INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
la présente invention qui est décrite de façon plus détaillée ci-après se rapporte à des éléments de construction modulaires comprenant un bâti à semelle inférieure et un bâti à semelle supérieure disposés en parallèle et dans des plans horizontaux. Une armature de répartition de contrainte renforce et relie le bâti à semelle supérieure et le bâti à semelle inférieure de chaque élément de construction modulaire. Les bâtis à semelle et l'arma- ture sont formés d'entretoises de support de contrainte en "Un reliées à leurs extrémitésp k & gt;matures de liaison standardisées qui sont espacées régulièrement le long de plusieurs rangées longi tudinales et latérales.
La présente invention a trait, plus particuSisrement, à des types perfectionnés d'entretoises utiles dans des éléments de construction modulaires du genre indiqué ci-dessus, ces entretoises étant d'une forme permettant d'obtenir un supplément de rigidité structurelle et de résistance de support de charge. La façon selon laquelle les bords latéraux se prolongent fournit une surface horizontale additionnelle à laquelle des éléments de toiture ou de plancher peuvent être fixés soit par des vis métalliques soit par soudage ou avec d'autres organes de fixation. Il est particulièrement utile dans les éléments de construction modulaires d'avoir une surface convenablement orientée sur les entretoises qui facilite la fixation aisée d'un tablier en acier.
L'invention est représentée, à titre d'exemple non limitatif, aux dessins annexés dans lesquels les mêmes symboles de référence désignent des pièces analogues.
La fig. 1 est une vue en plan de dessus partielle d'éléments de construction modulaires comprenant des montures de liaison et des entretoises.
La fig. 2 est une vue en élévation partielle des éléments de construction modulaires de la fig. 1.
La fig. 3 est une vue en perspective partielle montrant une entretoise réalisée selon la présente invention.
La fig. 4 est une élévation partiellement en coupe illustrant la façon selon laquelle une entretoise à semelle et une tonture sont reliées dans un des bâtis à semelle orientés horizontalement.
La fig. 5 est une coupe transversale d'une entretoise analogue à celle représentée à la fig. 3 et illustre le mode de fixation d'un tablier métallique quand il est relié comme une entretoise à semelle supérieure.
La fig. 6 est une coupe transversale d'une entretoise essentiellement analogue à celle représentée à la fig. 5 mais dans une position inversée sous la forme d'une entretoise à semelle inférieure et illustre sa liaison pour maintenir en place deux panneaux de plafond.
la fig. 7 est une coupe transversale d'une entretoise à semelle supérieure analogue à l'entretoise représentée à la fig. 5 mais montrant un mode de réalisation quelque peu différent de la présente invention par rapport à l'agencement de deux parties latérales d'entretoises convergeant et montre, de plus, la liaison d'un pan neau ou madrier à une entretoise à semelle supérieure.
La fig. 8 représente un autre mode de réalisation de la présente invention essentiellement analogue à celui illustré à la fig. 5 mais indique un mode de liaison d'un madrier ou analogue à une entretoise reliée dans le bâti à semelle supérieure.
Aux dessins annexés et, plus particulièrement, aux fig. 1 et 2, on a illustré un exemple d'éléments de construction modulaires.
les éléments de construction modulaires désignés dans leur ensemble par A comprennent un bâti à semelle supérieure A1 et un bâti à semelle inférieure A2 maintenus ensemble selon une relation de renforcement au moyen d'une structure de répartition des contraintes intermédiaires A. Les bâtis à semelle supérieure et inférieure et l'armature sont, de préférence, assemblés à partir de plusieurs entretoises 10 qui ont en général, la forme d'un "U't. les entretoises 10 ont une réalisation particulière qui est représentée en détail aux fig. 3, 5 et 8.
