INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par suite, lorsque l'information vidéo est reproduite, elle se présente à la sortie deux lignes plus tard qu'elle ne le devrait et, en conséquence, la position de la référence d'asservissement est ajustée de telle façon que l'information vidéo soit avancée de ces deux lignes au cours de la reproduction normale. Par contre, lorsqu'un mode transfert est en vigueur, c'est-à-dire lorsqu'une image fixe d'information est transférée d'un chargeur 75 à un autre, le canal de reproduction de l'appareil produit seulement une unique ligne de télévision de retard en raison du fait que l'information traverse alors le montage décodeur de données et correcteur de base de temps 100, mais non le montage de séparation et de traitement de chrominance 101.Etant donné que le retard introduit par le montage de chrominance n'existe pas sur le mode transfert, la position de la référence d'asservissement est avancée d'une ligne de télévi sion seulement, de sorte qu'elle est enregistrée avec une impulsion de synchronisation verticale coïncidant avec le secteur 000 (index) sur l'autre chargeur 75. Le montage associé au générateur de temporisation assure le décalage de l'image couleur de telle manière que la référence d'asservissement se trouve dans la position convenable et produit en outre un signal de fréquence H stable qui n'est pas affecté dans une mesure appréciable par des niveaux de bruit raison nables ou par l'absence occasionnelle de certaines impulsions dans le signal de synchronisation multiplex.
On va maintenant se référer à la figure 39, sur laquelle on peut voir que le signal de synchronisation multiplex est appliqué à un conducteur d'entrée 1920', dont le signal apparaît à une fréquence H et qui transmet l'information d'image couleur sous la forme de trois larges impulsions consécutives apparaissant toutes les quatre images de télévision. La synchronisation multiplex est alors convertie d'un niveau logique à couplage par émetteur (ECL) à un niveau logique "transistor-transistor" (TTL) par un convertisseur 1921' et traverse un inverseur 1922', dont le conducteur de sortie 1923' aboutit à une porte NON-OU 1924. Le conducteur 1923' est également connecté à deux portes ET et est en outre relié par 1' intermédiaire d'un inverseur 1925 à une première porte ET 1926 et directement à une autre porte ET 1927.Le chemin inférieur du signal vers les portes ET 1926 et 1927 a pour fonction de détecter la présence ou l'absence d'information indiquant une image couleur.
L'image couleur est détectée par échantillonnage périodique de portes NON-ET au moyen d'un univibrateur 1928, ce qui assure la génération d'une impulsion de courte durée pour déverrouiller les portes ET 1928 et 1927, de sorte que les impulsions qui sont transmises conditionnellement à travers celles-ci incrémentent ou remettent à zéro un compteur 1929. Lorsqu'une image couleur-est présente, la porte ET 1927 laisse passer trois comptes successifs et applique un signal de sortie haut sur les deux conducteurs 1930 qui chargent à leur tour un "haut" sur le registre à décalage 1931.
Dans le cas où une image couleur n'est pas présente, alors il n'apparaît pas trois impulsions successives et l'absence de l'une ou l'autre des seconde et troisième impulsions satisfait la porte ET 1926, qui s'ouvre pour remettre à zéro le compteur 1929. Le registre à décalage 1931 est rythmépar un signal à 2 H sur le conducteur 1932 et rythme à son tour le signal d'entrée à travers le registre à décalage avec des niveaux hauts apparaissant successivement à des intervalles de 1 H sur Les conducteurs 1933, 1934 et 1935.
La temporisation des signaux sur les conducteurs 1933, 1934 et 1935 assure des retards d'une ligne, de deux lignes ou de trois lignes (le retard de trois lignes étant défini comme une avance 0, un retard d'une ligne étant défini comme une avance de deux lignes et un retard de deux lignes étant défini comme une avance d'une ligne) sur un conducteur de sortie 1936 d'un décodeur 1937, conducteur qui transmet le signal "image couleur décalée. Deux conducteurs de commande de sélection de position 1938 fournissent un ordre d'entrée binaire pour décoder l'un des conducteurs d'entrée 1933, 1934 ou 1935 sur le conducteur de sortie 1936 pour fournir l'information de temporisation de référence d'image couleur décalée de base pour le montage de temporisation d'enregistrement.
