INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, le dispositif de levage est muni d'un dispositif d'entrainement il disposé de façon à faire tourner ledit composant de levage 2, soutenu par son filet et par l'organe de levage 4, tandis que l'organe de levage est fixé à l'aide du moyen d'enclenchement 6. Lorsque le dispositif est en fonctionnement, un liquide sous pression est amené dans l'espace 8 du cylindre par la conduite 13, et, en conséquence, le cylindre 2, c'est--dire le composant de levage, monte et simultanément, par l'intermédiaire de l'organe de levage 4, soulève la charge 5.Simultanément, le moyen d'entraineme.lt 7 fait tourner par l'intermédiaire du moyen de transmission 12, i'organe d'enclenchement 6, soutenu par ses filets, en même temps que s'effectuent les mouvements de l'organe de levage 4 de manière que l'organe d'enclenchement soit constamment soutenu par la face de support 14 de la charpente et ainsi 1 'organe de levage est assujetti. Après l'ascension du composant de levage vers sa position d'extremité supérieure, le moyen d'entraînement 7 s'arrête et le moyen d'entraînement Il commence à faire tourner, à l'aide d'engrenages, le composant de levage, soutenu par l'organe de levage 4, vers sa position initiale.
A la figure 2, on voit un mode de réalisation de l'invention caractérisé en ce que le composant de cylindre 2 est soutenu par la charpente i constituant ainsi le composant constitutif de la charpente, et le piston 3 est connecté à l'organe de levage 4 au moyen d'un composant fileté séparé 15.
Ledit composant fileté 15 est connecté par des filets au moyen de levage 4 et est muni d'un dispositif d'entraînement Il disposé de manière à le faire tourner, soutenu par son filet et par l'organe de levage4, dans l'opération de levage pas a pas en vue de l'abaissement du piston annulaire 3 pour la phase de levage suivante, tandis que simultanément, l'organe de levage 4 est soutenu par le moyen d'enclenchement 6.
A la figure 3, est représenté un mode de réalisation caractérisé en ce que le moyen d'enclenchement 6 est connecté à un montant vertical fileté 15 associé de façon solidaire à la charpente i. L'opération du moyen de levage consiste en ce que le liquide sous pression, amené dans l'espace 8 du cylindre par la conduite 13, soulève le cylindre 2 qui constitue maintenant l'organe de levage 4, le moyen d'entraînement 7 faisant tourner simultanément l'organe d'enclenchement 6 suivant les mouvements du cylindre, de manière que le cylindre soit constamment soutenu par l'organe d'enclenchement et qu'il soit ainsi assujetti. La partie du cylindre 2 reposant contre l'organe d'enclenchement 6 constitue la surface de support 16.
La figure 6 est le schéma d'un second mode de réalisation. Ce mode de réalisation est, d'une manière générale, -similaire à celui décrit ci-dessus et possède une unité de détection SU comprenant un anneau de ferrite à travers lequel passent les conducteurs, comme décrit ci-dessus. Les conducteurs sont alimentés en énergie par des bornes L,N et par les contacts RLC1 et RLC2, reliés respectivement aux bornes de sortie L' N' qui, lors de l'utilisation sont reliées à la pièce de l'appareil qui doit Stre-protégée par l'unité. L'excitation des bornes de sortie est mise en évidence par un tube au néon N.I. .L'unité de détection a un enroulement de sortie W dont la sortie est reliée par la résistance R69 à l'entrée d'un amplificateur opérationnel à transconductance IC1 dont la sortie est utilisée pour déclencher un thyristor TH1 qui doit passer en position conductrice pour exciter l'enroulement d'un relais RL/2.
L'amplificateur IC1 est excité à partir des bornes d'entrée L, N, par une résistance R61 et une diode de redressement D61 et un bouton de réarmement (normalement fermé) comme représenté sur la figure. Le circuit de la figure 6 fonctionne d'une manière analogue à celle du mode de réalisation représenté sur les figures 1 à 5. Un circuit de maintien pour le thyristor TH1 est prévu à partir du bouton de remise en position et à travers la résistance R65 de la diode D63, circuit qui, après que le thyristor a été commandé par la sortie de l'amplificateur ICI maintient ledit thyristor en position conductrice jusqu'à ce que le bouton soit manoeuvré pour interrompre la tension de maintien.
