INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'opération de détection de phase est assurée par une paire de sources de courant adaptées 540 et 541, ayant chacune un conducteur de sortie, respectivement 542 et 543, connecté au conducteur 536 couplé avec le condensateur d'établissement de moyenne d'erreur 538. En l'absence d'une impulsion de donnée en relation avec une transition, le conducteur 530b partant de l'univibrateur 529 est haut, ce qui met en service la source de courant 541. Etant donné que les bases respectives des transistors de la paire différentielle formant un commutateur de courant 545 à la sortie de la source de courant 541 sont mises à la masse, le courant fourni par la source de courant 541 se subdivise en parties égales sur les deux chemins de courant définis par le commutateur de courant 545.Le courant passant sur le chemin défini par le commutateur de courant 545 connecté au conducteur de sortie 543 parvient sur le conducteur 536 pour faire passer le condensateur de filtrage d'erreur 538 à un niveau qui, lorsqu'aucun flot de données n'est entré dans le montage décodeur 525, provoque la génération par le S.C.O. 537 d'un signal d'horloge à 6 SC à une fréquence et à une phase nominales.
En conséquence, même en l'absence d'un train de bits de donnée même à l'entrée du montage décodeur 525, un signal d'horloge à 6 SC est engendré à sa fréquence nominale. Cela facilite une synchronisation rapide de l'oscillateur 537 avec le rythme des données lors de la réception initiale d'un train de bits de donnée, et un décodage convenable des données codées par canal.
Lorsqu'une impulsion de donnée en relation avec une transition est reçue sur le conducteur d'entrée 526, l'univibrateur engendre en réponse un signal de niveau haut sur le conducteur 530a et un signal de niveau bas sur le conducteur 530b pendant un intervalle déterminé par son circuit à constante de temps 529a, constante de temps qui, dans le circuit décodeur décrit ici, est d'environ 17ns.
Le signal de niveau bas du conducteur 530b met hors service la source de courant 541 en interrompant ainsi la transmission de courant de charge, par l'intermédiaire du commutateur de courant 545, au condensateur de filtrage d'erreur 538. Toutefois, le signal de niveau haut du conducteur 530a met en service l'autre source de courant 540, qui fournit un courant de charge au condensateur de détection d'erreur 538 en concomitance avec les périodes de conduction relatives des moitiés 544a et 544b d'un commutateur de courant 544 formé par les transistors montés en paire différentielle. Les transistors formant les deux moitiés 544a et 544b du commutateur de courant, ont leurs bases respectivement couplées de manière à recevoir le rythme à 6 SC appliqué sur le conducteur 533. Lorsque ce rythme est-à un niveau bas, le transistor 544a est bloqué.Par contre, l'autre transistor 544b est autorisé à conduire du fait que le circuit RC à longue constante de temps 547 maintient la tension de sa base à un niveau moyen qui est plus positif que le niveau bas du rythme à 6 SC. En conséquence, la totalité du courant fourni par la source de courant 540 traverse l'unique transistor débloqué 544b pour parvenir sur le conducteur de sortie 542 de la source de courant 540.
