FR 3164058 A1 20260102 FR 2406910 A 20240627 Dispositif comprenant une piste métallique et procédé de fabrication du dispositif Dispositif (100) comprenant: - une première couche (150) ; - une tranchée (O1) traversant partiellement la première couche (150) en s’étendant à partir d’une première face (F1), et étant remplie par ; - une couche d’arrêt de gravure (140) conductrice ; - une couche barrière (130) conductrice recouvrant la couche conductrice d’arrêt de gravure (140) ; et - une piste (110) d’un premier matériau métallique en contact avec la couche barrière (130), dans la tranchée (O1) ; - une ouverture (O2) dans la première couche (150) s’étendant à partir d’une deuxième face (F2), opposée à la première face (F1), de la couche diélectrique ou semiconductrice (150), l’ouverture traversant la première couche (150) jusqu’à la couche d’arrêt de gravure (140) ; et - une première couche (170) d’un deuxième matériau métallique recouvrant les parois de l’ouverture (O2). Figure pour l'abrégé : Fig. 1B Dispositif comprenant une piste métallique et procédé de fabrication du dispositif La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et leurs procédés de fabrication. En microélectronique, un dispositif peut comprendre des pistes conductrices connectées à des plots de connexion. Certains matériaux métalliques, le cuivre par exemple, présentent un risque d’électromigration lorsqu’ils sont traversés par un courant électrique important et présentent un risque de corrosion lorsqu’ils sont en contact avec un milieu humide. Afin de palier à ces risques, il est connu de positionner une couche barrière de diffusion en contact avec ces matériaux métalliques pour limiter le phénomène d’électromigration. Cependant, des solutions existantes pour former de tels dispositifs présentent le risque que les plots de connexion ne soient pas assez protégés contre l’électromigration et la corrosion. Il existe un besoin d’améliorer les dispositifs comprenant une ou plusieurs pistes métalliques connectées à des plots de connexion et leurs procédés de fabrication. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant : sur un substrat : - une couche diélectrique ou semiconductrice ; - une tranchée dans la couche diélectrique ou semiconductrice s’étendant à partir d’une première face de la couche diélectrique ou semiconductrice, la tranchée traversant partiellement la couche diélectrique ou semiconductrice et étant remplie par ; - une couche d’arrêt de gravure conductrice recouvrant les parois de la tranchée et en contact avec la couche diélectrique ou semiconductrice ; - une couche barrière conductrice recouvrant la couche conductrice d’arrêt de gravure ; et - une piste d’un premier matériau métallique en contact avec la couche barrière, dans la tranchée ; - une ouverture dans la couche diélectrique ou semiconductrice s’étendant à partir d’une deuxième face, opposée à la première face, de la couche diélectrique ou semiconductrice, l’ouverture traversant la couche diélectrique ou semiconductrice jusqu’à la couche d’arrêt de gravure ; et - une première couche d’un deuxième matériau métallique recouvrant les parois de l’ouverture. Selon un mode de réalisation, la première couche du deuxième matériau métallique forme un plot de connexion. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième couche d’un troisième matériau métallique recouvrant la première couche, le troisième matériau métallique étant par exemple de l’or, du titane ou du tungstène titane. Selon un mode de réalisation, la piste est une piste de sécurité configurée pour se casser en cas d’arrachement ou de fracture du diffuseur optique. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication comprenant : sur un substrat - une gravure d’une tranchée dans une couche diélectrique ou semiconductrice s’étendant à partir d’une première face de la couche diélectrique ou semiconductrice, la tranchée traversant partiellement la couche diélectrique ou semiconductrice ; - un dépôt d’une couche conductrice d’arrêt de gravure recouvrant les parois de la tranchée et en contact avec la couche diélectrique ou semiconductrice ; - un dépôt d’une couche barrière conductrice recouvrant la couche conductrice d’arrêt de gravure ; - un dépôt d’une piste dans un premier matériau métallique en contact avec la couche barrière, dans la tranchée ; - une gravure d’une ouverture dans la couche diélectrique ou semiconductrice s’étendant à partir d’une deuxième face, opposée à la première face, de la couche diélectrique ou semiconductrice, l’ouverture traversant la couche diélectrique ou semiconductrice jusqu’à exposer une partie de la couche conductrice d’arrêt de gravure ; et - un dépôt d’une première couche d’un deuxième matériau métallique recouvrant les parois de l’ouverture. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’étape de dépôt de la piste, une étape de dépôt de particules du premier matériau métallique à la surface de la couche barrière, les particules servant d’amorces pour le dépôt de la piste. Selon un mode de réalisation, le dépôt de la piste est effectué par dépôt électrolytique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant la gravure de l’ouverture, une étape d’amincissement pour exposer la couche diélectrique ou semiconductrice en dehors de la tranchée. Selon un mode de réalisation, l’ouverture est formée par gravure plasma. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant la gravure de l’ouverture, l’amincissement du substrat pour exposer la deuxième face de la couche diélectrique ou semiconductrice. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice d’arrêt de gravure est en nitrure de titane et a par exemple une épaisseur maximale comprise entre 30nm et 100nm. Selon un mode de réalisation, la couche barrière est en nitrure de tantale ou en tantale. Selon un mode de réalisation, le premier matériau métallique est du cuivre. Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau métallique est de l’or, du titane ou du tungstène titane. Selon un mode de réalisation, l’utilisation du dispositif décrit ci-dessus comprend l’application d’un courant sur la piste et la détection d’un circuit ouvert empêchant la conduction de ce courant. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues en coupe d’un dispositif comprenant une piste métallique selon un mode de réalisation de la présente description ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en perspective et en coupe et la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en coupe d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A et 1B selon un mode de réalisation de la présente description ; la FIG. 3 est une vue en coupe partielle d’un autre dispositif comprenant une piste métallique selon un mode de réalisation de la présente description, acquise par microscopie électronique en transmission et spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie ; la FIG. 4 représente des atomes de titane compris dans le dispositif de la FIG. 3 ; et la FIG. 4 représente des atomes de tantale compris dans le dispositif de la FIG. 3 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les procédés de fabrication mis en jeu lors de la fabrication d’un dispositif électronique tels que la photolithographie, les différents types de gravure et les procédés de dépôt sont connus de la personne du métier. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues en coupe d’un dispositif 100 comprenant une piste métallique 110 selon un mode de réalisation de la présente description. La FIG. 1 correspond à une vue en coupe du dispositif 100 de la FIG. 1 selon l’axe A1. Le dispositif 100 comprend par exemple un substrat 120. Le substrat 120 est par exemple une tranche de silicium ou de verre. La piste métallique 110 est formée sur le substrat 120, par exemple en contact direct avec sa surface. La piste métallique 110 est une piste conductrice configurée pour faire circuler un courant électrique. La piste métallique 110 est dans un premier matériau métallique, par exemple du cuivre, de l’aluminium, etc. La piste métallique 110 a par exemple une épaisseur comprise entre 100nm et 250nm, par exemple entre 160nm et 200nm. Une couche barrière de diffusion 130 recouvre la piste métallique 110. La couche 130 recouvre par exemple la face supérieure et les flancs de la piste métallique 110. La couche 130 est dans un premier matériau conducteur, par exemple du nitrure de tantale et/ou du tantale, de l’aluminium, etc. Dans d’autres modes de réalisation, la couche 130 est faite dans un autre matériau conducteur apte à faire une couche barrière de diffusion. La couche 130 est par exemple configurée pour protéger la piste métallique 110. La couche 130 est par exemple configurée pour éviter ou réduire une électromigration d’atomes de la piste métallique 110 vers des couches environnantes. La couche 130 est conductrice et connectée électriquement à la piste métallique 110. La couche 130 a par exemple une épaisseur comprise entre 5nm et 25nm, par exemple entre 10nm et 15nm. Une couche d’arrêt de gravure 140 recouvre par exemple la face supérieure et les flancs de la couche 130. La couche 140 est dans un deuxième matériau conducteur, par exemple du nitrure de titane, nitrure de tantale, etc. La couche 140 est par exemple configurée pour protéger la couche 130. Lors d’une étape de gravure configurée pour exposer la couche d’arrêt de gravure 140, la couche 140 est par exemple configurée pour que la couche 130 ne soit pas endommagée par la gravure. La couche 