Un bouton d'essai TEST est également inclus dans le circuit de la figure 6 et lorsqu'il est actionné, il permet à un courant faible de passer à travers le ou les conducteurs actifs dans l'unité de détection SU pour produire un courant de déséquilibre.
Les composants du circuit représenté sur la figure 6 ont les valeurs et sont des modèles suivants : R61 150K ohm 5 % film de carbone R62 lOOK ohm 5 % film de carbone R63 3N3 ohm 10 % film de carbone R64 1K ohm 5 % film de carbone R65 33K ohm 5 % film de carbone R66 3K3 ohm 5 % film de carbone R67 10K ohm 5 % film de carbone R68 10K ohm 5 % film de carbone R69 150 ohm 5 % film de carbone C61 47 F 35v électrolytique C62 1000 pF polyester C63 0;022 F polyester C64 0.1 F polyester D61,D62 I1 4006 D63, D64 IN 914 D65 C106 C106 Thyristor ICI RCA CA 3094 AT Amplificateur opérationnel transconducteur.
La présente invention concerne une table, en particulier pour jeu de billard, et sa structure de support.
Les tables utilisées jusqu'à présent sont le plus souvent en ardoise ou en marbre. On utilise ces matériaux en particulier en raison de leur grande rigidité et de leur excellente stabilité mécanique. En outre, et plus spécialement l' ardoise, ils permettent le rebond d'une bille, grâce à une élasticité localisée au point d'impact, sans que les vibrations se propagent dans toute la table, ce qui est particulièrement avantageux pour les massés. D'autre part, le bruit engendré par le roulement d'une bille est très faible.
Ces tables présentent toutefois l'inconvénient d'être très lourdes, mye lorsqu'elles ne sont pas d'une grande épaisseur, et il en résulte que leur structure de support est aussi très pesante.
De plus, elles ne peuvent pratiquement pas entre d'un seul tenant et sont donc presque toujours constituées de dalles jointives, entre lesquelles il convient de prévoir des joints parfaitement arasés, ce qui complique la fabrication. Enfin, ces tables sont assez sujettes à l'usure, du fait des frottements du tapis, si bien qu'il convient de les rectifier de temps à autre.
Le but de la présente invention est de remédier à ces inconvénients, et, à cet effet, une table conforme à l'invention est caractérisée en ce qu'elle comporte, au moins dans la zone proche de sa surface supérieure, un revetesent constitué essentiellement de résine synthétique, d'épaisseur uniforme.
On a constaté en effet qu'une telle table, du moins pour ce qui concerne les qualités spécifiques requises pour le jeu de billard ou analogue, présentait des caractéristiques très proches de celles des tables classiques, tout en étant beaucoup moins lourde, à épaisseu égales. De plus, il est évidemment très facile de couler la résine sur un marbre, ce qui permet de fabriquer d'un seul tenant une table parfaitement lisse, aux dimensions habituelles.En outre,la résine est moins sujette à l'usure que lise.
De préférence, la résine synthétique utilisée est une résine époxyde, laquelle peut durcir à froid, sans qutil soit nécessaire d'utiliser une presse.
Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, une poudre dont la granulométrie est de préférence inférieure à environ 500 microns est mélangée de façon homogène à ladite résine, servant alors de liant entre les particules de poudre.
De préférence, le poids de la poudre constitue entre environ 20 % et environ 80 % du poids total du revêtement, ce qui permet de réaliser une importante économie de résine, et de diminuer ainsi le prix de revient de la table Avantageusement, cette poudre est constituée d'une matière minérale, de préférence de l'ardoise ou du schiste, ce qui permet de conférer à la table des caractéristiques mécaniques encore plus proches de celles des tables classiques Une table conforme à l'invention peut encore être caractérisée en ce que ledit revêtement repose sur un soubassement constitué essentiellement d'un matériau granulaire et d'un liant.
Il est encore avantageux de prévoir que ledit liant est constitué par une résine synthétique, de préférence une résine époxyde et que ledit soubassement fait corps avec le revêtement.
Ledit matériau granulaire peut êtrede l'argile ou de l'arc doise expansée s.
