INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les facettes ainsi représentées en fig. 1 et 2 seront, afin de réaliser le fond de l'emballage, rapprochées, par tous les moyens connus, du centre de l'élément tubulaire et seront repoussées en mettant à profit la souplesse de la matière constituant le corps tubulaire, axialement vers l'intérieur de celui-ci (fig. 3 et 4) en y réalisant un volume convexe 10 dont les faces il situées entre les plis 5 sont orientées vers l'intérieur.
Les faces 11 de ce volume sont maintenues resserrées à l'intérieur de l'élément sous l'effet de la tension qui est provoquée et maintenue par le blocage des facettes dans leur position, leur base 12 étant définie par la ligne de pliage 2 qui détermine la hauteur de la paroi tubulaire du récipient tandis que les tranches 13 de chacun des plis s'appuient et se bloquent en tension réciproquement les uns contre les autres, lesJfacèttes 6 se heurtent frontalenent les unes contre les autres, le point de rencontre et de blocage des tranches de chacun des plis se situe sensiblement au centre de l'élément tubulaire et en deçà du plan,transversal audit élément, défini par la ligne de pliage qui détermine la hauteur de l'emballage.
Un autre mode de réalisation de l'emballage suivant l'invention est représenté à titre d'exemple non limitatif par les figures 5, 6, 7 et 8.
Lt emballage comprend un corps tubulaire 13 doté de plis longitudinaux 14 Préférentiellement le corps tubulaire sera de section carrée, mais il est évident que sans sortir du cadre de l'invention, il peut être de toute section polygonale adaptée telle que par exemple : hexagonal - Le corps tubulaire 13 est doté d'une ligne de pliage transversal sale 15 déterminant une zone 16 pourvue sur chacune de ses faces d'une ligne de pliage déterminant des facettes 17 et partant de chacun des plis longitudinaux 14.
Pour former le fond et obtenir l'emballage, les facettes 17 se- ront comme dans 11 exemple décrit ci-dessus, rapprochées vers le centre de l'élément tubulaire aprés quoi, en mettant à profit la souplesse de la matière constituant le corps tubulaire on les repoussera axialement vers l'intérieur de l'élément tubulaire en y déterminant un volume convexe 18 (fig. 8) dont les faces 19 situées entre les plis sont orientées vers l'intérieur et sont maintenues resserrées sous l'effet de la tension qui est provoquée et maintenue par le blocage des facettes dans leur position, lesdites facettes se rencontreront en un point central situé en decà du plan défini par la ligne de pliage qui détermine la hauteur de la paroi tubulaire de l'emballage.
La mise en tension réciproque des facettes et leur blocage mutuel ' en deçà du plan de la ligne de pliage transversale permet d'obtenir dans tous les exemples de réalisation un fond particulièrement solide puisque les efforts qu'il subira en raison de la présence d'objets dans l'emballage seront répartis au niveau de la ligne de pliage transversale au corps tubulaire.
En outre cette meme disposition de l'invention permet d'éviter que l'emballage ne s'ouvre de lui-mEme, ce qui le rend particulièrement fiable. En effet pour ouvrir l'emballage selon l'invention il est nécessaire par traction extérieure ou poussée intérieure de faire passer les facettes au-dessus de leur point de blocage qui est inférieur au plan de la ligne de pliage déterminant la hauteur de l'emballage.
Lors de cette opération, les facettes sont en position de pous sée radiale au niveau de la ligne de pliage qui rigidifie l'emballage et il est nécessaire pour vaincre cette poussée radiale d'exercer sur ou sous les facettes une traction ou une poussée suffisament conséquente.
L'emballage suivant l'invention peut être utilisé pour tout type de corps et d'objets, il peut subir des variantes et modifications dans le domaine des équivalents techniques sans pour cela sortir du cadre de l'invention.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le flan du couvercle est constitué par un couvercle et deux rebords en contact suivant les arêtes de pliage; et le couvercle se prolonge de part et d'autre, paral lèlement aux arêtes de pliage par deux languettes dont l'écartement latéral est choisi de façon qu'après pliage elles entourent des deux côtés les plages de raccordement de la nacelle, et dont l'écartement longitudinal est choisi de façon qu'elles reposent élastiquement sur les parois frontales de la nacelle.