Lorsque le rythme 9 6 SC devient haut, la base du transistor 544a devient plus positive que la base du transistor 544b. En conséquence, le transistor 544a est débloqué et le transistor 544b est bloqué. Cela supprime le passage de courant vers le condensateur de filtrage d'erreur 538.Si l'impulsion de donnée en relation avec une transition reçue par la source de courant 540 est située dans le temps par rapport au rythme à 6 SC appliqué au commutateur de courant 544 de telle manière que des transitions de niveau bashaut se produisent dans le rythme à 6 SC au milieu des impulsions de donnée en relation avec une transition, les transistors 544a et 544b du commutateur de courant sont débloqués pendant des intervalles égaux et la tension aux bornes du condensateur de détection d' erreur 538 est maintenue à un niveau moyen correspondant à un rythme à 6 SC de phase correcte.Toute variation du débit de bits de donnée du train de bits de donnée codé par canal reçu modifie la position des impulsions en relation avec une transition à l'entrée de la source de courant 540 par rapport aux transitions niveau bas-niveau haut du rythme à 6 SC à l'entrée du commutateur de courant 544. Si cela se produit, l'un des transistow du commutateur de courant 544 est débloqué pendant la période au cours de laquelle la source de courant 540 est mise en service (par l'impulsion en relation avec une transition) pendant un intervalle plus long que l'autre transistor, l'un ou l'autre des transistors étant débloqué pendant un intervalle plus long selon que le débit de bits de donnée est augmenté ou diminué.Cela provoque un changement correspondant dans le courant appliqué au condensateur de filtrage d'erreur 538 et un changement correctif correspondant dans le niveau de tension moyen aux bornes de ce condensateur. Un changement dans le niveau de ten- sion aux bornes dudit condensateur entraîne un changement par le V.C.O. 537 de sa phase et de sa fréquence jusqu a ce que les impulsions en relation avec une transition soient centrées par rapport au changement de niveau bas-haut dans le rythme à 6 SC appliqué à la source de courant 540. Lorsque le changement de niveau bas-haut dans le rythme à 6 SC est ajusté de manière à être centré par rapport à la durée des impulsions en relation avec une transition, les deux moitiés 544a et 544b du commutateur de courant laissent passer individuellement du courant provenant de la source 540 pendant des intervalles égaux entre eux. En conséquence, la tension moyenne aux bornes du condensateur 538 est maintenue au niveau nécessaire pour accrocher la fréquence et la phase de loscillateur à 6 SC 537 sur la fréquence de rythme de données des données codées par canal reques.
Si le V.C.O. à 6 SC, 537, refuse de s'accrocher sur les données reçues ou si des données ne sont pas reçues par l'un des montages décodeurs de données et correcteurs de base de temps 100 in corporé à l'un des dix conducteurs de bit d'un canal de reproduction, un signal de décrochage de fréquence est appliqué sur un conducteur de sortie 550 qui aboutit au montage d'horloge de référence 98.Tous les conducteurs 550 partant des dix décodeurs-correcteurs de base de temps du canal de reproduction sont-soumis à une opération logique OU dans le montage d'horloge de référence 98 pour coupler un ordre de décrochage de fréquence avec le système de commande par ordinateur 92 par l'intermédiaire de la jonction de sys tème de signaux 119 (figures8, 32A et 32B) dans le cas où un ou plusieurs signaux de décrochage de fréquence sont engendrés dans un canal de reproduction Le système de commande par ordinateur 92 répond à l'ordre de décrochage de fréquence en appliquant, par 1' intermédiaire de la jonction du système de signaux, un ordre d' étouffement de signal vidéo au montage d'insertion de suppressions de faisceau et d'étouffement de bits (figures 5lA et 51B) qui bloque la transmission de données au poste demandeur. Dans le décodeur par canal 525, le signal de décrochage de fréquence est engendré par détection de l'incapacité du décodeur par canal à engendrer un bit de données pendant seize cycles de 6 SC. Le signal de décrochage de fréquence est engendré par un circuit divisant par 2, 546, dont l'entrée de rythme est couplée de manière à recevoir une impulsion d'horloge appliquée sur le conducteur 548 chaque fois que le décodeur par canal 525 refuse de détecter un bit de donnée pendant un intervalle de quatre cycles de 3 SC, soit huit cycles de 6 SC.Si une seconde impulsion d'horloge apparaît sur le conducteur 548 avant que le circuit divisant par 2, 546 soit rétabli par la porte NON-ET 549, le circuit divisant par 2, 546 engendre le signal de décrochage de fréquence sur le conducteur 550. La porte NON-ET 549 rétablit le circuit divisant par 2, 546, chaque fois qu'une coïncidence se produit entre un bas niveau du rythme à 6 SC fourni par l'oscillas teur 537 et un bas niveau du conducteur 530b, ce qui a lieu lorsqu' une impulsion de donnée en relation avec une transition est reçue à l'entrée 526 du décodeur par canal.
