FR 3164874 A1 20260123 FR 2407939 A 20240719 L’invention concerne un procédé de préparation d’un substrat comprenant une couche mince (3) en matériau piézoélectrique reportée sur un support (5), le procédé étant fondé sur la technologie Smart Cut comportant une étape d’implantation (S2) d’un substrat donneur (1) et une étape d'assemblage (S4). Selon l’invention, le procédé de préparation comprend, avant l’étape d’implantation (S2), une étape de traitement plasma (Sp) comprenant l’exposition du substrat donneur (1) à un plasma d’un gaz neutre. Figure 2 Procédé de préparation d’un substrat comprenant une couche mince en matériau piézoélectrique reportée sur un support DOMAINE DE L’INVENTION L'invention concerne une structure du type piézoélectrique sur isolant (POI). Une telle structure trouve son application notamment dans les domaines de la microélectronique, des microsystèmes, de la photonique. Elle peut notamment être exploitée pour former des composants radiofréquences (RF) ou pour constituer de tels composants, en particulier des filtres ou des résonateurs à base de composants à ondes élastiques, par exemple à ondes élastiques de surface. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Une structure POI est typiquement formée d’une couche mince piézoélectrique reportée sur une première face d’un support. Une couche diélectrique intercalaire est disposée entre, et en contact avec, le support et la couche mince. La couche mince est constituée d’un matériau piézoélectrique monocristallin, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. Elle présente une épaisseur typiquement comprise entre 50 nm et 2000 nm. Le support est usuellement en silicium. Le document WO2020200986A1 propose un procédé de fabrication d’un tel substrat POI. Lorsqu’il est exploité pour recevoir des composants RF, un substrat POI doit présenter des caractéristiques RF satisfaisantes, car ces caractéristiques déterminent en partie la performance RF des composants. Les caractéristiques RF du substrat peuvent être établies par une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 (en dB), comme cela est documenté dans la publication « White paper – RF SOI Characterisation » de janvier 2015 et publié par la société SOITEC. On cherche donc généralement à former un substrat, lorsqu’il est destiné à recevoir des composants RF comme cela peut être le cas d’un substrat POI, pour qu’il présente une mesure HD2 la plus réduite possible, bien inférieure à -70dBm par exemple. A cet effet, le support peut être choisi pour présenter une résistivité électrique élevée, supérieure à 1000 Ohms.cm. Le support peut également comprendre, disposée superficiellement, une couche de piégeage de charges électriques. OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est d’améliorer cet état de la technique. Plus précisément, un but de l’invention est de proposer un procédé amélioré de préparation d’un substrat POI. Ce procédé amélioré permet de fournir un substrat POI présentant des caractéristiques RF, telles qu’établies par la mesure de distorsion de seconde harmonique HD2, supérieures aux caractéristiques RF d’un substrat POI d’un procédé de l’état de la technique. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de l’un de ces buts, l’objet de l’invention propose un procédé de préparation d’un substrat comprenant une couche mince en matériau piézoélectrique reportée sur un support. Le procédé comprend : une étape implantation comprenant l’introduction d'espèces dites « légères » dans une première face d'un substrat donneur en matériau piézoélectrique pour former un plan de fragilisation et définir la couche mince entre le plan de fragilisation et la première face du substrat donneur ; une étape d'assemblage comprenant l’assemblage du substrat donneur au support par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage diélectrique ; la fracture du substrat donneur au niveau du plan de fragilisation pour reporter la couche mince sur le support. Selon l’invention, le procédé de préparation comprend, avant l’étape d’implantation, une étape de traitement plasma comprenant l’exposition de la première face du substrat donneur à un plasma d’un gaz neutre. De manière inattendu, un tel procédé conduit à former un substrat présentant des caractéristiques RF améliorées. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le gaz neutre est de l’argon, de l’hélium ou du krypton ; l’étape de traitement plasma est conduite pendant une durée comprise entre 2 secondes et 1 minute au cours de laquelle la première face du substrat donneur est exposée au plasma de gaz neutre ; le plasma de gaz neutre est formé entre deux électrodes d’une chambre, au moins une première puissance d’une première radiofréquence étant appliquée à l’une des électrodes ; la première radiofréquence est supérieure à 10 MHz ; l’étape de traitement plasma a un effet de pulvérisation ionique de la première face du substrat donneur ; l’étape de traitement plasma est suivie d’une première étape de dépôt, la première étape de dépôt comprenant le dépôt d’une première couche diélectrique sur la première face du substrat donneur, la première couche diélectrique constituant une partie au moins de la couche d’assemblage diélectrique ; l’étape de traitement plasma et l’étape de dépôt sont réalisées « in-situ » dans une même chambre ; la première couche diélectrique présente une épaisseur inférieure à 100nm, préférentiellement inférieure à 50nm ; Le procédé de préparation comprend en outre une deuxième étape de dépôt, la deuxième étape de dépôt comprenant le dépôt d’une deuxième couche diélectrique sur le support, la deuxième couche diélectrique constituant une partie au moins de la couche diélectrique ; la deuxième couche diélectrique présente une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 500 nm ; la couche d’assemblage diélectrique comprend de l’oxyde de silicium et/ou de l’oxynitrure de silicium ; le support présente une couche superficielle de piégeage de charges électriques ; la couche superficielle de piégeage de charges électriques est constituée de silicium polycristallin. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 La FIG. 1 représente un procédé de préparation d’un substrat POI conforme à l’état de la technique ; FIG. 2 La FIG. 2 représente un procédé de préparation d’un substrat POI conforme à un mode de mise en œuvre. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Par souci de simplification de la description à venir, les mêmes références sont utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction dans l’état de la technique et le mode de mise en œuvre décrit de l'invention. En référence à la FIG. 1 , on présente tout d’abord un procédé de l’état de la technique visant la préparation d’un substrat S désigné « substrat POI » dans la suite de cette description. Un tel procédé, fondé sur la technologie Smart Cut™ bien connue de la personne du métier, est notamment décrit dans le document WO2020200986 déjà cité en introduction de cette demande, si bien que les paragraphes suivants se contentent de rappeler brièvement les éléments principaux de ce procédé. Le substrat POI obtenu à l’issue de ce procédé comprend une couche mince en matériau piézoélectrique reportée, par l’intermédiaire d’une couche d'assemblage diélectrique, sur un support. Dans un procédé connu de préparation d’un substrat POI selon la technologie Smart Cut™, on forme tout d’abord, au cours d’une première étape de dépôt S1, une première couche diélectrique 4a sur et en contact avec une première face d’un substrat donneur 1 en matériau piézoélectrique (par exemple du tantalate de lithium ou du niobate de lithium). La première couche diélectrique est typiquement une couche de dioxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium. Le substrat donneur 1 peut être un substrat massif, entièrement constitué de matériau piézoélectrique ou un substrat hybride comprenant une couche relativement épaisse de matériau piézoélectrique formée sur un substrat poigné. Le matériau piézoélectrique du substrat donneur 1 peut présenter toute orientation cristalline qui convient à l’application finale. Ainsi, il est usuel de choisir une orientation comprise entre 30° et 60°RY, ou entre 40° et 50°RY, ou encore 138° LT dans le cas où l'on souhaite exploiter les propriétés de la couche mince pour former un filtre acoustique à ondes de surface. Au cours d’une étape suivante d’implantation S2 d’espèces dite « légère », on définit une couche mince 3 dans le substrat donneur 1 un plan de fragilisation enterré 2. Cette couche mince 3 s’étend dans la profondeur du substrat donneur 1, depuis une première face de ce substrat 1 jusqu’au plan enterré de fragilisation 2. Ce plan correspond à la profondeur de pénétration des espèces légères, ces espèces pouvant typiquement être de l’hélium et/ou de l’hydrogène. Les espèces légères sont introduites au cours de l’étape d’implantation S2 par exemple par implantation de ces espèces sous formes ioniques à travers la couche diélectrique 4a et à travers la première face du substrat donneur 1. Séparément de l’étape d’implantation S2 et de la première étape de dépôt S1, on prépare un support 5. Dans l’exemple représenté sur la FIG. 1 , le support 5 est formé d’un substrat de base 5a et d’une couche de piégeage de charges électriques 5b (plus simplement « couche de piégeage » dans la suite de cette description). La couche de piégeage 5a forme une portion superficielle du support 5. Au cours d’une seconde étape de dépôt S3, on forme une