INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A ce stade joue le nécessaire mécanisme de la sélection des chocs. En effet, il faut éviter le déclenchement de la minuterie pour tous mouvements intempestifs, ou de légers chocs0 Ce filtrage est obtenu par un dimensionnement du ressort 5 et un choix du rapport des bras de levier du culbuteur 6, tels que seulement au-delà d'une certaine valeur de l'effort de traction, le mouvement de la glissière 7 contre l'action du ressort 5 soit permis.
Dans l'hypothèse d'un choc violent, c'est-à-dire d'un choc causant une force de traction supérieure à une valeur pré- déterminée par le constructeur, la glissière 7 se déplace dans le sens de la flèche f (figure 2), entraînant par sa saillie dtentrai- nement extérieure 31 la rotation du bras 33 du levier 32. Cette rotation par le second bras 8 du levier 32, cause le désencliquetage du levier 30 qui, libéré et soumis à l'action du ressort de torsion 12, pivote autour de son axe dans la position représentée en traits interrompus sur la figure 2.
En pivotant, il libère la butée 9 provoquant ainsi la rotation, sous l'action du ressort de torsion 11, de la roue 10, et par suite de la roue 21 qui lui est solidaire.
La roue dentée 21 est composée de deux secteurs de rayons différents et coopère par son secteur 21 avec l'engrenage galopin 22 du levier 20. Lorsque, par la rotation de 21, ltengre- nage galopin 22 vient à quitter le secteur denté de plus grand diamètre, le levier 20 bascule autour de son centre de rotation 23 et ltextrémité de ce bras de levier 20 libère la biellette 26 sur laquelle elle stappuyait. Sous l'effet de la force du ressort 16, comprimé, constamment appliqué à organe de blocage 18 par l'intermédiaire de la barre de fermeture 2 et du galet 4, l'organe de blocage 18 fonctionne en "genouillère", c'est-à-dire que les deux biellettes tournent lune sur l'autre autour de leur axe commun 29, l'axe 19 de la seconde biellette étant fixe.Cela a pour résultat de provoquer le retrait du coulisseau 17 et, le galet soumis à la pression d'éjection du ressort 16, pénètre dans l'es- pace créé par le retrait du coulisseau 17, désolidarisant ainsi la barre de fermeture 2 de la glissière 7. La barre 2 sous l'action du ressort 16 est éjectée hors de l'appareil ouvrant ainsi la ceinture.
L'amplitude des déplacements de la glissière 7 est limitée par la saillie extérieure 34 de la glissière qui vient buter contre une partie fixe 14 liée à la semelle de l'appareil. Ainsi, lors d'un violent choc, cette partie fixe 14 reçoit tout l'effort transmis, libérant les différents rouages de l'appareil de la transmission de l'effort, ce qui dans le cas contraire présenterait évidemment le plus grand danger pour leur fonctionnement, et empêcherait le contrôle très efficace du déclic de la ceinture par la minuterie.
La distance entre la saillie 34 de la glissière et la partie fixe 14 liée à la semelle est seulement de l'ordre de quelques millimètres, et de préférence voisine de 3 mm. Ainsi, lors du fonctionnement de l'appareil, la ceinture n'est détendue que de quelques millimètres.
La présente invention a pour objet un nouveau système de coffrage pour l'exécution rapide de structures en béton. Ces coffrages sont de préférence métalliques.- Ils comportent un ensemble d'éléments comportant des panneaux métalliques, dûment assemblés permettant le bétonnage rapide de la structure d'un étage ou partie de celle-ci; c'est-à-dire qu'ils permettent l'exécution simultanée de piliers, planchers, poutures, murs et, le cas échéant, de façades; ces coffrages peuvent s'appliquer à d'innombrables édifices, logements, hangars industriels etc .....
