INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif est recouvert d'une couche isolante d'oxyde 52 dans laquelle sont ouvertes des fenêtres de prise de contact. Les contacts sont pris au moyen de dépôts métalliques 56 pour émetteur du transistor T8, 57 pour la base du transistor T6 et 54 pour l'émetteur du transistor T6. Ce dernier dépôt assure la liaison entre ce dernier émetteur et le collecteur du transistor T8 si l'on prévoit, par exemple en 58, sur la figure 7, un décapage profond atteignant le substrat, comme cela a eté décrit dans l'exemple précédent. Un dépôt métallique 59 sur la face inférieure du substrat permet de réaliser la connexion à la borne L du circuit par l'intermédiaire du support sur lequel est fixé le dispositif.Les -dépôts 56 et 57 comportent des plages de surface suffisante 561, 571, pour la soudure de connexions par fil aux bornes M et J du circuit.
Du fait de la structure interdigitée du dispositif, il y a une très forte section de passage du courant entre le collecteur du transistor T6 et la jonction base-émetteur du transistor Ta, la continuité d'une forte conductance étant assurée par la disposition des zones fortement dopées 46 et 47, ce qui permet d'obtenir une faible tension de saturation par rapport aux dispositifs connus.
Le dispositif représenté sur la figure 9 est réalisé à partir d'un substrat 61 de silicium de type P+ sur lequel est déposée une couche épitaxiale 62 de type P. La base du transistor T7 et le collecteur du transistor T5 sont des portions d'une couche épitaxiale 63 de type N, déposée sur la couche 62. Lt émetteur du transistor T7 et la base du transistor T5 sont des portions 64 et 69 d'une troisième couche épitaxiale, de type P, déposée sur la couche 63. L'émetteur du transistor T7 comporte en outre une zone 65, diffusée localement dans la portion 64, de type P+. La base du transistor T5 comporte une zone 71 diffusée localement dans la portion 69, de type P+ destinée entre autres à la prise de contact sur cette base. L'émetteur du transistor T5 est une zone 70, de type N+, diffusée localement dans la portion 69. L'émetteur du transistor T7 et la base du transistor T5 sont séparés par un sillon 735 dans le fond et les parois duquel on a diffusé une zone 66 de type N+, qui rejoint ainsi une couche enterrée 67 de type N+ également. Cette dernière est localisée au sein de la couche 63, qui est pour cela réalisée en deux opérations d'épitaxie entre lesquelles on effectue un dépôt de prédiffusion ou une implantatioay localisée au moyen d'un masque adéquat. La couche 67 est localisée à l'aplomb de la base du transistor T5- et sa géométrie est sensiblement celle de la partie plane de la jonction base-collecteur du transistor T5.
Bes préparations orales de l'invention peuvent être préparées par dispersion de l'agent antibactérien cationique et du composé polyamine polyphosphonique dans un véhicule pour voie orale qui comprend généralement de l'eau.
Par exemple, une solution de rinçage ou un bain de bouche peut être préparé en mélangeant de l'éthanol et de l'eau avec une essence aromatisante, un surfactif non ionique, un agent humectant, un agent antibactérien antiplaque cationique tel que le chlorure de benzéthonium, le chlorure de cétylpyrSdinium ou la chlorhexidine, un agent édulcorant, et un colorant, et en ajoutant ensuite le composé polyamine polyphosphonique, par exemple EDITEMPA ou un sel hydrosoluble (par exemple tritétras- ou pentasodique) de ce dernier et un complément d'eau selon les besoins. I1 est avantageux d'ajouter le polyamine polyphosphonate après que les autres ingrédients sont venus en contact les uns avec les autres.
Une pâte dentifrice peut être préparée en formant un gel avec un agent humectant, une gomme ou un épaississant tel que l'hydroxyé- thylcellulose, un agent édulcorant, et en y ajoutant un agent de polissage, un arôme, un agent antibactérien, tel que le chlorure de benzéthonium, le chlorure de cétyl-pyridinium ou la chlorhexidine, et un supplément d'eau, puis en ajoutant une essence aromatisante et le composé polysmine polyphosphonique, par exemple EDITEMPA ou son sel hydrosoluble. I1 est préférable d'ajouter le composé polyamine polyphosphonique après que les autres composants sont venus au contact les uns des autres.Si l'on utilise la carboxyméthylcellulose comme agent de gélification, on suit le processus soit du brevet des Etats-Unis d'Amérique Non 3 842 168, soit du brevet des Etats Unis d'Amérique ng3 843 779, modifié par l'incorporation du composé polyamine polyphosphonique.
