INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La préaente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur réalisé sur une plaquette comportant au moins une face active recouverte d'un manteau de protection en au moins un premier matériau diélectrique, ledit manteau comportant une ouverture dans laquelle affleure au moins un matériau semiconducteur, ladite face active étant munie d'au moins une configuration de conducteurs raccordée S au moins une région semiconductrice affleurant dans ladite ouverture, procédé suivant lequel on élabore sur ladite face active au moins une eouehe auxiliaire comportant au moins un évidement ayant la forme de ladite configuration recouvrant ladite ouverture ainsi que des nappes dudit manteau, puis on dépose sur l'ensemble de ladite face active une pellicule conductrice dont certaines nappes recouvrent ladite couche auxiliaire et d'autres nappes reeeuyrc#t-1#-evidement et selon lequel on élimine, par la suite, par attaque sélective, ladite couche auxiliaire dont le départ entraînecelui des nappes de ladite pellicule conductrice situées sur ladite couche auxiliaire en laissant subsister les nappes situées dans ledit évidement et constituant ladite configuration.
La présente invention concerne également les dispositifs obtenus par ce procédé.
Elle est applicable notamment aux composants optoélectroniques et aux circuits intégrés multicouches.
Dans le but de réaliser simultanément un grand nombre de prises de contact avec différentes zones de transistors ou de circuits intégrés créés dans une plaquette semiconductrice, on a préconisé d'utiliser un procédé de pelage connu dans la littérature américaine sous le nom de "lift-off".
Selon ce procédé, on dépose sur l'ensemble de la face active de la plaquette une couche isolante ci-dessous désignée par manteau en raison du grand nombre de couches intervenant dans la fabrication de tels dispositifs et de la nécessité de les désigner de façon claire.
Dans ce manteau, on perce des ouvertures aux emplacements prévus pour les contacts. On dépose ensuite une couche auxiliaire dans laquelle on ouvre un évidement dont le contour qui est celui de la configuration désirée enclave les dites ouvertures et des nappes dudit manteau isolant. Sur la surface ainsi obtenue, on dépose une pellicule du matériau conducteur devant constituer la configuration de prises de contact, certaines nappes de ladite pellicule se déposant sur les nappes restantes de ladite couche auxiliaire et d'autres au fond de l'évidement et, par attaque latérale des nappes restantes de la couche auxiliaire on élimine simultanément lesdites nappes et celles des nappes de la pellicule conductrice qu'elles portent.
On a le plus souvent réalisé ladite couche auxiliaire en laque photosensible; malheureusement, les laques de ce type ne supportent pas de températures supérieures à 15000 sans se détruire (en donnant très souvent des produits de décomposition détériorant la qualité de la surface) et il serait souhaitable fréquemment d'effectuer le dépôt de la configuration métallique à chaud sur une plaquette à 200, 300 ou même 40000. C'est en particulier le cas des dispositifs réalisés dans des plaquettes de composés dits III-V parce qu'ils sont constitués d'au moins un corps de la troisième colonne et d'au moins un corps de la cinquième colonne du tableau périodique des éléments, par exemple du phosphure de gallium (Ga P), de l'arséniure de gallium (Ga As) et de l'arseniu- re de gallium et d'aluminium (As Ga AQ) sur lesquels il est nécessaire d'effectuer le dépôt métallique de contact à haute température pour obtenir une bonne adhérence. C'est également le cas des matériaux dits,pour une raison analogue, Il-Vi, comme par exemple le tellurure de zinc (ZnTe)ou le séléniure de zinc (ZnSe).
Ces matériaux sont en effet des corps à grande largeur de bande interdite et, de ce fait, ils sont recouverts de nombreux états de surface. Cela entraîne une barrière entre le volume du matériau et le métal qui sera déposé. Afin de surmonter cette barrière il faut une grande intimité entre le métal et le matériau considéré, et cette intimité ne peut être obtenue que par un dépôt effectué "à chaud".
