INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
D'autres caractéristiques ou avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif en regard de la Figp 1- manche I-3 et des Fig.2 et 3 - Planche 11-3. Cette description s'applique à la version de base la plus simple, correspondant à une plate-forme galiléenne, c.à d. asservie à rester parallèle à elle-même dans l'espace inertiel. Sera traité ensuite le cas de cette même plate-forme bouclée en Schffler, c.à d. asservie à rester localement horizontale. Les procédés d'alignement initial, dans l'hypothèse la plus générale d'un véhicule en mouvement, seront indiquésen ce qui concerne, principalement, cette dernière version.Comme dans la généralité des cas, et conformément à certaines Normes, la plate-forme est subdivisée en 2 sous-ensembles principaux s - la plate-formeproprement dite - 1' électronique associée.
La plate-forme proprement dite comporte 2 gyroscopes différencies: un gyroscope libre (2 axes) et un gyroscope intégrateur (1 axe). Le premier est utilisé en gyroscope de verticale, désigné en abrégé par (W, le second en gyroscope d'azimut - désigné par GA. Ces gyroscopes sont placés sur des supports distincts, mais parallèles, ayant leurs libertés cinématiques propres; GV est isolé des mouvements angulaires du véhicule suivant 2 axes, G & suivant les 3 axes.On admettra, provisoirement, que le support de GV se trouve position perpendiculairement à la verticale géocentrique du lieu d'alignement initial et le support de GB, qui porte également les accéléromètres, est orienté en azimut suivant une direction préférentielle, généralement celle du Nord géographique. Dans ce cas le trièdre plate-forme orthonormé T ( x, 7, s) d'axes x, y, e, est aligné initialement suivant le trièdre géographique local T ( e, n, v ), d'axes est, nord, verticale. La plate-forme est enfermée dans un carter étanche qui lui sert de socle et constitue une enceinte régalée en température au moyen de résistances chauffantes, par exemple.Le carter est, alors, agencé de manière à permettre le positionnement précis de l'axe extérieur de l'articulation suivant l'axe de roulis du véhicule porteur ou, s'il s'agit d'un bâtiment de marine ou d'un véhicule terrestre, suivant son axe de référence longitudinal.
L'électronique associée est, de préférence, du type modulaire, obtenu grâce à l'emploi de cartes enfichables à circuits imprimas, rassemblées dans un carter distinct, ou non, du précédent. Les cartes assurent les fonctions, non limitatives, suivantes - régulation thermique; - génération précise des tensions de référence; - asservissement des pendules des accéléromètres; - asservisement sur gyroscopes des cadres de l'articulation; - asservissement des gyroscopes au zéro dè leurs détecteurs d'angle au début de l'alignement initial ("caging").
Lorsque la plate-forme est intégrée dans un S.N.I., des cartes additionnelles, assurant des fonctions d'interface, trouvent place dans le mise carter, notamment celles qui transforment les tensions en débits d'Impulsions.
L'articulation se compose, en partant de l'extérieur, des 4 cadres sui vante -cadre de roulis 1 - cadre suiveur 2, support de GV - cadre vertical 3 - cadre d'azimut 4, support de GA et des accéléromètres.
Le cadre de roulis 1 est libre de tourner autour de l'axe extérieur 5, harmonisés au moment de l'installation, avec ltaxe de roulis du véhicule porteur. Â l'arrêts le cadre I peut, éventuellement, titre immobilisé au moyen du verrou électro-mécanique 6.Sur l'axe 5 sont montés entre le cadre 1 et le socle : - d'un côtés un détecteur d'angle 7, constitué, à titre d'exemple, par un synchro-transmetteur (dans ce cas, tous les autres détecteurs d'annule de l'articulation sont, pour des raisons évidentes dthomog6- nité, constitués par des synchro-transmetteurs analogues); ce détec tour est calé de façon à indiquer zéro lorsque le cadre 1 et le véhicule le porteur se trouvent simultanément à des angles de roulis T nuls.
