R E V E N D I C A T I O N S 1. mémoire magnétique d'informations binaires caractéri- sée par la cozlbinaison à une structure incoroporant au moins une couche magnétique anisotrope associée à une pluralité de lignes de mot à haute densité géométrique orientées parallèlement à l'axe de facile aimantation du matériau de la couche et à une pluralité de lignes de lecture et(ou) information orientées selon la direction ae dif-Licile aimantation de ce matériau, d'une organisation d'interrogation pour l'activation sélective des lignes de mot par des trains dtinpulsions unipolaires haute fréquence qui, en l'absence d'excitation des lignes d'information, basculent temporairement à la dite fréquence le vecteur aimantation de tout point de mémoire associé à la ligne de mot sélec tiver.lent activée, et induisent donc dans les lignes de lecture des courants unipolaires haute fréquence significatits des contenus de ces points de mémoire, d'une organisatial d'exploitation des courants de lecture incorporant par ligne ai groupe de lignes de lecture un système am-::liicateur-détecteur de phases relatives à bande passante étroite vis à vis de la largeur de bande des trains d'impulsions d'interrogation, et d'une organisation complémentaire à celle d'interrogation qui, à toute opération d'écriture, applique sur les lignes d'information des points de mémoire associés aux lignes de mot activés, des courants coincidents recouvrant en durée celle des dits trains d'impulsions d'interrogation pour commander en ces points de mémoire des reptations de parois de domaines magnétique confirmant l'orientation ou re-orientant les vecteurs aimantation de ces points de mémoire0 2. - mémoire magnétique selon la revendicatiol 1, caractérisée en ce les dits systèmes amplificateurs-détecteurs de phases relatives sont accordés sur l'harmonique deux de la fréquence ce des dits trains d'impulsions et les impulsions de ces trains modelées pour renforcer ledit harmonique dans les signaux engendrés dans les lignes de lecture en réponse à ces trains. 3. --=.émoire magnétique selon la revenoication 1, caractérisée en ce que la dite structure de mémoire est établie avec une fermeture du flux émanant des points de mémoire selon la direction de difficile aimantation du matériau de sa couche ma gnétique anisotrope de mémorisation. 4. - mémoire magnétique selon la revendication 5, caractérisée en ce que, pour une telle fermeture de flux, claque conducteur plat de ligne de mot est rev8tu sur ses deux faces et ses bords latéraux du matériau magnétique anisotrope de mémori- sation et les lignes d'information et(ou) lecture ayant chaune une forme en ti sont appliquées par dessus le réseau de conducteurs composites de mot et mémorisatial et transversalement à ces conducteurs, chaque élément d'information étant donc enregistré en deux points de mémoire voisins sous des orientations inverses du vecteur aimantation en ces deux points dont les domaines magnétiques sont séparés par une paroi, 5. - mémoire magnétique selon la revelidication 4, caractérisé en ce que, la structure de mémoire étant subdivisée en modules portant chacun, sur un substrat distinct, au moins une même pluralité te tels conducteurs composites, et étant alignés dans un plan, les lignes d'information et(ou) lecture sont formées sur un support mince indépendant des dits substrats et qui couvre la totalité des modules alignés en ce plan. 6. - mémoire magnétique selon la revendicatiom 5, caractérisé en ce que chaque substrat de module porte, outre les dits conductelzs composites de motet mémorisation, au moins un multicouche d'interconnexion entre un nombre de bornes d'accès relativement réduit par rapport au nombre de tels conducteurs et un ensemble d'unités de circuits intégrés de préselection des lignes de mot du module fixés sur ce multicouche et reliés aux dites lignes de mot. 7. - mémoire magnétique selon la revendicatic1 6, caractérisé en ce que les dites bornes d'accès sont réprties sur deux bords opposés du substrat du module et les lignes de mat. groupées en faisceaux alternativ,ement connectés aux deux ensembles de présélection également disposés, par des mul-i-couches distincts, vers les deux bords opposés de ce substrat.