INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour l'incorporation structurelle d'atomes d'hydrogène dans la première région (G) de la couche, hormis le procédé ci-dessus, du H2 ou un silicium hydrogéné, comprenant SiH4, Si2H6, Si3H8 et Si4H10 et autres, et du germanium ou un composé de germanium pour l'apport de Ge, ou, en variante, un germanium hydrogéné tel que GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18, GegH20 et autres, et du silicium ou un composé de silicium pour l'apport de Si, peuvent être admis de façon à être présents en même temps dans une chambre de déposition dans laquelle une décharge est déclenchée.
Dans des formes préférées de réalisation de l'invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) introduits dans la première région (G) constituant la couche amorphe formée, ou bien la quantité totale d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement comprise entre 0,01 et 40%, de préférence entre 0,05 et 30%, et de façon plus préférable entre 0,1 et 25%.
Pour déterminer les quantités d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) dans la première région (G) de la couche, par exemple, la température du support et/ou les quantités des matières de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) a introduire dans l'appareil de déposition, ou encore la puissance de décharge, peuvent être réglées.
Dans la présente invention, pour la formation de la seconde région (S) de la couche, comprenant du a-Si(H,X), les matières de départ choisies parmi les matières de départ (I) pour la formation de la première région (G), telles que décrites ci-dessus, hormis la matière de départ utilisée comme gaz de départ pour l'apport de Ge (c'est-à-dire les matières de départ (II) pour la formation de la seconde région (S) de la couche) peuvent être utilises, en suivant le même procédé et les mêmes conditions que dans le cas de la formation de la première région (G) de la couche.
Autrement dit, dans la présente invention, la formation d'une seconde région (S) de la couche, comprenant du a-Si(H,X) peut etre effectuée par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel qu'un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique.
Par exemple, pour la formation de la seconde région (S) de la couche comprenant du a-Si(H,X) par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pouvant fournir des atomes de silicium (Si) ainsi que, si cela est nécessaire, un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène dans la chambre de déposition à l'intérieur de laquelle une pression réduite peut être établie, l'opération consistant également à déclencher une décharge d'effluves dans la chambre de déposition afin de former une couche comprenant du a-Si(H,X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée.Pour la formation de la couche par le procédé de pulvérisation, lorsqu'on effectue une pulvérisation en utilisant une cible constituée de Si dans une atmosphère constituée de, par exemple, un gaz inerte tel que Ar, He, etc., ou un mélange gazeux basé sur ces gaz, un gaz permettant l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peut être introduit dans la chambre de déposition pour la pulvérisation.
Pour la formation d'une région (PN) de la couche contenant une substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction, par exemple les atomes du groupe III ou les atomes du groupe V, par introduction structurelle de la substance (C) dans la région constituant la couche amorphe, une matière de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III ou une matière de départ permettant l'introduction des atomes du groupe V peut être introduite à l'état gazeux dans la chambre de déposition, en même temps que d'autres matières de départ pour la formation de la couche amorphe. En tant que matières de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III, on peut utiliser avantageusement des composés gazeux ou au moins gazéifiables dans les conditions de formation de la couche. Des exemples typiques de telles matières de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III peuvent comprendre du bore hydrogéné tel que B H B4Hlo, B5Hg, B5Hllt B6H10n 6 12 6 14 et autres, des halogénures de bore tels que BF3, BC13, BBr3 et autres pour l'introduction d'atomes de bore.
De plus, on peut également utiliser Ale13, Gai31 Ga(CH3)3, InC13, T1C13, etc.
En tant que matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V pouvant être utilisée efficacement dans la présente invention, on peut mentionner du phosphore hydrogéné tel que PH3, P2H4 et autres, des halogénures de phosphore tels que PH4I, PF3, PF , PC13, PCl5, PBr3, PBr5, PI3 et autres pour l'introduction d'atomes de phosphore. On peut également utiliser AsH3, AsF3, AsC13, AsBr31 AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbC13, SbCl5, SiH3, SiC13, BiBr3, etc. comme matières de départ efficaces pour l'introduction des atomes du groupe V.
