INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les sels de diazonium peuvent être incorporés en des quantités allant jusqu'à environ 7 parties en poids pour 100 g ou 100 parties du mélange total ; on n'utilise pas moins de 0,5 partie environ, en poids, des sels de diazonium pour 100 parties du mélange total.
On incorpore généralement le précurseur du copulant en un rapport d'environ 0,1 mole à environ 2,0 moles par mole du composé de diazonium.
Une formulation préférée contient 1,0 mole du précurseur du copulant pour 1,0 mole du composé de diazonium0 L'anhydride est généralement efficace en des quantités comprises entre 0,5 mole et 1,5 mole par mole du composé de diazonium, la quantité optimale présentant une relation siéci- fique avec la structure particulière de l'anhydride en cause, Dans une formulation préférée, l'anhydride est contenu à raison de 1,0 mole d'anhydride pour 1,0 mole du sel de diazonium.
On produit typiquement les matières pour reproduction comportant ces constituants en préparant tout d'abord une solution dans des solvants organiques purs. Les solvants préférés sont des cétones et alcools a faible masse moléculaire, car ces solvants sont généralement de bons solvants des sels de diazonium. Dans la pratique de la présente invention, il est courant d'utiliser un mélange de cétone et d'alcool comme solvants.
Généralement, on dissout le précurseur du copulant dans le mélange des solvants, en appliquant une agitation mécanique modérée, puis lton ajoute le sel de diazonitun que l'on diout de façon semblable, bien qu'on puisse introduire les constituants dans tordre inverse.
On place 0,4 ml de plasma dans un tube siliconé pourvu d'une barre aimantée elle-m8me siliconée. Le tube est introduit dans un agrégomètre couplé à un appareil permettant d'enregistrer les variations de densité optique. Lorsque la transmission de la lumière a atteint une valeur stable, on introduit dans le tube 0,5 ml d'une solution contenant 10 pM d'A.D.P. (Adénosine-Di Phosphate).
L'agrégation des plaquettes provoque alors une augmentation de la transmission lumineuse suivie d'une diminution consécutive à la phase de désagrégation.
'la variation maximale de densité optique ainsi déterminée caractérise l'intensité de l'agrégation.
b) mesure de l'agrégation plaquettaire au collagène La solution d'A.D.P est remplacée par une solution de collagène (extrait de tendons bovins).
c) résultats Différents lots de 20 rats sont utilisés, chaque lot -recevant un dérivé à tester par la voie orale, à la dose de 100 mg/kg. 'les résultats obtenus au cours de ces 2 essais sont rapportés dans le Tableau I suivant qui indique le pourcentage d'inhibition de 1 'agré- gation plaquettaire obtenu, par rapport au témoin, 3 heures après le traitement par le médicament de l'invention, dans le test à l'A.D.P. et au collagène.
TABLEAU I Pourcentage d' inhibition Traitement A.I).P. Collagène dérivé de l'exemple 1 63,4 90,7 dérivé de l'exemple 2 59,2 92,4 dérivé de l'exemple 3 60,7 92,7 dérivé de l'exemple 4 61,5 94,2 dérivé de l'exemple 5 62,9 93,4 dérivé de l'exemple 6 63,5 92,6 dérivé de l'exemple 7 60,6 91,7 dérivé de l'exemple 8 61,2 94,8 dérivé de exemple 9 59,4 90,6 dérivé de l'exemple 10 60,2 91,9 dérivé de exemple 11 61,5 92,2 dérivé de l'exemple 12 6i,7 93,0 dérivé de l'exemple 13 60,7 93,4 dérivé de l'exemple 14 63,6 92,5 dérivé de exemple 15 62,8 90,2 dérivé de l'exemple 16 63,1 90,9 dérivé de l'exemple 17 62,3 91,5 dérivé de exemple 18 63,1 93,7 20- Action anti-inflammatoire a) méthode de l'oedème localisé Provoqué Par la carragénine Une Solution de carragénine (0,1 ml) å 1 % est injectée dans les fléchisseurs métatarsiens de la patte postérieure droite du rat au temps 0. 'les animaux du lot traité reçoivent en outre, par la voie orale, 100 mg par kg du dérivé à tester respectivement 1 heure avant, en même temps que l'injection de l'agent phlogogène, puis 1 heure et 2 heures et demi après. 'les mesures qui sont effectuées à l'aide du micromètre de ROCH aux temps 0, 1 heure, 2 heures, 3 heures et 5 heures après l'administration de la carragénine permettent de déterminer, en fonction du temps, le pourcentage d'activité anti-inflammatoire par comparaison avec le lot témoin.
