INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, ltétude de la mortalité permet également d1affir- mer l'effet bénéfique du traitement O % pour le lot traité à l'aide d'acide 3,3'-méthylènedihio-bis (2-amino propanolque) 13 % pour le lot traité à l'aide de S-carboxyméthyl-cystéine 27 % pour le lot de témoins bronchitiques Ces résultats sont confirmés par le fait qu'il n'a pas été possible de provoquer de mort par administration unique per os jus qutà 5 g/kg d'acide 3,3'-méthylènedithio-bis (2-amino propanolque) chez la souris alors que la S-carboxyméthyl-cystéine a une DL 50 de l'ordre de 3, 5 g/kg. L'activité mucolytique de l'acide 3,3'- méthylènedithio-bis (2-amino propanolque) est voisine, voire même supé rieure, de celle de SCMC.
Ces expérimentations très sévères démontrent l'activité mucolytique et régénératrice des tissus pulmonaires et bronchiques lésés par l'exposition au S02 et l'innocuité de l'acide 3,3'-mythélènedithio-bis (2-amino propanoique) qui est en conséquence un médicament de choix pour le traitement de la bronchite, de la toux et des affections pulmonaires en général et tout spécialement celles qui soit provoquées par des agressions dues à la pollution, au climat,ou des infections microbiennes ou virales. I1 peut être prescrit à l'enfant b des doses journalières allant de 50 à 1500 mg, et chez l'adulte de 50 à 3000 mg.
EXEMPLE II Toxicité aigus chez la souris L'administration d'acide 3,3' -méthylènedithio-bis (2-amino propanoique) par voie digestive à des souris SWISS NMRI mâles et fenelles n'a entraîné aucune létalité ni symptomatologie toxique pour des doses uniques de 1 à 10 grammes / kg.
Tout au plus, peut-on noter pour la dose la plus élevée (10 g/kg) une légère bradypnée et une sédation peu nette.
La dose létale DL50 per os est donc supérieure à lOg/kg pour la souris SWISS.
EXEMPLE III Toxicité sub-chronique chez le rat; Protocole d'essais On a administré per os à des rats mâles "WISTAR AF" d'un poids moyen de 175 g de l'acide 3,3'-méthylènedithio-bis (2-aminopropanoïque) pendant 1 mois à des doses respectives de 500 mg/kg / jour et de 100 mg/kg/ jour; chaque dose a été testée sur un lot de 10 rats, et à des fins de comparaison, on a fait également les ob servations indiquées ci-après sur un lot témoin de 10 rats.
On a observé que l'évolution pondérale des rats était pratiquement la même dans les trois lots ainsi que cela ressort clairement du Tableau II; il en était de même pour la létalité et le comportement.
Après le 32 jour de traitement, on a sacrifié les rats après 24 heures de jeûne et on procédé aux prélèvements des organes principaux et du sang.
L'analyse du sang, dont les résultats sont présentés dans le Tableau III, montre que l'acide 3,3'-méthylèneaithio-bis (2-aminopropanolque) n'est pas toxique.
EXEMPLE IV - Recherche des effets collatéraux Tous les essais ont été réalisés par voie buccale.
A la dose mucolytique chez le rat (soit 500 ig/kg per os) 1' acide 3,3'-méthylènedithio-bis (2-aminopropanoique) - ne modifie pas le comportement de la souris (méthode d'Irwin); - n'interfère pas avec divers réactifs du système nerveux central chez la souris (hypnotiques-convulsivants) - ne modifie pas les paramètres cardiuvasculaires du chat anesthésié au chloralose.
La figure 1 montre le principe de ba-e d'une machine d'assemblage de pneumatiques, dite à portique, fonctionnan avec un anneau de transfert 1. L'anneau de transfert peut êta déplacé suivant une voie de guidage 2 dans la direction de la flèche et il est coaxial à un tambour 4 de construction 'une -:nture de roulement et à un tambour 5 de bombement. Au tambour ; de bombement, sont associés des organes 6 ftenroulement > 'un type connu. Le tambour 4 de construction de ceinture de roulement peut aussi avoir une forme convenant pour la construction de la bande de roulement et le tambour de bombement 5 avoir une forme convenant pour la construction de la carcasse.
