme montré sur le figure 4, chenue béquille est @unie, à son extrémité opposés à l' articulation de deux roue@ @ qui sont situées de pert et d' autre de la béc cille 8 et oui sont montées @ur @r un axe 13 traversant le béauille. Chaque axe 13 traverse aussi un plat métallique 10. Les plats 10a et 10b sont reliés entre eux par un ressort Il de traction rallo@gé gé par une chaire de réglage de tension ai le lit coffre est fourni pour utl iser des matelas de pcids différents.La force du ressort pour 1' allongement nécessaire est calculée selon le poids du sommier et du matelas et selon la heuteur du coffre.
Un profil 12 en bois ou métal et de largeur suffisarte sépare les trajectoires des roulettes 9 a et 9b et empeche les béquilles 8e et 8b de se frotter 1' une A 1' autre et de se déformer mutuellement.
Le plancher 6 du coffre est sous les roulettes perticulierement solide et suffisamment liaisonné par clos, vis ou équerres au coffre pour pouvoir absorber et transmettre les efforts de poussée verticale des roulettes A la fermeture du lit coffre.
Le sommier est bloqué an position basse, eu voisinage de cheque articulation de béquille par un crochet métallique verticel de préférence en tole, oui encercle le tube cylindrique du sommier et cui par cele même peut pi ter et crocheter, commendé per le mein eu travers du sommier, un crochet ou une barre située sous le sommier et solide ire du coffre et du plancher 6 du coffre 4 cet endroit.
En position basse du sommier, le ressort tendu entre les roulettes de béquilles est an tension maximum et dans sa position d' allongement maximum. Quand un crochet est dégagé d' un coté du sommier1 le ressort tire librement sur les roulettes de le béquille devenue libre et feit monter le coté libéré du sommier.
Le ressort est calculé pour aue le sommier chargé de se literie se soulève seul de façon à ce aue, pour la sécurité de 1' utilisateur, le sommier charbé de sa literie ne puisse descendre aue grace A un effort de 1' utilisateur.
Un autre mode de réalisation du crochet maintenant le sommier et sa literie en position abaissée malgré les forces de soulèvement produites par 1' équilibreur de cette invention est représenté sur la figure 5. Le crochet 14 entoure le tube 2a du sommier et pivote autour de lui comme précédemment. En partie basse et sur un seul coté il comporte une crémaillère 14a, Qua@d d le sommier eCt abaissé, la crémaillère 14e est rentrée dans l' entonnoir métallique 15, lui même monté sur une plaque @étallique qui comporte par aille @rs quatre trous de fixation, un axe 18 s@@ lequel pivote un levier 16 qui lui même est lié par un ressort de traction 17 a un cinquieme trou de la Dlao je.
Les liaisons électriques entre les contacts C",C 2, le
motoréducteur 6 et la batterie 22 d'alimentation du vëhicu-
le ont été schématiquement illustrées à la Figure 6.
La longueur de l'échancrure 12 ménagée dans la porte 3 est sensiblement supérieure à 1 décimètre,de préférence,de sorte que la course effective du bouton de commande 7 est de l'ordre du décimètre,entre les deux positions extrêmes de la vitre 4 1 en résulte pour l'usager une meilleure possibilité de contrôler avec précision le réglage de la
position de la Vitre 4, qu'avec un bouton placé sur le ta-
bleau de bord et ayant une course millimétrique fonction-
nant en tout ou rien Le conducteur peut en quelque sorte "suivre" le déplacement de la vitre avec le bouton 7 cou- lissant dans la fente 12, et obtenir la position voulue
pour la vitre 4 avec une grande précision.
Dans la variante de réalisation illustrée aux Figures
7 et 8,1 'interrupteur 23 est pourvu de deux séries de con-
tacts électriques C'1-C'2, et C"'1-C''2 Entre chacun de ces contacts et le plot correspondant 15,16, est interposé un ressort hélicoïdal 24 de rappel du bouton de commande 7 en
position médiane Les contacts C 1 et C'2 sont plus rappro-
chés de cette position médiane du bouton 7 que les contacts
I 5 C"'1 et C" 2 et les quatre contacts sont à déclenchementélas-
tique ou à embase montée élastiquement comme représenté Leci
permet de déclencher d'abord C'1 (ou C'2) puis C"l(ou C" 2).