De préférence, l'épaisseur dudit revêtement est comprise entre environ 3 mm et environ 7 mm et l'épaisseur totale du revetement et du soubassement est comprise entre environ 3 cm et environ 6 cm.
La masse réactionnelle est composée d'un mélange d'acétone, de méthylhepténone et éventuellement d'autres cétones suivant les matériaux de départ. On peut aisément isoler la méthylhepténone du mélange réactionnel, en général par distillation fractionnée.
Dans le procédé de préparation de la méthylhepténone à partir de l'acétone, une partie de l'oxyde de mésityle qui se forme en tant que sous produit réagit sur le chlorure de prényle tandis que le reste est récupéré avec l'excès d'acétone.
Selon la présente invention, la séparation de l'acétone et de l'oxy- de de mésityle n1 est pas indispensable. En fait il est avantageux de faire réagir un mélange d'acétone et d'oxyde de mésityle avec le chlorure de prényle puisque l'oxyde de mésityle prénylé qui pourrait être formé sera converti en méthylhepténone avec des rendements très élevés par la réaction de craquage hydrolytique. Ceci est une importante amélioration au procédé du brevet américain 3 668 255, ajoutant aisance et souplesse à un rendement amélioré en méthylhepténone.
EXEMPLE 7 a) PREPARATION D'OXYDE DE MESITYLE PRENYLE On ajoute à un mélange bien agité de 60 g d'hydroxyde de sodium à 96 X et de 600 g d'oxyde de mésityle 3 g de diéthylamine puis 105 g de chloro-1 méthyl-3 butène-2 à 94 %. On porte le mélange a 700C en 10 mn puis retire le chauffage aussitôt. La température de la masse réactionnelle continue à monter à 8O0C en 10 mn. On maintient entre 790 et 820C pendant 2,3 heures. Après refroidissement à 300C on traite le mélange par 250 cm d'eau et agite vigoureusement.
On sépare alors la phase organique et extrait la phase aqueuse par 4 fois 20 cn3 de benzène. On rassemble les phases organiques et les met à sécher pendant la nuit sur sulfate de sodium. On traite la phase organique séchée avec 2 cm3 d'acide acétique avant distillation. On obtient 123,7 g d'un mélange d'isomères d'oxyde de mésityle prénylé. La distillation se déroule selon le tableau ciaprès
DUREE PRESSION CHAUDIERE VAPEUR POIDS REMARQUES (heures) (mm Hg) TEMP. C (g) 0 760 29 29 on accroît 1 760 110 84 77,4 progressive ment le vide 7,6 : 760 à 98 : 110 à 92 : 90 à 96 : 447,4 :contient ( : : : 0,8+ % de : : :PMO 4,6 : 98 à 2 : 98 a 164 : 58 à 145 : 276,6 : contient 47,4% de PMO+ Mélange d'isomères d'oxyde de mésityle prénylé.
b) SCISSION HYDROLITIQUE DES OXYDES DE MESITYLE PRENYLES Dans un autoclave en acier inoxydable d'un litre muni d'un agitateur à grande vitesse du type turbine, on charge Oxyde de mésityle prényle ayant une pureté de 89 % ......... 166 g Eau ........................................................ 358 g Hydroxyde de sodium ........................................ 1,7 g Acétone ..................................................... 30 g On prélève des échantillons au cours de la réaction et analyse par chromatographie en phase vapeur leur teneur en oxyde de mésityle prénylé et en méthylhepténone.La réaction se déroule comme suit s
HORAIRE DUREE TEMP : PRESSION : ECHAN- : PMO MH+ DEGRE D'AVANCE- (mn) C kg/cm TILLON MENT DE LA REAC TION EN % ( 8 h 30 : O 25 -- : -- : 89,1 : - : 892 ( : : ( 9 h 10 : 40 . 140 : 16,4 : 1 : 80,8 : 4,6 : 5,1 ( : : ( 9 h 20 : 50 : 185 : 23,8- : 2 : 75,7 : 10,9 : 12,6 9 h 30 60 230 63 3 0 73,8 100 +MH = méthylhepténone Après refroidissement on lave l'autoclave, le rince à 11 acétone, sale la couche organique avec 30 g de chlorure de sodium et sépare les deux couches. On extrait la coucbe aqueuse au benzène. On combine la couche organique et les extraits benzéniques puis les distille sous vide de 28 mm de mercure après avoir chassé le benzène.L'analyse de toutes les fractions indique qu'on a obtenu 98,7 g de méthylhepténone. Le résidu pèse 4,3 g. En tenant compte de 0,078 mole d'oxyde de mésityle prénylé prélevée pour échantillonnage, le rendement est de 95,5 % de la théorie.