Actuellement, pour réaliser les structures de béton, on emploie en général des coffrages de bois ou bien métalliques de dimensions relativement petites, ce qui exige l'exécution de ces structures en diverses phases, avec une nombreuse main-d'oeuvre.- L'exécution classique, dans ces cas, se divise en : une première phase de décoffrage, bétonnage et décoffrage postérieur de piliers, et une deuxième phase de coffrage de poutres et plancher, leur bétonnage et finalement leur décoffrage. Ces opérations sont longues et onéreuses. Ces inconvénients, sommairement décrits, ont induit à développer la présente invention qui est décrite ci-après. L'ensemble de base du nouveau système est ci-après dénommé "demiportique". Deux demi-portiques face à face constituent une section de portique complet.Chacun des demi-portiques est formé essentiellement par un coffrage de pilier articulé, pour permettre démoulage et déplacement, et un coffrage horizontal destiné à la coulée des parties horizontales de la structure en béton, ledit coffrage horizontal étant prévu avec ou sans partie saillante pour poutre, uni au coffrage de pilier.Ces deux demi-portiques sont unis temporairement entre eux, pour la coulée du béton, par les bords frontaux des panneaux horizontaux et, à leur tour, chaque portique est uni aux demi-portiques contigus par les bords latéraux de ses panneaux horizontaux; à leur partie inférieure, les coffrages de demi-portique comportent, en outre, un profilé métallique ci-après dénomné "poutre de rigidité" qui donne de la raideur à ensemble et qui sert au montage de systèmes de nivellement, transport et stabilité.Pour l'exécution de façades, on utilise des panneaux métalliques ayant des formes et dimensions telles qu'ils s'adaptent au reste du système. L'utilisation de ces demi-portiques convenablement assemblés entre eux, permet de couler simultanément des parties de la structure en béton correspondant à plusieurs piliers successifs d'une même rangée, ou de deux ou plusieurs rangées voisines. Les demi-portiques ainsi assemblés constituent des ensembles rigides, montés sur roues et déplaçables en vue de la coulée successive, de proche en proche pour chaque niveau de diverses parties de la structure à réaliser. Ce nouveau système de coffrage, en comparaison avec les systèmes traditionnels pour la réalisation des structures de béton, apporte les avantages suivants Une exécution rapide et simultanée d'une partie ou de la totalité de la structure d'un étage.
Une économie, en raison d'un moindre emploi de main d'oeuvre, que dans l'exécution par des procédés traditionnel s. - Un plus grand monolithisme et plus grande précision dans les ouvrages.
Des possibilités de combinaison avec des systèmes de coffrage tunnel, avec la nécessité, dans ce cas, d'unifier les systèmes de fermeture.- L'adoption pour la réalisation des murs de façade de béton des panneaux de coffrage de dimensions et formes telles qu'ils permettent une grande simplification. - La possibilité de fixation sur les panneaux en question de différents type de pièces de décoration, dalles céramiques, revêtements etc .....
On donnera plus loin une description détaillée du système dont il est question, avec référence aux dessins annexés, oà l'on représente, à simple titre d'exemple, non limitatif, une forme préférentielle de réalisation, susceptible de toutes les variations de détail qui ne supposent pas une altération fondamentale des caractéristiques essentielles de celui-ci. Dans ces dessins La figure 1 est une perspective frontale d'un assemblage de demiportique (structure avec poutres et piliers). La figure 2 est une perspective frontale d'une section de portique formée de deux demi-portiques assemblés (structure sans poutre ). La figure 3 est une élévation-coupe transversale par rapport aux lignes de piliers (structure avec poutres et piliers) de deux demi-portiques assemblés.
La figure 4 est une élévation-coupe par un plan vertical parallèle à une ligne de piliers d'un demi-portique (structure avec poutres et piliers).
La figure 5 est une vue en élévation-coupe par un plan vertical parallèle à une ligne de piliers d'un demi-portique intéressant une façade. La figure 6 est une élévation-coupe transversale par rapport aux lignes de piliers (structure avec poutres) avec élément de coffrage de plancher intermédiaire. - La figure 7 est une élévation-coupe par un plan vertical parallèle à une ligne de piliers de plusieurs demi-portiques successifs assemblés (structure sans poutre ). La figure 8 est une coupe horizontale d'un coffrage de pilier.- La figure 9 est une coupe horizontale d'une variante de coffrage de pilier. - La figure 10 est une élévation latérale d'une des pièces de charnière de coffrage de pilier avec sa goupille incorporée. - La figure Il est une élévation frontale correspondante. La figure 12 est une vue en coupe horizontale partielle du coffrage d'un pilier de façade. La figure 13 est une vue en élévation de la partie supérieure du coffrage d'un pilier de façade.
La figure 14 est une vue en coupe horizontale partielle d'une variante du coffrage d'un pilier de façade. La figure 15 est une vue en élévation-coupe verticale suivant un plan parallèle à une ligne de piliers, d'une variante de coffrage d'un pilier de façade. - La figure 16 est une vue en élévation latérale d'un coffrage de poutre.
