INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin d'assembler la poutre métallique 81 en forme de H et le joint 82, la moitié inférieure du joint 82 est montée concentriquement sur l'extrémité de la poutre métallique en forme de H au moyen de la fente 89 et des entailles 90 et 91, l'même du joint étant en équerre avec celle de la poutre métallique 81 en forme de H comme le montrent les figures 17 et 18.
Actuellement, les joints sont reliés au moyen de rivets, comme le montrent les figures 17 à 19, pour présenter une forme annulaIre Au lieu de rivets 94, on peut utiliser des boulons à haute résistance, ou bien la liaison peut être effectuée par soudage. De préférence, les joints peuvent être assemblées, comme le montre la figure 18, au moyen de rivets 94 et ensuite soudés. Les soudures effectuées de cette façon sont désignées en 100. Ainsi, les poutres métalliques 81 en forme de H sont assemblées au moyen de joints 82 respectivement et les poutres métalliques sont disposées dans une forme polygonale. Comme l'illustre la figure 16, les jointures entre les ailes 87 et 88 des poutres métalliques 81 en forme de H et les ailes 93 des joints sont soudées, la soudure étant référencée en 95.
De la même façon une autre poutre métallique 81 en forme de H, ayant une extrémité de la même forme que celle de la poutre métallique 81 déjà assemblée au moyen du joint 82, est assemblée au moyen de la moitié supérieure du joint 82, de sorte que les âmes 86 et les ailes 87 et 88 des poutres métalliques 81 supérieures et inférieures sont mises en contact bout à bout. Pour assurer un tel contact bout à bout, la longueur de l'entaille 89 et des fentes 90 et 91 des deux poutres métalliques 81 en forme de H est légèrement plus grande que la moitié de la longueur du joint 82. Les poutres métalliques 81 supérieures sont également assemblées au moyen des joints 82 l'une après l'autre, de façon à présenter une forme polygonale.Les portions bout à bout des ailes des poutres métalliques 81 supérieures et inférieures sant réunies par soudage et les jointures entre les ailes 87 et 88 des poutres métalliques 81 et les ailes 93 des joints 82 sont également soudées, la soudure étant désignée par les références 96 et 97.
Comme le montre la figure 18, l'intersection entre l'âme 92 du joint 82 et les âmes 86 des poutres métalliques 81 en forme de H assemblées verticalement est, de préférence,soudée. Les soudures sont désignées en 101. Dans ce but, des ouvertures peuvent être prévues dans les ailes 87 et 88 des poutres métalliques 81 supérieures et inférieures, et, après le soudage, les ouvertures peuvent être fermées avec des plaques.
Les extrémités supérieure et inférieure de la cheminée sont munies de joints 98 et 99 qui sont reliés de façon à présenter une forme annulaire. Les joints du bas de la cheminée sont attachés d la plaque d'ancrage 84 qui part du socle 85. Comme il ressort de la figure 15, les joints 98 en haut de la cheminée 83 peuvent être d'une longueur moitié moindre de celle des autres joints 82 mais ils peuvent etre de la même longueur dans le cas où une plateforme ou une portion d'un plus petit diamètre est prévue en haut. La plateforme est montée sur la moitié supérieure des joints et soudée, les joints restant en saillie. Les joints 99 d'en bas peuvent être,de préférence, plus longs que les autres 82, puisqu'ils sont reliés au socle.
La construction de la cheminée commence au socle 85 et les joints 99 les poutres métalliques 81 en forme de H, les joints 82 et les poutres métalliques ........... sont successivement assemblés D'autre part, les joints voisins 82 peuvent être assemblés auparavant à l'usine en forme angulaire et l'assemblage sur des poutres métalliques en forme de H sera réalisé sur le chantier, cette opération étant répétée.
Le procédé de polymérisation le plus largement utilisé au niveau industriel est la polymérisation par radicaux libres, réalisée en présence dtinitiateurs qui forment à température élevée les radicaux d'initiation, comme décrit par exemple dans USP 2 419 008 et 2 419 010. L'inconvénient majeur de tels procédes est la haute pression qutils demandent pour être mis en oeuvre.
