INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A l'intérieur de chaque entretoise on glisse une pastille 4 découpée dans une matière isolante capable de résister à la soudure haute fréquence dont l'électrode laisse l'empreinte 5 visible sur les figures.
La soudure périphérique de l' enveloppe est représentée en 6.
Sur la figure 2 qui montre la position des entretoises quand l'enveloppe est gonflée, on voit que les fragments de boyau 3 sont soudés aux parois 1 et 2 de lt enveloppe et les retiennent par place avec un écartement constant.
La vue, en plan de la figure 3 montre la disposition en quinconce des entretoises0 La figure 4 correspond au type d'enveloppe dont les entretoises sont circulaires et constituées par deux disques 7 en P V C entre lesquels on a glissé une pastille 4 en matière isolante avant de les souder périphériquement. Ces disques sont disposés de place en place en quinconce entre les parois 1 et 2 et soudés (figure 6).
Des perforations o peuvent étre pratiquées de part en part au droit du centre des entretoises 7 pour mettre en rapport d'air ambiant les deux faces de I'enveloppe, On peut, si on le désire, extraire les pastilles 4 par ces orifices.
Lorsque l'enveloppe est gonflée, (figure 5) les disques 7 soudés à chaque paroi 1 et 2 s'étirent et forment des plis 9. Etant donné que les disques sont tous de meme diamètre et que l'impact 5 des électrodes est constant, la distance de retenue des entretoises est elle-meme constante.
La figure 7 montre des exemples d'aménagement des bords de l'enveloppe pour permettre soit son association avec d'autres modules soit sa suspension.
C'est ainsi que les bords 6 prolongés des enveloppes sont percés de trous 10 recevant des anneaux Il dans lesquels passe un cabale ou une tringle 14.
Un autre moyen de liaison de deux modules consiste à former une gaine avec les bords 6 prolongés et de la découper alternativement en zones concaves 12 et convexes 13 coopérant avec celles du module voisin leur liaison étant assurée par un cable ou uae tringle 14 glissée dans la gaine.
Dans une variante de réalisation on prévoit d'agrandir éventuellement la surface d'utilisation d'une enveloppe en lui adjoignant un boyau gonflable relié à elle par un des moyens cités plus haut.
Dans une autre variante, une séparation peut titre prévue avec deux admissions d'air par valves, pour un lit à deux places.
La figure montre une utilisation possible des modules pour construire un canot pneumatique Lorsqu'on envisage remployer ce type d'enveloppe pour en faire un matelas de lit on peut recouvrir un ctté d'une mousse plastique et l'autre d'une couche de laine avec, pour com penser les zones dépressives et combattre l'humidité, une couche de matière absorbante par exemple de la sciure de bois contre la toile pneumatiqueX Il va de soi que toutes modifications utiles peuvent titre apportées à la réalisation de l'invention sans pour autant en déborder le cadre. C'est ainsi que, dans le but d'obtenir une enveloppe gonflable modulaire présentant des surfaces concaves ou convexes, on prévit des entretoises (3 - 7) de diamètres variés, déterminant au gonflage des hauteurs différentes, c'est à dire que l'enveloppe offre alors une épaisseur croissante ou décroissante d'un bord à l'autre
On obtient donc, avec le procédé décrit ci-dessus, la concomitance des deux phénomènes indiqués supra Une petite zone (A) apparaît ambrée quand le feu est éteint.
Une grande zone, pouvant Otre soit la totalité de la face frontale du globe, soit une partie en forme de T de ladite face, apparaît ambrée quand le feu est allumé.
Un observateur éventuel recevra donc un stimulus d'intensité lumineuse en même temps qu'un stimulus de variation de forme et de magnitude. La fonction "indicateur" du feu s'en trouvant par là même notablement renforcée.
L'invention proposée pourra notamment être utilisée pour la construction de feux indicateurs de changement de direction destinés à équiper les véhicules automobiles.