Les tanins condensés contenus dans l'extrait ont été caractérisés par plusieurs tests et réactifs 1. Le chauffage à l'ébullition de quelques mg de l'extrait dans 5 ml d'HCl 5N a conduit à la formation d'une colora tion rouge intense. Après refroidissement, il y a préci pitation d'un phlobaphène insoluble. Cette réaction est caractéristique des tanins condensés dérivés des flava ne-diols.
2. Par addition de 50 ml du réactif de Stiasny (25 ml de formol à 40 % et 25 ml d'acide chlorhydrique) à une solution de 100 mg de l'extrait dans 100 ml d'eau, il se forme un précipité marron, caractéristique des tanins condensés.
3. L'addition de 0,5 ml d'une solution de Fez13 à 2 % 5 ml d'une solution aqueuse à 0,5 % d'extrait conduit à une coloration verte, caractéristique de la présence de phénols.
4. L'addition à 2 ml d'une solution à 2 %. d'extrait d'l ml d'H2SO4 0,1 N et de 3 ml d'une solution aqueuse de molyb date dtammonium à 10 % conduit à une coloration jaune orangée caractéristique des orthodiphénols.
5. On dissout 0,2 g d'extrait dans 10 m d'HCl 5N puis on porte la solution au bain marie pendant 2 minutes.
Après refroidissement, on extrait l'anthocyanidine formée par 1 ml d'alcool isoamylique. On identifie l'anthocyani dine par chromatographie.
Cyanidine témoin Papier whatman n 1 Solvant Forestal* Rf 0,17 0,17 CCM Cellulose Merck HCOOH-HCl-H2O(10-1-3) Rf 0,42 0,42 2 CCM Cellulose Merck Alcool amylique- Rf 0,46 0,46 CH3COOH-H2O (2-1-1) Forestal a CH3COOH-HCl Conc-H20 (5-3-10) Après chromatographie sur papier, les taches sont éluées par du méthanol Merck.
L'essai et le témoin présentent un maximum d'absorption à.
537 nm en spectroscopie Ces 2 essais permettent de caractériser la cyanidine après hydrolyse acide du tanin.
6. Après hydrolyse simple et oxydative de l'extrait en pre se-nce de FeCl3, on sature la-phase aqueuse avec du chloru re de sodium-et on extrait par de l'éther.
La phase éthérée agitée avec une solution aqueuse de FeCl3 à 0,5 % ne donne pas de coloration bleue caractéris tique d'acide gallique, l'extrait ne contient donc pas de tanins hydrolysables de type gallique.
7. La recherche d'alcaloïdes et de saponosides est négative, contrairement à ce qui est décrit dans la littérature.
8. Spectrocopie dans l'ultra-violet . Le tanin pur en solution dans de l'eau distillée à la dilution de 25 pg/ml présente un maximum d'absorption à 279-280nm. . A 280nm la DO doit être comprise entre 0,30 et 0,33.
L'extrait-purifié à 60 % en solution dans de liteau dis tillée à la dilution de 25 pg/ml présente un maximum d'absorption. à 27-9-280 nm. A 280 nm, a DO doit étre comprise entre 0,18 et 0,20.
La caractérisatitn du glucose a été effectuée par- réaction positive à la bandelette à la glucose-oxydase et par chroma tographie en couche mince sur gel de silice GF 254 Merci Le solvant de développement est un mélange isopropanol/acide borique M (85/l5 en volume).