Des vitesses élevées de polymérisation ne peuvent Qtre obtenues qu' à des températures supérieures à la température critique du fluorure de vinyle (54,70C), et par conséquent la pression propre du monomère est alors supérieure à 51,4 atmosphères. De plus, si lt on veut obtenir par de tels procédés des polymères à poids moldcu- laires élevés, il est essentiel de travailler dans le réacteur à une pression très supérieure à la pression propre du fluorure de vinyle à la température de polymérisation. Plus la température de réaction est élevée, et plus le supplément de pression est grand de sorte qu'habituellement une polymérisation par de tels procédés est conduite sous quelques centaines et même sous quelques milliers d'atmosphères.
Quelques procédés de polymérisation du fluorure de vinyle, à basse température, ont été décrits. On a trouvé que certains dérivés organiques du bore, essentiellement des trialcoyleborane avec ou sans cocatalyseur, tel que lsoxygène, des peroxydes, l'am- moniaque ou ses drivés organiques, agissent comme catalyseurs de polymérisation du fluorure de vinyle, à la température ordinaire et même en dessous ; ce sujet fait ltobjet des brevets US 3 112 298 et belges 620 986, 635 081 et 646 722.Cependant, ltem- ploi de tels systèmes catalytiques présente certains inconvénients quelques uns des catalyseurs les plus actifs de ce groupe de composés sont des produits pyrophoriques (comme par exemple le trié thyle borane, ce qui oblige à s'entourer de mesures de sécurité.
De plus, la réaction entre les catalyseurs organiques du bore et les dits catalyseurs - et plus particulièrement ltoxygène - peut se produire de différentes manières qui dépendent de légères modifications incontrôlables dans les conditions de réaction, Si bien que les résultats obtenus par de telles polymérisations ne sont pas reproductibles. Un autre inconvénient sérieux de ces systèmes Ca- talytiques est que, même si la vitesse initiale de la polymérisation qu'ils ont initiéeest satisfaisante, la vitesse décroît nettement dans le temps, et assez rapidement, la polymérisation s' arrête complètement. Les rendements en fluorure de polyvinyle re vendiqués dans les brevets ci-dessus mentionnés, sont assez faibles.
Plus récemment, des procédés de polymérisation du fluorure de vinyle à température encore plus basse ont été décrits, par exemple dans les brevets français nO 1 464 332, britannique n0 1 122 771 presque identique, allemand nO 1 620 962 et U.S.
nO 3 513 116. Ces procédés sont basés sur l'emploi de systèmes rédox, dans lesquels les agents réducteurs sont des dérivés organométalliques du plomb ou de 1'étain, et les composés oxydants sont des sels alcalins, alcalinoterreux ou ammoniacaux d'acides minéraux dont les anions sont des agents oxydants typiques, des sels de métaux polyvalents à leur plus haut degré d'oxydation, ou bien les acides nitrique ou perchlorique libre. Comme ces procédes dépendent du pouvoir oxydant des agents dtoxydation, la polymérisation est en géneral conduite à 400C ou au dessus. Un abaissement de la température de polymérisation en dessous de 300C entrain des vitesses de polymérisation infiniment faibles.
La polymérisation de quelques monomères vinyliques, et principalement celle du chlorure de vinyle, à la température ordinaire ou en dessous, par des systèmes d'initiation comprenant des composés organiques du plomb et de étain et des sels minéraux varies, était connue bien avant que les derniers brevets mentionnés ne fussent publiés. On avait trouvé que le nitrate d'argent était un des sels les plus efficaces ; son activité à des températures basses était attribuée à la formation, au sein de la réaction, d'argent alcoyles qui libèrent des radicaux libres alcoyles, avec une vitesse élevée, même à -600C ; on peut voir à ce sujet le brevet britannique nO 767 417 ; le brevet belge nO 531 171 JO Furukawa et col., Bull Inst. Chem. Res.Kyoto Unit, 38-319 (1960) ; J. Furukawa et col., Kogyo Kogaku Zasshi 64 1307 (1961) C.E.H. Bawn et col, J. Polymer Sci. 58 335 (1962).