Pour la formation de la région (O) de la couche contenant des atomes d'oxygène dans la couche amorphe, on peut utiliser une matière de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène en même temps que la matière de départ utilisée pour la formation de la couche amorphe, comme mentionné précédemment, pendant la formation de la couche, et on peut introduire ces matières dans la couche tout en réglant leurs quantités. Lorsque le procédé à décharge d'effluves doit être utilisé pour la formation de la région (O) de la couche, une matière de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène peut être ajoutée à la matière de départ choisie comme souhaité parmi celles utilisées pour la formation de la couche amorphe, comme mentionné précédemment.En tant que matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses ou gazéifiables contenant au moins des atomes d'oxygène comme atomes constitutifs.
La figure 3 est une coupe partielle du dispositif montré sur la figure 2 Quatre sous-réservoirs ou réservoirs secondaires 9-1, 9-2, 9-3 et 9-4 sont agencés les uns à côté des autres à l'intérieur de la tête 9 d'enregistrement, dans la direction parallèle à la surface de la feuille
de papier à imprimer (direction d'impression) Les réser-
voirs secondaires respectifs contiennent des encres de
différentes couleurs et comportent des buses 21 de produc-
tion de jets d'encre, des trous 22 d'aspiration d'air et des filtres à résistance 23 placés aux extrémités extérieures des trous 22 Les buses 21 à jets d'encre sont du type produisant de l'encre à la demande; elles éjectent des encres en réponse à des signaux de commande provenant d'un circuit de l'imprimante (non représenté) Les filtres 23 à résistance sont destinés à maintenir les réservoirs secondaires dans un état sensiblement obturé et à éliminer l'excédent d'air se trouvant dans ces réservoirs, de façon que le niveau des encres reste constant Pour assumer ces deux fonctions, chaque filtre 23 est constitué d'une matière telle qu'une membrane filtrante, présentant des pores d'un diamètre d'environ 5 à 10 Mm Les filtres 23 à résistance permettent le passage de l'air uniquement lorsqu'ils ne sont pas recouverts d'encre, mais ils empêchent le passage de l'air lorsqu'une grande quantité d'encre y adhère Comme montré sur la figure 3, lorsque l'encre est maintenue à un niveau normal 24, le filtre 23 à résistance est imbibé
d'encre et ferme donc hermétiquement l'intérieur du réser-
voir secondaire Lorsque la quantité d'air dans ce réser-
voir augmente par suite de l'évaporation de l'encre ou autre, l'encre descend jusqu'à un niveau 24 A A ce moment, le filtre 23 à résistance n'est plus imbibé d'encre et l'air peut passer à travers ce filtre, dans une certaine
mesure Le capuchon 12 comporte quatre canaux 11 d'aspi-
ration d'encre et quatre canaux 25 d'aspiration d'air
qui correspondent aux buses respectives et aux trous d'aspi-
ration d'air respectifs Les quatre canaux 11 d'aspira-
tion d'encre sont reliés à l'axe creux 15 d'aspiration d'encre se trouvant à l'intérieur du capuchon 12 Les quatre canaux 25 d'aspiration d'air sont reliés à l'axe creux 26 d'aspiration d'air se trouvant à l'intérieur du capu-
chon 12.
La figure 4 A représente en coupe l'axe creux 15
d'aspiration d'encre.
SECTION XI DE SORTIE DE SIGNAUX DE COMMANDE (figure 12) Cette section XI comprend des bascules RCH5 et RCH6 destinées à alimenter le moteur à impulsions de la section I et celui de la section IV en signaux d'excitation de phase, et une bascule adressable ARCH destinée à transmettre des signaux d'opération, des signaux d'affichage et autres aux sections I et IV, au modulateur-dimodulateur MDM et à l'unité NCU ainsi qu'à'la seçtion IOP, etc. Des lignes com munes d'adresse Ao-A4 et A6 et des lignes de signaux WS3 et WS4 et IOSo relient cette section XI à l'unité centrale.
