INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention interesse toute personne tricotant à la main. ( lee débutantes par la facilité de l'apprentissage, les jeunes exigeant un travail plus raffiné, les mamans par le coté solidité, et les personnes âgées par la parfaite visibilité des mailles à doubler).
Cette invention s'applique aussi à tous les journaux et magasins d'ouvrages traitant de tricot. Elle crée un nouvel outil qui ne porte pas préjudice aux matériaux présentement vendus dans le commerce.
La présente invention concerne un panneau générateur photovoltaïque comportant au moins une cellule solaire a semiconducteur fixée d un support mécanique et des moyens de connexion électrique, un corps optiquement transparent assurant la protection de ladite cellule solaire.
L'invention concerne également un ensemble monté desdits panneaux.
Un panneau générateur du type classique est certes bien connu et d'usage courant notamment à bord des satellites artificiels ou il est chargé de procurer l'énergie électrique nécessaire aux instruments et appareillages embarqués. D'un emploi jusqu'S présent plus limité, des panneaux similaires à usage terrestre ont été surtout expérimentés pour des conditions particulieres #'applica- tion comprenant, notamment les cas d'éloignement de toute source conventionnelle d'énergie, des difficultés de maintenance, comme par exemple le balisage lumineux on radioélectrique de~polnts géographiques dont l'accès est très difficile Cependant énergie solaire, par ses caractéristiques avantageuses, semble vouée à une exploitation qui ne se restreint pas uniquement aux situations#techniques et économiques partieulieres qui viennent d'etre évoquées. La réduction du cout des générateurs photovoltaiques, notamment par la fabrication en grande série et suivant des techniques plus automatisées, permet d'envisager une extension de l'exploitation de l'énergie solaire qui viendrait alors constituer une partie part significative de la consommation globale d'énergie.
EXEMPLE 75 o-Chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-3 époxy-1*2 propane FORMULE II, R1 = H, R = C1, n = 2, m = 1,
On procède selon Le mode opératoire de l'exemple 71, mais en utilisant 8,6 g d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénol obtenu à l'exemple 74.
On récupère 10 g d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-3 époxy-1,2 propane sous forme d'une huile qu'on utilise brute pour l'étape suivante.
EXEMPLE 76 Chlorhydrate d'o-chloro p-tétrahvdrofurfurvl phénoxy-1 isopropylamino-3 propanol-2 FORMULE I, R1 = R3 = H, R = Cl, n = 2, m = 1, R2 = isopropyle En procédant selon le mode opératoire de l'exemple 72, mais en utilisant 10 g d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-3 épxoy-1,2 propane 3 obtenu à l'exemple 75 et 20 cm d'isopropylamine, on récupère la base sous forme d'un résidu huileux. Ce résidu est dissous dans 50 cm3 d'éther et on additionne à froid de l'éther chlorhydrique jusqu'à pH acide. Les cristaux obtenus alors sont essorés et soigneusement lavés à l'éther. Après séchage, on récupère 9,3 g de chlorhydrate d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-l isopropylamino-3 propanol-2, sous forme de cristaux blancs, de point de fusion 99-1024C.
EXEMPLE 77 Ch lorhvdra te d'o-chloro n-tétrahvdrofurfurvl phénoxy-1 t-butylamino-3 propanol-2 FORMULE I, R1 = R3 = H, R R C1, n = 2, m m = 1, R2 = t-butyle En procédant selon le mode opératoire de l'exemple 72, mais en utilisant 8 g d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-3 époxy-1,2 propane obtenu à exemple 75 et 15 cm3 de t-butylamine, on récupère la base sous forme d'un résidu huileux. Ce résidu huileux est dissous dans 50 cm3 d'éther et on additionne à froid de l'éther chlorhydrique jusqu'à pH acide. Les cristaux obtenus alors sont essorés et soigneusement lavés à l'éther. Après séchage, on récupère 5,2 g de chlorhydrate d'o-chloro p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-l t-butylamino-3 propanol-2, sous forme de cristaux blancs, de point de fusion 128-1310C.
