INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Au moment ou le faisceau cathodique coupe l'image sombre des projections 156 des traits de la grille de mesure 13, des signaux apparaissent à la sortie du tube analyseur de télévision10 qui, à travers l'amplificateur 24 et la porte ET 25, attaquent l'entrée du conformateur d'impulsions 27. Les impulsions issues de celui-ci, d'une durée de l'ordre d'un dizième de l'intervalle de comptage, attaquent l'entrée de la porte ET 34. Au moment où arrive l'impulsion correspondant au premier trait de la grille de mesure 13, la porte ET 34 est encore bloquée, car l'impulsion correspondant au trait de la règle étalon 7 a été retardée par le bloc de retard 29 et le signal qui est issu de la bascule 30 et qui sert à débloquer la porte ET 34, n'est pas encore arrivé.
Au moment où arrive l'impulsion issue du conformateur d'impulsions 27 et correspondant au second trait de la grille de mesure 13, la porte ET 34 est déjà débloquée, de sorte que la seconde impulsion et les impulsions suivantes sont transmises vers le bloc de comptage 5.
Sous l'action de la première impulsion issue de la porte ET 34, c'est-à-dire de l'impulsion correspondant au second trait de la grille de mesure, la bascule 36 change d'état et le signal qu'il produit bloque la porte ET 32, de sorte que les impulsions correspondants aux microns entiers cessent d-'arriver au bloc de comptage 33.
Ainsi, on obtient aux blocs de comptage 33 et 35 une information sur la position du trait de la règle étalon 7 par rapport au trait de la grille de mesure 13 dans un intervalle de 1 mm.
L'erreur avec laquelle l'image de la surface de référence de la règle étalon 7 est reproduite par le système optique 1 sur l'écran 9 est principalement déterminée par la distorsion du système optique. Pour compenser cette erreur, le bloc de balayage horizontal 18 est réalisé sous la forme d'un générateur de tension en dents de scie à non-linéarité réglable.
On choisit une non-linéarité d'une valeur telle que la variation tav de la vitesse de déplacement du faisceau cathodique en un point quelconque de la zone utile de l'écran 9 du tube analyseur de télévision 1C corresponde à limage de distorsion du système optique 1. Le bloc de retard 29 possède un réglage du retard du signal provenant de la bascule 28 et devant déclencher horloge 31.
Ainsi, on peut obtenir un retard approprié de l'impulsion correspondant au trait de la règle étalon 7, par rapport aux impulsions correspondant aux traits de la grille de mesure 13.
Pour un retard,t fixe, le faisceau cathodique parcourt des distances,S différentes, selon sa position sur l'sera 9 du tube analyseur de télévision 10. Mathématiquement on peut exprimer ceci comme suit a s = (v0'tV). bt ou # S = Vo#t #V.#t, Vo étant la vitesse de déplacement du faisceau cathodique au centre de ltécran 9 du tube' analyseur de télévision 10.
Lorsque la vitesse du faisceau cathodique s'écarte de Vo d'une certaine. valeur dV, choisie en accord avec la distor- sion du système optique utilisé, on impose à l'aide du bloc de retard 29 un retardat tel que la valeur du chemin parcouru par le faisceau cathodique#V.#t soit égale à l'erreur de position de la projection 155 du trait de la règle étalon 7 due à la distorsion du système optique.
Etant donné que la grandeurV.t a un signe contraire à celui de terreur affectant la projection du trait de la règle étalon 7, due à la distorsion du système optique 1, l'erreur de mesure sera déterminée par leur différence et, si e-lles sont égales en valeur absolue, l'erreur de mesure sera nulle
La présente invention est relative au traitement de plaques photosensibles exposées à une image, pour la préparation de plaques d1 impression lithographiques et concerne le traitement de ce qu'on appelle d'une façon générale des plaques lithographiques présensibili- sées fonctionnant comme négatifs, à base de photopolymère.