Les bâtis à semelle supérieure et inférieure A1 et A2 comportent, de plus, plusieurs montures de liaison 12 qui sont représentées de façon plus détaillée à la fig. 4. Chaque entretoise 10 est montée à la surface de ses montures de liaison correspondantes 12 au moyen de vis et d'écrous appropriés, comme représenté et décrit dans les brevets américains précités. Il est important que chaque entretoise 10 soit convenablement alignée et mise en place par rapport à ses montures de liaison 12. La façon selon laquelle cette fixation est réalisé-e a lieu, de préférence, au moyen d'une patte d'adaptation et d'un agencement à ouverture qui est le mieux représenté aux fig. 3 et 4.La forme finale des éléments de construction modulaires 1 est celle d'un bâti à semelle supérieure A1 qui repose dans un plan parallèle au plan du bâti à semelle in férieureA2 avec les entretoises 10 de chaque bâti à semelle disposées en carré, l'intersection des carrés d'un plan étant verticalement opposée au centre des carrés dans l'autre plan comme le mieux représenté à la fig. 1. L'intersection des carrés dans un plan est reliée à celle des autres plans par les entretoises 10 disposées en diagonale forr.Smt l'armature A3 si bien que l'ensemble résultant se compose de plusieurs pyramides à quatre côtés installés ensemble, un côté tourné vers le haut et un côté tourné vers le bas avec tous les bords essentiellement de 'la même longueur.Dans un tel agencement d'éléments de construction modulaires, une seule monture de liaison 12 peut recevoir, par exemple, huit entretoises ou huit paires d'entretoises, chaque entretoise 10 étant fixée à l'ouverture appropriée d'une monture de liaison 12 par un seul écrou 22a et une vis 2b comme le montre mieux la fig. 4.
Un agencement à montant de support préféré pour les éléments de construction modulaires A se compose d'un montant vertical 32 convenablement ancré à son extrémité inférieure à un piètement dans le sol (non représenté). Le dessus du montant vertical 32 est muni d'une plaque d'extrémité horizontale 44 soudée ou autrement fixée à la partie supérieure du montant 32. La surface supérieure de la plaque 44 reçoit un raccord d'assise de piètement 46 relativement court oui comprend une pièce de soutien 48 ayant une plaque 47 sur sa partie inférieure, de préférence, fixée à la plaque 44 par des vis, par soudage ou analogue.Une extrémité supérieure du raccord d'assise 46 est agencée pour être fixée dans la partie en "U" de l'entretoise inférieure 10 et à la surface inférieure de la monture de liaison 12 constituant une partie du bâti à semelle inférieure A2 au moyen du même organe de fixation utilisé pour relier l'entretoise à semelle inférieure 10.
On peut préparer un polyamide à partir d'un acide substitué par un radical méthyle et d'une diamine, par exemple par un procédé de polymérisation interfaciale (voir par exemple le brevet britannique n0 871 580) ou par un procédé selon lequel on prépare un ester diphenylique d'un acide téréphtalique substitué par un radical alkyle, à partir dudit acide téréphtalique substitué et d'un phénol, et on polymérise ledit ester et une diamine aliphatique ou aromatique dans un milieu liquide organique à une température ne dépassant pas la température de fusion du polyamide obtenu. (Brevet des E.U.A. n0 3 379 695).
Ce procédé présente nécessairement l'inconvénient d'une mise en oeuvre compliquée et d'un prix de revient élevé.
Or on a trouvé que l'apparition d'une gélification énergique est inévitable lors de la polymérisation à l'état fondu d'un acide aromatique dicarboxylique comportant un groupe méthyle et d'une diamine et qu'il est pratiquement impossible de préparer des polyamides ayant un poids moléculaire suffisamment élevé pour être acceptable.Cela étant, on a observé qu'un dérivé acide réducteur du phosphore, choisi parmi divers composés contenant du phosphore qui ont été reconnus comme pouvant être incorporés dans d'autres types de polyamides ou figurer dans le mélange à polymériser pendant la réaction de pxéparation d'un polyamide mentionné ci-dessus, en vue d'atteindre des objets différents de ceux de a présente invention, est utile pour éviter l'apparition d'une gélification énergique qui est inévitable lors de la polymérisation à l'état fondu de l'acide méthyltéréphtalique et/ou de l'acide 4-méthylisophtalique et peut conduire à un excellent polyamide qui peut avoir un poids moléculaire élevé et qui peut donner lieu à une polymérisation à l'état fondu sans provoquer de gélification pendant la préparation.
Comme l'indiquent ci-après des exemples comparatifs, cette inhibition de la gélification ne peut être obtenue Si l'on emploie des composés qu'il est connu d'incorporer dans d'autres types de polyamide ou d'introduire dans le mélange réactionnel utilisé pour la préparation dudit polyamide.