- de l'autre cotés un servomoteur 6 constitué, à titre d'exemple, par un moteur-couple à courant continu et à attaque directe (de même tous les servomoteurs de l'articulation sont, alors, constitués par des moteurs-couples analogues).
Le détecteur d'angle 7 et le servomoteur 8 jouent le rôle de roulements à billes et comportent des contacts tournants, assurant les liaisons électri ques. Si les débattements angulaires en roulis du véhicule sont suffisamment limités, les contacts tournants peuvent étre remplacés par des conducteurs électriques souples. En fonctionnement normal (mode "Navigation"), le cadre 1 est asservi sur (W de façon à rester à un angle de roulis y nul dans l'espace inertiel.
Le cadre suiveur 2 est libre de tourner autour de l'axe transversal 9, situé dans le plan du cadre 1 et perpendiculaire à l'axe 5. Â l'arrêt, ce cadre peut, éventuellement, être immobilisé, soit par le verrou électromécanique 6, déjà mentionné, soit par un dispositif distinct équivalent. Sur l'axe 9 est montée une cellule électrique 10, analogue à un resolver, dont le stator est solidaire du cadre 1 et le rotor du cadre 2. Des contacts tour nants, faisant partie de la cellule, assurent les liaisons électriques entre les cadres 1 et 2. La fonction spécifique de cet élément sera indiquée plus loin. Le cadre 2 sert de support à CV par l'intermédiaire d'un axe confondu avecs l'axe 9.La réalisation technologique de la liaison sera précisée à l'occasion de la description de GV. in fonctionnement normal, le cadre 2 est asservi à suivre avec précision l'anneau de cardan extérieur 11 de GV (ce qui explique la désignation: "cadre suiveur").
Le cadre vertical 3 est libre de tourner autour de l'axe transversal 12, parallèle à l'axe 9. Gracie à une liaison mécanique sans jeux, les cadres 3 et 2 restent constamment orthogonaux. Dans le cas où les débattements en tangage du véhicule sont limités, la liaison mécanique peut Aetre réalisée, très simplement, au moyen du bras 13 et de la tige 14, montée sur roulements.
Si l'on exige de la- plate-forme une capacité "toutes attitudes", la liaison peut être constituée par un train d'engrenages tel que 15, représenté à titre d'exemple Fig.2. A noter que, grâce à la liaison mécanique, on fait l'économie d'une chaine d'asservissement électronique (dans le cas d'une plate-forme classique à 4 axes, il faut, en effet, une chaine électronique par axe de cardan). Sur l'axe 12 sont montés - d'un côté, un détecteur d'angle 16, dont le stator est solidaire du cadre 1 et le rotor du cadre 3; ce détecteur est calé de façon à indiquer zéro lorsque le cadre 3 est perpendiculaire au cadre 2 ; - de l'antre, un servomoteur 17 assurant la stabilisation en tangage du couple formé par les cadres 2 et 3.
Le détecteur d'angle 16 et le servomoteur 17 -jouent le rôle de paliers à billes et comportent des contacts tournants assurant les liaisons électriques entre les cadre 1 et 3.
Le cadre d'azimut 4 est libre de tourner à l'intérieur du cadre 3 autour de l'axe 18 co-linéaie avec l'axe 8 du trièdre plate-forme T Cx, y, z).
Sur cet axe sont montés : - d'un côté un servomoteur 19, assurant la stabilisation en azimut du cadre 4; - de l'autre: .. un détecteur d'angle 20, å double sortie, calé de façon à indiquer zéro lorsque le cadre 4 est dans le plan du cadre 3 ; un un resolver de coordonnée 21, dont le rôle appa- raitra plus loin.
Ces instruments sont organisés de façon à jouer le roule de paliers à billes et comportent des contacts tournants, assurant les liaisons électriques.
De même, il est parfois avantageux que l'émetteur du second transistor comporte deux zones comme il a été dit pour l'émetteur du premier transistor, la zone épitaxiale étant une portion d'un troisième lit, épitaxial, déposé sur le deuxième lit et dont la portion qui pourrait recouvrir l'émetteur du premier transistor est éliminée.
