REVENDICATIONS 1. Procédé d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides de semi-conducteurs consistant à produire les couches par croissance à partir d'une phase gazeuse lors du transfert des substances de départ à un support à partir d'au oins deux sources solides qui contiennent les substances de départ à teneur variable eh constituants et qui, pour assurer ledit transfert, sont placées à proximité iw$tiate du support, le procédé étant caractérisé en ce que le rapport des superficies des surfaces des sources solides amenées périodiquement en l'une quelconque des régions locales du support est choisi de façon à assurer un rapport des temps de séjour des sources-solides contenant les substances de départ, pour chaque cycle et pour chaque région locale, qui corresponde à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ correspondant à la teneur en cette substance de la couche épitaxiale à obtenir par croissance. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi constant et identique pour toute la surface du support. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi variable, au soins dans une des directions parallèles au plan du support. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi de façon qu'il varie dans la direction radiale. Bloc do sources à utiliser pour réaliser le procédé de la revendication 1 comportant au soins deux sources solides distinctes contenant des substances de départ à teneurs différentes en constituants à- teneur variable et disposées paralldlewent à la surface du support sur lequel. on fait croître une couche épitaxiale, caractérisé On ce que les sources solides distinctes sont réalisées sous la forme d'une source solide cc'="no composite faisant un tout dont la frontière de séparation entre sources distinctes est choisie de façon à assurer un rapport des temps de séjour des sources solide distinctes, pendant chaque cycle et pour chaque région locale du support, qui corresponde -à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ qui correspond à la teneur en cette substance de la couche épitaxiale a obtenir par croissance. 6. Bloc de sources selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est divisée en régions contenant, au moins, deux substances de départ à teneurs diffé- rentes en constituants à teneur variable, la forme et la répartition réd- proque des régions de compositions différentes correspondant à la teneur en constituants à teneur variable et à la répartition de ces constituants suivant la surface de la couche épitaxiale obtenue sur le support. 7. Bloc de sources selon la revendication 6, caractérisé par le fait que les sources solides distinctes constituant une source solide commune composite faisant un tout sont réalisées sous la forme drai moins deux secteurs angulaires contenant au moins deux substances de départ à teneurs différentes de constituants à teneur variable, de façon que le rapport des angles des secteurs corresponde à une composition constate prescrite de la couche épitaxiale. 8. Bloc de sources selon la revendication 6, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est réalisée sous la forme d'une matrice en mosaïque constituée d'éléments cristallina de compositions différentes et de forme prédéterminée et présentant une répartition régulière des éléments cristallins d'une composition par rapport aux éléments cristallins d'une autre composition, le rapport des surfaces des éléments cristallins contenant les substances de départ à teneurs différentes en constituants à teneur variable étant constant pour toute la surface de la couche épitaxiale. 9. Bloc de sources selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une des sources solides distinctes est réalisée sous la forme d'une plaque cristalline, tandis. qu'une autre source se présente sous la forme d'îlots mésa déposés en ordre déterminé, réalisés en substances de départ différentes. 10. Bloc de sources selon la revendication 5, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout a une frontière congruente de séparation des sources solides distinctes, la frontière se présentant sous la forme d'une combinaison d'un rayon et d'une spirale d 'Archimède. 11. Bloc de sources selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout comporte au moins une zone contenant une substance de départ de composition constante et au moins une frontière sous la forme d'une circonférence concentrique à la frontière extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 12. Bloc de sources selon la revendication 5, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est réalisée sous la forme d'au moins deux peignes interpénétrants à dents de formes différentes, Les'embases des peignes étant parallèles l'une à l'autre. 13. Bloc de sources selon la revendication 12, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout réalisée sous forme de peignes a une frontière congruente de séparation entre les sources solides distinctes contenant les substances de départ différentes. 14. Bloc de sources selon la revendication 13, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout présente des zones vides entre les dents des peignes. 13. Bloc de sources selon la revendication 14, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout comporte une zone contenant une substance de départ homogène disposée entre les embases des peignes interpénétrants réunis par paires.