La présente invention concerne un dispositif monolithique semiconducteur comprenant au moins deux transistors de types opposés, formé d'un substrat plan d'un premier type de conduetivité recouvert d'un premier lit du type de conductivité opposé, ledit substrat constituant le collecteur du premier transistor, la base de ce premier transistor et le collecteur du second transistor étant constitués de portions dudit premier lit et l'émetteur du premier transistor et la base du second transistor étant constitués de portions d'un deuxième lit du premier type de conductivité situé sur ledit premier lit.
Dans de nombreux circuits amplificateurs de puissance un premier transistor dit transistor de puissance ou de sortie est commandé par un second transistor, de type opposé, dit transistor d'entrée; par exemple un transistor NPN est commandé par un transistor PNP. En vue de l'intégration de tels circuits dans un dispositif monolithique, on a cherché à réaliser dans un meme fragment de plaquette semiconductrice au moins un transistor NPN et un transistor PNP, la base du premier étant reliée au collecteur du second selon le montage dit Darlington mixte par exemple, représenté sur les figures 1 et 2 des dessins annexés à la présente demande.
Pour la réalisation de circuits intégrés de puissance, il y a intéret à utiliser une technologie multicouche, selon laquelle les différentes régions des transistors sont formées notamment par dépôt de couches épitaxiales successives sur un substrat. On sait que la structure épitaxiale obtenue présente de nombreux avantages par rapport aux structures à jonctions diffusées, en particulier une meilleure définition des épaisseurs de base, une homogénéité et une régularité des concentrations de dopant, une maîtrise des caractéristiques, avantages qui entraînent une plus grande fiabilité.On sait également que des caractéristiques de gain et de tension particulièrement intéressantes sont obtenues avec les transistors dont l'émetteur est constitué de deux zones dont une zone superficielle fortement dopée et une zone, épitaxiale de préférence, peu dopée, selon la technique dite LEC (de l'anglais Low Emitter Concentration).
Dans la demande de brevet français déposée le 10 Janvier 1975, enregistrée sous le n0 75 00 713, et intitulée "Structure de transistors complémentaires et son procédé de fabrication", la Demanderesse a décrit une structure multiépitaxiale dont les deux transistors présentent un grand nombre d'avantages. Toutefois, cette structure présente une tension de saturation qui peut parois tre relativement élevée pour certaines applications. Il y a souvent intérêt à obtenir une tension de saturation la plus basse possible, notamment pour améliorer l'excursion de tension par réduction de la tension de déchet d'un dispositif logique ou pour améliorer la plage linéaire d'un dispositif amplificateur.
Un des buts de l'invention est d'améliorer, dans le sens même d'une diminution de sa valeur, la tension de saturation des dispositifs connus, de structure multiépitaxiale, à deux transistors de types opposés.
Selon l'invention, le dispositif monolithique semiconducteur comprenant au moins deux transistors de types opposés, forme d'un substrat plan d'un premier type de conductivité recouvert d'un premier lit du type de conductivité opposé, ledit substrat constituant le collecteur du premier transistor, la base de ce premier transistor et le collecteur du second transistor étant constitués de portions dudit premier lit et l'émetteur du premier transistor et la base du second transistor étant constitués de portions d'un deuxième lit du premier type de conductivité situé sur ledit premier lit, est remarquable notamment en ce que les parties coplanaires de l'interface entre le premier et le deuxième lit formant les jonctions émetteur-base du premier transistor et basecollecteur du second transistor sont interdigitées et séparées par une zone fortement dopée dudit type de conductivité opposé s'étendant depuis la surface du dispositif jusqu'à une couche plane enterrée également fortement dopée dudit même type de conductivité opposé, et en ce que ladite couche enterrée est localisée selon la même géométrie que la jonction base-collecteur du second transistor et située au niveau dudit premier lit.
Il y a lieu de rappeler ici que le qualificatif fortement dopé" s'applique à des parties de semiconducteur présentant une concentration d'impuretés de dopage supérieure à 1017 atomes/cm3 et de préférence supérieure à 1018, et le qualificatif "faiblement dopé" dans le cas de concentration inférieure à 1017 atomes/cm3, et de préférence inférieure à 1016.