Les conditions électriques ainsi créées sont suffisamment définies pour assurer un passage approprié du courant dans le couvercle aussi. Ce dernier se soulève facilement pour le remplissage de l'évaporateur. Les languettes assurent par leur élasticité un blocage suffisant, de sorte que le couvercle ne peut pas se soulever, même sous des pressions de vapeur élevées. Les épaisseurs du matériau du couvercle et de la nacelle peuvent être différentes, mais il faut veiller à ce que la température du couvercle soit suffisamment élevée pour interdire la condensation du matériau évaporé.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réalisation et du dessin annexé sur lequel la figure 1 représente un flan de nacelle en tôle, avant pliage; la figure 2 est la vue en plan de la nacelle, produite par pliage du flan de la figure 1; la figure 3 est la vue en plan d'un flan de couvercle en tôle; et la figure 4 est la vue en perspective de l'évaporateur complet, réalisé à partir des éléments des figures 1 à 3.
La figure 1 représente un flan 10 de tale, à contour sensiblement rectangulaire et constitué par une base 11 et deux parois latérales 12, en contact suivant deux arêtes de pliage 13, disposées suivant le grand axe de la nacelle 14 résultante (figure 2). La base 11 se prolonge des deux cotes, parallèlement aux aretes de pliage 13, par des languettes 15 dont la largeur est sensiblement égale à celle de la base Il et la longueur sensiblement égale à la hauteur de la nacelle finie. Les deux parois latérales 12 se prolongent de même par des languettes 16 parallèles aux arêtes de pliage 13. Entre les languettes 15 et la base 11 d'une part et les languettes 16 et les parois latérales 12 d'autre part se trouvent les arêtes de pliage 17, perpendiculaires aux arêtes de pliage 13.L'arête de pliage 17 est représentée continue pour les languettes 15 ou 16, ce qui est admissible compte tenu de la faible épaisseur - 0,2 mm -- de la telle tmolybdane). En règle générale, l'arête de pliage 17 est toutefois légèrement decalée vers l'intérieur, au voisinage des languettes 15, afin de permettre le pliage du flan 10 pour la production de la nacelle 14 selon figure 2. Les languettes 16 presentent chacune une autre arête de pliage 18, parallèle aux arêtes de pliage 17. La distance des arêtes de pliage 17 et 18 ainsi que la longueur Lt des languettes 16 sont dimen sionnées de façon qu'après un pliage en Z selon figure 2, elles forment chacune la moitié des parois frontales 19 ainsi que les plages 20 de raccordement électrique.
Des entailles 21 séparent les languettes 15 et 16, afin de permettre le pliage des languettes 15 indépendamment des languettes 16. Après le pliage des languettes 15 vers le haut et le pliage des languettes 16 vers l'extérieur, sur les arêtes 18, il est possible de replier les languettes 16 suivant les aretes 17 (les parois latérales 12 ayant eté pliees vers le haut) autour des languettes 15, deux plages de raccordement 20 voisines étant alors en contact dans le plan de symétrie de la nacelle 14, comme l'indique la figure 2. Cette dernière montre aussi que les languettes 15 repliées vers le haut se placent dans les languettes 16 pliées en Z, garantissant ainsi une étanchéité suffisante de la nacelle.
Des orifices 22 de sortie de la vapeur sont répartis à peu près régu lièrement sur toute la surface des parois latérales 12. Pour une longueur interieure d'environ 30 mm de la nacelle, l'expérience conduit à prévoir 30 trous d'un diamètre de 0,5 mm sur chacune des parois latérales 12, la rangée inférieure de trous se trouvant une certaine distance de la base 11.
La figure 3 représente un flan. de tôle 23 pour un couvercle 24, comportant un élément de couvercle 25 et deux rebords 26, en contact suivant les arêtes de pliage 27. Le couvercle 25 se prolonge de part et d'autre, parallèlement aux arêtes de pliage 27, par deux languettes 28 dont l'écartement latéral S est tel qu'après pliage, elles entourent des deux cotés les plages de raccordement 20 de la nacelle 14.Entre les languettes 28 et le couvercle 25 se trouvent des arêtes de pliage 29, dont la distance L2 détermine la longueur du couvercle 25 et par suite l'écartement des languettes 78t (repliées). Cette distance L2 est choisie de façon que les languettes 28 reposent élastiquement sur les parois frontales 19 de la nacelle 14 et assurent un blocage fiable du couvercle 24 dans la position représentée sur la figure 4. Cette dernière montre en outre que les languettes 28 présentent une légère forme en S, afin de permettre et de faciliter leur glissement sur les parois frontales de la nacelle, lors de la mise en place du couvercle 24.