Les résultats sont consignés dans le Tableau II suivant.
TABLEAU II Pourcentage d'activité anti-inflammatoire Dérivé de l'ex. 1ère heure 2ème heure 3ème heure 5ème heure 1 38 43 50 55 2 41 44 47 51 3 42 45 52 54 4 40 42 48 52 5 42 45 47 51 6 38 41 46 51 7 37 40 44 45 8 42 47 52 57 9 42 45 48 50 10 39 44 46 49 11 41 46 48 52 12 38 47 49 51 13 40 43 47 53 14 78 41 44 48 i5 36 40 42 45 16 38 44 49 52 17 40 42 46 49 18 38 42 45 48 b) méthode de ltoedème généralisé à l'ovalbumine Une injection intrapéritonéale simultanée de 1 ml d'ovalbumine et de 0,5 ml d'une solution aqueuse de bleu Evans à 1 % est effectuée sur le rat.D'autre part, on administre per os aux animaux du lot traité 100 mg/kg du dérivé à tester 1 heure avant et en même temps que l'ovalbumine. L'intensité du phénomène ainsi provoqué est notée par un chiffre allant de 1 à 5 suivant la progression du syndrome inflammatoire. On détermine ainsi la moyenne de l'intensité oedèmateuse et le pourcentage de diminution de la réaction oedémateuse par rapport au témoin, en fonction du temps.
'les pourcentages d'activité anti-inflammatoire obtenus à la 2ème heure et ème heure-après l'injection d'ovalbumine sont consignés dans le Tableau III suivant.
TABLEAU III Pourcentage d'activité anti-inflammatoire Dérivé de l'ex. 2ème heure Dème heure 1 49 55 2 47 58 3 50 60 4 50 58 5 47 53 6 51 60 7 47 54 8 48 57 9 48 60 10 51 60 il 53 61 12 46 54 13 48 61 14 52 58 15 50 58 16 52 59 17 47 58 18 45 54 'les résultats de ces études mettent en évidence la bonne tolérance et les intéressantes propriétés inhibitrice de l'agrégation plaquettaire et anti-inflammatoire des dérivés de l'invention qui les rendent très utile-s en médecine humaine et vétérinaire.
Te médicament de l'invention peut être présenté pour l'administration orale, sous forme de comprimés, comprimés dragéifiés, capsules, gouttes et sirop. il peut aussi être présenté, pour l'adminis- tration rectale, sous forme de suppositoires et pour l'adminiatrstion parentérale, sous forme de soluté injectable.
Chaque dose unitaire contient avantageusement de 0,025 g à 0,500 g de principe actif, les dosés administrables journellement pouvant varier de 0,025 g à 1,00 g de principe actif selon l'âge du patient et l'affection traitée.
On donnera ci-après, à.titre d'exemples non limitatifs quelques formulations pharmaceutiques du médicament de l'invention.
1 - Comprimés dérivé de l'exemple 2 . . . . . . . . 0,100 g excipient : amidon de mals, stéarate de magnésium, aérosil, talc, polyvinylpyrrolidone 2 - Comprimés dragéifiés dérivé de l'exemple 5 . . . . . . . . 0,050 g excipient : talc, amidon de mais, gomme arabique, gomme laque, saccharose, glucose, cire blanche, cire de carnauba, hydroxy éthyl cellulose, polyvinylpyrrolidone, -jaune tartrazine 3 - Capsules dérivé de l'exemple 8 . . . . . . . . 0,100 g excipient : stérate de magnésium, talc 4 - Ampoules injectables dérivé de l'exemple 10 . . . . . . . . 0,75 g excipient: solvant isotonique q.s.p 5 ml 5 - Suppositoires dérivé de l'exemple 16 . . . . . . . . 0,100 g excipient : triglycérides semi-synthétiques 'les études toxicologiques et pharmacologiques qui viennent d'être rapportées ont mis en évidence la bonne tolérance des dérivés de l'invention ainsi que leurs activités inhibitrice de l'agrégation plaquettaire et anti-inflammatoire.
