INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'invention comprend, mises à part ces dispositions principales, certaines autres dispositions qui s'utilisent de préférence en mtme temps et dont il sera plus explicitement question ci-après.
Dans ce qui suit l'on va décrire un mode de réalisation préféré de l'invention en se référant au dessin ci-annexé d'une manière bien entendu non limitative.
Les figures 1 et 2, de ce dessin, montrent schématiquement, respectivement en coupe verticale partielle et en coupe horizontale selon II-II, figure 1, un dispositif détecteur de niveau établi conformément à l'invention.
La référence 1 désigne un réservoir, à parois généralement opaques, contenant un liquide 2 dont on désire connaître le niveau relati-f : en d'autres termes on désire savoir si le niveau réel dudit liquide est supérieur ou inférieur à un niveau de référence, par exemple en vue-eveviter un remplissage excessif du réservoir en liquide ou au contraire en uue-d'écarter les risques d'une "panne sèche" par vidage incontrôlé de ce réservoir quand ce dernier est monté de façon à alimenter en liquide un distributeur ou autre appareil approprié.
Dans l'essai de sorption realisé pour mesurer le rapport caractéristique de capacité de sorption n-hexane/methyl-2-pentane à 90 C, l'échantillon de ZSM-21 préparé selon cet exemple adsorbe 5,1% en poids de n-hexane et 2,8% en poids de méthyl-2-pentane (n-hexane/méthyl-2-pentane = 1,82).
EXEMPLE 8 On soumet de la ferrierite naturelle, ayant un rapport molaire de SiO2 à A1203 de 12, à un échange par de l'ammonium et a une calcination pour obtenir la forme hydrogene de cette zéolite (H-ferriérite) selon la procédure de l'Exemple 5. On traite de la même façon également la zéolite ZSM-21 de l'Exea- ple 7, pour produire une zéolite H-ZSM-21.
EXEMPLE 9 On fait subir à la H-ferriérite et à la H-ZSM-21 de l'Exemple 8, une sion modifiée de l'alpha-test décrit par P.B. Weisz et J.N. Miale dans le "Journal of Catalysis", 4, 527-529 (1965) pour déterminer le taux de craquage de n-hexane avec une vitesse horaire spatiale de liquide maintenue à 1, et une température de 427 C. L'alpha-test de cet exemple ne diffère de celui que décrivent les auteurs cités plus haut, que dans la mesure où ils utilisent comme charge d'alimentation, un mélange de n-hexane, de méthyl-3-pentane tes de diméthyl-2,2-butane. Voici les résultats obtenus, qui révèlent un pouvoir catalytique bien supérieur chez la H-ZSM-21 selon l'intention par rapport celui de la H-ferrierite.
Catalyseur Taux de craquage du n-hexane (5 (5 minutes après le début de l'opération) H-ferrierite 170 H-ZSM-21 420 EXEMPLE 10 On soumet de la H-ferriérite de l'Exemple 8 a l'essai de sorption décrit plus haut, afin de mesurer le rapport caractéristique de capacite de sorption n-hexane/méthyl-2-pentane á 90 C. On trouve une sorption de 3,4% en poids de n-hexane et moins de 0,1% en poids de méthyl-2-pentane (soit un rapport n-hexane/méthyl-2-pentane supérieur à 34).
On fournit d'autres exemples qui sont illustrés par les données rassem- blées dans les Tableaux 2, 2A, 3, 3A, 4 et 4A. Les Tableaux 2 et 2A indiquent des exemples de préparation de ZSM-21 dans lesquels le cation organique contenant de l'azote est fourni par le chlorure d'hydroxyéthyl-2-triméthylammo- nium. Dans chacun des exemples de ces deux tableaux, M est du sodium et R est [(CH3)3-N-CH2-CH2OH].
Dans les Tableaux 3 et 3A, la source de cation organique contenant de l'azote est la pyrrolidine. Dans chaque exemple, M est du sodium et R+ est l'ion pyrrolidine.
Dans les Tableaux 4 et 4A, la source de cation organique contenant de l'azote est l'éthylènediamine; dans chaque exemple de préparation de ZSM-21, M est du sodium et R est H2N(C2H2)2NH2.