Cependant, les systèmes Pb(Alcoyle)4-AgNo3 et Sn(Alcoy- le)4-AgN03 étaient connus pour initier la polymérisation, à la température ambiante ou en dessous, uniquement pour les monomères dont la propension à se polymériser à des températures relativement basses diffère fortement de celle du fluorure de vinyle. D' autres monomères, parmi lesquels le fluorure de vinyle, qui sont généralement susceptibles d'une polymérisation par radicaux libres, sont polymérisés très lentement - pour peu qutils polymérisent par le système binaire d'initiation Pb(alcoyle)4-AgN03 ou Sn(Al coyle)4-AgN03. Ces monomères abaissent ou arrêtent la réaction entre les composés du système d'initiation.
La polymérisation du fluorure de vinyle en tube scellé par le plomb alcoyle ou ltétain alcoyle se fait avec une vitesse très faible à la température ambiante. Quand on ajoute un mélange de Pb(Alcoyle)4-AgN03 à du fluorure de vinyle, la polymérisation est lente en masse et également dans certains solvants, dans lesquels les deux composés du système d'initiation sont solubles.
La demanderesse a trouvé d'une manière surprenante que, quand de petites quantités d'un troisième composant sont ajoutées aux systèmes binaires d'initiation comprenant un composé organique du plomb ou de étain et un composé d'argent, on obtient une activation importante du système d'initiation et le système ternaire ainsi obtenu est un agent de polymérisation du fluorure de vinyle beaucoup plus efficace. Ce troisième composant ne dissout pas obligatoirement à la fois le composé organique du plomb ou de l'étain et le composé d'argent ; il ne catalyse pas par lui meme la polymérisation. Une concentration plus forte de ce troi sieme composant diminue la concentration en monomère et en initiation, mais la vitesse de polymérisation croit meme si ces concentrations sont réduites de moitié à la suite de l'addition de ce troisième composant. L'emploi d'un tel troisième composant, en quantité appropriée, a comme conséquence l'obtention de polymères de poids moléculaire élevé en des temps relativement courts, à des températures aussi basses que -200C. Le composé ajouté au couple binaire catalyseur-cocatalyseur est désigné ci-après promoteur.
Plus particulièrement, le procédé, suivant l'invention, permet la préparation de polymères de fluorure de vinyle à poids moléculaire élevé,tà des températures comprises entre -40 C et +54,70C, en présence d'un système binaire d'initiation comprenant un composé d'argent et un composé organique du plomb ou de 11 étain, dans un rapport moléculaire de 0,01 à 100 entre les deux composants, la quantité totale du système binaire étant de 0,001 à 1 mole %, par rapport au monomère, et en présence d'un promoteur qui est défini ci-après ; le rapport molaire du promoteur vis-àvis du monomère est en général compris entre 0,001 et 100.
Les composés d'argent des systèmes binaires d'initiation de la présente invention peuvent etre de l'hydroxyde d'argent ou bien des sels d'argent d'acides minéraux ou organiques, dont les anions peuvent être éventuellement des agents oxydants ou réducteurs. Les sels d'argent des acides minéraux peuvent être ceux des hydracides ou ceux des oxacides contenant 1 à 8 atomes d'oxygène et un ou plusieurs atomes des éléments appartenant aux groupes VIIa, ViIb, VIa, VIb, Va, IVa et liTa, du mdme groupe ou de groupes différents du tableau périodique des éléments.Peuvent également convenir d'autres sels minéraux de l'argent, ne contenant pas d'oxygène, tels que ceux des actes dont la molécule renferme deux ou plusieurs atomes des éléments mentionnés ci-dessus, soit du mtme élément ou d'éléments différents, et des sels d'argent à anions complexes. Les sels d'argent suivants sont donnés à titre illustratif : fluorure, perchlorate, chlorate, bromate, permanganate, sulfate, sulfite, chromate, nitrate, nitrite, carbonate, tétraborate, cyanate, thiocyanate, tétrafluoroborate, hexafluoroantimoniate et hexafluorophosphate.Les acides organiques des sels d'Ag utilisables peuvent être des mono- ou polyacides, aliphatiques ou aromatiques, qui peuvent Qtre substitués ou non substitués dans les chaines aliphatiques ou sur le noyau benzênique. Les sels argent d'acides organiques ci-après soht donnés à titre d'exem- plesnon limitatifs s acétate, propionate, benzoate, lactate, tartrate, trifluoroacétate, etc.