Dans la mise en oeuvre de la présente invention, une composition pour voie orale telle qu'un bain de bouche ou une pâte dentifrice contenant un agent antibactérien antiplaque cationique ou du type amine à longue chaîne en quantité favorisant efficacement lthy- giène bucale et un composé polyamine polyphosphonique en une quantité réduisant efficacement la formation de taches sur la surface des dents, résultant sinon de la présence de l'agent antiplaque antibactérien, est appliquée régulièrement à l'émail des dents, de préférence de 5 fois par semaine à 3 fois par jour environ.
Les exemples particuliers suivants illustrent l'invention sans la limiter. Les compositions sont préparées de manière usuelle et toutes les quantités des divers ingrédients sont exprimées en poids sauf indication contraire.
EXEMPLE 1 On prépare le bain de bouche suivant en mélangeant les ingrédients suivants Parties Alcool aromatisé 15 "Pluronic P-108" 3 Glycérine 10 Chlorure de benzéthonium 0,1 Saccharine de sodium 0,03 Sel trisodique de RDITEXPA 1 Eau complément à 100 pR 8,0 (ajusté avec de l'hydroxyde de sodium 5 N) Les divers ingrédients sont mélangés avec le sel trisodique de EDITEMPA, et environ 10 parties d'eau n'étant ajoutées qu'à la fin.
Le pH du bain de bouche est également ajusté avec de l'hydroxyde de sodium 5 N pour préparer d'autres compositions ayant un pH de 5,0, 6,6, 6,9, 7,0. Avec l'hydroxyde de sodium, le pH est de 4,6. A mesure que le pH est ajusté, la quantité d'ion sodium associé au EDITEETA varie d'une façon inhérente (de 3 à 6).
Toutes les compositions sont transparentes sans signe visible de précipitation.
L'activite antiplaque et les taux de formation de taches des bains de bouche de même pH et de meme composition, mais en l'absence du polyamine-polyphosphonate, sont déterminés.
Des essais sont effectués sur l'aptitude des compositions à inhiber la formation de la plaque in vitro en laissant la plaque se former (pendant 48 heures à 37OC) sur les surfaces de dents nettoyées et poncées dans un bouillon de saccharose préalablement inoculé contenant Strep. mutants. La plaque pré-développée est ensuite immergée dans la composition d'essai et rincée avec un tampon 1 à 5 fois pendant une minute chaque fois Les dents portant la plaque sont ensuite transférées dans un bouillon de saccharose contenant 1 mg/100 ml d'indicateur au vert de bromocrésol et mises à incuber à 37QC dans des conditions anaérobies pendant 18 heures.Un composé antibactérien est considéré comme efficace si l'indicateur ne vire pas au jaune (ce qui commence lorsque le pH atteint 5R5) et s'il ne se produit pas d'autres développement de la plaque comme mis en évidence par l'augmentation de l'opacité. On constate que sur les dents propres la formation et le développement de la plaque sont efficacement inhibés Bes caractéristiques de coloration des dents de la composition sont essayées de la façon suivante :: Essai de formation de tache ou coloration - 250 mg d'albumine de boeuf (cristallisée trois fois) sont ajoutés à 2 g de poudre d'hydroxyapatite (han) (Biogel) servant de substrat pour une tache tandis que les protéines simulent la pel ioule dentaire et fournissent une "source d'amine" La solution de rinçage de la bouche est ajoutée au mélange suivie de 7R5 % d'acétaldéhyde tamponné qui sert de source de carbonyle Le mélange est secoué à 37 C pendant 18 heures. La HAP souillée ou colorée est séparée de la solution par filtration et séchée à 37oC.
La couleur de la poudre est lue sur un appareil de mesure de la différence de couleur de Gardner.
Les taux de coloration sont déterminés sur l'appareil Gardner avant et après l'application de la composition d'essai à la matière colorée.
Les résultats portant sur l'activité antiplaque révèlent qu'a vec et sans sel de EDITERSA à chaque pH de 8g0g 7,0, 6 9 6,6g 5,0 et 4,6, le rinçage est efficace après 5 rinçages avec le tampon et que le développement d'une plaque pendant trois jours et la production d'acide sont inhibés.