Les zones superficielles fortement dopées des émetteurs de l'un et l'autre transistors, étant localisées dans des portions de couches épitaxiales interdigitées, sont interdigitées également, de même que les ouvertures de contact et les plages métalliques de connexion qui leur correspondent; l'ouverture de contact de base du second transistor et la plage métallique de connexion qui lui correspond, ainsi que la zone fortement dopée s'étendant depuis la surface jusqu' la couche plane enterrée et, éventuellement le sillon à partir des parois et du fond duquel ladite zone fortement dopée est diffusée, sont parallèlement insérés entre lesdites zones superficielles d'émetteurs.
Avantageusement, une zone de contact du collecteur du premier transistor est constituée par une zone superficielle fortement dopée localisée au fond d'une cavité creusée jusqu'au niveau de ce collecteur, une liaison entre ce collecteur et l'émetteur du second transistor étant réalisée au moyen d'un dépôt métallique reliant la surface de contact de la zone superficielle d'émetteur du second transistor et la zone de contact de collecteur au fond de ladite cavité. Cette disposition supprime une interconnexion habituellement-réalisée au moyen d'un fil et qui nécessite un temps de montage particulier, une surface de cristal plus importante, et qu'il est difficile d'automatiser pour une production industrielle.
La structure avec une telle cavité pour le contact de collecteur du premier transistor élimine ces inconvénients. La réalisation de la cavité et de la connexion métallique qui y est déposée pour la liaison du collecteur du premier transistor à l'émetteur du second transistor est facilitée si l'on utilise une plaquette substrat de silicium orientée dans le plan cristallographique 100 qui se prète plus aisément que d'autres plans à la gravure en profil de Vé.
Dans une forme de réalisation préférentielle, le dispositif formé par l'implantation des deux transistors de types opposés présente une structure plane en forme de polygone avec un centre de symétrie, les portions de couches, les régions ou zones interdigitées ayant une configuration comportant des doigts de direction sensiblement radiale et formant en même temps une aire plane homéomorphe à une couronne, l'émetteur et la base du premier transistor entourant la base et l'émetteur du second transistor, et ces derniers entourant la cavité de la zone de contact du collecteur du premier transistor.
La structure à symétrie axiale présente des avantages au point de vue de la dissipation thermique, la répartition étant plus homogène que dans un montage côte à côte présentant une dissymétrie importante. En effet entre le collecteur du premier transistor et l'émetteur du second, l'intensité du courant est toujours relativement faible, la dissipation au centre est faible, un "puits" de chaleur se constitue au centre; au contraire, l'émetteur du premier transistor a une charge relativement importante et il se trouve placé à la périphérie, où la dissipation est la meilleure.
Le plus souvent, le substrat sur lequel est déposé le premier lit épitaxial, est lui-même constitué par une plaquette plane fortement dopée pour présenter une très faible résistivité, sur laquelle a été déposée une couche épitaxiale préalable faiblement dopée.
La couche plane enterrée fortement dopée du collecteur du second transistor, interdigitée avec la jonction émetteur-base du premier transistor, est située au niveau du premier lit; cette couche plane peut être située soit au niveau inférieur de ce lit, à l'interface avec la couche épitaxiale préalable du substrat, soit dans l'épaisseur dudit premier lit, par exemple au milieu de cette épaisseur, soit même au niveau supérieur du premier lit, à l'interface avec le second lit dans le cas où la tension maximale de fonctionnement du dispositif est suffisamment basse.Le choix du niveau optimal de la couche enterrée au sein du premier lit est fonction notamment de l'épaisseur de ce lit et du coefficient d'exodiffusion du dopant utilisé pour la couche enterrée, et il est déterminé par les valeurs des tensions que les jonctions basecollecteur des transistors doivent supporter et par la valeur de la tension de saturation que l'on veut obtenir.
