INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On doit noter que la surface du corps semiconducteur, en utilisant du bioxyde de silicium formé thermiquement corne couche dé passivation,n'est pas exactement planaire, parceque 45 % de la formation d'oxyde s'effectuent à l'intérieur du corps semiconducteur et 55 % de la formation d'oxyde se produisent à l'extérieur du corps. En eonséquense. quand chacune des couches d'oxyde successives 4, 5,' et 6 est formée la portion de surface semiconductrice en contact avec chaque couche d'oxyde se retire encore dans le corps.
D'une Eanière générale, les couches d'oxyde 5 et 6 sont beaucoup plus minces que 1 première couche d'oxyde 4. les reisons concernant l'épaisseur de la couche d'oxyde 4 dans des dispositifs discrets à haute fréquence ont été expliquées cidessus. Toutefois, si le dispositif est simplement une structure sur une plaquette de circuit intégré monolithique, une condition supplémentaire sur la dimension de la couche 4 résulte de la nécessité de placer des pattes de soudure sur une couche de passivation présentant une épaisseur minimale, afin de ne pas affecter de manière préjudiciable les région sous-Jacentes du dispositif.
Pour des dispositifs métal-oxyde-semiconducteur, et en particulier des dis positifs semiconducteur' s' épais à oxyde métallique, la première couche de passiva- tion doit être suffisamment t épaisse pour former un isolement de champ entre les composants, dans la corns. ce qui engendre un isolement correct entre ces com@o- sauts Cette épaisseur requise pour la couche' de passivation cause à son tour des limitations sur les dimensions minimales des régions de source et de drain formées dans le dispositif et limite ,en conséquence,la densité et le nombre de structures qui peuvent être formés sur une plaquette. Un nombre plus grand de structures susceptible d'être formées sur une plaquette, peut engendrer une réduction du prix global de fabricetion de ces dispositifs métal-oxyde-semiconducteur.
la présente invention a pour obA de proposer un dispositif semiconducteur présentant une réponse en fréquence améü orée.
la présente invention a encore pour objet de proposer un dispositif semicon docteur présentant une configuration plus petite.
Le présente invention a encore pour objet de proposer un dispositif de circuit intégré monolithique comportant un nombre accru de composants.
Selon l'invention, il est proposé un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte - un corps de matériau semiconducteur d'un type de conductivité ; - au moins un plateau s'étendant à partir d'une surface principale du corps ; - une région de type de conductivité opposé, formée dans le plateau ; - une couche diélectrique s'étendant à partir de la surface principale entourant le plateau et sensiblement coplanaire avec lui.
Selon une autre caractéristique de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations suivantes - on forme au moins un plateau sur une surface principale d'un corps semiconducteur d'un type de conductivité ; - on forme une couche diélectrique sur la surface principale sensiblement coplanaire avec le plateau et l'entourant, tout en laissant une surface du plateau exposée - on diffuse une première région de type de conductivité opposé, à travers la surface exposée du plateau et sous la surface principale, afin d'établir une Jonction PN dans le corps.
D'autres caractéristiques de l'invention ressortiront de la description détaillée ci-dessous. Bien entendu la description et le dessin ne sont donnés qu'à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention.
La figure 1 représente un transistor réalisé selon les techniques connues.
les figures 2a, 2b, 2c illustrent les opérations de fabrication d'un exemple de réalisation de l'invention.
les figures 3, 4 et 5 représentent des variantes de réalisation de l'invention En attendant de résoudre les problèmes indiqués précédemment concernant les dispositifs connus, on explicite maintenant une technique pour réduire les dimensions géométriques des régions actives des dispositifs semiconducteurs.
Un matériau de départ qui peut être utilisé dans la fabrication de transistors discrets à haute fréquence ou bien de structures de circuits intégrés monoli- triques ou bien encore de transistors et circuits intégrés métal-oxyde-semiconductuer, est constitué par un corps semiconducteur ll,représenté sur la figure 2a présentant une conductivité du type N, une résistivité d'environ 1 à 5 ohms par cm, et une épaisseur d'environ 0,076mm à o,3 & n.