L'invention a donc pour objet un polyamide polymérisé à l'état fondu, ayant un poids moléculaire suffisamment élevé pour être acceptable et susceptible d'être mis en forme à l'état fondu par une opération classique, et qui est préparé à partir de l'acide méthyltéréphtalique et/ou de l'acide 4-méthylisophtalique et dune diamine.
Le polyamide résultant d'une palymérisation à l'état fondu selon l'invention est préparé à partir de 80 à 100 moles % d'un acide phtalique substitué par un radical méthyle choisi dans le groupe constitué par l'acide méthyltéréphtalique et l'acide méthylisophtalique et une diamine qui peut contenir moins de 15 moles ffi d'un troisième constituant formateur de polyamides connu (à savoir un comonomère), contenant des radicaux carboxyle et/ou amine et choisi dans le groupe constitué par les acides dicarboxyliques autres que ceux sus-mentionnés, les acides aminocarboxyliques ou leurs lactames et un dérivé acide réducteur du phosphore. En. général, ce polyamide contient des motifs rScurrents dérivés principalement desdits acides phtaliques substitués par un radical méthyle et desdites diamines et contient aussi un produit constitué par un dérivé acide réducteur du phosphore qui, on l'admet tout au moins, se transforme en général en un acide phosphorique et/ou un acide organophosphorique ou en des dérivés de ces acides. Si le dérivé acide réducteur du phosphore peut se fixer chimiquement au radical amino terminal du polyamide obtenu, une partie dudit composé doit être liée aux extrémités de la channe moléculaire de ce polyamide d'une manière semblable à un radical terminal de blocage.
Le polyamide selon l'invention peut également être défini comme étant un polyamide polymérisé à l'état fondu, comportant des jet ifs récurrents dérivés, dans une proportion totale de 85 à 100 moles % d'un acide phtalique substitué par un radical méthyle, et choisi dans le groupe constitué par un acide aéthyltéréphtalique et l'acide méthylisophtalique ainsi que d'une diamine et, dans la proportion de 15 à 0 moles , d'un comonomère formateur de polyamides choisi dans le groupe constitué par les acides dicarboxyliques autres que ledit acide phtalique substitué par un radical méthyle, les acides aminocarboxyliques et leurs lactames et un produit formé à partir d'un composé acide réducteur du phosphore dans les conditions de la polymérisation en fusion.
L'acide dicarboxylique employé pour la préparation du polyamide est l'acide méthyltéréphtalique et/ou l'acide méthylisophtalique associé éventuellement avec un autre acide dicarboxylique pour former des comonomères. L'acide méthylisophtali que existe sous trois formes isomères, l'acide 2-méthylisophtalique, l'acide 4-méthylisophtalique et l'acide 5-méthylisophtalique.L'acide méthyltéréphtalique et ses acides méthylisophtaliques peuvent être employés isolément ou sous forme de mélanges On peut citer, comme exemples des acides dicarboxyliques servant de comonomères, les acides dicarboxyliques aliphatiques à chaîne linéaire en C6 à C12, tels que l'acide adipique, l'a- cide azélaïque, l'acide sébacique ou l'acide dodécanedioïque les acides aromatiques dicarboxyliques tels que l'acide téréphtalique, l'acide isophtalique, l'acide naphtalène dicarboxylique ou 1'acide diphényldicarboxylique et les acides alicycliques dicarboxyliques tels que l'acide hexahydrotéréphtalique ou l'acide hexahydroisophtalique.
On peut citer comme exemples d'autres comonomères incorporables dans une proportion inférieure à 15 moles %, - en même temps que l'acide méthyltéréphtalique et/ou l'acide méthylisophtalique et la diamine sus-mentionnée, - les acides -amino- carboxyliques en C6 à C12 saturés à channe linéaire tels que l'acide axinocaproSque, l'acide aminooenanthylique ou l'acide aminolaurique ; et les lactames de ces acides aminocarboxyli- ques tels que le caprolactame, l'oenantholactame ou le laurolactame.