L'impression de motifs de typographie et d'images sur diverses matières telles que le parier, le carton, les matières plastiques et sur métal est souvent effectuée par lithographie. L'impression lithographique utilise une plaque d'impression spéciale, qui accepte selectivement l'encre huileuse (oleo ink) à partir d'un ou plusieurs cylindres recouvert(s) -d'encre et la transfère directement ou indirectement sur le papier ou autre matière; une plaque d'impression lithographique est également appelée plaque planographique ou plaque superficielle. L'image d'impression, sur la plaque d'impression lithographique, n'est ni surélevée au-dessus ni enfoncée au-dessous# du niveau ou plan des zones sans image qui l'entourent, d'où l'expression planographique.C'est en cela qu'elle diffère des plaques, formes et cylindres utilisés dans les deux autres procédés d'impression principaux, à savoir, en typographie et en gravure. L'image d'impression de la plaque typographique est sensiblement surélevée au-dessus de sa matière de support sans image, et celle de la plaque ou du cylindre de gravure est enfoncée au-dessous de la zone sans image qui l'entou- re. En lithographie, la plaque doit presenter des caractéristiques superficielles appropriées permettant à l'encre dJadhérer sur les zones d'image requises et non d'adhérer sur les zones claires, sans image, et le choix correct des constituants utilisés pour réaliser la plaque lithographique est important.Il est également important que la plaque et les matériaux qu'elle porte soient correctement traités, sinon les propriétés oléophiles et hydrophiles essentielles des zones respectives peuvent ne pas être obtenues.
Avantageusement on peut utiliser à la place de la plaquette une bande sous-jacente formant la plaquette et se déplaçant avec le bloc.
Les lignes à retard ayant des paramètres dtinductance et de capacité distribuées sont connues et décrites par exemple dans le brevet américain NO 2 915 718. Dans une construction connue, un isolateur en plastique ayant une constante diélectrique inférieure à 6 est pris en sandwich entre un conducteur dtun plan de masse et un conducteur transportant un signal et il vient en contact avec ce conducteur. Le plan de masse et le diélectrique sont constitués par des cylindres tandis que le conducteur transportant un signal a une forme en hélice. Le diélectrique et le conducteur transportant un signal fournissent la capacité et l'inductance distribuées.Dans une telle unité, une instabilité mécanique des conducteurs et du diélectrique en fonction de la température est de nature à se produire et elle ne contribue pas à la stabilisation des propriétés électriques des paramètres distribués en fonction de la température.
Selon la présente invention, un film mince diélectrique inorganique non métallique, vitrifié et fritté ayant une constante diélectrique supérieure à 8, forme la capacité distribuée dtune ligne à retard, De tels diélectriques sont particulièrement les céramiques, certains verres ou des verres-ceramique. Le diélectrique est pris en sandwich entre un conducteur du plan de masse ayant une forme sinueuse de préférence en hélice qui fournit une inductance distribuée et un conducteur transportant un signal et il vient en contact avec ces conducteurs. Un des conducteurs est fixé à une tige, de préférence un substrat diélectrique cylindrique, qui peut astre solide ou creuse. Le conducteur du plan de masse ou le conducteur de transport d'un signal peuvent entre fixés au plan de masse.Le conducteur du plan de masse est de préférence constitué par un film mince ayant une conductance suffisante pour rendre les pertes minima. Pour empA- cher les pertes par courant de Foucault dans le plan de masse, ce film peut astre divisé en un certain nombre de bandes allongées Ces bandes doivent astre connectées ensemble de facon à créer une continuité capacitive.
L'utilisation d'un diélectrique inorganique dtune classe déterminée ayant une constante diélectrique contrôlable comprise entre 8 et 2 000 et une épaisseur comprise entre 0,013 mm et 0,38 mm, permet obtenir une très large gamme de temps de retard et des impédances caractéristiques dans un ensemble de dimensions essentiellement constantes. Des lignes avec des retards allant de une manoseconde > plusieurs microsecondes et des impédances comprises entre 25 et 25 000 ohms peuvent être fabriquées en faisant varier la formule de la céramique et la géométrie du dispositif.