L'analyse aux rayons X du produit de chacun des exemples des Tableaux 2, 2A, 3, 3A, 4 et 4A montre que chacun a un spectre de diffraction tel que défini dans le Tableau I.
TABLEAU 2 SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR DU CHLORURE D'HYDROXYETHYL-2-TRIMETHYLAMMONIUM Gel de départ (rapports molaires) Cristallisation Préparation R+/R+ + M OH-/SiO2 SiO2/Al2O3 H2O/OH- Température Durée Notes1 ( C) (jours) Exemple 11 Composants de l'Exemple 2 0,31 0,35 16,1 55,5 177 20 12 Composants de l'Exemple 2 0,37 0,36 24,0 41,7 99 100 13 Composants de l'Exemple 1 0,36 0,38 26,4 41,1 99 120 14 Composants de l'Exemple 1 0,42 0,30 26,4 52,0 177 16 1 Composants indiqués dans la procédure de préparation du mélange réactionnel en vue de l'obtention de la zéolite, á l'exclusion du cation organique contenant de l'azote.
TABLEAU 2A SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR DU CHLORURE D'HYDROXYETHYL-2-TRIMETHYLAMMONIUM Produit Final: Analyse par mole d'Al2O3 Sorption: % en poids Surface superficielle Exemple N2O Na2O SiO2 H2O Cy-C6 nC6 m/g 11 0,69 0,40 18,5 8,6 1,9 4,9 291 12 0,93 0,50 18,6 10,0 4,6 7,4 376 13 1,14 0,61 20,7 9,6 4,3 7,0 376 14 1,23 0,22 30,6 7,4 2,8 4,3 173 TABLEAU 3 SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR DE LA PYRROLIDINE Gel de départ (rapports molaires) Cristallisation Préparation R+/R+ + M OH-/SiO2 SiO2/Al2O3 H2O/OH- Température Durée Notes1 ( C) (jours) Exemple 15 Composants de l'Exemple 1 0,88 0,28 8,82 195 177 10 16 Composants de l'Exemple 1 0,74 0,17 15,2 231 177 15 17 Composants de l'Exemple 1 0,74 0,17 15,2 231 135 11 18 Composants de l'Exemple 1 0,74 0,15 15,2 231 177 5 19 Composants de l'Exemple 1 0,87 0,097 29,0 202 132 17 20 Composants de l'Exemple 2 0,50 0,49 33,3 70,5 99 36 21 Composants de l'Exemple 2 0,68 0,32 33,6 108 99 27 22 Composants de l'Exemple 2 0,62 0,13 48,0 333 151 7 1 Composants indiqués dans la procédure de préparation du mélange réactionnel en vue de l'obtention de la zéolite, á l'exclusion du cation organique contenant de l'azote.
TABLEAU 3A SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR DE LA PYRROLIDINE Produit Final: Analyse par mole d'Al2O3 Sorption: % en poids Surface superficielle Exemple N2O Na2O SiO2 H2O Cy-C6 nC6 m/g 15 - - - 10,5 2,1 7,6 370 16 0,89 0,28 18,6 10,0 0,8 4,6 235 17 0,77 0,28 14,0 11,5 2,3 7,0 306 18 0,74 0,28 14,1 10,0 1,1 6,3 246 19 1,40 0,07 29,1 11,0 2,1 8,2 349 20 0,68 0,28 14,3 8,3 3,9 4,3 346 21 22 0,81 0,58 37,1 6,9 1,1 2,5 TABLEAU 4 SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR D'ETHYLENEDIAMINE Gel de départ (rapports molaires) Cristallisation Préparation R+/R+ + M OH-/SiO2 SiO2/Al2O3 H2O/OH- Température Durée Notes1) ( C) (jours) Exemple 23 Composants de l'Exemple 1 0,87 0,19 14,6 205 154 16 24 Composants de l'Exemple 1 0,87 0,19 14,6 205 177 10 25 Composants de l'Exemple 1 0,89 0,15 16,2 244 99 150 26 Composants de l'Exemple 1 0,89 0,15 16,2 244 177 5 27 Composants de l'Exemple 2 0,81 0,20 21,3 114 135 14 28 Composants de l'Exemple 2 0,81 0,20 21,3 114 177 5 29 Composants de l'Exemple 2 0,62 0,32 22,0 108 99 103 30 2) 0,88 0,87 32,4 224 154 11 31 Composants de l'Exemple 1 0,88 0,086 32,4 224 99 99 32 Composants de l'Exemple 2 0,62 0,30 33,4 109 99 41 33 Composants de l'Exemple 2 0,69 0,30 33,4 109 99 62 34 Composants de l'Exemple 2 0,64 0,404 50,0 81,6 99 41 35 Composants de l'Exemple 2 0,60 0,46 50,2 73,2 99 38 1 Composants indiqués dans la procédure de préparation du mélange réactionnel en vue de l'obtention de la zéolite, á l'exclusion du cation organique contenant de l'azote.