EXEMPLE 2 Dans un autoclave en acier inoxydable d'un litre muni d'un agitateur à grande vitesse du type turbine, on charge : Oxyde de mésityle prénylé à 89,5 % préparé suivant exemple ia) 166 g Eau ...................................................... 250 g Hydroxyde de sodium ...................................... 1,7 g Acétone .................................................. 30 g La réaction est conduite comme à l'exemple 1b) à une température maximale de 230 C et à une pression maximale de 62 kg/cm pendant une heure.
Après-refroidissement on vide l'autoclave, le rince à l'acétone, sale la couche organique avec 30 g de chlorure de sodium et sépare les deux couches. On extrait la couche aqueuse au benzène, rassemble la couche organique et les extraits benzéniques et distille le tout sous 28 mm de mercure après avoir chassé le benzène. L'analyse de toutes les fractions indique que l'on a obtenu 98,7 g de méthylhepténone. En déduisant 0,078 mole d'oxyde de mésityle prénylé prélevée pour échantillonnage, le rendement est de 95,1 % de la théorie.
EXEMPLE 3 Dans un autoclave en acier inoxydable d'un litre muni d'un agitateur à grande vitesse du type turbine, on charge Oxyde de mésityle prénylé à 89,5 % selon exemple la) .... 165 Eau ............................... 350 g Hydroxyde de sodium ................................ 1,7 g On opère comme à l'exemple 1b) à une température de 230 C et à une pression maximale de 50,4 kg/cm pendant une heure.
Après refroidissement on lave l'autoclave, le rince à l'acétone, sale la couche organique avec 30 g de chlorure de sodium et sépare les deux couches. On extrait la couche aqueuse au benzène. On combine la couche organique et les extraits benzéniques puis les distille sous un vide de 28 mm après avoir chassé le benzène. L'analyse de toutes les fractions indique que l'on a obtenu un total de 74,1 g de méthylhepténone. Déduction faite de 0,078 mole d'oxyde de mésityle prénylé prélevée pour échantillonnage, le rendement est 74 % de la théorie.
EXEMPLE 4 Dans un autoclave en acier inoxydable d'un litre muni d'un agitateur à grande vitesse du type turbine, on charge Oxyde de mésityle prénylé à 89,5 % selon exemple la .... 184 g Eau , 400 g Hydroxyde de sodium ...................................... 1,8 g On conduit la réaction comme à l'exemple 1b) à une température maximale de 230 C et à une pression maximale de 36,4 kg/cm.
Après refroidissement on vide l'autoclave, le rince à l'acétone.
On sale la couche organique par 30 g de chlorure de sodium puis sépare les deux couches. On extrait la couche aqueuse~ au benzène. On rassemble la couche organique et les extraits benzéniques puis les distille sous un vide de 28 mm de mercure après avoir chassé le benzène. L'analyse de toutes les fractions indique que l'on a obtenu un total de 80,4 g de méthylhepténone. Déduction faite de 0,078 mole d'oxyde de méthyle prénylé prélevée pour échantillonnage, le rendement est de 60 % de la théorie.
Tous les conducteurs d'adresse 26 sont à Vss pendant ~ 2 ; ceci est réalisé dans le décodeur d'adresse 27 de manière qu'une adresse ou -Vdd existe sur un seul des conducteurs 26 pendant # 2 et à tous les autres moments, tous les conducteurs 26 sont à Vss. Un seul conducteur adresse peut donc entre marqué à un instant donné.