Après la conversion par la bascule divisant par 2, 531 des données codées par canal de la forme "impulsions en relation avec une transition" à la. forme NRZ-L codée par canal, les données sont couplées par le conducteur 531a avec une paire de verrous 551 et 552 à l'entrée du montage décodeur 525a. Le montage décodeur est capable de décoder des données qui sont codées par canal suivant les règles de codage du brevet n0 3 108 261 (figure 46E-(l))~et de la demande de brevet France 77 07949 précédemment mentionnée (figure 46E-(2)). Les verrous sont rythmés par des rythmes à 3 SC l et 2, respectivement, tirés du rythme à6.SC engendré par l'oscillateur 537.
Le rythme à 6 SC du conducteur 534 est couplé avec l'une des entrées de chacune des portes NON-ET 553a et 553b. L'autre entrée de chacune de ces portes NON-ET reçoit l'une de deux ondes rectangulaires à 3 SC complémentaires, engendrées par la bascule divisant par 2, 534a, à partir du rythme à 6 SC du conducteur 534. Les portes NON-ET sont déverrouillées -lorsque leurs entrées sont basses pour émettre les impulsions d'horloge l positives (figure 46E-(4)) destinées à rythmer le verrou 552 et les impulsions d'horloge 2 positives (figure 46E-(3)) destinées à rythmer le verrou 551. Les impulsions d'horloge l et 2 sont décalées dans le temps d'un demicycle de 3 SC.En conséquence, le temps pendant lequel le niveau des données NRZ-L codées par canal du conducteur 531a est verrouillé par le verrou 551 est décalé d'un demi-cycle de 3 SC par rapport au temps pendant lequel le niveau est verrouillé par le verrou 552 (figure 46ET(5) et (6)). Les deux verrous sont respectivement couplés avec les deux entrées d'une porte OU exclusif 554a.Cette porte OU exclusif sert à détecter l'apparition d'un changement d'état dans le niveau des données NRZ-L codées par canal à l'entrée des verrous 551 et 552 entre les temps pendant lesquels elles sont rythmées parles rythmes l et 2 décalés (figure 46E--(7)). Pour déterminer Si le changement d'état à l'entrée de verrous représentait un bit 1 logique, la sortie de la porte OU exclusif 554a est couplée avec l'une des entrées d'une porte NON-ET 555. L'autre entrée de cette porte NON-ET reçoit des impulsions d'horloge à 3 SC l inversées couplées à partir de la porte NON-ET 533a par l'inverseur 555a.Si le changement d'état à l'entrée des verrous représente un bit 1 logique, la sortie de la porte OU exclusif 554a est basse lors de 1' apparition d'une impulsion d'horloge à 3 SC l inversée. La porte NON-ET 555 est alors déverrouillée, celui place un niveau haut sur sa sortie. Pour assurer un verrouillage certain de l'impulsion de bit 1 logique détectée à la sortie de la porte NON--ET 555, un circuit à retard 556 est connecté à celle des entrées de la porte NON-ET 555 qui reçoit le rythme l- inversé, de sorte que la sortie de cette porte NON--ET est maintenue haute pendant un intervalle plus long que l'impulsion d'horloge à 3 SC l (figure 46E (8)).
Cela permet au verrou 557 qui suit d'être rythmé avec le flanc ar rière positif du rythme à 3 SC 01 pour verrouiller le niveau haut retardé établi par la porte NON-ET 555 (figure 46ET(9)). Si les données d'entrée sont codes par canal suivant les règles de codage du brevet n0 3 108 261, le signal de sortie du verrou 557 sera constitué par les données NRZ-L décodées par canal. Ce cas est représenté par les lignes en trait interrompu sur le diagramme des temps représenté par la figure 46E. Toutefois, dans le décodeur représenté sur les figures 46A et 46B, un verrou supplémentaire 558 est nécessaire pour permettre le décodage de données codées par canal suivant les règles de codage de la demande de brevet France 77 07949 précédemment mentionnée.Par contre, dans le cas du code par canal du brevet n0 3 108 261, le verrou supplémentaire 558 ne fait que retarder la sortie des données décodées d'un cycle de 3 SC.