2 NaAl2 et silicate de formule: 87,5% de SiO2, 1,6% de NaCl. 10,5% d'H2O.
TABLEAU 4A SYNTHESE DE ZSM-21 A PARTIR D'ETHYLENEDIAMINE Produit Final: Analyse par mole d'Al2O3 Sorption: % en poids Surface superficielle Exemple N2O Na2O SiO2 H2O Cy-C6 nC6 m/g 23 1,93 0,11 19,2 9,1 0,6 3,8 274 24 2,18 0,01 19,8 11,6 1,0 5,0 283 25 1,49 0,33 14,4 13,0 2,0 7,1 312 26 1,87 - 15,2 11,6 1,1 5,7 299 27 11,4 0,8 5,7 312 28 1,6 0,05 14,8 10,6 0,9 6,4 293 29 1,51 0,05 17,1 12,7 2,6 7,3 352 30 1,45 0,07 16,7 9,8 0,5 4,5 260 31 2,0 - 25,9 8,5 3,8 9,0 343 32 1,84 0,11 20,0 8,4 1,8 6,2 323 33 1,95 0,24 20,9 10,3 0,4 5,8 295 34 1,94 - 21,4 11,6 1,4 6,5 334
L"invention concerne un procédé pour obtenir une purification très complète des alliages eutectiques étain/plomb destinés à alimenter les machines a souder les circuits imprimés ou à réaliser d'autres soudures délicates Les alliages de soudure actuellement utilisés dans l'industrie électronique pour des soudures de haute qualité doivent assurer une haute fiabilité. On les élabore a cet effet à partir de me taux de toute première qualité.
Cependant, il se produit frequemment que l'alliage obtenu contienne encore certaines impuretés (sulfures, oxydes, phosphures.# presentes a l'état de traces souvent indosables, provenant des métaux euxmêmes ou des opérations d'ôlabora- tion. Ces impuretés sont la cause dwun ralentissement des travaux de soudure et souvent dun manque de fiabilité de ces soudures.
On a déjà proposé, pour éliminer ces impuretés non métalliques, de faire subir à l'alliage etain/plomb un traitement sous vide à une température relativement élevée, capable de dissocier les combinaisons constituant les impuretés. Ce traitement provoque toutefois l'apparition d'un autre défaut. En effet, l'évaporation du plomb est déjà importante, sous un vide de 10 mm de Hg, a 5000C ; en raison de la tension de vapeur élevée du plomb dans ces conditions de traitement1 il peut apparattre, dans le métal de soudure, une porosité submicroscopique qui résiste à des refusions successives.
Les impulsions décalages de registres issues de l'entrée des modules de comptage de temps par la voie 122 par exemple, servent a décaler les contenus des registres, vers la droite sur la figure 9. Le fonctionnement est le suivant: au début des mesures, les registres sont par exemple à zéro; une impulsion apparat sur un capteur; aussitôt ce capteur est identifié et son nom apparaît dans le registre T. Au bout de l'instant E, le contenu de ce registre passe dans le registre NP et le registre T se remet a zéro Une autre impulsion arrive alors sur un autre capteur du mêr e groupe; le numéro de ce capteur apparaît dans le registre T. Au bout de l'intervalle de temps E, le contenu du registre T passe dans le registre NP tandis que le contenu du registre NP passe dans le registre P. En définitive, le nom du capteur prioritaire se trouve dans le registre P et le nom du capteur non prioritaire se trouve dans le registre NP.