Le montage engendre également un signal stable à la fréquence horizontale utilisant une boucle d'accrochage en phase avec un V.C.O. dans un circuit intégré 1940 qui reçoit le signal de synchronisation de la porte NON-OU 1924 par l'intermédiaire de l'inverseur 1941, de la porte ET 1942 et du conducteur 1943. Le signal de sortie de l'oscillateur 1940 apparaît sur le conducteur 1944, dont le signal est divisé par un compteur divisant par 10, 1945 comportant une sortie à 2 H sur le conducteur 1946, dont le signal est à son tour divisé par un compteur divisant par 2, 1947 engendrant sur le conducteur 1948 un signal à I H qui finalement apparaît en tant que signal de sortie à la fréquence E. Le conducteur 1948 est en outre relié rétroactivement à l'entrée du comparateur de phase du circuit 1940.Le signal d'entrée d'erreur filtré du V.C.O. est transmis par le conducteur 1949 qui traverse une porte de transmission 1950, laquelle est conductrice chaque fois qu'une synchronisation multiplex est présente sur le conducteur d'entrée 1920. Cette condition est détectée par le conducteur 1951, qui déclenche l'univibrateur 1952, qui devient haut pendant environ trois impulsions H avant de retomber à son état bas et qui est toujours haut chaque fois que la synchronisation multiplex est présente.
Si la synchronisation multiplex n'est pas présente et ne réapparaît pas après une période de 3 H, le conducteur d'entrée 1953 devient bas et verrouille la porte ET 1942 ainsi que la porte 1950, ce qui, par l'intermédiaire de l'inverseur 1954, déverrouille une autre porte de transmission 1955, laquelle produit un signal d'erreur "artificiel" destiné à être utilisé par le V.C.O. pour maintenir la fréquence H approximativement à la valeur correcte jusqu'S ce que la synchronisation multiplex réapparaisse.Une porte NON-OU 1956, dont les entrées sont connectées aux sorties du comparateur de phase du circuit 1940, fournit une indication d'accrochage qui excite une diode électroluminescente 1957 lorsque la boucle d'accrochage en phase n'est pas bouclée. Un signal indiquant que la synchronisation est correcte apparaît sur le conducteur 1959, ce signal constituant une des conditions nécessaires pour assurer une opération d'enregistrement, et le signal "synchronisation correcte" est engendré lorsque l'asservissement est accroché et que la boucle d'accrochage en phase est bouclée, les signaux correspondants étant appliqués à l'entrée de la porte NON-ET 1960.
MONTAGE LOGIQUE DE CONTRôLE D'ERREUR D'UNITE DE DISQUES Le montage représenté sur les figures 40A et 40B comporte une logique de contrôle d'erreur analogue à de nombreux égards à la logique de contrôle d'erreur du montage d'unité de disques existant utilisé en informatique. Toutefois, avec l'appareil suivant l'invention, des conditions de faute supplémentaires peuvent se produire et la logique de contrôle d'erreur a été modifiée et développée pour en tenir compte. On va tout d'abord se référer à la figure 40A, sur laquelle on peut voir que la reproduction d'une image d'information vidéo exige deux tours du disque, comme décrit précédemment, et que la position des têtes est modifiée lorsqu'un ordre de recherche est engendré sur le conducteur 1975.Toutefois, étant donné qu'un changement de position des têtes d'une piste à une autre produirait une discontinuité dans l'image de télévision, il est désirable que ce changement de position des têtes ne commence que pendant l'intervalle vertical et, en conséquence, l'ordre de recherche est temporisé de manière à commencer à un emplacement déterminé par rapport à la fréquence verticale qui est appliquée sur le conducteur 1976, de façon qu'apparaisse sur le conducteur 1977 un ordre de recherche à début temporisé convenablement synchronisé par rapport à la verticale. Le signal à la fréquence verticale est fourni par le montage générateur de temporisation représenté sur la figure 39 et par le montage de temporisation d'enregistrement (figure 38A).
