INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'étude de l'influence des champs électriques, créés dans l'espace entre la source et le support lors de la mise sous tension de la source et du support sur la croissance épitaxiale à homo- et hétéro Bpftaxie, a démontré que la rotation réciproque de la source et du support améliore le mélange et l'homogénéisation de la phase gazeuse rend plus favorables les conditions de l'échange thermique et réduit l'éventualité de localisation du passage du courant électrique (O. Korobov, V. Maslov "Métaux non ferreux", 1972, n0 4, 56-57, article "Dispositif d'étude de l'influence d'un champ électrique sur la croissance épitaxiale des cristaux1'.
Cependant, l'utilisation, durant la croissance, d'une seule source solide tournant autour d'un axe commun à cette source et au support et passant par leurs centres ne permet pas d'obtenir des couches épitaxialea de solutions solides ayant une répartition donnée des constituants à teneur variable des solutions solides dans le plan de croissance le long de la surface et une homogénéité donnée dans le sens de la crois sanc en épaisseur de la couche épitaxiale En outre, toute l'utilisation d'une source poudreuse fait apparaître les inconvénients qui caractérisent la méthode sandwich.
Des couches minces épitaxialea ayant n'importe quelle répartition donnée des constituants à teneur variable dans les solutions solides ou un gradient de dopage dans le plan de croissance des couches ne peuvent pas Ftre obtenues par les procédés connus jusqu' aujourd'hui.
L'invention vise un procédé d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides de semi-conducteurs et un bloc de sources assurant la réalisation de ce procédé~ par lesquels il serait possible d'obtenir des couches minces épitaxiales ayant n'importe quelle réparti- tion donnée des constituants à teneur variable dans les solutions solides ou un gradient du degré de dopage dans le plan de croissance des couches.
La jonction 5 entre les régions de types opposés 2 et 3 est une jonction électroluminescente et l'ensemble constitue un émetteur de lumière. La composition des couches 2 et 3 est favorable à un haut rendement d'émission lumineuse de la jonction 5 et la lumière émerge par la face active 4.
Sur la figure la, on a représenté également en 6 un manteau de protection en nitrure de silicium dont l'épaisseur est par exemple de l'ordre de 0,1 um comportant au droit de la région 3 une ouverture 7 d'une aire inférieure à celle de la surface d'affleurement de la région 3 et disposée de telle sorte que la ligne d'affleurement,sur la face 4,de la jonction 5,soit protégée par le manteau 6. Cette ouverture 7 partage, au plan de la figure, le manteau 6 en deux nappes 6a et 6b.
Sur la figure lb on a représenté en 8 une couche d'un des corps déterminés selon l'invention. Cette couche est composée de deux lits, un lit sous-jacent 8a et un lit supérieur 8b. Pour des raisons de simplification ces deux lits ne. sont pas représentés séparément sur les figures Ic a# lh qui suivent.
Cette couche peut être constituée principalement d'un acide polyamide c'est-à-dire d'un corps ayant une structure comportant la répétition de l'élément structural.
dans lequel -- - représente une isomérie, Q est un radical organique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément structural étant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent, et D est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone, les groupes amides de liaison entre des éléments structuraux adjacents étant fixés à des atomes de carbone séparés dudit radical tétravalent et dans lequel n est un nombre entier suffisamment élevé pour que ledit acide polyamide ait une viscosité au moins égale à 0,1 centipoise et de préférence comprise entre 0,3 et 30 centipoises dans un solvant convenable.
Par traitement thermique ou chimique de tels polyacides peuvent donner le polyimide correspondant, c'est-à-dire des corps ayant une formule comportant la répétition de l'élément structural: dans lequel Q2, D2 et n2 ont les mêmes caractéristiques que Ql, nl ss D1 ci-dessus.