Dans les procédés par voie humide, la largeur de la sousgravure est approximativement égale à l'épaisseur de la couche gravée; comme chaque nappe a deux flancs, une épaisseur de 0,7 um entraîne, pour une dent dont la largeur est, par exemple de 5 pm, une perte d'aire d'au moins 25% en surface de ladite dent.
Ce mode de mise en oeuvre permet donc de réaliser des ouvertures beaucoup plus petites, donc de densifier les circuits.
Avec une solution très diluée d'acide phosphorique on élimine alors d'une manière connue les nappes 30a, 30b et 30c d'aluminium.
La plaquette à ce stade est représentée# sur la figure 2e.
Sous les évidements 32 et 33, on creuse alors dans la couche intermédiaire d'oxyde de silicium 28 des alvéoles par attaque de l'oxyde de silicium au moyen d'une solution contenant 10% d'acide fluorhydrique ou d'une solution d'acide fluorhydrique tamponnée au fluorure d'ammonium. On sépare ainsi, au plan de la figure, dans la couche 28, les nappes 28a, 28b et 28c dont les flancs référencés 28x apparaissent. Les solutions utilisées ne dissolvent le nitrure de silicium et le silicium lui-mênie qu'assez peu pour que l'on puisse interrompre l'attaque en temps utile. La plaquette à ce stade est représentée sur la figure 2f. La qualité de la forme des alvéoles est excellente, notamment en raison de la qualité de la forme des évidements.
Cette attaque met à nu, outre les plages 21a et 21b de la surface 21 de la plaquette, des nappes du manteau 25 adjacentes à ladite plage 21a et dont les parties apparaissant au plan de la figure sont référencées 25ai et 25b2, et des nappes du manteau 25 adjaeentes à la plage 21b et dont les parties apparaissant au plan de la figure sont référencées 25bol et 25cri, On porte la plaquette à une température de 30000 à 40000 et, par évaporation sous vide, on dépose sur toute la surface de la face active une pellicule 34 d'aluminium, ou d'aluminium-silicium, ou encore d'aluminium-silicium-cuivre, d'une épaisseur de 0,7 Vm.
Cette pellicule se partage au plan de la figure en 5 nappes, entre lesquelles, du fait de l'épaisseur de la couche auxiliaire 29, il y a rupture. Pour favoriser cette rupture, on peut garder la plaquette immobile pendant toute l'opération de dépôt d'aluminium.
Les trois nappes 34a, 34b et 34c reposent respectivement sur les trois nappes restant 29a, 29b et 29c de la couche auxiliaire 29. Par contre, la nappe 34d repose, d'une part, sur la plage 21a où elle va constituer le contact avec l'émetteur et, d'autre part, sur les nappes 25ai et 25b2 du manteau 25, où elle va constituer une partie d'une première configuration sous-jacente de conducteurs. La nappe 34e repose, d'une part, sur la plage 21b où elle va constituer le contact avec la base et, d'autre part, sur les nappes 25bol et 25ci du manteau 25, où elle va constituer une partie de ladite première configuration sous-jacente de conducteurs. La plaquette à ce stade est représentée sur la figure 2g.
Il est à remarquer que le choix des corps selon la présente invention, pour réaliser la couche auxiliaire 29, permet le dépôt de l'aluminium de la configuration à une température élevée ce que ne permettaient pas les autres procédés, notamment les procédés comportant l'utilisation comme couche auxiliaire d'une couche de laque photosensible instable à 15000 ou à 20000. C'est précisément cette température élevée lors du dépôt qui donne à la pellicule obtenue un certain nombre de ses qualités. Du fait qu'il est déposé à chaud l'aluminium se répartit mieux car il flue légèrement, il suit mieux les contours, notamment ceux de l'oxyde de silicium, ce qui assure la planéité dont on parle ci-dessus dans ce mémoire.
De plus, le grain de l'aluminium déposé est fin. L'adhérence de l'aluminium sur le silicium est excellente, le contact est d'une bonne ohmicité et sa résistance est faible. La finesse du grain assure également une bonne conductivité aux conducteurs de la configuration.