Ils ont les formes appropriées à chaque cas et on peut même incorporer à leurs faces intérieures des moules 32 (figure 8) qui permettent d'obtenir diverses formes de section de piliers, ou bien les diminuer en les adaptant aux mesures qui conviennent. Ces panneaux matérialisent les faces d'un pilier pour structures en béton.Dans le cas particulier de piliers sur lesquels repose une poutre les coffrages de piliers sont composés de deux faces principales 20 parallèles à la ligne de piliers et sur lesquels reposent les faces latérales du coffrage de la poutre, et de deux faces 20a perpendiculaires aux faces principales, et qui sont munies d'un système pivotant 14 (figure 3) qui permet la rotation de la partie supérieure pour faciliter le décoffrage. Ils sont construits en tole d'acier, renforcée par des profils métalliques soudés à elle, aussi bien en sens vertical qu'en sens horizontal. La réunion des quatre panneaux, ou plus, pour former le coffrage de pilier, se fait grâce à des dispositifs d'assemblage répartis au long de leur hauteur représentés aux figures 8, 9, 12, qui permettent une fermeture hermétique, assurent que les faces des panneaux contigus forment l'angle précis voulu et même que deux ou plus de ces dispositifs d'assemblage 15 (figure 3) pivotent sur les panneaux contigus pour permettre le décoffrage du pilier.
Nous avons découvert qu'il était possible d'annuler totalement l'activité catalytique des supports de chromatographie constitués de silice renfermant des quantités d'alumine comprises entre 0,1 et 98 % poids, en empoisonnant les sites catalytiques que présentent ces supports par chimisorption irréversible de composés à caractère basique, tels que la quinoléine,l'acridine, la pyridine, etc... Cette liste n'est pas limitative et les caractéristiques générales des poisons utilisables seront décrites ultérieurement dans le texte.
Le procédé, objet de la présente invention, se distingue des procédés de lavage ou de dépôt de soude ou de potasse sur le support, par le fait que les poisons des sites catalytiques se chimisorbent irréversiblement sur ces sites, ce qui permet de masquer totalement ces sites sans laisser aucun excès de poison sur le support.
Les poisons utilisables pour éliminer l'activité catalytique des supports de chromatographie sont des composés basiques. Ce terme regroupe à la fois les bases dites de Lewis, c'est-à-dire des composés susceptibles d'engager un doublet électronique dans une liaison chimique, et les bases dites de Prönsted, ctest-à-dire des composés à caractère nucléophile ou accepteur de protons.
Parmi l'ensemble des bases utilisables, un effet remarquable est obtenu avec des composés qui présentent un atome d'azote dans leur structure. Parmi ces composés, on peut citer à titre d'exemple non limitatif - l'ensemble des composés de la famille des amines, - l'ensemble des composés à fonction ammonium quaternaire, - la pyridine et l'ensemble de ses dérivés, - la quinoléine et l'ensemble de ses dérivés, - l'orthophénantroline et l'ensemble de ses dérivés, etc...
Le procédé de chimisôrption des composés ci-dessus sur les supports de chromatographie consiste à mettre en contact lesdits supports avec l'un quelconque des ces composés. La mise en contact peut se faire à l'état liquide, c'est-à-dire par n'importe quel moyen qui permet à la base organique à l'état liquide d'àrri- ver au contact de toute la surface du solide.On peut citer parmi ces moyens, à titre d'exemple non limitatif - l'agitation du support de chromatographie dans un récipient contenant la base organique à l'état liquide, - la percolation périodique ou continue de la base organique à l'état liquide, à travers un lit fixe de support de chromatograpie, - le chauffage à reflux du support de chromatographie dans la base organique liquide, - l'évaporation à sec du support de chromatographie disposé dans un récipient contenant la base organique.
Dans l'ensemble des procédés dits à l'état liquide, la base organique peut 8trie mise en oeuvre soit à l'état pur, soit en solution dans un solvant approrié.
La mise en contact peut également 8tre réalisée à l'état gazeux, c'est-à-dire par n'importe quel moyen qui permet à la base organique à l'état de vapeur d'arriver au contact de toute la surface du solide. La vapeur de base organique peut être pure ou mélangée à un gaz ou une autre vapeur. On peut citer parmi ces moyens à titre d'exemple non limitatif - le passage de la vapeur de base organique sur un lit fixe de support de chromatographie, ce passage-pouvant etre soit continu, soit discontinu, - le passage périodique ou continu d'un mélange de vapeur de base organique et d'un gaz tel que l'azote, l'hydrogène, l'argon, l'hélium, etc... sur un lit fixe de support de chromatographie etc...
Les procédés présentés ci-dessus, qu'ils soient à l'état liquide ou à l'état gazeux, peuvent être mis en oeuvre à une température comprise entre la température ambiante et. la température à laquelle la base organique utilisée n'est plus stable thermiquement. Il est préférable en général d'opérer à une température supérieure ou égale à la température maximale à laquelle on utilisable support de chromatographie dans le procédé de chromatographie.