Ce groupe déterminé de diélectrique perrnet aussi de concentrer le champ électrique entre les conducteurs de transport de signal et du plan de masse dans le volume du diélectrique directement entre les detix conducteurs, c'est-à-dire que le champ électrique des bords est rendu minimum. La forte constante diélectrique du diélectrique considéré fournit une grande valeur de la capacité distribuée de façon à rendre la longueur de la ligne à retard minimum tout en fournissant une faible impédance caractéristique de la ligne.Une faible impédance caractéristique est souhaitable dans la plupart des applications parce qu'elle permet un transfert a'énergie maximum entre une source de commande à faible impédance et une charge connectée à la ligne à retard sans qutil soit nécessaire dtutiliser des transformateurs dtimpédanceO Un autre avantage important d'un diélectrique de la classe envisagée concerne ses caractéristiques de stabilité de température qui lui sont inhérentes.En particulier, les diélectriques couramment disponibles dans la classe envisagée ayant des constantes diélectriques comprises entre 8 et 2 000 qui sont commercialement disponibles à relativement bas prix ont un coefficient de capacité faible en fonction de la température ctest-à-dire que, quand la température varie, la constante diélectrique du diélectrique ne change pratiquement pas. Les lignes à retard construites selon 11 invention présentent une stabilité de température telle que le retard varie de plus ou moins 200 par million et par degré centigrade de variation de température.
Pour obtenir ce résultat souhaitable, la ligne à retard de la présente invention est de préférence fabriquée en utilisant des techniques de dépit à film mince. Un premier film métallique est formé en rev8tant le substrat cylindrique dtune encre métallique qui est fixée par chauffage. Si le premier film métallique est utilisé comme conducteur de transport de signal, des parties de ce film sont sélectivement éliminées par polissage ou par d'autres opérations convenables de façon à rendre ce conducteur spiralé. Le film diélectrique est déposé à partir d'une suspension et chauffé. Le premier revêtement conducteur et le film diélectrique peuvent être chauffés ensemble ou séparément. Normalement, le diélectrique est chauffé dans une atmosphère inerte ou oxydante de façon à éviter les changements nuisibles des propriétés diélectriques.Dans les applications spéciales où il est nécessaire d'avoir des valeurs de capacité extrêmement éle vées, le chauffage dans une atmosphère réductrice telle que l'hydro- gène peut être envisagé. Le diélectrique est chauffé à une température suffisamment élevée pour le traiter mais suffisamment faible pour empêcher une réaction défavorable avec le revêtement métallique.
Une gamme de températures convenable est celle comprise entre 750 C et 1 350il. Le deuxième conducteur ou conducteur extérieur est appliqué en utilisant un dépôt de film mince ou bien en appliquant un fil à la périphérie du revêtement de céramique arrivé à maturation.
L'invention se propose donc de fournir - une ligne à retard à paramètres distribués nouvelle et perfectionné et un procédé de fabrication correspondant - une ligne à retard à paramètres distribués, nouvelle et perfectionnée ayant des caractéristiques améliorées de stabilité en températu re; - une ligne à retard à paramètres distribués ayant une capacité d'irez tabilité relativement forte de façon à obtenir un retard optimum et une impédance caractéristique minimum.
Ces buts et caractéristiques ainsi que d'autres, seront mieux compris en se référant à la description qui suit et aux dessins annexés sur lesquels s - la Fig. 1 est un schéma dtun circuit d'une ligne à retard à paramètres distribués présentant des dispositions permettant de connecter la charge à une prise intermédiaire ou à un curseur - la Fig. 2 est une vue coupée de côté dtun premier mode de réalisation d'une ligne à retard à paramètres distribués selon l'invention;; - la Fig. 3 représente une vue coupée dtune ligne à retard à paramètres distribués suivant la ligne 3-3 de la Fig. 2 - la Fig. 4 est une vue coupée de côté d'un autre mode de réalisation de l'invention dans lequel un curseur est utilisé pour commander le retard et - la Fig. 5 est une vue coupée de c8té dtun autre mode de réalisation dans lequel le conducteur du plan de la masse et le conducteur de transport de signal de la Fig. 2 sont inversés.