On plonge alors la plaquette dans un bain d'hydrate d'hydrazine qui attaque, par les flancs 29x, les différentes nappes de la couche auxiliaire 29. On peut faciliter l'élimination des nappes de ladite couche 29 et des nappes 34a, 34b, 34c de la pellicule 34 par grattage ou par retrait d'un film adhérent mais ce n'est pas indispensable. On peut remplacer le bain d'hydrate d'hydrazine par un bain d'acide nitrique fumant à 100%. La plaquette à ce stade est représentée sur la figure 2h.
Les nappes 28a, 28b, 28c, d'une part,et les nappes 34d > 34e d'autre part ayant sensiblement la même épaisseur, la nouvelle surface de la face active de la plaquette est sensiblement plane.
Le procédé utilisé évite le long des flancs 28x la présence de failles entre l'aluminium et l'oxyde ou limite leur largeur. Il ne reste que de légères inflexions. Bien qu'il soit difficile de donner des chiffres, on peut considérer qu'une faille de 0,11 ou même 0,3 vm ne présente pas d'inconvénients pour la création de la configuration supérieure, surtout si de telles failles sont peu profondes. Par contre, même en présence d'un manteau intercalaire tel que ceux qui seront décrits ci-dessous en regard des figures 2i à 2Q qui suivent et, ensuite, en regard des figures 3, une configuration supérieure, par exemple en aluminium, se rompt généralement pour une faille de 1 um, et toujours pour une faille de 2 pm.
Le procédé selon l'invention exclut de tels accidents.
Sur la figure 2i a été représentée la première étape de l'éla- boration de la deuxième configuration de conducteurs dans le cas où celle-ci constitue la configuration supérieure (circuit bicouche). Sur la surface plane créée selon l'invention et correspondant à la figure 2h on dépose par décomposition et oxydation du silane à faible température un manteau isolant 35 d'oxyde de silicium d'une épaisseur d'environ 0,7 pm. On pourrait également utiliser du nitrure de silicium. Du fait que les nappes 28a, 34d, 28b, 34e, 28c, constituent une surface pratiquement plane avec de simples inflexions et des failles très étroites aux jonctions entre nappes, le manteau 35 ne présente également que de légères inflexions.Puisque, dans exemple représenté sur les figures 2i à 2Q, le dispositif ne comporte que deux configurations stratifiées de conducteurs il est inutile que la seconde configuration détermine également une surface plane. On dépose donc directement sur ce manteau 35 une couche de laque photosensible 36.
Par photogravure, on crée dans la couche 36 une fenêtre 37a, et > à travers cette fenêtre, par attaque à l'acide fluorhydrique tamponné, l'ouverture 37 dans le manteau d'oxyde de silicium 35. Cette ouverture sépare, au plan de la figure, le manteau 35 en deux nappes 35a et 35b et laisse apparaître la plage 38 de la surface de la nappe 34d de la première configuration. La plaquette à ce stade est représentée sur la figure 2j.
d) le mannose, qui est particulièrement favorable avec les sources d'azote énumérées pour le glucose, et qui donne également de bons résultats avec l'hydrolysat de caséine.
D'autre part, le milieu de culture de GtCPTALUi: geogenium contient également de façon avantageuse les facteurs de croissance qui peuvent être apportés par exemple par l'extrait de malt.
Le procédé de préparation selon l'invention peut par exemple se subdiviser en les étapes suivantes 1) Préparation de la tête de cure".
Un fragment du mycélium est transféré du milieu L gélosé dans 25 ml d'un milieu L liquide contenu dans un wrlenmeyer.
Le milieu L liquide présente la même composition que le milieu L gélosé, exception faite de la gélose qui a été supprimée.
On prépare alors plusieurs Erlenmeyers qui sont mis à incuber pendant environ i à-21 jours (cette durée étant fonction de la pousse du mycélium) dans une chambre obscure en les maintenant à une température constante d'environ 240C, le degré hygrométrique étant sensiblement égal à 70 .
2) Culture proprement dite de GEOPETALUt eogenium.