On sait par ailleurs qu'un dispositif semiconducteur, réalisé à partir d'une plaquette plane, a une structure dite interdigitée lorsque des régions, ou des parties de régions, et des jonctions planes, ou des parties de jonctionsplanes, comportent des prolongements ou "doigts", plus longs que larges, sensiblement parallèles, et forment ainsi des peignes qui sont imbriqués les uns dans les autres. Cette structure a l'avantage de donner aux régions des périmètres relativement longs par rapport aux surfaces et d'améliorer simultanément les caractéristiques de#capacitês,de résistances et de dissipation thermique.
En utilisant une structure interdigitée pour les jonctions émetteur-base du premier transistor et base-collecteur du second transistor, on obtient une tension de saturation de l'ensemble des deux transistors sensiblement plus faible que dans les dispositifs connus où les deux transistors sont disposés côte à côte sur le cristal. En effet, la structure interdigitée, utilisée couramment jusqu'ici pour les régions d'un même transistor, le plus souvent la base et l'émetteur, permet d'avoir des périmètres de contact entre régions très importants, compte tenu de la forme oblongue des doigts interdigités, qui peuvent même être longs et nombreux, et permet de diminuer les distances entre les jonctions en même temps que leur surface est augmentée.
Les doigts de l'émetteur du premier transistor s'insèrent à 'aplomb des espaces laissés libres par les doigts de la couche enterrée, ainsi la combinaison de la zone s'étendant à partir de la urface entre les jonctions émetteur-base du premier transistor et base-collecteur du second transistor, et de la couche enterrée localisée sous la jonction base-collecteur du second transistor, cette zone et cette couche étant contiguës, et toutes deux fortement dopées du type de conductivité du collecteur du second transistor et de la base du premier transistor, fait que se trouve augmentée jusqu'à son maximum la conductance entre l'émetteur du second transistor et la partie active de la base du premier transistor; de ce fait, la résistance du circuit que parcourt le courant de base du premier transistor, fourni par le collecteur du second transistor, est réduite à son minimum. Ladite zone fortement dopée s'étendant depuis la surface réalise en outre un isolement entre l'émetteur du premier transistor et la base du second transistor.
La zone fortement dopée s'étendant depuis la surface peut être formée par diffusion localisée dtimpuretés. Dans ce cas, comme cette zone doit atteindre la couche enterrée située au niveau du premier lit, pour éviter une diffusion trop profonde pour laquelle les conditions de durée et/ou de température seraient doiiunageables pour les régions déjà réalisées, le dispositif présente avantageusement un sillon, dont le tracé est compris entre les régions interdigitées du premier et du second transistor, et c'est à partir de la surface du fond et des parois de ce sillon que s'étend ladite zone fortement dopée, la profondeur du sillon étant déterminée pour que la profondeur de diffusion nécessaire de zone fortement dopée n'entraîne qu'une température et une durée d'opération sans risques pour les régions déåd réalisées.
De préférence l'émetteur du premier transistor comporte deux zones dont une zone superficielle fortement dopée, qui peut être obtenue par implantation ionique et/ou diffusion, localisée, et une zone épitaxiale qui est une portion du deuxième lit. Cette structure d'émetteur permet d'obtenir de bonnes caractéristiques de gain et de tension.
Lorsqu'on désigne par F1 les effets du principe de refroidissement par jets dtair et d'extraction des impuretés par battage de ces jets, il est possible d'écrire la valeur approximative de F1 sous la forme F1 # va (8) expression dans laquelle va désigne la vitesse des jets d'air et # est un symbole signifiant "varie comme" ou "est directement proportionnel a".