Be médicament de l'invention peut ainsi être administré avec profit, à titre préventif ou curatif, dans le traitement des maladies provoquant une modification pathologique de l'agrégation plaquettaire, telle que les maladies thrombo-emboliques.
il peut aussi être administré pour ses propriétés anti-inflammatoires et anti-oedémateuses dans les traumatismes et inflammations quelle que soit leur étiologie, en stomatologie et en pneumophtisio-.
Au cas où plusieurs éléments cristallins 16 ou 17 de même composition sont disposés à la suite, dans une rangée ou dans une colonne, on peut les remplacer par un cristal de la même composition de dimension adéquate.
La source solide commune composite faisant un tout 15 est disposée à proximité du support 3 (figure 6) sur lequel on fait croître la couche mince. La #istance entre la source solide faisant un tout 15 et le support 3 varie de 300 à 800/um. La température de la source solide commune composite faisant un tout 15 est maintenue dans les limites de 950 à LOOOOC.
La température du support est maintenue entre 920 et 960 C.
La matrice est constituée par soixante éléments cristallins 16, 17 (figure 5) de dimension 2,5 x 2,5 mm disposés en six rangées de dix éléments chacune, Afin d'assurer une composition de la couche obtenue par croissance ayant une teneur en GaP de 38 moles %, on utilise une source solide commune composite faisant un tout 15 contenant vingt-quatre éléments cristallins 16 à GaP et 36 éléments cristallins 17 à GaAs, ce qui correspond respectivement à 40r et à 60% de la surface de la source solide commune composite faisant un tout 15.Vu que, meme pour la répartition la plus régulière des éléments en GaP et en GaAs dans chaque rangée, il y a des éléments jumelés de la meme composition, il faut imprimer soit un mouvement de translation, soit un mouvement de va-et-vient à la source solide consufle composite faisant un tout 15 de façon-qu'elle se déplace à une distance égale à la distance maximale entre deux éléments cristallins voisins homonymes 16 ou 17 de la m-atrice, -séparés par des éléments cristallins 17 ou 16 de l'autre composition. Ceci permet d'éviter l'apparition d'hétérogénéités locales dans la couche obtenue par croissance.
La vitesse de déplacement de la source solide faisant un tout 15 par rapport au Support 3 (figure 6), selon les calculs, est de 10 à 40 mm/s. Pourtant, grace à un effet auxiliaire de mélange des gaz lors du mouvement de la source solide faisant un tout 15 dans la direction de déplacement, la vitesse a été réduite à une valeur de 2 à 5 mm/a, la dimension critique de l'élément de la matrice tant de 2,5 mx.
La vitesse de la croissance de la couche épitaxiale est égale dans ce cas à 16 à 25/um/h en fonction des conditions de croissance.
EXEMPLE 3 Les couches épitaxiales de solutions solides homogènes GaAs 0,97P03 P sont obtenues par croissance sur des supports en GaAs à 0,97 0,03 orientation Cl(x)) chimiquement polis à partir d'une phase gazeuse dans des vapeurs de HCI utilisant l'hydrogène comme agent véhiculant.
Cosse source solide distincte 1 (figure 1), on utilise une plaque cristalline 19 de GaAs sur laquelle on réalise par photogravure un masque (figure 8) de Si02 en pratiquant dans ce dernier des ouvertures et en déposant à travers ces ouvertures des ilots mésa 20 de phosphure degallium GaP dont l'ensemble constitue une autre source solide distincte 2 (figure 1).
La plaque cristalline 19 (figure 8) en GaAs, sur laquelle des ilote mésa 20 en GaP sont déposés, a la dimension 20 x 15 ma Les îlots mésa 20 de GaP sont ronds, leur diamètre est de 50 m et la superficie de 19,63 . 10-6 cm.
Afin d'obtenir une solution solide à teneur en GaP égale approximativement à 3 moles %, on choisit la surface des îlots mésa 2 20 en GaP égale à ~ 2,8%, soit égale A savoir, si la superficied'un îlot mésa rond est égale à 1,96 . 10-2 =2, on dépose sur la plaque cristalline 19 de GaAs de 428 à 430 îlots mésa 20. Pour la plaque cristalline 19 de dimension indiquée, la densité des îlots mésa 20 est de 143 îlots par 2 cm , la distance entre les centres des îlots mésa 20 étant à peu près égale à 0,87 m.Pour la meme dimension d'un îlot mésa 20 en GaP, on utilise, pour obtenir une solution solide homogène GaAs0,80P0,20, des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1) réalisées comme indiqué auparavant en faisant croître sur une plaque cristalline 19 (figure 8) en GaAs des îlots méqsa 20 4 en échiquier avec une densité de 1,02 104 2 disposés On échiquier avec une densité de l,Q2 . 10 îlots par c; La vitesse de translation deb sources solides 1, 2 (figure 1) est de 2 à 5 cm/s. L'hétérogénéité locale des couches épitaxiales obtenues est de 1mole %.