Lorsqu'elle réçoit une impulsion d'échantillonnage d'écriture WS3 de l'unité centrale, la bascule RCH5 conserve les signaux aO, a, a4 et a6 des lignes communes d'adresse et les transmet à la section I afin d'exciter le moteur associé à impulsions. A la suite d'une impulsion d'échantillonnage d'écriture ws4 provenant de l'unité centrale, la bascule RCH6 conserve les signaux aO, a2, a4 et a6 apparaissant alors dans les lignes communes d'adresse et excite le moteur associé à la section IV d'enregistrement.
Lorsque l'unité centrale transmet un signal de sélection d'entrée-sortie iosO, la bascule adressable ARCH conserve le signal aO de la ligne d'adresse A et transmet le signal conservé à une unité choisie d'entrée-sortie, par sa borne de sortie qui est choisie d'après les signaux al-a3 de ces lignes d'adresse.
Un ensemble de communication en fac-similé selon l'invention est réalisé comme indiqué précédemment. L'unité centrale, en mode de transmission de données, exécute le traitement représenté par l'organigramme des figures 13(a) à 13(c) et, en modede réception, il exécute le traitement représenté par l'organigramme des figures 14(a) et 14(b).
La signification des différentes opérations de ces organigrammes est la suivante.
100 : début 101 : appel 102 : connexion ? 103 : introduire document 104 : la machine qui détecte l'arrivée d'un document transporte celui-ci, met en route une source lumineuse et transmet le document en position de balayage.
105 : l'opérateur pousse un bouton de mise en route afin qu'il indique un début de transmission 106 : la machine ferme la ligne et exécute un protocole.
107 : protocole convenable ? 108 : ouverture de ligne, évacuation de document, arrêt de transporteur et de source lumineuse et affichage de panne de transmission 109 : supprimer panne 110 : fin 111 : avance horizontale et verticale du document et transmis sion de données codées d'image 112 : détection de fin de document ? 113 : évacuer document et attendre document suivant pendant une période déterminée 114 : un document est arrivé pendant la période déterminée ? 115 : échanger message postérieur pour transmission continue 116 : réponse convenable ? 117 : arrêter transporteur de document et source lumineuse et ouvrir ligne afin d'afficher panne de transmission 118 : échanger message postérieur de fin de transmission et arrêter transporteur de document et source lumineuse.
119 : réponse convenable ? 120 : ligne ouverte 121 : ligne ouverte et affichage de panne de transmission 122 : début (automatique) 123 : signal d'appel détecté ? 124 : début- (automatiqùe) 125 : commutateur de réception fermé 126 : fermer ligne pour protocole et mettre l'unité propre au mode voulu 127 : protocole ? 128 : ouverture de ligne et arrêt 129 : décoder données codées reçues et avance horizontale et verticale d'enregistreur pour formation de copie 130 : signal de fin de page détecté ? 131 : échange de message postérieur 132 : réception continue ? 133 : feuille de copie en position donnée, ouverture de ligne et arrêt 134 : fin On considère maintenant en détail ces opérations, pendant les modes de transmission et de réception.
MODE DE TRANSMISSION Lors de la mise en oeuvre des opérations des figures 13(a) à 13(c), l'unité centrale doit proportionner le temps nécessaire aux opérations ou aux tâches A-E décrites dans la suite du présent mémoire et il exécute ainsi les tâches A à E par division dans le temps, en fonction de divers signaux de demande d'interruption.
L'unité centrale reçoit,.par la ligne INT, un signal de demande d'interruption inti tiré du signal de synchronisation et et transmis par le générateur VI, un signal intb de demande d'interruption d'après un signal s2 de synchronisation et un signal intd de demande d'interruption d'après 1 signal de synchronisation s3, en plus d'un signal de demande d'interruption intc provenant de la section IX d'entrée-sortie. Les tâches A à D exécutées par l'unité centrale d'après les siqnaux inti à intd ont un ordre de priorité exprimé sous la forme A > > C > D. Habituellement, l'unité centrale exécute la tâche E.