EXEMPLE 78 Maléate de p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-l t-butylamino-3 propanol-2 FORMULE I, R1 = R3 = R = H, n = 2, m = 1, R2 = t-butyle En procédant selon le mode opératoire de l'exemple 72, mais en utilisant 12 g de p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-3 époxy-1,2 propane, obtenu à l'exemple 65, et 20 cm de t-butylamine, on récupère la base sous forme d'un résidu huileux. Sur ce résidu, on fait le maléate par addition d'acide maléique dans un mélange acétone-éther. Après avoir essoré et lavé à l'éther les cristaux formés, on récupère 11 g de maléate de p-tétrahydrofurfuryl phénoxy-l t-butylamino-3 propanol-2, sous forme de cristaux blancs, de point de fusion 144-1470C.
EXEMPLE 79 (Méthyl-5 furyl-2) (p-méthoxyphényl) cétone FORMULE XIV, R1 = CH3, R = H, n = 2, m = 1 On prépare le magné sien du 4-bromoanisole à partir de 3 150 g de 4-bromoanisole et 20 g de magnésium dans 400 cm de tétrahydrofuranne anhydre. A cette solution de magnésien, on ajoute goutte à goutte, sous 3 agitation, une solution de 75 g de méthyl-5 furyl-2 nitrile dans 100 cm de tétrahydrofuranne. Après la fin de l'addition, on agite 1 h à la température du laboratoire puis 4 h au reflux.
Le mélange réactionnel est ensuite refroidi puis additionné de glace et de 300 cm3 d'acide sulfurique à 20 X. On agite ensuite 1h à la température du laboratoire puis 2 h 30 mn à 60 C.
Après refroidissement et addition d'eau, on extrait à L'éther, on lave à l'eau et on sèche sur du sulfate de sodium. Après évaporation de éther le résidu de 127 g obtenu est soumis à une distillation sous vide.
On récupère ainsi 96 g de (méthyl-5 furyl-2 (p-méthoxyphényl) cétone sous forme d'une huile incolore. Eb2 mmHg = 205-215 C.
EXEMPLE 80 (Méthyl-5 furyl-2) (p-hydroxyphényl) cétone FORMULE XIII, R1 = CH3, R = H, n = 2, m = 1 A une solution de 96 g de (méthyl-5 furyl-2 (p-méthoxy0 phényl) cétone obtenue à l'exemple 79 dans 150 cm de chlorobenzène, on ajoute doucement à la spatule 96 g de chlorure d'aluminium. Après la fin de l'addition, le mélange réactionnel est chauffé 1 h à 1300C. Il est ensuite refroidi, additionné d'eau, de chloroforme et la phase organique est séparée.
Cette phase organique est ensuite extraite par une solution de potasse à 10 %.
La phase basique est ensuite acidifiée à froid et le précipité formé est essoré et lavé à l'eau. Après séchage, on récupère 84 g de (méthyl-5 furyl-2) (p-hydroxyphényl) cétone, sous forme de cristaux blancs, de point de fusion 201 C.
EXEMPLE 81 p-(méthyl-5 furfuryl)-phénol FORMULE XI, R1 = CH3, R = H, n = 2, m = 1 On porte à 70-800C une solution de 84 g de (méthyl-5 furyl-2) 3 (p-hydroxyphényl) cétone obtenue à l'exemple 80 dans 830 cm d'eau contenant 46,5 g de potasse. On ajoute à cette solution doucement à la spatule 45 g de borohydrure de potassium. Le mélange réactionnel est alors chauffé au bain-marie bouillant durant 1 h 30 mn. Il est ensuite refroidi, versé sur de la glace puis acidifié a 0 C par de l'acide chlorhydrique d 10 %. Les produits organiques sont extraits à l'éther, extrait est lavé à l'eau et séché. Après évaporation du solvant, le résidu huileux de 85 g obtenu est distillé sous vide. On récupère ainsi 50,7 g de p-(méthyl-5 furfuryl)-phénol sous forme d'une huile. Eb1 mmHg = 130-135 C.