On peut citer comme exemples de diamines utilisables pour préparer le polyamide selon l'invention les S - -diamines aliphatiques à chaine linéaire en C4 à C12 et de préférence en C6 à C12, les diamines aliphatiques à radical alkyle inférieur, de préférence à radical alkyle ayant 1 à 4 atomes de carbone dans la chaîne latérale et comportant 5 à 12, de préférence 6 à 12 atomes de carbone dans la chaîne principale, la pipérazine, les pipérazines substituées par un radical alkyle, de préférence un radical alkyle ayant 1 à 4 atones de carbone, le bis-para-aminocyclohexylméthane et les composés de formule : dans laquelle est un radical choisi dans le groupe ci-après radicaux métaphénylène, para-phénylène, méta-cyclohexylène et para-cyclohexylène ; m et n étant des entiers de 1 à 3 si est un radical phénylene et à O ou à des entiers de 1 à 3 si est un radical cyclohexylène. On peut mettre en oeuvre ces diamines isolément ou sous forme de mélange.
On peut citer comme exemples particuliers de la diamine employée comme ingrédient, les composés suivants : tétraméthylène-diamine, pentaméthylène-diamine, hexaméthylène-diamine, heptaméthylène-diamine, octaméthylène-diamine, nonaméthylènediamine, décaméthylène-diamine, undécaméthylène-dîamine, dodé caméthylène-diamine, 2-méthylpentaméthylène-diamine, 2-méthylhexaméthylène-diamine, 3-méthylhexaméthylène-diamine, 3-isopropyl-heptaméthylène-diamine, 2-méthyl-4-éthylheptaméthylène-dia- mine, 2,4-diéthyloctaméthylène-diamine, pipérazine, 2-méthylpipérazine, 2,5-diméthylpipérazine, 2-éthylpipérazine, 2,5-diéthylpipérazine, 2-isopropylpipérazine, 2-n-butyl-pipérazine, bis-(para-aminocyclohexyl) méthane, métaxylylènediamine, paraxylylènediamine, 4-aminométhyl-1-aminoéthylbenzène, 1,4-bis(aminopropyl)benzène, m-cyclohexylènediamine, p-cyclohexylènedia- mine, p-aminométhylcyclohexylamine, p-aminopropylcyclohexylamine, et 1,4-bis(aminopropyl)cyclohexane.
On peut mettre en oeuvre dans la présente invention des mélanges choisis à volonté de la diamine utilisée comme ingrédient et de l'acide méthyltéréphtalique et/ou méthylisophtalique contenant éventuellement un autre ingrédient, mais il est préférable que ces mélanges soient choisis de manière que le point de fusion du polyamide obtenu ne dépasse pas 32000. Par conséquent, dans un mode de mise en oeuvre préféré, le polyamide obtenu a une température ne dépassant pas 320 C. s titre d'indication du degré de polymérisation, le polyamide selon l'invention a un indice de viscosité (viscosité spécifique < /concentrstion, mesuré à 35 C dans une solution de m crésol à la concentration de 0,5 g/100 ml) compris entre 0,7 et 1,6.Le polyamide selon l'invention doit de préférence être complètement so- luble dans l'acide formique à'800C, à la concentration de 1 g/ 100 ml. La solubilité du produit mentionné ici n'est autre que cette solubilité dans l'acide formique.
Il est préférable que les dérivés acides réducteurs du phosphore à incorporer dans le mélange pour polymérisation soient choisis parmi les acides du phosphore de formule ci-après: dans laquelle R est choisi dans le groupe ci-après : atome d'hy- drogène, radical alkyle de I à 15 atomes de carbone, radical cycloalkyle, radical aralkyle et radical aryle, m est égal à O ou 1 et m + n est égal à 2, leurs esters et les sels desdits acides.
Les acides représentés par la formule 1 sont en particulier l'acide phosphoreux, l'acide hypophosphoreux et les acides organophosphiniques et organophosphoniques. On peut citer comme exemples d'acides organophosphiniques : l'acide méthylphosphini- que, l'acide éthylphosphinique, l'acide isobutylphosphinique, l'acide n-propylphosphinique, l'acide isopropyl-phosphinique, l'acide iso-amylpho sphinique, l'acide n-heptylphosphonique, l'aci- de n-octylphosphinique, l'acide benzylphosphinique, l'acide cyclohexylphosphinique, l'acide phénylphosphinique, l'acide 2-méthylphénylphosphinique, l'acide 3-méthylphénylphosphinique, l'acide 4-méthylphénylphosphinique, l'acide 4-éthylpnénylphosphinique, l'acide 2,4-diméthylphénylphosphinique, l'acide 2,5-diméthylplhénylphosphinique, l'acide 2,4,5-triméthylphénylphosphinique, l'acide 2,4,6-triméthylphénylphosphinique, l'acide 4-isopropylphénylphosphinique, l'acide 4-phénylphénylphosphinique, l'acide 4-ben yl- phénylphosphinique, l'acide 1-naphtylphosphinique, et l'acide 2-naphtylpho sphini que.