Les tâches A à E exécutées par. l'unité centrale sont décrites rapidement dans la suiteen référence aux figures 15 et 16.
TACHE A L'unité centrale exécute la tâche A à la suite du signal inti.
L'unité centrale, pendant la tâche A, rétablit une étiquette de mémoire vide MEF1 ou MEFII si elle est établie dans une zone de travail de la mémoire RAM de la section VIII les étiquettes MEFI et MEFII indiquent que les zones tampons de ligne (zones RBF) I et II de la mémoire à accès direct, destinées à conserver les données d'image, sont vides respectivement. Simultanément, l'unité centrale établit l'étiquette DRF1 ou DRFII de réception ou d'écriture de données. En cutre, lorsque l'une des étiquettes MEFI ou MEFII est rétablie, l'unité centrale rétablit aussi l'étiquette de réception DRFI ou DRF11.
TACHE B L'unité centrale, lorsqu'elle reçoit le signal inti, ne l'accepte que lorsque l'étiquette DRFI ou DRFII est établie et exécute alors la tâche B afin que le moteur à impulsions de balayage vertical avance d'un pas.
Cependant, le rythme auquel l'unité centrale exécute la tâche B diffère quelque peu d'une densité de ligne de balayage vertical à une autre. Lorsque la densité des lignes de balayage vertical est de 7,7 par mm, l'unité centrale accepte toutes les secondes les signaux intb afin qu'elle exécute un balayage vertical de 8 pas par ligne. Dans le cas d'une densité de 3,85 lignes par mm, l'unité centrale accepte chaque signal intb pendant que l'étiquette DRF est établie et exécuté donc un balayage vertical à 16 pas pour une ligne.
A cet effet, la plaque 16 est soudée sur une bride 16a fixée au tube 10 par des boulons. A l'intérieur du tube 10, une bague 16b est emmanchée à force dans ladite bride 16a. La bague 16b est de même section carrée, avec deux méplats opposés que la portion 16c de l'arbre 8 avec laquelle ladite bague 16b coopère.
La tringle de commande 20 est montée coulissante dans des paliers 21, soudés sur les raidisseurs 4, à proximité immédiate du longeron intermédiaire 5. Comme on le voit sur la figure 2, chaque tige 20 commande le pivotement de toutes les palettes 12 situées d'un mame côte du cadre. Il y a donc deux tiges de commande 20 disposées parallèlement aux deux longerons intermédiaires 5.
Sur lesdits longerons, sont soudées deux glissières 22 pour un chariot 23? auquel les tiges de commande 20 sont fixées. Le chariot 23 est mû par un vérin 24. La longueur de course de la tige du vérin 24 est telle, qu'elle autorise une rotation des tubes 10, donc des palettes 12 d'une position verticale, lorsque le cadre traveleur est utilisé pour la pose des traverses neuves, à une position horizontale escamotée lorsque le cadre traveleur est utilisé pour l'enlevament des voies. (figure 4).
Les figures 5, 6 et 7 montrent en détail une griffe pour rail analogue à celles qui sont placées sur les poutres 3 fermant les longerons 2 du cadre traveleur. Char que griffe 6 est montée à l'extérieur du cadre 1, sur un support 25, constitué par deux poutres en U. Sur ledit support sont fixées deux-joues 26, à l'intérieur desquelles sont articulees deux branches 27 formant tenaille, dont les mouvements d'ouverture et de fermeture sont commandés par un vérin 28. Chaque branche est articulée librement à son extrémité supérieure sur un axe 29, porté par une plaquette 30, elle-même montée à rotation sur un axe 31, fixé aux deux joues 26. L'ensemble est disposé de telle sorte que, en position fermée de la griffe, la branche 27 et la plaquette 30 forment entre elles un angle tres légèrement inférieur à 1800.
Une plaquette 30a fixée à la joue 26 forme une butée qui empêche la genouillère formée par la plaque 30 et la branche 27 de prendre un angle égal ou supérieur à 1800.