De la même manière, lorsqu'on désigne par F2 les effets de la liquéfaction rapide et automatique au niveau de l'anneau filtrant, on peut écrire la formule F2 v Vf (9) expression dans laquelle v f désigne la vitesse de la fumée du tabac dans le passage annulaire 12. il y a lieu de noter que si l'on a deux fois plus de fumée, on a deux fois plus d'impuretés capturées dans l'anneau filtrant.
Par conséquent, si l'on désigne par F l'effet total d'élimi- nation des impuretés pour le filtre selon l'invention, on peut écrire F x F2 (10) expression dans laquelle t signifie "est approximativement égal à".
Du fait que les fonctions F1 et F2 sont indépendantes l'une de l'autre, il y a lieu de se rendre compte que l t équation (9) n'est valable que pour l'anneau filtrant 9 selon l'invention, au niveau duquel la liquéfaction s1 effectue très rapidement et auto matiquement.
Par contre, ltéquation (9) ntest pas valable pour le bout filtrant ordinaire d'une cigarette du commerce du fait que ce bout filtrant ne capture les impuretés que par le contact de la fumée du tabac sur la surface des fibres de ce bout filtrant, cette surface de contact ne variant pas pendant que l'on fume.
Si l'on fume lentement, la fumée aura un bon contact avec la surface des fibres du bout filtrant d'une cigarette du commerce, ce contact se maintenant longtemps et permettant ainsi d'obtenir une élimination plus importante des impuretés lorsquton fume lentement et faiblement une cigarette ordinaire du commerce.
Mai si l'on fume ou aspire fortement, presque toute la fumée du tabac glisse au niveau des fibres du bout filtrant dtune cigarette du commerce, sans entrer en contact avec ces fibres et, par conséquent, déterminant ainsi une mauvaise élimination des impuretés lorsquton aspire fortement dans le cas dtune cigarette ordinaire du commerce.
La substitution des équations (8) et (9) dans l'équation (10j permet d'écrire la formule FOC va Vf (11) Pour simplifier, on peut écrire v v Vf = V (12) a' I1 en résulte que lton obtient H V2 (13) Dans ces expressions, V représente la vitesse de la fumée, c'est-I-dire la grandeur de la charge correspondant au fait de fumer.
Commele montre clairement ltéquation (13), l'effet d'élimination F du filtre selon Itinvention suit ou varie comme le carré de la charge correspondant au fait de fumer.
Grâce à la caractéristique exceptionnelle du suivi de charge précédemment mentionné, à laquelle sajoute l'effet de refroidissement de ce neme filtre selon l'invention, il est possible de fumer agréablement et en toute sécurité jusqu'à la ffn d'une cigarette en aspirant fortement.
D'autres avantages offerts par le filtre selon l'invention consistent notamment en ce qutil est très léger et très élégant, en ce que son coût est très faible et en ce que son style à transparence visuelle permet de surveiller agréablement les phénomènes d'extraction par jets d'air et de liquéfaction rapide et automatique.
Autres modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation décrits, dans le domaine des équivalences techniques, sans s'écarter de l'invention.
La présente invention, à la réalisation de laquelle ont participé MM. Bernard HERCELIN et Jean-François HAMON, concerne de nouvelles compositions à usage cosmétique.
On sait que la surface de la peau est recouverte par un certain nombre de bactéries. Ces bactéries, et notamment le Corynebacterium Acnes, secrètent des enzymes. Parmi celles-ci, on trouve en particulier, des lipases et des protéases.
Les lipases, qui sont capables d'hydrolyser les triglycérides du sébum, et par voie de conséquence, de libérer localement des concentrations importantes d'acides gras, sont en partie responsables de réactions cutanées inesthétiques. Les protéases, quant à elles, sont capables d'agir directement sur les tissus, et notamment sur le collagène de la peau en produisant des réactions inflammatoires locales.
Ces réactions cutanées inesthétiques et ces réactions inflammatoires locales se traduisent en particulier par des rougeurs ou des éruptions plus ou moins saillantes, localisées au visage ou à la partie supérieure du thorax ou du dos.