Les conditions de culture de GEOPETALU geogenium sont du type de celles des cultures de mycélium d'homobasidiés agaricales et aphylophorales. Cependant, dans le cas de GEOPETALUM geogenium, ces conditions générales doivent être adaptées pour la production du principe actif selon l'invention.
En effet, la production du principe actif exige des conduit tions de culture en aérobiose relative, clest-à-diwe que le principe actif ne peut pas être obtenu en anaérobiose stricte.
Il convient d'observer ici que le barbotage d'air dans le milieu de culture s'est également montré nocif. En revanche, une bonne production du principe actif a été observée dans le cas où l'aération était obtenue par simple agitation. Dans la pratique, les conditions expérimentales qui se sont montrées tout à fait favorables consistaient en une agitation par secousses obtenues par un va-et-vient d'une amplitude de 7 cm avec 100 allers et retours par minute, les cultures étant contenues dans les Srlenmeyers de 100 ml. Toutefois, d'autres conditions expérimentales ne sont pas à exclure et, en particulier à l'échelon industriel, il est possible d'adapter aux fermenteurs des systèmes d'aération plus commodes.
Lut étude de la cinétique de production du principe actif montre que le maximum se situe à environ 26 jours (température 24aC + 100). il a été observé qu'en moyenne il fallait environ 3 semaines pour obtenir une bonne activité desdites cultures, mais cette activité persiste si ia culture est poursuivie au delà de cette durée ; il n'y a pas de date critique en-deçà de 4 semaines.
Dans toutes les phases actives, quelle que soit la façon de les obtenir, le produit objet de la présente invention se trouve toujouprésent. Il a été notamment pcssible de l'obte- nir à l'état cristallisé de la manière suivante. Après développement du mycélium, le jus de culture est filtré et le filtrat est soumis à une opération de lyophilisation. il convient ici d'observer que toute 17 activité passe dans le jus de culture et qu'il ne s'est pas avéré nécessaire de broyer le mycélium. On procède ensuite à l'extraction du produit à partir du lyophilisat. Cette extraction peut être effectuée au moyen de tout solvant approprié ; dans la pratique le chloroforme a conduit à des résultats tout particulièrement satisfaisants.On peut par exemple effectuer trois extractions successives à froid dans le rapport de 1 g de lyophilisat pour 100 ml de chloroforme.
Les phases chioroformiques sont alors évaporées à la température du laboratoire, sous pression réduite, et le résidu est repris dans un solvant tel que le benzène, puis chromatographié dans une colonne de silice Merci. Dans la pratique on a utilisé une colonne de silice d'une hauteur de 47 cm et d'un diamètre de 2 cm. Les éluants utilisés ont été respectivement 1) le benzène 2) ltéther-éthylique 3) le mélange éther-méthanol (90-10), et 4) le méthanol.
Cn a constaté que le produit objet de la présente invention passe avec le deuxième éluant et peut donc être recueilli dans la phase éthérée. On observera ici qu'avec le mélange éther/ éthanol (90-10) il ne passe que deux produits, non identifiés, et en très faible quantité. Le méthanol, lui, entraîne tout le résidu complexe qui contient au moins sept produits qui ntont pas été analysés plus en détail.
L'éther est alors évaporé et le résidu est à nouveau repris par le chloroforme dans lequel le produit selon l'invention cristallise. La pureté du produit de l'invention est vérifiée en chromatographie couche mince sur plaque de gel de silice merci 60 F 254 (révélateur U.V.).
Le produit de la présente invention a fait l'objet de diverses analyses physico-chimiques qui ont conduit aux résultats suivants.
les fig. 2 et 3 sont des vues latérales prises selon les lignes Il-Il et 111-111 de la fig. 1.
Les fig. 4 et 5 sont des coupes prises respectivement selon les lignes IV-IV et V-V de la fig. 3.
La fig. 6 est une vue schématique montrant une caractéristique supplémentaire du matériel.
La fig. 7 est une vue partielle analogue à la fig. l mais représentant un des avantages de l'objet de l'invention.