Sur la Fig. 1, la source tl d'un signal électrique peut être une source pulsatoire comme dans un calculateur électronique ou dans un système porteur à microondes et elle est connectée entre une borne 12 d'une bobine d'induction de transport de signal ou dtune ligne 13 et une borne de masse 14. Entre le conducteur 13 et la masse 14 est disposée une capacité 15.Une charge appropriée 116 est connectée entre le conducteur de masse 14 et la borne de sortie 16. Le niveau du retard du signal entre la source tl et la charge 16 est commandé par la longueur N de la ligne 13 entre les bornes 12 et 16, l'in- ductance L par unité de longueur de la ligne 13 et la-capacité C par unité de longueur de la capacité distribuée 15 étant en accord avec l'expression Selon 1tinvention, la valeur de C est déterminée en utilisant un film mince inorganique et non métallique comme diélectrique pour la capacité distribuée 15. En choisissant les valeurs de C et L, le retard et ltimpédance caractéristique donnée par peuvent être amenés aux valeurs désirées.La valeur de C est déterminée en changeant la constante diélectrique ou l'épaisseur du film ou les deux tandis que la valeur de L est déterminée en faisant varier le nombre de spires et la section droite de la spirale. Pour commander le retard entre la source 11 et la charge 16, une prise peut être prévue sur le conducteur 130 Sur la figure, une prise 17 est connectée au contact 16 qui, à son tour, est connecte, à la charge four a nissant ltinductance de ligne désiréee Dans cette connexion, une résistance d'extrémité est de préférence connectée à la borne de sortie 16. La valeur de cette résistance est choisie de façon à être égale à l'impédance caractéristique de la ligne dans le but de rendre minima les réflexions inhérentes à une terminaison en circuit ouvert.Cette résistance peut être appliquée au substrat par des techniques connues (non représentée) ou bien une résistance discrète peut être connectée aux bornes 14 et 16. La prise 17 peut être fixée en un point déterminé ou bien elle peut être un curseur analogue à un curseur de potentiomètre, auquel cas le retard entre la source 11 et la charge 16 peut varier à volonté. Dans une application caractéristique à un calculateur, le retard fourni par la ligne de la présente invention est compris entre 1 et 2 000 inanosecondes suivant la longueur de la ligne et la position de la prise 17 sur la ligne.
Sur les Figs. 2 et 3, le substrat cylindrique diélectrique 21 est représenté plein mais il peut être creux et il est revêtu des films minces coaxiaux 22 et 24. Un film diélectrique inorganique non métallique et chauffé 23 est pris en sandwich entre deux films métalliques mutuellement isolés et séparés 22 et 24 ayant respectivement une surface intérieure fixée au substrat 31 et une surface extérieure découverte. Le film métallique 24 a une forme sinueuse en hélice qui fournit un conducteur inductif de transport de signal à paramè- tres distribués correspondant à la bobine 13 de la Fig. 1 tandis que le film 22 est un conducteur plan de masse qui fonctionne comme le conducteur de masse 14. La capacité distribuée 15 est fournie par le film diélectrique 23.Aux extrémités opposées du film 24, sont connectés électriquement et mécaniquement des conducteurs 25 et 26 qui correspondent respectivement aux bornes 12 et 16, tandis qu'un autre conducteur 27 est électriquement et mécaniquement connecté à un point intermédiaire du film 24 qui fournit une prise fixe 17. Un conducteur 28 est électriquement et mécaniquement connecté à une e--trémité du film 22 de façon à fournir une borne de masse de la ligne à retard.
