REVEMDICATIONS 10) Cellule solaire répondant N la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes et ccnportant un rev#tement anti-réflecteur au-dessus de la surface de la cellule solaire N travers laquelle la lumière pénètre, caractérisée en ce que ledit revêtement permet sensiblement N toute ladite lumière de courtes longueurs d'ondes de pénétrer dans ladite cellule solaire. 20) Cellule solaire telle que revendiquée en 1 dans laquelle ledit revttement n'absorbe pas et ne réfléchit sensiblement pas ladite lumière des courtes longueurs d'ondes. 3 ) Cellule solaire telle que revendiquée en 2 selon laquelle ladite région des courtes longueurs d'ondes est moindre que 0,5 micron. 4) Cellule solaire telle que revendiquée en 3 selon laquelle ledit revêtement anti-réflecteur comprend le pentoxyde de tantale sensiblement amorphe. 5.) Cellule solaire telle que revendiquée en 4 dans laquelle l'indice de réfraction dudit pentoxyde de tantale est 2,25. 6) Cellule solaire au silicium comportant une première couche d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'un second type de conductivité, une jonction peu profonde séparant lesdites première et seconde couches, un premier collecteur de courant au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche, un second collecteur de courant au-dessus du fond de la surface de ladite seconde couche, de telle sorte que ladite cellule solaire réponde à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes et un revetement anti-réflecteur au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche dans laquelle ledit revêtement permet sensiblement à toute ladite lumière de courtes longueurs d'ondes de pénétrer dans ladite cellule solaire au silicium sous-jacente. 70) Cellule solaire telle que revendiquée en 6 dans laquelle ledit revêtement anti-réflecteur n'absorbe ni ne réfléchit sensiblement ladite lumière de courtes longueurs d'ondes. 8e) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 7 dans laquelle ledit revêtement anti-réflecteur comporte du pentoxyde de tantale qui est sensiblement amorphe. 90) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 comportant une grille métallique collectrice de courant sur la surface supérieure de ladite prenière couche et dans laquelle la couche du pentoxyde de tantale n'existe seulement que sur ladite surface supérieure de la première couche qui n1 est pas occupée par ladite grille. 100) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 coinportant ane courliit# lilit pe;Ltoxy.le ie tantale et ane couche de tantale sur la surface supérieure de ladite première couche ainsi qu'une grille métallique collectrice de courant au-dessus de ladite couche de tantale. 11.) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 comportant une grille métallique collectrice de courant sur ladite surface supérieure et une couche dudit pentoxyde de tantale sur ladite surface supérieure et sur ladite grille. 12.) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 9 dans laquelle l'indice de réfraction dudit pentoxyde de tantale est de 2,25. 13.) Cellule solaire telle que revendiquée en 12 dans laquelle la jonction de la cellule solaire est à environ 1000 au-dessous de ladite surface supérieure. 14-) Procédé de fabrication d'une cellule solaire répondant à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes comportant un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale comprenant les phases suivantes a) on introduit une iMpureté dans ledit matériau semi-conducteur pour obtenir une première couche d'une conductivité d'un premier type séparée d'une seconde couche d'une conductivité dlun second type par une jonction peu profonde, b) on dépose une couche de l'élément tantale sur la surface supérieure de ladite première couche, c) on oxyde ledit Fleent tantale que l'on transforme en pentoxyde de tantale sensiblement amorphe, et d) on place une grille métallique collectrice du courant au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche. 15-) Méthode telle ue revendiquée en 14 dans laquelle la phase d'oxydation comprend une oxydation thermique dudit tantale. 16* thode telle que revendiquée en 15 dans laquelle ladite oxydation thermique se produit lorsque la température est suffisante pour obtenir le pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,23. 17.) Méthode telle ue revendiquée en 14 dans laquelle la phase d'oxydation est une oxydation anodique. 18e) Méthode telle que revendiquée en 17 dans laquelle l'oxydation anodique intervient pendant une durée suffisante pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25. 19*) Méthode telle que revendiquée en 14 dans laquelle ladite grille est placée au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche au moyen de la technique photolithographique de décollement. 20.) Méthode pour créer un revêtement anti-réflecteur et une grille métallique collectrice de courant sur une cellule solaire au silicium répondant à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes comprenant les phases suivantes a) on place une premier couche d'élément résistant photosensible sur la surface d'une cellule solaire à travers laquelle pénètre la lumière, b) on expose à la lumière ladite première couche de matériau résistant photosensible par l'intermédiaire d'un masque comportant un modèle similaire à celui du modèle de grille désiré, c) on développe et on rince ladite couche de matériau résistant photosensible, d) on dépose une couche de l'élément tantale au-dessus de ladite surface comportant la couche de matériau résistant photosensible qui reste après développement et rinçage, e) on enlève ledit matériau résistant photosensible restant, f) on oxyde ledit élément tantale en pentoxyde de tantale qui est sensiblement amorphe, g) on place une seconde couche de matériau résistant photosensible audessus de ladite surface comportant la couche de tantale oxydé, h) on expose à la lumière ladite seconde couche du matériau résistant photosensible a travers le négatif dudit masque, i) on développe et on rince ladite seconde couche de matériau résistant photosensible, laissant de la sorte une couche de matériau résistant photosensible au-dessus dudit pentoxyde, j) on place une couche de métal convenable pour Cotre utilisé co collecteur de courant au-dessus de ladite surface comportant la couche restante de matériau résistant photosensible, k) on retire ladite couche restante du matériau résistant photosensible. 21') Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle la phase d'oxydation comprend une oxydation thermique à une température suffisante pour obtenir ledit pentoxyde de tantale. 22B) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle l'oxydation thermique intervient à une température suffisante pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25, 23') Méthode telle que revendiquée en 21 dans laquelle ladite oxydation thermique comprend une phase d'oxydation de l'élément tantale initialement à environ 350e centigrade suivie d'une élévation de la température à la température désirée comprise entre 450e et 525' C. 24@) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle la phase d'oxydation comporte une oxydation anodique. 25') Méthode telle que revendiquée en 24 dans laquelle l'oxydation anodique comprend 11 utilisation d'un électrolyte organique non aqueux. 20v) Méthode telle que revendiquée en 24 dans laquelle 11 oxydation anodique a lieu pendant un intervalle de temps suffisant pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25. 27 ) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle ladite grille métallique comprend du chrome et de ltor. 280) Méthode telle que revendiquée en 27 comprenant un outre le dépôt d'une couche d'argent sur lesdits chrome et or.