Les composés organiques du plomb ou de l'étain des systèmes binaires dtinitStion de la présente invention sont des dérivés du plomb ou/et de 11 étain, dont la formule générale est MeR2R'R", dans laquelle Me désigne le plomb ou l'étain et dans laquelle les deux groupes R sont des radicaux identiques ou différents, en particulier aliphatiques ou aromatiques, substitués ou non ; des radicaux alcoyles, linéaires ou ramifiés, contenant 1 à 6 atomes de carbone sont préférés.R' et R" sont identiques ou dif fervents de R; ils peuvent être tels quthydrogène, halogènes, hydro xyle, alcoyloxy ou bien anions d'oxacides minéraux (par exemple sulfurique ou nitrique), ou d'acides organiques carboxyliques contenant un ou plusieurs atomes de carbone (par exemple de 1' acide acétique).
A titre d'exemples illustratifs, mais non limitatifs, de composés organiques du plomb et de l'étain, on peut citer les plomb tétraméthyle, plomb tétraéthyle, bromure de plomb triéthyle, acétate de plomb triméthyle, plomb tri-thylphényle, étain tétraméthyle, étain tétraéthyle, acétate d'étain trimèthyle et similaires.
Les promoteurs suivant l'invention, qui activent les systèmes binaires d'initiation, sont des composés organiques contenant un ou plusieurs hétéroatomes, identiques ou différents, appartenant aux groupes Va et VIa du tableau périodique des éléments, de préférence l'oxygène, le soufre, l'azote et le phosphore.
Ces hétéroatomes peuvent être liés à un ou plusieurs atomes de carbone d'une chaine organique ou des composés cycliques et ils peuvent être également liés entre eux. On peut citer, à titre d'exemples illustratifs, non limitatifs, de tels groupes de composés organiques à hétéroatomes, les alcools, éthers, cétones, acides carboxyliques, thioalcools, thioéthers, sulfoxydes, sulfones, nitriles, amides et dérivés N-substitués, urées N- et N'-substituées, esters d'acides contenant du phosphore (tels que phosphates, phosphonates et phosphinates) et les dérivés N,N',N"-hexaalcoyLés de la triamide de l'acide phosphorique.
pour former une enceinte étanche 36 définie par les surfaces internes de la lentille 28 et du réflecteur 24.
La lentille 28 comporte un rebord marginal 38 sur lequel est disposé une seconde garniture élastique 40. Le phare de virage 16 5 est disposé dans l'ouverture 20, un bord de cette dernière rabattu vers l'intérieur étant en contact élastique avec la garniture 40o Le phare de virage 16 est ensuite fixé dans cette position par des organes de fixation 42 qui fixent des pattes de support 44 en saillie vers l'extérieur sur les côtés du réflecteur 24 à des supports 10 espacés 46 fixés à la surface interne du pare-chocs avant 22.
La lentille 28 est en un matériau transmettant la lumière, tel que de la matière plastique, et présente une fenêtre avant claire 48. Lorsque la lentille 28 est utilisée avec le réflecteur à facèttes en question, elle peut être optiquement passive et ne 15 nécessiter aucun des moyens optiques de correction habituellement utilisés avec les lentilles de phare. Toutefois, la fenêtre 48 peut comporter des cannelures ou des prismes optiques destinés à répartir encore l'éclairage commandé par le réflecteur 24, si ces cannelures ou prismes sont estimés avantageux.