Leurs esters sont des esters de radicaux alkyle, aralkyle ou aryle, en C1 à C18. On peut citer comme exemples de ces esters, les monoesters des acides ci-après : méthylphosphonique, éthylphosphonique, n-propylphosphonique, isopropylphosphonique, n- ou isobutylphosphonique, isoamylphosphonique, n-octylphosphonique, phénylphosphonique, 1- ou 2-naphtylphosphonique ; les diesters tels que les phosphonates diméthyliques, les phosphonates diéthyliques, les phosphonates di-n-propyliques, les phosphonates di-n-butyliques, les phosphonates diisopropyliques, les phoshonates diisobutyliques, les phosphonates diisoamyliques, les phosphonates dinéopentyliques, les phosphonates di-n-hexyliques, les phosphonates di-n-heptyliques, les phosphonates de dibenzyle ou les phosphonates de diphényle ; et les triesters tels que le phosphite triméthylique, le phosphite triéthylique, le phosphite tri-n-propylique, le phosphite triisopropylique, le phosphite tri-n-butylique, le phosphite tri-isobutylique, le phosphite tri-isoamylique, le phosphite tri-n-octylique, le phosphite triphénylique, le phosphite tri(4-t-butylphénylique), le phosphite tri(2-mdthylphénylique), le phosphite tri43-méthylphé- nylique), le phosphite tri(4-méthylphénylique), le phosphite tri (1-naphtylique), le phosphite tri(2-naphtylique), le phosphite diphénylpropylique, le phosphite diphénylbutylique, le phosphite diphényl-4-t-butylphénylique, ou le phosphite phényl di( 4-t-bu- tylphénylique).
On peut citer parmi les sels utilisables de ces acides les sels de métaux alcalins, d'ammonium et analogues, formés par réaction entre lesdits acides et les bases alcalines, l'ammoniaque ou les amines. On peut citer comme exemples particuliers le phosphite monolithien, le phosphite dilithien, l'hypophosphite de lithium, le ph8nylphosphinate de lithium, le cyclohexylphosphinate de lithium, le phosphite monosodique, le phosphite diso dique, l'hypophosphite de sodium, le phénylphosphinate de sodium, le méthylphosphinate de sodium, l'éthylphosphinate de sodium, le cyclohexylphosphinate de sodium, le phosphite monopotassique, le phosphite dipotassique, l'hypophosphite de potassium, le phénylphosphinate de potassium, le cyclohexylphosphinate de potassium, le phosphite monoammonique, le phosphite diammonique, lthypophos- phite d'ammonium, le méthylphosphinate d'ammonium, l'éthylphos- phinate d'ammonium, le cyclohexylphosphinate d'ammonium, le phénylphosphinate d'ammonium, le phosphite d'éthylène-diammonium, l'hypophosphite d'éthylène-diammonium, le phosphite d 'hexaméthy lbue-diammonium, lthypophosphite d 'hexaméthylène-diammonium, l'éthylphosphinate d 'hexaméthylène-diammonium, le cyclohexylphosphinate dthexaméthylène-diammonium, le phénylphosphinate d'hexaméthylène-diammonium, le phosphite de pipérazine-diammoaium, l'hypophosphite de pipérazine-diammonium, ou le phénylphosphina- te de pipérazine-diammonium.
Toutefois, cette configuration n'est viable que dans une voie comportant un convertisseur analogiaue-digital de portée étendue et un générateur de rythme (horloge) également de grande portée.
Comme on le verra plus loin, les mémoires fixes ne sont interrogées que pendant 10 4 secondes toutes les 0,2 seconde. Etant donné que ces appareils dissipent une quantité considérable de puissance (0,6W max.) pour obtenir la capacité de mémoire suffisante, un transistor de l'alimentation électrique est prévu pour leur fournir lténergie nécessaire pendant la période dtinterrogation.
