- REVENDICATIONS 1.- Procédé d'obtention d'un dispositif semiconducteur réalisé sur une plaquette comportant au moins une face active recouverte d'un manteau de protection en au moins un premier matériau diélectrique, ledit manteau comportant une ouverture dans laquelle affleure au moins un matériau semiconducteur, ladite face active étant munie d'au moins une configuration de conducteurs raccordée à au moins une région semiconductrice affleurant dans ladite ou verture, procédé selon lequel on élabore sur ladite face active au moins une couche auxiliaire comportant au moins un évidement ayant la forme de ladite configuration recouvrant ladite ouverture ainsi que des nappes dudit manteau, puis on dépose sur l'ensemble de ladite face active une pellicule conductrice dont certaines nappes recouvrent ladite couche auxiliaire et d'autres ltévidement, puis on élimine, par la suite, par attaque sélective, ladite couche auxiliaire dont le départ entraîne celui des nappes de ladite pellicule conductrice situées sur ladite couche auxiliaire en laissant subsister les nappes situées dans ledit évidement et consti tuant ladite configuration, caractérisé en ce que ladite couche auxiliaire comporte au moins un lit constitué principalement en un corps choisi parmi les polyimides, les polyamides-imides, les polyimides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyaminoimides, en ce que ladite couche subit au moins un traitement thermique, en ce que l'on effectue sur ladite couche auxiliaire le dépôt d'un film dans lequel on crée un masque à travers lequel, par gravure, on élabore ledit évidement, en ce que ledit masque est éliminé et en ce que, ensuite, on effectue à chaud le dépôt de ladite pellicule conductrice. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit corps est un acide polyamide comportant la répétition de l'élément structural dans lequel - ,, représente une isomérie, est un radical orga- nique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément structural étant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent, et D1 est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone, les groupes amides de liaison entre des éléments structuraux adjacents étant fixés à des atomes de carbone séparés dudit radical tétravalent et dans lequel ni est un nombre entier suffisamment élevé pour que ledit acide polyamide ait une viscosité au moins égale s 0,1 et, de préférence, comprise entre 0,3 et 30 dans un solvant convenable. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit corps est un polyimide ayant une formule comportant la répétition de l'élément structural dans lequel - > représente une isomérie, Q2 est un radical organique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément structural étant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent et D2 est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone. 4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le radical Q2 contient au moins un cycle non saturé de six atomes de carbone de type benzénique, les quatre radicaux carbonyles étant unis directement à des atomes de carbone distincts d'un cycle benzénique hexagonal du radical Q2 et les deux autres radicaux carbonyles de chaque paire étant unis à des atomes de carbone adjacents d'un cycle du radical Q2. 5.- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que Q2 est un cycle benzénique et D2 un oxydiphényle de formule 6.- Procédé selon l'une des revendications 3, 4 et 5, caractérisé en ce que, à partir d'un prépolymère constitué à partir d'une solution d'un desdits acides polyamides dans un solvant polaire on crée au moins partiellement ladite couche et en ce que ultérieurement, par chauffage, on chasse le solvant polaire et on élimine des molécules d'eau dudit acide polyamide pour obtenir le polyimide. 7. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ce corps est un polyimide modifié par un amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural: où n3 est un nombre entier d'au moins 5, D3 est un radical divalent amide comprenant toujours au moins le radical Q3 représente un radical tétravalent comportant au moins un noyau benzénique. 8.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ce corps est un polyimide modifié parui amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural où n3 est un nombre entier d'au moins 5, Q3 est un cyclohexane, D3 est le radical 9. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que cette couche comporte les polyamides imides de formule générale dans laquelle:D4 désigne la liaison de valence simple ou un radical organique divalent comportant de 1 à 24 atomes de carbone, Q4 désigne un radical tétravalent de formule générale dont les deux atomes de carbone sont reliés d'une part, chacun à l'un des deux radicaux carbonyles de la fonction imide par l'intermédiaire des radicaux R4 et R'4 > l'un desdits atomes étant de carbone, d'autre part, relié à l'atome d'hydrogène et l'autre desdits atomes de carbone étant relié à la fonction amide, lesdits radicaux R4 et R'4 représentant H, CH3, ou CQ et étant reliés l'un à l'atome d'hydrogène et l'autre à la fonction amide, D'4 désigne un radical organique divalent possédant au moins deux atomes de carbone, n4 peut représenter un nombre de O à 12, E et E' identiques ou différents représentent un radical de formule ou encore et qui contiennent de 0,5 à 50 radicaux Dh. par radical 10.- Procédé selon la revendication i, caractérisé en ce que cette couche comporte des polyamines à groupements imides et notamment de polyamines à groupements imides répondant essentiellement à la formule générale dans laquelle les groupements Q5 sont reliés aux groupements NH, a et b sont des nombres allant de 2 à 6 environ, c et d représentent chacun un nombre égal à i, la somme c + d ne dépassant pas 6 environ, n5 est un nombre de 1 à 12 environ, n' 5 est nul ou est un nombre inférieur à il environ, ns est un nombre compris entre 2 et 50, les nombres a, b, c, d, n's, n'5, n115 étant tels que an5 = bn' + en, et que le rapport bn;; + (c+d) ns an5 soit supérieur à 1 et ne dépasse pas 2, R'5 désigne un radical organique de valence a dérivant d'un polyimide insaturé de formule générale R5 désigne un radical organique de valence b dérivant d'une polyamide de formule générale R5 (NH2)b, R5 et R'5 pouvant notamment représenter un radical divalent tel qu'un radical alcoylène linéaire ou ramifié, ou un radical aromatique tel qu'un radical phénylène ou cyclohexylène, et dans laquelle désigne l'un des radicaux de formules dans lesquels R" 5 ou Rts représentent H, CH3 ou Ct. 11.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite couche est constituée principalement de polyamides imides comportant la répétition de l'élément structural dans lequel T1 représente un radical organique trivalent comportant au moins deux atomes de carbone et Ds représente un radical divalent ne comprenant que des atomes d'hydrogène,de carbone, d'azote, de soufre et d'oxygène contenant au moins deux atomes de carbone, et n6 est un entier de 4o à 50 000. 12.- Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit radical D6 est le radical divalent dans lequel R6 représente le radical méthylène - CH2 - ou un atome d'oxygène et n6 est un entier compris entre 40 et 15 000. 13.- Procédé selon l'une des revendications il et 12, caractérisé en ce que T1 est un noyau benzénique, les deux groupes carbonyles étant en position ortho l'un par rapport à l'autre. 14.- Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que Tl comporte deux noyaux benzéniques réunis par un radical carbonyle: 15.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche est constituée par des polyimides obtenus à partir d'au moins un NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule générale dans lequel B et B' sont des radicaux organiques divalents et B contient au moins une double liaison carbone-carbone. 16.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit radical B est le radical maléique. 17.- Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que le radical B' comprend plusieurs atomes de carbone, et en ce que lesdits polyimides résultent d'un chauffage dudit bisimide dudit acide dicarboxylique non saturé. 18.- Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que ledit polyimide résulte d'une réaction comportant au moins l'action d'au moins un desdits NN' bisimides d'un acide dicarboxylique non saturé sur au moins une diamine primaire de formule générale H N - A - NH 2 1 Al étant un radical divalent ne possédant pas plus de 30 atomes de carbone. 19.- Procédé selon au moins l'une des revendications 15, 16 et 17, caractérisé en ce que ledit corps est un polyaminobismaléimide de formule générale dans laquelle Bl est un radical bivalent constitué de deux cycles benzéniques reliés par le radical CH2 qui résulte de l'action d'une diamine primaire sur le NN' bisimide de l'acide maléique, notamment en présence d'un excès de diamine. 20.- Procédé selon l'une des revendications 18 et 19, caractérisé en ce que, à partir d'un polymère de départ obtenu par chauffage d'un prépolymère résultant du mélange dudit bisimide et de ladite diamine, dans un solvant on crée, au moins partiellement, ladite couche, et en ce que, ultérieurement, par chauffage, on chasse le solvant et on achève le durcissage des polyimides. 21.