On a également réalisé ladite couche auxiliaire en métal ce qui permet, dans certains cas, d'effectuer le dépôt à chaud, jusqu'à 300 ou 400 C, de ladite pellicule métallique de la configuration. Toutefois, de telles couches doivent toujours être constituées de deux lits: soit de deux métaux, de l'aluminium pour le lit sous-jacent et du chrome pour le lit supérieur, soit d'un lit sous-jacent d'un métal oxydable anodiquement et d'un lit supérieur de I1 oxyde de ce métal: l'aluminium et l'alumine. En fait, la couche auxiliaire métallique comporte toujours un lit sousjacent en aluminium.Or, immédiatement après le dépôt de ce lit, des nappes de celui-ci reposent directement sur le matériau semiconducteur, et il est parfois difficile de trouver un bain qui permette d'éliminer l'aluminium sans attaquer le semiconducteur sous-jacent. Tel est le cas des corps dits III-V et notamment de l'As Ga AQ.
De plus cette technique est d'une grande complexité et difficile à mettre en oeuvre, les ensembles des deux couches métalliques adhèrent souvent mal l'un à l'autre et certains des bains, à l'acide fluorhydrique par exemple, sont dangereux et on préfère les éviter puisque ces solutions entraînent un décapage total ou partiel des couches diélectriques éventuellement présentes sur ladite surface.
La présente invention apporte une solution à ces difficultés.
Le recyclage d'au moins une partie du mélange solide de la canalisation 76 au four 34 par la canalisation 78 a pour effet de consommer au moins une partie du sulfate de sodium, de sorte que, dans des conditions de régime permanent, la quantité de sulfate de sodium dans le mélange se trouve réglée à un niveau sensiblement constant.
La proportion de carbonate de sodium introduite dans le four en même temps que le sulfate de sodium qui y est consommé est réglée par le recyclage d'une partie du mélange solide de la canalisation 76 à la liqueur verte dans la canalisation 42. Ce dernier recyclage a pour effet d'augmenter la concentration du sulfate de sodium dans la liqueur verte dans la canalisation 44 au-dessus du niveau où elle serait sans ce recyclage, de sorte que la proportion relative de sulfate de sodium par rapport au carbonate de sodium dans la liqueur blanche dans la canalisation 52 est accrue.
En conséquence > la charge morte de carbonate de sodium à laquelle le four 34 est soumis par le recyclage dans la canalisation 78 est limitée.
L'effet dela présence de chlorure de sodium dans le four est un facteur déterminant la quantité de chlorure de sodium-devant être présente dans la canalisation 76 et les proportions à introduire dans le four 34 et dans la liqueur verte dans la canalisation 42.
L'introduction de l'effluent de l'installation de blanchiment dans le système de récupération et de régénération introduit du chlorure de sodium dans le four, comme mentionné ci-dessus. Du chlorure de sodium peut provenir aussi d'autres sources extérieures, comme dans les cas où les copeaux de bois sont formés à partir de rondins transportés par mer et où on utilise de lteau saumâtre.
Le chlorure de sodiumésent dans la liqueur blanche concentrée recyclée est également recycléàtravers le four.
Comme le chlorure de sodium est une matière constituant une charge morte passant i travers le four, quan + a quantité de chlorure de sodium passant à travers le four augmente, la capacité du four en ce qui concerne l'introduction de matières actives, comme de la matière organique à brûler et des produits chimiques de ré- diction en pâte usée, diminue > de sorte que la production potentielle de pâte diminue.
De plus, du chlorure de sodium se vaporise et se sublime durant 1 opération de passage au four, de sorte qu'une augmentation de la charge de chlorure de sodium sur le four augmente la charge sur les dispositifs d'élimination des particules des gaz, en général des précipitateurs électrostatiques. Dans les cas où les précipitateurs fonctionnent déjà à leur pleine capacité de charge,un accroissement de la quantité de particules dans le gaz de combustion résultant d'une quantité accrue de chlorure de sodium conduit à une plus grande pollution de l'air.
Dans la fabrique de pâte utilisant le procédé illustré, une certaine charge de chlorure de sodium sur le four doit être tolérée, généralement environ 90 kg de NaCi par échantillon sec à de pâte (couramment dénommé en anglais Air Dry Tow (ADT) ), et à ce niveau, il nty a pas d'effet défavorable sur les paramètres de la fabrique.
La concentration du chlorure de sodium a peu d'effet sur la préparation de la liqueur verte et la formation de la liqueur blanche,bien que de très fortes concentrations de chlorure de sodium entratnent une densité accrue qui peut empêcher une séparation efficace des résidus de la liqueur verte.
