- REVENDICATIONS 1.- Dispositif monolithique semiconducteur comprenant au moins deux transistors de types opposés, formé d'un substrat plan d'un premier type de conductivité recouvert d'un premier lit du type de conductivité opposé, ledit substrat constituant le collecteur du premier transistor, la base de ce premier transistor et le collecteur du second transistor étant constitués de portions dudit premier lit et l'émetteur du premier transistor et la base du second transistor étant constitués de portions d'un deuxième lit du premier type de conductivité situé sur ledit premier lit, caractérisé en ce que les parties coplanaires de l'interface entre le premier et le deuxième lit formant les jonctions émetteur-base du premier transistor et base-collecteur du second transistor sont interdigitées et séparées par une zone fortement dopée dudit type de conductivité opposé s'étendant depuis la surface du dispositif jusqu a une couche plane enterrée également fortement dopée dudit même type de conductivité opposé, et en ce que ladite couche enterrée est localisée selon la même géométrie que la jonction base-collecteur du second transistor et située au niveau dudit premier lit. 2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il présente un sillon dont le tracé est compris entre les régions interdigitées du premier et du second transistor, et à partir de la surface du fond et des parois duquel s'étend ladite zone fortement dopée. 3.- Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'émetteur du premier transistor comporte deux zones dont une zone superficielle fortement dopée, localisée, et une zone épitaxiale qui est une portion du deuxième lit interdigitée avec la base du second transistor. 4.- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'émetteur du second transistor comporte deux zones, dont une zone superficielle fortement dopée, localisée, et une zone épitaxiale qui est une portion d'un troisième lit, épitaxial, déposé sur le deuxième et dont la portion qui pourrait recouvrir l'émetteur du premier transistor est éliminée. 5.- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caracté isé en ce que les zones superficielles des émetteurs de l'un et t utre transistors, étant interdigitées, de même que les ouvertores de contact et les plages métalliques de connexion qui leur correspondent, Itouverture de contact de base du second transistor et la plage métallique de connexion qui lui correspond, ainsi que la zone fortement dopée s'étendant depuis la surface jusqu' la couche plane enterrée, sont parallèlement insérés entre lesdites zones superficielles. 6.- Dispositif selon 1'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que une zone de contact du collecteur du premier transistor est constituée par une zone superficielle fortement dopée localisée au fond d'une cavité creusée jusqu'au niveau dudit collecteur, une liaison entre ce collecteur et ltémetteur du second transistor étant réalisée au moyen d'un dépôt métallique reliant la surface de contact de la zone superficielle d'émetteur du second transistor et la zone de contact du collecteur au fond de ladite cavité. 7.- Dispositif selon l'une des revendications i à 6, caractérisé en ce que l'implantation du dispositif formé par les deux transistors de types opposés présente une structure plane en forme de polygone ayant un centre de symétrie, les portions de couches, les régions et zones interdigitées ayant une configuration comportant des doigts de direction sensiblement radiale et formant en même temps une aire plane homéomorphe à une couronne, l'émetteur et la base du premier transistor entourant la base et l'émetteur du second transistor, et ces derniers entourant la zone de contact du collecteur du premier transistor. 8.- Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la zone de contact du collecteur du premier transistor est localisée au fond d'une cavité creusée au centre de symétrie du dispositif jusqu'au niveau de ce collecteur, la liaison entre ledit collecteur et l'émetteur du second transistor étant réalisée au moyen d'un dépôt métallique recouvrant au moins le fond de ladite cavité centrale.