30 La révélation est effectuée par pulvérisation de phtalate d'aniline et chauffage à l'étuve à 1050C pendant 5 minutes.
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/SiH4=4/10 ~ 0,18 0,5 2 2/100 NO Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100~0 0,18 1,5 2 couche NO Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 16F
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/SiH4=1/10~5/100 0,18 0,5 1 NO Deuxième SiH4/He=0,05 0,18 1,5 1 couche SiH4=200 NO/SiH4=5/100~0 NO Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 18 couche T A B L E A U 1G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO/(GeH4+SiH4)=3/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 2G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =3/10-3 NO NO/(GeH4+SiH4)=3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4)=1/100 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 B2H6/He=10-3 couche T A B L E A U 4G
N G401 G402 G403 G404 G405 G406 G407 G408 d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 5G
N G501 G502 G503 G504 G505 G506 G507 G508 d'échantillon Epaisseur de 3,0 m 50,0 m 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 6G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=5/10 SiH4/He=0.05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche =5x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4)=1/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon G601) T A B L E A U 7G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=1/10 SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 couche B2H6/He=10-3 =8x10-4 NO/(GeH4+SiH4)=1/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon G602) T A B L E A U 8G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=3/10 SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche =3x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4)=3/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G603) T A B L E A U 9G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/(GeH4+SiH4)=3/100 SiH4/He=0,05 Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =1x10-5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 couche B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 5 B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G701) T A B L E A U 10G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4+SiH4=3/10 Première SiH4/He=0,05 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/SiH4=3/100 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/SiH4=3/100 0,18 0,5 1 couche NO SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=3/100 Troisième NO 0,18 1,5 1 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=1x10-4 SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=1x10-4 Quatrième B2H6/He=10-3 0,18 1,5 15 couche (N d'échantillon G702) T A B L E A U 11G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100~2,83/100 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4/SiH4) 0,18 0,5 1 couche NO =2,83/100~0 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche (N d'échantillon G801) Note : diminution liniéaire NO/(GeH4+SiH4) T A B L E A U 12G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=1/10 Première SiH4/He=0,05 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 0,5 B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,5 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 Troisième GeH4/He=0,05 0,18 0,5 19 couche SiH4/He=0,5 SiH4=200 Quatrième 0,18 1,5 5 couche (N d'échantillon G802) T A B L E A U 13G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =5x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =1/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 SiH4/He=0,5 Troisième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G803) T A B L E A U 14G
Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 GeH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 B2H6/SiH4=3x10-3 couche B2H6/He=10-3 NO/SIH4=3/100~ NO 2,83/100 SiH4/He=0,5 NO/SiH4=2,83/100~0 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=3x10-4 (N d'échantillon G804) Note : diminution linéaire NO/SiH4 T A B L E A U 15G
La figure 2 explique le développement d'une zone de désertion, telle qu'elle est utilisée dans un transistor selon l'invention.
Soit un substrat 8, en arséniure de gallium de type n+, fortement dopé: 1018 électrons par centimètre cube par exemple. Sur ce substrat n+, une couche épitaxiée 9 de type de conductivité n, légèrement dopée, de 1014 à 1016 par exemple, en arséniure de gallium également, supporte un contact Schottky 10. Si par des moyens appropriés qui ne sont pas représentés sur cette figure, on polarise en inverse le contact Schottky 10, il se crée sous la métallisation 10 une zone désertée qui croît avec la valeur de polarisation.
Quatre enveloppes de zones désertées, 11, 12, 13, 14 ont été représentees sur la figure 2 et on conviendra, de façon arbitraire, qu'elles correspondent par exemple à des tensions de polarisation de 0 -1 -2 -3 volts. Si la couche épitaxiée est mince, on constate que la zone désertée qui se crée sous le contact Schottky se développe davantage latéralement (L), c'est-à-dire dans le sens du plan de la couche mince 9, plutôt qu'en profondeur (P), c'est-àdire perpendiculairement à cette couche mince 9 vers le substrat 8.C'est-àdire que pour une augmentation t V de la tension de polarisation de la grille Schottky 10, l'accroissement en largeur a 1 de la zone désertée est plus importante que l'accroissement en profondeur t p. Pour une valeur de la tension de polarisation suffisante, la zone désertée sous la métallisation Schottky ne se développe plus en profondeur parce qu'elle a atteint le substrat 10, mais elle s'étale en largeur dans la couche faiblement dopée.
On conçoit alors que si deux contacts Schottky sont placés côte à côte et soumis à une tension de polarisation en inverse, on peut faire croître deux zones désertées, dont l'enveloppe est variable et commandable par la tension de polarisation, les deux enveloppes des deux zones désertées créant un effet de pincement entre elles, réglable comme un diaphgrame en optique.
C'est ce que représente la figure 3 qui donne le schéma de fonctionnement d'un transistor à effet de champ selon l'invention.
Un transistor à effet de champ selon l'invention comporte un substrat 8 en un matériau semiconducteur dopé de type n+, sur lequel est déposé par épitaxie une couche 9 en matériau semiconducteur de type n. Le substrat est très dopé et la couche épitaxiale, qui est la couche active, est légèrement dopée. Il comporte deux métallisations, une première métallisation 15 portée par la face libre du substrat, qui est la métallisation de source, une seconde métallisation 16, portée par la face libre de la couche active, qui est la métallisation de drain. Il comporte également deux métallisations 10 et 20, disposées de part et d'autre de la métallisation de drain sur la surface libre de la couche active.