La figure 7 est une vue en perspective d'un mécanisme de détection des repères portés par le film, qui est utilisé dans une caméra correspondant à l'invention.
La figure 8 est un schéma synoptique de la commande élec trique d'un mode de réalisation préféré de l'invention.
La figure 9 est un diagramme séquentiel des signaux de commande électriques du circuit de la figure 8.
La figure 10 montre les positions du disque obturateur qui engendrent les signaux de commande de la figure 9.
La figure 11 est un énéma synoptique du circuit de commande d'obturateur de la figure 8.
La figure 12 est un schema synoptique du circuit échantillonneur-intégrateur de la figure 8.
La figure 13 est un schéma-du circuit de commande d'avan- ce de la figure 8.
La figure 14 est un schéma du circuit de détection de position finale de la figure 8.
La figure 15 est un schéma du circuit de commande de position finale de la figure 8.
La figure 16 est un diagramme séquentiel montrant les signaux associés au fonctionnement du circuit de la figure 15.
On se reportera maintenant à la figure 1 qui montre une partie caractéristique d'u.n film de cinéma 11 comportant une seule perforation 13 pour chaque image 15. Au cours du fonctionnement, c'estZà-dire de l'exposition ou de la projection du film, les images 15 sont positionnées individuellement au niveau d'une êre, en employant généralement une vitesse standard de 24 images par seconde.
La figure 2 représente un dispositif entralnemeit de film comportant de moyens d'entraînement qui sont généralement constitués par une roue à ergots 17 fixée à i l'arbre 19 d'un servo- moteur 21. Le moteur est fixé à la paroi 23 du côté opposé à la roue à ergots. Le film est entraîné de deux côtés de la roue à ergots 17 par la pénétration des ergots 25 dans les- perforations 13.Les moyens d'entraînement comprennent en outre un Guide fixe 27 placé sous la roue à ergots 17, de façon que le film li qui entre dans le dispositif d'entraînement sous l'effet de la pénétration des ergots situés d'un premier côté 26 de la roue passe autour du guide fixe et soit ramené vers le second côté 28 de la troue à ergots, en formant une boucle 29 entraînée en demeurant +n- due. Le guide fixe peut évidemment être remplacé par un galet, et la roue à ergots peut être remplacée par un cabestan.
La figure 2 montre que le film 11 avance dans le dispositif d'entraînement sous l'action de la roue à ergots 17, et est introduit dans une fente de guidage 31 définie par deux guides parallèles 33, 34, le guide avant 33 comportant une fenêtre 35 pour- le passage de la lumière. En quittant la fenêtre, le film passe autour du guide fixe 27, puis retourne vers le côté arrière 28 de la roue à ergots 17. Cette dernière amène successivement au niveau de la fenêtre chaque image du film,. et cette image est alors positionnée pour l'exposition ou la projection, selon que le film est utilisé dans une caméra ou dans un projecteur.
La figure 3 montre que le dispositif comporte également un élément de décollage 37, au profil défini, qui est associé à deux guides 39, 41, ces trois éléments agissant conjointement pour introduire et reprendre le film au fur et à mesure qu'il entre dans le disposi.tif d'entraînement, et quitte ce dispositif.
On voit également que ces trois éléments assurent un accoup-lement et un désaccouplement corrects entre le film et la roue à ergots 17. Un patin de tension 43, sollicité par un-ressort, est de pré-férence placé en contact avec la boucle de film 29 pour éviter que cette boucle présente du mou, ce qui permet un entraînement optimal du film en sens avant et arrière lorsque chaque image 11 est positionnée de façon précise de la manière décrite ci-après.
Dans certains cas, le guide fixe 27 peut être éventuellement soumis à l'action d'un ressort, dans le même but, ce qui permet de supprimer le patin de tension latéral 43. D-ans un cas comme dans 11 autre, l'élément qui assure la tension doit être correctement amorti pour empêcher qutil réponde aux forces transitoires de courte durée que la roue à ergots exerce sur le film au cours des départs et des arrêts rapides du film nécessaires à son positionnement.