Lorsque la pièce extrudée a environ 30 centimètres de longueur, on la saisit et la tire à une vitesse constante de 4,5 mètres par minute. Après avoir tiré à 30 - 60 centimètres du pont de départ, on regarde s'il y a des signes de déchirure ou de rupture de la masse fondue.
L'essai décrit ci-dessus donne des résultats suivants (1) - Aucune des formulations des exemples 1 ou 2 ne se déchire ou ne se brise (2) - Toutes les formulations témoins commencent à se déchirer ou se brisent complètement.
TEMOIN A Lorsqu'on essaie d'extruder une composition semblable à celle de l'exemple 1, sauf qu'elle ne comporte pas le copolymère contenant du méthacrylate de méthyle et de l'acrylate d'éthyle copolymérisé, on trouve que la résistance du produit extrudé à l'état fondu est si abaissée que l'on ne peut manipuler ce produit extrudé sans le déchirer ni détruire la continuité de la mousse dilatée. Cet abaissement de la résistance mécanique à l'état fondu constitue une nette déirontration de la supériorité de la formulation décrite dans l'exemple 1.
TEMOIN B Lorsqu'on répète l'exemple 1, sauf que l'on remplace le copolymère chlorure de vinyle/éthylène par un homopolymère normalement solide du chlorure de vinyle, les solidités mécaniques des produits obtenus par extrusion de cette formulation à l'état fondu ne sont pas satisfaisantes ; il se produit une déchirure et une rupture dans l'essai d'extensibilité a lte- tat fondu décrit ci-dessus.
E 2 On répète l'exemple 1, sauf que l'on utilise la formulation ou composition suivante (1) - Copolymère chlorure de vinyle/éthylène : 90,375 pour cent (2) - Polymère contenant 85 pour cent de méthacrylate de méthyle polymérisé et 15 pour cent d'acrylate d'éthyle polymérisé : 5,0 pour cent (3) - Stabilisant "Mark KCB" : 2,0 pour cent (4) - Stéarate de calcium : 1,5 pour cent (5) - Ethylène-bîs-stéaramide : 0,5 pour cent ; (6) - "Celogen RA" : 0,625 pour cent.
Exemples 3 - 7 Lorsqu'on répète l'exemple 1, sauf que l'on remplace le copolymère chlorure de vinyle/éthylène par des copolymères du chlorure de vinyle avec le propylène, le l-butène, le néohexe- ne, l'éther-oxyde de lauryle et de vinyle ou l'éther-oxyde de cétyle et de vinyle, contenant au moins 95 pour cent de chlorure de vinyle copolymérisé, on obtient des pièces extrudées ayant à l'état fondu une extensibilité comparable.
L 'invention concerne un procédé de Lrsite!lent de la surface d'un sol pour réduire l'évaporation de l'humidité de celui-ci, par pulvérisation a la surface du sol d 'une éI ul SIOLI aqueuse constituée d'un polymère hydrophobe et d'une matière hydrophile.
pour réduire i' évaporation de l'humidité rlu sol, on connaît déjà des procédés qui consistent tt recouvrir le sol d'une couche ou revêtemellt continu imperméable d'asphalte, d'une matière plastique, de latex, etc.Ainsi, le brevet allemand X I.2t'). 2 d erit l'uti- lisation d'émulsions d'asphalte comme convertures du sol, et le brevet suédois X 309.512 concerne un procédé pour empêelìer l'érosion du sol, la surface du sol étant pulvérisée avec de l'huile de pin ou des résidus d'huile de pin de façon à obtenir une couche fine continue sur la surface du sol. Les inconvénients de cette technique bien connue sont évidents. Dans le cas de l'asphalte, celuici empêche l'accès de l'air aux racines des plantes, et la toxicité de l'asphalte pour les plantes ntest pas complètement nulle. En outre, l'asphalte n'est pas facilement décomposé par les microorganismes.Dans le cas des émulsions plastiques, il se forme parfois une surface imperméable qui elilpêche le contact des racines avec l'air.