seconde couche diélectrique 4b sur, et en contact avec, la couche de piégeage 5b. Dans une étape suivante d’assemblage S4 du procédé de la FIG. 1 , on assemble le substrat donneur 1 au support 5 par l'intermédiaire d’une couche d'assemblage diélectrique 4, cette couche 4 étant constituée de la première couche diélectrique 4a et de la deuxième couche diélectrique 4b préalablement formées. L’étape d’assemblage peut consister en un collage, par adhésion moléculaire par exemple de nature hydrophile ou covalent, du substrat donneur 1 et du support 5, ce collage conduisant à mettre en contact intime la première couche diélectrique 4a et la seconde couche diélectrique 4b. On peut avoir prévu des étapes non illustrées de lissage de la face exposée de l’une au moins de ces couches diélectriques 4a,4b, afin qu’elles présentent chacune un état de surface, en termes de rugosité notamment, compatible avec cette méthode particulière d’assemblage. Dans une étape suivante de fracture S5, on détache une partie résiduelle 1’ du substrat donneur 1 pour libérer la couche mince 3, ce détachement et cette libération étant obtenue par la fracture du substrat donneur 1 au niveau du plan de fragilisation 2. L’étape de fracture peut être conduite par application d’efforts d’origines thermiques et/ou mécaniques, comme cela est bien connu de la technologie Smart Cut. A l’issue de cette étape de fracture, on peut appliquer une étape de finition S6, cette étape pouvant par exemple être celle proposée par le document WO2020200986 et comprenant un traitement thermique de la face libre de la couche mince 3, révélée à l’issue de l’étape de fracture S5, suivi d'un amincissement de cette couche mince 3. Les caractéristiques RF du substrat POI S qui vient d’être préparé ont été établies par une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 de ce substrat. Pratiquement la pluralité de substrats POI qui a été soumise à ces mesures de caractérisation présentait une couche mince 3 en tantalate de lithium de 200 nm à 1500 nm d’épaisseur, une première couche diélectrique en oxyde 4a de silicium de 30nm, une seconde couche diélectrique 4b en oxyde de silicium comprise entre 200 nm et 1500 nm, une couche de piégeage 5b en silicium polycristallin disposé sur un substrat de base 5a présentant des caractéristiques de haute résistivité. Pour caractériser le substrat, on a formé des guides coplanaires en déposant des lignes d’aluminium sur la face libre de la couche mince 3. Puis un signal présentant une fréquence de 900 MHz et une puissance typiquement choisie à 15dBm est appliqué à une extrémité des guides et le signal de seconde harmonique HD2 est mesuré à l’autre extrémité. Plus le signal de seconde harmonique est faible, plus le niveau de performance de la structure est élevé. Le signal de seconde harmonique HD2 mesuré sur des substrats obtenus par le procédé de l’état de la technique était compris entre -96,2 dBm et -97,1 dBm pour tous les substrats POI S évalués. La FIG. 2 représente un procédé de préparation d’un substrat POI conforme à un mode de mise en œuvre. Ce procédé reprend toutes les étapes du procédé de l’état de la technique qui vient d’être présenté en référence à la FIG. 1 . Dans le procédé de la FIG. 2 toutefois, on fait précéder la première étape de dépôt S1, par une étape de traitement plasma Sp. Cette étape de traitement plasma comprenant l’exposition de la première face du substrat donneur 1 à un plasma d’un gaz neutre, ici de l’argon. Dans les tests réalisés qui ont conduit à l’invention, le plasma d’argon a été établi entre deux électrodes d’une chambre , ici une chambre de dépôt, dans laquelle a été disposé le substrat donneur 1, entre les deux électrodes. L’une des électrodes a été activée, à une première radiofréquence de 380kHz et à une première puissance de 100W et, simultanément, à une seconde radiofréquence de 13,55 MHz et à une seconde puissance de 250W. Le traitement plasma de l’étape Sp a été conduit pendant 10 secondes. Mais ces conditions ne forment nullement une limitation de l’invention, et on peut envisager que l’exposition de la première face du substrat donneur 1 à un plasma d’un gaz neutre soit réalisée sous d’autres conditions de préparation du plasma. On cherchera dans certains modes de mise en œuvre, à déterminer ces conditions de sorte que le plasma ait un effet de pulvérisation ionique (« sputtering » selon l’expression anglo-saxonne du domaine) sur la première face du substrat donneur 1. A l’issue des étapes de préparation incluant cette étape de traitement plasma Sp, on a procédé à la caractérisation de substrats POI présentant les mêmes caractéristiques structurelles que ceux présentés ci-dessus. Le signal de seconde harmonique HD2 mesuré sur des substrats obtenus par le procédé