Des polyimides correspondant à une telle formule peuvent constituer ladite couche, soit qu'ils soient créés à partir de l'acide polyamide correspondant, par élimination d'une molécule d'eau soit par tout autre moyen, notamment par réaction d'au moins une diamine sur un dianhydride d'acide tétracarboxylique.
Avantageusement, pour une plus grande stabilité thermique, le radical tétravalent Q contient au moins un cycle non saturé de six 2 atomes de carbone de type benzénique, les quatre radicaux carbonyles étant unis directement à des atomes de carbone distincts d'un cycle benzénique hexagonal du radical Q2 et les deux autres radicaux carbonyles de chaque paire étant unis à des atomes de carbone adjacents d'un cycle du radical Q2.
Notamment Q2 est un cycle benzénique (dianhydride pyromellitique)et D2 un oxydiphényle de formule
De tels polyimides et notamment le polyimide représenté par la formule lia sont obtenus en général en deux phases. On crée d'abord, par polycondensation d'une diamine et d'un dianhydride d'un acide tétravalent en solution dans un solvant polaire, un acide polyamide de formule I.
La solution de cet acide polyamide dans un solvant polaire constitue un prépolymère. De tels prépolymères seront désignés par PI dans la suite de ce mémoire.
Ultérieurement, dans une seconde phase, par chauffage, on chasse de cette solution le solvant polaire et on élimine des molécules d'eau dudit acide polyamide pour obtenir le polyimide.
Dans l'application selon la présente invention, le dépôt de la couche ou celui des lits la composant éventuellement peut, avantageusement, être effectué avec ledit prépolymère et la seconde phase est accomplie par chauffage du dépôt sur l'objet.
Cette couche peut être constituée par un polyimide modifié par un amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural où n3 est un nombre entier d'au moins 5, D3 est un radical divalent amide comprenant toujours au moins le radical divalent R3 et Q3 représente un radical tétravalent comportant au moins un noyau benzénique.
Q3 peut également être un cyclohexane, le radical D3 étant notamment identique à R.
La couche 8 peut également comporter des polyamides imides de formule générale dans laquelle D4 désigne la liaison de valence simple ou un radical organique divalent comportant de 1 à 24 atomes de carbone, Q4 désigne un radical tétravalent de formule générale: dont les deux atomes de carbone sont reliés d'une part, chacun à l'un des deux radicaux carbonyles de la fonction imide par l'intermédiaire des radicaux R4 et R' 4et dont l'un est d'autre part relié à l'atome d'hydrogène et l'autre d la fonction amide.Les radicaux R4 et R' sont identiques ou différents et représentent H,CH3 ou CQ et sont reliés l'un à l'atome dthydrogène et l'autre à la fonction amide. D' 4 désigne un radical organique divalent possédant au moins deux atomes de carbone, n4 peut être nul ou représenter un nombre de 1 d 12, E et E' peuvent être identiques ou différents et représenter un radical de formule générale
A titre d'exemple , on donne ci-après les résultats des essais pour les composés suivants
Les propriétés ignifuges des mousses ainsi préparées ont été déterminées par le test IOL (Indice d'oxygène limite). Ce test a été effectué selon la norme ASTM 2863. I1 consiste à effectuer, en atmosphère à concentration définie et ajustable en oxygène, la combustion d'un échantillon de dimensions définies (0,3 x 0,3 x 13 cm). On mesure la concentration minimale en oxygène nécessaire pour provoquer et entretenir la combustion.L'indice d'oxygène limite est donné par la formule (O2) IOL = ----- (O2) + (N2) I1 est connu que plus l'indice IOL est élevé, plus important est le pouvoir d'ignifugation de l'additif ajouté à la mousse de polyuréthanne.
Au cours d'une première série d'essais on a déterminé l'influence de la teneur en phosphore d'une mousse ignifugée par le composé P3 sur l'indice IOL de la mousse. Le composé P3 a été introduit dans la mousse décrite précédemment en quantités telles que la teneur en phosphore varie entre 0,8 et 2%. Les indices IOL déterminés ont été comparés à l'indice IOL d'une mousse correspondant à la formulation précédente, mais non ignifugée. Les résultats figurent dans le tableau suivant. Dans la suite, les pourcentages sont donnés en poids.