Près de leur point central d'articulation, les branches 27 comportent une lumiere oblongue oblique 32 pour un axe 33. Les joues 26 portent également une lumière oblongue verticale 34, dans laquelle passe l'axe 33.
L'extrémité libre de la tige 35 du vérin 28 est fixée sur deux pattes 36, enserrant les deux branches 27 et pourvues d'un trou 37 pour le passage de l'axe 33.
La cinématique de la griffe 6 est illustrée par la figure 7.
Lorsque la tige 35 du vérin 28 est sortie, l'axe 33 se trouve en butée en bas de la lumière 34 et les branches 27 de la griffe 6 sont serrées autour du rail 38.
Les branches 27 de la griffe comportent des ergots transversaux 27a pour augmenter la surface d'appui de la griffe sur l'rame du rail.
Lorsque la tige 35 du vérin 28 est rentrée, l'axe 33 se trouve en butée en haut de la lumiere 34 et les branches 27 de la griffe 6 sont à leur ouverture maximale.
Dans cette position, les branches 27 sont contenues dans le plan inférieur du cadre 1 et ne peuvent donc gêner les manoeuvres de manutention des traverses neuves avec les pinces à traverses 7.
Les figures 8 à 11 illustrent le procédé de dépose et de pose conforme à l'invention.
Sur les figures 8 et 9, le travail s'effectue sur une seule voie, la voie contigüe ne pouvant pas être utilisée comme voie de service.
Dans ce cas, la rame de service 39 circule sur la voie à travailler en avant du chantier.
La rame 39, montrée dans une eonfiguration schématique, se compose d'une motrice 40, d'un premier groupe de wagons, schématiquement illustré par le wagon 41, pour le stockage des longueurs de voie déposées 42 et d'un deu xième groupe de wagons, schématiquement illustré par le wagon- 43, qui transporte les traverses neuves à poser.
Au cours de l'attaque, le molybdène est solubilisé sous forme d'acide molybdique, phosphomolybdique, et arséniomolybdique ; le phosphore est solubilisé sous forme d'acide phosphorique et d'acide phosphomolybdiqlle ; l'arsenic est solubilisé sous forme d'acide arsénique et arséniomolybdique ; le silicium-est solubilisé sous forme d'acide silicique et le vanadium est solubilisé sous forme d'acide vanadique et l'uranium est sous f-orme de sel soluble constitué par UO2 et l'anion correspondant de l'acide utilisé pour l'attaque.
Les réactions de solubilisation correspondant au cas où l'acide utilisé est de l'acide sulfurique sont les suivantes
Les rendements globaux de dissolution dans la solution résultant de la réunion de la solution d'attaque et des lavages sont d'environ 97 à 99 % pour le molybdene et d'environ 98 à 99,5 % pour l'uranium.
Afin d'éviter des précipitations accidentelles du sulfate de calcium non précipite, on "dessature" la solution obtenue par rapport au sulfate de calcium, par une addition d'eau entraînant un accroissement de volume d'environ 2 environ 5 , avant de réaliser la mise en contact de la solution avec le charbon actif On indique ci-après une composition type de la susdite solution initiale, désignée dans les exemples par Solution-A.: entre 9 et 22 g/l U entre 100 et 1 700 mg/l V entre 200 et 1 000 mg/l P205 entre 500 et 2 000 mg/l As205 entre 50 et 150 mg/l Si entre 80 et 200 mg/l U/Mo 1 à à 10 % (% en poids).
Adsorption sélective du molybdène sur le charbon actif Le traitement de la solution initiale sur le charbon actif, au cours duquel s'effectue l'adsorption du molybdène, du phosphore, de l'arsenic et du silicium s'effectue généralement par passages de la solution initiale sur ou à travers le charbon actif sous un débit d'environ 1 à environ 1,5 BV/hf c'est-à-dire d'environ 1 à 1,5 volumes de solution initiale par volume de charbon par heure (BV étant l'abréviation de "Bed vo-lume" ou "volume de lit").