modifié, incluant cette étape de traitement plasma Sp, était compris entre -99,6 dBm et -100,5 dBm pour tous les substrats POI S évalués. Ces mesurent représentent un gain de plus de -3dBm par rapport aux mesures réalisées sur des substrats POI obtenus avec un procédé conforme à l’état de la technique, ce qui est significatif. On note que, s’il est usuel de procéder à une étape de traitement plasma (souvent un plasma d’oxygène) des couches diélectriques formant les faces à assembler de deux substrats pour favoriser cet assemblage, il est tout à fait original de réaliser un traitement plasma de la première face de substrat support, surtout préalablement à la formation sur cette face d’une couche diélectrique. L’effet de cette étape de traitement plasma sur les performances RF du substrat est d’autant plus surprenant. L’invention tire donc profit de ces résultats pour proposer un procédé amélioré de préparation d’un substrat POI S comprenant une couche mince 3 en matériau piézoélectrique reportée sur un support 5 par l’intermédiaire d’une couche d’assemblage diélectrique. Outre les étapes d’implantation S2, d’assemblage S4 et de fracture S5, le procédé conforme à l’invention comprend donc, avant la première étape de dépôt S1, une étape de traitement plasma Sp comprenant l’exposition de la première face du substrat donneur 1 à un plasma d’un gaz neutre. Avantageusement, ce gaz neutre comprend ou est constitué d’argon. Mais il peut s’agir également de krypton ou d’hélium. L’étape de traitement plasma Sp peut être conduite pendant une durée comprise entre 2 secondes et 1 minute. D’une manière générale, pendant ce traitement, le plasma de gaz neutre est formé entre deux électrodes d’une chambre dans lequel est positionné le substrat donneur. Au moins une première puissance d’activation à une première radiofréquence est appliquée à l’une des électrodes. Certains équipements prévoient également l’application d’une seconde puissance d’activation à une seconde radiofréquence, différente de la première radiofréquence. On constitue ainsi, entre les deux électrodes, le plasma du gaz neutre qui est introduit dans la chambre et on projette les espèces contenues dans ce plasma sur la première face du substrat donneur 1. La chambre peut être maintenue à une pression sous atmosphérique. La première radiofréquence est avantageusement supérieure à 1 MHz, préférentiellement supérieure à 10 MHz, et usuellement choisie à 13,56MHz. La première puissance est typiquement choisie pour être égale à 250W, plus généralement entre 100W et 500W. La seconde radiofréquence, lorsqu’une telle seconde radiofréquence est appliquée, est quant à elle avantageusement inférieure à 1 MHz, préférentiellement inférieure à 500k Hz, et la seconde puissance peut être égale à 100 W, plus généralement entre 25 W et la première puissance. Comme cela a été mentionné antérieurement, on pourra choisir dans certains cas les conditions de l’étape de traitement plasma pour que celui-ci conduise à un effet de pulvérisation ionique de la première face du substrat donneur 1. Lorsque l’on prévoit de former une partie au moins de la couche d'assemblage diélectrique 4 sur le substrat donneur 1 au cours d’une première étape de dépôt S1, l’étape d’activation Sp est conduite avant cette première étape de dépôt S1. Il peut être avantageux, dans certains cas, de combiner l’étape d’activation Sp et la première étape de dépôt S1, notamment lorsque cette première étape de dépôt S1 met en œuvre une technique PECVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). On peut alors mettre en œuvre l’étape de traitement plasma Sp et l’étape de dépôt S3 « in-situ » dans la chambre de l’équipement de dépôt. Par « in-situ », on signifie plus précisément que l’activation plasma de la première face du substrat donneur 1 puis le dépôt de la première couche diélectrique 4a, formant une partie au moins de la couche d’assemblage diélectrique, sont réalisés les uns à la suite des autres dans la chambre et sans exposer la première face du substrat donneur 1 à l’atmosphère ambiante. Comme on l’a énoncé en présentant le procédé qui est illustré sur la FIG. 1 , on peut prévoir dans le cadre de l’invention une deuxième étape de dépôt S3, cette deuxième étape de comprenant le dépôt d’une deuxième couche diélectrique 4b sur le support 1. La deuxième couche diélectrique 4b constitue avec la première couche diélectrique 4a la couche d’assemblage diélectrique 4 du substrat POI S. On note que la première étape de dépôt S1 peut être omise, et seule la deuxième étape de dépôt S3 est alors réalisée. Dans un tel cas, la couche d’assemblage diélectrique 4 du substrat POI S est constituée uniquement de la deuxième couche diélectrique. Dans tous les cas on prévoit dans un procédé