140 est par exemple au moins partiellement sacrifiée lors de l’étape de gravure et la couche 130 reste par exemple intacte. La couche 140 comprend par exemple des parties qui restent intactes lors de l’étape de gravure et qui conservent une épaisseur initiale correspondant à l’épaisseur maximale de la couche 140 après l’étape de gravure. La couche 140 a par exemple une épaisseur maximale comprise entre 30nm et 100nm, par exemple entre 40nm et 60nm. Selon un mode de réalisation, la couche 140 a par exemple une épaisseur maximale supérieure à 2% de l’épaisseur de l’ensemble des couches à graver, et par exemple une épaisseur maximale dans la plage de 2% à 4% de l’épaisseur de l’ensemble des couches à graver. La couche 140 est conductrice et connectée électriquement à la couche 130. Le nitrure de titane présente une haute résistivité et n’est pas habituellement utilisé pour effectuer une couche d’arrêt de gravure. Cependant, il s’agit d’un matériau résistant à un procédé de gravure, par exemple à un procédé de gravure plasma, et le choix de l’épaisseur de la couche 140 permet de pallier à la haute résistivité. Une couche diélectrique ou semiconductrice 150 est formée sur le substrat 120. La piste métallique 110 et les couches 130 et 140 sont par exemple dans une tranchée O1 de la couche 150 de sorte que la couche 150 soit en contact avec la couche 140. L’épaisseur E1 de la couche 150 est par exemple supérieure à la profondeur P1 de la tranchée O1. La tranchée O1 s’étend à partir d’une première face F1 de la couche 150, la tranchée O1 traversant partiellement la couche 150. La couche 150 comprend une ouverture O2 dans la couche 150 s’étendant à partir d’une deuxième face F2 de la couche 150, la face F2 étant opposée à la face F1. L’ouverture O2 traverse partiellement l’épaisseur de la couche 150 et s’étend jusqu’à la couche 140. La couche 150 est par exemple du silicium, de l’oxide de silicium, de l’orthosilicate de tétraéthyle etc. Selon un mode de réalisation, la couche 150 comprend un ensemble de couches diélectriques et/ou semiconductrices. La couche 150 a par exemple une épaisseur comprise entre 1µm et 2,5µm, par exemple entre 1,5µm et 2µm. Une première couche de métallisation 170, dans un deuxième matériau métallique, est en contact avec la couche 150 et la couche 140. La couche 170 est formée sur la deuxième face F2 de la couche 150 et recouvre les flans de la couche 150 dans l’ouverture O2. La couche 170 recouvre la partie de la couche 140 exposée par l’ouverture O2. Selon un mode réalisation, la couche 140 n’est pas continue : elle a par exemple été partiellement endommagée lors de la création de l’ouverture O2. La couche 170 est par exemple en or, en titane, en tungstène titane, en nitrure de titane, etc. La couche 170 est connectée électriquement à la couche 140, à la couche 130 et à la piste métallique 110. La couche 170 est par exemple à la surface du dispositif 100 et en contact avec l’environnement extérieur. La couche 170 est par exemple un plot de connexion 180 du dispositif 100 par exemple configuré pour connecter le dispositif 100 à un circuit électronique externe, non représenté. La présence de la couche d’arrêt de gravure 140 dans l’empilement comprenant cette couche 140 et la couche barrière de diffusion 130 a l’avantage de protéger la couche barrière de diffusion 130 lors d’une phase de gravure et d’éviter une électromigration des atomes de la piste métallique 110 vers la première couche de métallisation 170 et une corrosion de la piste métallique 110. Les figures 2A à 2G sont des vues en perspective et en coupe et les figures 2H à 2J sont des vues en coupe d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif 100 des figures 1A et 1B selon un mode de réalisation de la présente description. Certains éléments des figures 2A à 2J sont identiques à des éléments des figures 1A et 1B, et ces éléments sont désignés par les mêmes références et ne sont pas décrits à nouveau en détail. La FIG. 2 présente un exemple d’un dispositif 200 présentant un point de départ pour le procédé de fabrication du dispositif 100 des figures 1A et 1B. Le dispositif 200 de la FIG. 2 comprend la couche diélectrique ou semiconductrice 150 des figures 1A et 1B sur un substrat temporaire 210. Dans l’exemple de la FIG. 2 , la couche 150 comprend un empilement de couches diélectriques et/ou semiconductrices et comprend un diffuseur optique comprenant par exemple des structures de diffraction en poly silicium 220. L’empilement de couches de la couche 150 est par exemple obtenue selon des étapes de fabrication connues de la personne du métier et qui ne seront pas détaillées. Une première étape optionnelle de photolithographie est par exemple effectuée pour générer un premier masque 230 