Le régime thermique de croissance est défini par - la température du support 3 : 880 à 920 C, - la température des sources solides 1, ? : soc à -9500C, - la pression des vapeurs : aw 1 mm Hg, - la distance entre la source solide 1, 2 et le support 3 400 à 600 m.
EXEMPLE 4 Afin d'obtenir des solutions solides homogènes GaAs0,97Po 03, on prépare des sources solides distinctes 1,2 identiques à celles décrites dans l'exemple 3. On apporte sur une plaque monocristalline 19 (figure 8) en GaAs un masque en Si02 par photogravure puis,par les ouvertures, on effectue une attaque de GaAs. Durant l'attaque, on doit préserver la forme (section) des trous afin de sauvegarder le rapport des surfaces des constituants respectifs pour une utilisation répétée de telles sources solides.
Le déport de GaP sur le support 3 (figure 1) en GaAs se fait à une température de 900 à 950 C dans le courant de l'hydrogène H2 avec vapeurs de HCZ, l'espacement étant de 15 à 20 m durant 1,5 à 2 h.
Ensuite, on enlève le masque protecteur de la surface de la plaque monocristalline 19 (figure 8) en GaAs portant des îlots mésa 20 en GaP. La source solide fabriquée de cette façon-là. a une durée de service plus grande que la source solide décrite dans exemple 3.
Afin d'améliorer l'homogénéité de la répartition réciproque des constituants de la solution solide de croissance ainsi que de réaliser le processus de transfert aux valeurs moindres de l'espace rempli de gaz, on doit agiter les sources solides distinctes l, 2 par rapport au support 3.
EXEMPLE 5 Afin d'obtenir une couche épitaxiale de solution solide à plusieurs constituants (GaAs)0 > 6-(GaP)0,2-(inAs)0,2, on utilise une source solide distincte 1 réalisée à base d'une plaque monocristalline 19 (figure 8) de GaAs sur laquelle on dépose en échiquier des Ilots mésa 20 de composition différente : GaP et InAs.
L'ensemble 34 comprend un organe mâle 35 associé au panneau 4 et un organe femelle 36 coopérant avec l'organe mâle 35, associé au plateau 2.
L'organe mâle 35 prend par exemple la forme d'une tige noyée dans le panneau 4 , placé parallèlement à ses grandes faces interne 37a et externe 37b et à son chant supérieur 38 lequel est situé, par exemple, au voisinage immédiat de la face inférieure 2ûa du plateau 2. Dans la forme d'exécution illustrée par les dessins le panneau 4 est légèrement en retrait par rapport au chant vertical 22 du plateau 2.
La tige 35 est placée au voisinage d'un chant vertical 39 du panneau 4, lui-mdme appliqué, lorsque le meuble est en position opérative normale, sur la grande face interne -9a du panneau porteur 3a (figure 5).
La tige 35 est introduite dans le panneau 4 et rendue solidaire de ce dernier par des moyens appropriés, en particulier par des moyens de fixation du même type que ceux décrits précédemment clest-à-dire comprenant un trou borgne 40 percé dans le panneau 4 à partir de son chant vertical 39, dans le fond duquel est placée la tige 35 empêchée de coulisser par une pièce rapportée 41 placée dans une entaille 42 creusée dans le panneau 4 à partir de sa face interne 37a et placée à cheval sur le trou borgne 40.
La tige 35 traverse une première entaille ou mortaise 43 creusée dans le panneau 4 à partir de son chant supérieur 38, entre les grandes faces interne 37a, externe 37b . Cette entaille 43 est donc délimitée par deux grandes faces verticales 44 parallèles entre elles et au chant vertical 39 et un fond 45 parallèle au chant supérieur 38.