Ainsi, on voit que EDITEfTA ne réduit pas l'activité antiplaque in vitro du chlorure de benzéthonium.
Les résultats concernant l'inhibition de la formation de taches sont les suivants avec les bains de bouche à un pH de 4,9, 7,0 et 8,0 (ces bains de bouche ont un pH de 5,0g 7,0 et 8,0 avant applica tion à la tache in vitro).
Composition Présence pH sel de sodium de EDITEMPA Réflectance Différence de ~ ~~~~~~~~~~~ réflectance Témoin- Pas de sel de sodium de 5,0-8,0 EDITEMPA et pas de chlo rure de benzéthonium 38,5 5,0 Oui 33,9 1,1 5,0 Non 32,8 7,0 Oui 39,8 5,9 7,0 Non 33,9 8,0 Oui 40,4 7,0 8,0 Non 33,4 Ainsi, on constate que le sel de sodium de EDITEMPA réduit sensiblement la formation de taches par le chlorure de benzéthonium, en particulier à un pH de 7,0 et 8,0 et également dans une certaine mesure à pH 5,0.
Taux de conversion de S02 : 95,5 %.
Résultats de l'analyse pH : 3,7 Na2S03 : 0,01 % en poids formaldéhyde méthanol : acide formique : Cl : 2+ Ca 2+ + Mg 20 ppm fer : C 1 ppm so4 : EXEMPLE 2 On prépare une solution de glutaraldéhyde et de bisulfite de potassium, en opérant comme à l'exemple 1, dans le même réacteur. Pour une production horaire de 400 kg d'une solution de dérivé bisulfitique potassique du glutaraldéhyde on introduit dans le réacteur en continu 47,0 kg d'une solution à 50 % de glutaraldéhyde, 270 litres d'eau par heure, 52,8 kg d'une lessive d'hydroxyde de potassium à 50 % et 108 m3 (volumes gazez évalués dans des conditions normales) d'un gaz de calcination contenant 10,85 m3/h de 802. La conversion, par rapport à S02, est de 81,7 %.
Résultats de l'analyse pH : 4,5 sulfite de potassium : 0,02 % en poids glutaraldéhyde : Cl : fer : teneur de la solution : environ 20 %.
L'invention est relative à une pièce d'extrémité de gouttière de toiture, destinée à être sertie sur I'extrémité d'une gouttière. Cette pièce d'extrémité peut par exemple être plate ou sphérique et, dans ce cas, être courbée selon une partie de coquille sphérique. Elle peut, par exemple. être réalisée de manière à être sertie sur une gouttière semi-cylindrique ou sur une gouttière de section quadrangulaire.
L'invention a pour but de fournir une pièce d'extrémité de gouttière de toiture, qui puisse être fabriquée à bon marché et puisse être sertie d'une manière simple, à l'aide de moyens simples, sur une extrémité de gouttière.
Ce résultat est obtenu, conformément à l'invention, par le fait que la partie, destinée à être sertie sur l'extrémité de la gouttière, du bord de la pièce d'extrémité présente sur sa face intérieure un repli destiné à être enfilé sur une pliure extérieure de l'extrémité de la gouttière et à être ensuite recourbé, conjointement avec la partie pliée de l'extrémité de la gouttière, pour former un sertissage simple qui s'applique contre la face extérieure de l'extrémité de la gouttière.
De préférence. la partie du bord de la pièce d'extrémité destinée à être sertie sur l'extrémité de la gouttière comporte une pliure, suivant laquelle est formé le repli, cette pliure formant un angle obtus avec la face intérieure de la pièce d'extrémité, le repli formant un angle aigu et étant destiné à être enfilé sur une pliure extérieure, d'angle aigu, de l'extrémité de la gouttière.