La durée de ce traitement est généralement d'environ 8 à 12 heures.
Selon un mode de réalisation avantageux du procédé conforme à l'invention, l'adsorption est suivie dun lavage par environ 2 à environ 2,5 BIT d'eau pure, sous un débit d'environ 2 à environ 3 P7/h.
Elution des éléments retenus sur le charbon actif 'élution des éléments retenus sur le charbon actif est effectuée par passage sur ou à travers le charbon actif d'une solution alcaline, notamment d'ammoniaque dont le volume correspond à celui nécessaire à l'ajustement du pH à la valeur d'environ 8 à environ 9.
Le débit de la solution alcaline est généralement d'environ 2 BV/h.
La solution alcaline ajoutée contient général ment d'environ 4 à environ 8 moles d'ions OH par litre de solution1 de préférence d'environ 4,5 à environ 7 moles d'ions OH par litre.
Lorsqu'il s'agit d'une solution d'ammoniaque, la solution contient avantageusement d'environ 80 à environ 180 g de NH3 par litre de solution.
Selon un mode de réalisation avantageux du procédé conforme à l'invention, l'élution est suivie généralement de trois lavages à contre-courant, à l'eau pure, pour débarrasser le charbon actif des ions ammonium, la solution issue de ces lavages étant utilisée pour la préparation de la solution alcaline d'élution.
Les lavages se font sous un débit d'environ 2 BV/h, en mettant en jeu au total environ 3 volumes d'eau par volume d'éluat.
Selon un autre mode de réalisation préféré du procédé conforme à l'invention, après l'élution, le charbon actif est réacidifié pour refixer les traces de molybdène contenues en imprégnation et éviter les fuites de molybdène au cours de l'adsorption suivante.
Cette acidification se fait avec un acide, notamment sulfurique, à une concentration avantageuse de 10 g d'H2S04 par litre, sous un débit avantageux d'environ 3 BV/h et en mettant en jeu un volume total d'environ 2 à 5 BV, suffisant pour ajuster le pH à environ 2.
L'éluat obtenu contient du molybdène, du phosphore, de l'arsenic et du silicium. C?t éluat sera ci-après appelé "solution B".
La figure 1 représente dans sa partie gauche (I) un con tact Schottky sur une tranche semiconductrice et dans sa partie droite (II) un élément de fusible.
La partie gauche (I) de la figure 1 représente des couches métallurgiques typiques liées à l'existence de structures à contact Schottky. La référence 1 désigne un substrat de sili cium. La référence 2 désigne une couche d'oxyde. Dans une fenêtre ménagée dans la couche d'oxyde, on dépose et on allie éventuelle ment une couche d'un métal 3 destiné à établir le contact Schottky avec une portion peu dopée de la tranche de silicium 1. Cette couche 3 peut par exemple être constituée d'un alliage platine/silicium Schottky don#t les caractéristiques se modifient. Ainsi, il est usuel de prévoir entre la couche de contact Schottky 3 et la couche de connexion 4 une couche d'arrêt 5 évitant les diffusions métalliques.
Parmi les couches d'arrêt 5 utilisables, on trouve dans des réalisations antérieures des~ couches de TiW (usuellement 10% en poids de titane et 90% en poids de tungstène déposés par pulvérisation cathodique sous atmosphère d'argon). De telles couches, pour présenter une capacité de blocage de diffusion métallique satisfaisante doivent avoir une épaisseur au moins égale à environ 1500 angströms. Cette épaisseur est trop importante, étant donné la résistivité du TiW (60 à 90 microhmscentimètres), pour permettre de fabriquer un fusible que l'on puisse détruire par un courant d'intensite raisonnable.
Par contre, il a été proposé par certains auteurs (Nowicki et al, Thin Solid Films,53 < 19,78) pages 195-205), d'améliorer les caractéristiques d'arret de la couche de TiW en effectuant la pulvérisation en présence d'argon et d'azote, ce qui introduit des inclusions d'azote dans la couche de TiW.