La figure 4 est une coupe par IV - IV de la figure 1.
La figure 5 montre d plus grande échelle un des axes qui assurent la venue en prise de la barre avec les dents des crémaillères et servent de butée pour empêcher les coulisseaux de s'escamoter entièrement à l'intérieur de la barre.
La figure 6 est une vue partielle dune variante, suivant la flèche VI de la figure 1, montrant le cas où l'entre- toise porte une plaque de taquage.
La figure 7 est une élévation d'une variante qui permet d'augmenter l'ampleur du pivotement de la barre de presse.
Sur les figures 1 à 4, on voit que la barre de presse suivant l'invention comprend un tube métallique 1 å section carrée à l'intérieur duquel deux coulisseaux 2 peuvent s'écarter l'un de l'autre, contre l'action d'un ressort 3, sous l'effet de vis 4 munies chacune d'un bouton de manoeuvre 5 et qui se vissent dans des alésages taraudés de préférence axiaux 6 du coulisseau associé. Au voisinage de l'extrémité de chaque coulisseau 2 opposée au ressort 3 est ménagé, de préférence non loin de la face su- périeure du coulisseau, un trou transversal 7 destiné a recevoir un axe 8 qui sera décrit plus en détail avec référence b la iigu- re 5.Deux paires de crémaillères verticales 9 sont fixées aux faces intérieures parallèles de cornière 10 et, par leur estré- mité inférieure, à une entretoise horizontale 11.-Cette entretoise peut être a section carrée et située à l'extrémité inférieure des montants constitués par les crémaillères et les cornières, dans le mode de réalisation qui sera décrit avec référence à la figure 6, ou, plus généralement, i section circulaire et outre alors soudée à un bloc massif 12, soudé également aux extrémités inférieu- res des montants précités, et qui joue le role d'un contrepoids lors du pivotement de cette entretoise et de la barre de presse.
Chaque crémaillère 9 est soudée, comme indiqué, à une face d'une cornière 10, et les ailes de cette cornière s'é- tendent au-delà de la crémaillère comme le montrent les figures 2 à 4, bien qu'on puisse aussi envisager que les dents fassent aaillie. I1 en résulte que chaque montant a la forme d'un U en section par un plan horizontal, avec la base de l'U percée d'une fente longitudinale s'étendant sur la partie de sa hauteur qui se trouve au-deasus du bloc 12.Les dents 9a des crémaillères ont la forme visible figure 2, c'est-à-dire présentent une extrémité supérieure horizontale qui fait un angle aigu 9b avéc une face infQ- rieure inclinée 9ct ce qui facilite le mouvement de l'axe 8 asso cié, comme on le décrira plus en détail ci-après.
Si la barre de presse doit Stre utilisée dans une machine suivant le brevet français précité, l'entretoise 11 prégen- te au voisinage immédiat de chaque bloc 12 mais à 1' intérieur par rapport au montant associé une gorge lia destinée à coopérer avec un cran de la åoue associée de la plaque de base de la machine.
Sur la figure 2, on voit que chaque vis de blocage 4 est métallique et comporte une rondelle 4a qui la relie au bouton de manoeuvre 5 en matière plastique et dont le pourtour est avan tageusement muni de saillies qui en facilitent la prise et la rotation. La rondelle 4a est destinée à venir en contact avec la base du montant associé.
Sur la figure 5, on volt que chaque axe 8 comprend cinq sections : les deux sections extrêmes 8a sont de petit diamètre de façon å pouvoir facilement s'engager dans les dents des crémaillères 9 ; il en est de meme de la section centrale 8b, qui est destine à recevoir un dispositif (non représenté) empannant un déplacement longitudinal accidentel de l'axe tout en permettant la rotation, que l'on peut introduire par un trou 13 (figures 3 at 4) qui débouche dans la face supérieure du coulisseau 2 associé.
Quant aux deux sections intermédiaires 8c, leur diamètre correspond à celui du trou 7.