L'invention est applicable à un dispositif dit Darlington mixte intégré dans un fragment monolithique de plaquette semiconductrice, soit seul,soit avec d'autres dispositifs, par exemple avec un transistor ou un dispositif Darlington normal pour constituer un montage amplificateur à faible tension de déchet, soit avec un dispositif Darlington complémentaire pour constituer un montage dit push-pull de puissance, symétrique, à substrat collecteur commun, présentant une bonne stabilité thermique et un rendement élevé par suite de la possibilité d'y intégrer des diodes dont la dérive en température compense celle des transistors et d'y supprimer les habituelles résistances d'émetteur. L'amélioration de la tension de saturation permet en outre d'attaquer directement les dispositifs selon l'invention par un circuit délivrant des signaux de petite puissance.
La description qui va suivre, en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée.
La figure 1 est le schéma d'un dispositif amplificateur à deux transistors de types opposés dans lequel le transistor d'entrée est un transistor de type PNP et la figure 2 le schéma d'un dispositif complémentaire du précédent dans lequel le transistor d'entrée est un transistor de type NPN.
La figure 3 est une vue en plan d'un dispositif dont le schéma correspond à la figure 1.
La figure 4 est une demi-coupe du même dispositif selon la ligne Il de la figure 3.
La figure 5 est une demi-coupe d'un dispositif dont le schéma correspond à la figure 2.
La figure 6 est le schéma d'un montage dit push-pull symétrique.
La figure 7 est une vue en plan d'un dispositIf dont le schéma correspond à la figure 1.
Pour donner à l'émetteur du transistor T7 l'épaisseur convenable, il est avantageux de décaper localement le matériau de la plaquette sur une partie de l'épaisseur de la couche 64.
Le dispositif est recouvert d'une couche isolante 72. Les contacts sont pris à travers des fenêtres ouvertes dans la couche 72 au moyen de dépôts métalliques, 74 et 77 pour l'émetteur et la base du transistor T5 et 76 pour l'émetteur du transistor T7.
Comme dans les exemples précédents, l'émetteur de T5 et le collecteur de T7 peuvent être reliés au moyen du dépôt 77 prolongé jusqu'au fond d'une cavité décapée atteignant le substrat. Un dépôt métallique 79 sur la face inférieure du substrat permet de réaliser la connexion à la borne L du circuit par l'intermédiaire du support sur lequel est fixé le dispositif.
La disposition interdigitée des zones fortement dopées 66 et 67 procure la meilleure section de passage de courant entre le collecteur de T5 et la jonction base-émetteur de T7 et assure au dispositif une faible tension de saturation.
Le procédé de fabrication d'un dispositif selon l'invention fait appel aux techniques habituelles dans le domaine des semicon ducteurs. La réalisation d'un ensemble amplificateur Darlington conforme à l'une des descriptions précédentes, celle faite en regard de la figure 4 par exemple, comporte les opérations suivantes, à partir d'une plaquette de silicium monocristallin de type de conductivité N+, dont la surface est orientée selon le plan cristallographique 100: dépôt par épitaxie de la couche épitaxiale préalable, dopée à l'arsenic; dépôt par épitaxie d'une première nappe du premier lit, dopée au bore; dépôt de prédiffusion, localisée par masquage, ou éventuellement implantation ionique, de la couche enterrée de type P+ dopée au bore; dépôt, par épitaxie, de la seconde nappe complétant le premier lit, dopée au bore également; dépôt par épitaxie du deuxième lit, dopé à l'arsenic; gravure, par décapage localisé au moyen d'un masque, du sillon séparant les deux transistors; diffusion localisée, dans le fond et les parois du sillon, de la zone fortement dopée au bore, de type P+, rejoignant- la couche enterrée; diffusion localisée d'une zone superficielle de base du second transistor (zone 8 sur la figure 4) de type N, dopée au phosphore; gravure, par décapage profond localisé au moyen d'un masque, de la cavité centrale, suivi d'un dépôt d'oxyde sur toute la surface du dispositif; diffusion localisée de la zone superficielle de l'émetteur du premier transistor et de la zone de contact du collecteur du premier transistor, ces zones étant de type N+, fortement dopées au phosphore; diffusion localisée de l'émetteur #du second transistor de type P+ dopé au bore; ouverture des fenêtres de contact, dépôt d'une couche métallique et gravure de cette couche pour la formation des connexions.