Il est exact que l'on obtient une meilleure agglomération du sol en utilisant un latex, mais cette technique est utilisée principalement pour les zones sablonneuses, dont on veut empêcher l'érosion.
Selon l'invention, la matière hydrophobe consiste en esters d'acide gras polymérisés préparés par polymérisation d'acides gras poly-insaturés et d'alcools gras, la matière présentant une force d'attraction pour les particules du sol telle que celles-ci en sont revêtues, de sorte que la surface des particules est diminuée et que la force capillaire est simultanément réduite.
Les graisses et huiles grasses végétales naturelles contiennent des alcools gras, et ceux-ci sont obtenus par décomposition des graisses. Ces alcools gras ont une chaste carbonée plus longue que par exemple l'hexadécanol. Si on estérifie ces alcools gras naturels avec des acides gras poly-insaturés à température élevée, on obtient des esters d'acides gras partiellement polymérisés que l'on utilise conformément à l'invention. Les produits obtenus sont bon marché et, lorsqu'on les vaporise sur le sol et les plantes, ils n'empêchent pas 13 croissance des plantes.Lorsqu'on les pulvérise et les répartit sur la surface d'un sol, les produits ont une telle force d'attraction pour les particules du sol que celles-ci sont convenablement revêtues, ce qui réduit le pouvoir d'ascension capillaire de l'eau dans une couche fine de la surface du sol.
Les particules de sol sont rugueuses et présentent des surfaces très irrégulières. Lorsque ces surfaces sont disposées en position adjacente les unes par rapport aux autres, il se forme des canaux ayant de très grandes surfaces, ces canaux agissant comme des tubes capillaires, par lesquels l'eau et l'humidité provenant de dessous la surface du sol migrent vers la surface où se produit 1'évaporation. Il n'est guère possible de s'opposer à ces forces capillaires. On y parvient dans une faible mesure, de préférence en ameublissant le sol, mais l'effet est temporaire.
Lorsqu'on pulvérise sur le sol une émulsion aqueuse contenant un polymère hydrophobe et une matière hydrophile selon le procédé de l'invention, les particules de sol sont revêtues de la matière hydrophobe du fait de la force d'attraction supérieure de cette matière pour les parois des particules, et il se produit une égalisation de toutes les fissures et parties rugueuses des particules.
Les forces capillaires sont ainsi réduites, et l'eau est moins capable de monter par capillarité à la surface et de s'évaporer. L'émulsion aqueuse utilisée dans l'invention contient aussi une matière hydrophile, comme il a été indiqué ci-dessus, et lorsqu'on pulvérise l'émulsion à la surface du sol, cette matière se sépare et descend un peu plus profondément dans le sol que la matière hydrophobe qui exerce une plus forte attraction sur les particules de sol. Dans le sol, la matière hydrophile aspire l'eau jusqu'au niveau où la couche traitée par la matière hydrophobe empêche la matière hydrophile de monter à la surface du sol. Par ce procédé, on a unecouche de sol humide juste en dessous de la surface du sol et, à partir de celle-ci, les racines des plantes se frayent un chemin vers le bas et trouvent l'humidité dont elles ont besoin.L'invention fournit ainsi un procédé pour empêcher l'évaporation de l'humidité du sol en répandant l'émulsion aqueuse sur le sol. Une explication plausible de cette réduction de l'évaporation pourrait être que l'on répand sur la surface du sol une couche imperméable par le moyen de l'émulsion, empêchant ainsi l'évaporation depuis la surface. Mais ce n'est pas le cas. Comme il a été indiqué ci-dessus, 1'émulsion contient un polymère hydrophobe, qui est en grande partie attiré par les parois des particules, de sorte que ces particules sont revetues de cette matière et que les fissures des particules sont égalisées. La répartition de la matière sur les particules s'effectue avec l'aide de l'eau, et il est important que l'émulsion contienne de l'eau lorsqu'on la pulvérise.Du fait de tette tte plr- tition, on obtient des particules plus arrondies lorsçl. l'émulsion a pénétré. En d'autres termes, la forme et la surface des rticu- les de sol ont changé à un degré tel que la force capillaire a été réduite. Lt possibilité que 1 'humidité migre trop rapidement jus- qu'à la surface et su évapore dans l'air se trouve ainsi fortement diminuée.