Dès qu'est montée sur le tambour 4 l'ébauche de ceinture ou ébauche de bande de roulement, l'anneau de transfert 1 équipé avec des tiges de lamelles pouvant être déplacées radialement est amené par dessus cette ébauche. Les lamelles .t-lt poussées radialement vers l'intérieur et elles enlvert l'ébauche de ceinture ou de bande de roulement du tambour 4 pour l'amener sur le tambour 5. C'est là que la carcasse est ensuive bombée dans l'ébauche.
Ensuite,. les disques 7 sont de nouveau tirés vers l'extérieur et l'anneau de transfert 1 est éloigné du ambour 5.
Les organes d'enroulement 6 enroulent l'ébauche de ceinture ou de bande de roulement sur la carcasse bombée.
Les figures 2 et 3 représentent l'anneau de transfert 1 au moyen d'une coupe diagonale et d'une vue en élévation aterale. A ses deux surfaces d'extrémité > l'anneau de transfert 1 a un anneau de base 8 qui est muni de rainures de guidage 9 disposées radialement. Dans ces rainures de guidage 9, peuvent se déplacer des guidages radiaux 10 quil à partir des lamelles 7, s'étendent radialement vers l'extérieur. Les guidages radiaux 7 portent des tiges Il faisant radialement saillie vers l'extérieur.
Dans la zone dans laquelle s'étendent les tiges 11, est supporté de chaque côté de l'anneau de base 8 un disque annulaire 1 qui est articulé avec deux axes 13 au moins et, de préférence, avec trois. Les disques annulaires 12 contiennent, réparties sur leur pourtour, des fentes de guidage 14 disposées obiquement par rapport au rayon ainsi que des fentes 15, disposées le long 'une circonférence commune. Dans les fentes 15. sont engagés les axes 13 qui permettent aux disques annulaires 12 d'exécuter un mouvement de rotation par rapport à l'anneau de base 8. Les fentes de guidage 14 sont disposées suivant un angle 16 par rapport au rayon des disques annulaires 12.Cet angle a une valeur qui est opportunément comprise entre 300 et 750 > mais de préference entre 550 et 65 .
Dans les fentes de guidage 149 font saillie les extrémités des tiges 11. Par l'intermédiaire d'une pièce d'assemblage rigide 17 au moins les disques annulaires sont assemblés entre eux. De ce fait, ils ne peuvent pas exécuter de mouvements relatifs l'un par rapport à autres ils peuvent seulement tourner en commun autour des axes 13.
Au moyen d'une console 299 est monté sur l'anneau de base 9 un vérin 18 pouvant être manoeuvré pneumatiquement ou hydrauliquement. Par l'intermédiaire de sa tige de piston 19, ce vérin 18 est articulé avec une articulation de la tige d'assemblage 17 et il fonctionne avec une course réglée d'une manière fixe. Sa position, rapportée au point d'articulation sur l'anneau de base 8, peut être réglée à l'aide d'une broche de réglage 20. La broche de réglage 20 est disposée vis à vis de la tige de piston 19 et elle est maintenue par la console 29. A l'aide du cylindre de travail 18, les disques annulaires 12 peuvent être réglés d'une manière correspondant à la flèche 31.
Anneau de transmission 1 est supporté au moyen de son anneau de base 8 par une console 30 et il peut être déplacé suivant la voie de guidage 2.
La figure 4 montre une lamelle 7 avec ses guidages radiaux 10 et avec les axes 11 allant en s'éloignant latéralement.
Sur les axes lls sont disposés des roulements à billes 27 ou des pièces de glissement 21. Ces moyens facilitent le mouvement des tiges 11 dans les fentes de guidage 14. La lamelle représentée 7 comporte en son milieu une cambrure 28 ou bien, comme le montre la figure 5, comporte une courbure 24S qui sont destinées à assurer un maintien correct de la pièce constitutive du pneumatique dans l'anneau de transfert 1. Etant donné que toutes les lamelles 7 sont adaptées an profil extérieur de la pièce constitutive du pneumatique, des inclusions d'airs par exemple entre l'ébauche de ceinture et de bande de }roulement ainsi que dans la surface bombée de la carcasse sont étées.
La figure 6 montre une vue en élévation latérale d'une lamelle 7 dont la face inférieure 22 est incurvée suivant un arc de circonférence 23. La face inférieure incurvée 22 de la lamelle 7 est en contact sur toute sa surface sous une pression superficielle uniforme ce qui empêche la formation de défauts indésirables tels que entailles, arêtes de pression, ou inclusions d'air.
La lamelle 7 représentée sur la figure 7 vient seulement en contact selon une zone médiane de bande 25, avec l'arc de circonférence 23 qui correspond au pourtour de la pièce constitutive du pneumatique.