Ignifuge % de P IOL 0,172 Néant ; ! P3 0,8 1 0,204 ! P3 1,5 0,207 ! P3 1,5 1 0,214 ! 2 j 0,218 Au cours d'une seconde série d'essais, on a mesuré et comparé les indices lOL d'une composition R, correspondant à la formulation précédente mais ne contenant pas d'agent ignifuge, d'une composition T correspondant à la formulation précédente et contenant le bis (hydroxy-2 éthyl) amino méthyl phosphonate de diéthyle (ignifuge 1) couramment utilisé comme agent ignifuge, et des compositions C1, C2, C3, C5, C6, C9 et C10 contenant respectivement les agents ignifuges P1, P2, P3, P5, P6, P9 et P10, en quantité telle que la teneur en phosphore de chaque mousse ignifugée soit égale à 1%. La densité de chaque mousse ainsi obtenue est environ de 50 g/l.
Les Indices d'oxygène limite des différentes mousses figurent dans le tableau suivant.
l Mousse de I Additif phosphoré ! P lOL polyuréthanne W R Néant ! 0, 0,172 Cl Ignifuge 1 1 0,198 Cl P1 0,215 Cl 0,215 C2 P2 1 0,226 C3 P3 B 0,207 C5 P5 1 0,212 P6 1 0,212 C6 P6 I I ! C9 I P9 I 1 ! 0,212 C10 P10 1 0,212 Les différents essais montrent que les mousses ignifugées par les halohydrines phosphonates.selon l'invention présentent, d'une part, un bon indice IOL pour un taux de phosphore compris entre 0,8% et 2%, d'autre part, un indice IOL meilleur que celui d'une mousse analogue à taux de phosphore identique ignifugée par une ignifuge connu. Par conséquent, les mousses ignifugées par les composés selon l'invention ont une tenue au feu améliorée.
L'invention concerne un dispositif permettant la production, par émulsion, et la projection d'une mousse à partir d'un produit déterminé, du type paraffine ou analogue; elle s'étend à un dispositif plus particulière- ment adapté à la production et à la projection d'une mousse de paraffine. le dispositif conforme à l'invention est utilisable dans plusieurs domaines et notamment, en kinésithérapie pour appliquer de la mousse sur le corps humain en vue de rééduquer un membre ou de susciter un amaigrissement.
Il n'existe pas actuellement de dispositif capable de produire et de projeter en continu une mousse de paraffine et, en kinésithérapie par exemple, le spécialiste est astreint de préparer préalablement l'émulsion en fondant la paraffine dans une étuve et en lawbattantft avec un mixer.
La mousse obtenue est ensuite étendue sur le corps à l'aide d'un pinceau. Elle adhère au corps et, à son contact, se solidifie pour former une protection thermiquement isolante douée d'effets thérapeutiques en raison des compressions musculaires et de la sudation abondante qu'elle provoque.
Cette façon de procéder entraine des pertes de temps considérables, des pertes de matières premières et des servitudes fastidieuses, notamment de nettoyage ( mixer, pinceau, etc...).
La présente invention se propose de fournir un dispositif capable de produire en continu et de projeter une mousse de paraffine; à cet effet un objectif de l'invention est d'apporter une solution parfaitement satisfaisante aux problèmes délicats qui se présentent lorsqu'on aborde ce type de technique : solidification de la paraffine et adhésion aux parois entrainant une obturation des canalisations et un colmatage des divers organes, difficultés pour réaliser une émulsion convenable ( paraffine restant liquide et ne se transformant que très partiellement en mousse, ou bien solidification prématurée par un refroidissement trop important dans la zone de formation de l'émulsion ), difficultés pour engendrer en continu, une émission de mousse bénéficiant d'un débit régulier, formation de caillots ou de grumeaux,etc.