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit polyimide résulte d'une action comportant au moins l'action d'au moins un desdits NN' bisimides d'un acide dicarboxylique non saturé sur au moins une polyamine de formule générale A2 (NH2)x, x étant un nombre supérieur à 2, A2 étant un radical organique de valence 2 comportant 3 d 5 groupements NE2 par molécule, porté par au moins un noyau benzénique et en ce que l'on ajoute au mélange intime dudit bisimide et de ladite polyamine un polyesther insaturé avant de procéder au chauffage. 22.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits polyimides résultant d'une action entre d'une part des oligomères à groupements imides de formule générale dans laquelle y représente un nombre allant de 0,1 à 2 environ, R11 désigne un radical hydrocarboné divalent ayant de 1 à 8 atomes de carbone qui dérive d'un corps ayant une fonction cétone ou une fonction aldéhyde de formule générale R11 = 0 dans laquelle ltato- me d'oxygène est lié à un atome de carbone du radical R11 > B11 est un radical éthylènique divalent et d'autre part, au moins une polyamine de formule générale A2(NH2)x, x étant un nombre supérieur à 2 et A un radical organique de valence 2 comportant de préférence 3 à 5 groupements NH2 par molécule, porté par au moins un noyau benzénique. 23.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits polyimides résultent de la condensation de monomères contenant des noyaux aromatiques liés entre eux par des enchaînements carbinols libres ou substitués, lesdits monomères possédant à la fois des fonctions amines libres ou acyles et des centres fonction nels acide 0 dicarboxylique, anhydride O dicarboxylique, 0 carboxyesther ou 0 diester susceptibles de réagir sur les aminés pour donner des cycles imides. 24.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que ces corps sont obtenus à partir de monomères difonctionnels dont la formule générale dans laquelle Y représente un atome d'hydrogène ou un atome d'hydrogène plus un hydracide ou encore un radical acyle, Ri2 est un atome dthydrogène, un reste alcoyle, acoylcarbonyle, aryle, arylcarbonyle, alcoyle arylimino carbonyle ou triméthyl silyle, Ruts2 et R1112 sont des atomes d'hydrogène, des radicaux alcoyles, alcoxy-alcoyles, hydroalcoyles ou aryles, B2 est un radical aromatique divalent, homocyclique ou hétérocyclique, les deux valences étant situées sur des atomes de carbone distincts, T2 représente un radical aromatique trivalent homocyclique ou hétérocyclique, les trois valences étant situées sur des atomes de carbone distincts deux de ces valences étant obligatoirement en position ortho l'une par rapport à 11 autre. 25.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que ces corps sont obtenus à partir des monomères difonctionnels dont la formule généra dans laquelle Y, B2, T2 et R12 ont la même signification que dans la revendication 24. 26.- Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que ce corps est obtenu à partir du monoesther méthylique de l'acide aminobenzhydrol dicarboxylique de formule 27.- Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la polycondensation est partiellement effectuée avant le dépôt et en ce qu'elle est achevée ultérieurement par chauffage de la couche déposée. 28.- Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que ce corps est utilisé sous forme de solution dans la N-méthyl pyrrolidone. 29.- Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que ladite solution est diluée avec une cétone. 30.- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que ladite cétone est de l'acétone. 31.- Procédé selon les revendications 5 et 6, caractérisé en ce que ledit corps est en solution dans un mélange formé de Nméthyl pyrrolidone et d'un hydrocarbure. 32.- Procédé selon la revendication 31, caractérisé en ce que ledit hydrocarbure est du toluène. 33.- Procédé selon l'une des revendications 31 et 32, caractérisé en ce que l'on ajoute à ladite solution du xylène en tant que diluant. 34. - Procédé selon l'une des revendications 6, 20 et 27, caractérisé en ce que ledit chauffage est effectué en deux temps, le premier temps étant à une température inférieure S celle du second temps. 35.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 34, caractérisé en ce que ladite couche est composée de plusieurs lits déposés successivement, chaque lit étant traité par chauffage avant le dépôt du lit suivant. 36.- Procédé selon l'une des revendications I à 35, caractérisé en ce que le dépôt de chaque lit est effectué par centrifugation sur une tournette. 37.- Procédé selon l'une des revendications I à 36, caractérisé en ce que ledit film est en une laque photosensible. 38.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 36, caractérisé en ce que ledit film est métallique. 39.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 36, caractérisé en ce que ledit film est un composé déposé à basse température. 40.- Procédé selon l'une des revendications 37 à 39, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par attaque chimique par une solution basique. 