En consequen dans la coprécipîtation du chlorure de sodium avec la burkéite et le carbonate de sodium et le recyclage de la burkéite contaminée par le chlorure de sodium dans la canalisation 76 au four et à la liqueur verte, on doit arriver à un équilibre permettant une introduction suffisante de sulfate de sodium dans le four 34 pour compenser les pertes de sulfate de sodium résultant des opérations dans le four et ultérieures, tandis que la charge supplémentaire sur le four est maintenue au-dessous d'un niveau au-dessus duquel les effets défavorables de la présence du chlorure de sodium deviendraient intolérables, et le recyclage de sulfate de sodium dans la liqueur verte dans la canalisation 44 ne devient pas trop fort.On préfère maintenir l'introduction de chlorure de sodium dans le four par la canalisation 78 à un faible niveau, de préférence moins de 45 kg/ADT, en particulier moins de 22,5 kg/ADT, et on préfère donc utiliser le recyclage divisé représenté sur la figure non seulement en vue de réduire la charge de carbonate de sodium sur le four mais aussi pour réduire la charge de chlorure de sodium sur le four quand la quantité totale de chlorure de sodium dans le mélange de la canalisation 76 est importante.
La possibilite d'accepter du chlorure de sodium dans le mélange précipité dans l'évaporateur de premier étage 56 permet une grande souplesse dans le fonctionnement de l'évaporateur de premier étage. Des modifications dans les compositions des liqueurs blanches et dans les conditions de fonctionnement de la fabrique de pâte peuvent faire varier le point de saturation de la liqueur blan che en ce qui concerne le chlorure de sodium.En faisant fonctionner l'évaporateur de premier étage de manière que le précipite contienne toujours du chlorure de sodium quels que soient les changements previsibles dans la concentration de la liqueur blanche et dans-les conditions de fonctionnement de la fabrique de pâte, avec la possibilité de réduire au minimum l'effet de ce chlorure de sodium coprécipité, on évite la nécessité d'un centrôle précis de l'évaporation du premier étage.
I1 est possible de séparer du chlorure de sodium de la liqueur blanche partiellement concentrée de la canalisation 52 autrement que par l'évaporation de deuxième étage mentionnée ci-dessus. Ainsi, la liqueur blanche partiellement concentrée peut être refroidie de manière à précipiter le chlorure de sodium sensiblement pur de la liqueur blanche -refroidie. Après séparation du chlorure de sodium précipité, la liqueur blanche refroidie peut être recyclée à l'étage de digestion après dilution appropriée, QU peut être encore évaporée pour précipiter encore du chlorure de sodium en mélange avec du carbonate de sodium et du sulfate de sodium, le mélange précipité étant recycle à la liqueur verte dans la canalisation 42 ou 44 ou à la liqueur blanche dans la canalisation 52, tandis que la liqueur blanche concentrée est recyclée au lessiveur, après dilution appropriée La presente invention fournit donc un procédé de fabrication de pâte dans lequel du chlorure de sodium est élimine et dans le quel les pertes de produits chimiques utiles sont sont évitées. Il est évident que l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en oeuvre décrits et qu'on peut y apporter toutes variantes.
La présente invention concerne le stockage holographique de l'information et, plus précisément, les procédés d'enregistrement et/ou de reproduction de l'information visuelle cadre par cadre è partir de matrices sur lesquelles sont enregistrés des hologrammes å transformation de Fourier réalisant les procédés susmentionnés.
L'invention peut être appliquée avec succès a l'enregis- trement et lte gasinage de grands fichiers d'information et a la recherche rapide et automatique du document voulu dans le fichier emmagasiné.L'application de l'invention est particulièrement efficace dans les systèmes dtinfor- mation relatifs aux brevets, car elle permet d'atteindre un niveau supérieur tant du point de vue du volume de l'information emmagasinée que du point de vue de la vitesse d'extraction du document cherché, en éliminant les supports d'information classiques tels que microfilms, microfiches, etc On connait un procédé de reproduction cadre par cadre de 11 information visuelle emmagasinée sous forme d'hologrammes a transformation de Fourier distincts sur une matrice recouverte d'émulsion photosensible (voir notamment W.E. Heagerty "Ideographic Comp. Mach'l. Appl. Opt. v. 9, 10, p. 2291. 1970).
Ce procédé prévoit la reproduction de l'information enregistrée par un déplacement de la matrice associé son balayage è l'aide d'un faisceau de lecture. Cependant, le balayage par le faisceau de lecture d'un laser, selon l'une des coordonnées, limite le volume de l'information emmagasinée et entrasse une dégradation de la qualité et de la stabilité spatiale de l'image reproduite.