conforme à l’invention d’appliquer au moins l’une des première et deuxième étapes de dépôt S1, S3 de sorte à constituer une couche d’assemblage diélectrique 4 sur l’une et/ou l’autre des faces à assembler, avant de procéder à l’étape suivante d’assemblage S4. La première couche diélectrique 4a et la seconde couche diélectrique 4b peuvent comprendre ou être constituées d’oxyde de silicium et/ou d’oxynitrure de silicium. Lorsque la première couche diélectrique 4a et la deuxième couche diélectrique sont présentes 4b, la première couche diélectrique présente 4a usuellement une épaisseur relativement fine en comparaison avec l’épaisseur de la deuxième couche 4b. Par exemple la première couche 4a peut présenter présente une épaisseur inférieure à 100nm, préférentiellement inférieure à 50nm. La deuxième couche 4b peut, quant à elle, présenter une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 500 nm. L’invention n’est toutefois pas limitée à une épaisseur particulière de la couche d’assemblage diélectrique 4 ni à sa nature. D’une manière générale, cette couche d’assemblage diélectrique 4 peut mettre en œuvre une ou plusieurs étape(s) de dépôt. Ces étapes de dépôt S1,S3 peuvent mettre en œuvre toute technique qui convient, par exemple une technique LPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur à pression sous atmosphérique) ou PECVD, comme cela a déjà précisé dans un mode avantageux de mise en œuvre. Une étape de dépôt S1,S3 peut être complétée par un recuit afin d’améliorer les propriétés de la couche diélectrique et/ou par un polissage afin de faciliter l’étape ultérieure d’assemblage S4. Le support 5 assure la tenue mécanique des couches, relativement minces, qui contribuent à former le substrat POI S et présente à cet effet une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, pour contribuer aux performances radiofréquence du substrat photonique 1, ce support 5 présente une résistivité élevée, supérieure à 750 ohms centimètres ou à 1000 ohms.centimètres, et plus préférentiellement encore, supérieure à 2000 ohms centimètres. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de s’y déplacer. Pour des raisons de disponibilité et de coût, le support 5 est préférentiellement en silicium monocristallin. Il peut s'agir par exemple et à titre d’illustration uniquement d'un substrat de silicium CZ à faible teneur en oxygène interstitiel comprise entre 6 et 10 ppm, ou d’un substrat de silicium FZ qui présente notamment une teneur en oxygène interstitiel naturellement très faible. Il peut également s'agir d'un substrat de silicium CZ présentant une quantité élevée d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression « High Oi ») supérieure à 26 ppm. Comme on l’a déjà brièvement indiqué et comme cela est illustré sur la FIG. 2 , le substrat POI S peut comporter un support 5 formé d’une couche superficielle de piégeage de charges électriques 5b disposé superficiellement sur un substrat de base 5a. Le substrat de base 5a peut alors être choisi en silicium et résistif, similairement à ce qui vient d’être présenté pour le support 5 dans le passage précédent. La couche de piégeage 5b peut être de nature très variée. D'une manière générale, il s'agit d'une couche non monocristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores… Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ainsi la conduction dans cette couche 4 qui présente en conséquence une résistivité élevée. La couche de piégeage 5b peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 30 micromètres, préférentiellement entre 50 nm et 5 micromètres. Selon une approche possible, et pour des raisons de simplicité de mise en œuvre, la couche de piégeage 5b est formée d'une couche de silicium polycristallin. Cette couche peut être formée par dépôt sur une face du substrat de base 5a. Dans ce cas, et afin de chercher à préserver la qualité polycristalline de cette couche au cours des traitements thermiques que peut subir le substrat POI S, on peut avantageusement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de silicium par exemple, sur le substrat de base 5a avant le dépôt de la couche de piégeage 5b. Selon une approche particulièrement avantageuse, la couche de piégeage 5b est constituée d’un oxyde riche en silicium, déposé sur le substrat de base 5a. Par « riche en silicium » on désigne un oxyde comportant une concentration atomique de silicium comprise entre 50% et 99,9%. L’oxygène et, éventuellement, de l’azote sont présents dans cette couche 5b dans des concentrations atomiques sous-stœchiométriques. De préférence cet oxyde présente une concentration atomique de silicium comprise entre 70% et 90% et une concentration atomique d’oxygène comprise entre 10% et 30%. Elle peut présenter de l’azote dans