La figure 4 montre que la nacelle 14 munie du couvercle 24 forme dans la partie centrale un corps 30, recevant le matériau à vaporiser et fermé de tous les cotés, et notamment dans le haut, à l'exception des orifices de sortie 22 disposés sur les deux cOtés et d'éventuelles fuites négligeables. Le couvercle, d'une épaisseur de 0,3 mm (molybdène), est porté par les conditions électriques en service à une température interdisant la condensation du matériau à évaporer sur le couvercle. Il en résulte un flux de vapeur constant, stable et reproductible, partant horizontalement de part et d'autre du-corps 30. La disposition de plusieurs évaporateurs de ce type en réseau permet d'obtenir un flux de vapeur total présentant une homogénéité suffisante.
L'évaporateur décrit en tôle de molybdène a donné d'excellents résultats pour l'évaporation de ZnS et d'argent, mais est également réalisable pour d'autres matériaux à évaporer dans d'autres matériaux connus, tels que tantale, tungstène ou fer, ce dernier convenant particulièrement bien pour des matériaux faciles à évaporer.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limiatifs, sans sortir du cadre de l'invention.
L'invention concerne un procédé pour revêtir, en continu, des substrats en verre ou en céramique par pulvérisation cathodique sous vide avec des couches ou des systèmes de couches métalliques ou non métalliques. les substrats étant mis sous vide dans une chambre de sas amenés a partir de là dans la chambre de pulvérisation parcourent cette chambre et sont après revetement, ramenés à l'extérieur par l'intermédiaire d'une chambre de sas L invention concerne également une installation pour la mise en application du procédé comportant pour l'introduction par sas des substrats9 une chambre de sas pouvant entre mise sous vide et pouvant être fermée de façon étanche au vide vis-à-vis de l'extérieur par une porte ou un élément similaire, une chambre de pulvérisation pouvant etre mise sous vide et reliée à la chambre de sas par une ouverture pouvant etre fermée de façon étanche au vide, les substrats parcourant cette chambre de pulvérisation, essentiellement dans sa direction longitudinale, à laide d'un moyen de transport muni de supports pour ces substrats, des électrodes disposées le long du parcours des substrats dans la chambre de pulvérisation et pouvant entre remplacées de l'extérieur par des portes pouvant être fermées de façon étanche au vide et une chambre pouvant être mise sous vide pour la sortie par sas des substrats Avec des installations connues fonctionnant de la sorte, les substrats traversent linéairement la chambre de pulvérisation, individuellement ou par plusieurs en étant posés sur des supports Pour cela, ils sont introduits par un sas, à partir de la pression atmosphérique, à une extrémité de la chambre de pulvérisation et sortis, à nouveau par un sas, à l'autre extrémité de la chambre de pulvérisation Le processus d'introduction et de sortie par sas a lieu soit par des étages de pression soit par des chambres de sas.
Ces procédés! connus, sont désavantageux car les sas exigent une mise en oeuvre importante d'éléments de la technique du vide et prennent beaucoup de place En outre lors de l'introduction par sas9 des quantités considérables de gaz sont, malgré tout, entraînées dans la chambre de pulvérisation et y provoquent des pollutions En outre, les possibilités de pré-traitement et de posttraitement des substrats sont limitées et ne peuvent être obtenues qu'aux dépens du débit et avec un encombrement supplémentaire. La réalisation de couches épaisses ou de systèmes stratifiés à plusieurs couches requiert des parcours multiples avec une ou plusieurs installations de type connu en acceptant à chaque fois les inconvénients mentionnés.
Le fait que les substrats se déplacent dans la chambre de pulvérisation, pendant le traitement, sur une tra7ect.oire sans fin9 fermée9 procure, par rapport aux longues chambres de pulvérisation connues un doublement de la longueur du trajet de traitement dont on dispose On peut donc étendre en conséquence les modes de traitement effectués Cela peut avoir lieu en ce que; pour réaliser des couches de revêtement particulièrement épaissies, on dispose plusieurs cathodes l'une à la suite de l'autre dans le sens de déplacement des substrats.Une autre possibilité consiste lorsque réalise des revêtements à couches différentes superposées, à disposer des cathodes différentes l'une à la suite de l'autre dans le sens de déplacement des substrats Par suite de la disposition des substrats dans des magasins, une autre possibilité consiste à faire parcourir le trajet de traitement par les substrats d'un magasin- à stocker après traitement ces substrats dåns un autre magsin et à leur faire parcourir ultérieurement, à partir de lå. une nouvelle fois, le trajet de traitement en méttant en circuit les cathodes d'une autre matière de pulvérisation En outre la place accrue fournie par la disposition selon l'invention donne la possibilité de faire encore parcourir un trajet de refroidissement par les substrats traités dans la chambre de pulvérisation avant leur mise en magasin pour le retour.