La quantité d'émulsion répandue suivant l'inventiori ne doit pas dépasser 150 g/m. On doit de préférence pulvériser lteisulsion à la surface du sol, à raison de 75 à 12.5 g/rn, de préférence 10 g/m2. Il existe deux raisons à cette limitation de la quantité ré- pandue 1 - En cas de pluie, il est souhaitable que la pluie puisse traverser le sol sans obstacles. Ceci se produira si l'on applique l'émulsion au sol dans les quantités indiquées. Si l'on en utilise des quantités plus importantes, il en résultera une obstruction progressive des cavités. En ce cas, la possibilité de pénétration de la pluie sera réduite.
2 - Si l'on désire avoir de la végétation, les plantes doivent aspirer l'humidité par leurs racines. Si la couche était trop dense et les racines trop courtes, les plantes auraient des difficultés à aspirer une quantité d'humidité suffisante. Ceci serait en particulier le cas avec des plantes qui ont besoin de lumière pour leur croissance, et doivent donc être ensemencées à la surface du sol, par exemple certaines variétés de gazon.
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mencement du mycète comestible désiré puisse être conservé dans les conditions usuelles, on a démontré expérimentalement que les hyphes développées dans cette culture doivent être soumises à un changement rapide de température et/ou d'humidité à un moment propice. afin de stimuler et accélérer la croissance ou les processus métaboliques. Les changements préférés de l'environnement auxquels on soumet les hyphes seront étudiés en détail par la suite, notamment dans certains des exemples du procédé selon 1' invention.
Etant donné que les hyphes qui sont sur le point de donner des organes de fructification contiennent les substances utiles en des concentrations maximales, comme on l'a déjà dit, il est essentiel ou au moins hautement souhaitalble que les hyphes soient traitées à cet instant précis. Cet instant critique peut être déterminé par certains signes évidents. Tout d'abord un milieu nutritif qui contient des hyphes suffisamment évoluées vire au blanc dans les parties narginales immédiatement avant la formation d'organes de fructification. En second lieu, en ce qui concerne les "Shiitake" et certaines espèces voisines, on constate une sorte de phénomène de gonflement sur les couches d'hyphes lorsque les hyphes se sont suffisamment développées dans le milieu nutritif.
On pulvérise alors les hyphes développées au degré voulu du champignon comestible choisi, conjointement avec le milieu nutritif, pour former des particules fines, ce què l'on peut effectuer par des moyens appropriés quelconques. On introduit les matières pulvérisées dans de l:eau distillée et stérilisée à un pH d environ .0. On charge la suspension ainsi préparée dans un récipient hermétique, on chauffe et on filtre pour obtenir l'extrait désiré. Pour réaliser les meilleurs résultats, le chauffage de la suspension doit se faire en deux stades successifs, dont le premier est à une température d'environ 30 à 35° C pendant une heure et dont le second est à une température d'environ K-j à 55°C pendant de une à deux heures. Le premier stade de chauffage accélère la production des bêta-1,3-glucanase, chitinase et autres enzymes d'hyphes, alors que le second stade de chauffage sert à stimuler les activités de ces enzymes.