La figure 8 est une demi-coupe du même dispositif selon la ligne II-II de la figure 7.
La figure 9 est une demi-coupe d'un dispositif dont le schéma correspond à la figure 2.
Il est à noter que, sur les dessins, les dimensions sont fortement exagérées, en particulier les épaisseurs, et que les proportions ne sont pas respectées à seule fin de rendre les figures plus claires.
Le dispositif représenté sur les figures 3 et 4 et dont le schéma correspond à la figure 1 comprend deux transistors T1 et T2.
Le premier transistor T1 ou transistor de puissance, est de type NPN. Le courant entre les bornes BC traversant le transistor est commandé par le second transistor T2 ou transistor d'entrée, qui est de type PNP, le signal de commande étant appliqué à la borne A sur la base du transistor T2.
Le dispositif est réalisé sur un substrat 1 de silicium de type N+, (le signe + indiquant un dopage relativement élevé, supérieur à 1018 atomes/cm3) orienté dans le plan cristallographique 100 comportant-une couche épitaxiale 2 de type N de 10 Vm d'épaisseur et qui constitue le collecteur du transistor T1-. La résistivité de la partie N+ du substrat est d'environ 0,01 Qcm et celle de la couche épitaxiale 3 Qcm.Le substrat dans lequel est réalisé le dispositif est un fragment de plaquette dont les dimensions sont celles d'un carré de quelques millimètres de côté.
La base du transistor T1 et le collecteur du transistor T2 sont des portions d'une couche épitaxiale 3 de type P, dont l'épaisseur est 16 pm et la résistivité 7 nom, et qui est déposée sur la couche 2. L'émetteur du transistor T1 et la base du transistor T2 sont des portions 4 et 9 d'une couche épitaxiale de type N, dont l'épaisseur est 10 um et la résistivité 3 Qcm, et qui est déposée sur la couche 3. L'émetteur du transistor T1 comporte en outre une zone 5, diffusée localement dans la portion 4, de type N+, dont l'épaisseur est 5 um et la résistance 3 n par carré.La base du transistor T2 comporte également une zone 8, diffusée localement dans la portion 9, fortement dopée, de type N, destinée à limiter une extension éventuelle de la zone désertée de la jonction base-collecteur, qui ne doit pas atteindre l'émetteur.
Une zone Il diffusée localement dans la portion 9, de mêmes caractéristiques que la zone 5 est destinée à la prise de contact sur la base du transistor T2.
L'émetteur du transistor T2 est une zone 10 de type P+ diffusée localement dans la portion 9, de 2 um d'épaisseur et dont la résistance est 9 fl par carre.
L'émetteur du transistor T1 et la base du transistor T2 sont séparés par un sillon 13 dont les parois et le fond sont formés par une zone diffusée 6, de type P+, de 8 pm d'épaisseur et dont la résistance est de g a par carré. La zone 6 rejoint une couche enterrée 7 de type P+ également, de 3 um d'épaisseur, dont la résistance est de 100 a par carré, qui est localisée dans la couche 3 sous la base du transistor T2 à un niveau correspondant environ au milieu de Itépaisseur de la couche 3, et dont la géo métrie est, comme celle de la partie plane de la jonction basecollecteur du transistor T2, interdigitée avec la jonction émetteur-base du transistor T1.Au centre du dispositif, une cavité 18 permet d'atteindre la partie très dopée 1 du substrat sur laquelle est pris un contact, par l'intermédiaire d'une zone 15 de type N++ très fortement dopée, sur le collecteur du transistor Ti.
Le dispositif est recouvert d'une couche isolante d'oxyde 12 dans laquelle sont ouvertes des fenêtres de prise de contact. Les contacts sont pris au moyen de dépôts métalliques 16 pour l'émet- teur du transistor T1, 17 pour la base du transistor T2 et 14 pour émetteur du transistor T2, ce dernier dépôt assurant la liaison entre ce dernier émetteur et le collecteur du transistor T1 et remplaçant ainsi le fil de connexion habituellement utilisé en pareil cas. Un dépôt métallique 19 appliqué sur la face opposee du substrat 1 permet de réaliser la connexion à la borne B. Les dépôts 16 et 17 comportent des plages de surface suffisante 161, 171, destinées à la soudure de connexions par fil aux bornes C et A du circuit.