La file d'attente reçue 108 et la file d'attente d'interruption d'émission 104 se présentent généralement sous la forme de registres à décalage parallèles qui transfèrent automatiquement les données du point d'entrée de la file d'attente vers sa sortie. Un exemple de ce type de mise en mémoire intermédiaire est présenté dans le brevet E.U.A. 3.643.221 Le contrôleur du PCS peut différer son activité de réception tout en desservant l'émission et ainsi de suite. Ces files d'attente sont également le canal entre le contrôleur du PCS et l'analyseur pour le multiplexage de toutes les 32 lignes de communication.
Le mécanisme d'analyse a la possibilité, tout en fonctionnant, de donner priorité à l'interruption d'émission des 32 lignes. La file d'attente d'interruption d'émission 104 empile les interruptions de lignes qui sont écrites lorsqu'unie opération de mémorisation intermédiaire d'émission est requise.
Le fait que les accès 117 aux 32 lignes se trouvent sur un même empilage (file d'interruption d'émission 104 et file de données reçues 108) réduit les charges concernant l'adressage de chaque accès de ligne de dispositifs et ne requiert que l'adressage de deux files d'attente.
La file d'interruption d'émission 104 contient l'adresse de ligne et l'adresse physique de la ligne provenant de la table d'analyse; la file de données de réception 108 contient l'adresse de ligne et/ou les informations d'état concernant l'accès desservi. Le chargement de l'adresse de ligne de la table.d'analyse dans les files d'attente pour desserte est un aspect important de la commande du multiplexeur temporel de l'invention. La capacité de l'adresse de ligne de la table d'analyse pour adresser elle-même et à nouveau une mémoire de commande supplémentaire et les accès de dispositifs est également importante pour la pratique de l'invention.
Le dispositif d'accès 116 comporte deux bus bidirectionnel qui sont commandes par le contrôleur. On obtient ainsi une communication multiplex entre l'analyseur et les lignes des dispositifs d'entrée/sortie.
Les 3 PLAS (trames logiques de programme) de la commande d'emissionréception 118 (figures 4, 5 et 7) décodent la fonction adressée à partir de la mémoire de commande 102 et accomplissent cette fonction pour commander les 32 dispositifs de communication connectés aux lignes 117. L'horloge de cadence de bit dans PLA 1 (figure 7) a un compteur d'intervalle qui sert également de compteur d'activité ainsi qu'une horloge de cadence de bits. Le compteur de synchronisation et le compteur de cadence de bit sont des compteurs décrémenteurs. Toutes les informations en provenance des 32 lignes de télécommunication 117 qui assurent le maintien des comptages sont contenues dans la mémoire de commande 102.
La figure 5 illustre la circulation des données (incrémentation d'adresse) pour les opérations d'émission et de réception à l'intérieur de la commande de trame logique de programme 118. Il y a quatre sections principales à l'intérieur de la PLA 118, à savoir, le registre à décalage 120, le comparateur 112, le contrôle de parité 124 et le compteur de commande 126. En outre, il y a un PLA horloge distinct à la figure 7, qui assure la décrémentation de la synchronisation et de la cadence binaire. Il nous suffira de décrire la commande du compteur 126. Le centre de commande de la PLA 118 (qui comporte PLA 2 et PLA 3, figure 7) garde trace du type d'opération de télécommunication en cours, et de l'état d'avancement de l'opération de télécommunication en cours.Les bits de commande de cycle (cybits) sont des adresses d'incrementation mémorisées pour adresser les fonctions qui doivent l'être par la logique PLA. L'adresse (cybits) de la fonction particulière de la commande d'émission-réception de PLA 118 génère un service de mémorisation intermédiaire d'émission à la suite de la condition de desserte de la mémoire-tampon d'émission 115, dont le contenu à son tour, est transmis avec synchronisation sur le conducteur 123 pour produire une entrée de registre à décalage sur le conducteur 127 vers l'interruption 4104. Le résultat est une interruption du contrôleur du PCS.Le comparateur de synchronisation 122 pendant le mode opératoire de réception synchrone conduit le contenu du registre à décalage 120 en phase X La mémoire de commande 102 qui est adressée par les adresses de ligne de dispositif contenues dans la table d'analyse 100 contient neuf mots de commande, et une adresse de fonction . Les caractéristiques et le format de chacun des mots de la mémoire de commande sont indiqués ciaprès. Certaines d'entre eux apparaissent aux figures 20, 21 et 22.