une concentration atomique comprise entre 8% et 45%. On pourra trouver des détails complémentaires sur la formation de la couche de piégeage 5b sous la forme d’une couche riche en silicium dans les publications WO2024115410, WO2024115411 et WO2024115414. Pour finir, on note que le substrat POI S se présente avantageusement sous la forme d’une plaquette circulaire, dont le diamètre est normé pour pouvoir être manipulé par des équipements standard de l’industrie du semi-conducteur. Ce diamètre est typiquement compris entre 100 mm et 200 mm. Toutefois, la forme et la dimension du substrat POI S ne forment nullement une limitation, et cette forme et cette dimension peuvent être choisies librement. L’insertion d’une étape de traitement plasma Sp de la première face du substrat donneur dans un procédé de préparation d’un substrat POI de l’état de la technique permet de manière surprenante d’améliorer de manière notable les propriétés RF de ce substrat. Bien entendu l'invention n'est pas limitée au mode de mise en œuvre décrit et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Procédé de préparation d’un substrat comprenant une couche mince (3) en matériau piézoélectrique reportée sur un support (5), le procédé comprenant : Une étape implantation (S2) comprenant l’introduction d'espèces dites « légères » dans une première face d'un substrat donneur (1) en matériau piézoélectrique pour former un plan de fragilisation (2) et définir la couche mince (3) entre le plan de fragilisation (2) et la première face du substrat donneur (1); une étape d'assemblage (S4) comprenant l’assemblage du substrat donneur (1) au support (5) par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage diélectrique (4), la fracture du substrat donneur (1) au niveau du plan de fragilisation (2) pour reporter la couche mince (3) sur le support (5) ; le procédé de préparation étant caractérisé en ce qu’il comprend, avant l’étape d’implantation (S2), une étape de traitement plasma (Sp) comprenant l’exposition de la première face du substrat donneur (1) à un plasma d’un gaz neutre. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel le gaz neutre est de l’argon. Procédé de préparation selon la revendication 1 dans lequel le gaz neutre est de l’hélium ou du krypton. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma (Sp) est conduite pendant une durée comprise entre 2 secondes et 1 minute au cours de laquelle la première face du substrat donneur est exposée au plasma de gaz neutre. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le plasma de gaz neutre est formé entre deux électrodes d’une chambre, au moins une première puissance d’une première radiofréquence étant appliquée à l’une des électrodes. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la première radiofréquence est supérieure à 10 MHz. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma (Sp) a un effet de pulvérisation ionique de la première face du substrat donneur (1). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma (Sp) est suivie d’une première étape de dépôt (S1), la première étape de dépôt comprenant le dépôt d’une première couche diélectrique (4a) sur la première face du substrat donneur (1), la première couche diélectrique (4a) constituant une partie au moins de la couche d’assemblage diélectrique (4). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’étape de traitement plasma (Sp) et l’étape de dépôt (S1) sont réalisées « in-situ » dans une même chambre. Procédé de préparation selon l’une des revendications 8 et 9 dans lequel la première couche diélectrique (4a) présente une épaisseur inférieure à 100nm, préférentiellement inférieure à 50nm. Procédé de préparation selon l’une revendications précédentes comprenant en outre une deuxième étape de dépôt (S3), la deuxième étape de dépôt (S3) comprenant le dépôt d’une deuxième couche diélectrique (4b) sur le support (5), la deuxième couche diélectrique constituant une partie au moins de la couche diélectrique (4). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la deuxième couche diélectrique (4b) présente une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 500 nm. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche d’assemblage diélectrique (4) comprend de l’oxyde de silicium et/ou de l’oxynitrure de silicium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le support (5) présente une couche superficielle de piégeage de charges électriques (5b). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la couche superficielle de piégeage de charges électriques (5b) est constituée de silicium polycristallin. Procédé de préparation selon la revendication 13 dans lequel la couche superficielle de piégeage de charges électriques (5b) comprend un oxyde riche en silicium.