On constate sur la figure 3, où apparaissent les tracés des différents dépôts de contact, qui suivent les tracés des ouvertures de contact correspondant aux régions elles-mêmes, que l'émet- teur du transistor T1 et la base du transistor T2 sont interdigités et sont séparés par le sillon 13 et la zone diffusée 6.Les doigts formés par ces tracés, imbriqués les uns dans les autres, sont en outre disposés sensiblement radialement autour d'un axe X au centre du dispositif occupé par la cavité 18 de prise de contact du collecteur du transistor Tt La couche enterrée 7 et la zone 6 suivent des tracés parallèles et il y a continuité de la forte conductivité en même temps qu'une très forte section de passage de courant entre le collecteur du transistor T2 et la jonction base-émetteur du transistor T1, , ce qui permet d'obtenir une meilleure tension de saturation de l'ensemble, par rapport aux dispositifs connus.
Le dispositif représenté en coupe partielle sur la figure 5 et qui correspond au schéma de la figure 2 peut avoir une même configuration plane que le dispositif décrit précédemment et il présente de ce fait les mêmes avantages de structure interdigitée.
Cependant, l'émetteur du second transistor T4 a une structure différente,qui entraîne par ailleurs une différence de niveau entre les faces supérieures des deux transistors.
Le dispositif est réalisé sur un substrat 21 de silicium de type P+ comportant une couche épitaxiale 22 de type P de 10 um d'épaisseur et qui constitue le collecteur du transistor T3. La résistivité de la partie P+ du substrat est de 0,01 Sem et celle de la couche 22 de 8 Qcm. Les dimensions de substrat sont celles d'un carré de quelques millimètres de côté.
La base du transistor T3 et le collecteur du transistor T4 sont des portions 31 et 23 d'une coche épitaxiale de type N, d'épaisseur 8 pm et de résistivité 4 Qcm, déposée sur la couche 22.
L'émetteur du transistor T3 et la base du transistor T4 sont des portions 32 et 25 d'une couche épitaxiale de type P, d'épaisseur 2 pm, de résistivité 4 Qcm, déposée sur la couche précédente.
L'émetteur du transistor T3 comporte en outre une zone 33 diffusée localement dans la portion 32, de type P+, d'épaisseur 6 um et de résistance 9 S. par carré. Au-dessus de la portion 25, l'émetteur du transistor T4 est formé par une partie de couche épitaxiale 28 de type N d'épaisseur 5 um et de résistivité 3 Qcm et par une zone 27 localisée,diffusée dans la couche 28,ayant 3 um d'é#paisseur et de résistance 2 Q par carré. La base du transistor T4 comporte en outre une zone 29, diffusée localement jusqu'à atteindre la portion de couche 25. Cette zone 29 est fortement dopée de type P+ et sert à la prise de contact sur la base du transistor T4.
L'émetteur du transistor T3 et la base du transistor T4 sont interdigités et sont séparés par un sillon 30 et une zone diffusée 34 de type N+. L'émetteur du transistor T4 est isolé de la zone 34 par la zone de contact de base 29 qui suit un tracé parallèle à celui de la zone 34 et du sillon 30. Les doigts formés par ces traces sont imbriqués les uns dans les autres.
La zone 34 rejoint une couche enterrée 26 de type N+ qui est localisée à la partie inférieure de la couche 23 constituant le collecteur du transistor Tq et dont la géométrie est celle de la partie plane de la jonction base-collecteur du transistor T4.
Au centre du dispositif, une cavité 39 permet d'atteindre la partie plus dopée du substrat 21 sur laquelle esz pr-s un contact sur le collecteur du transistor TD, par l'intermédiaire d'une zone 24 de type P+ très fortement dcpée.