EXEMPLE 82 p-(méthyl-5 tétrahydrofurfuryl) -phénol FORMULE III, R1 = CH3, R = H, n = 2, m = 1 On soumet à l'hydrogénation durant 1 h 15 mn, à 50 kg d'hydrogène et à 1100C, une solution de 50,7 g de p-(méthyl-5 furfuryl) 3 phénol obtenue à l'exemple 81 dane 200 cm d'eau contenant 19,5 g de soude en présence de 10 g de Ni-Raney. Le mélange réactionnel est ensuite filtré pour séparer le catalyseur et le filtrat est extrait à l'éther. La phase aqueuse alcaline est acidifiée à 0 c par de l'acide chlorhydrique à 10 % et les produits organiques sont extraits à l'éther. La phase éthérée est lavée à l'eau et séchée, l'éther est évaporé sous vide et le résidu huileux est soumis à une distillation sous vide. On récupère ainsi 20 g de p-(méthyl-5 tétrahydrofurfuryl)-phénol sous forme de cristaux blancs.Eb2 mmHg = 160-1750C, F = 77 C.
EXEMPLE 83 p-(méthvl-5 tétrahodrofurfuryl) phénoxv-3 époxy-l 2 propane FORMULE II, R1 = CH3, R = H, n = 2, m = 1,
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant des transistors de différents types de conductibilité formant un circuit logique.
T'attention a été porte récemment vers une logique à in- jection intégrée ( 12L ) de structure simple, d'un rendement élevé en fabrication avec une forte densité d'intégration et une dissipation réduite d'énergie, comparée avec un circuit logique classique tel quten logique à diode-transistor ( ITrL ), en logique à transistor-transistor ( ToL ), en logique en mode d'intensité ( CMS ), etc... .Par exemple, un circuit logique à injection intégrée connu comporte un transistor vertical fonctionnant comme un inverseur sur le substrat semi-conducteur et un transistor latéral fonctionnant comme une source d'énergie qui injecte des porteurs minoritaires dans la région de base du transistor vertical et dans lequel, pendant 1 t inJection des porteurs minoritaires dans la base du transistor vertical, la sortie au colle teur du transistor vertical est effectivement commandée.
En combinant d'une manière appropriée des circuits logiques à injection intégrée, il est possible de réaliser non seulement un circuit fondamental tel qu'une porte NON;Em, une porte NON-OU ou un circuit basculeur, mais également un circuit intégré remplissant différentes fonctions compliquées. Mais un circuit logique à injection intégrée présente plusieurs inconvénients. Par exemple, le rendement du transfert des porteurs est bas, ce qui empeche dtelever les performances de ces circuits.Dans le but d'augmenter lerendement du transfert des porteurs, il est nécss- saire de réaliser la base du transistor latéral de manière qu'elle soit étroite et en même temps d'augmenter la surface des faces en regard des régions d'émetteur et de collecteur du transistor latéral. Mais, même si les régions d'émetteur et de collecteur sont formées en profondeur pour augmenter cette surface, la distance entre ces régions augmente avec la profondeur, ce qui diminue le rendement du transfert des porteurs. Par conséquent, il est difficile de réaliser le transistor latéral d'un circuit a injection intégrée classique de manière que son facteur d'amplification en intensité soit élevé.
Par ailleurs, étant donné que la concentration en impuretés de la région émetteur du transistor vertical est plus faible que celle de la région de base, un champ de décéleration est appliqué aux porteurs injectés dans la région de base en raison du gradient de la concentration en impuretés, ce qui diminue le rendement d'injection des porteurs du transistor vertical.
Par ailleurs, dans le cas où dans le but d'augmenter le rendement d'injection des porteurs du transistor latéral, la concentration en impuretés de la région de base est diminuée, le rendement d'injection des porteurs du transistor vertical est réduit car la région de base est utilisée simultanément comme région d'émetteur du transistor vertical, ce qui réduit le facteur d'amplification en intensité de ce dernier.
En raison de ces inconvénients, un circuit logique à injection intégrée de type courant ne peut avoir ni une grande vitesse de fonctionnement, ni des bonnes caractéristiques de fréquence, ni une faible dissipation d'énergie.
L'invention a donc pour objet de proposer un dispositif semiconducteur fonctionnant à grande vitesse, dont la dissipation d'énergie est réduite et dont la limitation d'intensité est évitée.
Ces résultats sont obtenus en améliorant le facteur d'amplification en intensité du transistor fonctionnant à la fois comme une source d'alimentation et une charge, et en augmentant simultanément les facteurs d'amplification en intensité directe et inverse du transistor fonctionnant comme un inverseur.
