REVENDICATIONS l - Dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductibilité, une couche semi-conductrice d'un second type de conductibilité, opposé au premier, formée sur le substrat semiconducteur, une première région du premier type de conductiblité pénétrant dans le substrat semi-conducteur et entourant une partie de la couche semi-conductrice en formant une région, isolée dans cette couche, une seconde région du second type de conductibilité formée dans la première région, au moins une troisième région du premier type de conductiblité formée dans une surface de la région isolée, et au moins une diode formée dans cette région isolée, dont une extrémité est connectée a la région isolée et dont l'autre extrémité est connectée à la troisième région, de manière que la seconde région, la première région et la région isolée forment un premier transistor et que le substrat, la région isolée et la troisième région forment un second transistor. 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite diode est une diode Schottky constituée par une partie connectée entre la région isolée du second type de conducti bilité et une région métallique formée de manière à etre connectée à la région isolée et à la troisième région du premier type de conductibilité. 3 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une région métallique connectée à la région isolée du second type de conductibilité, en formant une iode Schottky avec la région isolée dans la partie connectée avec cette dernière. 4 - Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le second type de conductibilité est le type P. 5 - Dispositif selon la revendication l, caractérisé en ce que le premier type de conductibilité#est le type N, ce dispositif comportant en outre une quatrième région de conductibilité du type N formée dans la couche semi-conductrice de manière à pe nétrer dans le substrat semi-conducteur. 6 - Dispositif selon la revendication I, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une cinquième région du second type de conductibilité formée dans la région isolée du second type de conductibilité, et une sixième région du premier type de conductibilité formée dans la région isolée de manière à être connectée électriquement à la troisième région, ladite diode consistant en une diode Schottky constituée par une partie connectée entre la troisième région et une région métallique formée sur l'ensemble des troisième et quatrième régions. 7 - Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une région métallique connectée à la région isolée du second type de conductibilité de manière à former une diode Schottky avec la région isolée, au niveau d'une partie connectée à la région isolée. 8 - Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que le second type de conductibilité est le type P. 9 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qutil comporte en outre une cinquième région du second type de conductibilité formée dans la région isolée du second type de conductibilité, ladite diode consistant en une diode Schottky constituée par une partie connectée entre la troisième région et une région métallique formée sur l'ensemble des troisième et cin quième régions. 10 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une région métallique connectée à la troisième région du premier type de conductibilité de manière à former une diode Schottky avec la troisième région, au niveau d'une partie connectée à cette troisième région. Il - Dispositif selon-la revendication 10, caractérisé en ce que le premier type de conductibilité est le type N. 12 - Circuit à semi-conducteur utilisant un dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une borne d'entrée, un premier transistor comprenant un collecteur connecté à la borne d'entrée et un émetteur connecté à une source d'alimentation, un second transistor comprenant une base connectée au collecteur du premier transistor, un émetteur connecté à la base du premier transistor et au moins un collecteur, le circuit comprenant en outre au moins une première diode connectée entre le collecteur de la base du second transistor, le nombre des diodes étant égal au nombre des collecteurs du second transistor, et au moins une borne de sortie étant connectée au collecteur du second transistor. 13 - Circuit selon la revendication 12, caractérisé en ce que le premier transistor est un transistor PNP, le second transistor est un transistor NPN, la première diode comporte une anode connectée a la base du second transistor et une cathode con nectée au collecteur du second transistor, le circuit comportant en outre au moins une seconde diode dont l'anode est connectée a la borne d'entrée et dont la cathode est connectée a la base du second transistor. 14 - Circuit selon la revendication 12, caractérisé en ce que le premier transistor est un transistor PNP, le second transistor est un transistor NPN, la première diode comporte une anode connectée a la base du second transistor et une cathode con nectée au collecteur du second transistor, le circuit comportant en outre au moins une troisième diode dont l'anode est connectée à la borne de sortie et dont la cathode est connectée au collecteur du second transistor.