REVENDICATIONS 1. Transistor à effet de champ, de type planar, à structure verticale, comportant un substrat (3) en matériau semiconducteur, de type de conductivité n+, supportant une couche active (9) en matériau semiconducteur de type de conductivité n, une première métallisation (15) d'électrode d'accès étant déposée sur la face libre du substrat (8) et une seconde métallisation (16) d'électrode d'accès déposée sur la face libre de la couche active (9), ce transistor étant caractérisé en ce que deux éléments (10, 20) de métallisation Schottky, déposés sur la face libre de la couche active (9) de part et d'autre de la métallisation d'accès (16) constituent l'électrode de grille du transistor et contrôlent le passage du courant entre les deux électrodes d'accès (15, 16) par pincement entre deux zones désertées (12, 22) de porteurs, les dimensions latérales de ces deux zones désertées étant en relation avec la tension de polarisation de la grille (10, 20). 2. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que: - la première métallisation (15), déposée sur le substrat (8), constitue l'électrode de source et est un contact ohmique; - la seconde métallisation (16), déposée sur la couche active (9), constitue l'électrode de drain et est un contact Schottky. 3. Transistor à effet de champ selon la revendication 2, caractérisé en ce que: - le substrat (8) est en un matériau semiconducteur de type n+, dopé à environ 2.1018 e . cm~3, choisi parmi silicium ou composés de la famille III- V, d'épaisseur comprise entre 100 et 300 microns; - la couche active (9) est en un matériau semiconducteur de type n, dopé de 1014 à 1016 e . ci~3, choisi parmi silicium ou composés de la famille III-V, d'épaisseur comprise entre 0,05 et 0,5 micron; - le métal du contact ohmique (15) est choisi parmi Ni, Ge, Au; - les métaux des contacts Schottky (10, 16, 20) sont Ti, Pt, Au. 4. Transistor à effet de champ selon la revendication 2, caractérisé en ce que la longueur de grille est égale à l'épaisseur d'une couche épitaxiée (9), soit la distance séparant la métallisation de drain (16) de l'interface (17) substratîcouche active (8/9), cet interface faisant fonction de source. 5. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux éléments de métallisation (10, 20) constituant l'électrode de grille font partie d'une unique métallisation qui entoure la métallisation de drain (16). 6. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que la métallisation de drain (16) ayant une forme géométrique de ruban, les métallisations de grille (10, 20) ont également une forme de rubans, parallèles à celui du drain. 7. Transistor à effet de champ selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une pluralité de tels transistors, dont les électrodes sont interdigitées, constituent un transistor à effet de champ à moindre résistance passante. 8. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les métallisations de grille (10, 20) sont dans un plan intermédiaire entre le plan de la métallisation de source (15) et celui de la métallisation de drain (16) l'inégalité de surface de la couche active (9) étant comprise o entre 1000 et 2000 A.