Lt organe femelle 36 peut prendre par exemple la forme d'une équerre ayant une première branche 46 pourvue dans sa partie extrême libre d'un trou 47 avec lequel coopère la tige 35, logée à frottement doux dans la première entail le 43, dont la dimension est appropriée à celle de cette entaille de manière à permettre le pivotement du panneau 4 autour de la tige 35. La seconde branche 48 de l'équerre est fixée au plateau 2 par tout moyen approprié de manière que cette seocnde branche ne fasse pas saillie du plateau. A cet effet, on peut utiliser des moyens de fixation à trou borgne, entaille et pièce , tels que décrits précédemment, ou, plus simplement, des vis ou similaires 49.Dans ce cas, la seconde branche 48 est préférentiellement logée dans une seconde entaille 50 creusée dans le plateua 2 à partir de sa face inférieure 20b .
Les moyens qui viennent d'être décrits permettent le pivotement du panneau 4 entre une première position dépliée, rçprésentée en traits pleins sur les figures 4 et 5 où le panneau 4 est perpendiculaire et attenant au plateau 2 et une seconde position repliée, représentée en traits mixtes sur les figures 2,4 e,t 5 où le panneau 4 est au moins sensiblement parallèle au plateau 2.
Comme on peut le voir sur les figures 2 à 5, la position respective des organes mâles 7 et 35 est telle qu'en position repliée, le panneau 4 puisse être logé entre le plateau 2 et les deux panneaux 3a, 3b.
Ainsi, les moyens décrits rendent le bureau 1 considéré comme une application possible mais nullement limitative de l'invention,pliant. Ce pliage peut être effectué facilement, le bureau plié occupant un encombrement minimum.Les moyersde liaison mécaniquesentre le plateau 2 ;et les panneaux porteurs latéraux 3a, 3b et le fond; non porteur 4 sont invisibles à la vue de l'utilisateur.
A titre de perfectionnement, il peut être prévu des moyens limitant le pivotement des panneaux porteurs latéraux 3a, 3b par rapport au plateau 2 de manière à maintenir ce plateau dans la position opérative perpendiculaire au plateau 2.
De même, il peut être prévu (figure 1) des moyens 51 de blocage du panneau de fond 4 par rapport aux deux panneaux porteurs latéraux 3a, 3b.
On décrira maintenant en se référant aux figures 6 à 8 une forme d'exécution possible, non limitative, de moyens de liaison mécanique à zéro degré de liberté entre le caisson 5 ayant une forme générale parallèlépipédique,délimité par deux parois verticales intérieure 52a, extérieure 52b, deux parois horizontales inférieure 53a et supérieure 53b, une porte frontale 54 monobloc ou non et le plateau 2 sur la face face inférieure 20a duquel est appliquée la paroi supérieure 53b, d'une part et le panneau porteur latéral 3b sur la face interne 9a duquel est appliquée la parois externe 52b. La porte 54 étant placée au moins sensiblement au droit des chants verticaux 29, 33.
Ces moyens de liaison à zéro degré de liberté comprennent en combinaison d'une part des moyens amovibles de liaison à un degré de liberté 55 et d'autre part des moyens amovibles de maintien 56 comportant, le cas échéant des moyens de verrouillage 57.
Les moyens amovibles de liaison 55 comprennent un organe mâle 58 associé au panneau 3b et un organe femelle c-cmplemen- taire 59a associé à la paroi inférieure horizontale 53b du caisson 5.
L'organe mâle 58 se présente notamment sous la forme d'une tige noyée dans le panneau 3b sensiblement au droit de la paroi 53b. Cette tige 58 est introduite et maintenue dans le panneau 3b par des moyens appropriés notamment ceux décrits précédemment à trou borgne ,entaille et pièce rapportée En ce cas, l'entaille et la pièce rapportée se trouvent du côté de la face interne 9a du panneau 3b.
Par ailleurs, la tige 58 traverse une première mortaise 59, étroite, creusée dans le panneau 3b à partir de sa face interne 9a, parallelement à son chant vertical 11. Cette première mortaise est donc délimitée par deux grandes faces verti cales 60 paralleles entre elles et au chant vertical 11, un fond 61 parallèle aux grandes faces 9a, 9b et deux côtés latéraux 62, horizontaux, parallèles au chant 10.
CHAR Caractère CHINVI Programme d'autorisation d'inversion de chrominance.
CLR Effacer, ou remettre à l'état initial, ou rétablir, ou remettre à zéro.
COMMA La touche "virgule" du Télétype éloigné est enfoncée.
CYL Cylindre.
DEC Décrémenter.
DELT Supprimer.
DFINIT Initialiser l'affichage de la demande de données de défi nition de chargeur.