Sur la figure 6t on voit que, dans le cas où l'entretoise lt' doit supporter non seulement une barre de presse 1 mais une plaque de taquage 14 en vue de son utilisation dans une machine suivant le brevet français précité, cette entretoise a sensiblement la même section carre que la barre I mais présente au voisinage de ses deux extrémités des gorges 15 comme décrit dans le brevet précité et est décalée, vue en plan, par rapport ê la barre 1. hn outre, entre la plaque de taquage 14 et la face verticale adjacente de l'entretoise tl' est interposée une barrette métallique 16, dont l'épaisseur peut varier suivant les besoins.La fixation de la plaque de taquage s'eftectue de préférence 6 l'aide de vis 17, éventuellement munies d'un bouton de manoeuvre, qui traversent cette feuille et pénètrent dans le corps de l'entre- toise. Dans ce cas, le bloc 12 des figures 1 et 4 rait corps avec l'entretoise carrée 11' et celle ex est sensiblement plus longue que l'entretoise il de section circulaire.
Sur la figure 7, on voit que, dans le cas ou la bar re de presse i est destiné a une machine suivant le brevet français précité, les ensembles constitués par les crémaillères 9 et les cornières 70 peuvent ne pas entre situés aux extrémités de l'entretoise 11 mais à une certaine distance de celles-ci, tandis que les blocs 12 sont totalement supprimée ou seulement décals.
On peut ainsi augmenter l'angle de basculement de la barre 1, puisqu'aucun dlFment de l'ensemble dont elle fait partie ne peut venir en contact avec la machine ; il suffit d'enlever momentand- ment les rouleaux porteurs situés du côté de la barre de presse opposé a la plaque de taquage pour permettre un pivotement de la barre 1 de plus de 900 par rapport àla position verticale qu'elle occupe avant d'être basculée pour réaliser le dégradé de la liasse. Il est toutefois possible de bénéficier de l'effet de contrepoids des blocs 12 en en soudant aux extrémités de l'entretoise 11, à l'extérieur par rapport aux gorges lia, comme représenté en traits mixtes en 12' sur la figure 7.
Le fonctionnement de la barre de presse suivant 1' invention est le suivant L'ensemble étant monté verticalement sur la machine sur la table de laquelle il faut comprimer par exemple une liasse de feuilles de papier, on introduit la barre 1 par le haut entre les montants 9, 10, les vis 4, 5 étant desserrées de façon que les axes 8 puissent coulisser - dans l'exemple représente - le long de la partie des cornières 10 en saillie par rapport aux crémaillères 9, jusqu'à ce que la face inférieure de la barre 1 arrive en contact avec la liasse à comprimer. On serre alors les vis 4, 5, ce qui fait saillir davantage les coulisseaux 2 en direction de la base de l'U constitué par chaque montant. Les.sxes 8 arrivent ainsi au dessus du sommet horizontal d'une. dent de chaque crémaillère, ou directement en face de l'intervalle oblique délimité par deux dents superposées, et le serrage des vis fait descendre les axes le long des plans inclinés 9c des dents supérieures, en direction du tond de l'intervalle, ce qui assure une compression appropriée de la liasse. En mëme tempo que les axes 8 arrivent en fin de course, les rondelles 4a des vis 4 viennent en contact avec la face verticale ext6rieure du montant corres- pondant. Lorsque, apyres le traitement de la liasse, celle-ci doit être libérée, on fait tourner les vis 4 en sens contraire à l'aide des boutons 5, et le ressort 3 rapproche les coulisseaux 2 tandis que les axes 8 glissent le long des dents des crémaillres jusqu'à ce qu'ils en soient totalement séparés. On peut alors soulever et éventuellement enlever complètement la barre I et retirer la liasse.
La présente invention concerne un procédé et un appareil de préparation de silice vitreuse. La silice vitreuse est une forme -non cristalline du bioxyde de silicium, c'est-à-dire qu'il ne s'agit pas d'un cristal de quartz, bien qu'on parle parfois de quartz vitreux.