Il va de soi que ce système à trois registres n'est donne qu'à titre d'exemple et que des systèmes à deux registres à décalage automatique peuvent être utillsés de façon semblable.
On a identifié les capteurs ainsi que les priorités d'arrivée.
On connaît donc les paramètres relatifs aux capteurs du groupe G1 soit T1, NP1 et P1 et les paramètres relatifs aux capteurs du groupe G2, soit T2, NP2 et P2 ainsi que le numéro L du losange.
I1 s'agit maintenant d'identifier les axes elles quadrants.Dans tout ce qui précède, on a écrit.
T1 T X = 21 et Y = Ceci implique que la diagonale sur laquelle se trouvent les capteurs du groupe 1 est l'axe des X; comme on le voit sur la figure 1, ceci n'est pas toujours le cas et les capteurs du groupe sont alternativement sur l'axe des X et sur l'axe des Y. T Le choix entre ces deux possibilités, X = 2 ou X = T2/2 dépend de la position des capteurs du groupe G1 par rapport aux axes. I1 importe donc de- déterminer cette position.
Pour cela, on utilise l'opération logique simple: H = (N X P1) + ( L X NP i > Cette opération logique est effectuée par. le circuit logique représenté sur la figure 10 où le nombre L est codé en binaire apparaît sur les fils 220, le résultat P1 en binaire sur les fils 222, les valeurs L sur les fils 224, et de NPl sur les fils 226. Le circuit "ET" compare les valeurs de chaque fil de L et P1, pris deux à deux, suivant leur ordre de numérotation binaire. Les résultats apparaissent en sortie sur les fils tels que 228 et 230.
Ils constituent les entrées des circuits -1,ET" 232 et 234; en sortie du circuit "OU" 236 on obtient le résultat H en 238.
Si H = 1, les capteurs du groupe G1 sont sur l'axe des X et l'on a: T1 T X = -2 et Y = Si H = O, on a: T2 T1 X = 2 et Y = 2 Le calculateur effectue alors les opérations consistant à prendre la partie entière de X et la partie entière de Y qui sont emmagasinées en mémoire dans deux registres R1 et R2 respectivement.
Après avoir identifié les axes, il faut identifier le quadrant Q. Pour cela, on détermine le signe de X et le signe de Y. Pour déterminer le signe de X, on utilise l'equa- tion logique.
U = (L X P1) + (L x P2).
U = 1 si l'un des capteurs prioritaires est le capteur le plus à gauche.
On a donc U = 1 pour X négatif et U = O pour X positif.
Sur la figure 11, on a représenté -le schéma électronique logique permettant d'effectuer l'opération donnant le résultat U en 240, le circuit utilisant 4 portes "ET" telles que 242, 244, 246, 248 et une porte. "OU" 250. Le fonctionnement des circuits comparateurs 242 et 244 et du circuit "ET" sont identiques aux circuits de la figure 10.
Pour déterminer le signe de Y, on se sert de la condition générale que, dans la numérotation des losanges ou des pseudo-losanges tels que représentés dans les figures 1 et 2, les sommets a, b, c, d sont tels que a c, ceci pour déterminer l'équation logique: V = (H x (P2 > L)) + (H x (P1 > L)) Si H = 1, P2 appartient à l'axe Y; si donc P2 > L, V = 1 et Y Si H = O, H = 1 et P1 appartient a l'axe Y; si P1 > L, V = 1 et Y 4 O; on a donc si V = 1-, Y 4 O et si V = O , Y # O; le numéro du quadrant s'écrit donc en-binaire.
Q = UV On utilise pour réaliser ces opérations logiques des comparateurs logiques dont la table de vérité est donnée cidessous pour deux entrées A' et B' et deux sorties X et Y.
C'est encore un but de l'invention de fournir un procédé et un dispositif de détection de masses métalliques qui offrent une sécurité positive, de sorte que la défaillance d'un élément quelconque du circuit de détection est immédiatement signalée à l'utilisateur.
Le procédé de détection de masses métalliques selon l'invention est caractérisé en ce qu'on fait application à la fois des variations d'impédance d'une boucle de détection et des variations de fréquence du circuit oscillant associé à ladite boucle lorsqu'une masse métallique s'approche de cette dernière.