Les vues en élévation latérale des lamelles 7, représentées sur la figure 8 montrent que ces lamelles peuvent être fabriquées à partir de profilés usuels du commerce tels que profilés en U, en L ou profilés ronds.
La figure 9 montre par une coupe diagonale partielle une variante d'un anneau de transfert. L'anneau de base 8 porte dans des rainures de guidage 9 les guidages radiaux 10 des lamelles 7. Contre les guidages radiaux 10, sont disposées des tiges à tête 26 qui, par l'intermédiaire de roulements à billes 27, sont engagées dans des fentes de guidage 14 des disques annulaires 12. Dans cette forme de réalisation, le disque annulaire 12 est disposé loin à l'extérieur de la zone de travail proprement dite des lamelles ; ii est ainsi créé une très bonne accessibilité à l'intérieur de l'anneau de transfert 1. En cas de pannes de fonctionnement produites par exemple par des bandes de corde bloquées, l'avantage indiqué est important pour permettre une intervention rapide ne se heurtant à aucune gêne.
On va expliquer maintenant le fonctionnement de l'anneau de transfert 1 précédemment décrit.
L'amplitude de la sortie logique du dispositif à semi-conducteur décrit ci-dessus est donnée par la différence entre les ten sions directes des première et seconde diodes. Cette différence de tension directe dépend du type des électrodes métalliques et de la surface de contact entre la région semi-conductrice et les d- lectrodes métalliques. Par exemple, si les électrodes 21, 22 sont en platine et les électrodes 23, 24 et 25 en titane, la différence de tension directe est de l'ordre de 200 mV pour obtenir une amplitude idéale de sortie logique. Par ailleurs, si la surface de contact entre laregion semi-conductrice et les électrodes métalliques est bien choisie, un seul type de métal d'électrodes peut suffire à cet effet. Il faut noter que l'aluminium constitue le métal de connexion préférable.
Une borne d'alimentation Ep et une borne de masse EN sont connectées respectivement aux électrodes 19 et 20. Les bornes de sortie Bt, R2 sont connectées respectivement aux électrodes 21, 22 et des bornes d'entrée Ai, A2 et A3 sont connectdes respects vement aux électrodes 23, 24 et 25. Une source d'alimentation positive est connectée aux bornes de sortie B1 et B2 par l'intermé- diaire d'une charge par exemple.
La figure 2 représente un circuit équivalent au dispositif a semi-conducteur de la figure 1. Les diodes D1, D2 et D3 sont des diodes de Schottky eonstituées chacune par la région isolée 12A et l'une des électrodes métalliques 23, 24 et 25. Les diodes D4 et D5 sont des diodes de Schottky constituée chacune par la région isolée 12A et l'une des électrodes métalliques 21, 22.
Le transistor TPl est un transistor PNP latéral constitué par les régions 15, 14 et 12A. Le transistor 92 est un transistor NPN vertical constitué par le substrat 11, les régions 12A, 17 et 18. La borne EN est connectée à la masse.
Dans le cas où une tension de 0,7 volts par exemple est appliquée à la borne d'alimentation Ep, et où les bornes d'entrée Ai, A2 et A3 sont toutes maintenues en circuit ouvert ou reçoi vent toutes une tension positive appropriée, supérieure à la tension seuil du transistor vertical, les trous injectés dans la ré gion de base 13 par la région d'émetteur 14 du transistor PNP latéral sont amenés dans la région de collecteur 12A, c'est à dire la région de base du transistor NPN vertical.En raison de la quantité excessive des trous injectés dans cette région de base 12A, des électrons sont injectés par la région d'émetteur 11 dans la région de base 12A. Autrement dit, le transistor NPN ver- tical est débloqué et le potentiel des bornes de sortie ni et 32 est égal à la tension de saturation entre le collecteur et l'émet- teur de ce transistor.
Si l'une au moins des bornes d'entrée Ai, A2 et A3 est amenée à un potentiel nul, le transistor NPN vertical fait apparaitre une tension positive aux bornes de sortie R1 et PZ. Si des circuits similaires au circuit de la figure 2. sont connectés en cascade, la valeur de cette tension positive est égale à une valeur de tension obtenue en retranchant la tension directe de la diode d'entrée de la tension directe entre l'émetteur et la base du transistor NPN vertical de l'étage suivant. Par conséquent, l'amplitude de sortie logique du dispositif à semi-conducteur de la figure 1 est égale à une valeur de tension obtenue en retranchant la tension directe de la seconde diode de la tension directe de la première diode.
