L'amplificateur à gain commandé 4 est représenté sur la fig.3 et comprend un amplificateur monolithique à vitesse de balayage ou de passage élevée 22, dix paires de transistors à effet de champ tels que les transistors 23 à 26, dix paires d'entrées telles que les entrées 27 à 30 (correspondant aux trajets de circulation 5 visibles sur la fig. 1), et destinées aux signaux d'ordre numériques de commande de gain qui proviennent du dispositif à mémoire 6, un réseau de résistances en échelle telles que les résistances 19,20 et 33 à 36, une borne d'entrée 31 pour le potentiel dé référence, une résistance de réaction négative ou de contre-réaction 32, un conducteur de mise à la masse 38 et des résistances 71 et 72, qui sont connectés comme le montre la figure. Chaque paire de transistors correspond à un ordre n donné (=0,1,... 9), les transistors 25 et 26 qui sont les plus proches de l'amplificateur 22 CorrespQn- dant à l'ordre le plus élevé n = 9, les transistors 23 et 24 correspondant à l'ordre le plus élevé suivant n = 8, etc...On considère que chaque paire de transistors constitue un commutateur fournissant une valeur Sn correspondant à l'unité lorsque le transistor de gauche est seul conducteur et correspondant à zéro lorsque le transistor de droite est seul conducteur, le gain A de l'amplificateur 4 étant alors donné par la formule : A = k (S020 + S1 21 + S2 22 + ... + 59 29) expression dans laquelle k est une-constante prédéterminée et rendue exactement égale à 0,01, de sorte que le gain est unitaire pour le nombre binaire 1100100 équivalent à la valeur décimale cent (SO, S1, 53 et S4 ayant une valeur nulle et S2 S5 et S6 ayant une valeur unitaire).Par conséquent, le gain maximal a pour valeur 10,23. En fait, effet de la commutation des trallsist-ors consiste à faire varier le pouvoir de transmission du réseau en échelle0 Il est possible d'utiliser des. transistors bipolaires à la place des transistors à effet de champ0 A l'encontre de l'avantage d'une tension de décalage nulle pour les- transistors à effet de champ, il y a lieu de noter l'inconvénient de leur résistance en circuit plus élevée.Cette dernière est de tordre de 300 ohms et varie d'un transistor à l'autre, la -tolérance correspondant à cette résistance devant être prévue dans la conception du réseau en échelle, et sa variation pouvant nécessiter d'ajususer les valeurs des résistances faisant partie des étages les plus-significatifs du réseau en échelle.Pour obtenir une grande vitesse de fonctionnement, on a utilisé une impédance caractéristique maille en T de 2 kilo-ohms, et cela nécessite d'alimenter le réseau en échelle par l'intermédiaire d'un amplificateur tampon 22ae Ce dernier doit également présenter une impédance extrêmement élevée vis-à-vis de l'une quelconque des mémoires capacitives 10,11,13 et 14 lorsqu'il leur est connecté par l'intermédiaire du commutateur d'entrée 3 et par l'intermédiaire de l'un des trajets de circulation 2. Le signal de sortie de ces deux amplificateurs montés en série est en opposition de phase par rapport à leur signal d'entrée, et ces amplificateurs doivent entre suivis par un étage d'inversion à gain unitaire 22b destiné à rétablir la polarité.Ce dernier étage peut être court-circuité, sous la commande du troisième bit de modification, pour obtenir un gain total négatif. Le court-circuitage est obtenu par l'intermédiaire de commutateurs 61 et 62 se présentant sous la forme de transistors à effet de champ et par l'intermédiaire d'un signal provenant du dispositif à mémoire 6 et appliqué sur les lignes 63 ou 64. Ces trois amplificateurs 22, 22a et 22b sont monolithiques et le choix de leur type est commandé par la nécessité d'obtenir une valeur éle vée pour la vitesse de balayage ou de passage de sortie, c'est-àdire dvo/dto La bande de fonctionnement du système de calcul est limitée par les commutateurs de multiplexage 3 et 9 à +5 volts.Des amplificateurs monolithiques présentant des vitesses de balayage supérieures à 4 volts Par microseconde sont disponibles et leur temps dsetablissement an début d'une instruction est inférieur à 3 microsecondes pour une excursion de tension maximale possible de ±10 volts, Ces caractéristiques sont plus que satisfaisantes pour le temps d'établissement permis de 10 microsecondes.