Le dispositif est recouvert d'une couche isolante d'oxyde 35 dans laquelle sont ouvertes des fenêtres de prise de ectrct. Les contacts sont pris au moyen de dépôts métalliques 36 pour l'émetteur du transistor T3, 37 pour la base du transistor m et 14 38 pour l'émetteur du transistor T4,-ce dernier dépôt assurant la liaison entre ce dernier émetteur et le collecteur du transistor T3. Un dépôt métallique 40 appliqué sur la face opposée Qu ,ubs- trat 21 permet de réaliser la connexion à la borne w du schéma de la figure 2.
L'émetteur du transistor TX et la base du transistor T4 sont interdigités et sont séparés par le sillon 30 et la zone diffusée 34. Les doigts formés par ces tracés, imbriqués les uns dans les autres peuvent être également disposés comme dans le dispositif de l'exemple précédent, autour d'un axe Y, au centre du dispositif occupé par la cavité 39. La couche enterrée 26 et la zone 34 suivent des tracés parallèles et il y a une continuité de la conductance avec une très forte section de passage de courant entre le collecteur du transistor T4 et la jonction base-émetteur du transistor T3, ce qui permet d'obtenir une bonne tension de saturation.
La figure 6 est le schéma d'un circuit dit push-pull symétrique comprenant un ensemble am#lif#cateur Darlingtcn NPN/PNP composé des transistors T5 et T7, d'un ensemble amr1-ificateur Darlington PNP/NPN composé des transistors T6 et T8 et de deux diodes D1 et D2. Les transistors de sortie des deux ensembles amplificateurs ont un collecteur commun. Ce circuit peut être réalisé au moyen d'un ensemble tel que celui qui a été décrit en regard des figures 3 et 4 et d'un ensemble tel que celui qui a été décrit en regard de la figure 5. Ce même circuit peut être réalisé également au moyen des ensembles qui vont être décrits maintenant en regard des figures 7, 8 et 9.
Les deux ensembles amplificateurs Darlington mixtes complémentaires dont les figures 8 et 9 sont des demi-coupes schématiques ont, vus en plan, la géométrie montrée sur la figure 7 qui peut représenter l'un ou l'autre de ces ensembles. Les conducteurs métalliques de connexion qui sont déposés sur la surface du dispositif et qui sont vus sur la figure 7, ayant le même tracé que les zones et régions sous-jacentes > on constate que le dispositif a une structure interdigitée. Bien que la structure interdigitée représentée ne comporte que le minimum de doigts soit deux doigts d'un côté, trois doigts de l'autre, il va de soi que le nombre de doigts interdigités peut être plus élevé. Le dispositif représenté présente un plan de symétrie 60, dans l'axe d'un doigt d'émetteur du transistor de sortie-.
Le dispositif représenté sur la figure 8 est réalisé à partir d'un substrat 41 de silicium de type N+ sur lequel est déposée une couche épitaxiale 42 de type N.
La base du transistor T8 et le collecteur du transistor T6 sont des portions d'une couche épitaxiale 43 de type P, déposée sur la couche 42. L'émetteur du transistor T8 et la base du transistor T6 sont des portions 44 et 49 d'une troisième couche épitaxiale, de type N déposée sur la couche 43. L'émetteur du transistor T8 comporte en outre une zone 45, diffusée localement dans la portion 44, de type N+. La base du transistor T6 comporte également une zone 51, diffusée localement dans la portion 49, de type N+, destinée à la prise de contact sur cette base.
L'émetteur du transistor T6 est une zone 50 de type P+ diffusée localement dans la zone 51 et qui est beaucoup plus dopée et moins profonde que cette dernière, par exemple la zone 51 a une résistance de 100 n par carré et une profondeur de 3 pm et la zone 50 a une résistance de 2 Q par carré et une profondeur de 2 pm.
L'émetteur du transistor T8 et la base du transistor T6 sont séparés par un sillon 53 dans le fond et les parois duquel on a diffusé une zone 46 de type P+. La zone 46 rejoint ainsi une couche enterrée 47 de type P+ également, qui est localisée sous la couche 43 à l'aplomb de la base du transistor T6. La géométrie de la couche localisée 47 est sensiblement celle de la partie plane de la jonction base-collecteur du transistor T6.