INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On connaît des dévidoirs de bandes comprenant un boîtier dans lequel est logée la bande, une ouverture pour la sortiedecelle-ci et un organe tranchant qui permet de couper la bande après traction de la longueur désirée ; la coupure de la bande s'effectue en appliquant celle-ci contre l'organe tranchant et en exerçant sur ladite bande une brusque traction appropriée. Certains dévidoirs sont équipés de moyens de freinage de la bande, qui évitent que des longueurs de bande plus importantes que nécessaires soient distribunes par inertie, notamment dans le cas de bandes se pré- sentant sous forme de gros rouleaux.
Toutefois, ces dévidoirs connus présentent l'inconvénient suivant : lors de la coupure, la brusque traction exercée sur la bande engendre un risque-de glissement de celle-ci le long de l'organe tranchant et ce, malgré la présence des moyens de freinage ; en effet, l'action de ces moyens de freinage est nécessairement prévue assez douce pour que, au cours de la distribution (par une traction modérée sur la bande) le déroulement de ladite bande puisse s'effectuer sans déchirement accidentel ; dans ces -conditions, ces moyens de freinage sont inaptes à compenser la brusque traction d'intensité plus élevée-qui est exercée par I'opératcuz lorsqu'il veut produire la coupure ; le glissement de la bande qui se produit le plus souvent entraîne une coupure non franche qui ressemble davantage à un déchirement irrégulier et s'accompagne de pertes de papier (ou autre matière). De plus, la traction de coupure entraîne généralement un déroulement supplémentaire de la bande et la coupure irrégulière s'effec tue beaucoup plus loin que prévue (surtout si la bande n'a pas été appliquée correctement contre l'organe tranchant) il s'ensuit des surconsommations notables de papier. Il peut également arriver que la longueur de dépassement soit déchirée lors de la coupure, ce qui rend la bande difficile à saisir lors de l'opération suivante de distribution.
En outre, les dévidoirs connus, comportant des moyens de freinage, sont des dévidoirs à rouleaux1 dans lesquels le freinage est appliqué sur le rouleau avec un mo me de freinage sensiblement constant par rapport à l'axe de rotation du rouleau ; comme le diamètre du rouleau diminue au fur et à mesure de la consommation, il faut exercer sur le papier une force de traction croissante pour compenser ce moment de freinage constant. Dans ces conditions, on est contraint de prevoir un freinage très léger afin d'éviter d'avoir à recourir, en fin de rouleau, à des forces de traction trop élevées qui entraîneraient des déchirements du papier : un tel freinage est alors insuffisant en début de rouleau et ne peut éviter que des longueurs de bande plus importantes que nécessaires soient distribuées par inertie.
La présente invention se propose de pal- lier les défauts des systèmes connus et de fournir un dévidoir perfectionné qui, à la fois, assure un freinage doux de la bande lors du déroulement de celle-ci et autorise une coupure franche de celle-ci, sans glissement et perte de matière, lorsque la longueur désirée a été déroulée.
Un autre objectif est d'obtenir après coupure une longueur de dépassement toujours constante.
Un autre objectif est d'exercer le freinage directement sur la bande à sa sortie de façon que la force de traction nécessaire soit indépendante de l'état de la bande, indépendante en particulier du diamètre de celle-ci dans le cas des dévidoirs à rouleaux.
Un autre objectif de l'invention est d'obtenir ces résultats au moyen d'un dévidoir qui bénéficie d'une grande simplicité structurelle et, donc, d'un coût de revent réduit.
Un autre objectif est de permettre d"ap- pliquer les perfectionnements de l'invention sur tout type de dévidoirs de bandes continues, non seulement bandes en rouleaux mais également bandes se présentant sous d'autres formes, notamment bandes repliées en accordéon.
Un autre objectif de l'invention est d'assurer une meilleure protection hygiénique de la bande à l'intérieur du dévidoir, en réduisant les risques de souillures de celle-ci par contact externe.
Un autre objectif est de fournir un dévidoir de grande capacité, destiné notamment aux lieux publics, dévidoir possédant un caractère inviolable, c'est-à-dire difficile à ouvrir par une personne non habilitee.
A cet effet le dévidoir de bandes continues à couper, visé par l'invention, est du type comprenant un boîtier adapté pour contenir une bande et être fixé sur une paroi, une ouverture de passage de l'extrémité de la bande et des moyens tranchants situés au voisinage de cette ouverture en vue de permettre de couper ladite bande.Selon la présente invention, le dévidoir est caractérisé en ce qu'il comprend une aile mobile articulée sur un bord de l'ouverture de passage et composée d'une portion, dite de recouvrement s'étendant d'un côté de l'articulation le long de l'ouverture de passage Jusqu'à recouvrir intérieurement l'autre bord'de ladite ouverture, N d'une seconde portion, dite externe, s'étendant de l'autre côté de l'articulation à l'extérieur du boîtier de façon à s'écarter de celui-ci, cette seconde portion étant pourvue, le long de son arête libre, des moyens tranchants précités.