Ce réglage de la ligne d'alimentation électrique donne l'avantage supplémentaire de minimiser ltauto-chauffage des mémoires, ce qui donne davantage de liberté pour le conditionnement de ltappareil et une plus grande fiabilité.
Pour organiser la configuration des mémoires fixes, un programme a été élaboré pour transform*r deux tableaux d'entrée, l'un comportant rentrée spécifiée et ltautre la sortie demandée, en un tableau et une bande, lesquels peuvent servir à établir ltagence ment du masque des mémoires fixes.
Le circuit de base de l'horloge est représenté Fig. 6. Le circuit de l'ampli A6 forme un multivibrateur de précision fonctionnant à 128 Hz. Les compteurs X5 et X6 font office de diviseurs programmables comptant un nombre défini d'impulsions, ce nombre variant sous l'influence du mot de réglage de rythme CW entre 16 et 32, avant d'émettre une impulsion de signal. Ce dernier sera donc émis après un intervalle de temps variant entre 16/128 et 32/128 secondes, soit 0,l25s et 0,25s.
Le fonctionnement de ce multivibrateur est relativement 53fr ple. En supposant l'ampli A6 en position de saturation, le condensateur C4 se chargera par l'intermédiaire de la résistance R 14 selon ltequation : Vcî = Vz0î [ 1 - exp( où t est ltintervalle de temps. En même temps, l'autre borne d'en- trée de l'ampli A6 est maintenue à la moitié de la tension de Zener indiquée ci-dessus, puisque R 15 est égal à R 16. Donc, après un intervalle qui est une fonction pure du temps, la tension à la borne d'inversion de ltampli A6 sera supérieure à celle de l'entrée qui ne subit pas l'inversion.
L t ampli 6 passera donc à la saturation négative, et une pente négative débutera de la même façon que la pente positive précédente. L t ampli émettra une onde carrée d'allure géométrique uniforme et de fréquence définie avec précision.
Le signal émanant de l'ampli 6 est préparé par le transistor Ql qui le ramène au niveau normalisé des signaux logiques ; la diode D3 protège Ql contre les tensions inverses de l'ampli A6.
Lorsque l'alimentation électrique est interrompue, la ligne inhibitrice d'alimentation IpF tombe à ON et le transistor Q2, qui est raccordé par l'intermédiaire de la résistance R 17, sera bloqué. La capacité C4 gardera sa charge positive etltampli A6 reviendra à l'état de saturation négative. Ainsi, l'ampli A6 commencera à osciller selon une phase définie.
Le diviseur programmable se compose des compteurs X5 et X6, lesquels sont tous deux alternants. Au début d'un cycle de synchronisation, X6 est en position 1000 et X5 est réglé pour le compte souhaité. X5 comptera donc négativement depuis ce dernier chiffre jusqutà ce qutil soit en état dtinsuffisance et passe sur une impulsion de retenue Bo Ce signal Bo se produit lorsque le compteur X5 passe de l'état 0000 à l'état 1111.
L'impulsion Bo susvisée ramène le compteur X6 à 0000. Le compteur X5 comptera ensuite 16 impulsions de 1111 à 0000, puis comme les deux compteurs vont se trouver à 0000, une impulsion de retenue sera engendrée par X6, ce qui aura pour effet de déclencher les deux monostables X3A et X3B en tandem. X3A lance une impulsion de 120 microsecondes, laquelle servira directement comme signal CL de remise à zéro (effacement) pour les extensions facultatives de logique de commande du compteur 8 (Fig.l). De plus, pendant cette période, la mémoire fixe 3 peut se stabiliser après application de l'énergie, tandis que le convertisseur analogiquedigital est isolé, l'énergie n'allant qu'à la mémoire 3.
La porte G1 détecte la période de 30 s pendant laquelle X3B émet encore, tandis que X3A ntémet plus. Les monostables sont en tandem pour éliminer toute possibilité de pics de commutation au début de ladite période. ; en effet, si les deux monostables émettaient en parallèle, il serait possible que X3 déclenche plus lentement que X3B, dtoù émission d'un signal par la porte G1.