Ces substrats retournent donc dans la chambre de sas dans un état déjà fortement refroidi Les temps de séjour dans la chambre de sas- considérablement allongés, conformément à lwinvention- donnent également la possibilité d'effectuer d'autres opérations de traitement Ainsi, on peut réchauffer, par des corps de chauffage par rayonnement9 les substrats non traités, lors de leur introduction par sas-, à une température préparant le traitement De façon similaire, il est possible de refroidir davantage les substrats traités, lors de leur sortie par sas9 en introduisant dans la chambre de sas, pour établir la pression atmosphérique et dans un but de refroidissement, par exemple de l'argon ou de l'azote pouvant balayer uniformément les substrats traités et les refroidir En effet ces substrats sont repris dans les magasins en étant séparés l'un de l'autre par un intervalle Suivant un mode de réalisation la chambre de sas et la chambre de pulvérisation comportent respectivement quatre emplacements de magasins, en ce que ces emplacements sont décalés de 900 comme dans un barillet, qu'ils sont tous rotatifs et disposés chaque fois autour d'un axe de rotation commun, ces axes communs étant situés dans un plan horizontal perpendiculaire à la direction longitudinale de la chambre de pulvérisation et étant alignés, et en ce que les emplacements de magasins de la chambre de pulvérisation présentent une longueur au moins deux fois plus grande que celle d'un magasin. de telle sorte que le magasin contenant les substrats non traités puisse être déplacé hors de la chambre de sas9 lors de la prise de ces substrats9 et que le magasin destiné aux substrats traités puisse être déplacé dans cette chambre de sas, lors de la réintroduction de ces substrats Ces caractéristiques donnent la possibilité d'alimenter la chambre de pulvérisation avec deux magasins contenant des substrats non traités avant de fermer9 de façon étanche vis-a-vis de la chambre de pulvérisation, la chambre de sas présentant alors une place vide et trois places occupées par des magasins contenant des substrats traités et de mettre cette chambre à la pression atmosphérique pour sortir les magasins contenant les substrats traités et de remplir les trois places mentionnées avec des magasins contenant des substrats non traités Par conséquent. par rapport au temps de traitement des substrats d'un magasin, on dispose alors d'un temps double pour cette opération de changement I1 en résulte qu'on peut augmenter en conséquence la vitesse de passage dans la chambre de pulvérisation, parce qu'elle est devenue indépendante du temps de sortie et du temps d'introduction par sas.
La présente invention concerne un circuit intégrateur comportant un ou plusieurs éléments amplificateurs et dans lequel l'électrode de commande du premier élément am- plificateur est munie d'une impédance série suivie d'une impédance disposée en parallèle sur l'entrée de commande, tandis qu'une branche de contre réaction comprenant un condensateur va de la sortie du dernier élément amplificateur à l'électrode de commande du premier élément amplificateur (intégrateur de millet).
De tels circuits intégrateurs servent principalement à la production de tensions en dents de scie de grande amplitude et de bonne linéarité, et sont également utilisés pour des circuits comparateurs0 Pour ces utilisations, il faut que le signal de sortie de tels circuits intégrateurs croisse linéairement jusqu' à une valeur maximale donnée à l'avance, puis décroisse aussi rapidement que possible Pour satisfaire à ces impératifs, il est connu d'utiliser un amplificateur à gain élevé et déphasage de 180 , cet amplificateur comportant une branche de contre réaction avec condnsateur reliant la sortie à l'entrée dudit amplificateur.Tant que ce dernier n'est pas surchargé, la tension à son entrée est pratiquement toujours maintenue à zéro, du fait de la contre réaction De cette façon9il passe toujours un courant constant par l'impédance branchée en série à l'entrée du circuit intégrateur. En admettant que la résistance d'entrée de l'amplificateur soit très grande, ce courant doit s' écouler par le condensateur dans la branche de contreréaction Dans ce circuit intégrateur connu (intégrateur de Niller), la constante de temps de décharge est toutefois très grande et dépend généralement du gain en courant de l'élément amplificateur.La grande valeur de la constante de temps de décharge a pour effet d'une part que les flancs décroissants ne sont pas très raides et d'autre part que, par exemple dans le cas des circuits de mesure de temps et de comparaison,les trains d'impulsions à grande densité d'impulsions ne peuvent plus entre contrés quant à la largeur de leurs impulsions0 Â partir d'une certaine densité d'impulsions à rentrée du circuit intégrateur connu, celui-ci devient complètement conducteur après quelques impulsions étroites, Par la demande de brevet allemand 1240 308 on connatt un circuit intégrateur dans lequel, en utilisant deux condensateurs qui sont branchés successive ment - par des diodes dans la branche de contre réaction1 le flanc montant du signal de sortie présente une pente sé lectionnée à valeurs discrètes différentes0 toutefois, dans le cas aussi de ce circuit intégrateur connu, la pente du flanc décroissant ne peut pas titre influencée et ne peut donc pas être très raides La pressente invention a pour objet un cir cuit intégrateur présentant une constante de temps de décharge petite et indépen & nte du gain en courant des éléments ampli ficateurs, et présentant ainsi un flanc raide de décroissance, la linéarité et la raideur du flanc de croissance devant res ter inchangées0 Selon l'inventions ce résultat est atteint par le fait que l'impédance disposée en parallèle sur l'entrée est constituée de deux ou plusieurs diodes branchées en série, par le fait que le condensateur de la branche de contre réac tion å sa borne du côté entrée reliée aux diodes branchées en série, l'une au moins de ces diodes étant interposée entre ladite électrode de commande et ladite borne du condensateur Pour accroStre encore la raideur du flanc décroissant, l'invention prévoit en outre, dans le cas où l'on utilise plusieurs éléments amplificateurs, que le premier d'entre eux est monté en circuit à collecteur commun.