sur la première face F1 de la couche 150 servant pour la formation d’une première ouverture correspondant à la tranchée O1. Le premier masque 230 est par exemple une résine photosensible. La tranchée O1 représente par exemple un motif correspondant à la trajectoire de la piste métallique 110 des figures 1A et 1B. La largeur L1 de la tranchée O1 est par exemple supérieure à la largeur de la piste métallique 110. Une première étape de gravure est par exemple effectuée à la suite de l’étape de photolithographie pour graver la couche 150 à la position de la tranchée O1. Après la première étape de gravure, le premier masque 230 est par exemple retiré, par exemple par polissage abrasif. La FIG. 2 représente le dispositif 200 de la FIG. 2 après une étape de dépôt de la couche d’arrêt de gravure 140. La couche 140 recouvre au moins partiellement la surface de la couche 150 et, en particulier, recouvre les parois de la tranchée O1. L’étape de dépôt est par exemple réalisée par déposition physique en phase vapeur, déposition chimique en phase vapeur, etc. La couche 140 est par exemple en nitrure de titane ou en nitrure de tantale. Un avantage d’utiliser l’un de ces matériaux est qu’ils sont déjà utilisés pour d’autres applications en microélectronique, rendant les procédés de dépôt facilement réalisables. Les procédés de dépôt mis en jeu dans cette description, l’interaction de ces matériaux avec les autres matériaux du dispositif 100 et les risques de pollution sont connus et maîtrisés par la personne du métier. En outre, le nitrure de titane et le nitrure de tantale résistent à un procédé de gravure plasma. Dans d’autres mode de réalisation, la couche 140 est faite d’un autre matériau apte à faire une couche d’arrêt de gravure, en particulier de gravure plasma. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape de dépôt de la couche barrière de diffusion 130. La couche 130 recouvre au moins partiellement la surface de la couche 140 et, en particulier, recouvre les parois de la couche 140 dans la tranchée O1. L’étape de dépôt est par exemple réalisée par déposition physique en phase vapeur, déposition chimique en phase vapeur, etc. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape de dépôt d’une couche métallique 110’. Selon un mode de réalisation, avant l’étape de dépôt de la couche métallique 110’, des particules du premier matériau métallique sont par exemple déposées à la surface de la couche 140 et servent d’amorces pour un procédé de dépôt électrolytique de la couche 110’. Selon un autre mode de réalisation, la couche métallique 110’ est par exemple déposée par déposition chimique en phase vapeur. La couche métallique 110’ recouvre au moins partiellement la surface de la couche 130 et, en particulier, comble la tranchée O1. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape d’amincissement. Le dispositif est par exemple aminci de sorte à exposer la première face F1 de la couche 150 en dehors de la tranchée O1. L’amincissement est par exemple réalisé par polissage abrasif. A la suite de l’étape 2E, le dispositif comprend la piste métallique 110. La piste métallique 110 correspond à la couche métallique 110’ amincie et est en contact sur sa face inférieure et ses faces latérales avec un empilement de couches comprenant la couche 130 et la couche 140. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une ou plusieurs étapes optionnelles de déposition de couches 240. Les couches 240 recouvrent la surface de la piste métallique 110 et sont par exemple des couches diélectriques, conductrices et/ou semiconductrices. La piste métallique 110 est par exemple en contact avec une couche diélectrique ou semiconductrice de l’empilement des couches 240. Selon un mode de réalisation, le substrat 120 du dispositif 100 de la FIG. 1 est collé à la surface des couches 240. Selon un autre mode de réalisation, en l’absence de couches 240, le substrat 120 est collé à la surface de la première face F1 de la couche 150 et recouvre la surface de la couche 140. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 ayant été retourné pour exposer le substrat temporaire 210. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape d’amincissement et de photolithographie. Le dispositif est aminci, par exemple par gravure chimique et/ou polissage abrasif, pour retirer le substrat temporaire 210. En outre, un deuxième masque 245 est déposé à la surface de la deuxième face F2 de la couche 150. Le deuxième masque 245 est par exemple une résine photosensible. Le deuxième masque comprend une ouverture alignée avec l’emplacement de l’ouverture O2 à faire dans la couche 150. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape de gravure, par exemple de gravure au plasma. Le procédé de gravure est configuré pour former l’ouverture O2 et pour exposer au moins partiellement la couche 140. L’ouverture O2 s’étend à partir de la deuxième face F2 et traverse la couche 150 jusqu’à exposer la couche 140. Selon des modes de réalisation, la couche 140 est partiellement gravée. La couche 140 protège la couche 130 lors de cette étape de gravure, en particulier dans les angles 250. L’ouverture O2 a une largeur L2 qui est par exemple inférieure ou égale à la largeur L1 de la tranchée O1. Le deuxième masque 245 est par exemple retiré à la fin de l’étape de gravure, par exemple par une étape de nettoyage chimique par voie aqueuse. La couche 140 protège les couches 130 et 110 d’une corrosion lors de cette étape de nettoyage. La FIG. 2 représente le dispositif de la FIG. 2 après une étape de dépôt de la première couche de métallisation 170. La couche 170 est déposée à la surface du dispositif de la FIG. 2 et recouvre la surface de l’ouverture O2. La couche 170 est en contact avec la couche 150 et/ou la couche 140. La couche de métallisation 170 est dans un deuxième matériau métallique, par exemple de l’or, du titane, du tungstène titane, du nitrure de titane, etc, qui est par exemple le même matériau ou un matériau différent du premier matériau métallique. La couche de métallisation 170 a par exemple une épaisseur comprise entre 30nm et 350nm, par exemple entre 250nm et 350nm. Selon un mode de réalisation, l’étape 2J est répétée plusieurs fois et la couche 170 est recouverte par une ou plusieurs couches métalliques 270 déposées successivement. Par exemple, la couche 170 est en titane, par exemple d’épaisseur comprise entre 30nm et 75nm, puis une deuxième couche en tungstène titane, par exemple avec 10% de tungstène en poids, est déposée à la surface de la couche 170, par exemple avec une épaisseur comprise entre 80nm et 120nm, puis une troisième couche en or, par exemple d’épaisseur comprise entre 250nm et 350nm, est déposée à la surface de la deuxième couche. Le potentiel de corrosion du deuxième matériau métallique est par exemple plus élevé que le potentiel de corrosion du premier matériau métallique. Le deuxième matériau métallique est alors moins susceptible à la corrosion que le premier matériau métallique. Par exemple, l’or a un potentiel de corrosion inférieur au cuivre. En particulier, si la piste métallique 110, ou des atomes du premier matériau métallique, entrent en contact avec le deuxième matériau métallique, alors une corrosion galvanique peut se produire. L’ensemble formé de la couche 170, et de la ou les couches métalliques 270 si elles sont présentes, forme par exemple le plot de connexion 180. Dans une étape de gravure optionnelle succédant à l’étape J, la forme et les dimensions finales du plot de connexion 180 sont obtenues. A la suite de l’étape 2J est obtenu un dispositif 100’ similaire au dispositif 100 des figures 1A et 1B. Dans l’exemple de la FIG. 2 , la couche 150 comprend un empilement de couches et la couche métallique 270 est formée à la surface de la couche 170. Selon un mode de réalisation, les matériaux des couches 110, 130, 140 et 170 sont distincts les uns des autres. Le dispositif 100’, comprenant un diffuseur optique, est un dispositif passif configuré pour altérer la propagation d’un faisceau lumineux (non illustré). Le dispositif 100’ est par exemple configuré pour atténuer une intensité lumineuse d’un faisceau laser incident, par exemple un laser ayant une puissance comprise entre 1W et 2W. La piste métallique 110 est par exemple positionnée sur le chemin optique du faisceau laser et configurée pour détecter une défaillance du diffuseur optique du dispositif 100’. La couche 150 comprend par exemple des structures de diffraction en poly silicium 220 et est par exemple configurée pour être partiellement transparente sur une plage de longueurs d’onde donnée et pour atténuer l’intensité lumineuse d’un faisceau laser la traversant. La piste métallique 110 est par exemple une piste de sécurité configurée pour se casser en cas d’arrachement ou de fracture du diffuseur optique. La piste métallique 110 est par exemple connectée en boucle fermée avec l’alimentation du laser. Le laser est par exemple éteint automatiquement si la piste métallique 110 est endommagée. La FIG. 3 est une vue en coupe partielle d’un dispositif 300 comprenant la piste métallique 110 des figures 1A à 2J selon un mode de réalisation de la présente description, acquise par microscopie électronique en transmission et spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie. Certains éléments de la FIG. 3 sont identiques à des éléments des figures 1A et 1B, ces éléments sont désignés par les mêmes références et ne sont pas décrits à nouveau en détail. Dans l’exemple de la FIG. 