Comme cela a été décrit ci-dessus, le dispositif à semi-conducteur de la figure 1 se comporte comme un circuit NtON-Ex à plusieurs entrées et plusieurs sorties qui, quand les entres sont toutes au niveau " 1 'I, délivre un signal de sortie " 0 " et qui délivre un signal de sortie n 1 n quand l'une au moins des entrées est au niveau " 0 ".
Quand le transistor N@N vertical passe à l'état saturé, la première diode limite la tension à laquelle la jonction base-collecteur du transistor est polarisée dans le sens direct, ce qui évite que des porteurs minoritaires staccumulentde façon excessi- ve dans les régions de collecteur et de base, ce qui augmente considérablement la vitesse de fonctionnement de l'élément. En outre, dans le présent mode de réalisation, le transistor latéral peut être formé de manière que la largeur de sa base soit extrêmement réduite et, grâce à la distribution de concentration en impuretés de chaque région, un champ d'accélération est appliqué aux porteurs injectés, ce qui améliore considérablement le rendement dtinjection et le rendement du transfert des porteurs.Pour cette raison, un facteur d'amplification d'intensité élevé est obtenu dans une large plage d'intensités, ce qui diminue considérablement la dissi- pation d'énergie par le circuit logique. En outre, puisque le transistor vertical utilisant le substrat lt comme région d'émetteur fonctionne en inverseur, il est possible d'obtenir un facteur d'amplification en intensité élevé ainsi qu'un important produit du gain par la largeur de bande.
La figure 3 illustre un autre mode-de réalisation de l'invention. Le dispositif à semi-conducteur de la figure 3 présente pratiquement la même structure que le dispositif de la figure 1, à l'exception près de la région de collecteur du transistor vertical.
Dans ce dispositif, des régions 27, 28 de conductibilité du type N dont la concentration superficielle en impuretés est comprise par exemple entre 1016 et in17 atomes/cm3, sont formées dans la région isolée 12A. Des régions 29, 30 de conductibilité du type N+ sont formées de manière à être connectées respectivement aux régions 27 et 28. En outre, une région 33 de conductibilité du type P+ est formée dans la région isolée 12A. Des électrodes métalliques 31, 32 sont connectées aux régions 29, 30 et une électrode métallique 34 est connectée aux régions 27, 28 et 33. Les parties connectées entre les électrodes 34 et les régions 27 28 forment des diodes de Schottky.
Le circuitkquivalent au dispositif à semi-conducteur de la figure 3 est similaire au circuit de la figure 2.
De même que le dispositif de la figure 1, le dispositif à semi-conducteur de la figure 3 peut fonctionner comme un circuit NON-##, et ses effets sont similaires.
La figure 4 illustre un autre mode de réalisation de l'invention. Dans ce dispositif, une région 40 de conductibilité du type N- constituant la région de collecteur du transistor vertical est formée dans une surface de la région isolée 12A. Des électro- des métalliques 41, 42 et 43 sont formées dans la région 40 de manière à lui etre connectées, et les parties connectées entre les régions 40 et les électrodes métalliques 41, 42 et 43 forment des diodes Schottky de sortie. Des bornes de sortie B3, B4 et B5 sont connectées respectivement aux électrodes métalliques 41, 42 et 43.
Une région 44 de conductibilité du type P+ est également formée dans la région isolée 12A et une électrode métallique 45 est formée dans cette région 44 de manière à lui être connectée. Cette électrode 45 est également connectée à la région de collecteur 40 pour former une diode de Schottky. Une borne d'entrée AO est connectée à l'électrode métallique 45.
La figure 5 reprdsente un circuit équivalent au dispositif à semi-conducteur de la figure 4. La diode D6 est une diode de Schottky constituée par la partie connectée entre la région 40 et l'électrode métallique 45 et elle fonctionne comme une diode de fixation de niveau. Les diodes D7, D8 et D9 sont des diodes de Schottky de sortie constituées par les parties connectées entre la région 40 et les électrodes métalliques 41, 42 et 43.
Ce dispositif à semi-conducteur peut fonctionner en inverseur à sorties multiples et ses effets sont similaires à ceux qui peuvent être obtenus avec le dispositif de la figure 1.
Analyse : RMN # ppm (CCl4): 6,22 (d, 0,5H), 5,56 (d, 0,5 H), 4,05 (b.q., 2H), 2,35-1,05 (n, 11H).