41. - Procédé selon l'une des revendications 38 et 39, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par attaque par plasma d'oxygène. 42.- Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que la solution basique est une solution diluée d'une base forte. 43.- Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que la solution basique est une solution concentrée d'hydrate d'hydrazine. 44.- Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que ledit film est en une laque positive et en ce que la gravure dudit masque et la gravure de l'évidement dans ladite couche auxiliaire sont effectuées en une seule opération avec une solution de base forte. 45.- Procédé selon l'une des revendications i à 44, caractérisé en ce que, lors du dépôt de ladite pellicule, ladite plaquette est portée à une température comprise entre 250 et 50000. 46.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 45, caractérisé en ce que, préalablement au dépôt de la couche auxiliaire, on dépose sur l'ensemble de la face active une couche intermédiaire en un deuxième matériau diélectrique différent du premier, d'une épaisseur sensiblement égale à celle de ladite pellicule métallique, puis en ce que, après le dépôt sur ladite couche intermédiaire de ladite couche auxiliaire suivi du dépôt dudit film dans lequel on crée un masque à partir duquel on élabore dans ladite couche auxiliaire ledit évidement, on crée dans ladite couche intermédiaire, un alvéole de même contour que ledit évidement et, le masque ayant été préalablement éliminé, on dépose ladite pellicule conductrice, puis en ce que on élimine les nappes subsistant de ladite couche auxiliaire et les nappes de ladite pellicule les recouvrant, créant ainsi sur ladite face active une surface plane intermédiaire. 47.- Procédé selon la revendication 46 d'obtention d'un dispositif comportant une première et une seconde configurations de conducteurs à des niveaux différents, caractérisé en ce que, une fois réalisée ladite première configuration de conducteurs, on dispose sur ladite surface plane intermédiaire un second manteau constitué d'au moins un lit supérieur d'un troisième matériau diélectrique dans lequel, par photogravure, on crée au moins une seconde ouverture-située au-dessus d'une plage de ladite première configuration, puis on dépose sur toute la surface de la structure une seconde pellicule métallique dans laquelle, par photogravure, on élabore ladite seconde configuration de conducteurs dont au moins une nappe recouvrant ladite seconde ouverture fait contact avec ladite plage de ladite première configuration. 48.- Procédé, selon la revendication 46, d'obtention d'un dispositif comportant au moins une première et une deuxième configurations de conducteurs à des niveaux différents dont un niveau sousjacent, caractérisé en ce que, une fois réalisée la première configuration de conducteurs, on dépose sur ladite surface plane un deuxième manteau constitué d'au moins un lit supérieur fait en un troisième matériau diélectrique dans lequel,par photogravure, on crée au moins une deuxième ouverture située au-dessus d'une plage de ladite première configuration, puis on dépose successivement, sur toute la face active de la plaquette à ce stade de la réalisation une seconde couche intermédiaire d'un quatrième matériau diélectrique différent dudit troisième matériau, puis une deuxième couche auxiliaire en l'un des corps choisis parmi les polyimides, les polyamides-imides, les polyamides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyamino-imides > puis en ce que l'on fait subir à la plaquette au moins un traitement thermique, en ce que l'on effectue ensuite sur ladite deuxième couche auxiliaire le dépôt d'un deuxième film dans lequel on crée un deuxième masque à partir duquel on élabore dans ladite deuxième couche auxiliaire un second évidement ayant la forme de ladite deuxième configuration et recouvrant au moins ladite deuxième ouverture ainsi que des nappes dudit deuxième manteau et, après cette élaboration on creuse, dans ladite deuxième couche intermédiaire un deuxième alvéole de même contour que ledit deuxième évidement et ledit deuxième masque ayant préalablement été éliminé on dépose sur la face supérieure de la plaquette à cet instant là une deuxième pellicule conductrice d'une épaisseur sensiblement égale à celle de ladite seconde couche intermédiaire, puis, en ce que on élimine les nappes subsistant de ladite deuxième couche auxiliaire et les nappes de ladite deuxième pellicule les recouvrant, créant ainsi une deuxième surface plane intermédiaire. 49.