La prdsénte invention concerne un bac à douche, notamment obtenu par moulage dans un matériau thermoplastique.
L'invention a pour but de réaliser un bac présentant d'excellentes caractéristiques de rigidité tout en offrant un confort appréciable, notamment aux personnes âgées et aux malades.
Le bac de lt-invention est principalement caractérisé en ce qu'il comporte une surélévation faisant saillie du fond du bac et ayant une hauteur telle qu'elle puisse être utilisée indifféremment comme siège ou comme repose-pieds.
Un mode particulier de réalisation sera décrit ci-après à titre indicatif et~nullement limitatif, en référence au dessin annexé sur lequel La figure 1 est une vue en perspective du bac à douche de l'invention.
La figure 2 est une vue de dessus de ce bac.
Le bac à douche 1 de l'invention est par exemple obtenu, de façon connue en soi, par moulage d'un matériau thermoplastique.
Le bac à douche 1 a de prséférence une forme rectangulaire -ou carrée et présente de façon connu en soi un rebord 2.
Selon l'invention, ce bac comporte une surélévation 3 faisant saillie du fond 4 du bac et ayant une hauteur telle qu'elle puisse etre utilisée indifféremment comme siège ou comme repose pieds.
La surélévation peut avoir une hauteur comprise entre 30 et 50 cm et sa surface supérieure 3b est à un niveau supérieur à celui du rebord 2.
La surélévation 3 repose au moins en partie par sa base 3a sur une surface 5 intermédiaire entre le fond 4 du bac et la surface supérieure 3b de la surélévation.
La surélévation 3 est formée dans un coin du bac de manière à être séparée du rebord 2 par une rigole 5a faisant partie de la surface intermédiaire 5.
-REREC Drapeau mis en cas d'échec d'enregistrement.
RPTOFL Programme d'impression du texte "nO OFF-LINE".
SEEKA Entrée secondaire sur programme de recherche.
SELLOK Programme d'impression du mot "SELLOCK" (accrochage sélection) SPNXT Article suivant à reproduire.
SPRTIM Programme de contrôle et de gestion d'une unité nouvel lement on-line.
SPSTRT Premier article de la séquence à reproduire.
SRCCYL Numéro de piste pour l'unité-source de l'image fixe pour assemblage, SRCDRV Numéro de l'unité-source pour "assemblage".
SRCPAK Numéro du chargeur-source pour "assemblage".
SSSW1 Registre de sortie pour le système de signaux.
SSSW2 Registre de sortie pour le système de signaux.
STINIT Programme d'impression de ITM sur l'affichage lors du mode "liste".
STRCLC Calcule position dans tableau RASSTR.
SYSERR Pointeur vers texte "SYS ERR" (erreur système).
TEMPZ Adresse temporaire à usage universel.
TRRDEC Décrémente numéro de piste dans tampon d'entrée.
TRKFB Programme de transmission de chiffres de piste à l'affi chage.
Mais il existe un inconvénient résidant en ce que, lors de la rotation du levier de manoeuvre, il ne peut être obtenu aucun mouvement de la pièce de guidage et du disque de commande qui soit purement rectiligne; en effet, la came de guidage exécute précisément un arc de circonférence mais exécute toujours aussi un certain déplacement dans l'autre direction. Les possibilités de réglage du rapport du mélange et du débit total ne sont par conséquent pas nettement séparées.
Une forme de réalisation analogue est représentée dans le DT-OS 23 59 312. Le levier de manoeuvre ne possède ici aucun pivot de commande faisant un angle avec lui, mais, au contraire, la pièce de guidage est montée au moyen d'un second dispositif à tête sphérique, sur la tête sphérique du levier de manoeuvre.