L'aile mobile ci-dessus décrite est agencée de sorte que au repos, sa portion de recouvrement vienne en appui avec le bord du boîtier et assure par friction un freinage de la bande à sa sortie, et qu'une pression de rupture exercée sur la portion externe engendre un pincement et un blocage de ladite bande entre la portion de recouvrement et le bord du boîtier.
Ainsi, cette aile mobile possède la dou ble fonction, consistant d'une part, en une fonction de régulation de la distribution (freinage doux sur la bande au cours de son déroulement), d'autre part, en une fonction de blocage en cours de coupure qui permet à celle-ci de se réaliser sans glissement, de façon nette et franche.
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor =2x10-4 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 B2H6/SiH4=2x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U E11
Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si:: 12-1E Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2E Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3E Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4E C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5E C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6E SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7E SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4::C2H4 12-8E SiF4/He=0,5 =3:3:4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U E12
Conditions de préparation N d'échantillon / Evaluation de la couche amorphe (II) 12-201E 12-301E 12-601E 12-701E 12-801E 12-901E 12-1001E 12-1E # # # # # # # # # # # # # # 12-202E 12-302E 12-602E 12-702E 12-802E 12-902E 12-1002E 12-2E # # # # # # # # # # # # # # 12-203E 12-303E 12-603E 12-703E 12-803E 12-903E 12-1003E 12-3E # # # # # # # # # # # # # # 12-204E 12-304E 12-604E 12-704E 12-804E 12-904E 12-1004E 12-4E # # # # # # # # # # # # # # 12-205E 12-305E 12-605E 12-705E 12-805E 12-905E 12-1005E 12-5E # # # # # # # # # # # # # # 12-206E 12-306E 12-606E 12-706E 12-806E 12-906E 12-1006E 12-6E # # # # # # # # # # # # # # 12-207E 12-307E 12-607E 12-707E 12-807E 12-907E 12-1007E 12-7E # # # # # # # # # # # # # # 12-208E 12-308E 12-608E 12-708E 12-808E 12-908E 12-1008E 12-8E # # # # # # # # # # # # # #
N d'échantillon / Evaluation Evaluation de la qualité Evaluation de la globale de l'image longévité Normes d'évaluation : # : Excellent # :Bon T A B L E A U E13
N 1301E 1302E 1303E 1304E 1305E 1306E 1307E d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2.8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E14
N d'échan1401E 1402E 1403E 1404E 1405E 1406E 1407E 1408E tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E15
N d'échan1501E 1502E 1503E 1504E 1505E 1506E 1507E 1508E tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E16
N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 1601E 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 1602E 0,02 Aucune stage défectueuse pendant 20 000 répétitions 1603E 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions ou plus 1604E 1 Stable pendant 200 000 répétitions au plus T A B L E A U F1
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~3/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/100~0 0,18 0,5 8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U F2
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~4/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 5 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100~0 0,18 0,5 3 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F3
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~4/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100 0,18 0,5 1 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U F4
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~1/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,4 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/100~0 0,18 0,5 0,6 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U F5
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1~14/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,2 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=14/100~0 0,18 0,5 0,8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U F6
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~45/ 1000 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =1/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000~0 0,18 0,5 6 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F7
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~45/ 1000 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 4 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =1/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000~0 0,18 0,5 4 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F8
Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~3/ 100 Première GeH4/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ (GeH4+Si2H6) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=3/100~0 0,18 0,5 8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième Si2H6/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F9
continus sur la Fig 2, qui se trouve directement et parallèle-
ment au-dessous de l'extrémité rectangulaire 40 du suceur, à
une position dessinée en traits interrompus Dans cette posi-
tion, le doigt forme un prolongement partiel de la paroi arriè-
re 44 du suceur Dans la position abaissée, l'extrémité avant vient se placer dans un évidement 46 en forme de fente de
la table 47 de guidage de la bande.
Lorsqu'alors le suceur 19 ou 19 ' est positionné par rapport à l'outil de coupe extérieur, sur le côté gauche ou droit de la bande de carton ondulé, de telle manière que la coupe 16 vienne se placer directement à côté du bord intérieur 48 du doigt d'engagement 41, la rognure 15 est introduite posi-
tivement et avec certitude dans le suceur 19 ou 19 '.