Le circuit intégrateur selon l'invention comporte avantageusement, comme éléments amplificateurs, des transistors et/ou des transistors à effet de champ.
Les avantages résultant de l'invention résident principalement dans l'extension sensible des domai nes d'application possibles, grâce à laraideur du flanc dé croissants Le circuit intégrateur selon l'invention peut servir non seulement à produire une tension en dents de scie exacte, mais encore, par exemple, à contrôler la durée d'impulsions de trains à grande densité d'impulsions0 Le cir cuit selon l'invention peut encore trouver d'autres possibi lités d'application avantageuses dans les circuits de comptage de toutes natures, circuits comperateurs et circuits de déviation.
La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description détaillée de deux modes de réalisation pris comme exemples non limitatifs et illustrés par le dessin annexé, sur lequel la figure 1 représente le schéma d'un circuit intégrateur connu (intégrateur de Miller) la figure 2 représente un premier exemple de réalisation de l'invention au moyen d'un élément amplificateur et de deux diodes la figure 3 représente un deuxième exemple de réalisation comportant deux e'léeen1;s plificateurs et trois diodes ; et la figure 4 est un diagramme montrant, en fonction d'un train d'impulsions rectangulaires appliqué à l'entrée des circuits précédents, les signaux de sortie du circuit intégrateur connu et du circuit intégrateur selon l'invention.
Si l'on applique un signal rectangulaire U1 de période U à l'entrée du circuit intégrateur connu (figure 1) constitué par la résistance série R1 à l'entrée de commande du circuit par la résist-ance h agencée en parallèle sur l'entrée de commande, par la résistance de charge R3 et par le transistor T de type npn dont le collecteur r est relié en contre-réaction à la base par le condensateur C, on obtient alors un signal de sortie U2 déphasé de 1800 avec un flanc décroissant presque linéairement et un flanc croissant exponentiellement. La pente du flanc décroissant dépend du temps de décharge du condensateur. En négligeant R2, et en admettant que l'amplitude du signal rectangulaire U1 soit choisie égale à la tension de batterie Ub -, on a ap proximativement, pour la constante de temps de décharge t t r CR1 (I) et, pour la constante de temps de charge t çsC CR3 ss (2) ss étant le gain en courant du transistor Tr.
Avec un choix correct des paramètres du circuit, on adopte R1 # R3 o Des égalités (1) et (2), il résulte alors pour le rapport t/rtr : t/# # 1 (3) c'est-à-dire que les constantes de temps de charge et de décharge sont approximativement égales.
En tenant compte de la résistance R2 en parallèle sur l'entrée, la constante de temps de charge 4 est légèrement réduite , puisque cette résistance prélève en plus du courant au condensateur C lors de la charge, de sorte que le courant de base du transistor Tr s'en trouve diminué. R2 ne peut toutefois être réduite que dans une mesure limitée, puisque le rapport R1/R2 adopté doit être tel que la tension de base du transistor Tr ne descende pas en dessous de la valeur correspondant à la saturation.
La forme de réalisation selon la figure 2 comporte , à la place de la résistance parallèle R2 un ensemble série de deux diodes D1 et D2 * La branche de contre-réaction va du collecteur du transistor npn Tr à la borne commune des diodes en série.