Ces diverses connexions peuvent être obtenues de différentes manières, par exemple par soudure, thermo-compression ou fixation adhésive conductrice.
Le substrat rigide, cylindrique, et diélectrique 21 est de préférence en alumine, en stéatite, en mullite ou en un verre convenable tel que le pyrex et il a des caractéristiques mécaniques et électriques stables à haute température et des caractéristiques chimiques telles qu'il soit capable de supporter des températures supérieures aux températures mises en oeuvre pour fabriquer la ligne à retard. Le substrat 21 a par exemple une longueur comprise entre 1 et 10 cm et un diamètre compris entre 1S25 mm et 6 mm.
La longueur et le diamètre de la tige 21 sont déterminés par le retard de temps désiré entre la borne d'entrée 12 et la borne de sortie 16 ou la prise intermédiaire 17 si cette dernière est utilisée.
Un film mince conducteur du plan de masse 22 en un métal noble est fixé a' la périphérie du substrat 21, ce film 22 étant formé à partir dtune encre métallisée. Le film 22 est de préférence formé d?un mélange palladium-argent ou palladium-platine, mais il peut être constitué par n'importe quel mélange ou alliage de métaux ou bien par un métal sous forme d'élément0 Le choix dtun métal particulier est déterminé par son coût, par la possibilité de fixer le métal au substrat et par la possibilité pour ce métal de constituer un reve- tement diélectrique en film mince d'une classe déterminée. De préférence le film 22 a une épaisseur comprise entre 0,006 mm et 0,075mm.
L'épaisseur o,ooG nmi est nécessaire pour permettre au revêtement d'avoir la conductance requise pour éliminer les pertes, tandis que des revêtements dépassant 0,075 lini d'épaisseur conduiraiellt à un prix plus élevé sans accroître les performances électriques. Pour empêcher les courants de Foucault de circuler dans le conducteur plan de masse 22, ce qui augmenterait I'inductance du plan de masse et par conséquent atténuerait les composantes du signal haute fréquence en créant une distorsion des bords avants des impulsions propagées dans la ligne à retard, ce conducteur 22 est divisé en un certain nombre de bandes allongées 32 qui sont courtcircuitées à une extrémité du cylindre 21.Dans ce but, une série de bandes étroites et allongées 31 sont découpées dans la plus grande partie du film 22 en sorte que le conducteur de masse comporte des bandes allongées 32 qui sont mutuellement isolées les unes des autres dans toute leur lontueur sauf à leurs extrémités contiguës aux conducteurs 28 où elles sont courtcircuitées par un segment annulaire 33 du film 22. D'une façon caractéristique, neuf bandes étroites 31 sont découpées à des intervalles de 400, chaque bande ayant une courbure de tordre de 5e.
L'amorce 11 est un corps de révolution, çar exemple un cylindre ou un cône découpé dans un monocristal à orientation cristallographique connue. De la sorte, l'orientation cristallographique de l'amorce 11 est elle aussi connue. En faisant tourner l'amorce 11 autour de son axe, on dispose son plan cristallographique parallèlement au plan de la pièce ou sous angle prédéterminé par rapport à celui-ci.
La puissance du réfrigérant 4 est choisie en fonction de la durée nécessaire du refroidissement de la base du moule 1 et du surrefroidissement du métal en fusion remplissant la cavité auxiliaire B du moule 1. Si le réfrigérant 4 a une puissance excessive, il peut refroidir non seulement la base du moule 1, mais aussi les portions de la surface latérale du moule qu u ont contigues, ce qui est indésirable. Si la puissance du réfrigérant 4 est faible, le processus de surrefroidissement du métal en fusion dans la cavité auxiliaire B du moule 1 se prolonge top longtemps, ce qui peut Ferturber l'homogénéité de l'orientation cristallographique du monocristal au commencement de sa croissance.