Le circuit 70 de commande d'écriture comporte 4 circuits 70-1... 70-8 identiques, dont 2 seulement sont représentés sur la fig. 5, et qui reçoivent des entrées de données 53-1, 53-2, 53-4 et 53-8 provenant de l'accumulateur 52, et qui reçoivent également 4 entrées de données ou de commande 55-1 à 55-8 provenant du circuit CKB 56. Les transistors 109 sont commandés par la tension sur le conducteur de commande 110 lorsqu'une commande STO apparait sur un conducteur de sortie 61-12 provenant de la matrice programmable 60. Ce signal ne peut être présent que lorsque ~ 2 n'est pas à -Vdd, en raison de la présence de la porte 111.Les transistors 112 sont commandés par la tension sur un conducteur de commande 113 lorsqu'une commande CDI ou CKB-mémoire apparalt sur un autre conducteur d'entrée 61-11 provenant de la matrice programmable 60, et qui n'est également présent que si ~ 2 n'est pas à - Vdd, en raison de la présence de la porte 114. Grâce aux composants 1C9 et 112, les sorties 53 de l'accumulateur ou les sorties 55 de données CKB peuvent entre introduites dans la mémoire. L'autre fonction CKB est également assurée par le circuit de commande 70.
Les signaux de commande SETB et RSIB, apparaissant sur les conducteurs de commande 61-17 et 61-18 provenant de la matrice de commande 60, sont appliqués aux grilles des transistors 115 et 116 pour produire des signaux n 1 1 et " O " ( Vss et Vdd ). Les transistors 117 en série avec les transistors 115 et 116, commandés par les sorties CKB 55 remplissent les fonctions de passage de bits à " 1 " à " O ". Le dispositif 115 applique une masse ou un état logique " 1 " sur le conducteur d'entrée 71 de la mémoire à accès direct si SETE est à - Vdd, pour l'un des 4 bits sélec tionnés par les conducteurs CKB 55.De même, le composant 116 produit un " O " sur le conducteur d'entrée 71 si RSTB est à -Vdd pour le bit sélectionné. Un seul des conducteurs CKB 55 peut être à -Vdd quand CKB fonctionne dans le mode bit par bit, les autres étant à la masse et bloquant les transistors 117 des bits non sélectionnés. Ceci permet le passage à " 1 " ou " O " d'un bit déterminé de la mémoire 25. Cette fonction est généralement utilisée pour la mise en place d'indicateurs au cours du fonctionnement en calculateur ; un chiffre peut être désigné pour les indicateurs, un bit remplissrnt chacune des fonctions d'indicateur d'addition, d'indicateur de soustraction, d'indica teur de multiplication et d'indicateur de division.Par la suite, un bit indicateur spécifique est atteint par masquage des entrées d'additionneur, également avec CKB. Des indicateur d'essai sont atteints par la fonction de comparaison dans l'additionneur. Ce mécanisme simplifie la structure en ce que les mêmes commandes et les mêmes signaux de sélection sont utilisés dans les fonctions arithmétiques et dans les fonctions de bits d'essai.
L'additionneur binaire 50 consiste en un ensemble de 4 étages additionneurs 50-1, 50-2, 50-4 et 50-8 en parallèle. Les 4 étages sont pratiquement identiques et 2 d'entre eux sont représentés sur la fig. 6. En ce qui concerne l'étage 50-1 par exemple, il comporte une première porte complexe 120 et une seconde porte complexe 121, une entrée de retenue 122 et une sortie de retenue 123.La porte complexe 120 reçoit deux entrées 57-1 et -58-1, qui peuvent être appelées entrée négative- et entrée positives, et elle produit un signal de sortie sur le conducteur 124 qui est la combinaison ou - exclusif, ou fonction d'équivalence des entrées 57-1 et 58-1. Une sortie de retenue est produite sur le conducteur 123 en chargeant préalablement ce conducteur à O O " ou Vdd sur ~ 1, puis en déchargeant conditionnellement quand , 1 passe à Vss, suivant l'état de la sortie de la porte 125.