De façon plus générale, la présente invention vise à fournir un dispositif de projection d'un émulsion de tout produit ayant des propriétés physiques analogues à celles de la paraffine.
A cet effet, le dispositif conforme à 1'inven- tion comprend un réservoir appelé à contenir le produit à l'état liquide, une enceinte de bain-marie dans laquelle est placé le réservoir, des moyens de chauffage du liquide de bain-marie contenu dans la dite enceinte, des moyens de régulation de la température de ce liquide, un conduit, dit conduit de distribution, débouchant par une extrémité dans le réservoir de produit et présentant à l'autre extrémité un orifice de projection de mousse, une source de gaz comprimé, un conduit de gaz comprimé relié à la dite source et connecté sur le conduit de distribution, et des moyens de mise en pression du réservoir de produit Le produit est ainsi maintenu à l'état liquide à température préc#ise dans le réservoir; pour la paraffine, les moyens de chauffage et les moyens de régulation de température sont avantageusement réglés pour conférer à la paraffine une température sensiblement comprise entre 50 et 53 C . Le réservoir étant en pression, le produit liquide est refoulé dans le conduit de circulation et est amené à circuler dans celui-ci sans aucun organe du type pompe ou autre, suceptible de se colmater. Les moyens de mise en pression du réservoir peuvent très simplement comprendre des moyens de canalisation débouchant en de partie haute de celui-ci et reliés à la source gaz comprimé. Le produit arrive au niveau de la connection ou il est mélangé au gaz comprimé ( le plus fréquemment constitué par de l'air ) en milieu fermé en l'absence de gicleur ou autre élément analogue.
Les paramètres qui définissent l'état du gaz comprimé admis dans le conduit de distribmtion sont ajustés en fonction du débit de produit liquide et de la nature de ce dernier pour rendre optimales les conditions dans lesquelles s'effectuent le mélange et la mise en émulsion du produit; pour la paraffine, le gaz comprimé est admis de façon à refroidir la paraffine liquide et à la porter à une température de l'ordre de 43 C, température qui, d'après les expérimentations réalisées,est la température idéale pour former une émulsion avec ce produit.La mousse formée est refoulée dans le conduit de distribution et s'en échappe par un simple orifice de projection Selon une caractèristique de l'invention, le conduit de gaz comprimé est avantageusement connecté au conduit de distribution par un raccord rigide en T situé très amont de l'orifice de projection . La température d'arrivée du produit liquide est ainsi mieux controlée; en particulier ce raccord peut être situé à l'intérieur du réservoir de sorte que le produit liquide arrive dans la zone de mise en emulsion dans des conditions de température strictement identiques à celles parfaitement régulées régnant dans le réservoir. En outre les expérimentations ont montré que le fait de former l'émulsion dans un raccord rigide indéformable améliorait la régularité du débit de mousse .De préference, notamment pour la paraffine, la branche du raccord par laquelle arrive le produit liquide est situé sen siblementtdans le prolongement de la branche ou se forme et s'echappe la mousse, cependant que l'autre branche par laquelle arrive l'air comprimé est à peu près# perpendiculaire aux deux précédentes Bien entendu ces branches peuvent avoir des orientations différentes. En aval de ce raccord, le conduit de distribution peut comporter, sans inconvénient, une portion souple qui rend plus pratique et plus aisée l'opération d'étalement de la mousse sur une surface.
Selon un autre caractéristique de l'invention, le conduit de distribution est entouré, depuis sa sortie du réservoir jusqu'au voisinage de l'orifice de projection, par une gaine étanche, associée à une pompe et à des canalisations débouchant dans l'enceinte de bain-marie; Ces canalisations et cet pompe sont agencées pour engendrer une circulation du liquide bainmarie dans ladite gaine. Bien entendu cette dernière est réalisée en un matériau souple sur toute sa portion venant entourer la portion souple du conduit de distribution.