En service 5 on ne fait pas tourner le levier de manoeuvre, mais on peut le faire pivoter dans deux dimensions, de sorte que les mouvements du disque de commande s'effectuent suivant deux directions. Etant donné que le levier de manoeuvre peut être déplacé tout à fait librement dans les deux dimensions, il est difficile, dans cette forme de réalisation aussi, d'obtenir une séparation nette entre le réglage du rapport du mélange et le réglage du débit total, parce que dans la pratique, on ne peut jamais déplacer d'une façon exactement rectiligne le levier de manoeuvre dans la direction souhaitée.
L'invention a pour objet de réaliser un dispositif mélangeur à levier unique du genre cité au début d'une manière telle qu'il soit plus facile de régler seulement-le rapport de mélange ou seulement le débit total sans agir sur l'autre grandeur.
A cet effet, 41 iinvention propose un dispositif ayant les caractéristiques suivantes a) On ne peut faire pivoter le disque de commande que dans un plan; b) La pièce intermédiaire peut se déplacer librement, dans le plan parallèle au plan de déplacement du disque de commande, dans une certaine zone, sur un guidage prévu dans l'enveloppe; c) Le pivot de commande présente, à son extrémité séparée de la tête sphérique, une partie carrée, et à l'extérieur de cette partie carrée une sphère guide;; d) La pièce intermédiaire présente un passage oblong limité rectangulairement qui correspond en largeur à la section droite carrée, qui dépasse en longueur cette section droite du carré etoû pénètre ce carré, e) La sphère guide pénètre dans une rainure de guidage du disque de commande, orientée perpendiculairement au plan de pivotement du pivot de commande; f) En dehors de l'axe du pivot de commande, il est prévu un tourillon qui relie la pièce intermédiaire au disque de commande pour un entraînement de mouvement.
Grace à cette forme de réalisation, on arrive à ce qu'en faisant tourner le levier de manoeuvre, on obtient un déplacement rectiligne du disque de commande perpendiculairement au plan de pivotement, sans que naissent des composantes de mouvement indésirables dans l'autre direction. Quand le pivot de commande tourne, la pièce intermédiaire est entraînée dans la rotation.
Ce déplacement est transmis par le tourillon au disque de commande.
Toutefois, ce disque de commande est maintenu par la came de guidage du pivot de commande dans sa position dans le plan de pivotement. Ainsi donc, aussi longtemps que le pivot de commande ne tourne pas, le disque de commande-ne peut se déplacer en ligne droite que perpendiculairement au plan de pivotement Pour qu'il soit enfin possible de transmettre un tel mouvement par la rotation de la pièce intermédiaire, cette pièce intermédiaire est mobile et elle peut se déplacer avec son passage oblong limité rectangulairement par rapport à la partie carrée du pivot de commande.De cette manière, il est possible de passer, du mouvement de pivotement de la pièce intermédiaire qui provoque un arc de circonférence du tourillon transmetteur, à un mouvement transversal rectiligne du disque de commande Le réglage de l'une des grandeurs "rapport du mélange" ou "débit total" s'effectue par conséquent par un pivotement du pivot de commande, aucune attention particulière n'étant requise, étant donné que ce pivot de commande ne peut pivoter que dans un plan et n'a plus besoin d'étre particulièrement guidé. L'autre grandeur est réglée au moyen d'une rotation pure du pivot de commande, ce qui est relativement facile, sans qu'on ait à modifier sa position de pivotement. La rotation pure fournit, ainsi qu'on l'a expliqué précédemment, une modification pure d'une des grandeurs seulement.
Le tourillon peut être assemblé rigidement avec la pièce intermédiaire, en particulier, il peut former avec la pièce intermédiaire une seule et même pièce, qui pénètre dans un évidement au disque de commande.
Mais inversement, il est possible aussi que le tourillon soit assemblé solidairement avec le disque de commande, en particulier il peut former avec le disque de commande une seule et même pièce qui pénètre dans un évidement de la pièce intermédiaire.