Un dispositif à semi-conducteur selon l'invention comporte un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductibilité, une couche semi-conductrice de conductibilité du type opposé au premier type de conductibilité, formée sur le substrat semi-conducteur, une première région du premier type de conductibilité formée de manière à pénétrer dans le substrat semi-conducteur et à entourer une partie de la couche semi-conductrice en formant une région isolée dans cette couche, une seconde région du type opposé de conductibilité formée dans la première région, au moins une troisième région du premier type de conductibilité formée dsns une surface de la région isolée, et une diode formée de manière que l'une de ses extrémités soit connectée à la région isolée et que l'autre extrémité soit connectée à la troisième région, de manière que la seconde région, la première région et la région isolée forment un premier transistor et que le substrat, la région isolée et la troisième région forment un second transist or.
La couche semi-conductrice consiste en une couche semi-conductrice de conductibilité du type P ou N et elle est formée par croissance en phase vapeur par exemple. La concentration en impuretés du substrat semi-conducteur est supérieure à celle de la couche semi-conductrice avec laquelle il forme une jonction PN. En outre, la concentration en impuretés de la première région est supérieure à celle de la couche semi-conductrice.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de réalisation et en se référant au dessin annexé sur lequel la figure 1 est une coupe longitudinale d'un dispositif semiconducteur selon un mode de réalisation de l'invention, la figure 2 représente un circuit équivalent au dispositif à semi-conducteur de la figure 1, les figures 3 et 4 sont des coupes longitudinales d'autres modes de réalisation d'un dispositif semi-conducteur selon l'invent ion, et la figure 5 représente un schéma équivalent au dispositif à semi-conducteur de la figure 4.
Un dispositif Q semi-conducteur selon un mode de réalisation sera décrit ci-après en regard des dessins. Au cours de toute la description, les mêmes éléments et les mêmes parties sont désignes par les mêmes références numériques, La figure 1 représente donc une couche semi-conductrice 12 de conductibilité du type n ou P, formée sur un substrat semiconducteur il de conductibilité du type N+,par exemple un substrat de silicium du type N+. La couche semi-conductrice i2 est réalisée de manière que sa concentration en impuretés, par exemple 1014 à 1016 atomes/cm3, soit inférieure à celle du substrat semi-conducteur il. La couche 12 est formée sur le substrat 11 sous une épais- seur d'environ 2 à 5 microns en permettant une croissance épitaxiale de silicium dans une atmosphère qui contient du bore par exemple. Une pellicule 13 de bioxyde de silicium est formée sous forme d'une pdllicule isolante sur la couche 12 dans une atmosphère oxydante à haute température.La pellicule 13 est percée, par exemple selon un procédé de photogravure, avec des ouvertures selon une configuration spécifiée, par exemple une configuration en forme de grille de manière à permettre la formation par diffusion d'une région 14 de conductibilité du type N. Une partie seulement de la région 14 est représentée dans exemple présent dans le but de simplifier la figure.Une mince couche ( non repré sentée ) de bioxyde de silicium contenant du phosphore est formée sur la pellicule 13 selon un procédé de croissance en phase vapeur à une température d'environ 5000C, et du phosphore est diffusé thermiquement dans la couche 12, dans une atmosphère non oxydante sous une température élevée de l'ordre de 1200oC, de manière à former la région 14 de conductibilité-du type N pour qu'elle se prolonge jusque dans le substrat 11 du type N+. La couche 14 est formée de manière que sa concentration en impuretés, par exemple 1016 à 1017 atomes/cm3, soit supérieure à celle de la couche 12.
De cette manière une partie de la couche 12 est isolée de l'autre par la région 14 et le substrat il en formant ainsi une région isolée 12A. Ensuite, la mince couche de bioxyde de silicium contenant du phosphore est éliminée par attaque chimique de manière qu'une partie de la région 14 du type N soit à nouveau exposée.
