L'organisation des lignes de mot est telle qu'une ligne sélectionnée reçoit un train d'impulsions unipolaires de haute fréquence, lu à 2u rtHZ par exemple et à simple titre illustratit La valeur du courant dans une ligne de mot est établie pour produire sur chacun des éléments de mémoire associés à cette ligne un champ transitoire nw, voir ttig.3, produit par le courant il, voir Hig.5a qui, à chaque impulsion, entratne un basculement temporaire du vecteur aimantation dans ces éléments de mémoire hors de la direction de l'axe de facile aimantatiai du matériau, ce basculement n'atteignant toutefois pas 900, La xlig.3 montre qualitativement trois courbes A, n et C, utiles pour préciser le fonctionnement d'une mémoire selon la présente invention. Les champs orientés dans la direction de dif- ficile aimantation du matériau anisotrope de mémorisation sont portés suivant l'axe des ordonnées, fi # .Ceux orientés dans la direction de facile aimantation sont portés suivant l'axe des abscisses, fi ji. Le champ d'anisotropie d'un matériau est, par exemple, indiqué en Hk, et son champ coercitif est, par exemple, indiqué en HCs inférieur à Hk . En Hp est indiquée toujours à titre d'exemple, la valeur mesurée du champ parasite en un point de mémoire, c'est à dire la somme des composantes parasites orientées selon l'axe de facile aimantation, tant d'origine interne (champs dus aux points de mémoire voisins) que d'origine externe (champs magnétiques d'environnement et de commandes des lectures et écritures en mémoire.) . Au point de vue du fonctionnement, le champ Hp se retranche du champ coercitif H c et la valeur d'un champ d'information appliqué à l'écriture (sur les points associés à une ligne de mot excitée,par les conducteurs 14) ne doit pas dépasser la valeur (hc a ) Sous peine de perdre le convenu c p des points de mémoire non sélectionnésO La courbe A est la courbe de délimitation de la zone en laquelle se produira un basculement qui pourra dépasser 900 du vecteur aimantation pour une impulsion appliquée selon l'axe de difficile aimantation et concomitamment un champ appliqué selon l'axe de facile aimantation. Ce basculement se produit au delà de la courbe A par rapport à l'origine du plan.Une telle courbe peut être tracée expérimentalement pour un matériau défini con sidéré dans une géométrie de mémoire également définie, ainsi d'ailleurs que les deux autres courbes B et O. La courbe 13 est la courbe délimitant de la meme manière une zone dans laquelle, pour l'écriture, le vecteur aimantation du point de mémoire basculera lors d'une application simultanée, dans la ligne de mot, d'un train d'impulsions de sélection à nombre limité d'impulsi- ons, seize par exemple, voir en Iw sur la Fig.5, et, dans la ligne d'information, d'un courant d'écriture Id, d'un sens pour écure un "1", voir E(1), P'ig,5S du sens contraire pour l'écriture d'un W, voir E(0), même figure. Cette zone de basculement se situe au dessus de la courbe B. rour toute application simultanée sur un point de mémoire d'un champ de mot nW et d'un champ d'information Hd tels que le point résultant se situe au dessus de la courbe ir, il y aura soit confirmation d'orientation, soit réorientation du vecteur aimantation selon la direction de l'axe de facile aimantation du matériau suivant la "polarité" du champ hd et l'état antérieur du point de mémoire.La courbe Ç est la courbe qui délimite, en dessous d'elle, une zone en laquelle le vecteur aimantation, en la seule présence du champ parasite np et en l'absence de tout champ d'écriture lid, ne peut être décalé en dehors de la direction de l'axe de facile aimaLtation du matériau anisotrope de plus de, par exemple, 10 et ceci pour un nombre d'impulsions beaucoup plus grand que celui appliqué pour un seul cycle d'écriture ou de lecture.La Fig.5 ne considère illustrativement que des cycles de lecture unitaires, autrement dits non répétitifs. lais on doit comprendre qu'après un cycle écriture en mémoire, l'exploitation de cette donnée peut nécessiter des relectures multiples et, souvent, séquentielles. il ne faut pas qu'une telle lecture répétée puisse entraSner un effacement de la donnée par désorientations aléatoires (dépendant du champ parasite np) , ce qui serait le cas si la composition des champs définissait un point de fonctionnement situé ai dessus de la courbe G. La zone en dessous de o est également celle en laquelle doivent se situer les valeurs du champ d'interrogation et du champ de mot parasite créé lors de l'écriture en des éléments situés sous des lignes de mot adjacentes à la ligne de mot s électionnée en cette écriture.