Si les deux entrées 57-1 et 58-1 sont à l'état " 1 " une condition de production de retenue est satisfaite de sorte que la sortie de la porte 125 débloque un composant 126 après la fin de ~ 1, en déchargeant ainsi le conducteur 123 à Vss ou " 1 ".Un signal de retenue est produit sur le conducteur 123 vers 1' étage suivant si les 2 entrées 57-t et 58-1 sont à l'état n 1 n ou si l'un d'entre eux est à l'état n 1 n et qu'une retenue d'entrée est à l'état n 1 " sur le conducteur 122, ou encore si les 2 entrées 57-1 et 58-1 sont à 11 état n 1 n et qu'une retenue n 1 n est présente sur le conducteur 122 ; dans tous les autres cas le conducteur 123 reste à n o n ou -Vd après ~ 1 puisque ni le cir- cuit par le composant 126, ni celui par le composant 127, ni étage suivant ne permettent la décharge.L'entrée de retenue du premier bit reçoit une commande CIN provenant du circuit logique de commande 60 par un conducteur 61-0 ; le conducteur 122 est également préchargé avec ~ 1. La sortie de retenue de l'étage 50-8 apparaît sur le conducteur 128, elle est aiguillée à PI 3 et inversée de manière à produire un signal = sur le conducteur 67-1 qui conduit au circuit logique d'état 66.
L'additionneur 50 remplit une fonction de comparaison lorsqu'un signal de sortie COMP est produit sur un conducteur 67-2 qui passe également au circuit logique d'état 66. Ce signal est produit sur un conducteur 239 qui est chargé préalablement par ~ 1 puis déchargé conditionnellement pendant # 1 lorsque l'un des composants 130 est débloqué par les sorties 124 des portes 120.
La décharge conditionnelle a lieu si le conducteur 124 passe à -Vdd, ce qui se produit si les entrées de la porte complexe 120 en 57-1 et 58-1 sont différentes. Si toutes les entrées 57 sont identiques, comme les entrées 58, le signal COMP est à l'état n 1 n1 n sinon il est à l'état O o n.
Les signaux de sortie des étages 50-1 et 50-2 etc... de l'additionneur sont produits sur les conducteurs 59-I, 59-2, 59-4 et 59-8 qui sont les sorties des portes complexes 121. Les portes 121 reçoivent les entrées 124 et la retenue pour ce bit sur les conducteurs 122 etc... . Les portes 121 remplissent une fonction d'équivalence des sorties 124 et de retenue. Pendant p 1, les sorties 59 ne sont pas valides car le circuit de retenue est en cours de charge préalable. La retenue n'est pas valide de sorte que les sorties 59 ne le sont pas non plus jusqu'après la fin de p 1.
La sortie 59-1 de l'additionneur est connectée à l'entrée d'un étage 52-1 de registre accumulateur ou de l'étage 40-1 du registre Y, en fonction des entrées 61-9 et 61-10 provenant de la matrice programmable 60 et désignées par AUTA et AUTY. Ces commandes sont appliquées aux portes inverseuses 132 qui reçoivent également p 1 et qui sont connectées aux conducteurs de commande 133 qui ne peuvent être à -Vdd que pendant .
Comme le montre la fig. 6, le sélecteur d'entrées d'additionneur 51 comporte 4 ensembles similaires de portes complexes 51-1, 51-2,51-4 et 51-8 constitué chacun par des portes complexes NON-ET/NON-OU 135 et 136. La porte 135 reçoit des entrées de commande 61-4, 61-5, 61-7 et 61-8 provenant de la matrice programmable 60, désignées par 15TN MEN NATN et ATN, et qui détermine si l'entrée 57-1 est inconditionnellement " 1 ", ou MIMI, ou ACCI ou ACCI. Les données provenant de la mémoire 25 apparaissent sur les conducteurs 32-1,32-2 etc... provenant de la fig. 5 et sont désignées par MEMI, 2, etc.... Les données provenant de l'accumulateur 52 apparaissent sur les conducteurs 53-1 et 53-1' en forme vraie et inversée, ACCI et ACCI, aux entrées du sélecteur 51, de sorte que les données de l'accumulateur ou leur complément peuvent être introduites dans l'additionneur. Les signaux d'entrée provenant du circuit logique CKB 56 sont appliqués sur les conducteurs CKB1, CKB1, ..., sur les conducteurs 55-1,55-1' etc... qui echappent aux portes 135 et 136.
Les entrées CKB sont commandées par les signaux CKP et CKN par l'intermédiaire des composants 137 et 138. Les signaux de commande YTP et RP sur les conducteurs 61-1 et 61-2 sélectionnent RAMY du conducteur 139 ou MEM1 du conducteur 32-1 à l'entrée 58-1 par la porte 136.