Cette gaine parcourue par un courant chaud, sensiblement à la température du bain-marie, améliore le contrôle de la température et évite un refroidissement exagéré de la mousse ( ou éventuellement du produit avant émulsion), notamment dans le cas ou le conduit de distribution présente une longueur notable 1 mètre ou plus ): les risques d'obturation par durcissement sont ainsi radicalement éliminés.
Elle peut être gravée à travers un masque par deux procédés différents au moins, entre lesquels on peut choisir suivant le substrat.
L'un de ces procédés est une attaque chimique, analogue à la morsure mentionnée ci-dessus. Elle peut être réalisée au moyen d'un masque créé dans un film en laque photosensible. Si cette laque est une laque positive, les fenêtres du masque et les évidements de la couche auxiliaire peuvent être obtenus en une seule opération.
Le second procédé de gravure est celui de l'attaque par plasma d'oxygène. De préférence, on le met en oeuvre au moyen d'un masque créé dans un film métallique. On peut également le mettre en oeuvre avec un masque créé dans un film d'un composé déposé à basse température, notamment dans un film d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium obtenu par la technique de "déposition par plasma".
Ces deux procédés de gravure constituent deux modes de mise en oeuvre de la présente invention.
Avantageusement, ladite couche auxiliaire comporte au moins deux lits, un lit sous-jacent et un lit supérieur que l'on traite de manière que ledit lit sous-jacent et ledit lit supérieur soient attaqués à des vitesses différentes.
Préférentiellement, après le dépôt du premier lit sous-jacent, on fait subir à celui-ci un traitement thermique sévère, puis on dépose le lit supérieur et on fait subir d l'ensemble un traitement thermique moins sévère, par exemple à une température moins élevée ou pendant une durée moindre, ou les deux.
Par la voie humide, l'attaque du lit supérieur est plus rapide, ce qui permet un pelage plus rapide et plus facile. Par la voie gazeuse, l'attaque du lit sous-jacent est plus rapide; on peut ainsi créer un surplomb permettant au cours du stade ultérieur une meilleure rupture de la pellicule métallique de la configuration.
La présente invention, élaborée pour les matériaux semiconducteurs à grande largeur de bande interdite, est applicable à tous les matériaux semiconducteurs, notamment aux matériaux dits III-V, aux matériaux dits Il-Vi, au silicium, au germanium, etc... pour lesquels elle permet une mise en oeuvre plus facile que les procédés traditionnels et sur lesquels elle permet d'élaborer des circuits intégrés multicouches comportant des niveaux intermédiaires plus plans, donc des configurations comportant moins de ruptures lors de la fabrication et en durée.
On sait que certains des corps déterminés par la Demanderesse ont déjà été utilisés, notamment dans l'industrie des semiconducteurs, comme agents de passivation et comme revêtements protecteurs de dispositifs terminés, ainsi que comme couches isolantes entre des nappes de contacts. De telles applications sont décrites notamment dans le brevet français 2 022 876 et dans la demande française 2 209 218. La Demanderesse a, elle-même, déposé le 4 Février 1977 une demande de brevet français enregistrée sous le numéro 77 03 108 dans laquelle elle décrit l'utilisation de couches de ces corps en tant que masques pour le bombardement d'objets par des particules de haute énergie.Il est très clair que l'application faite de ces corps dans la présente invention est tout à fait différente; elle prend pour point de départ des propriétés différentes et aboutit à des résultats différents particulièrement avantageux.
La description qui va suivre, en regard des dessins annexés, d'exemples non limitatifs, permet de mieux comprendre les avantages de la présente invention ainsi que ses modes de mise en oeuvre, et les types de réalisation auxquels elle permet d'aboutir.
Les figures la à lh représentent, en coupe, les différentes phases de l'élaboration, par le procédé selon la présente invention et suivant son premier mode de mise en oeuvre dans une réalisation du premier type, d'une diode électroluminescente en phosphure de gallium.