IR (cm@@) 3060, 1790, 1615, 1230, 1182, 1145, 1120, 1C87, 925, 860, 817, 790, 765, 702, 650.
EXEMPLE 4 Synthèse du 2-(bêta,bêta-dibromovinyl)-3,3-diméthyl cyclopropanecarboxylate d'éthyle A. Addition du tétrabromure de carbone au 3,3-diméthyl-4penténoate d'éthyle On a ajouté 50 mg d'azobisisobutyronitrile à un mélange de 1,56 g (0,01 mole) de 3,3-diméthyl-4-penténoate d'éthyle et 3,32 g (0,01 mole) de tétrabromure de carbone. On a chauffé lemélange pendant 5 heures à 120 C sous une atmosphère d'argon. On a ensuite laissé le mélange se refroidir et on l'a purifié par chromatographie sur colonne en utilisant une colonne de gel do silice et un mélange 1:1 de benzène et d'hexane en tant que solvant éluant. La concentration de l'éluant a donné 3 g (remdement de 60 %) de 4,6,6,6-tétrabromo-3,3-diméthylhexanoate d'éthyle.
Analyse Calculé pour C10H16Br4O2 (%): C, 24,62; H, 3,31; Br, 65,51; Trouvé : C, 24,87; H, 3,25; Br, 65,60.
RMN # ppm (CCl4): 4,35 (q, 1H), 4,07 (q, 2H), 3,55 (m, 2H), 2,43 (q, 2H), 1,40-1,15 (m, 9H).
B. Cyclisation et déshydrobromation simultanées On a ajouté, goutte à goutte, à 1,46 g de 4,6,6,6-tétrabromo-3,3-diméthylhexanoate d'éthyle dans 16 ml d'éthanol absolu, 5 ml d'une solution éthanolique contenant 0,62 g d'éthylate de sodium. On a refroidi le mélange dans de la glace durant toute l'addition. On a réchauffé le mélange à la température ambiante et on 'a agité pendant 6 heures. On a ajouté 2,5 mi supplémentaires d'é- thylate de sodium éthanolique (environ 0,3 g) et on a agité le mélange pendant 12 heures supplémentaires. On a ensuite versé le mélange dans de l'eau glacée et on Ita épuisé par de l'éther éthyle lique.On a séché la solution éthérée sur du sulfate de magnésium et on l'a distillée, ce qui a donné 0,77 g (rendement de -79 %) de 2-(bêta,bêta-dibromoyinyl)-3,3-diméthylcyclopropanecarboxylate d'éthyle, (Eb=98-101 C / 0,4 mm).
Analyse: Calculé pour C10H14Br2O2(%):C,36,84; H,4,33; Br,49,02; Trouvé : C,37,07; H,4,40; Br,49,27.
RMN # ppm (CCl4): 6,12 (d, 1H), 4,08 (q, 2H), 2,20-1,40 (m, 2H), 1,37-1,10 (m, 9H).
EXEMPLE 5 Synthèse du 3,3-diméthyl-4-penténcate d'éthyle A. Avec le phénol comme catalyseur On a chauffé un mélange de 43 g (0,5 mole) de 3-méthyl-2butèn-1-ol, 97 g (0,6 mole) d'orthoacétate d'éthyle et 7,0 g (0,075 mole) de phénol à une température comprise entre 13500 et 140 C avec agitation pendant 9 à 10 heures. On a distillé l'étha- nol du mélange, à mesure que se poursuivait la réaction. Lorsque le dégagement d'éthanol a cessé, on a arrêté le chauffage et on a laissé le mélange refroidir a la température ambiante. On a ensuite dissous le mélange dans de l'éther éthylique et on a traite la solution éthérée par de l'acide chlorhydrique 1N, en vue de décomposer l'orthoacétate d'éthyle inaltéré. On a ensuite lavé la solution éthérée successivement avec une solution aqueuse saturée de bicarbonate de sodium et avec de l'eau, après quoi on a séché sur du sulfate de magnésium. On a concentré la solution séchée et on l'a distillée. sous pression réduite, ce qui a donné 60,8 g (rendement de 78 %) de 3,3-diméthyl-4-penténoate d'éthyle, (Eb = 57-60 C/11 mm).
Analyse : RMN # ppm (CCl4) : 6,15-5,60 (d.d, 1H), 5,15-4,68 (m, 2H), 4,02 (q, 2H); 2,19 (s, 2H), 1,45-1,05 (m, 9H).