L'invention est expliquée plus en détail ci-après à l'aide de certains de ses modes de réalisation pris à titre illustratif mais nullement limitatif, en se référant aux dessins annexés dans lesquels - les figures 1 à 5 représentent des pliures, des replis et un sertissage simple, - la figure 6 est une vue en plan de la face extérieure d'une pièce d'extrémité de gouttière de toit, pour gouttière semi-cylindrique à bourrelet - la figure 7 est une coupe suivant la ligne Vil-Vil de la figure 6 - la figure 8 est une vue en bout d'unie gouttière semicylindrique à bourrelet > munie d'une pliure à l'extrémité de la gouttière pour être sertie sur la pièce d'extrémité des figures 6 et 7 - la figure 9 est une coupe suivant la ligne IX-IX de la figure 8 - les figures 10, 11 et 12 illustrent schématiquement (à grande échelle) les phases de formage d'un sertissage simple, utilisé pour sertir une pièce d'extrémité sur lx'extrémité d'une gouttière ;; - la figure 13 montre l'assemblage de la pièce d'extrémité des figures 6 et 7 et de l'extrémité de gouttière des figures 8 et 9. pour la préparation du sertissage - la figure 14 est une vue en plan à plus petite échelle d'une embase pour sertir la pièce d'extrémité des figures 10, 11 et 13 sur une extrémité de gouttière - la figure 15 est une vue latérale suivant la direction de la flèche XV de la figure 14 - la figure 16 illustre, à la même échelle que les figures 6 à 9, le sertissage à l'aide de l'embase de la figure 14 ; et - les figures 17 et 18 représentent chacune une gouttière de section quadrangulaire et une pièce d'extrémité correspondante.
Pour illustrer les concepts mis en oeuvre d'une manière répétée dans la description ci-dessous, on a représenté sur la figure 1 une pliure à angle droit. sur la figure 2 une pliure selon un angle obtus > sur la figure 3 un repli usuel. sur la figure 4 un repli selon un angle aigu et sur la figure 5 un sertissage simple (cf Friedrich, Tabellenbuch fur Bau- und Holzgewerbe, 1958 > page 167). La pièce d'extrémité 1 de gouttière de toit représentée sur les figures 6 et 7 est essentiellement plate et présente une partie marginale 2 en forme d'arc de cercle, qui est destinée à être reliée à une extrémité de gouttière. Cette partie marginale 2 présente une pliure 3 qui forme un angle obtus avec la face intérieure 4 de la pièce d'extrémité.Le long de cette pliure 3 est formé, sur la face intérieure 4 de la pièce d'extrémité > un repli selon un angle aigu 5 (cf aussi figure 10). Le long de son bord supérieur la pièce d'extrémité 1 présente une gorge allongée 7, débouchant dans la face extérieure 6 de la pièce d'extrémité > à extrémités 8 et 9 arrondies en arc de cercle qui dépassent en dehors des extrémités de la partie marginale en arc de cercle 2 d'une longueur égale au double du rayon selon lesquelles elles sont arrondies. La par tie marginale 10 de la gorge 7 qui forme une partie du bord de la pièce d'extrémité l fait saillie en dehors de la face intérieure 4 de la pièce d'extrémité.La partie arrondie est adaptée au bourrelet de la gouttière sur laquelle doit être sertie la pièce d'extrémité 1. Selon que la pièce d'extrémité 1 doit être sertie d l'extrémité gauche ou à l'extrémité droite de la gout tière, l'extrémité du bourrelet se loge dans l'extrémité 9 ou dans ltextrémité 8 de la gorge 7. On peut ainsi utiliser une seule et mime pièce d'extrémité pour l'extrémité de gauche ou pour lextrmitE de droite de la gouttière.
Pour préparer le sertissage de la pièce d'extrémité l sur 1'extremité de la gouttière. la partie marginale de cette dernière, destinée à être reliée à la pièce d'extrémité 1, est munie d'une pliure selon ua angle aigu. Les figures 8 et 9 mon- trent une extrémité Il de gouttière, dont la partie marginale 12 est munie de la pliure selon un angle aigu 13. La largeur de cette pliure est égale ou un peu plus courte que la largeur du repli 5 de la pièce d'extrémité 1.
Après pliage de la partie marginale 12, l'extrémité 14 du bourrelet 15 de la gouttière dépasse un peu. L'extrémité saillante 14 du bourrelet se loge. à la mise en place de la pièce d'extrémité i dans une des extrémités 8 et 9 de la gorge 7. La partie virginale 16, dénuée de pliure et dépassant légbrement.
de l'extrémité il de la gouttière qui se trouve en face de l'extrémité 14 du bourrelet est sectionnée de telle manière qu'elle se trouve dans le plan du soumet 17 (figure 10) de la pliure 13.