Il est connu qu'il est difficile de déposer de bons contacts ohmiques sur une couche de type n : c'est pourquoi, afin de simplifier la réalisation du transistor à effet de champ selon l'invention, des métallisations 10, 16 et 20, cellesci sont réalisées sous forme de contacts Schottky, c'est-à-dire par métallisation, par exemple, de titane, platine et or.
Les métallisations de source 15 et de drain 16 sont polarisées de façon convenable - la polarisation n'en est pas représentée sur la figure 3 dans le seul but de simplifier cette figure - et un courant se crée depuis le substrat vers la surface libre de la couche active 9, ce courant étant recueilli par la métallisation de drain 16. Etant donné que le substrat 8 est très dopé et donc très conducteur, c'est la surface du substrat 8, à la jonction avec la couche active, qui joue le râle de source réelle dans ce transistor, et la longueur de grille n'est donc plus égale qu'à l'épaisseur de la couche active 9.
Pour fixer les idées, aux 3 microns de longueur entre source et drain qui étaient nécessaires pour un transistor à effet de champ selon la- figure 1, sont opposées des longueurs telles que 0,05 à 0,5 micron, qui représentent les épaisseurs de couche active 9 que l'on sait réaliser.
Les deux métallisations de grilles 10 et 20 sont polarisées convenablement et sous chacune d'elles se développe une zone désertée. Deux cas de figures de zones désertées sont représentés en figure 3. Sous une faible tension de polarisation, les zones désertées 12 sous la métallisation 10 et 22 sous la métallisation 20 laissent entre elles une ouverture qui permet le passage du courant depuis la source 15 vers le drain 16. Pour une tension de polarisation supérieure, les zones désertées 14 sous la métallisation 10 et 24 sous la métallisation 20 se rejoignent entre elles et #bloquent le fonctionnement du transistor. Il est évident que le contrôle du passage du courant depuis la source vers le drain peut être réalisé par le contrôle de la tension de polarisation de grille.
Les contacts de drain 16 et de grille 10 et 20 sont des contacts de type Schottky, mais pour l'utilisation normale du transistor à effet de champ selon l'invention, le contact de drain est toujours polarisé en direct, et ne présente donc qu'une faible résistance au courant qui passe de la source vers le drain.
Un transistor à effet de champ selon l'invention est donc réalisé au moyen de très peu d'opérations: - épitaxie de type n sur un substrat de type n - une seule opération de déposition de métal de type Schottky, tels que titane, platine ou or, et une seule opération pour réaliser le drain 16 et les grilles 10 et 20 - une opération de métallisation avec un contact ohmique tels que nickel, germanium, or pour réaliser la métallisation de source sur la face libre du substrat 8, - selon le cas, découpage du transistor dans la plaquette de matériau semiconducteur ou entourage du dispositif par isolation, par un caisson implanté sur le bord par exemple.
La figure 4 représente la structure réelle d'un transistor à effet de champ selon l'invention. Le# substrat 8, en arséniure de gallium, a une épaisseur comprise entre 100 et 300 microns, et dopé à-1018 électrons par centimètre cube par exemple. La couche épitaxique 9 en arséniure de gallium également a une épaisseur comprise entre 0,05 et 0,5 micron et est dopée de l'ordre de 1014 à 1016 électrons par centimètre cube. Ainsi la longueur de grille qui est la distance qui sépare #le drain 16 de la source réelle représentée par le trait pointillé 17 en surface du substrat 8 est donc de l'ordre de 6 à 60 fois plus courte que la longueur de grille selon l'art connu.Les métallisations de drain 16 et de grille 10 et 20 ont chacunes une largeur de l'ordre de 1 micron, et elles sont espacées entre elles de l'ordre de 1 micron également, car, comme il a été dit, cette distance de 1 micron correspond à une limite à ne pas dépasser pour une tension de polarisation de l'ordre de 3 volts entre grille et drain, soit 3000 volts au millimètre. Ceci aboutit à la réalisation d'un dispositif possédant un temps de parcours très diminué par rapport au minimum qu'on espère atteindre avec des transistors planar, tels que ceux de la figure 1.
Le courant étant contrôlé entre deux zones de dépletion sous les deux éléments de grille 10 et 20, ce contrôle est beaucoup plus efficace que le contrôle entre une seule zone de déplétion et un substrat semi-isolant comme dans les transistors planar connus.