20 La source lumineuse 26 est centrée horizontalement et vertica lement par rapport au réflecteur 24 et comprend généralement une douille 50 et une lampe 52 ayant un filament 54 enroulé hélicoïda-lement. La douille 50 comporte deux conducteurs 56 qui sont connectés à une alimentation (non représentée), telle que la batterie du 25 véhicule, pour alimenter le filament 54. Bien que la source lumineuse 26 puisse être d'un type quelconque suivant le type du dispositif d'éclairage dans lequel elle est montée, des moyens appropriés doivent être prévus pour centrer avec précision le filament 54 dans l'enceinte 36, au montage, par rapport à la surface à fa-30 cettes, décrite ci-après, du réflecteur 24.
Le réflecteur 24 comporte une partie de base 58 en forme de coupelle ayant une première surface optique se présentant sous la forme d'une surface à facettes avant, désignée dans son ensemble par la référence 60, qui est revêtue de façon appropriée ou autre-35 ment traitée de façon à intercepter et de réfléchir la lumière émise par le filament 54. Plus précisément, la surface à facettes 60 peut être aluminisée, argentée ou revêtue d'un métal tel que du chrome déposé pour procurer les capacités réfléchissantes précitées La surface à facettes 60 est définie par une série de facettes 40 distinctes et orientées individuellement qui sont désignées ci-
après, pour les besoins de la présente description, par des lettres suivant leur position par rapport au filament 54o Ainsi, comme représenté à la Fig. 3, la surface à facettes 60 est divisée horizontalement en trois rangées, une rangée intermédiaire qui est dési-5 gnée par la lettre M, une rangée supérieure désignée par la lettre U et une rangée inférieure désignée par la lettre Do La surface à facettes 60 est divisée verticalement en sept colonnes, la colonne médiane étant désignée par la référence 1 et les rangées adjacentes situées à gauche étant désignées successivement par les références 10 2L, 3L et 4L. et les rangées adjacentes de droite étant désignées successivement par les références 2R, 3R et 4r. A titre d'exemple, la rangée du milieu contient successivement les facettes suivantes: 4LM, 3LM, 2LM, 1M, 2RM, 3HM et 4RM„. Chacune de ces facettes est située à l'intérieur de l'enceinte 36 par rapport au filament 54 de 15 telle sorte que leur effet cumulé est de répartir horizontalement et verticalement la lumière émise par la source 26 suivant un faisceau de forme prédéterminée.
Plus précisément, toutes les facettes sont intentionnellement situées en arrière de la source lumineuse 26 afin de réfléchir une 20 image du filament 54. De cette manière, la configuration du faisceau éclairant produit par le réflecteur complet est la somme ou la superposition de toutes les images individuelles. La contribution particulière d'une facette individuelle est déterminée par sa configuration projetée qui présente des caractéristiques dépendant de sa 25 forme et de son emplacement par rapport à la source lumineuse 26 « En combinant un nombre suffisant de facettes ayant une dimension, une forme et une orientation appropriées, on peut obtenir une synthèse précise de la configuration du faisceau éclairant désiré.
A cet égard, l'expérience a montré que le diagramme des inten-30 sités d'un phare de virage doit procurer un large faisceau éclairant dans un plan horizontal et un faisceau relativement étroit ou concentré dans un plan vertical. En conséquence, pour obtenir ce résultat de la façon la plus commode possible, on dispose l'axe principal 70 du phare 16 horizontalement suivant un angle approprié par rap-35 port à l'axe longitudinal 18 du véhicule et l'axe secondaire 72 du phare verticalement et perpendiculaire par rapport à l'axe principal 70 et à l'axe 18 du véhicule.