Dans le cas des procédés à l'état liquide, il est nécessaire de sécher le support avant de l'utiliser en chromatographie. Ce séchage est réalisé sous atmosphère inerte à une température supérieure à la température maximale d'utilisation du support dans le procédé de chromatographie.
La pression à laquelle les procédés de chimisarption des bases organiques sont mis en oeuvre peut être fixée à n'importe quelle valeur dans la limite de stabilité de la base à la température où on opère. Compte tenu de la porosité de la majeure partie des supports de chromatographie, il est souvent préférable de réaliser la chimisorption sous une pression supérieure à la pression atmosphérique de façon à faciliter la diffusion de la base organique à l'intérieur des pores du support.
Les procédés de chimisorption présentés ci-avant peuvent être mis en oeuvre en utilisant une seule base organique ou un mélange de deux ou plusieurs bases de structure chimique différente.
Pour utiliser les supports traités par l'un quelconque des procédés ci-dessus, en chromatographie gaz-liquide, il est nécessaire de les imprégner d'une phase stationnaire.
L'imprégnation des supports de chromatographie par la phase stationnaire peut être réalisée indifféremment soit avant, soit après l'un quelconque des procédésde chimisorption décrits ci-dessus. Pour ce qui concerne les procédés de chimisorption en phase liquide, il est préférable, mais non exclusif de réaliser l'imprégnation du support après y avoir chimisorbé la base organique, afin d'éviter une éventuelle dissolution de la phase stationnaire dans la base organique, pendant le procédé de chimisorption.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux après la description qui suit, d'exemples de traitement donnés à titre explicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées sur lesquelles on a représenté - sur la figure 1, les variations de ltefficacité d'une colonne de chromatographie avec la vitesse du gaz vecteur.
Exemple 1 Une colonne de chromatographie ( = 1/8" L = 1,50 m) est garnie de Chromosorb P NAW "(Non Acid Washed)" imprégné à 20 % de carbowax 20 M.
Cette colonne est portée à 1700C dans le four d'un chromatographe analytique. On analyse sur cette colonne un mélange de 30 % en poids de Nérol et de 70 % en poids de Géraniol.
Bien que dans le mode de réalisation de l'invention décrit, les plateaux tombent sur le convoyeur 30 d'évacuation dans une position horizontale, il est quelquefois avantageux que les plateaux soient déposés à un poste de réception dans une position de travail différente, par exemple la position sensi blement verticale qui est nécessairefpour le fonctionnement de l'appareil de lavage décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique NO 3 583 414. Pour modifier l'appareil décrit et permettre aux plateaux autre déchargés dans une position sensiblement verticale, le pignon 122 qui comprend dix-neuf dents est remplacé par un pignon comprenant treize dents et le pignon 124 qui comprend douze dents est remplacé par un pignon comprenant dix-huit dents.La barre 119 est remplacée par une barre plus courte et le collier 177 est disposé plus à l'intérieur sur la tige 170 ou celle-ci est remplacée par une tige plus courte, On voit, d'après la description ci-dessus, que ltap pareil décrit est destiné particulièrement à la manipulation dtune pile élastique de plateaux dont les positions sont imprécises dans un mécanisme d'avance. L'appareil serre le plateau supérieur, en des points situés à l'intérieur de ses bords latéraux, au moyen de doigts à réglage automatique qui libèrent le plateau retiré, à un poste de travail voulu, par leur ouverture. L'avance des plateaux vers le haut produite par le mécanisme est réglée de façon qu'ils occupent une position leur permettant autre serrés par les doigts.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent titre apportées à l'appareil décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention.
La présente invention concerne des polyorganosiloxanes et plus précisément, des polyorganosiloxanes cyclolineaires ainsi que leur procédé de préparation.
Des polymères appartenant à ladite classe de composes sont connus et leurs différents homologues sont protFgés par plusieurs brevets.
Ces polysilozanes ont trouvé des applications dans l'industrie aussi bien pour la formation de pellicules protectrices que pour la fabrication d'objets par formage sous pression. En outre, en partant de ces polyorganosiloxanes1 il est possible de creer des compositions utilisées comme revêtements protégeant des objets contre les intempéries présentant des caractéristiques hydrophobes, stables à la chaleur, etc...
On sait déjà que la synthèse des polyorganosiloxanes cycloli ne aires peut être réalisée aussi bien à partir de produits de polycondensation hydrolytique (voir le schéma I ci-après), qu'à partir d'octaphénylsilsesquioxane en échelle (le nom de silsesquioxane correspond à la proportion de 1,5 atome d'oxygène pour 1 atome de silicium) (voir le scheida II, ci-après).