L'adresse d'écriture et de lecture utilisée par le contrôleur du PCS est (89/99).
Constante de cadence de bit 101 Il s'agit d'une zone de comptage initial de 8 bits utilisée par un décrémenteur afin d'échantillonner les données en provenance d'un accès de ligne de dispositif ou de découper les données en provenance d'un accès de ligne de dispositif. Un comptage dé un correspondant à 52 usec (un cycle d'analyse).
2. Comptage de cadence de bits 103 C'est la zone de comptage en cours utilisée par un décrêmenteur pendant le comptage afin d'échantillonner et de découper les donnée en provenance et en direction des accès de dispositifs 117. Cette zone est mise à jour toutes les 52 usec (un cycle d'analyse).
Constante du temporisateur 105 C'est la zone de comptage initial de 8 bits utilisée par un décrémenteur afin de synchoniser les événements survenant sur chacun des accès de lignes de dispositifs 117. Chaque comptage représente 50 msec.
Comptage du temporisateur 107 C'est la zone de comptage en cours utilisée par le décrémenteur de comptage du temporisateur.
Horloge de-cadence de bits/bits de commande du temporisateur C'est une zone de neuf bits servant à commander l'horloge de cadence de bits et le temporisateur. Elle est écrite par la commande PLA.
Commandes de chronologie 111 Il s'agit d'une zone de huit bits utilisée par la commande de PLA et écrite par le contrôleur du PCS. Cette zone sert à mettre en oeuvre un accès de ligne d'adresse, a commander les modes du temporisateur et a sélectionner la source de la commande de l'horloge de cadence de bits.
Bits de commande de cycle 113 Il s'agit d'une zone d'adresse de huit bits utilise pour adresser une fonction particulière d'émission ou de réception, en provenance de la liste de fonctions. Cette fonction, après avoir été exécutée, provoque l'incrementation de l'adresse d'une unité, ou un branchement dû à des conditions spéciales. Ce cyclage d'adresse produit les fonctions d'émission et de réception et met en oeuvre ou interrompt l'horloge de candence de bits. Cette mémoire de commande est écrite par la commande de PLA après la mise en oeuvre de la ligne.
Caractere de sone. à la mémoire-tampon d'émission 115 Il s'agit d'une zone de neuf bits qui contient le caractère d'émission suivant de huit bits qui doit être envoyé par l'accès du dispositif de ligne si le système fonctionne en mode d'émission. Le neuvième bit indique que la mémoire-tampon est pleine ou qu'elle vient d'être décrite.
A cet effet la roue 3 est montée sur an to-#rillon 4 d'un support 5 auquel ce mouvement est communiqué.
Suivant l'invention , le support 5 est suspendu pivotant dans un étrier tendeur ó lequel, au moyen d'un boulon 7, se laisse glisser du haut vers le bas et inversement. L'étrier tendeur ó, tel que visible surtout aux Fig. 2 et 3, comprend deux éclisses parallèles de guidage 8 qui entourent le support massif 5 de forme prismatique sur toute sa longueur. Pour la formation d'un pivot, le support 5 est muni vers l'extrémité supérieure de goujons latéraux ou d'une seule cheville traversante 9 de section circulaire en prise avec un alésage convenable dans l'éclisse guidante correspondante. La partie inférieure du support 5 est appuyée contre une vis de réglage il prevue sur le bâti désigné par 10 dans son ensemble.
Le moment de renversement exercé par la roue 3 agissant par l'intermédiaire de l'axe 4 sur le support 5 maintient celui-ci toujours en contact avec la vis de réglage 11. Il y a avantage de décaler ltaxe 4 de la roue 3 quelque peu en contre-bas du pivot 9. Il en résulte une dimirution re-lativement importante du mouvement régulateur de la vis 11 agissant sur l'extrémi- té inférieure du support, facilitant l'obtention dtun réglage précis. Pour bloquer la position réglée obtenue, il peut être prévu un écrou de serrage 12 calant la vis Il contre le bâti 10. Une poignée appropriée 13 peut terminer l'extrémité postérieurs de la vis de réglage 11.
Au lieu de la vis de réglage, d'autres moyens sont possibles pour l'obtention des positions déviées du support 5, par exemple à l'aide de cames excentriques ou autres.