Un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé qui comprend une boucle de détection faisant partie d'un circuit oscillant est alors caractérisé en ce qu'il comprend des moyens sensibles à la fois aux variations de tension aux bornes de la boucle de détection et aux variations de la fréquence d'oscillation du circuit oscillant associé à ladite boucle lorsqu'une masse métallique s'approche de cette dernière.
L'invention sera bien comprise par la description qui suit, faite en référence au dessin annexé, donné à titre d'exemple et sur lequel - la figure i est un schéma en bloc-diagramme d'un dispositif de détection selon l'invention - la figure 2 est un schéma en bloc-diagramme d'une réalisation préférée du dispositif de détection selon l'invention et - la figure 3 est un schéma électrique du dispositif illustré sur la figure 1.
Un dispositif selon l'invention, pour la détection de la présence ou du passage à son voisinage d'une masse métallique, comprend une boucle inductive 10 (figure 1), de détection, qui fait partie d'un oscillateur il suivi d'un filtre 12, d'un amplificateur 13 et d'un redresseur 14 à la sortie 15 duquel est prévue une ligne de contre-réaction 16 qui agit, par l'intermédiaire d'un dispositif 17 à constante de temps ajustable, sur l'amplificateur 13. Le redresseur 14 est suivi d'une bascule 18 elle-meme suivie d'un relais RI. La sortie 19 de la bascule 18 est cennectée au dispositif 17 par une deuxième ligne de contre-réaction 16a.
Une réalisation préférée du dispositif selon l'invention est représentée sur la figure 2. Dans cette réalisation, une boucle inductive 20, de détection, fait partie d'un oscillateur 21 qui délivre, sur sa sortie 2tub, un signal modulé en amplitude par un oscillateur auxiliaire 21a. L'oscillateur 21 est suivi d'un filtre 22, d'un amplificateur 23, d'un redresseur 24 dont la sor tire 25 est reliée, par une ligne de contre-réaction 26, à l'entrée de l'amplificateur 23 avec interposition d'un dispositif 27 à constante de temps ajustable. le redresseur 24 est suivi d'une bascule 28, qui est elle-m8me suivie d'un relais RI avec interposition d'un dispositif redresseur approprié 29.
On se réfère maintenant à la figure 3 qui montre le schéma complet de l'appareil de détection selon l'invention illuetré sur la figure 1. L'oscillateur Il comprend un transistor n-p-n, T1, à résistances de polarisation R1 et P1, cette dernière ajustable, un circuit résonant dans le circuit de collecteur du transistor T1 constitué d'une capacité C1 en parallèle sur la boucle de détection 10, une capacité C2 branchée entre le collecteur et l'émet- teur du transistor Tri , une résistance R2 dans le circuit d'émetteur du transistor T1 et enfin une capacité C3 en parallèle sur la résistance R2, Le filtre 12 placé à la suite de l'oscillateur il comprend une résistance R3 branchée entre le collecteur du transistor T1 et une résistance R4, elle-meme reliée au circuit de base d'un transistor T2 de l'amplificateur 13 et une capacité C4 montée entre un conducteur 35 relié au pôle positif de la source de tension et le point commun aux résistances R3 et R40 Le filtre 12 est suivi de l'amplificateur 13 constitué d'un transistor p-n-p, T2,- dans le circuit d'émetteur duquel se trouve une résistance et dans le circuit de collecteur duquel se trouve une résistance R6 -, et d'un transistor n-p-n, T4, dont la base est directement reliée au collecteur du transistor T2. Une résistance R7 est placée dans le circuit de collecteur du transistor T4et au circuit d'émetteur de ce dernier est connecté un circuit oscillant constitué d'une capacité Cg en parallèle sur une inductance L1.
Le redresseur 14 qui fait suite à l'amplificateur 13 comprend un transistor d'entrée n-p-n, T5, dont l'émetteur est relié au collecteur du transistor T4 avec interposition d'une capacité C7.