Sur le côté intérieur du suceur 19 ou 19 ' qui est diri-
gé vers la bande 2, est prévu un rouleau 50, par exemple un rouleau de matière plastique, qui est tourillonné de manière
que la bande de carton ondulé 2 soit maintenue abaissée lors-
que le ruban de rognure 15 est attiré vers le haut dans le su-
ceur 19 ou 19 ', sous l'action du doigt d'engagement 41 et de
l'effet d'aspiration du suceur 19 ou 19 '.
Dans la dispositicn en tandem, représentée sur la Fig l, de deux machines de refente longitudinale et de cannelage 1 et 1 ' munis de postes d'aspiration correspondants 24 et 24 ', les suceurs 19 et 19 ' respectivement qui ne sont pas en service
peuvent également être positionnés, conjointement avec les ou-
n'est pas placé à l'intérieur de l'imprimante.
L'invention n'est pas limitée à la forme de réalisation décrite ci-dessus Par exemple, le récipient
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à encre peut comporter des réservoirs d'alimentation en
encre et de réception d'encre résiduaire, réalisés sépa-
rément Dans ce cas, la libération du capuchon et/ou la succion de rétablissement de fonction peuvent être empêchées si l'un ou l'autre des réservoirs n'est pas placé à l'in-
térieur de l'imprimante.
La figure 7 représente un dispositif de rétablisse-
ment de fonction par succion pour imprimante du type
à jets d'encre, comprenant une pompe actionnée manuelle-
ment et constituant une seconde forme de réalisation de l'invention qui convient à une utilisation dans l'imprimante
du type à jets d'encre montrée sur la figure 1 Le dispo-
sitif de rétablissement de fonction par succion comprend
un cylindre 25 formant la partie supérieure de ce dispo-
sitif Un piston 26 peut coulisser axialement le long de la paroi intérieure du cylindre 25 La paroi latérale de ce dernier présente des ouvertures qui sont reliées à un tube 27 d'aspiration d'encre et à un tube 28 d'arrivée d'air ayant pour fonction d'aspirer l'excédent d'encre et d'air d'une tête d'enregistrement, respectivement Le piston 26 est réalisé d'une seule pièce avec une tige 26 A située à sa partie supérieure et faisant saillie vers l'extérieur par une ouverture formée à travers la paroi supérieure du cylindre 25 Un joint torique 27 est logé dans l'ouverture, autour de la tige 26 A du piston Une bague 28 ' d'étanchéité en élastomère, par exemple en caoutchouc synthétique, est montée rigidement sur le bord extérieur du piston 26 afin de réaliser un contact étanche avec la paroi intérieure du cylindre 25 Le piston 26 présente également un canal 26 B qui le traverse axialement et qui est équipé d'un clapet 29 de retenue situé à la face inférieure du piston 26 Ce clapet 29 de retenue
se présente sous la forme d'une feuille de résine synthé-
Exemple 7 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, on évalue la qualité des images développées transférées et formées dans les mêmes conditions de formation d'image développée que celles indiquées dans l'exemple 1, sauf que l'on forme des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type GaAS (10 mW), d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière. On obtient comme résultat des images claires, de qualité élevée, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité des demiteintes.
Exemple 8 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 1B, tout en faisant varier le rapport du débit d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, avec le temps de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 12, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge et exposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde , suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un"toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image développée.
Lorsque l'image développée sur l'élément est transféré sur un papier à report, avec une charge d'effluves à s,o 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, d'excellente résolution et d'une bonne reproductibilité des demi-teintes.
Exemple 9 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 2B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He avec la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz indiquée sur la figure 13, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin que l'on obtienne un élément de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers à report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 et on obtient une qualité d'image très claire.
Exemple 10 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de ouches dans les conditions indiquées dans le tableau 3B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir une qualité d'image très claire.
Exemple il A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 4B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulementdes gaz telle que montrée sur la figure 15, les conditions étant par ailleurs identiques a celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8, pour obtenir une qualité d'image très claire.
Exemple 12 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 5B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 16, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire.
Exemple 13 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 6B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle qu'indiquée sur la figure 17, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
Exemple 14 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 7B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 18, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie.
Bien que des techniques de l'art antérieur aient permis de réduire la distorsion introduite dans les émetteurs stéréophoniques à modulation d'amplitude à des niveaux qui ont été considérés comme acceptables dans des tests d'écoute réels, il serait néanmoins sou- haitable de réduire encore davantage la distorsion dans l'émission et la réception stéréophoniques en modulation d'amplitude.