Le diagramme des intensités ou les courbes de même intensité du phare de virage 16 sur le côté droit du^véhicule est représenté aux 40 Fig. 4 et 5, une zone 80 d'intensité élevée ou maximale étant éta
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On connaît, d'autre part, un procédé de centrifugation discontinu dans lequel un bain de silicate, provenant par exemple de scories, et passant dans un tambour centrifuge rotatif en acier, est formé en tube par la force centrifuge et extrait après solidiScation du tambour centrifuge.
On contact aussi des fours centrifuges à chauffage électrique, de préférence pour la fusion et le formage discontinus d'une matière siliceuse, dans lesquels la fusion de la charge introduite sous forme solide granuleuse est produite par le rayonnement thermique d'un arc électrique ou d'une résistance de graphite placé à l'intérieur de la masse fondue maintenue en équilibre en forme tubulaire par la force centrifuge, et déplacée dans la direction de l'axe de rotation. D'autre part, on connaît des fours centrifuges basés sur le même principe qui permettent, à travers un gainage dense supplémentaire la fusion et le formage sous vide, ou bien sous pression, ou en présence d'un gai de protection.
Les procédés connus de centrifugation continus pour la fabrication des tubes de verre ont l'inconvénient que, pendant le processus de formage et de solidification, le verre vient en contact avec les parois intérieures solides du tambour de centrifugation ou de la buse de calibrage, et qu'on n'obtient pas un glissement sans frottement entre le verre et l'outil de formage. Avec l'emploi de produits solides quelconques comme outil de formage, cela conduit au fait que la surface du verre du tube terminé n'est plus uniformément polie au feu. n y a relativement peu de verres propres au traitement par ce procédé, et à cause de la forte adhérence de la masse vitreuse sur la matière réfractaire du tambour centrifuge, il faut une grande force de traction pour extraire les tubes.Du fait du long temps de séjour du verre à la surface limite outil de formage-verre, il y a un risque de cristallisation accru qui, en particulier dans l'emploi d'outils de formage céramiques, est provoqué par un passage de matière dans le verre. La durée de vie de l'installation est diminuée par la forte corrosion de la matière réfractaire du tambour centrifuge.
De même, dans tous les procédés et dispositifs de centrifugation connus pour la fabrication discontinue de corps creux de révolution, la force centrifuge pousse le verre visqueux sur la paroi ou le revêtement du tambour centrifuge ou sur une couche intermédiaire en produit final non fondu. Cela impose un traitement postérieur par meulage et polissage pour obtenir une surface de bonne qualité.
Dans la fabrication de tubes larges et longs, selon le procédé de centrifugation connu dans des moules métalliques non subdivisés, par suite de la dilatation thermique diffé- rente et des effets de collage qui apparaissent, l'extraction du corps moulé hors du moule centrifuge rencontre de grandes difficultés technologiques. Pour les verres à haut point de fusion et les verres quartzeux, les moules métalliques ne sont pas utilisables pour la centrifugation à cause des températures de traitement élevées.
Le bat de l'invention est de créer un procédé pour la fabrication de corps creux de révolution, tels que des corps de révolution de grand format, à parois épaisses, en produits ayant le comportement de solidification du verre, qui élimine les défauts ci-dessus et permette la fabrication de produits de ce type de haute qualité avec une forte productivité dans une installation présentant un faible risque de pannes.
Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'on amène le produit à mouler, avec réglage de la quantité, composition et température, sur la surface intérieure de révolution d'au moins une couche annulaire tournante, consistant en un bain tel que bain de métal, bain de sels, bain d'oxydes métalliques, on le met en rotation, en le portant par échauffement à la viscosité voulue pour la déformation et en le maintenant dans cet état, et en le déformant ainsi par centrifugation sur la couche liquide tournante, on le soumet, pehdant un certain temps, à l'effet de la température de la pression, de la rotation, au passage du courant électrique et à l'échange de matière avec la couche, on le refroidit avec augmentation de la viscosité et on 1'extrait de la cavité formée par la couche liquide.