- Procédé, selon la revendication 48, d'obtention d'un dispositif comportant une première, une deuxième et une troisième configurations de conducteurs à des niveaux différents, caractérisé en ce que, une fois réalisée ladite deuxième configuration de conducteurs, on dépose sur ladite deuxième surface plane intermé diaire un troisième manteau constitué d'au moins un lit supérieur d'un cinquième matériau diélectrique dans lequel, par photogravure, on crée au moins une troisième ouverture située au-dessus d'une plage de ladite deuxième configuration, puis on dépose sur toute la face active de la plaquette à cet instant là une troisième pellicule métallique dans laquelle, par photogravure, on élabore ladite troisième configuration de conducteurs dont au moins une nappe recouvrant ladite troisième ouverture fait contact avec ladite plage de ladite deuxième configuration. 50.- Procédé selon l'une des revendications 47, 48 et 49, caractérisé en ce que d'une part lesdits premier, troisième et cinquième matériaux diélectriques sont en un même matériau et, d'autre part, lesdits deuxième et quatrième matériaux diélectriques sont en un même matériau, les deux matériaux étant différents. 51.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 50, caractérisé en ce que au moins le premier desdits manteaux comporte un lit sous-jacent fait dans ledit second matériau. 52.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 51, caractérisé en ce que ledit premier matériau diélectrique est du nitrure de silicium et ledit second matériau diélectrique est de l'oxyde de silicium. 53.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 52, caractérisé en ce que au moins ladite première pellicule conductrice est en aluminium. 54.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 53, caractérisé en ce que au moins ledit premier film est en aluminium. 55.- Procédé selon l'une des revendications 46 et 48, caractérisé en ce que au moins l'un desdits masques est éliminé avant que ledit alvéole correspondant soit creusé dans ladite couche intermédiaire. 56.- Procédé selon la revendication 48, caractérisé en ce que au moins ledit second masque est éliminé avant que ledit deuxième alvéole soit creusé dans ladite deuxième couche intermédiaire et en ce que le métal du deuxième film est identique au métal de la première configuration. 57.- Procédé selon l'une des revendications 46 et 48, caractérisé en ce que au moins l'un desdits masques est éliminé après que ledit alvéole correspondant soit creusé dans la couche intermédiaire. 58.- Procédé selon les revendications 48 et 57, caractérisé ce que au moins ledit second masque étant éliminé après que ladite seconde fenêtre soit creusée dans ladite seconde couche intermédiaire, le métal dudit second film est différent du métal de ladite première configuration. 59.- Procédé selon la revendication 58, caractérisé en ce que le métal de ladite première configuration-étant de l'aluminium ledit second film est composé de trois lits, un lit inférieur de chrome, un lit intermédiaire de nickel et un lit supérieur d'or. 60.- Dispositif semiconducteur muni sur une face active d'au moins une configuration de conducteurs reposant partiellement sur un manteau d'un premier matériau diélectrique, ledit manteau comportant au moins une ouverture par laquelle ladite configuration est en contact électrique avec au moins une région semiconductrice sous-jacente, caractérisé en ce que ladite configuration est une nappe résultant d'un dépôt effectué à chaud sur l'ensemble de ladite face active, ladite nappe ayant été déposée au fond d'un évidement pratiqué dans une couche auxiliaire reposant sur ledit manteaux ledit évidement recouvrant et débordant ladite ouverture, ladite couche auxiliaire étant constituée principalement d'au moins un corps choisi parmi les polyimides, les polyamides-imides, les polyimides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyamino-imides et ayant été éliminée par une attaque qui a entraîné les nappes de ladite pellicule déposée à sa surface selon le procédé décrit dans l'une des revendications 1 à 59. 61.- Dispositif semiconducteur à plusieurs niveaux de configurations de conducteurs, réalisé par le procédé décrit dans l'une des revendications 47 et 48, caractérisé en ce que ladite première configuration est logée dans un alvéole de même contour que ledit évidement pratiqué dans une couche intermédiaire reposant sur le manteau sous-jacent, ladite couche étant en un second matériau diélectrique différent du premier, en ce que ladite couche est d'une épaisseur égale à celle de ladite configuration et en ce que elle engendre avec ladite configuration une surface sensiblement plane sur laquelle repose un second manteau en un matériau diélectrique, ledit second manteau comportant en regard d'une plage de ladite première configuration une ouverture et en ce que une seconde configuration de conducteurs repose sur ledit manteau et fait contact avec ladite première configuration à travers ladite ouverture.