Le repli 5 de la pièce d'extrémité 1 est enfilé sur la pliure 13 de l'extrémité Il de la gouttière, la pièce d'extrémi- té i stappliquant, avec ua certain décalage radial par rapport à la gouttière, contre le plan de l'extrémité Il de la gouttière et étant déplacé perpendiculairement à la direction longitudinale de la gouttière Dans la région du repli 5 et de la pliure 13, on a représenté sur la figure 10 une phase intermédiaire de cette opération et sur la figure il la position finale. La flèche 18 montre la direction du déplacement. Un peu avant la fin de ce déplacement (figure lt}, la pliure 3 de la pièce d'extre- mité 1 glisse sur le sommet 17 de la pliure 13 de l'extrémité Il de la gouttière t la pliure 13 se glissant à l'intérieur du repli 5.
La figure 13 montre la manière dont une extrémité 9 de la gorge 7 de la pièce d'extrémité l et l'extrémité 14, dépassant le long de l'extrémité 11 de la gouttière, du bourrelet (figure 9) servent à guider la pièce d'extrémité l lors du déplacement (flèche 18, figure 10) au cours duquel le repli 5 est enfilé sur la pliure 13. L'extrémité 14 du bourrelet est enfilée-dans l'ex- trémité 9 de la gorge 7 et la pièce d'extrémité 1 est amenée à pivoter suivant la direction de la flèche 19.Après que la pièce d'extrémité 1, comme on l'a décrit à propos des figures 10 > 11 et 13, a été engagée sur l'extrémité Il de la gouttière, le tout est emmanché sur une embase adaptée à la section de la gouttière, de telle manière que cette embase B'applique intimement intérieure- ment, dans la région des parties.marginales correspondantes 2 de la pièce d'extrémité 1 et 12 de l'extrémité Il de la gouttière.
Ensuite le repli 5, contenant la pliure 13 de l'extrémité Il de la gouttière. de la pièce d'extrémité 1 est appliqué à l'aide d'un maillet contre la face extérieure de l'extrémité il de la gouttière. Ce mode opératoire est facilité et fournit à coup str un sertissage simple impeccable (figure12}, du fait de la mise en oeuvre de la pliure 3 L'opération est représentée par une flèche 20 sur la figure 11. La figure 12 montre l'état final correspondant dans lequel la partiemarginale 2 de la pièce d'extrémité 1 est reliée à la partie marginale 2 de l'extrémité Il de la gouttière par le sertissage simple 21.
La figure 16 montre l'extrémité Il de la gouttière, la pièce d'extrémité 1 étant apposée, de la manière représentée sur les figures 10, Il et 13, sur une embase de sertissage 22 qui est enserrée dans les mâchoires 23 d'fun étau (non représenté ici).
L'utilisation d'hydrate d'hydrazine est particulièrement recommandée pour l'élaboration de diodes au Ga AQ As qui sont attaquées par les solutions diluées de soude, en particulier lorsque la proportion molaire d'aluminium est de 20% de l'ensemble d'aluminium et gallium.
Par contre, en ce qui concerne l'élaboration des dispositifs au GaP, la Demanderesse préfère utiliser les solutions de soude, plus actives.
Avec une solution de soude tamponnée contenant 3 grammes de soude plus 30 grammes de phosphate de sodium (Na3PO4, 12 H20) dissous dans 1 litre d'eau, la vitesse d'attaque est relativement rapide, environ de 4 pm/minute; les laques peuvent être positives ou négatives.
Par exemple, avec la laque positive AZ 1350 H, bien connue dans l'art des semiconducteurs et commercialisée par Shipley, et avec la laque négative Waycoat IC de 60 CP, également bien connue dans l'art des semiconducteurs et vendue par Hunt Chemical, laques de faibles viscosités, il est possible de réaliser des photos de géométrie assez fine.
Pour le délaquage, on peut employer l'acétone pour la laque AZ 1350 H et le Micro-Strip pour la laque Waycoat.
Puisque la composition de la solution de gravure ci-dessus est voisine de celle du révélateur de la laque positive déjà citée AZ 1350 H, il est commode d'utiliser une laque positive et d'effectuer en une seule opération la révélation de la laque et la gravure, ce qui réduit le nombre des opérations. On peut également tamponner la solution de soude avec du carbonate de soude: l'attaque est plus lente, donc plus reproductible.