On peut mélanger l'extrait liquide ainsi obtenu avec une quantité appropriée de sulfate d'ammonium, pour provoquer la précipitation des substances utiles contenues dans l'extrait. On
dissout les précipités recueillis dans de l'eau distillée et stérilisée et on soumet cette nouvelle solution à une dialyse à 1' aide d une membrane semi-perméable, pour éliminer le résidu de sulfate d ammonium. Cette membrane semi-perméable doit être telle 5 qu'elle laisse passer des particules dont la masse moléculaire ne dépasse pas environ 1000 De plus, on doit régler avec soin la proportion de sulfate d'ammonium ajouté au filtre. On a -'émontré expérimentalement qu'on obtient les meilleurs résultats si l'on mélange environ 584 g de sulfate d'ammonium avec environ :.000 ml 10 du filtrat.
Une analyse de l'extrait obtenu à partir d'hyphes de "Shiitake" par le procédé décrit fait ressortir la présence des ingrédients suivants : 40 enzymes, y compris les bêta-1,3-glucanase et chitinase, 18 amino-acides, les vitamines B^ et B-^, l'ergostéri-15 ne, des polysaccharides et des polypeptides. Cependant, il est vraisemblable que les extraits contiennent d'autres substances utiles encore inconnues.
Dans ce qui suit, on présente seulement quelques uns des résultats qui ont été obtenus par l'utilisation d'un extrait pro-20 venant des hyphes de "Shiitake" selon l'invention :
1. Une femme âgée de 42 ans, souffrant depuis des années d' uee tension artérielle élevée maximum 21 et minimum 16 cm de Hg) a pris 100 ml de l'extrait, trois fois par jour avant les repas. Au bout de quatre jours, sa tension est descendue à un maximum de
25 16 et à un minimum de 10, après quoi la tension s'est stabilisée dans cet intervalle.
2. Un homme âgé de 40 ans, dont les amygdales avaient un aspect blinc par suite de l'amygdalite dont il souffrait, a pris 200 ml de 1 extrait et il a été entièrement guéri au bout de 24
Le mécanisme représenté sur les dessins à titre d'exemple est celui d'un magnétophone portatif du commerce à structure simple, robuste et peu coûteuse, qui est destiné à assurer l'enregistrement ou la lecture d'une mini-cassette interchangeable, c'est-à-dire d'un boîtier plat rectangulaire de dimensions et configuration normalisées dans lequel est enfermée une bande magnétique suscaptiùla d'être transférée de l'une à l'autre des deux bobines incorporées audit boîtier en défilant devant des f#res sur l'un des grands côtés de ce dernier; la bande ainsi conditionnée n'étant pas accessible, il importe que son entraînement soit parfaitement contrôlé, tout incident survenu lors de son déroulement ou enroulement à l'intérieur de la cassette pouvant être sans remède.
La vue en perspective éclatée de la figure 1 montre les éléments essentiels du mécanisme d'entraînement, modifié conformément à la présente invention. Ce mécanisme est agencé sur une platine P, sous laquelle est monté un unique moteur électrique M (invisible sur la figure) dont le sens de rotation peut être inversé par simple commutation de son alimentation. L'arbre A de ce moteur possède une portée terminale de très faible diamètre par laquelle est supporté et entraîné en rotation un galet-baladeur 10, qui sera ultérieurement décrit, permettant d'entraîner sélectivement en rotation l'un ou l'autre des moyeux de bobine B1, B2 disposés de part et d'autre de l'arbre moteur A.Ce dernier comporte par ailleurs une portée de plus grand diamètre en prise permanente avec un galet de renvoi A' porté par un levier :pivotant qui le maintient normalement en contact avec la périphérie du -volant d'un cabestan C faisant office de régulateur de vitesse. Le mécanisme d'entraînement comporte en outre un galet mobile D de déroulement à grande vitesse, par lequel le moyeu de bobine B2 peut être relié au cabestan C, et un galet mobile E d'enroulement à grande vitesse, destiné à relier le moyeu de bobine 31 au galet de renvoi A'; cas deux galets mobiles sont portés par des timoneries respectives actionnées par les moyens de commande du mécanisme, qui actionnent en outre le levier portant le galet de renvoi A' et une ferrure S mobile en translation sur la platine P. Cette ferrure comporte deux branches disposées en équerre, dont l'une porte un bras pivotant rappelé élastiquement, en bout duquel est monté un galet presseur G destiné à coopérer avec l'arbre du cabestan C, et dont l'autre se termine par un talon actionnant un levier Bl monté pivotant sur la platine P, derrière le moyeu de bobine Bf.