A partir de cette surface exposée de la région 14, du bore est diffusé thermiquement jusqu'à une profondeur de 1 à 2 microns dans une atmosphère oxydante à haute température, par exemple 11000C, en formant une région 15 de conductibilité du type P+ dans la région 14. En outre, une région 16 de conductibilité du type N destinée à permettre la mise à la masse du substrat il est formée dans la couche 12 conjointement avec la région 14 pendant l'opération de formation de cette dernière ou pendant une autre opération. Les régions 15, 14 et 12A forment respectivement les régions d'émetteur, de base et de collecteur du transistor PNP latéral. Les régions 15, 14 peuvent etre formées autrement que par diffusion, selon d'autres procédés, par exemple par implantation d'ions.
Des ouvertures sont percées dans la pellicule 13 de bioxyde de silicium, dans des positions appropriées, et par ces ouvertures du phosphore est diffusé thermiquement dans la région isolée 12A dans une atmosphère oxydante à haute température, de manière à former des régions 17, 18 de conductibilité du type N+ dans la région isolée 12A. Ensuite, des ouvertures sont percées dans la pellicule 13 de bioxyde de silicium dans des positions appropriées et, par ces ouvertures, des électrodes métalliques 19, 20, 21 et 22 sont connectées respectivement aux régions 15, 16, 17 et 18 selon des procédés connus de connexion, et des électrodes métalliques 23g 24 et 25 sont formées de manière à être connectées à la région isolée 12A. Ces électrodes métalliques peuvent etre faites de titane, de platine, d'aluminium ou autre.Il faut noter que les électrodes métalliques sont connectées également à la région isolée 12A par les ouvertures 27, 28 de la pellicule 13 de bioxyde de silicium. En outre, chacune des parties connectées entre les électrodes métalliques 21, 22 et la région isolée 12A et chacune des parties connectées entre les électrodes métalliques 23 à 25 et la région isolée 12A forment respectivement des première et seconde diodes àbarrière de Schottky.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée à lXexemple de réalisation ci-dessus décrit et représenté à partir duquel on pourra prévoir d'autres variantes sans pour cela sortir du cadre de l'invention.
Le circuit Il comprend un coiparateur 9 relié par ses deux entrées 10 et Il, respectivement, d'une part au dispositif d'affichage 2 et, d'autre parts au transducteur de pression 5 par l'intermédiaire d'un amplificateur 12 et d'une mémoir 13. Les deux sorties 14 et 15 du aomparateur 9 sont reliées respectivement à deux circuits d'autorisation 16 et 17, contrant l'alimentation des électrovannes 4 et 5 à partir d'un générateur d'impulsions 18. Ce dernier possède une première sortie H pour ltalikentation en question, et une seconde sortie K pour commander la mémoire 13.
Le fonctionnement du circuit lt est illustré dans les diagrammes de la fig. 5S à savoir 2 a) représente le signal de tension à la sortie H du générateur d'impulsions 18 g il 3tagit d'impulsions à onde carrée i1, i2, i3, etc... de durée # utilisées pour exciter par impulsions l'électrovanne 4 ou 5 3 b) représente les variations de la tension à la sortie de l'amplificateur 12 pendant la phase de gonflage du pneumatique b ; cette variation correspond à celle de la pression à l'entrée El du transducteur 3.
La valeur de la tension VA correspond à la prend sion d'air de la source As tandis que les valeurs Vp1, Vp2... Vpn correspondant à des valeurs crois santes d ela pression à l'entrée E@ du transdue teur 3 et dans le pneumatique à la fin de chaque cyele d'exeitation et de désexcitation (#T1 + #T) de l'éleetrovanne 4 en phase as gonflage. Vr est la tension de référence affichée par l'opérateur g e) représente le signal de tension à l'autre sor tie K du générateur d'impulsions 18 ; il s'agit d'impulsions à onde carrée I1, I2, I3, ete...
d'une durée # T2 supérieure à # T1, avec début aux mêmes instants t1, t3, t5, etc... que les signaux i1, i2, i3, ete... ; a) représente le signal de tension à la sortie Z de la mémoire 13 pendant le gonflage du pneumatique i il stagit d'un signal an gradins, correspondant à des paliers de valeur croissante Vp1' Vp2...