IR (cm-1): 3090, 1740, 1640, 1370, 1240, 1120, 1030, 995, 910.
B. Avec d'autres catalyseurs On a égaloment utilisé avec succès les catalyseurs suivants pour la préparation du 3,3-diméthyl-4-penténoate d'éthyle aux moyen des procédés illustrés aux Exemples 1-A et 5-A: l'acide borique, l'acide phosphonique, l'acide isobutyrique, l'acétate mercurique et l'hydroquinone.
C. Sans catalyseur On a chauffé avec agitation un mélange de 4,3 g de 3-méthyl- 2-butèn-1-ol et de 8,1 g d'orthoacétate d'éthyle. On a porté la température lentement depuis la température ambiante jusqu'à 165 C sur une durée de 2 heures, durée au cours de laquelle on a recueilli 2,21 g d'éthanol. On a maintenu la température å 155 C pendant une durée de 26 heures, durée au cours de laquelle on a recueilli 1,52 g supplémentaire d'éthanol. On a ensuite laissé le mélange réactionnel se refroidir et on l'a dilué avec de l'é- ther éthylique.On a lavé la solution éthérée successivement avec de l'acide chlorhydrique dilué, une solution aqueuse saurée de bicarbonate de sodium et une solution aqueuse saturée de chlorure de sodium. On a séché la solution lavée sur du sulfate de magné- sium et-on l'a distillée, ce qui a donné 4,03 g (rendement de 52 %) de 3,3-diméthyl-4-penténoate d'éthyle, (Eb=80-85 C/52 mm).
D. En passant par le 1,1-diéthoxy-1-(3-néthyl-2-butène-1yloxy) éthanc (intermédiaire W).
1. Préparation du 1,1-diéthoxy-1-(3-méthyl-2-butène-1yloxy)éthane On a chauffé avec agitation un mélange de 4,3 g de 3-méthyl 2-butèn-1-ol et 16,2 g d'orthoacétate d'éthyle. -On a porté la température lentement sur une durée de 2 heures, jusqu'à 120 C, durée au cours de laquelle il s'est dégagé et on a éliminé 1,8 g d'éthanol. On a poursuivi le chauffage à 120 C pendant 30 minutes et on a ensuite distillé le mélange réactionnel, ce qui a après élimination de 8,5 g d'orthoacétate d'éthyle inaltéré, (@ 50-65 C/57 mm), 4,25 g de 1,1-diéthoxy-1-(3-méthyl-2-butèn-1yloxy) éthane, (Eb = 75-76 C/6 mm).
Avec ce procédé, on se heurte à plusieurs difficultés, et, parmi elles, notamment celle des dimensions du dessin initial qui deviennent de plus en plus imposantes au fur et à mesure qu'augmente le degré dtintégration. D'autre part on se --trouve également limité par le champ des optiques de photoréduction auxquelles on demande également une résolution de plus en plus élevée au fur et à mesure qu'augmente la densité des motifs à reproduire.
Pour éviter ces difficultés, selon un autre procédé de l'art connu, on part de dessins à grande échelle de parties seulement du motif, celui-ci étant décomposé en surfaces partielles que lton accole ensuite pour constituer le masque définitif. Ce procédé se heurte à une autre série de difficultés, parmi lesquelles d'abord le grand nombre de clichés photographiques intermédiaires à réaliser; on notera, pour en apprécier le nombre, qu'un jeu de masques est constitué de plusieurs niveaux superposés ; pour chacun d'eux devra être prévu, suivant les cas, un nombre plus ou moins grand de surfaces partielles et, pour un masque à huit niveaux destiné à l'obtention d'un dispositif à très forte densité d'intégration de 300 mm2 de surface, le nombre total de plaques photographiques intermédiaires à l'échelle 10/: avoisinera facilement la centaine.
Ensuite, intervient la difficulté du raccordement des photographies partielles du fait des défauts, la distorsion notamment, présentés par celles-ci à leur périphérie, résultant elles#meAmes des imperfec- tions inhérentes aux systèmes optiques utilisés. Toute erreur notable dans l'un des raccordements entraine le rejet de 1' ensemble.
Selon un autre procédé de l'art connu, on évite certaines de ces difficultés en traçant les dessins directement à une première échelle relativement réduite de io/i, au lieu de 200/1 de l'exemple considéré précédemment; la finesse nécessaire du dessin oblige alors à l'emploi de machines conteuses.