Pour obtenir des produits creux, par exemple des aubes de turbomoteur comportant une cavité pour leur refroidissement, on place dans le moule 1 un noyau 16 ayant la forme de la cavité à obtenir dans le produit.
Le procédé proposé pour la fabrication de produits monocristallins est fondé essentiellement sur le fait cive la partie la plus mince de la couche de métal en fusion coulée dans le moule î.se trouve à la pointe de la saillie en forme de coin de sa cavité auxiliaire, et qu'en outre, la conductibilité thermique du métal en fusion au-dessus de la partie centrale de la cavité auxiliaire est beaucoup plus grande que la conductibilité thermique du matériau du moule 1 au-dessus de la fine couche de métal en fusion se trouvant à la pointe de ladite saillie.
De ce fait, sous l'faction du réfrigérant 4 on obtient dans la saillie en forme de coin un fort surrefroidissement qui s'affaiblit progressivement le ong du contour de la base, aussi obtient-cn un gradient radial de température dans le sens allant vers sa pointe.
Toutes les causes énumérées favorisent la naissance d'un cristal à la pointe de la saillie en forme de coin-du moule 1 et sa propagation rapide le long du périmètre de la base, ce qui exclut la naissance de cristaux parasites dans cette zone.
Le dispositif de l'invention fonctionne de la façon suivante.
Be moule 1 placé dans le four à vide 5 est-chauffé par élément chauffant 2 jusqu'à une température plus élevée que celle de début de cristallisation du métal en fusion.
Ensuite, le métal fondu dans un autre four est coulé dans le moule 1. La température du métal en fusion est contrôlée immédiatement avant la coulée par un-thermocouple d'immersion,.
La température du métal en fusion au moment. de sa coulée dans le moule 1 doit être de 100 à 1200 plus élevée que la température de début de cristallisation, mais un peu plus basse que la température du moule 1, de telle façon qu'après la coulée elle soit, à la base elle-même de 30 à 4GOG plus basse que la température des parois du moule 1 à ce même niveau. Un métal chauffé à l'excès nécessite un autre régime de refroidissement, ce qui peut provoquer l'apparition de cristaux parasites à la base du moule.
-rs du chauffage du moule 1, le réfrigérant 4 est disposé, par rapport à la base de ce dernier à une distance telle -que son influence refroidissante- sur le moile soit pratiquement exclue.
Après la coulée du métal dans le moule 1, on laisse séjourner pendant le temps nécessaire pour que la température du métal fondu corresponde à celle du moule 1.
A la fin du séjour, la température du vital fondu à la-base du moule 1 doit être de 30 à 400G plus élevée quela température de début de cristallisation.
Pour assurer la naissance du cristal on rapproche de la base du moule 1, le réfrigérant 4 fixé sur la tige mobile 8, à une vitesse assurant son entrée en contact avec le moule 1 au moment où la température du métal fondu à la base de celuici devient de 70 à 400C inférieure à la température de début de cristallisation. Dans l'exemple considéré, ce processus dure 10 à 12 minutes.
Au moment où le réfrigérant 4 contacte la base du moule 1, le métal s'est déjà solidifié dans la saillie en forme de coin de sa cavité auxiliaire B et un peu plus haut. De la sorte, pendant le déplacement progressif du réfrigérant 4 vers la base du moule 1, le bain se trouvant dans la pointe de la saillie en coin subit un surrefroidissement et il sty forme un germe unique de cristal,quioe propage ensuite suivant'le périmètre du moule 1.
Après l'entrée en contact du réfrigérant 4 avec le moule 1, on détache celui-ci du support 7. Le moule 1 se trouvantalors sur le réfrigérant 4 est déplacé progressivement vers le bas à l'aide de la tige 8 pour être retiré de la zone d'action- de l'élément chauffant 2. La vitesse de déplacement du réfrigérant 4 portant le moule 1 dépend de la forme du produit à obtenir.