DIGSWO Sélection unité-canal.
DMDSEQ Charger pointeur dans registre 3 pour adresses de données renvoyées dans l'affichage et pour données d'entrée de RAS dans le tampon d'entrée.
DPINIT Initialiser affichage de demande de données de duplica tion.
DPLY Affichage DRAVAL Programme unité disponible".
DRIVID Identification d'unité.
DRPSEL Désélecter unité actuellement sélectée.
DUPE Effectuer duplication.
DVCLR Unité occupée.
DVSLCT Programme de sélection d'unité.
En cas d'utilisation de telles sources solides distinctes l, 2 (figure 1), leur vitesse de déplacement par rapport au support 3 est de 10 à 40 mn/s, la distance entre les sources solides distinctes 1, 2 et le support 3 étant de 300 à 600/um. La température du support 3 est maintenue entre 700 et 7200C, la température des sources solides 1, 2 entre 730 et 7500C.
Les îlots mésa 20 (figure 8) en GaP et InAs sont déposés en deux processus technologiques successifs. On dépose un masque sur le support 3 ~figure l) en GaAs, puis on y pratique des ouvertures suivant un gabarit à disposition voulue des îlots mésa 20 (figure 8) de la même composition. Après le dépôt des îlots mésa 20 d'une composition, on apporte un autre masque sur le support 3 (figure 1) et on fait toutes les opérations qui doivent précéder le dépôt des îlots mésa 20 (figure 8) de l'autre composition.
Ainsi, la distance entre les centres des îlots mésa 20 de la meme composition est de 100/um et la distance entre les centres des îlots mésa d'une autre composition est de 87 m approximativement. La superficie de chaque îlot mésa carré 20 de 45 m de côté est de 2,02 . lO-5 cm2.
4 densité des îlots mésa 20 en CaP at en InAs est égale 104 îlots per 2 La densité des îlots mésa 20 en GaP et en InAs est égale à 104 îlots par cm pour chaque composition c'est-à-dire la superficie totale de GaP et de InAs 2 est de 0,6 cm pour chaque composition. La superficie de la surface GaAs 2 sans îlots mésa 20 est de 1,8 cm . Donc, le rapport des superficies des différents produits de départ sur la surface de la source solide GaAs:InAs:Cap vaut 0,6:0,2:0,2.
EXEMPLE 6 On prend deux sources solides distinctes 1 et 2 contenant les produits de départ CdSa et CdS dont l'organisation est représentée sur la figure 10. Conformément à cette organisation, la source solide commune composite faisant un tout 15 est réalisée sous la forme d'un ensemble de deux sources solides distinctes 1, 2 de forme différente qui sont en contact l'une avec l'autre dont l'une, contenant CdSe, a des frontières intérieures congruentes aux frontières extérieures de l'autre source solide distincte contenant CdS. Les sources solides distinctes 1, 2, qui tournent avec une grande vitesse de 5 tr/s, changent leur position par rapport aux régions du support 3 (figure 1). Celui-ci est réalisé en ZnTe sous une épaisseur de 400/ m avec une orientation (111) dont le plan est parallèle & RTI ID=23.16 HE=6 WI=3 LX=673 LY=2348<la surface des sources solides distinctes 1, 2 et se trouve à une distance de 500 à 800 m de cette dernière.
La croissance est effectuée à une température des sources solides 1, 2 égale à 7300C et à une température du support de 6500C.
La vitesse de croissance épitaxiale est de 31um/h.
Le film mince obtenu par croissance a, le long du rayon, une composition variable qui varie de CdSe0,99S0,01 près du centre à CdSe0,04 s0 96 96 à la périphérie de la couche épitaxiale. te rayon du film épitaxial obtenu est de 18 mm et le gradient radial de composition équivaut approximativement à 5,27 moles %.
Le transfert se fait dans une phase gazeuse constituée d'hydrogène H2 purifié par diffusion à travers une membrane de palladium.
Dans cet exemple, l'agent réactif porteur est l'hydrogène auquel on a ajouté HC1 à concentration de 0,1 à 0,5% en volume. L'addition de HC1 dans le flux gazeux joue un roule de source de dopage des couches épitaxiales en chlore.(jusqu'à 1 à 3..1018 cm-3).
Dans les couches obtenues, la largeur de la zone interdite varie d'une façon continue, suivant le rayon, de 1,9 à 2,4 eV.