3 , trois couches métalliques 270 recouvrent la couche 170 du dispositif 300. La FIG. 4 représente les atomes de tantale compris dans le dispositif de la FIG. 3 . Dans l’exemple des figures 3 et 4A, la couche 130 comprend du tantale, elle est par exemple en tantale ou en nitrure de tantale. La FIG. 4 illustre que la couche 130 est intacte suite au procédé de gravure de l’étape 2I. La piste métallique 110 reste entièrement recouverte par la couche 130. La FIG. 4 représente les atomes de titane compris dans le dispositif de la FIG. 3 . Dans l’exemple des figures 3 et 4B, la couche 140 comprend du titane, elle est par exemple en titane ou en nitrure de titane. La couche 140 recouvre la couche 130 pour la protéger lors du procédé de gravure de l’étape 2I. La couche 170 est par exemple en titane. La FIG. 4 illustre que la couche 140 est intacte suite au procédé de gravure de l’étape 2I. La couche 130 est effectivement protégée par la couche 140 lors du procédé de gravure de l’étape 2I. Le dispositif 100 est par exemple une interface de connexion entre un composant ou une puce électronique et son environnement extérieur. Le dispositif 100 est par exemple une cellule mémoire programmable une seule fois. Le dispositif 100 est par exemple un système électronique et/ou optique comprenant une ligne métallique, par exemple configurée pour un routage d’information, une alimentation électrique ou un témoin d’intégrité physique du dispositif. Le dispositif 100 des figures 1A et 1B, le dispositif 100’ de la FIG. 2 et le dispositif 300 des figures 3, 4A et 4B ont par exemple de nombreuses applications dans de nombreux secteurs de l’industrie. Par exemple, le dispositif 100, 100’, 300 est intégré dans un système comprenant un ou plusieurs autres composants. Le système est par exemple destiné à être implémenté dans des systèmes électroniques à usage personnel, par exemple dans des systèmes connectés, par exemple utilisant une connexion 5G ou radiofréquences. Le système est par exemple un téléphone portable ou fait partie d’un réseau d’un objet connecté. Le système communique par exemple avec la 5G, la WIFI ou en ultra-large bande. Le système comprend par exemple des interfaces à haute vitesse, par exemple avec un filtrage avancé et une protection contre les décharges électromagnétiques. Par exemple, le système est utilisé dans des systèmes de reconnaissance faciale dans l’électronique personnelle, par exemple dans des téléphones mobiles ou des ordinateurs portables, ou bien dans des systèmes de télémétrie, par exemple compris dans des tablettes électroniques, ou des capteurs de profondeur. Le système est par exemple destiné à être implémenté dans des équipements de communication ou dans des ordinateurs et périphériques. Par exemple, le système est utilisé dans des infrastructures 5G et des centres de données dédiés. Le système comprend par exemple des diodes en carbure de silicium, des transistors Schottky, des protections contre des décharges électromagnétiques et des diodes de suppression de tension transitoire. Le système est par exemple utilisé dans un satellite, comprenant par exemple des systèmes passifs intégrés pour des applications utilisant des fréquences radio. Le système met par exemple en œuvre des technologies trois-dimensionnelles (3D) lors de sa fabrication, c’est-à-dire des réalisations par un empilement de plusieurs tranches de silicium (en anglais « silicon tiers »). Le système est par exemple une cellule mémoire non volatile reprogrammable ou un capteur d’images empilé connecté par la face arrière, par exemple un capteur rétro-éclairé réalisé par technologies 3D. Un avantage de la présence de la couche d’arrêt de gravure 140 à la surface de la couche barrière de diffusion 130 est une meilleure protection de la piste métallique 110 pour réduire les risques d’électromigration et de corrosion. Eviter ou réduire la gravure de la couche barrière de diffusion 130 lors de l’étape de la FIG. 2 est également avantageux dans le cas où cette couche barrière 130 est réalisée dans un type de matériau, par exemple du tantale, qui génère des résidus polymériques difficiles à retirer. En revanche, il est possible de réaliser la couche d’arrêt de gravure 140 dans un matériau générant des résidus moins polluants. Un autre avantage des divers modes de réalisation présentés est que la résistance de l’empilement de couches formé des couches 110, 130, 140 et 170 est peu modifiée par la présence de la couche 140. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que des modes de réalisation ont été décrits dans lesquels une piste métallique est connectée électriquement à un plot de connexion, dans d’autres modes de réalisation, la piste métallique pourrait être connectée à d’autres structures. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (100, 100’) comprenant : sur un substrat : - une couche diélectrique ou semiconductrice (150) ; - une tranchée (O1) dans la couche diélectrique ou semiconductrice (150) s’étendant à partir d’une première face (F1) de la couche diélectrique ou semiconductrice (150), la tranchée traversant partiellement la couche diélectrique ou semiconductrice (150) et étant remplie par ; - une couche d’arrêt de gravure (140) conductrice recouvrant les parois de la tranchée (O1) et en contact avec la couche diélectrique ou semiconductrice (150) ; - une couche barrière (130) conductrice recouvrant la couche conductrice d’arrêt de gravure (140) ; et - une piste (110) d’un premier matériau métallique en contact avec la couche barrière (130), dans la tranchée (O1) ; - une ouverture (O2) dans la couche diélectrique ou semiconductrice (150) s’étendant à partir d’une deuxième face (F2), opposée à la première face (F1), de la couche diélectrique ou semiconductrice (150), l’ouverture traversant la couche diélectrique ou semiconductrice (150) jusqu’à la couche d’arrêt de gravure (140) ; et - une première couche (170) d’un deuxième matériau métallique recouvrant les parois de l’ouverture (O2). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la première couche (170) du deuxième matériau métallique forme un plot de connexion (180). Dispositif (100, 100’) selon la revendication 1 ou 2, comprenant une deuxième couche (270) d’un troisième matériau métallique recouvrant la première couche, le troisième matériau métallique étant par exemple de l’or, du titane ou du tungstène titane. Dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche conductrice d’arrêt de gravure (140) est en nitrure de titane et a par exemple une épaisseur maximale comprise entre 30nm et 100nm. Dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche barrière (130) est en nitrure de tantale ou en tantale. Dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier matériau métallique est du cuivre. Dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième matériau métallique est de l’or, du titane ou du tungstène titane. L’utilisation du dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant l’application d’un courant sur la piste (110) et la détection d’un circuit ouvert empêchant la conduction de ce courant. Diffuseur optique (300) comprenant le dispositif (100, 100’) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la piste (110) est une piste de sécurité configurée pour se casser en cas d’arrachement ou de fracture du diffuseur optique. Procédé de fabrication comprenant : sur un substrat - une gravure d’une tranchée (O1) dans une couche diélectrique ou semiconductrice (150) s’étendant à partir d’une première face (F1) de la couche diélectrique ou semiconductrice (150), la tranchée traversant partiellement la couche diélectrique ou semiconductrice (150) ; - un dépôt d’une couche conductrice d’arrêt de gravure (140) recouvrant les parois de la tranchée (O1) et en contact avec la couche diélectrique ou semiconductrice (150) ; - un dépôt d’une couche barrière (130) conductrice recouvrant la couche conductrice d’arrêt de gravure (140) ; - un dépôt d’une piste (110) dans un premier matériau métallique en contact avec la couche barrière (130), dans la tranchée (O1) ; - une gravure d’une ouverture (O2) dans la couche diélectrique ou semiconductrice (150) s’étendant à partir d’une deuxième face (F2), opposée à la première face (F1), de la couche diélectrique ou semiconductrice (150), l’ouverture traversant la couche diélectrique ou semiconductrice (150) jusqu’à exposer une partie de la couche conductrice d’arrêt de gravure (140) ; et - un dépôt d’une première couche (170) d’un deuxième matériau métallique recouvrant les parois de l’ouverture (O2). Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre, avant l’étape de dépôt de la piste (110), une étape de dépôt de particules du premier matériau métallique à la surface de la couche barrière (130), les particules servant d’amorces pour le dépôt de la piste (110). Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le dépôt de la piste (110) est effectué par dépôt électrolytique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, comprenant en outre, avant la gravure de l’ouverture (O2), une étape d’amincissement pour exposer la couche diélectrique ou semiconductrice (150) en dehors de la tranchée (O1). Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel l’ouverture (O2) est formée par gravure plasma. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, comprenant en outre, avant la gravure de l’ouverture (O2), l’amincissement du substrat pour exposer la deuxième face (F2) de la couche diélectrique ou semiconductrice (150).