La Demanderesse a notamment utilisé deux lits déposés avec la solution Si, d'une épaisseur de 1,5 vm. Une fois le lit sous-jacent déposé, le solvant a été évaporé par un recuit de 30 minutes à une température de 85 C, suivi d'un recuit de 30 minutes à 1500C et d'une prépolymérisation à 2500C pendant 60 minutes. Le dépôt du lit supérieur a été suivi des deux recuits de 30 minutes respectivement à 850C et à 1500C.
La plaquette,avant l'attaque par la solution de soude, est représentée sur la figure Id. Le film 9 est séparé au plan de la figure en trois nappes référencées 9c, 9d, 9e.
Le dispositif après gravure est représenté sur la figure te; la couche auxiliaire 8 selon l'invention a, comme le film 9, été partagée au plan de la figure en trois nappes indicées c, d et e, séparées par l'évidement 10.
La nappe 8d sert à protéger la partie centrale de la diode électroluminescente#par où émerge la lumière; elle laisse libre un anneau 4a1 de la plage 4a d'affleurement de la région 3 sur la face active 4.
Les nappes 8e et 8e laissent libres les plages 6ai et 6bl des surfaces des nappes 6a et 6b du manteau de protection 6 adjacentes à l'ouverture 7.
On élimine les nappes 9c, 9d et 9e de la laque photosensible comme il a été dit ci-dessus.
On porte alors la plaquette 1 à une température d'environ 2500C sous un vide secondaire et on effectue par évaporation le dépôt du métal de la configuration métallique. On utilise avantageusement pour cela un alliage à base d'or comportant par exemple du béryllium ou du zinc. La Demanderesse a utilisé avec succès un alliage d'or et de béryllium à 1% de béryllium. L'épaisseur déposée est de l'ordre de 0,3 à 0,6 um. Sur une région de type N on peut utiliser un alliage à base d'or comportant du-germanium ou du silicium.
L'expérience a montré que, à cette température l'activité thermodynamique de surface était suffisante pour que se crée une liaison intime entre ladite surface et ledit métal.
La plaque à ce stade est représentée figure if. La pellicule d'or est figurée en 11; elle comporte au plan de la figure les nappes liai, lIa2, Ilas déposées sur les nappes 8c, 8d, 8e de la couche auxiliaire 8, et la nappe llb, dont la partie Ilbi repose sur la plage 6a1 de la surface de la nappe 6a, dont la partie llb2 repose sur la plage 6bl de la surface de la nappe 6b, tandis que la partie annulaire Ilbs repose sur l'anneau 4ai.
En raison de l'épaisseur de la couche 8, de l'ordre du triple de celle de la pellicule 11, il y a rupture de la pellicule d'or le long des lignes 12a, i2b, 12c, et la couche auxiliaire 8 apparaît latéralement à nu.
ASEMBL Sous-programme "assemblage".
ASLR2 Décalage arithmétique à gauche.
ASMCLR Programme de mise en ordre générale de l'assemblage.
ASMCMP Assemblage terminé.
ASMCYL Numéro de la piste actuelle d'assemblage.
ASMDRV Numéro de l'unité de disques sur laquelle d'autres unités sont en train d'être assemblées.
ASMEOL Drapeau "fin de liste" pour "assemblage".
ASMPAK Numéro de chargeur pour "assemblage".
ASMSTA Premier numéro d'article pour "assemblage".
ASPNXT Pointeur vers emplacement de stockage suivant d'entrée ART .
AUXCLC Calculer emplacement tampon d'entrée du RAS actuel.
AUXDSP Zone de stockage du contenu de l'affichage d'un RAS particulier.
BCDIK Pointeur vers nombre décimal 103 codé en binaire.
BCDTBI Programme de conversion de décimal codé binaire en binai re pur.
BIT Mnémonique pour "test de bit" (langage d'assemblage PDP-1l).
BITBCD Programme de conversion de binaire pur en décimal codé binaire.
c) La plate-forme inertielle, suivant l'invention, utilisant un gyroscope 2 axes et un gyroscope 1 axe réalise, par rapport aux plate-formes classi- ques, une simplification résultant de la réduction, soit du nombre, soit de la compléxité de ses composants essentiels que sont les gyroscopes, consi dérés dans leur ensemble. De plus, au plan théorique, elle évite la sura bondance caractérisant les plate-formes à 2 gyroscopes 2 axes qui permettent de mesurer le mtse écart angulaire au moyen de l'un ou de l'autre gyroscope.