Les figures 2a à 2h représentent, également en coupe, les différentes phases de l'élaboration, par le procédé selon la présente invention et suivant son deuxième mode de mise en oeuvre dans une réalisation du deuxième type, de la configuration de conducteurs sous-jacente d'une partie d'un circuit intégré au silicium comportant un ensemble stratifié multicouche de configurations de conducteurs dans lequel le niveau sous-jacent, au moins, est élaboré selon la présente invention.
Les figures 2i à 2Q représentent, également en coupe, l'achèvement dudit circuit intégré dans le cas où l'ensemble stratifié est un bicouche.
Les figures 3a à 3g représentent, également en coupe, l'éla- boration de la seconde configuration de conducteurs du même dit circuit intégré, dans le cas où l'ensemble stratifié est un tricouche dont l'élaboration de ladite seconde configuration met en jeu une nouvelle fois le procédé selon la présente invention.
Il est à remarquer que, pour rendre les figures plus claires, les proportions ne sont pas conservées.
Sur la figure la on a représenté une plaquette 1 comportant notamment une région 2 en phosphure de gallium de type N dopée par exemple au soufre et à l'azote et une région 3 incluse dans la région 2 de type P dopée au zinc d'une épaisseur de l'ordre de 10 pm affleurant à la surface de la face active 4 de la plaquette 1 sur une plage 4a. La région 2 est superposée à une région 16 de type N+ mentionnée plus loin dans ce mémoire.
MUTYP Constante qui initialise l'étouffement de niveau du noir.
NULL Pointeur vers série de blancs.
NXT Pointeur vers NEXT (suivant) OCUPYD Pointeur vers OCCUPIED (occupe).
OFLFLG Drapeau qui est mis lorsque le chargeur est "off-line"* OFLINE Programme d'impression du mot "OFF-LINE".
OFLN Pointeur vers "OFF--LINE".
OUTSW Adresse de stockage de données à transmettre au système de signaux.
OUTSWI Adresse de stockage de données à transmettre au système de signaux.
PC Compteur de programme.
PGM Programme.
PNTCLC Calcule la position du tampon d'entrée.
PRCYL Numéro de piste de la recherche actuelle.
PROTEK Drapeau indiquant que la piste est protégée.
PRPAK Numéro de chargeur pour la recherche actuelle.
PST Numéro d'article de liste.
PSMPNT Pointeur vers liste d'articles.
PSMST Point initial de la liste.
Dans les raquettes de type classique, on fait les noeuds de fixation directement sur des brins tendus de corde, ce qui risque de provoquer une usure excessive des cordes et, éventuellement leur défaillance prématurée aux points de fixation. Toutefois, la demanderesse a découvert que l'on peut pratiquement remédier à cet inconvénient en disposant un tube de faible longueur ( par exemple de 9 mm ) en matière plastique ( de préférence en " Teflon " marque déposée ), autour du brin sur lequel on fait chacun des noeuds.
Quatre de ces morceaux de tube en matière plastique sont représentés en 28, 30, 32 et 34 sur les figures l et 3 qui montrent les points de fixation de la section périphérique de corde et de la section transversale pour la raquette représentée. Un tel élément de tube a, bien entendu, pour effet de protéger le brin de corde contre des forces d'écrasement du noeud environnant, et par conséquent de prolonger la durée d'utilisation de la corde. Un tel emploi de tubes en matière plastique n'est pas impératif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention et, de plus, de tels tubes en matière plastique peuvent aussi bien être utilisés dans les procédés de cordage de raquettes classiques.On peut utiliser de grands éléments de tube en " Teflon " pour protéger les boucles formées par les éléments de la section principale de corde qui sont enfilés dans les ouvertures situees à la base du cadre de la raquette, contre une usure exagérée, comme indiqué sur la figure 2.