Le collecteur du transistor T5 est directement relié au conducteur 36 et la base du transistor T5 est reliée à l'émetteur d'un transistor n-p-n, T6, dont la base est reliée à l'émetteur du transistor T5. La base du transistor T5 est en outre reliée à un conducteur 36 ou conducteur de masse avec interposition d'une capacité en en parallèle sur une résistance R12 du circuit d'émetteur d'un transistor T6 également constitutif du redresseur 14 et dans le circuit collecteur duquel est placé un potentiomètre P2 dont la borne mobile est reliée à la base d'un transistor p-n-p, T7.
L'émetteur de ce dernier transistor est directement relié au conducteur 35 et une résistance R13 est placée dans le circuit de collecteur du transistor T7. Un conducteur 16 part du collecteur de T7 (point 15) vers le dispositif de contre-réaction 17.
La bascule 18 est constituée de deux transistors n-p-n, T9 et T10 dont la base du premier est reliée à l'émetteur du transistor T6 avec interposition d'une résistance R15et au conducteur 36 avec interposition d'une résistance-R21 Une résistance R16 est placée dans le circuit de collecteur du transistor T9 et une résistance R18 est reliée par l'une de ses bornes à l'émetteur du transistor Tg et par son autre borne, d'une part, à une résistance R19, elle-même reliée à la masse et, d'autre part, à l'émetteur du transistor T10, un interrupteur 14 étant placé en parallèle sur la résistance R18. Une résistance R17 est placée dans le circuit de collecteur du transistor T10 dont la base est directement reliée au collecteur du transistor Tg et au conducteur 36 avec interposition d'une résistance R20. Un conducteur 30, issu du collecteur du transistor T10, peut être connecté, dans une position de la lame mobile d'un interrupteur 13, au conducteur 16a relié au dispositif de contre-réaction 17. Une résistance R14 est branchée entre la lame mobile de l'interrupteur 13 et le conducteur 36.
Le conducteur 30 est en outre relié à la base d'un transistor p-n-p, T11, avec interposition d'une diode D19 La base du transistor T11 est également reliée au conducteur 35 avec inter position d'une résistance R22. L'émetteur du transistor T11 est directement relié au conducteur 75 et un système relais-interrupteur RI est placé dans le circuit de collecteur du transistor T11.
le collecteur du transistor T11 est en outre relié directement à une borne b de l'interrupteur 13.
Le dispositif 17 de contre-réaction comprend un transistor n-p-n, T8, dont la base est connectée au conducteur 7a. Une résistance R10 est placée dans le circuit du collecteur du transistor T8 et peut être court-circuitée par un interrupteur 12 monté en parallèle sur la résistance R10.L'émetteur du transistor T8 est relié, d'une part, au conducteur 16 et, d'autre part, à un circuit série constitué d'une résistance R11 et d'une diode D2, cette dernière reliée au point commun à la résistance Fo et à une capacité C6 dont la deuxième borne est reliée au conducteur 36. Un interrupteur Iî, placé en parallèle sur le circuit série constitué de la résistance R11 et de la diode D2, permet de court-circuiter ledit circuit, le point commun à la résistance R10 et à la capacité C6 est relié à la base d'un transistor à effet de champ, T3, et à une résistance Rg dont l'autre borne est reliée au conducteur 36.Une résistance R8 est placée dans le circuit d'émetteur du transistor T3 dont l'émetteur est directement relié à l'émet- teur du transistor T2 (point 17a) Le fonctionnement du dispositif est le suivant Dès que l'ensemble du dispositif est mis sous tension, l'oscillateur t1 commence à osciller et fournit sur sa sortie un signal sinusoïdal qui traverse d'abord le filtre 12 constitué en tant que filtre Rd passe-bas.
L'amplificateur 13, constitué en tant qu'amplificateur fonctionnant en classe C, ne laisse passer, avec un seuil réglable, que les alternances négatives du signal appliqué sur la base du transistor T2 par le filtre 12. Le signal amplifié par le transistor T2 est recueilli aux bornes de la résistance R6 par la base du transistor T4, constituée en tant qu'étage séparateur, le cir cuit-bouclnon,- constitué d'unie inductance L1 en parallèle sur une capacité C5 -, dans le circuit d'émetteur du transistor T4 étant calculé de telle sorte qu'il élimine tO'lt signal à la fréquence 50 IIz du secteur qui pourrait être mélangé au signal utile en provenance des étages précédents.