Vpn ; @@@ @@ b') représente les variatiens d ela tension à la sortie U de l'amplifieateur 12 pendant la phase de dégonflage du pneumatique i cette varia- tion correspond à celle de la pression à l'entrée El du transducteur 3. La valeur de tension V correspond à la pression régnant dans le pneu- matique au début de la fuite d'air, tandis que les valeurs V'p1, V'p2...V'pn correspondent aux valeurs décreissantes de la pression à l'entrés W du transducteur Si et dans le pneumatique à la fin de chaque cycle d'excitation et de désex- citation (#T1 + #T) de l'électrovanne 5 en phase de dégonflage 3 d') représente le signal de tension à la sortie Z de la mémoire pendant la phase de dégonflage du pneumatique, étant entendu qu'il s'agit d'un signal en gradins possédant des paliers de nivean dé@r@iasant V' V' V' pn.
Pendant la phase de gonflage du pneumatique (voir fig. 3, a b c - d), le fonctionnement de l'appareil selon la fig. 2 est le suivant0 Il est évident que pendant cette phase de gonflage, la pression d'air dans le pneumatique B est inférieure à la pression affichée par ltopérateur sur le dispositif 2, si bien que le comparateur 9 active uniquement le circuit d'autorisation 16, de façon que le générateur d'impulsions 18 excite seulement l'électroanne dtadsission 4 qui permet de relier la source Â au pneumatique B, ainsi que cela sera expliqué plus en détail.
A partir de l'instant t1, qui correspond au début du premier signal il fourni par le génératetir d1 impulsions 18 (voir fig. 3, a), et pour ltintervalle de temps ss T1 l'électrovanne 4 se trouve excitée et l'air de la source 4 afflue dans la conduite E, Par conséquent, à l'entrée E' du transducteur 3, se trouve une pression qui augmente jusqu'à atteindre la valeur de la pression de la source te Ensuite, à la sortie U de ltas- plificateur 12 apparatt une tension croissante qui atteint la valeur maxima VA (voir fig. 3, b) quand la pression en E' est égale à la pression en t. A l'instant t2 où le premier Signal il s'arrête, c'est-è- dire lorsque l'éleotrovanne 4 est désexcitée, la valeur V et dé d atteinte.
A partir de l'instant T2 et pour l'intervalle de temps A T, Irélecr trovanne 4 se trouve désexcitée, si bien que la communication entre la source A et les canalisations E et El se trouve interrompue.
Pendant cet intervalle de temps, l'air comprimé se trouvant en E et Et se répand dans le pneumatique B, si bien que la pression dans les canalisations E et Et diminue progressivement jusqu'à se stabiliser à l'instant t2, à une valeur égale à celle de la pression dans B. Cette valeur correspond à une tension constante Vp1 (voir fig. 3, b) à la sortei U de l'amplificateur 12.
Au même instant t1, le générateur 18 fournit à la mémoire 13, par la sortie K, une première impulsion Il (voir fig. 3, c) qui prend fin à l'instant t'2 quand la tension à la sortie U de l'amplificateur 12 a déjà atteint la valeur constante V La mémoire 13 enregistre cetto valeur Y et à partir de l'instant pl t'2, elle fournit à sa sortei Z un signal continu (voir fig. 3, d) dc niveau Vdl, qui est appliqué à l'entrée Il du comparateur 9 pour oompa- raison avec le signal de référence Vr appliqué à l'autre entrée 10. Ainsi, pendant la phase de gonflage, Vr est supérieur à Vp1' si bien que le comparateur 9 maintient sons tension le circuit d'autorisation 16.
Le cycle recommence à l'instant t3 quand le générateur 18 envoie une seconde impulsion i2 à l'électrovanne 4, et une seconde impulsion I à la mémoire 13. L'impulsion 12 excite à nouveau l'éîectrovanne 4, si 2 bien que la source 4 est à nouveau mise en communication avec El Et et 3 pour une durée A LE La tension à la sortie U de l'amplificateur 12 reprend la valeur TA et, ensuite, à partir de l'instant t4, elle diminue jusqu conserver une valeur constante Vp2 supérieure à Vpl' L'impulsion T2 prend fin à l'instant t'49 et l'on observe alors une nouvelle mémorisation de la part de la mémoire 13, si bien qu'à la sortie Z apparatt un signal continu de niveau Vp2' appliqué au compara- teur 9 pour comparaison avec Vr.