Les éléments jusqu'à présent décrits, hormis le galetbaladeur/0, appartiennent au mécanisme d'origine du magnétophone pris comme exemple d'application de l'invention, et ne seront donc pas décrits en plus de détail. On mentionnera simplement que les deux moyeux de bobine B1, B2 sont chacun pourvu d'un limiteur de couple du type à friction permettant de régler la tension de la bande magnétique, et que tous les organes mobiles sont pourvus de ressorts de rappel, non représentés pour la clarté du dessin, en vue d'assurer notamment la pression de contact requise entre les éléments rotatifs accouples.
Lr perfectionnement essentiel objet de l'invention consiste à substituer la galet-baladeur 10 à un galet d'origine porté par le levier St; ce galet permettait d'accoupler la portée de faible diamètre de l'arbre moteur A au moyeu de bobine B2, qui en conséquenee pouvait seul être entraîné à faible vitesse, pour assurer le défilement de la bande magnétique dans le sens normal d'enregistrement ou de lecture.
La substitution à ce galet d'origine du galet-baladeur 10 conforme à l'invention permet au contraire l'accouplement automatique de l'arbre moteur A à l'un ou l'autre des moyeux de bobine B1, B2, suivant le sens de rotation dudit arbre.
En effet,, le galet baladeur 10 est constitué d'un support pivotant 11 percé d'un trou central prolongé par un demi-palier 12 dans lesquels est reçue à frottement doux la portée terminale de faible diamètre de l'arbre moteur A; l'un des bras du support pivotant Il porte Je galet-baladeur proprement dit 13 monté de manière que sa périphérie élastiquement déformable soit en prise directe et permanente avec la portion de l'arbre moteur A tourillonnant dans le demi-palier 12.
L'autre bras du support lt forme une arête de butée 14 destinée à engager une patte de butée 21 d'une pièce 20 rapportée sur le levier Ll, par simple emboîtement d'un oeil 22 et d'un trou 25 pratiqué en bout d'une patte d'équerre respectivement sur le pivot du levier Bl et sur un axe rivé à son extrémité libre; la patte d'équerre de la pièce 20 comporte un prolongement destiné à venir se superposer au bras 14 du support du galet-baladeur pour immobili-ser axialement ce dernier sur l'arbre moteur A. L'ase rivé en bout du levier Bl actionne par ailleurs un levier B2 artioulé å son extrémité opposée sur un pivot solidaire de la platine P; ce levier L2 porte un frein auto-serreur à action unidirectionnelle , désigné dans son ensemble par 30 et destiné à coopérer avec le moyeu de bobine B2. Ce frein est simplement constitué d'un manchon 31 monté pivotant sur un axe rivé au levier L2, ledit manchon comportant à sa base un collet 32 interrompu par une encoche dans laquelle est reçu un ergot 33 rivé sur le levier L2, et à son sommet un méplat formant une feuillure 34 dans laquelle est collée un coin 35 fait d'une matière à qualités de frottement appropriées.
Le fonctionnement du mécanisme ainsi constitué va maintenant être décrit en se référant aux représentations schématiques simplifiées des figures 2 à 5 La figure 2 illustre schématiquement l'état du mécanisme assurant le déroulement à vitesse normale d'enregistrement ou de lecture de la bande magnétique BM enfermée dans la cassette K; la bande magnétique BM, représentée par un trait gras, est supposée par simplification directement enroulée sur le moyeu de bobine B1, d'où elle passe sur un renvoi solidaire de la platine P puis sur l'arbre du cabestan C, pour venir enfin s'enrouler sur la bobine B2, représentée par an moyeu.