On connatt en outre un procédé de préparation de polysiloxanes ayant un degré de polymérisation # # 25, qui grâce à leur faible masse moléculaire, peuvent être soumis à des modifications chimiques variées. A cet effet, on effectue une restructuration d'un haut polymère en présence d'eau, de pipéridine ou de diazo-1 ,4-bicyclo- (2,2,2) octène à titre de catalyseur, au sein de tétrahydrofurane en un polymère de faible masse moléculaire (un oligomère).
On connaît des polyorganosiloxanes cyclolinéaires portant des substituants varies sur les atomes de silicium tels que des radicaux phényle, tolyle, méthyl-3 buténe-1 yle ainsi que des polymères dans lesquels, de pair avec des radicaux phényle, amont présents simultanément des radicaux aliphatiques variés, de méthyle à hexyle, et des radicaux alcényle.
introduction dans les polyorganosiloxanes cyclolinéaires de substituants organiques variés, liés à l'atome de silicium, permet d'obtenir des polyorganosiloxanes doués de caractéristiques intéressantes variées, telles que une haute thermostabilité, une forte résistance à la rupture, de hautes caractéristiques de déformation, d'allongement à la rupture, etc..., etc. C'est ainsi que l'introduction dans les polyorganosiloxanes cyclolinéaires d'un substituant phényle sur l'atome de silicium améliore sensiblement leur thermos stabilité.
Cependant, avec les qualités qui permettent d'utiliser les polyorganosiloxanes cyclolinéaires dans l'industrie, ces derniers présentent un inconvénient sérieux qui est leur adhérence extrême ment basse aux matériaux de construction durs tels que le verre, les métaux, les matières plastiques, etc...
Le but dela présente invention consiste à éliminer ces incon vénients.
On srest donc proposé de créer des polyorganosiloxanes qui, tout en conservant les qualités propres aux polyorganosiloxanes cy clolinéaires, telles qutune résistance élevée, une déformation éle vée, un allongement à la rupture élevée, etc..., possèdent une ad hérence améliorée au verre, aux métaux, aux matières plastiques et autre matériaux de construction ainsi que de fournir un procédé de préparation desdits polyorganosiloxanes cyclolinéaires.
Les polyorganosilozanes cyclolinéaires suivant l'invention sont caractérisés par la formule générale [X C6H4SiO1,5]n dans laquelle X = F, Cl ou Br; et n = 2x10 à 2x104 L'introduction d'un substituant polaire tel qu'un halogène dans le radical phényle qui est un substituant organique sur l'atome de silicium du polysilexane cyclolinéaire confère au polymère obtenu une forte adhérence tout en conservant au polymère une haute ther mostabilité ou une forte tenue à la chaleur en milieu oxydant, ain que d' excellentes caractéristiques physico-mécaniques (telles que la résistance à la rupture, l'allongement, la déformation réversi ble).
La structure cyclolinéaire des nouveaux polymères est prouvée par les résultats de l'analyse élémentaire, les spectres infra-rou ges, les études radiocristallographiques et les caractéristiques hydrodynamiques et dynamo-optiques (photo-élastiques) des solutions des polymères.
Dans les spectres infra-rouges des échantillons de polymères apparat une dislocation de la bande d'absorption caractéristique des oscillations antisymétriques de valence de la liaison siloxani que à 1000 - 1200 cm avec deux maxima à 1045 cm et 130 - 1140 cm Les diagrammes de diffraction des rayons X présentent deux ou trois taches. C'est ainsi que pour le polymère chlorophénylsilses- quioxanique, on a trouvé les distances interplanaires suivantes d1 = 13,5 R ; d2 = 4,3 AI ; d3 = 8,0 , la première caractérisant la distance entre les chaines de macromolécules.
La valeur de la longueur du segment de Kuhn A, trouvée égale à 180 , pour ledit polymère et le nombre d'unités monomères dans le segment de Kulin S, trouvé égal à 70, indiquent qu'ils dépassent de dix fois et même davantage les valeurs trouvées pour la channe linéaire siloxanique non cyclique.Ceci confirme que la structure de la molécule du polymère est à deux chaînes, En partant des recherches hydrodynamiques effectuées, on a trouvé les valeurs de K et de α dans l'équation de Mark - Kuhn Houwink t [#] = [fl,] étant la viscosité intrinsèque déterminée expérimentalement ; K et α étant les oonstantes de l'équation t et M étant la masse moléculaire du polymère déterminée par sédimentation ou par ébullioscopie.
On fait une chromatographie du résidu résultant sur 140 g de silicagel dans la phase inférieure d'un solvant de chloroforme-méthanol-hydroxyde d'ammonium aqueux 7 ss (2:1:1).